INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Selon une caractéristique de l’invention, l’élément de nettoyage comprend au moins une buse de projection d’un fluide de nettoyage en direction de la surface optique. Tel que cela a été évoqué précédemment, l’élément de nettoyage, lorsqu’il est configuré dans la position de travail pour retirer l’élément obturant, est piloté pour réaliser ce retrait par la projection d’un fluide de nettoyage via une ou plusieurs buses de projection. La projection de fluide nettoyant se fait de manière ciblée sur la zone localisée, et non pas sur l’ensemble de la surface optique.
Selon une caractéristique de l’invention, le système de nettoyage comprend un unique circuit de distribution en fluide de nettoyage pour assurer le nettoyage d’une pluralité de surfaces optiques ou d’une pluralité de zones localisées au sein d’une même surface optique. On comprend qu’il s’agit bien d’un même élément de nettoyage qui est déplacé, via l’élément d’actionnement associé, en regard de telle ou telle zone localisée, ou en regard de telle ou telle surface optique.
Selon une caractéristique de l’invention, le dispositif de détection du système de nettoyage est configuré pour détecter la nature de l’élément obturant présent sur la zone localisée. L’élément de nettoyage peut être configuré, dans la position de travail, en fonction de l’information de détection de la nature de l’élément obturant. L’élément de nettoyage peut être configuré de sorte à adapter le débit et/ou la pression du fluide de nettoyage sortant de l’élément de nettoyage selon la nature de l’élément obturant.
Selon une caractéristique de l’invention, l’élément de nettoyage est configuré pour réaliser une pluralité de fonctions de nettoyage de la zone localisée. On comprend par cette caractéristique que l’élément de nettoyage peut embarquer plusieurs moyens différents ayant tous pour fonction de nettoyer ou participer au nettoyage de la zone localisée.
Selon une caractéristique de l’invention, l’élément de nettoyage peut embarquer au moins une buse de projection de fluide de nettoyage, pour assurer une fonction de nettoyage par jet de liquide ou d’air, et/ou des moyens chauffants pour permettre une fonction de dégivrage ou de décomposition des salissures organiques, et/ou des moyens mécaniques à frottement, comme une brosse ou un balai.
Selon une caractéristique de l’invention, l’élément de nettoyage peut être rendu mobile, par exemple en rotation autour de son propre axe, une fois la position de travail atteinte, dans un déplacement spécifique distinct de celui l’ayant amené dans la position de travail.
Selon une caractéristique de l’invention, l’élément de nettoyage comprend un moyen de nettoyage à frottement. Ce moyen de nettoyage à frottement peut comporter une mousse, une lame d’essuyage ou une brosse. Ce moyen de nettoyage est dimensionné pour assurer un nettoyage local et non pas intégral de la surface optique.
Selon une caractéristique de l’invention, l’élément de nettoyage comprend des moyens de fixation réversibles pour la fixation du moyen de nettoyage de la surface optique.
Les moyens de fixation réversibles permettent de fixer à l’élément de nettoyage des moyens de nettoyage divers, choisis selon la fonction de nettoyage que l’on souhaite voir assurée par l’élément de nettoyage. On comprend que l’élément de nettoyage peut ainsi assurer un nombre important de fonctions de nettoyage avec une base standard sur laquelle des moyens de nettoyage spécifiques sont rapportés à la demande.
Selon une caractéristique de l’invention, l’élément d’actionnement comprend au moins un bras articulé s’étendant entre une première extrémité et une deuxième extrémité, le bras articulé étant relié au niveau de sa première extrémité à l’élément de nettoyage et au niveau de sa deuxième extrémité à un moteur d’entraînement.
représente un exemple d’une structure multicouche formée de la répétition d’un empilement de quatre couches de matériaux d’absorptions différentes A, B, C, D ;
représente un exemple d’une grille 23 à placer sur la première fenêtre de séparation ;
est une comparaison des spectres WDS de la raie Al II ,III acquis avec un spectromètre WDS, muni d’un cristal multicouche développé pour les X mous et de fenêtres de séparation épaisses (courbe 1 (pas l’invention)) ou ultra-minces (courbe 2 (selon l’invention)) ;
est un spectre WDS réalisé sur un échantillon LiF à l’aide d’une microsonde de Castaing et d’un spectromètre WDS optimisé selon l’invention permettant une identification de la spéciation du lithium avec l’émission de Li métal et Li oxyde ;
est une comparaison de spectres WDS de la raie du Li oxyde acquis avec un spectromètre WDS optimisé selon l’invention, pour différentes valeurs de courant du faisceau électronique de la microsonde de Castaing ;
montre des spectres WDS avec les principales raies M et L d’éléments sélectionnés parmi Al, Si, Co, Ni, Cu, Zn, Fe, dans le domaine spectral de 0,038 keV à 0,120 keV, obtenus avec un spectromètre WDS optimisé selon l’invention ;
est une image électronique d’un quasi cristal présentant notamment des phases d’Al 5 Li 3 Cu, d’Al 2 LiCu et d’Al pur ;
est un spectre WDS de la phase Al 5 Li 3 Cu du quasi cristal de la , obtenu avec un spectromètre WDS optimisé selon l’invention ;
est une comparaison des spectres WDS des phases mesurées Al 5 Li 3 Cu, Al 2 LiCu et Al pur du quasi cristal de la , obtenu avec un spectromètre WDS optimisé selon l’invention ;
est un spectre WDS acquis sur un échantillon LiF à l’aide d’un spectromètre WDS optimisé selon l’invention, avec un ajustement des raies d’émission de Li métal et Li oxyde par une fonction Pseudo-Voigt après soustraction du fond continu ;
est un spectre WDS acquis sur la phase Al 5 Li 3 Cu du quasi cristal de la à l’aide d’un spectromètre WDS optimisé selon l’invention, avec un ajustement de la raie Li Kα par une fonction Pseudo-Voigt après soustraction du fond continu.
Grâce à l’invention, on peut détecter le lithium par analyse locale dans les matériaux dont la matrice élémentaire peut être organisée de manière structurale ou être non organisée (amorphe). La détection peut ainsi être effectuée sur des matériaux présentant des microstructures qui sont homogènes ou hétérogènes à l’échelle du micromètre.
L’invention permet une mesure locale, quantitative et de précision du lithium.
La méthode présentée selon l’invention est réalisée à partir d’une microsonde de Castaing (ou EPMA pour « Electron Probe Micro Analysis » en anglais) et à partir de l’optimisation d’un spectromètre par dispersion en longueur d’onde (WDS).
Cette optimisation comprend, entre autres, la mise en place d’un pseudo cristal multicouche spécifiquement adapté pour la réflexion des photons dans le domaine spectral des très faibles énergies (c’est-à-dire de quelques dizaines d’eV (dans notre cas 38 à 120 eV)), dont l’émission des photons caractéristiques du lithium, ainsi que des fenêtres de séparation spécifiques faiblement absorbantes.
De la même manière que dans les variantes du procédé selon le premier mode de réalisation, la couche diélectrique 146 peut être fournie sur le substrat support 100 sur la couche barrière 122’ au lieu d’être fournie sur le substrat comprenant une couche piézoélectrique 106. Dans ce cas, l’assemblage du substrat support 100 avec le substrat comprenant une couche piézoélectrique 106 est faite à l’interface entre la couche diélectrique 146 du substrat support 100 et la couche piézoélectrique 108 du substrat comprenant une couche piézoélectrique 106.
De la même manière que dans les autres variantes, une couche diélectrique d’un premier matériau peut être fournie sur le substrat comprenant une couche piézoélectrique 106 et une couche diélectrique d’un deuxième matériau peut être fournie sur le substrat support 100, le premier matériau étant diffèrent du deuxième matériau. Par exemple, la couche diélectrique fournie sur le substrat comprenant une couche piézoélectrique 106 est une couche de Si 3 N 4 alors que la couche diélectrique fournie sur le substrat support 100 est une couche de SiO x N y, en particulier du SiON. Ainsi, l’assemblage du substrat support 100 avec le substrat comprenant une couche piézoélectrique 106 est ensuite réalisée à l’interface entre deux couches diélectriques Si 3 N 4 - SiO x N y qui permet une liaison stable.
Cette deuxième couche barrière 154,156, 158, 160 est déposée sur la couche diélectrique 132, qui est déposée sur la première couche barrière 122. Ainsi, la première couche barrière 122 et la deuxième couche barrière 154, 156, 158, 160 sont séparées par la couche diélectrique 132.
Selon un second aspect, l’invention concerne un véhicule automobile comprenant une carrosserie comprenant au moins un bouclier avant, un capot avant et une calandre et un système de guidage du flux d’air tel que décrit précédemment.
Le dispositif de guidage du flux d’air du système de guidage du flux d’air peut être monté en-dessous du bouclier avant.
En variante, le dispositif de guidage du flux d’air du système de guidage du flux d’air est monté au niveau de la calandre.
illustre de manière très schématique la face avant d’un véhicule automobile comprenant un système de guidage du flux d’air selon un premier mode de réalisation de l’invention ;
représente en détails le système de guidage du flux d’air de la dans une position ouverte ;
représente une vue selon l’axe IV-IV de la ;
[Fig.5) illustre de manière très schématique la face avant d’un véhicule automobile comprenant un système de guidage du flux d’air selon un deuxième mode de réalisation de l’invention ; et
représente en détails le système de guidage du flux d’air de la dans une position fermée.
La est une vue de dessus d’un deuxième mode de réalisation de la première extrémité d’une cellule à section hexagonale d’une âme d’un panneau d’atténuation acoustique selon l’invention ;
La est une vue de dessus d’un troisième mode de réalisation de la première extrémité d’une cellule à section hexagonale d’une âme d’un panneau d’atténuation acoustique selon l’invention ;
La est une vue de dessus d’un quatrième mode de réalisation de la première extrémité d’une cellule à section hexagonale d’une âme d’un panneau d’atténuation acoustique selon l’invention ;
La figure est une vue en perspective de la cellule à section hexagonale de la ;
La est une vue en perspective d’une cellule à section rectangulaire d’une âme d’un panneau d’atténuation acoustique selon l’invention ;
La est un diagramme-bloc illustrant les étapes d’un premier mode de réalisation d’un procédé de fabrication d’un panneau d’atténuation acoustique selon l’invention ;
La est un diagramme-bloc illustrant les étapes d’un second mode de réalisation d’un procédé de fabrication d’un panneau d’atténuation acoustique selon l’invention.
Description détaillée de l'invention On a représenté à la de manière schématique une turbomachine 10. De manière connue, la turbomachine 10 comporte, d’amont en aval, une entrée d’air 12, un carter 14, un canal de flux secondaire 16 délimité par une paroi interne 20 et une paroi externe 18, et un canal de flux primaire 22 qui est délimitée par un carter d’échappement 24 et par un cône d’échappement 26, aussi connu sous l’acronyme anglo-saxon de « plug ».
L’entrée d’air 12 est traversée par un flux d’air entrant F, le canal de flux secondaire 16 est traversé par un flux d’air secondaire S et la tuyère 22 permet l’éjection d’un flux de gaz primaire P.
Les parties tournantes du moteur sont des sources de bruit importantes. Le bruit issu de la soufflante se propage vers l’amont à contre-courant du flux F dans l’entrée d’air 12 ou vers l’aval dans la direction du flux S dans le veine secondaire 16. Le bruit issu de la turbine se propage dans le flux P à travers la tuyère 22. Pour y remédier, l’entrée d’air 12, le carter moteur 14, le canal de flux secondaire 16 et la tuyère 22 peuvent voir leurs parois recouvertes de panneaux d’atténuation acoustique. Ainsi l’entrée d’air 12, les parois 18 et 20 du flux secondaire, le carter d’échappement 24 et le cône d’échappement 26 peuvent être recouverts par des panneaux d’atténuation acoustique 28.
Comme l’illustre la , un tel panneau 28 est généralement réalisé sous la forme d’un sandwich comportant dans sa plus simple expression au moins une première peau 30 orientée du côté du flux d’air entrant F, du flux primaire P ou du Flux secondaire S, une seconde peau 32, et au moins une âme 34. Bien entendu, le sandwich peut comporter d’autres couches intermédiaires et notamment d’autres âmes superposées à l’âme 34.
La première peau 30 comporte des trous ou perforations 38 et est appelée peau acoustique perméable. La seconde peau 32 est fermée et est appelée peau acoustiquement réfléchissante.
L’âme 34 comporte une pluralité de cellules polygonales 36 tubulaires qui ont chacune une orientation selon un axe A perpendiculaire aux première et deuxième peaux. Cette âme 34 est généralement réalisée sous la forme d’une plaque de matériau en nid d’abeille à cellules hexagonales 36, qui sont creuses sur toute leur hauteur H, cette hauteur H correspondant à la distance entre les première et seconde peau 30, 32. La première peau 30 comporte une pluralité des trous ou perforations 38 qui débouchent à l’intérieur des cellules 36. Les ondes sonores pénètrent donc dans les cellules 36 par ces trous ou perforations 38.
Comme l’illustre la , la hauteur H des cellules 36 est un paramètre essentiel qui détermine la capacité du panneau 28 à absorber les ondes sonores. On a effet démontré que l’absorption des ondes sonores était optimale pour un panneau 28 conventionnel lorsque les cellules 36 ont une hauteur H correspondant sensiblement au quart de la longueur d’onde λ de l’onde sonore à traiter.
Or, pour des raisons d’intégration et de compacité, il est souhaitable de réaliser des panneaux d’atténuation acoustique qui sont plus minces que les panneaux conventionnels. Or, il n’est pas possible de réduire la hauteur des cellules 36 sans que cela modifie le comportement fréquentiel du panneau 28. En effet, toute réduction de la hauteur H de l’âme 34 a pour conséquence de décaler le pic d’atténuation du panneau vers des fréquences plus élevées qui dès lors ne font plus partie de la plage de fréquences cibles.
La capacité d’une cellule à absorber une onde acoustique de longueur d’onde λ est directement tributaire de la longueur du chemin parcouru par l’onde acoustique dans la cellule 36, c’est-à-dire, d’après ce qui précède, une longueur correspondant au quart de la longueur d’onde, soit λ/4. Toutefois on a aussi constaté que la longueur de ce chemin ne doit pas nécessairement être limitée à un chemin rectiligne, en l’occurrence sur la hauteur H de la cellule 36. En d’autres termes, l’onde acoustique peut être efficacement absorbée tant que le chemin parcouru est d’une longueur totale proche de λ/4, mais cette longueur peut être répartie suivant un chemin non rectiligne.
De cette manière, seules des étiquettes dont l’identifiant est effectivement unique et correctement lisible sont mises sur le marché. Cela permet de s’affranchir des difficultés liées à la technique particulière de tissage Jacquard. L’unicité des identifiants uniques permet une utilisation dans des applications de traçabilité.
Dans le cas où des incidents de fabrication ou un taux de gâche trop important ont conduit le fabricant d’étiquettes à retisser une partie du lot de fabrication, tout risque de doublon est évité.
Chacun de ces deux modes permet de résoudre le problème posé, puisqu’ils rendent possible de fournir à une marque des étiquettes tissées présentant un UID, alors que le procédé de fabrication comprend une variabilité et une part de déchet ne permettant pas de savoir à l’avance quelles seront les étiquettes conformes obtenues.
Bien que le premier mode permette à la marque de se dégager de la fourniture de la liste des UID, et que le second mode soit adapté aux cas où la marque fournit la liste des UID, ces deux modes peuvent être utilisés en alternative ou en complément.
L’étiquette étant tissée, sa durée de vie ainsi que la bonne lisibilité du code sont satisfaisantes pour toute la durée de vie de l’article sur lequel est fixée l’étiquette.
Dans un mode de réalisation particulier, le contrôle unitaire conforme entraîne automatiquement l’enregistrement de l’identifiant unique de l’étiquette dans une seconde liste. Cela permet de disposer d’une liste authentique qui ne comprend que les identifiants uniques de vignettes effectivement fabriquées et conformes de ce lot de fabrication, et cette seconde liste peut être utilisée par l’acquéreur de l’étiquette dans des applications de traçabilité.
Afin d’augmenter le niveau de raffinement de la traçabilité, à la suite du conditionnement d’étiquettes dans une unité de manutention, un identifiant de l’unité de manutention est enregistré automatiquement dans un champ de données de manutention de la seconde liste, afin de regrouper les identifiants uniques de cette unité de manutention au sein d’une troisième liste. De cette manière l’acquéreur de l’étiquette peut redistribuer les unités de manutention à des façonniers des articles, et connaître précisément quelles sont les identifiants uniques des étiquettes qui ont été confiées à chaque façonnier.
Avantageusement, le conditionnement d’étiquettes dans une unité de manutention entraîne automatiquement l’édition d’une étiquette de manutention qui présente la troisième liste de cette unité de manutention. Cela facilite la gestion des unités de manutention, puisqu’un préparateur de commande manipulant les unités de manutention n’a pas besoin d’utiliser un appareil électronique pour obtenir la troisième liste. Les opérations de préparation de commandes et de logistique sont donc facilitées.
Dans un cas particulier, la saisie d’un identifiant unique d’une étiquette contenue dans l’unité de manutention entraîne automatiquement l’édition de l’étiquette de manutention. De cette manière il n’y a pas de risque d’erreur d’étiquetage : l’étiquette de manutention sera affectée sans erreur à la bonne unité de manutention.
De manière à limiter le nombre d’étiquettes fabriquées à l’avance, et dans un but d’éviter la perte ou le détournement d’étiquettes de traçabilité fabriquées à l’avance, la taille du lot de fabrications est variable, et est définie par un nombre d’étiquettes commandées par l’acquéreur des étiquettes, le taux de gâche prévu du procédé de fabrication. Ainsi seule la quantité d’étiquettes nécessaire à un instant donné est fabriquée, et la juste quantité est livrée aux façonniers. Les risques de contrefaçon sont ainsi limités.
Dans un but d’automatisation des échanges d’informations, et dans un but de réduction des erreurs de recopie et de gestion de données, la liste des identifiant unique est obtenue automatiquement par un échange de données informatiques, dits « EDI ».
L’utilisation d’EDI permet de limiter les erreurs humaines de recopie de données ou de gestion de fichiers informatiques. De plus les échanges de données par EDI permettent d’intégrer directement et automatiquement les données dans des bases de données des progiciels de gestion d’entreprise dit ERP.
Il en est de même pour la transmission de la seconde liste, qui est transmise automatiquement à un client du fabricant d’étiquettes, une fois la fabrication du lot d’étiquettes achevées, ainsi que pour la ou les troisièmes listes correspondants aux unités de manutention : chacune de ces listes est de préférence transmise par EDI.
Afin de fiabiliser la traçabilité, l’identifiant unique d’une étiquette est affilié à un article du type de prêt à porter ou accessoire des domaines de la mode, du textile et de l’habillement, destiné à recevoir l’étiquette, et l’affiliation est effectuée postérieurement au contrôle, et antérieurement à la réception de l’étiquette par son acquéreur ou par un façonnier. De cette manière, l’acquéreur de l’étiquette peut mettre en œuvre des solutions de suivi logistique et de traçabilité avant même que l’article ne soit achevé : ces opérations de suivi peuvent commencer dès la fabrication de l’étiquette. Ces opérations de logistique peuvent comprendre le transfert de l’étiquette depuis le fabricant jusqu’à l’acquéreur, le transfert de l’étiquette depuis l’acquéreur jusqu’aux façonniers, le retour de l’article produit et équipé d’une étiquette depuis le façonnier jusqu’à un centre logistique de l’acquéreur, ou encore le transfert de l’article en boutique.
Avantageusement, l’affiliation est effectuée automatiquement à partir du fichier EDI transmis une fois la fabrication du lot d’étiquettes achevées. L’automatisation de la gestion de données est encore plus poussée.
L’invention concerne également une installation comprenant un métier à tisser des étiquettes, une machine de découpe d’étiquettes, des moyens de contrôle, un système informatique, et l’installation est configurée pour mettre en œuvre le procédé selon les caractéristiques précitées.
Cette étape IIa) de formation d’une zone de fragilisation 112 est réalisée par une implantation 118 d'espèces atomiques ou ioniques dans la couche piézoélectrique 108 du substrat comprenant une couche piézoélectrique 106. L’implantation atomique ou ionique est réalisée de telle manière que la zone de fragilisation 112 est située à l’intérieure de la couche piézoélectrique 108 et sépare une couche piézoélectrique 116 du reste 114 de la couche piézoélectrique 108. Les espèces atomiques ou ioniques sont implantées à une profondeur t 3 déterminée de la couche piézoélectrique 108 qui détermine l'épaisseur t 3 de la couche piézoélectrique 114 à transférer. L’épaisseur t 3 est typiquement entre 50nm et 1µm, en particulier de l’ordre de 600nm. La dose d’implantation des espèces atomiques ou ioniques est comprise entre 10 16 at/cm 2 et 10 17 at/cm².
Le substrat support 100 obtenu après l’étape III), est ensuite assemblé au substrat donneur 110 obtenu après l’étape IIa) durant l’étape IV) d’assemblage pour obtenir une hétérostructure 124 correspondant à l’assemblage substrat support – substrat donneur. Ici l’assemblage se fait par adhésion moléculaire.
L’assemblage du substrat comprenant une couche piézoélectrique 106 sur le substrat support 100 est fait telle que la couche barrière 122 de la structure intermédiaire 120 est positionnée en sandwich entre la couche piézoélectrique 114 du substrat comprenant une couche piézoélectrique 106 et la couche de piégeage 102 du substrat support 100. L’interface de contact 126 est située entre la couche piézoélectrique 114 et la couche barrière 122 du substrat support 100.
Ensuite, une étape V) de transfert de la couche mince piézoélectrique 114 est réalisée. Pour cela, une étape de fracturation du substrat donneur 124 par apport d’énergie thermique avec un traitement thermique comprise entre 100 o C et 300 o C dans une atmosphère de Ar ou N 2 , et/ou mécanique au niveau de la zone de fragilisation 112 pour obtenir un substrat POI comprenant une couche piézoélectrique 114 d’une épaisseur t 3 typiquement comprise entre 50nm et 1µm, en particulier de l’ordre de 600nm.
Dans une variante du procédé selon le premier mode de réalisation, la structure intermédiaire 120, ici la couche barrière de diffusion d’élément métallique 122, est réalisée sur la couche piézoélectrique 108 du substrat comprenant une couche piézoélectrique 106, au lieu d’être réalisée sur le substrat support 100. Dans ce cas, l’étape de formation de la couche barrière 122 est réalisée avant ou après l’étape de formation de la zone de fragilisation 112 dans la couche piézoélectrique 108. L’interface d’assemblage du substrat support 100 avec le substrat comprenant une couche piézoélectrique 106 est alors faite à l’interface située entre la couche barrière 122 du substrat comprenant une couche piézoélectrique 106 et la couche de piégeage 102 du substrat support 100.