INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Selon une caractéristique particulière de la texture de l’invention, les torons de chaîne C V1 constitués du deuxième type de fibres sont de préférence répartis dans les première et cinquième portion 130 et 170 de la texture 100 de façon à ce que les torons C V1 soient présents au niveau des faces radialement interne et externe ainsi qu’au niveau de l’extrémité du renfort fibreux des brides amont et aval. Les brides présentent ainsi une relative souplesse en surface permettant d’accommoder les déformations mécaniques qui s’y propagent tout en conservant une certaine raideur en interne conférée par la présence des torons de chaîne C C2 constitués du premier type de fibres afin de présenter un caractère structural suffisant.
On vient de décrire un exemple dans lequel la texture fibreuse a une armure de tissage interlock à 8 couches de chaine et 7 couches de trame. On ne sort toutefois pas du cadre de l’invention lorsque le nombre de couches de trame et de chaine est différent, ou lorsque la texture fibreuse présente une armure de tissage différente d’une armure interlock.
Comme illustré sur la , une préforme fibreuse 60 destinée à constituer le renfort fibreux du carter est formée par enroulement sur un mandrin 50 de la texture fibreuse 100 décrite précédemment, le renfort fibreux constituant une préforme fibreuse tubulaire complète d’un carter formant une seule pièce. A cet effet, le mandrin 50 présente une surface externe 51 dont le profil correspond à la surface interne du carter à réaliser. Le mandrin 50 comporte également deux flasques 52 et 53 pour former des parties de préforme de brides amont et aval 63 et 67 correspondant aux brides du carter comme illustré sur la . Les parties de préforme de brides amont et aval 63 et 67 sont formées respectivement par les première et cinquième portions 130 et 170 de la texture fibreuse 100. La préforme fibreuse 60 comprend en outre des parties de préformes de zones structurales amont et aval 64, 66 ( ) correspondant aux zones structurales amont et aval du carter. Les parties de préformes de zones structurales amont et aval 64, 66 sont formées respectivement par les deuxième et quatrième portions 140 et 160 de la texture fibreuse. La préforme fibreuse 60 comprend encore une partie de préforme de zone de rétention 65 destinée à former la zone ou le bouclier de rétention du carter. La partie de préforme de zone de rétention 65 est formée par la troisième portion 150 de la texture fibreuse.
La montre une vue en coupe de la préforme fibreuse 60 obtenue après enroulement de la texture fibreuse 100 sur au moins un tour autour du mandrin 50. Dans l’exemple décrit ici, la préforme 60 comprend 4 tours d’enroulement de la texture fibreuse 100.
On procède ensuite à la densification de la préforme fibreuse 60 par une matrice.
La matrice peut être obtenue de façon connue en soi suivant le procédé par voie liquide. Le procédé par voie liquide consiste à imprégner la préforme par une composition liquide contenant un précurseur organique du matériau de la matrice. Le précurseur organique se présente habituellement sous forme d'un polymère, tel qu'une résine, éventuellement dilué dans un solvant. La préforme fibreuse est placée dans un moule pouvant être fermé de manière étanche avec un logement ayant la forme de la pièce finale moulée. Comme illustré sur la , la préforme fibreuse 60 est ici placée entre une pluralité de secteurs 54 formant contre-moule et le mandrin 50 formant support, ces éléments présentant respectivement la forme extérieure et la forme intérieure du carter à réaliser. Ensuite, on injecte le précurseur liquide de matrice, par exemple une résine, dans tout le logement pour imprégner la préforme.
La densification de la préforme fibreuse peut être réalisée par le procédé bien connu de moulage par transfert dit RTM (« Resin Transfer Molding »). Conformément au procédé RTM, on place la préforme fibreuse dans un moule présentant la forme du carter à réaliser. Une résine thermodurcissable est injectée dans l'espace interne délimité entre la pièce en matériau rigide et le moule et qui comprend la préforme fibreuse. Un gradient de pression est généralement établi dans cet espace interne entre l'endroit où est injecté la résine et les orifices d'évacuation de cette dernière afin de contrôler et d'optimiser l'imprégnation de la préforme par la résine.
Après l'injection et la polymérisation, la pièce est démoulée. La pièce est finalement détourée pour enlever l'excès de résine et les chanfreins sont usinés pour obtenir un carter 810 présentant une forme de révolution comme illustré sur la .
Comme évoqué, de telles batteries, qui comprennent au moins une cathode selon l’invention, constituent des alternatives valables aux batteries LiBs, permettant l’économie de ressources rares, avec des performances électrochimiques adéquates.
Figures D’autres objectifs, caractéristiques et avantages sortiront de la description détaillée qui suit en référence aux dessins donnés à titre illustratif et non limitatif parmi lesquels :
: Procédé selon l’invention
: Spectres Raman du ZnMn 2 O 4 élaboré à basse température (200 °C) avec ou sans recuit à 500 °C pendant 4h ;
: Diffractogramme de diffraction de rayons X des couches ZnMn2O4 tétragonal sans recuit, montrant la structure cristalline des couches produites à 200 °C, et après recuit à 500 °C pendant 4h. La référence ZnMn 2 O 4 provient de la base de donnée CIF mp-1875.
: courbes voltammétriques cycliques pour des couches cristallines d’oxydes mixtes de manganèse et de zinc de ZnMn 2 O 4 obtenues selon le procédé de l’invention. Le nombre de cycles de charge-décharge est indiqué.
: courbes voltammétriques cycliques pour des couches cristallines d’oxydes mixtes de manganèse et de zinc de ZnMn 2 O 4 obtenues selon un procédé de l’art (Sinian Yang et al. (2019)). Les données montrent des propriétés électrochimiques similaires à celle de la . Le nombre de cycles de charge-décharge est indiqué.
Un premier objet de l’invention concerne donc un procédé plasma de synthèse de couches cristallines d’oxydes de manganèse et de zinc. Le procédé développé permet, avantageusement, de contrôler la stœchiométrie, notamment la stœchiométrie en oxygène, d’une couche cristalline de formule Zn x Mn y O Z , ce qui permet d’en faire varier et d’en optimiser les propriétés électrochimiques et les possibilités de dopage des couches. Ce procédé présente également la particularité d’être mis en œuvre dans un réacteur plasma basse pression et à des températures faibles, ce qui est particulièrement avantageux du point de vue du cout énergétique de la synthèse des couches cristallines. Cela permet également une mise en œuvre sur des supports sensibles à la chaleur. Le procédé de l’invention permet, en outre, de favoriser le dopage les couches Zn x Mn y O Z par des éléments tels que le N, le Cu, l’Ag etc. du tableau périodique des éléments.
Au sens de l’invention, une couche cristalline de formule Zn x Mn y O z , s’entend d’une couche cristalline dans laquelle les éléments Zn, Mn et O sont liés entre eux covalemment et/ou par des liaisons ioniques et/ou sont en présence interstitielle dans la maille cristalline.
Ainsi, ce premier objet de l’invention concerne un procédé de synthèse d’au moins une couche cristalline d’oxydes mixtes de manganèse et de zinc d’une composition ZnxMnyOz, où x, y et z représentent des coefficients stœchiométriques supérieurs à 0,
ledit procédé de synthèse d’au moins une couche cristalline d’oxydes mixtes de manganèse et de zinc d’ une composition Zn x Mn y O z , étant mis en œuvre dans une enceinte d’un réacteur plasma basse pression, ladite pression dans ladite enceinte étant maintenue entre 10 Pa et 10 5 Pa, avantageusement entre 50 Pa et 100 Pa,
ledit procédé de synthèse d’au moins une couche cristalline d’oxydes mixtes de manganèse et de zinc d’une composition Zn x Mn y O z , comprenant :
- la formation d’une décharge plasma à partir d’un gaz plasmagène,
- au moins une injection dans l’enceinte du réacteur d’un gaz réactif qui comporte une quantité prédéterminée : d’au moins un gaz réducteur et/ou d’au moins un gaz oxydant - une injection sous forme de nébulisât, et/ou de vapeur d’une quantité prédéterminée de précurseurs de manganèse et d’une quantité prédéterminée de précurseurs de zinc, simultanément ou successivement,
- la synthèse et dépôt de la couche de ZnxMnyO Z sur un substrat, ladite synthèse et ledit dépôt étant réalisés à une température du substrat inférieure ou égale à 400°C, avantageusement inférieure ou égale à 200°C.
Le gaz plasmagène est avantageusement choisi parmi l’argon, l’hélium, le néon, le xénon le dihydrogène ou leurs mélanges. Il peut être mélangé au moins un autre gaz tels que N 2 , CO, CO 2 , CH 4 , Cl 2 , F 2 , H 2 O ou d’autres hydrocarbures gazeux (tels que C 2 H 2 , C 2 H 4 , C 2 H 6, ou des vapeurs organiques) ou leurs mélanges. Dans le procédé selon ce premier objet de l’invention, le plasma peut être réalisé par un générateur électrique alternatif, par radiofréquence inductive ou capacitive, ou une source microonde RCE (pour résonnance cyclotron électronique, en terminologie anglo-saxonne ECR pour Electron Cyclotron Résonance), ou par l’application d’une tension électrique continue, selon des moyens connus de l’homme de l’art.
Au cours d’une étape illustrée sur la , l’opérateur réalise un surjet 310, au moyen d’une surjeteuse, le long des bords 21a, 21c, 21b et ce jusqu’à atteindre le bord proximal 21d. Le surjet 310 forme une zone de renfort qui s’étend en largeur depuis la ligne d’assemblage 31 jusqu’au bord externe de la structure de sachet 20b en formation.
Au cours d’une étape illustrée sur la , l’opérateur insère le fil de liaison 3 dans le surjet 310 au moyen d’une aiguille à coudre 40, en traversant le surjet 310 à plusieurs reprises de manière à effectuer des allers et retours au-dessus et au-dessous du surjet 310. L’aiguille 40 traverse les bords des pièces 22, 23 ainsi qu’à certains endroits le bord de la portion de tissu 24 présent entre les pièces 22, 23. Sur la n’apparaissent que les portions de fil 3 qui passent au-dessus du surjet, les portions de fil 3 non visibles s’étendant sous le surjet. Au cours de cette étape ou ultérieurement, l’opérateur coud également le point de fixation 33 permettant d’attacher le fil 3 aux pièces 22, 23 à proximité du bord distal 21c de chacune.
Au terme de cette étape, l’opérateur obtient deux extrémités libres 3a, 3b du fil 3, l’extrémité 3a pénétrant dans le surjet 310 à proximité du point d’intersection du bord latéral 21a et du bord proximal 21d, tandis que l’extrémité 3b pénètre dans le surjet 310 à proximité du point d’intersection du bord latéral 21b et du bord proximal 21d.
Au cours d’une étape illustrée sur la , l’opérateur soulève la partie libre de la portion de tissu 24, dont les bords sont cousus aux pièces 22, 23. Au moyen de l’aiguille 40, l’opérateur fait passer les extrémités 3a, 3b du fil 3 à travers la zone de renfort 250, réalisant à cette occasion l’orifice 25, lequel peut donc en pratique être beaucoup plus petit que celui qui est représenté. Au terme de cette étape, les extrémités 3a, 3b se trouvent à l’intérieur de la structure de sachet 20b en formation.
Au cours d’une étape illustrée sur la , le sachet 20b est retourné sur lui-même de manière à ce que l’intérieur du sachet devienne l’extérieur du sachet et réciproquement. La portion de tissu 24 se retrouve à l’extérieur du sachet, où elle forme le rabat 24. Les extrémités 3a, 3b du fil de liaison se retrouvent à l’extérieur du sachet et traversent le rabat 24. La ligne d’assemblage 31 se retrouve à la périphérie du sachet. Le surjet 310, dans lequel le fil 3 peut coulisser, se retrouve à l’intérieur du sachet où il forme une sorte de bourrelet périphérique interne.
La couche diélectrique 132 est par exemple une couche à base d’Oxyde de Silicium. Mais la couche diélectrique 132 peut aussi être une couche de Nitrure de Silicium (Si 3 N 4 ), ou une couche comprenant une combinaison de Nitrure et d'Oxyde de Silicium (SiO x N y ), ou une superposition d'une couche d'oxyde de Silicium et d'une combinaison de nitrure et d'oxyde (SiO x N y ) de Silicium ou une superposition d’une couche d’oxyde de Silicium et d’une couche de nitrure de Silicium (Si 3 N 4 ).
La couche diélectrique 132 est réalisé par une technique de déposition telle qu’une déposition chimique en phase vapeur CVD ou LPCVD, assistée par plasma PECVD (en anglais: Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) ou physique en phase vapeur PVD ou par des traitements thermiques d’oxydation. La déposition PVD comprend des températures de déposition entre température ambiante et 400 o C, la technique PECVD comprend des températures de déposition entre 150 o C et 400 o C. La déposition LPCVD comprend des températures de déposition entre 600 o C et 700 o C. La couche diélectrique 132 est déposée sur, en particulier directement en contact avec, la couche barrière 122.
La couche diélectrique 132 est par exemple une couche à base de dioxyde de Silicium. Mais la couche diélectrique 132 peut aussi être une couche de Nitrure de Silicium (Si 3 N 4 ), ou une couche comprenant une combinaison de Nitrure et d'Oxyde de Silicium (SiO x N y ), ou une superposition d'une couche d'Oxyde de Silicium et d'une couche de Nitrure de Silicium, ou encore une superposition d'une couche d'Oxyde de Silicium et d'une combinaison de Nitrure et d'Oxyde de Silicium (SiO x N y ), ou une couche comprenant une combinaison de Nitrure de Silicium (SiN) et d'Oxynitrure de Silicium (SiO x N y ) ou encore une combinaison d’une couche d'Oxyde de Silicium, d’une couche de Nitrure de Silicium et d’une couche d’Oxynitrure de Silicium (SiO x N y ).
Dans une variante, la couche diélectrique 132 peut être une couche ayant une concentration d’hydrogène inférieure à 10 20 at/cm 3 , en particulier inférieure à 10 18 at/cm 3 . Après l’étape de déposition de la couche diélectrique 132 réalisée à une température typiquement comprise entre une température ambiante et 1000°C, dépendant de la technique de déposition utilisée, un recuit de densification peut être réalisé pour réduire la concentration d’hydrogène dans cette couche diélectrique 132.
Par exemple, si la couche diélectrique est réalisée par une déposition PVD, la température est comprise entre la température ambiante et 400 o C, pour une déposition PECVD, entre 150 o C et 400 o C, une déposition LPCVD entre 600 o C et 700 o C, et pour une oxydation thermique, la température est comprise entre 800 o C et 1000 o C.
Ce recuit est un recuit sous atmosphère pauvre en hydrogène, i.e. inférieure à 5 ppm, et expose la couche diélectrique 132 à base d’oxyde de silicium à une température bien supérieure à sa température de dépôt. Il peut s'agir d'une atmosphère neutre ou oxydante. Préférentiellement cette température est supérieure à 800°C, typiquement comprise entre 800°C et1000°C. Le recuit est poursuivi pendant au moins une heure, et préférentiellement pendant plusieurs heures, afin d'exodiffuser l'hydrogène de la couche diélectrique 132, et éventuellement de la couche de piégeage 102. A l'issue de ce recuit de densification, la couche diélectrique 132 présente une concentration d'hydrogène inférieure à 10 20 at/cm 3 .
Dans une variante, la couche diélectrique 132 peut être fournie sur la couche piézoélectrique 108 du substrat comprenant une couche piézoélectrique 106 au lieu d’être fournie sur le substrat support 100. Dans ce cas, l’étape de formation de la couche diélectrique 132 est réalisée après ou avant l’étape de formation de la zone de fragilisation 112 dans la couche piézoélectrique 108. Dans ce cas, l’assemblage du substrat support 100 avec le substrat comprenant une couche piézoélectrique 106 est réalisée à l’interface entre la couche diélectrique 132 du substrat piézoélectrique 106 et la structure barrière 120 du substrat support 100.
Dans une autre variante, une couche diélectrique peut être fournie sur les deux substrats, le substrat comprenant une couche piézoélectrique 106 et sur le substrat support 100. Dans ce cas, l’étape de formation de la couche diélectrique est réalisée avant ou après l’étape de formation de la zone de fragilisation 112 dans la couche piézoélectrique 108. L’assemblage du substrat support 100 avec le substrat comprenant une couche piézoélectrique 106 est ensuite réalisée à l’interface entre deux couches diélectriques, avec des liaisons de type oxyde – oxyde, en particulier une liaison de type SiO 2 - SiO 2 , qui permet une liaison par force moléculaire stable.
De préférence, chaque capteur 18 est basé sur une technologie de type piézoélectrique. L’homme du métier connait une telle technologie qui ne sera donc pas décrite plus en détails par la suite.
Chaque capteur 18 comprend par exemple une encre imprimée entre deux électrodes électriquement conductrices sur un substrat.
L’encre est par exemple réalisée en polyfluorure de vinylidène (ou PVDf).
Chaque électrode est par exemple réalisée en PEDOT.
Le substrat est flexible et par exemple réalisé en polytéréphtalate d'éthylène et/ou en polynaphtalate d'éthylène.
L’unité de traitement 20 comprend par exemple un dispositif de traitement informatique 48 connecté de manière opérationnelle à une mémoire informatique 50, par exemple, un processeur de signal numérique (DSP), un microcontrôleur, un réseau de cellules programmables (FPGA) et/ou un circuit intégré dédié (ASIC) capables d'exécuter diverses opérations de traitement de données et fonctions.
Le dispositif de traitement informatique 48 comprend par exemple un seul processeur. Alternativement, le dispositif de traitement informatique 48 comprend plusieurs processeurs, qui sont situés dans une même zone géographique, ou sont, au moins partiellement, situés dans des zones géographiques différentes et sont alors propres à communiquer entre eux.
L’unité de traitement 20 est connectée à chaque capteur 18.
L’unité de traitement 20 est configurée pour déterminer la position de chaque élément de commande 16 de l’organe de commande 14 sur la surface utilisateur 26.
L’unité de traitement 20 est configurée pour détecter l’atteinte d’un des reliefs 30, par exemple d’une des cavités 36, par un élément de commande 16, en fonction d’un signal représentatif d’un changement de force détecté par le capteur 18.
L’unité de traitement 20 est configurée pour commander, en conséquence, une fonction du véhicule.
Par exemple, l’unité de traitement 20 est configurée pour commander la sélection d’un paramètre parmi une pluralité de paramètres, comme par exemple une chaîne radio ; et/ou pour commander l’intensité d’un paramètre, comme par exemple un volume sonore dans l’habitacle, une température dans l’habitacle, ou la ventilation.
Une méthode de commande d’au moins une fonction d’un véhicule va maintenant être décrite.
La méthode comprend la fourniture du système de commande 10 décrit ci-dessus.
Lorsque survient un choc accidentel du véhicule 1 contre un obstacle extérieur à faible vitesse, puisque le radiateur 10 est simplement suspendu à la FAT 2, il peut facilement se décrocher de celle-ci au moyen d’un coulissement sans effort des pions supérieurs 52, 53 hors des encoches 50 des pièces de montage 11, 12. De cette manière, lors d’un tel choc, le radiateur 10 se déplacera instantanément et n’encaissera donc aucun effort particulier. Il préservera ainsi sa structure initiale sans être endommagé. Juste après le choc, le radiateur 10 pourra alors être replacé facilement dans sa position fonctionnelle sur la FAT 2, et le véhicule pourra rouler jusqu’à un garage pour réparer les légers dégâts occasionnés lors du choc.
ENSEMBLE DE FACE AVANT DE VÉHICULE AUTOMOBILE La présente invention concerne le domaine des véhicules automobiles, plus particulièrement le domaine des ensembles de faces avant comprenant des modules d'entrée d'air piloté des véhicules automobiles.
Le groupe moto-ventilateur, désigné par : « GMV », des véhicules automobiles actuels est souvent placé en aval de leur façade avant, cette dernière est classiquement équipée de volets mobiles qui font partie d'un module d'entrée d'air piloté, communément désigné par : « MEAP », et sont aptes à être pilotés par un moteur entre une position ouverte lorsqu'il est nécessaire d'augmenter les échanges thermiques du GMV et une position fermée dans le cas contraire, afin de diminuer la trainée aérodynamique et réduire la consommation de carburant, notamment sur les véhicules hybrides dont le moteur thermique fonctionne de manière sporadique.
Toutefois, les véhicules automobiles actuels sont davantage sujets à un problème d’encombrement au niveau de leur face avant impliquant une complexité de l’assemblage des entées d’air avec le MEAP, ce qui affecte l’étanchéité dudit assemblage.
Le document de brevet publié FR 3 117 951 A1 divulgue un dispositif d’obturation de flux d’air de face avant de véhicule automobile comprenant au moins un cadre support présentant deux montants latéraux reliant deux traverses d'extrémité, ledit cadre support délimitant une ouverture permettant le passage d’air vers les échangeurs du véhicule.
Cependant, la solution proposée par le document est encombrante et manque de robustesse. De plus, elle ne permet pas de garantir l’étanchéité de l’assemblage lors du passage d’air vers les échangeurs.
La présente invention a pour objectif de pallier au moins un des inconvénients de l’état de la technique susmentionné. Plus particulièrement, l’invention a pour objectif de proposer une solution simple, performante et économique permettant de garantir, dans un encombrement réduit, l’étanchéité des conduits d’amenée d’air avec les modules d'entrée d'air pilotés.
À cet effet, l’invention a pour objet un ensemble pour véhicule automobile, comprenant : - un module d'entrée d'air piloté comportant un cadre et des volets pivotants montés sur le cadre ; - un conduit destiné à une amenée d’air, suivant une direction longitudinale dudit conduit, vers les volets pivotants, et comprenant une extrémité avec un bord périphérique fixé au cadre ; remarquable en ce que au moins un tronçon du bord périphérique du conduit, dit tronçon de guidage, est configuré pour s’engager avec une face latérale du cadre.
Selon un mode de réalisation, l’au moins un tronçon de guidage comprend deux tronçons latéraux et un tronçon supérieur ou inférieur.
Selon un mode de réalisation, chacun de l’au moins un tronçon de guidage forme une paroi s’étendant longitudinalement et pourvue de moyens de guidage et de fixation par clippage avec la face latérale correspondante du cadre.
Selon un mode de réalisation, les moyens de guidage et de fixation par clippage comprennent des encoches longitudinales formées dans les parois longitudinales et aptes à s’engager avec des plots de guidage de section transversale en T ou en L retourné sur les faces latérales correspondantes du cadre.
Selon un mode de réalisation, les encoches longitudinales présentent un profil évasé vers le cadre.
Selon un mode de réalisation, les moyens de guidage et de fixation par clippage comprennent des ajours formés dans les parois longitudinales et aptes à s’engager par déformation élastique desdites parois longitudinales avec des plots de fixation de section longitudinale en triangle sur les faces latérales correspondantes du cadre.
Selon un mode de réalisation, les ajours sont formés dans des languettes flexibles des parois longitudinales, délimitées par des découpes longitudinales desdites parois longitudinales.
Selon un mode de réalisation, au moins un tronçon du bord périphérique du conduit, dit tronçon d’appui, est configuré pour s’engager avec une face frontale du cadre.
Avantageusement, l'au moins un tronçon d'appui est un tronçon inférieur ou supérieur opposé au tronçon de guidage supérieur ou inférieur.
L’organe élastique 46 est par exemple un ressort.
Dans le mode de réalisation préféré, chaque élément de commande 16 est aussi mobile par rapport au corps principal 40, en particulier par rapport à la bague de support 44, suivant un axe sensiblement perpendiculaire à la surface utilisateur 26.
La contrainte exercée par l’organe élastique 46 sur l’élément de commande 16 dépend de la distance, prise selon ledit axe, entre l’élément de commande 16 et la bague de support 44.