INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
La première bordure 27 de la première portion latérale 20, la deuxième bordure 28 de la troisième portion latérale 23, la troisième bordure 30 de la deuxième portion latérale 21 et la quatrième bordure 31 de la quatrième portion latérale 24 ne sont pas rectilignes. Elles sont de préférence courbes pour épouser la forme des orifices de déformation 5, 6 qui sont oblongs.
Doublure de volet de coffre de véhicule automobile L’invention concerne les ouvrants de véhicule automobile. L’invention traite d’une doublure d’ouvrant avec une paroi vitrée de véhicule automobile. L’invention a également pour objet un véhicule automobile avec un ouvrant vitré.
La présente quatre graphiques illustrant les tracés des petits signaux (gain et bruit) de trois LNA selon différentes configurations. La première configuration (con , ligne 58), comprend un seul étage d’amplification avec une structure cascode comprenant des transistors SiGe à la fois comme émetteur commun et base commune (par exemple, comme illustré à la ), on constate que la bande 60 de 28 GHz est couverte avec un gain suffisant et que le bruit est d’environ 1,64 dB à 28 GHz.
La deuxième configuration (con , ligne 62) comprend un transistor SiGe et un transistor SOI dans une structure cascode unique (par exemple, comme illustré à la ). La bande 5G est couverte avec un gain moindre et un bruit légèrement plus élevé d’environ 1,78 dB à 28 GHz par rapport à la première configuration.
La troisième configuration (con , ligne 64) comprend deux étages d’amplification (par exemple, comme illustré à la ) avec un seul transistor SiGe dans le premier étage d’amplification et une structure cascode hybride dans le second étage d’amplification. Le gain perdu de la con est compensée par le premier étage. Cette configuration peut donner un bruit plus faible, entre 25 et 30 GHz, grâce à la formule de Friis.
La présente les tracés du signal large pour les trois mêmes configurations. Con commence la compression plus tôt que les autres configurations utilisant des transistors SOI. Configs. 2 et 3 ont le même niveau d’OP1 et d’OIP3. Con donne le meilleur IP1 (puissance d’entrée à 1 dB de compression). L’ajout d’un étage supplémentaire (comme dans la con ) augmente le gain mais réduit l’IP1. Les résultats indiquent un avantage à utiliser des transistors SOI pour améliorer la linéarité.
En général, les modes de réalisation divulgués ici fournissent un amplificateur à faible bruit (LNA) comprenant un substrat de silicium sur isolant (SOI) comprenant une couche d’oxyde enterrée (BOX), dans lequel ledit substrat SOI comprend une région massive dans laquelle la couche d’oxyde enterrée est retirée, et un transistor bipolaire situé dans ladite région massive. Le LNA comprend en outre une couche métallique épaisse (par exemple, le métal supérieur) pour la connexion au LNA. Le transistor bipolaire peut être un transistor SiGe (silicium-germanium).
Le substrat SOI est un substrat SOI à haute résistance (HR) comprenant une plaquette de manipulation en silicium ayant une résistivité supérieure à 3 kΩ-cm. Par exemple, le substrat de silicium peut avoir une épaisseur comprise entre 500 µm et 1 000 µm. Le substrat HR SOI peut réduire les capacités parasites. Le LNA peut en outre comprendre une pluralité de composants passifs (par exemple, des inductances, des résistances et des condensateurs) formés sur ledit substrat SOI au-dessus de ladite couche BOX. La couche BOX peut, par exemple, avoir une épaisseur comprise entre 0,4 µm et 3 µm. La couche de silicium active a généralement une épaisseur inférieure à 1 µm, par exemple environ 0,1 µm ou 0,2 µm. Les dispositifs situés dans la couche de silicium active au-dessus de la couche BOX, tels que les transistors, sont généralement séparés par des STI.
Les composants passifs peuvent être formés à partir de et/ou sont connectés par une couche métallique épaisse (par exemple, le métal supérieur d’une pile arrière CMOS) ou deux couches métalliques épaisses se recouvrant au moins partiellement. La ou les couches métalliques épaisses comprennent généralement du cuivre. Les couches métalliques épaisses peuvent avoir une épaisseur supérieure à 1 µm. Par exemple, les couches métalliques épaisses peuvent avoir une épaisseur comprise entre 2 µm et 4 µm, par exemple environ 3 µm. La plus grande épaisseur peut réduire la résistance et améliorer les performances d’au moins certains des composants passifs. Par exemple, les inducteurs du LNA peuvent être formés par une ou plusieurs spires de bobine dans la ou les couches métalliques épaisses. Typiquement, une pluralité de couches métalliques est située sur le substrat SOI dans lequel la ou les couches métalliques épaisses sont situées au sommet (le plus éloigné de la couche de silicium active). Le métal 1 est la première couche métallique située le plus près du silicium actif et peut être directement connectée au transistor bipolaire. La première couche métallique peut avoir une épaisseur inférieure à 1 µm, par exemple une épaisseur d’environ 0,3 µm, ce qui est significativement plus mince que la ou les couche(s) métallique(s) épaisse(s). La pluralité de couches métalliques peut être séparée par des couches interdiélectriques (par exemple, des couches d’oxyde de silicium) et connectée électriquement par des vias.
Le LNA peut comprendre une structure cascode (également appelée topologie cascode) comprenant ledit transistor bipolaire étant un émetteur commun de ladite structure cascode. La base commune (grille) de la structure cascode peut être un second transistor bipolaire (par exemple, un transistor SiGe) dans une région massive du substrat SOI ou un transistor SOI « normal » (par exemple, un transistor CMOS) formé dans la couche de silicium active au-dessus de la couche BOX du substrat SOI.
Le LNA peut comprendre deux étages d’amplification, par exemple un circuit d’amplification de premier étage et un circuit d’amplification de second étage, dans lequel ledit circuit d’amplification de premier étage comprend ledit transistor bipolaire et dans lequel ledit circuit d’amplification de second étage comprend une structure cascode. La structure cascode peut comprendre un premier transistor SOI étant une source commune de ladite structure cascode et un second transistor SOI constituant une grille commune de ladite structure cascode. Dans ce mode de réalisation, le second étage d’amplification peut comprendre uniquement des transistors SOI (par exemple des transistors CMOS), ce qui peut améliorer la linéarité du LNA. Dans un autre mode de réalisation, ladite structure cascode peut comprendre un second transistor bipolaire dans une région massive dudit substrat SOI, dans lequel ledit second transistor bipolaire est un émetteur commun de ladite structure cascode, et dans lequel la structure cascode comprend un transistor SOI qui est une grille commune de ladite structure cascode. C’est-à-dire que le second étage d’amplification comprend une structure cascode hybride avec. Le premier étage d’amplification comprend généralement un seul émetteur commun (pas de structure cascode) étant le transistor bipolaire dans la région massive. Ou bien, ledit circuit amplificateur de premier étage peut comprendre une seconde structure cascode comprenant ledit transistor bipolaire étant un émetteur commun de ladite seconde structure cascode. Ladite seconde structure cascode peut comprendre un second transistor bipolaire situé dans une région massive dudit substrat SOI, dans lequel ledit second transistor bipolaire est une base commune de ladite structure cascode. C’est-à-dire que les deux transistors de la structure cascode du premier étage d’amplification sont des transistors bipolaires (par exemple des transistors SiGe) formés dans une région massive du substrat SOI dans ce mode de réalisation. Dans un autre mode de réalisation, ladite seconde structure cascode comprend un transistor SOI qui est une grille commune de ladite structure cascode (pour former une structure cascode hybride avec le transistor bipolaire).
Un autre mode de réalisation fournit un appareil pour les télécommunications (par exemple un équipement utilisateur, UE, tel qu’un téléphone mobile) comprenant un LNA selon un mode de réalisation divulgué ici, dans lequel le LNA est agencé dans l’appareil pour amplifier un signal reçu par l’appareil.
EMPILEMENT DE COUCHES MONOCRISTALLINES POUR LA RÉALISATION DE DISPOSITIFS MICROÉLECTRONIQUES À ARCHITECTURE 3D L’invention concerne le domaine des dispositifs microélectroniques à architecture 3D comprenant des transistors, notamment réalisés à partir d’empilement multicouches de matériaux monocristallins. L’invention s’applique en particulier à la réalisation de transistors en technologie MOS avancée GAA (« Gate-All-Around » en anglais, ou à grille enrobante) de type NanoSheet (ou à nano-feuilles), ForkSheet (ou à feuille de fourche) ou CFET (« Complementary Field-Effect Transistors », ou transistors à effet de champ complémentaires), ou bien à la réalisation de dispositifs mémoires à architecture 3D incluant des transistors d’accès en technologie MOS avancée GAA et par exemple de type 1T1R (chaque point mémoire étant formé par un élément résistif couplé à un transistor d’accès) ou 1T1C (chaque point mémoire étant formé par un élément capacitif couplé à un transistor d’accès).
État de la technique antérieure Les dernières technologies CMOS utilisent (et utiliseront) une disposition alternée de couches de deux matériaux semi-conducteurs qui peuvent être éliminées sélectivement l'une par rapport à l'autre. Ceci fournit les conditions pour obtenir des couches dites "suspendues" et créer un transistor GAA. Les couches utilisées sont en général formées de Si, Ge, SiGe ou GeSn, la technologie la plus répandue étant cependant basée sur une alternance de couches de Si et de SiGe.
La technologie des transistors GAA basée sur une alternance de couches de Si et de SiGe fait appel à du SiGe avec une concentration de Ge comprise entre 25 et 35 %, et des épaisseurs typiquement inférieures à 15 nm pour chaque couche de Si et de SiGe. En termes de conception, un aspect qui limite le nombre total de couches alternées réalisables est la stabilité mécanique de la structure. Dans le cas d'une croissance Si/SiGe sur un substrat Si, les couches de SiGe sont sous contrainte en compression. Les couches peuvent conserver cette contrainte jusqu'à une certaine épaisseur dite épaisseur critique (voir par exemple le document de J. M. Hartmann et al., « Critical thickness for plastic relaxation of SiG on Si(001) revisited », Journal of applied Physics, vol. 110, 083529 (2011)). Pour une épaisseur plus importante, la couche de SiGe relâchera une partie de cette contrainte en émettant des dislocations, ce qui est préjudiciable aux performances/fonctionnalités du dispositif. Il en va de même pour l'empilement multicouche. A titre indicatif, la concentration moyenne en Ge dans l'empilement est prise pour définir l'épaisseur critique de l'empilement. Il est alors clair qu'utiliser une concentration en Ge plus élevée pour les couches de l'empilement limite l'épaisseur totale de SiGe dans l'empilement. Il faut alors trouver un compromis entre le nombre de couches, la sélectivité de gravure et la stabilité mécanique.
Pour certaines applications, une troisième couche de troisième sélectivité de gravure peut être ajoutée, par exemple pour isoler le transistor du substrat ou pour isoler deux niveaux de canal ou deux transistors superposés qui peuvent être par exemple des transistors complémentaires (nMOS et pMOS). Lorsque cette troisième couche est à base d'alliages SiGe, elle doit avoir une concentration en Ge significativement supérieure à la concentration en Ge dans l’autre SiGe, c'est-à-dire d'au moins 50 % pour assurer une sélectivité de gravure suffisante. L'article de J. M. Hartmann et al., « Critical thickness for plastic relaxation of SiG on Si(001) revisited », Journal of applied Physics, vol. 110, 083529 (2011), montre que l'épaisseur critique n'est pas une caractéristique linéaire par rapport à la concentration de Ge, mais qu'elle diminue fortement avec l'augmentation de la concentration de Ge. Cela amène donc un point critique en termes de conception, concernant la stabilité mécanique de la structure, qui peut être à terme rédhibitoire.
Cette limitation de l’épaisseur totale de l’empilement se traduit donc par une limitation du nombre total de couches de l’empilement. Par exemple, un empilement de type tri-couches comprenant une alternance de couches de silicium, de Si 0,75 Ge 0,25 et de Si 0,5 Ge 0,5 , dont les épaisseurs sont comprises entre 12 nm et 13 nm, a une épaisseur critique comprise entre 100 nm et 150 nm. Dans ce cas, le nombre de couches superposées servant à former les canaux des transistors est au maximum de 3. Une forte concentration de germanium au sein d’un tel empilement limite donc la capacité mémoire atteignable par unité de surface lorsque cet empilement est utilisé pour réaliser un dispositif mémoire à architecture 3D, ou limite la densité de courant atteignable lorsque cet empilement est utilisé pour réaliser des transistors à architecture 3D.
L’invention concerne un véhicule automobile électrique qui comprend une batterie de traction, et un câble de recharge C embarqué connecté à la batterie de traction. Par simplification, les figures n’illustrent pas la carrosserie du véhicule, mais la caisse H.
Selon l’invention, le véhicule automobile électrique comprend en outre un enrouleur E placé autour de l’absorbeur A1 de la poutre pare-chocs PC.
Le câble de rechargement C est enroulé sur l’enrouleur E.
De plus, le véhicule automobile électrique comprend en outre un ressort de rappel R fixé, à une extrémité, sur le deuxième absorbeur A2 opposé au premier absorbeur A1, et sur l’enrouleur E à l’autre extrémité.
Lorsque le câble de rechargement C est déroulé, le ressort R s’enroule concomitamment autour de l’enrouleur de câble E, et génère un effort de rappel qui permettra de rembobiner le câble C après l’avoir débranché de la borne.
De préférence, l’absorbeur A1 déborde à l’arrière de l’enrouleur E de sorte à former un compartiment séparé pour l’enroulage du ressort R. La illustre ces deux compartiments.
Le câble de rechargement C est accessible via une trappe T placée sur la carrosserie du véhicule, par exemple au niveau du pare-chocs.
En utilisation, l’utilisateur accède à la trappe T, par exemple en ouvrant un couvercle (non représenté). Il peut ensuite saisir le connecteur F et le tirer comme illustré en , pour brancher la fiche F sur une prise de la borne de recharge.
En déroulant le câble C, le cordon du ressort R s’enroule sur l’enrouleur E.
En fin de recharge, l’utilisateur débranche la fiche F de la prise, et laisse le câble C s’enrouler sous l’effet du ressort R comme illustré en .
En enroulant le câble C, le cordon du ressort R se déroule en appliquant un effort de rappel.
VEHICULE AUTOMOBILE COMPRENANT UN SYSTEME D’ENROULAGE DE CÂBLE DE RECHARGE EMBARQUE L’invention se rapporte au domaine de l’alimentation des véhicules électriques, et plus précisément les systèmes de recharge à câble de ces véhicules.
Dans ce domaine, pour le branchement d’un véhicule électrique à une borne de recharge, un câble de rallonge est retiré du coffre et connecté à une interface sur le véhicule, et sur la borne de recharge. Après utilisation, le câble est rangé dans le coffre du véhicule.
Malheureusement, le câble peut être oublié, ou inaccessible lorsque le coffre est chargé.
- de 20 à 99% poids, de préférence de 30% à 99% en poids, et de manière très préférée de 50% à 95% en poids, et de manière encore plus préférée de 60 à 95% en poids par rapport au poids total dudit support d’au moins un liant.
Conformément à l’étape b) du procédé selon l’invention, la totalité de l’effluent issu de l’étape a) est mise en contact dans une deuxième zone catalytique, sans étape de séparation intermédiaire entre la première et la deuxième zone catalytique, avec un deuxième catalyseur comprenant au moins un métal du groupe VIB et/ou au moins un métal du groupe VIII de la classification périodique et un support comprenant au moins une zéolithe de code structural BEA ayant un rapport molaire SiO2/Al2O3 ou SAR inférieur à 25, et au moins un liant.
De préférence, l’effluent issu de l’étape a) est envoyée dans une deuxième zone catalytique sans étape de séparation gaz/liquide intermédiaire.
De préférence, le deuxième catalyseur utilisé dans la deuxième zone catalytique de l’étape b) d’hydrocraquage comprenant au moins un métal du groupe VIB et au moins un métal du groupe VIII de la classification périodique, pris seuls ou en mélange, est de préférence un catalyseur sous forme sulfure.
De préférence, les métaux du groupe VIB de la classification périodique sont choisis dans le groupe formé par le tungstène et le molybdène, pris seuls ou en mélange. Selon un mode de réalisation préféré, le métal du groupe VIB est le molybdène. Selon un autre mode de réalisation préféré, le métal du groupe VIB est le tungstène.
De préférence, les métaux non nobles du groupe VIII de la classification périodique sont choisis dans le groupe formé par le cobalt et le nickel, pris seuls ou en mélange. Selon un mode de réalisation préféré, le métal du groupe VIII non noble est le cobalt. Selon un autre mode de réalisation préféré, le métal du groupe VIII non noble est le nickel.
De préférence, ledit deuxième catalyseur comprend au moins un métal du groupe VIB en combinaison avec au moins un métal non noble du groupe VIII, les métaux non nobles du groupe VIII étant choisi dans le groupe formé par le cobalt et le nickel, pris seuls ou en mélange et les métaux du groupe VIB étant choisi dans le groupe formé par le tungstène et le molybdène, pris seuls ou en mélange.
D'une manière avantageuse, on utilise les associations de métaux suivantes : nickel-molybdène, cobalt-molybdène, nickel-tungstène, cobalt-tungstène, et encore plus avantageusement nickel-molybdène et nickel-tungstène.
Dans le cas où le deuxième catalyseur comprend au moins un métal du groupe VIB en combinaison avec au moins un métal non noble du groupe VIII, la teneur en métal du groupe VIB est avantageusement comprise, en équivalent oxyde, entre 5 et 40 % en poids par rapport à la masse totale dudit catalyseur, de manière préférée entre 10 et 35 % en poids et de manière très préférée entre 15 et 30 % en poids et la teneur en métal non noble du groupe VIII est avantageusement comprise, en équivalent oxyde, entre 0,5 et 10 % en poids par rapport à la masse totale dudit catalyseur, de manière préférée entre 1 et 8 % en poids et de manière très préférée entre 1,5 et 6 % en poids.
Dans le cas où le deuxième catalyseur comprend au moins un métal du groupe VIB en combinaison avec au moins un métal non noble du groupe VIII, ledit catalyseur est un catalyseur sulfuré.
Il est également possible d'utiliser des associations de trois métaux par exemple nickel-cobalt-molybdène, nickel-molybdène-tungstène, nickel-cobalt-tungstène.
Dans un mode de réalisation, on utilise les associations de métaux suivantes : nickel-niobium-molybdène, cobalt-niobium-molybdène, nickel-niobium-tungstène, cobalt-niobium-tungstène, les associations préférées étant : nickel-niobium-molybdène, cobalt-niobium-molybdène. Il est également possible d'utiliser des associations de quatre métaux par exemple nickel-cobalt-niobium-molybdène.
Le catalyseur peut avantageusement également comprendre au moins un élément dopant choisi dans le groupe constitué par le bore et le phosphore, et de préférence le phosphore.
Le deuxième catalyseur peut également avantageusement contenir :
- de 0,1 à 15% en poids d'oxyde, de préférence de 0,1 à 10% en poids par rapport à la masse totale du catalyseur d'au moins un élément dopant choisi dans le groupe constitué par le bore et le phosphore, et de préférence le phosphore,
- de 0 à 60% en poids, de préférence de 0,1 à 50% en poids, et de manière encore plus préférée de 0,1 à 40% en poids d'oxyde par rapport à la masse totale du catalyseur, d'au moins un élément choisi dans le groupe VB et de préférence le niobium,
- de 0 à 20% en poids, de préférence de 0,1 à 15% en poids et de manière encore plus préférée de 0,1 à 10% en poids d'oxyde par rapport à la masse totale du catalyseur d'au moins un élément choisi dans le groupe VIIA, de préférence le fluor.
Conformément à l'invention, le support du deuxième catalyseur utilisé dans la deuxième zone catalytique de l’étape b) d’hydrocraquage selon l'invention comporte au moins une zéolithe de code structural BEA ayant un rapport molaire SiO2/Al2O3 ou SAR inférieur à 25, et de préférence inférieur à 24, de préférence compris entre 10 et 25, préférentiellement entre 12 et 24, et de manière préférée entre 15 et 24 et au moins un liant.
Le liant utilisé dans le support du deuxième catalyseur, appelée encore matrice minérale poreuse, est avantageusement constitué d’au moins un oxyde réfractaire, de préférence choisi dans le groupe formé par l’alumine, la silice-alumine, l’argile, l’oxyde de titane, l’oxyde de bore et la zircone, pris seuls ou en mélange. De manière préférée, le liant est choisi parmi l’alumine et la silice-alumine, prises seules ou en mélange. De manière plus préférée, le liant est l’alumine. L’alumine peut avantageusement se présenter sous toutes ses formes connues de l’homme du métier. De manière très préférée, l’alumine est l’alumine gamma, par exemple la boehmite.
De préférence, ledit support dudit deuxième catalyseur comprend de 20 à 99% en poids de liant, de manière préférée de 30% à 99% en poids, et de manière très préférée entre 50% et 95% en poids, et de manière très préférée de 60 à 95% en poids par rapport au poids total dudit support.
La zéolithe Beta est généralement synthétisée à partir d’un mélange réactionnel contenant un agent structurant. L’utilisation d’agents structurants est bien connue de l’homme du métier : par exemple, le brevet US 3,308,069 décrit l’utilisation d’hydroxyde de tétraéthylammonium, et le brevet US 5,139,759 décrit l’utilisation du cation tétraéthylammonium dérivé d’un composé halogénure de tétraéthylammonium. Une autre méthode standard de préparation de la zéolithe Beta est indiquée dans l’ouvrage Verified Synthesis of Zeolitic Materials (Elsevier, 2001).
La zéolithe Beta utilisée dans le support du deuxième catalyseur selon l’invention présente avantageusement une taille de cristaux moyenne inférieure à 500 nm, de préférence inférieure à 350nm. De manière avantageuse, ces cristaux peuvent se présenter sous la forme d’agglomérats de taille pouvant atteindre 50µm, de préférence moins de 25µm. D’autre part, la zéolithe Beta utilisée dans le support du catalyseur a) selon l’invention présente une surface spécifique mesurée par physisorption d’azote selon la méthode B.E.T. comprise entre 500 et 800 m 2 /g, de préférence entre 500 et 750 m 2 /g, et de manière préférée entre 550 et 720 m 2 /g, un volume mésoporeux supérieur à 0,2 ml/g, de préférence supérieur à 0,40 ml/g déterminé par BJH et une surface externe d’au moins 120 m 2 /g, de préférence au moins 140 m 2 /g, de manière très préférée au moins 150 m 2 /g et de manière encore plus préférée, comprise entre 150 et 300 m 2 /g. Enfin, de préférence, la proportion de surface externe rapportée à la surface BET totale de la zéolithe Béta comprise dans le support du catalyseur b) est comprise entre 15 et 50%, de manière très préférée entre 18 et 40% et de manière encore plus préférée, entre 21 et 37%.
De préférence, ledit support du deuxième catalyseur comprend et de préférence étant constitué de :
- 1 à 70% en poids, de préférence de 1 à 50% en poids, de manière préférée de 1,5 à 40% en poids, et de manière encore plus préférée 2 à 30% en poids de ladite zéolithe béta avec un rapport molaire SiO2/Al2O3 ou SAR inférieur à 25 par rapport à la masse totale dudit support,
- 30 à 99% en poids, de préférence de 50 à 99% de manière préférée de 60 à 98% en poids, et de manière très préférée de 70 à 98% en poids par rapport à la masse totale dudit support, d'au moins ledit liant.