Procédé de fabrication d’une structure composite (4’) comprenant des portions de pavés, comprenant : (a) la formation d’un substrat temporaire (3’) comprenant un substrat support (3) et une pluralité de portions de pavés (P’1-P’3) d’un premier matériau disposées sur le substrat support (3), la formation dudit substrat temporaire (3’) comprenant : (i) le prélèvement d’une pluralité de pavés (P1-P3) à partir d’au moins un substrat donneur (2) et le placement de chaque pavé (P1-P3) sur un substrat intermédiaire (1’), chaque substrat donneur (2) présentant un diamètre inférieur au diamètre du substrat intermédiaire (1’), (ii) la formation d’une zone de fragilisation (11) dans chaque pavé (P1-P3) par implantation d’espèces atomiques, de sorte à délimiter une portion (P’1-P’3) de pavé à transférer, (iii) le collage du substrat intermédiaire (1’) sur le substrat support (3) par l’intermédiaire des pavés (P1-P3), et (iv) le détachement des pavés (P1-P3) le long de la zone de fragilisation (11), de sorte à transférer les portions de pavés (P’1-P’3) sur le substrat support (3), (b) l’assemblage du substrat temporaire (3’) avec un substrat receveur (4) en un second matériau différent du premier matériau par l’intermédiaire desdites portions de pavés (P’1-P’3), et (c) le retrait du substrat support (3) de sorte à transférer au moins une partie des portions de pavés (P’1-P’3) sur le substrat receveur (4) pour former la structure composite. Procédé selon la revendication 1, comprenant au moins une étape de traitement des portions de pavés (P’1-P’3) avant l’assemblage desdites portions de pavés (P’1-P’3) sur le substrat receveur (4). Procédé selon la revendication 2, dans lequel ledit traitement comprend : - une épitaxie d’une couche d’un troisième matériau sur chaque pavé, - une gravure, - un traitement de surface, - un dopage, - un traitement thermique, et/ou - la formation d’une interconnexion. Procédé selon l’une des revendications 2 ou 3, dans lequel ladite étape de traitement des portions de pavés (P’1-P’3) est réalisée à une température supérieure ou égale à 500°C. Procédé selon l’une des revendications 1 à 4, dans lequel le substrat receveur (4) comprend au moins une partie d’un circuit électronique formée avant l’assemblage du substrat temporaire (3’) et du substrat receveur (4). Procédé selon la revendication 5, comprenant la formation de ladite partie de circuit électronique par un procédé CMOS. Procédé selon la revendication 6, comprenant au moins une étape de finalisation du circuit électronique après le transfert des portions de pavés (P’1-P’3) sur le substrat receveur (4). Procédé selon la revendication 7, dans lequel chaque étape de finalisation du circuit électronique est réalisée à une température inférieure à 500°C. Procédé selon l’une des revendications 5 à 8, dans lequel ledit circuit électronique comprend au moins un transistor, notamment un transistor à effet de champ, un transistor CMOS, un transistor BiCMOS ou un transistor bipolaire, et/ou au moins une diode, notamment une diode laser ou une diode électroluminescente (LED). Procédé selon l’une des revendications 1 à 9, dans lequel le premier matériau est choisi parmi : - les matériaux III-V, tels que le nitrure d'indium (InN), le nitrure de gallium (GaN), le nitrure d’aluminium (AlN), l’arséniure d'indium (InAs), l’arséniure de gallium (GaAs), l’arséniure d’aluminium (AlAs), le phosphure d'indium (InP), le phosphure de gallium (GaP) ou le phosphure d’aluminium (AlP), - les matériaux piézoélectriques, tels que le tantalate de lithium (LiTaO3), le niobate de lithium (LiNbO 3 ), le niobate de potassium-sodium (KxNa1-xNbO3 ou KNN), le titanate de baryum (BaTiO 3 ), le quartz, le titano-zirconate de plomb (PZT), un composé de niobate de plomb-magnésium et de titanate de plomb (PMN-PT), l’oxide de zinc (ZnO), le nitrure d’aluminium (AlN) ou le nitrure d’aluminium et de scandium (AlScN), - le germanium ou le carbure de silicium, et - un matériau électriquement isolant tel que le diamant, le titanate de strontium, la zircone yttriée ou le saphir. Procédé selon la revendication 10 en combinaison avec la revendication 4, dans lequel le troisième matériau est choisi parmi : les matériaux III-V, les matériaux piézoélectriques, le carbure de silicium, le silicium germanium et le germanium. Procédé selon l’une des revendications 1 à 11, dans lequel le second matériau est choisi parmi le silicium, le germanium, le carbure de silicium et les matériaux III-V, notamment l’arséniure de gallium. Procédé selon l’une des revendications 1 à 12, dans lequel le substrat support (3) et le substrat receveur (4) présentent un diamètre supérieur ou égal à 300 mm. Procédé selon l’une des revendications 1 à 13, dans lequel le retrait du substrat support (3) comprend une élimination dudit substrat par meulage. Procédé selon l’une des revendications 1 à 13, dans lequel le retrait du substrat support (3) comprend un détachement dudit substrat vis-à-vis des pavés.