Procédé de fabrication d'un transistor bipolaire (12) comprenant : la fabrication d'une première partie (22, 24a) d'une région de collecteur dans un substrat (14) ; la formation d'un empilement (50) de couches comprenant une première couche (54) en un matériau d'une région de base et une deuxième couche isolante (58) en un premier matériau ; la formation d'une cavité (62) traversant l'empilement (50) et le substrat (14) de manière à atteindre la première partie (22, 24a) de la région de collecteur ; la formation d'une deuxième partie (24) de la région de collecteur et d'une première partie (66) de la région de base dans la cavité (62) ; la formation d'une quatrième couche (68) en le même matériau que la deuxième couche (58), ayant la même épaisseur que la deuxième couche (58) dans la périphérie du fond de la cavité (62) ; la formation d'une région d'émetteur (40) en regard de la première partie (66) de la région de base, la quatrième couche (58) étant partiellement découverte ; le retrait simultané des deuxième (58) et quatrième (68) couches. Procédé selon la revendication 1, dans lequel l'étape a. comprend la formation d'une région isolante (46) recouvrant une partie (24a) de la première partie de la région de collecteur, la cavité (62) traversant la région isolante (46). Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel l'empilement de couches comprend une cinquième couche isolante (52), la première couche (54), et la deuxième couche (58) située entre deux sixièmes couches isolantes (6, 60), les sixièmes couches (56,60) étant en des matériaux différents du matériau de la deuxième couche (58). Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la deuxième partie (24) de la région de collecteur et la première partie (66) de la région de base sont formés par croissance épitaxiale dans la cavité (62). Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel l'étape e. comprend la formation de la quatrième couche (68) sur l'ensemble de la structure, la formation d'espaceurs (72) sur la quatrième couche (68) contre les parois latérales de la cavité (62), une partie centrale du fond de la cavité (62) n'étant pas recouverte par les espaceurs, et la gravure des portions de la quatrième couche (68) n'étant pas recouvertes par les espaceurs (72). Procédé selon la revendication 5 dans son rattachement à la revendication 3, comprenant, entre les étapes f. et g., une étape f1. de retrait des espaceurs (72) et de la sixième couche (60) recouvrant la deuxième couche. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel l'étape f. comprend la formation d'une septième couche en le matériau de la région d'émetteur et la gravure de la septième couche de manière à découvrir partiellement la quatrième couche (68) autour de la région d'émetteur (40). Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, comprenant, après l'étape g., une étape h. de croissance épitaxiale de la première couche (54). Procédé selon les revendications 3 et 8, comprenant, après l'étape h., une étape i. de gravure de la première couche (54) et de la cinquième couche (52), de manière à découvrir partiellement la première partie (22, 24a) de la région de collecteur. Procédé selon la revendication 9, comprenant, après l'étape i., la formation de couches de contact (23, 34, 42) sur les régions de base, de collecteur et d'émetteur. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel l'épaisseur des deuxième et quatrième couches (58, 68) est comprise entre 5 nm et 30 nm. Dispositif obtenu par un procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 11, comprenant un transistor bipolaire (12) dans lequel une couche de contact (34) d'une région de base du transistor (12) est séparée d'une région d'émetteur par une portion (33) de la région de base et une portion (38) de couche isolante recouverte par la région d'émetteur (40). Dispositif selon la revendication 12, dans lequel la région de base (30) repose sur une partie d'une région de collecteur du transistor 12, les dimensions horizontales de la région d'émetteur étant inférieures aux dimensions horizontales de la partie de la région de collecteur. Dispositif selon la revendication 13, dans lequel les dimensions horizontales de la région d'émetteur sont inférieures à 180 nm des dimensions horizontales de la partie de la région de collecteur.