INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Plus particulièrement, la surface externe 24 de la deuxième couche de revêtement 14 s’étend dans la continuité de la surface externe 16 de la première couche de revêtement 12, c’est-à-dire que, dans le cas d’une surface externe 16 de la première couche de revêtement plane, la surface externe 24 de la deuxième couche de revêtement 14 est également plane et s’étend dans le même plan que la surface externe 16 de la première couche de revêtement 12. Dans le cas d’une surface externe 16 de la première couche de revêtement 12 incurvée, la surface externe 24 de la deuxième couche de revêtement 14 suit la même incurvation que celle de la surface externe 16 de la première couche de revêtement 12. En d’autres termes, la surface externe 16 de la première couche de revêtement 12 et la surface externe 24 de la deuxième couche de revêtement 14 sont affleurantes, de sorte qu’il n’existe pas de décalage selon la direction de l’épaisseur de l’élément de revêtement ni selon les directions dans lesquelles s’étendent les surfaces externes entre la surface externe 16 de la première couche de revêtement 12 et la surface externe 24 de la deuxième couche de revêtement 14, comme cela est plus particulièrement visible sur la . La surface externe de l’élément de revêtement 4 est ainsi ininterrompue au niveau de la transition entre la première couche de revêtement 12 et la deuxième couche de revêtement 14, de sorte que l’élément de revêtement 4 présente un aspect particulièrement satisfaisant.
Une planarisation de la couche active 15 et/ou un recuit complémentaire de l’empilement 10 peut être réalisé pour préparer la couche active 15 et/ou améliorer l’adhésion des couches de l’empilement 10.
La représente schématiquement un deuxième mode de mise en œuvre du procédé 20. Selon ce mode de mise en œuvre, l'étape de formation 25 de la couche isolante 14 intervient avant l’étape de recuit 23 de l’empilement 10. Cette inversion des étapes permet de simplifier l’étape de recuit 23 en ce que l’atmosphère neutre, précédemment décrite, n’a plus besoin d’avoir une concentration d’oxygène inférieure à 10 ppm. Elle peut être, inférieure à 1% seulement. Le procédé 20 de fabrication est ainsi plus simple à mettre en œuvre et notamment avec des équipements industriels.
Selon ce mode de mise en œuvre, la couche isolante 14 est formée sur la couche de SiC 12, telle qu’illustrée par la . Elle forme une barrière permettant de réduire, voire stopper la diffusion d’espèces provenant de l’atmosphère environnante vers la couche de SiC 12. L’empilement 10 peut alors simplement être recuit 23 dans une atmosphère neutre présentant une concentration d’oxygène inférieure à 1 %.
La formation 25 de la couche isolante 14 avant recuit est préférentiellement réalisée par dépôt CVD, par exemple d’un précurseur d’orthosilicate de tétraéthyle Si(OCH 2 CH 3 ) 4 (aussi appelé « TEOS »). Le dépôt CVD est avantageusement assisté par plasma (dit PECVD) pour produire, à partir du précurseur, une couche de dioxyde de silicium SiO 2 . Ce dépôt peut être réalisé à une température comprise entre 300 °C et 500 °C, afin de ne pas anticiper le recuit 23 de l’empilement 10. Le dépôt est réalisé de manière à former une couche isolante 14 présentant une épaisseur 121, mesurée perpendiculairement au plan P, comprise entre 100 nm et 1000 nm.
La formation 25 de la couche isolante 14 est avantageusement réalisée dans le même équipement que celui utilisé pour former la couche de SiC 12. Ceci permet d’éviter que de la vapeur d’eau, provenant de l’atmosphère extérieure (par exemple de la salle blanche), ne se dépose sur la couche de SiC 12 (au risque d’oxyder cette dernière).
Le procédé 20 peut également comprendre, pour fabriquer un empilement 10 de type substrat SOI, la formation 26 de la couche active 15. À la différence du mode de mise en œuvre de la , le procédé 20 selon la ne forme que la couche active 15 après le recuit 23. La couche active 15 peut être formée par transfert à partir d’un substrat donneur 30 tel qu’illustré par la . Le substrat donneur 30 ne comporte toutefois ici que la couche semiconductrice 35 cristalline ou polycristalline. La formation 25 de la couche isolante 14 avant le recuit 23 permet ainsi de simplifier l’étape de formation 26 de la couche active 15 par transfert, en ce qu’il n’y a qu’une seule couche qui soit transférée.
La formation 26 de la couche active 15 par transfert comprend préférentiellement une implantation d’ions légers, telle que décrite précédemment. Toutefois, la profondeur d’implantation est ajustée afin de transférer, sur l’empilement 10, une couche active 15 présentant une épaisseur comprise entre 50 nm et 500 nm. Le collage du substrat donneur 30 est également préférentiellement préparé tel que décrit précédemment. La surface libre du substrat donneur 30 est notamment également activée au moyen d’un plasma d’oxygène ou d’azote afin d’améliorer le collage.
La couche isolante 14 de l’empilement 10 peut également comprendre, avant la formation 26 de la couche active 15, un lissage 24 d’une surface 141 de la couche isolante destinée à recevoir la couche active 15. Le lissage 24 est avantageusement similaire au lissage décrit en référence à la .
Le procédé 20 peut également comprendre, de manière commune aux modes de réalisation des et , une étape de fourniture 21 de la couche support 11, antérieure à l’étape de formation de la couche de SiC 12. Outre l’approvisionnement de la couche support 11, l’étape de fourniture 21 peut comprendre la préparation de la couche support 11 de manière à permettre, voire favoriser, lors du recuit 23, la diffusion des atomes de silicium de la couche support 11 vers la couche de SiC 12. La préparation peut comprendre le retrait de contaminants organiques ou métalliques, des dopants ou des particules. Le retrait peut se faire en mettant en œuvre des recettes connues telles qu’une recette humide dite « CARO » (visant à retirer les contaminants organiques) ou des séquences de la recette « RCA », comprenant par exemple un nettoyage dit « HF » (visant à retirer les dopants), un nettoyage dit « SC1 » (visant à retirer les contaminants organiques et les particules) et/ou un nettoyage dit « SC2 » (visant à retirer les contaminants métalliques). Lorsque la couche support 11 comprend un oxyde natif, il est alors avantageux de procéder à son retrait par exemple au moyen d’un plasma, préférentiellement dans la chambre qui accueillera la formation 22 de la couche de SiC 12, voire le recuit 23 de l’empilement 10.
Procédé de fabrication d’un dispositif électronique de puissance, et dispositif obtenu par ce procédé La présente description concerne de façon générale les dispositifs électroniques. La présente description vise plus particulièrement un procédé de fabrication d’un dispositif électronique de puissance à base de nitrure de gallium (GaN), et un dispositif obtenu par ce procédé.
Des dispositifs électroniques de puissance à base de nitrure de gallium ont été proposés. Ces dispositifs et leurs procédés de fabrication souffrent toutefois de divers inconvénients.
Un objet d’un mode de réalisation est de pallier tout ou partie des inconvénients des dispositifs électroniques de puissance à base de nitrure de gallium connus.
Pour cela, un mode de réalisation prévoit un procédé de fabrication d’un dispositif électronique de puissance comprenant les étapes successives suivantes : a) prévoir un substrat semiconducteur en silicium, le substrat comportant une face avant et une face arrière, opposée à la face avant ; b) former, par croissance épitaxiale depuis la face avant du substrat, une première couche continue en au moins un métal de transition nitruré revêtant la face avant du substrat ; et c) former, sur la première couche, par croissance épitaxiale du côté de la face avant du substrat, au moins une deuxième couche en un matériau III-V, de préférence III-N.
Selon un mode de réalisation, la première couche continue est en un métal de transition nitruré ou un alliage de métaux de transition nitrurés choisis parmi le nitrure de titane, le nitrure de vanadium, le nitrure de chrome, le nitrure de zirconium, le nitrure de niobium, le nitrure de molybdène, le nitrure d’hafnium et le nitrure de tantale.
Selon un mode de réalisation, le procédé comprend en outre, entre les étapes b) et c), une étape de formation, par ablation laser pulsée depuis une face de la première couche opposée à la face avant du substrat, d’une troisième couche épitaxiale en un matériau choisi parmi le nitrure d’aluminium, le nitrure de gallium, le nitrure d’indium et les alliages de ces matériaux, la troisième couche revêtant ladite face de la première couche.
Selon un mode de réalisation, le procédé comprend en outre, entre les étapes b) et c), une étape de gravure de la première couche et du substrat.
Chaque ensemble E1 à En de coefficients de commande comprend une première liste [PT111 à PT11k], [PTm11 à PTm1k], [PTn11 à PTn1k] et une deuxième liste [PT121 à PT12k], [PT121 à PT12k], [PT121 à PT12k], k étant un nombre entier supérieur à 1.
Les moyens de commande comprennent des moyens d’asservissement aptes à déterminer des valeurs de commande des paliers radiaux 10, 11 et du palier axial 12 à partir des première et deuxième listes [PT111 à PT11k], [PTm11 à PTm1k], [PTn11 à PTn1k], [PT121 à PT12k], [PT121 à PT12k], [PT121 à PT12k] de coefficients de commande.
Comme les moyens d’asservissement des paliers radiaux 10, 11 et du palier axial 12 sont d’architecture identique, seule un exemple schématique des moyens d’asservissement du palier radial 10 est illustré à la .
Les moyens d’asservissement comprennent une boucle de régulation comprenant un comparateur 30.
Le comparateur 30 comprend une entrée d’addition recevant une consigne CONS et une entrée de soustraction.
La boucle de régulation comprend en outre un correcteur 31 par exemple du type proportionnel intégrateur dérivée PID comprenant une entrée reliée à une sortie du comparateur 30 et une sortie reliée à une entrée de commande des amplificateurs de courant 13, 14 alimentant les bobines 10a, 10b.
Le contrôleur 31 du type PID comprend des paramètres d'asservissement comprenant par exemple un gain K1 proportionnel, un gain K2 d’intégration, et un gain K3 de dérivation.
Les valeurs des gains K1, K2, K3 sont déterminées à partir des ensembles E1 à En de coefficients de commande tel que décrit ultérieurement.
Chaque bobine 10a, 10b génère la force magnétique FM10a, FM10b sur le rotor 5, les forces magnétique FM10a, FM10b étant de sens opposées l’une par rapport à l’autre.
En outre, le rotor 5 subit des forces extérieures Fext générés principalement par la meule 6 et par la gravité (poids du rotor 5).
Le capteur 19 mesure la position radiale du rotor 5 subissant la résultante des forces magnétique FM10a, FM10b et des forces extérieures Fext, et délivre un signal S1 représentatif de la position du rotor 5 dans le palier 10.
Le signal S1 est délivré sur l’entrée de soustraction du comparateur 30.
La consigne CONS est choisie de sorte que l’axe de rotation de du rotor 5 coïncide avec l’axe central du palier 10.
La illustre un exemple d’un procédé de commande de la broche 4.
On suppose que la rectifieuse 1 débute un cycle de production de sorte que le compteur 26 est réinitialisé à la valeur nulle, et que la bague 8 est disposé dans le dispositif de maintien pour être rectifiée.
Durant une étape 40 de détermination du type de la bague de roulement, les moyens de détermination déterminent le type T1 de la bague 8.
Bien entendu, le cas de la correspond au paramétrage où la fonctionnalité d’activation automatique du mode d’alimentation en dérivation est activée, par exemple en enregistrant BPSS_AUTO_EN_LTCHD à la valeur activé « 1 » dans le registre de configuration RGS.
La illustre le cas où le contrôleur NFC_CTRLR entre dans le mode basse consommation HIBERN en étant déjà dans le mode d’alimentation en dérivation.
Ainsi, dans le mode basse consommation HIBERN, la tension d’alimentation externe est appliquée sur le nœud d’entrée d’alimentation VCC_IN, le circuit commutateur SWT est dans la position d’alimentation en dérivation BPSS et le limiteur de courant SLR est activé EN.
Si, dans cet état, la tension d’alimentation externe cesse d’être appliquée sur le nœud d’entrée d’alimentation VCC_IN, alors le mode d’alimentation en dérivation est automatiquement désactivé, positionnant le circuit commutateur SWT dans la position d’arrêt OFF et le limiteur de courant SLR est désactivé DIS.
Il a ainsi été décrit des exemples d’une technique permettant l’activation/désactivation automatique du mode d’alimentation en dérivation, ainsi que l’activation/désactivation automatique du limiteur de courant SLR dans le mode d’alimentation en dérivation pour limiter la consommation en mode très basse consommation. En outre, le logiciel DGTL du contrôleur NFC_CTRLR a la possibilité d’autoriser ou non ces fonctionnalités d’activations/désactivations automatiques.
En particulier, il n’est pas nécessaire « de réveiller » le contrôleur NFC_CTRLR dans l’état actif ACT, ni de faire intervenir le logiciel, pour effectuer la gestion de l’alimentation selon ces deux fonctionnalités.
En outre, ces fonctionnalités sont également effectives lorsque le contrôleur NFC est forcé à l’état éteint, par exemple par un signal d’extinction imposé sur une broche externe du circuit intégré. Ainsi, même si le logiciel du contrôleur NFC_CTRLR n’est jamais activé dans la vie du système SYS, les périphériques de sécurité SIM1, SIM2 peuvent être utilisés par le modem MDM.
Par ailleurs, ces fonctionnalités ne sont pas affectées un par une réinitialisation externe (usuellement « hard reset » en anglais), et ne présentent pas le risque d’engendrer un dysfonctionnement le cas échéant.
Système de gestion d’éclairage autonome avec imageur thermique DOMAINE TECHNIQUE DE L’INVENTION Le domaine technique de l’invention est celui de la gestion d’éclairage autonome, en particulier dans le domaine d’éclairage des bâtiments tertiaire. La gestion de l’éclairage consiste à piloter les luminaires de façon indépendantes en fonction de la présence et de la position des occupants, du niveau de luminosité ambiant et de la consigne de luminosité fixée, le but étant d’optimiser la consommation d’énergie sans pénaliser le confort des usagers.
La présente invention concerne un système de gestion d’éclairage applicable aux luminaires ou produits connectés, par connexion filaire ou sans fil tel que le WIFI, par exemple par un bus de gestion d’éclairage comme DALI ou bien encore à une sortie de type électromécanique comme un relais.
ARRIERE-PLAN TECHNOLOGIQUE DE L’INVENTION Il est connu des systèmes de gestion permettant de commander différents luminaires ou sources lumineuses notamment de façon indépendante en fonction du besoin d’utilisateur dans un espace. Ces systèmes de gestion permettent notamment de faire des économies d’électricité en commandant uniquement les luminaires éclairant uniquement les zones de besoin d’éclairage. En effet, dans les grands espaces tels que les bureaux de type open-spaces, plusieurs sources lumineuses sont positionnées pour éclairer l’ensemble de l’open-space, mais si une seule personne est située dans le grand espace, le besoin de l’utilisateur peut être d’avoir uniquement un ou deux ou trois luminaires éclairant la zone où la personne est située. Cependant, un tel système de gestion nécessite de détecter la position de la personne.
Il est connu des systèmes de gestion comprenant un détecteur de mouvement de type pyroélectrique, ultrasonique, hyperfréquence. Le problème des détecteurs de type pyroélectrique et que le détecteur s’active quand l’infrarouge auquel est soumis un module pyroélectrique dans le détecteur de type pyroélectrique varie. Si l’individu est parfaitement immobile (même s’il émet des ondes infrarouge) devant le détecteur, il ne sera pas détecté. Il en est de même avec les détecteurs de mouvement par onde de type ultrasonique ou hyperfréquence de mouvement, en effet il ne détecte qu’en cas de mouvement. Autrement dit, le problème des détecteurs de mouvement par onde de type ultrasonique ou hyperfréquence de mouvement est qu’il ne détecte pas une présence lorsque la personne est immobile, et le dispositif de gestion ne détectant plus la personne peut ordonner, après une temporisation, d’éteindre alors qu’une personne est encore dans la zone de détection.
En outre, le problème de ces détecteurs de mouvement est qu’il nécessite différents capteurs à différent emplacement pour partitionner des zones dans l’espace tout en ayant des problèmes de recouvrement de zone par un individu détecté par plusieurs capteurs.
Une des solutions connues est d’avoir un système de gestion comprenant un imageur dans le domaine du visible (CMOS, une caméra vidéo) avec un dispositif de reconnaissance humaine (unité informatique et logiciel) pour permettre de détecter l’humain lorsqu’il est dans le champ de vision de la caméra. Cependant, ce type de caméra avec ce dispositif de reconnaissance humaine est couteux, gourmand en énergie et est généralement intrusive en particulier quand il peut transmettre les vidéos à un dispositif distant. Une des solutions pour diminuer la consommation est que le dispositif de gestion d’éclairage comprend en outre un capteur de mouvement pour allumer l’imageur lorsqu’il détecte un mouvement et l’imageur détecte la présence immobile afin de diminuer la consommation électrique tout en détectant une personne immobile. Cependant un tel dispositif est couteux du fait des deux capteurs et est intrusive et énergivore quand l’imageur et le dispositif de traitement numérique fonctionnent pour détecter une présence immobile. En outre de tel capteur d’imagerie sont intrusive si le dispositif de reconnaissance humaine est déporté par rapport à l’imageur CMOS, voir même peuvent être illégale en cas d’image transmise à un appareil distant ou encore peuvent apporter des problèmes de cybersécurité en particulier dans des lieux de secret défense ou secret industriel.
En outre, le problème des systèmes de gestion comprenant un imageur dans le domaine du visible (une caméra vidéo) avec un dispositif de reconnaissance humaine (unité informatique et logiciel), est qu’en cas de passage d’un individu derrière une vitre ou de reflet sur une vitre ou un miroir ou encore en cas d’écran tv etc.., le dispositif de reconnaissance humaine (unité informatique et logiciel) peut détecter une présence dans une zone alors qu’elle n’est pas située dans cette zone.
Il existe donc un besoin d’avoir un système de gestion d’éclairage pouvant s’adapter à l’environnement en partitionnant des zones de l’environnement et en détectant la position d’individu pour commander l’éclairage associé à la position d’un individu dans une des zones partitionnées, sans être intrusif, pour permettre de diminuer la consommation électrique en éclairant indépendamment les sources lumineuses en fonction des zones de présence humaine immobile ou mobile tout en diminuant la consommation électrique d’un tel système de gestion.
Détecteur et procédé de détection de dysfonctionnement, et superviseur et procédé de supervision d’équipements L'invention concerne la détection de dysfonctionnement et la supervision d’équipements, notamment d’appareils électroménagers, de machines, etc. afin de permettre une meilleure gestion des pannes de ces équipements.
État de la technique Aujourd’hui, le fonctionnement d’un équipement : machine ou équipement électroménager peut être surveillé de différentes façons.
Le type de la bague 8 est indiqué par un opérateur par l’intermédiaire de l’écran 25.
Alternativement, le type de la bague 8 est déterminé par les moyens de détermination à partir du programme de production.
Le contrôleur programmable 50 délivre aux moyens de sélection 23 le type T1.
Durant une étape 41 de sélection, les moyens de sélection 23 sélectionnent l’ensemble E1 de coefficients de commande stocké dans les moyens de stockage 22 et associés aux types T1 de la meule 6 et de la bague 8 déterminés par les moyens de détermination.
Puis durant une étape 42, comme la meule 6 n’a pas rectifié de bague, le compteur 26 délivre une valeur nulle et le procédé se poursuit à une étape 43 de dressage.
Durant l’étape 43 de dressage, le contrôleur programmable 50 commande les moyens de sélection 23 de sorte que les moyens de sélection 23 sélectionnent les coefficients PT111 à PT11k de la première liste de coefficients de commande du premier ensemble E1 et assignent la valeur desdits coefficients aux paramètres d’ asservissement pilotant les amplificateurs de courant 10, 11, 12.
Le contrôleur de paliers magnétiques 51 pilote les paliers magnétiques 10, 11, 12 à partir des coefficients PT111 à PT11k de la première liste de coefficients de commande du premier ensemble E1, le contrôleur programmable 50 pilote la table 3 et l’unité de contrôle 52 pilote le moteur 9 de sorte que la meule 6 est structurée par l’outil de dressage 7.
Le compteur 26 est incrémenté d’une unité.
Puis durant une étape 44, comme le compteur 26 délivre une valeur non nulle, le contrôleur programmable 50 commande les moyens de sélection 23 de sorte que les moyens de sélection 23 sélectionnent les coefficients PT121 à PT12k de la deuxième liste de coefficients de commande du premier ensemble E1 et assignent la valeur desdits coefficients aux paramètres d’asservissement pilotant les amplificateurs de courant 10, 11, 12.
Le contrôleur de paliers magnétiques 51 pilote les paliers magnétiques 10, 11, 12 à partir des coefficients PT121 à PT12k de la deuxième liste de coefficients de commande du premier ensemble E1, le contrôleur programmable 50 pilote la table 3 et l’unité de contrôle 52 pilote le moteur 9 de sorte que la meule 6 rectifie la surface de la bague 8 de roulement.
Durant une étape 45, lorsque la surface de la bague 8 de roulement est rectifiée, la bague 8 est retirée du dispositif de maintien et remplacée par une autre bague du type T1.
En outre, le compteur 26 est incrémenté d’une unité.
Tant que le compteur 26 n’a pas atteint une valeur seuil prédéterminée (étape 42), on poursuit à l’étape 44.
Lorsque le compteur a atteint la valeur seuil prédéterminée (étape 42), le compteur 26 est réinitialisé et le procédé se poursuit à l’étape 43 de dressage.
La valeur seuil prédéterminée est par exemple égale à cinq de sorte que lorsque cinq surfaces de bagues de type T1 sont rectifiées, la meule 6 est dressée permettant de garantir une qualité constante de rectification.
Le procédé peut en outre comprendre une étape d’installation d’une nouvelle bague de roulement d’un type différent du type T1 de la bague 8 de roulement déterminé lors de l’étape de détermination du type de bague de roulement.
L’unité de commande 16 comprend un corps principal 20, qui est ici formé par l’assemblage d’une portion avant 22, orientée vers l’utilisateur lorsque l’unité de commande 16 est fixé sur un mur 6, et d’une portion arrière 24, orientée à l’opposé de la portion avant 22. La portion avant 22, visible sur la , comprend ici plusieurs boutons 23 destinés à la commande des équipements de l’installation domotique 2, par exemple des boutons 23A en forme de flèche pour commander la montée ou la descente de l’écran 8 de volet roulant, des boutons ronds 23B pour l’allumage ou l’extinction de luminaires, etc. Le nombre, la forme, l’agencement et la fonction des boutons 23 de l’unité de commande 16, qui sont prévus sur l’avant de l’unité de commande 16, ne sont pas limitatifs. Dans l’exemple illustré, l’unité de commande 16 comprend aussi un support de fixation sur un mur, ici le mur 6. Le support de fixation comprend des premiers moyens de fixation, qui coopèrent avec des premiers moyens de fixation du corps principal 20, et des deuxièmes moyens de fixation sur le mur 6. Le support de fixation n’est pas représenté.