Boîtier (BT) comprenant : - une plaque de montage (SUB1) présentant une première partie (TPAD) apte à dissiper de la chaleur et une deuxième partie (SPAD1, SPAD2) apte à transmettre et/ou recevoir des signaux électriques, - un enrobage (RES) logeant au moins une première puce électronique (P1) ayant un premier substrat semiconducteur (SUBST1) et configurée pour dégager en fonctionnement une première quantité de chaleur ainsi qu’une deuxième puce électronique (P2) ayant un deuxième substrat semiconducteur (SUBST2) et configurée pour dégager en fonctionnement une deuxième quantité de chaleur, les deux substrats semiconducteurs (SUBST1, SUBST2) étant différents et la deuxième quantité de chaleur étant inférieure à la première quantité de chaleur, la première puce (P1) étant thermiquement couplée à la première partie (TPAD) et électriquement couplée à la deuxième puce (P2) ainsi qu’à la deuxième partie (SPAD2) au moins par l’intermédiaire de fils de liaison (WB1, WB2), la deuxième puce (P2) étant thermiquement couplée à la première partie (TPAD) et électriquement couplée à la deuxième partie (SPAD1) par l’intermédiaire d’au moins une première matrice de billes de connexion (BP1). Boîtier (BT) selon la revendication 1, étant du type plat et sans broches. Boîtier (BT) selon l’une quelconque des revendications 1 ou 2, dans lequel le premier substrat (SUBST1) comporte du nitrure de gallium. Boîtier selon l’une des revendications précédentes, dans lequel le deuxième substrat (SUBST2) comporte du silicium. Boîtier (BT) selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la première quantité de chaleur correspond à une puissance dissipée de plusieurs Watt. Boîtier (BT) selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la deuxième quantité de chaleur correspond à une puissance dissipée inférieure à 1 Watt. Boîtier (BT) selon l’une quelconque des revendications précédentes, comprenant un support (SUB2) ayant une face de montage (FM2) et une face de fixation (FF) opposée à la face de montage (FM2), la face de fixation (FF) étant connectée à la première partie (TPAD) et à la deuxième partie (SPAD1) de la plaque de montage (SUB1) par l’intermédiaire de la première matrice de billes de connexion (BP1), la face de montage (FM2) étant connectée à la deuxième puce (P2) par l’intermédiaire d’une deuxième matrice de billes de connexion (BP2) et le support (SUB2) comprend un réseau d’interconnexion (INT) configuré pour coupler électriquement la première matrice de billes (BP1), la deuxième matrice de billes (BP2) et la première puce (P1). Boîtier (BT) selon la revendication 7, dans lequel les fils de liaison comportent des premiers fils de liaison (WB1) et des deuxièmes fils de liaison (WB2), la première puce électronique (P1) possède une face arrière (FL1) fixée à la première partie (TPAD) de la plaque de montage (SUB1) par une couche de colle thermiquement conductrice (GL) et une face avant (FH1) connectée électriquement à la deuxième partie (SPAD2) de la plaque de montage (SUB1) par les premiers fils de liaison (WB1) et connectée électriquement au réseau d’interconnexion (INT) par les deuxièmes fils de liaison (WB2). Boîtier selon l’une quelconque des revendications 7 ou 8, dans lequel l’enrobage loge également au moins un composant monté en surface (SMD) et le réseau d’interconnexion (INT) du support (SUB2) est également configuré pour coupler électriquement ledit au moins un composant monté en surface (SMD) à la première puce électronique (P1) et à la deuxième puce électronique (P2). Boîtier selon l’une des revendications précédentes, dans lequel la première partie (TPAD) est une partie centrale et la deuxième partie (SPAD1, SPAD2) est une partie périphérique. Procédé de fabrication d’un boîtier (BT) comprenant : - une formation d’une plaque de montage (SUB1) présentant une première partie (TPAD) apte à dissiper de la chaleur et une deuxième partie (SPAD1, SPAD2) apte à transmettre et/ou recevoir des signaux électriques, - une formation d’une première puce électronique (P1) ayant un premier substrat semiconducteur (SUBST1) et configurée pour dégager en fonctionnement une première quantité de chaleur, - une formation d’une deuxième puce électronique (P2) ayant un deuxième substrat semiconducteur (SUBST2) et configurée pour dégager en fonctionnement une deuxième quantité de chaleur, les deux substrats semiconducteurs (SUBST1, SUBST2) étant différents et la deuxième quantité de chaleur étant inférieure à la première quantité de chaleur, -un couplage thermique de la première puce (P1) à la première partie (TPAD) et un couplage électrique de la première puce à la deuxième puce et à la deuxième partie (SPAD2) au moins par l’intermédiaire de fils de liaison (WB1, WB2), - un couplage thermique de la deuxième puce (P2) à la première partie (TPAD) et un couplage électrique de la deuxième puce à la deuxième partie (SPAD1) par l’intermédiaire d’au moins une première matrice de billes de connexion (BP1), et - une formation d’un enrobage (RES) logeant au moins la première puce (P1) et la deuxième puce (P2). Procédé selon la revendication 11, comprenant : - une formation d’un support (SUB2) ayant une face de montage (FM2) et une face de fixation (FF) opposée à la face de montage (FM2), - une connexion de la face de fixation (FF) du support (SUB2) à la première partie (TPAD) et à la deuxième partie (SPAD1) de la plaque de montage (SUB1) par l’intermédiaire de la première matrice de billes de connexion (BP1), - une connexion de la face de montage (FM2) du support (SUB2) à la deuxième puce (P2) par l’intermédiaire d’une deuxième matrice de billes de connexion (BP2), - une formation d’un réseau d’interconnexion (INT) sur et dans le support (SB2) de façon à coupler la première matrice de billes (BP1), la deuxième matrice de billes (BP2) et la première puce (P1). Procédé selon la revendication 12, comprenant une connexion d’au moins un composant monté en surface (SMD) à la première puce électronique (P1) et à la deuxième puce électronique (P2) et un logement dudit au moins un composant monté en surface au sein de l’enrobage (RES). Procédé selon l’une des revendications 11 à 13, dans lequel la formation de la plaque de montage comprend la formation d’une première partie (TPAD) centrale et la formation d’une deuxième partie (SPAD1, SPAD2) périphérique. Procédé selon l’une des revendications 11 à 14, dans lequel le boîtier (BT) du type plat et sans broches.