Dispositif électronique (200) de type SiP, comprenant au moins : - une puce électronique (100) dotée d’une face d’interconnexion électrique ; - une couche de redistribution (121) couplée électriquement à la face d’interconnexion électrique de la puce électronique (100) ; - des éléments de connexion électrique (122) couplés électriquement à la puce électronique (100) par la couche de redistribution (121) qui est disposée entre la puce électronique (100) et les éléments de connexion électrique (122) ; - une première couche métallique (112) disposée du côté d’une deuxième face de la puce électronique (100), opposée à la face d’interconnexion électrique, et solidaire de la deuxième face de la puce électronique (100) ; - un matériau d’encapsulation (108) disposé autour de la puce électronique (100), entre la couche de redistribution (121) et la première couche métallique (112) ; - une deuxième couche métallique (114) comprenant une première face solidarisée par collage direct à la première couche métallique (112) ; - un substrat (116) disposé contre une deuxième face, opposée à la première face, de la deuxième couche métallique (114). Dispositif (200) selon la revendication 1, dans lequel les première et deuxième couches métalliques (112, 114) comportent du cuivre et/ou de l’or. Dispositif (200) selon la revendication 2, dans lequel chacune des première et deuxième couches métalliques (112, 114) comporte une couche de cuivre et une couche d’or disposées l’une contre l’autre, les couches d’or étant solidarisées par collage direct l’une contre l’autre. Dispositif (200) selon l’une des revendications précédentes, dans lequel le substrat (116) comporte au moins l’un des matériaux suivants : silicium, SiC, Cu, CuMo, CuW, AlN, AlSiC, et/ou dans lequel le substrat (116) comporte au moins une chambre de vapeur intégrée (126), et/ou dans lequel le substrat (116) comporte des structurations (124) favorisant des échanges thermique avec l’environnement extérieur. Dispositif (200) selon l’une des revendications précédentes, dans lequel les éléments de connexion électrique (122) sont répartis sur une partie de la couche de redistribution (121) dont la surface est plus grande que celle de la face d’interconnexion électrique de la puce électronique (100). Dispositif (200) selon l’une des revendications précédentes, dans lequel le substrat (116) est couplé électriquement à la puce électronique (100), et/ou comprenant en outre au moins une couche de blindage électromagnétique. Procédé de réalisation d’un dispositif électronique (200) de type SiP, comprenant au moins : - report d’une puce électronique (100) sur un premier substrat (102) tel qu’une face d’interconnexion électrique de la puce électronique (100) soit disposée du côté du premier substrat (102) ; - encapsulation de la puce électronique (100) dans un matériau d’encapsulation (108) ; - réalisation d’au moins une première couche métallique (112) sur le matériau d’encapsulation (108) et la puce électronique (100) ; - réalisation d’au moins une deuxième couche métallique (114) sur un deuxième substrat (116) ; - collage direct des première et deuxième couches métalliques (112, 114) l’une contre l’autre ; - désolidarisation du premier substrat (102) vis-à-vis de la puce électronique (100) et du matériau d’encapsulation (108) ; - réalisation d’au moins une couche de redistribution (121) couplée électriquement à la face d’interconnexion électrique de la puce électronique (100) ; - réalisation d’éléments d’interconnexion électrique (122) sur la couche de redistribution (121) tels que les éléments d’interconnexion électrique (122) soient couplés électriquement à la puce électronique (100) par la couche de redistribution (121). Procédé selon la revendication 7, dans lequel : - la réalisation de la première couche métallique (112) comporte au moins un dépôt d’une première couche de cuivre sur le matériau d’encapsulation (108) et la puce électronique (100), et - la réalisation de la deuxième couche métallique (114) comporte au moins un dépôt d’une deuxième couche de cuivre sur le deuxième substrat (116). Procédé selon la revendication 8, dans lequel le collage direct des première et deuxième couches métalliques (112, 114) l’une contre l’autre correspond à un collage direct des première et deuxième couches de cuivre l’une contre l’autre. Procédé selon la revendication 8, dans lequel : - la réalisation de la première couche métallique (112) comporte en outre un dépôt d’une première couche d’or sur la première couche de cuivre, et - la réalisation de la deuxième couche métallique (114) comporte en outre un dépôt d’une deuxième couche d’or sur la deuxième couche de cuivre, et - le collage direct des première et deuxième couches métalliques (112, 114) l’une contre l’autre correspond à un collage direct des première et deuxième couches d’or l’une contre l’autre. Procédé selon l’une des revendications 7 à 10, dans lequel l’encapsulation de la puce électronique (100) comporte au moins un dépôt du matériau d’encapsulation (108) sur la puce électronique (100), puis une planarisation du matériau d’encapsulation (108). Procédé selon l’une des revendications 7 à 11, dans lequel plusieurs puces électroniques (100) sont reportées simultanément sur le premier substrat (102) telles qu’une face d’interconnexion électrique de chacune des puces électroniques (100) soit disposée du côté du premier substrat (102), et dans lequel les autres étapes du procédé sont mises en œuvre collectivement pour toutes les puces électroniques (100), et comportant en outre, après la réalisation des éléments d’interconnexion électrique (122), une étape de découpe de la structure obtenue de manière à obtenir plusieurs dispositifs électroniques (100) de type SiP distincts comportant chacune une ou plusieurs puces électroniques (100). Procédé selon les revendications 11 et 12, dans lequel, lorsque les puces électroniques (100) ont des épaisseurs différentes, la planarisation du matériau d’encapsulation (108) est stoppée sur la ou les puces électroniques (100) ayant la plus grande épaisseur. Procédé selon l’une des revendications 7 à 13, comportant en outre, après la réalisation des éléments d’interconnexion électrique (122), une gravure du deuxième substrat (116) formant des structurations (124) favorisant des échanges thermiques avec l’environnement extérieur, et/ou dans lequel le deuxième substrat (116) comporte au moins une chambre de vapeur intégrée (126).