Procédé de croissance cristalline d’un monocristal fait dans un matériau halogénure comprenant au moins un élément du groupe des terres rares, dans un four vertical de fusion/recristallisation comprenant les étapes suivantes : on introduit une poudre du matériau constituant le cristal dans une ampoule, préférentiellement sous la forme d’une poudre frittée, éventuellement en présence d’un germe dudit cristal disposé au fond de l’ampoule, on place ladite ampoule dans ledit four vertical, comprenant au moins deux zones indépendantes portées en température par des éléments chauffants selon un gradient de température, dont une zone haute, dans laquelle les éléments chauffants sont réglés de telle façon que la température est supérieure à la température de fusion du matériau constituant le cristal, et une zone basse dans laquelle dans laquelle les éléments chauffants sont réglés de telle façon la température est inférieure à ladite température de fusion, lesdites zones étant séparées par un anneau isolant ou baffle, on translate le gradient de température, soit par translation de ladite ampoule, le four étant fixe, soit par translation dudit four, l’ampoule étant fixe, soit par pilotage des températures des éléments chauffants; la vitesse de translation du gradient étant adaptée pour permettre la croissance dudit monocristal dans ladite ampoule, on refroidit le four et on récupère un monocristal dans ladite ampoule, ledit procédé étant caractérisé en ce que ladite ampoule présente une section polygonale sur au moins une partie de sa longueur, de telle façon que le monocristal finalement obtenu présente cette même section polygonale. Procédé de croissance cristalline selon la revendication 1 dans lequel la croissance cristalline est obtenue selon une technique choisie parmi le Bridgman vertical, en particulier Brigman-Stockbarger, la TGT (Temperature Gradient Technique). Procédé selon l’une des revendications 1 ou 2, dans lequel ladite ampoule présente une section carrée. Procédé selon l’une des revendications 1 ou 2, dans lequel ladite ampoule présente une section hexagonale. Procédé selon l’une des revendications précédentes, dans lequel ladite ampoule présente une section polygonale sur au moins sa partie transitant entre lesdites deux zones indépendantes lors de ladite translation. Procédé selon l’une des revendications précédentes, dans lequel les éléments chauffants sont disposés et configurés de telle façon que la température est homogène autour de la périphérie de ladite ampoule au niveau de l’anneau isolant. Procédé selon l’une des revendications précédentes, dans lequel des éléments chauffants sont disposés au regard des faces planes de ladite ampoule. Procédé selon l’une des revendications précédentes, dans lequel les éléments chauffants sont disposés à égale distance des faces planes de ladite ampoule. Procédé selon l’une des revendications précédentes, dans lequel les éléments chauffants sont des résistances électriques, des lampes halogènes ou des réseaux de diodes lasers. Procédé selon l’une des revendications précédentes, dans lequel les zones indépendantes haute et basse sont divisées en sous zones, chaque zone étant contrôlée indépendamment en température pour piloter le gradient thermique au sein du four. Procédé selon l’une des revendications précédentes, dans lequel le cristal est choisi dans le groupe constitué par CLLB (Cs 2 LiLa(Br) 6 :Ce), LaBr 3 :Ce, LaBr 3 :Ce:Sr, La(Br,I) 3 :Ce, La(Br,I) 3 :Ce :Sr, CLLBI (Cs 2 LiLa(Br,I) 6 :Ce), CeBr 3 :Ca,Ce(Br,I) 3 :Ca, SrI 2 :Eu, SrI 2 :Eu:Sm, de préférence CLLBI ou CLLB. Ampoule pour la cristallisation d’un cristal dans un four vertical, en particulier de Bridgman vertical, ladite ampoule présentant une section polygonale, sur au moins une partie de sa longueur. Ampoule selon la revendication 12, dans lequel ladite ampoule est de section carrée ou hexagonale. Ampoule selon la revendication 12 ou 13, ladite ampoule étant en quartz.