Procédé de fabrication d’un substrat donneur pour le transfert d’une couche piézoélectrique sur un substrat support final comprenant les étapes de : a) fournir un substrat de manipulation massif (102), en particulier à base de Silicium ; c) fournir un matériau piézoélectrique (114, 142) au-dessus du substrat de manipulation massif (102); caractérisé en ce que le procédé comprend en outre une étape b) d’implantation (106) du substrat de manipulation massif (102) pour réaliser une zone de fragilisation (104) dans le substrat de manipulation massif (102) avant l’étape c) de fournir le matériau piézoélectrique (114, 142). Procédé selon la revendication 1, dans lequel l’étape b) d’implantation (106) du substrat de manipulation massif (102) est réalisée avec une dose d’implantation inférieure à 6*10 16 cm -2 , en particulier inférieure à 5x10 16 cm -2 , encore plus en particulier une implantation d’Hydrogène H, d’Hélium He ou une co-implantation d’Hydrogène H et d’Hélium He. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel une étape c1) de fournir une couche intermédiaire (118, 132, 134, 144) entre le substrat de manipulation massif (102) et le matériau piézoélectrique (114, 142) est réalisée avant l’étape c). Procédé selon une des revendications 1 à 3, dans lequel l’étape c) de fournir un matériau piézoélectrique (114) au-dessus du substrat de manipulation massif (102) comprend fournir un substrat massif à base de matériau piézoélectrique (114). Procédé selon la revendication 4, dans lequel l’étape c) comprend en outre une étape d’assemblage du substrat de manipulation massif (102) avec le substrat massif à base de matériau piézoélectrique (114), en particulier par bondage moléculaire. Procédé selon une des revendications 1 à 5, dans lequel une étape d) d’amincissement du matériau piézoélectrique (114) est réalisée, en particulier par meulage. Procédé selon la revendication 6, dans lequel l’étape d) d’amincissement du matériau piézoélectrique est (114) réalisée pour obtenir une couche (128) du matériau piézoélectrique (114) avec une épaisseur de 30µm ou moins, en particulier de 20µm ou moins. Procédé selon une des revendications 1 à 3, dans lequel l’étape c) de fournir un matériau piézoélectrique (142) est réalisée par déposition par épitaxie d’une couche (140) à base de matériau piézoélectrique (142) sur le substrat de manipulation massif (102). Procédé selon la revendication 8, dans lequel l’étape de déposition par épitaxie est réalisée à une température inférieure à 950 o C, en particulier inférieure à 900 o C. Procédé selon une des revendications 8 ou 9, dans lequel l’étape a) fournir un substrat de manipulation massif (102) comprend fournir un substrat de Carbure de Silicium SiC, et l’étape c) de fournir un matériau piézoélectrique (142) comprend fournir un matériau de Nitrure de Gallium GaN. Un substrat donneur (100, 138, 148), en particulier un substrat donneur obtenu par le procédé d’une des revendications 1 à 10 comprenant : un substrat de manipulation massif (102), en particulier à base de Silicium ; un matériau piézoélectrique (114, 142) au-dessus du substrat de manipulation massif (102); caractérisé en ce que le substrat de manipulation massif (102) comprend une zone de fragilisation (104). Substrat donneur (100, 138, 148) selon la revendication 11, dans lequel la zone de fragilisation (104) dans le substrat de manipulation massif (112) est positionnée à une profondeur t dans le substrat de manipulation massif (112) de 500nm, en particulier à une profondeur t dans le substrat de manipulation massif (112) de 300nm, encore plus en particulier à une profondeur t dans le substrat de manipulation massif (112) inférieure à 300nm. Substrat donneur (148) selon la revendication 11 ou 12, dans lequel le substrat de manipulation massif est un substrat de Carbure de Silicium SiC et le matériau piézoélectrique est du Nitrure de Gallium GaN. Procédé de transfert d’une couche mince piézoélectrique comprenant: a) fournir un substrat donneur (100, 138, 148) comprenant un substrat de manipulation massif (20) avec une zone de fragilisation (104) selon une des revendications 11 à 13 ou obtenu par la mise en œuvre du procédé de fabrication selon une des revendications 1 à 10, b) former une zone de fragilisation (204) à l’intérieur du matériau piézoélectrique (114, 142) du substrat donneur (100, 138, 148), en particulier par implantation ionique, c) fournir un substrat support final (210), en particulier un substrat à base de Silicium, d) attacher le substrat donneur (100, 138, 148) au substrat final (120) pour obtenir un assemblage substrat donneur - substrat support final (218), et e) réaliser une fracture le long de la zone de fragilisation (204) du matériau piézoélectrique (114, 142) pour séparer une couche piézoélectrique (208) du restant (222) du substrat donneur (100, 138, 148). Procédé de transfert d’une couche mince piézoélectrique selon la revendication 14, dans lequel l’étape e) de fracture le long de la zone de fragilisation du matériau piézoélectrique est réalisée à une température inférieure à la température utilisée pour réaliser la fracture à la zone de fragilisation du substrat de manipulation massif du substrat donneur. Procédé de transfert d’une couche mince piézoélectrique selon une des revendications 14 ou 15, dans lequel les étapes a) à e) sont répétées au moins une fois et à partir de la deuxième itération, l’étape a) est réalisée avec le restant (222) du substrat donneur (100, 138, 148) obtenu à la fin de l’étape e) de l’itération précédente. Procédé de transfert d’une couche mince piézoélectrique selon la revendication 16, dans lequel les étapes a) à e) sont répétées tant que l’épaisseur de la couche piézoélectrique (212) du restant (222) du substrat donneur (100, 138, 148) obtenu à l’étape e) est supérieure à 5µm. Procédé de transfert d’une couche mince piézoélectrique selon une des revendications 14 à 17, dans lequel une étape f) de fracture du restant (222) du substrat donneur au niveau de la zone de fragilisation (104) du substrat de manipulation massif (102) est réalisée après l’étape e). Procédé de transfert d’une couche mince piézoélectrique selon la revendication 18, dans lequel l’étape f) de fracture est réalisée lorsque l’épaisseur de la couche piézoélectrique (212) du restant (222) du substrat donneur (100, 138, 148) obtenu à l’étape e) est égale ou inférieure à 5µm, pour obtenir un restant (112) de substrat de manipulation massif (102). Procédé selon la revendication 18, dans lequel l’étape f) de fracture le long de la zone de fragilisation (104) du substrat de manipulation massif (102) du restant (222) du substrat donneur (100, 138, 148) est réalisée par un traitement thermique. Procédé de fabrication d’un substrat donneur pour le transfert d’une couche piézoélectrique mince sur un substrat support final selon une des revendications 1 à 10, dans lequel l’étape a) de fournir un substrat de manipulation massif (102) comprend utiliser le restant (112) du substrat de manipulation massif (112) obtenu après l’étape f) du procédé de transfert selon la revendication 18. Procédé de fabrication d’un substrat donneur pour le transfert d’une couche piézoélectrique sur un substrat final selon la revendication 21, dans lequel une étape g) de traitement de la surface (232) du restant (112) du substrat de manipulation massif (102) est réalisée après l’étape f) du procédé de transfert selon la revendication 18.