INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Les valeurs des coefficients de raideur k X et C Y correspond à ce dimensionnement, valeurs obtenues par simulation numérique, sont données dans le tableau 3.
Un exemple numérique correspond à la liaison de l’art antérieur, de la , est présenté aussi à titre de comparaison. Les dimensions des différents éléments de cette liaison sont repérées sur la . Les valeurs de ces dimensions sont données dans le tableau 2, en microns. Les valeurs des coefficients de raideur k’ X et C’ Y correspond à ce dimensionnement, obtenues par simulation numérique, sont données dans le tableau 3.
[Tab. 1] Tableau 1 a 1.7 b 100 c 10 d 3.6 e 3.6 f 10 g 120 l 100 m 2 n 2 o 5 p 1 t MEMS 20 t NEMS 0.25
[Tab. 2] Tableau 2 a 4.15 b 30 c 12 d 13 e 5 f 15 g 120 t MEMS 20
[Tab. 3] Tableau 3 raideurs Art antérieur (figure 3) Exemple de mise en œuvre de la présente technologie (figure 8) rapport Raideur en x, en N/m 5.10 3 6,2 .10 5 120 fois plus grande Raideur en rotation (rotation autour de Δ 1 , parallèle à Y), en N.m/rd 1,4 .10 -6 5,9 .10 -8 24 fois plus petite
Comme on peut le constater sur cet exemple, la nouvelle configuration de liaison présentée ici permet à la fois d’augmenter la raideur en x, tout en réduisant substantiellement la raideur en rotation autour de l’axe de rotation de la masse considérée (et tout en facilitant la fabrication/reproductibilité du dispositif).
Dispositif et procédé de surveillance de l’état de serrage d’un organe de liaison La présente demande concerne de manière générale le domaine de la maintenance et de la surveillance des installations industrielles, ouvrages de génie civil et équipements de transport, et plus particulièrement la surveillance de l’état de serrage, de l’environnement et du comportement d’organes de liaison mécanique utilisées dans ces installations, ouvrages et équipements de transport.
ETAT DE LA TECHNIQUE Dans les installations industrielles, les ouvrages de génie civil mais aussi les équipements de transport, en particulier pour les équipements pourvus de composants mécaniques, il est indispensable que les liaisons par serrage de certains de ces composants, considérés comme critiques, soient garanties.
Les conditions ionosphériques sont nominales lorsque des couches de la haute atmosphère comprennent des ions qui ont une densité suffisante pour réfléchir des ondes électromagnétiques. Alternativement, le signal d’alarme est transmis au système de navigation de manière à paramétrer le filtre selon des conditions ionosphériques dégradées lorsque l’ensemble des premières valeurs de test sont supérieures à un troisième seuil prédéterminé.
Selon une autre alternative, on exclut pendant une durée ajustable le satellite dont la pseudo-distance a été retirée.
De préférence, le filtre est un filtre principal.
Le nombre de calcul effectué est alors réduit car le procédé ne requiert pas d’utiliser des filtres secondaires.
L’invention a également pour objet un dispositif de contrôle de l’intégrité d’une pluralité de mesures de pseudo-distances acquises par un système de navigation à partir de signaux émis par une constellation de satellites, le dispositif comprenant :
- des moyens de calcul aptes, pour chaque satellite de la constellation, de calculer une première innovation reflétant l’écart entre la pseudo-distance mesurée issue dudit satellite et une valeur estimée à posteriori de ladite pseudo distance élaborée par un filtre.
Plus particulièrement, le dispositif comprend :
- des moyens de mise à jour de chaque première innovation en fonction de la moyenne de l’ensemble des premières innovations de manière à constituer une deuxième innovation à laquelle une variance est associée ;
- une unité de calcul apte à calculer un premier groupe de premières valeurs de test en fonction de l’ensemble des deuxièmes innovations et leurs variances ;
- des moyens de traitement aptes à maintenir l’ensemble des pseudo-distances mesurées de manière à calibrer le filtre si l’ensemble des premières valeurs de test est inférieur à un premier seuil prédéterminé, sinon aptes à effectuer :
- un retrait de la pseudo-distance dont la deuxième innovation est associée à la première valeur de test la plus élevée ainsi qu’un retrait de la première innovation qui lui est associée ;
- une deuxième mise à jour de chaque première innovation en fonction de la moyenne de l’ensemble des premières innovations restantes de manière à constituer une troisième innovation à laquelle une variance est associée ;
- un calcul d’un deuxième groupe de deuxièmes valeurs de test en fonction des troisièmes innovations et de leurs variances et,
- un maintien des pseudo-distances restantes de manière à calibrer le filtre si l’ensemble des deuxièmes valeurs de test est inférieur audit premier seuil prédéterminé, sinon une transmission d’un signal d’alarme au système de navigation.
Avantageusement, le dispositif comprend des moyens de transmission destinés à envoyer une notification au système de navigation de manière à paramétrer le filtre selon des conditions ionosphériques nominales lorsque l’ensemble des premières valeurs de test est inférieur à un deuxième seuil prédéterminé.
Alternativement, les moyens de traitement sont aptes à transmettre le signal d’alarme au système de navigation de manière à paramétrer le filtre selon des conditions ionosphériques dégradées.
Le réacteur de précipitation à double paroi 10 utilisé présente par exemple une capacité de 4 L et il est en outre équipé d’un agitateur mécanique 11, d’une vanne de collecte 12 destinée à collecter la suspension en fin de synthèse pour procéder à l’étape E2, d’un capteur de mesure de potentiel d’oxydo-réduction 13, d’un capteur de mesure de pH 14, d’un capteur de mesure de température 15 et d’un thermostat 16 pour réguler la température à l’intérieur du réacteur. Le chauffage du réacteur peut être réalisé, par exemple, par circulation d’eau chaude ou d’une vapeur d’eau dans la double paroi du réacteur ou via un serpentin plongé dans la solution initiale contenue dans le réacteur.
A l’étape E1.2, le pH de la solution préparée à l’étape E1.1 est ajusté entre 1 et 3, de préférence entre 1,5 et 2,5, à l’aide d’une base (LiOH, NH 4 OH ou autre).
A l’étape E1.3, on ajoute progressivement la source de lithium et la source de fer(II) à la solution issue de l’étape E1.2. L’ajout est préférentiellement mené de sorte à maintenir le pH entre 3,5 et 7,5, préférentiellement entre 5 et 7. Le maintien du pH à des valeurs inférieures à 7 permet d’éviter la formation de phases indésirables, comme par exemple, Fe(OH) 3 ou Li 3 PO 4 . En effet, Le composé LiFePO 4 n’étant pas encore stable à ce stade du procédé, il pourrait se re-dissoudre dans le milieu à des pH acides (inférieurs à 3,5).
On peut par exemple choisir une source de lithium basique de sorte à réguler le pH, par exemple une solution aqueuse d’hydroxyde de lithium à la concentration comprise entre 1 mol/L et 3 mol/L préalablement préparée par dissolution du sel d’hydroxyde de lithium et stockée dans une cuve 17.
La source de fer(II) est par exemple une solution aqueuse de sulfate de fer(II) dont la concentration est comprise entre 1 mol/L et 3 mol/L préalablement préparée dans une cuve 18 par dissolution de sulfate de fer(II) solide dans de l’eau.
Afin d’assurer automatiquement la régulation du pH et le maintenir dans la gamme ciblée, on peut introduire les sources de lithium et de fer dans le réacteur 10 à l’aide de pompes doseuses 19 et 20 équipées de régulateurs de débit 21 et 22 pour contrôler le débit d’ajout de ces réactifs 4,5 dans le réacteur 10. On peut en outre équiper le réacteur d’un contrôleur de pH 23 connecté au régulateur 21 de la pompe doseuse 19 qui alimente le réacteur 10 en hydroxyde de lithium et qui va réguler le débit d’injection de l’hydroxyde de lithium en fonction de la valeur de pH mesurée par le capteur de pH 14.
Durant l’étape E1.2, la solution aqueuse d’hydroxyde de lithium (LiOH) est ajoutée au mélange contenant la source de phosphore, l’agent réducteur et, le cas échéant, un contrôleur de croissance, pour ajuster le pH entre 1 et 3, de préférence entre 1,5 et 2,5. Ensuite, le reste de la solution de LiOH et le sulfate de fer sont par exemple introduits dans le réacteur avec un débit fixe compris entre 0,1 L/h et 2,5 L/h jusqu’à ce que la valeur de pH maximale tolérée soit atteinte. Puis, au cours de l’étape E1.3, la solution d’hydroxyde de lithium ou une autre base est introduite avec un débit variable selon la consigne de pH fixée par le contrôleur de pH 23, de sorte à ce que le pH reste dans la gamme de valeurs tolérées, jusqu’à épuisement de la solution de LiOH.
Dans l’étape E1.4, la solution de précipitation ainsi formée est laissée sous agitation jusqu’à l’obtention de particules de taille et de morphologie souhaitée. L’étape E1.4 est donc une étape de maturation.
Selon un mode de réalisation alternatif de l’étape E1, les sources de lithium, de fer(II), de phosphore, les nano-objets de carbone et l’agent réducteur sont introduits directement dans le réacteur de précipitation. Puis, la base, par exemple une solution d’hydroxyde d’ammonium, est introduite progressivement, à débit contrôlé, jusqu’à ce que la valeur du pH cible soit atteinte.
L’étape E1 peut être mise en œuvre avec d’autres ordres d’introduction des réactifs.
Dans les modes de réalisation de l’étape E1 précédemment décrits, l’étape E1 est réalisée dans un réacteur agité 1, par exemple à une vitesse comprise entre 800 rpm (tours par minute) et 1200 rpm. Alternativement, le réacteur de précipitation utilisé dans l’étape E1 permet de produire les particules LFP/C en mode continu.
Préférentiellement, le potentiel d’oxydo-réduction final (Ef) du mélange réactionnel à la fin de l’étape E1 est compris entre 0 mV et 100 mV, encore plus préférentiellement entre 10 mV et 50 mV.
Finalement, le procédé selon l’invention comprend avantageusement une seule étape E1 de synthèse en milieu liquide, préférentiellement en milieu aqueux, des particules LFP/C. De ce fait, le procédé ne nécessite pas d’étapes de mélange mécanique, de broyage et de traitement thermique pour l’obtention desdites particules LFP/C. La rentabilité du procédé de préparation de particules LFP/C micro-nanostructurées par co-précipitation s’en trouve améliorée. En outre, il est possible de contrôler la morphologie, la taille de grains et la porosité des particules LFP/C nanoporeuses qui seront obtenues à l’issue des étapes E2, E3 et E4 telles que décrites par la suite simplement par le choix des conditions de mise en œuvre de cette unique étape de synthèse E1.
Dans une étape E2, on sépare les particules LFP/C de la solution de précipitation. Selon un mode de réalisation, la séparation solide liquide est réalisée par filtration, par exemple, en utilisant un filtre-presse. D’autres procédés de séparation mécaniques, comme par exemple la centrifugation, peuvent être utilisés. On obtient ainsi un précipité LFP/C humide.
L’étape E2 peut comprendre en outre le lavage du précipité LFP/C humide. Selon un mode de réalisation, le lavage est réalisé à l’eau. Le lavage consiste à éliminer les impuretés adsorbées à la surface du précipité LFP/C, par exemple, les sels et les ions métalliques qui sont solubles dans l’eau, ainsi que l’acide résiduel issu de l’étape E1. Le lavage peut être suivi en mesurant les propriétés physico-chimiques du liquide du lavage, par exemple, son pH ou sa conductivité ionique (en µS/cm). Par exemple, le lavage doit être poursuivi jusqu’à ce que le pH de la solution de lavage soit compris entre 6,5 et 7,5.
Dans une étape E3, on sèche les particules LFP/C humides. A titre d’exemple, le séchage peut être réalisé sous vide à une température comprise entre 60 °C et 100 °C. Alternativement, le séchage peut être réalisé sous atmosphère inerte, par exemple sous atmosphère de diazote.
représente un deuxième exemple de commutateur RF PCM à actionnement direct selon l’art antérieur.
représente un commutateur RF PCM à actionnement direct selon l’invention.
et illustrent les deux états de fonctionnement ON et OFF du commutateur de la .
illustre l’état OFF du commutateur de la avec deux zones amorphes disjointes.
, et illustrent les différences entre le fonctionnement d’une mémoire PCRAM de l’état de l’art et celui du commutateur selon l’invention.
illustre un premier mode de réalisation des moyens de découplage entre le signal RF et le signal d’actionnement dans un commutateur selon l’invention.
illustre un second mode de réalisation des moyens de découplage entre le signal RF et le signal d’actionnement dans un commutateur selon l’invention.
illustre un troisième mode de réalisation des moyens de découplage entre le signal RF et le signal d’actionnement dans un commutateur selon l’invention.
DESCRIPTION DETAILLEE La représente un commutateur radiofréquence 100 selon l’invention illustré dans un plan Oxy.
Le commutateur 100 comporte : Un premier doigt conducteur 101 ; Un deuxième doigt conducteur 102 ; Une électrode conductrice 103 ; Une couche réalisée dans un matériau à changement de phase 104, dite couche PCM; Un premier plot métallique de sortie transistor 105 ; Un deuxième plot métallique de sortie transistor 106 ; Un pilier d’entrée du signal RF 107 ; Un pilier de sortie du signal RF 108 ; Un premier via de connexion 109 ; Un deuxième via de connexion 110.
De manière avantageuse, la fabrication du commutateur 100 selon l’invention est compatible avec la technologie CMOS. Les deux plots de sortie CMOS 105 et 106 sont ainsi des plots de sortie, par exemple en cuivre, issus de la fabrication d’un transistor CMOS et sont par exemple reliés à la source ou au drain d’un transistor CMOS : les transistors CMOS peuvent permettre de commander l’actionnement du commutateur 100 selon l’invention comme nous le verrons par la suite. Sur chacun des deux plots de sortie CMOS 105 et 106 repose respectivement un via de connexion (premier et deuxième via de connexion 109 et 110) réalisé par exemple en tungstène.
Le pilier d’entrée du signal RF 107 est déposé sur le via de connexion 109 et le pilier de sortie du signal RF 108 est déposé sur le via de connexion 110. Les deux piliers 107 et 108 sont par exemple réalisés en cuivre, chacun ayant une surface inférieure en contact avec la surface supérieure du via 109 ou 110 sur lequel il est déposé.
Le premier doigt conducteur 101 est déposé sur le via de connexion 109 et sa base est en contact avec la surface supérieure du premier via de connexion 109. L’extrémité supérieure du premier doigt conducteur 101 est en contact avec la surface inférieure de la couche PCM 104. De façon illustrative et non limitative, le premier doigt conducteur a par exemple une forme en L avec une première branche horizontale (i.e. suivant l’axe Ox) en contact avec la surface supérieure du premier via de connexion 109 et une deuxième branche verticale (i.e. suivant l’axe Oy) en contact avec la surface inférieure de la couche PCM 104.
Le deuxième doigt conducteur 102 est déposé sur le via de connexion 110 et sa base est en contact avec la surface supérieure du deuxième via de connexion 110. L’extrémité supérieure du deuxième doigt conducteur 102 est en contact avec la surface inférieure de la couche PCM 104. Comme le premier doigt conducteur, de façon illustrative et non limitative, le deuxième doigt conducteur a par exemple une forme en L avec une première branche horizontale (i.e. suivant l’axe Ox) en contact avec la surface supérieure du deuxième via de connexion 110 et une deuxième branche verticale (i.e. suivant l’axe Oy) en contact avec la surface inférieure de la couche PCM 104.
Les zones de contact des premier et deuxième doigt conducteur avec la surface inférieure de la couche PCM 104 sont espacées horizontalement d’une longueur L1 par exemple comprise entre 10 et 200 nm et préférentiellement de l’ordre de 50 nm.
On notera que le commutateur 100 est réalisé par une succession de dépôts de couches, de gravures et de polissage non représentés ici mais connus de l’homme du métier. Ainsi, l’ensemble des éléments conducteurs sont entourés d’une zone isolante 111 formée par une ou plusieurs couches diélectriques, des oxydes ou des nitrures par exemple. Les premier et deuxième via de connexion 109 et 110 assurent la connexion électrique entre la zone inférieure de sortie des transistors CMOS et la zone supérieure de commutation RF.
- r est un nombre entier allant de 1 à 10, de préférence de 1 à 5, plus préférentiellement égal à 5,
- s est un nombre entier allant de 1 à 10, de préférence égal à 2,
- R AC2 représente un radical hydrocarboné divalent linéaire ou ramifié comprenant de 2 à 4 atomes de carbone, et
- p est un nombre entier allant de 2 à 120, de préférence de 1 à 10, plus préférentiellement égal à 2 ou 3.
Comme exemples d’ester hydroxylé de l’acide (méth)acrylique de formule (X-1), on peut citer le 2-hydroxyéthyl acrylate (HEA), le 2-hydroxypropyl acrylate (HPA), 2-hydroxybutyl acrylate (2-HBA), le 4-hydroxybutyl acrylate (4-HBA), le 2-hydroxyéthyl méthacrylate (HEMA), le 2-hydroxypropyl méthacrylate (HPMA), le 2-hydroxybutyl méthacrylate (2-HBMA) et le 4-hydroxybutyl méthacrylate (4-HBMA).
Comme exemples d’ester hydroxylé de l’acide (méth)acrylique de formule (X-2), on peut citer le polycaprolactone acrylate SR 495B (CAPA) de SARTOMER ou l’hydroxyéthylcaprolactone acrylate (HECLA) de BASF.
Comme exemples d’ester hydroxylé de l’acide (méth)acrylique de formule (X-3), on peut citer le BLEMMER ® AP-150, le BLEMMER ® AP-200, le BLEMMER ® AP-400, le BLEMMER ® AP-550, le BLEMMER ® AP-800, le BLEMMER ® AP-1000, le BLEMMER ® AE-90, le BLEMMER ® AE-150, le BLEMMER ® AE-200, le BLEMMER ® AE-350, le BLEMMER ® AE-400, commercialisés par NIPPON OIL & FATS CORPORATION, ou le SR 604 commercialisé par SARTOMER.
Plus préférentiellement, l’ester hydroxylé de l’acide (méth)acrylique est de formule (X-1), encore plus préférentiellement choisi parmi le 2-hydroxyéthyl(méth)acrylate et le 2-hydroxypropyl(méth)acrylate, en particulier le 2-hydroxyéthyl(méth)acrylate.
On entend par « amide hydroxylée de l’acide (méth)acrylique », un amide de l’acide acrylique ou de l’acide méthacrylique dont le radical amide est substitué par au moins un groupe hydroxyle. On peut par exemple représenter un amide hydroxylé de l’acide (méth)acrylique par la formule : CH 2 =CR V -C(=O)-N(R’ N )-R N , dans laquelle R V et R’ N sont tels que décrits ci-dessus et R N représente un radical organique substitué par au moins un groupe hydroxyle.
L’amide hydroxylé de l’acide (méth)acrylique peut avoir la formule (XI) suivante :
(XI) CH 2 =CR V -C(=O)-N(R’ N )-R AC -OH
dans laquelle R V , R’ N et R AC sont tels que décrits ci-dessus.
De préférence, l’amide hydroxylé de l’acide (méth)acrylique a l’une des formules suivantes :
(XI-1) CH 2 =CR V -C(=O)-N(R’ N )-R AC3 -OH
(XI-2) CH 2 =CR V -(=O)-N(R’ N )-R AC3 -O-[C(=O)-(CH 2 ) r -O] s -H
(XI-3) CH 2 =CR V -C(=O)-N(R’ N )-[R AC2 -O] p -H
Dès lors, le circulateur 37 est en fonctionnement pour faire circuler le fluide caloporteur 36 au sein du système de régulation de température 35. Le fluide caloporteur 36 s’écoule dans le circuit de régulation de pile 45 et le régulateur de température 38 pour réguler la température de la pile à combustible 15. De plus, le fluide caloporteur 36 peut s’écouler dans le circuit de régulation de réservoir 50 pour réguler la température notamment par temps froid du réservoir 20 et/ou du combustible 99.
COMMUTATEUR RADIOFREQUENCE DOMAINE TECHNIQUE DE L’INVENTION La présente invention est relative aux commutateurs radiofréquences utilisés notamment mais non exclusivement dans le domaine des télécommunications.
ARRIERE-PLAN TECHNOLOGIQUE DE L’INVENTION Dans le domaine des télécommunications sans fil, les développements se sont orientés vers la conception d’architectures radiofréquences (RF) flexibles avec l’intégration de composants agiles en fréquence (filtres et antennes accordables). Une solution connue pour assurer cette agilité consiste à utiliser des composants dits commutateurs radiofréquences (ou « RF switch » selon la terminologie anglaise) pour permettre notamment l’adaptation de la réponse des dispositifs à plusieurs fréquences. Un commutateur RF permet non seulement d’assurer l’accord en fréquence mais aussi de sélectionner le trajet d’un signal dans un dispositif ou un réseau de commutation. De façon plus générale, les commutateurs RF servent de dispositif de sélection de bandes de fréquences dans des modules d’émission-réception, de dispositif assurant la reconfiguration de la fréquence d’utilisation ou du diagramme de rayonnement d’une antenne, de dispositif de routage entre une partie réceptrice et une partie émettrice ou encore de dispositif d’adaptation d’impédance, notamment capacitive.
Un commutateur RF est un commutateur fonctionnant dans le domaine des radiofréquences (i.e. de quelques kHz à plusieurs centaines de GHz), voire au-delà dans le cas d’applications de l’ordre de quelques THz pour de l’imagerie médicale.
Ce type de commutateur peut être représenté par un circuit équivalent, tel qu’illustré en , qui présente à l’état passant (bassement résistif) dit « état ON », une résistance Ron et à l’état bloqué (hautement résistif) dit « état OFF », une capacité Coff. Les performances électriques d’un commutateur RF sont évaluées à travers les valeurs de Ron et de Coff mais également à travers la valeur de la résistance Roff à l’état OFF. La valeur de Ron renseigne sur les pertes d’insertion à l’état passant (ON) : plus Ron est faible plus les pertes sont minimales. La valeur de Coff renseigne sur le niveau d’isolation à l’état bloqué (OFF) : plus la valeur de Coff est faible, plus le niveau d’isolation est élevé. Outre une valeur de Ron faible et une valeur de Coff faible, on cherchera également à avoir une valeur de Roff la plus élevée possible et donc un ratio Roff/Ron le plus élevé possible. Les performances des commutateurs RF peuvent être caractérisées par une figure de mérite FoM (« Figure of Merite » selon la terminologie anglaise) définie par : FoM=Ron x Coff exprimée en femtoseconde. Plus la FoM est faible, plus les performances du commutateur se rapprochent de celles d’un commutateur idéal. On trouve dans la littérature également une autre expression de la FoM appelée fréquence de coupure (« CutOff Frequency » selon la terminologie anglaise Fc définie par : Fc = 1/ (2π Ron x Coff) exprimée en THz qui traduit aussi les performances électriques du commutateur : plus la valeur de Fc est grande, plus les performances du commutateur se rapprochent de celles d’un commutateur idéal. De plus, l’efficacité d’un commutateur dépend aussi de sa vitesse de commutation entre les deux états, de sa consommation en énergie, de sa taille, de sa tenue en puissance, de sa fiabilité et de sa capacité à s’intégrer dans un process de fabrication CMOS.
La technologie la plus utilisée pour la réalisation des commutateurs RF est actuellement basée sur les semiconducteurs et plus particulièrement sur les transistors MOS (« Metal Oxide Semiconductor » selon la terminologie anglaise) sur substrat SOI (Silicium sur Isolant ou « Silicon On Insulator » selon la terminologie anglaise). Cette technologie donne de bons résultats, notamment en termes de fiabilité et d’endurance, de faible énergie nécessaire à la commutation (comprise entre 50 fJ et 10pJ) et de temps de commutation rapide (compris entre 1 et 100 ns) mais présente des limitations en termes de figure de mérite avec une FoM pouvant aller de 0.5 à 2 THz. Un autre inconvénient de cette technologie concerne la nécessité d’appliquer une tension statique de commande de la grille du transistor tant qu’on souhaite maintenir celui-ci dans un état spécifique ; en d’autres termes, la technologie est volatile et entraîne une consommation d’énergie statique.
On connait également des commutateurs RF à base de dispositifs MEMS (Microsystème électromécanique) qui présentent de bonnes performances électriques et une FoM pouvant atteindre 50 THz. L’inconvénient de ce type de composant réside dans un temps de commutation élevé (au mieux 1 µs).