Capteur d'images visibles et infrarouges, comprenant : - une première couche active (101) de détection d'un rayonnement visible, dans laquelle sont définis une pluralité de pixels de détection visible (VP) ; et - superposée, à la première couche active (101), une deuxième couche active (111) de détection d'un rayonnement infrarouge, dans laquelle sont définis une pluralité de pixels de détection infrarouge (IRP), le capteur comprenant en outre, du côté de la face de la deuxième couche active (111) opposée à la première couche active (101), un circuit intégré de contrôle (160) superposé aux première (101) et deuxième (111) couches actives, dans lequel le capteur comprend des tranchées d’isolation (120) s’étendant verticalement à travers au moins une partie de l’épaisseur de la deuxième couche active (111) et délimitant latéralement dans la deuxième couche active (111) des îlots ou mésas formant les pixels de détection infrarouge (IRP). Capteur selon la revendication 1, dans lequel lesdites tranchées d’isolation (120) traversent entièrement la deuxième couche active (111). Capteur selon la revendication 1, dans lequel lesdites tranchées d’isolation (120) s’étendent sur une partie seulement de l’épaisseur de la deuxième couche active (111). Capteur selon la revendication 1, dans lequel la deuxième couche active (111) définit, dans chaque pixel de détection infrarouge (IRP), une cavité optique résonante verticale pour ledit rayonnement infrarouge. Capteur selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel la première couche active (101) et la deuxième couche active (111) sont séparées par une couche d’interface (107, 115 ; 301) non métallique, la couche d’interface étant en contact, par une première face, avec la première couche active (101) et, par une deuxième face, avec la deuxième couche active (111). Capteur selon la revendication 5, dans lequel la couche d’interface (107, 115 ; 301) est en oxyde de silicium. Capteur selon la revendication 5, dans lequel la couche d’interface (107, 115, 301) comprend des éléments de routage électrique en silicium polycristallin dopé. Capteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel la première couche active (101) est en silicium. Capteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel la deuxième couche active (111) est en un matériau semiconducteur inorganique. Capteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel la deuxième couche active (111) contient du germanium ou du silicium, par exemple un alliage silicium-germanium (SiGe), un alliage silicium-germanium-carbone (SiGeC). Capteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel la deuxième couche active (111) contient de l’InGaAs ou tout autre matériau semiconducteur de détection de la famille des semiconducteurs III-V. Capteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 11, comprenant une couche réflectrice (126), par exemple en métal ou en un matériau semiconducteur dopé, du côté de la face de la deuxième couche active (111) opposée à la première couche active (101). Capteur selon l’une quelconque des revendications 1 à 12, comprenant en outre une couche semiconductrice dopée (201) disposée entre la première couche active (101) et la deuxième couche active (111) et connectant électriquement, par leur face tournée vers la première couche active (101), les pixels de détection infrarouge (IRP) du capteur. Capteur selon l’une quelconque des revendications 1 à 13, comportant des vias conducteurs (145a, 145c) s’étendant verticalement à travers les tranchées d’isolation (120) et connectant électriquement des éléments actifs des pixels de détection visible (VP) au circuit intégré de contrôle (110). Procédé de fabrication d'un capteur d'images visibles et infrarouges, comprenant les étapes successives suivantes : a) prévoir une première couche active (101) de détection d'un rayonnement visible dans laquelle sont définis une pluralité de pixels de détection visible (VP) ; b) fixer, par collage direct, sur la première couche active (101), une deuxième couche active (111) de détection d'un rayonnement infrarouge ; c) former des tranchées d’isolation (120) s’étendant latéralement à travers la deuxième couche active (111) et délimitant latéralement dans la deuxième couche active (111) des îlots ou mésas définissant une pluralité de pixels de détection infrarouge (IRP) dans la deuxième couche active (111) ; et d) disposer, du côté de la face de la deuxième couche active (111) opposée à la première couche active (101), un circuit intégré de contrôle (160) superposé aux première (101) et deuxième (111) couches actives.