INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Le nombre de molécules de dérivé coumarinique (I-5) par cellule bactérienne C(I-5) peut ensuite être calculé grâce à la détermination de la concentration du dérivé coumarinique (I-5) à partir de la gamme de fluorescence dudit dérivé coumarinique (I-5) transformé en nombre de molécules par cellule bactérienne, comme explicité dans la description générale.
La valeur de fluorescence de référence du lysat bactérien de référence F(0) ainsi que la concentration de référence correspondante C(0) est obtenue en reproduisant les étapes ci-dessus avec un échantillon liquide contrôle ne comprenant pas de dérivé coumarinique (I-5).
Le protocole détaillé ci-dessus est reproduit avec les composés coumariniques (I-10), (I-11), (I-12) et/ou (I-13), et à titre comparatif avec CIP et A1.
Il est également reproduit avec d’autres souches bactériennes d’E. coli , et d’autres types de bactéries K. aerogenes et K. pneumoniae .
Pour certaines souches bactériennes, l’échantillon liquide comprenant en outre un inhibiteur de pompes d’efflux RND (i.e. le CCCP) à une concentration de 10 µmol/l.
En fonction du niveau d’efflux connu des souches bactériennes testées, la comparaison des valeurs de concentration du dérivé coumarinique en nombre de molécules par cellule bactérienne à partir des valeurs de F(I) déterminées permet d’obtenir le niveau d’accumulation dudit dérivé coumarinique (I) au sein de souches présentant un haut niveau d’efflux (noté E+++ ou E++) ou basal (noté E+) par rapport à celles ne présentant aucun efflux ou dont l’efflux a été inhibé par l’ajout du CCCP (notés E-). Il est alors possible de déterminer la sensibilité d’un dérivé coumarinique à l’expression des pompes d’efflux d’une souche en déterminant le rapport entre une concentration C(I)-E+++ ou C(I)-E++ déterminée au sein d’une souche présentant un haut niveau d’efflux et une concentration C(I)-E- ne présentant aucun efflux ; et le rapport entre une concentration C(I)-E+ déterminée au sein d’une souche présentant un niveau d’efflux basal et une concentration C(I)-E- ne présentant aucun efflux.
En outre, la corrélation entre les valeurs de ces rapports et les niveaux relatifs d’efflux entre ces souches bactériennes, définis par rapport à une bactérie de type sauvage, renforce les propriétés dites de sensibilité dudit dérivé coumarinique (I) à l’expression des pompes d’efflux dans le contexte d’une utilisation en clinique.
La montre l’accumulation des composés (I-5), (I-10), (I-11), (I-12), (I-13) et à titre comparatif celle de la CIP et dudit dérivé coumarinique de référence A1 au sein de souches sélectionnées d’ Escherichia coli AG102, AG100, AG100A, et AG102 avec l’inhibiteur CCCP. De la même manière, l’accumulation des composés (I-5), (I-11), (I-12), et (I-13) et à titre comparatif celle de la CIP et dudit dérivé coumarinique de référence A1 a été réalisée et représentée dans les figures 2 et 3 sur des souches sélectionnées de Klebsiella aerogenes CM064, Ea27, ATCC15038, Ea294, CM064 avec l’inhibiteur CCCP , et Ea27 avec l’inhibiteur CCCP ( ) et de Klebsiella pneumoniae KPBj1 M3 Lev Δ ramR , KPBj1 Rev, KPBj1 Rev Δ acrb et KPBj1 M3 Lev Δ ramR avec l’inhibiteur CCCP ( ).
Dans un mode de réalisation particulier, le procédé selon la présente invention peut être caractérisé en ce que la longueur d’onde significativement supérieure à la longueur d’onde d’excitation de la chlorophylle est comprise entre 700 nm et 900 nm, préférentiellement de 750 nm plus ou moins 10 nm, et en ce que ladite au moins une longueur d'onde susceptible de provoquer une fluorescence de la chlorophylle est comprise entre 550 nm et 680 nm, préférentiellement de 625 nm plus ou moins 10 nm.
L’avantage est de pouvoir distinguer deux signaux différents mais complémentaires quant aux caractéristiques d’un fruit particulier.
Par exemple, un fruit comme le raisin, comprend au moins deux marqueurs de maturité : de la chlorophylle et des anthocyanes. La chlorophylle peut être excitée avec une onde électromagnétique de longueur d’onde comprise entre 550 et 680 nm, et la fluorescence ainsi générée peut être comprise entre 720 et 770 nm, telle que 750 nm plus ou moins 10 nm.
Ainsi, l’une des caractéristiques distinctives de la présente invention est que la chlorophylle est détectée par fluorescence et le signal de réflexion permet d’avoir des informations complémentaires (e.g. présence d’un objet et forme de l’objet irradié).
Pour réaliser la mesure d’un fruit comme le raisin, le fruit peut subir une première excitation séquentielle rouge (par exemple 625 nm) et une émission d’un second flux de lumière, par exemple 750 nm. Le premier signal retour est donc caractéristique de la fluorescence de la chlorophylle (par exemple environ 750 nm) et le second signal retour issu de la réflexion (par exemple environ 750 nm) sur le fruit de la deuxième émission à 750 nm, caractéristique de la présence des anthocyanes (second marqueur de maturité).
Dans un mode de réalisation particulier et avantageux, le support qui permet d’amener le fruit dans la zone d’analyse (là où il va être irradié), n’interagit pas ou peu avec les ondes électromagnétiques aux longueurs d’ondes choisies. Ainsi, les signaux recueillis ne sont pas issus du support. Par exemple le support peut comprendre une partie vitrée, transparente pour éviter de polluer le signal.
Ainsi, les puissances d’irradiation (tel que dans l’infra-rouge) pour que le support ne sature pas la caméra, sont adaptés spécifiquement aux fruits analysés. Le signale retour des fruits n’est pas noyé dans une masse de signal qui proviendrait du support.
De plus, dans le contexte de la présente invention, la teneur en chlorophylle résiduelle d’un fruit comme le raisin est mesurée en évitant l’effet masquant des anthocyanes après excitation avec une longueur d’onde appropriée (par exemple 750 nm).
Dans ce cas de figure particulier dans lequel les marqueurs de maturité sont la chlorophylle et des anthocyanes, il peut être particulièrement intéressant d’utiliser une seule zone de détection (par exemple une seule caméra) étant donné que les longueurs d’ondes des signaux retour sont proches, voire identiques (par exemple environ 750 nm)
Dans le cas de figure d’une utilisation d’une seule zone de détection, telle qu’une caméra, il est nécessaire de procéder à des excitations séquentielles par exemple par l‘utilisation d’une caméra filtrée passe bande pour permettre de mesurer la fluorescence sur une longueur d’onde en synchronisation avec chaque excitation, et mesurer le signal retour issu de la réflexion sur une longueur d’onde en synchronisation avec chaque excitation.
Il peut être avantageux selon le procédé, que les ondes d’excitations et d’émissions soient filtrées passe haut (fréquence) pour supprimer les longueurs d’ondes proches de la longueur d’onde de fluorescence.
Il peut être avantageux selon le procédé, que le système s’étalonne en permanence en incluant une séquence de mesure sans excitation pour discriminer le bruit de fond.
Ainsi, le procédé selon la présente invention peut être appliqué à tout type de fruit non-céréalier comprenant de la chlorophylle et un second marqueur de maturité dont le signal retour obtenu par réflexion ou le signal retour obtenu par excitation diffère des longueurs d’ondes d’excitation et de fluorescence de la chlorophylle. Ceci dépend donc directement de la nature du fruit non céréalier.
De manière préférée, le procédé selon la présente invention peut être caractérisé en ce que le fruit non-céréalier comprend de la chlorophylle et au moins un second marqueur de maturité utile pour la réflexion. En effet, en absence de chlorophylle le second marqueur réfléchira la lumière (ondes électromagnétiques) auquel le fruit est soumis.
Ainsi, de manière préférée, le procédé selon la présente invention peut être caractérisé en ce que le fruit non-céréalier contient au moins un pigment (ou marqueur de maturité) choisi parmi le lycopène, le bêtacarotène, l’anthocyane et la lutéine, préférentiellement l’anthocyane et/ou le lycopène.
De manière préférée, le procédé selon la présente invention peut être caractérisé en ce que le fruit non-céréalier est un fruit charnu.
- deux sections intermédiaires s'étendant chacune latéralement à partir de la section centrale et de manière divergente l'une par rapport à l'autre, et de manière à permettre l'empilement d'au moins deux goupilles dites, respectivement, première et deuxième goupilles ;
- des moyens d'encliquetage disposés sur l'une ou l'autre des deux sections intermédiaires et configurés pour maintenir par encliquetage la première goupille et la seconde goupille ensemble lorsqu'elles sont empilées.
La , la et la sont différentes représentations schématiques d'une goupille 1 selon les principes énoncés dans la présente invention.
En particulier, la goupille 1 comprend un corps métallique 10 qui s'étend le long d'une direction d'élongation XX' entre une première extrémité 101 et une seconde extrémité 102.
Le corps métallique 10 présente une face supérieure 103 et une face inférieure 104 opposée à la face supérieure 103.
Le corps métallique 10 est constitué d'une bande métallique. La formation de la goupille 1 peut comprendre la découpe, l'estampage ou le pliage de la bande métallique.
Le matériau du corps métallique 10 est avantageusement de l’acier trempé, dont la forme est modelée à froid avant de réaliser une trempe thermique à 800°C par exemple. L’acier peut ensuite être protégé contre la corrosion par une étape de traitement de surface. Le choix d’un tel matériau est particulièrement avantageux en ce qu’il permet un modelage aisé avant trempage, puis, après trempage, une résistance mécanique et une élasticité importantes.
De manière générale, la goupille 1 comprend une section centrale 11 de forme générale plane. Il est entendu que la section centrale 11 présente une forme allongée selon l'axe d'élongation XX'. En particulier, la section centrale 11 présente une forme rectangulaire et comprend ainsi deux bords latéraux parallèles à l'axe d’élongation XX'.
La goupille 1 comprend également deux sections intermédiaires 12 et 13. En particulier, ces deux sections intermédiaires 12 et 13 s'étendent chacune latéralement à partir de la section centrale 11 et de manière divergente l'une par rapport à l'autre. Il est entendu qu'une section intermédiaire 12 ou 13 qui s'étend latéralement à partir de la section centrale 11, s'étend nécessairement à partir d'un bord latéral de ladite section centrale. Plus particulièrement, chaque section intermédiaire 12 et 13 s'étend à partir d'un bord latéral qui lui est propre. Il est également entendu que les deux sections intermédiaires s’étendent symétriquement l’une de l’autre par rapport à un plan perpendiculaire à la section centrale, et équidistant des bords latéraux de ladite section centrale.
Il est également entendu que les deux sections intermédiaires s'étendent dans une direction parallèle à l'axe d’élongation et plus particulièrement sur une longueur qui peut être supérieure à la longueur des bords latéraux de la section centrale 11.
L'écartement croissant et/ou la forme des sections intermédiaires 12 et 13 sont notamment adaptés pour permettre l'empilement d'une pluralité de goupilles 1. A cet égard, les sections intermédiaires peuvent présenter une forme plane, une forme convexe ou une forme concave par la face supérieure.
La représente une pluralité de goupilles 1 empilées les unes sur les autres. En particulier, les goupilles sont empilées les unes sur les autres selon une direction perpendiculaire à la section centrale 11, dite direction d'empilement. A titre d'exemple, l'empilement peut comprendre deux goupilles empilées dites, respectivement, première goupille et deuxième goupille. Plus particulièrement, la première goupille peut recouvrir la deuxième goupille. En d'autres termes, la première goupille recouvre, par sa face inférieure, la face supérieure de la deuxième goupille.
La goupille 1 comprend également des moyens d'encliquetage disposés sur l'une ou l'autre des sections intermédiaires 12 et 13. Notamment, ces moyens d’encliquetage sont configurés pour maintenir par encliquetage les goupilles 1 encliquetées deux-à-deux lorsqu’elles sont empilées.
Selon un mode de réalisation particulièrement avantageux, les moyens d'encliquetage comprennent au moins une paire d'encliquetage 105 pourvue d'une ouverture traversante 105a et d'un bossage 105b ( , et ). Notamment, les moyens d’encliquetage sont agencés pour que l’ouverture traversante 105a d’une paire d’encliquetage d’une section intermédiaire de l’une de deux goupilles empilées coopère avec le bossage 105b d’une paire d’encliquetage d’une section intermédiaire de l’autre de deux goupilles empilées de manière à assurer le maintien par encliquetage desdites goupilles empilées.
Plus particulièrement, et à titre d'exemple, la est une représentation schématique de l'empilement de deux goupilles dites respectivement première goupille 1a et deuxième goupille 1b. Sur cette , la face inférieure de la première goupille 1a recouvre la face supérieure de la deuxième goupille 1b. Par ailleurs, et toujours sur l’exemple illustré à la , la paire d’encliquetage, dite première paire, de la première goupille est à l’aplomb de la paire d’encliquetage, dite deuxième paire, de la deuxième goupille. Notamment, dans cet exemple, pour chaque paire d’encliquetage, le bossage est disposé sur la face supérieure (et sur la section intermédiaire) tandis que l’ouverture traversante se trouve en aval dudit bossage selon la direction d’extension latérale de la section intermédiaire considérée. Ainsi, l’encliquetage de la première goupille et de la deuxième goupille fait intervenir une coopération du bossage de la deuxième paire avec l’ouverture traversante de la première paire. Cette coopération implique notamment l’insertion du bossage dans l’ouverture traversante.
L’insertion du bossage dans l’ouverture traversante peut impliquer une légère déformation de l’une des sections intermédiaires de l’une et/ou l’autre de la première et de la deuxième goupille.
En liaison avec les figures 10 à 17, on décrira maintenant un exemple d’assemblage et d’installation d’une structure de support flottant selon l’invention, en particulier la structure de support flottant 2-5 selon le cinquième mode de réalisation de l’invention.
Bien entendu, le procédé d’assemblage appliqué aux autres modes de réalisation de l’invention découle de manière évidente de celui décrit ci-après.
L’assemblage peut être réalisé à quai ou sur une plateforme d’assemblage en mer (de type catamaran) pouvant être submersible. Le recours à un catamaran submersible permet de gagner en autonomie, de ne pas être dépendant du site de montage et surtout de la disponibilité des moyens de levage sur le site.
Préalablement au démarrage de l’assemblage, les connecteurs inférieur et supérieur, ainsi que les ensembles unitaires flottant peuvent être construits en série.
Dans une première étape, un contrepoids 42 de forme cylindrique est posé au sol sur le site d’assemblage, ce contrepoids étant destiné à être arrimé par des tendons 50 aux nœuds de flottaison 24 des ensembles unitaires flottant 18 afin d’assurer un ancrage gravitaire de la structure de support flottant (voir la mise en situation illustrée à la ).
Dans le mode de réalisation représenté sur la , ce contrepoids 42 présente un évidement central 44 destiné à recevoir le connecteur inférieur de la structure de support flottant.
Dans l’étape suivante illustrée par la , le connecteur inférieur 4 de la structure de support flottant est déplacé (par exemple à l’aide d’une grue ou d’un portique de levage) pour être positionné dans l’évidement 44 du contrepoids 40. En absence d’un tel évidement, le connecteur inférieur est déposé directement sur le contrepoids.
Au cours de l’étape suivante ( ), des supports de positionnement 46 sont avantageusement disposés sur le site d’assemblage autour du contrepoids 42 aux endroits précis où devront reposer les modules de flottaison des ensembles unitaires flottant.
Ces supports de positionnement 46 permettront un positionnement rapide et précis des éléments unitaires flottant ainsi qu'un ajustement parfait de la verticalité des colonnes centrales lors de la mise en place du connecteur supérieur. Bien entendu, ils seront réutilisables.
Comme représenté sur la , les éléments unitaires flottant 18 sont assemblés les uns après les autres sur le connecteur inférieur 4. A cet effet, chaque élément unitaire flottant 18 est soulevé (à l’aide de la grue ou du portique de levage) pour introduire verticalement l’extrémité inférieure de sa colonne centrale 8 dans l’un des réceptacles 10 du connecteur inférieur. L’élément unitaire flottant est également pivoté autour de sa colonne centrale pour faire reposer son module de flottaison 26 sur l’un des supports de positionnement 46.
La représente l’avancement du processus avec l’assemblage d’un second élément unitaire flottant 18 sur le connecteur inférieur 4.
La représente la structure une fois l’ensemble des éléments unitaires flottant 18 assemblés sur le connecteur inférieur 4.
Une fois l’ensemble des éléments unitaires flottant 18 assemblés puis fixés (par soudage, par collage ou par assemblage mécanique) sur le connecteur inférieur 4, l’étape suivante représentée à la consiste à assembler (à l’aide de la grue ou du portique d’assemblage) le connecteur supérieur 6 sur l’extrémité supérieure des colonnes centrales, puis d’assurer une fixation de ces pièces entre elles (par soudage, par collage ou par assemblage mécanique).
Une plateforme de contrôle 48 peut ensuite être montée autour de l’extrémité supérieure du connecteur supérieur 6.
Dans une dernière étape d’assemblage de la structure de support flottant 2-5 ( ), les câbles 36 sont fixés aux nœuds de flottaison 24 respectifs des ensembles unitaires flottant 18 puis sont mis en tension. Le mât et la turbine de l’éolienne peuvent alors être installés à l’aide de la grue ou du portique de levage.
Comme représenté sur la , la maintenance de l’éolienne offshore montée sur une structure de support flottant selon l’invention (ici la structure 2-1 à quatre ensembles unitaires flottant de la ) est possible notamment pour permettre le remplacement des composants de la turbine 52 ou des pales 54.
Dans une configuration particulière, la cellule peut comporter en outre une deuxième couche d’oxyde d’indium disposée contre la première couche de semi-conducteur sélective de charge, des parties de cette deuxième couche d’oxyde d’indium étant disposées entre les premières régions de la première couche de semi-conducteur sélective de charge et les premières portions d’oxyde transparent conducteur comportant du zinc, et dans laquelle l’épaisseur de la deuxième couche d’oxyde d’indium est inférieure ou égale à 15 nm.
La cellule décrite dans ce document peut correspondre à une cellule à contacts passivés, ou toute cellule faisant appel à des contacts via des couches d’OTC, comme par exemple une cellule de type TOPCon (à contacts passivés par oxyde de silicium tunnel), une cellule à structure à hétérojonction basse température, une cellule à multi-jonctions. En particulier, cette cellule peut correspondre à une cellule utilisant un contact passivé type hétérojonction de silicium (a-Si:H(dopé)/a-Si:H(i)) ou de type TOPCon double face poly-Si(dopé)/SiOx.
Dans un mode de réalisation particulier : - la cellule photovoltaïque peut être une cellule photovoltaïque tandem, et - le substrat, les première et deuxième couches de passivation, et les première et deuxième couches de semi-conducteur sélective de charge peuvent former une première sous-cellule de la cellule photovoltaïque tandem ; - la cellule photovoltaïque tandem peut comporter en outre une deuxième sous-cellule disposée entre la première couche d’oxyde d’indium et la première sous-cellule.
La deuxième sous-cellule peut comporter au moins une couche de matériau de structure pérovskite. En variante, la deuxième sous-cellule peut être de type CIGS, ou GaAs.
La cellule peut comporter en outre une couche d’oxyde transparent conducteur comportant du zinc disposée entre la première couche d’oxyde d’indium et la deuxième couche de semi-conducteur sélective de charge.
Il est également proposé un procédé de réalisation d’une cellule photovoltaïque, comportant au moins : - réalisation d’une première couche de passivation contre une première face d’un substrat semi-conducteur cristallin d’un premier type de conductivité, la première face du substrat étant destinée à être disposée du côté d’une face avant de la cellule destinée à recevoir une lumière incidente, et d’une deuxième couche de passivation contre une deuxième face du substrat disposée du côté d’une face arrière, opposée à la face avant, de la cellule ; - réalisation, contre la première couche de passivation, d’une première couche de semi-conducteur sélective de charge dopée selon le premier type de conductivité, et d’une deuxième couche de semi-conducteur sélective de charge dopée selon un deuxième type de conductivité, opposé au premier type de conductivité, contre la deuxième couche de passivation ; - dépôt d’une première couche d’oxyde d’indium sur la deuxième couche de semi-conducteur sélective de charge, et dépôt d’une couche d’oxyde transparent conducteur comportant du zinc sur la première couche de semi-conducteur sélective de charge ; - réalisation de contacts électriques de face arrière de la cellule sur la première couche d’oxyde d’indium et de contact électriques de face avant de la cellule sur la couche d’oxyde transparent conducteur comportant du zinc ; - gravure au moins partielle des parties de la couche d’oxyde transparent conducteur comportant du zinc non recouvertes par les contacts électriques de face avant, conservant des premières portions de la couche d’oxyde transparent conducteur comportant du zinc disposées entre les contacts électriques de face avant et des premières régions de la première couche de semi-conducteur sélective de charge, et telle que des deuxièmes régions de la première couche de semi-conducteur sélective de charge, localisées entre et/ou à côté des premières régions de la première couche de semi-conducteur sélective de charge, ne soient pas recouvertes d’oxyde transparent conducteur comportant du zinc ou soient recouvertes de deuxièmes portions de la couche d’oxyde transparent conducteur comportant du zinc de plus faible épaisseur que celle des premières portions d’oxyde transparent conducteur comportant du zinc.
Ce procédé propose d’effectuer la localisation de l’oxyde transparent conducteur sous les contacts électriques de face avant. Plus précisément, il est proposé un processus de gravure, par exemple une gravure humide sélective, sur une large surface de l’OTC comportant du zinc, dans lequel les métallisations, déposées préalablement sur cet OTC, remplissent à elles seules le rôle de masquage à la gravure, sans impact sur leur fonctionnalité, et permettant d’apporter des effets bénéfiques à la cellule (courant, stabilité dans le temps, hydrogénation). L’écart de cinétique de gravure entre l’OTC comportant du zinc et l’oxyde d’indium permet en outre de ne pas à avoir recours à un masquage du côté de la face arrière de la cellule.
Ce procédé permet une réduction des étapes de gravure dans le cas de procédé par voie humide en ne recourant pas à un masquage sacrificiel, avec des réactifs déjà largement utilisés dans l’industrie photovoltaïque, et grâce à la différence de cinétique entre les OTC à base de zinc et les OTC à base d’indium.