INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
La mesure est généralement réalisée au moyen d’un dispositif comprenant une unité de traitement qui mesure le changement de fréquence et envoie un signal à un régulateur de température. Le régulateur de température contrôle la température du disque de quartz piézoélectrique à la température où se produit la condensation de l'eau. On parle de température du point de rosée lorsque le dépôt se fait à des températures positives en degré Celsius, ou de température du point de givre lorsque le dépôt se fait à des températures négatives en degré Celsius.
Comme la fréquence de résonance ne dépend pas seulement de la masse de dépôt d’eau mais également de la température, il est important d’avoir une mesure précise de la température qui règne sur le disque de quartz. Cette température lors de l’équilibre du dépôt d’eau est très proche de la température de rosée ou de givre.
Le dispositif comprend généralement un capteur de température configuré pour mesurer la température qui règne à la surface du disque de quartz piézoélectrique.
La mesure de la température est généralement réalisée au moyen du capteur de température qui est fixé sur les bords du disque de quartz ou intégré dans un support. Or une mesure de la température, pour être optimale, devrait être réalisée au centre du disque de quartz où la sensibilité de mesure de masse est maximale. Cependant une fixation du dispositif de mesure de la température au centre du disque de quartz n’est pas envisageable avec des capteurs précis car celle-ci alourdirait le disque et amortirait les propriétés de résonance du disque. A ce jour, il est difficile de pouvoir déterminer la température exacte qui règne au centre du disque de quartz.
L’invention a notamment pour but de pallier au moins l’un de ces inconvénients et concerne selon un premier aspect un appareil pour mesurer un taux d’humidité dans l’air. L’appareil comprend un premier capteur piézoélectrique comprenant un disque de quartz et un deuxième capteur piézoélectrique comprenant un disque de quartz.
L’appareil comprend un dispositif de mesure de fréquence de résonance configuré pour mesurer un changement de fréquence de résonance du disque de quartz du premier capteur piézoélectrique et un capteur de température configuré pour mesurer la température du disque de quartz du deuxième capteur piézoélectrique, ledit capteur de température étant fixé à une partie centrale du deuxième disque de quartz.
L’appareil selon la présente invention comprend deux disques de quartz dont l’un est destiné à la mesure de la masse d’eau et l’autre est destiné à la mesure de la température. La séparation des deux fonctions permet d’obtenir la température exacte qui règne au centre d’un des disques de quartz grâce au capteur de température fixé au centre de ce disque. Le montage de l’appareil permet, grâce à la mesure de la température d’un des disques, de connaitre la température qui règne sur l’autre disque assurant la fonction de mesure de masse d’eau. Grâce à l’appareil selon l’invention, la précision de la mesure du taux d’humidité est améliorée.
Le transistor 12 comprend en outre une région 40. La région 40 recouvre la couche 38 et la portion centrale de la couche 36, c’est-à-dire la portion non recouverte par la couche 38. La région 40 est ainsi en contact avec la couche 36. Les parois latérales de la région 40 sont coplanaires avec les parois latérales des couches 36 et 38. Ainsi, les parois latérales de la région 40 sont coplanaires avec les parois latérales interne de la partie 33, c’est-à-dire les parois latérales de la partie 33 les plus proches de la couche 38.
La région 40 est en silicium polycristallin. La région 40 est dopée du même type de conductivité que les régions 22 et 24. La région 40 est par exemple dopée de type n. La région 40 constitue l'émetteur du transistor 12.
Les dimensions horizontales de la région d'émetteur sont inférieures aux dimensions horizontales de la partie de la région de collecteur. Les dimensions horizontales de la région d'émetteur sont inférieures à 180 nm des dimensions horizontales de la deuxième partie de la région de collecteur.
Le transistor 12 comprend une couche 42 conductrice. La couche 42 recouvre, de préférence entièrement, de préférence uniquement, la face supérieure de la région 40. La couche 42 est en un matériau conducteur électriquement, par exemple en un métal. La couche 42 correspond au contact de l'émetteur du transistor 12.
Le transistor 12 comprend en outre des espaceurs 44. Les espaceurs 44 s'étendent sur les parois latérales de la région 40, de préférence sur la totalité des parois latérales de la région 40. Les espaceurs 44 s'étendent, de préférence, verticalement de la partie 33 jusqu'au niveau supérieur de la région 40. Les espaceurs s'étendent, de préférence, horizontalement, des parois latérales de la région 40 jusqu'au niveau de l'interface entre la partie 33 et la couche 34.
La résistance de base extrinsèque est une caractéristique des transistors bipolaires. La résistance de base extrinsèque est égale à la multiplication d'une valeur de résistivité avec la distance entre la couche 34 et la région 40. Ainsi, dans le mode de réalisation de la , la résistance de base extrinsèque est donc égale à la multiplication d'une valeur de résistivité avec la somme de la largeur de la partie 33 et la largeur de la couche 38.
La fréquence maximale d'oscillation est telle que plus la résistance de base extrinsèque est élevée, plus ladite fréquence est basse et inversement. Ainsi, la fréquence maximale d'oscillation du transistor de la est supérieure à celle d'un transistor bipolaire comprenant des régions de matériaux supplémentaires entre la couche 34 et la région 40.
Les , , , , , , , , , représentent des étapes, de préférence successives, d'un procédé de fabrication du mode de réalisation de la .
La représente un dispositif résultant d'une étape du procédé de fabrication du mode de réalisation de la .
Au cours de cette étape, les murs isolants 18 sont formés dans le substrat 14. Les murs isolants 18 délimitent ainsi une zone dans laquelle seront formés la base, le collecteur et l'émetteur du transistor 12. La hauteur des murs 18 est inférieure à la hauteur du substrat 14. Ainsi, une portion de substrat 14 non représentée s'étend sous les murs 18.
L'étape de la comprend en outre la formation de la région 22 et d'une région 24a correspondant à la première partie de la région 24 de la . Les régions 22 et 24a sont par exemple formées par dopage de régions du substrat 14. Les régions 22 et 24a sont de préférence dopées de manière à avoir les niveaux de dopage décrits en relation avec la .
L'étape de la comprend la formation d'une région 46 isolante dans le substrat 14. La région 46 est en le matériau de la région 26, par exemple en oxyde de silicium. La région 46 recouvre, de préférence entièrement, de préférence uniquement, la région 24a. Ainsi, la région 46 s'étend de préférence de la face supérieure de région 24a jusqu'au niveau supérieur du substrat 14. La hauteur de la région 46 est telle que la région 24a a la hauteur de la première partie de la région 24.
Au cours de cette étape, des éléments 48 sont formés. Les éléments 48 recouvrent, de préférence entièrement les emplacements des couches 20. Autrement dit, les éléments 48 recouvrent la face supérieure du substrat 14 directement autour des murs 18. Les éléments 48 recouvrent par exemple au moins partiellement les murs 18. Les éléments 48 ne recouvrent de préférence pas les régions 22 et la région 46.
Les éléments 48 sont par exemple en un matériau semiconducteur. Les éléments 48 sont par exemple en silicium polycristallin. Les éléments 48 sont par exemple en un matériau non dopé.
L'étape de la comprend en outre la formation d'un empilement 50 de couches. L'empilement 50 recouvre par exemple entièrement la structure résultant de la formation des éléments 48. En particulier, l'empilement 50 recouvre, de préférence entièrement, les éléments 48, les portions des murs 18 non recouvertes par les éléments 48, les régions 22 et la région 24a.
Le fonctionnement des transistors bipolaires dépend d'un grand nombre de caractéristiques des transistors bipolaire. Une telle caractéristique des transistors bipolaires est leur fréquence maximale d'oscillation.
Il existe un besoin pour des transistors bipolaire ayant une fréquence maximale d'oscillation supérieure.
Un mode de réalisation prévoit un procédé de fabrication d'un transistor bipolaire comprenant : a. la fabrication d'une première partie d'une région de collecteur dans un substrat ; b. la formation d'un empilement de couches comprenant une première couche en un matériau d'une région de base et une deuxième couche isolante en un premier matériau ; c. la formation d'une cavité traversant l'empilement et le substrat de manière à atteindre la première partie de la région de collecteur ; d. la formation d'une deuxième partie de la région de collecteur et d'une première partie de la région de base dans la cavité ; e. la formation d'une quatrième couche en le même matériau que la deuxième couche, ayant la même épaisseur que la deuxième couche dans la périphérie du fond de la cavité ; f. la formation d'une région d'émetteur en regard de la première partie de la région de base, la quatrième couche étant partiellement découverte ; g. le retrait simultané des deuxième et quatrième couches.
Selon un mode de réalisation, l'étape a. comprend la formation d'une région isolante recouvrant une partie de la première partie de la région de collecteur, la cavité traversant la région isolante.
Selon un mode de réalisation, l'empilement de couches comprend une cinquième couche isolante, la première couche, et la deuxième couche située entre deux sixièmes couches isolantes, les sixièmes couches étant en des matériaux différents du matériau de la deuxième couche.
Selon un mode de réalisation, la deuxième partie de la région de collecteur et la première partie de la région de base sont formés par croissance épitaxiale dans la cavité.
Selon un mode de réalisation, l'étape e. comprend la formation de la quatrième couche sur l'ensemble de la structure, la formation d'espaceurs sur la quatrième couche contre les parois latérales de la cavité, une partie centrale du fond de la cavité n'étant pas recouverte par les espaceurs, et la gravure des portions de la quatrième couche n'étant pas recouvertes par les espaceurs.
Selon un mode de réalisation, le procédé comprend, entre les étapes f. et g., une étape f1. de retrait des espaceurs et de la sixième couche recouvrant la deuxième couche.
Selon un mode de réalisation, l'étape f. comprend la formation d'une septième couche en le matériau de la région d'émetteur et la gravure de la septième couche de manière à découvrir partiellement la quatrième couche autour de la région d'émetteur.
Selon un mode de réalisation, le procédé comprend, après l'étape g., une étape h. de croissance épitaxiale de la première couche.
Selon un mode de réalisation, le procédé comprend, après l'étape h., une étape i. de gravure de la première couche et de la cinquième couche, de manière à découvrir partiellement la première partie de la région de collecteur.
Selon un mode de réalisation, le procédé comprend, après l'étape i., la formation de couches de contact sur les régions de base, de collecteur et d'émetteur.
Selon un mode de réalisation, l'épaisseur des deuxième et quatrième couches est comprise entre 5 nm et 30 nm.
Un autre mode de réalisation prévoit un dispositif comprenant un transistor bipolaire dans lequel une couche de contact d'une région de base du transistor est séparée d'une région d'émetteur par une portion de la région de base et une portion de couche isolante recouverte par la région d'émetteur.
Selon un mode de réalisation, la région de base repose sur une partie d'une région de collecteur du transistor 12, les dimensions horizontales de la région d'émetteur étant inférieures aux dimensions horizontales de la partie de la région de collecteur.
Selon un mode de réalisation, les dimensions horizontales de la région d'émetteur sont inférieures à 180 nm des dimensions horizontales de la partie de la région de collecteur.
la représente un mode de réalisation d'un dispositif électronique ; et
les , , , , , , , , , représentent des dispositifs résultant d'étapes d'un procédé de fabrication du mode de réalisation de la .
Sauf précision contraire, les expressions "isolant" ou "conducteur" signifient "isolant électriquement" ou "conducteur électriquement".
La représente un mode de réalisation d'un dispositif électronique 10. Plus précisément, la représente un mode de réalisation d'un dispositif électronique 10 comprenant un transistor bipolaire 12.
Le transistor bipolaire 12 est formé dans un substrat 14. Plus précisément, le transistor 12 est formé dans le substrat et sur une face supérieure du substrat 14. Le substrat est en un matériau semiconducteur, par exemple en silicium. Le transistor 12 comprend une région 16 du substrat 14. La région 16 est une région enterrée du substrat 14. Autrement dit, la région 16 ne s'étend pas jusqu'à la région supérieure du substrat 14. La région 16 n'est pas, de préférence, dopée.
Le transistor 12 comprend en outre un mur isolant 18. Le mur 16 est en un matériau isolant électriquement, par exemple en oxyde de silicium. Le mur 16 s'étend dans le substrat 14, par exemple à partir de la face supérieure. Par exemple, le mur 18 entoure latéralement la région 16. A titre de variante, le transistor peut comprendre plusieurs murs 18, les murs 18 délimitant latéralement la région 16 sur au moins certains côtés.
Le transistor 12 comprend en outre des régions 20 de substrat 14. Les régions 20 sont en un matériau identique à la région 16. De préférence, les régions 20 ont le même de dopage que la région 16. Par exemple, les régions 20 ne sont pas dopées. Les régions 20 sont partiellement séparées de la région 16 par le ou les murs 18. Les régions 20 sont reliées physiquement, et électriquement à la région 16 sous le mur 18. Ainsi, la polarisation de la région 20 entraine la polarisation de la région 16.
Le transistor 12 comprend une couche 21 conductrice. La couche 21 recouvre, de préférence entièrement, de préférence uniquement, la face supérieure de la région 20. La couche 21 est en un matériau conducteur électriquement, par exemple en un métal. La couche 21 correspond au contact du substrat du transistor 12.
Le transistor 12 comprend en outre une région 22 dans le substrat 14. La région 22 est située à l'intérieur du mur 18. La région 22 s'étend depuis la face supérieure du substrat 14 jusqu'à la région 16. La région 22 s'étend de préférence le long de la face latérale interne du mur 18. La région 22 est donc de préférence en contact avec le mur 18.
L’étape 1 s’achève avec la finalisation de l’apprentissage par les modules MOD1, MOD2 et MOD3 respectivement d’un modèle de caractérisation de l’état d’excitation émotionnelle, d’un modèle de caractérisation du niveau de positivité émotionnelle et d’un modèle de caractérisation du niveau de stress de l’utilisateur.
La phase 2 ( ) commence par réitérer, pour une période temporelle P différente de la période Pref, les étapes E1 à E4 de collecte et traitement de données obtenues par le ou les capteur(s) du ou des équipement(s) utilisateur(s) afin d’obtenir une ou plusieurs nouvelles séquences temporelles de segments de signaux d’intérêt de l’utilisateur ou de segments temporels de la séquence temporelle de données (notées SMST par la suite). Puis la phase 2 comprend au moins :
Lors de l’étape E10, la mise en œuvre du module de classification MOD1 entraîné afin de produire une séquence de valeur d’arousal SA à partir des séquences de segments SMST préalablement obtenues. Concrètement, le module de classification MOD1 prend en entrée les segments des séquences SMST et associe à chaque segment, en sortie, une valeur d’arousal. L’ensemble des valeurs d’arousal ainsi obtenu permet de constituer une séquence temporelle de valeurs d’arousal SA de l’utilisateur pendant la période P.
Lors de l’étape E11, la mise en œuvre du module de classification MOD2 entraîné afin de produire une séquence temporelle de valeur de valence SV à partir des séquences de segments SMST préalablement obtenues. Concrètement, le module de classification MOD2 prend en entrée les segments des séquences SMST et associe à chaque segment, en sortie, une valeur de valence. L’ensemble des valeurs de valence ainsi obtenu permet de constituer une séquence temporelle de valeurs de valence SV de l’utilisateur pendant la période P.
Lors de l’étape E12, la mise en œuvre du module de classification MOD3 entraîné afin de produire une séquence de valeur de stress ST à partir des séquences SA et SV. Concrètement, le procédé obtient depuis les séquences temporelles de valeurs de valence SV et d’arousal SA une séquence temporelle de couples de valeur de valence et d’arousal de même temporalité (en d’autres mots la valeur de valence et la valeur arousal d’un couple ont la même temporalité). Ensuite, le module de classification MOD3 prend en entrée la séquence temporelle de couples de valeur de valence et d’arousal et associe à chaque couple, en sortie, une valeur de stress. L’ensemble des valeurs de stress ainsi obtenu permet de constituer une séquence temporelle de valeurs de stress ST de l’utilisateur pendant la période P.
Lors de l’étape E13, l’analyse de la séquence de valeurs de stress ST pour décider si l’utilisateur subit un stress trop important et s’il faut oui ou non déclencher une action.
Dans un premier exemple de mise en œuvre, l’action peut être déclenchée quel que soit les valeurs de stress de la séquence ST.
Dans un deuxième exemple de mise en œuvre, le procédé peut décider de déclencher l’action lorsque la séquence ST satisfait un critère de décision, comme l’atteinte d’un seuil prédéfini par l’une de ses valeurs.
Dans un troisième exemple de réalisation de l’invention, la décision de déclencher l’action peut être prise en fonction du seuil précédent et d’au moins un autre critère de décision, ou de pertinence. Par exemple, cet autre critère de décision impose que le seuil prédéfini soit dépassé par une pluralité N de valeurs de la séquence ST.
Alternativement ou cumulativement, cet autre critère de décision peut prendre en compte les écarts entre les valeurs de la séquence ST. Si l’une des valeurs de la séquence ST varie fortement (par exemple : seuillage sur une distance Euclidienne) par rapport à la moyenne des valeurs alors le déclenchement de l’action peut être décidé même si le seuil prédéfini est dépassé par un nombre de valeurs de la séquence ST inférieur à N. Si le ou les critères de décision de déclenchement d’une action ne sont pas satisfaits, le procédé reprend au début de la phase 2 et réitère les étapes E1 à E4 de collecte et traitement de données obtenues par le ou les capteur(s) du ou des équipement(s) utilisateur(s) afin d’obtenir, pour une période temporelle courante Pc, de nouvelles séquences temporelles de segments de signaux d’intérêt de l’utilisateur.
Lors de l’étape E14, le déclenchement d’une action en fonction du résultat de l’analyse effectuée lors de l’étape E13.
L’action peut consister à notifier/diffuser, à destination de l’utilisateur, par exemple via l’un de ses équipements EQ, l’information de son niveau de stress. En d’autres termes, le procédé informe l’utilisateur de son niveau de stress constaté au travers de la séquence ST.
Selon un mode particulier de réalisation le procédé peut diffuser une moyenne des valeurs de stress de la séquence ST ou des valeurs de la séquence ST.
L’action peut également consister à notifier/diffuser, à destination de l’utilisateur, par exemple via un ou plusieurs de ses équipements EQ (bracelet, montre connectée, smartphone, lunette connectée, enceinte connectée, écran connecté, ordinateur, ampoule connectée et plus généralement un objet connecté, etc.) des notifications apaisantes telles que des vibrations lentes et massantes et/ou des sons doux et relaxants (chants d’oiseaux, pluie tropicale, etc.) et/ou des couleurs apaisantes (le bleu indigo, le vert d'eau, jaune clair, rose poudré, bleu ciel, lilas, etc.) et/ou de messages textuels invitant par exemple à la méditation.
L’action peut en outre consister à modifier les paramètres des services de télécommunications (par exemple en modifiant le statut de présence de l’utilisateur afin qu’il ne soit pas dérangé pendant un laps de temps déterminé en fonction de son niveau de stress), multimédia ou domotique (par exemple en modifiant l’ouverture des volets roulant et / ou la luminosité des ampoules et /ou l’intensité du chauffage du domicile/bureau de l’utilisateur).
L’action peut également consister à émettre à destination de l’utilisateur des notifications personnalisées lui recommandant de visualiser des contenus apaisants et/ou de communiquer avec des proches et/ou de contacter un professionnel de santé par des moyens de communication adaptés.
La pale 12 comprend un matériau composite. Le matériau composite comprend une matrice polymérique et un renfort fibreux noyé dans la matrice. Le matériau composite est par exemple un composite à matrice organique (CMO). La matrice est par exemple une matrice polymérique thermoplastique ou thermodurcissable. Le matériau thermodurcissable est par exemple un polymère époxyde. Le renfort fibreux comprend des fibres qui sont par exemple des fibres de carbone ou des fibres de verre. Les fibres sont organisées par exemple sous la forme d’une préforme fibreuse.
Le bouclier de protection 14 est avantageusement agencé sur le bord d’attaque 12a. Il s’étend avantageusement tout le long du bord d’attaque 12a. Le bouclier de protection 14 est avantageusement en matériau métallique. Le matériau métallique est par exemple du titane ou un alliage tel qu’un acier, par exemple un acier inoxydable ou un alliage de nickel et de cobalt (NiCo), un aluminium, de l’argent, du zinc, du nickel, du cuivre ou un mélange de ceux-ci.
Le bouclier de protection 14 est selon un autre exemple en matériau céramique.
Il est destiné à protéger le bord d’attaque 12a des chocs extérieurs. Le bouclier de protection 14 présente une forme allongée en forme de dièdre. Comme mieux visible sur la , le bouclier de protection 14 présente une section transversale en forme de V ou de U. Le bouclier de protection 14 comprend une première ailette latérale 14a et une seconde ailette latérale 14b reliée à la première ailette latérale 14a par une âme 14j. Les première et seconde ailettes latérales 14a, 14b définissent entre elles une cavité dans laquelle le bord d’attaque 12a est agencé.
La première ailette latérale 14a présente une première extrémité longitudinale libre et la seconde ailette latérale 14b présente une seconde extrémité longitudinale libre qui sont opposées à l’âme 14j. Les extrémités longitudinales libres s’étendent le long de la pale 12. Les extrémités longitudinales libres s’étendent respectivement sur la face intrados 12i et la face extrados 12b de la pale 12.
Avantageusement, l’épaisseur du bouclier de protection 14 est variable. L’épaisseur de l’âme 14j est supérieure aux épaisseurs des première et seconde ailettes latérales 14a, 14b. Avantageusement, l’épaisseur des première et seconde ailettes latérales 14a, 14b est décroissante en direction du bord de fuite 12b de la pale 12. Les première et seconde ailettes latérales 14a, 14b sont effilées en direction du bord de fuite 12b de la pale 12.
Alternativement, et de manière non représentée, le bouclier de protection 14 est agencé sur le bord de fuite 12b. Selon encore une autre alternative non représentée, l’aube 11 comprend deux boucliers de protection 14 agencés respectivement sur le bord d’attaque 12a et le bord de fuite 12b.
Le bouclier de protection 14 est de manière très avantageuse formée sur la pale 12 par projection thermique.
L’aube 11 comprend en outre une couche de liaison 16 agencée entre la pale 12 et le bouclier de protection 14. La couche de liaison 16 permet d’assurer l’adhérence du bouclier de protection 14 sur la pale 12 sans endommager la pale 12.