INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Les figures 6 et 7 montrent un connecteur selon un deuxième mode de réalisation de l’invention, seul ou monté sur un circuit imprimé. Ces figures reprennent la numérotation des figures 1 à 5 précédentes pour les éléments identiques ou similaires, la numérotation étant toutefois incrémentée de 100. Il est par ailleurs fait référence à la description de ces éléments en relation avec le premier mode de réalisation de l’invention.
Les caractéristiques générales d’un connecteur 101 sont similaires à celles précédemment décrites au premier mode de réalisation. Ainsi, le connecteur 101 selon le deuxième mode de réalisation de l’invention comprend également une broche 101A et une tête 101B de connecteur 101, ladite tête 101B comprenant une portion centrale plane 101B.1 et des branches 101B.2 sur lesquelles sont positionnées des languettes 101B.3. Les première et deuxième extrémités (101A.1, 101A.2) de la broche 101A sont également visibles.
Ce mécanisme de verrouillage/déverrouillage spécifique présente deux configurations, respectivement,
- une configuration d’actionnement correspondant à la course angulaire des leviers entre leur position de verrouillage et leur position de déverrouillage et dans laquelle , la rotation de l’arbre de commande entrainant alors un déplacement du doigt d’actionnement le long de la piste de guidage, et ;
- une configuration de libération dans laquelle les leviers sont en position de déverrouillage et dans laquelle le doigt d’actionnement est mobile entre une première position où il est disposé au niveau de l’ouverture de la piste de guidage et une deuxième position où il est en dehors de la piste de guidage, l’ouvrant étant alors en position d’ouverture.
Dans ce mécanisme de verrouillage/déverrouillage, la transmission mécanique comporte une fourchette disposée en vis-à-vis de la piste de guidage et reliée à l’arbre de commande.
Cette fourchette s’étend selon un plan sensiblement orthogonal à l’arbre de commande et est montée pivotante sur la structure de porte autour d’un axe sensiblement parallèle à l’arbre de commande. La fourchette comporte deux branches d’actionnement et une ouverture à son extrémité.
Dans la configuration de libération, l’ouverture de fourchette est disposée en vis-à-vis de l’ouverture de la piste de guidage.
Dans la configuration d’actionnement, le doigt d’actionnement est inséré à la fois dans la piste de guidage et dans la fourchette de telle sorte que le pivotement de la fourchette entraine un déplacement du doigt d’actionnement le long de la piste de guidage.
A cet effet, le doigt d’actionnement est, d’une part, monté sur un bras d’actionnement qui est solidaire du bras de support et qui est disposé entre la fourchette et la piste de guidage et comporte, d’autre part, un double galet s’étendant transversalement de part et d’autre du bras d’actionnement.
Par ailleurs, la transmission mécanique comporte une came solidaire en rotation de l’arbre de commande et une bielle reliant la came à la fourchette et adaptée à entrainer le pivotement de la fourchette lors de la rotation de la came et de l’arbre de commande.
Il se trouve que des phénomènes naturels, tels que des pluies verglaçantes ou une eau en surfusion rencontrant un obstacle froid (zéro degré Celsius ou moins), se traduisent par l’apparition d’une couche de glace recouvrant le fuselage et la porte. Cette couche de glace, potentiellement présente au moment de l’ouverture des portes, crée une liaison mécanique bloquante entre l’ouvrant et le dormant qui empêche le déverrouillage de la porte.
Les portes dites « semi plug » actuelles utilisent un mouvement vertical vers le haut pour désengager les butées et cette cinématique exige un espace suffisant entre la partie supérieure de la porte et le fuselage.
Si une telle porte est recouverte de glace, il est alors nécessaire de la rompre par traction dans la partie inférieure de la porte, (ce qui ne demande que de faibles efforts), de cisailler la glace présente sur les côtés ce qui, en revanche, demande des efforts importants mais compatibles avec un mécanisme classique de porte et aussi de rompre en compression la glace dans la partie supérieure ce qui demande normalement des efforts très importants mais l’utilisation d’un joint obturant la porte dans sa partie supérieure rend la glace fragile dans cette zone.
Cependant, une cinématique de porte à échappement latéral des butées s’effectue par une combinaison de translations dans des plans longitudinal et transversal et une rotation d’axe vertical. Cette cinématique a l’avantage de permettre une découpe de la peau du fuselage très proche de celle de la peau de la porte sans jeu additionnel et ainsi de réduire la taille de l’ouverture dans le fuselage à dimensions de passage équivalentes.
Mais, avec une telle porte, tout mouvement horizontal de la porte parallèlement au fuselage sera impossible puisque sur l’un ou l’autre de ses bords latéraux, la porte viendra en compression contre la glace et se trouvera bloquée ce qui est problématique tant sur le plan ergonomique que sécuritaire.
En revanche, un déplacement de l’un de ces bords vers l’intérieur de la cabine permettra de rompre la glace sur ce bord puis sur l’autre par effet dynamique car la glace n’oppose qu’une faible résistance à un effort transversal.
Mais il est nécessaire que cet effort exercé sur l’ouvrant et orienté vers l’intérieur soit produit directement par le mécanisme de verrouillage/déverrouillage car l’utilisation d’une rampe disposée sur le fuselage exigerait au préalable un déplacement latéral pour générer ce déplacement intérieur.
À cet effet, l’invention propose d’utiliser uniquement un sous-ensemble d’échantillons significatifs du signal de corrélation pour estimer l’avance temporelle et/ou le décalage de fréquence. Selon un mode de réalisation, il est proposé d’utiliser un sous-ensemble d’échantillons comprenant des groupes d’échantillons adjacents (i.e. consécutifs) autour des pics de corrélation du signal de corrélation. En effet, ces échantillons concentrent la plus grande partie de l’énergie du signal de corrélation (comme détaillé plus loin), et donc la plus grande partie des informations. Pour cette raison, les échantillons du sous-ensemble proposé sont les plus pertinents pour estimer l’avance temporelle et/ou le décalage de fréquence
Par conséquent, la solution proposée, en utilisant uniquement les échantillons les plus significatifs du signal de corrélation, permet d’estimer avec précision l’avance temporelle et/ou le décalage de fréquence tout en fournissant une mise en œuvre de faible complexité.
Il convient de souligner que, par rapport aux solutions de l’art antérieur, la solution proposée améliore de manière significative la précision de l’estimation de l’avance temporelle TA et/ou du décalage de fréquence porteuse CFO. En particulier, comme discuté précédemment, la précision des solutions existantes pour l’estimation de l’avance temporelle est limitée à un multiple de la période d’échantillonnage. En revanche, la précision de la solution proposée n’est pas limitée à un multiple de la période d’échantillonnage et permet une estimation plus fine de l’avance temporelle (i.e. elle permet l’estimation d’une avance temporelle fractionnaire).
Il est à noter que l’invention est particulièrement pertinente dans le contexte de la synchronisation en liaison montante entre un terminal et une station de base au sein d’un réseau de communication mobile.
Selon un mode de réalisation, le procédé comprend une obtention du signal de corrélation à partir du signal reçu et du signal de référence. À cette fin, le procédé comprend par exemple : une multiplication du signal reçu et d’un conjugué d’une transformée de Fourier du signal de référence pour obtenir un signal intermédiaire ; et une application d’une transformée de Fourier inverse au signal intermédiaire pour obtenir le signal de corrélation.
Selon un mode de réalisation, le signal de référence est une séquence de Zadoff-Chu. Précisément, le signal de référence peut être une séquence de Zadoff-Chu dont la longueur est un nombre premier.
Les séquences de Zadoff-Chu présentent une propriété d’autocorrélation nulle et d’amplitude constante, qui est avantageuse en termes d’orthogonalité entre les utilisateurs (i.e. entre les différents préambules) et d’exigences de puissance. Plus précisément, l’autocorrélation entre une séquence de Zadoff-Chu et une version d’elle-même avec un décalage cyclique est nulle, ce qui permet à différents utilisateurs de transmettre des préambules respectivement orthogonaux sur les mêmes ressources temps-fréquence. Par ailleurs, l’amplitude constante de la séquence de Zadoff-Chu permet une amplification efficace du préambule au niveau de l’émetteur.
Selon un mode de réalisation, ledit au moins un paramètre comprend l’avance temporelle et le décalage de fréquence, et l’avance temporelle et le décalage de fréquence sont obtenus conjointement lors de ladite estimation.
Ce mode de réalisation permet de prendre en compte l’influence mutuelle entre l’avance temporelle et le décalage de fréquence porteuse lors de l’estimation de ces paramètres. De la sorte, ce mode de réalisation permet de fournir une estimation précise de ces paramètres.
En effet, comme indiqué ci-dessus, les solutions existantes estiment soit l’avance temporelle soit le décalage de fréquence, de manière indépendante. Cependant, au niveau du récepteur, ces deux paramètres sont intrinsèquement liés dans le signal de corrélation utilisé pour l’estimation. En d’autres termes, le décalage de fréquence porteuse a un impact sur l’estimation de l’avance temporelle et vice versa. En revanche, l’estimation conjointe de l’avance temporelle et du décalage de fréquence, telle que proposée ici, permet de prendre en compte l’influence mutuelle de ces paramètres et d’améliorer la précision de l’estimation.
Selon un mode de réalisation, ledit au moins un paramètre est estimé à partir de phases et d’amplitudes des échantillons dudit sous-ensemble.
Selon ce mode de réalisation, les valeurs complexes (i.e. à la fois les amplitudes et les phases) des échantillons du sous-ensemble sont utilisées pour estimer l’avance temporelle et/ou le décalage de fréquence. En revanche, la solution susmentionnée de Tao et al. n’exploite que les amplitudes de certains échantillons pour estimer le décalage de fréquence porteuse, ce qui entraîne une perte d’informations et une estimation inexacte de ce paramètre.
Par rapport aux solutions existantes, l’utilisation à la fois des amplitudes et des phases d’échantillons de corrélation est avantageuse car elle n’entraîne aucune perte d’informations et contribue à fournir des estimations précises de l’avance temporelle et/ou du décalage de fréquence porteuse.
Selon un mode de réalisation, le nombre prédéfini d’échantillons consécutifs respectivement compris dans lesdits groupes est égal à 3, 5, ou 7.
En d’autres termes, selon ce mode de réalisation, chacun desdits groupes comprend respectivement 3, 5, ou 7 échantillons adjacents. Plus particulièrement, les échantillons de chaque groupe sont centrés et uniformément répartis autour d’un des pics de corrélation du signal de corrélation.
Ce mode de réalisation permet d’exploiter les composantes de propagation par trajets multiples pour estimer l’avance temporelle et/ou le décalage de fréquence porteuse. Il en résulte une meilleure précision de l’estimation de ces paramètres pour les canaux à trajets multiples.
De préférence, chaque embouti 14.1 correspond à un profilé longitudinal avec une section transversale en forme de U. Dans cette configuration, l’extrémité avant 14.2 correspond préférentiellement à des pattes transversales formées par des prolongements de la section transversale pliés à 90°.
Préférentiellement, l’embouti 14.1 est obtenu à partir d’un acier du type : « HD380 » et comprend une épaisseur comprise entre 1 mm et 2 mm, plus préférentiellement égale à 1.65 mm.
De préférence, la fixation du dispositif 14 au plancher 4 est assurée par soudure, plus préférentiellement au moyen de cordons de soudure ou de points de soudure.
Le dispositif de fixation 14 comprend, en outre, une platine 16 reliant les deux emboutis 14.1 et disposée entre ces deux derniers et la face extérieure 6.1 de la portion d’assise arrière 6. Préférentiellement, la platine 16 est obtenu à partir d’un acier du type : « E275D » et comprend une épaisseur comprise entre 1 mm et 3 mm, plus préférentiellement égale à 1.95 mm.
De manière avantageuse, le dispositif de fixation 14 apporte de la rigidité au plancher 4 et permet ainsi d’améliorer considérablement les résultats du véhicule automobile de l’invention aux différents protocoles de collision. Par exemple, lors d’un choc frontal, les deux emboutis 14.1 permettent de reprendre les efforts longitudinaux et de les dissiper vers la traverse arrière 10, et lors d’un choc latéral contre un poteau, l’effort dudit choc transite à travers la planche à talon vers la traverse arrière 10 en passant par les deux emboutis 14.1 et la platine 16, respectivement.
De plus, le dispositif de fixation 14 permet d’améliorer la tenue en vibration et en endurance du véhicule automobile 2.
Préférentiellement, chacun des deux emboutis 14.1 comprennent une même longueur longitudinale L comprise entre 400 et 800 mm, plus préférentiellement comprise entre 500 et 700, et encore plus préférentiellement égale à 620 mm.
Avantageusement, les deux emboutis 14.1 présentent au niveau de l’extrémité arrière 14.3, un évidement 14.6 correspondant à une interruption des pattes longitudinales 14.5 entre la partie centrale 14.4 et l’extrémité arrière 14.3.
Dans cette configuration, l’évidement 14.6 est adjacent à la face extérieure 6.1 de la portion d’assise arrière 6 et épousant la traverse arrière 10. De façon avantageuse, l’évidement 14.6 permet aux emboutis 14.1 de s’étendre longitudinalement jusqu’à la traverse arrière 10 au-delà d’un bord avant 10.1 de ladite traverse 10.
La représente une vue en coupe selon l’axe A-A du dispositif de fixation 14 de la .
De préférence, les deux emboutis 14.1 sont parallèles et distants l’un de l’autre d’une distance E comprise préférentiellement entre 200 et 600 mm. Plus préférentiellement entre 250 et 500 mm, et encore plus préférentiellement entre 400 et 500 mm.
La section transversale en forme de U présente une largeur w comprise entre 50 et 70 mm, et étant préférentiellement égale à 65 mm, et comprend une hauteur h comprise entre 60 et 100 mm, plus préférentiellement égale à 80 mm.
Avantageusement, le dispositif de fixation 14 comprend sur chacun des deux emboutis 14.1 une face interne 18 permettant la fixation du bac batterie au plancher d’habitacle du véhicule automobile.
La représente une vue en perspective du véhicule automobile 2 avec trois empattements différents A, B et C.
En référence à la partie droite de la , le véhicule automobile 2 comprend un empattement A correspondant à un empattement maximal du véhicule.
Dans cette configuration, la face interne 18 comporte au moins deux trous de fixation 18.1 et préférentiellement plusieurs trous 18.1 pouvant aller jusqu’à dix trous de fixation 18.1, de manière à permettre une fixation par vissage qui soit modulable du bac batterie 12 sur le plancher 4 du véhicule automobile 2.
A titre d’exemple, dans le cas où la portion de détection 10 est réalisée en germanium, le premier matériau M1 peut être réalisé en polysilicium dopé p+, et le deuxième matériau M2 peut être réalisé en nitrure de titane ou en germanium dopé p+. Le coefficient CTE0 du germanium est égal à 5.9 µm/(m×K), celui du silicium est égal à 2.6 µm/(m×K), et celui du nitrure de titane est égal à 9.0 µm/(m×K).
Le fait que la portion latérale périphérique soit réalisée à partir de ce premier matériau M1 et de ce deuxième matériau M2 engendre des contraintes mécaniques différentes au sein de la région intermédiaire 13.
Plus précisément, la région intermédiaire 13 présente une première partie P1, qui est entourée dans le plan XY par le premier matériau M1. Du fait du différentiel de dilatation thermique entre le premier matériau M1 et celui de la région intermédiaire 13, la première partie P1 présente des contraintes mécaniques en tension, alors que le premier matériau M1 présente des contraintes mécaniques en compression.
Les contraintes mécaniques en tension subies localement dans la partie P1 de la région intermédiaire 13 se traduisent alors par une modification locale des propriétés optiques et/ou électriques de la photodiode 1, dont notamment un élargissement de la gamme spectrale d’absorption d’un rayonnement lumineux : la longueur d’onde de coupure d’absorption peut alors être supérieure à 1550nm, de sorte que la photodiode 1 peut alors opérer dans une plus grande gamme spectrale, voire dans toute la gamme spectrale du SWIR. De plus, la mise en contrainte en tension peut également être suffisante pour rendre sensiblement directe la structure de bandes d’énergie du germanium dans la partie P1de la région intermédiaire 13, alors que la structure de bandes du germanium relaxé est indirecte.
De plus, la région intermédiaire 13 présente une deuxième partie P2, qui est entourée dans le plan XY par le deuxième matériau M2. Cette deuxième partie P2 affleure donc la deuxième face F2 et est située au-dessus suivant l’axe Z de la première partie P1. Du fait du différentiel de dilatation thermique entre le deuxième matériau M2 et celui de la région intermédiaire d’une part, et du fait du différentiel de dilatation thermique entre le deuxième matériau M2 et le premier matériau M1 d’autre part, la deuxième partie P2 est formée : d’une part, d’une zone latérale périphérique Z2p, qui affleure la deuxième face F2 et est au contact du deuxième matériau M2, et qui présente des contraintes mécaniques en compression, et d’autre part, d’une zone centrale Z2c, qui affleure la deuxième face F2, et est entourée dans le plan principal par la zone latérale périphérique Z2p, et qui présente des contraintes mécaniques en tension. Notons également que le deuxième matériau M2 présente des contraintes mécaniques en tension.
Le caisson 12 dopé n+ est situé principalement dans la zone centrale Z2c, c’est-à-dire qu’il peut être entièrement situé dans la zone centrale Z2c ou peut présenter une bordure latérale qui est située dans la zone latérale périphérique Z2p. Par ailleurs, les contraintes mécaniques restent continûment en tension lorsqu’on va de la zone centrale Z2c vers la partie P1 de la région intermédiaire 13, ce qui permet de maintenir de bonnes performances de la photodiode 1.
La zone latérale périphérique Z2p affleure également la deuxième face F2, et vient latéralement au contact du deuxième matériau M2. Elle entoure la zone centrale Z2c dans le plan principal, et donc également le caisson 12 dopé n+. Elle est située au-dessus de la première partie P1. Dans la mesure où la région intermédiaire 13 présente localement, i.e. dans la zone latérale périphérique Z2p, des contraintes mécaniques en compression, la région intermédiaire 13 y présente une ouverture de gap qui réduit la composante surfacique du courant d’obscurité.
Aussi, par cette configuration de la portion latérale périphérique 3 qui induit des zones de différentes contraintes mécaniques au sein de la région intermédiaire 13, et en particulier la partie P1 en tension et la zone Z2p en compression, la photodiode 1 est alors en mesure de détecter un rayonnement lumineux jusqu’à une longueur d’onde de coupure supérieure à 1550nm, et présente également de bonnes performances du fait de la réduction de la composante surfacique du courant d’obscurité au niveau de la face F2.
Les figures 2A à 2L illustrent, de manière schématique et partielle, différentes étapes d’un procédé de fabrication d’une matrice de photodiodes planaires 1 identiques ou similaires à celle illustrée sur la .
Les photodiodes 1 sont réalisées en germanium et comportent une jonction pin. Elles sont adaptées à détecter un rayonnement infrarouge dans la gamme SWIR. Les photodiodes 1 sont planaires et passivées, et sont polarisées en inverse à partir de la deuxième face F2 par une puce de commande 30 hybridée à la matrice de photodiode.
Lors d’une première étape ( ), on réalise une première sous-couche semiconductrice 2.1 de germanium monocristallin. La première sous-couche semiconductrice 2.1 est solidarisée à une couche support 20, de préférence un substrat épais ( wafer en anglais) réalisé en un matériau présentant un coefficient de dilatation thermique CTEw inférieur à celui du matériau M0 de ce qui sera la portion de détection 10. Dans cet exemple, la couche support 20 est un substrat en silicium. La première sous-couche semiconductrice 2.1 est assemblée à la couche support 20 par l’intermédiaire de la couche isolante inférieure 21, ici en un oxyde de silicium. Cet empilement prend la forme d’un substrat GeOI (pour Germanium On Insulator , en anglais). Cet empilement est de préférence réalisé au moyen du procédé décrit dans la publication de Reboud et al. intitulée Structural and optical properties of 200mm germanium-on-insulator (GeOI) substrates for silicon photonics applications , Proc. SPIE 9367, Silicon Photonics X, 936714 (February 27, 2015).
Le procédé de Reboud et al. 2015 présente l’avantage de réaliser une sous-couche semiconductrice de germanium 2.1 présentant une absence totale ou un faible taux de défauts structuraux tels que les dislocations. Le germanium peut être non intentionnellement dopé ou être dopé, par exemple de type p. La sous-couche semiconductrice 2.1 peut présenter une épaisseur comprise entre 100nm et 500nm environ, par exemple égale à 300nm environ, et peut être recouverte d’une couche de protection (non représentée) en un oxyde de silicium. La couche isolante inférieure 21 (BOX, pour Buried Oxide , en anglais) peut présenter une épaisseur comprise entre 50nm et 1µm, par exemple comprise entre 100nm et 500nm, et assure avantageusement une fonction d’antireflet.
On réalise ensuite un dopage de type p de la première sous-couche 2.1 en germanium, par implantation ionique d’un dopant tel que le bore ou le gallium, lorsque la première sous-couche 2.1 était initialement en germanium intrinsèque. La couche de protection, le cas échéant, a été préalablement retirée par un nettoyage de surface, et la première sous-couche 2.1 de germanium peut être revêtue d’une couche d’oxyde de préimplantation (non représentée) d’une épaisseur de quelques dizaines de nanomètres, par exemple égale à 20nm. La sous-couche 2.1 de germanium présente alors un niveau de dopage compris entre 10 18 et 10 20 at/cm 3 environ. Un recuit de diffusion du dopant peut ensuite être effectué sous azote, pendant quelques minutes à quelques heures, par exemple 1h, à une température pouvant être comprise entre 600°C et 800°C, par exemple égale à 800°C. Ce recuit peut ne pas être effectué lorsque la sous-couche 2.1 était dopée à la croissance. Une autre manière de fabriquer cette couche p+ est par épitaxie d’une couche de germanium dopé en bore in situ entre 10 18 et 10 20 at/cm 3 environ sur une sous-couche de germanium intrinsèque. Cette épitaxie peut se faire entre 400 et 800°C mais préférentiellement à 400°C.