Selon des modes de réalisations particuliers et préférés de la présente invention, qui peuvent être le cas échéant combinés entre eux : L’empilement ne comprend qu’une couche absorbant les IR. La succession de couches comprend ladite couche d’un matériau diélectrique d’indice de réfraction à 550 nm inférieur à 1,6, Ladite couche de nitrure d’indice de réfraction à 550 nm supérieur à 2,2 ou ladite couche d’un matériau diélectrique d’indice de réfraction à 550 nm supérieur à 2,2 a une épaisseur physique de préférence au moins 1,5 fois supérieure à ladite couche d’un matériau diélectrique d’indice de réfraction à 550 nm inférieur à 1,6. Ladite couche d’un matériau diélectrique d’indice de réfraction à 550 nm supérieur à 2,2, d’épaisseur physique supérieure à 15 nm et la couche d’un matériau diélectrique d’indice de réfraction à 550 nm inférieur à 1,6 dudit ensemble de couches ont une épaisseur physique cumulée totale comprise entre 25 et 50 nm, de préférence entre 25 et 35 nm. Les couches comprenant un nitrure d’au moins un élément choisi parmi Si, Al, et comprenant éventuellement Zr, sont au contact de la couche absorbante. La première couche de l’empilement comprenant un nitrure d’au moins un élément choisi parmi Si, Al et comprenant éventuellement Zr est au contact de la surface du substrat et de préférence est au contact de la couche absorbante. La première couche de l’empilement comprenant un nitrure d’au moins un élément choisi parmi Si, Al et comprenant éventuellement Zr est un nitrure de silicium ou un nitrure de silicium et d’aluminium. De préférence dans les couches selon l’invention comprenant du nitrure de silicium ou du nitrure de silicium et d’aluminium, le nitrure de silicium représente de préférence au moins 50% du poids desdites couches, sur la base d’une formulation Si 3 N 4 , et de préférence plus de 80 % ou même plus de 90 % poids desdites couches, sur la base de la formulation Si 3 N 4 . De préférence encore, lesdites couches sont à base de nitrure de silicium, mais peuvent comprendre également un autre métal tel que l’aluminium. Par exemple, l’aluminium est utilisé de façon bien connue, dans des proportions pouvant aller jusqu’à 10% atomique voire plus, dans les cibles de silicium servant pour le dépôt par pulvérisation cathodique assisté par un champ magnétique (magnétron) des couches contenant du silicium, notamment les couches à base de nitrure de silicium. Le matériau diélectrique d’indice de réfraction à 550 nm supérieur à 2,2 dans ledit ensemble de couches comprend, de préférence pour plus de 80% de son poids, un oxyde d’au moins un élément choisi parmi le titane, le niobium, le zirconium ou leur mélange, en particulier comprend de l’oxyde de titane, de l’oxyde de niobium, de l’oxyde de zirconium, ou un nitrure de silicium et de zirconium ou un nitrure de silicium, d’aluminium et de zirconium. Le matériau diélectrique d’indice de réfraction à 550 nm inférieur à 1,6 comprend de l’oxyde de silicium ou un oxynitrure de silicium, de préférence un oxyde de silicium. De préférence ledit matériau comprend plus de 80% poids desdits oxydes, et de préférence est constitué par lesdits oxydes. Le matériau constituant la couche absorbante est choisi parmi un matériau comprenant du niobium ou du nitrure de niobium, de préférence par du nitrure de niobium. De préférence ledit matériau comprend plus de 80% poids de niobium ou de nitrure de niobium, et de préférence est constitué par du niobium ou du nitrure de niobium. Le matériau constituant la couche absorbante est choisi parmi le niobium ou un alliage de niobium avec au moins un autre métal tel que Zr ou Ti, le niobium représentant au moins 50% des atomes métalliques présents dans ledit matériau, de préférence représentant au moins 80% des atomes métalliques présents dans ledit matériau. Le matériau constituant la couche absorbante comprend un nitrure de niobium ou un nitrure de niobium et d’au moins un autre métal tel que Zr ou Ti, le niobium représentant au moins 50% des atomes métalliques présents dans ledit matériau, de préférence représentant au moins 80% des atomes métalliques présents dans ledit matériau. Le matériau constituant la couche absorbante comprend un alliage de nickel et de chrome ou un nitrure d’un alliage de nickel et de chrome, alliage dans lequel le ratio atomique Ni/Cr varie entre 2 et 9, de préférence entre 3 et 5. La troisième couche comprenant un nitrure d’au moins un élément choisi parmi Si, Al, et comprenant Zr, d’indice de réfraction à 550 nm supérieur à 2,2 et un nitrure de silicium ou un nitrure de silicium et d’aluminium dans lequel le ratio Si/Zr est compris entre 1,5 et 6,0, de préférence est compris entre 2,0 et 5,5, ou même est compris entre 3,5 et 5,0. L’empilement est uniquement constitué par les couches décrites précédemment. L’empilement comprend ou est constitué par la succession des couches suivantes, chaque couche étant au contact direct de la suivante, à partir de la surface dudit substrat: