Selon d’autres caractéristiques optionnelles du procédé de production d’une plaque de diamant monocristallin, ce dernier peut inclure facultativement une ou plusieurs des caractéristiques suivantes, seules ou en combinaison : dans lequel l’étape de croissance épitaxiale latérale est suivie d’une deuxième croissance épitaxiale verticale de la structure en terrasses selon l’orientation cristallographique de la famille de plans {100} de manière à former une couche épitaxiale de diamant monocristallin. En particulier, c’est l’étape de croissance épitaxiale latérale selon l’orientation cristallographique des germes de diamant monocristallin comprenant des familles de plans {100} ou des germes de diamant monocristallin comprenant des familles de plans {100} et {113} qui est suivie de la deuxième croissance épitaxiale verticale. dans lequel la première valeur décrivant un angle donnant une direction de propagation d’un front d’onde d’un germe de diamant monocristallin correspond à un angle formé entre la direction de propagation du front d’onde et une face latérale du germe de diamant monocristallin. dans lequel la première valeur décrivant un angle donnant une direction de propagation d’un front d’onde d’un germe de diamant monocristallin correspond à un vecteur caractéristique de la direction de propagation d’un front d’onde par rapport à une face latérale du germe de diamant monocristallin. une étape de calcul, à partir des premières valeurs décrivant une direction de propagation pour chaque germe de diamant monocristallin, d’une deuxième valeur décrivant l’angle donnant la direction de propagation d’un front d’onde principal de la pluralité de germes de diamant monocristallin et dans lequel lors de l’étape de positionnement des germes de diamant monocristallin de manière à former une mosaïque, chaque germe (10, 11, 12, 13) de diamant monocristallin comprend des angles donnant les directions de propagation (D 10 , D 11 ) des fronts d’onde (FO 10 , FO 11 ) allant de -5° à +5° par rapport à la deuxième valeur, de préférence de -2,5° à + 2,5°. ledit procédé comprenant une étape de surfaçage, par lithographie ou par laser, des faces d’orientation cristallographique des germes de diamant monocristallin de sorte que lesdits germes présentent des angles donnant la direction propagation des fronts d’onde sensiblement identiques. En particulier, l’étape de surfaçage concerne les germes de diamant monocristallin comprenant des familles de plans {100} ou des faces d’orientation cristallographique (OC1, OC2) des germes (10, 11, 12, 13) de diamant monocristallin comprenant des familles de plans {100} et {113}. De façon préférée, l’étape de surfaçage est réalisée par laser. ledit procédé comprenant une étape de resurfaçage par laser ou par lithographie de la plaque de diamant monocristallin après retrait de la couche épitaxiale de diamant monocristallin, l’étape de resurfaçage comprenant : un retrait d’une épaisseur prédéterminée de la plaque de diamant monocristallin, une formation d’une nouvelle structure en terrasses prédéterminée présentant des faces d’orientation cristallographique des germes de diamant monocristallin comprenant des familles de plans {100} ou des faces d’orientation cristallographique des germes de diamant monocristallin comprenant des familles de plans {100} et {113}. De façon préférée, l’étape de surfaçage est réalisée par laser. De façon plus préférée, l’étape de resurfaçage comporte la formation d’une nouvelle structure en terrasses prédéterminée présentant des faces d’orientation cristallographique des germes de diamant monocristallin comprenant des familles de plans {100} et {113}. Cette nouvelle structure en terrasse est de préférence réalisée sur la plaque de diamant monocristallin, sur la surface créée lors de l’étape de retrait. dans lequel les germes de la nouvelle structure en terrasses, formée lors de l’étape de resurfaçage par laser ou par lithographie, présentent des angles donnant la direction de propagation des fronts d’onde sensiblement identiques. dans lequel la croissance épitaxiale latérale de la structure en terrasses selon l’orientation cristallographique des germes de diamant monocristallin comprend une étape d’introduction d’un gaz adapté pour empêcher le développement de contraintes ou la formation de défauts cristallins, de préférence de macles et de dislocations, à l’interface entre les germes. dans lequel la structure en terrasses comprend des marches de croissance macroscopiques. En particulier, la structure en terrasses des germes de diamant monocristallin peut comprendre des marches de croissance dont la hauteur est par exemple d’au moins 100 nm. Cela permet d’améliorer les jonctions et les propriétés de la couche de diamant produite. En outre, les terrasses de croissance macroscopiques peuvent présenter des longueurs L 10 , L 11 d’au moins 10 µm. ledit procédé comprenant une étape de création de centres « XV- », par dopage par un gaz « X » adapté suivie d’une irradiation par faisceau d’électrons et d’un recuit. Cette étape est de préférence réalisée après l’étape de croissance épitaxiale latérale et/ou l’étape de croissance épitaxiale verticale. dans lequel l’étape de positionnement comprend en outre un placement d’un germe de diamant monocristallin par rapport à un autre germe de diamant monocristallin à une distance d’au plus 200 µm. dans lequel les structures en terrasses des germes de diamant monocristallin présentent, les unes par rapport aux autres, une première désorientation planaire selon un axe horizontal et une deuxième désorientation planaire selon un axe vertical inférieures à un angle de 3°. dans lequel chaque germe de diamant monocristallin présente une différence d’épaisseur d’au plus 50 µm, de préférence d’au plus 30 µm, par rapport à un autre germe de diamant monocristallin adjacent. Toutefois, des germes de diamant monocristallin peuvent présenter une différence d’épaisseur d’au moins 10 µm, par exemple d’au moins 20 µm, par rapport à un autre germe de diamant monocristallin adjacent. dans lequel les germes de diamant monocristallin sont positionnés par ordre d’épaisseur croissante selon une direction de propagation définie par un des angles des fronts d’onde. Ainsi, la mosaïque peut comporter des germes présentant des différences d’épaisseur d’au moins 30 µm, par exemple d’au moins 50 µm. dans lequel les germes de diamant monocristallin sont positionnés par ordre d’épaisseur décroissante selon une direction de propagation définie par un des angles des fronts d’onde.