INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Le jus obtenu à partir de Palmaria palmata, présente une couleur violette très intense avec des débouchés probables en tant que colorant naturel.
L’algue lactofermentée et le jus obtenu à partir de l’Himanthalia elongata (haricots de mer), la
Par exemple, le calcul de la valeur du paramètre de connectivité PCi peut suivre la formule PCi = 100/(1+N_BH), où N_BH représente le nombre de liaisons entre le point d’accès APi et la passerelle GW. Dans l’exemple illustré , les paramètres de connectivité PCi valent alors respectivement 100 pour le point d’accès AP1 (N_BH = 0), 50 pour le point d’accès AP2 (N_BH = 1), 33, 3 pour le point d’accès AP3 (N_BH = 2) et 25 pour le point d’accès AP4 (N_BH = 3).
Ce choix de compter le nombre de liaisons entre points d’accès est particulièrement pertinent lorsque les points d’accès communiquent entre eux en mode « half-duplex » au moyen de liaisons non-filaires. En effet, dans ce cas, plus un point d’accès est éloigné de la passerelle GW, et plus sa connectivité dépend de l’utilisation de la bande-passante qui est faite par les points d’accès intermédiaires situés entre lui et la passerelle. De même, la nature non-filaire des liaisons impacte leur connectivité. En effet, une liaison non-filaire est par nature plus sensible aux perturbations électromagnétiques et les données transmises au moyen de ces liaisons sont plus sujettes à subir des pertes.
Cette formule PCi = 100/(1+N_BH) peut se généraliser en PCi = f(N_BH) où f est une fonction décroissante. Ainsi, la détermination de la valeur du paramètre de connectivité PCi tient compte de la topologie du réseau — par exemple du nombre de liens entre la passerelle GW et le point d’accès APi dont le contrôleur cherche à déterminer la valeur du paramètre de connectivité PCi.
Dans le cas d’une topologie de réseau qui n’est pas en série, la fonction f ci-dessus peut tenir compte d’autres paramètres topologiques relatifs à des branches de l’arbre du réseau BSS auquel le point d’accès APi n’appartient pas, par exemple afin que la valeur du paramètre de connectivité PCi du point d’accès APi obtenue reflète l’impact d’autres points d’accès partageant le même point d’accès parent que le point d’accès APi sur la connectivité du point d’accès APi concerné. Dans le cas d’un mesh (ou graphe cyclique), la fonction f est encore différente.
Dans un deuxième mode de réalisation, le paramètre de connectivité PCi tient non seulement compte du nombre de liaisons existant entre le point d’accès APi et la passerelle, mais également de leur nature. En effet, les liaisons Ethernet, plus généralement les liaisons filaires, sont plus fiables d’un point de vue pertes de paquets, sensibilité aux ondes électromagnétiques, … que les liaisons Wi-Fi. De plus, lorsqu’un point d’accès est connecté au moyen d’une liaison filaire avec ses points d’accès voisins, il conserve toute les ressources radio qui sont à sa disposition pour communiquer avec les stations auxquelles il est connecté.
Ainsi, chaque liaison BHij se voit ici attribuer un poids bh_type, allant par exemple de 0 à 1, représentatif de la nature de cette liaison. Par exemple, pour une liaison BHij de type Ethernet bh_type = 1, pour une liaison de type Wi-Fi tri-bande bh_type = 0,9, pour du Wi-Fi bi-bande bh_type = 0,3… Ces poids sont ici donnés à titre illustratif, l’idée sous-jacente étant qu’ils sont d’autant plus proches de 1 que les liaisons correspondantes sont de nature à transmettre des données sans dégrader la connectivité des points d’accès.
Dans ce cas, la valeur du paramètre de connectivité PCi d’un point d’accès APi peut se définir selon la formule PCi = PCj*bh_type_ij où PCj est le paramètre de connectivité du point d’accès APj parent du point d’accès APi (au sens de l’arbre formant le graphe du réseau BSS).
Ainsi, un point d’accès relié à son point d’accès parent par une liaison Ethernet présente la même connectivité que son point d’accès parent. Au contraire, un point d’accès relié par une liaison Wi-Fi bi-bande à son point d’accès parent présente non seulement une valeur de paramètre de connectivité plus faible que son point d’accès parent, mais cela impacte en outre la connectivité de ses points d’accès enfants.
Les types de liaisons connectant deux points d’accès entre eux peuvent être de l’Ethernet, du Wi-Fi bi-bande, du Wi-Fi tri-bande, du CPL (courant porteur de ligne), du home PNA (« Home Phoneline Networking Alliance »), des liaisons coaxiales ( MOCA , pour « Multimedia over Coax Alliance »), de la fibre optique plastique ( POF ), de la fibre optique…
Dans un troisième mode de réalisation, le calcul du paramètre de connectivité PCi d’un point d’accès APi tient également compte du nombre de canaux de transmission ou « Spatial Stream » du point d’accès lorsque ce dernier est équipé d’une pluralité d’antennes en émission.
Ici, la valeur du paramètre de connectivité PCi est donnée par la formule suivante :
PCi = PCj*bh_type_ij*(1-1/min(NSS_APi_BHij, NSS_APi_BHik))
où j est l’indice du point d’accès parent de APi, et k est l’indice d’un point d’accès APk enfant de APi ; et où NSS_APi correspond au nombre de flux spatiaux NSS du point d’accès APi.
Dans ce mode de réalisation, la nature de la liaison BHij est encore davantage précisée, non seulement son type mais également un paramètre NSS_APi_BHij représentatif de ses performances, à la fois pour communiquer avec d’autres points d’accès mais également pour communiquer avec des stations avec lesquelles il est connecté. Le nombre de flux spatiaux NSS permet d’obtenir une approximation de la bande passante disponible pour la liaison BHij.
Dans un autre mode de réalisation, la détermination du paramètre de connectivité PCi peut tenir compte :
- d’une information représentative du débit effectif pouvant être fourni par le point d’accès APi, ou un débit effectif entre ledit point d’accès APi et la passerelle GW, ou entre le point d’accès racine AP1 du réseau BSS et ledit point d’accès APi,
Il serait également possible que chaque deuxième plot soit associé à M (M étant supérieur à 1) deuxièmes circuits limiteurs de tension qui lui seraient propres, connectés en parallèle entre ce deuxième plot et un troisième plot correspondant, et délivrant respectivement M tensions d’alimentation internes, M pouvant être identique ou différent pour chaque couple deuxième plot/troisième plot.
Dispositif d'affichage et procédé de fabrication d'un tel dispositif La présente description concerne de façon générale le domaine des dispositifs d'affichage d'images, et vise plus particulièrement un dispositif d'affichage d'images interactif, combinant une fonction d'émission lumineuse et une fonction de capture optique, et un procédé de fabrication d'un tel dispositif.
Il a déjà été proposé, par exemple dans les demandes de brevet WO2017089676, EP3401958 et WO2018185433 précédemment déposées par le demandeur, des dispositifs d'affichage d'images comportant une pluralité de puces ou micropuces électroniques monolithiques élémentaires disposées en matrice sur un même substrat de report. Les puces élémentaires sont montées solidaires du substrat de report et connectées à des éléments de connexion électrique du substrat de report pour leur commande. Chaque puce comporte une ou plusieurs diodes électroluminescentes (LED) et un circuit intégré de commande de ladite une ou plusieurs LED, et correspond à un pixel du dispositif. Le circuit intégré de commande comprend une face de connexion opposée à ladite une ou plusieurs LED, comprenant une pluralité de plages de connexion électrique destinées à être connectées au substrat de report pour la commande de la micropuce. Le substrat de report comprend une face de connexion comportant, pour chaque micropuce, une pluralité de plages de connexion électrique destinées à être connectées respectivement aux plages de connexion électrique de la micropuce. Les puces sont rapportées sur le substrat de report, faces de connexion tournées vers la face de connexion du substrat de report, et fixées sur le substrat de report de façon à connecter les plages de connexion électrique de chaque micropuce aux plages de connexion électrique correspondantes du substrat de report.
On s'intéresse ici plus particulièrement à la réalisation d'un dispositif d'affichage d'images interactif combinant une fonction d'émission lumineuse et une fonction de capture optique. Plus particulièrement, on s’intéresse ici à la réalisation d'un dispositif d'affichage d'images interactif combinant une fonction d'émission de lumière visible pour afficher des images, et une fonction d’émission-réception de lumière, par exemple infrarouge, pour des applications de détection.
Un mode de réalisation prévoit un dispositif comportant : - un substrat de report comportant des éléments de connexion électrique ; - une pluralité de premières puces élémentaires monolithiques fixées et connectées électriquement au substrat de report, chaque première puce élémentaire comportant au moins une LED et un circuit électronique intégré de commande de ladite au moins une LED, le dispositif comportant en outre, associé à au moins une des premières puces élémentaires, une deuxième puce élémentaire comprenant une diode laser à cavité verticale émettant par la surface, fixée et connectée électriquement au substrat de report, la première puce élémentaire comportant un circuit électronique intégré de commande de ladite diode laser.
Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend en outre une pluralité de détecteurs photosensibles, et, associé à chaque détecteur photosensible, un circuit électronique intégré de lecture du détecteur photosensible connecté électriquement au substrat de report.
Selon un mode de réalisation, chaque détecteur photosensible est associé à une première puce élémentaire, le circuit électronique de lecture du détecteur photosensible étant intégré à ladite première puce élémentaire.
Selon un mode de réalisation, chaque photodétecteur comprend une photodiode inorganique, par exemple à base de matériaux semiconducteurs de type III-V, par exemple à base d'arséniure d'indium-gallium, ou à base de silicium amorphe.
Selon un mode de réalisation, chaque photodétecteur comprend une couche matrice, par exemple en résine, dans laquelle sont incorporées des boîtes quantiques.
Selon un mode de réalisation, chaque photodétecteur comprend une photodiode en silicium en technologie CMOS, une photodiode à avalanche, ou un dispositif de détection permettant d’acquérir une information quant à la distance entre le dispositif et la scène observée par mesure directe ou indirecte du temps de vol de la lumière.
Selon un mode de réalisation, la diode laser est adaptée à émettre dans une gamme de longueurs d’ondes de sensibilité des photodétecteurs, par exemple dans l’infrarouge.
Selon un mode de réalisation, dans chaque première puce élémentaire, le circuit électronique de commande de ladite au moins une LED et le circuit électronique de commande de la diode laser comprennent des transistors MOS formés dans et sur une couche de silicium monocristallin.
Selon un mode de réalisation, dans chaque première puce élémentaire, ladite au moins une LED est une LED inorganique, par exemple au nitrure de gallium.
Selon un mode de réalisation, dans chaque première puce élémentaire, ladite au moins une LED est adaptée à émettre de la lumière visible.
L’invention tire donc profit des propriétés électriques et thermiques des diélectriques.
La représente un dispositif selon l’art antérieur intégrant deux composants unitaires.
La représente une vue en coupe d’un mode de réalisation du dispositif selon l’invention.
La représente une vue en coupe d’un mode de réalisation du dispositif selon l’invention dans lequel la connexion électrique entre la source et l’électrode arrière de chacun des transistors est assurée par des éléments de connexion électrique traversant l’empilement du dispositif.
La représente une vue de dessus d’un mode de réalisation du dispositif selon l’invention.
La illustre la bonne tenue en tension verticale du dispositif et le faible couplage latéral entre les deux transistors du composant lorsque les différentes couches du dispositif sont correctement dimensionnées.
La illustre la mauvaise tenue en tension verticale du dispositif et l’important couplage latéral entre les deux transistors du composant lorsque l’épaisseur de la couche isolante du dispositif est trop importante.
Les figures 4A à 4E représentent un premier mode de réalisation d’un procédé de fabrication du dispositif selon l’invention.
Les figures 5A à 5M représentent un deuxième mode de réalisation d’un procédé de fabrication du dispositif selon l’invention.
La illustre un dispositif selon un mode de réalisation de l’invention, comprenant notamment une couche d’ajustement des contraintes ou couche buffer.
Selon un exemple avantageux, V cible ≥ 900V.
Selon un mode de réalisation, dans le plan transversal, la première électrode arrière et la deuxième électrode arrière sont séparées d’une distance d’isolation latérale d iso supérieure à 50 µm, de préférence supérieure à 100 µm.
Selon un mode de réalisation avantageux, en projection dans le plan transversal et selon toute direction du plan transversal : la première électrode arrière est en saillie par rapport à la première couche active sur une première distance de débordement d deb,1 , avec d deb,1 >0, et la deuxième électrode arrière est en saillie par rapport à la deuxième couche active sur une deuxième distance de débordement d deb,2 , avec d deb,2 >0.
Selon un exemple, selon la direction d’empilement, la troisième couche active présente une épaisseur dite épaisseur active e 1100 , et d deb,1 ≥e 1100 +e 1500 et d deb,2 ≥e 1100 +e 1500 .
Selon un exemple avantageux, l’empilement présente une épaisseur e 1000 selon la direction d’empilement, avec d deb,1 ≥e 1000 et d deb,2 ≥e 1000 .
Selon un mode de réalisation, le premier diélectrique est l’un parmi l’AlN, le SiO 2 , l’Al 2 O 3 , le Si 3 N 4 , le HfO 2 et le diamant.
Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend en outre un premier élément de connexion électrique traversant l’empilement et connectant électriquement la première source à la première électrode arrière.
Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend en outre un deuxième élément de connexion électrique traversant l’empilement et connectant électriquement la deuxième source à la deuxième électrode arrière.
Selon un exemple, e 1500 ≥1µm, de préférence e 1500 ≥2µm.
Selon un mode de réalisation, la troisième couche active est directement au contact de la première couche active et de la deuxième couche active.
Le champ électrique critique d’un milieu isolant, également appelé rigidité diélectrique, représente la valeur maximum que le milieu en question peut supporter avant le déclenchement d’un arc électrique (claquage de l’isolant). Cette caractéristique s’exprime en V/m, ou plus couramment en kV/mm ou MV/m. Pour un milieu isolant auquel on applique, au niveau de deux électrodes, une tension V, le champ électrique critique s’exprime de la façon suivante :
avec V c la tension de claquage, i.e. la tension à laquelle un court-circuit se produit entre les électrodes, et d la distance entre les électrodes.
Un repère, de préférence orthonormé, comprenant les axes X, Y, Z est représenté en . Ce repère est applicable par extension aux autres figures.
Dans la présente demande de brevet, on parlera préférentiellement d’épaisseur pour une couche et de hauteur pour une structure ou un dispositif. La hauteur est prise perpendiculairement au plan transversal XY. L’épaisseur est prise selon une direction normale au plan d’extension principal de la couche. Ainsi, une couche présente typiquement une épaisseur selon Z, lorsqu’elle s’étend principalement le long du plan transversal XY, et un élément en saillie, par exemple une tranchée d’isolation, présente une hauteur selon Z. Les termes relatifs « sur », « sous », « sous-jacent » se réfèrent préférentiellement à des positions prises selon la direction Z.
Le système 102 de partage de fichiers hébergeant des fichiers de production de pièce peut être, par exemple, de type SharePoint ou de type SFTP (pour Secure File Transfer Protocol en anglais).
Le site de production 103 peut, de façon non limitative, comporter un centre d’usinage et/ou une imprimante additive.
Dans l’exemple décrit, pour des raisons de clarté, on se limite à un unique site de production 103 mais il est entendu que le système 101 de transfert sécurisé d’un fichier de production peut interagir avec une pluralité de sites de production comportant chacun un ou plusieur(s) centre(s) d’usinage et/ou une ou plusieur(s) imprimante(s) additive(s).
Le système 101 de transfert sécurisé d’un fichier de production comporte en outre un serveur central 104.
Dans un exemple de réalisation non limitatif, le serveur central 104 est formé par un serveur de type décentralisé.
Ce serveur central 104 est notamment construit et agencé pour : Sélectionner un fichier de production d’une pièce, Sélectionner un site de production 103 d’une pièce conforme au fichier de production sélectionné.
A cette fin, le système 101 de transfert sécurisé d’un fichier de production peut comporter une interface web 105 connectée au serveur central 104.
Ainsi, en se connectant à l’interface web 105, un utilisateur peut sélectionner un fichier de production d’une pièce parmi une pluralité de fichiers de production proposés par le serveur central 104 et sélectionner un site de production 103 apte à produire une pièce conforme au fichier de production sélectionné.
Ce serveur central 104 est en outre construit et agencé pour transmettre une demande de production d’une pièce conforme au fichier de production sélectionné à un premier agent 106 construit et agencé pour communiquer avec le site de production 103 sélectionné.
Dans la mise en œuvre non limitative illustrée à la , le premier agent 106 est installé dans un ordinateur distant d’une imprimante additive ou un centre d’usinage du site de production 103 sélectionné.
Dans une mise en oeuvre non limitative différente non illustrée, le premier agent 106 est installé dans un microprocesseur que comporte une imprimante additive ou un centre d’usinage du site de production 103 sélectionné.
Le premier agent 106 appartient au système 101 de transfert sécurisé d’un fichier de production et est construit et agencé pour établir une connexion sécurisée avec le système 102 de partage de fichiers contenant le fichier de production sélectionné.
Le premier agent 106 est construit et agencé pour recevoir le fichier de production sélectionné transmis par le système 102 de partage de fichiers via la connexion sécurisée. La connexion sécurisée établie entre le système 102 de partage de fichiers et le premier agent 106 permet de protéger le fichier de production sélectionné contre une appropriation illicite.
Le premier agent 106 est également construit et agencé pour déterminer une première valeur de hachage reflétant le contenu du fichier de production sélectionné reçu.
Le système 101 de transfert sécurisé d’un fichier de production comporte en outre un deuxième agent 107 construit et agencé pour, lorsque le fichier de production sélectionné a été enregistré pour la première fois dans le système 102 de partage de fichiers, déterminer une deuxième valeur de hachage reflétant le contenu dudit fichier de production sélectionné enregistré dans le système 102 de partage de fichiers. A cette fin, le deuxième agent 107 se connecte régulièrement au système 102 de partage de fichiers pour scanner les éventuels nouveau fichiers de production d’une pièce qui y sont enregistrés.
Le serveur central 104 est en outre construit et agencé pour : Enregistrer la deuxième valeur de hachage déterminée ; pour ce faire le deuxième agent 107 est construit et agencé pour communiquer avec le serveur central 104 : et Transmettre au premier agent 106 la deuxième valeur de hachage déterminée.
Compte tenu de ce qui est dit précédemment, l’épaisseur e 1500 de la couche isolante 1500 est avantageusement inférieure à 20*e 1500,min , de préférence 10*e 1500,min . En limitant ainsi l’épaisseur de la couche isolante 1500, une bonne polarisation verticale du dispositif 1 est garantie. Il est en effet nécessaire que le potentiel du substrat ait un contrôle effectif sur la polarisation des couches actives du dispositif 1 et ainsi limiter les effets de current collapse.
Une épaisseur e 1500 comprise entre 2*e 1500,min et 10*e 1500,min apparaît comme le meilleur compromis entre un diélectrique suffisamment épais pour garantir la durée de vie et suffisamment fin pour maximiser la polarisation en face arrière du composant. Pour les mêmes raisons, la plage comprise entre 2*e 1500,min et 5*e 1500,min est particulièrement avantageuse. e 1500 peut également être supérieure à 5*e 1500,min , ce qui permet de maximiser encore le durée de vie ou de minimiser les risques de claquage prématuré.
Les figures 3A et 3B illustrent respectivement un cas dans lequel la polarisation verticale du dispositif 1 est assurée et un cas dans lequel le couplage latéral prend le dessus sur la polarisation verticale. Sur ces deux figures, les zones hachurées 2 représentent les zones d’influence électrostatique de l’électrode arrière sur les couches actives 104, 204 des deux transistors 100, 200, et de façon générale sur le dispositif 1. Les lignes, reliant notamment la première électrode arrière 105 et la deuxième électrode arrière 205, sont les lignes de champ : elles illustrent la tenue en tension latérale – ou couplage latéral – entre les deux transistors 100, 200. Un bon équilibre entre polarisation verticale et tenue en tension latérale doit être trouvé. On observe sur la que l’influence des électrodes arrière 105, 205 sur les zones actives est optimale. Le couplage latéral n’interfère que très peu sur la polarisation verticale. L’intégrité électrostatique du dispositif 1 est donc préservée. A l’inverse, sur la , les électrodes arrière 105, 205 n’ont presque plus d’influence électrostatique sur le dispositif. L’épaisseur de la couche isolante 1500 est trop épaisse pour garantir la polarisation verticale. Le couplage latéral est trop important pour garantir un bon fonctionnement du dispositif 1. L’intégrité électrostatique du dispositif 1 n’est dans ce cas pas préservée.
A titre d’exemple, pour un dispositif 1 devant fonctionner à une tension de 650V, il est courant de chercher à ce que le dispositif 1 présente une tension de claquage supérieure à 900V, par exemple 1000V. La tension de claquage cible est donc dans cet exemple 1000V. La table 1 donne des gammes d’épaisseurs e 1500 possibles pour différents diélectriques envisageables pour le premier diélectrique : Premier diélectrique E c théorique e 1500,min Exemple de gamme possible pour e 1500,min SiO 2 12 MV/cm 0,8 µm 1-10 µm Al 2 O 3 8-10 MV/cm 1-1,2 µm 1-10 µm Si 3 N 4 10-12 MV/cm 0,8-1 µm 1-10 µm HfO 2 5-6 MV/cm 1,6-2 µm 2-20 µm
Un critère pour la sélection du premier diélectrique peut ainsi être la valeur de son champ électrique critique théorique.
Le premier diélectrique présente de plus une conductivité électrique notée σ 1 . Cette dernière est de préférence inférieure à 10 -17 Ω -1 .m -1 . Le fait que la tenue en tension verticale soit principalement assurée par la couche isolante 1500 permet de réduire le courant de fuite du dispositif 1. Les diélectriques présentent en effet des valeurs de conductivité électrique bien inférieures à celles des matériaux couramment utilisés pour les couches épitaxiées des composants, couches servant habituellement à la tenue en tension verticale. L’invention permet donc de tirer profit des valeurs avantageuses de conduction électrique des diélectriques. De préférence, l’épaisseur e 1500 et la conductivité électrique σ 1 de la couche isolante 1500 sont telles que le courant de fuite est inférieur à 1µA/cm² à la tension maximale d’application (exemple : 650V). L’invention peut même permettre des niveaux de courant de fuite aussi faibles que 1nA/cm².
Le premier diélectrique présente par ailleurs une conductivité thermique λ 1 supérieure à 1W.m -1 .K -1 , de préférence supérieure à 30W.m -1 .K -1 . Un tel niveau de conductivité thermique permet une bonne évacuation de la chaleur contenue dans le dispositif 1.