INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Cette poignée qui forme l'organe d'actionnement 17 des organes 16 de verrouillage est une poignée à actionnement manuel. Cette poignée est configurée, c'est-à-dire conformée et dimensionnée pour être, sous l'effet de son propre poids, rappelée en position verrouillée.
En pratique, le fonctionnement d'un tel mécanisme 14 de verrouillage est tel que suit.
On suppose que l'ensemble 13 est en première configuration et le mécanisme 14 de verrouillage en position verrouillée, comme illustré à la où la poignée est en position abaissée.
Pour permettre le passage de la première à la seconde configuration, l'opérateur procède comme suit. L'opérateur, positionné à l'extérieur du poste 4 de pilotage, vient actionner, dans le sens d'un soulèvement, la poignée positionnée au dos de la face arrière du poste 4 de pilotage, c'est-à-dire à l'extérieur du poste de pilotage. Ce soulèvement de la poignée génère en parallèle un déplacement axial des deux doigts de verrouillage dans le sens d'un rapprochement l'un de l'autre jusqu'à une sortie suffisante des doigts de verrouillage du passage pour permettre un libre déplacement à pivotement de l'ensemble 13.
Une fois les doigts de verrouillage en position déverrouillée, l'ensemble 13 est déplacé à pivotement vers l'avant du châssis 2 jusqu'à une position en butée dudit ensemble 13 par exemple par appui du bord frontal du toit 8 de l'ensemble 13 sur le châssis 2.
La grille de régions d’intérêt peut être définie par : Des connaissances métier de l’opérateur d’une ou plusieurs localisations probables des anomalies de grains. La ou les localisations probables sont estimées par un outil de simulation indiquant une ou plusieurs régions dans lesquelles un grain parasite est susceptible de croître, par exemple de chaque côté du pied de l’aube (régions EA, EF, IF, IA, SBA, SBF, TI, TE, 2BQ, 1BQ, 1P, 3P de la ). Une incertitude concernant l’information métallurgique que l’opérateur peut renseigner ; l’intérêt est ici de prendre en compte des incertitudes de mesure liées au contrôle macrographique réalisé par l’opérateur. Par exemple, il est possible de définir les régions d’intérêt de la grille de régions d’intérêt de sorte que leurs dimensions soient suffisamment grandes pour compenser ladite incertitude. Alternativement, les différentes parties de la pièce peuvent être associées à plusieurs régions d’intérêt, par exemple sur la , le pied de l’aube est associé à trois régions d’intérêt afin d’éviter de confondre les mesures sur les grains qui pourraient apparaitre de part et d’autre du pied. Des paramètres de pilotage de la machine de contrôle RXO. En effet, certaines portions de la pièce sont inaccessibles du fait de l’encombrement d’une partie ou de l’intégralité la pièce de fonderie et/ou de la machine de contrôle RXO utilisée. C’est, par exemple, le cas à la où il est impossible d’émettre des rayons X sous la plateforme, dans les congés 4 de la vue en haut à gauche. Des artifices de fonderie utilisée pendant la fabrication de la pièce de fonderie. Par exemple, dans le cas de la , il existe plusieurs rangées de picots en platine qui maintiennent des noyaux lors de la coulée. Ces picots peuvent engendrer l’apparition de grain recristallisés au centre des régions d’intérêt 1I, 2I, 3I, 4I, 1E, 2E, 3E et/ou 4E.
Il est possible de mettre en œuvre le contrôle RXO dans une ou plusieurs régions d’intérêt de la grille de régions d’intérêt comportant la localisation de grain renseigné. D’autres régions, autour de la ou des régions comportant la localisation de grain, peuvent être choisies pour mettre en œuvre le contrôle RXO.
Si la dimension du grain est renseignée, il est possible de définir une ou plusieurs autres régions d’intérêt pour mettre en œuvre le contrôle RXO. Ces régions d’intérêt sont alors choisies pour couvrir l’étendue de l’anomalie de grain sur la pièce de fonderie. L’objectif est alors d’effectuer le contrôle RXO dans chacune des régions d’intérêt de la grille de régions d’intérêt dans lesquelles l’anomalie de grain se trouve.
L’opérateur peut donc, par exemple dans un cadre de conception et/ou de recherche et développement, mettre en œuvre le contrôle RXO dans chacune des régions d’intérêt de la grille des régions d’intérêt où une anomalie métallurgique. Alternativement, par exemple dans un cadre de production, l’opérateur peut mettre en œuvre le contrôle RXO uniquement dans les régions d’intérêt où il y a une anomalie métallurgique de levée de doute ou non-conforme.
L’orientation primaire de la ou des anomalies et l’orientation primaire du grain principal peuvent être enregistrées dans une mémoire, par exemple une mémoire volatile ou non-volatile, afin d’être accessible à tout moment ultérieur par le logiciel de contrôle RXO ou par un autre logiciel. Un identifiant de la région d’intérêt, dans laquelle l’orientation primaire du grain est mesurée, est également conservé en mémoire afin de lier dans la mémoire l’orientation primaire du grain à la bonne région d’intérêt.
L’étape 103 est ensuite une étape de calcul d’un taux de recouvrement entre la zone de contrôle 10 et chacune des régions d’intérêt. Le taux de recouvrement est un indice dont la valeur quantifie le recouvrement entre la zone de contrôle 10 et chacune des régions d’intérêt.
Le taux de recouvrement est, par exemple, calculé par un indice de Jaccard, noté , tel que , où est la zone de contrôle 10 et l’une des au moins une région d’intérêt.
Alternativement, le taux de couvrement est calculé par un indice de Dice-Sørensen, noté , tel que , où A est la zone de contrôle 10 et B l’une des au moins une région d’intérêt.
Préférentiellement, le taux de recouvrement est calculé par un indice de recouvrement, noté , tel que , où A est la zone de contrôle 10 et B l’une des au moins une région d’intérêt. L’avantage d’utiliser l’indice est qu’il est peu sensible à une différence d’échelle entre la surface de la zone de contrôle 10 et les surfaces des régions d’intérêt. En d’autres termes, cet indicateur est fiable qu’importe la valeur d’un rapport d’échelle entre la surface de la zone de contrôle 10 et les surfaces des régions d’intérêt.
Préférentiellement, lorsqu’il s’agit du même modèle numérique 1 utilisé lors du contrôle macrographique et du contrôle RXO, la zone de contrôle 10 et chaque région d’intérêt comprennent un nombre de triangles de la tessellation du modèle numérique 1, respectivement. Ainsi, et sont les nombres de triangles compris dans la zone de contrôle 10 et dans la une des au moins une région d’intérêt, respectivement. Avantageusement, puisque et sont définis sur la même tessellation, calculer le taux de recouvrement revient à dénombrer les triangles de la tessellation en commun entre la zone de contrôle 10 et la une des au moins une région d’intérêt.
Un exemple de calcul du taux de recouvrement est donné à la figure 5. Les indices de Jaccard et de recouvrement sont comparés pour illustrer la faible sensibilité de l’indice aux tailles respectives de la zone de contrôle 10 et de la région d’intérêt. Dans cet exemple, les taux de recouvrement entre une seule des régions d’intérêt 5 et plusieurs zones de contrôles 10 sont calculés. Il peut être clairement remarqué que, dans le cas où la région d’intérêt 5 recouvre en grande partie la zone de contrôle 10, l’indice de Jaccard fournit un taux de recouvrement faible alors que l’indice fournit un taux de recouvrement élevé. Ceci est dû au fait que la zone de contrôle 10 en question est deux fois plus grande que la région d’intérêt 5. Dans un tel cas, l’indice de Jaccard fournit une valeur de taux de recouvrement moins fiable que l’indice justifiant de la préférence de ce dernier pour la réalisation d’un procédé selon l’invention
L’étape 104 est ensuite une étape d’association de l’anomalie métallurgique de la zone de contrôle 10 avec l’orientation primaire du grain de l’une des au moins une région d’intérêt 5 en fonction. Cette région d’intérêt 5 est par la suite appelée région d’intérêt associée. L’association est mise en œuvre si le taux de recouvrement entre la zone de contrôle 10 et la région d’intérêt associée satisfait une condition prédéfinie.
La condition prédéfinie est que la région d’intérêt associée est la région d’intérêt parmi la au moins une région d’intérêt pour laquelle le taux de recouvrement est maximal.
Il est en outre possible que la condition prédéfinie soit que le taux de recouvrement dépasse un seuil prédéfini. Ce seuil est par exemple prédéfini par l’opérateur en fonction de ses connaissances métiers. L’intérêt d’un tel seuil est d’éviter des faux positifs en admettant un taux de recouvrement minimal au-delà duquel la zone de contrôle 10 et la région d’intérêt 5 se recouvrent suffisamment pour que l’association de l’anomalie métallurgique avec l’orientation primaire du grain soit pertinente.
Lorsque l’anomalie métallurgique et les orientations primaires du grain sont enregistrées sur la mémoire, l’association de ces deux paramètres comprend des mécanismes pour explorer de façon récursive la mémoire. Le mécanisme repère, grâce à l’identifiant de la région d’intérêt, l’orientation primaire du grain correspond à la région d’intérêt associée.
Il est possible que la mémoire soit hiérarchisée avec des noms de dossiers et des noms de fichiers appropriés pour correspondre aux mesures du contrôle macrographique et du contrôle RXO. Le mécanisme d’exploration de la mémoire est alors un mécanisme d’analyse de noms de dossiers et de fichiers afin de trouver le ou les fichiers contenant l’anomalie métallurgique et le ou les fichiers contenant l’orientation primaire du grain.
Afin de permettre l'allongement du passager, la console 13 peut comporter un espace creux 27 vu par transparence sur la dans lequel est disposé un ottoman 28. L'ottoman 28 comporte une face horizontale formant un repose-pieds sur lequel un passager arrière peut poser ses pieds lorsque le siège 12 se trouve en position "allongée".
L'unité de siège 10 peut également comporter classiquement une tablette repas 26 mobile entre une position stockée (correspondant à celle représentée sur la ) dans laquelle la tablette repas 26 se trouve à l'intérieur d'un logement ménagé dans la console 13 et une position déployée dans laquelle la tablette repas 26 se situe à l'extérieur du logement pour permettre au passager d'y poser un plateau repas.
Comme on peut le voir sur les figures 2a, 2b, et 2c, l'unité de siège 10 comporte en outre un logement de charge à induction 30 pour un appareil électronique portable 31. Cet appareil électronique portable 31 peut prendre la forme d'un téléphone portable, d'une tablette numérique, ou d'un ordinateur portable. Dans la suite de la description, il est fait référence à un téléphone portable à titre d'exemple mais il est clair que ce téléphone portable pourrait être remplacé par tout autre appareil électronique portable susceptible d'être rechargé par induction.
Le logement de charge à induction 30 est situé à l'arrière du dossier 12.2. En l'occurrence, le logement de charge à induction 30 est réalisé dans la face arrière de la coque d'intimité 14. Alternativement, le logement de charge à induction 30 peut être réalisé dans la face arrière du dossier 12.2.
Le logement de charge à induction 30 comporte une face inférieure 32 contre laquelle est destiné à reposer un bord du téléphone portable 31, une face supérieure 33, une face latérale droite 34, une face latérale gauche 35, et un fond de logement 36. Le fond 36 est situé en retrait par rapport à la face arrière de la coque d'intimité 14 ou le cas échéant du dossier 12.2. Les faces 32, 33, 34, 35 s'étendent perpendiculairement par rapport au fond 36.
Le logement de charge à induction 30 présente une orientation verticale, de sorte que le fond 36 du logement de charge à induction 30 s'étend dans un plan vertical P. Le logement de charge à induction 30 est ainsi ouvert vers l'extérieur suivant une direction horizontale. Avantageusement, le logement de charge à induction 30 présente une direction d'allongement longitudinale D1 s'étendant suivant une direction verticale. Alternativement, la direction d'allongement longitudinale D1 peut s'étendre suivant une direction horizontale.
Un dispositif de retenue 41 de l'appareil électronique portable 31 comporte un bras transversal 42. Le dispositif de retenue 41 est configuré pour que le bras transversal 42 maintienne plaqué l'appareil électronique portable 31 contre le fond 36 du logement de charge à induction 30 derrière lequel est disposé le chargeur à induction 38.
A cet effet, le bras transversal 42 présente une direction d'extension longitudinale D2 s'étendant parallèlement par rapport au fond 36 du logement de charge à induction 30. Avantageusement, le bras transversal 42 présente une direction d'extension longitudinale D2 s'étendant suivant une direction horizontale. Dans l'exemple représenté, le bras transversal 42 présente une direction d'extension longitudinale D2 s'étendant perpendiculairement par rapport à la direction d'allongement longitudinale D1 du logement de charge à induction 30. En variante, le bras transversal 42 présente une direction d'extension longitudinale s'étendant suivant une direction verticale.
Avantageusement, le bras transversal 42 s'étend suivant au moins une portion d'une largeur L1 du logement de charge à induction 30, notamment suivant au moins 30%, notamment au moins 50%de la largeur totale du logement de charge à induction 30. De préférence, le bras transversal 42 est configuré pour s'étendre suivant au moins 80% de la largeur L1 du téléphone portable 31 et de préférence suivant toute la largeur du téléphone portable 31.
Le bras transversal 42 est de préférence situé à une hauteur intermédiaire L2 du logement de charge à induction 30 pour assurer un appui homogène sur l'appareil électronique portable 31. La hauteur intermédiaire L2 est comprise entre 20% et 80%, de préférence entre 20% et 50%, de la hauteur totale L3 du logement de charge à induction 30. Les hauteurs L2 et L3 sont mesurées verticalement rapport à la face inférieure 32 du logement de charge à induction 30.
Dans le mode de réalisation des figures 2a, 2b, et 2c, le dispositif de retenue 41 est mobile en rotation autour d'une charnière à ressort 44 ayant un axe horizontal X3.
Plus précisément, le dispositif de retenue 41 comporte deux bras latéraux 45, 46 s'étendant de part et d'autre du bras transversal 42. Chaque bras latéral 45, 46 comporte une extrémité libre connectée à la charnière à ressort 44. La pièce mobile présente ainsi une forme en U inversé de façon à pouvoir soutenir le téléphone portable 31 dans sa partie centrale sans cacher les parties inférieure et latérales du téléphone portable 31.
La charnière à ressort 44 est positionnée en dessous ou au niveau de la face inférieure 32 du logement de charge à induction 30. La charnière à ressort 44 peut être située dans le plan du fond 36 du logement de charge à induction 30. Alternativement, la charnière à ressort 44 peut être décalée vers l'arrière par rapport au plan du fond 36 du logement de charge à induction 30.
Le dispositif de retenue 41 est mobile entre une position ouverte dans laquelle le dispositif de retenue 41 est éloigné par rapport au fond 36 du logement de charge à induction 30 pour permettre une insertion du téléphone portable 31 dans l'espace s'étendant entre le bras transversal 42 et le fond 36 du logement de charge à induction 30 et une position fermée dans laquelle le dispositif de retenue 41 vient en appui, via le bras transversal 42, contre la face avant du téléphone portable 31 pour plaquer ledit téléphone portable 31 contre le fond 36 du logement de charge à induction 30.
En position ouverte, l'écart entre le dispositif de retenue 41 et le fond 36 du logement est de l'ordre de 10mm pour faciliter le positionnement du téléphone portable 31. Lorsqu'aucun téléphone portable 31 n'est placé derrière le bras transversal 42, le bras transversal 42 est plaqué contre le fond 36 du logement de charge à induction 30 ou présente un très faible écart, notamment compris entre 1mm et 5mm par rapport au fond 36 du logement de charge à induction 30. Un tel débattement du dispositif de retenue 41 permet ainsi de s'adapter aisément à des téléphones portables 31 d'épaisseur variable d'un modèle à l'autre.
Selon un mode de réalisation, la cavité comprise entre la couche semiconductrice et la première portion de la région de grille contient un matériau à faible constante diélectrique.
Selon un mode de réalisation, la deuxième portion de la région de grille comprend, par exemple est en, un alliage silicium-germanium polycristallin, la première portion étant par exemple en silicium polycristallin.
Selon un mode de réalisation, la distance, dans la première direction, entre les bords latéraux de la première portion et de la deuxième portion est comprise entre 1 et 30 nm, par exemple entre 1 et 20 nm, voire entre 1 et 10 nm.
Un mode de réalisation prévoit un dispositif électronique comprenant au moins un transistor selon un mode de réalisation.
Un mode de réalisation prévoit un commutateur radiofréquence comprenant au moins un transistor selon un mode de réalisation.
Un mode de réalisation prévoit un procédé de fabrication d'un transistor, le procédé comprenant la formation d’une région de grille sur une couche semiconductrice revêtue d’une couche d’isolant de grille, ladite formation comprenant : - une étape de formation d’une couche conductrice de grille sur la couche d’isolant de grille ; - une première étape de gravure anisotropique, adaptée à graver la couche conductrice de grille préférentiellement selon une direction perpendiculaire au plan de la couche semiconductrice, sur une profondeur inférieure à l’épaisseur de ladite couche conductrice de grille, de sorte à former une première portion de la région de grille présentant une première longueur dans une première direction latérale du transistor; puis - une deuxième étape de gravure, moins anisotropique que la première étape de gravure, adaptée à graver la couche conductrice de grille selon la direction perpendiculaire jusqu’à la couche d’isolant de grille et selon la première direction, de sorte à former une deuxième portion de la région de grille présentant une deuxième longueur dans la première direction inférieure à la première longueur.
Selon un mode de réalisation, la formation de la région de grille comprend en outre, après la deuxième étape de gravure, une troisième étape de gravure adaptée à graver la couche d’isolant de grille préférentiellement selon la direction perpendiculaire.
Selon un mode de réalisation, le procédé comprend en outre, après la formation de la région de grille : - une étape de dépôt d’une couche de matériau à faible constante diélectrique sur la couche semiconductrice, de préférence au moins jusqu’au niveau de la première portion de la région de grille ; puis - une étape de gravure d’une partie de la couche de matériau non couverte par la première portion de la région de grille ; de sorte à remplir la cavité comprise entre la couche semiconductrice et la première portion de la région de grille du matériau à faible constante diélectrique.
Selon un mode de réalisation, la formation de la région de grille comprend en outre, après la deuxième étape de gravure, la formation d’une couche d'oxyde au moins contre les flancs de ladite région de grille, par exemple par une technique de réoxydation thermique de la région de grille.
Selon un mode de réalisation, la couche d'isolant de grille présente une première épaisseur et la formation de la région de grille comprend en outre, après la deuxième étape de gravure, une étape d’oxydation thermique de la couche d'isolant de grille de sorte que ladite couche d'isolant de grille atteigne une deuxième épaisseur supérieure à la première épaisseur en vis-à-vis des bords de la deuxième portion de la région de grille et conserve sensiblement la première épaisseur en vis-à-vis d’une zone centrale de ladite région de grille.
Selon un mode de réalisation : - l’étape de formation de la couche conductrice de grille comprend la formation d’une couche en un alliage silicium-germanium polycristallin sur une couche en silicium polycristallin ; - la première étape de gravure est adaptée à graver la couche en silicium polycristallin ; et - la deuxième étape de gravure est adaptée à graver la couche en l’alliage silicium-germanium polycristallin.
la représente, par une vue en coupe, un exemple de dispositif électronique comprenant un transistor MOSFET ;
la représente, par une vue en coupe, un autre exemple de dispositif électronique comprenant un transistor MOSFET ;
la représente, par une vue en coupe, un dispositif électronique comprenant un transistor MOSFET selon un mode de réalisation ;
la , la , la , la , la et la sont des vues en coupe, illustrant de façon partielle et schématique, des étapes successives d'un exemple de procédé de fabrication d'un transistor MOSFET selon le mode de réalisation de la ;
Au moins une partie de ce poste de pilotage est directement portée par le châssis 2. Ce poste 4 de pilotage n'est pas un panier de nacelle. L'engin 1 peut donc comporter, en sus de ce poste 4 de pilotage autre qu'un panier de nacelle, un panier de nacelle disposé à l’extrémité d’un bras de levage 51 qui sera décrit ci-après.
Cet engin 1 comprend encore un système 5 de manutention de charge qui peut intégrer un panier de nacelle, tel que mentionné ci-dessus.
L'engin 1 comprend encore au moins un dispositif 6 de commande du système 5 de manutention de charge et/ou des organes 3 d'entraînement au sol du châssis 2.
Le ou au moins l'un des dispositifs 6 de commande est configuré pour permettre une commande du système 5 de manutention de charge et/ou des organes 3 d'entraînement au sol du châssis 2 en dehors du ou des postes 4 de pilotage de l'engin 1. Ainsi, dans le cas où l'engin 1 comprend un système 5 de manutention de charge équipé d'un panier de nacelle, le ou un dispositif 6 de commande peut équiper ledit panier de nacelle. En variante et/ou en complément, le ou un dispositif 6 de commande peut être configuré pour permettre à un opérateur positionné à côté de l'engin 1 de commander le système 5 de manutention et/ou les organes 3 d'entraînement au sol à partir du dispositif 6 de commande comme illustré à la .
Ce dispositif 6 de commande peut prendre un grand nombre de formes. Il peut être unique et se présenter sous forme d'un pupitre de commande monté de manière amovible dans le ou les postes 4 de pilotage pour pouvoir être disposé à l'extérieur du ou des postes 4 de pilotage. En variante, il peut être prévu plusieurs dispositifs 6 de commande dédiés chacun à une utilisation.
Ainsi, en sus du dispositif 6 de commande équipant le ou chaque poste 4 de pilotage, un dispositif 6 de commande peut équiper le panier de nacelle lorsqu'il est présent, et l'un des dispositifs de commande peut être un dispositif de commande portable servant à un opérateur placé à côté de l'engin.
Ce dispositif 6 de commande peut comprendre classiquement un levier pivotant, encore appelé joystick, qui permet de commander le groupe motopropulseur et par suite l'entraînement en déplacement des organes 3 d'entraînement au sol du châssis 2. Ce dispositif 6 de commande peut comprendre un second levier pivotant éventuellement équipé d'organes de commande, tels que bouton ou similaire, pour commander le système 5 de manutention.
Ce système 5 de manutention comprend, de préférence, au moins un bras 51 de levage monté mobile au moins entre une position haute et une position basse. Ce bras 51 de levage, qui, dans au moins une position, s'étend suivant la direction avant/arrière de l'engin, est un bras pivotant monté mobile à pivotement autour d'un axe dit horizontal parallèle au plan d'appui au sol de l'engin à l'état positionné de l'engin sur une surface plane horizontale pour le passage du bras 51 de levage d'une position basse à une position haute et inversement. L'axe pivot du bras 51 de levage s'étend, dans au moins une position du bras 51 de levage, transversalement à la direction avant/arrière de l'engin. Ce bras 51 de levage peut être un bras télescopique. Ce bras 51 de levage peut être équipé, à son extrémité, d'un accessoire de manutention de charge, tel qu'une fourche, un panier de nacelle ou autre.