INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
- un système d’entrainement en rotation de l’arbre disposé à l’intérieur du carter, le système d’entrainement en rotation comprenant : un dispositif d’accouplement avec l’actionneur comprenant une ouverture centrale dans laquelle est insérée l’arbre et la clavette en permettant un jeu angulaire entre les parois de l’ouverture centrale et la clavette ; un anneau, disposé en face et à distance du dispositif d’accouplement, l’anneau comprenant une ouverture centrale dans laquelle est insérée l’arbre et la clavette en permettant un jeu angulaire entre les parois de l’ouverture et la clavette ; une entretoise, disposé entre le dispositif d’accouplement et l’anneau, comprenant une ouverture centrale dans laquelle est insérée l’arbre et la clavette ; plusieurs tiges s’étendant de l’élément d’accouplement à l’anneau en traversant l’entretoise, de manière à les solidariser en rotation ;
- un système de blocage de l’arbre disposé à l’intérieur du carter, le système de blocage de l’arbre comprenant : une came disposée autour de l’arbre et comprenant un logement recevant la clavette, la came étant propre à être entrainée par la clavette ; plusieurs galets disposés de manière circonférentielle autour de l’arbre entre les tiges, les galets s’étendant depuis le dispositif d’accouplement vers l’anneau en traversant l’entretoise de façon à permettre un jeu circonférentiel au niveau du dispositif d’accouplement, un jeu circonférentiel au niveau de l’entretoise et un jeu circonférentiel au niveau de l’anneau ; plusieurs ressorts de compression disposés autour de l’arbre, chaque ressort comprenant un axe de compression perpendiculaire à l’axe de chaque galet, les ressorts étant fixés dans le dispositif d’accouplement et dans l’anneau, les ressorts étant adaptés pour maintenir les galets en contact avec la came, lorsqu’ils sont au repos, à raison de deux ressorts par galets ;
le dispositif antidévireur bidirectionnel étant tel que lorsque l’arbre reçoit un couple issu d’un organe autre que le système d’entrainement en rotation de l’arbre, la came coince un galet sur deux en butée contre le carter, bloquant ainsi tout mouvement de rotation de l’arbre, tandis qu’un couple appliqué au système d’entrainement en rotation provoque successivement grâce aux jeux circonférentiels, l’écartement d’un galet sur deux, afin de libérer la came du contact des galets, puis l’entrainement en rotation par les jeux angulaires de la clavette, et donc la rotation de l’arbre par rapport au carter.
L’invention concerne également un dispositif de conversion irréversible d’un mouvement de rotation en mouvement de translation, comprenant un dispositif antidévireur bidirectionnel selon l’invention, dans lequel l’arbre est un écrou d’une vis à rouleaux satellites.
L’invention concerne également un dispositif de conversion irréversible d’un mouvement de rotation en mouvement de translation comprenant : un dispositif antidévireur bidirectionnel adapté pour entrainer en rotation un arbre selon l’invention ; un moyen de conversion configuré pour convertir un mouvement de rotation en mouvement de translation, l’arbre d’entrée du dispositif de conversion étant entrainé directement ou indirectement par l’arbre.
Le dispositif de conversion irréversible d’un mouvement de rotation en mouvement de translation selon l’invention est avantageusement complété par les caractéristiques suivantes, prises seules ou en une quelconque de leur combinaison techniquement possible : le moyen de conversion est une vis à rouleaux satellites ou une vis à billes ; un amortisseur configuré pour s’opposer au relèvement du moyen de conversion lorsque l’arbre de sortie du moyen de conversion est en fin de course ; l’amortisseur comprend une rondelle élastique.
L’invention concerne également un ensemble comprenant un robinet, le robinet comprenant une tige et un obturateur, configuré pour que la tige soit entrainée en translation par le dispositif de conversion irréversible d’un mouvement de rotation en mouvement de translation selon l’invention, de sorte à placer l’obturateur dans une position stable.
L’ensemble comprenant un robinet selon l’invention est avantageusement complété par les caractéristiques suivantes, prises seules ou en une quelconque de leur combinaison techniquement possible : une liaison mécanique, la liaison mécanique étant configurée pour empêcher la transmission d’un mouvement de rotation par la tige au dispositif selon l’invention ; la liaison mécanique est une liaison rotule à doigt, le doigt étant optionnellement configuré pour indiquer la position de la tige du robinet ; la liaison mécanique est une liaison pivot non glissant sur l’axe.
Dans les couches selon l’invention d’indice de réfraction à 550 nm supérieur à 2,2 comprenant du nitrure de silicium et de zirconium, le nitrure de silicium et de zirconium représente de préférence au moins 70% du poids desdites couches, sur la base d’une formulation Si x Zr y N, et de préférence plus de 80 % ou même plus de 90 % du poids desdites couches, sur la base de ladite formulation.
Dans une couche comprenant du nitrure de silicium et de zirconium selon l’invention, le ratio atomique Si/Zr est compris entre 1,5 et 6,0, et de préférence est compris entre 2,0 et 5,5, ou même compris entre 2,5 et 5,0. De préférence encore, lesdites couches sont constituées essentiellement de nitrure de silicium et de zirconium, mais peuvent comprendre également de l’aluminium. L’aluminium est utilisé de façon bien connue, dans des proportions pouvant aller jusqu’à 10% atomique, sur la base de la somme des éléments Si Zr et Al, voire plus et de préférence compris entre 1 et 8% atomique, sur la base de la somme des éléments Si Zr et Al, dans les cibles de silicium servant pour le dépôt de couches par pulvérisation cathodique assisté par un champ magnétique (magnétron).
Les revêtements selon l’invention sont de façon classique déposés par des techniques de dépôt du type pulvérisation sous vide assistée par champ magnétique d’une cathode du matériau ou d’un précurseur du matériau à déposer, souvent appelée technique de la pulvérisation magnétron dans le domaine. Une telle technique est aujourd’hui classiquement utilisée notamment lorsque le revêtement à déposer est constitué d’un empilement complexe de couches successives d’épaisseurs de quelques nanomètres ou quelques dizaines de nanomètres.
Par les termes « sous couche » et « surcouche », il est fait référence dans la présente description à la position respective desdites couches par rapport à la couche absorbante comprenant du nitrure de niobium dans l’empilement, ledit empilement étant supporté par le substrat verrier pris comme référence.
Tous les substrats sont en verre clair de 6 mm d'épaisseur de type Planiclear® commercialisé par la société Saint-Gobain Glass France.
De façon bien connue, les différentes couches successives sont déposées dans les compartiments successifs du dispositif de pulvérisation cathodique, chaque compartiment étant muni d’une cible métallique spécifique (par exemple en Si, ou Nb) choisie pour le dépôt d’une couche spécifique de l’empilement.
Plus précisément, les couches à base de nitrure de silicium sont déposées dans un premier compartiment du dispositif à partir d’une cible de silicium métallique (dopé avec 8% en masse d'aluminium), dans une atmosphère réactive contenant de l'azote (40% Ar et 60% N 2 ). Les couches en nitrure de silicium, notées Si 3 N 4 par commodité, contiennent donc également de l’aluminium. Ces couches sont désignées par la suite selon la formulation générale classique Si 3 N 4 , même si la couche déposée ne répond pas forcément à cette stœchiométrie supposée.
Les couches à base de nitrure de silicium et de zirconium sont déposées dans un premier compartiment du dispositif à partir d’une cible de silicium et de zirconium dont le ratio Si/Zr est égal à 4,9 et comprenant en outre 8% en masse d'aluminium, dans une atmosphère réactive contenant de l'azote (40% Ar et 60% N 2 ). Les couches en nitrure de silicium et de zirconium, notées SiZrN par commodité, contiennent donc également de l’aluminium.
Les couches en nitrure de niobium NbN sont obtenues par pulvérisation d’une cible en niobium métallique dans une atmosphère comprenant un mélange d’azote et d’argon, selon les conditions décrites dans la publication WO01/21540 ou encore dans publication WO2009/112759.
Les couches d’oxyde de silicium sont obtenues au moyen d’une cible de silicium dopé aluminium identique à celle précédemment décrite selon un procédé de pulvérisation dans une atmosphère cette fois comprenant de l’oxygène et de l’argon, selon les techniques bien connues de l’homme du métier.
Les couches d’oxyde de titane sont obtenues au moyen d’une cible d’oxyde de titane selon un procédé de pulvérisation dans une atmosphère cette fois comprenant essentiellement de l’argon et un peu d’oxygène et, selon les techniques bien connues de l’homme du métier.
Non seulement les vitrages comprenant une seule couche absorbante à base de niobium, tels que décrit dans la demande WO01/21540, présentent une colorimétrie adaptée (a* et b* négatifs) mais des niveaux de réflexion extérieure trop faibles (moins de 20%). En outre, ils présentent pour la plupart une forte réflexion interne et une faible réflexion externe.
La présente invention vise à répondre aux objectifs décrits précédemment et porte sur des articles verriers présentant la majorité et le plus souvent la totalité des critères suivants : une transmission lumineuse supérieure ou égale à 35%, de préférence supérieure à 40%, et par exemple inférieure à 70%, avantageusement comprise entre 40 et 65%, Un facteur solaire sensiblement égal ou inférieur à la valeur de la transmission lumineuse, en pourcentage, une réflexion lumineuse interne R Lint (c'est-à-dire sur la face du substrat sur laquelle l’empilement de couches est déposée) inférieure ou égale à 25%, de préférence inférieure à 20%, une réflexion lumineuse R Lext (c'est-à-dire sur la face du substrat à l’opposé de laquelle l’empilement de couches est déposée) supérieure à la R Lint et en particulier supérieure ou égale à 25%, de préférence supérieure ou égale à 30%, des paramètres a* et b* en réflexion externe négatifs dans le système colorimétrique L, a*, b* et en particulier un paramètre a* ext compris entre 0 (exclu) et -3,5 et un paramètre b* ext inférieur à 0 et de préférence inférieur à -5, de préférence une différence entre la réflexion extérieure et la réflexion intérieure (ΔR L = R Lext - R Lint ) d’au moins 6%, voire d’au moins 7% ou même d’au moins 10%.
Selon l’invention, les paramètres L, a* et b* sont mesurés selon les critères CIE LAB, sous l’illuminant D65, 2°.
Par côté empilement, comme indiqué précédemment, on entend la face du vitrage sur laquelle est déposée l’empilement. Par côté verre on entend la face du vitrage opposée à celle sur laquelle est déposée l’empilement, en principe non recouverte. Au sens de la présente invention, les termes « face extérieure » (ou « externe ») et « face intérieure» ou (« interne ») font référence à la position du vitrage lorsque celui-ci équipe le bâtiment ou le véhicule auquel il est destiné.
En outre les articles verriers et vitrages selon l’invention présentent des propriétés de contrôle solaire conformes à celles requises dans le domaine, en particulier un facteur solaire g proche et de préférence inférieur à 50%, voire inférieur à 45% ou même inférieur à 40% dans certaines configurations.
Plus précisément, la présente invention se rapporte à un article verrier transparent pour vitrage antisolaire, comprenant au moins un substrat de verre muni sur au moins une de ses faces d'un revêtement constitué par un empilement de couches, ledit empilement comprenant la succession de couches suivantes, à partir de la surface dudit substrat : - une première couche comprenant un nitrure d’au moins un élément choisi parmi Si, Al, ledit nitrure comprenant éventuellement Zr, d’épaisseur physique comprise entre 1 et 25 nm, de préférence entre 5 et 20 nm,
- une seconde couche absorbant les infrarouges, constitué par un matériau comprenant du niobium ou par un matériau comprenant du nickel et du chrome, d’épaisseur physique comprise entre 1 et 20 nm, de préférence comprise entre 5 et 15 nm,
- une troisième couche dont l’épaisseur optique est comprise entre 60 et 100 nm, de préférence entre 65 et 95 nm, comprenant un nitrure d’au moins un élément choisi parmi Si, Al, ledit nitrure comprenant en outre Zr, au contact de la couche absorbant les infrarouges, d’indice de réfraction à 550 nm supérieur à 2,2 ou un ensemble de troisièmes couches dont l’épaisseur optique totale est comprise entre 60 et 100 nm, de préférence entre 65 et 95 nm, ledit ensemble comprenant ou de préférence étant constitué a) par une couche comprenant un nitrure d’au moins un élément choisi parmi Si, Al, ledit nitrure comprenant éventuellement Zr, au contact de la couche absorbant les infrarouges et b) par une couche d’un matériau diélectrique d’indice de réfraction à 550 nm supérieur à 2,2, d’épaisseur physique supérieure ou égale à 15 nm, de préférence d’épaisseur physique supérieure ou égale à 20 nm,
- de préférence une couche d’un matériau diélectrique d’indice de réfraction à 550 nm inférieur à 1,6, d’épaisseur physique comprise entre 1 et 25 nm, de préférence entre 5 et 20 nm,
- éventuellement une couche de protection d’un oxyde de titane, d’un oxyde de zirconium ou d’un oxyde de titane et de zirconium, d’épaisseur physique comprise entre 1 et 5 nm de préférence entre 1 et 3 nm.
SiN/CA/SiN/TiO/ de préférence SiO/ éventuellement TiO, ZrO ou TiZrO
dans lequel SiN désigne des couches comprenant du nitrure de silicium, CA désigne la couche absorbante, en particulier une couche de nitrure de niobium ou de niobium, SiO désigne une couche comprenant de l’oxyde de silicium, TiO désigne une couche comprenant un oxyde de titane, ZrO désigne une couche comprenant un oxyde de zirconium et TiZrO désigne une couche comprenant un oxyde de titane et de zirconium. L’empilement comprend ou est constitué par la succession des couches suivantes, chaque couche étant au contact direct de la suivante, à partir de la surface dudit substrat:
SiN/CA/SiN/NbO/ de préférence SiO /éventuellement TiO, ZrO ou TiZrO,
dans lequel SiN désigne des couches comprenant du nitrure de silicium, CA désigne la couche absorbante, en particulier une couche de nitrure de niobium ou de niobium, SiO désigne une couche comprenant de l’oxyde de silicium, NbO désigne une couche comprenant de l’oxyde de niobium, TiO désigne une couche comprenant un oxyde de titane, ZrO désigne une couche comprenant un oxyde de zirconium et TiZrO désigne une couche comprenant un oxyde de titane et de zirconium. L’empilement comprend ou de préférence est constitué par la succession des couches suivantes, chaque couche étant au contact direct de la suivante et à partir de la surface dudit substrat :
SiN/CA/SiN/ SiZrN/ de préférence SiO/éventuellement TiO, ZrO ou TiZrO
dans lequel SiN désigne des couches comprenant du nitrure de silicium, CA désigne la couche absorbante, en particulier une couche de nitrure de niobium ou de niobium, SiO désigne une couche comprenant de l’oxyde de silicium, SiZrN désigne une couche comprenant un nitrure de silicium et de zirconium, TiO désigne une couche comprenant un oxyde de titane, ZrO désigne une couche comprenant un oxyde de zirconium et TiZrO désigne une couche comprenant un oxyde de titane et de zirconium. L’empilement comprend ou de préférence est constitué par la succession des couches suivantes, chaque couche étant au contact direct de la suivante et à partir de la surface dudit substrat :
SiN/CA/ SiZrN/ de préférence SiO/éventuellement TiO, ZrO ou TiZrO
dans lequel SiN désigne des couches comprenant du nitrure de silicium, CA désigne la couche absorbante, en particulier une couche de nitrure de niobium ou de niobium, SiO désigne une couche comprenant de l’oxyde de silicium, SiZrN désigne une couche comprenant un nitrure de silicium et de zirconium, TiO désigne une couche comprenant un oxyde de titane, ZrO désigne une couche comprenant un oxyde de zirconium et TiZrO désigne une couche comprenant un oxyde de titane et de zirconium. L’empilement ne comprend pas de couches à base d’Ag, Au, Pt, Cu, Ni ou d’acier inoxydable. L’article est trempé thermiquement et/ou bombé. L’article présente une transmission lumineuse supérieure ou égale à 35%, en particulier supérieure ou égale à 40%. L’article présente une réflexion lumineuse interne R Lint (c'est-à-dire sur la face du substrat sur laquelle l’empilement de couches est déposé) inférieure ou égale à 20%. L’article présente une réflexion lumineuse R Lext (c'est-à-dire sur la face du substrat à l’opposé de laquelle l’empilement de couches est déposé) supérieure ou égale à 25%, de préférence supérieure ou égale à 30%. L’article présente une différence entre la réflexion extérieure et la réflexion intérieure (ΔR L = R Lext - R Lint ) d’au moins 6%, voire d’au moins 8% ou même d’au moins 10%. L’article présente en réflexion interne au moins un paramètre b*, et de préférence des paramètres a* et b*, négatifs, dans le système colorimétrique L, a*, b* et sous l’illuminant D65 2°, en particulier un paramètre a* ext compris entre 0 (0 exclu) et -3,5 et un paramètre b* ext inférieur à 0 et de préférence inférieur à -5. L’article est un vitrage antisolaire ne comprenant qu’un seul substrat de verre. L’article est un vitrage multiple comprenant plusieurs substrats de verre. L’article est un vitrage feuilleté comprenant un semble d’au moins deux substrats de verre liés par un feuillet thermoplastique notamment en polyvinylbutyral (PVB).
Dans toute la description, en l’absence d’indication contraire, les épaisseurs sont des épaisseurs physiques (géométriques).
L’épaisseur optique d’une couche est obtenue de manière conventionnelle en multipliant son épaisseur physique par l’indice de réfraction à 550 nm du matériau qui la constitue. Par exemple l’épaisseur optique d’une couche d’oxyde de silicium (d’indice de réfraction à 550 nm égal à 1,45) dont l’épaisseur physique est de 10 nm est égale à 10 × 1,45 = 14,5 nm.
Par couche absorbant les infrarouges, on entend une couche constituée par un matériau absorbant au moins partiellement les infrarouges, en particulier les infrarouges issues du rayonnement solaire entre 780 nm et 3000 nm. Par le terme « absorbant les IR », on n’exclue pas au sens de la présente invention que ladite couche puisse également en réfléchir une autre portion.
Un matériau diélectrique est par exemple un matériau dont la forme massive et dénuée d’impuretés présente une forte résistivité, notamment une résistivité supérieure à 10 10 ohms.mètres (Ω.m) à la température ambiante (25°C).
Une couche comprenant du nitrure de silicium selon l’invention peut comprendre en outre les éléments aluminium et zirconium.
La couche absorbante selon l'invention est sélectionnée afin d’obtenir une valeur de la transmission lumineuse du substrat relativement élevée, permettant la vision depuis l’intérieur vers l’extérieur sans gêne, tout en conservant un effet de contrôle des apports thermiques notable.
De préférence la couche absorbante selon l’invention comprend du niobium et en particulier du nitrure de niobium.
Dans les couches selon l’invention comprenant du nitrure de niobium, le nitrure de niobium NbN représente de préférence au moins 50% en poids desdites couches, et de préférence plus de 80 % ou même plus de 90 % desdites couches. Dans un nitrure de niobium selon l’invention, le ratio N/Nb peut varier par exemple entre 0 et 1,2, de préférence est de l’ordre de 1, c'est-à-dire correspond sensiblement à une formulation stœchiométrique Nb 1 N 1 . Selon un mode possible de la présente invention les couches comprenant du nitrure de niobium ou du niobium peuvent également comprendre un autre élément, par exemple choisi parmi le zirconium, le titane, en quantité minoritaire par rapport au niobium.
La formulation des couches peut être obtenue classiquement par spectrométrie photoélectronique XPS, selon des techniques bien connues dans le domaine des matériaux. Selon un mode préféré de réalisation de l’invention, lesdites couches sont de préférence constituées essentiellement de nitrure de niobium, ou même sont constituées de nitrure de niobium, aux impuretés inévitables près.
La couche comprenant du nitrure de niobium ou du niobium peut comprendre en outre une faible quantité d’oxygène, par exemple tel que le rapport atomique O/Nb soit inférieur à 0,2, de préférence inférieur à 0,1. Selon un mode préféré toutefois, les couches comprenant du nitrure de niobium ou du niobium ne comprennent pas d’oxygène autrement que sous forme d’impuretés inévitables.
Dans les couches selon l’invention comprenant de l’oxyde de silicium, l’oxyde de silicium représente de préférence au moins 50% du poids desdites couches, sur la base d’une formulation SiO 2 , et de préférence plus de 80% ou même plus de 90% desdites couches, sur la base de la formulation SiO 2 . De préférence encore, lesdites couches sont constituées essentiellement d’oxyde de silicium, mais peuvent comprendre également de l’aluminium. L’aluminium est utilisé de façon bien connue, dans des proportions pouvant aller jusqu’à 10% atomique voire plus sur la base de la somme des éléments Si et Al, dans les cibles de silicium servant pour le dépôt par pulvérisation cathodique assisté par un champ magnétique (magnétron) des couches contenant du silicium, notamment les couches à base d’oxyde de silicium.
Dans les couches selon l’invention comprenant de l’oxyde de niobium, l’oxyde de niobium représente de préférence au moins 50% du poids desdites couches, sur la base d’une formulation Nb 2 O 5 , et de préférence plus de 80 % ou même plus de 90 % desdites couches, sur la base de la formulation Nb 2 O 5 . De préférence encore, lesdites couches sont constituées essentiellement d’oxyde de niobium.
Dans les couches selon l’invention comprenant de l’oxyde de titane, l’oxyde de titane représente de préférence au moins 50% du poids desdites couches, sur la base d’une formulation TiO 2 , et de préférence plus de 80 % ou même plus de 90 % desdites couches, sur la base de la formulation TiO 2 . De préférence encore, lesdites couches sont constituées essentiellement d’oxyde de titane.
Un domaine d’application envisagé est notamment, mais non exclusivement, celui de la fixation des câbles dans des zones d’un véhicule automobile où les parois sont recouvertes d’un élément d’habillage, par exemple insonorisant.
Usuellement, les parois de caisse des véhicules automobiles sont munies de goujons, autrement dit de tiges filetées soudées s’étendant en saillie des parois pour pouvoir y maintenir les agrafes de fixation.
Ces goujons sont mis en place sur la caisse par forgeage au moyen de robots. Le goujon prêt à poser présente une pipe fusible à une extrémité et un bras de robot maintien le goujon sensiblement perpendiculairement à la paroi, la pipe fusible en appui sur celle-ci. La paroi est alors portée à la masse et le passage d’un courant électrique de forte intensité à travers le goujon permet de fondre la pipe et de souder ainsi le goujon sur la paroi.
Ainsi, le goujon traverse l’élément d’habillage appliqué contre la paroi et le collier de réception peut aisément être installé à l’extrémité libre du goujon faisant sailli de l’élément d’habillage.
Toutefois, le processus de réalisation des caisses n’autorise la mise en place que d’un nombre limité de goujons sur les parois.
Aussi, il a été imaginé de concevoir une partie d’ancrage métallique en épingle à cheveux, adaptée à venir à cheval sur un bord de paroi habillée de véhicule.
La partie d’ancrage comporte alors deux branches recourbées l’une vers l’autre en définissant un fond et elle présente deux extrémités libres convergeant l’une vers l’autre.
Les deux branches forment alors pince et elles sont mobiles élastiquement l’une par rapport à l’autre. Et les deux extrémités libres présentent chacune un ergot d’arrêt, les ergots étant orientés l’un vers l’autre. De la sorte, ils peuvent venir en prise dans la paroi habillée tandis que les deux extrémités libres viennent pincer la paroi habillée. On pourra se référer au document chinois CN 210517632, lequel décrit une telle agrafe de fixation de câble.