INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Le boîtier d’interconnexion 6 est détaillé sur la . Le boîtier 6 comprend une structure creuse 12, par exemple une structure parallélépipédique creuse de 30 cm de hauteur, 20 cm de largeur et 20 cm de profondeur, les parois de la structure creuse 12 comprenant un matériau plastique renforcé, par exemple du polypropylène chargé PP TD20, les parois faisant par exemple 5 mm d’épaisseur. Le choix du matériau plastique assure une résistance mécanique forte au boîtier 6 tout en conservant une masse faible. Avantageusement, le boîtier 6 comprend des éléments de renfort 14, par exemple des nervures de renfort formées sur la surface du boîtier 6.
La structure creuse 12 comprend une ouverture 16 formée dans une de ses parois afin de permettre le passage d’un câble électrique ou l’installation d’un composant électronique 18 à l’intérieur du boîtier 6, le composant électronique 18 étant destiné à être raccordé électriquement à un équipement du véhicule 2, par exemple à un phare du véhicule 2. La structure creuse 12 est par exemple apte à loger un fusible ou un relais.
La structure creuse 12 comprend au moins un élément externe de fixation 20 pour fixer la structure creuse 12 à une paroi du compartiment moteur 4 du véhicule 2. Par exemple la structure 12 creuse comprend des trous pour fixer la structure creuse 12 directement à la paroi au moyen de vis ou pour fixer la structure creuse 12 à une pièce métallique intermédiaire, la pièce métallique intermédiaire étant vissée ou soudée à la paroi.
La structure creuse 12 comprend au moins un support externe apte à maintenir un élément logé dans le compartiment moteur 4. Le support externe comprend par exemple une équerre ou une patte d’assemblage munie d’un trou. Avantageusement, le support externe est formé monobloc de la structure creuse 12. L’élément est par exemple vissé ou clippé au support de manière à être maintenu fixe à la structure creuse 12, l’élément pouvant ainsi être raccordé électriquement à proximité de la structure creuse 12.
Lorsque la couche support 11 comprend des défauts tels que des zones amorphes ou des joints de grains, ces défauts peuvent assister ou faciliter la migration des atomes de silicium vers la couche de SiC 12.
La température de recuit 23 permettant de former des cavités 13 est avantageusement comprise 900 °C et 1100 °C. En deçà de 900 °C, la mobilité des atomes de silicium n’est pas suffisante pour former des cavités 13 dans une durée qui puisse être compatible avec une cadence industrielle. Au-delà de 1100 °C, la mobilité des atomes de silicium est telle qu’elle permet la migration d’atomes entre cavités 13, tendant à former des cavités peu nombreuses mais de très grandes tailles (c’est à dire s’étendant au-delà de 100 nm de la couche de SiC 12). Le piégeage des porteurs de charge est amélioré lorsque la densité de cavités 13 (c’est à dire le nombre de cavités 13 par unité de surface de l’interface 112) croît. Le piégeage est en revanche détérioré lorsque la densité de cavités 13 décroît.
La couche de SiC 12 est avantageusement formée à une température comprise entre 300 °C et 500 °C. De la sorte, elle présente, avant recuit 23, une phase amorphe. Le recuit 23 des couches, et notamment de la couche de SiC 12, entre 900 °C et 1100 °C a pour effet de cristalliser la couche de SiC 12 selon un arrangement polycristallin. Cette cristallisation présente deux effets bénéfiques. Dans un premier temps, les joints de grains de l’arrangement polycristallin apportent une contribution au piégeage des porteurs de charges, renforçant le piégeage réalisé par les cavités 13. Dans un second temps, la cristallisation accélère également la migration des atomes de silicium de la couche support 11 vers la couche de SiC 12, de manière similaire à un pompage d’atomes de silicium, ayant pour effet d’accélérer la cinétique de formation des cavités 13.
Le recuit 23 est avantageusement réalisé pendant une durée comprise entre 15 min et 2 h, de sorte que la migration des atomes de silicium de la couche support 11 permet d’obtenir des cavités 13 s’étendant à au moins 5 nm de la couche de SiC 12 et à au plus 100 nm de cette couche. La dimension des cavités 13 (mesurée perpendiculairement au plan P et depuis la couche de SiC 12) est proportionnelle à la durée du recuit 23. Une durée de recuit de l’ordre de 15 min est compatible avec une cadence industrielle. Une durée de recuit de l’ordre de 2 h permet de former des cavités 13 de grandes tailles, proches de 100 nm, étendant la couverture du piégeage des porteurs de charges dans la couche support 11. La durée de recuit de l’ordre de 2 h est également compatible avec une cadence industrielle. En effet, le recuit est réalisable en four, permettant de traiter de manière simultanée plusieurs plaques, par exemple plusieurs dizaines. Par contraste, l’implantation ionique pouvant être mise en œuvre dans l’art antérieur réalise un traitement plaque par plaque.
La migration des atomes de silicium, et donc la cinétique de formation des cavités 13, est accélérée lorsque la couche de SiC 12 présente une fraction d’atomes de carbone (aussi appelée fraction de carbone) qui soit, avant recuit 23, au moins égale à la fraction d’atomes de silicium. La couche de SiC 12 présente ainsi, avant recuit 23, une fraction de carbone supérieure à 50 % et avantageusement inférieure à 70 %. La fraction de silicium dans la couche de SiC 12 est ainsi, avant recuit 23, inférieure à 50.
La cinétique de formation des cavités 13 est surtout accélérée lorsque la différence de fractions entre les atomes de carbone et de silicium est importante au voisinage de l’interface 112 entre ladite couche de SiC 12 et la couche support 11. La fraction de carbone de la couche de SiC 12 au-delà de 20 nm de la couche de support 11 ne montre en revanche pas d’impact significatif sur la cinétique de formation des cavités 13. Aussi, lorsque la couche de SiC 12 présente une épaisseur 121 supérieure à 20 nm (mesurée perpendiculairement au plan P et depuis l’interface 112 avec la couche support 11), telle qu’illustrée par la , elle présente alors une partie, s’étendant au moins sur 20 nm depuis la couche support 11 et dans laquelle la fraction de carbone est supérieure à 50 % et avantageusement inférieure ou égale à 70 %. Lorsque la couche de SiC 12 présente une épaisseur 121 inférieure ou égale à 20 nm, telle qu’illustrée par la , elle présente alors, sur toute son épaisseur 121, une fraction de carbone supérieure à 50 % et avantageusement inférieure ou égale à 70 %. En d’autres termes, la fraction de carbone de la couche de SiC 12, à moins de 20 nm de la couche support 11 (mesurée perpendiculairement au plan P et depuis l’interface 112), est avantageusement comprise entre 50 % et 70 %.
La couche de SiC 12 réagit avec l’oxygène et peut s’oxyder, par exemple par piqûres (« pitting » en anglais). Le recuit 23 est donc réalisé en minimisant le contact d’oxygène avec la couche de SiC 12. Le recuit 23 de l’empilement 10 est réalisé en maintenant une concentration d’oxygène en contact avec la couche de SiC 12 qui soit inférieure à 10 ppm, de préférence inférieure à 5 ppm, voire nulle.
Le recuit 23 est par exemple réalisé dans une atmosphère neutre, comprenant par exemple au moins un gaz neutre tel que l’azote ou l’argon. L’atmosphère neutre est alors dimensionnée de sorte qu’elle présente alors une concentration d’oxygène inférieure à 10 ppm, voire moins, au moins pendant la durée du recuit 23.
Le procédé 20, selon le mode de mise en œuvre de la , peut également comprendre une étape de formation 25 d’une couche isolante 14 et une étape de formation 26 d’une couche active 15 semiconductrice de sorte que l’empilement 10 final forme un substrat SOI, tel qu’illustré par la .
La formation 25 de la couche isolante 14, illustrée par la , est avantageusement réalisée par transfert à partir d’un substrat donneur 30. Le principe du transfert depuis un substrat donneur 30 est connu sous le nom SmartCut(TM). Lorsque la formation 25 de la couche isolante 14 est réalisée par transfert, la formation 26 de la couche active 15 est avantageusement également réalisée par transfert à partir d’un substrat donneur et si possible à partir du même substrat donneur 30. De manière avantageuse, la formation 25, 26 des deux couches précitées est réalisée simultanément.
Avant de réaliser la formation 25 de la couche isolante 14, il peut être nécessaire de préparer une surface 122 de la couche de SiC 12, destinée à accueillir la couche isolante 14. Dans ce cas, le procédé 20 comprend, avant la formation 25 de la couche isolante 14, une étape de lissage 24 de ladite surface 122. Le lissage 24, illustré par la , peut être réalisé par planarisation mécano-chimique ou CMP pour « Chemical Mechanical Polishing » en anglais. Le lissage 24 est réalisé de sorte que la couche de SiC 12 présente une rugosité de surface inférieure ou égale à 5 Å. La rugosité de surface est aussi appelée rugosité moyenne ou rugosité « RMS » pour « Root Mean Square » en anglais. La rugosité de la surface 122 de la couche de SiC pourra être évaluée au moyen d’une microscope à force atomique, ou « AFM » pour « Atomic Force Microscope » en anglais. La rugosité peut être évaluée sur une portion de la surface 122 d’environ 1 µm 2 .
Les formations 25, 26 simultanées des couches isolante et active 14, 15 par transfert peuvent être réalisées à partir d’un même substrat donneur 30, ce dernier comprenant alors une couche semiconductrice 35, par exemple en silicium cristallin ou polycristallin ou en phosphure d’indium cristallin ou en nitrure de gallium cristallin, sur laquelle s’étend une couche isolante 34, par exemple en oxyde de silicium. La couche isolante 34 présente par exemple une épaisseur comprise entre 100 nm et 1000 nm. La couche semiconductrice 35 sous-jacente présente par exemple une épaisseur supérieure à 50 nm, voire supérieure à 500 nm.
Les formations 25, 26 simultanées peuvent alors comprendre une sous-étape d’implantation d’ions légers (par exemple d’ions hydrogène ou hélium) dans la couche semiconductrice 35 du substrat donneur 30 jusqu’à une profondeur comprise entre 50 nm et 500 nm sous la couche isolante 34. L’implantation est par exemple réalisée à une dose de quelques 10 16 /cm² et à une énergie de quelques dizaines de keV.
Les formations 25, 26 simultanées comprennent ensuite une sous-étape de nettoyage de la surface libre 341 de la couche isolante 34 du substrat donneur 30, afin de permettre un collage direct entre ladite couche isolante 34 dudit substrat donneur 30 et la couche de SiC 12 de l’empilement 10. Le nettoyage de la surface libre 341 de la couche isolante 34 fait avantageusement intervenir des recettes connues des technologies silicium telles que la recette dite « RCA » (pour « Radio Corporation of America » en anglais) ou encore une recette dite CARO, comprenant un mélange de peroxyde d’hydrogène et d’acide sulfurique.
Il est toutefois avantageux, pour permettre une bonne adhésion de la couche isolante 34 sur la couche de SiC 12, que le nettoyage soit également suivi d’une activation de la surface libre 341 de la couche isolante 34 du substrat donneur 34. Ladite activation est par exemple réalisée au moyen d’un plasma, par exemple d’oxygène ou d’azote.
Les formations 25, 26 simultanées des couches isolante et active 14, 15 par transfert comprennent une sous-étape de collage du substrat donneur 30 sur l’empilement 10, tel qu’illustré par la , la couche libre 341 de la couche isolante 34 du substrat donneur 34 étant pressée contre la couche de SiC 12 de l’empilement 10. Le collage est ensuite suivi d’un recuit dit « recuit de séparation », visant à séparer la couche semiconductrice 35 du substrat donneur 30 en deux parties, suivant un plan comprenant les ions légers précédemment implantés. L’empilement 10 comprend ainsi, après recuit de séparation, une couche isolante 14, telle qu’illustrée par la , s’étend sur la couche de SiC 12 (car collée sur cette dernière). La couche semiconductrice 35 forme la couche active 15 de l’empilement 10.
Les laques, également appelées pigments organiques, peuvent être choisies parmi les matériaux ci-dessous et leurs mélanges :
- carmin de cochenille ;
- les pigments organiques de teintures azoïques, teintures anthraquinone, teintures indigoïdes, teintures xanthène, teintures pyrène, teintures quinoléine, teinture triphénylméthane ou teintures fluorane.
Parmi les pigments organiques pouvant notamment être mentionnés figurent ceux connus sous les noms suivants : D&C Blue No. 4, D&C Brown No. 1, D&C Green No. 5, D&C Green No. 6, D&C Orange No. 4, D&C Orange No. 5, D&C Orange No. 10, D&C Orange No. 11, D&C Red No. 6, D&C Red No. 7, D&C Red No. 17, D&C Red No. 21, D&C Red No. 22, D&C Red No. 27, D&C Red No. 28, D&C Red No. 30, D&C Red No. 31, D&C Red No. 33, D&C Red No. 34, D&C Red No. 36, D&C Violet No. 2, D&C Yellow No. 7, D&C Yellow No. 8, D&C Yellow No. 10, D&C Yellow No. 11, FD&C Blue No. 1, FD&C Green No. 3, FD&C Red No. 40, FD&C Yellow No. 5, FD&C Yellow No. 6 ;
- les laques organiques peuvent être des sels insolubles de sodium, potassium, calcium, baryum, aluminium, zirconium, strontium ou titane de teintures acides tels que les teintures azoïque, anthraquinone, indigoïdes, xanthène, pyrène, quinoléine, triphénylméthane ou fluorane, ces teintures comprenant éventuellement au moins un groupe acide carboxylique ou sulfonique.
Les laques organiques peuvent également être supportées sur un support organique tel que la colophane ou le benzoate d’aluminium, par exemple.
Parmi les laques organiques, on peut faire mention notamment de ceux connus sous les noms suivants : laque d'aluminium D&C Red No. 2, laque d'aluminium D&C Red No. 3, laque d'aluminium D&C Red No. 4, laque d'aluminium D&C Red No. 6, laque d'aluminium D&C Red No. 6, laque de baryum D&C Red No. 6, laque de baryum/strontium D&C Red No. 6, laque de strontium D&C Red No. 6, laque de potassium D&C Red No. 7, laque d'aluminium D&C Red No. 7, laque de baryum D&C Red No. 7, laque de calcium D&C Red No. 7, laque de calcium/strontium D&C Red No. 7, laque de zirconium D&C Red No. 8, laque de sodium D&C Red No.19, laque de zirconium, D&C Red No. 21, laque d'aluminium D&C Red No. 21, laque de zirconium, D&C Red No. 22, laque d'aluminium D&C Red No. 27, laque d'aluminium D&C Red No. 27, laque d'aluminium/titane/zirconium D&C Red No. 27, laque de baryum D&C Red No. 27, laque de calcium D&C Red No. 27, laque de zirconium D&C Red No. 28, laque d'aluminium D&C Red No. 30, laque de calcium D&C Red No. 31, laque de calcium D&C Red No. 33, laque d'aluminium D&C Red No. 34, laque de calcium D&C Red No. 36, laque d'aluminium D&C Red No. 40, laque d'aluminium D&C Blue No. 1, laque d'aluminium D&C Green No. 3, laque d'aluminium D&C Orange No. 4, laque d'aluminium D&C Orange No. 5, laque d'aluminium D&C Orange No. 5 laque de zirconium D&C Orange No. 10, laque d'aluminium D&C Orange No. 17, laque de baryum, D&C Yellow No. 5, laque d'aluminium D&C Yellow No. 5, laque de zirconium D&C Yellow No. 6, laque de zirconium D&C Yellow No. 7, laque d'aluminium D&C Yellow No. 10, laque d'aluminium FD&C Blue No. 1, laque d'aluminium FD&C Red No. 4, laque d'aluminium FD&C Red No. 40, laque d'aluminium FD&C Yellow No. 5 ou laque d'aluminium FD&C Yellow No. 6.
L’agent de traitement hydrophobe peut être choisi parmi les silicones tels que les méthicones, les diméthicones, les alcoxysilanes et les perfluoroalkylsilanes ; les acides gras tels que l’acide stéarique ; les savons métalliques tels que le dimyristate d’aluminium, le sel d’aluminium du glutamate de suif hydrogéné, les phosphates de perfluoroalkyle, les perfluoroalkylsilanes, les perfluoroalkylsilazanes, les oxydes de polyhexafluoropropylène, les polyorganosiloxanes comprenant des groupes perfluoroalkyl perfluoropolyéther et les acides aminés ; les acides N-acylaminés ou leurs sels ; la lécithine, le titanate d’isopropyl triisostéaryle et leurs mélanges.
Les acides N-acyl aminés peuvent comprendre un groupe acyle contenant de 8 à 22 atomes de carbone, tels que, par exemple, un groupe 2-éthylhexanoyle, caproyle, lauroyle, myristoyle, palmitoyle, stéaroyle ou cocoyle. Les sels de ces composés peuvent être les sels d’aluminium, de magnésium, de calcium, de zirconium, de zinc, de sodium ou de potassium. L’acide aminé peut être, par exemple, la lysine, l’acide glutamique ou l’alanine.
Le terme « alkyle » mentionné dans les composés cités ci-dessus désigne notamment un groupe alkyle contenant de 1 à 30 atomes de carbone et contenant de préférence de 5 à 16 atomes de carbone.
Les pigments traités hydrophobiquement sont notamment décrits dans la demande de brevet EP-A-1 086 683.
Teintures liposolubles Les teintures liposolubles, telles qu'une soluble dans le milieu de la composition, peuvent être utiles. Des exemples peuvent être donnés de rouge Soudan, DC Red 17, DC Green 6, β-carotène, huile de soja, brun Soudan, DC Yellow 11, DC Violet 2, DC Orange 5 et jaune de quinoléine.
Nacres Au sens de la présente demande de brevet, on entend par « nacre » des particules colorées de toute forme, pouvant être iridescentes ou non, produites notamment par certains mollusques dans leur coquille, ou en variante synthétisées, et qui ont un effet de couleur par interférence optique.
Les exemples de nacres qui peuvent être mentionnés incluent les pigments nacrés tels que le mica de titane enrobé d’oxyde de fer, le mica de titane enrobé d’oxychlorure de bismuth, le mica de titane enrobé d’oxyde de chrome, le mica de titane enrobé d’une teinture organique en particulier du type susmentionné, ainsi que les pigments nacrés à base d’oxychlorure de bismuth.
Il peut également s’agir de particules de mica, dont la surface se superpose à au moins deux couches successives d’oxydes métalliques et/ou de colorants organiques.
représente schématiquement différents états de différentes zones par le système de gestion d’éclairage selon le mode de réalisation de la .
montre une représentation schématique d’un système de gestion d’éclairage S pour commander des sources lumineuses L. Les sources lumineuses L peuvent être de type « LEDs » pour diode électroluminescente, lampes (ampoule) LED ou encore fluorescente etc. montées chacune dans un luminaire par exemple encastré, qui peut être un plafonnier ou murale permettant d’éclairer une zone d’un environnement E tel que représentée sur la représentant une installation du système de gestion d’éclairage S dans cet environnement E.
Le système de gestion d’éclairage S comprend un seul détecteur de présence. L’unique détecteur de présence du système de gestion d’éclairage S est un imageur thermique 1 comprenant un seul bolomètre non refroidi ayant une résolution inférieure à 20000 pixels et une optique 10. L’imageur thermique 1 capte uniquement des images thermiques dans un champ de vision C1 de l’environnement E et non des images dans le domaine du visible. Le champ de vision, appelé également un angle de vision , est la mesure de la zone de vision que L’imageur thermique 1 peut capturer. Le champ de vision C1 a un angle qui est en fonction des caractéristiques de l’imageur thermique, notamment de la lentille de l’optique 10 ainsi que sa distance avec le bolomètre non refroidi. Les bolomètres non refroidis utilisent les changements induits par la température dans la résistance électrique et la polarisation et les propriétés diélectriques des matériaux constituant les détecteurs. Les détecteurs bolométriques infrarouges à l’avantage de fonctionner à température ambiante, est faible en coût, a une faible consommation d’énergie, une taille et un poids réduits. L’imageur thermique 1 capte ainsi des images dont il est possible d’identifier la présence d’une personne humaine qu’elle soit statique ou dynamique (mobile). En effet par exemple si d’une image à une autre thermique la présence humaine détectée est au même endroit de l’image la personne est statique et au contraire si la personne se déplace d’une image à une autre thermique la présence humaine détectée est à un emplacement différent sur l’image mais contigüe à l’image précédente.
Le système de gestion d’éclairage S comprend en outre un capteur de luminosité 2 par exemple de type photodiode, pour mesurer la luminosité dans un champ de vision C2 de l’environnement E.
Dans cet exemple de ce mode de réalisation, le système de gestion d’éclairage S comprend un boitier 6 logeant le capteur de luminosité 2 et l’imageur thermique 1. Dans ce mode de réalisation le système de gestion d’éclairage S est un dispositif de gestion autonome comprenant tous les composants du système de gestion d’éclairage S logés dans le boitier 6. Selon un autre mode de réalisation, le système peut comprendre différents boitiers comprenant chacun différents composants du système de gestion d’éclairage S. En particulier le boitier 6 comprend une boite d’encastrement installée dans l’exemple de la dans un plafond. Le boitier 6 comprend un couvercle recouvrant la boite d’encastrement, le couvercle comprend une ouverture d’imageur thermique et une ouverture de capteur de luminosité pour permettre respectivement à l’imageur thermique 1 et au capteur de luminosité 2 de respectivement capter l’image thermique et mesurer la luminosité dans l’environnement E.
Dans cet exemple de ce mode de réalisation, comme visible sur la , le champ de vision C2 est plus petit que le champ de vision C1. Les champs de vision sont dépendant de l’optique, du champ de vision du capteur et de sa hauteur d’installation. Dans cet exemple, l’imageur thermique comprend un capteur thermique et une optique permettant d’avoir un champ de vision couvrant une surface de 60m2 au sol à une hauteur d’installation de 2m40 du dispositif de gestion autonome. Le champ de vision du capteur de luminosité peut être par exemple au moins 5 fois plus petit, ici dans cet exemple 10m2 pour une hauteur d’installation de 4m du dispositif de gestion autonome. Selon un autre exemple, par exemple le capteur de luminosité à un champs de vision de seulement 1m2, cela peut être utile dans le cas d’installation ou la luminosité extérieure peut arriver (par une fenêtre) proche de l’installation du dispositif de gestion autonome.
Ainsi selon le besoin d’une installation d’un dispositif de gestion autonome dans un environnement, le dispositif de gestion comprendra un imageur thermique comprenant une optique adaptée aux champs de vision à détecter dans la zone et un capteur de luminosité ayant un champ de vision adapté à l’environnement pour éviter de mesurer un apport de lumière extérieur direct. Les deux champs de vision sont donc indépendants et ont chacun un angle formant un rayon du champ de vision qui est fonction de l’installation du dispositif de gestion, c’est-à-dire la distance entre l‘imageur thermique ou du capteur de luminosité et les surfaces.
Le capteur de luminosité permet ainsi de mesurer la luminosité de l’environnement (au moins dans son champ de vision C2).
Le système de gestion d’éclairage S comprend un moyen de communication 3 avec une interface d’utilisateur 30. Le moyen de communication 3 peut être une connexion sans fil par exemple wifi ou Bluetooth ou peut être filaire par le biais d’une connectique.
Le système de gestion d’éclairage S comprend une interface éclairage 4 pour commander les différentes sources lumineuses L. Dans l’installation représentée sur la , le système de gestion d’éclairage S peut contrôler huit sources lumineuses L1 , L2, L3, L4, L5, L6, L7, L8 de manière indépendante. Par exemple, Le système de gestion d’éclairage S peut contrôler les huit sources lumineuses L1 , L2, L3, L4, L5, L6, L7, L8 en étant connecté à un bus de gestion d’éclairage comme DALI ou bien encore comprend différentes sorties connectées chacune à un dispositif de control de la source lumineuse par exemple un relais ou encore tout autre dispositif comme une unité de commande connectée de la source lumineuse.
Le système de gestion d’éclairage S comprend une unité de contrôle 5 pour contrôler les différentes sources lumineuses L, L1, L2, L3, L4, L5, L6, L7, L8.
L’unité de contrôle 5 comprend donc une sortie reliée à l’interface éclairage 4 pour transmettre les différentes commandes aux sources lumineuses L, L1, L2, L3, L4, L5, L6, L7, L8 afin de varier la luminosité dans l’environnement E.