Amplificateur à faible bruit (8) comprenant : un substrat (36) de silicium sur isolant, SOI, comprenant une couche d’oxyde enterrée (40), BOX, dans lequel ledit substrat SOI comprend une région massive (28) à l’intérieur de laquelle la couche d’oxyde enterrée (40) est retirée, dans lequel ledit substrat SOI est un substrat SOI à haute résistance, HR, comprenant une plaquette de manipulation en silicium (38) ayant une résistivité supérieure à 3 kΩ-cm; un transistor bipolaire (46,16) situé dans ladite région massive (26); et une couche métallique épaisse (MI) pour la connexion à l’amplificateur à faible bruit (8). Amplificateur à faible bruit (8) selon la revendication 1, dans lequel ledit transistor bipolaire (46, 16) est un transistor SiGe. Amplificateur à faible bruit (8) selon la revendication 1 ou 2, comprenant en outre une pluralité de couches métalliques minces (M1, M2, M3, M4) situées entre ladite couche métallique épaisse (MI, MJ) et ledit substrat SOI (36). Amplificateur à faible bruit (8) selon l’une quelconque des revendications précédentes, comprenant en outre une seconde couche métallique épaisse (MJ) décalée verticalement par rapport à la première couche métallique épaisse de sorte que les couches métalliques épaisses se recouvrent au moins partiellement. Amplificateur à faible bruit (8) selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la ou chaque couche métallique épaisse comprend du cuivre. Amplificateur à faible bruit (8) selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la ou chaque couche métallique épaisse (MI, MJ) a une épaisseur supérieure à 1 µm. Amplificateur à faible bruit (8) selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la ou chaque couche métallique épaisse (MI, MJ) a une épaisseur dans la plage de 2 µm à 4 µm. Amplificateur à faible bruit (8) selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel ledit amplificateur à faible bruit (8) comprend une structure cascode (14), et dans lequel ledit transistor bipolaire (16) est un émetteur commun de ladite structure cascode. Amplificateur à faible bruit (8) selon la revendication 8, dans lequel ledit LNA comprend un second transistor bipolaire (18) qui est agencé pour former une base commune de ladite structure cascode. Amplificateur à faible bruit (8) selon la revendication 8, comprenant en outre un transistor SOI (18), dans lequel ladite structure cascode (14) comprend ledit transistor SOI qui est agencé pour former une grille commune de ladite structure cascode. Amplificateur à faible bruit (8) selon la revendication 10, dans lequel ledit transistor SOI est un transistor (18) métal-oxyde-semi-conducteur complémentaire CMOS. Amplificateur à faible bruit (8) selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, et comprenant un circuit d’amplification de premier étage (30) et un circuit d’amplification de second étage (32), dans lequel ledit circuit d’amplification de premier étage comprend ledit transistor bipolaire (34) et dans lequel ledit circuit d’amplification de second étage comprend une structure cascode (14). Amplificateur à faible bruit (8) selon la revendication 12, dans lequel ladite structure cascode (14) comprend un premier transistor SOI (16) étant une source commune de ladite structure cascode et un second transistor SOI (18) étant une grille commune de ladite structure cascode. Amplificateur à faible bruit (8) selon la revendication 12, dans lequel ladite structure cascode comprend un second transistor bipolaire (54) dans une région massive dudit substrat SOI, dans lequel ledit second transistor bipolaire est un émetteur commun de ladite structure cascode, et un transistor SOI (56) est une grille commune de ladite structure cascode. Amplificateur à faible bruit (8) selon l’une quelconque des revendications 12 à 14, dans lequel ledit circuit d’amplification de premier étage (30) comprend une seconde structure cascode comprenant ledit transistor bipolaire étant un émetteur commun de ladite seconde structure cascode. Amplificateur à faible bruit (8) selon la revendication 15, dans lequel ladite seconde structure cascode comprend un second transistor bipolaire situé dans une région massive dudit substrat SOI, dans lequel ledit second transistor bipolaire est une base commune de ladite structure cascode. Amplificateur à faible bruit (8) selon la revendication 15, dans lequel ladite seconde structure cascode comprend un transistor SOI qui est une grille commune de ladite structure cascode. Appareil de télécommunications comprenant un amplificateur à faible bruit (8) selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel l’amplificateur à faible bruit (8) est disposé dans l’appareil pour amplifier un signal reçu par l’appareil.