Transistor (200 ; 600 ; 700) comprenant une région de source (224), une région de drain (226) et une région de corps (222 ; 622 ; 722) disposées dans une couche semiconductrice (220), et une région de grille (230) surmontant la région de corps ; la région de corps comprenant une première couche (222A ; 622A ; 722A) dopée et une deuxième couche (222B ; 622B ; 722B) entre la première couche et la région de grille, la deuxième couche étant une couche épitaxiale, et étant moins dopée que la première couche. Transistor (200 ; 600 ; 700) selon la revendication 1, dans lequel le dopage de la première couche (222A ; 622A ; 722A) est 2 à 10 fois, par exemple 5 à 10 fois, supérieur au dopage de la deuxième couche (222B ; 622B ; 722B). Transistor (200 ; 600 ; 700) selon la revendication 1 ou 2, dans lequel l’épaisseur de la deuxième couche (222B ; 622B ; 722B) est supérieure à 10 nm, de préférence supérieure ou égale à 15 nm, par exemple égale à environ 20 nm, et/ou l’épaisseur de la première couche (222A ; 622A ; 722A) est inférieure ou égale à 50 nm, de préférence inférieure à 45 nm, par exemple égale à environ 40 nm. Transistor (200 ; 600 ; 700) selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la deuxième couche (222B ; 622B ; 722B) est non intentionnellement dopée. Transistor (200 ; 600) selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel la première couche (222A ; 622A) est une couche dopée par implantation ionique. Transistor (700) selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel la première couche (722A) est une couche épitaxiale dopée. Transistor (200 ; 600 ; 700) selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel la région de source (224), la région de drain (226), et la deuxième couche (222B ; 622B ; 722B) affleurent au niveau d’une première face (220A) de la couche semiconductrice (220). Transistor (200 ; 600 ; 700) selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, comprenant en outre une couche isolante (210) en contact avec une deuxième face (220B) de la couche semiconductrice, la première couche (222A ; 622A ; 722A) étant en contact avec ladite couche isolante. Transistor (200 ; 600 ; 700) selon l’une quelconque des revendications 1 à 8, comprenant en outre une couche d’isolant de grille (232) entre la région de grille (230) et la deuxième couche (222B ; 622A ; 722A). Transistor (200 ; 600 ; 700) selon l’une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel la deuxième couche (222B ; 622A ; 722A) correspond à, ou inclut, une région de formation de canal (223) du transistor. Transistor (600) selon l’une quelconque des revendications 1 à 10, comprenant en outre une couche d’arrêt de diffusion (625), par exemple en carbure de silicium, entre la première couche (622A) et la deuxième couche (622B). Procédé de fabrication d'un transistor (200 ; 600 ; 700) comprenant une région de source (224), une région de drain (226) et une région de corps (222 ; 622 ; 722) disposées dans une couche semiconductrice (220), et une région de grille (230) surmontant la région de corps, le procédé comprenant une étape de formation de la région de corps comportant : - la formation d’une première couche (222A ; 622A ; 722A) dopée ; et - la formation par croissance épitaxiale d’une deuxième couche (222B ; 622B ; 722B) surmontant la première couche, la croissance épitaxiale étant configurée pour que la deuxième couche soit moins dopée que la première couche. Procédé selon la revendication 12, dans lequel la croissance épitaxiale est configurée pour que la deuxième couche soit non intentionnellement dopée. Procédé selon la revendication 12 ou 13, dans lequel l’étape de formation de la région de corps comprend : - la gravure d’une couche semiconductrice initiale (320) sur une profondeur (P) inférieure à l’épaisseur (Tsi) de ladite couche semiconductrice initiale ; la formation de la première couche comprenant le dopage, par exemple par implantation ionique, de l’épaisseur non gravée de la couche semiconductrice initiale ; et la formation par croissance épitaxiale de la deuxième couche étant réalisée après le dopage de la première couche ; l’épaisseur (Tepi) de la deuxième couche étant par exemple sensiblement égale, voire légèrement supérieure, à la profondeur (P) de gravure. Procédé selon la revendication 14, dans lequel l’étape de formation de la région de corps comprend en outre une étape de recuit réalisée après le dopage. Procédé selon la revendication 12 ou 13, dans lequel l’étape de formation de la région de corps comprend : - la gravure d’une couche semiconductrice initiale (320) sur sensiblement toute l’épaisseur de ladite couche semiconductrice initiale ; la formation de la première couche comprenant une croissance épitaxiale avec dopant sur la couche semiconductrice initiale gravée ; et la formation par croissance épitaxiale de la deuxième couche étant réalisée après la croissance épitaxiale avec dopant de la première couche ; l’épaisseur de la première couche étant, par exemple, inférieure à l’épaisseur de la couche semiconductrice initiale, et l’épaisseur de la deuxième couche étant, par exemple, sensiblement égale, ou légèrement supérieure, à l’épaisseur de la couche semiconductrice initiale moins l’épaisseur de la première couche. Procédé selon l’une quelconque des revendications 12 à 16, comprenant en outre une étape de dépôt d’une couche d’arrêt de diffusion (625), par exemple en carbure de silicium, entre la première couche (622A) et la deuxième couche (622B). Dispositif électronique comprenant au moins un transistor selon l'une quelconque des revendications 1 à 11. Commutateur radiofréquence comportant au moins un transistor selon l'une quelconque des revendications 1 à 11.