INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Comme l’illustre la , on effectue la croissance par épitaxie du premier matériau M1, ici du silicium dopé p+, dans la tranchée 23, et ici à partir de la surface libre de la bordure latérale 10b des portions de détection 10. Dans la mesure où le premier matériau M1 est ici du silicium, la croissance par épitaxie s’accompagne d’une formation de la région latérale 14 à base de SiGe et de la zone latérale 15. Le silicium épitaxié croît à partir de la surface libre de germanium et remplit les tranchées 23. Il est donc au contact de la bordure latérale 10b des portions de détection 10. Il est déposé de manière à dépasser des tranchées 23 et recouvre ainsi en partie la couche isolante supérieure 22.
A la suite de l’étape d’épitaxie, la température est ramenée à une température finale inférieure à la température d’épitaxie, par exemple à la température ambiante, par exemple à 25°C, ce qui provoque la mise en tension du germanium des portions de détection 10, ainsi que la mise en compression du premier matériau M1.
Le matériau M1 est de préférence un matériau à base de silicium, par exemple du silicium amorphe, du silicium polycristallin, de silicium germanium. Le matériau M1 est dopé selon le deuxième type de conductivité, ici de type p au bore ou au gallium, avec une concentration de dopants de l’ordre de 10 19 à 10 20 at/cm 3 environ.
Comme l’illustre la , une étape de polissage mécanochimique (CMP) est ensuite effectuée, avec arrêt sur la face supérieure de la couche isolante supérieure 23, pour éliminer le matériau M1 en excès et planariser la face supérieure formée par la couche isolante supérieure 23 et le premier matériau M1. On obtient ainsi une portion latérale périphérique qui est pour le moment entièrement remplie par le premier matériau M1 en silicium dopé p+.
En référence aux à 2I, on continue la réalisation des portions latérales périphériques 3 par le dépôt du deuxième matériau M2 à haute température.
Pour cela, comme l’illustre la , on réalise une gravure partielle du premier matériau M1 pour former une échancrure 25. Une échancrure 25 est ici une tranchée non traversante, débouchant sur une partie non gravée du matériau M1. Un masque de gravure 24 en résine est déposé sur la couche isolante supérieure 22 de manière à laisser libre le premier matériau M1. Ensuite, le premier matériau M1 est ainsi gravé de manière à rendre libre une surface de la bordure latérale 10b de la portion de détection 10. Le premier matériau M1 est gravé partiellement suivant l’axe Z, jusqu’à une profondeur prédéfinie de sorte que le premier matériau M1 s’étende à partir de la première face F1 sur une distance au moins égale à 50% de l’épaisseur de la portion de détection 10.
A la suite de cette étape de gravure partielle du matériau M1, la région intermédiaire 13 présente une partie P1, entourée par le matériau M1, qui présente des contraintes mécaniques en tension, surmontée par une partie P2, entourée par l’échancrure 25, où le germanium est alors sensiblement relaxé.
Dans le cas où le deuxième matériau M2 est du TiN, il peut être avantageux de former ensuite une portion mince intercalaire 26 de quelques nanomètres de Ni ou de Ti recouvrant la surface supérieure du premier matériau M1. Le deuxième matériau M2 est alors en contact électrique avec le matériau M1 par l’intermédiaire de la portion mince intercalaire 26. Celle-ci permet d’améliorer le contact ohmique entre les matériaux M1 et M2. Dans le cas où le matériau M2 est du germanium dopé p+, une telle couche mince intercalaire 26 peut être omise.
Comme l’illustre la , on effectue ensuite la croissance par épitaxie du deuxième matériau M2 dans l’échancrure 25, à partir du premier matériau M1 et de la surface libre de la bordure latérale 10b de la portion de détection 10. Le matériau M2 est déposé de manière à remplir entièrement les échancrures 25, et il recouvre ici au moins en partie la couche isolante supérieure 22. La température de dépôt T2 est supérieure à la température ambiante, par exemple à quelques centaines de degrés Celsius, par exemple au moins égale à 300°C ou 400°C dans le cas du TiN, ou au moins égale à 500°C dans le cas du germanium dopé p+.
A la suite de l’étape d’épitaxie, la température est ramenée à une température finale inférieure à la température d’épitaxie, par exemple à la température ambiante, par exemple à 25°C, ce qui provoque la formation, dans la partie P2 de la région intermédiaire 13, de la zone centrale Z2c en tension et de la zone latérale périphérique Z2p en compression. Le matériau M2 est alors en tension. Notons que dans le cas où le matériau M2 est un semiconducteur dopé, comme du germanium dopé p+, le dopage peut être effectué à la croissance ou après le dépôt par implantation ionique.
Comme l’illustre la , une étape de polissage mécanochimique (CMP) est ensuite effectuée, avec arrêt sur la face supérieure de la couche isolante supérieure 22, pour éliminer le matériau M2 en excès et planariser la face supérieure formée par la couche isolante supérieure 22. On obtient ainsi, dans cet exemple, une portion latérale périphérique 3 qui est formée par le matériau M1 en silicium dopé p+ surmonté du matériau M2 ici en TiN.
La illustre le champ de déformations dans le plan principal de la structure alors portée à 650°C, laquelle est similaire à celle de la . Dans cet exemple, le matériau M1 en polysilicium dopé p+ s’étend sur une hauteur de 1.7µm et le matériau M2 en TiN s’étend sur une hauteur de 0.8µm. Le germanium est alors en tension dans la partie P1 de la région intermédiaire 13 (et le matériau M1 est en compression), et en tension dans la zone centrale Z2c tout en étant en compression dans la zone latérale périphérique Z2p (et le matériau M2 est en tension).
Lors d’une étape suivante ( ), on réalise le caisson 12 dopé n+. Pour cela, on dépose une couche de protection en un matériau diélectrique, par exemple en un oxyde de silicium, d’une épaisseur par exemple comprise entre 10nm et 30nm environ (cette couche de protection et la couche isolante supérieure forment ensemble la couche 22). Ensuite, par photolithographie, on définit dans une résine photosensible (non représentée) une ouverture correspondant à une zone d’implantation définissant le caisson 12 dopé n+. On effectue ensuite une implantation ionique d’un dopant tel que le phosphore ou de l’arsenic, au travers des ouvertures. Le caisson 12 est de préférence surdopé n+, et peut ainsi présenter un niveau de dopage compris entre 5.10 18 et 3.10 20 at/cm 3 environ. Le caisson 12 dopé n+ est délimité dans le plan XY et suivant l’axe Z par la région intermédiaire 13. Après retrait de la résine photosensible, un recuit de diffusion des dopants peut être effectué. Notons ici que le caisson 12 dopé n+ est principalement situé dans la zone centrale Z2c. Il est ici entièrement situé dans la zone centrale Z2c, mais il est possible que sa bordure latérale soit située dans la zone latérale périphérique Z2p (cf. et 1B).
Afin de configurer le nombre de supports comportant des évidements, le nombre des cartes électroniques, et afin d’associer l’emplacement des outils avec le(s) détecteur(s), le dispositif de contrôle 100 interroge chaque carte électronique qui, en réponse, lui transmet son identifiant unique, le dispositif de contrôle 100 établit une liste de cartes électroniques et associe à chaque petit objet l’identifiant de la carte électronique et chaque position du ou des capteurs auquel le petit objet doit être en regard.
Le dispositif de contrôle 100 notifie à chaque carte électronique la liste des capteurs à utiliser par la carte électronique et chaque carte électronique enregistre la au moins une caractéristique du circuit résonnant de chaque capteur à utiliser lorsque le support comportant des évidements est vide et la température à laquelle la mesure est faite.
La est un exemple d’un support comportant des évidements pour recevoir des objets à inventorier selon la présente invention.
Le support Mou comporte des évidements Or1, Or2, Or3 et Or4 pour recevoir des objets à inventorier.
Le support Mou est par exemple une mousse en polymère.
L’évidement Or1 est conformé pour recevoir les objets O1, O2 et O3. Les évidements Or2, et Or4 sont conformés pour recevoir respectivement un unique objet. L’évidement Or3 est conformé pour recevoir un unique objet O4.
Dans l’exemple de la , les objets O1, O2, O3 et O4 sont respectivement présents dans l’évidement qui leur est alloué. Les évidements sont adaptés pour épouser la forme de l’objet ou sont adaptés à recevoir plusieurs objets.
Aucun objet n’est présent dans les évidements Or2 et Or3.
La est un exemple d’architecture d’un microcontrôleur apte à gérer le fonctionnement de capteurs pour effectuer un inventaire d’objets dans un sous-espace clos.
Le microcontrôleur selon la présente invention comprend :
- un processeur, micro-processeur, ou microcontrôleur 400 ;
- une mémoire volatile 403 ;
- une mémoire non volatile 402 ;
- une I/F interface de contrôle de la carte électronique 404 ;
- une interface de communication COM 405 bidirectionnelle ;
- un bus de communication reliant le processeur 400 à la mémoire ROM 402, à la mémoire RAM 403, à l’interface IF 404 et à l’interface de communication COM 405.
Alors, l’élément Q calculé à l’étape D22 est exactement le produit des C i ^r pour i appartenant à J.
Comme Ci = g m[i],i ^a = g^(a*a m[i],i ) = g^(a * a w[i],i ), ce produit est exactement g^(a * r * A), où A est la somme des a w[i],i pour i appartenant à J.
Ainsi Q^(1/T) permet de simplifier cette somme et donne exactement g^(a/b s ). En calculant l’image par H de cette dernière valeur on retombe exactement sur E s .
A l’inverse, si le motif diffère, ne serait-ce que sur une unique position, de la suite de caractères chiffré, on peut prouver que la probabilité de retomber sur E s est d’au plus 1 /p, ce qui est négligeable en pratique. En effet, p peut être choisi par exemple proche de 2 256 .
L’invention vise aussi un procédé de déchiffrement d'un chiffré obtenu par chiffrement de données comportant au moins u caractères élémentaires, le chiffré étant généré conformément à un procédé de chiffrement tel que décrit précédemment, le procédé de déchiffrement comprenant : - obtention d'une trappe associée à chacune des données élémentaires distinctes du flux de données, ladite trappe étant générée conformément à un procédé de génération d’une trappe tel que décrit précédemment, - détection de la présence de cette trappe, conformément au procédé de détection d'un motif tel que décrit précédemment.
Un dispositif DG de génération de trappe dans un système de chiffrement, selon un exemple de réalisation va maintenant être décrit en relation avec la . Ce dispositif DG est un équipement informatique, tel un ordinateur.
Le dispositif DG de génération de trappe comprend :
- une unité de traitement ou processeur 601, ou "CPU" (de l'anglais "Central Processing Unit"), destinée à charger des instructions en mémoire, à les exécuter, à effectuer des opérations ;
- un ensemble de mémoires, dont une mémoire volatile 602, ou "RAM" (pour "Random Access Memory") utilisée pour exécuter des instructions de code, stocker des variables, etc., et une mémoire de stockage 603 de type « EEPROM » (de anglais « Electrically Erasable Programmable Read Only Memory »). En particulier, la mémoire de stockage 603 est agencée pour mémoriser un module logiciel de génération de trappe qui comprend des instructions de code pour mettre en œuvre les étapes du procédé de génération de trappe tel que décrit précédemment. La mémoire de stockage 603 est également agencée pour mémoriser dans une zone sécurisée la clé secrète sk du système de chiffrement.
Le dispositif DG de génération de trappe comprend également : - un module MT22 pour sélectionner un entier s compris entre 1 et t ; - un module MT24 de calcul d’une valeur T = b s *(r 1 a w[1],1 + r 2 a w[2],2 +…+ r v a w[v],v ), r i =0 si w[i] est ledit caractère spécial et r i est égal à un entier r sinon, et - un module RES pour restituer la trappe comportant les éléments s, r, et T.
Un dispositif DC de chiffrement, selon un exemple de réalisation va maintenant être décrit en relation avec la . Ce dispositif DC de chiffrement est un équipement informatique, tel un ordinateur.
- une unité de traitement ou processeur 701 , ou CPU, destinée à charger des instructions en mémoire, à les exécuter, à effectuer des opérations ;
- un ensemble de mémoires, dont une mémoire volatile 702, ou RAM utilisée pour exécuter des instructions de code, stocker des variables, etc., et une mémoire de stockage 703 de type EEPROM. En particulier, la mémoire de stockage 703 est agencée pour mémoriser un module logiciel de chiffrement qui comprend des instructions de code pour mettre en œuvre les étapes du procédé de chiffrement tel que décrit précédemment. La mémoire 703 est également agencée pour mémoriser la clé publique pk du système de chiffrement.
Le dispositif DC de chiffrement comprend également : - un module MC22 de sélection d’un entier a entre 0 et p-1 ; - un premier module MC24 de calcul pour tout entier k entre 1 et une entier t, d’une valeur E k = H(h k ^(a)) - un deuxième module MC26 de calcul pour tout entier i entre 1 et un entier u, d’une valeur C i égale à g m[i],i ^a, et un module MC28 d’obtention du chiffré, ledit chiffré étant constitué des éléments {E k , C i }.
Un dispositif DD de détection de présence d’un motif, selon un exemple de réalisation va maintenant être décrit en relation avec la . Ce dispositif DD est un équipement informatique, tel un ordinateur.
est une illustration des états et des variables de contrôle de l’algorithme de programmation dynamique durant lequel le procédé est mis en œuvre.
représente la mise en œuvre du procédé selon l’invention, selon un exemple de réalisation, par le dispositif de la , durant l’algorithme de programmation dynamique illustré .
En référence aux figures 1 à 3, à l’étape S10 un véhicule 100 s’apprête à emprunter, sur une route 300, un itinéraire it comprenant des stations 210, 220 et 230 de rechargement de batterie. Dans l’exemple donnée ici, il n’y a que trois stations de rechargement de batterie, mais généralement, l’itinéraire pourra comporter plus ou moins de stations de rechargement de batterie. Le véhicule 100 comprend un moteur électrique 120 et une batterie 130 d’alimentation du moteur électrique 120.
A l’étape S20, un algorithme de programmation dynamique est initialisé (autrement dit : démarré). L’algorithme de programmation dynamique minimise le temps pour parcourir l’itinéraire it. L’algorithme de programmation dynamique comprends des états discrétisés 1211, 1212, 1213, 1214, 1215, 1216, 1221, 1222, 1223, 1224, 1225, 1226, 1231, 1232, 1233, 1234, 1235 et 1236.Les états 1211, 1212, 1213, 1214, 1215, 1216 représentent des niveaux d’énergie de la batterie 130 à la station 210. Les états 1221, 1222, 1223, 1224, 1225, 1226 représentent des niveaux d’énergie de la batterie 130 à la station 220. Les états 1231, 1232, 1233, 1234, 1235, 1236 représentent des niveaux d’énergie de la batterie 130 à la station 230. Dans l’exemple donnée ici, il n’y a que six états par station de rechargement de batterie, mais généralement, l’algorithme pourra comporter plus d’états par station de rechargement de batterie. L’algorithme détermine, à l’étape S30, également une vitesse v et un temps de trajet t dr , entre deux stations contiguës, pour que la batterie 130 se décharge, durant le trajet entre les deux stations contiguës (autrement dit, de manière générale dans cet invention: voisines ou successives), d’une quantité d’énergie égale à la différence entre les niveaux d’énergie de deux états. Par exemple, en 1100, l’algorithme détermine une vitesse v et un temps de trajet t dr (puisque v = d/ t dr ), entre les stations 220 et 230, pour que la batterie 130 se décharge, durant le trajet entre les deux stations 220 et 230 d’une quantité d’énergie égale à la différence entre les niveaux d’énergie 1223 et 1233. Seul le calcul de vitesse 1100 est représenté, mais l’algorithme calcule ces vitesses et ces temps de trajet pour tout couple d’état de deux stations contiguës (par exemple, entre 1216 et 1221, ou entre 1225 et 1236).
A l’étape S40, l’algorithme détermine à partir de ces temps de trajets les vitesses qui minimisent la durée de l’itinéraire it.
Ces étapes sont par exemple mises en œuvre par le dispositif électronique 110, qui, à l’étape S50 peut commander le véhicule 100 (par exemple sa motorisation et son freinage) pour que le véhicule circule aux vitesses choisies par l’algorithme.
Par exemple, A l’étape S30, le temps de trajets t dr est calculé de la manière suivante : t dr = si disc> 0 et t dr = si disc= 0
et:
est l’efficacité de la propulsion du véhicule 100,
Ep est l’énergie potientielle du véhicule 100. ¨Par exemple, Ep est l’énergie potentielle du véhicule sur le trajet (numériquement, Ep = mgz, où m est la masse du véhicule 100 (en kilogrammes), g l’accélération de la pesanteur (en mètres par seconde au carré), z la différence d’altitude entre les deux stations (en mètres)).
V w est la force du vent (plus précisément la résultante de la force du vent (projetée orthogonalement à l’axe de circulation) (en Newton) sur l’axe de circulation du véhicule 100,
f 0 , f 1 , f 2 étant des réels dont un au moins est non nul,
f 0 , f 1 , f 2 sont par exemple établis à partir d’une trajectoire d’un deuxième véhicule identique au véhicule automobile 100, lancé, sans propulsion.
L’algorithme de programmation dynamique est par exemple tel que défini dans l’article suivant : “Optimization of the travel time of an electric vehicle with consideration of the recharging terminals”, S Souley et al., IFAC-PapersOnLine, Volume 54, Issue 2, 2021, Pages 121-126.
On observe ainsi que le présent élément d’aération assure une maximisation des échanges d’air au travers de la plaque tout en empêchant le passage des arthropodes, ou en formant une barrière mécanique infranchissable pour les arthropodes contre lesquels il est destiné à assurer une protection.
Selon encore un autre mode de réalisation de ce procédé de fabrication sur mesure d’un élément d’aération, on réalise un traitement desdits trous d’aération pour améliorer le coefficient de transmission lumineuse de ladite plaque.
A titre purement illustratif, ayant réalisé lesdits trous d’aération dans ladite plaque, et au moins une face de ladite plaque étant encore recouverte d’au moins une couche amovible de protection, on forme, pour au moins une majorité desdits trous d’aération, sur la portion d’au moins une face de ladite plaque délimitant le bord de chacun de ces trous d’aération et/ou la paroi latérale, ou la ceinture de parois latérales, délimitant chacun des trous correspondant, au moins une couche configurée pour augmenter le coefficient de transmission lumineuse de cette plaque par rapport au coefficient de transmission lumineuse d’une même plaque dont les trous d’aération sont dépourvus de ladite ou desdites couches.
De préférence, ladite au moins une couche configurée pour augmenter le coefficient de transmission lumineuse de cette plaque sera formée d’au moins une couche de charges colorées, laquelle ou lesquelles seront obtenues par :
- par la mise en œuvre d’un faisceau laser pour réaliser un traitement de surface comme par exemple le procédé appelé moussage thermique,
- par dépôt d’une composition aérosol de peinture appropriée,
- par un procédé sol-gel
- ou encore par dépôt d’une solution comprenant un solvant et des charges colorées.
Dans le premier cas, les avantages de l’utilisation d'un faisceau laser permettant un « moussage thermique », sont notamment liés à l’obtention d’un travail particulièrement précis et de teintes du moussage pouvant être variées.
À titre purement illustratif, on pourra mettre en œuvre une source laser de longueur d'onde 1,06 µm, avec une puissance de 10W et présentant une vitesse de balayage de 35m/min sur une plaque de polycarbonate. On obtient alors une coloration grise foncée qui peut être localisée à l’abord immédiat des trous et sur les parois des trous d’aération accessibles au faisceau laser.
Pour les deux autres procédés traitement identifiés plus haut, le solvant est choisi en fonction du polymère constitutif de la plaque considérée pour pouvoir dissoudre sa surface et venir incruster les charges colorées.
A titre purement illustratif, ce solvant peut être un solvant organique tel que le méthanol, la cyclohexanone, l’acétone, la pyridine ou le chlorure de méthylène. Ce solvant peut être utilisé pur ou en mélange, par exemple avec de l’eau.
A titre d’exemple, le mélange pourra alors être dispersé par spray avec un pistolet de peinture classique avec une embouchure de faible diamètre, ou par une enduction de type sérigraphique, ou encore une enduction de type trempage sol-gel. Les surfaces masquées, par exemple avec la couche de protection, seront alors recouvertes ainsi qu’au minimum la tranche des trous d’aération laissée apparente par le perçage.
L’avantage principal de l’utilisation de ces techniques est la rapidité de mise en œuvre sur de grandes surfaces.
A titre purement illustratif, un mélange associé au PMMA peut être composé de 95% en volume d'acétone avec 5% de noir de carbone, tel que par exemple Emperor 1200 de la société Cabot®, ou tout autre carbone possédant des particules très fines, compatible avec les solvants et un bon comportement rhéologique pour assurer une bonne mise en œuvre. Ce mélange est par exemple projeté à l’aide d’un aérographe Revell® ayant une buse de 0,1 mm.
Dans tous les cas, on peut adjoindre au solvant, seul ou avec le colorant, des éléments photochromiques à base de chlorure d'argent (tel que Sigma Aldrich® AgCl ayant une pureté supérieure à 99%) en particulier pour une plaque en verre, ou de spiro-oxazine (Tokyo Chemical Industries®) en particulier pour le cas des polymères.
Selon une variante de réalisation non illustrée, la lanière externe 12 peut comprendre un évidement laissant apparaitre la lanière interne 11. Cet évidement pourrait éventuellement être comblé par un matériau transparent, toujours dans le but de rendre visible la lanière interne 11 depuis l’extérieur de la chaussure.
L’élément 2 assurant la liaison entre les lanières 11, 12 qui sont ici réalisées chacune d’une seule pièce, est formé de tronçons issus de chacune de ces deux lanières qui sont solidarisés l’un contre l’autre, par exemple, par couture, collage ou soudure. Dans ce mode de réalisation, le tronçon de la lanière 11 est, de préférence, solidarisé à la face intérieure de la lanière 12 de plus grande largeur, comme illustré par la .
Il est toutefois possible de prévoir, sans sortir du cadre de l’invention et selon une variante non représentée, que l’élément de liaison 2 soit formé d’au moins un tronçon commun rapporté, par collage, coutures ou soudures sur les deux lanières 11, 12, ensemble. Ainsi, deux brins de chaque lanière pourraient se rejoindre au niveau de cet élément de liaison commun.
Selon une variante spécifique de réalisation illustrée par la , l’élément de liaison 2 est constitué d’un rivet 20 passant localement au travers des deux lanières 11, 12. Ce mode de liaison des deux lanières, via au moins un rivet, permet une orientation plus aisée d’une lanière par rapport à l’autre, permettant un meilleur positionnement des lanières sur les parties de la chaussure dont elles doivent assurer le serrage. Dans le cas où l’élément de liaison 2 n’est formé que d’un seul rivet, celui-ci assure une fonction pivot entre les deux lanières 11, 12.
Selon un mode de réalisation préférentiel de l’invention, il est prévu que l’élément de liaison 2 assure aussi la fixation sur la partie arrière du collier K de la chaussure de ski. Dans ce cas, la sangle 1 reste attachée à la chaussure même une fois relâchée.
Dans une autre variante de réalisation, la sangle 1 pourrait aussi coulisser librement dans un organe de retenue tel qu’un passant ou un pontet porté par la coque à l’arrière ou sur la périphérie du collier K de la chaussure. Cet organe de retenue de la sangle pourrait également être envisagé, en remplacement ou en complément des moyens de fixation de la sangle sur l’arrière de la coque.