INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Si la distance radiale (lissée) est inférieure au rayon d 1 , cela signifie que, en plus de se rapprocher, le véhicule automobile 10 et l’autre utilisateur i sont déjà très proches. Le risque de collision est ici très élevé. Dans le cas de la situation représentée sur la , le bus 20 pourrait être dans cette situation si le véhicule automobile 10 continue d’avancer alors que le bus 20 est à l’arrêt.
des photons X,
des photons gamma,
des neutrons.
La gamme d'énergie des neutrons produits dépend du type de réaction nucléaire. On considère classiquement les dommages produits par des neutrons de 1 MeV pour une réaction de fission et ceux produits par des neutrons de 14 MeV pour une réaction de fusion. Lorsque les neutrons produits interagissent avec les molécules de l'air ou les structures d'un système, ceux-ci se thermalisent et descendent à une énergie dans la gamme de 25 meV.
Les particules secondaires résultent de l'interaction des particules énergétiques avec les matériaux environnant immédiatement les composants électroniques. Ceci peut causer des dysfonctionnements et dégradations des composants électroniques.
Le durcissement des composants électroniques contre les rayonnements ionisants désigne un mode de conception, de réalisation et de test des systèmes et composants électroniques pour les rendre résistants aux dysfonctionnements et dégradations causés par des rayonnements électromagnétiques et les particules subatomiques énergétiques rencontrés notamment dans l'environnement des réacteurs nucléaires, voire lors d'opérations militaires.
La plupart des composants durcis face aux rayonnements ionisants sont des adaptations de composants du marché, réalisés selon des procédés destinés à limiter les effets des radiations sur les matériaux qui les constituent. En raison de la complexité de ces adaptations, le développement de tels composants, destinés à un marché de niche, prend du temps et revient cher. C'est la raison pour laquelle ces composants offrent des performances souvent très en retrait par rapport à leurs équivalents contemporains du marché.
Une simple particule chargée de haute énergie traversant un matériau semi-conducteur est susceptible d'injecter des centaines d'électrons dans la bande de conduction, accroissant le bruit électronique et provoquant un pic de signal dans un circuit analogique, ou faussant les calculs dans un circuit numérique. À plus forte énergie, c'est la qualité même des matériaux, et par conséquent leurs propriétés physiques, qui peut être définitivement dégradée, conduisant à la destruction pure et simple du composant irradié. C'est un problème particulièrement critique pour l'électronique des satellites et des vaisseaux spatiaux, de l'aviation militaire, et des installations nucléaires.
Les méthodes employées pour rendre les composants électroniques résistants aux radiations sont généralement désignées du terme anglais « radiation hardening », et de tels composants sont dits « rad-hard » ; les termes français « radiodurcissement » et « radiodurci », qui seraient équivalents, ne se rencontrent quasiment jamais dans la littérature.
Deux types d'effets directs des radiations sur les composants sont à considérer :
Les défauts cristallins induits par les particules subatomiques ainsi que par les photons gamma de très grande énergie, perturbent le réseau cristallin des matériaux électroniques et provoquent des désordres irrémédiables en multipliant les centres de recombinaison. Ceci a pour effet de neutraliser l'essentiel des porteurs minoritaires et donc de modifier sensiblement les propriétés électroniques des matériaux irradiés. De façon quelque peu paradoxale, des doses de radiations supérieures sur de brèves périodes de temps peuvent générer un recuit qui restaure partiellement les propriétés du matériau, conduisant à des dommages moindres que ceux produits par des doses de radiations plus faibles mais sur une plus longue période de temps. Les transistors bipolaires sont particulièrement sensibles à ce type de dégâts en raison du rôle déterminant que jouent les porteurs minoritaires dans ce type de structures.
Les effets ionisants provoqués par les particules chargées, y compris celles dont l'énergie est trop faible pour induire des défauts cristallins, sont généralement transitoires mais peuvent conduire à la destruction des composants touchés, notamment par effet de « latchup ». Les photocourants induits par les rayons X et ultraviolet peuvent également être rangés dans cette catégorie d'effets. L'irradiation des transistors MOSFET provoque l'accumulation progressive de trous dans la couche d'oxyde qui finit par dégrader leurs performances jusqu'à les détruire.
Par ailleurs, dans le cas d'explosions nucléaires ou thermonucléaires, des phénomènes de couplages électromagnétiques sont également à considérer. Ceux-ci doivent donc être pris en compte lorsqu'il s'agit de protéger les équipements électroniques embarqués sur des systèmes devant rester opérationnels après de telles agressions.
Les circuits durcis aux radiations sont souvent réalisés sur matériau isolant plutôt que sur substrat semi-conducteur. Les techniques SOI (en Anglais « Silicon On Insulator », en l'occurrence de l'oxyde de silicium SiO2) et SOS (en Anglais « Silicon On Sapphire », c'est-à-dire sur oxyde d'aluminium Al2O3) sont les plus employées. Les composants commerciaux supportent des doses de radiations de 50 à 100 Gy, alors que les composants spatiaux conçus en SOI ou SOS supportent des doses plusieurs dizaines de fois plus élevées.
À défaut, on choisit de préférence des substrats à large bande interdite, tels que le carbure de silicium et le nitrure de gallium, afin de limiter l'effet des centres de recombinaison des porteurs (électrons et trous) au niveau des défauts cristallins induits par les radiations.
On utilise plutôt les mémoires statiques SRAM de préférence aux mémoires dynamiques DRAM, dont les cellules sont plus petites (donc plus sensibles aux effets d'une particule énergétique isolée) et les condensateurs structurellement plus sensibles aux radiations au niveau de la couche isolante sous la grille.
Cela permet notamment de nettoyer à la mousse des intérieurs de voitures avec un jet rapide et précis.
Le pistolet 74 est relié au dispositif de moussage additionnel 60 par un flexible 80.
Cela permet une manipulation aisée du pistolet.
Le flexible 80 est pourvu d’un mécanisme d’enroulement automatique et/ou d’une potence pour distribuer le flexible.
Le dispositif comprend avantageusement un pressostat 82.
Le pressostat 82 est adapté pour fermer au moins une ligne secondaire 14, 16 lorsque la pression dépasse une valeur donnée. Cela permet d’arrêter automatiquement la ligne secondaire lorsque l’utilisateur n’utilise pas la ligne secondaire correspondante 14, 16, par exemple si l’utilisateur ferme la gâchette 76 du pistolet ou n’utilise pas la brosse 70.
Plus particulièrement, le pressostat 82 est ici adapté pour arrêter automatiquement et sélectivement chacune des lignes secondaires 14, 16.
Le pressostat 82 n’est pas adapté pour agir sur la ligne principale 12.
Dans l’exemple représenté, le pressostat 82 est agencé en amont de chacune des vannes 62, 64 des lignes secondaires 14, 16 sur lesquelles il agit. Plus particulièrement ici, le pressostat 82 est agencé en amont de chacune des vannes 62, 64 des lignes secondaires 14, 16.
Plus particulièrement ici, le pressostat 82 est agencé sur une partie amont commune aux lignes secondaires 14, 16, mais pas à la ligne principale 12. Plus particulièrement, la ligne principale 12 se sépare des lignes secondaires en mont de la partie amont commune, et les lignes secondaires 14, 16 se séparent en aval de la partie amont commune.
Plus particulièrement, le pressostat est adapté pour arrêter automatiquement la pompe d’amenée de produit de lavage et/ou pour fermer la vanne 62, 64 correspondante.
Alternativement, le pressostat est agencé sur une seule ligne secondaire, de sorte qu’il est adapté pour arrêter automatiquement ladite ligne secondaire uniquement.
Alternativement, dans une variante non représentée, une ou des lignes secondaires se séparent de la ligne principale en aval le dispositif de moussage 22. La ou les lignes secondaires correspondantes ne comprennent alors pas de dispositif de moussage additionnel, et ici d’injecteur additionnel.
La ou les lignes secondaires se séparent de la ligne principale en amont de la turbine 44.
Selon le premier exemple, la ligne secondaire comprend alors la brosse et le flexible reliant la brosse au dispositif de moussage.
Selon le deuxième exemple, la ligne secondaire comprend alors le pistolet et le flexible reliant le pistolet au dispositif de moussage. La ligne secondaire comprend avantageusement un pressostat, tel que décrit précédemment, entre le dispositif de moussage et le pistolet.
- Stabilisation par ajout de 20% Propanediol + 0,6% gomme xanthane + 0,5% Glyceryl Caprylate.
L'extrait de Pseudoalteromonas paragorgicola ainsi obtenu est un liquide gris à jaune (de type gel opaque), d’odeur caractéristique. Il présente les caractéristiques analytiques suivantes :
- pH = 4 - 6
- densité à 20°C = 1.00 – 1.04 (g/ml)
- matière sèche = 0.25 - 0.75 %
- indice de réfraction = 1.34 – 1.38
- poids moléculaire = 5-250 kDa
L’utilisation cosmétique selon la présente invention met préférentiellement en œuvre un extrait de Pseudoalteromonas paragorgicola ou une composition cosmétique comprenant un tel extrait.
L’extrait selon l’invention est un extrait du micro-organisme Pseudoalteromonas paragorgicola, plus particulièrement ledit extrait est un extrait hydrosoluble.
De façon avantageuse, l’extrait du micro-organisme Pseudoalteromonas paragorgicola est un extrait hydrosoluble obtenu par fermentation puis extraction aqueuse à chaud, filtrations purifiantes et stabilisé par du propanediol.
De préférence, la composition cosmétique selon l’invention comprend de 0,01 à 10% d’un extrait de Pseudoalteromonas paragorgicola par rapport au poids total de la composition. Avantageusement, la composition comprend de 0,01 à 5% d’un extrait de Pseudoalteromonas paragorgicola en poids par rapport au poids total de la composition.
Les compositions selon l'invention peuvent comprendre un ou plusieurs agents de formulation ou additifs d'usage connu et classique dans les compositions cosmétiques tels que, à titre d'exemples et de façon non limitative, des adoucissants, des colorants, des actifs filmogènes, des tensioactifs, des parfums, des conservateurs, des émulsionnants, des huiles, des glycols, des vitamines comme la vitamine E, des filtres UV, etc. Grâce à ses connaissances en matière de cosmétique, l'homme du métier saura quels agents de formulation ajouter aux compositions de l'invention et en quelles quantités en fonction des propriétés recherchées.
Les compositions selon l'invention peuvent se présenter sous toute forme connue de l'homme du métier dans le domaine de la cosmétologie sans autre restriction galénique que l'application sur le visage et sur le corps. De façon avantageuse, les compositions selon l'invention se présentent sous la forme d'un gel, d'une crème, d'une lotion, d’un masque, d’une huile, d'un lait, d'un spray, etc.
L’invention concerne également l’utilisation d’un extrait de Pseudoalteromonas paragorgicola pour tonifier et/ou raffermir la peau, diminuer le capiton, affiner et/ou redéfinir la silhouette, réduire les amas graisseux sous cutanés, prévenir et/ou retarder les manifestations cutanées de l’augmentation du tissu adipeux que sont la cellulite et/ou les capitons.
Les exemples ci-après concernent, d’une part l’impact de l’actif Pseudoalteromonas paragorgicola sur le transport d’acides gras (à chaine longue C16) sur modèle cellulaire (cellules endothéliales microvasculaires de tissus adipeux sous-cutané abdominal humain immortalisées). D’autre part, des exemples de formulations utilisant l’extrait Pseudoalteromonas paragorgicola objet de la présente invention.
Les exemples font référence à la qui montre l’effet d’un extrait de Pseudoalteromonas paragorgicola tel que décrit précédemment sur le transport d’acides gras C16 fluorescent. Cette Figure représente la moyenne +/- l’écart standard à la moyenne des 8 mesures en duplicate des cellules traitées avec l’extrait de Pseudoalteromonas paragorgicola à la dose 0,01% rapportée en pourcentage des cellules non traitées (contrôle).
Le chiffré homomorphe de la référence d’authentification masquée, soit , est transmis au serveur distant SV qui le stocke en 150 dans la base de données DB, le cas échéant en relation avec un code fourni par l’utilisateur. Ce code peut être obtenu par hachage d’un identifiant de l’utilisateur avec le contenu d’un compteur, ledit compteur étant incrémenté à chaque fois que l’utilisateur s’enregistre auprès du fournisseur de service.
La base de données DB stocke par conséquent de manière confidentielle des références d’authentification, telles que des références biométriques d’une population utilisateurs, doublement chiffrées : la première couche de chiffrement est celle du chiffrement par flot ou masquage avec une clé issue du critère d’accès et la seconde couche de chiffrement est celle du chiffrement totalement homomorphe. On comprend ainsi que, quand bien même le serveur disposerait de la clé privée , il ne pourrait accéder aux références d’authentification des utilisateurs.
La représente de manière schématique une phase de vérification d’une méthode de contrôle d’accès à authentification conditionnée, selon un premier mode de réalisation de l’invention.
Dans cette phase, l’utilisateur se présente auprès de l’opérateur de contrôle d’accès SO.
Ce dernier obtient en 260 une caractéristique d’authentification de l’utilisateur. Par exemple, il acquiert, grâce à son lecteur biométrique REC 2 , une caractéristique biométrique de l’utilisateur. Cette caractéristique d’authentification (ou challenge) est chiffrée par l’opérateur SO au moyen de la clé publique de chiffrement totalement homomorphe , en 265, puis transmise, sous la forme , au serveur distant, SV.
Selon une première variante, l’utilisateur transmet son jeton d’accès signé, , à l’opérateur de contrôle d’accès, le cas échéant après l’avoir lui-même signé. Dans ce cas l’opérateur vérifie la provenance du jeton et le transmet en 263 au module HSM.
Selon une seconde variante, l’opérateur de contrôle d’accès fournit un identifiant et l’opérateur de contrôle d’accès recherche le jeton d’accès signé correspondant.
Selon une troisième variante, l’opérateur de contrôle d’accès dispose du jeton d’accès signé de manière implicite, par exemple parce qu’il correspond à une tranche horaire ou au lieu où il se trouve.
Bien entendu, différentes combinaisons de ces variantes pourront être envisagées par l’homme du métier sans sortir du cadre de la présente invention.
Dans tous les cas, l’opérateur SO transmet le jeton d’accès signé au module HSM, et ce dernier vérifie en 220 si le critère d’accès correspondant est vérifié. Dans la négative, le module HSM renvoie un message d’erreur et l’accès est refusé. En revanche, si le critère d’accès est vérifié, le module HSM génère à nouveau en 225 le masque jetable , à l’aide la fonction pseudo-aléatoire PRF, à partir du jeton d’accès , et le transmet au serveur SV.
Le serveur SV retrouve en 250 dans la base de données, à partir du code ou de l’identifiant de l’utilisateur, le chiffré homomorphe de la référence d’authentification masquée, . Le serveur effectue en 255 une opération d’addition externe entre le chiffré homomorphe de la référence d’authentification masquée et le flux de clé reçu du module HSM, autrement dit calcule , ce qui permet d’enlever le masque dans le domaine homomorphe.
A ce stade, le serveur SV dispose par conséquent, d‘une part, de la référence d’authentification chiffrée en homomorphe, , fourni par l’utilisateur lors de l’enregistrement et, d’autre part, de la caractéristique d’authentification également chiffrée en homomorphe , fournie par l’opérateur lors du contrôle d’accès.
Le serveur peut alors comparer en 257 la caractéristique d’authentification à la référence d’authentification, c’est à dire déterminer dans le domaine homomorphe si la caractéristique d’authentification et la référence d’authentification sont équivalentes, c’est-à-dire correspondent bien au même utilisateur. Dans certains cas simples, la relation d’équivalence peut être une simple identité. Dans la plupart des cas cependant, la caractéristique d’authentification différera de la référence. Par exemple, la caractéristique biométrique d’un utilisateur peut différer de sa référence biométrique. Toutefois elles seront considérées comme équivalentes si elles appartiennent à une même intersection de classes d’équivalence, autrement dit s’il y a identité des classes d’équivalence dans lesquelles la caractéristique et la référence biométriques sont classées. L’opération de classification peut ainsi être réalisée dans le domaine homomorphe, comme décrit par exemple dans le brevet FR-B-3095537 au nom de la présente Demanderesse.
Le résultat de la comparaison est fourni à l’opérateur de contrôle d’accès, SO, sous forme chiffrée dans le domaine homomorphe, , où peut pendre par exemple la valeur binaire « 1 » ou « 0 » selon qu’une équivalence est détectée ou non. On notera qu’il est impossible de distinguer une valeur chiffrée d’une valeur chiffrée étant donné qu’il existe un très grand nombre de telles valeurs tant pour l’une que pour l’autre.
L’opérateur de contrôle d’accès, SO, déchiffre en 267 le résultat de la comparaison au moyen de la clé privée et en déduit si l’accès à la ressource doit être accordé ou non à l’utilisateur.
L’homme du métier comprendra que le masque généré par le module HSM rend inopérante toute collusion entre l’opérateur de contrôle d’accès SO et le serveur SV de la base de données. En effet, tant que le masque est présent, l’opérateur de contrôle d’accès et le serveur ne peuvent agir de concert pour accéder à la référence d’authentification (ex. la référence biométrique) de l’utilisateur (ce qui permettrait d’usurper son identité). En revanche, lorsque le masque est éliminé, une collusion entre l’opérateur de contrôle d’accès et le serveur permet de récupérer la référence d’authentification. Ainsi, lorsque le critère d’accès est composite, la vulnérabilité des données sensible est limitée à une fenêtre spatio-temporelle réduite. L’hypothèse classique (mais peu réaliste en pratique) d’un comportement « semi-honnête » des entités intervenant dans la méthode de contrôle d’accès, selon laquelle les entités se conformeraient au protocole mais seraient curieuses d’accéder aux données protégées n’est plus requise. Plus précisément, il suffit désormais que cette hypothèse soit satisfaite pendant la fenêtre d’accès.
ETAT DE LA TECHNIQUE Les bâtons de randonnée sont généralement équipés de rondelles au niveau de leurs extrémités destinées à entrer en contact avec le sol. Ces rondelles ont pour principale fonction de fournir un appui pour limiter la pénétration du bâton dans le sol. En fonction de la nature du sol, différentes rondelles peuvent être envisagées. Par exemple, en été ou sur sol dur, la résistance à la pénétration de la pointe du bâton est importante. Dans ce cas, une rondelle de faible surface d’appui suffit. Un bâton équipé d’une telle rondelle est plus léger et présente une bonne maniabilité. En hiver ou sur sol meuble, la résistance à la pénétration de la pointe du bâton est moindre. Dans ce cas, une rondelle de surface d’appui plus importante est nécessaire.
Une solution traditionnelle consiste à changer de rondelles en fonction des saisons et/ou des conditions. Cela permet d’obtenir deux configurations de bâton. Il est cependant parfois utile d’avoir plus de configurations ou plus de versatilité dans les configurations de bâton, notamment pour adapter plus précisément le matériel aux conditions rencontrées localement ou ponctuellement.
Le document EP2083929 B1 divulgue un système comprenant une première rondelle articulée fixée au bâton, de faible surface d’appui, sur laquelle peut se fixer une deuxième rondelle pour augmenter la surface d’appui totale. La première rondelle reste ainsi fixée sur le bâton de façon permanente, et la deuxième rondelle fournit un complément de surface d’appui si nécessaire. Cette configuration à surface d’appui augmentée n’est cependant pas optimale pour toutes les conditions de neige, notamment lorsque la neige est molle et humide.
Le document FR2686801 A1 divulgue une autre solution permettant de faire varier à la fois la surface d’appui et la hauteur d’appui, vis-à-vis de la pointe du bâton. Ce dispositif connu comprend une première rondelle montée en position basse sur le bâton et une deuxième rondelle montée en position haute sur le bâton et configurée pour se déployer en fonction du degré de pénétration du bâton dans une neige molle. Le bâton équipé de ce dispositif est ainsi plus polyvalent. Un inconvénient de cette solution est que cela alourdit le bâton.
Un objet de la présente invention est de pallier au moins en partie aux inconvénients des solutions connues.
Un autre objet de la présente invention est de proposer un système de rondelles optimisé, offrant des possibilités d’adaptation à différentes conditions et natures de sol.
Un autre objet de la présente invention est de proposer un procédé d’utilisation ou d’assemblage de ce système de rondelles.
RESUME Pour atteindre cet objectif, un premier aspect de l’invention concerne un système de rondelles pour bâton, typiquement un bâton de randonnée ou de ski, comprenant une première rondelle et une deuxième rondelle configurées pour coopérer l’une avec l’autre.
La première rondelle comprend : Un corps de liaison comprenant : un orifice apte à recevoir une extrémité d’un bâton, et un moyen de fixation audit bâton, Une première face d’appui périphérique au corps de liaison et solidaire du corps de liaison, Des premières structures d’assemblage portées par la première face d’appui, lesdites premières structures d’assemblage s’étendant de préférence depuis un pourtour externe de la première face d’appui.
La deuxième rondelle comprend : Une ouverture configurée pour accueillir la première rondelle, Une deuxième face d’appui périphérique à ladite ouverture, Des deuxièmes structures d’assemblage portées par la deuxième face d’appui et destinées à coopérer avec les premières structures d’assemblage de la première rondelle, lesdites deuxièmes structures d’assemblage s’étendant de préférence depuis un pourtour interne de la deuxième face d’appui.
Avantageusement, les deuxièmes structures d’assemblage de la deuxième rondelle sont déformables élastiquement de sorte que la deuxième rondelle s’assemble avec la première rondelle par déformation élastique des deuxièmes structures d’assemblage.