INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
La description ci-après expose de manière plus détaillée l’architecture du premier circuit 10. Il est entendu qu’une telle architecture est représentative d’un exemple particulier de réalisation et que d’autres rattachement des branches et/ou agencements des composants pourront être envisagés selon le besoin dans la mesure où ils n’affectent pas le fonctionnement du système de traitement thermique selon l’invention. Dans l’exemple de réalisation particulier illustré, une extrémité de la première branche 101 est reliée à quatrième branche 104 et à la deuxième branche de contournement 108 par l’intermédiaire de la deuxième électrovanne 19 de sorte que le fluide réfrigérant sortant de la première branche 101 peut sélectivement être envoyé vers le premier échangeur thermique 40 ou contourner ledit échangeur. La deuxième branche de contournement 108 rejoint la quatrième branche 104 en aval du premier échangeur thermique 40 au niveau d’un premier point de convergence. La quatrième branche 104 est, quant à elle, reliée à la troisième branche 103 et à la première branche de contournement 107, permettant de contourner le premier échangeur de chaleur 14, par l’intermédiaire de la première électrovanne 18. Le fluide réfrigérant issu de la première branche 101, passant ou non par le premier échangeur thermique 40, peut ainsi être envoyé vers le premier échangeur de chaleur 14, notamment de sorte à céder des calories au flux d’air extérieur FA1’ et ainsi être refroidi. Le fluide réfrigérant continue alors à circuler sur la première boucle 110. Additionnellement ou alternativement, le fluide réfrigérant peut être envoyé vers la deuxième boucle 120 par l’intermédiaire de la première branche de contournement 107.
La première branche de contournement 107 est reliée à la deuxième boucle 120 au niveau d’un deuxième point de convergence. La deuxième branche 102, la cinquième branche 105 et la première branche de contournement 107 sont ainsi reliées en ce point. Le fluide réfrigérant peut ensuite circuler dans la deuxième boucle 120, comprenant au moins la deuxième branche 102 et la cinquième branche 105, puis être renvoyée vers la première boucle 110 par l’intermédiaire de la branche de liaison106. La première branche 101 est ainsi reliée à la deuxième boucle 120 au niveau d’un premier point de divergence et à la première boucle 110 au niveau d’un troisième point de convergence.
Tel qu’exposé précédemment, le deuxième circuit 20 comprend le dispositif de pile à combustible 21. Le dispositif de pile à combustible 21 est disposé sur une branche primaire 201 du deuxième circuit 20. De manière générale, le dispositif de pile à combustible 21 est réalisé selon des principes connus de l’Homme du métier. Le dispositif de pile à combustible 21, non détaillé, peut notamment comprendre une boucle interne pouvant être isolée du reste du deuxième circuit 20 par l’intermédiaire d’un thermostat. Le thermostat permet notamment de limiter la circulation de tout ou partie du fluide dé-ionisé à la boucle interne pendant une durée nécessaire à la montée en température de la pile à combustible. Le dispositif de pile à combustible 21 peut également comprendre au moins l’un parmi une pompe, une thermistance CTP et/ou un réservoir, par exemple du type bocal circulant ou non circulant tel qu’exposé précédemment.
Le premier échangeur thermique 40 est disposé en aval du dispositif de pile à combustible 21, notamment sur la branche primaire 201. Le premier échangeur thermique 40 est également disposé en amont deuxième échangeur de chaleur 22. Le deuxième circuit 20 comprend, de manière optionnelle mais préférentielle, une branche annexe 210, reliée à la branche primaire 201 par un point de divergence et un point de convergence respectivement disposés en amont et en aval du premier échangeur thermique 40. Une telle branche annexe 210 permet le contournement du premier échangeur thermique 40 par une partie du fluide dé-ionisé de sorte à maintenir le débit au sein du deuxième circuit 20 et ainsi limiter les pertes de charge au niveau dudit échangeur.
Le deuxième circuit 20 comprend également une branche secondaire 202, sur laquelle est disposée le deuxième échangeur de chaleur 22, et une branche primaire de contournement 203, permettant de contourner ledit deuxième échangeur de chaleur 22. Le fluide dé-ionisé peut ainsi contourner ou non le deuxième échangeur de chaleur 22 selon le besoin. En ce sens, le système de traitement thermique 1, et plus particulièrement le deuxième circuit 20, peut comprendre une troisième électrovanne 23 configurée pour diriger le fluide réfrigérant sélectivement vers le deuxième échangeur de chaleur 22 ou pour contourner celui-ci selon le mode de traitement thermique mis en œuvre. De manière préférentielle, la troisième électrovanne 23 est du type « proportionnelle ».
De manière classique, le premier circuit 10 et le deuxième circuit 20 peuvent chacun comprendre des capteurs, notamment des organes de mesure 41 d’une température et/ou d’une pression du fluide circulant dans le circuit considéré. La illustre des exemples de positionnement d’une pluralité d’organes de mesure 41 de la température. Par exemple, les organes de mesure 41 peuvent être disposés sur la première boucle 110, par exemple au niveau de l’au moins un élément électronique de puissance ou de chacun des éléments électroniques de puissance. Egalement, un organe de mesure peut être disposé en amont du premier échangeur de chaleur 14 et/ou en amont de la batterie 13 électrique motrice. Des organes de mesure 41 de la température peuvent également être disposés sur le deuxième circuit 20 en amont du deuxième échangeur de chaleur 22 et/ou en amont du dispositif de pile à combustible 21 et/ou en amont du premier échangeur thermique 40.
L’additif est choisi parmi les colorants, les stabilisants, les plastifiants, les agents tensioactifs, les agents nucléants, les pigments, les azurants, les antioxydants, les lubrifiants, les ignifugeants, les cires naturelles, les allongeurs de chaine, les bases et leurs mélanges.
Avantageusement, l’additif est choisi parmi les colorants, les stabilisants, les plastifiants, les agents tensioactifs, les agents nucléants, les pigments, les azurants, les antioxydants, les ignifugeants, les cires naturelles, les allongeurs de chaine, les bases et leurs mélanges.
Dans des modes particuliers de mise en œuvre, l’instruction est transmise à une pluralité de premiers dispositifs situés à une distance prédéterminée du premier utilisateur.
Dans des modes particuliers de mise en œuvre, l’instruction est transmise à un dispositif mobile du premier utilisateur.
Dans des modes particuliers de mise en œuvre, l’instruction transmise comprend une donnée représentative d’une durée pendant laquelle le au moins un paramètre du au moins un premier dispositif doit considérer la valeur modifiée.
Dans des modes particuliers de mise en œuvre, le procédé selon l’invention est mis en œuvre par un deuxième dispositif différent du premier dispositif, tel qu’une passerelle, et l’instruction visant à modifier la valeur d’au moins un paramètre du premier dispositif est transmise par le deuxième dispositif et à destination du premier dispositif.
Dans des modes particuliers de mise en œuvre, la transmission est déclenchée en réponse à la réception, par le deuxième dispositif, d’une requête de vérification en provenance du premier dispositif.
Dans des modes particuliers de mise en œuvre, le procédé selon l’invention est mis en œuvre par le dispositif mobile de l’utilisateur, et l’étape de transmission d’une instruction visant à modifier la valeur d’au moins un paramètre du dispositif est mise en œuvre au sein dudit dispositif mobile.
Selon un deuxième aspect, l’invention concerne un dispositif électronique configuré pour modifier une valeur d’au moins un paramètre d’au moins un premier dispositif, et comprenant : un module d’obtention d’une activité d’un premier utilisateur en fonction de données représentatives du comportement de l’utilisateur dans un environnement comportant au moins un objet connecté, les données étant capturées par le au moins un objet connecté; et, un module de transmission d’une instruction visant à modifier la valeur du au moins un paramètre du au moins un premier dispositif, en fonction de l’activité obtenue.
Selon un troisième aspect, l’invention concerne un programme d’ordinateur comportant des instructions pour la mise en œuvre d’un procédé selon l’invention, lorsque ledit programme est exécuté par un processeur.
La représente schématiquement un exemple de réalisation conforme à l’invention, d’un système 1000 comprenant une passerelle domestique 100 configurée pour modifier un paramètre d’un dispositif mobile 200 d’un utilisateur, en fonction de l’activité de cet utilisateur ;
La représente schématiquement un exemple de réalisation, conforme à l’invention, d’un dispositif électronique configuré pour modifier un paramètre d’un premier dispositif ;
La représente schématiquement un exemple d’architecture matérielle d’un dispositif électronique configuré pour modifier un paramètre d’un premier dispositif ;
La représente, sous la forme d’ordinogramme, un premier exemple de procédé de modification d’un paramètre, conforme à l’invention ;
La représente, sous la forme d’ordinogramme, un deuxième exemple de procédé de modification d’un paramètre, conforme à l’invention ;
La représente de façon schématique une vue en perspective d’une façade d’un bâtiment qui fait d’objet d’une rénovation énergétique selon la présente invention et sur laquelle on vient apposer des menuiseries additionnelles ;
La représente de façon schématique une vue en perspective d’une façade d’un bâtiment qui fait d’objet d’une rénovation énergétique selon la présente invention et sur laquelle on vient positionner des rails de maintien en position d’une première toile ;
La représente de façon schématique une vue en perspective d’une façade d’un bâtiment qui fait d’objet d’une rénovation énergétique selon la présente invention et sur laquelle on déploie une première toile ;
La représente de façon schématique une vue en perspective d’une façade d’un bâtiment qui fait d’objet d’une rénovation énergétique selon la présente invention et sur laquelle la première toile est tirée pour former le coffrage ;
La représente de façon schématique une vue en perspective d’une façade d’un bâtiment qui fait d’objet d’une rénovation énergétique selon la présente invention et sur laquelle la première toile est découpée au niveau des ouvrants ;
La représente de façon schématique une vue en perspective d’une façade d’un bâtiment qui fait d’objet d’une rénovation énergétique selon la présente invention et qui comprend une étape de remplissage d’un isolant thermique ;
La représente de façon schématique une vue en perspective d’une façade d’un bâtiment qui a fait d’objet d’une rénovation énergétique selon la présente invention ;
La représente de façon schématique une vue en coupe d’une façade d’un bâtiment après rénovation énergétique selon un exemple de réalisation de la présente invention ;
La représente de façon schématique une vue en perspective de plusieurs façades en série ayant fait l’objet d’une rénovation énergétique selon la présente invention et qui présente une première toile ayant subi une impression ;
La représente de façon schématique une vue éclatée de moyens configurés pour le maintien en position de la première toile.
La représente un organigramme des différentes étapes du procédé d’isolation thermique selon un exemple de réalisation de la présente invention pour la rénovation énergétique d’un bâtiment ;
La représente de façon schématique une vue en coupe d’une façade d’un bâtiment après rénovation énergétique selon un autre exemple de réalisation de la présente invention.
Description détaillée L’isolation thermique d’une façade d’un bâtiment selon un exemple de réalisation de la présente invention va maintenant être décrite dans ce qui va suivre en référence conjointement aux figures 1 à 14.
Comme indiqué en préambule, la présente invention concerne une solution d’isolation thermique d’une façade PM d’un bâtiment BA qui est simple à mettre en œuvre, peu coûteuse, qui s’adapte aux spécificités architecturales du bâtiment et qui soit respectueuse de l’environnement.
Ces différents objectifs sont atteints par la présente invention qui est décrite ci-dessous selon un exemple de réalisation de la présente invention.
Selon un premier sens de rotation de la vis, l’écrou est entraîné en translation vers la face arrière de l’extrémité d’appui du piston pour appliquer un effort axial de poussée selon une course dite d’appui contre le piston. Dans le sens de rotation opposé, l’écrou est entraîné en translation dans le sens inverse et cesse d’appliquer un effort axial contre l’extrémité d’appui du piston et s’écarte de celle-ci selon une course dite de retrait.
L’écrou se présente généralement sous la forme d’un manchon présentant la forme d’un tube cylindrique dont l’alésage taraudé coopère avec la tige filetée de la vis. Le manchon d’appui comprend une tête présentant une face d’appui axial agencée et configurée pour prendre appui contre l’extrémité d’appui du piston de frein.
Le manchon est logé bloqué en rotation dans le piston de sorte que sous l’effet de la rotation de la vis, le manchon se déplace axialement dans le logement du piston.
La vis présente un tronçon de tige fileté avant, monté vissé dans l’alésage taraudé de l’écrou. La vis comporte en outre une collerette radiale et un tronçon de tige arrière présentant des moyens de connexion permettant la liaison de la vis avec un arbre d’entraînement en rotation d’un groupe moto-réducteur.
Le compartiment du boitier de frein permet donc le logement du piston et du mécanisme vis/écrou, la collerette radiale de la vis venant en appui soit à l’extrémité du piston soit contre le boîtier du frein, contribuant ainsi à garantir le centrage approprié du système vis-écrou par rapport au piston.
Cependant, l’entraînement en rotation de la vis lors de l’actionnement du piston d’actionnement génère un frottement de la collerette radiale contre les extrémités du piston d’actionnement et/ou du compartiment du boitier de frein. Ce frottement peut conduire à une usure de la collerette de la vis ce qui peut ensuite générer un dysfonctionnement du frein, en créant par exemple un jeu dans le positionnement axial du mécanisme vis/écrou dans le piston d’actionnement et donc un jeu dans la course du piston d’actionnement.
Le but de la présente invention est de pallier tout ou partie des inconvénients de l’état de la technique, et en particulier de proposer un frein dans lequel l’usure liée au frottement de la collerette de la vis de l’ensemble piston/vis-écrou est limitée voire même empêchée.
A cet effet, l’invention a pour objet un frein tel qu’un frein à disque comprenant un boîtier dans lequel est logé un dispositif d’actionnement électromécanique du type comportant -un piston d’actionnement pour exercer une pression contre au moins un patin du frein à disque, - un mécanisme vis-écrou, pour appliquer un effort axial de poussée sur le piston d’actionnement sous l’effet d’un entraînement en rotation de la vis qui engendre dans un sens une course d’appui de l’écrou vers et contre le piston d’actionnement et, dans le sens opposé, une course de retrait de l’écrou pour cesser la poussée axiale sur le piston d’actionnement, caractérisé en ce que la vis comprend une tige et une collerette s’étendant en saillie radiale autour de la tige, la collerette étant réalisée en un matériau présentant une dureté supérieure à celle du matériau constituant la tige.
Ainsi de manière avantageuse, la collerette étant réalisée en un matériau de dureté plus élevée que celle du matériau constituant la tige, l’usure de la collerette en fonctionnement du mécanisme vis/écrou est mieux maîtrisée, ce qui permet de limiter les risques de dysfonctionnement du frein du fait de cette usure liée aux frottements de la collerette lors de l’entraînement en rotation de la vis.
De préférence, la tige de la vis est réalisée en acier et présente une dureté Vickers entre 320 et 380 HV, tandis que la collerette est en acier présentant une dureté Vickers entre 650 et 740 HV (équivalent dureté Rockwell entre 58 et 62 HRC) tel que l’acier C75S, cette dureté étant ainsi supérieure à celle du matériau de la tige.
La tige de la vis est réalisée de préférence par roulage de l’acier puis trempe et revenu pour présenter une dureté Vickers entre 320-380 HV.
Selon une première forme de réalisation, la vis est constituée d’une tige sur laquelle est assemblée une rondelle constituant la collerette s’étendant radialement autour de la tige, la rondelle ou collerette étant réalisée en un matériau présentant une dureté supérieure à celle du matériau constituant la tige.
Ainsi, la tige et la collerette sont fabriquées sous forme de pièces distinctes qui sont ensuite assemblées par emmanchement à force, collage, etc. On peut également réaliser la fixation de la collerette par vissage sur la tige.
Selon une autre forme de réalisation, la vis comporte une tige et une collerette s’étendant en saillie radiale autour de la tige, réalisée en matériaux différents, la collerette étant surmoulée sur la tige.
Avantageusement, l’utilisation pour la collerette d’un matériau de dureté plus élevée que celui de la tige permet ainsi d’obtenir un mécanisme vis/écrou présentant une durée de fonctionnement améliorée dans le temps sans impliquer une augmentation des coûts de fabrication. En effet, la vis étant généralement fabriquée d’une seule pièce, c’est-à-dire par moulage d’un seul matériau, augmenter la dureté du matériau aurait conduit à une augmentation des coûts de fabrication.
Par ailleurs, afin de protéger cette collerette de la vis, il est aussi classique d’ajouter une rondelle de protection, ce qui génère non seulement un coût supplémentaire mais augmente le poids du frein dans son ensemble.
Les figures 2A à 2E illustrent schématiquement des étapes d’un procédé de réalisation d’un dispositif microélectronique selon un autre mode de réalisation de la présente invention.
Les figures 3A à 3D illustrent schématiquement des étapes d’un procédé de réalisation d’un dispositif microélectronique selon un autre mode de réalisation de la présente invention.
Les figures 4A à 4D illustrent schématiquement des étapes d’un procédé de réalisation d’un dispositif microélectronique selon un autre mode de réalisation de la présente invention.
La est une simulation par éléments finis illustrant l’état de contrainte dans un dispositif microélectronique selon un mode de réalisation de la présente invention.
La illustre des courbes de contraintes issues de simulations par éléments finis dans un dispositif microélectronique selon un mode de réalisation de la présente invention.
Selon un exemple, le procédé comprend en outre : une formation de tranchées d’isolation dans le substrat, une gravure partielle du substrat entre les tranchées d’isolation de sorte à former une cavité.
Pour un substrat de type silicium sur isolant SOI, la gravure partielle est de préférence configurée de sorte à conserver une partie de la couche de silicium supérieure appelée « top Si ». Cette partie peut typiquement former un germe pour une épitaxie ultérieure, notamment pour l’épitaxie de la couche précontrainte dans la cavité.
Selon un exemple, la couche précontrainte et la couche active sont formées par épitaxie dans ladite cavité. Cela permet d’améliorer l’intégration du dispositif, par exemple au sein d’une architecture monolithique de composant microélectronique. La couche active présente de préférence une surface supérieure en affleurement du sommet des tranchées d’isolation.
Selon un exemple, la modification des régions source et drain comprend les sous-étapes suivantes : Une amorphisation par implantation d’au moins un type d’atome, dans une partie de chacune des régions source et drain s’étendant jusque dans la couche précontrainte, Une recristallisation des parties amorphisées.
Selon un exemple, l’amorphisation par implantation est effectuée à base d’atomes de germanium ou d’arsenic. Les atomes de germanium permettent d’amorphiser sans doper les régions source et drain. Cela permet d’envisager indépendamment les étapes d’amorphisation et de dopage des régions source et drain. Les atomes d’arsenic permettent d’amorphiser les régions source et drain tout en les dopant. Cela permet de gagner une étape de procédé, en réalisant en même temps l’amorphisation et le dopage des régions source et drain.
Selon un exemple, la recristallisation est effectuée par recuit à une température supérieure ou égale à 600°C, typiquement pendant plusieurs minutes ou dizaines de minutes. Selon un autre exemple, la recristallisation est effectuée par un recuit de type « activation » ou recuit thermique rapide RTA (acronyme de Rapid Thermal Annealing), à une température supérieure ou égale à 1000°C pendant quelques secondes ou quelques dizaines de secondes. Cela permet de gagner une étape de procédé, en réalisant en même temps la recristallisation des régions source et drain et l’activation des dopants.
Selon un exemple, la modification des régions source et drain comprend les sous-étapes suivantes : Une gravure d’une partie de chacune des régions source et drain s’étendant jusque dans la couche précontrainte, Une épitaxie d’un matériau semiconducteur au niveau des parties gravées.
La gravure, en formant des surfaces libres au niveau de la couche précontrainte, permet d’augmenter la relaxation de la couche précontrainte et, par suite, l’état de tension dans la partie de la couche active formant le canal de conduction.
Selon un exemple, le matériau semiconducteur choisi pour l’épitaxie est du silicium dopé phosphore. La contrainte intrinsèque du silicium dopé au phosphore permet d’augmenter la relaxation de la couche précontrainte et/ou d’augmenter l’état de tension dans la partie de la couche active formant le canal de conduction.
L’assemblage par empilement du circuit de contrôle 20 à la structure mémoire tridimensionnelle 10 est réalisé par la technique de « collage hybride ». On entend par collage hybride un collage direct simultané de type métal-métal et de type diélectrique-diélectrique. En exploitant la conductivité du métal et le caractère isolant du diélectrique, le collage hybride sert à fabriquer une pluralité de plots de connexion. Avant l’assemblage, la face inférieure est manufacturée de manière à obtenir une surface en diélectrique comprenant un premier groupe de plots métalliques. De même, la surface supérieure de la couche diélectrique 60 d’encapsulation comprend un second groupe de plots métalliques ayant les mêmes coordonnées planaires de celles du premier groupe. Ensuite, un collage hybride est utilisé pour réaliser l’assemblage 3D tout en créant les interconnexions au niveau des plots de connexions 31, 32 et 33. A titre d’exemple non limitatif, les plots de connexions 31, 32 et 33 sont des plots en cuivre et le collage hybride est de type Cuivre-Cuivre et SiO 2 -SiO 2 .
La même structure décrite préalablement reste valable pour la réalisation de connexions associées aux premiers nœuds d’entrée/sortie SL et aux nœuds de sélection WL.
Les plots de connexions 31, 32 et 33 doivent être distincts les uns des autres pour éviter les courts-circuits et doivent être placés en même temps au plus près des cellules mémoire associées pour améliorer la performance des opérations de lecture et écriture. Ainsi, il est nécessaire de bien optimiser la distribution spatiale des plots de connexions 31 par rapport à la surface supérieure Sur1.