Démodulateur photonique (1) assisté par courant, adapté à détecter un rayonnement lumineux d’intérêt, comportant : une portion de détection (10), s’étendant verticalement entre une première face (F1) et une deuxième face (F2) parallèles à un plan principal, et comportant : au moins deux régions (11) dopées de type p, destinées à générer et à moduler un courant de dérive dans la portion de détection (10), affleurant la première face (F1) et situées de part et d’autre d’une zone centrale (Zc) de la première face (F1) ; au moins deux régions (12) dopées de type n, adaptées à collecter les porteurs de charge minoritaires photogénérés lors de l’absorption du rayonnement lumineux d’intérêt dans la portion de détection (10), affleurant la première face (F1) et situées de manière adjacente aux régions dopées (11) de type p ; une couche diélectrique de passivation (2), réalisée en un matériau électriquement isolant, et recouvrant la première face (F1) ; des électrodes de modulation (M1, M2), traversant la couche diélectrique de passivation (2) et au contact des régions dopées (11) de type p ; et des électrodes de collection (C1, C2), traversant la couche diélectrique de passivation (2) et au contact des régions dopées (12) de type n ; caractérisé en ce qu’il comporte des électrodes intermédiaires (I1, I2), destinées à être polarisées négativement, traversant en partie la couche diélectrique de passivation (2) et espacées de la première face (F1) d’une distance non nulle, chacune étant située, dans le plan principal, entre l’une des régions dopées (11) de type p et la région dopée (12) de type n adjacente. Démodulateur photonique (1) selon la revendication 1, dans lequel les électrodes intermédiaires (I1, I2) sont espacées de la première face (F1) d’une distance comprise entre 5nm et 50nm. Démodulateur photonique (1) selon la revendication 1 ou 2, dans lequel les régions (11) dopées de type p présentent une profondeur (P M ) à partir de la première face (F1) supérieure à une profondeur (P C ) des régions (12) dopées de type n. Démodulateur photonique (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel les régions (11) dopées de type p sont situées, dans le plan principal, à proximité de la zone centrale (Zc), et les régions (12) dopées de type n en étant éloignées. Démodulateur photonique (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel les régions (11) dopées de type p sont des premières portions semiconductrices (11a) situées dans des premières échancrures (25) de la portion de détection (10). Démodulateur photonique (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel les régions (12) dopées de type n sont des premières portions semiconductrices (12a) situées dans des deuxièmes échancrures (26) de la portion de détection (10). Démodulateur photonique (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel la portion de détection (10) est réalisée à base de germanium. Démodulateur photonique (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, comportant une portion latérale périphérique (24) entourant la portion de détection (10) dans le plan principal, réalisée en un matériau semiconducteur à base de silicium. Démodulateur photonique (1) selon les revendications 7 et 8, dans lequel la portion de détection (10) comporte une zone latérale (14) réalisée à base de SiGe, située à l’interface avec la portion latérale périphérique (24). Procédé de fabrication d’un démodulateur photonique (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes, comportant les étapes suivantes : réalisation de la portion de détection (10) en un matériau non intentionnellement dopé ; réalisation des régions (11) dopées de type p et des régions (12) dopées de type n dans la portion de détection (10) ; dépôt d’une couche diélectrique de passivation sur la portion de détection (10) ; réalisation des électrodes de modulation, des électrodes de collection, et des électrodes intermédiaires. Procédé de fabrication selon la revendication 10, dans lequel les régions (11) dopées de type p présentent une profondeur (P M ) à partir de la première face (F1) supérieure à la profondeur (P C ) des régions (12) dopées de type n. Procédé de fabrication selon la revendication 10 ou 11, dans lequel la réalisation des régions (11) dopées de type p comporte les étapes suivantes : réalisation de premières échancrures (25) dans la portion de détection (10) à partir de la première face (F1) ; réalisation par épitaxie, dans les premières échancrures (25), de premières portions semiconductrices (11a) dopées de type p à la croissance. Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications 10 à 12, dans lequel la réalisation des régions (11) dopées de type n comporte les étapes suivantes : réalisation de deuxièmes échancrures (26) dans la portion de détection (10) à partir de la première face (F1) ; réalisation par épitaxie, dans les deuxièmes échancrures (26), de deuxièmes portions semiconductrices (12a) dopées de type n à la croissance. Procédé de fabrication selon les revendications 12 et 13, dans lequel les premières échancrures (25) présentent une profondeur (P M ) supérieure à la profondeur (P C ) des deuxièmes échancrures (26).