Cellule photovoltaïque (100) comportant au moins : - un substrat (102) semi-conducteur cristallin d’un premier type de conductivité, comprenant une première face (104) disposée du côté d’une face avant de la cellule (100) destinée à recevoir une lumière incidente, et une deuxième face (106) disposée du côté d’une face arrière, opposée à la face avant, de la cellule (100) ; - une première couche de passivation (108) disposée contre la première face (104) du substrat (102), et une deuxième couche de passivation (110) disposée contre la deuxième face (106) du substrat (102) ; - une première couche de semi-conducteur sélective de charge (112) dopée selon le premier type de conductivité et disposée contre la première couche de passivation (108), et une deuxième couche de semi-conducteur sélective de charge (114) dopée selon un deuxième type de conductivité, opposé au premier type de conductivité, et disposée contre la deuxième couche de passivation (110) ; - une première couche d’oxyde d’indium (116) disposée entre des contacts électriques (118) de face arrière de la cellule (100) et la deuxième couche de semi-conducteur sélective de charge (114) ; - des premières portions (120) d’oxyde transparent conducteur comportant du zinc, disposées entre des contacts électriques (122) de face avant de la cellule (100) et des premières régions (124) de la première couche de semi-conducteur sélective de charge (112) ; et dans laquelle des deuxièmes régions (126) de la première couche de semi-conducteur sélective de charge (112), localisées entre et/ou à côté des premières régions (124) de la première couche de semi-conducteur sélective de charge (112), ne sont pas recouvertes d’oxyde transparent conducteur comportant du zinc ou sont recouvertes de deuxièmes portions d’oxyde transparent conducteur comportant du zinc de plus faible épaisseur que celle des premières portions (120) d’oxyde transparent conducteur comportant du zinc. Cellule photovoltaïque (100) selon la revendication 1, présentant au moins l’une des propriétés suivantes : - l’oxyde transparent conducteur comportant du zinc est de l’oxyde de zinc dopé à l’aluminium ou dopé au bore, ou dopé à l’aluminium et au bore ; - l’oxyde d’indium est dopé avec au moins l’un des éléments suivants : étain, hydrogène, zinc, cérium, tungstène ; - les première et deuxième couches de passivation (108, 110) comportent de l’oxyde de silicium et/ou du silicium amorphe hydrogéné intrinsèque ; - les contacts électriques (122) de face avant et/ou les contacts électriques (118) de face arrière comportent au moins l’un des éléments suivants : argent, cuivre, aluminium ; - le semi-conducteur du substrat (102) et des première et deuxième couches de semi-conducteur sélectives de charge (112, 114) comporte du silicium. Cellule photovoltaïque (100) selon l’une des revendications précédentes, dans laquelle la première couche d’oxyde d’indium (116) comporte une épaisseur homogène sur l’ensemble de la surface de la deuxième couche de semi-conducteur sélective de charge (114). Cellule photovoltaïque (100) selon l’une des revendications précédentes, comportant en outre un matériau antireflet (128) recouvrant les contacts électriques (122) de face avant et les deuxièmes régions (126) de la première couche de semi-conducteur sélective de charge (112). Cellule photovoltaïque (100) selon la revendication 4, dans lequel le matériau antireflet (128) est du SiO X N Y :H. Cellule photovoltaïque (100) selon l’une des revendications précédentes, comportant en outre une deuxième couche d’oxyde d’indium (130) disposée contre la première couche de semi-conducteur sélective de charge (112), des parties de cette deuxième couche d’oxyde d’indium (130) étant disposées entre les premières régions (124) de la première couche de semi-conducteur sélective de charge (112) et les premières portions (120) d’oxyde transparent conducteur comportant du zinc, et dans laquelle l’épaisseur de la deuxième couche d’oxyde d’indium (130) est inférieure ou égale à 15 nm. Cellule photovoltaïque (100) selon l’une des revendications précédentes, dans laquelle : - la cellule photovoltaïque (100) est une cellule photovoltaïque tandem ; - le substrat (102), les première et deuxième couches de passivation (108, 110), et les première et deuxième couches de semi-conducteur sélectives de charge (112, 114) forment une première sous-cellule (132) de la cellule photovoltaïque (100) ; - la cellule photovoltaïque (100) comporte en outre une deuxième sous-cellule (134) disposée entre la première couche d’oxyde d’indium (116) et la première sous-cellule (132). Cellule photovoltaïque (100) selon la revendication 7, dans laquelle la deuxième sous-cellule (134) comporte au moins une couche de matériau de structure pérovskite (136). Cellule photovoltaïque (100) selon l’une des revendications précédentes, comportant en outre une couche d’oxyde transparent conducteur comportant du zinc disposée entre la première couche d’oxyde d’indium (116) et la deuxième couche de semi-conducteur sélective de charge (114). Procédé de réalisation d’une cellule photovoltaïque (100), comportant au moins : - réalisation d’une première couche de passivation (108) contre une première face (104) d’un substrat (102) semi-conducteur cristallin d’un premier type de conductivité, la première face (104) du substrat (102) étant destinée à être disposée du côté d’une face avant de la cellule (100) destinée à recevoir une lumière incidente, et d’une deuxième couche de passivation (110) contre une deuxième face (106) du substrat (102) disposée du côté d’une face arrière, opposée à la face avant, de la cellule (100) ; - réalisation, contre la première couche de passivation (108), d’une première couche de semi-conducteur sélective de charge (112) dopée selon le premier type de conductivité, et d’une deuxième couche de semi-conducteur sélective de charge (114) dopée selon un deuxième type de conductivité, opposé au premier type de conductivité, contre la deuxième couche de passivation (110) ; - dépôt d’une première couche d’oxyde d’indium (116) sur la deuxième couche de semi-conducteur sélective de charge (114), et dépôt d’une couche d’oxyde transparent conducteur comportant du zinc sur la première couche de semi-conducteur sélective de charge (112) ; - réalisation de contacts électriques (118) de face arrière de la cellule (100) sur la première couche d’oxyde d’indium (116) et de contact électriques (122) de face avant de la cellule (100) sur la couche d’oxyde transparent conducteur comportant du zinc ; - gravure au moins partielle des parties de la couche d’oxyde transparent conducteur comportant du zinc non recouvertes par les contacts électriques (122) de face avant, conservant des premières portions (120) de la couche d’oxyde transparent conducteur comportant du zinc disposées entre les contacts électriques (122) de face avant et des premières régions (124) de la première couche de semi-conducteur sélective de charge (112), et telle que des deuxièmes régions (126) de la première couche de semi-conducteur sélective de charge (112), localisées entre et/ou à côté des premières régions (124) de la première couche de semi-conducteur sélective de charge (112), ne soient pas recouvertes d’oxyde transparent conducteur comportant du zinc ou soient recouvertes de deuxièmes portions de la couche d’oxyde transparent conducteur comportant du zinc de plus faible épaisseur que celle des premières portions (120) d’oxyde transparent conducteur comportant du zinc. Procédé selon la revendication 10, dans lequel la gravure est mise en œuvre en plongeant la cellule (100) dans un bain d’acide chlorhydrique dilué par de l’eau distillée avec un facteur de dilution compris entre 500 et 1000, pendant une durée comprise entre 25 secondes et 60 secondes. Procédé selon l’une des revendications 10 ou 11, comportant en outre, après la gravure, un dépôt d’un matériau antireflet (128), avantageusement du SiO X N Y :H, recouvrant les contacts électriques (122) de face avant et les deuxièmes régions (126) de la première couche de semi-conducteur sélective de charge (112). Procédé selon l’une des revendications 10 à 12, comportant en outre, entre la réalisation des contacts électriques (118, 122) et la gravure, la mise en œuvre d’un recuit sous atmosphère de N 2 , à une température comprise entre 200°C et 400°C et pendant une durée comprise entre 2 minutes à 10 minutes. Procédé selon l’une des revendications 10 à 13, dans lequel : - la cellule photovoltaïque (100) réalisée est une cellule photovoltaïque tandem ; - le substrat (102), les première et deuxième couches de passivation (108, 110), et les première et deuxième couches de semi-conducteur sélectives de charge (112, 114) forment une première sous-cellule (132) de la cellule photovoltaïque (100) ; et comportant en outre, entre la réalisation des contacts électriques (118, 122) et la gravure, la réalisation d’une deuxième sous-cellule (134) disposée entre la première couche d’oxyde d’indium (116) et la première sous-cellule (132).