INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Les faces latérales 41c, 41d, 41e, 41f ont normalement une orientation cristallographique ‘(110)’, mais on souhaite ici estimer un angle de désorientation par rapport à l’orientation cristallographique ‘(110)’ afin d’estimer une désorientation possible d’un plan de clivage Pc lorsque l’on divise la plaque 40 en deux portions par action mécanique sur cette plaque 40. La valeur absolue de l’angle de désorientation est généralement comprise entre de l’ordre de 0.05° à 0.2°, typiquement entre 0.05° et 1°.
On mesure ainsi préalablement à une étape de réalisation de pistes conductrices sur la face supérieure 41a et/ou inférieure 41b de la plaque 40, un angle θ mes d’au moins une face latérale donnée 41c, 41d, 41e, 41f, de la plaque 40 de silicium cristallin par rapport à une orientation cristalline ‘(110)’.
Une méthode de mesure de l’angle de désorientation cristalline de la face latérale donnée 41c, 41d, 41e, 41f, de la plaque 40 utilise la diffraction de rayons X.
La illustre de manière schématique un exemple de dispositif de mesure permettant d’évaluer l’angle θ mes de désorientation à l’aide d’un goniomètre à rayons X. Le dispositif de mesure est muni d’une source S0 qui émet un faisceau Ri de rayons X réalisant un angle avec une face latérale 41d donnée sur laquelle on effectue la mesure. Lorsque le faisceau Ri rencontre la maille cristalline de cette face 41d il est renvoyé dans des directions déterminées en fonction de l'orientation du réseau cristallin. Par la mesure à l’aide d’un détecteur De de l'intensité des rayons Rr diffractés en fonction du parcours angulaire que réalise ce détecteur De on retrouve l’orientation de la maille de la face 41d.
On pré-positionne typiquement le détecteur De à un angle θ théo = 23.65° par rapport à la face latérale mesurée. Cette position peut être identifiée par le biais d’un dispositif de centrage mécanique à billes (non représenté).
La valeur angulaire θ mes retenue correspond à une valeur mesurée qui est identifiée par un pic de diffraction maximal et qui correspond à la désorientation angulaire par rapport à l’orientation pour la face latérale mesurée.
- mesure la durée pendant laquelle le cap mesuré est supérieur à ladite première borne ou lorsque le cap mesuré du système est inférieur à ladite seconde borne ;
- compare à une durée prédéterminée ladite durée mesurée ;
- inhibe l’arrêt forcé de la pulvérisation tant que la durée mesurée est inférieure à la durée prédéterminée ; et
- autorise l’arrêt forcé de la pulvérisation lorsque la durée mesurée atteint la durée prédéterminée.
Avantageusement encore, le système de commande du système de pulvérisation :
- traite les informations acquises dans le champ de détection de l’au moins un capteur ; et
- détermine la présence ou l’absence de végétation à pulvériser ;
ledit système de commande forçant l’arrêt de la pulvérisation du produit lorsque le cap mesuré est supérieur à ladite première borne ou lorsque le cap mesuré du système est inférieur à ladite seconde borne, même si le système de commande a déterminé la présence de végétation.
La est une représentation très schématique d’un engin agricole comportant un système de pulvérisation de l’invention, pulvérisant du produit sur de la végétation, le cap dudit système de pulvérisation étant représenté ;
La est une représentation très schématique du système de pulvérisation de l’engin agricole de la ;
DESCRIPTION DETAILLEE DE L’INVENTION L’invention concerne un système de pulvérisation 1 agricole. Le système de pulvérisation 1 est porté par un engin agricole 2 permettant de pulvériser sur des cultures 10 différents produits de traitement visant de manière générale à augmenter leur croissance, leur rendement et/ou leur qualité.
La représente de manière schématique l’engin agricole sur une parcelle comportant des cultures sur lesquelles il est nécessaire de pulvériser du produit. Les cultures portant la référence 10 correspondent aux cultures qu’il faut pulvériser et les cultures portant la référence 11 correspondent aux cultures qu’il ne faut pas pulvériser, notamment parce qu’elles ne font pas partie de la parcelle.
Le système de pulvérisation 1 de l’invention, notamment schématisé sur la , comporte au moins une buse de pulvérisation 3, généralement un ensemble de buses 3.
L’ensemble de buses de pulvérisation 3 est aménagé sur le système de pulvérisation 1 et chaque buse ou groupe de buses est associé à une zone pulvérisable 4, visible sur la .
On notera que la partie terminale PT peut être rapportée et solidarisée fixement au bras BP du pivot PD, par exemple par soudage. Mais dans une variante de réalisation, elle pourrait faire partie intégrante de ce bras BP.
Egalement par exemple, et comme illustré non limitativement et au moins partiellement sur les figures 1, 2, 4 et 5, les premier EC1 et second EC2 éléments de couplage peuvent s’étendre parallèlement à l’axe longitudinal AL de l’amortisseur une fois ce dernier logé partiellement dans le logement LA et solidarisé au support SD. Mais dans une variante de réalisation non illustrée, les premier EC1 et second EC2 éléments de couplage pourraient ne pas s’étendre parallèlement à l’axe longitudinal AL de l’amortisseur. Ainsi, ils pourraient, par exemple, s’étendre perpendiculairement à cet axe longitudinal AL.
On notera que, plus l’extension des premier EC1 et second EC2 éléments de couplage est importante, meilleur est le couplage entre le pivot PD et le support SD, et donc meilleure est la tenue du dispositif de fixation DF en présence de fortes vibrations et/ou de chocs répétés.
Egalement par exemple, et comme illustré non limitativement sur les figures 1, 4 et 5, le support SD peut comprendre, au-dessus de son second élément de couplage EC2, une butée BA contre laquelle s’appuie le premier élément de couplage EC1 dans la position de couplage. Cette butée sert donc au positionnement correct du support SD par rapport au pivot PD, mais aussi, dans l’agencement illustré, à empêcher que le support SD se translate vers le bas si la vis de fixation VF se cassait et ne pouvait plus empêcher la translation du second élément de couplage EC2 par rapport au premier élément de couplage EC1. On comprendra en effet que dans l’agencement illustré la butée BA est située à l’extrémité supérieure du second élément de couplage EC2, et donc repose sur l’extrémité supérieure du premier élément de couplage EC1, ce qui empêche le support SD de se translater vers le bas et donc un enfoncement de l’amortisseur.
Egalement par exemple, et comme illustré non limitativement sur les figures 1, 4 et 5, la butée BA peut être installée fixement entre les ailes AS et solidarisée fixement à ces dernières (AS). On notera que la butée BA peut faire partie intégrante des ailes AS en les reliant entre elles, comme illustré non limitativement. Mais dans une variante de réalisation non illustrée, la butée BA pourrait être solidarisée fixement aux ailes AS par soudage.
On notera également que l’assemblage du support SD sur le pivot PD peut éventuellement se faire lors de la fabrication du véhicule sur sa chaîne de montage. En effet, on peut, par exemple, commencer par fixer le pivot PD sur le châssis du véhicule, puis réaliser la coopération de forme entre les premier EC1 et second EC2 éléments de couplage jusqu’à ce que le support SD soit dans la position de couplage, puis faire traverser la vis de fixation VF au travers des premier T1 et seconds T2 trous traversants, et finalement serrer l’écrou EC sur la tige filetée de la vis de fixation VF pour finaliser l’immobilisation du support SD par rapport au pivot PD.
PROCEDE DE REGULATION THERMIQUE D’UN HABITACLE ET D’ELEMENTS DE FONCTIONNEMENT D’UN GROUPE MOTOPROPULSEUR Un aspect de l’invention se rapporte à un procédé de régulation thermique, au moyen d’un superviseur thermique, d’un habitacle et d’éléments de fonctionnement d’un groupe motopropulseur d’un véhicule électrique ou hybride.
Un autre aspect de l’invention porte sur un superviseur thermique pour véhicule électrique ou hybride construit et agencé pour exécuter les étapes du procédé de régulation thermique susmentionné.
Un tel système thermique comporte notamment : Un premier système thermique utilisant un fluide caloporteur et de l’air comme support de distribution de l’énergie thermique ; et Un deuxième système thermique utilisant un réfrigérant comme support de distribution de l’énergie thermique,
La gestion thermique de l’habitacle et des éléments de fonctionnement du groupe motopropulseur est commandée par une première unité de contrôle et de régulation du premier système thermique et une deuxième unité de contrôle et de régulation du deuxième système thermique. Ces deux unités fonctionnent indépendamment l’une de l’autre.
Lorsqu’un des composants thermiques du premier ou deuxième système thermique est défaillant, l’unité commandant ce composant thermique défaillant exclut ce dernier pour ne plus le solliciter. Par exemple, si une résistante chauffante permettant d’augmenter la température de l’habitacle est défaillante, la deuxième unité commandant le deuxième système thermique utilisant un fluide caloporteur et de l’air comme support de distribution de l’énergie thermique ne sollicitera plus cette résistance chauffante. Ainsi, il ne sera plus possible d’augmenter la température de l’habitacle. Cette exclusion a un impact sur le confort des passagers.
Afin de piloter le système thermique, il est également connu un superviseur thermique 101 tel qu’illustré à la .
Ce superviseur thermique 101 est agencé pour commander, Une première unité 102 de contrôle et de régulation d’un premier système thermique 103 utilisant un fluide caloporteur comme support de distribution d’une énergie thermique et de l’air comme support de distribution l’énergie thermique, et Une deuxième unité 104 de contrôle et de régulation d’un deuxième système thermique 105 utilisant un réfrigérant comme support de distribution de l’énergie thermique.
Un exemple de procédé de réalisation va maintenant être décrit en référence aux figures 1A à 1L. Ce procédé permet d’obtenir l’empilement 1 illustré en , comprenant un substrat socle 100’, une couche isolante 1000, telle qu’un oxyde enterré, et un film semiconducteur 400’. La couche isolante 1000 comprend dans ce mode de réalisation une première couche isolante 130’, comprenant elle-même une pluralité de murs 150’ séparés par des tranchées 120’, et une deuxième couche isolante 200.
Ce procédé de réalisation consiste tout d’abord en la fourniture d’un empilement initial tel qu’illustré aux figures 1E et 1J. Cet empilement comprend notamment un substrat socle 100’ à base d’un premier matériau, qualifié de matériau de base, et une première couche isolante 130’ comprenant un réseau 150’ de tranchées 120’ séparées par des murs 110’. Deux modes de réalisation pour réaliser cet empilement initial vont maintenant être décrits.
Le premier de ces deux modes de réalisation va tout d’abord être décrit en référence aux figures 1A à 1E. Comme illustré en , dans ce mode de réalisation, une première étape consiste à fournir un substrat 100 à base du matériau de base, pouvant être transformé en un matériau isolant dit premier matériau isolant. De préférence, le substrat 100 est à base de silicium monocristallin ou de silicium polycristallin. De façon générale, tout semiconducteur pouvant devenir isolant par oxydation est envisageable. Il est également possible d’opter pour un matériau pouvant être transformé en isolant par bombardement ionique. Les matériaux envisageables sont ainsi très nombreux, ce qui permet notamment d’avoir la possibilité de recourir à des matériaux à bas coût.
Le substrat initial100 présente une face supérieure 101 et une face inférieure 102 s’étendant toutes les deux principalement dans des plans parallèles au plan XY du repère orthogonal. Il présente selon la direction Z une épaisseur e 100 . Par exemple e 100 est compris entre 300 µm et 1000 µm.
Une deuxième étape de ce mode de réalisation consiste à former dans le substrat initial100 un réseau initial 150 de murs initiaux 110 séparés par des tranchés initiales 120, comme cela est illustré en . Les murs initiaux 110 présentent une largeur l m mesurée selon la direction X. Les tranchées initiales 120 présentent une largeur l t mesurée selon la direction X et une profondeur e t mesurée selon la direction Z. Les murs initiaux 110 s’étendent ainsi dans le substrat initial100 depuis sa face supérieure 101 et jusqu’à une profondeur e t mesurée selon la direction Z depuis la face supérieure 101.
Le réseau initial 150 de murs initiaux 110 et tranchées initiales 120 peut être réalisé depuis la totalité de la face supérieure 101 du substrat initial100. Il peut également être réalisé depuis une partie seulement de cette face supérieure 101. Dans un empilement 1 fabriqué selon ce dernier mode de réalisation, les parties de la face supérieure 101 dépourvues de tranchées initiales 120 peuvent être utilisées pour connecter électriquement le film semiconducteur 400’ au substrat 100.
Les murs initiaux 110 et tranchées initiales 120 peuvent être formés de différentes manières. Il est par exemple possible de recourir à une technique de lithographie telle que la photolithographie. Dans ce mode de réalisation, une couche de résine photosensible est déposée sur la face supérieure 101 du substrat initial100. Des ouvertures sont alors réalisées dans la résine photosensible par exposition à travers un masque de photolithographie puis développement. Ces ouvertures sont sous-jacentes aux tranchées initiales 120 que l’on désire former. A l’échelle de l’empilement 1, elles forment typiquement des lignes parallèles s’étendant principalement selon la direction Y. En revanche, lors de l’intégration de l’empilement 1 dans un dispositif microélectronique, ces lignes ne présentent avantageusement pas de direction préférentielle à l’échelle du dispositif. De cette façon, le coefficient d’expansion thermique de la couche isolante 1000 est sensiblement celui du substrat socle 100’ dans toutes les directions du plan. La couche de résine photosensible ainsi gravée forme un masque de gravure 10 tel que représenté à la . Les tranchées initiales 120 sont ensuite formées par gravure à travers le masque de gravure 10. Il est par exemple possible, si le substrat socle 100 est à base de silicium monocristallin ou polycristallin, de mettre en œuvre un procédé Bosch, favorable à la réalisation de structures à hauts facteurs de forme telles que les murs 110. Ce procédé alterne une gravure par plasma à base d’hexafluorure de soufre (SF 6 ) et une passivation à base de chimie fluorocarbonée (C 4 F 8 , C 2 F 6 , CF 4 ou encore CHF 3 -Ar).
Il est également possible, mais pas obligatoire, de déposer une couche de masquage entre la face supérieure 101 du substrat 100 et la couche de résine photosensible. La couche de masquage est typiquement à base de dioxyde de silicium. Elle présente de préférence une épaisseur supérieure à 0,5 μm, de préférence supérieure à 0,8 μm. Dans ce mode de réalisation, on réalise après le développement de la résine photosensible une gravure dans toute son épaisseur de la couche de masquage à travers la couche de résine photosensible, de façon à obtenir un masque dur sus-jacent aux murs initiaux 110 que l’on souhaite former. La gravure du masque dur et la gravure des tranchées initiales 120 peuvent être réalisées successivement par des méthodes différentes ou, avantageusement, lors d’un même procédé de gravure. Le procédé Bosch précédemment décrit peut notamment être employé pour la gravure du masque dur de dioxyde de silicium en même temps que pour la gravure des tranchées initiales 120.
Dans tous les cas, la gravure des tranchées peut être suivie d’une étape de retrait de potentiels résidus de gravure.
Il est à noter que le masque de gravure 10 peut également être formé par d’autres techniques de lithographie telles que la lithographie électronique, la lithographie double exposition ou encore la lithographie extrême ultra-violet.
En outre, les tranchées initiales 120 peuvent être réalisées d’autres manières que par lithographie.
Par exemple, l’étape de formation des tranchées initiales peut comprendre une étape de nanoimpression. Ce mode de réalisation est illustré aux figures 2A à 2E. La représente le dépôt d’une couche de résine imprimable 20 sur la face supérieure 101 du substrat initial100. Cette couche de résine imprimable 20 présente une face supérieure 21 et une face inférieure 22 s’étendant principalement dans le plan XY du repère orthogonal la face inférieure 22 étant au contact de la face supérieure 101 du substrat initial100. La illustre une étape d’impression d’un motif sur la couche de résine imprimable 20 à l’aide d’un moule 25. Le moule 25 est plaqué et pressé contre la face supérieure 21 de la couche de résine imprimable 20, qui subit également un traitement ultra-violet (UV), représenté sur la par l’ensemble de flèches parallèles pointant vers la face supérieure 21, de façon à figer la résine imprimable selon le motif souhaité. La couche de résine imprimable 20 est ensuite gravée de sorte à exposer certaines zones uniquement de la face supérieure 101 du substrat initial100. Enfin, les tranchées initiales 120 sont formées dans le substrat socle par gravure à travers les régions restantes de la couche de résine imprimable 20.
Une autre alternative à la lithographie est illustrée aux figures 3A à 3D. Une couche de copolymères 30 est tout d’abord déposée sur la face supérieure 101 du substrat initial100 ( ). Cette couche 30 comprend un mélange d’un premier polymère et d’un deuxième polymère initialement non ordonnés. Comme illustré à la , la couche de copolymères 30 subit ensuite un traitement permettant d’ordonner le premier polymère et le deuxième polymère en une alternance entre blocs de premier polymère 31 et blocs de deuxième polymère 32. Un des deux polymères est ensuite retiré sélectivement à l’autre, comme illustré en , de façon à exposer certaines zones de la face supérieure 101 du substrat initial100. Une gravure est ensuite réalisée à travers les blocs de polymère restants de sorte à former les tranchées initiales 120.
La lithographie peut également être remplacée par le dépôt d’une couche sur le substrat initial100 suivi d’un traitement laser de cette couche de façon à former un réseau de rides pouvant ensuite être gravé de sorte à former là encore un masque de gravure.
Un des avantages des trois derniers modes de réalisation cités pour la formation du réseau 150 de murs initiaux 110 et tranchées initiales 120 est qu’ils s’affranchissent de l’utilisation d’équipements de lithographie. Dans tous les cas, la gravure des tranchées initiales 120 peut être réalisée par l’un quelconque des procédés de gravure mentionnés précédemment.
La série d’étapes 740 comprend un test final 741 à l’issue duquel il est déterminé si le jeu de valeurs calculé est retenu comme solution possible (743) ou s’il est exclu des solutions possibles (742).
Lors du test 741, deux conditions cumulatives peuvent être vérifiées :
Condition 1 : l’espacement de trame obtenu à l’issue de la série d’étapes 730 lorsqu’elle est mise en œuvre, ou à l’issue de la série d’étapes 710 lorsque la série d’étapes 730 n’est pas mise en œuvre, doit être compris entre l’espacement de trame minimal et l’espacement de trame maximal ; et
Condition 2 : le nombre de couches obtenu à l’issue de la série d’étapes 730 lorsqu’elle est mise en œuvre, ou à l’issue de la série d’étapes 710 lorsque la série d’étapes 730 n’est pas mise en œuvre, doit être inférieur ou égal au nombre de couches maximal.
Si au moins l’une des deux conditions n’est pas vérifiée, le jeu de valeurs calculé (i.e. la combinaison {titre de fil en chaîne, titre de fil en trame, espacement de trame, nombre de couches}) est rejeté (étape 742). Si les deux conditions sont vérifiées, le jeu de valeurs est conservé (étape 743), c’est-à-dire constitue un jeu de valeurs possible pour la détermination de la grille de tissage.
A l’issue du procédé décrit à la , il peut y avoir une ou plusieurs combinaisons possibles, et l’utilisateur peut choisir une ou plusieurs combinaisons parmi ces combinaisons possibles.
En faisant à nouveau référence à la , lors de l’étape 230, une fois que la composition de la cellule initiale est déterminée, toutes les grilles intermédiaires de tissage peuvent être construites, en commençant par la grille intermédiaire de tissage comprenant la cellule initiale, puis en construisant de proche en proche les grilles intermédiaires de tissage des différentes zones / des différents calques, comme décrit ci-après. La détermination de la grille intermédiaire de tissage comprend la détermination, pour chaque zone de calque typiquement, d’une valeur d’espacement de trame et une valeur d’espacement de chaîne (qui définissent donc les dimensions des cellules selon les axes (X,Y)). Par exemple, les valeurs d’espacements de chaîne et de trame de la grille intermédiaire de tissage associée à la zone de calque comprenant le zéro pièce peuvent être égales aux valeurs d’espacement de chaîne et de trame déterminées pour la cellule initiale (correspondant au zéro pièce). Pour les autres zones, les grilles intermédiaires de tissage peuvent être construites en fonction des valeurs possibles d’espacements de chaîne / de trame (reçues à l’étape 220) pour ces zones.
Ainsi, l’étape 230 peut comprendre, pour chaque zone de calque ou chaque calque, la détermination d’une grille de tissage intermédiaire respectivement associée, cette détermination comprenant une détermination d’une armure parmi la liste d’armures autorisées, d’un titre de fil en chaîne parmi la liste de titres de fil en chaîne possibles, d’un titre de fil en trame parmi la liste de titres de fil en trame possibles et d’un espacement de trame compatible avec le titre de fil en chaîne déterminé, le titre de fil en trame déterminé et la ou les valeurs cibles d’espacement de chaîne prédéfinies.
Dans un ou plusieurs modes de réalisation, lorsque le modèle reçu à l’étape 210 comprend une pluralité de zones (appartenant à un ou plusieurs calques), l’étape 230 comprend la détermination, pour chaque zone de chaque calque, d’une grille intermédiaire de tissage respective, de manière similaire à ce qui a été décrit précédemment. Dans ces modes de réalisation, les grilles intermédiaires de tissage sont créées successivement pour chaque zone, en commençant par la zone comprenant le zéro pièce. Puis, chaque grille intermédiaire de tissage correspondant à une nouvelle zone est déterminée en fonction des grilles intermédiaires de tissage déjà déterminées pour les zones voisines. En effet, dans ces modes de réalisation les transitions entre zones doivent aussi être prises en considération, pour éviter des incompatibilités entre deux grilles de tissage voisines, par exemple en termes d’espacement de trame ou de chaîne, ou de titres de fil en trame et/ou en chaîne sélectionnés. Pour assurer une transition « lisse » entre deux grilles intermédiaires de tissage voisines (i.e. associées à des zones ayant des portions adjacentes, lesdites zones pouvant appartenir au même calque ou à deux calques différents), des grilles de transition peuvent être déterminées. Par exemple, pour deux grilles intermédiaires de tissage voisines, il est possible de modifier localement (autour des portions adjacentes) les deux grilles intermédiaires de tissage pour assurer une continuité d’ordre C1 entre elles.
Par « grille de tissage voisine », il est entendu une grille de tissage dont au moins certaines cellules sont adjacentes aux cellules de l’autre grille de tissage.