INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Ainsi, le guide d’onde 1 est configuré pour guider l’onde électromagnétique radiofréquence OND entre la première entrée/sortie ES1 et la deuxième entrée/sortie ES2 et inversement.
Plus précisément, en fonctionnement, lorsque des moyens de traitement de la puce 2 (non représentés ici) transmettent un signal électrique à l’élément d’antenne 50, celle-ci irradie et transmet l’onde électromagnétique radiofréquence qui traverse la couche d’enrobage 4, pénètre dans le guide d’onde à travers la première entrée/sortie ES1, est guidée dans le guide d’onde 1 et ressort par la deuxième entrée/sortie ES2.
Inversement, lorsque l’onde OND est reçue par la deuxième entrée/sortie ES2, elle est guidée dans le guide d’onde 1 pour ressortir par la première entrée/sortie ES1 puis traverse l’enrobage 2 et est reçue par l’élément d’antenne 50 qui transmet alors un signal électrique correspondant aux moyens de traitement de la puce 2.
L’homme du métier saura choisir la composition de la résine d’enrobage 4 de façon à ce qu’elle puisse permettre aisément le passage de l’onde électromagnétique OND.
A titre d’exemple non limitatif, on pourra choisir par exemple une résine d’enrobage du type résine epoxy contenant des inclusions (« fillers » en anglais) de silice intégrées dans la masse de la matrice epoxy, par exemple commercialisée par la société japonaise Sumitomo.
Par ailleurs, l’épaisseur EP de la couche de résine d’enrobage 4 est avantageusement choisie en fonction de la fréquence de l’onde électromagnétique OND.
L’homme du métier saura ajuster cette épaisseur EP en fonction de la fréquence choisie.
A titre indicatif, l’épaisseur EP peut être de l’ordre de 300 à 400 micromètres pour une fréquence d’onde de 77 GHz.
Elle peut être de l’ordre de 550 microns pour une fréquence de 63 GHz.
Plus la fréquence de l’onde va être faible et plus cette épaisseur EP va être importante.
Le guide d’onde 1 peut être de toute forme en termes de section (circulaire ou rectangulaire) et il n’y a pas forcément la même forme entre l’élément d’antenne 50 et la section du guide d’onde 1 même si le guide d’onde, collé sur le substrat 3 est aligné en vis-à-vis sur l’élément d’antenne 50.
Par ailleurs, la deuxième interface d’entrée/sortie ES2 peut être prolongée par un connecteur ou un autre guide d’onde ou un autre élément d’antenne dans un autre guide d’onde.
En outre, bien que dans l’exemple illustré sur la , le guide d’onde présente des parties verticales et horizontales, il est tout à fait possible de n’avoir qu’une verticalité c’est-à-dire un guide qui va rayonner selon un axe perpendiculaire à l’élément d’antenne 50 dans la continuité de cet élément d’antenne.
On se réfère maintenant plus particulièrement aux figures 3 à 6 pour décrire un mode de mise en œuvre d’un procédé de fabrication d’un dispositif selon l’invention permettant en particulier d’obtenir le dispositif de la .
Comme illustré sur la , on procède tout d’abord à la formation du substrat support 3.
Selon une réalisation, la plaque supérieure est disposée du côté opposé à la plaque inférieure.
Selon une réalisation, la plaque supérieure est en aluminium ou en acier.
Selon une réalisation, la plaque inférieure est en aluminium ou en plastique ou en matériau composite.
Selon une réalisation, la plaque intermédiaire comporte une surface sensiblement égale à la surface active.
Selon une réalisation, la raideur de l’organe de compensation est supérieure à la raideur de la zone de serrage.
Selon une réalisation, l’évidement s’étend au moins partiellement selon un plan orthogonal à l’axe.
Selon une réalisation, la première plaque d’extrémité et la deuxième plaque d’extrémité comportent chacune au moins une zone de serrage.
L’invention concerne en outre une pile à combustible ou électrolyseur ou humidificateur ou échangeur à plaques, comportant un empilement tel que décrit ci-dessus.
La est une représentation schématique et en coupe, d’un empilement selon l’invention ;
la est une représentation schématique et en élévation d’une première plaque d’extrémité de l’empilement de la .
la est une représentation schématique et en coupe d’un premier mode de réalisation d’une zone de serrage.
la est une représentation schématique et en coupe d’un deuxième mode de réalisation d’une zone de serrage.
la est une représentation schématique et en coupe d’un troisième mode de réalisation d’une zone de serrage.
En référence à la , on a représenté un empilement 1 pour pile à combustible, électrolyseur, humidificateur ou échangeur à plaques.
L’empilement 1 comporte : une pluralité de cellules 2, empilées selon un axe dans lequel s'étend l'empilement ; une première plaque d’extrémité 3 ; une deuxième plaque d’extrémité 4, la pluralité de cellules 2 étant serrée entre la première plaque d’extrémité 3 et la deuxième plaque d’extrémité 4 ; au moins un tirant 6 s’étendant selon l’axe et étant agencé pour maintenir un effort de serrage entre la première plaque d’extrémité 3 et la deuxième plaque d’extrémité 4.
A cette fin le module de gestion d’anomalies permet de lancer éventuellement le test et de recueillir les données issues du test.
La quatrième fonction F 4 peut donc être engagée sur un composant logiciel ou une pluralité de composants logiciels. Le système de l’invention permet de prendre en compte l’ensemble des données produites par chaque ressource matérielle et chaque composant fonctionnel après le lancement du quatrième test T E4 .
Selon un mode de réalisation, le module de gestion d’anomalies M A est configuré pour exécuter une cinquième fonction F 5 de pilotage d’un mode sans échec pour le pilotage du redéploiement d’un composant fonctionnel CLF sur au moins une ressource matérielle RM n du second ensemble ENS 2 de ressources matérielles RM n .
Selon un exemple, préalablement au lancement de la cinquième fonction F 5 , le module de gestion d’anomalies M A détecte au préalable une erreur sur la ressource matérielle RM n lors de l’exécution d’au moins un composant fonctionnel CF n . Le lancement de la cinquième fonction peut être automatique ou manuel suite à l’erreur détectée. A cette fin, la console d’exploitation E xp comporte un actionneur pour lancer un mode sans échec de ladite ressource matérielle du deuxième ensemble ENS 2 .
Le mode sans échec permet notamment d’engager le transfert d’une nouvelle configuration sur ladite ressource matérielle associée.
La illustre un mode de réalisation dans lequel trois ressources matérielles sont connectées à la fois au premier calculateur CLC 1 , au module de gestion de l’alimentation ALIM 1 et à la carte d’interface de communication COM 1 , et dans lequel le premier calculateur CLC 1 comprend le module de gestion d’anomalies M A .
Console d’exploitation : sélection des ressources matérielles
Le module de test S t comprend une console d’exploitation E XP . La console d’exploitation E XP comprend une interface utilisateur INT 1 et est connectée au premier calculateur CLC 1 pour sélectionner SEL 1 un deuxième ensemble ENS 2 de ressources matérielles RM n parmi le premier ensemble ENS 1 de ressources matérielles RM n .
Le deuxième ensemble ENS 2 est par exemple un sous-ensemble du premier ensemble ENS 1 . Selon un autre exemple, il s’agit du même ensemble.
La illustre un mode de réalisation dans lequel un sous-ensemble ENS 2 de trois ressources matérielles RM 1 , RM 2 , RM 6 est sélectionné parmi un premier ensemble de ressources matérielles RM n .
Console d’exploitation : définition des contraintes de fonctionnement
La console d’exploitation E XP comprend une interface utilisateur INT 1 et est connectée au premier calculateur CLC 1 pour déterminer DET 1 au moins une contrainte globale de fonctionnement Cgf de la fonction logicielle LOG 1 , comme illustré en . La contrainte globale de fonctionnement Cgf est par exemple périodique.
La console d’exploitation E XP comprend une interface utilisateur INT 1 et est connectée au premier calculateur CLC 1 pour déterminer DET 2 un ensemble de contraintes locales de fonctionnement Clf n entre au moins un sous ensemble de composants fonctionnels CF n , comme illustré en .
Le deuxième ensemble de ressources matérielles RM n est par exemple sélectionné SEL 1 en fonction des différents composants fonctionnels CF n nécessaires à l’exécution de la première fonction logicielle LOG 1 , ou encore de contraintes intrinsèques à ces derniers ou à leurs interactions, par exemple les contraintes locales de fonctionnement Clf n . Le deuxième ensemble de ressources matérielles RM n peut également être sélectionné SEL 1 en fonction d’une contrainte globale de fonctionnement Cgf du système de test S t.
Les contraintes globales et locales de fonctionnement Cgf, Clf n comprennent par exemple des contraintes de latence, des contraintes temporelles (par exemple un temps d’exécution maximum d’un composant fonctionnel), ou encore des contraintes relatives à la puissance de calcul utilisée par un composant fonctionnel. Un exemple d’une contrainte locale de fonctionnement Clf n est qu’un composant fonctionnel CF n donné ne consomme par plus d’un pourcentage donné de la puissance de calcul d’une ressource matérielle RM n sur laquelle il est exécuté. Un exemple d’une contrainte globale de fonctionnement Cgf est que l’ensemble des composant fonctionnels CF n qui exécutent la fonction logicielle LOG 1 ne consomment pas plus d’un pourcentage donné de la puissance de calcul maximale du système de test S t . Cette puissance de calcul maximale du système de test S t correspond par exemple à la puissance de calcul du deuxième ensemble ENS 2 de ressources matérielles RM n .
Optionnellement, la contrainte globale de fonctionnement C lf comprend un temps d’exécution de la fonction logicielle LOG 1 entre deux évènements donnés. Un premier évènement correspond par exemple à un actionnement d’un actionneur par un utilisateur pour lancer un test d’exécution de la fonction logicielle LOG 1 . Un deuxième évènement correspond par exemple à l’exécution complète de ladite fonction logicielle LOG 1 par le système de test S t . Le temps d’exécution est par exemple comparé ensuite avec une valeur seuil, par exemple prédéterminée, pour définir au moins partiellement la contrainte globale de fonctionnement Cgf. La contrainte globale de fonctionnement Cgf impose par exemple que le temps d’exécution de la fonction logicielle LOG 1 soit inférieure à la valeur seuil prédéterminée.
Là encore, le matériau d’enrobage 40, du type résine de moulage, enrobe la puce électronique 20 et les billes de connexion 23 à l’exception de la face arrière 21.
La résine de moulage 40 peut être par exemple identique à la résine 4 utilisée dans le dispositif DIS de la .
Par ailleurs, comme pour le dispositif DIS de la , l’épaisseur EP de la couche de résine d’enrobage 40 est avantageusement choisie en fonction de la fréquence de l’onde électromagnétique OND.
Le guide d’onde 10 comporte là encore la première partie métallique 111 incluant la première entrée/sortie ES1 au contact du matériau d’enrobage 40 et la deuxième partie métallique 112 au contact de la face arrière 21 de la puce de façon à faciliter la dissipation thermique de la puce lors de son fonctionnement.
Par ailleurs, le volume intérieur du guide d’onde contient un matériau diélectrique également du type de résine de moulage qui peut être également le matériau 40.
Ceci est particulièrement avantageux car on n’a pas dans ce cas de discontinuité entre le matériau d’enrobage 40 entourant la puce 2 et le matériau diélectrique 40 situé à l’intérieur du guide d’onde 10.
On se réfère maintenant plus particulièrement aux figures 8 à 10 pour décrire un mode de mise en œuvre d’une variante du procédé permettant notamment l’obtention du dispositif DIS1 de la .
Comme indiqué ci-avant, la formation du substrat support 3A, la formation du matériau d’enrobage 40 entourant la puce et la formation du guide d’onde 10 du dispositif DIS1 comprennent l’utilisation d’une technologie de fabrication du type substrat moulé intégré (MIS) comportant : des étapes de croissance de métal sur des couches du type résine de moulage, des étapes de recouvrement des couches de métal ainsi formées par d’autres couches du type résine de moulage, pouvant avoir des compositions identiques ou différentes, des étapes d’amincissement de ces autres couches du type résine de moulage, et un ou plusieurs renouvellements éventuels de certaines au moins de ces étapes.
D’une façon générale, les étapes de croissance de métal peuvent être faites par un dépôt électrolytique ou (éventuellement autocatalytique) de cuivre (« plating »).
En ce qui concerne une résine de moulage, celle-ci peut être tout d’abord préparée sous forme d’un matériau visqueux avec les éléments de composition choisis compte tenu de la fonction de la résine. Puis on procède à un dépôt d’une couche préliminaire de résine qui peut s’effectuer par exemple par injection de la résine visqueuse à 171°C avec une pression de transfert de 8MPa et une pression sur l’élément à recouvrir de 350kN.
Ce chauffage conduit à une solidification de la résine et on finit cette solidification en mettant la résine dans une étuve à 175°C par exemple pendant 2 heures. On obtient alors la résine de moulage souhaitée.
L’amincissement de la couche de résine peut s’effectuer par exemple par un polissage mécanochimique.
Comme illustré plus particulièrement sur la , la fabrication du dispositif comporte tout d’abord une formation du substrat support 3A dans une étape ST90.
Cette formation du substrat support 3A comporte tout d’abord une croissance électrolytique de métal sur un support temporaire de façon à former des contacts pour une connexion électrique du futur substrat support 3A vers l’extérieur.
Puis on procède à un recouvrement par de la résine, à un amincissement de la résine pour reprendre les contacts.
On répète ces étapes, comme indiqué ci-avant, pour former les niveaux de vias et de métal successifs ainsi que les couches diélectriques enrobant les niveaux de vias et séparant les niveaux de métal.
Le document WO2010058288 propose de générer de l'énergie à partir de réactions nucléaires entre de l'hydrogène et un métal sous induction 1-70000 Gauss et un champ électrique 1-300000 V/m.
Le document WO2013/108159 décrit un réacteur nucléaire avec une source de rayonnement pour irradier un mélange colloïdal.
Il existe également des ouvrages théoriques sur le sujet (US, FR, CN, RU, …).
Cependant, aucun procédé ne permet de traiter de façon satisfaisante tous les déchets nucléaires à moindres coûts.
Le dispositif de transmutation d’isotopes radioactifs par faisceaux lasers proposé par l'invention est caractérisé en ce qu'il est constitué par un laser / des lasers pour produire une énergie équivalente à celle de protons relativistes de 0,5 GeV à 1 GeV avec un courant de l'ordre de dizaines de mA.
Le présent dispositif apparaîtra mieux à la lecture des figures.
La est une vue de dessus d'un mode de réalisation du dispositif de transmutation de déchets nucléaires par faisceaux lasers.
La est une vue en coupe d'un mode de réalisation du dispositif de transmutation de déchets nucléaires par faisceaux lasers.
Description de l’invention : Il est présenté sur les figures 1 et 2, un dispositif de transmutation d’isotopes radioactifs par faisceaux lasers.
Le dispositif de transmutation de déchets nucléaires tels que des déchets de réacteurs nucléaires comprend au moins une source laser à impulsions d'intensité ultra-relativiste susceptible de produire un faisceau laser / des faisceaux lasers d'impulsions laser ultra-courtes ayant une durée de par exemple 30 femtosecondes (fs) et une intensité supérieure à 1000 W / cm 2 de puissance moyenne et d’une puissance de fonctionnement de l'ordre de 20 MW (la puissance peut être supérieure s’il s’agit d’un laser Péta-watt), une cible sur laquelle est focalisé le faisceau laser / les faisceaux lasers et à partir de laquelle est produit un faisceau / des faisceaux d’énergie comprise entre 0,5 GeV à 1 GeV avec un courant par exemple de l'ordre de 20 mA.
Le dispositif / l’installation (1000) est protégé par une enceinte de confinement (1101) qui possède une porte pour entrer et sortir les déchets nucléaires à transmuter. Le laser / les lasers (1200) irradie (ent) une cible (1102) où des neutrons de 0,5 à 1 GeV sont spallés. Les neutrons sont dirigés vers les déchets nucléaires (1103) à transmuter, tels que le combustible nucléaire usé, afin de transmuter l'isotope radioactif des déchets, c'est-à-dire les actinides inférieurs, en matériaux ou éléments beaucoup plus sûrs de demi-vie nettement plus courte. Le dispositif comporte également un système de refroidissement non décrit dans le détail.
La source laser /lasers comprend un oscillateur adapté pour produire des impulsions courtes de 30 femtosecondes (fs) par exemple et d'énergie de l'ordre du nanojoule (nJ). L'impulsion laser produite est alimentée dans un agencement d'amplificateurs à fibre optique monomode comprenant une multitude de fibres optiques en vue de former un système de réseau d'amplification cohérente fournissant des puissances crêtes et moyennes simultanées avec un rendement de plus de 30 %, c'est-à-dire que le faisceau laser / les faisceaux peut /peuvent avoir une intensité supérieure à 1000 W / cm 2 .
Plus précisément, l'impulsion laser produite par un oscillateur traverse un réseau de diffraction qui l’étire. L'étirement sépare les différentes composantes de l'impulsion d'étirement. L'impulsion après étirage est au niveau millijoule (mJ). Les impulsions étirées sont couplées dans un étage amplificateur à multiplicité, par exemple, de 50 fibres, chacune constituant un amplificateur à fibre monomode. Chaque fibre va amplifier l'impulsion d'entrée au niveau millijoule. Les fibres amplifiées sont maintenues pour former un faisceau dans lequel les fibres amplificatrices sont à une distance relativement grande les unes des autres afin de permettre un refroidissement efficace par un milieu de refroidissement approprié pour évacuer la chaleur produite par les fibres. La même opération est répétée dans un deuxième étage amplificateur où chaque amplificateur à fibre du premier étage alimente une multiplicité par exemple de 10 amplificateurs monomodes du même type que ceux du premier étage. Chaque fibre va amplifier l'entrée, qui est une partie correspondante de la sortie de la fibre dont elle est obtenue par fractionnement, au niveau millijoule. Le même processus est répété dans des séries successives d'étages d'amplificateurs.
Il résulte de ce qui précède qu'en divisant et en ramifiant chaque impulsion, une matrice de milliers de lasers est obtenue. Dans chaque étage des séries successives d'étages amplificateurs, la phase de chaque impulsion est préservée.
Le très grand nombre de fibres combinées et mis en phase les unes avec les autres de manière à former une impulsion unique, qui est comprimée par une paire de réseaux. L'énergie d'impulsion obtenue peut être supérieure à la dizaines de Joules, avec une durée d'impulsion correspondant à la durée d'impulsion initiale de 30 femtosecondes.
Les impulsions peuvent être produites à une fréquence de répétition de l'ordre du kHz, par exemple de 10 kHZ à 200 kHz (pour générer des ondes sonores), en raison du refroidissement efficace des amplificateurs à fibre monomode dans leurs différents faisceaux au moyen d'un milieu de refroidissement approprié. La cible solide / liquide / gaz est constituée d'une substance telle que par exemple du carbone, sous la forme d'un film.
Le module de commande 13 permet ainsi de déterminer la puissance électrique produite par le système photovoltaïque 1 comme le produit du courant et de la tension mesurés, et éventuellement du déphasage déterminé.
Selon une première exploitation, le procédé 5 de mesure est utilisé afin de proposer une fonction de protection thermique de chaque système photovoltaïque 1 et du réseau électrique domestique 2. A cet effet, le procédé 5 de mesure comporte une étape de comparaison 52 entre la puissance électrique mesurée et une puissance de référence, afin de déterminer si la puissance électrique mesurée est conforme aux attentes ou si elle présente une valeur anormale et représentative d’un fonctionnement non nominale de chaque système photovoltaïque 1.
L’étape de comparaison 52 est réalisée par le module de commande 13, le module de commande 13 comportant une unité de traitement ou l’étape de comparaison 52 est réalisée sur un serveur distant, via l’unité de communication 132 du module de commande 13 afin de pouvoir communiquer avec ledit serveur distant. Dans ce cas, le procédé 5 de mesure comporte une étape de transmission 56 du courant et de la tension mesurés, et/ou du déphasage déterminé par le module de commande 13, l’étape de transmission 56 étant préalable à l’étape de comparaison 52 précédemment évoquée. Préférentiellement, l’étape de transmission 56 comporte uniquement une transmission de la puissance calculée.
Pour un seul système photovoltaïque 1 raccordé à l’un des circuits électriques 24 du réseau domestique, la puissance de référence est inférieure à 1 kW, préférentiellement comprise entre 300 W et 1 kW, préférentiellement égale à 900 W. En revanche, dans le cas où plusieurs systèmes photovoltaïques 1 sont raccordés au réseau électrique domestique 2, alors il est intéressant de reconsidérer la valeur de la puissance de référence afin de protéger efficacement chaque circuit électrique 24 et, finalement, le réseau électrique domestique 2 et ses utilisateurs.
Selon une première variante plus simple à mettre en œuvre, la puissance de référence est pré-déclarée et enregistrée sur le serveur distant ou sur le module de commande 13, au moment de l’installation du ou des systèmes photovoltaïques 1. Il s’agit ainsi d’une déclaration statique qui sert de référence et de comparaison pour la mise en œuvre de l’étape de comparaison 52.
Selon un deuxième mode de réalisation plus efficace, plus sûre et surtout adaptatif, le procédé 5 de mesure conforme comporte une étape d’adaptation 54 de la puissance de référence en fonction de l’architecture du réseau électrique domestique 2 auquel chaque système photovoltaïque 1 est raccordé électriquement.
Plus particulièrement, une telle étape d’adaptation 54 de la puissance de référence comporte :
- une étape de détermination 53 d’un nombre de système photovoltaïque 1 raccordé au réseau électrique domestique 2. De manière avantageuse, l’étape de détermination 53 est une étape de détermination du nombre de systèmes photovoltaïques 1 raccordés à l’un des circuits électriques ;
- une étape de calcul de la puissance de référence comme étant égale à une valeur de référence normative – celle qui pourrait être déclarée de manière statique par exemple – divisée par le nombre de système photovoltaïque 1 déterminé.
Ainsi, la puissance de référence vis-à-vis de laquelle la puissance électrique mesurée est comparée dépend du nombre de systèmes photovoltaïques 1 raccordés au réseau électrique domestique 2, et plus particulièrement ceux raccordés à chaque circuit électrique 24, le nombre de systèmes photovoltaïques 1 raccordés à chaque circuit électrique étant comptabilisé indépendamment des autres circuits électriques 24 : plus un circuit électrique 24 du réseau électrique domestique 2 comporte un grand nombre de systèmes photovoltaïques 1 raccordés, plus la puissance de référence – pour ce circuit électrique 24 est basse afin d’éviter tout risque électrique résultant de la connexion d’un système photovoltaïque 1 sur ledit circuit électrique 24 du réseau électrique domestique 2, en aval du disjoncteur général 22.
De manière particulièrement avantageuse, dans le cas où le module de commande 13 est relié au réseau électrique domestique 2 par le biais d’un adaptateur en courant porteur, alors l’étape d’adaptation 54 comporte :
- une étape d’émission d’un signal de requête sur le réseau électrique domestique 2 via l’adaptateur en courant porteur ; et
- une étape de réception d’un signal d’identification émis par au moins un autre module de commande 13 d’un autre système photovoltaïque 1 raccordé au même réseau électrique domestique 2.