INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Le document EP3840065A1 décrit un exemple de procédé de fabrication d’un substrat de croissance puis d’une matrice de diodes utilisant la technique de porosification électrochimique. Le procédé comporte la réalisation d’un substrat de croissance (également appelé pseudo-substrat) présentant plusieurs mésas en InGaN, formées chacune d’une couche dopée en InGaN rendue poreux lors d’une étape de porosification électrochimique, et d’une couche supérieure en InGaN non intentionnellement dopé ou faiblement dopé de sorte qu’il ne soit pas porosifié (i.e. il reste intègre ou dense, donc non poreux). Les diodes sont ensuite réalisées par reprise d’épitaxie à partir de la couche supérieure.
Les couches dopées des mésas peuvent présenter des niveaux de dopage différents d’une mésa à l’autre, ce qui conduit à une porosification différente et donc à un taux de relaxation différent. Les diodes réalisées à partir des différentes mésas comportent alors des puits quantiques ayant une proportion d’indium plus ou moins importante, permettant ainsi d’obtenir des pixels émissifs à différentes longueurs d’onde.
Cependant, pour obtenir des mésas dont les couches dopées en InGaN présentent différents niveaux de dopage d’une mésa à l’autre, il est nécessaire d’effectuer, avant l’étape de réalisation des mésas, une étape d’implantation localisée de dopants dans une couche d’InGaN pleine plaque, avec différents niveaux de dopage, ce qui peut complexifier le procédé de fabrication.
L’invention a pour objectif de remédier au moins en partie aux inconvénients de l’art antérieur, et plus particulièrement de proposer un substrat de croissance, et son procédé de fabrication, pour la fabrication d’une matrice de diodes adaptées à émettre ou détecter, de manière native, un rayonnement lumineux à différentes longueurs d’onde. Ce substrat de croissance peut être fabriqué par un procédé simplifié par rapport à celui de l’art antérieur décrit précédemment, en ce qu’il ne comporte pas d’étapes d’implantation localisée de dopants avant la réalisation des mésas.
Pour cela, l’objet de l’invention est un substrat de croissance adapté à la réalisation par épitaxie d’une matrice de diodes à base d’InGaN, comportant : une couche inférieure d’isolation réalisée en un matériau cristallin non poreux à base de GaN ; des mésas M (i) , avec i allant de 0 à N, réalisées en des matériaux cristallins à base de GaN, reposant sur et au contact de la couche inférieure d’isolation, et comportant chacune N couches dopées, avec N≥2, séparées deux à deux par une couche intermédiaire d’isolation réalisée en un matériau non poreux, et présentant chacune une face supérieure libre adaptée à la réalisation par épitaxie d’une diode de la matrice ; les mésas étant configurées selon au moins trois catégories différentes parmi lesquels : une catégorie de mésas dite M (N) où les N couches dopées sont poreuses ; une catégorie de mésas dite M (0) où aucune des couches dopées n’est poreuse ; une catégorie de mésas dite M (n) où n couches dopées sont poreuses, avec 1≤n
Chaque mésa M (i) peut comporter une couche de reprise d’épitaxie reposant sur une couche dopée supérieure parmi les N couches dopées, réalisée en un matériau cristallin non poreux à base d’InGaN dont le paramètre de maille a m cre du matériau relaxé est supérieur au paramètre de maille effectif a e cii de la couche inférieure d’isolation : la couche de reprise d’épitaxie de chaque mésa M (N) présentant un paramètre de maille maximal a e cre(N) ; la couche de reprise d’épitaxie de chaque mésa M (0) présentant un paramètre de maille a e cre(0) inférieur à a e cre(N) ; la couche de reprise d’épitaxie de chaque mésa M (n) présentant un paramètre de maille intermédiaire a e cre(n) inférieur à a e cre(N) et différent de a e cre(0) .
La couche intermédiaire d’isolation de chaque mésa peut présenter une épaisseur inférieure à celle des couches dopées adjacentes.
La couche intermédiaire d’isolation de chaque mésa peut présenter une épaisseur comprise entre 10nm et 100nm.
La couche inférieure d’isolation et la couche intermédiaire d’isolation peuvent présenter un niveau de dopage au plus égal à 5×10 17 cm -3 . De préférence, la couche intermédiaire d’isolation est non intentionnellement dopée.
Les couches dopées sont de préférence dopées de type n.
Les couches dopées inférieures des mésas M (i) peuvent être réalisées en le même matériau et peuvent présenter la même épaisseur d’une mésa à l’autre. Les couches intermédiaires d’isolation des mésas M (i) peuvent être réalisées en le même matériau et peuvent présenter la même épaisseur d’une mésa à l’autre. Les couches dopées supérieures des mésas M (i) peuvent être réalisées en le même matériau et peuvent présenter la même épaisseur d’une mésa à l’autre.
L’invention porte également sur un dispositif optoélectronique comportant un substrat de croissance selon l’une quelconque des caractéristiques précédentes ; et une matrice de diodes D (i) à base d’InGaN, épitaxiées à partir des mésas du substrat de croissance, les diodes étant adaptées à émettre ou à détecter un rayonnement lumineux à différentes longueurs d’onde, la longueur d’onde étant différente d’une catégorie de mésas M (i) à l’autre.
Le dispositif optoélectronique peut former un micro-écran RGB où les diodes D (i) sont des diodes électroluminescentes configurées pour émettre un rayonnement lumineux au moins dans le bleu et le rouge.
L’invention porte également sur un procédé de fabrication d’un substrat de croissance selon l’une quelconque des caractéristiques précédentes, comportant les étapes suivantes : détermination d’une valeur d’une tension électrique à appliquer lors d’une étape ultérieure de porosification électrochimique ; réalisation d’un empilement cristallin, comportant, de bas en haut : une couche continue inférieure d’isolation réalisée en un matériau cristallin à base de GaN et non porosifiable à ladite valeur prédéterminée de la tension électrique à appliquer ; N couches continues dopées, avec N≥2, réalisées en des matériaux cristallins à base de GaN et porosifiables à ladite valeur prédéterminée de la tension électrique à appliquer ; au moins une couche continue intermédiaire d’isolation, séparant les couches continues dopées deux à deux, réalisée en un matériau cristallin à base de GaN et non porosifiable à ladite valeur prédéterminée de la tension électrique à appliquer ; gravure localisée de l’empilement cristallin, de manière à former lesdites mésas M (i) ; réalisation de plusieurs électrodes, au contact des couches dopées à porosifier selon les différentes catégories de mésas M (i) ; porosification électrochimique simultanée desdites couches dopées à porosifier, par application aux couches dopées à porosifier de la valeur prédéterminée de la tension électrique.
- liaison de la plaque distale à l’extrémité axiale distale du réservoir intérieur;
- insertion axialement du réservoir intérieur dans la virole extérieure du réservoir extérieur selon la seconde direction, l’extrémité axiale distale étant engagée en premier, la plaque distale empêchant le contact entre le réservoir extérieur et la couche d’isolant thermique pendant l’insertion du réservoir intérieur .
- La est une vue en section axiale de l’unité de stockage de fluide cryogénique, les deux fonds du réservoir extérieur n’étant pas représentés ;
- La est une vue en perspective de la plaque distale ;
- La est une vue agrandie d’un détail de la ;
- La est une vue agrandie d’un détail de la , la plaque distale étant représentée en appui contre la butée ménagée sur le tube intérieur de la suspension distale ;
- La est une vue similaire à celle de la , montrant la situation après contraction thermique du réservoir intérieur ;
- La est une vue en perspective de la plaque proximale de la ;
- La est une vue agrandie d’un détail de la , montrant en outre un fond extérieur soudé à la virole extérieure ; et
- La montre le réservoir intérieur avant insertion dans le réservoir extérieur.
L’unité de stockage 1 représenté sur les figures 1 à 7 est destiné à stocker un fluide cryogénique.
On entend par fluide cryogénique un fluide à une température très basse, se trouvant typiquement partiellement à l’état liquide à l’intérieur de l’unité de stockage.
Cette unité de stockage est typiquement prévue pour être embarqué à bord d’un véhicule ayant un moteur de propulsion électrique, par exemple un véhicule automobile, un train, un bateau ou tout autre véhicule.
Le véhicule automobile est par exemple une voiture, un véhicule utilitaire, un camion, un autobus, etc.
À l’étape 702, une fléchette et un élément chauffant peuvent être disposés/pompés dans le conduit (voir la ). Par exemple, une fléchette est pompée vers un emplacement et se verrouille au niveau de cet emplacement via des profils de verrouillage (par exemple, voir la ). Le fluide est pompé dans le puits de forage via un équipement de pompage (voir la ). Un élément chauffant (par exemple, un élément chauffant chimique exothermique) fournit de la chaleur, qui fait fondre le produit d’étanchéité et le produit d’étanchéité. Dans certains exemples, l’élément chauffant devient une partie de la barrière/du joint d’étanchéité (par exemple, placement permanent/non récupérable), permettant ainsi d’utiliser une quantité moindre d’alliage fusible pour l’étanchéité. Cela permet à tous les composants requis (par exemple, élément chauffant, fléchette) d’être pompés en position sans passage de câble lisse. Dans certains exemples, l’élément chauffant peut être attaché à la fléchette et pompé ensemble. Dans d’autres exemples, chaque composant peut être pompé séparément.
À l’étape 704, le produit d’étanchéité qui est disposé sur le DE et le DI du conduit fond. Le produit d’étanchéité s’écoule le long du DI et du DE du conduit. Le produit d’étanchéité se solidifie et bouche le puits de forage lors de la dissipation de la chaleur. Le produit d’étanchéité sur le DE se solidifie pour boucher le puits de forage à l’extérieur du conduit. Le produit d’étanchéité disposé sur le DI du conduit fond et s’écoule contre des parties de l’élément chauffant et de la fléchette et se solidifie sous forme de bouchon à l’intérieur du conduit (par exemple, voir la ). Le refroidissement du produit d’étanchéité se produit lorsque l’élément chauffant cesse de produire de la chaleur en raison de l’achèvement des réactions chimiques exothermiques. L’élément chauffant et la fléchette/le bouchon peuvent devenir une partie de la barrière/du joint d’étanchéité permanent. C’est-à-dire que l’élément chauffant, la fléchette et le produit d’étanchéité solidifié forment le bouchon à l’intérieur du conduit fournissant une barrière robuste.
Par conséquent, les systèmes et les procédés de la présente divulgation permettent de boucher et d’abandonner des puits avec des produits d’étanchéité fusibles, sans plateforme ou mobilisation et des déplacements importants dans le puits de forage. Les systèmes et procédés peuvent comporter l’une quelconque des diverses caractéristiques divulguées ici, y compris un ou plusieurs des énoncés suivants.
Énoncé 1. Un procédé comprenant le déplacement d’un manchon coulissant d’un conduit pour exposer un produit d’étanchéité fusible qui est préinstallé sur un diamètre interne (DI) du conduit, dans lequel le conduit est disposé dans un puits de forage, et dans lequel le produit d’étanchéité fusible est configuré pour fondre et s’écouler lors du chauffage, le produit d’étanchéité fusible étant en outre configuré pour refroidir, se solidifier et boucher le conduit lors de la dissipation de la chaleur.
Énoncé 2. Le procédé selon l’énoncé 1, comprenant en outre la disposition d’une balle ou d’une fléchette dans le conduit.
Énoncé 3. Le procédé selon l’énoncé 1 ou l’énoncé 2, comprenant en outre le déplacement du manchon avec la balle ou la fléchette.
Énoncé 4. Le procédé selon l’un quelconque des énoncés 1 à 3, comprenant en outre la fusion du produit d’étanchéité et le support du produit d’étanchéité fondu avec la balle ou la fléchette.
Énoncé 5. Le procédé selon l’un quelconque des énoncés 1 à 4, comprenant en outre la fusion d’un produit d’étanchéité qui est préinstallé sur un diamètre externe du conduit.
Énoncé 6. Le procédé selon l’un quelconque des énoncés 1 à 5, dans lequel le produit d’étanchéité comporte un métal et/ou un thermoplastique.
Énoncé 7. Le procédé selon l’un quelconque des énoncés 1 à 6, comprenant en outre l’expansion d’une soupape qui est attachée au DI avec un matériau qui comporte une température de fusion inférieure à celle du produit d’étanchéité.
Énoncé 8. Le procédé selon l’un quelconque des énoncés 1 à 7, comprenant en outre la fusion du produit d’étanchéité via des réactions chimiques exothermiques.
Énoncé 9. Un procédé comprenant : la disposition d’un bouchon dans un conduit, dans lequel un produit d’étanchéité est disposé sur un diamètre interne du conduit ; le positionnement d’un élément chauffant dans le conduit, le conduit étant disposé dans un puits de forage ; et la fusion du produit d’étanchéité avec l’élément chauffant, dans lequel le produit d’étanchéité fondu est configuré pour se solidifier et sceller le conduit lors de la dissipation de la chaleur de l’élément chauffant pour former une barrière constituée du bouchon, de l’élément chauffant et du produit d’étanchéité.
Énoncé 10. Le procédé selon l’énoncé 8 ou 9, comprenant en outre la fusion d’un produit d’étanchéité qui est disposé sur un diamètre externe du conduit.
Énoncé 11. Le procédé selon l’un quelconque des énoncés 8 à 10, comprenant en outre le verrouillage du bouchon à l’intérieur du conduit avec des profils de verrouillage.
Énoncé 12. Le procédé selon l’un quelconque des énoncés 8 à 11, dans lequel le produit d’étanchéité comporte un métal et/ou un thermoplastique.
Énoncé 13. Le procédé selon l’un quelconque des énoncés 8 à 12, dans lequel l’élément chauffant est pompé dans le conduit.
L’étoffe textile peut être de nature appropriée quelconque. Il peut s’agir par exemple d’un tissu, d’une nappe multiaxiale (appelée Non-Crimp Fabric ou NCF en anglais), d’un textile tricoté ou non-tissé.
La couche polymérique permet de rendre le textile de la membrane étanche à l’eau en venant boucher les mailles du textile ou au moins en limiter la taille pour que les parasites ne puissent pas le traverser. Il s’agit par exemple d’une couche de PVC ou de tout autre polymère approprié. L’application de cette couche polymérique sur le textile est par exemple réalisée par un procédé d’enduction polymérique ou de lamination composite.
Selon un mode de réalisation de l'invention, le dispositif d’élevage aquacole comporte en outre des armatures ou des câbles qui relient au moins deux structures annulaires entre elles.
Ces câbles ou armatures peuvent relier directement les deux structures annulaires, qui sont préférentiellement consécutives, pour les maintenir en position l’une par rapport à l’autre et rigidifier le dispositif.
Ils peuvent également servir à renforcer une ou plusieurs portions de membrane. Dans ce cas, ils sont liés ou intégrés à ladite portion de membrane, par exemple en passant à l’intérieur d’un ou plusieurs fourreaux de tissus.
Ces câbles ou armatures peuvent être métalliques ou sont préférentiellement en fibres synthétiques à haute performances mécaniques. Il peut s’agir par exemple de liens en fibres de polyéthylène de masse molaire très élevée (UHMPE ou UHMWPE pour « Ultra High Molecular Weight Polyethylene » en anglais), telles que les fibres SPECTRA™ commercialisées par la société Honeywell ou DYNEEMA TM commercialisées par la société DSM.
Selon un mode de réalisation de l'invention, le dispositif d’élevage aquacole comporte en outre un ensemble de lignes d’ancrage permettant de fixer le dispositif au sol subaquatique. Le dispositif d’élevage selon l’invention est ainsi amarré au fond sous-marin afin de l’immobiliser spatialement.
Ces lignes d’ancrage sont préférentiellement fixées à la structure annulaire médiane haute, ou alternativement pour certaines à la structure annulaire médiane haute et pour d’autres à la structure annulaire médiane basse, qu’elles viennent de préférence entourer par cravatage.
Selon un mode de réalisation de l'invention, le dispositif d’élevage aquacole comporte en outre une machine de nourrissage, qui permet d’alimenter automatiquement et de façon contrôlée les animaux captifs.
Selon un mode de réalisation de l'invention, le dispositif d’élevage aquacole comprend en outre au moins une pompe destinée à alimenter le volume central creux en eau aspirée à l’extérieur du dispositif. Il comprend également au moins une bouche d’évacuation d’eau située dans une portion de membrane ou dans l’élément d’obturation afin de limiter la surpression à l’intérieur du dispositif. Cette bouche d’évacuation d’eau est préférentiellement prolongée par un tube s’étendant à l’extérieur de la portion de membrane ou de l’élément d’obturation.
Il est ainsi possible de renouveler facilement l’eau se trouvant à l’intérieur de la zone d’élevage, ce qui est très important pour le bien-être des animaux captifs.
Selon une variante préférentielle de ce mode de réalisation de l'invention, le dispositif d’élevage aquacole comprend en outre au moins une colonne de distribution qui, à l’état déployé du dispositif, est liée à au moins une structure annulaire, de préférence la structure annulaire supérieure, et qui s’étend dans le volume central creux, cette colonne de distribution recevant l’eau aspirée par la pompe et comportant des ouvertures, de préférence à différentes hauteurs, à travers lesquelles ladite eau sort de la colonne de distribution pour aller dans le volume central creux.
Selon les variantes, le dispositif d’élevage peut comporter une ou plusieurs colonnes de distribution, réparties dans le volume central creux pour distribuer l’eau fraiche de manière optimale. Ces colonnes de distribution peuvent s’étendre verticalement ou être disposées de façon inclinée.
Selon une variante préférentielle de ce mode de réalisation, lesdites ouvertures sont équipées de buses ou d’injecteurs qui sont orientés de manière à envoyer ladite eau dans le volume central creux avec un mouvement rotationnel, et/ou, le dispositif peut comporter en outre au moins un propulseur fixé à une portion de membrane et prévu pour conférer un mouvement rotationnel à l’eau se trouvant dans le volume central creux.
Une mise en mouvement de l’eau présente dans le volume central creux servant de zone d’élevage est en effet bénéfique pour la santé des animaux captifs en leur permettant de faire de l’exercice, ce qui favorise leur croissance et améliore la qualité de leur chair.
Selon un mode de réalisation de l'invention, la colonne de distribution, ou au moins une des colonnes de distribution si le dispositif en comporte plusieurs, comprend une partie supérieure flottante, qui renferme préférentiellement une machine de nourrissage.
Selon un mode de réalisation, le procédé selon l’invention est un procédé dans lequel: - l’eau de trempe de maïs à filtrer est mise en présence de l’adjuvant de filtration pour former un mélange, puis le mélange est filtré à travers un média filtrant, et/ou - une précouche de l’adjuvant de filtration est formée sur un média filtrant puis on passe l’eau de trempe de maïs à filtrer ou le mélange à travers la précouche, dans lequel la précouche est formée en mettant en présence un adjuvant de filtration choisi parmi la perlite, l’amidon de pomme de terre, la cellulose, et les terres de diatomées avec de l’eau pour former un mélange, puis le mélange est filtré à travers un média filtrant, pour obtenir une précouche comprenant l’adjuvant de filtration.
Selon un mode de réalisation, le procédé selon l’invention comprend les étapes suivantes : 1. la fourniture d’une eau de trempe de maïs à filtrer 2. la préparation d’un système de filtration comprenant un média filtrant sur lequel est formée une précouche comprenant un adjuvant de filtration choisi parmi la perlite, l’amidon de pomme de terre, la cellulose, et les terres de diatomées, 3. la filtration de l’eau de trempe de maïs de l’étape 1 à l’aide du système de filtration de l’étape 2, 4. optionnellement, conditionnement de l’eau de trempe obtenue à l’étape 3 pour utilisation future ou utilisation directe du perméat de filtration.
Selon un mode de réalisation, le procédé selon l’invention met œuvre la perlite comme adjuvant de filtration.
Selon un mode de réalisation, le procédé selon l’invention est mis en œuvre dans un filtre à tambour sous vide.
Selon un mode de réalisation, le procédé selon l’invention est caractérisé en ce que la filtration est réalisée à une température comprise entre 20°C et 40°C
Selon un troisième aspect, l’invention concerne l’utilisation industrielle de l’eau de trempe selon le premier aspect de l’invention ou obtenue selon le procédé tel que défini dans le deuxième aspect de l’invention, à titre de substance nutritive, par exemple pour la préparation de milieux de culture pour l'industrie de la fermentation ou pour l’alimentation des plantes en agriculture.
L’invention sera mieux comprise à l’aide de la description détaillée qui suit dans les chapitres suivants.
Description détaillée de l’invention Par « corn steep » ,« eau de trempe », « CSL liquor », « extrait soluble de maïs », « steep water », « corn steep concentré », « eau de process à basse MS », on entend au sens de la présente invention la fraction liquide constituée des eaux de trempe issue des silos de trempage des grains de maïs. La fraction liquide d’une eau de trempe classique, que l’on peut filtrer avec le procédé de l’invention, a typiquement une matière sèche comprise entre 10% et 50%, préférentiellement entre 30% et 50%, encore plus préférentiellement entre 40% et 50% et a usuellement une richesse en azote protéique exprimée en N6,25 d’environ 45% du poids de la matière sèche. Une eau de trempe de maïs contient usuellement de l’acide pythique à une teneur de 6 à 10% du poids de la matière sèche, de l’acide lactique à une teneur de 25% et 30 % du poids de la matière sèche d’acide lactique et des cendres à une teneur d’environ 15 à 20 % du poids de la matière sèche.
De manière générale, l’eau de trempe de maïs est produite en partant de graines de maïs en réalisant un procédé classique de l’état de l’art connu comme la « trempe » du maïs. Comme précédemment décrit en introduction, la trempe du maïs dans l'eau constitue la première étape de l'extraction de l'amidon en amidonnerie humide. Cette trempe permet le gonflement des grains de maïs et l'élimination de matières solubles hautement fermentescibles contenues dans ces grains. Elle consiste à maintenir le maïs placé dans des silos pendant un temps donné (dit temps de trempe) au sein d'une eau chaude contenant une faible quantité d'anhydride sulfureux, ceci afin de faciliter la séparation ultérieure protéines-cellulose-amidon, et d'empêcher par ailleurs la croissance de microorganismes indésirables.
Deux phénomènes essentiels se déroulent simultanément au cours de la trempe : le premier consiste en une diffusion des matières solubles du grain de maïs vers l'eau de trempe, alors que la deuxième consiste en une fermentation de ces matières solubles dans l'eau de trempe par des bactéries lactiques, les conditions de trempe (présence de sulfites, de sucres réducteurs, température) étant favorables au développement rapide de cette flore bactérienne.
De manière préférée, l’homme du métier pourra utiliser l’enseignement du brevet US 4.359.528 ou encore ceux décrits dans les demandes de brevets EP 724841 et EP 819702 appartenant à la demanderesse.
Selon un premier aspect, l’invention concerne une eau de trempe de maïs caractérisée en ce qu’elle comprend une teneur en particules insolubles décantables de moins de 0,5%; préférentiellement moins de 0,25%; encore plus préférentiellement de 0%.
L’eau de trempe de maïs selon l’invention présente l’avantage d’être limpide, et de préférence reste limpide même après un stockage à température ambiante, soit une température de 20°c +/- 2°C d’au moins 30 jours.
Le terme « limpide », lorsqu’il se réfère à l’eau de trempe de maïs selon l’invention, signifie que l’eau de trempe selon l’invention est exempte ou quasi-exemple de particules insolubles décantables.