Photodiode planaire (1), comportant : une portion dite de détection (10) d’une couche semiconductrice principale (2), réalisée en au moins un matériau M0 semiconducteur cristallin à base de germanium, présentant des première et deuxième faces (F1, F2) parallèles à un plan principal, et comportant : une première région (11) dopée de type p, affleurant la première face (F1) ; une deuxième région (12) dopée de type n, affleurant la deuxième face (F2) ; et une région intermédiaire (13), s’étendant entre les première et deuxième régions dopées (11, 12), et entourant la deuxième région dopée (12) dans le plan principal en affleurant la deuxième face (F2) ; une portion latérale périphérique (3), destinée à être polarisée électriquement, réalisée en au moins un premier matériau M1 électriquement conducteur, s’étendant, suivant un axe vertical orthogonal au plan principal, jusqu’à venir au contact de la première région dopée (11), et s’étendant au contact de la portion de détection (10) en entourant la région intermédiaire (13) dans le plan principal ; le premier matériau M1 présentant un coefficient de dilatation thermique CTE1 inférieur à celui du matériau M0, s’étendant à partir de la première face (F1), la région intermédiaire (13) comportant une première partie P1, entourée par le premier matériau M1 dans le plan principal, présentant des contraintes mécaniques en tension ; caractérisé en ce que : la portion latérale périphérique (3) comporte plusieurs matériaux distincts électriquement conducteurs, empilés l’un sur l’autre suivant l’axe vertical, dont : au moins un deuxième matériau M2, s’étendant entre le premier matériau M1 et la deuxième face (F2), présentant un coefficient de dilatation thermique CTE2 supérieur ou égal à celui du matériau M0, la région intermédiaire (13) comportant une deuxième partie P2 affleurant la deuxième face F2, entourée par le deuxième matériau M2 dans le plan principal, formée de : une zone latérale périphérique Z2p présentant des contraintes mécaniques en compression, et entourant la deuxième région dopée (12) dans le plan principal, et une zone centrale Z2c présentant des contraintes mécaniques en tension, entourée par la zone latérale périphérique Z2p dans le plan principal, où se situe la deuxième région dopée (12). Photodiode planaire (1) selon la revendication 1, dans laquelle le premier matériau M1 s’étend, suivant l’axe d’épaisseur de la photodiode, à partir de la première face F1 sur une distance comprise entre 50% et 80% de l’épaisseur de la portion de détection (10), et le deuxième matériau M2 s’étend, suivant l’axe d’épaisseur de la photodiode, à partir du premier matériau M1 jusqu’à la deuxième face F2 sur une distance comprise entre 20% et 50% de l’épaisseur de la portion de détection (10). Photodiode planaire (1) selon la revendication 1 ou 2, dans laquelle le matériau M1 est à base de silicium dopé de type p, et le matériau M2 est choisi parmi un matériau métallique et un matériau semiconducteur à base de germanium dopé de type p. Photodiode planaire (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, comportant une portion mince intercalaire, réalisée en au moins un matériau métallique, et située entre le matériau M1 à base de silicium dopé de type p et le matériau M2 métallique. Photodiode planaire (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, dans laquelle le premier matériau M1 est réalisé à base de silicium dopé de type p et le deuxième matériau M2 est réalisé en un matériau métallique, la portion de détection (10) comportant une région latérale (14) dopée de type p s’étendant sur toute la hauteur de la portion latérale périphérique (3) et au contact de cette dernière. Photodiode planaire (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, dans laquelle le premier matériau M1 est réalisé à base de silicium dopé de type p, la portion de détection (10) comportant une zone latérale (15) réalisée à base de silicium germanium, s’étendant sur toute la hauteur de la portion latérale périphérique (3) et au contact de cette dernière. Photodiode planaire (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, comportant une couche isolante supérieure (22), réalisée en un matériau diélectrique, s’étendant sur la deuxième face (F2) au contact de la région intermédiaire (13) et au niveau de la zone latérale périphérique Z2p. Procédé de fabrication d’au moins une photodiode planaire (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, comportant les étapes suivantes : réalisation de la couche semiconductrice principale (2) ; réalisation d’au moins une tranchée (23) pour former la portion de détection (10) ; dépôt du premier matériau M1 à une température de dépôt T1 supérieure à la température ambiante, de manière à remplir la tranchée (23), puis retour à la température ambiante ; réalisation d’au moins une échancrure (25) par gravure partielle du premier matériau M1 ; dépôt du deuxième matériau M2 à une température de dépôt T2 supérieure à la température ambiante, de manière à remplir l’échancrure (25), puis retour à la température ambiante, obtenant ainsi la zone centrale Z2c et la zone latérale périphérique Z2p. Procédé de fabrication selon la revendication 8, comportant une étape de réalisation de la deuxième région dopée (12) située dans la zone centrale Z2c. Procédé de fabrication selon la revendication 8 ou 9, dans lequel la couche semiconductrice principale (2) est réalisée à partir d’une couche support (20) présentant un coefficient de dilatation thermique inférieur au coefficient CTE0 du matériau M0.