Interposeur (12) comprenant des condensateurs (32) ayant une densité supérieure à 700 nF/mm^2, avantageusement supérieure à 1 µF/mm^2, l'interposeur étant adapté à être fixé à une puce (14) par collage hybride. Interposeur selon la revendication 1, dans lequel l'interposeur comprend : un substrat (20) traversé par des premiers vias conducteurs (22) ; une première couche (24), recouvrant le substrat (20), dans laquelle sont situés les condensateurs (32) ; et un réseau d'interconnexion (35) comprenant des plots (44) de contact adaptés au collage moléculaire. Interposeur selon la revendication 1 ou 2, dans lequel les premiers vias (22) ont un diamètre compris entre 5 µm et 20 µm, avantageusement sensiblement égal à 10 µm, et une hauteur comprise entre 50 µm et 200 µm, avantageusement sensiblement égale à 100 µm. Interposeur selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la première couche (24) comprend des premières régions conductrices (26), chaque première région (26) étant en contact avec une extrémité d'un premier via (22), et étant reliée à un plot de contact (44) par des vias conducteurs (42) et pistes conductrices (40) du réseau d'interconnexion (35). Interposeur selon la revendication 4, dans lequel les premières régions (26) sont entourées latéralement par des deuxièmes régions isolantes (28). Interposeur selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel l'interposeur comprend : des troisièmes régions (30) dans lesquelles sont situés les condensateurs (32), des quatrièmes régions isolantes (34), chaque condensateur (32) étant entouré latéralement par une quatrième région isolante (34), des cinquièmes régions (26) conductrices, chaque cinquième région (26) étant séparée d'une des troisièmes régions (30) par une des quatrièmes régions (34), et des sixièmes régions conductrices (37), chaque sixième région (37) reliant une borne d'un des condensateurs (32) à une cinquième région (26), chaque cinquième région (26) étant reliée à un plot de contact (44) par des deuxièmes vias conducteurs (42) et pistes conductrices (40) du réseau d'interconnexion, une autre borne de chaque condensateur (32) étant reliée à un plot de contact (44) par des deuxièmes vias conducteurs (42) et pistes conductrices (40) du réseau d'interconnexion. Interposeur selon la revendication 5 ou 6, dans lequel chaque région isolante (28, 34) de la première couche est en un métal anodisé. Interposeur selon la revendication 6, dans lequel les condensateurs (32) comprennent un empilement d'une deuxième couche conductrice (70), d'une troisième couche isolante (72), d'une quatrième couche conductrice (74), chaque troisième région (30) étant en un métal anodisé comprenant une pluralité de cavités traversant ledit métal, l'empilement (70, 72, 74) recouvrant les parois desdites cavités. Interposeur selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel l'interposeur (12) comprend, dans au moins une zone, une densité de plots (44) supérieure à 10^3 plots par mm^2. Dispositif comprenant un interposeur (12) tel que décrit selon l'une quelconque des revendications 1 à 9 et au moins une première puce (14) fixée à une première face (16) de l'interposeur, la au moins une première puce (14) étant fixée à la première face (16) par collage moléculaire. Procédé de fabrication d'un interposeur selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel la formation de chaque condensateur (32) comprend : - la formation d'une cinquième couche (68) en un matériau conducteur ; - la formation de cavités à l'emplacement du condensateur (32) dans la cinquième couche (68) par un procédé de gravure anodique ; et - la formation, de manière conforme, d'un empilement d'une couche conductrice (70), d'une couche isolante (72) et d'une couche conductrice (74) à l'emplacement du condensateur (32). Procédé selon la revendication 11, dans lequel la formation des régions isolantes de la première couche est obtenue par un procédé de gravure anodique d'une partie de la cinquième couche. Procédé selon la revendication 11 ou 12 dans son rattachement aux revendications 2 et 6, dans lequel le procédé comprend : - la formation des premiers vias (22) dans le substrat (20) ; - la formation d'une septième région conductrice (37) s'étendant de l'emplacement de chaque troisième région (30) à l'emplacement de la cinquième région (36) correspondante ; - la formation de chaque condensateur (32), de telle manière qu'une borne de chaque condensateur soit en contact avec la septième région (37). Procédé selon l'une quelconque des revendications 11 à 13, dans lequel la cinquième couche (68) est en aluminium.