INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Le document US20080018147 propose un autre exemple dans lequel un dispositif permettant de prendre une empreinte comprend une selle avec une surface d’assise et un puits de moulage. Le puits de moulage comprend un bassin pour un matériau de moulage. Un système de montage est prévu pour monter le dispositif sur un vélo. Une personne s’assoit sur le dispositif avec le puits rempli de matériau de moulage, afin de marquer un contour. Une fois le matériau durci, il est utilisé pour former une plaque en transférant la forme du contour sur la plaque. Une fois la plaque durcie, elle est insérée dans un logement d’une selle. Ainsi, la selle ne comprend qu’une portion sur-mesure, le reste étant préfabriqué de manière standard et comprend des moyens pour permettre à la plaque de s’y fixer. En outre, seule une région restreinte de la selle, globalement vers le milieu la selle, est sur-mesure. Notamment, les bords sont standards. Or, les bords de la selle peuvent notamment être source frottement et d’inconfort pour l’utilisateur.
Par ailleurs, dans les procédés de l’art antérieur, des étapes supplémentaires d’assemblage de la selle sur-mesure avec des moyens de fixation sur le vélo doivent être ajoutées, augmentant les coûts de fabrication.
L’invention vise notamment à apporter une solution à ces inconvénients.
Selon une autre variante, le renfort de coupelle est fixé sur le support de train arrière.
Ceci assure le maintien de l’articulation sur le châssis.
illustre schématiquement une vue en transparence d’une partie d’un véhicule comportant un châssis muni d’une coupelle de fixation renforcée par un renfort de coupelle, selon un mode de réalisation de l’invention ;
illustre schématiquement une vue en détail du dessus de la coupelle de fixation renforcée par le renfort de coupelle de la ;
illustre schématiquement une vue en détail du dessous de la coupelle de fixation renforcée par le renfort de coupelle de la .
La illustre une partie d’un véhicule 1 comportant un châssis 2 sur lequel est fixé un train arrière 3 comprenant une traverse 4 et un bras de suspension 5 de chaque côté de la traverse 4.
Les termes « avant » et « arrière » sont utilisés par rapport à la direction de roulage en marche avant du véhicule.
La traverse 4 peut être une traverse déformable. Le bras de suspension 5 comporte, en partie arrière, un moyeu de roue et, en partie avant 6, une articulation 7 permettant de solidariser la partie avant 6 du bras de suspension 5 sur le châssis 2.
La coupelle de fixation 8 comprend un fond creux 20 comprenant une ouverture 21.
L’ouverture 21 du fond creux 20 de la coupelle de fixation 8 est délimitée par une deuxième bordure périphérique 29.
L’articulation 7 comprend une tête 30 logée partiellement dans l’ouverture 21 du fond creux 20 et deux pattes de fixation 31 s’étendant de chaque côté de l’articulation 7 et qui sont fixées sur la deuxième bordure périphérique 29 de la coupelle de fixation 8. La tête 30 de l’articulation 7 est en regard d’une face externe 37 du fond creux 20 et distante de cette face externe 37.
La coupelle de fixation 8 est montée sur un support de train arrière 9 fixé au châssis 2.
La deuxième bordure périphérique 29 s’étend depuis l’ouverture 21 du fond creux 20 vers l’extérieur du fond creux 20.
L’ouverture 21 du fond creux 20 est formée par une première ouverture 33 délimitée par une première portion de bordure périphérique 35 qui est sensiblement parallèle à une paroi 38 du support de train arrière 9 sur laquelle est montée la coupelle de fixation 8. L’ouverture 21 du fond creux 20 est également formée par une deuxième ouverture 34 délimitée par une deuxième portion de bordure périphérique 36 qui est inclinée par rapport à la première portion de bordure périphérique 35.
Les deux pattes de fixation 31 de l’articulation 7 sont fixées sur la première portion de bordure périphérique 35 au moyen de deux orifices de fixation 40 prévus de chaque côté de la première ouverture 33. La première portion de bordure périphérique 35 présente une forme triangulaire et comprend une première bordure avant 27 et une deuxième bordure avant 41 reliées par un sommet 42, comme illustré sur la .
Selon un mode de réalisation, la portion de refus peut comprendre au moins en partie du papier ou du carton. Ces matériaux se retrouvent communément associés au plâtre dans les déchets de démolition d’immeubles notamment. Ils peuvent donc être valorisés dans l’étape de génération de combustible.
Selon un mode de réalisation, l’étape de génération d’anhydrite comprend, après le chauffage, le broyage de l’anhydrite à une granulométrie déterminée. L’anhydrite peut ainsi être fournie à des acheteurs en fonction des besoins et des demandes des acheteurs. Par exemple, la granulométrie peut être déterminée en fonction d’une forme finale demandée et/ou des besoins de mélange avec d’autre composants selon une recette, par exemple pour de l’amendement de sol. Le procédé de valorisation permet ainsi de livrer directement l’anhydrite sous la forme demandée par un acheteur.
Selon un mode de réalisation, le procédé de valorisation peut comprendre la récupération d’une chaleur résiduelle restante après le chauffage de l’étape de génération d’anhydrite, de manière à augmenter le rendement du procédé.
Selon un deuxième aspect, l’invention se rapporte à une installation de valorisation des déchets de plâtres issus du grand public pour la mise en œuvre du procédé tel que présenté ci-dessus, l’installation comprenant : au moins une station de broyage et de tri des déchets afin d’obtenir au moins une portion dite de gypse comprenant majoritairement du gypse, et une portion dite de refus comprenant majoritairement tout autre matériau que le gypse, la portion de refus comprenant au moins en partie de la matière organique ; au moins une station de transformation pour la génération de combustible à partir d’au moins une partie de la portion de refus par un procédé exothermique ; au moins une station anhydrite pour la génération d’anhydrite à partir d’au moins une partie de la portion de gypse.
En outre, la station anhydrite comprend au moins un dispositif de chauffage et l’installation comprend de plus au moins un module d’échange thermique entre la station de transformation et le dispositif de chauffage.
L’installation ainsi formée assure une haute valorisation de l’ensemble des déchets de plâtres en traitant à la fois la portion de gypse et la portion de refus de l’étape de broyage et de tri.
Selon un mode de réalisation, la station de transformation peut comprendre au moins un réacteur de gazéification permettant de transformer la portion de refus en combustible gazeux.
Selon un mode de réalisation, le au moins un réacteur est par exemple de type à lit fixe co-courant. Cette technologie se révèle particulièrement adaptée pour traiter la portion de refus ici des déchets de plâtre.
Selon un mode de réalisation, la station anhydrite peut comprendre de plus au moins un broyeur en aval du dispositif de chauffage, afin de broyée l’anhydrite obtenu à une granulométrie déterminée par les besoins des acheteurs.
Selon un mode de réalisation, la station de transformation pour la génération de combustible et la station anhydrite peuvent être localisées sur un même site. La chaleur récupérée dans la station de transformation pour la génération de combustible peut alors être injectée dans la station anhydrite avec un haut rendement, le chemin à parcourir étant limité. Sur un même site, peuvent alors être montées l’ensemble des installations nécessaire à la haute valorisation des déchets de plâtres. En entrée du site, les déchets, sans valeur à l’état brut, sont approvisionnés ; et en sortie du site de l’énergie et de l’anhydrite, à haute valeur, sont récupérées.
illustre de manière schématique les étapes d’un procédé de valorisation de déchets de plâtre selon un mode de réalisation conforme à l’invention.
représente de manière schématique une installation de valorisation des déchets vue de dessus selon un mode de réalisation
représente de manière schématique une station de transformation permettant d’obtenir du combustible gazeux selon un mode de réalisation.
représente de manière schématique une installation anhydrite selon un mode de réalisation.
représente de manière schématique un site sur lequel sont installées une installation anhydrite selon un mode de réalisation et une installation de transformation pour la génération de combustible.
Dans une variante non représentée sur les figures, la zone de préhension du robot peut être augmentée, notamment par l’augmentation de la longueur des bras. En effet, si les bras sont allongés, le robot peut avoir accès au sol par exemple ou encore à des distances plus éloignées de son tronc.
SYSTÈME DE RECHARGE D’UN ROBOT MOBILE DOMAINE TECHNIQUE DE L’INVENTION Le domaine technique de l’invention est celui de de la manutention, utilisant des robots mobiles (AMR), en particulier l’intralogistique.
ARRIERE-PLAN TECHNOLOGIQUE DE L’INVENTION Les robots mobiles autonomes (AMR) consomment de l’énergie stockée dans une batterie pour se déplacer. La gestion de l’énergie sans dégrader la performance de l’installation est un problème majeur notamment pour les exploitants de stocks automatisés (ASRS : Automated Storage and Retrieval System).
Il existe plusieurs solutions de recharge : Par un contact physique de conducteur fixe, la recharge a lieu à un poste fixe. Si cette solution est simple à mettre en œuvre et présente un coût d’investissement faible, elle présente l’inconvénient d’immobiliser les robots ce qui implique une flotte plus importante, et donc une rentabilité réduite ou réduction du débit pendant l’immobilisation des robots. Par un contact physique de conducteur dynamique, avec une piste en cuivre au sol coopérant avec un balai disposé sur le robot, ce qui permet d’éviter l’immobilisation d’une partie de la flotte de robots mobiles. Cependant cela nécessite la réalisation de travaux et la piste est sensible à l’encrassement sur des zones de passage au sol et au dépôt de poussière. Par induction dans le sol, on évite l’immobilisation d’une partie de la flotte de robots mobiles et cette solution n’est pas sensible à l’encrassement, mais nécessite la réalisation de travaux complexe et coûteux.
L’invention offre une solution aux problèmes évoqués précédemment, en permettant un chargement de la batterie du robot pendant ses déplacements en particulier les systèmes de stockage automatique utilisant des courroies pour déplacer verticalement des robots mobiles.
Un aspect de l’invention concerne un dispositif de déplacement comprenant un premier et un deuxième moyen de traction configurés pour déplacer un robot mobile autonome, ledit robot ayant un moyen de stockage d’énergie rechargeable, ledit dispositif est caractérisé en ce qu’il comprend un système de recharge dudit un moyen de stockage d’énergie, comportant : une première surface conductrice agencée dans ou sur le premier moyen de traction et reliée à un pôle de charge positive d’une source d’alimentation électrique, et une deuxième surface conductrice agencée dans ou sur le deuxième moyen de traction et reliée à un pôle négatif d’une source d’alimentation électrique, la première et la deuxième surfaces conductrices étant configurées pour être connectés audit moyen de stockage d’énergie par des moyens de connexion disposés dans le robot.
Avec le dispositif, le robot mobile peut être chargé pendant ses déplacements lorsqu’il est entrainé par les moyens de traction. Le contact du robot avec le dispositif de déplacement active la charge du moyen de stockage d’énergie rechargeable ce qui permet à la fois de gagner du temps et de pouvoir optimiser l’usage des robots mobiles autonomes.
Le dispositif de déplacement peut être vertical ou incliné, voire horizontal.
Ledit dispositif est par exemple un dispositif appartenant à un système de stockage automatisé. L’invention permet une meilleure gestion de l’énergie sans dégrader la performance de l’installation pour l’exploitation des stocks automatisés
Avantageusement, les moyens de traction sont des courroies. On peut ainsi s’affranchir de travaux supplémentaires, et l’immobilisation d’une partie de la flotte de robots mobiles autonomes est évitée. Les courroies ou les moyens de traction sont, de préférence, montés par paire pour permettre le déplacement, l’élévation ou la descente des AMR.
Avantageusement, le premier et le deuxième moyen de traction comprennent chacun un dispositif d’entrainement comprenant au moins une partie de la surface conductrice. Ce dispositif d’entrainement est solidaire du moyen de traction et destiné à coopérer avec des moyens d’arrimage du robot mobile autonome, ces moyens d’arrimage étant relié à un moyen de stockage d’énergie rechargeable, comme une batterie, de cette façon, le robot peut être chargée dès qu’un des moyens d’arrimage est en contact avec la surface conductrice.
Avantageusement, les surfaces conductrices sont connectées à la source d’alimentation par des filins métalliques disposés dans la courroie. La matrice de la courroie étant parcourue de des filins métalliques dédiés à la tenue mécanique de ladite courroie, ils peuvent être utilisés pour passer le courant électrique, ce qui évite ainsi d’ajouter des circuits d’alimentation électrique.
La courroie peut également comprendre un ou des câble(s) conducteur différents des filins métalliques dédiés à la tenue mécanique. Dans les deux cas on connecte la courroie à une source d’alimentation électrique.
Selon un premier mode de réalisation, chaque courroie comprend un élément latéral de connexion agencée pour coopérer de manière continue avec un deuxième élément de connexion extérieur à ladite courroie connectée électriquement au pôle positif ou au pôle négatif de la source d’alimentation.
Dans ce mode de réalisation au moins une des deux faces latérales (chants) de la courroie est connectée électriquement à ladite source d’alimentation. Par l’intermédiaire de ces faces latérales en partie conductrices, au moins un balai frotteur connecte électriquement la borne positive du chargeur à au moins une courroie, et au moins un autre balai frotteur connecte électriquement la borne négative du chargeur à au moins une autre courroie. De cette façon, tous les moyens d’entraînements d’au moins une courroie sont alors connectés à une borne positive d’un chargeur, et tous les moyens d’entraînement d’au moins une autre courroie sont alors connectés à une borne négative du chargeur. Ainsi, pendant toute la durée pendant laquelle les moyens d’arrimage d’un AMR se connectent aux moyens d’entrainements, l’AMR est en charge.
Un empilement 100 de couches de matériaux monocristallins adapté à la réalisation de dispositifs microélectroniques à architecture 3D comprenant des transistors, selon un premier mode de réalisation, est décrit ci-dessous en lien avec la .
L’empilement 100 est disposé sur un substrat 102 correspondant par exemple à un substrat bulk, ou massif, de semi-conducteur, par exemple de silicium. De manière avantageuse, le substrat 102 peut correspondre à un substrat de type semi-conducteur sur isolant, par exemple SOI (« Silicon On Insulator » en anglais, ou silicium sur isolant).
L’empilement 100 comporte plusieurs premières couches 104 de silicium non intentionnellement dopé, plusieurs deuxièmes couches 106 de SiGe non intentionnellement dopé, et au moins une troisième couche 108 (plusieurs troisièmes couches 108 dans l’exemple de la ) de silicium dopé de type P ou de SiGe dopé de type P.
Dans le premier mode de réalisation, chacune des premières et deuxièmes couches 104, 106 est disposée entre deux troisièmes couches 108 et est en contact avec ces deux troisièmes couches 108. Sur l’exemple de la , l’empilement 100 comporte quatre premières couches 104, quatre deuxièmes couches 106 et neuf troisièmes couches 108.
L’empilement 100 représenté sur la comporte également une couche 110 similaire à l’une des premières couches 104 et disposée entre le substrat 102 et l’empilement 100. Dans l’exemple de réalisation décrit, contrairement aux premières couches 104, la couche 110 n’est pas disposée entre deux troisièmes couches 108. En variante, il est possible d’avoir la couche 110 disposée entre deux troisièmes couches 108. Dans le cas d’un substrat 102 de type SOI, la couche 110 peut correspondre à la couche superficielle de silicium de ce substrat 102, une couche diélectrique enterrée, ou BOX (« Buried-Oxide » en anglais) étant dans ce cas présente sous la couche 110 (un tel BOX n’est pas visible sur la ).
Dans une variante, il est possible que l’empilement 100 comporte, à son sommet, une couche de SiGe non intentionnellement dopé plus épaisse que les couches 106.
De manière avantageuse, le nombre total de premières couches 104 de l’empilement 100 est compris entre 4 et 300.
Dans l’exemple de réalisation représenté sur la , les troisièmes couches 108 comportent du silicium dopé de type P. En outre, le silicium des troisièmes couches a une concentration en dopants de type p, correspondant avantageusement à des atomes de bore, supérieure ou égale à 5.10 19 at/cm 3 , voire supérieure ou égale à 10 20 at/cm 3 . De plus, dans l’exemple de réalisation décrit ici, le SiGe non intentionnellement dopé a une concentration en germanium supérieure ou égale à 10 %, ou supérieure ou égale à 20 %, et par exemple égale à 30 %. En outre, dans cet exemple de réalisation, le SiGe non intentionnellement dopé a également une concentration en germanium inférieure à 50 %.
L’épaisseur de chacune des couches 104, 106, 108 et 110 est par exemple comprise entre 5 nm et 30 nm.
Un procédé de réalisation de dispositifs microélectroniques à architecture 3D 200 comprenant des transistors, mis en œuvre à partir de l’empilement 100 selon le premier mode de réalisation, est décrit ci-dessous en lien avec la . Afin de simplifier la description de ce procédé, une partie seulement des couches de l’empilement 100 sont représentées sur la . En outre, différents éléments des transistors réalisés tels que la grille factice, les espaceurs latéraux, les régions de source et de drain, etc., ainsi que d’autres éléments du dispositif 200, ne sont pas représentés sur la afin de faciliter la compréhension de l’invention.
Une première étape du procédé consiste à réaliser l’empilement 100 sur le substrat 102. Les différentes couches 104, 106, 108, 110 de l’empilement 100 peuvent être réalisées par épitaxie sur la face supérieure du substrat 102. L’empilement 100 obtenu à l’issue de ces étapes d’épitaxie correspond à celui représenté sur la .
Des tranchées et/ou des cavités (trous de contact par exemple) sont ensuite réalisées à travers au moins une partie de l’épaisseur de l’empilement 100 (toute l’épaisseur de l’empilement 100 sur l’exemple de la ), de manière à ce que des portions restantes des différentes couches 104, 106 et 108 de l’empilement 100 forment des nanofils ou des nano-feuilles. Dans l’exemple de réalisation décrit ici, cette étape de gravure est également mise en œuvre à travers la couche 110. Cette étape de gravure est mise en œuvre en réalisant un masque de gravure (non représenté) au sommet de l’empilement 100, définissant le motif à graver à travers l’empilement 100. Cette gravure est par exemple une gravure sèche par plasma à base de C 4 F 6 /O 2 et/ou HBr/O 2 . Dans le cas d’un substrat 102 de type SOI, cette gravure peut être arrêtée sur la couche diélectrique enterrée du substrat 102. Sur la , vue a, seule une des portions restantes de chacune des couches 104, 106, 108, 110 de l’empilement 100 est représentée.
Bien que cela ne soit pas visible sur la , la réalisation des dispositifs microélectroniques à architecture 3D 200 peut se poursuivre en formant par exemple une grille factice sur et contre des parois latérales des portions restantes de l’empilement 100. Des espaceurs latéraux, qui ne sont également pas visibles sur la , peuvent ensuite être réalisés à côté de la grille factice, également sur et contre les parois latérales des portions restantes de l’empilement 100.
Une gravure sélective d’une partie des portions restantes des premières couches 104, et également de la couche 110 dans l’exemple de réalisation décrit ici, est ensuite mise en œuvre de manière à former des canaux des transistors qui seront réalisés à partir de l’empilement 100. Cette gravure du matériau des premières couches 104 et de la couche 110, c’est-à-dire du silicium non intentionnellement dopé, est sélective vis-à-vis des matériaux des autres couches 106 et 108 de l’empilement 100, c’est-à-dire sélective vis-à-vis du SiGe non intentionnellement dopé des deuxièmes couches 106 et du silicium dopé de type P des troisièmes couches 108. Dans l’exemple de réalisation décrit ici, cette gravure correspond à une gravure isotrope correspondant par exemple à une gravure humide pouvant être mise en œuvre avec une solution à base d’EDP (ethylènediamine pyrocatéchol), de KOH, de NaOH et de LiOH.
Selon un certain mode de réalisation, une ou plusieurs des orientations locales sont également fournies en entrée du réseau neuronal pour détecter des objets. Le fait de fournir en entrée du réseau neuronal à la fois l’amplitude, la phase et une ou des orientations locales permet notamment la détection d’objets difficilement détectables comme des objets de faible résolution et camouflés.
À l’issue du procédé, des objets sont détectés dans l’image. Par « détectés », on entend qu’au moins le type d’objet et la localisation de l’objet sont détectés.
Pour récapituler, comme illustré en , selon un mode de réalisation, le procédé de détection d’objet(s) dans une image comprend tout d’abord la détermination d’au moins une caractéristique de l’image par le système 1 puis la fourniture de la caractéristique en entrée d’un réseau neuronal RN pour la détection d’objet(s) pour aboutir à la détection d’un ou de plusieurs objets dans l’image.
Produit programme et support d’enregistrement Un produit programme d’ordinateur est également proposé qui comprend des instructions qui, lorsque le programme est exécuté par un ordinateur, conduisent l’ordinateur à mettre en œuvre le procédé de détection d’objet tel que présenté précédemment.
En outre, il est proposé un support d’enregistrement lisible par ordinateur comprenant des instructions qui, lorsqu’elles sont exécutées par un ordinateur, conduisent celui-ci à mettre en œuvre le procédé de détection d’objet tel que présenté précédemment.
L’invention n’est pas limitée au mode de réalisation décrit et représenté aux figures annexées. Des modifications restent possibles, notamment du point de vue de la constitution des diverses caractéristiques techniques ou par substitution d’équivalents techniques, sans sortir pour autant de l’enseignement général.
Méthode d’authentification d’un graphisme 3D et dispositif d’authentification authentifiable par cette méthode. L’invention est un dispositif permettant son authentification par des moyens optiques, ci-après dénommé graphisme 3D dont l’aspect varie selon le point de vue sous lequel on l’observe et/ou les conditions d’éclairement auquel il est soumis. C’est aussi un procédé de vérification de l’authenticité d’un tel dispositif.
Entrent en particulier dans la définition des graphismes 3D les dispositifs basés sur des effets visuels créés par diffraction couramment appelés « DOVID », les hologrammes et dispositifs assimilés, les images à réseau lenticulaire, les gaufrages, les empilements de graphismes imprimés sur supports dont un au moins est transparent, ainsi que les vernis brillants à paillettes, les peintures métallisées, les encres brillantes formant des gouttes aléatoires, les surfaces dépolies ou poncées, les œuvres artistiques de toutes natures, et de nombreux matériaux naturels dont les états de surface ou les propriétés émissives ou de réflexion ou de réfraction de lumière sont irréguliers.
Une première méthode d’authentification d’un dispositif optique consiste à vérifier si l’aspect de l’image perçue dans des conditions d’observations ressemble bien à une image de référence correspondant à des conditions d’observations similaires, le terme « conditions d’observation » signifiant ci-avant et ci-après le couple [point de vue, conditions d’éclairement].