INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
La partie optique comprend au moins : un niveau de composants optiquement actifs configurés pour émettre ou recevoir un rayonnement lumineux, un niveau de connexions électriques connecté audit niveau de composants optiquement actifs et définissant une deuxième face de la partie optique, dite face de connexion.
Les étapes conduisant à la structure de la sont identiques ou similaires aux étapes décrites en relation avec les figures 1A à 1D, à la différence près que, dans l’exemple de la , la structure comprend une structure de routage électrique intermédiaire 301 entre la couche active de détection visible 101 et la couche active de détection infrarouge 111. La structure de routage 301 comprend un empilement d’un ou plusieurs niveaux isolants et d’un ou plusieurs niveaux conducteurs dans lesquels sont formés des éléments de routage électrique. Les éléments de routage électrique sont de préférence en un matériau semiconducteur transparent dans la bande de longueurs d’onde de détection des pixels infrarouge, par exemple en silicium polycristallin dopé.
A titre d’exemple, la structure de routage est formée sur la face supérieure de la couche active de détection visible 101 après la formation des pixels visibles VP et avant report de la couche active de détection infrarouge 111. La formation de la structure de routage 301 peut comprendre des étapes successives de dépôt et gravure de couches isolantes et conductrices, sur la face supérieure de la couche active de détection visible 101.
Les éléments de routage de la structure 301 sont par exemple connectés à des éléments actifs des pixels visibles VP.
La prévision de la structure de routage 301 permet avantageusement de décontraindre le positionnement des zones actives des pixels de détection visible VP. Ceci permet par exemple de s’assurer que les vias conducteurs 145a et 145c, permettant de contacter électriquement les éléments actifs des pixels visibles VP, soient disposés préférentiellement dans les zones gravées 120 de la couche semiconductrice de détection infrarouge 111.
Par ailleurs, on a décrit en relation avec les figures 1A à 1F un exemple de réalisation dans lequel le circuit intégré de contrôle 160 est réalisé séparément puis rapporté et fixé par collage hybride sur la structure active de détection visible et infrarouge (étape de la ). A titre de variante, un circuit intégré de contrôle des pixels visibles et/ou infrarouges peut être formé en technologie 3D séquentielle de façon similaire à ce qui a été décrit en relation avec les figures 1A à 1K de la demande de brevet FR2113457 susmentionnée. Dans ce cas, une couche semiconductrice, par exemple en silicium, peut être reportée pleine plaque sur la structure de la , puis des composants électroniques, notamment des transistors, peuvent être formés dans cette couche. Les vias conducteurs de reprise de contact formés à l’étape de la traversent alors en outre cette couche semiconductrice. Un empilement d’interconnexion peut ensuite être formé sur la couche semiconductrice.
Photodétecteur MWIR à barrière dont la zone absorbante comporte un empilement d’une partie massive et d’un super-réseau Le domaine de l’invention est celui des photodétecteurs MWIR comportant une structure semiconductrice à barrière et réalisée à base de III-Sb.
ÉTAT DE LA TECHNIQUE ANTÉRIEURE Dans le domaine de la détection infrarouge, de nombreux développements existent pour obtenir des photodétecteurs plus performants, et adaptés à détecter dans le moyen infrarouge (MWIR, pour Middle Wave Infrared en anglais), i.e. dans la bande spectrale allant de 3 à 5µm environ. Il peut ainsi s’agir d’être en mesure d’utiliser de tels photodétecteurs à des températures de fonctionnement supérieures aux températures cryogéniques habituelles, par exemple autour de 120 à 170K. On parle alors de photodétecteurs MWIR HOT, pour High Operating Temperature en anglais.
Les photodétecteurs MWIR peuvent être des photodétecteurs à barrière (ou bariode, pour diode à barrière) de type XBn ou XBp, c’est-à-dire qu’ils comportent alors une structure semiconductrice formée d’un empilement d’une couche contact notée X (dopée de type n ou de type p), d’une couche barrière notée B, et d’une zone absorbante dopée n ou p selon le type de la bariode. La barrière est dite unipolaire dans la mesure où elle bloque les porteurs de charge d’un type de conductivité mais autorise le déplacement des porteurs de charge de l’autre type de conductivité. Ainsi, dans le cas d’une bariode XBn, la couche barrière bloque les électrons majoritaires mais autorise le déplacement jusqu’à la couche contact des trous photogénérés dans la zone absorbante. Une présentation de tels photodétecteurs MWIR à barrière se trouve notamment dans la publication de Martyniuk et al. intitulé Barrier infrared detectors , Opto-Electron. Rev., 22 , no. 2, 2014. On peut également se référer au document US7795640B2.
D’une manière générale, les photodétecteurs à barrière ont l’avantage que le courant de recombinaison SRH (Shockley-Read-Hall) est d’une faible contribution au courant d’obscurité, en comparaison à sa contribution dans le cas des photodiodes à jonction pn. En effet, dans de telles photodiodes à jonction pn, la contribution du courant SRH peut être élevée dans la zone de charge d’espace dans la mesure où l’énergie de bande interdite (gap) des composés semiconducteurs habituellement utilisés pour la détection infrarouge est faible. En revanche, dans un photodétecteur à barrière, la zone de champ électrique est confinée dans la couche barrière à grand gap, et joue le même rôle que la zone de charge d’espace : bloquer les porteurs majoritaires tout en laissant passer les porteurs minoritaires photogénérés. La contribution du courant GR (courant de génération-recombinaison) au courant d’obscurité est alors fortement réduite. Par ailleurs, pour ne pas entraver le photocourant, la couche barrière présente un faible offset de la bande de valence (dans le cas des bariodes de type XBn).
Les photodétecteurs à barrière peuvent notamment être réalisés à base de composés III-V à base d’antimoniure (Sb), qui permettent notamment, dans le cas des photodétecteurs de type XBn, d’obtenir un offset de la bande de valence très faible. La zone d’absorption est alors généralement réalisée par épitaxie à partir d’un substrat à base de III-Sb, par exemple en GaSb. Elle peut être réalisée en un matériau dit massif ( bulk en anglais), par exemple en InAsSb, ou peut être réalisée sous la forme d’un super-réseau ( super lattice en anglais), par exemple un super-réseau de type 2 (T2SL, pour Type-2 Super Lattice en anglais).
Les super-réseaux et les matériaux massifs se distinguent l’un de l’autre notamment par les propriétés de transport des porteurs de charge, et en particulier des porteurs minoritaires, dans le matériau considéré. Dans un matériau massif non contraint ou en accord de maille, le transport des porteurs minoritaires est isotrope : ils peuvent se déplacer dans les trois dimensions de l’espace sans contraintes. En revanche, dans un super-réseau, le transport de ces porteurs minoritaires est anisotrope : le transport latéral dans le plan des couches, i.e. dans un plan orthogonal à l’axe de croissance est plus élevé (et proche du transport dans un matériau massif) que le transport vertical suivant l’axe orthogonal au plan des couches, du fait de la présence des barrières de potentiel du super-réseau.
Ces deux familles technologiques (matériaux massifs et super-réseaux) présentent des propriétés d’absorption différentes dans la bande spectrale MWIR, et sont différemment utilisées selon que l’on souhaite détecter dans une partie seulement ou dans toute la bande spectrale MWIR.
En effet, rappelons que la bande spectrale MWIR, qui correspond à une fenêtre de transmission atmosphérique, est divisée en deux sous-bandes situées de part et d’autre de la longueur d’onde d’absorption du CO 2 à 4.2µm : une ‘bande bleue’ pour les longueurs d’onde en deçà de 4.2µm, et une ‘bande rouge’ pour les longueurs d’onde au-delà de 4.2µm.
Selon des variantes de réalisation non représentées, l’actionneur est configuré autrement et peut être monté mobile en translation vis-à-vis du boîtier, de sorte que la piste à profil ondulée s’étende suivant une direction rectiligne et non incurvée.
Le nombre et/ou la conformation des dépressions peuvent également varier en fonction des circonstances.
De manière générale, on rappelle que la présente invention ne se limite pas aux formes de réalisation décrites et représentées, mais englobe également toutes les variantes d’exécution à la portée de l'homme du métier.
Structure de parallélisation de convolution à bas besoin de bande passante L’invention concerne le domaine des circuits de calcul utilisés par exemple pour calculer des produits de convolution dans des réseaux de neurones.
L’utilisation des modèles de Deep Learning (apprentissage profond) et, en particulier, des modèles du type réseau de neurones convolutif, nécessite de réaliser un nombre important de calculs de produits de convolution. La capacité des composants hardware (matériel) à réaliser de manière efficace ces calculs est un enjeu majeur pour le développement des applications utilisant cette technologie. Cet enjeu concerne l’entraînement du modèle, mais aussi et surtout l’exécution de l’inférence, qui peut être mise en œuvre dans un système embarqué et donc avec des ressources limitées (puissance de calcul, bande passante de données, énergie disponible, etc.).
On envisage de développer un circuit de calcul, implémenté par exemple dans un FPGA (pour Field Programmable Gate Arrays ) ou un ASIC (pour Application Specific Integrated Circuit ), qui soit le plus performant possible pour réaliser ces calculs de produits de convolution.
L’opération de base de la convolution est l’opération combinée MAC, pour Multiplication-ACcumulation. Cette opération consiste à multiplier une donnée par un poids et à additionner le résultat de la multiplication avec les résultats des multiplications précédentes.
Or, on a constaté que, dans les circuits de calcul de l’art antérieur conçus pour calculer des convolutions de réseaux de neurones, le rendement des multiplieurs est assez faible, parfois seulement de 10 %. Cela signifie que les multiplieurs passent 90 % du temps à ne rien faire d’utile. Ceci est très problématique car cela augmente le temps de traitement et la consommation du composant implémentant le circuit de calcul.
Ce faible rendement est dû à une « famine » de données d’entrée : les mémoires intégrées dans ou reliées au composant réalisant le circuit de calcul ne peuvent pas fournir suffisamment rapidement les données aux multiplieurs. Augmenter le rendement, et donc l’efficacité de l’implémentation de ces calculs, nécessite impérativement de réduire le besoin en bande passante.
En référence à la , la structure traditionnelle pour réaliser les calculs de convolutions dans les réseaux de neurones est une architecture systolique, qui est une structure 2D (deux dimensions).
Dans l’exemple de la , a et b sont des matrices 3x3. Chaque carré représente un Processeur Elémentaire (PE). A chaque cycle d’horloge, chaque PE : multiplie les deux entrées (haut et gauche) ; accumule le résultat de la multiplication localement ; transfère les coefficients a i,j et b i,j respectivement vers la droite et vers le bas.
Ainsi, après deux coups d’horloge, le premier PE a réalisé deux MAC (c’est le cas sur la ). Ses deux voisins ont réalisé un MAC, car ils reçoivent les données avec un décalage d’un cycle d’horloge.
Au bout de trois cycles d’horloge, le premier PE a calculé l’équation :
a 0,0 x b 0,0 + a 0,1 x b 1,0 + a 0,2 x b 2,0
Cette équation correspond à la multiplication du vecteur a 0,x avec le vecteur b y,0 .
La poudre de cuivre ainsi sera ci-dessous mentionnée en tant que poudre B.
Exemple 3 : Mise en évidence de l’amélioration de la coulabilité dans le cadre de l’invention
La poudre A a été versée dans un anneau en céramique puis traité sous air à 130°C durant 6 heures. Deux témoins, à savoir la poudre initiale (dite Virgin) ainsi qu’une poudre ayant subi un traitement de désoxydation sous hydrogène (dite Dox), ont subi le même traitement, 130°C 6h sous air.
Après traitement, l’anneau céramique est enlevé. Dans le cas de la poudre A, la poudre s’étale immédiatement, figure 2A. Dans le cas de la poudre initiale (figure 2B) et de la poudre désoxydée (figure 2C), la poudre constitue un bloc qui ne s’écoule pas.
De façon analogue, la poudre B selon l’invention a été testée en la soumettant à des traitements thermiques sous air à 100°C et 130°C, pendant 6 heures. A l’issue de ces traitements, la poudre ne présente aucun signe d’agglomération.
En outre, la coulabilité et la densité apparente de la poudre B ont été mesurées et comparées à la poudre initiale (Virgin) et à une poudre Dox, témoins tels que définis plus haut. Ces mesures sont reportées au tableau 2.
Par rapport à la poudre initiale, la poudre B présente une coulabilité et une densité apparente équivalentes, donc parfaitement compatibles avec le procédé.
On notera que la poudre Dox présente une faible coulabilité mettant en avant l’impact de l’oxydation de surface sur cette propriété. Echantillon Angle d'avalanche Densité apparente [deg] SD [%] SD Virgin 39,8 2 53,0 Dox 68,5 22 41,5 0,2 poudre B 44,4 2 47,9 0,3
Exemple 4 : Préparation d’une pièce en cuivre à partir d’une poudre de l’invention selon l’exemple 1
Afin de mesurer leur propriétés thermiques et électriques, des pièces de formes simples ont été élaborées, avec la poudre Virgin (témoin hors invention) et A (invention) telles que décrites ci-dessus, en reproduisant les étapes du procédé de « binder jetting ». Les propriétés des pièces produites sont reportées dans le tableau 1 suivant. Densité à cru % Densité frittée % Conductivité électrique % IACS Conductivité thermique W.m-1.k-1 Pièces produites avec poudre A Moyenne d’au minimum 3 mesures 50,62 92,3 81 340 (81%) Ecart type 1,25 0,8 1 18 Pièces produites avec poudre Virgin Moyenne d’au minimum 3 mesures 57,6 92,7 77 318 (79%) Ecart type 0,9 0,4 1 4
Le tableau 1 montre que les propriétés finales des pièces obtenues à l’aide de la poudre de l’invention sont équivalentes voire supérieures à celles obtenues à l’aide de la poudre d’origine.
Goulotte de pesage d’un mélange caoutchouteux La présente invention est relative au pesage d’un mélange caoutchouteux, notamment en sortie d’un mélangeur interne.
Dans le cadre de la fabrication de pneumatiques, différents mélanges caoutchouteux sont réalisés dans des mélangeurs internes à partir de différents produits : noir de carbone, caoutchouc naturel et/ou synthétique, produits chimiques, huiles, etc.
Si les différents produits mélangés sont pesés ou dosés en amont du mélangeur interne, il est aussi nécessaire de peser le mélange à la sortie du mélangeur interne pour vérifier les pesées et dosages effectués en amont et pour s’assurer qu’il ne reste pas de mélange dans le mélangeur interne.
Le document CN 104441297 décrit une goulotte de pesage apte à être disposée sous un mélangeur interne.
Un premier inconvénient de la solution présentée dans ce document CN 104441297 réside dans la fixation du châssis 2 de la goulotte de pesage sous un mélangeur interne via des brides de fixation 1. En effet, un mélangeur interne génère des vibrations susceptibles de gêner les mesures effectuées par les capteurs de pesage de la goulotte de pesage.
Cette manière de procéder ouvre la possibilité de piéger un attaquant, en regardant s’il y a une tentative d’utilisation du code leurre plus tard, on peut déterminer que le système est sous attaque, ou sous surveillance active, et agir en conséquence.
A ce titre, le procédé peut comprendre une étape (d) de mise en œuvre d’une mesure de riposte en fonction du résultat de l’étape (c), qui peut aller de la simple alerte à l’utilisateur, à la tentative d’identification et de neutralisation de l’attaquant, en passant par le blocage logiciel complet (au moins temporairement) des données descriptives de l’état de la batterie 15 fournies par la jauge de batterie 16 (i.e. les moyens de traitement de données 11 empêchent les autre applications d’y avoir accès). Cela risque temporairement de nuire à l’autonomie de la batterie (car les applications ne pourront plus optimiser finement la consommation énergétique), mais le risque d’attaque réelle sera écarté.
Ainsi, ce terminal 1 comprend comme expliqué des moyens de traitement de données 11, au moins un composant énergivore 11, 12, 13, 14 (typiquement un vibreur 14), une batterie 15 et une jauge de batterie 16 fournissant aux moyens de traitement de données 11 des données descriptives de l’état de la batterie 15. Il peut en outre comprendre des moyens de stockage de données 12, une interface 13, etc.
Les moyens de traitement de données 11 sont configurés pour mettre en œuvre des étapes visant à protéger le terminal 1 contre une attaque une attaque par canal auxiliaire utilisant lesdites données descriptives de l’état de la batterie 15, ces étapes consistant à : Lorsque ledit terminal 1 est susceptible de subir une telle attaque par canal auxiliaire utilisant lesdites données descriptives de l’état de la batterie 15 (par exemple lors de la saisie d’un code sur l’interface 13), contrôler ledit composant énergivore 11, 12, 13, 14 de sorte à modifier les données descriptives de l’état de la batterie 15 fournies par la jauge de batterie 16 ; Le cas échéant détecter si ladite attaque est tentée sur la base des données descriptives de l’état de la batterie 15 modifiées ; voire mettre en œuvre d’une mesure de riposte en fonction du résultat de la détection.
Selon un quatrième et un cinquième aspects, l’invention concerne un produit programme d’ordinateur comprenant des instructions de code pour l’exécution (sur les moyens de traitement de donnés 11 du terminal 1) d’un procédé selon le premier aspect de protection du terminal 1 contre une attaque par canal auxiliaire utilisant lesdites données descriptives de l’état de la batterie 15 fournies par la jauge de batterie 16, ainsi que des moyens de stockage lisibles par un équipement informatique (par exemple les moyens de stockage de données 12 du terminal) sur lequel on trouve ce produit programme d’ordinateur.
Dispositif électronique et procédé d’estimation d’une pression exercée par un doigt d’un utilisateur sur une surface tactile, pavé tactile, écran tactile, véhicule et programme d’ordinateur associés La présente invention concerne un dispositif électronique d’estimation d’une pression exercée par un doigt d’un utilisateur sur une surface tactile, lors d’un appui du doigt contre la surface tactile.
L’invention concerne également un pavé tactile, ainsi qu’un écran tactile, chacun comprenant une surface tactile, un dispositif de mesure d’une taille d’un appui d’un doigt d’un utilisateur contre la surface tactile, et un tel dispositif d’estimation de la pression alors exercée par le doigt.
L’invention concerne aussi un véhicule, notamment automobile, comprenant un tel pavé tactile et/ou un tel écran tactile.
L’invention concerne également un procédé d’estimation d’une pression exercée par un doigt d’un utilisateur sur une surface tactile, le procédé étant mis en œuvre par un tel dispositif électronique d’estimation ; ainsi qu’un programme d’ordinateur comportant des instructions logicielles qui, lorsqu’elles sont exécutées par un ordinateur, mettent en œuvre un tel procédé d’estimation.
L’invention concerne le domaine des interfaces homme-machine, en particulier lorsqu’elles sont embarquées à bord d’un véhicule, notamment automobile. L’invention concerne plus particulièrement le domaine des surfaces tactiles, équipant les pavés tactiles et les écrans tactiles. Les surfaces tactiles permettent, comme connu en soi, de prendre en compte des manipulations tactiles (par exemple, des touchers tactiles) qui sont effectuées par un utilisateur, typiquement pour interagir avec un équipement électronique, tel qu’un équipement du véhicule.
Pour certaines interactions, il est utile de connaître la pression exercée sur la surface tactile par le doigt de l’utilisateur lors d’une telle manipulation tactile.
À cet effet, les surfaces tactiles sont généralement équipées d’un capteur de pression, aussi appelé capteur de force, pour mesurer cette pression exercée. Le document WO 2022/0163364 A1 décrit alors un panneau tactile équipé d’un capteur sensible à la pression pour détecter une pression de contact d’un index d’un utilisateur lorsqu’il appuie contre le panneau tactile.
Il est également connu d’estimer cette pression exercée sur la surface tactile sans utiliser un capteur de pression. Le document US 2012/0013566 A1 décrit ainsi un panneau tactile équipé d’un module d’estimation de pression, le module d’estimation étant couplé à une caméra et comportant un calculateur qui calcule une valeur de pression appliquée lorsque le panneau tactile est touché en utilisant un changement au niveau de la surface touchée, détecté par la caméra.
Des étapes i01 et i02 sont introduites avant l’étape i, pour améliorer le jumeau numérique avant le déploiement et l’exploitation du procédé sur la totalité du parc de véhicules :
Etape i01 : équiper un groupe restreint de véhicules du parc de véhicules du groupe de capteurs de maintenance.
Etape i02 : relever périodiquement les données de mesure du groupe de capteurs de maintenance équipant chaque véhicule du groupe restreint de véhicules du parc de véhicules pour enrichir le jumeau numérique.
Ces étapes additionnelles permettent de rendre le jumeau numérique plus robuste avant son déploiement sur le parc complet de véhicules.
Matériellement, le procédé de l'invention peut être mis en œuvre par l'intermédiaire d'un kit HUMS (acronyme anglais de Health and Usage Monitoring System - système de surveillance de santé et d’utilisation), qui est un boîtier électronique qui permet d'enregistrer le bus CAN existant et de conditionner et d'enregistrer les signaux de capteurs ajoutés et d’exécuter un algorithme de prédiction. Dans ce cas, le jumeau numérique centralisé du parc de véhicules sera mis à jour périodiquement et la prédiction sera réalisée sur le véhicule, de manière déportée.
Comme indiqué plus haut, l’invention n’est pas limitée aux parcs de véhicules, et peut s’appliquer à tous parcs de machines, et plus généralement à tous parcs de systèmes dynamiques pouvant être modélisés, la modélisation étant l’association d’un système de commande (carte électronique associé à un logiciel de pilotage) qui pilote un actionneur (électrique, hydraulique, pneumatique...), lequel actionneur est à l’initiative du mouvement d’une chaîne cinématique (mécanique, mécatronique, hydraulique, pneumatique, électrique...).
A titre d’exemples non limitatifs, une machine selon l’invention peut être un véhicule, notamment un véhicule militaire, une chaîne automatisée, un convoyeur, un automate d’analyse (médicales, …), un système de distribution (machine à café, …), une centrale électrique, une centrale hydraulique, un appareil de production d’énergie (hydrolienne, éolienne…), des machines-outils...
Dispositif d’indexation pour appareil de commande électrique La présente invention se rapporte d’une manière générale aux appareils de commande électrique pourvus d’un actionneur de commande monté mobile vis-à-vis d’un boîtier et apte à occuper plusieurs positions privilégiées de commutation.
Elle vise en particulier un dispositif d’indexation propre à définir lesdites positions privilégiées de commutation d’un tel actionneur.
Les dispositifs d’indexation sont utilisés classiquement pour définir plusieurs positions privilégiées de commutation électrique d'un actionneur tel qu'un bouton rotatif, un levier pivotant ou un curseur coulissant sur un appareil de commande électrique d’un véhicule automobile tel qu’un commodo de commande, un sélecteur de vitesse ou un tableau de commande du système de climatisation de ce véhicule automobile.
La définition de telles positions privilégiées permet d'éviter que l’actionneur se maintienne dans une position intermédiaire ne correspondant à aucune valeur définie de la fonction à commander. Ces positions privilégiées servent de repères en procurant un ressenti haptique à l’utilisateur lorsqu’elles sont atteintes lors de la manœuvre de l’actionneur.