INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Selon un mode de réalisation, le deuxième matériau isolant est de l'oxyde de silicium.
Selon un mode de réalisation, le troisième matériau étanche est de l'oxyde d'aluminium.
Selon un mode de réalisation, la troisième couche en le troisième matériau étanche a une épaisseur comprise entre 5 et 20 nm.
Un autre mode de réalisation prévoit un procédé de fabrication d'un condensateur utilisant le procédé décrit précédemment.
Un autre mode de réalisation prévoit une tranchée isolante étanche, pour un dispositif électronique, comprenant une tranchée isolante ayant une cavité centrale remplie par un empilement comprenant successivement : - une première couche d'arrêt de gravure ; - une deuxième couche d'un deuxième matériau isolant ; et - une troisième couche en un troisième matériau étanche.
2.3) Détermination d’un mode de transport en commun hors réseau routier
L’étape 1’ peut également être mise en œuvre par des moyens informatiques, notamment un ordinateur, un serveur ou un téléphone portable. Ces étapes seront détaillées dans la suite de la description.
De manière avantageuse, l’étape de la succession d’étapes de détermination d’un mode de transport en commun hors réseau routier peut être réalisée au moyen d’au moins un système d’information géographique SIG (ou en anglais GIS pour « Geographic information system »). Un tel système d’information géographique peut inclure les voies d’au moins un mode de transport en commun hors réseau routier, par exemple les voies ferrées, les voies de métro, le positionnement des aéroports, etc.
La illustre, schématiquement et de manière non limitative, les étapes du procédé selon ce deuxième mode de réalisation. Cette figure illustre une combinaison des deux configurations décrites ci-dessus (SIG, et étape préalable de détermination d’un descripteur), toutefois, ces réalisations sont indépendantes et peuvent être appliquées seules. Les étapes décrites en relation avec la ne sont pas redétaillées. Pour ce deuxième mode de réalisation, le procédé comprend une étape supplémentaire de détermination d’au moins un descripteur DES du trajet parcouru à partir des données de géolocalisation horodatées GPS. Cette étape de détermination d’au moins un descripteur DES est également appliquée aux données de géolocalisation d’apprentissage DAP. L’au moins un descripteur DES est mis en œuvre dans les différentes étapes de la succession d’étapes SET. De plus, un système d’information géographique SIG est utilisé pour l’étape de détermination d’un mode de transport en commun hors réseau routier TRC.
Conformément à une mise en œuvre de l’invention, le procédé peut mettre en œuvre une étape d’acquisition des données des véhicules de l’utilisateur, et peut adapter la succession d’étapes par adaptation des étapes en fonction des données des véhicules de l’utilisateur. Par exemple, on peut acquérir, notamment au moyen d’une interface homme-machine, l’ensemble des véhicules appartenant à un utilisateur, par exemple : motocyclette, bicyclette, véhicule automobile, etc. Ces données peuvent ensuite être utilisées dans la succession d’étapes afin d’améliorer la précision de la détermination du mode de transport. En effet, un mode de transport pour lequel l’utilisateur possède un véhicule devient plus probable.
Selon un aspect de l’invention, le procédé peut mettre en œuvre une étape d’acquisition de l’historique des trajets de l’utilisateur. L’historique des trajets de l’utilisateur peut comprendre les données de géolocalisation horodatées auxquelles sont associées un mode de transport. Dans ce cas, la succession d’étapes peut comprendre une étape supplémentaire de détermination du mode de transport par comparaison du trajet parcouru avec les données historiques des trajets de l’utilisateur. Ainsi, la précision de la détermination du mode de transport peut être améliorée, en particulier pour les trajets réguliers de l’utilisateur : par exemple les trajets domicile-travail. Cette étape supplémentaire peut permettre aussi de réduire le temps de détermination du mode de transport, car moins d’étapes de la succession d’étapes peuvent être utiles.
Selon cet aspect de l’invention, le procédé peut comprendre les étapes suivantes :
Le ou les matériaux du film 104, c’est-à-dire de la couche transparente et des portions 106 dans l’exemple décrit ci-dessus, sont choisis tels que le film 104 ait une bonne résistance mécanique et une bonne résistance aux rayonnements UV et thermique, par exemple tel qu’il puisse supporter des températures comprises entre 50°C et 80°C.
De manière avantageuse, les portions 106 sont solidarisées à la couche de matériau transparent du film 104 de manière amovible afin de pouvoir modifier aisément le ou les motifs d’ombrage projetés sur la face avant 202 du panneau photovoltaïque 200. La fixation des portions 106 sur la couche de matériau transparent est par exemple assurée par un adhésif ou par aimant.
En variante, il est également possible que le film 104 comporte seulement une couche de matériau qui inclut une ou plusieurs parties transparentes et une ou plusieurs parties au moins partiellement opaques. Dans ce cas, le ou les parties au moins partiellement opaques du film 104 ne sont pas amovibles.
Le dispositif 100 comporte également un dispositif de guidage du film 104 vis-à-vis de la face avant 202 du panneau photovoltaïque 200, ainsi qu’un dispositif d’actionnement configuré pour mettre en mouvement le film 104 vis-à-vis de la face avant 202 du panneau photovoltaïque 200. Dans l’exemple de réalisation décrit, le dispositif de guidage correspond à des premier et deuxième arbres 108, 110 autour desquels le film 104 est configuré pour être enroulé et déroulé, et le dispositif d’actionnement correspond à des premier et deuxième moteurs 112, 114, le premier moteur 112 étant couplé au premier arbre 108 et le deuxième moteur 114 étant couplé au deuxième arbre 110. Les moteurs 112, 114 sont par exemple des moteurs électriques pas à pas à double sens de rotation, ce qui permet de simuler sur le panneau photovoltaïque 200 un ombrage se déplaçant selon l’une ou l’autre de deux directions opposées (parallèlement à l’axe X sur l’exemple des figures 1 et 2). La vitesse de rotation des moteurs 112, 114 peut être variable et programmable, ce qui permet par exemple au dispositif 100 de simuler un défilement d’ombres sur le panneau photovoltaïque 200 à différentes vitesses, par exemple entre 0 et 50 km/h, voire entre 0 et 130 km/h.
De manière avantageuse, les arbres 108, 110 et les moteurs 112, 114 sont utilisés de manière garder le film 104 en tension afin que la distance entre le film 104 et la face avant 202 du panneau photovoltaïque 200 (distance parallèle à l’axe Z représenté sur les figures 1 et 2) soit sensiblement constante, et par exemple égale à quelques millimètres. En outre, le film 104 a par exemple une longueur (dimension parallèle à l’axe X représenté sur les figures 1 et 2) totale, c’est-à-dire lorsqu’il est complètement déroulé, comprise entre 4 m et 30 m, voire plus.
Le dispositif 100 comporte en outre un châssis 116 auquel le dispositif de guidage, c’est-à-dire les arbres 108, 110, et le dispositif d’actionnement, c’est-à-dire les moteurs 112, 114, sont solidarisés. Dans le premier mode de réalisation, le châssis 116 forme un support configuré pour qu’une face arrière du panneau photovoltaïque 200 soit disposée sur ce support. Ce châssis 116 correspond par exemple à une table stabilisée sur laquelle le panneau photovoltaïque 200 est destiné à être posé. Selon un exemple de réalisation, le support formé par le châssis 116 peut former une surface sensiblement parallèle au sol sur laquelle le panneau photovoltaïque 200 est destiné à être disposé. Le châssis 116 peut être mobile ou fixe, et peut supporter un ou plusieurs panneaux photovoltaïques 200. D’autres types de châssis 116 sont envisageables, que le dispositif 100 soit utilisé en extérieur ou en intérieur.
Lorsque le dispositif 100 est destiné à être utilisé en intérieur, le dispositif 100 comporte en outre une source lumineuse configurée pour illuminer une première face du film 104 opposée à celle destinée à être déplacée en regard de la face avant 202 du panneau photovoltaïque 200. Sur l’exemple des figures 1 et 2, cette source lumineuse est formée par plusieurs lampes 118 disposées au-dessus du film 104 de manière à ce que la lumière émise par les lampes 118 traversent les parties transparentes du film 104 et atteignent la face avant 202 du panneau photovoltaïque 200, et qu’une partie de cette lumière soit bloquée au moins partiellement par les portions 106 pour former les ombres sur la face avant 202 du panneau photovoltaïque 200.
Dans une configuration avantageuse, la source lumineuse est configurée pour émettre une lumière conforme au spectre solaire AM 1.5 et/ou avec une puissance comprise entre 200 W/m² et 2000 W/m², et par exemple égale à 1000 W/m². Selon un exemple de réalisation, la source lumineuse correspond à une ou plusieurs lampes 118 à Xénon couplée(s) à au moins un filtre (par exemple pour former un simulateur solaire de classe AAA).
Lorsque le dispositif 100 est destiné à être utilisé en extérieur, le dispositif 100 peut ne pas comporter la source lumineuse, et la lumière éclairant le panneau photovoltaïque 200 correspond dans ce cas à la lumière du soleil.
Le dispositif 100 comporte en outre un dispositif 120 de mesure courant – tension, ou mesure I-V, configuré pour mesurer la caractéristique courant - tension du panneau photovoltaïque 200. Le dispositif 120 correspond par exemple à une unité de source et de mesures (ou SMU pour « Source Measure Unit » en anglais) générant un balayage de tension aux bornes du panneau photovoltaïque 200 dans un intervalle compris entre 0 V et Voc (tension en circuit ouvert) et mesurant le courant du panneau photovoltaïque 200 en fonction de la tension appliquée. La caractéristique courant-tension du panneau photovoltaïque 200 peut alors être tracée, ce qui permet de calculer les différentes propriétés intrinsèques du panneau photovoltaïque 200 comme par exemple sa résistance série / parallèle, le Voc, Isc (courant court-circuit), le Fill Factor (Facteur de Forme), etc. Le dispositif 120 peut être piloté par un programme informatique sur un ordinateur relié par un câble de communication. Le programme peut lancer la mesure courant-tension de manière continue ou à un intervalle de temps régulier. Cette mesure peut être traitée en temps réel par un programme afin d’en extraire les différents paramètres intrinsèques du panneau photovoltaïque 200 en fonction du taux d’ombrage. Le programme peut également commander le dispositif d’actionnement (c’est-à-dire les moteurs 112, 114 dans l’exemple précédemment décrit) pour mettre en mouvement le film 104.
Dans une configuration avantageuse, en considérant que le film 104 est déroulé au-dessus du panneau photovoltaïque 200 parallèlement à sa longueur, la largeur (dimension selon l’axe Y représenté sur les figures 1 et 2) du film 104 est supérieure ou égale à celle du panneau photovoltaïque 200 afin que le ou les motifs d’ombre formés par la ou les portions 106 soient projetés sur toutes les cellules photovoltaïque du panneau 200. Il est également envisageable que la largeur du film 104 soit supérieure ou égale à celles de plusieurs panneaux photovoltaïques 200 disposés les uns à côté des autres, ce qui permet de caractériser simultanément plusieurs panneaux photovoltaïques 200.
Il est également envisageable d’utiliser un dispositif 100 dont le film 104 ait une largeur inférieure à celle du panneau photovoltaïque 200, le ou les motifs d’ombre étant dans ce cas projetés sur une partie seulement des cellules photovoltaïque du panneau photovoltaïque 200.
Dans une autre configuration, le dispositif 100 peut comporter plusieurs films 104 chacun destiné à être mis en mouvement au-dessus d’au moins une partie d’un panneau photovoltaïque 200 associé ou de plusieurs panneaux photovoltaïques 200, ou chacun destiné à être mis en mouvement sur une partie d’un même panneau photovoltaïque 200.
Dans l’exemple de réalisation décrit ci-dessus, le film 104 est mis en mouvement tel qu’il s’enroule autour d’un des arbres 108, 110 et qu’il se déroule depuis l’autre des arbres 108, 110. Ainsi, dans cet exemple de réalisation, le film 104 reste toujours au-dessus du panneau photovoltaïque 200, ce qui permet d’utiliser le dispositif 100 même lorsque des éléments, par exemple des tuyaux, se trouvent sous le panneau photovoltaïque 200.
Dans l’exemple de réalisation précédemment décrit, le dispositif 100 comporte deux moteurs 112, 114 chacun couplé à l’un des arbres 108, 110. En variante, le dispositif 100 peut comporter un seul moteur couplé à l’un des deux arbres 108, 110, l’autre arbre étant couplé à un dispositif de type enrouleur automatique assurant l’enroulement du film 104 autour de cet autre arbre.
Dans une variante représentée sur la , le dispositif 100 comporte, en plus des premier et deuxième arbres 108, 110, des troisième et quatrième arbres 122, 124 coopérant pour guider le film 104 qui forme une bande sans fin guidée par les arbres 108, 110, 122, 124. Dans cette variante, les premier et deuxième arbres 108, 110 sont configurés pour guider le film 104 en regard de la face avant 202 du panneau photovoltaïque 200, et les troisième et quatrième arbres 122, 124 sont configurés pour guider le film 104 en regard d’une face arrière, opposée à la face avant, du panneau photovoltaïque 200. Dans cette variante, la longueur du film 104 est par exemple comprise entre 4 m et 10 m.
La région active peut présenter une épaisseur W 1 10 , mesurée perpendiculairement au plan P, pouvant être comprise entre 1 µm et 5 µm et préférentiellement entre 1,5 µm et 2,5 µm.
La région active 110 est préférentiellement encadrée par deux couches semiconductrices 111, 112, s’étendant parallèlement au plan P. Une première couche semiconductrice 111, qui peut être appelée « revêtement supérieur » ou « top cladding » en anglais, s’étend sur la région active 110 et préférentiellement directement contre la région active 110. Dans ce mode de réalisation, la face du revêtement supérieur 111 qui est opposée à la région active 110 est alors avantageusement la première face 11a. Une deuxième couche semiconductrice 112, qui peut être appelée « revêtement inférieur » ou « bottom cladding » en anglais, s’étend également sur la région active 110 et préférentiellement contre la région active 110. La face du revêtement inférieur 112 qui est opposée à la région active 110 est alors avantageusement la deuxième face 11b.
Les revêtements supérieur et inférieur 111, 112 peuvent permettre le guidage du champ dans le guide d’onde 11. Pour cela, ils présentent avantageusement des indices optiques (également appelés indices de réfraction) strictement inférieurs à l’indice optique moyen de la région active 110.
Le revêtement supérieur 111 présente une épaisseur, mesurée perpendiculairement au plan P, pouvant être comprise entre 1 µm et 2 µm. Le revêtement inférieur 112 présente une épaisseur, mesurée perpendiculairement au plan P, pouvant être comprise entre 2 µm et 100 µm et préférentiellement entre 2 µm et 40 µm.
Le revêtement inférieur 112 est par exemple une hétérostructure semiconductrice de type III-V, c’est-à-dire des matériaux rangés dans les groupes III B et V B du tableau périodique des éléments (qui, selon une autre convention, correspond aux colonnes 13 et 15 du tableau périodique des éléments). Ledit revêtement 112 est par exemple formé à partir de InP. Le revêtement inférieur 112 peut également être dopé, par exemple de type n, c’est-à-dire avec des impuretés jouant le rôle de donneurs électronique. Le revêtement inférieur 112 est par exemple dopé à partir de soufre.
Le revêtement supérieur 111 peut être, de la même façon que le revêtement inférieur 112, une hétérostructure semiconductrice de type III-V, telle que le InP. De la même façon, le revêtement supérieur 111 peut être dopé, par exemple de type n.
Dans le mode de réalisation de la , le guide d’onde 11 est donc un empilement de couches 110, 111, 112 s’étendant parallèlement au plan P. Il peut présenter une forme de parallélépipède rectangle délimité des flancs. Il présente par exemple une longueur L 11 , une largeur et une épaisseur W 11 . La longueur du guide d’onde 11 est par exemple mesurée selon la première direction X. La largeur du guide d’onde 11 est par exemple mesurée selon la deuxième direction Y, perpendiculaire à la première direction X. L’épaisseur W 11 du guide d’onde 11 est par exemple mesurée selon la troisième direction Z, perpendiculaire au deux directions X, Y précitées.
La longueur L 11 du guide d’onde 11 peut être comprise entre 1000 µm et 5000 µm. Selon un mode de réalisation, la longueur L 11 et la largeur du guide d’onde 11 peuvent être égales, par exemple à 10% près. Ainsi, vu de dessus, la première face 11a peut présenter une forme carrée. Alternativement, la longueur L 11 du guide d’onde 11 peut être supérieure à la largeur du guide d’onde 11 et par exemple supérieure à deux fois la largeur du guide d’onde 11, voire supérieure à cent fois la largeur du guide d’onde. On parle dans ce cas de guide d’onde de type crête ou « ridge » en anglais. Par exemple, la largeur du guide d’onde (non représentée sur la figure) peut être comprise entre 10 µm et 50 µm.
La région active 110 présente une longueur L 110 , mesurée selon la première direction X, sensiblement égale à la longueur du L 11 du guide d’onde 11. De la même manière, la région active 110 présente une largeur, mesurée selon la deuxième direction Y, sensiblement égale à la largeur du guide d’onde 11. Par sensiblement égale, on entend égale à 20 % près, voire 10 % près. Des flancs, perpendiculaires au plan P délimitent par exemple le guide d’onde 11 et la région active 110.
Le réseau de diffraction 12 s’étend sur la première face 11a du guide d’onde 11. Dans le mode de réalisation de la , le réseau de diffraction 12 s’étend sur le revêtement supérieur 111. Le réseau de diffraction est avantageusement disposé à l’aplomb de la région active 110 du guide d’onde 11 et de manière préférée centrée par rapport à cette dernière.
Le réseau de diffraction 12 peut présenter une longueur L 12 et une largeur. La longueur du réseau de diffraction 12 est par exemple mesurée selon la première direction X. La largeur du réseau de diffraction 12 est par exemple mesurée selon la deuxième direction Y, perpendiculaire à la première direction X. La longueur L 12 et la largeur du réseau de diffraction 12 sont avantageusement choisie de sorte que le réseau de diffraction 12 recouvre totalement la région active 110. En d’autres termes, les longueurs et largeurs du réseau de diffraction 12 sont, respectivement, sensiblement égales aux longueurs et largeurs de la région active 110. De la sorte, le réseau de diffraction 12 peut être couplé de manière homogène au champ émis par la région active 110. Il permet par exemple de fournir une contreréaction répartie homogène sur toute la longueur L 110 de la région active 110.
Le dispositif 1 est remarquable d’une part en ce que la deuxième face 11b du guide d’onde est transparente au champ qui peut être émis par la région active 110. Par transparente, on entend que la face 11b présente une fenêtre spectrale de transmission et que cette fenêtre spectrale de transmission correspond à une partie au moins du spectre du champ qui peut être émis par la région active 110.
Le dispositif 1 est remarquable d’autre part en ce que le réseau de diffraction 12 est réfléchissant et en ce qu’il présente un ordre de diffraction, selon la première direction X, supérieur ou égal à deux. Par réfléchissant, on entend qu’au moins 50 % du champ est réfléchi par le réseau de diffraction 12. L’ordre de diffraction supérieur ou égal à deux selon la direction X implique que le champ se propageant selon la première direction X, se couple au réseau de diffraction et induit une composante du champ qui se propage hors du plan P, c’est-à-dire selon +Z et/ou -Z. Puisque le réseau de diffraction 12 réfléchit la composante du champ se propageant selon +Z, ladite composante du champ est donc orientée vers la deuxième face 11b. Le dispositif 1 peut donc réaliser une émission par la deuxième surface 11b.
Avantageusement, le réseau de diffraction 12 comprend une structure périodique 121. La structure périodique 121 est par exemple une couche s’étendant sur la première face 11a du guide d’onde 11. Couplée avec le champ émis par la région active 110, elle induit les effets de diffraction. Le taux de couplage entre le champ et le réseau de diffraction 12 est avantageusement compris entre 10 cm -1 et 100 cm -1 .
La structure périodique 121 comprend par exemple des premières portions 1211 et des deuxièmes portions 1212. Ces premières et deuxièmes portions 1211, 1212 sont agencées périodiquement et forment une alternance selon la première direction X et selon la deuxième direction Y le cas échéant.
Par exemple, les premières et deuxièmes portions 1211, 1212 peuvent être des lignes, orientées selon la deuxième direction Y. Lesdites lignes sont agencées les unes à côtés des autres selon la première direction X de manière à former une alternance selon la première direction X. Autrement dit, elles forment deux peignes imbriqués l’un dans l’autre. La illustre cet exemple.
Le passage du courant électrique en dessous du seuil de courant de coupure est surveillé (étape 76), et lorsque le courant électrique est inférieur au seuil de courant de coupure prédéterminé, le procédé comporte une commande 78 d’ouverture du premier commutateur 34 du premier système de protection 30. Dans le mode de réalisation où le deuxième système de protection 40 comprend un deuxième commutateur 44, le procédé comporte en outre une commande 80 de fermeture du deuxième commutateur 44.
Les étapes 78 et 80 sont réalisées simultanément ou sensiblement simultanément.
A l’issue de ces étapes, le dispositif de coupure 2 se trouve dans l’état d’attente passive (« STANDBY ») référence E2 sur la .
Le procédé comporte alors une vérification 82 de réception de commande d’ouverture du dispositif de coupure, cette commande pouvant être manuelle ou à distance, et en cas de vérification positive, une ouverture 84 du sectionneur 16, et, en cas de présence d’un deuxième commutateur 44, une ouverture 86 du deuxième commutateur 44, le dispositif de coupure 2 étant alors dans un état ouvert (« OFF ») référencé E3 sur la .
Dans une deuxième partie (sens « retour »), illustrée dans la , le procédé comporte une vérification 88 de réception de commande de fermeture du dispositif de coupure, cette commande pouvant être manuelle ou à distance, et en cas de vérification positive, en cas de présence d’un deuxième commutateur 44, une commande 90 de fermeture du deuxième commutateur 44 et une commande 92 de fermeture du sectionneur 16. En d’autres termes, les étapes 90 et 92 correspondent respectivement aux actions inverses des étapes 86 et 84.
Le dispositif de coupure 2 passe ainsi de l’état ouvert à l’état d’attente passive E2.
Ensuite, sur réception de commande ou automatiquement (étape 94), le procédé comporte une commande 96 de fermeture du premier commutateur 34 du premier système de protection, et en cas de présence d’un deuxième commutateur 44, une commande 98 d’ouverture du deuxième commutateur 44.
En d’autres termes, les étapes 96 et 98 correspondent respectivement aux actions inverses des étapes 78 et 80.
Le procédé comporte également une étape 100 de fermeture du commutateur principal 10, inverse de l’action de l’étape 74.
Le dispositif de coupure 2 se trouve alors en l’état fermé E1, et le cas échéant, la première partie de procédé décrite en référence à la s’applique.
Avantageusement, le dispositif de coupure 2 est protégé en surtension grâce aux premier et deuxième systèmes de protection, dans les états de fonctionnement « ON » et « STANDBY ». Ainsi, grâce à la présence en outre du sectionneur, le dispositif de coupure est protégé en surtension dans tous ses états de fonctionnement.