Procédé de réalisation d’un dispositif microélectronique comprenant au moins les étapes suivantes : Une fourniture d’un substrat, Une formation d’un motif de grille (14) sur le substrat, ledit motif de grille (14) destiné à surmonter un canal de conduction (C), Une formation d’espaceurs (15) autour du motif de grille (14), Une formation de régions source et drain (S, D) de part et d’autre des espaceurs (15), Une modification des régions source et drain (S, D) destinée à générer un état de contrainte en tension dans le canal de conduction (C) sous le motif de grille (14), ledit procédé étant caractérisé en ce qu’il comprend en outre : Avant la formation du motif de grille (14), une formation, sur le substrat, d’une couche précontrainte (12) présentant une contrainte en compression, Une formation d’une couche active (13) sur la couche précontrainte (12), ladite couche active (13) étant destinée à accueillir le canal de conduction (C), et en ce que la modification des régions source et drain (S, D) est configurée pour relâcher élastiquement la contrainte en compression d’une partie (12b) de la couche précontrainte (12) située sous le canal de conduction (C), de sorte à appliquer l’état de contrainte en tension dans le canal de conduction (C). Procédé selon la revendication précédente comprenant en outre une formation de tranchées d’isolation (20) dans le substrat, une gravure partielle du substrat entre les tranchées d’isolation (20) de sorte à former une cavité (R), et dans lequel la couche précontrainte (12) et la couche active (13) sont formées par épitaxie dans ladite cavité (R). Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel la modification des régions source et drain (S, D) comprend les sous-étapes suivantes : Une amorphisation par implantation d’au moins un type d’atome, dans une partie (16S, 16D) de chacune des régions source et drain s’étendant jusque dans la couche précontrainte (12), Une recristallisation des parties amorphisées (16S, 16D). Procédé selon la revendication précédente dans lequel l’amorphisation par implantation est effectuée à base d’atomes de germanium ou d’arsenic. Procédé selon l’une quelconque des deux revendications précédentes dans lequel la recristallisation est effectuée par recuit à une température supérieure ou égale à 600°C. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 ou 2 dans lequel la modification des régions source et drain (S, D) comprend les sous-étapes suivantes : Une gravure d’une partie de chacune des régions source et drain s’étendant jusque dans la couche précontrainte (12), Une épitaxie d’un matériau semiconducteur au niveau des parties gravées (R’, R’’). Procédé selon la revendication précédente dans lequel le matériau semiconducteur choisi pour l’épitaxie est du silicium dopé phosphore. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel la modification des régions source et drain s’étend sur toute une épaisseur de la couche précontrainte. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel la formation d’espaceurs (15) est configurée de sorte à ce que les espaceurs (15) présentent une largeur e15 supérieure ou égale à une épaisseur e13 de la couche active (13). Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel la formation de la couche précontrainte (12) est configurée de sorte à ce que ladite couche précontrainte (12) présente une épaisseur e12 comprise entre 15 nm et 50 nm, et dans lequel la formation de la couche active (13) est configurée de sorte à ce que ladite couche active (13) présente une épaisseur e13 comprise entre 5 nm et 15 nm. Procédé selon la revendication précédente dans lequel les épaisseurs e12, e13 sont choisies de sorte que e12 ≥ 3.e13. Dispositif microélectronique comprenant un substrat, un motif de grille (14) surmontant ledit substrat, des espaceurs (15) bordant ledit motif de grille (14), et des régions dites source et drain (S, D) de part et d’autre du motif de grille (14), ledit dispositif comprenant en outre un canal de conduction (C) sous le motif de grille (14) et présentant un état de contrainte en tension, le dispositif comprenant en outre une couche (12) partiellement relaxée sur le substrat, et une couche active (13) accueillant le canal de conduction (C), sur ladite couche (12) partiellement relaxée, ladite couche active (13) présentant l’état de contrainte en tension au niveau du canal de conduction (C) le dispositif étant caractérisé en ce que la couche active (13) présente des dislocations (160) de part et d’autre du canal de conduction (C), au niveau des régions source et drain (S, D), sans dislocations dans ledit canal de conduction (C). Dispositif microélectronique selon la revendication précédente dans lequel la couche active (13) est à base de silicium et la couche (12) partiellement relaxée est à base de silicium-germanium présentant une concentration en germanium comprise entre 20% et 50%. Dispositif microélectronique selon l’une quelconque des deux revendications précédentes dans lequel les espaceurs (15) présentent une largeur e15 supérieure ou égale à une épaisseur e13 de la couche active (13), de préférence supérieure ou égale à 30 nm.