INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
En fonction des systèmes et équipements de mesure mis en œuvre, un accéléromètre ou plusieurs peuvent être noyés dans la masse des pièces intercalaires 55. De même, un repère visuel peut être prévu à la surface externe des pièces intercalaires 55 pour un système de captation vidéo tel que mentionné ci-avant. En variante, en complément ou en remplacement de mesures de déplacements, des mesures de déformation peuvent être prévues au moyen de capteurs dédiés disposés à cet effet dans l’élément allongé 5. En outre, des capteurs peuvent être montés sur des dispositif d’ancrage intermédiaires entre l’élément allongé 5 et le reste de la maquette 1 plutôt que directement sur l’élément allongé 5 lui-même.
La structure de l’élément allongé 5 décrite ci-avant combine de nombreux avantages : - sa fabrication ne présente pas de difficulté particulière et est peu couteuse ; - les pièces intercalaires 55 n’ayant pas de contact avec le fluide de l’écoulement 3, elles n’ont pas d’effet a priori sur le comportement de l’écoulement 3 autour de l’élément allongé. Il suffit donc de choisir et adapter à volonté le matériau des pièces intercalaires 55 en fonction de sa masse volumique afin de régler la masse de l’élément allongé et donc une grande partie des propriétés mécaniques intrinsèques de l’élément allongé (fréquence vibratoire, amortissement, etc.) en fonction du type d’élément allongé souhaité (fixe ou vibrant) et des essais à réaliser ; - l’homogénéité ou l’hétérogénéité de la masse sur la longueur de l’élément allongé peut être sélectionnée à volonté, par exemple en mettant en œuvre des pièces homogènes sur toutes la longueur ou bien au contraire une juxtaposition de pièces de différentes masses volumiques le long de l’élément allongé ; - rendre l’élément allongé étanche au fluide de l’écoulement ne présente pas non plus de difficulté particulière ; - les différentes pièces constituant chaque élément allongé peuvent être aisément interchangeables, ce qui facilite l’adaptation de la maquette 1 en fonction des essais successifs à mettre en œuvre.
La structure et ses caractéristiques proposées en et peuvent être transposées et combinée aux modes de réalisation des figures 2 à 7, donc de manière générale à des éléments allongés fixes et vibrants, et à divers modes d’ancrage, au prix de quelques adaptations de routine à la portée de la personne du métier.
Il est maintenant fait référence à la . Un exemple d’un générateur de vapeur 100 tel que ceux utilisés dans les centrales nucléaires y est représenté. On y retrouve, de bas en haut sur la figure, les ensembles suivants : - un faisceau de tubes échangeurs 101 ; - des séparateurs cycloniques 102 ; - des sécheurs 103.
La flèche verticale 104 à gauche représente, très schématiquement, l’augmentation du taux de vapeur au sein du générateur (de 0 à 100 %). Les petites flèches non référencées représentent la circulation du fluide caloporteur, les flèches foncées (pleines) représentant un fluide « chaud » (de l’ordre de 300°C dans l’exemple décrit ici) tandis que les flèches claires représentent un fluide froid. Enfin, la zone cerclée 105 est une zone au sein de laquelle un écoulement transverse a lieu (autour des tubes) en fonctionnement tandis que la zone cerclée 106, appelée « chignon », est une zone au sein de laquelle un écoulement transverse (autour des tubes) a également lieu en fonctionnement et que cet écoulement est, souvent, diphasique.
La représente donc un exemple réel mais non limitatif pour lequel l’utilisation d’une maquette 1 telle que décrite ci-avant présente des avantages particuliers. La demanderesse a en effet constaté, dans la pratique, des phénomènes d’usures et de dégradations plus rapides qu’initialement prévus dans la zone cerclée 105 et de manière encore plus prononcée dans la zone cerclée 106. En mettant en œuvre des maquettes telles que décrites ci-avant, elle a réussi à générer des vibrations localisées qui, elles-mêmes, ont permis de reproduire les phénomènes d’usures et de dégradations prématurées. La demanderesse a donc observé et quantifié ces phénomènes qui étaient inexistants, donc imprévisibles et inévitables par l’utilisation des maquettes de l’art antérieur. Parmi les phénomènes néfastes observés et ayant des effets techniques néfastes qu’il devient possible d’anticiper et donc d’éviter, la demanderesse a constaté des colmatages des passages foliés des entretoises par lesquels les tubes du faisceau sont maintenus. En effet, un tel colmatage induit un accroissement non souhaité et non souhaitable de la vitesse d’écoulement du fluide au sein du générateur de vapeur dans une direction transversale aux tubes, et donc une dégradation/usure plus importante et/ou plus rapide des composants.
La est une vue schématique en coupe transversale du support selon l’invention en position rangée.
La est une vue schématique en coupe transversale du support selon l’invention en position sortie.
La est une vue schématique en coupe transversale d’un détail du support des figures 1 et 2.
La est une vue en perspective du dessous du support des figures 1 et 2.
La est une vue en perspective du support de la .
Dans la description qui suit, nous prendrons à titre non limitatif une orientation longitudinale, verticale et transversale indiquée par le trièdre L,V,T des figures 1 à 5.
Tel que décrit aux figures 1 et 2, un coffre de véhicule automobile (non représenté) comporte un panneau de côté de caisse 10 et une paroi de garniture intérieur 12 d’orientation sensiblement longitudinale.
Le panneau de côté de caisse 10 est situé à distance de la paroi de garniture 12 de façon à ménager un espace 14 entre le panneau 10 et la paroi 12.
La paroi 12 présente une face intérieure 120 tournée vers l’intérieur du véhicule et une face extérieure 122, tournée du côté du panneau 10.
La face extérieure 122 de la paroi 12 comporte un logement 16 d’axe A d’orientation sensiblement transversale. Une extrémité 160 du logement 16 débouche dans la paroi 12 en formant une ouverture 18. Une extrémité opposée 162 est située entre le panneau 10 et la paroi 12, à proximité du panneau 10.
Le logement 16 peut avoir la forme d’un cylindre d’axe A par exemple.
Dans le mode de réalisation présenté ici, l’ouverture 18 est située à l’intérieur d’un renfoncement 20 formé dans la face intérieure 120 de la paroi 12.
Un support 22 est monté coulissant à l’intérieur du logement 16.
- Infection media: M199 + 0.4% BSA + p/2
La veille de l'expérience, les 8 000 cellules/puits sont ensemencées dans 2 plaques de 96 puits (claires, Sarstedt), une pour l'étude antivirale et une pour l'étude de cytotoxicité.
[Table 2] Disposition des plaques D-Xylose ( mM) D-Xylose 6h pré-traitement Xylose au moment de l’infection Remdesivir au moment de l’infection Infecté Non-infecté Vide Numéro des lignes 42 A 21 B 10,5 C 5,25 D 2,625 E 1,3125 F 0,65625 G 0,328125 H Numéro de colonne 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
Traitement avec le composé
Une solution de 1M est préparée en dissolvant 1 g de xylose dans 6,7 ml d'eau stérile de qualité biologie moléculaire [Xylose MW = 150,13].
La composition est filtrée et stérilisée à travers un filtre de 0,22 µM.
134,4 µl de la composition à 1M est transférée dans 1 465,6 µl de milieu d'infection (= 84 mM, deux fois la concentration maximale finale).
La quantité de diluant (eau) dans le mélange est de 8,4 % (4,2 % final).
Ensuite le « milieu d'infection + diluant » est préparé en ajoutant 1 680 µl d'eau à 18 320 µl de milieu d'infection.
Pour le remdesivir : ajouter 3,2 µl de solution mère 10 mM à 796,8 µl de milieu d'infection.
Les puits sont répartis comme suit :
Aux puits B à H (lignes) des colonnes 1 à 11, 110 µl de milieu d'infection + diluant.
Aux puits B à H (lignes) de la colonne 12, 110 µl de milieu d'infection sans diluant.
La partie d’interconnexion est typiquement réalisée au-dessus d’un substrat semiconducteur du circuit intégré.
Les composants passifs, tels qu’en particulier des bobines ou des éléments inductifs, peuvent être typiquement réalisés dans l’un des derniers niveaux de métaux de la partie d’interconnexion.
Ils présentent conventionnellement un facteur de qualité qui dépend de la résistivité du substrat semiconducteur situé en regard de leurs positions dans le niveau de métal.
En particulier, en raison de pertes dans le substrat, le facteur de qualité des composants passifs diminue lorsque la résistivité du substrat est plus faible, et augmente lorsque la résistivité du substrat est plus élevée.
Cela étant, une augmentation de la résistivité du substrat semiconducteur ne permet classiquement pas d’améliorer le facteur de qualité des composants passifs.
En effet la résistivité du substrat près de la face avant diminue grandement à cause de « budgets thermiques » ou « recuits », typiquement appliqués dans le substrat semiconducteur lors de la fabrication du circuit intégré.
Ainsi, il existe un besoin d’améliorer les performances, notamment d’augmenter le facteur de qualité, des composants passifs des circuits intégrés.
Selon un aspect, il est proposé à cet égard un circuit intégré comportant un substrat semiconducteur ayant une face avant comportant des structures d’isolation s’étendant verticalement dans le substrat depuis la face avant jusqu’à une première profondeur.
Le circuit intégré comprend également une partie d’interconnexion comprenant des niveaux de métaux incorporant au moins un composant passif, au-dessus de la face avant du substrat.
Le circuit intégré comporte en outre une structure diélectrique alignée verticalement avec la position dudit au moins un composant passif, et s’étendant verticalement dans le substrat depuis la face avant jusqu’à une deuxième profondeur supérieure à la première profondeur.
En effet, en fonction de la résistivité nominale (c’est-à-dire par exemple avant les recuits) du substrat semiconducteur, la résistivité du substrat augmente en s’enfonçant verticalement dans la profondeur d’une manière avantageuse, par rapport à la résistivité au niveau de la face avant, dès l’ordre de grandeur de la profondeur des structures d’isolation conventionnelles.
Par exemple, les structures d’isolation peuvent être des tranchées d’isolation peu profondes (usuellement « STI » pour « Shallow Trench Isolation » en anglais).
Ces structures d’isolation telles que des tranchées d’isolation peu profondes, peuvent avoir une première profondeur de l’ordre de quelques centaine(s) de nanomètre « nm », par exemple 300 nm, ou entre 100 nm et 500 nm.
Une deuxième profondeur, par exemple de l’ordre de 500 nm à 1 micromètre « µm », peut permettre d’augmenter d’un facteur 2 à 10, en fonction de la résistivité nominale du substrat semiconducteur, la résistivité du substrat semiconducteur par rapport à la résistivité prise au niveau de face avant.
Ainsi, selon un mode de réalisation, la deuxième profondeur peut être choisie de sorte que la résistivité du substrat semiconducteur au niveau de la deuxième profondeur soit au moins une fois et demi plus grande que la résistivité du substrat au niveau de la première profondeur, voire au moins deux fois plus grande, voire même quatre à cinq fois plus grande.
Par exemple à cet égard, la première profondeur est comprise entre 0,1 µm (micromètre) et 0,5 µm (micromètre) et la deuxième profondeur est comprise entre 0,3 µm (micromètre) et 1,5 µm (micromètre).
La représente une coupe radiale du bras 304 selon un plan d’un noyau magnétique dans lequel se trouve deux entretoises.
La représente une coupe axiale du bras 304 selon un plan n’intersectant pas la ou les entretoises, le passage 15 apparaît ainsi comme un anneau continu autour de la partie centrale 16 du bras.
La première paroi interne 17 et la deuxième paroi interne 19 peuvent présenter une forme cylindrique centrée sur l’axe A, et en particulier une forme cylindrique à section circulaire. Le passage débouchant 15 présente alors une section annulaire. La dimension radiale de chacun de la partie centrale 16, de la partie périphérique 18 et du passage débouchant 15 est supérieure ou égale à 500 µm. Lorsque le bras et les parois internes 17 et 19 ont chacun la forme d’un cylindre centré sur l’axe A principal du cylindre, le bras et la paroi interne 17 définissent des rayons dont la différence est supérieure ou égale à 500 µm et les parois internes 17 et 19 définissent des rayons dont la différence est supérieure ou égale à 500 µm. Dans ce mode préféré la partie périphérique 18 est un cylindre creux extérieur et la partie centrale 16 est un cylindre intérieur. Le passage débouchant 15 permet une circulation fluidique, entre le cylindre creux extérieur 18 et le cylindre intérieur 16. Ces cylindres sont solidarisés par au moins une entretoise E. L’entretoise E ou les entretoises E s’étendent radialement entre la paroi externe 19 du cylindre intérieur 16 et la paroi interne 17 du cylindre extérieur 18. Structurellement, le cylindre creux extérieur 18, le cylindre intérieur 16 et les entretoises E peuvent être formés d’un seul bloc par fabrication additive. Les deux parois 17 et 19 se font face et définissent le passage débouchant 15. Dans ce passage les entretoises ne gênent pas la circulation fluidique.
Un bras creux de ce quatrième type est notamment adapté pour faire passer un fluide de refroidissement dans le passage débouchant 15 de sorte à refroidir le bras et plus généralement le noyau. Un noyau magnétique comme on l’a présenté plus haut peut comprendre un ou plusieurs bras de ce quatrième type. Tous les bras du noyau peuvent être de ce type.
Il est à noter que l’on peut combiner les caractéristiques d’un bras du deuxième type et les caractéristiques d’un bras du quatrième type dans un bras d’un cinquième type. Selon ce cinquième type et en rapport avec les figures 10 et 11, un bras 306 peut comprendre d’une part les deux parois internes 17 et 19 en regard l’une de l’autre, les deux parois 17 et 19 définissant entre elles le passage débouchant 15 et d’autre part le logement fermé 9, le logement 9 étant centré sur l’axe A du bras 306, l’axe A traversant le logement 9. Autrement dit le logement fermé 9 est situé à l’intérieur de la partie centrale 16. Le logement 9 est entouré par la deuxième paroi interne 19. L’épaisseur – mesurée dans une direction radiale - de matière du bras entre le logement 9 et la deuxième paroi interne 19 est supérieure ou égale à 500 µm. Lorsque le bras et le logement 9 ont chacun la forme d’un cylindre centré sur l’axe A principal du cylindre, le bras et le logement 9 définissent des rayons dont la différence est supérieure ou égale à 500 µm.
Un bras creux de ce cinquième type permet de produire simultanément ou séparément les effets techniques associés aux bras du deuxième type et du quatrième type. Un noyau magnétique comme on l’a présenté plus haut peut comprendre un ou plusieurs bras de ce cinquième type. Tous les bras du noyau peuvent être de ce type.
Selon un sixième type et en rapport avec les figures 12 et 13, un bras 305 peut comprendre deux parois internes 25 et 27, chaque paroi interne définissant un passage débouchant hors du bras à chaque extrémité du bras, l’axe du cylindre ne passant par aucun des deux passages. Autrement dit :
la première paroi interne 25 définit un premier passage 21 qui s’étend à l’intérieur du bras selon l’axe A depuis une extrémité axiale à l’autre,
la deuxième paroi interne 27 définit un deuxième passage 23 qui s’étend à l’intérieur du bras selon l’axe A depuis une extrémité axiale à l’autre, et
l’axe du cylindre A ne passe ni par le premier passage 21 ni par le deuxième passage 23.
Dans ce sixième type, le bras comprend deux passages débouchant différents, chaque passage étant par une seule paroi. Le bras comprend donc deux parois différentes qui définissent chacune un passage débouchant.
Le bras 305 présente une partie centrale 26 qui se situe radialement entre la première paroi interne 25 et la deuxième paroi interne 27. La partie centrale 26 est pleine, c’est-à-dire en ferrite, et elle est traversée par l’axe A.
La première paroi interne 25 et la deuxième paroi interne 27 s’étendent radialement autour de la partie centrale 26 sur des secteurs angulaires d’une étendue inférieure ou égale à 180°. La première paroi interne 25 et la deuxième paroi interne 27 peuvent être symétriques l’une par rapport à l’autre par rapport à l’axe principal A du bras 305. Par exemple, chacune des parois internes 25 et 27 présente en coupe radiale une partie circulaire centrée sur l’axe du cylindre et une partie rectiligne qui relie les deux extrémités de la partie circulaire, chacune des parois interne étant générée par translation de cette coupe radiale par une translation selon l’axe principal A du bras 305. Dans un autre exemple, chacune des parois internes 25 et 27 présente en coupe radiale une forme elliptique, chacune des parois interne étant générée par translation de cette coupe radiale par une translation selon l’axe principal A du bras 305.
Dans un mode préféré du sixième type de bras, la première paroi interne 25 et la deuxième paroi interne 27 présentent chacune deux parties de forme cylindrique centrées sur l’axe A les deux parties étant en regard l’une de l’autre. Le premier passage 21 et le deuxième passage 23 présentent alors une section radiale qui a une forme de portion d’anneau.
Le bras 305 présente dans le mode préféré une partie périphérique 28 qui se situe radialement autour de la première paroi interne 25 et de la deuxième paroi interne 27.
Dans le mode préféré, les passages débouchant 21 et 23 se situent entre la partie centrale 26 et la partie périphérique 28 du bras 305. La partie centrale 26 et la partie périphérique 28 sont reliées l’une à l’autre par deux cloisons C qui s’étendent dans une direction radiale depuis la partie centrale 26 jusqu’à la partie périphérique 28. Les cloisons C s’étendent sur toute la longueur axiale du bras 304. Les cloisons C séparent les passages débouchant 21 et 23, de sorte que sur toute la longueur axiale du bras 304, un fluide ne peut pas passer d’un passage débouchant à l’autre. Les cloisons C définissent alors une partie des parois internes 25 et 27. Chaque paroi interne dans le mode préféré est formée d’une partie de la surface de chacune des deux cloisons C et des deux parties de forme cylindrique centrées sur l’axe A en regard l’une de l’autre, les deux parties étant pour chaque paroi interne reliée par les deux cloisons.
Les éléments d’interconnexion 20, 21 peuvent, par exemple, comprendre des fils ou des rubans de cuivre étamés, c’est-à-dire des fils ou rubans de cuivre sur lesquels on a déposé une couche d’alliage métallique à base d’étain, par exemple en SnAg, SnPb, SnBiPb, SnAgCu, SnAgBi, etc., pour les préserver de l’oxydation. Les éléments d’interconnexion 20, 21 peuvent être collés ou soudés sur la couche TCO 3, 4. En variante, les éléments d’interconnexion 20, 21 sont posés directement sur la couche TCO 3, 4, en contact mécanique avec les deuxièmes zones 10 à 17, et la connexion électrique entre les éléments d’interconnexion 20,21 et les deuxièmes zones 10 à 17 peut être réalisée ultérieurement lors d’une étape de lamination. On entend par lamination, une étape comprenant un apport de chaleur aux cellules photovoltaïques C1, C2 de sorte à effectuer une brasure d’au moins un élément d’interconnexion 20, 21 avec les deuxièmes zones 10 à 17 de chaque cellule photovoltaïque C1, C2 de sorte à coupler mécaniquement et électriquement les éléments d’interconnexion 20, 21 avec les deuxièmes zones 10 à 17.
Ainsi, en ajoutant des deuxièmes zones 10 à 17 présentant une conductivité électrique supérieure à celle de la ou des premières zones 5, on crée des zones 10 à 17 ayant une résistance électrique plus faible que celle de la ou des premières zones 5. Les deuxièmes zones 10 à 17 facilitent le déplacement des charges produites par le substrat 2, et notamment le déplacement latéral selon une direction secondaire Y perpendiculaire à la direction principale X. En d’autres termes, les deuxièmes zones 10 à 17 évitent une augmentation significative de la résistance série dans le module dû à l’augmentation de la distance de transport latéral au sein de la couche TCO 3, 4. En outre, la collecte des porteurs de charges par les éléments d’interconnexion 20, 21 est améliorée du fait que les éléments d’interconnexion 20,21 s’étendent de manière inclinée d’un angle compris entre 85° et 105°, de préférence à 90°, avec les deuxièmes zones 10 à 17. Avantageusement, la collecte des porteurs de charges est encore améliorée lorsque les éléments d’interconnexion 20,21 s’étendent perpendiculairement aux deuxièmes zones 10 à 17.
Par ailleurs, les éléments d’interconnexion 20, 21 sont séparés d’une première distance 38, la première distance 38 étant mesurée selon la direction principale X. À titre d’exemple, la première distance 38 peut être comprise entre 2 et 16 millimètres, de préférence entre 2 et 8 mm. Par exemple, pour au moins une cellule photovoltaïque C1, C2, les deuxièmes zones 10 à 17 sont séparées d’une deuxième distance 40 supérieure ou égale à une largeur 39 d’au moins une deuxième zone 10 à 17, la largeur étant mesurée selon une direction perpendiculaire à la direction principale en X. Par exemple, la deuxième distance 40 peut être comprise entre 0,1 et 2 mm, de préférence entre 0,5 et 1 mm. Avantageusement, la première distance 38 est strictement supérieure à la deuxième distance 40. Ainsi, la distance parcourue par les porteurs de charges libres dans la couche TCO 3, 4 pour atteindre les deuxièmes zones 10 à 17 est très inférieure à la distance à parcourir pour atteindre les éléments d’interconnexion 20, 21 en passant par la première zone 5.
De façon générale, le dopage des deuxièmes zones 10 à 17 consiste à ajouter des impuretés localement dans les deuxièmes zones 10 à 17 de manière à augmenter la conductivité électrique des deuxièmes zones 10 à 17. On note que plus le dopage des deuxièmes zones 10 à 17 augmente, plus la conductivité électrique des deuxièmes zones 10 à 17 augmente, ce qui diminue la résistance électrique, dite résistance série, des deuxièmes zones 10 à 17. Par ailleurs, une augmentation du dopage des deuxièmes zones 10 à 17 entraîne également une augmentation de l’absorption de la lumière par les deuxièmes zones 10 à 17, du fait notamment de l’augmentation de la densité des porteurs de charges, ce qui réduit le courant généré par le module photovoltaïque. En d’autres termes, l’ensemble 1 associe une ou plusieurs régions d’une couche TCO 3, 4 peu conductrices 5 donc peu absorbantes de la lumière avec des régions fortement conductrices 10 à 17. Avantageusement, pour une surface Sfa de la face avant 100 d’une cellule C1, C2, on crée des deuxièmes zones 10 à 17 dont la surface totale présente au niveau de la face avant 100 de la cellule C1, C2 est très inférieure à la surface Sfa de la face avant 100 de la cellule C1, C2. Ainsi, on favorise la collecte des porteurs de charges, pour augmenter le courant produit, tout en diminuant l’effet d’absorption de lumière par les deuxièmes zones 10 à 17.
Les deuxièmes zones 10 à 17 fortement conductrices permettent de réduire la résistance latérale dans la couche TCO 3, 4 permettant au courant de circuler plus facilement dans la couche TCO 3, 4. En outre, un dopage en éléments conducteurs des deuxièmes zones 10 à 17 permet également d’avoir une résistance électrique entre les deuxièmes zones 10 à 17 et les éléments d’interconnexion 20,21 plus faible.
Par exemple les deuxièmes zones 10 à 17 peuvent être réalisées par modification de la première zone 5, en introduisant de l’hydrogène, ou par introduction d’éléments conducteurs localement dans la première zone 5. En variante, les deuxièmes zones 10 à 17 peuvent être déposées par pulvérisation en utilisant un masque ou réalisées par dopage laser localisé ou par implantation d’hydrogène localisé suivi d’un recuit, c’est-à-dire une mise en température de la cellule C1, C2 à une température comprise entre 100 et 800 °C, préférentiellement entre 200°C et 300°C.