Système (1) photoacoustique comprenant : un substrat (2) semiconducteur, le substrat (2) semiconducteur comprenant : une face (2a) dite « face supérieure » ; et une paroi interne délimitant un volume creux (21a), le volume creux (21a) s’étendant dans le substrat (2) semiconducteur à distance de la face (2a) supérieure dudit substrat (2) semiconducteur, le système (1) photoacoustique étant caractérisé en ce que : le substrat (2) semiconducteur comprend au moins une portion (22a), dite « fenêtre », transparente à un champ électromagnétique, s’étendant à l’aplomb d’au moins une partie du volume creux (21a) et depuis la face (2a) supérieure du substrat (2) semiconducteur jusqu’au volume creux (21a) ; et en ce que le système (1) photoacoustique comprend au moins un dispositif (3) à émission de surface comprenant une face émettrice (3b), ladite face émettrice (3b) s’étendant sur ladite au moins une fenêtre (22a), ledit au moins un dispositif comprenant : un guide d’onde (31) comprenant une première face (31a) et une deuxième face (31b), opposée à la première face, le guide d’onde comprenant une région active (310) configurée pour émettre le champ électromagnétique ; et un réseau de diffraction (32) présentant, selon une première direction (X) parallèle à la face émettrice (3b) dudit dispositif (3), un ordre de diffraction supérieur ou égal à deux, ledit réseau de diffraction (32) s’étendant sur la première face (31a) du guide d’onde (31), la face émettrice (3b) coïncidant avec la deuxième face (31b) du guide d’onde (31) ; ou ledit réseau de diffraction (32) s’étendant sur la deuxième face (31b) du guide d’onde (31), la face émettrice (3b) coïncidant avec le réseau de diffraction (32). Système (1) selon la revendication 1, caractérisé en ce que le réseau de diffraction (32) dudit au moins un dispositif (3) s’étend sur la première face (31a) du guide d’onde (31) dudit au moins un dispositif (3) et en ce que ledit réseau de diffraction (32) est réfléchissant. Système (1) selon la revendication précédente, caractérisé en ce que le réseau de diffraction (32) dudit au moins un dispositif (3) comprend une structure périodique (321) et une couche métallique (322), la structure périodique (321) s’étendant sur la première face (31a) du guide d’onde (31) et la couche métallique (322) s’étendant sur la structure périodique (321). Système (1) selon la revendication 1, caractérisé en ce que le réseau de diffraction (32) dudit au moins un dispositif (3) s’étend sur la deuxième face (31b) du guide d’onde (31) dudit au moins un dispositif (3) et en ce que ledit réseau de diffraction (32) est non-réfléchissant. Système (1) selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le réseau de diffraction (32) dudit au moins un dispositif (3) s’étend à l’aplomb de la région active (310) du guide d’onde (31) dudit au moins un dispositif (3), la région active (310) présentant une longueur, mesurée selon la première direction (X), et le réseau de diffraction dudit au moins un dispositif (3) présentant une longueur, également mesurée selon la première direction, la longueur dudit réseau de diffraction étant sensiblement égale à la longueur de ladite région active, ledit réseau présentant, selon la première direction, un ordre de diffraction unique. Système (1) selon la revendication précédente, caractérisé en ce que le réseau de diffraction dudit au moins un dispositif (3) présente, selon la première direction, un ordre de diffraction supérieur ou égal à trois. Système (1) selon l’une des revendications précédentes, caractérisé en ce que la région active (310) dudit au moins un dispositif (3) présente une largeur, mesurée selon une deuxième direction (Y), parallèle à la face émettrice (3b) dudit au moins une dispositif (3) et perpendiculaire à la première direction (X), et le réseau de diffraction (32) dudit au moins un dispositif (3) présente une largeur, mesurée selon la deuxième direction (Y), la largeur dudit réseau de diffraction (32) étant sensiblement égale à la largeur de ladite région active (310), ledit réseau de diffraction (32) présentant, selon la deuxième direction (Y), un autre ordre de diffraction, unique et supérieur ou égal à deux. Système (1) selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le guide d’onde dudit au moins un dispositif (3) est délimité par un premier flanc et un deuxième flanc, le deuxième flanc étant opposé au premier flanc, les premier et deuxième flancs étant sensiblement perpendiculaires à la deuxième face (31b), ledit dispositif comprenant également une première couche conductrice et une deuxième couche conductrice, la première couches conductrice s’étendant sur le première flanc et la deuxième couche conductrice s’étendant sur le deuxième flanc. Système (1) photoacoustique selon l’une revendications précédentes, caractérisé en ce que ledit au moins un dispositif (3) à émission de surface est collé sur la fenêtre (22) et préférentiellement par collage moléculaire ou au moyen d’une colle polymérisable. Système (1) photoacoustique selon l’une des revendications précédentes, caractérisé en ce que ledit au moins un dispositif (3) à émission de surface est configuré pour émettre le rayonnement électromagnétique infra-rouge par sa face émettrice (3b) avec un angle (α), mesuré par rapport à la normale de ladite face (3b) émettrice, compris entre 0° et 60°. Système (1) photoacoustique selon l’une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le substrat (2) semiconducteur comprend une pluralité de fenêtres et le système photoacoustique (1) comprend une pluralité de dispositifs à émission de surface, chaque dispositif à émission de surface de la pluralité de dispositifs à émission de surface étant disposé sur une fenêtre de la pluralité de fenêtres. Système (1) photoacoustique selon l’une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le rayonnement électromagnétique comprend une longueur d’onde comprise dans [0,8 µm ; 20 µm]. Système (1) photoacoustique selon l’une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le système (1) photoacoustique comprend un régulateur thermique (4) configuré pour réguler la température dudit au moins un dispositif (3) à émission de surface. Procédé (7) de fabrication d’un système (1) photoacoustique comprenant, à partir d’un substrat (2) semiconducteur comprenant une face (2a) dite « face supérieure » : former (71) une paroi interne délimitant un volume (21a) creux, le volume creux (21a) s’étendant dans le substrat (2) semiconducteur à distance de la face (2a) supérieure dudit substrat (2) semiconducteur de sorte que le substrat (2) semiconducteur comprenne au moins une portion (22a), dite « fenêtre », transparente à un champ électromagnétique, s’étendant à l’aplomb d’au moins une partie du volume creux (21a) et depuis la face (2a) supérieure du substrat (2) semiconducteur jusqu’au volume creux (21a) ; fabriquer (72) au moins un dispositif (3) à émission de surface s’étendant sur la fenêtre (22a), ledit au moins un dispositif comprenant : un guide d’onde (31) comprenant une première face (31a) et une deuxième face (31b), opposée à la première face, la deuxième face (31b) reposant sur ladite au moins une fenêtre (22a), le guide d’onde comprenant une région active (310) parallèle à la deuxième face (31b) configurée pour émettre le champ électromagnétique ; et un réseau de diffraction (32) présentant un ordre de diffraction supérieure ou égal à deux et s’étendant sur la première face (31a) du guide d’onde (31) ou sur la deuxième face (31b) du guide d’onde (31). Procédé de fabrication selon la revendication 14, dans lequel la fabrication (72) dudit au moins un dispositif (3) à émission de surface comprend : former (7211) le guide d’onde (31) dudit au moins un dispositif (3) sur ladite au moins une fenêtre (22) du substrat (2) semiconducteur ; et former (7212) le réseau de diffraction (32) dudit au moins un dispositif (3) sur la première face (31a) dudit guide d’onde (31). Procédé de fabrication selon la revendication 14, dans lequel la fabrication (72) dudit au moins un dispositif (3) à émission de surface comprend : former (7221) le réseau de diffraction (32) dudit au moins un dispositif (3) sur ladite au moins une fenêtre (22) du substrat (2) semiconducteur ; et former (7222) le guide d’onde (31) dudit au moins un dispositif (3) sur ledit réseau de diffraction (32).