Dispositif mémoire résistive (1) comprenant au moins une première électrode (10) à base d’un premier métal et une deuxième électrode (20) à base d’un deuxième métal, et un élément mémoire (30) sous forme de filament métallique à base d’un troisième métal et intercalé entre lesdites première et deuxième électrodes (10, 20), ledit élément mémoire (30) présentant une section transverse de filament, prise dans un plan dit transverse passant entre les première et deuxième électrodes (10, 20), et lesdites première et deuxième électrodes (10, 20) présentant chacune une section transverse d’électrode, prise respectivement dans un plan passant par ladite électrode (10, 20) et parallèle au plan transverse, tel que la section transverse de filament soit strictement inférieure aux sections transverses d’électrodes et tel que la section transverse de filament présente au moins une dimension L2 inférieure ou égale à 20 nm, le dispositif étant caractérisé en ce que le troisième métal présente une composition chimique différente de celles des premier et deuxième métaux et lui conférant une vitesse de gravure supérieure à celles des premier et deuxième métaux, de préférence telle que la sélectivité à la gravure soit supérieure ou égale à 2:1, et de préférence supérieure ou égale à 3:1, vis-à-vis des premier et deuxième métaux. Dispositif (1) selon la revendication précédente dans lequel les première et deuxième électrodes (10, 20) et l’élément mémoire (30) sont empilés selon une direction dite verticale (z), sur un substrat (1000) s’étendant selon un plan (xy) dit horizontal et perpendiculaire à la direction verticale (z). Dispositif (1) selon la revendication précédente dans lequel l’élément mémoire (30) forme un retrait latéral vis-à-vis des première et deuxième électrodes (10, 20) dans toutes les directions du plan horizontal (xy), de sorte que ledit élément mémoire (30) soit sensiblement centré vis-à-vis des première et deuxième électrodes (10, 20), en projection dans le plan horizontal (xy). Dispositif (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel les premier et deuxième métaux sont à base d’un métal de transition ou d’un nitrure dudit métal de transition, et le troisième métal est à base d’un alliage d’aluminium et dudit métal de transition, ou d’un autre métal de transition. Dispositif (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la section transverse de filament présente une dimension L2 inférieure ou égale à 15 nm dans le plan transverse, et dans lequel les sections transverses d’électrodes présentent chacune une dimension L1 supérieure ou égale à 100 nm, dans un plan parallèle audit plan transverse. Dispositif (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel les premier et deuxième métaux sont à base de Ti ou de TiN, et le troisième métal est à base de TixAly, avec x, y > 0. Système comprenant un dispositif (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes et un transistor (2) formé dans un substrat (1000) portant ledit dispositif (1), le transistor (2) étant relié au dispositif (1) par au moins un niveau d’interconnexions (200, 200’, 200’’, 200’’’), le transistor (2) étant en outre configuré pour commander un passage de courant électrique dans l’élément mémoire (30), entre les première et deuxième électrodes (10, 20). Procédé de réalisation d’un dispositif mémoire résistive (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, comprenant : un dépôt d’une première couche (10a) à base du premier métal, sur un substrat (1000), un dépôt d’une troisième couche (30a) à base du troisième métal, sur la première couche (10), un dépôt d’une deuxième couche (20a) à base du deuxième métal, sur la troisième couche (30a), de sorte à former un empilement des première, troisième et deuxième couches (10a, 30a, 20a), selon une direction verticale (z), une gravure de l’empilement, selon la direction verticale (z), de façon à former les première et deuxième électrodes (10, 20), une surgravure configurée pour consommer latéralement, selon une direction horizontale d’un plan (xy) horizontal perpendiculaire à la direction verticale (z), le troisième métal sélectivement aux premier et deuxième métaux, de façon à former l’élément mémoire (30) sous forme de filament métallique intercalé entre lesdites première et deuxième électrodes (10, 20). Procédé selon la revendication précédente dans lequel la surgravure est réalisée par plasma à base d’une chimie chlorée. Procédé selon l’une quelconque des deux revendications précédentes dans lequel la surgravure correspond à une prolongation de l’étape de gravure, par application d’un temps de gravure supérieur à celui permettant de graver l’empilement selon la direction verticale (z). Procédé selon l’une quelconque des revendications 8 à 9 dans lequel la gravure est configurée pour être anisotrope selon la direction verticale (z), et la surgravure est configurée pour être isotrope, de sorte que l’élément mémoire (30) forme un retrait latéral vis-à-vis des première et deuxième électrodes (10, 20) dans toutes les directions du plan horizontal (xy), ledit élément mémoire (30) étant ainsi sensiblement centré vis-à-vis des première et deuxième électrodes (10, 20), en projection dans le plan horizontal (xy). Procédé selon l’une quelconque des revendications 8 à 11 dans lequel les premier et deuxième métaux sont choisis à base de Hf, Zr, W, Ti, Ta, TaN ou TiN, et le troisième métal est choisi à base de TixAly, ZrxAly, HfxAly, TaxAly, WxAly avec x, y > 0. Procédé selon l’une quelconque des revendications 8 à 12 configuré pour réaliser un système selon la revendication 7, ledit procédé comprenant en outre une intégration de l’empilement sur un substrat (1000) comprenant un transistor (2) configuré pour commander un passage de courant électrique dans l’élément mémoire (30), entre les première et deuxième électrodes (10, 20), ladite intégration comprenant au moins la formation de connexions électriques (102, 202, 402’’’, 502’’) entre ledit transistor (2) et l’une au moins parmi les première et deuxième électrodes (10, 20).