INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Dans ce mode de réalisation, le composant élémentaire NVM se comporte comme une résistance. Le circuit de lecture 3 comprend en outre une impédance résistive de rétroaction RCR montée entre la sortie s1_ao et la première entrée e1_ao de l’amplificateur opérationnel AO.
Avantageusement, le circuit de lecture 3 comprend un second interrupteur d’activation de rétroaction i4 entre l’impédance résistive de rétroaction RCR et la première entrée e1_ao de l’amplificateur opérationnel A0.
Pour lire le contenu logique de la cellule mémoire CM ij résistive, le second interrupteur d’activation de rétroaction i4 est à l’état passant et le premier interrupteur d’activation de rétroaction i2 est à l’état bloquant. Le séquenceur 33 est configuré pour appliquer un signal de contrôle de lecture positif VSL sur le premier nœud d’entrée/sortie SL avec le transistor T1 à l’état passant. L’amplitude du signal de contrôle de lecture positif VSL est supérieure à celle du premier signal de référence VREF1 (potentiel du second nœud BL). Le composant élémentaire résistif NVM est alors soumis à une différence de potentiel non nulle. Il en résulte la circulation d’un courant électrique I1 à travers la résistance NVM et l’impédance résistive de rétroaction RCR. L’intensité du courant I1 dépend de l’état résistif du filament du composant élémentaire NVM. Cela induit une variation de la tension VRCR aux bornes de l’impédance résistive de rétroaction RCR qui dépend de l’intensité du courant I1. Il en résulte une variation du potentiel électrique au nœud de sortie s1_ao de l’amplificateur opérationnel AO. Cette variation de tension est une image de l’état résistif du composant élémentaire NVM selon le contenu logique stocké dans ledit composant. La lecture d’un composant élémentaire NVM n’est pas destructrice du contenu logique de la cellule mémoire. Il n’y a pas besoin d’une étape de réécriture dans ce cas.
Procédé et dispositif d’assistance à la détermination d’une posologie d’antioxydants pour une personne atteinte de stress oxydant La présente invention concerne un procédé d’assistance à la détermination d’une posologie d’antioxydants à administrer à une personne atteinte de stress oxydant, et en particulier une personne atteinte de dystrophie facio-scapulo-humérale (FSHD). Elle concerne également un dispositif mettant en œuvre un tel procédé.
Le domaine de l’invention est de manière générale le domaine de l’assistance à la détermination d’une posologie d’antioxydants à administrer à une personne atteinte de stress oxydant, et plus spécifiquement à une personne atteinte de FSHD.
État de la technique L’utilisation d’antioxydants est connue pour le traitement de FSHD. Actuellement, les posologies d’antioxydants à administrer à une personne atteinte de FSHD sont standardisées. Il n’existe pas de règles prédéterminées permettant de déterminer la posologie la mieux adaptée, de manière rapide. Plus précisément, pour chaque antioxydant, une quantité de départ standardisée est administrée au patient. Puis, la réponse du patient à la quantité de départ est surveillée. En fonction de la réponse du patient, la quantité de départ est ajustée par paliers prédéterminés, et en particulier de valeurs constantes. Cette opération d’ajustement est réitérée aussi souvent que nécessaire en fonction de l’état du patient.
On comprend que cette façon de déterminer et d’ajuster la posologie d’antioxydants à administrer à un patient atteint de FSHD n’est pas optimisée et ne permet pas de déterminer de manière individuelle la posologie qui convient le mieux pour chaque patient.
De plus, avec la solution actuelle, la détermination d’une posologie convenable pour un patient se fait par tâtonnement ce qui peut être préjudiciable pour le patient.
En outre, avec la solution actuelle, la détermination d’une posologie convenable pour un patient nécessite un temps d’observation non négligeable, ce qui rend la solution actuelle longue et peu ergonomique, voire inefficace en cas de changement de l’état du patient, ce changement pouvant être suivi et quantifié avec des scores de type scores de Brooke et Vignos pour le FSHD, et plus généralement avec un score MFM (pour « Mesure de la Fonction Motrice »).
Un autre but de l’invention est de proposer une solution pour déterminer une posologie d’antioxydants à administrer à un patient atteint de de stress oxydant, et en particulier de FSHD, de manière individualisée.
Un autre but de l’invention est de proposer une solution pour déterminer une posologie d’antioxydants à administrer à un patient atteint de stress oxydant, et en particulier de FSHD, de manière plus rapide et plus ergonomique pour le patient.
Puis on sèche les mèches à l’aide d’un sèche-cheveu et on effectue l’évaluation sur cheveux secs.
On évalue les critères suivants :
- sur cheveux humides : le démêlage et le toucher lisse
L’évaluation est faite à l’aveugle, par 6 évaluateurs pour le toucher lisse, et par 2 évaluateurs pour le démêlage, qui attribuent une note allant de 0 (aucune performance) à 5 (très performant), par pas de 0,5, sur le critère testé.
B B1 B2 Cheveux humides Démêlage 2,0 ± 0 0,3 ± 0,4 1,5 ± 0 Lisse toucher 3,0 ± 0 1,8 ± 0,4 1,0 ± 0,6
On constate que les cheveux traités selon la composition selon l’invention présentent des performances cosmétiques en matière de facilité de démêlage et de toucher lisse, significativement supérieures en comparaison avec ceux traités avec les compositions comparatives.
Exemple 3 On a préparé la composition C selon l’invention et les compositions comparatives C1 et C2 à partir des ingrédients suivants (% MA):
Ingrédients C (Invention) C1 (comparative) C2 (comparative) Sodium laureth sulfate 9,8 9,8 9,8 Cocamidopropylbétaïne 1,2 1,2 1,2 Cocobétaïne 0,3 0,3 0,3 Cocamide MEA 0,6 0,6 0,6 Carbomer 0,15 0,15 0,15 Polyquaternium-7 0,2 0,2 0,2 Guar hydroxypropyltrimonium chloride 0,2 0,2 0,2 Glycérine 2 2 2 Distéarate de glycol 1,2 1,2 1,2 NaCl 1,3 1,3 1,3 Amodimethicone (Invention) 0,5 - - Amodimethicone (IA = 0,625 meq/g et Mw = 25 000) - 0,5 - Amodimethicone (IA = 0,3 meq/g et Mw = 10 000 – 20 000) - - 0,5 Conservateurs Qs Qs qs Eau Qsp 100 Qsp 100 Qsp 100
On constate que la composition selon l’invention permet d’apporter de bonnes propriétés de soin aux cheveux, notamment de la souplesse et de la légèreté ainsi qu’un toucher lisse.
L’évaluation est faite sur des mèches de cheveux sensibilisés (solubilité alcaline 20%, SA 20). Les mèches sont préalablement nettoyées avec un shampooing standard (DOP CAMOMILLE) à raison de 0,3 g/g de cheveu, rincées et séchées.
On applique ensuite le shampoing à tester sur les mèches à raison de 0,4 g/g de cheveu, on malaxe et on fait mousser puis on rince les mèches à l’eau pendant 15 secondes (débit = 300 l/h, température de l’eau 35°C). On effectue l’évaluation sur cheveux humides.
Puis on sèche les mèches à l’étuve à 60°C pendant 30 minutes, et on effectue l’évaluation sur cheveux secs.
Comme expliqué précédemment, en référence à la , le calculateur 11 peut ainsi déterminer au cours du temps t : L’écart d’altitude ΔZ (cadre 6a de la ) pour le comparer au premier seuil S1, par exemple, 300m ; La puissance de réception P (cadre 6b de la ) pour la comparer au deuxième seuil S2 ; La dérivée de la puissance de réception dP (cadre 6c de la ) pour la comparer au troisième seuil S3.
En référence au premier cadre 6a de la , l’écart d’altitude ΔZ est inférieur au premier seuil S1 entre les instants temporels t11 et t12. Aussi, entre les instants temporels t11 et t12, le premier signal de vigilance V1 est actif (V1=1) et est inactif en dehors (V1=0). Le premier signal de vigilance V1 permet d’alerter sur le fait que l’aéronef habité N vole à une altitude voisine.
De manière analogue, en référence au deuxième cadre 6b de la , la puissance de réception P est supérieure au deuxième seuil S2 entre les instants temporels t21 et t22. Aussi, entre les instants temporels t21 et t22, le deuxième signal de vigilance V2 est actif (V2=1) et est inactif en dehors (V2=0). Le deuxième signal de vigilance V2 permet d’alerter sur une distance d’écartement DN avec l’aéronef habité N.
De manière analogue encore, en référence au troisième cadre 6c de la , la dérivée de la puissance de réception dP est supérieure au troisième seuil S3 entre les instants temporels t31 et t32. Aussi, entre les instants temporels t31 et t32, le troisième signal de vigilance V3 est actif (V3=1) et est inactif en dehors (V3=0). Le troisième signal de vigilance V3 permet d’alerter sur une diminution de la distance d’écartement DN au cours du temps avec l’aéronef habité N.
En référence au quatrième cadre 6d de la , le calculateur 11 émet un signal d’alerte de collision A entre les instants temporels t21 et t32 étant donné que les signaux de vigilance V1, V2, V3 sont simultanément actifs. Cela limite de manière importante le nombre de fausses alarmes par comparaison à un dispositif de détection selon l’art antérieur ne reposant que sur l’écart d’altitude ΔZ (le signal d’alerte de collision A aurait été émis entre les instants temporels t11 et t12). Afin de rendre robuste le système de détection, une étape de validation peut également être mise en œuvre comme présenté précédemment.
Grâce à l’invention, un signal d’alerte de collision A fiable peut être émis afin d’alerter un opérateur ou un système de navigation du drone D afin d’éviter toute collision effective. De manière avantageuse, le drone D n’émet pas de requêtes d’interrogation vers des aéronefs habités N, ce qui garantit la sécurité.
Circuit de lecture non-destructive de mémoires ferroélectriques Champ d’application L’invention concerne généralement des circuits de stockage de données à base de cellules mémoire non-volatile ferroélectrique. Plus particulièrement, l’invention concerne un circuit de lecture non-destructive des mémoires ferroélectriques.
Problème soulevé Les mémoires non volatiles présentent des solutions émergentes pour implémenter des moyens de stockage de données d’un circuit calculateur. Les mémoires ferroélectriques à polarisation électrique variable présentent une forte endurance en écriture et une basse énergie d’écriture. La présente un exemple structurel d’un composant élémentaire NVM (Acronyme de l’expression anglaise Non Volatile Memory) d’une cellule mémoire ferroélectrique à polarisation électrique variable, plus précisément un composant de type FeRAM (acronyme de l’expresion anglaise Ferroelectric Random Access Memory).
Dans l’exemple illustré, le composant élémentaire NVM se compose de l’empilement de couches minces selon l’ordre suivant : une première couche C1 en un matériau électriquement conducteur formant une première électrode EL1 ; une deuxième couche C2 en un matériau diélectrique et ferroélectrique et une troisième couche C3 en matériau électriquement conducteur formant une seconde électrode EL2. On dénomme la deuxième couche C2 dans la suite de la description la « couche centrale ».
L’empilement de couches minces forme une structure de type MIM (acronyme Metal-Isolant-Metal) agissant comme un élément capacitif à une capacité C. Le caractère ferroélectrique de la couche centrale C2 induit le comportement suivant : lorsqu’une tension électrique positive est appliquée sur l’électrode supérieure EL2, la polarisation des dipôles électriques de la couche centrale est dirigée dans un sens dit « négatif ». Inversement, lorsqu’une tension électrique positive est appliquée sur l’électrode inférieure EL2, la polarisation des dipôles électriques est dirigée dans un sens dit « positif ». Le sens de la polarisation électrique dans la couche centrale C2 correspond à un état d’équilibre maintenu même en l’absence du champ électrique induit par la tension appliquée sur l’une des électrodes EL1 ou EL2, d’où le fonctionnement en mémoire ferroélectrique.
Ainsi, on choisit la convention suivante à titre d’exemple : lorsqu’un composant mémoire NVM est configuré pour stocker une donnée binaire à l’état logique bas (x= 0) on applique temporairement une tension électrique d’écriture sur l’électrode supérieure EL2 (illustré par polarisation +) de manière à obtenir une polarisation dirigée dans un sens « négatif »dans la couche centrale C2. Inversement, lorsqu’un composant mémoire NVM est configuré pour stocker une donnée binaire à l’état logique haut (x= 1) on applique temporairement une tension électrique d’écriture sur l’électrode inférieure EL1 (illustré par polarisation -) de manière à obtenir une polarisation dirigée dans un sens « positif » dans la couche centrale C2.
Cependant, l’opération de lecture d’une mémoire non-volatile ferroélectrique est une opération destructrice. En effet, lors d’un accès en lecture, le composant élémentaire NVM reçoit une tension électrique de lecture sur l’électrode supérieure de manière à la réécrire à un état logique bas (x=0). On observe ensuite la dynamique de la transition suite à l’application de la tension de lecture. Si les dipôles électriques de la couche centrale sont préalablement polarisés avec une orientation dans un sens « positif » (x=1), une quantité de charges électriques relativement importante sera émise par le dispositif pendant la transition. Inversement, si les dipôles électriques de la couche centrale sont préalablement polarisés avec une orientation dans un sens « négatif » (x=0), la quantité de charges délivrées pendant la transition est inférieure. Il en résulte que la procédure de lecture consiste à estimer la quantité de charges émises lors d’une polarisation à un état logique bas (x=0) et qu’elle efface donc la valeur logique de la donnée stockée.
Dans ce contexte, un problème technique à résoudre est la destruction du contenu logique d’une cellule mémoire ferroélectrique à polarisation électrique variable suite à une opération de lecture.
D’ailleurs, l’augmentation du nombre de cellules mémoires non-volatiles ferroélectriques induit une augmentation de la capacité parasite au niveau des lignes de bits BL (Bit line en Anglais). L’augmentation de la valeur de ladite capacité parasite induit une réduction drastique de la sensibilité des circuits de lecture connus.
De plus, la densification des matrices mémoires utilisées dans des systèmes embarqués nécessite une réduction de la surface occupée par chaque composant élémentaire NVM. Cela engendre une réduction de la capacité électrique de chaque composant élémentaire NVM. Cela induit une réduction de sensibilité de lecture de ce type de mémoires.
Pour résumer, plusieurs problèmes techniques se présentent concernant la lecture des mémoires ferroélectriques à polarisation électrique variable à savoir :
- peser 10 g d’échantillon dans un Erlenmeyer de 500 ml
- ajouter 50 ml de toluène, mélanger jusqu’à dissolution de l’échantillon, puis ajouter 125 ml d’acide acétique
- sous agitation, ajouter 5 gouttes d’indicateur crystal violet (à 0,5% en poids/volume dans l’acide acétique, i.e. 0,5 g de crystal violet dans 100 ml d’acide acétique) ;
- titrer avec de l’acide perchlorique HClO 4 0,1 N (dans l’acide acétique) jusqu’à ce que la couleur verte disparaisse ; pour information, les changements de coloration se font dans l’ordre suivant : violet ➔ bleu ➔ vert ➔ jaune
On obtient ainsi la quantité d’acide perchlorique nécessaire pour neutraliser les 10 g d’échantillon.
Le calcul de l’indice d’amine (IA) se fait de la manière suivante :
Indice d’amine (meq/g) = [(ml HClO 4 ) x (N HClO 4 )] / poids de l’échantillon (g)
Dans le cas présent (avec N = 0,1 N et poids échantillon = 10 g), on obtient l’équation simplifiée suivante : IA (meq/g) = [(ml HClO 4 ) x 0,1] / 10 = (ml HClO 4 ) / 100
B/ Masse moléculaire moyenne en poids (Mw) La masse moléculaire moyenne en poids peut être déterminée par toute méthode connue, notamment par diffusion dynamique de la lumière ou par chromatographie par perméation de gel. Elle s’exprime généralement en Dalton.
C/ Viscosité dynamique La viscosité dynamique peut être déterminée selon la méthode suivante.
Conditions de mesure : 25 ± 2°C, 1 atm., humidité relative 50 ± 5%
Viscosimètre Brookfield : il s'agit d'un couplemètre (torque meter) précis qui est entraîné à une vitesse de rotation discrète. Le système de mesure du couple, qui consiste en un ressort calibré en cuivre au béryllium (calibrated beryllium-copper spring) reliant le mécanisme d'entraînement à un cône rotatif, détecte la résistance à la rotation causée par la présence d'un échantillon de fluide entre le cône et une plaque plane stationnaire. La résistance à la rotation du cône produit un couple qui est proportionnel à la contrainte de cisaillement dans le fluide.
Taille de l’échantillon : 500mL dans un bécher.
Aiguilles (spindles) utilisées, en fonction de la gamme de viscosité à mesurer :
Spindle n°1 : pour les viscosités inférieures à 950 mPa.s
Spindle n°2 : 950-3800 mPa.s
Spindle n°3 : 3800-4750 mPa.s
Spindle n°4 : 4750-9500 mPa.s
On commencera la mesure de la viscosité avec l’aiguille n°1 ; si la viscosité est en dehors de la plage pour cette aiguille, on essayera la suivante, et ainsi de suite, jusqu’à obtention d’une valeur de viscosité absolue. On prendra comme valeur de viscosité, la valeur obtenue après que l’aiguille a tourné pendant deux minutes.
Les exemples qui suivent servent à illustrer l’invention sans toutefois présenter un caractère limitatif. Les quantités y sont indiquées, à moins d’une autre indication, en pourcentage massique de matière active (MA) par rapport au poids total de la composition.
Dans les exemples qui suivent, le composé appelé AMODIMETHICONE selon l’invention est une silicone aminée qui répond à la formule :
dans laquelle R=R’=R’’= méthyl et A = -CH2-CH2-CH2-, avec m=1,4-13, n = 400-600 et n/m = 45-300.
Son indice d’amine (IA) est compris entre 0,1 et 0,16 meq/g et sa masse moléculaire moyenne en poids (Mw) est comprise entre 35 000 et 45 000.
Exemple 1 On a préparé la composition A selon l’invention et les compositions comparatives A1 et A2 à partir des ingrédients suivants (% MA):
Ingrédients A (Invention) A1 (comparative) A2 (comparative) Sodium laureth sulfate 12,2 12,2 12,2 Cocobétaine 1,8 1,8 1,8 Cocamide MEA 0,5 0,5 0,5 Carbomer 0,15 0,15 0,15 Guar hydroxypropyltrimonium chloride 0,2 0,2 0,2 Hexylène glycol 0,5 0,5 0,5 Distéarate de glycol 1,6 1,6 1,6 NaCl 1,3 1,3 1,3 Amodimethicone (Invention) 0,5 - - Amodimethicone (IA = 0,625 meq/g et Mw = 25 000) - 0,5 - Amodimethicone (IA = 0,3 meq/g et Mw = 10 000 – 20 000) - - 0,5 Conservateurs Qs Qs qs Eau Qsp 100 Qsp 100 Qsp 100
On obtient des compositions capillaires qui peuvent être utilisées comme shampoings. On constate que la composition selon l’invention permet notamment d’apporter de bonnes propriétés de soin, notamment de souplesse et de toucher lisse, ainsi que de l’enrobage.
On applique ensuite le shampoing A, A1 ou A2 sur les mèches à raison de 0,3 g/g de cheveu, on malaxe et on fait mousser puis on rince les mèches à l’eau pendant 15 secondes (débit = 300 l/h, température de l’eau 35°C). On effectue l’évaluation sur cheveux humides.
- sur cheveux humides : le démêlage, le toucher lisse et la souplesse
- raccordement du panneau photovoltaïque 31 au micro-onduleur 32 à l’aide de câbles de raccordement 33,
- positionnement des câbles de raccordement 33 dans l’axe d’un galbe longitudinal 15 d’une tuile à emboîtement accessoire aplanie 11 appartenant au dernier rang de tuiles à emboîtement accessoires aplanies 11, et
- repose du dernier rang de tuiles à emboîtement standard 2 déposées (voir la ).
La représente un dispositif de support 23 selon une variante de réalisation de l’invention dans laquelle le dispositif de support 23 est dépourvu d’organes de support latéraux 26. Selon une telle variante de réalisation de l’invention, les organes de support inférieur et supérieur 24, 25 sont séparés l’un de l’autre, c’est-à-dire ne sont pas reliés mécaniquement l’un à l’autre, et le dispositif de support 23 est en outre pourvus d’organes de maintien latéraux 34 configurés pour coopérer avec le panneau photovoltaïque de manière à le maintenir en position. Chaque organe de maintien latéral 34 est configuré pour être fixé, par exemple de manière amovible, à une portion d’extrémité respective de l’organe de support inférieur 24 ou de l’organe de support supérieur 25 et pour coopérer avec un bord latéral du panneau photovoltaïque, qui peut être orienté par exemple en format portrait ou en format paysage.
Bien entendu, l’invention n’est nullement limitée au mode de réalisation décrit et illustré qui n’a été donné qu’à titre d’exemple. Des modifications restent possibles, notamment du point de vue de la constitution des divers éléments ou par substitution d’équivalents techniques, sans sortir pour autant du domaine de protection de l’invention.
GARDE-CORPS A PANNEAUX ET Kit d’étanchéification L’invention concerne un rail pour garde-corps à panneau. Les garde-corps à panneaux utilisent des panneaux, notamment en verre ou en pierre découpée, pour matérialiser une façade. Leur fonction est à la fois esthétique et de sécurisation.
Art antérieur Les rails de garde-corps à panneaux sont fixés sur un support, sol ou dalle, au moyen de vis de fixation qui traversent une semelle du rail en appui contre le support et rentrent dans des chevilles disposées dans des perçages du support. Les panneaux sont alors insérés et maintenus dans le rail par des dispositifs de fixation.
Les rails de garde-corps et leur installation répondent à des impératifs de sécurité importants. Etant installés en hauteur, par exemple en rambarde de balcon, une défaillance du rail libérant un panneau peut occasionner des dommages importants voire blesser un passant en dessous.
Même sans libération du panneau, lorsque le rail mal fixé peut s’incliner, même d’un angle faible, inférieur au degré ou dixième de degré, le débattement du bord supérieur devient vite suffisamment grand pour nuire à la qualité requise pour un garde-corps
Les garde-corps sont notamment soumis à des tests de résistance, impliquant des efforts prédéterminés pour vérifier leur capacité à ne pas se déformer au-delà de valeurs limites prédéterminées, et à présenter un retour en position de repos avec des déformations à vide inférieures à des valeurs limites prédéterminées.
En outre, les garde-corps sont souvent installés en extérieur, et donc soumis aux effets météorologiques et climatiques. Notamment, les garde-corps subissent l’infiltration d’humidité dans les perçages du support, dans lesquels sont insérées des vis ou autres moyens de fixation du rail.
Les perçages représentent des points faibles en termes d’étanchéité, puisque lesdits perçages vont traverser les éventuelles couches extérieures assurant l’étanchéité (habillage d’étanchéité, résine, vernis etc.).
De l’eau peut alors atteindre le cœur du matériau du support, et/ou l’intérieur du bâtiment, entraînant potentiellement des dégradations telles qu’un pourrissement d’un support en bois ou l’infiltration d’eau à travers un béton poreux de maçonnerie. Les cycles de gel et dégel de l’eau peuvent notamment aboutir à la formation de microfissures pouvant à terme mener à la libération des vis et donc du rail.
Il est connu d’injecter du mastic autour des vis, éventuellement d’enduire la semelle du rail de mastic ou de réaliser un support rail déporté pouvant être recouvert d’un habillage étanche. L’application de mastic est effectuée par le technicien en charge du montage du garde-corps, avec les outils usuels. Cette application de mastic est en conséquence longue et complexe. Toute imperfection dans ladite application entraînera une infiltration.
L’addition d’un joint en caoutchouc simple sous les rails n’est pas non plus indiquée, en ce que ledit joint introduit un jeu en basculement autour de l’axe du rail. Un jeu minime, même de quelques dixièmes de millimètres, à la base du rail induira un débattement important au niveau du bord supérieur du garde-corps, de plusieurs centimètres.