Installation d’infiltration chimique en phase gazeuse ou de dépôt chimique en phase gazeuse (100) comprenant une enceinte (110) renfermant une première chambre de réaction (120) comprenant une première entrée de gaz (122), une première chambre de préchauffage (123), une première zone de chargement (124) et une première sortie de gaz (125), la première entrée de gaz étant reliée à une première source d’alimentation en gaz (155), la première sortie de gaz étant reliée à au moins une conduite d’évacuation de gaz, l’installation comprenant en outre un premier système de chauffage (1112) configuré pour chauffer la première chambre de réaction, caractérisée en ce que l’enceinte (110) renferme en outre une deuxième chambre de réaction (130) comprenant une deuxième entrée de gaz (132), une deuxième chambre de préchauffage (133), une deuxième zone de chargement (134) et une deuxième sortie de gaz (135), la deuxième entrée de gaz étant reliée à une deuxième source d’alimentation en gaz (185), la deuxième sortie de gaz étant reliée à ladite au moins une conduite d’évacuation de gaz, l’installation comprenant en outre un deuxième système de chauffage (1114) configuré pour chauffer la deuxième chambre de réaction , en ce que les première et deuxième sources d’alimentation en gaz (155, 185) délivrent chacune une phase gazeuse comprenant au moins un gaz précurseur différent et en ce que les premier et deuxième systèmes (1112, 1114) de chauffage sont indépendants l’un de l’autre. Installation selon la revendication 1, dans laquelle les première et deuxième chambres de réaction (120, 130) sont superposées à l’intérieur de l’enceinte et dans laquelle la première sortie de gaz (125) de la première chambre de réaction (120) est adjacente à la deuxième chambre de réaction (130). Installation selon la revendication 2, dans laquelle les première et deuxième chambres de réaction (120, 130) sont isolées thermiquement l’une de l’autre par un isolant thermique (101) présent entre la première sortie de gaz (125) et la deuxième chambre de réaction (130). Installation selon la revendication 2 ou 3, comprenant en outre un circuit interne d’alimentation en gaz (160) contournant la première chambre de réaction (120), ledit circuit interne d’alimentation en gaz étant relié à la deuxième entrée de gaz (132) de la deuxième chambre de réaction (130). Installation selon la revendication 4, dans laquelle la deuxième entrée de gaz (132) de la deuxième chambre de réaction (130) comprend un module redresseur de flux (1320). Installation selon la revendication 1, dans laquelle les première et deuxième chambres de réaction (220, 230) sont superposées à l’intérieur de l’enceinte et dans laquelle les première et deuxième sorties d’évacuation de gaz (225, 235) des première et deuxième chambres de réaction (220, 230) sont en vis-à-vis l’une de l’autre tandis que les première et deuxième entrées de gaz (222, 232) des première et deuxième chambres de réaction sont à des endroits opposés dans l’enceinte (210). Installation selon la revendication 6, dans laquelle les première et deuxième chambres de réaction sont isolées thermiquement l’une de l’autre par un isolant thermique (201) présent entre les première et deuxième sorties d’évacuation de gaz (225, 235) des première et deuxième chambres de réaction (220, 230). Procédé d’infiltration chimique en phase gazeuse ou de dépôt chimique en phase gazeuse comprenant : - le chargement de substrats ou de préformes fibreuses dans des première et deuxième zones de chargement (124, 134) respectivement d’une première chambre de réaction et d’une deuxième chambre de réaction d’une Installation d’infiltration chimique en phase gazeuse ou de dépôt chimique en phase gazeuse (100) selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, - la commande du premier système de chauffage (1112) de l’installation pour chauffer la première chambre de réaction (120) à une première température, - la commande du deuxième système de chauffage (1114) de l’installation pour chauffer la deuxième chambre de réaction (130) à une deuxième température, - l’introduction d’une première phase gazeuse (10) dans la première chambre de réaction (120), - l’introduction d’une deuxième phase gazeuse (20) dans la deuxième chambre de réaction (130), - les première et deuxième phases gazeuses comprennent chacune au moins un précurseur différent. Procédé selon la revendication 8, dans lequel les première et deuxième phases gazeuses sont introduites respectivement dans les première et deuxième chambres de réaction (120, 130) à des débits différents. Procédé selon la revendication 8 ou 9, dans lequel les première et deuxième températures de chauffage sont différentes.