INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Dans la face F5 du composant/partie 5, il peut être formé un épaulement interne correspondant à la surface S15 inférieure de la portion radiale 15a, tandis que le bas de cette face F5 porte les reliefs R15, au niveau de la paroi/portion latérale 15b. Du fait de sa position au plus près d’une collerette C définissant le diamètre externe maximal du contenant interne 10, la pièce 15, 15’ permet un centrage du contenant interne 10 lorsque ce dernier siège sur la zone de pose S20. Avec ce centrage, le corps du contenant interne 10, qui s’étend vers le bas depuis la portion annulaire supérieure E, peut être maintenu radialement espacé du matériau en verre du col supérieur 24.
Dans un mode de réalisation, l’invention concerne le procédé tel que décrit précédemment, dans lequel ladite cellule végétale ou ladite plante appartient à : Alopecurus myosuroides, Amaranthus hypochondriacus, Amaranthus palmeri, Amaranthus tuberculatus, Arabidopsis halleri, Arabidopsis lyrata, Arabidopsis lyrata, Arabidopsis thaliana, Barbarea vulgaris, Boechera stricta, Brachypodium distachyon, Brassica napus (colza) , Brassica oleracea, Brassica rapa (colza) , Camelina sativa, Capsella grandiflora, Capsella rubella, Carica papaya, Eutrema salsugineum, Glycine max (soja) , Gossypium raimondii, Gossypium spp. (coton) , Hordeum vulgare (orge) , Lollium spp., Lotus japonicus (lotier) , Medicago sativa (luzerne), Medicago truncatula (luzerne) , Nicotiana benthamiana (tabac) , Oryza sativa (riz) , Pisum sativum (pois) , Raphanus sativus, Solanum lycopersicum (tomate) , Solanum melongena (aubergine) , Solanum tuberosum (pomme de terre) , Thellungiella halophila, Theobroma cacao, Triticum spp. (blé) , Vitis vignifera (vigne) et Zea mays (maïs).
Dans un mode de réalisation, l’invention concerne le procédé tel que décrit précédemment, dans lequel ladite protéine est codée par un ORF comprenant une séquence d’acides nucléiques présentant au moins 80 % d’identité, de préférence au moins 90 % d’identité, avec une séquence choisie parmi les séquences : SEQ ID NOs : 1 à 161 et 171 à 175.
Dans un mode de réalisation, l’invention concerne le procédé tel que décrit précédemment, dans lequel ladite protéine est codée par un gène comprenant une séquence d’acides nucléiques choisie parmi les séquences : SEQ ID NOs : 1 à 161 et 171 à 175. Dans un mode de réalisation, l’invention concerne également le procédé tel que décrit précédemment, dans lequel ladite protéine est codée par un gène comprenant une séquence d’acides nucléiques choisie parmi les séquences : SEQ ID NOs : 26 à 55 (Cpk3), SEQ ID NOs : 61 à 79 (Dcl1) et SEQ ID NOs : 109 à 134 (Nsp1).
Dans un autre mode de réalisation, l’invention concerne le procédé tel que décrit précédemment, dans lequel ledit cPEP est choisi parmi les séquences : SEQ ID NOs : 162 à 164.
La référence PL désigne un calculateur du dispositif de blocage de stationnement.
VEHICULE AUTOMOBILE COMPRENANT UN PACK BATTERIE EQUIPE D’UN SYSTEME D’EQUILIBRAGE ACTIF DE MODULES DE BATTERIE, PROCEDE ET PROGRAMME SUR LA BASE D’UN TEL VEHICULE L'invention se rapporte au domaine du stockage d’énergie électrique en particulier pour des véhicules automobiles, et plus précisément celui des batteries électriques composées de plusieurs cellules électrochimiques.
Pour optimiser l'énergie disponible d'une batterie, il existe plusieurs types de systèmes d'équilibrage : - passif : le système ne peut que dissiper de l'énergie afin d'obtenir un équilibre en état de charge ou autre grandeur sur l'ensemble des cellules composant un pack batterie ; - actif : le système peut transférer de l'énergie d'une cellule ou d'un groupe de cellule à d'autres.
On peut distinguer deux grandes familles de systèmes d'équilibrage actif : - ceux capables de transférer de l'énergie entre un nombre non restreint de cellules ou groupes de cellules. Par exemple, système d'équilibrage de proche en proche ; - ceux uniquement capables de transférer de l'énergie entre un nombre restreint de cellules ou de groupes de cellules.
On parlera de « module » d’équilibrage actif.
Malheureusement, le système passif ne permet pas d'exploiter le maximum d'énergie de toutes les cellules. Les courants de dissipation étant en général très faibles vis-à-vis des capacités des cellules et des écarts de capacité entre cellules, l'équilibre d'un pack ne peut être maintenu que sur un état particulier. En général, l'équilibre est recherché à haut état de charge pour maximiser l'énergie acceptable pour le pack. 1% d'état de charge à fort état de charge est plus énergétique qu'1% d'état de charge à faible état de charge en raison d'une tension plus élevée cellule chargée que déchargée. A faible état de charge, le pack sera bridé par sa cellule de plus faible capacité qui atteindra la tension minimum en premier. L'énergie restante dans les autres cellules sera inexploitable.
Le système actif au "niveau pack" permet de mieux exploiter l'énergie de toutes les cellules mais son rendement est fortement lié au nombre de cellule
Le système actif "module" est plus efficient mais limité à un nombre restreint de cellules. Son application à des packs est délicate :
Il nécessite de décomposer les packs en sous modules avec un système par sous module et d'ajouter un autre système d'équilibrage au niveau module pour gérer l'équilibre entre les modules. Ce dernier système peut rapidement être onéreux et volumineux à cause des contraintes de tensions.
L’utilisation de systèmes d’équilibrage actif, limités à un nombre restreint de cellules, à des packs batterie est délicat. En effet, il est nécessaire de découper le pack en modules et d’associer un système actif par module. Chaque module a un besoin d’un équilibrage qui lui est propre en raison de la dispersion de fabrication des cellules qui les compose. Chaque système d’équilibrage génère donc des pertes différentes dans chaque module et crée ainsi des déséquilibres entre les modules. Pour compenser ces déséquilibres, il est nécessaire d’ajouter un autre système d’équilibrage supplémentaire entre les modules. Ce système est désavantageux et volumineux en raison des niveaux de tension qu’il adresse.
Un objectif de la présente invention est d’éviter l’ajout de ce système d’équilibrage supplémentaire entre les modules.
Pour atteindre cet objectif, l’invention propose un véhicule automobile comprenant un pack batterie qui comprend des modules de batterie, chaque module de batterie comprenant des cellules connectées à un système d’équilibrage actif, les systèmes d’équilibrage actif étant connectés à un moyen de gestion d’équilibrage, le moyen de gestion d’équilibrage étant configuré pour envoyer un signal d’activation et/ou un signal de dissipation à des ratios respectifs complémentaires en tant que consigne à chaque système d’équilibrage actif, caractérisé en ce que quand le signal d’activation est à un ratio de 100%, un premier système d'équilibrage actif est activé, quand le signal d’activation est à un ratio de 0%, le premier système d'équilibrage actif est désactivé, quand le signal de dissipation est à un ratio de 100%, le premier système d'équilibrage actif génère le maximum de pertes sans modifier l'équilibrage interne du module, et en ce que le moyen de gestion d’équilibrage est configuré pour que - dans un premier délai, le signal d’activation est à un ratio de 100% et le signal de dissipation est à un ratio de 0%, - puis dans un deuxième délai ultérieur, le signal d’activation est à un ratio qui décroit de manière linéaire et le signal de dissipation est à un ratio de 0%, - puis dans un troisième délai ultérieur, le signal d’activation et le signal de dissipation sont à un ratio de 0%, - puis après le troisième délai, le signal d’activation est à un ratio de 0% et le signal de dissipation est à un ratio de 100%.
Ainsi, afin d'éviter l'ajout d'un système d'équilibrage supplémentaire au niveau pack, l'invention propose une méthode de gestion spécifique de chaque système module qui conserve un équilibre global pack. Cette dernière gère en continus le temps d'activation de chaque système d'équilibrage et les utilise si besoin pour dissiper de l'énergie au niveau d'un ou plusieurs modules.
Avantageusement, la méthode permet de contrôler les pertes des systèmes d'équilibrage module pour maintenir un équilibre au niveau pack tout en assurant un équilibrage intra-module.
En outre, l'invention permet d'utiliser des systèmes d'équilibrage actif à nombre restreint de cellules sur des packs batteries sans ajout de composant et ainsi de réduire le cout total et faciliter son intégration.
Selon l’invention, le câble électrique est continu et il n’existe aucune connexion électrique susceptible de générer un échauffement thermique.
Selon une application, le dispositif de protection électrique 32 précédemment décrit est plus particulièrement destiné aux circuits électriques de forte puissance d’un aéronef, notamment d’un aéronef à propulsion électrique ou hybride.
PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN EMPILEMENT SEMICONDUCTEUR HAUTEMENT RÉSISTIF ET EMPILEMENT ASSOCIÉ DOMAINE TECHNIQUE DE L’INVENTION Le domaine technique de l’invention est celui des empilements semiconducteurs destinés à former des substrats de silicium sur isolant, aussi appelé substrats « SOI » pour « Silicon On Insulator » en anglais, et plus particulièrement des substrats SOI mis en œuvre dans le domaine des radiofréquences.
ARRIÈRE-PLAN TECHNOLOGIQUE DE L’INVENTION Les empilements semiconducteurs hautement résistifs, tels que des substrats de silicium sur isolant, ou SOI, sont très utilisés pour des applications radiofréquences car ils favorisent l’intégrité des signaux circulant dans des dispositifs réalisés à leur surface.
Un substrat SOI comporte une première couche semiconductrice, en silicium, appelée « couche support » ou « socle », une deuxième couche semiconductrice, en silicium, appelée « couche active ». La couche active est destinée à accueillir des composants microélectroniques, fabriqués dans ou sur la couche active. On parle d’ailleurs dans ce cas de composants « initiaux » ou « front end » encore « FEOL » pour « Front End Of Line » en anglais. La couche active est séparée de la couche support par une couche isolante, par exemple en oxyde de silicium, disposée entre la couche support et la couche active, et plus particulièrement sous la couche active. La couche isolante est alors dite « enterrée » ou « BOX » pour « Burried OXide ». La couche isolante permet de confiner les porteurs de charge majoritaires dans la couche active ce qui permet d’envisager une fréquence de fonctionnement des composants front end qui soit élevée, par exemple jusqu’à plusieurs dizaines de gigahertz.
Toutefois, des porteurs de charges peuvent s’accumuler dans la couche support, au voisinage de la couche isolante, créant une sous-couche conductrice qui pénalise fortement la conduction dans la couche active. Il existe donc un besoin de réduire la circulation de porteurs de charges dans la couche support, au voisinage de la couche isolante.
L’article [« RF Performance of a Commercial SOI Technology Transferred Onto a Passivated HR Silicon Substrate », Dimitri Lederer and Jean-Pierre Raskin, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, VOL. 55, NO. 7, JULY 2008] apporte une solution à ce problème en formant une couche de piégeage, disposée entre la couche support et la couche isolante, dont le rôle est de piéger les porteurs de charges. La couche de piégeage comprend du silicium polycristallin. Le piégeage des porteurs de charges s’effectue alors au niveau des joints de grains, où sont localisées les liaisons pendantes du silicium. La couche de piégeage est déposée en phase vapeur basse pression (aussi appelée « LPCVD » pour « Low Pressure Chemical Vapor Deposition » en anglais), suivi d’un recuit rapide à une température de 1000 °C, de manière à former les grains de silicium.
L’efficacité de la couche de piégeage repose sur la densité de liaisons pendantes du silicium et donc sur la densité de joints de grains. Or les traitements thermiques mis en œuvre pendant la fabrication des composants microélectroniques au niveau de la couche active tendent à réduire le nombre de grains et donc réduire le nombre de joints de grains. La couche de piégeage en silicium polycristallin impose donc un budget thermique restreint.
Une autre approche du piégeage des porteurs de charges consiste à former des bulles dans la couche support, au voisinage de l’interface entre la couche support et la couche isolante. Les liaisons pendantes au niveau de la surface libre de chaque bulle permettent alors le piégeage des porteurs de charges. L’article [« Chemical and electrical properties of cavities in silicon and germanium », S.M. Myers, D.M. Follstaedt, G.A. Petersen, C.H. Seager, H.J. Stein & W.R. Wampler, Nuclear instruments and Methods in Physics Research B 106 (1995) 379-385] décrit un procédé de formation de bulles dans une couche de silicium par implantation d’ions d’hélium. Toutefois, les bulles formées sont éloignées d’environ 200 nm de l’interface entre la couche support et la couche isolante. De plus, la densité maximale de bulles se trouve localisée à une distance de l’interface comprise entre 1000 nm et 1500 nm. La capacitée de piégeage au niveau de l’interface est donc limitée. De plus, moduler l’énergie d’implantation pour rapprocher les bulles de l’interface pourrait provoquer une exfoliation de la couche isolante. En outre, le temps d’implantation peut être long (de l’ordre de 20 min pour implanter des ions à dans un substrat de 300 mm de diamètre, sous un courant d’implantation de 10 mA et une dose de 10 17 cm -2 ).
Une autre solution connue est décrite dans le document FR3091011 A1 qui divulgue un substrat SOI comprenant une couche de carbure de silicium polycristallin s’étendant à la surface de la couche support. La couche de carbure est préférentiellement polycristalline et permet ainsi de piéger les porteurs de charges, de la même façon qu’une couche de piégeage en silicium polycristallin. La croissance de la couche de carbure est réalisée par croissance à partir de la couche support au moyen d’un précurseur carboné ou par CVD. Toutefois, l’épaisseur de la couche de carbure divulguée est limitée à 5 nm. Or à faible épaisseur, la couche de carbure est fragile chimiquement et peut être contaminée par des espèces apportées lors des étapes de fabrication complémentaires (telles que la fabrication de la couche isolante et/ou de la couche active) et ayant migrées jusqu’à la couche de carbure.
Il existe donc un besoin de fournir un empilement semiconducteur permettant de piéger efficacement les porteurs de charges dans la couche support qui soit également robuste vis-à-vis des étapes complémentaires de fabrication (telles que la fabrication de la couche isolante, de la couche active ou encore des composants « front end »).
L’invention concerne un procédé de fabrication d’un empilement semiconducteur, comprenant, à partir d’une première couche de silicium, dite couche support : la formation d’une couche en carbure de silicium, s’étendant sur la couche support, présentant une épaisseur, mesurée depuis la couche support, supérieure à 5 nm, une fraction d’atomes de carbone de la couche de carbure de silicium, à moins de 20 nm de la couche support, étant strictement supérieure à 50 % ; et le recuit de la couche support et de la couche en carbure de silicium jusqu’à former des cavités, chaque cavité s’étendant dans la couche support, depuis la couche en carbure de silicium, une concentration en oxygène au contact de la couche de carbure de silicium, lors de l’étape de recuit, étant inférieure à 10 ppm et de préférence inférieure à 5 ppm, voire nulle.
Lors du recuit, les atomes de silicium de la couche support migrent vers la couche de carbure formant ainsi, depuis la couche de carbure, des cavités, c’est-à-dire des zones creuses localisées dans la couche support.
Les cavités formées dans la couche support apportent des liaisons pendantes de silicium et permettent ainsi de piéger les porteurs de charges dans la couche support. L’agencement des cavités permet de piéger efficacement les porteurs de charge au plus près de l’interface entre la couche support et la couche de carbure.
De plus, le carbure de silicium présente est un semiconducteur présentant une bande interdite indirecte dont l’écart est supérieur à 2 eV, voire 3 eV. La couche de carbure empêche ainsi la circulation de porteurs de charges au voisinage de la couche isolante.
Puisque le piégeage, ne repose pas sur la présence de joints de grains, qui sont sensibles à la température, l’empilement présente alors une stabilité morphologique améliorée. De plus, lors d’un traitement thermique, la température impliquant la coalescence des cavités est nettement supérieure à la température impliquant la coalescence des grains dans une structure polycristalline. La température impliquant la coalescence des cavités est d’ailleurs supérieure aux températures mises en œuvre lors d’étapes de fabrication complémentaires. De plus, alors, que la coalescence des grains s’accompagne d’une disparition de pièges, la coalescence éventuelle des cavités se fait à surface constante.
De préférence, la composition solide selon l’invention (composition finale, après séchage) présente une activité de l’eau inférieur à 0.75, mieux inférieure à 0.72, encore mieux inférieure à 0.70. L’activité en eau, Aw, représente la proportion d’eau liée par rapport à l’eau libre qui est propice au développement de micro-organismes. La valeur varie entre 0 et 1. L’activité est de 0 pour un produit totalement sec et elle est de 1 pour de l’eau pure.
La composition solide selon l’invention peut comprendre de l’eau ajoutée lors de sa préparation et/ou de l’eau pouvant provenir des matières premières mises en œuvre lors de la préparation de ladite composition.
Par « poudre », on entend une composition sous forme pulvérulente, de préférence essentiellement dépourvue de poussière (ou particules fines). Autrement dit, la distribution granulométrique des particules est telle que le taux pondéral des particules qui ont une taille inférieure ou égale à 50 µm (taux de fines), de préférence inférieure ou égale à 45 µm (taux de fines) est avantageusement inférieur ou égal à 5% en poids, de préférence inférieur à 3% en poids et plus particulièrement inférieur à 1% en poids, par rapport au poids total de particules (taille des particules évaluées au moyen d’un granulomètre RETSCH AS 200 DIGIT ; Hauteur d’oscillation : 1,25 mm / temps de tamisage : 5 minutes).
Par « pâte », on entend une composition présentant une viscosité supérieure à 0,5 Pa.s (5 poises) et de préférence supérieure à 1 Pa.s (10 poises), mesurée à 25°C et à un taux de cisaillement de 1 s -1 ; cette viscosité pouvant être déterminée au moyen d’un rhéomètre cône-plan.
De manière avantageuse, la composition solide se présente sous forme de poudre.
De manière avantageuse, la taille des poudres ou des particules est comprise, dans sa dimension la plus grande, entre 30 µm et 5 mm, et plus particulièrement entre 45 µm et 2 mm, mieux entre 50 µm et 1 mm, encore mieux entre 60 et 700 µm.
De manière avantageuse, la composition solide se présente sous forme de poudre, la taille des poudres étant comprise, dans sa dimension la plus grande, entre 30 µm et 5 mm, et plus particulièrement entre 45 µm et 2 mm, mieux entre 50 µm et 1 mm, encore mieux entre 60 et 700 µm.
Lorsque la composition solide selon l’invention ne se présente pas sous forme de poudre ou de particules, celle-ci présente avantageusement une force de pénétration à 25°C et sous 1,013 x 10 5 Pa (1 atm), supérieure ou égale à 200 g, de préférence supérieure ou égale à 300 g, plus préférentiellement supérieure ou égale à 400 g, et mieux encore supérieure ou égale à 500 g. La force de pénétration est déterminée par pénétrométrie. Les mesures d'analyse de texture sont effectuées à 25°C à l'aide d'un texturomètre Stable Micro Systems TA.XT Plus. Les expériences de pénétrométrie sont réalisées avec une tige métallique munie d’un embout vissé, ledit embout étant une aiguille P/2N de 2 mm pour la partie haute, relié à la tête de mesure. Le piston s’enfonce dans l'échantillon à vitesse constante de 1 mm/s, sur une hauteur de 5 mm. On enregistre la force exercée sur le piston et la valeur moyenne de la force est calculée.
La composition solide selon l’invention peut se présenter sous la forme d’une composition solide compressée, notamment à l’aide d’une presse manuelle ou mécanique. De préférence, la dureté de la composition solide compressée est comprise entre 10 et 300 N, mieux entre 15 et 200 N, encore mieux entre 15 et 100 N.
La densité de la composition solide selon la présente invention est de préférence comprise entre 0,1 et 1, plus préférentiellement entre 0,2 et 0,8, et mieux encore entre 0,3 et 0,7. Elle est mesurée de la manière suivante : une quantité déterminée (masse, m) de poudre est placée dans une éprouvette graduée. L’éprouvette est ensuite tapée 2500 fois de façon automatique. Le volume (v) ainsi obtenu est lu sur l’éprouvette et la densité (d) est ensuite déterminée selon la formule d=m/v.
Tensioactifs cationique(s) i) La composition solide selon la présente invention comprend un ou plusieurs tensioactifs cationiques i).
Les tensioactifs cationiques sont avantageusement choisis parmi les amines grasses primaires, secondaires ou tertiaires, éventuellement polyoxyalkylénées ; les sels d'ammonium quaternaire, et leurs mélanges.
Assemblage étanche, notamment pour un onduleur La présente invention concerne notamment un assemblage étanche, notamment pour un onduleur de machine électrique tournante. L’onduleur est notamment du type embarqué à bord d’un véhicule.
Dans des applications automobiles, les machines électriques tournantes réversibles peuvent être associées à des onduleurs. Un onduleur est un dispositif électronique de puissance permettant de générer des tensions et des courants alternatifs à partir d'une source d'énergie électrique continue telle qu’une batterie.
L’onduleur peut être pourvu d’un connecteur électrique de signaux permettant de transmettre des signaux de commande à l’onduleur. D’une manière générale, ce connecteur électrique de signaux est une pièce spécifique pour chaque client. Ce connecteur électrique de signaux est fabriqué par exemple en matière plastique, et assemblé avec un couvercle en métal de l‘onduleur. Pour chaque client, le routage des éléments conducteurs du connecteur électrique de signaux change et donc également les points de fixation entre le connecteur et le couvercle.
L’invention vise notamment à limiter le coût et l’impact des points de fixation sur le routage, tout en assurant une bonne étanchéité de l’ensemble.
L’invention a ainsi pour objet un assemblage étanche, notamment pour un onduleur de machine électrique tournante, comportant : un premier composant, notamment un couvercle, comportant au moins un orifice de fixation, un deuxième composant, notamment un connecteur électrique, comportant un pion de bouterollage, ce pion de bouterollage ayant un axe et étant configuré pour coopérer avec l’orifice de fixation du premier composant pour permettre de solidariser ensemble les premier et deuxième composants suivant l’axe du pion de bouterollage, un joint colle interposé entre les premier et deuxième composants, autour de l’orifice de fixation de manière à, d’une part, réaliser une étanchéité empêchant des débris ou un liquide de pénétrer dans l’orifice de fixation et, d’autre part, participer à la fixation des premier et deuxième composants ensemble suivant l’axe du pion et également suivant un plan perpendiculaire à cet axe du pion.