INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Bien qu’il soit possible d’utiliser, pour les dispositifs de verrou DISV1 et DISV2 tout type de dispositif de verrou, par exemple un dispositif de verrou du type SRAM, il est particulièrement avantageux d’utiliser un dispositif de verrou du type de celui décrit dans la demande de brevet français précitée n° 2205502 et dont un exemple de réalisation est illustré sur la .
Malheureusement les systèmes d’essuie-glace de l’état de l’art ne permettent pas de répondre à ces enjeux.
L’invention a pour but de remédier aux inconvénients de l’art antérieur, en proposant un dispositif de support qui permette de réduire la consommation du véhicule.
A cet effet, l’invention concerne un dispositif support monobloc destiné à solidariser un mécanisme d'essuie-glace à une structure porteuse, comprenant un corps longitudinal et au moins un palier de guidage d’au moins un axe d’entraînement du mécanisme d'essuie-glace, ledit au moins un palier comprenant en outre au moins un organe de fixation avec la structure porteuse, caractérisé en ce que le corps et ledit au moins un palier sont réalisés par fabrication additive d’au moins un matériau.
Le dispositif support de l’invention présente l’avantage d’être plus léger mais tout aussi résistant qu’un dispositif support obtenu par des méthodes conventionnelles de l’état de l’art comme l’injection, le moulage, le formage, le cintrage ou encore l’emboutissage d’un tube notamment en tôle. Ainsi, la consommation d’énergie du véhicule liée au poids du système d’essuie-glace peut être réduite. En outre la fabrication additive permet également d’obtenir des formes complexes qui ne pourraient pas être obtenues par les procédés classiques d’injection ou de moulage. Comme procédé de fabrication additive d’un matériau utilisable dans le cadre de l’invention, on pourra citer par exemple la fabrication additive par fusion sur lit de poudre notamment métallique ou polymère plastique ou encore la fabrication additive par projection de liant.
Le dispositif support est une pièce monobloc réalisée par fabrication additive d’au moins un matériau. Ainsi, l’ensemble des éléments le composant sont venus de matière ou autrement dit d’une seule pièce ou d’un seul tenant.
Le dispositif support peut être en un ou plusieurs matériau(x) plastique(s) et / ou métallique(s).
Notamment, le dispositif support se présente au moins en partie sous la forme d’un réseau de tiges notamment creuses (des tubes) et/ou pleines, droites et/ou courbes.
Le nombre de tiges sont obtenus par un procédé optimisation topologique en tenant compte d’au moins un des paramètres suivants : leur forme, leurs dimensions et/ou leur position.
Un tel réseau de tiges présente l’avantage de remplacer les parois correspondantes d’un dispositif support de l’art antérieur, et donc d’alléger encore le poids du dispositif support de l’invention par la présence de nombreuses ouvertures. Ainsi, la ou les parties du dispositif support comprenant le réseau de tiges ne présentent pas de parois mais un maillage de tiges laissant apparaître lesdites ouvertures. Le maillage de formes complexes obtenu par optimisation topologique permet de prévoir uniquement de la matière aux endroits où elle est structurellement nécessaire pour résister aux contraintes extérieures du dispositif et pour réaliser sa fonction de support.
Les tiges peuvent être disposées selon les contraintes subies en fonctionnement par la ou les parties du dispositif support de l’invention comprenant le réseau de tiges. Les contraintes ou lignes de contraintes subies en fonctionnement par le dispositif de support peuvent être déterminées par des calculs de simulation. On comprendra dès lors que le nombre, la forme, la dimension et la position des tiges sont dépendants du type de système d’essuie-glace dans lequel est intégré le dispositif support de l’invention ainsi que de l’environnement dans lequel est placé ce dernier.
Selon un mode de réalisation, le corps comprend un réservoir destiné à stocker un liquide lave-glace.
Cet aspect de l’invention participe d’autant plus à la réduction de l’empreinte carbone du système d’essuie-glace dans la mesure où ici le réservoir est directement intégré au dispositif support. En effet, avec le dispositif support de l’invention, le poids global du système d’essuie-glace est réduit ainsi que la tuyauterie associée au réservoir servant à acheminer le liquide lave-glace jusqu’à des dispositifs de projection sur une surface vitrée. En outre, l’espace qu’occupe le réservoir sous le capot du véhicule dans l’art antérieur est ici libéré, permettant ainsi un gain d’espace sous le capot.
En particulier, le réservoir comprend une interface pour une pompe. Ladite interface peut notamment être adaptée pour clipper ladite pompe.
Selon un mode de réalisation de l’invention, le corps comprend un organe d’attache pour un moteur d’entraînement du mécanisme d’essuie-glace duquel s’étendent deux bras portant chacun l’un des paliers, et le réservoir est disposé au niveau de l’un des deux bras. En particulier, le réservoir peut s’étendre sur toute la longueur d’un des bras.
Notamment, au moins un des bras du corps se présente sous la forme d’un réseau de tiges.
Selon un mode de réalisation de l’invention, au moins un des paliers comprend au moins un guide pour accueillir un arbre d’entraînement et au moins une bague comme organe de fixation et en ce que le réseau de tiges comprend des tiges principaux reliant entre eux le ou les guides et la ou les bagues dudit palier.
En fait, ce changement d’état logique du premier signal de pilotage CLj a été opéré grâce à la valeur du premier signal de commande controlHV.
Lors de l’opération d’effacement, la sélection de la colonne i contenant le mot-mémoire MTMi s’effectue à l’aide de la valeur de la tension Dpi.
Plus précisément, pour une colonne sélectionnée, la valeur Dpi est égale à la haute tension, par exemple 15 volts tandis que pour une colonne non sélectionnée et une rangée sélectionnée, la valeur de cette tension est égale à 3volts.
Pour l’opération de programmation, la sélection de la colonne i contenant le mot MTMi situé sur la rangée sélectionnée, s’effectue grâce à la valeur de la tension DNi.
Plus précisément, cette tension vaut -5 volts pour sélectionner la colonne i de la rangée j sélectionnée tandis qu’elle vaut 3 volts pour ne pas sélectionner la colonne i d’une rangée sélectionnée.
Les valeurs des tensions de substrat BN et BP valent quant à elles respectivement 3 volts et 15 volts pour une opération d’effacement, que ce soit pour une colonne et/ou une rangée sélectionnée ou non.
Pour l’opération de programmation, les valeurs des tensions BN et BP valent respectivement -5 volts et 3 volts que ce soit pour la sélection ou la non sélection d’une colonne et/ou d’une rangée.
On se réfère maintenant plus particulièrement à la pour décrire un exemple de réalisation d’un premier étage de pilotage CPLT0.
Celui-ci comporte une porte logique PL2 du type NON OU EXCLUSIF possédant une première entrée de porte ENP1 connectée à la première entrée de circuit ECR1, par l’intermédiaire d’une porte logique PL1 NON ET et une deuxième entrée de porte ENP2 connectée à la deuxième entrée de circuit ECR2, ainsi qu’une sortie de porte connectée à l’entrée d’un premier inverseur INV1 dont la sortie est connectée à la première sortie de circuit SCR1.
La porte logique PL1 reçoit également sur son autre entrée, connectée à une première entrée de décodage EDC1 un premier signal de décodage P0HVCL0 permettant de sélectionner ou non la rangée associée à ce premier circuit de pilotage CPLT0.
La porte logique PL1 forme ainsi un premier circuit de décodage-rangée et permet, en combinaison avec le premier signal de décodage-rangée P0HVCL0, de sélectionner ou non cette rangée.
Plus précisément, si la valeur logique du premier signal de décodage P0HVCL0 vaut 1, la rangée est sélectionnée. Par contre, si cette valeur logique vaut 0, la rangée n’est pas sélectionnée.
Si l’on se réfère maintenant plus particulièrement à la , on voit que le décodeur-rangée comporte un circuit de décodage bloc CDCBLC, comportant ici une porte logique ET, connectée en sortie à l’entrée d’initialisation Set du premier dispositif de verrou DISV1.
Dans cet exemple, une première entrée de la porte ET CDCBLC reçoit un fil P1 parmi huit. Une deuxième entrée reçoit un fil P2 parmi huit ce qui permet de sélectionner un dispositif de verrou DISV1 parmi M (M=64 ici) dispositifs.
La combinaison de cette porte CDCBLC et de la porte NON ET PL1 du circuit de pilotage CPLT1 permet donc de sélectionner une rangée parmi 512 rangées.
L’entrée de réinitialisation Reset du premier dispositif de verrou DISV1 est apte à recevoir un signal de réinitialisation RstCL.
Le module de détection 45 est par exemple configuré pour détecter que ledit luminaire 20 est dysfonctionnel si la couleur associée au luminaire 20 dans l’image acquise se différencie de la couleur de référence de plus d’un premier seuil prédéfini.
Par exemple, le module de détection 45 est configuré pour calculer la valeur absolue de la différence entre la couleur calculée pour ledit luminaire 20 dans l’image acquise et de la couleur de référence de ce luminaire 20. Le module de détection 45 est configuré pour ensuite comparer ladite valeur absolue au premier seuil prédéfini.
Selon le complément facultatif dans lequel le module d’initialisation 25 reçoit en outre la luminosité et/ou l’ambiance lumineuse associée(s) à chaque luminaire 20, le module de détection 45 est configuré pour pondérer la couleur de référence de chaque luminaire 20 et/ou la couleur calculée pour chaque luminaire 20 dans l’image acquise, par la luminosité et/ou l’ambiance lumineuse associée(s), avant le calcul de la valeur absolue de la différence entre la couleur calculée pour ledit luminaire 20 dans l’image acquise et de la couleur de référence de ce luminaire 20.
En complément facultatif, le module de détection 45 est configuré pour transmettre la liste de luminaire(s) 20 dysfonctionnel(s) et/ou la liste de luminaire(s) 20 fonctionnel(s), en vue de la communication à un opérateur humain. A cet effet, le module de détection 30 communique par exemple avec un ordinateur extérieur au dispositif de détection 30. En variante, le dispositif de détection 30 comprend un écran d’affichage 48, pour afficher la liste de luminaire(s) 20 dysfonctionnel(s) et/ou de luminaire(s) 20 fonctionnel(s)
Le fonctionnement du dispositif électronique de détection 30 selon le premier mode de réalisation va maintenant être décrit en référence à la , via un premier procédé de détection 100.
Initialement, la voiture 10 comprend des luminaires 20 fonctionnels et des luminaires 20 dysfonctionnels. La caméra de surveillance 25 acquiert des images du compartiment 15 dans lequel se trouvent lesdits luminaires 20.
Optionnellement, le procédé 100 comprend premièrement une étape d’initialisation 110. L’étape d’initialisation 110 comprend préférentiellement une sous-étape de réception 112 au cours de laquelle le module d’initialisation 35 reçoit la première image de référence, fournie par exemple par l’utilisateur via une interface homme-machine.
Puis, lors d’une sous-étape d’obtention 114, le module d’initialisation 35 obtient la liste de paramètres. Comme indiqué précédemment, la liste de paramètres comporte au moins la couleur de référence associée à chaque luminaire 20 dans la première image de référence. Cette obtention est soit réalisée par analyse de l’image acquise comme précédemment expliqué, soit par la fourniture, depuis un utilisateur externe, de la liste de paramètres.
Préférentiellement, la liste de paramètres comprend en outre, pour chaque luminaire 20, la position du luminaire 20, la luminosité du luminaire 20 dans la première image de référence et l’ambiance lumineuse autour du luminaire 20 dans la première image de référence.
Puis, lors d’une étape d’acquisition 120, le module d’acquisition 40 acquiert, depuis la caméra de surveillance 25, l’image du compartiment 15, dite image acquise.
Ensuite, lors d’une étape de détection 130, le module de détection détecte au moins un luminaire 20 dysfonctionnel par traitement de l’image acquise.
À cet effet, lors d’une sous-étape d’analyse 132, le module de détection 45 calcule par exemple une couleur associée à chaque luminaire 20 dans l’image acquise comme une valeur moyenne de la couleur de chaque luminaire 20 dans l’image acquise selon la technique décrite précédemment.
En variante, le module de détection 45 calcule la couleur associée à chaque luminaire 20 dans l’image acquise comme la valeur maximale ou minimale de la couleur des pixels de la zone de pixels associée à ce luminaire 20 dans l’image acquise.
Puis, lors d’une sous-étape de comparaison 134, le module de détection 45 compare, pour chaque luminaire 20, la couleur associée à ce luminaire 20 dans l’image acquise à la couleur de référence associée à ce luminaire 20.
La sous-étape de comparaison 134 comprend notamment le calcul de la valeur absolue de la différence entre la couleur du luminaire 20 dans l’image acquise et la couleur de référence associée au luminaire 20. Puis, la sous-étape de comparaison 134 comprend la comparaison de cette valeur absolue au premier seuil. Avantageusement, pour chaque luminaire 20, lors de la sous-étape de comparaison 134, le module de détection 45 pondère la couleur de référence et/ou la couleur dans l’image acquise par l’ambiance lumineuse et/ou la luminosité associée(s) au luminaire 20.
Il est clair que la sous-étape de comparaison 134 ainsi que les étapes qui suivront sont mises en œuvre pour chaque luminaire 20 dans l’image acquise.
représente un débit en ordonnée en fonction d’un rapport dimensionnel de la charge hydraulique sur le seuil en abscisses d’une part pour un ouvrage sur l’invention et d’autre part pour un seuil standard de l’état de la technique.
représente une vue schématique en coupe verticale de côté d’un seuil d’ouvrage déversant suivant l’état de la technique dans le cas d’un décollement de nappe.
représente une vue schématique en vue de dessus d’un ouvrage déversant en plusieurs parties faisant entre elles suivant un mode de réalisation de l’invention. représente une vue schématique de face d’un ouvrage déversant suivant un quatrième mode de réalisation de l’invention.
représente une vue schématique de dessus d’une ligne passant par les sommets d’un ouvrage déversant suivant le quatrième mode de réalisation de l’invention.
représente une vue schématique en coupe de profil d’un ouvrage déversant suivant le quatrième mode de réalisation de l’invention.
représente vue schématique en coupe de profil d’un ouvrage déversant suivant une variante du quatrième mode de réalisation de l’invention.
Aux figures 2, 3, 4, 5A, 5B, 5C, 6A, 6B, 6C, 7A, 7B, 7C, 10, 11, 12, 13 et 14, ainsi qu’à la , l’ouvrage déversant 1 comporte un parement amont 2 et une surface aval 30, qui est située en aval par rapport au parement amont 2 suivant la direction horizontale Ox de longueur allant de l’amont vers l’aval. A ces figures sont également représentées la direction verticale Oz de hauteur, orientée de bas en haut, et la direction transversale horizontale Oy de largeur, laquelle est perpendiculaire à la direction horizontale Ox de longueur allant du parement amont 2 à la surface aval 30 et est perpendiculaire à une direction verticale Oz de hauteur. L’ouvrage déversant 1 comporte une surface supérieure 4 crête de seuil, qui relie la surface du parement amont 2 à la surface 30. La surface aval 30 est ainsi raccordée en aval au parement amont 2 par la surface supérieure 4 crête de seuil. Le parement amont 2 et la surface aval 30sont plus en bas que la surface supérieure 4 crête de seuil. Le parement amont 2 sert à faire obstacle à l’écoulement d’eau, pour retenir l’eau jusqu’à une certaine hauteur délimitée par la surface supérieure 4 crête de seuil. Lorsque l’eau située du côté du parement amont 2 dépasse la surface supérieure 4 crête de seuil, l’eau déborde vers l’aval en direction de la surface aval 30. La surface aval 30 accompagne alors la chute de l’eau de l’amont vers l’aval. La surface supérieure 4 crête de seuil s’étend au moins le long de la direction transversale horizontale Oy de largeur.
L’ouvrage déversant 1 suivant l’invention peut faire partie par exemple d’un évacuateur de crues, d’un seuil déversant, d’un déversoir, d’une vanne déversante, d’un clapet déversant, pouvant faire partie d’un barrage hydraulique ou autre. Par exemple, l’ouvrage déversant 1 suivant l’invention pourrait faire partie plus généralement d’un bassin, où il peut y avoir un déversement d’eau, tel que par exemple un bassin de rejet de centrale nucléaire de production d’électricité, ou un bassin d’une usine, ou dans un réseau de distribution d’eau, tel que par exemple un déversoir d’orage.
Suivant l’invention, aux figures 2, 3, 4, 5A, 5B, 5C, 6A, 6B, 6C, 7A, 7B, 7C, 10, 11, 12, 13 et 14, la surface supérieure 4 crête de seuil comporte, le long de la direction transversale horizontale Oy de largeur, une (ou plusieurs) bosse 41 et un (ou plusieurs) creux 42. Ainsi, la surface supérieure 4 crête de seuil peut comporter une (ou plusieurs) bosse 41 et un (ou plusieurs) creux 42 dans un (ou plusieurs) plan Pyz de largeur, parallèle à la direction transversale Oy de largeur et à la direction verticale Oz de hauteur, ainsi que représenté notamment aux figures 2, 3, 4, 5A, 5B, 5C, 6A, 6B, 6C, 7A, 7B, 7C, 10, 11, 12, 13 et 14. La surface supérieure 4 crête de seuil peut également comporter une (ou plusieurs) bosse 41 et un (ou plusieurs) creux 42 dans (ou plusieurs) un (ou plusieurs) plan Pxy horizontal, parallèle à la direction horizontale Ox de longueur et à la direction transversale Oy de largeur, ainsi que représenté notamment aux figures 2, 3, 5A, 5B, 5C, 6A, 6B, 6C, 7A, 7B, 7C, 10, 11, 12, 13 et 14.
Ainsi, la surface supérieure 4 de seuil peut comporter une alternance de bosses 41 et de creux 42 le long de la direction transversale Oy de largeur dans le plan Pyz de largeur, et/ou dans le plan Pxy horizontal.
On décrit ci-dessous les lois qui régissent un ouvrage déversant selon l’état de la technique, en référence aux figures 1 et 9, dans un exemple où la surface supérieure 4 crête de seuil est rectiligne et horizontale le long de la direction transversale Oy de largeur.
Dans l’état de la technique, ainsi que représenté à la , pour une hauteur d’eau H au-dessus de la surface supérieure 4 crête de seuil en amont de celle-ci, c’est-à-dire du côté du parement amont 2, on peut observer un décollement (montré par la référence DEC à la ) de la veine d’eau selon la , lorsque le débit Q d’eau au-dessus de la surface supérieure 4 crête de seuil devient supérieur à un débit Q D de dimensionnement et lorsque cette hauteur H d’eau devient supérieure une valeur prescrite H D de charge de dimensionnement (H > H D ) ou à 1,1 fois cette valeur prescrite H D de charge de dimensionnement (H > 1,1.H D ). Ce décollement DEC de la veine d’eau dégrade significativement les performances de la surface supérieure 4 crête de seuil. En cas de décollement, des dépressions à l’interface eau/ surface supérieure 4 crête de seuil apparaissent. Ce décollement DEC peut entrainer un battement de nappe néfaste à la stabilité de la structure.
A la , ce décollement DEC de la veine d’eau est le fait que la trajectoire de la nappe inférieure du jet d’eau déversant en aval de la surface supérieure 4 crête de seuil se trouve à une distance verticale non nulle au-dessus de la surface aval 30.
La loi générale de débitance des écoulements d’eau dénoyés sur la surface supérieure 4 crête de seuil donne ce débit Q d’eau selon une fonction croissante de la hauteur H d’eau au-dessus de la surface supérieure 4 crête de seuil en amont de celle-ci (loi hauteur – débit), selon l’équation suivante :
où L est la largeur de la surface supérieure 4 crête de seuil le long de la direction transversale Oy de largeur, g est l’accélération de la pesanteur et C d est un coefficient de débit.
Le coefficient C d de débit est variable en fonction de la hauteur H. Ainsi plus le coefficient C d de débit est élevé, plus la débitance Q est augmentée ou autrement plus la performance de la surface supérieure 4 crête de seuil est élevée.
Comme on le verra plus en détails ci-après, afin d’écrire une donnée dans le mot-mémoire MTMi, -le décodeur rangées RDEC est configuré pour, sélectionner la rangée j contenant ce mot-mémoire, et -les premiers moyens de pilotage rangée MPLR1, associés à cette rangée sélectionnée j, sont configurés pour conférer au premier signal de pilotage CLj une tension d’effacement correspondant à un premier état logique du premier signal de pilotage CLj puis une tension de programmation correspondant à un deuxième état logique du premier signal de pilotage CLj, et ce sans modifier l’état de la borne de sortie OUT du premier dispositif de verrou DISV1 associé à cette rangée sélectionnée j entre l’effacement et la programmation du mot-mémoire MTMi.
On reviendra plus en détail ci-après sur les valeurs des différentes tensions de ce signal de pilotage CLj correspondant à ses états logiques respectifs.
Bien qu’il soit possible de prévoir un premier dispositif de verrou et des premiers moyens de pilotage-rangée par rangée j, il est particulièrement avantageux de prévoir, comme illustré très schématiquement sur la , un premier dispositif de verrou DISV1 associé à N rangées, par exemple huit rangées.
Ainsi, si le plan-mémoire PM comporte R rangées, avec R égal au produit de M par N, on a donc M blocs de N rangées et M premiers dispositifs de verrou DISV1 respectivement associés aux M blocs de N rangées.
Les premiers moyens de pilotage-rangées MPLR1 comportent alors N premiers circuits de pilotage CPLT0-CPLT7 (N est égal à 8 ici) structurellement identiques, possédant chacun une première entrée de circuit ECR1 reliée à la borne de sortie OUT du premier dispositif de verrou DISV1 correspondant. Par ailleurs, chaque premier circuit de pilotage possède une sortie de circuit SCR1 délivrant le premier signal de pilotage correspondant CLj (j = 0 à 7).
Chaque premier circuit de pilotage CLPTi comporte également une deuxième entrée de circuit ECR2 apte à recevoir un premier signal de commande controlHV délivré par un premier étage de commande ETCM1.
Et, comme on le verra plus en détail ci-après, l’état logique du premier signal de pilotage CLj dépend de la valeur du premier signal de commande controlHV.
Le premier dispositif de verrou DISV1 comporte une entrée d’initialisation Set et une entrée de réinitialisation Reset.
Le dispositif de verrou est par ailleurs alimenté entre une première tension d’alimentation Vplus et une deuxième tension d’alimentation Vminus qui est inférieure à la tension d’alimentation Vplus.
En effacement, une fois que le dispositif de verrou DIS1 a été initialisé, la première tension d’alimentation Vplus monte à une valeur de haute tension, par exemple 15 volts, tandis que la deuxième tension d’alimentation Vminus monte à une basse tension, par exemple 3 volts.
Pour une rangée j sélectionnée, la tension du premier signal de pilotage CLj, associée à cette rangée sélectionnée, est égale à la basse tension, soit 3 volts dans cet exemple. Ceci correspond donc à un état logique bas.
Lors de l’opération de programmation qui suit l’opération d’effacement dans le cycle d’écriture du mot-mémoire considéré, la première tension d’alimentation Vplus vaut par exemple 3 volts tandis que la deuxième tension d’alimentation Vminus est une tension négative, par exemple égale à -5 volts.
Et, pour une rangée j sélectionnée, la valeur de la tension du signal CLj délivrée sur cette rangée sélectionnée, vaut, dans l’étape de programmation, 3 volts ce qui correspond à la haute tension de programmation Vplus. Le premier signal de pilotage CLj a donc cette fois-ci l’état logique haut.
On voit donc qu’entre l’étape d’effacement et l’étape de programmation, l’état logique du premier signal de pilotage a changé.
Il est passé de l’état logique bas à l’état logique haut.
Par contre, comme on le verra plus en détail ci-après, ceci s’est effectué sans que l’état logique du signal de sortie délivré sur la borne de sortie OUT du premier dispositif de verrou DISV1 ait changé.
Un décodeur-rangées RDEC ainsi qu’un décodeur colonnes CDEC, de structure classique, sont associés à ce plan-mémoire PM.