Procédé de fabrication d’un dispositif optoélectronique (1) comportant une photodiode (2) de type germanium sur silicium couplée optiquement à un guide d’onde (3) en Si 3 N 4 , la photodiode (2) comportant un plot semiconducteur (30) formé d’une portion inférieure dopée (31) réalisée à base de silicium, une portion supérieure dopée (33), et une portion intermédiaire d’absorption (32) réalisée à base de germanium et située entre les portions inférieure et supérieure dopées (31, 33) suivant un axe d’épaisseur de la photodiode (2), le procédé étant caractérisé en ce qu’il comporte les étapes suivantes : réalisation d’un substrat dit semiconducteur (20), comportant un empilement semiconducteur de couches minces (23, 24, 25) destinées à former les portions (31, 32, 33) du plot semiconducteur (30) ; réalisation d’un substrat dit photonique (10), comportant le guide d’onde (3) en Si 3 N 4 ; report et collage du substrat semiconducteur (20) sur le substrat photonique (10) ; réalisation de la photodiode (2), par photolithographie et gravure de l’empilement semiconducteur (23, 24, 25) pour former le plot semiconducteur (30) alors situé au-dessus du guide d’onde (3). Procédé de fabrication selon la revendication 1, comportant, lors de l’étape de réalisation de la photodiode (2), une étape de réalisation de la portion supérieure dopée (33) et de la portion intermédiaire d’absorption (32), par gravure localisée d’une couche mince supérieure dopée (23) et d’une couche mince intermédiaire (24) réalisée à base de germanium de l’empilement semiconducteur, avec arrêt de gravure sur une couche mince inférieure dopée (25) de l’empilement semiconducteur destinée à former la portion inférieure dopée (31). Procédé de fabrication selon la revendication 2, comportant, après l’étape de réalisation de la portion supérieure dopée (33) et de la portion intermédiaire d’absorption (32), une étape de réalisation d’espaceurs (41) réalisés à base d’un matériau électriquement isolant, disposés contre les flancs de la portion intermédiaire d’absorption (32), et s’étendant sur une partie de la couche mince inférieure dopée (25) ou de la portion inférieure dopée (31). Procédé de fabrication selon la revendication 2 ou 3, comportant, après l’étape de réalisation de la portion supérieure dopée (33) et de la portion intermédiaire d’absorption (32), une étape de réalisation de la portion inférieure dopée (31), par gravure localisée d’une couche mince inférieure dopée (25), de sorte que la portion inférieure dopée (31) présente des parties latérales (31.1) non recouvertes. Procédé de fabrication selon la revendication 4, comportant, après l’étape de réalisation de la portion inférieure dopée (31), une étape de réalisation de portions latérales conductrices (42), réalisées en un matériau électriquement conducteur, situées sur et au contact d’une face supérieure des parties latérales (31.1) de la portion inférieure dopée (31), par siliciuration du matériau à base de silicium de la portion inférieure dopée (31). Procédé de fabrication selon la revendication 5, comportant une étape de réalisation d’une portion centrale conductrice (43), réalisée en un matériau électriquement conducteur, située sur et au contact d’une face supérieure de la portion supérieure dopée (33), celle-ci étant réalisée à base de silicium, par siliciuration du matériau à base de silicium de la portion supérieure dopée (33) de manière simultanée à la siliciuration du matériau à base de silicium de la portion inférieure dopée (31). Procédé de fabrication selon la revendication 4 ou 5, comportant une étape de dépôt d’une couche isolante d’encapsulation (44) recouvrant le plot semiconducteur (30), puis une étape de réalisation de métallisation de contact comportant des vias conducteurs latéraux (45) traversant la couche isolante d’encapsulation (44) pour venir au contact des portions latérales conductrices (42). Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, comportant, lors de l’étape de réalisation du substrat photonique (10), une étape de réalisation du guide d’onde (3) en un nitrure de silicium stœchiométrique Si 3 N 4 , suivie d’une étape de recuit du guide d’onde (3) au moins égale à 1000°C. Dispositif optoélectronique (1), comportant : une photodiode (2) de type germanium sur silicium, comportant un plot semiconducteur (30) formé d’une portion inférieure dopée (31) réalisée à base de silicium, une portion supérieure dopée (33), et une portion intermédiaire d’absorption (32) réalisée à base de germanium et située entre les portions inférieure et supérieure dopées (31, 33) suivant un axe d’épaisseur de la photodiode (2) ; un guide d’onde (3) en Si 3 N 4 , couplé optiquement à la photodiode (2) ; caractérisé en ce que le guide d’onde (3) est situé en dessous de la photodiode (2) suivant un axe d’épaisseur de la photodiode (2), et est intégré dans un substrat photonique (10) sur lequel repose la photodiode (2). Dispositif optoélectronique (1) selon la revendication 9, dans lequel le substrat photonique (10) comporte une couche support (11) et une couche inférieure diélectrique (12) sur laquelle repose le guide d’onde (3), le guide d’onde (3) étant espacé de la couche support (11) d’au moins 2µm. Dispositif optoélectronique (1) selon la revendication 9 ou 10, dans lequel la portion inférieure dopée (31) présente une dimension transversale supérieure à celle de la portion intermédiaire d’absorption (32), des espaceurs (41) réalisés à base d’un matériau électriquement isolant, disposés contre les flancs de la portion intermédiaire d’absorption (32), et s’étendant sur une partie de la face supérieure de la portion inférieure dopée (31). Dispositif optoélectronique (1) selon la revendication 11, comportant des portions latérales conductrices (42), réalisées en un siliciure, situées sur et au contact d’une face supérieure de parties latérales (31.1) de la portion inférieure dopée (31) non recouvertes par les espaceurs (41). Dispositif optoélectronique (1) selon l’une quelconque des revendications 9 à 12, dans lequel la portion supérieure dopée (33) est réalisée à base de silicium, et comportant une portion centrale conductrice (43), réalisées en un siliciure, située sur et au contact d’une face supérieure de la portion supérieure dopée (33). Dispositif optoélectronique (1) selon les revendications 12 et 13, comportant une couche isolante d’encapsulation (44) recouvrant le plot semiconducteur (30) et les portions latérales et centrale conductrices (42, 43), et des métallisations de contact comportant des vias conducteurs latéraux (45) traversant la couche isolante d’encapsulation (44) pour venir au contact des portions latérales conductrices (42), et au moins un via conducteur centrale (46) traversant la couche isolante d’encapsulation (44) pour venir au contact de la portion centrale conductrice (43).