INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Le connecteur électrique 20 comprend des protrusions 29, 29b agencées pour être couplées à un crochet 19 (ayant une base 19b) du connecteur électrique correspondant 10. Les protrusions 29, 29b et le crochet 19 (avec la base 19b) forment un système de fixation et peuvent être remplacés par tout autre système de fixation équivalent, afin de fixer le connecteur électrique 20 et le connecteur électrique correspondant 10 ensemble. Il est par exemple fait référence à un système de fixation avec un levier et une encoche.
Le cinquième schéma est une évolution du système, intégré aux poignées rigides, pour les voiles de WinG-Foil.
Nous avons représenté sur la une vue générale montrant le véliplanchiste en navigation, les pieds sur son flotteur (12) et tenant la voile (8) avec ses deux mains sur les poignées (9a et 9b). Son harnais (11) est crocheté sur le bout de harnais (1) du système. Ce dernier est fixé aux poignées (9) de la voile (8).
Les éléments constituants le système du bout de harnais sont représentées sur la . Le bout de harnais (1) est un cordage textile (ou métallique), protégé (ou non) par une gaine plastique. Il est fixé au bloc avant (2) par un nœud (ou un sertissage) et coulisse ensuite dans le bloc arrière (3). Ce dernier est fixé à la poignée arrière (9b), au moyen d’une sangle, d’un «Velcro» (marque déposée), ou tout autre moyen permettant un montage et un démontage facile, n’abimant pas la poignée (9b) de la voile. Le bloc avant (2) est lui fixé à la poignée avant (9a), de la même manière que le bloc arrière (3). L’extrémité arrière du bout (1) est fixé à la butée (4) par un nœud permettant le réglage de longueur du bout (1) en fonction du besoin du véliplanchiste. Ce réglage se fera avant de partir sur l’eau, et ne pourra pas être changé pendant la navigation. Sur la butée (4) est également fixé, par un nœud, un câble élastique (5) qui permet la rétractation du bout (1). Ce câble élastique (5) passe ensuite dans l’anneau arrière (6) et revient se fixer sur la poignée arrière (9b) par une boucle et un nœud (7). Cette solution sera utilisée si besoin pour allonger le câble élastique (5) sur des petites voiles, dont la partie centrale (8a) où se fixe le système est courte. Si la longueur le permet, le câble élastique (5) pourra être fixé par un nœud, directement sur l’anneau arrière (6), sans besoin de faire le retour vers la poignée arrière (9b). Ces deux solutions sont adaptées aux voiles ou ailes gonflables des WinG-Foil. L’anneau arrière (6) est constitué d’une pièce plastique, textile ou métallique venant crocheter et pincer la voile, sans l’abimer. Pour les planches à voile ou les WinD-Foil, le câble élastique (5) pourra est attaché par un nœud, directement sur la partie la plus en arrière du wishbone.
La montre le système de bout (1) de harnais en position retracté avec une voile ou aile gonflable de WinG-Foil. Le fait que le bout (1) soit retracté permet de dégager complètement l’espace situé entre les mains, le torse et le visage du véliplanchiste. Le système, dans cette position, ne gêne pas les manœuvres et le véliplanchiste peut manipuler sa voile aisément, comme s’il n’y avait aucun bout de harnais. Les bouts de harnais existants actuellement, sont fixent en longueur, ou réglable sur quelques centimètres, ce qui fait qu’ils pendent durant les manœuvres de rotation de voile, et peuvent venir frapper le visage du véliplanchiste, ou s’emmêler au cordage de sécurité (non représenté) qui relie la poignée du véliplanchiste à la voile ou aile gonflable, pour le WinG-Foil uniquement. Le détail de la , montre donc le bout (1), tendu le long du boudin central (8a) de la voile (8) grâce à la traction du câble élastique (5). Le bout (1) est fixé sur la poignée avant (9a) par l’intermédiaire du bloc avant (2). Ensuite le bout (1) coulisse librement dans le bloc arrière (3) et fini par un nœud réglable sur la buté (4). Enfin, le câble élastique (5), fixé également par un nœud sur la butée (4), va s’attacher à l’arrière du boudin gonflable (8a) sur l’anneau arrière (6) Dans cette configuration, tous les efforts de la voile (8) sont repris par les bras du véliplanchiste via les poignées (9a et 9b).
La montre le système de bout (1) de harnais en position d’utilisation avec une voile ou aile gonflable de WinG-Foil. Le véliplanchiste a accroché son croc de harnais (11a) sur le bout (1). Pour réaliser cet accrochage, le véliplanchiste qui tient la voile (8) par les poignées (9a et 9b), fléchi les bras tout en rapprochant le bassin de la voile (8). Ceci permet de placer le croc du harnais (11a) entre le boudin central (8a) de la voile (8) et le bout (1) du système rétracté le long du boudin (8a) : voir également la . Une fois que le bout (1) est crocheté dans le croc du harnais (11a), le véliplanchiste relâche les bras et positionne le bassin en arrière pour mettre en tension le bout (1) jusqu’à venir mettre la butée (4) en appui sur le bloc arrière (3). Lors de cette phase, le câble élastique (5) joue son rôle extensible et sa variation de longueur permet le déplacement de la butée (4) vers le bloc arrière (3). Quand le système de bout de harnais est en position extension maximum, avec la butée (4) en appui sur le bloc arrière (3), le véliplanchiste se libère complétement des efforts de la voile (8) et il n’a plus qu’a effectuer des réglages fins par des tractions légères sur les poignées (9a et 9b) de la voile (8).
Pendant la navigation, le véliplanchiste peut bouger sa voile (8) avec différentes amplitudes sans que le bout (1) du système ne se décroche de façon intempestive, grâce à la tension constante permise par la traction du câble élastique (5) .
Pour se libérer du bout (1) , il suffit de procéder au mouvement inverse d’accrochage : fléchir les bras tout en rapprochant le bassin de la voile (8) jusqu’à placer le croc du harnais (11a) entre le boudin central (8a), ce qui permet de décrocher le bout (1) du systeme.
Une deuxième solution pour se décrocher plus facilement est de bloquer la butée (4) avec le pouce de la main tenant la poignée arrière (9b), ce qui permet de bloquer le bout (1) en longueur et de permettre de libérer le croc de harnais (11a) comme on le ferait avec un bout de harnais classique (bout de harnais fixe ou réglage centimétrique) avec une légère flexion des bras et un petit mouvement de voile. Une fois le croc de harnais (11a) libéré, il suffit de relâcher la butée (4) pour que le bout (1) se rétracte automatiquement grâce au câble élastique (5).
Le système de bout (1) de harnais est conçu pour être adaptable sur tous types de poignées ou wishbone, en se fixant sur ces derniers au moyen d’une sangle, d’un «Velcro» (marque déposée), ou tout autre moyen permettant un montage et un démontage facile, n’abimant pas les poignées ou le wishbone.
La représente une variante du système de bout de harnais, intégrée directement aux poignées rigides des voiles de Wing-Foil. Comme dans la version standard du système décrite ci-dessus, le bout (1) est fixé au bloc avant (2a) par un nœud (ou un sertissage). Le bloc avant (2a) est directement intégré à la poignée avant (9a) et sert à la fois d’élément structurant de la poignée (9a) et de point de fixation pour la partie avant du bout (1). Ensuite, le bout (1) coulisse dans le bloc arrière (3a). Ce dernier est également directement intégré à la poignée arrière dont le tube coulisse (3b) devient un guide permettant au bout (1) de coulisser sans gêner la main du véliplanchiste. La poignée arrière se fini par un élément de guidage (3c) pour le bout (1) et sert également d’appui à la butée (4). Le bloc arrière (3a), le tube coulisse (3b) et l’élément de guidage (3c) servent également d’élément structurant de la poignée. La butée (4) est la même que dans la version décrite plus haut, ainsi que la poulie (6) et le câble élastique (5). Le câble élastique (5), est fixé sur une butée (4) avec l’arrière du bout (1) et maintenu tout à l’arrière de la voile (8) par la poulie (6).Le fonctionnement est exactement le même que dans la version standard correspondant aux à .
Pour résumer cette version intégrée , le bloc arrière (3), détaillé dans la version standard à , est maintenant constitué de trois parties fonctionnelles : Le bloc arrière (3a), le tube coulisse (3b) et l’élément de guidage (3c). Ces trois fonctionnalités font partie intégrante de la structure de la poignée arrière. Ces trois éléments ne pourront en faire qu’un seul, en fonction des choix de matériaux ou des procédés de fabrication. Cela sous-entend de concevoir de nouvelles poignées intégrant directement le système de bout (1) de harnais, et qui seront-elles proposées intégrées avec la voile ou aile gonflable de WinG-Foil. Il pourra être également proposer un kit complet du système de bout (1) de harnais intégré, avec les poignées complètes, prêt à être mis en lieu et place des poignées existantes des voiles ou ailes gonflables, quand ces poignées sont démontables.
La , représente une seconde variante du système, avec un bout extensible à longueur fixe sous tension (1a et 1b). Il est intégré dans deux poignées rigides comportant chacun un guide (3a), un tube coulisse (3b) et une attache d’extrémité (3d). Le bout est étiré au maximum (1a) lorsque le véliplanchiste s’y accroche et se soulage complètement des efforts de la voile (8). Lorsque le bout est libéré (1b), il se tend et s’aligne le long du boudin gonflable (8a). Ce bout est constitué de deux éléments : d’un cordage avec gaine textile extérieur de type « fibre de polyéthylène haut module » (HMPE ou «Dyneema» marque déposé) et d’une âme extensible de type câble élastique Sous tension, la longueur du bout (1a) est définie par l’extension maximale de la gaine textile extérieur. Dans ce cas (1a), le câble élastique est étiré en coulissant dans la partie centrale de la gaine textile. Sans tension (1b), le câble élastique reprend sa longueur initiale et la gaine extérieur se rétracte grâce à son tressage souple qui lui confère cette capacité à se rétracter lors d’un mouvement de compression (caractéristique intrinsèque des cordages HMPE). Ce bout extensible (1a, 1b) est fixé à l’avant et à l’arrière sur les attaches d’extrémités (3d) par un nœud ou un sertissage. Ce même bout coulisse dans les guides (3a) et les tubes coulisse (3b). Chaque poignée est constituée d’un guide (3a), d’un tube coulisse (3b) et d’une attache d’extrémité (3d).
Modes de réalisations privilégiées de l’invention La version privilégiée actuellement est celle qui pourra équiper les voiles ou ailes gonflables de Wing-Foil existants actuellement sur le marché mondial (novembre 2022), . , ; et cela quel que soit le type de poignée : plusieurs sangles, deux ou plusieurs poignées rigides (plastique, métallique, composite,…) ou une seule poignée rigide.
La première et la seconde variante et , seront également à privilégier, après une étude globale avec les différents distributeurs de voiles ou ailes gonflables de WinG-Foil pour adapter leurs poignées. Le kit complet du système de bout de harnais intégré, avec les poignées adaptées, sera proposé également, à monter soit même en remplacement des poignées d’origine. Il en sera de même pour la deuxième variante, avec bout spécial à longueur extensible, proposée directement intégrée aux voiles ou en kit à installer soit même.
Système d’aile profilée La présente divulgation est relative à un système d’aile profilée, télescopique, pour la propulsion d’un véhicule par le vent.
La présente divulgation relève du domaine de gréements, et plus particulièrement des dispositifs de propulsion par le vent, en particulier des ailes profilées ou des voiles profilées, encore appelés « voiles ailes » ou « voiles épaisses » par l’homme du métier.
la est une vue schématique d’un dispositif déporté de ce système, selon un premier mode de réalisation de l’invention, en coupe selon un plan parallèle à un substrat d’un circuit électronique du dispositif déporté ;
la est une vue schématique de ce dispositif déporté, en coupe selon un plan perpendiculaire au substrat du circuit électronique du dispositif déporté ;
la est une vue analogue à la d’un dispositif déporté selon un deuxième mode de réalisation de l’invention.
Chaque dispositif déporté 200 comprend un circuit électronique 201 qui comporte une carte de circuit imprimé 202 portant un circuit intégré 203 et un émetteur/récepteur 204 relié à une antenne 205 accordée sur une deuxième bande de fréquence (ou deuxième bande passante) pour pouvoir communiquer avec le collecteur 100 comme on va le voir. L’antenne 205 a ainsi une deuxième bande passante coïncidant avec la première bande passante. Par « coïncider », on entend que chacune de ces deux bandes passantes se superposent à l’autre sur au moins un tiers, voire sur la moitié de cette bande passante, ou plus selon la fiabilité de transmission recherchée. La bande passante s’étend ici entre -3dB et + 3dB autour de la fréquence correspondant à la puissance maximum des signaux transmis.
Le circuit intégré 203 comprend un processeur et une mémoire contenant un programme informatique, exécutable par le processeur, et des données. Le dispositif déporté 200 peut être agencé pour réaliser au moins l’une des fonctions suivantes : une fonction de mémorisation d’une identification du composant sur lequel il est fixé ; une fonction de mémorisation d’un paramétrage ou d’une configuration du composant sur lequel il est fixé ; une fonction de mesure et de mémorisation d’un paramètre environnemental du composant sur lequel il est fixé…
Dans un troisième mode de réalisation, les premières et deuxièmes couches peuvent être disposées les unes au-dessus des autres de manière alternée, et la troisième couche peut être disposée sous l’ensemble formé par les premières et deuxièmes couches. Un empilement selon ce troisième mode de réalisation peut avantageusement être utilisé pour la réalisation de transistors CMOS GAA.
L’invention concerne également un premier procédé de réalisation de dispositifs microélectroniques à architecture 3D comprenant des transistors, comportant la mise en œuvre des étapes suivantes : a) réalisation d’un empilement selon le premier mode de réalisation sur un substrat et dans lequel chacune des premières et deuxièmes couches est disposée entre deux troisièmes couches et est en contact avec ces deux troisièmes couches ; b) gravure de tranchées et/ou de cavités à travers au moins une partie de l’épaisseur de l’empilement, telle que des portions restantes des premières, deuxièmes et troisièmes couches forment des nanofils ou des nano-feuilles ; c) gravure sélective d’une partie des portions restantes des premières couches telle que des parties restantes des premières couches soient configurées pour former des canaux des transistors ; d) dépôt d’au moins un premier matériau diélectrique dans des premiers espaces formés par la gravure sélective d’une partie des portions restantes des premières couches, à côté des canaux des transistors ; e) gravure sélective d’au moins une partie des portions restantes des deuxièmes couches ; f) dépôt d’au moins un deuxième matériau diélectrique dans des seconds espaces formés par la gravure sélective d’au moins une partie des portions restantes des deuxièmes couches, entre les portions restantes des troisièmes couches ; g) gravure sélective des portions restantes des troisièmes couches ; h) dépôt d’au moins un diélectrique de grille et d’au moins un matériau conducteur de grille dans des troisièmes espaces formés par la gravure sélective des portions restantes des troisièmes couches, formant une grille au moins au-dessus et en dessous de chacun des canaux des transistors.
En variante, l’invention propose également un procédé de réalisation de dispositifs microélectroniques à architecture 3D comprenant des transistors, comportant la mise en œuvre des étapes suivantes : a) réalisation d’un empilement selon le premier mode de réalisation sur un substrat et dans lequel chacune des premières et deuxièmes couches est disposée entre deux troisièmes couches et est en contact avec ces deux troisièmes couches ; b) gravure de tranchées et/ou de cavités à travers au moins une partie de l’épaisseur de l’empilement, telle que des portions restantes des premières, deuxièmes et troisièmes couches forment des nanofils ou des nano-feuilles ; c) gravure sélective d’une partie des portions restantes des deuxièmes couches telle que des parties restantes des deuxièmes couches soient configurées pour former des canaux des transistors ; d) dépôt d’au moins un premier matériau diélectrique dans des premiers espaces formés par la gravure sélective d’une partie des portions restantes des deuxièmes couches, à côté des canaux des transistors ; e) gravure sélective d’au moins une partie des portions restantes des premières couches ; f) dépôt d’au moins un deuxième matériau diélectrique dans des seconds espaces formés par la gravure sélective d’au moins une partie des portions restantes des premières couches, entre les portions restantes des troisièmes couches ; g) gravure sélective des portions restantes des troisièmes couches ; h) dépôt d’au moins un diélectrique de grille et d’au moins un matériau conducteur de grille dans des troisièmes espaces formés par la gravure sélective des portions restantes des troisièmes couches, formant une grille au moins au-dessus et en dessous de chacun des canaux des transistors.
Les deux procédés ci-dessus peuvent avantageusement être mis en œuvre pour réaliser des dispositifs mémoires à architecture 3D incluant des transistors d’accès en technologie MOS avancées.
Selon une autre variante de ce premier mode de réalisation, l’invention propose un procédé de réalisation de dispositifs microélectroniques à architecture 3D comprenant des transistors, comportant la mise en œuvre des étapes suivantes : a) réalisation d’un empilement selon le premier mode de réalisation sur un substrat, l’empilement comportant en outre plusieurs autres troisièmes couches de silicium dopé de type P ou du SiGe dopé de type P, et dans lequel chacune des premières et troisièmes couches est disposée entre deux deuxièmes couches et est en contact avec ces deux deuxièmes couches ; b) gravure de tranchées et/ou de cavités à travers au moins une partie de l’épaisseur de l’empilement, telle que des portions restantes des premières, deuxièmes et troisièmes couches forment des nanofils ou des nano-feuilles ; c) gravure sélective d’une partie des portions restantes des premières couches telle que des parties restantes des premières couches soient configurées pour former des canaux des transistors ; d) dépôt d’au moins un premier matériau diélectrique dans des premiers espaces formés par la gravure sélective d’une partie des portions restantes des premières couches, à côté des canaux des transistors ; e) gravure sélective d’au moins une partie des portions restantes des troisièmes couches ; f) dépôt d’au moins un deuxième matériau diélectrique dans des seconds espaces formés par la gravure sélective d’au moins une partie des portions restantes des troisièmes couches, entre les portions restantes des deuxièmes couches ; g) gravure sélective des portions restantes des deuxièmes couches ; h) dépôt d’au moins un diélectrique de grille et d’au moins un matériau conducteur de grille dans des troisièmes espaces formés par la gravure sélective des portions restantes des deuxièmes couches, formant une grille au moins au-dessus et en dessous de chacun des canaux des transistors.
En variante, les étapes e) et f) peuvent être mises en œuvre entre les étapes b) et c).
L’invention concerne également un deuxième procédé de réalisation de dispositifs microélectroniques à architecture 3D comprenant des transistors, comportant la mise en œuvre des étapes suivantes : a) réalisation d’un empilement selon le deuxième mode de réalisation sur un substrat ; b) gravure de tranchées et/ou de cavités à travers au moins une partie de l’épaisseur de l’empilement, telle que des portions restantes des premières et deuxièmes couches des premier et deuxième sous-empilements et des portions restante de la troisième couche ou des troisièmes couches forment des nanofils ou des nano-feuilles ; c) gravure sélective d’au moins une partie des portions restantes de la troisième couche ou des troisièmes couches ; d) dépôt d’au moins un premier matériau diélectrique dans des premiers espaces formés par la gravure sélective d’au moins une partie des portions restantes de la troisième couche ; e) gravure sélective d’au moins une partie des portions restantes des deuxièmes couches du premier sous-empilement lorsque, dans le premier sous-empilement, chaque première couche est disposée entre deux deuxièmes couches, ou gravure sélective d’au moins une partie des portions restantes des premières couches du premier sous-empilement lorsque, dans le premier sous-empilement, chaque deuxième couche est disposée entre deux premières couches ; f) dépôt d’au moins un diélectrique de grille et d’au moins un matériau conducteur de grille dans des deuxièmes espaces formés par la gravure sélective de l’étape e), formant une grille au moins au-dessus et en dessous de chacune des portions restantes des premières ou deuxièmes couches du premier sous-empilement.
Un tel procédé peut avantageusement être mis en œuvre pour réaliser des transistors CFET.
Ce deuxième procédé peut être tel que : - lorsque chaque première couche est disposée entre deux deuxièmes couches dans les premier et deuxième sous-empilements, l’étape e) inclut également une gravure sélective d’au moins une partie des portions restantes des deuxièmes couches du deuxième sous-empilement, et l’étape f) inclut également un dépôt du diélectrique de grille et du matériau conducteur de grille dans des troisièmes espaces formés par la gravure sélective d’au moins une partie des portions restantes des deuxièmes couches du deuxième sous-empilement, formant une grille au moins au-dessus et en dessous de chacune des portions restantes des premières couches du deuxième sous-empilement, ou - lorsque chaque deuxième couche est disposée entre deux premières couches dans les premier et deuxième sous-empilements, l’étape e) inclut également une gravure sélective d’au moins une partie des portions restantes des premières couches du deuxième sous-empilement, et l’étape f) inclut également un dépôt du diélectrique de grille et du matériau conducteur de grille dans des troisièmes espaces formés par la gravure sélective d’au moins une partie des portions restantes des premières couches du deuxième sous-empilement, formant une grille au moins au-dessus et en dessous de chacune des portions restantes des deuxièmes couches du deuxième sous-empilement, ou - lorsque chaque première couche est disposée entre deux deuxièmes couches dans le premier sous-empilement et que chaque deuxième couche est disposée entre deux premières couches dans le deuxième sous-empilement, le procédé comporte en outre, après l’étape f), une étape g) de gravure sélective d’au moins une partie des portions restantes des premières couches du deuxième sous-empilement, puis une étape h) de dépôt d’au moins un diélectrique de grille et d’au moins un matériau conducteur de grille dans des troisièmes espaces formés par la gravure d’au moins une partie des portions restantes des premières couches du deuxième sous-empilement, formant une grille au moins au-dessus et en dessous de chacune des portions restantes des deuxièmes couches du premier sous-empilement, ou - lorsque chaque deuxième couche est disposée entre deux premières couches dans le premier sous-empilement et que chaque première couche est disposée entre deux deuxièmes couches dans le deuxième sous-empilement, le procédé comporte en outre, après l’étape f), une étape g) de gravure sélective d’au moins une partie des portions restantes des deuxièmes couches du deuxième sous-empilement, puis une étape h) de dépôt d’au moins un diélectrique de grille et d’au moins un matériau conducteur de grille dans des troisièmes espaces formés par la gravure sélective d’au moins une partie des portions restantes des deuxièmes couches du deuxième sous-empilement, formant une grille au moins au-dessus et en dessous de chacune des portions restantes des premières couches du premier sous-empilement.