Procédé de fabrication de plusieurs boîtiers de circuits intégrés (BT), comprenant : - une fourniture d’un substrat support (SUB) possédant une face de montage (FM) et comprenant une paroi (RES) saillant sur la face de montage (FM) et délimitant avec la face de montage (FM) une matrice de cavités (ZCI), chaque cavité comportant sur la face de montage (FM) des plages de contact électriquement conductrices (PAD), le substrat support (SUB) comportant sous chaque cavité un réseau d’interconnexion (INTCNX) entre les plages de contact (PAD) et une face inférieure (FL) du substrat support (SUB), - une formation de premières tranchées (TRC1) s’étendant partiellement dans la paroi (RES) autour de chaque cavité (ZCI), - des montages de puces électroniques (CHP) sur la face de montage (FM) du substrat support (SUB) dans respectivement lesdites cavités (ZCI) et coopérant électriquement avec les plages de contact correspondantes (PAD), - des obturations des cavités (ZCI) par collage de moyens d’obturation respectifs (CAP) sur une face supérieure (FH) de la paroi (RES) entre les premières tranchées (TRC1) à l’aide d’une colle (GL2) adaptée pour ne pas déborder dans les premières tranchées (TRC1), de façon à obtenir une matrice de boîtiers, - une formation de moyens de connexion électriquement conducteurs (BP) sous chaque cavité (ZCI) coopérant électriquement avec le réseau d’interconnexion (INTCNX) correspondant et - une individualisation des boîtiers (BT) comprenant une découpe de ladite paroi (RES) et du substrat support (SUB) par une formation dans ladite paroi (RES) et dans le substrat support (SUB) de deuxièmes tranchées (TRC2) moins larges que les premières tranchées (TRC1), prolongeant les premières tranchées (TRC1) jusqu’à la face inférieure (FL) du substrat support (SUB). Procédé selon la revendication 1, dans lequel l’angle de contact (θ) de la colle (GL2) sur la face supérieure (FH) de la paroi (RES) est supérieur à 30°. Procédé selon l’une des revendications 1 ou 2, dans lequel les premières tranchées (TRC1) ont une première largeur (LTRC1), les deuxièmes tranchées (TRC2) ont une deuxième largeur (LTRC2) et la différence (LSTP) entre la première largeur et la deuxième largeur est supérieure ou égale à 100 µm. Procédé selon l’une des revendications précédentes, dans lequel la profondeur (DTRC1) des premières tranchées (TRC1) est comprise entre 50% et 80% de la hauteur (H) de la paroi (RES). Boîtier de circuit intégré (BT) comportant : - un substrat support (SUB) possédant une face de montage (FM), - une paroi latérale (RES) disposée sur la face de montage (FM), ayant une face interne (FINT) et une face externe (FEXT), la face interne (FINT) délimitant avec la face de montage (FM) une cavité (ZCI), la face externe (FEXT) comportant une marche (STP) s’étendant vers l’extérieur du boîtier (BT), - une puce électronique (CHP) disposée dans la cavité (ZCI) sur la face de montage (FM) du substrat support (SUB) et coopérant électriquement avec des plages de contact électriquement conductrices (PAD) situées sur la face de montage (FM), - un moyen d’obturation (CAP), collé au moyen d’une colle (GL2), sur une face supérieure (FH) de la paroi latérale (RES) et obturant la cavité (ZCI), ladite colle (GL2) ne débordant pas sur la face externe (FEXT) de la paroi latérale (RES), et -des moyens de connexion électriquement conducteurs (BP) situés sous la cavité sur une face inférieure (FL) du substrat support (SUB) et en coopération électrique avec lesdites plages de contact (PAD) par l’intermédiaire d’un réseau d’interconnexion (INTCNX) situé sous la cavité entre les plages de contact (PAD) et la face inférieure (FL) du substrat support (SUB). Boîtier selon la revendication 5, dans lequel l’angle de contact (θ) de la colle (GL2) sur la face supérieure (FH) de la paroi (RES) est supérieur à 30°. Boîtier selon l’une des revendications 5 ou 6, dans lequel la marche (STP) est située à distance (DTRC1) de la face supérieure (FH) de la paroi latérale (RES) et a une la largeur (LSTP) supérieure ou égale à 100 µm. Boîtier selon l’une des revendications 5 à 7, dans lequel la distance (DTRC1) est comprise entre 50% et 80% de la hauteur (H) de la paroi latérale (RES)