Procédé de cristallisation d’au moins une partie d’une couche amorphe (10) à base d’un premier matériau, la couche amorphe (10) : étant comprise dans un empilement (1) comprenant en outre une couche cristalline (11), s’étendant directement au contact de la couche cristalline (11) de l’empilement (1) en formant une interface (102) avec la couche cristalline (11), et présentant une première face (101) opposée à l’interface (102), et présentant, un seuil de fusion noté E M , correspondant à la densité d’énergie à apporter à la couche amorphe (10) pour atteindre une fusion du premier matériau, pour une épaisseur Ep de la couche amorphe (10) définie entre la première face (101) et l’interface (102), le procédé comprenant un recuit de cristallisation de la couche amorphe (10) en la soumettant, par zones (100), à des impulsions laser (2), et le procédé étant caractérisé en ce que, en chaque zone (100), les impulsions laser (2) sont émises par séries d’impulsions, chaque impulsion laser (2) présentant une densité d’énergie ED i différente d’une série à une autre de sorte à maintenir la densité d’énergie des impulsions (2) de chaque série en dessous du seuil de fusion E M , ce dernier évoluant à mesure que la couche amorphe (10) cristallise. Procédé selon la revendication précédente, dans lequel la densité d’énergie ED i des impulsions de chaque série est choisie de sorte que ED i M -8%×E M et de préférence de sorte que ED i M -5%×E M , et encore plus préférentiellement de sorte que ED i M -2%×E M . Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la densité d’énergie ED i des impulsions de chaque série est choisie de sorte que ED i ≥ E M -20%×E M et de préférence de sorte que ED i ≥ E M -15%×E M , et encore plus préférentiellement de sorte que ED i ≥ E M -10%×E M . Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, comprenant, avant le recuit de cristallisation de la couche amorphe (10), une première implantation configurée pour doper la couche amorphe (10), par implantation, dans la couche amorphe (10), de dopants, tels que As, Ga, B, P et Sb. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, comprenant, avant le recuit de cristallisation de la couche amorphe (10), une deuxième implantation configurée pour former la couche amorphe (10), par implantation, dans la couche amorphe (10), d’ions, dits lourds, tels que Si, Ge, Xe et Ar. Procédé selon les deux revendications précédentes, dans lequel la deuxième implantation dite ‘amorphisante’ est réalisée avant la première implantation dite ‘dopante’. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel l’épaisseur initiale de la couche amorphe est strictement supérieure à 20 nm, et par exemple supérieure ou égale à 25 nm. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel l’un au moins parmi le premier matériau et le matériau à base duquel est constituée la couche cristalline (11) est choisi parmi : Si, SiGe, Ge, SiC, GeSn et le diamant. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel chaque série d’impulsions laser (2) comprend entre 1 et 1000 impulsions, de préférence entre 5 et 50 impulsions. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la différence δED de densité d’énergie ED i d’une série à une autre est comprise entre 5 et 100 mJ/cm 2 , en particulier dans le cas d’impulsions laser (2) dont la longueur d’onde se situe dans le domaine spectral des ultraviolets. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel un intervalle de temps entre deux impulsions laser (2) en une même zone (100) est paramétré de sorte que l’empilement (1) ait le temps de revenir à une température sensiblement égale à sa température avant réception d’une première des deux impulsions laser (2). Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel un intervalle de temps entre deux impulsions laser (2) en une même zone (100) est au minimum de 1 ms, en particulier dans le cas d’impulsions laser dont la longueur d’onde se situe dans le domaine spectral des ultraviolets. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel les impulsions laser présentent une longueur d’onde située dans le domaine spectral des ultraviolets, et typiquement choisie parmi les valeurs suivantes : 293 nm, 308 nm et 355 nm. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel une durée de chaque impulsion laser (2) est inférieure ou égale à 3000 ns, préférentiellement inférieure ou égale à 1000 ns, et typiquement comprise entre 10 et 300 ns. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel l’empilement (1) est compris dans une structure (0) micro/nanoélectronique, par exemple de type SOI, de type CMOS, ou de type jonction p-n.