INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
L’ensemble formé par les premier et deuxième doigt conducteur 101 et 102 et l’électrode conductrice supérieure 103 forme des moyens de chauffage adaptés pour actionner le commutateur 100 de façon réversible d’un premier état passant à un deuxième état bloqué comme nous allons le détailler dans ce qui suit.
Les figures 7 et 8 illustrent les deux états de fonctionnement ON (état bassement résistif) et OFF (état hautement résistif) du commutateur 100 de la .
Sur la , le commutateur 100 est à l’état passant. Le matériau PCM de la couche PCM 104 est à l’état cristallin de sorte qu’il permet l’acheminement 112 d’un signal radiofréquence entre le premier doigt conducteur 101 et le deuxième doigt conducteur 102 à travers la couche PCM 104. Comme nous le verrons par la suite, des éléments de découplage entre le signal RF et le signal d’actionnement du commutateur peuvent s’avérer nécessaire afin d’éviter que le signal RF ne s’achemine vers l’électrode conductrice 103. On note que, contrairement au commutateur à actionnement direct RF PCM de l’état de l’art, le chemin suivi par le signal RF est ici sensiblement horizontal (i.e. suivant la direction Ox parallèle au plan de la couche PCM 104).
Comme illustré en , lorsqu’un signal d’actionnement correspondant à une impulsion de courant DC pendant un laps de temps très court (i.e. quelques nanosecondes) est émis entre le premier doigt 101 et l’électrode conductrice 103, le matériau PCM est chauffé pour arriver partiellement à la fusion. Le signal est alors coupé afin que le matériau refroidisse suffisamment vite pour obtenir une trempe thermique du matériau. Le matériau PCM se fige alors dans un état amorphe sans avoir le temps de reformer le cristal : ce changement d’état se produit dans une zone située entre le premier doigt 101 et l’électrode conductrice 103 de manière à former une première zone amorphe 113. L’opération est répétée entre le deuxième doigt 101 et l’électrode conductrice 103 de manière à former une deuxième zone amorphe 114. On notera que les deux zones amorphes 113 et 114 se recoupent ici mais que le commutateur selon l’invention fonctionnerait également avec deux zones amorphes disjointes telles que représentées en . Les première et deuxième zones du matériau à changement de phase 113 et 114 étant dans l’état amorphe, elles empêchent l’acheminement du signal radiofréquence entre le premier doigt conducteur 101 et le deuxième doigt conducteur 102. Le commutateur 100 selon l’invention est alors à l’état bloqué.
Pour revenir à l’état passant, un autre signal d’actionnement sous la forme d’une impulsion de courant DC pendant un laps de temps plus long que le précédent signal d’actionnement (i.e. d’une dizaine à une centaine de nanosecondes) est émis entre le premier doigt 101 et l’électrode conductrice 103 afin que le matériau PCM de la zone 113 se réorganise dans son état cristallin. La même opération est réalisée entre le deuxième doigt 102 et l’électrode conductrice 103 afin que le matériau PCM de la zone 114 se réorganise dans son état cristallin. Le commutateur 100 se retrouve alors dans l’état passant tel qu’illustré en .
On note ici que le commutateur 100 selon l’invention utilise avantageusement le principe de fonctionnement d’une mémoire de type PCRAM mais avec au moins deux zones mémoires contrairement à une mémoire PCRAM qui n’en a qu’une. Le commutateur 100 selon l’invention se distingue également des commutateurs RF PCM de l’état de l’art en ce qu’il ne nécessite pas de commuter tout le volume du matériau PCM. L’obtention de ces deux zones mémoires est obtenue grâce à la présence des trois terminaux (les deux doigts 101 et 102 sur la surface inférieure de la couche PCM 104 et l’électrode conductrice 103 sur la surface supérieure de la couche PCM 104) agencés de façon à créer et défaire les zones amorphes 113 et 114. La présence de ces deux zones mémoires permet à la structure de répondre aux exigences d’un commutateur RF notamment en termes de ratio Roff/Ron contrairement aux mémoires PCRAM qui présentent des ratios Roff/Ron bien trop faibles (i.e. de l’ordre de 100) : le commutateur selon l’invention permet ainsi d’obtenir un ratio Roff/Ron supérieur à 1000, voire à 10000. Cette différence entre le fonctionnement d’une mémoire PCRAM connue et celui du commutateur selon l’invention est illustrée de manière schématique en référence aux figures 10 et 11.
La représente schématiquement une zone 200 de matériau PCM décomposée en 100 mailles élémentaires carrées 201. A gauche, les 100 mailles élémentaires sont à l’état cristallin. Chaque maille élémentaire ayant sensiblement une résistance élémentaire de 1 Ohms à l’état cristallin, la zone 200 a une résistance Ron à l’état ON sensiblement égale à 100 Ohms (100 mailles élémentaires en série). Cette résistance Ron est la résistance entre le doigt d’entrée inférieur 202 et l’électrode supérieure 203. A droite, la maille élémentaire 204 situé au niveau du doigt 202 commute de l’état cristallin à l’état amorphe. Chaque maille élémentaire ayant sensiblement une résistance élémentaire de 10 kOhms à l’état amorphe, la zone 200 a une résistance Roff à l’état OFF sensiblement égale à 10099 Ohms (99 mailles élémentaires à 1 Ohms et 1 maille élémentaire à 10 kOhms en série). Cette résistance Roff est la résistance entre le doigt d’entrée inférieur 202 et l’électrode supérieure 203. Selon cette configuration, le ratio Roff/Ron est donc sensiblement égal à 100 (100099/100). On retrouve ici une configuration qui est celle des mémoires PCRAM standards avec une électrode inférieure (doigt inférieur 202) et une électrode supérieure 203. Un tel ratio n’est pas compatible avec une application utilisant un commutateur RF.
La représente schématiquement une zone 300 de matériau PCM décomposée en 100 mailles élémentaires carrées 301. A gauche, les 100 mailles élémentaires sont à l’état cristallin. Chaque maille élémentaire ayant sensiblement une résistance élémentaire de 1 Ohms à l’état cristallin, la zone 200 a une résistance Ron à l’état ON mesurée entre le doigt d’entrée inférieur 302 et le doigt de sortie inférieure 304 sensiblement égale à 7 Ohm (deux demi carrés en série ayant chacun une résistance de 0,5 Ohm au niveau des doigts d’entrée 302 et de sortie 304 et 6 carrés plein ayant chacun une résistance de 1 Ohm). A droite, les deux mailles élémentaires 305 et 306 situées respectivement au niveau du doigt d’entrée 302 et du doigt de sortie 304 commutent de l’état cristallin à l’état amorphe. Chaque maille élémentaire ayant sensiblement une résistance élémentaire de 10 kOhms à l’état amorphe, la zone 300 a une résistance Roff à l’état OFF mesurée entre les doigts d’entrée 302 et de sortie 304 sensiblement égale à 10006 Ohms (deux demi carrés en série ayant chacun une résistance de 5000 Ohms au niveau des doigts d’entrée 302 et de sortie 304 et 6 carrés plein ayant chacun une résistance de 1 Ohm). Selon cette configuration, le ratio Roff/Ron est donc sensiblement égal à 1429 (100006/7). On voit donc qu’on gagne ici un facteur supérieur à 10 entre la configuration de la et celle de la . La commutation des zones élémentaires 305 et 306 est obtenue en appliquant une impulsion d’actionnement respectivement entre le doigt d’entrée 302 et l’électrode supérieure 303 et entre le doigt de sortie 304 et l’électrode supérieure 303. Les doigts d’entrée et de sortie 302 et 304 sont assimilables aux premier et deuxième doigt 101 et 102 de la tandis que l’électrode supérieure 303 est assimilable à l’électrode conductrice 103 de la .
Le ratio Roff/Ron peut être encore augmenté en rapprochant les doigts d’entrée et de sortie 302 et 304 comme cela est illustré en . Dans ce cas, on passe d’une résistance Ron de 1 Ohm (les deux demi carrés au niveau des doigts 302 et 304) à une résistance Roff de 10000 Ohms (les deux demi carrés ayant commuté à l’état amorphe et ayant chacun une résistance de 5000 Ohms). Dans ce cas, le ratio Roff/Ron est sensiblement égal à 10000. On gagne cette fois un facteur 100 par rapport à la configuration de mémoire PCRAM de la .
On comprend donc que le commutateur selon l’invention utilise avantageusement la structure d’une mémoire PCRAM comportant deux électrodes de doigts permettant de créer deux zones mémoire à l’aide d’une troisième électrode supérieure, une telle configuration permettant de conserver les avantages d’une mémoire PCRAM en termes de temps de commutation tout en gagnant au moins un facteur 10, voire 100 ou plus, sur le ratio Roff/Ron.
Comme nous l’avons déjà mentionné, des éléments de découplage entre le signal RF et le signal d’actionnement du commutateur peuvent s’avérer nécessaires afin d’éviter que le signal RF ne s’achemine vers l’électrode conductrice 103 de la . Un exemple d’un tel découplage est illustré en (les éléments communs avec la portent les mêmes références). De façon générale, il s’agit d’empêcher la transmission de signaux d’actionnement (impulsion de courant DC permettant de passer de l’état cristallin à l’état amorphe et réciproquement) vers les éléments conducteurs destinés à véhiculer un signal RF et de bloquer la transmission de signaux RF vers les éléments conducteurs destinés uniquement aux moyens de chauffage. Ici, des inductances 115, 116, 119 sont respectivement reliées en série aux piliers de cuivre 107 et 108 (et donc avec les premier et deuxième doigt 101 et 102) et à l’électrode supérieure 103 de sorte que seuls les signaux de chauffage peuvent passer à-travers lesdites inductances, les signaux RF étant bloqués. De même, des condensateurs 117 et 118 sont respectivement reliés en série aux piliers de cuivre 107 et 108 (et donc avec les premier et deuxième doigt 101 et 102) de sorte que seuls les signaux RF peuvent passer à travers lesdites condensateurs, les signaux d’actionnement DC étant bloqués. L’inductance 119 notamment permet d’éviter que le signal RF ne passe par l’électrode conductrice supérieure 103, le cheminement du signal RF se faisant entre le premier doigt 101 et le deuxième doigt 102. Les couples condensateur 117 et inductance 115 (respectivement condensateur 118 et inductance 116) forment des moyens de découplage des signaux RF et DC au niveau du pilier conducteur d’entrée du signal RF 107 (respectivement du pilier de sortie du signal RF 108) : il est ainsi possible d’injecter une impulsion DC d’actionnement du matériau PCM entre le pilier conducteur d’entrée du signal RF 107 et l’électrode supérieure 103 et une impulsion DC d’actionnement du matériau PCM entre le pilier conducteur de sortie du signal RF 108 et l’électrode supérieure 103 tout en conservant les fonctions d’entrée/sortie du signal RF des piliers 107 et 108. Selon une alternative possible, les inductances peuvent être remplacées par des résistances dont la valeur est choisie pour bloquer les signaux RF.
Les signaux d’actionnement (i.e. les impulsions de courant DC) permettant le chauffage du matériau PCM sont réalisés entre chacun des doigts conducteurs et l’électrode conductrice supérieure. Dans la mesure où chacun des doigts est connecté à la fois à un pilier conducteur d’entrée/sortie RF et à un plot métallique de sortie CMOS, ces impulsions peuvent être réalisées entre le pilier conducteur d’entrée/sortie RF et l’électrode conductrice (cas de la ) mais également entre le plot métallique de sortie CMOS et l’électrode conductrice : ce mode de réalisation est illustré en . Ici, une inductance 419 est reliée en série à l’électrode supérieure 103 de sorte que seuls les signaux de chauffage peuvent passer à-travers cette inductance, les signaux RF étant bloqués. De même, des condensateurs 417 et 418 sont respectivement reliés en série aux piliers de cuivre 107 et 108 (et donc avec les premier et deuxième doigt 101 et 102) de sorte que seuls les signaux RF peuvent passer à-travers lesdites condensateurs, les signaux d’actionnement DC étant bloqués. Enfin, des inductances 415 et 416 sont respectivement reliées en série avec les plots métalliques de sortie CMOS 105 et 106 (et donc avec les premier et deuxième doigt 101 et 102) de sorte que seuls les signaux de chauffage peuvent passer à-travers cette inductance, les signaux RF étant bloqués. Selon ce mode de réalisation, les signaux d’actionnement des deux zones de commutation sont réalisés respectivement entre chaque pilier de sortie du transistor CMOS 105, 106 et l’électrode supérieure conductrice 103. Comme précédemment, les condensateurs 417 et 418 permettent de bloquer les signaux d’actionnement. Selon ce mode de réalisation, on utilise avantageusement les transistors CMOS enterrés sous la structure pour actionner le commutateur. Comme évoqué précédemment, les piliers de sortie de transistors sont par exemple reliés au drain ou à la source du transistor.
Selon une variante de réalisation, il est également possible d’avoir une combinaison des modes de réalisation décrits en référence aux figures 13 et 14. Ce mode de réalisation est illustré en . En , des inductances 515, 516, 519, 515’, 516’ sont respectivement reliées en série : aux piliers de cuivre 107 et 108 (et donc avec les premier et deuxième doigt 101 et 102) ; à l’électrode supérieure 103 ; avec les plots métalliques de sortie CMOS 105 et 106 (et donc avec les premier et deuxième doigt 101 et 102), de sorte que seuls les signaux de chauffage peuvent passer à-travers lesdites inductances, les signaux RF étant bloqués. Des condensateurs 517 et 518 sont respectivement reliés en série aux piliers de cuivre 107 et 108 de sorte que seuls les signaux RF peuvent passer à-travers lesdits condensateurs, les signaux d’actionnement DC étant bloqués. Il est ainsi possible d’injecter un premier type de signal d’actionnement du matériau PCM à la fois entre les plots métalliques de sortie CMOS 105 et 106 et l’électrode supérieure 103 de façon à former ou défaire les zones amorphes mais aussi d’injecter directement un second type de signal d’actionnement entre le pilier conducteur d’entrée 107 du signal RF et le pilier 108 conducteur de sortie du signal RF. Contrairement au premier type de signal d’actionnement injecté verticalement, le second type de signal d’actionnement est injecté horizontalement entre les deux piliers 107 et 108. L’intérêt de ce second type de signal d’actionnement est expliqué dans ce qui suit. L’injection d’un signal d’actionnement du premier type entre les plots métalliques de sortie CMOS 105 et 106 et l’électrode supérieure 103 permet de créer ou défaire verticalement les deux zones amorphes : faisons l’hypothèse que ces deux zones amorphes sont disjointes telles que représentées en . L’injection d’une impulsion complémentaire (i.e. du deuxième type) horizontale permet d’augmenter horizontalement le volume des zones amorphes de sorte qu’elles se rejoignent comme c’est le cas sur la .
Inversement, lorsqu’une impulsion d’actionnement visant à défaire les zones amorphes est injectée entre les plots métalliques de sortie CMOS 105 et 106 et l’électrode supérieure 103, il se peut que le changement de phase ne soit pas totalement réversible et qu’il reste de faibles zones amorphes présentes dans la couche PCM. A nouveau, l’injection d’une impulsion complémentaire horizontale permet de supprimer ces zones amorphes restantes où le changement de phase vers la cristallisation n’a pas totalement opéré via un actionnement vertical seul.
En d’autres termes, le signal d’actionnement d’un second type acheminé horizontalement dans la couche PCM entre le premier et le second doigt est un signal visant à corriger l’état des deux zones créées par les signaux d’actionnement du premier type.
– une augmentation de la puissance du signal émis par le point d’accès ;
– l’activation d’une antenne supplémentaire du point d’accès ;
Au cours de l’étape E14, si un terminal perturbateur (OC3) a été détecté, la passerelle met en œuvre une ou plusieurs contre-mesures pour tenter de corriger la perturbation, parmi lesquelles on peut citer, de manière non limitative :
– un « blocage » du terminal perturbateur : refus de connexion, mise en quarantaine, etc. Par exemple, le terminal OC3 est déconnecté pour ne pas perturber le réseau.
– la création d’un réseau Wi-Fi dédié pour le terminal perturbateur ; par exemple le terminal OC3 est assigné à un nouveau canal C4.
– l’activation d’une fonction de répéteur Wi-Fi sur un terminal à proximité du terminal perturbateur ; par exemple le terminal OC3 est assigné à un nouveau répéteur.
– une notification des terminaux perturbés (par exemple en utilisant le protocole UPnP) pour qu’ils quittent le Wi-Fi et changent de type de connexion : passage en Ethernet (par exemple la STB) ou bien dans un autre protocole radio comme Thread/ZigBee/Bluetooth.
– une modification de l’adresse (MAC, IP, etc.) du terminal perturbateur ;
L’étape E14 est découpée en autant de sous-étapes E14j que de mesures prises pour remédier au dysfonctionnement. Par exemple, une notification de l’utilisateur est effectuée au cours d’une étape E140, puis le terminal OC3 est basculé sur un autre canal au cours d’une étape E141, etc.
Puis à l’étape E15, le procédé de contrôle réévalue la situation après la mise en œuvre de ces contre-mesures. À cet effet, il peut revenir à l’étape E11 pour analyser la table d’états dont il dispose en mémoire, qui peut être remise à jour en tâche de fond.
Selon un mode de réalisation, le paramètre global est mesuré de nouveau. En fonction de cette valeur, une nouvelle décision peut être prise selon le nouvel état du réseau.
Si la situation ne s’améliore pas, la passerelle peut prendre des contre-mesures additionnelles.
Au contraire, si la situation s’améliore, elle peut annuler les contre-mesures. Par exemple si le terminal perturbateur est déconnecté et la puissance du signal augmentée, la passerelle peut « annuler » la seconde contre-mesure en diminuant la puissance du signal. En effet, certaines contre-mesures peuvent augmenter la consommation de manière significative ou bien brider la qualité de service. Il est judicieux dans ce cas de les annuler quand le dysfonctionnement est résolu (diminuer la puissance du signal, désactiver/réactiver les fonctions Wi-Fi, désactiver les antennes Wi-Fi qui ont été activées lors de la contre-mesure, etc.).
La représente une architecture fonctionnelle d’un dispositif de contrôle DC.
Le système pour contrôler la performance de l’étanchéité d’une menuiserie selon l’invention peut comprendre une ou plusieurs des caractéristiques suivantes, prises isolément les unes des autres ou en combinaison les unes avec les autres :
- les capteurs de pression sont tous identiques ;
- les capteurs de pression sont reliés par des fils audit au moins un boîtier électronique ;
- les capteurs de pression sont flexibles ;
- les capteurs de pression se présentent chacun sous la forme d’une feuille ;
- les capteurs de pression comportent chacun un adhésif pour permettre leur fixation provisoire sur ledit joint d’étanchéité ou sur un élément de l’ouvrant ou du dormant ;
- les capteurs de pression sont des capteurs de force résistifs (aussi appelé capteurs FSR, qui est l’acronyme de Force Sensing Resistor ) ;
-- les capteurs de pression ont une épaisseur maximale inférieure ou égale à 1mm, de préférence inférieure ou égale à 0,8mm, et plus préférentiellement inférieure ou égale à 0,4 mm ;
- ledit au moins un boîtier comporte :
- un module de collecte des informations émises par les capteurs de pression ;
- un module d’analyse des informations collectées configuré pour générer des informations représentatives de la pression mesurée à partir des informations collectées ; et,
- un module d’affichage des informations représentatives de la pression mesurée ;
- un module de collecte des informations émises par les capteurs de pression ; et,
- un module de communication des informations collectées à un appareil indépendant en vue de l’analyse de ces informations et de l’affichage des résultats d’analyse, voire de l’historicité de ces résultats ;
- ledit au moins un boîtier comporte en outre un dispositif de communication sans fil, du type Bluetooth ou Bluetooth Low Energy par exemple, audit appareil indépendant.
dans lesquelles R V , R’ N , r, s, R AC2 et p sont tels que décrits ci-dessus, et R AC3 représente un radical hydrocarboné divalent comprenant de 1 à 22 atomes de carbone, saturé ou insaturé, aliphatique à chaîne ouverte linéaire ou ramifiée, ou comprenant un ou plusieurs cycles, de préférence de 1 à 14 atomes de carbone, plus préférentiellement de 1 à 6 atomes de carbone.
Plus préférentiellement, l’amide hydroxylé de l’acide (méth)acrylique est de formule (XI-1), encore plus préférentiellement choisi parmi le 2-hydroxyéthyl (méth)acrylamide et le 2-hydroxypropyl (méth)acrylamide.
Alternativement, l’ester hydroxylé ou l’amide hydroxylé peuvent comprendre plus qu’une fonction acrylique et/ou plus qu’une fonction hydroxyle, tels que le glycerol monoacrylate, le triméthylolpropane diacrylate, le pentaerythritol diacrylate, le pentaerythritol triacrylate et le di-pentaerythritol pentacrylate.
De préférence, le polyuréthane comprenant au moins un groupement acrylique et au moins un groupement isocyanate est préparé par un procédé comprenant les étapes suivantes : - E1) la préparation d’un polyuréthane comprenant au moins deux fonctions terminales NCO (de préférence aux extrémités de la chaîne principale) par une réaction de polyaddition : - i) d’au moins un polyisocyanate, de préférence choisi parmi les diisocyanates, les triisocyanates, les oligomères de diisocyanates et leurs mélanges, - ii) avec au moins un polyol, de préférence choisi parmi les polyéther polyols, les polyester polyols, les polyène polyols, les polycarbonate polyols, les poly(éther-carbonate) polyols, les polymères à terminaisons -OH et leurs mélanges, dans des quantités telles que le rapport molaire NCO/OH, noté (r1), est strictement supérieur à 1,0, de préférence va de 1,60 à 1,90, et préférentiellement va de 1,65 à 1,85 ; et - E2) la réaction du produit formé à l’issue de l’étape E1) avec au moins un ester hydroxylé de l’acide (méth)acrylique tel que défini ci-dessus (de préférence 2-hydroxyéthyl(méth)acrylate) ou au moins un amide hydroxylé de l’acide (méth)acrylique tel que défini ci-dessus (de préférence 2-hydroxyéthyl (méth)acrylamide), de préférence avec au moins un ester hydroxylé de l’acide (méth)acrylique, dans des quantités telles que le rapport molaire OH/NCO, noté (r2) est inférieur à 1,00.
(r1) est le rapport molaire NCO/OH correspondant au nombre de groupes isocyanates (NCO) divisé par le nombre de groupes hydroxyles (OH) portés par l’ensemble des polyisocyanates et polyols présents dans le milieu réactionnel de l’étape E1).
Lorsque le polyuréthane à terminaisons NCO est obtenu lors de l’étape E1) à partir d’un mélange de polyisocyanates ou de plusieurs polyisocyanates ajoutés successivement, le calcul du rapport (r1) tient compte d’une part des groupes NCO portés par l’ensemble des polyisocyanates présents dans le milieu réactionnel de l’étape E1), et d’autre part des groupes OH portés par les polyols présents dans le milieu réactionnel de l’étape E1).
(r2) est le rapport molaire OH/NCO correspondant au nombre de groupes hydroxyles (OH) divisé par le nombre de groupes isocyanates (NCO) portés respectivement par l’ensemble des composés hydroxylés et des isocyanates (s’agissant notamment du polyuréthane à terminaisons NCO et éventuellement les polyisocyanates non réagis à l’issue de l’étape E1)) présents dans le milieu réactionnel de l’étape E2). Il est défini de manière à atteindre le nombre de fonctions isocyanate et de fonctions acryliques souhaitées par mole de polymère.
Les polyols utilisés dans l’étape E1) peuvent avoir une masse molaire moyenne en nombre (Mn) allant de 400 à 12000 g/mol, de préférence de 1000 à 8000 g/mol, plus préférentiellement de 1000 à 4000 g/mol.
De préférence, leur fonctionnalité hydroxyle (nombre moyen de groupements hydroxyle par molécule) peut aller de 2 à 3, plus préférentiellement est égale à 2.
Les polyols utilisables sont de préférence choisi parmi les polyéther polyols, les polyester polyols, les polyène polyols, les polycarbonate polyols, les polymères à terminaisons -OH et leurs mélanges, plus préférentiellement parmi les polyéther polyols, les polyester polyols et leurs mélanges, encore plus préférentiellement parmi les polyéther polyols.