Procédé de fabrication d’un empilement (1) comprenant l’étape suivante : Fournir au moins un empilement initial comprenant : un substrat socle (100’) à base d’un matériau de base présentant un coefficient de dilatation thermique dit de base α, une première couche isolante (130’) surmontant le substrat socle (100’), la première couche isolante (130’) étant à base d’un premier matériau isolant, le premier matériau isolant présentant une première conductivité thermique λ 1 et un premier coefficient de dilatation thermique α 1 , la première couche isolante (130’) comprenant un réseau (150’) de tranchées (120’), caractérisé en ce que le procédé comprend également au moins les étapes suivantes : Remplir les tranchées (120’) par un deuxième matériau isolant présentant une deuxième conductivité thermique λ 2 et un deuxième coefficient de dilatation thermique α 2 , formant ainsi une deuxième couche isolante (200), la deuxième conductivité thermique λ 2 étant différente de la première conductivité thermique λ 1 , α 1 et α 2 étant supérieurs à 0.3 ppm/K, et Former un film semiconducteur (400’) au-dessus de la deuxième couche isolante (200). Procédé de fabrication d’un empilement (1) selon la revendication précédente dans lequel 0 ≤ 2*I(α 2 -α 1 )I/(α 2 +α 1 ) ≤ 1,8 et 0 ≤ I(α-α 1 )|/α ≤ 2,1. Procédé de fabrication d’un empilement (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel k 1 ≤ I(λ 2 λ 1 )/λ 1 I, avec 0,3 ≤ k 1 . Procédé de fabrication d’un empilement (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel la deuxième conductivité thermique λ 2 est strictement supérieure à la première conductivité thermique λ 1 . Procédé de fabrication d’un empilement (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel l’un parmi le premier coefficient de dilatation thermique α 1 et le deuxième coefficient de dilatation thermique α 2 est supérieur à α et l’autre parmi le premier coefficient de dilatation thermique α 1 et le deuxième coefficient de dilatation thermique α 2 est inférieur à α. Procédé de fabrication d’un empilement (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel le premier matériau isolant présente un premier module de Young E 1 et le deuxième matériau isolant présente un deuxième module de Young E 2 , avec E 1 E 2 , de préférence avec m 1 ≤ I(E 2 E 1 )/E 1 I, avec 0,03 ≤ m 1 , E 1 et E 2 étant supérieurs à 50 GPa. Procédé de fabrication d’un empilement (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel l’étape de fourniture de l’empilement initial comprend les étapes suivantes : Fournir au moins un substrat initial (100) à base, de préférence constitué, du matériau de base et présentant une face supérieure (101), Former dans le substrat initial (100) et à partir de la face supérieure (101) un réseau initial (150) de tranchées initiales (120), Transformer au moins le matériau de base sur au moins une portion du substrat initial (100) en le premier matériau isolant, formant ainsi la première couche isolante (130’). Procédé de fabrication d’un empilement (1) selon la revendication précédente dans lequel transformer au moins le matériau de base sur au moins une portion du substrat initial (100) comprend une oxydation du matériau de base séparant les tranchées initiales (120) entre elles. Procédé de fabrication d’un empilement (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 6 dans lequel l’étape de fourniture de l’empilement initial comprend les étapes suivantes : Fournir le substrat socle (100’), Former une première couche isolante initiale (130) surmontant le substrat socle (100’), la première couche isolante initiale (130) étant à base du premier matériau isolant, Former dans la première couche isolante initiale (130) le réseau (150’) tranchées (120’), formant ainsi la première couche isolante (130’). Procédé de fabrication d’un empilement (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes comprenant en outre, avant l’étape de formation du film semiconducteur, une étape de formation d’une couche continue (250) à base du deuxième matériau isolant recouvrant directement la deuxième couche isolante (200). Procédé de fabrication d’un empilement (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes comprenant en outre une étape de formation d’une troisième couche isolante (300) à base d’un troisième matériau isolant distinct du deuxième matériau isolant, sous le film semiconducteur (400’). Procédé de fabrication d’un empilement (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel le premier matériau isolant restant entre des tranchées consécutives forme un mur (110’), chaque mur (110’) présente une largeur de mur l m ’ et les tranchées (120’) présentent une largeur de tranchées l t ’, dans lequel le ratio l t ’/l m ’ est compris entre 0,3 et 3, de préférence entre 0,5 et 1,5, et dans lequel de préférence 0,7 ≤ I(l t ’*α 2 + l m ’*α 1 )/((l t ’+ l m ’)*α)I ≤ 1,3. Procédé de fabrication d’un empilement (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel les tranchées (120’) présentent une profondeur e t ’, avec e t ’ compris entre 5 µm et 20 µm, de préférence entre 8 µm et 15 µm. Procédé de fabrication d’un empilement (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel le deuxième matériau isolant est fait ou est à base de l’un parmi l’Al 2 O 3 , l’AlN, le SiC, le Si 3 N 4 , le BeO, un oxynitrure de silicium et le BN.