Procédé de formation d’une couche de carbure de silicium (20) sur un substrat de silicium, ledit procédé comprenant successivement : le placement d’un substrat de base (10) en silicium dans un four, l’introduction d’un flux d’un mélange d’un gaz carboné dans le four, la montée à une température (T F ) de formation d’une couche de carbure de silicium (20) pour former, par une réaction du propane avec le silicium, une couche de carbure de silicium (20) sur le substrat de base (10) et une couche de carbone (30) sur la couche de carbure de silicium (20), le retrait de ladite couche de carbone (30). Procédé selon la revendication 1, dans lequel le gaz carboné est du propane ou de l’acétylène. Procédé selon la revendication 1 ou la revendication 2, dans lequel le gaz porteur est de l’argon ou un mélange d’argon et d’hydrogène. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la température (T F ) de formation de la couche de carbure de silicium (30) est comprise entre 750°C et 1100°C. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel la température (T R ) de retrait de la couche de carbone est comprise entre 600 °C et 950°C. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le substrat de silicium présente une résistivité électrique supérieure à 500 Ohm.cm. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel l’épaisseur de la couche de carbure de silicium (20) est comprise entre 2 et 5 nm. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, comprenant en outre, avant l’introduction du flux de propane : l’échauffement du four à une température (T O ) de décomposition d’un oxyde de silicium natif, le retrait d’une couche d’oxyde de silicium natif (13) du substrat de base (100) par décomposition thermique dudit oxyde, et le refroidissement du four à une température d’introduction du flux de propane (TI). Procédé selon l’une des revendications 1 à 8, dans lequel on dispose dans le four (70) une pluralité de substrats de base (10) superposés verticalement, un espace vertical étant ménagé entre deux substrats de base (100) adjacents, de sorte à former une couche de carbure de silicium (20) et une couche de carbone (30) simultanément sur la surface de chacun desdits substrats de base (10). Procédé selon l’une des revendications précédentes, dans lequel la formation de la couche de carbure de silicium (20) et le retrait de la couche de carbone (30) sont réalisés dans le même four (70). Procédé selon la revendication 10, dans lequel le retrait de la couche de carbone (30) est réalisé par l’introduction d’un flux d’oxygène dans le four et une réaction de la couche de carbone avec ledit flux d’oxygène. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel le retrait de la couche de carbone (30) est réalisé par un procédé de gravure par un plasma d’oxygène. Procédé de fabrication d’un substrat de type semiconducteur ou piézoélectrique sur isolant pour applications radiofréquences, comprenant les étapes suivantes : la formation d’une couche de carbure de silicium (20) sur un substrat de silicium selon l’une quelconque des revendications précédentes pour former un substrat support (100), la formation d’une zone de fragilisation (51) par implantation d’espèces atomiques dans un substrat donneur (500) en un matériau semiconducteur ou piézoélectrique, le collage dudit substrat donneur (500) sur la face avant du substrat support (100), une couche diélectrique (40) étant agencée entre la couche de carbure de silicium (20) et le substrat donneur (500), le détachement du substrat donneur (500) le long de la zone de fragilisation (51) de sorte à transférer une couche (50) du matériau semiconducteur ou piézoélectrique sur le substrat support (100).