INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Le dessin 1b représente un panneau isolant écologique 1 constitué d’une isolation 100 d’épaisseur de 80 millimètres ajoutée d’une feuille d’aluminium pare-vapeur, empêchant l’humidité de s’infiltrer à travers l’isolation et doublée d’un carton en nid d’abeille 101 d’épaisseur de 10 millimètres.
L’épaisseur de ladite isolation peut être adaptée afin d’obtenir l’isolation thermique et phonique souhaitée.
La feuille d’aluminium est incluse lorsque ledit panneau est adaptable sur un mur intérieur.
Le carton en nid d’abeille fournit une surface plane prête à être peinte ou enduite suite à l’installation comme illustré en .
Le carton rigide peut avoir une épaisseur de 0,5 à 3 millimètres.
L’isolation 100 est composé de matériaux difficilement (ou non autrement) recyclables tels que certains plastiques, chiffons en tissu, papier glacé et carton. Ces matériaux, combinés avec de l’eau et de la colle, sont compressés pour fournir la couche d’isolation. De préférence de la colle à papier peint, à base d’amidon et d’argile est utilisée. Un colorant par exemple de couleur noire peut être ajouté pour améliorer l’aspect visuel de l’isolant.
Ces matériaux peuvent provenir de sites d’enfouissement et de centres de recyclage.
Les mono acides aliphatiques de C14 à C18 sont notamment l’acide palmitique et l’acide stéarique.
Lesdits mono acides aliphatiques de C14 à C18 sont également présents dans le polyamide aliphatique semi-cristallin initial vierge (de 1 à 100 ppm) mais sont présents en concentration plus importante dans le polyamide aliphatique semi-cristallin recyclé PA2 (plus 100 ppm), notamment de 500 à 5000 ppm.
Les composés mono ou poly-aromatiques sont notamment le toluène, le xylène, le triméthylbenzène, le diphényle méthyle et le diphényle méthanol, le naphtalène, le 1-méthylnaphtalène, le 2-méthylnaphtalène, le 1,2-diméthylnaphtalène, le 1,3-diméthylnaphtalène, le 1,4-diméthylnaphtalène, le 1,3,6-triméthylnaphtalène, le 2,3,5-triméthylnaphtalène, le 1-phénanthrène, le 2-méthyl phénanthrène.
Les acides aromatiques sont notamment l’acide benzoïque, l’acide 2-methylbenzoïque, l’acide 3-methylbenzoïque, l’acide 4-methylbenzoïque, l’acide 2,5-dimethylbenzoïque, l’acide 3,4-dimethylbenzoïque, l’acide 2,4-dimethylbenzoïque et l’acide 3,5-dimethylbenzoïque.
Avantageusement, ledit polyamide aliphatique semi-cristallin recyclé PA2 comprend au moins une espèce choisie parmi les composés soufrés, les alcanes, les mono acides aliphatiques de C14 à C18, les composés mono ou poly-aromatiques et les acides aromatiques.
Plus avantageusement, ledit polyamide aliphatique semi-cristallin recyclé PA2 comprend au moins une espèce choisie parmi les alcanes, les composés mono ou poly-aromatiques et les acides aromatiques.
Encore plus avantageusement, ledit polyamide aliphatique semi-cristallin recyclé PA2 comprend au moins une espèce choisie parmi les alcanes et les composés mono ou poly-aromatiques.
Avantageusement, ledit polyamide aliphatique semi-cristallin recyclé PA2 comprend au moins une espèce choisie parmi les alcanes tels que le méthylcyclopentane, le cyclohexane, le méthylcyclohexane, le 1,2-cis-diméthylcyclohexane, le 1,2-trans-diméthylcyclohexane, le 1,3-cis-diméthylcyclohexane, le 1,3-trans-diméthylcyclohexane, le 1,4-cis-diméthylcyclohexane, le 1,4-trans-diméthylcyclohexane, ou l’éthylcyclohexane et les composés mono ou poly-aromatiques tels que le toluène, le xylène, le triméthylbenzène, le diphényle méthyle et le diphényle méthanol, le naphtalène, le 1-méthylnaphtalène, le 2-méthylnaphtalène, le 1,2-diméthylnaphtalène, le 1,3-diméthylnaphtalène, le 1,4-diméthylnaphtalène, le 1,3,6-triméthylnaphtalène, le 2,3,5-triméthylnaphtalène, le 1-phénanthrène, le 2-méthyl phénanthrène.
Dans un mode de réalisation, la teneur molaire desdites espèces présentes dans le polyamide aliphatique semi-cristallin recyclé PA2 est comprise de 100 ppm à 2000 ppm, en particulier de 100ppm à 1000ppm.
Dans un autre mode de réalisation, le polyamide aliphatique semi-cristallin recyclé PA2 présente une odeur caractéristique comprenant les pôles soufrés/pyrogénés et/ou hydrocarbures et/ou aromatiques, terpéniques et phénolés.
Les odeurs ci-dessus sont déterminées selon la description du champ des odeurs® de Jean-Noël Jaubert.
Le champ des odeurs, élaboré en 1983, fournit, entre autres, une méthodologie qui permet de décrire les perceptions olfactives de manière commune, c'est-à-dire en écartant, au maximum, les évocations individuelles. Il a été créé par un chercheur Jean-Noël Jaubert à partir des résultats d'un programme de recherche sur la relation structure chimique / activité odorante de molécules présentes dans le monde odorant. Initialement développée dans le secteur du parfum, cette méthode a permis de décrire, d'analyser, de comparer et de contrôler des produits complets ou des préparations odorantes au-delà des classifications habituelles.
L’inconfort lié aux problèmes d’odeur est une signature d’un polyamide recyclé.
Cet inconfort est perçu au moment d’ouvrir les containers des broyats lavés ou non, ou lors de l’extrusion et éventuellement sur le produit fini.
Les polyamides recyclés ont des pôles odorants soufrés ou aromatiques (odeur de solvant aromatique, naphtalène). On peut distinctement sentir une différence entre un polyamide vierge et un polyamide recyclé
Dans encore un autre mode de réalisation, le polyamide aliphatique semi-cristallin recyclé PA2 présente des fonctions issues de réactions de thermolyse en milieu acide notamment des fonctions amides et/ou du méthylène en alpha desdites fonctions amides et des fin de chaines acides, choisies parmi les fonctions nitriles, cétones, et des fonctions esters issues de réaction des fonctions acides du polyamide avec des alcools utilisés lors de la vie desdits tuyaux, dans un ratio molaire par rapport aux fonctions amides supérieur à celui du même polyamide constituant un tuyau non usagé.
La est une vue schématique en coupe d’un contacteur selon l’axe III-III de la .
La est une vue en coupe selon l’axe IV-IV de la d’un contacteur de l’art antérieur dans lequel les gaz de coupure ionisés tendent à revenir en arrière pour s’opposer à la force de Laplace qui dirige l’arc électrique en direction des ailettes.
La figure est une vue en coupe selon l’axe IV-IV de la d’un contacteur de l’art antérieur dans lequel les gaz de coupure ionisés sont expulsés en dehors de la chambre de contacteur.
La est une vue en coupe selon l’axe IV-IV de la d’un contacteur de l’invention ne comportant pas de déflecteur.
La est une vue en coupe selon l’axe IV-IV de la d’un contacteur de l’invention dans lequel chaque zone d’extinction d’arc électrique comprend deux déflecteurs dos-à-dos.
La est une vue en coupe selon l’axe IV-IV de la d’un contacteur de l’invention dans lequel chaque zone d’extinction d’arc électrique comprend un seul déflecteur.
Les termes avant, arrière, supérieure et inférieure utilisés dans ce descriptif sont des termes choisis arbitrairement dans le but de simplifier la rédaction et ne correspondent pas nécessairement à la réalité, mais plutôt à la position des contacteurs représentés sur les figures, étant bien entendu qu’en utilisation, le contacteur 1 de l’invention peut adopter n’importe quelle orientation et position.
Le contacteur 1 à double coupure de l’invention est préférentiellement un contacteur à courant continu haute tension (HVDC). Le principe de l’invention peut cependant être adapté à tout type de contacteur, y compris à tous les interrupteurs et à tous les disjoncteurs dans lesquels des arcs électriques sont susceptibles d’être générés.
De manière classique, le contacteur 1 de l’invention comprend un pont mobile 2 comportant un premier contact mobile 3a et un second contact mobile 3b, une première borne fixe 24a comportant un premier contact fixe 4a et une seconde borne fixe 24b comportant un second contact fixe 4b. Le premier contact mobile 3a est en vis-à-vis du premier contact fixe 4a et le second contact mobile 3b est en vis-à-vis du second contact fixe 4b. Selon comment est connecté électriquement le contacteur 1, une des bornes fixe 24a, 24b est une borne de pôle positif tandis que l’autre est une borne de pôle négatif. Sur les figures, la première borne fixe 24a est une borne de pôle positive tandis que la seconde borne fixe 24b est une borne de pôle négatif.
Quand le pont mobile 2 est à l’état fermé, un courant I se déplace depuis le premier contact fixe 4a vers le deuxième contact fixe 4b en traversant le pont mobile 2. Bien entendu, la circulation électrique du courant I peut être inversée de telle manière que le courant I se déplace depuis le deuxième contact fixe 4b vers le premier contact fixe 4a en traversant le pont mobile 2.
Les figures 1 à 3 représentent le pont mobile 2 dans l’état ouvert. Sur ces figures, la circulation du courant I est symbolisée par une succession de flèches blanches. Lors de l’ouverture du pont mobile 2, les contacts mobiles 3a, 3b sont éloignés des contacts fixes 4a, 4b et un premier arc électrique 8a est susceptible d’apparaître entre le premier contact mobile 3a et le premier contact fixe 4a tandis qu’un second arc électrique 8b est susceptible d’apparaître entre le premier contact mobile 3b et le premier contact fixe 4b.
Afin d’éteindre rapidement ces arcs électriques 8a, 8b, de manière classique, le contacteur 1 de l’invention comprend un dispositif de soufflage d’arc prévu pour dévier chaque arc électrique 8a, 8b vers un bloc d’extinction d’arc électrique 9a, 9b, 9c, 9d. Ce dispositif de soufflage d’arc est logé dans une chambre de contacteur 23 formant une enceinte fermée. Les contacts fixes 4a, 4b et les contacts mobiles 3a, 3b sont également situés dans la chambre de contacteur 23.
La chambre de contacteur 23 et délimitée par : deux parois latérales 12a, 12b situées en vis-à-vis et présentant chacune une surface interne 20a, 20b, une paroi supérieure 13 située du côté des contacts fixes 4a, 4b, une paroi inférieure 14 située du côté des contacts mobiles 3a, 3b en vis-à-vis de la paroi supérieure 13, une paroi avant 19a située du côté de la première borne fixe 24a, et une paroi arrière 19b située du côté de la seconde borne fixe 24b en vis-à-vis de la paroi avant 19a.
Le dispositif de soufflage d’arc comprend au moins un dispositif émetteur de champ magnétique 6a, 6b de direction constante, générant une force magnétique 7. Ce dispositif émetteur de champ magnétique 6a, 6b peut par exemple comprendre un ou plusieurs aimants et/ou une ou plusieurs bobines. La force magnétique 7 générée par le dispositif émetteur de champ magnétique 6a, 6b exerce une force électromagnétique de Laplace 18a, 18b sur chaque arc électrique 8a, 8b de sorte de la déplacer en direction du bloc d’extinction d’arc électrique 9a, 9b, 9c, 9d le plus proche. Ces déplacements peuvent être guidés par deux guides d’arc 11a, 11b situés en vis-à-vis et situés chacun entre un bloc d’extinction d’arc électrique 9a, 9b, 9c, 9d et un contact mobile 3a, 3b.
Les blocs d’extinction d’arc électrique 9a, 9b, 9c, 9d sont prévus par paires et situés en vis-à-vis de part et d’autre du pont mobile 2. Chaque bloc d’extinction d’arc électrique 9a, 9b, 9c, 9d comporte une pluralité d’ailettes 10 empilées, parallèles et distantes les unes des autres, ayant pour rôle de diviser chaque arc électrique 8a, 8b en plusieurs arcs électriques plus petits, et donc plus facile à éteindre. Les blocs d’extinction d’arc électrique 9a, 9b, 9c, 9d sont préférentiellement parallèles entre eux. Au sein d’un même bloc d’extinction d’arc électrique 9a, 9b, 9c, 9d les ailettes 10 s’étendent chacune selon un axe longitudinal Xa, Xb.
Il est généralement recherché une résistance Rch la plus faible possible dans la région de corps 122, et en particulier dans la région de canal 123.
Ceci peut être recherché pour des applications dans lesquelles on cherche à minimiser la résistance à l’état passant du transistor, connue sous la dénomination "Ron", sans que cela impacte d’autres facteurs de performance du transistor, comme par exemple la capacité hors tension, connue sous la dénomination "Coff" que l’on peut également chercher à minimiser, et la tension Vmax, ou la tension RF Vmax pour des applications RF (radiofréquence), qui est la tension maximale qu’on peut appliquer à un transistor, que l’on peut également chercher à maximiser.
La minimisation du produit Ron.Coff est par exemple recherchée pour des composants électroniques utilisés dans des applications de communication RF (radiofréquence), par exemple pour des technologies de commutation de signaux RF (RF switch) et/ou des modules frontaux d’antennes radio (FEM, Front-End Modules).
Pour maximiser la tension RF Vmax, une solution peut consister à optimiser le profil de dopage par implantation ionique de la région de corps 122 dans la direction Z entre la couche isolante enterrée 110 et la couche d’isolant de grille 132, par exemple, en dopant plus fortement une strate inférieure 122A de la région de corps à proximité de la couche isolante enterrée 110, et en dopant plus faiblement, voire en ne dopant pas, une strate supérieure 122B de la région de corps à proximité de la couche d’isolant de grille 132, par exemple correspondant sensiblement à la région de formation de canal 123.
Une limitation à cette solution provient du fait qu’il n’est pas toujours aisé de maîtriser la diffusion des dopants, et ainsi d’obtenir le profil de dopage souhaité. En outre, elle peut s’avérer insuffisante pour permettre de diminuer le Ron tout en n’impactant pas la tension RF Vmax.
Une solution pour diminuer la résistance Ron tout en ne réduisant pas la tension RF Vmax peut consister à modifier la structure cristalline de la couche semiconductrice, par exemple former une couche de silicium contraint sur une couche de semiconducteur sans contrainte, ou directement sur la couche isolante enterrée.
Cependant, cette solution a un inconvénient d’être plus longue et plus coûteuse en termes de fabrication du transistor, notamment du fait du coût de fabrication et/ou d'achat d’un substrat avec une couche de silicium contraint. En outre, si elle n’impacte pas la tension RF Vmax, elle peut également s’avérer insuffisante pour permettre de diminuer le Ron.
Les inventeurs proposent un transistor MOSFET permettant de répondre aux besoins d'amélioration décrits précédemment, et de pallier tout ou partie des inconvénients des transistors décrits précédemment. En particulier, les inventeurs proposent un transistor MOSFET qui permette d’améliorer le compromis entre le Coff.Ron, que l’on cherche à minimiser en minimisant le Ron, et la tension RF Vmax, que l’on cherche à maximiser ou du moins à impacter le moins possible, et ce, sans complexifier le procédé de fabrication du transistor, en particulier sans rajouter des étapes chronophages et coûteuses.
Une partie supérieure de la région de corps 222, entre la région de source 224 et la région de drain 226, constitue la région de canal 223 du transistor 200.
A titre d'exemple, les régions de source 224, de drain 226 et de corps 222 affleurent à la face supérieure 220A de la couche semiconductrice 220.
La est une vue en perspective d’une rangée de sièges selon l’invention dans une configuration 1/3 2/3, une zone avant des assise étant pivotées vers l’avant et les couvercles de la barre anti sous-marinage étant ouverts, un tendelet étant rangé dans ladite barre anti sous-marinage,
La est une en perspective sous un autre angle de la rangée de sièges de la , le dossier du siège unique étant rabattu sur l’assise correspondante, le couvercle de la barre anti sous-marinage de la banquette deux places étant ouvert,
La est une vue en perspective d’une rangée de sièges selon l’invention dans une configuration 1/3 2/3, la banquette deux places possédant deux assises, le couvercle du siège unique étant ouvert et la barre anti sous-marinage laissant apparaitre un interrupteur de batterie,
La est la vue de la , le couvercle du siège unique étant fermé,
La est une en coupe transversale de la banquette des figures 6 et 7, faisant apparaitre l’interrupteur de batterie,
La est une vue de face d’une banquette selon l’invention, les couvercles de la barre anti sous-marinage étant ouverts et laissant apparaitre un réservoir de carburant.
Pour bien comprendre l’orientation et le positionnement des différents éléments constituant une rangée 1 de sièges selon l’invention, nous supposons que ladite rangée 1 de sièges est montée dans un véhicule en s’étendant suivant un axe transversal Y de celui-ci.
Une rangée de sièges 1 selon l’invention est un terme générique pouvant désigner : -deux ou trois sièges placés séparés et possédant chacun une assise et un dossier pouvant être manipulés séparément les uns des autres, ou -une banquette comportant deux ou trois places et comportant un seul dossier et une seule assise, ou -un ensemble de sièges comprenant un siège individuel possédant son propre dossier et sa propre assise, et une mini banquette de deux places comportant une seule assise et un seul dossier, ladite mini banquette et ledit siège étant placés côte à côte.
Il s’agit d’exemples illustratifs dans le cadre de la présente invention, mais qui ne sont nullement limitatifs.
Le principe d’une rangée 1 de sièges selon l’invention est que les sièges et/ou banquettes la constituant, possèdent des assises dont une zone avant est pivotable vers l’avant, de façon à découvrir une barre anti sous-marinage 2 s’étendant sur toute la longueur de la rangée de sièges, ladite barre anti sous-marinage 2 possédant au moins un couvercle d’accès. De cette manière, la barre anti sous-marinage 2, qui s’étend suivant un axe transversal Y du véhicule, peut servir d’espace de rangement au sein d’un véhicule.
En se référant aux figures 1, 2 et 3, un siège 12 ou une banquette 15 d’une rangée 1 de sièges selon l’invention, comprend une assise 13, 16 et un dossier 14, 17 qui est rabattable sur ladite assise 13, 16. En effet, le dossier 14, 17 est monté articulé autour d’un axe 7 s’étendant suivant un axe transversal Y du véhicule, et peut donc passer d’une position fonctionnelle pour laquelle il s’étend légèrement vers l’arrière par rapport à une direction verticale, à une position repliée pour laquelle il vient se superposer à l’assise 13, 16. Dans la position fonctionnelle, le dossier 14, 17 permet à un individu d’être confortablement assis sur le siège 12 ou sur la banquette 15, et dans la position repliée il permet le chargement d’objets encombrants dans un coffre arrière du véhicule, une partie desdits objets pouvant alors reposer sur ledit dossier replié 14, 17. Or, l’assise 13, 16 a tendance à ne pas être rigoureusement horizontale, car bien souvent une zone avant 18, 19 de celle-ci est surélevée, et le dossier 14, 17 ne peut donc pas s’étendre horizontalement dans la position repliée. Pour régler cette difficulté, la zone avant 18, 19 de l’assise 13, 16 est montée pivotante autour d’un axe 9 de rotation inférieur de l’assise 13, 16 s’étendant suivant un axe transversal Y du véhicule. La zone avant 18, 19 de l’assise 13, 16 peut ainsi passer d’une première position pour laquelle elle contribue à former l’assise 13, 16, à une deuxième position pour laquelle elle a pivoté d’environ 180° vers l’avant autour dudit axe 9 de rotation inférieur, comme l’indique la flèche 10 sur les figures 1, 2 et 3, pour se retrouver devant ladite assise 13, 16 en appui sur un plancher dudit véhicule.
Comme l’illustrent les figures 1 et 8, une fois que la zone avant 18, 19 de l’assise 13, 16 se retrouve dans la deuxième position, le dossier 14, 17 peut pivoter vers l’avant dans le sens indiqué par la flèche 11 pour venir en appui contre l’assise 13, 16 tronquée et s’étendre dans un plan horizontal.
En se référant aux différentes figures de la présente demande, le pivotement vers l’avant de la zone avant 18, 19 de l’assise 13, 16, permet de découvrir une barre anti sous-marinage 2 qui était préalablement couverte par ladite assise 13, 16 avant que ladite zone avant 18, 19 n’ait pivoté vers l’avant.
En se référant aux figures 1, 2, 3 et 4, un premier mode de réalisation d’une rangée avant 1 de sièges selon l’invention, comprend un siège individuel 12 doté d’une assise 13 et d’un dossier 14, et une banquette 15 de deux places possédant une seule assise 16 et un seul dossier 17. Une zone avant 18 de l’assise 13 du siège individuel 12 et une zone avant 19 de l’assise 16 de la banquette 15 sont pivotables vers l’avant pour permettre aux dossiers 14, 17 respectifs dudit siège individuel 12 et de ladite banquette 15 de s’étendre horizontalement sur les assises 13, 16 correspondantes. En se référant à la , le pivotement vers l’avant des zones avant 18, 19 du siège individuel 12 et de la banquette 15, permet de découvrir une barre anti sous-marinage 2 s’étendant sur toute la longueur de la rangée 1 de sièges. Cette barre anti sous-marinage 2 est creuse et possède deux couvercles 20, 21 montés en rotation sur ladite barre 2 autour de deux axes de rotations situés dans la continuité l’un de l’autre et s’étendant suivant un axe longitudinal de cette barre anti sous-marinage 2. Ces deux couvercles 20, 21 sont dans le prolongement l’un de l’autre sans être séparés par une quelconque épaisseur, et peuvent passer par pivotement d’une position de fermeture pour laquelle ils s’étendent horizontalement et obturent par le dessus la barre anti sous-marinage 2, à une position d’ouverture pour laquelle ils s’étendent verticalement et permettent d’accéder à un espace interne de ladite barre 2. Ces deux couvercles 20, 21 s’étendent sur toute la longueur de la barre anti sous-marinage 2, et sont manipulables indépendamment l’un de l’autre. Autrement dit, l’ouverture ou la fermeture de l’un est sans influence sur l’ouverture ou la fermeture de l’autre. Parmi ces deux couvercles, un premier couvercle 20 s’étend sur toute la longueur du siège individuel 12 et un deuxième couvercle 21 s’étend sur toute la longueur de la banquette 15 de deux places, la longueur étant leur dimension considérée suivant un axe transversal Y du véhicule.
En se référant à la , lorsque les deux couvercles 20, 21 sont dans une position d’ouverture, ils permettent d’accéder à l’intégralité de l’espace interne délimité par la barre anti sous-marinage 2.
En se référant aux figures 3 et 4, un tendelet 22 peut être rangé à l’intérieur de la barre anti sous-marinage 2, la longueur du tendelet 22 étant légèrement inférieure à celle de ladite barre 2 pour pouvoir être complètement inclus dans celle-ci.
Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à une couche épitaxiale, il est fait référence à une couche formée par croissance épitaxiale.
En variante, les transistors peuvent être des transistors MOS à canal P (PMOS) c'est-à-dire des transistors dont les régions de source et de drain sont dopées de type P, par exemple dopées d'atomes de bore, alors que la région de corps est dopée de type N, par exemple dopée d'atomes d'arsenic ou de phosphore.
La représente, par une vue en coupe, un exemple de dispositif électronique comprenant un transistor MOSFET 100 formé dans et sur une couche semiconductrice 120. Le dispositif comprend une couche isolante enterrée 110, sous la couche semiconductrice 120. Les couches 110 et 120 correspondent, par exemple, à un empilement de type SOI, le dispositif comprenant alors un substrat en silicium en contact et sous la couche isolante enterrée 110 (substrat non représenté). La couche semiconductrice 120 est par exemple sur et en contact avec la couche isolante enterrée 110.
Une partie supérieure 123 de la région de corps 122, entre la région de source 124 et la région de drain 126, constitue la région de formation de canal du transistor 100, ou "région de canal". A titre d'exemple, les régions de source 124, de drain 126 et de corps 122 affleurent à la face supérieure de la couche semiconductrice 120.
Le transistor 100 comprend, en outre, une région de grille 130 située au-dessus de la région de corps 122, par exemple au-dessus de la région de canal 123. La région de grille 130 est, par exemple, en silicium polycristallin.