Procédé pour la mise en œuvre d’un dispositif photovoltaïque en particulier d’au moins une sous-cellule solaire (SC1, SC2) comprenant des étapes consistant à : - mesurer, sur une plaque de silicium cristallin rectangulaire ou carrée dotée d’une face (41a) supérieure et d’une face (41b) inférieure d’orientation cristalline ‘(100)’, ou sur une autre plaque (40’) de silicium cristallin issue d’une même brique de lingot que ladite plaque (40) et/ou d’un même procédé de découpe que ladite plaque (40), un angle dit de « désorientation » θ mes d’au moins une face latérale donnée (41c, 41d, 41e, 41f) par rapport à une orientation cristalline ‘(110)’, - former sur ladite face supérieure (41a) et/ou sur ladite face inférieure (41b) de ladite plaque (40) une ou plusieurs pistes conductrices (57, 59), lesdites pistes conductrices étant orientées de sorte à réaliser un angle α donné par rapport à au moins une première face latérale (41e, 41c) parmi lesdites faces latérales prévu en fonction dudit angle θ mes de désorientation mesuré, puis - effectuer un clivage de ladite plaque sorte à réaliser une séparation de ladite plaque (40) en une première portion (40a) et une deuxième portion (40b). Procédé selon la revendication 1, dans lequel, lorsque ledit angle θ mes de désorientation mesuré est supérieur à un premier seuil θ(min) et est inférieur à un deuxième seuil θ(max), lesdites une ou plusieurs pistes conductrices (57, 59) formées sont disposées par rapport à ladite première face latérale (41e, 41c) selon un angle donné α non-nul et égal ou inférieur audit angle θ mes de désorientation mesuré. Procédé selon la revendication 2, dans lequel, lorsque ledit angle θ mes de désorientation mesuré est inférieur au premier seuil θ(min), lesdites une ou plusieurs pistes conductrices (57, 59) formées sont disposées parallèlement à ladite première face latérale (41c, 41e). Procédé selon l’une des revendications 2 ou 3, dans lequel le clivage est réalisé par action mécanique en appliquant au moins une force (F) sur la plaque (40) et dans lequel, lorsque ledit angle θ mes de désorientation mesuré est supérieur au deuxième seuil θ(max) mais inférieur à un troisième seuil S3, le procédé comprend en outre préalablement au clivage par action mécanique, la réalisation d’un ou plusieurs sillons (145) répartis le long d’un axe donné (∆) pour guider une fissure de clivage, ledit axe donné (∆) étant déterminé en fonction dudit angle de désorientation mesuré θ mes et disposé par rapport à ladite première face latérale (41c, 41e) selon un angle donné non-nul égal ou sensiblement égal ou inférieur audit angle θ mes de désorientation mesuré. Procédé selon la revendication 4, dans lequel ledit axe donné (∆) s’étend entre une première piste conductrice (57) et une deuxième piste conductrice (59) parmi lesdites pistes conductrices. Procédé selon l’une des revendications 1 à 5, dans lequel l’étape de clivage est effectuée selon une méthode de clivage sélectionnée parmi plusieurs méthodes de clivage en fonction dudit angle θ mes de désorientation mesuré. Procédé selon la revendication 6, dans lequel : - lorsque ledit angle θ mes de désorientation mesuré est inférieur à un troisième seuil S3, le clivage est effectué par action mécanique en particulier par mise en flexion en appliquant au moins une force (F) sur la plaque (40), - lorsque angle θ mes de désorientation est supérieur au troisième seuil S3, le clivage est effectué par découpe laser. Procédé selon l’une des revendications 1 à 7, dans lequel lesdites une ou plusieurs pistes conductrices (57, 59) sont formées : - par sérigraphie en utilisant un masque écran (110) doté d’une ou plusieurs ouvertures (112, 114), les ouvertures dudit masque écran réalisant ledit angle α donné non-nul par rapport à ladite première face latérale (41 e , 41c), ou - en formant un masquage isolant (120) comportant un ou plusieurs trous (122, 124) lesdits un ou plusieurs trous étant disposés par rapport à ladite première face latérale (41e) réalisant ledit angle α donné non-nul par rapport à ladite première face latérale (41 e , 41c) puis en déposant un matériau métallique dans les lesdits un ou plusieurs trous, ou - par dépôt d’un matériau conducteur, en particulier une encre conductrice à l’aide d’un élément d’éjection de matériau conducteur mobile, ledit élément d’éjection se déplaçant durant le dépôt selon une trajectoire réalisant l’angle α donné non-nul par rapport à ladite première face latérale (41 e , 41c). Procédé selon l’une des revendications 1 à 8, dans lequel préalablement à la réalisation desdites une ou plusieurs pistes conductrices (57, 59), on effectue un dopage, en particulier un sur-dopage de régions (46, 48) semi-conductrices de la plaque (40) sur lesquelles lesdites pistes conductrices sont destinées à être formées, lesdites régions (46, 48) semi-conductrices étant disposées de sorte à réaliser l’angle α donné non-nul par rapport à ladite première face latérale (41 e , 41c). Procédé selon l’une des revendications 1 à 9, dans lequel la mesure de l’angle θ mes de désorientation est réalisée en émettant un faisceau (Ri) de rayons X incidents sur ladite première face latérale (41d) de ladite plaque (40) et réalisant un angle non-nul et en identifiant la position angulaire d’un détecteur (De) par rapport à la première face latérale (41d) pour un pic de diffraction maximal à partir du faisceau réfléchi (Rr) par ladite première face. Procédé selon l’une des 1 à 8, dans lequel la mesure de l’angle θ mes de désorientation est effectuée sur ladite autre plaque et comprend des étapes consistant à : - réaliser une étape de clivage de ladite autre plaque (40’), - mesurer une première distance l1 entre un premier point (M1) de ladite face latérale donnée et un deuxième point (M2) situé sur une tranche latérale (45’) de ladite autre plaque (40’) dévoilée à l’issue dudit clivage, - mesurer une deuxième distance l2 entre un troisième point (M3) agencés sur ladite face latérale donnée et un quatrième point (M4) de ladite tranche latérale opposée audit troisième point (M3), - évaluer une troisième distance D l1l2 entre le premier point (M1) et le troisième point (M3), - déduire des première, deuxième et troisième distances, l1, l2, D l1l2 une mesure de l’angle entre ladite tranche (45’) et un axe parallèle à ladite face latérale donnée.