Substrat microstructuré comprenant un corps principal et une pluralité de microstructures élémentaires de forme allongée s’étendant depuis le corps principal, caractérisé en ce que le substrat microstructuré comprend une pluralité de nanofils positionnés sur au moins une zone de la surface du corps principal et sur la surface des microstructures élémentaires qui s’étendent depuis le corps principal sur ladite zone. Substrat microstructuré selon la revendication 1, dans lequel le corps principal et les microstructures élémentaires qui s’étendent sur ledit corps principal sont constitués du même matériau, de préférence un matériau sélectionné parmi les matériaux comprenant, voire composés exclusivement, du Silicium, du dioxyde de silicium SiO 2 , de l'arséniure de gallium GaAs, du nitrure de silicium Si 3 N 4 et du phosphure d'indium InP. Substrat microstructuré selon l’une des revendications 1 ou 2, dans lequel les microstructures élémentaires comportent une section choisie parmi une section circulaire, elliptique, rectangulaire, carrée et triangulaire. Substrat microstructuré selon l’une des revendications 1 à 3, dans lequel les nanofils comprennent un matériau sélectionné parmi les oxydes, de préférence sélectionné parmi le SiO 2 , ZnO et TiO 2 , et de préférence les nanofils sont exclusivement composés de SiO 2 . Substrat microstructuré selon l’une des revendications 1 à 4, dans lequel les nanofils ont une section de diamètre de 20 à 250 nm, et une longueur de 100 nm à 10 µm. Substrat microstructuré selon l’une des revendications 1 à 5, dans lequel les zones comportant des nanofils présentent une surface développée de 2 à 50 fois la surface développée de ladite zone dépourvue de nanofils. Procédé de fabrication d’un substrat plan ou microstructuré selon l’une des revendications 1 à 6, comprenant les étapes suivantes : a- recouvrir un support plan ou microstructuré d’une couche mince de SiO 2 ; b- déposer une couche d’un métal non oxydé par une technique de dépôt de couches atomiques ; c- réaliser une lithographie optique sur au moins une zone de la surface du support plan ou microstructuré ayant subi les étapes a- et b- ; d- réaliser un traitement par gravure ; et e- réaliser un recuit thermique, de préférence en mettant en œuvre au moins un palier de température. Procédé de fabrication d’un substrat microstructuré selon la revendication 7, dans lequel le métal non oxydé déposé à l’étape b- est sélectionné parmi le Pt, Ag, Au, Ga, In, Ti, Sn, Zn, Sb, Cu, Ni, Be, Fe, Co, Cr, Al, Ru, Rh et Pd, de préférence il s’agit de Pt. Procédé de fabrication d’un substrat microstructuré selon la revendication 8, dans lequel l’étape e) comprend deux paliers de température : un premier palier de 200 à 1200°C appliqué pendant moins de 5 min ; et un deuxième palier de 300 à 1400°C appliqué pendant moins de 15 min. Utilisation d’un substrat microstructuré selon l’une des revendications 1 à 6, pour la fabrication d’un micro-dispositif de stockage de l’énergie, de préférence sélectionné parmi des batteries, super-condensateurs et des condensateurs diélectriques et électrolytiques de taille micrométrique, voire de taille nanométrique, de composants de récupération de l’énergie ou bien d’un dispositif de type capteur nécessitant l’utilisation d’une grande surface spécifique.