Dispositif (1) de dépôt de matière comprenant : – une surface (21) de réception d’un échantillon (2) de matière, – un substrat (3) destiné au dépôt de la matière, – une enceinte (5) définissant entre la surface de réception (21) et le substrat (3) une première région (41) apte à recevoir du plasma et une deuxième région (42) apte à recevoir des électrons, – un organe (13) de génération de plasma d’un gaz tel que l’azote configuré pour générer le plasma dans la première région (41) de l’enceinte (5), – un organe (14) d’émission d’électrons configuré pour émettre des électrons dans la deuxième région (42) de l’enceinte (5), – un organe (12) d’évaporation configuré pour évaporer la matière de l’échantillon (2) de manière à déplacer la matière ainsi évaporée successivement dans la première région (41) et dans la deuxième région (42) de l’enceinte (5) en direction du substrat (3). Dispositif (1) selon la revendication 1, comprenant un aimant (16) ou électroaimant configuré pour générer un champ magnétique dans ladite deuxième région (42) de l’enceinte (5) afin de modifier la trajectoire des électrons émis dans cette deuxième région (42). Dispositif (1) selon la revendication 1 ou 2, comprenant un organe (15) de pompage configuré pour abaisser la pression de l’enceinte (5), l’organe de pompage (15) comprenant par exemple une pompe à vide du type cryogénique ou turbomoléculaire. Dispositif (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, comprenant un organe (7) configuré pour générer une différence de pression entre une première chambre (5A) de l’enceinte (5) formant la première région (41) et la deuxième région (42) et une deuxième chambre (5B) recevant l’échantillon (2). Dispositif (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel l’organe (14) d’émission d’électrons comprend un filament et un moyen pour chauffer le filament. Dispositif (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel l’organe (13) de génération de plasma comprend un moyen (31) d’injection dudit gaz dans l’enceinte (5) et un mécanisme (32) configuré pour créer une différence de potentiel électrique de manière à générer le plasma dans ladite première région (41) de l’enceinte (5). Procédé de dépôt de matière sur un substrat (3) comprenant : – une génération de plasma d’un gaz tel que l’azote dans une première région (41) d’une enceinte (5), – une émission d’électrons dans une deuxième région (42) de l’enceinte (5), – une évaporation de matière de manière à déplacer la matière ainsi évaporée en direction du substrat (3), successivement dans la première région (41) dans laquelle est générée le plasma et dans la deuxième région (42) dans laquelle sont émis les électrons. Procédé selon la revendication 7, comprenant une génération d’un champ magnétique, à l’aide d’un aimant (16) ou électroaimant, dans ladite deuxième région (42) de l’enceinte (5) de manière à modifier la trajectoire des électrons émis dans cette deuxième région (42). Procédé selon la revendication 7 ou 8, comprenant un abaissement de la pression de l’enceinte (5) à l’aide d’un organe de pompage (15). Procédé selon l’une quelconque des revendications 7 à 9, dans lequel la matière comprend un élément inorganique du tableau périodique, tel que l’aluminium ou l’indium, ou un alliage comportant un tel élément inorganique.