Cellule mémoire à changement de phase (200 ; 300) comprenant : – une première couche en un matériau à changement de phase (215) ; – un élément chauffant (209) situé sous la première couche (215) ; – une deuxième couche isolante (203) revêtant un flanc de l’élément chauffant (209) ; et – une troisième couche isolante (205) interposée entre les première et deuxième couches (215, 203), en un matériau présentant une densité supérieure à celle du matériau de la deuxième couche (203). Cellule selon la revendication 1, dans laquelle la deuxième couche (203) est en carbure de silicium ou en carbonitrure de silicium. Cellule selon la revendication 1 ou 2, dans laquelle la troisième couche (205) est en carbure de silicium, en nitrure de silicium, en carbonitrure de silicium, en nitrure de germanium, en nitrure de carbone ou en carbone. Cellule selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans laquelle la troisième couche (205) est en le même matériau que la deuxième couche (203). Cellule selon la revendication 4, dans laquelle les deuxième et troisième couches (203, 205) sont en carbure de silicium. Cellule selon la revendication 1, dans laquelle les deuxième et troisième couches (203, 403) sont en nitrure de silicium. Cellule selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, comprenant en outre une première électrode de conduction (105) située sous et en contact avec une face de l’élément chauffant (209) opposée à la première couche (215) et une deuxième électrode de conduction (217) située sur et en contact avec une face de la première couche (215) opposée à l’élément chauffant (209). Cellule selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, dans laquelle l’élément chauffant (209) présente une forme en L. Cellule selon l’une quelconque des revendications 1 à 8, comprenant en outre un empilement comportant une quatrième couche d’encapsulation (303) revêtant les faces latérales des première, deuxième et troisième couches (203, 205, 215) et une cinquième couche d’encapsulation (305) revêtant la quatrième couche (303) et présentant une densité inférieure à celle de la quatrième couche (303). Cellule selon la revendication 9, comprenant en outre une sixième couche d’encapsulation revêtant la cinquième couche (305) et présentant une densité supérieure à celle de la cinquième couche (305). Procédé de fabrication d’une cellule mémoire à changement de phase (201 ; 301) comprenant les étapes successives suivantes : a) déposer, sur un substrat (103), une première couche isolante (203) et une deuxième couche isolante (205) revêtant la première couche isolante (203), la deuxième couche isolante étant en un matériau présentant une densité supérieure à celle du matériau de la première couche isolante (203) ; b) former, dans une tranchée traversant les première et deuxième couches isolantes (203, 205), un élément chauffant (209) dont un flanc est revêtu par les première et deuxième couches isolantes (203, 205) ; et c) déposer, du côté de la deuxième couche isolante (205), une troisième couche en un matériau à changement de phase (215). Procédé selon la revendication 11, comprenant en outre, entre les étapes b) et c), des étapes successives de dépôt d’une quatrième couche d’encapsulation (303) revêtant les faces latérales des première, deuxième et troisième couches (203, 205, 215) et d’une cinquième couche d’encapsulation (305) revêtant la quatrième couche (303) et présentant une densité inférieure à celle de la quatrième couche (303). Procédé selon la revendication 12, comprenant en outre, après le dépôt de la cinquième couche (305) et avant le dépôt de la troisième couche (215), une étape de dépôt d’une sixième couche d’encapsulation revêtant la cinquième couche (305) et présentant une densité supérieure à celle de la cinquième couche (305).