INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
iv. Esters de carbonate gras Les exemples non limitatifs d’esters de carbonate gras incluent les carbonates de dialkyle de Formule : R 1 O(C=O)R 2 , dans laquelle R 1 et R 2 sont indépendamment des chaînes alkyles linéaires ou ramifiées, saturées ou insaturées, comportant 1 à 30 atomes de carbone, ou comportant 2 à 28 atomes de carbone, ou comportant 4 à 25 atomes de carbone, ou comportant 6 à 22 atomes de carbone, de préférence un ou plusieurs carbonates gras sélectionnés parmi un carbonate de dialkyle en C14-15, le carbonate de dicaprylyle, le carbonate de diéthyle, le carbonate de dihexyle, le carbonate de diéthylhexyle, l’éthylcarbonate de diméthoxyphényl phényloxoéthyle, le carbonate de diméthyle, le carbonate de dipropyle, le carbonate de dipropylheptyle, le carbonate de dioctyle, et une combinaison de ceux-ci.
Dans un mode de réalisation préféré, les compositions incluent du carbonate de dicaprylyle, et optionnellement, un ou plusieurs émollients additionnels.
La quantité totale des ou plusieurs émollients variera. Néanmoins, dans divers modes de réalisation, la quantité totale des un ou plusieurs émollients, le cas échéant, est d’environ 0,1 à environ 10 % en poids, par rapport au poids total des compositions. Dans d’autres modes de réalisation, la quantité totale des un ou plusieurs émollients est d’environ 0,1 à environ 8 % en poids, environ 0,1 à environ 5 % en poids, environ 0,1 à environ 4 % en poids, environ 0,1 à environ 3 % en poids, environ 0,1 à environ 2 % en poids, environ 0,5 à environ 10 % en poids, environ 0,5 à environ 8 % en poids, environ 0,5 à environ 5 % en poids, environ 0,5 à environ 4 % en poids, environ 0,5 à environ 3 % en poids, environ 0,5 à environ 2 % en poids, environ 1 à environ 10 % en poids, environ 1 à environ 8 % en poids, environ 1 à environ 5 % en poids, environ 1 à environ 4 % en poids, environ 1 à environ 3 % en poids, ou environ 1 à environ 2 % en poids, y compris les plages et les sous-plages intermédiaires, par rapport au poids total de la composition.
Précisément, l’utilisation de groupes de 3 échantillons permet de prendre en compte les composantes de propagation par trajets multiples dont les retards varient jusqu’à ± une période d’échantillonnage par rapport au retard moyen. De plus, des groupes de 5 échantillons peuvent être utilisés pour des retards allant jusqu’à ± deux fois la période d’échantillonnage, et des groupes de 7 échantillons peuvent être utilisés pour des retards allant jusqu’à ± trois fois la période d’échantillonnage. Il convient de noter que l’avance temporelle représente le retard moyen des composantes de propagation par trajets multiples.
Selon un mode de réalisation, ledit sous-ensemble d’échantillons comprend trois groupes disjoints d’échantillons consécutifs du signal de corrélation. Plus particulièrement, chacun desdits groupes comprend un des trois pics de corrélation les plus grands (en ce qui concerne l’amplitude).
En effet, les simulations numériques ont montré que la majeure partie de l’énergie (> 85 %) du signal de corrélation est concentrée sur les trois pics de corrélation les plus grands. Ce mode de réalisation fournit donc les échantillons les plus significatifs pour estimer l’avance temporelle et/ou le décalage de fréquence et, par conséquent, permet une estimation précise et de faible complexité de ces paramètres.
Selon un mode de réalisation, lesdits groupes comprennent respectivement un échantillon dont l’indice vérifie :
où : désigne l’indice dudit échantillon d’amplitude maximale du signal de corrélation ; ; désigne l’opération modulo - avec la longueur du signal de référence ; et est un entier tel que . En particulier, le paramètre est l’inverse multiplicatif modulaire de la racine de la séquence de Zadoff-Chu utilisée comme signal de référence.
Selon ce mode de réalisation, chacun desdits groupes comporte respectivement un des pics de corrélation du signal de corrélation. Selon ce mode de réalisation, les indices des pics de corrélation sont obtenus à partir de l’indice du plus grand pic de corrélation en utilisant un calcul de faible complexité. Typiquement, l’indice du plus grand pic de corrélation est obtenu pendant la phase de détection de préambule.
Selon un mode de réalisation, ledit au moins un paramètre est estimé en utilisant un réseau de neurones prenant en entrée ledit sous-ensemble d’échantillons et fournissant en sortie ledit au moins un paramètre.
Premièrement, l’utilisation d’un réseau de neurones permet d’approximer (i.e. d’interpoler) une fonction d’estimation optimale – par rapport à une fonction objectif ou à un critère d’optimisation donné – de l’avance temporelle et/ou du décalage de fréquence porteuse. Comme détaillé plus loin, il est en particulier proposé d’utiliser un réseau de neurones basé sur un modèle analytique du signal de corrélation.
Deuxièmement, le réseau de neurones prend en entrée uniquement le sous-ensemble d’échantillons du signal de corrélation et traite donc une faible quantité d’échantillons. En conséquence, ce mode de réalisation permet d’utiliser un réseau de neurones de faible complexité et de faible latence qui peut être avantageusement mis en œuvre en temps réel sur les systèmes de communication déployés.
Pour ces raisons, ce mode de réalisation fournit une solution précise pour estimer l’avance temporelle et/ou le décalage de fréquence porteuse avec une mise en œuvre de faible complexité et de faible latence.
Selon un mode de réalisation, le procédé comprend en outre un affinement, à partir dudit au moins un paramètre estimé, d’une avance temporelle approximative estimée en utilisant l’indice dudit échantillon d’amplitude maximale.
Selon un mode de réalisation, le procédé comprend en outre une égalisation de signaux reçus du premier dispositif de communication à partir dudit au moins un paramètre estimé.
Les estimations obtenues de l’avance temporelle et/ou du décalage de fréquence sont utilisées dans ce mode de réalisation par le deuxième dispositif de communication (e.g. une station de base) pour égaliser les signaux ultérieurs reçus à partir du premier dispositif de communication (e.g. un terminal). Par exemple, la solution proposée peut être utilisée pour compenser le décalage de fréquence porteuse au sein d’une station de base.
Les estimations précises de l’avance temporelle et/ou du décalage de fréquence porteuse fournies par la solution proposée permettent d’améliorer l’égalisation des signaux reçus. Il en résulte une amélioration des performances de communication (e.g. moins d’erreurs de démodulation, des taux de transmission atteignables plus élevés).
Selon un mode de réalisation, les premier et/ou deuxième dispositifs de communication sont conformes aux normes 4G et/ou 5G. De même, selon un mode de réalisation, les signaux reçus du premier dispositif de communication sont conformes aux normes 4G et/ou 5G.
Selon ces modes de réalisation, la solution proposée s’applique aux réseaux 4G et/ou 5G, i.e. aux normes technologiques de quatrième génération et/ou de cinquième génération pour les réseaux cellulaires. Par exemple, le premier dispositif de communication peut être un terminal mobile (e.g. un terminal utilisateur) et le deuxième dispositif de communication peut être une station de base (e.g. une station eNB, ou une station gNB).
est une vue schématique d’un système de détermination de l’état d’occupation d’un siège selon un premier mode de réalisation de l’invention ;
est une vue schématique d’un système de détermination de l’état d’occupation d’un siège selon un deuxième mode de réalisation de l’invention ;
est une vue schématique d’un siège selon l’invention ;
est un organigramme des étapes du procédé de détection selon la présente invention.
Description détaillée de l’invention Dans la présente demande de brevet, les termes « avant », et « arrière » sont à interpréter en considérant le sens en marche avant d’un véhicule automobile.
En référence à la , le tapis de détection 2 selon un premier mode de réalisation de l’invention comporte un support flexible 4, deux capteurs capacitifs interdigités 6 portés par le support flexible et des premières 8 et des deuxièmes 10 pistes conductrices portées par le support flexible. Le support flexible 4 est réalisé dans un matériau imperméable et élastique. Le support flexible 4 peut par exemple être réalisé dans un matériau parmi du polyuéthane thermoplastique, du polydimethylsiloxane (connu sous l’acronyme PDMS), du polyvinyl alcohol (connu sous l’acronyme PVA), du silicone, du polyethylene (connu sous l’acronyme PE), du poly (ethylene 2, 6-naphtalenedicarboxylate) (connu sous l’acronyme PEN) et du polyimide (connu sous l’acronyme PI).
Dans le mode de réalisation représenté et nullement limitatif, le support flexible 4 comprend une bande principale 12 et deux portions de bande 14 s’étendant transversalement à la bande principale.
Les capteurs capacitifs interdigités 6 comprennent chacun deux électrodes coplanaires en forme de peigne qui s’interpénètrent l’une l’autre. Chaque électrode est connectée à une première piste conductrice 8. Une électrode est destinée à être connectée à un potentiel compris entre 5 Volts et 12 Volts. L’autre électrode est connectée à une masse. Les électrodes ne sont pas représentées en détail sur les figures. Les capteurs capacitifs interdigités sont aussi appelés capteurs capacitifs à électrodes interdigités.
Les capteurs capacitifs interdigités 6 sont fixées sur les portions de bande transversale 14 du support flexible, de préférence par impression électronique. Les premières pistes conductrices 8 sont fixées sur la bande principale 12 du support flexible, de préférence par impression électronique. Elles s’étendent selon une direction longitudinale de la bande principale. Les premières pistes conductrices 8 comprennent chacune une première extrémité 16 connectée à une électrode d’un capteur capacitif interdigité et une deuxième extrémité 18 fixée au bout de la bande principale 12.
Les deuxièmes pistes conductrices 10 sont fixées sur la bande principale du support flexible, de préférence par impression électronique. Elles sont parallèles aux premières pistes conductrices 8. Elles sont adjacentes aux premières pistes conductrices 8. Plus particulièrement, elles sont situées à une distance comprise entre 20 et 150 millimètres par rapport à la première piste conductrice 8 la plus proche. Les deuxièmes pistes conductrices 10 comprennent chacune une première extrémité libre 20 et une deuxième extrémité 22 située au bout de la bande principale 12. La première extrémité 20 des pistes conductrices est libre, c’est-à-dire qu’elle n’est connectée à aucun composant électronique.
Les deuxièmes extrémités 18,22 des premières et des deuxièmes pistes conductrices sont destinées à être connectées à une unité de calcul, comme explicité ultérieurement.
La deuxième piste conductrice 10 s’étend sur une longueur comprise entre 20 et 150 millimètres et de préférence entre 50 et 110 millimètres.
En variante, le tapis de détection comporte un seul capteur capacitif interdigité 6 et une seule portion de bande latérale 14.
En variante, le tapis de détection comporte un nombre de capteurs capacitifs interdigités supérieur à deux et un nombre de portion de bande latérale 14 correspondant.
Le fonctionnement du tapis de détection 2 sera décrit en liaison avec les figures 3 et 6.
Le circuit régulateur de tension 700 est adapté à être relié à trois bornes de connexion du dispositif 400, et plus particulièrement : - à une borne VCC correspondant à la borne de connexion 478 du dispositif 400 ; - à une borne DZ correspondant à la borne de connexion 477 du dispositif 400 ; et - à une borne VDD correspondant à la borne de connexion 476 du dispositif 400.
Le circuit 700 comprend entre la borne VCC et la borne DZ une résistance R701 et un transistor T701 de type e-mode. Plus particulièrement, une première borne de la résistance R701 est reliée, de préférence connectée, à la borne VCC, et une deuxième borne de la résistance R701 est reliée, de préférence connectée, au drain du transistor T701. La source du transistor T701 est reliée, de préférence connectée, à la borne DZ. De plus, la grille du transistor T701 est reliée, de préférence connectée, au drain du transistor T701. La résistance R701 est une résistance de polarisation, formé dans une structure à deux dimensions (2DEGAN) comprenant du Nitrure de Gallium, et ayant un coefficient de température positif.
Le circuit 700 comprend, en outre, un transistor T702 de type e-mode disposé entre les bornes VCC et VDD. Plus particulièrement, le drain du transistor T702 est reliée, de préférence connectée, à la borne T702, et la source du transistor T702 est reliée, de préférence connectée à la borne VDD. De plus, la grille du transistor T702 est reliée, de préférence connectée, à la grille du transistor T701. Le transistor T701 permet de compenser la tension de seuil Vth(T702) du transistor T702. Le courant I(T701) traversant le transistor T701 est donnée par la formule mathématique suivante : [Math 1] dans laquelle - V(VCC) représente la tension au niveau de la borne VCC ; - V(DZ) représente la tension au niveau de la borne DZ ; - Vth(T701) est la tension de seuil du transistor T701 ; et - R701 correspond à la résistance de la résistance R701.
Le circuit 700 comprend, en outre, une diode Zener D701 entre la borne DZ et un noeud de référence GND, recevant par exemple la masse. La cathode de la diode D701 est reliée, de préférence connectée, à la borne DZ, et son anode est reliée, de préférence connectée, au noeud GND. La diode Zener est externe au dispositif 400, ou est formée sur une portion de la structure 100 de la dans laquelle le substrat n'est pas recouverte de la couche de Nitrure de Gallium.
Le circuit 700 comprend, en outre et de façon optionnelle, un condensateur C701 ayant une fonction de condensateur tampon. Le condensateur C701 est disposé entre la borne VDD et le noeud de référence GND. Une première borne du condensateur C701 est reliée, de préférence connectée, à la borne VDD, et une deuxième borne du condensateur C701 est reliée, de préférence connectée, au noeud GND. Selon un exemple, le condensateur C701 est externe au dispositif 400, ou est formée sur une portion de la structure 100 de la dans laquelle le substrat n'est pas recouverte de la couche de Nitrure de Gallium.
Selon un mode de réalisation, la résistance R701 peut être formée directement dans la couche de Nitrure de Gallium de la structure du dispositif 400, et peut comprendre une coefficient de température positif. Selon une variante, la résistance R701 peut être une résistance en un alliage de Silicium et de Chrome (SiCr). Sur la vue (B) de la , le placement de la résistance R701 est représenté. Plus particulièrement, en vue (B), une vue en coupe d'une structure 750 du type de la structure 100 décrite en relation avec la est représentée. La structure 750 comprend, successivement : - un substrat semiconducteur 751 (Si), par exemple en silicium ; - une couche en Nitrure de Gallium 752 (GAN) ; et - des niveaux de métallisations 753.
Dans le dernier niveau de métallisation 754 des niveaux 753, c'est-à-dire le niveau plus éloigné de la couche de Nitrure de Gallium 752, la structure 750 comprend des métallisations à partir de laquelle la résistance R701 peut être formée.
Le circuit 700 permet de fournir un courant au niveau de la borne DZ, et de créer une tension aux bornes de la diode Zener D701. Cette tension est indépendante de la tension fournie au niveau de la borne VCC et peut être utilisée pour alimenter un ou plusieurs circuits du circuit de commande 450 du dispositif 400 par l'intermédiaire de la borne VDD. De plus, cette tension peut servir de tension de référence stable permettant de créer la tension d'alimentation fournie au niveau de la borne VDD.
La représente un deuxième mode de réalisation d'un circuit régulateur de tension 800, adapté à faire partie du dispositif 400 décrit en relation avec la .
Le circuit 800 présente des éléments communs avec le circuit 700 de la . Ces éléments ne seront pas décrits de nouveau et seules les différences entre les circuits 700 et 800 seront mises en exergue.
Le circuit 800 comprend les mêmes bornes que le circuit 700 et tous les composants du circuit 700, mais comprend, en outre, deux transistors de type e-mode T801 et T802.
Le transistor T801 est placé entre la résistance R701 et le transistor T701. Le drain du transistor T801 est relié, de préférence connecté, à la borne de la résistance R801 qui n'est pas reliée à la borne VCC, et la source du transistor T801 est reliée, de préférence connectée au drain du transistor T701. De plus, la grille du transistor T801 est reliée, de préférence connectée, au drain du transistor T801. Le transistor T801 est un transistor suiveur de tension.
Le transistor T802 est placé entre la borne VCC et un noeud de sortie OUT800 du circuit 800. Le drain du transistor T802 est relié, de préférence connecté, à la borne VCC, et la source du transistor T801 est reliée, de préférence connectée au noeud OUT800. De plus, la grille du transistor T802 est reliée, de préférence connectée, à la grille du transistor T801.
Le courant I(DZ) fourni au niveau de la borne DZ est donné par la formule mathématique suivante : [Math 2] dans laquelle Vth(T801) est la tension de seuil du transistor T801.
La tension V(VDD) fournie au niveau de la borne VDD est donnée par la formule mathématique suivante : [Math 3] dans laquelle Vth(T702) est la tension de seuil du transistor T702.
Comme le circuit 700, le circuit 800 fournit sur la borne VDD une tension d'alimentation, mais le circuit 800 peut fournir, en plus, au niveau du noeud OUT800 une deuxième tension d'alimentation indépendante de la tension reçue sur le noeud VCC et de la tension fournie au niveau du noeud VDD. Si une deuxième tension d'alimentation n'est pas nécessaire le transistor T802 peut être omis. L'avantage de fournir plusieurs tensions d'alimentation indépendante est de permettre d'isoler une alimentation sur laquelle du bruit peut apparaître d'une alimentation plus sensible.
Armature d’élément de support de siège comprenant une structure sandwich La présente invention concerne une armature d’élément de support de siège, ainsi qu’un procédé de réalisation d’une telle armature.
L’invention s’applique par exemple à un élément de support formant un dossier de siège. Un tel dossier comprend généralement une armature supportant une matelassure contre laquelle un occupant de siège prend appui. Une telle armature est formée d’un cadre métallique par exemple constitué de plusieurs profilés assemblés entre eux. Une telle armature permet de conférer à l’élément de support les caractéristiques mécaniques souhaitées en termes de rigidité et d’absorption d’énergie en cas de choc.
Cependant, une telle armature est particulièrement pénalisante en termes de masse et d’émission de CO 2 , et nécessite plusieurs opérations d’assemblage coûteuses en temps. En outre, l’ajout de fonctions supplémentaires dans l’élément de support, telles que la présence d’un enrouleur de ceinture de sécurité, de fourreaux pour tiges d’appui-tête, d’éléments de verrouillage avec un dossier adjacent, etc., nécessite des opérations supplémentaires d’assemblage sur l’armature. Ces opérations, en plus d’être fastidieuses, sont énergivores.
Pour pallier ces inconvénients, il a été proposé de réaliser l’armature en matériau plastique. Cependant, l’armature ainsi obtenue n’est pas satisfaisante pour ce qui est de ses propriétés mécaniques.
L’un des buts de l’invention est de pallier les inconvénients ci-dessus en proposant une armature d’élément de support de siège allégée, présentant des propriétés mécaniques satisfaisantes et pouvant être réalisée de façon simple et avec des matériaux ayant une empreinte CO 2 inférieure à celle d’un métal tel que l’acier.
A cet effet, l’invention concerne une armature d’élément de support de siège comprenant un corps principal et au moins une partie périphérique s’étendant autour d’une zone périphérique du corps principal, le corps principal étant réalisé en une structure sandwich comprenant une âme, en matériau cellulaire, s’étendant entre deux couches externes, formées chacune par au moins une feuille de matériau composite, et la partie périphérique étant réalisée en un matériau thermoplastique surmoulé sur ladite zone périphérique du corps principal.
Le corps principal réalisé en une structure sandwich permet de conférer à l’armature des propriétés mécaniques satisfaisantes tout en présentant une masse faible. En outre, la partie périphérique surmoulée sur le corps principal permet d’ajouter à l’armature des fonctions supplémentaires dont les éléments peuvent être intégrés à la partie périphérique par surmoulage. La partie périphérique permet également de délimiter de façon précise le contour de l’armature et d’obtenir une pièce finie à l’issue d’une seule opération de moulage, ce qui limite le nombre d’opérations permettant de réaliser l’armature. Celle-ci peut ainsi être obtenue de façon simple et en émettant moins de CO 2 . La réduction d’émission de CO 2 peut atteindre une valeur d’au moins 50% par rapport à une armature en acier, notamment en choisissant des matériaux thermoplastiques à faible émission de CO 2 et en particulier des matériaux recyclés.
L’armature d’élément de support de siège selon l’invention peut en outre comprendre une ou plusieurs des caractéristiques suivantes, prises isolément ou selon toute combinaison techniquement envisageable :
- l’âme en matériau cellulaire de la structure sandwich est formée d’une mousse ou d’une structure alvéolaire en matériau thermoplastique ;
- le matériau thermoplastique de l’âme et le matériau thermoplastique des couches externes sont choisis parmi au moins un du polypropylène, polytéréphtalate d’éthylène, polycaprolactame [NH−(CH 2 ) 5 −CO] n et/ou polytéréphtalate de butylène ;
- le matériau thermoplastique de l’âme est identique au matériau thermoplastique des feuilles de matériau composite formant les couches externes de la structure sandwich ;
- l’âme présente une épaisseur, correspondant à la distance entre les deux couches externes, sensiblement comprise entre 2 mm et 40 mm, et une densité sensiblement comprise entre 50 g.L -1 et 350 g.L -1 ;
- l’âme présente une épaisseur, correspondant à la distance entre les deux couches externes, et/ou une densité variable(s) selon des directions sensiblement perpendiculaires à la direction allant d’une couche externe à l’autre couche externe ;
- les couches externes présentent une surface supérieure à celle de l’âme de sorte que chaque couche externe comprend au moins un bord s’étendant au-delà de l’âme, les bords desdites couches externes étant appliqués l’un contre l’autre dans la zone périphérique du corps principal ;
- l’armature comprend en outre au moins un insert métallique fixé au corps principal et/ou à la partie périphérique.
Selon un autre aspect, l’invention concerne également un procédé de réalisation d’une armature d’élément de support de siège telle que décrite ci-dessus, comprenant les étapes suivantes :
Selon un mode de réalisation, le transistor T2602 est un transistor frère du transistor de puissance 401, c'est-à-dire que le transistor T2602 est un transistor de même type que le transistor 401, et, de plus, les dimensions du transistor T2602 sont environ 10000 fois plus petites que les dimensions du transistor 401.
Les transistors T2601 et T2602 sont des transistors adaptés aux hautes tensions, c'est-à-dire adaptés à supporter entre leur source et leur drain une tension de l'ordre de 650 V. De plus, les transistors 401 et T2602 sont fabriqués en parallèle en mettant en oeuvre les mêmes procédés.