INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Tel que schématisé sur la , le système informatique 200 peut comporter, reliés par un bus de communication 210 : un processeur 201 ; une mémoire vive 202 ; une mémoire morte 203, par exemple de type ROM (« Read Only Memory » en langue anglo-saxonne) ou EEPROM (« Electrically-Erasable Programmable Read Only Memory » en langue anglo-saxonne) et un gestionnaire d’interfaces d’entrées-sorties 205.
Le processeur 201 est capable d’exécuter des instructions chargées dans la mémoire vive 202 à partir de la mémoire morte 203, d’une mémoire externe, d’un support de stockage (tel qu’une carte SD), ou d’un réseau de communication. Lorsque le système informatique 200 est mis sous tension, le processeur 201 est capable de lire de la mémoire vive 202 des instructions et de les exécuter. Ces instructions forment un programme d’ordinateur permettant l’implémentation, par le processeur 201, des procédés et étapes décrits ici.
Tout ou partie des procédés et étapes décrits ci-avant peut ainsi être implémenté sous forme logicielle par exécution d’un ensemble d’instructions par une machine programmable, par exemple un processeur de type DSP (« Digital Signal Processor » en langue anglo-saxonne) ou un microcontrôleur, ou être implémenté sous forme matérielle par une machine ou un composant dédié, par exemple un composant FPGA (« Field Programmable Gate Array » en langue anglo-saxonne ou ASIC (« Application-Specific Integrated Circuit » en langue anglo-saxonne). D’une manière générale, le système informatique 200 comporte de la circuiterie électronique adaptée et configurée pour implémenter, sous forme logicielle et/ou matérielle, les procédés et étapes décrits ci-avant.
Procédé de supervision d’un îlot de production Domaine technique de l’invention La présente invention concerne la supervision d’îlot de production comprenant une pluralité d’entités de production indépendantes et une interface homme-machine pour un opérateur.
Etat de la technique antérieure Généralement, un îlot de production comprend une pluralité d’unités de production indépendantes.
Un opérateur supervise l’ensemble de l’îlot.
Lorsqu’une des unités de production s’arrête suite par exemple à l’apparition d’une défaillance d’un organe de cette entité ou d’une rupture d’approvisionnement matière, l’opérateur est informé de cet arrêt par le déclenchement d’une alarme et cherche alors à résoudre la cause du déclenchement de l’alarme pour redémarrer l’unité de production.
Plusieurs alarmes peuvent apparaître simultanément sur plusieurs unités de production de l’îlot de sorte que l’opérateur reçoit alors un nombre conséquent d’informations de manière désordonnée, ce qui augmente sa charge mentale et peut créer de la désorganisation dans le choix des tâches à prioriser pour redémarrer les unités de production.
L’opérateur peut alors devenir moins efficace, ce qui rallonge la durée des arrêts de production.
Comme vu précédemment, l’invention porte aussi, en tant que tel, sur un procédé de configuration du calculateur 4 d’une installation domotique 100 ou du capteur domotique 151 ou de l’appareil domotique 3 ou du système de gestion 2, le calculateur embarquant le module 43 de logique à réseau de neurones artificiels. Ce procédé comprend des itérations de : - fonctionnement du réseau de neurones alimenté par des données de températures, et - fonctionnement d’un système de référence donnant en permanence l’état de fonctionnement (actif/inactif) du système 110 de chauffage et/ou de climatisation.
Pour chaque itération : - le fonctionnement du réseau de neurones fournit une probabilité d’état de fonctionnement du système 110 de chauffage et/ou de climatisation, et - le fonctionnement du système de référence fournit l’état de fonctionnement effectif du système 110 de chauffage et/ou de climatisation. En cas d’incohérence des résultats, par exemple si le système 110 de chauffage et/ou de climatisation est actif et si la probabilité de fonctionnement est inférieure à 60%, on en déduit que le réseau de neurones est mal configuré et on modifie en conséquence ses paramètres de fonctionnement, notamment par exemple des pondérations affectées à certains paramètres ou aux fonctions d’activation.
Ce procédé de configuration est par exemple mis en œuvre sur un modèle simulé du bâtiment où doit être ensuite utilisé le système de gestion et où doit être mis en œuvre le procédé de gestion.
En alternative, le procédé de configuration peut être mis en œuvre dans bâtiment de référence où a été installé le système de gestion exclusivement pour la réalisation de la configuration.
En alternative encore, le procédé de configuration peut être mis en œuvre dans modèle simulé d’un bâtiment de référence où l’on simule également la mise en place du système de gestion pour la réalisation de la configuration.
Procédé de contrôle d’un aéronef sans équipage L’invention concerne un procédé de contrôle d’un aéronef sans équipage comprenant la détermination d’une altitude de vol maximale autorisée pour une position au sol de l’aéronef. L’invention concerne également un aéronef sans équipage, en particulier un aéronef du genre avion sans équipage, comprenant une unité de commande configurée pour mettre en œuvre le procédé selon l’invention.
Entre autres, la réglementation européenne impose une séparation de l’espace aérien entre les aéronefs sans équipage et les autres aéronefs. Notamment, les règlements d’exécution (UE) 2019/947 et 2019/945 de l’Union Européenne imposent un espace aérien aux aéronefs sans équipage opérant en catégorie « ouverte ». L’espace aérien autorisé est défini par une distance au sol maximale autorisée, par exemple 150 ou 120m. Par distance au sol, on entend la distance la plus courte entre l’aéronef sans équipage et le sol. La distance au sol ne se confond pas forcément avec la hauteur par rapport au sol, autrement dit la hauteur suivant une verticale. Ceci est particulièrement vrai lorsque le sol présente un dénivelé. Ainsi selon ces réglementations, les aéronefs sans équipage opérant en catégorie ouverte doivent par exemple avoir une distance au sol inférieure à 120m. Cette définition autorise dans les faits une hauteur de vol à la verticale du sol supérieure à 120m. Par exemple, avec un dénivelé au sol de 45°, une distance au sol maximale de 120m permet d’avoir une hauteur verticale maximale de 170m. La limite verticale, définie par cette hauteur verticale maximale, évolue donc avec le dénivelé, ce qui permet par exemple de réaliser des opérations à proximité des falaises. Bien que la distance au sol maximale puisse être constante sur un parcours de vol d’un aéronef sans équipage, la hauteur verticale autorisée peut donc varier en fonction de la topologie du terrain, notamment de son dénivelé.
Typiquement, avant leur vol, certains aéronefs sans équipage doivent faire l’objet d’une analyse du plan de vol qui est déclarée aux autorités. Une telle analyse est notamment connue sous le terme SORA pour l’anglais « Specific Operation Risk Assessment ». Elle comprend entre autres, les distances au sol maximales autorisées sur ce vol. La publication de demande de brevet FR3074347A1 décrit la prise en compte de plusieurs paramètres, notamment de la distance au sol maximale, lors d’un vol d’un aéronef sans équipage. Cependant il ne décrit pas comment déterminer la hauteur verticale maximale autorisée en cours du vol.
On connait cependant un procédé de détermination de la hauteur verticale maximale autorisée pour un aéronef sans équipage. La présente un schéma explicatif de ce procédé. Selon ce procédé, l’aéronef sans équipage A connait une limite verticale de vol LA définie par une hauteur verticale par rapport au sol S ayant pour valeur la distance au sol maximale autorisée H. Un tel procédé a l’avantage d’être simple. Cependant, dans les zones à fort dénivelé, il en résulte un décalage h avec la limite verticale théorique LS, obtenue suivant les prescriptions des régulations. C’est cette limite théorique LS, ou limite SORA, qui est déclarée aux autorités. La limite verticale de vol LA obtenue avec le procédé de l’art antérieur est alors inférieure à celle autorisée pour l’aéronef sans équipage A. Cela peut être particulièrement désavantageux, en ce qu’il réduit l’espace aérien disponible pour l’aéronef sans équipage A.
Il est donc recherché un procédé de contrôle d’un aéronef sans équipage permettant d’obtenir, en cours de vol, une hauteur de vol maximale la plus grande possible compte tenu d’une distance au sol maximale autorisée.
A cet effet, l’invention propose un procédé de contrôle d’un aéronef sans équipage comprenant la détermination d’une altitude de vol maximale pour une position au sol de l’aéronef, ledit procédé comportant : pour chaque point d’une pluralité de points au sol situés dans un périmètre autour de la position au sol de l’aéronef, dits « points environnants », la détermination d’une intersection entre d’une part un cercle ayant pour centre le dit point et ayant pour rayon la distance au sol maximale autorisée en ce point, dit « cercle de détermination », et d’autre part une verticale liée à la position au sol de l’aéronef, le cercle étant contenu dans un plan vertical comprenant ladite verticale liée à la position au sol de l’aéronef, et sur l’ensemble des intersections ainsi obtenues, la sélection de l’altitude la plus grande comme altitude de vol maximale.
Grâce au procédé selon l’invention, l’altitude de vol maximale est ajustée au plus près, en fonction de la position horizontale de l’aéronef sans équipage. Le procédé prend en compte les distances au sol maximales autorisées aux points situés à proximité immédiate de l’aéronef. Ainsi, par rapport à l’art antérieur, le procédé selon l’invention permet d’obtenir un décalage plus faible par rapport à la limite verticale théorique, notamment dans les zones ayant un dénivelé au sol. Dans la présente demande, l’expression « position au sol de l’aéronef » désigne le point au sol à la verticale de l’aéronef.
Selon un mode réalisation, des positions horizontales desdits points environnants forment un maillage de points, ayant de préférence pour centre une position horizontale de l’aéronef.
Comme illustré à la après le dépôt pleine plaque de la couche de germination 300, une couche de résine 310 est déposée puis structurée par lithographie de façon à définir des motifs de contact M 31 à l’aplomb des ouvertures 121. La couche de germination 300 est exposée au niveau de ces motifs de contact M 31 .
Comme illustré à la , les motifs de contact M 31 sont ensuite remplis par croissance d’un ou plusieurs matériaux métalliques, typiquement par des multicouches Cu/Ni/Au ou Cu/Ni/SnAg, pour former les plots de contact 31. Le remplissage peut se faire par dépôt électrolytique ECD de façon à obtenir une épaisseur de métal plus importante pour les plots de contact 31, par exemple de l’ordre de quelques microns. Une telle épaisseur de plot de contact 31 permet notamment de supporter un contact avec des pointes de test sans endommager les pistes métalliques supérieures 120a du niveau 12 d’interconnexions 120 sous-jacent.
Comme illustré à la , la couche de résine 310 peut ensuite être retirée, par exemple par un retrait chimique, à température ambiante ou en température ( ). A l’issue de ces étapes de formation des plots de contact 31, les plots de contact 31 sont typiquement en saillie de la face avant 101. A ce stade, la partie de commande peut être avantageusement testée via les plots de contact 31 en face avant 101. Un module de test externe doté de pointes de test peut être connecté aux plots de contact 31. Si le test révèle un dysfonctionnement de cette partie de commande, le procédé de fabrication est arrêté avant assemblage avec la partie optique. Les coûts sont diminués. Le remplacement de la partie de commande défectueuse est facilité. Si le résultat du test est positif, c’est-à-dire si la partie de commande est fonctionnelle ou suffisamment fonctionnelle (par exemple si le rendement est suffisant), le procédé de fabrication est poursuivi.
Comme illustré à la , la partie de commande sur son substrat S1 est alors retournée et collée sur un substrat de transfert H. Le collage peut se faire par l’intermédiaire d’une couche de collage 400 à base de polymère. Cela permet d’accommoder la topographie en face avant 101 due à la présence des plots de contact 31. Le substrat S1 est ensuite retiré, par exemple par rognage. La face arrière 102 de la partie de commande est ainsi exposée.
Comme illustré à la , des connexions électriques traversantes 130, par exemple sous forme de vias, sont formés depuis la face arrière 102 jusqu’au niveau 12 d’interconnexions électriques 120. Les connexions électriques traversantes 130 traversent typiquement le niveau 11 de composants électroniques 110, selon z. Elles sont de préférence connectées à des pistes métalliques inférieures 120b du premier niveau de métal Mlow, à l’opposé des pistes métalliques supérieures 120a du dernier niveau de métal Msup connectées aux plots de contact 31. Les connexions électriques traversantes 130 ou vias peuvent être formées par photolithographie et gravure au travers de la matrice 10 diélectrique, selon des procédés standards de la microélectronique. Si les connexions électriques traversantes 130 traversent un matériau conducteur ou semiconducteur, par exemple une couche mince semiconductrice utilisée pour former des composants électroniques 110 selon une technologie PDSOI (acronyme de « Partially Depleted Silicon On Insulator ») ou FDSOI (acronyme de « Fully Depleted Silicon On Insulator »), ces connexions électriques traversantes 130 peuvent être isolées par une gaine isolante.
Des zones de contacts 131 sont ensuite formées sur la face arrière 102. Un dépôt PVD métallique, par exemple successivement à base de cuivre et de titane, est typiquement effectué en face arrière 102 puis structuré par photolithographie et gravure pour former ces zones de contact 131 de la partie de commande. Les zones de contact 131 sont configurées pour connecter les connexions électriques traversantes 130. Elles sont destinées à relier électriquement la partie optique du dispositif optoélectronique lors de l’assemblage de la partie de commande avec la partie optique.
Selon une possibilité alternative, les zones de contact 131 sont formées de la même manière que les plots de contact 31, avec un dépôt préalable d’une couche de germination puis une recharge localisée de métal par photolithographie et dépôt électrochimique, puis un retrait partiel de la couche de germination, en dehors des zones de contact 131.
La partie de commande 1 est typiquement configurée pour commander ou piloter la partie optique 2.
Comme illustré à la , la partie optique 2 est fabriquée indépendamment de la partie de commande 1. Cette partie optique 2 comprend ainsi typiquement un niveau 21 de composants optiquement actifs 210 surmontés par un niveau 22 de connexions électriques 220.
Le niveau 21 peut notamment comprendre des diodes électroluminescentes, de préférence des µLED ou des LED à base de nanofils. Un tel niveau 21 est généralement formé directement sur un substrat initial spécifique, par exemple à base de silicium ou de saphir (non illustré), puis transféré sur un substrat S2 afin de former le niveau 22 de connexions électriques 220 en « face arrière » du niveau 21 de composants optiquement actifs 210 après retrait du substrat initial.
Le niveau 22 peut notamment comprendre des connexions électriques 220 sous forme de pistes métalliques sensiblement horizontales et de vias verticaux reliant ces pistes métalliques. Les connexions électriques 220 sont typiquement formées au sein d’une matrice 20 en un matériau diélectrique. Des plots ou des zones de contact 231 destinées à relier électriquement la partie de commande du dispositif optoélectronique lors de l’assemblage de la partie optique avec la partie de commande, sont typiquement prévues au niveau d’une face 202 dite de connexion de la partie optique 2.
Selon une possibilité, les zones de contact 231 sont formées de la même manière que les plots de contact 31, avec un dépôt préalable d’une couche de germination puis une recharge localisée de métal par photolithographie et dépôt électrochimique, puis un retrait partiel de la couche de germination, en dehors des zones de contact 231.
Avantageusement, la partie de commande 1 illustrée à la et la partie optique 2 illustrée à la sont fabriquées en parallèle l’une de l’autre, c’est-à-dire potentiellement sensiblement en même temps. Cela permet de diminuer la durée totale du procédé de fabrication du dispositif optoélectronique. Cela permet d’optimiser l’utilisation des équipements industriels de fabrication.
Selon une possibilité, les zones de contact 131 et les zones de contact 231 sont formées simultanément et/ou dans un même équipement selon un même procédé, typiquement en effectuant des dépôts pleine plaque sur les faces 102, 202, suivis de structurations par photolithographies et gravures, et/ou de polissage mécano-chimique CMP (acronyme de « Chemical Mechanical Polishing »). Cela permet d’optimiser l’utilisation des équipements et de réduire la durée du procédé de fabrication.
Selon une possibilité, les plots de contact 31 et les zones de contact 231 sont formés simultanément et/ou dans un même équipement selon un même procédé, typiquement en effectuant des dépôts pleine plaque sur les faces 101, 202, suivis de structurations par photolithographies et gravures. Cela permet d’optimiser l’utilisation des équipements et de réduire la durée du procédé de fabrication.
Comme illustré à la , la face de connexion 202 de la partie optique 2 est ensuite mise en regard de la face arrière 102 de la partie de commande 1, en vue de l’assemblage de la partie optique 2 avec la partie de commande 1. Les zones de contact 231 sont typiquement alignées avec les zones de contact 131.
La teneur initiale en CaCO 3 dans la matrice de l’Exemple 3 avoisine 12,4% initialement, probablement dû à une quantité non négligeable de matériaux inertes dans les déchets comme la calcite.
Initialement dans les échantillons MS 7% de l’Exemple 1 et MS 30% de l’Exemple 2, on constate la présence de 1,78% en masse de CaCO 3 , probablement dû à de légères contaminations du sable utilisé pour préparer les matrices.
Au bout de 24h, on peut constater une augmentation significative de la proportion de CaCO 3 au sein des matériaux traités avec de l’urée et des bactéries par rapport aux exemples comparatifs seulement en présence de bactéries. Les taux de de CaCO 3 constatés dans les matériaux traités après 24h de traitement atteignent les taux de CaCO 3 prédits par la connaissance de la teneur en CaSO 4 2H 2 O initiale.
Dans les exemples comparatifs, aucune augmentation de la présence de CaCO 3 n’est constatée. Cela confirme donc qu’on a bien une réaction de production de CaCO 3 grâce à l’apport d’urée en présence des bactéries uréolytiques. Le résultat est particulièrement intéressant, car contrairement à l’ensemble de la littérature traitant de la précipitation de calcite induite par microbiologie, il n’y a pas eu d’apport d’ions Ca 2+ . La production de CaCO 3 en 24h suggère donc que des ions Ca 2+ sont apportés par les matrices.
Le relargage du SO 4 et du NH 4 dans les eaux de lavage permettent de distinguer nettement les échantillons avec et sans urée ( ).
On peut voir que sans urée, les matrices MS 7% de l’Exemple 1 et MDC de l’Exemple 3 ne relarguent que très peu d’ions sulfate dans l’eau de percolation. Cela permet donc de confirmer que la présence de bactéries uréolytiques et d’urée permet de relarguer massivement dans le milieu aqueux le sulfate du gypse. Si la quantité d’ions sulfate relarguée dans les Exemples comparatifs n’est pas nulle, ceci est dû à la dissolution naturelle du CaSO 4 2H 2 O dans l’eau, à hauteur de 2,2 g/L.
Concernant le NH 4 , on observe également une différence notable de comportement entre les Exemples comparatifs et les Exemples de l’invention. Dans les Exemples comparatifs, on observe un maximum dans la première fraction récoltée. Ceci est probablement dû à l’ammonium présent dans le milieu de culture bactérien restant, lavé par l’ajout d’eau distillée.
Les résultats montrent donc un relargage massif d’ions sulfate et ammonium. Ils viennent compléter la constatation faite avec l’analyse des résultats de la teneur en carbonate de calcium : l’hydrolyse de l’urée par les bactéries entraîne bien la précipitation du CaCO 3 et la dissolution du CaSO 4 2H 2 O, permettant aux ions sulfate d’être solubilisés et entraînés par la phase aqueuse hors de la matrice de matériaux à traiter. Cela permet de diminuer la teneur en ions sulfate dans une matrice de matériaux à traiter.
La montre le pourcentage relargué d’ions sulfate en fonction du volume d’eau utilisé.
On voit que l’utilisation d’urée permet de relarguer la quasi-totalité des sulfates à un volume d’eau de 6 m 3 /tonne de matériaux, alors que ce volume ne permet de relarguer que 20 % des ions sulfates présents dans les Exemples comparatifs.
L’utilisation d’urée permet donc d’économiser environ 17 m 3 d’eau / tonne de matériaux pour laver 50 % des ions sulfates et 27 m 3 d’eau / tonne de matériaux pour laver 80 % des ions sulfates.
F our de recuit thermique rapide à uniformité de chauffage améliorée La présente description concerne de façon générale les fours à recuit thermique rapide, notamment les fours à recuit thermique comprenant des lampes à haute intensité séparées d'une chambre de traitement par un hublot transparent.
Un four de recuit thermique rapide est un four permettant de porter un objet, notamment un substrat de silicium, à haute température, par exemple jusqu'à 1200 °C ou plus, dans un temps très court, en général quelques secondes.
De telles montées en température sont obtenues par des lampes à haute intensité ou par chauffage laser. L'objet à traiter est disposé dans une chambre de traitement sous vide et est exposé au rayonnement émis par les lampes à haute intensité ou au rayonnement laser au travers d'un hublot transparent au rayonnement, notamment un hublot en quartz.
Le four de recuit thermique comprend un système de pompage communiquant avec la chambre de traitement pour maintenir la chambre de traitement à la pression souhaitée. En outre, pour des applications nécessitant le maintien d'un vide poussé dans la chambre de traitement, également appelé ultra-vide ou UHV, par exemple à une pression inférieure à 10 -5 Pa, le four de recuit thermique peut comprendre un sas d'entrée/sortie communiquant avec la chambre de traitement par l'intermédiaire d'une vanne pour l'introduction et le retrait des objets à traiter.
Il est généralement souhaitable que le chauffage de l'objet soit uniforme. Toutefois, les ouvertures débouchant dans la chambre de traitement et communiquant avec le système de pompage ou le sas d'entrée/sortie entraînent des pertes thermiques qui doivent être compensées par exemple par une répartition spécifique des lampes à haute intensité. Toutefois, une compensation parfaite reste difficile à obtenir de sorte que le chauffage de l'objet peut ne pas être uniforme.
Comme représenté à la , la première plaque d’extrémité 3 comporte six zones de serrage 5. La première plaque d’extrémité 3 est rectangulaire et l’évidement 9 est réalisé sous la forme d’une rainure ménagée dans l’épaisseur de la première plaque d’extrémité 3. La rainure est ménagée sur tout le pourtour de la première plaque d’extrémité 3. La profondeur de la rainure est comprise entre 2 et 3 fois le diamètre du premier trou traversant.
Comme représenté sur les figures 2 à 5, la première plaque d’extrémité 3 comporte une plaque inférieure 13, une plaque intermédiaire 12 et une plaque supérieure 11.
La plaque intermédiaire 12 peut être solidaire de la plaque inférieure 13 et de la plaque supérieure 11. La plaque intermédiaire 12 peut comporter un matériau distinct de la plaque supérieure 11 et/ou de la plaque inférieure 13.
La plaque intermédiaire 12 peut être monobloc avec au moins l’une de la plaque inférieure 13 et de la plaque supérieure 11.