Procédé de fabrication d'un condensateur, comportant les étapes successives suivantes : a) former un empilement comportant, dans l'ordre à partir de la face supérieure d'une première couche conductrice (13), une première électrode (15), une couche diélectrique (17), une deuxième électrode (19) et une deuxième couche conductrice (23) ; b) former, par photolithographie, une couche de masquage (25) sur une face de la deuxième couche conductrice (23) à l'opposé de la deuxième électrode (19) ; c) graver, par gravure plasma physico-chimique chlorée, à travers ladite couche de masquage, une partie supérieure de l'empilement, ladite gravure plasma physico-chimique chlorée étant interrompue dans la couche diélectrique (17) ; d) graver, par gravure plasma physico-chimique fluorée, à travers ladite couche de masquage, une partie inférieure de l'empilement, ladite gravure plasma physico-chimique fluorée étant interrompue sur la face supérieure de la première couche conductrice (13) ; et e) retirer la couche de masquage (25) par un procédé de décapage, puis nettoyer les flancs gravés par un procédé de nettoyage. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la première couche conductrice (13) est à base d'aluminium. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la deuxième couche conductrice (23) est à base d'aluminium. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel lors de l'étape c), du dichlore et du trichlorure de bore sont injectés dans la source plasma. Procédé selon la revendication 4, dans lequel lors de l'étape c), le dichlore est injecté avec un débit entre 50 sccm et 120 sccm, par exemple de l'ordre de 80 sccm et le trichlorure de bore est injecté avec un débit compris entre 20 sccm et 100 sccm, par exemple de l'ordre de 50 sccm. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel, lors de l'étape c), la pression du plasma est comprise entre 1,33 Pa et 6,67 Pa, par exemple de l'ordre de 2 Pa, la puissance source est comprise entre 150 W et 800 W, par exemple de l'ordre de 400 W et la puissance de polarisation est comprise entre 50 W et 500 W, par exemple comprise entre 150 W et 300 W. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel lors de l'étape d), de l'hexafluorure de soufre et de l'argon sont injectés dans la source plasma. Procédé selon la revendication 7, dans lequel lors de l'étape d), l'hexafluorure de soufre est injecté avec un débit compris entre 20 sccm et 80 sccm, par exemple de l'ordre de 50 sccm et l'argon est injecté avec un débit compris entre 10 sccm et 100 sccm, par exemple de l'ordre de 20 sccm. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel, lors de l'étape c), la pression du plasma est comprise entre 0,67 Pa et 6,67 Pa, par exemple de l'ordre de 1,33 Pa, la puissance source est comprise entre 150 W et 800 W, par exemple de l'ordre de 500 W et la puissance de polarisation est comprise entre 20 W et 500 W, par exemple de l'ordre de 50 W. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel à l'étape e), l'étape de nettoyage comprend le nettoyage de la face supérieure et des flancs de la deuxième couche conductrice (23), des flancs de la deuxième électrode (19), de la couche diélectrique (17), de la première électrode (15) et de la face supérieure de la première couche conductrice (13). Procédé selon la revendication 10, dans lequel l'étape de décapage est réalisée par gravure physico-chimique plasma. Procédé selon la revendication 11, dans lequel lors de l'étape de décapage, du dioxygène et de la vapeur d'eau sont injectés dans la source plasma. Procédé selon la revendication 12, dans lequel lors de l'étape de décapage, le dioxygène est injecté avec un débit compris entre 700 sccm et 1000 sccm, par exemple de l'ordre de 810 sccm et de la vapeur d'eau est injectée avec un débit compris entre 50 sccm et 700 sccm, par exemple de l'ordre de 90 sccm ou de l'ordre de 630 sccm. Procédé selon l'une quelconque des revendications 11 à 13, dans lequel lors de l'étape de décapage, la pression du plasma est comprise entre 80 Pa et 133,32 Pa, par exemple comprise entre 100 Pa et 120 Pa et la puissance RF est comprise entre 800 W et 1500 W, par exemple de l'ordre de 1100 W. Procédé selon l'une quelconque des revendications 10 à 14, dans lequel l'étape de nettoyage est réalisée à l'aide d'un solvant à base de 2-(2-aminoéthoxy)éthanol et d'hydroxylamine. Procédé selon la revendication 15, dans lequel la proportion de 2-(2-aminoéthoxy)éthanol dans le solvant est comprise entre 55 % et 65 % et la proportion d'hydroxylamine est comprise entre 10 % et 20 %.