INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
La et la sont des vues en coupe illustrant des étapes d’un autre exemple de procédé de réalisation d’une puce électronique du type décrit en relation avec la .
Dans l’exemple des figures 5A et 5B, la barrière isolante 27 correspond à une couche située sur les flancs de la couche 21 et localisée au moyen d’une couche de résine sacrificielle.
Le plot métallique 13 est par exemple réalisé par photolithographie et gravure tel que décrit ci-dessus en relation avec la . Dans l’exemple des figures 5A et 5B, la gravure n’est pas prolongée dans la couche 19.
Dans cet exemple, la résine de masquage 29 est conservée sur la face supérieure du plot métallique 13 à l’issue de la gravure. On vient ensuite déposer une couche 31 en un matériau isolant, par exemple de façon conforme, par exemple pleine plaque. Dans cet exemple, la couche 31 s’étend sur et en contact avec la face supérieure et les flancs de la couche de résine 29, les flancs du plot métallique 13, et la face supérieure de la couche 19. La illustre la structure obtenue à l’issue de cette étape de dépôt. A titre d'exemple, la couche 31 à une épaisseur comprise entre 10 nm et 100 nm, par exemple de l'ordre de 50 nm.
A titre d'exemple, la couche 31 est en un matériau diélectrique, par exemple en sulfure de zinc ou en dioxyde de silicium.
L'étape de dépôt de la couche 31 est suivie d'une étape dite de décollement ("lift-off" en anglais). Lors de cette étape, la couche de résine 29 est retirée avec les parties de la couche 31 qui la recouvrent et seules les parties de la couche 31 situées sur les flancs de l'UBM 13 et sur la face supérieure de la couche 19 sont conservées de façon à former la barrière isolante 27. A titre d'exemple, cette étape de décollement est réalisée par lavage de la structure par un solvant. La illustre la structure obtenue à l’issue de cette étape.
Dans cet exemple, la barrière isolante 27 correspond à une couche affleurant la face supérieure de la couche 21 et comblant l'espace libre autour du plot métallique 13.
Le plot métallique 13 est par exemple réalisé par photolithographie et gravure tel que décrit ci-dessus en relation avec la . Dans l’exemple des figures 6A et 6B, la gravure n’est pas prolongée dans la couche 19.
Après retrait de la résine de masquage 29, la barrière isolante 27 est dans cet exemple formée par dépôt d'une couche isolante 33, pleine plaque, c'est-à-dire sur et en contact avec la face supérieure de la couche 19, la face supérieure de l'UBM 13 et les flancs de l'UBM 13. La couche isolante 33 est par exemple en un matériau diélectrique, par exemple en sulfure de zinc ou en dioxyde de silicium.
Dans cet exemple, la couche 33 est formée avec une épaisseur supérieure à l'épaisseur du plot métallique 13, c'est-à-dire l'épaisseur cumulée de la couche 21, de la couche 23 et de la couche 25, au-dessus de la couche de passivation 19. Ainsi, l'UBM 13 est intégralement recouvert par la couche 33 comme cela est illustré en . A titre d'exemple, la couche 33 a une épaisseur supérieure à 600 nm. La couche 33 a par exemple une face supérieure sensiblement plane.
A la suite de l'étape de dépôt de la couche 33, la structure est planarisée ou amincie, par exemple par une planarisation mécano-chimique. La planarisation est, par exemple arrêtée lorsque la face supérieure du plot métallique 13 est dévoilée. A l'issue de cette étape, la face supérieure du plot métallique 13 affleure la face supérieure de la couche 33 formant la barrière isolante 27 comme cela a été illustré en .
Comme cela est illustrée par des chronogrammes à droite en , dans un état initial les entrées In1 et In2 sont à leur état bas, et les sorties O1 et O2 sont également à leur état bas.
A partir de l'état initial décrit ci-dessus, lorsqu'un front actif, ici montant, se présente sur l'entrée In1, cela provoque la commutation de la sortie O1, ici à l'état haut, la sortie O2 restant à son état courant, ici l'état bas. Puis, lorsqu'un front actif, ici montant, se présente sur l'entrée In2 alors que l'entrée In1 n'a pas encore commutée à son état initial, cela provoque la remise à l'état initial des deux sorties O1 et O2, c'est à dire ici que la sortie O1 commute à son état bas.
De manière symétrique, à partir de l'état initial, lorsqu'un front actif, ici montant, se présente sur l'entrée In2, cela provoque la commutation de la sortie O2, ici à l'état haut, la sortie O1 restant à son état courant, ici l'état bas. Puis, lorsqu'un front actif, ici montant, se présente sur l'entrée In1 alors que l'entrée In2 n'a pas encore commutée à son état initial, cela provoque la remise à l'état initial des deux sorties O1 et O2, c'est à dire ici que la sortie O2 commute à son état bas.
La sortie O1 est donc activée par l'entrée In1 et la sortie O2 est activée par l'entrée In2.
Dans d'autres exemples non illustrés, les états haut et bas des deux sorties O1 et O2 peuvent être inversés, c'est à dire que l'état initial des sorties O1 et O2 est l'état haut.
Bien entendu, la mise en œuvre du circuit 106 ne se limite pas aux exemples décrits en relation avec les figures 4 et 5, et la personne du métier est en mesure, à partir de la description du fonctionnement du convertisseur 1 faite en relation avec les figures 1 à 3, de prévoir d'autres mises en œuvre du circuit 106.
La représente un exemple de mise en œuvre du circuit 108 de la , par exemple dans le cas où le circuit 106 est mis en œuvre de la façon illustré par la .
Dans cet exemple de mode de réalisation, le circuit 108 est mis en œuvre par une pompe de charge.
La pompe de charge 108 comprend deux sources de courants 601 et 602 configurées pour délivrer des courants respectifs I1 et I2, deux interrupteurs IT1 et IT2 commandés par les signaux out1 et out2, par exemple respectivement par les signaux out2 et out1, et une capacité Ccp connectée entre une sortie du circuit 108 et, par exemple, la masse GND. La tension Vcp est disponible sur la sortie du circuit 108.
A titre d'exemple, la source de courant 601 est connectée entre un potentiel d'alimentation VDD, par exemple positif par rapport à la masse GND, et une borne de conduction de l'interrupteur IT1, l'autre borne de conduction de l'interrupteur IT1 étant connectée à la sortie du circuit 108, donc à la capacité Ccp. De manière symétrique, la source de courant 602 est connectée entre la masse GND et une borne de conduction de l'interrupteur IT2, l'autre borne de conduction de l'interrupteur IT2 étant connectée à la sortie du circuit 108, donc à la capacité Ccp. L'interrupteur IT1 est, dans cet exemple, commandé par le signal out1 et est configuré pour être passant à chaque impulsion du signal out1, c'est à dire à pendant chaque état haut du signal out1 dans cet exemple. De manière symétrique, l'interrupteur IT2 est, dans cet exemple, commandé par le signal out1 et est configuré pour être passant à chaque impulsion du signal out1, c'est à dire à pendant chaque état haut du signal out1 dans cet exemple.
Ainsi, dans cet exemple, la tension Vcp augmente à chaque impulsion du signal out1 (Φ0 en avance de phase sur Φsens) et diminue à chaque impulsion du signal out2 (Φ0 en retard de phase sur Φsens). Toutefois, comme cela a déjà été mentionné précédemment, pour que la boucle de contre réaction 102 mette en œuvre une contre réaction négative, dans d'autres exemples la tension Vcp augmente à chaque impulsion du signal out2 (Φ0 en retard de phase sur Φsens) et diminue à chaque impulsion du signal out1 (Φ0 en avance de phase sur Φsens). Dans ces autres exemples, les interrupteurs IT1 et IT2 par exemple commandés respectivement par les signaux out1 et out2.
A titre d'exemple, dans le cas où I1 est égal à I2, la fonction de transfert H1 du circuit 108 peut s'écrire H1 = I1/(2.Π.Ccp.s), d'où il résulte que K1 est alors égal à I1/(2.Π.Ccp). On voit qu'il est alors facile de régler le gain K1 en modifiant le courant I1 et/ou la valeur de la capacité Ccp.
La représente, sous la forme de blocs, une variante de réalisation du convertisseur 1 des figures 1 à 4, et, plus particulièrement, une variante de mise en œuvre du circuit 106 par rapport au mode de réalisation décrit en relation avec la figue 5.
Dans cette variante de réalisation, le circuit 106 comprend un détecteur de phase, par exemple le détecteur de phase 500 décrit en relation avec la , et un diviseur de fréquence par N, référencé 700 en .
Le détecteur de phase 500 est commandé à partir des des signaux Φ0 et Φsens, par des signaux Φ0' et Φsens' obtenus, avec le circuit 700, en divisant par N la fréquence des signaux respectifs Φ0 et Φsens.
Le circuit 700 reçoit les signaux Φ0 et Φsens, et fournit les signaux respectifs Φ0' et Φsens' ayant une fréquence N fois plus faible que les signaux respectif Φ0 et Φsens.
Les figures 10 et 11 montrent des vues de l’espaceur dans un boîtier de bloc batterie, selon deux variantes d’un sixième mode de réalisation de l’invention. Ces figures reprennent la numérotation des figures précédentes pour les éléments identiques ou similaires, la numérotation étant toutefois incrémentée de 100 par rapport à la . Il est par ailleurs fait référence à la description de ces éléments en relation avec les modes de réalisation précédents de l’invention.
Dans les deux variantes de réalisation qui suivent, l’espaceur 505 comprend la zone d'appui principale 505A configurée pour venir en appui contre la grande face latérale 503A.3 de la cellule 503A, et les deux zones d'appui latérales 505B configurées pour venir en appui contre les petites faces latérales de ladite cellule 503A (les petites faces latérales n’étant pas visibles à la ). Plusieurs cellules 503A forment le bloc batterie 503, qui est lui-même positionné dans le boîtier 501A. Sur ces figures, les deux grandes parois latérales 501A.1 du boîtier 501A sont également indiquées.
Comme précédemment, le dispositif de régulation thermique 501 comprend le circuit de circulation 501B du fluide caloporteur. En revanche, la partie du circuit de circulation 501B du fluide caloporteur formée dans l’espaceur 505 présente des sections de circulation 501B.1 à largeurs variables. Ces sections 501B.1 sont formées avantageusement par un ou des segments longitudinaux 505A.1 ou verticaux 505A.2 de l’espaceur 505. Avantageusement, les sections de circulation 501B.1 du circuit de circulation 501B présentent une largeur décroissante depuis le collecteur d’entrée 501C vers le collecteur de sortie 501D. De manière préférentielle, cette décroissance peut être graduelle ou continue. La largeur décroissante des sections de circulation 501B.1 est comprise entre -20% et -80%, et préférentiellement comprise entre -40% et -60%.
Le boîtier 501A de la comprend les deux collecteurs d’entrée 501C et de sortie 501D, chaque collecteur (501C, 501D) étant respectivement positionné sur l’une des deux grandes parois latérales 501A.1 du boîtier 501A. Chacune des zones d’appui latérales 505B de l’espaceur 505 comprend au moins un orifice supérieur 505B.2, l’orifice 505B.2 de la première zone d’appui latérale 505B.3 permettant l’entrée du fluide caloporteur dans la partie du circuit de circulation 501B de l’espaceur 505, et l’orifice supérieur 505B.2 de la deuxième zone d’appui latérale 505B.4 permettant la sortie du fluide caloporteur de la partie du circuit de circulation 501B positionné sur l’espaceur 505. De plus, l’espaceur 505 présente des segments verticaux 505A.2 qui vont délimiter les sections de circulation 501B.1, lesdits segments 505A.2 se rapprochant de plus en plus à mesure qu’ils sont positionnés à proximité du collecteur de sortie 501D.
Dans le cas du boîtier 501A de la , le positionnement des collecteurs (501C, 501D) est réalisé sur une seule grande paroi latérale 501A.1 dudit boîtier 501A. L’une des zones d’appui latérales 505B de l’espaceur 505 présente, en outre, au moins un orifice supérieur 505B.2 et un orifice inférieur 505B.1, chacun des orifices (505B.1, 505B.2) étant adapté pour permettre le passage du fluide caloporteur. Préférentiellement, l’orifice inférieur 505B.1 permet l’entrée du fluide dans la partie du circuit de circulation 501B située sur l’espaceur 505, et l’orifice supérieur 505B.2 permettent la sortie dudit fluide de la partie du circuit de circulation 501B de l’espaceur 505.
Dans cet espaceur 505 de la , les sections de circulation 501B.1 diminuent également de largeur à mesure que l’on se rapproche du collecteur de sortie 501D. Ceci est dû à la présence, sur cet espaceur 505, des segments longitudinaux médians 505A.1c qui s’étendent dans la partie ajourée de la section de circulation 501B.1 et entre les segments longitudinaux supérieur 505A.1a et inférieur 505A.1b. Les sections de circulations 501B.1 sont agencées de façon à former une partie du circuit de circulation 501B forcée du fluide caloporteur entre les cellules 503A adjacentes.
Ainsi, l’espaceur 505 selon les deux variantes de réalisation de l’invention présente un fonctionnement différent selon l’activation ou non de la pompe du dispositif de régulation thermique 501.
Lorsque la pompe du dispositif de régulation thermique 501 est fonctionnelle (la pompe n’étant pas visible sur les figures 10 et 11), la diminution de la taille des sections de circulation 501B.1 dans ces deux variantes de réalisation permet l’augmentation de la vitesse du fluide caloporteur, tout en augmentant la turbulence du fluide. Un refroidissement efficace des grandes faces latérales 503A.3 des cellules 503A est alors maintenue.
Mais lorsque la pompe du dispositif de régulation thermique 501 n’est pas active (en cas d’emballement thermique, par exemple), l’échauffement du fluide caloporteur permet malgré tout son déplacement. En effet, la variation de densité entre le fluide chaud qui s’élève par rapport au fluide froid va permettre un refroidissement d’une partie de la chaleur générée par la cellule 503A. La diminution de la largeur des sections de circulation 501B.1 permet alors de favoriser l’écoulement du fluide et améliore également le refroidissement de la cellule 503A.
Les figures 12, 13 et 14 montrent, respectivement, une vue en coupe d’un dispositif de régulation thermique, d’une vue en perspective d’un espaceur et d’une vue en coupe dudit dispositif avec les collecteurs positionnés d’un même côté du boîtier, selon un septième mode de réalisation de l’invention. Ces figures reprennent la numérotation des figures précédentes pour les éléments identiques ou similaires, la numérotation étant toutefois incrémentée de 100 par rapport au sixième mode de réalisation de l’invention. Il est par ailleurs fait référence à la description de ces éléments en relation avec les modes de réalisation précédents de l’invention.
Dans ce mode de réalisation, le bloc batterie 603 présente deux ou plusieurs rangées de cellules (603A, 603A’) accolées. Sur la , le bloc batterie 603 est composé de deux rangées de cellules (603A, 603A’) accolées côte-à-côte.
Pour permettre la tenue des cellules (603A, 603A’) et l’écoulement homogène le long de leurs grandes faces latérales (603A.3, 603A’.3), les segments (605A.1, 605A.2) de l’espaceur 605 sont conformés de manière à créer un ou des circuits de circulation 601B forcée présentant chacun une ou plusieurs passes, comme dans le cas d’un espaceur pour une seule cellule décrit précédemment.
Avantageusement, pour que la température soit la plus homogène possible, chaque circuit 601B (et chacune de ses passes) s’étend – ou est à cheval - sur les deux grandes faces latérales (603A.3, 603A’.3) des cellules (603A, 603A’) disposées côte-à-côte.
L’espaceur 605 forme une étanchéité au fluide tout le long du circuit 601B comme avec un espaceur pour une seule cellule décrit précédemment.
Sur les figures 12, 13 et 14, l’espaceur 605 comprend une nervure médiane 605A.3 qui s’étend dans la hauteur des cellules (603A, 603A’) et qui s’installe en usage entre les extrémités latérales des grandes faces latérales (603A.3, 603A’.3). Cette nervure médiane 605A.3 remplit ainsi l’espace entre les deux cellules (603A, 603A’) et forme étanchéité entre lesdites cellules (603A, 603A’). Des ouvertures 605A.3a sont ménagées dans la nervure médiane 605A.3 de manière à autoriser la circulation du fluide entre les grandes faces latérales (603A.3, 603A’.3).
La nervure médiane 605A.3 permet en outre une distanciation des cellules (603A, 603A’) disposées côte-à-côte et joue un rôle mécanique contre le gonflement desdites cellules (603A, 603A’) induit par leur montée en température. Elle contribue à maintenir davantage les cellules (603A, 603A’) en compression sous l’effet de ce gonflement, ce qui assure une capacité maximale desdites cellules (603A, 603A’).
b) si oui, si cette déposition améliorerait la tenue à la corrosion de la couche imprégnation sans chrome, par exemple une couche d’imprégnation Mn/Zr, comme c’est le cas pour une couche d’imprégnation Cr III /Zr.
L’invention concerne également un procédé de traitement de surface d’une pièce en aluminium ou en alliage d’aluminium destinée à être utilisée dans le secteur aéronautique comportant au moins les étapes suivantes :
i) soumission de ladite pièce à une étape d’anodisation, ayant éventuellement subie au préalable une étape de préparation de surface (dégraissage, puis décapage) ;
Un autre objet de l’invention est l’utilisation d’un procédé de colmatage post-anodisation selon l’invention, dans le traitement de surface de pièces en aluminium ou en alliage d’aluminium destinées au secteur aéronautique.
L’invention a également pour objet, une pièce en aluminium ou en alliage d’aluminium traitée par un procédé de colmatage post-anodisation selon l’invention, comportant éventuellement une ou plusieurs couches(s) de peintures et destinée au secteur aéronautique.
La représente un schéma théorique comparant la déposition des espèces sur la couche d’anodisation (OA) par le procédé de colmatage décrit dans FR3106838B1 et par le procédé de colmatage de l’invention.
Description détaillée de l'invention La présente invention a précisément pour but de répondre aux besoins de l’état de la technique, en particulier, en termes de résistance à la corrosion des alliages en aluminium, notamment des séries 2xxx, 6xxx et 7xxx, des alliages de fonderie, et les alliages d’aluminium issus de procédés tels que la fabrication additive et des alliages d’aluminium dits difficiles, en fournissant un procédé de colmatage post-anodisation de l’aluminium ou de l’alliage d'aluminium, comportant au moins les étapes suivantes :
Le sel de manganèse di-, tri, tétra, ou hepta-valent, peut être, par exemple, l’un des produits commerciaux suivants : Bonderite M-ED160/161.
L'oscillateur 104 est en outre commandé en tension. Plus exactement l'oscillateur 104 est un déphaseur contrôlé en tension.
Selon un mode de réalisation, l'oscillateur 104 est un oscillateur à relaxation comprenant une bascule RS, et, par exemple deux capacités ayant des tensions à leurs bornes qui déterminent les signaux sur les entrées de la bascule RS et des phases de charge et décharge commandées par les sorties de la bascule RS.
En , l'oscillateur 104 est commandé par une différence de tension DV entre la tension Vin à convertir et la tension Vfb de sortie de la boucle de contre réaction 102, c'est à dire la tension Vfb fournie par la boucle de contre réaction 102 et déterminée par la tension Vcp de sortie du circuit 108. Par exemple, la tensin Vfb est égale à la tension Vcp comme cela est illustré en . La tension DV de commande vient modifier la fréquence naturelle f0 de l'oscillateur 104, d'où il résulte un déphasage DΦ variable entre le signal Φsens fourni par l'oscillateur 104 et le signal Flock, qui dépend de la tension DV donc de la tension Vin. Dit autrement, la tension DV, donc la tension Vin, commande ou détermine le déphasage variable DΦ entre le signal Flock et le signal Φsens. Dans l'exemple de la , l'oscillateur 104 reçoit la tension DV comme tension de commande, cette dernière étant par exemple fournie par un circuit soustracteur comprenant un amplificateur opérationnel. Dans d'autres exemples, l'oscillateur 104 reçoit directement la tension Vin et la tension Vfb, et est commandé par ces deux tensions. Dit autrement, l'oscillateur 104 est configuré pour que le déphasage variable DΦ entre le signal Flock et le signal Φsens soit déterminé par la différence entre la tension Vin et la tension Vfb. Bien que dans l'exemple de la le circuit 104 soit commandé directement par une différence, donc un écart, entre les tensions Vin et Vfb en recevant directement la tension DV, dans d'autres exemples, l'oscillateur 104 est commandé par un écart entre les tensions Vin et Vfb en recevant directement les tensions Vin et Vfb.
Un avantage de l'oscillateur 104 est que le déphasage DΦ varie linéairement avec la tension DV donc avec la tension Vin, le déphasage DΦ étant alors représentatif de, ou déterminé par, la valeur de la tension DV, donc la valeur de la tension Vin. Toutefois, lorsque les variations de la fréquence Vin sont trop rapides, c'est à dire que ces variations sont à des fréquences supérieures à la fréquence flock de verrouillage de l'oscillateur 104, ces variations sont filtrées par l'oscillateur 104, qui agit ou fonctionne alors comme un filtre passe bas de fréquence de coupure fc inférieure à flock. Ainsi, la fonction de transfert H1 de l'oscillateur 104 peut s'écrire H2 = K2/(1+(s/(2.Π.fc))), avec K2 le gain de l'oscillateur 104 et s la variable de Laplace .
Le fonctionnement passe bande du convertisseur 1 est le suivant. Pour des variations de la tension Vin à des fréquences basses, par exemple inférieures à la fréquence de résonnance fres (ou fréquence centrale fres) du filtre passe bande, le signal Vin est compensé par la boucle de contre réaction 102 négative, et le signal de sortie out est fortement atténué. Quand les fréquences des variations de la tension Vin deviennent supérieures la fréquence fc, l'oscillateur 104 commence à atténuer le signal et à introduire un décalage de phase entre le signal Vin et le signal out jusqu'à ce que le signal out soit déphasé de Π/2 par rapport au signal Vin. Le signal out est fourni à la boucle de contre réaction 102 où le circuit 108 introduit un déphasage de -Π/2, mettant ainsi en œuvre une contre réaction positive. Le signal out atteint un maximum à la fréquence de résonnance fres du filtre passe bande. Pour des variations de la tension Vin ayant des fréquences supérieures à la fréquence de résonnance fres du filtre, le gain du circuit 108 diminue, le convertisseur 1 perd ses propriétés de boucle fermée et l'oscillateur 104 atténue le signal Vin.
Dit autrement, la fonction de transfert H3 du convertisseur 1 peut par exemple s'écrire H3 = (K2.s)/(K1.K2 + s + (s 2 /(2. Π.fc))). Il en résulte que : - le dénominateur de la fonction de transfert H3 présente deux pôles qui peuvent être complexes, ce qui signifie que le facteur de qualité Q du filtre passe bande n'est pas limité à des valeurs inférieures à 0,5 ; - le facteur de qualité Q est égal à (K1.K2/(2. Π.fc)) 0,5 , et peut donc être facilement choisi égal à des valeurs supérieures à 0,5 ; - le gain à la fréquence fres correspond au gain K2, et est donc indépendant de la fréquence fres. Il en résulte que la fréquence fres peut être modifiée sans que cela ne modifie le gain du filtre passe bande ; et - les opérations de conversion analogique vers durée et de filtrage passe bande sont mises en œuvre en une seule étape, ce qui réduit la consommation et la complexité du convertisseur 1 par rapport à un circuit où l'opération de conversion analogique vers durée serait mise en œuvre lors première étape et le filtrage passe bande serait mis en œuvre lors d'une autre étape.
La représente, sous la forme de blocs, un mode de réalisation plus détaillé du convertisseur 1 de la . Seules les différences entre le convertisseur 1 de la et celui de la sont ici décrites.
Plus particulièrement, la illustre un mode de réalisation de circuits permettant de fournir le signal Flock et le signal Φ0.