Dispositif électronique intégré comportant au moins un composant réalisé sur une structure porteuse (2) comportant un substrat semi-conducteur, et une piste d’interconnexion (8) qui s’étend sur la structure porteuse depuis le composant jusqu’à une face latérale (9) du dispositif (1), la piste d’interconnexion (8) comportant une couche de matériau oxydable (12) supportant une couche continue de matériau conducteur (13), caractérisé en ce que la couche de matériau oxydable (12) est discontinue. Dispositif selon la revendication 1, comportant une structure de blocage (11) qui est interposée entre la structure porteuse (12) et une portion de la piste d’interconnexion (8), qui s’étend transversalement d’un bord à l’autre de la piste d’interconnexion et qui présente une face supérieure (15) opposée à la structure porteuse (2), la couche de matériau oxydable comportant une première portion (16) qui s’étend sur la face supérieure (15) et au moins une deuxième portion (17, 18) qui s’étend en amont ou en aval de la structure de blocage (11) le long de la piste d’interconnexion, la deuxième portion (17, 18) ne présentant pas de continuité de matière avec la première portion (16). Dispositif électronique intégré selon la revendication 2, dans lequel la deuxième portion (17, 18) s’étend en partie entre la structure porteuse (2) et la première portion (16). Dispositif électronique intégré selon la revendication 2 ou 3, dans lequel la structure de blocage (11) présente une face inférieure (14) en contact avec la structure porteuse (2), la face inférieure (14) présentant une dimension le long de la piste d’interconnexion inférieure ou égale à la dimension de la face supérieure (15) le long de la piste d’interconnexion. Dispositif électronique selon l’une quelconque des revendication 2 à 4, dans lequel la structure de blocage (11) présente une section trapézoïdale avec un plan (I-I) qui est parallèle à la direction d’extension de la piste d’interconnexion (8) et orthogonal au substrat. Dispositif électronique intégré selon l’une quelconque des revendications 2 à 5, dans lequel la structure de blocage (11) comporte un matériau diélectrique ou un polymère. Dispositif électronique intégré selon l’une quelconque des revendications 2 à 6, dans lequel la structure de blocage (11) présente une épaisseur inférieure à celle de la couche de matériau conducteur (13). Dispositif électronique intégré selon l’une quelconque des revendications 2 à 7, dans lequel la structure de blocage (11) est réalisée à une distance supérieure à 200 micromètres de tout composant (4, 5) situé le long de la piste d’interconnexion (8) . Dispositif électronique intégré selon l’une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel le composant et le substrat sont réalisés avec des matériau du groupe III-V. Dispositif électronique intégré selon l’une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel le composant est un transistor à haute mobilité d’électrons. Procédé de fabrication d’un dispositif électronique intégré (1) comportant au moins un composant sur une structure porteuse (2) qui comporte un substrat semi-conducteur, le procédé comportant - une étape de réalisation, sur la structure porteuse, d’une structure de blocage (11) qui présente une face supérieure (15) opposée la structure porteuse, - une étape de réalisation d’une piste d’interconnexion (8) qui s’étend depuis le composant jusqu’à une face latérale (9) du dispositif, comportant : - une sous-étape de réalisation d’une couche de matériau oxydable (12) comportant une première portion (16) qui s’étend sur la face supérieure (15), et au moins une deuxième portion (17, 18) qui s’étend en amont ou en aval de la structure de blocage (11) le long de la piste d’interconnexion (8) de façon que la première portion (16) ne présente pas de continuité de matière avec la deuxième portion (17, 18) - une sous-étape de réalisation d’une couche de matériau conducteur (13) continue sur la couche de matériau oxydable (12).