INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
L’invention sera davantage détaillée par la description de modes de réalisation non limitatifs, et sur la base des figures annexées illustrant des variantes de l’invention, dans lesquelles : illustre schématiquement un véhicule automobile selon l’invention, dans une réalisation non limitative comportant un moteur et un système de pilotage ; ce système de pilotage est agencé pour piloter des paramètres de fonctionnement du moteur au travers de moyens moteurs, et pour informer l’utilisateur du véhicule automobile au travers d’au moins un interface utilisateur. Ce véhicule comportant un boîtier papillon pour l’admission d’air le moteur ; ce boîtier papillon comporte un train d’engrenage non détaillé sur cette figure, et qui comporte, entre une entrée constituée par un arbre moteur agencé pour être entraîné par les moyens moteurs, et une sortie constituée par un arbre de volet porteur d’un volet papillon pour son orientation variable entre une position extrême de fermeture et une position extrême d’ouverture, un arbre de renvoi. Le véhicule comporte des moyens de couplage-découplage pour mouvoir l’arbre de volet vers une position d’ouverture, et pour mouvoir l’arbre de renvoi et le débrayer de l’arbre de volet, en cas d’encrassement ; illustre schématiquement le train d’engrenage du boîtier papillon de , dans un mode normal sans encrassement du volet papillon, et où celui-ci peut parcourir toute sa course sans entrave; l’arbre de renvoi engrène à la fois avec l’arbre d’entrée entraîné par les moyens moteurs, et avec l’arbre de sortie portant le volet papillon; dans ce cas particulier et non limitatif, des trois arbres, d’entrée, de renvoi et de sortie, sont parallèles à une même direction axiale; l’arbre de renvoi porte ici un anneau, qui est agencé pour être soumis à un champ électro-magnétique que comporte un découpleur électromagnétique représenté en partie basse de l’image; l’arbre de renvoi porte encore, à son extrémité opposée, une broche d’alerte qui est ici face à un capteur d’alerte fixe fixé au boîtier papillon, mais à distance de ce capteur d’alerte fixe en marche normale; le volet papillon est ici représenté dans sa position maximale d’ouverture; illustre schématiquement le train d’engrenage du boîtier papillon de , dans une position débrayée de l’arbre de renvoi suite à un constat d’encrassement dans le boîtier papillon; l’anneau de l’arbre de renvoi a été soumis au champ électro-magnétique du découpleur électromagnétique, ce qui a entraîné l’arbre de renvoi vers le capteur d’alerte fixe jusqu’en position d’appui entre la broche d’alerte et le capteur d’alerte fixe; de ce fait, l’arbre de renvoi est dégrèné à la fois de l’arbre d’entrée et de l’arbre de sortie portant le volet papillon, qui est représenté dans une position intermédiaire due à l’encrassement qui limite sa course.
Le véhicule automobile 1000 selon l’invention est illustré schématiquement sur .
Les couches de piégeage les plus répandues sont réalisées en silicium polycristallin (Si poly) non dopé. Les nombreux défauts présents aux joints de grains de ce matériau assurent la fonction de piégeage, ce qui résulte en une résistivité pouvant atteindre jusqu’à 10kΩ.cm, soit 100 Ω.m. Les performances de ce type de couches de piégeage ont notamment été étudiées dans le document « RF Performance of a Commercial SOI Technology Transferred Onto a Passivated HR Silicon Substrate », Dimitri Lederer and Jean-Pierre Raskin, IEEE Trans. Electr. Dev. Vol. 55, N°. 7, July 2008. Cette solution n’offre cependant pas une stabilité suffisante de la résistivité électrique face à des variations en température, ce qui dégrade les performances du dispositif. La résistivité électrique de l’ensemble constitué de la base en silicium hautement résistif et de la couche de piégeage en Si poly varie en effet fortement avec la température.
D’autres couches de piégeage sont réalisées en silicium poreux. L’utilisation de ce matériau isolant permet d’obtenir une linéarité faiblement dépendante de la température environnante pour certaines conditions de porosification. Ces conditions ont été investiguées dans le document « Small - and Large - Signal Performance Up To 175 °C of Low-Cost Porous Silicon Substrate for RF Applications », M. Rack et al., IEEE Trans. Electr. Dev. 2018. Ce matériau présente cependant deux inconvénients majeurs : une forte résistivité thermique limitant la puissance dissipable et une faible rigidité mécanique compliquant son intégration dans un substrat SOI et son utilisation dans une fonderie.
Une troisième solution a notamment été divulguée dans le document US 7 067 890 B2. Elle consiste en la formation dans un substrat silicium d’un réseau de murs 2 séparés par des tranchées 3 ( ) puis l’oxydation de ces murs 2 jusqu’à leur coalescence ( ). Le document définit une relation optimale liant la largeur l t des tranchées 3 à la largeur l m des murs : 0,46*l t =0,53l m . Ce procédé permet d’obtenir un oxyde très épais localement (de l’ordre de 10 µm=10 -5 m). La tenue mécanique de l’ensemble ainsi obtenu est meilleure que celle des couches de piégeage en silicium poreux. Cependant, la conductivité thermique de l’oxyde est du même ordre (environ 1 W/mK) que celle du silicium poreux (environ 0,5 W/mK), ces deux dernières étant faibles devant celle du silicium (proche de 140 W/mK). Le même problème de dissipation de la puissance décrit pour les couches en silicium poreux survient donc aussi dans le cadre de cette solution. Par ailleurs, la réalisation de l’oxyde épais par le procédé décrit dans le document US 7 067 890 B2 est extrêmement sensible aux variations des dimensions des murs 2 et des tranchées 3. Si le rapport l t /l m est supérieur à 0,53/0,46, il restera des espaces vides dans les tranchées 3 après oxydation totale des murs 2, ce qui est défavorable à l’évacuation de la chaleur. A l’inverse, si le rapport l t /l m est inférieur à 0,53/0,46, les tranchées 3 seront remplies avant l’oxydation totale des murs, laissant des régions de silicium non oxydé dans la couche, au détriment des performances RF. En outre, cette solution ne présente pas une stabilité suffisante face à des variations en température.
La présente invention vise donc à proposer une solution simple permettant de limiter au moins certains des inconvénients des solutions connues. Par exemple la présente invention vise donc à proposer une solution simple permettant d’obtenir une couche isolante enterrée présentant une bonne tenue mécanique, une résistivité thermique satisfaisante et un contraste limité de dilatation thermique avec le substrat.
RESUME Pour atteindre les objectifs mentionnés ci-dessus, un premier aspect de l’invention concerne un procédé de fabrication d’un empilement comprenant l’étape suivante : Fournir au moins un empilement initial comprenant : un substrat socle à base d’un matériau de base présentant un coefficient de dilatation thermique dit de base α, une première couche isolante surmontant le substrat socle, la première couche isolante étant à base d’un premier matériau isolant, le premier matériau isolant présentant une première conductivité thermique λ 1 et un premier coefficient de dilatation thermique α 1 , la première couche isolante comprenant un réseau de tranchées. Le procédé se caractérise en ce qu’il comprend également au moins les étapes suivantes : Remplir les tranchées par un deuxième matériau isolant présentant une deuxième conductivité thermique λ 2 et un deuxième coefficient de dilatation α 2 , formant ainsi une deuxième couche isolante, la deuxième conductivité thermique λ 2 étant différente de la première conductivité thermique λ 1 , α 1 et α 2 étant supérieurs à 0.3 ppm/K, et Former un film semiconducteur au-dessus de la deuxième couche isolante.
La couche isolante enterrée est ici constituée notamment par la première couche isolante et la deuxième couche isolante.
L’utilisation d’un deuxième matériau isolant permet de ne pas se limiter aux valeurs de conductivités thermiques et/ou résistivité électriques et/ou dilatation thermique que peuvent offrir les matériaux pour lesquels il est possible d’opter pour le substrat socle. Notamment, utiliser un deuxième matériau isolant présentant une conductivité thermique plus élevée que celle du premier matériau isolant permet d’optimiser la puissance pouvant être dissipée par la couche isolante enterrée. Il est aussi possible d’utiliser des matériaux dont la moyenne des coefficients de dilatation thermique soit proche de celle du matériau socle. En ce sens, utiliser plusieurs matériaux pour la réalisation de la couche isolante enterrée permet d’atteindre des propriétés physiques qu’il serait impossible d’atteindre en se limitant à un unique matériau devant à la fois assurer le rôle de substrat socle, d’isolant électrique et de conducteur thermique.
La solution qui consisterait à effectuer le dépôt d’une couche épaisse d’un isolant présentant une conductivité thermique supérieure à celle du substrat socle, par exemple du nitrure de silicium (Si 3 N 4 ), serait limitée par la différence de coefficient de dilatation thermique (CTE) entre le substrat socle de silicium et la couche de nitrure (et la plupart des isolants à forte conductivité thermique) qui provoquerait des déformations inacceptables lors des étapes de traitement thermique liées à la fabrication ou à l’utilisation des substrats.
En outre, la structure en réseau de murs confère à la couche une bonne tenue mécanique et permet ainsi de minimiser la déformation de la couche par rapport à une couche continue d’un seul matériau. Cet avantage est particulièrement intéressant lorsque le procédé est utilisé pour former une couche isolante pleine plaque. Cela se traduit notamment dans ce contexte par une flèche moins élevée que lorsque la couche isolante enterrée est constituée d’une couche continue classique.
Un autre objet de l’invention concerne un dispositif microélectronique comprenant un empilement de couches, ledit empilement comprenant, à partir d’une face inférieure de l’empilement : un substrat socle, une couche isolante enterrée comprenant : une première couche isolante à base d’un premier matériau isolant et comprenant une pluralité de murs, le premier matériau isolant présentant une première conductivité thermique λ1 et un premier coefficient de dilatation α 1 , une deuxième couche isolante à base d’un deuxième matériau isolant et s’étendant au moins dans les tranchées séparant les murs, le deuxième matériau isolant présentant une deuxième conductivité thermique λ2 et un deuxième coefficient de dilatation α 2 , la deuxième conductivité thermique λ 2 étant différente de la première conductivité thermique λ 1 , et avec 0,6 ≤ I(α 2 +α 1 )/2αI ≤ 1,7, α 1 et α 2 étant supérieurs à 0.3 ppm/K, un film semiconducteur.
Par dispositif microélectronique, on entend tout type de dispositif réalisé avec des moyens de la microélectronique. Ces dispositifs englobent notamment en plus des dispositifs à finalité purement électronique, des dispositifs micromécaniques ou électromécaniques (MEMS, NEMS…) ainsi que des dispositifs optiques ou optoélectroniques (MOEMS…).
Il peut s’agir d’un dispositif destiné à assurer une fonction électronique, optique, mécanique etc. Il peut aussi s’agir d’un produit intermédiaire uniquement destiné à la réalisation d’un autre dispositif microélectronique. Le procédé et le dispositif selon la présente invention sont particulièrement avantageux pour former un dispositif pour des applications radiofréquence (RF).
Les figures 1A à 1L illustrent les étapes d’un premier exemple de procédé de formation d’un empilement selon l’un des modes de réalisation de l’invention. Les figures 1A à 1E illustrent plus particulièrement les étapes de formation d’un empilement initial représenté en , à partir duquel d’autres étapes sont effectuées pour parvenir à un empilement selon l’invention. La illustre la fourniture d’un substrat.
La illustre le dépôt d’un masque de lithographie sur le substrat.
k représente le nombre d'ensembles d'au moins un paramètre de renforcement d’entrainement ;
s représente l'écart type de (F(Θ+e1), F(Θ-e1), ..., F(Θ+ek), F(Θ-ek)) ;
TopDir représente les meilleures directions, autrement dit l'ek avec les scores de récompense les plus élevés obtenus par les différents ensembles d'au moins un paramètre de renforcement d’entrainement ; et
représente un taux d'apprentissage ;
Une telle configuration permet d'obtenir un dispositif de régulation 30 d'une bonne robustesse et adaptabilité.
Le taux d'apprentissage peut soit être fixe pour contrôler l’entrainement avec précision, soit diminuer exponentiellement tout au long des itérations afin de "motiver" des changements plus forts dans les itérations initiales et des changements plus petits dans les itérations ultérieures. Une telle configuration permet d'éviter de dépasser un optimum à chaque pas.
Selon un mode de réalisation, s = 30. Une telle configuration permet d'observer un meilleur comportement de convergence.
Les données d'utilisateur sont normalisées, une telle configuration permet d'obtenir une convergence plus rapide et plus précise de l'algorithme d'apprentissage par renforcement pendant l’entrainement.
Le score de récompense est calculé comme suit :
Si , alors
Ou bien
Tous les K(n) d'une période de temps déterminée sont ensuite additionnés afin d'obtenir le score de récompense. La période de temps déterminée est une période de temps correspondant à une période durant laquelle l'algorithme d'apprentissage par renforcement est entrainé. Cette période avait une durée de dix jours.
PHY(n) représente le glucose sanguin de l'utilisateur unique présentant un horodatage n ;
THRl représente la valeur seuil d'hypoglycémie d'une plage de normoglycémie ;
la figure illustre schématiquement un dispositif de raclette multifonction pour des opérations d’élevage d’insectes et un bac d’élevage d’insectes selon divers modes de réalisation ;
la figure illustre schématiquement un dispositif de raclette multifonction pour des opérations d’élevage d’insectes selon divers modes de réalisation ;
la figure est une vue éclatée d’un dispositif de raclette multifonction pour des opérations d’élevage d’insectes selon divers modes de réalisation ;
la figure illustre schématiquement des modules d’un dispositif de raclette multifonction pour des opérations d’élevage d’insectes selon divers modes de réalisation ;
la figure illustre schématiquement des variantes de modules du dispositif de raclette multifonction selon divers modes de réalisation ;
la figure illustre schématiquement une première variante d’un module du dispositif de raclette multifonction selon divers modes de réalisation ;
la figure illustre schématiquement une deuxième variante d’un module du dispositif de raclette multifonction selon divers modes de réalisation ;
la figure illustre schématiquement une troisième variante d’un module du dispositif de raclette multifonction selon divers modes de réalisation ;
la figure illustre schématiquement une quatrième variante d’un module du dispositif de raclette multifonction selon divers modes de réalisation ;
la figure illustre schématiquement un système d’opérations d’élevage d’insectes selon divers modes de réalisation.
En se référant à la , il est affiché un environnement 1 d'élevage d'insectes tel qu'une ferme, un atelier ou, plus généralement, un lieu d'élevage, notamment à grande échelle, d'insectes. Cet environnement 1 comprend une pluralité de rayonnages 2 comportant des racks, des étagères ou des structures verticales dans lesquelles sont disposés en colonne des bacs 3 d'élevage d'insectes. Un rayonnage en hauteur des bacs 3 d'élevage permet, avantageusement, de réduire l'espace nécessaire au sol.
Des rayonnages 2 délimitent des couloirs 4 permettant d'y déplacer un véhicule 5 à guidage automatique tel qu'une nacelle, un transstockeur, un robot ou un système automatisé. Le véhicule 5 à guidage automatique permet d'atteindre la hauteur de l'un quelconque des bacs 3 d'élevage. Autrement dit, des allées sont ménagées entre les rayonnages 2 pour la circulation du véhicule 5 à guidage automatique pour atteindre les différents bacs 3 d'élevage. Dans un mode de réalisation, le véhicule 5 à guidage automatique comporte des moyens de levage pour un déplacement vertical et des moyens de déplacement horizontal le long d'un rail 51 .
Les bacs 3 d'élevage sont destinés à contenir les insectes pendant leur croissance (œufs, larves, nymphes, ou adultes). Dans un mode de réalisation illustré par la , le bac 3 d'élevage a une forme générale parallélépipédique rectangle ayant des parois latérales (bords verticaux) de faible hauteur comparativement à sa longueur et sa largeur. Le bac 3 d'élevage comprend une paroi de fond intérieure 31 sensiblement plate et de forme générale rectangulaire et des parois latérales s'étendant depuis le périmètre de cette paroi de fond intérieure 31 jusqu'à une face supérieure ouverte opposée à la paroi de fond intérieure 31 . La face supérieure sensiblement parallèle à la paroi de fond intérieure 31 est délimitée par les bords supérieurs des parois latérales du bac 3 d'élevage. Le bac 3 d'élevage est disposé dans un rayonnage 2 de sorte que sa paroi de fond intérieure 31 soit sensiblement horizontale. Le bac 3 d'élevage est, de préférence, réalisé en matériau de qualité alimentaire, par exemple en polypropylène.
Le véhicule 5 à guidage automatique permet d'amener, au niveau d'un bac 3 d'élevage disposé dans un rayonnage 2 , un dispositif 6 de raclette apte à réaliser au moins une opération d'élevage d'insectes. Ce dispositif 6 de raclette comprend une face 6 1 destinée à venir en regard, à une distance prédéfinie, de la paroi de fond intérieure 31 du bac 3 d'élevage d'insectes. En fonction de l'opération d'élevage à réaliser dans le bac 3 d'élevage, cette distance peut être presque nulle (rasante), de quelques millimètres ou de quelques centimètres (par exemple, 4 mm, 8 mm, 1 cm, 2 cm ou 5 cm).
Au moins une bouche 6 2 , ménagée sur la face 6 1 du dispositif 6 de raclette, est destinée à être raccordée à une conduite 6 3 d'aspiration ou de refoulement. Tel qu’il est illustré par les figures 3 et 4, une ou plusieurs conduites 6 3 d'aspiration ou de refoulement peuvent être mises en communication fluidique avec un circuit d'aspiration ou de refoulement directement ou via des branches de raccordement.
Une conduite 63 de refoulement (de distribution ou d'alimentation) débouchant sur la face 6 1 du dispositif 6 de raclette par la bouche 6 2 permet d'apporter des éléments dans le bac 3 d'élevage, tel que des insectes, des aliments ou un substrat d'élevage. Une conduite 6 3 d'aspiration débouchant sur la face 6 1 du dispositif 6 de raclette par la bouche 6 2 permet d'aspirer des éléments depuis le bac 3 d'élevage, notamment lors d'une opération de nettoyage du bac 3 d'élevage, une opération de tri, ou une opération de collecte d'insectes.
Cependant, cette installation présente l’inconvénient que le dispositif d’occultation est disposé à l’intérieur du bâtiment et que le panneau photovoltaïque est fixé à l’écran du dispositif d’occultation.
Par conséquent, le panneau photovoltaïque peut ne pas être exposé à un rayonnement solaire direct à au moins certains instants d’une journée, à cause d’un autre dispositif d’occultation disposé à l’extérieur du bâtiment ou parce que le panneau photovoltaïque peut être remonté au-dessus de la fenêtre et que celui-ci est masqué par un mur du bâtiment.
En outre, ce document EP 3 904 630 A1 est muet quant à l’utilisation du panneau photovoltaïque en tant que capteur d’éclairement.
Par ailleurs, ce document EP 3 904 630 A1 est muet quant au positionnement du capteur d’éclairement par rapport à l’installation.
Dans le cas où le capteur d’éclairement est fixé à l’extérieur du bâtiment, notamment sur un coffre d’un autre dispositif d’occultation disposé à l’extérieur du bâtiment ou de manière déportée sur un mur du bâtiment, ce capteur d’éclairement peut ne pas être exposé à un rayonnement solaire direct à au moins certains instants d’une journée, à cause d’un élément de l’architecture du bâtiment et, plus particulièrement, d’un linteau de fenêtre, d’une avancée de toit ou d’un balcon.
Ainsi, le capteur d’éclairement peut ne pas être pertinent, au moins ponctuellement, pour autoriser ou interdire un déplacement de l’écran du dispositif d’occultation au moyen de l’actionneur électromécanique, en fonction des données recueillies par celui-ci et transmises à un contrôleur d’un terminal, configuré pour émettre des ordres de commande à l’unité électronique de contrôle du dispositif d’entraînement motorisé.
De cette manière, un déplacement de l’écran du dispositif d’occultation peut ne pas être exécuté au moyen de l’actionneur électromécanique, en fonction des données provenant du capteur d’éclairement, alors que la fenêtre est exposée à un rayonnement solaire direct. Dans un tel cas, le capteur d’éclairement peut être masqué par un élément de l’architecture du bâtiment, tel que, par exemple, un linteau de fenêtre, une avancée de toit ou un balcon. Et inversement, un déplacement de l’écran du dispositif d’occultation peut être exécuté au moyen de l’actionneur électromécanique, en fonction des données provenant du capteur d’éclairement lorsque celui-ci est exposé à un rayonnement solaire direct, alors que la fenêtre n’est pas exposée à un rayonnement solaire direct. Un tel cas peut, notamment, se produire lorsque le capteur d’éclairement est utilisé pour commander une pluralité de dispositifs d’occultation disposés respectivement en vis-à-vis d’une fenêtre différente d’une même façade du bâtiment.
Par conséquent, l’absence de déplacement de l’écran du dispositif d’occultation ou ce ou ces déplacements de l’écran du dispositif d’occultation peuvent nuire à la gestion thermique du bâtiment et/ou à l’éblouissement à l’intérieur du bâtiment et donc engendrer une insatisfaction d’un utilisateur.
La présente invention a pour but de résoudre les inconvénients précités et de proposer un procédé de fonctionnement d’une installation d’occultation ou de protection solaire, ainsi qu’une installation d’occultation ou de protection solaire, permettant d’éviter un fonctionnement inapproprié d’un actionneur électromécanique pour déplacer un écran d’un dispositif d’occultation en vis-à-vis d’une fenêtre d’un bâtiment, en fonction de données provenant d’un capteur d’éclairement, qui est engendré par un emplacement du capteur d’éclairement non représentatif d’un rayonnement solaire direct sur la fenêtre.
A cet égard, la présente invention vise, selon un premier aspect, un procédé de fonctionnement d’une installation d’occultation ou de protection solaire,
- un dispositif d’occultation,
- une fenêtre d’un bâtiment, et
- un capteur d’éclairement,
- un écran, l’écran étant configuré pour se déplacer en vis-à-vis de la fenêtre du bâtiment, et
Il peut être réalisé en une étape dans un ou plusieurs réacteurs en série en présence d’un seul catalyseur qui non seulement hydrocraque la charge hydrocarbonée en produits à point d’ébullition inférieur mais qui convertit également les composés organiques résiduels comprenant du soufre et de l’azote respectivement en sulfure d’hydrogène et en ammoniaque.
Les catalyseurs d’hydrocraquage utilisés dans les procédés de production de distillats moyens sont dits bifonctionnels, c’est-à-dire associant une fonction acide à une fonction hydro-déshydrogénante. La fonction acide est apportée par des oxydes dont les surfaces varient généralement de 150 à 1 000 m 2 .g -1 telles que les alumines halogénées (chlorées ou fluorées notamment), les combinaisons d'oxydes de bore et d'aluminium, les silice-alumine amorphes et les zéolithes. La fonction hydro-déshydrogénante est apportée soit par un ou plusieurs métaux du groupe VIB de la classification périodique des éléments, soit par une association d'au moins un métal du groupe VIB de la classification périodique et au moins un métal du groupe VIII.
L'art antérieur fait état de nombreux travaux afin d'améliorer la sélectivité en distillats moyens des catalyseurs zéolithiques dans les procédés d'hydrocraquage. Ces derniers sont composés d'une phase hydro-déshydrogénante à base de métaux de transition, généralement déposée sur un support contenant une zéolithe, le plus souvent une zéolithe USY. La phase hydro-déshydrogénante est généralement sous forme sulfure de métaux de transition.