Procédé de fabrication d’une couche (10) piézoélectrique sur un substrat (11), caractérisé en ce qu’il comprend : la formation par une première épitaxie d’une couche germe (102) pseudomorphique d’un premier matériau piézoélectrique sur un substrat donneur (100), le transfert de la couche germe (102) et d’une portion (103) du substrat donneur (100) sur un substrat receveur (110) par l’intermédiaire d’au moins une couche électriquement isolante et/ou au moins une couche électriquement conductrice (105) adaptée pour permettre une relaxation de la couche germe, le retrait de la portion (103) du substrat donneur (100) transférée de sorte à exposer une surface de la couche germe (102), la formation d’une couche monocristalline (104) d’un deuxième matériau piézoélectrique sur la couche germe (102). Procédé selon la revendication 1, dans lequel le transfert de la couche germe (102) et de la portion (102) du substrat donneur (100) comprend les étapes suivantes : la formation d’une zone de fragilisation (101) dans le substrat donneur (100) de sorte à délimiter la portion (103) à transférer, l’assemblage du substrat donneur (100) sur le substrat receveur (110), la couche germe (102) étant à l’interface d’assemblage, le détachement du substrat donneur (100) le long de la zone de fragilisation (101), et dans lequel la formation de la couche germe (102) sur le substrat donneur (100) est réalisée après la formation de la zone de fragilisation (101). Procédé selon la revendication 1, dans lequel le transfert de la couche germe (102) et de la portion (103) du substrat donneur (100) comprend les étapes suivantes : la formation d’une zone de fragilisation (101) dans le substrat donneur (100) de sorte à délimiter la portion à transférer (103), l’assemblage du substrat donneur (100) sur le substrat receveur (110), la couche germe (102) étant à l’interface d’assemblage, le détachement du substrat donneur (100) le long de la zone de fragilisation (101), et dans lequel la formation de la couche germe (102) sur le substrat donneur (100) est réalisée avant la formation de la zone de fragilisation (101). Procédé selon l’une des revendications 2 ou 3, dans lequel la zone de fragilisation (101) est formée par implantation ionique d’hydrogène et/ou d’hélium dans le substrat donneur (100). Procédé selon l’une des revendications 1 à 4, dans lequel la formation de la couche germe (102) sur le substrat donneur (100) est réalisée par dépôt de couche atomique. Procédé selon l’une des revendications 1 à 4, dans lequel la formation de la couche germe (102) sur le substrat donneur (100) est réalisée par épitaxie par jet moléculaire. Procédé selon l’une des revendications 1 à 6, dans lequel la formation de la couche monocristalline (104) sur la couche germe (102) est réalisée par une deuxième épitaxie. Procédé selon la revendication 7, dans lequel la deuxième épitaxie du deuxième matériau piézoélectrique sur la couche germe (102) est un dépôt chimique en phase vapeur aux organométalliques. Procédé selon l’une des revendications 1 à 6, dans lequel la formation de la couche monocristalline (104) sur la couche germe (102) est réalisée par un dépôt du deuxième matériau piézoélectrique sous forme amorphe suivi d’une recristallisation dudit deuxième matériau. Procédé selon l’une des revendications précédentes, dans lequel l’épaisseur de la couche germe (102) est comprise entre 2 nm et 20 nm. Procédé selon l’une des revendications précédentes, dans lequel la portion (103) du substrat donneur (100) transférée sur le substrat receveur (110) présente une épaisseur inférieure à 2 µm, de préférence inférieure à 1 µm. Procédé selon l’une des revendications précédentes, dans lequel l’épaisseur de la couche (104) du deuxième matériau piézoélectrique à l’issue de la deuxième épitaxie est comprise entre 20 nm et 15 µm. Procédé selon l’une des revendications 1 à 12, dans lequel le substrat receveur (110) comprend au moins un dispositif électronique ou une interconnexion. Procédé selon l’une des revendications précédentes, dans lequel le substrat receveur (110) comprend une couche de piégeage de charges (107). Procédé selon l’une des revendications 1 à 12, comprenant, après la formation de la couche monocristalline du deuxième matériau piézoélectrique, le transfert d’au moins une partie de la couche (104) du deuxième matériau piézoélectrique sur un substrat final (120). Procédé selon la revendication 15, dans lequel la partie de la couche (104) du deuxième matériau piézoélectrique transférée sur le substrat final (120) présente une épaisseur inférieure à 2 µm, de préférence inférieure à 1 µm. Procédé selon l’une des revendications 15 ou 16, dans lequel le substrat final (120) comprend au moins un dispositif électronique ou une interconnexion. Procédé selon l’une des revendications 15 à 17, dans lequel le substrat final (120) comprend une couche de piégeage de charges (121). Procédé selon l’une des revendications 1 à 18, dans lequel le premier matériau piézoélectrique et le deuxième matériau piézoélectrique sont identiques. Procédé selon l’une des revendications 1 à 18, dans lequel le premier matériau piézoélectrique et le deuxième matériau piézoélectrique sont différents. Procédé selon l’une des revendications précédentes, comprenant, avant la formation de la couche germe (102), la formation d’une couche intermédiaire (106) sur le substrat donneur (100), ladite couche intermédiaire étant adaptée pour la croissance épitaxiale de la couche germe (102) sur le substrat donneur (100). Procédé de fabrication d’un dispositif à ondes acoustiques de surface, comprenant la formation de deux électrodes (12, 13) interdigitées sur la surface d’une couche piézoélectrique (10), caractérisé en ce qu’il comprend la fabrication de la couche piézoélectrique (10) par un procédé selon l’une des revendications 1 à 21. Procédé de fabrication d’un dispositif photonique, comprenant la formation d’au moins un composant photonique, tel qu’un laser, un modulateur, un guide d’onde ou un multiplexeur, au moins en partie dans une couche piézoélectrique, caractérisé en ce qu’il comprend la fabrication de la couche piézoélectrique (10) par un procédé selon l’une des revendications 1 à 21. Dispositif à ondes acoustiques de surface, caractérisé en ce qu’il comprend une couche piézoélectrique (10) susceptible d’être obtenue par un procédé selon l’une des revendications 1 à 21, et deux électrodes (12, 13) interdigitées sur une face de la couche piézoélectrique (10). Dispositif photonique, caractérisé en ce qu’il comprend une couche piézoélectrique susceptible d’être obtenue par un procédé selon l’une des revendications 1 à 21, et au moins un composant photonique, tel qu’un laser, un modulateur, un guide d’onde ou un multiplexeur, formé au moins en partie dans ladite couche piézoélectrique. Structure comprenant un dispositif à ondes acoustiques de surface selon la revendication 24 et un dispositif photonique selon la revendication 25, dans laquelle ledit dispositif à ondes acoustiques de surface et ledit dispositif photonique sont agencés au moins en partie dans la même couche piézoélectrique.