INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Chaque bras peut être en ferrite et notamment en ferrite spinelle. Les matériaux dits « ferrites spinelles » sont des céramiques magnétiques. Ce sont des oxydes magnétiques de type MeFe 2 O 4 , le terme « Me » désignant un métal d’alliage comme du MnZn, du NiZn, etc… Il est possible d’ajouter dans cet alliage du cuivre ou d’autres métaux. Cet ajout permet des spécificités supplémentaires. Ces céramiques présentent des températures de fusion élevées.
Chaque bras est configuré pour recevoir un enroulement d’un fil conducteur. Le bras peut recevoir deux enroulements de fil conducteur qui pourront être couplés magnétiquement grâce au matériau composant le noyau magnétique.
Les bras du noyau sont agencés selon des arêtes, référencées 51 à 62 en , d’un polyèdre convexe, référencé 7 en .
On se réfère à la pour décrire les opérations logiques du circuit logique LOG (SEC & PRIV) de gestion des violations de sécurité et de privilège de l’unité IAC.
Ledit circuit logique LOG (SEC & PRIV) est configuré selon la table de vérité de la , c’est-à-dire de manière à générer deux types de sorties OUTPT, à partir des signaux d’erreurs susmentionnés en entrée INTP.
On rappelle que les premiers signaux d’erreur ILAC sont représentatifs d’une violation de la sécurité de la ressource si ILAC_SEC=1 et/ou d’une violation du privilège de la ressource si ILAC_PRIV=1.
On rappelle que l’un des deuxièmes signaux d’erreur TRS est représentatif du droit d’accès de sécurité de la transaction TRS_SEC, de niveau sécurisé S si ILAC_TRS_SEC=1 et non-sécurisé NS si ILAC_TRS_SEC=0 ; et que l’autre des deuxièmes signaux d’erreur TRS est représentatif de l’identifiant de compartimentation de la transaction ILAC_TRS_CID, c’est-à-dire l’identifiant de compartimentation CPU_CID1-CPU_CIDn ( ) du domaine duquel est issue cette transaction.
D’une part, les sorties OUTPT du circuit logique LOG (SEC & PRIV) comportent ladite information numérique du registre de statuts ILAC_STAT_FLG, par exemple codée sur 3 bits, représentative des cas de violations susmentionnés, c’est-à-dire : une violation des droits d’accès de sécurité d’une ressource si un premier bit FLG_SEC est à « 1 » ; une violation des droits d’accès de privilège d’une ressource d’un environnement sécurisé si un deuxième bit FLG_PRIV_SEC est à « 1 » ; et une violation des droits d’accès de privilège d’une ressource d’un environnement non-sécurisé si un troisième bit FLG_PRIV_NSEC est à « 1 ».
D’autre part, les sorties OUTPT du circuit logique LOG (SEC & PRIV) comportent ladite première interruption IT_NSEC et ladite deuxième interruption IT_SEC générées lorsqu’à la valeur « 1 » et communiquées au domaine correspondant à l’identifiant de compartimentation IT_CID communiqué dans le deuxième signal d’erreur ILAC_TRS_CID.
La première ligne de la table de vérité de la signifie qu’aucune sortie OUTPT n’est générée lorsque l’identifiant de compartimentation de la transaction ILAC_TRS_CID ne correspond pas à celui du domaine « !=CPU_CID » de cette sous-unité de gestion IAC1-IACn.
La deuxième ligne de la table de vérité de la signifie qu’aucune sortie OUTPT n’est générée lorsqu’aucune violation n’est détectée ILAC_SEC=0, ILAC_PRIV=0 pour cette ressource.
La troisième ligne de la table de vérité de la signifie qu’en sortie OUTPT, l’interruption de l’environnement non-sécurisée est générée IT_NSEC=1 et le registre de statuts ILAC_STAT_FLG comporte un code représentatif d’une violation du privilège d’une ressource non-sécurisée FLG_PRIV_NSEC=1 ; lorsqu’en entrée INPT, il y a violation de privilège ILAC_PRIV=1 mais pas de sécurité ILAC_SEC=0, par une transaction non-sécurisée ILAC_TRS_SEC=0.
La quatrième ligne de la table de vérité de la signifie qu’en sortie OUTPT, l’interruption de l’environnement sécurisée est générée IT_SEC=1 et le registre de statuts ILAC_STAT_FLG comporte un code représentatif d’une violation du privilège d’une ressource sécurisée FLG_PRIV_SEC=1 ; lorsqu’en entrée INPT, il y a violation de privilège ILAC_PRIV=1 mais pas de sécurité ILAC_SEC=0, par une transaction sécurisée ILAC_TRS_SEC=1.
La cinquième ligne de la table de vérité de la signifie qu’en sortie OUTPT, l’interruption de l’environnement sécurisée est générée IT_SEC=1 et le registre de statuts ILAC_STAT_FLG comporte un code représentatif d’une violation de la sécurité d’une ressource FLG_SEC=1 ; lorsqu’en entrée INPT, il y a violation de sécurité ILAC_SEC=1 mais pas de privilège ILAC_PRIV=0, par une transaction de sécurité quelconque ILAC_TRS_SEC=X.
La sixième ligne de la table de vérité de la signifie qu’en sortie OUTPT, l’interruption de l’environnement sécurisée est générée IT_SEC=1 et le registre de statuts ILAC_STAT_FLG peut comporter un code représentatif d’une violation de la sécurité et du privilège d’une ressource non-sécurisée FLG_SEC=1, FLG_PRIV_NSEC=1 ; lorsqu’en entrée INPT, il y a violation de sécurité ILAC_SEC=1 et de privilège ILAC_PRIV=1, par une transaction non-sécurisée ILAC_TRS_SEC=0.
Cela étant, dans ce cas en pratique, on pourra de ne pas coder la violation du privilège de la ressource (c’est-à-dire FLG_SEC=1, et FLG_PRIV_NSEC=0), pour limiter la complexité des informations fournies. En effet, on peut considérer qu’un traitement de la violation de sécurité est hiérarchiquement supérieur à un traitement de la violation de privilège.
La septième ligne de la table de vérité de la signifie qu’en sortie OUTPT, l’interruption de l’environnement sécurisée est générée IT_SEC=1 et le registre de statuts ILAC_STAT_FLG comporte un code représentatif d’une violation de la sécurité et du privilège d’une ressource sécurisée FLG_SEC=1, FLG_PRIV_SEC=1 ; lorsqu’en entrée INPT, il y a violation de sécurité ILAC_SEC=1 et de privilège ILAC_PRIV=1, par une transaction sécurisée ILAC_TRS_SEC=1.
Cela étant, dans ce cas en pratique, on pourra de ne pas coder la violation du privilège de la ressource (c’est-à-dire FLG_SEC=1, et FLG_PRIV_SEC=0), pour limiter la complexité des informations fournies. En effet, on peut là encore considérer qu’un traitement de la violation de sécurité est hiérarchiquement supérieur à un traitement de la violation de privilège.
On pourra par exemple en pratique coder dans le registre de statuts ILAC_STAT_FLG les trois cas suivants : - une violation de privilège d’une ressource non-sécurisée (c’est-à-dire un accès non-sécurisé et non-privilégié à une ressource non-sécurisée et privilégiée) avec le bit FLG_PRIV_NSEC=1 ; ou - une violation du privilège d’une ressource sécurisée (c’est-à-dire un accès sécurisé et non-privilégié à une ressource sécurisée et privilégiée) avec le bit FLG_PRIV_SEC=1 ; ou - une violation de la sécurité d’une ressource (c’est-à-dire un accès non-sécurisé à une ressource, du type périphérique ou mémoire, sécurisée, ou bien un accès sécurisé à une mémoire non-sécurisée) avec le bit FLG_SEC=1.
Un problème survenant de manière régulière, est qu'une partie centrale de la tranchée peut ne pas être remplie au cours de cette étape de dépôt, et la tranchée isolante 100 peut présenter, à la fin de son procédé de fabrication une cavité 104 vide, ou partie vide 104, positionnée au niveau du centre de la tranchée isolante. La présence d'une telle cavité peut entraîner des problèmes d'étanchéité au niveau de la tranchée isolante.
Selon un exemple, une tranchée isolante du type de la tranchée 100 peut être utilisé pour délimiter la périphérie d'un dispositif électronique simple, comme un transistor, ou d'un dispositif électronique plus complexe, comme un pixel. Selon un autre exemple, une tranchée isolante de ce type peut servir au sein même d'un dispositif électrique.
La est une vue en coupe représentant un condensateur 200.
Le condensateur 200 présente des éléments communs avec la tranchée isolante 100 décrite en relation avec la . Ces éléments communs ne sont pas décrits de nouveau en détails, et seules les différences entre le condensateur 200 et la tranchée isolante 100 sont mises en exergue ci-après.
Le condensateur 200 est formé comme la tranchée isolante, et présente, en outre, deux électrodes conductrices électriquement 201 placées de part et d'autre de la tranchée 103. Les électrodes 201 sont généralement formées contre les parois d'une tranchée formée dans un substrat, puis le reste de la tranchée est rempli avec un matériau isolant, de la même manière que la tranchée 101 est remplie du matériau 103. Selon un exemple, les électrodes 201 sont isolées électriquement du substrat 101 par une couche isolante électriquement 202.
Le problème exposé en relation avec la peut tout à fait avoir lieu pendant la fabrication du condensateur 200. En effet, une partie centrale de la tranchée 101 peut ne pas être remplie au cours de cette étape de dépôt, et le condensateur 200 peut présenter, à la fin de son procédé de fabrication la cavité 104 vide décrite en relation avec la . La présence d'une telle cavité peut entraîner des problèmes d'étanchéité au niveau de la tranchée isolante.
La présente un mode de mise en oeuvre d'un procédé de fabrication d'une tranchée isolante, ou d'un condensateur 200, permettant de réduire la formation de la cavité 104. La comprend, plus particulièrement, cinq vues en coupe (A), (B), (C), (D) et (E) illustrant des étapes d'un mode de mise en oeuvre du procédé de fabrication d'une tranchée isolante palliant au problème décrit en relation avec la .
A l'étape de la vue (A), une tranchée isolante du type de la tranchée isolante 100 de la a été formée. Autrement dit, une tranchée 302 a été formée dans un substrat 301, puis a été remplie avec un matériau isolant 303. Une cavité 304 du type de la cavité 104 est toujours présente après l'étape de remplissage.
Selon un exemple, le substrat 301 est un substrat semiconducteur, comprenant, par exemple, du silicium. Selon un exemple, La tranchée 302 peut avoir une largeur comprise entre 200 et 300 nm, par exemple de l'ordre de 220 nm, et peut avoir une profondeur comprise entre 1 et 10 µm, par exemple de l'ordre de 3 µm. Selon un exemple, le matériau isolant 303 est de l'oxyde de silicium (SiO 2 ). La cavité 304 a un diamètre maximal noté d.
De plus, à l'étape de la vue (A), et de manière optionnelle, un procédé de polissage a été mis en oeuvre. Cette tape de polissage permet de mettre à jour la cavité 304 du côté de la surface du substrat 301. Selon un exemple, le procédé de polissage est un polissage mécano-chimique (CMP, Chemical Mechanical Polishing).
De plus, et de manière optionnelle, une étape supplémentaire de nettoyage peut être mis en oeuvre après le procédé de polissage. Cette étape de nettoyage est, par exemple, la mise en oeuvre d'un procédé de gravure humide, par exemple utilisant de l'acide fluorhydrique.
A l'étape de la vue (B), postérieure à l'étape de la vue (A), une couche d'arrêt de gravure 305 est déposée de façon conforme sur la structure de la vue (A). Une couche d'arrêt de gravure est une couche en un matériau dont la vitesse de gravure est plus lente que la vitesse de gravure d'un autre matériau déposé après dont tout ou partie est destiné à être gravé. Selon un exemple, la couche d'arrêt de gravure 305 est une couche d'un matériau isolant électriquement comme, par exemple, de l'oxyde d'aluminium (Al 2 O 3 ), ou du nitrure d'aluminium (AlN). La couche d'arrêt de gravure 305 a une épaisseur comprise entre 5 et 20 nm, par exemple de l'ordre de 7 nm.
A l'étape de la vue (C), postérieure à l'étape de la vue (B), une couche 306 en un matériau isolant est déposée sur, et en contact avec, la couche d'arrêt de gravure 305. Selon un exemple, le matériau isolant de la couche 306 est de l'oxyde de silicium (SiO 2 ). Selon un mode de réalisation, la vitesse de gravure du matériau de la couche 306 est supérieure à la vitesse de gravure du matériau de la couche d'arrêt de gravure 305. Selon un exemple, le matériau isolant de la couche 306 est le même matériau que celui de la couche 303. Selon un autre exemple, le matériau isolant de la couche 306 est différent du matériau 303. La couche 306 a une épaisseur supérieure ou égale à la moitié du diamètre de la cavité 304.
La couche 306 permet de remplir la cavité 304 laissée vide après le remplissage de la tranchée 302, et permet de boucher l'entrée de la cavité 304. Selon un exemple, une cavité 307 peut toujours être présente même après le dépôt de la couche 306.
A l'étape de la vue (D), postérieure à l'étape de la vue (C), un procédé de gravure, par exemple un procédé de gravure anisotrope, est mis en oeuvre. Le procédé de gravure est mis en oeuvre jusqu'à atteindre la couche d'arrêt de gravure 305, et permet donc de retirer les parties de la couche 306 reposant à l'extérieur de la cavité 304, comme les parties de la couche 304 reposant au niveau de la surface du substrat 301. Cette opération est réalisée sans l'utilisation de masque. Selon un exemple, le procédé de gravure peut être une gravure plasma, ou une gravure sèche.
A l'étape de la vue (E), postérieure à l'étape de la vue (D), une couche 308 en un matériau étanche, par exemple étanche à l'eau est déposée de façon conforme sur la structure de la vue (D). Selon un exemple, la couche 308 est une couche d'oxyde d'aluminium (Al 2 O 3 ). La couche 308 a une épaisseur comprise entre 5 et 20 nm, par exemple de l'ordre de 7 nm. Selon un exemple, la couche 308 peut aussi servir de couche de passivation des charges.
La montre les étapes d’une voie de synthèse d’un deuxième dendrimère conforme à l’invention D2.
La montre une image obtenue par microscopie électronique à balayage (MEB), d’un spot de détection obtenu dans une expérience de détection d’un oligonucléotide cible dans un milieu liquide, au moyen d’une biopuce utilisant, pour la fonctionnalisation du support, un dendrimère phosphoré de l’art antérieur (« 96 CHO ») et, en tant que sonde immobilisée sur ledit dendrimère, un oligonucléotide complémentaire de l’oligonucléotide cible, la détection étant réalisée par colorimétrie.
La montre une image obtenue par microscopie électronique à balayage (MEB), d’un spot de détection obtenu dans une expérience similaire à celle de la , mais réalisée au moyen d’une biopuce utilisant, pour la fonctionnalisation du support, un dendrimère conforme à l’invention (« D1 »).
La montre un histogramme représentant les intensités de détection obtenues dans le cadre de la détection de molécules cibles par différentes sondes bactériennes fixées sur une biopuce comprenant un dendrimère de l’art antérieur (« 96 CHO ») d’une part, et une biopuce comprenant un dendrimère D1 conforme à l’invention d’autre part. Les molécules cibles sont 5 amplicons obtenus à partir d’un échantillon biologique par la technique PCR visant l’amplification de fragments d’ADN spécifiques de Proteus mirabilis et de fragments spécifiques d’ Escherichia coli , dont les sondes bactériennes sont complémentaires. Les sondes 12 et 13 détectent de l’ADN de Proteus mirabilis , les sondes 10 et 11 détectent de l’ADN d’ Escherichia coli et les sondes 68P, 71P et 72P ciblent de l’ADN des espèces de la famille des Enterobacteriaceae en général, dont font partie les espèces Proteus mirabilis et Escherichia coli .
Dans les exemples ci-après, les différentes étapes de synthèse s’effectuent dans des solvants exempts d’humidité et sous atmosphère d’Argon.
EXEMPLE 1 : S ynth è se de pr é curseurs de dendrim è re s conformes à l’invention
Précurseur 8 Les différentes étapes de synthèse d’un premier précurseur de dendrimères selon l’invention (composé 8) sont détaillées sur la .
Synthèse du composé 3 Un mélange d’hexachlorocyclotriphosphazène 1 (12,00 g, 34,5 mmol, 1 éq.) et de diméthyl 5-hydroxyisophthalate (44,26 g, 211 mmol, 6 éq.) est dissous dans 750 mL d’acétone. Du carbonate de potassium (K 2 CO 3 ) (57,38 g, 415 mmol, 12 éq.) est ajouté à la solution sous une agitation vigoureuse. Le mélange est agité à température ambiante pendant 24 h. Les solvants volatils sont retirés sous vide puis le mélange est dissous dans 500 mL de dichlorométhane (CH 2 Cl 2 ) et 500 mL de solution de soude (NaOH) 1M. Le mélange est extrait avec 3 x 500 mL de dichlorométhane (CH 2 Cl 2 ). Les fractions organiques sont lavées avec de l’eau puis séchées avec du sulfate de sodium (Na 2 SO 4 ). Après retrait du solvant, le composé 3 pur est obtenu sous la forme d’un solide blanc (45,95 g, 33,1 mmol).
Synthèse des composés 4 et 7 Au composé 3 (ou 6 ) (7,95 mmol) dans 550 mL de tétrahydrofurane (THF), le complexe borane diméthyl sulfide (2,75 éq. par groupe CO 2 Me) est ajouté lentement et le mélange obtenu est chauffé à reflux avec contrôle de la conversion par RMN 1 H and 31 P (dans CD 3 OD). Après réaction complète (168h) les solvants sont retirés sous vide afin d’obtenir un solide blanc séché sous vide pendant 1 nuit. Le produit est ensuite dissous dans 600 mL de méthanol (MeOH) et agité pendant 24 h. Après filtration et concentration de la solution, une huile incolore est obtenue. Ce produit est alors chauffé à reflux dans 100 mL d’acétone puis filtré pour obtenir le composé 4 (ou 7 ) sous la forme d’un solide blanc.
Synthèse des composés 5 et 8 Au composé 4 (ou 7 ) (5,35 mmol) dans 250 mL de tétrahydrofurane (THF), la triphénylphosphine (33,68 g, 128,4 mmol, 2 éq. par groupe CH 2 OH) et l’hexachloroéthane (30,40 g, 128,4 mmol, 2 éq. par groupe CH 2 OH) sont ajoutés. Le mélange obtenu est agité à température ambiante avec contrôle de la conversion par RMN 1 H and 31 P. Après réaction complète (48h), les solvants sont retirés sous vide et le mélange est purifié par chromatographie flash sur silice (SiO 2 ) avec un mélange dichlorométhane (CH 2 Cl 2 )/Hexane = 5/1 comme éluant pour obtenir le composé 5 (ou 8 ) sous la forme d’un produit solide blanc.
Synthèse du composé 6 Un mélange du composé 5 (1,75 mmol) et de diméthyl 5-hydroxyisophthalate (1,03 éq. par groupe CH 2 Cl) est dissous dans 250 mL d’acétonitrile (CH 3 CN). Du carbonate de potassium (K 2 CO 3 ) (2,0 éq. par groupe CH 2 Cl) est ajouté à la solution sous une agitation vigoureuse. Le mélange obtenu est chauffé à reflux avec contrôle de la conversion par RMN 1 H and 31 P. Après réaction complète (16h), les solvants volatils sont retirés sous vide puis le mélange est dissous dans 300 mL de dichlorométhane (CH 2 Cl 2 ) et 300 mL de solution de soude (NaOH) 1M. Le mélange est extrait avec 3 x 150 mL de dichlorométhane (CH 2 Cl 2 ). Les fractions organiques sont lavées avec de l’eau et séchées avec du sulfate de sodium (Na 2 SO 4 ). Après retrait du solvant, le composé 6 pur est obtenu sous la forme d’un solide blanc.
Précurseur 13 Les différentes étapes de synthèse d’un deuxième précurseur de dendrimères selon l’invention (composé 13), destiné à réagir avec le composé 8 ci-dessus pour former des dendrimères selon l’invention, sont détaillées sur la . Une solution de diméthyl 5-hydroxyisophthalate 2 (8,41 g, 40 mmol) dans 300 mL de THF est refroidie à -10 °C . A cette température, de l’aluminohydrure de lithium (LiAlH 4 ) est ajouté goutte à goutte pendant 35 min. Le mélange obtenu est agité à température ambiante pendant 16 h puis refroidi dans un bain de glace avant d’être bloqué par une solution contenant 20 mL d’acétate d’éthyle (EtOAc), 10 mL d’éthanol (EtOH) et 56 mL d’acide sulfurique à 10 %. Le mélange est ensuite dilué avec 200 mL de tétrahydrofurane (THF) et 100 g de sulfate de sodium anhydre sont ajoutés. Après 2 h à température ambiante, le mélange est filtré puis concentré afin d’obtenir une huile jaune pâle. Ce produit est alors chauffé à reflux dans 50 mL de dichlorométhane (CH 2 Cl 2 ) puis filtré et lavé avec 2 fois 50 mL de dichlorométhane (CH 2 Cl 2 ) pour obtenir le (5-hydroxy-1,3-phénylène)diméthanol 12 sous la forme d’un solide blanc (5,71 g, 37 mmol). A une solution de (5-hydroxy-1,3-phénylène)diméthanol 12 (4,02 g, 26 mmol, 1 éq.) dans 240 mL d’un mélange tétrahydrofurane/dichlorométhane (THF/CH 2 Cl 2 ) 1/1 sont ajoutés de la silice (SiO 2 ) (16,0 g) et du chlorochromate de pyridinium (PCC) (16,9 g, 78 mmol, 3 éq.). Le mélange obtenu est agité vigoureusement pendant 3 h à température ambiante puis de la silice SiO 2 (16,0 g) est ajoutée avant de concentrer le mélange puis de le purifier sur chromatographie flash sur silice (SiO 2 ) (300 mL) avec un mélange acétate d’éthyle (EtOAc)/Hexane = 1/1 comme éluant (R f = 0,35). L’hydroxyisophthalaldéhyde 13 est obtenu sous la forme d’un solide blanc (2,73 g, 18 mmol).
EXEMPLE 2 : Synthèse d’un premier dendrimère conforme à l’invention (« D1 ») à partir des précurseurs obtenus dans l’exemple 1
Le schéma montré sur la décrit la synthèse d’un premier exemple de dendrimère conforme à l’invention, appelé D1, phosphoré uniquement à cœur et présentant 48 fonctions aldéhydes en surface. Un mélange du composé 8 (0,2 mmol) et de 5-hydroxyisophthalaldéhyde 13 (1,05 éq. par groupe CH 2 Cl) est dissous dans 100 mL d’acétonitrile (CH 3 CN). La solution est agitée vigoureusement et du carbonate de potassium (K 2 CO 3 ) (2,0 éq. par groupe CH 2 Cl) est ajouté. Le mélange obtenu est chauffé à reflux avec contrôle de la conversion par RMN 1 H and 31 P. Après réaction complète (120 h), le mélange est refroidi à température ambiante puis filtré. Le dendrimère 16 (D1), obtenu sous forme de solide blanc, est lavé avec de l’eau puis séché sous vide.
EXEMPLE 3 : Synthèse d’un deuxième dendrimère conforme à l’invention (« D2 ») à partir des précurseurs obtenus dans l’exemple 1
Le schéma montré sur la décrit la synthèse d’un second exemple de dendrimère conforme à l’invention, appelé D2, phosphoré uniquement à cœur et présentant 24 fonctions aldéhydes en surface. Un mélange du composé 8 (0,8 mmol) et de 4-hydroxybenzaldéhyde 17 (1,05 éq. par groupe CH 2 Cl) est dissous dans 150 mL d’acétonitrile (CH 3 CN). La solution est agitée vigoureusement et du carbonate de potassium (K 2 CO 3 ) (2,0 éq. par groupe CH 2 Cl) est ajouté. Le mélange obtenu est chauffé à reflux avec contrôle de la conversion par RMN 1 H and 31 P. Après réaction complète (24 h), le mélange est refroidi à température ambiante puis filtré. Le mélange solide est dissous dans 300 mL de dichlorométhane (CH 2 Cl 2 ) et 500 mL d’eau et extrait avec 3 fois 150 mL de dichlorométhane (CH 2 Cl 2 ). Les fractions organiques sont lavées avec de l’eau et séchées avec du sulfate de sodium (Na 2 SO 4 ). Le produit pur 19 (D2) est obtenu sous la forme d’un solide blanc.
En référence à la , le noyau 3 comprend des bras agencés selon les arêtes d’un tétraèdre. Comme mentionné précédemment, une circulation d’un fluide de refroidissement en aller-retour peut être mis en œuvre à travers les pièces de jonction 61, 62 et 63 et les bras 91 et 92.
Le bras 91 comprend un logement 919 qui peut être rempli d’un matériau à changement de phase ou d’un matériau amorphe ou nanocristallin.
Le bras 93 est un bras plein qui présente un entrefer défini entre les faces 935 et 937. Le bras 93 est entouré de deux fils conducteurs, par exemple métalliques 931 et 933 bobinés autour de l’axe du cylindre défini par le bras 93. Les fils conducteurs 931 et 933 se situent de part et d’autre de l’entrefer. Les fils conducteurs 931 et 933 ainsi agencés sont couplés magnétiquement par le noyau 3.
Le couplage magnétique de ces fils conducteurs peut occasionner des variations de température significatives dans le bras 93 et plus généralement dans le noyau 3. Cette variation de température peut être atténuée par la mise en circulation d’un fluide à travers les pièces de jonction 61, 62 et 63 et les bras 91 et 92, ou bien en plaçant dans le logement 919 un matériau à changement de phase. Par ailleurs, le risque de cassure du noyau 3 par la déformation due à la variation de température est réduit par la présence de l’entrefer entre les faces 935 et 937.