INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
On constate que les pourcentages des noyaux piégés P p et déformés P d entre des échantillons sains WT et des échantillons pathologiques Mu Lamin A avec leur minimum et maximum ne se recoupent pas, ce qui indique qu’une différence significative existent sur ces paramètres entre les échantillons sains WT et les échantillons pathologiques Mu Lamin A. Ce résultat montre que la détermination du pourcentage des noyaux piégés P p ou déformés P d permet la discrimination des échantillons WT et Mu Lamin A, et donc la détection de la pathologie.
Exemple 4 La représente les pourcentages des noyaux piégés P p pour un échantillon de cellules du sein épithéliales saines (MCF10A) et pour un échantillon de cellules du sein épithéliales tumorales (MCF7). Les échantillons cellulaires sont cultivés 24h par la méthode décrite dans l’exemple précédent sur une plaque présentant des microrainures de largeur l de 5µm, de profondeur de 7.5µm et espacées entre elles de 5µm.
On constate clairement une différence significative du pourcentage des noyaux piégés P p entre l’échantillon de cellules non tumorales MCF10A et l’échantillon de cellules tumorales MCF7. Ce résultat montre que le pourcentage noyaux piégés est également un bon discriminant dans le cas des cellules épithéliales du sein.
la est une vue schématique en coupe axiale d’un réducteur selon un mode de réalisation de l’invention,
la est une vue schématique en coupe axiale d’un dispositif d’entraînement d’une roue d’un train d’atterrissage d’aéronef, ce dispositif comportant le réducteur de la ;
la est une vue schématique en coupe axiale d’un dispositif d’entraînement d’une roue d’un train d’atterrissage d’aéronef, ce dispositif comportant un réducteur selon une variante de réalisation de l’invention,
les figures 7a et 7b sont des vues schématiques, respectivement en perspective et en transparence d’une part, et en coupe axiale d’autre part, d’une autre variante de réalisation du réducteur selon l’invention ;
la est une vue schématique en coupe axiale d’un satellite et de paliers de guidage de ce satellite ; et
Dans l’exemple représenté, le moteur 20 et le système 22 ont chacun une forme générale annulaire et sont centrés sur l’axe X. Ils sont disposés à côté l’un de l’autre et le système 22 est installé entre le moteur 20 et la jante 16. Une partie du système 22, voire également une partie du moteur 20, pourraient être logées dans la jante 16 pour réduire l’encombrement du dispositif 10. Le moteur 20 et le système 22 peuvent être protégés par un capot cylindrique extérieur 26 en saillie sur un côté de la jante 16 ou du pneu 18.
Le système de transmission mécanique 22 comprend un réducteur mécanique de vitesse 28 dont des exemples de réalisation sont illustrés aux figures 2 et 3.
La montre un réducteur épicycloïdal 28. En entrée, le réducteur 28 est relié à un arbre 30, par exemple par l’intermédiaire de cannelures internes 32b. Ainsi, l’arbre 30 entraîne un pignon planétaire appelé le solaire 32. Classiquement, le solaire 32 entraîne une série de pignons appelés satellites 34, qui sont équirépartis sur le même diamètre autour de l’axe X de rotation du solaire 32. Ce diamètre est égal au double de l’entraxe de fonctionnement entre le solaire 32 et les satellites 34. Le nombre de satellites 34 est généralement défini entre trois et sept.
Dans une variante du mode de réalisation, la seconde électrode en peigne peut comporter des doigts d'électrode factices plus courts alternant avec les droits d'électrode, les doigts d'électrode factices de la seconde barre omnibus font face aux doigts d'électrode de la première barre omnibus et sont séparés des doigts d'électrode par des seconds espaces, et comprenant en outre une seconde couche de suppression de mode transversal s'étendant au moins partiellement sous les seconds espaces et choisie de telle sorte que la vitesse de phase d'une onde guidée est inférieure dans la zone de la seconde couche de suppression de mode transversal par rapport à la vitesse de phase de l’onde guidée dans la zone centrale sous les doigts d'électrode en alternance des première et seconde électrodes en peigne, entre les première et seconde couches de suppression de mode transversal. La couche de suppression de mode transversal permet de ralentir la vitesse d'onde dans l'espace, ce qui mène à la suppression ou la réduction du mode transversal non voulu dans la structure de transducteur. Ainsi, dans la structure de transducteur selon l'invention, la contribution des modes transversaux peut être réduite davantage. D'un point de vue acoustique, la structure de transducteur selon invention permet de transférer de l'énergie depuis le doigt IDT vers le doigt factice sans réflexion, ou avec une réflexion réduite, au niveau du bord dudit doigt IDT.
Dans une variante du mode de réalisation, la couche de suppression de mode transversal peut s'étendre sous tous les seconds espaces. La couche de suppression de mode transversal permet de ralentir la vitesse d'onde dans l'espace, ce qui mène à la suppression ou la réduction du mode transversal non voulu dans la structure de transducteur. D'un point de vue acoustique, la structure de transducteur selon invention permet de transférer de l'énergie depuis le doigt IDT vers le doigt factice sans réflexion, ou avec une réflexion réduite, au niveau du bord dudit doigt IDT.
Dans une variante du mode de réalisation, la première couche de suppression de mode transversal peut s'étendre au moins partiellement jusqu'à la première barre omnibus et/ou la seconde couche de suppression de mode transversal peut s'étendre au moins partiellement jusqu'à la seconde barre omnibus.
Dans une variante du mode de réalisation, la première couche de suppression de mode transversal peut s'étendre au moins partiellement ou au moins totalement sous la première barre omnibus et/ou la seconde couche de suppression de mode transversal peut s'étendre au moins partiellement ou au moins totalement sous la seconde barre omnibus.
Dans une variante du mode de réalisation, la première et/ou seconde couche de suppression de mode transversal peut comprendre une dose de dopage différente par rapport au reste du substrat piézoélectrique dans la zone centrale sous les électrodes en peigne interdigitées pour moduler la vitesse de phase, en particulier la dose de dopage différente est une dose de Ti. Le dopage correspond ici à une introduction intentionnelle d'impuretés dans le substrat piézoélectrique. La différence de dopage de la au moins une couche de suppression de mode transversal a pour résultat une réduction de la vitesse de phase du mode dans la zone proche de l'espace séparant les électrodes IDT par rapport aux électrodes factices sans avoir besoin de fournir un quelconque motif latéral.
Dans une variante du mode de réalisation, la première et/ou seconde couche de suppression de mode transversal de la couche piézoélectrique peut comprendre une couche de passivation, en particulier une couche de passivation diélectrique, plus particulièrement une couche de SiO 2 .
Dans une variante du mode de réalisation, la couche de passivation peut être au moins partiellement intégrée dans le substrat piézoélectrique.
Dans une variante du mode de réalisation, la première couche de suppression de mode transversal et la seconde couche de suppression de mode transversal peuvent être symétriques par rapport à la ligne centrale des électrodes en peigne interdigitées.
Dans une variante du mode de réalisation, la première couche de suppression de mode transversal et la seconde couche de suppression de mode transversal peuvent avoir des formes différentes.
Le but de l'invention est également atteint à l'aide d'un procédé de fabrication d’une structure de transducteur comprenant les étapes de a) fournir un substrat piézoélectrique ; en particulier un substrat composite piézoélectrique comprenant une couche piézoélectrique sur un substrat de base, b) former au moins une paire d'électrodes en peigne interdigitées sur le substrat piézoélectrique, dans lequel la première électrode en peigne comprend une première barre omnibus et une pluralité de doigts d'électrode en alternance et de doigts d'électrode factices plus courts, tous s'étendant à partir de la première barre omnibus, la seconde électrode en peigne comprend une seconde barre omnibus et une pluralité de doigts d'électrode alternés s'étendant à partir de la seconde barre omnibus, les électrodes factices de la première barre omnibus font face aux doigts d'électrode de la seconde barre omnibus et sont séparées des doigts d'électrode de la seconde barre omnibus par des premiers espaces, une étape c) avant l’étape b) de fournir une couche de suppression de mode transversal de telle sorte qu’après l’étape c), la couche de suppression de mode transversal est partiellement sous le premier espace, dans lequel la couche de suppression de mode transversal est choisie de telle sorte que la vitesse de phase d’une onde guidée est inférieure dans la zone de la couche de suppression de mode transversal par rapport à la vitesse de phase de l’onde guidée dans le substrat piézoélectrique dans la zone centrale sous les doigts d’électrode alternés des première et seconde électrodes. Un tel procédé permet de former la couche de suppression de mode transversal avant que les électrodes interdigitées soient formées. Ainsi, à l'aide de ce procédé, les électrodes interdigitées ne peuvent pas être détériorées par l'étape de formation de la couche de suppression et, en résultat, la qualité intrinsèque du dispositif et de la surface de substrat est préservée. Ce procédé permet de garder le processus de fabrication initiale SAW habituel inchangé. Contrairement aux dispositifs de l'état de la technique dans lesquels les électrodes interdigitées sont formées sur le substrat piézoélectrique, et ensuite une couche de suppression de mode transversal est formée sur les électrodes interdigitées. De plus, le procédé selon l’invention a pour résultat un processus de fabrication plus simple par rapport aux dispositifs de l'état de la technique.
Dans une variante du mode de réalisation, la seconde électrode en peigne peut comporter en outre des doigts d'électrode factices plus courts alternant avec les doigts d'électrode, et les doigts d'électrode factices de la seconde barre omnibus font face aux doigts d'électrode de la première barre omnibus et sont séparés des doigts d'électrode de la première barre omnibus par des seconds espaces, et l’étapes c) de fournir une couche de suppression de mode transversal peut comprendre fournir une première couche de suppression de mode latéral et une seconde couche de suppression de mode transversal s'étendant au moins partiellement sous les seconds espaces et choisies de telle sorte que la vitesse de phase d'une onde guidée est inférieure dans la zone de la seconde couche de suppression de mode transversal par rapport à la vitesse de phase de l’onde guidée dans la zone centrale sous les doigts d'électrode alternés des première et seconde électrodes en peigne, entre les première et seconde couches de suppression de mode transversal. Un tel procédé permet de former les couches de suppression de mode transversal avant que les électrodes interdigitées soient formées. Ainsi, à l'aide de ce procédé, les électrodes interdigitées ne peuvent pas être détériorées par l'étape de formation de la couche de suppression et, en résultat, la qualité intrinsèque du dispositif et de la surface de substrat est préservée. Ce procédé permet de garder le processus de fabrication initiale SAW habituel inchangé. Contrairement aux dispositifs de l'état de la technique, où les électrodes interdigitées sont formées sur le substrat piézoélectrique, et ensuite une couche de suppression de mode transversal est formée sur les électrodes interdigitées. De plus, le procédé selon l’invention a pour résultat un processus de fabrication plus simple par rapport aux dispositifs de l'état de la technique.
Dans une variante de l'invention, l'étape de fournir une couche de suppression de mode transversal peut comprendre une étape de modifier la dose de dopage du substrat piézoélectrique, en particulier avec une étape d'implantation ou une étape de diffusion d'espèces atomiques et/ou une technique d'échange de protons. À nouveau, le dopage correspond ici à une introduction intentionnelle d'impuretés dans le substrat piézoélectrique. Une technique simple peut être utilisée pour former la couche de suppression de mode transversal par rapport à la technique utilisée dans le processus de fabrication des dispositifs de l'état de la technique.
Dans une variante du mode de réalisation, l'étape de fournir une couche de suppression de mode transversal peut comprendre fournir une couche de passivation, en particulier une couche de passivation diélectrique, plus particulièrement une couche de SiO 2 . Une technique de dépôt de couche de matériau peut être utilisée pour former la couche de suppression de mode transversal, qui est une technique plus simple par rapport à la technique utilisée dans le processus de fabrication des dispositifs de l'état de la technique. Dans une variante de l’invention, l'étape de fournir une couche de suppression de mode transversal peut comprendre une étape consistant à intégrer au moins partiellement la couche de passivation dans le substrat piézoélectrique.
Dans une variante de l'invention, la couche de passivation peut être dotée d'un motif par un processus de « lift-off » ou de détachement, de telle sorte que les côtés de la couche de passivation sont inclinés de telle manière que les électrodes en peigne déposées recouvrent ces côtés sans rupture, fournissant une réduction régulière et continue de la vitesse de phase dans la zone correspondante. Ceci réduit ainsi de manière régulière les possibilités pour le mode transversal de se développer car ce dernier a besoin de préférence d'une variation aiguë de la vitesse au niveau du bord des électrodes agissant comme réflecteur d'onde. Dans ce cas, aucune gravure n'est nécessaire, gardant ainsi le substrat dans de bonnes conditions. Dans le cas où le substrat doit être préservé vis-à-vis d'une contamination organique, ce que l'on appelle un processus de gravure humide basé sur une gravure isotrope de la couche de dioxyde de silicium peut être implémenté, produisant également des bords réguliers de la couche de passivation à motif. Le SiO 2 est par conséquent déposé de manière homogène sur le dessus de la tranche en tant que première étape, puis un masque de gravure in situ de résine photosensible est formé sur le dessus de la couche, en permettant une gravure locale de la couche de SiO 2 . Des masques d'alignement doivent cependant être déposés dans les deux cas pour préparer la surface selon les processus technologiques habituels dans ce but.
Le but de l'invention est également atteint à l'aide d'un dispositif SAW, en particulier un résonateur à accès unique, comprenant au moins une structure de transducteur telle que décrite précédemment. Un tel dispositif SAW peut être fabriqué à l'aide d'un processus de fabrication plus simple par rapport à l'état de la technique tout en préservant une contribution réduite de modes transversaux, ayant pour résultat une pureté spectrale améliorée de la réponse de résonateur.
L’invention peut être mieux comprise en se reportant à la description qui suit prise conjointement avec les dessins annexés, où des références numériques identifient des caractéristiques de l'invention.
(3) une solution de nitrate de manganèse présentant une concentration de 2,0 mol/l a été préparée ;
(4) les solutions préparées à l'étape (2) et l'étape (3) ont été mélangées selon un rapport molaire du manganèse au phosphore de 1:3, le mélange obtenu a ensuite été placé dans un réacteur hydrothermique, et chauffé à 100℃, et la pression d'une soupape de décharge de pression dans le réacteur a été ajustée pour être commandée pour ne pas être supérieure à 0,2 MPa ;
(5) la solution d'acide nitrique préparée dans l'étape (1) a été ajoutée goutte à goutte dans le réacteur hydrothermique, où le débit d'ajout de la solution d'acide nitrique était de 20 mL/h, et la vitesse de rotation d'agitation du réacteur a été commandée pour être de 25 t/min ;
(6) lorsque le pH dans le réacteur a atteint 1,5, l'ajout de la solution d'acide nitrique a été arrêtée, une solution de nitrate ferrique présentant la concentration de 0,5 mol/L a été ajoutée goutte à goutte dans le réacteur hydrothermique, où le débit d'ajout de la solution de nitrate ferrique était de 40 mL/h, et la vitesse de rotation d'agitation du réacteur a été commandée pour être de 30 t/min ;
(8) la solution mixte a été mélangée avec une source de fer, une source de lithium et une source de carbone pour préparer un matériau mixte avec un rapport molaire de Fe:Mn:Li:source de carbone de 2:1: 6.0: 1.5, et par la suite le matériau mixte a été soumis à un séchage par pulvérisation pour obtenir un matériau séché, où la source de fer était de l'acétate ferrique, la source de lithium était de l’acétate de lithium et la source de carbone était du glucose ; et
(9) le matériau séché a été calciné sous la protection d'un gaz inerte pendant 24 h à 600℃, puis naturellement refroidi à température ambiante de manière à obtenir un matériau de cathode de batterie lithium-ion fer-phosphore fini.
Un matériau de cathode de batterie lithium-ion fer-phosphore a été préparé selon le procédé de préparation ci-dessus.
Exemple comparatif 1 : La différence entre l'exemple comparatif 1 et l'exemple 1 est qu'une solution d'acide nitrique n'a pas été ajoutée dans l'exemple comparatif 1.
Un procédé de préparation d'un matériau de cathode de batterie lithium-ion fer-phosphore comprend les étapes suivantes :
(1) une solution de pyrophosphate de tétraammonium présentant une concentration de 1 mol/l a été préparée ;
(2) une solution de nitrate de manganèse présentant une concentration de 1 mol/l a été préparée ;
(3) les solutions préparées à l'étape (1) et l'étape (2) ont été mélangées selon un rapport molaire du manganèse au phosphore de 1:3, le mélange obtenu a ensuite été placé dans un réacteur hydrothermique, et chauffé à 120℃, et la pression d'une soupape de décharge de pression dans le réacteur a été ajustée pour être commandée pour ne pas être supérieure à 0,2 MPa ;
(4) une solution de nitrate ferrique présentant une concentration de 0,1 mol/L a été ajoutée goutte à goutte dans le réacteur hydrothermique, où le débit d'ajout de la solution de nitrate ferrique était de 80 mL/h, et la vitesse de rotation d'agitation du réacteur a été commandée pour être de 60 t/min ;
(5) lorsque le rapport molaire du fer au manganèse dans le réacteur a été de 1:1, la réaction a été arrêtée, la pression a été chargée et un refroidissement a été effectué à température ambiante, de manière à obtenir une solution mixte de manganèse, de fer et de phosphore ;
(6) la solution mixte a été mélangée avec une source de fer, une source de lithium et une source de carbone pour préparer un matériau mixte avec un rapport molaire de Fe:Mn:Li:source de carbone de 2:1: 6.2: 1, et ensuite le matériau mixte a été soumis à un séchage par pulvérisation pour obtenir un matériau séché, où la source de fer était du nitrate ferrique, la source de lithium était de l'acétate de lithium et la source de carbone était du saccharose ; et
L’estimation de la phase instantanée peut s’obtenir en utilisant les équations de la physique permettant de calculer l’effet Doppler. Différents modes de réalisation de ces aspects calculatoires sont bien décrits dans la littérature technique. On peut par exemple citer l’article « Doppler Characterization for LEO Satellites » de Irfan Ali, Naofal Al-Dhahir et John E. Hershey in IEEE Transactions on Communications, vol. 46, no. 3, mars 1998.
Les terminaux de télécommunication 2 qui sont dans la zone de réception (empreinte au sol du cône de diffusion) peuvent donc recevoir les informations diffusées par le satellite avec une puissance suffisante permettant leur bon traitement (démodulation avec un taux d’erreur suffisamment bas pour permettre la reconstruction des informations secondaires déterminées par les moyens de traitement 12).
Comme on l’a vu précédemment, les terminaux peuvent être des terminaux de l’état de l’art. En particulier, les moyens habituels de télécommunication suffisent pour leur permettre de recevoir les informations secondaires diffusés par le satellite. Ainsi, il n’est pas nécessaire de prévoir des antennes particulières, des circuits de démodulation particuliers, etc.
Comme on a vu, un mode de réalisation de l’invention utilise le protocole Bluetooth, en particulier le mode de fonctionnement BLE 125k s=8 de ce protocole. La vaste majorité des terminaux de télécommunication sont nativement adaptés pour recevoir des informations diffusées selon ce protocole.
Le terminal de télécommunication peut être de différents types. Il peut s’agir d’un terminal fixe (ordinateur, appareil de télévision, etc.), ou mobile (ordinateur portable, tablette, téléphone mobile, etc.)
Le terminal de télécommunication comprend une application logicielle 20 adaptée pour recevoir en continu un flux de données dans un canal prédéfini. Comme expliqué plus haut, ce canal peut correspondre au protocole de télécommunication Bluetooth, et plus particulièrement un mode de diffusion de ce protocole tel que « BLE 135k S=8 ».
L’application logicielle est également adaptée pour analyser le contenu de ce flux de données afin de détecter lesdites informations secondaires, déterminer au sein de celle-ci des données permettant de déclencher, le cas échéant, une action sur l’interface homme-machine du terminal de télécommunication.
Ces données peuvent notamment être une géolocalisation et/un type de situation.
L’application logicielle peut être adaptée pour comparer cette géolocalisation à la géolocalisation du terminal et ne déclencher une action que si ces deux géolocalisations sont suffisamment proches. Cette notion de proximité peut être fixe, paramétrable, ou adaptable par exemple en fonction d’un type de situation ou d’une sévérité.
L’application logicielle peut être adaptée pour également comparer ce type de situation à des paramètres fixés par l’utilisateur du terminal de télécommunication indiquant le type de services auquel il souhaite souscrire.
Ces paramètres peuvent être fixés par l’application elle-même, de sorte que plusieurs versions de l’application peuvent exister, chacune correspondant par exemple à un type d’utilisateur (grand public, professionnels de la sécurité, etc.), ou à a des champs applicatifs différents.
Un exemple d’application peut être l’annonce d’une situation critique (incendie, inondation, tremblement de terre, crue important, etc.) à une population concernée. La détection de la situation critique peut être effectuée par un satellite d’observation à partir d’informations primaires acquises et analysées comme expliquée ci-dessus. Elle peut être effectuée par d’autres mécanismes également et diffusée par un satellite de télécommunication.
Les terminaux 2 reçoivent les flux de diffusion Bluetooth lorsqu’ils sont dans la zone de diffusion (empreinte au sol du cône de diffusion 50) du satellite. Si l’application 20 est convenablement configurée, elle peut analyser ce flux entrant et déterminer si une alarme doit être déclenchée via l’interface homme-machine (affichage d’un signal ou message sur un écran, alarme sonore, vibrations, etc.)
D’autres applications sont possibles, dans lesquelles des utilisateurs souhaitent être alertés d’une situation particulière déterminé par un satellite ou par d’autres systèmes.
Cette détermination peut comprendre la vérification que la localisation du terminal est effectivement dans une zone concernée par la situation critique (de façon plus fine que pourrait le faire le mécanisme de diffusion du satellite) ou si l’utilisation a effectivement souscrit au service d’alerte par exemple.