INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Une autre alternative est illustrée à la , dont la mise en œuvre permet d’alimenter le dispositif de conversion des aromatiques A9+ 5 par une coupe A9+ provenant exclusivement du reformat, en remplaçant la colonne de xylène 125 par deux colonnes de xylènes 125A et 125B, qui sont alimentées respectivement par une coupe A8+ provenant du reformat 150 et provenant de l’unité de transalkylation 138. Les produits de fond 102A et 102B alimentent respectivement le dispositif de conversion des aromatiques 5 et la colonne d’aromatiques lourds 126. La coupe A8+ 145 provenant de l’unité d’isomérisation des A8 est renvoyée à l’une ou l’autre ou les deux colonnes de xylènes. Il est possible, dans le cadre de l’invention, de mutualiser leur système de condensation en mélangeant les vapeurs de tête d’une première colonne dans le condenseur de la deuxième colonne, et de partager le distillat en deux portions pour alimenter chaque colonne. Dans le même esprit, Il est également possible de mutualiser la zone de rectification et le condenseur, en mélangeant les vapeurs de tête d’une première colonne dans la zone de rectification de la deuxième colonne, et d’optimiser leurs pressions opératoires.
La montre une autre variante du complexe aromatique détaillé dans la , dans laquelle le dispositif de conversion des aromatiques A9+ 5 est alimenté par un soutirage latéral 102C d’une coupe A9 placé en fond de la colonne de xylène 125, à quelques plateaux au-dessus du rebouilleur. Le positionnement de ce soutirage latéral et le débit soutiré sont ajustés de façon à obtenir une coupe A9 appauvrie en A10+, et ainsi réduire les tailles de la section de pré-fractionnement 1 et de la section de post-fractionnement 8, ainsi que leur charge thermique et températures de rebouillage. Le fond de la colonne de xylène (non représenté) est dirigé vers la colonne d’aromatique lourd 126. L’effluent 103 du dispositif de conversion des aromatiques 5, appauvri en A10+ est dirigé directement vers l’unité de transalkylation. Cela réduit ainsi la capacité et la charge thermique de la colonne de distillation des aromatiques lourds 126.
Exemples Exemple 1 L’unité de conversion des aromatique 5 est alimenté avec 58,6 t/h de charge provenant d’un reformat et contenant des aromatiques à neuf atomes de carbones dont la composition en % poids est définie dans le tableau 2 suivant :
Xylènes 0,4% iC3 Bz 1,9% nC3 Bz 4,8% Méthyl 3 éthyl BZ 13,8% Méthyl 4 éthyl BZ 6,8% Méthyl2 2thyl BZ 7,0% 1,3,5 TMBZ 5,3% 1,2,4 TMBZ 26,3% 1,2,3 TMBZ 8,2% Indane 1,4% A10 2,.6% A11+ 3,5%
Le catalyseur d’isomérisation est un catalyseur comprenant une zéolithe ZSM-12, du platine, et une matrice alumine. La préparation de ce type de catalyseur est bien connue de l’homme de métier et a été décrite dans les brevets US 2013/0041194, US 2009/0093661, US 2008/0275281.
Le catalyseur est obtenu par imprégnation à sec d’une solution aqueuse de platine tétramine chlorure sur des extrudés cylindriques de 1,5 mm d’un support composé par de l’alumine et de la zéolithe ZSM-12. Ce support est obtenu par comalaxage et extrusion de la zéolithe avec de la boehmite. Après extrusion, le solide et séché puis calciné à 550°C. Après imprégnation du platine les extrudés sont laissés maturer puis sont séchés et calcinés à 450°C. La composition finale du catalyseur est la suivante : 0,24% poids de Pt, 8% poids de zéolithe, le complément étant de l’alumine. Le catalyseur est activé in situ.
La charge 2 est alimentée au plateau 29 (numéroté à partir du condenseur), dans la section de pré-fractionnement 1 contenant 53 plateaux théoriques, le recycle provenant du fond de la section de post-fractionnement est alimenté au plateau 20. La section de pré-fractionnement 1 opère à une pression de 1,6 kg/cm 2 a, un taux de reflux massique de 5,6 et permet de récupérer en tête 90% des MEBZ et en fond 90% des TMBZ contenu dans la charge totale de la section de pré-fractionnement. Le flux de tête 4 enrichi en MEBZ après mélange à de l’hydrogène et réchauffage à la température réactionnelle est isomérisé dans le réacteur 11, l’effluent 7 après refroidissement est flashé dans un ballon séparateur 11, dont le liquide 19 après réchauffage est dirigé vers la section de post-fractionnement 8. La section de post-fractionnement 8 est une colonne comprenant 25 plateaux, opérée à 7 kg/cm 2 a et permet de récupérer :
- en fond, flux 10, 99,4% des composés A9 présents dans la charge,
Selon un mode de mise en œuvre, le moule est en une seule partie.
Selon un mode de mise en œuvre, le moule comprend au moins deux parties et l’étape de mise à disposition comprend une étape d’assemblage des au moins deux parties pour former le moule.
Selon un mode de mise en œuvre, la cavité est configurée pour recevoir le mélange via au moins deux canaux d’injections débouchant dans la cavité.
Selon ces dispositions, le procédé permet d’obtenir plus rapidement encore, et avec un remplissage plus homogène de la cavité du moule, une semelle de l’article chaussant relié à une partie de la tige de l’article chaussant.
Selon un mode de mise en œuvre, le moule comprend l’au moins un canal d’injection.
Selon un mode de mise en œuvre, le support comprend l’au moins un canal d’injection.
Selon un mode de mise en œuvre, le procédé comprend une étape d’encollage de l’au moins une partie de la surface de l’au moins une partie de la tige, l’étape d’encollage étant réalisée avant l’étape d’injection.
Selon un mode de mise en œuvre, l’au moins une partie de la surface de l’au moins une partie de la tige comprend des fils thermo fusibles configurés pour fondre à une température d’injection du mélange.
Selon ces dispositions, la résistance au décollement de la semelle et de la tige est renforcée.
Selon un mode de mise en œuvre, le procédé comprend en outre les étapes suivantes : - mettre à disposition des inserts configurés pour être positionnés dans la cavité du moule ; - positionner les inserts dans la cavité du moule.
Selon un mode de mise en œuvre, les inserts sont positionnés pour s’insérer au niveau d’une surface externe de la semelle, ou pour être noyés à l’intérieur de la semelle.
Selon ces dispositions, la résistance à l’abrasion de la semelle est renforcée, ou un dynamisme de la semelle est amélioré, selon que respectivement les inserts sont insérés vers une portion externe de la semelle, avec par exemple un ou des inserts en caoutchouc ou en matériau thermoplastique, ou noyés à l’intérieur de la semelle, avec par exemple un ou des inserts en plaque de carbone ou en matériau thermoplastique.
Selon un mode de mise en œuvre, l’au moins une partie de la surface de l’au moins une partie de la tige est au moins en partie trouée ou ouverte.
Selon un mode de mise en œuvre, l’au moins une partie de la surface de l’au moins une partie de la tige est texturée ou ajourée au contact de la zone d’accostage.
Selon ces dispositions, la résistance au décollement de la semelle et de la tige est encore renforcée.
Par exemple, le circuit 200 comprend un circuit 206 (bloc "BG CTRL") configuré pour recevoir le signal CMP et pour fournir au moins une tension déterminée par le signal CMP pour commander les grilles arrière de transistors PMOS et NMOS d'au moins un élément à retard d'au moins un des oscillateurs RO1 et RO2.
Dans le mode de réalisation de la , le circuit 200, par exemple le circuit 206, est configuré pour commander les grilles arrière de transistors PMOS et NMOS d'au moins un élément à retard de l'oscillateur RO1, les grilles arrière des transistors de l'oscillateur RO2 étant polarisées par des tensions fixes. Dit autrement, le circuit 200 est configuré pour ne commander que la fréquence de l'oscillateur RO1.
Selon un mode de réalisation, le circuit 200, par exemple le circuit 206, est configuré pour commander les grilles arrière de tous les transistors de l'oscillateur RO1, en fournissant une tension de commande VBG1 aux grilles arrière de tous les transistors PMOS de l'oscillateur RO1 et une tension de commande -VGB1 aux grilles arrière de tous les transistors NMOS de l'oscillateur RO1.
A titre d'exemple, les transistors PMOS, respectivement NMOS, sont disposés dans et sur une couche de silicium reposant sur une couche isolante reposant elle-même sur du silicium dopé de type N (ou puit de silicium N de l'anglais "N-well"), respectivement du silicium dopé de type P (ou puit de silicium P de l'anglais "P-well"), formant l'électrode de grille arrière de ces transistors. Dans cet exemple, la tension VBG1 est alors positive ou nulle et augmente, respectivement diminue, pour augmenter, respectivement diminuer, la fréquence de l'oscillateur RO1.
Dans un autre exemple, les transistors PMOS, respectivement NMOS, sont disposés dans et sur une couche de silicium reposant sur une couche isolante reposant elle-même sur du silicium dopé de type P (ou puit de silicium P de l'anglais "P-well"), respectivement du silicium dopé de type N (ou puit de silicium N de l'anglais "N-well"), formant l'électrode de grille arrière de ces transistors. Dans cet autre exemple, la tension VBG1 est alors négative ou nulle et augmente, respectivement diminue, en valeur absolue pour augmenter, respectivement diminuer, la fréquence de l'oscillateur RO1.
A titre d'exemple, le circuit 200 est en outre configuré pour fournir une tension de polarisation fixe VBG2f, respectivement -VBG2f, aux grilles arrière de tous les transistors PMOS, respectivement NMOS, de l'oscillateur RO2.
Dans la présente description, lorsqu'il est indiqué que le circuit 200 commande les grilles arrière de tous les transistors d'un oscillateur RO1 ou RO2, cela signifie de préférence que le circuit 200 commande les grilles arrière d'au moins tous les transistors des éléments à retard de la boucle fermée de l'oscillateur, c'est à dire des transistors de l'oscillateur ayant une tension de seuil influençant directement la fréquence des oscillations dans l'oscillateur.
A titre de variante de réalisation non illustrée, le circuit 200 est configuré pour commander la fréquence de l'oscillateur RO2 uniquement. La mise en œuvre de cette variante est à la portée de la personne du métier à partir de la description faite ci-dessus du cas où le circuit 200 commande la fréquence de l'oscillateur RO1 uniquement.
De préférence, la durée de comptage, qui dure ici N périodes du signal O2, est une durée glissante, ce qui permet au circuit 200 de commander de manière continue la fréquence d'au moins l'un des oscillateurs RO1 et RO2. A titre d'exemple, la durée de N périodes est dite glissante lorsque chaque durée de comptage de N périodes commence alors que la durée de comptage précédente de N périodes n'est pas terminée, c'est à dire lorsque chaque durée de comptage de N périodes recouvre en partie la durée de comptage précédente de N périodes et la durée de comptage suivante de N périodes. De manière alternative, la durée de comptage n'est pas une durée glissante, le compteur étant alors réinitialisé à chaque durée de comptage correspondant à N périodes du signal O2. A titre d'exemple, chaque durée de comptage de N périodes est dite non glissante lorsqu'elle ne recouvre pas, même en partie, les durées de comptage de N périodes précédente et suivante. A titre d'exemple, chaque durée de comptage non glissante de N périodes débute avec un front de type donné, par exemple un front montant, du signal Beat.
A titre d'exemple, le pas maximal avec lequel la période de l'oscillateur RO1 est modifiée par rapport à celle de l'oscillateur RO2, de sorte à pouvoir obtenir un écart de période entre les signaux O1 et O2 qui soit N fois plus faible que la période du signal O2, est égal à T/N avec T la valeur moyenne ou théorique de la période du signal O2. Par exemple, pour T égal à 2 ns, et N égal à 1000, la période de l'oscillateur RO1 est modifiée par rapport à celle de l'oscillateur avec un pas d'au plus 2 ps. La personne du métier sera en mesure de déterminer le pas correspondant sur les tensions de commande de la ou des grilles arrière des transistors commandés par le circuit 200.
La représente, sous la forme de blocs, une variante de réalisation du circuit 2 décrit en relation avec la . Le circuit 2 de la présente de nombreuses similitudes avec celui de la , et seules les différences entre ces circuits sont ici mises en exergues.
En particulier, par rapport à ce qui a été décrit en relation avec la où le circuit 200 commande la fréquence uniquement d'un seul des deux oscillateurs RO1 et RO2, dans la variante de la le circuit 200 commande la fréquence des deux oscillateurs RO1 et RO2. Dit autrement, en , le circuit 200 est configuré pour commander, sur la base de l'écart entre les périodes des signaux O1 et O2, les grilles arrière de transistors NMOS et PMOS d'au moins un élément à retard de l'oscillateur RO1 et les grilles arrière de transistors NMOS et PMOS d'au moins un élément à retard de l'oscillateur RO2.
Selon un mode de réalisation, le circuit 200, par exemple le circuit 206 est configuré pour commander les grilles arrière de tous les transistors de l'oscillateur RO1, par exemple en fournissant une tension de commande VBG1 aux grilles arrière de tous les transistors PMOS de l'oscillateur RO1 et une tension de commande -VBG1 aux grilles arrière de tous les transistors NMOS de l'oscillateur RO1, ainsi que tous les transistors de l'oscillateur RO2, par exemple en fournissant une tension VBG2 grilles arrière de tous les transistors NMOS de l'oscillateur RO2 et une même tension -VBG2 à tous les transistors PMOS de l'oscillateur RO2. Les tensions VBG1 et -VBG1 ont une même valeur absolue mais des polarités opposées et les tensions VBG2 et -VBG2 ont une même valeur absolue mais des polarités opposées.
A titre d'exemple, la tension VBG2 est égale à la tension VBG1, de sorte qu'une variation de la tension VBG1 entrainant une augmentation ou une réduction de la fréquence de l'oscillateur RO1 entraîne respectivement une diminution ou une augmentation de la fréquence de l'oscillateur RO2. Toutefois, la personne du métier sera en mesure de prévoir des mises en œuvre où la tension VBG2 est différente de la tension VBG1 et/ou une partie seulement des transistors de l'oscillateur RO1 et de l'oscillateur RO2 sont commandés par le circuit 200.
Par rapport au circuit 2 de la dans lequel un seul oscillateur RO1 ou RO2 est commandé par le circuit 200, le circuit 2 de la est moins précis en ce qui concerne le réglage de la fréquence de l'oscillateur RO1 par rapport à celle de l'oscillateur RO2, du fait que les deux oscillateurs RO1 et RO2 sont commandés simultanément par le circuit 200.
Des exemples de modes de réalisation dans lesquels le circuit 200 commande l'oscillateur RO1 et/ou l'oscillateur RO2 en utilisant le signal Beat et un compteur pour obtenir une indication de l'écart de périodes entre les deux signaux O1 et O2 ont été décrits en relation avec les figures 2 et 3.
Pour créer la contre pression, avant l’étape d’injection 107 du mélange supercritique dans la cavité 2 du moule 1, le procédé 100 comprend par exemple une étape de placement 103bis d’un couvercle 13 sur le moule 1 de manière à former avec le moule 1 un volume fermé comprenant la cavité 2, et une partie complémentaire 14 de la cavité 2 dans ledit volume fermé, la partie complémentaire 14 et la cavité 2 se trouvant de part et d’autre de la fermeture de la cavité 2 au niveau du contact entre la zone d’accostage 6 et le rebord 5 . La notamment présente le couvercle 13 posé sur le moule 1, afin de former le volume fermé comprenant la cavité 2 d’une part et le volume complémentaire 14 d’autre part ; la surface 7 de la partie de la tige 9 destinée à être prise dans le matériau moussé de la semelle 3 se trouve à l’intérieur de la cavité 2 du moule 1, et la surface de l’autre partie de la tige se trouve à l’intérieur de la partie complémentaire 14 de la cavité 2 dans le volume fermé formé par le couvercle 13 placé sur le moule 1. Sur la en particulier le couvercle 13 du moule 1 est représenté au-dessus du moule qui lui correspond, mais l’homme du métier comprendra que le procédé fonctionne aussi bien avec un moule 1 au-dessus du couvercle 13 comme cela est illustré à titre d’exemple sur la en perspective. Comme cela est illustré sur les figures 5 et 6 des joints 15 peuvent également être placés au niveau d’une zone de contact entre le couvercle 13 et le moule 1 pour assurer une étanchéité appropriée du volume fermé constitué par le couvercle 13 et le moule 1.
La partie complémentaire 14 est pressurisée, par exemple par injection d’un gaz dans ladite partie complémentaire 14 à une pression similaire à la pression de la cavité 2 de façon à ce que les défauts d'étanchéité au niveau de la zone 6 et du rebord 5 ne créent pas de fuite d’un gaz de pressurisation entre la cavité 2 et la partie complémentaire 14, la pression dans la partie complémentaire 14 faisant office de contre pression s’opposant à la pression dans la cavité 2. L’injection 107 du mélange supercritique dans la cavité 2 peut alors avoir lieu, par exemple via un canal d’injection 4 traversant le moule 1, comme cela est illustré sur la .
Par exemple, une pression de pressurisation de la cavité est comprise entre 5 bars et 50 bars, de préférence égale à 15 bars.
En référence à la , nous décrivons le déroulement complet des étapes du procédé 100 de fabrication d’une chaussure 10, selon un mode de réalisation qui comprend donc les étapes suivantes :
- mettre à disposition 103 un moule 1 définissant une cavité 2 ouverte, une forme d’au moins une partie de la cavité 2 correspondant à une forme d’une semelle 3 de la chaussure 10, la cavité 2 étant configurée pour recevoir, via au moins un canal 4 d’injection débouchant dans la cavité 2, un mélange comprenant une matière fondue et un fluide supercritique; - placer 105 un rebord 5 d’une ouverture de la cavité 2 ouverte au contact d’une zone d’accostage 6 d’une surface 7 d’au moins une partie d’une tige 9 de la chaussure 10, de manière à ce que la surface 7 de l’au moins une partie de la tige 9 assure une fermeture de la cavité au niveau du contact entre la zone d’accostage 6 et le rebord 5;
- pressuriser 105bis la cavité 2, notamment par l’injection d’un gaz dans ladite cavité 2 ; - injecter 107 le mélange dans la cavité 2;
-dépressuriser 108 la cavité 2 du moule, notamment par l’évacuation du gaz de ladite cavité 2, pour déclencher une expansion du mélange dans la cavité 2 et former la semelle 3 dans un matériau moussé résultant de l’expansion du mélange, l’au moins une partie de la surface 7 de l’au moins une partie 9 de la tige étant prise dans ledit matériau moussé de la semelle 3.
Selon ces dispositions, le procédé permet d’obtenir, en une seule étape d’injection 107, une semelle légère et amortissante de la chaussure 10 reliée à une partie d’une tige 9 de la chaussure 10, avec une bonne résistance au décollement de la semelle 3 et de la tige 9.
Une pressurisation dans la cavité 2 suivi d’une dépressurisation dans la cavité 2 permet une expansion du mélange et l’obtention du matériau moussé léger et amortissant de la semelle. Une pression de pressurisation dans la partie complémentaire 14 du volume fermé permet d’assurer une étanchéité, notamment au gaz, de la fermeture de la cavité 2, au niveau du contact entre la zone d’accostage 6 et du rebord 5.
La matière fondue est par exemple un polymère thermoplastique élastomère.
Selon un exemple de mise en œuvre, le polymère thermoplastique est un polyuréthane thermoplastique (TPU), ou un copolymère bloc éther-amide (PEBA), ou un éthylène vinyle acétate (EVA), ou une polyoléfine, ou un copolymère bloc éther-ester, ou un élastomère base styrène, ou un mélange de ces différents composants.
Le fluide supercritique est par exemple de l’azote dans un état supercritique ou du gaz carbonique dans un état supercritique ou un mélange d’azote et de gaz carbonique dans un état supercritique.
La densité de la semelle 3 obtenue finalement est comprise entre 0,1 g/cm3 et 0,4 g/cm3, de préférence entre 0,15 g/cm3 et 0,25 g/cm3.
En outre, la partie de la tige 9 prise dans le matériau moussé de la semelle 3 permet d’obtenir une résistance au décollement supérieure à 2,5 N/mm, mesurée selon la norme ISO NF EN 1392.
En particulier, l’étape 105bis de pressurisation de la cavité 2 peut par exemple comprendre l’étape suivante :
- placer 103bis un couvercle 13 sur le moule 1 de manière à former avec le moule 1 un volume fermé comprenant la cavité 2, et une partie complémentaire 14 de la cavité 2 dans ledit volume fermé, l’au moins une partie de la tige 9 se trouvant à l’intérieur dudit volume fermé, la partie complémentaire 14 et la cavité 2 se trouvant de part et d’autre de la fermeture de la cavité 2 au niveau du contact entre la zone d’accostage 6 et le rebord 5.
- pour l’une, par la composition A1 de l’exemple 1 ; et
Exemple 4 : propriétés mécaniques et thermiques d’articles moulés
Force à la rupture / élongation à la rupture La force à la rupture est mesurée selon la norme ISO 527-1 (type 1A) sur des échantillons moulés par injection par essai de traction a été effectuée selon le protocole décrit ci-après.
Le principe de la mesure consiste à étirer dans une machine de traction, dont la mâchoire mobile se déplace à une vitesse constante égale à 50 mm/minute, une éprouvette standard constituée des granulés obtenus à l’étape 2 (ou de référence) et à enregistrer, au moment où se produit la rupture de l'éprouvette, la contrainte de traction appliquée (en MPa) ainsi que l'allongement de l'éprouvette (en %). L'éprouvette standard est en forme d'haltère, comme illustré dans la norme internationale ISO 527. La partie étroite de l'haltère utilisée a pour longueur 80 mm, pour largeur 10 mm et pour épaisseur 4 mm.
Résistance aux chocs (Charpy) La résistance aux chocs est mesurée selon la méthode DIN EN ISO 179-2 1eA à 23°C sur des ISO test spécimens de type 1, de dimensions 80 x 10 x 4 mm (vitesse de 2,9 m/s).
Les propriétés mécaniques des différents articles préparés sont décrites dans le tableau suivant :
Exemple Granulés recyclés de l’exemple 3 – étape 2 (% en poids) Granulés de polypropylène recyclé (référence) (% en poids) Granulés de polypropylène (RD204CF de Borealis) (% en poids) Contrainte à la rupture (MPa) Delta par rapport au contrôle 4.1 (relatif) Elongation à la rupture (%) Delta par rapport au contrôle 4.1 Résistance impact aux chocs (charpy) Delta par rapport au contrôle 4.1 4.1 (contrôle) 0% 100% - 26,3 N/A 7,79 N/A 5,0 N/A 4.2 (invention) 5% 95% - 26,1 0.8% 8,11 4.1% 5,7 14% 4.3 (invention) 30% 70% - 25,1 4.6% 9,35 20% 6,2 24% 4.4 (comparatif) 0% 70% 30% nd nd 8,45 nd 4,8 nd
Nd : non déterminé
Plus préférentiellement, la composition CA comprend ou est constituée essentiellement :
- de 50 à 70 % de la composition (a1) de copolymères blocs styréniques ; et
- de 30 à 50 % d’au moins une résine tackifiante (a2) ayant une température de ramollissement comprise entre 5 et 140 °C.
La composition auto-adhésive thermofusible CA peut également comprendre, outre la composition (a1) et la (ou les) résines tackifiantes (a2), de 0,1 à 2 % d'un ou plusieurs stabilisants (ou anti-oxydant). Ces composés sont introduits pour protéger la composition d'une dégradation résultant d'une réaction avec de l'oxygène qui est susceptible de se former par action de la chaleur, de la lumière ou de catalyseurs résiduels sur certaines matières premières telles que les résines tackifiantes. Ces composés peuvent inclure des anti-oxydants primaires qui piègent les radicaux libres et sont généralement des phénols substitués comme l'Irganox ® 1010 de BASF. Les anti-oxydants primaires peuvent être utilisés seuls ou en combinaison avec d'autres anti-oxydants tels que des phosphites comme l'Irgafos ® 168 également de BASF, ou encore avec des stabilisants UV tels que des amines.
La composition CA peut également comprendre un plastifiant, mais dans une quantité ne dépassant pas 5 %. On peut utiliser comme plastifiant une huile paraffinique et naphténique (comme le Primol ® 352 de la société ESSO) comprenant éventuellement des composés aromatiques (comme le Nyflex 222B).
La composition CA peut enfin comprendre des charges minérales ou organiques, des pigments ou des colorants.