Procédé de fabrication d’un dispositif électronique de puissance (100 ; 300 ; 400 ; 500) comprenant les étapes successives suivantes : a) prévoir un substrat semiconducteur en silicium (101), le substrat comportant une face avant (101F) et une face arrière (101R), opposée à la face avant ; b) former, par croissance épitaxiale depuis la face avant (101F) du substrat (101), une première couche continue (103) en au moins un métal de transition nitruré revêtant la face avant du substrat ; et c) former, sur la première couche (103), par croissance épitaxiale du côté de la face avant (101F) du substrat (101), au moins une deuxième couche (105, 107, 109 ; 501, 503, 505, 507) en un matériau III-V, de préférence III-N. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la première couche continue (103) est en un métal de transition nitruré ou un alliage de métaux de transition nitrurés choisis parmi le nitrure de titane, le nitrure de vanadium, le nitrure de chrome, le nitrure de zirconium, le nitrure de niobium, le nitrure de molybdène, le nitrure d’hafnium et le nitrure de tantale. Procédé selon la revendication 1 ou 2, comprenant en outre, entre les étapes b) et c), une étape de formation, par ablation laser pulsée depuis une face de la première couche (103) opposée à la face avant (101F) du substrat (101), d’une troisième couche (301) épitaxiale en un matériau choisi parmi le nitrure d’aluminium, le nitrure de gallium, le nitrure d’indium et les alliages de ces matériaux, la troisième couche (301) revêtant ladite face de la première couche (103). Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, comprenant en outre, entre les étapes b) et c), une étape de gravure de la première couche (103) et du substrat (101). Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, comprenant en outre, entre les étapes a) et b), une étape de gravure du substrat (101). Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, comprenant en outre, après l’étape c), une étape de formation d’une première électrode de conduction (111A ; 509S) du dispositif, revêtant une face de ladite au moins une deuxième couche (109 ; 507) opposée à la face avant (101F) du substrat (101), et d’une deuxième électrode de conduction (111K ; 509D) du dispositif, revêtant la face arrière (101R) du substrat (101). Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel le substrat semiconducteur (101) est sensiblement monocristallin, la face avant (101F) du substrat présentant une orientation cristalline (111). Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel, à l’étape b), la première couche continue (103) est formée par ablation laser pulsée. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 8, comprenant en outre, entre les étapes b) et c), une étape de formation d’un masque de croissance sélective. Dispositif électronique de puissance (100 ; 300 ; 400 ; 500) comprenant : – un substrat semiconducteur en silicium (101), le substrat comportant une face avant (101F) et une face arrière (101R), opposée à la face avant ; – une première couche épitaxiale continue (103) en au moins un métal de transition nitruré revêtant la face avant (101F) du substrat (101) ; et – au moins une deuxième couche épitaxiale continue (105, 107, 109 ; 501, 503, 505, 507) en un matériau III-V, de préférence III-N, située sur la première couche. Dispositif selon la revendication 10, comprenant en outre une première électrode de conduction (111A ; 509S), revêtant une face de ladite au moins une deuxième couche (109 ; 507) opposée à la face avant (101F) du substrat (101), et une deuxième électrode de conduction (111K ; 509D), revêtant la face arrière (101R) du substrat (101). Dispositif (100 ; 300 ; 400) selon la revendication 11, dans lequel les première et deuxième électrodes (111A, 111K) sont respectivement des électrodes d’anode et de cathode, le dispositif étant de type diode. Dispositif selon la revendication 12, dans lequel le substrat (101) comprend une première partie, située à l’aplomb de l’électrode d’anode (111A), présentant une épaisseur supérieure à celle d’une deuxième partie du substrat (101) de forme annulaire entourant la première partie. Dispositif selon l’une quelconque des revendications 10 à 13, comprenant en outre une troisième couche continue (301) en un matériau choisi parmi le nitrure d’aluminium, le nitrure de gallium et le nitrure d’indium la troisième couche (301) revêtant ladite face de la première couche (103). Dispositif (500) selon la revendication 11, comprenant en outre une électrode de commande (509G) pénétrant à l’intérieur de ladite au moins une deuxième couche (501, 503, 505, 507), le dispositif étant de type transistor. Dispositif selon l’une quelconque des revendications 10 à 15, dans lequel les flancs de ladite au moins une deuxième couche (105, 107, 109 ; 501, 503, 505, 507) sont revêtus d’une couche de passivation (113).