INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
représente une illustration schématique d’un exemple d’assemblage de cellules et d’éléments de compression dans un carter pour la réalisation d’un bloc accumulateur selon l’invention,
représente une illustration schématique d’un exemple de bloc accumulateur selon l’invention.
La présente invention porte sur une cellule 1 pour accumulateur comprenant une pochette 11 à l’intérieur de laquelle des électrodes 2 et des films séparateurs 3 sont arrangés sous la forme de : une pluralité d’électrodes 2 sensiblement planes, d’une part, positive et, d’autre part, négative, disposées en alternance et formant deux groupes respectifs déterminés par leurs polarités, chacun des groupes d’électrodes 2 comprenant une languette 21 de contact respective disposée à une des extrémités des électrodes 2, des films séparateurs 3 plans positionnés entre chacune des électrodes 2, caractérisé en ce que les languettes 21 de contact respectives des électrodes 2 traversent l’épaisseur de la pochette 11 et sont repliées de part et d’autre de ladite pochette 11, de sorte que les languettes 21 de contact repliées des électrodes 2 positives soient positionnées au niveau d’une surface 111 externe de la pochette 11 opposée à une autre surface 112 externe au niveau de laquelle les languettes 21 de contact des électrodes 2 négatives sont repliées.
Par leur repliement contre les surfaces 111, 112 externes de la pochette 11 qui enveloppe les électrodes 2 et films séparateurs 3, ces languettes 21 planes sont appuyées contre la surface 111, 112 externe de la cellule 1 de façon à faire disparaitre toute portion de vulnérabilité au niveau de la jonction entre les languettes 21 et le reste de la cellule 1. En effet, chacune des languettes 21 et leurs jonctions respectives avec le corps de la cellule 1 épouse la surface 111, 112 externe de la cellule 1 de façon à limiter la présence d’aspérités ou de variations de surface susceptibles d’augmenter le risque d’arrachement ou de dégradation de la languette 21 par rapport au reste de la structure de la cellule 1. De plus, le repliement des languettes 21 respectives des électrodes positives et négatives au niveau de surfaces 111, 112 différentes et opposées de la pochette 11 de cellule 1 autorise notamment un montage en série de plusieurs cellules 1 homologues selon l’invention juxtaposées.
Par ailleurs, il convient de relever que le repliement des languettes 21 planes contre les surfaces 111, 112 externes de la pochette 11 de la cellule 1 permet de restreindre voire supprimer la portion dédiée aux languettes dans la longueur de la cellule 1. Ainsi, à l’intérieur du logement réalisé par un bloc accumulateur 9, la cellule 1 de l’invention est en mesure de comprendre un corps dont la surface externe est réalisée par la pochette 11 qui présente une longueur plus importante, de façon à occuper l’espace laissé vacant par les différentes languettes 21 repliées. Ainsi, le repliement des languettes 21 contre les surfaces 111, 112 externes de la pochette 11 autorise la construction de cellules 1 dans lesquelles la partie destinée au stockage d’énergie électrique est plus importante que dans les cellules de l’art antérieur, tout en permettant l’installation de ces cellules 11 à capacité de stockage plus importante dans des blocs accumulateurs 9 existants.
Il convient de relever que, à l’intérieur de la pochette 11, les différents électrodes 2 et films séparateurs 3 plans sont susceptibles de correspondre à des électrodes 2 et films séparateurs 3 de type connu. Les électrodes 2 sont ainsi susceptibles d’être réalisés, par exemple, à base de graphite pour l’électrode de polarité négative et à base d’un oxyde de nickel manganèse et cobalt lithié pour l’électrode de polarité positive. De même, ces électrodes 2 sont susceptibles d’être associées à un ou plusieurs électrolytes liquide ou solide, à l’intérieur de la cellule 1.
Selon un autre aspect, il est proposé un procédé de détection, au sein d’un objet qui contient une pluralité de câbles métalliques, tel qu’une nappe de renfort contenant une pluralité de câbles métalliques de renfort noyés dans une matrice à base de caoutchouc, d’un défaut de positionnement de l’un des câbles métalliques par rapport à un autre desdits câbles métalliques, le procédé comprenant les étapes suivantes : a) fourniture d’un générateur de champ magnétique et d’un capteur magnétique primaire, afin de former un dispositif de détection, le capteur magnétique primaire étant disposé par rapport au générateur de champ magnétique dans une position choisie qui correspond à la position d’un point neutre, le point neutre correspondant à un point d’un champ magnétique d’inspection généré par le générateur de champ magnétique, avant qu’il ne soit déformé par la pluralité de câbles métalliques, où l’intensité dudit champ magnétique d’inspection est nulle ; b) positionnement du dispositif de détection par rapport à l’objet de sorte que le générateur de champ magnétique et le capteur magnétique primaire soient disposés en vis-à-vis de l’objet ; c) déplacement relatif du dispositif de détection par rapport à l’objet et acquisition en continu d’un signal primaire reçu par le capteur magnétique primaire ; d) détecter, dans le signal primaire, une signature représentative d’un défaut de positionnement d’un câble métallique de l’objet.
Selon des caractéristiques avantageuses et non limitatives, prises seules ou dans une quelconque combinaison : l’étape a) comprend une étape a0) de réglage de dispositif de détection en positionnant le capteur magnétique primaire par rapport au générateur de champ magnétique dans la position choisie ; lors de l’étape c), le dispositif de détection est déplacé relativement à l’objet de sorte que le capteur magnétique primaire soit disposé successivement en différentes positions relativement à l’objet, les différentes positions comprenant au moins une position d’intérêt selon laquelle le capteur magnétique est disposé en vis-à-vis d’une zone d’intérêt de l’objet, dans laquelle un défaut éventuel est à détecter, et une position nominale selon laquelle le capteur magnétique est disposé en vis-à-vis d’une zone de l’objet dépourvue de défaut, différente de la zone d’intérêt, de sorte qu’une intensité nominale de champ magnétique du signal primaire est mesurée ; la signature représentative d’un défaut de positionnement d’un câble métallique de l’objet est un extremum local par rapport à l’intensité nominale de champ magnétique, l’extremum local présentant une intensité de champ magnétique supérieure à une première valeur seuil ou une intensité de champ magnétique inférieure à une deuxième valeur seuil ; à l’étape d), si la présence d’un extremum local est déterminée et, si cet extremum présente une intensité de champ magnétique supérieure à la première valeur seuil, on conclut à la présence d’un défaut correspondant à une superposition de deux câbles métalliques, tandis que, si cet extremum présente une intensité de champ magnétique inférieure à la deuxième valeur seuil, on conclut à la présence d’un défaut correspondant à l’existence d’un écart entre deux câbles métalliques consécutifs qui est supérieur à un écart nominal ; le procédé comprend une étape préalable à l’acquisition du signal primaire d’acquisition d’un signal secondaire correspondant à l’évolution lors du déplacement d’un champ magnétique dit « champ magnétique de fond » qui est représentatif d’un champ magnétique qui règne dans l’objet en l’absence de champ magnétique d’inspection et dans lequel l’étape d) comprend un traitement du signal primaire incluant une soustraction du signal secondaire au signal primaire ; l’étape d) comprend le traitement du signal primaire, le traitement comprenant au moins une opération de traitement parmi les opérations de traitement suivantes : un filtrage avec un filtre passe-bas, un calcul de la valeur absolue du signal, une normalisation, un seuillage et une combinaison de ces opérations de traitement ; le procédé est mis en œuvre pour détecter, au sein d’une nappe de renfort contenant des câbles métalliques s’étendant non parallèlement à une lisière de la nappe de renfort, un défaut de positionnement de l’un des câbles métalliques par rapport à un autre desdits câbles métalliques.
- la représente un dispositif de détection de défaut en utilisation sur un objet ;
- la représente une partie d’un objet dépourvu de défaut ;
- la représente une partie d’un objet présentant un défaut de type écart de câble ;
- la représente une partie d’un objet présentant un défaut de type superposition de câbles ;
- la représente un support portant un capteur magnétique primaire et un générateur de champ magnétique ;
- la représente un générateur de champ magnétique ;
- la représente un générateur de champ magnétique et le champ magnétique d’inspection ;
- la est une vue en coupe d’un support portant un capteur magnétique primaire et un générateur de champ magnétique ;
- la représente le dispositif comprenant trois chariots dont un chariot primaire portant un générateur de champ magnétique et un capteur magnétique primaire ;
- la représente les étapes d’un procédé de détection de défaut ;
- la représente un signal reçu par le capteur magnétique primaire.
DESCRIPTION DETAILLEE DE L’INVENTION Dispositif En référence à la , il est proposé un dispositif de détection 1 destiné à détecter, au sein d’un objet 2 qui contient une pluralité de câbles métalliques 20, un défaut de positionnement de l’un des câbles métalliques par rapport à un autre des câbles métalliques.
Lesdits câbles métalliques 20 sont de préférence disposés dans une matrice 21 non métallique, de préférence une matrice en élastomère, par exemple une matrice à base de caoutchouc.
Sur la , on a en outre représenté un via conducteur isolé 145c s'étendant verticalement à travers les couches 128, 126, 124, 122, 115 et 107 et venant contacter une région conductrice d’une tranchée d'isolation 105 d’un pixel visible VP du capteur.
De façon préférentielle, les vias conducteurs destinés à reprendre des contacts sur des éléments des pixels visibles VP sont disposés en vis à vis des tranchées d’isolation 120 délimitant latéralement les pixels de détection IRP du capteur. Ainsi, ces vias ne traversent pas la couche active 111 ou traversent seulement une épaisseur réduite de la couche active 111 (dans le cas où les tranchées 120 s’étendent sur une partie seulement de l’épaisseur de la couche active 111). Ceci permet notamment de limiter les courants d’obscurité liés aux défauts d’interface avec la couche active 111.
La illustre la structure obtenue à l'issue d'étapes ultérieures de formation d'un empilement d'interconnexion 150 sur et en contact avec la face supérieure de la structure de la . L'empilement d'interconnexion 150 comprend une alternance de niveaux isolants et conducteurs définissant des pistes et vias d'interconnexion et de routage des différents composants du capteur. L’empilement d’interconnexion comprend notamment des métallisations en contact, par leur face inférieure, avec la face supérieure des vias de reprise de contact formés à l’étape précédente. La formation de l’empilement d’interconnexion 150 peut comprendre des étapes successives de dépôt et gravure de couches isolantes et conductrices, par exemple métalliques, sur la face supérieure de la structure de la .
Dans l’exemple représenté, l’empilement d’interconnexion 150 présente une surface supérieure (aussi appelée face de connexion) plane hybride comprenant une alternance de régions conductrices et isolantes.
La illustre la structure obtenue à l’issue d’une étape de report et de fixation d'un circuit électronique de contrôle 160, par exemple un circuit CMOS, sur et en contact avec la face supérieure de la structure de la . Sur la , la structure est retournée par rapport à l’orientation de la . Ainsi, en , le circuit de contrôle 160 est disposé du côté de la face inférieure de l’empilement d’interconnexion 150. Le circuit électronique de contrôle 160 comprend par exemple des circuits de lecture des pixels visibles VP et infrarouge IRP.
Dans l'exemple représenté, le circuit électronique 160 est formé à partir d'une structure SOI comportant un substrat 161 revêtu d'une couche isolante 162, elle-même revêtue d'une couche semiconductrice 163 dans et sur laquelle sont formés des composants 165, par exemple des transistors MOS. Le circuit électronique 160 comprend en outre, du côté de la couche semiconductrice opposée au substrat 161, un empilement d'interconnexion 167 ayant une face de connexion (face supérieure dans l'orientation de la ) symétrique par rapport à la face de connexion (face inférieure dans l'orientation de la ) de l'empilement d'interconnexion 150. Le circuit électronique 160 est fixé et connecté électriquement à la structure de la , par exemple par collage direct de la face supérieure (dans l’orientation de la ) de l'empilement d'interconnexion 167 sur la face inférieure de l'empilement 150. Le collage peut être un collage direct hybride de type cuivre/oxyde.
A titre de variante, plutôt que d'utiliser une structure SOI, le circuit électronique de contrôle 160 est réalisé à partir d'un substrat semiconducteur massif, moins onéreux.
La illustre en outre, après report et fixation du circuit électronique de contrôle 160, une étape de retrait du substrat de support 103 de la structure SOI utilisée pour former la structure de détection visible ( ), puis de formation d'éléments optiques, par exemple des éléments de filtrage et/ou des éléments de focalisation, du côté de la face d'exposition à la lumière du capteur, à savoir sa face supérieure dans l'orientation de la .
Un avantage du mode de réalisation décrit en relation avec les figures 1A à 1F est que la structuration en îlots ou mésa de la couche active de détection infrarouge permet de limiter le cross-talk ou diaphotie optique et diaphonie électrique, entre des pixels de détection infrarouge IRP voisins.
On notera que dans l’exemple représenté, les tranchées d’isolation 120 traversent toute l’épaisseur de la couche active de détection infrarouge 111, délimitant des îlots disjoints de couche 111 définissant les pixels IRP du capteur. Comme indiqué précédemment, les tranchées 120 peuvent s’étendre à travers une partie seulement de l’épaisseur de la couche active 111, délimitant des mésas de couche 111 définissant les pixels IRP du capteur.
Le caractère complet ou partiel de la gravure de la couche active 111 dans les tranchées 120 peut être choisi selon le compromis souhaité entre la conversion des photons en porteurs de charges, le courant d’obscurité, et la fonction de transfert de modulation. En diminuant le volume disponible pour la conversion photoélectrique, la gravure complète de la couche active 111 dans les tranchées 120 tend à réduire le rendement quantique. En augmentant la surface des flancs et la quantité de défauts qui y sont créés, la gravure complète tend en outre à augmenter le courant d’obscurité. En isolant les pixels IRP des uns des autres, la gravure complète tend en revanche à limiter le cross talk optique et électrique et améliore ainsi notamment la fonction de transfert de modulation du capteur infrarouge.
De façon préférentielle, la couche active de détection infrarouge 111, la couche réflectrice inférieure 126, et la couche d'interface supérieure constituée par l'empilement des couches 107 et 115, définissent une cavité résonante pour le rayonnement infrarouge destiné à être détecté par le capteur.
Pour cela, l'épaisseur de la couche active 111 et l'épaisseur de la couche d'interface supérieure 107-115 sont choisies de façon à maximiser l'absorption du rayonnement infrarouge d'intérêt dans la couche active 111, de façon similaire à ce qui a été décrit dans la demande de brevet FR2113457 susmentionnée.
Les inventeurs ont en particulier constaté qu'il est possible d'obtenir une très bonne cavité résonante y compris lorsque la couche d'interface supérieure entre la couche active de détection infrarouge 111 et la couche active de détection visible 101 en silicium ne comporte pas de réflecteur. Par réflecteur, on entend ici une couche ou un empilement de couches présentant, à la longueur d'onde infrarouge considérée, un coefficient de réflexion supérieur à 80%, par exemple supérieur à 50%, par exemple supérieur à 20%.
Une telle cavité résonante permet d'obtenir une absorption du rayonnement infrarouge d'intérêt supérieure à 80 %, par exemple de l'ordre de 90% ou plus, dans la couche active 111.
La est une vue en coupe illustrant une variante de réalisation d’un capteur d'images visibles et infrarouges selon un mode de réalisation.
La variante de la comprend des éléments en commun avec le mode de réalisation décrit en relation avec les figures 1A à 1F. Ces éléments ne seront pas détaillés à nouveau ci-après.
La représente la structure obtenue à un stade intermédiaire du procédé de fabrication du capteur.
Les étapes conduisant à la structure de la sont identiques ou similaires aux étapes décrites en relation avec les figures 1A à 1D, à la différence près que, dans l’exemple de la , la structure comprend une couche semiconductrice dopée 201, par exemple en silicium, sous et en contact avec la couche active 111. A titre d’exemple, la couche 201 est formée sur et en contact avec la face de la couche active 111 opposée au substrat initial de support ou de croissance de la couche active 111, avant la formation de la couche de passivation 115. L’ensemble comprenant la couche active 111, la couche semiconductrice dopée 201 et la couche de passivation 115 est ensuite reporté sur la face supérieure de la structure de la , de façon similaire à ce qui a été décrit ci-dessus en relation avec la .
La couche semiconductrice dopée 201 s’étend par exemple de façon continue et avec une épaisseur sensiblement uniforme sur toute la surface du capteur. L’épaisseur de la couche semiconductrice dopée 201 est par exemple comprise entre 20 et 500 nm, par exemple de l’ordre de 100 nm.
Dans l’exemple de la , les tranchées d’isolation latérales 120 délimitant les îlots ou mésas de couche active 111 s’étendent sur une partie seulement de l’épaisseur de la couche active 111.
A titre de variante, les tranchées 120 peuvent traverser entièrement la couche active 111 de façon similaire à ce qui a été décrit ci-dessus en relation avec les figures 1A à 1F.
Dans l’exemple de la , les tranchées 120 ne traversent en revanche pas la couche semiconductrice dopée 201. Ainsi, la couche 201 forme une semelle dopée reliant électriquement, par leur face inférieure, les photodétecteurs infrarouge des pixels IRP du capteur.
Un ou plusieurs vias conducteurs isolés de reprise de contact 145d peuvent être formés en vis à vis des tranchées 120 pour reprendre un contact électrique sur la couche 201. A titre d’exemple, on peut prévoir un via 145d unique commun à tous les pixels IRP de la matrice, ou plusieurs vias 145d, par exemple un par pixel ou par groupe de pixels.
Les étapes suivantes du procédé sont par exemple identiques ou similaires à ce qui a été décrit ci-dessus en relation avec les figures 1E et 1F.
La est une vue en coupe illustrant une autre variante de réalisation d’un capteur d'images visibles et infrarouges selon un mode de réalisation.
PROCEDE DE RECYCLAGE DE DECHETS A BASE DE PLASTIQUES PVC METTANT EN ŒUVRE UN DISPOSITIF D’EXTRACTION DES CHAINES POLYMERES EN LIT MOBILE SIMULE A EXCLUSION STERIQUE L’invention concerne le domaine du recyclage de plastiques à base de poly(chlorure de vinyle) (PVC), en particulier un procédé de traitement d’une charge plastique issue de déchets plastiques à base de PVC afin d’obtenir un flux d’au moins un polymère PVC purifié permettant son réemploi dans la fabrication de nouveaux objets plastiques. Plus précisément, l’invention concerne un procédé de traitement d’une charge plastique, en particulier issue de déchets plastiques à base de PVC, comprenant la dissolution d’au moins un polymère PVC dans un solvant, au moins une étape de purification de la solution polymère ainsi obtenue et la séparation d’au moins un polymère PVC et d’au moins un solvant afin de récupérer un flux d’au moins un polymère PVC purifié pour une valorisation ultérieure.
Par définition, un plastique est un mélange constitué d’une matière polymérique de base et de nombreux additifs, l’ensemble étant susceptible d’être moulé ou façonné (en général à chaud et/ou sous pression), afin de conduire à un semi-produit ou à un objet. Une pratique communément admise est de dénommer ledit plastique par le nom du polymère qui le constitue. Ainsi, le plastique poly(chlorure de vinyle) ou PVC pour polyvinyl chloride selon la dénomination anglosaxonne correspond en fait à l’association du polymère PVC, parfois dénommé dans la suite de la description « résine PVC », avec divers additifs choisis en fonction des fonctionnalités requises pour ledit plastique. Lesdits additifs peuvent être des (macro)molécules organiques ou bien des (nano)particules inorganiques et sont utilisés en fonction des propriétés désirées pour le plastique PVC : résistance à la chaleur, à la lumière ou à un stress mécanique, souplesse, facilité de mise en œuvre, coloration, etc.
Plusieurs méthodes de recyclage des plastiques PVC existent : des méthodes dites conventionnelles par simple recyclage mécanique des plastiques, des méthodes impliquant des modifications de leur composition (avec éventuellement transformations chimiques des constituants initiaux), etc.
Depuis le milieu du XX ème siècle, le recyclage du plastique PVC impliquant un processus physique a fait l’objet de nombreux travaux visant, dans une première étape, à solubiliser la résine PVC avec une proportion variable d’additifs puis, dans une deuxième étape, à récupérer ladite résine selon divers processus (précipitation, évaporation, etc.) en présence de tout ou partie des additifs solubles. Pour exemple, nous citons les brevets EP0945481 et EP1268628 d’une part, et EP2276801 d’autre part qui visent à recycler respectivement des objets divers à base de PVC (tuyaux souples ou rigides, châssis de fenêtre, câbles, etc.) et spécifiquement des objets à base de PVC renforcés par des fibres (bâches, revêtements de sols, etc.) selon un procédé mettant en œuvre une étape de dissolution dans un solvant organique de la résine PVC et des additifs solubles, suivie d’une étape de précipitation à la vapeur d’eau permettant la récupération de la résine PVC et de la majorité des additifs.
Le maintien desdits additifs au sein du PVC ainsi récupéré pour être recyclé n’est toutefois pas toujours souhaitable. Par exemple, l’évolution au cours du temps des réglementations qui les concernent est impactante. Ainsi, certains plastifiants appartenant à la famille des phtalates, notamment largement utilisés pour formuler les PVC dits « souples » il y a une quarantaine d’années, ont été progressivement soumis à autorisation en Europe sur la base du règlement REACH qui vise, depuis fin 2006, à sécuriser la fabrication et l’utilisation des substances chimiques dans l’industrie européenne et, finalement, progressivement exclus des additifs utilisables (Annexes XIV et XVII du règlement (CE) N°1907/2006 du parlement européen et du conseil du 18 décembre 2006). Suivant la même tendance, l’emploi de stabilisants métalliques à base de Cd dans les formulations de plastiques PVC appelés notamment PVC compound (notamment des plastiques PVC dits « rigides ») a été interdit par un amendement de ladite Annexe XVII (Règlement 494/2011 du 20 mai 2011). De même, les stabilisants à base de plomb ont été soumis à des restrictions (Annexe XV) qui ont été détaillées et adoptées entre décembre 2017 et mars 2018 par les comités d'évaluation des risques (RAC ou Risk Assessment Comity) et d'analyse socio-économique (SEAC ou Socio-Economic Analysis Comity) de l'ECHA. Ainsi, durant les 20 dernières années, plusieurs familles d’additifs ont vu leur domaine d’utilisation se restreindre, ce phénomène risquant fort de s’amplifier dans les années à venir.