INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Le module 140 de pilotage d’ouvrant est formé en pratique par un calculateur et au moins une mémoire, distincts ou confondus avec ceux du premier module 120 de détection de geste et du deuxième module 130 de détection de geste.
La illustre de manière détaillée un exemple de réalisation d’un module 110 d’émission et réception.
Le module 110 d’émission et réception comporte tout d’abord un oscillateur électronique 111. L’oscillateur électronique 111 est configuré pour émettre un signal électrique d’origine, SO(t), de fréquence fixe.
Le module 110 d’émission et réception comporte ensuite au moins un coupleur, ici un unique coupleur 112 ayant au moins une entrée et au moins quatre sorties. Le coupleur 112 est connecté en entrée à l’oscillateur électronique 111 de manière à recevoir en entrée le signal SO(t).
Le coupleur 112 divise le signal SO(t) en quatre portions, amenées chacune vers l’une respective des quatre voies de sortie.
L’une première des voies de sortie est reliée à un premier circulateur 113, lequel est relié à un premier module antenne 114.
Le premier module antenne 114 comporte au moins une antenne radiofréquence configurée pour émettre le premier signal radiofréquence émis en direction de la première zone de détection ZD1, et pour recevoir le premier signal radiofréquence reçu. Le premier module antenne 114 comporte au moins une antenne radiofréquence, de préférence une première antenne d’émission et réception, orientée en utilisation vers l’arrière du véhicule, et une deuxième antenne d’émission et réception, orientée en utilisation vers le dessous du véhicule. De nombreuses autres variantes peuvent être mises en œuvre, par exemple avec des antennes distinctes pour l’émission et la réception de signal.
L’une seconde des voies de sortie du coupleur 112 est reliée à un premier module de prétraitement 115.
Le premier module de prétraitement 115 reçoit en entrée : - un signal électrique à la fréquence du premier signal radiofréquence émis, en provenance du coupleur 112 (seconde voie de sortie du coupleur) ; et - un signal électrique correspondant au premier signal radiofréquence reçu, ici en provenance du premier module antenne 114, et après passage par le premier circulateur 113 et par un premier amplificateur 116.
Le premier module de prétraitement 115 comporte au moins un premier mélangeur. Ce premier mélangeur est configuré pour réaliser au moins un mixage entre les deux signaux électriques qu’il reçoit en entrée, de manière à fournir en sortie un signal I, résultant d’un mixage de ces deux signaux en phase, et un signal Q, résultat d’un mixage de ces deux signaux en opposition de phase.
Les signaux I et Q sont envoyés en entrée du premier module de détection de geste, non représenté à la .
L’une troisième des voies de sortie est reliée à un deuxième circulateur 113’, lequel est relié à un deuxième module antenne 114’.
Au moins une des aubes 49, ici plusieurs aubes 49, est constituée par une aube hybride 79 comprenant une portion proximale 80 formant talon, proche du disque 62, constituée de métal, et une portion distale 82, éloignée du disque 62, composée au moins en partie d’une structure en matériau composite (non représentée).
Le talon 80 délimite l’extrémité proximale 77 de l’aube 79, laquelle est sensiblement plane. Il s’étend typiquement sur une hauteur comprise entre 10 et 20% de la hauteur de l’aube 79. En variante, le talon 80 s’étend sur une hauteur inférieure à 10 % de la hauteur de l’aube ou sur une hauteur supérieure à 20 % de la hauteur de l’aube.
Le métal constituant le talon 80 est par exemple le titane ou un alliage de titane.
Le talon 80 est typiquement fixé à la structure en matériau composite par des moyens conventionnels connus de l’homme du métier. Il est par exemple vissé à la structure en matériau composite, ou introduit directement dans un moule dans lequel est déposé le renfort fibreux de la structure en matériau composite pour une co-injection pendant l’étape d’injection de la matrice de la structure en matériau composite (typiquement dans le cas où la structure en matériau composite est produite par moulage par transfert de résine).
La portion distale 82 s’étend sur la majorité de la hauteur de l’aube 79, avantageusement sur au moins 80% de la hauteur de l’aube 79, par exemple au moins 85%. Elle s’étend depuis le talon 80 jusqu’à l’extrémité distale 78 de l’aube 79.
La portion distale 82 s’inscrit dans la prolongation du talon 80 à l’intrados 70 et à l’extrados 72. En d’autres termes, les portions de l’intrados 70 et de l’extrados 72 portées par la portion distale 82 sont affleurantes avec respectivement les portions de l’intrados 70 et de l’extrados 72 portées par le talon 80. Ainsi, il n’y a pas d’aspérité ou d’épaulement à la jonction entre la portion distale 82 et le talon 80, ce qui évite de perturber le flux aérodynamique et garantit une bonne tenue mécanique.
La structure en matériau composite s’étend sur toute la hauteur de la portion distale 82. En d’autres termes elle s’étend depuis le talon 80 jusqu’à l’extrémité distale 78 de l’aube 79.
La structure en matériau composite comporte un renfort fibreux (non représenté) et une matrice (non représentée) dans laquelle est noyé le renfort fibreux.
Le renfort fibreux est par exemple obtenu par tissage tridimensionnel. A cet effet, il est typiquement formé à partir d’une préforme fibreuse en une seule pièce avec épaisseur évolutive comprenant des torons de chaîne et des torons de trame, ces torons comprenant par exemple des fibres en carbone, en verre, en basalte, et/ou en aramide. Ladite préforme fibreuse est avantageusement obtenue par tissage tridimensionnel ou multicouche, c’est-à-dire que les torons de chaîne suivent des trajets sinueux afin de lier entre eux des torons de trame appartenant à des couches de torons de trame différentes, étant noté que ledit tissage tridimensionnel peut inclure des tissages 2D en surface. Différentes armures de tissage tridimensionnel peuvent être utilisées, telles que des armures interlock, multi-satin ou multi-voile, par exemple, comme décrit notamment dans le document WO 2006/136755. Le renfort fibreux est ensuite noyé dans la matrice, par exemple au moyen de la technique dite de moulage par transfert de résine (mieux connue sous l’acronyme RTM, de l’anglais « Resin Transfer Molding »).
En variante, la structure en matériau composite est obtenue par drapage de différentes couches de préimprégné comprenant chacune le renfort fibreux et la matrice.
De préférence, la structure en matériau composite constitue la majorité de l’aube 79, de sorte que l’aube 79 est ainsi composée majoritairement de matériau composite. L’expression « composée majoritairement » s’entend ici et dans la suite en proportions massiques, c’est-à-dire que le composant majoritaire (ici le matériau composite) constitue plus de 50% en poids de l’objet (ici l’aube 79). La structure en matériau composite constitue avantageusement au moins 70% en poids de l’aube 79.
En variante, la structure en matériau composite est minoritaire, l’aube 79 étant alors composée majoritairement de métal. En variante encore, l’aube 79 est composée sensiblement pour moitié de métal et, pour l’autre moitié, de matériau composite.
Avantageusement, la portion distale 82 est également composée d’une partie métallique (non représentée) prolongeant le talon 80 à l’intérieur et/ou autour de la structure en matériau composite. Cette partie métallique est de préférence venue de matière avec le talon 80. Elle s’étend sur tout ou partie de la hauteur de la portion distale 82.
De préférence, la portion distale 82 comprend alors un tronçon de transition 84 en contact avec le talon 80 dans lequel la densité de la partie métallique diminue à mesure que la distance au talon 80 augmente. Cela permet d’assurer une bonne tenue mécanique de l’aube 79. Ce tronçon de transition 84 s’étend sur tout ou partie de la portion distale 82.
De retour à la , dans l’exemple représenté, au moins une des aubes 49, ici deux des aubes 49, est constituée par une aube 86 qui n’est pas une aube hybride 79. Cette aube 86 comprend une pale 88 destinée à s’étendre dans la veine d’air, ladite pale 88 délimitant l’extrémité distale 78 de l’aube 86 et formant la partie de l’aube 86 qui a un profil aérodynamique. Elle comprend également un pied (non représenté) formant l’extrémité proximale 77 de l’aube 86. Ce pied comporte typiquement un bulbe et une échasse reliant le bulbe à la pale 88, le bulbe étant relié à l'échasse par un col définissant un minimum local de la section du pied.
Ladite aube 86 est par exemple une aube métallique, c’est-à-dire qu’elle est composée uniquement de métal, ou une aube composite, c’est-à-dire que la structure de l’aube 86 est composée uniquement de matériau composite. Par exemple, les aubes 49 comprennent plusieurs aubes 86, lesdites aubes 89 étant toutes des aubes métalliques, toutes des aubes composites, ou pour certaines des aubes composites et pour d’autres des aubes métalliques.
représente une vue partielle, partiellement en coupe, d’une structure support pour mieux visualiser l’intérieur de la structure support ;
représente une vue partielle d’un montant, prise au niveau des empreintes en creux.
Comme mentionné ci-dessus, l'invention concerne une structure support 1 apte à former au moins une partie d'une ossature 31 d'un meuble 30, tel qu'une étagère ou une table du type, par exemple, de celle représentée à la dans laquelle une table a été représentée à l'envers pour mieux illustrer l'invention.
Cette structure support 1 comprend au moins deux traverses 2 et un montant 3. Dans l’exemple représenté à la , l'ossature 31 forme le piètement de la table et supporte un plateau 32 de table. Cette ossature 31 comprend un cadre 33 positionnable en applique sur l'une des faces dites du dessous du plateau 32 et des pieds 34 qui supportent le cadre. Les traverses 2 de la structure support 1 forment au moins une partie du cadre 33 et le montant 3 de la structure 1 support forme l'un des pieds 34 de support du cadre 33. Pour permettre la réalisation de la totalité de l’ossature 31, il est nécessaire de disposer de quatre traverses 2 et de quatre montants 3.
Chaque traverse 2 de la structure support 1 se présente sous forme d'un profilé en U. Ce U comprend une âme 6 et deux branches 7. Le montant 3 est quant à lui un profilé creux polyédrique. Ce montant 3 est généralement de section transversale quadrangulaire, en particulier rectangulaire ou carrée, comme dans l'exemple représenté. Ce montant 3 présente deux faces contiguës, appelées faces 4 d’assemblage, aptes à former chacune une surface d'appui d'une extrémité de l'une des traverses 2. Chaque face 4 est une face sensiblement plane. Lesdites faces 4 contiguës d'assemblage sont reliées entre elles par une arête. Généralement, les traverses 2 et les montants 3 sont en métal.
La structure support 1 comprend encore un dispositif 5 d'assemblage pour un couplage du montant 3 et des traverses 2 entre eux dans une position dans laquelle les traverses 2 forment entre elles un angle de 90° avec les U ouverts en direction de l'intérieur de l'angle et au moins une partie de l'âme 6 du U de chaque traverse 2 s’étendant orthogonalement à la face 4 d'assemblage d'appui correspondante, c'est-à-dire orthogonalement à la face 4 d'assemblage du montant 3 contre laquelle la traverse 2 s'appuie comme illustré par exemple à la . Les faces 4 d’assemblage du montant 3 sont, dans leur zone de réception par appui d’une traverse 2, munies chacune extérieurement d’une empreinte 8 en creux pour former à l’extérieur du montant 3, c’est-à-dire côté de la surface du montant 3 tournée vers l’extérieur du montant 3, un épaulement 9 longitudinal contre lequel une partie de la surface dite extérieure de l’âme 6 du U, s’étendant à l’extérieur du U de la traverse 2, est adossée à l’état introduit de l’extrémité de la traverse 2 dans ladite empreinte 8.
Chaque empreinte 8 en creux est généralement réalisée par emboutissage d'une partie du montant 3. L'épaulement 9 longitudinal obtenu forme une surface d'appui de la surface extérieure de l'âme 6 du U qui s'étend parallèlement à l'axe longitudinal du montant 3. Lesdits épaulements 9 s'étendent dans des plans orthogonaux entre eux. Chaque épaulement 9 forme un bord dit longitudinal de l'empreinte 8 en creux. Cette empreinte en creux présente au moins un bord transversal qui forme avec le bord longitudinal un L ouvert en direction de l'arête longitudinale de liaison des faces 4 d'assemblage du montant 3 entre elles. Ce L permet le logement du U formé par la traverse 2. Généralement, chaque empreinte 8 en creux est réalisée au niveau de l’extrémité du montant 3 qui vient se coupler à un autre élément du meuble en l’occurrence ici à la face du dessous du plateau de table.
Le dispositif 5 d'assemblage comprend une pièce 10 de liaison et une plaquette 11. La plaquette 11 est positionnable à l'intérieur du montant 3 au niveau des empreintes 8 en creux du montant 3 à l'intérieur d'un espace 12 délimité au moins partiellement par les épaulements 9 formés par les empreintes 8 en creux. Cet espace 12, qui forme un logement de réception de la plaquette 11, est plus particulièrement visible aux figures 5 et 6. Chaque épaulement 9 forme, à l'intérieur du montant 3, une surface parallèle à une face autre qu'une face d'assemblage du montant 3 et la zone laissée libre entre ladite surface et la face en regard dudit montant constitue le logement d'un bord de la plaquette 11. La plaquette 11 est donc introduite par l'extrémité du montant 3 munie des épaulements dans le montant 3 et pénètre progressivement par coulissement dans l'espace 12 délimité au moins partiellement par les épaulements 9 formés par les empreintes 8 en creux.
La pièce 10 de liaison se présente quant à elle sous forme d'une équerre comprenant deux branches 13 coupables l’une, à une branche 7 du U de l'une des traverses 2, l'autre, à une branche 7 du U de l'autre des traverses 2, et un poteau 14 d'angle reliant lesdites branches 13 de l'équerre entre elles. Les branches 13 de l’équerre forment un angle égal à 90° entre elles.
Chaque branche 13 de l'équerre se présente sous forme d'une lame positionnable à l'intérieur du U formé par la traverse 2. Chaque branche 13 s'étend en appui sur une branche 7 du U de la traverse 2 en suivant ladite branche 7 du U à l'état couplé de la branche 13 de l'équerre à la traverse 2, comme illustré par exemple à la .
Les branches 13 de l'équerre comprennent chacune au moins deux orifices 22 traversants. La branche 7 du U de chaque traverse 2, à laquelle une branche 13 de l'équerre de la pièce 10 de liaison est coupable, comprend au moins deux orifices 21 traversants respectivement positionnables en coïncidence des orifices 22 traversants d'une branche 13 de l'équerre à l'état appliqué de la branche 13 de l'équerre contre une branche 7 du U de ladite traverse 2.
Chaque orifice 21 traversant d'une branche 13 de l'équerre délimite, à l'état positionné en coïncidence avec un orifice 22 traversant d'une branche 7 du U de la traverse 2, un passage de réception d'un organe 20 de liaison de l'équerre et de la traverse 2 entre elles.
Cet organe 20 de liaison de l'équerre et de la traverse entre elles permet également la liaison de la traverse 2 au plateau de table, la traverse 2 prenant appui sur le plateau de table par la branche 7 du U de la traverse 2 couplée à l'équerre.
Le poteau 14 d'angle, qui relie les branches 13 de l'équerre entre elles, est quant à lui un poteau d'angle dit ouvert de section transversale en L à la manière d'une cornière. Ce poteau 14 d’angle délimite avec l'angle formé par les branches du L dudit plateau 14 d’angle un logement 15 à l'intérieur duquel le montant 3 est au moins partiellement insérable. Le L du poteau d’angle est ouvert en direction de l’extérieur de l’angle formé par les montants de l’équerre. Ainsi, les branches 13 de l’équerre forment un angle ouvert suivant une première direction et l’angle formé par le L du poteau d’angle est ouvert suivant une direction opposée.
Le montant 3 s'insère dans ce logement 15 par ses faces 4 d'assemblage. Chaque face 4 d'assemblage du montant 3 à une traverse 2 de la structure support s’étend dans un plan sensiblement parallèle à ± 10° près du plan passant par une branche du poteau 14 d’angle à l'état inséré du montant 3 dans le poteau 14 d’angle.
Comme cela est visible sur la , vue b, cette gravure forme les futurs canaux 112 des transistors correspondant aux portions de matériau restantes des premières couches 104, et également de la couche 110 dans cet exemple. Avec la mise en œuvre de cette gravure, des premiers espaces 114 sont formés également à côté des canaux 112, découvrant des flancs latéraux des canaux 112.
Un dépôt d’au moins un premier matériau diélectrique 116 dans les premiers espaces 114 est ensuite mis en œuvre (voir , vue c). De manière avantageuse, ce premier matériau diélectrique 116 correspond à de l’oxyde, par exemple du SiO 2 . Le dépôt mis en œuvre est par exemple de type CVD ou ALD.
Une gravure sélective d’au moins une partie des portions restantes des deuxièmes couches 106, et de préférence de l’ensemble des portions restantes des deuxièmes couches 106, est ensuite mise en œuvre. Cette gravure du matériau des deuxièmes couches 106, c’est-à-dire du SiGe non intentionnellement dopé, est sélective vis-à-vis des matériaux des autres couches 102, 108, 116 et 110 de l’empilement 100, c’est-à-dire sélective vis-à-vis du silicium non intentionnellement dopé des premières couches 104 et de la couche 110, du silicium dopé de type P des troisièmes couches 108, et également vis-à-vis du premier matériau diélectrique des portions 116. Dans l’exemple de réalisation décrit ici, cette gravure correspond par exemple à une gravure humide pouvant être mise en œuvre avec une solution à base d’acide acétique HF H 2 O 2 ou à base d’HNO 3 combinée avec des agents de gravure d’oxyde (détails de mise en œuvre donnés par exemple dans le document « The Effect of Doping on the Digital Etching of Silicon-Selective Silicon –Germanium Using Nitric Acids » de Li et al., Nanomaterials, 2021, 11(5), 1209). Avec la mise en œuvre de cette gravure, des seconds espaces sont formés entre les troisièmes couches 108.
Bien que cela ne soit pas visible sur la , la stabilité mécanique de l’empilement est assurée par la présence de matériaux situés en dehors des plans représentés sur la .
Un dépôt d’au moins un deuxième matériau diélectrique 118 dans les seconds espaces est ensuite mis en œuvre (voir , vue d). A titre d’exemple, ce deuxième matériau diélectrique 118 correspond à du nitrure, par exemple du SiN. Le dépôt mis en œuvre est par exemple de type CVD ou ALD. Les portions de ce deuxième matériau diélectrique 118 sont ici destinées à former des portions diélectriques d’isolation entre les grilles des différents niveaux des transistors GAA qui seront réalisées.
Une gravure sélective d’au moins une partie des portions restantes des troisièmes couches 108, et de préférence de l’ensemble des portions restantes des troisièmes couches 108, est ensuite mise en œuvre. Cette gravure du matériau des troisièmes couches 108, c’est-à-dire du silicium dopé dans l’exemple décrit ici, est sélective vis-à-vis des matériaux présents, c’est-à-dire sélective vis-à-vis du silicium non intentionnellement dopé des premières couches 104 et de la couche 110, du SiGe non intentionnellement dopé des deuxièmes couches 106, et des premier et deuxième matériaux diélectriques des portions 116 et 118. Dans l’exemple de réalisation décrit ici, cette gravure correspond par exemple à une gravure humide pouvant être mise en œuvre avec une solution à base d’HNA, c’est-à-dire de HF, de HNO 3 et d’acide propionique.
Un dépôt d’au moins un diélectrique de grille et d’au moins un matériau conducteur de grille dans des troisièmes espaces formés par la gravure sélective d’une des portions restantes des troisièmes couches 108, formant une grille 120 au-dessus et en-dessous de chacun des canaux 112 des transistors. Le diélectrique de grille et le matériau conducteur de grille correspondent par exemple à une superposition de HfO 2 , de TiN et de W. La structure obtenue est représentée sur la , vue e.
En variante, il est possible que les portions 116 soient gravées avant que le diélectrique de grille et le matériau conducteur de grille ne soient déposés, et qu’un ou plusieurs matériaux différents de celui des portions 116 soient déposés dans les cavités obtenues par cette gravure.
D’autres étapes telles que la réalisation des espaceurs, des régions de source et de drain, des contacts électriques, des éléments mémoires lorsque l’empilement 100 sert à la réalisation de dispositifs mémoires 3D, etc., sont également mises en œuvre pour achever la réalisation des dispositifs microélectroniques à architecture 3D 200.
En alternative, l’empilement 100 peut être avantageusement utilisé pour réaliser un dispositif mémoire 3D tel que celui décrit dans la demande de brevet FR 21 05264, ce qui permet, par rapport aux matériaux décrits dans la demande FR 21 05264, de réaliser un dispositif mémoire 3D comprenant un plus grand nombre de niveaux mémoires superposés, et donc une plus grande densité de mémoire / unité de surface.
Un autre procédé de réalisation de dispositifs microélectroniques à architecture 3D 200 comprenant des transistors, mis en œuvre à partir de l’empilement 100 selon le premier mode de réalisation, est décrit ci-dessous en lien avec la . Afin de simplifier la description de ce procédé, une partie seulement des couches de l’empilement 100 sont représentées sur la .
Dans ce procédé, les mêmes étapes que celles du procédé précédemment décrit en lien avec la sont mises en œuvre, mais dans un ordre différent. Ainsi, par rapport au procédé précédemment décrit en lien avec la , les étapes de gravure d’au moins une partie des portions restantes des deuxièmes couches 106 et de dépôt du deuxième matériau diélectrique 118 sont mises en œuvre avant les étapes de gravure d’une partie des portions restantes des premières couches 104 et de dépôt du premier matériau diélectrique 116. Sur la , vue b, les espaces formés par la gravure d’au moins une partie des portions restantes des deuxièmes couches 106 sont désignés par la référence 115. Dans ce procédé, il est possible que le deuxième matériau diélectrique 118 corresponde à du SiCO ou du SiN. Comme dans le précédent procédé, après voir mis en œuvre les dépôts des premier et deuxième matériaux diélectriques 116, 118, la gravure d’au moins une partie des portions restantes des troisièmes couches 108 et le dépôt des matériaux formant les grilles 120 des transistors sont mises en œuvre.
En variante de l’empilement 100 précédemment décrit selon le premier mode de réalisation, il est possible que chacune des premières et troisièmes couches 104, 108 soit disposée entre deux deuxièmes couches 106 et soit en contact avec ces deux deuxièmes couches 106. Les deux procédés décrits ci-dessus peuvent être mis en œuvre en faisant appel à un empilement 100 selon cette variante de réalisation, en adaptant dans ce cas les agents de gravure utilisés en fonction des matériaux à graver.
Dans les procédés décrits ci-dessus, les premières couches 104 sont utilisées pour former les canaux des transistors du dispositif réalisé. En variante, il est possible que les deuxièmes couches 106 soient partiellement gravées afin que les parties restantes des portions des deuxièmes couches 106 soient utilisées pour former les canaux des transistors des dispositifs réalisés.
L’empilement 100 selon le premier mode de réalisation ainsi que selon la variante ci-dessus du premier mode de réalisation est bien adapté pour la réalisation de dispositifs mémoires à architecture 3D 200 et par exemple de type 1T1R ou 1T1C.
Un empilement 100 de couches de matériaux monocristallins adapté à la réalisation de dispositifs microélectroniques à architecture 3D comprenant des transistors CFET, selon un deuxième mode de réalisation, est décrit ci-dessous en lien avec la .
Les résultats sont montrés dans le Tableau 6.