Procédé de commande d'un transistor (150) MOS à canal N, dans lequel une première tension (VDS4) entre le drain et la source dudit transistor est comparée à une deuxième tension de seuil commandable (Reg_Vthoff4), et : - lorsque la première tension (VDS4) est inférieure à une troisième tension (VTHON4), une quatrième tension de commande (VGS4) appliquée entre la grille et la source dudit transistor (150) est supérieure à une cinquième tension de seuil (Vth) dudit transistor (150) ; - lorsque la première tension (VDS4) est supérieure à la deuxième tension (Reg_Vthoff4), la quatrième tension de commande (VGS4) est inférieure à la cinquième tension de seuil (Vth) dudit transistor (150), dans lequel ladite deuxième tension (Reg_Vthoff4) est égale à : - une première valeur constante (Ref_Vthoff5) entre un premier instant (t51) et un deuxième instant (t52) ; - une deuxième valeur variable, entre le deuxième instant (t52) et un troisième instant (t55), la deuxième valeur étant égale à la somme de la première tension (VDS4) et d'une sixième tension positive (dVref4), le troisième instant (t55) correspondant à l'instant où la première tension (VDS4) s'inverse. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la première valeur (Ref_Vthoff5) est de l'ordre de 0 V. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la première durée est une durée constante correspondant au tiers d'une deuxième durée correspondant au tiers de la durée totale d'un cycle de conduction du transistor (150). Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel : - avant un quatrième instant (t53), compris entre le premier instant (t51) et le troisième instant (t55), la quatrième tension de commande (VGS4) est à une troisième valeur supérieure à la cinquième tension de seuil (Vth) dudit transistor (150) ; et - entre le quatrième instant (t53) et le troisième instant (t55), la quatrième tension de commande (VGS4) est diminuée jusqu'à une quatrième valeur (kVGS4). Procédé selon la revendication 4, dans lequel entre le quatrième instant (t53) et le troisième instant (t55), la quatrième valeur (kVGS4) est atteinte lorsque la première tension (VDS4) est égale à une septième tension (kVthon7). Procédé selon la revendication 5, dans lequel la septième tension (kVthon7) est égale au produit d'un coefficient et de la troisième tension (VTHON4) représentant le niveau de tension entre les bornes de drain et de source dudit transistor (150) atteint lorsqu’une diode parasite (151) dudit transistor 150 est conductrice. Procédé selon la revendication 6, dans lequel ledit coefficient est compris entre un tiers et deux tiers. Procédé selon l'une quelconque des revendications 4 à 7, dans lequel le quatrième instant (t53) est compris entre le deuxième instant (t52) et le troisième instant (t55). Circuit de commande (400 ; 1000) adapté à mettre en oeuvre le procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 8. Dispositif électronique comprenant un circuit de commande selon la revendication 9. Dispositif selon la revendication 10, comprenant, en outre, un transistor (150) de type MOS à canal N, et un circuit de pilotage (401) dudit transistor (150). Dispositif (200 ; 300) de conversion de tension comprenant le dispositif selon la revendication 10 ou 11. Dispositif selon la revendication 12, étant un convertisseur à découpage à transformateur (200). Dispositif selon la revendication 12, étant un convertisseur de type élévateur (300). Dispositif selon la revendication 12, étant un convertisseur de type buck (300).