Procédé d'assemblage d'une première couche d’assemblage (213 ; 314 ; 513) comprenant une première région de cuivre (215 ; 316 ; 515) à une première surface (210A ; 310A) et d’une deuxième couche d’assemblage (223 ; 324, 327 ; 523) comprenant une deuxième région d'oxyde (223 ; 325) ou d'un métal oxydé (523) à une deuxième surface (220A ; 320A), dans lequel les première et deuxième surfaces sont assemblées à l'aide d'un collage hybride tel que toute la première région de cuivre est mise en contact avec l'oxyde ou le métal oxydé de la deuxième région. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la première couche d’assemblage est comprise dans une première structure (210 ; 310), par exemple une première puce ou une première plaquette, la deuxième couche d’assemblage est comprise dans une deuxième structure (220 ; 320), par exemple une deuxième puce ou une deuxième plaquette, et le procédé comprend, avant le collage hybride, le positionnement de la première structure par rapport à la deuxième structure. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la première couche d’assemblage comprend, par exemple est, une couche de cuivre continue. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la première couche d’assemblage comprend, à la première surface (210A ; 310A), par exemple est, une première couche structurée (213 ; 314 ; 513) comportant, dans un plan (XY) parallèle au plan de la première surface, des premières portions (214 ; 315 ; 514) en un premier matériau diélectrique, par exemple en oxyde ou métal oxydé, en alternance avec des deuxièmes portions (215 ; 316 ; 515) en cuivre. Procédé selon la revendication 4, dans lequel la première couche structurée (213 ; 314 ; 513) est formée selon un procédé Damascène, le premier matériau diélectrique étant par exemple un oxyde de silicium. Procédé selon la revendication 4 ou 5, dans lequel les dimensions dans le plan (XY) des deuxièmes portions (316) en cuivre sont comprises entre 600 nm et 10 µm, par exemple comprises entre 600 nm et 5 µm. Procédé selon la revendication 4 ou 5, dans lequel les dimensions dans le plan (XY) des deuxièmes portions (215) en cuivre sont inférieures à 600 nm, par exemple inférieures à 300 nm, ou inférieures à 200 nm, par exemple égales à environ 100 nm. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel la deuxième couche d’assemblage (223 ; 523) comprend, par exemple est, une couche continue de l’oxyde ou du métal oxydé. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel la deuxième couche d’assemblage comprend, à la deuxième surface (320A), par exemple est, une deuxième couche structurée (324) comportant, dans un plan (XY) parallèle au plan de la deuxième surface, des troisièmes portions (325) de l'oxyde ou du métal oxydé, en alternance avec des quatrièmes portions (326) en un deuxième matériau diélectrique, par exemple en un nitrure de silicium. Procédé l'une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel, avant le collage hybride : - la première couche d’assemblage est formée au-dessus d’un premier substrat (211 ; 311 ; 511), et la deuxième couche d’assemblage est formée au-dessus d’un deuxième substrat (221 ; 321) ; et/ou - les première et deuxième surfaces sont aplanies, par exemple par polissage mécano-chimique ; et/ou - une couche métallique, par exemple une couche de silicium, est oxydée de manière à former le métal oxydé à la deuxième surface. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, comprenant en outre, après le collage hybride, une étape de recuit, par exemple à une température d'au moins 200°C. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 11, dans lequel la deuxième couche d’assemblage (324, 327) comprend une troisième région (328) d'oxyde ou de métal oxydé à une troisième surface (320B) opposée à la deuxième surface (320A), et le procédé comprend l'assemblage de la deuxième couche d’assemblage avec une troisième couche d’assemblage (334), comprenant une quatrième région (336) de cuivre à une quatrième surface (330A), la troisième surface étant assemblée avec la quatrième surface au moyen d'un autre collage hybride tel que toute la quatrième région de cuivre est mise en contact avec l’oxyde ou le métal oxydé de la troisième région. Procédé selon la revendications 12, dans lequel : - la deuxième couche d’assemblage comprend, à la troisième surface (320B), une troisième couche structurée (327) comportant, dans un plan (XY) parallèle au plan de la troisième surface, des cinquièmes portions (328) de l'oxyde ou du métal oxydé, en alternance avec des sixièmes portions (329) en un deuxième matériau diélectrique, par exemple en un nitrure de silicium ; et/ou - la troisième couche d’assemblage comprend à la quatrième surface (330A), par exemple est, une quatrième couche structurée (334) comportant, dans un plan (XY) parallèle au plan de la quatrième surface, des septièmes portions (335) en un premier matériau diélectrique, par exemple en oxyde ou métal oxydé, en alternance avec des huitièmes portions (336) en cuivre ; et/ou - la troisième couche d’assemblage est comprise dans une troisième structure (330), par exemple une troisième puce ou une troisième plaquette, le procédé comprenant, avant l’autre collage hybride, le positionnement de la troisième structure par rapport à la deuxième structure ; et/ou - la troisième couche d’assemblage est formée au-dessus d’un troisième substrat (331), avant l’autre collage hybride ; et/ou - les troisième et quatrième surfaces à assembler sont aplanies, par exemple par polissage mécano-chimique, avant l’autre collage hybride. Dispositif électronique (200 ; 300 ; 400 ; 500 ; 700) comprenant une première couche d’assemblage (213 ; 314 ; 513) comportant une première région (215 ; 316 ; 515) de cuivre à une première surface (210A ; 310A) assemblée par collage hybride à une deuxième surface (220A ; 320A) d’une deuxième couche d’assemblage (223 ; 324, 327 ; 523) comportant une deuxième région (223 ; 325) d'oxyde ou d'un métal oxydé (523), dans lequel toute la première région de cuivre est en contact avec l'oxyde ou le métal oxydé de la deuxième région. Dispositif électronique selon la revendication 14, comprenant une troisième couche d'assemblage (334) comportant une quatrième région (336) de cuivre au niveau d'une quatrième surface (330A) assemblée par collage hybride à une troisième surface (320B) de la deuxième couche d'assemblage (324, 327) opposée à la deuxième surface (320A) et comportant une troisième région (328) d'oxyde ou de métal oxydé, dans lequel toute la quatrième région de cuivre est en contact avec l'oxyde ou le métal oxydé de la troisième région. Dispositif électronique selon la revendication 14 ou 15, dans lequel l'oxyde ou le métal oxydé comprend un oxyde de silicium, un oxynitrure de silicium, un oxycarbonitrure de silicium, ou un silicium amorphe oxydé. Dispositif électronique selon l'une quelconque des revendications 14 à 16, dans lequel l’assemblage par collage hybride de la première couche d’assemblage et de la deuxième couche d’assemblage est comprise dans un filtre, par exemple un filtre interférentiel, un filtre plasmonique, un filtre à transmission induite et/ou un filtre à cavité optique telle une cavité Fabry-Pérot, dans une lentille, et/ou dans une couche de redistribution de courant. Capteur optique comprenant un dispositif électronique selon l'une quelconque des revendications 14 à 17.