INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Avantageusement, le code intégré à la deuxième mémoire MEM 2 de l’organe de filtration 8 est crypté. Ainsi, un tel code crypté permet d’attester de l’authenticité de l’unité de séparation d’air 2, et plus particulièrement de l’organe de filtration 8, face aux contrefaçons. De plus, un tel code crypté permet complémentairement de renforcer la sécurité et l’intégrité du système de séparation de gaz 1
La est une vue en coupe schématique illustrant un deuxième mode de réalisation d’un système de séparation de gaz 1. Le deuxième mode de réalisation diffère du premier mode de réalisation illustré à la par un positionnement différent du capteur de température 20, du capteur de pression 21 et/ou du capteur de pollution 22.
Ainsi, dans le deuxième mode de réalisation, au moins un capteur est incorporé à l’organe de filtration 8. Le capteur est apte à mesurer un paramètre du gaz destiné à traverser la membrane de séparation de gaz 7.
Plus spécifiquement, dans l’exemple illustré à la , l’organe de filtration 8 comprend un capteur de température 20, un capteur de pression 21 et/ou un capteur de pollution 22 positionnés dans l’organe de filtration 8.
A partir de l’organe de filtration 8 incorporant le capteur de température 20, le capteur de pression 21 et/ou le capteur de pollution 22, il est ainsi possible de fournir un système de séparation de gaz 1 incorporant une unité de séparation d’air classique mais néanmoins adapté pour contrôler les paramètres du gaz traversant la membrane de séparation de gaz 7.
Dans le deuxième mode de réalisation, un connecteur électrique d’interface 13, notamment un deuxième connecteur électrique d’interface 13, raccorde le capteur de température 20, le capteur de pression 21 et/ou le capteur de pollution 22 au calculateur de gestion 11.
Avantageusement, le capteur de température 20, le capteur de pression 21 et/ou le capteur de pollution 22 intégrés à l’organe de filtration 8 sont disposés en sortie de l’organe de filtration 8 afin de caractériser le gaz destiné à traverser la membrane de séparation de gaz 7 après filtration.
Ainsi, préférentiellement, le capteur de température 20, le capteur de pression 21 et/ou le capteur de pollution 22 sont disposés dans l’organe de filtration 8 et en aval de moyens de filtration, non représentés sur la , intégrés à l’organe de filtration 8 pour assurer une filtration du gaz destiné à traverser la membrane de séparation de gaz 7.
Le capteur de température 20, le capteur de pression 21 et/ou le capteur de pollution 22 intégrés à l’organe de filtration 8 peuvent être positionnés dans un boîtier 14, notamment un deuxième boîtier 14.
La partie 200 correspond à une partie du module NFC 102 du dispositif 100 et à une partie des circuits d'alimentation 103 du dispositif 100. Plus particulièrement, la partie 200 correspond à la partie du dispositif 100 permettant de fournir un champ électromagnétique par l'intermédiaire d'une antenne.
Comme dit précédemment, la partie 200 comprend une portion ALIM des circuits d'alimentation 102. Cette portion ALIM comprend : - une batterie 201 (BAT) ; - un circuit convertisseur de tension 202 (DCDC) ; et - un circuit régulateur de tension 203 (LDO).
La batterie 201 est une des batteries du dispositif 100. Selon un exemple, la batterie 201 est la batterie principale du dispositif 100. Selon un autre exemple, la batterie 201 est une batterie dédiée à l'alimentation du module NFC 102. La batterie 201 est adaptée à fournir une tension d'alimentation Vbat. La tension d'alimentation Vbat est, par exemple, comprise entre 1 et 7 V, par exemple en 2,6 et 5,1 V.
Le circuit convertisseur de tension 202, ou convertisseur 202, est adapté à convertir une tension continue en une autre tension continue. Plus particulièrement, le circuit 202 est un convertisseur boost, c'est-à-dire un convertisseur adapté à fournir, à partir d'une première tension continue, une deuxième tension continue dont la valeur est plus élevée que celle de la première tension. Le convertisseur 202 est adaptée à fournir une tension de commande Vdd à partir de la tension d'alimentation Vbat fournie par la batterie 201. De plus, et selon un mode de réalisation, le convertisseur 202 est un convertisseur commandable, c'est-à-dire un convertisseur donc la valeur de la tension de sortie, ici la tension de commande Vdd, est commandable. Plus particulièrement, le convertisseur 202 est adaptée à fournir en sortie la tension de commande Vdd dont la valeur peut varier, en fonction de la commande reçue, entre une valeur minimale Vddmin et une valeur maximale Vddmax. Selon un exemple, le convertisseur 202 est adapté à fournir en sortie une tension comprise entre 5 et 10 V, par exemple entre 6 et 8 V.
Le circuit régulateur de tension 203, ou régulateur 203 est un régulateur linéaire d'une tension continue recevant la tension de commande Vdd fournie par le convertisseur 202. Le régulateur 203 fournit en sortie un tension Vdd_RF correspondant à la différence entre la tension de commande Vdd et une tension de seuil Vldo. Selon un exemple, la tension de seuil Vldo est de l'ordre de 0,2 V. Selon un mode de réalisation, le régulateur 203 est optionnel. Le régulateur 203 peut permettre de supprimer le bruit présent sur la tension de commande Vdd.
Comme dit précédemment, la partie 200 comprend une portion NFC du module NFC. Cette portion NFC comprend : - des circuits de pilotage 204 (RF Driver) et 205 (RF Driver) ; - un circuit d'adaptation d'impédance (ANT Matching) 206 ; et - une antenne 207 (ANT).
Les circuits de pilotage 204 et 205 sont des circuits de pilotage de l'antenne 207. Les circuits 204 et 205 reçoivent la tension Vdd_RF de sortie du régulateur 202, ou la tension de commande Vdd lorsque le régulateur 202 est omis, et fournissent une tension de commande adaptée Vdd_cmd.
Le circuit d'adaptation d'impédance (ANT Matching) 206 reçoit les tensions de commande adaptées Vdd_cmd des circuits de pilotage 204 et 205, et fournit en sortie une tension de commande d'antenne Vdd_Ant dont l'impédance est adaptée à l'impédance de l'antenne 207. La tension Vdd_Ant est dépendante des tensions de commande adaptées Vdd_cmd, dont la valeur dépend de la tension Vdd_RF, ou directement de la tension Vdd le cas échéant.
L'antenne 207 est adaptée à émettre un champ électromagnétique permettant de mettre en oeuvre une communication en champ proche. Ainsi, l'antenne 207 est adapté à émettre et à recevoir des ondes électromagnétiques dont la fréquence est comprise dans le rang des radiofréquences, c'est-à-dire dont la fréquence est comprise entre 3 kHz et 300 GHz. Selon un exemple, l'antenne 207 est adapté à émettre et à recevoir des ondes électromagnétiques dont la fréquence est de l'ordre de 13,56 MHz. L'antenne 207 reçoit la tension Vdd_Ant, et fournit en sortie un champ électromagnétique dont la puissance est dépendante de la valeur de la tension de commande Vdd_Ant, et de fait dépendant de la valeur de la tension de commande Vdd fournie par le convertisseur 202.
La est un schéma-bloc illustrant un premier mode de mise en oeuvre d'un procédé d'adaptation de la tension de commande Vdd, décrite en relation avec la , du dispositif 100 décrit en relation avec la .
A une étape initiale 301 (Measure T), correspondant à un état initial, l'antenne 207 n'émet aucun champ électromagnétique, mais reçoit une requête indiquant qu'elle doit en émettre un pour mettre en oeuvre une communication NFC. L'antenne 207 recevant donc une commande pour émettre un champ électromagnétique, les moyens 104 du dispositif 100 sont mis en oeuvre pour mesurer la température du dispositif 100, qui correspond, dans ce cas, à la température ambiante Tamb autour du dispositif 100, puisque le module NFC n'est pas en fonctionnement et ne produisent donc pas de chaleur.
A une étape 302 (Select Vdd), postérieure à l'étape 301, la valeur de la tension de commande Vdd fournie par le convertisseur 202 est choisie en fonction de la valeur de la température T mesurée, et ainsi la puissance du champ à émettre par l'antenne 207 est choisi en fonction de la température. Pour cela, le dispositif 100 peut utiliser une table de correspondance indiquant la valeur de tension appropriée à la tension Vdd fournie. Une fois la valeur de la tension Vdd choisie, le convertisseur 202 est commandée pour fournir la valeur en question.
A une étape 303 (Field Em.), postérieure à l'étape 302, la valeur de tension Vdd étant fixée, l'antenne 207 peut commencer à émettre un champ électromagnétique dont la puissance est configurée en utilisant la tension Vdd comme décrit en relation avec la .
Un avantage de ce mode de réalisation est qu'il permet d'éviter les surchauffes du dispositif 100. En effet, émettre un champ électromagnétique à pleine puissance peut provoquer une hausse de la température des circuits et composants du dispositif 100, réduire sa puissance lorsque la température est déjà élevée permet d'éviter d'augmenter encore plus cette température.
La est un schéma-bloc illustrant un deuxième mode de mise en oeuvre d'un procédé d'adaptation de la tension de commande Vdd, décrite en relation avec la , du dispositif 100 décrit en relation avec la .
A une étape initiale 401 (Vdd=Vddmax), correspondant à un état initial, l'antenne 207 n'émet aucun champ électromagnétique, mais reçoit une requête indiquant qu'elle doit en émettre un pour mettre en oeuvre une communication NFC. L'antenne 207 recevant donc une commande pour émettre un champ électromagnétique, la tension de commande Vdd est fixée à sa valeur maximale Vddmax. Pour cela, le convertisseur 202 est commandée pour fournir la valeur de tension en question.
dans laquelle les groupes R 8 à R 11 , qui peuvent être identiques ou différents, représentent un groupe aliphatique, linéaire ou ramifié, saturé ou insaturé, comprenant de 1 à 30 atomes de carbone, ou un groupe aromatique tel qu’aryle ou alkylaryle, au moins l’un des groupes R 8 à R 11 désignant un groupe comprenant de 8 à 30 atomes de carbone et, de préférence, de 12 à 24 atomes de carbone. Les groupes aliphatiques peuvent comprendre des hétéroatomes tels que l’oxygène, l’azote, le soufre et les halogènes, notamment. Les groupes aliphatiques sont choisis, par exemple, parmi les groupes alkyle en C 1 -C 30 , alcényle en C 2 -C 30 , alcoxy en C 1 -C 30 , polyoxy alkylène (en C 2 -C 6 ), alkylamide en C 1 -C 30 , alkylamido (en C 12 -C 22 )alkyle (en C 2 -C 6 ), acétate d’alkyle (en C 12 -C 22 ) et hydroxyalkyle en C 1 -C 30 ; X - est un anion choisi dans le groupe des halogénures, phosphates, acétates, lactates, sulfates d’alkyle (en C 1 -C 4 ), et sulfonates d’alkyle (en C 1 -C 4 ) ou d’alkylaryle (en C 1 -C 4 ).
Parmi les sels d’ammonium quaternaire de formule (III), on préfère d’une part les sels de tétraalkylammonium, par exemple les sels de dialkyldiméthylammonium ou d’alkyltriméthylammonium dont le groupe alkyle contient approximativement de 12 à 22 atomes de carbone, en particulier les sels de béhényltriméthylammonium, distéaryldiméthylammonium, cétyltriméthylammonium ou benzyldiméthylstéarylammonium, ou, d’autre part, les sels d’oléocétyldiméthylhydroxyéthylammonium, les sels de palmitylamidopropyltriméthylammonium, les sels de stéaramidopropyltriméthylammonium et les sels de stéaramidopropyldiméthylcétéarylammonium.
B. un sel d’ammonium quaternaire d’imidazoline, tel que, par exemple, ceux de formule (IV) ci-dessous :
dans laquelle R 12 représente un groupe alcényle ou alkyle comprenant de 8 à 30 atomes de carbone, dérivé par exemple d’acides gras de suif, R 13 représente un atome d’hydrogène, un groupe alkyle en C 1 -C 4 ou un groupe alkyle ou alcényle comprenant de 8 à 30 atomes de carbone, R 14 représente un groupe alkyle en C 1 -C 4 , R 15 représente un atome d’hydrogène ou un groupe alkyle en C 1 -C 4 , X - est un anion choisi dans le groupe des halogénures, phosphates, acétates, lactates, sulfates d’alkyle, sulfonates d’alkyle ou d’alkylaryle dans lesquels les groupes alkyle et aryle comprennent de préférence, respectivement, de 1 à 20 atomes de carbone et de 6 à 30 atomes de carbone. R 12 et R 13 désignent de préférence une combinaison de groupes alcényle ou alkyle contenant de 12 à 21 atomes de carbone, dérivés par exemple d’acides gras de suif, R 14 désigne de préférence un groupe méthyle, et R 15 désigne de préférence un atome d’hydrogène. Un tel produit est vendu, par exemple, sous le nom Rewoquat W 75 par la société Rewo ;
C. un sel de diammonium ou de triammonium quaternaire, en particulier de Formule (V) :
dans laquelle R 16 désigne un radical alkyle comprenant approximativement de 16 à 30 atomes de carbone, qui est optionnellement hydroxylé et/ou interrompu par un ou plusieurs atomes d’oxygène, R 17 est choisi parmi l’hydrogène ou un radical alkyle comprenant de 1 à 4 atomes de carbone ou un groupe (R 16a )(R 17a )(R 18a )N-(CH 2 ) 3 , R 16a , R 17a , R 18a , R 18 , R 19 , R 20 et R 21 , qui peuvent être identiques ou différents, étant choisis parmi l’hydrogène et un radical alkyle comprenant de 1 à 4 atomes de carbone, et X - est un anion choisi dans le groupe des halogénures, acétates, phosphates, nitrates et méthyl sulfates. De tels composés sont, par exemple, Finquat CT-P, vendu par la société Finetex (Quaternium 89), et Finquat CT, vendu par la société Finetex (Quaternium 75),
D. Tensioactifs cationiques/cationisables, par exemple de la structure générale
R4-A-R5—B dans laquelle R4 est une chaîne alkyle saturée ou insaturée, linéaire ou ramifiée, comportant 8 à 24 atomes de C, R5 est une chaîne alkyle linéaire ou ramifiée comportant 1 à 4 atomes de C, A est sélectionné parmi :
et B est sélectionné parmi
dans laquelle R 6 et R 7 sont identiques ou différents, sont H ou une chaîne alkyle comportant 1 à 4 atomes de C, une chaîne hydroxylalkyle comportant 1 à 4 atomes de C et une chaîne dihydroxylalkyle comportant 2 à 4 atomes de C,
R 8 et R 9 sont identiques ou différents, une chaîne alkyle comportant 1 à 4 atomes de C, une chaîne hydroxylalkyle comportant 1 à 4 atomes de C et une chaîne dihydroxylalkyle comportant 2 à 4 atomes de C, R.ind.10 est une chaîne alkyle comportant 1 à 4 atomes de C, une chaîne hydroxylalkyle comportant 1 à 4 atomes de C ou une chaîne dihydroxylalkyle comportant 2 à 4 atomes de C.
Dans certains cas, R 4 est une chaîne alkyle saturée ou insaturée, linéaire ou ramifiée comportant 10 à 24 atomes de C, de manière davantage préférée 12 à 22 atomes de C et R 5 est un groupe alkyle linéaire ou ramifié comportant 1 à 4 atomes de C, et A, B, R 6 à R 10 sont les mêmes que ci-dessus.
Les tensioactifs cationisables ou les tensioactifs amphiphiles peuvent être choisis parmi les alkylamines grasses, de préférence, les dialkylamines grasses. Dans certains cas, les dialkylamines grasses peuvent être des diméthylamines grasses. Les exemples non limitatifs incluent diméthyl lauramine, diméthyl béhénamine, diméthyl cocamine, diméthyl myristamine, diméthyl palmitamine, diméthyl stéaramine, diméthyl suifamine, diméthyl sojaamine, et les combinaisons de celles-ci. Dans divers modes de réalisation, il est préférable qu’au moins l’un des un ou plusieurs tensioactifs cationiques soit une dialkylamine grasse.
Selon les variantes, l’agent complexant fluorure est présent de telle manière que la concentration en fluorure soit comprise entre 1,74 et 2,46 mol/L, de préférence entre 1,80 et 2,20 mol/L.
Selon les variantes, l’acide phosphorique est présent à une concentration entre 4,0 et 5,5 mol/L, soit entre 390 et 540 g/L, de manière préférée entre 4,5 et 5,0 mol/L, soit entre 440 et 490 g/L.
Selon les variantes, l’acide sulfurique à une concentration entre 0,50 et 1,25 mol/L , soit entre 50 et 125 g/L, de préférence à une concentration entre 0,80 et 1,02 mol/L, soit entre 80 et 100 g/L..
Au cours de son utilisation, le bain de polissage se charge en titane dissous, du fait de l'attaque chimique ayant lieu sur les rugosités de surface. Il est possible de régénérer un tel bain après utilisation par simple ajout des composés consommés au cours du polissage (i.e. les acides et les agents complexants), et dans ce cas le bain régénéré contient toujours du titane, ce qui est aussi le cas des bains de polissage chimique traditionnels. Cependant les bains traditionnels sont détruits lorsque la concentration en titane devient trop élevée. La présence du titane peut en effet perturber le fonctionnement du bain, et nuire aux performances de polissage, ce qui se traduit notamment par le ralentissement de la cinétique de réaction qui pourrait pénaliser le principe du polissage et la compétition avec la diffusion des réactifs (acide sulfurique, acide phosphorique et agents complexants). Il est donc préférable de définir les concentrations limites admissibles en titane ne venant pas dégrader le mécanisme chimique du polissage. De manière avantageuse, le titane est présent à une concentration allant d'environ 2 à 35 g/L, soit d’environ 0,04 à 0,73 mol/L, de préférence à une concentration allant d'environ 10 à 30 g/L, soit d’environ 0,20 à 0,63 mol/L.
L’accumulation de titane dissout dans le bain au cours de l’utilisation du présent bain de polissage chimique se fait selon un gradient de concentration depuis la surface de la pièce à polir vers le volume du bain. La concentration plus élevée en titane à proximité de la surface de la pièce à polir permet avantageusement également une augmentation de la viscosité dans cette zone. Ainsi, la viscosité du bain augmente à l’approche de la surface de la pièce, et favorise une attaque des sommets de la rugosité de surface (i.e. l’attaque des vallées est ralentie par rapport à l’attaque des sommets). Ce phénomène participe à l’effet de polissage de la surface de la pièce en titane ou en alliage de titane par dissolution sélective des aspérités de surface et minimise la décote.
Selon les variantes, le bain présente une densité allant de 1,2 à 1,4 g/cm 3 .
Selon les variantes, le bain est essentiellement exempt de particules abrasives, en particulier le bain est essentiellement exempt de particules d’oxyde métallique, notamment de particules de silice SiO 2 . Dans le présent texte, « essentiellement exempt » signifie qu’aucune particule abrasive n’est ajoutée au bain selon l’invention. Les fortes concentrations en acides (acide sulfurique et acide phosphorique) ainsi que la présence de fluorures empêchent la formation de particules d’oxydes, notamment de particules d’oxyde de titane TiO 2 . Cependant, des bains dans lesquels des particules se formeraient ou des fluorures précipiteraient, par exemple des bains dans lesquels il y aurait formation de précipités de fluorure de titane TiF 4 , au cours de l’utilisation du bain dans un procédé de polissage chimique, constituent également des bains selon l’invention. Ainsi, un bain de polissage chimique selon l’invention peut contenir des précipités de fluorures métalliques et être essentiellement exempt de particules abrasives au sens de l’invention.
Selon des variantes, on n’ajoute pas d’huile, en particulier ni huile minérale ni huile végétale, au présent bain de polissage chimique (le bain est donc typiquement exempt de ces composés). Avantageusement, la viscosité élevée de la solution est due uniquement à la présence dans le bain d’acide sulfurique, d’acide phosphorique et de titane.
Selon un mode de réalisation particulièrement préféré, le présent bain de polissage est aqueux et est essentiellement constitué des acides sulfurique et phosphorique, du titane et de l’agent complexant fluorure. En d’autres termes, le présent bain comprend moins de 10% molaire, de préférence moins de 5% molaire, de manière particulièrement préférée moins de 2% molaire, de composés qui ne sont pas choisis parmi l’eau, l’acide sulfurique, l’acide phosphorique, l’agent complexant fluorure (en particulier les sels fluorés), le titane (en particulier les sels de titane, notamment H 2 TiF 6 ) ou leurs mélanges.
Dans le contexte de l'invention, les plages de concentrations mentionnées doivent être comprises au sens le plus large possible, i.e. en incluant les valeurs limites supérieure et inférieure desdites plages de concentrations. Tel qu’utilisé dans le présent texte, le terme « environ » signifie une plage de valeurs comprises entre ±10% de la valeur indiquée.
Dans un autre aspect, l'invention propose un procédé de polissage chimique d'une pièce en titane ou en alliage de titane, ou d'une partie de celle-ci en utilisant le bain de polissage chimique tel que décrit ci-dessus.
Le procédé selon l'invention comprend au moins les étapes suivantes : fournir un bain de polissage chimique tel que décrit ci-dessus ; immerger une pièce à polir en titane ou en alliage de titane, ou une partie de celle-ci, dans le bain de polissage chimique ; retirer la pièce du bain après une durée d'immersion prédéterminée.
Afin de maîtriser les concentrations en réactifs, notamment en acides – sulfurique et/ou phosphorique – et en agent complexant dans le bain de polissage, ces concentrations peuvent être déterminées par dosage. Le dosage des différentes espèces chimiques peut être effectué par un titrage acido-basique en milieu non aqueux, par thermo-titration ou par spectrophotométrie. Alternativement, il est également possible d'effectuer un dosage des différents réactifs par chromatographie ionique ou par spectrométrie d'émission atomique à plasma à couplage inductif (ICP-AES).
La température du bain de polissage lors de l'immersion de la pièce à polir est comprise entre 30°C et 60°C, de préférence entre 40°C et 50°C. La durée d'immersion de la pièce en titane ou en alliage de titane dans le bain de polissage est comprise entre 20 et 60 minutes, de préférence comprise entre 30 et 50 minutes. La température du bain a une influence sur la cinétique de réaction du procédé de polissage, et notamment sur la vitesse d'attaque du titane. Plus la température est élevée et plus les agents d’attaque (en particulier l’acide sulfurique et/ou l’acide phosphorique) et complexants agissent rapidement. La différence existant entre la vitesse de réaction des réactifs et leur diffusion est accentuée, ce qui améliore le procédé de polissage et les résultats obtenus, i.e. une diminution de la rugosité de surface tout en limitant la décote.
Grâce au procédé selon l'invention utilisant le bain de polissage à une certaine température et en immergeant la pièce ou la partie de celle-ci à polir durant un temps particulier, il est possible d'obtenir un abattement significatif de la rugosité de surface de la pièce sans fortement augmenter la décote. Ces deux effets nécessitent en général des paramètres antagonistes : immerger une pièce en titane ou en alliage de titane plus longtemps dans le bain de polissage permet de favoriser la diminution de la rugosité mais augmente la décote. De manière surprenante, appliquer une durée d'immersion de 20 minutes est suffisante pour obtenir d'obtenir une rugosité, ou hauteur, moyenne arithmétique sur une surface (Sa) résiduelle inférieure à 5 µm, et même inférieure à 3 ou 2 µm, tout en limitant la décote à une centaine de micromètres. En d'autres termes, dans le présent contexte, la décote observée pour une pièce polie à l'aide d'un bain de polissage chimique ou un procédé de polissage chimique selon l'invention présente une décote inférieure à 300 à 350 µm. Le paramètre Sa peut être considéré comme plus pertinent que Ra lorsqu'il s'agit de quantifier la rugosité, ou une diminution de rugosité, d'une surface car il s'agit d'une rugosité moyenne arithmétique mesurée sur une surface et non plus uniquement le long d'une ligne comme Ra.
De plus, les pièces en titane ou en alliage de titane polies à l'aide d'un bain de polissage chimique selon l'invention, présentent également de manière avantageuse une rugosité, ou hauteur, maximale sur une surface (Sz) résiduelle inférieure à 50 µm, et même inférieure à 40 µm.
Le polypropylène recyclé ou vierge de l’étape c) peut être sous forme de copeaux ou de granulés, de préférence sous forme de copeaux.
L’étape d) peut être une étape d’extrusion, de co-extrusion, de moulage par exemple de moulage par injection.
L’extrusion (co-extrusion) permet avantageusement de préparer des films recyclés, tandis que le moulage permet avantageusement de préparer des articles moulés.
De préférence, l’étape d) est une étape de moulage par injection.