Procédé de fabrication de sous-cellules (C1) photovoltaïques, comportant les étapes : a) utiliser une cellule (C0) photovoltaïque, comprenant : - un substrat (1), à base de silicium cristallin, présentant des première et seconde surfaces (10, 11) opposées ; - des premier et second empilements (2a, 2b) de couches actives, formés respectivement sur les première et seconde surfaces (10, 11) du substrat (1) ; - des premier et second ensembles (P1, P2) de plots métalliques, formés respectivement sur les premier et second empilements (2a, 2b) de couches actives ; b) former des première et seconde couches diélectriques (3a, 3b), s’étendant respectivement sur les premier et second ensembles (P1, P2) de plots métalliques, et s’étendant respectivement sur les premier et second empilements (2a, 2b) de couches actives ; c) appliquer un rayonnement laser (L) à la cellule (C0) photovoltaïque obtenue à l’issue de l’étape b) de manière à : - obtenir localement, entre des plots métalliques (P1) du premier ensemble, des ablations (A1) de la première couche diélectrique (3a), du premier empilement (2a) de couches actives, et d’une première partie (S1) du substrat (1) ; - tracer un contour (C) délimitant des sous-cellules (C1) photovoltaïques ; - conserver une seconde partie (S2) du substrat (1), s’étendant dans le prolongement des ablations (A1), et adaptée pour conserver une tenue mécanique des sous-cellules (C1) photovoltaïques délimitées par le contour (C) tracé ; d) graver chimiquement, avec un agent de gravure, au moins partiellement la seconde partie (S2) du substrat (1) s’étendant dans le prolongement des ablations (A1) obtenues à l’issue de l’étape c), de manière à fragiliser les sous-cellules (C1) photovoltaïques délimitées à l’issue de l’étape c) ; l’agent de gravure étant choisi de manière à autoriser une gravure sélective du silicium par rapport aux première et deuxième couches diélectriques (3a, 3b) ; e) séparer les sous-cellules (C1) photovoltaïques fragilisées à l’issue de l’étape d). Procédé selon la revendication 1, dans lequel : - l’étape d) est exécutée de sorte que la seconde partie (S2) du substrat (1) est totalement gravée chimiquement ; - l’étape e) consiste en une séparation spontanée des sous-cellules (C1) photovoltaïques fragilisées à l’issue de l’étape d). Procédé selon la revendication 1, dans lequel : - l’étape d) est exécutée de sorte que la seconde partie (S2) du substrat (1) est partiellement gravée chimiquement ; - l’étape e) est exécutée par une technique de séparation choisie parmi un choc thermique, une sollicitation mécanique, et un traitement par ultrasons. Procédé selon l’une des revendications 1 à 3, dans lequel l’étape d) consiste à immerger la cellule (C0) photovoltaïque obtenue à l’issue de l’étape c) dans un bain de gravure. Procédé selon l’une des revendications 1 à 4, dans lequel : - les première et seconde couches diélectriques (3a, 3b) formées lors de l’étape b) sont réalisées dans un oxyde de silicium ; - l’étape d) est exécutée de sorte que l’agent de gravure est choisi parmi une solution d’hydroxyde de potassium KOH, une solution d’hydroxyde de tétraméthylammonium TMAH, une solution d’hydroxyde de sodium NaOH. Procédé selon l’une des revendications 1 à 5, dans lequel le rayonnement laser (L) est appliqué lors de l’étape c) suivant une direction (d) parallèle à la normale aux première et seconde surfaces (10, 11) du substrat (1). Procédé selon l’une des revendications 1 à 6, dans lequel le rayonnement laser (L) appliqué lors de l’étape c) est un rayonnement impulsionnel possédant une fluence et une durée d’impulsion adaptées pour obtenir une ablation (A1) de la première couche diélectrique (3a), du premier empilement (2a) de couches actives, et de la première partie (S1) du substrat (1). Procédé selon l’une des revendications 1 à 7, dans lequel les sous-cellules (C1) photovoltaïques séparées à l’issue de l’étape e) présentent des bords latéraux (BL) exposés ; le procédé comportant une étape f) consistant à passiver les bords latéraux (BL) exposés. Procédé selon la revendication 8, dans lequel l’étape f) comporte une étape consistant à former un oxyde d’aluminium (4) sur les bords latéraux (BL) exposés, par un dépôt de couches atomiques. Procédé selon l’une des revendications 1 à 9, comportant une étape g) consistant à graver partiellement les première et seconde couches diélectriques (3a, 3b) à l’issue de l’étape e) ; l’étape g) étant exécutée de sorte que les première et seconde couches diélectriques (3a, 3b) gravées partiellement forment des couches antireflets.