INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
L’unité d’identification 1044 est configurée pour déterminer un identifiant d(n) associé au module de communication directe 1060 du dispositif de communication 100-n, à partir de l’identifiant unique r(n) du module de communication relayée 1080 du même dispositif de communication 100-n.
En particulier, l’unité d’identification 1044 peut être configurée pour appliquer une fonction f à un identifiant unique r pour générer un identifiant associé d telle que :
d = f( r ) (02)
Dans l’équation (02), par exemple et sans limitation, la fonction f peut être une fonction de traduction ou de transformation de format, ou encore une application bijective, injective, et/ou surjective.
Dans certains modes de réalisation, un identifiant unique r peut être un identifiant MCX comprenant un nombre N r de digits (par exemple N r =10) et défini dans un format MSISDN ( Mobile Station International Subscriber Directory Number selon l’expression anglo-saxonne correspondante). La fonction f peut alors être une fonction de troncature telle que l’identifiant associé d comprend un nombre N d de digits et tel que N d est inférieur à N r (N d r et par exemple N d =7 correspondant aux 7 premiers digits de l’identifiant MCX appelés les 7 digits "call ID").
Avantageusement, l’unité de traitement de message 1042 est configurée pour ajouter au message de communication directe d à émettre par un module de communication directe 1060 une donnée d’identification définie par cet identifiant associé d(n) . Par conséquent, l’identifiant associé d(n) peut être reconnu par n’importe quel module de gestion 1040 d’un dispositif 100-(n+1) du système de communication sans fil critique 10 traitant ce message, alors noté d(n) .
Dans des modes de réalisation, l’unité de traitement de message 1042 peut être configurée pour assurer l’émission de façon synchrone du message de communication directe d(n) et du message de communication relayée r(n) (émis par le module de communication directe 1060 et le module de communication relayée 1080 respectivement), notamment lorsque le dispositif de communication 100-n est connecté au réseau d'interconnexion 200.
Par conséquent, le module de gestion 1040 peut être configuré pour assurer la transmission et la réception des messages entre dispositifs.
La est une vue en coupe illustrant une structure obtenue à l’issue d’une étape de dépôt, du côté de la face 103T du substrat 103, d’une couche électriquement et thermiquement isolante 213.
Dans l’exemple représenté, la couche isolante 213 comble les tranchées 207 et revêt la face supérieure des parties de la couche 205 préalablement exposées à l’issue de l’étape de gravure anisotrope. Dans l’exemple illustré, la couche isolante 213 revêt en outre les faces libres des parties des couches 209 et 211 subsistant à l’issue de l’étape de gravure anisotrope, ainsi que les parties de la face 103T du substrat 103 et les parties des faces supérieures des éléments de reprise de contact 105 préalablement exposées à l’issue de l’étape de gravure anisotrope.
La couche isolante 213 est par exemple en le même matériau que la couche isolante 203, par exemple en carbure de silicium (SiC). À titre de variante, la couche 213 est en un matériau différent du matériau de la couche 203, par exemple en dioxyde de silicium (SiO 2 ).
La et la sont des vues en coupe, respectivement selon le plan AA de la et selon le plan BB de la , illustrant une structure obtenue à l’issue d’une étape d’amincissement de la couche isolante 213 puis de dépôt, du côté de la face 103T du substrat 103, d’une couche en un matériau à changement de phase 215 et d’une couche électriquement conductrice 217. Le plan AA de la est sensiblement orthogonal au plan BB de la .
Dans l’exemple représenté, seules des parties de la couche isolante 213 situées à l’intérieur des tranchées 207 subsistent à l’issue de l’étape d’amincissement, les parties de la couche isolante 213 situées à l’aplomb des parties des couches isolantes 203 et 205 étant totalement éliminées. En outre, dans cet exemple, l’amincissement de la couche isolante 213 est effectué de sorte à réduire l’épaisseur de la couche isolante 205 et la hauteur des parties des couches 209 et 211 subsistant à l’issue de l’étape de gravure anisotrope. Dans l’exemple illustré, chaque partie de la couche 209 est séparée de la partie de la couche 213 située en vis-à-vis par une épaisseur de matériau de la couche 211 supérieure ou égale à environ 20 nm.
Dans l’exemple représenté, la couche en matériau à changement de phase 215 revêt les faces supérieures des parties des couches 205, 209, 211 et 213 après amincissement. Dans cet exemple, la couche conductrice 217 revêt la face supérieure de la couche en matériau à changement de phase 215. Les compositions de la couche en matériau à changement de phase 215 et de la couche conductrice 217 sont par exemple identiques ou analogues respectivement aux compositions des régions 111 et 113 des cellules mémoire 101 du dispositif 100.
À titre d’exemple, la couche en matériau à changement de phase 215 présente une épaisseur comprise entre 20 nm et 100 nm, par exemple égale à environ 50 nm, et la couche conductrice 217 présente une épaisseur comprise entre 10 nm et 100 nm, par exemple égale à environ 50 nm.
Dans l’exemple représenté, les éléments de reprise de contact 105 et les parties de la couche conductrice 217 forment des électrodes de conduction de la cellule 201.
La et la sont des vues en coupe, respectivement selon le plan AA de la et selon le plan BB de la , illustrant une structure obtenue à l’issue d’une étape de formation de tranchées 219 et 221 puis de dépôt d’une couche d’encapsulation 223 du côté de la face 103T du substrat 103. Le plan AA de la est sensiblement orthogonal au plan BB de la .
Dans l’exemple représenté, les tranchées 219 et 221 s’étendent verticalement dans la structure, depuis la face supérieure de la couche 217, jusqu’à la face 103T du substrat 103. À titre de variante, les tranchées 219 peuvent être omises.
Les tranchées 219 sont par exemple sensiblement parallèles entre elles et s’étendent le long d’une direction sensiblement orthogonale au plan de la . Les tranchées 219 séparent latéralement les cellules mémoire 201 faisant partie d’une même ligne de mot du dispositif mémoire 200. En outre, les tranchées 221 sont sensiblement parallèles entre elles et s’étendent le long d’une direction sensiblement orthogonale au plan de la . Les tranchées 221 séparent latéralement les cellules mémoire 201 faisant partie d’une même ligne de bit du dispositif mémoire 200.
À titre d’exemple, les tranchées 219 et 221 sont formées par photolithographie puis gravure.
À l’issue de l’étape de formation des tranchées 219 et 221, l’élément chauffant et la région en matériau à changement de phase de chaque cellule mémoire 201 sont électriquement isolés par rapport aux éléments chauffants et aux régions en matériau à changement de phase des cellules mémoire 201 voisines.
Dans l’exemple représenté, la couche d’encapsulation 223 revêt la structure comprenant les parties des couches isolantes 203, 205 et 213, les parties de la couche en matériau à changement de phase 215 et de la couche électriquement conductrice 217 de chaque cellule mémoire 201. La couche d’encapsulation 223 revêt plus précisément toutes les faces latérales des parties des couches isolantes 203, 205 et 213, toutes les faces latérales des parties de la couche en matériau à changement de phase 215 et toutes les faces latérales et la face supérieure des parties de la couche conductrice 217, ainsi que les faces latérales de la partie en L de la couche 209 parallèles au plan de la , non revêtues par les couches isolantes 203, 205 et 213. La couche d’encapsulation 223 peut en outre se prolonger entre les cellules mémoire 201, comme dans l’exemple illustré en figures 2H et 2I. Dans cet exemple, la couche 223 revêt plus particulièrement des parties de la face 103T du substrat 103 qui ne sont revêtues ni par les parties des couches isolantes 203 et 213, ni par l’élément chauffant 209.
Bien que cela n’ait pas été illustré, le dispositif mémoire 200 peut en outre comporter des éléments de sélection, par exemple des transistors MOS, situés du côté d’une face du substrat 103 opposée à la face 103T comme exposé précédemment en relation avec les figures 1A et 1B pour le dispositif mémoire 100. De manière générale, le dispositif mémoire 200 présente par exemple un fonctionnement identique ou analogue au dispositif 100 des figures 1A et 1B.
Un avantage du dispositif mémoire 200 des figures 2H et 2I tient au fait que la couche 203 permet d’obtenir une meilleure isolation thermique de la cellule mémoire 201, donc une distribution de chaleur plus uniforme dans le matériau à changement de phase de la couche 215, notamment par rapport à la cellule mémoire 101. Il en résulte que l’énergie électrique requise pour échauffer le matériau à changement de phase est plus faible dans le cas du dispositif mémoire 200 que dans le cas du dispositif mémoire 100. De façon avantageuse, cela permet au dispositif mémoire 200 intégrant les cellules 201 de présenter une consommation énergétique moindre que le dispositif mémoire 100 intégrant les cellules 101.
Les deux demi-coques forment un coupleur.
Les deux demi-coques 22, 23 sont métallisées (revêtement miroir) afin de réfléchir la lumière de manière efficace.
Les matériaux peuvent être par exemple du PC (pour polycarbonate), ABS (pour acrylonitrile butadiène styrène), ou du Polyamide.
La montre la variation possible du clippage de l’élément de couplage optique.
La variation possible du clippage permet d'une part d'assurer la fonction de maintien de la férule et d’autre part permet l’insertion de la férule dans le coupleur ou dans les deux demi-coques.
Chaque clip permet d'avoir une certaine flexibilité.
Lorsque la férule est insérée chaque clip exerce une force de pression sur la férule.
La montre l’angle du clip par rapport à l’axe longitudinal.
L’angle α est d’environ 45°. Autrement dit, la face inclinée de chaque clip est inclinée suivant une direction comprise entre 70 et 100°, de préférence 90° (représentée par une double flèche), par rapport à la droite normale N du point de contact entre chaque clip et la férule.
Article de lunetterie comportant un assemblage magnétique Domaine technique de l’invention La présente invention concerne un article de lunetterie.
L’invention concerne plus particulièrement un article de lunetterie tel qu’une paire de lunettes de vue ou solaires comportant des éléments interchangeables.
Arrière-plan technique Une paire de lunettes comporte généralement une armature qui reçoit deux verres montés à force chacun dans une gorge formée dans un encadrement associé. Pour permettre de changer l’apparence de la paire de lunettes plus facilement, il a déjà été proposé de monter les verres dans un châssis intermédiaire fixé de manière amovible sur l’armature, par exemple par emboîtement ou au moyen d’un élément d’attraction magnétique.
Les solutions existantes ne donnent pas entièrement satisfaction. C’est pourquoi il est nécessaire de proposer des améliorations.
L’invention propose un article de lunetterie comportant : - une armature munie d’un pont qui relie un premier encadrement et un second encadrement, - un premier châssis et un second châssis qui sont prévus pour être emboîtés respectivement dans le premier et le second encadrements, - un premier verre et un second verre qui sont prévus pour être montés respectivement dans le premier et le second châssis, caractérisé en ce que le premier châssis comporte un premier élément d’attraction magnétique qui est apte à coopérer par attraction magnétique avec un second élément d’attraction magnétique porté par le second châssis, et en ce que chaque châssis comporte un premier organe d’emboîtement élastique qui est agencé sur un tronçon du châssis opposé à l’élément d’attraction magnétique associé et qui est prévu pour s’emboîter avec un second organe d’emboîtement élastique qui est agencé sur l’encadrement associé.
L’article de lunetterie selon l’invention permet de faciliter la modification de l’apparence d’une paire de lunettes en permettant un changement rapide, sûr, et facile des châssis et/ou de l’armature. Un tel article de lunetterie offre de nombreuses possibilités de personnalisation et une grande liberté de dessins et de formes.
Un tel article de lunetterie est plus facile à fabriquer et plus économique.
La est une vue de côté du flacon de la , dans un état ouvert.
La est une vue en coupe du flacon de de la .
La est une vue de côté d’un dispositif d’injection selon un mode de réalisation.
La est une vue en coupe du dispositif d’injection de la .
La est une vue de côté de deux équipements formant un kit d’injection selon un mode de réalisation dans un état démonté.
La est une vue de côté du kit de la dans un état monté.
DESCRIPTION DETAILLEE DE MODES DE REALISATIONS On a représenté sur les figures 1 à 3 un interconnecteur 1. L’interconnecteur 1 a pour fonction d’interconnecter fluidiquement un premier équipement et un deuxième équipement, c’est-à-dire d’établir une liaison fluidique permettant le transfert d’un fluide du premier équipement au deuxième équipement. On verra plus loin que ces deux équipements peuvent être respectivement un flacon et un système d’injection pour délivrer un fluide contenu dans le flacon.
L’interconnecteur 1 s’étend le long d’un axe X depuis une première extrémité libre 2 jusqu’à une deuxième extrémité libre 4 opposée à la première extrémité libre 2. L’axe X est représenté sur la par une ligne en pointillés.
L’interconnecteur 1 définit un passage traversant formant une telle liaison fluidique. Ce passage, visible sur la , présente un premier accès débouchant à l’extérieur de l’interconnecteur 1 au niveau de la première extrémité libre 2, et un deuxième accès débouchant également à l’extérieur de l’interconnecteur, au niveau de la deuxième extrémité libre 4. Le passage 3 s’étend le long de l’axe. Le passage est rectiligne.
L’interconnecteur 1 comprend un premier raccord 6. Le premier raccord 6 est un raccord mâle propre à être raccordé au premier équipement, plus précisément à un raccord luer-lock femelle du premier équipement.
Le premier raccord 6 comprend une partie mâle 8 annulaire et se terminant par la première extrémité libre 2 où débouche le premier accès.
La partie mâle 8 présente une surface interne 10 s’étendant autour de l’axe, de sorte à délimiter une première portion du passage précité, et délimiter en particulier le premier accès. La surface interne est cylindrique de révolution autour de l’axe X.
La partie mâle 8 présente en outre une surface externe 12 opposée à la surface interne 10. La surface externe s’étend autour de la surface interne 10.
De manière générale, la surface externe 12 s’étrécit vers la première extrémité libre 2.
La surface externe 12 comprend une portion cylindrique 12a de révolution autour de l’axe X, une première portion tronconique 12b prolongeant la portion cylindrique 12a vers la première extrémité libre 2, et une deuxième portion tronconique 12c prolongeant la première partie tronconique 12b vers la première extrémité libre 2.
De préférence, la logique d'activation de référence est la logique d'activation utilisée pour la certification de l'aéronef, à partir d'un organisme de certification tel que la FAA ("Federal Aviation Administration") ou l’EASA ("European Union Aviation Safety Agency").
De préférence, la logique d'activation de référence est une logique d'activation durant laquelle le système d'inertage est dans un état de fonctionnement activé durant tout le temps de la mission, c’est-à-dire activé sans prendre en compte les conditions de la mission, les conditions étant par exemple les conditions météorologiques et la préparation de la mission. Dans ce mode de réalisation, il est possible d'estimer un risque d'inflammabilité inférieur ou égal au risque d'inflammabilité de référence car, selon les données relatives à la préparation de la mission, le carburant du réservoir de carburant n'est pas inflammable durant la totalité du temps de mission. En effet, lorsque le système d'inertage est activé durant les périodes ou le carburant n'est pas inflammable, réduire la concentration d'oxygène en augmentation la concentration de gaz inerte grâce au système d'inertage n’apporte pas une réduction du risque d’inflammabilité supplémentaire et le système d'inertage n'apporte pas de protection supplémentaire au réservoir de carburant.
La condition relative au système d'inertage peut porter sur au moins : la consommation d'énergie du système d'inertage, l'usure d'au moins une pièce du système d'inertage, la pression d'alimentation en air du système d'inertage ou une combinaison d'au moins deux éléments parmi les éléments cités.
On entend par consommation d'énergie par exemple, la quantité d'air utilisée pour alimenter le système d'inertage.
Par exemple, si la condition relative au système d'inertage porte sur la consommation d'énergie du système d'inertage, la condition peut être une minimisation de la consommation d'énergie du système d'inertage. Le logiciel de détermination peut déterminer la logique d'activation du système d'inertage, parmi la pluralité des N logiques d'activation, à partir de laquelle le risque d'inflammabilité estimé est inférieur ou égal au risque d'inflammabilité de référence et permettant d'obtenir une consommation d'énergie minimale du système d'inertage. De préférence, minimiser la consommation d'énergie d'un système d'inertage correspond à minimiser le temps d'activation du système d'inertage, c’est-à-dire le temps durant lequel le système d'inertage est dans un état de fonctionnement dit activé durant le temps de mission. Ainsi, le logiciel de détermination estime pour chaque logique d'activation parmi les N logiques d'activation, le temps d'activation du système d'inertage 3122 et détermine la logique d'activation parmi les N logiques d'activation à partir de laquelle le risque d'inflammabilité estimé est inférieur ou égal au risque d'inflammabilité de référence et pour laquelle le temps d'activation du système d'inertage est minimal.
Par exemple, si la condition relative au système d'inertage porte sur l'usure d'au moins une pièce du système d'inertage, la condition peut être une minimisation de l'usure de la pièce. La pièce est par exemple un filtre ou une membrane compris dans le système d'inertage.
L'usure de la pièce peut être estimée à partir de la durée d'exposition de ladite pièce à l'ozone en altitude ; la condition relative au système d'inertage peut alors par exemple être une minimisation du temps d'activation du système d'inertage en altitude afin de réduire le temps d'exposition du système d'inertage à l'ozone.
L'usure de la pièce peut être estimée à partir de la durée d'exposition de la pièce à la pollution lorsque l'aéronef est au sol ou proche du sol ; la condition relative au système d'inertage peut alors par exemple être une minimisation du temps d'activation du système d'inertage au sol afin de réduire la durée d'exposition de la pièce à la pollution.
Selon un mode de réalisation dans lequel la condition relative au système d'inertage porte sur la pression d'alimentation en air d'une pièce du système d'inertage, la condition peut être une minimisation de la pression d'alimentation en air du système d'inertage. Dans ce mode de réalisation, chaque logique d'activation est un diagramme représentant l'évolution de la pression d'alimentation du d'inertage au cours du temps, le système d'inertage pouvant être dans un premier ou un deuxième état de fonctionnements dit activé durant au moins une partie du temps et/ou pouvant être dans un état de fonctionnement dit désactivé durant au moins une autre partie du temps. Un premier état activé est un état durant lequel la pression d'alimentation en air est égale à la pression moteur ; un deuxième état activé est un état durant lequel la pression d'alimentation en air est égale à une fraction de la pression moteur. La est un exemple de logique d'activation du système d'inertage selon ce mode de réalisation. Ainsi, l'axe horizontal de la logique d'activation représente le temps et l'axe vertical de la logique d'activation représente la pression d'alimentation en air du système d'inertage. L'unité de la pression d'alimentation en air est par exemple en Bar ou Pascal. La pression d'alimentation en air du système d'inertage peut prendre trois valeurs : Pmoteur, k*Pmoteur (qu'on écrit kPmoteur sur la ) et 0 par exemple, avec k un facteur réel compris entre 0 et 1. Lorsque la pression d'alimentation en air est égale à Pmoteur, le système d'inertage est dans le premier état activé, lorsque la pression d'alimentation en air est égale à kPmoteur, le système d'inertage est dans le deuxième état activé et lorsque la pression d'alimentation en air est égale à 0, le système d'inertage est dans un état désactivé.
Notons P la pression d'alimentation en air du système d'inertage et t le temps sur lequel est défini la logique d'activation.
Dans ce mode de réalisation, la logique d'activation sélectionnée est la logique pour laquelle le risque d'inflammabilité estimé est inférieur ou égal au risque d'inflammabilité de référence, et pour laquelle à la fois le temps d'activation du système d'inertage est minimal et la valeur de l'intégrale : est minimale.
Un autre aspect de l'invention concerne un procédé d'activation du système d'inertage 3131 du réservoir de carburant de l'aéronef 31
La représente un schéma synoptique des étapes du procédé 200 d'activation.
Le procédé d'activation 200 du système d'inertage comprend une première étape 201 de transmission, par le calculateur 32 à l'aéronef 31 et en particulier au système avionique de l'aéronef 31, de la logique d'activation déterminée par le procédé 100 de determination d'une logique d'activation du système d'inertage 3122.
Le procédé 200 d'activation peut comprendre une étape 202 de transmission de la logique d'activation déterminée, par le système avionique 311 au système électrique 3121.
Le procédé 200 d'activation comprend en outre une étape 203 d'activation du système d'inertage 3122 selon la logique d'activation déterminée. L'étape 203 d'activation du système d'inertage 3122 est réalisée grâce au système électrique 3121 configuré pour émettre une puissance électrique vers le système d'inertage selon la logique d'activation déterminée.
De préférence, la liste des ressources autorisées n’est pas modifiable une fois que la machine virtuelle 10 a été créée.
Par exemple, le fichier d’image disque contenant la machine virtuelle 10 n’est pas modifiable une fois qu’il a été créé. Pour détecter toute modification non autorisée entre le moment où la machine virtuelle 10 est créée et le moment où elle est installée dans l’infrastructure de virtualisation 4, le fichier d’image disque contenant la machine virtuelle 10 peut être signé numériquement, par exemple au moyen d’un certificat de sécurité. En variante, l’intégrité du fichier peut être vérifiée au moyen d’une somme de contrôle.
Pour empêcher toute modification non autorisée une fois que la machine virtuelle 10 est installée dans l’infrastructure de virtualisation 4, le fichier d’image disque contenant la machine virtuelle 10 correspondant peut être placé en lecture seule. Ce sont alors des fonctions de gestion des fichiers propres au système d’exploitation ou à l’infrastructure de virtualisation 4 qui empêchent de modifier le fichier d’image disque contenant la machine virtuelle 10.
Le code logiciel permettant d’implémenter l’infrastructure de virtualisation 4 peut aussi être placé en lecture seule de manière à ne pas être modifiable.
D’autres solutions peuvent être utilisées, alternativement ou en complément avec celles décrites ci-dessus, afin d’empêcher toute modification non autorisée de la machine virtuelle 10 dans l’infrastructure de virtualisation 4.
Par exemple, la machine virtuelle 10 est stockée dans une mémoire ou dans un support de stockage chiffré. Selon un autre exemple, le démarrage de l’infrastructure de virtualisation 4 et/ou du système d’exploitation du serveur 6 est réalisé de façon sécurisée, par exemple au moyen d’informations de chiffrement.