INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
L’invention concerne ainsi plus précisément de nouvelles utilisations du D-xylose ou de produits dérivés ou contenant du D-xylose pour stimuler la biosynthèse des glycosaminoglycannes ayant le D-xylose comme molécule initiatrice de leur chaînes (héparanes sulfates, dermatane sulfates, chondroïtines sulfates) et en réduisant les effets secondaires associés à son utilisation. Les nouvelles utilisations concernent la prévention ou le traitement d’infection aux virus utilisant les syndécanes et/ou glypicanes comme récepteurs cellulaire.
Conformément à une mise en œuvre de l’invention, la liste de lits de captation, leur configuration ainsi que les caractéristiques géométriques et les caractéristiques de performances peuvent être stockées sur une mémoire informatique, pour faciliter leur utilisation pour des modèles numériques de captation et de perte de charge.
3. Application d’un modèle de captation Lors de cette étape, pour chaque lit de captation de la liste de captation déterminée à l’étape 2, on applique un modèle de captation aux conditions opératoires déterminées à l’étape 1. Le modèle de captation représente le phénomène de captation au sein d’un lit de captation. Le modèle de captation relie la concentration en particules solides en sortie du lit de captation à la concentration en particules solides en entrée du lit de captation en fonction des caractéristiques géométriques et des caractéristiques de performances du lit de captation. En d’autres termes, le modèle de captation a pour entrée la concentration en particules solides en entrée du lit de captation (issue de l’étape 1), et la caractérisation du lit de captation (issue de l’étape 2), et le modèle de captation a pour sortie une concentration en particules solides en sortie du lit de captation.
De préférence, le modèle de captation peut être un modèle numérique, ce qui facilite sa mise en œuvre sur plusieurs lits de captation de manière simple et rapide et sans expérimentation.
Selon un mode de réalisation de l’invention, on peut construire un modèle de captation au moyen d’un loi d’atténuation des particules. Avantageusement, une loi d’atténuation peut être appliquée pour chaque couche du lit de captation. De manière avantageuse, la loi d’atténuation des particules peut être fonction d’un facteur d’atténuation de la captation, ce facteur d’atténuation peut dépendre notamment du type de particules solides à capter et du matériau de chaque couche du lit de captation. Le facteur d’atténuation permet de modéliser le colmatage du matériau d’une couche du lit de captation. En effet, au fur et à mesure que les particules solides s’accumulent, le matériau de captation, quel qu’il soit, se colmate et perd de l’efficacité. Ainsi, la prise en compte d’un tel facteur permet une représentation physique précise des phénomènes physiques mis en œuvre dans la captation. En particulier, le facteur d’atténuation peut déprendre d’une caractéristique de performances déterminée à l’étape 2 en l’occurrence, la concentration maximale de particules solides captées. L’atténuation de la captation est un phénomène difficile à mesurer au laboratoire, car il demande des essais de captation long. Il peut être caractérisé par analyse de données industrielles ou par modélisation numérique.
Conformément à une mise en œuvre de l’invention, le modèle de captation peut s’écrire de la manière suivante :
Avec z la distance depuis l’entrée du lit de captation (position verticale dans le lit de captation), j le type de particules solides, i la couche du lit de captation, C j la concentration en particules solides de type j, l’efficacité intrinsèque de filtration/captation des particules solides j dans la couche i, l’efficacité intrinsèque de filtration/captation des particules solides j à la distance z avec = lorsque z est dans la couche i, le facteur d’atténuation de la captation induite par le colmatage de la couche i.
La détermination du facteur d’atténuation F ijz est avantageux pour la modélisation du processus de captation. En effet, la captation des particules solides, qui peut être quasiment totale en début de cycle de réacteur, s’atténue au fur et à mesure de l’accumulation des particules solides au sein du lit de captation, jusqu’à tendre vers une efficacité nulle. Le débit de particules sortant du lit de garde augmente donc progressivement durant le cycle, ce qui fait augmenter la perte charge dans le réacteur jusqu’à ce que la pression du réacteur atteigne sa pression d’usage maximal, induisant l’arrêt du réacteur. La modélisation du facteur F ijz conditionne donc en partie le résultat du modèle de captation.
Lorsqu’une seule taille de particule j est considérée, on peut définir, pour un jeu de conditions opératoires données, une concentration maximale de particules j dans la couche i i captée, α ij , au-delà de laquelle =0.
On peut concevoir que, en tout z, la concentration en particules solides captées à la distance z C jc (z) vaut 0 à t=0 puis augmente progressivement jusqu’à atteindre α ij . Durant cette augmentation progressive de C jc , la fonction F ij (z) passe progressivement de 1 à 0. Ensuite, la captation en z est nulle, et les particules solides j sont transportées en aval (dans le sens de circulation du fluide dans le lit de captation) pour être éventuellement captées si les valeurs locales de C jc n’ont pas atteint α ij .
Selon une première variante de réalisation, le facteur d’atténuation F ij (z) peut être continu et passer de 1 à 0 en suivant la loi suivante :
Avec C jc (z) la concentration en particules solides captées à la distance z, α ij une concentration maximale de particules j dans la couche i et β un paramètre. Si l’on considère une atténuation de la captation proportionnelle avec le colmatage du lit, alors β = 1.
Si on considère plusieurs tailles de particules solides, la difficulté consiste à modéliser l’atténuation de la captation locale des particules solides j en présence d’autres particules solides. Le bouchage du matériau (d’une couche) par un type de particules solides impacte potentiellement la captation des autres types de particules solides. En fonction des particules solides à capter et des matériaux utilisés (c’est-à-dire des différentes couches), la modélisation du facteur d’atténuation varie et peut suivre des formalismes potentiellement différents.
Selon une deuxième variante de réalisation, si l’on établit que les particules solides s’accumulent indifféremment dans un matériau (dans une couche) jusqu’à atteindre une concentration totale maximale données, le facteur d’atténuation peut s’exprimer de la manière suivante :
Avec m le nombre de types de particules solides, C jc (z) la concentration en particules solides captées à la distance z, β un paramètre, α i est une valeur maximale de concentration de particules solides captées (toutes particules confondues). Si l’on considère une atténuation de la captation proportionnelle avec le colmatage du lit, alors β = 1.
Selon une troisième variante de réalisation, si l’on considère que les particules solides contribuent toutes au bouchage, mais que la concentration maximale de particules solides captées dépend du type de particules, une autre expression du facteur d’atténuation peut possiblement être :
Plus particulièrement, lesdits premier tube et deuxième tube font partie du conduit de sortie des gaz.
Plus particulièrement selon l’invention, ledit agencement se caractérise en ce que ladite coupelle comporte - une première face qui est une face proximale des premier et deuxième tubes, et une deuxième face opposée à ladite première face, - la cavité de guidage des gaz intégrée à la coupelle comporte son ouverture en ladite première face de la coupelle, et a une surface fermée du côté de la deuxième face de la coupelle, et - ladite pièce de fermeture comprend au moins deux orifices débouchants situés en correspondance avec l’ouverture de ladite cavité de guidage des gaz, et lesdits orifices étant récepteurs respectivement de l’extrémité ouverte du premier tube de circulation des gaz et de l’extrémité ouverte du deuxième tube de circulation des gaz, et ladite pièce de fermeture est fixée, de manière étanche aux gaz, contre ladite première face de la coupelle, de sorte qu’une communication fluidique peut être établie entre lesdites extrémités ouvertes des tubes via la cavité de guidage des gaz.
Les tubes, ainsi branchés sur les orifices de la pièce de fermeture, peuvent communiquer fluidiquement entre eux. Lesdits orifices de la pièce de fermeture et les extrémités ouvertes respectives desdits tubes sont débouchants dans la cavité de guidage de sorte que les gaz arrivant par l’extrémité de l’un des tubes débouchante dans la cavité entrent dans la cavité et sont guidés vers l’extrémité de l’autre tube débouchante dans la cavité.
Plus particulièrement, ladite cavité a une paroi dont la forme intérieure courbe suit sensiblement un arc de cercle, en particulier un demi-cercle. La paroi forme la surface fermée de la cavité.
Plus particulièrement, la paroi de la cavité a une convexité venant en débord du plan moyen de la deuxième face de la coupelle. Ladite première face est une face interne de la coupelle.
Selon un mode de réalisation particulier, ladite cavité a une paroi dont la forme intérieure courbe suit sensiblement un arc de cercle, par exemple un demi-cercle, et la pièce de fermeture est disposée dans l’ouverture de la cavité de sorte qu’en chacune des extrémités de cette courbe soit situé un orifice de ladite pièce de fermeture.
De préférence, ladite pièce de fermeture est disposée contre l’ouverture de ladite cavité, ladite pièce de fermeture comprenant un pourtour recouvrant ladite première face de la coupelle autour du contour de l’ouverture de la cavité. En particulier, ladite pièce de fermeture est soudée, de manière étanche aux gaz, suivant ce pourtour sur ladite première face de la coupelle.
En particulier ladite pièce de fermeture peut comprendre une portion courbe située entre ses deux orifices récepteurs des premier et deuxième tubes, et ladite portion est entrée dans l’ouverture de la cavité, la courbure de ladite portion étant tournée vers l’ouverture de la cavité.
En particulier lesdits orifices de la pièce de fermeture comprennent chacun un rebord auquel sont soudées, de manière étanche aux gaz, lesdites extrémités respectives des premier et deuxième tubes.
En particulier, ladite pièce de fermeture a globalement la forme d’une plaque. Elle est de préférence soudée, de manière étanche aux gaz, à la ladite première face de la coupelle.
Selon un mode de réalisation préféré, ladite cavité est une partie creuse emboutie (formée par emboutissage) dans la paroi de la coupelle.
Selon un mode de réalisation, ladite coupelle intégrant une cavité de guidage des gaz est une coupelle interne, c’est-à-dire entièrement située à l’intérieur de l’enveloppe.
Selon un mode de réalisation particulier, ladite coupelle intégrant une cavité de guidage des gaz est une coupelle externe, notamment une coupelle qui ferme une extrémité longitudinale de l’enveloppe. Ladite deuxième face de la coupelle est la face externe de la coupelle externe. La paroi de la cavité apparaît en débord externe du plan moyen de la deuxième face (face externe) de la coupelle.
L’invention a également pour objet un véhicule automobile comprenant un moteur thermique, et un volume acoustique d’échappement, atténuant les bruits des gaz émis par ledit moteur, tel que décrit précédemment.
En particulier, ledit volume acoustique d’échappement est disposé sous le plancher du véhicule, et en particulier dans le creux d’un tunnel de plancher.
D’autres particularités et avantages de l’invention ressortiront à la lecture de la description faite ci-après de plusieurs modes de réalisation particuliers de l’invention, non limitatifs, en référence aux dessins annexés sur lesquels :
- une enveloppe 3 qui délimite un volume interne 31 et qui comporte deux zones ajourées 32,
- des moyens d’aspiration 4 (représentés schématiquement sur la ), pour générer un flux d’air aspiré qui chemine au travers des zones ajourées 32 et le long du volume interne 31, et
- des moyens d’obturation 5, adaptés à obturer alternativement les zones ajourées 32 (tenant compte notamment de l’orientation du flux d’air s’écoulant autour de l’aile creuse 2).
Enveloppe L’enveloppe 3 est par exemple réalisée dans un matériau choisi parmi l’acier, l’aluminium ou un matériau composite.
De préférence, l’enveloppe 3 comporte une section transversale, perpendiculairement à l’axe longitudinal 2’ et horizontale, présentant une forme ovale ou elliptique.
De manière générale, cette enveloppe 3 comporte avantageusement deux parties frontales 3a, 3b :
- une partie arrière 3a, et
- une partie avant 3b, formant avantageusement un bord d’attaque de l’aile creuse 2.
En d’autres termes, les deux parties 3a, 3b s’étendent longitudinalement et sur la hauteur de l’enveloppe 3, de part et d’autre de l’axe longitudinal 2’.
Les deux parties 3a, 3b présentent avantageusement chacune une section en forme de demi-ovale ou de demi-cercle, séparées par un petit axe passant par l’axe longitudinal 2’.
L’enveloppe 3 comporte également deux extrémités longitudinales 3c, 3d, définissant sa hauteur ( ) :
- une extrémité longitudinale inférieure 3c, destinée à être fixée au navire N et à être orienté vers le bas, et
- une extrémité longitudinale supérieure 3d, opposée, destinée à être orientée vers le haut et à distance du navire N.
L’enveloppe 3 comporte également deux surfaces 3e, 3f opposées (figures 3 et suivantes) :
- une surface intérieure 3e, délimitant le volume interne 31, et
- une surface extérieure 3f, opposée, orientée vers l’extérieur et participant à générer la force de portance.
On définit ici et pour la suite de la description un repère direct tridimensionnel XYZ, où les axes X et Y forment un plan parallèle au plan principal des démodulateurs 1, et où l’axe Z est orienté suivant l’épaisseur de la portion de détection 10 du démodulateur 1, à partir de la deuxième face F2 en direction de la première face F1. Les termes « inférieur » et « supérieur » font référence à un positionnement croissant suivant la direction +Z définie sur la .
Chaque démodulateur 1 comporte une portion de détection 10 réalisée ici à base de germanium, et est donc avantageusement adaptée à détecter un rayonnement lumineux dans le proche infrarouge (SWIR) correspondant à la gamme spectrale allant de 0.8µm à 1.7µm environ, voire à 2.5µm environ. Autrement dit, elle est adaptée à détecter un rayonnement lumineux de longueur d’onde allant de 800 nm jusqu’à une longueur d’onde de coupure supérieure à 1550nm.
Dans le cadre de l’invention, le démodulateur 1 comporte : une portion de détection 10, s’étendant verticalement entre une première face F1 et une deuxième face F2. Elle comporte : au moins deux régions 11 dopées de type p, adaptées à générer et à moduler le courant de dérive, affleurant la première face F1 et situées de part et d’autre d’une zone centrale Zc de celle-ci ; et au moins deux régions 12 dopées de type n, adaptées à collecter les porteurs minoritaires photogénérés, affleurant la première face F1 et situées de manière adjacente aux régions 11 dopées de type p ; une couche diélectrique de passivation 2, réalisée en au moins un matériau électriquement non conducteur, qui recouvre la première face F1 ; des électrodes de modulation M1, M2, traversant la couche diélectrique de passivation 2 pour venir au contact des régions 11 dopées de type p ; et des électrodes de collection C1, C2, traversant la couche diélectrique de passivation 2 pour venir au contact des régions 12 dopées de type n ; des électrodes intermédiaires I1, I2, polarisées en inverse (négativement), traversant en partie la couche diélectrique de passivation 2 et espacées de la première face F1 d’une distance non nulle, chacune étant située, dans le plan principal XY, entre l’une des régions dopées 11 de type p et la région dopée 12 de type n adjacente.
Dans cet exemple, les démodulateurs 1 présentent une configuration planaire dans la mesure où ils sont réalisés ici à partir d’une même couche semiconductrice principale 21 (cf. ). Cette dernière s’étend dans un plan principal, et présente une première face F1 et une deuxième face F2 opposées l’une à l’autre et parallèles au plan principal. Les deux faces F1, F2 s’étendent donc suivant des plans identiques pour chacun des démodulateurs 1, et délimitent verticalement (suivant l’axe d’épaisseur Z) les portions de détection 10 des démodulateurs 1. Aussi, les démodulateurs 1 ne présentent pas une structure en mesa dans la mesure où ils sont réalisés à partir de la même couche semiconductrice principale 21. La première face F1 est ici celle qui reçoit le rayonnement lumineux à détecter.
Chaque démodulateur 1 comporte une portion de détection 10 réalisée ici à base de germanium et donc adaptée à détecter le rayonnement lumineux dans le proche infrarouge (SWIR). La portion de détection 10 est une partie de la couche semiconductrice principale 21. L’épaisseur de la portion de détection 10, définie suivant l’axe Z entre les première et deuxième faces F1, F2, est ici sensiblement constante d’un démodulateur 1 à l’autre, par exemple est comprise entre quelques centaines de nanomètres et quelques microns, par exemple entre 1µm et 5µm environ. L’épaisseur est choisie de manière à obtenir une bonne absorption dans la gamme de longueurs d’onde du rayonnement lumineux à détecter. La portion de détection 10 présente une dimension transversale dans le plan XY pouvant être comprise entre quelques centaines de nanomètres et quelques dizaines de microns, par exemple comprise entre 1µm et 20µm environ, par exemple égale à 10µm.
La portion de détection 10 est réalisée en au moins un matériau semiconducteur cristallin, et de préférence monocristallin. Elle est ici réalisée à base de germanium, c’est-à-dire que le ou les matériaux semiconducteurs sont du germanium ou un composé (binaire ou ternaire…) formé d’au moins le germanium. Ainsi, la portion de détection 10 peut être réalisée, par exemple, en germanium Ge, en silicium germanium SiGe, en germanium étain GeSn, voire en silicium germanium étain SiGeSn. Elle peut ainsi être réalisée en le même matériau semiconducteur et présenter des régions de différents types de conductivité (homojonction) de manière à former une jonction pn ou pin. Elle peut en variante être un empilement de sous-couches de différents matériaux semiconducteurs (hétérojonction), lesquels sont alors formés à base de germanium. De préférence, la portion de détection 10 est réalisée en germanium.
La portion de détection 10 comporte une région intermédiaire 13, non intentionnellement dopée (avec un éventuel dopage résiduel de type p) ou légèrement dopée p. La région intermédiaire 13 s’étend entre les faces F1 et F2, ainsi que dans le plan XY, et forme la région principale d’absorption du rayonnement lumineux à détecter. Elle entoure dans le plan XY les régions 11 dopées de type p et les régions 12 dopées de type n.
La portion de détection 10 comporte au moins deux régions 11 dopées de type p, ici dopées p+, adaptées à générer et à moduler le courant de dérive via le potentiel électrique qui leur est imposé par les électrodes de modulation M1 et M2. Elles sont ici dopées p+, et présentent par exemple un dopage compris entre 10 18 et 10 20 at/cm 3 environ, de préférence de 10 19 at/cm 3 . Elles affleurent la première face F1 et s’étendent en direction de la deuxième face F2 suivant l’axe Z sur une profondeur prédéfinie P M . La profondeur P M peut être définie ici comme étant la distance suivant l’axe Z entre la première face F1 et une zone où le niveau de dopage est localement égal à la moitié du niveau de dopage maximal. Par ailleurs, les deux régions 11 dopées p+ sont situées dans le plan XY de part et d’autre d’une zone centrale Zc de la première face F1, où le rayonnement lumineux d’intérêt est destiné à être reçu.
La portion de détection 10 comporte également au moins deux régions 12 dopées de type n, ici dopées n+, adaptées à collecter les porteurs minoritaires photogénérés (photocourant) issus de l’absorption du rayonnement lumineux à détecter dans la région intermédiaire, via le potentiel électrique qui leur est imposé par les électrodes de collection C1 et C2. Elles sont ici dopées n+, et peuvent présenter un dopage pouvant être compris entre 5×10 18 et 10 20 at/cm 3 environ. Elles affleurent la première face F1 et s’étendent en direction de la deuxième face F2 suivant l’axe Z sur une profondeur prédéfinie P C . La profondeur P C peut être définie ici de la même manière que pour la profondeur P M . Par ailleurs, les deux régions 12 dopées n+ sont situées de manière adjacente aux régions 11 dopées p+.
Notons que les régions 11 dopées de type p et les régions 12 dopées de type n peuvent être réalisées, comme sur la , par implantation ionique localisée dans la portion de détection 10 à partir de la première face F1, ou en variante, comme illustré sur la et la , par dopage à la croissance lors d’une reprise d’épitaxie dans des échancrures formées à partir de la première face F1 de la portion de détection 10.
Par affleurer, on entend « arriver au niveau de », ou « s’étend à partir de ». Les régions 12 dopées n+ et les régions 11 dopées p+ sont disposées dans le plan XY de part et d’autre de la zone centrale Zc. Dans une configuration illustrée sur la , les régions 11 dopées p+ sont disposées à proximité de la zone centrale Zc alors que les régions 12 dopées n+ en sont éloignées. En variante, cet agencement peut être inversé, de sorte que les régions 12 dopées n+ sont disposées à proximité de la zone centrale Zc alors que les régions 11 dopées p+ en sont éloignées.
La portion de détection 10 est avantageusement délimitée latéralement, dans le plan XY, par une portion latérale périphérique 24, remplie d’un matériau semiconducteur de préférence à base de silicium éventuellement dopé de type p. La portion latérale périphérique 24 assure une isolation optique latérale des démodulateurs 1 dans le plan XY, et assure avantageusement une mise en tension dans le plan XY du matériau de la portion de détection 10, augmentant ainsi la longueur d’onde de coupure d’absorption du rayonnement lumineux incident. Elle s’étend ici de préférence sur toute l’épaisseur de la portion de détection 10 pour déboucher sur la couche support 3. La face interne de cette portion latérale périphérique 24 définit alors la bordure latérale de la portion de détection 10.
Le matériau semiconducteur est de préférence réalisé à base de silicium, par exemple du silicium amorphe, du silicium mono ou polycristallin, du silicium germanium, de manière à former avantageusement une zone latérale 14 réalisée à base de silicium germanium. La zone latérale 14 affleure la bordure latérale et est au contact de la portion latérale périphérique 24. Ainsi, la zone latérale 14 présente une énergie de bande interdite (gap) supérieure à celle de la portion de détection 10 réalisée en germanium. Cette « ouverture de gap » latérale permet de diminuer la sensibilité du démodulateur 1 aux défauts présents à proximité des tranchées. On améliore ainsi également les performances du démodulateur 1.
Le démodulateur 1 comporte une couche diélectrique de passivation 2, réalisée en au moins un matériau électriquement non conducteur, comme un matériau isolant ou un matériau semiconducteur intrinsèque, qui recouvre la première face F1, et permet de passiver la portion de détection 10 et d’isoler électriquement les électrodes M1, M2, C1, C2, I1, I2. Elle est ainsi au contact des régions 11 dopées p+ et des régions 12 dopées n+, ainsi que de la région intermédiaire 13. Elle est de préférence réalisée en un oxyde, tel qu’un oxyde de silicium, d’aluminium, de germanium, d’hafnium, etc… ou par exemple en silicium intrinsèque. Elle présente une épaisseur par exemple comprise entre 2nm et 500nm.