Photodétecteur infrarouge (1) à barrière, adapté à détecter un rayonnement lumineux d’intérêt présentant une longueur d’onde centrale comprise entre 3 et 5µm, comportant une structure semiconductrice (10) à barrière, réalisée à base de III-Sb, reposant sur un substrat support (2) réalisé à base de III-Sb, et formée de : une zone absorbante (11), adaptée à absorber le rayonnement lumineux d’intérêt ; une couche barrière (12) ; puis une couche contact (13) ; caractérisé en ce que la zone absorbante (11) est formée d’un empilement de deux parties : une première partie absorbante (11.1), dopée selon un premier type de conductivité, réalisée en un matériau massif à base d’InAsSb, située du côté du substrat support (2) ; et une deuxième partie absorbante (11.2), dopée selon le premier type de conductivité, et formée d’un super-réseau, située entre la première partie absorbante (11.1) et la couche barrière (12). Photodétecteur infrarouge (1) selon la revendication 1, comportant une matrice de pixels de détection, la première partie absorbante (11.1) étant une couche continue et commune à chaque pixel de détection. Photodétecteur infrarouge (1) selon la revendication 2, dans lequel la couche contact (13) est réticulée et est formée d’une pluralité de portions (13p) distinctes les unes des autres, la couche barrière (12) est réticulée et est formée d’une pluralité de portions (12p) distinctes les unes des autres, et la deuxième partie absorbante (11.2) est réticulée et est formée d’une pluralité de portions (11.2p) distinctes les unes des autres, chaque pixel de détection étant formé d’une mésa (20) reposant sur la première partie absorbante (11.1), chaque mésa (20) étant formée par une portion (13p) de la couche contact (13) réticulée, une portion (12p) de la couche barrière (12) réticulée, et une portion (11.2p) de la deuxième partie absorbante (11.2) réticulée. Photodétecteur infrarouge (1) selon la revendication 2, dans lequel la couche contact (13) est réticulée et est formée d’une pluralité de portions (13p) distinctes les unes des autres, chaque pixel de détection est formé d’une portion (13p) de la couche contact (13), la deuxième partie absorbante (11.2) étant une couche continue et commune à chaque pixel de détection. Photodétecteur infrarouge (1) selon l’une quelconque des revendications 2 à 4, comportant une couche intermédiaire (11.3) située entre et au contact de la première partie absorbante (11.1) et la deuxième partie absorbante (11.2), la couche intermédiaire (11.3) étant une couche continue et commune à chaque pixel de détection. Photodétecteur infrarouge (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel la première partie absorbante (11.1) est réalisée à base d’InAsSb en accord de maille avec le substrat support. Photodétecteur infrarouge (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel la deuxième partie absorbante (11.2) est réalisée à base d’InAs/InAsSb, d’InAs/AlSb ou d’InAs/GaSb. Photodétecteur infrarouge (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel la première partie absorbante (11.1) présente une épaisseur supérieure à celle de la deuxième partie absorbante (11.2). Photodétecteur infrarouge (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel la première partie absorbante (11.1) présente une épaisseur au moins égale à la moitié de celle de la zone absorbante (11). Photodétecteur infrarouge (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel la structure semiconductrice (10) à barrière est de type XBn, la bande de valence de la deuxième partie absorbante (11.2) présentant une énergie supérieure à celle de la bande de valence de la première partie absorbante (11.1), ou la structure semiconductrice (10) à barrière est de type XBp, la bande de conduction de la deuxième partie absorbante (11.2) présentant une énergie inférieure à celle de la bande de conduction de la première partie absorbante (11.1).