Procédé de porosification de mésas (Al,In,Ga)N/(Al,In,Ga)N comprenant les étapes suivantes : a) fournir une structure (100) comprenant un substrat de base (110) recouvert de mésas (120) (Al,In,Ga)N/(Al,In,Ga)N, le substrat de base (110) comprenant une couche support (114), une première couche de GaN non dopée (111), une deuxième couche de GaN dopée (112), les mésas (120) (Al,In,Ga)N/(Al,In,Ga)N comprenant une troisième couche de (Al,In,Ga)N fortement dopée (123) et une quatrième couche de (Al,In,Ga)N non dopée ou faiblement dopée (124), une partie (112b) de la deuxième couche de GaN dopée (112) se prolongeant dans les mésas (120) ou une partie (123a) de la troisième couche de (Al,In,Ga)N fortement dopée (123) se prolongeant dans le substrat de base (110), b) relier électriquement la structure (100) et une contre-électrode à un générateur de tension ou de courant, c) plonger la structure (100) et la contre-électrode dans une solution électrolytique, d) appliquer une tension ou un courant entre la structure (100) et la contre-électrode de manière à porosifier la troisième couche de GaN fortement dopée (123) des mésas (120). Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la structure comprend en outre une couche additionnelle de GaN fortement dopée (113) disposée entre la première couche de GaN non dopée (111) et la deuxième couche de GaN dopée (112). Procédé selon l’une des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que la couche support (114) est une tranche d’au moins 10 cm de diamètre et encore plus préférentiellement d’au moins 200mm de diamètre. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la couche support (114) est en saphir ou en silicium. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la quatrième couche (124) de (Al,In,Ga)N non dopée ou faiblement dopée est une couche de GaN. Procédé selon l’une quelconque des revendications 2 à 5, caractérisé en ce que le taux de dopage de la troisième couche de GaN fortement dopée (123) et/ou le taux de dopage de la couche additionnelle de GaN fortement dopé (113) est compris entre 5.10 1 8 at/cm 3 et 1,5.10 19 at/cm 3 . Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le taux de dopage de la deuxième couche de GaN dopée (112) est inférieur à 5.10 18 at/cm 3 , de préférence entre 5.10 17 et 2.10 18 at/cm 3 . Procédé selon l’une des revendications 6 et 7, caractérisé en ce que la tension appliquée est comprise entre 3V et 15V, de préférence entre 8V et 10V. Structure (100) comprenant un substrat de base (110) recouvert de mésas (120) (Al,In,Ga)N/(Al,In,Ga)N porosifiées, le substrat de base (110) comprenant une couche support (114), une première couche de GaN non dopée (111) et une deuxième couche de GaN dopée (112), les mésas (120) (Al,In,Ga)N/(Al,In,Ga)N comprenant une troisième couche de GaN fortement dopée porosifiée (123) et une quatrième couche de (Al,In,Ga)N non dopée ou faiblement dopée (124), une partie (112a) de la deuxième couche de GaN dopée (112) se prolongeant dans les mésas (120) ou une partie (123b) de la troisième couche de (Al,In,Ga)N fortement dopée (123) se prolongeant dans le substrat de base (110). Structure selon la revendication 9, caractérisé en ce que la structure (100) comprend en outre une couche additionnelle de GaN fortement dopée (113) disposée entre la première couche de GaN non dopée (111) et la deuxième couche de GaN dopée (112). Structure selon l’une des revendications 9 et 10, caractérisé en ce que la quatrième couche de (Al,In,Ga)N non dopée ou faiblement dopée (124) est une couche de GaN et/ou en ce que la couche support (114) est une tranche d’au moins 200mm de diamètre.