Structure de transducteur ayant des moyens de suppression de mode transversal, en particulier pour un résonateur à accès unique, comprenant : un substrat piézoélectrique (120, 140), en particulier un substrat composite piézoélectrique comprenant une couche piézoélectrique (140, 440) sur un substrat de base (144, 444) ; au moins une paire d'électrodes en peigne interdigitées (102, 112) formées sur le substrat piézoélectrique (120, 140), dans laquelle la première électrode en peigne (102) comprend une première barre omnibus (108) et une pluralité de doigts d'électrode (104) alternés avec des doigts d'électrode factices plus courts (106), tous s'étendant à partir de la première barre omnibus (108), dans laquelle la seconde électrode en peigne (112) comprend une seconde barre omnibus (118) et une pluralité de doigts d'électrode (114) s'étendant à partir de la seconde barre omnibus (118), dans laquelle les doigts d’électrode factices (106) de la première barre omnibus (108) font face aux doigts d'électrode (114) de la seconde barre omnibus (118) et sont séparées des doigts d'électrode (114) par des premiers espaces (110a), la structure de transducteur comprenant en outre une couche de suppression de mode transversal (122, 132, 222, 232, 422, 432) fournie partiellement sous les premiers espaces (110a) et choisie de telle sorte que la vitesse de phase d'une onde guidée est inférieure dans la zone de la couche de suppression de mode transversal (122, 132, 222, 232, 422, 432) par rapport à la vitesse de phase de l’onde guidée dans la zone centrale (136) sous les doigts d'électrode alternés (104, 114) des première et seconde électrodes en peigne (102, 112) ; et dans laquelle la seconde électrode en peigne (112) comprend en outre des doigts d'électrode factices plus courts (116) alternés avec les doigts d'électrode (114), les doigts d'électrode factices (116) de la seconde barre omnibus (118) font face aux doigts d'électrode (104) de la première barre omnibus (108) et sont séparés des doigts d'électrode (104) par des seconds espaces (110b), et comprenant en outre une seconde couche de suppression de mode transversal (122, 132, 222, 232, 422, 432) s'étendant au moins partiellement sous les seconds espaces (110b) et choisie de telle sorte que la vitesse de phase d'une onde guidée est inférieure dans la zone de la seconde couche de suppression de mode transversal (122, 132, 222, 232, 422, 432) par rapport à la vitesse de phase de l’onde guidée dans la zone centrale (136) sous les doigts d'électrode alternés (104, 114) des première et seconde électrodes en peigne (102, 112), entre les première et seconde couches de suppression de mode transversal (122, 132, 222, 232, 422, 432) ; et dans laquelle la première couche de suppression de mode transversal et la seconde couche de suppression de mode transversal (122, 132, 222, 232, 422, 432) ont des formes différentes. Structure de transducteur selon la revendication 1, dans laquelle la couche de suppression de mode transversal (122, 132, 222, 232, 422, 432) s’étend sous chacun des premiers espaces (110a). Structure de transducteur selon la revendication 1 ou 2, dans laquelle la couche de suppression de mode transversal (122, 132, 222, 232, 422, 432) s’étend sous la totalité des seconds espaces (110b). Structure de transducteur selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans laquelle la première couche de suppression de mode transversal (122, 132, 222, 232, 422, 432) s'étend au moins partiellement jusqu'à la première barre omnibus (108) et/ou la seconde couche de suppression de mode transversal (122, 132, 222, 232, 422, 432) s'étend au moins partiellement jusqu'à la seconde barre omnibus (118). Structure de transducteur selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, dans laquelle la première couche de suppression de mode transversal (122, 132, 222, 232, 422, 432) s'étend en outre au moins partiellement ou au moins totalement sous la première barre omnibus (108) et/ou la seconde couche de suppression de mode transversal (122, 132, 222, 232, 422, 432) s'étend au moins partiellement ou au moins totalement sous la seconde barre omnibus (118). Structure de transducteur selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, dans laquelle la première et/ou seconde couche de suppression de mode transversal (122, 132, 222, 232, 422, 432) comprend une dose de dopage différente par rapport au reste du substrat piézoélectrique (120, 420) dans la zone centrale (136) sous les électrodes en peigne interdigitées (102, 112) pour moduler la vitesse de phase de l’onde guidée de la structure de transducteur, en particulier la dose de dopage différente est une dose de Ti. Structure de transducteur selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, dans laquelle la première et/ou seconde couche de suppression de mode transversal (122, 132, 222, 232, 422, 432) comprend une couche de passivation (246, 248, 446), en particulier une couche de passivation diélectrique, plus particulièrement une couche de SiO 2 . Structure de transducteur selon la revendication 7, dans laquelle la couche de passivation (246) est au moins partiellement intégrée dans le substrat piézoélectrique (120, 420). Structure de transducteur selon l’une quelconque des revendications 1 à 8, dans laquelle les première et seconde couches de suppression de mode transversal (122, 132, 222, 232, 422, 432) sont symétriques par rapport à la ligne centrale des électrodes en peigne interdigitées (102, 112). Procédé de fabrication d’une structure de transducteur comprenant les étapes de : a) fournir un substrat piézoélectrique, en particulier un substrat composite piézoélectrique comprenant une couche piézoélectrique sur un substrat de base ; b) former au moins une paire d'électrodes en peigne interdigitées sur le substrat piézoélectrique, dans lequel la première électrode en peigne comprend une première barre omnibus et une pluralité de doigts d'électrode alternés et de doigts d'électrode factices plus courts, tous s'étendant à partir de la première barre omnibus, la seconde électrode en peigne comprend une seconde barre omnibus et une pluralité de doigts d'électrode alternés s'étendant à partir de la seconde barre omnibus, les électrodes factices de la première barre omnibus font face aux doigts d'électrode de la seconde barre omnibus et sont séparées des doigts d'électrode par des premiers espaces, et une étape c) avant l’étape b) de fournir une couche de suppression de mode transversal de telle sorte qu’après l’étape c), la couche de suppression de mode transversal est partiellement sous les premiers espaces, dans lequel la couche de suppression de mode transversal est choisie de telle sorte que la vitesse de phase d’une onde guidée est inférieure dans la zone de la couche de suppression de mode transversal par rapport à la vitesse de phase de l’onde guidée dans le substrat piézoélectrique dans la zone centrale sous les doigts d’électrode alternés des première et seconde électrodes en peigne, et la seconde électrode en peigne comporte en outre des doigts d'électrode factices plus courts alternés avec les doigts d'électrode, et les doigts d'électrode factices de la seconde barre omnibus font face aux doigts d'électrode de la première barre omnibus et sont séparés des doigts d'électrode de la première barre omnibus par des seconds espaces, et dans lequel l’étape c) de fournir une couche de suppression de mode transversale comprend l’étape de fournir une première couche de suppression de mode transversal et une seconde couche de suppression de mode transversal s'étendant au moins partiellement sous les seconds espaces et choisies de telle sorte que la première couche de suppression de mode transversal et la seconde couche de suppression de mode transversal (122, 132, 222, 232, 422, 432) ont des formes différentes et que la vitesse de phase d'une onde guidée est inférieure dans la zone de la seconde couche de suppression de mode transversal par rapport à la vitesse de phase de l’onde guidée dans la zone centrale sous les doigts d'électrode alternés des première et seconde électrodes en peigne, entre les première et seconde couches de suppression de mode transversal. Procédé selon la revendication 10, dans lequel l'étape c) de fourniture de la couche de suppression de mode transversal comprend une étape de modifier la dose de dopage du substrat piézoélectrique pour moduler la vitesse de phase de l’onde guidée de la structure de transducteur, en particulier avec une étape d'implantation ou une étape de diffusion d'espèces atomiques et/ou une technique d'échange de protons. Procédé selon l’une des revendications 10 ou 11, dans lequel l’étape c) de fournir la couche de suppression de mode transversale comprend fournir une couche de passivation, en particulier une couche de passivation diélectrique, plus particulièrement une couche de SiO 2 . Procédé selon la revendication 12, dans lequel l’étape c) comprend une étape d’intégrer au moins partiellement la couche de passivation dans le substrat piézoélectrique. Procédé selon l’un quelconque des revendications précédentes 12 ou 13, dans lequel la couche de passivation est dotée d’un motif par un processus de lift-off, de telle sorte que les côtés des parois de bord de la couche de passivation sont inclinés. Dispositif SAW, en particulier résonateur à accès unique, comprenant une structure de transducteur selon l’une quelconque des revendications précédentes 1 à 9.