INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Un tel procédé permet donc à un objet de pouvoir communiquer avec un lecteur même si le temps d’initialisation de sa boucle à verrouillage de phase est plus long que la période de sondage du lecteur.
Dans un mode de mise en œuvre avantageux, la calibration de l’oscillateur est réalisée en mesurant une fréquence en sortie de l’oscillateur puis en comparant la fréquence mesurée à une fréquence souhaitée, puis en calibrant la fréquence de l’oscillateur en fonction d’un résultat de la comparaison.
En variante, la calibration de l’oscillateur est réalisée en utilisant une boucle à verrouillage de fréquence pour asservir la fréquence de l’oscillateur sur la fréquence de l’horloge interne.
En particulier, la calibration peut comporter une mise en œuvre de la boucle à verrouillage de fréquence pour calibrer et asservir la fréquence de l’oscillateur à partir d’une valeur stockée dans un registre, lorsqu’un arrêt du champ magnétique de sondage du lecteur est détecté avant la fin d’une initialisation. De préférence, la boucle à verrouillage de phase est mise en œuvre lorsqu’un nouveau champ magnétique de sondage du lecteur est détecté pour ajuster la phase de l’oscillateur. Avantageusement, la boucle à verrouillage de phase est mise en œuvre lorsqu’un nouveau champ magnétique de sondage du lecteur est détecté pour asservir la boucle à verrouillage de fréquence qui contrôle l’oscillateur.
Selon un autre aspect, il est proposé un objet configuré pour pouvoir effectuer une communication sans contact avec un lecteur en utilisant une modulation active de charge, l’objet comprenant : - une horloge interne, - des moyens de détection configurés pour détecter un champ magnétique de sondage d’un lecteur, - une boucle à verrouillage de phase comportant un oscillateur et étant configurée pour asservir une phase de l’oscillateur sur le champ magnétique détecté du lecteur, la boucle à verrouillage de phase étant configurée pour être initialisée lorsqu’un champ magnétique de sondage est détecté par lesdits moyens de détection, - un système de calibration de la fréquence de l’oscillateur de la boucle à verrouillage de phase configuré pour calibrer la fréquence de l’oscillateur à partir de l’horloge interne lorsque lesdits moyens de détection détectent un arrêt du champ magnétique de sondage du lecteur avant la fin d’une initialisation de ladite boucle à verrouillage de phase dudit objet, puis pour ajuster la phase de l’oscillateur lorsqu’un nouveau champ magnétique de sondage du lecteur est détecté afin de pouvoir répondre au lecteur.
Dans un mode de réalisation avantageux, le système de calibration est configuré pour mesurer une fréquence en sortie de l’oscillateur et pour comparer la fréquence mesurée à une fréquence souhaitée, puis pour calibrer la fréquence de l’oscillateur en fonction d’un résultat de la comparaison.
En variante, le système de calibration comporte une boucle à verrouillage de fréquence configurée pour asservir la fréquence de l’oscillateur sur la fréquence de l’horloge interne.
Avantageusement, le système de calibration est configuré pour : - mettre en œuvre la boucle à verrouillage de fréquence pour calibrer et asservir la fréquence de l’oscillateur à partir d’une valeur stockée dans un registre, lorsque lesdits moyens de détection détectent un arrêt du champ magnétique de sondage du lecteur avant la fin d’une initialisation de ladite boucle à verrouillage de phase dudit objet, puis - mettre en œuvre la boucle à verrouillage de phase lorsqu’un nouveau champ magnétique de sondage du lecteur est détecté pour ajuster la phase de l’oscillateur afin de pouvoir répondre au lecteur.
La composition solide selon l’invention comprend une teneur totale du ou des acides carboxyliques en C 1 -C 6 iii), supérieure ou égale à 10 % en poids, par rapport au poids total de la composition. De préférence, elle va de 10 à 30% en poids, préférentiellement de 11 à 25% en poids, et mieux encore de 12 à 20% en poids par rapport au poids total de la composition.
Corps gras La composition solide selon l’invention peut comprendre en outre un ou plusieurs corps gras.
Selon cet aspect et d'autres aspects donnés à titre d'exemple de la présente invention, le pêne peut comporter un bout et la branche courte de la manille peut comporter une encoche de pêne pour réception du bout du pêne lorsque le pêne est dans la première position, le mouvement de rotation du barillet amène la goupille étendue à déplacer le pêne de façon à désolidariser le bout du pêne de l'encoche de pêne de la branche courte de la manille et permettre un mouvement de la branche courte de la manille à l'extérieur du premier trou du corps de serrure de sorte que le cadenas est dans le mode déverrouillé.
Selon cet aspect et d'autres aspects donnés à titre d'exemple de la présente invention, le cadenas peut également comporter un ressort de manille disposé au sein du second trou du corps de serrure et accouplé fonctionnellement à la branche longue de la manille de façon à presser la manille à l'écart du corps de serrure, lorsque le pêne est dans la seconde position le ressort de manille amène un mouvement de la branche courte de la manille à l'extérieur du premier trou du corps de serrure.
Les aspects abordés donnés à titre d'exemple de la présente invention sont simplement donnés à titre d'exemple, et il est entendu que la présente invention n'est pas limitée à des aspects particuliers ou à des combinaisons de ceux-ci. À la place, la présente invention englobe à la fois des éléments individuels des aspects donnés à titre d'exemple, seuls, et en combinaison avec n'importe quels autres éléments individuels qu'ils soient ou non spécifiquement cités en tant qu'aspect donné à titre d'exemple.
Les numéros de référence et les éléments correspondants sont résumés ci-dessous :
10 cadenas
20 corps de serrure
21 trou de manille de branche courte
22 trou de manille de branche longue
23 trou de pêne angulaire
24 trou de retenue de barillet
25 trou de retenue de manille
26 trou de pêne droit
27 trou de barillet
28 fente d'ailette de manchon
30 manille
De préférence, la ou les silicones additionnelles v) sont choisies parmi les polydiméthylsiloxanes, plus préférentiellement parmi les polydiméthylsiloxanes linéaires (i.e. non cycliques), encore mieux les polydiméthylsiloxanes linéaires liquides à 25°C.
Plus préférentiellement, la ou les silicones additionnelles v) sont choisies parmi les polydiméthylsiloxanes, de préférence linéaires, ayant une viscosité à 25°C inférieure ou égale à 1 m 2 /s (1.10 6 cSt), en particulier comprise entre 2.10 -4 m 2 /s (200 cSt) et 0,5 m 2 /s (500 000 cSt).
Lorsqu’elles sont présentes dans la composition selon l’invention, la teneur totale de la ou des silicones additionnelles v), différentes des silicones alpha-omega bis-aminées iii) et des silicones aminées iv), va de préférence de 0,01 à 1,4% en poids, préférentiellement de 0,1 à 1% en poids, plus préférentiellement de 0,2 à 0,8% en poids, par rapport au poids total de la composition.
Selon un mode de réalisation préféré, la composition selon l’invention comprend un ou plusieurs polydiméthylsiloxanes, en une teneur totale allant de 0,01 à 1,4% en poids, de préférence de 0,1 à 1% en poids, plus préférentiellement de 0,2 à 0,8% en poids, par rapport au poids total de la composition.
La composition selon l’invention est de préférence aqueuse, la teneur en eau pouvant aller de 50 à 99% en poids, de préférence de 70 à 98% en poids, préférentiellement de 80 à 97% en poids, par rapport au poids total de la composition.
Additifs La composition cosmétique selon la présente invention peut éventuellement comprendre en outre un ou plusieurs additifs, différents des composés de l’invention et parmi lesquels on peut citer les tensioactifs cationiques ou non ioniques, et leurs mélanges, les cires, les polymères cationiques, anioniques, non-ioniques, amphotères ou leurs mélanges, les corps gras non siliconés, les agents antipelliculaires, les agents antiséborrhéïques, les vitamines et pro-vitamines dont le panthénol, les filtres solaires, les agents séquestrants, les agents plastifiants, les agents solubilisants, les agents acidifiants, les agents épaississants minéraux ou organiques, notamment les agents épaississants polymériques, les agents opacifiants ou nacrants, les agents anti-oxydants, les hydroxyacides, les parfums, les agents conservateurs, et les charges. Bien entendu, l'homme de l'art veillera à choisir ce ou ces éventuels composés complémentaires de manière telle que les propriétés avantageuses attachées intrinsèquement à la composition selon l'invention ne soient pas, ou substantiellement pas, altérées par la ou les adjonctions envisagées. Les additifs ci-dessus peuvent être en général présents en quantité comprise pour chacun d’entre eux entre 0 et 20% en poids, par rapport au poids total de la composition.
Procédé et utilisation L’invention concerne également un procédé de traitement cosmétique des fibres kératiniques, en particulier les fibres kératiniques humaines telles que les cheveux, comprenant au moins l’application de la composition telle que définie précédemment.
La présente invention a également pour objet l’utilisation d’une composition cosmétique telle que définie précédemment pour le lavage et/ou le conditionnement des fibres kératiniques, en particulier les fibres kératiniques humaines telles que les cheveux.
Exemple 1 Les compositions A1 (selon l’invention) et B1 (comparative) ont été préparées à partir des ingrédients dont les teneurs sont indiquées dans les tableaux ci-dessous (% MA) :
Composition A1 (invention) Composition B1 (comparative) Sodium laureth sulfate 9,73 9,73 Cocamidopropyl bétaïne 0,56 0,56 Bis-Aminopropyl diméthicone 0,3 0,85 Amodimethicone 0,3 0,85 Chlorure de sodium 0,1 0,1 Acide citrique Qs pH 5,5 Qs pH 5,5 Eau Qsp100 Qsp100 Teneur totale en silicones 0,6% 1,7%
• Performances de facilité à démêler par évaluation instrumentale La facilité à démêler les cheveux après application des compositions A1 et B1 est évaluée par une évaluation cosmétique instrumentale en mesurant les forces de frottement d’une mèche de cheveux préalablement emmêlée, lors de son déplacement, à vitesse constante, à travers un peigne métallique. Plus la force nécessaire pour passer la mèche à travers les dents du peigne est faible, plus le démêlage est facile.
Les compositions A1 et B1 sont appliquées selon le protocole suivant : sur mèches ayant subi un traitement de décoloration, on applique chacune des compositions A1 ou B1 à raison de 0,4g de composition par g de mèches ; on malaxe et on fait mousser ; on laisse poser 1 minute puis on rince la mèche à l’eau pendant 15 secondes (débit = 300l/h, température = 35°C). Les forces de frottement des compositions A1 et B1 sur cheveux mouillés sont mesurées. Ces mesures sont exprimées en mJ. La mesure est répétée sur 5 mèches différentes.
Les résultats sont présentés dans le tableau ci-dessous (moyennes) :
Selon un mode particulier et non limitatif de réalisation, les glissières de positionnement sont en matière plastique.
Selon un mode particulier et non limitatif de réalisation, le bloc optique comprend au moins une source lumineuse configurée pour émettre de la chaleur dans le boîtier.
Selon un mode particulier et non limitatif de réalisation, le bloc optique est un feu arrière d’un véhicule.
est une vue interne d’un bloc optique selon au moins un exemple de réalisation particulier et non limitatif de la présente invention ;
est une vue en perspective d’un radiateur équipant le bloc optique de la , selon au moins un exemple de réalisation particulier et non limitatif de la présente invention ;
est une vue en perspective de détail du radiateur de la , selon au moins un exemple de réalisation particulier et non limitatif de la présente invention ;
est une vue en perspective de détail du bloc optique de la , selon au moins un exemple de réalisation particulier et non limitatif de la présente invention ;
est une vue en perspective de détail du bloc optique de la , selon au moins un exemple de réalisation particulier et non limitatif de la présente invention ; et
est une vue en perspective de détail du bloc optique de la , selon au moins un exemple de réalisation particulier et non limitatif de la présente invention.
On entend dans ce document par « bloc optique » un dispositif d’éclairage (ou dispositif lumineux) assurant au moins une fonction photométrique d’éclairage et/ou de signalisation. Il peut s’agir notamment d’un phare ou projecteur avant ou d’un feu avant ou arrière.
Comme déjà indiqué, la présente invention vise plus particulièrement un bloc optique dont la conception est améliorée, et notamment un bloc optique comprenant un radiateur (ou dissipateur thermique) fixé efficacement au boîtier du bloc optique, et ce avec un minimum de complexité et de coût pour la conception et le montage. La fixation améliorée du radiateur est possible en intégrant un système de fixation au radiateur de sorte à ce qu’il puisse être fixé avec un minimum d’adaptation au niveau du boîtier du bloc optique.
Dans le présent document, le terme « radiateur » peut être utilisé de façon interchangeable avec « radiateur thermique » ou « dissipateur thermique ». Un tel radiateur, pouvant présenter diverses structures (formes, arrangements, …), permet de dissiper ou évacuer la chaleur émise dans le boîtier d’un bloc optique afin d’éviter que la température augmente de façon excessive dans ledit boîtier.
En variante, la résine SR GreenPoxy 56 commercialisée par Sicomin peut être utilisée. La résine SR GreenPoxy 56 peut être mélangée avec le durcisseur SD 7561 pour former un polymère époxyde. Le dosage recommandé est de 36 parts de durcisseur SD 7561 pour 100 parts de résine SR GreenPoxy 56 en masse. Là encore, le mélange peut être réalisé à température ambiante.
Toujours en variante, la résine CHS-EPOXY 324 commercialisée par Spolchemie (marque enregistrée) peut être utilisée. La résine CHS-EPOXY 324 peut être mélangée avec le durcisseur P11 pour former un polymère époxyde. Le dosage recommandé est de 7 parts de durcisseur P11 pour 100 parts de résine CHS-EPOXY 324 en masse.
Concernant la résine polyuréthane, il est possible d’utiliser la gamme Formousse commercialisée par COP (marque enregistrée), par exemple la résine Formousse 60 ou Formousse 200. La résine polyuréthane de la gamme Formousse peut être mélangée avec le durcisseur MD qui est un isocyanate polymérique liquide de type MDI. Le dosage recommandé est de 100 parts de durcisseur MD pour 100 parts de résine polyuréthane de la gamme Formousse en masse.
Dans la suite de la description, on distingue, pour le produit 5, une première composition dans laquelle le polymère est l’acide polylactique et une deuxième composition dans laquelle le polymère est une résine époxy ou une résine polyuréthane.
La illustre deux images obtenues par échographie : l’image de droite est celle d’un fantôme médical 1 imitant une main humaine tandis que l’image de gauche est celle d’une véritable main humaine 7. Plus exactement, ces images permettent de visualiser, selon une vue en coupe, le métacarpe qui est donc imité, dans le fantôme médical 1, par un produit 5. La comparaison de ces deux images met en évidence que le produit 5 offre un visuel satisfaisant et permet donc de s’entraîner à un guidage sous échographie.
L’inventeur a ensuite testé différents agents radio-opaques à mélanger avec le polymère pour obtenir un produit 5 propre à faire obstacle au passage des photons et à être caractérisé par un coefficient d’atténuation élevé pour offrir la visibilité souhaitée à la radiographie.
Concernant tout d’abord la première composition du produit 5, c’est-à-dire celle dans laquelle le polymère est l’acide polylactique, l’inventeur a établi que le cuivre, l’acier inoxydable (plus communément appelé « inox ») et le laiton (aussi désigné par le terme anglophone « brass ») permettent de conférer la radio-opacité recherchée à l’acide polylactique.
En particulier, l’acide polylactique peut être dopé avec le cuivre à un taux de dopage avantageusement compris entre 14 et 20%. Préférentiellement, le taux de dopage est sensiblement égal à 18%.
En variante, l’acide polylactique peut être dopé avec l’acier inoxydable à un taux de dopage avantageusement compris entre 13 et 27%. Préférentiellement, le taux de dopage est sensiblement égal à 21%.
Toujours en variante, l’acide polylactique peut être dopé avec le laiton à un taux de dopage avantageusement compris entre 14 et 28%. Préférentiellement, le taux de dopage est sensiblement égal à 23%.
Le taux de dopage désigne ici le rapport de la masse d’agent radio-opaque à la masse totale de la première composition, donc la masse d’acide polylactique et d’agent radio-opaque :
où : - τ est le taux de dopage, - m aro est la masse d’agent radio-opaque, et - m PLA est la masse d’acide polylactique.
Par « sensiblement égal », on entend ici que, idéalement, l’acide polylactique est dopé avec l’agent radio-opaque – cuivre, acier inoxydable ou laiton – au taux de dopage indiqué. Toutefois, en pratique, il est difficile voire impossible d’obtenir exactement le taux de dopage souhaité, de sorte que le taux de dopage peut s’éloigner de 1% du taux de dopage visé.
Concernant à présent la deuxième composition du produit 5, c’est-à-dire celle dans laquelle le polymère est la résine époxyde ou la résine polyuréthane, l’inventeur a établi que le sulfate de baryum (aussi désigné par sa formule chimique BaSO 4 ) permet de conférer la radio-opacité recherchée à la résine sélectionnée.
En particulier, la résine époxyde peut être dopée avec le sulfate de baryum à un taux de dopage avantageusement compris entre 5 et 18%. Préférentiellement, le taux de dopage est sensiblement égal à 12%.
D’une manière plus détaillée, le taux de dopage du sulfate de baryum est avantageusement compris entre 5 et 18% pour la résine resoltech 1050 et entre 6 et 17% pour la résine SR GreenPoxy 56.
La représente schématiquement un premier mode de réalisation d’un empilement semiconducteur 10 selon l’invention. L’empilement 10 comprend une première couche en silicium 11, dite couche support ; une couche de carbure de silicium 12 ; et des cavités 13.
La couche support 11 s’étend par exemple selon un plan P donné. Il s’agit par exemple du plan d’une tranche de silicium à partir de laquelle va être formée un substrat SOI. La couche support 11 est avantageusement un support résistif, c’est à dire présentant une résistivité supérieure à 1 kΩ·cm.
La couche de carbure de silicium 12 (également appelée couche de SiC) s’étend sur la couche support 11 selon le plan P donné. La couche de SiC 12 est directement au contact de la couche support 11, formant ainsi une interface 112 entre les deux couches.
L’empilement 10 est remarquable en ce qu’il comprend une pluralité de cavité 13 s’étendant dans la couche support 11. Chaque cavité 13 est creuse, c’est à dire vide de tout matériau solide ou liquide. Elles peuvent comprendre une espèce sous forme gazeuse présentant une pression partielle faible. Elles sont toutefois préférentiellement complètement vides. Chaque cavité 13 s’étend dans la couche support 11, depuis la couche de SiC 12. C’est à dire que chaque cavité 13 s’étend dans la couche support 11 depuis l’interface 112. Chaque cavité 13 présente alors une surface libre 131, 132 entourant un volume intérieur 130 de la cavité 13. Au moins une portion 131 de la surface libre sépare ledit volume intérieur 130 de la couche support 11 et au moins une autre portion 132 de la surface libre sépare le volume intérieur 130 de la cavité de la couche de SiC 12.
La ou les portions 131 de la surface libre séparant le volume intérieur 130 de la cavité de la couche support 11 sont formées d’atomes de silicium dont une partie au moins présente une liaison pendante (« dangling bonds » en anglais). Par liaison pendante, on entend une orbitale atomique non impliquée dans une liaison chimique avec d’autres éléments. Les liaisons pendantes permettent des piéger les porteurs de charges circulant dans la couche support 11 et au voisinage de la couche de SiC 12.
Les liaisons pendantes et les cavités permettent également de piéger des impuretés, telles que des ions ou atomes d’hydrogène, des atomes d’hélium ou des métaux comme le lithium ou le cuivre, ayant migrées dans la couche support 11 lors, par exemple, d’étapes de fabrication additionnelles (telles que la fabrication de composants « front end »). La résistivité de la couche support 11 n’est donc pas dégradée par lors d’étapes de fabrication additionnelles.
La stabilité thermodynamique des cavités 13 et leur formation par diffusion tendent à favoriser un facettage des cavités. Des portions 131 de la surface libre 131, 132 de chaque cavité 13 s’alignent alors préférentiellement selon des plans cristallographiques de la couche support 11. Par exemple, lorsque la couche support 11 présente un plan (001), au niveau de l’interface 112 avec la couche de SiC 12 (c’est à dire que le plan (001) et le plan P coïncident), les cavités 13 peuvent être facettées en présentant des portions parallèles à des plans cristallographies de la famille de plans {111} (c’est à dire les plans (111), (-111), (1-11) et (-1-11)) ou de la famille de plans {113} (c’est à dire les plans (113), (-113), (1-13) et (-1-13)). Toutefois, le facettage ne dépend pas nécessairement du plan au niveau de l’interface 112 de la couche de support 11 avec la couche de SiC 12. D’autres familles de plans cristallographiques sont envisageables.
La représente par des flèches les directions [111] et [001], normales aux plans cristallographiques (001) et (111).
Chaque cavité 13 s’étend préférentiellement depuis la couche de SiC 12 sur une distance 133 comprise entre 5 nm et 100 nm. Ladite distance 133 est mesurée perpendiculairement au plan P dans lequel s’étend la couche de SiC 12, c’est à dire selon [001] dans l’exemple présent. Ladite distance 133 est mesurée depuis la couche de carbure 12, c’est à dire depuis l’interface 112 séparant la couche support 11 et la couche de carbure 12.
Dans l’exemple de la , l’empilement 10 comprend également une couche isolante 14 et une couche active 15. De la sorte, l’empilement 10 forme un substrat SOI. La couche isolante 14 s’étend sur la couche de SiC 12. Elle présente avantageusement une épaisseur comprise entre 100 nm et 1000 nm. Elle comprend par exemple un oxyde, tel que de l’oxyde de silicium SiO 2 . La couche active 15 comprend un semiconducteur cristallin ou polycristallin et s’étend sur la couche isolante 14. La couche isolante 14 sépare ainsi la couche de SiC 12 et la couche active 15. Elle est dite « enterrée » sous la couche active 15. La couche active 15 présente avantageusement une épaisseur comprise entre 50 nm et 500 nm et comprend par exemple du silicium cristallin ou du silicium polycristallin ou un autre matériau semiconducteur cristallin utilisé dans le domaine des radiofréquences, tel que le phosphure d’indium ou le nitrure de gallium.
La couche de SiC 12 est avantageusement polycristalline. Ainsi, elle contribue ainsi au piégeage des porteurs de charges, de la même manière qu’une couche de piégeage en silicium polycristallin, tel que décrit dans l’art antérieur. Les porteurs de charges sont piégés par les liaisons pendantes localisées au niveau des joints de grains de l’arrangement polycristallin.
La représente schématiquement un procédé de fabrication selon l’invention, permettant de fabriquer l’empilement 10.
Le procédé 20 de fabrication comprend, à partir d’une couche support 11, une étape de formation 22 d’une couche en carbure de silicium 12 (dite couche de SiC), s’étendant sur la couche support 11. Deux exemples de couche de carbure de silicium 12 obtenue sont illustrés en et .
La couche de SiC 12 est par exemple formée 22 par dépôt en phase vapeur, aussi appelée « CVD » pour « Chemical Vapor Deposition » en anglais, à partir de la couche support 11. Il s’agit par exemple d’un dépôt CVD assisté par plasma (ou « PECVD » pour « Plasma Enhanced CVD » en anglais). La couche de SiC 12 est par exemple obtenue par dépôt PECVD d’un précurseur carboné, tel que le tétraméthylsilane Si(CH 3 ) 4 , aussi appelé « TMS ». La couche de SiC 12 produite s’étend alors sur la couche support 11.