INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
De manière à obtenir un amortissement optimal, ladite lamelle intermédiaire présente avantageusement une épaisseur comprise entre 0,7 et 1 millimètre le long de ladite tête d’appui.
Toujours avec le même objectif d’optimiser l’amortissement, ladite lamelle intermédiaire s’étend préférentiellement suivant un plan moyen perpendiculaire à celui de ladite piste.
Cette lamelle intermédiaire est en outre constituée avantageusement dans un élastomère thermoplastique (TPE) ou dans un éthylène-propylène-diène monomère (EPDM), ces matériaux élastomères présentant une excellente résistance aux agents atmosphériques ainsi qu’une plage étendue de températures de service.
Afin qu’elles présentent une certaine souplesse permettant le pincement de la lamelle intermédiaire, lesdites branches latérales et ledit corps principal sont formés de préférence dans un matériau thermoplastique renforcé éventuellement en fibres naturelles et/ou synthétiques.
Plus précisément et de manière à obtenir notamment une excellente stabilité dans le temps des contacts de la tête d’appui avec la piste tout en limitant les frottements entre ces deux éléments, les deux branches latérales et le corps principal sont avantageusement constitués en Polyoxyméthylène (POM).
- des mésas 120 (Al,In,Ga)N/(Al,In,Ga)N comprenant successivement : une deuxième partie 112b de la deuxième couche 112 de GaN dopée de 100nm (1.10 18 at/cm 3 ), une troisième couche 123 de GaN fortement dopée de 800 nm (1.10 19 at/cm 3 ), et une couche de nid (Al,In,Ga)N de 100nm.
Selon une autre variante de réalisation, la structure 100 peut comprendre :
- un substrat de base 110 comprenant successivement : une couche support 114 en saphir ou en silicium, éventuellement une couche tampon en (Al,Ga)N, une première couche 111 de GaN non dopée de 4µm, une couche additionnelle 113 de GaN fortement dopée de 2µm (1.10 19 at/cm 3 ), une première partie 112a de la deuxième couche de GaN dopée 112 de 500nm (1.10 18 at/cm 3 ),
- des mésas 120 (Al,In,Ga)N/(Al,In,Ga)N comprenant successivement : une deuxième partie 112b de la deuxième couche 112 de GaN dopée de 100nm (1.10 18 at/cm 3 ), une troisième couche 123 de GaN fortement dopée de 800 nm (1.10 19 at/cm 3 ), et une quatrième couche 124 de nid (Al,In,Ga)N de 100nm.
Lors de l’étape b), la structure 100 et une contre-électrode (CE) sont électriquement reliées à un générateur de tension ou de courant. Le dispositif joue le rôle d’électrode de travail (WE). Par la suite, on le dénommera générateur de tension, mais il pourrait s’agir d’un générateur de courant permettant d’appliquer un courant entre le dispositif et la contre-électrode.
La prise de contact est réalisée sur la structure 100.
En particulier, la prise de contact peut être réalisée sur le substrat de base 110. Comme représentée sur les figures 2A, 2B, 3A et 3B, la reprise de contact peut être réalisée sur la deuxième couche de GaN dopée 112 (la prise de contact est représentée par une flèche sur les figures 2A, 2B, 3A et 3B). La reprise de contact peut être faite sur le fond des mésas, au niveau de la deuxième couche 112, ce qui permet d’utiliser l’étape de gravure pour réaliser également les prises de contact.
Il est également possible de prendre contact sur une des autres couches : sur la quatrième couche de (Al,In,Ga)N faiblement dopée 124, sur la troisième couche de (Al,In,Ga)N fortement dopée 123 ou sur la couche additionnelle de GaN fortement dopée 113. Dans le cas d’une reprise de contact sur couche fortement dopée, son ouverture sera, avantageusement, limitée à une zone préservée de l’électrolyte.
La zone de reprise de contact peut également être surmontée d’une couche métallique afin d’améliorer le contact pour la polarisation électrochimique. Ce contact pourra être retiré après la porosification avant la reprise d’épitaxie.
La contre-électrode 500 est en un matériau électriquement conducteur, comme par exemple un métal de grande surface développée et inerte à la chimie de l’électrolyte tel qu’un grillage en platine.
Lors de l’étape c), les électrodes sont plongées dans un électrolyte, aussi appelé bain électrolytique ou solution électrolytique. L’électrolyte peut être acide ou basique. L’électrolyte est, par exemple, de l’acide oxalique. Il peut également s’agir de KOH, HF, HNO 3 , NaNO 3 ou H 2 SO 4 .
Lors de l’étape d), on applique une tension entre la structure 100 et la contre-électrode 500. La tension peut aller de 1 à 30V par exemple. De préférence, elle est de 5 à 15V, et encore plus préférentiellement de 6 à 12V, par exemple de 8 à 10V. La tension est choisie en fonction des taux de dopage des différentes couches, afin d’obtenir la sélectivité recherchée. Elle est appliquée, par exemple, pendant une durée allant de quelques secondes à plusieurs heures. La porosification est complète lorsqu’il n’y a plus de courant à potentiel imposé. A ce moment-là, toute la structure dopée est porosifiée et la réaction électrochimique s’arrête.
L’étape d’anodisation électrochimique peut être réalisée sous lumière ultra-violette (UV).
Avantageusement, la porosification a lieu dans tout le volume de la troisième couche de GaN fortement dopé 123.
A l’issue de l’étape de porosification, le taux de porosité de la troisième couche de GaN fortement dopée 123 est, avantageusement, d’au moins 10%. Il va de préférence de 25% à 70%, de préférence de 25% à 50%, par exemple 45% 50%.
La plus grande dimension (la hauteur) des pores peut varier de quelques nanomètres à quelques micromètres. La plus petite dimension (le diamètre) peut varier de quelques nanomètres à une centaine de nanomètres, en particulier de 30 à 70nm.
est un cliché obtenu au microscope optique en fond noir de mésas (Al,In,Ga)N/(Al,In,Ga)N de 3µm de largeur (à gauche) et de mésas (Al,In,Ga)N/(Al,In,Ga)N de 5µm de largeur (à droite), en vue de dessus, après l’étape de porosification selon différents modes de réalisation particuliers de l’invention ; le cliché est pris au niveau du centre des structures.
sont des clichés obtenus au microscope électronique à balayage d’une mésa (Al,In,Ga)N/(Al,In,Ga)N porosifiée selon un mode de réalisation particulier de l’invention.
sont des simulations représentant les densités de courant dans une structure comprenant des mésas (Al,In,Ga)N/(Al,In,Ga)N lors d’une étape de porosification à 12V, selon un mode de réalisation particulier de l’invention.
Bien que cela ne soit aucunement limitatif, l’invention trouve particulièrement des applications dans le domaine des micro-écrans couleurs, et plus particulièrement pour la fabrication des pixels rouge vert bleu. Cependant, elle pourrait être utilisée dans le domaine du photovoltaïque ou encore de l’électrolyse de l’eau (« water splitting ») puisque, d’une part, l’InGaN absorbe dans tout le spectre visible et que, d’autre part, ses bandes de valence et de conduction sont autour du domaine de stabilité de l’eau, condition thermodynamique nécessaire à la réaction de décomposition de l’eau. L’invention peut également être intéressante pour la fabrication de LED ou de laser émettant à grande longueur d’onde.
Le procédé est particulièrement intéressant pour fabriquer des structures comprenant des mésas (Al,In,Ga)N/(Al,In,Ga)N porosifiées ayant, notamment, un pas inférieur à 30 µm.
Par (Al,In,Ga)N, on entend AlN, AlGaN, InGaN ou GaN. Par la suite, on fait plus particulièrement référence à du GaN poreux, mais avec un tel procédé, il est possible d’avoir, par exemple, de l’InGaN ou du AlGaN poreux. La couche dense en InGaN (en compression) ou la couche dense en AlGaN (en tension) va se relaxer grâce à une structure poreuse quelle que soit sa composition.
Le procédé de porosification de mésas 120 de (Al,In,Ga)N/(Al,In,Ga)N comprend les étapes suivantes :
a) fournir une structure 100 comprenant un substrat de base 110 recouvert de mésas 120 (Al,In,Ga)N/(Al,In,Ga)N (figures 2A, 2B, 3A, 3B),
le substrat de base 110 comprenant successivement :
- éventuellement une couche tampon en (Al,Ga)N, notamment dans le cas d’une couche support 114 en silicium,
- une première couche de GaN non dopée 111,
La couche support 114 a, par exemple, une épaisseur allant de 250µm à 2mm. L’épaisseur dépend de la nature de la couche support 114 et de ses dimensions. Par exemple, pour une couche support en saphir de 2 pouces de diamètre, l’épaisseur peut être de 350 µm. Pour une couche support en saphir de 6 pouces de diamètre, l’épaisseur peut être de 1,3mm. Pour une couche support en silicium de 200mm de diamètre, l’épaisseur peut être 1mm.
Dans le cas d’une couche support 114 en silicium, une couche tampon (‘buffer’) en (Al,Ga)N est, avantageusement, interposée entre la couche support 114 et la couche nid GaN 111.
La première couche 111 est une couche en GaN nid. C’est une couche non intentionnellement dopée (nid) pour ne pas être porosifiée. Par GaN non intentionnellement dopée, on entend une concentration inférieure à 5 e 17at/cm 3 .
La première couche 111 en GaN nid a, par exemple, une épaisseur allant de 500nm à 5µm. Avantageusement, son épaisseur est entre 1 et 4 µm pour absorber les contraintes liées au désaccord de maille entre le GaN et le substrat.
La deuxième couche 112 est une couche en GaN dopée. Par GaN dopée, on entend une concentration supérieure à 5.10 17 at/cm 3 , de préférence supérieure à 10 18 at/cm 3 , de préférence entre 1.10 18 at/cm 3 et 5.10 18 at/cm 3 .
La deuxième couche 112 en GaN a, par exemple, une épaisseur allant de 200nm à 1µm, préférentiellement entre 400 et 700nm. Elle doit être suffisamment électriquement conductrice pour pouvoir réaliser une reprise de contact sur cette couche lors de l’étape d’anodisation électrochimique. L’épaisseur minimale varie en fonction du taux de dopage. Cette couche électriquement conductrice est électriquement connectée au générateur de tension ou de courant.
La troisième couche 123 est une couche de GaN fortement dopée. Par GaN fortement dopée, on entend une concentration supérieure à 5.10 18 at/cm 3 , de préférence supérieure à 8.10 18 at/cm 3 , voire supérieure à 10 19 at/cm 3 . Elle a, par exemple, un dopage dix fois plus élevé que la deuxième couche 112. Elle a une épaisseur comprise entre 200nm et 2 µm. De préférence de 500 nm à 1µm.
La quatrième couche 124 est une couche (Al,In,Ga)N non intentionnellement dopée ou faiblement dopée. Par (Al,In,Ga)N faiblement dopé, on entend un dopage entre 5.10 1 7 at.cm 3 et 2.10 18 at. cm 3 . Par non dopée, on entend un taux de dopage inférieur à 5 e 17at/cm 3 .
Il peut s’agir d’une couche en AlN, AlGaN, InGaN ou GaN. Elle a par exemple une épaisseur entre 10nm et 200nm, de préférence entre 50 et 200nm. Le dopage est suffisamment faible de manière à ce que cette couche soit électriquement isolante. Elle n’est pas porosifiée lors de l’étape d).
Cette couche 124 n’est pas ou peu impactée par la porosification et sert de germe pour une reprise de croissance. Cette couche 124 est continue pour assurer la qualité de la couche répitaxiée, d’une couche d’(In,Ga)N par exemple, sur la structure.
La couche additionnelle 113 a une épaisseur comprise, par exemple, entre 500nm à 5 µm, de préférence entre 1µm et 5µm. De préférence, elle a une concentration de dopage supérieure à 8.10 18 at.cm 3 , voire supérieure à 10 19 at.cm 3 , par exemple de 1,5. 10 19 at.cm 3 . La couche additionnelle 113 en GaN fortement dopée peut avoir un dopage identique ou différent de celui de la troisième en couche en GaN fortement dopée. La couche additionnelle 113 en GaN fortement dopée peut avoir une épaisseur identique ou différente de celle de la troisième en couche en GaN fortement dopée. De préférence, elle a une épaisseur supérieure à celle de la troisième couche pour assurer une bonne mobilité des charges.
Les dopages des différentes couches précitées, et notamment de la deuxième couche 112, de la troisième couche 123 et de la couche additionnelle 113, seront choisis en fonction de la tension appliquée lors de la porosification.
En particulier, ils seront choisis à partir de l’« abaque » de la . Cet « abaque » permet de définir les taux de dopage respectifs pour qu’à potentiel donné, il y ait une sélectivité entre la zone fortement dopée et la zone faiblement dopée. Pour un potentiel donné, le taux de dopage de la deuxième couche 112 doit se situer dans la région A pour que la deuxième couche 112 ne soit pas porosifiée lors de l’étape d) et le taux de dopage de la troisième couche 123 doit situer dans la région B pour que la troisième 123 soit porosifiée lors de l’étape d).
Par la suite, on décrit un dopage de type n, mais il pourrait s’agir d’un dopage de type p.
A titre illustratif et non limitatif, selon une variante de réalisation, la structure 100 peut comprendre :
- un substrat de base 110 comprenant successivement : une couche support 114 en saphir ou en silicium, éventuellement une couche tampon en (Al,Ga)N, une première couche 111 de GaN non dopée de 4µm, une première partie 112a de la deuxième couche 112 de GaN dopée de 500nm (1.10 18 at/cm 3 ),
ENSEMBLE POCHE ET CONTENEUR POUR STOCKER UN PRODUIT FLUIDE ET DISPOSITIF DE STOCKAGE ET DE DISTRIBUTION DU PRODUIT FLUIDE DOMAINE DE L'INVENTION La présente invention porte généralement sur un ensemble poche et conteneur pour le stockage d’un produit fluide, par exemple sous forme liquide ou pâteuse, en particulier un produit cosmétique. La présente invention porte également sur un dispositif de stockage et de distribution du produit fluide comprenant l’ensemble conteneur.
CONTEXTE Des dispositifs de stockage et de distribution d’au moins un produit fluide, notamment cosmétique, ont été développés. Généralement, le dispositif comprend un conteneur pour contenir le produit cosmétique et des composants pour distribuer le produit cosmétique à partir du conteneur et le décharger.
Par exemple, un distributeur de produits cosmétiques est connu sous US10661290B2. Le distributeur comprend une tête de distribution et deux conteneurs disposés dans une enveloppe extérieure du distributeur. La tête de distribution comprend deux saillies en forme de mandrin qui peuvent pousser les vannes de remplissage en position ouverte. CN214711061U divulgue un flacon de produit cosmétique avec des composants de distribution réutilisables et un conteneur. Les composants de distribution peuvent être détachés du conteneur pour être réutilisés.
Certains produits se détériorent facilement lorsqu’ils sont mis en contact avec l’air. Par exemple, certains produits cosmétiques sont sujets à l’oxydation avec l’oxygène dans l’air et/ou à l’hydrolyse avec l’eau ou l’humidité dans l’air. De plus, une fois exposé à l’air, un produit est susceptible d’être contaminé par des contaminants ou des débris qui peuvent être contenus dans l’air. Par conséquent, dans certains cas, il est important d’éviter que les produits cosmétiques soient exposés à l’air, par exemple, l’air retenu dans le conteneur ou dans l’environnement, avant utilisation.
De plus, la fourniture de composants réutilisables est avantageuse car elle permet de fournir un dispositif plus respectueux de l’environnement et de réduire les coûts. Un dispositif de stockage et de distribution d’au moins un produit fluide ayant une pièce facilement remplaçable est souhaité. Afin d’offrir une bonne expérience utilisateur, une procédure de remplacement ne devrait pas nécessiter beaucoup d’efforts.
En référence aux figures 5 ou 6, qui montrent deux variantes, et la , on peut voir que l’étape suivante consiste à faire se rapprocher le mandrin 3 portant l’étiquette 4 et l’emballage 2 porté par le mandrin 1, jusqu’à mettre en contact la face 40 de l’étiquette 4 avec la paroi 21 de l’emballage 2.
L’approche est réalisée latéralement par un mouvement de pivotement, , ou de translation rectiligne, . On notera d’autre part que le déplacement est relatif, il peut être réalisé au travers de l’un ou l’autre des mandrins 1 et 3.
En référence à la , on peut voir que la mise en rotation des deux mandrins 1 et 3 permet le transfert de l’étiquette du mandrin 3 sur l’emballage 2, tandis qu’un moyen de diffusion de chaleur 5 active le thermoscellage de la face 40 appliquée sur la paroi 21 de l’emballage 2, laissant visible la face informative et de décor 41.
Il est à noter qu’un seul des deux mandrins 1 et 3 peut être motorisé tandis que l’autre est entraîné par le premier.
Sur la , on peut voir la dépose de l’emballage 2 sur la paroi 21 duquel est solidarisée l’étiquette 4.
Sur les figures 10 et 11, on peut voir le second mode de réalisation du procédé selon l’invention utilise en partie le même outillage que le premier mode de réalisation, à savoir un mandrin 1, monté axialement pivotant sur un arbre 10, de forme adaptée à celle d’un emballage 2 qui comporte un fond 20 et une paroi périphérique tronconique 21. La première étape est identique, elle consiste également à adapter l’emballage 2 sur le mandrin 1.
Sur la , on peut voir qu’après dépilage de l’étiquette 4, celle-ci est solidarisée à la paroi 21 de l’emballage 2, face informative 41 vers l’extérieur, par la mise en rotation du mandrin 1, après avoir solidarisée ponctuellement l’étiquette 4 à la paroi 21, la solidarisation ponctuelle de l’étiquette 4 à la paroi 21 est réalisée, non limitativement, par poinçonnage, dont on peut voir les marques 6.
En référence à la , on peut voir le mandrin 7 du moyen D d’application et de solidarisation d’une étiquette, en l’occurrence de forme analogue à l’emballage, du moins de même angle de conicité, et qui incorpore des moyens de chauffage conçus aptes à chauffer au moins la paroi extérieure tronconique 70.
L’étape suivante consiste à rapprocher le mandrin 1 portant l’emballage 2 et le mandrin 7, selon une cinématique similaire à celle du premier mode de réalisation et représentée sur les figures 5 ou 6.
Sur la le mandrin 7 et le mandrin 1 portant l’emballage 2 sont rapprochés jusqu’à ce que la paroi 70 vienne au contact de la paroi 21, non visible, portant l’étiquette 4, puis par la mise en rotation de l’un ou l’autre des mandrins ou bien des deux, le mandrin 7 transmet sa chaleur à l’étiquette 4 et plus particulièrement à la colle de la face 40, également non visible, de cette dernière afin de réaliser le thermoscellage.
Il suffit après cela de déposer l’emballage 2, avant de recommencer le processus, comme cela est représenté sur la 5.
Comme indiqué ci-dessus, il existe des cycles de décharge normalisés pouvant être appliqués à la batterie d'un véhicule électrique (il existe les cycles WLTC pour les véhicules de classe 1, classe 2, classe 3A, classe 3B). Pour un véhicule électrique, un cycle de décharge normalisé est notamment adapté pour faire parcourir au véhicule un nombre déterminé de km sur une durée déterminée. A titre d'exemple, le cycle normalisé pour un véhicule de classe 3A est le suivant : Une température de départ de 14°C ; Une vitesse moyenne de 46 km/h ; Une durée de test de 30 minutes ; Une distance parcourue lors de l’essai de 23 km ; Une pointe de vitesse qui atteint 130 km/h ; Un temps à l’arrêt qui représente 13 % du temps total du cycle ;
Actuellement, dans les méthodes en vigueur, on applique un nombre N de cycles de décharge qui est suffisant pour que la batterie BATT soit complètement déchargée. Dans le cadre de l'invention, l'objectif est de n'appliquer qu'un seul cycle de décharge et au maximum que N-1 cycles de décharge lorsque N est strictement supérieur à 1. Donc, idéalement, on n'applique qu'un seul cycle de décharge normalisé et on obtient alors une décharge partielle de la batterie jusqu'à un état de charge SOC_t3 égal à Y% (Y étant alors non nul).
Etape E5 : Lors de l'étape E4 de décharge de la batterie, par application du cycle de décharge normalisé, l'unité de commande et de traitement peut acquérir des mesures de courant et de tension au niveau de la batterie BATT, via les moyens de mesure 4.
L'unité de commande et de traitement peut ainsi calculer l'énergie réelle pour faire le profil de décharge (par exemple un seul cycle de décharge normalisé) de la batterie : Ecycle_dch
Il faut noter que cette étape est optionnelle car cette grandeur Ecycle_dch n'est pas forcément utile dans la détermination de l'autonomie maximale de la batterie (voir formule ci-dessous). Dans le cas où elle serait disponible, elle pourrait cependant être utilisée dans le calcul du rendement électrique de la batterie (voir étape E9 ci-après).
Etape E6 : On active la borne de recharge 3 pour recharger à nouveau la batterie BATT jusqu'à un état de charge SOC_t4 égal à 100%. L'activation de la borne de recharge 3 peut être commandée par l'unité de commande et de traitement UC. Cette recharge peut être réalisée en dehors du banc de test, à condition de ne pas consommer d'énergie pour déplacer le véhicule.
Etape E7 : Lors de l'étape E6 de recharge de la batterie, l'unité de commande et de traitement UC acquière des mesures de courant et de tension au niveau de la batterie BATT, ou en amont de la batterie, par exemple au niveau de la borne de recharge, via les moyens de mesure 4.
L'unité de commande et de traitement UC peut ainsi calculer l'énergie réelle pour recharger la batterie jusqu'à 100% : Ecycle_cha
Etape E8 : L'unité de commande et de traitement UC peut ainsi déterminer l'autonomie maximale de la batterie BATT, référencée Autonomie_batt. La formule est la suivante :
Dans laquelle : correspond au nombre d'unités de service du cycle de décharge normalisé appliqué ; correspond au nombre de cycles de décharge normalisé appliqués à l'étape E4 ;
Pour un véhicule électrique, la formule sera plus particulièrement la suivante :
Dans laquelle : correspond au nombre de kilomètres du cycle de décharge normalisé appliqué ;
Etape E9 : Comme indiqué ci-dessus, il est également possible de déduire le rendement électrique de la batterie, à l'aide de la formule suivante :
Dans laquelle : Ecycle_dch a été déterminée lors de l'étape E5 décrite ci-dessus ; Ecycle_cha a été déterminée lors de l'étape E7 décrite ci-dessus ;
On comprend cependant que le calcul du rendement électrique de la batterie nécessite de connaître la grandeur Ecycle_dch, ce qui implique la présence de moyens de mesure des paramètres tension et courant, au plus proche de la batterie, idéalement dans l'appareil électrique dont la batterie est à caractériser.
Il faut noter que lorsqu’une batterie vieillit, elle perd de la capacité et sa résistance électrique interne augmente. La méthode décrite permet de mesurer la perte de capacité, mais ne tient pas compte de l’augmentation de la résistance interne de la batterie BATT.
La partie cylindrique 44 est configurée pour être montée dans le logement 41 du corps principal 4A. En particulier, une dimension externe, par exemple un diamètre externe de la partie cylindrique 44 correspond à une dimension interne, par exemple un diamètre interne, du logement 41. Il est ainsi aisé de monter le corps auxiliaire 4B correspondant aux dimensions désirées dans le corps principal lors de l'assemblage du dispositif de déport 3.
Avantageusement, la partie cylindrique 44 présente une surface externe texturée, par exemple une vue en coupe de la partie cylindrique présente une forme polygonale, afin de connecter le corps auxiliaire et le corps principal par liaison par insertion de forme ou par liaison par insertion en force.
Le corps auxiliaire 4B comprend en outre un épaulement inférieur 45, configuré pour coopérer en butée avec l'extrémité inférieure du logement 41. Ainsi, lorsque l'organe de fixation 4 est monté sur le gond 20, l'épaulement 45 est placé entre le corps principal 4A et le gond 20 afin d'isoler thermiquement le gond 20 du corps principal 4A (voir ).
En référence à la , l'organe anti-rotation 6 présente une forme sensiblement en L afin de définir deux zones de montage : une première zone de montage est configurée pour être fixée à l'organe de support 5 et à l'organe de fixation 4, et une deuxième zone de montage est configurée pour être fixée au mur extérieur 2.