INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Pour atteindre l’objet susmentionné, un connecteur blindé selon un aspect de la présente invention inclut un boîtier isolant ayant une partie tubulaire contenant une borne disposée à une extrémité d’un fil électrique, et une partie faisant saillie qui fait saillie radialement vers l’extérieur de la partie tubulaire à partir de la partie tubulaire ; une coque de blindage ayant une partie de corps de coque formée selon une forme tubulaire dans un métal conducteur et renfermant la partie tubulaire, et une partie de bride faisant saillie radialement vers l’extérieur de la partie de corps de coque à partir de la partie de corps de coque et en position adjacente à la partie faisant saillie dans une direction axiale du fil électrique ; un passe-fil isolant formé selon une forme tubulaire le long d’une surface périphérique extérieure de la partie de corps de coque, renfermant la partie de corps de coque, et en position adjacente à la partie de bride dans la direction axiale ; et une partie de guide d’écoulement formée dans la partie de bride, inclinée par rapport à une surface d’extrémité supérieure du passe-fil ou à une surface d’extrémité supérieure de la partie faisant saillie, et guidant l’eau vers au moins un côté du passe-fil dans une direction de la largeur coupant la direction axiale.
Les objets ci-dessus ainsi que d’autres objets, caractéristiques, avantages et aspects techniques et industriels de la présente invention seront mieux compris à la lecture de la description détaillée qui suit de modes de réalisation actuellement préférés de l’invention, pris conjointement avec les dessins annexés.
La est une vue en perspective donnée à titre d’exemple d’un connecteur blindé appliqué sur un faisceau électrique selon un mode de réalisation ;
la est une vue en perspective éclatée donnée à titre d’exemple du connecteur blindé appliqué sur le faisceau électrique selon le mode de réalisation ;
la est une vue en perspective donnée à titre d’exemple d’un connecteur blindé selon le mode de réalisation dans un état dans lequel il est relié à une unité de contre-pièce ; et
la est une vue en perspective donnée à titre d’exemple pour décrire un procédé d’évacuation par une partie de guide d’écoulement du connecteur blindé selon le mode de réalisation.
Ci-après un mode de réalisation selon la présente invention va être décrit en détail en référence aux dessins. Il convient de noter que la présente invention n’est pas limitée par le mode de réalisation suivant. En outre, les éléments constitutifs du mode de réalisation suivant incluent ceux qui peuvent être facilement remplacés par l’homme du métier ou ceux qui sont sensiblement identiques. Il convient de noter que, dans la présente description, les nombres ordinaux sont utilisés uniquement pour désigner les composants, éléments, parties, positions, directions et similaires, et n’indiquent aucun ordre ou priorité.
La est une vue en perspective d’un connecteur blindé 100 appliqué sur un faisceau électrique WH selon un mode de réalisation et la est une vue en perspective éclatée du connecteur blindé 100. Le connecteur blindé 100 selon la présente invention illustré sur les figures 1 et 2 est incorporé dans le faisceau électrique WH acheminé dans un véhicule tel qu’une automobile. Ici, par exemple, le faisceau électrique WH est configuré de telle sorte qu’une pluralité de fils électriques 10 utilisés pour l’alimentation électrique ou la communication de signaux soient regroupés pour former un élément collectif de connexion entre des dispositifs montés sur un véhicule, et la pluralité de fils électriques 10 est reliée à chaque dispositif avec le connecteur blindé 100 ou similaire.
Le faisceau électrique WH inclut, par exemple, une pluralité de fils électriques 10 ayant une conductivité et ayant une borne 11 à une extrémité, et le connecteur blindé 100 disposé aux extrémités des fils électriques 10. Dans ce cas, le connecteur blindé 100 est disposé à des extrémités des deux fils électriques 10 et contient les bornes 11 des deux fils électriques 10. Il convient de noter que le faisceau électrique WH peut inclure en outre un dispositif de protection, une fixation et similaires.
Il convient de noter que, dans la description suivante, parmi une première direction, une deuxième direction et une troisième direction se coupant les unes les autres, la première direction est appelée « direction axiale X », la deuxième direction est appelée « direction de la largeur Y » et la troisième direction est appelée « direction de la hauteur Z ». Ici, la direction axiale X, la direction de la largeur Y et la direction de la hauteur Z sont sensiblement perpendiculaires les unes aux autres. La direction axiale X correspond typiquement à une direction d’extension du connecteur blindé 100, une direction d’insertion du fil électrique 10 par rapport au connecteur blindé 100, une direction d’extension du fil électrique 10 inséré dans le connecteur blindé 100 ou similaires. La direction de la largeur Y correspond typiquement à une direction de la largeur latérale (direction latérale) du connecteur blindé 100. La direction de la hauteur Z correspond à une direction d’intersection (direction verticale) coupant la direction axiale X et la direction de la largeur Y. En outre, chaque direction utilisée dans la description suivante sera décrite comme une direction dans un état dans lequel le fil électrique 10 est relié au connecteur blindé 100, sauf indication du contraire.
Comme illustré sur la , le fil électrique 10 inclut par exemple une partie conductrice linéaire 10a ayant une conductivité et une partie de revêtement isolant 10b recouvrant l’extérieur de la partie conductrice 10a et ayant des propriétés isolantes. Le fil électrique 10 est un fil électrique isolant dans lequel la partie conductrice 10a est recouverte de la partie de revêtement isolant 10b. La partie conductrice 10a du présent mode de réalisation est un fil d’âme obtenu en regroupant une pluralité de fils métalliques conducteurs, mais peut être un fil d’âme torsadé obtenu en torsadant la pluralité de fils métalliques. La partie de revêtement isolant 10b est un revêtement de fil électrique qui recouvre un côté périphérique extérieur de la partie conductrice 10a. La partie de revêtement isolant 10b est formée en moulant par extrusion, par exemple un matériau de résine isolante (PP, PVC, PE réticulé, ou similaire, choisi de manière appropriée compte tenu de sa résistance à l’abrasion, de sa résistance chimique, de sa résistance thermique et similaires).
La borne 11 est disposée à une extrémité du fil électrique 10. Plus précisément, dans le fil électrique 10, au moins à une extrémité, la partie de revêtement isolant 10b est pelée pour mettre à nu la partie conductrice 10a et la borne 11 est sertie sur la partie conductrice 10a mise à nu. La borne 11 est formée comme une plaque plane dans un métal conducteur tel que le cuivre. La borne 11 inclut une partie de connexion électrique 11a reliée à une borne (non illustrée) d’une unité de contre-pièce 200 (voir la ) et une partie de sertissage sur le fil électrique 11b reliée à la partie conductrice 10a du fil électrique 10. La borne 11 est également appelée borne à sertir, ou similaires.
Lorsque la cavité 70 est cylindrique comme représenté aux figures 5 et 6, le corps cylindrique 78 du bouchon 76 peut comporter un filetage et être vissé dans un taraudage complémentaire formé dans le conduit cylindrique 70. En cas, on comprendra que la tête 80 du bouchon pourra comporter une empreinte complémentaire d’un outil de vissage.
Le bouchon 76 est réalisé en acier, en aluminium, ou en un matériau thermoplastique. Il peut également être réalisé en mousse, celle-ci présentant l’avantage de se gorger d’huile de lubrification pour assurer l’étanchéité du bouchon 76.
L’invention permet donc de bénéficier d’un réducteur 32 d'une turbomachine à gaz pour aéronef tel qu’un réducteur 32 de type planétaire ou épicycloïdal, comprenant une couronne extérieure 54 et des pignons satellites 44 en prise avec un pignon central 42 et avec la couronne extérieure 54 et montés chacun libre en rotation sur un porte-satellites 46, les pignons 44 satellites pouvant chacun tourner autour d'un axe Y de satellite par l'intermédiaire d'un palier 46b du type décrit précédemment. Un tel réducteur 42 présente un silence de fonctionnement accru par rapport aux réducteurs connus de l’état de la technique.
PALIER LISSE POUR UN SATELLITE D’UN REDUCTEUR MECANIQUE DE TURBOMACHINE D’AERONEF Domaine technique de l'invention La présente invention concerne le domaine des réducteurs mécaniques pour des turbomachines en particulier d’aéronef.
Arrière-plan technique L’état de l’art comprend notamment les documents FR-A1-3 071 022, FR-A1-3 095 252, FR-A1-3 071 024 et FR-A1-3 071 023.
Les satellites sont guidés en rotation par des paliers qui sont lubrifiés. Les paliers peuvent être composés d’éléments roulants (roulements à billes, à rouleaux, à rouleaux coniques, etc.) ou peuvent être des paliers lisses ou hydrodynamiques. Dans ce dernier cas, chaque satellite est monté rotatif sur et autour d’un palier lisse, qui est alimenté en huile et qui est configuré pour former un film d’huile entre la périphérie externe du palier et la périphérie interne du satellite. Pour cela, dans la technique actuelle, chaque satellite comprend une surface cylindrique interne qui s’étend autour d’une surface cylindrique externe du palier et qui délimite avec cette dernière un espace annulaire de formation du film d’huile. Cet espace est alimenté en huile par des orifices de passage d’huile qui sont formés dans le palier et s’étendent depuis la surface cylindrique externe jusqu’à une cavité interne du palier qui est alimentée en huile par le distributeur précité.
La présente demande concerne un réducteur dont les satellites sont guidés par des paliers lisses de ce type.
L’invention trouve son application dans la fabrication de cellules photovoltaïques à base de silicium cristallin, notamment dans la fabrication de cellules photovoltaïques à hétérojonction silicium amorphe/silicium cristallin. Cependant, d’autres architectures de cellule photovoltaïque sont envisageables, par exemple une architecture de type TOPCon (« Tunnel Oxide Passivated Contact » en langue anglaise) où le contact passivé comporte un film d’oxyde tunnel et une couche de silicium polycristallin dopé, une architecture de type multi-jonction monolithique (e.g. cellule tandem silicium/pérovskite), une architecture de type PERC (émetteur passivé et cellule arrière, « Passivated Emitter and Rear C ell » en langue anglaise), ou encore une architecture de type champ de surface arrière en aluminium Al-BSF (BSF pour « Back Surface Field » en langue anglaise).
État de l’art Un premier procédé de fabrication de sous-cellules photovoltaïques, connu de l’état de la technique, utilise une technique de clivage laser (LDC pour « Laser Direct Cleavage » en langue anglaise). Plus précisément, une première variante du premier procédé comporte les étapes : A 01 ) utiliser une cellule photovoltaïque, comprenant : - un substrat, à base de silicium cristallin, présentant des première et seconde surfaces opposées ; - des premier et second empilements de couches actives, formés respectivement sur les première et seconde surfaces du substrat ; - des premier et second ensembles de plots métalliques, formés respectivement sur les premier et second empilements de couches actives ; B 01 ) appliquer un clivage laser à la cellule photovoltaïque de manière à : - obtenir localement, entre des plots métalliques du premier ensemble, des ablations du premier empilement de couches actives et d’une première partie du substrat ; - tracer un contour délimitant des sous-cellules photovoltaïques ; - conserver une seconde partie du substrat, s’étendant dans le prolongement des ablations ; C 01 ) séparer les sous-cellules photovoltaïques délimitées à l’issue de l’étape B 01 ) par une sollicitation mécanique.
La première partie du substrat ablatée lors de l’étape B 01 ) permet de fragiliser les sous-cellules photovoltaïques délimitées à l’issue de l’étape B 01 ), de sorte qu’il est possible de les séparer par sollicitation mécanique lors de l’étape C 01 ).
Une telle première variante du premier procédé, impliquant des sillons non-traversants, est peu adaptée à l’obtention de formes autres que carrées ou rectangulaires pour les sous-cellules photovoltaïques. En d’autres termes, une telle première variante du premier procédé n’est adaptée que lorsque le contour délimite des portions rectilignes. En effet, lors de l’étape C 01 ) de séparation des sous-cellules photovoltaïques par sollicitation mécanique, une fissure va être créée et se propager le long des directions préférentielles de clivage, ce qui va induire une casse des sous-cellules photovoltaïques.
Une deuxième variante du premier procédé comporte les étapes : A’ 01 ) utiliser une cellule photovoltaïque, comprenant : - un substrat, à base de silicium cristallin, présentant des première et seconde surfaces opposées ; - des premier et second empilements de couches actives, formés respectivement sur les première et seconde surfaces du substrat ; - des premier et second ensembles de plots métalliques, formés respectivement sur les premier et second empilements de couches actives ; B’ 01 ) appliquer un clivage laser à la cellule photovoltaïque de manière à : - obtenir localement, entre des plots métalliques du premier ensemble, des ablations du premier empilement de couches actives et de la totalité du substrat ; - tracer un contour délimitant des sous-cellules photovoltaïques.
Les sous-cellules photovoltaïques délimitées à l’issue de l’étape B’ 01 ) sont séparées spontanément.
Une telle deuxième variante du premier procédé, impliquant des sillons traversants, est adaptée à l’obtention de formes diverses pour les sous-cellules photovoltaïques, contrairement à la première variante.
Toutefois, les première et deuxième variantes d’un tel premier procédé de l’état de la technique ne sont pas entièrement satisfaisantes dans la mesure où l’irradiation laser appliquée lors de l’étape B 01 ) créé des défauts, en particulier une amorphisation du silicium sur les bords des sous-cellules photovoltaïques qui rend délicate, voire impossible, la passivation ultérieure de ces bords. La passivation des surfaces du substrat est un enjeu majeur du secteur photovoltaïque, permettant de limiter les recombinaisons entre porteurs, ce qui se traduit par une amélioration significative de l’efficacité. Par « passivation », on entend la réduction des recombinaisons des porteurs aux surfaces du substrat. En effet, une surface d’un substrat en silicium cristallin présente une densité de défauts (e.g. liaisons pendantes, impuretés, discontinuité du cristal etc.) pouvant entraîner des pertes non négligeables liées à la recombinaison en surface des porteurs dans le cas d’une application photovoltaïque.
Un deuxième procédé de fabrication de sous-cellules photovoltaïques, connu de l’état de la technique, utilise une technique de séparation thermique au laser (TLS pour « Thermal Laser Separation » en langue anglaise). Plus précisément, le deuxième procédé comporte les étapes : A 0 2 ) utiliser une cellule photovoltaïque, comprenant : - un substrat, à base de silicium cristallin, présentant des première et seconde surfaces opposées ; - des premier et second empilements de couches actives, formés respectivement sur les première et seconde surfaces du substrat ; - des premier et second ensembles de plots métalliques, formés respectivement sur les premier et second empilements de couches actives ; B 0 2 ) appliquer une technique de séparation thermique au laser à la cellule photovoltaïque de manière à : - obtenir localement, entre des plots métalliques du premier ensemble, une propagation d’une fissure au travers du premier empilement de couches actives et de la totalité du substrat ; - tracer un contour délimitant des sous-cellules photovoltaïques.
Les sous-cellules photovoltaïques délimitées à l’issue de l’étape B 0 2 ) sont séparées spontanément.
Un tel deuxième procédé de l’état de la technique permet, à l’issue de l’étape B 0 2 ), d’obtenir des bords de sous-cellules photovoltaïques pouvant être passivés. Toutefois, un tel deuxième procédé de l’état de la technique n’est pas entièrement satisfaisant dans la mesure où il est peu adapté pour l’obtention de formes diverses pour les sous-cellules photovoltaïques, en particulier lorsque le contour ne délimite pas des portions rectilignes.
L’homme du métier recherche donc une solution permettant d’obtenir des formes diverses (i.e. n’impliquant pas uniquement des portions rectilignes) pour les sous-cellules photovoltaïques, avec des bords pouvant être aisément passivés.
L’invention vise à remédier en tout ou partie aux inconvénients précités. A cet effet, l’invention a pour objet un procédé de fabrication de sous-cellules photovoltaïques, comportant les étapes : a) utiliser une cellule photovoltaïque, comprenant : - un substrat, à base de silicium cristallin, présentant des première et seconde surfaces opposées ; - des premier et second empilements de couches actives, formés respectivement sur les première et seconde surfaces du substrat ; - des premier et second ensembles de plots métalliques, formés respectivement sur les premier et second empilements de couches actives ; b) former des première et seconde couches diélectriques, s’étendant respectivement sur les premier et second ensembles de plots métalliques, et s’étendant respectivement sur les premier et second empilements de couches actives ; c) appliquer un rayonnement laser à la cellule photovoltaïque obtenue à l’issue de l’étape b) de manière à : - obtenir localement, entre des plots métalliques du premier ensemble, des ablations de la première couche diélectrique, du premier empilement de couches actives, et d’une première partie du substrat ; - tracer un contour délimitant des sous-cellules photovoltaïques ; - conserver une seconde partie du substrat, s’étendant dans le prolongement des ablations, et adaptée pour conserver une tenue mécanique des sous-cellules photovoltaïques délimitées par le contour tracé ; d) graver chimiquement, avec un agent de gravure, au moins partiellement la seconde partie du substrat s’étendant dans le prolongement des ablations obtenues à l’issue de l’étape c), de manière à fragiliser les sous-cellules photovoltaïques délimitées à l’issue de l’étape c) ; l’agent de gravure étant choisi de manière à autoriser une gravure sélective du silicium par rapport aux première et deuxième couches diélectriques ; e) séparer les sous-cellules photovoltaïques fragilisées à l’issue de l’étape d).
Ainsi, un tel procédé selon l’invention permet d’obtenir des sous-cellules photovoltaïques de formes diverses (n’impliquant pas nécessairement que des portions rectilignes) avec des bords pouvant être aisément passivés, grâce à la combinaison des étapes c) et d). En effet, l’ablation laser de l’étape c) permet de tracer un contour de forme variée, pouvant être par exemple rectiligne ou curviligne. L’étape d), quant à elle, permet de : (i) fragiliser les sous-cellules photovoltaïques délimitées à l’issue de l’étape c), et (ii) supprimer une grande partie des défauts liés à l’amorphisation du silicium (provoquée par l’irradiation laser) sur les bords des sous-cellules photovoltaïques, grâce à la gravure chimique.
Une telle étape d), réduisant considérablement les défauts d’amorphisation du silicium, facilite ainsi une passivation ultérieure des bords des sous-cellules photovoltaïques par rapport à l’état de la technique. Les première et seconde couches diélectriques formées lors de l’étape b) agissent comme masques de gravure.
Le triglycéride d’acide caprylique et caprique est vendu par Stepan sous la dénomination commerciale Neobee® M-5 Cosmetic. Le triglycéride d’ acide caprylique et caprique est de formule suivante : [Chem 9] avec R = -(CH 2 ) 6 CH 3 et R = -(CH 2 ) 8 CH 3 en proportion 55/45
2. Evaluation des mélanges L’efficacité antimicrobienne des mélanges d’esters a été évaluée via un Challenge Test selon la norme ISO 11930-2019.
Le test consiste à mettre en contact des organismes pathogènes : Escherichia coli, Pseudomonas aeruginosa, Staphylococcus aureus, Candida albicans et Aspergillus brasiliensis avec le composant à tester et à décompter, à intervalles réguliers et sur une période de 28 jours, l’évolution du nombre de micro-organismes par rapport à un témoin inoculum. Le protocole de la norme ISO 11930-2019 a est suivi scrupuleusement. Le tableau 1 ci-dessous reprend les critères d’évaluation figurant en annexe B de la norme. Taux de réduction logarithmique Critères T07 jours T14 jours T28 jours Escherichia coli CIP 53.126 A B ≥3 Facultatif ≥3 et PA ≥3 ≥3 et PA ≥3 et PA Pseudomonas aeruginosa CIP 82.118 A B ≥3 Facultatif ≥3 et PA ≥3 ≥3 et PA ≥3 et PA Staphylococcus aureus CIP 4.83 A B ≥3 Facultatif ≥3 et PA ≥3 ≥3 et PA ≥3 et PA Candida albicans ATCC 10231 A B ≥1 Facultatif ≥1 et PA ≥1 ≥1 et PA ≥1 et PA Aspergillus brasiliensis ATCC 16404 A B / / ≥0 ≥0 ≥1 ≥0 et PA
Le critère A correspond à l’efficacité qu'il est recommandé d'atteindre et le critère B s'applique, lorsque le critère A ne peut être respecté avec justification du risque microbiologique. PA signifie « pas d'augmentation par rapport au temps précédent ».
Résultats pour le mélange d’esters selon l’invention
Dénombrement Inoculum T0 T7 jours T14 jours T28 jours Escherichia coli CIP 53.126 D 3,6x10 5 / Log 5,6 / Pseudomonas aeruginosa CIP 82.118 D 4,1x10 5 / Log 5,6 / Staphylococcus aureus CIP 4.83 D 4,2x10 5 / Log 5,6 / Candida albicans ATCC 10231 D 5,1x10 4 / Log 4,7 / Aspergillus brasiliensis ATCC 16404 D 4,9x10 4 / / 1,1x10 3 3,1x10 3 Log 4,7 / / 3 3,5
D désigne le dénombrement, c’est-à-dire le nombre de colonies présentes sur les boîtes incubées.
Réductions logarithmiques obtenues T7 jours T14 jours T28 jours Escherichia coli CIP 53.126 >4,6 >4,6 >4,6 Pseudomonas aeruginosa CIP 82.118 >4,6 >4,6 >4,6 Staphylococcus aureus CIP 4.83 >4,6 >4,6 >4,6 Candida albicans ATCC 10231 >3,7 >3,7 >3,7 Aspergillus brasiliensis ATCC 16404 / 1,7 1,2
Dans les conditions de l'essai, la conservation antimicrobienne du produit présente une efficacité suffisante vis-à-vis des 5 souches testées. Le produit est conforme au critère A de la norme NF EN ISO 11930 (Février 2019).
Résultats pour le triheptanoate de glycérol (exemple comparatif 1)
Dénombrement Inoculum T0 T7 jours T14 jours T28 jours Escherichia coli CIP 53.126 D 3,6x10 5 / >3,0x10 6 8,5x10 5 1,4x10 7 Log 5,6 / >6,5 5,9 7,1 Pseudomonas aeruginosa CIP 82.118 D 4,1x10 5 / >3,0x10 6 5,4x10 6 1,5x10 6 Log 5,6 / >6,5 6,7 6,2 Staphylococcus aureus CIP 4.83 D 4,2x10 5 / 1,2x10 6 1,1x10 6 8,1x10 5 Log 5,6 / 6,1 6 5,9 Candida albicans ATCC 10231 D 5,1x10 4 / 8,8x10 4 1,5x10 5 9,5x10 4 Log 4,7 / 4,9 5,2 5 Aspergillus brasiliensis ATCC 16404 D 4,9x10 4 / / >1,5x10 5 3,9x10 5 Log 4,7 / / >5,2 5,6
Réductions logarithmiques obtenues T7 jours T14 jours T28 jours Escherichia coli CIP 53.126 0,0 0,0 0,0 / A Pseudomonas aeruginosa CIP 82.118 0,0 0,0 0,0 Staphylococcus aureus CIP 4.83 0,0 0,0 0,0 Candida albicans ATCC 10231 0,0 0,0 / A 0,0 Aspergillus brasiliensis ATCC 16404 / 0,0 /I 0,0
Dans le tableau, A signifie augmentation par rapport au temps précédent et I signifie augmentation par rapport à l’inoculum.
Le produit est non conforme dès 7 jours et à 14 jours envers toutes les souches testées,
Dans les conditions de l'essai, la conservation antimicrobienne du produit présente une efficacité insuffisante vis-à-vis des 5 souches testées. Le produit n’est pas conforme aux critères A et B de la norme.
Résultats pour le triglycéride d’acide caprylique et caprique (exemple comparatif 2)
Le circuit de calcul 4 comprend autant de blocs 18 que de blocs de calcul 7 par chaîne de calcul 6.
Ainsi, en se référant à l’architecture matricielle de la structure de calcul 5, la structure de calcul 5 comprend N p blocs 17 et M blocs 18.
La sortie de chaque bloc 18 est reliée aux deuxièmes entrées E2 des multiplieurs 9 des blocs de calcul 7 de la colonne correspondante.
Les données primaires appliquées en entrée de chaque chaîne de calcul 6, via le bloc mémoire 17 associé, sont donc issues du tenseur d’entrée 1 (qui est ici une image en 3D).
Les données secondaires appliquées via les blocs 18 sont des poids d’un masque 2.