Cellule mémoire à changement de phase (301) comprenant : – une première couche en un matériau à changement de phase (215) ; – un élément chauffant (209) situé sous la première couche (215) ; – une deuxième couche isolante (203) revêtant un flanc de l’élément chauffant (209) ; et – un premier empilement comportant une troisième couche d’encapsulation (303) revêtant les faces latérales de la deuxième couche (203) et une quatrième couche d’encapsulation (305) revêtant la troisième couche (303) et étant en un matériau présentant une densité inférieure à celle du matériau de la troisième couche (303). Cellule selon la revendication 1, dans lequel la quatrième couche (305) est revêtue d’un deuxième empilement comprenant une alternance de couches d’encapsulation présentant des densités sensiblement égales à celles des troisième et quatrième couches (303, 305). Cellule selon la revendication 1, dans lequel la quatrième couche (305) est revêtue d’un deuxième empilement comprenant des couches d’encapsulation successives présentant des densités décroissantes, inférieures à celles de la quatrième couche (305). Cellule selon la revendication 3, dans laquelle les couches d’encapsulation successives du deuxième empilement sont en un même matériau. Cellule selon l’une quelconque des revendications 2 à 4, comprenant en outre une sixième couche d’encapsulation, revêtant la quatrième couche (305) ou le deuxième empilement, la sixième couche présentant une densité supérieure à celle de la quatrième couche (305). Cellule selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, comprenant en outre une première électrode de conduction (105) située sous et en contact avec une face de l’élément chauffant (209) opposée à la première couche (215) et une deuxième électrode de conduction (217) située sur et en contact avec une face de la première couche (215) opposée à l’élément chauffant (209). Cellule selon la revendication 6, comprenant en outre un troisième empilement comportant une septième couche d’encapsulation (313) revêtant les faces latérales de la première couche (215) et de la deuxième électrode de conduction (217) et une huitième couche d’encapsulation (315) revêtant la septième couche (313) et présentant une densité inférieure à celle de la septième couche (313). Cellule selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, comprenant en outre une neuvième couche (205) interposée entre les première et deuxième couches (215, 203) et présentant une densité supérieure à celle de la deuxième couche (203), la deuxième couche (203) étant en carbure de silicium ou en carbonitrure de silicium. Cellule selon la revendication 8, dans laquelle la neuvième couche (205) est en carbure de silicium, en nitrure de silicium ou en carbonitrure de silicium et présente une densité supérieure à celle de la deuxième couche (203). Cellule selon la revendication 8, dans laquelle la neuvième couche (205) est en nitrure de germanium, en nitrure de carbone ou en carbone. Procédé de fabrication d’une cellule mémoire à changement de phase (301) comprenant les étapes successives suivantes : a) déposer, sur un substrat (103), au moins une première couche thermiquement isolante (203) ; b) former, dans une tranchée traversant ladite au moins une première couche (203), un élément chauffant (209) dont un flanc est revêtu par ladite au moins une première couche (203) ; et c) former un premier empilement comportant une deuxième couche d’encapsulation (303) revêtant les faces latérales de ladite au moins une première couche (203) et une troisième couche d’encapsulation (305) revêtant la deuxième couche (303), la troisième couche (305) étant en un matériau présentant une densité inférieure à celle du matériau de la deuxième couche (303), le procédé comprenant en outre une étape de formation d’une couche en un matériau à changement de phase (215). Procédé selon la revendication 11, comprenant en outre, après l’étape c), une étape d) de dépôt d’une quatrième couche d’encapsulation revêtant la troisième couche (305) et présentant une densité supérieure à celle de la troisième couche (305).