INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
La présente invention permet en outre d’identifier des régions de l’espace défavorables à la géolocalisation par visée stellaire, ainsi que des régions plus favorables pour la géolocalisation, moins sujettes aux erreurs de visée.
Ce but est atteint tout d’abord grâce à un procédé de sélection d’étoiles observables à utiliser pour une géolocalisation par un véhicule, notamment un navire en mer, à partir d’un moyen de géolocalisation par visée stellaire associé à au moins un dispositif de navigation, la sélection d’étoiles étant réalisée à partir d’étoiles recensées dans un catalogue où chaque étoile est associée à des coordonnées équatoriales à une date spécifique, les coordonnées équatoriales comportant une ascension droite, α, et une déclinaison, δ.
Le procédé comprend un relevé des coordonnées géographiques d’un viseur stellaire à un instant de départ par le dispositif de navigation, les coordonnées géographiques du viseur stellaire comprenant une longitude, L, et une latitude, ϕ.
Puis il comprend, pour chaque étoile du catalogue, un calcul des coordonnées de visée de l’étoile, une détermination de l’accessibilité de l’étoile à partir des coordonnées de visée calculées, et, si l’étoile est accessible, un calcul d’un paramètre de sensibilité d’observation de l’étoile, les coordonnées de visée de l’étoile correspondant aux coordonnées horizontales de l’étoile par rapport à la position géographique du viseur stellaire, les coordonnées horizontales comportant un azimut, A, et une élévation, h, puis un stockage des coordonnées de visée et du paramètre de sensibilité d’observation calculés pour chaque étoile, et un classement des étoiles ainsi stockée par ordre croissant de paramètre de sensibilité de l’étoile, les étoiles dont le paramètre de sensibilité est nul étant exclues du classement, et une sélection d’un nombre déterminé d’étoiles observables, les étoiles étant sélectionnées selon l’ordre de classement des étoiles stockées.
Selon un premier mode de mise en œuvre de l’invention du procédé de sélection, le calcul des coordonnées de visée de chaque étoile peut comprendre un calcul des coordonnées horizontales de l’étoile à partir des coordonnées équatoriales de l’étoile et de la position géographique du viseur, les coordonnées équatoriales comprenant un azimut, A, de l’étoile et une élévation, h, de l’étoile, et la détermination de l’accessibilité de l’étoile peut comprendre une comparaison de l’élévation calculée pour l’étoile à un seuil d’élévation minimale, l’étoile étant inaccessible si son élévation calculée est inférieure au seuil d’élévation minimale.
De préférence, les coordonnées géographiques du viseur utilisées pour calculer les coordonnées horizontales de l’étoile dépendent de l’instant auquel le calcul est réalisé, les coordonnées géographiques du viseur étant estimées à chaque instant à partir des coordonnées géographiques du viseur relevées à l’instant de départ et d’un calcul tenant compte du cap et de la vitesse du véhicule à l’instant du relevé.
Dans un deuxième mode de mise en œuvre du procédé de sélection, le calcul des coordonnées de visée de l’étoile à partir des coordonnées géographiques du viseur stellaire et des coordonnées équatoriales de l’étoile considérée peut être réalisé à partir du système d’équations (S) :
[Math 1] S
Avec GAST désignant le temps sidéral apparent de Greenwich et LAST désignant le temps sidéral apparent local.
Dans un troisième mode de mise en œuvre du procédé de sélection, le paramètre, X i , de sensibilité d’observation de l’étoile, St i , calculé dépend de préférence uniquement de l’azimut, A, de l’élévation, h, et de la déclinaison, δ, de l’étoile considérée.
Dans un quatrième mode de mise en œuvre du procédé de sélection, le paramètre, X i , de sensibilité d’observation de l’étoile, St i , est calculé via l’équation :
[Math 2] avec [Math 3] , , ,
[Math 4] ,
[Math 5] , et
[Math 6] ,
Un mode de réalisation de la présente invention fournit un matériau d’électrode négative en graphène modifié, qui est préparé par :
S1 : le mélange uniforme du graphène carboxylé et de diol excédentaire pour la réaction d’estérification ;
S2 : l’ajout de titanate, la réalisation d’une réaction de polycondensation et d’estérification-déshydratation, et le refroidissement pour obtenir le graphène modifié ;
S3 : l’ajout de polyvinylpyrrolidone et de tétrahydrofurane et l’agitation pour obtenir une solution homogène ;
S4 : l’ajout d’acide acétique glacial pour ajuster le pH de la solution homogène à une faible acidité, l’ajout progressif d’une solution mixte de titanate et d’éthanol absolu pour former un système de gélification, et la séparation du précipité de graphène poreux avec du dioxyde de titane déposé dans la structure poreuse par une séparation de phases non induite par un solvant.
S5 : la filtration, le lavage et le séchage sous vide du précipité de graphène poreux pour obtenir un matériau d’électrode négative en graphène modifié.
En détail, les étapes ci-dessus sont toutes réalisées dans un réacteur, donc lors des étapes d’ajout, tous les matériaux sont ajoutés dans le réacteur. À l’étape S1 et à l’étape S2, le graphène peut être modifié par polycondensation et estérification pour obtenir du graphène modifié. À l’étape S3, la polyvinylpyrrolidone est utilisée comme dispersant et le tétrahydrofurane est utilisé comme solvant pour obtenir une solution homogène de graphène modifié uniformément dispersée après agitation, de manière à fournir des conditions environnementales pour une séparation de phases non induite par un solvant à l’étape S4 suivante. À l’étape S4, des solutions non-solvantes qui sont insolubles avec le graphène modifié telles que l’acide acétique glacial, le titanate de n-butyle et l’éthanol absolu sont ajoutées à la solution homogène à travers l’acide acétique glacial, et les solutions non-solvantes sont amenées à interagir avec la solution homogène de graphène modifié pour former un système de gélification. La formation du système de gélification affaiblit la force d’interaction entre les chaînes moléculaires du polymère dans la solution homogène d’origine, rendant le film formé pendant le processus de gélification instable et sujet à une séparation de phases., de sorte qu’une structure poreuse puisse se former progressivement sur la surface du graphène modifié, et le dioxyde de titane produit après l’hydrolyse de titanate de n-butyle peut être déposé dans la structure poreuse, de manière à séparer le précipité de graphène poreux avec du dioxyde de titane déposé dans la structure poreuse.
D’une part, une séparation de phases non induite par un solvant est adoptée pour précipiter le précipité de graphène poreux avec du dioxyde de titane déposé dans la structure poreuse avec une structure stable, ce qui peut garantir la stabilité de la structure et les performances du matériau d’électrode ; et d’autre part, ce procédé utilise une séparation de phases non induite par un solvant pour précipiter un précipité de graphène poreux avec du dioxyde de titane déposé dans la structure poreuse, qui peut profiter de la formation d’une structure poreuse pour augmenter les passages d’ions lithium, raccourcir le chemin de diffusion d’ions lithium, augmenter la surface de réaction des matériaux d’électrode, de sorte que plus d’ions lithium puissent être stockés dans la structure poreuse, augmentant ainsi la capacité réversible et augmentant la capacité spécifique du matériau d’électrode négative. De plus, la structure poreuse peut augmenter les sites actifs réactifs, ce qui est bénéfique pour la charge et la décharge du graphite et l’extraction et l’insertion répétées d’ions lithium, améliorant ainsi les performances électrochimiques et la capacité de débit du matériau d’électrode. En outre, ce procédé utilise une séparation de phases non induite par un solvant pour précipiter un précipité de graphène poreux avec du dioxyde de titane déposé dans la structure poreuse, ce qui peut améliorer la conductivité du matériau d’électrode à travers le dioxyde de titane déposé dans la structure poreuse, de manière à garantir davantage les performances électrochimiques et la capacité de débit du matériau d’électrode.
Plus en détail, à l’étape S1, au cours du processus de mélange uniforme du graphène carboxylé et de diol excédentaire pour la réaction d’estérification, la réaction est réalisée dans une atmosphère de gaz inerte à une température de 150 à 170°C pendant 1 à 2 h. Par exemple, la température de réaction peut être de 160°C et la durée de réaction peut être de 1,5 h. En régulant la température et la durée de réaction, tout en réduisant les réactions secondaires, il est possible de garantir que le graphène carboxylé et le diol sont entièrement estérifiés pour former du graphène estérifié, ce qui peut fournir une préparation suffisante pour le polyester-graphène modifié ultérieur.
Dans lequel, le graphène carboxylé est obtenu par le mélange et le broyage à boulets d’une nanofeuille de graphène avec une substance acide carboxylique insaturé, et le greffage d’un groupe carboxyle sur la surface du graphène. De préférence, la substance acide carboxylique insaturé est choisie dans le groupe constitué de l’acide butènedioïque, de l’acide glutaconique et d’un mélange de ceux-ci. En greffant des groupes carboxyle sur la surface des nanofeuilles de graphène, il est bénéfique de fournir des groupes carboxyle pour la réaction d’estérification, de sorte que les groupes carboxyle et les groupes hydroxyle dans les alcools subissent une réaction d’estérification pour former du graphène estérifié pour compléter la modification du graphène, ce qui garanit la stabilité de la structure et les performances du graphène pour fournir une préparation pour la préparation ultérieure du matériau d’électrode avec une structure et des performances stables.
Dans un mode de réalisation optionnel, le diol est un diol de type bisphénol A. En sélectionnant un diol de type bisphénol A, du graphène estérifié avec une structure de bisphénol A insaturé peut être formé au cours de la réaction d’estérification. La structure de bisphénol A insaturé a une forte résistance aux acides et aux alcalis, ce qui peut réduire la corrosion par contact avec l’électrolyte pour garantir les performances électrochimiques du matériau d’électrode. En outre, un rapport de quantité du graphène carboxylé sur le diol est de 1:(1,1-1,2). En limitant raisonnablement la quantité des deux, on peut garantir que le groupe carboxyle est entièrement estérifié et le graphène est entièrement modifié pour la qualité et l’effet, de manière à améliorer la stabilité de la structure et les performances du matériau d’électrode.
À l’étape S2, le processus d’ajout de titanate, de réalisation d’une réaction de polycondensation et d’estérification-déshydratation pour obtenir le graphène modifié comprend l’ajout de titanate à une fraction massique de 1 à 2%, le chauffage jusqu’à 180 à 200°C pendant 1 à 2 h, et la réalisation d’une polycondensation pendant 0,5 à 1 h, la réalisation d’une réaction d’estérification-déshydratation pour obtenir le graphène modifié. À titre d’exemple, la température de chauffage peut être sélectionnée à 190°C et la durée de polycondensation peut être sélectionnée à 0,5 h. En régulant la durée et la température de la réaction de polycondensation, le polyester-graphène peut être obtenu par une réaction de polycondensation, ce qui peut garantir la stabilité de la structure et les performances du graphène, tout en fournissant une préparation suffisante pour la préparation ultérieure du graphène poreux. De plus, le refroidissement consiste à réduire la température jusqu’à environ 50 à 60°C, de manière non seulement à garantir la réactivité, mais également à réduire le coût de réaction.
À l’étape S3, la polyvinylpyrrolidone est utilisée comme dispersant et le tétrahydrofurane est utilisé comme solvant, les deux étant des substances anhydres. L’utilisation de polyvinylpyrrolidone comme dispersant permet au polyester-graphène modifié de se disperser uniformément dans le tétrahydrofurane pour former une solution homogène stable, de manière à fournir une préparation suffisante pour séparer le précipité de graphène poreux avec du dioxyde de titane déposé dans la structure poreuse par une séparation de phases non induite par un non-solvant à l’étape S4.
À l’étape S4, l’acide acétique glacial est une substance anhydre, et l’acide acétique glacial, le titanate de n-butyle et l’éthanol absolu sont insolubles avec le graphène modifié et appartiennent à une solution non-solvante, faisant ainsi interagir les solutions non-solvantes avec la solution homogène de graphène modifié pour former un système de gélification. La formation du système de gélification affaiblit la force d’interaction entre les chaînes moléculaires du polymère dans la solution homogène d’origine, rendant le film formé pendant le processus de gélification instable et sujet à une séparation de phases., de sorte qu’une structure poreuse puisse se former progressivement sur la surface du graphène modifié, et le dioxyde de titane produit après l’hydrolyse de titanate de n-butyle peut être déposé dans la structure poreuse, de manière à améliorer pleinement les performances électrochimiques et la capacité de débit du matériau d’électrode. De plus, le tétrahydrofurane est un composant volatil. Avec la volatilisation du tétrahydrofurane, la formation de la structure poreuse est favorisée pour garantir que le dioxyde de titane peut être déposé dans la structure poreuse, de manière à améliorer l’efficacité de préparation et à réduire le coût de préparation.
Il convient de noter que le titanate à l’étape S2 et à l’étape S4 peut être choisi dans le groupe constitué du titanate de n-butyle, du titanate d’isopropyle, du titanate d’isobutyle et d’un mélange de ceux-ci. À titre d’exemple, le titanate de n-butyle est utilisé. Le titanate de n-butyle peut être hydrolysé dans l’environnement de l’éthanol pour former du dioxyde de titane, qui peut être intégré dans la surface du graphène modifié poreux pour assurer pleinement la conductivité du matériau d’électrode et améliorer les performances électrochimiques et la capacité de débit du matériau d’électrode.
Un mode de réalisation de la présente invention fournit également une feuille d’électrode négative, comprenant un collecteur de courant d’électrode négative et une couche de matériau actif d’électrode négative. Le collecteur de courant d’électrode négative peut être une feuille de cuivre, et la couche de matériau actif d’électrode négative est obtenue en appliquant la suspension active d’électrode négative sur le collecteur de courant, en la séchant et en la pressant à froid. Dans lequel, la suspension active d’électrode négative comprend le matériau d’électrode négative en graphène modifié susmentionné, un agent conducteur, un liant et un solvant. L’agent conducteur peut être choisi parmi le noir d’acétylène, le noir de carbone conducteur, le graphite conducteur, la fibre de carbone développée en phase vapeur, le nanotube de carbone, etc. Le liant peut être du caoutchouc styrène-butadiène ou du PVDF, et le solvant peut être de la N-méthylpyrrolidone (NMP). La quantité de chaque composant peut être ajustée selon les besoins. À titre d’exemple, le rapport massique du matériau d’électrode négative en graphène modifié, du noir d’acétylène et du PVDF peut être de 70:15:15.
En particulier, la capture infrason IS_CPT et la capture infrason additionnelle IS_CPT+ i, i=1..I fournissent respectivement le signal infrason capté sic et le signal infrason capté additionnel sic+ 1 , sic+ 2 à la détection de localisation A_LOC. Eventuellement, la détection de localisation A_LOC reçoit une donnée infrason relative à l’anomalie détectée di, rai, rai(di) de la détection de dysfonctionnement DYS_DTC et/ou de la détection d’anomalie A_DTC. Notamment, la donnée infrason relative à l’anomalie détectée rai, rai(di),di résulte de l’analyse IS_NZ au moyen de laquelle l’équipement est détecté comme dysfonctionnant, notamment cette donnée infrason relative à l’anomalie détectée est une donnée infrason di extraite du signal infrason capté sic.
La détection de localisation A_LOC détermine la localisation de l’anomalie détectée détecté comme dysfonctionnant à partir du signal infrason capté sic, du signal infrason capté additionnel sic+ i et de la donnée infrason relative à l’anomalie détectée rai, di, rai(di). Notamment, la détection de localisation A_LOC repère dans le signal infrason capté sic et le signal infrason capté additionnel sic+ i la partie du signal correspondant à la donnée infrason relative à l’anomalie détectée rai, di, rai(di) et détermine la localisation de l’anomalie détectée, en particulier de l’équipement émetteur du signal infrason ayant permis la détection de l’anomalie, par exemple par triangulation. La localisation pos(ad) fournie par la détection de localisation A_LOC est notamment : une localisation relative à l’emplacement de la capture infrason IS_CPT et/ou la capture infrason additionnelle IS_CPT+ i, i=1..I ; ou une localisation absolue dans la zone géographique AG calculée en fonction de la position de la capture infrason pos cpt et de la position de la capture infrason additionnelle pos loc .
En particulier, la supervision d’équipements APP_SPV détermine TT_DT un traitement tt à exécuter relatif à une anomalie détectée ad en fonction du signal infrason capté sic.
En particulier, la supervision d’équipements APP_SPV comporte une gestion d’équipements APP_MNGT apte à déterminer un traitement tt à exécuter relatif à une d’anomalie détectée ad en fonction du signal infrason capté sic.
Notamment, la supervision d’équipements APP_SPV comporte une gestion d’équipements APP_MNGT et/ou une détermination de traitement TT_DT recevant l’anomalie détectée ad de la détection de dysfonctionnement DYS_DTC.
En particulier, la détermination de traitement TT_DT détermine un traitement tt à exécuter relatif à une d’anomalie détectée ad en fonction du signal infrason capté sic. Par exemple, la détermination de traitement TT_DT détermine le traitement tt en fonction, en outre, des coordonnées de l’équipement dysfonctionnant détecté. Eventuellement, la gestion d’équipements APP_MNGT comporte la détermination de traitement TT_DT.
Notamment, la détermination de traitement TT_DT comporte une lecture (non illustrée) apte à consulter une base de traitements associés à des anomalies à traiter pour récupérer un traitement en fonction de l’anomalie détectée ad, en particulier en fonction du type d’anomalie ta détectée et/ou de la catégorie d’équipement cap détecté comme dysfonctionnant.
De manière alternative ou complémentaire, la détermination de traitement TT_DT comporte une génération de traitement (non illustrée) en fonction de l’anomalie détectée ad, en particulier en fonction du type d’anomalie ta détectée et/ou de la catégorie d’équipement cap détecté comme dysfonctionnant. Eventuellement, la génération de traitement comporte la lecture de base de traitements. Dans ce cas, la génération de traitement comporte, par exemple, en outre une agrégation agrégeant plusieurs traitements élémentaires récupérés par la lecture de base de traitements en un traitement complexe.
En particulier, la supervision d’équipements APP_SPV comporte une exécution de traitement TT_X effectuant une mise en œuvre relative à un traitement tt déterminé relatif à une anomalie détectée ad en fonction du signal infrason capté sic. En particulier, l’exécution de traitement TT_X met en œuvre les traitements de supervision/alerte et/ou à déclencher la mise en œuvre par un dispositif destinataire, tel que l’équipement dysfonctionnant détecté lui-même, un superviseur additionnel… d’un traitement de réduction voire de résolution de l’anomalie. Notamment, la gestion d’équipements APP_MNGT comporte l’exécution de traitement TT_X.
En particulier, la supervision d’équipements APP_SPV comporte un calcul de coordonnées de guidage APP_PST vers l’équipement dysfonctionnant détecté coord ZG (app d ) en fonction de la localisation pos(ad) de l’anomalie détectée. Le calcul de coordonnées de guidage APP_PST détermine les coordonnées de guidage coord ZG (app d ) en fonction de données géographiques dg relatives à la zone géographique ZG et/ou aux coordonnées des équipements de la zone géographique ZG. Le calcul de coordonnées de guidage APP_PST consulte, par exemple, ces données géographiques dg dans une base de données géographiques (non illustrée).
La gestion d’équipements APP_MNGT comporte ou reçoit les coordonnées de guidage coord ZG (app d ) du calcul de coordonnées de guidage APP_PST. Notamment, la détermination de traitement TT_DT reçoit les coordonnées de guidage calculées coord ZG (app d ) du calcul de coordonnées de guidage APP_PST. Le traitement tt est ainsi déterminé en fonction des coordonnées de guidage calculées coord ZG (app d ). En particulier, le traitement tt est une émission d’un message comportant les coordonnées de guidage calculées coord ZG (app d ).
En particulier, la supervision d’équipements APP_SPV comporte une émission EM apte à émettre un signal relatif à l’anomalie détectée se(ad) à destination d’un dispositif destinataire DD parmi les suivants : un terminal de communication TC, un superviseur additionnel distant SP+, un fournisseur de service et/ou de composant F, l’équipement dysfonctionnant détecté parmi les équipements de la zone géographique ZG, etc.
L’émission EM est effectuée via un réseau local (respectivement Ethernet ou Wifi, Bluetooth, LoRa, etc.) ou distant (respectivement réseau Internet, fibre, ADSL, etc. . ou mobile 4G, 5G, etc.).
La gestion d’équipements APP_MNGT comporte ou fournit à l’émission EM un signal relatif à l’anomalie détectée se(ad). Notamment, le gestionnaire de traitements 120 est connecté à l’émetteur 124 de signal relatif à l’anomalie détectée se(ad) auquel il transmet le traitement déterminé tt.
Un mode de réalisation du procédé de détection de dysfonctionnement DYS_DTC et/ou du procédé de supervision d’équipements APP_SPV est un programme comprenant des instructions de code de programme pour l’exécution des étapes, respectivement, du procédé de détection et/ou du procédé de supervision lorsque ledit programme est exécuté par un processeur.
Selon un exemple, les première et deuxième électrodes et l’élément mémoire sont empilés selon une direction dite verticale z, sur un substrat s’étendant selon un plan xy dit horizontal et perpendiculaire à la direction verticale z. Cela permet d’augmenter la compacité du dispositif. L’intégration d’un tel dispositif au sein d’un circuit électronique est améliorée.
Selon un exemple, l’élément mémoire forme un retrait latéral vis-à-vis des première et deuxième électrodes dans toutes les directions du plan horizontal xy, de sorte que ledit élément mémoire soit sensiblement centré vis-à-vis des première et deuxième électrodes, en projection dans le plan horizontal xy. Les dimensions latérales du filament métalliques sont ainsi sensiblement constantes. Le filament métallique s’apparente ainsi à un cylindre de diamètre inférieur ou égal à 20 nm dans le plan xy. La section transverse du filament est minimisée. Cela diminue le courant et/ou la tension nécessaires à la commutation du dispositif. Selon un exemple, le filament présente, dans le plan transverse, une section en forme de disque, de carré ou de rectangle.
Selon un exemple, les premier et deuxième métaux sont à base d’un métal de transition ou d’un nitrure dudit métal de transition, et le troisième métal est à base d’un alliage d’aluminium et dudit métal de transition, ou d’un autre métal de transition.
Selon un exemple, la section transverse de filament présente une dimension L2 inférieure ou égale à 15 nm dans le plan transverse, et les sections transverses d’électrodes présentent chacune une dimension L1 supérieure ou égale à 100 nm, dans un plan parallèle audit plan transverse. Une telle constriction géométrique permet d’augmenter la densité de courant dans le filament. La commutation est facilitée.
Selon un exemple, les premier et deuxième métaux sont à base de Ti ou de TiN, et le troisième métal est à base de TixAly, avec x, y > 0.