INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
- la proportion d’ethylhexyl dimethyl PABA telle que le ratio massique de l’ethylhexyl dimethyl PABA sur l’ethylhexyl triazone est de 0 (ethylhexyl dimethyl PABA absent) ou de de 0,5 à 1,1.
Selon cette seconde alternative, de préférence, la composition est exempte de panthenol.
Selon cette seconde alternative, de préférence, la composition comprend de l’huile de sésame et de d’huile d’onagre.
Selon cette seconde alternative, de préférence, les huiles sont de préférence présentes dans une proportion :
- de 1,0 à 5,0% en poids, de préférence de 2,0 à 4,0% en poids, d’huile d’olive, et/ou
- de 4,0 à 8,0% en poids, de préférence de 5,0 à 7,0% en poids, d’huile de coco, et/ou
-de 0,1 à 2,0% en poids, de préférence de 0,2 à 1,0% en poids, d’huile de bourrache, et/ou
- de 0,5 à 5% en poids, de préférence de 1,0 à 3,0% en poids d’huile de sésame, et/ou
- de 0,1 à 2,0% en poids, de préférence de 0,2 à 1,0% en poids, d’huile d’onagre.
Généralement, au sein de la composition selon cette seconde alternative, la proportion cumulée en huile d’olive, huile de coco, huile de bourrache, huile de sésame et huile d’onagre est de 9,0 à 15,0%, de préférence de 11,0 à 13,0% en poids.
La composition peut être préparée par simple mélange de ses constituants.
- un ressort de rappel qui sollicite en permanence le pêne demi-tour vers sa position sortie, et
- la poignée est apte à déplacer le pêne demi-tour depuis sa position sortie vers sa position rentrée lorsqu’elle est déplacée de sa position de repos vers sa position enfoncée.
2) le bandeau de porte comporte un dispositif intérieur de contrôle d’accès accessible depuis l’intérieur du domicile, ce dispositif intérieur de contrôle d’accès étant apte :
- à acquérir les droits d’accès d’un utilisateur présent à l’intérieur du domicile, et
- uniquement si les droits d’accès ainsi acquis autorise le déverrouillage de la porte, à déclencher en réponse le déplacement du mécanisme à pêne vers son état escamoté et à inhiber l’établissement automatique de la communication visiophonique avec le terminal distant même si la poignée est prise en main.
- l’unité de commande comporte un écran tactile visible depuis l’intérieur du domicile, l’unité de commande étant configurée pour afficher sur cet écran tactile les images filmées par le terminal distant lorsque la communication visiophonique avec le terminal distant est établie, et
- l’unité de commande est en plus configurée pour remplir la fonction de dispositif intérieur de contrôle d’accès, l’unité de commande étant configurée à cet effet :
- pour afficher un clavier sur l’écran tactile et pour acquérir un code secret d’ouverture saisie sur ce clavier par une personne située à l’intérieur du domicile, et
- lorsque le code secret d’ouverture acquis par l’intermédiaire de ce clavier correspond à un code pré-enregistré d’ouverture autorisé, pour déclencher en réponse le déplacement du mécanisme à pêne vers son état escamoté tout en inhibant l’établissement automatique de la communication visiophonique avec le terminal distant même si la poignée est prise en main.
- le bandeau de porte comporte un dispositif extérieur de contrôle d’accès accessible depuis l’extérieur du domicile, ce dispositif extérieur de contrôle d’accès étant apte à acquérir les droits d’accès d’une personne présente à l’extérieur du domicile, et
- l’unité de commande est apte à recevoir les droits d’accès acquis par le dispositif extérieur de contrôle d’accès et, uniquement si les droits d’accès ainsi acquis autorise le déverrouillage de la porte, à déclencher en réponse le déplacement du mécanisme à pêne vers son état escamoté tout en inhibant l’établissement automatique de la communication visiophonique avec le terminal distant même si la poignée est prise en main.
5) les dispositifs intérieur et extérieur de contrôle d’accès sont chacun apte à acquérir les droits d’accès enregistrés sur un même badge.
6) l’unité de commande comporte un écran, une caméra et un microphone aptes à établir la communication visiophonique avec le terminal distant.
7) l'unité de commande comporte un récepteur sans fil apte à recevoir la commande de déverrouillage par l'intermédiaire d'un réseau sans fil grande distance de transmission d'informations.
Le matériau décoratif pourra par exemple comprendre de l’argent, qui peut entre autres être déposé par oxydoréduction en mettant en contact une solution de nitrate d'argent ammoniacal avec une solution de réducteur.
Le matériau décoratif est donc fourni à l’état fluide, dans la mesure où il comprend notamment un ou plusieurs solvants.
Dans les procédés connus de revêtement du verre non feuilleté par un matériau décoratif à l’état fluide, on dépose directement le matériau décoratif fluide sur une face du verre non feuilleté de manière à former une couche de revêtement décoratif et on procède au séchage de cette couche de revêtement décoratif.
Ainsi, dans le cas d’un procédé de laquage classique, le séchage de la laque est obtenu par passage dans un four à une température supérieure à 160°C. Typiquement, les laques Glassolux nécessitent un chauffage pendant au moins 2,5 minutes à une température d’au moins 160°C.
De même, dans le cas d’un procédé d’argenture classique, la couche de vernis protecteur est appliquée au-dessus de la couche de matériau réfléchissant, par exemple au moyen d’une vernisseuse à rideau, le séchage du vernis étant réalisé par passage dans un four de sorte que la température atteinte en surface de la couche de vernis protecteur soit supérieure à 170°C pendant au moins deux minutes.
En résumé, les laques de même que les vernis utilisés classiquement dans la fabrication des miroirs sont des peintures monocomposant qui nécessitent une énergie thermique suffisante pour réticuler et atteindre les niveaux de performance attendus en termes de résistance chimique (anti corrosion) et mécanique (rayure), pour lesquels il est d’usage de maintenir le panneau de verre dans un four de sorte que la température atteinte en surface de la couche de vernis protecteur soit supérieure à 170°C pendant au moins deux minutes.
Quel que soit le mode de réalisation du dépôt de la couche de revêtement décoratif, on constate qu’un séchage par chauffage à température élevée est mis en œuvre dans les procédés de revêtement du verre non feuilleté classiquement utilisés dans le domaine des verres monolithiques et nécessaire pour obtenir la bonne réticulation de cette couche de revêtement décoratif, et ce de plus en une durée acceptable dans un procédé de fabrication industriel.
Ces procédés ne sont malheureusement pas transposables directement aux panneaux de verres feuilletés puisque l’étape de chauffage provoque le bullage du matériau intercalaire.
La est une photographie d’un panneau de verre feuilleté du type Stadip® 44.2 produit par Saint-Gobain revêtu d’une couche de revêtement décoratif de type couche d’argent + vernis protecteur après traitement thermique classique c’est-à-dire un chauffage dans un four à infra-rouges de sorte que la température de surface du panneau de verre feuilleté soit égale à 170°C pendant une durée de deux minutes, la correspondant au même panneau de verre feuilleté juste avant le traitement thermique.
On constate sur la que le procédé de revêtement suivant l’art antérieur provoque le bullage du matériau intercalaire, y compris assez loin des bords, bullage qui n’est pas présent juste avant l’étape de chauffage comme le montre la .
Il n’est pas rentable d’envisager de tels procédés suivis d’une étape de découpe des bords et du déclassement de ceux-ci.
Pendant toute l’étape de séchage par chauffage qui suit le dépôt du revêtement décoratif dans le cas du panneau de verre de , le profil de température suivi par la surface externe de la couche de revêtement décoratif a été suivi au moyen de six thermocouples répartis sur cette surface. Ce profil est reproduit sur la .
On constate sur la que tous les points de la surface externe de la couche de protection atteignent une température supérieure à 170°C pendant au moins 30 secondes et une température supérieure à 140°C pendant au moins 2 minutes et 30 secondes.
Outre le bullage, le séchage par traitement thermique peut dans certains cas entraîner le jaunissement du matériau intercalaire polymère, ce qui peut être gênant dans des cas particuliers de revêtements décoratifs suivant l’invention. Le jaunissement est notamment à éviter dans le cas où le revêtement décoratif est du type miroir puisqu’il altère la couleur de l’image réfléchie par le miroir. Ce problème peut aussi être sensible et gênant dans le cas où le revêtement décoratif comprend une laque de couleur claire.
Il apparaît donc indispensable de modifier les procédés de séchage de la couche de revêtement décoratif 13 de l’art antérieur si l’on cherche à former une couche de revêtement décoratif 13 sur une face externe d’un panneau de verre feuilleté.
L’application de la couche décorative sur une face externe du verre feuilleté déjà constitué est une étape obligatoire du procédé suivant l’invention, malgré sa difficulté de mise en œuvre car elle présente plusieurs avantages.
La est une vue en perspective d’une structure de support flottant de type semi-submersible à cinq ensembles unitaires flottant selon un quatrième mode de réalisation de l’invention.
La est une vue en perspective d’une structure de support flottant de type semi-submersible à six ensembles unitaires flottant selon un cinquième mode de réalisation de l’invention.
La est une vue en perspective d’une structure de support flottant selon une variante de réalisation du premier mode de réalisation de l’invention.
La est une vue en perspective de la structure de support flottant selon une autre variante de réalisation du premier mode de réalisation de l’invention.
à Les figures 10 à 17 sont des vues montrant un exemple des différentes étapes d’un procédé d’assemblage selon l’invention d’une structure de support flottant de la .
La montre un exemple de maintenance sur une éolienne offshore montée sur la structure de support flottant de la .
La est une vue en perspective de la structure de support flottant selon encore une autre variante de réalisation du premier mode de réalisation de l’invention avec une unité centrale de flottaison entre les colonnes centrales.
La est une vue en perspective d’une variante de réalisation de la structure de support flottant selon le troisième mode de réalisation de l’invention.
La est une vue en perspective d’une structure de support flottant de type semi-submersible et excentrée à deux ensembles unitaires flottant selon un sixième mode de réalisation de l’invention.
La montre une variante de réalisation de la structure de support flottant selon le troisième mode de réalisation.
La montre une autre variante de réalisation de la structure de support flottant selon le troisième mode de réalisation.
La montre un exemple de réalisation d’un réseau de tuyauterie de ballastage au sein d’une structure de support flottant selon l’invention.
Les figures 1 à 3 représentent une structure de support flottant 2-1 de type semi-submersible selon un premier mode de réalisation de l’invention et destinée à recevoir un mât d’éolienne offshore (non représenté).
Selon l’invention, la structure de support flottant 2-1 comprend un assemblage entre un connecteur inférieur 4, un connecteur supérieur 6, et une pluralité (c’est-à-dire au moins deux, et au nombre de quatre sur le premier mode de réalisation des figures 1 à 3) colonnes centrales tubulaires 8 qui sont toutes identiques et indépendantes les unes des autres de façon à former un pylône s’inscrivant dans le prolongement vertical du mât 9 de l’éolienne.
Les colonnes centrales 8 ont généralement un diamètre compris entre 2 et 4 mètres. Elles peuvent être renforcées ou non à l'intérieur. Elles sont typiquement réalisées à partir de différentes technologies d'assemblage et sont faciles à fabriquer sans investissement important.
Comme représenté sur la , le connecteur inférieur 4 est, dans ce mode de réalisation, une pièce indépendante des colonnes centrales qui est centrée sur un axe vertical X-X du mât de l’éolienne et qui comprend au moins deux (au nombre de quatre sur cet exemple de réalisation) réceptacles inférieurs 10 régulièrement répartis autour de l’axe vertical X-X, ouverts vers le haut et destinés chacun à recevoir par emboîtement de formes complémentaires l’extrémité inférieure d’une colonne centrale 8.
De la même façon que discuté plus haut en référence à la , le module frontal 1 est alors fabriqué et prêt à être assemblé aux autres composants d’un système radiofréquence ou sur une carte d’évaluation 4 du module 1, par exemple de la façon illustrée sur la .
Pour distinguer les deux modes de mise en œuvre du procédé qui sont décrits ci-dessus, l’un en référence aux figures 1 à 11 et l’autre en référence aux figures 12 à 21, et bien que ces deux modes relèvent d’une même approche, notons que le premier des deux modes consiste à reporter d’abord le circuit intégré radiofréquence 11 par sa face avant 113 sur un premier substrat porteur 31, tandis que le second des deux modes consiste d’abord à concevoir des parties du package destiné à maintenir en position relative, et de façon fonctionnelle (de par leurs connexions électriques), le circuit intégré radiofréquence 11 et le composant magnétique 20. Ainsi, le premier mode de mise en œuvre du procédé selon l’invention décrit ci-dessus peut être qualifié de mode « die first / face down », et le deuxième mode de mise en œuvre du procédé selon l’invention décrit ci-dessus peut être qualifié de mode « RDL first ».
Il est à noter que des modules frontaux 1 selon l’invention fabriqués selon les deux modes du procédé selon l’invention décrits ci-dessus présente une capacité de dissipation thermique satisfaisante ce qui rend cette solution adaptée à des applications de haute puissance. Néanmoins, à mesure que le palet 12 est plus épais, comme l’épaisseur du package augmente proportionnellement, les chemins de dissipation thermique peuvent venir à se dégrader. De plus, l’épaisseur totale du package est élevée et essentiellement déterminée par la somme de l’épaisseur du circuit intégré radiofréquence 11 et du palet 12, cette épaisseur étant encore augmentée si la liaison du module frontal 1 à d’autres éléments d’un système radiofréquence ou à une carte d’évaluation 4 peut faire intervenir des connexions par fils électriques (ou « wire bonding » selon la terminologie anglo-saxonne). Ainsi, dans le cas où l’application nécessiterait de pouvoir bien dissiper la chaleur émise, on préfèrera les autres exemples de réalisation dans lesquels le circuit intégré et le palet sont dans une même couche diélectrique.
Comme mentionné plus haut, une seconde approche est également proposée qui permet d’aboutir à ce que le circuit intégré radiofréquence 11 et le composant magnétique 20 se situent tous deux dans un même niveau 101 du module frontal 1. Cette seconde approche se décline en deux modes de mise en œuvre du procédé de fabrication selon l’invention dont un mode nommé troisième mode de mise en œuvre est décrit ci-dessous en référence aux figures 24 à 31 et l’autre mode nommé quatrième mode de mise en œuvre est décrit ci-dessous en référence aux figures 33 à 41.
Comme illustré sur la , le troisième mode de mise en œuvre du procédé de fabrication selon l’invention comprend tout d’abord un report du circuit intégré radiofréquence 11 et du palet 12 sur le premier substrat porteur 31. Plus particulièrement, le circuit intégré radiofréquence 11 est reporté sur le premier substrat porteur par sa face avant 113 et le palet 12 est reporté sur le premier substrat porteur par une de ses première et deuxième surfaces principales 121, 122.
Notons ici que, sur l’exemple illustré sur la , le circuit intégré 11 présente une structure telle qu’illustrée sur la qui a déjà été décrite plus haut.
S’ensuit, comme illustré sur la , un dépôt du premier matériau diélectrique 16 sur le premier substrat porteur 31 au moins autour du circuit intégré radiofréquence 11 et du palet 12. Dès lors, le circuit intégré radiofréquence 11 et le palet 12 sont maintenus en position relative l’un par rapport à l’autre. Dans le cas d’un surmoulage, une étape de meulage peut être prévue de sorte à ramener l’épaisseur du premier matériau diélectrique 16 à une valeur H1 au-dessus du circuit intégré radiofréquence 11 et à une valeur H2 au-dessus du palet 12, suivant les épaisseurs relatives du circuit intégré radiofréquence 11 et du palet 12 entre elles. En alternative, l’une ou l’autre des valeurs H1 et H2 peut être portée à zéro, exposant ainsi l’une ou l’autre parmi la face arrière 114 du circuit intégré radiofréquence 11 et la surface principale 121 du palet 12 opposée à celle par laquelle le palet 12 a été reporté sur le premier substrat porteur 31.
L’on comprend ainsi que, selon le cas de figure, un meulage du premier matériau diélectrique 16 puisse être prévue pour exposer la face arrière 114 du circuit intégré radiofréquence 11 et/ou la surface principale du palet 12 opposée à celle par laquelle le palet 12 a été reporté sur le premier substrat porteur 31.
Une fois exposées, la face arrière 114 du circuit intégré radiofréquence 11 et/ou la surface principale du palet 12 opposée à celle par laquelle le palet 12 a été reporté sur le premier substrat porteur 31, un dépôt de la première piste métallique de connexion électrique 13, est réalisé, pour obtenir, sur le premier substrat porteur 31, une première partie du module frontal, de la façon illustrée sur la . On notera que la piste métallique de connexion électrique 13 relie entre elles la première surface principale 121 du palet 12 et la face arrière 114 du circuit intégré radiofréquence 11, cette face arrière 114 servant ainsi de connexion à la masse du circuit intégré radiofréquence 11, qui rappelons-le comprend un via 115 à cette fin.
Un transfert de la première partie du module frontal depuis le premier substrat porteur 31 sur le second substrat porteur 32 par la face de la première partie du module frontal sur laquelle est exposée la première piste métallique de connexion électrique 13 est ensuite réalisé comme illustré sur les figures 28 et 29.
De la sorte, la première partie du module frontal peut être traitée depuis sa surface exposée après son transfert, pour finir de former le module frontal 1.
Selon le troisième mode de mise du procédé de fabrication considéré ici, la finalisation du module frontal 1 tel qu’illustré sur la , comprend la formation de la deuxième piste métallique de connexion électrique 14 sur la surface exposée de la première partie du module frontal après son transfert. En référence à la , la deuxième piste métallique de connexion électrique 14 est formée dans une couche de redistribution RDL comprenant, dans cet exemple, deux niveaux métalliques de connexion électrique 141 et 142 interconnectés entre eux par l’intermédiaire de vias métalliques 143 à travers un troisième matériau diélectrique 18.
Après retrait du deuxième substrat porteur 32, on obtient le module frontal 1 tel qu’illustré sur la .
De la même façon que discuté plus haut en référence aux figures 11 et 23, le module frontal 1 est alors fabriqué et prêt à être assemblé aux autres composants d’un système radiofréquence ou sur une carte d’évaluation 4 du module 1, par exemple de la façon illustrée sur la . Notons ici que, contrairement aux assemblages illustrés sur les figures 11 et 23, l’assemblage tel qu’illustré sur la fait intervenir deux connexions par fils de liaison électrique 45 (ou « wire bonding » selon la terminologie anglo-saxonne). Plus particulièrement, la connexion des entrées/sortie du module frontal 1 sur la carte d’évaluation 3 est réalisée par les fils de liaison électrique 45.
Le quatrième mode de mise en œuvre du procédé de fabrication selon l’invention est décrit ci-dessous en référence aux figures 33 à 41.
En référence à la , le quatrième mode de mise en œuvre comprend tout d’abord la formation d’une couche de redistribution RDL comprenant dans cet exemple deux niveaux métalliques de connexion électrique 141 et 142 interconnectés entre eux par l’intermédiaire de vias métalliques 143 à travers un troisième matériau diélectrique 18. Ce réseau RDL comprend l’une des deux pistes métalliques de connexion électrique, à savoir la piste « signal » 14.
Comme point de départ des simulations, la longueur théorique de l’orifice longitudinal 40 est choisie égale au quart de la longueur d’onde d’une fréquence de 2,45 GHz soit 30,6 mm. Les essais et simulations conduisent à une valeur sensiblement différente à quelques millimètres ou dixièmes de millimètre près, en raison de la présence de l’antenne parasite à fente ouverte, pour l’obtention des objectifs mentionnés ci-dessus. Ainsi, au terme de simulations et d’essais, les valeurs suivantes ont par exemple été retenues :
La représente les différentes couches d’une diode électroluminescente organique et d’un dispositif optoélectronique selon l’invention.
La représente le réacteur mis en œuvre selon le procédé de l’invention.
La représente les propriétés de luminance d’une diode électroluminescente organique selon l’invention.
La représente les propriétés de luminance d’une diode électroluminescente organique selon l’invention et d’une diode électroluminescente organique non conforme à l’invention.
D’autres caractéristiques et avantages de la présente invention apparaîtront à la lumière de la description d’exemples non limitatifs de la diode organique électroluminescente selon l’invention, ainsi que de son procédé de fabrication.
Exemples La représente plusieurs schémas de l’empilement d’une OLED conforme à l’invention, à émission de la lumière vers le bas. En particulier, la a représente une diode organique électroluminescente conforme au premier objet de l’invention comprenant successivement, dans l’ordre suivant : - un substrat transparent non conducteur 2 , tel qu’un substrat en verre ou en plastique (par exemple d’épaisseur 1-2 mm), - une couche d’anode transparente conductrice 3 comprenant du PEDOT dopé monophasique ou du PEDOT dopé obtenu par voie sèche oxydative (par exemple d’épaisseur 34 nm), - un système électroluminescent organique ( 4 , 5 ), et - une couche de cathode 6 telle qu’une couche de calcium (par exemple d’épaisseur 80 nm).
Le système électroluminescent organique comprend en particulier une couche de transport de trous 4 telle qu’une couche de NPD (par exemple d’épaisseur 55 nm) , et une couche de transport d’électrons 5 telle qu’une couche de AlQ 3 (par exemple d’épaisseur 85 nm).
La b représente la couche d’anode transparente conductrice 3 comprenant du PEDOT dopé monophasique ou du PEDOT dopé obtenu par voie sèche oxydative, qui a été déposée sur le substrat transparent non conducteur 2 .
La c représente un dispositif optoélectronique 1 composé de cinq diodes électroluminescentes organiques selon l’invention. Le dispositif comprend en particulier, successivement, dans l’ordre suivant : - un substrat transparent non conducteur 2 , tel qu’un substrat en verre ou en plastique (par exemple d’épaisseur 1-2 mm), - une couche d’anode transparente conductrice 3 comprenant du PEDOT dopé monophasique ou du PEDOT dopé obtenu par voie sèche oxydative (par exemple d’épaisseur 34 nm), - un système électroluminescent organique ( 4 , 5 ), et - cinq couches de cathode 6 telles que des couches de calcium (par exemple d’épaisseur 80 nm) sur un même plan, qui est parallèle au plan formé par le système électroluminescent organique ( 4 , 5 ).
Le substrat transparent non conducteur 2 , la couche d’anode transparente conductrice 3 comprenant du PEDOT dopé monophasique ou du PEDOT dopé obtenu par voie sèche oxydative, et le système électroluminescent organique ( 4 , 5 ) sont communs aux cinq diodes, et chacune des diodes électroluminescentes organiques a sa propre couche de cathode 6 .
La taille du substrat transparent non conducteur 2 (en verre ou en plastique) peut être de 24 x 36 cm 2 . Dans le dispositif 1 , le substrat transparent non conducteur 2 peut accueillir jusqu’à cinq OLEDs, i.e. cinq couches de cathode 6 . La surface émissive de chaque OLED est de 0,20 cm 2 .
Exemple 1 : procédé de fabrication d’une OLED conforme à l’invention et selon un procédé conforme à l’invention
Préparation de la couche de PEDOT dopé obtenue par voie sèche oxydative