INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Plus précisément, si Ic est inférieure à In, il s’agit d’un déclenchement normal par commande ; si Ic est comprise entre In et QxIn, il s’agit d’un déclenchement de surcharge ; si Ic est supérieur à QxIn, il s’agit d’un déclenchement de défaut, le facteur Q étant par exemple égal à 10.
Alternativement, le domaine de déclenchement est obtenu en une seule étape, le résultat de la classification réalisée par le modèle de prédiction paramétré étant une classification dans un des domaines de déclenchement prévus.
L’étape de détermination de domaine de déclenchement 70 est suivie d’une étape 72 d’affichage d’une indication relative au domaine de déclenchement déterminé sur l’interface homme-machine du dispositif de commutation, par exemple par allumage d’un voyant lumineux de couleur correspondante, selon un code couleurs préalablement choisi.
Sonde de pression pour turbomachine en deux parties amovible DOMAINE TECHNIQUE DE L’INVENTION Le domaine technique de l’invention est celui d’une sonde de pression statique pour une ligne carter de soufflante et en particulier la fixation de cette sonde de pression à un carter de soufflante de la ligne carter de soufflante traversant une virole acoustique d’une ligne carter de soufflante.
La ligne carter de soufflante 3 comprend typiquement carter de soufflante 30 d'axe de révolution A qui s'étend autour des aubes de soufflante 2 de la turbomachine. Cette enveloppe 30 comprend une bride annulaire de fixation 35, 36 à chacune de ses extrémités axiales. Ces brides 35, 36 sont utilisées pour fixer la ligne carter de soufflante 3 à des parois annulaires de la nacelle de la turbomachine.
Le carter comporte également une virole acoustique amont 37 (aussi appelée OPB, de l’anglais One Piece Barrel, qui signifie « fût en une pièce ») entourée par le carter de soufflante 30. Le carter comporte également des panneaux acoustiques aval 38 comprenant au moins une partie entourée par le carter de soufflante 30. La ligne carter de soufflante 3 comporte encore une couche annulaire 34 de matière abradable, entourée par une surface annulaire interne de l’enveloppe 30, positionnée axialement entre la virole acoustique amont 37 (OPB) et le panneau aval 38.
Enfin, la ligne carter de soufflante 3 comprend un capteur comprenant une sonde de pression statique 31, visible sur la représentant une coupe d’une partie de la ligne carter de soufflante entourée sur la , mesurant la pression dans une veine interne utilisé pour la gouverne des paramètres de fonctionnement de la turbomachine. Le capteur comprend en outre un support 33, appelé aussi bossage, fixé sur une surface annulaire externe 301 de l’enveloppe 30 (appelée aussi peau externe du carte de soufflante 3). Le support 33 comprend un orifice, en l’occurrence comprenant un taraudage. La sonde de pression statique 31 comprend un corps 31 monté sur le support 33 en ayant une partie vissée dans le support 33. La sonde de pression statique 31 comprend en outre un tube 311 s’étendant du corps 310 jusqu’à son extrémité libre, appelée dans la suite tête de sonde 317. Le tube 311 traverse donc l’orifice du support 33, une première ouverture de la paroi de l’enveloppe 30, puis un interstice formé entre la surface annulaire interne de l’enveloppe 30 et la virole acoustique amont 37 et enfin traverse une deuxième ouverture de la virole acoustique amont 37 pour avoir sa tête de sonde 317, affleurant la surface interne 371 de la virole acoustique amont 37.
En plus de la fonction de rétention, l’enveloppe 30 de la ligne carter de soufflante 3 est également conçu pour : assurer une continuité mécanique (des efforts et des moments) entre la manche d’entrée d’air 5 et la virole 6 de carter intermédiaire ; permettre la fixation des panneaux de veine (virole acoustique amont (OPB) 37, panneau acoustique 38 et couche de matière abradable 34), permettre la fixation de la sonde de pression statique 31; tenir les spécifications de règlementation au feu et aux fuites ; permettre une continuité du courant électrique pour la tenue à la foudre, etc.
A titre de variante, une étape intermédiaire de recuit in-situ de la couche 109, conduisant à transformer le silicium amorphe de la couche 109 en silicium polycristallin, peut être mise en oeuvre avant le dépôt de la couche 111. Par recuit in-situ, on entend ici que le recuit est mis en oeuvre dans la chambre utilisée pour effectuer le dépôt à l’étape de la , sans sortir la structure de la chambre entre le dépôt et le recuit. Le recuit est par exemple mis en oeuvre à une température supérieure à 560 ° C, par exemple comprise entre 580°C et 900 ° C.
Le recuit in-situ de la couche de silicium amorphe 109 conduit là encore à transformer la couche 109 en une couche de silicium polycristallin tensile, c’est à dire exerçant une force de traction (étirement) du matériau du substrat 103, parallèlement au plan de la couche 109.
La couche de silicium polycristallin 11 peut ensuite être déposée in-situ (dans le même équipement) sur la couche de silicium polycristallin 109, la suite du procédé étant identique à ce qui a été décrit précédemment.
Les tranchées réalisées par les procédés décrits ci-dessus forment par exemple des murs d’isolation séparant latéralement différents éléments d’un circuit intégré, par exemple différents pixels d’un capteur d’images ou différentes cellules élémentaires de mémorisation d’un circuit mémoire. A titre de variante, ces tranchées forment des composants électroniques verticaux tels que des transistors verticaux ou des condensateurs verticaux.
Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. La personne du métier comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaîtront à la personne du métier. En particulier, les modes de réalisation décrits ne se limitent pas aux exemples d’application mentionnés ci-dessus.
Formation de tranchées dans un substrat La présente description concerne, de façon générale, le domaine des dispositifs électroniques et, plus précisément, les procédés de formation de tranchées dans un substrat.
De nombreux procédés de fabrication de dispositifs électroniques comprennent au moins une étape de formation d’une ou plusieurs tranchées dans un substrat. Dans l’exemple d’un procédé de fabrication d’un capteur d’images comportant une matrice de pixels formés dans et sur un substrat semiconducteur, des tranchées d’isolation remplies d’un matériau diélectrique peuvent être réalisées entre les pixels pour isoler électriquement et/ou optiquement chaque pixel par rapport aux pixels voisins.
Il existe un besoin d’améliorer les procédés actuels de formation de tranchées dans un substrat.
Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des procédés connus de formation de tranchées dans un substrat.
Pour cela, un mode de réalisation prévoit un procédé comprenant les étapes suivantes : a) prévoir une structure comportant un substrat semiconducteur, et, du côté d’une première face du substrat, au moins une première tranchée remplie d’un matériau isolant, s’étendant verticalement dans le substrat ; b) former, par gravure anisotrope depuis une deuxième face du substrat semiconducteur opposée à la première face, au moins une deuxième tranchée s’étendant verticalement dans le substrat et débouchant sur ladite au moins une première tranchée ; et c) élargir ladite au moins une deuxième tranchée par gravure isotrope.
Selon un mode de réalisation, la gravure de l’étape a) est une gravure ionique réactive.
Selon un mode de réalisation, la gravure de l’étape b) est une gravure chimique.
Selon un mode de réalisation, la gravure de l’étape b) est une gravure en phase gazeuse ou liquide.
Selon un mode de réalisation, le procédé comprend en outre, après l’étape c), une étape d) de remplissage de ladite au moins une deuxième tranchée.
Selon un mode de réalisation, à l’étape d), des flancs et un fond de ladite au moins une deuxième tranchée sont revêtus d’au moins une couche de passivation.
Dépôt de couches de matière par évaporation et double activation L’invention se rapporte au domaine du dépôt de matière sous forme de couches minces.
L’invention a notamment des applications dans les secteurs de l’optoélectronique et de l’électronique.
État de la technique antérieure Une technique conventionnelle consiste à réaliser un dépôt de matière en phase vapeur sous vide. La matière est évaporée à partir d’un creuset en direction d’un substrat en traversant un milieu qui peut être passif ou actif.
Il est notamment connu d’utiliser comme milieu actif un plasma, permettant typiquement d’améliorer l’adhérence de la matière sur le substrat et d’obtenir des couches uniformes et non poreuses.
Entre autres inconvénients, les procédés plasma connus ne permettent pas l’obtention de couches à faible énergie thermique de dissociation, notamment de nitrure d’indium dont la température de dissociation est d’environ 500°C.
Des techniques alternatives ont été proposées pour élaborer des couches de nitrure d’indium, en particulier l’épitaxie, la pulvérisation réactive, ainsi que le dépôt par laser pulsé.
Ces techniques ne donnent cependant pas satisfaction car elles nécessitent de hautes températures et des puissances plasma radiofréquences élevées qui dégradent la qualité des couches déposées.
L’invention vise à remédier aux inconvénients des techniques de dépôt connues dans l'art antérieur et, notamment, à procurer une solution permettant de déposer des couches à faible énergie de dissociation, en particulier des couches de nitrure d’indium.
L’invention n’est toutefois pas limitée à ce type de matériau et a aussi pour objectif de procurer une technique de dépôt permettant d’obtenir des couches de matériaux différents, présentant des propriétés physico-chimiques, électriques, optiques et/ou mécaniques satisfaisantes.
A cet effet, l’invention a pour objet un dispositif de dépôt de matière comprenant : – une surface de réception d’un échantillon de matière, – un substrat destiné au dépôt de la matière, – une enceinte définissant entre la surface de réception et le substrat une première région apte à recevoir du plasma et une deuxième région apte à recevoir des électrons, – un organe de génération de plasma d’un gaz tel que l’azote configuré pour générer le plasma dans la première région de l’enceinte, – un organe d’émission d’électrons configuré pour émettre des électrons dans la deuxième région de l’enceinte, – un organe d’évaporation configuré pour évaporer la matière de l’échantillon de manière à déplacer la matière ainsi évaporée successivement dans la première région et dans la deuxième région de l’enceinte en direction du substrat.
L’invention permet ainsi de réaliser une double activation de la matière évaporée, d’une part avec le plasma et d’autre part avec les électrons générés dans l’enceinte, permettant de déposer sur le substrat des couches nitrurées par évaporation.
De manière générale, l’invention permet l’obtention de couches minces nitrurées à grand échelle, à moindre coût, à vitesse de dépôt élevée et de bonne qualité.
L’invention permet notamment de réaliser un dépôt à basse température, notamment à une température inférieure à 300°C, avec un plasma généré à faible puissance, notamment une puissance inférieure à 100 W.
Ainsi, contrairement aux techniques d’épitaxie, de pulvérisation ou de laser pulsé, la faible puissance du plasma permet, entre autres, le dépôt de couches de nitrure d’indium pour former un matériau présentant les propriétés physico-chimiques et structurelles requises.
Plus généralement, l’échantillon de matière utilisé peut comprendre un élément inorganique du tableau périodique, tel que l’aluminium, l’indium ou encore le titane, qui sont susceptibles d’acquérir des propriétés électriques et optiques suite à leur nitruration.
L’objectif du traitement est de fournir une nouvelle capacité de perception de l’environnement proche du porteur permettant d’améliorer la résolution de la détection sans impliquer de dispositif supplémentaire, ceci en renforçant les aptitudes des signaux de radionavigation à fournir des mesures de retard et de doppler, indispensables par ailleurs pour la navigation bord, tels les signaux GNSS.
A cette fin, le principe consiste à augmenter par traitement d’antenne la sensibilité en réception des signaux réfléchis sur les obstacles, issus de sources radio synchronisées référencées, lorsqu’elles présentent une large disponibilité dans l’espace et dans le temps, afin de permettre la détection et la localisation d’obstacles proches.
Lorsque la structure du signal, les positions et vitesses des sources d’émission des signaux sont connues a priori, l’approche définie selon l’invention consiste à ajouter la dimension spatiale au filtrage adapté pour la scrutation de l’environnement, en complément des dimensions temps-fréquence du filtrage adapté appliqué pour réaliser la détection de sources de réflexion.
Le mode de fonctionnement est du type radar passif, sans émission active dédiée, mettant à profit les signaux existants sur le principe dit « du radar passif multistatique » pour détecter et localiser les obstacles situés à proximité, dont un mode de réalisation connu porte la marque déposée « SaNGèNE ».
Le calcul E31 premier angle A1 présente l’avantage d’être identique même en présence d’une pente du terrain 2 ou d’une quelconque variation progressive du dénivelé. En pratique, cela signifie que la commande de prothèse bionique réalise les mêmes opérations pour mettre en mouvement la prothèse bionique sur un terrain parfaitement plat ou sur un terrain présentant une pente, augmentant significativement la robustesse du procédé de commande, comme décrit sur la .
De la même manière, dans le cadre du calcul E32 de la deuxième longueur L2 de pas à partir de la longueur de pas initiale et d’un coefficient proportionnel au deuxième angle A2, la commande de prothèse bionique réalise les mêmes opérations pour mettre en mouvement la prothèse bionique sur un terrain parfaitement plat ou sur un terrain présentant une pente, augmentant là aussi sensiblement la robustesse du procédé de commande.
La génération de la trajectoire entre la position d’origine Po du pied prothétique 11 et la position de destination corrigée Pf* du pied prothétique 11 comprend la génération d’une trajectoire de poussée T1 et la génération d’une trajectoire de balancier T2 directement postérieure à la trajectoire de poussée, illustrées par la montrant les configurations successives de la prothèse bionique 1.
La trajectoire de poussée T1 comprend un mouvement initié par une impulsion du dispositif d’articulation motorisé 13, de l’extrémité arrière 112 du pied prothétique 11 décrivant un arc de cercle autour d’une extrémité avant 113 du pied prothétique 11 par rapport à la direction du mouvement, suivant un premier angle de poussée A3, de manière à rompre le contact entre le pied prothétique 11 et le terrain 2 tant qu’une force mesurée par un capteur de force du tibia prothétique 12 est supérieure à un seuil prédéterminé.
La trajectoire de balancier T2 comprend successivement : un mouvement dans lequel l’extrémité arrière 112 du pied prothétique 11 s’élève tant que l’extrémité avant 113 du pied prothétique 11 se situe à une hauteur H1 par rapport au terrain 2 inférieure à une hauteur de garde H ; un mouvement dans lequel l’extrémité avant 113 du pied prothétique 11 pivote dans la direction du mouvement suivant un angle de balancier A4 strictement inférieur au deuxième angle corrigé A2, de préférence strictement inférieur au deuxième angle corrigé A2 -15° ; un mouvement dans lequel l’extrémité arrière 112 du pied prothétique 11 pivote autour du dispositif d’articulation motorisé 13 dans la direction du mouvement ; un mouvement dans lequel le pied prothétique 11 s’abaisse vers le terrain 2 jusqu’à établir un contact avec le terrain 2 au niveau de la position de destination corrigée Pf* du pied prothétique 11 ; l’extrémité avant 113 du pied prothétique 11 pivote pour venir en contact avec le terrain 2. La vitesse d’exécution des mouvements suivant les trajectoires T1 et T2 est paramétrable, en commandant notamment une vitesse de rotation du dispositif d’articulation motorisé 13.
Les figures 7A et 7B décrivent des modes de réalisation alternatif selon un cas d’utilisation du procédé de la prothèse bionique 1 face à une variation brutale du dénivelé du terrain 2, telle qu’une marche ou une pluralité de marches d’un escalier, dans le sens d’une élévation de l’altitude pour la et d’une diminution de l’altitude pour la . Dans le cas où le deuxième angle corrigé est compris entre 88° et 92°, le procédé comprend : la détection d’une marche ou d’une pluralité de marches face à la prothèse ; dans le cas de la présence d’une marche ou d’une pluralité de marches face à la prothèse bionique, la mesure d’un giron G de marche ; la comparaison du giron G mesuré avec une longueur Lp de pied prothétique11 prédéterminée ; dans le cas où le giron G est inférieur à un seuil, par exemple 10 cm, de la longueur Lp de pied prothétique 11, une interruption du procédé de commande ; une reprise du procédé de commande à l’étape de génération E4 d’une trajectoire.
La détection d’une marche est réalisée lorsque que des points d’un premier ensemble de points du nuage de points tridimensionnel sont compris dans un même premier plan P1, c’est-à-dire que la même coordonnée de chacun des points de l’ensemble de points est identique, en particulier la coordonnée identifiant la position d’altitude des points du nuage de points tridimensionnel. Dans le cas d’une pluralité de marches la prothèse bionique identifie au moins un deuxième ensemble de points du nuage de points tridimensionnel qui sont contenus dans un même au moins deuxième plan P2. Le calcul du giron de marche G est réalisé dans le cas d’une détection d’une pluralité de marches comme étant la plus petite distance entre le premier plan P1 du premier ensemble de points du nuage de points tridimensionnel et le deuxième plan P2 du deuxième ensemble de points du nuage de points tridimensionnel. Le calcul du giron G est réitéré pour une marche suivante.
Dispositif de stimulation de la pompe plantaire pour l’amélioration du retour veineux La présente invention concerne un dispositif prévu pour être disposé sous tout ou partie du pied et au moins sous la voûte plantaire, le dispositif comprenant une face avant prévue pour être au contact du pied. Un tel dispositif vise à stimuler la pompe plantaire pour l’amélioration du retour veineux.
ARRIERE-PLAN La fonction des veines est de ramener le sang vers le cœur pour le retourner dans la boucle de la circulation artérielle après son oxygénation par les poumons, cette fonction étant appelée « retour veineux ». Le retour veineux est particulièrement difficile au niveau des membres inférieurs puisque le sang doit vaincre la gravité en remontant depuis les pieds jusqu’au cœur sur une distance relativement grande à l’échelle du corps humain.
Il est connu de réaliser des semelles dites « à retour veineux », présentant des moyens pour exercer sur une région du pied une pression aidant ou facilitant le fonctionnement de la pompe plantaire, pour améliorer le retour du sang dans les veines.
On connaît notamment par US7380352 ou EP0971606 une semelle orthopédique comportant une pluralité de couches de type coussin, prévues sur la surface de semelle, et comprenant une première couche de type coussin dans une zone d'articulation d'avant-pied, une deuxième couche de type coussin dans une zone de transition entre le métatarse et le tarse, et une troisième couche de type coussin dans la zone de transition de mi-pied. Les couches de type coussin stimulent le drainage du sang dans les veines, et sont chacune divisées en zones de type plateau individuelles, adjacentes les unes aux autres dans une direction transversale à la surface de semelle et séparées les unes des autres. La partie supérieure des couches en forme de coussins est revêtue d'une couche de recouvrement de semelle et se trouve sensiblement dans le même plan que la face supérieure d'un corps de base de la semelle.
Une semelle de ce type est commercialisée sous l’appellation Venoped® par la société Sigvaris et est décrite comme une « semelle veino-stimulante qui améliore de 40 % la vitesse du flux veineux dans les jambes ».
On connaît également, par CA 2827485 ou WO 2012/110763, une chaussure comprenant une empeigne, un élément stimulant le débit sanguin et un élément de semelle, l'élément de semelle retenant une pompe à fluide, un réservoir de fluide utilisable pour recevoir du fluide à une pression élevée provenant de la pompe par l'intermédiaire d'une première valve et d'une seconde valve utilisable pour activer l'élément stimulant le débit sanguin sous la commande d’un processeur. L'élément stimulant le débit sanguin comprend une vessie utilisable pour venir en butée contre un plexus plantaire de la semelle inférieure d'un porteur de la chaussure, ce qui permet d'aider le drainage veineux et artériel du pied.
On connaît également les sandales ou semelles à picots disponibles dans le commerce sous diverses marques, ayant une fonction présumée de massage du pied. Toutefois celles-ci sont sans effet significatif sur le fonctionnement de la pompe plantaire.
- un barreau extrudé en calcium de pureté industrielle, de 8,5 mm de diamètre, de poids métrique 85 g/m,
- une couche intermédiaire constituée d’une poudre d’aluminate de chaux comprenant soit les phases aluminate de tricalcium et hepta-aluminate de dodéca-calcium, soit les phases hepta-aluminate de dodéca-calcium et aluminate de monocalcium, avec au moins 50% en masse d’hepta-aluminate de dodéca-calcium dans chacun de ces deux cas,
- un feuillard en acier d’épaisseur 0,40 mm.
Grâce aux caractéristiques décrites ci-dessus, notamment la présence d’aluminate de chaux contenant au moins la phase hepta-aluminate de dodéca-calcium, et éventuellement l’une et/ou l’autre des phases aluminate de tricalcium et aluminate de monocalcium, avantageusement avec l’hepta-aluminate de dodéca-calcium majoritaire en fraction massique dans l’aluminate de chaux, le fil fourré 1 permet un traitement au calcium d’un acier avec une réduction de la surface cumulée des micro-inclusions (particules non métalliques non miscibles dans l’acier à la température de traitement de l’acier liquide). Ceci améliore la qualité finale de l’acier, tout en réduisant le risque de bouchage des busettes par des particules non liquides pendant la production.
Pièce d’acier pour aéronef et son procédé de fabrication Le présent exposé concerne le domaine de la métallurgie, et plus particulièrement un procédé de fabrication d’une pièce d’acier pour aéronef. Le présent exposé concerne également une pièce d’acier obtenue par ce procédé. Une telle pièce peut être utilisée pour diverses applications, par exemple pour tout type d’aéronef tel qu’un avion, un hélicoptère, un drone, etc., en particulier dans les trains d’atterrissage.
Les pièces de structure de trains d’atterrissage des aéronefs, par exemple, peuvent être fabriquées à partir de pièces d’acier forgées qui sont matricées, ce qui conduit à leur donner une forme globale (ou préforme), puis usinées. Ces pièces subissent ensuite intégralement un ou plusieurs traitements thermiques qui leur permettent d’atteindre les caractéristiques mécaniques souhaitées.
Afin de réduire les coûts de fabrication, il a été envisagé de former de telles pièces non plus à partir d’un seul lopin mais par assemblage de plusieurs éléments. Toutefois, la certification des pièces ainsi obtenues posait problème, car les zones d’assemblage constituaient des points de faiblesse sans qu’on ne sache les traiter convenablement.
Il existe donc un besoin pour un nouveau type de procédé de fabrication d’une pièce d’acier.