INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Le support de palier 160 présente un corps 166 globalement annulaire s'étendant autour des enceintes de palier 162, 164. Il s’étend depuis un bord annulaire interne 168 enserrant les enceintes de palier 162, 164 jusqu’à un bord annulaire externe 170 faisant face à la virole externe 152.
Le support de palier 160 présente également une collerette 172 faisant saillie axialement depuis le corps 166, vers l’amont. Cette collerette 172 fait en particulier saillie depuis le bord annulaire externe 170.
Le support de palier 160 est formé d’une virole de liaison amont 174 et d’une virole de liaison aval 176 espacées axialement l’une de l’autre et assemblées l’une à l’autre par des tubes axiaux 178 répartis autour de l’axe longitudinal X, ainsi que d’une virole intermédiaire 179 ( ) interposée axialement entre les viroles de liaison amont et aval 174, 176.
Dans l’exemple représenté, la virole amont 174 comprend, de l’extérieur vers l’intérieur : une portion cylindrique extérieure 180, une portion annulaire extérieure 181, sensiblement plate, s’étendant depuis un bord aval de la portion cylindrique extérieure 180, une portion tronconique extérieure 182 s’étendant vers l’aval depuis la portion annulaire extérieure 181, une portion annulaire intermédiaire 183, sensiblement plate, s’étendant depuis un bord aval de la portion tronconique extérieure 182, une portion tronconique intérieure 184 s’étendant vers l’amont depuis la portion annulaire intermédiaire 183, une portion annulaire intérieure 185, sensiblement plate, s’étendant depuis un bord amont de la portion tronconique intérieure 184, et une portion cylindrique intérieure 186 s’étendant vers l’amont depuis la portion annulaire intérieure 185.
Dans l’exemple représenté encore, la virole aval 176 comprend, de l’extérieur vers l’intérieur : une portion cylindrique extérieure 190, une portion annulaire extérieure 192, sensiblement plate, s’étendant depuis un bord amont de la portion cylindrique extérieure 190, une portion tronconique extérieure 194 s’étendant vers l’aval depuis la portion annulaire extérieure 192, une portion tronconique intérieure 196 s’étendant vers l’aval depuis la portion tronconique extérieure 194, et une portion annulaire intérieure 198, sensiblement plate, s’étendant depuis un bord aval de la portion tronconique intérieure 196. La portion tronconique intérieure 196 se distingue de la portion tronconique extérieure 194 en ce que la portion tronconique intérieure 196 a un angle de tronconicité inférieur à celui de la portion tronconique extérieure 194. Ici et dans la suite, on comprend par « angle de tronconicité » l’angle formé par la génératrice d’un tronc de cône avec l’axe du tronc de cône, ici l’axe X.
En référence à la , dans l’exemple représenté toujours, la virole intermédiaire 179 comprend, de l’amont vers l’aval : une portion annulaire amont 200, sensiblement plate, une portion cylindrique intermédiaire 201, centrée sur l’axe X, et une portion annulaire aval 202, sensiblement plate, chacune des portions amont 200 et aval 202 s’étendant ici radialement vers l’extérieur depuis la portion cylindrique intermédiaire 201. La portion annulaire amont 200 est en appui contre la portion annulaire extérieure 181 de la virole amont 174 et la portion annulaire aval 202 est en appui contre la portion annulaire extérieure 192 de la virole aval 176.
La virole intermédiaire 179 délimite, avec la portion cylindrique extérieure 180 de la virole amont 174 et la portion cylindrique extérieure 190 de la virole aval 176, une face externe 203 du moyeu 150.
La portion cylindrique extérieure 180 de la virole amont 174 constitue la collerette 172 du support de palier 160. La portion annulaire extérieure 181, la portion tronconique extérieure 182, la portion annulaire intermédiaire 183, la portion tronconique intérieure 184, la portion annulaire intérieure 185 et la portion cylindrique intérieure 186 de la virole amont 174, ainsi que la portion cylindrique extérieure 190, la portion annulaire extérieure 192, la portion tronconique extérieure 194, la portion tronconique intérieure 196 et la portion annulaire intérieure 198 de la virole aval 176 et la virole intermédiaire 179 composent le corps 166 du support de palier 160. Le bord annulaire interne 168 est défini par la portion cylindrique intérieure 186 de la virole amont 174 et par un bord libre 204 de la portion annulaire intérieure 198 de la virole aval 176. Le bord annulaire externe 170 est défini par un bord libre 205 de la portion annulaire extérieure 181 de la virole amont 174 et par la portion cylindrique extérieure 190 de la virole aval 176.
Ici, l’angle de tronconicité de la portion tronconique extérieure 194 de la virole aval 176 est inférieur à celui de la portion tronconique extérieure 194 de la virole amont 174, de sorte que le corps 166 s’évase vers le bord annulaire interne 168.
Les viroles amont 174 et aval 176 définissent entre elles un espace intercalaire 206. Comme visible sur la , la virole intermédiaire 179 est logée dans cet espace intercalaire 206 qu’elle divise entre une portion externe 207 débouchant dans le bord annulaire externe 170 du corps 166 et une portion interne formant une cavité interne 208 du moyeu 150. Elle présente au moins un orifice traversant 209 ( ), radial, débouchant dans la face externe 203 et dans ladite cavité interne 208 du moyeu 150.
La turbomachine 12 est ici une turbomachine à multiples corps, en particulier à double corps, comprenant un corps basse pression 20, un corps haute pression 22, une chambre de combustion 24 et une tuyère d'échappement des gaz 26.
Le corps basse pression 20 comprend un compresseur basse pression 30, une turbine basse pression 32 et un arbre basse pression 34 couplant la turbine basse pression 32 au compresseur basse pression 30. La turbine basse pression 32 entraine en rotation le compresseur basse pression 30 par l'intermédiaire de l'arbre basse pression 34.
Le corps haute pression 22 comprend un compresseur haute pression 40, une turbine haute pression 42 et un arbre haute pression 44 couplant la turbine haute pression 42 au compresseur haute pression 40. La turbine haute pression 42 entraine en rotation le compresseur haute pression 40 par l'intermédiaire de l'arbre haute pression 44.
L'arbre basse pression 34 s'étend à l'intérieur de l'arbre haute pression 44. L'arbre basse pression 34 et l'arbre haute pression 44 sont coaxiaux. L'arbre basse pression 34 et l'arbre haute pression 44 ont pour axe de rotation l'axe longitudinal X.
Le compresseur basse pression 30 comprend un carter de compresseur basse pression 50, un stator 52 et un rotor 54. Le stator 52 comprend des aubes de stator 56 montées fixes sur le carter 50. Le rotor 54 comprend des aubes de rotor 58 propres à être entraînées en rotation par rapport aux aubes de stator 56 par le biais de l'arbre basse pression 34. A cet effet, les aubes de rotor 58 sont montées fixes sur l'arbre basse pression 34. Les aubes de rotor 58 s'étendent dans une veine de circulation interne 59 de la turbomachine 12 en étant intercalées entre les aubes de stator 56.
De manière similaire, le compresseur haute pression 40 comprend un carter de compresseur haute pression 60, un stator 62 et un rotor 64. Le stator 62 comprend des aubes de stator 64 montées fixes sur le carter 60. Le rotor 64 comprend des aubes de rotor 66 propres à être entraînées en rotation par rapport aux aubes de stator 64 par le biais de l'arbre haute pression 44. A cet effet, les aubes de rotor 68 sont montées fixes sur l'arbre haute pression 44. Les aubes de rotor 68 s'étendent dans la veine de circulation interne 59 en étant intercalées entre les aubes fixes 66.
La turbine basse pression 32 comprend un carter de turbine basse pression 70, un stator 72 et un rotor 74. Le stator 72 comprend des aubes de stator 76 montées fixes sur le carter 70. Le rotor 74 comprend des aubes de rotor 78 propres à être entraînées en rotation par rapport aux aubes de stator 76 par le flux de gaz d'échappement. Les aubes de rotor 78 sont montées fixes sur l'arbre basse pression 34. Les aubes de rotor 78 s'étendent dans la veine de circulation interne 59 en étant intercalées entre les aubes de stator 76.
De même, la turbine haute pression 42 comprend un carter de turbine haute pression 80, un stator 82 et un rotor 84. Le stator 82 comprend des aubes de stator 86 montées fixes sur le carter 80. Le rotor 84 comprend des aubes de rotor 88 propres à être entraînées en rotation par rapport aux aubes de stator 86 par le flux de gaz d'échappement. Les aubes de rotor 88 sont montées fixes sur l'arbre haute pression 44. Les aubes de rotor 88 s'étendent dans la veine de circulation interne 59 en étant intercalées entre les aubes de stator 86.
La turbomachine 12 comprend en outre un carter d’entrée 90 définissant une entrée de la veine de circulation interne 59.
La turbomachine 12 comprend également un carter inter-compresseurs 92 disposé entre le compresseur basse pression 30 et le compresseur haute pression 40. Plus précisément, le carter inter-compresseurs 92 relie le carter 50 du compresseur basse pression 30 au carter 60 du compresseur haute pression 40.
La turbomachine 12 comprend encore un carter inter-turbines 94 disposé entre la turbine haute pression 42 et la turbine basse pression 32. Plus précisément, le carter inter-turbines 94 relie le carter 80 de la turbine haute pression 42 au carter 70 de la turbine basse pression 32.
La turbine haute pression 42, la turbine basse pression 32 et le carter inter-turbines 92 forment ensemble un ensemble turbine 96 de la turbomachine 12.
Le carter d’entrée 90, le carter 50 du compresseur basse pression 30, le carter inter-compresseurs 92, le carter 60 du compresseur haute pression 40, le carter 80 de la turbine haute pression 42, le carter inter-turbines 94 et le carter 70 de la turbine basse pression 32 forment ensemble un ensemble structurel 98 de la turbomachine 12.
L'arbre basse pression 34 et l'arbre haute pression 44 sont guidés en rotation par rapport audit ensemble structurel 98 par le biais de différents paliers 100, 102, 104, 106, 108.
Ces paliers 100, 102, 104, 106, 108 incluent, dans l’exemple représenté, trois paliers basse pression 100, 102, 104 supportant l’arbre basse pression 34 et deux paliers haute pression 106, 108 supportant l’arbre haute pression 44.
Les paliers basse pression 100, 102, 104 comprennent, dans l’exemple représenté, un premier palier 100 disposé entre l'arbre basse pression 34 et le carter d’entrée 90, à proximité de l'extrémité amont de l'arbre basse pression 34. Ils comprennent également un deuxième palier 102 disposé entre l'arbre basse pression 34 et le carter inter-compresseurs 92 et un troisième palier disposé entre l'arbre basse pression 34 et le carter inter-turbines 94.
La matière de l’isolant double paroi (2) de l’enceinte chauffée (1) peut être de diverse nature.
Le système de chauffe d’enceinte pour imprimante 3D pour fabrication de pièce en polymère est adapté tant à une enceinte chauffée à volume fixe ou variable par soufflet ou par des éléments télescopiques.
Le système de chauffe fonctionne avec une enceinte chauffée à volume fixe ou variable (1) quel que soit la valeur de son volume.
Les conduits d’air chaud (5) débouchent par l’entrée d’air chaud (6) dans l’enceinte chauffée (1). Le flux d’air chauffé (60), est dirigé par les grilles d’entrées amovibles (9) à hauteur de la buse d’impression (41), puis il est dirigé vers la grille de sortie amovible (10), et retourne dans les conduits d’air chaud (5) par la sortie d’air chaud (7), formant ainsi un circuit fermé d’air chaud. Le flux d’air chauffé (60), reste à une hauteur choisie (65) de la buse d’impression (41). Des sondes de température permettent à l’électronique de pilotage de contrôle (70) la température de l’air chauffé.
Les conduits d’air chaud (5) comprennent plusieurs éléments constitutifs qui permettent l’adaptation du flux d’air chauffé (60), à la topologie de la pièce à fabriquer (50) ; ces éléments sont : les grilles d’entrée amovibles (9), les grilles de sortie amovibles (10), les déflecteurs (11).
Les déflecteurs (11) sont amovibles afin d’avoir des formes ou des positions différentes en fonction du flux d’air chauffé (60) désiré. Les grilles d’entrée amovibles (9), sont parallèles aux grilles de sortie amovibles (10), mais peuvent être aussi inclinées.
A l’intérieur de l’enceinte chauffée (1), la direction du flux d’air chauffé (60), est perpendiculaire aux grilles d’entrée amovibles (9) et aux grilles de sortie amovibles (10).
Le flux de l’air chauffé (60) peut être adapté en fonction de la forme de la pièce à fabriquer (50), en modifiant ou remplaçant les élément amovibles, les grilles d’entrée amovibles (9), les grilles de sortie amovibles (10), les déflecteurs (11). Le flux d’air chauffé (60), autour de la pièce à fabriquer (50) pourra être laminaire ou turbulent en fonction de sa forme et des éléments amovibles (9), (10) et (11). La direction, la forme, la quantité et la position du flux d’air chauffé (60), autour de la pièce à fabriquer (50) peut être modifié et choisi en fonction de la forme et de la position des éléments amovibles, des grilles d’entrée amovibles (9), des grilles de sortie amovibles (10), des déflecteurs (11).
La section de pièce en cours de fabrication (51) étant connu à chaque instant, de par le mode de fabrication additive, dont le principe est « l’empilement de section de pièce », le débit du flux d’air chauffé (60), peut être piloté en fonction de l’avancement de la fabrication de la pièce à fabriquer (50) et peut être modulé en fonction de la section de pièce en cours de fabrication (51), par l’électronique de pilotage de contrôle (70).
Lors des déplacements dans le plan X, Y des chariots X (20) et Y (21), le chariot X (20) sur lequel est fixé la tête d’impression (40), où est fixé la buse d’impression (41), les soufflets mobiles isolants X (22) et les soufflets mobiles isolants Y (23) suivent les déplacements, ce qui réduit les ouvertures de l’enceinte chauffée (1) vers l’extérieur, et améliore l’isolation thermique de l’imprimante 3D (0), permettant des économies d’énergie.
La rotation d’angle α peut être également appliquée aussi bien à des pistes ou éléments conducteurs réalisés en face avant qu’en face arrière de plaque. Elle s’applique par exemple à des cellules PERC (pour « Passivated Emitter and Rear Cell »).
La rotation d’angle α peut être également appliquée à d’autres étapes de procédé, et en particulier à des étapes de dopage ou de sur-dopage effectuées en amont de la métallisation.
Préalablement à la réalisation des pistes conductrices on peut être amené à effectuer un dopage de régions 46, 48 semi-conductrices de la plaque 40, par exemple au niveau de sa face supérieure. Ces régions semi-conductrices qui peuvent être déjà dopées sont alors sur-dopées. Le dopage est par exemple réalisé par implantation à travers un masquage doté d’ouvertures dévoilant des régions 46, 48 semi-conductrices qui s’étendent dans une direction réalisant l’angle α donné non-nul par rapport à des faces latérales de la plaque. La rotation d’angle α s’applique à d’autres techniques de dopage en particulier à un dopage ou sur-dopage assisté par laser, voire à une technique de diffusion utilisant un masque.
Un procédé tel que décrit précédemment s’applique en particulier à des cellules solaires à hétérojonction. Il peut également s’appliquer à d’autres technologies de cellules, par exemple à des cellules multi-jonctions, également appelées « cellules tandem ».
Procédé de fabrication d’un dispositif électroluminescent organique L’invention se rapporte au domaine technique de la fabrication d’un dispositif électroluminescent organique, en particulier d’un micro-écran à diodes électroluminescentes organiques.
L’invention trouve notamment son application dans la fabrication de lunettes et casques à réalité virtuelle ou augmentée, de viseurs d’appareils-photos, d’afficheurs tête-haute, de pico-projecteurs etc.
État de l’art Un procédé de fabrication d’un dispositif électroluminescent organique connu de l’état de la technique, notamment du document H.-H. Hsieh et al., « A 2.4 in. AMOLED with IGZO TFTs and inverted OLED Devices », SID, vol.40, Issue 1, 2010, comporte les étapes : a 0 1 ) utiliser un empilement comportant successivement : - un substrat, intégrant des transistors de type n en couches minces comprenant chacun un drain, une source et une grille ; - une structure d’interconnexions, électriquement connectée aux transistors de type n, et comprenant : des premiers trous d’interconnexions, chacun étant électriquement connecté à une source d’un transistor de type n ; des deuxièmes trous d’interconnexions, chacun étant électriquement connecté à un drain d’un transistor de type n ; b 0 1 ) former : - un ensemble de couches anodiques sur la structure d’interconnexions, espacées entre elles de manière à former un réseau de lignes et de colonnes, chaque couche anodique étant électriquement connectée à un premier trou d’interconnexion, - un plot de contact électrique sur la structure d’interconnexions, adjacent à l’ensemble de couches anodiques, et électriquement connecté aux deuxièmes trous d’interconnexion ; c 0 1 ) former un ensemble d’empilements de couches semi-conductrices organiques, chaque empilement de couches semi-conductrices organiques s’étendant sur une couche anodique et autour de ladite couche anodique ; d 0 1 ) former une cathode commune s’étendant sur la structure d’interconnexions, sur l’ensemble d’empilements de couches semi-conductrices organiques et sur le plot de contact électrique.
Il apparaît intéressant d’utiliser des transistors de type n en couches minces (TFT pour « Thin Film Transistors » en langue anglaise), le canal pouvant être réalisé dans un oxyde transparent conducteur (TCO pour « Transparent Conductive Oxide » en langue anglaise), dans un oxyde semi-conducteur transparent (TSO pour « Transparent Semiconducting Oxide » en langue anglaise) tel que l’oxyde d’Indium-Gallium-Zinc In-Ga-Zn (IGZO). En particulier, l’IGZO a montré une meilleure stabilité en courant pour piloter le dispositif électroluminescent organique tel qu’un micro-écran à diodes électroluminescentes organiques. Les TFT sont classiquement agencés de manière à former un schéma d’alimentation et d’adressage des pixels de type 2T-1C, c'est-à-dire deux transistors de type TFT et une capacité pilotent un pixel.
Toutefois, un tel procédé de l’état de la technique n’est pas entièrement satisfaisant dans la mesure où il a été constaté une dérive de la tension V GS (tension entre la grille et la source) qui conduit à un marquage important et à une image rémanente.
Un procédé de fabrication d’un dispositif électroluminescent organique connu de l’état de la technique, notamment du document H.-H. Hsieh et al., « A 2.4 in. AMOLED with IGZO TFTs and inverted OLED Devices », SID, vol.40, Issue 1, 2010, comporte les étapes : a 0 2 ) utiliser un empilement comportant successivement : - un substrat, intégrant des transistors de type n en couches minces comprenant chacun un drain, une source et une grille ; - une structure d’interconnexions, électriquement connectée aux transistors de type n, et comprenant : des premiers trous d’interconnexions, chacun étant électriquement connecté à une source d’un transistor de type n ; des deuxièmes trous d’interconnexions, chacun étant électriquement connecté à un drain d’un transistor de type n ; b 0 2 ) former : - un ensemble de couches cathodiques sur la structure d’interconnexions, espacées entre elles de manière à former un réseau de lignes et de colonnes, chaque couche cathodique étant électriquement connectée à un premier trou d’interconnexion, - un plot de contact électrique sur la structure d’interconnexions, adjacent à l’ensemble de couches cathodiques, et électriquement connecté aux deuxièmes trous d’interconnexion ; c 0 2 ) former un ensemble d’empilements de couches semi-conductrices organiques, chaque empilement de couches semi-conductrices organiques s’étendant sur une couche cathodique et autour de ladite couche cathodique ; d 0 2 ) former une anode commune s’étendant sur la structure d’interconnexions, sur l’ensemble d’empilements de couches semi-conductrices organiques et sur le plot de contact électrique.
Un tel procédé de l’état de la technique forme le dispositif électroluminescent (i.e. les empilements de couches semi-conductrices, les couches cathodiques et l’anode commune) en inverse, c'est-à-dire que l’anode se retrouve en position supérieure de l’empilement par rapport à la cathode. Une telle architecture inversée permet de réduire drastiquement le marquage.
Toutefois, un tel procédé de l’état de la technique n’est pas entièrement satisfaisant avec une résistance série importante due à un problème d’injection de porteurs entre la couche cathodique et l’empilement de couches semi-conductrices organiques (plus précisément avec la couche d’injection d’électrons), cf. J. Wang et al., « Efficient inverted organic light- emitting devices using a charge- generation unit as electron -injection layers », Organic Electronics, vol. 96, 106202, 2021 et S. Madasamy et al, « An overview about the use of electrical doping of charge carrier transport layers in OLEDs and further organic electronic applications », Proc. SPIE 6999, Organic Optoelectronics and Photonics III, 69991E, 2008.
L’invention vise à remédier en tout ou partie aux inconvénients précités. A cet effet, l’invention a pour objet un procédé de fabrication d’un dispositif électroluminescent organique, comportant les étapes : a) utiliser un empilement comportant successivement : - un substrat, intégrant des transistors de type n en couches minces comprenant chacun un drain, une source et une grille ; - une structure d’interconnexions, électriquement connectée aux transistors de type n, et comprenant : une anode commune, électriquement connectée aux sources des transistors de type n ; des trous d’interconnexions, chacun étant électriquement connecté à un drain d’un transistor de type n ; b) former un ensemble de couches anodiques et un ensemble de plots de contact électrique sur la structure d’interconnexions, les couches anodiques étant espacées entre elles de manière à former un réseau de lignes et de colonnes, chaque couche anodique étant électriquement connectée à l’anode commune ; chaque plot de contact électrique étant adjacent à une couche anodique et étant électriquement connecté à un trou d’interconnexion ; c) former un ensemble d’empilements de couches semi-conductrices organiques, chaque empilement de couches semi-conductrices organiques s’étendant sur une couche anodique et autour de ladite couche anodique, à distance du plot de contact électrique adjacent à ladite couche anodique ; d) former une couche cathodique s’étendant sur la structure d’interconnexions, sur l’ensemble d’empilements de couches semi-conductrices organiques et sur l’ensemble de plots de contact électrique ; e) former successivement une couche de recouvrement optique et une couche d’encapsulation sur la couche cathodique ; f) graver localement la couche d’encapsulation, la couche de recouvrement optique et la couche cathodique de manière à isoler électriquement les couches anodiques entre elles et former une matrice de pixels ; chaque pixel comprenant une couche anodique et un plot de contact électrique, adjacent à ladite couche anodique.
Ainsi, un tel procédé selon l’invention permet de conserver une architecture directe (c'est-à-dire non inversée) en anode commune, la cathode se retrouvant en position supérieure de l’empilement par rapport à l’anode. Le procédé selon l’invention permet, grâce à l’étape f), de singulariser la cathode à l’échelle du pixel alors qu’il est très difficile, voire impossible de déposer localement une cathode sur un empilement de couches semi-organiques conductrices correspondant à un pixel, en particulier lorsque le pas (« pitch » en langue anglaise) est inférieur ou égal à 10 µm. Chaque pixel peut être piloté par le plot de contact électrique correspondant. Le marquage est réduit par rapport à l’état de la technique grâce à cette singularisation de la cathode à l’échelle du pixel qui permet d’atténuer les phénomènes de diaphonie (« crosstalk » en langue anglaise) entre les pixels adjacents.