Dispositif (1) à émission de surface d’un champ électromagnétique comprenant : un guide d’onde (11), s’étendant dans un plan (P) et comprenant une première face (11a) et une deuxième face (11b), opposée à la première face, les première et deuxième faces étant parallèles au plan, le guide d’onde comprenant une région active (110) s’étendant dans le plan et configurée pour émettre le champ électromagnétique ; et un réseau de diffraction (12) s’étendant sur la première face du guide d’onde, le dispositif étant caractérisé en ce que le réseau de diffraction est réfléchissant et présente, selon une première direction (X) parallèle au plan, un ordre de diffraction supérieur ou égal à deux et en ce que la deuxième face est transparente. Dispositif (1) selon la revendication précédente, caractérisé en ce que le guide d’onde (11) est délimité par un premier flanc (11c) et un deuxième flanc (11d), le deuxième flanc étant opposé au premier flanc, les premier et deuxième flancs étant sensiblement perpendiculaires à une deuxième direction (Y), ladite deuxième direction étant parallèle au plan (P) et parallèle à la première direction (X), le dispositif comprenant également un premier revêtement (131) conducteur et un deuxième revêtement (132) conducteur, le premier revêtement conducteur s’étendant sur le première flanc et le deuxième revêtement conducteur s’étendant sur le deuxième flanc. Dispositif (1) selon l’une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le réseau de diffraction (12) s’étend à l’aplomb de la région active (110) du guide d’onde (11), la région active présentant une longueur (L 110 ), mesurée selon la première direction (X), et le réseau de diffraction présentant une longueur (L 12 ), également mesurée selon la première direction, la longueur du réseau de diffraction étant sensiblement égale à la longueur de la région active, le réseau présentant, selon la première direction, un ordre de diffraction unique. Dispositif (1) selon la revendication précédente, caractérisé en ce que la région active (110) présente une largeur, mesurée selon une deuxième direction (Y) parallèle au plan (P) et perpendiculaire à la première direction (X), et le réseau de diffraction (12) présente une largeur, mesurée selon la deuxième direction, la largeur du réseau de diffraction étant sensiblement égale à la largeur de la région active, le réseau présentant, selon la deuxième direction, un autre ordre de diffraction unique et supérieur ou égal à deux. Dispositif (1) selon l’une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le réseau de diffraction (12) présente, selon la première direction (X), un ordre de diffraction supérieur ou égal à trois. Dispositif (1) selon l’une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le réseau de diffraction (12) comprend une structure périodique (121) et une couche métallique (122), la structure périodique s’étendant sur la première face (11a) du guide d’onde (11) et la couche métallique s’étendant sur la structure périodique. Dispositif (1) selon la revendication précédente, caractérisé en ce que la structure périodique (121) comprend une alternance de premières portions (1211) et de deuxièmes portions (1212), les premières portions étant constituées d’un premier matériau semiconducteur présentant un premier indice optique et les deuxièmes portions étant constituées d’un métal ou d’un deuxième matériau, tel qu’un autre matériau semiconducteur ou un gaz, présentant un deuxième indice optique différent du premier indice optique. Dispositif (1) selon la revendication 7, caractérisé en ce que la couche métallique (122) comprend des portions, chaque portion de la couche métallique recouvrant une des premières portions (1211) de la structure périodique (121). Dispositif (1) selon la revendication 7, caractérisé en ce que la couche métallique (122) est continue. Dispositif (1) selon l’une des trois revendications précédentes, caractérisé en ce que le guide d’onde (11) comprend une première couche semiconductrice (111) à base du premier matériau semiconducteur constituant les premières portions (1211) de la structure périodique (121), la première couche semiconductrice s’étendant de la région active jusqu’à la première face. Dispositif selon l’une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le champ électromagnétique comprend une longueur d’onde comprise dans [0,8 µm ; 20 µm]. Dispositif selon l’une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le guide d’onde (11) du dispositif (1) comprend une deuxième couche semiconductrice (112) s’étendant de la région active (110) du guide d’onde jusqu’ à la deuxième face (11b) du guide d’onde et en ce que l’épaisseur (W 112 ) de la deuxième couche semiconductrice, mesurée perpendiculairement au plan (P), est comprise entre 2 µm et à 100 µm. Système (2) optique, caractérisé en ce qu’il comprend un dispositif (1) à émission de surface d’un champ électromagnétique selon l’une des revendications précédentes et une fenêtre optique (20) transparente au champ électromagnétique, la deuxième face (11b) du guide d’onde (11) du dispositif à émission de surface s’étendant sur la fenêtre optique. Système (2) selon la revendication précédente, caractérisé en ce qu’il comprend également un régulateur thermique (22) configuré pour réguler la température du guide d’onde (11) du dispositif (1) lorsque le dispositif (1) fonctionne en un régime stationnaire. Procédé de fabrication d’un dispositif (1) à émission de surface selon l’une des revendications 1 à 12, le procédé comprenant les étapes suivantes : former un guide d’onde (11), s’étendant dans un plan (P) et comprenant une première face (11a) et une deuxième face (11b), opposée à la première face, les première et deuxième faces étant parallèles au plan, le guide d’onde comprenant une région active (110) s’étendant dans le plan et configurée pour émettre un champ électromagnétique, la deuxième face étant transparente ; former un réseau de diffraction (12) s’étendant sur la première face du guide d’onde, le réseau de diffraction étant réfléchissant et présentant, selon une première direction (X) parallèle au plan, un ordre de diffraction supérieur ou égal à deux. Procédé selon la revendication précédente, comprenant, avant la formation du réseau de diffraction (12), une étape d’optimisation d’un taux de couplage du réseau de diffraction avec un champ électromagnétique émis par la région active (110).