INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Lors de cette étape, on vient plus précisément, graver, par gravure physico-chimique à plasma fluoré, à travers la couche de masquage 25, une partie inférieure de l'empilement des couches 23, 19, 17 et 15. Encore plus précisément, lors de cette étape, on vient graver une partie inférieure de la couche diélectrique 17 et l'électrode 15 à travers la couche de masquage 25. A titre d'exemple, lors de cette étape, la partie inférieure de la couche diélectrique 17 et l'électrode 15 sont retirées hors du vis-à-vis de la couche de masquage 25.
La gravure physico-chimique à plasma fluoré, présente l'avantage de graver la partie inférieure de la couche diélectrique 17 et l'électrode 15 de façon sélective par rapport à la couche 13, contenant par exemple de l'aluminium. Lors de cette étape, la gravure physico-chimique à plasma fluoré s'interrompt donc sur la face supérieure de la couche 13 sans que celle-ci ne soit gravée.
La gravure physico-chimique à plasma fluoré est, par exemple, une gravure anisotrope verticale. C'est-à-dire qu'elle est directive et qu'elle s'effectue principalement dans une unique direction préférentielle, ici la direction verticale dans l'orientation de la .
A titre d'exemple, l'étape de gravure est réalisée au moyen d’un plasma dont la pression est, par exemple comprise entre 5 mTorr (c'est-à-dire 0,67 Pa) et 100 mTorr (c'est-à-dire 13,33 Pa), par exemple comprise entre 5 mTorr (c'est-à-dire 0,67 Pa) et 50 mTorr (c'est-à-dire 6,67 Pa), par exemple de l'ordre de 10 mTorr (c'est-à-dire 1,33 Pa). Lors de cette étape, la puissance source est par exemple comprise entre 100 W et 1800 W, par exemple comprise entre 150 W et 800 W, par exemple de l'ordre de 500 W. Lors de cette étape, la puissance de polarisation est par exemple comprise entre 20 W et 1000 W, par exemple comprise entre 20 W et 500 W, par exemple de l'ordre de 50 W. Lors de cette étape de l'hexafluorure de soufre (SF 6 ) est par exemple injecté dans la source plasma. Le débit de l'hexafluorure de soufre est par exemple compris entre 10 sccm (ou cm 3 .min -1 à 0 °C et sous pression atmosphérique) et 500 sccm, par exemple compris entre 20 sccm et 80 sccm, par exemple de l'ordre de 50 sccm. Lors de cette étape, de l'argon (Ar) est par exemple injecté dans la source plasma. A titre d'exemple, lors de cette étape, le débit de l'argon est compris entre 10 sccm et 500 sccm, par exemple compris entre 10 sccm et 100 sccm, par exemple de l'ordre de 20 sccm. Lors de cette étape, de l'hexafluorure de soufre et de l'argon sont par exemple injectés dans la source plasma. A titre d'exemple, lors de cette étape, de l'hexafluorure de soufre et de l'argon sont par exemple injectés dans la source plasma dans les débits susmentionnés. A titre d'exemple, lors de cette étape, la température de l'électrode inférieure est comprise entre 20 °C et 100 °C, par exemple comprise entre 30 °C et 70 °C, par exemple de l'ordre de 50 °C. A titre d'exemple, lors de cette étape, la température de l'électrode supérieure est comprise entre 20 °C et 100 °C, par exemple comprise entre 50 °C et 90 °C, par exemple de l'ordre de 70 °C.
A titre d'exemple, les deux étapes de gravure physico-chimique à plasma chloré et fluoré sont mises en oeuvre dans deux équipements de gravure du même type.
Le système de gestion met en œuvre une gestion des mouvements de la plate-forme de travail 303 similaire à celle décrite pour les modes de réalisation décrits précédemment, mais en gérant en plus le mouvement de rotation de la tourelle 304. De ce point de vue, le mouvement de rotation de la tourelle 304 est considéré être un mouvement à risque dans les deux sens de rotation. Autrement dit, la première règle est aussi mise en œuvre vis-à-vis de la rotation de la tourelle 304, c’est-à-dire pour arrêter sa rotation si elle est en cours au moment où une situation à risque pour l’opérateur est détectée. Dans ce cas, le premier mode de fonctionnement restreint autorisera la rotation de la tourelle 304 à une vitesse réduite dans le sens opposé par rapport au sens de la rotation qui a été arrêté en application de la première règle. En cas de déclenchement de la deuxième règle, la rotation de la tourelle 304 sera également autorisée mais uniquement à une vitesse réduite par rapport à la vitesse normale de rotation, quel que soit le sens de rotation. Le premier mode de fonctionnement restreint et le deuxième mode de fonctionnement restreint décrits pour les autres modes de réalisation peuvent s’appliquer pareillement, en considérant que le mouvement de rotation de la tourelle 304 est un mouvement à risque dans les deux sens de rotation.
Système de traitement d’eau embouteillée dans des bouteilles en verre en aluminium, ou en carton avec une couche d’isolation L’invention se rapporte au domaine des systèmes de traitement d’eau pour fournir de l’eau en boisson.
Dans ce domaine, plusieurs procédés de traitements techniques doux ont été proposés. Certains de ces procédés ont été appelés « procédé de dynamisation » ou « de revitalisation » d’eau.
Dans ces procédés, de l’eau à traiter avant de la commercialiser, est mise en mouvements pour former un vortex. Les experts de ces eaux revitalisées sont unanimes sur les effets bénéfiques de cette eau et le goût spécifiquement distinctif.
Des explications des effets ont été avancés, mais les démonstrations scientifiques de l’effet de ces traitements, sont en cours de validation. Malgré cela, un des effets peut s’expliquer par analogie avec les sources naturelles d’eau : une eau en mouvements telle que celle d’une rivière, a plus de qualités en termes d’apports de microéléments et d’ions, et apporte plus de bienfaits qu’une eau stagnante telle que celle d’un lac. L’eau stagnante favoriserait le développement de germes et leur consommation de microéléments et ions bénéfiques par la même occasion, contrairement à une eau en mouvements où les déplacements de l’eau iraient contre ce phénomène.
Malheureusement, lors des traitements de l’art antérieur, l’eau est manipulée à l’air libre, généralement manuellement, avec un dispositif introduit dans l’eau pour mettre en œuvre ce vortex, ce qui fait que l’eau ultérieurement traitée est déjà de mauvaise qualité de ce point de vue. Ces traitements doux ultérieurs ne permettent pas de contrecarrer suffisamment ces manipulations, et de proposer une eau de très bonne qualité.
Un objectif de l’invention est de remédier aux défauts de l’art antérieur, et notamment de proposer une eau ayant subi ce type de traitement, mais étant de meilleure qualité que dans l’art antérieur.
Pour atteindre cet objectif, l’invention propose un système de traitement d’eau comprenant : - au moins un réceptacle d’eau à traiter, et - au moins un moyen de traitement, caractérisé en ce que ledit moyen de traitement est mis en œuvre sur une eau à traiter embouteillée dans au moins une bouteille en verre, en aluminium, ou en carton avec une couche interne d’isolation, formant ledit réceptacle, ledit moyen de traitement étant choisi parmi une exposition aux rayons du soleil dans le cas du verre, une agitation par agitateur mécanique, et une exposition à des ondes sonores relatives à de la musique classique, des sons binauraux, et/ou des sons à des fréquences spécifiques.
Avantageusement, l’eau embouteillée reste sensiblement stérile pendant le traitement, et jusqu’à la consommation. Le verre de la bouteille présente l’avantage de ne pas laisser de résidus dans l’eau contrairement au plastique. Le verre permet donc d’avoir une meilleure qualité de l’eau.
Le traitement solaire permet aussi d’améliorer le gout et la qualité de l’eau. En parallèle, il contribue à éliminer les éventuels germes présents pour s’assurer davantage de la qualité de l’eau.
Le traitement par agitation permet de mettre l’eau en mouvement sans introduire de dispositif ayant potentiellement des impuretés dans l’eau à traiter.
Le traitement sonore permet de mettre l’eau en mouvements au moyen d’une musique à ondes régulières.
Selon une variante, ledit moyen de traitement est mis en œuvre pendant au moins 3 heures, de préférence au moins 4 heures.
Cela permet d’avoir un traitement complet et une eau de bonne qualité. A environ 4 heures on a un bon compromis entre traitement et productivité.
Selon une variante, le système de traitement comprend un moyen réfléchissant pour réfléchir les rayons du soleil vers ladite bouteille.
la , la , la , la , la , la , la , la , la , la , la , la , la , la , la et la représentent des étapes d'un procédé d'assemblage selon un premier mode de réalisation ;
la , la et la représentent des étapes d'un procédé d'assemblage selon un deuxième mode de réalisation ;
la , la et la représentent des étapes d'un procédé d'assemblage selon un troisième mode de réalisation ; et
la , la , la , la , la , la et la représentent des étapes d'un procédé d'assemblage selon un quatrième mode de réalisation.
Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. En particulier ces modes de réalisation décrivent l'assemblage de deux structures dans lequel des composants électroniques ont déjà été formés, seules les étapes nécessaires à la réalisation de l'assemblage ont été décrit ci-après. Le type de composants électroniques composant les structures visées par l'assemblage et les étapes de formation de ces éléments n'ont pas été détaillés ci-après.
La , la , la , la , la , la , la , la , la , la , la , la , la , la , la et la représentent des étapes d'un procédé d'assemblage selon un premier mode de réalisation.
Dans ce mode de réalisation, on propose d'assembler une première structure comportant un circuit logique à une deuxième structure comportant une poignée inactive et un élément thermosensible, c’est à dire un élément susceptible d’être dégradé sous l’effet de la chaleur, par exemple, par exemple s’il est porté à une température supérieure ou égale à 150°C ou supérieure ou égale à 200°C.
Plus particulièrement, les figures 1A à 1C sont des étapes successives d'un procédé de formation de la première structure de l'assemblage.
La illustre une structure de départ comportant, sur un premier substrat 11 ou couche semiconductrice, et plus particulièrement sur la face supérieure du substrat 11, un empilement 13 comprenant une alternance de pistes conductrices 15 et de couches isolantes 17. A titre d'exemple, la structure de départ est formée par des procédés standards de fin de ligne avant ou FEOL (de l'anglais "Front End Of Line") et de fin de la ligne arrière ou BEOL (de l'anglais "Back End Of Line"). Le substrat 11 est, par exemple, en un matériau semiconducteur, par exemple une plaquette (wafer) semiconductrice, par exemple en silicium. A titre d'exemple, la structure de la comprend des composants électroniques, par exemple des transistors, formés dans et/ou sur le substrat 11. Les pistes conductrices 15 sont, par exemple, en un matériau conducteur, par exemple métallique. A titre d'exemple, les pistes conductrices 15 sont en cuivre. Les couches isolantes 17 sont, par exemple, en un oxyde, par exemple en dioxyde de silicium (SiO 2 ). La structure telle qu'illustrée en a, par exemple, une face supérieure plane, par exemple, planarisée par une couche supérieure isolante 17. En , quatre niveaux de pistes conductrices 15 ont été représentés, toutefois en pratique l'empilement 13 peut comprendre un nombre de niveaux conducteurs différent de quatre, par exemple supérieur à quatre. Les pistes conductrices 15 des différents niveaux sont par exemple reliées entre elles par des vias conducteurs (non détaillés sur les figures) traversant les couches isolantes 17. Les pistes conductrices 15 peuvent être connectées à des composants électroniques formés dans et/ou sur le substrat 11.
La illustre une structure obtenue à l'issue d'une étape de formation de premiers plots métalliques de connexion 19 ou contacts métalliques dans la structure illustrée en .
Lors de cette étape, on vient former, les plots 19 et des vias 21 reliant les plots 19 à une ou plusieurs pistes conductrices 15, par exemple, une ou plusieurs pistes du niveau conducteur supérieur de l’empilement 13.
Dans ce mode de réalisation, une cavité 814 est formée dans la paroi intérieure de l’élément d’isolation 81, la partie convexe 621 est encastrée dans la cavité 814 pour la fixation, et la partie convexe 621 coopère avec la bague d’étanchéité 700 pour limiter la borne 6 dans la direction axiale et empêcher la borne 6 de monter et descendre dans la direction axiale. Un élément convexe de positionnement 817 est formé à la paroi intérieure de la cavité concave 814 et un élément concave de positionnement 622 est formé au bord de la partie convexe 621, et l’élément convexe de positionnement 817 est encastré de manière correspondante dans élément concave de positionnement 622, de sorte que la première borne 6 est limitée radialement dans la cavité de fixation de borne 413, permettant ainsi d’augmenter le couple entre la borne 6 et l’élément de moulage par injection 81, empêchant en outre la rotation relative entre la borne 6 et l’élément de moulage par injection 81. Dans lequel, la partie convexe 621 de type continu est une partie convexe d’une structure annulaire, ou la partie convexe 621 prévue espacée est une pluralité de parties convexes prévues dans une rangée annulaire sur la paroi périphérique extérieure de la partie de fixation de borne 62 de la borne 6.
Dans ce mode de réalisation, la bague d’étanchéité 700 comprend une feuille d’anneau d’étanchéité 701 et un corps d’anneau d’étanchéité 703 formé sur la face inférieure de la feuille d’anneau d’étanchéité 701, la paroi extérieure du corps d’anneau d’étanchéité 703 est en contact avec la paroi intérieure du trou de positionnement 415 dans le fond d’anneau 411, la feuille d’anneau d’étanchéité 701 est située dans un état comprimé entre la partie convexe 621 et le fond d’anneau 411, un anneau convexe 302 est formé sur la face supérieure du fond d’anneau 411, une rainure d'anneau 702 est formée à la face inférieure de la feuille d’anneau d’étanchéité 701, et l’anneau convexe 302 est encastré dans la rainure d'anneau 702, la partie de fixation de borne 62 de la borne d’électrode 6 est positionnée dans l’alésage interne de la feuille d’anneau d’étanchéité 701 et la paroi périphérique extérieure de la partie de fixation de borne 62 de la borne d’électrode 6 est prévue en contact avec la paroi d’alésage interne de la feuille d’anneau d’étanchéité 701, de sorte que l’étanchéité est obtenue entre la partie de fixation de borne 62 de la borne d’électrode 6 et le fond d’anneau, la configuration selon laquelle l’anneau convexe 302 est encastré dans la rainure d'anneau 702 limite la feuille d’anneau d’étanchéité 701 sur le fond d’anneau 411, et améliore également les performances d’étanchéité entre la feuille d’anneau d’étanchéité 701 et le fond d’anneau 411 ; le corps de bague d’étanchéité 703 est prévu pour que la bague d’étanchéité 700 soit positionnée et installée à travers le trou de positionnement 415 dans le fond d’anneau 411 avant le moulage par injection, ce qui empêche le déplacement et améliore la stabilité structurelle de la structure de borne 300, et la bague d’étanchéité 700 est réalisée en fluoroélastomère. Dans lequel, une rainure d’anneau 623 est formée dans la partie de fixation de borne 62 de la borne d’électrode 6, et la paroi intérieure supérieure de la rainure d’anneau 623 est placée au même niveau que la face inférieure de la partie convexe 621, de sorte que la feuille d’anneau d’étanchéité 701 est au moins partiellement positionnée dans la rainure d’anneau 623, et la face supérieure de la bague d’étanchéité 700 est placée respectivement contre la face inférieure de la partie convexe 621 et la paroi intérieure supérieure de la rainure d’anneau 623, de sorte que la borne d’électrode 6 est positionnée de manière fiable avant que le moulage par injection ou le rivetage ne soit effectué sur la paroi d’anneau 412 et la borne d’électrode 6, dans lequel, la partie de la partie de fixation de borne 62 positionnée dans la bague d’étanchéité 700 est généralement circulaire, et en conséquence le trou de positionnement 415 dans le fond d’anneau 411, l’anneau convexe 302, la rainure d’anneau 702 et le corps d’anneau d’étanchéité 703 sont tous de forme circulaire.
Dans ce mode de réalisation, une pièce plastique inférieure 200 est également incluse, une pluralité de poteaux convexes en forme T 36 sont formés à la face supérieure de la pièce plastique inférieure 200, une pluralité de rainures en frome T 17 sont formés à la face inférieure de la plaque de couvercle supérieur 100, et les poteaux convexes en forme T 36 sont formés aux rainures en forme T 17 au moyen d’une fusion à chaud, de sorte que la pièce plastique inférieure 200 est fixée à la face inférieure du couvercle supérieur 100 ; un orifice d’injection de liquide 104 et une valve antidéflagrante 105 sont prévus sur la plaque de couvercle supérieur 100, un trou traversant 201 correspondant à la place du trou de positionnement 415 du fond d’anneau 411, un trou d’injection de liquide 205 correspondant à la place de l’orifice d’injection de liquide 104, et un trou de ventilation 206 correspondant à la place de la valve antidéflagrante 105 sont formés sur la pièce plastique inférieure 200, un renflement annulaire 202 est formé en prolongement vers le haut de l’orifice supérieur du trou traversant 201, le renflement annulaire 202 est placé dans le trou de positionnement 415 du fond d’anneau 411, la pièce plastique inférieure 200 est réalisée en PPS, la valve antidéflagrante 105 est constituée d’un diaphragme 1051 et d’une pièce antidéflagrante 1052 avec une indentation annulaire ou une indentation en forme C, et le diaphragme et la pièce antidéflagrante 1052 sont soudés et fixés dans le trou antidéflagrant de la plaque de couvercle supérieur 100, le diaphragme étant situé au-dessus de la pièce antidéflagrante 1052.
Lorsque l’élément d’isolation 81 est prévu pour plaquer uniquement la partie de borne 61 de la borne d’électrode 6, et que l’élément d’isolation 81 est une pièce préforme, ou l’élément d’isolation 81 est formé par moulage par injection de l’électrode 6 et l’électrode 6 est combinée avec l’élément d’isolation 81 pour former un ensemble de borne distinct ; une face étagée 816 est formée sur l’élément d’isolation 81, la face étagée 816 étant la première partie de limitation ; après avoir assemblé l’ensemble de borne dans la cavité de fixation de borne 413, une pression est appliquée à la borne d’électrode 6, de sorte que la bague d’étanchéité 700 est pliée dans la direction de la borne d’électrode 6 sur le haut de la paroi d’anneau 412 à l’état comprimé sous pression pour former un corps riveté 601, le corps riveté 601 est formé en rivetant le haut de la paroi d’anneau 412 avec un équipement de rivetage, et le corps riveté 601 est riveté sur la face étagée 816 de l’élément d’isolation 81, de sorte que la borne d’électrode 6 et la bague d’étanchéité 700 sont toutes fixées dans la cavité de fixation de borne 413 de la fixation de borne 401, le corps riveté 601 est la deuxième partie de limitation, et la paroi périphérique extérieure de la fixation de borne 401 est prévue en contact avec la paroi périphérique intérieure de la rainure de positionnement 103, de sorte que la structure de borne 300 est positionnée de manière fiable dans la rainure de positionnement 103 pour le soudage de l’étape suivante entre le trou de connexion 102 et le corps de connexion 301 ; sa structure forme la borne rivetée, et la bague d’étanchéité peut atteindre une compression de 30% après que la borne d’électrode 6 de la borne rivetée est fixée à l’élément de fixation de borne 401, satisfaisant ainsi l’exigence d’étanchéité hermétique, et la face supérieure de la partie de borne 61 de la borne d’électrode 6 est plus haute que la face supérieure de l’élément d’isolation 81, de sorte que la face supérieure de la partie de borne 61 de la borne d’électrode 6 est exposée.
De préférence, plusieurs renflements 303 sont formés sur la paroi intérieure de la cavité de fixation de borne 413, et plusieurs rainures 504 sont formés sur la paroi extérieure de l’élément d’isolation 81, et les renflements 303 sont encastrés dans les rainures 504; sa structure est configurée pour limiter l’élément en plastique 503 et assurer la limite radiale entre l’élément en plastique 503 et la cavité de fixation de borne 413, pour empêcher la rotation relative entre l’élément d’isolation 81 et l’élément de fixation de borne 401, augmentant ainsi le moment de torsion.
Lorsque l’élément d’isolation 81 est prévu pour plaquer à la fois la paroi d’anneau 412 et la partie de borne 61 de la borne d’électrode 6, plusieurs rainures de positionnement 13 sont formées sur la paroi d’anneau 412 ; et puis la borne d’électrode 6 et la bague d’étanchéité 700 sont positionnées dans la cavité de positionnement de borne 413, à ce temps, la fixation de borne 401 est placée dans l’équipement de moulage par injection, une pression est ensuite appliquée à la borne d’électrode 6, de sorte qu’avec la bague d’étanchéité 700 à l’état comprimé sous pression, l’élément d’isolation 81 est moulé par injection, l’élément d’isolation 81 comprend une partie de plaquage de borne 812, une partie de plaquage de paroi d’anneau 811 et une partie de limitation 813 coopérant dans la rainure de limitation 13, la partie de plaquage de borne 812 se trouve entre la borne d’électrode 6 et la paroi périphérique intérieure de la paroi d’anneau 412, la partie de plaquage de paroi d’anneau 811 est plaquée sur la paroi périphérique extérieure de la paroi d’anneau 412, de sorte que la paroi périphérique extérieure de la partie de plaquage 811 de paroi d’anneau est prévue en contact avec la paroi périphérique intérieure de la rainure de positionnement 103 ; la partie de limitation 813 est formée sur la paroi extérieure de la partie de plaquage de borne 812 ou sur la paroi intérieure de la partie de plaquage de paroi d’anneau 811, ou la partie de limitation 813, après avoir traversé la rainure de limitation 13, est prévue d’être connectée respectivement à la partie de plaquage de borne 812 et la partie de plaquage de la paroi d’anneau 811 ; sa structure forme la borne moulée par injection, et la bague d’étanchéité peut atteindre une compression de 30% après que la borne d’électrode 6 de la borne moulée par injection est fixée à l’élément de fixation de borne 401, satisfaisant ainsi l’exigence d’étanchéité hermétique, la partie de plaquage de borne 812, la partie de plaquage de paroi d’anneau 811 et la partie de limitation 813 sont combinées pour former un élément d’isolation 81 monobloc, la coopération entre la partie de limitation 813 et la rainure de limitation 103 assure la limitation radiale entre l’élément d’isolation 81 et la fixation de borne 401, pour augmenter le moment de torsion entre l’élément d’isolation 81 et la fixation de borne 401, et empêcher la rotation relative entre l’élément d’isolation 81 et la fixation de borne 401.
De préférence, une bride 414 prévue continue ou espacée est formée sur la paroi périphérique extérieure de la paroi d’anneau 412, la bride 414 est une première partie de limitation, une dépression 815 prévue continue ou espacée est formée sur la paroi latéral intérieure de la partie de plaquage de la paroi d’anneau 811, la dépression 815 est une deuxième partie de limitation, la bride 414 est encastrée dans ladite dépression 815, la bride 414 et la dépression 815 sont toutes deux en forme d’anneau, sa structure est prévue de sorte que l’anneau métallique 41 et l’élément d’isolation 81 sont limités axialement, empêchant l’anneau métallique 41 et l’élément d’isolation 81 de se déplacer vers le haut et vers le bas axialement.
Procédé d’activation d’une pile à combustible par électrolyse La présente invention concerne le domaine des piles à combustibles, en particulier les piles à combustible à membrane échangeuse de protons (ou PEMFC pour Proton Exchange Membrane Fuel Cell). Elle peut être mise en œuvre pour conditionner ou activer une PEFMC, et optimiser les performances de celle-ci.