INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Les types d'agents réducteurs qui peuvent être inclus dans les compositions de base de coloration des poils peuvent varier. Les exemples non limitatifs d'agents réducteurs incluent le bisulfite d'ammonium, le sulfite d'ammonium, le métabisulfite de potassium, le sulfite de potassium, l'hydrosulfite de sodium, le métabisulfite de sodium, le sulfite de sodium, le bisulfite de sodium, l'acide thioglycolique, l'acide thiolactique, l'acide déshydroascorbique, les sels de ceux-ci, et les mélanges de ceux-ci. Les sels auxquels il est fait référence tout au long de la divulgation peuvent inclure les sels comportant un contre-ion tel qu'un métal alcalin, un métal alcalino-terreux ou un contre-ion d'ammonium. Cette liste de contre-ions, toutefois, est non limitative. Dans divers modes de réalisation, les agents réducteurs préférés incluent l'acide thiolactique, l'acide glycolique, des sels de ceux-ci ( par exemple , thiolactate d'ammonium), et les combinaisons de ceux-ci.
Dans divers modes de réalisation, les un ou plusieurs agents réducteurs peuvent provenir de thiols tels que l'acide thioglycolique ou un sel de celui-ci, l'acide thiolactique ou un sel de celui-ci, l'acide 3-mercaptopropionique, l'acide thiomalique, l'acide 2,3-dimercaptosuccinique, la cystéine, la N-glycyl-L-cystéine, la L-cystéinylglycine et également les esters et les sels de ceux-ci, le thioglycérol, la cystéamine et les dérivés acyle en C 1 -C 4 de ceux-ci, la N-mésylcystéamine, la N-acétylcystéine, les N-mercaptoalkylamides de sucres tels que le N-(mercapto-2-éthyl) gluconamide, la pantéthéine, les N-(mercaptoalkyl)-Ω-hydroxyalkylamides, les N-mono- ou N,N-dialkylmercapto-4-butyramides, les aminomercaptoalkyl amides, les acides N-(mercaptoalkyl)succinamiques et les N-(mercaptoalkyl)succinimides, les alkylamino mercaptoalkyl amides, les mercaptoalkylamino amides, les N-mercaptoalkylalcanediamides, le bisulfite d'ammonium, le sulfite d'ammonium, le métabisulfite de potassium, le sulfite de potassium, l'hydrosulfite de sodium, le métabisulfite de sodium, le sulfite de sodium, le bisulfite de sodium, et un mélange de ceux-ci. Dans d'autres modes de réalisation, la composition de base de coloration des poils inclut un ou plusieurs agents réducteurs choisis parmi l'acide thioglycolique, l'acide thiolactique, l'acide 3-mercaptopropionique, les sels de ceux-ci, et une combinaison de ceux-ci.
L'agent réducteur peut également être choisi parmi les hydrures tels que le borohydrure de sodium ou de potassium ou des sulfites ou bisulfites de métal alcalin ou de métal alcalino-terreux ; ou en variante parmi les dérivés de phosphore tels que les phosphines ou les phosphites. Dans divers modes de réalisation, les un ou plusieurs agents réducteurs sont choisis parmi le bisulfite d'ammonium, le sulfite d'ammonium, le métabisulfite de potassium, le sulfite de potassium, l'hydrosulfite de sodium, le métabisulfite de sodium, le sulfite de sodium, le bisulfite de sodium, l'acide thioglycolique, l'acide thiolactique, l'acide déshydroascorbique, un sel de ceux-ci, et un mélange de ceux-ci.
La quantité totale des un ou plusieurs agents réducteurs dans la composition de base de coloration des poils peut varier mais est typiquement d'environ 0,01 à environ 10 % en poids, sur la base du poids total de la composition. La quantité totale des un ou plusieurs agents réducteurs peut être d'environ 0,01 à environ 8 % en poids, d'environ 0,01 à environ 5 % en poids, d'environ 0,1 à environ 10 % en poids, d'environ 0,1 à environ 8 % en poids, d'environ 0,1 à environ 5 % en poids, d'environ 0,1 à environ 3 % en poids, ou d'environ 0,1 à environ 2 % en poids, sur la base du poids total de la composition de base de coloration des poils.
Le terme « alcool gras » désigne un alcool comprenant au moins un groupe hydroxyle (OH), et comprenant au moins 8 atomes de carbone, et qui n'est ni oxyalkyléné (en particulier ni oxyéthyléné ni oxypropyléné) ni glycérolé. Les alcools gras peuvent être représentés par : R-OH, dans laquelle R désigne un groupe saturé (alkyle) ou insaturé (alcényle), linéaire ou ramifié, comprenant de 8 à 40 atomes de carbone, de préférence 10 à 30 atomes de carbone, de manière davantage préférée 12 à 24 atomes de carbone, et de manière encore davantage préférée 14 à 22 atomes de carbone.
L'alcool (les alcools) gras peu(ven)t être liquide(s) ou solide(s). Les exemples non limitatifs d'alcools gras solides incluent ceux qui sont solides à température ambiante et à pression atmosphérique (25 °C, 780 mmHg), et sont insolubles dans l'eau, à savoir ils ont une solubilité dans l'eau inférieure à 1 % en poids, de préférence inférieure à 0,5 % en poids, à 25 °C, 1 atm. Les alcools gras solides peuvent être représentés par : R-OH, dans laquelle R désigne un groupe alkyle linéaire, facultativement substitué par un ou plusieurs groupes hydroxyles, comprenant de 8 à 40 atomes de carbone, de préférence 10 à 30 atomes de carbone, de manière davantage préférée 12 à 24 atomes de carbone, et de manière encore davantage préférée 14 à 22 atomes de carbone.
Dans certains modes de réalisation, les un ou plusieurs alcools gras comportent de 12 à 24 atomes de carbone. Des exemples non limitatifs spécifiques incluent l'alcool cétylique, l'alcool stéarylique, l'alcool cétéarylique, l'alcool béhénylique, l'alcool laurylique, l'alcool myristique ou myristylique, l'alcool arachidylique, l'alcool lignocérylique, ou les mélanges de ceux-ci. De préférence, la composition cosmétique inclut un ou plusieurs alcools gras choisis parmi l'alcool cétylique, l'alcool stéarylique, l'alcool béhénylique, l'alcool oléylique, et les mélanges de ceux-ci tels que l'alcool cétylstéarylique ou cétéarylique.
Les pieds 141 peuvent en outre présenter des embouts 142 destinés à reposer sur le sol, qui peuvent jouer un rôle de protection et/ou un rôle antidérapant.
Le moyen 110 de réception et de distribution comprend un module de réception 120 d’au moins une balle projetée en direction du dispositif 100, et un module de distribution 130 de l’au moins une balle.
Le module de réception 120 est préférentiellement conçu de façon à pouvoir recevoir une balle projetée en « cloche » en direction du dispositif 100, c’est-à-dire suivant une trajectoire parabolique.
Dans un tel cas, le module de réception 120 peut être un entonnoir orienté vers le haut dans une position d’utilisation du dispositif 100.
En d’autres termes, le module de réception 120 possède alors une forme sensiblement tronconique renversée, plus ou moins évasée.
Une forme plus évasée, c’est-à-dire que l’entonnoir est davantage ouvert, augmente les chances qu’une balle projetée en direction du dispositif 100 soit effectivement réceptionné par le module de réception 120.
Selon d’autres variantes, non illustrées, le module de réception 120 est une simple ouverture au sommet du moyen 110, un tube disposé au sommet du moyen 110 de réception et de distribution, ou encore une fenêtre ménagée dans le moyen 110 de réception et de distribution.
L’entonnoir possède une ouverture de sortie dirigée vers le bas dans une position d’utilisation du dispositif 100, adaptée pour permettre le passage d’une balle entrant dans l’entonnoir.
L’ouverture de sortie communique avec le module de distribution 130, de manière à permettre le passage d’une balle depuis le module de réception 120 vers le module de distribution 130.
Le module de distribution 130 est agencé généralement sous le module de réception 120 dans une position d’utilisation du dispositif 100, de manière à ce qu’une balle se déplace sous l’effet de la gravité du module de réception vers le module de distribution 130, puis soit distribuée vers l’extérieur du dispositif 100. On comprend donc que le moyen 110 de réception et de distribution distribue les balles de manière entièrement passive sous le seul effet de la gravité, c’est-à-dire sans qu’un actionneur ne soit nécessaire pour propulser les balles.
Le module de distribution 130 comprend une ouverture d’entrée communiquant avec l’ouverture de sortie du module de réception 120.
Le module de distribution 130 est apte à distribuer une balle selon une direction de distribution déterminée sensiblement aléatoirement parmi au moins deux directions de distribution distinctes.
En d’autres termes, une balle entrant dans le module de distribution depuis le module de réception 120 est distribuée par le module de distribution 130 selon une direction qui n’est pas prévisible.
Pour obtenir une telle distribution, le module de distribution 130 comprend au moins deux couloirs 131 de distribution de balle.
En particulier, le module de distribution 130 comprend entre deux et huit couloirs 131, et comprend préférentiellement cinq couloirs 131.
Les couloirs 131 de distribution s’étendent en éloignement du moyen 110 de réception et de distribution, c’est-à-dire en direction des joueurs, chacun selon une direction de distribution distincte.
Il existe un système de recharge pour véhicule électrique qui est pourvu d’un indicateur lumineux. Cet indicateur lumineux admet, lors de la recharge du véhicule électrique, d’une part une couleur verte affichée de manière continue lorsqu’une recharge est achevée, et d’autre part une couleur rouge affichée de manière continue lorsqu’une erreur de charge survient.
Il est difficile, voire impossible, pour les utilisateurs atteints de troubles de la perception des couleurs, tels que les utilisateurs atteints de daltonisme, de distinguer différents états qu’admet l’indicateur lumineux. En effet, certains de ces utilisateurs perçoivent en gris à la fois la couleur verte et la couleur rouge.
Un objectif de l’invention est ainsi de proposer un véhicule électrique rechargeable pourvu d’un système de recharge qui soit capable de remédier aux inconvénients de l’art antérieur et de permettre à un utilisateur atteint de difficultés à distinguer les couleurs de différencier rapidement entre un état de charge achevée et un état d’erreur de charge du système de recharge du véhicule.
Pour atteindre cet objectif, l’invention propose un véhicule électrique rechargeable comportant un système de recharge, le système de recharge comportant un connecteur électrique et un indicateur lumineux, l’indicateur lumineux étant configuré pour adopter :
- un premier mode d’allumage dans un état de charge achevée du système de recharge, le premier mode d’allumage étant un mode d’allumage continu, dans lequel l’indicateur lumineux est configuré pour être illuminé de couleur verte ; et
- un deuxième mode d’allumage dans un état d’erreur de charge du système de recharge, l’indicateur lumineux étant configuré pour être illuminé de couleur rouge dans le deuxième mode d’allumage.
Selon l’invention, le deuxième mode d’allumage de l’indicateur lumineux est un mode d’allumage clignotant.
Avantageusement, l’invention permet à un utilisateur atteint de difficultés à distinguer les couleurs de différencier facilement et instantanément l’état de charge achevée et l’état d’erreur de charge.
Dans le véhicule électrique selon l’invention, dans le deuxième mode d’allumage, l’indicateur lumineux peut avantageusement clignoter à une fréquence comprise entre 0,5 et 10 Hz.
Avec cette plage de fréquence, on s’assure par exemple d’une part d’une distinction rapide du mode d’allumage par l’utilisateur.
Dans le véhicule électrique selon l’invention, dans le deuxième mode d’allumage, l’indicateur lumineux peut encore clignoter à une fréquence comprise entre 0,8 et 5 Hz.
Dans le véhicule électrique selon l’invention, dans le deuxième mode d’allumage, la durée d’impulsions lumineuses de l’indicateur lumineux peut être comprise entre 0,05 et 1 seconde, de préférence entre 0,1 et 0,5 seconde.
Les impulsions lumineuses sont ainsi visibles à un rythme suffisamment rapide pour permettre une perception immédiate par l’utilisateur que le système de recharge du véhicule se trouve dans le deuxième mode d’allumage.
L’invention porte encore sur un système de recharge pour véhicule électrique tel que décrit ci-dessus.
L’invention sera davantage détaillée par la description de modes de réalisation non limitatifs, et sur la base des figures annexées illustrant des variantes de l’invention, dans lesquelles : - illustre schématiquement un système de recharge d’un véhicule électrique comportant un connecteur de recharge et un indicateur lumineux configuré pour communiquer l’état du système de recharge ; - et sont deux chronogrammes illustrant l’évolution du mode d’allumage de l’indicateur lumineux du système de recharge de la dans deux états de fonctionnement du système de recharge.
Dans le présent document, l’expression « véhicule électrique » peut désigner aussi bien les véhicules électriques que les véhicules hybrides électriques, c’est-à-dire comportant une première source d’énergie, sous forme électrique, et une deuxième source d’énergie, distincte de la première source d’énergie (par exemple et non limitativement, un hydrocarbure de type essence, diesel, bioéthanol).
D’une manière générale, l’invention propose la formation d’une couche piézoélectrique monocristalline au moyen d’un transfert d’une couche germe réalisée par épitaxie d’un premier matériau piézoélectrique sur un substrat donneur, ledit transfert étant effectué du substrat donneur vers un substrat receveur. Ensuite, une couche d’un deuxième matériau piézoélectrique est formée sur la couche germe de sorte à obtenir l’épaisseur souhaitée pour la couche monocristalline du deuxième matériau piézoélectrique.
Le substrat donneur peut être un substrat massif monocristallin du premier matériau piézoélectrique ou d’un autre matériau. De manière alternative, le substrat donneur peut être un substrat composite, c’est-à-dire formé d’un empilement d’au moins deux couches de matériaux différents, dont une couche superficielle est constituée du premier matériau piézoélectrique monocristallin ou d’un autre matériau monocristallin. Ledit matériau monocristallin est adapté à la croissance par épitaxie de la couche germe ; en particulier, il présente un paramètre de maille suffisamment proche du paramètre de maille de la couche germe afin de ne pas générer de défauts cristallins lors de la croissance de la couche germe.
De manière particulièrement avantageuse, la couche germe est pseudomorphique, c’est-à-dire que le paramètre de maille réel du matériau de la couche germe est forcé, par exemple par des forces atomiques, à correspondre sensiblement au paramètre de maille du substrat donneur sur lequel elle est formée. A cet effet, l’épaisseur de la couche germe ne doit pas dépasser une épaisseur critique au-delà de laquelle il y aurait une relaxation de contraintes et une génération de défauts dans la couche germe. Cette épaisseur critique dépend du matériau de la couche germe. Par exemple, l’épaisseur critique est typiquement inférieure à 5 nm pour une couche germe de germanium formée sur un substrat de silicium. Généralement, l’épaisseur critique est comprise entre 2 nm et 20 nm selon les matériaux choisis pour la couche germe et pour le substrat.
Dans certains modes de réalisation, une couche intermédiaire (dite « couche intermédiaire d’épitaxie ») d’un matériau adapté à la croissance de la couche germe sur le substrat donneur peut être formée sur le substrat donneur avant la formation de la couche germe. L’utilité d’une telle couche intermédiaire dépend notamment de la stabilité chimique entre la couche germe et le substrat donneur. Ainsi, si la croissance de la couche germe directement sur le substrat donneur n’est pas entravée par des interactions ou des réactions chimiques entre le matériau de la couche germe et celui du substrat donneur, il n’est pas nécessaire d’utiliser une couche intermédiaire. En revanche, si des interactions ou des réactions chimiques entre le matériau de la couche germe et celui du substrat donneur sont susceptibles d’empêcher la croissance de la couche germe, il est souhaitable d’utiliser une couche intermédiaire en un matériau stable vis-à-vis du matériau du substrat donneur et du matériau de la couche germe. Par exemple, une couche de germanium monocristalline peut être formée sur un substrat donneur en silicium pour favoriser la croissance de la couche germe du premier matériau piézoélectrique. Dans d’autres modes de réalisation, la couche intermédiaire peut être réalisée en titanate de strontium (SrTiO 3 ) monocristallin, oxyde d’aluminium monocristallin (Al2O3), aluminate de lanthane monocristallin (LaAlO3), ou un métal monocristallin comme par exemple de l’aluminium.
Le substrat receveur a une fonction de support mécanique de la couche germe. Il peut être de toute nature adaptée à la mise en œuvre d’une épitaxie (notamment en termes de tenue en température) et, de manière avantageuse mais non impérative, adaptée à l’application visée. Il peut être massif ou composite. De manière avantageuse, le substrat receveur peut comprendre au moins un dispositif électronique ou une interconnexion.
Au moins une couche intermédiaire (dite « couche intermédiaire de relaxation ») est intercalée entre le substrat receveur et la couche germe. Par exemple, une telle couche intermédiaire peut être électriquement conductrice ou électriquement isolante. L’homme du métier est à même de choisir le matériau et l’épaisseur de cette couche en fonction des propriétés qu’il souhaite conférer au dispositif radiofréquence destiné à comprendre la couche piézoélectrique. Cette couche intermédiaire permet la relaxation libre de la couche germe. La couche germe transférée pseudomorphique peut ainsi librement reprendre son paramètre de maille pendant le transfert, ou entre le transfert et la formation de la deuxième couche du deuxième matériau piézoélectrique, ou encore pendant la formation de la deuxième couche du deuxième matériau piézoélectrique.
Le matériau de la couche intermédiaire peut avantageusement être choisi parmi l’oxyde de silicium (SiO 2 ), un nitrure ou un métal.
Ladite couche intermédiaire peut être formée sur le substrat donneur (sur la couche germe) ou sur le substrat receveur.
S’agissant d’une couche intermédiaire en oxyde de silicium, elle peut être déposée ou obtenue par oxydation thermique. La technique de formation de ladite couche est choisie notamment en fonction du substrat sur lequel elle doit être formée et d’éventuelles limites (par exemple, thermiques) à respecter. Par exemple, si la couche intermédiaire est formée sur le substrat receveur et que celui-ci contient des composants électroniques, on choisira une technique présentant un budget thermique ne risquant pas d’endommager lesdits composants.
De manière avantageuse, le substrat receveur peut être en matériau semi-conducteur. Il peut s’agir par exemple d’un substrat de silicium.
Dans certains modes de réalisation, notamment lorsque le substrat receveur constitue le support final de la couche piézoélectrique, le substrat receveur comprend une couche de type « trap-rich » (que l’on peut traduire en français par une couche de piégeage de charges), qui peut être soit formée sur le substrat receveur, soit formée dans une région superficielle du substrat receveur. Ladite couche de type « trap-rich » est ainsi située entre la couche germe et le substrat receveur et permet d’améliorer les performances d’isolation électrique du substrat receveur. Ladite couche de type « trap-rich » peut être formée par au moins un matériau semi-conducteur de type polycristallin, amorphe ou poreux, en particulier du silicium polycristallin, du silicium amorphe ou du silicium poreux, sans se limiter à ces matériaux. De plus, en fonction de la tenue en température de la couche de type « trap-rich » pour la réalisation de l’épitaxie, il peut s’avérer avantageux d’introduire une couche supplémentaire entre le substrat receveur et ladite couche de type « trap-rich », afin d’éviter la recristallisation de cette dernière lors d’un traitement thermique.
La couche germe présente une épaisseur négligeable par rapport à l’épaisseur de la couche piézoélectrique monocristalline finale. Par conséquent, on considère qu’elle n’influe pas significativement sur le fonctionnement du dispositif radiofréquence incorporant la couche piézoélectrique monocristalline.
La couche germe présente typiquement une épaisseur comprise entre 1 nm et 20 nm.
L’épaisseur de la couche du deuxième matériau piézoélectrique formée sur la couche germe dépend des spécifications du dispositif destiné à incorporer la couche piézoélectrique monocristalline. A cet égard, l’épaisseur de la couche formée sur la couche germe n’est pas limitée ni en termes de valeur minimale ni de valeur maximale. L’épaisseur de la couche piézoélectrique finale est typiquement comprise entre 20 nm et 15 µm.
Le premier matériau piézoélectrique est choisi avantageusement parmi un composé de formule ABO 3 , où A est choisi parmi le baryum et le lithium et B est choisi parmi le titane et le niobium. Toutefois, l’intérêt que l’on peut porter à ces matériaux ne se limite pas à leur caractère piézoélectrique. Notamment pour d’autres applications, par exemple liées à l’optique intégrée, on pourra aussi s’y intéresser le cas échéant pour leur permittivité diélectrique, pour leurs indices de réfraction, ou encore pour leurs propriétés pyroélectriques, ferroélectriques ou encore ferromagnétiques par exemple et selon les cas.
La première épitaxie peut être réalisée par toute technique adaptée pour obtenir une haute qualité cristalline, notamment par dépôt de couche atomique (ALD, acronyme du terme anglo-saxon « Atomic Layer Deposition ») ou par épitaxie par jets moléculaires (MBE, acronyme du terme anglo-saxon « Molecular Beam Epitaxy »), etc. Ces techniques se caractérisent par une vitesse de croissance très faible. Cependant, la couche germe présentant une épaisseur faible, l’utilisation de l’une de ces techniques pour faire croître la couche germe a un faible impact économique sur le procédé mais permet d’obtenir une qualité cristalline de la couche germe, qui favorisera la qualité cristalline de la couche monocristalline du deuxième matériau piézoélectrique.
Bien entendu, la description qui précède n’est pas limitative, la structure 2 pouvant comprendre un nombre d’étages supérieur ou inférieur à quatre et/ou des lignes de pliage et/ou de découpe autrement organisées.
Par exemple, dans un mode de réalisation non représenté, la structure 2 comprend un ou plusieurs éléments de support formés à l’aide d’un panneau qui se distingue du panneau 90 de la en ce que les parties latérales 94 et 95 sont dépourvues de la ligne de pliage LP97. Une telle variante peut permettre d’augmenter encore davantage la fonction de renfort structurel assurée par ces parties latérales 94 et 95 lorsque la structure 2 est en configuration d’utilisation. Dans le cadre d’une telle variante, le changement de configuration de la structure 2 est de préférence réalisé en plaçant le ou les éléments de support ainsi formés dans une position dans laquelle les languettes 103 sont désolidarisées des parois latérales 5 et 6.
Dans une variante de réalisation, non représenté, la structure peut être prévue pour être pliée en quatre, définissant ainsi trois lignes de pliage horizontales, et peut comprendre trois éléments de support analogues aux éléments de support 17 et 19 de sorte à pouvoir renforcer la structure au niveau de chacune de ces lignes de pliage horizontales.
Dispositif de déchaussement d’article chaussant tubulaire La présente invention se rapporte à un dispositif de déchaussement d’article chaussant tubulaire pour pouvoir les déchausser plus aisément.
Un domaine d'application envisagé est notamment, mais non exclusivement, celui de la contention veineuse, où il est nécessaire d'enfiler les deux jambes dans des orthèses tubulaires serrées.
Ces orthèses tubulaires, communément appelées : « bas de contention », permettent d'exercer une pression contrôlée sur les membres inférieurs et ainsi, de favoriser le retour veineux.
Or, pour être efficace, ces orthèses tubulaires sont réalisées dans des tissus contenant des fibres élastiques présentant un fort coefficient de raideur. Partant, elles sont malaisées à enfiler, notamment par les personnes âgées, lesquelles en ont le plus besoin. En effet, de forts coefficients de frottement naissent entre la jambe et l'orthèse lorsqu’elles sont enfilées.