Procédé (20) de fabrication d’un empilement semiconducteur (10), comprenant, à partir d’une première couche de silicium (11), dite couche support : la formation (22) d’une couche en carbure de silicium (12), s’étendant sur la couche support (11), présentant une épaisseur (121), mesurée depuis la couche support (11), supérieure à 5 nm, une fraction d’atomes de carbone de la couche de carbure de silicium (12), à moins de 20 nm de la couche support (11), étant strictement supérieure à 50 % ; et le recuit (23) de la couche support (11) et de la couche en carbure de silicium (12) jusqu’à former des cavités (13), chaque cavité (13) s’étendant dans la couche support (11) depuis la couche en carbure de silicium (12), une concentration en oxygène au contact de la couche de carbure de silicium (12), lors de l’étape de recuit (23), étant inférieure à 10 ppm. Procédé (20) selon la revendication précédente, dans lequel le recuit (23) est réalisé pendant une durée comprise entre 15 min et 2 h à une température comprise entre 900 °C et 1100 °C. Procédé (20) selon l’une des revendications précédentes, dans lequel la couche de carbure de silicium (12) issue de l’étape de formation (22) est amorphe, le recuit (23) des couches étant réalisé de manière à cristalliser la couche de carbure de silicium (12) selon un arrangement polycristallin. Procédé (20) selon l’une des revendications précédentes, dans lequel la couche de support (11) est orientée dans un plan (P) et dans lequel une fraction d’atomes de carbone de la couche de carbure de silicium (12), à moins de 20 nm de la couche support (11), est inférieure ou égale à 70 %. Procédé (20) selon l’une des revendications précédentes, dans lequel l’épaisseur (121) de la couche de carbure de silicium (12) est inférieure à 500 nm. Procédé (20) selon l’une des revendications précédentes, dans lequel chaque cavité (13) présente des facettes, chaque facette étant préférentiellement orientée parallèlement à un plan cristallographique. Procédé (20) selon l’une des revendications précédentes, dans lequel la couche de support (11) est orientée dans un plan (P) et dans lequel les cavités (13) s’étendent sur une distance (133), mesurée perpendiculairement au plan (P) et depuis la couche de carbure de silicium (12), comprise entre 5 nm et 100 nm. Procédé (20) selon l’une des revendications précédentes, comprenant la formation (25) d’une couche isolante (14) s’étendant sur la couche de carbure de silicium (12). Procédé (20) selon la revendication précédente, dans lequel la formation (25) de la couche isolante (14) est réalisée par dépôt, avant ledit recuit (23). Procédé (20) selon l’une des deux revendications précédentes, dans lequel le recuit (23) de la couche support (11), de la couche en carbure de silicium (12) et de la couche isolante (14) est réalisé sous une atmosphère comprenant une concentration en oxygène inférieure à 1 %. Empilement semiconducteur (10) comprenant : une première couche en silicium (11), dite couche support ; une couche de carbure de silicium (12), s’étendant sur la couche support (11), présentant une épaisseur (121), mesurée depuis la couche support (11), supérieure à 5 nm ; et des cavités (13), chaque cavité (13) s’étendant dans la couche support (11) depuis la couche de carbure de silicium (12). Empilement semiconducteur (10) selon la revendication précédente, dans lequel la couche de carbure de silicium (12) est polycristalline. Empilement semiconducteur (10) selon l’une des deux revendications précédentes, dans lequel chaque cavité (13) présente une surface libre (131, 132) entourant un volume intérieur (130), au moins une portion (131) de la surface libre séparant ledit volume intérieur (130) de la couche support (11) et au moins une autre portion (132) de la surface libre séparant le volume intérieur (130) de la couche de carbure de silicium (12). Empilement semiconducteur (10) selon la revendication précédente, dans lequel chaque portion (131) de la surface libre séparant le volume intérieur (130) de la cavité (13) de la couche support (11) comprend des atomes de silicium dont une partie au moins présente une liaison pendante.