INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Selon un mode de mise en œuvre, le procédé comprend une connexion d’au moins un composant monté en surface à la première puce électronique et à la deuxième puce électronique et un logement dudit au moins un composant monté en surface au sein de l’enrobage.
Selon un mode de mise en œuvre, la formation de la plaque de montage comprend la formation d’une première partie centrale et la formation d’une deuxième partie périphérique.
Le boîtier est avantageusement du type plat et sans broches (boîtier dit « QFN »).
La illustre schématiquement une vue en coupe d’un boîtier BT, ici un boîtier dit « QFN », de type plat et sans broches, selon un mode de réalisation de l’invention.
Le boîtier BT comprend une plaque de montage SUB1 et un enrobage RES logeant une première puce électronique P1. La première puce électronique P1 peut être par exemple une puce électronique fabriquée à partir d’un substrat SUBSTR1 dont le matériau comprend du nitrure de gallium (GaN) ou du carbure de silicium (SiC).
La première puce électronique P1 possède une face arrière FL1 et une face avant FH1. La première puce électronique P1 est configurée pour dégager en fonctionnement une première quantité de chaleur. En effet, la face avant FH1 de la première puce électronique P1 comprend typiquement des composants électroniques, tels que des transistors haute-tension, pouvant générer une quantité de chaleur relativement importante. La première quantité de chaleur correspond à une puissance dissipée de plusieurs Watt, typiquement entre 1 et 10 Watt, par exemple 5 Watts. La première quantité de chaleur peut nécessiter une dissipation thermique appropriée pour éviter tout dysfonctionnement des composants électroniques à l’intérieur du boîtier.
A cet effet, la plaque de montage SUB1 (du type connu par l’homme du métier sous le terme anglosaxon « lead frame ») présente une partie centrale TPAD apte à dissiper de la chaleur, en particulier la chaleur générée par la première puce électronique P1 lors de son fonctionnement. La partie centrale TPAD de la plaque de montage SUB1 peut être une plaque métallique qui présente le plus souvent une surface plane et dont le matériau est thermiquement conducteur. Le matériau de la partie centrale TPAD peut être par exemple du cuivre (Cu) et peut avoir une conductivité thermique de l’ordre de 385W/mK.
La face arrière FL1 de la première puce électronique P1 est fixée sur une face de montage FM1 de la partie centrale TPAD de la plaque de montage SUB1 par une couche de colle thermiquement conductrice GL connue en elle-même.
Selon un autre mode de réalisation de l’invention, le système de régulation comprend également un filtre placé en sortie du circuit numérique programmable et configuré pour réduire le bruit et améliorer la précision et la résolution des mesures fournies par le circuit numérique programmable.
La représente, de manière schématique, un procédé de détection selon un mode de réalisation de l’invention.
La représente, de manière schématique et partielle, un système de régulation d’un moteur d’aéronef selon un mode de réalisation de l’invention.
La représente, de manière schématique et partielle, un système de régulation d’un moteur d’aéronef selon un autre mode de réalisation de l’invention.
La représente de manière schématique un ordinogramme du procédé de détection 100 d’un impact de foudre sur des mesures électriques d’un système de régulation d’un moteur d’aéronef selon un mode de réalisation de l’invention.
Le procédé de détection 100 comprend la détermination 101 d’un seuil de détection d’un impact de foudre sur les mesures électriques du système de régulation du moteur. Ce seuil de détection permet de caractériser l’effet de la foudre sur les mesures électriques en entrée du système de régulation du moteur et de déterminer si la mesure touchée par l’impact de foudre est à prendre en compte ou non par le système de régulation.
L’effet de la foudre sur les mesures dépend notamment des éléments suivants : la forme d’onde et la séquence de répétition de la foudre : la norme DO-160 définit par exemple toutes les formes d’ondes et les séquences de répétition qui peuvent être applicables pour tester la résistance d’un système à un impact de foudre ; le sens d’injection de la foudre : les formes d’ondes de l’impact de foudre peuvent être injectées en positif ou négatif. Ainsi, suivant les protections contre la foudre mises en place au niveau du système de régulation, l’effet de la foudre sur les mesures électriques peut être différent en fonction du sens d’injection de la foudre ; l’instant d’injection : les interfaces de mesure électrique du système de régulation peuvent avoir différents procédés de mesure, et les impacts de foudre sont en général très courts. La relation entre le début de l’impact de foudre et le début de la mesure de l’interface associée est donc importante dans l’estimation de l’effet de la foudre sur cette mesure ; et la valeur de la mesure au moment de l’impact de foudre : la valeur mesurée par l’interface de mesure au moment de l’impact de foudre peut avoir une influence sur l’effet de la foudre. Il faut donc tester différentes valeurs de la plage de validité de la mesure pour correctement caractériser l’effet de la foudre sur cette interface.
En étudiant ces effets, on peut prédire l’influence de la foudre sur les mesures électriques utilisées par le système de régulation du moteur. Grâce à cela, on détermine le seuil de détection pour savoir si une mesure ayant subi un impact de foudre doit être prise ou non en compte par le système.
Le seuil de détection qui est déterminé lors de l’étape 101 est un gradient maximal entre deux mesures électriques, c’est-à-dire une différence maximale en valeur absolue entre les deux mesures.
Par exemple, si la mesure électrique est une mesure de courant, le seuil de détection pourra être une différence de 2 A entre deux mesures de courant.
Selon un autre exemple, si on mesure des températures, on peut déduire le gradient maximal, et donc le seuil de détection, en analysant des enregistrements moteur.
De plus, pour une géométrie variable, le seuil de détection peut aussi être déterminé en fonction des limites du système de régulation du moteur, par exemple, physiquement, il n’est pas possible d’ouvrir ou fermer un vérin plus rapidement que ne le permet le système.
Le procédé 100 comprend ensuite la comparaison 102 entre le seuil de détection déterminé et des gradients entre deux mesures électriques pour un ensemble de N mesures, N étant un entier supérieur ou égal à 2. Cela signifie qu’on compare pour une i-ème mesure, i étant un entier compris entre 1 et N, tous les gradients entre la i-ème mesure et les autres N-1 mesures au seuil de détection.
Si tous les gradients entre les N-1 mesures et la i-ème mesure sont supérieurs ou égaux au seuil de détection, alors on considère que la i-ème mesure a été touchée par la foudre, et donc un impact de foudre est détecté pour cette i-ème mesure (étape 103).
Si au moins un des gradients entre les N-1 mesures et la i-ème mesure est inférieur au seuil de détection, alors on considère que la i-ème mesure n’a pas été touchée par la foudre, et donc aucun impact de foudre n’est détecté (étape 104).
Dans cet exemple, la couche 117 est déposée de façon continue et avec une épaisseur sensiblement uniforme sur toute la surface supérieure de la structure de la . Ainsi, la couche 117 est en contact, par sa face inférieure, avec la face supérieure de la région neutralisée 114 de la couche 113c et avec la face supérieure des zones de confinement 115.
L’épaisseur de la couche 117 est par exemple comprise entre 50 et 100 nm.
La représente de façon schématique une structure de contrôle comprenant un substrat 101 dans et sur lequel ont été formés une pluralité de circuits intégrés élémentaires de contrôle 103, par exemple identiques ou similaires, correspondant respectivement aux circuits intégrés de contrôle des LED des futures puces élémentaires de pixel du dispositif.
Dans cet exemple, les circuits élémentaires de contrôle 103 sont formés dans et sur la couche semiconductrice supérieure 101c du substrat 101. Chaque circuit élémentaire de contrôle 103 comprend par exemple une pluralité de transistors MOS (non détaillés sur les figures). Les circuits élémentaires de contrôle 103 sont par exemple réalisés en technologie CMOS (de l'anglais "Complementary Metal Oxyde Semiconductor" – métal oxyde semiconducteur complémentaire). Chaque circuit élémentaire de contrôle 103 peut comprendre un circuit adapté à contrôler individuellement l'émission de lumière par chaque LED de la future puce élémentaire de pixel du dispositif. Chaque circuit élémentaire de contrôle 103 peut en outre comprendre un circuit de lecture du photodétecteur associé à la future puce élémentaire de pixel du dispositif.
Dans cet exemple, chaque circuit élémentaire de contrôle 103 comprend, du côté de sa face supérieure, un ou plusieurs plots de connexion métalliques 105. A titre d'exemple, les plots 105 affleurent du côté de la face supérieure d'une couche isolante supérieure, par exemple en oxyde de silicium, d'un empilement d'interconnexion (non détaillé sur les figures) revêtant la face supérieure de la couche semiconductrice supérieure 103c du substrat 101.
A titre d'exemple, chaque circuit élémentaire de contrôle 103 comprend un plot métallique 105 spécifique pour chaque LED de la future puce élémentaire de pixel du dispositif, destiné à être connecté à une région d'anode de la LED et permettant de commander individuellement l'émission de lumière par ladite LED. Le contact de cathode (non détaillés sur la figure) peut être commun à toutes les LED de la puce.
A titre d'exemple, chaque puce élémentaire de pixel du dispositif comprend quatre VCSEL commandables individuellement adaptés à émettre respectivement de la lumière bleue, de la lumière verte, de la lumière rouge et de la lumière infrarouge. Dans ce cas, chaque circuit élémentaire de contrôle 103 peut comprendre quatre plots métalliques 105 distincts destinés à être connectés respectivement aux régions d'anode des quatre LED correspondantes.
La illustre en outre une étape de formation, sur la face supérieure de la structure de contrôle, d’un réflecteur de Bragg 119. Dans cet exemple, le réflecteur de Bragg s’étend de façon continue et avec une épaisseur sensiblement uniforme sur toute la surface supérieure de la structure. Le réflecteur de Bragg 119 est par exemple en contact, par sa face inférieure, avec la face supérieure de la structure de contrôle, comprenant une alternance de régions métalliques (les plots 105) et de régions isolantes.
Le réflecteur de Bragg est constitué d’un empilement de couches transparentes alternées d’indices de réfraction distincts. A titre d’exemple, le réflecteur de Bragg est constitué d’une alternance de couches transparentes en un premier matériau présentant un premier indice de réfraction et de couches transparentes d’un deuxième matériau présentant un deuxième indice de réfraction. L’empilement comprend par exemple 10 à 15 paires de couches des premier et deuxième matériaux. Les premier et deuxième matériaux sont par exemple des matériaux diélectriques. A titre d’exemple, les premier et deuxième matériaux sont respectivement de l’oxyde de silicium (SiO 2 ) et de l’oxyde de tantale (Ta 2 O 5 ). A titre de variante, les premier et deuxième matériaux sont respectivement de l’oxyde de silicium (SiO 2 ) et de l’oxyde de niobium (Nb 2 O 5 ). A titre de variante, les premier et deuxième matériaux sont respectivement de l’oxyde de silicium (SiO 2 ) et du nitrure de silicium (SiN). L’épaisseur totale du réflecteur de Bragg 119 est par exemple comprise entre 0,5 et 1 µm.
La illustre la structure obtenue à l’issue d’une étape de formation de vias conducteurs 121 s’étendant verticalement à travers le réflecteur de Bragg 119 et permettant la reprise, du côté de la face supérieure du réflecteur de Bragg, d’un contact électrique sur les plots métalliques 105 sous-jacents. Les vias conducteurs 121 sont en contact, par leur face inférieure, avec les plots métalliques 105. Les vias 121 sont de préférence localisés en dehors du vis-à-vis de la zone de confinement des futures LED du dispositif pour ne pas gêner l’émission lumineuse.
A titre d’exemple, les vias conducteurs 121 sont formés par gravure plasma d’ouvertures traversantes dans le réflecteur de Bragg, puis remplissage des ouvertures par du métal.
La illustre la structure obtenue à l’issue d’une étape de dépôt, sur et en contact avec la face supérieure de la structure de la , d’une couche électriquement conductrice 123. La couche 123 est transparente à la longueur d’onde d’émission des LED. La couche 123 est par exemple en un oxyde conducteur transparent, par exemple en oxyde d’indium-étain (ITO).
Dans cet exemple, la couche 123 est déposée de façon continue et avec une épaisseur sensiblement uniforme sur toute la surface supérieure de la structure de la . Ainsi, la couche 123 est en contact, par sa face inférieure, avec la face supérieure du réflecteur de Bragg 119 et avec la face supérieure des vias conducteurs 121.
L’épaisseur de la couche 123 est par exemple comprise entre 50 et 100 nm.
La illustre la structure obtenue à l'issue d'une étape de report et de fixation de la structure de la sur la structure de la .
Avantageusement, la viscosité inhérente du polyamide aliphatique semi-cristallin après broyage et lavage ou après broyage et compoundage avec ou sans catalyseur, ou encore après broyage, lavage et compoundage avec ou sans catalyseur, telle que déterminée selon ISO 307 :2007 dans le m-crésol à 20°C est inférieur à 1,6 dl/g dl/g, notamment comprise de 0,9 dl/g à 1,5 dl/g.
En outre, le rotor selon la présente invention est simple à fabriquer et ne nécessite pas d’usinage de précision qui s'avérerait onéreux.
la est une vue schématique en coupe longitudinale d’un rotor pour spectroscopie par RMN selon la présente invention, le rotor comprenant un bouchon et un corps de forme tubulaire avec une ouverture à une extrémité, l’autre extrémité étant fermée ;
la est une vue schématique en coupe longitudinale d’un rotor pour spectroscopie par RMN selon la présente invention, le rotor comprenant deux bouchons et un corps de forme tubulaire avec une ouverture à chacune de ses extrémités ;
la est une vue schématique en coupe longitudinale d’un rotor pour spectroscopie par RMN selon la présente invention, le rotor comprenant un capuchon et un corps de forme tubulaire avec une ouverture à une extrémité, l’autre extrémité étant fermée ;
la est une vue schématique en coupe longitudinale d’un rotor pour spectroscopie par RMN selon la présente invention, le rotor comprenant deux capuchons et un corps de forme tubulaire avec une ouverture à chacune de ses extrémités ;
la est une vue schématique en coupe longitudinale d’un rotor pour spectroscopie par RMN selon la présente invention, le rotor comprenant un capuchon et un corps de forme tubulaire avec une ouverture à une extrémité, l’autre extrémité étant fermée et sur laquelle vient se fixer une pièce cylindrique formant une turbine.
Description détaillée Pour des raisons de clarté, les différents éléments des figures sont représentés en échelle libre, les dimensions réelles des différentes parties n’étant pas nécessairement respectées.
On a illustré à la , un mode de réalisation d’un rotor 1 d’axe longitudinal X pour la spectroscopie par RMN selon la présente invention. Le rotor 1 comprend un corps borgne 2 de forme tubulaire creuse dont la cavité 3 s’étend sur une partie de la longueur du corps 2. La cavité borgne 3 débouche à l’une des extrémités longitudinales 4 du corps 2. L’extrémité longitudinale fermée 5 du corps 2 peut être à fond plat. Le corps 2 comprend également une gorge de blocage 6 ménagée dans son épaisseur à la périphérie interne de la cavité 3 et à proximité de l’extrémité ouverte 4.
Le rotor 1 comprend également un bouchon 7 comprenant une coiffe 8 et un manchon fendu 9 dans le prolongement longitudinal de la coiffe 8. Le bouchon 7 est de préférence monobloc. La coiffe 8 présente un diamètre extérieur supérieur au diamètre intérieur du corps 2 délimitant la cavité 3. Le diamètre extérieur de la coiffe 8 est notamment supérieur au diamètre extérieur du manchon fendu 9 formant ainsi un épaulement. La coiffe 8 présente des pales 10 sur sa périphérie extérieure radiale, formant une turbine. Le manchon fendu 9 comprend, sur sa périphérie extérieure radiale, une nervure de blocage 11 sous la forme d’un anneau.
Le manchon fendu 9 est configuré pour s’emmancher dans la cavité 3 du corps 2. La ou les fentes dudit manchon 9 rendent ce dernier flexible, ce qui facilite son insertion dans la cavité 3.
Lors de l’emmanchement, la nervure de blocage 11 s’encliquète dans la gorge de blocage 6 garantissant ainsi le blocage mécanique du bouchon 7 dans le corps 2.
Lorsque le manchon 9 est inséré et bloqué dans la cavité 3, la coiffe 8 est en butée contre le corps 2.
La profondeur de la gorge 6 ainsi que la hauteur de la nervure 11 sont choisies de sorte que, malgré le différentiel de contraction entre le bouchon 7 et le corps 2 lors d’une diminution de la température, par exemple d’une température de 293 K jusqu’à une température inférieure ou égale à 100 K, la nervure 11 reste encliquetée dans la gorge 6.
En outre, la coiffe 8 comprend une ouverture longitudinale 13 débouchante et taraudée sur au moins une partie de sa longueur et celle du manchon fendu 9.
Une fois le manchon fendu 9 emmanché dans le corps 2, un insert 12 fileté peut venir se visser dans l’ouverture taraudée 13 jusqu’à son insertion dans le manchon fendu 9.
e) Addition suivie du mélange d’un électrophile R3Y dont Y peut être un halogénure ou un OTf (triflate) ou un OTs (tosylate) et dont R3 est choisi parmi un groupement alkyle en C1-C20, un cycloalkyle en C3-C6, un alcényle en C2-C20, un cycloalcényle en C5-C8, un alcynyle en C2-C20,un groupement vinylbenzylique ; dans lesquels les atomes d'hydrogène peuvent être substitués par un fluor, un -CF 3 , un éther, un groupement alkyle, un groupement alkyle fluoré, un groupement silyle, un groupement siloxy, un groupement sulfoxyde, un groupement nitrile, un groupement thioéther ou leurs combinaisons à une solution de TCP obtenu à l’étape d) dans un solvant
m) Addition suivie du mélange d’un électrophile Y-Z-Y dont Y peut être un halogénure ou OTf (triflate) ou OTs (tosylate) et dont Z est choisi parmi les di-radical alkyles en C1-C20 de type –(CH 2 )n– pouvant comprendre un ou plusieurs éther ou pouvant comprendre un ou plusieurs enchainements de type –CH 2 –Y–CH 2 – avec Y=S, SO ou SO2 ; de préférence le di-radical alkyle est un diradical éthyle, propyle, butyle ou pentyle ; dans lesquels les atomes d'hydrogène peuvent être substitués par un fluor, un -CF 3 , un éther, un groupement alkyle, un groupement alkyle fluoré, un groupement silyle, un groupement siloxy, un groupement sulfoxyde, un groupement nitrile, un groupement thioéther ou leurs combinaisons ; à une solution de la (2-cyanoéthyl)phosphine obtenue à l’étape l) dans un solvant
n) Filtration suivie du séchage du mélange obtenu à l’étape m) pour obtenir le précipité formé de sel de dimère de (2-cyanoéthyl)phosphonium
p) Décantation, séparation/filtration et séchage du mélange D afin d’obtenir le sel de dimère (2-cyanoéthyl)phosphonium (XPR2R3(2CN)) 2 Z
La programmation de localisations peut être faite sur une durée par exemple égale à une période, ou à plusieurs fois la période. La programmation peut comprendre une détermination, pour chaque localisation, d’un intervalle de temps respectif sur cette durée sur lequel la localisation est réalisée. La programmation des localisations peut être faite pour une durée inférieure à 10 secondes. La programmation des localisations peut être faite pour une durée supérieure à 1 seconde.
La durée sur laquelle la programmation est faite peut correspondre à un temps qui n’est pas encore écoulé, c’est-à-dire une durée à venir par rapport à l’instant de la programmation et de l’exécution du procédé. La longueur de la durée peut être fixe ou bien varier, par exemple en fonction de l’environnement du véhicule.
Chaque émission UWB peut comprendre un envoi d’une trame par le dispositif UWB à destination des un ou plusieurs capteurs UWB ou un envoi d’une trame par l’un des un ou plusieurs capteurs UWB à destination du dispositif UWB. UWB peut faire référence à un protocole de communication, par exemple celui spécifié par l’IEEE 802.15.4. La programmation des une ou plusieurs localisations peut comprendre, pour chaque localisation, une détermination d’une position temporelle pour chacun des envois de trames. Un envoi de trame peut avoir une durée comprise entre 60 et 137 microsecondes. La détermination d’une position temporelle pour un envoi de trame peut comprendre une détermination d’un instant de début d’envoi et de fin d’envoi de la trame. Le temps entre le début et la fin peut être égal à une durée d’envoi. La durée d’envoi peut être fonction d’une longueur de la trame et d’un débit d’envoi. Le positionnement du début et de la fin peut être fonction de la longueur de la trame et/ou du débit d’envoi.
Pour chaque localisation, l’intervalle de temps respectif sur lequel la localisation est programmée peut être constitué d’une série de créneaux temporels. Les créneaux temporels de la série peuvent avoir une durée sensiblement égale. Chaque créneau peut avoir une durée par exemple supérieure ou égale à 1 milliseconde et /ou inférieure ou égale à 8 millisecondes. La durée du créneau peut être fonction du dispositif UWB impliqué dans la localisation.
La programmation peut comprendre, pour chaque dispositif UWB, la programmation des localisations sur une session respective correspondant à une période. Une session peut avoir une durée qui correspond à un multiple d’un temps prédéterminé, par exemple une fois, deux fois, trois fois ou bien dix fois 96 millisecondes. Des références entre parenthèses sont indiquées ci-après en référence à la . Chaque session (201) peut être divisée en blocs (202, 203, 204). Chaque bloc peut être divisé en plusieurs intervalles de temps (205, 206, 207), et une localisation peut se réaliser à l’intérieur de l’un de ces intervalles de temps. Chacun des intervalles de temps peut être divisé en une série de créneaux temporels (210, 211, 212, 215, 216). Les émissions UWB de chaque localisation peuvent être réalisés à l’intérieur de créneaux temporels d’une série de la session de dispositif UWB. Pour chaque session, les blocs, les intervalles de temps de chaque bloc, et les créneaux temporels peuvent être numérotés, et la programmation reçue peut comprendre, pour chaque localisation de la session durant la période, des données numériques définissant, pour chaque bloc, le numéro de l’intervalle de temps sur lequel la localisation est programmée. La programmation reçue peut également comprendre, pour chaque localisation de la session durant la période, le numéro du créneau temporel de l’intervalle de temps sur lequel chaque émission UWB de la localisation est programmée. Le calcul de la programmation de chaque dispositif UWB peut comprendre une détermination du nombre de créneaux temporels de chaque série, du nombre d’intervalles de temps de chaque bloc, et/ou du nombre de blocs par session pour chaque dispositif UWB.
Par « vérification d’une fiabilité d’exécution de la programmation de la première localisation et de la deuxième localisation », on entend l’évaluation d’un critère de fiabilité des résultats qui seraient obtenus par la première localisation et la deuxième localisation si elles étaient exécutées selon une programmation donnée, en l’occurrence la programmation qui est reçue initialement dans le procédé. Le critère de fiabilité peut notamment correspondre à la présence potentielle d’interférence entre les émissions UWB liées à la première localisation et les émissions UWB liées à la deuxième localisation. La vérification « échoue » lorsque les émissions UWB sont telles que des interférences sont attendues, et au contraire la vérification « réussit » lorsque des interférences ne sont pas attendues, tout du moins pas entre la première localisation et la deuxième localisation précisément.