INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Description détaillée de l’invention L’invention se rapporte essentiellement à un nouveau procédé de sélection des niveaux d’assistance pour véhicule (1) à pédales (12) et à assistance électrique. Le véhicule (1) peut être du type d’une bicyclette, un vélocimane, un triporteur, encore une rosalie. Dans la suite de la description détaillée, il sera fait référence à un vélo (1), sans toutefois limiter le périmètre de l’invention.
En référence à la , le vélo (1) comprend une roue avant reliée à une roue arrière par un cadre, des pédales (12) montées sur le cadre et reliées à la roue arrière par une transmission, un moteur (10), une batterie (15), un contrôleur (16), une commande manuelle (14), ainsi que des freins (13).
L’axe du pédalier est muni d’un capteur d’efforts (11) ou de couple. En alternative, le capteur d’efforts pourrait être disposé sur les manivelles des pédales (12), ou sur les pédales (12) elle-même.
Le moteur (10), la batterie (15), le capteur d’efforts (11), la commande (14), et les freins (13) sont reliés au contrôleur (16) par tous moyens appropriés, de préférence par des câblages (17) schématisés sur la .
Le procédé selon invention consiste à ce que le niveau d’assistance du vélo (1) électrique ne soit pas principalement basé sur la fréquence de pédalage du cycliste comparée à la vitesse du vélo (1), mais soit basée sur l’effort de pédalage du cycliste. C’est-à-dire que plus le cycliste appuie fort sur les pédales (12), plus le niveau de l’assistance est élevé. À l’inverse plus l’effort sur les pédales (12) est faible et plus le niveau d’assistance sera faible.
Plus particulièrement, l'un des deux circuits 202 supplémentaires est configuré pour recevoir le signal sig2 sur son entrée 204 et pour fournir le signal sig21 sur sa sortie 206, l'autre des deux circuits 202 supplémentaires étant configuré pour recevoir le signal sig4 sur son entrée 204 et pour fournir le signal sig41 sur sa sortie 206.
Selon un mode de réalisation, les signaux sig21 et sig41 sont fournis à la porte 208, par exemple à deux entrées respectives Sn et Rn de la porte 208. En effet, dans des modes de réalisation, la porte 208 utilise, en plus des signaux sig11 et sig31, les signaux sig21 et sig41 pour générer les signaux O1 et O2.
La représente un exemple d'un mode de réalisation d'un circuit 202 de la .
Le circuit 202 comprend l'entrée, ou noeud d'entrée, 204 et la sortie, ou noeud de sortie, 206.
Le circuit 202 comprend un inverseur 2000. L'inverseur 2000 couple le noeud 204 au noeud 206. L'inverseur 2000 a, par exemple, une entrée couplée au noeud 204 et une sortie couplée au noeud 206.
Le circuit 202 comprend en outre une boucle de contre réaction résistive couplant la sortie de l'inverseur 2000 à l'entrée de l'inverseur 2000. La boucle de contre réaction est configurée pour que l'inverseur fonctionne à son point milieu.
Plus particulièrement, dans cet exemple, la boucle de contre réaction comprend une résistance 2002 couplant l'entrée et la sortie de l'inverseur 2000 entre elles. Par exemple, une borne de la résistance 2002 est couplée, de préférence connectée, à l'entrée de l'inverseur 2000, et une autre borne de la résistance 2002 est couplée à la sortie de l'inverseur 2000.
L'entrée de l'inverseur 2000 est couplée au noeud d'entrée 204 du circuit 202 par une capacité 2004. La capacité 2004 a, par exemple, une borne couplée, de préférence connectée, à l'entrée de l'inverseur 2000, et une autre borne couplée, de préférence connectée, au noeud 204.
Dans d'autres exemples non illustrés, la résistance 2002 est en série avec d'autres résistances entre l'entrée et la sortie de l'inverseur 2000. Par exemple une résistance supplémentaire peut être prévue entre l'interrupteur ITA et la sortie de l'inverseur 2000.
Selon un mode de réalisation, la sortie de l'inverseur 2000 couplée au noeud 206 par un ou plusieurs inverseurs 2006 en série entre la sortie de l'inverseur 2000 et le noeud 206. Le ou les inverseurs 2006 sont dimensionnés de manière à adapter une valeur du courant que le circuit 202 est en mesure de fournir sur, ou tirer depuis, son noeud de sortie 206. Dans l'exemple de la , le circuit 202 a un nombre pair d'inverseurs en série entre ses noeuds 204 et 206, à savoir l'inverseur 2000 et un inverseur 2006, d'où il résulte que le signal sur le noeud 206 est à un niveau haut lorsque le signal sur le noeud 204 est positif par rapport à sa composante continue, et à un niveau bas sinon. Dans d'autres exemples non illustrés, ce nombre d'inverseurs peut être impair, d'où il résulte que le signal sur le noeud 206 est à un niveau bas, respectivement haut, quand le signal sur le noeud 204 est positif, respectivement négatif, par rapport à sa composante continue.
Dans une variante de réalisation, la sortie de l'inverseur 2000 est directement connectée au noeud 206, les inverseurs 2006 étant omis.
Selon un mode de réalisation, le circuit 202 comprend en outre un interrupteur ITA connecté en série avec la résistance 2002, entre l'entrée et la sortie de l'inverseur 2000. L'interrupteur 2002 est configuré pour sélectivement ouvrir ou fermer la boucle de contre réaction. Par exemple, l'interrupteur ITA couple la résistance 2002 à la sortie de l'inverseur 2000. Par exemple, l'interrupteur ITA a une borne de conduction couplée, par exemple connectée, à la sortie de l'inverseur 2000, et une autre borne de conduction couplée, par exemple connectée, à la résistance 2002. Dans un autre exemple non illustré, l'interrupteur ITA est connecté entre la résistance 2002 et l'entrée de l'inverseur 2000. Dans encore un autre exemple non illustré, en plus de la résistance 2002 entre l'entrée de l'inverseur 2000 et l'interrupteur ITA, la boucle de contre réaction comprend une autre résistance 2002 entre l'interrupteur ITA et la sortie de l'inverseur 2000.
Dans un mode de réalisation comprenant l'interrupteur ITA, le circuit 202 comprend en outre, de préférence, un interrupteur ITB couplant l'entrée de l'inverseur 2000 à un noeud 2008. Le noeud 2008 est configuré pour recevoir une tension apte à forcer la sortie de l'inverseur 2000 dans un état donné lorsque l'interrupteur ITB est passant et, de préférence, l'interrupteur ITA est bloqué. Par exemple, l'interrupteur ITB a une première borne de conduction couplée, de préférence connectée, au noeud 2008, et une deuxième borne de conduction couplée à l'entrée de l'inverseur 2000. Dans cet exemple, la deuxième borne de conduction de l'inverseur 2000 est couplée à l'entrée de l'inverseur 2000 par la résistance 2002. Dans un autre exemple non illustré, l'interrupteur ITB a une borne connectée à l'entrée de l'inverseur 2000. A titre d'exemple, la tension sur le noeud 2008 est une première tension VDD d'alimentation du circuit 202, et, plus généralement, du dispositif 2 ( ). La tension VDD est, par exemple, référencée à une deuxième tension d'alimentation (ou tension de référence), par exemple la masse GND, et est positive par rapport à cette dernière. Selon un autre exemple, la tension sur le noeud 2008 est la masse GND.
Les interrupteurs ITA et ITB permettent, une fois que les signaux O1 et O2 du dispositif 2 ( ) ont permis d'identifier lequel des signaux sig1 et sig3 est le signal I, de mettre le dispositif 2 dans un état constant (ou stationnaire), par exemple un état où les signaux sig11 et sig31 ne commutent plus. L'interrupteur ITA, respectivement ITB, est alors bloqué (ouvert), respectivement passant (fermé). Cet état stable du dispositif 2 permet de réduire la consommation, du fait qu'il n'y a plus de consommation dynamique résultant de commutations dans le dispositif 2. Le choix de la tension VDD ou GND sur le noeud 2008 dépend du nombre d'inverseurs 2006 et du niveau haut ou bas que l'on souhaite avoir sur le noeud 206 lorsque les interrupteurs ITA et ITB sont respectivement ouvert et fermé.
Dans une variante de réalisation l'un et/ou l'autre des interrupteurs ITA et ITB peuvent être omis.
A titre d'exemple, chaque inverseur 2000, 2006 du circuit 202 est mis en œuvre en technologie CMOS (de l'anglais Complementary MOS – Métal Oxyde Semiconducteur Complémentaire). A titre d'exemple, chaque inverseur est alimenté par les tensions VDD et GND.
Selon un mode de réalisation illustré aux figures 5 et 7, l’étape a) peut comporter une étape a 3 ) consistant à former un collecteur de courant cathodique 6 sur la seconde surface 21 de la couche d’oxyde de lithium cobalt 2. L’étape a 3 ) est exécutée après l’étape a 2 ).
L’étape a) est avantageusement exécutée de sorte que le substrat initial 1 est choisi parmi : - un substrat de verre, - un substrat de silicium revêtu d’une couche de dioxyde de silicium 10.
L’étape b) consiste à assembler un substrat de transfert 3 à la seconde surface 21 de la cathode puis retourner l’empilement. L’étape b) comporte les étapes : b 1 ) assembler un substrat de transfert 3 à la seconde surface 21 de la cathode 2 ; b 2 ) retourner l’empilement de sorte que l’empilement repose sur le substrat de transfert 3.
Comme illustré aux figures 5 et 7, lorsque l’étape a) est exécutée de sorte que l’empilement comprend un collecteur de courant cathodique 6 formé sur la seconde surface 21 de la couche d’oxyde de lithium cobalt 2, l’étape b) est exécutée de sorte que le substrat de transfert 3 est assemblé au collecteur de courant cathodique 6. Plus précisément, l’étape b 1 ) est exécutée de sorte que le substrat de transfert 3 est assemblé au collecteur de courant cathodique 6.
Selon une variante de réalisation illustrée à la , l’étape b) est exécutée de sorte que le substrat de transfert 3 comporte un collecteur de courant cathodique 6 assemblé à la seconde surface 21 de la cathode 2. En d’autres termes, le substrat de transfert 3 peut être revêtu du collecteur de courant cathodique 6. A titre d'exemple non limitatif, le collecteur de courant cathodique 6 peut être réalisé dans un alliage titane-cuivre Ti-Cu ou un alliage titane-or Ti-Au. A titre de variante, le collecteur de courant cathodique 6 peut comporter une couche de titane Ti et une couche de cuivre Cu. La couche de titane Ti peut présenter une épaisseur comprise entre 20 nm et 500 nm. La couche de cuivre Cu peut présenter une épaisseur comprise entre 500 nm et 2 µm. A titre de variante, le collecteur de courant cathodique 6 peut comporter une couche de titane Ti et une couche d’or Au. La couche de titane Ti peut présenter une épaisseur comprise entre 20 nm et 500 nm. La couche d’or Au peut présenter une épaisseur comprise entre 200 nm et 500 nm.
Selon une autre variante de réalisation illustrée aux figures 1 à 4, l’étape b) est exécutée de sorte que le substrat de transfert 3 est réalisé dans un matériau électriquement conducteur de sorte que le substrat de transfert 3 constitue un collecteur de courant cathodique 6. A titre d'exemples non limitatifs, le matériau électriquement conducteur peut être un matériau métallique (e.g. cuivre, aluminium) ou un polymère tel que la polyaniline ou le polyacrylate. En raison de la forte rugosité de la seconde surface 21 de la cathode 2 et de la différence de coefficients de dilatation thermique entre la cathode 2 et le substrat de transfert 3 électriquement conducteur, l’assemblage de l’étape b 1 ) ne peut être généralement pas être exécuté par un collage direct. Ainsi, il est possible de prévoir une interface entre la seconde surface 21 de la cathode 2 et le substrat de transfert 3 électriquement conducteur. A titre d'exemples non limitatifs, il est possible d’utiliser comme interface : (i) des plots électriquement conducteurs du côté du substrat de transfert 3, tels que des billes de brasure (e.g. réalisées dans un alliage Sn-Ag avec un diamètre d’au moins 100 µm) ou des plots d’or (« Gold Stud Bump » en langue anglaise) avec un diamètre d’au moins 100 µm, les plots électriquement conducteurs pouvant étant séparés par un polymère tel qu’une pâte non électriquement conductrice (NCP pour « Non conductive Paste » en langue anglaise) ; et (ii) une couche métallique (e.g. en alliage Ti-Au) fine (e.g. avec une épaisseur comprise entre 20 nm et 100 nm) du côté de la seconde surface 21 de la cathode 2.
La couche métallique de l’interface permet d’obtenir la mouillabilité de la seconde surface 21 de la cathode 2. Les plots électriquement conducteurs en or autorisent un assemblage à froid ou à basse température (100°C – 150°C) tandis que les billes de brasure autorisent un assemblage à une température de l’ordre de 250°C.
Selon un mode de réalisation, l’étape b) est exécutée de sorte que le substrat de transfert 3 est réalisé dans un polymère durci. Lorsque le polymère durci est diélectrique (e.g. une résine époxy, le polyimide, un polybenzoazole), le procédé comporte avantageusement une étape consistant à former des pistes électriquement conductrices au sein du polymère durci, par exemple par forage laser (« laser drilling » en langue anglaise).
A titre d'exemple non limitatif, le substrat de transfert 3 peut présenter une épaisseur comprise entre 200 µm et 1 mm.
A titre d'exemples non limitatifs, l’étape b) peut être exécutée par un collage eutectique, par une brasure, par une laque conductrice (type sérigraphie) ou à l’aide d’une colle (e.g. époxy) selon la nature des matériaux du substrat de transfert 3 et du collecteur de courant cathodique 6. Le collage eutectique et la brasure nécessitent la formation d’une couche métallique (e.g. deux sous-couches Ti/Cu ou Ti/Au) à la seconde surface 21 de la cathode 2.
L’étape c) consiste à retirer le substrat initial 1 de manière à exposer la première surface 20 de la cathode 2.
Lorsque l’étape a) est exécutée de sorte que l’empilement comporte une couche tampon T, de préférence métallique, formée entre le substrat initial 1 et la couche d’oxyde de lithium cobalt 2, alors l’étape c) consiste à retirer le substrat initial 1 et la couche tampon T de manière à exposer la première surface 20 de la cathode 2. En d’autres termes, l’étape c) comporte une étape c T ) consistant à retirer la couche tampon T de manière à exposer la première surface 20 de la cathode 2.
Comme illustré aux figures 4 et 7, lorsque le substrat initial 1 est un substrat de silicium revêtu d’une couche de dioxyde de silicium 10, le substrat de silicium peut être retiré par une étape de meulage (« grinding » en langue anglaise, on parle également de rectification mécanique) suivie d’une étape de gravure (sèche ou humide) du silicium restant, la couche de dioxyde de silicium 10 agissant comme une couche d’arrêt. Le substrat de silicium est dans un premier temps aminci par rectification mécanique jusqu’à atteindre une épaisseur de quelques dizaines de µm. L’empilement peut être aspiré sur un plateau de maintien (« chuck » en langue anglaise) en céramique poreuse, puis transféré sous une roue de meulage. La roue de meulage comporte un ensemble de dents disposées sur le pourtour d’une embase métallique contenant des grains de diamant synthétiques de tailles adaptées au matériau, d’un liant résine ou autre, et d’une porosité contrôlée. La roue de meulage et le plateau de maintien sont alors mis en rotation et la roue de meulage descend de manière à amincir le substrat initial 1 jusqu’à conserver une épaisseur comprise entre 10 µm et 100 µm, de préférence 50 µm. Cette épaisseur restante sera ensuite retirée par gravure sèche ou humide jusqu’à la couche de dioxyde de silicium 10. La vitesse de rotation de la roue de meulage (variant dans une gamme de 0 à 3000 tours/minute), la vitesse de descente de la roue de meulage (variant dans une gamme de 0,01 à 50 µm/s) et la vitesse de rotation du plateau de maintien (variant de 0 à 300 tours/minute) sont adaptées en fonction des matériaux et des épaisseurs à retirer. La rectification mécanique peut impliquer un enchainement de plusieurs vitesses de descente ainsi qu’un enchainement de plusieurs roues de meulage. A titre d'exemple non limitatif, la rectification mécanique peut être effectuée à l’aide d’une machine Disco DAG 810 avec une roue de meulage de la série Disco GF01. La vitesse de rotation de la roue de meulage peut être de l’ordre de 2000 tours/minute. La vitesse de descente de la roue de meulage peut être de l’ordre de 1,5 µm/s. La vitesse de rotation du plateau de maintien peut être de l’ordre de 300 tours/minute.
Puis la couche de dioxyde de silicium 10 peut être retirée par gravure -étape c ox )-, la couche tampon T agissant comme une couche d’arrêt. Enfin, la couche tampon T peut être retirée par gravure -étape c T )-, la cathode 2 agissant comme une couche d’arrêt.
Dans certains modes de réalisation, le carbonate est un carbonate d’alkylène. Dans certains modes de réalisation, le carbonate d’alkylène est le carbonate de propylène.
Dans certains modes de réalisation, le carbonate d’alkyle peut avoir une structure selon la formule (2) :
R′—O—CO—O—R″ (2)
où R′ désigne un radical alkyle linéaire ou ramifié en C 1 -C 5, un radical hydroxyalkyle linéaire ou ramifié en C 1 -C 4 ; R′′ représente un radical alkyle linéaire ou ramifié en C 1 -C 5 , un radical hydroxyalkyle linéaire ou ramifié en C 1 -C 4 ; et la somme des carbones de R′ et R′′ allant de 2 à 6.
De préférence, le radical R′ représente un radical alkyle linéaire en C 1 -C 3 , un radical hydroxyalkyle linéaire en C 1 -C 2 ; et R′′ représente un radical alkyle linéaire en C 1 -C 3 , un radical hydroxyalkyle linéaire enC 1 -C 2 .
Dans certains modes de réalisation, le carbonate peut être un carbonate d’alkyle. Dans certains modes de réalisation, le carbonate d’alkyle peut être du carbonate de diéthyle et/ou du carbonate de dipropyle.
Dans certains modes de réalisation, le carbonate peut être présent dans une quantité de 0,5 à 5 % en poids de la composition. Dans certains modes de réalisation, le carbonate peut être présent dans une quantité de 0,9 à 2 % en poids de la composition. Dans certains modes de réalisation, la composition peut être sensiblement exempte de carbonate.
Système modificateur de rhéologie
La composition peut comprendre un système modificateur de rhéologie comprenant ou consistant en hectorite de distéardimonium et silylate de silice. L’hectorite de distéardimonium et le silylate de silice peuvent être présents en quantités suffisantes pour que le rapport R1 d’un pourcentage en poids d’hectorite de distéardimonium par rapport à un pourcentage en poids de silylate de silice soit tel que 2,1 ≤ R1 ≤ 6. En d’autres termes, si la formule comprend 1,0 % en poids de silylate de silice, l’hectorite de distéardimonium est présent en quantité de 2,1 à 6 % en poids de la composition. Dans certains modes de réalisation, le rapport R1 est tel que 2,1 ≤ R1 ≤ 4. Dans certains modes de réalisation, le rapport R1 est tel que 2,1 ≤ R1 ≤ 3.
Dans certains modes de réalisation, la composition peut inclure 3 à 5 % en poids du système modificateur de rhéologie. Dans certains modes de réalisation, la composition peut inclure 3,5 à 4,5 % en poids du système modificateur de rhéologie.
Dans certains modes de réalisation, la composition comprend 3 à 4 % en poids de l’hectorite, et 1 à 1,5 % en poids du silylate de silice. Dans certains modes de réalisation, la composition comprend 1,4 % en poids de silylate de silice.
Dans certains modes de réalisation, la composition est exempte ou sensiblement exempte d'autres modificateurs de rhéologie.
La composition peut inclure 5 à 15 % en poids de cires, les cires comprenant une cire dure et une cire molle. Dans certains modes de réalisation, les cires peuvent inclure une pluralité de cires dures. Dans certains modes de réalisation, les cires peuvent inclure une cire dure. Dans certains modes de réalisation, les cires peuvent inclure une pluralité de cires molles. Dans certains modes de réalisation, les cires peuvent inclure une cire molle.
Tel qu’il est utilisé ici, le terme « cire » désigne un composé gras lipophile solide à température ambiante (environ 25 °C) et à pression atmosphérique (760 mm Hg, soit 105 Pa), qui subit un changement d’état solide/liquide réversible et qui a un point de fusion supérieur à 30 °C, et dans certains modes de réalisation, supérieur à 55 °C environ jusqu’à environ 120 °C, voire même jusqu’à environ 200 °C.
Telle qu'utilisée ici, l'expression « cire molle » désigne des cires qui ont un point de fusion inférieur à environ 60 °C. Telle qu'utilisée ici, l'expression « cire dure » désigne des cires autres que des cires molles – à savoir, des cires qui ont un point de fusion supérieur ou égal à environ 60 °C.
(a 1 ) de 1 % en poids à 50 % en poids d’un ou plusieurs polymères (méth)acryliques P1, et
(a 2 ) de 50 % en poids à 99 % en poids d’un ou plusieurs monomères (méth)acryliques M1, chaque monomère M1 comprenant seulement une fonction (méth)acrylique par monomère,
(b) de 0,5 partie en poids à 25 parties en poids d’agent gonflant,
(c) de 0,01 partie en poids à 5 parties en poids d’un initiateur de polymérisation
(d) entre 100 ppm et 10 000 ppm d’un accélérateur ;
(iii) le transfert de la composition (méth)acrylique MC1 dans la cavité du matériau composite (méth)acrylique,
(iv) la polymérisation de la composition (méth)acrylique MC1
donne une pièce moulée qui présente une bonne adhésion entre le matériau composite (méth)acrylique MCM1 et la mousse (méth)acrylique MF1 et une pièce moulée qui peut être recyclée.
La figure 1 montre un matériau composite (méth)acrylique MCM1 (20) sous la forme d’un tube court (10) comprenant une cavité (30).
La ) montre une vue de dessus du tube court (10) en matériau composite (méth)acrylique MCM1 (20) comprenant une cavité (30).
La ) montre une vue latérale du tube (10) selon l’axe A-A’ de la ).
La ) montre une vue en perspective du tube court (10) comprenant une cavité (30).
La figure 2 montre la pièce moulée MP1 sous la forme d’un tube court (10) comprenant un matériau composite (méth)acrylique MCM1 (20) dont la cavité est remplie de la mousse (méth)acrylique MF1 (40).
La ) montre une vue de dessus, la ) montre une vue latérale du tube (10) selon l’axe A-A’ de la ) et la ) montre une vue en perspective.
La montre une planche de surf (15) en un matériau composite (méth)acrylique MCM1 (20) comprenant une cavité (30), qui n’est pas représentée sur la .
La est une vue latérale le long de l’axe A-A’ de la montrant la cavité (30) qui est formée d’une première partie (20a) et d’une deuxième partie (20b) de matériau composite (méth)acrylique MCM1 (20), assemblées au niveau de la ligne de contact (50).
Ainsi, si un pirate arrive à entrer dans cette centrale d’authentification, il peut modifier un grand nombre de droits et déstabiliser tout un système informatique. L’invention vise également à limiter l’impact d’un piratage sur la globalité d’un système informatique.
Pour remédier à ce problème, le brevet EP 3 550 461 de la présente demanderesse propose de réaliser une authentification d’un périphérique au niveau d’un dispositif qui assure une alimentation électrique du périphérique par un câble réseau, selon la technologie POE.
Pour ce faire, la du brevet EP 3 550 461 illustre un injecteur d’énergie électrique 10 , dont la fonction principale est d’injecter une tension électrique sur un fil d’un câble réseau 13a , non utilisé pour transmettre des données. Un injecteur 10 comporte classiquement une entrée réseau 20, de sorte à recevoir un câble réseau sans alimentation électrique, et une sortie réseau 23 configurée pour connecter un périphérique 12a selon la technologie POE, c’est-à-dire en utilisant le câble réseau 13a pour alimenter électriquement le périphérique 12a .
Pour injecter cette alimentation électrique, l’injecteur 10 comporte une entrée 21 de tension alternative, destinée à être reliée à une prise secteur, et un convertisseur alternatif-continu 14 .
La tension continue, issue du convertisseur, est injectée sur un fil du câble réseau 13a par un assembleur 22 . En variante, l’assemblage des fils acheminant les données avec le fil acheminant l’énergie électrique peut être réalisé directement au niveau des broches du connecteur de la sortie réseau 23 .
En plus de ces éléments connus, l’injecteur 10 comporte des moyens de supervision du courant Ic consommé par le périphérique 12a , par exemple un ampèremètre ou tout autre dispositif permettant d’acquérir le courant au cours du temps.