INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Selon un mode de réalisation, le système de test comprend : Un module de gestion d’anomalies configuré pour exécuter une troisième fonction de pilotage de l’entrée et/ou de la sortie d’au moins une ressource matérielle du premier ou du second ensemble de ressources matérielles, ledit module de gestion d’anomalies étant configuré pour modifier une valeur de ladite entrée et/ou de ladite sortie, ladite console d’exploitation comportant un actionneur pour lancer un troisième test d’exécution dudit composant fonctionnel, ledit troisième test d’exécution comportant la mise en œuvre de la troisième fonction de pilotage de l’entrée et/ou de la sortie d’au moins une ressource matérielle, ledit système comportant une mémoire pour enregistrer des données propres à des évènements produits par la ressource matérielle pilotée lors du troisième test.
Selon un mode de réalisation, le système de test comprend : Un module de gestion d’anomalies configuré pour exécuter une quatrième fonction de pilotage du redémarrage d’un composant fonctionnel d’au moins une ressource matérielle du premier ou du second ensemble de ressources matérielles ou du second ensemble sélectionné, et dans lequel la console d’exploitation comporte un actionneur pour lancer un quatrième test d’exécution dudit composant fonctionnel, ledit quatrième test d’exécution comportant une mise en œuvre de la quatrième fonction de pilotage de l’alimentation d’au moins d’une ressource matérielle du deuxième ensemble, ledit système comportant une interface pour recevoir ou une mémoire pour enregistrer des données propres à des évènements produits par la ressource matérielle pilotée lors du quatrième test.
Selon un mode de réalisation, le système de test comprend : Un module de gestion d’anomalies configuré pour exécuter une cinquième fonction de pilotage d’un mode sans échec pour le pilotage du redéploiement d’un composant fonctionnel sur au moins une ressource matérielle du second ensemble de ressources matérielles, ledit module de gestion d’anomalies ayant détecté au préalable une erreur sur la ressource matérielle lors de l’exécution d’au moins un composant fonctionnel ;
la console d’exploitation comportant un actionneur pour lancer un mode sans échec de ladite ressource matérielle , ledit mode sans échec comportant une mise en œuvre de la cinquième fonction de pilotage d’un mode sans échec d’un composant fonctionnel d’au moins une ressource matérielle du deuxième ensemble, ledit système engageant le transfert d’une nouvelle configuration sur ladite ressource matérielle associée.
Un avantage de l’invention est de permettre de réaliser des tests d’une fonction logicielle comportant différents composants logiciels destinés à être exécutés sur différentes ressources matérielles grâce à un environnement matériel fidèle au cas de déploiement réel tout en intégrant une configuration complexe de déploiement au sein d’une architecture matérielle hétérogène.
L’invention permet donc de réduire le nombre d’erreurs d’intégration matérielles et logicielles et leur complexité lors de la mise en production d’une solution logicielle.
Selon un mode de réalisation, le système de test comprend une mémoire pour enregistrer des données propres à des évènements produits par ladite ressource matérielle redémarrée lors ou consécutivement au lancement d’au moins un test d’exécution.
Selon un mode de réalisation, au moins un composant fonctionnel a une fréquence de fonctionnement associée.
Selon un mode de réalisation, le système de test comprend une mémoire comportant des données représentant un graphe de dépendance des composants fonctionnel, ledit graphe de dépendance définissant des interactions possibles entre les composants fonctionnels.
Selon un mode de réalisation, le système de test comprend une mémoire comportant des données définissant une fréquence de fonctionnement globale de la fonction logicielle.
Selon un mode de réalisation, le système de test comporte un microprogramme configuré pour collecter les données émises par une ressource matérielle, les dites données comportant des données utiles et des données d’entête, lesdites données d’entête étant décodées par le microprogramme et réencodées pour intégrer des données d’adressage afin de réadresser des données utiles vers une autre ressource matérielle.
Selon un mode de réalisation, la console d’exploitation comprend une interface utilisateur et connectée audit premier calculateur pour : déterminer au moins une contrainte globale de fonctionnement de la fonction logicielle ; déterminer un ensemble de contraintes locales de fonctionnement entre au moins un sous-ensemble de composants fonctionnels, alimenter, via le module de gestion d’une alimentation électrique, les ressources matérielles du deuxième ensemble.
Selon un mode de réalisation, le premier calculateur est configuré pour analyser les données enregistrées ou reçues propres aux évènements produits par chaque ressource matérielle lors de l’exécution d’au moins un test d’exécution, le premier calculateur générant une notification d’erreur lorsque l’analyse détecte une séquence d’évènements non conforme vis-à-vis d’une séquence de référence.
Selon un mode de réalisation, la console d’exploitation comprend un module pour déterminer un protocole de communication entre deux composants fonctionnels, ledit système de test comportant une mémoire pour enregistrer des données échangées au moyen d’une interface de communication entre deux ressources matérielles adressées lors de l’étape d’association, le calculateur étant configuré pour analyser une présence d’ entêtes et de données structurant des paquets de données dudit protocole de communication pour établir un diagnostic de communication entre lesdits deux composants fonctionnels.
Selon un mode de réalisation, la console d’exploitation comprend un afficheur, et dans lequel le calculateur est configuré pour générer une commande d’affichage d’un menu de paramétrage sur ledit afficheur, ledit menu de paramétrage permettant, au moyen d’au moins une commande utilisateur, de : sélectionner au moins une fréquence de fonctionnement pour au moins un composant fonctionnel ; paramétrer la contrainte globale de fonctionnement et les contraintes locales de fonctionnement ; paramétrer au moins une ressource matérielle du deuxième ensemble (ENS 2 ), définir des paramètres d’entrée/sortie pour au moins un composant fonctionnel.
Selon un mode de réalisation, la contrainte globale de fonctionnement comprend un temps d’exécution de la fonction logicielle entre un premier évènement correspondant au lancement du premier test d’exécution et un deuxième évènement correspondant à une exécution de ladite fonction logicielle, la contrainte globale de fonctionnement imposant que ledit temps d’exécution de la fonction logicielle soit inférieur à une valeur seuil prédéterminée.
Le dispositif DIS comporte également un système d’antenne patch, selon une dénomination bien connue de l’homme du métier, ou antenne planaire, comportant un élément d’antenne 50 situé au niveau de métal M1 qui est le niveau de métal supérieur le plus proche de la face supérieure du substrat 1, également désigné par le terme « « niveau de métal 1 ».
Comme illustré très schématiquement sur la , cet élément d’antenne 50 est ici un élément annulaire circulaire. Mais, il pourrait être également de tout autre forme, par exemple un élément annulaire rectangulaire. Il n’est pas nécessairement annulaire et pourrait être par exemple un élément plein de forme quelconque.
Cet élément d’antenne 50 est électriquement connecté à la puce 2 par l’intermédiaire d’une piste métallique 500 située au niveau de métal M1.
Le niveau de métal M2 peut comporter un plan de masse pour le système d’antenne patch.
La puce 2 est montée retournée sur le niveau de métal M1.
En d’autres termes, la face avant 20 de la puce 2 est ici connectée sur des pistes métalliques du niveau de métal M1 par des billes de connexion métalliques 23 et la puce 2 ainsi que les billes de connexion 23 sont enrobées dans un matériau d’enrobage 4, par exemple une résine de moulage.
Dans l’exemple de réalisation illustré sur la , la résine de moulage 4 forme une couche entourant la puce électronique 2 en laissant découverte la face arrière 21 de cette puce 2. La couche de résine 4 a une face supérieure 410 située ici dans le même plan que la face arrière 21 de la puce.
Le guide d’onde 1 comporte une partie inférieure métallique 11, par exemple sous forme d’un disque. Cette partie inférieure comporte une première partie 111 reposant sur la face supérieure 410 de la couche de résine 4 et une deuxième partie 112 reposant sur la face arrière 21 de la puce 2.
Le guide d’onde assure donc également une fonction de dissipation thermique en raison notamment du contact entre la deuxième partie métallique 112 avec la face arrière de la puce.
Le guide d’onde 1 comporte également une partie métallique externe 13 comportant une paroi verticale cylindrique 131 et une paroi supérieure, par exemple en forme de disque, 132.
Les parois inférieure 11 et supérieure 132 pourraient être, en variante, rectangulaires.
La paroi verticale 131 repose également sur la couche d’enrobage 4.
Le guide d’onde 1 comporte enfin dans cet exemple une partie centrale verticale 12 raccordée à la deuxième partie 112 et possédant une extrémité libre située dans l’ouverture ménagée par la paroi supérieure 132.
Le volume annulaire 14 du guide d’onde, délimité par la paroi verticale 131 et la partie inférieure 11 du guide d’onde est ici rempli d’air mais pourrait être rempli par un autre matériau diélectrique, par exemple identique au matériau diélectrique 150 contenu dans le volume 15 délimité par la paroi verticale 131, la paroi supérieure 132, la paroi inférieure 11 et la paroi verticale centrale 12.
A titre indicatif, ce matériau diélectrique 150 peut être une résine de moulage, de l’air ou du téflon par exemple.
Le volume 16 du guide d’onde, délimité par l’ouverture de la paroi supérieure 132 et l’extrémité de la paroi verticale 12 est également ici rempli d’air.
Le procédé peut comporter les étapes distinctes suivantes : une étape de porosification photo-assistée des portions supérieures des mésas M (1) et M (2) , les mésas M (1) et M (2) étant au contact d’un électrolyte liquide ; et une étape de porosification non photo-assistée de la portion inférieure des mésas M (2) , les mésas M (1) étant recouvertes d’une couche d’encapsulation réalisée en un matériau électriquement isolant, seules les mésas M (2) étant au contact d’un électrolyte liquide.
En variante, le procédé peut comporter les étapes distinctes suivantes : une étape de porosification photo-assistée de la portion supérieure des mésas M (2) , les mésas M (1) étant recouvertes d’une couche d’encapsulation réalisée en un matériau électriquement isolant, seules les mésas M (2) étant au contact d’un électrolyte liquide ; une étape de porosification non photo-assistée de la portion inférieure des mésas M (1) et M (2) , les mésas M (1) et M (2) étant au contact d’un électrolyte liquide.
En variante, la porosification photo-assistée et la porosification non photo-assistée peuvent être effectuées lors d’une même étape, une couche opaque d’encapsulation, réalisée en un matériau opaque au rayonnement lumineux d’illumination, recouvrant au moins en partie une surface supérieure des mésas M (1) tout en laissant libre une surface latérale de la portion inférieure des mésas M (1) .
L’empilement cristallin peut comporter une couche continue de reprise d’épitaxie, reposant sur la couche supérieure, et réalisée à base d’InGaN ayant une proportion d’indium x3>0 prédéfinie de sorte qu’elle est non absorbante du rayonnement lumineux d’illumination, et présentant un niveau de dopage prédéfini de sorte qu’elle est non porosifiable à la tension électrique V ECE prédéfinie
L’empilement cristallin peut ne pas comporter pas de couche continue de reprise d’épitaxie, de sorte que la couche supérieure présente une face supérieure libre, des portions de reprise d’épitaxie réalisée à base d’InGaN étant réalisés à partir d’une surface supérieure des portions supérieures des mésas M (1) après la porosification des mésas M (1) et M (2) .
Lors de la porosification photo-assistée, une tension électrique peut être appliquée entre le substrat de croissance et une électrolyte liquide dans lequel il est plongé, d’une valeur V PECE prédéfinie de sorte que les portions inférieures des mésas M (1) ne sont pas porosifiées.
L’invention concerne également un procédé de fabrication d’un dispositif optoélectronique, comportant les étapes suivantes : fabrication du substrat de croissance par le procédé selon l’une quelconque des caractéristiques précédentes ; puis fabrication d’une matrice de diodes D (i) par épitaxie à partir des mésas M (i) du substrat de croissance, les diodes étant alors adaptées à émettre ou à détecter un rayonnement lumineux à différentes longueurs d’onde, la longueur d’onde étant différente d’une catégorie de mésas M (i) à l’autre.
L’invention porte également sur un substrat de croissance, adapté à la réalisation par épitaxie d’une matrice de diodes à base d’InGaN, comportant : une couche support ; des mésas M (i) , avec i allant de 0 à 2, réalisées à base de GaN cristallin, reposant sur la couche support, et comportant chacune : une portion inférieure dopée présentant une proportion d’indium x1≥0 ; et une portion supérieure réalisée à base d’In x2 Ga 1-x2 N avec x2>x1 et présentant un niveau de dopage inférieur à celui de la portion inférieure, et reposant sur et au contact de la portion inférieure ; les mésas étant configurées de sorte que : les portions inférieure et supérieure de la mésa M (0) sont non poreuses ; seule une portion parmi les portions inférieure et supérieure de la mésa M (1) est poreuse ; les portions inférieure et supérieure de la mésa M (2) sont poreuses
Chaque mésa M (i) peut comporter une portion de reprise d’épitaxie reposant sur la portion supérieure, réalisée à base d’InGaN cristallin non poreux dont le paramètre de maille a m cre du matériau relaxé est supérieur au paramètre de maille effectif a e cs de la couche support : la portion de reprise d’épitaxie de chaque mésa M (2) présentant un paramètre de maille maximal a e cre(2) ; la portion de reprise d’épitaxie de chaque mésa M (0) présentant un paramètre de maille a e cre(0) inférieur à a e cre(2) ; la portion de reprise d’épitaxie de chaque mésa M (1) présentant un paramètre de maille intermédiaire a e cre(1) inférieur à a e cre(2) et différent de a e cre(0) .
Les portions inférieures des mésas M (i) peuvent reposer sur une couche continue réalisée en un matériau électriquement conducteur.
L’invention porte également sur un dispositif optoélectronique (1) comportant : un substrat de croissance selon l’une quelconque des caractéristiques précédentes ; et une matrice de diodes D (i) à base d’InGaN, épitaxiées à partir des mésas du substrat de croissance, les diodes étant adaptées à émettre ou à détecter un rayonnement lumineux à différentes longueurs d’onde, la longueur d’onde étant différente d’une catégorie de mésas M (i) à l’autre.
les figures 1A à 1C sont des vues schématiques et partielles, en coupe transversale, d’un substrat de croissance comportant des mésas ayant différents niveaux de porosification, selon différentes variantes de réalisation, ainsi qu’une matrice de diodes à base d’InGaN épitaxiées à partir du substrat de croissance ;
les figures 3A à 3E illustrent différentes étapes d’un procédé de fabrication d’un substrat de croissance similaire à celui de la , puis d’une matrice de diodes, comportant une étape de porosification électrochimique photo-assistée (PECE) des portions supérieures suivie d’une étape de porosification électrochimique non photo-assistée (ECE) des portions inférieures ;
les figures 4A à 4E illustrent différentes étapes d’un procédé de fabrication d’un substrat de croissance similaire à celui de la , puis d’une matrice de diodes, comportant également une étape de porosification électrochimique photo-assistée PECE suivie d’une étape de porosification électrochimique non photo-assistée ECE ;
L’étape a) peut comporter une étape a 3 ) consistant à former des mires d’alignement, par exemple par impression, afin de faciliter ultérieurement l’alignement du rayonnement laser L lors de l’étape c) par rapport aux plots métalliques P1 du premier ensemble, et éventuellement par rapport aux plots métalliques P2 du deuxième ensemble.
L’étape b) consiste à former des première et seconde couches diélectriques 3a, 3b, s’étendant respectivement sur les premier et second ensembles P1, P2 de plots métalliques, et s’étendant respectivement sur les premier et second empilements 2a, 2b de couches actives.
Les première et seconde couches diélectriques 3a, 3b recouvrent, en totalité, respectivement les premier et second ensembles P1, P2 de plots métalliques.
Les première et seconde couches diélectriques 3a, 3b formées lors de l’étape b) peuvent être réalisées dans un oxyde de silicium. Toutefois, d’autres matériaux diélectriques sont envisageables. On peut citer par exemple un oxynitrure de silicium Si x O y N z , un nitrure de silicium Si x N y , un oxyde d’aluminium Al x O y .
Les première et seconde couches diélectriques 3a, 3b peuvent être formées lors de l’étape b) par une technique de dépôt connue de l’homme du métier. On peut citer par exemple un dépôt physique en phase vapeur (PVD pour « Phase Vapor Deposition » en langue anglaise), un dépôt chimique en phase vapeur (CVD pour « Chemical Vapor Deposition » en langue anglaise), un dépôt de couches atomiques (ALD pour « Atomic Layer Deposition » en langue anglaise), un dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD pour « Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition » en langue anglaise), un dépôt chimique en phase vapeur à pression sous-atmosphérique (LPCVD pour « Low Pressure Chemical Vapor Deposition » en langue anglaise) etc.
Plus précisément, la technique de dépôt est avantageusement choisie pour présenter un taux de conformité (ratio entre la largeur des flancs de la couche diélectrique 3a, 3b déposée et l’épaisseur en surface de la couche diélectrique 3a, 3b déposée) suffisant pour permettre de suivre la topologie de surface des premier et second ensembles P1, P2 de plots métalliques. À cet égard, on privilégiera un dépôt par ALD ou un dépôt par LPCVD qui présentent des taux de conformité proches de 1. En d’autres termes, la technique de dépôt est avantageusement choisie pour avoir une couche diélectrique 3a, 3b la plus couvrante possible.
Il est possible de combiner plusieurs techniques de dépôt pour former une couche diélectrique 3a, 3b. Par exemple, la formation d’une couche diélectrique 3a, 3b peut débuter avec un dépôt ALD, pour la conformité excellente, et continuer avec un dépôt PECVD, pour la vitesse de dépôt importante.
Les première et seconde couches diélectriques 3a, 3b formées lors de l’étape b) peuvent présenter une épaisseur comprise entre 10 nm et 1 µm, de préférence comprise entre 10 nm et 200 nm.
Les première et seconde couches diélectriques 3a, 3b formées lors de l’étape b) peuvent respectivement être réalisées dans des premier et second matériaux diélectriques. Les premier et second matériaux diélectriques peuvent être identiques. Toutefois, les premier et second matériaux diélectriques peuvent être différents. Par ailleurs, il est également possible de combiner plusieurs matériaux diélectriques pour former une couche diélectrique 3a, 3b.
Le rôle principal des première et seconde couches diélectriques 3a, 3b est de former une couche barrière protectrice contre l’attaque chimique de l’étape d). En d’autres termes, les première et seconde couches diélectriques 3a, 3b agissent comme un masque de gravure. Cependant, les première et seconde couches diélectriques 3a, 3b peuvent avoir des fonctions additionnelles. On peut citer par exemple une fonction de protection contre le rayonnement UV, une fonction de couche tampon pour protéger les couches actives superficielles etc.
L’étape c) consiste à appliquer un rayonnement laser L à la cellule C0 photovoltaïque obtenue à l’issue de l’étape b) de manière à : - obtenir localement, entre des plots métalliques P1 du premier ensemble, des ablations A1 de la première couche diélectrique 3a, du premier empilement 2a de couches actives, et d’une première partie S1 du substrat 1 ; - tracer un contour C délimitant des sous-cellules C1 photovoltaïques ; - conserver une seconde partie S2 du substrat 1, s’étendant dans le prolongement des ablations A1, et adaptée pour conserver une tenue mécanique des sous-cellules C1 photovoltaïques délimitées par le contour C tracé.
Le rayonnement laser L est avantageusement appliqué lors de l’étape c) suivant une direction d parallèle à la normale aux première et seconde surfaces 10, 11 du substrat 1.
Le rayonnement laser L appliqué lors de l’étape c) est avantageusement un rayonnement impulsionnel possédant une fluence et une durée d’impulsion adaptées pour obtenir une ablation A1 de la première couche diélectrique 3a, du premier empilement 2a de couches actives, et de la première partie S1 du substrat 1. En d’autres termes, le rayonnement laser L appliqué lors de l’étape c) doit atteindre le substrat 1 afin de mettre à nu le silicium cristallin. La durée d’impulsion peut être de l’ordre de la nanoseconde ou de la picoseconde. La vitesse de balayage du rayonnement laser L appliqué lors de l’étape c) est également ajustée pour obtenir la profondeur d’ablation souhaitée, pouvant être par exemple de l’ordre de 25 microns. La largeur de la zone amorphisée du silicium par l’irradiation laser peut être de l’ordre de 5 microns.
Le rayonnement laser L appliqué lors de l’étape c) peut posséder une longueur d’onde appartenant à l’infrarouge, ou au spectre visible (e.g. vert, bleu). À titre d’exemple non limitatif, la longueur d’onde peut être de 1024 nm.
le premier dispositif de stockage comprend une pluralité de cellules de stockage et une canalisation d’entrée/sortie, chaque cellule de stockage étant propre à être alimentée en hydrogène H 2 en provenance de la pile à combustible et à être déchargée en hydrogène H 2 vers le deuxième dispositif de stockage via la canalisation d’entrée/sortie, et une vanne propre à être commandé pour raccorder la canalisation d’entrée/sortie de chaque cellule de stockage sélectivement à la canalisation de transport de l’hydrogène, de manière indépendante des autres cellules de stockage ;
le système comprend une vanne de raccordement propre à raccorder le deuxième dispositif de stockage sélectivement au premier dispositif de stockage pour alimenter le deuxième dispositif de stockage en hydrogène en provenance du premier dispositif de stockage lorsque la pile à combustible fonctionne dans le premier mode de fonctionnement ou à la pile à combustible pour alimenter la pile à combustible en hydrogène en provenance du deuxième dispositif de stockage lorsque la pile à combustible fonctionne dans le deuxième mode de fonctionnement ;
le système comprend un deuxième dispositif de chauffage et un régulateur propre à commander le deuxième dispositif de chauffage pour maintenir la pile à combustible à une température comprise entre 650° et 850° ;
le premier matériau du premier dispositif de stockage comprend un composé choisi parmi le Lanthane, le Titane, le Vanadium, le Nickel ou une combinaison de ces éléments ;
le deuxième matériau du deuxième dispositif de stockage comprend du Magnésium.
Selon un autre aspect, il est proposé un procédé de fonctionnement d’un système dans lequel la pile à combustible fonctionne dans le premier mode de fonctionnement, le procédé comprenant des étapes de :
- stocker par absorption de l’hydrogène produit par la pile à combustible à la première pression dans le premier dispositif de stockage,
- chauffer le premier hydrure métallique de manière à faire passer l’hydrogène stocké dans le premier dispositif de stockage de la première pression à la deuxième pression,
- libérer par désorption l’hydrogène stocké dans le premier dispositif de stockage, et
- stocker par absorption l’hydrogène libéré en provenance du premier dispositif de stockage dans le deuxième dispositif de stockage à la deuxième pression.