INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Dans ce mode de réalisation, le matériau poreux repose sur le convoyeur inférieur et les organes viennent en appui sur le matériau poreux, par le dessus. L’appui des organes sur le matériau poreux crée des zones où l’épaisseur est légèrement inférieure et où le matériau est plus compacté.
Bien entendu, on peut également envisager des modes de réalisation dans lesquels les organes sont localisés à la fois au-dessus et au-dessous du matériau poreux, de sorte à obtenir un motif d’imprégnation sur chaque face du matériau poreux, ou encore pour renforcer la pénétration de la poudre dans le matériau poreux en appliquant une pression sur le matériau depuis le dessus et le dessous.
Selon un autre mode de réalisation, les organes définissent un ensemble de régions sur la surface du matériau poreux en regard de laquelle ils sont situés, lesdites régions étant fermées.
Autrement formulé, les organes sont disposés de sorte à former, à l’aide des convoyeurs, des cavités fermées, dont la base présente un contour fermé, par exemple de forme polygonale, au sein de laquelle la poudre est confinée, mais peut tout de même se mouvoir.
Pour ce mode de réalisation, on observe ainsi que la poudre se concentre au niveau des parois de la cavité, imprimant ainsi le motif du polygone sur le matériau poreux.
Selon un autre mode de réalisation, les organes forment un ensemble de protubérances séparées les unes des autres.
Ces protubérances peuvent par exemple prendre la forme de pointes venant appuyer sur le matériau poreux de manière très localisée. En variante, les protubérances peuvent avoir une forme plus allongée. La surface de contact entre les organes et le matériau poreux s’étend alors dans une direction parallèle au plan du convoyeur.
A titre d’exemple, les organes peuvent être des lignes parallèles à la direction d’avancement du matériau poreux, ou encore des lignes transversales par rapport à cette même direction.
Selon un autre mode de réalisation, les organes sont solidaires du convoyeur inférieur. Avantageusement, l’installation peut comprendre en outre un convoyeur supérieur, afin de prendre en sandwich le matériau poreux et de le faire avancer. Les organes peuvent alors être solidaires du convoyeur supérieur. Le convoyeur supérieur est par exemple un convoyeur à bande ou encore un rouleau.
Selon un autre mode de réalisation, une des électrodes est cylindrique et le matériau poreux est plaqué sur ce cylindre. Les organes sont alors constitués par un revêtement avantageusement diélectrique du cylindre, avec des zones proéminentes formant entre elles des motifs en creux selon une géométrie spécifique afin d’obtenir des motifs d’imprégnation avec des concentrations de poudre à proximité des zones de contact entre les organes et le matériau.
Dans la variante de la , des contacts ohmiques sont obtenus sur la couche barrière 108-1 par des opérations de métallisation connues permettant la réalisation d’un contact ou d’une pluralité de contacts de géométrie prédéfinie. Les espacements entre plots sont minimisés tout en restant compatibles des règles de dessins (« design rules » en anglais) imposés par les méthodes de fabrication.
Dans la variante de la , des contacts ohmiques sont obtenus sur chaque surface locale fortement dopée n+ des plots (110) obtenus.
Les figures 12a et 12b illustrent pour chaque version de réalisation du procédé de l’invention, une opération de gravure 114 et de passivation mesa pour obtenir des pixels séparés.
Dans la variante de la , la gravure 114-1 est réalisée par des moyens connus appropriés, comme une gravure plasma ICP (« Induced Coupled Plasma » selon l’anglicisme consacré) pour traverser la couche barrière fortement dopée 108-1 et la couche faiblement dopée 106. La gravure est stoppée au niveau de la couche d’absorption 104. Une passivation mesa est ensuite réalisée.
Dans la variante de la , la gravure 114-2 est réalisée par des moyens connus appropriés, comme une gravure plasma ICP pour traverser la couche barrière de surface nid 108-2 et la couche faiblement dopée 106. La gravure est stoppée au niveau de la couche d’absorption 104. Une passivation mesa est ensuite réalisée.
Dans une alternative à la deuxième version de réalisation, il peut ne pas être nécessaire de réaliser après la gravure une passivation mesa, s’il est déterminé que la performance en diaphonie des structures UTC ou APD est satisfaisante.
A l’issue de l’opération de gravure et le cas échéant de passivation mesa, le procédé a permis de réaliser des tranchées qui entourent des structures mesa, c’est-à-dire des empilements de couches formant des îlots ohmiques de contact N, reposant sur la couche d’absorption 104, elle-même reposant sur le substrat 102. Il s’agit du contact commun de type n.
Les figures 13a et 13b illustrent pour chaque version de réalisation du procédé de l’invention, une opération de gravure pour prise de contact commun de type P sur le substrat 102. La gravure 116 est réalisée par des moyens connus appropriés (ICP par exemple) pour traverser la couche d’absorption 104 dans une zone où elle est apparente en surface, et pour être stoppée au niveau de la surface du substrat 102.
Les figures 14a et 14b illustrent pour chaque version de réalisation, une opération de passivation et d’interconnexion électrique pour le contact commun P. La passivation est un dépôt 118 en matériau de type SiN ou SiOx couvrant les flancs des mésas.
Les figures 15a et 15b illustrent une variante de réalisation d’une opération de passivation et d’interconnexion (120) électrique permettant de ne pas mettre à nu l’absorbeur et limitant la génération de courant d’obscurité.
Une couche de plus grand gap que la zone absorbante doit alors présenter des caractéristiques pour le couple de paramètres (dopage, épaisseur) qui permettent d’écranter les charges de surface.
Les figures 16a et 16b illustrent une autre variante de réalisation d’une opération de passivation et d’interconnexion électrique (120) où seul le contact n+ est déserté. Cette solution est viable si la continuité de la couche de collection (UTC) ou d’avalanche (APD) n’engendre pas de diaphonie.
Il a ainsi été décrit deux modes de réalisation du procédé de l’invention permettant de développer des matrices de photodiodes UTC ou APD à absorbant non déserté ou à dopage gradué, de manière à bénéficier d’une plus forte robustesse vis-à-vis de l’irradiation, et à limiter les courants d’obscurité dans la zone absorbante.
La illustre les étapes principales du procédé 1700 de l’invention, détaillées selon les différentes variantes dans les figures 8 à 16.
Ainsi, sous une première étape 1702, il est réalisé à partir d’un substrat semi-conducteur dopé p au moins sur sa partie supérieure, plusieurs croissances épitaxiales pour obtenir un empilement de couches semi-conductrices, l’empilement étant composé au-dessus du substrat (102), d’une couche d’absorption (104) dans un matériau dopé p, puis d’une couche pour collecter des électrons (106) faiblement dopée et de grande bande interdite, et d’une couche barrière de surface (108-1, 108-2) de grande bande interdite.
Sous une seconde étape 1704, il est réalisé une pixellisation en dopage n de la couche barrière de surface de grande bande interdite, la pixellisation comprenant des métallisations (1706) pour créer des contacts électriques (112, 118) pour la ou les photodiode(s), d’une part sur la couche barrière de surface pixellisée dopée n, et d’autre part sur la partie supérieure dopée p du substrat semi-conducteur.
Selon un mode de réalisation préférée, ladite plaque d’appui présente une bordure renflée s’étendant transversalement en regard de ladite seconde extrémité de ladite lame incurvée. Ainsi, la bordure renflée forme une butée pour l’aile lorsqu’elle est insérée entre la lame incurvée et la plaque d’appui lorsqu’elle arrive en bout de course. Avantageusement, la bordure renflée présente une portion formant rampe. De la sorte, lorsque l’extrémité de l’aile est entraînée sur la portion formant rampe, elle est d’autant plus pressée contre les nervures de la lame incurvée.
On observera que la lame incurvée et la plaque d’appui sont maintenues ensemble de manières suffisamment rigides pour ne pas s’écarter l’une de l’autre lorsque l’aile est insérée entre les deux.
En outre, avantageusement, ladite aile s’étend longitudinalement entre une extrémité libre adaptée à être engagée entre ladite lame et ladite plaque d’appui et une extrémité opposée de préhension. L’extrémité de préhension forme un manche qui permet de repousser l’ensemble lame incurver et plaque d’appui en translation au-delà du talon pour pouvoir retirer l’article chaussant tubulaire.
Selon une variante d’exécution, particulièrement avantageuse, ladite extrémité libre de ladite aile présente une bordure recourbée adaptée à venir en appui glissant contre ladite plaque d’appui. Une telle bordure recourbée présente un double avantage. Tout d’abord elle permet d’augmenter le moment quadratique de l’aile. Autrement dit, elle augmente sa résistance mécanique à la déformation. Aussi, elle permet de coopérer plus aisément avec la bordure renflée de la plaque d’appui pour presser encore plus efficacement l’article chaussant contre la lame incurvée.
Préférentiellement, ladite aile est incurvée de manière à pouvoir venir épouser la courbure de ladite lame incurvée. De la sorte, l’aile s’applique d’autant mieux contre la lame incurvée et offre ainsi une surface de pincement de l’article chaussant plus importante. Par ailleurs, cette courbure permet également d’augmenter le moment quadratique de l’aile. Partant, l’aile peut résister à des efforts mécaniques importants.
De la même façon, ladite plaque d’appui est avantageusement incurvée suivant le même sens de courbure que celui de ladite lame incurvée. De la sorte, l’aile est parfaitement guidée entre la plaque d’appui et la lame incurvée durant le pressage de l’article chaussant.
Aussi, et selon un mode de mise en œuvre particulièrement avantageux, ladite lame incurvée et ladite plaque d’appui sont moulées ensemble d’une seule pièce dans un matériau polymère. De la sorte, la lame incurvée et la plaque d’appui sont liés ensemble de manière rigide. Partant, elle ne s’écarte pas l’une de l’autre lorsque l’aile est forcée entre les deux pour pincer l’article chaussant.
Par ailleurs, l’aile est elle-même moulée dans un matériau polymère et préférentiellement dans le même matériau.
est une vue de côté montrant la mise en œuvre du dispositif de déchaussement selon invention ; et,
est une vue schématique partielle en perspective et en écorché de l’objet de l’invention.
La montre de côté, est partiellement le membre inférieur 10 d’un individu, lequel a enfilé un article chaussant tubulaire 12, et plus précisément une chaussette de contention veineuse. Celle-ci présente une bordure supérieure 14 entourant le mollet de l’individu.
Aussi, un premier élément d’une seule pièce 16 est installé sur la bordure supérieure 14 de l’article chaussant 12. Cet élément 16 présente une lame incurvée 18, ici insérée entre la bordure supérieure 14 et le mollet de l’individu et une plaque d’appui 20 venant s’étendre au regard de la lame incurvée 18 à l’extérieur de l’article chaussant 12. Autrement dit, le premier élément 16 est installé à cheval sur la bordure supérieure 14 de l’article chaussant 12.
En outre, une aile 22, constituant un second élément, est engagée entre lame incurvée 18 et la plaque d’appui 20 pour pouvoir pincer article chaussant 12 entre la lame incurvée 18 et la plaque d’appui 20 comme on l’expliquera plus en détail ci-après.
On se référera à présent à la avant de revenir sur la .
Ainsi, on retrouve partiellement sur la le premier élément 16 comprenant la lame incurvée 18 et la plaque d’appui 20.
En référence à la , on forme au moins une couche intermédiaire de relaxation 105 électriquement isolante ou électriquement conductrice à la surface du substrat receveur 110. Le substrat receveur 110 peut en outre comprendre une couche de piégeage de charges 107. Dans un souci de simplification, la couche 107 n’a pas été représentée sur les figures suivantes.
En référence à la , on colle le substrat donneur 100 ainsi fragilisé sur le substrat receveur 110, la couche germe 102 et la couche intermédiaire de relaxation 105 étant à l’interface de collage.
En référence à la , on effectue un détachement du substrat donneur 100 le long de la zone de fragilisation 101. Un tel détachement peut être provoqué par tout moyen connu de l’homme du métier, par exemple thermique, mécanique, chimique, etc. On transfère ainsi la couche 103 sur le substrat receveur 110. Avantageusement, on peut récupérer ensuite le reliquat du substrat donneur, qui peut éventuellement être recyclé.
En référence à la , on retire une partie superficielle de la couche transférée, par exemple par polissage mécanique et/ou par gravure chimique. Ce retrait de matière a pour but d’exposer la couche germe 102. A l’issue de ce retrait on obtient une couche 102 amincie sur le substrat receveur 110, qui servira de couche germe à l’étape suivante.
En référence à la , on forme une couche d’un deuxième matériau piézoélectrique 104 sur la couche germe 102. Le matériau de la couche 104 présente un paramètre de maille proche ou identique à celui de la couche germe 102. Ainsi, la couche germe 102 impose son paramètre de maille et permet la croissance d’un matériau monocristallin de bonne qualité. La couche 104 pourra être de nature légèrement différente par rapport à la couche germe 102, notamment par l’introduction contrôlée de légers niveaux d’impuretés dans des buts divers (dopage, ajustement des propriétés piézoélectriques, optimisation des densités de défauts cristallins/dislocations, surfactant, etc.). La croissance est stoppée lorsque l’épaisseur souhaitée pour la couche piézoélectrique monocristalline est atteinte. La couche piézoélectrique 10 finale est formée de l’empilement de la couche germe 102 et de la couche 104.
Le premier matériau piézoélectrique et le deuxième matériau piézoélectrique peuvent être identiques.
Alternativement, le premier matériau piézoélectrique et le deuxième matériau piézoélectrique peuvent être différents.
Comme indiqué plus haut, la couche germe est considérée comme n’ayant pas d’effet ou un effet de second ordre sur le fonctionnement d’un dispositif radiofréquence incorporant la couche piézoélectrique formée sur la couche germe. Par conséquent, même si l’implantation réalisée pour la mise en œuvre du procédé Smart Cut TM endommage la couche germe et perturbe ses propriétés piézoélectriques, ces défauts ne sont pas ou peu pénalisants.
Dans un mode de réalisation non illustré, on ne forme pas de zone de fragilisation dans le substrat donneur. Dans ce cas, le transfert de la couche germe sur le substrat receveur est réalisé par assemblage du substrat donneur sur le substrat receveur puis gravure du substrat donneur jusqu’à exposer la couche germe. Ce mode de réalisation est cependant moins préféré que celui comportant la formation d’une zone de fragilisation dans le substrat donneur, car il engendre une perte de matériau plus importante.
Dans un autre mode de réalisation non illustré, on ne forme pas de zone de fragilisation dans le substrat donneur mais on forme une interface détachable par réaction chimique ou thermique. Dans ce cas, le transfert de la couche germe sur le substrat receveur est réalisé par assemblage du substrat donneur sur le substrat receveur puis par détachement de l’interface suite à une réaction chimique ou thermique afin d’exposer la couche germe.
Comme on le voit sur la , on obtient, à l’issue du procédé, un substrat pour un dispositif à ondes acoustiques de surface qui comprend un substrat receveur 110 et une couche piézoélectrique monocristalline 10 sur ledit substrat 110. Un tel substrat peut également se révéler utile pour d’autres applications, par exemple pour la photonique et l’optique intégrée.
La couche 10 se caractérise par la présence de deux portions présentant des caractéristiques différentes :
- une première portion 102 située à l’interface avec le substrat receveur 110, correspondant à la couche germe,
- une seconde portion 104 s’étendant à partir de la première portion 102, correspondant à la couche formée sur la portion 102, qui peut présenter une qualité cristalline différente de celle de la première portion (ladite qualité pouvant être ajustée et optimisée lors de l’étape de la deuxième épitaxie par exemple) et/ou une composition différente (notamment si des impuretés, telles que des dopants, ont été introduites lors de l’épitaxie), conférant éventuellement des propriétés particulières à la couche formée sur la portion 102.
Ce substrat est avantageusement utilisé pour fabriquer un dispositif à ondes acoustiques de surface tel qu’illustré à la et/ou tout autre dispositif microélectronique, photonique ou optique comprenant une couche piézoélectrique.
Dans certains cas, le substrat receveur sur lequel est transférée la couche germe peut ne pas être optimal pour l’application visée. En effet, dans certains modes de réalisation, le substrat receveur devant subir les conditions opératoires de l’épitaxie, le choix de matériaux adaptés est limité. Notamment, le substrat receveur ne peut contenir de couches ou d’éléments susceptibles d’être endommagés par la température d’épitaxie. Il peut alors être avantageux de transférer la couche piézoélectrique 10 sur un substrat final 120 dont les propriétés sont choisies en fonction de l’application visée, en la collant sur ledit substrat 120 par l’intermédiaire de la surface de la couche 104 formée sur la couche germe 102 (cf. ), et en retirant le substrat receveur (cf. ). Ce transfert peut être réalisé par toute technique de transfert mentionnée plus haut. Un autre avantage de ce transfert sur un substrat final est que la couche germe 102, qui était enterrée dans la structure issue de la formation de la couche du deuxième matériau piézoélectrique, est alors exposée et peut éventuellement être retirée (cf. ), notamment dans le cas où elle présenterait des défauts. Seule la couche du deuxième matériau piézoélectrique 104 reste alors sur le substrat final 120.
- la illustre schématiquement un support de charges selon l’invention, installé dans un véhicule automobile utilitaire, suivant une vue de dessus, le support de charge étant présenté en configuration utilisée.
- la illustre schématiquement en vue transversale le support de charge de la selon l’invention dans une première position d’utilisation.
- la illustre schématiquement en vue transversale le support de charge de la selon l’invention dans une deuxième position d’utilisation.
Dans la suite de la description, il est fait référence à un repère XYZ dans lequel X est la direction longitudinale avant-arrière du véhicule, orientée vers l’arrière, Y est la direction transversale orientée vers la droite du véhicule, et Z est la direction verticale orientée vers le haut du véhicule.
Les figures 1 et 2 illustrent schématiquement un support de charge 10 selon l’invention, installé en partie haute, soit sous le toit T (ou pavillon) d’un véhicule automobile utilitaire, dans un espace de chargement E. Une charge L portée par le support de charge 10 est représentée sous forme d’un objet long.
Le véhicule comporte des sièges S disposés en avant d’une paroi de séparation W séparant l’habitacle H des passagers et l’espace de chargement E.
Ce support de charge 10 comprend au moins une galerie 12, disposée en partie haute dans l’espace de chargement E du véhicule. Il peut être prévu, dans un mode de réalisation non représenté ici, une deuxième galerie, les deux galeries étant alors disposées respectivement à l’avant et à l’arrière de l’espace de chargement E.
Le support de charge 10 peut aussi comporter une partie avant de support 14 pouvant être formée par un coffre de rangement situé à l’avant du véhicule, en hauteur dans l’habitacle, au-dessus du siège S du passager selon ce cas particulier, et à l’avant de la cloison de séparation W.
Tel que représenté aux figures 1 et 2, la galerie 12 s’étend transversalement entre des parois latérales E1 et E2 de l’espace de chargement E et peut occuper une configuration rangée et une configuration d’utilisation. Elle est ainsi montée à rotation autour d’un axe transversal entre une position de rangement escamotée contre le toit T et une position d’utilisation dans laquelle elle s’étend selon un plan vertical.
Tel que représenté à la , la galerie 12 est constituée par une première et une deuxième portions 120 et 122 reliées entre elles par une portion intermédiaire 124 coudée.
La première et la deuxième portions 120 et 122 sont rectilignes et parallèles entre elles.
La première portion 120 présente une première extrémité 120a montée à rotation sur la paroi E1 autour d’un axe transversal 160 et une deuxième extrémité opposée 120b (représentée en pointillés). La deuxième portion 122 présente une première extrémité 122a montée à rotation sur la paroi E2 autour d’un axe transversal 162 et une deuxième extrémité opposée 122b (représentée en pointillés).
Dans le mode de réalisation décrit ici, la première extrémité 120a forme un retour par rapport à la direction de la première portion 120 en formant un angle à 90 °.
La portion intermédiaire 124 présente une partie centrale 124a, orientée selon une direction perpendiculaire aux première et deuxièmes portions 120 et 122, et deux parties d’extrémité 124b et 124c, orientées perpendiculairement à la partie centrale 124a. La partie d’extrémité 124b est destinée à coopérer avec la deuxième extrémité 120b de la première portion 120 tandis que la deuxième partie d’extrémité 124c est destinée à coopérer avec la deuxième extrémité 122b de la deuxième portion 122.
Ainsi, lorsque le galerie 12 est en configuration d’utilisation dans laquelle elle s’étend transversalement selon un plan vertical, la première portion 120 s’étend dans un plan horizontal P 120 situé au-dessous d’un plan horizontal P 122 dans lequel s’étend la deuxième portion 122. La première portion 120, son extrémité courbée 120a et la partie centrale 124a de la portion intermédiaire 124 présentent ainsi la forme d’un U tandis que la deuxième portion 122 de la galerie 12 s’étend à proximité du toit T.
Le toit T, la première portion 120 de la galerie 12, la paroi latérale E1 et la partie centrale 124a de la portion intermédiaire 124 délimitent alors une zone de rangement 18 apte à accueillir l’objet L.
Dans une troisième opération, une alerte est rendue en fonction des données d’évènement de catastrophe naturelle reçue, le rendu de l’alerte étant déclenché automatiquement à la réception des données d’évènement de catastrophe naturelle reçues à la deuxième opération.
Le rendu de l’alerte comprend par exemple un affichage de données d’alerte sur un écran d’affichage du véhicule 10 et/ou sur un écran d’affichage du dispositif de communication mobile.
Les données d’alerte correspondent par exemple aux données d’évènement de catastrophe naturelle reçues ou à des données obtenues par traitement de ces données d’évènement de catastrophe naturelle reçues.
Le rendu comprend par exemple un affichage d’un message décrivant la catastrophe naturelle, la zone géographique concernée, l’instant temporel de l’évènement, etc.
Selon une variante, le rendu comprend le rendu d’un message audio, par exemple en plus de l’affichage ou à la place de l’affichage, via un ou plusieurs haut-parleurs du véhicule 10 et/ou un ou plusieurs haut-parleurs du dispositif de communication mobile.
Selon une variante de réalisation, le rendu de l’alerte comprend en outre un affichage d’un itinéraire pour éviter la zone géographique concernée par l’évènement de catastrophe naturelle, l’itinéraire étant déterminé en fonction des données d’évènement de catastrophe naturelle reçues. Selon cette variante, l’itinéraire est affiché via un système de navigation embarqué dans le véhicule 10 ou correspondant à une application mobile installée sur le dispositif de communication mobile.
Selon encore une variante de réalisation, des données d’instruction représentatives d’instructions pour briser une vitre du véhicule 10 avec le marteau brise-vitre embarqué dans le véhicule 10 sont rendues, par exemple par affichage de ces instructions sur un écran d’affichage et/ou par rendu d’un contenu audio sur le ou les haut-parleurs.