INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
- Ensuite, toutes les pâtes précédentes, c'est-à-dire, la pâte de base, la pâte organoleptique et la pâte d'ingrédients fonctionnels sont mélangées en une seule pâte, appelée « Mélange final ». Ce mélange doit être effectué à une température maximale de 90 °C et une humidité inférieure à 25 % et avec un pH maximal compris de 1 à 7,5 pour garantir la préservation des ingrédients fonctionnels qui confèrent de la fonctionnalité au bonbon gélifié.
- Le dépôt de ce mélange final dans des plateaux avec une base d'amidon ou sur des plateaux en métal, plastique, fibre de verre ou silicone, sur lesquels les moules des bonbons gélifiés ont été préalablement placés au moyen d’une machine appelée Mogul ou d’une machine équivalente. Les moules constituent les formes, c’est-à-dire, ourson, fruits, pilules, gélules, granulés, etc. Ces moules sont remplis de la pâte finale.
- Le séchage des moules remplis dans des salles où l'humidité et la température sont contrôlées jusqu'à ce que le bonbon gélifié puisse être démoulé,
- Le démoulage du bonbon gélifié, en veillant à ce que la température maximale de 90 °C ne soit pas dépassée,
- Le conditionnement des bonbons gélifiés une fois démoulés soit en vrac, soit sous forme d'application quotidienne, hebdomadaire, mensuelle, bimensuelle ou trimestrielle.
Il est essentiel de souligner que dans la première phase de production, ladite Pâte de base doit être réalisée à une température maximale de 90 °C et avec un taux d'humidité ne dépassant pas 25 % et un pH compris entre 1 et 7,5, afin d’obtenir un mélange homogène, de préserver les caractéristiques organoleptiques des protéines et la bonne stabilité du bonbon gélifié final.
Le mélange final doit également être réalisé à une température maximale de 90 °C et avec un taux d'humidité ne dépassant pas 25 % et un pH compris entre 1 et 7,5, afin d’obtenir un mélange homogène, de préserver les caractéristiques organoleptiques des protéines et la bonne stabilité du bonbon gélifié final.
Les ingrédients fonctionnels que l'on utilise pour incorporer dans les mélanges sont des ingrédients courants, mais ces ingrédients doivent se conformer à des caractéristiques pharmacotechniques précises et, dans la majorité des cas, ils n'ont pas été préalablement incorporés dans un bonbon gélifié ayant une base majoritaire de protéines, c’est pourquoi, le produit final, un bonbon gélifié à haute teneur en protéines et à faible teneur en glucides avec des ingrédients fonctionnels est nouveau.
L'objectif de la présente invention est d'obtenir des bonbons gommeux ou des bonbons gélifiés qui soient un produit à haute teneur en protéines, qui d'autre part, soient aussi sucrés, agréables et attrayants pour les enfants principalement, en outre, il vise à obtenir un bonbon gélifié avec une base plus saine qui apporte une quantité réduite de glucides et qui a un profil nutritionnel sain en plus d'obtenir des excellentes propriétés organoleptiques, bien qu'il soit nécessaire de maintenir un niveau organoleptique suffisant pour la consommation. Grâce au fait que la pâte de base a une haute teneur en protéines, celle-ci confère une stabilité au bonbon gélifié idéale pour l'incorporation d'ingrédients alimentaires fonctionnels ou pharmaceutiques.
Sauf indication contraire, tous les éléments techniques et scientifiques utilisés dans le présent mémoire descriptif ont la signification généralement comprise par l'homme du métier auquel appartient cette invention. Dans la mise en pratique de la présente invention, des procédés et des matériaux similaires ou équivalents à ceux décrits ici peuvent être utilisés.
Le long de la description et des revendications, le mot « comprend » et ses variantes ne visent pas à exclure d'autres caractéristiques techniques, additifs, composants ou étapes. Pour les hommes du métier, d'autres objets, avantages et caractéristiques de l'invention ressortiront en partie de la description et en partie de la mise en pratique de l'invention.
L’agriculteur peut alors retirer le bouchon puis manipuler le semoir en le secouant pour en extraire les graines restantes par l’ouverture.
Toutefois, une telle vidange peut être longue et fatigante pour l’agriculteur, surtout après une semaison.
Par ailleurs, l’ouverture de la bordure périphérique peut former une zone de retenue des graines lors de la semaison, ce qui peut provoquer un phénomène de « fond de cuve », c’est-à-dire un risque de retenue de graines à semer, obligeant alors l’agriculteur à secouer le semoir pour déloger les graines de la zone de retenue, ou à recharger la trémie, ce qui augmente la fatigue de l’agriculteur, et génère, par ailleurs, un gaspillage de graines, qui demeurent dans le bloc car non prises par le disque.
Par ailleurs, la taille du disque, limitée par l’inclinaison de la bordure périphérique avec la paroi de fond, gène le semis de grosses graines ou de petits bulbilles à cadence rapide.
En effet, avec la vitesse de rotation élevée du disque lors de cadences rapides, les alvéoles ont du mal à se remplir de graines de grosses graines ou, au contraire, se remplissent de plusieurs graines à la fois, ce qui va à l’encontre de la régularité du semis.
Plus précisément, l’invention a pour objectif de proposer un semoir mécanique permettant de limiter les phénomènes de fond de cuve et de faciliter la vidange en fin de semaison.
L’invention a également pour objectif de fournir un tel semoir mécanique qui permet une semaison en semis dense, à vitesse rapide et de manière aisée pour un agriculteur.
L’invention a en outre pour objectif de fournir un tel semoir qui permette de favoriser la précision du semis et la semaison de grosses graines.
Ces objectifs, ainsi que d’autres qui apparaîtront par la suite, sont atteints grâce à l’invention qui a pour objet un semoir mécanique comprenant : - un châssis ; - une trémie de stockage de graines à semer ; - un bloc de distribution monté sur le châssis, le bloc de distribution présentant un passage d’admission de graines et un passage de sortie de graines, et - des moyens d’entraînement de graines depuis le passage d’admission vers le passage de sortie, les moyens d’entraînement étant montés dans le bloc de distribution, dans lequel le bloc de distribution présente une paroi de fond inclinée par rapport au châssis, et un rebord périphérique s’étendant depuis la paroi de fond jusqu’à un bord libre par lequel la trémie est raccordée au bloc de distribution, caractérisé en ce que le rebord périphérique présente, au niveau du passage d’admission, au moins une portion qui s’étend sensiblement perpendiculairement à la paroi de fond de sorte à former, pour les moyens d’entraînement, une zone de préhension des graines en provenance de la trémie, et en ce que la bordure périphérique intègre un volet situé dans la zone de préhension, le volet s’étendant depuis la paroi de fond, le volet étant mobile entre : - une position de fermeture du bloc de distribution, dans laquelle le volet forme une partie de la bordure périphérique, et - une position d’ouverture du bloc de distribution, dans laquelle le volet est déplacé de façon à créer une ouverture dans la paroi périphérique.
Le volet permet de faciliter la vidange du semoir lorsque la semaison est terminée et qu’il reste des graines dans la trémie.
En effet, l’agriculteur n’a qu’à positionner le volet dans sa position d’ouverture pour que les graines situées dans la zone de préhension puissent s’évacuer par l’ouverture.
L’évacuation des graines est également facilitée par l’inclinaison de la paroi de fond avec le châssis, qui dirige les graines vers la zone de préhension, mais également par le fait que l’ouverture s’étend depuis la paroi de fond, ce qui assure une évacuation des graines sans obstacle.
Ainsi, la vidange peut être réalisée de manière rapide et complète, simplement par l’effet de la gravité.
En d’autres termes, l’agriculteur n’a pas à manipuler le semoir pour diriger les graines vers l’ouverture dans la bordure périphérique.
Un tel semoir mécanique permet également de limiter les phénomènes de fond de cuve, puisque le volet forme une partie de la bordure périphérique.
Les régions comprennent chacune une surface texturée ayant la même structure que les sous-pixels d’un élément de code graphique 102 décrits ci-avant. Chaque région est apte à produire un effet diffractif de la couleur qui a donné son nom à la région lorsqu’elle est observée depuis une position d’observation donnée.
On peut noter que la forme des marques de positionnement permet leur détection, d’une manière analogue à ce qui est mis en œuvre pour un « QR code », et ici il est en outre possible de tenir compte des couleurs rouge-vert-bleu qui apparaîtront. Aussi, il apparait que la détection des trois couleurs de la marque de positionnement permet de déterminer que l’on est bien à la position d’observation donnée. C’est bien lorsque l’on peut détecter du rouge, du vert et du bleu dans un motif ayant la forme de la marque de positionnement que l’on est en présence d’au moins une base de code graphique observé à la position donnée (ou même d’un code graphique).
La montre le document 100 des figures 1 à 3 après que des perforations aient été formées dans le motif de base 101 et plus précisément dans les sous-pixels rouges, verts, et bleus du motif de base.
Les éléments de code du motif de base apparaissent, lorsqu’ils sont observés à la position donnée, avec une couleur qui dépend des perforations. La couleur (ou les perforations) de chaque élément de code est ici associée à un élément d’information, de sorte que le nombre de couleurs possibles C correspond à un nombre de bits n codables par chaque élément de code graphique (n=ln(C)/ln(2)).
On obtient ici un code graphique formé par le motif de base du code graphique comprenant des perforations, avec des données codées en tenant compte de la couleur propre à chaque élément de code graphique du code graphique qui est observable après perforation à la position donnée.
A titre indicatif, en utilisant un code occupant une surface d’un pouce carré, et des données codées au moyen d’un alphabet de 64 caractères, on peut obtenir ces stockages : 2 couleurs 1 kilooctet 8 couleurs 4 kilooctet 16 couleurs 5-6 kilooctet 64 couleurs 8 kilooctet
Les valeurs ci-dessus tiennent compte de la taille occupée par les marques de positionnement qui limitent la taille des données.
Sur la , on a également représenté une coupe selon I-I’ sur laquelle on peut voir les perforations 110 qui ont été formées dans le motif de base.
Les perforations peuvent remplacer entièrement un sous-pixel, comme tel est le cas pour l’élément de code graphique à gauche sur la figure où les sous-pixels rouges et verts ont été intégralement perforés (l’élément de code a une couleur observée bleue). Les perforations peuvent être partielles, comme on peut le voir pour l’élément de code le plus à droite sur la figure où le sous-pixel rouge a une perforation qui a détruit la moitié du sous-pixel (l’élément de code a une couleur observée violette, le vert ayant été détruit).
Les perforations peuvent être réalisées par application d’un faisceau laser dont l’énergie va détruire au moins la couche réflective voir également les textures diffractives. Les parties perforées apparaissent noires et ne contribuent pas à la teinte/couleur observée.
L’utilisation d’un faisceau laser est avantageuse puisqu’elle permet de personnaliser les documents, c’est-à-dire de former des documents avec des perforations différentes. Par exemple, chaque document peut comporter des informations codées dans le code graphique qui sont propres à l’utilisateur du document (typiquement le porteur du document), par exemple des informations biométriques comme une image du visage de l’utilisateur.
La montre plus en détail le code graphique obtenu. Bien que des perforations aient été formées, elles peuvent ne pas être visibles en fonction de la résolution utilisée pour lire le code graphique. En fait, l’observation du code graphique peut ne détecter qu’une couleur uniforme pour chaque élément de code graphique. Cela résulte en outre des dimensions des sous-pixels.
La montre un système 200 de lecture d’informations codées par le document 100 décrit ci-avant. Le système 200 a une structure de système informatique et comporte un processeur 201.
Le système comprend également un module 202 d’observation du document à la position d’observation donnée (représentée ici par une ellipse POS). Ce module peut être une caméra numérique, équipée ou non de son moyen d’éclairage. En outre, le système peut comporter des moyens (non représentés) pour placer le document 100 en un emplacement choisi et lié à la position du module 202 (typiquement un support de document) et également équipés ou non de moyens d’éclairage.
Dans le système 200, on a également installé une mémoire non-volatile 203, pouvant comprendre des instructions de programme d’ordinateur qui, lorsqu’elles sont exécutées par le processeur 201, forment les deux modules suivants : un module de détection des marques de positionnement (visible sur une image du document acquise par le module 202), et un module de décodage des informations en tenant compte des couleurs observées dans éléments de code graphique (également visibles sur une image du document acquise par le module 202). On pourra avantageusement y ajouter un module d’authentification qui tient compte de la pertinence de variation des couleurs au voisinage de la position POS.
Par exemple, la caméra enregistre une séquence d’images (vidéo) du document présenté sous différents angles d’observation, et le programme d’ordinateur est adapté à sélectionner, dans la séquence d’images acquises, l’image dans laquelle une région de la marque de positionnement a une couleur attendue (par exemple la couleur propre à la région visible dans la position d’observation donnée).
En outre, la sélectivité de gravure entre les couches de Si 0,8 Ge 0,2 , ou Si 0,75 Ge 0,25 , et les couches de Si 0,5 Ge 0,5 n’est pas suffisante pour éviter de consommer l’une de ces couches lors d’une gravure de l’autre de ces couches.
Un but de la présente invention est de proposer un empilement de couches adapté à la réalisation de dispositifs microélectroniques à architecture 3D comprenant des transistors, résolvant au moins en partie le problème de sélectivité de gravure expliqué ci-dessus et pouvant avoir une épaisseur importante (par exemple supérieure à 100 nm ou à 150 nm) tout en minimisant ou supprimant la génération de dislocations par relaxation plastique au sein de l’empilement, afin d’améliorer la densité de mémoire (par unité de surface) ou le nombre de couches actives (canaux des transistors) atteignable par les dispositifs réalisés à partir d’un tel empilement.
Pour cela, l’invention propose un empilement de couches adapté à la réalisation de dispositifs microélectroniques à architecture 3D comprenant des transistors, incluant plusieurs premières couches de silicium non intentionnellement dopé, plusieurs deuxièmes couches de SiGe non intentionnellement dopé, et au moins une troisième couche de silicium dopé de type P ou de SiGe dopé de type P, et tel que les premières, deuxièmes et troisième couches soient empilées les unes au-dessus des autres.
Par rapport aux empilements tri-couches utilisés dans l’art antérieur, il est proposé de remplacer la ou les couches de SiGe la plus concentrée en Ge par au moins une couche de silicium dopé de type P ou de SiGe possédant un dopage de type P et par exemple faiblement concentré en Ge. Ainsi, cet empilement ne présente pas les inconvénients liés à la présence d’une couche de SiGe à forte concentration de Ge, ce qui permet d’améliorer au final la densité de mémoire (par unité de surface) ou le nombre de couches actives (canaux des transistors) atteignable par les dispositifs réalisés à partir d’un tel empilement, tout en minimisant ou supprimant la génération de dislocations par relaxation plastique par dépassement de l’épaisseur critique au sein de l’empilement.
De plus, la ou les couches de silicium dopé de type P ou de SiGe dopé de type P peuvent avoir une épaisseur supérieure à la ou les couches de SiGe à forte concentration de Ge utilisées dans l’art antérieur car leur épaisseur critique avant l’apparition de dislocations est plus importante. Cela permet par exemple, lorsque cette ou ces couches de silicium dopé de type P ou de SiGe dopé de type P sont destinées à être gravées puis remplacées par un ou plusieurs matériaux diélectriques d’isolation, de former une meilleure isolation entre des structures empilées formées dans l’empilement grâce à la réalisation d’une structure isolante plus épaisse et/ou comprenant un matériau isolant de faible permittivité.
Enfin, la sélectivité de gravure obtenue entre le silicium dopé de type P, ou le SiGe dopé de type P, et le silicium non intentionnellement dopé et le SiGe non intentionnellement dopé est plus importante que celle obtenue dans les empilements tri-couches de l’art antérieur, ce qui évite une consommation excessive des matériaux de l’empilement lors de la mise en œuvre des gravures sélectives de ces matériaux.
Dans l’empilement proposé, les couches peuvent être empilées telles que chaque première couche soit disposée entre, et être en contact avec, deux deuxièmes couches ou deux troisièmes couches, et/ou telle que chaque deuxième couche soit disposée entre, et être en contact avec, deux premières couches ou deux troisièmes couches. Cette caractéristique peut ne pas s’appliquer à certaines des premières ou deuxièmes couches, comme par exemple celles se trouvant au sommet de l’empilement et/ou celles se trouvant à la base de l’empilement.
De manière générale, les semi-conducteurs des premières, deuxièmes et troisièmes couches peuvent être monocristallins, ce qui est avantageux en particulier pour le semi-conducteur destiné à former des canaux de transistors. En variante, il est possible que les semi-conducteurs des premières, deuxièmes et troisièmes couches soient polycristallins.
Le dopage de type P du silicium ou du SiGe peut être obtenu par des atomes de Bore par exemple.
Le silicium ou le SiGe de la troisième couche peut avoir une concentration en dopants de type P supérieure ou égale à 5.10 19 at/cm 3 , et avantageusement supérieure ou égale à 1.10 20 at/cm 3 .
Le SiGe non intentionnellement dopé peut avoir une concentration en germanium supérieure ou égale à 10 %, ou supérieure ou égale à 20 %, et inférieure à 50 %.
Le nombre de premières ou deuxièmes couches de l’empilement peut être compris entre 4 et 300.
Dans un premier mode de réalisation, chacune des premières et deuxièmes couches peut être disposée entre deux troisièmes couches et être en contact avec ces deux troisièmes couches. Un empilement selon ce premier mode de réalisation peut avantageusement être utilisé pour la réalisation de dispositifs mémoires à architecture 3D incluant des transistors d’accès en technologie MOS avancées.
Dans une variante de ce premier mode de réalisation, l’empilement peut comporter en outre plusieurs autres troisièmes couches de silicium dopé de type P ou du SiGe dopé de type P, et chacune des premières et troisièmes couches peut être disposée entre deux des deuxièmes couches et être en contact avec ces deux deuxièmes couches.
Dans un deuxième mode de réalisation, l’empilement peut comprendre au moins : - un premier sous-empilement formé d’une alternance de premières et deuxièmes couches et tel que chaque première couche du premier sous-empilement soit disposé entre deux deuxièmes couches du premier sous-empilement ou que chaque deuxième couche du premier sous-empilement soit disposée entre deux premières couches du premier sous-empilement ; - un deuxième sous-empilement formé d’une alternance de premières et deuxièmes couches et tel que chaque première couche du deuxième sous-empilement soit disposée entre deux deuxièmes couches du deuxième sous-empilement ou que chaque deuxième couche du deuxième sous-empilement soit disposée entre deux premières couches du deuxième sous-empilement ; et la troisième couche peut être disposée entre les premier et deuxième sous-empilements. Un empilement selon ce deuxième mode de réalisation peut avantageusement être utilisé pour la réalisation des transistors CFET, c’est-à-dire des transistors de type n et p superposés l’un au-dessus de l’autre et dont les canaux sont formés par une superposition de nanofils ou nano-feuilles.
Dans ce deuxième mode de réalisation, l’empilement peut comporter en outre plusieurs autres troisièmes couches de silicium dopé de type P ou du SiGe dopé de type P entre lesquelles les premier et deuxième sous-empilements sont disposés.
Selon un mode de réalisation, les LED sont adaptées à émettre à une première longueur d’onde, au moins une première LED de ladite pluralité de LED étant revêtue, du côté de sa face supérieure, d’un premier élément de conversion de ladite première longueur d’onde en une deuxième longueur d’onde, et au moins une deuxième LED de ladite pluralité de LED n’étant pas revêtue, du côté de sa face supérieure, d’un élément de conversion de ladite première longueur d’onde en ladite deuxième longueur d’onde.
Selon un mode de réalisation, la deuxième LED est revêtue, du côté de sa face supérieure, d’un deuxième élément de conversion de ladite première longueur d’onde en une troisième longueur d’onde.
Selon un mode de réalisation, au moins une troisième LED de la pluralité de LED est revêtue, du côté de sa face supérieure, d’un troisième élément de conversion de ladite première longueur d’onde en une quatrième longueur d’onde.
Selon un mode de réalisation, au moins une quatrième LED de la pluralité de LED n’est pas revêtue, du côté de sa face supérieure, d’un élément de conversion de longueur d’onde.
Selon un mode de réalisation, la première longueur d’onde est une longueur d’onde visible et ladite deuxième longueur d’onde est une longueur d’onde infrarouge.
Selon un mode de réalisation, la puce comprend en outre, du côté de la face du premier réflecteur de Bragg opposée à l’empilement actif de LED, un circuit de contrôle intégré dans et sur une couche de silicium, ledit circuit de contrôle étant connecté électriquement aux LED par l’intermédiaire de vias conducteurs traversant le premier réflecteur de Bragg.
Selon un mode de réalisation, au moins une LED de la pluralité de LED est revêtue, du côté de sa face supérieure, d’un deuxième réflecteur de Bragg, de sorte à former une diode laser à cavité verticale émettant par la surface.
Selon un mode de réalisation, le premier réflecteur de Bragg est constitué d’une alternance de couches diélectriques.
Selon un mode de réalisation, le deuxième réflecteur de Bragg est constitué d’une alternance de couches diélectriques.
Selon un mode de réalisation, le deuxième réflecteur de Bragg est constitué d’une alternance de couches semiconductrices.
Un autre mode de réalisation prévoit un dispositif comportant : - un substrat de report comportant des éléments de connexion électrique ; et - une pluralité de puces élémentaires monolithiques telles que définies ci-dessus, fixées et connectées électriquement au substrat de report.
Selon un mode de réalisation, le dispositif comporte en outre, associé à au moins une des puces élémentaires, un détecteur photosensible, ladite au moins une puce élémentaire intégrant un circuit électronique de lecture du détecteur photosensible.
Selon un mode de réalisation, le détecteur photosensible est externe à ladite au moins une puce élémentaire.
la , la , la , la , la , la , la , la , la , la , la , la , la , la et la sont des vues en coupe illustrant des étapes d’un exemple d’un procédé de fabrication de puces élémentaires de pixel d’un dispositif d’affichage interactif selon un mode de réalisation ;
la , la , la , la , la , la , la , la , la , la et la sont des vues en coupe illustrant des étapes d’un autre exemple d’un procédé de fabrication de puces élémentaires de pixel d’un dispositif d’affichage interactif selon un mode de réalisation ;
Selon un mode de réalisation, ladite au moins une antenne à réseau transmetteur ou réflecteur comprend une unique antenne à réseau transmetteur ou réflecteur configurée pour recevoir et réémettre ladite onde électromagnétique.