INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Dans une réalisation du premier aspect, ladite structure cascode comprend un deuxième transistor bipolaire dans une région massive de ladite tranche SOI, dans lequel ledit deuxième transistor bipolaire est un émetteur commun de ladite structure cascode, et un transistor SOI qui est une grille commune de ladite structure cascode.
Dans une réalisation du premier aspect, ledit circuit d’amplification de premier étage comprend une deuxième structure cascode comprenant ledit transistor bipolaire qui est un émetteur commun de ladite deuxième structure cascode.
Dans une réalisation du premier aspect, ladite deuxième structure cascode comprend un deuxième transistor bipolaire situé dans une région massive de ladite tranche SOI, dans lequel ledit deuxième transistor bipolaire est une base commune de ladite structure cascode.
Dans une réalisation du premier aspect, ladite deuxième structure cascode comprend un transistor SOI qui est une grille commune de ladite structure cascode.
Conformément à un deuxième aspect de l’invention, il est fourni un appareil de télécommunications comprenant un module de LNA à commutateur selon l’une quelconque des réalisation du premier aspect, dans lequel le commutateur du module de LNA à commutateur est agencé dans ledit appareil pour passer d’un mode récepteur à un mode émetteur dudit appareil.
Des modes de réalisation préférés de l’invention sont décrits ci-dessous en référence aux dessins ci-joints. BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS
Sur la , l'orientation de la structure de la reste inchangée. En revanche, la structure de la est retournée.
Lors de cette étape, la structure de la est rapportée sur la face supérieure de la structure de , en utilisant le substrat 111 comme poignée. La face inférieure (dans l'orientation de la , correspondant à la face supérieure dans l'orientation de la ) de la couche conductrice 117 est fixée sur la face supérieure de la couche conductrice 123. La fixation est par exemple obtenue par collage direct ou collage moléculaire de la face inférieure de la couche 117 sur la face supérieure de la couche 123, c'est-à-dire sans apport de matière entre les deux couches.
Lors cette étape, les deux structures sont alignées de façon à disposer les zones de confinement 115 des futures LED élémentaires du dispositif hors du vis à vis des vias conducteurs 121. A titre d’exemple, dans chaque LED, la zone de confinement 115 de la LED est située en vis à vis d’une partie centrale du plot 105, un ou plusieurs vias conducteur 121 étant situés en vis à vis d’une partie périphérique de chaque plot métallique 105.
La illustre la structure obtenue à l’issue d’une étape de retrait du substrat 111, par exemple par décollage laser ou par meulage.
La illustre la structure obtenue à l’issue d’une étape de retrait de la couche tampon 112 et, éventuellement, d’amincissement de la couche semiconductrice 113a, par exemple par gravure plasma, de façon à obtenir l’épaisseur de cavité verticale souhaitée des VCSEL (c’est à dire la distance entre le réflecteur de Bragg inférieur 119 et le réflecteur de Bragg supérieur ( ) des VCSEL).
La illustre la structure obtenue à l’issue d’une étape de dépôt d’une couche conductrice transparente 125 sur et en contact avec la face supérieure de la couche semiconductrice 113a, puis de structuration de la couche conductrice supérieure 125, de l’empilement actif de LED 113, et des couches conductrices inférieures 117 et 123. La couche 125 est par exemple en un oxyde conducteur transparent, par exemple en ITO. A titre d’exemple, la couche 125 est d’abord déposée de façon continue et avec une épaisseur sensiblement uniforme sur toute la surface de la couche 113a. Des tranchées 127 s'étendant verticalement dans la couche 125, l'empilement actif de LED 113, et les couches 117 et 123, sont ensuite formée à partir de la face supérieure de la structure. Les tranchées 127 délimitent latéralement une pluralité d'ilots 129 définissant les LED individuelles des futures puces élémentaires du dispositif. Les tranchées 127 sont par exemple formées par gravure plasma. A titre d’exemple, la gravure de la couche 125, la gravure de l’empilement actif de LED 113 et les gravures des couches 123 et 117 sont autoalignées. Pour cela, une même couche de masquage (non représentée sur les figures) peut être utilisée pour graver la couche 125, l’empilement actif de LED 113 et les couches 123 et 117. Ceci permet avantageusement de structurer la couche 125, l’empilement actif de LED 113 et les couches 123 et 117 au moyen d’une unique étape de photolithographie.
Dans l'exemple de la , les tranchées 127 s'interrompent sur la face supérieure du réflecteur de Bragg inférieur 119 de la structure. A titre de variante, une couche d’arrêt de gravure, non représentée, peut être présente entre la face supérieure du réflecteur de Bragg 119 et la face inférieure de la couche conductrice inférieure 123. Dans une autre variante, non représentée, les tranchées 127 sont prolongées à travers le réflecteur de Bragg inférieur 119 et s’interrompent sur la face supérieure du circuit intégré de contrôle. En vue de dessus (non représentée), les tranchées 127 forment une grille séparant latéralement les LED élémentaires les unes des autres.
La portion de l'empilement des couches conductrices inférieures 117 et 123 subsistant sous chaque LED à l'issue de cette étape constitue une électrode d'anode de la LED. Cette électrode d'anode est connectée électriquement à un plot métallique de connexion 105 du circuit élémentaire de contrôle 103 sous-jacent par l’intermédiaire d’un ou plusieurs vias conducteurs 121 traversant le réflecteur de Bragg inférieur 119 en périphérie de la zone de confinement 115 de la LED. Ainsi, chaque LED a son électrode d'anode connectée individuellement à un plot métallique de connexion 105 du circuit élémentaire de contrôle.
La portion de la couche conductrice supérieure 125 située sur chaque LED constitue une électrode de cathode de la LED.
La illustre la structure obtenue à l’issue d’une étape de remplissage des tranchées 127 par un matériau électriquement isolant 131, par exemple un oxyde, par exemple de l’oxyde de silicium.
La illustre une étape ultérieure de dépôt d’une couche conductrice transparente 133 sur et en contact avec la face supérieure de la structure de la . La couche 133 s’étend par exemple de façon continue et avec une épaisseur sensiblement uniforme sur toute la surface supérieure de la structure. Ainsi, la couche 133 est en contact, par sa face inférieure, avec la face supérieure des électrodes de cathode 125 des LED et avec la face supérieure du matériau diélectrique 131 isolant latéralement les LED.
A l’issue de cette étape, les électrodes de cathode des LED sont connectées électriquement les unes aux autres par l’intermédiaire de la couche conductrice 133. Dans chaque puce élémentaire du dispositif, la couche conductrice de cathode commune 133 peut être connectée électriquement à un plot métallique de connexion 105 du circuit intégré de contrôle de la puce au niveau d’une zone périphérique de reprise de contact, non représentée.
A titre de variante, non représentée, la couche conductrice transparente 133 peut être remplacée par une couche conductrice opaque, par exemple métallique, comprenant une ouverture traversante en vis à vis d’une partie centrale de chaque LED du dispositif, de façon à former une grille conductrice de cathode commune.
La illustre une étape ultérieure de formation d’un réflecteur de Bragg supérieur 135 au-dessus de chaque LED élémentaire du dispositif. A titre d’exemple, le réflecteur de Bragg supérieur est d’abord formé de façon continue sur toute la structure, puis structuré en plots élémentaires situés respectivement en vis à vis des LED élémentaires. A titre de variante, l’étape de structuration du réflecteur en plots élémentaires peut-être omise. Le réflecteur de Bragg 135 est par exemple en contact, par sa face inférieure, avec la face supérieure la couche conductrice cathode commune 133 de la structure.
Le réflecteur de Bragg 135 est constitué d’un empilement de couches transparentes alternées d’indices de réfraction distincts. A titre d’exemple, le réflecteur de Bragg est constitué d’une alternance de couches transparentes diélectriques. La structure du réflecteur de Bragg supérieur 135 est par exemple identique ou similaire à celle du réflecteur de Bragg inférieur 119.
A ce stade, chaque puce élémentaire comprend une pluralité de VCSEL comprenant chacun une LED élémentaire entre un réflecteur de Bragg inférieur 119 et un réflecteur de Bragg supérieur. L’épaisseur de la cavité résonante des VCSEL, correspondant à la distance entre le réflecteur de Bragg inférieur 119 et le réflecteur de Bragg supérieur 135, est choisie en fonction de la longueur d’onde d’émission des LED. A titre d’exemple, l’épaisseur de la cavité résonante des VCSEL est un multiple de la longueur d’onde d’émission des LED.
la est une vue schématique d’une étape de découpe manuelle d’une couche d’un renfort fibreux, selon la technique antérieure à l’invention,
la est un schéma bloc illustrant des étapes d’un procédé selon l’invention,
les figures 3a à 3c sont des vues très schématiques d’un renfort fibreux, et illustrent des étapes et sous-étapes du procédé selon l’invention, et
les figures 4a à 4c sont des vues très schématiques d’un renfort fibreux, et illustrent une étape du procédé selon l’invention.
Description détaillée de l'invention La illustre la technique antérieure et a été brièvement décrite dans ce qui précède.
La est un organigramme représentant des étapes d’un procédé selon l’invention.
L’invention concerne tout d’abord un premier procédé qui est un procédé de découpe d’un renfort fibreux. Ce procédé comprend deux étapes successives référencées a) et b), chacune de ces étapes pouvant comprendre des sous étapes.
Par ailleurs, ce procédé fait partie d’un second procédé qui est un procédé de réalisation d’une pièce en matériau composite, par exemple à matrice céramique (ou matériau CMC) ou organique (ou matériau CMO). Ce second procédé comprend plusieurs étapes comme évoqué dans ce qui précède, mais peut se résumer en deux étapes essentielles référencées i) et ii). La première étape i) est réalisée par le premier procédé et les étapes a) et b) précitées. Plus précisément, la première étape i) du second procédé consiste à découper un renfort fibreux grâce au premier procédé.
La seconde étape ii) du second procédé consiste à positionner à imprégner le renfort fibreux avec une céramique ou une résine destinée à former la matrice de la pièce en CMC ou CMO. Cette étape d’imprégnation peut être réalisée dans un moule et ne doit pas être interprétée de manière limitative.
Les étapes a) et b) du premier procédé de découpe consistent à :
a) découper au laser un contour périphérique du renfort fibreux, et en particulier de la superposition de couches, et
b) découper des couches de la superposition de couches, le nombre de couches découpées étant inférieur au nombre total de couches de cette superposition de couches.
Le premier procédé peut comprendre, avant l’étape a), une étape préliminaire x) de réalisation du renfort fibreux. Le renfort fibreux peut être obtenu par tissage de fibres, par exemple en trois dimensions.
Les fibres peuvent être en céramique, par exemple en SiC, ou être en carbone, verre ou aramide.
Le matériau destiné à former la matrice peut être en céramique par exemple en SiC, ou en résine par exemple époxy.
La figure 3a illustre renfort fibreux 20. Dans l’exemple représenté, ce renfort fibreux 20 comprend deux parties 22, 24. Une partie 22 du renfort fibreux 20 est monocouche et comprend donc une seule couche. Une autre partie 24 du renfort fibreux 20 comprend une superposition de couches 26, et ici une superposition de deux couches.
Un tel procédé est particulier en ce qu’il est mis en œuvre par un équipement gestionnaire de ladite architecture distribuée et qu’il comprend les étapes suivantes : - obtention de données relatives à une opération de maintenance impactant au moins un premier équipement d’un réseau de distribution d’électricité alimentant un premier centre de données de ladite architecture distribuée, lesdites données comprenant au moins une durée de maintenance dudit premier équipement, - lorsque la durée de maintenance du premier équipement est supérieure ou égale à une durée d’autonomie d’au moins un premier équipement électrique alimentant localement ledit premier centre de données, transmission, à destination d’une entité de déploiement des nœuds de virtualisation au sein de l’architecture distribuée, d’une première liste comprenant au moins un identifiant d’au moins un deuxième équipement du réseau de distribution d’électricité alimentant ledit premier centre de données présentant une durée de maintenance inférieure ou égale à la durée d’autonomie du premier équipement électrique.
Un tel procédé permet de s’assurer que la survenue d’une opération de maintenance dans un réseau de distribution d’électricité n’a pas d’impact négatif sur l’exécution de fonctions virtualisées critiques.
Plus particulièrement, une telle solution permet d’anticiper le déploiement de nœuds de virtualisation en fonction d’un programme de maintenance d’équipements de réseaux de distribution d’électricité alimentant les différents sites abritant les centres de données d’une même architecture distribuée. Ainsi, les fonctions virtualisées exécutées par un nœud de virtualisation hébergé dans un serveur, ou une machine virtuelle, impacté par une maintenance du réseau de distribution électrique particulièrement sensibles peuvent être soit migrées soit dupliquées par anticipation vers des serveurs pour lesquels l’alimentation électrique est garantie. Le déploiement par anticipation d’un nœud de virtualisation permet de garantir la réservation de ressources.
Dans certains cas, la migration de la fonction virtualisée impacte de manière non négligeable la qualité du service requis. Il est donc préférable de déclencher une telle migration uniquement lors de la survenue d’une défaillance de l’équipement alimentant électriquement le serveur.
Dans d’autres cas, il est préférable de dupliquer la fonction virtualisée dès que le second nœud de virtualisation est créé et migrer le client du service vers la seconde fonction virtualisée lors de la survenue de la défaillance de l’équipement alimentant électriquement le serveur.
Une telle solution permet également une gestion raisonnée des serveurs car, connaissant la programmation des maintenances devant intervenir sur un réseau de distribution d’électricité, il est possible de réserver uniquement les ressources nécessaires et cela pour une durée ajustée aux besoins. Cela permet d’optimiser la gestion des différents pools de serveurs appartenant à une même architecture distribuée et de ne pas réserver inutilement ou pour des durées trop longues des ressources au sein d’un ou plusieurs serveurs.
La mise en œuvre d’une telle solution repose sur l’obtention par un équipement gestionnaire d’une architecture distribuée d’informations relatives à des opérations de maintenance impactant les réseaux de distribution d’électricité alimentant les différents centres de données d’une même architecture distribuée. Un tel équipement gestionnaire centralise des informations telles que l’identité et la localisation géographique du ou des serveurs sur lesquels les nœuds de virtualisation sont déployés mais également les besoins en termes de ressources de calcul, de stockage, de mémoire, de communication et d’énergie, mais également des informations relatives à une durée d’indisponibilité de certains équipements du réseau de distribution électrique alimentant les serveurs des centres de données de l’architecture distribuée.
Fort de ces diverses informations, l’équipement gestionnaire est capable d’anticiper le déploiement de nœuds de virtualisation vers lesquels migrer l’exécution de fonctions virtualisées en anticipation d’une coupure de l’alimentation électrique des serveurs sur lesquels ces fonctions virtualisées sont en cours d’exécution afin d’offrir une continuité de service.
Un tel procédé peut comprendre en outre, lorsque ladite première liste est vide, les étapes suivantes : - réception, en provenance de ladite entité de déploiement, d’une requête en identification d’au moins un serveur hébergé dans un deuxième centre de données de ladite architecture distribuée alimenté par au moins un troisième équipement du réseau de distribution d’électricité distinct du premier équipement et du deuxième équipement, - transmission, à destination de ladite entité de déploiement, d’un identifiant dudit au moins un serveur et d’une deuxième liste comprenant au moins un identifiant dudit au moins un troisième équipement présentant une durée de maintenance inférieure ou égale à une durée d’autonomie dudit moins un deuxième équipement électrique alimentant localement ledit deuxième centre de données.
Lorsqu’elle est informée qu’aucun équipement électrique local n’est en capacité de fournir le niveau d’énergie électrique requis pour l’exécution de certaines fonctions virtualisées, l’entité de de déploiement interroge l’équipement de gestion afin d’obtenir des informations sur d’autres serveurs disposant des ressources nécessaires au déploiement d’un nœud de virtualisation pour l’exécution des fonctions virtualisées devant être migrées.
Selon une particularité du procédé objet de l’invention, l’étape d’obtention des données relatives à l’opération de maintenance impactant le premier équipement consiste en la réception d’un message émis par un module de contrôle dudit premier centre de données comprenant au moins un identifiant du premier équipement et la durée de maintenance dudit premier équipement.
Un tel module de contrôle d’un centre de données est un équipement capable de communiquer avec des équipements du ou des réseaux de distribution électrique alimentant le centre de données qu’il contrôle. Ainsi, le module de contrôle collecte des informations relatives au réseau de distribution d’électricité, notamment des informations relatives aux opérations de maintenance et les transmet à l’équipement de gestion.
Dans un exemple, le message transmis par le module de contrôle comprend en outre une durée d’autonomie dudit moins un premier équipement électrique alimentant localement ledit premier centre de données.
La transmission du message par le module de contrôle est déclenchée par la réception, en provenance de ladite entité de déploiement, d’une demande d’informations relatives à ladite opération de maintenance impactant ledit premier équipement.
L’entité de déploiement de nœuds de virtualisation peut interroger l’équipement gestionnaire de manière régulière ou au besoin, par exemple lorsqu’elle réserve des ressources au près d’un serveur, en prévision du déploiement de nœuds de virtualisation pour l’exécution de fonctions virtualisées.
Le message émis par le module de contrôle dudit premier centre de données est transmis de manière répétée dans le temps.
Selon un aspect complémentaire, le joint est du type à quatre lobes dans un matériau résistant à des températures élevées supérieures ou égales à environ 150°C, avec une dureté d’environ 70 Shore A.
De manière avantageuse, un connecteur pneumatique est relié au canal d’aspiration pour être relié à la source de dépression.
Selon un mode de réalisation préférée de la présente invention, le canal d’aspiration aboutit au centre de la paroi de fond.
Cette solution permet d’optimiser l’aspiration et la répartition du vide créé entre le connecteur mâle et la zone de réception femelle.
Selon un mode particulier de réalisation de la présente invention, le connecteur mâle comporte en outre une plaque d’extrémité avant de support d’outil, l’un de ladite plaque et d’un rebord avant du corps principal est équipé d’un tenon latéral tandis que l’autre de ladite plaque et du rebord avant du corps principal comporte en fente recevant le tenon latéral de manière à bloquer la rotation axiale relative du corps principal et de l’organe de préhension.
Cette solution permet un positionnement optimisé de l’outil et empêche la rotation intempestive du connecteur mâle à l’intérieur de la zone de réception femelle.
De préférence, la paroi de fond et la face de succion présentent respectivement des surfaces planes.
Selon une variante de réalisation, la paroi de fond et la face de succion présentent respectivement des surfaces ondulées de formes complémentaires coopérant l’une avec l’autre.
Cette solution permet d’augmenter légèrement la surface de contact entre le connecteur mâle et la zone de réception femelle, ce qui améliore le couplage.
Avantageusement, le corps principal est relié à un arbre arrière de mise en rotation.
Selon un aspect particulièrement intéressant de la présente invention, la paroi de fond et la face de succion présentent une surface identique supérieure ou égale à environ 1200 mm², et de préférence supérieur ou égale à 1500 mm².
De la même façon, la surface de contact conique entre le connecteur mâle et la zone de réception femelle est supérieure ou égale à 1500 mm², et de préférence environ égale à 1800 mm².
Dans la même optique d’assurer un couplage optimisé sans dépense inutile d’énergie, la valeur absolue du vide/de la dépression est supérieure ou égale à 0,45 bar (c’est-à-dire -0,45 bar de pression négative), et de préférence sensiblement égale à environ 0,9 bar à 1 bar (c’est-à-dire -1 à -0,9 bar de pression négative).
De la même façon, le dispositif présente une force de préhension supérieure ou égale à environ 75 N pour une faible dépression, et de préférence supérieure ou égale à 140 N pour une forte dépression.
La présente invention se rapporte également à une machine d’impression tridimensionnelle comportant au moins une enceinte, un support d’outil(s), un dispositif de couplage d’outil tel que décrit précédemment et plateau mobile.
Enfin, la présente invention a également pour objet un procédé de réalisation d’une pièce en fabrication additive utilisant la machine telle décrite précédemment et comportant au moins la suite d’étape suivantes : a) saisir un premier outil sur le support d’outil(s) à l’aide du dispositif de couplage tel que décrit précédemment, b) effectuer une première phase de fabrication additive d’une première portion de la pièce à réaliser, c) reposer le premier outil sur le support d’outil(s), d) saisir un deuxième outil sur le support d’outils(s) à l’aide du dispositif de couplage, e) effectuer une deuxième phase de fabrication d’une deuxième portion de la pièce à réaliser.
Ce poste d’empilement 4 met en œuvre une compression de l’empilement 6, par exemple par un laminage continu ou par une presse, avant de l’exposer à l’au moins un faisceau d’électrons. Cette compression permet de faire pénétrer le premier électrolyte liquide réticulable et le second électrolyte liquide réticulable dans le film séparateur 71, et donc de les associer avec le troisième électrolyte liquide ou semi-liquide réticulable de la troisième bande continue (ou film séparateur préimprégné 73).
Dans l’exemple illustré sur la , le poste d’empilement 4 comprend un laminoir en continu ayant deux rouleaux de laminage 41 (avec par exemple un rouleau fixe et un rouleau mobile avec ressort de compression) pour réaliser une compression continue de l’empilement 6.
L’installation 9 comprend, en sortie du poste d’empilement 4, un poste de solidification 5 comprenant au moins un générateur de faisceau d’électrons 50 pour exposer l’empilement 6 à au moins un faisceau d’électrons afin que le premier électrolyte liquide réticulable, le second électrolyte liquide réticulable et le troisième électrolyte liquide ou semi-liquide réticulable réticulent ou solidifient en masse à la fois dans le film collecteur de courant d’anode 81, le mélange d’anode 82, le mélange de cathode 92, le film collecteur de courant de cathode 91 et le film séparateur 71, formant ainsi la cellule électrochimique à matrice polymère 60.