Procédé de fabrication d’une structure thermoélectrique comprenant les étapes suivantes : a) fournir un substrat (100) en un premier matériau, b) déposer un élément thermoélectrique (200) en un deuxième matériau sur le substrat (100), par fabrication additive, de préférence par SLS ou FLLP, c) amincir et découper le substrat (100), jusqu’à obtenir un film (101) en premier matériau, moyennant quoi on obtient une structure thermoélectrique comprenant un film (101) et l’élément thermoélectrique (200). Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce que le substrat (100) est recouvert, complètement ou localement, par une couche d’accroche (300) métallique en un troisième matériau et en ce que l’élément thermoélectrique (200) est formé sur la couche d’accroche (300), moyennant quoi on obtient une structure thermoélectrique comprenant un film (101), une couche d’accroche (300) et un élément thermoélectrique (200), le troisième matériau étant de préférence choisi parmi Al, Ti, Cu, Au et Ni. Procédé selon l’une des revendications 1 à 2, caractérisé en ce que l’élément thermoélectrique (200) est une pièce ayant la forme d’un peigne délimitant une base et une pluralité de branches, sensiblement parallèles entre elles, s’étendant sensiblement orthogonalement à partir de la base, la pluralité de branches ayant une première extrémité et une deuxième extrémité, la première extrémité étant reliée à la base, et la deuxième extrémité étant en contact avec le film (101) ou le cas échéant en contact avec la couche d’accroche (300) métallique. Procédé selon l’une des revendications 1 à 2, caractérisé en ce que l’élément thermoélectrique (200) est un plot, ayant une base et une hauteur. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que le substrat (100) est découpé de manière à avoir un film (101) ayant une même surface que la surface de la base du plot. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que le substrat (100) est découpé de manière à avoir un film (101) ayant une surface supérieure à la surface de la base du plot. Procédé selon l’une des revendications 4 à 6, caractérisé en ce que, entre l’étape b) et l’étape c), le procédé comprend une étape additionnelle au cours de laquelle on dépose, sur l’élément thermoélectrique (200), une couche de métallisation intermédiaire (400) puis un élément thermoélectrique additionnel (500) en un quatrième matériau ayant un type de conductivité opposé au type de conductivité du deuxième matériau. Procédé selon l’une des revendications 6 à 7, caractérisé en ce que, lors de l’étape b), plusieurs plots sont déposés et en ce que le substrat (100) est découpé de manière à avoir une structure comprenant un film (101) sur lequel sont disposés plusieurs plots. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le deuxième matériau est Si, SiGe, Bi 2 Te 3 , Half-Heusler, Skutterudites. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le premier matériau est de l’acier 316L, de l’aluminium, du titane, un alliage CuZr, une céramique ou du graphite. Structure thermoélectrique obtenue par le procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, comprenant un film (101), par exemple en acier 316L, aluminium, titane, alliage CuZr, céramique ou graphite, sur lequel est disposé un ou plusieurs éléments thermoélectriques (200). Structure thermoélectrique selon la revendication précédente, caractérisée en ce qu’une couche d’accroche (300) métallique, par exemple en Al, Ti, Cu, Au ou Ni, est disposée entre le film (101) et le ou les éléments thermoélectriques (200). Dispositif thermoélectrique comprenant deux structures thermoélectriques telles que définies dans l’une des revendications 11 et 12, chaque structure comprenant un film (101, 111), par exemple en acier 316L, aluminium, titane, alliage CuZr, céramique ou graphite, et un ou plusieurs éléments thermoélectriques (200, 201, 210, 211), une couche d’accroche (300, 310) métallique, par exemple en Al, Ti, Cu, Au ou Ni, pouvant être disposée entre le film (101, 111) et le ou les éléments thermoélectriques (200, 201, 210, 211) des deux structures thermoélectriques, le ou les éléments thermoélectriques d’une des structures thermoélectrique étant d’un premier type de conductivité et le ou les éléments thermoélectriques de l’autre structure thermoélectrique étant d’un deuxième type de conductivité opposé au premier type de conductivité.