Procédé de production (100) d'une plaque de diamant monocristallin à partir d’une pluralité de germes (10, 11, 12, 13) de diamant monocristallin qui comportent une surface de croissance, ladite une surface de croissance comprenant une structure en terrasses, ladite structure en terrasses présentant plusieurs faces d’orientation cristallographique (OC1, OC2), lesdites faces d’orientation cristallographique (OC1, OC2) comportant des familles de plans {100} ou des familles de plans {100} et {113}, le procédé comprenant les étapes suivantes : fourniture (110) de germes (10, 11, 12, 13) de diamant monocristallin, chacun des germes étant associé à des caractéristiques structurelles, lesdites caractéristiques structurelles comprenant au moins : une première valeur décrivant un angle donnant une direction de propagation (D 10 , D 11 ) d’un front d’onde (FO 10 , FO 11 ), un angle de désorientation (δ) de la structure en terrasses supérieur ou égale à 0° et inférieur ou égal à 10°, positionnement (130) des germes (10, 11, 12, 13) de diamant monocristallin de manière à former une mosaïque, de sorte que deux germes de diamant monocristallin adjacents présentent des premières valeurs décrivant les angles donnant les directions de propagation (D 10 , D 11 ) des fronts d’onde (FO 10 , FO 11 ) dont la différence est inférieure ou égale à 5°, de préférence inférieure ou égale à 1°; et croissance épitaxiale (140) latérale de la structure en terrasses selon l’orientation cristallographique (OC2), par dépôt chimique en phase vapeur assisté, de préférence par plasma ou par filament chaud, d’une couche monocristalline. Procédé de production (100) selon la revendication 1, dans lequel l’étape de croissance épitaxiale (140) latérale selon l’orientation cristallographique (OC2) est suivie d’une deuxième croissance épitaxiale (150) verticale de la structure en terrasses selon l’orientation cristallographique (OC1) de la famille de plans {100} de manière à former une couche épitaxiale (10-2) de diamant monocristallin. Procédé de production (100) selon l’une des revendications 1 ou 2, comportant en outre une étape de calcul (120), à partir des premières valeurs décrivant une direction de propagation pour chaque germe (10, 11, 12, 13) de diamant monocristallin, d’une deuxième valeur décrivant l’angle donnant la direction de propagation d’un front d’onde principal (FO) de la pluralité de germes (10, 11, 12, 13) de diamant monocristallin, dans lequel lors de l’étape de positionnement des germes de diamant monocristallin de manière à former une mosaïque, chaque germe (10, 11, 12, 13) de diamant monocristallin comprend des angles donnant les directions de propagation (D 10 , D 11 ) des fronts d’onde (FO 10 , FO 11 ) allant de -5° à +5° par rapport à la deuxième valeur, de préférence de -2,5° à + 2,5°. Procédé de production (100) selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, ledit procédé comprenant une étape de surfaçage (115), par lithographie ou par laser, des faces d’orientation cristallographique (OC1, OC2) des germes (10, 11, 12, 13) de diamant monocristallin de sorte que lesdits germes présentent des angles donnant la direction propagation (D 10 , D 11 ) des fronts d’onde (FO 10 , FO 11 ) sensiblement identiques. Procédé de production (100) selon la revendication 2 ou selon l’une quelconque des revendications 3 ou 4 prises dans leur dépendance avec la revendication 2, ledit procédé comprenant une étape de resurfaçage (115’) par laser ou par lithographie de la plaque de diamant monocristallin après retrait (160) de la couche épitaxiale (10-2) de diamant monocristallin, l’étape de resurfaçage (115’) comprenant : un retrait d’une épaisseur prédéterminée de la plaque de diamant monocristallin, une formation d’une nouvelle structure en terrasses prédéterminée présentant des faces d’orientations cristallographiques (OC1, OC2) des germes (10, 11, 12, 13) de diamant monocristallin comprenant des familles de plans {100} ou des faces d’orientation cristallographique (OC1, OC2) des germes (10, 11, 12, 13) de diamant monocristallin comprenant des familles de plans {100} et {113}. Procédé de production (100) selon la revendication 5, dans lequel les germes de la nouvelle structure en terrasses, formée lors de l’étape de resurfaçage (115’) par laser ou par lithographie, présentent des angles donnant la direction de propagation (D 10 , D 11 ) des fronts d’onde (FO 10 , FO 11 ) sensiblement identiques. Procédé de production (100) selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel la croissance épitaxiale (140) latérale de la structure en terrasses selon l’orientation cristallographique (OC2) des germes (10, 11, 12, 13) de diamant monocristallin, comprend une étape d’introduction (141) d’un gaz adapté pour empêcher le développement de contraintes ou la formation de défauts cristallins, de préférence de macles et de dislocations, à l’interface entre les germes. Procédé de production (100) selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel la structure en terrasses comprend des marches de croissance macroscopiques. Procédé de production (100) selon l’une quelconque des revendications 1 à 8, ledit procédé comprenant en outre une étape de création (142) de centres « XV- », par dopage par un gaz « X » adapté, suivie d’une irradiation par faisceau d’électrons et d’un recuit. Procédé de production (100) selon l’une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel les germes de diamant monocristallin sont positionnés par ordre d’épaisseur croissante selon une direction de propagation définie par un des angles (D 10 , D 11 ) des fronts d’onde (FO 10 , FO 11 ). Plaque (1) de diamant monocristallin susceptible d’être obtenue par un procédé de production (100) selon l’une quelconque des revendications 1 à 10, dans laquelle au moins 15 %, de préférence au moins 50% et de manière encore plus préférée au moins 85%, des jonctions formées entre les germes de diamant monocristallin présentent une valeur de largeur de pic de Raman à mi-hauteur supérieure ou égale à 2,5 cm -1 et inférieure à 2,9 cm -1 . Diamant monocristallin susceptible d’être obtenu par un procédé de production (100) selon l’une quelconque des revendications 1 à 10, présentant une surface comportant au moins une première face cristallographique et une deuxième face cristallographique, lesdites faces cristallographiques étant chacune associée à une concentration en centre « XV- » ; la concentration en centre « XV- » de la première face cristallographique étant supérieure à la concentration en centre « XV- » de la deuxième face cristallographique. Diamant monocristallin selon la revendication précédente, caractérisé en ce que la première face cristallographique du diamant monocristallin appartient à la famille de plans {113}. Utilisation d’une plaque de diamant monocristallin selon la revendication 11 ou d’un diamant monocristallin selon l’une des revendications 12 ou 13, pour la fabrication d’une fenêtre optique, d’un substrat pour semi-conducteur ou pour la gestion thermique, d’un substrat pour des technologies quantiques, ou d’un diamant pour la joaillerie, de préférence supérieur à 5 carats, de préférence supérieur à 15 carats.