Dispositif laser impulsionnel (1), comportant : une source laser (10) impulsionnelle, hybride de type III-V sur silicium, comportant : un milieu semiconducteur (11) comportant des puits quantiques, réalisé à base d’un composé III-V, situé dans une cavité optique définissant un axe longitudinal (X), et comportant au moins une section à gain (12) et au moins une section absorbante saturable (13) où les puits quantiques sont coplanaires ; un substrat photonique (20), réalisé à base de silicium, sur lequel repose le milieu semiconducteur (11), et dans lequel est situé un guide d’onde longitudinal (21) participant à définir la cavité optique et couplé optiquement au milieu semiconducteur (11) suivant l’axe longitudinal (X), le guide d’onde longitudinal (21) présentant une largeur l L/ms et un espacement vertical d L/ms vis-à-vis du milieu semiconducteur (11), dans une zone de couplage zc L/ms avec le milieu semiconducteur (11), prédéfinis de sorte que le mode optique se propageant dans le guide d’onde longitudinal (21) présente un facteur de confinement Γ L/ms dans les puits quantiques du milieu semiconducteur (11) ; au moins un dispositif optique de commande (30 ; 40), comportant : au moins une source émettrice (31 ; 41) adaptée à émettre au moins une impulsion optique de commande d’intensité prédéfinie ; au moins un guide d’onde latéral (32 ; 42), situé dans le substrat photonique (20), couplé optiquement à la section absorbante saturable (13) ou à la section à gain (12) pour transmettre l’impulsion optique de commande, de manière inclinée vis-à-vis de l’axe longitudinal (X) pour éviter un couplage optique avec la cavité optique, et présentant une largeur (l lae/SA ; l lai/G ) ainsi qu’un espacement vertical (d lae/SA ; d lai/G ) vis-à-vis du milieu semiconducteur (11), dans une zone de couplage (zc lae/SA ; zc lai/G ) avec ladite section correspondante (13 ; 12), prédéfinis de sorte que le mode optique se propageant dans le guide d’onde latéral (32 ; 42) présente un facteur de confinement (Γ lae/SA ; Γ lai/G ) dans les puits quantiques de ladite section correspondante (13 ; 12) supérieure à Γ L/ms . Dispositif laser impulsionnel (1) selon la revendication 1, dans lequel le guide d’onde longitudinal (21) présente une largeur l L/ms dans sa zone de couplage zc L/ms , et le guide d’onde latéral (32 ; 42) présente une largeur (l lae/SA ; l lai/G ) dans sa zone de couplage (zc lae/SA ; zc lai/G ) inférieure à l L/ms . Dispositif laser impulsionnel (1) selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le guide d’onde longitudinal (21) présente un espacement vertical d L/ms dans sa zone de couplage zc L/ms vis-à-vis des puits quantiques du milieu semiconducteur (11), et le guide d’onde latéral (32) présente un espacement vertical (d lae/SA ; d lai/G ) dans sa zone de couplage (zc lae/SA ; zc lai/G ) vis-à-vis des puits quantiques du milieu semiconducteur (11), où l’espacement vertical d L/ms est supérieur ou égal à celui du guide d’onde latéral (32 ; 42). Dispositif laser impulsionnel (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel le guide d’onde longitudinal (21) et le guide d’onde latéral (32) sont des guides d’onde en arête formés d’une base (21.1 ; 32.1) et d’une arête (21.2 ; 32.2), la face inférieure (21.1 ; 32.1) du guide d’onde longitudinal (21) et celle du guide d’onde latéral (32) étant coplanaires. Dispositif laser impulsionnel (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel le guide d’onde longitudinal (21) s’étend continûment sous le milieu semiconducteur (11). Dispositif laser impulsionnel (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel le guide d’onde latéral (32 ; 42) s’étend continûment sous la section correspondante (13 ; 12) ou comporte au moins un coupleur en pointe. Dispositif laser impulsionnel (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel le milieu semiconducteur (11) comporte au moins deux sections à gain (12) situées de part et d’autre de la section absorbante saturable (13). Dispositif laser impulsionnel (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel la section à gain (12) et la section absorbante saturable (13) sont des portions physiquement distantes l’une de l’autre, ou sont des zones d’un même plot que forme le milieu semiconducteur (11). Dispositif laser impulsionnel (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel le dispositif optique de commande est un dispositif optique d’excitation (30), la source émettrice (31) étant adaptée à émettre au moins une impulsion optique d’excitation d’intensité prédéfinie, et le guide d’onde latéral (32), dit d’excitation, est couplé optiquement à la section absorbante saturable (13), le mode optique se propageant dans le guide d’onde latéral (32) d’excitation présentant alors un facteur de confinement Γ lae/SA dans les puits quantiques de la section absorbante saturable supérieure à Γ L/ms . Dispositif laser impulsionnel (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel le dispositif optique de commande est un dispositif optique d’inhibition (40), la source émettrice (41) étant adaptée à émettre au moins une impulsion optique d’inhibition d’intensité prédéfinie, et le guide d’onde latéral (42), dit d’inhibition, est couplé optiquement à la section à gain (12), le mode optique se propageant dans le guide d’onde latéral (42) d’inhibition présentant alors un facteur de confinement Γ lai/G dans les puits quantiques de la section à gain supérieure à Γ L/ms . Dispositif laser impulsionnel (1) selon les revendications 9 et 10, comportant un dispositif optique d’excitation (30) et un dispositif optique d’inhibition (40). Dispositif laser impulsionnel (1) selon la revendication 11, comportant des atténuateurs d’intensité optique (2) disposés sur les guides d’onde latéraux (32, 42), et adaptés à diminuer l’intensité des impulsions optiques d’excitation et d’inhibition. Réseau de neurones artificiels photoniques, comportant une pluralité de dispositifs laser impulsionnels selon la revendication 11 ou 12, dans lequel chaque source laser impulsionnelle (10) forme un neurone artificiel photonique, les neurones artificiels photoniques étant raccordés optiquement les uns aux autres. Réseau de neurones artificiels photoniques selon la revendication 13, dans lequel un guide d’onde longitudinal (21) d’un dispositif laser impulsionnel forme un guide d’onde latéral d’excitation ou d’inhibition d’un autre dispositif laser impulsionnel. Procédé d’utilisation d’un dispositif laser impulsionnel (1) selon l’une quelconque des revendications 11 ou 12, comportant les étapes suivantes : polarisation en direct de la section à gain (12) par un courant électrique d’une intensité constante prédéfinie de sorte que le gain g du milieu semiconducteur (11) atteigne une valeur maximale g max , et application d’une polarisation nulle ou en inverse de la section absorbante saturable (13) ; émission d’une impulsion optique d’excitation par le dispositif optique d’excitation (30), provoquant une émission d’une impulsion laser par la source laser impulsionnelle (10) si le gain est au moins égal à une valeur d’excitabilité g exc ; émission d’une impulsion optique d’inhibition par le dispositif optique d’inhibition (40), empêchant l’émission d’une impulsion laser par une diminution de la valeur du gain en dessous de la valeur d’excitabilité g exc .