INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Dans un mode de réalisation particulier le sel de (2-cyanoéthyl)phosphonium est sous la forme d’un dimère de sel de phosphonium tel que représenté par la formule (III),
Z est choisi parmi les di-radicaux alkyles en C1-C20 de type –(CH 2 ) n – pouvant comprendre un ou plusieurs éther ou pouvant comprendre un ou plusieurs enchainements de type –CH 2 –Y–CH 2 – avec Y=S ou SO ou SO2 ; de préférence le di-radical alkyles est un diradical éthyle, propyle, butyle ou pentyle.
X- est choisi parmi les phosphates de fluoroalkyle, les phosphinates de fluoroalkyle, les phosphonates de fluoroalkyle, les acétates, les triflates, les imides, les amidures, les méthanides, les borates, les phosphates, les sulfonimides ou les aluminates;
R2 est indépendamment choisi parmi le groupe constitué par une chaîne -CH2-CH2-CN non substituée, par un alkyle en C1-C20, un cycloalkyle en C3-C6, un alcényle en C2-C20, un cycloalcényle en C5-C8, un alcynyle en C2-C20, un groupement vinylbenzylique, un groupement vinylbenzylique; dans lesquels les atomes d'hydrogène peuvent être substitués par un fluor, un -CF3, un éther, un groupement alkyle, un groupement alkyle perfluoré, un groupement silyle, un groupement siloxy, un groupement sulfoxyde, un groupement nitrile, un groupement thioéther ou leurs combinaisons.
Dans un mode de réalisation plus particulièrement préféré, R2 est un alkyle en C1-C10 dans lesquels les atomes d'hydrogène peuvent être substitués par un fluor, un -CF 3 , un éther, un groupement alkyle, un groupement alkyle perfluoré, un groupement silyle, un groupement siloxy, un groupement sulfoxyde, un groupement thioéther ou leurs combinaisons.
De manière encore plus préférée, R2 est choisi parmi un méthyle ou un alkyle en C1-C4 dans lesquels les atomes d'hydrogène peuvent être substitués par un fluor, un -CF 3 , un éther, un groupement alkyle, un groupement alkyle perfluoré, un groupement silyle, un groupement siloxy, un groupement sulfoxyde, un groupement thioéther ou leurs combinaisons.
Les modes de réalisation préférés quant au choix de l’anion X - exposés ci-dessus peuvent être combinés aux modes de réalisation préférés quant au choix des groupes R2 exposés précédemment.
Le procédé peut ensuite comprendre une étape optionnelle mais préférée consistant à fixer de manière temporaire, de préférence à l’aide de vis 21b, les plaques de fixation 21 auxdits éléments de construction 1 supplémentaires empilés. On comprendra que cette étape nécessite l’utilisation de plaques de fixation 21 comprenant une face de contact 21a qui s’étend de part et d’autre d’une ligne imaginaire formée par l’alignement des ergots d’espacement 21c et du trou traversant 21d des plaques de fixation 21, comme par exemple une plaque de fixation 21 représentée en .
L’étape d) suivante du procédé consiste à répéter les étapes b) de fixation de plaques de fixation 21 et c) d’empilement d’éléments de construction 1 supplémentaires, pour obtenir une première paroi P1 d’un nombre de rangées d’éléments de construction 1 correspondant à une hauteur de mur souhaitée. Cette étape peut en outre optionnellement, mais de manière préférée, consister à répéter l’étape optionnelle consistant à fixer les plaques de fixation 21 auxdits éléments de construction 1 supplémentaires empilés.
Le procédé peut après cela comprendre une étape optionnelle mais préférée consistant à fixer des plaques de fixation 21 au sommet de la première paroi P1 du coffrage isolant, c’est-à-dire fixer de manière temporaire, de préférence à l’aide de vis 21b, des plaques de fixation 21 sur des panneaux d’habillage 12 de la rangée la plus haute des éléments de construction 1 disposés le long du premier contour, avec pour chaque plaque de fixation 21 les ergots d’espacement 21c mis en contact avec une face supérieure 11d de chaque élément de construction 1 respectif.
La représente le montage d’une première paroi P1 du coffrage selon les étapes indiquées ci-dessus.
Le procédé comprend ensuite une étape e) consistant à placer des armatures 5 horizontales et verticales, de préférence en acier, en regard des portions isolantes 11 et à fixer lesdites armatures 5 à des armatures 4a de fondation sortant de la dalle en béton 4. L’utilisation d’un kit et d’éléments de construction 1 selon l’invention permet de monter successivement les parois P1, P2 du coffrage, ce qui facilite grandement une installation des armatures 5 au cœur du coffrage, entre les deux parois P1, P2, par rapport à l’utilisation de blocs existants pour lesquels les armatures doivent être posées une fois les blocs empilés.
La représente l’étape d’installation d’armatures 5 décrite ci-dessus.
Le procédé peut par la suite comprendre une étape supplémentaire optionnelle mais préférée consistant à mettre en place des étais 3 configurés pour recevoir en appui latéral des éléments de construction 1 disposés pour former une seconde paroi P2 du coffrage isolant. Comme cela est représenté sur la , la seconde paroi P2 est de préférence disposée du côté orienté vers l’extérieur du bâtiment, mais peut éventuellement en variante être disposée du côté orienté vers l’intérieur du bâtiment lorsque la première paroi P1 est disposée du côté orienté vers l’extérieur du bâtiment.
Le procédé comprend après cela une étape f) consistant à placer une autre rangée d’éléments de construction 1 sur la dalle en béton 4 le long d’un second contour du mur espacé du premier contour d’une distance souhaitée pour l’épaisseur du mur. Les portions isolantes 11 sont orientées vers un côté, dit de cœur, du second contour et les panneaux d’habillage 12 sont orientés vers un côté opposé, dit extérieur, du second contour, de telle sorte que les portions isolantes des éléments de construction 1 disposés le long du second contour font face aux portions isolantes 11 des éléments de construction 1 disposés le long du premier contour.
Le procédé comprend ensuite une étape g) consistant à fixer de manière temporaire, de préférence à l’aide de vis 21b, des plaques de fixation 21 sur des panneaux d’habillage 12 de la rangée la plus haute des éléments de construction 1 disposés le long du second contour en regard de chaque plaque de fixation 21 fixée sur la rangée d’éléments de construction 1 disposés le long du premier contour en regard. Pour chaque plaque de fixation 21 les ergots d’espacement 21c sont mis en contact avec une face supérieure 11d de chaque élément de construction 1 respectif et le trou traversant 21d est aligné avec le trou traversant 21d de la plaque de fixation 21 fixée en regard.
Puis, le procédé comprend une étape h) consistant à enfiler une tige de fixation 22 dans les trous traversants 21d alignés de chaque paire de plaques de fixation 21 en regard l’une de l’autre. Cette étape peut en outre optionnellement mais de manière préférée consister à enfiler, sur au moins une tige de fixation 22, une entretoise tubulaire 24 configurée pour venir en appui contre des premières faces 11a de portions isolantes 11 se faisant face.
Le procédé comprend ensuite une étape i) consistant à introduire une cale 23, à chaque extrémité de chaque tige de fixation 22, dans un orifice 22a respectif de manière à mettre la cale 23 en contact avec la plaque de fixation 21 adjacente pour bloquer les tiges de fixation 22 en position.
Le procédé comprend par la suite une étape j) consistant à empiler des éléments de construction 1 supplémentaires sur la rangée d’éléments de construction la plus haute des éléments de construction 1 disposés le long du second contour pour former une rangée supplémentaire d’éléments de construction 1. Lesdits éléments de construction 1 supplémentaires sont disposés en appui sur des ergots d’espacement 21c des plaques de fixation 21 fixées à la précédente étape de fixation, et les portions isolantes 11 sont orientées vers le côté de cœur du second contour et les panneaux d’habillage 12 sont orientés vers le coté extérieur du second contour.
L’étape k) suivante du procédé consiste à répéter les étapes g) de fixation de plaques de fixation 21, h) d’enfilement de tiges de fixation 22, i) d’introduction de cales 23 et j) d’empilement d’éléments de construction 1 supplémentaires, pour obtenir une seconde paroi P2 d’un nombre de rangées d’éléments de construction 1 correspondant à la hauteur de mur souhaitée, reliée à la première paroi P1. Cette étape peut en outre optionnellement, mais de manière préférée, consister à répéter l’étape optionnelle consistant à fixer les plaques de fixation 21 auxdits éléments de construction 1 supplémentaires empilés.
On obtient ainsi un coffrage isolant formé à partir d’éléments de construction 1, dans lequel les portions isolantes 11 sont orientées vers le cœur du coffrage et les panneaux d’habillage 12 sont orientés vers des côtés extérieurs du coffrage.
Après cela, dans le cas ou des plaques de fixation 21 ont été fixées au sommet de la première paroi P1 du coffrage isolant, le procédé peut comprendre une étape optionnelle mais préférée consistant à fixer des plaques de fixation 21 au sommet de la seconde paroi P2 du coffrage, c’est-à-dire fixer de manière temporaire, de préférence à l’aide de vis 21b, des plaques de fixation 21 sur des panneaux d’habillage 12 de la rangée la plus haute des éléments de construction 1 disposés le long du second contour en regard de chaque plaque de fixation 21 fixée sur la rangée d’éléments de construction 1 disposés le long du premier contour. Pour chaque plaque de fixation 21 les ergots d’espacement 21c sont mis en contact avec une face supérieure 11d de chaque élément de construction 1 respectif et le trou traversant 21d est aligné avec le trou traversant 21d de la plaque de fixation 21 fixée en regard. Puis, le procédé peut comprendre une autre étape optionnelle mais préférée consistant à enfiler une tige de fixation 22 dans les trous traversants 21d alignés de chaque paire de plaques de fixation 21 en regard l’une de l’autre. Cette étape peut en outre optionnellement consister à enfiler, sur au moins une tige de fixation 22, une entretoise tubulaire 24 configurée pour venir en appui contre des premières faces 11a de portions isolantes 11 se faisant face. Puis, le procédé peut comprendre encore une autre étape optionnelle mais préférée consistant à introduire une cale 23, à chaque extrémité de chaque tige de fixation 22, dans un orifice 22a respectif de manière à mettre la cale 23 en contact avec la plaque de fixation 21 adjacente pour bloquer les tiges de fixation 22 en position.
Le terme "alcynyle" désigne un groupement alkyle, tel que défini ci-dessus, comportant au moins une triple liaison C≡C.
Le terme "cycloalkyle" désigne un ensemble de cycles saturés ou partiellement insaturés, monocyclique, bicyclique, polycyclique ponté ou spiro. Les cycles monocycliques comprennent, par exemple, les cycles cyclopropyle, cyclobutyle, cyclopentyle et cyclohexyle.
Dans un mode de réalisation particulièrement préféré, le sel de (2-cyanoéthyl)phosphonium comprend trois chaînes 2-cyanoéthyles et correspond à la formule (II) dans laquelle
R1 est indépendamment choisi parmi un alkyle en C1-C20, un cycloalkyle en C3-C6, un alcényle en C2-C20, un cycloalcényle en C5-C8, un alcynyle en C2-C20,un groupement vinylbenzylique ; dans lesquels les atomes d'hydrogène peuvent être substitués par un fluor, un -CF 3 , un éther, un groupement alkyle, un groupement alkyle perfluoré, un groupement silyle, un groupement siloxy, un groupement sulfoxyde, un groupement nitrile, un groupement thioéther ou leurs combinaisons.
R2 est indépendamment choisi parmi un groupement alkyle en C1-C20, un cycloalkyle en C3-C6, un alcényle en C2-C20, un cycloalcényle en C5-C8, un alcynyle en C2-C20, un groupement vinylbenzylique ; dans lesquels les atomes d'hydrogène peuvent être substitués par un fluor, un -CF 3 , un éther, un groupement alkyle, un groupement alkyle perfluoré, un groupement silyle, un groupement siloxy, un groupement sulfoxyde, un groupement nitrile un groupement thioéther ou leurs combinaisons.
Dans un mode de réalisation plus particulièrement préféré, R1 est un alkyle en C1-C10 dans lesquels les atomes d'hydrogène peuvent être substitués par un fluor, un -CF 3 , un éther, un groupement alkyle, un groupement alkyle perfluoré, un groupement silyle, un groupement siloxy, un groupement nitrile, un groupement sulfoxyde, un groupement thioéther ou leurs combinaisons ;
De manière encore plus préférée, R1 est choisi parmi un méthyle ou un alkyle en C1-C4 dans lesquels les atomes d'hydrogène peuvent être substitués par un fluor, un -CF 3 , un éther, un groupement alkyle, un groupement alkyle perfluoré, un groupement silyle, un groupement siloxy, un groupement nitrile, un groupement sulfoxyde, un groupement thioéther ou leurs combinaisons; et R2 est un alkyle en C1-C10 dans lesquels les atomes d'hydrogène peuvent être substitués par un fluor, un -CF 3 , un éther, un groupement alkyle, un groupement alkyle perfluoré, un groupement silyle, un groupement siloxy, un groupement sulfoxyde, un groupement nitrile, un groupement thioéther ou leurs combinaisons ; et de manière plus préférée R2 est un alkyle en C1-C4 dans lesquels les atomes d'hydrogène peuvent être substitués par un fluor, un -CF 3 , un éther, un groupement alkyle, un groupement alkyle perfluoré, un groupement silyle, un groupement siloxy, un groupement nitrile, un groupement sulfoxyde, un groupement thioéther ou leurs combinaisons et de manière tout à fait préférée parmi un méthyle, un éthyle, un propyle, un iso-butyle, un n-butyle, ou un allyle.
Dans un mode de réalisation préféré, X- est choisi parmi bis(fluorosulfonyl)imide (FSI), bis(trifluoromethanesulfonyl)imide (TFSI), tétrafluoroborate, hexafluorophosphate, dicyanamide, triflate, 4,5-dicyano-2-(trifluoromethyl)imidazolate, fluorosulfonyl(trifluoromethanesulfonyl)imide, bis(oxalato)borate , difluorobis(oxalato)borate, acétate., N-ethyl-N-methyl-functionalized sulfonimide, (difluoromethanesulfonyl)(trifluoromethanesulfonyl)imide, (methanesulfonyl)(trifluoromethanesulfonyl)imide, (difluoromethanesulfonyl)(fluoromethanesulfonyl)imide, (methanesulfonyl)(fluoromethanesulfonyl)imide.
Dans un mode de réalisation préféré, le sel de (2-cyanoéthyl)phosphonium comprend trois chaînes 2-cyanoéthyle et correspond à la formule (II)
X- est choisi parmi les phosphates de fluoroalkyle, les phosphinates de fluoroalkyle, les phosphonates de fluoroalkyle, les acétates, les triflates, les imides, les amidures, les méthanides, les borates, les phosphates, les sulfonimides ou les aluminates ;
Par exemple, dans une direction orthogonale à la face 112 du support 110, l'ouverture 500 est alignée avec l'ouverture 300, le centre de l'ouverture 500 étant par exemple aligné avec le centre de l'ouverture 300 dans cette direction, et, dans un plan parallèle à la face 112, l'ouverture 500 a des dimensions supérieures à celles de l'ouverture 300.
Le ou les pixels de la puce 1, par exemple la matrice de pixels 104 de la puce 1, se retrouvent exposés à de la lumière passant par les ouvertures 500 et 300.
Selon un mode de réalisation, pour former l'ouverture 500, une partie de la couche 400 disposée à l'emplacement de l'ouverture 500 est insolée à travers un masque configuré pour qu'une partie de la couche 500 destinée à rester en place sur la couche 200 ne reçoive pas de lumière, puis la partie de la couche 400 ayant reçue de la lumière est retirée, par exemple à l'aide d'une solution adaptée, de sorte à former l'ouverture 500. Dans ce cas, la résine de la couche 400 est dite "positive". Un traitement thermique peut ensuite être prévu pour rendre la résine de la couche 400 insensible à la lumière et/ou pour stabiliser mécaniquement la résine.
Selon une variante de réalisation, pour former l'ouverture 500, une partie de la couche 400 destinée à rester en place sur la couche 200 après la formation de l'ouverture 500 est insolée à travers un masque configuré pour qu'une partie de la couche 400 disposée à l'emplacement de l'ouverture 500 ne reçoive pas de lumière, puis la partie de la couche 400 n'ayant pas reçue de lumière est retirée, par exemple à l'aide d'une solution adaptée, de sorte à former l'ouverture 500. Dans ce cas, la résine de la couche 400 est dite "négative". Un traitement thermique peut ensuite être prévu pour rendre la résine de la couche 400 insensible à la lumière et/ou pour stabiliser mécaniquement la résine.
Selon encore une autre variante de réalisation, pour former la couche 400 et l'ouverture 500, plutôt que de former d'abord la couche 400 ( ) puis l'ouverture traversante 500 dans la couche 400 ( ), la couche 400 déjà munie de l'ouverture 500 est laminée, sous la forme d'un film sec, sur la couche 200, de sorte que l'ouverture 500 comprenne une partie centrale débouchant sur l'ouverture 300 et une partie périphérique débouchant sur la couche 200. La couche 400 est alors, par exemple, un film sec laminé. Un traitement thermique peut ensuite être prévu pour rendre la résine de la couche 400 insensible à la lumière et/ou pour stabiliser mécaniquement la résine.
La représente, par une vue en coupe schématique, une autre étape du procédé de fabrication, et plus particulièrement une étape postérieure à l'étape de la .
A l'étape de la , une plaque 600 a été disposée dans l'ouverture 500 ( ). La plaque 600 est en un matériau transparent aux longueurs d'onde de fonctionnement du ou des pixels de la puce 1. La plaque 600 a, dans un plan parallèle à la face 112 du support 110, des dimensions sensiblement égales à celles de l'ouverture 500 ( ), de sorte que la plaque 600 s'ajuste dans l'ouverture 500. Dit autrement, dans un plan parallèle à la face 112 du support 110, la plaque 600 a des dimensions identiques, aux tolérances de fabrication près, à celles de l'ouverture 500 ( ).
Ainsi, la plaque 600 comprend une partie périphérique qui repose sur la couche 200. Plus particulièrement, la plaque 600 a une face inférieure tournée vers la puce 1, la périphérie de la face inférieure de la plaque 600 reposant sur et en contact avec la couche 200. De préférence, aucune colle n'est disposée entre la plaque 600 et la couche 200.
Les déplacements de la plaque 600 dans un plan parallèle à la face 112 du support 110 sont empêchés par la résine de la couche 400. Ainsi, le positionnement et le maintien de la plaque 600 au-dessus de la puce 1 sont facilités par l'ouverture 500 et la couche 400.
De plus, le parallélisme entre la plaque 600 et la puce 1, par exemple le parallélisme entre la plaque 600 et la face supérieure 100 de la puce 1, est assuré par le fait que la face supérieure de la couche 200 est plane et qu'aucune colle n'est dispensée entre la périphérie de la plaque 600 et la couche 200.
La plaque 600 comprend également une partie centrale disposée en face de la partie centrale de la puce 1, donc en face du ou des pixels de la puce 1. Dit autrement, la partie centrale de la plaque 600 est à l'aplomb de l'ouverture 300. Cette partie centrale de la plaque 600 bouche l'ouverture 600 du côté opposé à la puce 1. Ainsi, le ou les pixels de la puce 1 sont disposés dans une cavité correspondant à l'ouverture 300, la cavité s'étendant en hauteur entre la puce 1 et la plaque 600 et étant délimitée latéralement par de la résine, plus particulièrement par la résine de la couche 200.
A titre d'exemple, la plaque 600 et la couche 400 ont des épaisseurs égales ou sensiblement égales.
A l'étape de la , après avoir placé la plaque 600 dans l'ouverture 500 ( ), une couche de résine photosensible 602 est formée sur la couche 400 et au moins sur la périphérie de la plaque 600, c'est-à-dire sur et en contact avec la partie périphérique de la face supérieure de la plaque 600.
Dans le mode de réalisation illustré par la , la couche 602 est formée sur la couche 400 et sur toute la face supérieure de la plaque 600.
A cette étape, une ouverture 700 a été formée dans la couche 602. L'ouverture 700 traverse la couche 602 sur toute son épaisseur. L'ouverture 700 débouche sur une partie centrale de la plaque 600. En outre, l'ouverture 700 ne débouche pas sur la périphérie de la plaque 600, ou, dit autrement, de la résine de la couche 602 reste en place sur et en contact avec la périphérie de la plaque 600, et, plus exactement, la partie périphérie de la face supérieure de la plaque 600.
Chaque valeur représente la fréquence correspondant au pic d’un filtre. On définit le m-ième filtre par :
Une fois filtrées, on obtient les puissances suivantes :
Une dernière étape est mise en œuvre en calculant les coefficients cepstraux pour tenter d’éliminer les caractéristiques dépendantes du locuteur. Le cepstre d’un signal est défini de la manière suivante : .
Le cepstre est donc le spectre d’un spectre. Les harmoniques dépendantes du locuteur sont donc transformées en coefficient cepstral d’ordre supérieur. En conservant uniquement les premiers coefficients, on élimine les parasites crées par l’appareil vocal sur le son. Les 13 premiers coefficients forment donc les MFCCs. Dans une réalisation possible, on n’utilise pas une transformée de Fourier discrète mais plutôt une transformée en cosinus discrète car celle-ci est plus efficace lorsqu’il s’agit de compresser des données.
Module de reconnaissance vocale 20 Le module de reconnaissance vocale 20 est configuré pour transformer les caractéristiques MFCC en une séquence de phonèmes PHO. Il exploite pour cela un réseau de neurones à impulsions (SNN pour « Spike Neural Network » en anglais).
Les humains réalisent la perception auditive en utilisant un paradigme de calcul totalement différent de celui de l’apprentissage profond classique. En effet, la perception auditive chez les humains passe par des événements éparses et asynchrones qui se transmettent sous forme d'impulsions électriques dans le cerveau.
Bien que la vitesse de transmission entre les neurones biologiques (quelques millisecondes) soit inférieure à celle des neurones artificiels, le cerveau humain réalise de la reconnaissance vocale complexe à une vitesse supérieure à celle des réseaux artificiels et apprend les langues d’une façon différentes des réseaux classiques.
L’invention, motivée par ces observations sur la manière dont le cerveau humain apprend et reconnait la parole, propose d’imiter le système humain d’apprentissage et de reconnaissance avec un système de reconnaissance automatique basé sur un réseau de neurones à impulsions SNN. Dans un tel réseau SNN, l’échange entre neurones repose sur l’intégration des impulsions et la redescente de l’activation, à l’instar des neurones biologiques. L’encodage est donc temporel et binaire.
Du fait qu’il fonctionne avec des signaux binaires asynchrones et répartis dans le temps, un tel réseau conduit à une plus grande efficacité de calcul sur du matériel embarqué. L’encodage binaire permet en outre à un tel réseau d’être facilement déployable sur une carte électronique, telle qu’un circuit programmable de type FPGA (Field Programmable Gate Array désignant un réseau logiques programmables).
En référence à la , le module 30 est plus particulièrement configuré pour, au cours d’une étape CLAS, affecter chacune des séquences sonores à un phonème parmi une pluralité de phonèmes en venant fournir, pour chacune des séquences sonores, les caractéristiques extraites de la séquence sonore à un réseau de classification phonétique qui comprend des couches de neurones impulsionnels.
En référence à la , le réseau de classification phonétique comprend une couche d’entrée I composée de neurones impulsionnels, une couche de sortie O et une ou plusieurs couches cachées H composées de neurones impulsionnels entre la couche d’entrée I et la couche de sortie O. Dans une réalisation possible, le réseau de classification phonétique comprend deux couches cachées.
Les neurones impulsionnels de la couche d’entrée I et ceux des couches cachées H sont de préférence des neurones d'intégration et de déclenchement avec fuite (neurones dits LIF pour Leaky Integrate-and-Fire) chacun caractérisé par un seuil de déclenchement et un facteur de fuite. Un tel neurone LIF peut être décrit par :
et (2)
où est le potentiel de membrane d’un post-neurone i à l’instant t, est le facteur de fuite du post-neurone i avec une valeur comprise entre 0 et 1, est le poids connectant le pré-neurone j au post-neurone i, est la sortie du pré-neurone j à l’instant t, est la sortie du post-neurone i à l’instant t-1 et est le seuil de déclenchement du post-neurone i.