Substrat piézoélectrique sur isolant (POI) comprenant: - un substrat support (100), en particulier un substrat à base de silicium, comprenant une couche de piégeage (102) sur une surface libre (104) du substrat support (100), en particulier une couche à base de silicium poly cristallin ou amorphe ou poreux - une couche piézoélectrique (114), en particulier une couche de Tantalate de Lithium (LTO) ou de Niobate de Lithium (LNO), - une structure intermédiaire (120) positionnée en sandwich entre la couche piézoélectrique (114) et la couche de piégeage (102) du substrat support (100), dans lequel la structure intermédiaire (120) comprend au moins une couche barrière (122, 122’) de diffusion d’élément métallique, en particulier de Lithium, à base de Nitrure de Tantale (TaN) ou de Nitrure de Carbone de Silicium (SiCN). Le substrat piézoélectrique sur isolant (POI) selon la revendication 1, dans lequel la couche barrière (122, 122’) a une épaisseur t EM supérieure à une épaisseur prédéterminée, ladite épaisseur prédéterminée étant déterminée en fonction de l’épaisseur de la couche de piégeage (102) de telle manière que la dose d’élément métallique, en particulier la dose de Lithium, dans la couche de piégeage (102) est inférieure à une dose seuil de Lithium entrainant la dégradation de la couche de piégeage (102), en particulier une dose seuil de Lithium inférieure à 10 12 at/cm 2 , en particulier inférieure à 5.10 11 at/cm 2 . Le substrat piézoélectrique sur isolant (POI) selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la couche barrière (122, 122’) de diffusion d’élément métallique a une épaisseur t EM comprise entre 5nm et 150nm, en particulier entre 10nm et 100nm, et l’épaisseur t p de la couche de piégeage (102) est comprise entre 50nm et 5µm. Le substrat piézoélectrique sur isolant (POI) selon une des revendications précédentes, dans lequel la structure intermédiaire (120) comprend au moins une couche diélectrique (132, 132’), en particulier à base de dioxyde de Silicium ou de Nitrure de Silicium (SiN) ou encore d‘Oxynitrure de Silicium (SiO x N y ), en contact avec la au moins une couche barrière (122, 122’) de diffusion d’élément métallique. Le substrat piézoélectrique sur isolant (POI) selon une des revendications précédentes, dans lequel la couche barrière (122’) est positionnée en sandwich entre deux couches diélectriques (132’, 146). Le substrat piézoélectrique sur isolant (POI) selon une des revendications précédentes, dans lequel la structure intermédiaire (120) comprend en outre une deuxième couche barrière (154, 156, 158, 160). Le substrat piézoélectrique sur isolant (POI) selon une des revendications précédentes, dans lequel la structure intermédiaire (120) comprend au moins une couche (160) avec une concentration d’hydrogène inférieure à 10 20 at/cm 3 , en particulier inférieure à 10 18 at/cm 3 . Le substrat piézoélectrique sur isolant (POI) selon la revendication 6 ou la revendication 7 en combinaison avec la revendication 6, dans lequel la deuxième couche barrière (154, 158, 160) est une couche barrière de diffusion d’hydrogène (156), en particulier à base de Nitrure de Silicium (SiN) ou d’Oxynitrure de Silicium (SiO x N y ) ou de Nitrure d’Aluminium (AIN). Procédé de fabrication d’un substrat piézoélectrique sur isolant (POI) (130, 138, 144, 152, 166) selon une des revendications 1 à 8 comprenant les étapes de: - fournir un substrat support (100), en particulier un substrat à base de silicium, comprenant une couche de piégeage (102), en particulier une couche à base de silicium poly cristallin ou amorphe ou poreux, - fournir un substrat comprenant une couche piézoélectrique (106), en particulier une couche piézoélectrique (108) à base de Tantalate de Lithium (LTO) ou de Niobate de Lithium (LNO), - former une structure intermédiaire (120) sur le substrat comprenant une couche piézoélectrique (106) et/ou sur le substrat support (100), la formation de la structure intermédiaire (120) comprenant la formation d’au moins une couche barrière d’élément métallique (122, 122’), en particulier de Lithium, à base de Nitrure de Tantale (TaN) ou de Nitrure de Carbone de Silicium (SiCN), et - assembler le substrat comprenant une couche piézoélectrique (106) avec le substrat support (100). Le procédé de fabrication d’un substrat piézoélectrique sur isolant (POI) (152, 166) selon la revendication 9, dans lequel l’étape de formation de la structure intermédiaire (120) comprend en outre la formation d’une deuxième couche barrière (154, 156, 158, 160). Le procédé de fabrication d’un substrat piézoélectrique sur isolant (POI) (152, 166) selon une des revendications 9 ou 10, dans lequel l’étape de formation de la structure intermédiaire (120) comprend en outre une étape de formation d’une couche (160) avec une concentration d’hydrogène inférieure à 10 20 at/cm 3 , en particulier inférieure à 10 18 at/cm 3 . Le procédé de fabrication d’un substrat piézoélectrique sur isolant (POI) (152, 166) selon la revendication 10 ou la revendication 11 en combinaison avec la revendication 10, dans lequel l’étape de formation de la deuxième couche barrière (154) comprend la formation d’une couche (158) à base de Nitrure de Silicium (SiN) ou d’Oxynitrure de Silicium (SiO x N y ) ou de Nitrure d’Aluminium (AIN). Le procédé de fabrication d’un substrat piézoélectrique sur isolant (POI) (130, 138, 144, 152, 166) selon une des revendications 9 à 12, comprenant en outre une étape de formation d’une couche diélectrique (132, 146) sur le substrat support (100) et/ou sur le substrat comprenant une couche piézoélectrique (106) avant l’étape d’assemblage, de telle manière que l’interface de collage soit une interface de liaison oxyde – oxyde. Le procédé de fabrication d’un substrat piézoélectrique sur isolant (POI) (130, 138, 144, 152, 160) selon une des revendications 9 à 12, comprenant en outre une étape de formation d’une couche diélectrique (132, 146) d’un premier matériau sur le substrat support (100) et/ou d’un deuxième matériau différent du premier matériau sur le substrat comprenant une couche piézoélectrique (106) avant l’étape d’assemblage. Le procédé de fabrication d’un substrat piézoélectrique sur isolant (POI) (130, 138, 144, 152, 160) selon la revendication 14, dans lequel le premier matériau est à base de Nitrure de Silicium, en particulier du Si 3 N 4 , et le deuxième matériau est à base d’Oxynitrure de Silicium (SiO x N y ), en particulier du SiON.