INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Des caractéristiques ou des modes de réalisation particuliers, utilisables seuls ou en combinaison sont : Les éléments optiques du troisième côté comprennent des godrons et/ou des prismes ; Le premier côté comprend une pluralité de paraboles réflexives ; Le premier côté est une interface lisse adaptée pour s’associer à un guide de lumière cylindrique ; et/ou La face de sortie comprend des prismes et/ou grainages.
Dans un deuxième mode de réalisation, un véhicule automobile comprend un guide de lumière comme décrit ci-dessus.
Brève description des figures L’invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui suit, faite uniquement à titre d’exemple, et en référence aux figures en annexe dans lesquelles : représente une vue de face d’un bloc de feu arrière d’un véhicule automobile selon un premier mode de réalisation ; représente une vue en coupe selon AA des éléments principaux du bloc de la  ; représente une vue en coupe selon BB des éléments principaux du bloc de la  ; représente un détail de la  ; et représente une variante de réalisation du guide de lumière des figures précédentes.
En effet, vu le temps nécessaire à constituer la barrière coupe feu d’un giga incendie , l’eau mise en œuvre doit maintenant résister plusieurs heures sur un sol très chaud qui se trouve en pleine exposition solaire .
Ains i , crée r une barrière coupe feu avec de l’eau sera totalement inefficace car toute l’eau utilisée , pour la barrière feu, se sera totalement évaporée ou infiltrée dans le sol en moins de 20 minutes.
Rappelons que le coefficient d’adhérence d e l’eau sur un support quelconque est de l’ordre de 0,03 mm et qu’il est quasiment nul sur un support lisse (ex : verre, ou végétal déperlant) .
Le constat d’évaporation de l’eau est le même pour les produits dits retardants et/ou ignifugeants du marché .
En effet, u n retardant/ignifugeant est un produit mélangé à l’eau qui nécessite deux heures pour que l’eau et le produit pénètre dans le végétal . Ainsi, si l’eau est évaporée en 20 mn , l’efficacité du produit ignifugeant disparaît proportionnellement .
Notons que l a solution de faire un deuxième passage après 20 mn et à exclure pour : la consommation d’eau , les moyens à mobiliser , le temps qui passe (risque majeur pour les intervenants face à la progression du feu).
Remarquons aussi qu’un additif retardant/ ignifugeant empêche temporairement le départ à la flamme de son support mais qu’il n’ empêche p as la carbonis ation de surface du support. En effet l e principe actif d’un retardant/ ignifugeant est de créer au contact du feu, une couche protectrice carbonée par la pyrolyse à la surface du support.
Un agent ignifugeant n’est donc pas un agent protecteur à la carbonisation mais au contraire , un agent de carbonisation de surface.
Notons aussi , qu’un retardant n’empêche pas que le support finisse par se mettr e à la combustion en profondeur.
Nous constatons donc qu’une barrière coupe feu à l’eau ou à l’eau additionnée de retardant /ignifugeant est devenue d’une efficacité éphémère et constitue des risques aggravés pour les intervenants en période de réchauffement climatique.
En conclusion, on constate que , sur ce deuxième facteur aggravant d’évaporation de l’eau, que les méthodes et les moyens sont maintenant totalement dépassés en période de réchauffement climatique.
TROISIÈME FACTEUR AGGRAVANT : C’est dans le constat de ce deuxième facteur aggravant qu’intervient le troisième facteur aggravant lié au réchauffement climatique.
En effet, dans un incendie de forê t, l’eau reste le principal agent endothermique extincteur du feu. Toutefois avec le réchauffemen t climatique : « disponibilité et quantité d’ eau » po se nt problème (assèchement des : étangs, lacs, nappes phréatiques, etc…) .
En conséquence, il convient donc de maitriser au mieux l’utilisation et la quantité d’eau d isponible .
Toutefois, à cela s’ajoute le pré réchauffement de l’eau.
En effet, la citerne d’eau du camion pompier se trouve nt dans un air ambiant très chaud auquel s’ajoute l’énergie de l’exposition solaire. Ainsi, l’eau devient chaude et perd une grande partie de sa ca pacité endothermique .
La représente un schéma d’un mode de réalisation comprenant un commutateur SOI 6 et un LNA 8. Le commutateur 6 est configuré pour connecter une ligne d’antenne 18 au LNA 8, qui est configuré pour amplifier le signal et pour émettre en sortie le signal amplifié sur une ligne de sortie 20. Le commutateur 6 et le LNA 8 sont situés sur le même substrat SOI. La tranche SOI comprend un substrat de silicium (également appelé la tranche de manipulation) et une couche de silicium active (également appelée la couche de dispositif) séparées par une couche d’oxyde enterrée (BOX). Le commutateur 6 comprend une pluralité de transistors permettant la commutation qui sont formés dans la couche de silicium active au-dessus de la couche BOX. Le commutateur 6 comprend également une pluralité de composants passifs (par exemple, des résistances) connectés aux transistors qui sont également formés au-dessus de la couche BOX pour bénéficier de l’isolation électrique améliorée fournie par la tranche SOI. Une des sorties du commutateur 6 est directement connecté au LNA 8. Le LNA 8 comprend un premier étage d’amplification comprenant un transistor SiGe 24 formé dans une région massive de la tranche SOI, dans lequel la couche BOX a été retirée dans la région massive, et remplacée par du silicium. Dans les figures, un rectangle en pointillés est utilisé pour illustrer un dispositif formé dans une région massive. Le retrait local de la couche BOX peut améliorer la conduction de chaleur depuis le transistor SiGe 24 puisqu’il est directement connecté au substrat de silicium sous-jacent. Le deuxième étage d’amplification du LNA 8 comprend une structure cascode présentant un premier transistor 28 qui est l’émetteur commun de ladite structure cascode et un deuxième transistor 30 qui est la grille commune de ladite structure cascode. Le premier transistor 28 est un autre transistor SiGe formé dans une deuxième région massive de la tranche SOI. Les transistors SOI 24, 28 peuvent améliorer le facteur de bruit du LNA 8, par rapport à un transistor SOI, particulièrement dans la fréquence des ondes millimétriques. Le deuxième transistor 30 de la structure cascode est un transistor SOI (par exemple un transistor NMOS) situé au-dessus de la couche BOX de la tranche SOI. Le transistor SOI peut améliorer la linéarité du LNA 8. Le LNA8 comprend également une pluralité de composants passifs (par exemple des condensateurs et des bobines d'inductance) qui peuvent également bénéficier de la tranche SOI. La combinaison du commutateur SPDT SOI et du LNA SOI avec des transistors SiGe massifs peut fournir une structure de récepteur améliorée pour un système de télécommunications, tel quel pour un UE dans un réseau 5G.
La représente les tracés à petits signaux à partir de simulations du commutateur et du système LNA illustré dans la . A partir des tracés, il y a un gain suffisant qui recouvre la gamme de fréquences d’intérêt d’environ 24 GHz à 32 GHz et un excellent facteur de bruit (nf) autour de 2,2 dB à 28 GHz.
La représente les tracés à grands signaux à partir de simulations du commutateur et du système LNA illustré dans la . La simulation à grands signaux montre une compression de 1 dB qui se produit à -10 dBm de puissance d’entrée. Le comportement des grands signaux remplit les conditions pour un système 5G.
La représente un schéma d’un autre système selon un mode de réalisation comprenant un commutateur 6 et un LNA 8. Le système est similaire à celui de la , mais le LNA 8 comprend un seul étage d’amplification au lieu de deux. Le LNA 8 comprend une structure cascode comprenant un premier transistor 28 qui est l’émetteur commun et un deuxième transistor 30 qui est la base commune de ladite structure cascode. Les deux transistors 28, 30 sont des transistors SiGe formés dans la(les) région(s) massive(s) de la tranche SOI. Les transistors SiGe peuvent réduire le bruit du LNA 8 par rapport à des transistors SOI.
La représente un schéma d’un autre système selon un mode de réalisation comprenant un commutateur 6 et un LNA 8. Le système est similaire à celui de la , mais au lieu d’avoir deux transistors SiGe dans une structure cascode, le LNA 8 comprend un premier transistor 28 qui est un transistor SiGe dans une région massive et un deuxième transistor 30 qui est un transistor SOI dans ce qui est appelé ici une structure cascode hybride. Le transistor SiGe peut réduire le bruit tandis que le transistor SOI peut améliorer la linéarité.
La représente un schéma d’un autre système selon un mode de réalisation comprenant un commutateur 6 et un LNA 8. Le système est similaire à celui de la , mais au lieu d’avoir une structure cascode hybride dans le deuxième étage d’amplification, le deuxième étage d’amplification comprend une structure cascode avec de premier et deuxième transistors 28, 32 qui sont des transistors SOI.
La représente une section transversale schématique d’une partie d’un module de LNA à commutateur comme par exemple une partie du commutateur ou du LNA, tel que le LNA 8 de la , 8, 9 ou 10. Le module comprend une tranche SOI 22 comprenant un substrat de silicium 38, une couche BOX 40 et une couche de silicium active 42. La tranche 22 comprend également une région massive 44 remplie avec du silicium où la couche BOX a été localement retirée. Le LNA comprend un transistor SiGe 46 dans la couche de silicium active 42 dans la région massive 44.
La représente un schéma d’une partie d’un commutateur selon un mode de réalisation. En particulier, les couches métalliques 48 (M1 à M4, MI et MJ) sur le substrat SOI établissant une connexion avec les transistors SOI 50 au-dessus de la couche BOX 40 sont illustrés. Des composants passifs, tels que des bobines d'inductance, peuvent être formés à partir des couches métalliques supérieures épaisses MI et MJ ou connectés par celles-ci. La faible résistivité des couches métalliques épaisses MI, MJ peut améliorer les performances des composants passifs et réduire le bruit du LNA. Les couches métalliques épaisses MI, MJ peuvent avoir une épaisseur d’environ 3 µm. Les couches métalliques 51 peuvent généralement être formées dans l’extrémité arrière de la ligne (BEOL) d’un procédé CMOS. Les couches métalliques « normales » (M1 à M4) ont une épaisseur d’environ 0,35 µm. Le substrat de silicium 38 est un substrat HR ayant une résistivité supérieure à environ 3 kΩ-cm.
En général, les modes de réalisation divulgués ici fournissent un module de LNA à commutateur comprenant une tranche de silicium sur isolant (SOI) comprenant un substrat de silicium et une couche active, séparées par une couche d’oxyde enterrée (BOX), un commutateur comprenant une pluralité de transistors SOI (qui sont formés dans la tranche SOI au-dessus de la couche BOX, par exemple par CMOS), et un amplificateur à faible bruit (LNA) situé dans ladite tranche SOI et connectée à une sortie dudit commutateur, dans lequel ledit LNA comprend un transistor bipolaire (par exemple un transistor SiGe) formé dans une région massive de ladite tranche SOI où ladite couche BOX est retirée. Généralement, le commutateur est un commutateur unipolaire bidirectionnel (SPDT) en série/en parallèle. Le SPDT peut être formé intégralement dans/sur la tranche SOI dans la couche active au-dessus de la couche BOX. La tranche SOI comprend un substrat SOI à haute résistance, HR, comprenant une couche de manipulation en silicium ayant une résistivité supérieure à 1 kΩ-cm. Le module de LNA à commutateur comprend en outre une couche métallique épaisse (par exemple > 2 µm d’épaisseur) pour la connexion au commutateur et au LNA.
La couche de manipulation en silicium peut avoir une résistivité supérieure à 3 kΩ-cm. Par exemple, la couche de manipulation en silicium peut avoir une épaisseur dans la plage allant de 500 µm à 1 000 µm. Le substrat SOI HR peut réduire les capacités parasites. Le LNA peut en outre comprendre une pluralité de composants passifs (par exemple, des bobines d'inductance, des résistances et des condensateurs) formés sur ledit substrat SOI au-dessus de ladite couche BOX. La couche BOX peut, par exemple, avoir une épaisseur dans la plage allant de 2 µm à 4 µm. La couche de silicium active a généralement une épaisseur inférieure à 1 µm, par exemple d’environ 0,1 µm ou 0,2 µm. Les dispositifs situés dans la couche de silicium active au-dessus de la couche BOX, tels que les transistors, sont généralement séparés par des STI.
Les composants passifs peuvent être formés à partir de et/ou sont connectés par une couche métallique épaisse (par exemple, le métal supérieur d’une pile arrière CMOS) ou par deux couches métalliques épaisses se recouvrant au moins partiellement. La ou les couches métalliques épaisses comprennent généralement du cuivre. Les couches métalliques épaisses peuvent avoir une épaisseur supérieure à 1 µm. Par exemple, les couches métalliques épaisses peuvent avoir une épaisseur dans la plage allant de 2 µm à 4 µm, par exemple environ 3 µm. Une plus grande épaisseur peut réduire la résistance et améliorer les performances d’au moins certains des composants passifs. Par exemple, les bobines d'inductance du module de LNA à commutateur peuvent être formées par une ou plusieurs spires de bobine dans la ou les couches métalliques épaisses. Typiquement, une pluralité de couches métalliques est sont située sur le substrat SOI, dans lequel la ou les couches métalliques épaisses sont situées au sommet (le plus loin de la couche de silicium active). Le métal 1 est la première couche métallique située le plus près du silicium actif et peut être directement connectée au transistor bipolaire. La première couche métallique peut avoir une épaisseur inférieure à 1 µm, par exemple une épaisseur d’environ 0,3 µm, ce qui est significativement plus mince que la ou les couches métalliques épaisses. La pluralité de couches métalliques peut être séparée par des couches interdiélectriques (par exemple, des couches d’oxyde de silicium) et connectée électriquement par des vias.
Le LNA peut comprendre une structure cascode (également appelée topologie cascode) comprenant ledit transistor bipolaire qui est un émetteur commun de ladite structure cascode. La base commune de la structure cascode peut être un deuxième transistor bipolaire (par exemple, un transistor SiGe) dans une région massive du substrat SOI ou un transistor SOI « normal » (par exemple, un transistor CMOS) formé dans la couche de silicium active au-dessus de la couche BOX du substrat SOI.
Le LNA peut comprendre deux étages d’amplification, par exemple un circuit d’amplification de premier étage et un circuit d’amplification de deuxième étage, dans lequel ledit circuit d’amplification de premier étage comprend ledit transistor bipolaire et dans lequel ledit circuit d’amplification de deuxième étage comprend une structure cascode. La structure cascode peut comprendre un premier transistor SOI qui est une source commune de ladite structure cascode et un deuxième transistor SOI qui est une grille commune de ladite structure cascode. Dans ce mode de réalisation, le deuxième étage d’amplification peut comprendre uniquement des transistors SOI (par exemple des transistors CMOS), ce qui peut améliorer la linéarité du LNA. Dans un autre mode de réalisation, ladite structure cascode peut comprendre un deuxième transistor bipolaire dans une région massive dudit substrat SOI, dans lequel ledit deuxième transistor bipolaire est un émetteur commun de ladite structure cascode, et dans lequel la structure cascode comprend un transistor SOI qui est une grille commune de ladite structure cascode. C’est-à-dire que le deuxième étage d’amplification comprend une structure cascode hybride avec. Le premier étage d’amplification comprend généralement un seul émetteur commun (pas de structure cascode) qui est le transistor bipolaire dans la région massive. Alternativement, ledit circuit amplificateur de premier étage peut comprendre une deuxième structure cascode comprenant ledit transistor bipolaire qui est un émetteur commun de ladite deuxième structure cascode. Ladite deuxième structure cascode peut comprendre un deuxième transistor bipolaire situé dans une région massive dudit substrat SOI, dans lequel ledit deuxième transistor bipolaire est une base commune de ladite structure cascode. C’est-à-dire que les deux transistors de la structure cascode du premier étage d’amplification sont des transistors bipolaires (par exemple des transistors SiGe) formés dans une région massive du substrat SOI dans ce mode de réalisation. Dans un autre mode de réalisation, ladite deuxième structure cascode comprend un transistor SOI qui est une grille commune de ladite structure cascode (pour former une structure cascode hybride avec le transistor bipolaire).
D’autres modes de réalisation fournissent un équipement utilisateur (UE), tel qu’un téléphone portable, pour les télécommunications comprenant un commutateur selon un quelconque des modes de réalisation détaillé ici, dans lequel le commutateur est agencé dans l’UE pour commuter entre un mode de réception et un mode d’émission de l’UE. Par exemple, le commutateur est connecté à une antenne qui est agencée pour recevoir et émettre des signaux électromagnétiques. Dans le mode de réception (RX), le commutateur relie l’antenne au LNA du module de LNA à commutateur de manière à ce que les signaux reçus soient amplifiées par le LNA.
Bien que des modes de réalisation spécifiques de l’invention aient été décrits ci-dessus, il sera évident pour un homme du métier que des modifications peuvent être apportées à l’invention telle que décrite sans s’écarter de la portée des revendications énoncées ci-dessous. Chaque caractéristique divulguée ou illustrée dans la présente spécification peut être incorporée dans l’invention, que ce soit seule ou en toute combinaison appropriée avec toute autre caractéristique divulguée ou illustrée ici.
Procédé et dispositif de communication de données d’un système d’éclairage d’un véhicule La présente invention concerne les procédés et dispositifs de communication de données d’un système d’éclairage d’un véhicule, notamment automobile. La présente invention concerne également un procédé et un dispositif de contrôle de l’historique des changements effectués sur un ensemble de feux d’éclairage d’un véhicule.
Les terpènes sont des gaz riches en carbone qui sont souven t plus lourds que l’air . I ls se concentrent , au niveau du sol , en nappes très inflammables . Au contact de la moindre étincelle ou de flamme , les terpènes s’enflamment brutalement et provoquent ainsi un flash over.
Le flash over est une boule de gaz en feu qui avance à une vitesse d’environ 150 m /sec avec une température pouvant dépasser les 1000°C à cœur . Le flash over enflamme alors tout s ur son passage et provoque une avancée très rapide du front de feu .
Un flash over peut parcourir des distances qui varient d e 200m à 800m .
A proximité, u n flash over émet un puissant panneau radian thermique de 600° et génère ses propres vents thermiques vers une zone jointive également à risque . I l génère alors le départ d’un nouveau flash over.
Dans ces conditions climatiques , un incendie peut progresse r mainte nant , sans vent porteur, à une vitesse moyenne de 8 à 12 km/h et cela dans toutes les directions . On assite alors à c e que l’on appelle un giga incendie.
Face à cette force incontrôlable de la nature, il est donc devenu impossible de faire une attaque directe sur le front de feu . L a seule solution, qui reste , e s t de procéder à l’évacuatio n de la zone menacée et d’ attendre que l’incendie se stabilise sur une quelconque barrière naturelle (pluie, baisse de la température nocturne, absence de végétal, etc …) .
Notons aussi, qu’une nappe de terpène reste encore très difficile à identifier et /ou à évaluer . En effet une nappe de terpène peut cacher son odeur caractéristique dans celle de la fumée, elle peut aussi se déplacer et quitter sa zone d’émission (vents axés ou tournants, variation du relief, etc …).
Avant le réchauffement climatique , nous utilis i ons la solution classique d’attaque du front de feu qui se situe principalement sous les vents dominants. Cette solution consiste à humidifier à l’eau le végétal et le sol du front de feu. Cette mise en œuvre crée alors un frein endothermique à la progression du feu .
En cas extrême, on additionne à l’eau un agent retardant/ ignifugeant pour créer une zone de replis et une barrière coupe feu plus durable .
Toutefois , créer une barrière coupe feu lors d’un giga incendie , demande de nouvelles mesures sécuritaires pour anticiper et prendre du recul sur le risque thermique d’un flash over .
En effet, il faut mainten ant évaluer la zone à risque d’un flash over et l a vitesse de pr opagation d’un giga incendie .
Ainsi, pour établir une barrière coupe feu d’un giga incendie , les distances sécuritaires d’intervention ne s’expriment plus en dizaines de mètres du front de feu, mais en Km. Tout e cette nouvelle topographie d’intervention demande plusieurs h eures à se mettre en place et nécessite de mobiliser d’énormes moyens humains, techniques et d’eau. De plus, si le vent porteur change de direction, la barrière feu risque de se trouver hors du lieu où progressera l’incendie.
Dans un giga incendie, la barrière feu n’est donc plus une ligne de front de feu mais un e zone périmétrique d’encerclement de l’incendie .
Ces nouvelles condition s de lutte, augmente nt considérablement la longueur de la barrière feu et le temps de sa mise en œuvre.
En conclusion, on constate que sur ce premier facteur aggravant de flash over , les méthodes et les moyens sont maintenant totalement dépassés en période de réchauffement climatique.
DEUXIÈME FACTEUR AGGRAVANT : C’est dans la description de ce premier facteur aggravant , qu ’int ervient le deuxième facteur aggravant lié au réchauffement climatique.
Le plateau 1 comprend un ruban lumineux 3 en son pourtour. Le ruban lumineux 3 est symbolisé par une série de LED.
Sur la partie A de la figure, le ruban lumineux 3 est totalement intégré dans le pourtour.
Sur la partie B de la figure, le ruban lumineux 3 est en partie sorti du pourtour par coulissement dans une rainure 5. Celle-ci a une extrémité débouchante permettant la sortie du ruban lumineux 3.
En effet, , la rainure 5 a une section en queue d’aronde dans laquelle vient se placer une languette 11 du ruban lumineux 3, languette ayant une forme complémentaire.
Ainsi, le système d’éclairage comprend : un support 1 comprenant une rainure 5 ayant une extrémité débouchante ; et un ruban lumineux 3 souple comprenant une languette 11 adaptée pour coulisser dans la rainure 5, la largeur de l’ouverture de la rainure étant inférieure à la largeur maximale de la languette. Cette caractéristique est remplie par la forme en queue d’aronde et permet de maintenir le ruban lumineux accroché au support 1 ; et le ruban lumineux est adapté pour coulisser le long du support entre une première position dans laquelle la languette est totalement engagée dans le support, comme dans la partie A de la et une seconde position dans laquelle une portion prédéterminée de la languette débouche à l’extérieur de l’extrémité du support, comme dans la partie B de la , de sorte que la partie du ruban lumineux correspondant à la portion extérieure de la languette forme un éclairage orientable.
Le ruban lumineux 3 est donc composé d’une languette 11 et d’une bande d’éclairage 13 qui sont reliés par une liaison élastique 15. Cette liaison élastique comprend une tige en T 17 fixée sur la languette 11 et un ressort 19 en appui en compression d’une part sur la barre du T et d’autre part sur la base de la bande d’éclairage 13. Ainsi, le ressort 19, en l’absence de toute contrainte, va rapprocher la base de la languette 11 et la bande d’éclairage 13.
Quand la languette 11 est insérée dans la rainure 5, cela va donc plaquer la bande d’éclairage 13 contre les faces extérieures de l’ouverture de la rainure 5. En même temps la partie de la languette comprise entre l’ouverture de la rainure et la largeur maximale de la languette 11 est maintenue plaquée contre la rainure 5.