INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Cependant, l’invention n’est pas limitée à cet arrangement particulier. A l’inverse, une vitesse de déplacement de déplacement longitudinal du deuxième tronçon 16 supérieure à la vitesse de déplacement longitudinal du premier tronçon 14 peut être obtenue moyennant : - un changement de signe de la différence de diamètre entre les poulies de chaque étage ; et - une substitution de la nature roue dentée 62a – pignon 62b de l’engrenage composé 62 par inversion de valeur de leur diamètre.
Enfin, il est à noter que les variantes de réalisations décrites sur la base des figures 4 et 5 ne sont pas limitées à l’utilisation de courroie au sens strict. La ou les courroies peuvent être substituées par une ou des chaînes pour aboutir à un résultat similaire. De la même manière, tout type de courroie/chaîne peut être retenu sans sortir du cadre de l’invention, et la morphologie (dentures, cannelures, …) des poulies peut être modifiées au juste besoin pour garantir un accouplement satisfaisant.
En référence aux figures 6 à 9, sont proposées des variantes de réalisation du convertisseur de mouvement 31.
Selon une première variante de réalisation illustrée à la , il est proposé de substituer l’ensemble crémaillère 33 – pignon 34 de l’exemple des figures 3 à 5, par un ensemble vis 71 – écrou 72.
La vis 71 s’étend suivant la direction longitudinale en étant à la fois bloquée en translation par rapport au bâti 2 et mobile en rotation autour de son axe. Cette vis 71 porte l’écrou 72 qui est fixé au premier tronçon 14 du bras 3 télescopique en étant bloqué en rotation par rapport à la vis 71.
La vis 71 est accouplée au moteur électrique 26, fixé également au bâti 2, de sorte qu’une rotation de la vis 71 par le moteur électrique emporte le déplacement de l’écrou 72 le long de la vis, et par voie de conséquence emporte le déplacement longitudinal du premier tronçon.
La vis 71 correspond ici à un élément menant du convertisseur de mouvement 31, tandis que l’écrou 72 correspond à un élément mené.
Une deuxième variante illustrée à la correspond à l’arrangement inverse de la première variante illustrée à la , pour lequel. Comme il est compris, c’est l’écrou 72 qui correspond ici à l’élément menant tandis que la vis 71 correspond à l’élément mené du convertisseur de mouvement 31.
Enfin, la illustre une troisième variante de réalisation du convertisseur de mouvement 31 qui comporte une roue dentée 81, une vis 82 et un pivot 83.
En référence à cette , la roue dentée 81 est délimitée par une paroi externe 81a et une paroi interne 82b dont : - la paroi externe 81a présente une denture permettant son couplage en rotation avec le moteur électrique 26 fixé au bâti 2 ; et - la paroi interne 81b comporte un filetage.
La vis 82 s’étend suivant la direction longitudinale en étant engagée dans la roue dentée 81. Plus spécifiquement, la vis 82 comporte un filetage qui coopère avec le filetage de la paroi interne 81b de la roue dentée.
De plus, la vis 82 est montée pivotante au premier tronçon 14 en étant porté par le pivot 83 qui est fixé au premier tronçon 14.
Avec cet arrangement, une rotation de la roue dentée 81 par le moteur électrique 26 induit un vissage/dévissage de la vis 82, conduisant à déplacer le premier tronçon en translation.
Ensuite, le retrait, par exemple par décollage, du deuxième substrat porteur 32 permet d’obtenir le module frontal 1 tel qu’illustré sur la . Le module frontal 1 est alors fabriqué et prêt à être assemblé aux autres composants d’un système radiofréquence embarquant potentiellement plusieurs modules frontaux 1 selon l‘invention. Préalablement à un tel assemblage, le module frontal 1 tel qu’illustré sur la peut être assemblé sur une carte d’évaluation 4 du module 1, par exemple de la façon illustrée sur la .
En référence à la , chaque pad 144 peut ainsi, le cas échéant par l’intermédiaire d’une boule d’étain 145 qui lui est associée, être mis en contact avec des pads 41 d’une carte d’évaluation 4 du module frontal 1, la carte d’évaluation 4 comprenant en outre, à l’opposé de ses pads 41, un plan de masse 42. La connexion du plan de masse 42 métallique de la carte d’évaluation 4 peut être réalisée via une colle conductrice ou par soudure à un alliage d’étain et d’argent, par exemple de type LGA.
Le mode de mise en œuvre ci-dessus décrit du procédé selon l’invention relève, comme susmentionné, d’une première approche qui aboutit à une disposition du circuit intégré radiofréquence 11 et du composant magnétique 20 sur des niveaux différents entre eux du module frontal.
Un autre mode de mise en œuvre du procédé de fabrication d’un module frontal 1 selon l’invention est décrit ci-dessous en référence aux figures 12 à 22. Il relève de la même approche, et aboutit à une même disposition par niveaux du circuit intégré radiofréquence 11 et du composant magnétique 20.
Comme illustré sur la , il est tout d’abord déposé un niveau métallique de connexion électrique 142 sur le premier substrat porteur 31, de sorte à présenter au moins deux parties électriquement disjointes entre elles, chacune constituant une partie de la couche de redistribution RDL, ou une partie d’une des deux pistes métalliques de connexion électrique 13, 14.
Puis, comme illustré sur la , le palet 12 en un matériau magnétique est reporté sur une partie du premier niveau métallique 141 constituant une partie de la couche de redistribution RDL, et plus particulièrement une partie de la première piste métallique de connexion électrique 13, celle destinée à être reliée à la masse.
La formation d’au moins un pilier métallique de connexion électrique 19 est ensuite prévue. Un pilier 19 est plus particulièrement formé sur chacune des deux parties électriquement disjointes entre elles du premier niveau métallique 141. Chacune de ces deux parties constitue une partie d’une des deux pistes métalliques de connexion électrique 13 et 14. Notons que chaque pilier métallique 19 présente de préférence une hauteur supérieure à une épaisseur du palet 12 entre ses surfaces principales 121 et 122. Les piliers 19 peuvent être soient formés par ailleurs, puis reportés, par exemple par une machine de type « pick-and-place », que ce soit avant ou après le report du palet 12, soit peuvent être formés par dépôt(s) et gravure(s) ordinaires de la micro-électronique, de préférence avant le report du palet 12.
À l’issue des deux étapes précédentes, une partie du module frontal 1 tel qu’illustré sur la est obtenue.
En référence à la , un dépôt du deuxième matériau diélectrique 17 sur le niveau métallique de connexion électrique 142 et au moins autour du palet 12 est ensuite réalisé. Dès lors, la position du palet 12 au sein du deuxième matériau diélectrique 17 est définie et figée. Il apparaît déjà que le matériau métallique du palet 12 est inséré entre deux couches de redistribution ou RDL. Dans le cas d’un surmoulage (ou « over molding » selon la terminologie anglo-saxonne), l’épaisseur par laquelle le deuxième matériau diélectrique 17 recouvre alors éventuellement la surface principale 122 du palet 12 peut alors être meulée jusqu’à mettre à jour la surface principale 122 du palet 12. De préférence, chaque pilier métallique 19 présente une hauteur supérieure à l’épaisseur du palet 12 entre ses surfaces principales. De la sorte, le sommet de chaque pilier est exposé par l’étape de meulage susmentionnée.
Puis, toujours en référence à la , un dépôt d’un autre niveau métallique de connexion électrique 141 sur le deuxième matériau diélectrique 17 est réalisé sur une surface principale 122 exposée du palet 12 et le sommet de chaque pilier métallique 19, de sorte à former la couche de redistribution RDL ou chacune des deux pistes métalliques de connexion électrique 13 et 14.
Ensuite, comme illustré sur la , un report du circuit intégré radiofréquence 11 par sa face avant 113 sur le niveau métallique de connexion électrique 141 est réalisé, de sorte à contacter électriquement chacune des deux pistes métalliques de connexion électrique 13 et 14. Le cas échéant, chaque contact peut être réalisé via une boule d’étain (« Solder Ball ») ou un pilier en cuivre (« Copper Pillar »).
Comme illustré sur la , s’ensuit un dépôt du premier matériau diélectrique 16 sur le niveau métallique de connexion électrique 141 au moins autour du circuit intégré radiofréquence 11. Dès lors, la position du circuit intégré radiofréquence 11 est déterminée et figée relativement à celle du palet 12.
On obtient ainsi, comme illustré sur les figures 17A et 17B, sur le premier substrat porteur 31, une première partie du module frontal. De la même manière que précédemment, en fonction d’une éventuelle profondeur de meulage de la surface exposée de la première partie du module frontal, soit une épaisseur H du premier matériau diélectrique 16 subsiste au-dessus du circuit intégré radiofréquence 11 (Cf. ), soit la face arrière 114 du circuit intégré radiofréquence 11 se trouve exposée (Cf. ).
Quelle que soit l’alternative choisie, un transfert, tel qu’illustré sur les figures 18 et 19, de la première partie du module frontal depuis le premier substrat porteur 31 sur le second substrat porteur 32 par la face exposée de la première partie du module frontal est ensuite réalisé de sorte que la première partie du module frontal puisse être traitée depuis son autre face, pour finir de former le module frontal 1.
Comme illustré sur la , et de la même façon que décrite ci-dessus (en référence à la ), une formation de pads d’entrée/sortie 144 du module frontal 1 est réalisée sur le premier niveau métallique de connexion électrique 141.
Dès lors, il suffit d’ajouter, comme illustré sur la , éventuellement des boules d’étain ou des piliers en cuivre sur chacun des pads d’entrée/sortie 144, et de retirer, par exemple par décollage, le second substrat porteur 32, pour obtenir le module frontal 1 tel qu’illustré sur la .
Sur la , une vue latérale découpée le long d’une ligne AA de la d'une structure de transducteur 100 selon le premier mode de réalisation de l'invention est représentée.
Le substrat piézoélectrique 120 est un substrat piézoélectrique composite, comprenant une couche piézoélectrique 140 sur un substrat de base 144. Une couche diélectrique mince 142 est déposée entre la couche piézoélectrique 140 et le substrat de base 144. Dans une variante, la couche piézoélectrique 140 peut être déposée directement sur le dessus du substrat de base 144.
L'épaisseur de la couche piézoélectrique 140 est de l'ordre de la longueur d'onde, ou inférieure.
Dans ce mode de réalisation, les première et seconde couches de suppression de mode transversal 122 et 132 sont une couche de passivation déposée sur la couche piézoélectrique 140, avant que les électrodes interdigitées 102, 112 aient été déposées sur le substrat 120, et ainsi sur la couche piézoélectrique 140. La couche de passivation est directement en contact avec la couche piézoélectrique 140.
La couche de passivation est une couche diélectrique, par exemple une couche de SiO 2 ou de Ta 2 O 5 ou de HfO 2 .
La couche de suppression de mode transversal 122, également référencée en tant que première couche de suppression de mode transversal, située sur le côté droit de la , est totalement recouverte par le doigt d'électrode 104, qui est connecté à sa barre omnibus 108.
La seconde couche de suppression de mode transversal 132 située sur le côté gauche de la s'étend sous l'extrémité 116a du doigt d'électrode factice 116, le doigt d'électrode factice 116 étant connecté à sa barre omnibus 118, le second espace 110b et l'extrémité 104a du doigt d'électrode 104, qui est connectée à la barre omnibus 108 au niveau de la connexion 134.
Dans une variante de l'invention, les couches de passivation ont des côtés ou des bords de paroi inclinés, de sorte que lorsque les électrodes en peigne recouvrent complètement les couches de passivation, aucune rupture des électrodes en peigne déposées ne survient au niveau du bord de paroi de la couche de passivation, garantissant un recouvrement de l'électrode régulier et continu par la couche de passivation.
Dans une variante, au lieu d'utiliser une couche de passivation supplémentaire, les première et seconde couches de suppression de mode transversal 122, 132 peuvent être formées à l'intérieur de la couche piézoélectrique 140, par exemple en ayant une dose de dopage différente par rapport à la zone centrale 136 de la couche piézoélectrique 140, et l'espace entre les couches de suppression de mode transversal 122, 132 et les barres omnibus ayant une largeur s . Le dopage correspond ici à une introduction intentionnelle d'impuretés dans le substrat piézoélectrique. La différence de dopage de la au moins une couche de suppression de mode transversal a pour résultat une réduction de la vitesse de phase du mode à proximité de l'espace séparant les électrodes IDT par rapport aux électrodes factices sans avoir besoin de fournir un quelconque motif latéral.
La structure de transducteur 100 selon le premier mode de réalisation fonctionne de la manière suivante. La structure de transducteur selon l'invention est utilisée pour exciter et détecter des ondes de cisaillement. La direction de déplacement de cisaillement alterne d'une électrode à une autre lorsque le transducteur est excité par une structure de polarisation électrique +V/-V, car le dispositif fonctionne dans les conditions de Bragg.
La présence des première et seconde couches de suppression de mode transversal 122, 132 génère des emplacements où la propagation SAW est modifiée, d'une telle manière qu'une onde guidée se propageant dans la zone avec les couches de suppression d'ondes 122, 132 présente une vitesse de phase inférieure à une onde guidée se propageant dans la zone centrale 1326 du substrat 120 qui est sans modification. Les première et seconde couches de suppression de mode transversal 122, 132 changent la vitesse du mode à proximité des premiers et seconds espaces 110 à 110b entre le doigt d'électrode actif 104 et son doigt d'électrode factice associé 116. Un ralentissement de la vitesse d'onde dans l'espace 110a et 110b mène à la suppression ou la réduction du mode transversal non voulu.
Ainsi, dans la structure de transducteur 100 selon l'invention, la contribution des modes transversaux peut être réduite. En même temps, le processus de fabrication est simplifié par rapport à des structures de transducteur de l'état de la technique.
Selon l'invention, bien que la modification locale du substrat 120 dans ou à proximité des premiers et seconds espace 110a, 110b nécessite une étape de fabrication supplémentaire, le processus de fabrication initiale SAW habituel reste inchangé, simplifiant la fabrication de dispositifs exempts de mode transversal. En outre, par rapport à d'autres solutions nécessitant un alignement précis entre des couches consécutives, ici un alignement grossier de masque suffit pour réaliser la fabrication d'un dispositif.
Comme cela va être indiqué ci-dessous, des variantes du mode de réalisation vont présenter diverses formes et positions des première et seconde couches de suppression de mode transversale 122 et 132 par rapport à la structure de transducteur 100.
Des références numériques déjà utilisées dans la description du premier mode de réalisation ne seront pas répétées de nouveau, mais il sera fait référence à leur description.
La est une vue latérale d'une structure de transducteur 200a selon une première variante de l'invention.
- un microprocesseur 18 apte à exécuter les instructions enregistrées dans la mémoire 16,
- une interface homme-machine 20, et
- un émetteur-récepteur 22.
L’interface 20 comporte, par exemple, une ou plusieurs boutons actionnables par l’aidant. Ici, elle comporte un bouton 26.
L’émetteur-récepteur 22 permet de raccorder le terminal 6 au bandeau 8 par l’intermédiaire d’un réseau 28 de télécommunication grande distance tel qu'un réseau de téléphonie sans-fil ou le réseau Internet.
Le terminal 6 est par exemple un ordinateur fixe ou portable.
Ici, le bandeau 8 est un bandeau de porte multipoints. Le bandeau 8 est monté, sans aucun degré de liberté, sur la face intérieure de la porte 4.
Le bandeau 8 se présente sous la forme d’une seule pièce à l’intérieure de laquelle sont logés les différents composants décrits en référence à la . A cet effet, le bandeau 8 se présente sous la forme d’un boîtier rigide 30 à l’intérieur duquel sont fixés ses différents composants. Le boîtier 30 est ici fixé le long de la tranche verticale de la porte 4 située du côté opposé aux gonds. Le boîtier 30 est fixé sur la face intérieure de la porte 4, par exemple, à l’aide de vis. Ainsi, avantageusement, le bandeau 8 peut être installé sur la face intérieure d’une porte préexistante.
Sur la , seules sont visibles les composants du bandeau 8 qui dépassent du boîtier 30 ou traverse ce boîtier 30. Ainsi, seuls les composants suivants du bandeau 8 sont visibles sur la :
- un pêne 36 demi-tour,
- une poignée 38,
- des pênes dormants 42,
- un écran tactile 44,
- un cylindre 46 de serrure,et
- une tête 48 de lecture de badges.
Le pêne 36 est déplaçable par la poignée 38 depuis une position sortie (représentée sur la ) jusqu’à une position rentrée. Dans la position sortie, le pêne 36 est reçu dans une cavité correspondante aménagée dans un un châssis 40 fixé sans aucun degré de liberté sur le dormant de la porte 4. Ainsi, dans la position sortie, le pêne 36 maintient la porte 4 dans sa position fermée. Dans sa position rentrée, le pêne 36 est rétracté à l’intérieur du boîtier 30 et situé en dehors de la cavité aménagée dans le châssis 40. Ainsi, lorsque le pêne 36 est dans sa position rentrée, la porte 4 peut être déplacée de sa position fermée vers sa position ouverte si celle-ci a, au préalable, été déverrouillée. Le pêne 36 est repoussé, en permanence, vers sa position sortie par un ressort de rappel. L’extrémité distale du pêne 36 est biseauté de sorte que lorsque la porte 4 est claquée de sa position ouverte vers sa position fermée, par coopération de forme entre l’extrémité biseautée et le châssis 40, le pêne 36 s’enfonce à l’intérieur du boîtier 30 à l’encontre de la force du ressort de rappel afin de permettre à la porte 4 d’atteindre sa position fermée. Une fois la position fermée atteinte, le ressort de rappel ramène automatiquement le pêne 36 dans sa position sortie ce qui bloque la porte 4 dans sa position fermée.
Le pourcentage moyen de noyaux de cellules saines ou anormales dudit type cellulaire piégées entièrement dans les microrainures peut être compris entre 5% et 95% mieux entre 10% et 90%.
De préférence, la largeur, l’espacement et la profondeur des microrainures sont compris entre 30 et 60% de la longueur de l’axe moyen mineur du noyau des cellules non déformées.
Par « longueur de l’ axe moyen mineur », on comprend la longueur moyenne du petit axe d’une ellipse ajustée à la forme du noyau de cellules non déformées.
La largeur des microrainures est prédéterminée pour un type cellulaire et varie en fonction des caractéristiques biologiques des types cellulaires étudiés. De manière générale, la largeur est supérieure ou égale à 3 µm et/ou inférieure ou égale à 10 µm.
La profondeur des microrainures est prédéterminée pour un type cellulaire et varie en fonction des caractéristiques biologiques des types cellulaires étudiés. De manière générale la profondeur est supérieure ou égale à 4 µm et/ou inférieure ou égale à 10 µm. Pour des cellules musculaires, la profondeur peut être comprise entre 4 et 5 µm afin d’obtenir un taux suffisamment élevé de noyaux dans les micro-rainures. Dans le cas de cellules épithéliales du sein, la profondeur peut être comprise entre 7 et 9 µm, par exemple sensiblement égal à 8 µm. Les microrainures peuvent être toutes de profondeur sensiblement constante sur toute leur longueur.
Les microrainures peuvent présenter un espacement entre elles mesuré entre les bords adjacents supérieure ou égale à 3 µm et/ou inférieure ou égale à 10 µm.
Les microrainures peuvent être toutes de largeur sensiblement constante sur toute leur longueur. Les microrainures peuvent être toutes de profondeur sensiblement constante sur toute leur longueur.
Les microrainures peuvent être toutes d’espacement sensiblement constant sur toute leur longueur.
En variante, la plaque microstructurée peut comporter des zones distinctes comportant chacune des microrainures de largeur et/ou d’espacement différentes.
La profondeur peut être fixe ou variable sur une plaque microstructurée et/ou le long d’une microrainure.
Au moins une partie de la surface interne des microrainures, notamment les parois latérales et/ou le fond des microrainures, de préférence toute la surface de la plaque microstructurée, peut être revêtu d’un revêtement d’adhésion, notamment une protéine d’adhésion cellulaire, par exemple de la fibronectine, du collagène, de la laminine ou de la gélatine.
Echantillon cellulaire Les cellules peuvent être des cellules adhérentes, par exemple des cellules musculaires, des cellules endothéliales, des cellules épithéliales, des cellules nerveuses, des cellules osseuses, des cellules adipeuses, des podocytes, des cellules cancéreuses ou un mélange de tels cellules.
Le procédé peut comporter une étape de fixation des cellules sur la plaque microstructurée par ajout d’un composé alcool, notamment du méthanol, ou aldéhyde, notamment de paraformaldéhyde. L’étape de fixation des cellules peut s’effectuer au moins une heure après le dépôt de l’échantillon sur la plaque microstructurée. Un tel temps permet de laisser le temps aux cellules de se déformer avant fixation afin d’avoir un résultat significatif de la déformation des cellules de l’échantillon.
Le procédé peut comporter le traitement de l’échantillon cellulaire pour que les noyaux émettent le rayonnement fluorescent mentionné ci-dessus. Cette étape peut avoir lieu avant ou après le placement des cellules de l’échantillon sur la plaque microstructurée, de préférence après le placement des cellules de l’échantillon sur la plaque microstructurée, mieux après la fixation des cellules sur la plaque microstructurée.
Le noyau des cellules de l’échantillon peut être marqué avant ou après fixation par un marqueur nucléaire fluorescent, notamment un colorant Hoechst ou le DAPI.
En variante, le traitement des cellules pour que le noyau émette un rayonnement fluorescent peut comporter la transduction des cellules avec un plasmide codant pour une protéine nucléaire fusionnée à une protéine fluorescente.
La illustre un exemple de circuit pouvant appartenir au circuit d’adaptation de mode commun VPgen, configuré pour générer la tension de commande VPmax, telle que décrite ci-avant en relation avec la , c’est-à-dire la tension de commande VPmax positionnant la borne haute VMCmax de la portion milieu de la tension de mode commun VMC_PM.
Pour générer VPmax=Vmax/2, on peut utiliser un circuit de pont diviseur de tension comportant deux éléments résistifs R ayant la même valeur résistive, couplés entre une source générant la tension plafond Vmax et la masse GND.
Par ailleurs, l’invention n’est pas limitée aux exemples de modes de réalisation et de mise en œuvre décrits précédemment en relation avec les figures 1 à 8, mais en embrasse toutes les variantes, par exemple, les réalisation pratiques des circuits de l’étage de conversion CNV et de l’amplificateur de sortie pourront varier par rapport aux exemples simplifiés décrits ci-avant, les équation permettant de calculer la valeur de la tension de commande de mode commun pour les différentes conditions se verrons adaptées en conséquence.
Structure de transducteur pour résonateur à accès unique L'invention concerne une structure de transducteur ayant des moyens de suppression de mode transversal, en particulier pour un résonateur à accès unique, et un procédé de fabrication d'un tel transducteur.