INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
La partie de montage 54 comprend en outre des moyens de verrouillage permettant de bloquer la position de réglage de l'organe de fixation 4 par rapport à l'organe de support 6. Dans la forme de réalisation représentée sur la , les moyens de verrouillage se présentent sous la forme d'une rainure 56 s'étendant longitudinalement selon l’axe Y. La rainure 56 comprend une pluralité de crans 560, qui sont distincts, écartés les uns des autres et répartis le long de la rainure 56 afin de définir une pluralité de position de réglage de l'organe de fixation 4 comme cela sera décrit par la suite. Selon un aspect de l'invention, les crans 560 sont décalés de 5 mm les uns des autres. Il va de soi que les moyens de verrouillage pourraient se présenter sous une autre forme qu'une rainure crantée, ou que les crans pourraient présenter un écartement (i.e. décalage) différent.
Le corps auxiliaire 5B est configuré pour permettre le montage de la penture 11 du volet 1. Dans ce but, le corps auxiliaire 5B comprend un gond de déport 50 configuré pour être monté dans la penture 11 du volet 1. De manière préférée, le corps auxiliaire 5B est réalisé en un matériau isolant thermiquement, tel qu'un matériau plastique, céramique ou analogue, afin d'isoler thermiquement le corps principal 5A de la penture 11 du volet 1.
En référence à la , le corps auxiliaire 5B comprend le gond de déport 50 et un corps cylindrique 57 configuré pour être monté dans le logement 52 du corps principal 5A. De préférence, le gond de déport 50 et le corps cylindrique 57 s'étendent selon un même axe, l’axe X2. Le corps auxiliaire 5B peut également comprendre un épaulement 59 placé entre le gond de déport 50 et le corps cylindrique 57 afin que la penture 11 du volet 1 soit en appui verticalement contre ledit épaulement 59, ce qui permet d'isoler thermiquement le logement 52 de la penture 11. Le corps cylindrique 57 comprend des moyens de blocage configurés pour coopérer avec les moyens de blocage du corps principal 5A. Dans l'exemple illustré, les moyens de blocage se présente sous la forme d’une portion filetée présentant un pas de filetage identique au pas de la portion taraudée du logement 52, et le blocage se fait par vissage du corps auxiliaire 5B dans le logement 52.
Selon un mode de réalisation, le corps auxiliaire 5B est monobloc afin de limiter le nombre d'éléments du dispositif de déport 3. De manière préférée, le corps auxiliaire 5B est disponible selon plusieurs diamètres différents. De préférence, le corps cylindrique présente des dimensions, en particulier un diamètre externe, uniques (i.e. ne dépendant pas de la penture qui recevra le gond de déport 50) et correspondant aux dimensions, en particulier un diamètre interne, du logement 52, tandis que le gond de déport 50 présente des dimensions, en particulier un diamètre externe, adaptés aux dimensions de la penture qui va le recevoir. Le gond de déport 50 peut ainsi présenter un diamètre externe de 8, 10, 12, 14 ou 16 mm par exemple.
En référence à la , l'organe de fixation 4 comprend un corps principal 4A et un corps auxiliaire 4B monté de manière rapportée avec le corps principal 4A.
Le corps principal 4A est avantageusement réalisé en un matériau métallique afin de présenter une résistance mécanique élevée permettant la reprise des efforts mécaniques dus à la masse du volet 1 et à la distance D de déport de ce dernier. De manière préférée, le corps principal 4A est monobloc.
Le corps principal 4A comprend un logement 41 dans lequel est monté le corps auxiliaire 4B de manière rapportée, de préférence de manière amovible. Un tel logement 41 s'étend longitudinalement selon l’axe X1.
Le corps principal 4A comprend en outre une partie de montage 42 s'étendant selon l’axe Y s'étendant sensiblement orthogonalement à l’axe X1. Cette partie de montage 42 est configurée de sorte à coopérer avec le corps de l’organe de support 5, en particulier la partie de montage est configurée de façon à pouvoir s’insérer entre les plaques du corps de l’organe de support 5. En d’autres termes, la partie de montage 42 est reçue, au moins en partie, dans l’espace inter-plaques du corps principal 5A de l’organe de support 5.
La partie de montage 42 comprend un organe de blocage 43 sous forme d’un orifice de section polygonale traversant la partie de montage 42 pour verrouiller la position sélectionnée. Dans la forme de réalisation représentée sur la , la section de l’orifice traversant est carrée mais elle peut se présenter sous une forme différente, par exemple hexagonale ou octogonale. L’organe de blocage 43 permet de régler la position relative des organes de support 5 et de fixation 4 le long de l’axe Y, pour régler la distance D.
Le corps auxiliaire 4B est configuré pour être monté sur le gond 20 du mur extérieur 2. Dans ce but, le corps auxiliaire 4B comprend une penture de déport 40 configurée pour recevoir le gond 20. Selon une caractéristique de l'invention, le corps auxiliaire 4B est réalisé en un matériau isolant thermiquement, tel qu'un matériau plastique, afin d'isoler thermiquement le corps principal 4A du gond 20.
Toujours en référence à la , le corps auxiliaire 4B comprend une partie cylindrique 44 s'étendant longitudinalement et comprenant ladite penture de déport 40. La penture de déport 40 s'étend axialement selon l’axe X1 lorsque le gond 20 est monté dans la penture 11. Selon un aspect de l'invention, les dimensions de la penture de déport 40, en particulier son diamètre, peuvent être adaptées aux dimensions du gond 20 du mur extérieur 2. Dans ce but, différents corps auxiliaire 4B, correspondant chacun à un diamètre de la penture de déport 40, peuvent être montés à un même corps principal 4A. Ainsi, le corps principal 4A présente une forme générique et seul le corps auxiliaire 4B est choisi parmi un ensemble de corps auxiliaires 4B de diamètres différents pour correspondre aux dimensions du gond 20.
(3) préparer le résidu grillé dans 30 g/L d'une suspension de résidu grillé avec de l'eau, puis ajouter 3 mol d'oxalate de manganèse pour 1 litre de suspension de résidu grillé, un rapport molaire de l'oxalate de manganèse à des composés contenant l'aluminium (sulfate d'aluminium et méta-aluminate de sodium) et à un adjuvant (bromure de tétradécyltriméthylammonium) ayant été de 1 : 1,2 : 1, et une proportion molaire de méta- aluminate de sodium dans les composés contenant de l'aluminium ayant été de 0,2, après mélange uniforme, ajouter une solution de NaOH sous agitation pour contrôler la valeur du pH de la solution à 8, et effectuer une coprécipitation de métal pour obtenir une suspension brune grisâtre ;
(5) griller le composite hydroxyde métallique-carbone dans une atmosphère d'air ou d'oxygène enrichie en oxygène à 500 °C pendant 4 heures pour obtenir un adsorbant pour ion fluorure Mn 1 Al 1,2 /C.
La méthode de test de la capacité d'adsorption de l'adsorbant pour ion fluorure était la suivante : préparer des eaux usées avec une concentration massique d'ion fluorure de 100 mg/L, ajouter l'adsorbant pour ion fluorure Mn 1 Al 1,2 /C à des concentrations de 1 g/L, 1,1 g/L, 1,2 g/L, 1,3 g/L et 1,4 g/L respectivement, en ajustant la valeur du pH à 6 (la plage de pH pour l'adsorption de l'ion fluorure était de 5 à 7), en remuant et en adsorbant pendant 2 heures. à 30 °C, filtrer puis détecter la concentration en ion fluorure dans la solution.
Les effets d'adsorption de l'adsorbant pour ion fluorure Mn 1 Al 1,2 /C préparé dans cet exemple sur les ions fluorure sont présentés dans le tableau 6 suivant. Capacité d'adsorption maximale (mg/g) 79,64 Surface spécifique (m 2 /g) 134,36 Dosage d' adsorbant pour eaux usées avec 100 mg/L de concentration en ions fluor (g/L) 1 1,1 1,2 1,3 1,4 Concentration résiduelle d'ion fluorure 20,36 16,26 10,42 6,39 5,95 Taux d'élimination de l'ion fluor (%) 79,64 83,74 89,58 93,61 94,05
Exemple comparatif 1 (1) Une batterie lithium-ion usagée a été déchargée, pyrolysée à une basse température, broyée et tamisée pour obtenir une poudre mélangée d'un matériau cathodique et d'un matériau anodique, de l'eau a été ajoutée à la poudre mélangée pour la mise en suspension selon un rapport liquide-solide de 1: 1,2, une solution d'acide sulfurique et une solution de H 2 O 2 ont été ajoutées pour la lixiviation acide humide, une valeur de pH de la solution a été maintenue à 0,5 et une filtration a été effectuée après une lixiviation acide humide pendant 6 heures pour obtenir un une solution de lixiviation de métal et un résidu lixivié, le résidu lixivié étant un matériau d'anode constitué de graphite.
Une eau usée avec une concentration en ion fluorure de 100 mg/L a été préparée, le matériau graphite après lixiviation acide a été ajouté selon une quantité de 1 g/L, la valeur du pH a été ajustée à 6, puis le mélange a été agité et adsorbé à 30 °C pendant 2 heures, puis la concentration en ion fluorure dans la solution a été détectée après filtration.
L'effet d'adsorption du résidu de graphite après lixiviation acide sur les ions fluorure est présenté dans le tableau 7 suivant. Capacité d'adsorption saturée (mg/g) 10,84 Surface spécifique (m 2 /g) 5,32
(2) Le résidu lessivé, le graphite et NaOH ont été mélangés selon un rapport massique de 1 : 0,01, ajoutés avec de l'eau pour le mélange, chauffés à 400 °C et grillés pendant 5 heures, puis le résidu grillé a été lavé avec de l'eau.
Des eaux usées avec une concentration massique en ions fluorure de 100 mg/L ont été préparées, le matériau graphite après grillage et lavage a été ajouté selon une quantité de 1 g/L, la valeur du pH a été ajustée à 6, puis le mélange a été agité et adsorbé à 30 °C pendant 2 heures, puis la concentration en ion fluorure dans la solution a été détectée après filtration.
L'effet d'adsorption du graphite sur l'ion fluorure après lixiviation acide et grillage alcalin est présenté dans le tableau 8 suivant. Capacité d'adsorption saturée (mg/g) 16,47 Surface spécifique (m 2 /g) 8,24
On peut voir que dans l'exemple comparatif 1, la capacité d'adsorption saturée et la surface spécifique du matériau obtenu sont bien inférieures à celles des adsorbants pour l'ion fluorure préparés dans les exemples 1 à 4 décrits ci-dessus, que les résidus lessivés soient grillés ou non.
Exemple comparatif 2 Un procédé de préparation d'un adsorbant selon cet exemple comparatif était le suivant :
(1) ajouter 3 mol d'oxalate de manganèse dans 1 L d'eau, le rapport molaire de l'oxalate de manganèse aux composés contenant de l'aluminium (sulfate d'aluminium et méta-aluminate de sodium) et à un adjuvant ayant été de 1 : 0,5 : 0,4, et la proportion molaire du méta-aluminate de sodium dans les composés contenant de l'aluminium ayant été de 0,4, après mélange uniforme, ajout d'une solution de NaOH sous agitation pour contrôler le pH de la solution à 8, et réalisation d'une coprécipitation du métal pour obtenir une suspension brune grisâtre ;
(2) faire vieillir la suspension brune grisâtre à 60 °C pendant 5 heures, filtrer, laver un gâteau de filtration jusqu'à ce que l'eau après lavage du gâteau de filtration soit neutre, et sécher pour obtenir un hydroxyde métallique de manganèse et d' aluminium ; et
(3) griller l'hydroxyde métallique de manganèse et d'aluminium dans une atmosphère d'air ou d'oxygène enrichie en oxygène à 500 °C pendant 4 heures pour obtenir un adsorbant pour ion fluorure Mn 1 Al 0,5 .
Le contexte de la présente invention adresse de manière exclusive le domaine de la production d’énergie photovoltaïque pour des utilisateurs particuliers, en opposition à des parcs photovoltaïques ou à des installations photovoltaïques visant à produire de grandes quantité d’énergie, de l’ordre de plusieurs mégawatts, afin d’alimenter en électricité des quartiers, des villes ou des sites industriels. Ainsi, le domaine de la présente invention adresse les systèmes photovoltaïques produisant plusieurs kilowatts d’énergie électrique à partir d’une énergie solaire ou photovoltaïque.
D’année en année, le réchauffement climatique est une préoccupation de plus en plus prégnante, que cela soit pour les particuliers ou l’industrie, entraînant le développement d’énergies alternatives, tel que l’énergie solaire, afin de réduire les émissions de gaz à effet de serre.
L’énergie solaire présente, entre autres, les avantages d’être inépuisable, écologique, et d’avoir vu son prix diminuer fortement ces dernières années, la rendant compétitive au regard des sources d’énergie classiques, telles que le pétrole, le nucléaire, etc. l’énergie solaire étant l’énergie alternative présentant la plus forte croissante.
A ces fins, et selon un premier aspect de l’invention, on atteint au moins l’un des objectifs précités avec un procédé de mesure de puissance électrique produite par au moins un système photovoltaïque, chaque système photovoltaïque comprenant :
- un module de commande relié électriquement à l’onduleur et au dispositif de connexion électrique.
Selon le premier aspect de l’invention, le procédé comporte une étape de mesure d’une puissance électrique produite par le système photovoltaïque, l’étape de mesure de la puissance électrique étant réalisée par le module de commande.
Dans le contexte de la présente invention, le réseau électrique domestique est une installation électrique domestique telle qu’on en trouve dans l’habitat individuel ou collectif. Un tel réseau électrique domestique comporte un disjoncteur général permettant d’isoler le réseau électrique domestique d’un réseau de distribution électrique. En aval du disjoncteur général, le réseau électrique domestique comporte généralement un ou plusieurs consommateurs électriques, tels que par exemple des sources d’éclairage, des sources de chauffage, des appareils électroménager. Les consommateurs électriques sont localisés dans l’habitat, chaque consommateur électrique étant relié au disjoncteur général par l’intermédiaire d’un circuit électrique, préférentiellement via un disjoncteur spécifique permettant de sécuriser ledit circuit électrique. Dans le contexte de la présente invention, le système photovoltaïque s’intègre dans un tel réseau électrique domestique, devenant ainsi un producteur électrique associé aux consommateurs électriques précités.
Dans le contexte de la présente invention, le réseau électrique comporte une pluralité de circuits électrique déployés en aval du disjoncteur général. Le disjoncteur général protège électriquement l'ensemble du réseau électrique domestique, c’est-à-dire l’ensemble des circuits électriques. Les circuits électriques sont protégés individuellement par des disjoncteurs thermiques dans le tableau électrique. En d’autres termes, chaque circuit électrique est relié au disjoncteur général par l’intermédiaire d’un disjoncteur thermique.
Le mélange d’esters à base de polyol et d’acides gras peut être utilisé dans des formulations industrielles pour ses propriétés lubrifiantes et de conservateur à une concentration de 0,01 à 99%, de préférence de 0,1 à 95% en poids par rapport au poids total de la composition.
Procédé L’invention porte également sur le procédé de synthèse du mélange d’esters défini ci-dessus. Ce mélange peut être obtenu selon le procédé décrit dans le document FR3112344. Ce procédé présente l’avantage de ne pas utiliser de catalyseur.
Le procédé comprend les étapes successives suivantes : - une étape de mise en contact du polyol avec un excès du mélange d’acides, -une étape de chauffage du mélange à une température comprise entre 170 et 250°C, de préférence entre 210 et 240°C, sous une descente en vide partiel selon 3 à 10 paliers, de préférence entre 3 et 6 paliers.
La présence d’un excès du mélange d’acides lors de l’étape de mise en contact permet une bonne répartition des acides le long de la chaîne du polyol. Cet excès molaire peut être d’au moins 30 % du mélange d’acides par rapport au polyol. Par exemple, cet excès molaire peut être de 30 à 35 % ; ou de 35 à 40 % ; ou de 40 à 45 % ; ou de 45 à 50 % du mélange d’acides par rapport au polyol.
Cette étape de mise en contact peut être effectuée sans solvant.
De préférence, l’étape de mise en contact du polyol avec le mélange d’acides peut être mis en œuvre en tout ou partie sous atmosphère inerte, par exemple sous atmosphère d'azote ou d'argon.
Ensuite, le procédé de l’invention comprend une étape de chauffage du mélange de polyol avec le mélange d’acides (ou autrement dit milieu réactionnel), à une température de 180 à 270°C et de préférence de 200 à 250°C. La gamme de température dépend du mélange d’esters choisis, et de leur point d’ébullition. Cette température peut être par exemple de 180 à 185°C ; ou de 185 à 190°C ; ou de 190 à 195°C ; ou de 195 à 200°C ; ou de 200 à 205°C ; ou de 205 à 210°C ; ou de 210 à 215°C ; ou de 215 à 220°C ; ou de 220 à 225°C ; ou de 225 à 230°C.
L’étape peut avoir une durée de 3 à 20 heures et de préférence de 6 à 12 heures. Ainsi, cette durée peut être de 3 à 5 heures ; ou de 5 à 7 heures ; ou de 7 à 9 heures ; ou de 9 à 11 heures ; 11 à 13 heures ; ou de 13 à 15 heures ; 15 à 17 heures ; ou de 17 à 20 heures.
De préférence, l’étape de chauffage est mise en œuvre sous vide partiel de manière progressive, en continue ou par palier.
Ce vide partiel peut être de 0,5 à 750 mbar, de préférence de 1 à 500 mbar, ou encore de 1 à 150 mbar, et encore de préférence de 1 à 50 mbar.
La descente en vide partiel par palier peut être ajustée en fonction du rendement et de la pureté que l’on souhaite atteindre, comme illustré dans la partie expérimentale ci-dessous.
Les points d’ébullition des acides étant différents, une descente en pression par paliers permet de ne pas distiller préférentiellement un acide au détriment d’un autre et permet ainsi une répartition, sur la chaine du polyol, homogène et ciblée en fonction du ratio massique en acides utilisé.
Une colonne de Vigreux avec un tirage sous vide peut être utilisée.
Cette étape de chauffage et de mise sous vide va permettre d’éliminer l’eau produite au cours de la réaction d’estérification. De plus, les acides en excès vont pouvoir être éliminés, et éventuellement recyclés.
Le produit brut obtenu, après ou avant le refroidissement, peut ensuite être isolé et de préférence purifié afin d’éliminer l’excès des acides ainsi qu’enlever les impuretés telles que les esters comportant des fonctions hydroxyles libres n’ayant pas réagi avec les acides, présentes dans le produit brut.
Le procédé selon l’invention permet d’obtenir le produit brut souhaité avec un taux d’estérification supérieur ou égal à 95 % en esters. Ce taux peut ainsi être de 95 à 96 % ; ou de 96 à 97 % ; ou de 97 à 98 % ; ou de 98 à 99 % ; ou supérieur à 99 %.
Dans le cas où les portions de reprise d’épitaxie 15 sont réalisées avant la porosification électrochimique des mésas M (i) , elle est réalisée en un matériau non porosifiable lors de la porosification ECE et lors de la porosification PECE.
Aussi, pour être non porosifiable lors de la porosification ECE, le matériau des portions de reprise d’épitaxie 15 présente un niveau de dopage N D inférieur à la valeur minimale V D,min (V ECE ) à partir de laquelle la porosification du matériau a lieu. De préférence, les portions de reprise d’épitaxie 15 peuvent être non intentionnellement dopées (par exemple de l’ordre de 10 17 cm -3 ) mais de préférence sont faiblement dopées, et par exemple peuvent présenter un niveau de dopage au plus égal à 5×10 17 cm -3 . Le dopage peut être de type n, comme pour les portions inférieures.
De plus, pour être non porosifiable lors de la porosification PECE, le matériau des portions de reprise d’épitaxie 15 présente une proportion d’indium x3 telle que le rayonnement lumineux d’illumination n’est pas absorbé. La proportion d’indium x3 est inférieure à la proportion d’indium x2 des portions supérieures 14. Dans le cas où les portions de reprise d’épitaxie 15 sont réalisées en InGaN, elles sont déposées de préférence après la porosification des mésas, pour ainsi ne pas être contraintes en termes de proportion d’indium x3 vis-à-vis de la porosification PECE.
En variante, dans le cas où les portions de reprise d’épitaxie 15 sont réalisées après la porosification électrochimique des mésas M (i) , peu importe qu’elles soient réalisées en un matériau porosifiable ou non. Notons que dans ce dernier cas, les portions dopées 31 de la jonction semiconductrice des diodes D (i) peuvent correspondre aux portions de reprise d’épitaxie 15.
Les portions de reprise d’épitaxie 15 présentent une épaisseur et une proportion d’indium x3 non nulle telle qu’elle participe à obtenir les taux de relaxation souhaités R (i) pour les mésas M (1) et M (2) , comme expliqué en détail plus loin. A titre d’exemple, elle présente une épaisseur de 200nm environ et une proportion d’indium x3 au moins égale à 8%. Elle peut présenter une épaisseur moindre, par exemple de 100nm environ, et une proportion d’indium x3 plus élevée, par exemple de 12% environ.
Notons ici que les portions inférieures 13 et supérieures 14 (et les portions de reprise d’épitaxie 15, si elles sont réalisées avant la porosification électrochimique) présentent chacune une épaisseur inférieure à son épaisseur critique à laquelle il y a une relaxation plastique des contraintes mécaniques. L’épaisseur totale de l’empilement de ces portions est également inférieure à une épaisseur critique prédéfinie. Ainsi, la couche support 11 génère, dans les portions inférieures 13 et supérieures 14, des contraintes mécaniques (orientées dans le plan XY) dont la valeur est telle que, avant porosification, le paramètre de maille au niveau de la face supérieure des mésas M (i) est proche ou sensiblement égal au paramètre de maille effectif a e cs de la couche support 11.
Dans la mesure où les mésas M (i) sont réalisées à partir du même empilement cristallin initial 20, chaque portion d’une mésa M (i) est coplanaire avec les portions correspondantes des autres mésas. Ainsi, les portions de reprise d’épitaxie 15 sont coplanaires entre elles et définissent des faces supérieures également coplanaires. Les portions supérieures 14 sont coplanaires entre elles. Il en est de même pour les portions inférieures 13.
De plus, chaque portion d’une mésa M (i) présente une épaisseur identique à celle des portions correspondantes des autres mésas. Ainsi, les portions de reprise d’épitaxie 15 présentent une même épaisseur entre elles. Il en est de même pour les portions inférieures 13, et pour les portions supérieures 14.
A titre illustratif, dans l’exemple de la , le substrat de croissance 10 comporte une couche tampon 12 en GaN contraint par la couche support 11 en saphir (paramètre de maille ici de 3.184Å). Les mésas M (i) comportent chacun : une portion inférieure 13 à base de GaN dopé de type n, une portion supérieure en In x2 Ga 1-x2 N avec x2>0. Dans cet exemple, la portion de reprise d’épitaxie 15 est réalisée en In x3 Ga 1-x3 N d’une épaisseur de 200nm environ et une proportion d’indium x3 égale à 8% environ. Elle est réalisée avant la porosification électrochimique des mésas M (i) .
La mésa M (0) présente un taux de relaxation minimal R (0) de sorte que la portion de reprise d’épitaxie 15 présente un paramètre de maille proche ou sensiblement égal à celui (3.184Å) de la couche support 11. La mésa M (2) présente un taux de relaxation maximale R (2) de sorte que la portion de reprise d’épitaxie 15 présente un paramètre de maille proche ou sensiblement égal à celui de l’In 0.15 Ga 0.85 N massif (3.238Å environ) qui aurait été déposé ensuite sur la mésa, du fait de la déformation élastique des portions inférieure 13 et supérieure 14 poreuses. La mésa M (1) présente un taux de relaxation intermédiaire R (1) de sorte que la couche de reprise d’épitaxie 15 présente un paramètre de maille compris entre 3.184Å et 3.217Å. On a donc a e cre(0) e cre(1) e cre(2) . Ainsi, la matrice de diodes peut alors comporter des diodes D (0) émettant dans le bleu, des diodes D (1)u émettant dans le vert, et des diodes D (N) émettant dans le rouge.