INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Toutes les poudres PVDF citées dans les exemples ont été irradiés à 50KGray sous faisceau d’électron puis stocké à -30°C pour la conservation des radicaux. Les poudres ont ensuite été plongées dans une solution d’alphaméthylstyrène et de méthylène glutaronitrile au ratio molaire de 1 :1 à 60°C pendant 6h.
la est une représentation schématique d’un calculateur électronique mettant en œuvre le procédé selon l’invention de fourniture d’un aléa pour un algorithme cryptographique, le calculateur électronique comprenant un cœur et un ensemble de mémoire(s), l’ensemble de mémoire(s) comportant une mémoire de référence ;
la est un organigramme du procédé selon l’invention de fourniture de l’aléa pour l’algorithme cryptographique, le procédé comportant notamment la lecture d’un message de référence dans une première zone mémoire incluse dans la mémoire de référence, l’écriture du message de référence dans une deuxième zone mémoire distincte de la première zone mémoire, et la lecture ultérieure du message de référence dans la deuxième zone mémoire, le message de référence lu formant l’aléa pour l’algorithme cryptographique ;
la est une vue montrant trois distributions de résistance pour des mémoires PCM correspondant à chacun des trois états possibles de ces mémoires, à savoir un état vierge (correspondant à l’état Pre-forming en anglais), un état écrit (correspondant à l’état SET en anglais), et un état effacé (correspondant à l’état RESET en anglais) ;
la représente une courbe illustrant une probabilité d’un faux positif en fonction d’un nombre de bits du message de référence, le faux positif correspondant au cas où le message de référence lu formant l’aléa est invalide, mais vérifié comme valide lors d’une étape optionnelle de vérification de l’aléa ; et
la représente la mémoire de référence de la , selon un aspect complémentaire où la première zone mémoire comporte des lignes de mot, des lignes de bit, des lignes de source, des cellules mémoire aptes à fournir chacune un bit du message de référence, et en outre des diodes de blocage de l’écriture dans les cellules mémoire.
Dans la suite de la description, les expressions « sensiblement égal(e) à » et « de l’ordre de » définissent une relation d’égalité à plus ou moins 20%, de préférence encore à plus ou moins 10%, de préférence encore à plus ou moins 5%.
Sur la , un calculateur électronique 10 comprend un cœur 12 et un ensemble 14 de mémoire(s), et un bus de communication 16 interconnectant le cœur 12 et ledit ensemble 14. Le calculateur électronique 10 est configuré pour mettre en œuvre le procédé selon l’invention de fourniture d’un aléa pour un algorithme cryptographique, décrit par la suite, notamment en regard de la .
Le calculateur électronique 10 comporte par exemple un processeur multicœur, et comprend alors plusieurs cœurs 12.
Le calculateur électronique 10 est par exemple un système sur puce, également appelé SOC (de l’anglais System On Chip ).
Le cœur 12 est un cœur d’unité de traitement d’informations, connu en soi, et est typiquement un cœur de microcontrôleur, ou encore un cœur de processeur, tel qu’un cœur de microprocesseur. Comme indiqué précédemment, le processeur est par exemple un processeur multicœur, et le cœur 12 est alors l’un des cœurs dudit processeur.
L’ensemble 14 de mémoire(s) comporte au moins une mémoire, c’est à-dire comporte une ou plusieurs mémoires. L’ensemble 14 comporte notamment une mémoire de référence 18 présentant un caractère aléatoire intrinsèque dans un état prédéfini de génération d’aléa.
En complément facultatif, l’ensemble 14 comporte une mémoire additionnelle 20.
La mémoire de référence 18 est une mémoire à changement de phase (PCM), ou encore une mémoire vive statique (SRAM).
Lorsque la mémoire de référence 18 est la mémoire à changement de phase (PCM), l’état prédéfini de génération d’aléa est un état vierge initial de ladite mémoire (correspondant à l’état Pre-forming en anglais). Les autres états de la mémoire à changement de phase (PCM) sont, comme connu en soi, un état écrit (correspondant à l’état SET en anglais), et un état effacé (correspondant à l’état RESET en anglais).
La mémoire PCM est un composant microélectronique utilisé pour le stockage non-volatile de données numériques. Elle exploite la transition de phase amorphe-cristalline d’un matériau chalcogénure (très souvent un alliage de germanium Ge, tellure Te et antimoine Sb). Cette transition est obtenue grâce à des impulsions électriques qui produisent l’échauffement localisé du matériau. L’alliage atteint la température de fusion, et est ensuite refroidi. Si le refroidissement est « rapide », le matériau aura une phase amorphe, correspondant à l’état effacé (aussi appelé état OFF ou RESET en anglais). Si au contraire le refroidissement est « lent », l’état final sera cristallin, correspondant à l’état écrit (aussi appelé état ON ou SET en anglais). L’état amorphe est caractérisé par une forte résistance électrique, et est également appelé état de haute résistance, dit HRS (de l’anglais High Resistance State ). L’état cristallin est caractérisé par une faible résistance électrique, et est également appelé état de faible résistance, dit LRS (de l’anglais Low Resistance State ). Juste après fabrication, la mémoire PCM est dans un état intermédiaire, l’état vierge initial (aussi appelé Pre-forming en anglais), où sa résistance prend des valeurs aléatoires entre les états ON et OFF, c’est-à-dire entre les états LRS et HRS. Cette résistance aléatoire de la mémoire PCM dans son état vierge initial correspond alors au caractère aléatoire intrinsèque de la mémoire de référence 18.
La mémoire PCM est aussi parfois notée PCRAM (de l’anglais Phase Change Random Access Memory ), et également appelée mémoire vive à changement de phase. La mémoire PCM est une mémoire vive résistive, également appelée RRAM (de l’anglais Resistive Random Access Memory ).
Pour le procédé selon l’invention, le trajet parcouru par l’utilisateur peut être un trajet monomodal, c’est-à-dire un trajet utilisant un unique mode de transport entre le départ et l’arrivée.
Un capteur de géolocalisation est un capteur mesurant la position de l’utilisateur ainsi que le moment de la mesure. On parle alors de géolocalisation horodatée. Un tel capteur de géolocalisation peut utiliser la technologie GPS, la technologie Galliléo ou toute technologie équivalente. Avantageusement, le capteur de géolocalisation peut être prévu dans le téléphone intelligent (de l’anglais « smartphone ») de l’utilisateur, ou dans une montre connectée, ou tout objet connecté ou tout objet analogue.
Le procédé selon l’invention met en œuvre également un ensemble de données antérieures de trajets parcourus (par le même utilisateur et/ou par d’autres utilisateurs). Pour cet ensemble de données antérieures, on connaît les données de géolocalisation horodatées ainsi que le mode de transport qui a été utilisé. Cet ensemble de données antérieures est appelé, dans la suite de la demande, données de géolocalisation horodatées d’apprentissage. Ainsi, le procédé selon l’invention peut comporter une étape d’acquisition voire de mesure de données de géolocalisation horodatées d’apprentissage.
Les étapes de la succession d’étapes sont réalisées jusqu’à la détermination d’un mode de transport. En d’autres termes, une fois qu’une étape a identifié un mode de transport les autres étapes ne sont pas réalisées. Les étapes de cette succession d’étapes peuvent être mises en œuvre dans cet ordre ou dans tout ordre différent. L’étape 1 est mise en œuvre au moyen du capteur de géolocalisation, et l’étape 2 peut être mise en œuvre par des moyens informatiques, tel qu’un ordinateur, un serveur, ou un téléphone portable. Ces étapes seront détaillées dans la suite de la description. Ces étapes peuvent de préférence être réalisées en temps réel, c’est-à-dire immédiatement après la fin du trajet. En effet, le procédé selon l’invention peut être réalisé en quelques secondes.
La illustre, schématiquement et de manière non limitative, les étapes du procédé selon un premier mode de réalisation de l’invention. Dans un premier temps, on acquiert des données de géolocalisation horodatées GPS. Puis, on applique une succession d’étapes SET pour déterminer le mode de transport MDT. Au sein de la succession d’étapes SET, on met en œuvre au moins une étape jusqu’à la détermination d’un mode de transport. La illustre un ordonnancement possible des étapes. Toutefois, d’autres ordonnancements sont possibles. Au sein de la succession d’étapes SET, on peut mettre en œuvre dans un premier temps une étape de détermination d’un mode de transport non motorisé NMO. Cette étape NMO utilise également des données de géolocalisation d’apprentissage DAP. Si cette étape NMO détermine un mode de transport non motorisé : « oui », alors la succession d’étapes s’arrête, et le mode de transport MDT est un mode de transport non motorisé. Au contraire, si cette étape NMO ne détermine pas un mode de transport non motorisé : « non », alors la succession d’étapes SET continue vers une étape de détermination d’un mode de transport en motocyclette MOT, qui utilise également des données de géolocalisation d’apprentissage DAP. Si cette étape MOT détermine un mode de transport en motocyclette : « oui », alors la succession d’étapes SET s’arrête, et le mode de transport MDT est un mode de transport en motocyclette. Au contraire, si cette étape MOT ne détermine pas un mode de transport en motocyclette : « non », alors la succession d’étapes SET continue vers une étape de détermination d’un mode de transport en commun hors réseau routier TRC (par exemple : train, avion, métro, tramway). Si cette étape TRC détermine un mode de transport en commun hors réseau routier : « oui », alors la succession d’étapes SET s’arrête, et le mode de transport MDT est un mode de transport en commun hors réseau routier. Au contraire, si cette étape TRC ne détermine pas un mode de transport en commun hors réseau routier : « non », alors la succession d’étapes SET continue vers une étape de détermination d’un mode de transport en véhicule motorisé sur réseau routier VER (par exemple bus ou véhicule automobile), qui utilise également des données de géolocalisation d’apprentissage DAP. Si cette étape détermine un mode de transport en véhicule motorisé sur réseau routier : « oui », alors la succession d’étapes SET s’arrête et le mode de transport MDT est un mode de transport en véhicule motorisé sur réseau routier.
Selon un mode de réalisation de l’invention, le procédé peut comprendre une étape préalable de détermination d’au moins un descripteur dudit trajet parcouru à partir des données de géolocalisation horodatées acquises. Des exemples non limitatifs d’un tel descripteur peuvent être la vitesse de l’utilisateur, l’accélération de l’utilisateur, la puissance spécifique, etc. Pour ce mode de réalisation, les étapes de la succession d’étapes peuvent prendre en compte l’au moins un descripteur du trajet déterminé. En effet, un tel descripteur favorise la mise en œuvre des différentes étapes de la succession d’étapes.
Pour ce mode de réalisation, le procédé peut comprendre les étapes suivantes :
1’) Détermination d’au moins un descripteur
Si l’étape 550 de comparaison de la valeur représentative d’un niveau de décollement maximal avec un seuil haut S2 détermine que cette valeur représentative est supérieure au seuil haut S2, alors (branche N en sortie de l’étape 550) l’étape suivante est une étape d’éjection 600 du panneau de construction 9 de la ligne de fabrication 3. Ainsi le panneau de construction 9 défaillant ne passe pas à l’étape de séchage 500, qu’il risquerait de bloquer, du fait de l’étroitesse des bouches des séchoirs utilisés lors de cette étape de séchage 500.
Si au contraire l’étape 550 de comparaison de la valeur représentative d’un niveau de décollement maximal avec un seuil haut S2 détermine que cette valeur représentative est inférieure au seuil haut S2, alors (branche Y en sortie de l’étape 550) l’étape suivante est l’étape de séchage 500.
En outre, dans ce mode de réalisation de l’invention, l’étape 400 de détection est suivie éventuellement d’une étape d’ajustement 700 d’un paramètre de la ligne de fabrication 3. Cette étape d’ajustement est conditionnée à la valeur représentative d’un niveau de décollement obtenue lors de la sous-étape d’analyse 430, ou à la conclusion de la sous-étape de diagnostic 450. L’étape d’ajustement 700 est par exemple activée dès qu’un défaut de liaison est diagnostiqué lors de la sous-étape de diagnostic 450. Notamment, afin de garder la valeur représentative d’un niveau de décollement en dessous du seuil prédéterminé S1, ou d’un autre seuil inférieur à ce seuil prédéterminé S1, cet autre seuil correspondant alors à un seuil cible de décollement, un ou plusieurs des paramètres suivants sont modifiés lors de cette étape d’ajustement 700, qui sont listés ici par ordre de préférence :
- une quantité d’accélérateur de formation des cristaux de plâtre dans la couche de plâtre 901, ajoutée lors de l’étape de mélange 90. Un tel accélérateur permet d’accélérer la formation de sulfate de calcium hydraté à partir d’une part du sulfate de calcium hémihydraté présent dans le plâtre et d’autre part l’eau lors de l’étape de mélange 90. Cet accélérateur est par exemple un accélérateur résistant à la chaleur (ou HRA d’après l’anglais « Heat Resistant Accelerator ») tel que de petits cristaux de gypse ;
- une quantité de retardateur de formation des cristaux de plâtre dans la couche de plâtre 901, ajoutée lors de l’étape de mélange 90. Un tel retardateur, bien connu de l’Homme du métier, permet de retarder la formation de sulfate de calcium hydraté lors de l’étape de mélange 90, et est utilisé d’une part pour empêcher des grumeaux de se former dans l’appareil de mélange utilisé lors de cette étape de mélange 90, ce qui nécessiterait l’arrêt de la ligne de fabrication, et d’autre part pour que la mixture issue de cette étape ne soit pas trop visqueuse pour pouvoir l’étaler sur la couche de papier 900 ;
- une quantité d’agent moussant injecté lors de l’étape de mélange 90, cet agent moussant formant une mousse stable ou instable ; plus cette quantité augmente, plus l’adhésion entre le papier et le plâtre est potentiellement réduite. De préférence, on utilise un agent moussant produisant une mousse instable, ou bien un mélange de mousse instable et de mousse stable ;
- une densité cible de la couche de plâtre 901 du panneau de construction 9. Plus cette densité est importante, meilleure est l’adhésion entre les couches de papier 900 ou 902 et la couche de plâtre 901. La densité de la couche de plâtre est par exemple augmentée ou diminuée en augmentant ou respectivement en diminuant la quantité d’eau utilisée par quantité de plâtre sec lors de l’étape de mélange 90. Cependant augmenter cette quantité d’eau nécessite d’augmenter ensuite l’énergie utilisée lors de l’étape de séchage 500 des panneaux de construction. De ce fait, de préférence, on modifie, plutôt que la densité de la couche de plâtre, la densité des sous-couches de plâtre à l’interface de la couche de plâtre 901 avec les couches de papier 900 et 902, évoquées précédemment en relation avec les étapes de mélange 90 et de superposition 100, en modifiant dans ces sous-couches de plâtre, la quantité d’eau par quantité de plâtre sec dans ces sous-couches. Une autre manière de modifier la densité de la couche de plâtre 901 du panneau de construction 9, est d’injecter plus ou moins d’air dans cette couche de plâtre, en utilisant un agent moussant tel que précédemment évoqué. De préférence lorsque cette dernière solution est choisie, seules les densités des sous-couches de plâtre à l’interface de la couche de plâtre 901 avec les couches de papier 900 et 902 sont modifiées, ce qui permet de ne pas changer significativement la densité d’un panneau de construction 9 dans son intégralité ;
- une quantité d’eau utilisée par quantité de plâtre sec lors de l’étape de mélange 90 ; en effet, en dessous d’une valeur critique de ce ratio eau/plâtre sec, l’adhésion entre les couches de papier 900 ou 902 et la couche de plâtre 901 n’est pas satisfaisante. Un ratio eau/plâtre sec trop important en revanche détériore la résistance du papier et donc l’interface entre les couches de papier 900 ou 902 et la couche de plâtre 901. De préférence, cette quantité d’eau est utilisée comme paramètre lors de l’étape d’ajustement 700 seulement lorsque la ligne de fabrication 3 comporte les rouleaux spécifiques évoqués précédemment, afin de ne modifier que la quantité d’eau utilisée dans la portion de mixture prélevée à l’étape de mélange 90 et formant les sous-couches de plâtre à l’interface de la couche de plâtre 901 avec les couches de papier 900 et 902 ;
- une quantité d’additif favorisant la liaison entre les couches de papier 900 ou 902 et la couche de plâtre 901, injecté lors de l’étape de mélange 90. Cette quantité d’additif ne concerne éventuellement que des sous-couches d’interface entre la couche de plâtre 901 et les couches de papier 900, 902 ;
- une durée de l’étape de formation de liaison 200, elle-même modifiable en ajustant la vitesse de la ligne de fabrication 3 ; - un poids cible du panneau de construction 9, atteint en modifiant notamment un débit d’air injecté dans la mixture de plâtre lors de l’étape de mélange 90 ; plus l’air injecté est important, moins bonne est l’adhésion entre les couches de papier 900 ou 902 et la couche de plâtre 901. Préférentiellement, ce poids cible est utilisé comme paramètre lors de l’étape d’ajustement 700, seulement lorsque la ligne de fabrication 3 comporte les rouleaux spécifiques évoqués précédemment, afin de ne modifier que la quantité d’air injecté dans les sous-couches de plâtre à l’interface de la couche de plâtre 901 avec les couches de papier 900 et 902 ; - une quantité de fluidifiant injecté dans la mixture. Ce fluidifiant est un additif ajouté éventuellement à la mixture formée à l’étape de mélange 90 pour rendre la mixture plus fluide donc plus facile à étaler sur les couches de papier 900, 902 sans ajouter plus d’eau dans cette mixture de plâtre mouillé.
Il est à noter que la mixture de plâtre et d’eau réalisé à l’étape 90 comporte également avantageusement de l’amidon, qui est un additif favorisant la liaison entre les couches de papier 900 ou 902 et la couche de plâtre 901, mais uniquement au séchage. En effet, l’amidon contenu dans la mixture migre à l’interface entre les couches de plâtre et de papier et gélifie lors de l’étape de séchage 500. Dans la variante de réalisation où l’étape de détection 400 a lieu après l’étape de séchage 500, la quantité d’amidon dans la mixture à l’étape 90 peut donc être ajustée dans cette étape 700.
De plus, étant donné que c’est le bon équilibre entre la quantité d’accélérateur et de retardateur qui améliore l’adhésion de la couche de plâtre 901 sur les couches de papier 900, 902 sans nuire à la fluidité de la mixture de plâtre mouillé réalisée à l’étape 90, les paramètres de quantité d’accélérateur et de retardateur sont en variante remplacés par un paramètre qui est un ratio entre une quantité d’accélérateur et de retardateur, utilisé lors de l’étape 90 de mélange.
Dans ce mode de réalisation de l’invention, lorsque la valeur représentative d’un niveau de décollement obtenue lors de la sous-étape d’analyse 430 est supérieure au seuil de décollement S1 prédéterminé, ou au seuil cible de décollement, plusieurs étapes d’ajustement 700 sont mises en œuvre après autant d’étapes de détection effectuées successivement sur différents panneaux de construction 9. Ces étapes d’ajustement 700 sont répétées jusqu’à ce que la valeur représentative d’un niveau de décollement obtenue lors d’une dernière sous-étape d’analyse 430 devienne inférieure ou égale au seuil de décollement S1 prédéterminé ou au seuil cible de décollement. Ces étapes d’ajustement 700 modifient une valeur de consigne Pcons d’un des paramètres mentionnés plus haut permettant d’améliorer l’adhésion entre les couches de matériaux 901 et 902, par exemple une quantité d’eau par quantité de plâtre sec lors de l’étape de mélange 90, en utilisant un régulateur 15 représenté , ce régulateur étant par exemple de type Proportionnel, Intégral, Dérivé (encore appelé PID). Cette quantité d’eau par quantité de plâtre sec correspond à celle utilisée pour former la couche de plâtre 901 ou des sous-couches de plâtre à l’interface entre la couche de plâtre 901 et les couches de papier 900, 902.
Lors d’une étape d’ajustement 700, le régulateur PID reçoit en entrée une différence entre une valeur courante de consigne Pcons du paramètre sur la ligne de fabrication 3, et une valeur estimée Pest du paramètre à partir de la valeur représentative d’un niveau de décollement issue de l’étape de détection 400 précédant l’étape d’ajustement 700. Cette estimation Pest de la valeur du paramètre, ici une quantité d’eau par quantité de plâtre sec, utilise un modèle 16, donnant la quantité d’eau par quantité de plâtre sec utilisée lors de l’étape de mélange 90 en fonction de la valeur représentative d’un niveau de décollement. Ce modèle est par exemple obtenu de manière empirique.
Dans ce mode de réalisation de l’invention, lorsque la valeur représentative d’un niveau de décollement obtenue lors de la sous-étape d’analyse 430 est nulle, c’est-à-dire que les couches de matériaux 901 et 902 ne sont pas décollées l’une de l’autre sur la tranche du panneau 9 contrôlée lors de l’étape de détection 400, une ou plusieurs étapes d’ajustement 700 sont effectuées pour diminuer la quantité d’eau par quantité de plâtre sec utilisée lors de l’étape de mélange 90.
Dans ce cas, comme représenté sur la , les étapes d’ajustement 700 sont répétées jusqu’à ce que la valeur représentative d’un niveau de décollement obtenue lors d’une dernière sous-étape d’analyse 430 devienne non nulle mais inférieure ou égale au seuil de décollement S1 prédéterminé ou au seuil cible de décollement.
Ce bloc monolithique de matériau diélectrique BLMN occupe le volume situé verticalement depuis le niveau de métal M6 du composant passif LHQ de la partie d’interconnexion BE jusqu’à la deuxième profondeur P2 du substrat.
En effet, ces étapes 200-300 de type damascène, -aboutissent à une formation du matériau diélectrique d’un seul tenant et homogène, constituant ainsi un bloc monolithique BLMN du matériau diélectrique ; -contrairement par exemple à la structure de la partie d’interconnexion BE environnante qui comporte une succession de couches d’oxyde de silicium IMD et de nitrure de silicium AR (et, par ailleurs, des pistes et via métalliques)
La illustre un dispositif après une étape 400 de formation du niveau de métal M6 comportant le composant passif LHQ.
Ce niveau de métal M6 comporte des pistes métalliques PM6 réalisées par des procédés damascènes identiques au procédé décrit en relation avec la pour la formation des pistes métalliques PM5.
Par exemple, parmi les pistes métalliques PM6, une structure telle qu’un enroulement d’au moins une boucle, permet de réaliser le composant passif LHQ du type élément inductif.
Les figures 5 à 7 illustrent un exemple d’alternative du procédé de fabrication décrit en relation avec les figures 1 à 4.
Les éléments de l’exemple des figures 5 à 7 qui sont communs avec l’exemple des figures 1 à 4 supportent les mêmes références et ne seront pas tous détaillés à nouveau.
La illustre un dispositif après une étape 500 de cette alternative, dans laquelle on grave l’ouverture du volume accueillant le bloc monolithique juste avant la formation de la première couche de métal M1.
Ainsi, l’ouverture est gravée dans le diélectrique pré-métal IMD, dans les tranchées d’isolation peu profondes STI et dans le substrat semiconducteur SUB, jusqu’à la deuxième profondeur P2 (supérieure à la première profondeur P1 des tranchées d’isolation peu profondes STI).
On peut également graver l’ouverture de l’étape 500 dans tous les niveaux de métaux, depuis l’un quelconque des niveaux de métaux de la partie d’interconnexion BE situé entre la face avant FA du substrat SUB et le niveau de métal M6 comportant le composant passif LHQ, jusqu’à la deuxième profondeur P2 dans le substrat SUB.