INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Selon une variante, le dispositif électronique programmable du système d’affichage, est configuré pour déterminer, à partir des dimensions des images numériques reçues ou d’un ordre externe, quel mode de fonctionnement mettre en œuvre entre le premier mode de fonctionnement décrit en référence aux figures 3 à 6 et le deuxième mode de fonctionnement décrit en référence à la .
Dispositif optoélectronique La présente description concerne de façon générale les dispositifs optoélectroniques et, plus particulièrement, les dispositifs comprenant des pixels et leurs pilotes.
Les pixels d'affichage peuvent être distribués dans une matrice, chaque pixel d'affichage étant situé à l'intersection d'une rangée (également appelée ligne) et d'une colonne de la matrice. Chaque pixel d'affichage comprend par exemple un élément émetteur de lumière et des circuits électroniques associés, par exemple un pilote. Des électrodes sont prévues le long des rangées et des colonnes pour connecter chaque pixel d'affichage à des circuits de commande. De façon générale, chaque rangée de pixels d'affichage est sélectionnée successivement par un signal ROW transmis le long des électrodes de rangée et les pixels d'affichage de la rangée sélectionnée sont programmés pour afficher les pixels d'image désirés par des signaux COL transmis le long des électrodes de colonne.
Une courbe 64 représente le courant I généré pour réinitialiser une cellule mémoire 54, en d'autres termes pour écrire une première valeur binaire dans ladite cellule mémoire 54. Une courbe 66 représente le courant I généré pour programmer une cellule mémoire 54, en d'autres termes pour écrire une deuxième valeur binaire dans ladite cellule mémoire 54. Une courbe 68 représente le courant I généré pour lire le contenu d'une cellule mémoire 54. Une courbe 70 représente le courant I généré pour éclairer la diode électroluminescente.
Chaque courbe 64, 66, 68, 70 comprend une première période d'accroissement depuis une valeur basse, par exemple sensiblement égale à zéro ampère, jusqu'à une valeur haute, une deuxième période pendant laquelle la valeur du courant I est maintenue à la valeur haute I1, I2, I3, une troisième période de diminution depuis la valeur haute jusqu'à la valeur basse et une quatrième période pendant laquelle la valeur du courant I est sensiblement égale à la valeur basse. La deuxième période correspond à une impulsion.
Les valeurs basses des courbes 64, 66, 68, 70 sont par exemple identiques. La valeur haute I1 de la courbe 64 et la durée de la deuxième période de la courbe 64 correspondent au courant utilisé pour réinitialiser les cellules mémoire 54. La valeur haute I2 de la courbe 66 et la durée de la deuxième période de la courbe 66 correspondent au courant utilisé pour programmer les cellules mémoire 54. La valeur haute I3 de la courbe 68 et la durée de la deuxième période de la courbe 68 correspondent au courant utilisé pour lire les cellules mémoire 54. La valeur haute I4 de la courbe 70 et la durée de la deuxième période de la courbe 70 correspondent au courant utilisé pour commander la diode électroluminescente. En d'autres termes, les cellules mémoire sont programmées, réinitialisés ou lues et la diode électroluminescente est éclairée lorsque le courant a la valeur de la deuxième période de la courbe correspondante.
La valeur haute I1 de la courbe 64 est supérieure à la valeur haute I2 de la courbe 66. La valeur haute I2 de la courbe 66 est supérieure à la valeur haute I3 de la courbe 68. La valeur haute I3 de la courbe 68 est sensiblement égale à la valeur haute I4 de la courbe 70. En outre, la durée de la deuxième période de la courbe 64 est plus courte que la durée de la deuxième période de la courbe 66. Bien que la durée de la deuxième période de la courbe 66 soit plus courte que la durée de la deuxième période de la courbe 70 dans l'exemple de la , la durée de la deuxième période de la courbe 70 dépend des données d'éclairage et, par conséquent, peut avoir une durée différente. La durée de la deuxième période de la courbe 68 est plus courte que la durée de la deuxième période de la courbe 64.
L'intensité du courant I pendant la deuxième période de chaque courbe, correspondant à la valeur haute, est par exemple déterminée par la tension VGS appliquée sur la borne de commande du transistor 36. La durée de la deuxième période est déterminée par la tension CTRLS, qui commande le commutateur 38. En d'autres termes, la tension VGS est configurée pour avoir des première V1, deuxième V2 et troisième V3 valeurs, la première valeur étant configurée pour garantir que le courant traversant le transistor 36 a l'intensité I1, la deuxième valeur étant configurée pour garantir que le courant traversant le transistor 36 a l'intensité I2 et la troisième valeur étant configurée pour garantir que le courant traversant le transistor 36 a l'intensité I3. Les première, deuxième et troisième valeurs sont distinctes. La première valeur de la tension VGS est par exemple supérieure à la deuxième valeur de la tension VGS. La deuxième valeur de la tension VGS est par exemple supérieure à la troisième valeur de la tension VGS.
La représente plus en détail les différents fonctionnements du mode de réalisation de la . Plus précisément, la comprend quatre vues 6A, 6B, 6C et 6D représentant respectivement la réinitialisation des cellules mémoire, la programmation des cellules mémoires, la lecture des cellules mémoire et la commande des diodes électroluminescentes.
Dans la vue 6A, correspondant à la réinitialisation des cellules mémoire, la tension VGS, qui a la première valeur V1, est appliquée à la borne de commande, par exemple la grille, du transistor 36. En outre, la borne de commande du commutateur 38 reçoit une impulsion CTRLS1 garantissant que le commutateur 38 est fermé pendant une durée correspondant à la durée de la deuxième période de la courbe 64. Le commutateur 34 est configuré pour connecter les bornes 44 et 46.
La mémoire 28 reçoit le courant I correspondant à une réinitialisation. Le transistor 58 de la cellule ou des cellules à réinitialiser reçoit, sur sa borne de commande, un signal WL ayant une valeur configurée pour permettre la circulation du courant dans l'élément 56 et le transistor 58. Le courant traversant l'élément 56 est configuré pour modifier la phase de l'élément 56. Le transistor 58 de la cellule ou des cellules qui ne doivent pas être réinitialisées reçoit, sur sa borne de commande, un signal WL ayant une valeur configurée pour arrêter la circulation du courant dans l'élément 56 et le transistor 58. La phase des éléments 58 n'est par conséquent pas modifiée.
Si la mémoire 28 comprend la matrice de commutateurs 62, la matrice est configurée pour fournir le courant I aux cellules à réinitialiser.
Dans la vue 6B, correspondant à la programmation des cellules mémoire, la tension VGS, qui a la deuxième valeur V2, est appliquée à la borne de commande, par exemple la grille, du transistor 36. En outre, la borne de commande du commutateur 38 reçoit une impulsion CTRLS2 garantissant que le commutateur 38 est fermé pendant une durée correspondant à la durée de la deuxième période de la courbe 66. Le commutateur 34 est configuré pour connecter les bornes 44 et 46.
La mémoire 28 reçoit le courant I correspondant à une programmation de la mémoire. Le transistor 58 de la cellule ou des cellules à programmer reçoit, sur sa borne de commande, un signal WL ayant une valeur configurée pour permettre la circulation du courant dans l'élément 56 et le transistor 58. Le courant traversant l'élément 56 est configuré pour modifier la phase de l'élément 56. Le transistor 58 de la cellule ou des cellules qui ne doivent pas être programmées reçoit, sur sa borne de commande, un signal WL ayant une valeur configurée pour arrêter la circulation du courant dans l'élément 56 et le transistor 58. La phase des éléments 58 n'est par conséquent pas changée.
Si la mémoire 28 comprend la matrice de commutateurs 62, la matrice est configurée pour fournir le courant I aux cellules à programmer.
Dans la vue 6C, correspondant à la lecture des cellules mémoire, la tension VGS, qui a la troisième valeur V3, est appliquée à la borne de commande, par exemple la grille, du transistor 36. En outre, la borne de commande du commutateur 38 reçoit une impulsion CTRLS3 garantissant que le commutateur 38 est fermé pendant une durée correspondant à la durée de la deuxième période de la courbe 68. Le commutateur 34 est configuré pour connecter les bornes 44 et 46.
La mémoire 28 reçoit le courant I correspondant à une programmation de la mémoire. Le transistor 58 de la cellule ou des cellules à lire reçoit, sur sa borne de commande, un signal WL ayant une valeur configurée pour permettre la circulation du courant dans l'élément 56 et le transistor 58. Le courant traversant l'élément 56 n'est pas suffisant pour modifier la phase de l'élément 56, mais permet la lecture de la cellule. Le transistor 58 de la cellule ou des cellules qui ne doivent pas être lues reçoit, sur sa borne de commande, un signal WL ayant une valeur configurée pour arrêter la circulation du courant dans l'élément 56 et le transistor 58.
Dans la vue 6D, correspondant à la commande de la diode électroluminescente 32, la tension VGS, qui a la quatrième valeur V4 de préférence égale à la valeur V3, est appliquée à la borne de commande, par exemple la grille, du transistor 36. En outre, la borne de commande du commutateur 38 reçoit une impulsion CTRLS4 garantissant que le commutateur 38 est fermé pendant une durée correspondant à la durée de la deuxième période de la courbe 70. Le commutateur 34 est configuré pour connecter les bornes 44 et 42.
Composition cosmétique de soin des cheveux comprenant au moins une silicone aminée particulière et au moins un polyol, et procédé de traitement cosmétique La présente invention concerne une composition cosmétique de soin des cheveux comprenant au moins une silicone aminée particulière et au moins un polyol.
Ces buts et d’autres sont atteints par la présente invention qui a donc pour objet une composition cosmétique de soin des cheveux comprenant : - au moins une silicone aminée de formule (I) telle que définie ci-après ; et - au moins un polyol.
Problème technique /
Solution technique /
Avantages apportés La structure porteuse d’éolienne(s) inventée et proposée ici pourrait produire jusqu’à environ 75 kW avec une hauteur de 20 m, en utilisant des éoliennes existantes actuellement. Une centaine de telles éoliennes pourraient donc produire 7,5 MW, en occupant seulement 2 à 3 km linéaires, pour un impact paysager très faible. Les sites terrestres disponibles semblent très nombreux pour installer de telles éoliennes, qui permettraient en outre l’usage des terrains sur lesquelles elles sont installées (les animaux pourraient brouter l’herbe en dessous).
La modeste taille des éléments de cette structure, ainsi que leur simplicité de fabrication permettent d’envisager une production en très grande série, et par des entreprises locales, dans la plupart des régions du monde.
La présente la structure porteuse d‘éoliennes de face, avec des éoliennes à axe horizontal.
La présente la structure porteuse d‘éoliennes de profil, avec des éoliennes à axe horizontal.
La présente la structure porteuse d‘éoliennes de face, avec des éoliennes à axe vertical.
La présente la structure porteuse d‘éoliennes de profil, avec des éoliennes à axe vertical.
La présente la structure porteuse d‘éoliennes de dessus, avec une base carrée, avec des éoliennes à axe horizontal.
La présente la structure porteuse d‘éoliennes de dessus, avec une base hexagonale, avec des éoliennes à axe horizontal.
La présente la structure porteuse d’une seule éolienne de face, avec une éolienne à axe horizontal.
La présente la structure porteuse d’une seule éolienne de face, avec une éolienne à axe vertical.
La présente la structure porteuse d‘éoliennes de profil, sans poutres dans une direction autre que celle du triangle, avec des éoliennes à axe vertical.
La présente la structure porteuse d‘éoliennes de dessus, sans poutres dans une direction autre que celle du triangle, avec des éoliennes à axe horizontal.
Meilleur mode de réalisation de l‘invention La hauteur de cette structure est idéalement de 15 à 30 m.
La structure (triangle et poutres dans le plan du triangle) est pré-assemblée au sol à partir de pièces pré-usinées en atelier et transportées par camions.
Lorsqu’ils sont présents, le ou les tensioactifs anioniques sont de préférence pré-sents dans la composition selon l’invention en une quantité totale allant de 0,01 à 30% en poids, notamment pouvant aller de 1 à 28% en poids, en particulier de 5 à 25% en poids, de préférence de 7 à 23% en poids, mieux de 8 à 20% en poids, par rapport au poids total de la composition.
Une limitation de la structure de la est que les flancs des couches 21, 23 et 25 sont exposés. Ainsi, lors de l’assemblage, une partie du matériau de brasure 14 est susceptible de recouvrir les flancs du plot et en particulier d’entrer en contact avec les flancs de la couche d’or inférieure 21. Dans ce cas, l’indium du matériau de brasure peut entrainer la formation de l'alliage or-indium dans toute ou partie de la couche 21,conduisant à dégrader la puce.
Une possibilité pour pallier cette limitation est de mettre en oeuvre deux étapes de photolithographie distinctes pour réaliser le plot métallique 13. A titre d’exemple, la couche d’or inférieure 21 est d’abord déposée puis gravée au moyen d’une première étape de photolithographie. Les couches 23 et 25 sont ensuite déposées puis gravée au moyen d’une deuxième étape de photolithographie. Lors de la deuxième étape de photolithographie, la partie masquée présente une surface supérieure à la partie masquée lors de la première étape, de sorte que la couche barrière 23 et la couche d’or supérieure 25 recouvrent les flancs de la couche d’or inférieure 21, prévenant tout risque de contact entre la couche d’or inférieure 21 et le matériau de brasure 14. En plus du coût engendré par la double photolithographie, un alignement précis des deux photolithographies est nécessaire. La réduction des dimensions des puces rend cet alignement problématique.
La est une vue en coupe, partielle et schématique, d'une puce électronique comportant une métallisation de type UBM ou plot de contact métallique 13 selon un mode de réalisation.
Le plot de contact métallique 13 illustré en est similaire au plot de contact métallique 13 illustré en à la différence près que, dans l’exemple de la , une couche barrière électriquement isolante 27 aussi appelée barrière isolante est disposée sur et en contact avec le flanc de la couche d’or inférieure 21 sur toute la périphérie du plot métallique 13.
La barrière isolante 27 est disposée sur toute la hauteur du flanc de la couche 21 de sorte que le flanc de la couche 21 soit recouvert intégralement par la barrière isolante 27. A titre d'exemple, la barrière isolante 27 a une hauteur supérieure ou égale à l'épaisseur de la couche 21, c'est à dire à la hauteur du flanc de la couche 21.
A titre d'exemple, la barrière isolante 27 a une hauteur supérieure à l'épaisseur de la couche 21, elle recouvre alors toute ou partie de la hauteur des flancs de la couche 23 et de la couche 25.
A titre d'exemple, la couche barrière 23 comprend un empilement de deux couches 231 et 233 en des matériaux électriquement conducteurs différents. A titre d’exemple, la couche 231 est située sur et en contact avec la face supérieure de la couche métallique 21, et la couche 233 est située sur et en contact avec la face supérieure de la couche 231. La couche 25 est par exemple située sur et en contact avec la face supérieure de la couche 233. La couche 231 est par exemple en titane (Ti) ou en chrome (Cr). La couche 233 est par exemple en platine (Pt). Plus généralement, la couche barrière 23 peut avoir toute autre structure ou composition adaptée à bloquer la diffusion de l’indium et la formation de l'alliage or-indium.
Un avantage de la puce de la est que la barrière isolante 27 prévient tout risque de contact entre le matériau de brasure 14 et les flancs de la couche d’or inférieure 21.
La barrière isolante 27 peut être formée par différents procédés et ainsi avoir différentes formes. Des exemples de réalisation de la barrière isolante 27 sont décrits plus en détail ci-après.
La est une vue en coupe illustrant plus en détail un exemple de réalisation d’une puce électronique du type décrit en relation avec la .
Plus particulièrement, dans l’exemple de la , la barrière isolante 27 correspond à une couche en le même matériau que la couche de passivation 19, formée par re-dépôt du matériau de la couche de passivation 19 lors d'une étape de gravure.
Après le dépôt des couches 17 et 19 sur le substrat 15, la formation de l'ouverture destinée à accueillir le plot métallique 13, et le dépôt des couches 21, 23 et 25 dans l'ouverture et sur la face supérieure de la couche 19, une étape de retrait localisé des couche 21, 23 et 25, par photolithographie et gravure, est mise en oeuvre, pour former le plot 13. Dans cet exemple, les couches 21, 23 et 25 sont retirées au moyen d’une étape de photolithographie unique. Pour cela, une couche de résine 29 est formée pleine plaque sur la face supérieure de la couche 25, puis exposée localement aux UV de façon à ce qu'elle puisse être conservée en vis-à-vis du plot 13 à former et retirée tout autour du plot 13. La structure ainsi obtenue est ensuite gravée de sorte à retirer les parties des couches 21, 23 et 25 non protégées par la résine 29.
La gravure est, dans cet exemple, prolongée après retrait complet des couches 21, 23 et 25 en dehors du vis-à-vis de la résine 29, de façon à graver une partie de l’épaisseur la couche 19. Cette poursuite de gravure engendre un re dépôt du matériau de la couche 19, par exemple du ZnS, sur et en contact avec les flancs du plot 13 et en particulier sur les flancs de la couche d’or inférieure 21. A titre d'exemple, la gravure mise en oeuvre lors de cette étape est une gravure ionique.
La largeur de la barrière isolante 27 et sa hauteur sont, par exemple dictées par la topologie du plot métallique 13, l'angle de gravure et l'épaisseur de gravure de la couche 19. L’angle de gravure est par exemple de 0° par rapport à la normale à la face supérieure du substrat. A titre d'exemple, pour une topologie (épaisseur cumulée des couches 21, 23, 25 et 29 au-dessus de la face supérieure de la couche de passivation 19) de l'ordre de 1,5 µm, un angle de gravure de l'ordre de 0° et une épaisseur de gravure de la couche 19 de l'ordre de 300 nm, on obtient par exemple une barrière isolante 27 d’épaisseur de l'ordre de 25 nm sur les flancs de la couche 21 et sur au moins une partie inférieure des flancs de la couche barrière 23.
Un avantage du mode de réalisation de la est que le plot métallique 13 peut être formé au moyen d’une étape de photolithographie unique. En outre, la barrière isolante 27 est formée sur les flancs du plot métallique 13 sans qu'une étape supplémentaire soit ajoutée dans le procédé de fabrication des puces électroniques.
La est une vue en coupe illustrant plus en détail un autre exemple de réalisation d’une puce électronique du type décrit en relation avec la .
DISPOSITIF DE GENERATION D’ONDES ACOUSTIQUES ET/OU VIBRATOIRES SUR UNE STRUCTURE SOUPLE L'invention a trait à un dispositif de génération d’ondes acoustiques et/ou vibratoires sur une structure souple. Ici, l’expression « structure souple » désigne entre autres des rubans métalliques qui sont, par exemple, constitutifs d’une séparation, d’une clôture ou d’une barrière de protection, que ce soit pour projeter ou isoler un lieu recevant un évènement, une zone de travail ou des productions agricoles. Par la suite, l’invention sera décrite dans le cadre de l’application à des productions agricoles.
Par cette expression, « productions agricoles », on désigne tout type de production agricole, qu’elle soit céréalière, arboricole, viticole, maraichère, fourragère, aquacole, ostréicole ou autre. Il peut également s’agir de la protection d’un lieu, étable, écurie, bergerie, porcherie, volière, poulailler, enclos, pâturage ou autres lieux, clos ou non, abritant des animaux, mammifères, volailles, gibiers, poissons, coquillages, à des fins d’élevage, de conservation et que l’on souhaite protéger contre des nuisibles ou des actes malveillants d’origine humaine. Le terme « nuisible » désigne ici un insecte, un animal qui a un effet négatif sur la production agricole, par exemple par prédation ou en initiant des maladies ou des baisses de production. Pour cela, il est connu d’utiliser des clôtures ou barrières, électrifiées ou non comme dispositif de protection. On connait également des moyens de protection par des dispositifs physiques contre des animaux, insectes ou oiseaux de type filets, comme décrit dans EP-A-3721704 pour des cultures en espalier ou décrit par EP-A-2625950 qui concerne une barrière de protection contre les oiseaux. US-A-6013661 divulgue une protection par un composé chimique contre les oiseaux. WO-A-2015152711 décrit une protection par un enrobage de cire des jeunes arbres. Ces diverses solutions sont définies soit pour un type de produit agricole donné soit pour un type de nuisible donné. Elles sont par ailleurs relativement complexes et/ou couteuses à mettre en œuvre.
Il existe donc un besoin pour un dispositif de protection des productions agricoles, que ce soit pour des cultures ou pour des animaux contre tout type de nuisible qui soit aisé à utiliser, tout en optimisant les coûts de production et la mise en œuvre.
C’est à ces besoins que se propose de répondre l’invention en offrant une solution simple, aisée à mettre en place, à coût maitrisé et susceptible d’avoir des applications dans d’autres domaines.
A cet effet, l’invention a pour objet un dispositif de génération d’ondes acoustiques et/ou vibratoires sur une structure souple comportant au moins un ruban métallique maintenu entre deux poteaux constitutifs d’une partie de la structure souple, caractérisé en ce qu’au moins un transducteur inertiel est en contact, direct ou non, avec au moins un ruban métallique, ledit transducteur inertiel étant adapté pour mettre en vibration ledit ruban métallique lorsqu’il génère un champ électromagnétique.
Ainsi, grâce à l’invention on dispose d’une structure souple, telle qu’une clôture ou une barrière qui, par au moins un transducteur agissant, de manière contrôlée et directe ou non, sur un ou des rubans métalliques génère des vibrations de longueurs d’ondes, de fréquences et/ou de durée variables. Ces vibrations, sont perceptibles par les nuisibles, insectes ou animaux, et dans tous les cas provoquent une gêne qui éloigne les nuisibles de la production agricole. Ainsi, les vibrations, surtout lorsque la structure est en contact direct avec une production agricole, permet de faire vibrer l’air et/ou les végétaux constitutifs de la production agricole ce qui empêche les insectes ou autres nuisibles de se poser sur les végétaux. Lorsque la vibration est audible par le nuisible, un mammifère, un rongeur ou un oiseau typiquement, il est possible de générer soit un bruit d’effarouchage, imitant par exemple un coup de fusil ou une détonation ou encore le cri d’un prédateur ou un signal de fuite. Lorsque les vibrations sont audibles par l’homme, le dispositif peut être adapté pour transmettre des informations aux personnes situées dans une zone voisine du dispositif.
Il comprend plusieurs transducteurs inertiels disposés sur au moins un ruban métallique.
Au moins un transducteur inertiel est relié à deux rubans métalliques disposés parallèlement l’un à l’autre et constitutifs d’une paire de rubans métalliques.
Il comprend plusieurs paires de rubans métalliques, chaque paire de rubans métalliques formant un conducteur d’électricité et chaque paire étant reliée à au moins un transducteur inertiel.
Au moins un transducteur inertiel est déplaçable le long d’au moins un ruban métallique ou le long de la paire de rubans métalliques à laquelle il est relié.
Au moins une plaque est reliée à deux rubans métalliques constitutifs d’une paire, ladite plaque définissant un hautparleur lorsque les rubans métalliques sont mis en vibration de manière adaptée par au moins un transducteur inertiel.
La plaque définissant un hautparleur est associée à un microphone.