INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
A titre d’exemples, les tensioactifs non ioniques peuvent être choisis parmi : - les alcools, les alpha-diols et les alkyl(C 1 –C 20 )phénols, ces composés étant polyéthoxylés et/ou polypropoxylés et/ou polyglycérolés, le nombre de groupements oxyde d'éthylène et/ou oxyde de propylène pouvant aller de 1 à 100, et le nombre de groupements glycérol pouvant aller de 2 à 30; ou bien ces composés comprenant au moins une chaîne grasse comportant de 8 à 40 atomes de carbone, notamment de 16 à 30 atomes de carbone ; en particulier les alcools comprenant au moins une chaîne alkyle en C 8 à C 40 , saturés ou non, linéaires ou ramifiés, oxyéthylénés comprenant de 1 à 100 moles d’oxyde d’éthylène, de préférence de 2 à 50, plus particulièrement de 2 à 40 moles d’oxyde d’éthylène et comportant une ou deux chaînes grasses; - les condensats d'oxyde d'éthylène et d'oxyde de propylène sur des alcools gras; - les amides gras polyéthoxylés ayant de préférence de 2 à 30 motifs d'oxyde d'éthylène, les amides gras polyglycérolés comportant en moyenne de 1 à 5 groupements glycérol et en particulier de 1,5 à 4; - les esters d'acides gras du sorbitane éthoxylés ayant de préférence de 2 à 40 motifs d'oxyde d'éthylène ; - les esters d'acides gras du saccharose ; - les esters d’acides gras polyoxyalkylénés, de préférence polyoxyéthylénés ayant de 2 à 150 moles d’oxyde d’éthylène dont les huiles végétales oxyéthylénées ; - les dérivés de N-(alkyl en C 6 -C 24 )glucamine, - les oxydes d'amines tels que les oxydes d'(alkyl en C 10 -C 14 )amines ou les oxydes de N-(acyl en C 10 -C 14 )-aminopropylmorpholine ; - et leurs mélanges.
Lorsqu’ils sont présents, la teneur totale du ou des tensioactifs non ioniques va de 0,5 à 25% en poids, plus préférentiellement de 1 à 20 % en poids, mieux de 5 à 15% en poids, par rapport au poids total de la composition.
Les polymères cationiques De préférence, la composition selon la présente invention comprend en outre un ou plusieurs polymères cationiques.
Avantageusement, la fermeture de l’interrupteur de réinitialisation i1 permet de dissiper les charges cumulées sur le second nœud d’entrée/sortie BL à cause des courants de fuite. En effet, pour les nœuds technologiques avancés, il y a augmentation des courants de fuite provenant des grilles des transistors de l’amplificateur opérationnel AO connectés au second nœud d’entrée/sortie BL. Ces courants de fuite entrainent une accumulation de charges au niveau de la capacité parasite C BL . Cela induit des fluctuations de potentiel au niveau du second nœud d’entrée/sortie BL. D’où l’intérêt spécifique de l’interrupteur de réinitialisation i1 dans ce cas de figure.
L’ensemble des interrupteurs i1, i2 et i3 sont commandés par des moyens de contrôle non représentés pour simplifier l’illustration. Les interrupteurs i1, i2 et i3 sont réalisés par des transistors CMOS à titre d’exemple.
Afin de réaliser une opération logique élémentaire ayant pour opérandes les données x1, x2 et x3, le circuit de traitement logique 3 selon le premier mode de réalisation est configuré pour réaliser les étapes détaillées dans l’organigramme de la . L’interrupteur i3 est fermé pour établir la connexion entre les cellules mémoires d’entrée et le circuit de traitement logique 3.
La première étape (i) est une étape de réinitialisation obtenue par la configuration suivante : l’interrupteur de réinitialisation i1, l’interrupteur d’activation de rétroaction i2 sont fermés. Le séquenceur 33 génère un signal de sélection VWL de manière à mettre le transistor de sélection T1 à un état bloquant. Le séquenceur 33 génère un signal de contrôle d’écriture et de lecture VSL sur le premier nœud d’entrée/sortie SL égal à la masse électrique. De plus, l’unité de contrôle 34 est configurée pour ajuster la première tension de référence VREF_cmp à l’amplitude maximale VREF1. L’amplitude maximale sert à détecter une variation d’amplitude minimale de la tension de sortie analogique Vs1_ao lorsque un état logique haut est lu.
Cette étape (i) permet de décharger impédance capacitive de rétroaction CCR et de polariser la première entrée e1_ao de l’amplificateur opérationnel au second signal de référence VREF0. Ainsi suite à la réinitialisation, le nœud d’entrée/sortie BL et la sortie s1_ao sont polarisés au second signal de référence VREF0 (VBL= Vs1_ao= VREF0) ; la tension au bornes de l’impédance capacitive de rétroaction CCR est nulle ; la tension de référence du comparateur 32 est à VREF1 ; et la sortie du comparateur s1_cmp est à un état logique bas ( Vs1_cmp=0).
La deuxième étape (ii) est une étape de lecture de la première cellule mémoire d’entrée CM 1 . L’interrupteur de réinitialisation i1 est ouvert, les interrupteurs i2 et i3 sont fermés (état passant) et seul le transistor de sélection T1 de la première cellule mémoire d’entrée CM 1 est à l’état passant. Le séquenceur 33 est configuré au cours de cette étape pour appliquer un signal de sélection VWL1 permettant de mettre le transistor de sélection T1 à l’état passant (un front montant dans le cas d’un NMOS par exemple. Les transistors de sélection de la deuxième et la troisième cellule mémoire d’entrée sont maintenu à l’état bloquant. Il en résulte la création d’un chemin de connexion entre le composant élémentaire NVM et l’élément capacitif de rétroaction CCR. De plus, le séquenceur 33 est configuré pour appliquer un signal de contrôle de lecture VSL positif sur le premier nœud d’entrée/sortie SL. Il en résulte l’application d’une différence de potentiel quasi nulle aux bornes du composant élémentaire NVM. Ainsi, la combinaison de la tension quasi nulle aux bornes du composant élémentaire NVM et sa connexion avec l’élément capacitif de rétroaction CCR induit un transfert des charges préalablement stockés dans le composant élémentaire NVM vers l’élément capacitif de rétroaction CCR. La quantité de charge transférée dépend de l’état logique préalablement stocké dans la première mémoire d’entrée CM 1 . Cela induit une variation de la tension électrique VCCR aux bornes de l’impédance capacitive de rétroaction CCR. La valeur de la tension électrique aux bornes de l’impédance capacitive de rétroaction CCR dépend de la quantité de charges fournie par le composant élémentaire NVM. Cela induit une variation du signal de sortie analogique Vs1_ao qui passe à VREF0-VCCR.
L’amplitude VREF1 est choisie de manière à obtenir le comportement décrit ci-dessous selon le contenu d’une cellule mémoire d’entrée en lecture. Dans le cas où x=1 est stockée dans le composant élémentaire NVM, on obtient Vs1_ao= VREF0-VCCR VREF1 et donc Vs1_cmp=GND correspondant à un niveau logique bas. Dans le cas illustré, le comparateur 32 est un circuit comparateur inverseur. Inversement, il est envisageable d’implémenter un circuit comparateur non inverseur selon les choix de conception de l’Homme du métier.
Il convient de souligner que les charges sont transférées totalement vers l’impédance capacitive de rétroaction CCR lors de cette étape. La capacité parasite C BL ne reçoit pas ces charges car elle est maintenue à une tension égale à VREF0 grâce à l’amplificateur opérationnel AO durant toute l’opération. Le circuit de traitement 3 selon l’invention permet ainsi de réaliser une opération de lecture dans le domaine des charges indépendante de la valeur de la capacité parasite C BL .
Il en résulte l’obtention de la configuration suivante à l’issue de l’étape ii): dans le cas où x=0 est stockée dans le composant élémentaire NVM, une quantité de charge Q 0 quasi nulle est accumulée dans l’impédance capacitive de rétroaction CCR. Dans le cas où x=1 est stockée dans le composant élémentaire NVM, une quantité de charge Q 1 >> Q 0 est accumulée dans l’impédance capacitive de rétroaction CCR.
L’unité de contrôle 34 reçoit le signal de sortie numérique Vs1_cmp correspondant au résultat de lecture de la première cellule mémoire à l’issue de l’étape précédente.
La troisième étape (iii) consiste en une étape d’ajustement de la première tension de référence VREF_cmp par l’unité de contrôle 33 en ajustant l’amplitude de la première tension de référence selon le résultat de l’étape de lecture précédente. Si la donnée lue est x1=0, l’unité de contrôle 33 est configurée pour maintenir la première tension de référence VREF_cmp à son état actuel à savoir VREF1 dans ce cas. Si la donnée lue est x1=1, l’unité de contrôle 33 est configurée pour ajuster l’amplitude de la première tension de référence VREF_cmp au palier d’amplitude suivant parmi la suite des N amplitudes VREF1 à VREF3.
Suite à cette étape d’ajustement, l’étape de lecture ii) est réitérée pour la deuxième cellule mémoire d’entrée CM 2 . Nous rappelons que la configuration initiale du circuit de traitement 3 avant l’étape de lecture de la deuxième cellule mémoire d’entrée CM 2 dépend de la valeur logique lue dans la première cellule mémoire d’entrée CM 1 . Deux scénarii sont alors possibles : Si x1=0, la première tension de référence VREF_cmp est maintenue à VREF1 et le déroulement de l’étape de lecture ii) de la deuxième cellule mémoire d’entrée CM 2 est identique à celui décrit pour la première cellule mémoire d’entrée CM 1. Si x1=1, la première tension de référence VREF_cmp est polarisée à VREF2. Cela permet de configurer le comparateur 32 pour basculer à un état logique haut suite à l’accumulation d’une quantité de charges égale à 2xQ 1 (si x1=1 et x2=1) mais aussi pour générer un signal de sortie numérique bas suite à l’accumulation d’une quantité de charges égale à 1xQ 1 (si x1=1 et x2=0).
Ensuite l’étape d’ajustement (iii) de la première tension de référence VREF_cmp est réitérée. Suite à la lecture du contenu de la deuxième cellule mémoire d’entrée CM 2 , l’unité de contrôle réagit de la manière suivante : si x1=1 et x2=1, la première tension de référence VREF_cmp est ajustée au palier d’amplitude suivant parmi la suite des N amplitudes à savoir, VREF_cmp = VREF3 . si x1=1 et x2=0, la première tension de référence VREF_cmp est maintenue au palier d’amplitude actuel parmi la suite des N amplitudes à savoir, VREF_cmp = VREF2 . si x1=0 et x2=0, la première tension de référence VREF_cmp est maintenue au palier d’amplitude actuel parmi la suite des N amplitudes à savoir, VREF_cmp = VREF1.
De même, suite à cette deuxième itération de l’étape d’ajustement, l’étape de lecture ii) est réitérée pour la troisième cellule mémoire d’entrée CM 3 .
D’un point de vu analogique, chaque combinaison logique des données correspond à une quantité de charges cumulée dans l’impédance capacitive de rétroaction CCR. A l’issue des N itérations des étapes ii) et iii), l’élément capacitif Cap1 stocke une quantité de charge égale à kxQ 1, avec k le nombre de cellules mémoire d’entrée contenant des données logiques à un état haut « 1 ». Les tableaux des figures 2c et 2d illustrent l’état de charge de l’impédance capacitive de rétroaction suite à trois itérations des étapes de lecture (ii) et d’ajustement (iii) pour les trois cellules mémoires d’entrée.
L’étape suivante consiste en une étape d’ajustement de la première tension de référence VREF_cmp selon le type de l’opération logique pour générer un signal de sortie numérique Vs1_cmp correspondant au résultat de l’opération logique.
Plus préférentiellement encore, le ou les polymères cationiques sont choisis parmi les dérivés d'éthers de cellulose comportant des groupements ammonium quaternaires, et plus préférentiellement encore la composition selon l’invention contient du polyquaternium-10.
De préférence, lorsqu’ils sont présents dans la composition, la teneur totale en dérivés d'éthers de cellulose comportant des groupements ammonium quaternaires, de préférence le polyquaternium-10, va de 0,01 à 10% en poids, plus préférentiellement de 0,05 à 5% en poids, plus préférentiellement encore de 0,1 à 3% en poids, encore mieux de 0,2 à 1% en poids, par rapport au poids total de la composition.
Plus préférentiellement, la teneur totale en eau de la composition selon l’invention est comprise entre 20 et 98% en poids, plus préférentiellement entre 50% et 96% en poids, plus préférentiellement encore entre 60 et 95% en poids, encore mieux entre 65 et 90% en poids, par rapport au poids total de la composition.
Ainsi, le connecteur selon l’invention qui intègre une traversée étanche céramique/métal, comporte un boîtier métallique dont les parties d’extrémité sont dites « standard », à savoir que les dimensions de ces extrémités de boîtier permettent d’une part la connexion avec un connecteur de dimensions standard complémentaires selon les normes en vigueur, et d’autre part le raccordement avec un câble à isolant de transmission à haute fréquence de type standard également. Le boîtier métallique de ce connecteur selon l’invention comporte en outre une partie entre lesdites extrémités du boîtier, cette partie définissant un logement de réception pour l’élément isolant, qui peut notamment être de dimensions différentes des dimensions des parties d’extrémité dudit boîtier.
Ainsi, si l’élément isolant est sous forme d’un disque de diamètre supérieur au diamètre interne du boîtier, ledit boîtier comporte un logement de réception et les extrémités de connexion de la broche de connexion s’étendent de part et d’autre dudit élément isolant, de manière écartée dudit élément isolant, de sorte qu’une fois la connexion effectuée sur chaque extrémité de la broche par l’autre connecteur et par le câble, une zone dite d’espacement est créée de chaque côté dudit élément isolant.
La zone d’espacement du côté extrémité de connexion de la broche sur un câble à isolant minéral, définit, entre l’élément isolant et l’extrémité du câble, de préférence à isolant minéral, un compartiment qui peut avantageusement être rempli d’un matériau isolant électrique tel qu’un matériau isolant en céramique, un isolant minéral tel que la silice, un gaz, par exemple de l’hélium, de l’air, ce qui permet de garantir une valeur d’impédance prédéterminée et tel qu’appropriée pour un connecteur selon l’invention à savoir une impédance de 50 Ohms.
A l’extrémité de connexion de la broche sur un câble à isolant minéral, la broche qui a traversé l’élément isolant présente une portion de connexion autour de laquelle un fourreau est rapporté pour protéger ladite portion de connexion et définir un logement dans lequel le fil conducteur dénudé d’un câble est logeable pour venir en connexion avec l’extrémité de connexion de la broche, ce fourreau permet de créer la zone d’espacement entre l’élément isolant et l’extrémité du câble.
De préférence, le compartiment comprend un matériau isolant de préférence un isolant minéral de préférence identique à celui constituant l’isolant minéral du câble. Les dimensions de ce compartiment sont définies par des paramètres fixes tels que le diamètre intérieur du boîtier (fixé par la norme), et par des paramètres variables tels que la longueur de la zone d’espacement, le diamètre du fourreau pour définir une impédance de valeur prédéterminée, de préférence de 50 Ω du connecteur.
D’autre part, au niveau de l’extrémité de connexion sur un autre connecteur ou sur un appareil, la zone d’espacement permet, lors de la connexion de définir un compartiment rempli d’air, ce qui permet de garantir une valeur d’impédance prédéterminée, pour le connecteur haute fréquence, à savoir une valeur de 50 Ohms.
Afin de définir cette zone d’espacement, la broche de connexion présente, entre son extrémité de connexion à un autre connecteur ou un appareil et l’élément isolant, une portion de broche s’étendant entre ladite extrémité de connexion et l’élément isolant, et définissant ainsi dans le boîtier cylindrique métallique, la zone d’espacement. Cette zone d’espacement autour de cette portion de broche est remplie d’air lors de la connexion. Les dimensions de cette zone d’espacement sont alors définies par des paramètres fixes tels que le diamètre interne DC du boîtier (fixe du fait des normes), la permittivité de l’air contenu dans cette zone d’espacement et la permittivité du matériau céramique utilisé et par des paramètres variables tels que la longueur et le diamètre de la portion de broche, afin d’obtenir une impédance de valeur prédéterminée de 50Ω.
Les dimensions des zones d’espacement (longueur) peuvent ainsi varier en fonction de la céramique utilisée et de sa permittivité, ces dimensions pouvant notamment être nulles.
Comme déjà évoqué, selon une forme de réalisation préférée, l’élément isolant se présente sous forme d’un disque de diamètre extérieur supérieur au diamètre interne du boîtier cylindrique métallique, ledit boîtier cylindrique métallique comportant un logement de réception dudit élément isolant.
Selon une forme de réalisation particulièrement préférée, le boîtier cylindrique métallique est constitué de deux parties de boîtier assemblées, l’extrémité de jonction de ces deux parties de boîtier étant conformée pour constituer le logement de réception qui accueille l’élément isolant.
De préférence, l’extrémité d’une première partie du boîtier cylindrique métallique présente une collerette en saillie radiale pourvu d’un rebord délimitant le logement de réception de l’élément isolant, l’extrémité de la seconde partie du boîtier présentant une collerette en saillie radiale qui, venant en appui sur le rebord de la première partie de boîtier, forme ainsi un capot qui ferme le logement de réception de l’élément isolant.
Ainsi, l’invention vise également un câble coaxial à isolant minéral de transmission de signaux haute fréquence pourvu au moins à une extrémité d’un connecteur haute fréquence selon l’invention.
L’invention concerne ainsi un câble, dans lequel la zone d’espacement, entre l’élément isolant et l’extrémité du câble à isolant minéral, définit un compartiment rempli d’un matériau isolant tel qu’un matériau isolant en céramique, un gaz, l’extrémité de connexion sur un autre connecteur ou sur un appareil, présentant une zone d’espacement qui, lors d’une connexion, définit un compartiment entre cette extrémité de connexion et l’élément isolant, rempli d’air. Ces deux zones d’espacement permettent de garantir une valeur d’impédance prédéterminée, pour le connecteur haute fréquence à savoir une valeur de 50 Ohms, avec des connecteurs conformes aux normes. En fonction de l’élément isolant utilisé on peut donc avoir une longueur de ces zones d’espacement qui varie entre 0 et une valeur L.
Ainsi, il est notamment aisé de définir une impédance déterminée de 50 ohms sur ces zones d’espacement en réglant la longueur et diamètre de la portion de broche par rapport à la permittivité diélectrique de l’air.
Avec une telle structure, on obtient un connecteur qui permet une tenue à des températures élevées tout en garantissant une impédance homogène sur l’ensemble du connecteur.
Le boîtier cylindrique métallique est réalisé en un matériau adapté à une utilisation dans des environnements corrosifs et soumis à de hautes températures choisi parmi l’acier inoxydable tel que ceux des références 304L, 316L, le nickel sous la référence 200, 270, un alliage de Fer/Nickel tel que le ferronickel, en cuivre, et des alliages du type de ceux connus sous la dénomination commerciale Inconel.
la représente un aéronef comprenant un schéma général de contexte de l’invention ;
la représente l’architecture électronique d’un circuit d’alimentation selon un mode particulier de l’invention ;
la représente un chronogramme de fonctionnement d’une source d’alimentation alternative, AC, associée au circuit d’alimentation représentée à la ainsi qu’un chronogramme correspondant de fonctionnement dudit circuit d’alimentation ;
la représente un chronogramme de fonctionnement d’une source d’alimentation continue, DC, associée au circuit d’alimentation représentée à la ainsi qu’un chronogramme correspondant de fonctionnement dudit circuit d’alimentation.
DESCRIPTION DETAILLEE DE L’INVENTION En référence à la , il est représenté un schéma général de contexte de l’invention. Le circuit d’alimentation selon l’invention est ici décrit en application à un aéronef généralement désigné en 1.
L’aéronef 1 comporte un système électrique 2 comprenant un ou plusieurs équipements électriques 3. Le ou les équipements électriques peuvent être une charge, un moteur, un calculateur, une alimentation (continue ou alternative), …etc. Le système électrique 2 comporte en outre une source d’alimentation 4 (généralement appelée « réseau de bord ») et une carte d’alimentation 5. La carte d’alimentation 5 comporte des circuits d’alimentation et des composants d’alimentation (en particulier un ou des convertisseurs électroniques de puissance) et est agencée pour alimenter le ou les équipements électriques 3 à partir de la source d’alimentation 4.
La source d’alimentation 4 fournit une tension d’alimentation V source qui peut être une tension alternative ou AC (en anglais, Alternati ng Current ) monophasée ou polyphasée ou encore une tension continue ou DC (en anglais, Direct Current ).
En référence à la , il est décrit un circuit d’alimentation 7 selon un mode de réalisation particulier de l’invention.
Le circuit d’alimentation 7 est monté sur la carte d’alimentation 5 et est connecté à un convertisseur électronique de puissance 8 de ladite carte d’alimentation 5. En outre, le convertisseur électronique de puissance 8 appartient au circuit d’alimentation 8.
Le convertisseur électronique de puissance 8 comporte une entrée 8A et une sortie 8B. Le convertisseur électronique de puissance 8 peut être une alimentation à découpage (DC-DC, AC-DC, AC-AC, DC-AC) ou encore un régulateur linéaire et plus largement tout type d’alimentation DC ou AC (isolée ou non isolée). Le choix de la topologie du convertisseur électronique de puissance 8 dépend de l’application et/ou de la spécifications visées.
En plus du convertisseur électronique de puissance 8, le circuit d’alimentation 7 comporte :
- un dispositif de stockage d’énergie électrique 10 ayant une borne de plus haut potentiel 10A et une borne de plus bas potentiel 10B. Le dispositif de stockage 10 comporte ici un condensateur C1. Typiquement, le condensateur C1 à une valeur de l’ordre de quelques centaines de microfarads à quelques millifarads (pour simplifier la description, il sera simplement fait référence dans la suite au dispositif de stockage 10) ;
- un interrupteur 11 ayant une première broche 11A, une deuxième broche 11B et une broche de commande 11C. L’interrupteur 11 est de préférence un transistor à effet de champ à structure métal-oxyde-semi-conducteur à canal N (en anglais, Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor – MOSFET ). La première broche 11A, la deuxième broche 11B et la broche de commande 11C correspondent respectivement à la source, au drain et à la grille ;
- un circuit de commande 12 comprenant une sortie de commande 12A ;
- une branche 13 comprenant une résistance R et un condensateur C2. La résistance R a une première borne 14A et une deuxième borne 14B et le condensateur C2 a une première électrode 15A et une deuxième électrode 15B.
Le circuit d’alimentation 7 comporte en outre un potentiel de référence 16 qui est ici une masse électrique (potentiel « 0V »).
Par exemple, si l’opération logique à réaliser est de type ET, cela revient à générer un signal de sortie numérique Vs1_cmp=1 uniquement lorsque x1=x2=x3=1. Cela correspond à la détection de l’accumulation d’une quantité de charge de 3xQ 1 dans l’impédance capacitive de rétroaction CCR à l’issu de trois opérations de lecture successives. Ainsi, pour réaliser une opération logique de type ET, l’unité de contrôle 34 est configurée pour polariser la première tension de référence VREF_cmp à l’amplitude correspondant au palier minimal VREF3. Ainsi, la sortie du comparateur 32 ne bascule vers un état logique haut que lorsque Vs1_ao= VREF0-VCCR < VREF3.
L’amplitude de la tension de référence VREF3 est l’amplitude minimale parmi VREF1 à VREF3. L’amplitude minimale VREF3 sert à détecter une variation d’amplitude maximale de la tension de sortie analogique Vs1_ao. En effet, Plus il y a des charges cumulées dans l’impédance capacitive de rétroaction CCR, plus la tension Vs1_ao= VREF0-VCCR est basse. Donc l’amplitude minimale VREF3 est l’amplitude de la tension de référence pour laquelle le comparateur 32 est apte à detecter la variation de l’amplitude de la tension de sortie analogique Vs1_ao.