INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
L'organe anti-rotation 6 peut ainsi présenter une forme similaire à une équerre afin de maintenir l'axe Y du dispositif de déport 3 selon une direction perpendiculaire au mur extérieur 2 afin de garantir le bon positionnement des volets par rapport aux ouvertures dans le mur 2. Cependant, n’importe quelle forme de l’organe anti-rotation permettant de maintenir l'axe Y du dispositif de déport selon une direction perpendiculaire au mur extérieur pourrait être utilisée et fait également partie de la présente invention.
L'organe anti-rotation 6 comprend ainsi un orifice 61 afin de permettre la fixation de l'organe anti-rotation 6 au mur extérieur 2 à l'aide d'une vis par exemple. L'organe anti-rotation 6 comprend en outre une rainure 62 s'étendant longitudinalement selon un axe Y afin de permettre la fixation de l'organe anti-rotation 6 aux organes de fixation 4 et de support 5. La rainure 62 permet d'adapter la fixation selon la position de verrouillage de l'organe de fixation 4 à l'organe de support 5.
L’organe anti-rotation 6 est avantageusement réalisé en un matériau métallique afin de présenter une résistance mécanique élevée permettant la reprise des efforts mécaniques dus à la masse du volet 1.
Pour d'une part fixer l'organe anti-rotation 6 à l'organe de fixation 4 et à l'organe de support 5 et, d'autre part pour verrouiller le réglage entre l'organe de fixation 4 et l'organe de support 5, le dispositif de déport 3 comprend des moyens de verrouillage. Dans l'exemple illustré sur la , les moyens verrouillage se présentent sous la forme d'une vis 7 traversant successivement la rainure 62 de l'organe anti-rotation 6, l'orifice 43 de l'organe de fixation 4 et la rainure 56 de l'organe de support 5. De plus, une telle vis 7 est configurée pour être montée à travers l'un des crans 560 de la rainure 56 de l'organe de support 5 afin de verrouiller le dispositif de déport 3 dans l'une des positions prédéfinies correspondant à la distance de déport D.
La vis 7 présente avantageusement une portion de section polygonale adaptée à la forme des crans, en particulier complémentaire de la forme des crans 560 de la rainure 56. La portion de section polygonale se situe entre une portion de tête présentant un épaulement et une portion filetée de la vis 7. La portion de section polygonale permet avantageusement de bloquer, i.e. sécuriser, la position de la vis ainsi que la position relative de chacun des organes du dispositif de déport 3 (i.e. l’organe de fixation 4, l’organe de support 5 et l’organe anti-rotation 6) le temps de visser un écrou sur la vis 7.
Il va maintenant être décrit un procédé de montage du dispositif de déport 3 selon l'invention en référence aux figures 6 à 9. Il va de soi que la nature et la réalisation des étapes pourraient être modifiées, et que la portée de l’invention ne se limite pas au seul mode d’installation (i.e. d’utilisation) présenté ci-dessous.
Suite à la mise en place d'une couche d'ITE sur le mur extérieur 2 d'un bâtiment, la fixation du volet est déportée d'une distance D correspondant à l'épaisseur de la couche d'ITE grâce au dispositif de déport 3. Dans ce but, la penture de déport 40 du corps auxiliaire 4B de l'organe de fixation 4, dont les dimensions correspondent au diamètre du gond 20, est montée sur le gond 20 comme illustré sur la . Le corps auxiliaire 4B est également monté dans le logement 41 du corps principal 4A de l'organe de fixation 4. Le corps auxiliaire 4B est pris en sandwich et permet de réaliser une rupture thermique tout en permettant une adaptation au diamètre du gond 20.
Puis, en référence à la , l'organe de support 5 est monté sur l'organe de fixation 4 dans une des positions de réglage possible correspondant à la distance de déport D. Dans ce but, la partie de montage 42 de l'organe de fixation 4 est insérée entre les plaques, i.e. dans l’espace inter-plaques, de la partie de montage 54 de l'organe de support 5 et une vis 7 (non représentée à la ) est introduite dans l'un des crans 560 de la rainure 56 par la gauche ou par la droite selon que le dispositif de déport 3 est monté pour réaliser un déport d’un volet gauche ou droit. Selon certains modes de réalisation préférés mais non limitatifs, la vis 7 est insérée par la gauche lorsque le dispositif de déport 3 est monté à droite de l’ouverture pouvant être fermée par le volet 1, tandis que la vis 7 est insérée par la droite lorsque le dispositif de déport 3 est monté à gauche de ladite ouverture. Les termes « gauche » et « droite » relatifs au sens d’insertion de la vis font référence au sens dans lequel la vis est agencée en position d’utilisation du dispositif de déport, de sorte que la tête de la vis 7 se trouve du côté de l’ouverture en position installée du dispositif de déport 3. La vis 7 vient interdire tout mouvement relatif des organes 4 et 5, en particulier tout mouvement de translation et de rotation.
Le corps auxiliaire 5B de l'organe de support 5 est en outre monté dans le logement 52 du corps principal 5A de l'organe de support 5 par l’ouverture 52. Lors de l'insertion du corps auxiliaire 5B, celui-ci est vissé dans le logement 52 pour empêcher tout mouvement relatif ultérieur entre le corps auxiliaire 5B et le corps principal 5A de l’organe de support 5.
L'organe anti-rotation 6 est alors placé, d'une part, contre le mur extérieur 2 et, d'autre part, contre les organes de fixation 4 et de support 5 comme illustré sur la . Comme illustré à la , l'extrémité de la vis 7 s'étend en saillie à travers la rainure 62 de l'organe anti-rotation 6, l'orifice 43 de l'organe de fixation 4 et la rainure 56 de l'organe de support, ce qui facilite le positionnement de l'organe anti-rotation 6. Ensuite, comme illustré à la , la position de la vis 7 est sécurisée par un écrou. Une vis (non illustrée) est également montée à travers l'orifice 61 de l'organe anti-rotation 6 afin de le fixer au mur extérieur 2.
En référence aux figures 10 et 11, un même dispositif de déport 3 peut être monté à gauche ou à droite d'une ouverture du mur extérieur 2. Autrement dit, le dispositif de déport 3 selon l'invention peut aussi bien être utilisé comme un dispositif gauche que comme un dispositif droit. Pour ce faire, il suffit simplement de changer le côté d’insertion de la vis 7 au travers de la rainure 56 et de l’orifice 43 ainsi que le côté de positionnement de l’organe anti-rotation 6, ce qui facilite le montage et réduite le nombre de pièces nécessaires. Ainsi, la vis 7 est insérée par la droite et l’organe anti-rotation 6 est positionné à gauche de l’organe de support 5 pour un dispositif de déport 3 placé à gauche d’une ouverture, et la vis 7 est insérée par la gauche et l’organe anti-rotation 6 est positionné à droite de l’organe de support 5 pour un dispositif de déport 3 placé à droite d’une ouverture.
Dispositif de manœuvre et d’arrêt d’un volet battant La présente invention concerne le domaine des volets, et plus particulièrement un volet battant comprenant un panneau équipé d’un dispositif de manœuvre et d’arrêt du panneau. L’invention concerne également un ensemble et une installation comprenant un tel volet battant et un crochet mural agencé pour coopérer avec le dispositif de manœuvre et d’arrêt.
Le guide d’onde 40 est formé d’un matériau 43 semiconducteur ayant un indice de réfraction, dit indice de réfraction du guide, du même ordre de grandeur que l’indice de réfraction du matériau 13 du transducteur photo-électrique 30. Le guide d’onde 40 est en outre entouré d’un ou plusieurs milieux 52, 12 ayant un indice de réfraction strictement inférieur à l’indice de réfraction du guide d’onde 40 (et du matériau 13 du transducteur photo-électrique).
Le guide d’onde 40 est par exemple formé en nitrure de silicium SiN.
De préférence, le guide d’onde 40 est formé du même matériau que le matériau 13 du transducteur photo-électrique 30 et comprend les puits quantiques 13b.
La disposition les uns par rapport aux autres du transducteur photo-électrique 30, de la structure réflective 20 et du guide d’onde 40 dans le système optique 1 est décrite ci-après.
En premier lieu, le transducteur photo-électrique 30 est agencé de sorte que la région active 32 est positionnée dans la structure réflective 20, au niveau d’une partie des foyers F i de la pluralité de sections paraboliques. Les dimensions latérales Le1 et Le2 de l’électrode supérieure 34 (et donc de la région active 32) sont au moins dix fois inférieures aux dimensions latérales de longueur et de hauteur Lsr1 et Lsr2 de la structure réflective 20.
En , la région active 32 occupe une zone correspondant à l’électrode supérieure 34. Celle-ci est positionnée latéralement au ou à proximité du foyer F i de la première face interne 22 de réflexion.
Ainsi, la face latérale arrière 321 de la région active est orientée vers la parabole formée par la première face interne 22 de réflexion.
En second lieu, le guide d’onde 40 est agencé de sorte que son axe longitudinal X g soit parallèle aux axes optiques X oi de la pluralité de sections paraboliques et que son extrémité proximale 41 soit accolée à la structure réflective 21 entre la deuxième et la troisième face interne 23,24 de réflexion (latéralement cf. ) et au niveau de la région active 32 (verticalement, cf. ). Le terme « accolé » désigne le fait que l’extrémité proximale 41 du guide d’onde 40 est au contact de la structure réflective et de la région active 32.
Lorsque le guide d’onde 40 est formé du même matériau 13 que le transducteur photo-électrique 30 et comprend les puits quantiques 13b, ceux-ci sont alignés avec l’axe longitudinal Xg du guide (cf. ). Dans ce cas, le guide d’onde 30 est accolé à la structure réflective 20 et à la région active 32 par intégration monolithique.
En troisième lieu, les dimensions latérales Lsr1 et Lsr2 (cf. ) de la structure réflective 20 sont strictement supérieures à la taille Lg2 du guide d’onde. Par exemple, la dimension latérale de hauteur Lsr2 de la structure réflective 20 est 4 microns pour une taille de guide Lg2 de 400 nm. Dans un autre exemple, la dimension latérale de hauteur Lsr2 de la structure réflective 20 est 4 microns pour une taille de guide Lg2 de 220 nm. La dimension latérale de hauteur Lsr2 est alors 18 fois supérieure à la taille Lg2 du guide d’onde 40.
Grâce aux éléments qui viennent d’être décrits et à leur arrangement particulier, le système optique 1 permet, dans chaque plan parallèle au substrat et sur toute la hauteur Lsr3 de la structure réflective 20, de canaliser les rayons lumineux provenant de la face arrière 321 de la région active 32 et de les diriger vers l’extrémité proximale 41 du guide d’onde 40. Il convient de noter qu’en l’absence de la structure réflective 20, ces rayons n’atteignent pas l’extrémité proximale 41 du guide d’onde 40. Ainsi, la luminosité (ou puissance optique) en sortie de l’ensemble formé par le transducteur photo-électrique et la structure réflective est accrue.
Le trajet suivi par les rayons lumineux provenant de la face arrière 321 de la région active 32 est illustré à l’aide des rayons r 10 et r 20 représentés en .
Comme la région active est placée au niveau des foyers de la première face 22 interne de réflexion, les rayons r 10 et r 20 sont réfléchis sur la première face 22 interne de réflexion parallèlement à l’axe optique X oi . Cette première réflexion donne lieu aux rayons r 11 et r 21 représentés en .
Comme la deuxième et la troisième face de réflexion 23,24 sont planes et orthogonales au plan du substrat et au plan comportant les axes optiques de la pluralité de sections paraboliques, les rayons réfléchis une première fois r 1 2 et r 21 sont réfléchis une deuxième fois et redirigés dans la même direction, qui est donc parallèle à l’axe optique X oi . Cette deuxième réflexion donne lieu aux rayons r 13 et r 23 .
Enfin, ces rayons issus de deux réflexions successives se réfléchissent une troisième fois sur la première face 22 interne de réflexion. Comme ils arrivent sur la première face 22 interne de réflexion parallèlement à l’axe optique X oi , les rayons réfléchis r 14 et r 24 sont dirigés vers le foyer F i devant lequel se situe l’extrémité 41 proximale du guide d’onde 40.
Le fait que la dimension latérale de hauteur Lsr2 de la structure réflective 20 soit bien supérieure, par exemple 18 fois supérieure, à la taille Lg2 du guide d’onde 40 permet de canaliser des rayons émis avec un grand angle Θ par rapport à l’axe optique X oi .
Précisément, la structure réflective 20 forme avec les régions inférieure 31, active 32 et supérieure 33 du transducteur photo-électrique 30 un pilier 20 plein de forme cylindro-parabolique. Dit autrement, le pilier 20 est un cylindre droit tronqué, d’axe et de génératrices perpendiculaires au plan du substrat 10, et admettant pour courbe directrice une parabole d’axe X oi parallèle au plan du substrat 10 et ayant pour foyer un point F i situé sur l’axe X oi . Ce cylindre droit est tronqué par un plan parallèle aux génératrices et comprenant le foyer F i . Le pilier 20 est ainsi délimité par une surface cylindrique comprenant une surface latérale parabolique 25 et une surface latérale plane 26 et par deux faces planes 27, 28 (cf. ) parallèles au plan du substrat 10.
Le matériau 21 choisi pour la structure réflective 20 est un matériau transparent aux ondes lumineuses émises par la région active 32. Il présente un indice de réfraction proche ou égal à l’indice de réfraction du matériau du transducteur photo-électrique dans la gamme de longueur d’ondes 400 nm – 800 nm. Par « proche » on entend que la différence d’indice est inférieure à 0,2.
De préférence, le matériau transparent 21 choisi pour la structure réflective 20 est identique au matériau 13 du transducteur photo-électrique 30. Lorsque que ce dernier est à base de GaN, l’indice de réfraction de la structure réflective est 2,4.
La structure réflective 20 comprend à proximité de la surface latérale parabolique 25 une première face 22 interne de réflexion et, à proximité de la surface latérale plane 26, une deuxième face 23 interne de réflexion et une troisième face 24 interne de réflexion.
En référence à la , la première face 22 interne de réflexion présente un profil parabolique défini par une pluralité de sections paraboliques parallèles au plan du substrat 10. Une telle section est illustrée en . Chaque section parabolique est définie par la parabole présentant l’axe optique X oi et le foyer F i , et s’étend depuis le sommet S i de la parabole jusqu’à la droite y perpendiculaire à l’axe optique X oi et passant par le foyer F i .
La deuxième face 23 interne et la troisième face 24 interne de réflexion sont des faces planes, orthogonales au plan du substrat 10 et au plan comportant les axes optiques X oi de la pluralité de sections paraboliques. Ces faces 23,24 sont en outre situées de part et d’autre dudit plan comportant les axes optiques X oi au niveau des foyers F i de la pluralité de sections paraboliques.
Les faces internes 22, 23, 24 de réflexion sont aptes à réfléchir vers l’intérieur de la structure réflective 20 les ondes lumineuses émises par la région active à l’intérieur de la structure réflective 20. Dit autrement, les faces internes 22,23 et 24 agissent comme des surfaces semi-réfléchissantes.
Pour cela, un premier milieu 51 est disposé à l’extérieur de la structure réflective 20 dans un espace adjacent à la première face interne 22 de réflexion. Dit autrement, le deuxième milieu 51 enrobe sur toute sa hauteur la surface latérale parabolique 25 de la structure réflective 20. En outre, un deuxième milieu 52 est disposé à l’extérieur de la structure réflective du côté de la surface latérale plane 26, dans l’espace adjacent à la deuxième face 23 interne de réflexion et dans l’espace adjacent à la troisième face 24 interne de réflexion.
Le premier et deuxième milieu 51,52 présentent un indice de réfraction strictement inférieur à l’indice de réfraction du matériau 21 transparent choisi pour la structure réflective (ou du matériau 13 du transducteur photo-électrique 30).
De préférence, le premier milieu 51 est formé d’un matériau diélectrique et le deuxième milieu 52 comprend de l’air.
Le matériau diélectrique est par exemple de l’oxyde de silicium.
Ainsi l’indice de réfraction du premier et du deuxième milieu 51,52 est proche de 1, alors que l’indice de réfraction de la structure réflective 20 et du transducteur photo-électrique 30 est 2,4. Le premier milieu diélectrique 51 forme alors un mur diélectrique 51 entourant la surface latérale parabolique de la structure réflective 20.
Une autre possibilité est que le premier et le deuxième milieu 51,52 sont formés tous deux formés d’un matériau diélectrique (non représenté sur les figures 1, 2 ou 3).
Pour terminer la description de la structure réflective 20, il convient de préciser qu’elle présente des dimensions latérales (cf. ) de longueur Lsr1 selon l’axe optique X oi , et de hauteur Lsr2 selon la droite y, ainsi qu’une hauteur Lsr3 (selon un axe perpendiculaire au plan du substrat 10, cf. ).
Par exemple, la dimension latérale de longueur Lsr1 est de 1 micron et la dimension latérale de hauteur Lsr2 est 4 microns. La dimension latérale de hauteur Lsr2 est liée à la dimension latérale de longueur Lsr1 par l’équation de la parabole.
En référence à la , le guide d’onde 40 présente une extrémité 41 proximale, une extrémité 42 distale (non représentée sur la ), et un axe longitudinal X g .
Le deuxième mode de réalisation illustré en se distingue du premier mode de réalisation en deux points.
Tout d’abord, la première face interne 22 de réflexion est obtenue à l’aide d’un mur de matériau métallique 60 disposé dans le premier milieu 51 et à proximité de la première face 22 interne de réflexion. La première face interne 22 de réflexion travaille ainsi en réflexion totale.
Ensuite, le guide d’onde 40 présente une extrémité proximale 41 élargie et une forme d’entonnoir 44 au niveau de cette extrémité 41. Dans cette configuration, les dimensions latérales Le1, Le2 de la région active 32 sont adaptées à la taille de l’extrémité élargie 41, cela via la taille de l’électrode supérieure 34. Cette configuration est favorable à un meilleur couplage de la puissance optique incidente au niveau de l’extrémité 41 du guide.
Il convient de noter qu’une couche de matériau métallique (non représentée en ) peut aussi être disposée dans le deuxième milieu 52, à proximité de la deuxième face 23 interne de réflexion et à proximité de la troisième face 24 interne de réflexion pour que les deuxième et troisième faces 24,25 travaillent également en réflexion totale.
Un deuxième aspect de l’invention concerne un procédé 500 de fabrication du système optique 1.
Les figures 5A à 5E illustrent en vue de coupe des étapes ou sous-étapes de fabrication du système optique de la , selon un mode de réalisation préférentiel.
Le procédé 500 débute à l’étape S501 illustrée en avec la fourniture d’un substrat 10 comprenant la couche de substrat 11, la couche tampon 12 et la jonction P-N 13, celle-ci comprenant une couche inférieure N 13a, des puits quantiques 13b et une couche supérieure P connectées successivement de bas en haut. La jonction P-N 13 est par exemple obtenue par croissance épitaxiale et dopage.
Cette étape S501 se prolonge avec l’étape S502 représentée en . L’étape S502 consiste à structurer en trois dimensions par lithographie la jonction P-N 13 pour créer des évidements et ainsi définir une face supérieure 45 du guide d’onde 40 et délimiter une partie des surfaces latérales de la structure réflective 20.
A l’issue de cette première structuration S502 en trois dimensions, un pilier 20a cylindro-parabolique conforme au pilier formant la structure réflective 20, est créé dans la jonction PN. Ce pilier 20a comprend ainsi la face latérale parabolique 25 et la face latérale plane 26 décrite précédemment.
L’étape S503 suit l’étape S502. Elle est illustrée en . L’étape S503 est une étape de gravure verticale, aussi appelée gravure mesa, réalisée de part et d’autre du pilier 20a formé à l’étape S502 pour définir le guide d’onde 40 au niveau de la face latérale plane 26 du pilier 20a, pour compléter la définition du pilier cylindro-parabolique 20b formant la structure réflective 20, et pour définir la couche de liaison 16.
L’étape S503 de gravure verticale est suivie d’une étape S504 de passivation, illustrée en , visant à déposer de façon conforme une couche diélectrique 51 sur la surface latérale parabolique 25 du pilier 20b. La surface latérale plane 26 ainsi que les faces latérales et supérieure du guide d’onde sont au contact de l’air 52.
La couche diélectrique 51 isole électriquement la surface latérale parabolique 26 de la structure réflective 20 en même temps qu’elle crée une interface entre le matériau 13 de la jonction P-N et le diélectrique, ceux-ci ayant des indices de réfraction très contrastés (2,4 par exemple pour une jonction P-N en GaN, et 1 pour le diélectrique).
A l’issue de l’étape S504, le substrat 10 porte le guide d’onde 40 et la structure réflective 20. La structure réflective comprend par ailleurs la première face 22 interne de réflexion et les deuxième et troisième faces internes de réflexion 23,24. Enfin, le guide d’onde est accolé latéralement à la structure réflective 20 au niveau de sa surface latérale plane 26, entre la deuxième et la troisième face interne 24,25 (non représentées sur la ) et au niveau des puits quantiques 13b, ceux-ci étant distribués le long de son axe longitudinal Xg. Une couche de liaison 16 reliée à la région inférieure 13a a aussi été définie du côté de la surface latérale parabolique 25 de la structure réflective 20.
L’étape S505 qui suit l’étape S504 de passivation est illustrée en . Cette étape S505 consiste en la formation des électrodes supérieures 34 et inférieures 35.
Pour cela, un premier motif métallique 34 est formé sur la face supérieure du pilier cylindro-parabolique 20b, à proximité de la surface latérale plane 26, qui correspond au niveau des foyers de la première face interne 22 de réflexion.
Un deuxième motif métallique 35 en forme de mur est également formé sur la couche de liaison 16. Le mur 35 métallique peut ou non prendre la forme de la surface latérale parabolique 25.
Le coulage du produit de réparation dans le moule, maintenu à 1200°C, a été effectué à l’aide d’une goulotte métallique disposée au-dessus d’une ouverture réalisée dans la voûte du four.
Le produit de réparation a été coulé de manière continue, avec un débit sensiblement égal à 100 kg/min.
Lors du remplissage, il a été constaté que le moule en CMC résiste à la poussée du produit de réparation, sans se casser, ni s’ouvrir.
Après avoir rempli le moule, la température a été maintenue à 1200°C pendant 4 heures. La température a ensuite été réduite de manière progressive jusqu’à 800°C, à une vitesse sensiblement égale à 25°C/h. Puis le brûleur a été coupé et la descente en température s’est effectuée de manière naturelle, sans ouverture du four.
Le produit de réparation fritté se trouvant dans le moule a ensuite été récupéré.
Après sciage, il présentait une texture homogène, sans fissure, ni cavité interne pouvant correspondre à une rupture d’alimentation.
Comme cela apparaît clairement à présent, l’invention fournit ainsi un procédé de réparation à chaud qui utilise des éléments en CMC, pour réaliser notamment le coffrage intérieur, ce qui : - permet une fabrication rapide et parfaitement adaptée à la région à réparer, en particulier parce qu’un CMC, peut être conformé suivant des formes complexes, et notamment de manière à épouser le profil de la région à réparer ; - facilite l’introduction de ces éléments jusqu’à la région à réparer ; - facilite leur agencement, ces éléments étant légers ; - autorise un sacrifice de l’élément de coffrage, c’est-à-dire son maintien en position après la réparation, en particulier parce que la composition d’un CMC, peut être choisie pour être similaire à celle du produit de réparation.
Bien entendu, la présente invention n’est pas limitée aux modes de réalisation décrits ou représentés, fournis à titre d’exemples illustratifs et non limitatifs.
En particulier, les compositions des CMC des différentes pièces du coffrage et/ou des accessoires peuvent être identiques ou différentes.