INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Selon une caractéristique de l’invention, la première ouverture et la deuxième ouverture sont réalisées au moyen d’une source laser, la source laser étant pilotée pour fonctionner selon un même paramètre pour réaliser la première ouverture et la deuxième ouverture, ce paramètre étant défini en fonction du moyen de raccordement. Le choix des paramètres de la source laser peut, alternativement, être réalisé en fonction des caractéristiques, et notamment de la dureté, du matériau formant le moyen de raccordement. Ainsi, le perçage de l’élément de distribution et du moyen de raccordement est réalisé de sorte que le diamètre de l’orifice ménagé dans le moyen de raccordement soit conforme à l’invention, c’est-à-dire compris entre 0,1 mm et 0,6 mm. Il est à noter que le perçage de l’élément de distribution et du moyen de raccordement peuvent être réalisées indépendamment l’un de l’autre. Dans ce cas, l’élément de distribution et le moyen de raccordement sont ajustés, lors de l’assemblage, de sorte que les orifices ménagés respectivement sur le moyen de raccordement et l’élément de distribution soient sensiblement coaxiaux.
illustre un système d’essuyage, comprenant notamment un balai d’essuyage s’étendant principalement selon une direction longitudinale, et comprenant au moins un dispositif de raccordement hydraulique selon l’invention ;
illustre le balai d’essuyage dans une vue de coupe selon un plan de coupe vertical et transversal, rendant notamment visible un premier cas d’application du dispositif de raccordement hydraulique selon l’invention, au niveau de la coopération d’une première extrémité d’un élément de distribution avec un connecteur ;
est une vue similaire à celle de la , avec l’élément de distribution qui a été retiré pour rendre visible une canule avec laquelle la première extrémité de l’élément de distribution coopère sur la ;
Un deuxième aspect de l’invention concerne un récepteur comprenant : une mémoire stockant un premier réseau de neurones convolutionnel auto-encodeur apte à obtenir des données rehaussées à partir de données compressées ; une première interface apte à recevoir des données compressées sur un canal de communication ; - au moins un processeur configuré pour décompresser les données en des données décompressées, et pour appliquer le premier réseau de neurones convolutionnel auto-encodeur aux données compressées pour obtenir des données rehaussées ; une deuxième interface apte à transmettre les données rehaussées.
Un troisième aspect de l’invention concerne un système comprenant un récepteur selon le deuxième aspect de l’invention, un encodeur apte à recevoir des données d’entrée, à compresser les données d’entrées en des données compressées et à transmettre les données compressées au récepteur via un canal de communication.
Selon des modes de réalisation, l’encodeur peut être intégré dans un module de contrôle central d’un véhicule automobile, le récepteur peut être intégré dans un dispositif d’éclairage du véhicule automobile, le canal de communication peut être un bus CAN et les données d’entrée peuvent être représentatives d’une photométrie d’éclairage.
illustre un système de transmission de données selon des modes de réalisation de l’invention;
illustre la structure d’un premier réseau de neurones convolutionnel auto-encodeur selon des modes de réalisation de l’invention ;
est un diagramme illustrant les étapes d’un procédé de traitement de données selon des modes de réalisation de l’invention ;
illustre un système de compression de données par un deuxième réseau de neurones convolutionnel auto-encodeur selon un mode de réalisation de l’invention ;
illustre une structure d’un récepteur selon des modes de réalisation de l’invention.
La illustre un système 100 de transmission de données, notamment de données d’images.
Le système 100 comprend un encodeur 110 et un récepteur 120, reliés par un canal de communication 130.
Le récepteur ou décodeur 120 peut quant à lui être intégré dans un équipement d’un véhicule automobile, tel qu’un dispositif d’éclairage comprenant des modules d’éclairage aptes à réaliser des fonctions d’éclairage en fonction de données communiquées par le module de contrôle comprenant l’encodeur 110. De manière préférentielle, au moins un module d’éclairage du dispositif d’éclairage est un module pixelisé, par exemple avec une matrice d’éléments électroluminescents tels que des LEDs, avec une matrice de micro-miroirs, de type DMD pour « Digital Micromirror Devices » en anglais, une source monolithique d’éléments électroluminescents sur un même substrat, ou toute autre technologie permettant la réalisation d’un faisceau d’éclairage pixelisé. Une source monolithique implique une pluralité d’éléments semi-conducteurs électroluminescents à dimensions submillimétriques, épitaxiés directement sur un substrat commun, le substrat étant généralement formé de silicium. A l’opposé de matrices de LEDs conventionnelles, dans lesquelles chaque source lumineuse élémentaire est un composant électronique produit de manière individuelle et monté sur un substrat tel qu’un circuit imprimé, PCB, une source monolithique est à considérer comme un composant électronique unique, lors de la production duquel plusieurs plages de jonctions semi-conductrices électroluminescentes sont générées sur un substrat commun, sous forme d’une matrice.
Le canal de communication 130 peut ainsi être une liaison filaire tel qu’un bus CAN ou une liaison Ethernet. Dans ce qui suit, l’exemple d’un bus CAN est considéré à titre illustratif. Il présente l’avantage d’être une liaison sécurisée et peu chère. Toutefois, un bus CAN est contraint en débit et impose de transmettre des données sous forme d’entiers codés sur 8 bits.
En variante, l’encodeur 110 est intégré dans un module de contrôle du véhicule automobile et le récepteur 120 est intégré dans un serveur distant du véhicule automobile. Dans ce cas, le canal de communication 130 comprend un canal de communication sans fil permettant à l’encodeur d’accéder à un réseau IP dans lequel se trouve le serveur distant comprenant le décodeur 120. Un tel canal de communication sans fil peut être une liaison cellulaire de type 3G, 4G, 5G ou toute génération suivante.
L’invention porte en outre sur un procédé de montage d’au moins une barre omnibus d’un véhicule automobile selon l’invention, caractérisé en ce qu’il comprend les étapes suivantes : - mettre en place ledit batteur dynamique entre ladite barre omnibus et le module de batterie ; - mettre en place ledit brin de ladite barre omnibus dans la zone d’accroche. - fixer l’aiguille d’insertion au module de batterie.
L'invention sera davantage détaillée par la description de modes de réalisation non limitatifs, et sur la base des figures annexées illustrant des variantes de l'invention, dans lesquelles : - illustre schématiquement une barre omnibus dans une position de montage avec une mousse de calage selon l’art antérieur ; - illustre schématiquement un montage expérimental pour appliquer des excitations sur un assemblage d’une barre omnibus sur des modules de batterie, et pour vérifier les modes et stress mécaniques sur la barre omnibus ; - illustre schématiquement une vue de côté d’un batteur dynamique pour un véhicule selon l’invention, avec un lest à gauche et sans lest à droite ; - illustre schématiquement une vue en coupe selon IV-IV de la ; et - illustre schématiquement des graphes montrant le gain réalisé avec l’invention, pour chaque mode, en fonction de la vitesse en échelle logarithmique (en haut), ou en fonction du déplacement en échelle linéaire (en bas).
L'élaboration de cette solution nécessite d'appréhender le comportement modal de la barre omnibus B (ou « BUSBAR » en langue anglaise) en conditions réelles d'assemblage. Il s’agit notamment de la barre omnibus numéro 11 des modèles commercialisés par le demandeur.
Pour cela, il est important d'utiliser et de positionner deux modules électriques, sur lesquels cet élément est fixé. A cela s'ajoute également des conditions d'encastrement, liées aux contraintes de serrage, identiques à la vie en série, soit un couple de serrage de 8N.m ainsi que la présence de l'interface type mousse MC. Le montage expérimental ainsi réalisé est représenté à la .
L'excitation joue également un rôle fondamental, puisqu'il ne faut absolument pas injecter de perturbations provenant du montage accueillant l'excitateur E, au risque d'interagir avec l'élément à caractériser, et par conséquent de nuire à l'interprétation de ses modes propres.
En particulier, l'excitateur électrodynamique E (pot vibrant) est découplé de la platine élévatrice par 4 plots en élastomère (non représentés). Un capteur d'effort est relié au sommet de la partie mobile du pot vibrant (capteur de référence), ainsi qu'au marbre qui le surplombe. Ce même marbre est monté sur des coussins d'air, ce qui permet de le découpler de son bâti. Deux traverses sont, quant à elles, maintenues de manière rigide sur ce marbre, et les modules électriques sont fixés, et serrés au couple de 10 N.m, directement sur ces traverses.
Enfin, nous utilisons un vibromètre laser 3D monopoint comme moyen de mesure, ce qui permet de garantir le fait qu'il n'existe pas d'interactions entre le capteur et la structure à mesurer.
Toutes ces précautions sont importantes pour approcher le comportement modal réel de la barre omnibus monté dans un pack batterie.
Du point de vue protocole expérimental, cet assemblage est soumis à un signal de type « burst random » (ou salves de bruit blanc) dont la bande de fréquences utile correspond à 500Hz. La résolution spectrale, qui correspond donc au pas fréquentiel, est de 0.5Hz, ce qui nous permet d'apprécier très correctement la fréquence de résonnance de chacun des modes.
Enfin, pour bien appréhender la manière dont se déforme la barre omnibus B à chacune de ces fréquences de résonnance, trente points de mesure équidistants sont répartis sur la surface de la barre omnibus afin de décrire au mieux sa géométrie.
Ainsi, à l'aide de cette représentation expérimentale et des essais réalisés, nous obtenons 6 modes propres sur la bande de fréquences [10,160] Hz. Il n'est pas nécessaire d'étendre au-delà notre analyse dans la mesure où l'excitation réelle du pack batterie correspond majoritairement aux sollicitations de la route (fréquences < 100Hz).
Chacun de ces modes décrit une manière particulière de la barre omnibus B, de se déformer, on parle alors de déformée modale. Certaines de ces déformées induisent un déplacement, plus ou moins marqué, à l'extrémité du brin (barre omnibus) le plus long selon deux directions privilégiées.
Ces tests montrent parfaitement les modes incriminés et l'orientation que prend le plus long brin de la barre omnibus B pour chacun d'entre eux. Cette zone est donc fortement sollicitée pour des modes 2, 4, 5 et 6, avec un débattement pur dans un premier plan pour le mode 2, puis de débattements combinés dans le premier plan, et dans un deuxième plan perpendiculaire au premier plan, pour les 3 autres modes. Ainsi, pour traiter avec efficacité ce problème, il est important de déployer une solution multiaxiale, sous la forme d'un batteur dynamique.
La solution envisagée a été de designer un batteur dynamique BD pour qu'il fonctionne sur ses propres modes afin d'absorber l'énergie associée aux modes incriminés de la barre omnibus B. C'est une solution prometteuse qui permet d'interagir sur plusieurs modes de la barre omnibus B, mais dont l'élaboration physique est complexe.
L'invention concerne un véhicule automobile comprenant au moins un batteur dynamique BD dans l’assemblage de la barre de bus B sur un module de batterie M.
Cette solution est retenue, notamment par sa capacité à se mouvoir dans plusieurs directions et par conséquent à interagir directement sur les modes de la barre omnibus B à traiter, mais aussi par le fait que l'élaboration du corps du batteur BD sera optimisée par de l'impression 3D et de la stéréolithographie. En effet, l'utilisation de tels procédés permettent d'utiliser différents matériaux et de réaliser cet élément extrêmement vite, ce qui permet de réaliser plusieurs itérations afin de travailler sur certains paramètres de sa géométrie. Le design de l'élément en élastomère, qui assure la liaison entre la barre omnibus B et le lest MB d'une part, et le rôle d'un ressort d'autre part, est dimensionné comme décrit plus bas.
Chaque grille 32G et 34G des deux commutateurs 32 et 34 est connectée à la ligne de mot WL. Selon le niveau de tension présent sur la ligne de mot, les commutateurs 32 et 34 sont rendus passants ou au contraire non-passants, i.e. bloqués. Le premier contrôleur 20 va en pratique choisir de sélectionner une ou plusieurs rangées 16 de cellules mémoire 12 en rendant conducteurs les commutateurs 32, 34 des cellules mémoire 12 de cette ou ces rangées 16.
Chaque premier commutateur 32 est connecté à un premier memristor 28 respectif, et chaque deuxième commutateur 34 est connecté à un deuxième memristor 30 respectif. Le drain 32D du premier commutateur 32 est alors relié à une borne du premier memristor 28, l’autre borne du premier memristor 28 étant reliée à la ligne de source SL commune. Le drain 34D du deuxième commutateur 34 est relié à une borne du deuxième memristor 30, l’autre borne du deuxième memristor 30 étant reliée à la ligne de source SL commune. La source 32S du premier commutateur 32 est reliée à la ligne de bit BL tandis que la source 34S du deuxième commutateur 34 est reliée à la ligne de bit complémentaire BLb.
Le second contrôleur 22 va piloter l’alimentation des paires de lignes de bit, de sorte à ce que la tension présentée sur une ligne de bit BL j soit différente et complémentaire de la tension présentée sur la ligne de bit complémentaire BLb j . Ainsi, quand une cellule mémoire 12 de coordonnée i,j, en particulier une paire de memristors 28, 30, est sélectionnée (ses commutateurs étant rendus passants par la tension d’activation présentée sur la ligne de mot WL i ou WLb i associée), les memristors 28 et 30 de cette paire sont en série et constituent un pont résistif entre les lignes de bit BL j et BLb j .
Dans le cas d’espèce, les memristors 28 et 30 de cette paire sont ainsi alimentés par des tensions présentes sur les lignes de bit BL j et BLb j symétriques par rapport à une tension égale à [V(BL)+V(BLb)]/2, dite tension milieu, où V(BL) représente la tension de la ligne de bit BL, et V(BLb) représente la tension de la ligne de bit complémentaire BLb.
Dans les exemples des figures 2, 4 et 7, avec la logique de codage définie ci-dessus, si la valeur binaire, tel qu’un poids, en particulier un poids synaptique d’un réseau de neurones binaire, stockée dans une cellule mémoire 12 donnée est égale à 0, alors pour la première paire de memristors 28, 30, le premier memristor 28 (correspondant à celui en haut à gauche parmi les quatre memristors de la cellule mémoire 12) est l’état bas LRS et le deuxième memristor 30 (correspondant à celui en haut à droite) est à l’état haut HRS ; et inversement, pour la deuxième paire de memristors 28, 30, le premier memristor 28 (correspondant à celui en bas à gauche) est à l’état haut HRS et le deuxième memristor 30 (correspondant à celui en bas à droite) est à l’état bas LRS.
L’homme du métier comprendra bien entendu que le codage est inversé si la valeur binaire stockée dans la cellule mémoire 12 est égale à 1, et pour la première paire de memristors 28, 30, le premier memristor 28 (correspondant à celui en haut à gauche) est l’état haut HRS et le deuxième memristor 30 (correspondant à celui en haut à droite) est à l’état bas LRS ; et inversement, pour la deuxième paire de memristors 28, 30, le premier memristor 28 (correspondant à celui en bas à gauche) est à l’état bas LRS et le deuxième memristor 30 (correspondant à celui en bas à droite) est l’état haut HRS.
L’homme du métier observera en outre que dans les exemples des figures 2, 4 et 7 et de par l’inverseur 26 de ligne de mot, une seule paire de memristors 28, 30 parmi les deux paires de memristors 28, 30 est activable à la fois. En particulier, dans ces exemples, et étant donné que l’inverseur 26 de ligne de mot est connecté à la ligne de mot complémentaire WLb associée à la deuxième paire de memristors 28, 30, si la valeur d’entrée reçue sur la ligne d’entrée IN est égale à 1, alors la première paire de memristors 28, 30 est activée puisque la valeur sur la ligne de mot WL connectée directement la ligne d’entrée IN est aussi égale à 1 et que les commutateurs 32, 34 associés à cette première paire sont donc passants, tandis que la deuxième paire de memristors 28, 30 n’est pas activée puisque la valeur sur la ligne de mot complémentaire WLb est alors égale à 0, l’inverseur 26 de ligne de mot inversant la valeur d’entrée égale à 1 en la valeur 0, et que les commutateurs 32, 34 associés à cette deuxième paire sont donc non-passants, i.e. bloqués. Inversement, si la valeur d’entrée reçue sur la ligne d’entrée IN est égale à 0, alors la première paire de memristors 28, 30 n’est pas activée puisque la valeur sur la ligne de mot WL est aussi égale à 0 et que les commutateurs 32, 34 associés à cette première paire sont donc non-passants, tandis que la deuxième paire de memristors 28, 30 est dans ce cas activée puisque la valeur sur la ligne de mot complémentaire WLb est alors égale à 1, l’inverseur 26 de ligne de mot inversant la valeur d’entrée égale à 0 en la valeur 1, et que les commutateurs 32, 34 associés à cette deuxième paire sont donc passants.
En outre, lorsqu’une tension est appliquée entre la ligne de bit BL et la ligne de bit complémentaire BLb, avec un potentiel plus haut V H pour la ligne de bit BL que celui V L pour la ligne de bit complémentaire BLb, cela résulte en un pont résistif entre les premier et deuxième memristors 28, 30 de la paire de memristors 28, 30 qui est activée, comme expliqué précédemment. Le memristor 28, 30 qui est à l’état haut HRS repousse alors systématiquement la tension du point milieu, i.e. celle de la ligne de source SL, vers la ligne de bit BL, BLb qui est connectée au memristor 28, 30 à l’état bas LRS.
Aussi, dans les exemples des figures 2, 4 et 7, avec cette implémentation astucieuse des deux paires de memristors 28, 30 couplées aux deux lignes de mot complémentaires WL, WLb, l’une des lignes de mot étant connectée à la ligne d’entrée IN via l’inverseur 26 de ligne de mot, chaque cellule mémoire 12 permet alors d’effectuer directement une opération de non-ou-exclusif, ou XNOR, entre l’entrée binaire reçue sur la ligne d’entrée IN et la valeur binaire, telle que le poids synaptique correspondant d’un neurone respectif, stockée dans la cellule mémoire 12, et le résultat de l’opération XNOR est alors obtenu via la comparaison de la tension de la ligne de source SL avec la tension milieu.
Dans l’exemple de la , avec la logique de codage définie ci-dessus, si la tension de la ligne de source SL est inférieure à la tension milieu [V(BL)+V(BLb)]/2, alors le résultat de l’opération XNOR est égal à 1 ; si la tension de la ligne de source SL est supérieure à la tension milieu [V(BL)+V(BLb)]/2, alors le résultat de l’opération XNOR est égal à 0.
Les quatre situations possibles selon que la valeur d’entrée binaire, également appelée entrée binaire, reçue sur la ligne d’entrée IN i est égale à 0 ou 1, et est selon que la valeur binaire w ji stockée dans la cellule mémoire 12 est égale à 0 ou 1, sont alors représentées de manière synthétique sur la partie droite de la .
Dans la première situation où l’entrée binaire reçue sur la ligne d’entrée IN i est égale à 0 et la valeur binaire w ji stockée dans la cellule mémoire 12 est égale à 0, la deuxième paire de memristors 28, 30 est activée, et le premier memristor 28 (correspondant à celui à gauche) est à l’état haut HRS pendant que le deuxième memristor 30 (correspondant à celui à droite) est l’état bas LRS. Le premier memristor 28 à l’état haut HRS repousse alors la tension de la ligne de source SL j vers la ligne de bit complémentaire BLb j connectée au deuxième memristor 30 à l’état bas LRS, comme représenté par la flèche F1. La tension de la ligne de source SL j est alors plus proche du potentiel bas V L pour la ligne de bit complémentaire BLb j que du potentiel haut V H de la ligne de bit BL j , et est donc inférieure à la tension milieu [V(BL)+V(BLb)]/2, si bien que le résultat de l’opération XNOR est égal à 1. Ceci vérifie donc bien XNOR(0,0) = 1.
Dans la deuxième situation où l’entrée binaire reçue sur la ligne d’entrée IN i est égale à 1 et la valeur binaire w ji stockée dans la cellule mémoire 12 est égale à 1, la première paire de memristors 28, 30 est activée, et le premier memristor 28 (correspondant à celui à gauche) est l’état haut HRS, le deuxième memristor 30 (correspondant à celui à droite) étant à l’état bas LRS. Le premier memristor 28 à l’état haut HRS repousse alors la tension de la ligne de source SL j vers la ligne de bit complémentaire BLb j connectée au deuxième memristor 30 à l’état bas LRS, comme représenté par la flèche F1. La tension de la ligne de source SL j est alors inférieure à la tension milieu [V(BL)+V(BLb)]/2, et le résultat de l’opération XNOR est donc égal à 1. Ceci vérifie donc bien XNOR(1,1) = 1.
Dans la troisième situation où l’entrée binaire reçue sur la ligne d’entrée IN i est égale à 1 et la valeur binaire w ji stockée dans la cellule mémoire 12 est égale à 0, la première paire de memristors 28, 30 est activée, et le premier memristor 28 (correspondant à celui à gauche) est l’état bas LRS, pendant que le deuxième memristor 30 (correspondant à celui à droite) est à l’état haut HRS. Le deuxième memristor 30 à l’état haut HRS repousse alors la tension de la ligne de source SL j vers la ligne de bit BL j connectée au premier memristor 28 à l’état bas LRS, comme représenté par la flèche F2. La tension de la ligne de source SL j est alors plus proche du potentiel haut V H de la ligne de bit BL j que du potentiel bas V L pour la ligne de bit complémentaire BLb j , et est donc supérieure à la tension milieu [V(BL)+V(BLb)]/2, si bien que le résultat de l’opération XNOR est égal à 0. Ceci vérifie donc bien XNOR(1,0) = 0.
Dans la quatrième et dernière situation où l’entrée binaire reçue sur la ligne d’entrée IN i est égale à 0 et la valeur binaire w ji stockée dans la cellule mémoire 12 est égale à 1, la deuxième paire de memristors 28, 30 est activée, et le premier memristor 28 (correspondant à celui à gauche) est à l’état bas LRS, pendant que le deuxième memristor 30 (correspondant à celui à droite) est l’état haut HRS. Le deuxième memristor 30 à l’état haut HRS repousse alors la tension de la ligne de source SL j vers la ligne de bit BL j connectée au premier memristor 28 à l’état bas LRS, comme représenté par la flèche F2. La tension de la ligne de source SL j est alors supérieure à la tension milieu [V(BL)+V(BLb)]/2, et le résultat de l’opération XNOR est donc égal à 0. Ceci vérifie donc bien XNOR(0,1) = 0.
L’homme du métier comprendra bien entendu qu’également avec une logique de codage inversée où la valeur binaire 1 stockée dans la cellule mémoire 12 est encodée sous la forme du premier memristor 28 à l’état bas LRS et du deuxième memristor 30 à l’état haut HRS, et de manière corollaire la valeur binaire 0 est encodée sous la forme du premier memristor 28 à l’état haut HRS et du deuxième memristor 30 à l’état bas LRS, chaque cellule mémoire 12 des exemples des figures 2, 4 et 7 permet toujours d’effectuer l’opération XNOR, et que le résultat de l’opération XNOR est alors égal à 0 si la tension de la ligne de source SL est inférieure à la tension milieu [V(BL)+V(BLb)]/2, et inversement égale à 1 si la tension de la ligne de source SL est supérieure à la tension milieu [V(BL)+V(BLb)]/2, ceci toujours dans l’hypothèse où le potentiel haut V H est appliqué à la ligne de bit BL, pendant que le potentiel bas V L est appliqué à la ligne de bit complémentaire BLb.
La illustre une vue isométrique du boîtier et du connecteur monté sur le boîtier, conformément au présent objet ;
La illustre une vue en coupe du connecteur monté sur le boîtier, conformément au présent sujet ;
La illustre une perspective agrandie de la , montrant le connecteur monté sur le boîtier, conformément au présent sujet ;