Transistor (200 ; 400 ; 500) comportant, sur une couche semiconductrice (220), un empilement d'un isolant de grille (232 ; 432 ; 532) et d'une région de grille (230 ; 430 ; 530) sur l’isolant de grille, dans lequel la région de grille comprend une première portion (230A ; 430A ; 530A) et une deuxième portion (230B ; 430B ; 530B) entre la première portion et l’isolant de grille, la première portion présente une première longueur (L3A) dans une première direction (X) latérale du transistor, et la deuxième portion présente une deuxième longueur (L3B) dans la première direction (X) inférieure à la première longueur. Transistor (200 ; 400 ; 500) selon la revendication 1, comprenant en outre : - une région de source (224) et une région de drain (226) dans une région de corps (222) de la couche semiconductrice (220), une partie supérieure de la région de corps, entre la région de source et la région de drain, constituant une région de canal (222A) du transistor, la première direction (X) étant parallèle à la direction de longueur de la région de canal, entre la région de source et la région de drain ; et la région de grille (230 ; 430 ; 530) surmontant la région de corps (222), par exemple surmontant la région de canal (222A). Transistor (200 ; 400 ; 500) selon la revendication 2, comprenant en outre une région de drain légèrement dopé (228) entre la région de canal (222A) et chaque région de source (224) et de drain (226). Transistor (200 ; 400 ; 500) selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la deuxième portion (230B ; 430B ; 530B) est centrée dans la première direction (X) par rapport à la première portion (230A ; 430A ; 530A). Transistor (400) selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel l'épaisseur de l'isolant de grille (432) est variable dans la première direction (X), l'isolant de grille (432) comprenant une première région présentant une première épaisseur (e1) en vis-à-vis d'une zone centrale de la région de grille (430), et une deuxième région présentant une deuxième épaisseur (e2), supérieure à la première épaisseur, en vis-à-vis des bords latéraux de la portion inférieure (430B) de la région de grille. Transistor (200 ; 400 ; 500) selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel le transistor comprend une couche d'oxyde (234 ; 434 ; 534) revêtant au moins les flancs de la région de grille (230), et, par exemple, un espaceur isolant (236 ; 436 ; 536) contre la couche d’oxyde. Transistor (500) selon la revendication 6, dans lequel la couche d’oxyde (534) : - comprend, par exemple consiste en, une couche de réoxydation de la région de grille (530), par exemple de réoxydation thermique ; - présente une épaisseur supérieure ou égale à 5 nm ; et/ou - est également positionnée sur, par exemple recouvre, la première portion (530A) de la région de grille. Transistor (500) selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel la cavité (531) comprise entre la couche semiconductrice (220) et la première portion (530A) de la région de grille (530) contient un matériau à faible constante diélectrique (538). Transistor (500) selon l’une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel la deuxième portion (530B) de la région de grille (530) comprend, par exemple est en, un alliage silicium-germanium polycristallin, la première portion (530A) étant par exemple en silicium polycristallin. Transistor (200 ; 400 ; 500) selon l’une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel la distance (L5, L5’), dans la première direction (X), entre les bords latéraux de la première portion et de la deuxième portion est comprise entre 1 et 30 nm, par exemple entre 1 et 20 nm, voire entre 1 et 10 nm. Dispositif électronique comprenant au moins un transistor selon l'une quelconque des revendications 1 à 10. Commutateur radiofréquence comportant au moins un transistor selon l'une quelconque des revendications 1 à 10. Procédé de fabrication d'un transistor, le procédé comprenant la formation d’une région de grille (230) sur une couche semiconductrice (320) revêtue d’une couche d’isolant de grille (332), ladite formation comprenant : - une étape de formation d’une couche conductrice de grille (330) sur la couche d’isolant de grille ; - une première étape de gravure anisotropique, adaptée à graver la couche conductrice de grille (330) préférentiellement selon une direction (Z) perpendiculaire au plan de la couche semiconductrice (320), sur une profondeur (H3A) inférieure à l’épaisseur de ladite couche conductrice de grille, de sorte à former une première portion (230A) de la région de grille présentant une première longueur (L3A) dans une première direction (X) latérale du transistor; puis - une deuxième étape de gravure, moins anisotropique que la première étape de gravure, adaptée à graver la couche conductrice de grille (330) selon la direction perpendiculaire (Z) jusqu’à la couche d’isolant de grille (332) et selon la première direction (X), de sorte à former une deuxième portion (230B) de la région de grille (230) présentant une deuxième longueur (L3B) dans la première direction (X) inférieure à la première longueur. Procédé selon la revendication 13, dans lequel la formation de la région de grille (230) comprend en outre, après la deuxième étape de gravure, une troisième étape de gravure adaptée à graver la couche d’isolant de grille (332) préférentiellement selon la direction perpendiculaire (Z). Procédé selon la revendication 13 ou 14, comprenant en outre, après la formation de la région de grille : - une étape de dépôt d’une couche de matériau à faible constante diélectrique sur la couche semiconductrice, de préférence au moins jusqu’au niveau de la première portion (530A) de la région de grille (530) ; puis - une étape de gravure d’une partie de la couche de matériau non couverte par la première portion de la région de grille ; de sorte à remplir la cavité (531) comprise entre la couche semiconductrice et la première portion de la région de grille du matériau à faible constante diélectrique (538). Procédé l’une quelconque des revendications 13 à 15, dans lequel la formation de la région de grille (230) comprend en outre, après la deuxième étape de gravure, la formation d’une couche d'oxyde au moins contre les flancs de ladite région de grille, par exemple par une technique de réoxydation thermique de la région de grille. Procédé selon l’une quelconque des revendications 13 à 16, dans lequel la couche d'isolant de grille présente une première épaisseur (e1) et la formation de la région de grille comprend en outre, après la deuxième étape de gravure, une étape d’oxydation thermique de la couche d'isolant de grille de sorte que ladite couche d'isolant de grille atteigne une deuxième épaisseur (e2) supérieure à la première épaisseur (e1) en vis-à-vis des bords de la deuxième portion de la région de grille et conserve sensiblement la première épaisseur en vis-à-vis d’une zone centrale de ladite région de grille. Procédé selon l’une quelconque des revendications 13 à 17, dans lequel : - l’étape de formation de la couche conductrice de grille comprend la formation d’une couche en un alliage silicium-germanium polycristallin sur une couche en silicium polycristallin ; - la première étape de gravure est adaptée à graver la couche en silicium polycristallin ; et - la deuxième étape de gravure est adaptée à graver la couche en l’alliage silicium-germanium polycristallin.