INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Le module de filtrage RIS comporte un premier circuit logique LOG (SEC), configuré pour générer le premier signal d’erreur relatif au droit d’accès de sécurité ILAC_SEC, de manière conditionnée par la valeur du droit d’accès de sécurité de la ressource RES_SEC et par la valeur du droit d’accès de sécurité de la transaction TRS_SEC.
On se réfère à la pour décrire les opérations logiques du premier circuit logique LOG (SEC).
Les droits d’accès de sécurité de la ressource RES_SEC et de la transaction TRS_SEC peuvent avoir une valeur S représentative du niveau sécurisé, ou une valeur NS représentative du niveau non-sécurisé. Cette valeur est par exemple codée sur 1 bit.
La illustre un exemple de système sur puce SOC comportant un domaine de microprocesseur CPU_DMN1 et un système d’isolation des ressources RIF.
Le domaine de microprocesseur CPU_DMN1 comporte une unité de traitement centrale CPU1, appelée microprocesseur, et une ou plusieurs ressources PRPH, MEM, RIF_AW, que l’on nommera également ressource RES.
Par exemple les ressources RES du système sur puce SOC peuvent comporter des périphériques PRPH du type I 2 C (« Inter Integrated Circuit »), du type SPI (« Serial Peripheral Interface), du type UART (« Universal Asynchronous Receiver Transmitter), ou encore des mémoires MEM interne ou des interfaces pour mémoires externes.
Le microprocesseur CPU1 comporte un environnement sécurisé SEC et un environnement non-sécurisé NSEC, pouvant avoir cumulativement un état privilégié PRIV ou non-privilégié NPRIV.
Par exemple, des services sécurisés SSRV et des services SRV peuvent être implémentés dans l’état non-privilégié NPRIV des environnements sécurisé SEC et non-sécurisé NSEC ; un logiciel d’exploitation en temps réel RTOS (par exemple pour une commande temps réel d’un dispositif externe) peut être implémenté dans le domaine non-sécurisé NSEC à l’état privilégié PRIV, et la partie logicielle qui traite de la gestion de l’environnement sécurisé SPM peut être implémentée dans le domaine sécurisé SEC à l’état privilégié PRIV.
En outre, une identification de compartimentation CID permet par exemple de définir une assignation du microprocesseurs CPU1 (ou d’un autre équipement maître du système sur puce SOC, tel que par exemple un circuit d’accès direct en mémoire « DMA ») à certaines au moins des ressources PRPH, MEM, RIF_AW, ou bien une assignation de certaines au moins des ressources PRPH, MEM, RIF_AW au microprocesseur (ou à un autre équipement maître).
, avec 1 ≤ i ≤ n
De manière à assurer une convergence à temps fini, selon un exemple, la méthode peut être modélisée en prenant en compte les conditions nécessaires à la théorie de l’homogénéité. Dans ce cette hypothèse, il est possible d’écrire que
( j -1) (t) = j (t), j = 1, …, n après un temps fini des transitoires.
La dynamique des erreurs de différenciation prend la forme du système suivant : (1)
On connait, en ayant choisi les coefficients qui puissent définir un polynôme de Hurwitz qu’il existe A dans l’intervalle [1-1/(n-1), 1] suffisamment proche de 1 tel que l’équation (1) est globalement stable à temps fini.
L’un des principaux avantages des systèmes homogènes stables en temps fini est la rapidité de leur taux de convergence et leur robustesse par rapport à différentes perturbations.
En raison du terme Thêta(t), il est impossible d’obtenir la convergence de l’erreur à zéro sans avoir des connaissances supplémentaires sur ce signal Thêta(t). Ce problème peut être surmonté en supposant que y(t) est localement polynomial et que sur un petit intervalle de temps, Thêta(t) = 0. Dans ce cas, il est alors possible de récupérer les dérivées.
Selon un mode de réalisation, le procédé comportant un nombre d’itérations visant à répéter la séquence de calcul des coefficients jusqu’à ce qu’une erreur calculée soit inférieure à un seuil donné.
Afin de quantifier la performance des résultats obtenus avec l’algorithme final, une erreur est définie basée sur la norme de la différence des sons reconstruits et sons originels.
Selon un mode de réalisation, à chaque itération une première condition C 1 est vérifiée. Selon un exemple la première condition C 1 correspond à la vérification que l’erreur est inférieure à un seuil prédéfini. Selon un exemple, une seconde condition C 2 est vérifiée. La seconde condition C 2 est la vérification qu’un nombre d’itérations prédéfini a été réalisé.
Avantageusement, le procédé comporte une étape de génération des coefficients du filtre dès qu’une des deux conditions C 1 ou C 2 est vérifiée.
La succession des étapes d’itérations correspond à l’étape d’apprentissage de l’algorithme qui aboutit à produire des coefficients du filtre permettant de reconstruire le signal S B (t) à partir d’un signal d’entrée S A (t) selon le procédé de traitement PROC 1 de l’invention.
Modèle non linéaire Selon une alternative de réalisation, un modèle non linéaire MOD 2 peut être utilisé pour mettre en œuvre l’invention.
Où NN désigne un filtre non-linéaire.
Dans cette mise en œuvre le filtre F 1 = NN correspond à une correction additionnelle qui permet de corriger l’erreur de modélisation du modèle linéaire. Dans ce cas, l’erreur est minimisée en prenant en considération la partie non linéaire NN.
Dans le cas d’une mise en œuvre d’un modèle non linéaire MOD 2 , le filtre F 1 est un filtre non linéaire. Selon un exemple, une méthode de calcul des coefficients du filtre non linéaire F 1 peut être mise en œuvre à partir d’un réseau de neurones. À cette fin, un réseau de neurones à propagation avant est produit avec le résultat obtenu avec le filtre linéaire. Selon un exemple, l’invention comprend la mise en œuvre d’un réseau de type CNN, définissant un réseau de neurones convolutif. Dans cet exemple de mise en œuvre, un réseau d'anticipation conventionnel avec une couche cachée qui utilise des fonctions d'activation sigmoïdales permet d’obtenir de bonnes performances d’apprentissage.
- l’absence de fusion de matière, ce qui permet d’éviter les modifications de composition chimique des ferrites et les fissurations de la pièce au cours de l’impression, et
- la possibilité de réaliser des noyaux de forme « non-démoulables », comme par exemple des formes présentant des cavités internes ; une forme « démoulable » est une forme de pièce que l’on peut obtenir par un procédé de moulage de la pièce ; une forme « non-démoulable » est une forme de pièce que l’on ne peut pas obtenir par un procédé de moulage de la pièce.
Lors d’une troisième étape, on insère dans la chambre un élément 115, 116 ou 117.
Lors d’une quatrième étape, on fixe la première partie 73 et la deuxième partie 74 de sorte que la pièce de jonction 112, 113 ou 114 enferme l'élément 115, 116 ou 117 dans la chambre 79, 110 ou 111.
La pièce de jonction 112, 113 ou 114 est fixée au bras 75, 76 ou 77 contenant la chambre 79, 110 ou 111. La pièce de jonction 112, 113 ou 114 et le bras 75, 76 ou 77 sont fixés contigus l’un à l’autre. Avec cette fixation, le noyau magnétique est formé plus complétement de sorte que
- le bras 75, 76 ou 77se trouve compris dans une pluralité de bras du noyau magnétique, la pluralité de bras étant agencée selon des arêtes d’un polyèdre convexe, et
- la pièce de jonction 112, 113 ou 114 est comprise dans une pluralité de pièces de jonction du noyau magnétique, chaque pièce de jonction étant située à un sommet du polyèdre.
L’insertion d’un élément dans la chambre, puis l’enfermement de l’élément dans la chambre par la fixation de la deuxième partie à la première partie permet de fonctionnaliser le noyau dans la zone de la chambre. Selon la nature de l’élément inséré, cela permet une plus grande liberté de forme du noyau obtenu permettant notamment l’optimisation de l’encombrement des noyaux, l’optimisation de l’intégration des noyaux et la mise en œuvre de fonctions annexes à la fonction magnétique, comme par exemple une fonction de refroidissement du noyau à travers le passage débouchant.
Lorsque l’impression de la première partie et de la deuxième partie est réalisée à partir d’une poudre de ferrite spinelle par jet de liant ou par dépôt de matière fondue, la fabrication permet une plus grande liberté dans la forme du noyau obtenu car selon dans l’art antérieur les matériaux magnétiques formant le noyau, comme les ferrites spinelles, sont difficilement usinables, en particulier sur de faibles dimensions.
Selon un premier mode de mise en œuvre du procédé, l'élément peut être choisi parmi un élément en matériau à changement de phase, un élément en matériau amorphe, et un élément en matériau nanocristallin.
Ce premier mode correspond en au bras 77 présentant le logement 111 dans lequel est inséré une cartouche 117 d’un matériau à changement de phase ou d’un matériau amorphe, ou d’un matériau nanocristallin.
Le bras 77 dans le noyau une fois fabriqué correspond alors à un bras du deuxième type, du cinquième type ou du septième type. Ce bras 77 présente un logement fermé qui correspond à la chambre 111 une fois qu’elle a été fermée par la pièce de jonction 114 de la deuxième partie 74. Le logement fermé du bras 77 enfermant une cartouche d’un matériau à changement de phase ou d’un matériau amorphe, ou d’un matériau nanocristallin peut remplir différentes fonctions qui ont été présentées précédemment en rapport avec les bras du deuxième type.
Selon un deuxième mode de mise en œuvre du procédé, l'élément est un tube creux 115, 116 en ferrite comprenant une paroi interne et au moins une ailette 118, 119 qui s’étend radialement à l’intérieur du tube 115, 116 depuis la paroi interne.
Ce deuxième mode correspond en aux bras 75 et 76 présentant respectivement les logements 79 et 110 dans lequel sont insérés les tubes creux 115 et 116. Le tube creux 115 est parcouru sur sa paroi interne par une ailette 118 selon une trajectoire hélicoïdale autour de l’axe du bras 75. Le tube creux 116 est parcouru sur sa paroi interne par une ailette 119 selon une trajectoire rectiligne parallèle à l’axe du bras 76.
Le bras 75 de la première partie 73 est fixé à la pièce de jonction 112 de la deuxième partie 74. Le bras 76 de la première partie 73 est fixé à la pièce de jonction 113 de la deuxième partie 74.
Les bras 75 et 76 dans le noyau une fois fabriqué correspondent alors à des bras du troisième type. Ces bras 75 et 76 sont traversés par un passage débouchant s’étendant selon l’axe du cylindre du bras d’une extrémité à l’autre du bras. Les chambres initiales des bras 75 et 76 sont donc ouvertes des deux côtés des cylindres formés par le bras. L’élément inséré dans chacune chambres des bras 75 et 76 est un tube creux en ferrite qui correspond à un manchon creux. De cette manière, les bras 75 et 76 correspondent au second mode de réalisation d’ailette tel qu’on a pu le présenter précédemment.
Selon un mode de réalisation, la poudre de PVDF greffé est passée dans un bain à 60°C contenant entre 30 et 50% d’alpha méthyl styrène, entre 30 et 50% de méthylène glutaronitrile et entre 0 et 40% d’isopropanol avant d’être rincée à l’isopropanol.
Selon un mode de réalisation, le ratio molaire monomère styrénique / monomère nitrilique dans le matériau varie de 0,7 à 1,3.
Selon un mode de réalisation, ledit monomère nitrilique est le 2- méthylène glutaronitrile (MGN).
Les mesures par résonance magnétique nucléaire (RMN), via le calcul se basant sur le ratio entre l’aire d’un pic spécifique du groupement aromatique et/ou d’un pic spécifique du groupement nitrile par rapport à un pic de référence du PVDF, montrent un taux massique de greffage du PVDF compris entre 10 et 100%, de préférence entre 15 et 30%.
La poudre de PVDF irradié et greffé est ensuite soumise à une réaction de post-fonctionnalisation avec de l'acide chlorosulfonique, suivie de l'hydrolyse dans l'eau ou une solution alcaline. Ceci permet d’introduire sur le PVDF la fonction -SO 3 H échangeuse de cations. Selon un mode de réalisation, le PVDF est greffé avec l’α-méthylstyrène et le 2-méthylène glutaronitrile, et est fonctionnalisé avec de l'acide chlorosulfonique.
Selon un mode de réalisation, la sulfonation de la poudre greffée est effectuée dans une solution de dichlorométhane contenant de l’acide chlorosulfonique à température ambiante.
La poudre de PVDF greffé portant les fonctions -SO 3 H liées de façon covalente est ensuite rincée à l’eau distillé jusqu’à ce que l’eau de rinçage soit à pH neutre, avant d’être hydrolysée à 80°C, puis séchée à l’air.
La poudre de PVDF greffé sulfoné présente ainsi une capacité d’échange d’ions (IEC) supérieure à 0,65 mmol/g, de préférence supérieure à 0,7 mmol/g.
L’IEC est mesuré comme suit : un échantillon de 1cm sur 1cm est immergé dans une solution à 0,5M de KCl pendant une nuit sous agitation. Les ions d’hydrogène présents dans la solution, après l’échange avec K + sur les groupements sulfonés, sont ensuite titrés jusqu’à pH = 7 avec une solution à 0,05 M de KOH. La capacité d’échange d’ion est ensuite calculée suivant l’équation ci-dessous :
où n (H + ) est le nombre de moles de protons, W dry est la masse de la membrane sèche sous sa forme H + , c(KOH) la concentration en KOH, V(KOH) le volume de la solution de KOH ajoutée pour la titration, W K la masse de la membrane séchée sous sa forme K + , M(K + ) et M(H + ) les masses molaires de K + et H + , respectivement.
Membrane électrolyte polymère Selon un autre aspect, l’invention concerne un procédé de fabrication de la membrane électrolyte polymère échangeuse de protons à partir dudit matériau de PVDF irradié, greffé et fonctionnalisé sous forme de poudre, ledit procédé comprenant la transformation de la poudre de PVDF sous forme d’un film qui constitue la membrane. Cette étape de transformation de la poudre de PVDF sous forme de film s’effectue par toutes les techniques connues de l’homme de l’art : l’extrusion soufflage, l’extrusion à plat mais aussi par exemple la fabrication de film par voie solvant.
Selon un autre aspect, l’invention concerne une membrane électrolyte polymère échangeuse de protons, ladite membrane consistant en un film obtenu à partir dudit matériau en PVDF.
Selon un autre aspect, l’invention concerne un procédé de fabrication de la membrane électrolyte polymère échangeuse de protons à partir d’un mélange dudit matériau de PVDF irradié, greffé et fonctionnalisé sous forme de poudre et d’un autre polymère choisi parmi : le polyméthacrylate de méthyle et ses copolymères, les polymères fluorés, les polyuréthanes ainsi que les polyesters. Ledit mélange comprend de 100% à 50% en masse dudit PVDF irradié, greffé et fonctionnalisé sous forme de poudre. Le procédé comprend la transformation du mélange sous forme de film. Cette étape de transformation du mélange sous forme de film s’effectue par toutes les techniques connues de l’homme de l’art : l’extrusion soufflage, l’extrusion à plat mais aussi par exemple la fabrication de film par voie solvant.
Selon un autre aspect, l’invention concerne une membrane composite polymère échangeuse de protons, ladite membrane consistant en un support poreux imprégné dudit matériau de PVDF par voie solvant et/ou aqueux, ledit support poreux étant un polymère choisi parmi : le polyméthacrylate de méthyle et ses copolymères, le polyethylene, le polypropylene, le polytetrafluoroethylene (PTFE), les polymères fluorés, les polyuréthanes, les polyesters, le poly(fluorure de vinylidène) (PVDF), le polysulfone (PSU), polyethersulfone (PESU), polyimide (PI), la famille des polyaryléthercétones (PAEK) comme le PEEK ou le PEKK. Ce support poreux peut être produit selon les techniques connues par l’homme de l’art comme l’inversion de phase, l’extrusion suivi d’une étirage séquencé, l’extrusion soufflage (meltblown ou spunbond) en voie fondue, l’électrofilage ou électrospinning.
L’analyse de la mécanique dynamique (DMA) entre -40°C et 140°C montre que la membrane ne présente pas de fusion. Son allongement à la rupture, mesuré à 23°C sous 50% d’humidité relative à une vitesse de 20 mm/minute, pour une épaisseur de film de 20 µm, est supérieur à 100%.
Dans ce mode de réalisation de l’invention, on utilise de préférence une seule buse 11 placée verticalement sous la position verticale du panneau de construction 9, son jet d’air formant avec la direction longitudinale L un angle compris par exemple entre 5° et 15°. Cela permet de tester à la fois l’adhésion entre la couche de plâtre 901 et la première couche de papier 900, et l’adhésion entre la couche de plâtre 901 et la deuxième couche de papier 902. Ce mode de réalisation principal est privilégié pour des questions de coût et de simplicité, une seule buse étant utilisée et la position de buse 11 n’ayant pas besoin d’être ajustée en fonction de l’épaisseur du panneau de fabrication 9. Cependant des variantes de réalisation sont possibles, dans lesquelles cet angle est compris par exemple entre 5° et 20°, entre 5° et 30°, ou entre 5° et 45°. De plus en variante la buse 11 ne permet de tester l’adhésion qu’entre la couche de plâtre 901 et une seule couche de papier 900 ou 902.
Dans une autre variante de réalisation, on utilise une buse 11 placée verticalement au-dessus de la direction verticale du panneau de construction 9, le jet d’air de cette buse formant avec la direction longitudinale L un angle compris entre 5° et 15°, entre 5° et 20°, entre 5° et 30°, ou entre 5° et 45°. La position verticale de la buse 11 est ajustée en fonction de l’épaisseur du panneau de fabrication 9. Dans cette autre variante de réalisation, la buse 11 teste l’adhésion entre la couche de plâtre 901 et chacune des couches de papier 900, 902, ou entre la couche de plâtre 901 et une seule couche de papier 900, 902. Enfin, des combinaisons de ces variantes sont envisageables, dans lesquelles on utilise deux buses, l’une placée verticalement sous la position verticale du panneau de construction 9, et l’autre placée verticalement au-dessus de la position verticale du panneau de construction 9.
Ainsi, sur la , le panneau de construction 9 est humidifié et vient de passer l’étape de découpage 300, l’air 12 envoyé par les buses 11 parvient sous la surface du panneau de construction 9. Sur la en revanche, les buses 11 soufflent l’air 12 face à une tranche du panneau de construction 9 en mouvement dans le sens de déplacement 10. Cet air 12 est envoyé de préférence sous pression légèrement supérieure à la pression atmosphérique, par exemple à deux bars. Cette pression de l’air 12 relative (c’est-à-dire ajoutée à la pression atmosphérique) en sortie des buses 11 est prédéterminée et comprise entre 1 et 6 bars.
L’air 12 en sortie des buses 11 est par exemple envoyé continument à la même pression lors du passage des panneaux de construction 9.
En variante, la pression de l’air 12 en sortie des buses 11 évolue selon une rampe montante de pression, lorsque le procédé de contrôle est configuré pour associer un seuil de pression à un décollement d’une des couches de papier 900, 902 de la couche de plâtre 901. Ce seuil de pression permet de quantifier le niveau d’adhésion entre cette couche de papier 900 ou 902 et la couche de plâtre 901. Cette configuration est par exemple activée par un opérateur, le dispositif de contrôle comportant une interface homme-machine, notamment un écran permettant de visualiser grâce à la caméra 13, le décollement d’une des couches de papier 900 ou 902 de la couche de plâtre 901. Cet écran permet également de visualiser notamment des mesures et des diagnostics résultant de l’étape de détection 400 comme décrit plus loin. Ces mesures et ces diagnostics sont affichés pour chaque panneau de construction 9 contrôlé par le procédé de contrôle selon l’invention, un diagnostic et une mesure étant de préférence affichés pour la liaison entre la première couche de papier 900 et la couche de plâtre 901, et un autre diagnostic et une autre mesure étant affichés pour la liaison entre la deuxième couche de papier 902 et la couche de plâtre 901.
De préférence également, les buses 11 n’envoient de l’air 12 que lorsque la tranche d’un panneau de construction 9 se présente face aux buses 11. Pour cela un capteur de position du panneau 9 sur la ligne de fabrication 3 interagit avec les buses 11 par l’intermédiaire de l’ordinateur 7.
Revenant à la , l’étape de détection 400 comporte une première sous-étape d’envoi 410 d’air 12 par les buses 11, sur la tranche d’un panneau de construction 9 se présentant face aux buses 11.
La sous-étape suivante est la capture 420 d’une image de la tranche du panneau de construction 9 par la caméra 13. L’air 12 soufflé sur la tranche du panneau de construction 9, permet de décoller l’une des couches de papier 900 ou 902 sur la couche de plâtre 901 lorsque la liaison entre les couches de papier 900 et de plâtre 901, ou entre les couches de papier 902 et de plâtre 901, n’est pas suffisante pour permettre une bonne adhésion du papier sur le plâtre.
La sous-étape de capture 420 fournit donc une image 130 représentée , sur laquelle un décollement 921 entre la couche de plâtre 901 et la couche de papier 902 est potentiellement le signe d’une mauvaise adhésion entre la couche de papier 902 et la couche de plâtre 901. L’image 130 est affichée sur l’écran du dispositif de contrôle 40. On remarque dans cet exemple d’utilisation du procédé de contrôle selon l’invention, que la couche de papier 900 n’est pas décollée de la couche de plâtre 901, signe d’une bonne adhésion entre ces deux couches 900 et 901.
La sous-étape suivante est l’analyse 430 de l’image 130 obtenue lors de la sous-étape précédente de capture 420. Cette analyse d’image utilise une détection de contour pour repérer les différentes couches du panneau de construction 9, et le décollement 921 entre la couche de papier 902 et la couche de plâtre 901. Cette détection de contour est suivie, dans cette sous-étape d’analyse 430, d’une mesure Dmes du décollement maximal visible sur l’image 130, entre les couches de matériaux 901 et 902 du panneau de construction 9. Cette mesure est une valeur représentative d’un niveau de décollement entre les couches de matériaux 901 et 902 du panneau de construction 9. Dans cette sous-étape d’analyse 430, une autre mesure de contour entre les couches de matériaux 900 et 901 donne une valeur nulle de décollement maximal entre ces couches de matériaux 900 et 901.
Etant donné que dans cet exemple de réalisation de l’invention, seule la deuxième couche de papier 902 est décollée de la couche de plâtre 901, on ne détaillera dans la suite de la description du procédé de contrôle et du procédé de fabrication selon l’invention, que les étapes et sous-étapes de ces procédés relatives à ce décollement 921, ces étapes et sous-étapes étant transposables au cas où la couche de plâtre 901 et la première couche de papier 900 sont également décollées l’une de l’autre, ou encore au cas où à la fois la première couche de papier 900 et la deuxième couche de papier 902 sont toutes deux décollées de la couche de plâtre 901.
En variante de réalisation de l’invention, cette sous-étape d’analyse 430 fournit une valeur moyenne d’un décollement entre la couche de papier 902 et la couche de plâtre 901 sur une partie au moins de la tranche du panneau de construction 9. Cette valeur moyenne est également une valeur représentative d’un niveau de décollement entre les couches de matériaux 901 et 902 du panneau de construction 9. Dans une autre variante de réalisation, la sous-étape d’analyse 430 fournit une valeur d’une surface de décollement entre les couches de matériaux 901 et 902 du panneau de construction 9, cette valeur de surface pouvant également être considérée comme une valeur représentative d’un niveau de décollement entre les couches de matériaux 901 et 902 du panneau de construction 9.
La sous-étape suivante est la comparaison 440 entre une valeur de la mesure de décollement maximal Dmes et un seuil de décollement S1 prédéterminé. Ce seuil de décollement S1 prédéterminé est par exemple fixé à 2 mm (millimètres). De préférence ce seuil de décollement S1 prédéterminé est compris entre 1mm et 4mm. En variante le seuil de décollement S1 vaut par exemple 1mm, 3mm ou 4mm.
Dans la variante de réalisation de l’invention utilisant une valeur moyenne d’un décollement entre la couche de papier 902 et la couche de plâtre 901, la sous-étape de comparaison 440 compare cette valeur moyenne à un seuil de décollement S1 prédéterminé fixé par exemple à 1 mm.