INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Le dispositif optoélectronique 1 comporte, d’une manière générale, un substrat de croissance 10 à partir duquel une matrice de diodes D (i) a été réalisée par épitaxie. Les électrodes de polarisation électrique des diodes ne sont pas représentées ici dans un souci de clarté.
Le substrat de croissance 10 comporte, d’une manière générale, une couche support formée ici d’un substrat support 11 et d’une couche inférieure d’isolation 12, et des mésas M (i) destinées chacune à la réalisation par reprise d’épitaxie d’une diode D (i) de la matrice. Une mésa (i.e. une élévation, un relief) est une partie du substrat de croissance 10 en saillie vis-à-vis de la couche support. Les mésas sont réalisées par gravure localisée d’un empilement cristallin initial.
Le substrat de croissance 10 est réalisé à partir de GaN cristallin, c’est-à-dire qu’il est réalisé en GaN et/ou en ses composés tels que l’In x Ga 1-x N, l’Al y Ga 1-y N, voire l’In x Al y Ga 1-x-y N. Plus précisément, les mésas M (i) comportent N couches dopées 13, 15 séparées deux à deux par une couche intermédiaire d’isolation 14. Une couche de reprise d’épitaxie 16, qui peut être réalisée avant ou après l’étape de porosification électrochimique, repose sur la couche dopée supérieure 15.
D’une manière générale, par matériau à base de GaN, on entend que le matériau peut être du GaN et/ou ses composés. Il peut ainsi être de l’In x Al y Ga 1-x-y N où la proportion d’indium x peut être nulle et où la proportion d’aluminium y peut également être nulle. Et par matériau à base d’InGaN, on entend qu’il est en InGaN ou en InAlGaN. Il peut ainsi être réalisé en l’In x Al y Ga 1-x-y N où la proportion d’indium x est non nulle et où la proportion d’aluminium y peut être nulle.
Les mésas M (i) sont classées en différentes catégories, selon qu’elles comportent, ou non, une ou plusieurs couches dopées poreuses. Comme expliqué plus loin, certaines couches dopées sont rendues poreuses lors d’une même étape de porosification électrochimique du procédé de fabrication. Les différentes catégories sont appelées M (i) , avec i allant de 0 à N, selon que la mésa comporte 0, 1, 2… N couches dopées poreuses. Dans cet exemple, N est égal à 2.
Chaque mésa M (i) est obtenue par gravure localisée de l’empilement cristallin initial 20 (cf. ou ), et comporte les N couches dopées 13, 15 (issues des couches continues 23, 25) séparées deux à deux par une couche intermédiaire d’isolation 14 (issue de la couche continue 24), et, dans cet exemple, se termine suivant la direction +Z par la couche de reprise d’épitaxie 16 (issue de la couche continue 26, cf. ) qui forme la face supérieure F (i) de la mésa M (i) . Les mésas M (i) peuvent avoir été formées par une ou plusieurs opérations de gravure, par exemple par gravure sèche, de sorte que leurs flancs peuvent être sensiblement verticaux.
Les différentes catégories M (i) de mésas se distinguent entre elles par des niveaux de porosification P (i) différents d’une catégorie de mésas à l’autre, qui autorisent alors des taux de relaxation R (i) différents. Un niveau de porosification P (i) est défini par le nombre de couches dopées 13, 15 poreuses que comporte la mésa M (i) considérée. Les mésas M (i) du substrat de croissance 10 sont configurées de manière à former au moins trois catégories différentes parmi lesquels : une catégorie M (N) où toutes les couches dopées 13, 15 sont poreuses, le niveau de porosification, noté P (N) , est maximal, et autorise alors un taux de relaxation maximal R (N) . La couche de reprise d’épitaxie 16 présente alors un paramètre de maille effectif maximal a e cre(N) sensiblement égal à la valeur de son matériau massif a m cre ; une catégorie M (0) où aucune des couches dopées 13, 15 n’est poreuse, le niveau de porosification, noté P (0) , est minimal, et autorise alors un taux de relaxation minimal R (0) . La couche de reprise d’épitaxie 16 présente alors un paramètre de maille effectif a e cre(0) inférieur à a e cre(N) , et sensiblement égal au paramètre de maille effectif de la couche inférieure d’isolation a e cii ; une catégorie M (n) où n couches dopées 13, 15 sont poreuses, avec 1≤n (n) , est intermédiaire et autorise alors un taux de relaxation intermédiaire R (n) compris entre R (0) et R (N) . La couche de reprise d’épitaxie 16 présente alors un paramètre de maille effectif a e cre(n) inférieur à la valeur maximale a e cre(N) et différent de la valeur a e cre(0) .
Le taux de relaxation R (i) d’une mésa M (i) dépend du niveau de porosification P (i) et des paramètres de maille des couches dopées non poreuses des mésas. Les taux de relaxation R (i) se traduisent par le fait que les couches de reprise d’épitaxie 16 présentent différentes valeurs du paramètre de maille effectif, d’une catégorie de mésa à l’autre. Aussi, les diodes D (i) , réalisées lors d’une même étape de reprise d’épitaxie, présentent des zones actives différentes, en termes de proportion d’indium incorporé dans les puits quantiques, d’une catégorie de diodes D (i) à l’autre (et donc de mésas) et seront donc adaptées à émettre ou détecter un rayonnement lumineux à différentes longueurs d’onde.
Dans le cadre de l’invention, une couche dopée 13, 15 d’une mésa M (i) peut être rendue poreuse lors de l’étape de porosification électrochimique mise en œuvre dans le procédé de fabrication du substrat de croissance 10. La couche dopée passe alors d’une structure initiale dite dense (état initial non poreux) à une structure poreuse (état final poreux). Cette porosification se traduit par la présence de pores qui s’étendent dans le volume de la couche à partir de sa surface libre (ayant été en contact avec un électrolyte liquide), comme décrit dans l’article de Griffin et Oliver 2020 cité précédemment. La porosification d’une couche dopée peut être ajustée en fonction du niveau de dopage N D de celle-ci, et des conditions opératoires lors de l’étape de porosification électrochimique (nature et/ou concentration de l’électrolyte, tension électrique E p appliquée, durée de porosification…). La porosification de la couche peut être définie par un taux de porosité (rapport du volume des pores sur le volume total de la couche) et par la taille moyenne des pores. Notons que l’état poreux ou non poreux d’une couche dopée peut être caractérisé au moyen d’un système de caractérisation tel qu’un système d’imagerie MEB (microscopie électronique à balayage) ou un système de mesure directe de type ellipsométrie ou ellipso-porosimétrie.
D’une manière générale, la réaction de porosification électrochimique est une réaction sélective dans le sens où, pour une même tension électrique E p appliquée, un matériau semiconducteur cristallin dopé à base de GaN sera porosifié si son niveau de dopage N D est supérieur ou égal à un niveau de dopage minimal N D,min prédéfini. Dans le cas contraire, il ne sera pas porosifié et restera intègre (dense). A ce titre, la illustre un exemple du domaine d’existence de la porosification électrochimique en fonction du niveau de dopage N D (ici en donneurs) du matériau cristallin à base de GaN et de la tension électrique E p appliquée, tel que décrit notamment dans le document EP3840016A1.
Le niveau de dopage minimal N D,min dépend de la tension électrique E p selon une fonction décroissante : plus la tension électrique E p est élevée, moins le niveau de dopage minimal N D,min requis pour porosifier le matériau cristallin est élevé. Autrement dit, pour une valeur prédéfinie de la tension électrique E p appliquée lors de l’étape de porosification électrochimique, le matériau cristallin ayant un niveau de dopage N D inférieur à la valeur minimale N min ne sera pas porosifié (rendu poreux) et restera donc intègre ou dense (non poreux) : ce matériau peut donc être qualifié de « non porosifiable ». En revanche, pour cette même valeur E p , ce même matériau, lorsqu’il présente un niveau de dopage N D au moins égal à la valeur minimale N D,min , sera porosifié (rendu poreux) et peut donc être qualifié de « porosifiable ».
Aussi, les matériaux cristallins à base de GaN sont dits porosifiables ou non porosifiables, compte tenu d’une même valeur prédéfinie E p de la tension électrique qui est appliquée lors de l’étape de porosification électrochimique, en fonction d’une même valeur minimale N D,min prédéfinie du niveau de dopage. Dans le cadre de l’invention, les couches dopées 13, 15 sont réalisées en un matériau cristallin à base de GaN dit « porosifiable », alors que la couche inférieure d’isolation 12 et la couche intermédiaire d’isolation 14 sont réalisées en un matériau cristallin à base de GaN dit « non porosifiable ».
la représente un dispositif de réception électromagnétique selon l’invention ;
la représente un dispositif de réception électromagnétique selon un premier mode de réalisation ;
la représente une première variante du dispositif de réception électromagnétique selon le premier mode de réalisation ;
la représente une deuxième variante du dispositif de réception électromagnétique selon le premier mode de réalisation ;
la représente le dispositif de réception électromagnétique selon un deuxième mode de réalisation ;
la représente une première variante du dispositif de réception électromagnétique selon le deuxième mode de réalisation ;
la représente une deuxième variante du dispositif de réception électromagnétique selon le deuxième mode de réalisation ;
la représente une troisième variante du dispositif de réception électromagnétique selon le deuxième mode de réalisation ;
la représente une quatrième variante du dispositif de réception électromagnétique selon le deuxième mode de réalisation ;
la représente une cinquième variante du dispositif de réception électromagnétique selon le deuxième mode de réalisation ;
la représente le dispositif de réception électromagnétique selon un troisième mode de réalisation ;
la représente le dispositif de réception électromagnétique comportant un correcteur de conflits selon le troisième mode de réalisation ;
la représente une variante du correcteur de conflit de la ;
la représente le dispositif de réception électromagnétique comportant un dispositif de filtrage adaptatif ;
la représente le dispositif de réception électromagnétique dont la voie de réception auxiliaire comprend un filtre atténuateur de signal ;
la représente un procédé de réception électromagnétique selon l’invention.
Cette architecture permet de ne pas modifier l’architecture existante du dispositif de réception électromagnétique 1 à large bande, l’ensemble du traitement du spectre perturbateur étant réalisé sur un récepteur annexe. La complexité est ainsi déportée sur ce récepteur 240 dédié à l’émetteur perturbateur 4, lequel doit avoir la réactivité suffisante pour faire l’analyse spectrale ainsi que l’envoi des caractéristiques du spectre de perturbation. De plus, à la différence du premier mode de réalisation et du deuxième mode de réalisation, le troisième mode de réalisation s’attache à transmettre de manière numérique et non physique.
En outre, les perturbateurs électromagnétiques fonctionnent généralement en bande étroite. Il est alors aisé de connaître la fréquence de repliement des perturbateurs électromagnétiques, dans le cas d’un échantillonnage, disposés à proximité du dispositif de réception électromagnétique 1. Selon une situation où plusieurs perturbateurs électromagnétiques se replient selon une même fréquence de repliement, le dispositif de réception électromagnétique 1 peut comprendre un correcteur de conflit 244, comme représenté en .
Le correcteur de conflit 244 est configuré pour distinguer les perturbateurs électromagnétiques ainsi que les signaux perturbateurs émis par les perturbateurs électromagnétiques fonctionnant selon une même fréquence de repliement.
Pour ce faire, le correcteur de conflit 244 est configuré pour induire une atténuation sur la chaîne de mesure des signaux perturbateurs, c’est-à-dire au niveau des antennes de réception auxiliaire 20 disposées en direction des émetteurs perturbateurs 4 pour lesquels il y a repliement de sorte à permettre une transmission des signaux perturbateurs avec des puissances suffisamment différentes pour les distinguer.
En variante, le correcteur de conflit 244 peut comprendre un outil de reconnaissance du perturbateur 245, comme représenté en , qui permet l’identification des perturbateurs fonctionnant selon une même fréquence de repliement par l’enregistrement des caractéristiques types de l’émission et de l’émetteur perturbateurs 4 comme par exemple la longueur d’impulsion ou de paquet ou encore le type de modulation. L’outil de reconnaissance du perturbateur 245 est une base de données regroupant l’ensemble des caractéristiques des perturbateurs connus à proximité du dispositif de réception électromagnétique 1. Dès lors, une fois le perturbateur reconnu à l’aide de l’outil de reconnaissance du perturbateur 245, la fréquence initiale du signal perturbateur est reconstruite pour permettre la comparaison du bloc de comparaison de signal et de suppression du signal perturbateur 30.
Le correcteur de conflit 244 et l’outil de reconnaissance du perturbateur 245 est particulièrement utile lorsque le dispositif de réception électromagnétique 1 est un récepteur à échantillonnage comme, par exemple, un goniomètre à sous-échantillonnage.
En outre, le bloc de comparaison de signal et de suppression du signal perturbateur 30 peut être configuré pour supprimer le signal perturbateur du signal incident de différentes manières.
Selon un premier mode de configuration du bloc de comparaison de signal et de suppression du signal perturbateur 30, le bloc de comparaison de signal et de suppression du signal perturbateur 30 peut utiliser le spectre de perturbation généré par le ou les convertisseurs analogiques numériques afin de « blanker » certains canaux fréquentiels de l’analyse spectrale effectuée par le dispositif de réception électromagnétique 1, les canaux fréquentiels blankés étant des fréquences pour lesquelles un ou plusieurs perturbateur impacte négativement la réception du dispositif de réception électromagnétique 1. Blanker signifie alors une suppression d’une partie de l’espace temps/fréquence du spectre de réception du dispositif de réception électromagnétique 1. Dès lors, le bloc de comparaison de signal et de suppression du signal perturbateur 30 empêche le dispositif de réception électromagnétique 1 de recevoir sur une fréquence spécifique et jugée perturbante pour le dispositif de réception électromagnétique 1 pendant une période donnée. Dès lors, le bloc de comparaison de signal et de suppression du signal perturbateur 30 supprime le signal perturbateur du signal incident en obstruant un canal de fréquence prédéfinie et/ou en obstruant un canal temporel prédéfini.
Selon un deuxième mode de configuration du bloc de comparaison de signal et de suppression du signal perturbateur 30, le bloc de comparaison de signal et de suppression du signal perturbateur 30 peut utiliser le spectre de perturbation généré par le ou les convertisseurs analogiques numériques afin de désensibiliser certains canaux fréquentiels de l’analyse spectrale effectuée par le dispositif de réception électromagnétique 1.
Désensibiliser signifie alors la mise en place d’un seuil de puissance nécessaire à la détection d’un signal incident détecté par l’antenne de réception principale 10 ou traité par la voie de réception principale 12 selon une fréquence définie et jugée perturbante pour le dispositif de réception électromagnétique 1. Cette suppression initiée par le bloc de comparaison de signal et de suppression du signal perturbateur 30 présente l’avantage de ne pas aveugler le dispositif de réception électromagnétique selon une gamme de fréquence. Dès lors, le bloc de comparaison de signal et de suppression du signal perturbateur 30 est apte à générer un seuil de puissance de réception de signal sur l’antenne de réception principale 10 et/ou sur la voie de réception principale 12.
Selon un troisième mode de configuration du bloc de comparaison de signal et de suppression du signal perturbateur 30, le bloc de comparaison de signal et de suppression du signal perturbateur 30 comprend un dispositif de filtrage adaptatif 300 du signal perturbateur, représenté en . A titre d’exemple indicatif, le dispositif de filtrage adaptatif 300 permet d’effectuer une soustraction numérique du spectre du signal incident traité par la voie de réception principale 12 par rapport au spectre de perturbation traité par la voie de réception auxiliaire 22. Ce mode de configuration est particulièrement adapté en cas de réception de signaux continus.
Selon un quatrième mode de configuration, il peut être envisagé d’ajouter un filtre d’atténuation 250 à la voie de réception auxiliaire 22, comme représenté en , afin de diminuer la puissance du signal perturbateur. En effet, l’utilisation d’un filtre d’atténuation 250 est particulièrement intéressante dans le cas où le perturbateur émet selon un niveau de puissance saturant pour le dispositif de réception électromagnétique 1. Dès lors, pendant l’émission de ce perturbateur saturant, un filtre d’atténuation 250 peut être activé lorsque l’antenne de réception auxiliaire 20 détecte le signal perturbateur ou lorsque la voie de réception auxiliaire 22 traite ce signal perturbateur.
Le bloc de comparaison de signal et de suppression du signal perturbateur 30 permet une suppression des signaux perturbateurs par comparaison des spectrogrammes. Cette méthode convient bien pour les signaux de courte durée avec une agilité en fréquence, typiquement des signaux radars ou des liaisons de communication FHSS. Il peut ainsi être envisagé de réaliser un « waterfall », c’est-à-dire une représentation en deux dimensions temporelles et fréquentiels des spectres des signaux reçus, sur la voie de réception auxiliaire 22 et à appliquer un seuil, permettant d’ignorer la partie du spectrogramme qui correspond aux signaux supérieurs au seuil, jugés perturbants.
En outre, il est mentionné ci-dessus différents moyens de transport des signaux comme par exemple la fibre optique ou encore les câbles hyperfréquences. Néanmoins, tout autre média peut être être utilisé pour transporter les signaux perturbateurs comme par exemple un transport radio.
Il peut également être envisagé de réaliser des traitements de signal analogique : les signaux perturbateurs sont détectés par les antennes de réception auxiliaire 20, et font l’objet de filtrage, de déphasage, et d’amplification avant d’être soustraits aux signaux d’intérêts issus de l’antenne de réception principale 10. Un tel dispositif fonctionnant uniquement en analogique nécessite cependant une calibration afin de déterminer précisément les niveaux d’amplification à appliquer, ainsi que les phases à appliquer, tout en ajustant temporellement les signaux perturbateurs.
L’invention propose également, comme représenté en , un procédé de réception électromagnétique 1000 comprenant les étapes suivantes : Réception d’un signal incident (1001) par une antenne de réception principale 10, Traitement du signal incident (1002) par une voie de réception principale 12 connectée à l’antenne de réception principale 10, Réception d’un signal perturbateur (1003) par une antenne de réception auxiliaire 20 depuis un émetteur perturbateur 4, Traitement du signal perturbateur (1004) par une voie de réception auxiliaire 22 connectée à l’antenne de réception auxiliaire, Comparaison (1005) du signal perturbateur traité par la voie de réception auxiliaire 22 et du signal incident traité par la voie de réception principale 12, Si la comparaison est affirmative, suppression (1006) du signal perturbateur du signal incident. Autrement dit, lorsque la comparaison permet de mettre en évidence le fait que le signal perturbateur se retrouve également dans la signal incident, alors il y a suppression de cette partie du signal incident représentant le signal perturbateur reçu par l’antenne de réception auxiliaire 20 de sorte à épurer le signal incident de cette perturbation.
La nécessité de manutentionner le boitier d’intercirculation 28, 32 au pont est aussi supprimé de par sa conception en plusieurs modules. La manutention et le montage sont possibles par un unique opérateur.
Ensemble modulable permettant de constituer une poussette et un engin à roues pour enfant La présente invention concerne un ensemble d'éléments modulables permettant, selon la configuration d'assemblage des éléments, soit de constituer une poussette, soit d'obtenir un engin à roues apte à être chevauché par un enfant.
Il est utile pour un parent de pouvoir disposer, de façon rapprochée dans le temps, d'une poussette pour transporter un enfant, par exemple d'un domicile à un jardin d'enfants, et d'un engin à roues, pour que l'enfant puisse s'amuser avec cet engin, par exemple une fois arrivé au jardin d'enfants.
Actuellement une poussette et un engin à roues pour enfant sont des objets séparés, qui sont utilisables alternativement. Il en résulte que, lorsque l'enfant est transporté par la poussette, le parent doit transporter l'engin à roues, ce qui est une contrainte certaine compte tenu du poids et de l'encombrement d'un tel engin.
Il n'existe pas sur le marché à l'heure actuelle de solution satisfaisante à ce problème, et l'objectif principal de la présente invention est de fournir une telle solution, à savoir de fournir un ensemble d'éléments tel que précité, permettant de passer de la configuration "poussette" à la configuration "engin" de façon simple et rapide.
Un objectif supplémentaire de l'invention est de fournir un ensemble d'éléments tels que précité, permettant un repliage de la poussette sous un volume réduit afin de faciliter le rangement ou le transport de cet ensemble hors utilisation.
Un objectif supplémentaire de l'invention est de fournir un ensemble d'éléments tels que précité, permettant l'obtention de la stabilité requise pour la poussette sans pour autant limiter les possibilités d'utilisation de l'engin par l'enfant ni augmenter le volume qu'occupe l'ensemble d'éléments à l'état de repliage.
Pour atteindre au moins l'objectif principal précité, l'ensemble d'éléments selon l'invention comprend : - un sous-ensemble formé par un siège de poussette et par une poignée de conduite de poussette, le siège comprenant une assise et un dossier, l'assise étant reliée à la poignée de conduite en étant mobile par rapport à cette poignée, cette mobilité se faisant entre un état de dépliage par rapport à la poignée, dans lequel l'assise est apte à recevoir un enfant, et un état de repliage, dans lequel cette assise est proche de la poignée, s'étendant le long de celle-ci ; - un engin à roues pour enfant, qui forme le châssis et les roues de la poussette dans la configuration "poussette", cet engin comprenant un corps apte à être chevauché par un enfant, ce corps comprenant, à sa partie avant, une poignée de saisie apte à être saisie par un enfant chevauchant ledit corps, et comprenant des moyens de montage de la poignée de conduite sur ce corps ; l'assise est dimensionnée de façon à, dans ladite position de dépliage, venir reposer sur ladite poignée de saisie, permettant ainsi un soutien stable de l'assise par cette poignée de saisie ; dans ledit état de repliage, l'assise permet de dégager la partie de l'engin destinée à être chevauchée par un enfant.
Comme cela se comprend, l'engin à roues est intégré à la poussette en tant que châssis roulant de cette poussette. Il en résulte qu'un parent n'a pas, lorsqu'il transporte un enfant dans la poussette et qu'il désire en outre disposer d'un engin à roues pour l'amusement de l'enfant, à avoir à transporter cet engin à roues en supplément.
Dans sa position de dépliage, l'assise est apte à recevoir l'enfant de façon stable et sécurisée ; dans la position de repliage de cette assise, l'enfant peut chevaucher l'engin et être conduit par le parent au moyen de ladite poignée de conduite.