INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Procédé de gestion de la fourniture d’une interface graphique affichée sur un écran de forme sphérique (3) d’une interface homme-machine (2) d’un véhicule automobile (1) au moyen d’un dispositif informatique (100) embarqué à bord du véhicule, caractérisé en ce que le procédé comprend les étapes de : provoquer l’affichage sur une première portion (301) de la surface de l’écran (3) d’une première partie de l’interface graphique comportant des éléments graphiques représentant des boutons dont l’activation tactile déclenche la fourniture d’une fonctionnalité par un appareillage du véhicule ; provoquer l’affichage sur une deuxième portion (302) couvrant toute la surface de l’écran (3) distincte de la première portion (301) d’une deuxième partie de l’interface graphique comportant un premier contenu visuel sélectionné en fonction d’une première fonctionnalité active fournie par un appareillage du véhicule ; et provoquer l’affichage sur une troisième portion (303) de la surface de l’écran incluse dans la deuxième portion (302) d’une troisième partie de l’interface graphique comportant un deuxième contenu visuel. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la première portion (301) est positionnée au niveau de la partie supérieure de l’écran (3). Procédé selon l’une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le premier contenu visuel consiste en une représentation 3D de l’environnement de conduite du véhicule ou une vidéo immersive. Procédé selon l’une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le deuxième contenu visuel comporte un widget (304, 305) dont l’emplacement sur l’écran est sélectionné en fonction d’une deuxième fonctionnalité active fournie par un appareillage du véhicule. Procédé selon l’une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le deuxième contenu visuel comporte un élément graphique renseignant un paramètre de fonctionnement du véhicule et/ou une indication relative à l’environnement de conduite du véhicule. Dispositif (100) de gestion de la fourniture d’une interface graphique affichée sur un écran (3) de forme sphérique d’une interface homme-machine (2) d’un véhicule automobile (1), caractérisé en ce que le dispositif comprend au moins une unité de traitement d’informations (101), comprenant au moins un processeur, et un support de stockage de données (102) configurés pour mettre en œuvre un procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes. Programme d’ordinateur comprenant des instructions de code de programme pour l’exécution des étapes d’un procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 5 lorsque ledit programme est exécuté par au moins un processeur. Support utilisable dans un ordinateur, caractérisé en ce qu’ un programme selon la revendication 7 y est enregistré. Véhicule automobile (1), caractérisé en ce qu’ il comprend une interface homme-machine (2) comportant un écran (3) de forme sphérique et un dispositif (100) selon la revendication 6.
Procédé de gestion de la fourniture d’une interface graphique affichée sur un écran de forme sphérique (3) d’une interface homme-machine (2) d’un véhicule automobile (1) au moyen d’un dispositif informatique (100) embarqué à bord du véhicule, caractérisé en ce que le procédé comprend les étapes de : provoquer l’affichage sur une première portion (301) de la surface de l’écran (3) d’une première partie de l’interface graphique comportant un premier contenu visuel lorsqu’une interaction tactile est réalisée au sein d’une partie supérieure (301a) de la première portion ; provoquer l’affichage sur une deuxième portion (302) de la surface de l’écran (3) d’une deuxième partie de l’interface graphique comportant un deuxième contenu visuel lorsqu’une interaction tactile est réalisée au sein d’une partie supérieure (302a) de la deuxième portion ; et provoquer l’affichage sur une troisième portion (303) de la surface de l’écran d’une troisième partie de l’interface graphique comportant un troisième contenu visuel lorsqu’une interaction tactile est réalisée au niveau d’une partie supérieure (303a) de la troisième portion. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la première portion (301) s’étend d’un côté d’un plan vertical passant par le centre de l’écran tandis que la deuxième portion (302) s’étend de l’autre côté dudit plan. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que la troisième portion (303) s’étend symétriquement de chaque côté dudit plan. Procédé selon l’une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu ’ il comprend une étape consistant à provoquer le déplacement du premier contenu visuel de la première (301) vers la deuxième (302) ou la troisième portion (303) lorsqu’une interaction tactile de type glisser-déposer est réalisée au sein de la première portion (301). Procédé selon l’une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu ’ il comprend une étape consistant à provoquer le déplacement du deuxième contenu visuel de la deuxième (302) vers la première (301) ou la troisième portion (303) lorsqu’une interaction tactile de type glisser-déposer est réalisée au sein de la deuxième portion (302). Dispositif (100) de gestion de la fourniture d’une interface graphique affichée sur un écran (3) de forme sphérique d’une interface homme-machine (2) d’un véhicule automobile (1), caractérisé en ce que le dispositif comprend au moins une unité de traitement d’informations (101), comprenant au moins un processeur, et un support de stockage de données (102) configurés pour mettre en œuvre un procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes. Programme d’ordinateur comprenant des instructions de code de programme pour l’exécution des étapes d’un procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 5 lorsque ledit programme est exécuté par au moins un processeur. Support utilisable dans un ordinateur, caractérisé en ce qu’ un programme selon la revendication 7 y est enregistré. Véhicule automobile (1), caractérisé en ce qu’ il comprend une interface homme-machine (2) comportant un écran (3) de forme sphérique et un dispositif (100) selon la revendication 6.
Système d'authentification d'un produit physique (P), sur lequel au moins un premier code d’authentification crypté (C1) est appliqué, le système d'authentification comportant : une base de données (Bd) associant à chaque produit physique (P) au moins un jeton non-fongible pictural (NFT-P), le jeton non-fongible pictural (NFT-P) intégrant une œuvre d’art numérique et un second code d’authentification crypté (N1) ; et une plateforme d’authentification (Pa) sur laquelle un utilisateur peut se connecter pour démontrer l’authenticité d’un produit physique (P) au moyen dudit jeton non-fongible pictural (NFT-P) et d’un jeton non-fongible de certification (NFT-C), le jeton non-fongible de certification (NFT-C) intégrant le premier code d’authentification crypté (C1) ; la preuve de l’authenticité d’un produit physique (P) étant apportée par ladite plateforme d’authentification (Pa) en vérifiant : que l’utilisateur possède au moins un portefeuille numérique (W) sur lequel le jeton non-fongible pictural (NFT-P) et le jeton non-fongible de certification (NFT-C) sont stockés ; que le premier code crypté (C1) appliqué sur le produit physique (P) correspond au premier code crypté (C1) intégré au jeton non-fongible de certification (NFT-C) ; et que le second code (N1) du jeton non-fongible pictural (NFT-P) est associé dans la base de données (Bd) avec le produit physique (P). Système d'authentification d'un produit physique selon la revendication 1, dans lequel un troisième code crypté (S1) est appliqué sur le produit physique (P) et associé au produit physique (P) dans la base de données (Bd) de sorte que la preuve de l’authenticité soit apportée en vérifiant également que le troisième code (S1) est associé dans la base de données (Bd) avec le produit physique (P). Système d'authentification d'un produit physique selon la revendication 1 ou 2, dans lequel un quatrième code crypté (C2) est intégré dans le jeton non-fongible de certification (NFT-C) et associé au produit physique (P) dans la base de données (Bd) de sorte que la preuve de l’authenticité soit apportée en vérifiant également que le quatrième code crypté (C2) est associé dans la base de données (Bd) avec le produit physique (P). Système d'authentification d'un produit physique selon l’une des revendications 1 à 3, dans lequel au moins un code (C1, S1) appliqué sur le produit physique (P) est imprimé sous la forme d’un QR code. Système d'authentification d'un produit physique selon l’une des revendications 1 à 4, dans lequel les codes d’authentification (C1, C2, N1) intégrés dans les jetons non-fongibles (NFT-P, NFT-C) sont stockés dans les métadonnées des jetons non-fongibles (NFT-P, NFT-C). Système d'authentification d'un produit physique selon l’une des revendications 1 à 5, dans lequel ladite plateforme d’authentification (Pa) correspond à une page Internet hébergée sur un serveur. Système d'authentification d'un produit physique selon l’une des revendications 1 à 6, dans lequel le produit physique (P) correspond à une coque de téléphone, un poster ou une plaque métallique.
Procédé de formation de tranchées (13, 15) dans un substrat (11) semiconducteur, le procédé comprenant les étapes suivantes : a) prévoir une structure (20) comportant le substrat (11) semiconducteur, et, du côté d’une première face (11B) du substrat, au moins une première tranchée (15) remplie d’un matériau isolant, s’étendant verticalement dans le substrat ; b) former, par gravure anisotrope depuis une deuxième face (11T) du substrat semiconducteur opposée à la première face (11B), au moins une deuxième tranchée (13) s’étendant verticalement dans le substrat et débouchant sur ladite au moins une première tranchée (15) ; et c) élargir ladite au moins une deuxième tranchée (13) par gravure isotrope. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la gravure de l’étape b) est une gravure ionique réactive. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la gravure de l’étape b) est une gravure chimique. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la gravure de l’étape b) est une gravure en phase gazeuse ou liquide. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, comprenant en outre, après l’étape c), une étape d) de remplissage de ladite au moins une deuxième tranchée (13). Procédé selon la revendication 5, dans lequel, à l’étape d), des flancs et un fond de ladite au moins une deuxième tranchée (13) sont revêtus d’au moins une couche de passivation. Procédé selon la revendication 6, dans lequel ladite au moins une couche de passivation est revêtue d’au moins une couche diélectrique réfléchissante. Procédé selon la revendication 5 ou 6, dans lequel, à l’étape d), ladite au moins une deuxième tranchée (13) est en outre comblée par un ou plusieurs métaux. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel ladite au moins une deuxième tranchée (13) est destinée à isoler un pixel d’un capteur d’images par rapport à des pixels voisins. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel ladite au moins une deuxième tranchée (13) présente, à l’issue de l’étape b), un rapport de forme de l’ordre de trente. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel ladite au moins une deuxième tranchée (13) présente, à l’issue de l’étape c), un rapport de forme de l’ordre de dix.
Procédé de fabrication d’un appareil à semi-conducteurs, comprenant : la formation d’une électrode sur une première surface principale d’un substrat semi-conducteur réalisé en un semi-conducteur composé ; la formation, à un emplacement où l’électrode est formée, d’un trou d’interconnexion qui pénètre dans la première surface principale et une deuxième surface principale du substrat semi-conducteur, dans lequel un rapport d’une épaisseur du substrat semi-conducteur sur une valeur maximale d’une largeur d’une ouverture dans la deuxième surface principale est supérieur à 1 ; la formation d’une électrode-côté arrière sur une deuxième surface principale du substrat semi-conducteur de manière à ce que l’électrode-côté arrière soit couplée électriquement à l’électrode dans le trou d’interconnexion ; la formation d’une couche isolante agencée au niveau d’au moins une couche au-dessus de l’ouverture ; et la formation d’une couche de brasure dans une couche au-dessus de l’électrode-côté arrière et de la couche isolante. Procédé de fabrication d’un appareil à semi-conducteurs selon la revendication 1, dans lequel la formation de la couche isolante comporte : la formation d’un film isolant sur l’électrode-côté arrière et la réalisation d’une gravure anisotrope sur le film isolant dans une direction de l’épaisseur du substrat semi-conducteur. Procédé de fabrication d’un appareil à semi-conducteurs selon la revendication 1, dans lequel la formation de la couche isolante comporte : la formation d’un film isolant sur l’électrode-côté arrière et le polissage du film isolant agencé sur une couche au-dessus de la deuxième surface principale du substrat semi-conducteur. Procédé de fabrication d’un appareil à semi-conducteurs selon la revendication 1, dans lequel la formation de la couche isolante comporte : la formation d’un film isolant sur l’électrode-côté arrière, la formation d’un motif de réserve qui recouvre une partie du film isolant formé dans le trou d’interconnexion et à proximité de l’ouverture, l’élimination du film isolant exposé du motif de réserve par gravure, et l’élimination du motif de réserve. Appareil à semi-conducteurs comprenant en outre : un substrat semi-conducteur ayant un trou d’interconnexion pénétrant dans une première surface principale et une deuxième surface principale ; une électrode agencée au-dessus d’un trou d’interconnexion sur la première surface principale du substrat semi-conducteur ; une électrode-côté arrière agencée sur la deuxième surface principale du substrat semi-conducteur et couplée électriquement à l’électrode dans le trou d’interconnexion ; et une couche isolante agencée sur l’électrode-côté arrière dans au moins une partie du trou d’interconnexion, dans lequel un rapport d’une épaisseur du substrat semi-conducteur sur une valeur maximale d’une largeur d’une ouverture du trou d’interconnexion est supérieur à 1. Appareil à semi-conducteurs selon la revendication 5, comprenant en outre : une couche de brasure agencée sur l’électrode-côté arrière et la couche isolante ; et un vide entouré au moins par la couche de brasure et la couche isolante dans le trou d’interconnexion.
Procédé pour recycler le lithium d’un électrolyte d’une pile au lithium-ion, comprenant : le mélange d’un électrolyte usagé et d’un agent d’extraction, et la stratification pour obtenir une phase organique supérieure d’une densité non supérieure à 1,07 g/cm 3 et une phase inférieure chargée en lithium d’une densité de 1,15 g/cm 3 à 1,5 g/cm 3 ; dans lequel l’électrolyte usagé comprend des ions lithium et un solvant organique ester ; l’agent d’extraction comprend une solution aqueuse de sel et un solvant ; le solvant comprend au moins un parmi l’éthanol et le méthanol ; la phase organique supérieure comprend le solvant organique ester ; et la phase chargée en lithium comprend de l’eau. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la solution aqueuse de sel a une concentration massique de 5 % à 25 % ; et de préférence, un rapport volumique de l’électrolyte usagé, de la solution aqueuse de sel et du solvant est de (1-3):(1-3):(1-3). Procédé selon la revendication 1, dans lequel le mélange est effectué à une température de 15 ℃ à 100 ℃. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le mélange dure de 5 minutes à 30 minutes. Procédé selon la revendication 1, comprenant en outre : le fractionnement de la phase organique supérieure. Procédé selon la revendication 1, comprenant en outre : l’élimination d’impuretés de la phase inférieure chargée en lithium pour obtenir un produit en phase liquide ; et de préférence, l’élimination d’impuretés comprend la distillation. Procédé selon la revendication 6, dans lequel la distillation est effectuée à une température de 15 ℃ à 100 ℃, la distillation est effectuée à un degré de vide de 10 kPa à 70 kPa, et la distillation dure de 10 minutes à 45 minutes. Procédé selon la revendication 6, comprenant en outre : le mélange du produit en phase liquide avec une solution aqueuse de carbonate. Procédé selon la revendication 8, dans lequel le carbonate a une concentration massique de 1 % à 15 %. Procédé selon la revendication 6, dans lequel avant l’élimination d’impuretés de la phase inférieure chargée en lithium, le procédé comprend en outre : l’ajout de l’électrolyte usagé et du solvant, le mélange et la stratification pour obtenir la phase organique supérieure et la phase inférieure chargée en lithium, et l’ajout répété de l’électrolyte usagé et du solvant dans la phase inférieure chargée en lithium collectée jusqu’à ce qu’une teneur en lithium de la phase inférieure chargée en lithium soit de 16 g/l à 20 g/l.
Procédé de préparation d'un matériau d'électrode négative à base de bismuth, comprenant les étapes suivantes : préparer une solution aqueuse contenant du bismuthate, ajuster la valeur de pH de la solution aqueuse entre 11 et 13, et effectuer une réaction hydrothermique. Procédé de préparation selon la revendication 1, dans lequel la température de la réaction hydrothermique est de 180 à 200°C. Procédé de préparation selon la revendication 1, dans lequel la durée de la réaction hydrothermique est de 4 à 12 heures. Procédé de préparation selon la revendication 1, dans lequel le bismuthate comprend du bismuthate de sodium. Procédé de préparation selon la revendication 1, dans lequel une concentration de bismuthate dans la solution aqueuse est de 0,1 à 0,2 mol/L. Procédé de préparation selon la revendication 1, dans lequel la valeur du pH est ajustée par au moins un réactif d'ajustement de pH choisi parmi une solution aqueuse d'hydroxyde de sodium et une solution aqueuse d'hydroxyde de potassium. Procédé de préparation selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, comprenant en outre la réalisation d'une séparation solide-liquide après la réaction hydrothermique, puis le lavage et le séchage d'un solide obtenu. Matériau d'électrode négative à base de bismuth préparé par le procédé de préparation selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel le matériau d'électrode négative à base de bismuth a pour formule chimique BiO 2-x , dans laquelle 0 Plaque d'électrode négative, dans laquelle un matériau brut de la plaque d'électrode négative comprend le matériau d'électrode négative à base de bismuth selon la revendication 8. Accumulateur, comprenant le matériau d'électrode négative à base de bismuth selon la revendication 8 ou la plaque d'électrode négative selon la revendication 9.
Vanne pour fluide, notamment liquide caloporteur, ladite vanne comprenant un boîtier (2), définissant un logement (4), ladite vanne comprenant en outre un organe distributeur (6), mobile en rotation autour d’un axe longitudinal (8) dudit logement (4), ledit boîtier (2) étant muni de conduits (10 ; 10a-10f) d’entrée et/ou sortie du fluide débouchant latéralement dans ledit logement (4), ladite vanne présentant au moins une chambre (16 ; 16a-16c) et au moins deux canaux de circulation du fluide (18 ; 18a-18c), mobiles avec ledit organe distributeur (6), ladite vanne étant configurée pour que des positions angulaires dudit organe distributeur (6), dites positions de distribution, déterminent un passage du fluide entre différents desdits conduits (10) d’entrée et/ou sortie, à travers la ou lesdites chambres (16 ; 16a-16c) et/ou lesdits canaux de circulation (18 ; 18a-18c). Vanne selon la revendication 1 dans laquelle lesdits canaux de circulation (18 ; 18a-18c) traversent ledit organe distributeur (6). Vanne selon l’une quelconque des revendications précédentes dans laquelle certains au moins desdits canaux de circulation (18a-18c) sont configurés pour mettre en relation l’un desdits conduits (10a-10f) d’entrée et/ou sortie et la ou l’une desdites chambres (16a-16c), dans l’une au moins des positions de distribution. Vanne selon l’une quelconque des revendications précédentes dans laquelle lesdits canaux (18 ; 18a-18c) sont situés à des hauteurs différentes dudit organe distributeur (6), le long dudit axe longitudinal (8), de sorte à pouvoir passer l’un au-dessus et/ou en dessous de l’autre sans se croiser. Vanne selon l’une quelconque des revendications précédentes dans laquelle ledit organe distributeur (4) comprend une partie centrale (32) et plusieurs branches (34) reliées entre elles au niveau de la partie centrale (32). Vanne selon la revendication précédente dans laquelle certains au moins desdits canaux de circulation (18a-18c) débouchent par l’une de leur extrémité dans la ou l’une desdites chambres (16) au niveau de ladite partie centrale (34) de l’organe distributeur. Vanne selon l’une quelconque des revendications précédentes dans laquelle ledit organe distributeur (4) présente un centre de gravité, excentré par rapport à l’axe longitudinale (8) du logement (4). Vanne selon l’une quelconque des revendications précédentes dans laquelle lesdits canaux de circulation (18 ; 18a-18c) présentent une section droite de référence supérieure à une section droite de référence desdits conduits (10 ; 10a-10f) d’entrée et/ou sortie destinés à être venir en correspondance desdits canaux de circulation (18 ; 18a-18c), dans l’une desdites positions de distribution. Vanne selon l’une quelconque des revendications précédentes dans laquelle les canaux de circulation (18 ; 18a-18c) présentent une section droite évolutive entre leurs extrémités (48, 50) de sorte à limiter les pertes de charges à l’intérieur desdits canaux (18 ; 18a-18c). Vanne selon la revendication précédente dans laquelle lesdites extrémités (48, 50) des canaux de circulation (18 ; 18a-18c) sont évasées.