INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
la est une représentation schématique d’un circuit électronique, selon l’invention, propre à mettre en œuvre des opérations de calcul fournissant chacune une sortie binaire, le circuit comprenant des lignes de mot, des paires de lignes de bit complémentaires, des lignes de source, un ensemble de cellules mémoire organisées selon une matrice comportant des rangées et des colonnes, chaque cellule mémoire comportant au moins une paire de memristors et au moins une paire de commutateurs, et un module de lecture mis en œuvre lors de chaque opération de calcul, le module de lecture comportant une unité logique pour chaque colonne, chaque unité logique effectuant une opération logique avec basculement entre une valeur basse et une valeur haute en fonction d’une comparaison d’une valeur de colonne par rapport à une valeur de seuil de basculement, et une unité de modification, pour au moins une unité logique et en fonction de l’opération de calcul, d’une différence entre la valeur de colonne et la valeur de seuil de basculement ;
la est une représentation schématique d’une cellule mémoire respective selon un premier exemple de réalisation, où elle comporte deux paires de memristors et deux paires de commutateurs ;
la est un graphe montrant l’effet de la variabilité des valeurs des résistances des états d’un memristor ;
la est une vue schématique illustrant une opération XNOR effectuée via la cellule mémoire de la ;
la est une représentation schématique d’une unité logique respective de la , et de la tension en sortie de ladite unité logique en tenant compte de l’effet de variabilité représenté à la , pour un exemple à cinq rangées de cellules mémoire ;
la est une représentation schématique illustrant la modification, pour l’unité logique de la , de la différence entre la valeur de colonne et la valeur de seuil de basculement ;
la est une représentation du circuit électronique selon l’invention avec les cellules mémoire de la , dans un exemple où le circuit électronique forme un circuit neuromorphique mettant en œuvre un réseau de neurones à sortie binaire, chaque cellule mémoire étant associée à un poids synaptique respectif d’un neurone, et les lignes de mot étant aptes à recevoir des tensions d’entrée lors d’une opération de calcul neuronal ;
la est une représentation schématique du circuit électronique selon l’invention avec une implémentation particulière d’un contrôleur des paires de lignes de bit complémentaires, propre à réinitialiser une valeur de colonne respective après détection par l’unité logique d’un basculement pour ladite colonne ;
la est une représentation schématique du circuit électronique selon l’invention et d’un chronogramme associé, le circuit comportant en outre un registre en sortie de chaque unité logique, chaque registre étant propre à transcrire sous forme binaire le résultat de l’opération de calcul pour la colonne, en enregistrant - jusqu’à l’atteinte de la valeur résultante correspondant au résultat de l’opération de calcul - chaque valeur successive en sortie de l’unité logique correspondante, comme illustré sur le chronogramme ;
la est une représentation schématique d’une cellule mémoire respective selon un deuxième exemple de réalisation, où elle comporte une seule paire de memristors et une seule paire de commutateurs ;
la est une vue analogue à celle de la , représentant en outre des exemples de seuil de basculement, lorsque l’opération de calcul effectuée est l’opération ET logique, ou respectivement l’opération OU logique ; et
la est une représentation schématique du circuit électronique selon l’invention, le circuit comportant en outre une bascule en sortie de chaque unité logique, chaque bascule étant propre à réaliser une combinaison de résultats d’opérations logiques effectuées successivement par une unité logique respective, pour mettre en œuvre une opération logique combinée, telle qu’une opération de ou-exclusif ou une opération de non-ou-exclusif.
Il est à noter que l’expression « propre à » suivie d’un verbe est considérée équivalente à l’expression « configuré pour » suivie du même verbe. L’expression « propre à » sera alors au besoin remplaçable par l’expression « configuré pour », sans que cela ne modifie le contenu et la teneur de la présente invention.
En , le dispositif 400 est utilisé dans un système électronique 3400 pour former un circuit convertisseur de tension adapté à convertir une tension VIN3200 d'entrée continue en une tension VOUT3400 de sortie continue. Selon un exemple, la tension VIN3400 est de l'ordre de 220 V ou de 311 V. Selon un exemple, la tension VOUT3200 est de l'ordre de 400 V.
Le système 3400 comprend le dispositif 400. Le dispositif 400 comprend, dans ce mode de réalisation, une borne supplémentaire 3401 (SUPPLY) d'alimentation. La borne 3401 est reliée, de préférence connectée, à un noeud IN3400 recevant la tension d'entrée VIN3400.
Le système 3400 comprend, en outre, un condensateur d'entrée C3401 disposé entre le noeud d'entrée IN2300 et un noeud de référence REF3400. Ainsi, une première borne du condensateur C3401 est reliée, de préférence connectée, au noeud IN2300, et une deuxième borne du condensateur C3401 est reliée, de préférence connectée, au noeud de référence REF3400.
Le système 3400 comprend, en outre, entre le noeud d'entrée IN2300 et la borne de drain 470 (DRAIN) du dispositif 400, une bobine L3401 de sortie. Une première borne de la bobine L3401 est reliée, de préférence connectée au noeud IN3400, et une deuxième borne de la bobine 3401 est reliée, de préférence connectée, à la borne 470 du dispositif 400. La bobine L3401 forme un premier enroulement d'un transformateur fournissant la tension de sortie VOUT3400 du système 3400.
Le système 3400 comprend, en outre, un deuxième partie du transformation dont fait partie la bobine L3401. Cette partie comprend une bobine L3402, formant un deuxième enroulement du transformateur, une diode D3401 et un condensateur C3402. Une première borne de la bobine L3402 est reliée, de préférence connectée, à l'anode de la diode D3401, et la cathode de la diode D3401 est reliée, de préférence connectée, à un noeud OUT3400 fournissant la tension de sortie VOUT3400. Une deuxième borne de la bobine L3402 est reliée, de préférence connectée à une première borne du condensateur C3402, et une deuxième borne du condensateur C3402 est reliée, de préférence connectée au noeud C3402.
Le système 3400 comprend, en outre, un troisième partie du transformation dont fait partie les bobines L3401 et L3402. Cette partie comprend une bobine L3403, formant un troisième enroulement du transformateur, une diode D3402 et un condensateur C3403. Une première borne de la bobine L3403 est reliée, de préférence connectée, à l'anode de la diode D3402, et la cathode de la diode D3402 est reliée, de préférence connectée, à la borne 478 du dispositif 400. Une deuxième borne de la bobine L3403 est reliée, de préférence connectée à une première borne du condensateur C3403, et une deuxième borne du condensateur C3403 est reliée, de préférence connectée à la borne 478.
Le système 3400 comprend, en outre, entre la borne 477 (DZ) et la borne 472 de référence du dispositif 400, une diode Zener D3403. La cathode de la diode Zener 3403 est reliée, de préférence connectée, à la borne 477, et l'anode de la diode Zener D3403 est reliée, de préférence connectée, à la borne 472. La diode D3403 peut représenter la diode externe utilisée dans les circuits régulateurs de tension et de haute tension du dispositif 400.
Le système 3400 comprend, en outre, entre la borne 476 (VDD) et la borne 472 de référence du dispositif 400, un condensateur C3404 de filtrage. Un première borne du condensateur C3404 est reliée, de préférence connectée, à la borne 476, et une deuxième du condensateur C3404 est reliée, de préférence connectée à la borne 472.
Le système 3400 comprend, en outre et façon optionnelle, entre la borne 476 (VDD) et la borne 472 de référence du dispositif 400, une résistance R3401 et un condensateur C3405. Un première borne de la résistance R3401 est reliée, de préférence connectée, à la borne 476, et une deuxième de la résistance R3401 est reliée, de préférence connectée à une première borne du condensateur C3405. Un deuxième borne du condensateur C3405 est reliée, de préférence connectée, à la borne 472.
Le fonctionnement du système 3400 est le suivant. Au démarrage du système 3400, seule la borne 3401 alimente le système, mais une fois que les régulateurs de tension sont démarrés, les bornes 3401 et 478 alimentent le système, et la tension de sortie VOUT3400 se stabilise de la même manière que pour les systèmes 3200 et 3400.
Circuit de protection contre les surchauffes La présente description concerne de façon générale les systèmes et dispositifs électroniques, et plus particulièrement les systèmes et dispositifs électroniques formées à partir d'une structure de Nitrure de Gallium (GaN).
Il est classique de former des systèmes et des dispositifs électroniques à partir de substrat en silicium, mais d'autres matériaux semiconducteurs peuvent être utilisés. En particulier, des structures comprenant du Nitrure de Gallium (GaN) peuvent être utilisées.
Il serait souhaitable de pouvoir améliorer, au moins en partie, certains aspects des systèmes et dispositifs électroniques formées à partir dans et sur des structures comprenant du Nitrure de Gallium.
Il existe un besoin pour des systèmes et dispositifs électroniques formés dans et sur des structures comprenant du Nitrure de Gallium.
La est une vue de dessus, schématique et partielle, représentant un exemple d’agencement des pixels 2D P1 et P1′ et des pixels de profondeur P2 dans le dispositif de la .
Dans cet exemple, le capteur C1 est un capteur couleur comprenant uniquement deux types de pixels P1 distincts, à savoir des pixels rouges (R) et des pixels verts (G), et un seul type de pixels P1′ (B+Z), à savoir des pixels P1′ dont le filtre couleur 118 transmet préférentiellement, outre le rayonnement infrarouge émis par la source lumineuse associée au dispositif, de la lumière bleue. À titre de variante, le capteur C1 peut comprendre uniquement des pixels P1 bleus et des pixels P1 verts, le filtre couleur 118 des pixels P1′ transmettant préférentiellement, outre le rayonnement infrarouge, de la lumière rouge. Les pixels P1 et P1′ sont répartis en matrice selon des rangées et des colonnes, par exemple selon un motif de Bayer. Dans l’exemple représenté, un pixel sur deux dans la direction des rangées et un pixel sur deux dans la direction des colonnes est un pixel P1′ surmontant un pixel P2 du capteur C2. Le mur d’isolation vertical 135 délimitant la zone de détection de chaque pixel P2 a été représentée en pointillé sur la . Dans cet exemple, en vue de dessus, les dimensions des zones de détection des pixels P2 du capteur C2 sont supérieures aux dimensions des pixels P1′ du capteur C1. Ceci permet de faciliter l’alignement du capteur C1 par rapport au capteur C2 lors de la réalisation du dispositif.
À titre de variante, le capteur C1 peut être un capteur couleur comprenant trois types de pixels P1 distincts, à savoir des pixels rouges, des pixels bleus et des pixels verts, et un seul type de pixels P1′, à savoir des pixels P1′ dont le filtre couleur 118 transmet préférentiellement, outre le rayonnement infrarouge émis par la source lumineuse associée au dispositif, de la lumière verte.
À titre de variante, le capteur C1 est dépourvu de pixels P1 et comporte uniquement des pixels P1′, plus précisément trois types de pixels P1′ distincts, à savoir des pixels P1′ dont le filtre couleur 118 transmet préférentiellement, outre le rayonnement infrarouge émis par la source lumineuse associée au dispositif, de la lumière verte, de la lumière bleue ou de la lumière rouge.
Toutefois, la présente demande ne se limite pas aux exemples de combinaisons de types de filtres couleur 118 décrites. De manière générale, chaque pixel P1, P1′ du capteur C1 peut indifféremment être associé avec un filtre couleur 118 transmettant préférentiellement de la lumière bleue, verte ou rouge.
Dans le dispositif de la , les pixels P2 de profondeur peuvent être commandés individuellement de façon à produire une image de profondeur de résolution égale au nombre de pixels P2 du capteur C2.
À titre de variante, les pixels P2 peuvent être couplés par blocs de plusieurs pixels voisins, par exemple des blocs de trois par trois pixels P2 voisins de façon à réaliser un photo-multiplieur, par exemple de type SIPM. On prévoit alors de ne retenir que les évènements corrélés au sein de chaque bloc. Autrement dit, seuls les évènements détectés simultanément par plusieurs pixels du bloc seront retenus pour construire l’image de profondeur. La résolution de l’image de profondeur est alors inférieure au nombre de pixels P2 du capteur C2, mais l’immunité au bruit du capteur d’image de profondeur s’en trouve améliorée.
On notera que, selon l’application considérée, la cadence d’acquisition des images 2D par le capteur C1 peut être différente de la cadence d’acquisition des images de profondeur par le capteur C2.
La est une vue de dessus, schématique et partielle, représentant un autre exemple d’agencement des pixels 2D P1 et P1′ et des pixels de profondeur P2 dans un exemple d’un mode de réalisation d’un dispositif d’acquisition d’une image 2D et d’une image de profondeur, par exemple un dispositif analogue au dispositif de la .
Dans cet exemple, le capteur C1 est un capteur couleur comprenant uniquement deux types de pixels P1 distincts, à savoir des pixels rouges (R) et des pixels verts (G), et un seul type de pixels P1′ (B+Z), à savoir des pixels P1′ dont le filtre couleur 118 transmet préférentiellement, outre le rayonnement infrarouge émis par la source lumineuse associée au dispositif, de la lumière bleue. À titre de variante, le capteur C1 peut comprendre uniquement des pixels P1 bleus et des pixels P1 verts, le filtre couleur 118 des pixels P1′ transmettant préférentiellement, outre le rayonnement infrarouge, de la lumière rouge. Les pixels P1 et P1′ sont répartis en matrice selon des rangées et des colonnes, par exemple selon un motif dit « Quad Bayer ». Par rapport à l’agencement de la , l’agencement de la prévoit de regrouper les pixels de chaque type, parmi les pixels P1 verts, les pixels P1 rouges, les pixels P1 verts et les pixels P1′, en groupes de quatre pixels adjacents. À titre d’exemple, chaque groupe de quatre pixels P1 ou P1′ du même type peut partager un même filtre couleur 118 et un même filtre 120. Le mur d’isolation vertical 135 délimitant la zone de détection de chaque pixel P2 a été représenté en pointillé sur la . Dans cet exemple, en vue de dessus, les dimensions des zones de détection des pixels P2 du capteur C2 sont supérieures aux dimensions des groupes de quatre pixels P1′ du capteur C1. Ceci permet de faciliter l’alignement du capteur C1 par rapport au capteur C2 lors de la réalisation du dispositif.
Dans le dispositif de la , les pixels P1 ou P1′ de chaque groupe de quatre pixels du même type peuvent être commandés individuellement ou simultanément, en fonction de l’application visée. À titre d’exemple, les signaux issus des quatre pixels P1 ou P1′ de chaque groupe de pixels du même type peuvent être cumulés. Cela permet par exemple une réduction de bruit par rapport à un capteur dont les pixels occuperaient une surface sensiblement égale à la surface occupée par chaque groupe de quatre pixels P1 ou P1′ du même type. À titre de variante, dans chaque groupe de pixels P1 ou P1′ du même type, deux pixels peuvent être utilisés pour capturer une première image 2D pendant une durée d’exposition courte, les deux autres pixels étant utilisés pour capturer une deuxième image 2D pendant une durée d’exposition longue, supérieure à celle de la première image. Les première et deuxième images sont par exemple capturées simultanément puis combinées de sorte à obtenir une image à grande gamme dynamique (« High Dynamic Range » - HDR, en anglais).
La est une vue de dessus, schématique et partielle, représentant un groupe de quatre pixels P1′ d’un dispositif d’acquisition d’une image 2D et d’une image de profondeur du type décrit en relation avec la . Afin de ne pas surcharger le dessin, la microlentille 122, le filtre couleur 118 et les photodiodes 101 n’ont pas été représentés en . En , les murs d’isolation verticaux 103 délimitant les portions de substrat 100 correspondant respectivement aux différents pixels P1′ du groupe de quatre pixels P1′ ont été représentés.
Dans l’exemple illustré, des pistes et/ou bornes de connexion électrique 111 de l’empilement d’interconnexion 110 s’étendent sous la photodiode 101 de chaque pixel P1′. Ces pistes et/ou bornes 111 pénètrent à l’intérieur de la partie 50a de la région 50, la partie 50a de la région 50 entourant les pistes et/ou bornes 111. Dans l’exemple illustré en , chaque pixel P1′ comporte trois pistes 111 étant entendu que, en pratique, le pixel P1′ peut comporter un nombre quelconque de pistes et/ou de bornes 111. Dans cet exemple, les pistes 111 de chaque pixel P1′ sont par exemple connectées respectivement au substrat 100, à une grille de transfert 701 et à un nœud de lecture (non représenté) du pixel P1′. Les grilles de transfert 701 sont par exemple, comme illustré en , disposées aux quatre coins du carré formé par le groupe de quatre pixels P1′. Les grilles de transfert 701 peuvent être des grilles planaires, s’étendant parallèlement à la face avant du substrat 100, ou des grilles verticales, c’est-à-dire s’étendant verticalement dans l’épaisseur du substrat 100 depuis la face avant du substrat 100.
Dans l’exemple représenté, les quatre pixels P1′ du groupe partagent une région 50 commune. Cela présente pour avantage de limiter les phénomènes de diffraction lors du passage de la lumière dans la région 50. Cela permet par ailleurs de réduire une surface de contact entre les régions 50 et les murs d’isolation verticaux 103, seules deux parois latérales de chaque région 50 étant en contact avec les murs 103, dans l’exemple de la , au lieu de quatre parois latérales, dans l’exemple de la . Il en résulte une diminution de phénomènes de fuite à l’interface entre les régions 50 et les murs 103, donc une augmentation du flux lumineux infrarouge transmis vers le deuxième capteur C2.
Par radical hydrocarboné bivalent, on entend un radical bivalent constitué de carbone et d’hydrogène, préférentiellement comprenant de 1 à 20 atomes de carbone, et de manière préférée comprenant de 1 à 10 atomes de carbone.
Dans le cas où n est égal à 0, la formule générale (R1, R2)N-CO-[(NR5)-R6-(NR7)-CO] n -N(R3, R4) devient (R1, R2)N-CO-N(R3, R4). Dans le cas où n est égal à 1, la formule générale (R1, R2)N-CO-[(NR5)-R6-(NR7)-CO] n -N(R3, R4) devient (R1, R2)N-CO-(NR5)-R6-(NR7)-CO-N(R3, R4).
Dans la formule générale, on comprend que le groupe divalent CO représente un atome de carbone lié par une double liaison à un atome d’oxygène, que le groupe (R 1 , R 2 )N (respectivement N(R 3 , R 4 )) représente un atome d’azote lié à un groupe R 1 et à un groupe R 2 (respectivement R 3 et R 4 ) par une liaison covalente, que le groupe (NR5) (respectivement (NR7)) représente un atome d’azote lié à un groupe R5 (respectivement R7).
Un exemple de composé urée dans lequel les radicaux R 2 et R 3 forment ensemble un cycle est le 2-imidazolidinone, ou éthylèneurée.
De manière préférée, les radicaux ne forment pas, ensemble, de cycle.
De préférence, le composé urée est une mono-urée (donc n=0), et chaque radical R 1 , R 2 , R 3 et R 4 est choisi indépendamment dans le groupe constitué par l’hydrogène et un composé hydrocarboné choisi parmi : un radical alkyle ayant de 1 à 20 atomes de carbone, un radical cycloalkyle ayant de 5 à 24 atomes de carbone, un radical aryle ayant de 6 à 30 atomes de carbone et un radical aralkyle ayant de 7 à 25 atomes de carbone,
chaque radical R1, R2, R3 et R4 étant éventuellement substitué.
De préférence, chaque radical R 1 et R 3 est un atome d'hydrogène. L’urée est alors un composé de formule R 2 -HN-CO-NH-R 4 .
Dans un arrangement préféré, au moins un radical R 2 ou R 4 est un radical aryle ayant de 6 à 8 atomes de carbone, préférentiellement un radical phényle. De préférence dans cet arrangement préféré, le composé urée peut être une N-phénylurée ou le 1,3-diphénylurée.
Dans un arrangement préféré, le composé urée est une diurée (donc n=1) dans laquelle les radicaux R1, R2, R3 et R4 sont des radicaux méthyle, R5 et R7 sont l’atome d’hydrogène et R6 est un radical bivalent méthylphényle. Un exemple d’un tel composé di-urée est le composé « Amicure UR2T » de la société Evonik, de formule 1,1’-(4 methyl-m-phenylene) bis(3,3-dimethyl urée).
De préférence, le composé urée ne comprend pas de noyau aromatique.
De manière préférée, chaque radical R 1 , R 2 , R 3 et R 4 est un atome d'hydrogène. Le composé urée est alors un composé de formule H 2 N-CO-NH 2 couramment désigné sous le terme « urée » ou « carbamide ».
Ainsi, de manière très préférée, le composé urée est choisi parmi les composés urée, N, N’-diméthylurée, éthylèneurée, N-phénylurée, 1,3-diphénylurée, de manière préférée choisi parmi les composés urée, N, N’-diméthylurée, N-phénylurée, 1,3-diphénylurée et de manière très préférée choisi parmi les composés urée et N, N’-diméthylurée. Très préférentiellement, le composé urée est l’urée de formule H 2 N-CO-NH 2 .
La teneur en urée dans le mélange maître urée est comprise dans un domaine allant de 20 à 150 pce, de manière préférée de 30 à 140 pce, de manière très préférée de 80 à 120 pce. En dessous du minimum indiqué, une quantité trop importante des autres matériaux constituant le mélange maître urée serait introduite dans la composition élastomérique. Au-delà de ces teneurs, un mélange maître homogène permettant d’atteindre une bonne dispersion de l’urée dans la composition élastomérique à laquelle est destiné ce mélange maître est plus difficile à obtenir.
Système de réticulation Les compositions élastomériques comprennent un système de réticulation destiné à leur conférer, notamment, leurs propriétés élastiques. Le mélange maître urée selon l’invention, qui est destiné à être incorporé à une composition élastomérique, ne comprend pas de système de réticulation de l’élastomère, c’est-à-dire un système apte à réticuler l’élastomère présent dans le mélange maître urée.
En particulier, le mélange maître urée ne comprend pas de système de réticulation connu de l’homme du métier, par exemple de système de réticulation à base de soufre, et/ou de peroxyde et/ou de bismaléimides.
Dans un mode de réalisation, le dispositif d’immersion 120 exécute un programme d’interaction mettant en œuvre un procédé d’authentification.
Dans un mode de réalisation, le programme d’interaction est téléchargé dans le dispositif d’immersion 120 depuis le serveur distant 140, puis exécuté localement par le dispositif d’immersion 120 afin d’interagir avec l’utilisateur et de capturer les données comportementales, biométriques et autres données d’interactions nécessaires à l’authentification.
L’analyse des données capturées peut également être effectuée localement. Par exemple, le dispositif d’immersion peut effectuer localement l’analyse du facteur biométrique par comparaison de l’empreinte biométrique acquise avec une empreinte de référence (un gabarit biométrique de référence). Par exemple, le dispositif d’immersion peut effectuer localement la comparaison de la séquence temporelle de mouvements d’interaction avec une séquence de référence. Pour raisons de sécurité, la séquence de référence n’est pas stockée en clair mais sous forme chiffrée, par exemple sous forme de condensat numérique.
Dans un ou plusieurs modes de réalisation, la vérification des deux facteurs d’authentification de l’utilisateur (biométrique + séquence secrète) est réalisée par le serveur d’authentification qui transmet la décision d’authentification au dispositif d'immersion.