INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Pour assurer la sécurisation du domaine rouge, le système d’exposition de données SYS 190 comporte une diode D 150 entre le dispositif mandataire PXY 120 et le domaine rouge. La diode D 150 est un dispositif qui autorise physiquement des transmissions unidirectionnelles, à savoir uniquement depuis le dispositif mandataire PXY 120 vers le domaine rouge (et donc vers l’équipement RNE 160). La diode D 150 permet par conception une ségrégation physique, et non par configuration (contrairement donc à un pare-feu), ce qui en fait un dispositif qui empêche de recevoir des données du domaine rouge sur son chemin, ce qui évite que des données ou messages en clair du domaine rouge ne soient potentiellement visibles du domaine noir. Préférentiellement, la diode D 150 autorise uniquement des transmissions réalisées selon des protocoles prédéfinis de couche de transport (4 e couche du modèle OSI (« Open Systems Interconnection » en anglais). Par exemple, la diode D 150 interdit que des paquets conformes aux protocoles ICMP (« Internet Control Message Protocol » en anglais), BGP-LS, OSPF ou tout autre protocole de type IGP (« Interior Gateway Protocol » en anglais), ne puissent transiter depuis le dispositif mandataire PXY 120 vers le domaine rouge (et donc vers l’équipement RNE 160). Les transmissions depuis le dispositif mandataire PXY 120 vers l’équipement RNE 160 sont donc réalisées conformément à un protocole de couche de transport autorisé par la diode D 150, préférentiellement UDP (« User Datagram Protocol » en anglais).
E4 comparaison du couple estimé avec le couple de référence ; et
E5 en fonction de ladite comparaison, ajustement du modèle d’estimation de sorte à réduire, voire annuler, une différence entre le couple estimé et le couple de référence.
Certaines caractéristiques préférées mais non limitatives du procédé de calibration selon le premier aspect sont les suivantes, prises individuellement ou en combinaison :
- le procédé comprend en outre une étape E6 d’enregistrement du modèle d’estimation ajusté dans une mémoire d’un système de contrôle ;
- les étapes E1 à E4 sont répétées pour plusieurs points de fonctionnement différents de la machine électrique ;
- le modèle d’estimation comprend une fonction affine, et dans lequel l’ajustement du modèle d’estimation comprend un ajustement d’une pente et/ou d’une ordonnée à l’origine de la fonction affine ;
- le modèle d’estimation comprend une table de correspondance associant à chacun d’une pluralité de courants électriques d’entrée un couple de sortie correspondant, et dans lequel l’estimation du couple à l’étape E2 comprend un recalage d’au moins une valeur de couple de sortie de la table de correspondance lors de l’étape E5 en fonction de la comparaison entre le couple estimé et le couple de référence effectuée à l’étape E4, de sorte à réduire voire annuler la différence entre le couple estimé et le couple de référence ;
- le modèle d’estimation comprend un ensemble de tables de correspondance, chaque table de correspondance étant associée à une température parmi un ensemble de températures de fonctionnement de la machine électrique, et dans lequel l’estimation du couple à l’étape E2 comprend une sous-étape de sélection d’une table de correspondance associée à une température de la machine électrique au point de fonctionnement ;
- le modèle d’estimation est ajusté de sorte à réduire, voire annuler, une différence entre le couple estimé et le couple de référence, sur une plage de courant électrique prédéterminée [Ik, In], et/ou pour une plage de température de fonctionnement prédéterminée ; et/ou
- le procédé comprend : une étape de calibration de la machine électrique, comprenant une sous-étape de mesure de la force électromotrice à vide de la machine électrique et une sous-étape de mesure d’une vitesse de rotation de la machine électrique, pour un point de fonctionnement de la machine électrique, et une sous-étape de détermination d’un modèle de machine électrique associant à la force électromotrice une vitesse de rotation de la machine électrique, à partir de la force électromotrice et de la vitesse de rotation mesurées ; une étape de calibration du système de contrôle, comprenant une sous-étape de mesure d’un courant électrique dans le système de contrôle sur un banc de charge statique équipé d’un capteur de courant étalon pour obtenir une mesure de courant de référence, une sous-étape de calcul d’une erreur de mesure du courant quadratique du système de contrôle par rapport à la mesure du courant de référence, et une sous-étape de création d’un modèle de conformation afin de corriger la mesure de courant commandé par le système de contrôle à partir de la mesure du courant de référence; et une étape d’enregistrement dans l’unité de contrôle du modèle de machine électrique et du modèle de conformation du système de contrôle.
Selon un deuxième aspect, la présente demande propose un dispositif de calibration pour l’estimation d’un couple fourni par une machine électrique, notamment par un moteur à aimants permanents, comprenant :
- un dispositif de mesure d’un courant électrique adapté pour mesurer le courant électrique dans la machine électrique pour un point de fonctionnement de la machine électrique ;
- un modèle d’estimation associant un couple de sortie à un courant électrique d’entrée, de sorte que le modèle d’estimation est adapté pour estimer un couple fourni par la machine électrique pour ledit point de fonctionnement de la machine électrique, à partir du courant électrique mesuré ;
- un couplemètre adapté pour mesurer un couple de référence fourni par la machine électrique pour ledit point de fonctionnement de la machine électrique ; et
- une unité de contrôle adaptée pour comparer le couple estimé avec le couple de référence, l’unité de contrôle étant en outre adaptée pour ajuster le modèle d’estimation en fonction de ladite comparaison, de sorte à réduire, voire annuler, une différence entre le couple estimé et le couple de référence.
Optionnellement, le dispositif de calibration selon le deuxième aspect comprend en outre :
où est la célérité du son dans l’air ( ), est la longueur de l’évent (selon son axe longitudinal ), est le volume du caisson de l’enceinte, est un coefficient de correction d’extrémité et la section (surface de la section) de l’évent. Dans le cas fréquent d’un évent circulaire, la section est égale à l’aire du cercle, soit avec le rayon du cercle.
On revient à l’invention et à la . Le boîtier décodeur 1 comprend de plus une ou des cartes électriques sur lesquelles sont montés des composants électroniques. Parmi ces cartes électriques, la carte 15 est montée à l’extérieur du caisson 3 en étant positionnée parallèlement à la face 6 contre une paroi externe de ladite face 6. La carte 15 est fixée à la face 6. La carte 15 comprend notamment un composant électronique 16 qui est ici un composant qui s’échauffe en fonctionnement de manière relativement importante. Il peut s’agir de tout type de composant, et par exemple d’un SoC (pour System on a Chip , ou système sur une puce), d’un processeur, d’un transmetteur radio, d’un amplificateur, etc.
Le boîtier décodeur 1 comporte de plus un dispositif de dissipation thermique 17 qui est destiné à améliorer la dissipation thermique du boîtier décodeur 1 et, en particulier, à dissiper la chaleur générée par le composant 16 en fonctionnement.
Le dispositif de dissipation thermique 17 comprend l’évent 5 ainsi qu’un élément conducteur thermique qui s’étend depuis l’extrémité 8 de l’évent 5 et qui est couplé thermiquement avec le composant électronique 16.
L’élément conducteur thermique est ici une plaque rectangulaire 18 qui s’étend dans un plan perpendiculaire à l’axe longitudinal X de l’évent 5. L’évent 5 s’évase au niveau de l’extrémité 8 pour déboucher sur ladite plaque 18. Ici, l’évent 5 et la plaque 18 forment une pièce unique (mais ce n’est pas nécessairement le cas).
Cette pièce est fabriquée avec un (ou des) matériau rigide, comme par exemple de l’aluminium ou un plastique de type ABS (pour Acrylonitrile Butadiène Styrène), pour que la section de l’évent 5 reste constante malgré les variations de pression, et permettant une bonne conduction thermique.
La plaque 18 s’étend à l’extérieur du caisson 3 en étant parallèle à la face 6 du caisson 3. La carte électrique 15 et le composant électronique 16 sont positionnés entre la plaque conductrice 18 et la face 6 du caisson 3. La plaque 18 s’étend sur une surface majoritaire de la face 6 du caisson 3 et, en particulier, recouvre l’intégralité de la surface du composant 16.
Le dispositif de dissipation thermique 17 comprend de plus un moyen de liaison thermique entre la surface du composant 16 et la plaque 18, permettant de les coupler thermiquement.
Le moyen de liaison thermique comprend ici un pad thermique 19 qui est positionné entre le composant électronique 16 et la plaque thermique 18 en étant en contact avec ces deux éléments.
Le dispositif de dissipation thermique 17 permet donc de dissiper la chaleur produite par le composant électronique 16.
L’évent 5 est utilisé comme surface de dissipation. Cette surface est au contact direct d’un écoulement d’air important, dans un sens puis dans l’autre, lors du fonctionnement du haut-parleur 4 : l’air est déplacé à grande vitesse dans l’évent 5 lors des émissions sonores.
La forme de l’évent 5 est conçue pour maximiser la surface de contact avec l’air.
En référence à la , l’évent 5 présente une forme cylindrique de section oblongue : l’évent 5, lorsqu’il est vu en coupe selon un plan perpendiculaire à son axe longitudinal X, présente une forme oblongue.
Ainsi, le contour 20 de l’évent 5 présente la forme d’un rectangle dont les largeurs sont arrondies et dont les longueurs sont parallèles à la longueur du boîtier décodeur 1.
Cette forme allongée de la section de l’évent 5, plutôt que circulaire, permet de réduire le diamètre de l’évent 5 dans sa plus petite dimension (« largeur » de l’évent 5), ce qui réduit la profondeur du boîtier décodeur 1 tout en augmentant la surface de contact entre l’évent 5 et l’air pour un même volume d’air (à surface constante, le périmètre de l’évent 5 est augmenté). Cette forme allongée permet donc d’améliorer les échanges thermiques tout en diminuant l’encombrement du boîtier décodeur 1.
De plus, la périphérie de l’évent 5 est garnie d’ailettes 21. Les ailettes 21 s’étendent depuis une surface interne 22 de l’évent 5 et parallèlement à l’axe longitudinal X de l’évent 5. Les ailettes 21 permettent d’augmenter encore la surface de contact avec l’air.
Étape 2 : Préparation de la formulation d’encre E12A : - Prélever un volume de 250 µL de la solution mère, - Rajouter 9 ml de Butanol, - Rajouter 400 µL d’éthylène Glycol, - Mettre le mélange sous agitation à température ambiante pendant 24H pour obtenir la formulation E12A. - La formulation E12A est filtrée avant toute impression en utilisant un filtre AC présentant un seuil de coupure environ égal à 0, 2 µm.
Préparation de la formulation d’encre E12B : -Prélever un volume de 100 µL de la solution commerciale aqueuse de PEIE -Rajouter 9 ml de Butanol (solvant) -Rajouter 500 µL d’éthylène Glycol (additif) -Mettre le mélange sous agitation à température ambiante pendant 24H pour obtenir la formulation d’encre E12B. -La formulation E12B est filtrée avant toute impression en utilisant un filtre AC présentant un seuil de coupure environ égal à 0, 2 µm.
On réalise deux modules photovoltaïques M1A et M1B conformes à l’invention selon le procédé suivant : - Fourniture d’un support transparent en PET ou en verre. - Réalisation sur ledit support de deux couches d’une première couche 210A d’électrode inférieure 210 issues de la composition E10 de l’exemple 1. En particulier, réalisation de ces couches par impression numérique à jet d’encre de la composition d’encre E10, puis ensuite réalisation d’un recuit thermique dans une étuve à convection à 145 °C pendant 3 minutes. L’épaisseur des premières couches 210A imprimées d’électrode inférieure 210 est d’environ 100 nm avec des rugosités RMS inférieurs à 5 nm. - Réalisation sur chacune des deux couches d’une première couche 210A d’électrode inférieure 210 d’une deuxième couche 210B d’électrode inférieure 210 issues soit de la composition d’encre E12A de l’exemple 2 (module photovoltaïque M1A), soit de la composition d’encre E12B de l’exemple 2 (module photovoltaïque M1B). En particulier, réalisation de ces couches par impression numérique à jet d’encre soit de la composition d’encre E12A soit E12B, puis ensuite réalisation d’un recuit thermique dans une étuve à convection à 145 °C pendant 3 minutes. L’épaisseur des deuxièmes couches 210B imprimées d’électrode inférieure 210 est comprise entre 2 et 5 nm avec des rugosités RMS inférieures à 2 nm. - Réalisation sur chacune des deux couches d’une deuxième couche 210B d’électrode inférieure 210 d’une couche active photovoltaïque 211 suite à l’application par impression numérique à jet d’encre de la composition d’encre E20 de l’exemple 3 avant la réalisation d’un recuit thermique dans une étuve à convection à 145 °C pendant 3 minutes. L’épaisseur des couches actives photovoltaïques 211 imprimées est environ égale à 350 nm avec des rugosités RMS inférieures à 5 nm. - Réalisation sur chacune des couches actives photovoltaïques 211 d’une électrode supérieure 212 suite à l’application par impression numérique à jet d’encre de la composition d’encre E30 de l’exemple 4 avant la réalisation d’un recuit thermique dans une étuve à convection à 145°C pendant 3 minutes. L’épaisseur des couches imprimées d’électrode supérieure 212 est environ égale à 500 nm avec des rugosités RMS inférieures à 10 nm. - Réalisation d’une couche de contact électrique 213 composée par un ruban en cuivre avec adhésif ayant une largeur de 3 mm et une longueur de 58 mm. Ce ruban est commercialisé par " 3M " et découpé en bandes (3*58 mm2) avec une machine de découpe mécanique (Kongsberg XE (marque déposée)). Puis, dépôt de cette couche de contact électrique 213 de sorte à ce que celle-ci assure le contact entre la couche d’électrode supérieure 212 d’une première cellule photovoltaïque du module photovoltaïque (M1A ou M1B) et la deuxième couche 210B d’électrode inférieure 210 d’une deuxième cellule photovoltaïque du module photovoltaïque (M1A ou M1B).
Selon une deuxième variante, le procédé peut comprendre en outre : un report du circuit intégré radiofréquence sur le premier substrat porteur par sa face avant, un dépôt du premier matériau diélectrique sur le premier substrat porteur au moins autour du circuit intégré radiofréquence, pour obtenir, sur le premier substrat porteur, une première partie du module frontal, puis un transfert de la première partie du module frontal depuis le premier substrat porteur sur le second substrat porteur par la face de la première partie du module frontal opposée à celle par laquelle la première partie du module frontal repose sur le premier substrat support, de sorte que la première partie du module frontal puisse être traitée depuis sa surface exposée après son transfert, pour finir de former le module frontal, puis un dépôt d’un premier niveau métallique de connexion électrique sur la surface exposée de la première partie du module frontal, de sorte à présenter deux parties électriquement disjointes entre elles, chacune constituant une partie de l’une parmi la piste métallique de connexion électrique et la piste métallique de masse, un dépôt du deuxième matériau diélectrique sur le premier niveau métallique de connexion électrique, puis une gravure du deuxième matériau diélectrique, de sorte à former une cavité située en regard de la partie du premier niveau métallique constituant une partie de la piste métallique de connexion électrique et destinée à loger le palet et de sorte à former des vias vers un deuxième niveau métallique de connexion électrique pour chacune parmi la piste métallique de connexion électrique et la piste métallique de masse, un report du palet dans la cavité formée, un dépôt du deuxième niveau métallique de connexion électrique sur la surface du deuxième matériau diélectrique et la surface principale exposée du palet, de sorte à former chacune parmi la piste métallique de connexion électrique et la piste métallique de masse, en remplissant chaque via formé, et une formation de pads d’entrée/sortie du module frontal sur le deuxième niveau métallique de connexion électrique.
Selon une troisième variante, le procédé peut comprendre en outre : un dépôt d’un des premier et deuxième niveaux métalliques de connexion électrique sur le premier substrat porteur, de sorte à présenter au moins deux parties électriquement disjointes entre elles, chacune de ces deux parties constituant une partie de l’une parmi la piste métallique de connexion électrique et la piste métallique de masse, un report du palet sur une partie du niveau métallique précédemment déposé, cette partie constituant une partie de la piste métallique de connexion électrique, une formation d’un pilier métallique de connexion électrique sur chacune de deux parties électriquement disjointes entre elles du niveau métallique précédemment déposé, chaque pilier métallique présentant de préférence une hauteur supérieure à une épaisseur du palet entre ses surfaces principales, un dépôt de l’un parmi le premier matériau diélectrique et le deuxième matériau diélectrique sur le niveau métallique de connexion électrique précédemment déposé et au moins autour du palet, un dépôt d’un autre des deux niveaux métalliques de connexion électrique sur le matériau diélectrique précédemment déposé, une surface principale exposée du palet et le sommet de chacun pilier métallique, de sorte à former chacune parmi la piste métallique de connexion électrique et la piste métallique de masse, un report du circuit intégré radiofréquence par sa face avant sur l’autre des deux niveaux métalliques de connexion électrique, de sorte à contacter électriquement chacune des deux pistes métalliques de connexion électrique, un dépôt de l’autre parmi le premier matériau diélectrique et le deuxième matériau diélectrique sur l’autre des deux niveaux métalliques de connexion électrique au moins autour du circuit intégré radiofréquence, pour obtenir, sur le premier substrat porteur, une première partie du module frontal, un transfert de la première partie du module frontal depuis le premier substrat porteur sur le second substrat porteur par la face de la première partie du module frontal opposée à celle par laquelle la première partie du module frontal repose sur le premier substrat support, de sorte que la première partie du module frontal puisse être traitée depuis sa surface exposée après son transfert, pour finir de former le module frontal, puis une formation de pads d’entrée/sortie du module frontal sur le premier niveau métallique de connexion électrique.
Selon un exemple, le procédé peut comprendre en outre, après assemblage du circuit intégré radiofréquence et du palet : le retrait du second substrat porteur.
On entend par « matériau magnétique auto-polarisé », ou de façon équivalente « matériau magnétique sans aimant », un matériau présentant une anisotropie magnétique uniaxiale élevée (avec par exemple Ha > 20 Oe), un champ coercitif élevé (par exemple supérieure à 4000 Oe) et une aimantation à saturation élevée (par exemple supérieure à 4 kG). Ces propriétés conduisent à une magnétisation rémanente élevée qui assure la nature auto-polarisée du matériau. Les principaux matériaux magnétiques utilisés pour constituer en partie un circulateur sont par exemple choisis parmi les hexaferrites, tels que les hexaferrites de baryum, les hexaferrites de strontium et les hexaferrites dopés au lanthane et au cobalt, et les nanocomposites magnétiques, tels que les nanofils à base d’un alliage de fer et de nickel et ceux à base d’un alliage de fer et de cobalt. Ledit matériau peut être magnétisé selon une direction donnée en utilisant un champ magnétique externe, par exemple généré par un aimant permanent puissant, soit pendant une phase de préparation du matériau, soit pendant un dépôt d’un film de ferrite et une phase d’intégration.
Il est précisé que, dans le cadre de la présente invention, les termes « sur », « surmonte », « recouvre », « sous-jacent », en « vis-à-vis » et leurs équivalents ne signifient pas forcément « au contact de ». Ainsi par exemple, le dépôt, le report, le collage, l’assemblage ou l’application d’un premier élément sur un deuxième élément, ne signifie pas obligatoirement que les deux éléments sont directement au contact l’un de l’autre, mais signifie que le premier élément recouvre au moins partiellement le deuxième élément en étant soit directement à son contact, soit en en étant séparé par au moins un autre élément.
On entend par « couche de redistribution », plus connue sous l’acronyme RDL (pour « redistribution layer » selon la terminologie anglo-saxonne) une couche structurée et configurée pour rendre des pads d’entrée/sortie d'un circuit intégré disponibles à d'autres emplacements d’un assemblage microélectronique, assurant ainsi un meilleur accès aux pads si nécessaire. Une telle couche de redistribution RDL comprend ainsi des pistes métalliques sur un ou plusieurs niveaux séparés par un matériau isolant et reliées par des vias conducteurs métalliques. La notion de RDL est classiquement utilisée pour désigner les interconnexions métalliques réalisées dans un procédé de conditionnement (de l’anglais « packaging ») visant à préparer un module électronique comprenant une ou plusieurs puces (de l’anglais « chip ») et éventuellement d’autres composants électroniques.
On notera qu’il existe plusieurs types de conditionnement et de procédés associés. Dans la présente demande, les procédés décrits utilisent tous une technique de type FOWLP, pour « Fan-Out Wafer-Level Packaging » selon la terminologie anglo-saxonne. Un procédé FOWLP est un procédé de conditionnement « qui s’étale en dehors, ou au-delà, d’une puce ou plus généralement d’un composant » que l’on souhaite conditionner, ou « emballer ». Ainsi, le résultat d’un procédé FOWLP est tel que la puce emballée est entourée latéralement d’un matériau isolant. Le procédé FOWLP est ainsi « l’inverse » d’un procédé FIWLP « Fan-In Wafer-Level Packaging » dans lequel la puce n’est pas recouverte latéralement d’un isolant, mais sera uniquement conditionnée sur le dessus et/ou le dessous.
Une fois le module réalisé, par des procédés de conditionnement du type FOWLP, on obtient un module qui présente une face avant, ou « front side » selon la terminologie anglo-saxonne, et une face arrière, ou « back side » selon la terminologie anglo-saxonne. Les éléments, types puces, présents dans le module sont reliés, par des pistes métalliques de la RDL, à des plots de connexion externes présents sur la face avant et/ou la face arrière du module.
On entend par un « BEOL », pour « back end of line » selon la terminologie anglo-saxonne), une partie interne d’un circuit intégré, ou puce, qui se compose de pistes conductrices réalisés sur n niveaux métalliques et interconnectées par des vias métalliques noyés dans un matériau diélectrique, en général un oxyde. Cette partie BEOL est réalisée sur une partie FEOL (« Front End of line » selon la terminologie anglo-saxonne) qui comprend un substrat semi-conducteur dans et au-dessus duquel sont réalisés des composants électroniques, par exemple des transistors.
Ainsi, une couche de redistribution RDL et un BEOL ont en commun d’avoir des pistes métalliques sur plusieurs niveaux et interconnectés par des vias. Néanmoins, RDL et BEOL se réfèrent à des procédés de fabrication différents. On parle de BEOL quand on est dans un procédé de fabrication de puces électroniques incluant une ou plusieurs couches semiconductrices constituant un FEOL, le BEOL correspondant aux dernières étapes de fabrication. On parle de couche(s) de redistribution RDL quand on est dans une phase d’emballage, ou de conditionnement, d’une ou plusieurs puces. La RDL peut être réalisée avant, ou après, report d’une puce électronique, comme cela sera illustrée dans les exemples ci-après.