INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
La représente des profils comparés de dopage, dans la direction Z, de la région de corps de trois transistors MOSFET différents. L’épaisseur Tsi de la couche semiconductrice, correspondant sensiblement à l’épaisseur de la région de corps, est égale à environ 60 nm.
Les courbes 401 et 402 correspondent à deux profils de dopage P par implantation ionique au bore, respectivement à 10 Kev et à 20 Kev, de la région de corps dans la direction Z entre la couche d’isolant de grille (Gate Ox) et la couche isolante enterrée (BOX), dans lequel on vise un dopage plus fort à proximité de la couche isolante enterrée, et plus faible à proximité de la couche d’isolant de grille. On constate que, selon l’énergie de dopage employée, on privilégie soit une zone à faible dopage à proximité de la couche d’isolant de grille, soit une zone à fort dopage à proximité de la couche isolante enterrée, mais on ne combine pas une zone à faible dopage à proximité de la couche d’isolant de grille et une zone à fort dopage à proximité de la couche isolante enterrée.
La courbe 400 correspond à un profil de dopage, dans la direction Z, entre la couche d’isolant de grille (Gate Ox) et la couche isolante enterrée (BOX), de la région de corps d’un transistor MOSFET selon un mode de réalisation, avec une couche supérieure épitaxiale de 20 nm, et une couche inférieure dopée P par implantation ionique au bore à 10 Kev. On constate qu’on parvient à combiner une zone à faible dopage à proximité de la couche d’isolant de grille et une zone à fort dopage à proximité de la couche isolante enterrée. En d’autres termes, on parvient à mieux maîtriser le profil de dopage dans la région de corps, du fait de la présence de l’empilement de la couche inférieure dopée et de la couche supérieure épitaxiale moins ou non dopée.
La représente des résultats d’essais comparés de plusieurs transistors MOSFET dont la région de corps comprend des épaisseurs de couche épitaxiale différentes. Les résultats sont donnés pour une épaisseur Tsi de la couche semiconductrice, correspondant sensiblement à l’épaisseur de la région de corps, égale à 60 nm. Les résultats donnent le produit Ron.Coff en fonction du RF Vmax, pour plusieurs points 501, 502, 503, 504 reliés par une courbe 500. Le point 501 correspond à une épaisseur nulle, le rapport R entre le Ron.Coff et le RF Vmax étant égal à 32. Le point 502 correspond à une épaisseur de 10 nm, avec un produit Ron.Coff inférieur à celui du point 501, le rapport R entre le Ron.Coff et le RF Vmax étant égal à 32. Ceci signifie qu’on diminue le Ron.Coff, mais qu’on diminue d’autant le RF Vmax. Le point 503 correspond à une épaisseur de 15 nm, avec un produit Ron.Coff inférieur à celui du point 502, le rapport R entre le Ron.Coff et le RF Vmax étant égal à 31,4. Ceci signifie qu’on diminue le Ron.Coff, et qu’on ne diminue pas d’autant le RF Vmax, c’est-à-dire qu’on agit sur Ron.Coff en ayant moins d’impact sur le RF Vmax. Le point 504 correspond à une épaisseur de 20 nm, avec un produit Ron.Coff inférieur à celui du point 503, le rapport R entre le Ron.Coff et le RF Vmax étant égal à 31. Ceci signifie qu’on diminue le Ron.Coff, et qu’on ne diminue pas d’autant le RF Vmax, c’est-à-dire qu’on agit sur Ron.Coff en ayant encore moins d’impact sur le RF Vmax.
Ainsi, on constate qu’on peut agir sur l’épaisseur de de la couche épitaxiale de la région de corps pour diminuer le Ron, et ainsi diminuer le produit Ron.Coff, tout en impactant moins sur le RF Vmax.
Au cours du procédé, par exemple lors de l’étape de recuit de la couche inférieure de la région de corps pour diffusion des dopants après implantation ionique, le dopage de la couche inférieure peut venir diffuser dans la couche supérieure, modifiant par exemple le profil de dopage final par rapport au profil de dopage visé. Les figures 6 et 7 et la description qui suit correspondent à des modes de réalisation visant notamment à réduire cette diffusion.
La représente, par une vue en coupe, un dispositif électronique comprenant un transistor MOSFET 600 selon un autre mode de réalisation. Le transistor 600 de la se distingue du transistor 200 de la principalement en ce qu’il comprend une couche d’arrêt de diffusion 625 entre la première couche 622A et la deuxième couche 622B de la région de corps 622. La couche d’arrêt 625 vise à limiter, voire stopper, la diffusion des dopants de la première couche 622A vers la deuxième couche 622B.
La couche d’arrêt de diffusion est, par exemple, en carbure de silicium (SiC). Lorsque la couche semiconductrice est en silicium, la couche de SiC peut être formée par implantation de carbone ou, de préférence, par épitaxie, sur la première couche 622A qui est en silicium, avant la formation de la deuxième couche 622B par croissance épitaxiale.
représente une vue en perspective d’un écrou logé dans une cage destinée à être fixée au support en équerre 20 de la ;
représente une vue en perspective de la doublure du profilé de la .
Le véhicule automobile 2 comprend un châssis 4 comportant une partie arrière 4.1 avec deux profilés 6, communément désignés par longeronnets 6, s’étendant longitudinalement et parallèlement l’un à l’autre.
On peut observer un train arrière 8 ayant un berceau 8.1 fixé de manière rigide à chacun des deux profilés 6. Dans cette configuration, le berceau 8.1 comprend préférentiellement deux points de fixation arrière 10 correspondant à un point de fixation arrière droit et à un point fixation arrière gauche.
Chaque profilé 6 comprend une paroi inférieure 6.1 traversée par une vis 12 de fixation 10. A cet égard, la paroi inférieure 6.1 comprend un orifice (non illustré) destiné à recevoir la vis 12.
On peut observer une section creuse 6.2 et fermée du profilé 6. Préférentiellement, chacun des deux profilés 6 du véhicule automobile comprennent une section creuse 6.2 en forme de U.
Dans cette configuration, la partie creuse du profilé 6 est délimitée, suivant la direction verticale Z illustrée à la , par la paroi inférieure 6.1 et par une doublure 7 s’étendant de préférence sur au moins une moitié d’une étendue longitudinale totale du profilé 6.
La doublure 7 est obtenue, de préférence, à partir d’une tôle emboutie s’étendant le long du profilé 6, avec une section transversale comprenant un bord horizontal 7.1 fixé contre la paroi inférieure 6.1 du profilé 6, un bord vertical 7.2 fixé contre une paroi latérale 6.3 du profilé 6. La doublure 7 comprend également une marche d’escalier 7.3 entre les bords horizontal 7.1 et vertical 7.2.
Avantageusement, la fixation 10 du berceau 8.1 de la au profilé 6 est assurée au moyen de la vis 12 qui traverse successivement : la paroi inférieure 6.1, la doublure 7, une entretoise 16 située au niveau de la section creuse 6.2 du profilé 6, ladite entretoise 16 étant disposée entre la doublure 7 et un support en équerre 20 fixé à une paroi latérale 6.4 du profilé 6 qui opposée à la paroi latérale 6.3 contre laquelle est fixé le bord vertical 7.2 de la doublure 7.
Préférentiellement, l’entretoise 16 est une pièce cylindrique creuse intégralement traversée par la vis de fixation 12. Cette dernière traverse, en outre, un écrou 18 en appui sur le support en équerre 20, en étant logé dans une cage 14 à écrou fixée au support en équerre 20.
La représente une vue en perspective de l’écrou 18 logé dans la cage 14 destinée à être fixée au support en équerre 20 de la .
La cage 14 est de préférence une pièce en plastique permettant de maintenir l’écrou 18 sur le support en équerre.
Ainsi, le fait que la sangle comprennent plusieurs seconds et troisièmes orifices permet à l’utilisateur d’adapter la longueur de la sangle par exemple au dimensions des poignets des patients.
Par exemple, la sangle 200 est réalisée en élastomère thermoplastique (TPE).
En effet, l’utilisation de l’élastomère thermoplastique pour la sangle présente les avantages suivants : adaptation à la peau humaine ; moins de risque d’allergie que d’autres matériaux tels que le latex par exemple ; élasticité ; propriétés antidérapantes (ce qui permet de s’affranchir de la mise en œuvre de poudre antidérapante par exemple).
L’invention concerne également une utilisation d’une sangle 200 selon l’invention pour solidariser un dispositif de localisation 10 d’un vaisseau sanguin d’un membre d’un être vivant sur ledit membre, le dispositif 10 comprenant des moyens de détermination 1 de la localisation du vaisseau sanguin à base d’émission d’ondes acoustiques.
L’invention concerne également un procédé d’application de la sangle 200, le procédé comprenant les étapes suivantes :
- solidariser le premier moyen de solidarisation 201 au dispositif de localisation 10 ;
- entourer le membre avec le premier brin 204 ;
- solidariser le second moyen de solidarisation 202 au dispositif de localisation 10 ;
- entourer le membre avec le second brin 205 ;
- solidariser le troisième moyen de solidarisation 203 au dispositif de localisation 10.
Ainsi, la sangle est adaptée pour assurer une solidarisation du dispositif de localisation sur le poignet de sorte qu’aucun mouvement relatif du dispositif de localisation par rapport au poignet ne peut avoir lieu. Ainsi, la précision de la localisation du vaisseau sanguin est assurée et n’est pas perturbée par tout mouvement relatif du dispositif de localisation par rapport au poignet.
La montre schématiquement une vue de dessus du dispositif de localisation 10 de la .
Selon ce mode de réalisation de l’invention, le dispositif de localisation 10 comprend un corps principal 41 comprenant des moyens de détermination de la localisation 1 du vaisseau sanguin, le corps principal 41 étant prévu pour être positionné de sorte à mettre en regard les moyens de détermination de la localisation 1 et la surface de peau recouvrant le vaisseau sanguin du membre. Le dispositif de localisation 10 peut également comprendre des moyens pour solidariser le corps principale au poignet du patient (par exemple, une seconde branche prévue pour maintenir la première branche 41 contre le membre ou tout autre moyen par exemple une lanière élastique ou une lanière en cuir qui est solidarisée au corps principal 41 et qui maintien le corps principal contre le poignet).
Par exemple, le dispositif de localisation 10 comprend des moyens d’alimentation électrique des moyens de détermination 1 de la localisation de l’artère. Par exemple, ces moyens d’alimentation sont une batterie rechargeable. Par exemple, la batterie est positionnée dans la première branche. Bien entendu, la batterie ou plus généralement, tout moyen d’alimentation électrique du dispositif de localisation 10 ou des moyens de détermination 1 du dispositif de localisation 10 peuvent être localisé en toute partie du dispositif de localisation 10 ou même en dehors du dispositif de localisation 10 et dans ce cas l’énergie électrique peut être amenée au dispositif de localisation 10 par tout moyen tel qu’un câble ou fil électrique ou par induction ou par tout autre moyen.
Par exemple, une portion du corps principal 41 présente une forme sensiblement en arc de cercle de sorte à épouser la morphologie du membre.
Selon un mode de réalisation de la présente invention, le corps principal 41 comprend un premier doigt 411 au contact d’une première portion de peau du poignet et un second doigt 412 au contact d’une seconde portion de peau du poignet.
Les échantillons d’ABS contenant 10% massique de DBDPE ont été traités par le procédé de l’invention dans l’installation décrite ci-dessus.
Les figures 4A et 4B montrent l’évolution du spectre infrarouge dans la zone d’intérêt entre 1400 cm -1 et 1000 cm -1 où l’on observe plusieurs bandes correspondant au DBDPE, notamment la bande la plus large à un maximum à 1322 cm -1 . On constate que toutes les bandes du DBDPE disparaissent entre 5 et 10 minutes d’irradiation.
Exemple 5 : Effet d’irradiation UV-visible sur le PC contenant du DBDPE
Les échantillons du PC contenant 10% massique de DBDPE ont été traités avec le procédé de l’invention dans l’installation décrite ci-dessus.
Le DBDPE ne présente pas de bandes assez intenses qui ne chevauchent pas celles du polycarbonate. Cependant, deux bandes de faible intensité ont pu être détectées en transmission. Les figures 5A et 5B montrent une disparition des bandes à 662 cm -1 et 1058 cm -1 au bout de 15 minutes de traitement selon le procédé de l’invention, ce qui montre que les temps de réaction sont du même ordre de grandeur que le mélange précédent PC/DBDE et du DBDPE dans l’ABS.
Exemple 6 : Traitement du HIPS contenant du DBDPE Les échantillons du HIPS contenant 10% massique de DBDPE ont été traités avec le procédé de l’invention dans l’installation décrite ci-dessus.
Les figures 6A et 6B montrent l’évolution des bandes 1227 cm -1 et 1140 cm -1 du DBDPE (FTIR en mode transmission) au cours de l'irradiation du film du HIPS contenant 10% de DBDPE. Le suivi par FTIR du traitement selon le procédé de l’invention montre la diminution progressive jusqu’à 80% de l’intensité des bandes du DBDPE.
Exemple 7 : Traitement de l’ABS contenant du TTBPT
Les échantillons d’ABS contenant 10% massique de TTBPT ont été traités avec le procédé de l’invention dans l’installation décrite ci-dessus.
Tous les échantillons sont sous forme de films d’épaisseurs moyenne de 90 µm.
Le suivi de la photodégradation du TTBPT dans l’ABS par RMN du proton montre une diminution du pic des protons aromatiques déblindés avoisinant les atomes de brome à 7,60 ppm en une heure de traitement selon le procédé de l’invention (voir ). Ceci confirme l’abattement du brome aromatique par clivage de la liaison C-Br. La diminution de ce pic s’accompagne de l’apparition des pics dans la région du proton aromatique suggérant la substitution progressive des atomes de brome par des protons.
Exemple 8 : Traitement du PC contenant du TTBPT Les échantillons du PC contenant 10% massique de TTBPT ont été traités avec le procédé de l’invention dans l’installation décrite ci-dessus.
Le circuit électronique 101 du collecteur 100 est programmé pour collecter les données de manière automatique avant chaque vol, pendant le vol ou après le vol. Le circuit électronique 101 du collecteur 100 peut être programmé pour collecter des données de manière périodique ou en une seule fois. Les données récupérées par le collecteur 100 sont ensuite transmises à un système de maintenance prédictive par exemple soit via le réseau avionique R, soit par une liaison RFID initiée avec un lecteur d’un opérateur de maintenance. Les données récupérées par le collecteur 100 peuvent être stockées dans la mémoire du collecteur 100 ou dans une mémoire reliée au réseau avionique R.
On notera que le collecteur 100 peut aussi être programmé pour mettre à jour des données mémorisées dans le circuit électronique 201 du dispositif déporté 200, comme : l’identifiant du composant auquel le dispositif déporté 200 est associé, une configuration ou un paramétrage du composant auquel le dispositif déporté 200 est associé, la valeur d’un seuil d’alerte, la valeur d’un seuil de commande de la mémorisation ou de la transmission du paramètre mesuré par le dispositif déporté 200… Par exemple, dans ce dernier cas appliqué à un dispositif déporté 200 mesurant la température, la température n’est pas mémorisée ou n’est pas transmise tant qu’elle est inférieure à la valeur de seuil. Par ailleurs la température peut être utilisée pour prolongée la durée de vie du dispositif déporté 200. En effet, si on interroge un dispositif déporté 200 à une température trop élevée, on risque de le vieillir prématurément. Il est donc préférable qu’un dispositif déporté 200 ne réponde pas à une requête RFID si sa température interne est trop élevée.
Le dispositif comporte une enveloppe de protection thermique entourant au moins l’antenne 205 en définissant une cavité autour de celle-ci. Cela permet de réduire, voire d’annuler un décalage de la bande passante de l’antenne causé par la présence de l’enveloppe de protection. L’enveloppe de protection thermique a autour de l’antenne 205 une épaisseur qui peut être ajustée, si besoin, de manière à réduire encore ce décalage de fréquence. Quoiqu’il en soit, l’antenne rayonne des signaux, à l’extérieur de l’enveloppe de protection, sensiblement dans la deuxième bande passante.
Comme représenté sur les figures 3 et 4, et selon le premier mode de réalisation de l’enveloppe de protection thermique, l’enveloppe de protection thermique, référencée 207, comprend un bloc de résine polymère définissant une cavité 208 dans laquelle s’étend l’antenne 205 et qui permet à l’antenne 205 de résonner dans l’air de la cavité 208. La cavité 208 forme alors un moyen de compensation permettant de limiter l’influence de l’enveloppe de protection thermique sur la bande passante de l’antenne 205. Le volume de cette cavité 208 peut être déterminé en fonction de la compensation à réaliser. L’épaisseur de l’enveloppe de protection est déterminée en fonction d’une conductivité thermique de l’enveloppe de protection thermique (207 ; 210) et d’une température environnante estimée en cours de fonctionnement. Plus précisément, l’épaisseur du bloc de résine polymère formant l’enveloppe de protection thermique 207 autour de la cavité 208 est déterminé en fonction de : la conductivité thermique de la résine polymère, la température maximale que peut supporter le circuit électronique 201 et plus particulièrement l’antenne 205, la température maximale extérieure, et éventuellement un coefficient de sécurité.
L’épaisseur dépend également des capacités de résistance mécanique que l’on souhaite pour que la résine assure une fonction de protection mécanique adaptée aux conditions environnement du dispositif déporté 200.
La résine polymère choisie est ici une résine silicone réticulable à température ambiante (RTV de l’anglais ro o m temperature vulcanizable). Les résines polymères RTV suivantes sont utilisables : RTV 160, RTV 162, RTV 167, RTV 511, RTV 560, RTV 577. On notera que la résine polymère ici choisie est dépourvue de particules métalliques, ces charges métalliques étant opaques au rayonnement électromagnétique. Pour ce type de matériaux, en dehors de la zone où est située la cavité, l’épaisseur de l’enveloppe de protection peut alors être comprise entre 0,5 et 5 cm, par exemple. Ici, l’épaisseur de l’enveloppe de protection au niveau de la cavité est plus faible que sur le reste de la carte.
On peut prévoir que l’épaisseur de l’enveloppe au niveau de la cavité, selon une direction perpendiculaire à la carte, est inférieure à l’épaisseur de la cavité elle-même selon cette direction, voire inférieure à la moitié de l’épaisseur de la cavité.
L’épaisseur de la cavité est comprise par exemple entre 0,3 et 2 cm.
L’enveloppe de protection thermique 207 est formée par moulage en disposant le circuit électronique 201 dans un moule comportant des tiges supportant le circuit électronique 201 à distance des parois du moule, en posant sur l’antenne 205 un capotage délimitant la cavité 208 (le capotage peut être fabriqué par fabrication additive) et en versant dans le moule la résine polymère sous forme liquide pour qu’elle encapsule l’ensemble du circuit électronique 201, le capot formant une partie de moule perdue. Le moule est ensuite positionné sur un mélangeur planétaire pour favoriser un dégagement des bulles d’air éventuellement emprisonnées dans la résine liquide avant d’être placé dans un four à basse température (50-60°C) pour aider le durcissement de la résine polymère. Après durcissement, le dispositif déporté 200 est ôté du moule, les trous laissés par les tiges ainsi que le volume lié à la rétractation de la résine au séchage sont rebouchés avec de la résine mise ensuite à durcir. Des opérations d’ébavurage, surfaçage, gravage sont ensuite éventuellement réalisées. Pour faciliter l’évacuation des bulles d’air, il est possible également de placer le moule dans une enceinte sous vide à la place ou en complément de l’utilisation d’un planétaire. En outre, si la résine polymère a une dureté suffisante, on peut prévoir de monter des tubes de passage de vis dans le moule avant le versement de la résine de manière à permettre de fixer le dispositif déporté 200 sur une platine 250 en introduisant des vis dans les tubes pour les visser dans des trous taraudés de la platine.
Selon un mode de fabrication alternatif, on peut utiliser des couches successives prémoulées dont au moins l’une présente une réserve pour former l’enceinte 207 et qui sont empilées les unes sur les autres jusqu’à encapsuler complètement le circuit électronique 201. La fixation des couches entre elles peut être assurée par exemple par collage ou en fixant l’empilement sur une platine par des vis traversantes serrant l’empilement sur la platine et les couches les unes contre les autres.
Comme représenté sur la , et selon un deuxième mode de réalisation de l’enveloppe de protection thermique, l’enveloppe de protection thermique, référencée 210, est réalisée en céramique et plus particulièrement ici en nitrure de silicium. Comme précédemment, une cavité 211 est délimitée par l’enveloppe de protection thermique 208 autour de l’antenne 205 mais ici aussi autour de l’ensemble du circuit électronique 1. L’enveloppe de protection thermique 210 peut entraîner des pertes par réflexion liées à la permittivité relative de l’enveloppe de protection 210 et des pertes par dissipation dans la céramique à cause de la tangente de pertes. Sa forme, son épaisseur et la céramique retenue seront déterminées de manière à limiter cette influence tout en offrant la protection thermique souhaitée. On pourra réaliser une compensation plus précise en prenant en compte d’autres influences possibles, comme une altération de la directivité de l’antenne 205 (accroissement des lobes latéraux par exemple), désadaptation de l’antenne (augmentation du rapport d’onde stationnaire de tension), erreur de pointage de l’antenne, dépolarisation… Le moyen de compensation n’est donc pas limité au rattrapage d’un décalage de fréquence et peut être agencé pour compenser d’autres défauts si nécessaire (compensation de défaut de fabrication du circuit formant l’antenne).
Dans le mode de réalisation préférentiel de l’invention, le système comprend plusieurs dispositifs déportés 200 répartis dans le compartiment moteur C, à savoir : au moins un sur la cloison avant Cav, au moins un sur la cloison arrière Car, au moins un sur le capot supérieur Cs, au moins un sur la cloison pare-feu Cpf.
Pour améliorer la transmission des signaux, on peut prévoir des métasurfaces de renvoi d’onde fixées sur les cloisons Cav, Car, Cs et/ou Cpf et/ou le capot Cs pour renvoyer les ondes provenant des antennes 205 vers le collecteur 100 et inversement. Les métasurfaces sont des surfaces réfléchissant les ondes à une fréquence donnée, ici celle des signaux RFID. Elles peuvent éventuellement être conçues pour réfléchir de façon dirigée ces ondes. On peut prévoir d’encapsuler/noyer au moins l’une des métasurfaces dans un matériau de protection thermique comme l’antenne 205.
En particulier, le dispositif déporté peut avoir une structure différente de celle décrite.
Le bloc/l’enveloppe de protection thermique peut être disposée autour de l’antenne uniquement, l’antenne étant reliée par un câble ou un connecteur au reste du circuit électronique.
Les chaines de production automatisées par l’intégration de robots collaboratifs, appelés cobots, peuvent opérer des tâches en collaboration avec les opérateurs. Dans l’industrie automobile ces robots interviennent pour les tâches de soudage, vissage, assemblage, moulage, ou bien encore de contrôle de qualité en bout de chaine. Les robots peuvent être des bras robotisés ou des robots cartésiens par exemple. Un robot peut être équipé de plusieurs périphériques adaptés aux tâches opératives qui lui sont attribuées, comme un système de vision, un lecteur de code barre, une broche de vissage ou un écran d’interface homme machine (IHM). Son déploiement requière cependant de le programmer et de le configurer spécifiquement pour son poste, ce qui nécessite des investissements financiers importants.