Module de LNA à commutateur, comprenant : - une tranche de silicium sur isolant (22) comprenant un substrat de silicium (38) et une couche active (42) séparées par une couche d’oxyde enterrée (40), dans lequel ledit substrat de silicium sur isolant est un dit substrat de silicium sur isolant à haute résistance comprenant une couche de manipulation en silicium ayant une résistivité supérieure à 1 kΩ-cm ; - un commutateur (6) comprenant une pluralité de transistors SOI ; - un amplificateur à faible bruit (8) situé dans ladite tranche de silicium sur isolant (22) et connectée à une sortie dudit commutateur (6), dans lequel ledit amplificateur à faible bruit (8) comprend un transistor bipolaire (46) formé dans une région massive (44) de ladite tranche de silicium sur isolant (22) où ladite couche d’oxyde enterrée est retirée ; et une couche métallique épaisse (MI, MJ) pour la connexion au commutateur (6) et à l’amplificateur à faible bruit (8). Module de LNA à commutateur selon la revendication 1, dans lequel ledit transistor bipolaire (46) est un transistor SiGe. Module de LNA à commutateur selon la revendication 1 ou 2, dans lequel ladite couche de manipulation en silicium a une résistivité supérieure à 3 kΩ-cm. Module de LNA à commutateur selon l’une quelconque des revendications précédentes, comprenant en outre une pluralité de composants passifs formés dans ou sur ladite tranche de silicium sur isolant (22) sur ladite couche d’oxyde enterrée (40), dans lequel lesdits composants passifs sont formés à partir de et/ou sont connectés par la couche métallique épaisse et une deuxième couche métallique épaisse (MI, MJ) qui la chevauche au moins partiellement. Module de LNA à commutateur selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la ou chaque couche métallique épaisse (MI, MJ) présente une épaisseur dans la plage allant de 2 µm à 4 µm. Module de LNA à commutateur selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel ledit amplificateur à faible bruit (8) comprend une structure cascode comprenant ledit transistor bipolaire (28) qui est un émetteur commun de ladite structure cascode. Module de LNA à commutateur selon la revendication 6, dans lequel ledit amplificateur à faible bruit (8) comprend un deuxième transistor bipolaire (30) qui est une base commune de ladite structure cascode. Module de LNA à commutateur selon la revendication 6 ou 7, comprenant en outre un transistor SOI (28, 32), dans lequel ladite structure cascode comprend ledit transistor SOI qui est une grille commune de ladite structure cascode. Module de LNA à commutateur selon la revendication 8, dans lequel ledit transistor SOI est un transistor métal-oxyde-semi-conducteur complémentaire (CMOS). Module de LNA à commutateur selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, et comprenant un circuit d’amplification de premier étage et un circuit d’amplification de deuxième étage, dans lequel ledit circuit d’amplification de premier étage comprend ledit transistor bipolaire et dans lequel ledit circuit d’amplification de deuxième étage comprend une structure cascode. Module de LNA à commutateur selon la revendication 10, dans lequel ladite structure cascode comprend un premier transistor SOI qui est une source commune de ladite structure cascode et un deuxième transistor SOI qui est une grille commune de ladite structure cascode. Module de LNA à commutateur selon la revendication 10, dans lequel ladite structure cascode comprend un deuxième transistor bipolaire dans une région massive (44) de ladite tranche de silicium sur isolant (22), dans lequel ledit deuxième transistor bipolaire est un émetteur commun de ladite structure cascode, et un transistor SOI qui est une grille commune de ladite structure cascode. Module de LNA à commutateur selon l’une quelconque des revendications 10 à 12, dans lequel ledit circuit d’amplification de premier étage comprend une deuxième structure cascode comprenant ledit transistor bipolaire qui est un émetteur commun de ladite deuxième structure cascode. Module de LNA à commutateur selon la revendication 13, dans lequel ladite deuxième structure cascode comprend un deuxième transistor bipolaire situé dans une région massive (44) de ladite tranche de silicium sur isolant (22), dans lequel ledit deuxième transistor bipolaire est une base commune de ladite structure cascode. Module de LNA à commutateur selon la revendication 13, dans lequel ladite deuxième structure cascode comprend un transistor SOI qui est une grille commune de ladite structure cascode. Appareil de télécommunications comprenant un module de LNA à commutateur selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le commutateur du module de LNA à commutateur est agencé dans ledit appareil pour passer d’un mode récepteur à un mode émetteur dudit appareil.