INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
En variante la plaque intermédiaire 12 peut être interposée entre la plaque inférieure 13 et la plaque supérieure 11, en étant montée serrée par les tirants 6. Une mortaise peut être ménagée sur la face interne d’au moins l’une de la plaque supérieure 11 et de la plaque inférieure 13, pour permettre le maintien de la plaque intermédiaire 12.
Dans l’exemple représenté à la , l’évidement 9 s’étend dans un plan orthogonal à l’axe et l’embouchure débouche à l’extérieur de la première plaque d’extrémité 3, via le bord latéral de la première plaque d’extrémité 3, c’est-à-dire dans l’épaisseur de la première plaque d’extrémité 3.
Dans l’exemple représenté à la , l’évidement 9 s’étend partiellement dans un plan orthogonal à l’axe, notamment au niveau du passage du tirant 6. L’évidement 9 forme en outre un coude dans l’épaisseur de la première plaque d’extrémité 3 de sorte que l’embouchure débouche à l’extérieur de la première plaque d’extrémité 3, via la face extérieure de la première plaque d’extrémité 3. Plus précisément, l’embouchure débouche entre le bord latéral de la première plaque d’extrémité 3 et le deuxième trou.
Dans l’exemple représenté à la , l’évidement 9 s’étend partiellement dans un plan orthogonal à l’axe, notamment au niveau du passage du tirant 6. L’évidement 9 forme en outre un coude dans l’épaisseur de la première plaque d’extrémité 3 en formant un surface d’appui pour permettre à la deuxième portion de plaque 8 de venir en butée contre la première portion de plaque 7 si la déformation de la deuxième portion de plaque 8 dépasse un seuil prédéterminé.
Dans un exemple de réalisation, au moins l’une des extrémités de l’empilement comporte une tuyauterie pour la circulation d’un fluide réactif et/ou pour la circulation d’un fluide de refroidissement. La tuyauterie peut comporter un raccord élastique au niveau d’une zone de serrage 5. Ceci permet à la tuyauterie de se déformer lorsque la deuxième portion de plaque 8 se déforme.
Dispositif éléctronique intégré pour l’émission/réception d’une onde radiofréquence Des modes de réalisation et de mise en œuvre concernent les dispositifs électroniques intégrés capables d’émettre/recevoir une onde ou signal radiofréquence, ayant par exemple une fréquence supérieure à 50 GHz, par exemple 63 GHz voire plus.
De tels dispositifs peuvent s’appliquer au domaine de la 5G et être utilisés par exemple mais non limitativement dans le domaine automobile, en particulier au sein de radars embarqués dans des véhicules automobiles.
Actuellement de tels dispositifs comprennent une puce électronique dont la face avant est connectée sur une face arrière d’un substrat stratifié (« laminate substrate »), la puce étant par ailleurs enrobé dans une couche de résine.
La face avant du substrat stratifié comporte une antenne patch et est connecté sur une face arrière d’une carte de circuit imprimé.
Un premier guide d’onde est formé dans la carte de circuit imprimé en regard de l’antenne et un deuxième guide d’onde, aligné sur le premier, est rapporté et fixé sur la face avant de la carte de circuit imprimé.
Dans certains cas un radiateur est fixé sur la face arrière de la couche de résine pour faciliter la dissipation thermique du dispositif lors de son fonctionnement.
Une telle structure de dispositif est complexe à réaliser, notamment en termes d’alignement des guides d’ondes et de l’antenne, présente une hauteur relativement importante et présente un coût de fabrication important.
Selon l’invention, la conduite d’aspiration 11 comprend une première portion 12 qui monte verticalement depuis la zone de récupération 7 jusqu’à une hauteur supérieure à celle du collecteur d’huile 8, reliée à une seconde portion 13 qui descend verticalement jusqu’au collecteur d’huile 8. Les deux portions 12, 13 sont ainsi reliées par une portion de jonction 16 qui s’étend ici horizontalement.
La conduite d’aspiration 11 comprend également au moins une partie située à l’intérieur de la zone de récupération 7 du compartiment 5 pourvue d’un orifice 14 fermé par un clapet 15 occupant une position non hermétique aux fluides lorsque la pompe 9 est à l’arrêt et une position hermétique aux fluides lorsqu’elle fonctionne. Cet orifice 14 permet à l’huile de se déverser à l’intérieur de la zone de récupération 7 lorsque la pompe 9 est à l’arrêt.
L’orifice 14 est ici situé au niveau de la jonction entre les première et seconde portions, cette jonction étant située à l’intérieur de la zone de récupération 7.
Dans l’exemple représenté, les première 12 et seconde portions 13 sont entièrement situées à l’intérieur de la zone de récupération 7, l’extrémité ouverte de la première portion 12 débouchant dans la zone de récupération 7, à proximité du fond de celle-ci. Cet agencement est préféré et présente l’avantage d’être relativement compact. A noter que l’orifice 14 et son clapet 15 pourraient être situés du côté de la seconde portion 13.
On pourrait également envisager que seule la première portion 12 soit située à l’intérieur de la zone de récupération 7, l’orifice 14 étant alors prévu au niveau de cette première portion 12, ou encore que la première portion 12 et la portion de jonction 16 soient situées à l’intérieur de la zone de récupération 7, l’orifice 14 et son clapet 15 pouvant alors être sur la première portion 12 ou sur la portion de jonction.
Dans tous les cas, la position de l’orifice 14 et de son clapet 15 sera avantageusement choisie de sorte que, la pompe étant à l’arrêt, l’huile située au-dessus de l’orifice 14 se déverse à l’intérieur du compartiment, et qu’après équilibrage des niveaux d’huile, de l’huile soit présente à l’intérieur de la seconde portion 13.
Les positions hermétiques et non hermétiques du clapet 15 résultent du fonctionnement de la pompe : lorsque celle-ci fonctionne, l’aspiration des fluides crée une dépression à l’intérieur de la conduite d’aspiration qui maintien le clapet 15 en appui étanche contre la conduite, fermant hermétiquement l’orifice. A l’arrêt de la pompe, cette dépression cesse, permettant le passage de l’air et de l’huile. On pourra ainsi réaliser le clapet 15 en un matériau apte à fermer hermétiquement l’orifice 14, par exemple un matériau flexible (déformable), notamment en polymère. Le clapet 15 peut ainsi comprendre une membrane flexible dont une extrémité, notamment une extrémité supérieure 15a, est fixée à une face externe 17 d’une paroi de la conduite d’aspiration 11, ici une paroi verticale, au-dessus de l’orifice 14. La membrane flexible est par exemple choisie en élastomère type EPDM d’environ 0.5mm d’épaisseur. La membrane s’étend ainsi verticalement sous l’effet de la cavité le long de la paroi de la conduite d’aspiration 11 et pourra être aisément plaquée contre celle-ci par la dépression créée par la pompe en fonctionnement, fermant hermétiquement l’orifice 14.
Le système d’aspiration 11 peut également comprendre une crépine 20 représentée schématiquement , située à l’extrémité de la conduite d’aspiration 11 débouchant dans la zone de récupération 7. La crépine est par exemple un petit dispositif tubulaire percé de fentes ou de trous utilisé à l’extrémité d’une conduite à travers laquelle l’huile peut circuler tout en bloquant les particules solides présentes.
Finalement, en référence à la , l’au moins un autre compartiment 6 destiné à loger au moins une partie du rotor 2 de la machine électrique comprend une zone de récupération 18 de l’huile reliée au collecteur 8 du système d’aspiration par une autre conduite d’aspiration 19. Le système de récupération et d’aspiration selon l’invention permet de réaliser un dispositif dans lequel le niveau d’huile du compartiment 5 logeant le réducteur se situe au-dessus de l’entrefer de la machine électrique, sans risque que l’huile du compartiment 5 se déverse dans le compartiment 6.
Procédé et appareil de liquéfaction de CO2 ou de séparation de CO2 par distillation La présente invention est relative à un procédé et à un appareil de liquéfaction de CO 2 ou de séparation de CO 2 par distillation et/ou lavage et/ou condensation partielle.
Le débit de CO 2 qui est liquéfié ou séparé peut contenir plus de 95% CO 2 mais aussi d’autres impuretés comme de l’eau, de l’oxygène, de l’azote, de l’argon, du méthane, du monoxyde de carbone, de l’hydrogène, de l’hélium etc. …
Les liquéfacteurs de CO 2 utilisant le CO 2 comme réfrigérant impliquent l’utilisation d’un compresseur de cycle suivi d’une liquéfaction, ou d’une densification dans le cas d’une opération au-delà de la pression critique du CO 2 . Une quantité importante de chaleur est générée lors de la compression du CO 2 qui est typiquement dissipée dans les échangeurs intermédiaires du compresseur ainsi que lors de la condensation/densification en étant transférée au fluide de refroidissement, typiquement l’eau ou l’air. Elle est donc ainsi dissipée sans être valorisée.
Or ces calories dissipées peuvent avoir de la valeur dans certains cas. Par exemple, elles pourraient être utilisées pour chauffer un fluide, par exemple de l’eau pour le chauffage urbain, pour préchauffer de l’eau de chaudière etc. L’invention présente des solutions de récupération de chaleur avec un impact modéré sur la consommation électrique du liquéfacteur.
Il est connu de l’homme de l’art que la récupération de chaleur dans un compresseur multi-étagé peut se réaliser en évitant certains refroidissements intermédiaires afin de laisser la température du gaz comprimé augmenter. Lorsque le gaz est suffisamment chaud, il peut être refroidi contre le fluide à réchauffer comme de l’eau de chaudière ou de chauffage urbain.
Dans FR2974167, le CO 2 est comprimé dans un compresseur multi étagé, aux entrées intermédiaires correspondant aux différents niveaux de refroidissement du procédé froid. Entre chaque étage, il y a un refroidisseur à l’eau. En sortie de compresseur, le CO 2 augmente de densité dans un refroidisseur à eau ou à air puis dans un autre échangeur dont le fluide froid est une partie du CO 2 liquide obtenu par détente du CO 2 densifié. Le reste du CO 2 , liquide et donc partiellement refroidi, est envoyé au procédé froid pour sous-refroidissement contre les différents flux de CO 2 aux différentes pressions qui sont intégrés dans le compresseur. Ces flux sont donc aussi partiellement froids car issus de l’échange thermique avec le CO 2 liquide partiellement refroidi. Ainsi, ils refroidissent par contact direct le CO 2 comprimé dans le compresseur avec lequel ils sont mélangés, limitant la hausse de température dans les étages intermédiaires de la compression, ce qui rend la récupération de chaleur inadaptée.
Les figures 1A à 1F sont des vues en coupe illustrant des étapes d'un exemple d'un procédé de fabrication d'un capteur d'images visibles et infrarouges selon un mode de réalisation.
La illustre de façon très schématique une première structure comportant une couche active de détection visible 101, dans laquelle sont définis une pluralité de pixels VP de détection d'un rayonnement visible, par exemple disposés selon un agencement matriciel. La couche 101 est en un matériau semiconducteur, par exemple du silicium cristallin. La couche 101 est par exemple la couche semiconductrice supérieure d'un empilement de type SOI (de l'anglais "Silicon On Insulator" – silicium sur isolant). Dans cet exemple, l'empilement SOI comprend une couche électriquement isolante 102, par exemple en oxyde de silicium, en contact, par sa face supérieure, avec la face inférieure de la couche 101, et une couche support 103, par exemple en silicium, en contact, par sa face supérieure, avec la face inférieure de la couche isolante 102. L'épaisseur de la couche active 101 est par exemple comprise entre 2 et 10 µm, par exemple de l'ordre de 4 µm.
Chaque pixel VP comprend une partie active formée dans et sur la couche active 101. La partie active comprend par exemple une photodiode (non détaillée sur la figure) et un noeud de lecture (non visible sur la vue en coupe de la ) formés du côté de la face supérieure de la couche 101. La partie active de chaque pixel VP comprend par exemple en outre une grille de transfert TG, verticale ou planaire, permettant d'activer le transfert des charges électriques photo-générées de la photodiode vers le noeud de lecture. A titre d’exemple, les dimensions, en vue de dessus, de la grille de transfert TG de chaque pixel visible VP sont de l’ordre de 100 à 300 nm. Les dimensions, en vue de dessus, du noeud de lecture de chaque pixel visible VP sont par exemple également de l’ordre de l’ordre de 100 à 300 nm. A titre d’exemple, la grille de transfert TG et le noeud de lecture de chaque pixel visible VP ont chacun une forme générale carrée de l’ordre de 150 nm de côté. Les modes de réalisation décrits ne se limitent toutefois pas à ces exemples de formes ni de dimensions. La partie active de chaque pixel VP peut éventuellement comprendre un ou plusieurs transistors supplémentaires, non détaillés. Les différents éléments constituant la partie active de chaque pixel VP ne seront pas détaillés davantage, les modes de réalisation décrits étant compatibles avec toutes ou la plupart des structures connues de pixels de photo-détection, par exemple à un ou plusieurs transistors.
Dans cet exemple, les parties actives des pixels VP sont séparées latéralement les unes des autres par des tranchées ou murs d'isolation 105 s'étendant verticalement à travers la couche active 101, par exemple sur toute l'épaisseur de la couche 101. Les tranchées 105 sont par exemple des tranchées d'isolation capacitives, par exemple de type CDTI (de l'anglais "Capacitive Deep Trench Isolation" – tranchées profondes d'isolation capacitives), comprenant chacune un cœur ou paroi centrale en un matériau électriquement conducteur, par exemple du silicium polycristallin dopé, et un revêtement latéral en un matériau électriquement isolant, par exemple de l'oxyde de silicium. Les modes de réalisation décrits ne se limitent toutefois pas à ce cas particulier. A titre d'exemple, les tranchées 105, sont des tranchées isolantes entièrement remplies d'un matériau diélectrique, par exemple de l'oxyde de silicium, par exemple des tranchées de type DTI (de l'anglais "Deep Trench Isolation" – tranchées d'isolation profondes). A titre de variante, les tranchés 105 sont remplies par un revêtement isolant, par exemple en oxyde, par exemple de l’ordre de 12 à 13 nm d’épaisseur, suivi d’une couche conductrice, par exemple en silicium polycristallin dopé, par exemple de l’ordre de 50 nm d’épaisseur, suivi d’un matériau diélectrique de remplissage, pare exemple un oxyde, par exemple de l’ordre de 80 nm d’épaisseur. Les tranchées d'isolation 105 sont par exemple formées à partir de la face supérieure de la couche active 101. Les parties actives des pixels VP sont par exemple toutes identiques, aux dispersions de fabrication près.
La illustre la structure obtenue à l’issue d’une étape de report et de fixation d’une couche active de détection infrarouge 111 sur la face supérieure de la structure de la .
A titre d’exemple, la couche active de détection infrarouge 111 est initialement disposée sur une face d’un d'un substrat de support (non représenté), par exemple en silicium. La couche 111 est par exemple formée par épitaxie sur ladite face du substrat de support. Dans cet exemple, une couche de passivation 115 est ensuite formée sur la face de la couche active 111 opposée au substrat de support, par exemple en contact avec la face de la couche active 111 opposée au substrat de support. La couche 115 est en un matériau électriquement isolant, par exemple le même matériau que la couche 107, par exemple de l'oxyde de silicium. La couche 115 s'étend par exemple de façon continue sur toute la surface de la couche active 111.
La structure comprenant le substrat de support, la couche active 111 et la couche de passivation 115 est ensuite reportée et fixée sur la structure de la , puis le substrat de support est retiré de façon à exposer la face de la couche active 111 opposée à la couche de passivation 115, à savoir sa face supérieure dans l’orientation de la . A titre d’exemple, la couche active 111 est fixée par collage direct (aussi appelé collage moléculaire) pleine plaque de la face inférieure de la couche diélectrique 115 sur la face supérieure de la couche 107. A ce stade, la couche active 111 s'étend de façon continue et avec une épaisseur sensiblement uniforme sur toute la surface supérieure de la structure de détection visible sous-jacente.
La couche active 111 comprend un matériau semiconducteur absorbant le rayonnement infrarouge destiné à être détecté par le capteur, par exemple un rayonnement émis par une source infrarouge d'un système d'acquisition comprenant le capteur d'images visibles et infrarouges, par exemple un rayonnement de longueur d'onde comprise entre 900 nm et 2 µm, par exemple un rayonnement de longueur d'onde de l'ordre de 940 nm ou un rayonnement de longueur d'onde de l'ordre de 1,4 µm.
La couche active 111 est par exemple un empilement de multicouches semiconductrices. La couche active 111 est par exemple en germanium ou en un alliage semiconducteur à base de germanium, par exemple du silicium-germanium.
Plus généralement, la couche 111 peut être en tout autre matériau semiconducteur adapté à convertir un rayonnement infrarouge dans la gamme de longueurs d’onde d’intérêt en charges électriques, par exemple : - des semiconducteurs du groupe IV, comme par exemple le silicium (Si), le germanium (Ge) ou un alliage germanium-étain (GeSn), ou un alliage comprenant un ou plusieurs de ces matériaux ; - des semiconducteurs de la famille des III-V, comme par exemple un alliage indium-gallium-arsenic (InGaAs) associé à une couche de phosphure d’indium (InP), ou un alliage de type phosphure d’indium-gallium-arsenic (InGaAsP) ; - des matériaux à base de boîtes quantiques, par exemple colloïdales, par exemple à base d’arséniure d’indium (InAs), de sulfure de plomb (PbS), de séléniure de plomb (PbSe), d'antimoniure d'indium (InSb) ou d'antimoniure arséniure d'indium (InAsSb) ; ou - des matériaux semiconducteurs organiques ou pérovskites.
De préférence, la couche active 111 est inorganique.
Dans l’exemple représenté, la couche active 111 comprend une couche inférieure 111a dopée d’un premier type de conductivité, par exemple de type N, et une couche supérieure 111b dopée du deuxième type de conductivité, par exemple de type P. Le dopage des couches 111a et 111b est par exemple obtenu par diffusion ou implantation d’éléments dopants avant ou après l’étape de report de la couche active 111 sur la face supérieure de la structure de détection visible. A titre de variante, les couches 111a et 111b sont dopées in-situ lors de leur formation sur le substrat de support, avant l’étape de report de la couche active 111 sur la face supérieure de la structure de détection visible. Dans cet exemple, l’interface entre les couches 111a et 111b définit une jonction PN des futurs pixels de détection infrarouge IRP du dispositif.
A titre d’exemple, à ce stade, les couches 111a et 111b s’étendent chacune de façon continue et avec une épaisseur sensiblement uniforme sur toute la surface de la structure de détection visible sous-jacente (pleine plaque).
A titre de variante, la couche active 111 peut comprendre des zones dopées localisées alignées latéralement par rapport à des éléments de la structure de détection visible sous-jacente et définissant les futurs pixels de détection infrarouge IRP du dispositif. Dans ce cas, les zones dopées localisées peuvent être formées avant ou après le report de la couche active 111 sur la face supérieure de la structure de détection visible.
Les pixels de détection infrarouge IRP du dispositif sont par exemple disposés selon un agencement matriciel. Les détecteurs infrarouges des pixels IRP peuvent être de différents types selon le type de détection infrarouge que l'on souhaite réaliser. A titre d'exemple, les détecteurs infrarouges sont des photodiodes à jonction PN classiques pour mesurer un flux infrarouge. A titre de variante, les détecteurs infrarouges sont des photodiodes de type PIN. A titre de variante, les détecteurs infrarouges sont des photodiodes à avalanche à détection de photon unique (SPAD). A titre de variante, les détecteurs infrarouges sont des démodulateurs photoniques assistés en courant (CAPD – de l'anglais "Current Assisted Photonic Demodulator"), par exemple du type décrit dans l'article intitulé "Design and Characterization of Current-Assisted Photonic Demodulators in 0.18-µm CMOS Technology" de Gian-Franco Dalla Betta et al., pour mesurer une modulation d'un signal infrarouge afin de remonter à une information de profondeur, ou tout autre type de photodétecteur. Les différents éléments constituant les pixels de détection infrarouge IRP ne seront pas détaillés davantage, les modes de réalisation décrits étant compatibles avec toutes ou la plupart des structures connues de pixels de détection infrarouge.
La illustre la structure obtenue après une étape de gravure, à partir de la face supérieure de la couche active 111, de tranchées 120 s’étendant verticalement à travers au moins une partie de l’épaisseur de la couche active 111 et délimitant latéralement les pixels de détection infrarouge IRP du dispositif. Dans cet exemple, chaque pixel IRP est entièrement entouré et séparé des autres pixels par des tranchées 120. Ainsi, les tranchées 120 délimitent latéralement des îlots ou structures mésa dans la couche active 111, chaque îlot ou structure mésa contenant un détecteur infrarouge et correspondant à un pixel de détection infrarouge IRP du dispositif. A titre d’exemple, en vue de dessus, les tranchées 120 forment un quadrillage séparant latéralement les uns des autres les pixels IRP du dispositif.
Les pixels de détection infrarouge IRP sont par exemple alignés par rapport aux pixels de détection visible VP sous-jacents. Le pas (distance centre à centre entre deux pixels voisins) de la matrice de pixels IRP peut être différent du pas de la matrice de pixels VP. A titre d'exemple le pas de la matrice de pixels IRP est égal au double (dans la direction des lignes et dans la direction des colonnes) du pas de la matrice de pixels VP.
Dans l’exemple représenté, les tranchées 120 s’étendent verticalement sur toute l’épaisseur de la couche active 120 et débouchent sur la face supérieure de la couche de passivation 115.
La illustre en outre une étape de dépôt, après la formation des tranchées 120, d’une couche de passivation 122 sur la face supérieure de la structure. La couche 122 est par exemple en un matériau diélectrique, par exemple de l’oxyde de silicium ou du nitrure de silicium. La couche 122 est par exemple déposée par un procédé de dépôt conforme. A titre d’exemple, l’épaisseur de la couche de passivation 122 est comprise entre quelques dizaines et quelques centaines de nanomètres, par exemple entre 20 et 500 nanomètres, par exemple de l’ordre de 50 nanomètres.
La couche 122 s’étend sur et en contact avec la face supérieure et les flancs de la couche active 111. La couche 122 permet notamment de passiver les flancs de la couche active 111 après l’étape de gravure des tranchées 120. Dans l’exemple représenté, la couche s’étend en outre sur et en contact avec la face supérieure de la couche 115 au fond des tranchées. A titre d’exemple, la couche 122 s’étend de façon continue et avec une épaisseur sensiblement uniforme sur toute la surface supérieure de la structure obtenue après formation des tranchées 120.