INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
BREVE DESCRIPTION DES FIGURES La description qui va suivre sera mieux comprise à l’aide des dessins en annexes sur lesquels : est une représentation d’un système de freinage selon un exemple de réalisation, sont des représentations graphiques de la variation du courant d’alimentation du frein de parking électrique et de la variation de la force de serrage qui en résulte pour les deux freins de parking dans une première configuration de fonctionnement, sont des représentations graphiques de la variation du courant d’alimentation du frein de parking électrique et de la variation de la force de serrage qui en résulte pour les deux freins de parking dans une seconde configuration de fonctionnement.
DESCRIPTION DETAILLES DE MODES DE REALISATION Sur la , on peut voir un véhicule V, représenté schématiquement, comportant un système de freinage S comprenant des freins F équipant chaque roue.
Le système de freinage comporte également un dispositif de freinage de parking comportant un premier frein de parking FP1 au niveau de la roue arrière droite et un deuxième frein de parking FP2 au niveau de la roue arrière gauche.
Les freins de parking FP1 et FP2 sont des freins de parking électriques.
Généralement le frein de parking est intégré au frein de service.
Dans le cas d’un frein à disque, un motoréducteur est intégré dans le frein et assure le déplacement du piston, par exemple au moyen d’un système vis-écrou.
Dans le cas d’un frein à tambour, un motoréducteur fixé sur le plateau assure l’application des garnitures contre le tambour par exemple au moyen d’un système vis-écrou.
Lorsque le système de freinage de parking comporte deux freins de parking, ceux-ci sont généralement disposés pour agir sur les deux roues d’un même essieu.
Dans le cas où le rapport d/D est supérieur à la valeur prédéterminée, le deuxième port de raccordement P2 du deuxième composant est donc considéré comme devant être connecté via le point A. La trajectoire optimale de la durite principale 10 suit le segment [P1P2], en émergeant du deuxième composant C2 directement par le point A.
Finalement, dans cette troisième configuration, la trajectoire optimale correspond à celle qui permet de « faire sortir » la durite principale 10 du deuxième composant C2 avec une portion de cette durite principale 10 qui traverse le composant la plus courte possible.
A l’issue de l’étape E6, le calculateur a donc déterminé, sous forme de lignes brisées T B , le tracé des trajectoires des durites principales 10 répertoriées dans le schéma de routage obtenu à l’étape E2. Un exemple d’une telle ligne brisée T B s’étendant entre le premier port de raccordement P1 et le deuxième port de raccordement P2 est représenté sur la .
Selon le plan de construction établi à l’étape E4, le calculateur détermine ensuite un tracé représentant la trajectoire optimale de chaque durite secondaire 20 (étape E8).
Pour les durites secondaires s’étendant entre deux ports de raccordement appartement respectivement à deux composants, les trois configurations décrites pour les durites principales 10 s’appliquent de la même manière.
Pour les durites secondaires 20 s’étendant entre un port de raccordement P3 présent sur un composant C5 et une durite principale 10 ( ), les trois configurations décrites précédemment s’appliquent, en assimilant la jonction à un port de raccordement. Toutefois, le calculateur doit déterminer la position de la jonction sur la durite principale 10. En d’autres termes, le calculateur doit déterminer à quel niveau de la durite principale 10 est effectué le raccordement.
De manière générale, le raccordement peut être effectué à tout endroit de la durite principale 10 concernée.
De manière préférentielle, le calculateur détermine la position de branchement optimale sur la durite principale 10 par minimisation de la longueur de la durite secondaire 20 entre un port de raccordement P3 sur un composant C5 et la jonction sur la durite principale 10 ( ). En d’autres termes, la trajectoire optimale de la durite secondaire 20 entre le port de raccordement P3 et la jonction sur la durite principale 10 est la trajectoire qui minimise la longueur de la durite secondaire 20.
Selon un premier mode de réalisation, le calculateur minimise la longueur de la durite secondaire 20 en en minimisant l’abscisse curviligne. Pour cela, le calculateur met par exemple en œuvre un algorithme génétique permettant de tester une pluralité de configurations possibles pour le branchement de la durite secondaire 20 et d’obtenir une configuration qui s’approche de la configuration optimale (une infinité de possibilités de branchement étant envisageable dans ce cas).
De manière plus concrète, le calculateur peut mettre en œuvre cet algorithme pendant un intervalle de temps limité (par exemple quelques minutes) et sélectionne la trajectoire de la durite secondaire 20 présentant l’abscisse curviligne minimale parmi toutes celles déterminées pendant cet intervalle de temps limité.
En variante, le calculateur peut tester un nombre limité de configurations de branchement pour la durite secondaire 20 et sélectionner la trajectoire de la durite secondaire 20 présentant l’abscisse curviligne minimale parmi toutes celles déterminées. Le calculateur teste par exemple quelques milliers de configurations de branchement pour la durite secondaire 20.
Selon un deuxième mode de réalisation, représenté sur la , le calculateur définit un nombre discret de possibilités de positionnement de la jonction J1, J2, J3, J4 de branchement de la durite secondaire 20 sur la durite principale 10. En d’autres termes, le calculateur effectue une discrétisation de la durite principale 10 en un nombre fini de portions. Ce nombre fini est par exemple inférieur à 10.
Sur la , il est prévu quatre portions et donc quatre jonctions J1, J2, J3, J4 possibles pour raccorder la durite secondaire 20 sur la durite principale 10.
La trajectoire optimale de la durite secondaire 20 est donc celle, parmi le nombre fini de jonctions possibles, permettant de minimiser la longueur de la durite secondaire 20.
Par exemple, dans le cas de la , le calculateur détermine la trajectoire optimale de la durite secondaire 20 parmi les quatre trajectoires 20A, 20B ; 20C ; 20D possibles correspondant aux quatre jonctions J1, J2, J3, J4 considérées, en sélectionnant celle qui minimise la longueur de la durite secondaire.
Finalement, à l’issue de l’étape E8, le calculateur a donc déterminé, sous forme de lignes brisées, le tracé des trajectoires des durites secondaires répertoriées dans le schéma de routage obtenu à l’étape E2.
- est l’angle de roulis.
L’étape de détermination 100 comprend la détermination, à chaque instant, de la consigne de vitesse en roulis en fonction des données de pointage DP reçues et de la dernière vitesse support-cible V S reçue.
La consigne de vitesse en roulis est déterminée selon des lois de commande en roulis différentes lorsque l’angle de site S est strictement supérieur à un angle de site limite, dit angle singulier S L , et lorsque l’angle de site S est inférieur ou égal à l’angle singulier S L . L’angle singulier est typiquement de quelques degrés, par exemple est inférieur ou égal à 5 degrés. La illustre un exemple des différentes lois de commandes en roulis appliquées dans et hors du cône singulier C sing .
De préférence, lorsque l’angle de site S est strictement supérieur à l’angle singulier S L , la loi de commande en roulis est de la forme suivante :
- est la consigne de vitesse en roulis,
- p est la vitesse de rotation du support 22 autour de l’axe primaire X,
- q est la vitesse de rotation du support 22 autour de l’axe secondaire Y,
- r la vitesse de rotation du support 22 autour de l’axe tertiaire Z,
- est l’angle de roulis de la direction de pointage P, et
- est l’angle de site de la direction de pointage P.
De préférence, lorsque l’angle de site S est inférieur ou égal à l’angle singulier S L , la loi de commande en roulis est dépourvue de termes en avec S l’angle de site de la direction de pointage P.
Dans un exemple de mise en œuvre, lorsque la cible C est dans le cône singulier C sing , la loi de commande en roulis est fonction d’une estimation de l’angle de roulis R de la cible C lors de la prochaine sortie de la cible C du cône singulier C sing .
Selon cet exemple de mise en œuvre, de préférence, la loi de commande en roulis est : tant que la cible C est dans le cône singulier C sing et que la vitesse support-cible V S est constante, une loi de commande en roulis initiale déterminée lors de la dernière entrée de la cible C dans le cône singulier C sing , et lorsque la cible C est dans le cône singulier C sing , et à chaque fois que la vitesse support-cible V S reçue varie, une loi de commande en roulis mise à jour à partir du point du cône singulier C sing correspondant à la réception de la vitesse support-cible V S .
Selon cet exemple de mise en œuvre, de préférence, lorsque l’angle de site S est inférieur ou égal à l’angle singulier S L , chacune de la loi de commande en roulis initiale et des éventuels lois de commandes en roulis mises à jour sont déterminées en fonction d’un angle de roulis initial R 0 et d’un angle de roulis final R F .
L’angle de roulis initial R 0 est l’angle de roulis en un point du cône singulier C sing , dit point de départ P D . Le point de départ P D est le point d’entrée de la cible C dans le cône singulier C sing pour la loi de commande en roulis initiale et est le point du cône singulier C sing correspondant à la réception de la dernière vitesse support-cible V S pour chaque loi de commande en roulis mise à jour.
Par ailleurs, l’épaisseur de murs communs entre deux cellules 100 peut être définie comme étant égale à une valeur . L’épaisseur du cadre de support 132 peut être faible et être en outre ajustée, par exemple minimisée, de manière à atténuer les pertes de transmission des faisceaux SRF10 et/ou SRF20 aux interfaces entre l’air et le guide d’onde (par exemple en entrée de cadre 131 et/ou en sortie de cadre 132). Il est à noter que les pertes de transmission sur une bande de fréquence et un secteur angulaire donnés sont proportionnelles au rapport . La réduction de la bande passante et la réduction du secteur angulaire associé à l’onde RF peuvent être corrélées à la quantité de matière métallique formant le cadre de support 130. La minimisation de l’épaisseur de mur peut de surcroît entrainer une minimisation de la masse totale du dispositif 10, tout en garantissant sa rigidité. Avantageusement, l’épaisseur de mur est inférieure à la longueur d’onde , ce qui permet de conférer une stabilité de transmission de l’onde RF par rapport à la variation de l’angle d’ouverture d’incidence (notamment de réception ) sur le dispositif 10. En particulier, l’épaisseur de mur selon les modes de l’invention peut être comprise entre et . L’épaisseur de mur peut être en outre définie en fonction des avantages et contraintes associées au processus de fabrication du dispositif 10. Par exemple et de façon non limitative, lorsque le dispositif est fabriqué en utilisant un processus de fabrication additive (ou technique d’impression 3D), l’épaisseur de murs entre deux cellules 100 d’un dispositif de contrôle de faisceaux RF 300 peut être égale à une valeur . Lorsque le dispositif est fabriqué en utilisant un processus de fabrication dit traditionnelle, l’épaisseur de murs entre deux cellules 100 peut être égale à une valeur .
Dans certains modes de réalisation, l’entrée de cadre 131 peut être « refermée » (ou « scellée ») dans le plan (X,Y) par une paroi de fermeture 11-0 (non représentée sur la figure 3 mais illustrée sur la figure 6). Avantageusement, l’épaisseur de cette paroi de fermeture 11-0 peut être égale à l’épaisseur de mur . En particulier, chaque cadre de support 130 peut comprendre une entrée de cadre 131 refermée suivant la face d’entrée 11 du dispositif 10. Un dispositif 10 comprenant des parois de fermeture 11-0 de l’entrée de cadre 131 des cellules présente des avantages de fabrication et de solidité de structure. Cette paroi de fermeture 11-0 peut être métallique.
Dans les modes de réalisation où la section transverse des cellules 100 du dispositif 10 est polygonale, les différentes cellules 100 étant adjacentes et connectées entre elles par les faces prismatiques, l’ensemble des parois de fermeture 11-0 de l’entrée de cadre 131 des cellules peut former une plaque d’entrée unique. Cette plaque d’entrée correspond à un plan de masse du dispositif 10.
Pour un dispositif 10 comprenant des cellules 100 de section transverse polygonale comprenant un nombre de côtés , le dispositif 10 peut présenter des avantages de fabrication puisque la structure globale présente moins de matière. Alternativement, pour un dispositif 10 comprenant des cellules 100 de section transverse circulaire ou polygonale définie selon , le dispositif 10 peut présenter de meilleures propriétés d’impédance (en partie d’entrée active) des éléments rayonnants par rapport à la variation de l’angle d’ouverture (i.e. l’orientation angulaire) des faisceaux SRF10 et/ou SRF20 au niveau des interfaces entre l’air et le guide d’onde.
Chaque cellule 100 du dispositif de contrôle de faisceaux RF 10 comprend un élément d’excitation interne 150 de la cellule 100 tel que représenté sur les figures 4, 5 et 6. L’implémentation d’un élément d’excitation 150 interne au cadre de support 130 permet de préserver les propriétés intrinsèques large bande du guide d’onde. En particulier, l’implémentation d’un élément d’excitation 150 interne dans le cadre de support 130 permet la conversion progressive du mode fondamental du signal RF circulant dans le guide d’onde vers le mode TEM du signal RF qui se propage dans les sections à fentes.
Selon certains modes de réalisation, un élément d’excitation 150 peut comprendre un nombre de structures métalliques longitudinales 152-h s’étendant selon l’axe du cadre Z et agencées à l’intérieure de la cellule 100. « h » est un indice associé aux différentes fentes, avec . Chaque structure métallique 152-h, également appelée « nervure », est connectée au cadre de support 130 par un bord de nervure h0 défini, selon l’axe du cadre Z, s’étendant de l’entrée de cadre 131 (i.e. position d’entrée ) jusqu’à une position de nervure notée . Comme représenté sur la vue en perspective d’une cellule de la figure 4, la position de nervure est agencée entre l’entrée de cadre 131 (i.e. position d’entrée ) et la sortie de cadre 132 (i.e. position de sortie ). Ainsi, chaque nervure 152-h a une longueur de nervure selon l’axe du cadre Z, tel que et que (ou ).
La répartition de l’ensemble des nervures à l’intérieur du cadre de support 130 peut être déterminée en fonction du périmètre P de la section transverse de la cellule 100 et du nombre de nervures 152-h.
Dans le mode de réalisation où la section transverse de la cellule 100 est une section transverse polygonale, une nervure 152-h peut être disposée à l’intérieur du cadre au niveau d’une arête du polyèdre formant la cellule et orientée selon l’axe du cadre Z. Le nombre de nervures dans une cellule peut en outre être défini en fonction du nombre de fentes 133-n et/ou du nombre de côtés de la section transverse polygonale d’une cellule 100. Par exemple et sans limitation, le nombre de nervures 152-h peut être égal au nombre de fentes 133-n. L’ensemble des nervures peuvent être régulièrement réparties autour du guide d’onde selon un espacement régulier entre les nervures, par exemple égal au rapport du périmètre P sur le nombre . Comme représenté dans l’exemple de la figure 4, chaque nervure 152-h peut être positionnée au niveau de chaque arête du polyèdre formant la cellule (tel que ), tandis que chaque fente 133-n peut être positionnée sur un côté de la cellule 100. Dans une variante, chaque nervure 152-h peut être positionnée au niveau d’une surface latérale intérieure de la cellule 100.
En particulier, dans les modes de réalisation où l’onde électromagnétique du signal RF circulant dans le guide d’onde 130 comprend une polarisation linéaire donnée définie selon un axe X’ défini dans le plan (X,Y), chaque nervure 152-h peut être positionnée dans un plan orthogonal aux fentes 133-n de la cellule 100, les fentes étant alors agencées parallèlement au champ électrique de l’onde électromagnétique du signal RF circulant dans le guide d’onde 130.
Dans des modes de réalisation, la position de nervure selon l’axe du cadre Z peut être agencée entre l’entrée de cadre 131 (i.e. position d’entrée ) et une position de fente , de sorte que la nervure 152-h se situe dans une première partie de longueur correspondant au cadre de support 130 sans fente avec . Alternativement, la position de nervure peut être agencée entre la sortie de cadre 132 (i.e. position de sortie ) et une position d’une fente 133-n, tel . Dans ce cas, une partie de la nervure 152-h et une partie de la fente 133-n peuvent se recouvrir (ou être « superposées ») au moins partiellement sur une distance de recouvrement comprise entre et . Une cellule 100 comprenant une superposition entre des nervures et des fentes permet d’assurer une conversion progressive du mode fondamental du signal RF circulant dans le guide d’onde (guide nervuré dans ce cas) vers le mode TEM du signal RF qui se propage dans les sections à fentes (guide à fentes). Une telle superposition entre des nervures et des fentes permet également d’obtenir une conception de cellule 100 compacte.
En outre, chaque nervure 152-h a une épaisseur et une largeur . L’épaisseur de nervure et/ou la largeur de nervure sont des dimensions variables selon l’axe Z tel que chaque nervure 152-h comprend une pluralité de « marches » distribuées le long de l’axe du cadre Z.
Dans certains modes de réalisation, l’épaisseur de nervure et/ou la largeur de nervure prend une valeur maximale (respectivement et ) à l’entrée de cadre 131 (i.e. position d’entrée ), et une valeur minimale (respectivement et ) à la position de nervure . Le nombre de marches et leur dimensions peuvent être déterminées en fonction de la longueur de nervure et de valeurs maximales et minimales de nervures ( , , et ), selon un profil de variabilité de nervure noté . Avantageusement, la valeur minimale de l’épaisseur de nervure et/ou de la largeur de nervure peut être égale à l’épaisseur de mur .
Les différentes dimensions de la nervure 152-h sont configurées pour contribuer à la conversion de modes dans le guide d’onde de la cellule 100. De manière générale, les épaisseurs et les hauteurs des marches des nervures 152-h peuvent notamment varier de façon décroissante selon l’axe Z, de la position d’entrée à la position de nervure .
Avantageusement, les dimensions des nervures d’une même cellule 100 et/ou des fentes de l’ensemble des cellules 100 du dispositif de contrôle de faisceaux RF 10 peuvent être identiques ou différentes entre elles en fonction des modes d’application de l’invention.
En l’absence de ces éléments de nervures 152-h, et avec une maille du réseau faible (entre 0.4 et 0.6 ), il n’est plus possible de propager un mode sur une large bande RF pour exciter l’élément rayonnant.
Dans des modes de réalisation, un cadre de support 130 associé à des nervures 152-h peut comprendre un polariseur (ou polariseur dit ‘à septum’ et non représenté sur les figures) permettant de générer un rayonnement à double polarisation circulaire. Tel qu’utilisé ici, un « polariseur » fait référence à un élément destiné à convertir, d'une part, les signaux SRF20 reçus ayant une polarisation circulaire en des signaux SRF22 ayant une polarisation linéaire et, d'autre part, les signaux SRF12 à émettre ayant une polarisation linéaire en des signaux SRF10 ayant une polarisation circulaire. Le polariseur peut être formé par une lame interne s’étendant selon l’axe du cadre Z et générée à partir de deux nervures 152-h reliées au moins en partie entre elles à l’intérieur de la cellule 100. Par exemple, les deux nervures 152-h reliées pour former le polariseur peuvent être issues de arêtes opposées du cylindre droit polygonal ou sur deux surfaces latérales intérieures opposées du cylindre droit polygonal.
En outre, du fait de la réduction drastique des opérations de transfert de vendange et de pompage de jus pouvant être obtenue avec un dispositif de pressurage selon la présente divulgation, la main d’œuvre est réduite, aussi pour les opérations de nettoyage du matériel.
Enfin, l’acquisition pour un chai, notamment un nouveau chai, d’un tel dispositif de pressurage évite la construction d’un atelier de pressurage et le matériel peut être mutualisé comme le matériel de récolte permettant un amortissement encore plus rapide.
Procédé d’hydrophobisation d’un substrat en verre La présente invention concerne un substrat verrier dont la surface a été rendue hydrophobe par greffage d’alkylsilanes non-fluorés et un procédé de fabrication d’un tel substrat.
Les propriétés hydrophobes sont recherchées pour les vitres latérales et pare-brise dans le domaine du transport, en particulier pour les véhicules automobiles, où il est essentiel, pour des raisons de sécurité évidentes, d’optimiser la transparence des vitrages même en cas de pluie. Les gouttes de pluie doivent s’accrocher le moins possible à la surface extérieure du vitrage et, au contraire, s’écouler facilement sous l’effet de la gravité ou des flux aérodynamiques.
Les deux paramètres utilisés pour caractériser le caractère hydrophobe de la surface d’un vitrage sont l’angle de contact (θ) d’une goutte d’eau et l’hystérèse de l’angle de contact (Δθ).
L’hydrophobie des vitres doit bien entendu résister le plus longtemps possible à l’abrasion et à l’attaque chimique par l’environnement (eau, rayonnement UV).
Il est connu d’augmenter l’hydrophobie des vitrages de véhicules en greffant à la surface de la feuille de verre une des alkylsilanes perfluorés, généralement après création préalable d’une couche de primaire en silice par un procédé sol-gel, par pulvérisation cathodique magnétron ou par dépôt chimique en phase vapeur (CVD).
Les composés perfluorés sont toutefois considérés comme nocifs pour l’environnement et la santé humaine. Le caractère persistant de ces composés dans l’environnement et dans le corps humain, associé aux effets sanitaires néfastes, a récemment augmenté la pression règlementaire concernant leur usage, notamment via les règlements européens REACH et POP. Cela pourrait entraîner une interdiction massive de ces composés à l’horizon de 2025 ou, au plus tard, de 2030.
La présente invention vise à proposer un procédé d’hydrophobisation de substrats verriers, notamment destinés à l’industrie automobile, qui permet l’obtention de vitrages ayant un caractère hydrophobe satisfaisant et persistant sans utilisation de composés perfluorés.
Dans le cadre de ses recherches visant à trouver des molécules non toxiques, susceptibles de remplacer les alkylsilanes perfluorés utilisés jusqu’ici pour l’hydrophobisation de substrats verriers, la Demanderesse a testé un grand nombre de silanes fonctionnels hydrophobes à chaîne grasse hydrocarbonée.
Presque tous les alkylsilanes testés ont permis d’obtenir des angles de contact d’une goutte d’eau (θ) satisfaisants, c’est-à-dire supérieurs à 90°, voire supérieurs à 95°, et même pour certains supérieurs à 100°, une hystérèse (Δθ) inférieure à celle obtenue après greffage du 1H,1H,2H,2H-perfluoroalkyltriéthoxysilane (SiF5E), une résistance aux rayonnements ultraviolets et une résistance à la corrosion satisfaisantes.
Le problème technique rencontré a été la faible durée de vie des revêtements hydrophobes ainsi préparés. Certains d’entre eux présentaient une résistance à l’abrasion mécanique insuffisante.
La présente invention est basée sur la découverte que les alkylsilanes à chaîne grasse en C 8 à C 16 permettaient, contrairement aux alkylsilanes à chaîne hydrocarbonée plus courte ou plus longue, de produire sur des substrats verriers des revêtements hydrophobes durables, c’est-à-dire présentant à la fois une résistance à l’abrasion mécanique, une résistance aux UV et une résistance à la corrosion satisfaisantes.