Procédé de fabrication d'un condensateur, comportant les étapes successives suivantes : a) former un empilement comportant une face inférieure et une face supérieure, l’empilement comportant, dans l'ordre à partir de sa face inférieure, une première couche conductrice (11), une première électrode (13), une première couche diélectrique (15), une deuxième électrode (17) et une deuxième couche conductrice (19) ; b) graver, par gravure localisée, à partir de la face supérieure de l’empilement, la deuxième couche conductrice (19), la deuxième électrode (17) et une partie de l'épaisseur de la première couche diélectrique (15) dans une partie périphérique de l’empilement ; c) former une deuxième couche diélectrique (23) sur toute la surface de l'empilement, du côté de la face supérieure de l’empilement ; et d) graver la deuxième couche diélectrique (23), la première couche diélectrique (15) et la première électrode (13), par gravure anisotrope verticale non localisée, jusqu’à exposer la face supérieure de la deuxième couche conductrice (19) dans une partie centrale, non gravée à l’étape b), de l’empilement et la face supérieure de la première couche conductrice (11) dans la partie périphérique de l’empilement. Procédé selon la revendication 1, dans lequel, à l’issue de l’étape d), une portion de la deuxième couche diélectrique (23) subsiste sur le flanc de la partie centrale de l’empilement. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la gravure à l'étape b) est une gravure par plasma chimique. Procédé selon la revendication 3, dans lequel le plasma de la gravure à l'étape b) est à base de chlore. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel la gravure de l'étape d) est effectuée pleine plaque. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel la gravure à l'étape d) est une gravure par plasma chimique. Procédé selon la revendication 6, dans lequel le plasma de la gravure à l'étape b) est à base de fluor. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel, lors de l'étape c), la deuxième couche diélectrique (23) est formée de façon conforme. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, comportant, entre les étapes a) et b), une étape de formation d'un masque de gravure (21). Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel les première (11) et deuxième (19) couches conductrices sont à base d'aluminium. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel les première (15) et deuxième (23) couches diélectriques, sont en le même matériau. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 11, dans lequel les première (15) et deuxième (23) couches diélectriques sont en nitrure de silicium. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 12, dans lequel les première (13) et deuxième (17) électrodes sont en nitrure de tantale. Condensateur comportant une première couche conductrice (11) sur laquelle est formé un empilement, comportant, à partir de la face supérieure de la première couche (11), une première électrode (13), une première couche diélectrique (15), une deuxième électrode (17) et une deuxième couche conductrice (19), l'empilement comportant une marche, dans la deuxième couche conductrice (19), la deuxième électrode (17) et dans une partie de l'épaisseur de la première couche diélectrique (15), la marche étant comblée par une deuxième couche diélectrique (23) de sorte que les flancs de la première électrode (13) soient alignés avec les flancs de la deuxième couche diélectrique (23), la première couche conductrice (11) n'étant pas recouverte par la deuxième couche diélectrique (23) autour de l'empilement. Condensateur selon la revendication 14, formé à partir du procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 13.