Circuit intégré comportant un substrat semiconducteur (SUB) ayant une face avant (FA) comportant des structures d’isolation (STI) s’étendant verticalement dans le substrat depuis la face avant jusqu’à une première profondeur (P1), et une partie d’interconnexion (BE) comprenant des niveaux de métaux incorporant au moins un composant passif (LHQ), au-dessus de la face avant (FA) du substrat, le circuit intégré comportant en outre une structure diélectrique (BLMN) alignée verticalement avec la position dudit au moins un composant passif (LHQ), la structure diélectrique s’étendant verticalement dans le substrat depuis la face avant jusqu’à une deuxième profondeur (P2) supérieure à la première profondeur (P1). Circuit intégré selon la revendication 1, dans lequel la deuxième profondeur (P2) est choisie de sorte que la résistivité du substrat semiconducteur (SUB) au niveau de la deuxième profondeur est au moins une fois et demi plus grande que la résistivité du substrat au niveau de la première profondeur (P1). Circuit intégré selon l’une des revendications 1 ou 2, dans lequel la première profondeur (P1) est comprise entre 0,1 µm et 0,5 µm et la deuxième profondeur (P2) est comprise entre 0,3 µm et 1,5 µm. Circuit intégré selon l’une des revendications 1 à 3, dans lequel ladite structure diélectrique comporte un bloc monolithique (BLMN) d’un matériau diélectrique, occupant un volume situé verticalement depuis le niveau de métal (M6) du composant passif de la partie d’interconnexion jusqu’à ladite deuxième profondeur (P2) du substrat. Circuit intégré selon l’une des revendications 1 à 3, dans lequel ladite structure diélectrique comporte un bloc monolithique (BLMN) d’un matériau diélectrique, occupant un volume situé verticalement depuis l’un des niveaux de métaux (M1) de la partie d’interconnexion, entre la face avant du substrat (FA) et le niveau de métal (M6) du composant passif, jusqu’à ladite deuxième profondeur (P2) du substrat. Circuit intégré selon l’une des revendications 4 ou 5, dans lequel ledit bloc monolithique (BLMN) de matériau diélectrique est en dioxyde de silicium ou en un matériau à faible constante diélectrique relative. Procédé de fabrication d’un circuit intégré comprenant : - une formation de structures d’isolation (STI) dans un substrat semiconducteur (SUB) s’étendant verticalement depuis une face avant (FA) du substrat jusqu’à une première profondeur (P1), - une formation, au-dessus de la face avant (FA) du substrat, d’une partie d’interconnexion (BE) comportant des niveaux de métaux incorporant au moins un composant passif (LHQ), comprenant, avant la formation dudit composant passif (LHQ), une formation d’une structure diélectrique (BLMN) s’étendant verticalement dans le substrat depuis la face avant jusqu’à une deuxième profondeur (P2) supérieure à la première profondeur (P1), et alignée verticalement avec la position du future composant passif (LHQ). Procédé selon la revendication 7, dans lequel la deuxième profondeur (P2) est choisie de sorte que la résistivité du substrat semiconducteur au niveau de la deuxième profondeur est au moins une fois et demi plus grande que la résistivité du substrat au niveau de la première profondeur (P1). Procédé selon l’une des revendications 7 ou 8, dans lequel la première profondeur (P1) est comprise entre 0,1 µm et 0,5 µm et la deuxième profondeur (P2) est comprise entre 0,3 µm et 1,5 µm. Procédé selon l’une des revendications 7 à 9, dans lequel ladite formation de la structure diélectrique comprend une formation d’un bloc monolithique (BLMN) d’un matériau diélectrique, occupant un volume situé verticalement depuis le niveau de métal (M6) du composant passif de la partie d’interconnexion jusqu’à ladite deuxième profondeur (P2) du substrat. Procédé selon la revendication 10, dans lequel la formation du bloc monolithique (BLMN) comprend une étape de gravure retirant ledit volume dans tous les niveaux de métaux de la partie d’interconnexion (BE) au-dessous du niveau de métal (M6) du composant passif, et jusqu’à la deuxième profondeur (P2) du substrat, un remplissage du volume avec le matériau diélectrique, et un retrait d’un excès de matériau diélectrique aplani au niveau dudit niveau de métal (M6) du composant passif. Procédé selon l’une des revendications 7 à 9, dans lequel ladite formation de la structure diélectrique comprend une formation d’un bloc monolithique (BLMN) d’un matériau diélectrique, occupant un volume situé verticalement depuis l’un des niveaux de métaux (M1) de la partie d’interconnexion, entre la face avant du substrat (FA) et le niveau de métal (M6) du composant passif, jusqu’à ladite deuxième profondeur (P2) du substrat. Procédé selon la revendication 12, dans lequel la formation du bloc monolithique (BLMN) comprend une gravure dudit volume dans tous les niveaux de métaux de la partie d’interconnexion (BE) au-dessous dudit niveau de métal (M1) de la partie d’interconnexion, et jusqu’à la deuxième profondeur (P2) du substrat, un remplissage du volume avec le matériau diélectrique, et un retrait d’un excès de matériau diélectrique aplani au niveau dudit niveau de métal (M1) de la partie d’interconnexion. Circuit intégré selon l’une des revendications 10 à 13, dans lequel ledit bloc monolithique (BLMN) de matériau diélectrique est en dioxyde de silicium ou en un matériau à faible constante diélectrique relative.