Dispositif électronique comprenant une première couche isolante (6, 26, 52) recouvrant une deuxième couche (4, 24) en un matériau semiconducteur dopé, une cavité (8, 62) traversant la première couche (6, 26, 52), des espaceurs (9) étant situés contre les parois latérales de la cavité (8, 62), la cavité (8, 62) comprenant une première région (1) semiconductrice dopée, la première région (1) ayant une concentration de dopage décroissante à partir de la deuxième couche (4, 24). Dispositif selon la revendication 1, dans lequel la deuxième couche (4, 24) et la première région (1) font partie du collecteur d'un transistor bipolaire (12). Dispositif selon la revendication 1 ou 2, dans lequel les espaceurs (9) ont un profil décroissant à partir de la deuxième couche (4, 24). Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel les espaceurs (9) et la première région (1) remplissent la cavité (8, 62). Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel la première région (1) comprend une première face en contact avec la deuxième couche (4, 24), et une deuxième face opposée à la première face, la surface de la deuxième face étant supérieure à la surface de la première face. Dispositif selon la revendication 5, dans lequel la surface de la deuxième face de la première région (1) est deux fois plus importante que la surface de la première face de la première région (1). Procédé de fabrication d'un dispositif électronique comprenant : - la formation d'une première couche (6, 26, 52) isolante recouvrant une deuxième couche (4, 24) en un matériau semiconducteur dopé ; - la formation d'une cavité (8, 62) traversant le première couche (6, 26, 52) ; - la formation d'espaceurs (9) contre les parois latérales de la cavité (8, 62) ; et - la croissance épitaxiale d'une première région (1) semiconductrice dopée dans la cavité (8, 62), à partir de la deuxième couche (4, 24), la première région (1) ayant une concentration de dopage décroissante à partir de la deuxième couche (4, 24). Procédé de fabrication d'un transistor bipolaire (12), dans lequel une partie (1, 24) du collecteur du transistor est fabriqué par le procédé selon la revendication 7, la deuxième couche (4, 24) et la première région (1) faisant partie du collecteur. Procédé selon la revendication 8, comprenant la formation de la deuxième couche (24) dans un substrat semiconducteur (14), la formation d'une troisième couche isolante (46) recouvrant la deuxième couche (24) et la formation d'une deuxième région (22) faisant partie du collecteur du transistor (12) affleurant la face supérieure du substrat (14). Procédé selon la revendication 9, comprenant une étape de gravure découvrant la face supérieure de la deuxième région (22). Procédé selon la revendication 9 ou 10, dans lequel un empilement (50) de couches est formé sur le substrat (14), l'empilement (50) comprenant une quatrième couche isolante (52) recouvrant la troisième couche (46), une cinquième couche (54) en le matériau de la base et une sixième couche (56) isolante, les troisième (46) et quatrième (52) couches formant la première couche (6, 26, 52). Procédé selon la revendication 11, dans lequel la cavité (8, 62) traverse l'empilement (50) et la troisième couche (46) de manière à découvrir la deuxième couche (24). Procédé selon la revendication 12, dans lequel les espaceurs (9) sont formés de manière à recouvrir au moins partiellement les parois latérales de la cinquième couche (54), le procédé comprenant la gravure partielle des espaceurs (9) de telle manière que la face supérieure des espaceurs (9) est coplanaire avec la face supérieure de la première couche (6, 26, 52). Procédé selon l'une quelconque des revendications 8 à 13, comprenant la formation d'une septième couche (66), faisant partie de la base du transistor, la septième couche (66) recouvrant la première région (1). Procédé selon la revendication 14, comprenant la formation de la région (40) d'émetteur en regard de la première région (1), séparée de la première région par septième couche (66). Procédé selon l'une quelconque des revendications 7 à 15, appliqué à la fabrication d'un dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 6.