INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Selon une seconde variante, l’identification de l’état de la culture en cours de traitement 52 peut être réalisée au moyen d’une comparaison avec une donnée représentative d’une grandeur caractéristique d’une culture amont 51.
L’unité de commande 110 peut alors être configurée pour effectuer une comparaison entre la mesure d’une grandeur caractéristique de la culture 50 en cours de traitement 52 et une donnée représentative d’une grandeur caractéristique d’une culture amont 51, correspondant à la comparaison entre une grandeur caractéristique de la culture avant le passage des outils de traitement 120, et une grandeur caractéristique de ladite culture pendant le passage des outils de traitement 120.
Selon une première possibilité, des mesures des grandeurs caractéristiques d’une même culture 50 avant et pendant le passage des outils de traitement 120 sont relevées par le dispositif de protection 140.
Dans un tel cas, le dispositif de protection 140 est configuré pour mesurer au moins une grandeur caractéristique de cultures amont 51, par exemple également au moyen du dispositif de caractérisation 141.
La donnée représentative d’une grandeur caractéristique de la culture amont 51 est alors une mesure d’une grandeur caractéristique de la culture amont 51.
Selon une deuxième possibilité, l’unité de commande 110 est configurée pour effectuer une comparaison des mesures des grandeurs caractéristiques relevées par le dispositif de protection 140 d’une même culture 50 pendant le passage des outils de traitement 120 avec une donnée représentative d’au moins une grandeur caractéristique d’une culture amont 51, qui est différente d’une mesure.
L’unité de commande 110 est alors configurée pour associer la mesure d’une grandeur caractéristique d’une culture en cours de traitement 52 à une donnée représentative d’une grandeur caractéristique d’une culture amont 51.
Un traitement de surface peut être réalisé pour améliorer la qualité de la surface de la couche diélectrique 146 déposée. Ainsi, lors de l’étape d’assemblage IV), le substrat comprenant une couche piézoélectrique 106 est assemblé avec le substrat support 100 pour former l’hétérostructure 148 en mettant en contact la couche barrière 122’ avec la couche diélectrique 146. Ainsi, dans cette variante, l’assemblage est réalisé à l’interface 150 entre la couche diélectrique 146 du substrat comprenant une couche piézoélectrique 106 et la couche barrière 122’ du substrat support 100. Ainsi, la couche barrière 122’ se trouve en sandwich entre les deux couches diélectriques 132’ et 146.
De la même manière que dans les variantes du procédé selon le premier mode de réalisation, la couche diélectrique 146 peut être fournie sur le substrat support 100 sur la couche barrière 122’ au lieu d’être fournie sur le substrat comprenant une couche piézoélectrique 106. Dans ce cas, l’assemblage du substrat support 100 avec le substrat comprenant une couche piézoélectrique 106 est fait à l’interface entre la couche diélectrique 146 du substrat support 100 et la couche piézoélectrique 108 du substrat comprenant une couche piézoélectrique 106.
De la même manière que dans les autres variantes du procédé selon le premier mode réalisation, la couche diélectrique peut être fournie sur le substrat piézoélectrique 106 et sur le substrat support 100. L’assemblage du substrat support 100 avec le substrat comprenant une couche piézoélectrique 106 est alors faite à l’interface entre deux couches diélectriques du même matériau, avec des liaisons de type oxyde – oxyde, en particulier une liaison de type Si-O-Si, qui permet une liaison par force moléculaire stable.
De la même manière que dans les autres variantes, une couche diélectrique d’un premier matériau peut être fournie sur le substrat comprenant une couche piézoélectrique 106 et une couche diélectrique d’un deuxième matériau peut être fournie sur le substrat support 100, le premier matériau étant diffèrent du deuxième matériau. Par exemple, la couche diélectrique fournie sur le substrat comprenant une couche piézoélectrique 106 est une couche de Si 3 N 4 alors que la couche diélectrique fournie sur le substrat support 100 est une couche de SiO x N y , en particulier du SiON. Ainsi, l’assemblage du substrat support 100 avec le substrat comprenant une couche piézoélectrique 106 est ensuite réalisée à l’interface entre deux couches diélectriques Si 3 N 4 - SiO x N y qui permet une liaison stable.
De la même manière que dans les autres variantes du deuxième mode de réalisation, une ou plusieurs couches de la structure intermédiaires peut/peuvent être fournie/es sur le substrat piézoélectrique 106 au lieu de sur le substrat support 100.
Le substrat piézoélectrique sur isolant (POI) 152 illustré à l’étape V) comprend le substrat support 100, la couche de piégeage 102, la couche diélectrique 132’, une couche barrière de diffusion d’élément métallique 122’, la deuxième couche diélectrique 146 et la couche piézoélectrique 114 correspond au substrat selon l’invention selon cette deuxième variante du deuxième mode de réalisation.
La représente schématiquement un procédé de fabrication d’un substrat piézoélectrique sur isolant (POI) selon un troisième mode de réalisation de l’invention.
Dans ce troisième mode de réalisation, l’étape III) de formation de la structure intermédiaire 120 du procédé selon la comprend en plus une étape IIIc) de formation d’une deuxième couche barrière 154 après l’étape IIIa).
Toutes les autres étapes I), II), IIa), III), IIIa), IV) et V) sont les mêmes que dans le deuxième mode de réalisation selon la , sauf qu’à l’étape IV) l’assemblage se fait entre la deuxième couche barrière 154 et le substrat piézoélectrique 106. Toutes les caractéristiques communes avec le premier ou deuxième mode de réalisation ainsi que leurs variantes et utilisant les mêmes numéros de référence que ci-dessus ne seront pas décrites à nouveau, mais il est fait référence à leur description détaillée ci-dessus.
La structure intermédiaire 120 comprend ainsi une première couche barrière 122 de diffusion d’élément métallique, une couche diélectrique 132 et une deuxième couche barrière 154, 156, 158, 160.
Cette deuxième couche barrière 154, 156, 158, 160 est déposée sur la couche diélectrique 132, qui est déposée sur la première couche barrière 122. Ainsi, la première couche barrière 122 et la deuxième couche barrière 154 sont séparées par la couche diélectrique 132.
Lors de l’étape d’assemblage IV), la deuxième couche barrière 154, 156, 158, 160 est mise en contact à l’interface 162 avec le substrat comprenant une couche piézoélectrique 106 pour former le substrat donneur 164.
La deuxième couche barrière 154 peut être une deuxième couche barrière 156 de diffusion d’élément métallique. Dans ce cas, la deuxième couche barrière 156 est formée de la même manière que la première couche barrière 122. La deuxième couche barrière 156 de diffusion d’élément métallique peut avoir les mêmes propriétés, telle que l’épaisseur ou le matériau que la première couche barrière 122 ou selon une variante la première couche barrière de diffusion d’élément métallique 122 et la deuxième couche de barrière 156 peuvent être différentes avec des matériaux différents et/ou une épaisseur différente. Par exemple, la première couche barrière de diffusion 122 peut être de l’Oxyde de Tantale (Ta 2 O 5 ) ou du Nitrure de Tantale (TaN) et la deuxième couche barrière de diffusion 156 peut être du Nitrure de Carbone de Silicium (SiCN) ou d’Oxyde d’Aluminium (Al 2 O 3 ), ou vice versa.
Selon une première variante, la deuxième couche barrière 154 peut être une couche barrière de diffusion d’hydrogène 158 pour limiter la diffusion de l’hydrogène vers le substrat piézoélectrique 106 et/ou vers la couche de piégeage 102 du substrat support 100. La couche barrière de diffusion d’hydrogène 158 peut être à base d’Oxynitrure de Silicium (SiO x N y ) ou de Nitrure d’Aluminium (AIN). Cette deuxième couche de barrière 158 à base d’Oxynitrure de Silicium (SiO x N y ) ou de Nitrure d’Aluminium (AIN) est formée par une technique de déposition PECVD (en anglais: « Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition », en français : « Déposition chimique en phase vapeur activé par plasma ») ou PVD (en anglais : « Physical Vapor Deposition », en français : «Déposition physique en phase vapeur « ) ou ALD (en anglais : « Atomic layer Deposition », en français : « Déposition Atomique par couche »), avec une épaisseur comprise entre 5nm et 100nm.
En effet, dans un substrat POI, une autre source de dégradation des performances radiofréquences et électriques du substrat est la diffusion d’hydrogène vers la couche piézoélectrique et/ou vers la couche de piégeage lors du procédé de fabrication du substrat POI. L'hydrogène peut provenir de différentes sources, par exemple de l'interface de collage due à la nature hydrophile des couches de collage avec le substrat à base de Silicium, ou encore de la couche à base d’Oxyde de Silicium, qui est riche en hydrogène de par son procédé de fabrication.
Lors de traitement thermique, tel que lors d’une étape de déposition ou d’une étape de fracturation, réalisé durant le procédé de fabrication à des températures de l’ordre de 500 ° C, l’hydrogène comme l’élément métallique de la couche piézoélectrique 114 peut diffuser jusqu’à la couche de piégeage 102 et neutraliser les pièges de charges de la couche de piégeage 102. De plus, l’hydrogène peut aussi diffuser dans la couche/substrat piézoélectrique, dans laquelle/lequel la présence d’hydrogène peut abaisser la température de Curie ce qui peut provoquer localement le retournement de domaine ferroélectrique. Ce phénomène de retournement local de domaine ferroélectrique affecte la propagation des ondes acoustiques du matériau piézoélectrique.
Les outils de traitement 120 peuvent également être mobiles entre deux positions, une position dite de travail et une position de repos, en particulier une position relevée. Dans la position de travail, les outils de traitement 120 traitent les cultures 50. Dans la position de repos, les outils de traitement 120 n’ont pas de contact avec les cultures 50. Tout ou partie des outils de traitement 120, en position de repos, peut être inclinée sensiblement parallèlement au sol sur lequel évolue le robot agricole autonome 100. Tout ou partie desdits outils de traitement 120 peut également être décalée transversalement par rapport à la direction d’avancement 101.
Le robot agricole autonome 100 peut également comprendre un dispositif automatique de positionnement des outils de traitement 120. Ledit dispositif est de manière classique, relié à l’unité de commande 110. Ladite unité de commande est alors configurée pour lui transmettre des ordres de positionnement des outils de traitement 120, lesdits outils de traitement se positionnant alors dans la position transmise.
Le robot agricole autonome 100 comprend des moyens d’avancement 130. Lesdits moyens d’avancement permettent au robot agricole autonome 100 d’avancer dans une direction 101 dite d’avancement.
L’unité de commande 110 est classiquement reliée aux outils de traitement 120 et aux moyens d’avancement 130. Elle peut être configurée pour envoyer un ordre de mise en position de repos des outils de traitement 120. Dans ce cas, les outils de traitement 120 se positionnent en position de repos. De même, l’unité de commande 110 peut être configurée pour envoyer un ordre d’arrêt aux moyens d’avancement 130. Dans ce cas, les moyens d’avancement freinent jusqu’à provoquer l’arrêt du robot agricole autonome 100.
Le robot agricole autonome 100 comprend également un dispositif de protection 140 de la parcelle de cultures. La protection de la parcelle de cultures signifie que si une culture 50 (ou un nombre limité de cultures 50) a été abimée par les outils de traitement 120, les autres cultures de la parcelle de cultures 50 sont protégées des outils de traitement 120.
Dans le présent exemple de réalisation, l’unité de commande du système de protection correspond à l’unité de commande 110 du robot. Le dispositif de protection 140 et l’unité de commande 110 forment ensemble un système de protection de la parcelle de culture.
On désigne par culture amont 51 une culture située en amont des outils de traitement 120 avant le passage des outils de traitement 120 sur les cultures 50 par rapport à la direction d’avancement 101.
On désigne par culture en cours de traitement 52 une culture située au niveau des outils de traitement 120 pendant le passage des outils de traitement 120 sur les cultures 50.
Dès lors, une culture amont 51 à un instant t1 peut devenir une culture en cours de traitement 52 à un instant t2, si t1 est inférieur à t2.
Le dispositif de protection 140 mesure des grandeurs caractéristiques des cultures 50.
Les grandeurs caractéristiques mesurées ont pour objectif d’être représentatives de l’état des cultures 50.
Le dispositif de protection 140 de la parcelle de cultures 50 peut comprendre un premier dispositif de caractérisation 141 des cultures amont 51 et en cours de traitement 52. Le dispositif de caractérisation 141 est alors disposé de manière à ce qu’il puisse caractériser les cultures amont 51 et les cultures en cours de traitement 52 sans changer d’orientation. Par exemple, une orientation en biais par rapport au sol sur lequel évolue le robot agricole peut être choisie, de façon à couvrir une zone au niveau des outils de traitement 120 et une zone en amont du robot agricole.
Le capteur peut être relié à l’unité de commande 110.
Dans un premier mode de réalisation représenté en et 2, le dispositif de caractérisation 141 peut comprendre des capteurs d’image. Ces capteurs d’image peuvent être des capteurs CMOS.
La distance d déterminée pour chaque pixel fournit l'image de profondeur contenant des taches 50, la couleur de chaque tache 50 dépendant de la profondeur d déterminée à l'étape 44 pour la tache considérée.
La est un exemple d'image de profondeur Imp.
Dans des modes de réalisation décrits précédemment, des étapes de procédé peuvent être effectuées en utilisant un ou plusieurs dispositifs de calcul. Les modes de réalisation ne sont pas limités à un fonctionnement avec un type particulier de dispositif de calcul.
La est un schéma-bloc d'un dispositif de calcul 1000 qui peut être utilisé pour réaliser le module de traitement 12 et/ou le module de commande 6. Le dispositif de calcul 1000 peut comprendre un ou plusieurs processeurs 1001 (Processor(s)) et un ou plusieurs supports de stockage non transitoire lisibles par ordinateur (par exemple, la mémoire 1003 (Memory)). La mémoire 1003 peut stocker, dans un moyen de stockage non transitoire lisible par ordinateur, des instructions de programme informatique qui, lorsqu'elles sont exécutées, mettent en oeuvre les étapes du procédé de détection décrit ci-dessus. Le processeur ou les processeurs 1001 peuvent être couplés à la mémoire 1003 et peuvent exécuter ces instructions de programme d'ordinateur pour entraîner la réalisation de ces étapes.
Le dispositif de calcul 1000 peut également comprendre une interface 1005 d'entrée/sortie de réseau (Network I/O Interface(s)) par laquelle le dispositif de calcul peut communiquer avec d'autres dispositifs de calcul (par exemple, sur un réseau), et peut également comprendre une ou plusieurs interfaces d'utilisateur 1007 (User I/O Interface(s)), par l'intermédiaire desquelles le dispositif de calcul peut fournir un signal de sortie à un utilisateur et recevoir un signal d'entrée provenant de l'utilisateur. Les interfaces d'utilisateur peuvent comprendre des périphériques tels qu'un clavier, une souris, un microphone, un périphérique d'affichage (p.ex. un moniteur ou un écran tactile), des haut-parleurs, une caméra, et/ou divers autres types de périphérique entrée/sortie.
Les modes de réalisation décrits ci-dessus peuvent être mis en oeuvre de plusieurs façons. A titre d'exemple, les modes de réalisation peuvent être mis en oeuvre à l'aide d'un circuit dédié, d'un logiciel ou d'une combinaison de ceux-ci. Lorsqu'ils sont mis en oeuvre par logiciel, le code logiciel peut être exécuté sur n'importe quel processeur approprié (par exemple, un microprocesseur) ou un ensemble de processeurs, qu'ils soient prévus dans un dispositif de calcul unique ou répartis entre plusieurs dispositifs de calcul. Il convient de noter que tout composant ou ensemble de composants qui réalisent les étapes de procédé décrites ci-dessus peuvent être considérés comme un ou plusieurs contrôleurs qui commandent les étapes décrites ci-dessus. Le contrôleur ou les contrôleurs peuvent être mis en oeuvre de nombreuses façons, par exemple avec un circuit électronique dédié ou avec un circuit à usage général (par exemple, un ou plusieurs processeurs) qui est programmé à l'aide un logiciel ou d'un microcode pour exécuter les étapes de procédé décrites ci-dessus.
À cet égard, il convient de noter qu'un mode de réalisation décrit ici comprend au moins un support de stockage lisible par ordinateur (RAM, ROM, EEPROM, mémoire flash ou une autre technologie de mémoire, CD-ROM, disque numérique polyvalent (DVD) ou un autre support à disque optique, cassette magnétique, bande magnétique, disque de stockage magnétique ou un autre dispositif de stockage magnétique, ou un autre support de stockage non transitoire lisible par ordinateur) codé avec un programme d'ordinateur (c'est-à-dire plusieurs instructions exécutables) qui, lorsqu'il est exécuté sur un processeur ou plusieurs processeurs, effectue les étapes des modes de réalisation décrits ci-dessus. Le support lisible par ordinateur peut être transportable de sorte que le programme stocké sur celui-ci peut être chargé sur n'importe quel dispositif de calcul pour mettre en oeuvre des aspects des techniques décrites ici. En outre, il convient de noter que la référence à un programme d'ordinateur qui, lorsqu'il est exécuté, effectue l'une des étapes de procédé décrites ci-dessus, ne se limite pas à un programme d'application s'exécutant sur un ordinateur hôte. Au contraire, les termes programme d'ordinateur et logiciel sont utilisés ici dans un sens général pour faire référence à tout type de code informatique (par exemple, un logiciel d'application, un micrologiciel, un microcode, ou toute autre forme d'instruction d'ordinateur) qui peut être utilisé pour programmer un ou plusieurs processeurs pour mettre en oeuvre des aspects des procédés décrits précédemment.
PROCEDE DE DETECTION DE VEHICULES LONGS OU ARTICULES La présente divulgation concerne l’observation de l’environnement des véhicules pour la mise en œuvre de fonctions d’assistance à la conduite. Elle s’applique notamment à la détection et au suivi de véhicules longs ou articulés.
Il est connu d’équiper un véhicule d’un capteur de présence d’objets de type lidar ou radar pour obtenir des informations concernant l’environnement du véhicule. En particulier les capteurs lidar ou radar mettent classiquement en œuvre des procédés d’observation de l’environnement d’un véhicule comprenant l’acquisition d’un nuage de points par le capteur, l’identification d’un ensemble d’objets, par exemple d’autres véhicules, à partir d’un traitement de ce nuage de points, et le suivi des objets identifiés, pour pouvoir suivre et anticiper la trajectoire des objets environnant le véhicule sur lequel le capteur est embarqué.
S’agissant de la représentation et du suivi de véhicules longs, tels que des camions, des bus, dont notamment des bus articulés, des véhicules comprenant un tracteur et une remorque, ou encore des tramways, etc., deux approches ont été proposées.
Une première approche consiste à créer un objet unique décrivant l’ensemble du véhicule long, et à réaliser un suivi de cet objet unique. Cependant cette approche souffre d’inconvénients notables, comprenant d’une part un défaut de précision, car les nuages de points obtenus par des capteurs de type radar ou lidar sont souvent distribués de façon hétérogène, ce qui aboutit à une géométrie de l’objet détecté qui est approximative, cette approximation étant d’autant plus importante que l’objet est de grande taille. De plus, le suivi cinématique d’un tel objet dépend de manière importante de la position de son centre de rotation. Or, comme représenté sur les figures 1a et 1b, qui représentent des trajectoires T 1 , T 2 , T 3 possibles d’un même objet O, pour des conditions cinématiques initiales identiques mais avec une position du centre de rotation différente, l’approximation mentionnée ci-avant est également applicable à la position du centre de rotation de l’objet, ce qui peut résulter en une marge d’erreur très importante pour des véhicules longs, et donc une grande imprécision dans la prédiction des trajectoires (résultant dans la en trois positions hypothétiques O 1 , O 2 et O 3 pour l’objet).
L’autre approche consiste à créer un ensemble de petits objets qui sont suivis indépendamment les uns des autres. Cette approche résout les problèmes d’imprécision décrits ci-avant, mais le fait de devoir suivre une pluralité d’objets correspondant à un véhicule unique représente un coût important en termes de mémoire et de capacités de traitement pour ce véhicule. De plus, les données concernant les objets détectés et suivis par des capteurs de type lidar ou radar sont habituellement exploitées par des applications d’aide à la conduite, et le fait de représenter un objet unique par un ensemble de petits objets peut d’une part mener à une saturation des capacités de traitement de l’application, et d’autre part générer un risque de confusion pour les utilisateurs.
Il est proposé un procédé d’observation de l’environnement d’un véhicule principal, le procédé étant mis en œuvre par un dispositif comportant un capteur de présence d’objets de type radar ou lidar monté sur le véhicule principal, et une unité de traitement en communication avec le capteur de présence d’objets, le procédé comprenant : l’acquisition, de données relatives à l’environnement du véhicule principal par le capteur de présence d’objets, la détection d’une pluralité d’objets à partir des données acquises, chaque objet étant associé à un ensemble de caractéristiques, le suivi d’une pluralité d’objets détectés pour prédire un état futur des objets suivis, la création d’une chaîne comprenant une succession d’objets suivis associés les uns aux autres, comprenant : l’association d’un ensemble d’objets suivis formant la chaîne, et la détermination de caractéristiques associées à la chaîne d’objets, à partir de caractéristiques des objets formant ladite chaîne.
Dans des modes de réalisation, le procédé comprend en outre l’utilisation des caractéristiques de la chaîne d’objets dans la mise en œuvre d’au moins une application d’aide à la conduite du véhicule principal.
représente une vue locale du dispositif matriciel, centrée sur le canal de circulation de lumière illustré sur la , lorsque le dispositif lumineux assure la deuxième fonction lumineuse telle qu’illustrée sur la .
Les sources lumineuses 41, 42 sont disposées de part et d’autre d’un plan défini comprenant un axe optique principal 10 du dispositif lumineux. Dans l’exemple illustré, la première source lumineuse 41 et la deuxième source lumineuse 42 sont réparties de part et d’autre de ce plan défini, la distance de chacune des sources lumineuses par rapport au plan défini pouvant varier selon la fonction lumineuse que ces sources lumineuses participent à réaliser. Tel que cela sera décrit ci-après, la distance des sources lumineuses par rapport au plan défini est à déterminer en fonction de l’angle par rapport à l’axe optique principal 10 que l’on souhaite donner aux rayons lumineux en sortie du collimateur lorsque l’une ou l’autre des sources lumineuses est activée. Ainsi, les sources lumineuses sont éloignées les unes des autres, selon la direction verticale tel qu’illustré sur la notamment, mais également dans la direction transversale selon le nombre et l’agencement des sources lumineuses. Par éloignées l’une de l’autre, on comprend que les sources lumineuses ne sont pas en contact l’une de l’autre.