INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
La lumière visible émise par la structure lumineuse 8 est une lumière visible par l’œil humain.
Dans cet exemple, la structure lumineuse 8 comprend une nappe tissée 31.
La représente la face 32 de la structure lumineuse 8 qui est en regard de la face fonctionnelle 2.
La représente la face 33 de la structure lumineuse 8 qui est opposée à la face 32.
Les fibres optiques 36 peuvent être formées chacune par une âme gainée d'un polymère fluoré. L'âme des fibres optiques peut être formée dans un matériau choisi parmi le polyméthacrylate de méthyle (PMMA) et le polycarbonate (PC). En variante, les fibres optiques peuvent être formées chacune par un fil en fibres de verre.
Comme indiqué précédemment, il a été démontré par les expériences menées par la société déposante que l’efficacité du chauffage par les bruleurs est liée à l'émissivité des matières premières utilisées et en particulier de la source de calcium utilisée. Ainsi, une matière première à faible émissivité produit un miroir thermique à la surface de la tuile, ce qui diminue la cinétique de fusion et augmente la consommation d'énergie du four pour arriver à un même degré de fusion.
L’objet de la présente invention est ainsi de proposer un procédé de fabrication de fibres de verre E permettant une répartition homogène de l’oxyde de calcium dans ledit verre final, tout en réduisant la consommation d’énergie nécessaire à ladite fabrication.
L’objet de la présente invention est ainsi de proposer un procédé de fabrication de verre E permettant une répartition homogène de l’oxyde de calcium dans ledit verre final, tout en réduisant la consommation d’énergie nécessaire à ladite fabrication.
Plus précisément, la présente invention concerne un procédé de fabrication de de fabrication de fibres de verre E présentant une composition cible, comprenant la fusion d’un mélange de matières premières constituant un bain de fusion, ladite composition cible répondant aux critères suivants, en pourcentages poids :
Oxyde de fer : moins de 1%, de préférence moins de 0.5%
ledit procédé étant caractérisé en ce que le mélange de matière premières comprend un silicate de calcium comprenant, en pourcentage poids, plus de 30% de SiO 2 et plus de 20% de CaO, de préférence au moins 25% de CaO, CaO et SiO 2 représentant ensemble plus de 60%, voire plus de 70% ou même plus de 80% du poids total dudit silicate et en ce que ledit silicate de calcium est introduit dans le mélange sous la forme d’une poudre dont le diamètre médian de grain D 50 est inférieur ou égal à 400 micromètres.
Selon des modes de réalisations préférés mais non limitatifs de la présente invention, mais qui peuvent bien entendu être combinés entre eux :
- ledit silicate de calcium répond à la composition suivante, en pourcentages poids : SiO 2 : entre 30 et 60%, de préférence entre 40 et 55%, CaO : entre 25 et 55%, de préférence entre 35 et 50%, Fe 2 O 3 : entre 0 et 4%, par exemple entre 0,1 et 0,5%, Al 2 O 3 : entre 0 et 8%, par exemple entre 0,5 et 2%, CO 2 : entre 0 et 20%, notamment entre 0 et 15%, moins de 5% d’autres oxydes, de préférence moins de 3% d’autres oxydes.
Ce bloc optique se caractérise par le fait qu’il comprend aussi une pièce de support qui est solidarisée et indexée par rapport à sa deuxième paroi, et qui est propre à participer, de façon déportée, à une partie de l’appui et une partie de l’indexage par rapport à la première paroi.
Grâce à ce déport d’appui et d’indexage, la deuxième paroi peut désormais comporter une parabole très externalisée, sans qu’il faille se soucier de l’interface du bloc optique sur la première paroi du véhicule, permettant ainsi de s’affranchir du problème de démoulage de la deuxième paroi.
- en présence d’une première paroi comprenant des première et deuxième zones d’appui et d’indexage, et un premier trou traversant, i) le porte lampes peut être muni d’un second trou traversant propre à être placé en regard du premier trou traversant afin d’être traversé, comme ce dernier, par une vis de fixation, ii) la deuxième paroi peut comprendre un élément d’appui et d’indexage propre à coopérer avec cette première zone d’appui et d’indexage, au moins un premier élément d’indexage et au moins un trou fileté, et iii) la pièce de support peut comprendre une zone d’indexage coopérant avec le premier élément d’indexage, au moins un troisième trou traversant placé en regard du trou fileté et traversé, comme une partie de ce dernier, par une vis de fixation, et un second élément d’indexage déporté et propre à coopérer avec la deuxième zone d’appui et d’indexage ;
- en présence de la dernière option, sa pièce de support peut comprendre un élément d’appui propre à coopérer avec la deuxième zone d’appui et d’indexage ;
- également en présence de la dernière option, sa deuxième paroi peut comprendre une zone de fixation définie par une face principale prolongée sur deux bords opposés, sensiblement perpendiculairement, par des première et deuxième faces, et sur un autre bord reliant ces deux bords opposées, sensiblement perpendiculairement, par une troisième face comportant chaque premier élément d’indexage et chaque trou fileté. Dans ce cas, sa pièce de support peut comprendre i) des troisième et quatrième parois sensiblement perpendiculaires entre elles, la troisième paroi étant plaquée contre la face principale pour assurer une fonction anti-rotation par rapport à la zone de fixation et la quatrième paroi comprenant les second élément d’indexage et élément d’appui, et ii) une cinquième paroi s’étendant sensiblement perpendiculairement à la troisième paroi, de façon opposée à la quatrième paroi afin d’être placée en regard de la troisième face, et comprenant la zone d’indexage et chaque troisième trou traversant ;
- en présence de la dernière sous-option, sa pièce de support peut comprendre une sixième paroi s’étendant sensiblement perpendiculairement à la troisième paroi afin d’être placée en regard de la deuxième face pour assurer une fonction anti-rotation par rapport à la zone de fixation ;
- également en présence de la dernière sous-option, sa pièce de support peut comprendre au moins une nervure de rigidification reliant entre elles les troisième et quatrième parois ;
- également en présence de la première option, un premier élément d’indexage peut comprendre un trou fileté ;
- il peut assurer au moins une fonction photométrique de signalisation.
illustre schématiquement, dans une vue en perspective du côté arrière, une partie d’un exemple de première paroi définissant dans une partie arrière gauche d’un véhicule un logement pour un bloc optique selon l’invention,
illustre schématiquement, dans une vue de face du côté arrière, un exemple de réalisation d’un bloc optique selon l’invention,
illustre schématiquement, dans une vue en perspective du côté arrière, une partie d’une deuxième paroi du bloc optique de la , avant la solidarisation d’une pièce de support,
illustre schématiquement, dans une vue de face du côté arrière, la deuxième paroi des figures 2 et 3, après la solidarisation d’une pièce de support,
Ce programme peut utiliser n’importe quel langage de programmation (par exemple, un langage objet ou autre), et être sous la forme de code source, code objet, ou de code intermédiaire entre code source et code objet, tel que dans une forme partiellement compilée, ou dans n'importe quelle autre forme souhaitable.
L’invention concerne également un support d’enregistrement non transitoire lisible par un ordinateur sur lequel est enregistré un programme d’ordinateur comportant des instructions pour la mise en œuvre du procédé ci-dessus, lorsque ce programme est exécuté par un processeur.
Le support d'informations peut être n'importe quelle entité ou dispositif capable de stocker le programme. Par exemple, le support peut comprendre un moyen de stockage, tel qu'une ROM (pour « Read Only Memory »), par exemple une ROM de circuit microélectronique ou une mémoire Flash par exemple, ou encore un moyen d’enregistrement magnétique, par exemple une disquette (floppy disc) ou un disque dur.
La description qui va suivre en regard des dessins annexés, donnés à titre d’exemples non limitatifs, fera bien comprendre en quoi consiste l’invention, comment elle peut être réalisée et fera apparaitre d’autres particularités et avantages de l’invention.
représente schématiquement les éléments principaux d’un terminal hôte comprenant un dispositif électronique embarqué au sein duquel est mise en œuvre l’invention, et
représente, sous forme de logigramme, un exemple de procédé conforme à l’invention.
La représente schématiquement les éléments principaux d’un terminal hôte 1 comprenant un dispositif électronique 10 embarqué au sein duquel est mise en œuvre l’invention.
Ce terminal hôte 1 est par exemple ici un téléphone intelligent (ou « smartphone » selon l’appellation d’origine anglo-saxonne couramment utilisée). En variante, le terminal hôte peut par exemple être un terminal de communication, un passeport électronique, ou un ordinateur. Comme le montre la , le terminal hôte 1 comprend le dispositif électronique 10 et des moyens de mémorisation 30 (également appelés « deuxième moyen de mémorisation 30 » dans la suite).
Le dispositif électronique 10 représente un exemple d’architecture d’un système sur puce (aussi appelé SOC pour « System On Chip » selon l’acronyme d’origine anglo-saxonne). Comme le montre la , le dispositif électronique 10 comprend ici un premier processeur 12 (par exemple un microprocesseur ou unité de traitement) et un élément sécurisé 15. De manière classique, un ensemble formé d’un dispositif électronique (SOC) intégrant ou embarquant un élément sécurisé correspond à une carte à microcircuit, par exemple une carte à circuit intégré universelle (ou iUICC pour " integrated Universal Integrated Circuit Card ") ou une carte iSIM (pour « Integrated Subscriber Identity Module »).
Le dispositif électronique 10 est configuré pour être relié au deuxième moyen de mémorisation 30 externe par l’intermédiaire d’une connexion mise en œuvre par un bus de communication 60. Dans la présente description, les termes « lié » ou « relié » utilisés sont à comprendre au sens « connecté », de façon locale, tel que, typiquement mis en œuvre par un bus, par opposition, par exemple, à une connexion à distance avec un serveur.
Le premier processeur 12 du dispositif électronique 10 et l’élément sécurisé 15 (par l’intermédiaire d’un deuxième processeur 20 décrit ci-après) communiquent par exemple au moyen d’une interface de communication 21. Cette interface de communication 21 comprend par exemple un module d’accès direct à la mémoire (ou DMA pour « Direct Memory Access ») ou un module de type « Mailbox ». La mise en œuvre de la connexion du premier processeur 12 à l’interface de communication 21 est assurée par le bus de communication 60.
D’autres éléments, non représentés sur la par soucis de clarté, peuvent être compris dans le dispositif électronique 10 et faire partie de son architecture, tel que, par exemple, un processeur graphique (ou GPU, pour « Graphical Process Unit »), un contrôleur mémoire, un composant d’accès mémoire directe (ou DMA), un modem, etc.
De manière générale, tel que cela est défini par l’organisme de normalisation technique GlobalPlatform, un élément sécurisé est une unité de traitement basée sur une plateforme logicielle et matérielle configurée pour permettre l’hébergement sécurisé, par exemple, de données (clés cryptographiques, algorithmes, fonctions cryptographiques, …) et d’applications. Il est configuré pour coopérer de façon sécurisée avec un dispositif hôte (ici le dispositif électronique 10), dans lequel il est intégré ou embarqué et fournit également un environnement d’exécution sécurisé aux applications
L’élément sécurisé 15 (ou SE pour " Secure Element ") est par exemple un microcontrôleur sécurisé d’un dispositif électronique portatif (ou " hand- held electronic device " selon l’appellation anglo-saxonne couramment utilisée). Il peut prendre diverses formes, telles qu’un élément sécurisé embarqué (ou « embedded Secure Element »), qu’un module UICC (pour « Universal Integrated Circuit Card ») ou qu’un module SIM (pour « Subscriber Identity Module »), ou encore « eSIM » (pour embedded SIM ) ou « eUICC » (pour embedded UICC ) en tant qu’élément discret ou intégré.
L’élément sécurisé 15 comprend le deuxième processeur 20 (ici un microprocesseur ou unité de traitement), un premier moyen de mémorisation 22, 24, 26, une interface de sécurisation 25 et l’interface de communication 21 introduite précédemment. Les différents éléments compris dans l’élément sécurisé 15 sont reliés entre eux par un bus de communication 50.
Une partie 20 4 du rayonnement lumineux s’enfonce jusqu’à puis circule dans la troisième couche 8 puis est rétrodiffusée par celle-ci. La partie rétrodiffusée 20 4 du rayonnement lumineux est ensuite mesurée par le détecteur optique 40 4 du quatrième dispositif 25 4 .
Une partie 20 3 du rayonnement lumineux est réfléchie par la surface du corps diffusant et/ou absorbant 1 puis mesurée par le détecteur optique 40 1 du premier dispositif 25 1 . De manière similaire à l’exemple illustré par la , la mesure de cette réflexion spéculaire 20 3 permet de calibrer au mieux l’émetteur optique 35 1 afin de limiter au mieux les effets de réflexion spéculaire pour les autres parties 20 1 , 20 2 et 20 4 rétrodiffusées du rayonnement lumineux.
Les parties rétrodiffusées 20 1 , 20 2 et 20 4 du rayonnement lumineux permettent d’étudier par spectroscopie par réflectance diffuse les différentes couches 2, 3 et 8 du corps diffusant et/ou absorbant 1.
On a illustré à la un exemple d’un dispositif 25 comprenant un absorbeur optique 46 disposé entre l’émetteur optique 35 et le détecteur optique 40. Le dispositif 25 comprend, en outre, des absorbeurs optiques additionnels 47 entre chacun des capteurs optiques 75 1 , 75 2 et 75 3 . Le dispositif 25 est mis en contact optique avec une première couche 2 d’un corps diffusant et/ou absorbant 1. Les absorbeurs optiques 46 et 47 présentent un indice de réfraction supérieur à l’indice de réfraction de la première couche 2.
Le corps diffusant et/ou absorbant 1 comprend également une deuxième couche 3 comprenant les éléments dont l’étude est souhaitée. La représente la mesure de ces éléments par DRS. Pour cela, l’émetteur optique 35 émet un rayonnement lumineux à différentes profondeurs dans le corps diffusant et/ou absorbant 1. Une partie 20 1 du rayonnement lumineux circule dans la première couche 2 à une profondeur intermédiaire puis est rétrodiffusée par celle-ci. La partie rétrodiffusée 20 1 du rayonnement lumineux est ensuite mesurée par le capteur optique 75 1 . Une partie 20 2 du rayonnement lumineux circule dans la première couche 2 jusqu’à la limite de la deuxième couche 3, puis est rétrodiffusée par la première couche 2. La partie rétrodiffusée 20 2 du rayonnement lumineux est ensuite mesurée par le capteur optique 75 2 . Une partie 20 3 du rayonnement lumineux s’enfonce jusqu’à puis circule dans la deuxième couche 3 puis est rétrodiffusée par celle-ci. La partie rétrodiffusée 20 3 du rayonnement lumineux est ensuite mesurée par le capteur optique 75 3 .
Avantageusement, la présence des absorbeurs optiques 46 et 47 élimine les réflexions indésirables des rayonnements lumineux émis par l’émetteur optique 35 à l’interface entre la première couche 2 et le dispositif 25, et donc, par là même, limite la mesure de rayonnements parasites qui n’auraient pas circulé dans la deuxième couche 3 et auraient atteint le capteur optique 75 3 .
Par ailleurs, pour la mesure DRS des éléments de la deuxième couche 3 illustrée à la , il est intéressant de soustraire aux informations collectées par le capteur optique 75 3 les informations collectées par les capteurs 75 1 et 75 2 . Ainsi, la mesure DRS est localisée sur les éléments de la deuxième couche 3 et est moins perturbée par l’influence de la première couche 2 traversée par le rayonnement lumineux 20 3 .
Par la suite, on décrit un procédé de fabrication d’un dispositif 25. Le procédé comporte d’abord une étape a) de fourniture d’un substrat 30. Le substrat 30 peut comporter des évidements dans lesquels les vias 100 sont formés. Il peut en outre être revêtu du plot de contact électrique 105. Le procédé comporte ensuite une étape b) de fabrication de l’émetteur optique 35 et du détecteur optique 40 par dépôt de couches sur le substrat 30 comme cela est illustré aux figures 11 à 19.
La fabrication à l’étape b) peut comprendre les sous-étapes successives suivantes : b 1 ) fabrication par dépôt d’au moins une couche sur le substrat 30 des anodes 60 1 , 60 2 , 85 1 et 85 2 de la ou des sources lumineuses 50 1 , 50 2 , et du ou des capteurs optiques 75 1 , 75 2 , b 2 ) fabrication de la ou des couches photosensibles 90 1 , 90 2 , 95 1 et 95 2 du ou des capteurs optiques 75 1 , 75 2 , par dépôt de couche sur les anodes 85 1 , 85 2 , destinées former les anodes 85 1 , 85 2 , du ou des capteurs optiques 75 1 , 75 2 , b 3 ) fabrication de la ou des couches photoémettrices 65 1 , 65 2 , du ou des sources optiques 50 1 , 50 2 , par dépôt de couche sur les anodes 60 1 , 60 2 , destinées former les anodes 60 1 , 60 2 , du ou des sources optiques 50 1 , 50 2 , b 4 ) fabrication de la cathode 70 de la ou des sources lumineuses 50 1 , 50 2 , et du ou des capteurs optiques 75 1 , 75 2 , par dépôt d’un matériau électriquement conducteur sur les couches photosensibles 95 1 , 95 2 , et les couches photoémettrices 65 1 , 65 2 .
La sous-étape b 1 ) peut comprendre le dépôt, illustré à la , sur le substrat 30 d’un matériau électriquement conducteur pour former une couche primaire 115 suivi d’une gravure, illustrée à la , de préférence par photolithographie, de la couche primaire 115 de sorte à former les différentes anodes 60 1 , 60 2 , 85 1 et 85 2 .
Le procédé peut comprendre une sous-étape intermédiaire entre les sous-étapes b 1 ) et b 2 ) durant laquelle une résine isolante électriquement 117 est appliquée entre les anodes 60 1 , 60 2 , 85 1 et 85 2 , par exemple par dépôt de couche et gravure localisée. Cette sous-étape intermédiaire est illustrée à la . La résine isolante électriquement 117 définit alors au moins une partie des murs isolants 55 et 80 et une partie de la barrière opaque 45.
La sous-étape b 2 ) peut comprendre le dépôt, illustré par la , de préférence par transfert, d’une ou des couches secondaire 120 et 125 faites des matériaux constitutifs de la ou des couches photosensibles 90 1 , 90 2 , 95 1 et 95 2 sur les anodes 60 1 , 60 2 , 85 1 et 85 2 . Ledit dépôt est ensuite suivi d’une gravure, illustrée par la , de préférence par bombardement ionique, de la ou des couches secondaires 120 et 125 de sorte à former la ou les couches photosensibles 90 1 , 90 2 , 95 1 et 95 2 des capteurs optiques 75 1 , 75 2 .
Le procédé peut comprendre une sous-étape intermédiaire entre les sous-étapes b 2 ) et b 3 ) durant laquelle la barrière opaque 45 est fabriquée par dépôt de couche et gravure localisée. Cette sous-étape intermédiaire est illustrée par les figures 17 et 18, la illustrant le dépôt d’une couche 130 du matériau constitutif de la barrière opaque 45 et la illustrant le résultat de la gravure localisée de la couche 130 formant ainsi la barrière opaque 45 entre la zone du substrat 30 destinée porter l’émetteur optique 35 et la zone du substrat 30 destinée porter le détecteur optique 40.
La fabrication de la ou des couches photoémettrices 65 1 , 65 2 , durant la sous-étape b 3 ) peut se faire par dépôt localisé à l’aide de masques pochoirs, comme illustré par la .
De manière alternative, la sous-étape b 3 ) peut comprendre le dépôt, de préférence par transfert, pour former une ou des couches tertiaire de matériaux constitutifs de la ou des couches photoémettrices 65 1 , 65 2 , sur les anodes 60 1 , 60 2 , suivi d’une gravure, de préférence par bombardement ionique, de la ou des couches tertiaires de sorte à former la ou les couches photoémettrices 65 1 , 65 2 , des sources lumineuses 50 1 , 50 2 .
On a illustré à la la sous-étape b 4 ) durant laquelle une couche d’un matériau électriquement conducteur est déposée sur les couches photosensibles 95 1 , 95 2 , les couches photoémettrices 65 1 , 65 2 et la barrière opaque 45, ladite couche formant ainsi la cathode 70 de la ou des sources lumineuses 50 1 , 50 2 , et du ou des capteurs optiques 75 1 , 75 2 .
Le premier processeur 12 commande ensuite la mémorisation de l’application primaire chiffrée (mémorisée dans la mémoire vive 32) dans la deuxième portion de mémoire 38 de la mémoire non-volatile réinscriptible 34 du deuxième moyen de mémorisation 30 du terminal hôte 1, suite à la réception de la requête de mémorisation de l’application primaire en provenance du premier processeur 12.
Lors de cette phase de personnalisation, préalablement à sa mémorisation dans la mémoire non-volatile réinscriptible 34 et/ou lors d’au moins une de ses exécutions, l’application primaire communique également avec l’entité de personnalisation externe afin de délivrer l’application secondaire dans l’élément sécurisé 15 du dispositif électronique 10. Dans un mode de réalisation particulier, l’entité de personnalisation avec laquelle l’application primaire communique est une deuxième entité de personnalisation distincte de l’entité de personnalisation ayant été utilisée pour le certificat source. L’application secondaire est reçue non chiffrée par l’élément sécurisé 15, en provenance de l’entité de personnalisation, par l’intermédiaire d’un canal de communication sécurisé préalablement établi entre l’application primaire et l’entité de personnalisation.
Le deuxième processeur 20 transmet une requête de mémorisation de l’application secondaire au premier processeur 12. Cette mémorisation comprend une première étape intermédiaire de chiffrement de l’application secondaire par l’interface de sécurisation 25 et une deuxième étape intermédiaire de mémorisation de l’application secondaire chiffrée, dans la mémoire vive 32, par l’interface de sécurisation 25.
Lors de la première étape intermédiaire, l’interface de sécurisation 25 chiffre l’application secondaire en utilisant la clé de chiffrement mémorisée dans la deuxième portion de mémoire 28 de la mémoire morte programmable 26. L’interface de sécurisation 25 mémorise alors, lors de la deuxième étape intermédiaire, dans la mémoire vive 32, l’application secondaire chiffrée.
Puis, de manière similaire à l’application primaire, le premier processeur 12 commande la mémorisation de l’application secondaire chiffrée (mémorisée dans la mémoire vive 32) dans la troisième portion de mémoire 39 de la mémoire non-volatile réinscriptible 34 du deuxième moyen de mémorisation 30 du terminal hôte 1, suite à la réception de la requête de mémorisation de l’application secondaire en provenance du premier processeur 12.
Comme le montre la , le procédé débute à l’étape E2 avec une étape de mémorisation du certificat source, dans l’élément sécurisé 15, par le premier moyen de mémorisation. Plus précisément, le certificat source est mémorisé dans la mémoire morte programmable 26 de l’élément sécurisé 15.
La mémorisation du certificat source est par exemple effectuée en usine lors de la personnalisation de l’élément sécurisé 15. On peut prévoir dans ce cadre qu’une entité de personnalisation externe distribue (selon une technique de diffusion ou « broadcast » selon l’appellation d’origine anglo-saxonne) le certificat source à une pluralité d’éléments sécurisés, y compris l’élément sécurisé 15. En particulier, ce certificat source est par exemple mémorisé dans la première portion 27 de la mémoire morte programmable 26. Le certificat source comprend notamment une clé privée K 1 et une clé publique associée K 2 (qui sont donc également mémorisées dans la première portion 27 de la mémoire morte programmable 26). Le certificat source peut aussi contenir, par exemple, un identifiant associé à une application (par exemple un identifiant associé à l’application primaire et/ou un identifiant associé à l’application secondaire).