INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
On décrit à présent, en références aux figures, un véhicule 1 automobile à propulsion électrique, ledit véhicule présentant un axe vertical Z, ledit véhicule comprenant : une caisse métallique, non représentée, une porte 2 d’accès à l’intérieur dudit véhicule montée sur ladite caisse, une poignée 3 montée sur ladite porte, ladite poignée étant actionnable entre une position inactive et une position active d’ouverture de ladite porte, une batterie 4 amovible d’alimentation d’un moteur de propulsion dudit véhicule, un coffrage 5 de logement de ladite batterie, ledit coffrage étant monté sur ladite caisse en-dessous de ladite porte, ledit coffrage étant actionnable entre une position fermée d’utilisation et une position ouverte permettant un retrait de ladite batterie dudit coffrage, un dispositif de verrouillage dudit coffrage en position fermée, non représenté, ledit véhicule comprenant en outre un dispositif de verrouillage additionnel dudit coffrage en position fermée, ledit dispositif additionnel comprenant : une tige 6 montée en bas de ladite porte en coulissement axial selon ledit axe vertical entre une position basse de verrouillage et une position haute de déverrouillage, ladite tige présentant une extrémité supérieure 7 et une partie inférieure 8 de verrouillage, un orifice 9 réalisé dans une paroi 10 dudit coffrage pour recevoir ladite tige quand ledit coffrage est en position fermée, ladite tige s’étendant de part et d’autre dudit orifice, ladite partie inférieure s’étendant à l’intérieur dudit coffrage, un organe de transmission d’effort 11 reliant ladite poignée à ladite extrémité supérieure, ledit organe étant monté de sorte que l’actionnement de ladite poignée vers sa position active exerce une traction vers le haut de ladite tige selon ledit axe vertical, afin de dégager ladite tige dudit orifice et désactiver ledit dispositif de verrouillage additionnel, un moyen de relevage 12 de ladite tige vers sa position haute quand ladite porte est actionnée en fermeture, de manière à ne pas entraver ladite fermeture. Selon la réalisation représentée, le coffrage 5 est monté sur la caisse en rotation selon un axe longitudinal (X) s’étendant selon la longueur du véhicule 1 et étant perpendiculaire à l’axe vertical (Z).
Selon la réalisation représentée, l’organe de transmission 11 est sous forme de câble, la tige 6 étant maintenue en position basse par gravité.
Comme représenté en , le câble adopte une conformation non rectiligne par l’intermédiaire d’un moyen de renvoi 15, notamment sous forme de poulie ou de point de glissement.
Selon un mode de réalisation rattaché à cette réalisation, la partie inférieure 8 de la tige 6 présente une longueur minimale de 40 mm.
Selon une variante non représentée, l’organe de transmission 11 est sous forme d’une barre rigide.
Selon la réalisation représentée, la poignée 3 est montée en rotation sur la porte 2 selon un axe de rotation 13 - parallèle à l’axe longitudinal X selon la réalisation représentée -, l’organe de transmission 11 étant solidarisé à ladite poignée à distance dudit axe de rotation de manière à pouvoir être déplacé par l’actionnement de ladite poignée pour amener la tige 6 vers sa position haute.
Selon la réalisation représentée, comme illustré en , le moyen de relevage 12 est formé par un pan incliné par rapport à l’axe vertical (Z), ledit pan incliné étant disposé sur la paroi 10 et débouchant vers l’orifice 9, la tige 6 présentant une extrémité inférieure 14 coulissant, lors de la fermeture de la porte 2, sur ledit pan incliné - formant surface de came - pour déplacer ladite tige vers sa position haute.
est une vue schématique d’un système de conditionnement thermique selon une troisième variante du mode de réalisation de la ,
est une vue schématique d’un système de conditionnement thermique selon une quatrième variante du mode de réalisation de la ,
est une vue schématique d’un système de conditionnement thermique selon une cinquième variante du mode de réalisation de la ,
est une vue schématique d’un système de conditionnement thermique selon une sixième variante du mode de réalisation de la ,
représente une vue schématique du système de conditionnement thermique de la selon un premier mode de fonctionnement dit de refroidissement de la chaîne de traction et de l’habitacle,
représente une vue schématique du système de conditionnement thermique de la selon un deuxième mode de fonctionnement dit de chauffage de l’habitacle,
représente une vue schématique du système de conditionnement thermique de la selon un troisième mode de fonctionnement dit de chauffage et déshumidification de l’habitacle
est une vue schématique d’un système de conditionnement thermique selon une septième variante du mode de réalisation de la ,
représente une vue schématique du système de conditionnement thermique de la selon un quatrième mode de fonctionnement dit de refroidissement de l’unité électronique de commande du moteur électrique et/ou du moteur électrique par le sixième échangeur de chaleur,
représente une vue schématique du système de conditionnement thermique de la selon un cinquième mode de fonctionnement dit de réchauffement de la batterie par l’unité électronique de commande du moteur électrique et/ou du moteur électrique.
Afin de faciliter la lecture des figures, les différents éléments ne sont pas nécessairement représentés à l’échelle. Sur ces figures, les éléments identiques portent les mêmes références. Certains éléments ou paramètres peuvent être indexés, c'est-à-dire désignés par exemple par premier élément ou deuxième élément, ou encore premier paramètre et second paramètre, etc. Cette indexation a pour but de différencier des éléments ou paramètres similaires, mais non identiques. Cette indexation n’implique pas une priorité d’un élément, ou paramètre par rapport à un autre. On peut ainsi interchanger les dénominations ‘premier’, ’deuxième’, ‘troisième’, etc....
Dans la description qui suit, le terme « un premier élément en amont d'un deuxième élément » signifie que le premier élément est placé avant le deuxième élément par rapport au sens de circulation, ou de parcours, d'un fluide. De manière analogue, le terme « un premier élément en aval d'un deuxième élément » signifie que le premier élément est placé après le deuxième élément par rapport au sens de circulation, ou de parcours, du fluide considéré. Dans le cas du circuit de fluide réfrigérant, le terme « un premier élément est en amont d’un deuxième élément » signifie que le fluide réfrigérant parcourt successivement le premier élément, puis le deuxième élément, sans passer par le dispositif de compression. Autrement dit, le fluide réfrigérant sort du dispositif de compression, traverse éventuellement un ou plusieurs éléments, puis traverse le premier élément, puis le deuxième élément, puis regagne le dispositif de compression, éventuellement après avoir traversé d’autres éléments.
Au sens de la présente divulgation, le terme « échangeur » est équivalent au terme « échangeur de chaleur » et au terme « échangeur thermique ». De même, le terme « détendeur » est équivalent au terme « dispositif de détente », et le terme « compresseur » est équivalent au terme « dispositif de compression ».
Chacun des dispositifs de détente employés peut être un détendeur électronique, un détendeur thermostatique, ou un orifice calibré. Dans le cas d’un détendeur électronique, la section de passage permettant de faire passer le fluide réfrigérant peut être ajustée de manière continue entre une position de fermeture et une position d’ouverture maximale. Pour cela, un module électronique de contrôle pilote un moteur électrique qui déplace un obturateur mobile contrôlant la section de passage offerte au fluide réfrigérant.
On obtient ainsi que les bras en saillie 6 du premier arceau 5 soient en contact avec les bras en saillie 6 du deuxième arceau 5, la zone de contact étant sans interstice.
Une conception avantageuse consiste également à ce que les bras 6 du premier arceau 5 soient liés aux bras 6 du deuxième arceau 5 par liaison de matière, notamment soudés, par exemple au laser (voir la , qui illustre une soudure 8).
Une conception avantageuse consiste également à ce que les bras 6 présentent des extrémités libres, lesdites extrémités libres des bras 6 du premier arceau 5 étant courbées et/ou lesdites extrémités libres des bras 6 du deuxième arceau 5 étant courbées. Cela facilite l’emboîtement des arceaux 5 des deux cellules de batterie 2.
Par ailleurs, on visualise l’enveloppe 9 du dispositif formant batterie 10, dans laquelle est agencé l’ensemble de cellules de batterie 1.
Le deuxième mode de réalisation des figures 3 et 4 se différencie du premier mode de réalisation des figures 1 et 2 par la conception du deuxième arceau 5. Pour le reste, sa description est identique à celle des figures 1 et 2.
Il ressort des figures 3 et 4 que les bras en saillie 6 du deuxième arceau 5 sont en forme de U, notamment retroussés ou recourbés. On obtient ainsi un effet de flexion des bras 6.
Les éléments, objets et parties illustrés sur les figures sont référencés comme suit :
1 : Ensemble de cellules de batterie
2 : Cellule de batterie
3 : Élément de connexion de cellule
4 : Enveloppe
5 : Arceau
6 : Bras
7 : Zone centrale
8 : Soudure
9 : Enveloppe
Comme décrit notamment dans l’article scientifique de Dalla Betta et al. intitulé Design and Characterization of Current-Assisted Photonic Demodulators in 0.18-µm CMOS Technology , IEEE Trans. Electron Devices, vol. 58, no. 6, pp.1702-1707, June 2011, le contraste de démodulation C d est défini tel que : , où I tot est le photocourant total collecté aux électrodes C1 et C2 : I tot = I C1 + I C2 ; et f C1 est la fraction du photocourant I tot collecté par l’électrode C1. Dans le cas où le rayonnement lumineux incident est modulé de manière sinusoïdale en puissance et que la tension électrique appliquée entre les électrodes de modulation M1 et M2 est également sinusoïdale, en phase et de même fréquence que le rayonnement lumineux, les photocourants collectés peuvent s’écrire ainsi :
où et sont les composantes continue et alternative du photocourant mesuré I tot , est l’amplitude de la composante AC de la fraction f C1 , f est la fréquence de modulation, et φ est le déphasage entre la lumière émise et la lumière reçue. A partir de ces deux équations, on peut accéder à la moyenne des courants I C1 et I C2 qui contiennent directement la phase , qui peuvent s’écrire comme :
On peut donc définir le contraste de démodulation en DC tel que : C dc = (I C1 – I C2 ) / I tot , et obtenir la distance « d » de la cible peut être extraite en utilisant la phase à partir de la formule suivante :
où « c » est la vitesse de la lumière dans le vide.
Dans cet exemple, le rayonnement lumineux détecté est dans le proche infrarouge et présente une longueur d’onde centrale de 1.4µm et une irradiance de 0.001 W/cm 2 . La portion de détection 10 est réalisée en germanium. Les régions 11 dopées p+ présentent une profondeur P M égale à 1.1µm et les régions 12 dopées n+ présentent une profondeur P C égale à 0.23µm. Elles sont espacées dans le plan XY d’une distance de 0.5µm.
Comme le montre la , le contraste de démodulation C dc en DC augmente de 0 à plus de 90% en fonction de la tension de modulation V M1 -V M2 . Dans le cas où le démodulateur 1 ne comporte pas d’électrodes intermédiaires I1, I2 (trait pointillé sur la ), le contraste de démodulation C dc présente une valeur de 80% environ à 0.2V, et une valeur de 92% environ à 0.5V. En revanche, dans le cas où le démodulateur 1 comporte des électrodes intermédiaires I1, I2 telles que décrites précédemment (trait continu sur la ), le contraste de démodulation C dc présente une valeur de 90% environ à 0.2V, et une valeur de 97% environ à 0.5V. Aussi, la présence des électrodes intermédiaires I1, I2 améliore grandement les performances du démodulateur 1.
La illustre l’évolution du contraste de démodulation C ac en AC dans le cas du démodulateur 1 de la qui comporte les électrodes intermédiaires I1, I2. Cette évolution est ici fonction de la fréquence de modulation f. Le contraste de démodulation C ac est défini par la relation suivante (simplifiée ici à une configuration bidimensionnelle) : C ac (f) = ( Q C1 (t)-Q C2 (t) )/Q tot , où Q C1 et Q C2 sont les charges électriques au niveau des électrodes C1 et C2, et Q tot est la charge totale dans le démodulateur 1. Rappelons ici que le contraste de démodulation C dc en DC ne fait pas intervenir la fréquence (contraste en statique). En revanche, le contraste de démodulation C ac en AC est un contraste qui est extrait à partir de la variation temporelle des courants récoltés par les régions dopées n+ de collection. L’intégration de ces deux courants donne les quantités de charges dans le démodulateur.
Il apparaît que le contraste de démodulation C ac est égal à 98.4% à 100MHz, à 98.0% à 200MHz, et à 95.7% à 300MHz. La sensibilité à la lumière parasite PLS, définie par la relation suivante : PLS = ( 1-C ac (f=0) )/2, est de l’ordre de 1% seulement. Comme nous allons le voir avec la , les performances du démodulateur 1 sont grandement améliorées également en termes de contraste de démodulation C ac et de PLS.
La illustre l’évolution du contraste de démodulation C ac , en fonction de la fréquence de modulation f, d’un démodulateur 1 ne comportant pas les électrodes intermédiaires I1, I2, et pour différentes valeurs de la profondeur P M des régions 11 dopées p+. Alors que la profondeur P C des régions 12 dopées n+ reste fixée à 0.23µm, la profondeur P M est de 0.33µm, 0.6µm ou de 1µm. La lumière incidente est une impulsion d’une durée de 50ps à une longueur d’onde centrale de 1.4µm avec une irradiance de 0.1 W/cm 2 . Les potentiels électriques V C1 et V C2 sont égaux à +1V et la tension électrique V M1 -V M2 entre les électrodes M1 et M2 est égale à +0.7V.
Il apparaît que le contraste de démodulation C ac augmente avec la profondeur P M des régions 11 dopées p+. Pour la profondeur P M de 0.33µm, 0.6µm puis 1µm, le contraste de démodulation C ac passe, respectivement, de 90.3%, à 92.8% puis à 94.9%, pour la fréquence de 100MHz. De plus, il passe de 87.2%, à 89.9%, puis à 90.7%, pour la fréquence de 200MHz, et enfin il passe de 84.2%, à 85.4%, puis à 77.9%, pour la fréquence de 300MHz. Enfin, la PLS diminue de 3.7% à 2.8%, puis à 1.8%. Aussi, le fait d’augmenter la profondeur P M des régions 11 dopées p+ permet effectivement d’améliorer les performances du démodulateur 1. Notons également que la présence des électrodes intermédiaires I1, I2 permet également d’améliorer les performances du démodulateur 1, dans la mesure où le contraste de démodulation C ac passe notamment de 90.7% à 98% pour la fréquence de 200MHz, la PLS diminue de 1.8% à 1% environ, et enfin la bande passante est augmentée.
Aussi, la présence des électrodes intermédiaires I1 et I2 permet d’améliorer grandement les performances du démodulateur 1, en termes à la fois de contraste de démodulation C ac et de PLS mais également de bande passante. De plus, le fait de réaliser des régions 11 dopées p+ plus profondes que les régions 12 dopées n+ permet également d’améliorer les performances du démodulateur 1.
Les figures 4A à 4I illustrent différentes étapes d’un procédé de fabrication d’une matrice de démodulateurs photoniques 1 assistés par courant identiques ou similaires à celui illustré sur la . Les démodulateurs 1 présentent ici une configuration planaire. Ils sont réalisés à base de germanium, et sont donc adaptés à détecter un rayonnement infrarouge dans le proche infrarouge. Les portions de détection 10 sont réalisées en germanium.
En référence à la , on réalise la couche semiconducteur principale 21 par épitaxie à partir de la couche support 3. Dans cet exemple, la couche support 3 est en silicium monocristallin, et la couche semiconductrice principale 21 est en germanium non intentionnellement dopé et présente une épaisseur comprise entre 1µm et 3µm environ, par exemple 1.5µm. Elle peut être réalisée comme décrit notamment dans la publication de Hartmann & Aubin intitulé Assessment of the growth/etch back technique for the production of Ge strain-relaxed buffers on Si, Journal of Crystal Growth, 488 (2018), 43. La couche semiconductrice principale 21 présente alors une très faible densité de dislocations émergentes (par exemple de l’ordre de 10 7 dislocations/cm 2 ), ce qui contribue à réduire le courant d’obscurité dans la portion de détection 10 du démodulateur 1. Comme indiqué précédemment, la couche semiconductrice principale 21 peut comporter une région inférieure dopée de type p, par exemple d’une épaisseur de 200nm et dont le niveau de dopage en bore est de l’ordre de 5×10 19 cm -3 .
En variante, la couche semiconductrice principale 21 peut être déposée à partir d’un substrat de type GeOI (pour Germanium On Insulator , en anglais). Ainsi, la couche support 3 peut être une couche de nucléation en germanium de quelques dizaines à quelques centaines de nanomètres reposant sur une couche inférieure de 2 nm environ de silicium, laquelle repose sur une couche isolante de quelques dizaines de nm à quelques microns d’épaisseur, puis sur un substrat silicium. Un tel substrat GeOI peut être réalisé au moyen du procédé décrit dans la publication de Reboud et al. intitulée Structural and optical properties of 200mm germanium-on-insulator (GeOI) substrates for silicon photonics applications , Proc. SPIE 9367, Silicon Photonics X, 936714 (February 27, 2015).
Enfin, on dépose une couche diélectrique de passivation 2 sur la face supérieure de la couche semiconductrice principale 21. Cette couche diélectrique de passivation 2 peut être formée d’une première sous-couche 2.1 de passivation (cf. ), réalisée par exemple en un oxyde d’aluminium déposé par un dépôt en couche atomique (ALD pour Atomic Layer Deposition en anglais) d’une épaisseur de l’ordre de 5 à 30nm, par exemple 10nm, ou même par une fine couche de silicium non dopé avec une épaisseur allant de 1 à 4 nm, déposée par épitaxie sur le germanium de la portion de détection 10. Ensuite, une deuxième sous-couche 2.2 (cf. ), réalisée par exemple en un oxyde de silicium tel que du SiO 2 TEOS (orthosilicate de tétraéthyle) d’une épaisseur de l’ordre de 20 à 100nm, est déposée sur la première sous-couche 2.1.
En référence à la , on réalise, par photolithographie et gravure, des tranchées 23 destinées à pixelliser les démodulateurs 1 par les portions latérales périphériques 24. On réalise ainsi une gravure localisée de la couche semiconductrice principale 21 en germanium pour déboucher sur la couche support 3. Chaque tranchée 23 s’étend de préférence continûment dans le plan XY autour d’un démodulateur 1. On obtient ainsi une pluralité de portions de détection 10 séparées les unes des autres par une tranchée continue 23. Elles sont obtenues de préférence par une technique de gravure anisotrope, de manière à obtenir une bordure latérale sensiblement verticale suivant l’axe Z. Les tranchées 23 présentent une dimension transversale (largeur) dans le plan XY pouvant être comprise entre 0.5µm et 2µm, par exemple égale à 1µm. Les portions de détection 10 peuvent ainsi présenter une forme dans le plan XY par exemple circulaire, ovale, polygonale, par exemple carrée, ou toute autre forme.
Lors de cette opération, la distance de Mahalanobis est alors calculée pour chacune des lignes candidates, à l’instant courant t.
La ligne candidate pour laquelle la distance de Mahalanobis ainsi calculée est la plus faible est ensuite sélectionnée.
A l’issue de cette étape E8, la ligne candidate droite 2D, intermédiaire 2DG ou gauche 2G sélectionnée et son ensemble de coefficients C gg , C d g , C dd sont stockées dans la mémoire du calculateur 11 au cours d’une étape E10.
En pratique, au cours de ces étape E10, les ensembles de coefficients caractérisant toutes les lignes candidates et les lignes de bord sont stockées dans la mémoire du calculateur, ainsi que les données relatives à la posture et/ou à la cinématique du véhicule automobile 10 dans sa voie de circulation 1. Elles sont ainsi disponibles à un instant futur, en cas de besoin.
On peut maintenant envisager le cas où une, voire les deux ligne(s) de bord de la voie de circulation 1 n’a ou n’ont pas pu être détectée(s).
Cette perte de détection peut arriver par exemple si, compte tenu de la fréquence d’échantillonnage de la caméra, aucune nouvelle ligne n’a été calculée depuis le dernier instant t-1 d’échantillonnage. Elle peut également arriver en cas de problème sur le capteur (ici la caméra) ou sur le réseau CAN permettant de connecter le capteur au calculateur. Elle peut aussi arriver si l’une et/ou l’autre des lignes de bord n’est pas visible, par exemple car elle est cachée par un camion que le véhicule 10 doublerait.
Pour commencer, on peut considérer le cas où exactement une des deux lignes de bord droite 1D ou gauche 1G a été détectée.
Dans cette éventualité, au cours d’une étape E12, le calculateur détermine si la ligne de bord de voie qui a été détectée est la ligne de bord gauche 1G ou droite 1D.
S’il s’agit de la ligne de bord droite 1D, le calculateur 11 retrouve dans sa mémoire l’ensemble de coefficients caractérisant la ligne centrale candidate droite 2D déterminée à l’instant d’échantillonnage précédent t-1, et il le sélectionne comme ensemble de coefficients caractérisant la nouvelle ligne centrale.
A contrario, s’il s’agit de la ligne de bord gauche 1G, le calculateur 11 retrouve dans sa mémoire l’ensemble de coefficients caractérisant la ligne centrale candidate gauche 2G déterminée à l’instant d’échantillonnage précédent t-1, et il le sélectionne comme ensemble de coefficients caractérisant la nouvelle ligne centrale.
On peut maintenant considérer le cas où aucune des deux lignes de bord droite 1D et gauche 1G n’a pu être détectée depuis l’instant d’échantillonnage précédent t-1.
Ψ 0 ,t = Ψ 0 ,t-1 - dΨ
c 0 ,t = c 0 ,t-1
c 1,t = c 1,t-1
L t = L t-1
Enfin, lors de cette étape E16, il est également prévu de supprimer la partie de la ligne centrale sélectionnée qui a été dépassée par le véhicule (sa longueur L s’en trouve donc modifiée).
Ainsi, quelle que soit la situation, le procédé permet de caractériser à l’étape E16 la ligne centrale de la voie de circulation, au moyen d’un ensemble de coefficients caractérisant cette ligne sous forme de clothoïde dans le repère attaché au véhicule automobile à l’instant courant t.
Par conséquent, au cours d’une ultime étape E18, le calculateur 11 peut émettre sur le réseau CAN du véhicule cet ensemble de coefficients.
Lors de cette étape, cet ensemble est également stocké dans la mémoire du calculateur (ce qui est illustré sur la par la flèche en pointillés).
On comprend ainsi que grâce à ce procédé, les coefficients caractérisant la ligne centrale (sa forme et sa position) restent disponibles quelques instants supplémentaires après que les coefficients caractérisant l’une au moins des deux lignes de bord droite 1D et gauche 1G n’ont pas pu être acquis.
Dès lors, ce procédé permet de prolonger les fonctions de pilotage du véhicule quelques instants de plus, mais pas indéfiniment si les lignes de bord droite 1D et gauche 1G restent indétectables. L’idée est essentiellement d’éviter de désactiver ces fonctions de pilotage lorsque les lignes de bord sont indétectables quelques instants seulement.
A ce sujet, il est possible d’utiliser une temporisation afin de limiter la durée pendant laquelle la ligne centrale est reconstruite.
Quoi qu’il en soit, la ligne centrale sélectionnée peut ensuite être utilisée de façon à piloter les actionneurs du véhicule, par exemple la fonction LCA de centrage du véhicule dans sa voie de circulation.
Pour cela, les coefficients la caractérisant peuvent être utilisés pour déterminer une consigne de braquage des roues directrices du véhicule automobile (à transmettre à l’actionneur de direction assistée), par exemple selon une méthode telle que celle décrite dans le document FR3082162.
En variante ou en complément, la ligne centrale sélectionnée pourrait également être utilisée pour mettre en œuvre d’autres fonctions d’aide à la conduite du véhicule, par exemple les fonctions LKA de maintien du véhicule dans sa voie de circulation, de freinage d’urgence, d’évitement, de dépassement d’un véhicule tiers, de régulateur de vitesse adaptatif, d’avertissement de collision….