INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
L’objet de l’invention est aussi réalisé par un procédé de fabrication d’un substrat piézoélectrique sur isolant (POI) décrit auparavant comprenant les étapes de fournir un substrat support, en particulier un substrat à base de silicium, comprenant une couche de piégeage, en particulier une couche à base de silicium poly cristallin ou amorphe ou poreux, fournir un substrat comprenant une couche piézoélectrique, en particulier une couche piézoélectrique à base de Tantalate de Lithium (LiTaO 3 ) ou de Niobate de Lithium (LiNbO 3 ), former une structure intermédiaire sur le substrat comprenant une couche piézoélectrique et/ou sur le substrat support, la formation de la structure intermédiaire comprenant la formation d’au moins une couche barrière d’élément métallique, en particulier de Lithium, à base d’Oxyde de Tantale (Ta 2 O 5 ), la couche barrière ayant une épaisseur t EM supérieure à une épaisseur prédéterminée, ladite épaisseur prédéterminée étant déterminée en fonction de l’épaisseur de la couche de piégeage de telle manière que la dose d’élément métallique dans la couche de piégeage est inférieure à une dose seuil prédéterminée, en particulier une dose seuil d’élément métallique, encore plus en particulier une dose de Lithium, en particulier une dose seuil inférieure à 1.2*10 12 at/cm 2 , en particulier inférieure à 5*10 11 at/cm 2 , et assembler le substrat comprenant une couche piézoélectrique avec le substrat support.
Ainsi, l’étape de formation d’une structure intermédiaire sur le substrat comprenant une couche piézoélectrique et/ou le substrat support dans le procédé selon l’invention permet de former une couche barrière de diffusion d’élément métallique pour réduire la diffusion d’élément métallique de la couche piézoélectrique vers la couche de piégeage lors d’étapes de traitement thermique du procédé. Avec ce procédé un substrat peut être obtenu qui permet de réduire de manière efficace l’effet négatif de la diffusion d’éléments métalliques vers le substrat support, et en particulier dans la couche de piégeage du substrat support.
Selon une variante de l’invention, l’étape de formation de la structure intermédiaire peut comprendre en outre la formation d’une deuxième couche barrière. La deuxième couche barrière peut être une couche barrière d’éléments métalliques ou une couche barrière d’un autre élément dans la structure, en particulier un élément non métallique. Avec ce procédé un substrat peut être obtenu qui permet de réduire de manière encore plus efficace l’effet négatif de la diffusion d’éléments vers le substrat support en réduisant à la fois la diffusion d’élément métallique provenant de la couche piézoélectrique mais aussi de la diffusion d’autres éléments dans la structure du substrat POI.
Selon une variante de l’invention, l’étape de formation de la structure intermédiaire peut comprendre en outre une étape de formation d’une couche avec une concentration d’hydrogène inférieure à 10 20 at/cm 3 , en particulier inférieure à 10 18 at/cm 3 . La formation d’une couche avec une concentration d’hydrogène réduite permet de limiter la diffusion d’hydrogène dans la structure lors de traitement thermique postérieure, traitement connu pour faciliter la diffusion d’hydrogène vers la couche piézoélectrique et/ou la couche de piégeage.
Le matériau piézoélectrique 106 peut être un matériau piézoélectrique riche en Lithium, par exemple, du Tantalate de Lithium (LiTaO 3 ) ou du Niobate de Lithium (LiNbO 3 ).
Le substrat comprenant une couche piézoélectrique 106 peut avoir subi d’abord une ou plusieurs étapes de nettoyage, de brossage ou de polissage de sa surface libre pour enlever des particules ou de la poussière et ainsi obtenir une surface libre plus propre et de meilleur qualité pour réaliser par la suite un dépôt de couche successif.
Selon l’invention, une étape III) de dépôt d’une structure intermédiaire 120 sur la surface libre 102a, de préférence directement sur la surface libre 102a, de la couche de piégeage 102 du substrat support 100 est réalisée.
L’étape III) de dépôt de la structure intermédiaire 120 comprend la formation d’au moins une couche barrière de diffusion d’élément métallique 122. La couche barrière 122 peut être une couche barrière de diffusion de Lithium 122.
La couche barrière 122 peut, selon l’invention, être une couche amorphe à base d’Oxyde de Tantale (Ta 2 O 5 ) déposée par une technique de déposition de couche atomique ALD (en anglais : « Atomic Layer Deposition ») ou encore par PE-ALD (en anglais : Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition ou en français : Déposition Atomique par couche activée par Plasma), ou encore par LPCVD (en anglais : « Low Pressure Chemical Vapor Deposition », en français : dépôt chimique en phase vapeur à basse pression), par MOCVD (en anglais : « Metal-Organic Chemical Vapour Deposition », en francais : dépôt chimique en phase vapeur à partir de précurseur métalorganiques) ou par PECVD (en anglais : « Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition », en français : dépôt chimique en phase vapeur activé par plasma).
Dans ce cas, la température de déposition par ALD est comprise entre 25 ° C et 350 o C ou pour le LPCVD entre 500 et 800°C, par MOCVD entre 500 et 800 o C ou pour le PECVD entre 250 et 400°C suivit d’un traitement thermique à 700°C.
La couche barrière 122 a une épaisseur t EM supérieure à une épaisseur prédéterminée, ladite épaisseur prédéterminée étant définie en fonction de l’épaisseur t p de la couche de piégeage 102 de telle manière que la dose d’élément métallique dans la couche de piégeage 102 est inférieure à une dose seuil d’élément métallique entrainant la dégradation de la couche de piégeage 102.
Pour calculer la dose seuil d’élément métallique, l'homme de métier saura calculer la pente de diffusion de l’élément métallique à partir de son coefficient de diffusion et ainsi ajuster l'épaisseur t EM de la couche de barrière 122 afin de garantir de ne pas dépasser un seuil de dose d’élément métallique prédéterminé dans la couche de piégeage 102. Ce calcul dépend aussi des traitements thermiques appliqué à la structure pendant le procédé de fabrication et aussi de l’épaisseur de la couche de piégeage 102.
Par exemple, pour une couche de Tantalate de Lithium (LiTaO3) ou de Niobate de Lithium (LiNbO 3 ) et pour une couche de piégeage 102 ayant une épaisseur t p de 1µm, la dose seuil de Lithium dans la couche de piégeage 102 doit être inférieure à 10 12 at/cm 2 . Pour une couche de piégeage 102 avec une épaisseur t p de l’ordre de 0.5µm, la dose seuil de Lithium sera plutôt de l’ordre de 5*10 11 at/cm 2 .
Pour obtenir ces valeurs, l’épaisseur t EM de la couche barrière 122 doit être comprise entre 5nm et 150nm, en particulier entre 10nm et 100nm.
Lors de l’étape IIa) une zone de fragilisation 112 est formée dans la couche piézoélectrique 108 du substrat comprenant une couche piézoélectrique 106 de manière à délimiter la couche piézoélectrique 114 à transférer du reste 116 de la couche piézoélectrique 108 du substrat comprenant une couche piézoélectrique 106.
Cette étape IIa) de formation d’une zone de fragilisation 112 est réalisée par une implantation 118 d'espèces atomiques ou ioniques dans la couche piézoélectrique 108 du substrat comprenant une couche piézoélectrique 106. L’implantation atomique ou ionique est réalisée de telle manière que la zone de fragilisation 112 est située à l’intérieure de la couche piézoélectrique 108 et sépare une couche piézoélectrique 116 du reste 114 de la couche piézoélectrique 108. Les espèces atomiques ou ioniques sont implantées à une profondeur t 3 déterminée de la couche piézoélectrique 108 qui détermine l'épaisseur t 3 de la couche piézoélectrique 114 à transférer. L’épaisseur t 3 est typiquement entre 50nm et 1.2µm, en particulier de l’ordre de 800nm. La dose d’implantation des espèces atomiques ou ioniques est comprise entre 10 16 at/cm 2 et 10 17 at/cm².Le substrat support 100 obtenu après l’étape III) est ensuite assemblé au substrat donneur 110 obtenu après l’étape IIa) durant l’étape IV) d’assemblage pour obtenir une hétérostructure 124 correspondant à l’assemblage substrat support – substrat donneur. Ici, l’assemblage se fait par adhésion moléculaire.
L’assemblage du substrat comprenant une couche piézoélectrique 106 sur le substrat support 100 est fait telle que la couche barrière 122 de la structure intermédiaire 120 est positionnée en sandwich entre la couche piézoélectrique 114 du substrat comprenant une couche piézoélectrique 106 et la couche de piégeage 102 du substrat support 100. L’interface de contact 126 est située entre la couche piézoélectrique 114 et la structure intermédiaire 122 du substrat support 100.
Ensuite, une étape V) de transfert de la couche mince piézoélectrique 114 est réalisée. Pour cela, une étape de fracturation du substrat donneur 124 par apport d’énergie thermique, avec un traitement thermique comprise entre 100 o C et 300 o C dans une atmosphère de Ar ou N 2 , et/ou mécanique au niveau de la zone de fragilisation 112 pour obtenir un substrat POI comprenant une couche piézoélectrique 114 d’une épaisseur t 3 typiquement comprise entre 50nm et 1µm, en particulier de l’ordre de 600nm.
Un traitement thermique du substrat piézoélectrique sur isolant (POI) 122 obtenu après l’étape V) est réalisé pour réparer les dommages occasionnés à la couche piézoélectrique 114 transférée lors de l’étape de fracturation. Ce traitement thermique est réalisé à une température comprise entre 400 et 600 o C, en particulier de l’ordre de 500 o C, dans une atmosphère de Ar, O 2 ou N 2 .
Pendant ces traitements thermiques lors de la réalisation du substrat POI, une diffusion d’éléments métalliques peut avoir lieu en partant de la couche piézoélectrique 114 en direction de la couche de piégeage 102.
Par exemple, la donnée représentative d’une grandeur caractéristique est une donnée préexistante stockée dans une mémoire de stockage non volatile de l’unité de commande 110, ou dans une mémoire de stockage, en particulier non volatile, distante.
La donnée préexistante peut par exemple avoir été générée lors d’une utilisation antérieure du robot agricole, ou encore au cours d’une opération de génération de données indépendante. Par exemple, il est envisageable de générer un ensemble de données préexistantes par survol de la parcelle de cultures au moyen d’un drone équipé d’un dispositif de caractérisation des cultures, tel une caméra.
Il est également possible que la donnée préexistante soit une unique image d’une culture 50 dans un état préservé. Une telle image sert alors de référence pour toutes les cultures en cours de traitement 52.
Quel que soit le type de donnée représentative d’une grandeur caractéristique d’une culture amont 51, l’unité de commande 110 est configurée identifier l’état de la culture en cours de traitement 52, en particulier pour classer la culture en cours de traitement 52 comme étant dans un état détérioré si la comparaison dépasse un seuil prédéfini, ou comme étant dans un état préservé si la comparaison ne dépasse pas le seuil prédéfini.
Par exemple, lorsque la grandeur caractéristique est une largeur de la culture 50, la donnée préexistante est la largeur d’une culture amont 51. La mesure de la largeur de la culture en cours de traitement 52 est comparée à ladite largeur de la culture amont 51. Par exemple, un ratio de largeur peut être défini, tel un ratio de largeur de la culture amont 51 sur la largeur de la culture en cours de traitement 52. Selon une possibilité, il peut être défini que lorsque ce ratio est supérieur à un seuil prédéfini égal à 1 (indiquant un déplacement latéral de tout ou partie des cultures), alors la culture en cours de traitement 52 est classée comme étant dans un état détérioré.
Selon d’autres exemples de grandeurs caractéristiques présentés plus en amont, lorsque la grandeur caractéristique est une image, si une différence de pixels est observée entre les deux images d’une même culture 50 avant et pendant le traitement par les outils de traitement 120, cela peut signifier que la culture 50 a été dégradée.
En particulier, si les images comparées n’ont pas la même orientation, par exemple, il peut être nécessaire de redresser les images afin d’effectuer la comparaison. Selon d’autres possibilités, il peut également être nécessaire de recadrer ou tourner l’image. Il peut également être utile d’aplanir l’image, notamment pour tenir compte des différences de hauteur lorsque le sol n’est pas plat. Les techniques pour effectuer ce type de traitement sont connues de la technique.
Lorsque la grandeur caractéristique est une largeur ou une longueur de la culture, une différence des grandeurs caractéristiques d’une même culture 50 avant et pendant le traitement par les outils de traitement 120 peut notamment mettre en évidence une coupe ou un arrachement, en particulier sous-terrain, de la culture 50.
Lorsque la grandeur caractéristique est une position ou un espacement entre la culture 50 et une autre culture de la parcelle, une différence des grandeurs caractéristiques d’une même culture 50 avant et pendant le traitement par les outils de traitement 120 peut notamment mettre en évidence un déplacement ou un arrachement, en particulier sous-terrain, de la culture 50.
Lorsque la grandeur caractéristique est l’angle que forme la culture 50 par rapport au sol sur lequel évolue le robot agricole autonome 100, une différence des grandeurs caractéristiques d’une même culture 50 avant et pendant le traitement par les outils de traitement 120 peut notamment mettre en évidence un écrasement de la culture 50, particulièrement si celle-ci est une culture haute.
En outre, le système de protection, ou le robot agricole, peut également comprendre un dispositif de localisation 170. Le dispositif de localisation 170 comprend par exemple un système de positionnement par satellite, tel que le système GPS (de l’acronyme anglais Global Position System ).
L’unité de commande est alors configurée pour associer à chaque mesure d’une grandeur caractéristique d’une culture 50 un positionnement de ladite culture, déterminé par le dispositif de localisation 170. Des grandeurs caractéristiques associées à un même positionnement sont considérées comme étant associées à une même culture 50.
Exemple d’un deuxième mode de réalisation particulier
La illustre un véhicule agricole 200 équipé d’un système de protection d’une parcelle de cultures selon l’invention. Le véhicule agricole 200 est ici un véhicule de type tracteur, équipé d’un outil de traitement de cultures 220 et d’un système de protection de cultures. Le véhicule agricole 200 est équipé de moyens d’avancement 230. Optionnellement, le véhicule agricole 200 est équipé d’un dispositif de localisation 270.
Le système de protection de cultures comprend une unité de commande 210 et d’un dispositif de protection 240, équipé d’un dispositif de caractérisation 241 qui peut être un capteur d’images ou laser.
En particulier, le dispositif de protection 240 et l’unité de commande 210 sont disposés sur l’outil de traitement de cultures 220.
Dans un autre mode de réalisation, la composition du deuxième élément (E2) comprend un seul homopolyamide ou au moins un copolyamide à longue chaine.
Avantageusement, un arbitrage est ensuite réalisé sur la base des scores obtenus par les différents projets. La solution de l’invention pourrait être exploitée par des équipes techniques et/ou géomarketing d’un opérateur de réseau de télécommunication pour planifier de façon optimale les nouveaux déploiements à mettre en œuvre dans son réseau.
Il est envisagé aussi de mettre en compétition plusieurs configurations candidates pour un même site.
Selon encore un autre aspect de l’invention, ledit site comprenant au moins une cellule radio configurée pour émettre et recevoir des ondes radio à une fréquence donnée dans au moins un secteur donné, ladite au moins une configuration candidate appartient à un groupe comprenant au moins : - l’ajout d’une cellule radio associée à une fréquence distincte des fréquences existantes sur ledit site ; - l’ajout d’un secteur d’émission à une cellule radio existante, - le remplacement d’une cellule radio existante associée à une première fréquence par une nouvelle cellule radio associée à une deuxième fréquence distincte de la première, - le remplacement d’une cellule radio associée à une première technologie par une cellule radio associée à une deuxième technologie.
Les configurations candidates pour un site donné peuvent être de types variés, ce qui permet d’ajuster le déploiement de nouvelles ressources radio aux besoins spécifiques d’une zone géographique. Il peut s’agir d’ajouter de nouveaux secteurs à une cellule radio existantes, une nouvelle cellule radio, de remplacer une cellule radio de technologie plus ancienne, par une cellule radio de technologie plus récente, etc.
L’invention concerne également un dispositif d’évaluation d’un déploiement d’une configuration candidate, d’au moins un équipement d’accès radio d’un réseau de communication au niveau d’un emplacement, dit site, dans une zone géographique, configuré pour mettre en œuvre : - l’obtention de données réseau, dites historiques, relatives à audit réseau dans la zone géographique, lesdites données historiques comprenant au moins des informations topographiques relatives à des équipements d’accès radio existants dans ladite zone géographiques avant le déploiement de la configuration candidate au niveau d’emplacements, dits sites, et des mesures d’au moins un indicateur de performance du réseau de communication dans la zone géographique pendant une période temporelle écoulée, dite période de référence; et - la détermination d’une métrique d’évaluation de la configuration candidate, ou score, en fonction d’une variation dudit au moins un indicateur de performances du réseau de communication dans ladite zone géographique, induite par ledit déploiement et d’au moins un critère de priorisation associé à une métrique représentative d’une évolution d’une performance du réseau induite par ledit déploiement, ladite variation étant prédite au moins à partir des données réseau historiques et d’informations topographiques relatives à la configuration candidate.
Avantageusement, ledit dispositif est configuré pour mettre en œuvre les étapes du procédé d’évaluation du déploiement d’une configuration candidate tel que décrit précédemment.
Avantageusement, ledit dispositif est intégré dans un système de gestion d’un réseau de télécommunications.
Le système présente au moins les mêmes avantages que ceux conférés par le procédé d’évaluation précité.
L’invention concerne également un produit programme d'ordinateur comprenant des instructions de code de programme pour la mise en œuvre du procédé d’évaluation tel que décrit précédemment, lorsqu’il est exécuté par un processeur.
L’invention vise également un support d’enregistrement lisible par un ordinateur sur lequel est enregistré le programme d’ordinateur comprenant des instructions de code de programme pour l’exécution des étapes du procédé selon l’invention tel que décrit ci-dessus.
RESUME Pour atteindre cet objectif, selon un premier aspect de l’invention, il est fourni un système de détermination d’au moins une variable d’état représentative de la position et/ou de la vitesse d’une partie mobile d’une machine électrique d’un système électrique avec régulation en boucle de contrôle fermée, le système de détermination est essentiellement tel qu’il comprend : Un dispositif de modulation de signal électrique (ou modulateur) configuré pour moduler un signal électrique d’alimentation de la machine électrique en injectant un signal électrique dit d’injection en superposition du signal électrique d’alimentation de la machine électrique en fonctionnement, le signal électrique d’injection présentant une fréquence prédéterminée au moins cinq fois supérieure, de préférence au moins dix fois supérieure, à une fréquence fondamentale du signal électrique d’alimentation de la machine électrique, Un capteur acoustique configuré pour mesurer une réponse vibro-acoustique de la machine électrique en fonctionnement, et Un dispositif de traitement de la réponse vibro-acoustique mesurée par le capteur acoustique, le dispositif de traitement étant configuré pour extraire, de la réponse vibro-acoustique, un signal électrique représentatif de ladite au moins une variable d’état.
Selon un deuxième aspect de l’invention, il est fourni un système électromécanique avec régulation en boucle de contrôle fermée comprenant : une machine électrique présentant une partie mobile et un système de détermination d’au moins une variable d’état représentative de la position et/ou de la vitesse de la partie mobile de la machine électrique tel qu’introduit ci-dessus.
Selon un troisième aspect de l’invention, il est fourni un procédé de détermination d’au moins une variable d’état représentative de la position et/ou de la vitesse d’une partie mobile d’une machine électrique d’un système électrique avec régulation en boucle de contrôle fermée, le procédé étant essentiellement tel qu’il comprend : La modulation, par un dispositif de modulation de signal électrique (ou modulateur), d’un signal électrique d’alimentation de la machine électrique en injectant un signal électrique dit d’injection en superposition du signal électrique d’alimentation de la machine électrique en fonctionnement, le signal électrique d’injection présentant une fréquence prédéterminée au moins cinq fois supérieure à une fréquence fondamentale du signal électrique d’alimentation de la machine électrique, La mesure, par un capteur acoustique, d’une réponse vibro-acoustique de la machine électrique, et L’extraction, par un dispositif de traitement de la réponse vibro-acoustique mesurée par le capteur acoustique, d’un signal électrique représentatif de ladite au moins une variable d’état.
La réponse vibro-acoustique de la machine électrique est au moins en partie induite par le signal électrique d’injection.
L’invention, selon ses différents aspects, répond au(x) besoin(s) d’offrir une alternative plus fiable ou un complément aux dispositifs existants de commande sans capteurs et/ou une solution à la fois performante et à bas coût relativement aux dispositifs existants de commande avec capteur(s) mécanique(s).
La représente un schéma fonctionnel électronique d’un système électrique équipé d’un système de détermination selon un mode de réalisation du premier aspect de l’invention.
La représente un schéma fonctionnel électronique détaillant une première partie du schéma fonctionnel électronique illustré sur la .
La représente un schéma fonctionnel électronique détaillant une deuxième partie du schéma fonctionnel électronique illustré sur la .
La représente différentes étapes d’un exemple de mise œuvre du traitement opéré, sur la réponse vibro-acoustique de la machine électrique, par le dispositif de traitement d’un système de détermination selon un mode de réalisation du premier aspect de l’invention.
La représente une étape de transmission, à une boucle à verrouillage de phase du système de détermination selon un mode de réalisation du premier aspect de l’invention, d’un signal électrique représentatif de la position et/ou de la vitesse d’une partie mobile de la machine électrique, pour réguler le fonctionnement de la machine électrique.
La représente graphiquement un exemple de réponse vibro-acoustique d’une machine électrique telle que mise en œuvre par les inventeurs sur un banc d’essai d’un mode de réalisation du système de détermination selon le premier aspect de l’invention.
La représente graphiquement la transformée de Fourier de la réponse vibro-acoustique illustrée sur la .
La représente un agrandissement sur la zone A entourée de la qui est située autour de la fréquence prédéterminée du signal d’injection utilisé par les inventeurs.