INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Selon une variante supplémentaire, le véhicule correspond à un véhicule autonome, le contrôle du système ADAS correspondant à un contrôle d’une trajectoire du véhicule autonome.
Selon une variante additionnelle, l’obtention de l’ensemble de premiers segments comprend les étapes suivantes : - obtention d’une position du véhicule dans l’environnement routier depuis un système de navigation embarqué dans le véhicule ; - obtention d’une pluralité d’ensembles de segments à partir des premières données, chaque ensemble de segments de la pluralité d’ensembles de segments étant associé à une position dans l’environnement routier ; et - sélection de l’ensemble de premiers segments parmi la pluralité d’ensembles de segments en fonction de la position du véhicule.
Selon encore une variante, l’obtention de l’ensemble de premiers segments comprend les étapes suivantes : - détermination d’informations représentatives de la pluralité de voies de circulation en fonction des premières données ; - attribution, pour chaque voie de circulation de la pluralité de voies de circulation, d’un segment représentatif de coordonnées spatiales d’extrémités entre la voie de circulation et le croisement ; et - détermination de l’ensemble de premiers segments par concaténation des segments représentatifs de chaque voie de circulation.
Selon une autre variante, les premières données sont reçues conjointement depuis au moins un capteur embarqué dans le véhicule et au moins un système de navigation embarqué dans le véhicule.
Dans l’exemple représenté, les bords 63, 65 sont en arc de cercle.
Le passage 61 présente ainsi un tronçon central de faible largeur 67 coïncidant avec l’axe de rotation R, et deux tronçons d’extrémité 69 s’évasant chacun à partir du tronçon central 67.
On entend par là que, quand on suit chaque tronçon d’extrémité 69 à partir du tronçon central 67, l’écartement entre les deux bords 63, 65 va en augmentant.
Comme visible plus nettement sur la , la pièce de guidage 62 présente un fond 71 portant deux massifs latéraux 73 définissant les bords 63, 65. Le passage 61 est ouvert à l’opposé du fond 71, pour permettre l’introduction du câble électrique 31 dans le passage 61.
À cette fin, les massifs 73 portent à l’opposé du fond 71 chacun une couverture 75, couvrant partiellement le passage 61. Les couvertures 75 délimitent entre elles une fente 77 s’étendant sur toute la largeur de la pièce de guidage 62, et donc sur toute la longueur du passage 61.
Dans l’exemple représenté, la pièce de guidage 62 est cylindrique, et coaxiale à l’axe de rotation R. Le passage 61 traverse la pièce de guidage selon un diamètre de celle-ci.
Dans l’exemple représenté, la pièce de guidage 62 est mobile en rotation par rapport à la première section de bras 21 et à la seconde section de bras 25 autour de l’axe de rotation R.
La pièce de guidage 62 est logée entre un couvercle 79 et l’étrier 45.
Pour ce faire, l’un des charnons fixes 47 est décalé vers l’intérieur de l’articulation 29, selon l’axe de rotation R, par rapport aux faces inférieures 41 et 43 des deux sections de bras. Le couvercle 79 est lui sensiblement de niveau avec les faces inférieures 41 et 43. Un volume libre 80 est ainsi ménagé entre le charnon fixe 47 et le couvercle 79, permettant de loger la pièce de guidage 62 et de faire passer le câble électrique 31.
Par exemple, la pièce de guidage 62 est logée dans deux empreintes en creux ménagées l’une sur le charnon fixe 47 et l’autre sur le couvercle 79.
Le fond 71 est logé dans l’empreinte en creux non visible ménagée sur le couvercle 79, les couvertures 75 étant logées dans l’empreinte en creux 81 ménagée sur le charnon fixe 47. En variante, la pièce de guidage 62 est montée en sens inverse, le fond 71 étant logé dans l’empreinte en creux 81 ménagée sur le charnon fixe 47, et les couvertures 75 dans l’empreinte en creux ménagée dans le couvercle 79.
Le couvercle 79 est fixé de manière amovible sur l’étrier 45.
Dans l’exemple représenté, il est fixé sur l’un des charnons fixes 47, par l’intermédiaire d’un dispositif à vis 83.
Comme visible sur la , quand les première et seconde sections de bras 21, 25 sont dans la position déployée, le câble électrique 31 est plaqué contre l’un des deux bords convexes, le bord convexe 63 dans l’exemple représenté. Plus précisément, le segment central 55 du câble électrique est engagé dans le tronçon central 67 du passage 61. Il est plaqué contre le sommet du bord 63. Les segments intermédiaires 57 et 59 sont engagés dans les tronçons d’extrémité 69 du passage 61. Ils sont eux aussi plaqués contre le bord convexe 63, de part et d’autre du segment central 55.
Le câble électrique a alors la forme sensiblement en Ω du type représenté sur la .
Quand les première et seconde sections de bras 21, 25 passent de la position déployée à la position fermée, le câble électrique 31 passe d’une forme sensiblement en Ω à une forme sensiblement en U. Les segments intermédiaires 57, 59 sont sensiblement parallèles l’un à l’autre et constituent les branches du U. Le segment central 55 adopte une forme arquée et constitue le centre du U.
Selon un autre aspect, la présente demande vise à protéger un assemblage un dispositif de batterie électrique comprenant :
- une structure d’interconnexion telle que définie précédemment,
- un assemblage de cellules, de préférence selon un agencement matriciel, l’assemblage de cellules comprenant la première cellule et la deuxième cellule.
La première cellule et la deuxième cellule peuvent être empilées dans l’assemblage.
L’assemblage de cellules peut être pourvu d’au moins une troisième cellule juxtaposée à la première cellule.
Avantageusement, dans le dispositif de batterie, la structure d’interconnexion est connectée à une première extrémité de la première cellule et de la deuxième cellule et le dispositif comprend en outre une deuxième structure d’interconnexion telle que définie précédemment, cette deuxième structure d’interconnexion étant disposée de sorte que l’assemblage de cellules est agencé entre la structure d’interconnexion et la deuxième structure d’interconnexion, la deuxième structure d’interconnexion étant quant à elle connectée à deuxième première extrémité de la première cellule et de la deuxième cellule opposées respectivement à la première extrémité de la première cellule et à la première extrémité de la deuxième cellule.
La deuxième structure d’interconnexion peut être connectée à au moins une autre cellule d’un autre groupe de cellules, la deuxième structure d’interconnexion étant disposée entre l’assemblage de cellules et l’autre groupe de cellules.
sert à illustrer un premier mode de réalisation d’une structure d’interconnexion pour cellules de batterie formée d’un réceptacle et d’élément conducteurs millimétriques ou micrométriques dans ce réceptacle ;
sert à illustrer différentes formes d’éléments conducteurs que la structure d’interconnexion est susceptible de contenir ;
sert à illustrer différentes configurations de la structure d’interconnexion permettant alternativement le remplissage du réceptacle de ses éléments conducteurs et le vidage du réceptacle de ses éléments conducteurs ;
sert à illustrer un agencement particulier de réceptacle et d’élément conducteurs millimétriques ou micrométriques dans ce réceptacle ;
sert à illustrer un agencement particulier en quinconce des éléments conducteurs au sein du réceptacle ;
sert à illustrer une configuration particulière pour laquelle des éléments isolants sont intercalés au sein du réceptacle entre deux étages d’éléments conducteurs afin de dissocier électriquement ces deux étages;
sert à illustrer un agencement particulier de réceptacle pour éléments conducteurs millimétriques ou micrométriques afin de réaliser une structure d’interconnexion ;
En outre, dans la description ci-après, des termes qui dépendent de l'orientation du dispositif comme par exemple « verticale », « horizontale », s'appliquent en considérant que le dispositif est orienté de la façon illustrée dans les figures.
La est une vue schématique et partielle, en coupe transversale, de la section à gain 12 et du guide d’onde longitudinal 21. La largeur l L/ms du guide d’onde longitudinal 21 est ici celle de son arête 21.2 dans la zone de couplage zc L/ms dans la mesure où c’est ce paramètre qui impacte le facteur de confinement Γ L/ms . L’arête 21.2 présente une face supérieure opposée à la base 21.1, et des flancs latéraux. Ces derniers sont ici sensiblement verticaux. Comme indiqué précédemment, la largeur l L/ms est la distance transversale, suivant l’axe Y, entre les flancs latéraux de l’arête 21.2. L’espacement vertical d L/ms est la distance suivant l’axe Z, définie dans la zone de couplage zc L/ms , entre la face supérieure de l’arête 21.2 et la face inférieure du milieu semiconducteur 11. Dans cet exemple, d L/ms est égal à d lae/SA et à d lai/G .
La est une vue schématique et partielle, en vue de dessus, du guide d’onde longitudinal 21 selon un exemple de réalisation. La zone de couplage avec le milieu semiconducteur 11 est représentée en trait pointillé. La section à gain 12 et la section absorbante saturable 13 sont donc situées dans cette zone de couplage zc L/ms . Dans cet exemple, le guide d’onde longitudinal 21 présente une arête 21.2 d’une largeur constante minimale l L,min dans les zones en amont et en aval de la zone de couplage zc L/ms , cette largeur étant ici inférieure à la valeur l L/ms . A titre d’exemple, la largeur l L peut être égale à 400nm alors que la largeur l L/ms peut ici être égale à 700nm. Le guide d’onde longitudinal 21 présente des zones intermédiaires où la largeur passe de la valeur l L,min à la valeur l L/ms .
La est une vue schématique et partielle, en vue de dessus, du guide d’onde longitudinal 21 selon un autre exemple de réalisation. Dans cet exemple, le guide d’onde longitudinal 21 est un guide à section rectangulaire en amont et en aval de la zone de couplage. En effet, la largeur l L de l’arête augmente à partir de la zone de couplage zc L/ms jusqu’à atteindre la largeur de la base 21.1, par exemple ici 15µm. Le guide d’onde longitudinal 21 présente donc des zones intermédiaires où la largeur passe de la valeur maximale l L,max à la valeur l L/ms .
La est une vue schématique et partielle, en coupe transversale, de la section absorbante saturable 13 et du guide d’onde latéral 32. La largeur l lae/SA du guide d’onde latéral 32 est ici celle de son arête 32.2 dans la zone de couplage zc lae/SA . L’arête 32.2 présente une face supérieure opposée à la base 32.1, et des flancs latéraux. Ces derniers sont ici également sensiblement verticaux. La largeur l lae/SA est la distance transversale, suivant l’axe X, entre les flancs latéraux de l’arête 32.2. L’espacement vertical d lae/SA est la distance suivant l’axe Z, définie dans la zone de couplage zc lae/SA , entre la face supérieure de l’arête 32.2 et la face inférieure de la section absorbante saturable 13 du milieu semiconducteur 11. Dans cet exemple, d L/ms est égal à d lae/SA et à d lai/G .
La est une vue schématique et partielle, en vue de dessus, du guide d’onde latéral 32 selon un exemple de réalisation. La zone de couplage zc lae/SA avec la section absorbante saturable 13 est représentée en trait pointillé (la section absorbante saturable 13 est donc située dans cette zone de couplage). Dans cet exemple, le guide d’onde latéral 32 présente une arête d’une largeur constante l lae/SA à la fois dans la zone de couplage zc lae/SA et dans les zones en amont et en aval. A titre d’exemple, la largeur l lae/SA peut être égale à 400nm.
La est une vue schématique et partielle, en vue de dessus, du guide d’onde latéral 32 selon un autre exemple de réalisation. Dans cet exemple, il est un guide à section rectangulaire en amont et en aval de la zone de couplage zc lae/SA . En effet, la largeur de l’arête augmente à partir de la zone de couplage jusqu’à atteindre la largeur de la base 32.1, par exemple ici 15µm. Le guide d’onde latéral 32 présente des zones intermédiaires où la largeur passe de la valeur maximale l lae,max à la valeur l lae/SA .
La est une vue schématique et partielle, en vue de dessus, du guide d’onde latéral 32 selon un autre exemple de réalisation. Dans cet exemple, il présente un coupleur en pointe ( taper en anglais). En effet, la largeur de l’arête 32.2 passe ici d’une valeur initiale l lae,init à une valeur nulle. Cette variation de la largeur est adiabatique de sorte que le mode optique passe entièrement du guide d’onde latéral 32 dans la section absorbante saturable 13. Ainsi, le coupleur en pointe est situé dans la zone de couplage zc lae/SA , de sorte que la largeur du guide d’onde latéral 32 diminue jusqu’à une valeur nulle l lae/SA . La zone de couplage zc lae/SA correspond sensiblement à la zone de recouvrement vertical entre la section absorbante saturable 13 et le coupleur en pointe.
Les figures 6A à 6C illustrent des vues schématiques et partielles d’un dispositif laser impulsionnel 1 selon une variante de réalisation. Ici, le milieu semiconducteur 11 comporte, agencés longitudinalement suivant l’axe longitudinal X, une première section à gain 12, une section absorbante saturable 13, et une deuxième section à gain 12. Dans cet exemple, l’espacement vertical d L/ms est égal à d lae/SA et à d lai/G .
Ces sections 12, 13 ne sont pas séparées physiquement les unes des autres, mais au contraire forment des zones d’un même plot semiconducteur. L’isolation électrique entre les sections deux à deux est obtenue ici par une échancrure 14 située à l’interface entre la section absorbante saturable 13 et chacune des sections à gain 12, au niveau de laquelle un dopage approprié est effectué, par exemple via une implantation de protons H + .
Comme mentionné précédemment, la longueur suivant l’axe X de la section absorbante saturable 13 est de préférence inférieure à la longueur cumulée des sections à gain 12, et est de préférence de l’ordre de 2 à 10% de cette longueur cumulée des sections à gain 12. La section absorbante saturable 13 présente ainsi un temps faible de saturation/désaturation, propice à l’émission d’impulsions laser de faible durée.
Par ailleurs, le milieu semiconducteur 11 peut comporter une pluralité de sections électriquement isolées les unes des autres, connectées chacune à une source de polarisation électrique. Le signe de la tension électrique appliquée à chacune des sections peut déterminer si la section considérée est une section à gain 12 ou une section absorbante saturable 13. De plus, l’intensité de la tension électrique appliquée peut correspondre au poids w i appliqué au signal synaptique d’inhibition ou d’excitation.
Notons que le couplage optique entre le guide d’onde longitudinal 21 et le milieu semiconducteur 11 est ici un couplage de type supermode (type de couplage optique que l’on retrouve dans les lasers DFB) dans la mesure où le guide d’onde longitudinal 21 s’étendent continûment sous le milieu semiconducteur 11. En revanche, le guide d’onde latéral 32 comporte un coupleur en pointe, pour que le mode guidé passe progressivement du guide d’onde 32 dans la section absorbante saturable 13 (type de couplage optique que l’on retrouve dans les lasers DBR). Ce peut également être le cas pour le guide d’onde latéral 42 (non représenté ici).
Le guide d’onde longitudinal 21 présente une largeur l L/ms de son arête 21.2 dans la zone de couplage avec le milieu semiconducteur 11. De préférence, la base 21.1 présente une largeur plus importante dans cette zone de couplage, ce qui peut contribuer à réduire le facteur de confinement Γ L/ms .
Le guide d’onde latéral 32 présente ici un coupleur en pointe, de sorte que sa largeur l lae/SA qui diminue dans la zone de couplage jusqu’à une valeur nulle. De préférence, la base 32.1 présente une largeur qui diminue également dans la zone de couplage, ici également jusqu’à une valeur nulle, ce qui contribue à augmenter le facteur de confinement Γ lae/SA .
Compte tenu de ce qui a été explicité précédemment, on peut résumer le fonctionnement du déclenchement de la source laser 10 par le tableau ci-dessous, selon que la section absorbante saturable 13 est éclairée ou non par une impulsion optique d’excitation, et selon que la source laser 10 se trouve dans un régime d’excitabilité ou non : Hors du régime d’excitabilité : g exc Régime d’excitabilité : g exc ≤ g ≤ g max Excitation : émission d’une impulsion d’excitation Pertes optiques α min max Pas de saturation ⇒ Etat intermédiaire Pas d’impulsion laser Pertes optiques α ≤ α min Saturation ⇒ Etat passant Emission impulsion laser Pas d’excitation : pas émission d’une impulsion d’excitation Pertes optiques α max ≤ α Etat bloquant Pas d’impulsion laser Pertes optiques α max ≤ α Etat bloquant Pas d’impulsion laser
On comprend que le non-régime d’excitabilité de la source laser 10 correspond notamment à deux situations. Une première situation correspond à la période réfractaire : le gain, sous l’effet du courant de pompe, progresse, mais n’a pas encore atteint une valeur notée g exc . Dans ce cas, le gain n’est pas suffisant pour participer, avec l’impulsion optique d’excitation, à saturer la section absorbante saturable 13 et donc à permettre l’émission d’une impulsion laser. Une deuxième situation correspond à l’inhibition : la période réfractaire est terminée, mais l’impulsion optique d’inhibition provoque une diminution du gain qui passe en dessous de la valeur g exc et donc provoque une sortie du régime d’excitabilité. Là aussi, le gain n’est plus suffisant pour participer à saturer la section absorbante saturable 13 et donc à permettre l’émission de l’impulsion laser.
Il peut s’agir d’un module photovoltaïque. Le module photovoltaïque en tant que tel comporte des cellules photovoltaïques disposées entre une face avant et une face arrière, et qui sont reliées électriquement entre elles par des conducteurs de liaison et immergées entre deux couches avant et arrière de matériau d’encapsulation formant toutes les deux l’encapsulant.
Le matériau polymère de l’encapsulant peut avoir en l’absence d’irradiation un comportement mécanique de type caoutchoutique, ce qui est notamment le cas de l’EVA. Un tel comportement peut rendre plus difficile l’usinage, l’arrachement ductile étant plus lent qu’un arrachement fragile. L’irradiation permet d’obtenir un comportement du matériau polymère plus fragile, permettant de faciliter son usinage et sa réduction en copeaux. L’usinage peut être plus rapide et plus aisé. En effet, l’irradiation du matériau polymère permet de modifier ses propriétés physiques, notamment mécaniques. Le matériau polymère devient plus cassant, plus rigide, moins élastique.
Le traitement pour recyclage du dispositif fonctionnel en est plus aisé à mettre en œuvre et moins coûteux. Il permet d’éviter d’utiliser trop d’énergie ou de produire des effluents.
Encapsulant L’ensemble encapsulant peut être formé à partir d’au moins un film avant et un film arrière comportant au moins un matériau d’encapsulation de type polymère choisi parmi : les copolymères d’acides, les ionomères, le poly(éthylène-acétate de vinyle) (EVA), les acétals de vinyle, tels que les polyvinylbutyrals (PVB), les polyuréthanes, les polyéthylènes, tels que les polyéthylènes linéaires basse densité, les polyoléfines élastomères de copolymères, les copolymères d’α-oléfines et des α-, β- esters d’acide carboxylique à éthylénique, tels que les copolymères éthylène-acrylate de méthyle et les copolymères éthylène-acrylate de butyle, les élastomères de silicone et/ou les élastomères à base de polyoléfine thermoplastique réticulée.
Par le terme « encapsulant » ou « encapsulé », il faut comprendre que la pluralité de cellules photovoltaïques ou DEL est disposée dans un volume, par exemple hermétiquement clos vis-à-vis des liquides et des gaz, au moins en partie formé par au moins deux films de matériau(x) d’encapsulation, réunies entre eux après lamination pour former l’ensemble encapsulant.
En effet, initialement, c’est-à-dire avant toute opération de lamination, l’ensemble encapsulant est constitué par au moins deux films de matériau(x) d’encapsulation, entre lesquels la pluralité de cellules photovoltaïques ou DEL est encapsulée.
Toutefois, pendant l’opération de lamination des films, les films de matériau d’encapsulation fondent pour ne former, après l’opération de lamination, qu’un seul ensemble solidifié dans lequel sont noyées les cellules photovoltaïques ou DEL.
Un module photovoltaïque peut comporter deux couches de protection, une première couche de protection formant par exemple la face avant et réalisée dans un ou des matériaux transparents choisi dans la liste suivante, qui n’est pas limitative : verre, matériau composite, matière plastique, polymère. Un module photovoltaïque peut comporter une deuxième couche de protection formant la face arrière et réalisée dans un ou des matériaux choisis dans la liste suivante, qui n’est pas limitative : verre, matériau composite, matière plastique, polymère, métaux. Dans le cas où les première et deuxième couches de protection sont réalisées en verre, on parle de module biverre.
Usinage L’étape (b) d’usinage a lieu après l’étape (a) d’irradiation. L’irradiation du dispositif par le traitement ionisant va permettre de faciliter son usinage ultérieur. L’invention permet par exemple de faciliter le démantèlement du dispositif fonctionnel tel qu’un module photovoltaïque, et ainsi de faciliter son recyclage. On peut ainsi plus aisément récupérer pour les recycler les matériaux d’intérêt du dispositif fonctionnel.
L’étape (b) d’usinage est mécanique. L’étape (b) d’usinage peut comprendre au moins l’un de : découpage, notamment par un fil abrasif, fraisage, ponçage, notamment au moyen d’une bande abrasive ou d’une meule. Le fil abrasif peut être diamanté.
L’étape (b) d’usinage peut par exemple être mise en œuvre au moyen du procédé décrit dans la demande de brevet WO 2019/043329, dont le contenu est incorporé par référence. L’irradiation permet de faciliter le mouvement du fil abrasif ou de la bande abrasive, ou tout autre mode de découpage ou d’usinage mécanique.
Le fraisage peut permettre d’enlever l’encapsulant et le séparer des cellules photovoltaïques.
Le procédé peut comporter une étape supplémentaire (c) de collecte des copeaux obtenus à l’étape (b) d’usinage.
Les copeaux obtenus peuvent avoir une taille deux fois inférieure, voire trois fois inférieure, à la taille des copeaux obtenus sans irradiation, à conditions d’usinage constantes.
En utilisant des diamants de taille moyenne 100 µm, les copeaux obtenus peuvent avoir une taille inférieure à 60 µm, mieux inférieure à 50 µm, voire inférieure à 40 µm, étant par exemple de l’ordre de 30 µm, avec une taille de référence de 70 µm sans irradiation.
La faible taille des copeaux obtenus montre que grâce à l’irradiation l’usinage est plus fragile que ductile.
Habituellement, une machine de coupe utilisée pour couper un matériau en feuille comprend une table de coupe sur laquelle le matériau en feuille est placé ainsi qu’une tête de coupe. La tête de coupe est mobile le long de la surface de la table de coupe et est équipée d’une lame de coupe pour couper le matériau en feuille placé sur la table de coupe. Dans le cas d’une lame de coupe verticale qui coupe un matériau en feuille dans un état de perforation tout en se déplaçant de manière répétée de haut en bas, la tête de coupe comprend également une unité de va-et-vient de la lame de coupe et un mécanisme de polissage de lame de coupe (voir p. ex. le document de brevet 1 et le document de brevet 2). Le mécanisme de polissage de lame de coupe est incorporé dans une unité à axe R qui modifie une direction de coupe d’une lame de coupe verticale autour d’un axe R dans un sens haut-bas.