Circuit régulateur de tension (700 ; 800 ; 900 ; 1000) formé dans et sur un substrat semiconducteur monolithique (101) ayant une face recouverte d'une couche de Nitrure de Gallium (102), comprenant : - entre une première borne (VCC) et une deuxième borne (DZ), une première résistance (R701) et un premier transistor HEMT de type d-mode ; et - entre la première borne (VCC) et la troisième borne (VDD), un deuxième transistor HEMT de type d-mode, dans lequel le point milieu entre la première résistance (R701) et le premier transistor (T701) est reliée aux grilles des premier et deuxième transistors (T701, T702). Circuit selon la revendication 1, comprenant, en outre, entre la deuxième borne (DZ) et une borne de référence, une diode Zener (D701). Circuit selon la revendication 2, dans lequel la diode Zener (D701) est formée sur une portion du substrat semiconducteur qui n'est pas recouverte par la couche de Nitrure de Gallium. Circuit selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la deuxième borne (DZ) ou la troisième borne (VDD) sont adaptées à fournir une tension d'alimentation. Circuit selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, comprenant, en outre entre la première résistance (R701) et le premier transistor (T701), un troisième transistor (T801) HEMT de type d-mode dont la grille est reliée au noeud milieu entre la première résistance (R701) et le troisième transistor (T801). Circuit selon la revendication 5, comprenant, en outre, entre la première borne (VCC) et un premier noeud (OUT800) adapté à fournir une tension d'alimentation, un cinquième transistor (T802) HEMT de type d-mode dont la grille est relié à la grille du troisième transistor (T801). Circuit selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, comprenant, en outre, entre la première borne (VCC) et un deuxième noeud (OUT901) adapté à fournir une tension d'alimentation, un sixième transistor (T901) HEMT de type d-mode dont la grille est relié à la grille du premier transistor (T701). Circuit selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, comprenant, en outre, entre la première borne (VCC) et la deuxième borne (DZ) un septième transistor HEMT (T1101 ; T1201) et une deuxième résistance (R1101), le drain du septième transistor (T1101 ; T1201) étant relié à la première borne (VCC), la source du septième transistor (T1101 ; T1201) étant relié à une première borne de ladite deuxième résistance, et une deuxième borne de ladite deuxième résistance étant relié à la deuxième borne (DZ). Circuit selon la revendication 8, dans lequel le septième transistor (T1101) est de type d-mode et a sa grille relié à son drain. Circuit selon la revendication 8, dans lequel le septième transistor (T1101) est de type e-mode, et est adapté à recevoir sur sa grille une tension de polarisation (VBIAS). Circuit de régulation de haute tension (1500 ; 1600) comprenant le circuit régulateur de tension selon l'une quelconque des revendications 1 à 10. Circuit selon la revendication 11, comprenant, en outre, le circuit régulateur de tension selon l'une quelconque des revendications 8 à 10. Circuit selon la revendication 11 ou 12, comprenant : - entre une quatrième borne et ladite première borne (VCC), une première diode (D1501), dont l'anode est reliée à la quatrième borne et la cathode est reliée à la première borne (VCC) ; - entre une cinquième borne (SUPPLY) et la première borne, un huitième transistor (T1501) HEMT de type d-mode et une deuxième diode (D1502) ; - entre une cinquième borne (SUPPLY) et une sixième borne (SGND), une troisième résistance (R1501) et une bascule (C1501), la grille du huitième transistor (T1510) étant reliée au point milieu entre ladite troisième résistance (R1501) et ladite bascule (C1501). Circuit selon la revendication 13, dans lequel ledit huitième transistor (T1501) est adaptée à être commandé par un circuit de commande comprenant : - un neuvième transistor (T1601) HEMT de type e-mode, dont le drain est relié à la grille du huitième transistor (T1501), et la source est reliée à la sixième borne (SGND) ; - un circuit comparateur (C1601) adapté à fournir une tension de commande à la grille dudit neuvième transistor (T1610), et adapté à comparer la tension de la première borne (VCC) à une tension de référence (VREF1600) ; - un circuit (G1610) adapté à fournir ladite tension de référence (VREF1600).