INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
NaAlO 2 peut être hydrolysé pendant la précipitation du métal, de manière à libérer lentement l'aluminium, à ralentir une forte diminution de la teneur en ions aluminium dans la solution et à précipiter les ions aluminium et manganèse de manière égale sur la matrice de graphite, améliorant ainsi la stabilité du matériau. En utilisant Mn et Al pour la coprécipitation et en ajoutant le méta-aluminate au sel d'aluminium, la précipitation inégale de l'aluminium peut être réduite, et Mn et Al dans une structure en couches du précipité peuvent servir de sites d'adsorption pour les ions fluorure.
En outre, le premier mélange peut en outre contenir un ou plusieurs sels métalliques de calcium, magnésium, fer, zirconium et lanthane.
À l'étape S400, la suspension est vieillie et filtrée, un gâteau de filtration est lavé jusqu'à ce que l'eau après lavage du gâteau de filtration soit neutre, et séchée pour obtenir un composite hydroxyde métallique-carbone.
Plus précisément, la suspension peut être vieillie entre 60 °C et 90 °C pendant 1 à 5 heures, filtrée, et un gâteau de filtration est lavé jusqu'à ce que l'eau après lavage du gâteau de filtration soit neutre.
À l'étape S500, le composite hydroxyde métallique-carbone est grillé.
Plus précisément, le composite hydroxyde métallique-carbone peut être grillé dans une atmosphère enrichie en air ou en oxygène entre 300 °C et 600 °C pendant 0,5 à 4 heures.
Dans un mode de réalisation facultatif, le deuxième mélange de l'étape S300 peut en outre contenir du carbonate de sodium et du chlorure de zinc pour former une couche de revêtement de carbonate de zinc sur une surface du composite hydroxyde métallique-carbone obtenu après séchage. L'étape S500 peut spécifiquement comprendre : mélanger le composite hydroxyde métallique-carbone comportant la couche de revêtement de carbonate de zinc avec un matériau liant, et le griller. En outre, le matériau liant est éventuellement un ou plusieurs éléments parmi de la poudre d'asphalte et du polyacrylonitrile PAN. Après grillage et lavage avec de l'eau ou de l'acide chlorhydrique dilué, un matériau adsorbant creux recouvert de carbone d'oxyde de manganèse-aluminium à base de graphite dopé à l'azote peut finalement être formé (dans le cas où la source d'azote est utilisée dans l'étape S200 susmentionnée). Le matériau adsorbant présente des performances mécaniques et une structure poreuse plus fortes, ce qui permet d'améliorer les performances de granulation et les performances de recyclage du matériau adsorbant.
Une fois le grillage à l'étape S500 terminé, le matériau adsorbant obtenu constitué d'oxyde de manganèse et d'aluminium à base de graphite peut être pris comme adsorbant pour ion fluorure à préparer dans les modes de réalisation selon la présente demande. Bien entendu, le matériau adsorbant constitué d'oxyde de manganèse et d'aluminium à base de graphite peut également être traité et optimisé davantage.
Plus précisément, après une sous-étape d’analyse 430 du procédé de fabrication 1, lors d’une première sous-étape de comparaison 441, on vérifie si la valeur représentative d’un niveau de décollement obtenue lors de la sous-étape d’analyse 430 est nulle.
Si tel est le cas (branche Y sur la ), la quantité d’eau par quantité de plâtre sec utilisée lors de l’étape de mélange 90 est diminuée, et cette première sous-étape de comparaison 441 est répétée sur une sous-étape d’analyse 430 suivante.
Si au contraire, la valeur représentative d’un niveau de décollement obtenue lors de la sous-étape d’analyse 430 est non nulle (branche N sur la ), on vérifie lors d’une deuxième sous-étape de comparaison 442 si la valeur représentative d’un niveau de décollement obtenue lors de la sous-étape d’analyse 430 est inférieure ou égale au seuil de décollement S1 prédéterminé ou au seuil cible. Si tel est le cas (branche Y sur la ), l’étape d’ajustement 700 n’est plus répétée au moins jusqu’à ce qu’une étape ultérieure de détection 400 émette un diagnostic de défaut de liaison entre les couches de matériaux 900, 901 et 902, ou fournisse une valeur représentative d’un niveau de décollement nul. Si tel n’est pas le cas (branche N sur la ), la quantité d’eau par quantité de plâtre sec utilisée lors de l’étape de mélange 90 est augmentée en utilisant la boucle de régulation de la .
Procédé de contrôle en ligne de la qualité d’un traitement d’une surface d’une pièce par texturation laser Domaine technique de l’invention La présente invention s’inscrit dans le domaine du contrôle d’un traitement de surface d’une pièce.
Plus précisément, la présente invention concerne la détection et la caractérisation de défauts de traitement laser d’une surface d’une pièce.
Un domaine d’application particulier de l’invention est le contrôle en temps réel de la qualité d’un traitement par texturation laser d’une surface d’une pièce, traitement effectué préalablement à un collage.
La texturation d’une surface d’une pièce par laser est classiquement employée, notamment dans le domaine aéronautique ou spatial, pour préparer ladite surface en vue d’une opération de collage avec une autre pièce.
La qualité de la texturation de la surface peut être dégradée si des défauts dans la texturation, par exemple suite à une défocalisation du faisceau laser ou une mauvaise incidence du faisceau laser par rapport à la surface, apparaissent. Or, si la texturation de surface n’est pas réalisée correctement, des ruptures de la liaison collée entre les deux pièces peuvent survenir. Il est donc nécessaire de contrôler la qualité de la texturation pour identifier la présence éventuelle de défauts, avant de réaliser toute opération ultérieure de collage.
Actuellement, ces contrôles sont principalement effectués de manière visuelle par un opérateur expérimenté, après le traitement de la surface par texturation laser. Ces contrôles restent donc à l’appréciation de l’opérateur et ne sont pas automatisés. De plus, certains défauts, notamment ceux dus à la défocalisation du faisceau laser, sont difficilement détectables à l’œil nu.
Un contrôle après le traitement de la surface par texturation laser s’avère quant à lui complexe à mettre en œuvre, notamment d’une part du fait de la taille des pièces industrielles qui, selon les applications, notamment les applications aéronautiques et spatiales, peuvent être importantes, et d’autre part du fait de la durée limitée disponible après le traitement de la surface par texturation laser pour effectuer les opérations de collage.
Présentation de l'invention La présente invention vise à remédier aux inconvénients des solutions proposées par l’art antérieur, notamment à ceux exposés ci-avant, en proposant un procédé automatisable, fiable et reproductible, permettant d’effectuer un contrôle de la surface traitée sans ajout de temps de contrôle, tout en permettant une détection efficace des défauts.
A cet effet, il est proposé par la présente invention un procédé de contrôle, en temps réel, de la qualité d’un traitement d’une surface d’une pièce par texturation laser.
Pour rappel, le traitement par texturation laser d’une surface d’une pièce consiste à créer des microcavités à la surface de la pièce au moyen d’un faisceau laser afin de modifier l’état de surface de la pièce en augmentant sa rugosité. Ce traitement par texturation laser est effectué par exemple avant une étape de collage de la pièce traitée avec une seconde pièce. La rugosité créée lors de la texturation laser permet en effet d’augmenter la qualité du contact entre les deux pièces et de renforcer la liaison collée entre celles-ci.
Selon l’invention, le procédé de contrôle comprend, pendant la phase de texturation de la surface de la pièce par le faisceau laser, les étapes de : acquisition d’une image de la surface de la pièce traitée, analyse de l’image acquise pour : détecter un halo lumineux, dit plasma, généré par l’impact du faisceau laser sur la surface de la pièce, lorsqu’un plasma est détecté dans l’image acquise : déterminer une taille associée audit plasma, déterminer une forme associée audit plasma, attribuer une catégorie en fonction de la forme et de la taille déterminées du plasma, attribuer une valeur pour quantifier cette catégorie.
Lors de l’impact du faisceau laser avec la surface de la pièce, créant la microcavité, un halo lumineux, dit plasma, est généré.
De tels systèmes photovoltaïques 1 comportent :
- un panneau photovoltaïque 11 configuré pour générer un signal électrique continu de sortie à partir d’une énergie solaire. Le panneau photovoltaïque 11 comporte un ou plusieurs panneaux solaires, chaque panneau solaire étant configuré pour convertir l’énergie solaire en une énergie électrique, et éventuellement thermique. Le panneau photovoltaïque 11 présente une surface de panneaux solaires de quelques mètres carré, voire de plusieurs dizaines de mètres carrés. D’une manière générale, le panneau photovoltaïque 11 présente une surface de panneaux solaires inférieurs à 100 m². Le panneau photovoltaïque 11 est placé dans le voisinage direct de l’habitat 4, de sorte à pouvoir être branché directement sur la prise électrique 25 du réseau électrique domestique 2. Complémentairement, le système photovoltaïque 1 comprend aussi un dispositif de fixation permettant, d’une part, de fixer solidairement le panneau photovoltaïque 11 à un support – un mur, un toit, une terrasse – et, d’autre part, d’incliner ledit panneau photovoltaïque 11 relativement à au moins un axe de rotation ;
– un onduleur 12 configuré pour transformer le signal électrique continu de sortie généré par le panneau photovoltaïque 11 en un signal électrique alternatif adapté à un réseau électrique domestique 2. Plus particulièrement, l’onduleur 12 comporte un convertisseur de tension continue en une tension alternative ou un convertisseur de courant continu en un courant alternatif, afin de pouvoir injecter le signal électrique alternatif ainsi converti sur une phase P2 du réseau électrique domestique 2 ;
– un câble électrique 14 dont une première extrémité est reliée électriquement à l’onduleur 12 et une deuxième extrémité 15 comporte un dispositif de connexion électrique permettant de coupler électriquement le système photovoltaïque 1 sur une prise électrique 25 du réseau électrique domestique 2 ;
– un module de commande 13 relié électriquement à l’onduleur 12 et au dispositif de connexion électrique, le module de commande 13 comportant (i) un organe de couplage 134 électrique configuré pour, sélectivement, raccorder ledit au moins un système photovoltaïque 1 au réseau électrique domestique 2, l’organe de couplage 134 électrique étant configuré dans un état fermé et, désaccoupler ledit au moins un système photovoltaïque 1 du réseau électrique domestique 2, l’organe de couplage 134 électrique étant configuré dans un état ouvert, et (ii) des moyens de communication avec un serveur distant.
L’organe de couplage 134 électrique prend la forme d’un relai ou d’un interrupteur de n’importe quel type, l’organe de couplage 134 électrique étant piloté par le module de commande 13 afin de pouvoir contrôler son état, ouvert ou fermé, en fonction d’une commande d’isolement réceptionnée par le module de commande 13.
En référence à la , le module de commande 13 comporte un boitier logeant :
– une unité d’alimentation électrique 131 reliée électriquement au réseau électrique domestique 2, et plus particulièrement à une phase P2 et à un neutre P1 dudit réseau électrique domestique 2, de sorte à permettre un fonctionnement du module de commande 13 ;
– une unité de communication 132, préférentiellement sans fil, permettant au module de communication de recevoir, et éventuellement transmettre, respectivement des commandes et des paramètres. Les commandes réceptionnées par le module de commande 13 via son unité de communication 132 sont envoyées par un serveur distant non représenté sur les FIGURES, tandis que les paramètres sont des données techniques caractéristiques du système photovoltaïque 1 et éventuellement du réseau électrique domestique 2s et qui peuvent être transmises par le module de commande 13 afin d’autoriser la réalisation de certaines fonctions techniques plus complexes. Dans le contexte de l’invention, l’unité de communication 132 est par exemple du type d’une puce de télécommunication, par exemple selon l’un des protocoles 3G, 4G, 5G ou supérieur, ou encore du type d’un puce WIFI, Bluetooth ou d’une puce de communication radiofréquence de type LoRa ;
– une unité de métrologie 133 comportant un ou plusieurs capteurs configurés pour mesurer un courant électrique produit par le système photovoltaïque 1 et/ou une tension électrique produite par le système photovoltaïque 1 et/ou un déphasage entre le courant et la tension. A cet effet, l’unité de métrologie 133 comporte une résistance 135 de shunt placée sur la phase P2 du réseau électrique domestique 2 et configurée pour permettre une mesure de courant Di - au travers d’une mesure de tension Du aux bornes de la résistance 135 de shunt – et une mesure de tension Du entre la phase P2 et le neutre P1 du réseau électrique domestique 2 auquel le module de commande 13 est raccordé électriquement ;
– l’organe de couplage 134 électrique tel que décrit précédemment. L’organe de couplage 134 électrique est relié notamment à l’unité de communication 132 afin d’autoriser son pilotage en fonction des commandes réceptionnées et/ou des paramètres transmis. Dans le contexte de l’invention, l’organe de couplage 134 prend la forme d’un relai placé sur le neutre P1 et/ou sur la phase P2 du réseau électrique domestique 2 auquel le module de commande 13 est relié.
En référence à la , l’invention adresse un procédé 5 de mesure mettant en œuvre le système photovoltaïque 1 décrit précédemment. Un tel procédé 5 de mesure comporte une étape de mesure 51 d’une puissance électrique produite par le système photovoltaïque 1, l’étape de mesure 51 de la puissance électrique étant réalisée par le module de commande 13.
Plus particulièrement, dans l’exemple de réalisation illustré, l’étape de mesure 51 de la puissance électrique comporte :
- une étape de mesure 51 d’une intensité du signal électrique de sortie ;
- une étape de mesure 51 d’une tension du signal électrique de sortie ;
- une étape de détermination d’un déphasage entre le courant du signal de sortie et la tension dudit signal de sortie.
- un module de commande relié électriquement à l’onduleur et au dispositif de connexion électrique, le module de commande comportant (i) un organe de couplage électrique configuré pour, sélectivement, raccorder ledit au moins un système photovoltaïque au réseau électrique domestique, l’organe de couplage étant configuré dans un état fermé et, désaccoupler ledit au moins un système photovoltaïque du réseau électrique domestique, l’organe de couplage étant configuré dans un état ouvert, et (ii) des moyens de communication avec un serveur distant, le module de commande étant configuré pour mettre en œuvre le procédé d’isolement conforme au premier aspect de l’invention ou selon l’un quelconque de ses perfectionnements.
illustre une vue schématique d’un ensemble électrique selon l’invention, mettant en œuvre un système photovoltaïque dans un réseau électrique domestique ;
illustre une vue schématique d’un exemple de réalisation d’un module de commande du système photovoltaïque de la ;
illustre une vue synoptique du procédé d’isolement programmé conforme au premier aspect de l’invention.
En référence avec la , le domaine de l’invention est spécifiquement celui des installations électriques domestiques, au sein d’un habitat 4 individuel ou d’un habitat 4 collectif. Plus particulièrement, l’invention concerne le raccordement électrique d’un ou plusieurs systèmes photovoltaïques 1 à un réseau électrique domestique 2.
Le réseau électrique domestique 2 adresse l’ensembles des dispositifs électriques à l’intérieur de l’habitat 4, ou en lien direct avec ledit habitat 4. Le réseau électrique domestique 2 diffère d’un réseau électrique de distribution qui a pour objet de fournir à l’habitat 4 l’énergie électrique nécessaire au fonctionnement de ses dispositifs électriques.
Le réseau électrique domestique 2 peut être isolé ou raccordé au réseau électrique de distribution par l’intermédiaire d’un disjoncteur général 22 d’un tableau électrique 23 placé en entrée du réseau électrique domestique 2. Ensuite, plusieurs circuits électriques 24 s’étendent depuis le tableau électrique 23, en aval du disjoncteur général 22, vers plusieurs consommateurs électriques.
Dans le contexte de l’invention, les consommateurs électriques sont des dispositifs électriques, des appareils électriques, qui utilisent l’énergie électrique fournie par le réseau électrique domestique 2, via le réseau électrique de distribution, pour fonctionner. A titre d’exemples non limitatifs, de tels consommateurs électrique peuvent être des lampes, des appareils électroménagers, une télévision ou un module de communication sans fil.
De manière particulière, le contexte de l’invention se limite aussi à un ou plusieurs systèmes photovoltaïques 1 raccordés à l’une des prises électriques du réseau électrique domestique 2. Dans le cas où le réseau électrique domestique 2 comporte plusieurs systèmes photovoltaïques 1 distincts, par exemples associés à des éléments de toitures différents ou disposés selon des orientations cardinales différentes, alors il est préférable que chaque système photovoltaïque 1 soit associé à un circuit électrique 24 différents, ou à une prise électrique 25 différente.
Les multiplexeurs additionnels permettent de sélectionner un autre résultat d’accumulation de la même chaine de calcul (dont le précédent direct et les autres précédents).
La structure de calcul peut également être compatible du 0-skipping .
Le multiplexeur additionnel a une ou des entrées reliées à un ou des accumulateurs d’un ou de blocs de calcul d’une autre chaîne de calcul.
On sait qu’en sortie d’une fonction d’activation ReLU, toutes les valeurs négatives sont arrondies à 0.
Les sorties des fonctions ReLU sont multipliées par les poids du neurone suivant.
Le 0-skipping consiste à « sauter » les multiplications par des valeurs qui valent 0.
Cette méthode n’a aucun impact sur la performance de l’algorithme, puisque seuls les calculs inutiles sont « sautés ».
Le gain dépend de la proportion de données à 0 et, potentiellement, de leur dispersion spatiale.
Le 0-skipping rend plus difficile la parallélisation – mais réduit le besoin de parallélisation.
Le 0-skipping est réalisé en positionnant à nouveau, dans chaque bloc de calcul, un multiplexeur additionnel en entrée de la deuxième entrée de l’accumulateur. Le multiplexeur additionnel a cette fois des entrées reliées à un ou des accumulateurs de blocs de calcul d’une autre chaîne de calcul (au-dessus ou au-dessous) ou de la même chaîne de calcul.
Ceci implique d’avoir une ou des entrées à 0. Mais, il faut toujours les mêmes poids (car d’autres pixels peuvent en avoir besoin). Donc, si on fait toujours le même nombre de multiplications avec les mêmes poids, mais en sautant des données, il faut calculer des pixels voisins. Il faut donc décaler les calculs d’une ligne à l’autre et mémoriser la ou les accumulations non calculée(s) à ce cycle.
On note qu’il convient de prévoir des registres pour mémoriser les résultats d’accumulation qui ne sont pas utilisés dans l’étage suivant, mais qui sont utilisés dans un étage ultérieur.
Les mises en œuvre du pruning et du 0-skipping peuvent se cumuler, ce qui est particulièrement avantageux, car aucune structure de l’état de l’art ne peut supporter simultanément et efficacement le pruning et le 0-skipping .
La structure de calcul, via un pilotage adapté et des étages d’additions supplémentaires, est également compatible de la transformée de Winograd , qui permet de réduire le nombre de multiplications à réaliser pour une convolution de masque 3x3 ou supérieur. On sait que la multiplication nécessite plus de ressources qu’une addition dans une architecture matérielle ( hardware ). L’intérêt de la transformée de Winograd est qu’elle permet de réduire le nombre de multiplications et donc les ressources nécessaires.
Le principe de la transformée de Winograd est de factoriser des multiplications pour des positions voisines.
Cependant, la transformée de Winograd augmente le nombre d’additions, car elle nécessite de réaliser des additions avant et après les multiplications.
Le rayonnement laser L appliqué lors de l’étape c) peut former une zone irradiée présentant un diamètre de l’ordre de 30 microns.
Il est envisageable d’appliquer le rayonnement laser L à la cellule C0 photovoltaïque obtenue à l’issue de l’étape b) de manière à : - obtenir localement, entre des plots métalliques P2 du second ensemble, des ablations additionnelles de la seconde couche diélectrique 3b, du second empilement 2b de couches actives, et d’une première partie additionnelle du substrat 1 ; - tracer un contour C délimitant des sous-cellules C1 photovoltaïques ; - conserver une seconde partie additionnelle du substrat 1, s’étendant dans le prolongement des ablations additionnelles, et adaptée pour conserver une tenue mécanique des sous-cellules C1 photovoltaïques délimitées par le contour C tracé.
L’étape d) consiste à graver chimiquement, avec un agent de gravure, au moins partiellement la seconde partie S2 du substrat 1 s’étendant dans le prolongement des ablations A1 obtenues à l’issue de l’étape c), de manière à fragiliser les sous-cellules C1 photovoltaïques délimitées à l’issue de l’étape c).
L’agent de gravure est choisi de manière à autoriser une gravure sélective du silicium par rapport aux première et deuxième couches diélectriques 3a, 3b.
Selon un premier mode de mise en œuvre, l’étape d) est exécutée de sorte que la seconde partie S2 du substrat 1 est totalement gravée chimiquement.
Selon un deuxième mode de mise en œuvre, l’étape d) est exécutée de sorte que la seconde partie S2 du substrat 1 est partiellement gravée chimiquement.
L’étape d) consiste avantageusement à immerger la cellule C0 photovoltaïque obtenue à l’issue de l’étape c) dans un bain de gravure.
Lorsque les première et seconde couches diélectriques 3a, 3b formées lors de l’étape b) sont réalisées dans un oxyde de silicium, l’étape d) est avantageusement exécutée de sorte que l’agent de gravure est choisi parmi une solution d’hydroxyde de potassium KOH, une solution d’hydroxyde de tétraméthylammonium TMAH, une solution d’hydroxyde de sodium NaOH. À titre d’exemple non limitatif, l’étape d) peut être exécutée à une température de 80°C avec une solution d’hydroxyde de potassium KOH comme agent de gravure, présentant un pourcentage massique de 2,5 %.
L’étape e) consiste à séparer les sous-cellules C1 photovoltaïques fragilisées à l’issue de l’étape d).
Lorsque l’étape d) est exécutée de sorte que la seconde partie S2 du substrat 1 est totalement gravée chimiquement, l’étape e) consiste en une séparation spontanée des sous-cellules C1 photovoltaïques fragilisées à l’issue de l’étape d).
Lorsque l’étape d) est exécutée de sorte que la seconde partie S2 du substrat 1 est partiellement gravée chimiquement, l’étape e) est avantageusement exécutée par une technique de séparation choisie parmi un choc thermique, une sollicitation mécanique, et un traitement par ultrasons. L’homme du métier sait ajuster les paramètres du choc thermique, de la sollicitation mécanique, et du traitement par ultrasons afin d’obtenir une séparation physique.
Les sous-cellules C1 photovoltaïques séparées à l’issue de l’étape e) présentent des bords latéraux BL exposés. Les sous-cellules C1 photovoltaïques présentent avantageusement un ratio P/S supérieur ou égal à 8,9 10 -2 mm -1 , où « P » est le périmètre de la sous-cellule C1 photovoltaïque, et « S » est l’aire de la surface de la sous-cellule C1 photovoltaïque.
Le procédé comporte avantageusement une étape f) consistant à passiver les bords latéraux BL exposés. En d’autres termes, l’étape f) consiste à former une couche de passivation 4 sur chacun des bords latéraux BL exposés.