Procédé d’assemblage de deux plaques de circuits intégrés (W1, W2), le procédé comprenant : - un retrait par abrasion d’une portion d’une face d’assemblage (FINT1) d’une première plaque de circuits intégrés (W1) sur un pourtour de la première plaque (W1), et - un collage de la face d’assemblage (FINT1) de la première plaque (W1) à une face d’assemblage (FINT2) d’une deuxième plaque de circuits intégrés (W2). Procédé selon la revendication 1, dans lequel ledit retrait par abrasion permet de former un creux périphérique (EDG) présentant une surface (S_BVL) s’étendant à partir de la face d’assemblage (FINT1) jusqu’au pourtour de la première plaque (W1), la surface (S_BVL) du creux présentant une forme arrondie à partir de la face d’assemblage (FINT1) de la première plaque (W1) jusqu’à une profondeur dans la première plaque (W1) puis étant plane et parallèle à la face d’assemblage à partir de cette profondeur jusqu’au pourtour de la première plaque de circuits intégrés (W1). Procédé selon la revendication 2, dans lequel la surface (S_BVL) du creux (EDG) présente, à l’intersection entre cette surface (S_BVL) et la face d’assemblage (FINT1), une tangente orientée par rapport à la face d’assemblage (FINT1) selon un angle compris entre 5et 20 degrés. Procédé selon l’une des revendications 2 ou 3, dans lequel le creux (EDG) s’étend depuis le pourtour de la première plaque de circuits intégrés (W1) sur une distance (DZP) comprise entre 1 et 4 mm. Procédé selon l’une des revendications 2 à 4, dans lequel le creux (EDG) est formé sur une profondeur (DEVD) comprise entre 50 et 150 µm. Procédé selon l’une des revendications 2 à 5, dans lequel la forme arrondie du creux (EDG) présente un rayon de courbure compris entre 1 et 10 mm, notamment de l’ordre de 5 mm. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel le retrait par abrasion de la portion de la première plaque de circuits intégrés (W1) est réalisé à l’aide d’au moins un ruban abrasif (FLM) placé contre la face d’assemblage (FINT1) sur le pourtour de la première plaque de circuits intégrés (W1) tout en entraînant la première plaque de circuits intégrés (W1) en rotation. Procédé selon la revendication 7, dans lequel la surface des rubans abrasifs (FLM) présente une face abrasive comportant des diamants abrasifs. Procédé selon l’une des revendications 1 à 8, dans lequel le collage est un collage par adhésion moléculaire. Procédé selon la revendication 9, comprenant en outre un contrôle d’une conformité du collage. Procédé selon l’une des revendications 1 à 10, comprenant en outre un recuit suite au collage. Procédé selon la revendication 11, le recuit est réalisé après le contrôle de la conformité du collage. Procédé selon l’une quelconque des revendications 11 ou 12, comprenant en outre un contrôle de l’assemblage des deux plaques de circuits intégrés (W1, W2) après le recuit. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 13, dans lequel chaque plaque de circuits intégrés (W1, W2) comprend une première partie (FEOL1, FEOL2) comportant des composants électroniques et une deuxième partie (BEOL1, BEOL2) comportant des réseaux d’interconnexion intégrés dans une ou plusieurs couches diélectriques, les réseaux d’interconnexion s’étendant depuis lesdits composants électroniques jusqu’à la face d’assemblage (FINT1, FINT2) de cette plaque de circuits intégrés, les réseaux d’interconnexion des deux plaques de circuits intégrés (W1, W2) étant adaptés à être connectés électriquement via les deux faces d’assemblage (FINT1, FINT2) une fois les deux plaques de circuits intégrés (W1, W2) assemblées. Assemblage de deux plaques de circuits intégrés (W1, W2), comprenant: - une première plaque de circuits intégrés(W1) comportant une face d’assemblage (FINT1) et un creux périphérique (EDG) présentant une surface (S_BVL) s’étendant à partir de la face d’assemblage (FINT1) jusqu’au pourtour de la première plaque (W1), la surface (S_BVL) du creux présentant une forme arrondie à partir de la face d’assemblage (FINT1) de la première plaque (W1) jusqu’à une profondeur dans la première plaque (W1) puis étant plane et parallèle à la face d’assemblage (FINT1) à partir de cette profondeur jusqu’au pourtour de la première plaque de circuits intégrés (W1), - une deuxième plaque de circuits intégrés (W2) comportant une face d’assemblage (FINT2) collée à la face d’assemblage (FINT1) de la première plaque (W1). Assemblage selon la revendication 15, dans lequel la surface (S_BVL) du creux (EDG) présente, à l’intersection entre cette surface (S_BVL) et la face d’assemblage (FINT1), une tangente orientée par rapport à la face d’assemblage (FINT1) selon un angle compris entre 5 et 20 degrés. Assemblage selon l’une des revendications 15 ou 16, dans lequel le creux (EDG) s’étend depuis le pourtour de la première plaque de circuits intégrés (W1) sur une distance (DZP) comprise entre 1 et 4mm. Assemblage selon l’une des revendications 15 à 17, dans lequel la profondeur (DEVD) du creux périphérique (EDG) est comprise entre 50 et 150 µm. Assemblage selon l’une des revendications 15 à 18, dans lequel la forme arrondie du creux (EDG) présente un rayon de courbure compris entre 1 et 10 mm, notamment de l’ordre de 5mm. Assemblage selon l’une des revendications 15 à 19, dans lequel chaque plaque de circuits intégrés (W1, W2) comprend une première partie (FEOL1, FEOL2) comportant des composants électroniques et une partie (BEOL1, BEOL2) comportant des réseaux d’interconnexion intégrés dans une ou plusieurs couches diélectriques, les réseaux d’interconnexion s’étendant depuis lesdits composants électroniques jusqu’à la face d’assemblage (FINT1, FINT2) de cette plaque de circuit intégré, les réseaux d’interconnexion des deux plaques de circuit intégré (W1, W2) étant connectés électriquement via les deux faces d’assemblage (FINT1, FINT2).