INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
représente une personne prête à s’assoir sur un exemple de réalisation d’un dispositif suivant l’invention et une vue éclatée en perspective et avant assemblage de ce dispositif selon l’invention, représenté également en vue de dessous schématisée sur la ;
représente schématiquement une vue en coupe transversale suivant II,II’ de la d’un autre exemple de réalisation du dispositif selon l’invention ;
représente schématiquement une vue de dessous de l’exemple de réalisation du dispositif de la ;
représente schématiquement une vue de dessous d’un autre exemple de réalisation du dispositif selon un troisième mode de réalisation de l’invention ;
représente schématiquement une vue en coupe transversale suivant V,V’ des figures 6 et 8 d’autres exemples de réalisation du dispositif selon l’invention ;
représente schématiquement une vue de dessous d’un quatrième exemple de réalisation du dispositif selon l’invention;
représente schématiquement une vue de dessous d’un cinquième exemple de réalisation du dispositif selon l’invention;
représente schématiquement une vue de dessous schématisée du premier exemple de réalisation du dispositif selon l’invention représenté sur la ;
représentent un exemple d’amortisseur-rotule constitué par trois ressorts 17i, mais il pourrait n’y en avoir qu’un ou deux ou au contraire plus, en vue latérales 9A et 9B et en vue de dessous ou de dessus 9C ;
Exemples Dans les exemples, les compositions sont préparées avec les ingrédients mentionnés dans le tableau ci-dessous, selon le protocole suivant :
On introduit successivement les ingrédients de la phase grasse A (i.e. huiles, beurre de jojoba et tensioactifs) ;
On chauffe à 75°C ;
On disperse jusqu'à fusion et solubilisation complète ;
On ajoute les gélifiants et le beurre de cupuaçu ;
Puis mise en émulsion : on verse la phase aqueuse B à 75°C sur la phase grasse, puis on disperse jusqu'à obtenir une émulsion et on refroidit.
Phase C : On introduit les actifs préalablement mélangés avec une partie de l’eau puis le parfum à 40°C, et on disperse jusqu'à obtenir une émulsion conforme.
Phase D : Enfin on introduit l’élastomère de silicone à 35°C.
On disperse ; à 30°C on introduit l’éthanol (Phase E).
La formule A est selon l’invention, tandis que la formule B est comparative.
Ingrédient Phase Formule A (invention) (%p/p) Formule B (comparative) (% p/p) GLYCERYL STEARATE (and) PEG-100 STEARATE (Arlacel 65 de Croda) A 2,5 2,5 ORBIGNYA OLEIFERA SEED OIL (Huile de graines de babassu) A 0,9 0,9 ISOPROPYL PALMITATE A 1,2 1,2 Cire d’abeille A 0,5 - DIMETHICONE A 1,4 1,4 POTASSIUM CETYL PHOSPHATE (Amphisol K de Givaudan) A 0,2 0,2 CETEARYL ISONONANOATE A 2,5 2,5 CETEARYL ALCOHOL (and) CETEARYL GLUCOSIDE (Montanov 68) A 4 4 PENTAERYTHRITYL TETRA-DI-T-BUTYL HYDROXYHYDROCINNAMATE A 0,11 0,11 Beurre de jojoba (SIMMONDSIA CHINENSIS BUTTER) A 0,6 - HYDROXYETHYL ACRYLATE/SODIUM ACRYLOYLDIMETHYL TAURATE COPOLYMER (SEPINOV EM de Seppic) A 1 1 Beurre de cupuaçu (THEOBROMA GRANDIFLORUM SEED BUTTER) (Rain forest RF3410 de Beraca Ingr. Naturais (Clariant)) A 3 - OCTYLDODECANOL A 1 1 Conservateur B Qs Qs TRISODIUM ETHYLENEDIAMINE DISUCCINATE (Natrlquest® E30 d’Innospec Active Chemicals) B 0,2 0,2 Eau B Qsp 100 Qsp 100 GLYCERINE B 5 5 PARFUM C 0,25 0,25 Actifs C Qs Qs DIMETHICONE (and) DIMETHICONE/POLYGLYCERIN-3 CROSSPOLYMER (KSG-710 de Shin Etsu) D 4 4 Ethanol E 3 3
La vitesse de pénétration de chaque formule est mesurée par le protocole suivant :
On applique 150 microlitres de chaque formule sur le dos de la main, on effectue 1 tour par seconde, puis on évalue le temps de pénétration de chaque formule avec un chronomètre.
On définit la vitesse de pénétration optimale comme suit : en ayant mesuré la vitesse de pénétration de différentes formules anti-âge, selon les appréciations du consommateur, il est conclu qu’une vitesse de pénétration optimale se situe entre 19 et 25 secondes.
Formule Formule A (invention) Formule B (comparative) Volontaire 1 19 secondes 17 secondes Volontaire 2 20 secondes 17 secondes
Le guide d’ondes 164 et la couche 166 sont par exemple formés dans des couches minces d’isolation utilisées pour la réalisation de l’élément d’antenne 105b de la cellule 105. Cela permet avantageusement d’éviter la mise en œuvre d’étapes de fabrication supplémentaires pour réaliser le guide d’ondes 164 entouré de la couche 166.
Du côté de son extrémité destinée à être illuminée par la source laser LS, le guide d’onde 164 comprend par exemple un élément de couplage d’entrée 164b aussi appelé surface ou structure d’entrée du guide d’ondes 164. Du côté de son extrémité située en vis-à-vis de la région 160 en matériau à changement de phase, le guide d’onde 164 peut en outre comprendre un élément de couplage de sortie (non détaillé sur la figure), aussi appelé surface ou structure de sortie du guide d’ondes 164. L’élément de couplage d’entrée 164b peut présenter une structure, par exemple un réseau de diffraction présentant une structure de Bragg ou toute autre structure de couplage, permettant de capter le rayonnement émis par la source laser LS et de propager ce rayonnement jusqu’à la surface de sortie. Le laser LS peut émettre une onde lumineuse verticalement à la surface du substrat. Dans ce cas, un réseau de couplage permet de diriger l’onde dans le guide, par exemple tel que décrit dans l’article « Enabling VCSEL-on-silicon nitride photonic integrated circuits with micro-transfer-printing », J. Goyvaerts et al., Optica 2021, https://doi.org/10.1364/OPTICA.441636//. A titre de variante, le laser LS peut émettre une onde lumineuse longitudinale (parallèlement à la surface du substrat). Dans ce cas, un coupleur adiabatique peut amener la lumière dans le guide d’onde 164, par exemple tel que décrit dans l’articule « Heterogeneous III-V on silicon nitride amplifiers and lasers via microtransfer printing », C. Op de Beeck https://doi.org/10.1364/OPTICA.382989//.
En outre, la surface de sortie du guide d’ondes 164 peut présenter une structure permettant de réémettre le rayonnement propagé depuis la surface d’entrée vers la région 160 en matériau à changement de phase. Bien que cela n’ait pas été détaillé en , la surface de sortie du guide d’ondes 164 peut présenter une structure identique ou analogue à celle de la surface d’entrée du guide d’ondes 164.
De manière générale, les surfaces d’entrée et de sortie permettent respectivement, dans l’exemple représenté, de recevoir et de transmettre un rayonnement selon une direction orthogonale à la direction de propagation du rayonnement à l’intérieur du guide d’ondes 164. À titre de variante, au moins une surface, parmi les surfaces d’entrée et de sortie du guide d’ondes 164, peut présenter une structure permettant respectivement de recevoir ou de transmettre un rayonnement selon une direction parallèle à la direction de propagation du rayonnement à l’intérieur du guide d’ondes 164.
Dans l’exemple représenté, la source laser LS comporte une région active 170, ou région émissive, destinée à émettre un rayonnement laser. Dans cet exemple, une couche d’interface 172 située sur et en contact avec la couche 166 est intercalée entre la couche 166 et la région 170. À titre d’exemple, la région active 170 de la source laser LS est à base de fluorure de krypton (KrF). À titre de variante, la région 170 peut être en un matériau semiconducteur III-V.
La source laser LS est par exemple reportée sur la couche 166 par une technique dite de puce retournée (« flip chip », en anglais), par exemple au moyen d’un collage de type métal-métal, par exemple en mettant en œuvre un procédé du type de celui décrit dans la publication de Y. Wang et al. intitulée « Vertical-cavity surface-emitting laser flip-chip bonding to silicon photonics chip ». À titre de variante, la source laser LS peut être réalisée par un procédé dit d’impression par transfert (« transfer printing », en anglais), par exemple tel que celui décrit dans la publication de C. Op de Beeck et al. intitulée « Heterogeneous III-V on silicon nitride amplifiers and lasers via microtransfer printing », ou par un procédé dit de collage direct (« direct bonding », en anglais), par exemple tel que celui décrit dans la publication de J. M. Ramírez et al. intitulée « Low-Threshold, High-Power On-Chip Tunable III-V/Si Lasers with Integrated Semiconductor Optical Amplifiers ».
La source laser LS peut en variante être réalisée sur un autre support indépendant de ce substrat. Dans ce cas le mode optique émis va être focalisé dans le guide d’onde par couplage sur la surface du wafer en utilisant un réseau de couplage ou sur la tranche du wafer (‘butt coupling’).
Pour faire basculer le commutateur C1 de l’état bloqué à l’état passant, on chauffe par exemple la région 160, à l’aide de la source laser LS, par l’intermédiaire du guide d’ondes 164, à une température T1 et pendant une durée d1. La température T1 et la durée d1 sont choisies de sorte à provoquer un changement de phase du matériau de la région 160 depuis la phase amorphe vers la phase cristalline. À titre d’exemple, la température T1 est supérieure à une température de cristallisation et inférieure à une température de fusion du matériau à changement de phase et la durée d1 est comprise entre 10 et 100 ns.
À l’inverse, pour faire basculer le commutateur C1 de l’état passant à l’état bloqué, on chauffe par exemple la région 160, à l’aide de la source laser LS, par l’intermédiaire du guide d’ondes 164, à une température T2, supérieure à la température T1, et pendant une durée d2, inférieure à la durée d1. La température T2 et la durée d2 sont choisies de sorte à provoquer un changement de phase du matériau de la région 160 depuis la phase cristalline vers la phase amorphe. À titre d’exemple, la température T2 est supérieure à la température de fusion du matériau à changement de phase et la durée d2 est de l’ordre de 10 ns.
À titre d’exemple, dans un cas où la source laser LS est à base de fluorure de krypton, un rayonnement présentant une longueur d’onde égale à environ 248 nm est émis par la source laser LS, par exemple sous forme d’impulsions, pour provoquer des transitions du matériau de la région 160 entre les phases amorphe et cristalline. Une impulsion présentant une fluence de l’ordre de 85 mJ.cm -2 est par exemple utilisée pour obtenir une transition du matériau de la région 160 depuis la phase amorphe vers la phase cristalline. En outre, une autre impulsion présentant une fluence de l’ordre de 185 mJ.cm -2 est par exemple utilisée pour obtenir une transition du matériau de la région 160 depuis la phase cristalline vers la phase amorphe.
Le fait d’utiliser la source laser LS associée au guide d’ondes 164 pour commander les commutateurs C1 et C2 de l’élément d’antenne 105b présente l’avantage de réduire le nombre de lignes électriquement conductrices de commande. Par rapport à des commutateurs en matériau à changement de phase commandés par exemple par chauffage direct, par exemple par circulation d’un courant à travers le matériau à changement de phase, ou par chauffage indirect, par exemple par circulation d’un courant à travers un élément chauffant électriquement isolé du matériau à changement de phase, pour lesquels deux lignes de commande sont utilisées, l’une pour appliquer le potentiel de commande, l’autre pour appliquer le potentiel de référence, un seul guide d’ondes 164 est utilisé pour commander la commutation de chaque commutateur C1, C2.
Un autre avantage des commutateurs C1 et C2 tient au fait qu’ils présentent une capacité C off à l’état bloqué inférieure à celle des commutateurs à chauffage indirect usuels, qui comportent typiquement un élément chauffant en un matériau électriquement conducteur, par exemple un métal, électriquement isolé du matériau à changement de phase.
Dans le réseau transmetteur 103, on peut par exemple prévoir d’utiliser une source laser LS différente pour commander chaque commutateur C1, C2 de chaque deuxième élément d’antenne 105b, l’émission des sources laser LS du réseau transmetteur 103 étant commandée par un circuit de commande (non représenté). À titre de variante, on peut prévoir d’utiliser une même source laser LS pour commander plusieurs commutateurs C1, C2 des deuxièmes éléments d’antenne 105b du réseau transmetteur 103. Dans ce cas, chaque deuxième élément d’antenne 105b peut par exemple être associé à un commutateur optique de commande des commutateurs C1 et C2 en opposition de phase ou à un multiplexeur de type « 1 vers N », avec N entier strictement supérieur à deux, adapté à commander plusieurs commutateurs C1, C2 de plusieurs deuxièmes éléments d’antenne 105b.
Un avantage des commutateurs C1 et C2 à base de matériau à changement de phase tient au fait qu’ils sont capables de fonctionner à des niveaux de puissance au moins aussi élevés que les commutateurs généralement employés dans des cellules élémentaires d’antennes à réseau transmetteur ou réflecteur reconfigurable, tout en présentant une meilleure linéarité. En outre, les commutateurs C1 et C2 présentent une excellente stabilité dans des plages de fréquences de l’ordre du térahertz.
En outre, le réseau transmetteur 103 comprenant des cellules 105 intégrant les commutateurs C1 et C2 présente avantageusement une consommation énergétique moindre que les réseaux transmetteurs actuels comportant par exemple des composants tels que des diodes p-i-n ou des varactors.
Préparation des revêtements Un revêtement d’épaisseur 12 µm a été formé sur un film de polyéthylène téréphtalate (PET) à partir de chacune des compositions durcissables décrites ci-dessus.
Pour cela, les compositions durcissables ont été appliquées au moyen d’une barre d’application de 12 µm sur une plaque support rigide de PET. Ces compositions ont ensuite été réticulées selon le protocole suivant : les films revêtus de la composition durcissable ont été disposés sur un tapis roulant permettant de les faire passer sous, successivement, une lampe UV LED (pour effectuer une pré-réticulation), une lampe excimer et enfin une autre lampe UV. Les paramètres opératoires sont les suivants : Vitesse du tapis : 10 m/s. Pré-réticulation sous lampe UV LED de longueur d’onde 395 nm et de puissance 22 W, positionnée à 10 cm de la surface du revêtement et réglée à une puissance de 50 %. Réticulation avec lampe excimer « XERADEX® » de puissance 5 W/cm et de longueur d’onde 172 nm, réglée à une puissance de 50 %. Réticulation UV avec lampe à vapeur de mercure de type IST I-400-U-3-80 de puissance maximum 200 W/cm, réglée à une puissance de 70 % (correspondant à une dose de 750 mW/cm 2 ) et émettant dans les UVA, UVB et UVC.
Tests réalisés Les tests suivants ont été effectués sur les revêtements obtenus tel que décrit ci-dessus : Aspect du revêtement : le revêtement a été observé par microscopie optique et microscopie électronique à balayage. Brillant spéculaire à 85° : mesuré à l’aide d’un brillancemètre selon la norme ISO 2813:2014. Résistance au lustrage : la résistance au lustrage est estimée comme l’augmentation de brillant mesurée selon la norme ISO 2813 :2014 après que le revêtement ait été soumis au frottement d’un feutre de laine normalisé blanc (150 allers-retours) selon la norme ISO 11640 :2018 sur lequel est appliqué un poids de 3,5 kg. La résistance au lustrage est d’autant meilleure que l’augmentation de brillant du revêtement soumis au frottement est faible. Résistance chimique : la résistance chimique est estimée au moyen d’un tampon de ouate (1,5 cm x 1,5 cm x 0,5 cm) imbibé de méthyl-éthyl cétone qui est frotté (allers-retours) à la surface du revêtement sous un poids de 1 kg. Les allers-retours sont effectués et comptés jusqu’à ce que le revêtement se désagrège ou se décolle du substrat. Plus le nombre de cycles avant que cela ne se produise est élevé, meilleure est la résistance chimique. Résistance à la salissure : cette propriété est déterminée par le changement de teinte du revêtement après exposition du revêtement à la poussière d’oxyde de fer noir (ΔE) . La teinte initiale des revêtements est mesurée sur un spectrophotomètre Insitec de Malvern au moyen de leurs coordonnées L*, a*, b* selon la norme ISO 18314. Une solution salissante d’oxyde de fer noir à 33 % dans l’eau est appliquée au moyen d’un pinceau doux à la surface du revêtement. La solution est laissée au contact du revêtement pendant 3 heures à 23°C puis ensuite à 60°C pendant 1 heure et enfin, laissée à sécher à 23°C pendant 20 heures. L’excès de solution salissante est enlevé au moyen d’un pinceau doux puis la teinte du revêtement est mesurée au moyen de ses coordonnées L*, a*, b* selon la norme ISO 18314 et comparée à la teinte du revêtement non sali. La différence de teinte est exprimée par le ΔE* calculé selon la formule , dans laquelle ΔL, Δa et Δb sont respectivement la différence des coordonnées L*, a* et b* du revêtement sali avec celles du revêtement non sali, selon la norme ISO 18314 . La résistance à la salissure du revêtement est d’autant meilleure que le ΔE* est faible.
Résultats Les résultats sont indiqués dans le tableau ci-dessous :
Composition n° A 1 2 3 Aspect du revêtement Présence de défauts Homogène Homogène Homogène Brillant spéculaire à 85° (UB) 8,2 5,8 6,1 7,4 Résistance au lustrage (Delta brillant (UB)) 8,1 1,6 2,1 2,9 Résistance chimique (nombre de cycles) 168 260 260 260 Résistance à la salissure ( Δ E*) 3,2 2,3 2,3 2,4
Des clichés obtenus par microscopie électronique à balayage du revêtement formé à partir de la composition n°A et du revêtement formé à partir de la composition n°3 sont montrés dans la et la respectivement.
On constate que les revêtements obtenus à partir de compositions durcissables comprenant des particules de polyamide ont un aspect homogène, sans présence de défaut, tandis que le revêtement obtenu à partir de la composition n°A (dépourvue de particules de polyamide) présente des défauts, c’est-à-dire des plis orientés sous forme d’éventail.
De plus, les revêtements obtenus à partir des compositions durcissables selon l’invention sont plus mats (c’est-à-dire ont un brillant moins élevé) et présentent une résistance au lustrage, une résistance chimique et une résistance à la salissure plus importantes, par rapport au revêtement obtenu à partir de la composition comparative n°A.
Installation ou machine de tri d’objets avec un dispositif de contrôle aéraulique L’invention concerne le domaine des machines ou installation de tri d’objets ou de produits, notamment d’objets ou de produits dont une partie au moins est recyclable, le tri s’effectuant typiquement en fonction de la matière. Dans ce conteste, l’invention a pour objet une installation ou machine de tri d’objets avec un dispositif de contrôle aéraulique.
Plus particulièrement, l’invention vise les installations ou machines de tri à géométrie planaire, préférentiellement de type optique, équipées de systèmes d’éjection à air comprimé (barre à buses pneumatiques alimentées par des électrovannes) installés en extrémité d’un convoyeur à défilement rapide (vitesse de 2 à 7 m/s), et commandés en relation avec les résultats de la classification. Un type possible d’architecture d’une telle machine ou installation est par exemple décrit dans le document brevet EP1243350A1 de la demanderesse.
La illustre schématiquement une installation (1) de tri d’objets (2) connue comprenant, avantageusement montés dans une enveloppe (1’), un trieur (3) à géométrie planaire (triant des objets défilant de manière sensiblement monocouche sur un plan) et un système (4) de gestion aéraulique contrôlant la circulation d’air dans l’installation (1).
Le trieur (3), préférentiellement de type optique, comprend au moins :
-un convoyeur (5) à bande (5’) défilante sur laquelle les objets (2) à trier sont disposés en couche simple,
-un dispositif de détection (6) configuré pour inspecter les objets (2) circulant sur le convoyeur (5) et les classifier après analyse dans deux catégories au moins,
-un dispositif (7) d’éjection à jets d’air, situé au niveau de l’extrémité de sortie (5’’) du convoyeur (5) et configuré pour éjecter sélectivement vers le haut les objets (2) détectés comme appartenant à au moins l’une des catégories de classification et chutant de ladite extrémité de sortie (5’’),
-au moins une paroi de séparation (8) arrangée à distance de l’extrémité de sortie (5’’) du convoyeur (5) et configurée pour séparer au moins un flux d’objets (2) chutant librement et un flux d’objets (2) éjectés.
Les branches de l’embout d’application peuvent être configurées de sorte à être plus ou moins souples ou rigides, et plus conséquemment plus ou moins déformables transversalement. Cette souplesse est traduite par le module de flexion de chaque branche.
La souplesse des branches peut être adaptée notamment en sélectionnant le matériau qui les constitue, et/ou en sélectionnant la section transversale des branches. Par exemple, la souplesse d’une branche peut dépendre de son diamètre pour une branche de section transversale circulaire. Elle dépend plus généralement de la forme et la surface de la section transversale de la branche (qui peut être constante ou évolutive le long de la branche). Cela traduit ce qu’on peut désigner de manière générale comme « l’épaisseur » de la branche.
L’adaptation de la souplesse ou rigidité des branches permet l’obtention d’un compromis entre l’effet massant de l’applicateur et sa capacité à restituer du produit qu’il contient. Ainsi, une branche rigide permet un appui sur la peau plus ferme, moins amorti, qu’une branche souple. Un embout d’application à branches souples provoque une restitution plus importante du produit qu’il contient lorsqu’il est appliqué sur la peau et qu’on le fait rouler, qu’un applicateur à branches rigides.
Partant de ces principes, un même embout d’application peut être doté de branches de rigidités différentes, par exemple en alternant des branches plus souples, qui vont se déformer lors de l’application, et des branches plus rigides, qui vont moins se déformer. Cela permet de cumuler un effet de massage important à une distribution correcte du produit lors de l’application.
De même, une même branche peut être plus souple sur une portion de sa longueur et plus rigide sur une autre portion.
La souplesse des branches de l’embout d’application peut également permette une meilleure adaptation de l’applicateur aux zones d’application auquel il est destiné. Par exemple, pour une application sur le visage cela permet à l’applicateur de s’adapter aux courbes présentes dans la zone d’application privilégiée, voire de manière générale aux courbure de l’ensemble du visage.
La cavité peut avoir une forme dite de bourgeon, c’est-à-dire une forme de révolution allongée s’évasant progressivement et se terminant par un bout arrondi. La cavité peut alternativement avoir une forme générale sphérique, cylindrique de révolution, en poire, en ogive, ou toute autre forme de révolution adéquate.
Une forme en bourgeon est particulièrement bien adaptée en ce qu’elle permet une application efficace du produit cosmétique en tenant l’applicateur selon diverses orientations vis-à-vis de la surface d’application, notamment grâce à un large bout arrondi.
Les branches peuvent être dénuées de protubérances.
Par protubérance, il est entendu toute saillie proéminente à la surface de la branche. La branche est notamment dénuée de dents ou de poils. Cela n’exclut cependant pas la présence de motifs ou de déformations locales à la surface des branches, ou encore la présence d’un revêtement, ce qui crée une texture en surface des branches. A titre d’exemples, un flocage (par exemple pour l’obtention d’une finition « velours »), ou un revêtement à base de microparticules, est notamment possible.
L’embout d’application de l’applicateur peut comporter exactement trois, quatre, cinq, six, sept, huit, neuf ou dix branches.