Système optique (1) comprenant un substrat (1), une structure réflective (20), un transducteur photoélectrique (30) et un guide d’onde (40), la structure réflective (20) étant formée par un pilier cylindro-parabolique(20b) disposé sur le substrat (10) et comprenant : une première face (22) interne de réflexion de profil parabolique définie par une pluralité de sections paraboliques parallèles au plan du substrat (10), chaque section parabolique étant définie par une parabole présentant un axe optique (X oi ) et un foyer (F i ) et s’étendant depuis le sommet (Si) de la parabole jusqu’à la droite perpendiculaire (y) à l’axe optique (X oi ) et passant par le foyer (F i ), une deuxième face (23) interne et une troisième face (24) interne de réflexion planes, orthogonales au plan du substrat (10) et au plan comportant les axes optiques de la pluralité de sections paraboliques et situées de part et d’autre dudit plan comportant les axes optiques au niveau des foyers (F i ) de la pluralité de sections paraboliques, le transducteur photoélectrique (30) comprenant une région active (32) configurée pour émettre des ondes lumineuses ou configurée pour recevoir des ondes lumineuses, et agencé de sorte que la région active (32) est positionnée dans la structure réflective (20), au niveau d’une partie des foyers (F i ) de la pluralité de sections paraboliques, le matériau (21) de la structure réflective (20) étant choisi pour être transparent aux ondes lumineuses, le guide d’onde (40) présentant une extrémité proximale (41) , une extrémité distale (42) et un axe longitudinal (X g ) parallèle aux axes optiques (X oi ) de la pluralité de sections paraboliques, et agencé sur le substrat (10) de sorte que l’extrémité proximale (41) est accolée à la structure réflective (20), entre la deuxième et la troisième face (23,24) de réflexion et au niveau de la région active (32). Système optique (1) selon la revendication 1 caractérisé en ce qu’un premier milieu (51) est disposé à l’extérieur de la structure réflective (20) dans un espace adjacent à la première face (22) interne de réflexion et un deuxième milieu (52) est disposé à l’extérieur de la structure réflective (20) et du guide d’onde (40) dans l’espace adjacent à la deuxième face (23) interne de réflexion et dans l’espace adjacent à la troisième face (24) interne de réflexion, le premier et deuxième milieu (51,52) présentant un indice de réfraction strictement inférieur à l’indice de réfraction du matériau (21) transparent choisi pour la structure réflective- (20). Système optique (1) selon la revendication 2 caractérisé en ce que le premier milieu (51) est formé d’un matériau diélectrique et le deuxième milieu (52) comprend de l’air. Système optique (1) selon la revendication 2 caractérisé en ce que le premier et le deuxième milieu (51,52) sont formés d’un matériau diélectrique. Système optique selon l’une des revendications 3 à 4 caractérisé en ce qu’un mur (60) de matériau métallique est disposé dans le premier milieu (51) et à proximité de la première face (22) interne de réflexion. Système optique (1) selon l’une des revendications 1 à 5 caractérisé en ce que le transducteur photoélectrique (30) est formé d’une jonction P-N (13) et de puits quantiques (13b) disposés dans la jonction P-N (13) et le matériau (21) transparent choisi pour la structure réflective (20) est le matériau (13) de la jonction P-N. Système optique (1) selon la revendication 6 caractérisé en ce que le guide d’onde (40) est formé du matériau (13) de la jonction P-N et des puits quantiques (13b). Système optique selon l’une des revendications 6 à 7 caractérisé en ce que le matériau (13) de la jonction P-N est un matériau III-V tel qu’un matériau à base de GaN. Système optique (1) selon l’une des revendications 1 à 8 caractérisé en ce que le transducteur photoélectrique (30) comprend une électrode supérieure (34) et une électrode inférieure (35), l’électrode supérieure (34) étant positionnée sur une face supérieure (27) de la structure réflective (20) à l’aplomb de la zone prédéterminée (32) pour la région active, et présentant des dimensions latérales (Le1, Le2) correspondant aux dimensions prédéterminées pour la région active (32). Système optique (1) selon l’une des revendications 1 à 9 caractérisé en ce que la structure réflective (20) présente une dimension latérale (Lsr2) de hauteur dans le plan du substrat (10) strictement supérieure à une taille (Lg2) du guide d’onde. Système optique (1) selon l’une des revendications 1 à 10 caractérisé en ce que le guide d’onde (40) comprend une extrémité proximale (41) élargie par rapport aux dimensions (Lg2) du guide d’onde. Procédé (500) de réalisation d’un système optique (1) selon l’une des revendications 1 à 11 comprenant les étapes de : Fourniture (S501) d’un substrat (10) comprenant une couche de substrat (11), une couche tampon (12) agencée sur la couche de substrat (11) et une jonction P-N (13) agencée sur la couche tampon (12), Structuration (S502) en trois dimensions de la jonction P-N (13) de sorte à définir une face supérieure (45) du guide d’onde (40) ainsi qu’une partie du pilier (20a) cylindro-parabolique formant la structure réflective (20), la structuration (S502) comprenant des sous-étapes de lithographie, Gravure verticale (S503) de la jonction P-N (13) de part et d’autre du pilier (20a) cylindro-parabolique formé pour compléter la définition du guide d’onde (40) et du pilier cylindro-parabolique (20b) formant la structure réflective (20), et définir une couche de liaison (16), Passivation (S504) par dépôt conforme du premier milieu (51) diélectrique à l’extérieur du pilier (20b) cylindro-parabolique, au niveau de la première face (22) interne de réflexion, pour obtenir la structure réflective (20), Formation (S505) d’une électrode supérieure (34) sur la face supérieure (27) de la jonction P-N au niveau des foyers (F i ) de la pluralité de sections paraboliques, et d’une électrode inférieure (35) sur la couche de liaison (16) pour finaliser le transducteur photo-électrique (30) et le système optique (1).