Procédé de fabrication d’un substrat de croissance (10) adapté à la réalisation par épitaxie d’une matrice de diodes à base d’InGaN, comportant les étapes suivantes : fournir un empilement cristallin (20) à base de GaN, comportant : une couche inférieure dopée (23) ; et une couche supérieure (24) réalisée à base d’In x2 Ga 1-x2 N avec x2>0, reposant sur et au contact de la couche inférieure dopée (23) ; où : la couche inférieure dopée (23) présente une proportion d’indium x1≥0 prédéfinie de sorte qu’elle est non absorbante d’un rayonnement lumineux d’illumination ayant une longueur d’onde centrale prédéfinie, et la couche supérieure (24) présente une proportion d’indium x2>0 prédéfinie de sorte qu’elle est absorbante du rayonnement lumineux d’illumination ; la couche inférieure (23) dopée présente un niveau de dopage prédéfini de sorte qu’elle est porosifiable à une tension électrique de valeur V ECE prédéfinie, et la couche supérieure (24) présente un niveau de dopage prédéfini de sorte qu’elle est non porosifiable à la tension électrique V ECE prédéfinie ; réalisation de mésas M (i) , avec i allant de 0 à 2, par gravure localisée de la couche supérieure (24) pour former des portions supérieures (14) de mésas et d’au moins une partie de la couche inférieure (23) dopée pour former des portions inférieures (13) de mésas ; puis dépôt d’une couche d’encapsulation (4) en un matériau électriquement isolant, recouvrant au moins une mésa notée M (0) , de sorte que ladite mésa M (0) n’est pas porosifiée lors d’une porosification électrochimique de mésas notées M (1) et M (2) ; puis porosification électrochimique des portions inférieure (13) et supérieure (14) d’au moins une mésa M (2) par : porosification photo-assistée de la portion supérieure (14) de la mésa M (2) par émission du rayonnement lumineux d’illumination ; et porosification non photo-assistée de la portion inférieure (13) de la mésa M (2) par application de la tension électrique de valeur V ECE ; porosification électrochimique de l’une seulement des portions inférieure (13) et supérieure (14) d’au moins une mésa M (1) par : porosification photo-assistée de la portion supérieure (14) de la mésa M (1) au cours de celle de la portion supérieure de la mésa M (2) ; ou porosification non photo-assistée de la portion inférieure (13) de la mésa M (1) au cours de celle de la portion inférieure de la mésa M (2) ; retrait au moins en partie de la couche d’encapsulation (4), de manière à rendre libre une surface supérieure de la mésa M (0) . Procédé de fabrication selon la revendication 1, dans lequel la porosification photo-assistée et la porosification non photo-assistée sont effectuées lors d’étapes distinctes. Procédé de fabrication selon la revendication 2, comportant les étapes distinctes suivantes : une étape de porosification photo-assistée des portions supérieures (14) des mésas M (1) et M (2) , les mésas M (1) et M (2) étant au contact d’un électrolyte liquide ; une étape de porosification non photo-assistée de la portion inférieure (13) des mésas M (2) , les mésas M (1) étant recouvertes d’une couche d’encapsulation (4) réalisée en un matériau électriquement isolant, seules les mésas M (2) étant au contact d’un électrolyte liquide. Procédé de fabrication selon la revendication 2, comportant les étapes distinctes suivantes : une étape de porosification photo-assistée de la portion supérieure (14) des mésas M (2) , les mésas M (1) étant recouvertes d’une couche d’encapsulation (4) réalisée en un matériau électriquement isolant, seules les mésas M (2) étant au contact d’un électrolyte liquide ; une étape de porosification non photo-assistée de la portion inférieure (13) des mésas M (1) et M (2) , les mésas M (1) et M (2) étant au contact d’un électrolyte liquide. Procédé de fabrication selon la revendication 1, dans lequel la porosification photo-assistée et la porosification non photo-assistée sont effectuées lors d’une même étape, une couche opaque d’encapsulation, réalisée en un matériau opaque au rayonnement lumineux d’illumination, recouvrant au moins en partie une surface supérieure des mésas M (1) tout en laissant libre une surface latérale de la portion inférieure (13) des mésas M (1) . Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel l’empilement cristallin (20) comporte une couche continue de reprise d’épitaxie (25), reposant sur la couche supérieure (24), et réalisée à base d’InGaN ayant une proportion d’indium x3>0 prédéfinie de sorte qu’elle est non absorbante du rayonnement lumineux d’illumination, et présentant un niveau de dopage prédéfini de sorte qu’elle est non porosifiable à la tension électrique V ECE prédéfinie. Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel l’empilement cristallin (20) ne comporte pas une couche continue de reprise d’épitaxie (25) de sorte que la couche supérieure (24) présente une face supérieure libre, des portions de reprise d’épitaxie (15) réalisée à base d’InGaN étant réalisés à partir d’une surface supérieure des portions supérieures (14) des mésas M (1) après la porosification des mésas M (1) et M (2) . Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel, lors de la porosification photo-assistée, une tension électrique est appliquée entre le substrat de croissance (10) et une électrolyte liquide dans lequel il est plongé, d’une valeur V PECE prédéfinie de sorte que les portions inférieures (13) des mésas M (1) ne sont pas porosifiées. Procédé de fabrication d’un dispositif optoélectronique (1), comportant les étapes suivantes : fabrication du substrat de croissance (10) par le procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 8 ; puis fabrication d’une matrice de diodes D (i) par épitaxie à partir des mésas M (i) du substrat de croissance (10), les diodes étant alors adaptées à émettre ou à détecter un rayonnement lumineux à différentes longueurs d’onde, la longueur d’onde étant différente d’une catégorie de mésas M (i) à l’autre. Substrat de croissance (10), adapté à la réalisation par épitaxie d’une matrice de diodes à base d’InGaN, comportant : une couche support (11) ; des mésas M (i) , avec i allant de 0 à 2, réalisées à base de GaN cristallin, reposant sur la couche support (11), et comportant chacune : une portion inférieure (13) dopée présentant une proportion d’indium x1≥0 ; et une portion supérieure (14) réalisée à base d’In x2 Ga 1-x2 N avec une proportion d’indium x2>x1 et présentant un niveau de dopage inférieur à celui de la portion inférieure (13), et reposant sur et au contact de la portion inférieure (13) ; les mésas étant configurées de sorte que : les portions inférieure (13) et supérieure (14) de la mésa M (0) sont non poreuses ; seule une portion parmi les portions inférieure (13) et supérieure (14) de la mésa M (1) est poreuse ; les portions inférieure (13) et supérieure (14) de la mésa M (2) sont poreuses. Substrat de croissance (10) selon la revendication 10, dans lequel chaque mésa M (i) comporte une portion de reprise d’épitaxie (15) reposant sur la portion supérieure (14), réalisée à base d’InGaN cristallin non poreux dont le paramètre de maille a m cre du matériau relaxé est supérieur au paramètre de maille effectif a e cs de la couche support (11) : la portion de reprise d’épitaxie (15) de chaque mésa M (2) présentant un paramètre de maille maximal a e cre(2) ; la portion de reprise d’épitaxie (15) de chaque mésa M (0) présentant un paramètre de maille a e cre(0) inférieur à a e cre(2) ; la portion de reprise d’épitaxie (15) de chaque mésa M (1) présentant un paramètre de maille intermédiaire a e cre(1) inférieur à a e cre(2) et différent de a e cre(0) . Substrat de croissance (10) selon la revendication 10 ou 11, dans lequel les portions inférieures (13) des mésas M (i) repose sur une couche continue (12 ; 23) réalisée en un matériau électriquement conducteur. Dispositif optoélectronique (1) comportant : un substrat de croissance (10) selon l’une quelconque des revendications 10 à 12 ; et une matrice de diodes D (i) à base d’InGaN, épitaxiées à partir des mésas du substrat de croissance (10), les diodes étant adaptées à émettre ou à détecter un rayonnement lumineux à différentes longueurs d’onde, la longueur d’onde étant différente d’une catégorie de mésas M (i) à l’autre.