INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
De manière préférée, en référence à la , l’organe de compression 5 comporte un diamètre D5 qui est inférieur au diamètre D12 de l’ouverture traversante O12 de la paroi de serrage 11 du bloc d’entretoise 10 afin de pouvoir s’introduire dans le bloc d’entretoise 10. De préférence, en référence à la , l’organe de compression 5 possède un diamètre D5 compris entre 50mm et 90mm.
En référence aux figures 6 à 8, le dispositif d’entretoise 1 comprend en outre au moins un organe de butée 6, solidaire de la tige 2 et positionné en avant de l’organe de compression 5, configuré pour venir en butée contre la banche d’introduction B1 de manière à limiter le vissage de la première extrémité 2A. En particulier, l’organe de butée 6 est configuré pour venir en butée contre la paroi de serrage 11 du bloc d’entretoise 10 de la banche d’introduction B1. Cela permet avantageusement de limiter la compression des organes d’étanchéité 4 par l’organe de compression 5 et régler l’épaisseur EP du mur. De manière préférée, l’organe de butée 6 est soudé à la tige 2 ou issu de matière de cette dernière.
De manière préférée, en référence à la , l’organe de butée 6 est écarté de l’organe de compression 5 d’une distance d’écartement L56 qui est sensiblement égale à la distance d’écartement E11 définie entre la paroi de serrage 11 et la face coffrante F1.
En référence aux figures 6 à 8, le dispositif d’entretoise 1 comprend en outre un organe de serrage 7, solidaire de la tige 2 et positionné en avant de l’organe de butée 6 de manière à entrainer en rotation la tige 2 autour de son axe de tige T pour permettre le vissage/dévissage de la première extrémité 2A. L’organe de serrage 7 est de préférence formé au niveau de la deuxième extrémité 2B.
Dans cet exemple, l’organe de serrage 7 est configuré pour coopérer avec un outil de serrage, par exemple, un clé de serrage ou une visseuse/boulonneuse. De préférence, l’organe de serrage 7 possède une forme polygonale, en particulier, hexagonale.
De manière préférée, l’organe de serrage 7 est soudé à la tige 2 ou issu de matière de cette dernière. Selon un aspect préféré, l’organe de serrage 7 est solidaire en translation de l’organe de butée 6 mais n’est pas solidaire en rotation. Autrement dit, l’organe de serrage 7 est monté « fou » par rapport à l’organe de butée 6. Cela permet de limiter les efforts au serrage.
Un exemple de mise en œuvre d’un procédé de montage d’un dispositif d’entretoise 1 va être présenté en référence aux figures 9 et 10. Dans cet exemple, les banches B1, B2 sont positionnées en vis-à-vis et l’orifice de réception O2 est aligné avec l’orifice d’introduction O1 selon un axe XE.
Dans cet exemple, l’opérateur est situé à l’avant de la banche d’introduction B1 et aucun opérateur n’est positionné entre les banches B1, B2. L’organe de protection 3 possède une longueur L3 correspondant sensiblement à l’épaisseur EP du mur à coffrer. L’élément de blocage 31 permet de bloquer le corps principal 30, ce qui facilite la manipulation du dispositif d’entretoise 1.
Le procédé comporte une étape consistant à introduire la première extrémité filetée 2A de la tige 2 dans l’orifice d’introduction O1 de la banche d’introduction B1 dans un mouvement d’avant vers l’arrière, de manière à traverser successivement l’orifice d’introduction O1 et l’orifice de réception O2 l’organe de protection 3 s’étendant entre les faces coffrantes F1, F2. Lors de l’introduction, l’axe de tige T du dispositif d’entretoise 1 est aligné avec l’axe XE dans le bloc d’entretoise 10 et introduit dans l’ouverture traversante O12. L’extrémité arrière 3A de l’organe de protection 3 vient en butée contre la face coffrante F2 de la banche de réception B2. L’organe de protection 3 possède un diamètre avant D32 inférieur au diamètre D1 de l’orifice d’introduction O1 et il existe un jeu de montage.
Le procédé comporte une étape consistant à visser la première extrémité filetée 2A dans la banche de réception B2 de manière à comprimer l’organe d’étanchéité 4 avec l’organe de compression 5 afin d’assurer l’étanchéité de la face coffrante F1 de la banche d’introduction B1. L’organe de compression 5 se déplace vers l’arrière lors du vissage et comprime progressivement l’organe d’étanchéité 4 à la périphérie de l’orifice d’introduction O1, ce qui permet d’assurer l’étanchéité en comblant le jeu de montage. Au cours de cette étape, l’opérateur utilise de préférence une visseuse ou une boulonneuse électrique sur l’organe de serrage 7, ce qui diminue sa pénibilité.
Le procédé comporte une étape consistant à stopper le vissage lorsque l’organe de butée 6 est en butée contre la banche d’introduction B1, en particulier contre la paroi de serrage 11 du bloc d’entretoise 10, de manière à calibrer la compression appliquée à l’organe d’étanchéité 4 par l’organe de compression 5. De manière avantageuse, l’organe de butée 6 permet de stopper la compression et permet de s’assurer que le mur à coffrer possède la bonne épaisseur EP. En position de butée, il n’est plus possible de serrer, ce qui est pratique pour l’opérateur.
En d'autres termes, la composition obtenue est le mélange obtenu à l'étape i) du procédé.
De préférence, le procédé comprend une étape de réticulation du mélange obtenu à l'étape i).
La composition réticulable comprend de préférence au moins un polymère élastomère réticulable, plus préférablement choisi dans le groupe constitué par les terpolymères éthylène-propylène-diène (EPDM).
La composition réticulable peut en outre contenir au moins un additif tel qu'une charge de noir de carbone, des huiles de traitement, des agents de démoulage, des antioxydants et/ou des stabilisateurs thermiques.
La composition réticulable peut être un mélange maître de polymère, de préférence un mélange maître d'élastomère, qui peut comprendre un ou plusieurs des additifs susmentionnés.
De préférence, le mélange maître de polymère peut comprendre au moins un élastomère et un ou plusieurs additifs choisis dans le groupe constitué par le noir de carbone, le polyéthylène glycol, au moins une huile de traitement (par exemple, des hydrocarbures saturés liquides, tels que Primol® 352), au moins un antioxydant (par exemple, la 2,2,4-triméthyl-1,2,-dihydroquinoline, également appelée TMQ), au moins un agent de démoulage, au moins un stabilisateur thermique, et une combinaison de ceux-ci.
Avantageusement, l'étape de mélange peut être réalisée de toute manière conventionnelle.
L'étape de durcissement peut être réalisée à une température comprise entre 140 °C et 250 °C et plus préférablement entre 160°C et 220 °C.
Le procédé peut en outre comprendre la transformation de la composition obtenue (ou du mélange obtenu à l'étape (i)) en un article moulé ou extrudé, effectuée avant, pendant ou après l’étape de réticulation, de préférence avant ou après l’étape de réticulation.
Le procédé comprend de préférence l'extrusion de la composition obtenue pour former un article préformé non durci et le durcissement de l'article préformé non durci.
Un autre objet de l'invention vise l'utilisation de la composition susmentionnée comprenant a) au moins un peroxyde organique (a) choisi dans le groupe constitué par les peroxydes de dialkyle, les peroxycétals et leurs mélanges et b) au moins un peroxyde organique (b) comprenant dans sa structure au moins une chaîne latérale insaturée, ledit peroxyde organique (b) étant différent du peroxyde organique (a); dans lequel le rapport pondéral entre l’au moins un peroxyde organique (b) et l’au moins un peroxyde organique (a) est compris entre 0,003 et 0,04, pour durcir au moins une composition réticulable, telle que décrite ici, comprenant au moins un polymère réticulable.
Le polymère réticulable est de préférence choisi dans le groupe constitué par les polymères thermoplastiques, les polymères élastomères et leurs mélanges, plus préférablement parmi les polymères élastomères, encore plus préférablement choisi dans le groupe constitué par les terpolymères éthylène-propylène-diène (EPDM).
De préférence, la composition réticulable est un mélange maître d’élastomères.
En particulier, la composition précitée est utilisée pour contrôler le durcissement d'au moins une composition réticulable comprenant au moins un polymère réticulable, notamment ceux choisis dans le groupe constitué par les polymères thermoplastiques, les polymères élastomères et leurs mélanges, plus préférablement parmi les polymères élastomères, encore plus préférablement choisis dans le groupe constitué par les terpolymères éthylène-propylène-diène (EPDM).
De préférence, la composition précitée est utilisée pour éviter le grillage de l’au moins une composition réticulable telle que définie précédemment.
S’ensuit, comme illustré sur la , le report du circuit intégré radiofréquence 11 et du palet 12 sur le premier substrat porteur 31. Plus particulièrement, le circuit intégré radiofréquence 11 est reporté sur le premier substrat porteur 31 par sa face avant 113 et le palet 12 est reporté sur le premier substrat porteur par une de ses première et deuxième surfaces principales 121, 122.
Notons ici que, comme sur l’exemple illustré sur la , le circuit intégré 11 présente, sur la , une structure telle qu’illustrée sur la qui a déjà été décrite plus haut.
Toujours en référence à la , on forme ensuite sur une piste métallique de la couche de redistribution RDL un pilier métallique de connexion électrique 19. Le pilier 19 présente une hauteur supérieure à la plus grande parmi une épaisseur du circuit intégré radiofréquence 11 entre sa face avant 113 et sa face arrière 114 et une épaisseur du palet 12 entre ses surfaces principales 121 et 122. La hauteur de chaque pilier 19 peut par exemple être comprise selon les cas entre 50 et 200 microns.
Comme illustré sur la , s’ensuit un dépôt du premier matériau diélectrique 16 sur le premier substrat porteur 31 au moins autour du circuit intégré radiofréquence 11 et du palet 12, et autour du pilier 19, et, le cas échéant, jusqu’à recouvrir l’ensemble.
Toujours dans la maîtrise des épaisseurs H1 et H2 déjà discutées plus haut et telles qu’illustrées sur la , une étape de meulage peut être réalisée qui peut viser le cas échéant à exposer le sommet du pilier 19.
L’on comprend que, selon le cas de figure, un meulage du premier matériau diélectrique 16 puisse être prévue pour exposer la face arrière 114 du circuit intégré radiofréquence 11 et/ou la surface principale du palet 12 opposée à celle par laquelle le palet 12 a été reporté sur le premier substrat porteur 31. Par exemple, sur la , est illustré un cas dans lequel le palet 12 présente une épaisseur supérieure à celle du circuit intégré radiofréquence 11 et dans lequel l’étape de meulage susmentionnée a conduit à exposer la surface principale 121 du palet 12, le cas échéant en plus du sommet du pilier 19. Le quatrième mode de mise en œuvre présentement décrit montre donc son potentiel à considérer toutes formes et dimensions du palet 12, notamment relativement à celle(s) du circuit intégré radiofréquence 11.
Une fois exposées la face arrière 114 du circuit intégré radiofréquence 11 et la surface principale 121 du palet 12, un dépôt d’une partie au moins de la piste métallique de connexion électrique 13 est réalisé, pour obtenir, sur le premier substrat porteur 31, une première partie du module frontal, de la façon illustrée sur l’une ou l’autre des figures 37 et 37A.
La reprend le cas illustré sur la , sans préjudice d’une possibilité d’adaptation des étapes décrites ci-dessous au cas illustré sur la . De telles étapes adaptées sont d’ailleurs illustrées sur les figures 38A et 40A.
Sur les figures 38 et 39, est illustré le transfert de la première partie du module frontal depuis le premier substrat porteur 31 sur le second substrat porteur 32. Il est dès lors possible de finaliser, comme représenté sur les figures 39 et 40, le module frontal 1 en formant des zones de reprise de contact d’entrée/sortie du module frontal 1 sur le niveau métallique de connexion électrique 142. Cette étape peut être réalisée en ouvrant par endroits, par exemple par gravure, une couche supérieure du troisième matériau diélectrique 18. Des pads d’entrée/sortie peuvent le cas échéant venir habiller lesdites zones de reprise de contact.
Notons que le transfert tel qu’illustré sur les figures 38A et 40A n’induit pas particulièrement la nécessité d’adapter les étapes de finalisation du module frontal 1 tel que décrite ci-dessus en référence aux figures 39 et 40.
De la même façon que discuté plus haut, le module frontal 1 est alors fabriqué et prêt à être assemblé aux autres composants d’un système radiofréquence ou sur une carte d’évaluation 4 du module 1, par exemple de la façon illustrée sur la . Notons que l’assemblage tel qu’illustré sur la fait intervenir deux connexions par fils de liaison électrique 45 (ou « wire bonding » selon la terminologie anglo-saxonne).
On s’aperçoit que, dans des modules frontaux 1 selon l’invention obtenus par les troisième et quatrième modes de mise en œuvre du procédé selon l’invention, les différents niveaux de connexion électrique 141 et 142 ne sont plus séparés entre eux par le palet 12, de sorte que la distance qui sépare ces niveaux de métallisation n’est plus déterminée par l’épaisseur du palet 12 ; ceci confère, aux modules frontaux 1 obtenus par mise en œuvre de la seconde approche décrite ci-dessus, une dissipation de chaleur optimale quelle que soit la configuration, et notamment quelle que soit l’épaisseur du palet.
Notons néanmoins que, lorsque le palet 12 présente une épaisseur inférieure à celle du circuit intégré radiofréquence 11 (celle-ci étant typiquement inférieure à 100 microns, y compris l’épaisseur des perles de soudure), les troisième et quatrième modes de mise en œuvre du procédé selon l’invention peuvent nécessiter d’ouvrir le matériau diélectrique 16, 17 au-dessus du palet 12 (après avoir placé le palet et recouvert le palet et le reste de diélectrique), pour créer une cavité (ou évidement) 210 (Cf. par exemple ) en son sein et pouvoir y reprendre le contact à la masse. De façon similaire, si un pilier 19 présente une hauteur supérieure à l’épaisseur du circuit intégré 11 et du palet 12, il peut être nécessaire de creuser une cavité au-dessus de chacun de ces éléments. On notera que les premier et deuxième modes de mise en œuvre du procédé selon l’invention ne présentent pas cette limite.
Notons que chacun des quatre modes de mise en œuvre décrits ci-dessus du procédé de fabrication selon l’invention comprend les étapes suivantes : Fournir un circuit intégré radiofréquence 11, un palet 12 à base d’un matériau magnétique auto-polarisé, un premier substrat porteur 31 et un second substrat porteur 32, le circuit intégré radiofréquence 11 comprenant plusieurs zones de connexion électrique 111, 112 dont une première zone 111 destinée à recevoir et/ou émettre un signal électrique et une deuxième zone 112 destinée à être reliée à la masse, et le palet 12 comprenant une première surface principale 121 et une deuxième surface principale 122 opposée à la première, puis Assembler le circuit intégré radiofréquence 11 et le palet 12en se servant du premier substrat porteur 31 comme support pour des premières étapes de fabrication du module frontal, puis comme substrat de transfert sur le second substrat support 32 pour des deuxièmes étapes de fabrication du module frontal ; en utilisant au moins l’un parmi un premier matériau diélectrique 16 et un deuxième matériau diélectrique 17 pour maintenir mécaniquement au moins le circuit intégré radiofréquence 11 et le palet 12 en position relative l’un par rapport à l’autre grâce à un « enrobage » du circuit intégré 11 et du palet 12 par un matériau diélectrique 16, 17 réalisé par un procédé de conditionnement de type FOWLP ; en formant une couche de redistribution RDL de connexions électriques placée au-dessus de la couche d’enrobage comprenant ledit premier matériau diélectrique et comprenant une piste métallique de connexion électrique reliant la deuxième surface principale 122 du palet 12 et ladite première zone de connexion électrique 112 du circuit intégré 11 pour permettre la transmission d’un signal électrique entre le palet et le circuit intégré.
Par ailleurs, il en va de même d’un cinquième mode de mise en œuvre du procédé de fabrication selon l’invention qui comprend : le dépôt par exemple par placage d’une couche épaisse de cuivre sur un premier substrat porteur, puis le patterning de cette couche (ou la « création/formation de motifs dans cette couche ») pour créer des piliers métalliques, le report du circuit intégré radiofréquence 11 et du palet 12 entre les piliers en cuivre, le dépôt du premier matériau diélectrique 16, en surmoulage, sur le premier substrat porteur, puis un éventuel meulage, le cas échéant (si le palet 12 est d’une épaisseur inférieure à celle du circuit intégré radiofréquence 11), la formation d’une cavité 210 dans le premier matériau diélectrique 16 de sorte à exposer une des surfaces principales du palet 12, le dépôt d’un plan de masse, puis son éventuel patterning, le transfert sur un second substrat porteur, le dépôt d’un premier niveau de métallisation, puis son patterning, le dépôt d’un matériau diélectrique 18, avant celui d’un deuxième niveau de métallisation, puis son éventuel patterning, et la formation de pads de connexion.
Par rapport au premier mode de réalisation, la couche de passivation 246, 248 formant les première et seconde couches de suppression de mode transversal 122, 132 s'étendent sous les barres omnibus 108 et 118. La couche de passivation 248 s'étend complètement sous la barre omnibus 118, tandis que l'autre couche de passivation 246 s'étend uniquement partiellement sous la barre omnibus 108. Dans cette variante, les première et seconde couches de suppression de mode transversal 122 et 132 ne sont pas symétriques.
Dans une autre variante, les première et seconde couches de suppression de mode transversal 122 et 132 peuvent être intégrées complètement ou partiellement dans la couche piézoélectrique 140.
La est une vue latérale d'une structure de transducteur selon une deuxième variante de l'invention.
Comme mentionné dans la description du premier mode de réalisation, les première et seconde couches de suppression de mode transversal 222 et 232 de la couche piézoélectrique 140, dans cette variante, sont une couche piézoélectrique structurel modifiée localement 140. Par exemple, la modification structurelle de la couche piézoélectrique 140 correspond à une dose de dopage différente dans la couche de suppression de mode transversal 222, 232 par rapport au reste de la couche piézoélectrique 140.
La représente une troisième variante de la structure de transducteur 200c du premier mode de réalisation.
Par rapport à la variante de la deuxième variante, les première et seconde couches de suppression de mode transversal 222, 232 s'étendent uniquement partiellement sous les barres omnibus 108, 118. Les première et seconde couches de suppression de mode transversal 222 et 232 sont symétriques.
La est une vue latérale d'une structure de transducteur 200d selon une quatrième variante de l'invention.
Contrairement aux trois premières variantes, tandis que la première couche de suppression de mode transversal 232 s'étend partiellement sous la barre omnibus 118, la seconde couche de suppression de mode transversal 222 ne s'étend pas du tout sous sa barre omnibus correspondante 108. À nouveau, les zones modifiées localement 222 et 232 ne sont ici pas identiques.
Les figures 3a à 3f illustrent des variantes supplémentaires des couches de suppression de mode transversal dans une vue de dessus de la structure de transducteur. Elles présentent toutes des formes géométriques différentes de la couche de suppression de mode transversal.
La est une vue de dessus d'une structure de transducteur selon une cinquième variante du premier mode de réalisation de l'invention. Par rapport au mode de réalisation représenté sur la , ici, la couche de suppression de mode transversal 222 s’étend au moins partiellement jusqu'à la barre omnibus 108 sur un premier côté et éventuellement même sous la barre omnibus 108, tandis que sur l'autre côté, la couche de suppression de mode transversal 232 est située à une distance s de la barre omnibus 108, comme dans le premier mode de réalisation. En résultat, les couches de suppression de mode transversal 222 et 232 sont différentes en termes de dimensions, et ne sont pas symétriques.
Sur la , une sixième variante est représentée, dans laquelle les couches de suppression de mode transversal 222 et 232 sont effilées.
La est une vue de dessus d’une structure de transducteur, en particulier selon la deuxième variante représentée sur la , où les deux couches de suppression de mode transversal 222, 232 s'étendent sous les barres omnibus 208, 218 et sont symétriques en termes de forme et de dimensions.
Dans la septième variante, illustrée sur la , par rapport à la variante représentée sur la , les deux couches de suppression de mode transversal 222, 232 s'étendent même davantage vers l'extérieur que les barres omnibus 208, 218 dans la direction X. Dans une variante, une seule des couches de suppression de mode transversal 222, 232 s'étend davantage vers l'extérieur que les barres omnibus 208, 218.
Dans la huitième variante représentée sur la , par rapport au mode de réalisation représenté sur la , les couches de suppression de mode transversal 222, 232 ont une forme convexe ou concave afin d'améliorer le confinement de mode lorsque moins d'énergie est rayonnée au niveau du bord du transducteur interdigité.
Dans la neuvième variante, comme représenté sur la , différentes formes peuvent être utilisées pour les couches de suppression de mode transversal 222, 232. Sur la , la forme de la seconde couche de suppression de mode transversal 232 est arrondie, tandis que la forme de la première couche de suppression de mode transversal 222 est pointue. La forme arrondie des couches de suppression de mode transversal 232 est arrondie avec des angles à différentes valeurs pour rompre tout effet de synchronisme possible. Ceci est également le cas pour des motifs pointus, les angles étant choisis d'une manière telle qu'aucune cohérence ne survient d'un bord d'électrode à un autre.
La est un diagramme schématique des étapes du procédé de fabrication d'une structure de transducteur selon le premier mode de réalisation de l'invention et de quelconques de ses variantes.
La composition peut également comprendre, en plus des huiles ci-dessus, de l’huile de sésame et/ou de l’huile d’onagre. Ces huiles sont de préférence présentes dans une proportion de :
Généralement, au sein de la composition, la proportion cumulée en huile d’olive, huile de coco, huile de bourrache, huile de sésame et huile d’onagre est de 3,0 à 20,0%, de préférence de 4,0 à 15,0% en poids.
Au sens de la demande, lorsqu’une concentration en vitamine F est précisée, c’est sans tenir compte des proportions en acide linoléique et en acide α-linolénique contenus dans les huiles d’olive, de coco, de bourrache, de sésame et d’onagre. Généralement, la composition comprend une autre huile comme source de vitamine F, par exemple l’huile de maïs (Zea Mays (Corn) oil), l’huile de rose musquée (Rosa Moschata Seed oil) ou un mélange de celles-ci. Les proportions en vitamine F mentionnées ci-dessus (de 0,2 à 1,5 % en poids, de préférence de 0,5 à 1,3% en poids) correspondent aux proportions en acide linoléique et en acide α-linolénique apportée par cette(ces) autre(s) huile(s).
Les huiles utilisées dans la composition sont de préférence d’origine végétale. De préférence, la composition est exempte d’huile paraffinum liquidum, parraffinum cera et/ou microcristallina, voire même plus généralement exempte d’huile minérale.
La composition peut en outre comprendre de l’aloe vera ou un extrait de celui-ci, par exemple un jus déshydraté d’aloe vera.
La composition peut comprendre des additifs supplémentaires choisis parmi un agent de contrôle de la viscosité, un agent conservateur, un émollient, un agent d’hydratation, un tensioactif, un parfum, un acide ou une base pour ajuster le pH, un conditionneur de peau, un agent masquant et des mélanges de ceux-ci.