INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
iv. Les filtres UV solubles dans l’eau tels que l’acide phénolbenzimidazole sulfonique (PBSA), le sulfisobenzone-sel de sodium, l’acide benzylidène camphre sulfonique, le méthosulfate de camphre benzalconium, le cinoxate, le phényl dibenzylmidazole tétrasulfonate disodique, l’acide téréphtalylidène dicamphre sulfonique, le PABA et le PEG-25 PABA.
Dans certains cas, le filtre UV est un ou plusieurs des dérivés suivants : un dérivé d’acide para-aminobenzoïque, un dérivé salicylique, un dérivé cinnamique, une benzophénone ou une aminobenzophénone, un dérivé anthranillique, un dérivé β,β-diphénylacrylate, un dérivé benzylidènecamphre, un dérivé phénylbenzimidazole, un dérivé benzotriazole, un dérivé triazine, une trirésorcinyl triazine, un dérivé imidazoline, un dérivé benzalmalonate, un dérivé 4,4-diarylbutadiène, un dérivé benzoxazole, une mérocyanine, un dérivé malonitrile ou malonate diphényl butadiène, une chalcone ou un mélange de ceux-ci.
Les filtres UV convenables peuvent inclure des filtres UV à large spectre qui protègent contre le rayonnement à la fois UVA et UVB, ou des filtres UV qui protègent contre le rayonnement UVA ou UVB. Dans certains cas, les un ou plusieurs filtres UV peuvent être du méthylène bis-benzotriazolyl tétraméthylphénol, du diéthylamino hydroxybenzoyl benzoate d'hexyle, de l’oxyde de zinc enrobé ou non, du méthoxycinnamate d’éthylhexyle, du méthoxycinnamate d’isoamyle, de l’homosalate, du salicylate d’éthylhexyle, de l’octocrylène, du polysilicone-15, du butyl méthoxydibenzoylméthane, de l’anthranilate de méthyle et de l’éthylhexyl diméthyl PABA.
L'actif écran solaire organique est généralement présent dans la composition de la présente divulgation dans une quantité allant d’environ 10 % à environ 50 % en poids ; telle que d’environ 15 % à environ 45 % en poids ; telle que d’environ 20 % à environ 40 % en poids, par rapport au poids total de la composition.
Afin d’obtenir une efficacité maximale de l’écran solaire, l'auxiliaire de dispersion de forme sensiblement solide et l'actif écran solaire organique sont de préférence employés dans un rapport en poids allant d'environ 1:30 à 1:1, de préférence d'environ 1:25 à 1:3, et le plus préférentiellement d'environ 1:20 à 1:5.
SOLVANT NON VOLATIL La composition contient également au moins un solvant non volatil. Le solvant non volatil est choisi de préférence parmi les huiles de silicone, qu’elles soient fonctionnelles ou non, les huiles hydrocarbonées et leurs mélanges.
Il est également rappelé que, au sens de la divulgation, le terme « non volatil » désigne généralement un solvant qui reste sur le substrat kératineux à température ambiante et à pression atmosphérique pendant au moins plusieurs heures.
La touche 120 d’ouverture peut aussi être logée dans une télécommande que l’utilisateur peut ou non fixer sur un mur.
Quelle que soit la touche du système 2, celle-ci peut être implémentée sous la forme d’un bouton mécanique et non pas sous la forme d’une touche affichée sur un écran tactile. Chaque touche peut également être implémentée sous forme d’une commande vocale. Par exemple, dans le cas des touches 120 et 136, les commandes vocales sont acquises, par exemple, par le microphone 132. Ainsi, à titre d’illustration, la commande vocale « Déverrouiller la porte » déclenche le déverrouillage de la porte 4 et la commande vocale « Dialoguer » déclenche l’établissement de la communication visiophonique avec la personne à l’extérieur. Quel que soit le mode d’implémentation choisi pour une touche, dans ce texte, celui-ci est couvert par le terme « touche ».
Le terminal distant 6 n’est pas nécessairement un terminal distant comme un smartphone. Par exemple, si la gestion des accès au local a été déléguée à un centre de surveillance, le terminal distant peut être un ordinateur fixe ou portable situé à l’intérieur de ce centre de surveillance.
Dans un mode de réalisation simplifié, le terminal 6 ne comporte pas la caméra 24.
Le local peut être un maison, un appartement dans un immeuble, un bureau où tout autre pièce dont l’accès doit être protégé.
Lorsque la touche 66 d’appel est actionnée, en variante, l’unité 110 exécute soit seulement l’étape 170 soit seulement l’étape 176. Le choix de l’étape à exécuter est par exemple pré-configuré dans l’unité 110 lors de la phase 150 de configuration.
Le même lecteur 40 est utilisé pour remplir deux fonctions différentes, à savoir la fonction d’acquisition des droits d’accès et la fonction de touche d’appel du terminal distant. Cela simplifie l’architecture du système de contrôle d’accès. Cela simplifie aussi son utilisation lorsque des droits d’accès non-autorisés sont acquis car, dans ce cas, l’établissement de la communication avec le terminal 6 est automatique. Ainsi, la personne qui a présenté les droits d’accès non-autorisés n’a pas besoin, en plus, d’actionner la touche 66 d’appel pour établir cette communication avec le terminal distant.
Le fait que des images de la personne qui a présenté des droits d’accès non-autorisés soient transmises au terminal 6 permet d’accroître la sécurité du système. En effet, le résident a alors la possibilité de reconnaître visuellement cette personne. Cela limite la probabilité que le résident autorise, par erreur, cette personne à entrer.
Le fait que les pênes, l’unité de commande et la touche d’ouverture soient tous intégrés dans un même bandeau de porte, simplifie l’installation du système de contrôle d’accès. En effet, dans ce cas, l’installateur n’a pas à se soucier de comment il va faire pour interfacer le mécanisme 90 à pêne, l’unité de commande et la touche d’ouverture. Tout est pré-raccordé à l’intérieur du même bandeau électronique de porte.
Le fait de déclencher automatiquement l’affichage des images filmées par la caméra 60 sur l’écran intérieur 78 dès que des droits d’accès non-autorisés sont acquis, permet d’alerter simplement une personne située à l’intérieur du local sur le fait que quelqu’un cherche à rentrer. Dans ce cas, le même lecteur 40 remplit en plus la fonction de détection de tentative d’entrée.
L’intégration de l’équipement interieur 130 d’interphonie dans le bandeau de porte permet, à une personne située à l’intérieur du local, d’établir la communication visiophonique avec la personne qui a présenté les droits d’accès non-autorisés sans pour cela utiliser le terminal distant.
Procédé de verrouillage d’un véhicule automobile. L’invention concerne un procédé de verrouillage d’un véhicule automobile. L’invention porte encore sur un dispositif de verrouillage d’un véhicule automobile. L’invention porte également sur un programme d’ordinateur mettant en œuvre le procédé mentionné. L’invention porte enfin sur un support d’enregistrement sur lequel est enregistré un tel programme.
Lorsqu’un usager utilise son véhicule pour se rendre sur un lieu de pratique d’un sport ou d’une activité extérieure, il est souvent contraint de garder la clé de son véhicule sur lui pendant ses activités. Il est alors susceptible de perdre la clé de son véhicule ou de la confronter à des agressions extérieures, telles que l’humidité, la poussière ou les chocs.
Chaudière à gaz La présente invention concerne une chaudière à gaz. Une application particulière est la production d’eau chaude de manière régulière, par exemple pour alimenter à circuit de chauffage à circulation d’eau chaude. Une destination industrielle est l’apport de température dans des installations agricoles, notamment dans des serres, pour des pépinières.
ETAT DE LA TECHNIQUE Les gaz inflammables, notamment le butane, sont depuis longtemps utilisés pour réchauffer des liquides, et l’eau en particulier. Les chaudières à gaz comprennent typiquement un brûleur raccordé à un circuit d’injection de gaz, le brûleur permettant d’apporter des calories à un circuit de circulation d’un fluide à chauffer, tel que de l’eau. Le circuit de circulation du fluide peut notamment avoir la forme d’un serpentin disposé dans un corps de chauffe dans lequel la température s’élève grâce à la combustion du gaz.
Des exemples de solvants non volatils convenables incluent, sans toutefois s'y limiter, les huiles polaires et les huiles non polaires telles que :
- les huiles végétales à base d’hydrocarbures, de teneur élevée en triglycérides consistant en des esters d’acides gras de glycérol, dont les acides gras peuvent avoir des longueurs de chaîne variées, ces chaînes étant facultativement linéaires ou ramifiées et saturées ou insaturées ; ces huiles sont notamment l’huile de germe de blé, l’huile de maïs, l’huile de tournesol, le beurre de karité, l’huile de ricin, l’huile d’amande douce, l’huile de macadamia, l’huile d’abricot, l’huile de soja, l’huile de colza, l’huile de coton, l’huile de luzerne, l’huile de pavot, l’huile de potiron, l’huile de graines de sésame, l’huile de graines de courge, l’huile d’avocat, l’huile de noisette, l’huile de graines de cassis, l’huile d'onagre, l’huile de millet, l’huile de seigle, l’huile quinoa, l’huile d'olive, l'huile d'orge, l’huile de carthame, l'huile de bancoul, l’huile de fleur de passion ou l’huile de rose de musc ; ou les triglycérides d’acides capryliques/capriques, par exemple ceux vendus par la société Stéarineries Dubois ou ceux vendus sous les noms Miglyol 810, 812 et 818 par la société Dynamit Nobel ;
- les huiles ou esters synthétiques de formule R 5 COOR 6 dans laquelle R 5 représente un résidu d'acide gras supérieur linéaire ou ramifié contenant de 1 à 40 atomes de carbone, y compris de 7 à 19 atomes de carbone, et R 6 représente une chaîne hydrocarbonée ramifiée contenant de 1 à 40 atomes de carbone, y compris de 3 à 20 atomes de carbone, et incluant, par exemple, le néopentanoate d'octyldodécyle, l'huile de Purcellin (octanoate de cétostéaryle), l'isononanoate d'isononyle, un benzoate d'alkyle en C 12 to C 15 , le myristate d'isopropyle, le palmitate de 2-éthylhexyle et les octanoates, décanoates ou ricinoléates d'alcools ou de polyalcools ; les esters hydroxylés, par exemple le lactate d'isostéaryle ou le malate de diisostéaryle ; et les esters de pentaérythritol ;
- les alcools gras en C 8 à C 26, par exemple l'alcool oléylique ; et
En outre, les huiles non volatiles qui peuvent être utilisées dans la présente divulgation comprennent, sans s'y limiter, les huiles non polaires telles que les hydrocarbures ramifiés et non ramifiés et les cires hydrocarbonées, y compris les polyoléfines, en particulier la Vaseline (pétrolatum), une huile de paraffine, le squalane, le squalène, le polyisobutène hydrogéné, le polydécène hydrogéné, le polybutène, une huile minérale, le pentahydrosqualène et leurs mélanges.
Les exemples de solvants non volatils incluent également les silicones non volatils tels que les fluides de diméthicone ayant des valeurs de viscosité égales ou supérieures à 300 cst .
Les huiles de silicone non volatiles qui peuvent être utilisées comprennent, sans toutefois s'y limiter, les polydiméthylsiloxanes linéaires (PDMS), qui sont liquides à température ambiante ; les polydiméthylsiloxanes comprenant des groupes alkyle, alcoxy ou phényle, qui sont pendants et/ou à l’extrémité d’une chaîne de silicone, ces groupes contenant chacun de 2 à 24 atomes de carbone ; les phénylsilicones, par exemple les phényl triméthicones, les phényl diméthicones, les phényl triméthylsiloxydiphénylsiloxanes, les diphényl diméthicones, les diphényl diméthyldiphényl trisiloxanes, les 2-phényléthyl triméthylsiloxysilicates, le triméthyl pentaphényl trisiloxane, le tétraméthyl hexaphényl trisiloxane.
Le solvant non volatil est généralement présent dans la composition de la présente divulgation dans une quantité allant d’environ 1 % à environ 50 % en poids ; telle que, d’environ 3 % à environ 40 % en poids ; telle que, d’environ 5 % à environ 30 % en poids, par rapport au poids total de la composition.
SOLVANT VOLATIL La composition contient également au moins un solvant volatil.
L'expression « solvant volatil » signifie tout milieu non aqueux susceptible de s’évaporer au contact de la peau ou des lèvres en moins d’une heure à température ambiante et à pression atmosphérique.
Des exemples de ces huiles non silicone volatiles incluent, sans toutefois s'y limiter, les huiles hydrocarbonées volatiles comportant de 8 à 16 atomes de carbone et leurs mélanges et en particulier, les alcanes ramifiés en C 8 à C 16 tels que les isoalcanes en C 8 à C 16 (également connus sous le nom d'isoparaffines), l'isododécane, l'isodécane, l'isohexadécane, et par exemple, les huiles vendues sous les noms de marque Isopar ou Permethyl, les esters ramifiés en C 8 à C 16 tels que le néopentanoate d'isohexyle ou isodécyle, les alcools, ou leurs mélanges. Préférentiellement, les huiles hydrocarbonées volatiles ont un point éclair d'au moins 40 °C.
Les exemples d’huiles hydrocarbonées volatiles incluent, sans toutefois s'y limiter, celles données dans le tableau 1 ci-dessous.
Composé Point éclair (°C) Isododécane 443 Isohexadécane 1102 Néopentanoate d’isodécyle 1118 Propylène glycol n-butyl éther 660 3-Éthoxypropionate d’éthyle 558 Acétate de propylène glycol méthyléther 446 Isopar L (isoparaffine en C 11 -C 13 ) 62 Isopar H (isoparaffine en C 11 -C 12 ) 556
Le solvant volatil peut également être choisi parmi les huiles de silicone volatiles, qui peuvent être linéaires ou cycliques, ayant une viscosité, à température ambiante, inférieure ou égale à 6 cSt, et comportant de 2 à 7 atomes de silicium, facultativement substitués par des groupes alkyle ou alcoxy de 1 à 10 atomes de carbone.
La couche isolante L3 est réalisée en un matériau à faible mouillabilité de brasure, par exemple le dioxyde de silicium (SiO 2 ) ou le nitrure de silicium (SiN). La couche isolante L3 est agencée à une position entre l’électrode-côté arrière L2 et la couche de brasure SD de manière à ce que la couche isolante L3 recouvre l’électrode-côté arrière L2 au niveau du trou d’interconnexion VH du substrat semi-conducteur L1.
Il n’est pas nécessaire que la couche isolante L3 recouvre la totalité de l’électrode-côté arrière L2 ; il suffit que la couche isolante L3 soit agencée de manière à ce qu’elle recouvre au moins une partie de l’électrode-côté arrière L2 agencée au niveau de l’ouverture du trou d’interconnexion VH du côté surface arrière et une couche supérieure à proximité de celle-ci. Dans l’exemple de la , la couche isolante L3 est agencée sur la surface latérale du trou d’interconnexion VH s’étendant dans une direction sensiblement parallèle à la direction de l’épaisseur X du substrat semi-conducteur L1, de manière à ce que la couche isolante L3 recouvre l’électrode-côté arrière L2.
Si l’appareil à semi-conducteurs comporte la couche isolante L3 agencée de la manière décrite ci-dessus, étant donné qu’elle est réalisée en un matériau à faible mouillabilité de brasure, la brasure agencée sur la couche isolante L3 est rejetée par la couche isolante L3 et ne s’écoule pas à l’intérieur du trou d’interconnexion VH. Par conséquent, la couche de brasure SD n’entre pas à l’intérieur du trou d’interconnexion VH mais reste plutôt à proximité de l’ouverture du trou d’interconnexion VH du côté surface arrière.
Dans l’appareil à semi-conducteurs du présent mode de réalisation, la brasure ne s’écoule pas dans la totalité de l’intérieur du trou d’interconnexion VH, mais l’ouverture du trou d’interconnexion VH du côté surface arrière est scellée par la couche de brasure SD, et un vide est ainsi formé à l’intérieur du trou d’interconnexion VH. Ce vide 10 est un espace entouré au moins par la couche de brasure SD et la couche isolante L3 dans le trou d’interconnexion VH, et dans le présent mode de réalisation, il s’agit d’un espace entouré par la couche de brasure SD, la couche isolante L3 et l’électrode-côté arrière L2.
Dans l’appareil à semi-conducteurs du présent mode de réalisation, le rapport de l’épaisseur H du substrat semi-conducteur L1, sur une valeur maximale de la largeur W de l’ouverture du trou d’interconnexion VH (la longueur dans une direction sensiblement parallèle à la deuxième surface principale) (épaisseur H du substrat semi-conducteur L1/largeur W maximale de l’ouverture), est supérieur à 1.
Par exemple, dans le cas où l’ouverture du trou d’interconnexion VH est approximativement circulaire, si le rapport d’aspect de la section transversale du trou d’interconnexion VH dans un plan approximativement parallèle à la direction de l’épaisseur X du substrat semi-conducteur L1 et passant par le centre de l’ouverture du trou d’interconnexion VH (épaisseur H du substrat semi-conducteur L1/diamètre W de l’ouverture) est égal ou inférieur à 1, en d’autres termes, si l’épaisseur H du substrat semi-conducteur L1 est égale ou inférieure au diamètre W de l’ouverture, la couche de brasure SD est susceptible d’entrer à l’intérieur du trou d’interconnexion VH même si la couche isolante L3 a été prévue. Cela est probablement dû au fait que si l’ouverture du trou d’interconnexion VH est grande et que l’épaisseur H du substrat semi-conducteur L1 est petite, lorsque le substrat semi-conducteur est assemblé au substrat de boîtier PB, une quantité de brasure pressée vers l’intérieur du trou d’interconnexion VH augmente, et une distance entre la surface arrière et la surface avant du trou d’interconnexion VH est courte, et la brasure peut à son tour facilement atteindre le côté surface avant du substrat semi-conducteur L1.
Pour cette raison, il est souhaitable que le rapport d’aspect de la section transversale du trou d’interconnexion VH (épaisseur H du substrat semi-conducteur L1/diamètre W de l’ouverture) soit supérieur à 1. L’ouverture du trou d’interconnexion VH n’est pas limitée à une forme circulaire ; si la forme de l’ouverture n’est pas un cercle, il est souhaitable que le rapport de l’épaisseur H du substrat semi-conducteur L1 sur une valeur maximale de la largeur W de l’ouverture du trou d’interconnexion VH (épaisseur H du substrat semi-conducteur L1/largeur maximale de l’ouverture) soit supérieur à 1.
Ensuite, un procédé de fabrication de l’appareil à semi-conducteurs est décrit en référence aux dessins
La est un diagramme explicatif d’un exemple d’un procédé de fabrication d’un appareil à semi-conducteurs selon le premier mode de réalisation.
Tout d’abord, un trou d’interconnexion VH est formé du côté surface arrière du substrat semi-conducteur L1. Par exemple, un masque de gravure (non montré) est utilisé, et une partie prédéterminée du substrat semi-conducteur L1 est sélectivement éliminée, et un trou d’interconnexion VH est ainsi formé. Le masque de gravure est par exemple un film d’oxyde de silicium.
Le trou d’interconnexion VH est par exemple formé via un procédé de gravure sèche au plasma à couplage inductif. Si le substrat semi-conducteur L1 est un substrat SiC par exemple, le trou d’interconnexion VH peut être formé en gravant une partie prédéterminée du substrat SiC à l’aide d’un gaz de gravure contenant du fluor. Le trou d’interconnexion VH est formé à une profondeur qui atteint la troisième électrode E3, en pénétrant dans le substrat semi-conducteur L1.
Ensuite, une électrode-côté arrière L2 est formée sur le côté arrière du substrat semi-conducteur L1 (étape SA1). L’électrode-côté arrière L2 est par exemple formée par pulvérisation cathodique ou revêtement métallique. L’électrode-côté arrière L2 contient de l’or, par exemple.
Puis, un film isolant est formé sur l’électrode-côté arrière L2, par exemple par un procédé de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) ou un procédé de dépôt de couche atomique (ALD) (étape SA2). Le film isolant est par exemple réalisé en dioxyde de silicium (SiO 2 ) ou en nitrure de silicium (SiN), et formé de manière à recouvrir l’électrode-côté arrière L2 dans le trou d’interconnexion VH.
Ensuite, le film isolant est gravé dans la direction de l’épaisseur X du substrat semi-conducteur L1 par gravure sèche, par exemple par gravure ionique réactive (RIE), de manière à former une couche isolante L3 (étape SA3). En d’autres termes, le film isolant (couche isolante L3) est éliminé, à l’exception de la partie formée sur la surface latérale du trou d’interconnexion VH, en effectuant une gravure anisotrope dans la direction de l’épaisseur X du substrat semi-conducteur L1.
Ensuite, une brasure est appliquée sur le côté face arrière de l’appareil à semi-conducteurs (l’électrode-côté arrière L2 et la couche isolante L3), et une couche de brasure SD est formée (étape SA4). À ce moment, la brasure est rejetée par la couche isolante L3, et il est donc possible d’empêcher la brasure de s’écouler dans le trou d’interconnexion VH. Par conséquent, un vide 10 entouré par la couche de brasure SD, la couche isolante L3 et l’électrode-côté arrière L2 est formé dans le trou d’interconnexion VH.
Comme indiqué ci-avant, un cycle d’écriture dans un mot-mémoire commence par une phase d’effacement de ce mot-mémoire.
A cet égard, pour l’effacement, après que le premier dispositif verrou a été initialisé, il va délivrer sur sa borne de sortie OUT la tension Vplus (15 volts). La sortie logique de la borne de sortie OUT de sortie est donc l’état haut.
La rangée correspondante ayant été sélectionnée (le signal POHVCL0=1), la sortie de la porte NON ET PL1 vaut 0.
Le premier signal de commande controlHV a également un état logique bas. En conséquence, la sortie de la porte NON OU EXCLUSIF PL2 a un état logique haut (la tension délivrée est la tension Vplus égale à 15 volts).
Par conséquent, la sortie de l’inverseur INV1 est à l’état bas (tension égale à 3 volts). Par conséquent, le premier signal de pilotage CL0 a un état logique bas et une tension égale à Vminus (3 volts).
Pour la phase de programmation, le premier dispositif de verrou DISV1 est cette fois-ci alimenté entre la tension Vplus (3 volts) et la tension Vminus (-5 volts). La sortie du premier dispositif de verrou délivre la tension Vplus (3 volts) ce qui correspond là encore à un état logique haut de ce signal de sortie.
La sortie de la porte logique NON ET PL1 vaut donc toujours 0. Par contre, cette fois-ci, le premier signal de commande controlHV a une tension égale à Vplus ce qui correspond à son état logique haut. En conséquence, la sortie de la porte logique PL2 est à l’état logique bas. Par conséquent, la sortie du premier inverseur INV1 est à l’état logique haut (il a la tension Vplus égale à 3 volts).
Il en est de même pour le premier signal de pilotage CL0 qui présente la tension Vplus correspondant à l’état haut de ce signal.
On a donc bien eu entre l’effacement et la programmation du mot-mémoire une modification de l’état logique du premier signal de pilotage CL0 sans modification de l’état logique de la borne de sortie OUT du premier dispositif de verrou DISV1.
On se réfère maintenant plus particulièrement à la .
Tous les transistors de sélection des cellules-mémoire d’une même rangée sont pilotées par un deuxième signal de pilotage WL0 (pour la rangée 0). Ce deuxième signal de pilotage est issu d’un deuxième dispositif de verrou de type RS DISV2, qui peut être de structure analogue à celle du premier dispositif DISV1.
Afin de programmer une donnée dans un mot-mémoire, -le décodeur-rangée est configuré pour sélectionner la rangée contenant ce mot-mémoire, et, comme illustré sur la , -des deuxièmes moyens de pilotage-rangée MPLR2 associés à la rangée sélectionnée sont configurés pour conférer au deuxième signal de pilotage WLj, une tension de sélection, qui est typiquement une haute tension, par exemple 13 volts.
Comme illustré sur la , ces deuxièmes moyens de pilotage-rangée MPLR2 comportent un deuxième circuit de pilotage CPTL20 ayant, à l’exception de la porte logique NON OU EXCLUSIF, une structure analogue à celle du premier circuit de pilotage CPTL0.
Plus précisément, une porte logique NON ET PL12, formant un deuxième circuit de décodage-rangée recevant sur une entrée connectée à une deuxième entrée de décodage EDC2, un deuxième signal de décodage P0HVWL0, est connectée sur son autre entrée à la première entrée de circuit ECR12 elle-même connectée à la sortie du deuxième dispositif de verrou DISV2 correspondant.
La sortie de la porte PL12 est connectée à l’entrée d’un deuxième inverseur INV2 dont la sortie est connectée à la sortie de circuit SCR12 qui délivre le deuxième signal de pilotage WL0 (pour la rangée 0).