Dispositif microélectronique (1) comprenant : un premier transistor (100) à effet de champ comprenant une première couche active (104) ainsi qu’un premier drain (101), une première source (102), une première grille (103) surmontant la première couche active (104), un deuxième transistor (200) à effet de champ comprenant une deuxième couche active (204) ainsi qu’un deuxième drain (201), une deuxième source (202) et une deuxième grille (203) surmontant la deuxième couche active (204), la deuxième source (202) étant reliée électriquement au premier drain (101), une première électrode arrière (105), sous-jacente à la première couche active (104) selon une direction d’empilement (Z) perpendiculaire à un plan transversal (XY) défini par une première direction (X) et une deuxième direction (Y), la première électrode arrière (105) étant reliée électriquement à la première source (102), une deuxième électrode arrière (205), sous-jacente à la deuxième couche active (204) selon la direction d’empilement (Z), la deuxième électrode arrière (205) étant séparée de la première électrode arrière (105), la deuxième électrode arrière (205) étant reliée électriquement à la deuxième source (202), un empilement (1000), caractérisé en ce que l’empilement (1000) comprend : une troisième couche active (1100) continue et à base de GaN, sous-jacente à la première couche active (104) d’une part et à la deuxième couche active (204) d’autre part, et une couche isolante (1500) s’étendant, selon la direction d’empilement (Z), entre la première électrode arrière (105) et la première couche active (104) d’une part et la deuxième électrode arrière (205) et la deuxième couche active (204) d’autre part, la couche isolante (1500) étant continue et à base d’un premier diélectrique, la couche isolante (1500) présentant selon la direction d’empilement (Z) un champ critique E c , la couche isolante (1500) présentant selon la direction d’empilement (Z) une épaisseur dite épaisseur de diélectrique e 1500 comprise entre 2*e 1500,min et 10*e 1500,min , avec e 1500,min =V c ible /E c , V cible étant une tension de claquage cible de la couche isolante (1500), le premier diélectrique présentant une conductivité thermique λ 1 supérieure à 1W.m -1 .K -1 . Dispositif (1) selon la revendication précédente, dans lequel V c ible ≥ 900V. Dispositif (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel, dans le plan transversal (XY), la première électrode arrière (105) et la deuxième électrode arrière (205) sont séparées d’une distance d’isolation latérale d iso supérieure à 50 µm, de préférence supérieure à 100 µm. Dispositif (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel, en projection dans le plan transversal (XY) et selon toute direction du plan transversal (XY) : la première électrode arrière (105) est en saillie par rapport à la première couche active (104) sur une première distance de débordement d deb,1 , avec d deb,1 >0, et la deuxième électrode arrière (205) est en saillie par rapport à la deuxième couche active (204) sur une deuxième distance de débordement d deb, 2 , avec d deb, 2 >0. Dispositif (1) selon la revendication précédente dans lequel l’empilement (1000) présente une épaisseur e 1000 selon la direction d’empilement (Z), avec d deb,1 ≥e 1 0 00 et d deb,2 ≥e 1 0 00 . Dispositif (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel le premier diélectrique est l’un parmi l’AlN, le SiO 2 , l’Al 2 O 3 , le Si 3 N 4 , le HfO 2 et le diamant. Dispositif (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes comprenant en outre un premier élément de connexion électrique (106) traversant l’empilement (1000) et connectant électriquement la première source (102) à la première électrode arrière (105). Dispositif (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes comprenant en outre un deuxième élément de connexion électrique (206) traversant l’empilement (1000) et connectant électriquement la deuxième source (202) à la deuxième électrode arrière (205). Dispositif (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel e 1500 ≥1µm, de préférence e 1500 ≥2µm. Dispositif (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel la troisième couche active (1100) est directement au contact de la première couche active (104) et de la deuxième couche active (204).