Procédé de fabrication d’un substrat (15) pour un dispositif électronique de puissance ou radiofréquence, comprenant la formation d’un substrat support (10) comprenant un dépôt d’au moins une couche (100) de carbure de silicium polycristallin par dépôt chimique en phase vapeur (CVD) dans des conditions choisies pour former des inclusions de carbone (1) dans ladite couche de carbure de silicium, et l’assemblage du substrat support (10) et d’une couche superficielle (20) en un matériau monocristallin. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la couche superficielle (20) est en un matériau semiconducteur, de préférence en carbure de silicium ou en nitrure de gallium ou en diamant. Procédé selon la revendication 1 ou la revendication 2, dans lequel au moins une première phase du dépôt chimique en phase vapeur est réalisée à une température supérieure à 1200 °C, de préférence supérieure à 1400°C. Procédé selon l’une des revendications précédentes, dans lequel une première température (T1) de début de dépôt chimique en phase vapeur est supérieure à une deuxième température (T2) de fin de dépôt chimique en phase vapeur. Procédé selon l’une des revendications précédentes, dans lequel un ratio de Ar/(Ar+H 2 ) est réduit pendant l’étape de dépôt chimique en phase vapeur. Procédé selon l’une des revendications précédentes, dans lequel la formation du substrat support comprend en outre une étape d’assemblage de ladite au moins une couche de carbure de silicium comportant les inclusions de carbone (1) avec une couche de base en carbure de silicium poreux. Substrat pour dispositif électronique de puissance ou radiofréquence, comprenant un substrat support (10) en carbure de silicium polycristallin présentant une face avant (410) et une face arrière, et une couche superficielle (20) en un matériau monocristallin s’étendant sur la face avant (410) dudit substrat support (10), ledit substrat étant caractérisé en ce qu’au moins une portion dudit le substrat support (10) comprend une pluralité de grains de carbure de silicium présentant une forme allongée orientés selon une direction perpendiculaire à la surface du substrat et une pluralité d’inclusions de carbone situées entre lesdits grains. Substrat selon la revendication 7, dans lequel la couche superficielle (20) est en un matériau semiconducteur, de préférence en carbure de silicium ou en nitrure de gallium ou en diamant. Substrat selon la revendication 7 ou la revendication 8, dans lequel le rapport entre la longueur et la largeur des grains (1) de carbure de silicium dans le substrat support (10) est supérieur ou égal à 1 :1,2, avantageusement supérieur à 1:10 et plus avantageusement supérieur à 1:20. Substrat selon l’une quelconque des revendications 7 à 9, dans lequel les inclusions de carbone (1) sont discontinues. Substrat selon l’une quelconque des revendications 7 à 10, dans lequel le rapport entre la largeur et la longueur des inclusions de carbone (1) est de 1 :1,2, avantageusement supérieur à 1:20 et plus avantageusement supérieur à 1:30. Substrat selon l’une quelconque des revendications 7 à 11, dans lequel le substrat support présente un gradient de concentration des inclusions de carbone (1), de sorte que la densité des inclusions de carbone (1) augmente de la face avant en direction de la face arrière. Substrat selon l’une quelconque des revendications 7 à 12, dans lequel seule une portion du substrat support comprend lesdites inclusions de carbone (1) et le substrat support (30) comprend en outre une portion dépourvue d’inclusions de carbone (1) entre la couche superficielle (20) de SiC monocristallin et la portion comprenant les inclusions de carbone (1). Substrat selon l’une quelconque des revendications 7 à 13, dans lequel le taux volumique des inclusions de carbone (1) dans le substrat support est compris entre 1% et 40%, de préférence compris entre 1% et 20%. Dispositif électronique comprenant un substrat selon l’une quelconque des revendications 7 à 14 et au moins un composant électronique de puissance ou radiofréquence formé dans ou sur la couche superficielle (20), et un dispositif d’évacuation de chaleur, le substrat étant brasé sur le dispositif d’évacuation de chaleur par l’intermédiaire d’un matériau d’apport de sorte que le matériau d’apport est en contact solidaire d’au moins une partie de la portion comprenant des inclusions de carbone (1) sur la face arrière du substrat support (10).