Dispositif (A1000), constitué de différents matériaux et de telle manière qu’à partir d’ondes électromagnétiques sinusoïdales incidentes collectées dans la plage de fréquence de 1 THz à 800 THz, les courants générés passent à travers un pont de Graetz constitué de 4 diodes disposées de telle sorte que deux alternances de l’onde des courants générés soient utilisées pour produire un courant continu qui peut être collecté par un matériau conducteur ou supraconducteur pour alimenter une charge, et comprenant: - un substrat (A1001), qui sert de support ; - une première couche métallique (A1002), qui sert de brin d’antenne, déposée sur le dessus du substrat (A1001); - une première couche semi-conductrice dopée p (A1003), qui sert de barrière de potentiel, déposée au-dessus de la première couche métallique (A1002); - une deuxième couche semi-conductrice (A1004), qui sert d’isolant, déposée au-dessus de la première couche semi-conductrice dopée p (A1003); - une deuxième couche métallique (A1005), qui sert de collecteur, déposée au dessus de la deuxième couche semi-conductrice (A1004); - une troisième couche semi-conductrice (A1006), qui sert d’isolant, déposée au-dessus de la deuxième couche métallique (A1005); - une quatrième couche semi-conductrice dopée p (A1007), qui sert de barrière de potentiel, déposée au-dessus de la troisième couche semi-conductrice (A1006); - une cinquième couche semi-conductrice dopée n (A1008), qui sert de barrière de potentiel, déposée au-dessus de la première couche métallique (A1002); - une sixième couche semi-conductrice (A1009), qui sert d’isolant, déposée au-dessus de la cinquième couche semi-conductrice dopée n (A1008); - une troisième couche métallique (A1010), qui sert de collecteur, déposée au dessus de la sixième couche semi-conductrice (A1009); - une septième couche semi-conductrice (A1011), qui sert d’isolant, déposée au-dessus de la troisième couche métallique (A1010); - une huitième couche semi-conductrice dopée n (A1012), qui sert de barrière de potentiel, déposée au-dessus de la septième couche semi-conductrice (A1011); - une couche isolante (A1013), qui permet de séparer électriquement les couches dopées et d’assurer le fonctionnement du pont de Graetz et d’adapter l’impédance entre le milieu extérieur et l’antenne, déposée au dessus de la première couche métallique (A1002); - une quatrième couche métallique (A1014), qui sert de brin d’antenne, déposée au dessus de la quatrième couche semi-conductrice dopée p (A1007), de la huitième couche semi-conductrice dopée n (A1012), de la couche isolante (A1013). Le dispositif est dimensionné à partir d'au moins un paramètre de dimensionnement tel que une longueur d'onde de fonctionnement, ledit au moins paramètre de dimensionnement étant choisi dans un groupe comprenant les dimensions des matériaux du dispositif . Dispositif (A1000) selon la revendication 1, dans lequel, la deuxième couche métallique (A1005), et/ou la troisième couche métallique (A1010), sont formées d'un matériau supraconducteur, tel que TlBaCaCuO, ou un composé de Néodyme ou de Dysprosium, pour fonctionner à température ambiante terrestre ou spatiale. Dispositif (A1000) selon la revendication 1, dans lequel la première couche métallique (A1002), ou la deuxième couche métallique (A1005), ou la troisième couche métallique (A1010), ou la quatrième couche métallique (A1014) peut être formée d'un matériau choisi, dans un groupe comprenant l'aluminium (Al), l'argent (Ag), l'or (Au), le tungstène (W) ou le cuivre (Cu).