INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
La couche de liaison 16 est en matériau polymérique. Le matériau polymérique est avantageusement choisi parmi les polymères thermodurcissables tels qu’un polymère époxyde, silicone ou polyuréthane ou les polymères thermoplastiques ou encore un mélange de ceux-ci. Le polymère époxyde est par exemple le matériau commercial Redux® 322 de la société HEXCEL.
La couche de liaison 16 est typiquement sous la forme d’un film à base de l’un des matériaux cités. Le film est par exemple le film commercial AF191 ou AF3109 de la société 3M. Avantageusement, la couche de liaison 16 présente une épaisseur comprise entre 50 µm et 500 µm, encore plus avantageusement comprise entre 80 µm et 400 µm.
Un procédé de fabrication de l’aube 11 selon l’invention va maintenant être décrit en référence à la .
Le procédé comprend les étapes chronologiques suivantes:
(a) fournir la pale 12,
(b) agencer la couche de liaison 16 sur la pale 12
(c) former le bouclier de protection 14 sur la pale 12 par projection thermique,
La région 22 est en le matériau semiconducteur du substrat 14, par exemple en silicium. La région 22 est dopée d'un premier type de conductivité, de préférence dopée de type n. La région 22 correspond à une partie du collecteur du transistor 12.
Le transistor 12 comprend une couche 23 conductrice. La couche 23 recouvre, de préférence entièrement, de préférence uniquement, la face supérieure de la région 22. La couche 23 est en un matériau conducteur électriquement, par exemple en un métal. La couche 23 correspond au contact du collecteur du transistor 12.
La région 22 entoure latéralement une partie d'une région 24 du transistor 12. La région 24 est située à l'intérieur du mur 18 et de la région 22. La région 24 s'étend depuis la face supérieure de la région 16 et vers la face supérieure du substrat 14. La région 24 s'étend de préférence le long de la face latérale interne de la région 22. La région 22 est donc de préférence en contact avec la région 24. La région 24 comprend de préférence une première partie s'étendant dans un plan parallèle à la face supérieure de la région 16. La première partie s'étend dans toute la zone entourée par la région 22. La première partie s'étend sur la région 16. La première partie est donc en contact avec la région 16 et avec la région 22. La région 24 comprend une deuxième partie s'étendant de la face supérieure de la première partie et s'étend vers la face supérieure du substrat 14. La deuxième partie s'étend par exemple à partir du centre de la première parte.
La région 24 est en le matériau semiconducteur du substrat 14 et de la région 22, par exemple en silicium. La région 24 est dopée du même type de conductivité que la région 22, par exemple du premier type de conductivité, de préférence dopée de type n. La région 24 correspond à une autre partie du collecteur du transistor 12. Ainsi, le collecteur du transistor 12 comprend les régions 22 et 24.
De préférence, la région 24 a un niveau de dopage, c’est-à-dire une concentration en dopants du premier type, inférieure au niveau de dopage, c’est-à-dire à la concentration de dopants, de la région 22.
Une région 26 entoure latéralement la deuxième partie de la région 24. La région 26 est en un matériau isolant électriquement, par exemple de l'oxyde de silicium. La région 26 s'étend sur la première partie de la région 24, autour de la deuxième partie de la région 24. La région 26 s'étend de la face supérieure de la première partie de la région 24 au moins jusqu'au niveau de la face supérieure de la deuxième partie de la région 24. Ainsi, la région 26 s'étend sur toute la hauteur de la deuxième partie de la région 24. De préférence, la deuxième partie de la région 24 et la région 26 s'étendent jusqu'à un niveau supérieur au niveau de la face supérieure de la région 22. La face supérieure de la première partie de la région 24 est de préférence entièrement recouverte par la deuxième partie de la région 24 et par la région 26.
La région 26 s'étend, du côté externe, c’est-à-dire le côté le plus éloigné de la deuxième partie de la région 24, sur une hauteur plus importante que du côté interne. La région 26 forme ainsi, au niveau de sa face supérieure, une marche. L'ensemble comprenant la région 26 et la deuxième partie de la région 24 comprend donc une cavité 28, délimité latéralement par la région 26, et plus précisément la partie de la région 26 ayant une hauteur supérieure au reste de la région 26. Le fond de la cavité 28 est formé par la région 26, et plus précisément par la partie de la région 26 ayant la hauteur la plus faible, et par la face supérieure de la deuxième partie de la région 24.
Le transistor 12 comprend en outre une région 30. La région 30 est située dans la cavité 28. Autrement dit, la région 30 est située sur une partie de la région 26 et sur la deuxième partie de la région 24 et est située à l'intérieur du mur constitué par la partie de la région 26 ayant une hauteur supérieure. La région 30 comprend de préférence une première partie correspondant à une couche et une deuxième partie 33 s'étendant depuis la première partie de manière à former une cavité 31 dans la région 30. Le fond de la cavité 31 est formé par la première partie de la région 30 et les parois latérales de la cavité 31 sont formé par la deuxième partie 33 de la région 30. De préférence, la deuxième partie 33 est située de telle manière que la région 30 comprenne un rebord autour de la partie 33.
La région 30 recouvre, de préférence entièrement, la face supérieure de la deuxième partie de la région 24. La région 30 recouvre par exemple partiellement la face supérieure de la région 26 située dans la cavité 28. La région 30 est de préférence située au centre de la cavité 28. La partie du fond de la cavité 28 recouverte par la région 30 est entourée par une partie du fond de la cavité 28 n'étant pas recouvert par la région 30.
La région 30 est par exemple en le matériau semiconducteur du substrat 14, par exemple en silicium. La région 30 est dopée d'un deuxième type de conductivité, c’est-à-dire le type de conductivité opposé au premier type de conductivité, de préférence dopée de type p. La région 30 correspond à une partie de la base du transistor 12.
Le transistor 12 comprend une région 32 située dans la cavité 28. La région 32 recouvre le fond de la cavité 28 n'étant pas recouvert par la région 30. Ainsi, la région 28 entoure latéralement la première partie de la région 30. Le fond de la cavité 38 est ainsi de préférence entièrement recouvert par les régions 30 et 32. La région 32 ne recouvre de préférence pas la face supérieure de la région 24. La région 32 a par exemple la même hauteur que la première partie de la région 30.
La région 32 est par exemple en silicium polycristallin. La région 32 est dopée du même type de conductivité que la région 30, c’est-à-dire le deuxième type de conductivité, c’est-à-dire le type de conductivité opposé au premier type de conductivité, de préférence dopée de type p. La région 32 correspond à une partie de la base du transistor 12. Les régions 30 et 32 forment ainsi la base du transistor 12.
De préférence, la région 30 a un niveau de dopage, c’est-à-dire une concentration en dopants du deuxième type, inférieure au niveau de dopage, c’est-à-dire à la concentration de dopants, de la région 32.
Le transistor 12 comprend une couche 34 conductrice. La couche 34 recouvre, de préférence entièrement la face supérieure de la région 32. La couche 34 recouvre par exemple partiellement la région 30. Ainsi, la couche 34 repose sur le rebord de la région 30. La couche 24 est en un matériau conducteur électriquement, par exemple en un métal. La couche 34 correspond au contact de la base du transistor 12.
Le transistor 12 comprend en outre une couche 36 située dans la cavité 31. Autrement dit, la couche 36 recouvre, de préférence entièrement, le fond de la cavité 31. Autrement dit, la couche 36 s'étend sur la première partie de la région 30, entourée latéralement par la deuxième partie 33 de la région 30. La hauteur de la couche 36 est de préférence inférieure à la hauteur de la partie 33. La couche 36 est par exemple en le même matériau que le substrat 14, par exemple en silicium. Le matériau de la couche 36 n'est de préférence pas dopé.
Le transistor 12 comprend une couche 38 isolante. La couche 38 est par exemple en oxyde de silicium. La couche 38 s'étend sur une partie de la couche 36. La couche 38 s'étend sur la périphérie de la couche 36. La couche 38 est de préférence en contact avec la partie 33 sur tout le contour de la cavité 31 et s'étend vers le centre de la couche 36. La couche 38 ne recouvre pas entièrement la couche 36. Une portion centrale de la couche 36 n'est pas recouverte par la couche 38.
Le réseau covalent organoboré et le sel sont de préférence tels que définis ci-dessus en ce qui concerne le réseau covalent organoboré imprégné.
De préférence, l’étape d’agitation est effectuée pendant au moins 120 heures, de préférence au moins 144 heures, préférentiellement au moins 168 heures, de préférence entre 120 heures et 340 heures.
De préférence, au moins une étape parmi la première étape de séchage et la deuxième étape de séchage est effectuée à une température comprise entre 30°C et 230°C, de préférence comprise entre 30°C et 180°C, de préférence comprise entre 40°C et 150°C, de préférence comprise entre 50°C et 130°C, de préférence comprise entre 60°C et 120°C.
De préférence, la première étape de séchage est effectuée à une température comprise entre 15°C et 30°C, de préférence autour de 25°C. De préférence, la première étape de séchage est effectuée sous pression réduite. De préférence, la première étape de séchage est effectuée sous atmosphère inerte. De préférence, la première étape de séchage est effectuée pendant 5 heures à 36 heures, de préférence pendant 6 heures à 24 heures, de préférence pendant 10 heures à 20 heures.
De préférence, la deuxième étape de séchage est effectuée à une température comprise entre 40°C et 180°C, de préférence comprise entre 50°C et 150°C, de préférence comprise entre 60°C et 130°C. De préférence, la deuxième étape de séchage est effectuée sous pression réduite. De préférence, la deuxième étape de séchage est effectuée sous atmosphère inerte. De préférence, la deuxième étape de séchage est effectuée pendant 2 heures à 12 heures, de préférence pendant 4 heures à 10 heures, de préférence pendant 5 heures à 7 heures.
Préférentiellement, le séchage comprend en outre une troisième étape de séchage.
De préférence, la troisième étape de séchage est effectuée à une température comprise entre 80°C et 180°C, de préférence comprise entre 100°C et 150°C, de préférence comprise entre 110°C et 130°C. De préférence, la troisième étape de séchage est effectuée sous pression réduite. De préférence, la troisième étape de séchage est effectuée sous atmosphère inerte. De préférence, la troisième étape de séchage est effectuée pendant 8 heures à 48 heures, de préférence pendant 10 heures à 36 heures, de préférence pendant 12 heures à 20 heures. Selon ce mode de réalisation, la deuxième étape de séchage est de préférence effectuée à une température comprise entre 30°C et 100°C, de préférence comprise entre 40°C et 90°C, de préférence comprise entre 50°C et 80°C, de préférence comprise entre 60°C et 70°C. De préférence, la deuxième étape de séchage est effectuée sous pression réduite. De préférence, la deuxième étape de séchage est effectuée sous atmosphère inerte. De préférence, la deuxième étape de séchage est effectuée pendant 2 heure à 12 heures, de préférence pendant 4 heures à 10 heures, de préférence pendant 5 heures à 7 heures
Par « sous pression réduite », on entend sous une pression comprise entre 1 mbar et 50 mbar, de préférence entre 3 mbar et 30 mbar, préférentiellement entre 5 mbar et 15 mbar.
Par « sous atmosphère inerte, on entend de préférence sous une atmosphère comprenant entre 0,1 ppm et 10 ppm d’O 2 et/ou entre 0,1 et 10 ppm d’eau.
Le solvant organique est de préférence polaire.
Le solvant polaire est de préférence différent du tétrahydrofurane.
Le solvant organique a de préférence une température d’ébullition à pression atmosphérique inférieure ou égale à 65 °C, de préférence comprise entre 30°C et 60°C, et/ou une tension de vapeur à 20°C supérieure à 20 kPa, de préférence comprise entre 23 et 40 kPa.
Le solvant organique est par exemple choisi parmi l'acétone, l'acétate d'éthyle, l'acétonitrile, le diméthoxyéthane, le dioxane, le N-N-diméthylacétamide, la N-éthyl-2-pyrrolidone, et la N-octylpyrrolidone, le méthanol, l'éthanol, l’alcool isopropylique, l'éther diéthylique, l'éther diisopropylique, le méthyltertiobutyl éther, le méthyl-tétrahydrofurane ou le 2-éthoxy-2-méthylpropane, avantageusement est l’acétone.
La présente invention concerne également l’utilisation d’un réseau covalent organoboré imprégné selon l’invention comme électrolyte solide dans une batterie tout solide.
De préférence, le réseau covalent organoboré imprégné est utilisé comme séparateur et/ou comme matériau électrolytique d’une électrode de batterie tout solide.
La batterie tout solide peut être une batterie de type Li-ion, Li primaire (non rechargeable) et Li métal (rechargeable ou non), dual-ion double électrolyte, Na-ion, K-ion, Mg-ion ou Ca-ion, ou Na-métal, de préférence dans une batterie de type Li-ion, Li primaire et Li métal.
Selon l’invention, un tel émetteur est configuré pour émettre une pluralité de signaux optiques distincts dans une pluralité de secteurs de l’espace à surveiller, un signal optique de la pluralité de signaux optiques distincts étant caractérisé par une longueur d’onde et une intensité de ce signal optique. En outre, un tel capteur est configuré pour capter les signaux rayonnés dans la pluralité de secteurs de l’espace à surveiller. Un tel système de surveillance volumétrique comprend un processeur configuré pour : - établir une carte d’association des signaux rayonnés captés pour la pluralité de secteurs et de signaux rayonnés attendus pour la pluralité de secteurs de l’espace éclairé par les signaux optiques émis par le ou les émetteur(s) et, - générer une alerte en cas de détection d’une anomalie sur la carte d’association.
Ainsi, l’invention repose sur une approche tout à fait nouvelle et inventive de la surveillance volumétrique d’un espace. En effet, le système de surveillance volumétrique proposé repose, d’une part, sur une structuration de l’espace à surveiller en une pluralité de secteurs et, d’autre part, sur l’émission, depuis une ou plusieurs sources, d’un champ lumineux structuré spatialement, c’est-à-dire dont les caractéristiques de luminosité et de longueur d’onde diffèrent d’un secteur à l’autre du champ lumineux de façon à ce qu’une combinaison longueur d’onde/niveau (palier) de luminosité soit affectée à un seul secteur de l’espace à surveiller à un moment donné.
Un tel système utilise avantageusement les propriétés des matériaux de réagir différemment selon les longueurs d’onde des signaux optiques incidents, notamment en termes de capacités d’absorption et de diffusion. Une cartographie préliminaire de l’espace à surveiller permet de déterminer quelles sont les caractéristiques des signaux rayonnés dans les différents secteurs de cet espace, lorsqu’il est éclairé par le champ lumineux structuré spatialement susmentionné. Connaissant le champ lumineux émis dans l’espace à surveiller, on sait ainsi quel doit être le champ rayonné capté par le ou les capteurs.
Un tel système permet par ailleurs, grâce à un ou plusieurs capteurs, de capter une image de l’espace éclairé par le champ lumineux. On privilégiera de préférence une sensibilité aux longueurs d’onde couvrant au moins celles de l’éclairement, et une définition suffisante pour distinguer entre eux les différents secteurs d’éclairement.
Lors de cette captation des signaux rayonnés dans les différents secteurs de l’espace à surveiller, par le ou les capteurs, il est possible d’établir la carte des associations entre les secteurs de l’image et les secteurs de l’éclairement, par le truchement des associations longueur d’onde/intensité des signaux optiques. En d’autres termes, on dresse une carte d’association des signaux optiques captés et des signaux optiques attendus pour les différents secteurs de l’espace à surveiller.
En cas de détection d’une anomalie sur cette carte d’association, il est possible de générer une alerte, par exemple pour signaler une intrusion malveillante dans l’espace.
La structuration spatiale du champ lumineux émis, et l’affectation de caractéristiques spécifiques de longueur d’onde et d’intensité à chacun des secteurs de l’espace à surveiller, robustifie le système de surveillance volumétrique par rapport aux solutions de l’art antérieur, notamment vis-à-vis des tentatives de masquage. En effet, un individu malveillant qui souhaiterait masquer sa présence devrait avoir une connaissance de la structuration spatiale du champ lumineux pour pouvoir leurrer le ou les capteurs. En outre, lors de son déplacement dans l’espace, cet individu devrait disposer de moyens d’adaptation de son écran ou de son masque, au fur et à mesure de son déplacement dans les différents secteurs, pour s’adapter aux caractéristiques du champ lumineux dans chacun d’eux. Un tel système de surveillance volumétrique est notamment particulièrement robuste vis-à-vis des systèmes de masquage passifs de type feuille d’aluminium.
Selon un premier aspect d’un tel système de surveillance volumétrique, la longueur d’onde et/ou l’intensité de la pluralité de signaux optiques distincts varient dans le temps suivant une périodicité ou une pseudo-périodicité déterminée.
Ainsi, le champ lumineux émis est structuré spatialement et temporellement. Les longueurs d’onde et intensité des signaux optiques sont donc spécifiques à chacun des secteurs de l’espace, et valides uniquement pour une période donnée. L’utilisation d’une séquence pseudo-aléatoire par exemple permet de piloter dans le temps l’éclairage des différents secteurs avec des signaux optiques de longueur d’onde et d’intensité différentes. On robustifie ainsi encore la technique de surveillance volumétrique, grâce à l’introduction de ce paramètre temporel : un individu malveillant doit non seulement connaître la structuration spatiale des signaux optiques émis, mais également l’évolution dans le temps de cette structuration spatiale, pour pouvoir tenter de leurrer le système de surveillance.
Selon un autre aspect, la carte d’association est établie suivant la périodicité ou pseudo-périodicité déterminée de variation de la pluralité de signaux optiques distincts. Ainsi, on capte l’image de l’espace éclairé par le champ lumineux suivant cette même périodicité ou pseudo-périodicité, pour pouvoir disposer d’une carte d’association à jour.
Selon un autre aspect, le ou les émetteur(s) est également configuré pour coder au moins un des signaux de la pluralité de signaux optiques distincts et émettre ce signal codé.
L’ajout d’une étape de codage du signal optique émis dans l’un des secteurs accroît encore la robustesse du système : un individu malveillant doit non seulement connaître la structuration spatio-temporelle du champ lumineux, mais également le code utilisé pour coder tout ou partie des signaux optiques émis. Il est notamment possible de coder différemment chacun des signaux optiques émis dans chacun des secteurs de l’espace. Pour ce faire, on peut par exemple utiliser une modulation en amplitude et/ou en longueur d’onde. A titre d’exemple, on pourrait utiliser la couche PHY I définie dans le standard 802.15.7, avec format de modulation on-off keying (OOK) et codage Manchester.
Selon encore un autre aspect, le ou les émetteur(s) et le ou les capteur(s) sont positionnés en des emplacements distincts dudit espace.
Ainsi, en décalant spatialement l’émetteur et le capteur, par exemple en positionnant une caméra qui n’est pas coaxiale avec le système d’éclairage de l’espace, on introduit une parallaxe, et donc une ombre, dans la cartographie de l’espace, ce qui contribue encore à la robustesse du système de surveillance volumétrique à d’éventuelles tentatives de contournement.
Selon un autre aspect, un tel système de surveillance volumétrique comprend une pluralité de capteurs pour capter les signaux rayonnés dans la pluralité de secteurs dudit espace. Par exemple, on peut prévoir autant de capteurs que de secteurs.
Selon une caractéristique, une anomalie est détectée en cas de divergence entre les signaux rayonnés captés pour la pluralité de secteurs et les signaux rayonnés attendus pour la pluralité de secteurs de l’espace éclairé par les signaux optiques émis par le ou les émetteur(s).
Selon un mode de réalisation particulièrement avantageux, le procédé comprend après l’étape de formation du bouclier de protection une étape de traitement thermique de la couche de liaison. L’étape de traitement thermique permet la polymérisation de la couche de liaison et par suite, la fixation par collage du bouclier de protection sur la pale.
- la projection thermique est réalisée avec une poudre comprenant des particules métalliques, céramiques ou un mélange de celles-ci ;
- au moins 90% des particules présentent une taille (d90) comprise entre 5 µm et 200 µm, avantageusement comprise entre 10 µm et 150 µm ;
- au plus 10% des particules présentent une taille (d10) comprise entre 0,05 µm et 50 µm, avantageusement comprise entre 0,1 µm et 20 µm ;
- la couche de liaison présente une épaisseur comprise entre 50 µm et 500 µm, avantageusement entre 80 µm et 400 µm ;
- l’étape (d) est réalisée à une température comprise entre 100 °C et 200 °C, avantageusement entre 140 °C et 190 °C ;
- à l’étape (d) l’aube est placée dans un dispositif de chauffage tel qu’une étuve, un four ou un autoclave ;
- le procédé comprend entre les étapes (b) et (c) une étape (f) de pré traitement thermique de la couche de liaison ;
- l’étape (f) est réalisée à une température inférieure ou égale à 150 °C, avantageusement inférieure ou égale à 130 °C, ou avantageusement encore inférieure à 100°C ;
- le procédé comprend après l’étape (d), une étape (e) d’usinage du bouclier de protection.
la est une vue schématique en coupe longitudinale d’une demi-turbomachine d’aéronef,
la est une vue schématique en perspective d’une aube équipant la turbomachine de la ,
la est une vue en coupe transversale de l’aube de la ,
la est une autre vue schématique en coupe de l’aube de la ,
Dans cet exemple, le classifieur génère, à partir des données , un ensemble de couples ( ), pour , avec N un nombre d’activités, une donnée d’identification d’une activité, et un score associé à l’activité . Cet ensemble de couples est transmis par le serveur distant 400 lors d’une étape E420, puis reçu par la passerelle 100 lors d’une étape E112. Lors d’une étape E113, la passerelle sélectionne une des activités ( ) en fonction de son score de confiance. Dans un mode de réalisation particulier, la passerelle sélectionne l’activité ayant le score de confiance le plus élevé.
Le procédé comprend en outre une étape E120 de détermination d’une valeur d’au moins un paramètre du au moins un premier dispositif à modifier, en fonction de l’activité obtenue lors de l’étape E110.
Dans un mode de réalisation particulier, la passerelle comprend une table d’association associant, à une activité donnée, une configuration spécifique du dispositif caractérisée par des valeurs que les paramètres du dispositif doivent alors prendre. Dans ce cas, la valeur d’au moins un paramètre du au moins un premier dispositif à modifier est déterminée par consultation de cette table d’association.
Dans un mode de réalisation particulier, ce paramètre est un paramètre représentatif d’une modalité d’interaction. Plus spécifiquement, la modification de la valeur du paramètre vise par exemple à modifier les paramètres de notification de la réception d’un appel ou d’un message, en adaptant le volume de la sonnerie, en activant/désactivant un mode "vibreur", et/ou en activant ou désactivant un mode dit "silencieux", en adaptant la présentation (e.g., l’affichage) d’une donnée sur l’écran du dispositif mobile 200.