INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
En outre, cela peut permettre une interchangeabilité aisée et rapide des boitiers de commande, par exemple dans le cas où un boitier de commande tombe en panne, notamment dans le cas où il y a plusieurs télémanipulateurs de paroi avec plusieurs boitiers de commande. Un boitier de commande peut être utilisé pour commander n’importe quels moteurs.
Le boitier de commande peut comporter une pluralité d’organes de commandes, notamment deux organes de commandes par moteurs à commander, notamment six organes de commandes.
Le boitier de commande peut être configuré pour commander un ou plusieurs moteurs, par exemple un, deux ou trois moteurs. Chaque moteur peut être configuré pour commander le mouvement du télémanipulateur de paroi selon un degré de liberté. Il peut notamment y avoir un moteur par axe de déplacement du télémanipulateur de paroi.
La poignée de commande peut comporter un levier, permettant la fermeture de la pince du bras esclave
Le dispositif peut comporter un indicateur, notamment un indicateur lumineux, de l’organe de commande sélectionné. Cet indicateur permet de faciliter la lecture du boitier de commande par l’utilisateur. Il permet notamment de connaitre l’axe de déplacement du télémanipulateur de paroi sélectionné. Il peut nécessiter l’intégration d’une ou plusieurs piles dans le boitier de commande.
L’indicateur d’acuité acoustique peut être calculé pour chaque trame de signal capturé, par exemple sur des trames de 10 millisecondes. Ainsi, lorsque sur un certain nombre de trames consécutives, par exemple 40 trames (ou une certaine durée, par exemple 400 ms) l’indicateur croît de façon monotone, un larsen est détecté et une mesure corrective est mise en œuvre.
Dans une réalisation particulière, l’indicateur d’acuité comprend le calcul d’une densité spectrale d’énergie du signal capturé par le microphone.
La détermination d’une densité spectrale d’énergie ou de puissance à partir du signal capturé permet de déterminer les bandes de fréquences dans lesquelles se concentre l’énergie du signal. La monotonie de l’indicateur d’acuité est ainsi estimée à partir d’une fréquence dans laquelle un larsen est susceptible de se produire.
Selon un mode de réalisation particulier, l’indicateur est calculé à partir de fréquences supérieures à 2Khz.
De cette façon, le procédé permet de rejeter une partie des bruits de l’analyse du larsen. On augmente ainsi la pertinence de l’indicateur en focalisant l’analyse sur les hautes fréquences. Bien entendu, d’autres valeurs fréquences peuvent être considérées sans modifier l’invention.
Selon un mode particulier de réalisation, une stratégie de résolution comprend une atténuation du signal capturé par le microphone, le niveau d’atténuation étant proportionnel au temps écoulé depuis l’instant de détection du larsen et à la valeur de l’indicateur d’acuité.
Il est ainsi proposé d’atténuer le signal capturé par le microphone en cas de larsen. L’atténuation est variable, de sorte que lorsqu’un larsen est toujours détecté après un certain temps, le signal capturé est atténué davantage.
A l’inverse, lorsque qu’un phénomène de larsen n’est plus détecté après qu’une atténuation ait été appliquée pendant un certain nombre de trames successives, le niveau d’atténuation est réduit progressivement jusqu’au rétablissement d’une situation normale.
Le niveau d’atténuation est en outre ajusté selon la valeur de l’indicateur d’acuité, de sorte qu’une atténuation plus forte est appliquée lorsque l’indicateur d’acuité est élevé.
Selon un mode particulier de réalisation, une stratégie de résolution est sélectionnée parmi les stratégies suivantes : Réduction du volume de l’amplificateur, Réduction du gain du microphone, Application d’un filtre passe-bande, Redémarrage du système audio.
La réduction du niveau de sortie de l’amplificateur ou la réduction du gain du microphone permettent de limiter la rétroaction de la sortie sur l’entrée et ainsi de stopper l’effet larsen. L’application d’un filtre passe-bande configuré pour couper les hautes fréquences permet de limiter l’inconfort. La réinitialisation du système audio, par exemple par un redémarrage du dispositif afin de rétablir un état stable, permet de stopper l’effet larsen lorsqu’il est dû à une défaillance logicielle.
Selon un mode de réalisation particulier, le procédé est tel que le calcul de l’indicateur d’acuité acoustique prend en compte l’influence exercée par la sonie absolue du signal capturé.
Le prise en compte de la sonie dans le calcul de l’indicateur d’acuité permet d’accentuer la différence pouvant exister entre différents bruits, ce qui permet une meilleure discrimination. Un tel résultat est particulièrement adapté pour déterminer si un bruit est conforme ou non à une caractéristique recherchée. En l’espèce, on améliore ainsi la fiabilité de la détection d’un effet larsen et on évite de déclencher une stratégie de résolution lorsque le sifflement provoqué par le larsen n’est pas gênant. Autrement dit, il est proposé d’appliquer une stratégie de correction uniquement lorsque le larsen devient désagréable pour l’utilisateur.
En outre, la prise en compte de la sonie permet de ne traiter que les larsens qui sont désagréable pour l’utilisateur, donc à un niveau sonore élevé.
Selon un autre aspect, l’invention concerne un dispositif de détection d’un effet Larsen dans un système audio pour véhicule comprenant au moins un microphone et un haut-parleur, le dispositif comprenant un processeur et une mémoire dans laquelle sont enregistrées des instructions de programme adaptée pour mettre en œuvre les étapes suivantes, lorsqu’elles sont exécutées par le processeur : Calcul d’un indicateur d’acuité acoustique pour une pluralité de trames audio successives capturées par le microphone, Détection d’un effet Larsen lorsque l’indicateur croit de façon monotone pendant une durée prédéterminée, Application d’une stratégie de résolution lorsqu’un effet larsen est détecté.
L’invention se rapporte aussi à un système de communication main-libre comprenant un dispositif tel que décrit ci-dessus, ainsi qu’à un véhicule comprenant un tel système.
Selon un autre exemple de procédé d’impression en trois dimensions qui est susceptible d’être mis en œuvre pour la réalisation de la cupule 10, on peut aussi citer la technologie DLS, acronyme de « Digital Light Synthesis ». Cette technologie est similaire à celle de la stéréolithographie décrite ci-dessus, cependant, le durcissement de la résine est obtenu par projection d’un rayonnement directement sur toute la surface de résine liquide, ce qui permet de réaliser une cupule 10 encore plus rapidement.
Ainsi, lorsque le raisin 14 est coulé dans la cupule 10, le produit cosmétique le constituant passe à travers toutes les fenêtres 32A, 32B, 32C, 32D, 32E, 32F, remplissant le logement 18, y compris la zone 18B située à l’intérieur de la cage formée par le moyen 26 d’accrochage. Les branches 28A à 28I étant entièrement prises dans le produit cosmétique.
Quel que soit le mode de réalisation mis en œuvre, la paroi 16 latérale est avantageusement entièrement pleine. Ceci permet d’obtenir une cupule 10 solide et rigide.
Par ailleurs, quel que soit le mode de réalisation mis en œuvre, la paroi 24 de fond peut être réalisée de différentes manière.
Par exemple, comme illustré aux figures 1 et 2, la paroi 34 de fond du logement 18 présente une zone périphérique annulaire qui s’étend radialement depuis la face 16A interne de la paroi 16 latérale vers l’intérieur sur une distance permettant de relier la paroi 24 de fond à chaque moyen 26 d’accrochage. Cette zone périphérique est entièrement pleine.
La paroi 24 de fond de la cupule 10 présente une zone centrale située à l’intérieur de la zone périphérique qui comporte au moins un orifice 36 d’injection du produit cosmétique destiné à former le raisin 14.
Selon une variante de réalisation représentée aux figures 3 à 6, la paroi 24 de fond du logement 18 présente la forme d’une grille. Il s’agit par exemple d’une grille formée par entrecroisement à angle droit de plusieurs barreaux. Le produit cosmétique peut ainsi être injecté entre les orifices réservés entre les barreaux.
Indépendamment du mode de réalisation, au moins la paroi 16 latérale, la paroi 24 de fond et les moyens 26 d’accrochage de la cupule 10 sont avantageusement réalisés ensembles en une seule pièce par un procédé de fabrication en impression en trois dimensions, tel que le frittage laser ou des procédés par photopolymérisation de résine.
Si n1 est trop proche de n2 on doit davantage augmenter l’épaisseur E1, ce qui peut parfois être nuisible pour la tenue mécanique la couche isolatrice optique (apparition de microfissures etc).
On peut souhaiter avoir un n1 un peu plus éloigné de n2 et augmenter l’épaisseur E1 par exemple pour une couche isolatrice optique qui un revêtement organique par voie liquide. En outre pour une couche poreuse, notamment silice, le degré de porosité nécessaire est alors diminué.
De préférence, par exemple à 550nm, n1 est supérieur ou égal à 1,3 ou même à 1,35 ou 1,4, (n2 est notamment d’au moins 1,45 ou 1,48) et n0 est d’au moins 1,5. E1 est de préférence d’au moins 250nm. En particulier, à 550nm, n2=1,485 environ (et même la couche inférieure intercalaire est de préférence à base de PVB), et n0 est d’au plus 1,53.
Pour caractériser l’absorption par le revêtement réfléchissant les infrarouges de la lumière en mode guidé, il n’est pas possible de déterminer expérimentalement des paramètres puisque le mode guidé existe seulement dans la deuxième feuille. En outre on fait l’hypothèse pessimiste du revêtement réfléchissant les infrarouges absorbant 100% de la lumière. Avec ce système, la Demanderesse a déterminé un modèle optique spécifique permettant d’évaluer par simulation la réflexion en mode guidé, en particulier le paramètre en mode guidé appelé Rgm qui est la quantité totale de lumière réfléchie à chaque réflexion sur l’interface à couches. Cette réflexion correspond à un angle d’incidence donnée (par exemple de 80° au delà de l’angle critique de 78° si deuxième feuille de verre minéral et couche inférieure PVB, selon la loi de Snell-Descartes donc avec n0=1,52± 0,01, n2=1,485±0,05 à 550nm). Une forte absorption dans le rouge en mode guidé se traduit par des valeurs limitées de Rgm. Typiquement Rgm pour un empilement à l’ITO est de 91% environ pour un vitrage feuilleté avec intercalaire à base de PVB et une première feuille de verre silicosodocalcique teinté, une deuxième feuille de verre silicosodocalcique extraclair.
Les inventeurs ont alors déterminé une couche d’isolation optique telle que même en présence d’une couche absorbant 100% de la lumière derrière celle-ci présente un paramètre Rgm plus élevé, de préférence d’au moins 95% ou même 97% ou encore 99% dénotant une très faible absorption et donc une meilleure préservation du mode guidé au sens de son intensité totale.
Ainsi, E1 et n1 sont choisis tels que la couche isolatrice optique présente un paramètre Rgm qui est la réflexion en mode guidé à l’interface deuxième feuille/ couche isolatrice optique d’au moins 95%, de préférence d’au moins 97% et même d’au moins 99%.
Dans une réalisation, des simulations de ce système avec une couche absorbant à 100% ont été faites et validées avec n0=1,52, n2=1,485 à 550nm.
Notamment pour Rgm de 95%, l’épaisseur E1, en nm, est dans une première région délimitée d’un graphique de l’épaisseur E1 en fonction de n1, avec une première limite inférieure incluse E1a définie par une première courbe C1 de l’épaisseur en fonction de n1 d’équation suivante :
E1a(n1)=b1-a 11 *(n1-n r1 )-a 31 *(n1-n r1 ) 3 -a 51 *(n1-n r1 ) 5
avec n r1 =1,499; b1=122nm; a 11 =30,1nm; a 31 =-9,44*10 -3 nm; a 51 =5,69*10 -6 nm
Cette courbe présente une asymptote verticale proche de n2.
Et de préférence, notamment pour Rgm de 97%, l’épaisseur E1, en nm, est dans une deuxième région délimitée dudit graphique (plus restreinte que la première région), avec une deuxième limite inférieure incluse E1b, définie par une deuxième courbe C2 (au-dessus de C1) de l’épaisseur en fonction de n1 d’équation suivante :
E1b(n1)=b2-a 12 *(n1-n r2 )-a 32 *(n1-n r ) 3 -a 52 *(n1-n r2 ) 5
avec n r2 =1,495, b2=154nm, a 12 =30,5nm, a 32 =-7,51*10 -3 nm; a 52 =3,05*10 -6 nm
Et même encore plus préférentiellement, notamment pour Rgm de 99%, l’épaisseur E1, en nm, est dans une troisième région délimitée dudit graphique (plus restreinte que la première ou deuxième région), avec une troisième limite inférieure incluse E1c, définie par une troisième courbe C3 (au-dessus de C1 et C2) de l’épaisseur en fonction de n1 d’équation suivante :
E1c(n1)=b3-a 13 *(n1-n r3 )-a 33 *(n1-n r3 ) 3 -a 53 *(n1-n r3 ) 5
Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des circuits électroniques connus comprenant un circuit de référence de tension et un circuit de test de démarrage du circuit de référence de tension.
Selon un objet d'un mode de réalisation, la surface occupée par le circuit de test de démarrage est réduite par rapport à la surface occupée par le circuit de référence de tension lorsque ces circuits sont réalisés de façon intégrée.
Selon un objet d'un mode de réalisation, la structure du circuit de test de démarrage est simple.
Un mode de réalisation prévoit un circuit électronique comprenant un circuit de référence de tension et un circuit de test de démarrage du circuit de référence de tension, le circuit de référence de tension comprenant au moins un premier empilement d'un premier transistor, comprenant une première borne de commande recevant un premier signal de commande, et d'un deuxième transistor, comprenant une deuxième borne de commande recevant un deuxième signal de commande, et le circuit de test de démarrage comprenant au moins un premier circuit de test élémentaire comprenant un deuxième empilement d'un troisième transistor et d'un quatrième transistor, le troisième transistor étant du même type que le premier transistor et comprenant une troisième borne de commande recevant le premier signal de commande, le quatrième transistor étant du même type que le deuxième transistor et comprenant une quatrième borne de commande recevant le deuxième signal de commande, le premier circuit de test élémentaire étant configuré pour fournir un premier signal binaire.
Selon un mode de réalisation, le circuit de référence de tension est destiné à être connecté à une source d'une tension d'alimentation et à une source d'un potentiel de référence. Le premier transistor et le deuxième transistor sont reliés en série entre la source de la tension d'alimentation et la source du potentiel de référence, et le troisième transistor et le deuxième transistor sont reliés en série entre la source de la tension d'alimentation et la source du potentiel de référence.
Selon un mode de réalisation, les premier, deuxième, troisième et quatrième transistors sont des transistors MOS.
Selon un mode de réalisation, le premier transistor et le deuxième transistor sont du même type, et le premier circuit de test élémentaire comprend, en outre, un cinquième transistor en série avec un sixième transistor, le cinquième transistor comprenant une cinquième borne de commande recevant le premier signal de commande et le sixième transistor comprenant une sixième borne de commande recevant un signal à un noeud intermédiaire du deuxième empilement, le premier signal binaire correspondant à la tension au noeud milieu entre le cinquième transistor et le sixième transistor.
Selon un mode de réalisation, le circuit de référence de tension comprend au moins un troisième empilement d'un septième transistor, comprenant une septième borne de commande recevant un troisième signal de commande, et d'un huitième transistor, comprenant une huitième borne de commande recevant un quatrième signal de commande, et le circuit de test de démarrage comprend au moins un deuxième circuit de test élémentaire comprenant un quatrième empilement d'un neuvième transistor et d'un dixième transistor, le neuvième transistor étant du même type que le septième transistor et comprenant une neuvième borne de commande recevant le troisième signal de commande, le dixième transistor étant du même type que le huitième transistor et comprenant une dixième borne de commande recevant le quatrième signal de commande, le deuxième circuit de test élémentaire étant configuré pour fournir un deuxième signal binaire.
Selon un mode de réalisation, le troisième signal de commande est identique au premier signal de commande.
Selon un mode de réalisation, le septième transistor et le huitième transistor sont reliés en série entre la source de la tension d'alimentation et la source du potentiel de référence, et le neuvième transistor et le dixième transistor sont reliés en série entre la source de la tension d'alimentation et la source du potentiel de référence.
Selon un mode de réalisation, le septième transistor et le huitième transistor sont de types différents, et le deuxième signal binaire correspond à la tension au noeud milieu entre le neuvième transistor et le dixième transistor.
Selon un mode de réalisation, les septième, huitième, neuvième et dixième transistors sont des transistors MOS.
Selon un mode de réalisation, le circuit électronique comprend un circuit PTAT, un premier étage d'amplification, et un deuxième étage d'amplification, le premier étage d'amplification comprenant un onzième transistor et un douzième transistor, le deuxième signal de commande étant la tension à une borne de puissance du onzième transistor, et le quatrième signal de commande étant la tension à une borne de puissance du douzième transistor.
Un mode de réalisation prévoit également un procédé de conception d'un circuit électronique comprenant un circuit de référence de tension et un circuit de test de démarrage du circuit de référence de tension, le procédé comprenant les étapes suivantes : - déterminer, dans le circuit de référence de tension, au moins un premier empilement d'un premier transistor, comprenant une première borne de commande recevant un premier signal de commande, et d'un deuxième transistor, comprenant une deuxième borne de commande recevant un deuxième signal de commande ; et - ajout dans le circuit de test de démarrage d'au moins un premier circuit de test élémentaire comprenant un deuxième empilement d'un troisième transistor et d'un quatrième transistor, le troisième transistor étant du même type que le premier transistor et comprenant une troisième borne de commande recevant le premier signal de commande, le quatrième transistor étant du même type que le deuxième transistor et comprenant une quatrième borne de commande recevant le deuxième signal de commande, le premier circuit de test élémentaire étant configuré pour fournir un premier signal binaire.
la représente un schéma électrique d'un circuit de référence de tension et d'un circuit de test de démarrage ;
Dans cet exemple, la paroi arrière 7 est formée par la structure 2, la paroi avant 8 est formée par l’habillage 3, tandis que les parois latérales 5 et 6 sont chacune formées à la fois par la structure 2 et par l’habillage 3.
La paroi avant 8 comprend des tronçons 10 espacés verticalement les uns des autres et délimitant des ouvertures frontales 11.
En configuration de présentation, chacun des plateaux 4 s’étend au droit de l’un respectif des tronçons 10 de sorte que les ouvertures frontales 11 permettent à un utilisateur de visualiser et/ou prendre des articles (non représentés) disposés sur les plateaux 4.
Dans cet exemple non limitatif, le présentoir 1 comprend quatre plateaux 4 qui définissent chacun l’un respectif des étages de ce présentoir.
En référence à la , la structure 2 comprend des éléments de support 16-19 configurés pour être reliés aux parois latérales 5 et 6 et à la paroi arrière 7 formées par cette structure 2 de manière à pouvoir supporter chacun l’un respectif des plateaux 4 du présentoir 1.
Il va maintenant être décrit, en référence aux figures 3 à 5, des caractéristiques structurelles et géométriques de panneaux 30, 60 et 90 permettant de former la structure 2 du présentoir 1.
Dans cet exemple, les panneaux 30, 60 et 90 sont en carton et comprennent chacun des découpes et/ou des lignes de découpe, ainsi que des lignes de pliage. Sur les figures 3 à 5, les découpes et lignes de découpe sont représentées en trait continu tandis que les lignes de pliage sont représentées en trait interrompu. Bien entendu, ces panneaux 30, 60 et 90 peuvent comprendre des découpes et/ou des lignes de découpe et/ou des lignes de pliage additionnelles.
Les figures 3 à 5 montrent les panneaux 30, 60 et 90 dans une configuration à plat, c’est-à-dire dans laquelle ils ne sont ni pliés ni mis en volume.
Dans cette configuration à plat, chacun des panneaux 30, 60 et 90 comprend deux surfaces parallèles définissant entre elles une épaisseur de ces panneaux. Par convention, pour chacun des panneaux 30, 60 et 90 des figures 3 à 5, la surface visible sur ces figures est appelée « première surface » et la surface opposée, non visible sur ces figures, est appelée « deuxième surface ».
Dans ce qui suit, à défaut d’indications contraires, un élément est dit vertical ou horizontal par référence à l’orientation de cet élément lorsque la structure 2 qu’il constitue est en configuration de présentation.
En référence à la , le panneau 30 comprend dix-sept parties 31-47 reliées les unes aux autres par des lignes de pliage LP1-LP16 verticales : les parties 31 et 32 sont reliées l’une à l’autre par la ligne de pliage LP1, les parties 32 et 33 sont reliées l’une à l’autre par la ligne de pliage LP2, les parties 33 et 34 sont reliées l’une à l’autre par la ligne de pliage LP3, les parties 34 et 35 sont reliées l’une à l’autre par la ligne de pliage LP4, les parties 35 et 36 sont reliées l’une à l’autre par la ligne de pliage LP5, les parties 36 et 37 sont reliées l’une à l’autre par la ligne de pliage LP6, les parties 37 et 38 sont reliées l’une à l’autre par la ligne de pliage LP7, les parties 38 et 39 sont reliées l’une à l’autre par la ligne de pliage LP8, les parties 39 et 40 sont reliées l’une à l’autre par la ligne de pliage LP9, les parties 40 et 41 sont reliées l’une à l’autre par la ligne de pliage LP10, les parties 41 et 42 sont reliées l’une à l’autre par la ligne de pliage LP11, les parties 42 et 43 sont reliées l’une à l’autre par la ligne de pliage LP12, les parties 43 et 44 sont reliées l’une à l’autre par la ligne de pliage LP13, les parties 44 et 45 sont reliées l’une à l’autre par la ligne de pliage LP14, les parties 45 et 46 sont reliées l’une à l’autre par la ligne de pliage LP15, et les parties 46 et 47 sont reliées l’une à l’autre par la ligne de pliage LP16.
Les parties 33 et 37 comprennent chacune quatre découpes 50, ou « ouvertures », qui forment dans cet exemple des rainures globalement horizontales. Pour chacune des parties 33 et 37, les ouvertures 50 sont verticalement espacées les unes des autres. Les ouvertures 50 de la partie 33 et les ouvertures 50 de la partie 37 sont horizontalement alignées deux par deux. Verticalement, les ouvertures 50 de la partie 33 sont alignées les unes par rapport aux autres en ayant chacune un bord aligné sur la ligne de pliage LP3. Les ouvertures 50 de la partie 37 sont elles aussi verticalement alignées les unes par rapport aux autres.
Les parties 41 et 45 sont symétriques par rapport aux parties 37 et 33, respectivement, et comprennent donc elles aussi des ouvertures 50 (voir ).
La partie 39, aussi appelée « partie centrale », comprend deux ouvertures 51 et deux ouvertures 52 qui s’étendent chacune globalement de manière horizontale.
La partie 38 comprend trois ouvertures 54 qui s’étendent chacune globalement de manière verticale et qui sont verticalement espacées les unes des autres. Chacune des ouvertures 54 de la partie 38 s’étend sensiblement le long de la ligne de pliage LP8.
La partie 40 étant symétrique à la partie 38, celle-ci comprend elle aussi trois ouvertures 54.
En revenant au bloc 1155, s’il n'existe pas d’autre formule sur la routine, le procédé passe au bloc 1160.
Au bloc 1160, le procédé prend fin.