INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
De plus, le positionnement de la peau lors de la première étape de numérisation est généralement effectué sur un digitaliseur possédant un convoyeur en polyuréthane, relativement lisse, tandis que le repositionnement des défauts de la peau lors la nouvelle numérisation s’effectue sur une machine de coupe avec un convoyeur en feutre qui possède une accroche forte avec la peau. Ceci peut encore entrainer des difficultés supplémentaires pour mener à bien l’étape de repositionnement des défauts de la peau.
Les multiples déformations subies par la peau qui ont été décrites ci-dessus ne sont malheureusement pas homogènes et ne sont donc pas prédictibles. Aussi, l’étape de repositionnement des défauts devra être capable de retrouver le plus précisément possible la position du contour et de tous les défauts de la peau.
Pour résoudre cette problématique de repositionnement des défauts, il est connu d’utiliser des vidéoprojecteurs qui projettent une image de la peau entière (ou bien seulement une partie de celle-ci) préalablement numérisée sur la peau posée sur la machine de coupe. L’opérateur procède ensuite par grignotage pour repositionner la totalité de la peau et de ses défauts.
Cependant, cette méthode reste assez faible en termes d’ergonomie et de précision. En effet, l’opérateur doit corriger la position des bords de peau (en se fiant au contour projeté, ce qui est peu précis) en tirant sur cette dernière, ce qui peut provoquer des tensions fortes près des bords de peau.
L’invention a donc pour but principal de pallier de tels inconvénients en proposant un procédé de positionnement des défauts par un calcul automatique de la position des défauts qui soit simple et ergonomique.
Conformément à l’invention, ce but est atteint grâce à un procédé de positionnement automatique de défauts d’un coupon de matière souple à caractéristiques non homogènes dans lequel des pièces sont destinées à être découpées, comprenant les étapes successives de : obtention d’une image numérique du contour du coupon dans son état initial et de la position des défauts de celui-ci ; après le repositionnement du coupon dans un état prêt à la découpe, obtention d’une nouvelle image numérique du contour du coupon ; superposition des images numériques des contours du coupon dans son état initial et dans son état prêt à la découpe ; détermination d’une valeur de rotation à appliquer à au moins l’un des deux contours pour minimiser la superficie totale des zones délimitées par les deux contours qui ne se superposent pas ; application de la valeur de rotation à la position de chaque défaut de l’image numérique du coupon dans son état initial pour les pré-positionner à l’intérieur de l’image numérique du coupon dans son état prêt à la découpe ; détermination d’une pluralité de transformations géométriques pour minimiser localement la superficie des zones des deux contours qui ne se superposent pas ; et application à la position de chaque défaut pré-positionné à l’intérieur de l’image numérique du coupon dans son état prêt à la découpe de l’une des transformations géométriques en fonction de la position du défaut à l’intérieur du contour du coupon dans son état initial afin de repositionner le défaut précisément à l’intérieur de l’image numérique du coupon dans son état prêt à la découpe.
Selon encore un autre exemple, le dispositif 2 correspond à un dispositif de traitement de données de type serveur 111.
La illustre un organigramme des différentes étapes de rendu ou de contrôle du rendu d’une alerte d’évènement de catastrophe naturelle pour véhicule, par exemple pour le véhicule 10, selon un exemple de réalisation particulier et non limitatif de la présente invention. Le procédé est par exemple mis en œuvre par un dispositif embarqué dans le véhicule 10 ou par le dispositif 2 de la .
Dans une première étape 31, des d’informations de localisation représentatives de localisation du véhicule sont transmises via une liaison sans fil.
Dans une deuxième étape 32, des données représentatives d’un évènement de catastrophe naturelle associé à une zone géographique comprenant la localisation du véhicule sont reçues via la liaison sans fil.
Dans une troisième étape 33, l’alerte est rendue en fonction des données sur un dispositif de rendu embarqué dans le véhicule.
Bien entendu, la présente invention ne se limite pas aux exemples de réalisation décrits ci-avant mais s’étend à un procédé de génération d’alerte d’évènement de catastrophe naturelle qui inclurait des étapes secondaires sans pour cela sortir de la portée de la présente invention. Il en serait de même d’un dispositif configuré pour la mise en œuvre d’un tel procédé.
VEHICULE ELECTRIQUE RECHARGEABLE COMPORTANT UN SYSTEME DE RECHARGE A INDICATEUR LUMINEUX L’invention porte sur les systèmes de recharge présents dans les véhicules électriques ou hybrides électriques, et notamment ceux présentant un indicateur lumineux prévu pour communiquer l’état de fonctionnement du système de recharge.
L’invention se rapporte également à une attache de fixation comportant des moyens de réglage selon deux axes perpendiculaires entre eux, chacun de ces moyens de réglage étant équipé de dispositif de blocage sécurisé défini ci-dessus.
Avantageusement, cette fixation à deux axes de réglage permet de réaliser rapidement le réglage de la fixation selon deux directions dans un espace réduit.
L’invention se rapporte également à un système mécanique d’ouverture/fermeture d’ouvrant comportant un bras relié à un encadrement par deux attaches de fixation telles que définies ci-dessus.
L’objet de l’invention porte également sur un procédé d’installation d’un ouvrant sur un encadrement utilisant un tel système mécanique d’ouverture/fermeture comportant au moins un dispositif de blocage sécurisé de réglage tel que défini ci-dessus. L’installation se déroule selon les étapes suivantes : - fixation du système mécanique d’ouverture/fermeture de l’ouvrant sur l’encadrement ; - positionnement initial de l’ouvrant dans l’encadrement ; - assemblage de l’ouvrant sur le système mécanique d’ouverture/fermeture, et - réglage des attaches de fixations.
Chaque réglage des attaches de fixations se déroule selon les étapes suivantes : - désengagement de la rondelle cannelée de la contre-cannelure ; - maintien de la rondelle cannelée en position déverrouillée ; - réglage de l’attache de fixation en actionnant l’extrémité de réglage ; - libération de la rondelle cannelée, et - vérification de l’engagement de la rondelle cannelée dans la contre-cannelure.
Avantageusement, le réglage de la fixation est rapide et simple à réaliser, en s’affranchissant en particulier d’outils de serrage. De plus l’engagement de la rondelle cannelée dans la contre-cannelure est automatique : si l’engagement n’est pas réalisé, une légère rotation du manchon de réglage permet de passer par une position où les cannelures sont en vis-à-vis et s’engagent sous l’effet du moyen de rappel.
Selon certaines formes de mise en œuvre privilégiées, prises seule ou en combinaison : - l’étape de désengagement de la rondelle cannelée de la contre-cannelure est réalisée par une translation de la rondelle cannelée dans le sillon axial en opposition au moyen de rappel ; - l’étape de maintien de la rondelle cannelée en position libérée est réalisée par une rotation de la rondelle cannelée dans la rainure circonférentielle du manchon de réglage, et - l’étape de libération de la rondelle cannelée est réalisée par une rotation inverse de la rondelle cannelée dans la rainure circonférentielle du manchon de réglage.
– la , une vue éclatée en perspective de l’ensemble des éléments de l’attache de fixation ;
– la , une vue éclatée en perspective d’éléments de réglages de l’attache de fixation ;
– la , une vue éclatée selon une autre perspective des éléments de réglages de l’attache de fixation ;
– la , une vue de chacune des faces de la rondelle cannelée ;
– la , une vue en perspective de la rondelle cannelée insérée dans le manchon ;
– la et la , une vue en perspective et une vue en coupe du dispositif de blocage sécurisé en configuration de vol ;
– la et la , une vue en perspective et une vue en coupe du dispositif de blocage sécurisé pendant la translation de la rondelle cannelée ;
– la et la , une vue en perspective et une vue en coupe du dispositif de blocage sécurisé en configuration de réglage ;
Le circuit PTAT 30 comprend : - un transistor bipolaire TB1, par exemple de type NPN, dont l'émetteur est relié, de préférence connecté, à une borne d'une résistance R1, l'autre borne de la résistance R1 étant reliée, de préférence connectée, à une source d'un potentiel de référence bas GND, par exemple la masse ; - un transistor bipolaire TB2, par exemple de type NPN, dont l'émetteur est relié, de préférence connecté, à la source du potentiel de référence bas GND, et dont la base est reliée, de préférence connectée, au collecteur du transistor bipolaire TB2 et à la base du transistor bipolaire TB1 ; - un transistor TM1 à effet de champ à grille isolée, également appelé transistor MOS, par exemple à canal P, dont la source est reliée, de préférence connectée, à une source de la tension d'alimentation Vcc, dont le drain est relié, de préférence connecté, au collecteur du transistor bipolaire TB1, et dont la grille est reliée, de préférence connectée, au drain ; et - un transistor MOS TM2, par exemple à canal P, dont la source est reliée, de préférence connectée, à la source de la tension d'alimentation Vcc, dont le drain est relié, de préférence connecté, au collecteur du transistor bipolaire TB2, et dont la grille est reliée à la grille du transistor MOS TM1. On appelle pbias la tension à la grille du transistor MOS TM2.
Le circuit de référence de tension 20 comprend en outre un circuit de démarrage du circuit PTAT 30 qui n'est pas représenté en .
Le premier étage d'amplification 40 comprend : - un transistor bipolaire TB3, par exemple de type NPN, dont l'émetteur est relié, de préférence connecté, à une borne d'une résistance R3, l'autre borne de la résistance R3 étant reliée, de préférence connectée, à la source du potentiel de référence bas GND ; - un transistor bipolaire TB4, par exemple de type NPN, dont la base est reliée, de préférence connectée, à la base du transistor bipolaire TB3 ; - un transistor MOS TM3, par exemple à canal P, dont la source est reliée, de préférence connectée, à la source de la tension d'alimentation Vcc, dont le drain est relié, de préférence connecté, au collecteur C_TB3 du transistor bipolaire TB3, et dont la grille est reliée, de préférence connectée, à la grille du transistor MOS TM2 ; - un transistor MOS TM4, par exemple à canal P, dont la source est reliée, de préférence connectée, à la source de la tension d'alimentation Vcc, dont le drain est relié, de préférence connecté, au collecteur C_TB4 du transistor bipolaire TB4, et dont la grille est reliée, de préférence connectée, à la grille du transistor MOS TM2 ; - un transistor MOS TM5, par exemple à canal P, dont la source est reliée, de préférence connectée, à la source de la tension d'alimentation Vcc, et dont la grille est reliée, de préférence connectée, à la grille du transistor MOS TM2 ; - un transistor MOS TM6, par exemple à canal P, dont la source est reliée, de préférence connectée, au drain du transistor TM5, dont la grille est reliée, de préférence connectée, au collecteur C_TB3 du transistor bipolaire TB3, et dont le drain est relié, de préférence connecté, à la source du potentiel de référence bas GND ; et - un transistor MOS TM7, par exemple à canal P, dont la source est reliée, de préférence connectée, au drain du transistor MOS TM5, dont la grille est reliée, de préférence connectée, à la base du transistor bipolaire TB4, et dont le drain est relié, de préférence connecté, à la base du transistor bipolaire TB4.
Le deuxième étage d'amplification 50 comprend : - un transistor MOS TM8, par exemple à canal P, dont la source est reliée, de préférence connectée, à la source de la tension d'alimentation Vcc, et dont la grille est reliée, de préférence connectée, à la grille du transistor TM2 ; - un transistor MOS TM9, par exemple à canal N, dont la source est reliée, de préférence connectée, à la source du potentiel de référence bas GND, dont le drain est relié, de préférence connecté, au drain du transistor MOS TM8, et dont la grille est reliée, de préférence connectée, au collecteur C_TB4 du transistor TB4 ; - un transistor bipolaire TB5, par exemple de type NPN, dont la base est reliée, de préférence connectée, au drain du transistor MOS TM9 ; - un transistor MOS TM10, par exemple à canal N, dont le drain est relié, de préférence connecté, à la source de la tension d'alimentation Vcc, dont la source est reliée, de préférence connectée, au collecteur du transistor bipolaire TB5, et dont la grille reçoit une tension ncasc ; et - une résistance R4 dont une borne est reliée, de préférence connectée, à l'émetteur du transistor bipolaire TB5, et dont l'autre borne est reliée, de préférence connectée, à l'émetteur du transistor TB4, une résistance R5 dont une borne est reliée, de préférence connectée, à l'émetteur du transistor bipolaire TB4, et dont l'autre borne est reliée, de préférence connectée, à la source du potentiel de référence bas GND, et une résistance R6 dont une borne est reliée, de préférence connectée, à la base du transistor bipolaire TB5 et dont l'autre borne est reliée, de préférence connectée, à la source du potentiel de référence bas GND.
Dans la suite de la description, on appelle Vc_TB3 la tension au collecteur C_TB3 du transistor bipolaire TB3 et Vc_TB4 la tension au collecteur C_TB4 du transistor bipolaire TB4. La référence de tension Vbg fournie par le circuit 20 correspond à la tension aux bornes de la résistance R6. A titre de variante, le transistor MOS TM10, qui permet d'éviter que la tension au collecteur du transistor bipolaire TB5 ne s'élève trop, peut ne pas être présent, le collecteur du transistor bipolaire TB5 pouvant être alors connecté à la source de la tension d'alimentation Vcc.
La est un schéma par blocs d'un mode de réalisation d'un procédé de conception d'un circuit de test de démarrage pour un circuit de référence de tension.
Selon un mode de réalisation, le procédé comprend une étape 60 d'analyse du circuit de référence de tension et une étape de détermination 62 d'un circuit de test de démarrage adapté au circuit de référence de tension.
A l'étape 60, une analyse du circuit de référence de tension est réalisée pour déterminer les empilements de transistors MOS et/ou bipolaires du circuit de référence de tension les plus critiques lors du démarrage du circuit de référence de tension. Un empilement de transistor comprend au moins deux transistors en série entre la source de la tension d'alimentation Vcc et la source du potentiel de référence bas GND. Un empilement critique est un empilement de transistors du circuit de référence de tension comprenant au moins deux transistors en série entre la source de la tension d'alimentation Vcc et la source du potentiel de référence bas GND et pour lequel la tension à un noeud intermédiaire de l'empilement présente la probabilité la plus élevée de ne pas atteindre une valeur cible si la tension d'alimentation Vcc n'est pas suffisamment élevée.
Selon un mode de réalisation, l'empilement critique correspond à un montage suiveur. Selon un autre mode de réalisation, l'empilement critique correspond à une branche contenant le transistor d'une paire différentielle.
Pour le circuit de référence de tension 20 représenté en , un premier empilement critique correspond à l'empilement formé par les transistors MOS TM5 et TM6 qui forme un montage suiveur. Un deuxième empilement critique correspond à l'empilement formé par les transistors MOS TM8 et TM9 qui forme un montage amplificateur.
A l'étape 62, il est déterminé un circuit de test de démarrage pour le circuit de référence de tension. Le circuit de test de démarrage comprend un circuit de test élémentaire pour chaque empilement critique déterminé à l'étape 60. Chaque circuit de test élémentaire reçoit en entrée les tensions reçues par l'empilement critique testé et fournit un signal binaire à un premier état logique, par exemple l'état logique "1", lorsque la tension au noeud intermédiaire de l'empilement critique testé est suffisamment élevée et à un deuxième état logique, par exemple l'état logique "0", lorsque la tension au noeud intermédiaire de l'empilement critique testé n'est pas suffisamment élevée. Selon la structure du circuit de référence de tension, le circuit de test de démarrage peut comprendre un seul circuit de test élémentaire, deux circuits de test élémentaire, ou plus de deux circuits de test élémentaire. De préférence, le circuit de test de démarrage comprend au moins deux circuits de test élémentaire.
Selon un mode de réalisation, chaque circuit de test élémentaire reproduit au minimum l'empilement de transistors (MOS ou bipolaire) testé. Les transistors de l'empilement reproduit du circuit de test élémentaire reçoivent les mêmes signaux que les transistors de l'empilement testé du circuit de référence de tension. Il peut en outre être prévu en série avec les transistors de l'empilement reproduit du circuit de test élémentaire un composant électronique supplémentaire ou des composants électroniques supplémentaires, par exemple une résistance, une diode, un transistor MOS monté en diode, etc. Le composant électronique supplémentaire ou les composants électroniques supplémentaires sont de préférence situés entre la source du potentiel de référence bas GND et l'empilement reproduit et/ou entre la source de la tension d'alimentation Vcc et l'empilement reproduit pour ajuster les tensions entre les bornes de puissance des transistors de l'empilement reproduit.
Selon un mode de réalisation, dans le cas où l'empilement critique testé comprend deux transistors MOS de type opposé, par exemple un transistors MOS à canal P et un transistor MOS à canal N, le circuit de test élémentaire comprend également un empilement d'un transistor MOS à canal P et d'un transistor MOS à canal N, et le signal de test élémentaire correspond à la tension au noeud intermédiaire entre le transistors MOS à canal P et le transistor MOS à canal N. Selon un mode de réalisation, dans le cas où l'empilement critique testé comprend deux transistors MOS du même type, par exemple deux transistors MOS à canal P ou deux transistors MOS à canal N, le circuit de test élémentaire comprend également un premier empilement de deux transistors MOS de ce type et comprend, en outre, un deuxième empilement d'un transistor MOS à canal P et d'un transistor MOS à canal N. La grille de l'un du transistor MOS à canal P ou du transistor MOS à canal N du deuxième empilement est reliée, de préférence connectée, au noeud intermédiaire entre les deux transistors du même type du premier empilement, et le signal de test élémentaire correspond à la tension au noeud intermédiaire entre le transistors MOS à canal P et le transistor MOS à canal N du deuxième empilement.
La représente un circuit de référence de tension équipé 70 comprenant le circuit de référence de tension 20 représenté en et un circuit de test de démarrage 75. Le circuit de test de démarrage 75 comprend deux circuits de test élémentaire 80 et 90. Chaque circuit de test élémentaire 80 et 90 est relié à la source de la tension d'alimentation Vcc et à la source du potentiel de référence bas GND. Le premier circuit de test élémentaire 80 reçoit en entrée la tension Vc_TB3 au collecteur C_TB3 du transistor bipolaire TB3 et la tension pbias à la grille du transistor TM2 et fournit un signal binaire de test élémentaire TEST1. Le deuxième circuit de test élémentaire 90 reçoit en entrée la tension Vc_TB4 au collecteur C_TB4 du transistor bipolaire TB4 et la tension pbias à la grille du transistor TM2 et fournit un signal binaire de test élémentaire TEST2. Selon un mode de réalisation, le circuit de test 75 comprend en outre un porte logique AND de type ET recevant les signaux de test élémentaire TEST1 et TEST2 et fournissant un signal binaire de test de démarrage TEST. Le signal de test de démarrage TEST est à l'état logique "1" lorsque les deux signaux de test élémentaire TEST1 et TEST2 sont chacun à l'état logique "1", et est à l'état logique "0" lorsqu'au moins l'un des signaux de test élémentaire TEST1 et TEST2 est à l'état logique "0".
La est un schéma électrique d'un mode de réalisation du premier circuit de test élémentaire 80.
Le circuit de test élémentaire 80 comprend : - un transistor MOS TM11 par exemple à canal P, dont la source est reliée, de préférence connectée, à la source de la tension d'alimentation Vcc, et dont la grille reçoit la tension pbias ; - un transistor MOS TM12 par exemple à canal P, dont la source est reliée, de préférence connectée, au drain du transistor MOS TM11, et dont la grille reçoit la tension Vc_TB3 au collecteur du transistor bipolaire TB3 ; - une résistance R7 dont une borne est reliée, de préférence connectée, au drain du transistor MOS TM12, et dont l'autre borne est reliée, de préférence connectée, à la source du potentiel de référence bas GND ; - un transistor MOS TM13, par exemple à canal N, dont la source est reliée, de préférence connectée, à la source du potentiel de référence bas GND, dont le drain est relié, de préférence connecté, au drain du transistor MOS TM12, et dont la grille est reliée, de préférence connectée, au drain du transistor MOS TM12 ; - un transistor MOS TM14 par exemple à canal P, dont la source est reliée, de préférence connectée, à la source de la tension d'alimentation Vcc, et dont la grille reçoit la tension pbias ; - un transistor MOS TM15, par exemple à canal N, dont la source est reliée, de préférence connectée, à la source du potentiel de référence bas GND, dont le drain est relié, de préférence connecté, au drain du transistor MOS TM14, et dont la grille est reliée, de préférence connectée, au drain du transistor MOS TM12 ; et - un inverseur INV1 dont l'entrée est reliée, de préférence connectée, au drain du transistor TM15.
Un tel ensemble permet de faciliter la fabrication et de réduire le temps de production de l’ensemble présentant des pièces imbriquées l’une dans l’autre, en réduisant le nombre de composants et en éliminant des étapes d’assemblage. Un tel ensemble présente également une esthétique améliorée par rapport à un objet équivalent qui aurait été produit de manière conventionnelle, c’est-à-dire par des opérations de formage puis d’assemblage. De plus, les risques de non-conformité des pièces sont avantageusement réduits, grâce à la diminution du nombre d’étapes de fabrication. Un tel ensemble présente aussi avantageusement une masse réduite par rapport à un objet équivalent produit de manière conventionnelle.
En outre, la première pièce et la deuxième pièce sont avantageusement réalisées simultanément. On entend par réalisées simultanément que la première pièce et la deuxième pièce ne sont pas réalisées séparément puis assemblées ensemble, mais que la deuxième pièce est directement logée, au moins en partie, dans la première pièce lors de la réalisation de l’ensemble. Alors, l’ensemble peut être indémontable, par exemple pour des applications imposant l’absence de démontage à des fins de sécurité.
La deuxième pièce peut être logée intégralement dans la première pièce.
Le retrait d’au moins une partie de l’élément de support au travers de l’ouverture consiste en particulier en une opération mécanique.
L’ouverture peut être configurée pour permettre le retrait de l’élément de support en entier.
L’ouverture peut s’étendre sur une partie, une majeure partie ou sur toute la dimension de l’élément de support.
L’ouverture peut déboucher vers l’extérieur de la première pièce, c’est-à-dire à l’opposé d’un volume interne de la première pièce logeant la deuxième pièce.
L’ouverture peut être formée par une rainure rectiligne ou courbe débouchant dans un volume interne de la première pièce, en vis-à-vis de l’élément de support et débouchant vers l’extérieur, à l’opposé dudit volume interne.
La première pièce et la deuxième pièce sont de préférence en liaison mécanique l’une avec l’autre, des portions de liaison, respectivement de la première pièce et de la deuxième pièce, formant ladite liaison mécanique.