Dispositif d’acquisition d’une image 2D et d’une image de profondeur, comprenant : – un premier capteur (C1) formé dans et sur un premier substrat semiconducteur (100) comportant une face avant et une face arrière, le premier capteur (C1) comprenant une pluralité de pixels d’image 2D (P1, P1′), un empilement d’interconnexion (110) situé du côté de la face avant du premier substrat (100) et dans lequel sont formés des pistes et/ou bornes de connexion électrique (111), et des régions (50) en un matériau distinct de celui du substrat situées dans l’empilement d’interconnexion (110) à l’aplomb de pixels d’image 2D (P1′) ; et – accolé au premier capteur (C1) du côté de la face avant du premier substrat (100), un deuxième capteur (C2) formé dans et sur un deuxième substrat semiconducteur (130) et comprenant une pluralité de pixels de profondeur (P2) situés en regard des régions (50) du premier capteur (C1), dans lequel chaque région (50) comprend une première partie (50a) s’étendant dans l’empilement d’interconnexion (110) depuis une première face de l’empilement d’interconnexion (110) tournée vers le premier substrat (100) et une deuxième partie (50b) s’étendant, depuis une deuxième face de l’empilement d’interconnexion (110) opposée au premier substrat (100), jusqu’à la première partie (50a), la première partie (50a) présentant, en vue de dessus, une surface inférieure à celle de la deuxième partie (50b), le matériau des régions (50) présentant, sur une plage de longueurs d’onde de travail du deuxième capteur (C2), un indice optique supérieur ou égal à celui du matériau du substrat (100). Dispositif selon la revendication 1, dans lequel le matériau des régions (50) présente en outre un coefficient d’absorption inférieur ou égal à 10 -3 . Dispositif selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le matériau des régions (50) présente un indice optique supérieur ou égal à 3,5. Dispositif selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel le matériau des régions (50) est le silicium amorphe. Dispositif selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel les pistes et/ou bornes de connexion électrique (111) pénètrent à l’intérieur de la première partie (50a) de chaque région (50). Dispositif selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel chaque région (50) est délimitée latéralement, sur toute sa périphérie et sur toute sa hauteur, par un matériau diélectrique présentant un indice de réfraction inférieur à celui du matériau de la région (50). Dispositif selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel la région (50) s’étend sur une épaisseur sensiblement égale à celle de l’empilement d’interconnexion (110) et affleure la face de l’empilement d’interconnexion (110) opposée au premier substrat semiconducteur (100). Dispositif selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel le premier capteur (C1) est un capteur d’image couleur, chaque pixel d’image 2D (P1, P1′) comprenant un filtre couleur (118) transmettant préférentiellement de la lumière rouge, verte ou bleue. Dispositif selon la revendication 8, dans lequel les régions (50) sont situées uniquement à l’aplomb des pixels d’image 2D (P1′) comprenant le filtre couleur (118) transmettant préférentiellement de la lumière bleue. Dispositif selon la revendication 8, dans lequel les régions (50) sont situées à l’aplomb de chaque pixel d’image 2D (P1, P1′) du capteur. Dispositif selon la revendication 8 ou 9, dans lequel les pixels (P1′) situés à l’aplomb des régions (50) sont regroupés par groupes de quatre pixels (P1′) adjacents. Dispositif selon la revendication 11, dans lequel, pour chaque groupe de quatre pixels (P1′) adjacents, la région (50) est commune aux quatre pixels (P1′). Dispositif selon l’une quelconque des revendications 1 à 12, comprenant en outre, entre chaque région (50) du premier capteur (C1) et le pixel de profondeur (P2) correspondant du deuxième capteur (C2), une alternance de couches diélectriques (128, 126a, 126b, 132) d’indices de réfraction distincts, formant un empilement antireflet pour des rayons lumineux traversant ladite région (50) en direction dudit pixel de profondeur (P2). Dispositif selon l’une quelconque des revendications 1 à 13, dans lequel le deuxième capteur (C2) comprend, du côté de la face arrière du deuxième substrat semiconducteur (130), un empilement d’interconnexion (140) dans lequel sont formées des pistes et/ou bornes de connexion électrique (141). Dispositif selon l’une quelconque des revendications 1 à 14, dans lequel chaque pixel de profondeur (P2) du deuxième capteur (C2) comprend une photodiode (133) de type SPAD. Dispositif selon l’une quelconque des revendications 1 à 15, dans lequel chaque pixel de profondeur (P2) du deuxième capteur (C2) comprend plusieurs zones mémoire couplées à une même zone de détection, et permet de mesurer un déphasage entre un signal lumineux modulé en amplitude, émis par une source lumineuse du dispositif, et un signal lumineux reçu par la zone de photodétection du pixel, après réflexion sur une scène dont on souhaite acquérir une image. Dispositif selon l’une quelconque des revendications 1 à 16, dans lequel les premier et deuxième substrats semiconducteurs (100, 130) sont en silicium monocristallin. Procédé de fabrication d’un dispositif d’acquisition d’une image 2D et d’une image de profondeur, le procédé comprenant les étapes successives suivantes : a) former, dans et sur un premier substrat semiconducteur (100), un premier capteur (C1) comportant une face avant et une face arrière, le premier capteur (C1) comprenant une pluralité de pixels d’image 2D (P1, P1′), un empilement d’interconnexion (110) situé du côté de la face avant du premier substrat (100) et dans lequel sont formés des pistes et/ou bornes de connexion électrique (111), et des régions (50) en un matériau distinct de celui du substrat situées dans l’empilement d’interconnexion (110) à l’aplomb de pixels d’image 2D (P1, P1′) ; et b) former, dans et sur un deuxième substrat semiconducteur (130), un deuxième capteur (C2) comprenant une pluralité de pixels de profondeur (P2) situés en regard des régions (50) du premier capteur (C1) ; et c) accoler le deuxième capteur (C2) au premier capteur (C1) du côté de la face avant du premier substrat (100), dans lequel chaque région (50) comprend une première partie (50a) s’étendant dans l’empilement d’interconnexion (110) depuis une première face de l’empilement d’interconnexion (110) tournée vers le premier substrat (100) et une deuxième partie (50b) s’étendant, depuis une deuxième face de l’empilement d’interconnexion (110) opposée au premier substrat (100), jusqu’à la première partie (50a), la première partie (50a) présentant, en vue de dessus, une surface inférieure à celle de la deuxième partie (50b), le matériau des régions (50) présentant, sur une plage de longueurs d’onde de travail du deuxième capteur (C2), un indice optique supérieur ou égal à celui du matériau du substrat (100). Procédé selon la revendication 18, comprenant les étapes successives suivantes : former une première partie de l’empilement d’interconnexion (110) ; former la première partie (50a) de la région (50) ; former une deuxième partie de l’empilement d’interconnexion (110) ; et former la deuxième partie (50b) de la région (50). Procédé selon la revendication 19, dans lequel les première et deuxième parties (50a, 50b) de la région (50) sont formées après réalisation complète de l’empilement d’interconnexion (110).