INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Le silicium polycristallin de la couche 109, obtenu par recristallisation in-situ du silicium amorphe déposé à l’étape précédente, est tensile, c’est à dire que qu’il exerce une force de traction (étirement) du matériau du substrat 103, parallèlement au plan de la couche 109. Le silicium polycristallin de la couche 111, obtenu directement par dépôt dans des conditions de dépôt polycristallin, est quant à lui compressif, c’est à dire que qu’il exerce une force de compression du matériau du substrat 103, parallèlement au plan de la couche 111. Ainsi, la force de traction exercée par la couche 109 est au moins partiellement compensée par la force de compression exercée par la couche 111, ce qui permet de limiter les déformations du substrat 103 liées au remplissage des tranchées 101. A titre d’exemple, la couche silicium polycristallin de la couche 109 exerce une force de tension comprise entre 100 et 500 MPa, et le silicium polycristallin de la couche 111 exerce une force de compression comprise entre 100 et 500 MPa. On notera que ces valeurs dépendent des budgets thermiques appliqués, des éléments chimiques dopants et des niveaux de dopages, ainsi que des épaisseurs déposées. En outre, l’impact sur la déformation des plaques est plus ou moins fort selon la densité des tranchés par wafer et la profondeur de celles-ci.
On notera qu’en pratique, à l’issue du procédé, du fait de leurs conditions de formation différentes (dépôt amorphe puis recristallisation en silicium polycristallin pour la couche 109 et dépôt polycristallin pour la couche 111), les couches de silicium polycristallin 109 et 111 présentent des tailles de grain différentes. A titre d’exemple, la couche 109 présente une taille moyenne de grains supérieure à celle de la couche 111. A titre d’exemple, le silicium polycristallin de la couche 111 présente une taille de grains moyenne variant entre 10 et 30nm, par exemple avec une croissance colonnaire. Le silicium amorphe recristallisé de la couche 109 présente par exemple une taille de grains moyenne variant entre 50 et 120nm, par exemple avec une distribution aléatoire des grains. Ces tailles et disposition des grains peuvent fluctuer en fonction des budgets thermiques, de l’élément chimique dopant ainsi que de la concentration de celui-ci, de la surface de dépôt, etc.
La illustre la structure obtenue à l’issue d’une étape de remplissage de la tranchée 101 par une couche de silicium amorphe dopé 113. Dans cet exemple, la couche 113 est déposée sur et en contact avec la face supérieure de la couche de silicium polycristallin 111. La couche 113 est par exemple déposée sur toute la surface supérieure du substrat 103. L’épaisseur de la couche de silicium amorphe 113 est choisie suffisamment élevée pour finir de remplir entièrement la tranchée 101.
De préférence, la couche 113 est dopée in-situ lors de son dépôt. Le dopage peut être de type P ou de type N. A titre d’exemple, le dopage est un dopage au bore ou au phosphore. Le niveau de dopage de la couche 1113 est par exemple compris entre 1*10 18 atomes/cm 3 et 1*10 22 atomes/cm 3 .
Le dépôt est par exemple effectué à une température inférieure à 600°C, par exemple comprise entre 400 et 580°C , de manière à obtenir un état amorphe du silicium de la couche 113 à l’issue du dépôt.
La illustre la structure obtenue à l’issue d’une étape de planarisation de sa face supérieure, par exemple par polissage mécano-chimique. Lors de cette étape, la structure est amincie par sa face supérieure de façon à retirer les portions des couches 113, 111, 109 et 107 revêtant la face supérieure du substrat 103, jusqu’à exposer la face supérieure de la couche diélectrique 105. L’amincissement est par exemple interrompu sur la face supérieure de la couche diélectrique de passivation 105.
Un avantage du procédé décrit en relation avec les figures 1A à 1F est qu’il permet de réaliser un remplissage de tranchées formées dans un substrat, en limitant les déformations du substrat sous l’effet des contraintes exercées par le matériau de remplissage des tranchées.
Ceci est tout particulièrement intéressant lorsque la densité des tranchées à la surface du substrat est importante, par exemple supérieure à 9%, et tout particulièrement lorsque les tranchées sont profondes, par exemple de profondeur supérieure à 2 µm.
Après l’étape de dépôt de la couche de silicium polycristallin 111 et avant le dépôt de la couche 113, un traitement thermique, par exemple un recuit de type RTP (de l’anglais « Rapid Thermal Processing » - traitement thermique rapide), peut avantageusement être mis en oeuvre, de façon à relaxer les contraintes des couches 109 et 111 avant le remplissage final par la couche 113. Le recuit est par exemple mis en oeuvre à une température comprise entre 800°C et 1200°C, par exemple de l’ordre 955°C. La durée du recuit est par exemple comprise entre 2 secondes Et 5 minutes.
Dans l’exemple décrit en relation avec les figures 1A à 1E, la couche de silicium amorphe 109 déposée à l’étape de la est transformée en silicium polycristallin pendant l’étape de dépôt de la couche de silicium polycristallin 111.
La source Sref est choisie pour que la raie RSref soit détectée par le détecteur sans modifier le réglage du spectromètre associé à la détection de RSe. Selon un mode de réalisation les pixels du détecteur détectant la raie RSe peuvent être localisés dans une zone du détecteur différente de celle détectant la raie RSref. Selon un autre mode de réalisation les raies RSref et RSe sont localisées au même endroit du détecteur. Il convient alors d’éteindre la source de référence pendant la mesure de l’échantillon ou de faire en sorte que SLref soit négligeable devant SLech.
Puis, dans une étape C, on détecte à un instant t2 (soit t2>t1) un deuxième profil mesuré de référence PS2ref issu de la source de référence Sref. Pour cela un signal lumineux SL2ref issu de la source Sref est injecté à nouveau à l’entrée du spectromètre Spectro.
Les profils mesurés PS1ref et PS2ref correspondent à la raie spectrale RSref mesurée à deux instants différents t1 et t2, ces deux instants encadrant une mesure de la raie spectrale d’intérêt RSe. On a ainsi t1<t0<t2 : le détecteur Det détecte séquentiellement dans le temps le signal issu de la source de référence à t1, le signal issu de l’échantillon à t0 et à nouveau le signal issu de la source de référence à t2.
Dans une étape D, on traite les premier et deuxième profils mesurés référence PS1ref et PS2ref, de manière à déterminer une première position de référence P1ref de la longueur d’onde de référence λref et une deuxième position de référence P2ref de la longueur d’onde de référence. Ces deux positions sont mesurées en pixels du détecteur, l’indice i constituant l’abscisse du spectre détecté. Dans l’étape D, on traite également le profil mesuré d’intérêt PSech de manière à déterminer la position d’intérêt Pech de la longueur d’onde centrale λc, toujours mesurée en pixels du détecteur.
La dérive en longueur d’onde du système de détection [spectromètre + détecteur] est mesurée par la différence (P2ref-P1ref).
Dans une étape E, on détermine la position de référence P0ref à l’instant t0 Pref(t0) dite intermédiaire, par interpolation, à partir de P1ref, P2ref et d’une loi de variation de la position de référence en fonction du temps Pref(t) prédéterminée.
Enfin, dans une étape F, on détermine une valeur de la longueur d’onde centrale d’intérêt λc à partir de la différence entre Pech et P0ref, de la valeur connue de la longueur d’onde de référence λref et de la dispersion linéaire DL du système de détection [spectromètre + détecteur] (typiquement en pm/pixel).
Typiquement on a la formule :
Il convient bien entendu de prendre la valeur de DL correspondant à la région spectrale dans laquelle sont situées λref et λ0.
Avec la méthode, selon l’invention, on détermine de manière plus précise la position en pixels du détecteur de la longueur d’onde de référence, en tenant compte de la dérive du système de détection, en établissant une loi de variation de la position de référence en fonction du temps. Cela permet une détermination de λc avec une précision améliorée par rapport à une mesure qui ne prendrait en compte que P1ref (mesure de la référence antérieure à la mesure du spectre d’intérêt) ou que P2ref (mesure de la référence postérieure à la mesure du spectre d’intérêt). Avec la méthode, selon l’invention, une très faible incertitude sur la valeur de λc est obtenue.
Selon un mode de réalisation, préféré l’écart temporel entre les deux mesures du spectre de Sref est faible, typiquement de l’ordre de la minute ou inférieur, et on considère que la dérive de Pref en fonction du temps est linéaire. En effet pour réaliser la mesure pratiquement on déplace l’entrée d’une fibre optique FOp, dont la sortie est couplée à l’entrée du spectromètre Spectro, de manière à recueillir soit le signal lumineux issu de la source Sref (SL1ref pour la première mesure et SL2ref pour la deuxième mesure), soit le signal lumineux SLech issu de l’échantillon à caractériser (voir plus loin figures 7 et 8). Le temps pour effectuer cette manipulation, auquel il convient d’ajouter le temps d’enregistrement du spectre, est typiquement inférieur à la minute.
Pour une dérive linéaire de Pref(t), on a :
La présente invention a pour objectif de remédier à tout ou partie des inconvénients de l’art antérieur, notamment ceux exposés ci-avant, en proposant une solution qui permette d’obtenir un vitrage pincé répondant, de manière plus efficace que les solutions de l’état de la technique, à l’exigence de « full fail safe » en cas de casse de l’ensemble de ses plis structuraux. La solution ainsi proposée est simple à mettre en œuvre ainsi qu’adaptable aux structures déjà existantes sans en modifier l’encombrement.
A cet effet, et selon un premier aspect, l’invention concerne un système vitré comprenant un vitrage, par exemple un vitrage feuilleté, comportant des plis structuraux, ledit vitrage étant maintenu par pincement par une structure. Ledit système vitré comporte en outre un élément de blocage solidaire du vitrage dans la zone où le pincement est exercé par la structure et configuré pour entrer en contact avec la structure lors d’une rotation du vitrage autour d’un axe contenu dans ladite zone, de sorte à bloquer ladite rotation.
Ainsi, du fait de sa solidarité avec le vitrage ainsi que son aptitude à entrer en contact avec la structure du véhicule, l’élément de blocage du système vitré selon l’invention permet avantageusement de bloquer les mouvements de rotation tendant à faire pivoter le vitrage. De cette manière, le bord du vitrage peut être maintenu dans son logement, et les fonctions d’étanchéité à la pression sont garanties, même en cas de casse de tout ou partie des plis structuraux.
La mise en œuvre dudit élément de blocage est particulièrement aisée, ce qui participe avantageusement à la simplicité de réalisation et de montage du vitrage pincé.
Qui plus est, la taille réduite de l’élément de blocage, au regard des autres éléments du système vitré, permet avantageusement de ne pas modifier l’encombrement d’un système vitré tel que connu de l’état de l’art. L’invention peut donc être implémentée très facilement sur une structure de véhicule préexistante.
Dans des modes particuliers de réalisation, le système vitré peut comporter en outre l’une ou plusieurs des caractéristiques suivantes, prises isolément ou selon toutes les combinaisons techniquement possibles.
Dans des modes particuliers de réalisation, le vitrage est maintenu par pincement entre des éléments de montage dits « supérieur » et « inférieur » de la structure respectivement agencés en regard de plis structuraux externe et interne du vitrage, ledit élément de blocage comportant deux branches, une première branche solidaire du vitrage et une deuxième branche configurée pour entrer en contact avec la structure lors de ladite rotation, de sorte à bloquer ladite rotation, ladite première branche étant agencée entre l’élément de montage inférieur et le pli structural interne, ou entre l’élément de montage supérieur et le pli structural externe, et par exemple logée au moins en partie dans un joint d’étanchéité surmoulé dans lequel sont encapsulés les plis structuraux au niveau de leur périphérie.
Dans des modes particuliers de réalisation, la deuxième branche de l’élément de blocage est configurée pour entrer en contact avec : - ledit élément de montage inférieur lors de ladite rotation lorsque la première branche est agencée entre l’élément de montage inférieur et le pli structural interne, ou - ledit élément de montage supérieur lors de ladite rotation lorsque la première branche est agencée entre l’élément de montage supérieur et le pli structural externe.
Dans des modes particuliers de réalisation, ledit élément de blocage est une cale de rigidification dont la première branche est fixée : - au pli structural interne lorsque la première branche est agencée entre l’élément de montage inférieur et le pli structural interne, ou - au pli structural externe lorsque la première branche est agencée entre l’élément de montage supérieur et le pli structural externe.
Dans des modes particuliers de réalisation, le système vitré comporte une cale de rigidification distincte de l’élément de blocage, ladite première branche étant fixée : - au pli structural interne ainsi qu’agencée entre le pli structural interne et la cale de rigidification, ou - au pli structural externe ainsi qu’agencée entre le pli structural externe et la cale de rigidification.
Dans des modes particuliers de réalisation, ledit système comporte une cale de rigidification distincte de l’élément de blocage et comportant une face fixée à un pli structural, dite « face de fixation », ladite première branche étant fixée à la cale de rigidification au niveau d’une face distincte de ladite face de fixation.
Dans des modes particuliers de réalisation, ledit système comporte une pluralité d’éléments de blocage.
Dans des modes particuliers de réalisation, l’élément de blocage est réalisé en matériau métallique, par exemple en titane, en aluminium, ou en acier inoxydable, ou bien encore est réalisé en matériau composite, par exemple en matériau composite renforcé de fibres de carbone.
Selon un deuxième aspect, l’invention concerne une utilisation d’un système vitré selon l’invention pour un véhicule de type aéronef, ferroviaire ou maritime, ou pour un bâtiment.
Selon un troisième aspect, l’invention concerne un véhicule comportant un système vitré selon l’invention, par exemple de type aéronef, ferroviaire ou maritime.
illustre en coupe transversale l’insert de la ,
illustre en vue de dessus, un mode de réalisation d’une carte à puce selon l’invention.
DESCRIPTION DETAILLEE De manière connue, une carte à puce 100 est globalement plane et comprend une première face 110 et une deuxième face 120, opposée à la première face 110.
En utilisation une carte à puce 100 sans contact est destinée à être posée sensiblement horizontalement sur un lecteur magnétique.
Une carte à puce 100 comprend un premier circuit électronique 111. Le premier circuit électronique 111 comprend une première antenne 112, permettant de communiquer avec un lecteur de carte à puce 100, et un premier élément sécurisé 113, qui comprend un processeur sécurisé, et un ensemble de données.
L’activation du premier circuit électronique 111 permet de mettre en œuvre une première fonction, par exemple un paiement dans une première devise prédéterminée.
Selon l’invention, une carte à puce 100 comprend en outre un deuxième circuit électronique 121, distinct du premier circuit électronique 111 et sans connexion électrique avec le premier circuit électronique 111.
Le deuxième circuit électronique 121 comprend une deuxième antenne 122, permettant de communiquer avec un lecteur de carte à puce 100, et un deuxième élément sécurisé 123, qui comprend un processeur sécurisé, et un ensemble de données.
L’activation du deuxième circuit électronique 121 permet de mettre en œuvre une deuxième fonction, par exemple un paiement dans une deuxième devise prédéterminée.
De préférence on prévoit un premier module et un deuxième module, disposés de part et d’autre de la carte à puce 100.
A l’évidence, l’activation du premier circuit électronique 111 ne doit pas activer le deuxième circuit électronique 121, et réciproquement.
A cet effet, on prévoit que le premier circuit électronique 111 et le deuxième circuit électronique 121 sont ouverts par défaut, grâce à une discontinuité 130 du premier circuit électronique 111 et une discontinuité 130 du deuxième circuit électronique 121 respectivement.
Le premier circuit électronique 111 et le deuxième circuit électronique 121 sont des circuits RLC. Comme ils sont ouverts par défaut, la résistance R tend vers l’infini et aucun courant ne passe.
Pour mettre en œuvre sélectivement la première ou la deuxième fonction, on prévoit un insert mobile 200 conducteur d’électricité, dont la position relative avec la carte à puce 100 permet de fermer sélectivement et respectivement le premier circuit électronique 111 ou le deuxième circuit électronique 121, donc d’activer sélectivement et respectivement le premier circuit électronique 111 ou le deuxième circuit électronique 121, c’est-à-dire de mettre en œuvre sélectivement et respectivement une première ou une deuxième fonction, comme décrit ci-après.
L’insert mobile 200 est intégralement conducteur d’électricité, ou comprend un élément 210, 211, 212 conducteur d’électricité, par exemple un revêtement, sur tout ou partie de son pourtour. Par concision, on entend donc ici indistinctement « insert mobile » et « élément conducteur d’électricité ».
L’insert mobile 200, lorsqu’il est en contact galvanique avec le premier circuit électronique 111, respectivement avec le deuxième circuit électronique 121, comble la discontinuité 130 du premier circuit électronique 111, respectivement du deuxième circuit électronique 121, et ferme ainsi électriquement le premier circuit électronique 111, respectivement le deuxième circuit électronique 121.
- La première face latérale du corps principal de chaque broche de raccordement inclut des premières surfaces d’appui qui sont situées de part et d’autre, suivant l’axe de corps, d’au moins une des deux languettes de la broche de raccordement, et appuyées, suivant une direction parallèle aux axes de languette, contre une paroi de fond du logement correspondant.
- Chaque languette de chaque broche de raccordement est, à son extrémité libre, sensiblement en affleurement avec la paroi latérale du logement correspondant.
- Les deux broches de raccordement sont symétriques l’une de l’autre par rapport à un plan géométrique qui est perpendiculaire à l’axe de bobine, sans pour autant être interchangeables l’une avec l’autre.
- Le capteur magnétique de courant comporte également deux pistes électriques, qui relient respectivement les broches de raccordement à une charge de manière que le bobinage puisse alimenter cette charge.
- Chaque broche de raccordement inclut en outre un bras qui (i) s’étend de manière coudée depuis une première des deux extrémités longitudinales du corps principal, les languettes de la broche de raccordement et le bras étant tous fléchis vers un même côté latéral du corps principal, et (ii) est assemblé, notamment par soudure, à la piste électrique associée à la broche de raccordement, de manière à connecter cette piste électrique à la broche de raccordement.
- Chaque broche de raccordement ne se prolonge pas, suivant l’axe de corps, depuis la seconde extrémité longitudinale du corps principal à l’extérieur du logement correspondant.
- Chaque broche de raccordement inclut en outre un mât qui est en saillie de la seconde face latérale du corps principal, qui est coudé vers la seconde extrémité longitudinale du corps principal de manière à s’étendre le long de la seconde face latérale du corps principal, et autour duquel l’extrémité du bobinage, associée à la broche de raccordement, est assemblée, notamment par soudure, de manière à connecter cette extrémité du bobinage à la broche de raccordement.
- La seconde face latérale du corps principal de chaque broche de raccordement inclut des secondes surfaces d’appui qui sont situées de part et d’autre, suivant l’axe de corps, du mât, et adaptées pour, avant fléchissement du mât, y appliquer un outillage d’insertion et/ou de maintien en place du corps principal dans le logement correspondant, notamment pendant le fléchissement des languettes.
L’invention a également pour objet un capteur de courant mixte, comportant :
- un capteur magnétique de courant, tel que défini ci-dessus,
- un dispositif de mesure de courant, comportant un bobinage de Rogowski, le circuit magnétique du capteur magnétique de courant et le bobinage de Rogowski étant conçus pour entourer un même conducteur électrique formant un circuit primaire pour chacun d’eux, et
- un circuit électronique, qui est configuré pour détecter et mesurer un courant électrique dans ledit conducteur électrique à partir du courant circulant dans le bobinage de Rogowski, le circuit électronique étant alimenté par le bobinage du capteur magnétique de courant en étant raccordé aux broches de raccordement par l’intermédiaire des pistes électriques.
L’invention a aussi pour objet un disjoncteur, comportant un ou plusieurs pôles, ainsi qu’une enveloppe isolante, qui supporte le ou les pôles. Le ou chaque pôle comporte :
- deux plots terminaux, qui sont portés par l’enveloppe et qui sont raccordables depuis l’extérieur de l’enveloppe à un circuit électrique à protéger par le disjoncteur,
- deux éléments de contact, qui sont disposés dans une chambre de coupure délimitée à l’intérieur de l’enveloppe, et qui sont respectivement raccordés aux plots terminaux tout en étant déplaçables l’un par rapport à l’autre entre une position fermée, dans laquelle les éléments de contact sont en contact direct l’un avec l’autre, et une position ouverte, dans laquelle les éléments de contact sont écartés l’un de l’autre,
- un capteur de courant mixte, qui est tel que défini ci-dessus et qui est agencé à l’intérieur de l’enveloppe de manière que l’un des deux plots terminaux est entouré par à la fois le circuit magnétique du capteur magnétique de courant et le bobinage de Rogowski du dispositif de mesure de courant et forme ainsi un circuit primaire pour ce circuit magnétique et pour ce bobinage de Rogowski, et
où représente le nombre de résidus accessibles et le nombre de résidus enfouis, peuvent être déterminé par le logiciel ASA (Alland et al ., 2005)
S33 : : Pourcentage de résidus invariants et SL accessibles.
où représente le nombre de résidus accessible et le nombre de résidus enfouis. Ils sont déterminés par le logiciel ASA (Alland et al ., 2005)
: réactivité chimique :
Avec le pourcentage de liaisons chimiques,
: Score d’invariance pour chaque cible
On définit deux ensembles A et B : L’ensemble A regroupe les graphes connexes ou très peu connectés (chaque de ces sous-graphes représentent un sous-ensemble de l’ensemble A). Rappelons la définition d’une arête reliant deux résidus : les deux résidus sont à moins de 10 angströms, ils sont présents à la surface de la molécule et sont soit invariants soit font partie d’un couple de SL. L’ensemble B regroupe les cibles définies par le logiciel F-pocket (chaque cible définie un sous-ensemble de l’ensemble B).
Il s’agit ensuite de lier un sous-ensemble de l’ensemble A à un sous-ensemble de l’ensemble B. Une fois ces sous-ensembles liés deux à deux (un de l’ensemble A à un de l’ensemble B), on définit l’intersection de leur élément ( ainsi que leur union ( .
plus est proche de 1, plus l’invariance de la cible x est totale et donc moins elle sera sujette à variabilité dans l’avenir. Ainsi une telle cible permettra de réduire drastiquement l’apparition de nouveau variants résistants aux médicaments. En effet, pour que ces variants existent, il faudrait que des positions de la cible puissent muter. Or une telle cible mutée ne permettrait plus la réplicabilité du variant et remettrait donc en cause son existence.
: score entre 0 et 1, pour chaque cible