INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Après l'instant t4, les signaux sig1, sig3, sig11, sig31, O1 et O2 sont dans la même configuration qu'à l'instant t0, et les commutations décrites en relation avec les instants successifs t1, t2, t3 et t4 se répètent pour les périodes suivantes des signaux sig1 et sig2.
A droite en , à un instant t10, les signaux sig1, sig3, sig11, sig31, O1 et O2 sont dans la même configuration que celle décrite en relation avec l'instant t0.
A un instant t11 postérieur à l'instant t10, le signal sig3 devient supérieur à sa composante continue DC3 alors que le signal sig1 est encore inférieur à sa composante continue DC1. Il en résulte que le signal sig31 commute à son premier niveau alors que le signal sig11 reste à son deuxième niveau. Les signaux O1 et O2 restent alors à leurs premiers niveaux.
A un instant t12 postérieur à l'instant t11, le signal sig1 devient supérieur à sa composante continue DC1 alors que le signal sig3 est encore supérieur à sa composante continue DC3. Il en résulte que le signal sig11 commute à son premier niveau alors que le signal sig31 est à son premier niveau. Cela entraîne que le signal O1 commute de son premier niveau à son deuxième niveau alors que le signal O2 reste à son premier niveau.
A un instant t13 postérieur à l'instant t12, le signal sig3 devient inférieur à sa composante continue DC3 alors que le signal sig1 est encore supérieur à sa composante continue DC1. Il en résulte que le signal sig31 commute à son deuxième niveau alors que le signal sig11 reste à son premier niveau. Ainsi, entre les instants t12 et t13, le signal O1 est maintenu à son deuxième niveau, le signal O2 reste à son premier niveau, et, en outre, à l'instant t13 le signal O1 commute à son premier niveau.
A un instant t14 postérieur à l'instant t13, le signal sig1 devient inférieur à sa composante continue DC1 alors que le signal sig3 est encore inférieur à sa composante continue DC3. Il en résulte que le signal sig11 commute à son deuxième niveau alors que le signal sig31 reste à son deuxième niveau.
Après l'instant t14, les signaux sig1, sig3, sig11, sig31, O1 et O2 sont dans la même configuration qu'à l'instant t10, et les commutations décrites en relation avec les instants successifs t11, t12, t13 et t14 se répètent pour les périodes suivantes des signaux sig1 et sig3.
Comme le montre la , quand les signaux sig11 et sig31 sont tous les deux à leurs premiers niveaux : - les signaux O1 et O2 sont respectivement à leurs premier et deuxième niveaux si les signaux sig1 et sig3 sont les signaux respectivement I et Q, et, à l'inverse, - les signaux O1 et O2 sont respectivement à leurs deuxième et premier niveaux si les signaux sig1 et sig3 sont les signaux respectivement Q et I.
Les niveaux des signaux O1 et O2 quand les signaux sig11 et sig31 sont à leurs premiers niveaux permettent donc de déterminer lequel des signaux sig1 et sig3 est le signal I et le signal Q.
En se référant de nouveau à la , de manière optionnelle, le circuit 200 est en outre configuré pour convertir les signaux sig2 et sig4 en deux signaux carrés correspondant sig21 et sig41. Le circuit 200 est alors configuré pour recevoir le signal sig2 en opposition de phase avec le signal sig1 et le signal sig4 en opposition de phase avec le signal sig3. Le circuit 200 est alors configuré pour fournir le signal sig21 à un premier niveau, par exemple haut, lorsque le signal sig2 est positif par rapport à sa composante continue et à un deuxième niveau, par exemple bas, lorsque le signal sig2 est négatif par rapport à sa composante continue, et pour fournir le signal sig41 à un premier niveau, par exemple haut, lorsque le signal sig4 est positif par rapport à sa composante continue et à un deuxième niveau, par exemple bas, lorsque le signal sig4 est négatif par rapport à sa composante continue. De préférence, les premiers niveaux des signaux carrés sig11, sig21, sig31 et sig41 correspondent à une même première valeur de tension, et les deuxièmes niveaux des signaux carrés sig11, sig21, sig31 et sig41 correspondent à une même deuxième valeur de tension.
Selon un mode de réalisation, le circuit 200 comprend deux circuits 202 supplémentaires pour fournir les signaux sig21 et sig41 à partir des signaux respectifs sig2 et sig4.
Dans un exemple de réalisation, la structure fibreuse pré-densifiée comprend un renfort fibreux formé par tissage tridimensionnel ou à partir d’une pluralité de strates fibreuses bidimensionnelles.
La représente, de manière schématique et partielle, un exemple de structure fibreuse pré-densifiée pouvant être mise en œuvre dans le cadre de l’invention.
La représente, de manière schématique et partielle, un autre exemple de structure fibreuse pré-densifiée pouvant être mise en œuvre dans le cadre de l’invention.
Il est ensuite réalisé une étape S30 de formation d’un dépôt de carbure de silicium. Cette étape S30 peut être séparée en deux phases. Lors de la première phase, la structure fibreuse est toujours dans l’outillage de conformation et une couche 301 de consolidation de carbure de silicium est déposée sur l’interphase 20 et le renfort fibreux 10. La couche 301 de consolidation peut être déposée au contact de l’interphase 20. Cette couche a une épaisseur suffisante pour lier suffisamment les fibres de sorte que la structure conserve sa forme sans assistance de l’outillage de maintien. Cette couche apporte une protection à l’interphase vis-à-vis de l’oxydation et peut être formée par infiltration chimique en phase vapeur de manière connue en soi, par exemple à partir d’une phase gazeuse comprenant du méthyltrichlorosilane (MTS) et de l’hydrogène (H 2 ). L’épaisseur e 301 de la couche 301 de consolidation peut être supérieure ou égale à 0,1 µm, par exemple comprise entre 0,1 µm et 5 µm. Lors de la deuxième phase, la structure fibreuse consolidée et mise à la forme de la pièce à obtenir peut être retirée de l’outillage et la formation de la matrice de pré-densification peut être initiée en déposant une première couche 302 de celle-ci en carbure de silicium. La première couche 302 peut être déposée au contact de la couche 301 de consolidation. L’épaisseur e 302 de la première couche 302 peut être supérieure à l’épaisseur e 301 de la couche 301 de consolidation. Cette première couche 302 de carbure de silicium apporte une large contribution de performance mécanique au matériau composite et apporte une protection vis-à-vis du silicium fondu mis en œuvre lors de l’infiltration ultérieure. L’épaisseur e 302 de la première couche 302 peut être supérieure ou égale à 1 µm, par exemple comprise entre 1 µm et 20 µm. Comme pour la couche de consolidation, la première couche de la matrice de pré-densification peut être formée par infiltration chimique en phase vapeur de manière connue en soi. D’une manière générale, la matrice de pré-densification peut être formée par infiltration chimique en phase vapeur.
Le procédé se poursuit par introduction d’une poudre 50 dans une porosité résiduelle de la structure pré-densifiée (étape S40). Cette poudre 50 peut être introduite dans la structure fibreuse par voie barbotine (« slurry-cast ») de manière connue en soi. La poudre comprend au moins une poudre de carbure de silicium et éventuellement une poudre de carbone et/ou une poudre de carbure de bore.
La formation de la matrice de pré-densification peut être poursuivie par formation du dépôt protecteur 40 sur la première couche 302 et sur la poudre 50 (étape S50). La poudre 50 est intercalée entre la première 302 et la deuxième couche 40. Dans l’exemple illustré aux figures 2 et 3, la deuxième couche protectrice 40 est au contact à la fois de la poudre 50 et de la première couche 302 mais on ne sort pas du cadre de l’invention si ce n’est pas le cas, comme cela sera détaillé dans la suite. Comme indiqué plus haut, ce dépôt 40 permet de protéger le carbure de silicium sous-jacent de l’attaque par le silicium fondu. Différentes structures sont envisageables pour ce dépôt comme il va à présent être décrit.
Dans l’exemple de la , la matrice de pré-densification comprend une unique couche 40 protectrice formée par un système binaire B-C ou ternaire Si-B-C. La couche 40 protectrice est ici au contact de la première couche 302 et de la poudre 50. Dans l’exemple illustré, la couche 40 définit une surface externe Sext de la matrice de pré-densification, c’est-à-dire qu’elle forme la couche la plus éloignée du renfort fibreux 10 lors de l’infiltration. Ainsi lors de l’infiltration, aucune autre couche n’est intercalée entre la couche 40 et la composition d’infiltration dans l’exemple illustré à la . La matrice de pré-densification, recouvrant la couche 301 de consolidation, comprend ici uniquement la première couche 302, la poudre 50 et la couche 40. L’épaisseur de la couche 40 peut être supérieure ou égale à 0,1 µm, par exemple comprise entre 0,1 µm et 2 µm. Plusieurs compositions peuvent être envisagées pour la couche 40. La couche 40 peut être en carbure de bore, avec éventuellement présence de carbone libre en excès, ou en carbone dopé au bore avec du bore en une proportion atomique comprise entre 5% et 20%. Selon une variante, la couche 40 peut être formée par un système ternaire Si-B-C ayant, en pourcentage atomique, une teneur en bore comprise entre 56% et 79%, une teneur en carbone comprise entre 17% et 39% et une teneur en silicium comprise entre 3% et 6%. Ces compositions sont connues en soi dans le domaine des CMC et peuvent être déposées par infiltration chimique en phase vapeur. Les conditions de dépôt des matériaux aptes à former la couche protectrice sont détaillées notamment dans WO 96/30317 et FR 2 668 477. En particulier, un dépôt de carbure de bore, avec éventuellement du carbone libre en excès, peut être obtenu à partir d’une phase gazeuse comprenant du trichlorure de bore (BCl 3 ) et un hydrocarbure comme le méthane (CH 4 ). Un dépôt d’un système ternaire Si-B-C peut être obtenu à partir d’une phase gazeuse comprenant un mélange de MTS, BCl 3 et H 2 . D’une manière générale, on peut imposer une température comprise entre 850°C et 1000°C et une pression comprise entre 50 mbar et 150 mbar durant le dépôt de la couche 40 par infiltration chimique en phase vapeur. La durée du dépôt de cette couche est ajustée en fonction de l’épaisseur souhaitée et est par exemple comprise entre 1 heure et 20 heures. Dans l’exemple de la , l’architecture est similaire mais comprend une couche 42 de pyrocarbone qui définit la surface externe Sext de la matrice de pré-densification. Le pyrocarbone forme dans cet exemple la couche de la matrice de pré-densification la plus éloignée du renfort fibreux. L’épaisseur e 42 de la couche 42 peut être supérieure ou égale à 0,1 µm, par exemple comprise entre 0,1 µm et 2 µm.
Il est connu d'avoir des séquences de démarrage différentes entre les oscillateurs VCO1 et VCO2, de manière à forcer l'un des deux signaux sig1 et sig3 à être le signal I. Toutefois, cela augmente le temps nécessaire à la stabilisation des deux oscillateurs VCO1 et VCO2 à chaque démarrage ou changement de fréquence porteuse.
Il est également connu d'ajouter une erreur de phase dans l'un des deux oscillateurs VCO1 et VCO2 de manière à forcer l'un des deux signaux sig1 et sig3 à être le signal I. Toutefois, l'introduction d'une erreur de phase n'est pas souhaitable, par exemple car cela conduit à une erreur sur la distance déterminée par le dispositif 1 à partir du signal sig et des signaux I et Q.
Il est aussi connu d'introduire une différence entre des courants de polarisation des deux oscillateurs VCO1 et VCO2 de manière à forcer l'un des deux signaux sig1 et sig3 à être le signal I. Toutefois, cela résulte en une différence d'amplitude entre les signaux sig1 et sig3, ce qui n'est pas souhaitable.
Il est ici proposé un circuit de détection de signaux I et Q permettant de déterminer parmi les signaux sig1 et sig3 celui qui est le signal I et celui qui est le signal Q, sans introduire de déséquilibre entre les deux oscillateurs VCO1 et VCO2 contrairement à ce qui est fait dans les solutions connues décrites ci-dessus.
Le circuit proposé est destiné recevoir les signaux sig1 et sig3, peut être destiné à recevoir également les signaux sig2 et sig4, et est configuré pour fournir deux signaux O1 et O2 à partir desquels il est possible d'identifier, après le démarrage des oscillateurs VCO1 et VCO2, si les signaux sig1 et sig3 correspondent respectivement aux signaux I et Q ou respectivement aux signaux Q et I. Ainsi, à partir des deux signaux O1 et O2, le circuit de traitement 102 peut commuter entre une configuration où il utilise les signaux sig1 et sig3 comme signaux I et Q respectivement, et une configuration où il utilise les signaux sig1 et sig3 comme signaux Q et I respectivement.
La représente, sous la forme de blocs, un mode de réalisation d'un circuit ou dispositif 2 de détection de signaux I et Q.
Le dispositif 2 comprend un circuit 200 configuré pour convertir les signaux sinusoïdaux sig1 et sig3 en deux signaux carrés correspondants sig11 et sig31.
Le circuit 200 est configuré pour recevoir les signaux sig1 et sig3 en quadrature l'un avec l'autre. Le circuit 200 est configuré pour fournir le signal sig11 à un premier niveau, par exemple haut, lorsque le signal sig1 est positif par rapport à sa composante continue (DC de l'anglais Direct Current), c'est-à-dire lorsque la valeur du signal sig1 est supérieure à la valeur de sa composante continue, et à un deuxième niveau, par exemple bas, lorsque le signal sig1 est négatif par rapport à sa composante continue, c'est-à-dire lorsque la valeur du signal sig1 est inférieure à la valeur de sa composante continue. Le circuit 200 est en outre configuré pour fournir le signal sig31 à un premier niveau, par exemple haut, lorsque le signal sig3 est positif par rapport à sa composante continue et à un deuxième niveau, par exemple bas, lorsque le signal sig3 est négatif par rapport à sa composante continue. De préférence, les premiers niveaux des signaux carrés sig11 et sig31 correspondent à une même première valeur de tension, et les deuxièmes niveaux des signaux carrés sig11 et sig31 correspondent à une même deuxième valeur de tension.
Selon un mode de réalisation, le circuit 200 comprend deux circuits 202 identiques configurés chacun pour convertir un signal sinusoïdal en un signal carré correspondant. Ainsi, chaque circuit 202 comprend une entrée 204 configurée pour recevoir un signal sinusoïdal et une sortie 206 configurée pour fournir le signal carré correspondant.
Plus particulièrement, l'un des deux circuits 202 est configuré pour recevoir le signal sig1 sur son entrée 204 et pour fournir le signal sig11 sur sa sortie 206, l'autre des deux circuits 202 étant configuré pour recevoir le signal sig3 sur son entrée 204 et pour fournir le signal sig31 sur sa sortie 206.
Le dispositif 2 comprend en outre une porte logique 208. La porte logique 208 est mise en œuvre en technologie CML (de l'anglais Current Mode Logic – logique à commutation en courant). Dit autrement, la porte 208 est une porte logique à commutation en courant. La porte 208 est configurée pour recevoir les signaux sig11 et sig31, par exemple sur des entrées respectives S et R. La porte 208 est en outre configurée pour fournir les deux signaux O1 et O2, par exemple sur des sorties respectives Q et Qn. Les signaux O1 et O2 sont des signaux carrés. Les commutations des signaux O1 et O2 entre leurs deux niveaux sont déterminées par l'ordre d'arrivée, c'est-à-dire la séquence, et le sens des commutations des signaux sig11 et sig31 sur la porte logique 208. Les deux signaux O1 et O2 sont deux signaux permettant de déterminer lequel des signaux sig1 et sig3 est le signal I.
Selon un mode de réalisation, la porte 208 est configurée pour que les signaux O1 et O2 soient respectivement à un premier niveau, par exemple haut, et à un deuxième niveau, par exemple bas, lorsque les deux signaux sig11 et sig31 sont à leurs premiers niveaux, par exemple hauts, et que les signaux sig11 et sig31 (donc les signaux sig1 et sig3) sont les signaux respectivement I et Q. De manière complémentaire, la porte 208 est en outre configurée pour que les signaux O1 et O2 soient respectivement à un deuxième niveau, par exemple bas, et à un premier niveau, par exemple haut, lorsque les deux signaux sig11 et sig31 sont à leurs premiers niveaux (par exemple hauts) et que les signaux sig11 et sig31 (donc les signaux sig1 et sig3) sont les signaux respectivement Q et I. De préférence, la porte 208 est en outre configurée pour que les signaux O1 et O2 soient à leurs premiers niveaux, par exemple haut, lorsque les signaux sig11 et sig31 sont simultanément à leurs deuxièmes niveaux, par exemple bas.
Selon un mode de réalisation, la porte 208 est plus particulièrement configurée pour que le signal O1 (sortie Q) commute d'un premier niveau, par exemple haut, à un deuxième niveau, par exemple bas, uniquement lorsque le signal sig11 (entrée S) commute de son deuxième niveau à son premier niveau alors que le signal sig31 (entrée R) est à son premier niveau. En outre, suite à une telle commutation du signal O1, la porte 208 est configurée pour maintenir le signal O1 à son deuxième niveau uniquement tant que les deux signaux sig11 et sig31 restent à leurs premiers niveaux. La porte 208 est, par exemple, configurée pour que le signal O1 soit à son premier niveau dans tous les autres cas. De manière symétrique ou complémentaire, la porte 208 est en outre configurée pour que le signal O2 (sortie Qn) commute d'un premier niveau, par exemple haut, à un deuxième niveau, par exemple bas, uniquement lorsque le signal sig31 (entrée R) commute de son deuxième niveau à son premier niveau alors que le signal sig11 (entrée S) est à son premier niveau. En outre, suite à une telle commutation du signal O2, la porte 208 est configurée pour maintenir le signal O2 à son deuxième niveau uniquement tant que les deux signaux sig11 et sig31 restent à leurs premiers niveaux. La porte 208 est, par exemple, configurée pour que le signal O2 soit à son premier niveau dans tous les autres cas.
De préférence, les premiers niveaux des signaux carrés O1 et O2 correspondent à une même première valeur de tension, et les deuxièmes niveaux des signaux carrés O1 et O2 correspondent à une même deuxième valeur de tension.
La illustre par des chronogrammes un exemple d'un mode de fonctionnement du circuit de la . Dans l'exemple de la , les premiers niveaux des signaux sig11, sig31, O1 et O2 sont des niveaux hauts, les deuxièmes niveaux des signaux sig11, sig31, O1 et O2 étant des niveaux bas. Plus particulièrement, cette illustre le fonctionnement du circuit de la dans le cas où le circuit 208 est configuré pour que le signal O1 commute à son deuxième niveau uniquement lorsque le signal sig11 commute à son premier niveau alors que le signal sig31 est à son premier niveau, le signal O2 commute à son deuxième niveau uniquement lorsque le signal sig31 commute à son premier niveau alors que le signal sig11 est à son premier niveau, les niveaux des signaux O1 et O2 soient maintenus quand les signaux sig11 et sig13 sont tous les deux à leurs premiers niveau, les signaux O1 et O2 soient à leurs premiers niveaux quand les signaux sig11 et sig31 sont simultanément à leurs deuxièmes niveaux.
La illustre pour deux cas, respectivement à gauche et à droite en , l'allure des signaux sig1, sig3, sig11, sig31, O1 et O2. Le cas à gauche en correspond au cas où les signaux sig1 et sig3 sont les signaux respectifs I et Q, le cas à droite en correspondant au cas où les signaux sig1 et sig3 sont les signaux respectifs Q et I. En , la composante continue des signaux sig1 et sig3 est référencée respectivement DC1 et DC3.
La illustre aussi une deuxième variante représentée par une quatrième variante d’itinéraire i4. La deuxième variante résulte de la combinaison du procédé décrit ci-avant et de la première variante. Ainsi, dans la deuxième variante, les quatrième, cinquième et sixième étapes 104, 105, 106 telles qu’initialement décrites sont d’abord réalisé et les quatrième, cinquième et sixième étapes104, 105, 106 telles que décrites en référence à la première variante sont ensuite réalisées.
Il est également visible à la quatrième variante d’itinéraire i4 que la quatrième étape 104 selon la première variante peut comprendre une première étape subsidiaire 1041 comprenant le déplacement du chariot 30 au sol dans un premier passage P5 selon la deuxième direction horizontale X2 jusqu’à ce que le chariot se situe dans une première allée A1, une deuxième étape subsidiaire 104 comprenant le déplacement du chariot 30 au sol dans la première allée A1 selon la première direction horizontale X1 jusqu’à ce que le chariot est alignée selon la deuxième direction horizontale X2 avec un deuxième passage P2 et une troisième étape subsidiaire 1043 comprenant le déplacement du chariot 30 au sol dans le deuxième passage P2 selon la deuxième direction horizontale X2 jusqu’à ce que le chariot se situe dans une deuxième allée A2, la deuxième allée A2 étant ici l’allée desservant le rayonnage dans lequel se situe l’alvéole de collecte 23c. Ici aussi, la première étape subsidiaire et la deuxième étape subsidiaire peuvent être répétées une ou plusieurs fois avant la réalisation de la troisième étape subsidiaire. Le changement de direction du chariot 30 effectué entre les étapes subsidiaires peuvent aussi être réalisées de manière similaire à la cinquième étape 105.
Machine de manutention L’invention se rapporte au domaine des machines de manutention comportant un flèche montée pivotante et un outil, tel qu’un godet par exemple, qui est monté articulé sur la flèche.
Arrière-plan technologique Dans l’état de la technique, il est connu des machines de manutention dans lesquelles la flèche est montée pivotante sur le châssis au moyen d’un dispositif d’articulation du type parallélogramme déformable, c’est-à-dire comportant deux bielles qui sont chacune montées pivotantes, d’une part, sur le châssis et, d’autre part, sur la flèche. Les machines comportent également un vérin de levage qui est monté pivotant, d’une part, sur le châssis et, d’autre part, sur la flèche et qui permet ainsi de déplacer la flèche entre une position extrême abaissée et une position extrême relevée. Par ailleurs, un outil ou un cadre porte-outil destiné à recevoir un outil est monté pivotant sur une extrémité de la flèche et un vérin de bennage permet de faire pivoter ledit outil ou cadre porte-outil par rapport à la flèche. De tels moyens d’articulation sont notamment avantageux en ce que le dispositif d’articulation à parallélogramme déformable est de nature à empêcher, ou pour le moins limiter, le déplacement longitudinal du centre de gravité de la machine lors du pivotement de la flèche. Les risques de basculement de la machine s’en trouvent ainsi limités.
Il est également connu d’équiper des machines de manutention du type précité avec un dispositif de compensation qui permet de faire varier la course du vérin de bennage en fonction des variations de la course du vérin de levage de sorte à maintenir constante ou sensiblement constante l’inclinaison de l’outil par rapport au sol, lors du déplacement de la flèche entre la position extrême abaissée et la position extrême relevée. Ces dispositifs de compensation comportent une ou plusieurs valves de compensation qui sont commandées en fonction de la course du vérin de levage.
Ces machines de manutention ne sont pas pleinement satisfaisantes.
En particulier, avec un dispositif de compensation du type précité, la fiabilité de la compensation est variable puisque le fonctionnement de la valve de compensation dépend de la viscosité de l’huile utilisée et que celle-ci varie en fonction de la durée et des conditions d’utilisation (température extérieure notamment).
Résumé Une idée à la base de l’invention consiste à proposer une machine de manutention ne présentant pas les inconvénients précités, c’est-à-dire équipée de moyens de compensation qui permettent de maintenir, de manière fiable, l’inclinaison de l’outil par rapport au châssis, constante ou sensiblement constante, lors du mouvement de la flèche.