INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Selon encore une autre variante, la première portion et la deuxième portion peuvent se chevaucher partiellement, la deuxième portion et la troisième portion peuvent se chevaucher partiellement et/ou la première portion et la troisième portion peuvent se chevaucher partiellement
Selon un deuxième aspect, l’invention concerne un véhicule automobile comprenant une interface homme-machine comportant un écran tel que décrit ci-dessus.
est une illustration schématique d’un véhicule selon l’invention ;
est une illustration schématique de plusieurs exemples d’un écran d’une interface homme-machine d’un véhicule automobile selon un premier mode de réalisation de l’invention ; et
est une illustration schématique de plusieurs exemples d’un écran d’une interface homme-machine d’un véhicule automobile selon un deuxième mode de réalisation de l’invention.
Description détaillée de l’invention La illustre un véhicule automobile 3 selon l’invention qui embarque une interface homme-machine 2 comportant un écran 1 selon l’invention. L’écran 1 selon l’invention est de forme sphérique et c’est un écran tactile.
Selon un premier mode de réalisation de l’invention, dont plusieurs exemples sont illustrés schématiquement sur la , l’écran 1 assure la fonctionnalité tactile au moyen d’une première caméra 4 infrarouge agencée au sein de l’écran dont l’objectif est dirigé vers l’intérieur de l’écran pour déterminer un emplacement d’une interaction tactile réalisée au niveau d’une première portion p1 de la surface de l’écran et d’une deuxième caméra 5 infrarouge agencée au sein de l’écran dont l’objectif est dirigé vers l’intérieur de l’écran pour déterminer un emplacement d’une interaction tactile réalisée au niveau d’une deuxième portion p2 de la surface de l’écran 1.
Selon un premier exemple, celui illustré à gauche de la , la première portion p1, qui correspond au champ de vision de la première caméra 4, et la deuxième portion p2, qui correspond au champ de vision de la deuxième caméra 5, sont distinctes l’une de l’autre. Grâce à ces deux caméras et compte tenu de leur agencement et de leurs champs de vision respectifs, la proportion de la surface de l’écran 1 au niveau de laquelle les emplacements d’interactions tactiles peuvent être déterminés de manière efficace se trouve significativement augmentée.
Selon un autre exemple, celui illustré à droite sur la , la première portion p1 et la deuxième portion p2 se chevauchent partiellement. Dans ce cas, on peut alors avantageusement comparer les emplacements d’interactions tactiles déterminés au moyen de la première caméra 4 et ceux déterminés au moyen de la deuxième caméra 5 pour toute la portion de la surface de l’écran 1 qui est commune au champ de vision de la première 4 et de la deuxième caméra 5.
Selon un deuxième mode de réalisation de l’invention, dont plusieurs exemples sont illustrés sur la , l’écran 1 comprend une troisième caméra 6 infrarouge agencée au sein de l’écran dont l’objectif est dirigé vers l’intérieur du dispositif pour déterminer un emplacement d’une interaction tactile réalisée au niveau d’une troisième portion p3 de la surface de l’écran.
Selon un premier exemple, celui illustré à gauche sur la , la première portion p1, qui correspond au champ de vision de la première caméra 4, la deuxième portion p2, qui correspond au champ de vision de la deuxième caméra 5, et la troisième portion p3, qui correspond au champ de vision de la troisième caméra 6, sont distinctes les unes des autres. Ici encore, la troisième caméra 6 permet d’augmenter la proportion de la surface de l’écran 1 au niveau de laquelle les emplacements d’interactions tactiles peuvent être efficacement déterminés.
Dans S3, le premier résidu de lixiviation a été placé dans un bécher, additionné de 1000 mL d’eau, chauffé à 60°C, additionné de l’acide sulfurique pour ajuster le pH de lixiviation à 0,5, additionné lentement de 20 mL de peroxyde d’hydrogène, lixivié pendant 1 h et filtré et lavé pour obtenir une liqueur de lixiviation de cuivre et d’aluminium et un deuxième résidu de lixiviation ; le taux de lixiviation de cuivre et d’aluminium était supérieur à 98%, et la teneur en cuivre et la teneur en aluminium dans le deuxième résidu de lixiviation étaient toutes deux inférieures à 0,1%.
Dans S4, la liqueur de lixiviation de lithium obtenue dans l’étape S2 a été chauffée et évaporée pour obtenir un concentré, où le volume du concentré était de 600 mL et la concentration en ions lithium dans le concentré était de 18 g/L ; le concentré obtenu a été additionné de 190 g de carbonate de sodium pour une réaction de précipitation de lithium afin d’obtenir un précipité de carbonate de lithium (86 g) et une liqueur résiduaire de précipité ; le précipité de carbonate de lithium obtenu a été lavé deux fois avec de l’eau pure chaude pour obtenir un produit de carbonate de lithium (78 g) et de l’eau de lavage ; et la liqueur résiduaire de précipité et l’eau de lavage ont été mélangées pour obtenir une solution mixte, où le volume de la solution mixte était de 2600 mL et la concentration en ions lithium dans la solution mixte était de 2,4 g/L.
Dans S5, le deuxième résidu de lixiviation a été appliqué sur une plaque en acier inoxydable, séché à une température de 150°C et recouvert d’un sac filtrant pour servir de plaque de cathode d’une cellule électrolytique, une plaque de graphite a été utilisée comme plaque d’anode de la cellule électrolytique, et la solution mixte obtenue dans l’étape S4 a été utilisée comme électrolyte, où un intervalle entre la plaque de cathode et la plaque d’anode dans la cellule électrolytique était de 5 mm ; une tension de cellule a été ajustée à 1 V, une densité de courant était de 14 A/m 2 et le lithium a été enrichi par électrodéposition, où la concentration en ions lithium dans l’électrolyte a diminué à 0,1 g/L après 16 h d’électrodéposition ; et un résidu appliqué sur la plaque de cathode a été enlevé de la plaque en acier inoxydable avec une pelle, et le résidu appliqué obtenu a été concassé pour obtenir des poudres de phosphate de lithium-fer, où la teneur en lithium dans les poudres de phosphate de lithium-fer était de 3% ; et les poudres de phosphate de lithium-fer obtenues ont été renvoyées à l’étape S2 pour poursuivre la récupération du lithium.
Dans S2, 500 g de poudres de cathode et d’anode de batterie ont été placés dans un bécher, additionnés de 1500 mL d’eau, chauffés à 80°C, additionnés de l’acide sulfurique pour ajuster le pH de lixiviation à 6, additionnés lentement de 200 mL de peroxyde d’hydrogène, lixiviés pendant 1 h et filtrés et lavés pour obtenir 1600 mL de liqueur de lixiviation de lithium et un premier résidu de lixiviation, où le taux de lixiviation de lithium était de 98,5%, la teneur en lithium dans la liqueur de lixiviation de lithium était de 8 g/L, et la teneur en cuivre et la teneur en aluminium étaient toutes deux inférieures à 20 mg/L.
Dans S3, le premier résidu de lixiviation a été placé dans un bécher, additionné de 1000 mL d’eau, chauffé à 80°C, additionné de l’acide sulfurique pour ajuster le pH de lixiviation à 2,5, additionné lentement de 20 mL de peroxyde d’hydrogène, lixivié pendant 1 h et filtré et lavé pour obtenir une liqueur de lixiviation de cuivre et d’aluminium et un deuxième résidu de lixiviation ; le taux de lixiviation de cuivre et d’aluminium était supérieur à 98%, et la teneur en cuivre et la teneur en aluminium dans le deuxième résidu de lixiviation étaient toutes deux inférieures à 0,1%.
Dans S4, la liqueur de lixiviation de lithium obtenue dans l’étape S2 a été chauffée et évaporée pour obtenir un concentré, où le volume du concentré était de 600 mL et la concentration en ions lithium dans le concentré était de 25 g/L ; le concentré obtenu a été additionné de 190 g de carbonate de sodium pour une réaction de précipitation de lithium afin d’obtenir un précipité de carbonate de lithium (86 g) et une liqueur résiduaire de précipité ; le précipité de carbonate de lithium obtenu a été lavé deux fois avec de l’eau pure chaude pour obtenir un produit de carbonate de lithium (78 g) et de l’eau de lavage ; et la liqueur résiduaire de précipité et l’eau de lavage ont été mélangées pour obtenir une solution mixte, où le volume de la solution mixte était de 2600 mL et la concentration en ions lithium dans la solution mixte était de 2,4 g/L.
Dans S5, le deuxième résidu de lixiviation a été appliqué sur une plaque en acier inoxydable, séché à une température de 150°C et recouvert d’un sac filtrant pour servir de plaque de cathode d’une cellule électrolytique, une plaque de graphite a été utilisée comme plaque d’anode de la cellule électrolytique, et la solution mixte obtenue dans l’étape S4 a été utilisée comme électrolyte, où un intervalle entre la plaque de cathode et la plaque d’anode dans la cellule électrolytique était de 10 mm ; une tension de cellule a été ajustée à 0,8 V, une densité de courant était de 18 A/m 2 et le lithium a été enrichi par électrodéposition, où la concentration en ions lithium dans l’électrolyte a diminué à 0,1 g/L après 12 h d’électrodéposition ; et un résidu appliqué sur la plaque de cathode a été enlevé de la plaque en acier inoxydable avec une pelle, et le résidu appliqué obtenu a été concassé pour obtenir des poudres de phosphate de lithium-fer, où la teneur en lithium dans les poudres de phosphate de lithium-fer était de 3% ; et les poudres de phosphate de lithium-fer obtenues ont été renvoyées à l’étape S2 pour poursuivre la récupération du lithium.
Dans S2, 500 g de poudres de cathode et d’anode de batterie ont été placés dans un bécher, additionnés de 1500 mL d’eau, chauffés à 80°C, additionnés de l’acide sulfurique pour ajuster le pH de lixiviation à 3, additionnés lentement de 200 mL de peroxyde d’hydrogène, lixiviés pendant 1 h et filtrés et lavés pour obtenir 1600 mL de liqueur de lixiviation de lithium et un premier résidu de lixiviation, où le taux de lixiviation de lithium était de 98,5%, la teneur en lithium dans la liqueur de lixiviation de lithium était de 8 g/L, la teneur en cuivre était inférieure à 20 mg/L et la teneur en aluminium était de 280 mg/L.
Il existe un besoin pour des circuits de commande de transistor plus performants.
Il existe un besoin pour des circuits de commande transistor plus performants, et comprenant une diode de suppression de tensions transitoires.
Il existe un besoin pour des circuits de commande transistor plus performants, et comprenant une diode de suppression de tensions transitoires et des composants actifs.
Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des circuits de commande de transistor connus.
Un mode de réalisation prévoit un circuit de commande d'un premier transistor comprenant : - une diode de suppression de tensions transitoires dont la cathode est adaptée à être reliée à une première borne de conduction du premier transistor , et dont l'anode est reliée à un premier noeud ; - une première résistance adaptée à relier le premier noeud à une borne de commande du premier transistor ; - un deuxième transistor dont la borne de commande est reliée au premier noeud, dont une première borne de conduction est adaptée à recevoir une première tension d'alimentation, et dont une deuxième borne de conduction est adaptée à être reliée à la borne de commande du premier transistor, dans lequel la tension d'alimentation est inférieure à 20 V.
Selon un mode de réalisation, le circuit comprend, en outre, une diode redresseuse dont l'anode est reliée à la deuxième borne de conduction du deuxième transistor, et dont la cathode est adaptée à être reliée à la borne de commande du premier transistor .
Selon un mode de réalisation, le deuxième transistor est un transistor de type MOS.
Selon un mode de réalisation, le deuxième transistor est un transistor de type bipolaire.
Selon un mode de réalisation, la diode de suppression de tensions transitoires a une tension de claquage supérieure à 20 V.
Selon un mode de réalisation, la diode de suppression de tensions transitoires a une tension de claquage de l'ordre de 580 V.
Selon un mode de réalisation, la première résistance a une résistance de l'ordre de 10 Ohm.
Selon un mode de réalisation, le circuit comprend, en outre, une deuxième résistance dont une première borne est reliée à l'anode de la diode de suppression de tensions transitoires, et dont une deuxième borne est reliée au premier noeud.
Selon un mode de réalisation, le circuit comprend, en outre, une troisième résistance dont une première borne est reliée à la première borne de conduction du deuxième transistor, et dont une deuxième borne est reliée à un deuxième noeud adapté à recevoir la première tension d'alimentation.
Selon un mode de réalisation, le circuit comprend, en outre, un condensateur dont une première borne est reliée au deuxième noeud adapté à recevoir la première tension d'alimentation, et dont la deuxième borne est reliée à un troisième noeud adapté à recevoir une tension de référence.
Selon un mode de réalisation, la tension de référence est la masse.
Selon un mode de réalisation, le premier transistor est adapté à recevoir entre ses bornes de conduction une tension supérieur à 20 V.
Dans un autre mode de réalisation, le procédé de détection est mis en œuvre d’une manière paramétrable via la configuration d’un fusible, notamment de type programmable une seule fois (« One Time Programmable » en anglais), ou d’une variable en mémoire non volatile, notamment une mémoire de type Flash ou EEPROM, lors de la phase de programmation du circuit, la valeur mémorisée dans le fusible ou dans la mémoire non-volatile étant lue au démarrage du circuit, en particulier à sa mise sous tension ou à son réveil après réinitialisation, ladite valeur permettant d’activer le procédé de détection, et la première instruction du code de programme étant une instruction de discontinuité ou un marqueur de sécurité, si le procédé est activé. Dans ce cas de mise en œuvre paramétrable, la valeur mémorisée (dans le fusible ou la mémoire non-volatile) est lue au démarrage du circuit (mise sous tension ou réveil après réinitialisation, encore appelée « reset ») et permet soit d’activer le procédé de détection soit de le garder inactif. Ce choix est définitif pour toute la durée d’utilisation du circuit.
Le procédé de détection peut être mis en œuvre pour protéger au moins une portion du code de programme délimitée par une adresse de début et une adresse de fin, le procédé étant activé dès qu’une instruction de programme dont l’adresse est comprise entre l’adresse de début et l’adresse de fin est lue pour être exécutée, étant désactivé dès qu’une instruction de programme n’appartenant pas à ladite portion de code est lue pour être exécutée. Dans ce cas, le procédé de détection pour ladite au moins portion de code est activé en permanence et n’est pas débrayable, i.e. chaque fois que des instructions appartenant à ladite portion de code sont exécutées, le procédé de détection est activé.
Le procédé de détection s’applique pour tout type de mémoire pouvant contenir un code de programme en vue de son exécution par un cœur de microprocesseur.
La mémoire peut être embarquée dans le même circuit intégré que le cœur de microprocesseur exécutant les instructions, par exemple une mémoire embarquée de type Flash ou RAM, ou une mémoire externe de type DRAM.
Circuit électronique L’invention a encore pour objet, selon un autre de ses aspects, un circuit électronique comportant au moins une mémoire, un cœur de microprocesseur, un bus d’instructions, un bus de lecture, un bus d’adresse et un registre d’instructions pour le stockage des instructions commandé au moins par un signal d’horloge et un signal de réinitialisation, la mémoire étant reliée au registre d’instructions par le bus d’instructions, le registre d’instructions étant relié au cœur du microprocesseur par le bus de lecture, le cœur du microprocesseur comportant un pointeur d’instruction destiné à contenir l’adresse mémoire d’une instruction devant être exécutée, le cœur du microprocesseur étant relié à la mémoire par le bus d’adresse, le circuit étant configuré pour détecter une tentative d’extraction linéaire d’un code de programme enregistré dans la mémoire, le code comportant des instructions de programme qui, pour être lues par le cœur de microprocesseur, sont chargées séquentiellement via le bus d’instructions dans le registre d’instructions sur commande du signal d’horloge, le code comprenant des instructions de discontinuité et/ou des instructions dites « marqueurs de sécurité » insérées parmi les instructions de programme de manière à être lues au cours de l’exécution du programme, le cœur du microprocesseur comportant un circuit de protection contre une tentative d’extraction linéaire apte à déclencher une action prédéfinie d’alerte en cas de non-détection d’une instruction de discontinuité ou d’un marqueur de sécurité selon une règle de surveillance prédéfinie.
Compteur de chargement d’instructions ou de cycles d’horloge
Le circuit de protection comprend préférentiellement un compteur de chargement d’instructions ou de cycles d’horloge, le compteur de chargement d’instructions ou de cycles d’horloge étant de préférence décroissant, notamment configuré pour être décrémenté à chaque chargement d’instruction dans le registre d’instructions ou à chaque cycle d’horloge, le compteur de chargement d’instructions ou de cycles d’horloge étant notamment configuré pour être périodiquement réinitialisé à une valeur paramétrable, la réinitialisation du compteur de chargement d’instructions ou de cycles d’horloge étant en particulier régulièrement effectuée par un marqueur de sécurité avant d’atteindre un seuil d’alarme, notamment zéro, le circuit de protection étant préférentiellement configuré pour déclencher l’action prédéfinie d’alerte lorsque le compteur de chargement d’instructions ou de cycles d’horloge atteint le seuil d’alarme.
Compteur d’instructions de continuité Dans un mode de réalisation, le circuit selon l’invention comporte un compteur d’instructions de continuité configuré pour être décrémenté à chaque exécution d’une instruction de continuité, le compteur d’instructions de continuité étant préférentiellement configuré pour être périodiquement réinitialisé à une valeur paramétrable, la réinitialisation du compteur d’instructions de continuité étant régulièrement effectuée par l’exécution d’une instruction de discontinuité avant d’atteindre un seuil d’alarme, notamment zéro, le circuit de protection étant configuré pour déclencher l’action prédéfinie d’alerte lorsque le compteur d’instructions de continuité atteint le seuil d’alarme.
Par « instruction de continuité », on entend une instruction engendrant une exécution linéaire du programme et qui n’est pas une instruction de discontinuité.
La valeur paramétrable de réinitialisation du compteur d’instructions de continuité peut être fixée soit lors d’une phase d’initialisation qui précède l’exécution d’un programme, soit à la volée lors de l’exécution du programme.
Alternativement, ce compteur est réinitialisé à une valeur fixée définitivement à la conception matérielle du circuit.
Dans le cas où le compteur d’instructions de continuité atteint le seuil d’alarme, une absence d’instruction de discontinuité est détectée, et l’action prédéfinie d’alerte est déclenchée.
En variante, le compteur d’instructions de continuité est croissant au lieu d’être décroissant.
Le compteur d’instructions de continuité peut être situé dans le cœur du microprocesseur, en particulier dans le circuit de protection. Alternativement, il est situé dans le cœur du microprocesseur en dehors du circuit de protection. Il peut également être situé en dehors du cœur du microprocesseur, par exemple entre la mémoire et le cœur.
Il est possible d’avoir plusieurs compteurs répartis à différents emplacements. L’intérêt est de contrer une attaque désactivant le signal utilisé par le compteur de sorte que ce dernier reste gelé et n’est plus capable de détecter d’attaque. L’utilisation de plusieurs compteurs avec détection de l’action prédéfinie d’alerte si les compteurs prennent des valeurs différentes permet de contrecarrer ce genre d’attaque. En effet, la multiplicité des compteurs et leurs différents emplacements complique la tâche à l’attaquant qui devra tromper chacun des compteurs.
L’information qu’une instruction a été exécutée peut provenir de n’importe quelle source d’information interne : par exemple un signal de contrôle, un signal d’état, des variations de l’adresse d’instructions.
ARRIERE-PLAN TECHNOLOGIQUE DE L’INVENTION Les produits cosmétiques solides ou semi-solides tels que les rouges à lèvres, fonds de teint ou anticernes sont classiquement façonnés en bâton cylindrique et conditionnés dans des dispositifs de conditionnement tubulaires.
De façon générale, ces dispositifs tubulaires comprennent une base, un support pour loger le bâton cylindrique, et un mécanisme de mise en mouvement axial du support dans la base, ce mécanisme permettant de dévoiler le bâton hors de la base et de le rendre ainsi accessible à l’utilisateur, ou au contraire de l’escamoter à l’intérieur de la base. Pour protéger le produit de l’air ambiant, les dispositifs tubulaires reçoivent en outre un couvercle, ou capuchon, qui coopère avec la base.
De tels dispositifs ont l’inconvénient de ne pas être conçus pour être éco-responsables : le dispositif en entier doit être jeté lorsque le produit cosmétique est consommé, et le mécanisme, complexe, nécessite le recours à plusieurs types de matériaux qui ne sont pas tous recyclables. Pour les fabricants de produits cosmétiques souhaitant réduire leur empreinte écologique et respecter l’exigence de responsabilité sociétale des entreprises, de tels dispositifs ne sont donc pas satisfaisants.
Pour pallier ces inconvénients, il est actuellement possible de réduire le nombre de matériaux utilisés en simplifiant le mécanisme de déplacement du bâton, ou de prévoir un dispositif rechargeable.
Ainsi, la demande de brevet FR2879905A1 concerne un distributeur d’un produit cosmétique, typiquement d’un rouge à lèvres, simple et peu coûteux. Le distributeur comprend une base, un support pour le produit cosmétique et une enveloppe protectrice formant une bague apte à être déplacée axialement dans la base. Le support est fixe, solidaire de la base, et c’est l’enveloppe protectrice qui, en se déplaçant, permet de dévoiler ou de protéger le produit cosmétique. Le distributeur, du moins dans sa modalité la plus simple, peut ne comprendre que trois pièces moulées.
Un tel dispositif n’est cependant pas rechargeable.
Les dispositifs rechargeables connus garantissant une fixation correcte de la recharge dans le dispositif comprennent de façon générale de nombreuses pièces pouvant être complexes à fabriquer et à assembler.
Ainsi, le brevet EP3148367B1 décrit un dispositif de rouge à lèvres rechargeable comprenant une base, une enveloppe hélicoïdale et un élément tubulaire formant le mécanisme de mise en mouvement du produit, ainsi qu’un support comprenant une partie supérieure pour loger le produit cosmétique et une partie inférieure portant un ergot radial. Les deux parties du support peuvent se découpler grâce à différentes solutions, notamment une solution de dévissage des deux parties du support lorsque celles-ci sont vissées entre elles, un système de couplage par aimant ou couple d’aimants, ou encore une solution de montage à force réversible. Les deux parties peuvent se coupler par déplacement axial relatif des deux parties du support. Pour passer d’une position verrouillée, dans laquelle le produit est fixé dans le dispositif, et à une position déverrouillée dans laquelle le produit peut être sorti du dispositif, la partie supérieure du support est déplacée axialement hors de la partie inférieure.