INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Dans un procédé de fabrication typique de ce type de pièce en CMC ou CMO, un renfort fibreux est tissée à l’aide de fibres en carbone ou en céramique, par exemple en carbure de silicium (SiC).
Dans le cas d’un CMC, la renfort fibreux est ensuite mis en forme dans un moule puis une interphase est déposée à la surface des fibres céramiques, par un procédé CVI ( Chemical Vapor Infiltration ) par exemple.
Dans un second temps, une barbotine comprenant des particules céramiques, par exemple de SiC, en suspension dans un solvant, est injectée dans le renfort fibreux. Une fois le solvant éliminé par séchage, les particules céramiques ainsi déposées subissent un traitement thermique qui permet d’obtenir une pièce intermédiaire possédant une certaine porosité.
Une étape de densification est alors réalisée par infiltration puis solidification d’un matériau de densification liquide, en général du silicium liquide, dans la pièce intermédiaire.
Le renfort fibreux utilisé est réalisé par tissage de fibres en trois dimensions en général au moyen d’un métier à tisser du type Jacquard® par exemple. Ce renfort fibreux a une forme brute qu’il convient de travailler. Pour cela, une première étape de découpe « traversante » du contour périphérique du renfort fibreux intervient. Cette découpe périphérique est réalisée par laser et permet de découper de manière nette le contour périphérique du renfort fibreux et supprimer ainsi les extrémités des fibres qui ont tendance à foisonner.
Pour la fabrication de pièces à géométrie complexe, le renfort fibreux comprend en général une superposition de couches, ces couches étant séparées les unes des autres mais toujours solidaires les unes des autres. Ces couches sont destinées par exemple à être positionnées dans le moule de façon à définir des zones particulières de la pièce telles qu’une plateforme d’aube par exemple.
Une seconde étape de découpe « non traversante » du renfort fibreux intervient et consiste à découper une partie des couches de cette superposition de couches. Les couches ont au départ les mêmes dimensions et cette étape de découpe permet de découper une partie des couches pour qu’elles aient des dimensions différentes des autres couches de la superposition.
Dans la technique actuelle, cette opération très délicate est réalisée manuellement au moyen d’une paire de ciseaux 10 (cf. ). C’est donc un opérateur qualifié qui découpe chaque couche 12 à découper du renfort fibreux 16, les unes après les autres, en faisant attention de ne pas découper les couches 14 du renfort fibreux 16 qui doivent être conservées intactes.
Cette opération demande une grande précision et est donc longue et complexe. Par ailleurs, elle ne permet pas d’assurer une bonne reproductibilité des découpes et une industrialisation du procédé de fabrication du renfort fibreux.
La présente invention a pour but d’apporter une solution à ce problème, qui est simple, efficace et économique.
L'invention concerne un procédé de découpe d’un renfort fibreux pour la réalisation d’une pièce en matériau composite, le renfort fibreux comportant une superposition de couches qui sont séparées les unes des autres et solidaires les unes des autres, ce procédé comprenant les étapes suivantes :
b) découper des couches de ladite superposition de couches, le nombre de couches découpées étant inférieur au nombre total de couches de cette superposition de couches,
caractérisé en ce que l’étape b) comprend les deux sous-étapes suivantes :
L’étape a) peut comporter une application de différents courants prédéterminés à travers la piste conductrice de chauffage.
Chaque piste conductrice, de chauffage et/ou de détection, peut être formée par un fil ou une bande de matériau conducteur.
Selon une possibilité, la phase de calibration comporte : i) obtention d’un signal de détection lors de chaque exposition du capteur de gaz à un ensemble de concentrations connues de chaque espèce gazeuse ; ii) constitution d’une matrice à l’aide des signaux de détection obtenus lors de l’étape i) ; iii) pour chaque espèce, formation d’un vecteur, comportant les concentrations de l’espèce gazeuse dans chacun des +1 ensembles de concentrations ; iv) calcul ou estimation d’un vecteur, de facteurs de pondération associés à chaque espèce gazeuse, ledit vecteur correspondant à un produit matriciel entre l’inverse de la matrice résultant de l’étape ii) et le vecteur résultant de l’étape iii).
peut être égal à 2.
Le gaz peut être de l’air ambiant, les espèces gazeuses mesurées étant le CO 2 et l’humidité.
Selon une possibilité: au cours de la phase de calibration, la concentration de chaque espèce gazeuse varie entre une concentration minimale et une concentration maximale ; la fonction de calibration définie pour chaque espèce gazeuse est valide entre ladite concentration minimale et ladite concentration maximale.
Un deuxième objet de l’invention est un capteur de gaz, comportant un élément sensible: configuré pour être disposé au contact du gaz, et pour être chauffé par une piste conductrice de chauffage, la température de l’élément sensible dépendant de la conductivité thermique du gaz et d’un courant traversant la piste conductrice de chauffage; un circuit de mesure d’une température de l’élément sensible, ladite température dépendant de la conductivité thermique du gaz ; le capteur de gaz étant configuré pour porter l’élément sensible à différentes températures et pour générer un signal de détection à chaque température, le signal de détection étant représentatif de la conductivité thermique du gaz à ladite température; le capteur de gaz étant relié à une unité de traitement, configurée pour mettre en œuvre l’étape c) d’un procédé selon le premier objet de l’invention.
L’élément sensible peut être une membrane. La piste conductrice de chauffage peut être un fil électriquement conducteur.
Le circuit de mesure de la température de l’élément sensible est un circuit de mesure de la résistance d’une piste électrique de détection traversant l’élément sensible.
Un troisième objet de l’invention est un système de mesure comportant plusieurs capteurs de gaz selon le deuxième objet de l’invention.
Selon une possibilité, au moins un capteur de gaz est exposé à un gaz de référence, dont la composition est connue, et au moins un capteur de gaz est exposé à un gaz dont la teneur en au moins une espèce gazeuse est inconnue.
Selon une possibilité, le système de mesure comporte quatre capteurs de gaz selon le deuxième objet de l’invention agencés en pont de Wheatstone, de telle sorte que deux capteurs opposés sont exposés au gaz de référence et deux autres capteurs opposés sont exposés au gaz dont la teneur en au moins une espèce gazeuse est inconnue.
FIGURES La représente un exemple de capteur selon l’invention.
La schématise les principales étapes de traitement de signaux de détection résultant d’un capteur à conduction thermique.
La schématise un montage expérimental.
On suppose que, dans une phase préliminaire, mais postérieure à toute éventuelle modification de l’agencement intérieur de l’espace 1, on réalise, au cours d’une étape « INIT. » référencée E1, une cartographie de l’espace 1, éclairé par le champ lumineux structuré spatialement de l’émetteur Tx. Cette cartographie consiste à capter, au moyen des différents capteurs Rx1 à Rx4, une image de l’espace 1 obtenue en réponse à l’émission du champ lumineux par l’émetteur Tx : cette image permet de mémoriser la façon dont les signaux optiques sont rayonnés dans les différents secteurs de l’espace 1, en fonction de leur longueur d’onde, et des capacités d’absorption et de diffusion des différents matériaux présents dans chacun des secteurs de l’espace 1.
Cette image initiale peut être mémorisée dans une mémoire M (non représentée) par le processeur auquel sont connectés le ou les émetteur(s) Tx et le ou les capteur(s) Rx, en association avec la structure du champ lumineux émis par le ou les émetteur(s) Tx lors de cette étape E1. On connaît ainsi la longueur d’onde et l’intensité des signaux optiques émis dans chacun des secteurs de l’espace 1, ainsi que les caractéristiques des signaux rayonnés captés par chacun des capteurs Rx1 à Rx4. Cette cartographie correspond à la signature optique de l’espace 1 en l’absence de toute présence humaine ou animale.
Dans la mesure où l’espace surveillé peut être fréquemment réorganisé et où les matériaux qui y sont présents peuvent être de natures différentes, une nouvelle cartographie est de préférence établie à chaque réorganisation de la partie surveillée de l’espace.
Pour établir cette ou ces cartographies lors de l’une des itérations de l’étape E1, on procède à un éclairement séquentiel de la scène avec le jeu des différentes valeurs de longueurs d’ondes et des différentes valeurs d’intensité qui seront ensuite utilisées, en les jouant aussi en séquence suivant les différents secteurs et en les captant simultanément sur tous.
Cela permet de tenir compte notamment des effets de réflexion et de réfraction sur les surfaces, d’un secteur à l’autre.
Cette séquence d’initialisation peut être rapide, si l’on prend comme période fixe de variation des signaux la plus petite période de temps permettant leur acquisition par les capteurs et leur mémorisation.
Lors d’une étape référencée E2, et notée Tx( , Ii), on émet, depuis une ou plusieurs sources Tx, un champ lumineux structuré spatialement, c’est-à-dire dont les caractéristiques de luminosité et de longueur d’onde diffèrent d’un secteur à l’autre du champ lumineux, de façon-à-ce qu’une combinaison longueur d’onde/niveau (palier) de luminosité soit affectée à un seul secteur à un moment donné. Dans un mode de réalisation, ces caractéristiques varient également dans le temps suivant une périodicité ou une pseudo-périodicité définie. Dans un mode de réalisation alternatif ou complémentaire, tout ou partie des signaux Si( , I i ) sont en outre codés. Ce codage est effectué par le processeur. Il peut être différent pour chacun des secteurs. Il peut également varier dans le temps selon la même périodicité que les caractéristiques des signaux, ou selon une périodicité différente (par exemple, deux fois plus souvent, ou deux fois moins souvent).
Lors d’une étape référencée E3, et notée Rx( , I’ i ), on capte une image de l’espace 1 éclairé par le champ lumineux Si( , I i ) avec une sensibilité aux longueurs d’onde couvrant au moins celles de l’éclairement et une définition suffisante pour distinguer entre eux les différents secteurs d’éclairement. Cette captation d’image est opérée par un ou une pluralité de capteurs Rxi situés dans un ou plusieurs emplacements spatiaux autres que celui de l’émetteur lumineux Tx.
Au cours d’une étape référencée « ASSO. » E4, mise en œuvre à chaque captation de la scène d’image, le processeur établit la carte des associations entre les secteurs de l’image et les secteurs de l’éclairement, par le truchement des associations longueur d’onde/luminosité. Il rapproche ainsi les signaux rayonnés captés par chacun des récepteurs Rxi lors de l’étape E3, des signaux rayonnés attendus, qui sont déterminés par le processeur à partir de la cartographie initiale de l’espace 1 établie lors de l’étape référencée E1 et de la connaissance de la structuration du champ lumineux émis par l’émetteur Tx lors de l’étape E2.
Cette connaissance de la structuration du champ lumineux prend ainsi en compte pour un secteur donné l’effet de l’éclairement éventuel de ce secteur additionné à celui des réflexions et réfractions lumineuses sur les éléments des autres secteurs de l’espace surveillé.
Ainsi, quand on initialise la carte (étape E1), on éclaire en séquence chaque secteur avec différentes intensités et longueurs d’ondes lumineuses, et on enregistre alors à chaque fois l’éclairement sur tous les secteurs. Plus tard, quand on éclaire simultanément plusieurs secteurs avec des intensités et des longueurs d’ondes différentes, on compare (étape E4) les éclairements captés lors de l’étape E3à celui attendu par l’addition des effets unitaires des différents signaux émis.
Lors d’une étape « DETECT. » référencée E5, le processeur vérifie si cette carte d’association : - est cohérente et en phase avec les variations de longueur d’onde et de luminosité de la modulation lumineuse émise,
- varie significativement ou non d’une captation de scène à l’autre.
Dans l’un ou l’autre de ces cas, il s’agit peut-être d’une situation d’intrusion dans l’espace 1, et le système de surveillance volumétrique peut générer une alarme au cours d’une étape « ALERT. » référencée E6.
Si aucune anomalie n’est détectée au cours de l’étape E5, une nouvelle captation de scène est effectuée quelques instants plus tard, après éventuelle modification de la structuration du champ lumineux émis par le ou les émetteur(s) Tx. Dans le cas où les caractéristiques des signaux optiques émis varient dans le temps suivant une périodicité ou une pseudo-périodicité définie, les étapes référencées E3 et E4 sont itérées avec la même périodicité ou pseudo-périodicité.
On présente désormais, en relation avec la , la structure matérielle d’un système de surveillance volumétrique selon un mode de réalisation de l’invention.
On comprend que le réglage de la douille en orientation et le réglage en translation du capteur de distance 6 constituent des moyens agencés pour modifier l’incurvation de la surface de montage, qui est, ici par exemple, définie par les parties actives des capteurs de distance 6.
Le support de capteurs 3 peut alternativement être formé d’un treillis comportant des bielles 7.2, notamment des bielles 7.2 articulées entre elles, et/ou de longueur réglable pour permettre de modifier la forme de la surface de montage pour l’adapter à différents éléments optiques à mesurer. Alternativement, le bâti peut être mobile et le support d’élément optique être fixe.
Les bielles 7.2 peuvent être accrochées directement au bâti 2 et/ou au support de capteurs 3.
Le support de capteurs 3 peut être fixé au bâti 2 par d’autres modes de fixation que celui décrit. Par ailleurs, le support de capteurs 3 peut ne pas être suspendu au bâti 2 mais reposer sur celui-ci.
Le bâti 2 peut avoir une autre forme que celle décrite, notamment avoir une forme en berceau sur lequel repose le support de capteurs 3.
Le support d’élément optique 10 peut être monté sur un positionneur 11 comprenant moins de six axes de mobilité, voir sur un châssis dépourvu d’axe de mobilité.
Les capteurs de distance 6 montés sur un même support de capteurs 3 peuvent être de types différents.
Procédé de traitement de mesures d’un capteur à conduction thermique Le domaine technique de l’invention est la mesure d’un gaz par un capteur à conduction thermique.
ART ANTERIEUR Les détecteurs de gaz par conductivité thermique (TCD – Thermal conductivity detectors) sont couramment utilisés pour déterminer une concentration d’une espèce gazeuse dans un gaz porteur. Ce type de capteur permet de détecter ou encore d’estimer la concentration d’une espèce gazeuse dont la conductivité thermique est différente du gaz porteur. Par exemple, dans l’air, certaines espèces gazeuses, comme le méthane, ou l’hydrogène, ou le dioxyde de carbone, ou le butane, présentent une conductivité thermique différente de celle de l’air.
Il est usuel d’utiliser un capteur de mesure, exposé au gaz analysé, et un capteur de référence, exposé à un gaz de référence dont la conductivité thermique est connue. Le gaz analysé est le gaz de référence dans lequel une espèce gazeuse est susceptible d’être présente. On détermine la température du capteur de mesure et la température du capteur de référence. Si la conductivité thermique du gaz analysé est supérieure à celle du gaz de référence, la température du capteur de mesure diminue. Si la conductivité thermique du gaz analysé est inférieure à celle du gaz de référence, la température du capteur de mesure augmente. Les variations de températures dépendent de la concentration de l’espèce gazeuse dans le gaz analysé.
Des exemples de capteurs de gaz de type TCD sont décrits dans EP3118611 B1.
Les inventeurs proposent un capteur calibré de façon à pouvoir estimer simultanément les concentrations respectives d’au moins deux espèces gazeuses différentes.
Un premier objet de l’invention est un procédé d’estimation d’une concentration de espèces gazeuses dans un gaz, étant un entier supérieur ou égal à 2, le procédé mettant en œuvre un capteur de gaz, le capteur de gaz : comportant un élément sensible, disposé au contact du gaz, et configuré pour être chauffé par une piste conductrice de chauffage, la température de l’élément sensible dépendant de la conductivité thermique du gaz et d’un courant électrique de chauffage traversant la piste conductrice de chauffage; comportant un circuit de mesure, générant un signal de détection dépendant d’une température de l’élément sensible;
le procédé comportant les étapes suivantes : a) exposition de l’élément sensible au gaz et chauffage de l’élément sensible de façon à atteindre différentes températures ; b) pour chaque température, mesure d’un signal de détection et transmission du signal de détection à une unité de traitement; c) à partir des signaux de détection respectivement obtenus à chaque température, estimation d’une concentration en chaque espèce gazeuse; le procédé étant tel que l’étape c) comporte, pour chaque espèce gazeuse, une application d’une fonction de calibration, la fonction de calibration comportant une combinaison linéaire de termes, chaque terme dépendant du signal de détection respectivement mesuré à chaque température, chaque terme étant pondéré par un facteur de pondération; chaque facteur de pondération est préalablement déterminé au cours d’une phase de calibration, au cours de laquelle le capteur de gaz, ou un capteur de référence, représentatif du capteur de gaz, est successivement exposé à +1 ensembles de concentrations connues de chaque espèce gazeuse, l’élément sensible étant successivement porté aux températures lors de chaque exposition.
Selon une possibilité, l’élément sensible comporte une piste conductrice de détection, reliée au circuit de mesure. Le signal de détection dépend d’un courant de détection traversant la piste conductrice de détection. La piste conductrice de détection peut être confondue avec la piste conductrice de chauffage.
De façon usuelle, l’élément sensible est une membrane.
L’opérateur saisit à l’aide d’un instrument l’extrémité angulaire du premier morceau C1 de tissu cornéal pour le mettre dans le liquide de conservation ou le greffer directement sur le patient. Puis, il fera de même avec le second morceau C2 de tissu cornéal.
Les morceaux C1 et C2 ainsi obtenus sont parfaitement adaptés à la greffe selon la technologie DMEK, tout en facilitant les manipulations et en limitant leur nombre.
Exemple 2 : Utilisation d’un punch P selon le troisième ou le quatrième mode de réalisation de l’invention pour préparer un greffon DMEK
Les étapes 1 à 3 sont identiques à celles décrites dans l’exemple 1.
Etape 4 : Trépanation simultanée circulaire et de partition asymétrique.
L’assemblage du porte-lame 2 comprenant une lame périphérique 25 et une lame de partition 20 (tranchant 20.1 de la lame définissant un plan B) comme décrit dans le troisième mode de réalisation ou une lame périphérique 25 et une lame de partition 20 (tranchant 20.1 de la lame épousant la forme concave de la surface de support)comme décrit dans le quatrième mode de réalisation de l’invention) permet d’obtenir en une seule opération et simultanément deux morceaux de tissu cornéal C1, C2 découpés par la lame de partition 20 présentant les deux formes complémentaires du symbole connu du « yin » et du « yang » et inscrits dans le cercle découpé par la lame périphérique 25 selon une épaisseur au moins égale à la membrane Descemet.
A l’issue de cette étape, les morceaux C1, C2 de tissu cornéal ont les dimensions souhaitées en vue de la greffe.
Etape 5 : Prélèvement des morceaux de tissu cornéal C1, C2
Cette étape est identique à l’étape 6 décrite dans le premier exemple.
Il est précisé que l’opérateur utilisera la base avec ou sans dégagement selon le porte-lame choisi.
Ainsi, les morceaux de tissu cornéal C1 et C2 présentent des dimensions et une épaisseur égale à la membrane Descemet directement utilisable pour réaliser une greffe selon la technologie DMEK.
Ainsi, l’utilisation d’un punch comprenant un porte-lame selon l’un des modes de réalisation de l’invention décrits permet d’obtenir à partir d’un seul tissu cornéal, plusieurs greffons en limitant le nombre de manipulations tout en les rendant plus aisées. En effet, non seulement le tissu cornéal C n’est pas déplacé et est maintenu sur la surface de support de la base tout au long des étapes de découpe mais en plus la forme des morceaux de tissu cornéal comporte une extrémité formant un angle aigu ce qui permet d’orienter le greffon, d’en faciliter le déroulement si nécessaire et d’en améliorer le positionnement lors de la greffe. En outre, l’opérateur bénéficie d’une grande souplesse d’utilisation pour découper les greffons selon la qualité du tissu cornéal, sa pratique et la chirurgie prévue : utilisation d’un ou plusieurs porte-lames, avec lame de partition avec un tranchant dans le même plan ou avec un tranchant épousant sensiblement la forme du support ou avec lame périphérique et lame de partition avec un tranchant dans le même plan ou avec un tranchant épousant sensiblement la forme du support avec ou sans garde…
En particulier, la lame de partition est ici préformée en forme de S mais celle-ci peut être droite et déformée élastiquement avec un pointeau après sa mise en place dans le plot central 24.
La lame de partition peut également avoir d’autre forme et notamment une forme plane verticale.
Le porte-lame peut être pourvu de plusieurs lames de partition disposées en étoiles comme sur la , les lames de partition délimitant deux-à-deux des secteurs angulaires.
L’empilement 100 représenté sur la comporte également une troisième couche 108 disposée entre les premier et deuxième sous-empilements 121, 122.
Sur l’exemple de la , le premier sous-empilement 121 comporte quatre premières couches 104 et cinq deuxièmes couches 106, le deuxième sous-empilement 122 comporte cinq premières couches 104 et quatre deuxièmes couches 106.
Un procédé de réalisation de dispositifs microélectroniques à architecture 3D comprenant des transistors, mis en œuvre à partir de l’empilement 100 selon cette variante du deuxième mode de réalisation, est décrit ci-dessous en lien avec les figures 8 et 9.
L’empilement 100 tel que décrit ci-dessus en lien avec la est tout d’abord réalisé sur le substrat 102. Les différentes couches 104, 106 et 108 de l’empilement 100 peuvent être réalisées par épitaxie sur la face supérieure du substrat 102.
Comme dans les procédés précédemment décrits, des tranchées et/ou des cavités sont ensuite réalisées à travers au moins une partie de l’épaisseur de l’empilement 100 (à travers toute l’épaisseur de l’empilement 100 dans l’exemple décrit ici), de manière à ce que des portions restantes des différentes couches 104, 106 et 108 de l’empilement 100 forment des nanofils ou des nano-feuilles. Sur les figures 8 et 9, une partie de ces tranchées gravées sont désignées par la référence 124.
Une gravure sélective d’au moins une partie des portions restantes de la troisième couche 108, et de préférence de l’ensemble des portions restantes des troisièmes couches 108, est ensuite mise en œuvre, puis au moins un premier matériau diélectrique 126, par exemple du SiO 2 ou du SiN, est déposé dans des premiers espaces formés entre les sous-empilements 121, 122. Ce premier matériau diélectrique 126 est destiné à assurer une isolation électrique entre les sous-empilements 121, 122. La structure obtenue à ce stade du procédé est représentée sur la .
Une gravure sélective d’au moins une partie des portions restantes des deuxièmes couches 106 du premier sous-empilement 121, et de préférence l’ensemble des portions restantes des deuxièmes couches 106 du premier sous-empilement 121, est mise en œuvre postérieurement.