INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Selon un exemple particulier, l’extrémité distale 20b en forme de pointe de la patte de fixation 20 est orientée pour s’appuyer contre au moins une dite glissière 12 (à savoir la glissière gauche dans cet exemple) de sorte à s’opposer au retrait du radiateur 10 (selon la direction de retrait DR2) hors des glissières de positionnement 12. Cette orientation particulière permet d’améliorer le maintien en position du radiateur 10 dans les glissières 12.
Ainsi, la patte de fixation 20 peut, par exemple, être pliée de sorte que son extrémité distale 20b en forme de pointe soit orientée substantiellement selon la direction de retrait DR2 afin de garantir un bon maintien en position du radiateur 10.
La patte 20 peut toutefois avoir une forme autre qu’une forme en pointe (ou coin, ou angle). A titre d’exemple, la patte 20 peut comporter une extrémité linéaire (ou rectiligne) configurée pour former une ligne de contact contre une glissière 12. Cette extrémité linéaire peut par exemple être formée par un bord biseauté (bord avec coupe en biseau) configuré pour appuyer contre une glissière 12 de sorte à s’opposer au retrait du radiateur 10.
Selon un exemple particulier, les glissières de positionnement 12 sont en matière plastique. De cette manière, le matériau métallique de la patte de fixation 20 peut être plus agressif et/ou tranchant (ou perforant) que celui des glissières 12. Si le radiateur 10 est déplacé en translation selon la direction de retrait DR2 hors des glissières 12, l’extrémité 20b en pointe de la patte de fixation 20 bloque sur le plastique des glissières 12, s’opposant ainsi au retrait du radiateur 10.
Selon un exemple particulier, le boîtier 4 du bloc optique 2 est dépourvu de fut de vissage et dépourvu de moyen de clippage pour assurer la fixation du radiateur métallique 10 dans les glissières de positionnement 12 (figures 1-6). Autrement dit, la fixation du radiateur 10 est assurée uniquement par la patte de fixation 20 et par les protubérances 22.
Comme décrit plus en détail ultérieurement en référence à la , le dispositif 10 peut comprendre au moins un processeur et une mémoire non volatile. Le dispositif 10 peut comprendre un programme d’ordinateur PG1 ( ) stockée dans la mémoire non volatile (mémoire de type Flash ou ROM par exemple), ce programme d’ordinateur PG1 comprenant des instructions pour la mise en œuvre du procédé (ou processus) comme décrit ci-après. Le processeur est ainsi configuré pour exécuter notamment les instructions définies par le programme d’ordinateur PG1.
Comme représenté en , le dispositif 10 est configuré pour recevoir et traiter les données d’historique DT1 transmises depuis le dispositif embarqué 3 du véhicule 2. Ces données d’historique DT1 peuvent par exemple être stockées dans une mémoire non volatile du dispositif 10.
Le dispositif 10 peut en outre obtenir des données de contexte DT2 ( ) et traiter ces données DT2 conformément au procédé (ou processus) de l’invention. Comme décrit plus en détail ci-après, ces données de contexte DT2 sont représentatives d’un contexte dans lequel s’est produit au moins un déclenchement d’airbag 4 parmi les airbags 4 du véhicule 2. Autrement dit, ces données de contexte DT2 caractérisent dans quelles circonstances se sont produit un ou des déclenchements d’airbag 4. Ainsi, en associant les données d’historique DT1 à des données de contexte DT2, on peut définir chaque déclenchement d’airbag se produisant dans le véhicule 2 ainsi que le contexte dans lequel ce ou ces déclenchement d’airbag se sont produits.
Comme décrit par la suite dans des exemples particuliers, la manière dont les données de contexte DT2 sont obtenues par le dispositif 10 peut varier selon le cas. Le dispositif 10 peut par exemple recevoir tout ou partie des données de contexte DT2 depuis le dispositif embarqué 3 du véhicule 2. A cet effet, le dispositif embarqué 3 peut être configuré pour associer, aux données d’historiques DT1, des données de contexte DT2 définissant le contexte dans lequel s’est produit chaque déclenchement d’airbag.
Selon un exemple particulier, le dispositif 10 est configuré pour recevoir tout ou partie des données d’historique DT2 depuis une infrastructure 6, ou plus particulièrement depuis un dispositif externe 8 gérant ladite infrastructure 6. Cette infrastructure 6 correspond par exemple à un atelier de réparation, un garage ou toute autre infrastructure destinée à réaliser des opérations de maintenance sur des véhicules, tel que notamment le véhicule 2.
Comme illustré, le dispositif externe 8 est par exemple configuré pour transmettre au dispositif 10 des données de contexte DT2, notée plus précisément DT2a, ces données étant représentatives d’un contexte dans lequel s’est produit au moins un déclenchement d’airbag parmi les airbags 4 du véhicule 2. En effet, en cas de maintenance du véhicule 2, ce dernier peut être soumis à une ou des opérations de maintenance. Ces opérations de maintenance peuvent varier selon le cas et peuvent correspondre à une quelconque opération (révision, test, vérification, etc.) destinées à assurer la maintenance du véhicule 2. Ces opérations de maintenance peuvent le cas échéant conduire à (ou comprendre) au moins un déclenchement d’airbag parmi les airbags 4 du véhicule 2. Ainsi, les données de contexte DT2a permettent par exemple de définir au moins un déclenchement d’airbag parmi les airbags 4 du véhicule 2 en tant que déclenchement de maintenance, c’est-à-dire un déclenchement d’airbag résultant d’une (ou associé à une) opération de maintenance.
Par ailleurs, le dispositif 10 est configuré pour générer un indicateur d’intégrité IN1 au cours du procédé (ou processus) de l’invention, par un traitement des données d’historique DT1 et des données de contexte DT2. La nature de cet indicateur IN1 ainsi que du traitement nécessaire sera décrit plus en détail ultérieurement.
Le dispositif 10 est en outre configuré pour transmettre des données de suivi DT3, comprenant l’indicateur de suivi IN1, pour causer la restitution par une interface utilisateur 12 des données de suivi DT3. Ces données de suivi DT3 prennent par exemple la forme d’un certificat numérique associé au véhicule 2, ce certificat comprenant des données caractérisant l’état du véhicule 2 et en particulier l’état de ses airbags 4.
Comme illustré en , on suppose par la suite qu’un utilisateur UR1 utilise un terminal T1 (une tablette, un téléphone intelligent de type « smartphone », ou tout autre équipement approprié) comprenant l’interface utilisateur 12 nécessaire pour la restitution des données de suivi DT3. La restitution peut comprendre un affichage, une restitution sonore, ou tout autre restitution permettant à l’utilisateur UR1 de prendre connaissance du contenu des informations de suivi DT3.
Comme indiqué ci-avant, le dispositif 10 est configuré pour mettre en œuvre un processus (dit aussi processus de traitement ou processus de surveillance). Ce processus est à présent décrit conjointement aux figures 1 et 2 selon des modes de réalisation particuliers.
Dans une première opération, le dispositif 10 obtient des données d’historique DT1 représentatives d’au moins un déclenchement d’airbag survenu parmi les airbags du véhicule 2. Comme déjà indiqué, ces données d’historique DT1 sont par exemple préalablement générées par le dispositif embarqué 3 et transmises par ce dernier au dispositif 10. A noter que des variantes son possibles dans lesquelles le dispositif 10 obtient les données d’historique DT1 d’une quelconque autre façon appropriée (par exemple en consultant une mémoire ou en recevant ces données depuis une autre source).
On suppose par la suite que les données d’historique DT1 définissent une pluralité de déclenchements d’airbag qui se sont produites parmi les airbags 4 du véhicule 2.
Dans une deuxième opération, le dispositif 10 détermine si des données de contexte DT2 correspondant aux données d’historique DT1 sont disponibles. Autrement dit, le dispositif 10 cherche à récupérer des données de contexte DT2. Cette phase de recherche au cours de la deuxième opération peut comprendre par exemple la consultation d’une mémoire ou l’envoi d’au moins une requête (par exemple au dispositif externe 8).
Selon un exemple particulier, les données de contexte DT2 récupérées comprennent des données de contexte externes DT2a reçues via une plateforme de gestion de données, ces données de contexte externes DT2a indiquant que les (ou au moins un parmi les) déclenchements d’airbag se sont produits (ou s’est produit) dans le contexte d’une opération de maintenance du véhicule 2. Le dispositif 10 peut par exemple comprendre une telle plateforme de gestion de données ou coopérer avec au moins un serveur mettant en œuvre cette plateforme de gestion de données.
Selon un exemple particulier, la plateforme de gestion de données est une plateforme de type chaine de blocs (ou « blockchain » en anglais). L’usage d’une telle plateforme peut permettre de partager de façon sécurisée et confidentielle des données de contexte DT2a entre des centres de maintenance (garages, ateliers, etc.) et l’entité (par exemple le constructeur du véhicule 2) en charge du dispositif 10.
Si des données de contexte DT2, représentatives d’un contexte dans lequel se sont produits les déclenchements d’airbag, sont récupérées en association avec les données d’historique DT1, le dispositif 10 détermine alors si les déclenchements d’airbag sont normaux ou anormaux par analyse de conformité des données de contexte DT2 par rapport à au moins un critère d’intégrité CT1. Autrement dit, le dispositif 10 compare (ou agrège) les données de contexte DT2 avec un ou des critères d’intégrité CT1 et détermine, à partir d’un résultat de cette comparaison (ou agrégation), si les déclenchements d’airbag sont normaux (ou conformes à une utilisation normale) ou anormaux (pas conforme à une utilisation normale). Comme décrit par la suite, des variantes sont toutefois possibles dans lesquelles aucune donnée de contexte DT2 n’est obtenue par le dispositif 10 au cours de la deuxième opération.
Organe de connexion Le présent exposé concerne le domaine électroménager. Plus précisément, le présent exposé porte sur un appareil électroménager de diffusion de vapeur.
ETAT DE LA TECHNIQUE Certains appareils électroménagers utilisent de la vapeur. De tels appareils peuvent comprendre une base qui génère de la vapeur et qui est reliée à un accessoire propre à projeter la vapeur générée par la base. Certains accessoires peuvent être amovibles par rapport à la base, de sorte à ce que l’appareil soit adapté à différents usages, tels que le repassage ou le défroissage. Pour ce faire, il peut être prévu d’utiliser un connecteur permettant de relier l’accessoire à la base. L’étanchéité du connecteur est critique, à la fois pour prévenir toute projection de vapeur qui serait susceptible d’atteindre l’utilisateur, mais aussi pour empêcher que du liquide pénètre à l’intérieur du connecteur, lequel loge généralement des composants électroniques.
Il est à cet effet proposé, selon un aspect du présent exposé, un organe de connexion prévu pour relier un accessoire de diffusion de vapeur à une base de diffusion de vapeur, la base de diffusion de vapeur comprenant un générateur de vapeur, l’organe de connexion comprenant : un élément de couplage s’étendant selon un premier axe longitudinal et étant prévu pour relier l’organe de connexion à un cordon creux de l’accessoire de diffusion de vapeur par serrage d’une extrémité du cordon ; un corps longitudinal s’étendant selon un deuxième axe longitudinal et étant prévu pour être assemblé à l’élément de couplage par emmanchement en force le long du premier axe longitudinal de sorte à entourer tout l’élément de couplage ; un couvercle s’étendant selon un troisième axe longitudinal et étant prévu pour relier l’organe de connexion à la base de diffusion de vapeur, le couvercle étant prévu pour être assemblé au corps longitudinal ; et un système de fixation prévu pour aligner le premier axe longitudinal, le deuxième axe longitudinal et le troisième axe longitudinal lors de l’assemblage de l’élément de couplage, du corps longitudinal et du couvercle et pour maintenir fixe l’élément de couplage, le corps longitudinal et le couvercle les uns par rapport aux autres, une fois l’élément de couplage, le corps longitudinal et le couvercle assemblés.
Prévoir un organe de connexion en au moins trois parties qui, lorsqu’elles sont assemblées, sont en appui majoritairement de manière axiale les unes par rapport aux autres, grâce à l’alignement imposé par le système de fixation, permet de limiter les risques de pénétration et/ou d’expulsion radiale de liquide et/ou de vapeur vers l’intérieur et/ou vers l’extérieur de l’organe de connexion. Cette étanchéité est d’autant améliorée par l’emmanchement en force du corps longitudinal sur l’élément de couplage.
Le corps longitudinal peut être prévu pour être assemblé à l’élément de couplage par emmanchement en force le long du premier axe longitudinal de sorte à en outre s’étendre au-delà de l’élément de couplage dans une direction opposée au cordon.
Le couvercle peut être prévu pour être assemblé au corps longitudinal par emmanchement le long du deuxième axe longitudinal de sorte à ce qu’au moins une portion du couvercle entoure au moins une portion du corps longitudinal.
La composition D est amalgamée et ne se présente pas sous forme de poudre (sans écoulement), plutôt sous la forme d’une pâte. Cette composition est très difficile à repartir sur les cheveux même après l’ajout de l’eau, car elle reste sous la forme d’un bloc.
Chacune des compositions C et D a été appliquée directement sur des mèches moyennement sensibilisées (mèches SA20) pesant 2,7 g et humidifiées. La quantité déposée était de 0,35 g par mèche. On a malaxé doucement la mèche entre les doigts sur toute sa longueur.
Un panel de personnes a évalué le délitement et les propriétés cosmétiques conférées par les compositions C et D.
La composition C selon l’invention s’est mieux délitée que la composition D comparative. Aucun grumeau n’a été observé sur les cheveux avec la composition C.
Les mèches de cheveux traitées avec la composition C selon l’invention présentent un démêlage, un toucher lisse et une souplesse améliorés.
La composition C a été conditionnée dans une enveloppe composée de deux couches (1) et (2) formant un film unitaire, à raison de 0.35g de poudre et 0.02g (94% de poudre + 6% de papier). La couche (1) comprend de la pulpe de bois et de la carboxyméthyl cellulose. La couche (2) comprend un polymère d’alcool vinylique (PVA).
La composition C conditionnée dans l’enveloppe s’est bien délitée et aucun grumeau n’a été observé sur les cheveux avec la composition C conditionnée dans l’enveloppe.
COMPOSITION DE REVITALISATION DES CHEVEUX La présente invention appartient au domaine des produits cosmétiques. En particulier, la présente invention concerne une composition de revitalisation des cheveux. La présente invention concerne également un processus cosmétique de revitalisation des cheveux.
ART CONNEXE L'aspect et/ou l'état des fibres kératineuses sont souvent affectés par des facteurs à la fois extrinsèques et intrinsèques tels que le vieillissement.
Les fibres kératineuses, notamment les cheveux, sont constamment exposées à des conditions extrinsèques rudes, telles que le soleil, les dommages chimiques, par exemple, provenant de détergents, d'une décoloration, d'un défrisage, d'une teinture et de permanentes, la chaleur, par exemple, provenant de sèche-cheveux ou de bigoudis, et le stress ou l'usure mécanique, par exemple, provenant d'activités de brossage et de coiffage. De plus, tout type de cheveu peut perdre en termes de qualité et/ou de quantité au cours du temps en raison de l'âge et/ou de facteurs tels que la tendance grasse naturelle, la transpiration, les cellules cutanées tombées du cuir chevelu, la pollution, la saleté et les conditions d'humidité extrême.
Les facteurs décrits ci-dessus peuvent entraîner un amincissement des cheveux et/ou nuire à l'aspect visuel et à la sensation au toucher des cheveux, et conduire à un corps sans lustre et à un volume réduit.
À titre de variante, la couche de passivation 113 peut être déposée puis amincie après formation des électrodes 111A et 111K du dispositif 100.
Un avantage du procédé décrit ci-dessus en relation avec la tient au fait qu’il est moins coûteux et plus simple à mettre en œuvre que les procédés actuels de fabrication de dispositifs électroniques de puissance à base de nitrure de gallium, par exemple les procédés visant à former une électrode de conduction sur une couche de GaN fortement dopée, les procédés comprenant des étapes de retrait du substrat de support et de report de l’empilement comprenant les couches de GaN sur un autre substrat, les procédés de formation d’un ou plusieurs vias à travers le substrat de support et de dépôt conforme d’une électrode dans chacun de ces vias, et les procédés de reprise de contact depuis la face arrière du substrat dans lesquels une couche tampon, typiquement en nitrure d’aluminium, est interposée entre la face avant du substrat de support et l’empilement comprenant les couches de GaN.
La est une vue en coupe illustrant, de façon schématique et partielle, un exemple d’un dispositif électronique de puissance 300 selon un mode de réalisation. Le dispositif 300 de la comprend des éléments communs avec le dispositif 100 de la . Ces éléments communs ne seront pas détaillés à nouveau ci-après.
Le dispositif 300 de la diffère du dispositif 100 de la en ce qu’il comporte une couche 301 interposée entre la couche 103 en métal de transition nitruré et la couche 105 en nitrure de gallium. Le matériau de la couche 301 est par exemple un matériau semiconducteur inorganique, par exemple un composé III-V comprenant au moins un premier élément du groupe III, un deuxième élément du groupe V et, éventuellement, un troisième élément, par exemple un élément du groupe III autre que le premier élément. De façon préférentielle, l’élément du groupe V est l’azote (N), de sorte que le matériau de la couche 301 est un composé III-N. À titre d’exemple, le matériau de la couche 301 est le nitrure de gallium (GaN), le nitrure d’aluminium (AlN), le nitrure de bore (BN), le nitrure d’indium (InN) ou un alliage d’un ou plusieurs de ces matériaux, par exemple le nitrure d’aluminium-gallium (AlGaN). L’épaisseur de la couche 301 est choisie de façon à permettre un passage de courant, par effet tunnel, entre la couche 105 en nitrure de gallium et la couche 103 en métal de transition nitruré. À titre d’exemple, la couche 301 présente une épaisseur inférieure à 5 nm, par exemple comprise entre 1 et 2 nm, par exemple égale à environ 1 nm.
Le matériau de la couche 301 du dispositif 300 peut être fortement dopé du premier type de conductivité (le type n, dans cet exemple). Dans le cas où la couche 301 est en nitrure de gallium, le silicium (Si) peut être utilisé pour obtenir un fort dopage de type n (dopage n++). À titre d’exemple, la couche 301 présente un niveau de dopage compris entre 1 x 10 17 at./cm 3 et 5 x 10 21 at./cm 3 , par exemple égal à environ 1 x 10 20 at./cm 3 .
À titre d’exemple, la couche 301 est formée, par exemple par PLD, entre les étapes précédemment décrites en relation avec les figures 2A et 2B. Dans le cas où la couche 301 est en nitrure de gallium fortement dopé de type n par des atomes de silicium, une cible GaN:Si peut être utilisée lors du dépôt PLD.
Dans l’exemple représenté, la couche 301 est laissée intacte à l’issue de l’étape de structuration des couches 105, 107 et 109 en nitrure de gallium précédemment décrite en relation avec la . À titre de variante, la couche 301 pourrait être structurée de façon analogue aux couches 105, 107 et 109 lors de l’étape de la .
Un avantage du dispositif 300 tient au fait que la couche 301 peut permettre un contrôle de polarité de la couche 103 en métal de transition nitruré. La couche 301 permet en outre de protéger la couche 103 contre l’oxydation.
La est une vue en coupe illustrant, de façon schématique et partielle, un exemple d’un dispositif électronique de puissance 400 selon un mode de réalisation. Le dispositif 400 de la comprend des éléments communs avec le dispositif 100 de la . Ces éléments communs ne seront pas détaillés à nouveau ci-après.
Le dispositif 400 de la diffère du dispositif 100 de la en ce que le substrat 101 comprend une première partie, située à l’aplomb de l’électrode d’anode 111A, présentant une épaisseur (distance entre les faces avant 101F et arrière 101R du substrat 101) supérieure à celle d’une deuxième partie du substrat 101 de forme annulaire entourant la première partie.
Les différences d’épaisseur entre les première et deuxième parties du substrat 101 sont par exemple obtenues par structuration du substrat 101 préalablement au dépôt des couches 105, 107 et 109 en nitrure de gallium. Afin de ne pas surcharger le dessin, les couches 105, 107 et 109 ont été symbolisées par une unique couche en .
Dans l’exemple représenté, la couche 103 en métal de transition nitruré revêt uniquement la face avant 101F de la première partie du substrat 101. À titre d’exemple, la couche 103 est d’abord formée sur toute la face avant 101F du substrat 101, puis le substrat 101 et la couche 103 sont structurés, par exemple par photolithographie puis gravure, préalablement au dépôt des couches 105, 107 et 109 en nitrure de gallium. À titre de variante, la couche 103 en métal de transition nitruré peut être déposée sur toute la face avant 101F du substrat 101 postérieurement à la structuration du substrat 101.
Dans l’exemple représenté, l’empilement constitué par les couches 105, 107 et 109 en nitrure de gallium est discontinu et présente plus précisément une première partie située à l’aplomb de l’électrode 111A d’anode et une deuxième partie de forme annulaire entourant la première partie. Dans un cas où le substrat 101 et l’empilement constitué par les couches 105, 107 et 109 présentent une forte différence de coefficient de dilatation thermique, par exemple lorsque le substrat 101 est en silicium, cela permet avantageusement d’éviter ou de limiter l’apparition de défauts, tels que des discontinuités ou fissures, dans les couches 105, 107 et 109 en nitrure de gallium.
Selon un autre exemple de réalisation, la couche 103 est d’abord déposée par ablation laser pulsée sur la face supérieure 101F du substrat 101 en silicium. Dans cet exemple, le substrat 101 présente par exemple une face supérieure 101F sensiblement plane et la couche 103 est continue. Une couche par exemple en nitrure de silicium (Si 3 N 4 ), en dioxyde de silicium ou en alumine est ensuite déposée sur et en contact avec la face supérieure de la couche 103 puis structurée, par exemple par photolithographie puis gravure, de sorte à former un masque de croissance comprenant des ouvertures traversantes au fond desquelles sont exposées des parties de la face supérieure de la couche 103 sous-jacente. Une croissance sélective par MOCVD est ensuite mise en œuvre de sorte à former des plots en nitrure de gallium, par exemple des plots comprenant chacun un empilement de couches en nitrure de gallium analogues aux couches 105, 107 et 109, à l’intérieur des ouvertures du masque de croissance. À titre de variante, un empilement comprenant les couches 103 et 105 peut être déposé par PLD avant la formation du masque de croissance. Cela permet là encore d’éviter ou de limiter l’apparition de fissures dans les couches en nitrure de gallium.
La est une vue en coupe illustrant, de façon schématique et partielle, un exemple d’un dispositif électronique de puissance 500 selon un mode de réalisation.
Le dispositif 500 de la est plus précisément de type transistor, par exemple un transistor de puissance destiné à autoriser ou à empêcher le passage d’un courant électrique entre ses bornes de conduction.
Selon un mode de réalisation particulier, l’analyse de conformité détermine ledit au moins un déclenchement d’airbag comme normal si les données de contexte sont conformes audit au moins critère d’intégrité et détermine ledit au moins un déclenchement d’airbag comme anormal si les données de contexte ne sont pas