INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
La composition de révélateur peut contenir au moins un solvant, par exemple de l'eau, des solvants organiques solubles dans l'eau, ou des mélanges de ceux-ci. Les exemples non limitatifs de solvants organiques solubles dans l'eau appropriés pour une utilisation dans la composition de révélateur, seuls ou en mélange avec de l'eau, incluent, mais sans s'y limiter, l'éthanol, l'alcool isopropylique, le propanol, l'alcool benzylique, l'alcool phényl éthylique, les glycols et les glycol éthers, tels que le propylène glycol, l'hexylène glycol, l'éther monométhylique, monoéthylique ou monobutylique d'éthylène glycol, le propylène glycol et ses éthers, tels que l'éther monométhylique de propylène glycol, les éthers alkyliques de butylène glycol, de dipropylène glycol, de diéthylène glycol, tels que l'éther monoéthylique et l'éther monobutylique de diéthylène, l'éthylène glycol, le propylène glycol, le butylène glycol, l'hexylène glycol, le propane diol, la glycérine, les hydrocarbures tels que les hydrocarbures à chaîne linéaire, une huile minérale, le polybutène, le polyisobutène hydrogéné, le polydécène hydrogéné, le polydécène, le squalane, le pétrolatum, les isoparaffines, ou les mélanges de ceux-ci.
Les compositions de révélateur peuvent facultativement inclure d'autres composants typiquement utilisés dans les compositions de révélateur, tels que, par exemple, des agents épaississants, des chélateurs, des substances grasses, des céramides, des agents correcteurs de pH, des agents de conservation, des parfums, des tensioactifs, etc.
La composition de révélateur peut être sous la forme d'une poudre, d'un gel, d'un liquide, d'une écume, d'une lotion, d'une crème, d'une mousse ou d'une émulsion. Dans certains modes de réalisation, la composition de révélateur est aqueuse et est sous la forme d'un liquide, d'une crème ou d'une émulsion. Dans d'autres modes de réalisation, la composition de révélateur est anhydre ou sensiblement anhydre.
Dans divers modes de réalisation donnés à titre d'exemple, la composition de révélateur inclut du peroxyde d'hydrogène. Par exemple, le peroxyde d'hydrogène peut être présent en une quantité d'au moins environ 1°% en poids, sur la base du poids total de la composition de révélateur. Dans d'autres modes de réalisation, le peroxyde d'hydrogène est présent en une quantité se situant dans une plage d'environ 0,1°% à 80 % en poids, telle que d'environ 1,0°% à 75 % en poids, ou d'environ 2°% à 10 % en poids, sur la base du poids total de la composition de révélateur. Dans d'autres modes de réalisation donnés à titre d'exemple, le peroxyde d'hydrogène peut être présent dans la composition de révélateur en une quantité se situant dans une plage d'environ 2°% à 25 % en poids, telle que d'environ 4°% à 20 % en poids, d'environ 6°% à 15 % en poids, ou d'environ 7°% à 10 %.
Lorsque la composition de révélateur est sensiblement anhydre, la composition de révélateur peut comprendre au moins un solvant organique soluble dans l'eau. Les exemples non limitatifs incluent l'éthanol, l'alcool isopropylique, le propanol, l'alcool benzylique, l'alcool phényl éthylique, les glycols et les glycol éthers, tels que le propylène glycol, l'hexylène glycol, l'éther monométhylique, monoéthylique ou monobutylique d'éthylène glycol, le propylène glycol et ses éthers, tels que l'éther monométhylique de propylène glycol, les éthers alkyliques de butylène glycol, de dipropylène glycol, de diéthylène glycol, tels que l'éther monoéthylique et l'éther monobutylique de diéthylène, l'éthylène glycol, le propylène glycol, le butylène glycol, l'hexylène glycol, le propane diol, la glycérine, les hydrocarbures tels que les hydrocarbures à chaîne linéaire, une huile minérale, le polybutène, le polyisobutène hydrogéné, le polydécène hydrogéné, le polydécène, le squalane, le pétrolatum, les isoparaffines, et les mélanges de ceux-ci.
Dans un mode de réalisation préféré, la composition de révélateur inclut :
(a) un ou plusieurs agents oxydants°;
- un ou plusieurs tensioactifs ; et
Les compositions de révélateur incluent un ou plusieurs agents oxydants présents en une quantité suffisante pour développer une couleur lorsqu'elles sont mélangées avec une composition de base de coloration des poils. Les exemples non limitatifs d'agents oxydants incluent le peroxyde d'hydrogène, les peroxydes inorganiques de métal alcalin (tels que le périodate de sodium et le peroxyde de sodium), les peroxydes organiques (tels que le peroxyde d'urée et le peroxyde de mélamine), les sels de perhydrate inorganiques (tels que les sels de métal alcalin de perborates, percarbonates, perphosphates, persilicates, persulfates), les bromates, et un mélange de ceux-ci. Dans certains cas, la composition de révélateur inclut du peroxyde d'hydrogène.
La quantité totale des un ou plusieurs agents oxydants dans la composition de révélateur peut varier mais est typiquement d'environ 0,5 à environ 50 % en poids, sur la base du poids total de la composition de révélateur. Dans certains cas, la quantité totale des un ou plusieurs agents oxydants est d'environ 0,5 à environ 40 % en poids, d'environ 1 à environ 50 % en poids, d'environ 1 à environ 40 % en poids, d'environ 1 à environ 30 % en poids, d'environ 1 à environ 20 % en poids, d'environ 1 à environ 10 % en poids, d'environ 5 à environ 50 % en poids, d'environ 5 à environ 40 % en poids, d'environ 5 à environ 30 % en poids, d'environ 5 à environ 20 % en poids, ou d'environ 5 à environ 10 % en poids, sur la base du poids total de la composition de révélateur.
La composition de révélateur inclut typiquement un ou plusieurs tensioactifs. Les un ou plusieurs tensioactifs peuvent être des tensioactifs anioniques, amphotères, non ioniques, zwitterioniques, cationiques, ou un mélange de ceux-ci.
La quantité totale des un ou plusieurs tensioactifs dans la composition de révélateur peut varier mais est typiquement d'environ 0,1 à environ 25 % en poids, sur la base du poids total de la composition de révélateur pour les poils. La quantité totale des un ou plusieurs tensioactifs peut être d'environ 0,1 à environ 20 % en poids, d'environ 0,1 à environ 15 % en poids, d'environ 0,1 à environ 10 % en poids, d'environ 0,1 à environ 5 % en poids, d'environ 1 à environ 25 % en poids, d'environ 1 à environ 20 % en poids, d'environ 1 à environ 15 % en poids, d'environ 1 à environ 10 % en poids, ou d'environ 1 à environ 5 % en poids, sur la base du poids total de la composition de révélateur.
Dans certains cas, la composition de révélateur inclut au moins un ou plusieurs tensioactifs non ioniques. Par exemple, les compositions de révélateur peuvent inclure un ou plusieurs tensioactifs non ioniques choisis dans le groupe constitué des amides oxyéthylénés, des alcools gras, des alcools gras oxyéthylénés, et d'un mélange de ceux-ci. Par exemple, la composition de révélateur peut inclure de l'alcool cétéarylique (alcools gras), du tridécéth-2 carboxamide MEA (un amide oxyéthyléné), et du cétéaréth-25 (un alcool gras oxyéthyléné), ou un mélange de ceux-ci.
Les exemples de ces composés incluent l'Amidet A15 vendu par la compagnie Kao (nom INCI : Trideceth-2 carboxamide MEA), l'Ethomid HP 60 vendu par la compagnie Akzo Nobel (nom INCI : PEG-50 Hydrogenated Palmamide) et l'Amidet N vendu par la compagnie Kao (nom INCI : PEG-4 Rapeseedamide). Dans certains cas, le tridécéth-2 carboxamide MEA peut être particulièrement utile.
Avantageusement, dans la version technologique de jonction diffusée, la passivation est optimisée car aucune opération de gravure n’est effectuée. Cependant le risque est que le matériau InGaAs non déserté puisse dégrader les performances de MTF et celles du « cross-talk » en version matricielle. L’homme du métier pourra alors graduer légèrement l’absorbant de manière à rendre la collection des électrons plus anisotrope. Toutefois il faudra veiller à limiter la valeur du champ électrique afin de limiter l’augmentation du courant d’obscurité.
Dans la version semi-mesa, la couche barrière n+ dopée par épitaxie est a minima gravée. Suivant les performances de gravure et passivation des structures UTC ou APD, la gravure peut se faire jusqu’à l’absorbant ou non, l’avantage étant de relâcher la contrainte sur la graduation du dopage de l’InGaAs, voire de s’en affranchir.
ETAT DE LA TECHNIQUE Les mémoires résistives de type RRAM ou ReRAM (acronyme anglais de « Resistive Random Access Memories » signifiant « mémoires résistives à accès aléatoire ») sont actuellement développées pour les applications non-volatiles, dans le but de remplacer les mémoires de type Flash. Elles présentent notamment pour avantage de pouvoir être intégrées dans des lignes d’interconnexion au niveau BEOL (acronyme BEOL en anglais pour « Back-End Of Line ») de la technologie CMOS (acronyme en anglais pour « Complementary Metal-Oxide-Semiconductor » signifiant technologie à base de transistors « Métal-Oxyde-Semiconducteur complémentaires »). Les mémoires résistives RRAM sont des dispositifs comprenant notamment un élément de résistance variable, appelé élément mémoire, disposé entre deux électrodes. La résistance électrique de cet élément mémoire peut être modifiée par des opérations d’écriture et d’effacement. Ces opérations d’écriture et d’effacement permettent de faire passer le dispositif mémoire résistive RRAM d’un état basse résistance LRS (acronyme en anglais pour « Low Resistive State ») à un état haute résistance HRS (acronyme en anglais pour « High Resistive State »), et inversement.
En fonction de la nature de l’élément mémoire, différentes catégories ou sous-catégories de RRAM peuvent être définies. Les mémoires résistives dont l’élément mémoire est à base d’un matériau à changement de phase, typiquement à base de chalcogénures ou de pérovskites, sont généralement appelées PCRAM (acronyme anglais de « Phase Change Random Access Memories »). Dans ce type de mémoire, le passage LRS/HRS se fait par un changement de phase activé thermiquement. Les mémoires résistives dont l’élément mémoire est à base d’un oxyde métallique sont généralement appelées OxRAM (acronyme anglais de « Oxide Resistive Random Access Memories »). Dans ce type de mémoire, le passage LRS/HRS se fait par création d’un filament conducteur au travers de l’oxyde, par application d’une tension électrique suffisamment élevée. Les mémoires résistives dont l’élément mémoire est à base d’un électrolyte sont généralement appelées CBRAM (acronyme anglais de « Conductive-Bridging Random Access Memories »). Dans ce type de mémoire, le passage LRS/HRS se fait par création d’un nanofil métallique issu d’une réduction d’ions métalliques dans l’électrolyte.
Chacun de ces types de mémoire présente des problématiques spécifiques (gestion thermique, variabilité des performances cycle-à-cycle, réactivité…) qui constituent aujourd’hui un frein à l’industrialisation.
Récemment, d’autres types de RRAM basées sur l’état de conduction réversible d’un nano-filament métallique ont été développées.
Le document « Memristive switching of single-component metallic nanowires, S.L. Johnson et al. Nanotechnology 21 (2010) 125204 » divulgue une architecture comprenant un élément mémoire métallique intercalé entre deux électrodes, dans laquelle l’élément mémoire métallique présente une constriction géométrique de dimension nanométrique. Un tel « nanofil » métallique peut s’ouvrir (nanogap) et se fermer, au moins partiellement, par électromigration et par Effet Joule. Ces deux effets augmentent la probabilité qu’un atome métallique quitte ou remplisse la constriction lorsque la différence de potentiel entre les deux électrodes augmente. A l’état « On », la conduction dans le nanofil est limitée par la surface de la section de la constriction. A l’état « Off », la conduction est limitée par effet tunnel au travers du nanogap. Des conductances à l’état On de 60 mS et à l’état Off de 30 mS ont été obtenues pour des nanofils en or de section 100 nm par 20 nm formés par lithographie électronique.
Ce dispositif réalisé en laboratoire et cette méthode de formation sont difficilement industrialisables. L’efficacité de ce dispositif mémoire reste limitée.
Un objectif de la présente invention est de proposer un dispositif mémoire résistive comprenant un élément mémoire sous forme de nano-filament métallique, qui soit industrialisable et qui présente une efficacité améliorée.
Un autre objectif de la présente invention est de proposer un procédé de fabrication d’un tel dispositif mémoire résistive.
RESUME Pour atteindre cet objectif, selon un mode de réalisation on prévoit un dispositif mémoire résistive comprenant au moins une première électrode à base d’un premier métal et une deuxième électrode à base d’un deuxième métal, et un élément mémoire sous forme de filament métallique à base d’un troisième métal et intercalé entre lesdites première et deuxième électrodes.
L’élément mémoire présente une section transverse de filament, prise dans un plan transverse passant entre les première et deuxième électrodes, et les première et deuxième électrodes présentent chacune une section transverse d’électrode, prise respectivement dans un plan passant par ladite électrode et parallèle au plan transverse.
La section transverse de filament est strictement inférieure aux sections transverses d’électrodes, et, la section transverse de filament présente au moins une dimension inférieure ou égale à 20 nm.
Le procédé comprend une étape 200 de filtrage de la composante basse-fréquence Vbf. En particulier, le filtrage est réalisé sur l’entrée 12 du régulateur à faible chute de tension 1, par exemple avantageusement de manière spécifiquement adaptée aux fréquences de la composante basse-fréquence Vbf dudit bruit.
Le procédé comprend enfin une étape 201 de génération de la deuxième tension d’alimentation VOUT qui est constante et très faiblement bruitée, à partir de la première tension d’alimentation Vo. La génération de la deuxième tension d’alimentation VOUT peut par exemple servir à l’alimentation de la charge d’un périphérique à la deuxième tension d’alimentation VOUT.
L’étape 201 de génération de la deuxième tension d’alimentation VOUT comprend en pratique une régulation 202 de la deuxième tension d’alimentation VOUT à un niveau de référence VOUT_REF. Plus particulièrement, la génération de la deuxième tension d’alimentation VOUT comprend la commande du transistor 10 par un signal de commande Vcom adaptée pour réguler le niveau de la deuxième tension d’alimentation VOUT au niveau de référence VOUT_REF.
Machine électrique comportant un dispositif de correction d’un mouvement de précession, turbomachine d’aéronef et procédé associés La présente invention concerne le domaine des machines électriques, en particulier, embarquées dans une turbomachine d’un aéronef. L’invention est particulièrement avantageuse pour une machine électrique entrainée en rotation par un arbre de propulsion d’une turbomachine d’aéronef pour générer de l’énergie électrique. L’invention s’applique également à une machine électrique utilisée en fonctionnement moteur.
Ces travaux de recherche et de développement soutenus portent à la fois sur les nouvelles générations de moteurs d’aéronefs et le développement des technologies électriques pour assurer la propulsion.
Il est connu dans l’art antérieur de monter une machine électrique sur un arbre de propulsion d’une turbomachine d’aéronef, par exemple, un arbre de soufflante. La machine électrique est notamment configurée pour fonctionner selon un mode générateur afin de prélever de la puissance mécanique sur l’arbre de propulsion de manière à générer de la puissance électrique. La machine électrique est également configurée pour fonctionner selon un mode moteur afin de fournir de la puissance mécanique à l’arbre de propulsion en prélevant de la puissance électrique, par exemple, dans une batterie électrique.
En référence à la , il est représenté de manière schématique une machine électrique 101 comportant un stator 102 monté fixe dans une turbomachine et un rotor 103 solidaire d’un arbre de propulsion de propulsion de la turbomachine. Le rotor 103 est monté rotatif par rapport au stator 102. Dans cet exemple, le rotor 103 tourne dans le sens horaire R+ par rapport à un axe de machine électrique X. De manière connue, le stator 102 comprend des canaux de puissance C1-C4, répartis à la périphérie du stator 102, qui interagissent magnétiquement avec le rotor 103. De manière préférée, comme canal de puissance C1-C4 se présente sous la forme d’une étoile statorique.
De manière théorique, lors de la génération de puissance électrique, chaque canal de puissance C1-C4 génère un effort magnétique résistif F1-F4 sur le rotor 103 qui s’oppose à la rotation du rotor 103.
En théorie, le rotor 103 demeure parfaitement aligné sur l’axe de machine électrique X. En pratique, un arbre de propulsion d’une turbomachine subit des vibrations au cours de sa rotation autour de l’axe de machine électrique X qui induisent un mouvement de précession sur le rotor 103. Un tel mouvement de précession peut conduire à des pertes de performances voire à une usure prématurée de la turbomachine. En référence à la , il est représenté un mouvement de précession du rotor 103 entre des instants temporels t1, t2, t3. Dans cet exemple, le mouvement de précession P+ est dans le sens horaire mais il va de soi qu’il pourrait également être dans le sens anti-horaire.
Pour réduire le mouvement de précession, il est connu dans l’art antérieur de prévoir un film d’amortissement, connu de l’homme du métier sous la désignation de « Squeeze Film Damper » ou SFD. Un film d’amortissement, positionné entre le rotor 103 et le stator 102, permet d’amortir les vibrations de manière passive, en particulier, au niveau d’un palier de la turbomachine. Ainsi, le film d’amortissement exerce un effort d’amortissement qui dépend principalement des paramètres suivants : l’excentrement du rotor 103, la vitesse de rotation du rotor 103, les caractéristiques du film d’amortissement (viscosité, etc.) et les conditions aux limites (alimentation, étanchéité, etc.). Dans les faits, le film d’amortissement est dimensionné de manière à amortir le plus efficacement possible un mode vibratoire prédéterminé du rotor 103. Il est ainsi peu efficace sur les autres modes vibratoires présents dans la plage de fonctionnement de la machine électrique 101, ce qui présente un inconvénient.
PRESENTATION DE L’INVENTION L’invention concerne une machine électrique, en particulier pour une turbomachine d’aéronef, comprenant : Un stator comprenant au moins trois canaux de puissance et un rotor configuré pour interagir magnétiquement avec les canaux de puissance, La machine électrique étant configurée, d’une part, pour fonctionner selon un mode générateur afin de prélever de la puissance mécanique sur le rotor pour générer de la puissance électrique et pour fonctionner, d’autre part, selon un mode moteur afin de consommer de la puissance électrique pour générer de la puissance mécanique et entrainer le rotor, Un dispositif de contrôle configuré pour déterminer un paramètre de contrôle pour chaque canal de puissance en fonction d’une commande de contrôle, chaque paramètre de contrôle définissant les courants circulant dans un canal de puissance, chaque canal de puissance générant un effort magnétique sur le rotor qui est fonction de son paramètre de contrôle, l’ensemble des efforts magnétiques appliqués par les canaux de puissance sur le rotor définissant un effort magnétique global, et Un dispositif de correction configuré pour corriger un mouvement de précession du rotor par rapport au stator, le dispositif de correction étant configuré pour : déterminer un niveau de précession du rotor par rapport au stator, déterminer la commande de contrôle du dispositif de contrôle à partir d’une commande de consigne et du niveau de précession, la commande de contrôle étant configurée pour générer un effort magnétique global s’opposant au mouvement de précession du rotor de manière à l’amortir.
Grâce à l’invention, le dispositif de correction permet de modifier la commande de contrôle des canaux de puissance, utilisés pour générer un couple mécanique ou générer de la puissance électrique, afin de corriger un mouvement de précession du rotor. Il n’est ainsi pas nécessaire d’utiliser des moyens supplémentaires pour agir sur le rotor, ce qui réduit la masse et l’encombrement. Par ailleurs, un tel dispositif de correction permet un amortissement dynamique pouvant répondre à diverses vibrations. Son champ d’application est ainsi plus large qu’un film d’amortissement performant uniquement pour quelques modes vibratoires. De manière avantageuse, l’intensité d’amortissement peut être réglée de manière précise.
où : représente le courant de sortie équivalent ne considérant que la source de tension V1, la source de tension V3 étant considérée nulle,
représente le courant de sortie équivalent ne considérant que la source de tension V3, la source de tension V1 étant considérée nulle.
Dans le cas présent, les impédances à déterminer correspondent à l’impédance vue par le circuit de pont résonant Pont1 lorsque le circuit de pont résonant Pont2 est alimenté et que la source de tension V3 est court-circuitée et à l’impédance vue par le circuit de pont résonant Pont3 lorsque le circuit de pont résonant Pont2 est alimenté et que la source de tension V1 est court-circuitée, ces deux impédances correspondant respectivement à l’impédance Z1_2 et l’impédance Z3_2 déjà déterminées précédemment.
Ainsi, on a également :
On peut ainsi en déduire le courant i 2 :
On obtient ainsi les valeurs des courants entrant dans les circuits de pont résonant Pont1, Pont2, Pont3 alimentés et la valeur de ces courants varie selon le mode de fonctionnement. En effet, comme vu précédemment, l’impédance équivalente Z1, Z2, Z3 de chaque circuit à résonance série Cell1, Cell2, Cell3 est dépendante de la fréquence de découpage du convertisseur continu-continu ICU, autrement dit, de la fréquence de découpage imposée dans un des circuits de pont résonant Pont1, Pont2, Pont3. En choisissent la fréquence de découpage autour de Fr12 ou Fr23, les impédances équivalentes Z1, Z2, Z3 décrites précédemment varient et par conséquent le courant fourni dans chaque circuit de pont résonant Pont1, Pont2 ou Pont3 aussi.
Les expressions (1) et (4) sont identiques. Cependant, une différence notable entre le mode « direct » G2H et le mode « inverse » L2H est due à la fréquence de découpage imposée lors de l’utilisation du convertisseur continu-continu ICU. L’expression (1) correspond au mode direct G2H et l’expression (4) correspond au mode inverse L2H. Pour chaque circuit à résonance série Cell1, Cell2, Cell3, les fréquences de résonance ω 1 , ω 2 , ω 3 sont fixes et définies par l’expression suivante :
où : i = 1, 2, 3.
Afin de simplifier les expressions des impédances et des courant déterminés précédemment, la fréquence de résonance ω 2 du circuit à résonance série Cell2 est utilisée comme une fréquence de référence. C’est cette fréquence de résonance ω 2 qui est choisie puisque le circuit à résonance série Cell2 est le circuit en lien avec les deux autres circuits à résonance série Cell1 et Cell3 lors des différents modes de fonctionnement.
Ainsi, K1 et K3 correspondent respectivement au gain entre les fréquences de résonance ω 1, ω 3 des circuits à résonance série Cell1, Cell3 par rapport à la fréquence de résonance ω 2 prise comme référence, respectivement:
et [Math. 37] .
Par ailleurs, la fréquence de découpage, définie ω sw, sur laquelle le convertisseur ICU est commandé doit également être normalisée par rapport à la fréquence de résonance du circuit à résonance série qui est en lien avec les deux autres circuits à résonance série lors des différents modes de fonctionnement. Autrement dit, dans le cas présent, la fréquence de découpage est normalisée par rapport à la fréquence de résonance ω 2 .
Ainsi, λ 2 désigne la fréquence de découpage normalisée du deuxième circuit de pont résonant Pont2, par rapport à la fréquence de résonance ω 2, et est définie selon l’expression suivante :