INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Mathématiquement, la recherche de la correction locale à apporter au mouvement du dispositif de mesure 10 le long de chaque potentielle zone d’intérêt comprend la définition d’un critère appliqué à chaque ensemble de points initial représentant la potentielle zone d’intérêt et à une série d’instants associés au points de l’ensemble de points initial, et où C’ correspond à la plus petite épaisseur quadratique, c’est-à-dire à l’épaisseur au carrée minimale, obtenue suite à la correction locale du mouvement du dispositif de mesure 10. Cette épaisseur au carrée minimale doit être inférieure à un seuil prédéfini pour déterminer qu’une potentielle zone d’intérêt est effectivement une zone d’intérêt, i.e. par exemple une zone plane.
Avantageusement, le seuil prédéfini représente une épaisseur au carrée attendue, qui tient compte du bruit de mesure mais pas des erreurs de reconstruction. Notamment, les fabricants de LiDAR indiquent une incertitude en distance , en azimuth et en élévation sous forme d’écart type ou de valeur d’erreur maximale. On peut en déduire une erreur quadratique globale de mesure égale à , avec r la distance mesurée et e l’élévation.
Chaque calculateur secondaire 20 permet la gestion de fonctions du véhicule 1 pour un utilisateur 40 dudit véhicule 1. Les fonctions peuvent être déclenchées par l’utilisateur 40 via un dispositif 41 d’authentification et via un calculateur secondaire 20 ou bien directement par le calculateur secondaire 20, voire par le calculateur principal 10.
Le dispositif 41 est configuré communiquer avec les calculateurs secondaires 20 sur un lien de communication en ultra-large bande de fréquences (UWB), notamment depuis l’extérieur du véhicule 1. Réciproquement, chaque calculateur secondaire 20 est configuré pour communiquer avec le dispositif 41 sur un lien de communication UWB, via une antenne 20A, et avec le calculateur principal 10 via le réseau de communication 30, par exemple en filaire de type bu CAN connu en soi.
On a représenté sur la un exemple de calculateur secondaire 20 selon l’invention.
Chaque calculateur secondaire 20 comprend une zone mémoire 21 dans laquelle est stockée une pluralité de configurations dudit calculateur secondaire 20.
Chaque configuration est caractérisée par un identifiant et définit un mode opératoire différent. Chaque mode opératoire utilise le mode passif de la bande ultra-large ou bien le mode actif de la bande ultra-large ou bien une combinaison dudit mode passif et dudit mode actif. Chaque mode opératoire constitue une machine à états pouvant être exécutée par le calculateur secondaire 20.
Chaque calculateur secondaire 20 est configuré pour recevoir des configurations et/ou des scriptes envoyés par le calculateur principal 10 afin de se mettre à jour.
Chaque calculateur secondaire 20 est configuré pour recevoir une requête de configuration envoyée par le calculateur principal 10 et comprenant un identifiant de configuration.
Chaque calculateur secondaire 20 est configuré pour déterminer, dans sa zone mémoire 21, la configuration associée à l’identifiant reçu dans la requête de configuration.
Chaque calculateur secondaire 20 est configuré pour se paramétrer avec la configuration déterminée.
Chaque calculateur secondaire 20 est configuré pour détecter au moins un évènement.
L’évènement peut correspondre à une balise de déclenchement telle que, par exemple, la réception d’un message envoyé dans un signal UWB envoyé par le dispositif 41 ou bien la détection, via des signaux UWB en mode passif, de la position du dispositif 41 dans une zone prédéterminée autour du véhicule 1. La balise de déclenchement enclenche le déroulement d’un script stocké dans la zone mémoire 21.
L’évènement peut également être un message reçu du calculateur principal 10 qui permet de déclencher un script comprenant des instructions en mode passif et/ou actif prédéterminé.
Chaque calculateur secondaire 20 est configuré pour obtenir, dans sa zone mémoire, au moins un script comprenant des instructions en mode passif et/ou actif associé à au moins une balise de déclenchement et/ou à au moins un message pour laquelle un évènement a été détecté.
Chaque calculateur secondaire 20 est configuré pour exécuter l’au moins un script obtenu.
Chaque calculateur secondaire 20 comprend un processeur 22 apte à mettre en œuvre un ensemble d’instructions permettant de réaliser ces fonctions.
L’intérêt économique de cette solution technique est de réduire la diversité des dispositifs de recouvrement de plancher avant afin de :
- Ne pas investir dans des outillages pour chacune des versions de plancher avant,
- Ne pas générer de gestion logistique de pièces à forte surface projetée au magasin de l’usine mais aussi en bord de ligne ce qui permet de réduire la surface au sol utilisée.
Nomenclature 1 Dispositif de recouvrement avant de plancher
10 Matériau insonorisant
11 Cale de renfort
12 partie avant du dispositif
13 partie centrale du dispositif
14 partie arrière du dispositif
20 traverse d’assise avant
21 traverse d’assise arrière
4 plancher
5 Espace
110 Extension de cale
ÉLÉMENT DE FACE AVANT DE VÉHICULE AUTOMOBILE AVEC ABSORBEUR DE CHOCS MUTUALISÉ La présente invention concerne le domaine des véhicules automobiles, plus particulièrement le domaine des pare-chocs des véhicules automobiles.
L’électrode supérieure 115 du photodétecteur 117 est de préférence transparente dans la gamme de longueurs d’onde d’émission de la couche de conversion 111. A titre d’exemple, l’électrode 115 comprend un empilement d’une ou plusieurs couches d’un ou plusieurs oxydes conducteurs transparents.
De préférence, la couche de conversion photoluminescente 111 est en un matériau à structure pérovskite aussi appelé matériau pérovskite.
Un avantage est que les matériaux pérovskites, présentent une efficacité quantique interne élevée, pouvant aller jusqu'à 100%.
Un autre avantage est que les matériaux pérovskites présentent un coefficient d'absorption élevé. Ainsi, la fonction de conversion lumineuse et la fonction de photo-détection peuvent être assurées efficacement par une couche relativement mince, par exemple une couche d'épaisseur inférieure à 1 µm, par exemple comprise dans la plage allant de 200 à 500 nm.
Un autre avantage est que les matériaux pérovskites peuvent être déposés à des températures relativement basses, par exemple inférieures à 400°C, ce qui permet notamment leur dépôt au-dessus d'un circuit intégré de type CMOS (de l'anglais "Complementary Metal Oxide Semiconductor" – métal oxyde semiconducteur complémentaire).
La couche 111 est par exemple déposée par dépôt PLD (de l'anglais "Pulsed Laser Deposition" – dépôt laser pulsé). Le dépôt PLD consiste à pulvériser ou ablater une cible du matériau pérovskite au moyen d'un laser pulsé, de manière à transférer le matériau dans un plasma, puis, via le plasma, sur le substrat de destination. Un avantage du dépôt PLD est qu'il permet de déposer des matériaux de composition complexe tels que les matériaux pérovskites avec une bonne qualité cristalline, et ce à une température relativement basse, par exemple inférieure à 400°C. Un autre avantage de la PLD est la possibilité de déposer ces matériaux sans endommager le substrat de destination. A titre de variante, la couche 111 peut être déposée par toute autre méthode de dépôt adaptée. La couche 111 est par exemple déposée par dépôt en voie liquide, par exemple par dépôt sol-gel, par revêtement au moyen d’une lame (« blade coating » en anglais), par dépôt par filière à fente (« slot-die coating » en anglais), par revêtement par spray (« spray coating » en anglais), ou par impression jet d’encre (« inkjet printing » en anglais). A titre de variante, la couche 111 est déposée par dépôt en voie solide, par exemple par dépôt physique en phase vapeur, par exemple par évaporation, co-évaporation, pulvérisation ou co-pulvérisation.
Un ou plusieurs recuits peuvent être mis en oeuvre pour obtenir la phase cristalline souhaitée du matériau périovskite.
Un autre avantage est que les matériaux pérovskites présentent une grande tolérance aux défauts de structure cristalline. Ainsi, la fonction de conversion lumineuse et la fonction de photo-détection peuvent être assurées efficacement par une couche polycristalline d'épaisseur relativement faible.
Du fait des faibles épaisseurs requises pour assurer la fonction de conversion lumineuse et la fonction de photo-détection, les couches de matériaux pérovskites peuvent être gravées facilement, ce qui permet de réaliser des éléments de conversion et de détection présentant de très petites dimensions latérales.
Il en résulte que les matériaux pérovskites sont particulièrement avantageux pour la réalisation de dispositifs d’émission et de réception lumineuse dans des pixels de petites dimensions, par exemple pour la réalisation d'écrans d'affichage d'images couleur présentant un pas inter-pixel inférieur à 100 µm, par exemple inférieur à 20 µm, voire inférieur à 5 µm.
Le matériau pérovskite utilisé est par exemple un matériau inorganique. A titre de variante, un matériau pérovskite organique peut être utilisé.
A titre d'exemple, on pourra utiliser un matériau pérovskite à base de césium, d’étain et d’iode, par exemple du CsSnI 3 pour émettre et recevoir de la lumière infrarouge. Plus généralement, tout matériau pérovskite présentant une bande interdite (bandgap en anglais) à la longueur d’onde de fonctionnement souhaitée peut être utilisé.
De façon générale, on utilisera de préférence des matériaux pérovskites dits halogènes, c’est-à-dire de type ABX 3 , où : - A est un élément inorganique (on parle alors de matériau pérovskite halogène inorganique), par exemple du césium (Cs), du rubidium (Rb), du phosphore (K) ou du lithium (Li), ou un élément organique (on parle alors de matériau pérovskite halogène organique), par exemple du formadiminium, aussi appelé FA, de formule chimique CN 2 H 5+ , ou du Methylammonium, aussi appelé MA, de formule chimique CH 3 NH 3+ , ou une combinaison de ces éléments, - B est par exemple du plomb (Pb), de l'étain (Sn) ou du germanium (Ge), ou une combinaison de ces éléments, et - X est un halogène, par exemple le brome (Br), le chlore (Cl), l'iode (I) ou une combinaison d'halogènes.
Les modes de réalisation décrits ne se limitent toutefois pas à ces structures particulières de matériaux pérovskites.
A titre de variante, des structures halogénées de type, ABX 3 ou A 2 BX 4 ou A 3 BX 5 ou A 4 BX 6 peuvent être utilisées, où B est compris dans la liste comprenant le plomb (Pb), l'étain (Sn), le germanium (Ge), éventuellement le cuivre, le fer ou le palladium.
A titre de variante, des structures halogénées de type, A 3 B 2 X 9 peuvent être utilisées, où B est compris dans la liste comprenant le bismuth (Bi) et l’antimoine (Sb).
Pour réaliser ces différentes fonctions d'éclairage, le dispositif d'éclairage 1 comprend une pluralité de modules lumineux agencés les uns à côté des autres suivant l'axe Y. En l'espèce, le dispositif d'éclairage 1 comprend cinq modules lumineux MA, MB, MC, MD et ME adjacents. En variante, le nombre de module lumineux pourrait être différent, notamment un seul module lumineux, au moins deux modules lumineux, trois, quatre, six ou même encore davantage de modules lumineux. Ce nombre peut être de préférence inférieur ou égal à dix. Chaque module lumineux peut être destiné à produire un faisceau lumineux composant tout ou partie de la fonction d'éclairage de type code et/ou de type route. Certains modules lumineux peuvent par exemple être utilisés pour contribuer à la fois à la fonction code et à la fonction route.
L'élément optique monobloc 3 est notamment bien visible sur les figures 4, 5 et 6. Pour chacun des modules optique MA à ME, l'élément optique monobloc 3 comprend un collecteur de lumière 15A, 15B, 15C, 15D, 15E et un dispositif optique 16A, 16B, 16C, 16D, 16E de projection. Chaque collecteur de lumière 15A, 15B, 15C, 15D, 15E est destiné à recevoir directement les rayons lumineux issus d'un générateur de lumière 2A, 2B, 2C, 2D, 2E . Chaque collecteur de lumière comprend une première surface réfléchissante 17A, 17B, 17C, 17D, 17E configurée pour réfléchir des rayons lumineux émis par le générateur de lumière 2A, 2B, 2C, 2D, 2E en un faisceau lumineux. Chaque dispositif optique 16A, 16B, 16C, 16D, 16E est destiné à recevoir directement ou indirectement le faisceau lumineux issu du collecteur de lumière 15A, 15B, 15C, 15D, 15E correspondant. Chaque dispositif optique 16A, 16B, 16C, 16D, 16E comprend une deuxième surface réfléchissante 18A, 18B, 18C, 18D, 18E configurée pour réfléchir le faisceau lumineux issu des collecteurs de lumière 15A, 15B, 15C, 15D, 15E correspondant, globalement suivant l'axe optique XO du dispositif d'éclairage. Le faisceau lumineux issu de chaque dispositif optique 16A, 16B, 16C, 16D, 16E est dirigé vers la glace de protection du projecteur et de manière à éclairer la route à l'avant du véhicule. Comme les premières surfaces réfléchissantes 17A, 17B, 17C, 17D, 17E et les deuxièmes surfaces réfléchissantes 18A, 18B, 18C, 18D, 18E sont intégrées à la même pièce, ces surfaces réfléchissantes peuvent être idéalement positionnées l'une par rapport à l'autre, sans avoir recours à un procédé d'assemblage complexe. On parvient ainsi à produire des faisceaux lumineux précis. La route et/ou l'environnement du véhicule est ainsi idéalement éclairé aux endroits souhaités.
L'association d'un générateur de lumière avec un collecteur de lumière forme un appareil lumineux. Selon le mode de réalisation présenté, le dispositif d'éclairage comprend donc cinq appareils lumineux mais en variante ce nombre pourrait être différent.
A titre de variante, des structures halogénées de type, A 2 BX 6 peuvent être utilisées, où B est compris dans la liste comprenant l’étain, le palladium et le titane.
Plus généralement, toute autre structure de matériau pérovskite adaptée peut être utilisée.
La est une vue en coupe illustrant plus en détail un exemple de réalisation du dispositif de la .
Dans cet exemple, la couche active 105 de la LED 103 comprend, dans l’ordre à partir de la face supérieure de l’électrode inférieure 107, une première couche semiconductrice 105a dopée d’un premier type de conductivité, par exemple de type N, un empilement à puits quantiques multiples (non détaillés sur la figure) 105b, et une deuxième couche semiconductrice 105c dopée d’un second type de conductivité opposé au premier type de conductivité, par exemple de type P. La couche 105a est par exemple en contact, par sa face inférieure, avec la face supérieure de l’électrode 107, et, par sa face supérieure, avec la face inférieure de l’empilement à puits quantiques multiples 105b. La couche 105c est par exemple en contact, par sa face inférieure, avec la face supérieure de l’empilement à puits quantiques multiples 105b, et, par sa face supérieure, avec la face inférieure de l’électrode 109. Les couches 105a et 105b sont par exemple en un matériau semiconducteur III-V, par exemple nitrure de gallium. L’empilement à puits quantiques multiples 105b comprend par exemple une ou plusieurs couches émissives formant chacune un puits quantique, par exemple à base de GaN, InN, InGaN, AlGaN, AlN, AlInGaN, GaP, AlGaP, AlInGaP, ou d'une combinaison d'un ou plusieurs de ces matériaux. A titre de variante, l’empilement à puits quantiques multiples 105b peut être remplacé par une couche de nitrure de gallium intrinsèque, c'est-à-dire non intentionnellement dopé, par exemple de concentration en donneurs résiduels comprise entre 10^15 et 10^19 atomes/cm3, par exemple de l'ordre de 10^17 atomes/cm3.
Dans l’exemple de la , l’électrode inférieure 113 du photodétecteur 117 comprend une couche de transport de trous 113a en contact, par sa face supérieure, avec la face inférieure de la couche de conversion 111, et une couche conductrice 113b en contact, par sa face supérieure, avec la face inférieure de la couche 113a et, par sa face inférieure, avec la face supérieure de la couche de passivation 119.
Dans l’exemple de la , l’électrode supérieure 115 du photodétecteur 117 comprend une couche de transport d’électrons 115a en contact, par sa face inférieure, avec la face supérieure de la couche de conversion 111, et une couche conductrice 115b en contact, par sa face inférieure, avec la face supérieure de la couche 115a.
Dans le cas où la couche de conversion 111 est en un matériau pérovskite, par exemple en CsSnI 3 , la couche de transports de trous 113a est par exemple en oxyde de nickel (NiO), et la couche de transport d’électrons 115a est par exemple en dioxyde de titane (TiO 2 ) ou en dioxyde d’étain (SnO 2 ). Les couches conductrices 113b et 115b sont par exemple en un oxyde conducteur transparent, par exemple en ITO. A titre de variante, la couche de transport de trous peut être en un matériau organique, par exemple de type Spiro-OMeTAD ou BCP (Bathocuproine). La couche de transport d’électrons peut être en un matériau organique, par exemple de type PCBM ([6,6]-phényl-C 61 -butanoate de méthyle).
A titre d’exemple, le dispositif peut en outre comprendre une couche de passivation supérieure 201 disposée sur et en contact avec la face supérieure de l’électrode 115, c’est à dire sur et en contact avec la face supérieure de la couche conductrice 115b dans l’exemple représenté. La couche de passivation 201 est de préférence transparente dans la gamme de longueurs d’onde d’émission de la couche de conversion 111. A titre d’exemple, la couche de passivation supérieure 201 est en oxyde de silicium (SiO 2 ).
A titre d’exemple, le dispositif peut en outre comprendre un filtre optique 203 disposé au-dessus du photodétecteur 117, par exemple sur et en contact avec la face supérieure de la couche de passivation 201. Le filtre optique est par exemple un filtre passe-bande ou passe-haut adapté à laisser passer la lumière dans la gamme de longueur d’ondes d’émission de la couche de conversion 111, et à bloquer la lumière à d’autres longueurs d’ondes et en particulier dans la gamme d’émission de la LED 103. A titre d’exemple, le filtre optique 203 est adapté à laisser passer les rayonnements infrarouges et à bloquer les rayonnements visibles.
A titre d’exemple, le filtre optique 203 permet : - en émission, d’éviter que des rayons résiduels émis par la LED 103 et non convertis par la couche de conversion 111 ne soient extraits du dispositif et projetés vers l’utilisateur ; et/ou - en réception, de bloquer des rayonnements incidents situés en dehors de la gamme de longueurs d’onde d’intérêt que l’on cherche à mesurer, de façon à améliorer la sélectivité du photodétecteur 117.
Le filtre optique 203 est par exemple un filtre en résine ou un filtre interférentiel, par exemple constitué d’une alternance de couches diélectriques d’indices de réfractions différents.
Dans l’exemple de la , on a représenté schématiquement quatre vias conduteurs 205a, 20a5b, 205c, 205d en contact, par leurs faces inférieures, avec respectivement la face supérieure de l’électrode 107, la face supérieure de l’électrode 109, la face supérieure de la couche conductrice 113b de l’électrode 113, et la face supérieure de l’électrode 115b. Les vias conducteurs 205a, 205b, 205c, 205d sont par exemple métalliques. Dans l’exemple représenté, les vias conducteurs 205a, 20a5b, 205c, 205d sont entourés latéralement d’un matériau isolant 207, par exemple de l’oxyde de silicium.
Les vias conducteurs 205a, 20a5b, 205c, 205d permettent, dans cet exemple, de ramener du côté de la face supérieure du dispositif les contacts sur les électrodes 107, 109, 113 et 115. Les électrodes 107, 109, 113 et 115 peuvent ainsi être connectées, par l’intermédiaire des vias conducteurs 205a, 205b, 205c, 205d, à un circuit de contrôle configuré pour commander le dispositif en émission, en réception, ou alternativement en émission et en réception.
La est une vue en coupe illustrant plus en détail un autre exemple de réalisation du dispositif de la .
L’exemple de la diffère de celui de la principalement en ce que, dans l’exemple de la , les vias conducteurs 205a, 205b, 205c et 205c de l’exemple de la sont remplacés par quatre vias conduteurs 305a, 305b, 305c, 305d en contact, par leurs faces supérieures, avec respectivement la face inférieure de l’électrode 107, la face inférieure de l’électrode 109, la face inférieure de l’électrode 113, et la face inférieure de la couche conductrice 115b de l’électrode 115. Les vias conducteurs 305a, 305b, 305c, 305d sont par exemple métalliques. Dans l’exemple représenté, les vias conducteurs 305a, 30a5b, 305c, 305d sont entourés latéralement d’un matériau isolant 207, par exemple de l’oxyde de silicium. Dans cet exemple, l’électrode inférieure 107 de la LED 103 est séparée du substrat 101 par une couche électriquement isolante 309, par exemple en oxyde de silicium.
Les vias conducteurs 305a, 305b, 305c, 305d permettent, dans cet exemple, de ramener du côté de la face supérieure du substrat les contacts sur les électrodes 107, 109, 113 et 115. A titre d’exemple, les vias conducteurs 305a, 305b, 305c, 305d sont respectivement en contact, par leurs faces inférieures, avec des plots de connexion métalliques (non détaillés sur les figures) situés du côté de la face supérieure du substrat 101.
Le substrat 101 comprend par exemple un circuit électronique de contrôle, par exemple à base de transistors MOS, par exemple un circuit CMOS, adapté à commander le dispositif en émission, en réception, ou alternativement en émission et en réception.
Un dispositif émetteur et récepteur de lumière du type décrit en relation avec les figures 1, 2 et 3 peut avantageusement être intégré dans de nombreux dispositifs, par exemple dans un écran d’affichage émissif à LED de manière à réaliser un dispositif d’affichage interactif. Dans ce cas, le dispositif peut comprendre une pluralité de cellules élémentaires d’émission-réception de lumière infrarouge du type décrit en relation avec les figures 1 à 3, régulièrement distribuées au sein de la matrice de pixels du dispositif d’affichage.
A titre d’exemple, chaque pixel du dispositif d’affichage peut comprendre plusieurs cellules émissives à LED commandables individuellement adaptées à émettre respectivement de la lumière visible dans des gammes de longueurs d’ondes différentes, par exemple une première cellule adaptée à émettre majoritairement de la lumière rouge, une deuxième cellule adaptée à émettre majoritairement de la lumière verte, et une troisième cellule adaptée à émettre majoritairement de la lumière bleue. Chaque pixel peut en outre comprendre une cellule d’émission-réception de lumière infrarouge du type décrit en relation avec les figures 1 à 3.
Les cellules élémentaires d’émission-réception de lumière infrarouge peuvent être commandées individuellement. A titre d’exemple, certaines cellules sont commandées en émission et définissent une source de lumière infrarouge distribuée au sein de la matrice de pixels, et certaines cellules sont commandées en réception et forment un capteur infrarouge distribué au sein de la matrice de pixels.
La configuration des cellules élémentaires en émission et en réception peut par exemple être modifiée dynamiquement pour s’adapter à différentes situations d’utilisation du dispositif.
A titre de variante, la configuration des cellules élémentaires en émission et en réception reste fixe pour un dispositif d’affichage donné. Un avantage de la solution proposée est alors que les cellules d’émission et de réception sont structurellement identiques, ce qui permet de limiter les coûts de fabrication et de pouvoir adresser différentes applications avec un même dispositif, en modifiant seulement la configuration du circuit électronique de contrôle des cellules élémentaires d’émission-réception.