INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
représente une vue en plan d’un support colorant en damiers, dont les cases notées R V et B forment des triplets colorés. La couleur apparente de ces cases varie pour un déplacement dans le sens de la flèche et elles présentent respectivement les couleurs rouge vert et bleu pour les conditions dites optimales de point de vue et d’éclairage. Un déplacement perpendiculaire à la direction de la flèche du point de vue sort progressivement la case du domaine de visibilité sans changer pour autant de couleur.
représente une vue en perspective d’un réseau lenticulaire 10 à lentilles cylindriques divergentes, composé de lentilles élémentaires 1, 2 3 et suivantes.
représente une coupe de trois lentilles élémentaires du réseau lenticulaire de la permettant de voir le faisceau de lumière entrante 41, que le dioptre divergent fait diverger pour qu’il envoie de la lumière sur le dispositif optique à changement de couleurs, ce dernier ne renvoyant la lumière que selon un angle solide plus étroit 52, lequel diverge en sortie sous forme du faisceau lumineux plus large 51, ce qui a pour conséquence que le dispositif optique à changement de couleurs est visible depuis un domaine beaucoup plus large.
représente une vue en perspective d’une variante de l’invention, dans laquelle le réseau lenticulaire 10 a des lentilles divergentes qui sont sphériques.
représente une vue en perspective d’une lentille élémentaire selon une autre variante, dans laquelle la longueur focale des lentilles est différente dans un plan horizontal et dans un plan vertical.
représente une vue en perspective d’un réseau lenticulaire composé de lentilles telles que celle décrite à la .
représente une vue en perspective d’une lentille élémentaire qui est divergente dans un plan parallèle à ladite direction opérationnelle et convergente dans un plan perpendiculaire à ce plan.
représente une vue en perspective des constituants d’un dispositif perfectionné selon l’invention : un premier élément dit support colorant 30 dont l’aspect change selon le point de vue et/ou les conditions d’éclairement auquel il est soumis, un second élément dit couche de personnalisation 20 masquant partiellement ou totalement des sous-ensembles du support colorant, et un réseau lenticulaire 10.
L’invention est un dispositif optique dont les couleurs changent en fonction du point de vue sous lequel on l’observe et/ou selon la position d’un ou plusieurs moyens d’éclairement auquel il est soumis, dit dispositif optique à changement de couleurs, comportant - un premier élément dit support colorant (30) dont l’aspect de parties dites cases change de luminosité, de couleur ou de saturation pour un déplacement du point de vue ou d’un moyen d’éclairement dans une direction dite direction opérationnelle, l’aspect de ladite case perdant progressivement les caractéristiques de luminosité permettant sa visibilité pour un déplacement du point de vue ou d’un moyen d’éclairement dans une direction perpendiculaire à ladite direction opérationnelle, le domaine dans lequel le point de vue ou un moyen d’éclairement ne fait pas perdre à ladite case considérée les caractéristiques de luminosité permettant sa visibilité étant ci-après dit domaine de visibilité de ladite partie considérée, - un second élément dit couche de personnalisation (20) qui masque ou modifie partiellement ou totalement l’aspect desdites cases du support colorant, caractérisé en ce que certaines desdites cases changent de couleur pour un déplacement du point de vue dans une première direction, et d’autres cases changent de couleur pour un déplacement du point de vue dans une direction différente.
Description détaillée de l’invention Un dispositif selon l’invention peut servir de moyen d’authentification d’un document ou d’un produit, et c’est un avantage très important qu’il puisse être authentifié avec un Smartphone.
On connait des dispositifs comme des hologrammes à changement de couleurs par exemple, dont le choix des couleurs réfléchies par le support colorant peut faire apparaître l’image avec ses couleurs d’origine dans les conditions dites optimales, correspondant à un point de vue et à des conditions d’éclairement particulier, ou à plusieurs couples [point de vue, conditions d’éclairement] donnés.
Dans les modes de réalisation présentés ci-dessus avec leurs variantes, lorsqu’un un traitement de protection 20 est réalisé, celui-ci peut correspondre, de manière non exhaustive, au passage dans :
- un bain de conservateur organique de soudabilité, tel que du benzotriazole ou un imidazole (par exemple un alkyl benzimidazole, un aryl benzimidazole, etc.) ;
- un bain adapté pour former une mono-couche auto-organisée, tel qu’un mélange d’éther du polyéthylèneglycol et de propylèneglycol, ou encore un mélange de polyglycolether et d’isopropylglycol, ou endore un mélange d’octylphénoxyéthanol et d’octadécane-1-thiol ou encore du Monooléate de polyoxyéthylène de sorbitane (Polysorbate 80, numéro C.A.S 9005-65-6) , ou encore un mélange d’Alcools (C12-18) éthoxylés propoxylés (numéro C.A.S 69227-21-0) avec de l’Éther de lauryl poly(oxyéthylène) (numéro C.A.S 9002-92-0) et du 1-octadécanethiol (C.A.S 2885-00-9).
Structure tridimensionnelle de mémoires de type NOR Champ d’application La présente invention concerne le domaine de l’intégration des circuits de stockage de données basés sur des structures mémoires tridimensionnelles. Plus particulièrement, l’invention concerne une configuration de connexion optimale d’une structure mémoire tridimensionnelle à base de mémoires non-volatiles résistives avec sa circuiterie périphérique réalisée sur un substrat semiconducteur différent.
Problème technique Les technologies émergentes des mémoires non-volatiles permettent de réaliser des circuits de mémoire plus denses et plus compacts par rapport aux structures planaires classiques. Cependant, les solutions actuelles de circuits de stockage tridimensionnels présentent une contrainte majeure qui consiste en la difficulté d’accéder individuellement à chaque cellule mémoire de la structure pour réaliser des opérations de lecture et/ou d’écriture. Cette contrainte de connectivité induit la nécessité d’un fonctionnement séquentiel. Ce type de fonctionnement augmente le temps nécessaire pour les opérations de lecture et/ou d’écriture et réduit ainsi la performance du circuit de stockage.
L’architecture de type « NOR » présente un candidat prometteur pour augmenter le parallélisme d’accès et ainsi augmenter la performance des circuits de stockage 3D. En effet, dans une architecture mémoire de type « NOR », toutes les cellules mémoires sont accessibles en lecture et en écriture d’une manière indépendante et individuelle sans qu’il soit nécessaire de présélectionner ou inhiber les cellules mémoires adjacentes. Cela offre une flexibilité de programmation et un gain considérable en temps d’exécution. Cependant, l’implémentation d’une architecture de type NOR dans une structure mémoire tridimensionnelle sur un seul substrat présente au moins les contraintes techniques suivantes : Le recours à de larges circuits périphériques aux mémoires. Ces circuits périphériques couvrent à titre d’exemple une pluralité d’amplificateurs de détection et des circuits de commande de lecture et d’écriture. Cela augmente considérablement la surface du circuit et la complexité d’implémentation physique ; La nécessité d’utiliser plusieurs niveaux de pistes métalliques pour réaliser les interconnexions complexes entre les cellules mémoires et les circuits périphériques. Cette contrainte est d’autant plus importante avec l’augmentation de la taille de la structure mémoire tridimensionnelle ; et La faible performance des cellules mémoire utilisées dans les structures mémoire tridimensionnelles par rapport aux transistors selon des nœuds technologiques avancées.
Ainsi, il existe un besoin pour concevoir des nouvelles architectures de circuits de stockage 3D, qui soient moins complexes, plus denses et présentant en même temps une flexibilité d’accès en lecture/écriture et une amélioration des performances en termes de vitesse d’exécution.
Art antérieur/ Restrictions de l’état de l’art Les solutions connus de type Flash NOR en deux dimensions (planaire) présentent une structure avec la possibilité de parallélisation des opérations d’écriture et de lecture. L’inconvénient de ce type de structure est que la parallélisation se fait aux dépens de sa densité spatiale de la structure. Cela présente une limitation du nombre de de cellules mémoire sur une surface prédéterminée.
Les solutions connus de type NAND en trois dimensions (cubique) présentent une structure avec une densité spatiale améliorée. L’inconvénient de ce type de structure est que la parallélisation des opérations de lecture/écriture est très limité. L’accès séquentiel est imposé par un accès électrique aux nœuds d’entrée/sortie partagé entre les cellules mémoire montés en série dans ce type de structure.
Réponse au problème et apport solution Pour pallier les limitations des solutions existantes d’un point de vue densité et parallélisme d’opérations, l’invention propose un circuit basé sur une structure mémoire tridimensionnelle réalisée sur un premier substrat semiconducteur et connectée verticalement à des circuits périphériques réalisés sur un second substrat semiconducteur. Le second substrat semiconducteur est superposé à la structure mémoire tridimensionnelle. La connexion entre les circuits périphériques et les cellules mémoires de la structure mémoire 3D se fait à travers des connexions verticales (sous forme de vias) et une distribution de plots de connexion confinés entre la structure 3D et le second substrat semiconducteur.
Le dispositif selon l’invention présente une distribution optimale des plots de connexion permettant de diviser la structure mémoire 3D en plusieurs sous-matrices de cellules mémoires indépendants. Cela permet d’obtenir une structure de type « NOR » et d’améliorer le parallélisme des opérations de lecture et d’écriture de cellules mémoires. L’invention permet ainsi la réalisation d’un découpage innovant par bloc et d’un routage pour avoir un accès de type NOR. Cela permet d’obtenir une granularité fine dans la structure tridimensionnelle, offrant la possibilité d’une forte parallélisation en lecture et en écriture.
De plus, le dispositif selon l’invention est réalisable avec un nombre de cellules mémoires considérablement supérieur à celui des solutions connues en mémoire non volatile de type NOR (flash NOR 2D par exemple). Cela offre l’avantage de la multiplication des capacités de stockage. Ainsi, le dispositif est capable de paralléliser un nombre considérable d’opérations de traitement de données pour obtenir une performance meilleure.
Le dispositif selon l’invention permet en outre de réduire la complexité des circuits périphériques en utilisant des transistors à nœuds technologiques avancés occupant moins de surface et ayant une performance améliorée. A titre d’exemple, les transistors à nœuds technologiques avancés couvrent des transistors ayant un nœud technologique inférieur à 28nm.
Résumé / Revendications L’invention a pour objet un circuit de stockage de données, de type NOR comprenant : une structure mémoire tridimensionnelle , réalisée sur un premier substrat semiconducteur , et comprenant une pluralité de plans mémoire de rang i allant de 1 à N, avec N un entier naturel supérieur à 1, chaque plan formant une matrice bidimensionnelle de cellules mémoire non volatiles, résistives et programmables. Chaque cellule mémoire a un nœud de sélection, un premier nœud d’entrée/sortie et un second nœud d’entrée/sortie. Ladite matrice comprend M lignes de rang j allant de 1 à M et K colonnes de rang k allant de 1 à K, avec M et K deux entiers naturels non nuls. Pour chaque plan mémoire : les premiers nœuds d’entrée/sorties des cellules mémoires appartenant à la même colonne sont interconnectés; et les seconds nœuds d’entrée/sorties des cellules mémoires appartenant à la même colonne sont interconnectés. La structure mémoire tridimensionnelle a une surface supérieure comprenant une pluralité de connecteurs répartis sur ladite surface ; chaque connecteur étant connecté à au moins l’un parmi les premiers ou les seconds nœuds d’entrée/sortie d’une même colonne ; un circuit de contrôle configuré pour appliquer des tensions de commande sur les nœuds de chaque cellule mémoire ; et réalisé sur un second substrat semiconducteur ; le circuit de contrôle étant superposé à ladite surface supérieure ; une structure d’interconnexion comprenant : une pluralité de plots de connexions disposés entre le circuit de contrôle et ladite surface supérieure ; chaque plot de connexion connectant le circuit de contrôle à un connecteur dédié ; chaque plot de connexion étant connecté à un groupe élémentaire de cellules mémoires appartenant à des plans mémoires distincts. Ladite pluralité de plots de connexion forme une répétition périodique d’un motif unitaire dans un plan parallèle à la surface supérieure.
Selon un aspect particulier de l’invention, chaque plot de connexion présente une première dimension selon une première direction et une seconde dimension selon une seconde direction. La largeur selon la première direction du motif unitaire selon la première direction étant égale à ladite première dimension multipliée par 4* nb x , avec nb x le nombre de connecteurs couverts par l’aire plot de connexion appartenant à un même plan mémoire selon la seconde direction. La longueur étant égale à deux fois la seconde dimension dudit plot de connexion selon la seconde direction.
Selon un aspect particulier de l’invention, la structure d’interconnexion comprend en outre pour chaque groupe élémentaire : une première piste de connexion pour interconnecter les premiers nœuds d’entrée/sortie des cellules mémoires appartenants à des colonnes de même rang k d’une pluralité de plans mémoire distincts ; une seconde piste de connexion pour interconnecter les seconds nœuds d’entrée/sortie des cellules mémoires appartenants à des colonnes de même rang k d’une pluralité de plans mémoire distincts.
La est un graphique de performance de cycle de la batterie à boîtier souple assemblée avec les matériaux de cathode dans les exemples 1 à 7 et les exemples comparatifs 1 à 3 à 45°C et une densité de courant de 1C.
DESCRIPTION DÉTAILLÉE Les modes de réalisation techniques de la présente demande vont être décrits de manière plus détaillée ci-dessous à travers des exemples spécifiques. Il doit être clair pour l'homme du métier que les exemples ne servent qu'à aider à comprendre la présente demande, et ne doivent pas être considérés comme une limitation spécifique à la présente demande.
Dans cet exemple, un procédé de préparation d'un matériau de cathode enduit LiNi0,8Co0,1Mn0,1O2 @CoB a été mis en œuvre par les étapes suivantes : (1) Les matières premières ont été préparées. 8 kg de matériau de cathode ternaire polycristallin à haute teneur en nickel LiNi0,8Co0,1Mn0,1O2 ont été utilisés comme matériau de base, 200 mL d'eau déionisée ont été utilisés comme dispersant et 54,49 g de CoB ont été utilisés comme agent de revêtement. (2) L'agent de revêtement CoB a été versé dans de l'eau et agité complètement pour former une suspension de revêtement. La suspension de revêtement a été versée dans un réservoir de pulvérisation et agitée légèrement en continu. Un système de pulvérisation a été préparé pour s'assurer que son débit d’écoulement répondait aux exigences. (3) Le matériau de base LiNi0.8Co0.1Mn0.1O2 a été versé dans un équipement de mélange, et une agitation a été effectuée à une vitesse linéaire de 3 m/s pendant 1 min, afin de s'assurer que le LiNi0.8Co0.1Mn0.1O2 soit entièrement dispersé dans la cavité de l'équipement de mélange. (4) Le système de pulvérisation a été allumé. La pulvérisation a été effectuée à une vitesse de 5 mL/s jusqu'à ce que toute la solution de revêtement ait été pulvérisée. Le système de pulvérisation a été arrêté et l'agitation a été poursuivie pendant 3 minutes pour s'assurer en outre que le CoB soit appliqué en revêtement de manière uniforme sur la surface de LiNi0,8Co0,1Mn0,1O2. (5) Après l'achèvement des étapes ci-dessus, les matériaux obtenus à l'étape (4) ont été placés dans une nacelle, qui a été placée dans un four pour une trempe et une modification ultérieure, où la trempe a été effectuée à une température de 700°C pendant 4 heures. (6) Le matériau résultant a été sorti du four et tamisé à travers un tamis de 400 mailles pour obtenir un matériau de cathode enduit LiNi0,8Co0,1Mn0,1O2@CoB.
Les particules monocristallines primaires dans le matériau de cathode enduit de cet exemple présentaient une taille de particule moyenne de 310 nm, et les particules polycristallines secondaires présentaient une taille de particule moyenne de 9,2 μm. Après calcul, la masse de CoB était de 0,68% de la masse de LiNi0,8Co0,1Mn0,1O2.
Dans cet exemple, un procédé de préparation d'un matériau de cathode enduit LiNi0,8Co0,1Mn0,1O2 @CoB a été mis en œuvre par les étapes suivantes : (1) Les matières premières ont été préparées. 8 kg de matériau de cathode ternaire polycristallin à haute teneur en nickel LiNi0,8Co0,1Mn0,1O2 ont été utilisés comme matériau de base, 200 mL d'eau déionisée ont été utilisés comme dispersant et 54,49 g de CoB ont été utilisés comme agent de revêtement. (2) L'agent de revêtement CoB a été versé dans de l'eau et agité complètement pour former une suspension de revêtement. La suspension de revêtement a été versée dans un réservoir de pulvérisation et agitée légèrement en continu. Un système de pulvérisation a été préparé pour s'assurer que son débit d’écoulement répondait aux exigences. (3) Le matériau de base LiNi0.8Co0.1Mn0.1O2 a été versé dans un équipement de mélange, et une agitation a été effectuée à une vitesse linéaire de 2 m/s pendant 1 min, afin de s'assurer que le LiNi0.8Co0.1Mn0.1O2 soit entièrement dispersé dans la cavité de l'équipement de mélange. (4) Le système de pulvérisation a été allumé. La pulvérisation a été effectuée à une vitesse de 0,5 mL/s jusqu'à ce que toute la solution de revêtement ait été pulvérisée. Le système de pulvérisation a été arrêté et l'agitation a été poursuivie pendant 3 minutes pour s'assurer en outre que le CoB soit appliqué en revêtement de manière uniforme sur la surface de LiNi0,8Co0,1Mn0,1O2. (5) Après l'achèvement des étapes ci-dessus, les matériaux obtenus à l'étape (4) ont été placés dans une nacelle, qui a été placée dans un four pour une trempe et une modification ultérieure, où la trempe a été effectuée à une température de 450°C pendant 6 heures. (6) Le matériau résultant a été sorti du four et tamisé à travers un tamis de 400 mailles pour obtenir un matériau de cathode enduit LiNi0,8Co0,1Mn0,1O2@CoB.
Les particules monocristallines primaires dans le matériau de cathode enduit de cet exemple présentaient une taille de particule moyenne de 330 nm, et les particules polycristallines secondaires présentaient une taille de particule moyenne de 11,0 μm. Après calcul, la masse de CoB était de 0,68% de la masse de LiNi0,8Co0,1Mn0,1O2.
Dans cet exemple, un procédé de préparation d'un matériau de cathode enduit LiNi0,8Co0,1Mn0,1O2 @CoB a été mis en œuvre par les étapes suivantes : (1) Les matières premières ont été préparées. 8 kg de matériau de cathode ternaire polycristallin à haute teneur en nickel LiNi0,8Co0,1Mn0,1O2 ont été utilisés comme matériau de base, 40 mL d'eau déionisée ont été utilisés comme dispersant et 6,81 g de CoB ont été utilisés comme agent de revêtement. (2) L'agent de revêtement CoB a été versé dans de l'eau et agité complètement pour former une suspension de revêtement. La suspension de revêtement a été versée dans un réservoir de pulvérisation et agitée légèrement en continu. Un système de pulvérisation a été préparé pour s'assurer que son débit d’écoulement répondait aux exigences. (3) Le matériau de base LiNi0.8Co0.1Mn0.1O2 a été versé dans un équipement de mélange, et une agitation a été effectuée à une vitesse linéaire de 8 m/s pendant 1 min, afin de s'assurer que le LiNi0.8Co0.1Mn0.1O2 soit entièrement dispersé dans la cavité de l'équipement de mélange. (4) Le système de pulvérisation a été allumé. La pulvérisation a été effectuée à une vitesse de 0,2 mL/s jusqu'à ce que toute la solution de revêtement ait été pulvérisée. Le système de pulvérisation a été arrêté et l'agitation a été poursuivie pendant 3 minutes pour s'assurer en outre que le CoB soit appliqué en revêtement de manière uniforme sur la surface de LiNi0,8Co0,1Mn0,1O2. (5) Après l'achèvement des étapes ci-dessus, les matériaux obtenus à l'étape (4) ont été placés dans une nacelle, qui a été placée dans un four pour une trempe et une modification ultérieure, où la trempe a été effectuée à une température de 300°C pendant 8 heures. (6) Le matériau résultant a été sorti du four et tamisé à travers un tamis de 400 mailles pour obtenir un matériau de cathode enduit LiNi0,8Co0,1Mn0,1O2@CoB.
Les particules monocristallines primaires dans le matériau de cathode enduit de cet exemple présentaient une taille de particule moyenne de 320 nm, et les particules polycristallines secondaires présentaient une taille de particule moyenne de 10 μm. Après calcul, la masse de CoB était de 0,085% de la masse de LiNi0,8Co0,1Mn0,1O2.
Dans cet exemple, un procédé de préparation d'un matériau de cathode enduit LiNi0,8Co0,1Mn0,1O2 @CoB a été mis en œuvre par les étapes suivantes : (1) Les matières premières ont été préparées. 8 kg de matériau de cathode ternaire polycristallin à haute teneur en nickel LiNi0,8Co0,1Mn0,1O2 ont été utilisés comme matériau de base, 360 mL d'eau déionisée ont été utilisés comme dispersant et 102,16 g de CoB ont été utilisés comme agent de revêtement. (2) L'agent de revêtement CoB a été versé dans de l'eau et agité complètement pour former une suspension de revêtement. La suspension de revêtement a été versée dans un réservoir de pulvérisation et agitée légèrement en continu. Un système de pulvérisation a été préparé pour s'assurer que son débit d’écoulement répondait aux exigences. (3) Le matériau de base LiNi0.8Co0.1Mn0.1O2 a été versé dans un équipement de mélange, et une agitation a été effectuée à une vitesse linéaire de 5 m/s pendant 1 min, afin de s'assurer que le LiNi0.8Co0.1Mn0.1O2 soit entièrement dispersé dans la cavité de l'équipement de mélange. (4) Le système de pulvérisation a été allumé. La pulvérisation a été effectuée à une vitesse de 5 mL/s jusqu'à ce que toute la solution de revêtement ait été pulvérisée. Le système de pulvérisation a été arrêté et l'agitation a été poursuivie pendant 3 minutes pour s'assurer en outre que le CoB soit appliqué en revêtement de manière uniforme sur la surface de LiNi0,8Co0,1Mn0,1O2. (5) Après l'achèvement des étapes ci-dessus, les matériaux obtenus à l'étape (4) ont été placés dans une nacelle, qui a été placée dans un four pour une trempe et une modification ultérieure, où la trempe a été effectuée à une température de 500°C pendant 5 heures. (6) Le matériau résultant a été sorti du four et tamisé à travers un tamis de 400 mailles pour obtenir un matériau de cathode enduit LiNi0,8Co0,1Mn0,1O2@CoB.
Les particules monocristallines primaires dans le matériau de cathode enduit de cet exemple présentaient une taille de particule moyenne de 320 nm, et les particules polycristallines secondaires présentaient une taille de particule moyenne de 9,0 μm. Après calcul, la masse de CoB était de 1,28% de la masse de LiNi0,8Co0,1Mn0,1O2.
Dans cet exemple, un procédé de préparation d'un matériau de cathode enduit LiNi0,8Co0,1Mn0,1O2 @Co2B a été mis en œuvre par les étapes suivantes :
Au surplus, quelle que soit la contenance de la machine, la qualité et la reproductibilité du mélange entre deux productions successives de dilueur liquide sont aléatoires.
Au surplus, lorsque le volume de dilueur liquide à produire est très faible, l’utilisateur peut en outre être contraint à réaliser manuellement le mélange dans un bain-marie, sans aucune garantie quant à la qualité du mélange.
Au surplus, ces différentes machines du marché peuvent parfois nécessiter d’utiliser des dilueurs en poudre conditionnés dans des sachets en plastique de grande contenance et utilisés pour charger la machine, ce qui peut engendrer des problèmes d’homogénéité de mélange et des risques de toxicité plastique.