INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
La phase aqueuse desdites compositions A et/ou B contient de l'eau et en général d'autres solvants solubles ou miscibles dans l'eau. Les solvants solubles ou miscibles dans l'eau comprennent les mono alcools à chaîne courte par exemple en C 1 -C 4 comme l'éthanol, l'isopropanol ; les diols ou les polyols comme l'éthylèneglycol, le 1,2-propylèneglycol, le 1,3-butylène glycol, l'hexylèneglycol, le diéthylèneglycol, le dipropylene glycol, le 2-éthoxyéthanol, le diéthylène glycol monométhyléther, le triéthylène glycol monométhyléther et le sorbitol.
De préférence, la composition A et/ou la composition B comprennent au moins 60% en poids d’eau par rapport au poids total de composition A et/ou B, de préférence au moins 70% en poids, de préférence au moins 75% en poids. De préférence, la composition A et/ou la composition B comprennent de 60% à 90% en poids d’eau par rapport au poids total de composition A et/ou B, de préférence de 70% à 85% en poids, de préférence de 75% à 85% en poids.
KIT COSMETIQUE La présente invention a également pour objet un kit cosmétique comprenant :
Le matériau de cathode modifié d'oxyde de lithium-nickel-cobalt-manganèse peut atténuer une contrainte de volume pendant le cyclage, inhiber une réaction latérale de surface et améliorer une conductivité électronique, et présente une efficacité coulombique, une stabilité de cyclage et une performance de débit plus élevées.
Les modes de réalisation de la présente divulgation sont décrits en détail ci-dessus en faisant référence aux dessins annexés.
Cet exemple a fourni un matériau de cathode modifié d'oxyde de lithium-nickel-cobalt-manganèse, qui a été préparé par les étapes suivantes.
Étape (1), une solution mixte de modification a été pulvérisée sur une surface d'une matrice d'oxyde de lithium-nickel-cobalt-manganèse LiNi0,9Co0,5Mn0,05O2 avec une taille de particule médiane de 15 μm, selon un rapport de 105 g:100 g.
La solution mixte de modification décrite ci-dessus a été obtenue en mélangeant une solution de revêtement de chitosane modifié et des particules conductrices modifiées avec un agent de couplage au silane. dans lequel, la solution de revêtement de chitosane modifié a été obtenue en mélangeant du chitosane modifié et une solution aqueuse d'acide acétique à 1 % en volume selon un rapport de 30 g:1 L, et le chitosane modifié a été obtenu par une réaction d'acylation entre l'acide imidazole-4-acétique et le chitosane selon un rapport molaire de 2:3. Le nombre de mailles du chitosane était de 60 mailles et le degré de désacétylation du chitosane était de 90 %.
Les particules conductrices modifiées avec l'agent de couplage au silane ont été préparées par le procédé suivant : ajout d'oxyde de zinc dans du toluène, réalisation d'une dispersion par ultrasons pour obtenir une suspension, puis ajout de triéthoxy[2-(7-oxabicyclo[4.1.0]hept-3-yl)éthyl]silane, réalisation d'une dispersion par ultrasons, réaction à une température constante de 85°C pendant 5 heures, et centrifugation à une température normale de séparation pour obtenir les particules conductrices modifiées avec l'agent de couplage au silane. Le rapport massique du triéthoxy[2-(7-oxabicyclo[4.1.0] hept-3-yl)éthyl]silane et de l'oxyde de zinc était de 3:8, et le rapport de dosage du toluène et de l'oxyde de zinc était de 25 mL:1 g.
Le rapport massique de la solution de revêtement de chitosane modifié, des particules conductrices modifiées avec l'agent de couplage au silane, et de la matrice d'oxyde de lithium-nickel-cobalt-manganèse était de 100:5:100.
Étape (2), diverses matrices d'oxyde de lithium-nickel-cobalt-manganèse attachées à la solution mixte de modification ont été mélangées à 60°C pour réaction afin de former un film de chitosane modifié sur une surface de la matrice d'oxyde de lithium-nickel-cobalt-manganèse, puis refroidies à température ambiante.
Dans l'étape (3), le matériau obtenu à l'étape (2) a été lyophilisé pour former une structure poreuse avec le film de chitosane modifié.
Étape (4), la substance séchée, après séchage, a été lavée à l'eau pour éliminer l'acide acétique résiduel, puis séchée pour obtenir le matériau de cathode modifié d'oxyde de lithium-nickel-cobalt-manganèse.
Exemple 2 Cet exemple était différent de l'exemple 1 en ce sens que : de l'acide imidazole-1-carboxylique a été utilisé à la place de l'acide imidazole-4-acétique.
Exemple 3 Cet exemple était différent de l'exemple 1 en ce sens que : chaque litre de la solution de revêtement de chitosane modifié contenait 40 g du chitosane modifié.
Exemple 4 Cet exemple était différent de l'exemple 1 en ce sens que : chaque litre de la solution de revêtement de chitosane modifié contenait 50 g du chitosane modifié.
Exemple 5 Cet exemple était différent de l'exemple 1 en ce sens que : le rapport massique de la solution de revêtement de chitosane modifié, aux particules conductrices modifiées avec l'agent de couplage au silane, à la matrice d'oxyde de lithium-nickel-cobalt-manganèse était de 80:3:100.
Exemple 6 Cet exemple était différent de l'exemple 1 en ce sens que : le rapport massique de la solution de revêtement de chitosane modifié, aux particules conductrices modifiées avec l'agent de couplage au silane, à la matrice d'oxyde de lithium-nickel-cobalt-manganèse était de 90: 4: 100.
la est une vue schématique et partielle, en coupe transversale, de la section absorbante saturable et du guide d’onde latéral d’excitation selon un mode de réalisation, et les figures 5B à 5D sont des vues de dessus du guide d’onde latéral selon des exemples de réalisation ;
les figures 6A et 6B sont des vues schématiques et partielles, en perspective ( ) et de dessus ( ), d’un dispositif laser impulsionnel selon un autre mode de réalisation, et la est une vue en perspective d’un guide d’onde longitudinal et du guide d’onde latéral d’excitation illustrés sur la et 6B.
La est une vue schématique et partielle, en perspective, d’un dispositif laser impulsionnel 1 selon un mode de réalisation, et la est une vue en coupe longitudinale du milieu semiconducteur 11 et du guide d’onde longitudinal 21 illustrés sur la .
On définit ici et pour la suite de la description un repère direct tridimensionnel orthogonal XYZ, où le plan XY est un plan parallèle au plan du substrat photonique 20, et où l’axe Z est orienté du substrat photonique 20 vers le milieu semiconducteur 11 de la source laser 10. Par ailleurs, les termes « inférieur » et « supérieur » s’entendent comme étant relatifs à un positionnement croissant lorsqu’on s’éloigne du substrat photonique 20 suivant la direction +Z.
Le dispositif laser impulsionnel 1 comporte a minima : une source laser 10, impulsionnelle, et hybride de type III/V sur silicium ; et au moins un dispositif optique de commande 30, 40, adapté à provoquer ou à inhiber l’émission d’une impulsion laser par la source laser 10.
La source laser 10 est dite impulsionnelle dans la mesure où elle est adaptée à émettre des impulsions laser. Elle est à déclenchement actif de manière optique puisque l’émission de l’impulsion laser est déclenchée ou évitée par le biais d’impulsions optiques d’excitation et d’inhibition qui sont transmises directement jusqu’à la source laser 10, sans passer par des photodiodes assurant une conversion O/E. Le déclenchement de l’émission laser ne se fait donc pas par la modulation du courant électrique de pompe. Cette source laser 10 appartient ainsi à la catégorie ‘tout optique’ des sources laser impulsionnelles à mode déclenché.
Ce dispositif laser impulsionnel 1 est ici une partie d’un réseau de neurones artificiels photoniques (cf. ). Plus précisément, la source laser 10 forme un neurone artificiel photonique. Les guides d’onde latéraux 32, 42 sont les synapses et assurent la transmission des signaux synaptiques d’excitation et d’inhibition jusqu’à la source laser 10. Comme détaillé par la suite, la source laser 10 présente des propriétés propres aux neurones physiologiques, telles que les propriétés d’excitabilité et de période réfractaire (décrites plus loin).
La source laser 10 est dite hybride de type III/V sur silicium, dans le sens où elle comporte un milieu semiconducteur 11 réalisé à base d’un composé III-V reposant sur un substrat photonique 20 réalisé à base de silicium. La cavité optique est délimitée ici par deux réflecteurs optiques 22, ici des miroirs de Bragg (source laser de type à réflecteurs de Bragg répartis, DBR pour Distributed Bragg Reflector , en anglais), situés dans un guide d’onde intégré 21 dit longitudinal disposé dans le substrat photonique 20. Toutefois, la cavité optique peut également être de type à rétroaction distribuée (DFB pour Distributed Feedback , en anglais) où un même réseau de Bragg s’étend dans le guide d’onde longitudinal 21 sur toute la longueur de la cavité optique, voire être de type en anneau, ou à miroirs à boucle de Sagnac. La cavité optique définit un axe longitudinal X suivant lequel s’étend le guide d’onde longitudinal 21.
Le substrat photonique 20 est formé d’un substrat support, et de guides d’onde intégrés 21, 32, 42 dans le substrat support. Il peut comporter d’autres composants optiques passifs (multiplexeurs ou démultiplexeurs, coupleurs à fibre optique…) et/ou des composants optiques actifs (modulateurs…), optiquement couplés les uns aux autres de manière à former un circuit photonique intégré. Le substrat photonique 20 peut être de type SOI, c’est-à-dire qu’il peut comporter une couche mince de silicium et un substrat support en silicium, entre lesquelles est intercalée une couche d’oxyde dite BOX ( buried oxide , en anglais). Les guides d’onde 21, 32, 42 peuvent comporter un cœur réalisé en silicium et une gaine réalisée en un oxyde de silicium. Dans cet exemple, les guides d’onde intégrés 21, 32, 42 sont, de préférence au moins dans une zone de couplage avec le milieu semiconducteur 11, des guides en arête formés d’une arête ( rib , en anglais) reposant sur une base ( slab , en anglais). Le guide d’onde longitudinal 21 est espacé du milieu semiconducteur 11 par une couche 23 d’oxyde de silicium d’une épaisseur locale e gap de préférence constante. Sur la , la base est notée 21.1 et l’arête est notée 21.2.
Le milieu semiconducteur 11 repose sur le substrat photonique 20 et est situé dans la cavité optique. Il est couplé optiquement au guide d’onde longitudinal 21 au-dessus duquel il est situé. Il est réalisé en un composé semiconducteur, ici de type III-V. Le terme III-V fait référence aux colonnes III et V du tableau périodique des éléments. Dans cet exemple, il comporte une couche semiconductrice 11.2 contenant des puits quantiques multiples, par exemple réalisés en InGaAsP ou de AlGaInAs avec un maximum de gain par exemple centré sur la longueur d’onde de l’impulsion laser. La couche de puits quantiques 11.2 est encadrée suivant l’axe vertical Z par des couches semiconductrices dopées, par exemple réalisées en InP, ici par une couche inférieure 11.1 dopée n et par une couche supérieure 11.3 dopée p. Aussi, le milieu semiconducteur 11 comporte une jonction PIN qui s’étend longitudinalement dans le plan XY. Le milieu semiconducteur 11 forme un guide d’onde dit actif couplé optiquement au guide d’onde longitudinal 21.
Le milieu semiconducteur 11 est formé d’au moins une section à gain 12 (amplification optique) et d’au moins une section absorbante saturable 13. Dans cet exemple, le milieu semiconducteur 11 comporte une section à gain 12 et une section absorbante saturable 13, mais elle peut comporter deux sections à gain situées de part et d’autre d’une section absorbante saturable 13 (cf. ), voire davantage. Elle peut comporter davantage de sections à gain et de sections absorbantes saturables. Ces sections 12, 13 sont agencées relativement l’une à l’autre sur l’axe longitudinal X de la cavité optique. De plus, elles sont électriquement isolées l’une de l’autre de sorte que le pompage électrique d’une section ne modifie pas la densité de porteurs libres de l’autre section. Enfin, ces sections peuvent être des plots physiquement séparés les uns des autres (cf. et 1B), ou peuvent être des zones électriquement isolées d’un même plot (cf. et 6B).
La section à gain 12 est le lieu principal de l’amplification optique du mode optique présent dans la cavité optique. Elle est formée du milieu à gain de la source laser 10, formé ici par le composé semiconducteur à base d’InP. Elle est connectée électriquement à une source électrique de polarisation (non représentée), qui assure la polarisation en direct de la section à gain 12. L’intensité du courant de pompe est définie de sorte que le gain g du milieu semiconducteur 11 atteigne, en régime stationnaire, une valeur maximale constante g max . Le gain g est, de manière connue, corrélé à la densité n G de porteurs libres injectés dans la section à gain 12 par la source électrique (pompage électrique). Par ailleurs, le régime stationnaire correspond, comme détaillé plus loin, au régime où le gain est maximal et constant et où aucune impulsion optique n’est reçue par la section à gain 12 et par la section absorbante saturable 13 (les pertes optiques dans la cavité optique sont alors suffisamment élevées pour empêcher l’émission d’une impulsion laser). Ici, les pertes optiques sont essentiellement associées au coefficient de transmission du matériau de la section absorbante saturable 13.
La section absorbante saturable 13 présente une fonction d’obturateur optique commandable. De manière connue, un absorbant saturable est un milieu dont le coefficient de transmission optique, à la longueur d’onde de l’émission laser, varie en fonction de l’intensité optique incidente. Ainsi, la transmission est faible voire négligeable aux faibles intensités optiques incidentes, tandis qu’elle est élevée aux fortes intensités optiques (le matériau devient alors transparent). La section absorbante saturable 13 peut alors occuper deux états principaux et un état intermédiaire : un état au repos, dit état bloquant, lorsque l’intensité optique incidente est faible. Dans cet état, le coefficient de transmission est faible de sorte que les pertes optiques dans la cavité optique sont élevées, au moins égales à une valeur α max prédéfinie ; un état passant, lorsque l’intensité optique incidente est élevée. Dans cet état, le coefficient de transmission est élevé (le matériau est transparent à la longueur d’onde de l’émission laser) de sorte que les pertes optiques sont faibles, au plus égales à une valeur α min prédéfinie. On dit que le matériau est saturé. un état intermédiaire, pour lequel les pertes optiques sont comprises entre α min et α max (valeurs non inclus). Le matériau est alors soumis à un faisceau lumineux incident, mais n’est pas saturé.
Dans cet exemple, la section absorbante saturable 13 présente une hétérostructure semiconductrice identique à celle de la section à gain 12 en termes de matériau, de dopage, et d’épaisseur des couches. Aussi, les puits quantiques de la section à gain 12 et ceux de la section absorbante saturable 13 sont coplanaires. Par ailleurs, la section absorbante saturable 13, à la différence de la section à gain 12, n’est pas polarisée en direct, mais est polarisée soit en inverse soit avec une différence de potentiel nulle. Enfin, elle présente avantageusement une longueur, suivant l’axe longitudinal X, inférieure à celle de la section à gain 12 (et le cas échéant à la longueur cumulée des sections à gain), et de préférence présente une longueur comprise entre 2% et 10% environ de cette longueur cumulée. Ainsi, la section absorbante saturable 13 présente une dynamique de saturation/désaturation propice à l’émission d’impulsions laser particulièrement courtes et intenses.
est une vue en perspective du dispositif de coupe de la fixé à un attelage,
est une vue en perspective du dispositif de coupe selon la en position repliée,
est une vue de l’arrière du dispositif de coupe de la avec les bras de coupe non visibles,
est un détail de la montrant la première liaison pivot en position de travail,
est un détail de la montrant la première liaison pivot en position repliée,
est un détail de la montrant la deuxième et troisième liaisons pivot en position de travail, et
est un détail de la montrant la deuxième et troisième liaisons pivot en position repliée.
L’invention vise à réduire l’encombrement d’un dispositif de coupe pour végétaux lorsqu’il n’est pas en position de travail. A ces fins un dispositif de coupe désigné par la référence 1 tel qu’illustré à la comprend un châssis 2 formé par un assemblage de barres ou tubes de structure et notamment une base 3 de forme sensiblement rectangulaire comprenant des barres verticales et une barre supérieure 4 horizontale.
Deux structures latérales 5 sont fixées à chaque extrémité de la barre supérieure 4 au moyen d’un support de fixation latéral 6. D’autres moyens de fixations des structures latérales 5 à la base 3 peuvent être mis en œuvre dans le cadre de l’invention. Les deux structures latérales 5 sont dans le prolongement de part et d’autre de la base 3. Selon d’autres contraintes et d’autres formes de réalisation de l’invention, une structure latérale 5 peut être liée au châssis selon d’autres moyens de fixation.
Le dispositif de coupe 1 est destiné, en position de travail, à avancer selon la direction X dans une allée arborée de végétation à tailler. Pour ce faire, le dispositif de coupe 1 est apte à être attelé à l’avant d’un véhicule automobile tel qu’un tracteur.
Pour former des moyens d’attache à un véhicule automobile, la base 3 du dispositif de coupe 1 comprend en partie basse une ouverture 7 permettant par exemple le passage et la fixation à un timon 8 représenté en . Cette forme de réalisation n’est pas limitative pour l’invention, d’autres type d’attelage et de moyens d’attache sont compatibles avec l’invention. Sur la , le dispositif de coupe 1 est ainsi fixé à une barre d’attelage de type timon 8 permettant de déplacer et guider le dispositif de coupe 1.
Le dispositif de coupe 1 comprend deux structures latérales 5 destinées à couper au moins en partie la végétation. A ces fins, les structures latérales 5 sont symétriques par rapport à la base 3. Chaque structure latérale 5 comprend un bras de coupe supérieur 9 et deux bras de coupe latéraux 10,11 sensiblement verticaux, un bras de coupe vertical intérieur 10 étant du côté de la base 3 et le bras de coupe vertical extérieur 11 étant le bras de coupe vertical le plus éloigné de la base 3. Les trois bras de coupe 9,10,11 sont aptes à entourer par exemple une haie ou une vigne (non représenté) et peuvent ainsi couper autour de celle-ci.
Le bras de coupe supérieur 9 comporte un support comprenant une surface intérieure 12. Les bras de coupe verticaux 10,11 comprennent une structure portante et un support comprenant une surface intérieure 12. Les surfaces intérieures 12 sont définie de manière à être dirigées vers la coupe et à cet effet portent des lames de coupe 13 en mouvement de rotation autour de leur axe propre. De telles lames de coupe 13 sont aptes à couper des végétaux. Selon la forme de réalisation illustrée, les bras de coupe 9,10,11 portent des lames de coupe 13 identiques. Le bras de coupe supérieur 9 comprend quatre lames de coupe 13 sur sa face intérieure 13. Les bras de coupe verticaux 10,11 comporte une partie principale et une extension 14 présentant un angle avec la partie principale permettant une coupe précise sur la partie basse des végétaux. Chacun des bras de coupe verticaux 10,11 portent également sur leur surface intérieure 12 quatre lames de coupe 13 dont une lame de coupe 13 située sur l’extension 14. Selon d’autres formes de réalisation non illustrées, les lames de coupe 13 peuvent être de type ou de dimension différentes selon l’usage voulu sur chacun des bras de coupes 9,10,11.
Afin de réduire l’encombrement du dispositif de coupe 1, celui-ci comprend un système de repli de chacune des structures latérales 5 permettant le passage d’une position de travail du dispositif de coupe 1 visible à une position repliée telle que visible à la .
Selon l’invention, chaque structure latérale 5 comprend trois liaisons pivot 20,21,22 permettant le repli de chacun des bras de coupe 9,10,11. Les liaisons pivot 20,21,22 comprennent une vis traversant un tube de structure du châssis 2, chacune des liaisons pivot 20,21,22 comprend un axe de pivot sensiblement parallèle au sens vertical du dispositif 1 précédemment défini.
La réalisation en deux parties de l’élément en étoile 20 facilite le montage. Les deux éléments partiels 21, 22 sont amenés par le haut et le bas à l’élément de base de commande, de sorte que les tourillons sont positionnés entre les voies de coulisse, et sont ensuite encliquetés les uns avec les autres.
La zone périphérique entre les voies de coulisse 23, 24 est essentielle à l’invention. Celle–ci est nettement radialement en retrait par rapport aux zones avec les voies de coulisse 23, 24, afin que les bords des voies de coulisse 23, 24 soient suffisamment larges pour pouvoir être balayés de manière sûre par les tourillons. Ladite zone périphérique n’est pas cylindrique, mais est réalisée de sorte que la périphérie dans la direction de rotation prévue s’élargisse progressivement vers l’extérieur sous forme d’un plan incliné d’arrêt à au moins un endroit et ensuite saute brusquement à nouveau radialement vers l’intérieur.
La zone périphérique forme une zone de profil de blocage 25 pour les tourillons sur l’élément de base de commande 30. La représentation en coupe à travers l’élément en étoile 20 sur la illustre clairement le profilage dans la zone de profil de blocage 25 : au total quatre zones de profil triangulaire sont réalisées, qui forment respectivement un profil anti–retour 26. Un des tourillons mobiles 35 glisse tout d’abord sur le plan incliné d’arrêt 26.1 et est ainsi pressé vers l’extérieur. Après être passé par la pointe du profil triangulaire il se comprime à nouveau et est ensuite fixé par coopération de formes sur le bord de butée 26.2, de sorte que l’élément en étoile 20 ne peut pas effectuer de rotation inverse dans la direction de rotation opposée.
Sur la est reproduite en perspective l’unité composée de l’élément de base de commande 30 et de l’élément en étoile 20, un segment étant détaché de l’élément de base de commande 30, afin de donner vue sur un tourillon 35 se trouvant en prise avec la zone de profil de blocage 25. Le tourillon 35 est réalisé sur le bras de support 36, qui représente un prolongement de la nervure 32, mais pour le bras de support 36 la zone voisine de la bague intérieure 33 étant exclue, de sorte que le bras de support 36 est mobile radialement et peut s'éloigner élastiquement vers l’extérieur.
La illustre la même vue de l’élément de base de commande 30 et de l’élément en étoile 20 que sur la , le bras de support 36 effectuant un mouvement élastique vers l’extérieur avec le tourillon 35.
Les figures 9 et 10 illustrent respectivement une découpe détaillée d’une vue en élévation de la liaison de l’élément de base de commande 30 et de l’élément en étoile 20 : sur la , le bras de support 36 est comprimé. Le tourillon 35 se situe derrière le bord de blocage 26.2. Comme cela est rendu reconnaissable par les flèches, une rotation rétrograde de l’élément en étoile 20 – sur la dans le sens antihoraire – par rapport à l’élément de base de commande 30 n'est pas possible.
Si l’élément en étoile 20 est en revanche amené en rotation dans l’autre direction, comme cela est représenté sur la , le tourillon 35 peut glisser le long du plan incliné d’arrêt 26.2, ce qui a pour effet qu’il est déplacé vers l’extérieur accompagné du bras de support 36.