INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Afin d’éviter que le ou les fils électriques 14 ne bougent dans le trou traversant 15 au travers duquel il s’étend et/ou afin de réduire les frottements entre les fils électriques 14 et le trou traversant 15, le ou les fils électriques 14 sont maintenus en prise dans le trou traversant 15 correspondant, par tout moyen de liaison.
ÉTAT DE LA TECHNIQUE ANTÉRIEURE Les dispositifs optoélectroniques de photodétection peuvent comporter une matrice de photodiodes planaires. Les photodiodes s’étendent alors suivant un même plan principal, entre des première et deuxième faces opposées et parallèles entre elles. Elles comportent alors chacune une portion de détection issue d’une même couche semiconductrice, formée par exemple d’une première région (semelle, seed layer en anglais) en germanium dopé p+ et affleurant la première face, d’une deuxième région (caisson) en germanium dopé n+ et affleurant la deuxième face, et d’une région intermédiaire en germanium intrinsèque ou très peu dopé p, et située entre les première et deuxième régions dopées. Cette région intermédiaire entoure la deuxième région dopée n+ dans le plan principal de la photodiode, et affleure la deuxième face. Une couche de passivation réalisée en un matériau diélectrique recouvre habituellement la deuxième face, et permet de limiter la contribution du courant d’obscurité au courant électrique mesuré par chaque photodiode.
Cette portion de détection peut être entourée d’une portion latérale périphérique, réalisée en un matériau électriquement conducteur, qui entoure la portion de détection dans le plan principal de la photodiode et vient au contact de la première région dopée p+. Cette portion latérale périphérique assure alors une fonction d’isolation optique avec les photodiodes planaires voisines et permet d’appliquer un potentiel électrique à la première région dopée p+ à partir de la deuxième face. Elle peut également permettre de générer des contraintes mécaniques en tension dans la portion de détection.
En effet, lorsque le matériau de la portion d’absorption est à base de germanium, il peut être mis en tension de manière à rendre sa structure de bandes d’énergie directe et non plus indirecte. De plus, la photodiode peut alors être adaptée à absorber un rayonnement lumineux jusqu’à une longueur d’onde de coupure supérieure à 1550nm, qui est la longueur d’onde de coupure d’absorption du germanium relaxé, pour une application notamment dans le proche infrarouge (SWIR, pour Short Wavelength IR , en anglais).
A ce titre, le document WO 2019/202250 A1 décrit un exemple d’une telle photodiode planaire, où la portion latérale périphérique est réalisée en un matériau piézoélectrique. La déformation de la portion latérale périphérique dans le plan principal, par effet piézoélectrique inverse, permet de mettre en tension la portion de détection.
Le document EP 3 806 167 A1 décrit un autre exemple de photodiode planaire. Ici, la portion latérale périphérique est réalisée en un matériau à base de silicium dopé p+. La mise en tension de la portion de détection est obtenue lors de la réalisation par épitaxie de la portion latérale périphérique, du fait du différentiel de dilatation thermique entre le germanium et le silicium.
Par ailleurs, il apparaît que la présence de la couche diélectrique de passivation peut malgré tout contribuer à générer un courant d’obscurité non négligeable. Ainsi, l’article de Sood et al. intitulé Characterization of SiGe-Detector Arrays for Visible-NIR Imaging Sensor Applications , Proc. of SPIE VOL. 8012, 801240, 2011, décrit un procédé de fabrication d’une photodiode passivée permettant de limiter le courant d’obscurité. Le courant d’obscurité est lié à la présence d’une zone déplétée située dans le matériau semiconducteur de la photodiode, à l’interface avec la couche diélectrique de passivation. Le procédé de fabrication comporte alors une étape de recuit sous N 2 H 2 de la photodiode, permettant de transformer cette zone déplétée en une zone d’accumulation de trous. Cette étape permet alors de réduire l’intensité du courant d’obscurité.
Or, il apparaît que cette étape de recuit, destinée à modifier la zone déplétée en une zone d’accumulation, peut induire une dégradation des performances de la photodiode, notamment du fait d’une modification non souhaitée des dimensions du caisson dopé n+, en particulier lorsque la diffusion latérale des éléments dopants de type n est importante. Par ailleurs, la présence et les caractéristiques de la zone déplétée peuvent être liées à la technique utilisée de dépôt de la couche diélectrique de passivation ainsi qu’aux conditions opératoires. Il en résulte que le recuit en question peut alors ne pas permettre d’obtenir de manière reproductible la zone d’accumulation souhaitée et donc la réduction voulue du courant d’obscurité.
Aussi, le document EP 3 657 556 A1 décrit un exemple de photodiode passivée réalisée à base de germanium comportant un région périphérique dopée p entourant le caisson dopé n+ et affleurant la face de germanium recouverte par la couche diélectrique de passivation. Cette région périphérique dopée p est située entre le caisson dopé n+ et la portion latérale périphérique, et permet de réduire le courant d’obscurité en limitant la composante de surface du courant d’obscurité.
On connaît également le document EP 3 660 930 A1 qui décrit un autre exemple de photodiode passivée réalisée à base de germanium. La couche de passivation n’est pas réalisée en un matériau diélectrique mais est réalisée à base de silicium. Un recuit est effectué pour provoquer une interdiffusion du silicium de la couche de passivation et du germanium de la couche de détection. Ainsi, le caisson dopé n+ est entouré par une zone périphérique à base de SiGe qui forme une « ouverture de gap » permettant de limiter la composante de surface du courant d’obscurité.
On connaît enfin le document EP 3 971 995 A1 qui décrit un autre exemple de photodiode passivée réalisée à base de germanium. Elle comporte une portion périphérique réalisée en un matériau ferroélectrique, située entre et au contact de la région intermédiaire et de la couche diélectrique de passivation, et qui entoure le caisson dopé n+ dans le plan principal. Cette portion périphérique ferroélectrique, par l’orientation voulue des dipôles ferroélectriques lors de la polarisation de la photodiode, permet de limiter ou d’éviter la formation d’une zone déplétée ou d’une zone d’inversion dans la portion de détection, et permet d’éviter la circulation de porteurs de charge dans cette même portion périphérique ferroélectrique, entre le caisson dopé n+ et la région latérale périphérique.
Il existe cependant un besoin de disposer d’une autre solution permettant de réduire le courant d’obscurité dans une photodiode planaire et notamment sa composante de surface située entre le caisson dopé n+ et la portion latérale périphérique.
L’invention a pour objectif de remédier au moins en partie aux inconvénients de l’art antérieur, et plus particulièrement de proposer une photodiode planaire permettant d’obtenir un faible courant d’obscurité, et notamment de sa composante de surface.
Pour cela, l’objet de l’invention est une photodiode planaire comportant : une portion dite de détection d’une couche semiconductrice principale, réalisée en au moins un matériau M0 semiconducteur cristallin à base de germanium, présentant des première et deuxième faces parallèles à un plan principal, et comportant : une première région dopée de type p, affleurant la première face ; une deuxième région dopée de type n, affleurant la deuxième face ; et une région intermédiaire, s’étendant entre les première et deuxième régions dopées, et entourant la deuxième région dopée dans le plan principal en affleurant la deuxième face ; une portion latérale périphérique, destinée à être polarisée électriquement, réalisée en au moins un premier matériau M1 électriquement conducteur, s’étendant, suivant un axe vertical orthogonal au plan principal, jusqu’à venir au contact de la première région dopée, et s’étendant au contact de la portion de détection en entourant la région intermédiaire dans le plan principal ; le premier matériau M1 présentant un coefficient de dilatation thermique CTE1 inférieur à celui du matériau M0, s’étendant à partir de la première face, la région intermédiaire comportant une première partie P1, entourée par le premier matériau M1 dans le plan principal, présentant des contraintes mécaniques en tension.
Selon l’invention, la portion latérale périphérique comporte plusieurs matériaux distincts électriquement conducteurs, empilés l’un sur l’autre suivant l’axe vertical, dont : au moins un deuxième matériau M2, s’étendant entre le premier matériau M1 et la deuxième face, présentant un coefficient de dilatation thermique CTE2 supérieur ou égal à celui du matériau M0.
La région intermédiaire comporte alors une deuxième partie P2 affleurant la deuxième face F2, entourée par le deuxième matériau M2 dans le plan principal, formée de : une zone latérale périphérique Z2p présentant des contraintes mécaniques en compression, et entourant la deuxième région dopée dans le plan principal ; et une zone centrale Z2c présentant des contraintes mécaniques en tension, entourée par la zone latérale périphérique Z2p dans le plan principal, où se situe la deuxième région dopée.
De même, les composants électriques montés au niveau du soubassement du véhicule automobile, notamment la batterie de traction alimentant le moteur électrique du véhicule automobile, ou encore le chargeur de batterie, sont régulièrement dégradés par les projections de boue ou de gravillons qui s’introduisent par au niveau des jonctions des pièces formant l’ensemble de véhicule automobile.
La présente invention vise à surmonter les inconvénients précités, et concerne pour ce faire un ensemble de véhicule automobile formant le soubassement dudit véhicule automobile, comportant un sous-ensemble gauche et un sous-ensemble droit, caractérisé en ce que lesdits sous-ensembles gauche et droit consistent chacun en une unique pièce réalisée en matériau plastique et en ce que lesdits sous-ensembles gauche et droit sont assemblés entre eux au niveau d’une zone de jonction.
Ainsi, chaque sous-ensemble gauche et droit consiste chacun en une unique pièce, réalisée en matériau plastique. On réduit alors, par rapport à l’art antérieur, le nombre de pièces rapportées formant l’ensemble de véhicule automobile définissant le soubassement du véhicule automobile.
En réduisant le nombre de pièces rapportées, on limite avantageusement le risque d’infiltration d’eau par le soubassement du véhicule automobile, infiltration pouvant survenir notamment lors d’un passage dudit véhicule dans un gué.
On limite également le risque de dégradation des composants électriques montés au niveau du soubassement du véhicule automobile qui pourrait survenir par les projections de boue ou de gravillons lors du déplacement du véhicule automobile.
Selon des caractéristiques optionnelles de l’ensemble selon l’invention : - ledit sous-ensemble gauche comporte au moins un plancher gauche, un tablier avant gauche et un tablier arrière gauche, un pare-boue avant gauche et un pare-boue arrière gauche, et ledit sous-ensemble droit comporte au moins un plancher droit, un tablier avant droit et un tablier arrière droit, un pare-boue avant droit et un pare-boue arrière droit ; - ladite zone de jonction s’étend longitudinalement relativement audit ensemble ; - lesdits sous-ensembles gauche et droit sont emmanchés l’un relativement à l’autre ; - ledit sous-ensemble gauche comporte un profilé femelle et ledit sous-ensemble droit comporte un profilé mâle coopérant avec ledit profilé femelle ; - ledit profilé femelle s’étend sur toute la longueur du sous-ensemble gauche et ledit profilé mâle s’étend sur toute la longueur du sous-ensemble droit ; - ledit profilé femelle est pratiqué sous une face inférieure dudit sous-ensemble gauche et en ce que ledit profilé mâle est pratiqué sous une face inférieure dudit sous-ensemble droit ; - l’ensemble comporte un joint d’étanchéité monté entre lesdits profilés mâle et femelle ; - l’ensemble comporte un système de clippage agencé pour opérer une fixation entre ledit sous-ensemble gauche et ledit sous-ensemble droit.
L’invention concerne aussi un véhicule automobile, remarquable en ce qu’il comporte un ensemble obtenu selon l’invention.
illustre de façon schématique un véhicule automobile selon l’invention, en vue isométrique arrière gauche.
est une vue isométrique avant droite du véhicule automobile selon l’invention.
est une vue de dessus du véhicule automobile selon l’invention.
est une vue en coupe selon la ligne IV-IV de la , en perspective.
On se réfère aux figures 1 et 2 montrant de façon schématique un exemple de réalisation d’un véhicule automobile 1 selon l’invention, respectivement en vue isométrique arrière gauche et avant droite.
Cette matrice spécifique est différente de la matrice de Clarke.
Dans ce cas, le dispositif de détermination est agencé pour utiliser une calibration en fin de ligne.
Selon l’un des aspects de l’invention, le dispositif de détermination comporte un circuit de normalisation configuré pour mettre en œuvre une opération de normalisation dans laquelle la valeur de h 1 est normalisée, notamment égale à 1, préalablement au calcul du signal estimé (S n_fail ).
Selon l’un des aspects de l’invention, l’opération de normalisation est réalisée de manière dynamique.
Une telle opération de normalisation est décrite par exemple dans la demande de brevet WO2021121770.
En variante, la valeur h 1 est une amplitude moyenne de l’harmonique de rang 1 des signaux de capteur, non normalisée.
Ainsi l’opération de normalisation est optionnelle.
Selon l’un des aspects de l’invention, le dispositif de détermination est agencé pour déterminer la valeur estimée ( est) d’une position angulaire de rotor à partir des signaux issus de la transformation (T 3 2 ).
Selon l’un des aspects de l’invention, le dispositif de détermination comporte une boucle de suivi de position rétroactive (appelée boucle PTL désignant en anglais « Position Tracking Loop ») ou une boucle de suivi de position itérative agencée pour déterminer la valeur estimée ( est) d’une position angulaire de rotor à partir des signaux issus de la transformation (T 3 2 ).
La valeur estimée θ est utilisée pour le calcul du signal estimé (S n_fail ) est la valeur issue de la boucle de suivi de position rétroactive ou la boucle de suivi de position itérative.
Selon l’un des aspects de l’invention, la boucle de suivi de position rétroactive ou la boucle de suivi de position itérative font partie d’un algorithme de contrôle du dispositif de détermination.
Selon un autre des aspects de l’invention, le dispositif de détermination est agencé pour déterminer la valeur estimée θ est utilisée pour le calcul du signal estimé (S n_fail ) à partir par exemple d’un calcul d’arc-tangente des signaux de capteur Si (θ) quadratique fournis par la matrice (T 3 2 ), ou par tabulation directe des signaux de capteur Si(θ).
Dans ce cas, le calcul de la valeur estimée ( est) d’une position angulaire de rotor peut s’affranchir de rétroaction ou d’itération.
Selon l’un des aspects de l’invention, le dispositif de détermination comporte un circuit de compensation du biais, ou « offset » en anglais, existant dans les signaux issus de la transformation, notamment du signal en Sinus et du signal en Cosinus.
Selon l’un des aspects de l’invention, le dispositif de détermination est agencé pour confirmer le verrouillage de la boucle PTL garantissant la qualité de la position estimée par un signal de sortie de validation.
Selon l’un des aspects de l’invention, le dispositif de détermination est agencé pour déterminer une valeur estimée ( est) d’une position angulaire de rotor sur la base d’un signal estimé (S n_fail ) utilisant la formule suivante :
Par ailleurs, on constate que les procédés de tissage généralement mis en œuvre ne peuvent garantir une maille de base régulière de sorte que des moustiquaires, même neuves, peuvent présenter des ouvertures ayant des dimensions variables.
Or, une légère variation dans les dimensions d’une ouverture peut autoriser le passage d’un insecte, notamment de l’aedes albopictus, encore appelé moustique tigre, qui présente de petites dimensions.
Cependant, ce dernier est bien connu pour être vecteur principal de diverses maladies virales, comme la dengue, le chikungunya, le zika ou la fièvre jaune.
En outre, et de manière plus générale, on observe que les moustiquaires, actuellement sur le marché, présentent une faible transparence et donc réduisent le champ de vision, ou, au mieux, occasionnent des gênes visuelles.
Il existe donc un besoin pressant pour une grille d’aération dont la conception originale permette de surmonter les inconvénients de l’art antérieur exposés ci-dessus.
Objet de l’invention La présente invention vise à pallier les inconvénients de l’art antérieur en proposant un procédé de fabrication sur mesure d’un élément d’aération, simple dans sa conception et dans son mode opératoire, prenant en compte non seulement les caractéristiques de l’espace intérieur à ventiler, mais également de l’environnement climatique extérieur à ce dernier, pour obtenir un élément d’aération sur mesure pour cet espace intérieur.
Un autre objet de la présente invention est un tel procédé de fabrication permettant d’obtenir un élément d’aération qui soit naturellement capable de refroidir l’air le traversant en période chaude et de réchauffer cet air en période froide, sans apport d’aucune source d’énergie.
Encore un objet de la présente invention est un procédé de fabrication d’un élément d’aération le plus transparent possible.
Encore un objet de la présente invention est un procédé de fabrication d’un élément d’aération formant de plus un écran de protection efficace contre des arthropodes et/ou des nuisibles tels que des rongeurs.
La présente invention vise également un élément d’aération pour ventiler naturellement un espace intérieur, ou participer à sa ventilation, qui offre une grande transparence et, par exemple, permette de remplacer un verre clair dans un vitrage, tout en étant bon marché.
Encore un objet de la présente invention est un tel élément d’aération permettant naturellement, sans apport d’énergie aucune, d’abaisser la température de l’air le traversant, ou refroidir cet air, lorsque cette dernière est supérieure à une valeur seuil, et/ou d’augmenter la température de l’air le traversant, lorsque cette dernière est inférieure à une valeur seuil.
A cet effet, l’invention concerne un procédé de fabrication sur mesure d’un élément d’aération destiné à être interposé entre un espace intérieur et un extérieur, dans lequel on réalise les étapes suivantes : - fournir une plaque transparente ou translucide, ladite plaque comportant au moins une âme en verre ou en matière plastique, - réaliser une pluralité de trous d’aération dans ladite plaque, au moins une majorité desdits trous d’aération présentant une section transversale droite non constante sur au moins une partie de l’épaisseur de ladite plaque, pour modifier la température de l’air traversant ledit élément d’aération, lorsque ladite température de l’air extérieur est supérieure ou inférieure à des températures seuil, et - le débit d’air pour aérer ledit espace interieur étant fixé à D en m 3 /h, le nombre de trous réalisés dans ladite plaque est au plus égal à , avec S tot la surface totale pour le passage libre de l’air au travers de ladite plaque, ou encore la somme des surfaces individuelles des trous du côté de la face de la plaque destinée à être placée vers l’extérieur, V moy la vitesse moyenne de l’air au travers desdits trous, et où N est le nombre d’ouverture dudit espace intérieur donnant sur l’extérieur avec N supérieur ou égal à 1, lorsque chaque ouverture est équipée d’un élément d’aération identique.
Le présent procédé de fabrication assure la fabrication d’un élément d’aération sur mesure prenant en compte non seulement la destination de l’espace intérieur à ventiler naturellement, mais également son environnement climatique (bâtiment exposé aux vents, fluctuations du vent dans l’année, pression atmosphérique, ...).
De manière très avantageuse, l’élément d’aération ainsi réalisé assure une modification naturelle, c’est-à-dire sans apport d’énergie, de la température de l’air le traversant, lorsque la température de l’air extérieur est supérieure ou inférieure à des températures seuil. Ces températures seuil peuvent avantageusement être prédéfinies en fonction des caractéristiques de l’élément de filtration. Aucune source d’énergie externe n’est donc utilisée pour modifier la température de l’air traversant l’élément d’aération et ce dernier est donc utilisé seul, ou encore « nu ».
De plus, cet élément d’aération ainsi réalisé peut être transparent. Il peut par exemple présenter un coefficient de transmission lumineuse qui est supérieur ou égal à 70%, et encore mieux supérieur à 80%. Il peut dès lors être avantageusement mis en œuvre pour remplacer ou venir en complément d’un élément de vitrage.
Ces trous d’aération peuvent présenter toute forme telle que circulaire ou allongée telle qu’oblongue, elliptique ou encore ovale.
A une étape 402 (Field Em.), (Field Em.), postérieure à l'étape 401, la valeur de tension Vdd étant fixée, l'antenne 207 peut commencer à émettre un champ électromagnétique dont la puissance est configurée en utilisant la tension Vdd comme décrit en relation avec la .
A une étape 403 (T>Tmax), postérieure à l'étape 402, l'antenne 207 émet un champ électromagnétique, et la température T du dispositif 100 est mesurée par les moyens 104. Cette température T est comparée à une température maximale Tmax. Selon un mode de réalisation, cette étape a lieu périodiquement, par exemple toutes les 5 s à 1 min. Si la température T est inférieure à la température maximale Tmax (sortie Y de l'étape 403), alors le dispositif continue de fonctionner sans modification, et si la température T devient supérieure à la température maximale Tmax (sortie N de l'étape 403), l'étape suivante est une étape 404 (Vdd dec.).
A l'étape 404, la puissance du champ électromagnétique émis par l'antenne 207 est diminuée en diminuant la tension Vdd. Pour cela, une commande est envoyée au circuit convertisseur 202. Selon un exemple, la tension de commande Vdd est diminuée par palier, par exemple par palier de 0.8 V.
Ce deuxième mode de mise en oeuvre présente le même avantage que le premier mode de mise en oeuvre décrit en relation avec la , mais présente aussi l'avantage de permettre une adaptation de la puissance du champ électromagnétique pendant l'émission dudit champ.
La est un schéma-bloc illustrant un troisième mode de mise en oeuvre d'un procédé d'adaptation de la tension de commande Vdd, décrite en relation avec la , du dispositif 100 décrit en relation avec la .
A une étape initiale 501 (Vdd=Vddmin), correspondant à un état initial, l'antenne 207 n'émet aucun champ électromagnétique, mais reçoit une requête indiquant qu'elle doit en émettre un pour mettre en oeuvre une communication NFC. L'antenne 207 recevant donc une commande pour émettre un champ électromagnétique, la tension de commande Vdd est fixée à sa valeur minimale Vddmin. Pour cela, le convertisseur 202 est commandée pour fournir la valeur de tension en question.
A une étape 502 (Field Em.), (Field Em.), postérieure à l'étape 501, la valeur de tension Vdd étant fixée, l'antenne 207 peut commencer à émettre un champ électromagnétique dont la puissance est configurée en utilisant la tension Vdd comme décrit en relation avec la .
A une étape 503 (T/Tmax), postérieure à l'étape 402, l'antenne 207 émet un champ électromagnétique, et la température T du dispositif 100 est mesurée par les moyens 104. Cette température T est comparée à une température maximale Tmax. Selon un mode de réalisation, cette étape a lieu périodiquement, par exemple toutes les 5 s à 1 min. Si la température T est inférieure à la température maximale Tmax (sortie T Tmax de l'étape 503), l'étape suivante est une étape 505 (Vdd dec.).