Procédé de fabrication d’un composant optoélectronique comprenant au moins une photodiode, le procédé (1700) comprenant au moins des étapes consistant à : réaliser (1702) à partir d’un substrat semi-conducteur dopé p au moins sur sa partie supérieure, plusieurs croissances épitaxiales pour obtenir un empilement de couches semi-conductrices, l’empilement étant composé au-dessus du substrat (102), d’une couche d’absorption (104) dans un matériau dopé p, puis d’une couche pour collecter des électrons (106) faiblement dopée et de grande bande interdite, et d’une couche barrière de surface (108-1, 108-2) de grande bande interdite ; et réaliser (1704) une pixellisation à base de dopage de type n au niveau de la couche barrière de surface, la pixellisation comprenant des métallisations (1706) pour créer des contacts électriques (112, 118) pour ladite au moins une photodiode, d’une part sur la couche barrière de surface pixellisée dopée n, et d’autre part sur la partie supérieure dopée p du substrat semi-conducteur. Procédé selon la revendication 1 dans lequel l’étape de réaliser une couche d’absorption (104) comprend une étape de dopage uniforme ou gradué de type p du matériau de ladite couche d’absorption. Procédé selon la revendication 1 ou 2 dans lequel l’étape de réaliser une couche pour collecter des électrons (106) consiste à réaliser une zone collectrice si ladite au moins une photodiode est une photodiode UTC. Procédé selon la revendication 1 ou 2 dans lequel l’étape de réaliser une couche pour collecter des électrons (106) consiste à réaliser une zone avalanche si ladite au moins une photodiode est une photodiode APD. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 4 dans lequel l’étape de réaliser une couche barrière de surface de grande bande interdite consiste en une croissance épitaxiale d’une couche barrière (108-1) à base d’un matériau semi-conducteur fortement dopé n+. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 4 dans lequel l’étape de réaliser une couche barrière de surface de grande bande interdite comprend une étape de croissance épitaxiale d’une couche barrière (108-2) à base d’un matériau semi-conducteur non intentionnellement dopé, et une étape de dopage localisé (110) de type n+ de la couche barrière non intentionnellement dopée. Procédé selon la revendication 6 dans lequel l’étape de dopage localisé n+ est réalisé par implantation ou par diffusion. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel les semi-conducteurs utilisés par le procédé de l’invention sont les semi-conducteurs de type III-V. Procédé selon la revendication précédente dans lequel les semi-conducteurs de type III-V utilisés par le procédé de l’invention sont les semi-conducteurs InGaAs sur substrat InP. Procédé selon la revendication précédente dans lequel les semi-conducteurs de type III-V utilisés par le procédé de l’invention sont les semi-conducteurs InGaAsSb sur substrat GaSb ou de super-réseau de la famille InGaAs / GaAsSb sur substrat InP. Photodiode obtenue par un procédé de fabrication comprenant au moins les étapes de l’une quelconque des revendications 1 à 10. Composant optoélectronique comprenant au moins une photodiode selon la revendication 11.