Procédé de fabrication d’un dispositif électroluminescent organique, comportant les étapes : a) utiliser un empilement comportant successivement : - un substrat (1), intégrant des transistors (10) de type n en couches minces comprenant chacun un drain (D), une source (S) et une grille (G) ; - une structure d’interconnexions (2), électriquement connectée aux transistors (10) de type n, et comprenant : une anode commune (20), électriquement connectée aux sources (S) des transistors (10) de type n ; des trous d’interconnexions (21), chacun étant électriquement connecté à un drain (D) d’un transistor (10) de type n ; b) former un ensemble de couches anodiques (3) et un ensemble de plots (4) de contact électrique sur la structure d’interconnexions (2), les couches anodiques (3) étant espacées entre elles de manière à former un réseau de lignes et de colonnes, chaque couche anodique (3) étant électriquement connectée à l’anode commune (20) ; chaque plot (4) de contact électrique étant adjacent à une couche anodique (3) et étant électriquement connecté à un trou d’interconnexion (21) ; c) former un ensemble d’empilements (5) de couches semi-conductrices organiques, chaque empilement (5) de couches semi-conductrices organiques s’étendant sur une couche anodique (3) et autour de ladite couche anodique (3), à distance du plot (4) de contact électrique adjacent à ladite couche anodique (3) ; d) former une couche cathodique (6) s’étendant sur la structure d’interconnexions (2), sur l’ensemble d’empilements (5) de couches semi-conductrices organiques et sur l’ensemble de plots (4) de contact électrique ; e) former successivement une couche de recouvrement optique (7) et une couche d’encapsulation (8) sur la couche cathodique (6) ; f) graver localement la couche d’encapsulation (8), la couche de recouvrement optique (7) et la couche cathodique (6) de manière à isoler électriquement les couches anodiques (3) entre elles et former une matrice de pixels ; chaque pixel comprenant une couche anodique (3) et un plot (4) de contact électrique, adjacent à ladite couche anodique (3). Procédé selon la revendication 1, dans lequel l’étape f) est exécutée par une gravure par faisceau d’ions. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel l’étape f) est précédée d’une étape consistant à former un masque de gravure (9) photosensible sur la couche d’encapsulation (8) formée lors de l’étape e), le masque de gravure (9) photosensible étant adapté pour délimiter la matrice de pixels. Procédé selon l’une des revendications 1 à 3, dans lequel l’étape b) est exécutée de sorte que le réseau de lignes et de colonnes présente un pas inférieur ou égal à 10 µm. Procédé selon l’une des revendications 1 à 4, dans lequel l’étape f) forme des zones gravées ; et l’étape f) est suivie d’une étape g) consistant à remplir les zones gravées d’un matériau d’encapsulation (80), de préférence l’alumine Al 2 O 3 . Procédé selon l’une des revendications 1 à 5, dans lequel l’étape e) est exécutée de sorte que la couche de recouvrement optique (7) est réalisée en monoxyde de silicium SiO. Procédé selon l’une des revendications 1 à 6, dans lequel l’étape e) est exécutée de sorte que la couche d’encapsulation (8) est réalisée en alumine Al 2 O 3 . Procédé selon l’une des revendications 1 à 7, dans lequel l’étape d) est exécutée de sorte que la couche cathodique (6) est réalisée en argent Ag. Procédé selon l’une des revendications 1 à 8, dans lequel les étapes d) et e) sont exécutées de sorte que la couche cathodique (6), la couche de recouvrement optique (7) et la couche d’encapsulation (8) présentent une épaisseur totale inférieure ou égale à 75 nm. Procédé selon l’une des revendications 1 à 9, dans lequel : - l’étape c) est exécutée avec un masque d’ombre ; - l’étape d) est exécutée sans masque d’ombre. Procédé selon la revendication 10, dans lequel l’étape c) est suivie d’une étape consistant à retirer le masque d’ombre dans une atmosphère inerte.