INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
A cet effet, l’invention a pour objet un dispositif d’habillage intérieur de véhicule utilitaire, caractérisé en ce que ledit dispositif d’habillage intérieur comprend un ou plusieurs panneaux, chaque panneau se présente sous forme d’un flan composite multicouche comprenant au moins une couche de matière de synthèse prise en sandwich entre deux couches de métal, chaque panneau est formé d’une succession de volets reliés par des lignes de pliage s’étendant parallèlement, dans lequel au moins l’un des volets présente une ou plusieurs ouvertures, au moins une de ces ouvertures présente une languette, reliée par une ligne de pliage à l’ouverture, pour passer d’une position dans laquelle elle s’étend à l’intérieur de l’ouverture de manière coplanaire avec l’ouverture à une position dans laquelle elle s’étend au moins partiellement en dehors de l’ouverture, la languette étant pourvue d’au moins une ligne de pliage supplémentaire pour former, dans un état plié de la languette, un crochet.
Le flan multicouche comprenant au moins deux couches en métal assure une résistance mécanique de l’habillage tout en permettant l’ajout de languette pliable pour former un crochet.
La matière de synthèse est par exemple choisie dans le groupe des matières de synthèse formées par les polyoléfines, les polyesters, les polyuréthanes, les polymères minéraux, les polycarbonates, et le métal est, de préférence, de l’aluminium.
Selon un mode de réalisation de l’invention, le flan composite multicouche est aminci au niveau de chaque ligne de pliage. Ceci permet de faciliter la pliure entre les volets.
Par exemple, l’une des deux couches de métal a été usinée à chaque ligne de pliage. De manière préférée, la matière de synthèse a été également usinée entre 60 et 100%, plus préférentiellement entre 70 et 80%, telle qu’environ 75% de son épaisseur. Dans ce mode de réalisation, la pliure est extrêmement aisée. L’intégrité physique du dispositif d’habillage intérieur est assurée par la couche de métal pliée au niveau de la ligne de pliage.
Dans un exemple de réalisation, un flan composite de 3 mm présente un usinage de 73%.
Dans une variante, la couche intermédiaire 118 formée sur le substrat de manipulation massif 102 peut être une couche polymère photo-polymérisable, en particulier à base de résine thiolène. La couche polymère 118 utilisée dans la présente invention peut être par exemple une couche commercialisée sous la référence « NOA 61 » par la société NORLAND PRODUCTS. Dans ce cas, l'épaisseur de la couche polymère 118 est de préférence comprise entre 1 et 10µm.
La couche polymère 118 seule permet de réaliser une bonne adhésion à une autre couche ou un autre substrat. En effet, après l’étape d’assemblage du procédé de fabrication d’un substrat donneur, une étape de traitement de la couche polymère 118 pour obtenir une couche polymère réticulée pour coller le substrat de manipulation 102 au matériau piézoélectrique 114 peut être réalisée. Un traitement de réticulation peut être réalisé sur la couche polymère 118 par usage de chaleur, de pression, par un changement de pH ou par de l'irradiation par un flux lumineux 118, de préférence un laser. Le rayonnement lumineux 118, ou flux lumineux, est de préférence un rayonnement ultra-violet (UV), de préférence d’une longueur d'onde comprise entre 320nm et 365nm.
Ainsi, lors de l’étape d’assemblage comprise lors de l’étape c), le matériau piézoélectrique 114 est assemblé avec le substrat de manipulation massif 102 pour former une héterostructure 124, en mettant en contact la couche intermédiaire 118 avec le matériau piézoélectrique 114. Ainsi, l’interface d’assemblage 126 est située entre le matériau piézoélectrique 114 et la couche intermédiaire 118 du substrat de manipulation 102.
Selon l’invention, une étape d) d’amincissement du matériau piézoélectrique 114 est réalisée après l’étape d’assemblage de l’étape c). L’amincissement est réalisé par meulage ou bien par un procédé de gravure chimique du matériau piézoélectrique 114 pour réduire l’épaisseur t 1 du matériau piézoélectrique 114 pour obtenir une couche piézoélectrique 128 d’une épaisseur t 2 de l’ordre de 20µm, ou encore entre 5µm et 20µm.
Ainsi, l’assemblage 100 substrat de manipulation massif – matériau piézoélectrique, aussi appelé substrat donneur 100, est réalisé à la fin de l’étape d) du procédé comprenant une couche piézoélectrique 128 d’une épaisseur de 20µm ou entre 5µm et 20µm sur un substrat de manipulation massif 102 comprenant une zone de fragilisation 104, avec une interface d’assemblage 126 réalisée par une couche intermédiaire 118 en sandwich entre le substrat de manipulation massif 102 et la couche 128 de matériau piézoélectrique 114.
Dans une variante, la couche intermédiaire 118 peut être fournie sur le matériau piézoélectrique 114 au lieu de sur le substrat de manipulation massif 102, en particulier sur la surface libre 122 du matériau piézoélectrique 114.
Selon une autre variante, le matériau piézoélectrique 114 peut être fourni directement sur le substrat de manipulation massif 102, sans la présence d’une couche intermédiaire 118 entre les deux.
La montre une variante du premier mode de réalisation de l’invention dans lequel l’étape c1) de fournir une couche intermédiaire 118 est différente par rapport au premier mode de réalisation. L’étape de dépôt de la couche intermédiaire 118 est réalisée sur le substrat de manipulation massif 102 et sur le matériau piézoélectrique 114. Toutes les autres étapes a), b), c) et d) sont les mêmes que dans le premier mode de réalisation. Toutes les caractéristiques communes avec le premier mode de réalisation et utilisant le même numéro de référence que ci-dessus ne seront pas décrites à nouveau, mais il est fait référence à leur description détaillée ci-dessus.
A l’étape c1), une couche intermédiaire 132 est fournie sur le matériau piézoélectrique 114 et une couche intermédiaire 134 est fournie sur le substrat de manipulation massif 102. L’assemblage 136 du substrat de manipulation 102 avec le matériau piézoélectrique 114 est ensuite réalisée à l’interface entre les deux couches intermédiaires 132, 134. En particulier, les couches intermédiaires 132, 134 sont à base de matériau diélectrique, et l’interface 130 est réalisée avec des liaisons de type oxyde – oxyde, en particulier une liaison de type Si-O-Si, qui permet une liaison par force moléculaire stable.
Dans une autre variante, les couches intermédiaires 132, 134 fournies sur le matériau piézoélectrique 114 et sur le substrat de manipulation massif 102 sont composées de différents matériaux diélectriques. Par exemple, la couche intermédiaire 132 fournie sur le substrat de manipulation massif 102 est une couche de Nitrure de Silicium Si 3 N 4 alors que la couche intermédiaire 134 fournie sur le matériau piézoélectrique 114 est une couche d’Oxynitrure de Silicium SiON. Ainsi, l’assemblage du substrat de manipulation massif 102 avec le matériau piézoélectrique 114 est ensuite réalisée à l’interface 130 entre deux couches diélectriques Si 3 N 4 - SiON qui permet aussi une liaison stable.
Un substrat donneur 138 est ainsi obtenu après l’étape d) du procédé, comprenant une couche piézoélectrique 128 d’une épaisseur t 2 de 20µm ou comprise entre 5µm et 20µm sur un substrat de manipulation massif 102 comprenant une zone de fragilisation 104, avec une interface d’assemblage 130 réalisée par deux couches intermédiaires à base de matériaux différents 132, 134.
La montre un deuxième mode de réalisation de l’invention du procédé de fabrication d’un substrat donneur. Dans ce deuxième mode de réalisation, l’étape c1) de fournir une couche intermédiaire et l’étape c) de fournir le matériau piézoélectrique sont différentes de celles décrites au premier mode de réalisation du procédé de fabrication. Les étapes a) et b) sont les mêmes que celles décrites au premier mode de réalisation du procédé de fabrication. Toutes les caractéristiques communes avec le premier mode de réalisation et utilisant le même numéro de référence que ci-dessus ne seront pas décrites à nouveau, mais il est fait référence à leur description détaillée ci-dessus.
Selon le deuxième mode de réalisation de l’invention, l’étape c) de fournir un matériau piézoélectrique 142 au-dessus du substrat de manipulation massif 102 est réalisée par déposition par épitaxie d’une couche 140 à base de matériau piézoélectrique 142.
Pour pouvoir fournir une couche 140 à base de matériau piézoélectrique 142 par épitaxie, une étape c1) est nécessaire pour fournir une couche de germe 144 (en anglais « seed ») pour la croissance épitaxiale successive d’une couche. Cette étape c1) de fournir une couche de germe 144 est réalisée aussi par déposition par épitaxie d’une couche à base de matériau piézoélectrique 142 à des températures comprises entre 970 o C et 1050 o C. Par exemple, le matériau piézoélectrique 142 déposé est à base de Nitrure de Gallium GaN, mais il peut aussi être un autre type de matériau, tel que le Nitrure d’Aluminium AlN. La couche de germe 144 comprend une épaisseur t 3 de 50nm à 500nm.
Selon le procédé du deuxième mode de réalisation, lorsque l’étape c1) est réalisée et la couche de germe 144 est déposée sur la surface libre 108 du substrat de manipulation massif 102, l’étape b) d’implantation 106 du substrat de manipulation massif 102 est réalisée pour créer la zone de fragilisation 104 du substrat support massif 102. L’implantation 106 d’espèces atomiques ou ioniques est réalisée à travers la couche de germe 144 pour pénétrer dans l’intérieure du substrat support massif 102, incidente sur la surface supérieure 146 de la couche de germe 144.
Dans ce mode de réalisation, la dose d’implantation est inférieure à 6x10 16 cm -2 , en particulier est inférieure à 5x10 16 cm -2 . Une telle dose d’implantation dans le substrat de manipulation massif 102 permet d’augmenter la température à laquelle une fracture du substrat de manipulation 102 le long d’une zone de fragilisation 104 dans le substrat de manipulation 102 peut être obtenue. Par exemple, pour un substrat de manipulation massif 102 à base de Carbure de Silicium SiC, la fracture du substrat 102 peut être obtenue dés 850 o C, mais le fait d’utiliser une dose d’implantation de 4x10 16 cm -2 permet d’avoir une fracture du substrat 102 pour une température de 950 o C.
la illustre une architecture d’un réseau de communications dans lequel un dispositif de contrôle peut être mis en œuvre ;
la est un logigramme représentant des étapes d’un procédé de contrôle, mis en œuvre selon un mode de réalisation particulier ;
la illustre une architecture fonctionnelle d’un dispositif de contrôle.
La illustre une architecture d’un réseau de communications dans lequel un système de contrôle d’un réseau local tel que proposé peut être mis en œuvre. Selon cet exemple particulier, le procédé et le dispositif de contrôle se trouvent sur la passerelle de réseau GW.
Le réseau local (LAN) est par exemple un réseau local IP (Internet Protocol), et les paquets de données sont échangés via le protocole TCP/IP. Le réseau (LAN) comporte selon cet exemple un élément de gestion du réseau (GW) appelé dans la suite « point d’accès » ou « passerelle de service » ou plus simplement « passerelle », et des équipements terminaux (OCi) connectés sur ce réseau local aptes à établir des communications entre eux via la passerelle. La passerelle peut également être considérée au sens large comme un terminal du réseau local. Il s’agit par exemple d’une passerelle domestique connue sous la désignation commerciale de « Livebox ». Elle comporte une fonction de communication Wi-Fi, ou point d’accès (en anglais : Access Point), qui lui permet de communiquer avec les terminaux du réseau sans fil. On rappelle que le terme Wi-Fi recouvre un ensemble de normes de la spécification IEEE 802.11 pour des communications sans fil pouvant aller jusqu’à quelques centaines de mètres. Dans le cadre du Wi-Fi, pour se connecter à la passerelle, un terminal doit être appairé en utilisant un mécanisme d’appairage bien connu de l’homme du métier.
Les communications Wi-Fi peuvent utiliser des fréquences dans des bandes différentes : 2.4, 5 GHz ou 6 GHz. Chaque bande de fréquence peut elle-même être découpée en canaux. Dans la bande 2.4 GHz par exemple, il existe 14 canaux possibles. Chaque canal comporte une fréquence centrale autour de laquelle le signal utile est modulé dans une plage de fréquences de 20 à 22 MHz. Ces canaux peuvent se chevaucher ou non. Le fait que des canaux se chevauchent provoque des interférences entre deux terminaux utilisant deux canaux distincts mais se chevauchant. Le signal de l’un est vu comme un signal perturbateur, ce qui peut diminuer la performance de la communication des deux terminaux, et plus généralement de l’ensemble du réseau. Par ailleurs, dans une zone de grande densité où plusieurs points d’accès Wi-Fi sont présents, les mêmes canaux peuvent être sollicités par deux réseaux locaux différents, ce qui peut entraîner une perturbation de l’un ou des deux réseaux locaux. Un tel problème peut se rencontrer notamment dans zone habitée où plusieurs passerelles domestiques ou répéteurs/extendeurs Wi-Fi ou autres points d’accès Wi-Fi de différents utilisateurs sont très proches les uns des autres.
Alternativement, le point d’accès pourrait être un routeur intelligent, un hub, un terminal mobile positionné en hotspot, etc.
Le réseau local comporte en outre un répéteur (REP). Un répéteur Wi-Fi est de manière connue un appareil se présentant sous la forme d’un boîtier qui, placé dans la zone de couverture Wi-Fi de la passerelle, diffuse le signal dans une zone mal couverte du réseau local. Le répéteur fonctionne comme une seconde passerelle avec les mêmes identifiants.
Outre la passerelle GW et le répéteur REP, le réseau LAN présenté comporte des terminaux OC1, OC2, OC3, OC4 et OC5. Dans l’exemple décrit ici, le terminal OC1 est un téléphone de type smartphone, le terminal OC2 est de type imprimante, le terminal OC3 est de type caméra, le terminal OC4 est de type enceinte connectée et le terminal OC5 est un décodeur numérique (STB). Ils sont aptes à communiquer selon les normes Wi-Fi sur le réseau local via la passerelle GW. Dans l’exemple proposé, les terminaux OC3 et OC4, éloignés de la passerelle (par exemple ils se trouvent à l’étage d’une maison alors que la passerelle est au rez-de-chaussée) sont connectés au répéteur REP, alors que les terminaux OC1, OC2 et OC5 sont connectés directement à la passerelle GW. Dans l’exemple de la , la passerelle utilise 3 canaux de fréquence, notés C1, C2 et C3 et possédant respectivement les fréquences centrales suivantes : 5.0, 2.417 et 2.422 GHz. L’imprimante OC2 et la caméra OC3 (via le répéteur) sont connectées sur le canal 2, les terminaux OC1 et OC5 sur le canal 1 et l’enceinte connectée OC4 sur le canal 3.
Chacun des terminaux OCi du réseau local comporte au moins un identifiant MACi permettant à la passerelle de l’identifier de manière univoque dans le réseau local. Il peut notamment s’agir de son adresse MAC (pour « Media Access Control » en anglais). Selon une variante, l’identifiant du terminal peut être une adresse IP, ou un UUID (pour «Universally Unique Identifier » en anglais), par exemple dans le cas d’un protocole Bluetooth, ou une IMSI (pour International Mobile Subscriber Identity, etc. L’adresse MAC peut être modifiée par la passerelle, notamment si elle constate un dysfonctionnement de type attaque (un terminal-espion ou pirate s’est approprié l’adresse du terminal du réseau local).
Dans l’exemple représenté, la passerelle GW est apte à contrôler le réseau local dans son ensemble de manière à détecter une défaillance globale provoquée par un des terminaux OCi et à y remédier. Par globale, on entend ici que le terminal défaillant perturbe au moins un autre terminal du réseau que lui-même (par exemple, la passerelle, ou un équipement voisin, ou tous les terminaux d’un segment du réseau, ou les terminaux d’un certain type, ou les terminaux situés au-delà d’une certaine distance, etc.)
Selon un exemple, l’équipement OC3 (la caméra) se trouve en bout de portée réseau et le perturbe par l’envoi répétitif de paquets de données vidéo, générant une saturation de la bande passante. Cette saturation peut affecter les communications avec le répéteur, ou les communications du réseau dans son ensemble, ou le canal C3, ou par débordement un des autres canaux, etc.
Selon d’autre exemples, l’équipement OC3 subit une attaque radio par un équipement malveillant qui transmet à sa place des paquets de données, ou dysfonctionne suite à une mauvaise mise à jour logicielle de son pilote Wi-Fi, ou gère mal le roaming entre deux bandes de fréquence Wi-Fi, etc.
La est un logigramme représentant des étapes d’un procédé de contrôle d’un réseau Wi-Fi, conforme à l’invention, mis en œuvre selon un mode de réalisation particulier par le système de contrôle décrit en référence à la . Selon ce mode de réalisation, c’est la passerelle GW qui prend en charge le procédé de contrôle.
Selon un autre mode de réalisation, le dispositif et le procédé peuvent être situés sur un répéteur Wi-Fi (REP).
Selon un autre mode de réalisation, le dispositif et le procédé peuvent être situés sur un terminal quelconque, par exemple le smartphone (OC1).
La représente un procédé de fabrication d’un substrat donneur selon un premier mode de réalisation de l’invention.
Le procédé de fabrication d’un substrat donneur 100 commence par l’étape a) de fournir un substrat de manipulation massif 102. Un substrat massif est un substrat à base d’un seul matériau typiquement d’une épaisseur comprise entre 300µm et 800µm.
Le substrat de manipulation massif 102 est fait avantageusement d’un matériau dont le coefficient de dilatation thermique est proche de celui du matériau du substrat support final sur lequel la couche mince piézoélectrique est destinée à être transférée. Par « proche », on entend une différence de coefficient de dilatation thermique entre le matériau du substrat de manipulation 102 et le matériau du substrat support final inférieure ou égale à 5%, et de préférence égale ou voisine de 0%.
Le substrat de manipulation massif 102 peut être un substrat à base de Silicium. Dans une variante, le substrat de manipulation massif 102 peut aussi être à base de Saphir (Al 2 O 3 ), de Nitrure d'Aluminium (AIN), de Carbure de Silicium (SiC) ou encore d'Arséniure de Gallium (GaAs). Le substrat de manipulation massif 102 peut être un substrat cristallin ou poly cristallin.
Selon l’invention, l’étape b) consiste en la formation d’une zone de fragilisation 104 dans le substrat de manipulation massif 102. La formation de la zone de fragilisation 104 est réalisée par une étape b) d’implantation 106 d'espèces atomiques ou ioniques dans le substrat de manipulation massif 102. L’implantation 106 atomique ou ionique est réalisée sur la surface libre 108 du substrat de manipulation massif 102. L’implantation 106 atomique ou ionique peut être réalisée de telle manière que la zone de fragilisation 104 est située à l’intérieure du substrat de manipulation massif 102 à une profondeur t de la surface libre 108 et sépare une couche 110 du reste 112 du substrat de manipulation massif 102. Les espèces atomiques ou ioniques sont implantées à une profondeur t déterminée du substrat de manipulation massif 102 qui détermine l'épaisseur t de la couche 110. L’épaisseur t est de l’ordre de 300nm, en particulier inférieure à 300nm.
L’implantation 106 ionique peut être une implantation d’ions Hydrogène H+ ou d’ions Hélium He2+ ou encore une co-implantation d’ions Hydrogène H et Hélium He. La dose d’implantation des espèces ioniques est inférieure à 6*10 16 cm -2 , en particulier la dose d’implantation est comprise entre 4*10 16 cm -2 et 6*10 16 cm -2 pour un substrat de manipulation en Silicium.
Selon une variante, des étapes de traitement de surface de la surface libre 108 du substrat de manipulation massif 102 peuvent être réalisées avant l’implantation 106 du substrat de manipulation massif 102. Par exemple, un traitement de nettoyage de type dit RCA.
Lors de l’étape c), un matériau piézoélectrique 114 est fourni au-dessus du substrat de manipulation massif 102.
Il s’agit de préférence d’un substrat massif 116 formé d’un seul matériau piézoélectrique 114 dont l’épaisseur t1 est typiquement de l’ordre d’au moins 300µm, de préférence entre 300µm et 800µm.
Le matériau piézoélectrique 114 peut, par exemple, être du Tantalate de Lithium (LTO), du Niobate de Lithium (LNO), du Nitrure d’Aluminium (AlN), du Titano-Circonate de Plomb (PZT), de la Langasite (LGS) ou du Langatate (LGT).
Selon l’invention, une étape c1) de fournir au moins une couche intermédiaire 118 entre le substrat de manipulation massif 102 et le matériau piézoélectrique 114 est réalisée avant l’étape c), de telle manière que la couche intermédiaire 118 est positionnée en sandwich entre le substrat de manipulation massif 102 et le matériau piézoélectrique 114.
La couche intermédiaire 118 peut être fournie sur le substrat de manipulation massif 102, en particulier sur la surface libre 108 du substrat de manipulation massif 102. La couche intermédiaire 118 peut être déposée directement sur la surface libre 108 du substrat de manipulation massif 102. La formation de la couche intermédiaire 118 sur la surface libre 108 du substrat de manipulation massif 102 peut être réalisée par un dépôt par enduction centrifuge, ou « spin coating » en anglais ou par une technique de croissance thermique ou assisté par plasma telle que un dépôt chimique en phase vapeur activé par plasma PECVD (acronyme de l’expression anglaise « Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ») ou la technique de dépôt physique en phase vapeur PVD (acronyme de l’expression anglaise « Physical Vapor Deposition »).
Avant de réaliser la formation de la couche intermédiaire 118, une ou plusieurs étapes de nettoyage, de brossage ou de polissage de la surface 108 du substrat de manipulation massif 102 peut / peuvent être réalisées pour enlever la présence de particules et de poussière pour obtenir ainsi une surface libre 108 plus propre ce qui permet l’obtention d’une couche intermédiaire 118 de meilleure qualité.
La couche intermédiaire 118 formée sur le substrat support massif 102 peut être une couche diélectrique, par exemple une couche à base d’Oxyde de Silicium SiOx,ou à base de Nitrure de Silicium Si 3 N 4 , ou encore une couche comprenant une combinaison de Nitrure et d'Oxyde de Silicium SiO x N y , ou à base d’Oxyde de Tantale Ta 2 O 5 , à base d’Oxyde d’Aluminium Al 2 O 3 , d’Oxyde d’Hafnium HfO 2 , et d’Oxyde de Zirconium ZrO 2 . Suivant la technologie utilisée pour le collage, la couche intermédiaire 118 formée sur le substrat support massif 102 peut être également une couche de Silicium ou de Carbone amorphe ou de métal.
La couche intermédiaire 118 a une épaisseur comprise entre 2nm et 1000nm.
Séchage par atomisation dans un atomiseur pilote NUBILOSA : température de séchage 190-195°C ; température sortie produit 90 – 95 °C.
Sur la base de ce protocole selon l’invention, plusieurs essais ont été réalisés utilisant des quantités de solution de peroxyde d’hydrogène différentes.
Chacun des protocoles a été utilisé avec deux lots de pois différents (Lots A et B). Pour le protocole témoin, l’essai avec le lot A est répertorié sous la référence essai 1 et l’essai avec le lot B est répertorié sous la référence essai 3. Pour le protocole selon l’invention, les différents essais avec le lot A sont répertoriés sous les références essai 2-XXX, et les différents essais avec le lot B sont répertoriés sous les références essai 4-XXX avec XXX représentant la quantité massique de peroxyde d’hydrogène mise en jeu dans l’essai, exprimée en ppm de peroxyde d’hydrogène par rapport à la masse sèche de l’extrait de protéine de pois.