INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Trois portions d’électrodes, qui sont désignées respectivement par 3a, 3b et 3c, sont formées sur la couche isolante 2. Elles peuvent être obtenues à partir d’une couche continue métallique, par exemple une couche d’or, d’argent ou d’aluminium, qui est ensuite gravée pour former des espaces de séparation entre les portions d’électrodes voisines. Alternativement, les portions d’électrodes 3a, 3b et 3c peuvent être déposées en utilisant un procédé de lift-off, où un motif de résine est d’abord formé sur la couche isolante 2, puis un dépôt du matériau d’électrode est effectué et la résine est ensuite dissoute, retirant en même temps le matériau d’électrode aux endroits du motif de résine. L’épaisseur commune e 3 des portions d’électrodes 3a, 3b et 3c peut être de 100 nm environ, selon la direction D 1 . Chaque portion d’électrode 3a, 3b, 3c est ainsi isolée électriquement de la couche métallique 11 par la couche isolante 2.
Enfin, une couche 4 d’un matériau photoconducteur est déposée dans les espaces de séparation entre les portions d’électrodes 3a, 3b et 3c, de façon à être en contact avec les deux portions d’électrodes de chaque côté de chacun de ces espaces de séparation. Dans le mode de réalisation de , la couche de matériau photoconducteur 4 recouvre aussi continûment les trois portions d’électrodes 3a, 3b et 3c.
Dans des modes de réalisation possibles du photodétecteur 100, le matériau photoconducteur de la couche 4 peut être un matériau bidimensionnel tel que du graphène ou un chalcogénure de métal de transition tel que le sulfure de molybdène (MoS 2 ), le séléniure de molybdène (MoSe 2 ), le tellure de molybdène (MoTe 2 ), le sulfure de tungstène (WS 2 ), le séléniure de tungstène (WSe 2 ), le tellure de tungstène (WTe 2 ), ou leurs alliages ou hétérostructures. Des nanocristaux agglomérés de ces chalcogénures de métaux de transition peuvent être déposés par-dessus les portions d’électrodes 3a, 3b et 3c à partir de solutions colloïdales de ces nanocristaux, en utilisant un procédé de dépôt par centrifugation, de façon à combler les espaces de séparation inter-électrodes.
Dans d’autres modes de réalisation possibles du photodétecteur 100, le matériau photoconducteur de la couche 4 peut être un polymère conducteur tel qu’un mélange de poly(3,4-éthylènedioxythiophène) et de poly(styrène sulfonate) de sodium, désigné par PDOT-PSS, ou tel que le poly(3-hexylthiophène-2,5), désigné par P3HT. Ces polymères conducteurs peuvent aussi être déposés par-dessus les portions d’électrodes 3a, 3b et 3c en utilisant un procédé de dépôt par centrifugation, encore de façon à combler les espaces de séparation inter-électrodes.
Dans encore d’autres modes de réalisation possibles du photodétecteur 100, le matériau photoconducteur de la couche 4 peut être constitué de nanocristaux de silicium (Si), de germanium (Ge), de sulfure de cadmium (CdS), de séléniure de cadmium (CdSe), de tellure de cadmium (CdTe), de sulfure de zinc (ZnS), de séléniure de zinc (ZnSe), de tellure de zinc (ZnTe), de sulfure de mercure (HgS), de séléniure de mercure (HgSe), de tellure de mercure (HgTe), de sulfure de plomb (PbS), de séléniure de plomb (PbSe), de tellure de plomb (PbTe), de sulfure d’indium et de cuivre (CuInS 2 ), de séléniure d’indium et de cuivre (CuInSe 2 ), de sulfure d’indium et argent (AgInS 2 ), de séléniure d’indium et argent (AgInSe 2 ), de sulfure de cuivre II (CuS), de sulfure de cuivre I (Cu 2 S), de sulfure d’argent (Ag 2 S), de séléniure d’argent (Ag 2 Se), de tellure d’argent (Ag 2 Te), de nitrure d’indium (InN), de phosphure d’indium (InP), d’arséniure d’indium (InAs), d’antimoniure d’indium (InSb), de sulfure d’indium (In 2 S 3 ), de phosphure de cadmium (Cd 3 P 2 ), de phosphure de zinc (Zn 3 P 2 ), d’arséniure de cadmium (Cd 3 As 2 ), d’arséniure de zinc (Zn 3 As 2 ), d’oxyde de zinc (ZnO), de nitrure d’aluminium (AlN), de phosphure d’aluminium (AlP), d’arséniure d’aluminium (AlAs), d’antimoniure d’aluminium (AlSb), de nitrure de gallium (GaN), de phosphure de gallium (GaP), d’arséniure de gallium (GaAs), d’antimoniure de gallium (GaSb), de sulfure de fer (FeS 2 ), d’oxyde de titane (TiO 2 ), de sulfure de bismuth (Bi 2 S 3 ), du séléniure de bismuth (Bi 2 Se 3 ), de tellure de bismuth (Bi 2 Te 3 ), de sulfure de molybdène (MoS 2 ), de sulfure de tungstène (WS 2 ), d’oxyde de vanadium (VO 2 ), de chlorure de plomb et de césium (CsPbCl 3 ), de bromure de plomb et de césium (CsPbBr 3 ), d’iodure de plomb et de césium (CsPbI 3 ), de méthyl-ammonium iodure de plomb ou MAPI (CH 3 NH 3 PbI 3 ), de formamidinium iodure de plomb ou FAPI (N 2 H 4 PbI 3 ), de leurs alliages ou hétérostructures. De tels nanocristaux peuvent être de formes sphériques ou tétraédriques, ou en forme de plaquettes, de batônnets, de fils, ou de tripodes, etc. La couche 4 peut alors être déposée par centrifugation à partir d’une solution des nanocristaux utilisés. Dans cette solution, les nanocristaux peuvent être recouverts de ligands tel que des acides carboxyliques, des amines, des thiols ou des phosphines. Alternativement, ils peuvent être recouverts de ligands ioniques tels que S 2- (sulfure), OH - (hydroxyde), HS - (hydrosulfure), Se 2- (séléniure), NH 2 - (amidure), Te 2- (tellure), SCN - (thiocyanate), Cl - (chlorure), Br - (bromure), I - (iodure), Cd 2+ (cadmium), NH 4 + (ammonium), Hg 2+ (mercure), Zn 2+ (zinc) et Pb 2+ (plomb).
Selon un autre mode de réalisation, les nanocristaux utilisés pour former un film photoconducteur sont recouverts d’un mélange de ligands organiques et inorganiques, tels que le mercaptoéthanol et le chlorure mercureux (HgCl 2 ) solubilisé dans la diméthylformamide.
Typiquement, la couche du matériau photoconducteur 4 peut avoir une épaisseur e 4 d’environ 80 nm, mesurée parallèlement à la direction D 1 , au-dessus des portions d’électrodes 3a, 3b et 3c en plus du comblement des espaces de séparation inter-électrodes. Selon le matériau photoconducteur qui est utilisé, ses porteurs électriques peuvent avoir une mobilité qui est comprise entre environ 10 -4 cm 2 .V -1 .s -1 (centimètre-carré par volt et par seconde) et environ 50 cm 2 .V -1 .s -1 , préférablement entre environ 10 -3 cm 2 .V -1 .s -1 et environ 10 cm 2 .V -1 .s -1 . Son indice de réfraction optique peut être compris entre 1 et 4, plus particulièrement entre 1,3 et 3. Alors, la couche 4 de ce matériau photoconducteur peut être absorbante entre 200 nm et 15 µm, préférentiellement entre 1 µm et 5 µm, et encore plus préférentiellement entre 1 µm et 2,5 µm, avec une valeur de coefficient d’absorption par unité d’épaisseur de la couche 4 qui est comprise entre 100 cm -1 et 10000 cm -1 , et plus particulièrement entre 1000 cm -1 et 5000 cm -1 .
Dans le photodétecteur 100, l’espace de séparation entre les portions d’électrodes 3a et 3b d’une part, et celui entre les portions d’électrodes 3b et 3c d’autre part, ont une importance essentielle pour le fonctionnement du photodétecteur. Il constitue chacun un résonateur de Fabry-Pérot d’axe vertical, c’est-à-dire pour lequel les directions de propagation des composantes d’ondes stationnaires sont parallèles à la direction D 1 . Dans les figures, FP1 désigne le résonateur de Fabry-Pérot qui est situé entre les portions d’électrodes 3a et 3b, et FP2 désigne celui qui est situé entre les portions d’électrodes 3b et 3c. Selon la direction D 1 , chacun des résonateurs de Fabry-Pérot FP1 et FP2 est limité d’une part par la couche métallique 11, et d’autre part par un prolongement rectiligne entre les surfaces supérieures des portions d’électrodes, à l’opposé du substrat 1, par-dessus les espaces de séparation inter-électrodes. Transversalement, c’est-à-dire selon la direction D 2 , chacun des résonateurs de Fabry-Pérot FP1 et FP2 est limité par les bords des portions d’électrodes. Ainsi, dans le mode de réalisation de , le volume de chaque résonateur de Fabry-Pérot FP1, FP2 inclut une portion de la couche isolante 2 qui se trouve au droit de l’espace de séparation inter-électrodes correspondant, selon la direction D 1 . Il comprend en outre une portion de remplissage de l’espace inter-électrodes qui est constituée du matériau photoconducteur utilisé pour la couche 4. Dans ce cas, la relation de concordance de phase pour chaque résonateur de Fabry-Pérot FP1, FP2, établie pour deux directions de propagation qui sont parallèles à la direction D 1 mais de sens contraires, tient compte de la superposition du matériau de la couche isolante 2 et du matériau photoconducteur.
En outre, les deux résonateurs de Fabry-Pérot FP1 et FP2 ont des largeurs respectives, mesurées parallèlement à la direction D 2 , qui sont différentes. Par exemple, la largeur du résonateur FP1, notée W 1 , peut être de 400 nm, et celle du résonateur FP2, notée W 2 , peut être de 200 nm. Or la largeur de chaque résonateur contribue à la valeur effective de chaque indice de réfraction qui intervient dans la relation de concordance de phase pour ce résonateur FP1, FP2, si bien que les deux résonateurs FP1 et FP2, pris séparément, ont des valeurs respectives de longueur d’onde de résonance, dites valeurs de longueur d’onde des résonances individuelles, qui sont différentes. La largeur de la portion d’électrode 3b, entre les deux résonateurs FP1 et FP2, est notée r 1 . Pour le mode de réalisation de , r 1 peut être égal à 200 nm.
Dans la variante de réalisation illustrée par , la couche de matériau photoconducteur 4 est discontinue et a une épaisseur qui est identique entre les endroits qui sont situés dans chacun des résonateurs FP1, FP2 et les endroits qui sont situés au-dessus de chacune des portions d’électrodes 3a, 3b et 3c. La couche isolante 2 est encore continue sur toute la surface S dans le photodétecteur 100, avec une épaisseur e 2 qui peut encore être égale à 50 nm. L’épaisseur de e 3 de chaque portion d’électrode 3a, 3b, 3c peut encore être égale à environ 100 nm, et l’épaisseur e 4 de la couche du matériau photoconducteur 4 peut être partout égale à environ 80 nm. Les portions de la couche 4 qui sont situées dans chacun des résonateurs FP1 et FP2 sont encore en contact avec les portions d’électrodes adjacentes : la portion de la couche 4 qui est située dans le résonateur FP1 est en contact avec les portions d’électrodes 3a et 3b, et celle qui est située dans le résonateur FP2 est en contact avec les portions d’électrodes 3b et 3c. Les valeurs numériques des largeurs W 1 , W 2 et r 1 peuvent rester identiques à celles citées en liaison avec .
Le mode de réalisation de correspond à celui de en retirant la couche isolante 2 à l’intérieur de chacun des résonateurs FP1 et FP2. Un tel retrait sélectif du matériau de la couche isolante 2 peut être effectué de l’une des façons bien connues de l’Homme du métier, si bien qu’il n’est pas nécessaire de le décrire ici. Les valeurs numériques suivantes peuvent être adoptées : e 2 = 120 nm, e 3 = 70 nm et e 4 = 140 nm, les valeurs numériques de W 1 , W 2 et r 1 pouvant rester identiques par rapport aux modes de réalisation de et . Pour les valeurs d’épaisseurs qui viennent d’être données, les portions de la couche 4 qui sont situées dans chacun des résonateurs FP1 et FP2 sont encore en contact avec les portions d’électrodes adjacentes. Dans le mode de réalisation de , la couche métallique 11 du substrat 1 est en contact avec les portions de matériau photoconducteur 4 qui sont situées dans chacun des résonateurs FP1 et FP2. De ce fait, la couche métallique 11 peut être utilisée comme une portion d’électrode supplémentaire, en plus des portions d’électrodes 3a, 3b et 3c. L’intérêt d’ajouter une électrode supplémentaire, notamment de cette manière, sera présenté plus loin dans cette description.
Enfin, dans le mode de réalisation de , les espaces inter-électrodes, qui sont situés entre les portions d’électrodes 3a et 3b dans le résonateur FP1, et entre les portions d’électrodes 3b et 3c dans le résonateur FP2, sont comblés par de la résine à fonction de planarisation, jusqu’au niveau de la surface supérieure des portions d’électrodes 3a, 3b et 3c. La couche de matériau photoconducteur 4 est alors à faces parallèles, et recouvre continûment les portions d’électrodes 3a, 3b et 3c ainsi que les portions de résine 5. La couche isolante 2 peut de nouveau être continue à travers tout le photodétecteur 100. Les valeurs numériques suivantes peuvent être adoptées pour le mode de réalisation de : e 2 = 50 nm, e 3 = 130 nm, e 4 = 140 nm, W 1 = 400 nm, W 2 = 1050 nm, r 1 = 725 nm, et la couche 4 peut être constituée par un feuillet de graphène.
Pour le mode de réalisation de et les valeurs numériques associées, et lorsque le matériau photoconducteur de la couche 4 est en tellure de mercure (HgTe), le résonateur de Fabry-Pérot FP1 possède une valeur λ 1 de longueur d’onde de résonance individuelle, effective pour du rayonnement R incident en direction de la surface S, qui est égale à environ 1650 nm (nanomètre), avec une valeur Q 1 de facteur de qualité de résonance individuelle qui est égale à environ 5, et le résonateur de Fabry-Pérot FP2 possède une valeur λ 2 de longueur d’onde de résonance individuelle égale à environ 1550 nm, avec une valeur Q 2 de facteur de qualité de résonance individuelle égale à environ 5. L’intervalle de résonance individuelle [λ r 1 ·(1-3/Q 1 ) ; λ r 1 ·(1+3/Q 1 )] du résonateur FP1 est [660 nm ; 2640 nm], et celui [λ r 2 ·(1-3/Q 2 ) ; λ r 2 ·(1+3/Q 2 )] du résonateur FP2 est [620 nm ; 2480 nm]. Ces deux intervalles se recouvrent donc entre 660 nm et 2480 nm. Des résonances individuelles similaires existent pour les modes de réalisation de , et .
Ainsi, lors de la photoréticulation, après activation de l’état transitoire transparent dudit pigment, la composition est transparente pendant un lapse de temps suffisant pour permettre aux ondes de pénétrer une épaisseur importante, notamment une épaisseur supérieure à 1mm.
L’exposition aux UV et/ou la chaleur dégagée par la photoréticulation permet audit pigment de reprendre son état d’énergie initial coloré.
Avantageusement, l’invention permet d’obtenir une épaisseur de matière sèche colorée d’au moins 1m en une seule application.
Selon un objet préféré de l’invention, la composition est sous forme photoréticulée, solide, et elle présente : - une clarté définie par un paramètre L* inférieur à 60 , et - une épaisseur d’au moins 1mm.
Préférentiellement la composition selon l’invention présente au moins une couleur choisie parmi le noir, le bleu, le rouge, le vert et le marron.
Avantageusement, la composition photoréticulée selon l’invention peut présenter une couleur foncée.
Une telle composition est particulièrement utile dans le contexte de l’invention permettant ainsi d’apporter une composition photoréticulable colorée pouvant être photoréticulée sur une épaisseur d’au moins 1mm en une seule application.
Préférentiellement, la composition selon l’invention comprend au moins un pigment choisi parmi la famille des pigments à transition de spin ou à changement de phase.
Selon un autre aspect, l’invention concerne un procédé de fabrication d’une composition photoréticulable selon l’invention comprenant une étape de préparation d’un vernis liquide, une étape de mélange avec au moins un pigment selon l’invention, et une étape de de broyage.
Enfin, l’invention vise aussi l’utilisation de la composition selon l’invention dans des et/ou en tant que produit(s) photoréticulable(s) tels que des encres, des peintures, des plastiques et des revêtements.
Brève description des Figures Photographie d’un appareil de mesure calculant l’épaisseur obtenue d’une composition selon l’invention comprenant le [Fe(R-Trz)3]X2 avec R-Trz=aminotriazole et X=Br/
Photographie d’un appareil de mesure calculant l’épaisseur obtenue d’une composition selon l’invention comprenant le Methyl hexadecanoate.
Description détaillée de l’invention Définition s
Par « source lumineuse » au sens de l’invention, on entend au moins une source de lumière choisie parmi toutes sources de lumière naturelles ou artificielles.
Par « photoréticulable » au sens de l’invention, on entend toute composition dont la réticulation est activée lorsqu’elle est exposée à une longueur d’onde, notamment une longueur d’onde comprise entre 254 à 500nm.
Dans ce premier mode d’implémentation, la clé GMK et l’identifiant de la clé GMK-ID sont obtenues à l’étape 20. Cette obtention par l’entité MCData émettrice consiste à recevoir la clé GMK et l’identifiant de la clé GMK-ID. La clé GMK et l’identifiant de la clé GMK-ID peuvent être fournis par un serveur GMS « Group Master Server ».
A l’étape 30, la transmission du conteneur s’effectue d’un client MCData émetteur 420 vers les autres membres du groupe qui sont donc des clients MCData destinataires 470.
Ensuite, à l’étape 40, chaque client MCData destinataire authentifie le message SIP-INVITE en vérifiant que le conteneur a bien pour origine le client appartenant au même groupe. Dans ce premier mode d’implémentation, l’authentification est facilitée par des procédures d’authentification effectuées préalablement à la mise en œuvre du procédé selon l’invention. Ainsi, dans ce cas, l’authentification peut consister à vérifier que le message a bien été envoyé par l’entité MC Data émettrice par exemple en accédant à un sous élément du document de groupe qui comporte toutes les informations relatives au groupe. Enfin, à l’étape 50, le client MCData destinataire détermine la clé GMK et l’identifiant de la clé GMK-ID. Par exemple, le message SIP-INVITE peut contenir un identifiant de groupe, par exemple une adresse URL « Uniform Resource Locator », qui permet d'accéder à un document de groupe contenant le GMK et GMK ID.
Une fois la session de communication de groupe établie, un client MCData émetteur qui souhaite transmettre un paquet de données vers les autres membres du groupe doit chiffrer ce paquet de données. Un exemple de chiffrement utilisable dans l’invention est celui décrit dans le document de spécifications techniques TS 33.180, avec notamment une dérivation de la clé GMK telle que définie dans la clause 8.5.3 et un format de données protégées décrit dans la clause 8.5.4.1 dans le document de spécifications techniques TS 33.180, avant de lui ajouter les entêtes nécessaires. Un exemple d’entête utilisable est un entête GRE et UDP. Ensuite, de manière optionnelle, les clients MCData destinataires 470 effectuent l’opération inverse avant de transmettre le paquet déchiffré au data host visé.
La est une représentation schématique d’un système pouvant servir à la mise en œuvre de ce premier mode d’implémentation. Le client MCData émetteur 420 et les clients MCData destinataires 470 appartiennent au même groupe MCData 480. Chaque client MCData 420 et 470 est connecté 450 au service de transport MCData 430. Le service de transport MCData 430 comprend un ou plusieurs serveurs MCData Le client MCData 420 est connecté à une entité applicative émettrice 410. Chaque client MCData destinataire 470 est connecté à une entité applicative destinataire 460. Le tunnel IP 440 permet le routage IP de données 400, notamment des données média, de l’entité applicative 410 aux entités applicatives 460.
Dans un second mode d’implémentation, le procédé selon l’invention est un procédé d’établissement de session MCData IPCON point à point. L’entité MCData émettrice 320 et l’entité MCData destinataire 370 sont des clients MCData. La clé DPPK est une clé privée de type PCK « Private Call Key » et l’identifiant de la clé DPPK-ID est de type PCK-ID « Private Call Key Identifier ».
Dans la première étape 10, les clients MCData émetteur 320 et destinataire 370 obtiennent des éléments de chiffrement. Ces éléments de chiffrement permettent l’obtention et la détermination de la clé PCK et de l’identification de la clé PCK-ID. Ces éléments de chiffrement peuvent être fournis par un serveur KMS « Key Management Server ». Les éléments de chiffrement venant du serveur KMS sont par exemple la clé privée SSK « Secret Signing Key », la clé publique « Public Validation Token » PVT ou la clé d’authentification publique KPAK «KMS Public Authentication Key »."
Dans la seconde étape 20, le client MCData émetteur obtient une clé privée PCK et un identifiant de la clé privée PCK-ID. Cette obtention consiste à générer la clé privée PCK et l’identifiant de la clé privée PCK-ID en utilisant les éléments de chiffrement obtenus à l’étape 10. Afin d’effectuer le chiffrement, une dérivation de la clé PCK peut être nécessaire. Un exemple de dérivation utilisable dans l’invention est défini dans la clause 8.3 du document de spécifications techniques TS 33.180.
La clé PCK obtenue à l’étape 20 comprend le chiffrement de l’identité de l’entité MCData destinataire 370. Ainsi la clé PCK permet, après extraction, d’obtenir l’entité MCData destinataire 370.
Dans la troisième étape 30, le MCData émetteur transmet la clé privée PCK et l’identifiant de la clé privée PCK-ID dans le message SIP-INVITE. Le message SIP-INVITE comprend un conteneur MIKEY-SAKKE I-MESSAGE « Multimedia Internet KEYing-Sakai-Kasahara Key Encryption », le conteneur MIKEY-SAKKE I-MESSAGE comprenant la clé DPPK chiffrée avec une méthode de chiffrement SAKKE ; et l’identifiant de la clé DPPK-ID.
Le conteneur MIKEY-SAKKE I-MESSAGE est notamment utilisé pour transporter la clé DPPK. La clé DPPK peut par exemple être d’une longueur de 16 octets. La clé DPPK est encapsulée dans le conteneur avec une méthode de chiffrement SAKKE. Un exemple d’implémentation des messages MIKEY-SAKKE I-MESSAGE adaptés pour la mise en œuvre de l’invention est défini dans le document IETF RFC 6509 « Internet Engineering Task Force Request for Comments : 6509 ».
L’authentification du message SIP-INVITE peut consister à valider la signature du message SIP-INVITE. La signature du message SIP-INVITE consiste à signer le conteneur. Le conteneur signé permet au client MCData destinataire d’authentifier le conteneur en validant la signature. Par exemple, le conteneur est signé à l’aide d’une signature permettant d'authentifier l'origine du conteneur par le client MCData destinataire.
La transmission du conteneur s’effectue d’un client MCData émetteur vers un client MCData destinataire. Le message MIKEY-SAKKE I-MESSAGE comprend la clé privée PCK. Un exemple de structure possible du message MIKEY-SAKKE I-MESSAGE pour ce mode de réalisation est décrit à l’annexe E.3 dans le document de spécifications techniques TS 33.180.
Dans la quatrième étape 40, le client MCData destinataire authentifie le conteneur comprenant le message MIKEY-SAKKE I-MESSAGE en validant la signature de l’appelant.
Dans la cinquième étape 50, le client MCData destinataire détermine la clé privée PCK et l’identifiant de la clé privée PCK-ID. La détermination est effectuée par extraction en utilisant les éléments de chiffrement obtenus à l’étape 10
Le trafic subséquent sur la session MCData IPCON établie, c’est-à-dire le contenu envoyé par une entité applicative émettrice à une autre entité applicative destinataire, est chiffré par le MCData client émetteur et déchiffré par le MCData destinataire en utilisant la clé PCK. Un exemple de chiffrement et de déchiffrement utilisables pour une implémentation de l’invention sont décrits dans le document de spécifications techniques TS 33.180, avec notamment une dérivation de la clé PCK tel que défini dans la clause 8.5.3 et un format de données protégées décrit dans la clause 8.5.4.1 dans le document de spécifications techniques TS 33.180, avant de lui ajouter les entêtes nécessaires. Ce contenu chiffré est transporté dans le tunnel établi entre les deux clients MCData par exemple un tunnel GRE in UDP. Ainsi, après avoir chiffré le contenu reçu de l’entité applicative émettrice, le client MCData émetteur ajoute un entête par exemple un entête GRE et UDP avant de transmettre le paquet de données au client MCData destinataire, qui retire ces entêtes ajoutés avant de déchiffrer le contenu puis de transmettre le contenu déchiffré à l’entité applicative destinataire.
Selon une configuration, chaque zone de commande 40 est visible par au moins un intervenant, parmi le présentateur 18 et les participants 20, sur les diapositives 12 contenues dans le flux vidéo de sortie 38 visualisé simultanément par le présentateur 18 et les participants 20.