INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Un terminal peut correspondre à un appareil de communication fixe ou mobile.
Un exemple de terminal 2 est notamment représenté en .
Dans des exemples et comme illustré par la , le terminal 2 peut comprendre un microphone 21 pour acquérir un flux audio. Il peut, en variante, être connecté à une caméra en tant que périphérique.
Dans des exemples et comme illustré par la , le terminal 2 peut comprendre une caméra 22 pour acquérir un flux vidéo. Il peut, en variante, être connecté à un microphone en tant que périphérique.
Dans des exemples, le terminal 2 peut comprendre un calculateur 23 configuré pour commander l’exécution des procédés présentés ici.
Comme expliqué précédemment, au moins l’un quelconque des terminaux tiers 4 participant à la session de conférence peut correspondre à l’exemple de terminal 2 décrit en référence à la . En ce sens, au moins l’un quelconque des terminaux tiers 4 peut comprendre un microphone 21, une caméra 22 et un calculateur 23.
Un serveur de session 3 peut par exemple correspondre à un serveur multimédia (connu sous la dénomination anglaise de « media server »).
Il est désormais présenté, en référence à la , un exemple de procédé 200 d’envoi d’un flux audio d’un terminal 2 participant à une session de conférence à laquelle participe en outre une pluralité de terminaux tiers 4. Le flux audio du terminal 2 est envoyé à destination du serveur de session 3. Le procédé d’envoi du flux de données audio du terminal 2 à destination du serveur de session 3 est mis en œuvre par le terminal 2. Un des objectifs de la présente divulgation est de réduire les ressources de calcul nécessaires au serveur de session 3 dans la gestion de la session de conférence à laquelle participent le terminal 2 et les terminaux tiers 4.
Comme illustré par le bloc 210, le procédé 200 comprend : déterminer au moins un paramètre audio du flux audio acquis par ledit terminal.
Dans des exemples, l’un au moins du au moins un paramètre audio correspond à la valeur d’un volume sonore du flux audio acquis par le terminal.
Dans des exemples, l’un au moins du au moins un paramètre audio correspond à une fréquence du flux audio acquis par ledit terminal.
Comme illustré par le bloc 220, le procédé 200 comprend : envoyer ou ne pas envoyer le flux audio au serveur de session en fonction d’une valeur de l’au moins un paramètre audio.
Le procédé selon la présente divulgation permet de réduire le nombre de flux audios reçus et donc traités par le serveur de session 3 durant la session de conférence en n’envoyant pas certains des flux audios acquis par le terminal 2. En effet, dans le cadre d’une session de conférence en temps réel faisant intervenir une pluralité de terminaux, chacun des terminaux peut émettre un flux audio dans un même intervalle de temps. Par conséquent, transmettre aux participants chacun des flux audios émis par les terminaux dans un même intervalle de temps pourrait altérer la qualité sonore de la session de conférence. Dans ces conditions, le serveur de session 3 peut filtrer et sélectionner seulement certains des flux audios qu’il reçoit afin de les distribuer aux participants de la session de conférence en fonction de paramètres audios liés à ces flux audios, par exemple en fonction d’un volume sonore des flux audios. Habituellement, pour déterminer des paramètres audios de flux audio reçus, un serveur de session doit décoder chacun des flux audios, doit éventuellement déchiffrer au préalable ces flux lorsqu’il s’agit de flux audios chiffrés, afin de déterminer les paramètres audios qui lui permettent d’effectuer un traitement en fonction desdits paramètres. Dès lors, ne pas envoyer un flux audio au serveur de session permet d’économiser au moins une opération de décodage et une opération de détermination des paramètres audios, et permet éventuellement d’économiser une opération de déchiffrage au serveur de session 3 lorsque les communications sont chiffrées. Le procédé selon la présente divulgation permet donc d’économiser des ressources de calcul du serveur de session en utilisant astucieusement les ressources de calcul du terminal 2 pour opérer une discrimination des flux audios en amont, avant qu’ils soient transmis au serveur de session.
Dans des exemples dans lesquels l’un au moins du au moins un paramètre audio correspond à un volume sonore du flux audio, le flux audio est envoyé au serveur de session seulement lorsque le volume sonore du flux audio acquis est supérieur à un seuil de volume sonore déterminé. Ces exemples permettent d’éviter au serveur de session 3 de réceptionner et traiter des flux audios pour lesquels le volume sonore est inférieur au seuil de volume sonore déterminé. Un volume sonore peut, par exemple, correspondre à un volume sonore moyen d’un nombre prédéterminé de paquets audios appartenant au flux audio. Dès lors qu’il s’agit d’une conférence en temps réel, il convient de réduire au maximum la latence entre l’acquisition du flux audio par le terminal 2 et son envoi au serveur de session 3. Un compromis est donc effectué entre une détermination précise du volume sonore du flux audio et un délai dans la transmission de ce flux audio le cas échéant. Le flux audio peut donc être temporairement stocké au niveau du terminal 2 pour déterminer son volume sonore avant d’être envoyé au serveur de session si son volume sonore était déterminé comme supérieur au seuil de volume sonore.
Dans des exemples, et comme illustré par le bloc 215, le procédé peut également comprendre : recevoir une valeur de volume sonore depuis le serveur de session. Dans ces exemples, le seuil de volume sonore en dessous duquel le flux audio du terminal 2 n’est pas envoyé au serveur de session 3 est déterminé comme étant égal à la valeur du volume sonore reçu du serveur de session 3.
Pour cela, au cours d’une seconde opération Op2, le calculateur détermine, à l’aide d’un calcul d’interpolation, les positions de ces lignes de bord 33, 35 par rapport aux points P i du vecteur d’abscisse curviligne.
Plus précisément, le calculateur détermine les écarts latéraux d left,i , d right,i de ces deux lignes de bord 33, 35 (selon l’axe Y R0 ) par rapport à la trajectoire T1. Pour cela, il peut par exemple s’appuyer sur les images acquises par la caméra.
Ensuite, il calcule les coordonnées (x L/R0 ,i , y L/R0 ,i ) et (x R/R0 ,i , y R/R0 ,i ) des points des lignes de bord 33, 35 droite et gauche dans le repère global R0 à l’aide des équations suivantes.
Il obtient ainsi les coordonnées de points caractérisant les formes et positions des lignes de bord 33, 35 droite et gauche sur une longueur de 100 mètres.
On notera ici que, compte tenu de la définition de la trajectoire T1, les points caractérisant ces lignes de bord seront eux aussi écartés deux à deux d’un écart sensiblement égal au pas Δs.
En variante, on pourrait caractériser non pas une ligne de bord à droite et une autre ligne de bord à gauche, mais deux lignes de bord de chaque côté du véhicule. En pratique, les lignes seront généralement confondues par paires. Toutefois, en cas d’élargissement de route (si la voie de circulation empruntée se divise en deux voies de circulation) ou de rétrécissement de route (si la voie de circulation empruntée rejoint une autre voie de circulation), il sera possible de détecter cette modification de forme de route. Une fonction de sélection permettra ensuite de choisir l’une des deux lignes afin de construire la ligne médiane.
A ce stade, il est nécessaire, compte tenu de l’architecture logicielle de la fonction LCA, d’exprimer les positions futures des lignes de bord 33, 35 droite et gauche dans le repère-véhicule R veh . Cette fonction LCA a en effet été développée pour recevoir ces positions dans ce repère.
Pour cela, au cours d’une troisième opération Op3, le calculateur réalise un calcul de changement de repère.
Avant de décrire comment, on pourra alors introduire les notations suivantes.
Les coordonnées des points de la ligne de bord gauche exprimées dans le repère-véhicule R veh seront notées (x L/R veh ,i , y L/R veh ,i ).
Les coordonnées des points de la ligne de bord droite exprimées dans le repère-véhicule R veh seront notées (x R /R veh ,i , y R /R veh ,i ).
On notera T la matrice de rotation permettant de passer du repère global R0 au repère-véhicule R veh , laquelle s’exprimera sous la forme :
Alors le changement de repère pourra se faire à l’aide de l’équation suivante :
La quatrième opération Op4 consiste ensuite, pour le calculateur 11, à déterminer l’équation des lignes de bord 33, 35 droite et gauche dans le repère-véhicule R veh , de manière que la fonction LCA puisse ensuite être mise en œuvre.
Ces équations sont ici des polynômes, de préférence d’ordre 3.
Chacun de ces polynômes s’écrit donc sous la forme suivante :
Grâce à la distribution optimisée des plots de connexion décrite ci-dessus, il est possible de réaliser une architecture mémoire de type NOR. En effet, la structure d’interconnexion décrite permet d’optimiser l’accès aux différentes cellules mémoire de manière à augmenter le parallélisme par rapport à un routage sur la structure tridimensionnelle directement. Il en résulte qu’il est possible de réaliser des opérations de lecture et d’écriture d’une manière indépendante dans chaque groupe élémentaire 51 correpondant à un motif unitaire. Cela permet de réaliser des opérations de lecture et d’écriture en parallèle grâce à cette indépendance. L’augmentation du parallélisme permet de s’affranchir des contraintes de l’état de l’art et plus spécifiquement les contraintes d’une structure en NAND. En effet, dans une structure en NAND, le fonctionnement des cellules mémoires est interdépendant dans la structure tridimensionnelle, nécessitant l’application de signaux d’inhibition pour éviter des opérations d’écriture ou de lecture non désirées. De plus, l’accès séquentiel dans une structure NAND implique la polarisation de tous les transistors en série pour les rendre passant et accéder à la cellule mémoire cible. Ainsi, la structure NOR 3D selon l’invention et la connectivité proposée permettent de combiner en même temps la compacité d’une structure 3D avec le parallélisme d’opérations d’une structure mémoire NOR. Ainsi, la structure selon l’invention présente un aces direct pour chaque nœud d’entrée sortie BL,SL et chaque nœud de sélection WL.
La illustre une vue de dessus de la structure mémoire tridimensionnelle illustrant la distribution des plots de connexion 31 selon un second mode de réalisation de l’invention. Dans ce mode de réalisation, on suppose que l’aire d’un plot de connexion est supérieure à celle d’une zone rectangulaire du découpage précédent. Autrement dit, en coupe horizontale, l’aire d’un plot de connexion est supérieure à l’aire d’un via inférieur 38.
A titre d‘exemple illustratif et non limitatif, on considère qu’un plot de connexion est un carré de côté e=1µm et ainsi, l’aire d’un plot est égale à 1µm 2 . On considère qu’une zone rectangulaire du découpage de la surface supérieure présente les dimensions suivantes : la première distance l 1 est égale à 160 nm et la seconde distance l 2 est égale à 100nm ce qui donne une zone rectangulaire de 0,0416 µm 2 . Ainsi, chaque plot de connexion couvre une surface correspondant à quatre plans mémoire P i (selon l’axe z) et quatre colonnes C n (selon l’axe x) correspondant à 8 zones rectangulaires du découpage. Les plots de connexion doivent être espacés d’une distance équivalente à quatre plans mémoire P i (selon l’axe z). La distribution illustrée correspond à un motif de distribution optimal permettant de respecter les contraintes suivantes : Une surface des plots de connexion de l’ordre du µm 2 ; Un espacement entre les plots de connexion supérieur ou égal à la côté d’un plot de connexion.
Le motif unitaire des plots de connexion selon l’invention doit présenter une aire minimale tout en respectant les contraintes précitées. La minimisation de l’aire du motif unitaire permet de maximiser le nombre de groupes élémentaires associés. Ainsi, la connectivité de chaque groupe élémentaire de cellule mémoire est indépendante de celle des autres groupes élémentaires. Cela implique une augmentation du parallélisme des opérations de lecture et d’écriture dans le circuit de stockage de données.
Dans le mode de réalisation illustré, le motif unitaire 50 couvre un groupe élémentaire 51 de cellules mémoires comprenant « M*6 colonnes*96 plans » cellules mémoires CM ijk pour 12 plots de connexions 31 à 36 et 31’ à 36. Les plots de connexion sont plus larges que les vias (représentés en hachurés) traversants vers les connecteurs.
Le premier plot de connexion 31 est connecté au connecteur BL 1 des cellules mémoires de la première colonne du groupe élémentaire 51 et appartenant aux 4 premiers plans mémoires P i1 à P i1 +3 du groupe élémentaire 51. La connexion est réalisée par un via (en hachuré) traversant jusqu’aux connecteurs des nœuds d’entrée/sortie BL des cellules mémoire précités. Les seconds nœuds d’entrée/sortie BL des cellules mémoires appartenant à la première colonne C 1 des 96 plans mémoires du groupe élémentaire 51 sont interconnectés via la piste métallique 41.
Le deuxième plot de connexion 32 est connecté au connecteur SL 1 des cellules mémoires de la première colonne du groupe élémentaire 51 et appartenant aux 4 plans mémoires P i1 +2x4 à P i1+ 2*4+ 3 du groupe élémentaire 51. La connexion est réalisée par un via (en hachuré) traversant jusqu’aux connecteurs des nœuds d’entrée/sortie SL des cellules mémoire précités. Les premiers nœuds d’entrée/sortie SL des cellules mémoires appartenant à la première colonne C 1 des 96 plans mémoires du groupe élémentaire 51 sont interconnectés via la piste métallique 42.
Le troisième plot de connexion 33 est connecté au connecteur BL 1b des cellules mémoires de la deuxième colonne C 2 du groupe élémentaire 51 et appartenant aux 4 plans mémoires P i1+ 4 x4 à P i1+ 4 *4+3 du groupe élémentaire 51. La connexion est réalisée par un via (en hachuré) traversant jusqu’aux connecteurs des nœuds d’entrée/sortie BL des cellules mémoire précités. Les seconds nœuds d’entrée/sortie BL des cellules mémoires appartenant à la deuxième colonne C 2 des 96 plans mémoires du groupe élémentaire 51 sont interconnectés via la piste métallique 43.
Le quatrième plot de connexion 34 est connecté au connecteur BL 2 des cellules mémoires de la troisième colonne C 3 du groupe élémentaire 51 et appartenant aux 4 plans mémoires P i1+ 6 x4 à P i1+ 6 *4+3 du groupe élémentaire 51. La connexion est réalisée par un via (en hachuré) traversant jusqu’aux connecteurs des nœuds d’entrée/sortie BL des cellules mémoire précités. Les seconds nœuds d’entrée/sortie BL des cellules mémoires appartenant à la troisième colonne C 3 des 96 plans mémoires du groupe élémentaire 51 sont interconnectés via la piste métallique 44.
Le cinquième plot de connexion 35 est connecté au connecteur SL 2 des cellules mémoires de la troisième colonne C 3 du groupe élémentaire 51 et appartenant aux 4 plans mémoires P i1 + 8 x4 à P i1+ 8 *4+3 du groupe élémentaire 51. La connexion est réalisée par un via (en hachuré) traversant jusqu’aux connecteurs des nœuds d’entrée/sortie SL des cellules mémoire précités. Les premiers nœuds d’entrée/sortie SL des cellules mémoires appartenant à la troisième colonne C 3 des 96 plans mémoires du groupe élémentaire 51 sont interconnectés via la piste métallique 45.
Le sixième plot de connexion 36 est connecté au connecteur BL 2b des cellules mémoires de la quatrième colonne C 4 du groupe élémentaire 51 et appartenant aux 4 plans mémoires P i1+10x4 à P i1+10*4+3 du groupe élémentaire 51. La connexion est réalisée par un via (en hachuré) traversant jusqu’aux connecteurs des nœuds d’entrée/sortie BL des cellules mémoire précités. Les seconds nœuds d’entrée/sortie BL des cellules mémoires appartenant à la quatrième colonne C 4 des 96 plans mémoires du groupe élémentaire 51 sont interconnectés via la piste métallique 46.
Le septième plot de connexion 31’ est connecté au connecteur BL 3 des cellules mémoires de la cinquième colonne C 5 du groupe élémentaire 51 et appartenant aux 4 plans mémoires P i1+12x4 à P i1+12*4+3 du groupe élémentaire 51. La connexion est réalisée par un via (en hachuré) traversant jusqu’aux connecteurs des nœuds d’entrée/sortie BL des cellules mémoire précités. Les seconds nœuds d’entrée/sortie BL des cellules mémoires appartenant à la cinquième colonne C 5 des 96 plans mémoires du groupe élémentaire 51 sont interconnectés via la piste métallique 41’.
Le huitième plot de connexion 32’ est connecté au connecteur SL 3 des cellules mémoires de la cinquième colonne C 5 du groupe élémentaire 51 et appartenant aux 4 plans mémoires P i1 +14 x4 à P i1+ 14 *4+3 du groupe élémentaire 51. La connexion est réalisée par un via (en hachuré) traversant jusqu’aux connecteurs des nœuds d’entrée/sortie SL des cellules mémoire précités. Les premiers nœuds d’entrée/sortie SL des cellules mémoires appartenant à cinquième colonne C 5 des 96 plans mémoires du groupe élémentaire 51 sont interconnectés via la piste métallique 42’.
Le neuvième plot de connexion 33’ est connecté au connecteur BL 3 b des cellules mémoires de la sixième colonne C 6 du groupe élémentaire 51 et appartenant aux 4 plans mémoires P i1+ 16 x4 à P i1+ 16 *4+3 du groupe élémentaire 51. La connexion est réalisée par un via (en hachuré) traversant jusqu’aux connecteurs des nœuds d’entrée/sortie BL des cellules mémoire précités. Les seconds nœuds d’entrée/sortie BL des cellules mémoires appartenant à la sixième colonne C 6 des 96 plans mémoires du groupe élémentaire 51 sont interconnectés via la piste métallique 43’.
Le dixième plot de connexion 34’ est connecté au connecteur BL 4 des cellules mémoires de la septième colonne C 7 du groupe élémentaire 51 et appartenant aux 4 plans mémoires P i1+ 18 x4 à P i1+ 18 *4+3 du groupe élémentaire 51. La connexion est réalisée par un via (en hachuré) traversant jusqu’aux connecteurs des nœuds d’entrée/sortie BL des cellules mémoire précités. Les seconds nœuds d’entrée/sortie BL des cellules mémoires appartenant à la septième colonne C 7 des 96 plans mémoires du groupe élémentaire 51 sont interconnectés via la piste métallique 44’.
Le onzième plot de connexion 35’ est connecté au connecteur SL 4 des cellules mémoires de la septième colonne C 7 du groupe élémentaire 51 et appartenant aux 4 plans mémoires P i1+ 20 x4 à P i1+ 20 *4+3 du groupe élémentaire 51. La connexion est réalisée par un via (en hachuré) traversant jusqu’aux connecteurs des nœuds d’entrée/sortie SL des cellules mémoire précités. Les premiers nœuds d’entrée/sortie SL des cellules mémoires appartenant à la septième colonne C 7 des 96 plans mémoires du groupe élémentaire 51 sont interconnectés via la piste métallique 45’.
Autrement dit, à l’inverse de l’art antérieur dans lequel le bouchon peut former une zone de retenue, le volet du bloc de distribution forme une portion de la bordure périphérique et donc dirige les graines vers la zone de préhension.
En outre, grâce à la perpendicularité de la au moins une portion du rebord périphérique avec la paroi de fond, il est possible d’agrandir le diamètre du disque qui comprend alors plus d’alvéoles.
Dès lors, il est possible de semer plus de graines à chaque tour de disque.
En conséquence, il est possible d’augmenter la vitesse de semaison tout en conservant une bonne régularité de semaison.
Enfin, la perpendicularité de la au moins une portion de la bordure périphérique avec la paroi de fond du bloc permet d’augmenter la taille de la zone de sortie.
Combiné à l’augmentation de la taille du disque, et donc à l’augmentation de la taille des alvéoles, l’augmentation de la taille de la zone de sortie permet la semaison de graines plus grosses.
Selon un aspect avantageux, le volet s’étend depuis la paroi de fond jusqu’au bord libre du rebord périphérique.
L’extension du volet depuis la paroi de fond jusqu’au rebord périphérique permet l’évacuation des graines directement depuis la trémie, sans risque d’obturation de l’ouverture par une affluence trop importante de graines à évacuer.
Selon un autre aspect avantageux, la au moins une portion du rebord périphérique forme un angle compris entre 80° et 95° avec la paroi de fond.
Une telle gamme d’angle permet de limiter les phénomènes de fond de cuve en dirigeant les graines vers la paroi de fond, et donc vers la zone de préhension.
De plus, une telle gamme d’angle permet de maximiser la taille des moyens d’entraînement, qui se présentent alors sous la forme d’un disque alvéolé, sans augmenter les dimensions du bloc, ce qui bénéficie à la facilité de manipulation du semoir mécanique, et à la vitesse de semis en rapport avec une densité souhaitée.
En variante, le volet peut être monté à pivotement par rapport au rebord périphérique ou à la paroi de fond, par le biais d’une charnière.
L’utilisation d’une charnière évite que le volet soit perdu lors de la vidange du semoir mécanique.
Selon un autre aspect avantageux, les moyens d’entraînement se présentent sous la forme d’un disque alvéolé monté à rotation selon un axe perpendiculaire à la paroi de fond, et le bloc de distribution comprend des moyens d’éjection de graines surnuméraires depuis les moyens d’entraînement, les moyens d’éjection étant situés entre le passage d’admission et le passage de sortie.
Les moyens d’éjection permettent de réaliser une semaison selon un nombre de graines souhaité par alvéole, par exemple une semaison du type graine par graine lorsqu’une seule graine est souhaitée par alvéole.
Plus particulièrement, les moyens d’éjection permettent, lorsque plusieurs graines sont logées dans une alvéole, d’éjecter les graines surnuméraires pour ne conserver qu’un nombre souhaité de graines par alvéole.
Les fibres 460 et 430 sont placées dans des supports par exemple des fentes en V ( ) et serrées l’une contre l’autre. Elles sont ensuite chauffées latéralement, par exemple au moyen du faisceau laser 350, dont la puissance optique est ajustée en fonction du type de verre de la fibre 460. Par exemple, la puissance optique est comprise entre environ 5 µW et environ 10 µW, par exemple de l’ordre de 8 µW, pour un verre Simax®.
On obtient alors un coupleur de type HC-DCFC tel que décrit sur la .
Plus précisément, le coupleur comprend une zone de fusion 401 entre la partie en verre guidante 461 de la deuxième fibre 460 et la gaine interne 435 de la fibre HC-DC 431. La zone de fusion correspond à la zone de couplage, c’est-à-dire la zone dans laquelle peut se faire, en opération, un transfert d’énergie lumineuse entre la première fibre 430 et la deuxième fibre 460. De part et d’autre de la zone de fusion 401, on observe des régions 402, 403 dites de transition dans lesquelles le recouvrement passe progressivement d’une valeur maximale (au niveau de 401) à une valeur nulle.
La représente une image en coupe d’une première fibre optique HC-DC 430 et d’une deuxième fibre optique 460 avec partie en verre guidante 461 fortement multimode, les deux fibres étant couplées optiquement selon un procédé conforme à la présente description.
Dans un exemple de réalisation, la première fibre HC-DC 430 est une fibre du type de la fibre 604 illustré sur la et décrit par exemple dans [Réf. 7]. Elle comprend un cœur creux 431, une partie microstructurée 432 avec des capillaires d’air et de verre qui entoure le cœur creux et une gaine interne 435. La gaine interne 435 (partie grise) est en verre de silice, le cœur 431 (partie noire) comprend de l’air. La deuxième fibre 460 comprend dans cet exemple un cœur en verre 461 qui forme la partie guidante et qui est constitué de verre borosilicate Simax®.
La zone de couplage 401est matérialisée su l’image de la par des pointillés. On note e la largeur du recouvrement au niveau de la zone de couplage. Plus on intensifie l’échauffement, plus on augmente le recouvrement. Bien entendu, le recouvrement doit permettre un coupage optique mais ne doit pas être si important qu’il endommage le cœur creux 431 de la première fibre HC-DC.