Substrat de croissance (10), adapté à la réalisation par épitaxie d’une matrice de diodes à base d’InGaN, comportant : une couche inférieure d’isolation (12) réalisée en un matériau cristallin non poreux à base de GaN ; des mésas M (i) , avec i allant de 0 à N, réalisées en des matériaux cristallins à base de GaN, reposant sur et au contact de la couche inférieure d’isolation (12), et comportant chacune N couches dopées (13, 15), avec N≥2, séparées deux à deux par une couche intermédiaire d’isolation (14) réalisée en un matériau non poreux, et présentant chacune une face supérieure libre adaptée à la réalisation par épitaxie d’une diode de la matrice ; les mésas étant configurées selon au moins trois catégories différentes parmi lesquels : une catégorie de mésas dite M (N) où les N couches dopées (13, 15) sont poreuses ; une catégorie de mésas dite M (0) où aucune des couches dopées (13, 15) n’est poreuse ; une catégorie de mésas dite M (n) où n couches dopées (13, 15) sont poreuses, avec 1≤n Substrat de croissance (10) selon la revendication 1, dans lequel chaque mésa M (i) comporte une couche de reprise d’épitaxie (16) reposant sur une couche dopée supérieure (15) parmi les N couches dopées (13, 15), réalisée en un matériau cristallin non poreux à base d’InGaN dont le paramètre de maille a m cre du matériau relaxé est supérieur au paramètre de maille effectif a e cii de la couche inférieure d’isolation (12) : la couche de reprise d’épitaxie (16) de chaque mésa M (N) présentant un paramètre de maille maximal a e cre(N) ; la couche de reprise d’épitaxie (16) de chaque mésa M (0) présentant un paramètre de maille a e cre(0) inférieur à a e cre(N) ; la couche de reprise d’épitaxie (16) de chaque mésa M (n) présentant un paramètre de maille intermédiaire a e cre(n) inférieur à a e cre(N) et différent de a e cre(0) . Substrat de croissance (10) selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la couche intermédiaire d’isolation (14) de chaque mésa présente une épaisseur inférieure à celle des couches dopées (13, 15) adjacentes. Substrat de croissance (10) selon la revendication 3, dans lequel la couche intermédiaire d’isolation (14) de chaque mésa présente une épaisseur comprise entre 10nm et 100nm. Substrat de croissance (10) selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel la couche inférieure d’isolation (12) et la couche intermédiaire d’isolation (14) présente un niveau de dopage au plus égal à 5×10 17 cm -3 . Substrat de croissance (10) selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel les couches dopées (13, 15) sont dopées de type n. Substrat de croissance (10) selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel les couches dopées inférieures (13) des mésas M (i) sont réalisées en le même matériau et présentent la même épaisseur d’une mésa à l’autre ; les couches intermédiaires d’isolation (14) des mésas M (i) sont réalisées en le même matériau et présentent la même épaisseur d’une mésa à l’autre ; et les couches dopées supérieures (15) des mésas M (i) sont réalisées en le même matériau et présentent la même épaisseur d’une mésa à l’autre. Dispositif optoélectronique (1) comportant : un substrat de croissance (10) selon l’une quelconque des revendications précédentes ; et une matrice de diodes D (i) à base d’InGaN, épitaxiées à partir des mésas du substrat de croissance (10), les diodes étant adaptées à émettre ou à détecter un rayonnement lumineux à différentes longueurs d’onde, la longueur d’onde étant différente d’une catégorie de mésas M (i) à l’autre. Dispositif optoélectronique (1) selon la revendication 8, formant un micro-écran RGB où les diodes D (i) sont des diodes électroluminescentes configurées pour émettre un rayonnement lumineux au moins dans le bleu et le rouge. Procédé de fabrication d’un substrat de croissance (10) selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, comportant les étapes suivantes : détermination d’une valeur d’une tension électrique à appliquer lors d’une étape ultérieure de porosification électrochimique ; réalisation d’un empilement cristallin (20), comportant, de bas en haut : une couche continue inférieure d’isolation (22) réalisée en un matériau cristallin à base de GaN et non porosifiable à ladite valeur prédéterminée de la tension électrique à appliquer ; N couches continues dopées (23, 25), avec N≥2, réalisées en des matériaux cristallins à base de GaN et porosifiables à ladite valeur prédéterminée de la tension électrique à appliquer ; au moins une couche continue intermédiaire d’isolation (24), séparant les couches continues dopées (23, 25) deux à deux, réalisée en un matériau cristallin à base de GaN et non porosifiable à ladite valeur prédéterminée de la tension électrique à appliquer ; gravure localisée de l’empilement cristallin (20), de manière à former lesdites mésas M (i) ; réalisation de plusieurs électrodes (3), au contact des couches dopées à porosifier (13, 15) selon les différentes catégories de mésas M (i) ; porosification électrochimique simultanée desdites couches dopées à porosifier (13, 15), par application aux couches dopées à porosifier (13, 15) de la valeur prédéterminée de la tension électrique. Procédé de fabrication selon la revendication 10, dans lequel le matériau de la couche continue inférieure d’isolation (22) et le matériau de la couche continue intermédiaire d’isolation (24) présente un niveau de dopage inférieur à une valeur minimale prédéfinie à partir de laquelle ils peuvent être porosifiés compte tenu de la valeur prédéterminée de la tension électrique appliquée lors de l’étape de porosification. Procédé de fabrication selon la revendication 10 ou 11, comportant les étapes suivantes : à la suite de l’étape de porosification, retrait des électrodes (3), puis dépôt conforme d’une couche mince isolante (4) recouvrant les mésas ; dépôt d’une couche épaisse de remplissage (5), remplissant les espaces entre les mésas, et amincissement de la couche épaisse de remplissage (5) de manière à rendre libre une portion supérieure de la couche mince isolante (4) recouvrant une surface supérieure des mésas M (i) ; gravure sélective de la portion supérieure de la couche mince isolante (5), de manière sélective aux mésas M (i) , rendant libre la surface supérieure de celles-ci. Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications 10 à 12, dans lequel l’empilement cristallin (20) comprend une couche continue de reprise d’épitaxie (26) à base d’InGaN, reposant sur une couche continue dopée supérieure (25) parmi les N couches continues dopées (23, 25). Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications 10 à 12, dans lequel, après l’étape de porosification, une couche de reprise d’épitaxie (16) à base d’InGaN est réalisée sur une couche dopée supérieure (15) parmi les N couches dopées (13, 15) de chaque mésa M (i) . Procédé de fabrication d’un dispositif optoélectronique selon l’une quelconque des revendications 8 et 9, comportant les étapes suivantes : fabrication du substrat de croissance par le procédé selon l’une quelconque des revendications 10 à 14 ; puis réalisation d’une matrice de diodes D (i) par épitaxie à partir des mésas M (i) du substrat de croissance (10), les diodes étant alors adaptées à émettre ou à détecter un rayonnement lumineux à différentes longueurs d’onde, la longueur d’onde étant différente d’une catégorie de mésas M (i) à l’autre.