INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Par ailleurs, comme l’illustre la , et dans le cas où le matériau M1 est à base de silicium, la portion de détection 10 comporte avantageusement une région latérale 14 dopée de type p située au niveau de la bordure latérale 10b. Cette région latérale 14 présente un niveau de dopage supérieur à celui de la région intermédiaire 13 lorsqu’elle est dopée. La région latérale 14 dopée p+ affleure la bordure latérale 10b et est au contact ici de la portion latérale périphérique 3. Dans cet exemple, la région latérale 14 s’étend sur toute la hauteur de la portion latérale périphérique 3, même au niveau du deuxième matériau M2. Ceci provient du fait que le matériau M1 a été déposé sur toute la hauteur de la tranchée 23 (cf. ). Ainsi, la polarisation de la semelle 11 dopée p+ est améliorée dans la mesure où la surface de contact avec la portion latérale périphérique 3 est augmentée. De plus, cette région latérale 14 dopée p+ permet d’éviter que la zone de charge d’espace de la photodiode 1 ne s’étende jusqu’à la bordure latérale 10b. Ainsi, on limite la contribution de cette zone (potentiellement non exempte de défauts liés à la réalisation des tranchées) au courant d’obscurité. On améliore ainsi les performances de la photodiode 1.
Par ailleurs, comme l’illustre également la , dans le cas comme ici où la portion de détection 10 est réalisée en germanium, et où le matériau M1 de la portion latérale périphérique 3 est à base de silicium, la portion de détection 10 comporte avantageusement une zone latérale 15 réalisée à base de silicium germanium. La zone latérale 15 affleure la bordure latérale 10b et est au contact de la portion latérale périphérique 3. Dans cet exemple, la zone latérale 15 s’étend sur toute la hauteur de la portion latérale périphérique 3, même au niveau du deuxième matériau M2. Ceci provient du fait que le matériau M1 a été déposé sur toute la hauteur de la tranchée 23 (cf. ). Ainsi, la zone latérale 15 présente une énergie de bande interdite (gap) supérieure à celle de la portion de détection 10 réalisée en germanium. Cette « ouverture de gap » latérale permet de diminuer la sensibilité de la photodiode 1 aux défauts présents à proximité des tranchées 24. On améliore ainsi également les performances de la photodiode 1.
Une couche isolante supérieure 22 recouvre la deuxième face F2 de la photodiode 1, et permet de passiver le matériau M0 au niveau de la face F2, et d’isoler électriquement les contacts métalliques 32.1 et 32.2. Elle est ainsi au contact du caisson 12 dopé n+ ainsi que de la région intermédiaire 13. Elle est de préférence réalisée en un matériau diélectrique, tel qu’un oxyde de silicium, un nitrure de silicium, ou un oxynitrure de silicium. Il s’agit alors d’une couche diélectrique de passivation. D’autres matériaux diélectriques peuvent être utilisés, tels qu’un oxyde d’hafnium ou d’aluminium, voire un nitrure d’aluminium, entre autres. Elle présente une épaisseur par exemple comprise entre 50nm et 500nm.
La photodiode 1 comporte en outre des contacts métalliques 27.1, 27.2 permettant de la polariser en inverse à partir du côté de la face F2. Ainsi, un contact métallique 27.2 est ici disposé sur et au contact du caisson 12 dopé n+, et permet d’assurer sa polarisation électrique. Un contact métallique 27.1 est ici disposé sur et au contact de la portion latérale périphérique 3, et permet de polariser électriquement la semelle 11 dopée p+. Les contacts métalliques 27.1, 27.2 sont ici isolés électriquement les uns des autres dans le plan XY par la couche isolante supérieure 22. La photodiode 1 est destinée à être polarisée en inverse, par exemple en appliquant un potentiel électrique négatif à la portion latérale périphérique 3 et en portant à la masse le caisson 12 dopé n+.
D’une manière générale, à titre illustratif, la photodiode 1 peut présenter des dimensions dans le plan XY comprises entre 1µm et 100µm environ. L’épaisseur de la semelle 11 dopée p+ peut être comprise entre 20nm et 500nm environ. L’épaisseur de la région intermédiaire 13 peut être comprise entre 0.7µm et 2.5µm environ lorsque la photodiode 1 est destinée à détecter un rayonnement lumineux dans la gamme du SWIR ou du proche infrarouge (NIR). Le caisson 12 dopé n+ peut présenter une profondeur comprise entre 10nm et 600nm environ, par exemple égale à 300nm environ. La couche isolante supérieure 22 peut présenter une épaisseur permettant de recouvrir entièrement la face F2 de la photodiode 1, par exemple comprise entre 10nm et 600nm environ, et l’épaisseur de la couche isolante inférieure 21 peut être comprise entre 50nm et 1µm environ.
Pour réduire la composante de surface du courant d’obscurité, la portion latérale périphérique 3 est formée de plusieurs matériaux électriquement conducteurs (semiconducteurs dopés, métaux…), empilés verticalement suivant l’axe Z et disposés en contact électrique l’un de l’autre, et au contact de la portion de détection. Ils présentent des coefficients de dilatation thermique bien choisis.
L’objectif est ici de générer des contraintes mécaniques différentes au sein de la région intermédiaire 13 : d’une part des contraintes mécaniques en tension dans la zone d’absorption du rayonnement lumineux, c’est-à-dire entre la semelle 11 dopée p+ et le caisson 12 dopé n+, de manière à augmenter la longueur d’onde de coupure d’absorption et ainsi obtenir une photodiode pouvant opérer dans le SWIR ; et d’autre part des contraintes mécaniques en compression dans une zone affleurant la deuxième face F2 et entourant le caisson 12 dopé n+ dans le plan principal, de manière à ouvrir localement le gap et ainsi réduire la composante surfacique du courant d’obscurité.
Le premier matériau M1 et le deuxième matériau M2 sont électriquement conducteurs, dans la mesure où ils participent à assurer la polarisation électrique de la semelle 11 dopée p+ à partir du contact métallique 27.2 situé au niveau de la deuxième face F2. Aussi, le premier matériau M1 et le deuxième matériau M2 peuvent être choisis parmi les semiconducteurs dopés de type p et les métaux. A titre d’exemple, le premier matériau M1 peut être un matériau à base de silicium dopé de type p, par exemple du polysilicium dopé p+. Le deuxième matériau M2 peut être un matériau métallique ou un matériau semiconducteur à base de germanium dopé de type p, par exemple du germanium dopé p+ ou un nitrure de titane, voire encore une combinaison Ti/TiN, Ni/TiN, Ti/Cu ou Ti/TiN/Cu.
Le premier matériau M1 et le deuxième matériau M2 sont empilés l’un sur l’autre suivant l’axe Z. Ils peuvent être au contact l’un de l’autre (cf. ). C’est le cas notamment lorsque le deuxième matériau M2 est du germanium dopé p+ qui repose sur le matériau M1 en polysilicium dopé p+. En variante, ils peuvent être séparés verticalement l’un de l’autre par une portion mince intercalaire 26 permettant d’améliorer le contact ohmique (cf. ). C’est le cas notamment lorsque le deuxième matériau M2 est du nitrure de titane qui repose sur le matériau M1 en polysilicium dopé p+. Ils sont également au contact de la bordure latérale 10b de la portion de détection 10, de manière à pouvoir générer les contraintes mécaniques recherchées au sein de la portion de détection 10.
Le premier matériau M1 s’étend à partir de la première face F1 sur une distance suivant la direction +Z de préférence au moins égale à 50% de l’épaisseur de la portion de détection 10, et de préférence sur une distance comprise entre 50% et 80% de cette épaisseur. Le deuxième matériau M2 s’étend à partir du premier matériau M1 jusqu’à la deuxième face F2, sur une distance suivant la direction +Z de préférence au plus égale à 50% de l’épaisseur de la portion de détection 10, et de préférence sur une distance comprise entre 20% et 50% de cette épaisseur, en fonction de la hauteur du premier matériau M1.
Le premier matériau M1 présente un coefficient de dilatation thermique CTE1 inférieur au coefficient CTE0 du matériau semiconducteur M0 à base de germanium de la portion de détection 10. Le deuxième matériau M2 présente un coefficient de dilatation thermique CTE2 supérieur ou égal au coefficient CTE0 du matériau semiconducteur M0.
On peut citer par exemple comme agents de réticulation le divinylbenzène, l’éther diallylique, le dipropylèneglycol-diallyléther, les polyglycol-diallyléthers, le triéthylèneglycol-divinyléther, l’hydroquinone-diallyl-éther, le di(méth)acrylate d’éthylèneglycol ou de tétraéthylèneglycol, le diallyl urée, le triméthylol propane triacrylate, le méthylène-bis-acrylamide, le méthylène-bis-méthacrylamide, la triallyl amine, le triallylcyanurate, le diallylmaléate, la tétraallyléthylènediamine, le tétra-allyloxy-éthane, le triméthylolpropane-diallyléther, le (méth)acrylate d’allyle, les éthers allyliques d’alcools de la série des sucres, ou d’autres allyl- ou vinyl- éthers d’alcools polyfonctionnels, ainsi que les esters allyliques des dérivés de l’acide phosphorique et/ou vinylphosphonique, ou les mélanges de ces composés.
Selon un mode préféré de réalisation de l’invention, l’agent de réticulation est choisi parmi le méthylène-bis-acrylamide, le méthacrylate d’allyle ou le triméthylol propane triacrylate (TMPTA). Le taux de réticulation va en général de 0,01 % à 10 % en moles, et plus particulièrement de 0,2 % à 2 % en moles par rapport au polymère.
Selon l’invention, les monomères dérivés de l’acide 2-acrylamido-2-méthylpropane sulfonique (AMPS®) répondent de préférence à la formule générale suivante : [Chem 4] dans laquelle X+ désigne un contre ion cationique, en particulier un métal alcalin ou alcalino terreux, ou un ammonium, de préférence l’ammonium, ou un mélange de cations ; R1 désigne un atome d’hydrogène ou un radical alkyle, linéaire ou ramifié en C 1 -C 6 tel que le méthyle, de préférence R 1 désigne un atome d’hydrogène.
De préférence, le ou les monomères d’acide 2-acrylamido-2-méthylpropane sulfonique selon l’invention sont totalement salifiés, de préférence sous forme de sel d’ammonium.
Les polymères d’AMPS® convenant à l’invention sont hydrosolubles ou hydrodispersibles. Ils sont dans ce cas des copolymères obtenus à partir de l’AMPS® et d’un ou plusieurs monomères à insaturation éthylénique hydrophiles ou hydrophobes et, s’ils sont réticulés, un ou plusieurs agents de réticulation tels que ceux définis ci-dessus. Lorsque lesdits copolymères comportent des monomères à insaturation éthylénique hydrophobes, ces derniers peuvent comporter ou non des chaînes grasses.
Selon un premier mode de réalisation particulier, dans le ou les copolymères obtenus à partir de l’AMPS® et d’un ou plusieurs monomères à insaturation éthylénique hydrophobes et, s’ils sont réticulés, un ou plusieurs agents de réticulation tels que ceux définis ci-dessus, les monomères à insaturation éthylénique hydrophobes ne comportent pas de chaîne grasse et sont de préférence présents dans de faibles quantités.
Selon un deuxième mode de réalisation particulier, dans le ou les copolymères obtenus à partir de l’AMPS® et d’un ou plusieurs monomères à insaturation éthylénique hydrophobes et, s’ils sont réticulés, un ou plusieurs agents de réticulation tels que ceux définis ci-dessus, les monomères à insaturation éthylénique hydrophobes comportent au moins une chaîne grasse.
On entend par « chaîne grasse », au sens de la présente invention, toute chaîne hydrocarbonée comportant au moins 8 atomes de carbone.
Les copolymères hydrosolubles ou hydrodispersibles d’AMPS® selon l’invention contiennent des monomères à insaturation éthylénique hydrosolubles ou des monomères hydrophobes ou leurs mélanges.
Les co-monomères hydrosolubles peuvent être ioniques ou non ioniques. Selon un mode de réalisation particulier de l’invention, les co-monomères hydrosolubles sont non ioniques.
Parmi les co-monomères hydrosolubles ioniques, on peut citer par exemple les composés suivants et leurs sels : - l’acide styrène sulfonique, - l’acide vinylsulfonique et l’acide (méth)allylsulfonique, - l’acide vinyl phosphonique, - l’acide maléique, - l’acide itaconique, - l’acide crotonique, - les monomères vinyliques hydrosolubles de formule suivante : [Chem 5] dans laquelle : - R 1 est choisi parmi H, -CH 3 , -C 2 H 5 ou -C 3 H 7 ; - X 1 est choisi parmi : - les oxydes d’alkyle de type -OR 2 où R 2 est un radical hydrocarboné, linéaire ou ramifié, saturé ou insaturé, ayant de 1 à 6 atomes de carbone, substitué par au moins un groupement sulfonate (-SO 3 - ) et/ou sulfate (-SO 4 - ) et/ou phosphate (-PO 4 2- ).
Parmi les co-monomères hydrosolubles non-ioniques, on peut citer notamment : - la N-vinylacétamide et la N-méthyl N-vinylacétamide, - la N-vinylformamide et la N-méthyl N-vinylformamide, - l’anhydride maléique, - la vinylamine, - les N-vinyllactames comportant un groupe alkyl cyclique ayant de 4 à 9 atomes de carbone, tels que la N-vinylpyrrolidone, la N-butyrolactame et la N-vinylcaprolactame, - l’alcool vinylique de formule CH 2 =CHOH, - les monomères vinyliques hydrosolubles de formule suivante : [Chem 6] dans laquelle : - R 3 est choisi parmi H, -CH 3 , -C 2 H 5 ou -C 3 H 7 ; - X 2 est choisi parmi les oxydes d’alkyle de type -OR 4 où R 4 est un radical hydrocarboné, linéaire ou ramifié, saturé ou insaturé, ayant de 1 à 6 carbones, éventuellement substitué par un atome d’halogène (iode, brome, chlore, fluor) ; un groupement hydroxy (-OH) ; éther.
Citons par exemple le (méth)acrylate de glycidyle, le méthacrylate d’hydroxyéthyle, et les (méth)acrylates d’éthylène glycol, de diéthylèneglycol ou de polyalkylèneglycol.
Parmi les co-monomères hydrophobes sans chaîne grasse, on peut citer par exemple : - le styrène et ses dérivés tel que le 4-butylstyrène, l’alpha méthylstyrène et le vinyltoluène ; - l’acétate de vinyle de formule CH 2 =CH-OCOCH 3 ; - les vinyléthers de formule CH 2 =CHOR dans laquelle R est un radical hydrocarboné, linéaire ou ramifié, saturé ou insaturé, ayant de 1 à 6 atomes de carbone ; - l’acrylonitrile ; - la caprolactone ; - le chlorure de vinyle et le chlorure de vinylidène ; - les dérivés siliconés, conduisant après polymérisation à des polymères siliconés tels que le méthacryloxypropyltris(triméthylsiloxy)silane et les méthacrylamides siliconés ; - les monomères vinyliques hydrophobes de formule suivante : [Chem 7] dans laquelle : - R 4 est choisi parmi H, -CH 3 , -C 2 H 5 ou -C 3 H 7 ; - X 3 est choisi parmi : - les oxydes d’alkyle de type -OR 5 où R 5 est un radical hydrocarboné, linéaire ou ramifié, saturé ou insaturé, ayant de 1 à 6 atomes de carbone.
Le revêtement peut avoir a subi un traitement thermique à une température supérieure à 300 °C, de préférence 500 °C.
Les traitements thermiques sont choisis parmi un recuit, par exemple par un recuit thermique rapide (« Rapid Thermal Process ») tel qu’un recuit laser ou lampe flash, une trempe et/ou un bombage. Le recuit thermique rapide est par exemple décrit dans la demande WO2008/096089. La température de traitement thermique (au niveau du revêtement) est supérieure à 300 °C, de préférence supérieure à 400 °C, et mieux supérieure à 500 °C.
Les substrats transparents organiques selon l’invention peuvent également être en polymère, rigides ou flexibles. Des exemples de polymères convenant selon l’invention comprennent, notamment :
- le polyéthylène,
- les polyesters tels que le polyéthylène téréphtalate (PET), le polybutylène téréphtalate (PBT), le polyéthylène naphtalate (PEN) ;
- les polyacrylates tels que le polyméthacrylate de méthyle (PMMA) ;
- les polycarbonates ;
- les polyuréthanes ;
- les polyamides ;
- les polyimides ;
- les polymères fluorés comme les fluoroesters tels que l’éthylène tétrafluoroéthylène (ETFE), le polyfluorure de vinylidène (PVDF), le polychlorotrifluorethylène (PCTFE), l’éthylène de chlorotrifluorethylène (ECTFE), les copolymères éthylène-propylène fluores (FEP) ;
- les résines photoréticulables et/ou photopolymérisables, telles que les résines thiolène, polyuréthane, uréthane-acrylate, polyester-acrylate et
- les polythiouréthanes.
On a mélangé à sec 25,8% massique Cu(II)O (CAS : 1317-38-0) provenant du lot 329902/1 fourni par la société Fluka Chemika (pureté supérieure à 98%) et 74.2% massique de MgO (CAS : 342793) de pureté 99% fourni également par Sigma-Aldrich.
Le mélange a été porté de la température ambiante à une température égale à 870°C dans un récipient fermé à une vitesse de 7°C/ min, puis maintenu à cette température pendant 4 heures.
La quantité de Cu dans le pré-mélange obtenu était de 15% molaire.
Exemple 4 : Préparation d’un pré-mélange selon l’invention comprenant du manganèse : MnO-MgO
On a mélangé à sec 43% massique Mn(II)O (CAS : 1344-43-0) de pureté supérieure à 99% fourni par Sigma-Aldrich et 57% massique de MgO (CAS : 342793) de pureté 99% fourni également par Sigma-Aldrich.
Le mélange a été porté de la température ambiante à une température égale à 950°C dans un récipient fermé à une vitesse de 20°C/ min, puis maintenu à cette température pendant 6 heures.
La quantité de Mn dans le pré-mélange obtenu était de 30% molaire.
Exemple 5 : Essai de digestion in vitro du pré-mélange selon l’invention ZnO-MgO, et comparaison avec l’art antérieur
L’objectif de cet essai était de déterminer la solubilité du Zinc dans des aliments supplémentés avec différents sels de zinc, dont le pré-mélange ZnO-MgO de l’invention. Plus précisément, on a comparé la solubilisation du zinc dans un modèle de digestion in vitro, en utilisant le pré-mélange de l’Exemple 1, de l’oxyde de zinc ZnO standard de référence commerciale ZnO 72% de la société Arkop, de l’oxyde de zinc de référence commerciale HiZox® de la société Animine, du sulfate de zinc de pureté supérieure à 99%, ou du glycinate de zinc de marque E.C.O. Trace® fabriqué par la société Biochem. Protocole de dissolution : Ce modèle in vitro permet de reproduire les conditions chimiques qui s’appliquent à un aliment parcourant le tractus digestif d’un animal. En effet, le pH, le temps de rétention, la nature et l’intensité des contraintes sont des paramètres importants à prendre en compte pour évaluer la biodisponibilité du zinc.
Les paramètres choisis pour le protocole de solubilisation de Mg 2+ et Zn 2+ ont été établis par comparaison avec les données relevées dans la littérature relative à l’estomac des ruminants. Ainsi, le volume de l’abomasum est d’environ dix litres et notre volume considéré dans le réacteur est de 200 millilitres. La masse introduite de produit permet de conduire à la concentration équivalente de 5000 ppm de l’élément dans le milieu réactionnel. Le pH de l’abomasum étant généralement compris entre 2 et 3, le pH du milieu réactionnel au laboratoire est fixé à 2,5 par ajout d’acide chlorhydrique à un débit pouvant monter jusqu’à 10 mL/min pour simuler l’apport de suc gastrique dans l’estomac. Le milieu réactionnel est maintenu à 39-40°C correspondant à la température interne des espèces considérées.
Plus précisément, une solution de 200 mL d’acide chlorhydrique à pH=2,5 est préparée dans un bécher d’un volume de 1 litre. Ce bécher est positionné dans un bain marie chauffé à 40°C, lui-même positionné sur une plaque d’agitation. Un titrateur automatique est programmé pour ramener le pH à 2,5 avec un débit maximal de 10 mL/min avec une plage de régulation de pH égale à 0,5. Le titrateur est rempli avec une solution d’acide chlorhydrique à 0,1 mol/L. La pompe doseuse d’une contenance de 20 mL est rincée 3 fois avec la solution d’acide chlorhydrique à 0,1 mol/L. La sonde pH-métrique du titrateur est alors calibrée avec un tampon pH=7 et un tampon pH=4. L’électrode et l’injecteur sont alors positionnés dans la solution à analyser en prenant soin de mettre l’injecteur au contact de la solution pour réduire les délais de réponse. 1 gramme de l’échantillon solide est alors introduit dans la solution de 200 mL d’HCl à pH=2,5. L’agitation est mise en route au même moment qu’un chronomètre ainsi que le titrateur. L’agitation s’effectue à l’aide d’un barreau aimanté de quatre centimètres afin de brasser un maximum de surface du bécher. L’expérience est réalisée sur deux heures en prélevant 2 mL de solution à différents temps de cinétique. Les volumes prélevés à la seringue sont alors filtrés sur des filtres de 0,45 μm puis 125 μL de la solution filtrée est introduit dans une fiole de 200 mL. Enfin, 10% du volume de la fiole est complété par la solution de strontium puis la fiole est complétée au trait de jauge par de l’eau distillée. Préparation des échantillons : L’aliment était composé d’un mélange typique pour porcs : 33% Blé, 32% Maïs et 35% Tourteaux de soja. L’aliment a été tout d’abord broyé puis mélangé à chaque source d’oxyde de zinc en mélangeur Lodige® pendant 60 secondes.
Chaque sel de zinc a été supplémenté à hauteur de 1640 ppm dans l’aliment.
Un dosage a été effectué par spectrométrie de masse à plasma à couplage inductif (ou ICP-MS en anglais : Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometry), afin d’assurer l’homogénéité du mélange. Protocole de digestion in-vitro L’aliment supplémenté a été soumis à la digestion in-vitro comprenant deux étapes : dans une solution pré-stomacale à pH=7.0, puis dans une solution gastrique à pH=2, et enfin dans une solution intestinale à pH=7.0.
Ainsi, le volume initial de solution considéré était de 200 mL et 10 grammes de l’aliment supplémenté ont été introduits pour chaque essai à T0.
Au bout de 30 min, on a réalisé un prélèvement de 5 mL que l’on a centrifugé à 4000 rpm pendant 40 min à T=4°C. Le zinc contenu dans le surnageant (ions zinc et ions zinc chélatés en solution) a été dosé par ICP-MS. Le zinc contenu dans le reliquat a également été dosé afin de vérifier la conservation générale.
Deux oxydes de zinc et un sulfate de zinc ont été comparés au pré-mélange ZnO-MgO en digestion in-vitro. Le pourcentage de zinc solubilisé a été mesuré au bout de 30 minutes dans le but de comparer les différents sels de zinc. En effet, dans le but de palier à la complexation stomacale par les phytates, le retard de solubilisation stomacale est défini comme un facteur d’efficacité dans le cadre de l’invention. Un sel de zinc est considéré comme plus efficace s’il est solubilisé plus lentement. Résultats Les résultats sont présentés dans le Tableau 1.
représente une vue en perspective de la sangle de la en position partiellement fermée et toujours en cours de montage sur la chaussure de ski selon l’invention.
représente une vue en perspective de la sangle de la en position de fermeture en fin de montage sur la chaussure de ski des figures 4 et 5.
représente une vue en perspective d’un autre mode de réalisation de la sangle de serrage, destinée à la chaussure de ski selon l’invention, en position détachée et partiellement fermée.
Naturellement, les modes de réalisation de la sangle de l’invention illustrés par les figures présentées ci-dessus et décrites ci-après, ne sont donnés qu'à titre d’exemples non limitatifs. Il est explicitement prévu que l'on puisse proposer et combiner entre eux différents modes pour en proposer d'autres.
L’invention concerne le domaine des chaussures de sport et s’intéresse, plus particulièrement, au réglage et au serrage des chaussures destinées aux sports de glisse et, en particulier, des chaussures destinées au ski alpin, au ski de randonnée, au ski de fond, au surf des neiges ou bien encore au patinage.
Les chaussures destinées à ces activités sportives comprennent généralement, comme illustré notamment par les figures 4 à 6, une coque extérieure relativement rigide (visible partiellement) qui, notamment pour la pratique du ski alpin, renferme un chausson intérieur C, généralement amovible. Ce chausson intérieur peut être réalisé dans une matière souple et déformable et présente, en général, une languette L en saillie vers le haut dans sa partie avant ainsi que des rabats latéraux R.
Ces chaussures comprennent, en partie basse, un bas de coque dans lequel est logé le pied et qui se prolonge, en partie haute par un collier K qui entoure la partie basse de la jambe et qui vient l’immobiliser et la caler relativement à la chaussure.