INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Dans tout ce qui précède, le dispositif peut encore comprendre un circuit de normalisation dynamique par l’amplitude de la première harmonique de chaque signal de capteur fourni par le ou les capteurs de position, ce circuit de normalisation dynamique fournissant en sortie des signaux vers le circuit de compensation de défaut d’orthogonalité, fournissant notamment le premier et le deuxième signal d’entrée du circuit de compensation de défaut d’orthogonalité. Ce circuit de normalisation dynamique est ainsi disposé en amont du circuit de compensation de défaut d’orthogonalité. Ce circuit de normalisation dynamique est par exemple réalisé selon l’enseignement de la demande WO2021/121770.
La machine électrique peut présenter une puissance nominale mécanique comprise entre 4 kW et 35 kW, étant par exemple de 4 kW, 8 kW, 15 kW, 25 kW ou 35 kW, ou la machine électrique peut présenter une puissance nominale mécanique comprise entre 40kW et 400kW, étant par exemple de 40kW, 80 kW, 100 kW, 150 kW, 180 kW, 200 kW, 300kW ou 400 kW.
De façon avantageuse, cette étape va notamment consister à consulter la base de données des Zones à Faibles Émissions (ZFE) présentes et futures.
De façon avantageuse, cette étape va notamment consister à vérifier l’existence d’au moins une conversion en version bicarburation au gaz déjà disponible ou prévue d’être disponible pour le type de la voiture (V) de préférence avant la mise en place des Zones à Faibles Émissions (ZFE) interdisant l’accès de sa voiture (V) en fonction de sa motorisation et son année de fabrication ou de sa mise en circulation.
De façon avantageuse ensuite au moins une voiture diesel est convertie en une voiture à bicarburation gazole-gaz suite à cette étape ce qui induit une réduction des particules fines proportionnellement à la proportion de gaz dans le carburant utilisé, sur le lieu de l’usage de la voiture (V).
De façon avantageuse, le procédé exploite une base de données faisant correspondre au VIN de la voiture (V) la composition physique de la voiture (V).
Bien entendu, le constructeur automobile de la voiture (V) dispose de la composition physique de la voiture, et même d’une composition physique très détaillée puisqu’il dispose de la nomenclature de fabrication de chaque voiture fabriquée, nomenclature qu’il conserve ne serait-ce qu’au titre de la traçabilité, traçabilité qui peut être unitaire pour certains composants de sécurité.
A noter que même sans être le constructeur automobile qui a fabriqué la voiture, il est possible d’obtenir a minima les caractéristiques techniques du dossier d’homologation du modèle homologué. En effet il est possible par le traitement de données du VIN d’accéder à l’information du constructeur de la voiture et du modèle.
Le VIN est de la forme par exemple VF73AHC8FJ614969 dont l’entête contient le code du constructeur (VF1, VF3, VF7…) suivi du modèle puis du numéro de série lui-même en l’occurrence une voiture de marque V7 Citroën et le modèle 3A9HC8 qui est un des 172 types homologués pour le C4 Picasso.
A noter que dans la plupart des cas, le VIN permet d’obtenir l’année de fabrication de la voiture (V) sous forme d’un caractère placé après le type. Les années 1971 à 1979 sont indiquées par les chiffres 1-9. Les années 1980 à 2000 sont indiquées par les lettre A, B, C jusqu’à Y, en sachant que les lettres I,O,Q, U et Z ne sont pas utilisées. Les années 2000 à 2009 sont aussi indiquées par les chiffres 1-9. Le système de lettre est en vigueur pour les voitures fabriquées depuis 2010, la lettre A reprenant en 2010. Dans l’exemple du VIN précédent VF73AHC8FJ614969, la lettre est F, correspondant à une fabrication en 2015.
De façon avantageuse, il est possible sans être le constructeur de la voiture (V) d’exploiter une base de données faisant correspondre au type Mine extrait du VIN son Code National d’Identification du Type (CNIT) et ainsi d’accéder à des caractéristiques techniques supplémentaires de la voiture (V).
En particulier, pour les voitures récentes il existe effectivement des bases de données établissant la correspondance entre le type homologué de la voiture sur six caractères par exemple 3A9HC8 et le Code National d’Identification du Type (CNIT) créé en 1995 dans ce cas M10CTRVP007J967 qui contient des informations techniques supplémentaires et notamment de vérifier l’adéquation entre le CNIT et le kit de conversion de la version bicarburation au gaz.
De façon avantageuse, quand la voiture (V) possède une plaque d’immatriculation (PI), le procédé exploite une base de données faisant correspondre la plaque d’immatriculation (PI) à tout ou partie du VIN de la voiture (V).
En effet les Zones à Faibles Émissions (ZFE) sont définies en code INSEE des communes auxquels il faut faire correspondre les codes postaux des adresses des possesseurs des voitures.
Typiquement, le traitement thermique appliqué au produit est un traitement thermique de 5 à 30 minutes à une température de réacteur de 120 à 220 degrés Celsius pour une température de la première farine à la sortie du réacteur entre 25 à 100 degrés Celsius. Optionnellement le traitement thermique appliqué au produit est un traitement thermique de 5 à 15 minutes à une température de réacteur de 150 à 200 degrés Celsius pour une température de la première farine à la sortie du réacteur entre 40 à 80 degrés Celsius.
De préférence, les moyens de convoyage forment eux-mêmes des moyens de chauffage de la farine (les moyens de convoyage étant les seuls moyens de chauffage de l’enceinte ou étant une partie des moyens de chauffage de l’enceinte).
Par exemple les moyens de convoyage forment des moyens de chauffage par alimentation électrique desdits moyens de convoyage.
Par exemple les moyens de convoyage comprennent une vis montée pour tourner dans l'enceinte selon un axe géométrique de rotation afin de déplacer la farine entre l’entrée et la sortie de l’enceinte, la vis étant alimenté électriquement. Par effet Joule, la vis dégage de la chaleur qui permet de chauffer la première farine en contact avec la vis pour son déplacement dans l’enceinte.
Ceci permet en conséquence de traiter la première farine.
Les inventeurs ont ainsi pu constater que le traitement de la première farine était particulièrement efficace avec un réacteur dont les moyens de convoyage formaient également des moyens de chauffage de la première farine par effet Joule.
Le réacteur thermique peut par exemple être un réacteur tel que celui décrit dans la demande WO 2009/095564 de l’une des présentes demanderesses.
Au cours d’une cinquième étape 105, la première farine est ensuite micronisée en une deuxième farine ultrafine. La deuxième farine est ainsi constituée de fines particules présentant un diamètre moyen de quelques microns (par exemple un diamètre moyen inférieur à 40 µm).
A cet effet, l’installation comporte un module de micronisation. De préférence, le module de micronisation est directement raccordé au module de traitement thermique et de préférence encore au réacteur. De la sorte, la première farine en sortie du réacteur est directement introduite dans le module de micronisation.
L’invention s’affranchit ainsi d’un dispositif de refroidissement dédié.
Le module de micronisation est de façon connue en soi un module de micronisation basé sur une technologie à impacts, à attrition, à broches et/ou à compression.
Les particules à l’issue de la micronisation présentent un diamètre moyen très fin inférieur à 50 µm et de préférence inférieur à 30 µm et de préférence inférieur à 10 µm.
Au cours d’une sixième étape 106, on extrait au moins un concentrat de la deuxième farine ainsi micronisée.
Ceci peut classiquement être réalisé par tri des particules de la deuxième farine en fonction de leur taille, de leur densité et/ou de leur comportement électrostatique.
A cet effet, l’installation comporte un module de tri connecté au module de micronisation. Le module de tri se base, de manière connue en soi, sur des technologies telles que la classification par l’air (par exemple par turbo-séparation) et/ou la séparation électrostatique.
Cette sixième étape 106 permet de séparer les concentrats protéinés des concentrats d’amidons et ainsi d’extraire lesdits concentrats.
Galette de silicium liée selon l'un quelconque de à , dans laquelle l'épaisseur du film de silicium réfléchissant les infrarouges est de 25 nm ou plus.
Galette de silicium liée selon l'un quelconque de à , dans laquelle l'épaisseur de la couche de silicium monocristallin est de 3 μm ou plus et de 30 μm ou moins.
Procédé de production de la galette de silicium liée selon l’un quelconque de , , ou comprenant les étapes de :un processus de formation d'une/de couche(s) formée(s) d'un film de silicium amorphe formant une couche formée d'un film de silicium amorphe d'une épaisseur de 15 nm ou plus sur une surface de la galette de silicium pour substrat de support ; un processus de traitement d'activation soumettant une surface de la couche formée d’un film de silicium amorphe et une surface d’une galette de silicium pour couche de silicium monocristallin à un traitement d'activation sous vide à température normale pour rendre les deux surfaces des zones activées ; un processus de liaison, suivant le processus de traitement d'activation, mettant en contact les deux zones activées l'une avec l'autre sous vide à température normale, liant ainsi entre elles les deux zones activées pour former le film de silicium réfléchissant les infrarouges ; et un processus de réduction d'épaisseur, après le processus de liaison, réduisant l'épaisseur de la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin, obtenant ainsi la couche de silicium monocristallin.
Procédé de production de la galette de silicium liée selon l’un quelconque de , , ou comprenant les étapes de :un processus de formation d'une/de couche(s) formée(s) d'un film de silicium amorphe formant une couche formée d'un film de silicium amorphe d'une épaisseur de 15 nm ou plus sur une surface d'une galette de silicium pour couche de silicium monocristallin ; un processus de traitement d'activation soumettant une surface de la couche formée d’un film de silicium amorphe et une surface de la galette de silicium pour substrat de support à un traitement d'activation sous vide à température normale pour rendre les deux surfaces des zones activées ; un processus de liaison, suivant le processus de traitement d'activation, mettant en contact les deux zones activées l'une avec l'autre sous vide à température normale, liant ainsi entre elles les deux zones activées pour former le film de silicium réfléchissant les infrarouges ; et un processus de réduction d'épaisseur, après le processus de liaison, réduisant l'épaisseur de la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin, obtenant ainsi la couche de silicium monocristallin.
Procédé de production de la galette de silicium liée selon l’un quelconque de , , ou comprenant les étapes de :un processus de formation d'une/de couche(s) formée(s) d'un film de silicium amorphe formant des couches formées d'un film de silicium amorphe d'une épaisseur totale de 16 nm ou plus sur chaque surface de la galette de silicium pour substrat de support et d’une galette de silicium pour couche de silicium monocristallin ; un processus de traitement d'activation soumettant chaque surface des couches formées d’un film de silicium amorphe formées sur chaque surface de la galette de silicium pour substrat de support et de la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin à un traitement d'activation sous vide à température normale pour rendre les deux surfaces des zones activées ; un processus de liaison, suivant le processus de traitement d'activation, mettant en contact les deux zones activées l'une avec l'autre sous vide à température normale, liant ainsi entre elles les deux zones activées pour former le film de silicium réfléchissant les infrarouges ; et un processus de réduction d'épaisseur, après le processus de liaison, réduisant l'épaisseur de la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin, obtenant ainsi la couche de silicium monocristallin.
Procédé de production de la galette de silicium liée selon l’un quelconque de à comprenant les étapes de :un processus de formation d'une/de couche(s) formée(s) d'un film de silicium polycristallin formant une couche formée d'un film de silicium polycristallin d'une épaisseur de 15 nm ou plus sur une surface de la galette de silicium pour substrat de support ; un processus de traitement d'activation soumettant une surface de la couche formée d’un film de silicium polycristallin et une surface d’une galette de silicium pour couche de silicium monocristallin à un traitement d'activation sous vide à température normale pour rendre les deux surfaces des zones activées ; un processus de liaison, suivant le processus de traitement d'activation, mettant en contact les deux zones activées l'une avec l'autre sous vide à température normale, liant ainsi entre elles les deux zones activées pour former le film de silicium réfléchissant les infrarouges ; et un processus de réduction d'épaisseur, après le processus de liaison, réduisant l'épaisseur de la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin, obtenant ainsi la couche de silicium monocristallin.
Procédé de production de la galette de silicium liée selon l’un quelconque de à comprenant les étapes de :un processus de formation d'une/de couche(s) formée(s) d'un film de silicium polycristallin formant une couche formée d'un film de silicium polycristallin d'une épaisseur de 15 nm ou plus sur une surface d’une galette de silicium pour couche de silicium monocristallin ; un processus de traitement d'activation soumettant une surface de la couche formée d’un film de silicium polycristallin et une surface de la galette de silicium pour substrat de support à un traitement d'activation sous vide à température normale pour rendre les deux surfaces des zones activées ; un processus de liaison, suivant le processus de traitement d'activation, mettant en contact les deux zones activées l'une avec l'autre sous vide à température normale, liant ainsi entre elles les deux zones activées pour former le film de silicium réfléchissant les infrarouges ; et un processus de réduction d'épaisseur, après le processus de liaison, réduisant l'épaisseur de la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin, obtenant ainsi la couche de silicium monocristallin.
Procédé de production de la galette de silicium liée selon l’un quelconque de à comprenant les étapes de :un processus de formation d'une/de couche(s) formée(s) d'un film de silicium polycristallin formant des couches formées d'un film de silicium polycristallin d'une épaisseur de 16 nm ou plus sur chaque surface de la galette de silicium pour substrat de support et d’une galette de silicium pour couche de silicium monocristallin ; un processus de traitement d'activation soumettant chaque surface des couches formées d’un film de silicium polycristallin formées sur chaque surface de la galette de silicium pour substrat de support et de la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin à un traitement d'activation sous vide à température normale pour rendre les deux surfaces des zones activées ; un processus de liaison, suivant le processus de traitement d'activation, mettant en contact les deux zones activées l'une avec l'autre sous vide à température normale, liant ainsi entre elles les deux zones activées pour former le film de silicium réfléchissant les infrarouges ; et un processus de réduction d'épaisseur, après le processus de liaison, réduisant l'épaisseur de la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin, obtenant ainsi la couche de silicium monocristallin.
Ci-après, le procédé de formation des zones activées sur chacune des galettes de silicium pour substrat de support et la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin, puis de liaison des zones activées des deux galettes ensemble sous vide à température normale est appelé « liaison sous vide à température normale ».
Cette divulgation fournit une galette de silicium liée, d’épaisseur mince et de réflectance aux infrarouges élevée et un procédé de production de celle-ci.
Fig. 1 est une vue en coupe transversale schématique illustrant une galette de silicium liée, conformément à cette divulgation ;
Fig. 2A est une vue en coupe transversale schématique illustrant une galette de silicium liée, conformément à cette divulgation, dans laquelle le film de silicium réfléchissant les infrarouges est fait de silicium amorphe ;.
Fig. 2B est une vue en coupe transversale schématique illustrant le premier aspect d'une galette de silicium liée selon cette divulgation, dans laquelle le film de silicium réfléchissant les infrarouges est formé par une structure stratifiée d'une couche de silicium amorphe et d'une couche de silicium polycristallin ;
Fig. 2C est une vue en coupe transversale schématique illustrant le deuxième aspect d'une galette de silicium liée selon cette divulgation, dans laquelle le film de silicium réfléchissant les infrarouges est formé par une structure stratifiée d'une couche de silicium amorphe et d'une couche de silicium polycristallin ;
Fig. 2D est une vue en coupe transversale schématique illustrant le troisième aspect d'une galette de silicium liée selon cette divulgation, dans laquelle le film de silicium réfléchissant les infrarouges est formé par une structure stratifiée d'une couche de silicium amorphe et de couches de silicium polycristallin ;
L’invention concerne plus particulièrement une boîte de sol qui comporte une paroi latérale comprenant un bord avant et deux portions opposées pourvues de deux rainures présentant chacune une partie de rotation formant un palier de réception d’un tourillon d’un couvercle, la coopération des deux tourillons du couvercle avec les deux parties de rotation desdites rainures autorisant le pivotement du couvercle sur ladite paroi latérale, au moins une desdites rainures comportant une partie de guidage, distincte de ladite partie de rotation, qui s’étend au moins en partie parallèlement audit bord avant.
La partie de guidage facilite la mise en place et l’extraction du tourillon correspondant du couvercle dans la partie de rotation de ladite rainure.
On connaît déjà une boîte de sol telle que précitée dans laquelle la partie de guidage de ladite rainure est complètement parallèle au bord avant de la paroi latérale de ladite boîte de sol et se raccorde directement à la partie de rotation de cette rainure.
Le principal inconvénient d’un tel agencement est que, lors du pivotement du couvercle sur la paroi latérale, pour ouvrir et fermer la boîte de sol en cours d’utilisation, le tourillon du couvercle peut s’engager dans la partie de guidage de ladite rainure et provoquer le démontage intempestif du couvercle.
Afin de remédier à cet inconvénient, l’invention propose une boîte de sol simple de fabrication, dans laquelle l’agencement d’articulation du couvercle sur la paroi latérale est tel qu’il permet d’éviter le démontage intempestif dudit couvercle.
Plus particulièrement, selon l’invention, il est proposé une boîte de sol telle que définie en introduction, dans laquelle ladite rainure comprend entre la partie de rotation et la partie de guidage, une partie de jonction en forme de chicane avec un bord de butée faisant face à ladite partie de rotation et s’étendant selon une direction perpendiculaire audit bord avant, sur une distance supérieure à la hauteur du tourillon.
Ainsi, grâce à l’invention, lors du pivotement du couvercle sur la paroi latérale de la boîte de sol, le tourillon correspondant dudit couvercle est maintenu dans la partie de rotation de ladite rainure par le bord de butée de ladite partie de jonction. Ce tourillon ne peut plus s’engager de manière incontrôlée dans la partie de guidage de cette rainure grâce audit bord de butée. Le démontage du couvercle résulte alors d’une action volontaire d’un usager qui doit déplacer en translation ledit couvercle, perpendiculairement au bord avant de la paroi latérale, afin de faire passer ledit tourillon au-dessus du bord de butée de la partie de jonction pour l’engager dans la partie de guidage de la rainure.
D’autres caractéristiques de la boîte de sol conforme à l’invention sont les suivantes :
- ladite partie de jonction comporte, d’une part, une première section d’extrémité, s’étendant du même côté que ledit bord de butée, communiquant avec ladite partie de guidage, et, d’autre part, une deuxième section d’extrémité, distincte de la première section d’extrémité, faisant face audit bord de butée et communiquant avec ladite partie de rotation ;
- ladite partie de guidage comporte une partie horizontale qui s’étend suivant un axe parallèle audit bord avant et une partie oblique qui s’étend en direction dudit bord avant depuis ladite partie horizontale, selon un axe oblique par rapport audit bord avant, cette partie oblique débouchant dans ladite première section d’extrémité de ladite partie de jonction ;
- la partie de jonction présente un profil en L ou en marche d’escalier et ledit bord de butée se raccorde à un bord de ladite partie de guidage par un bord arrondi à franchir pour ledit tourillon ;
- la partie de jonction est délimitée par un bord horizontal parallèle audit bord avant de la paroi latérale, et un bord vertical perpendiculaire audit bord avant, ledit bord vertical formant ledit bord de butée et ledit bord horizontal s’étendant au-dessus dudit bord arrondi ;
- la partie de guidage, la partie de jonction et la partie de rotation de ladite rainure présentent une largeur correspondant au jeu près à la hauteur dudit tourillon ;
- les parties de rotation des deux rainures sont des parties en arc de cercle ;
- les deux rainures de la paroi latérale sont différentes, l’une desdites rainures comportant uniquement la partie de rotation ;
- les rainures viennent de formation avec ladite paroi latérale, elles débouchent sur les deux faces opposées de cette paroi latérale ;
Un traitement des pièces composites peut également être réalisé pour le recyclage des fibres du composite. Dans ce cas, l’enlèvement de la résine de la préforme fibreuse se fait par pyrolyse, à une température supérieure à la température de dégradation de la résine. Ceci peut présenter comme désavantage d’oxyder les fibres de la pièce composite.
Il existe donc un besoin de fournir un traitement des pièces réalisées en matériau composite, en particulier pour une turbomachine d’aéronef, qui permet de garder l’intégrité des pièces et d’obtenir des surfaces décapées sans détériorer les fibres du composite.
L’invention a pour objectif de proposer une solution simple, efficace et économique à au moins un des inconvénients précités.
A cet effet, l’invention a pour objet un procédé de traitement d’une pièce réalisée en matériau composite, en particulier pour une turbomachine d’aéronef, la pièce comportant des fibres noyées dans une résine et ce procédé comprenant une étape de décapage d’au moins une surface de la pièce.
Selon l’invention, l’étape de décapage est réalisée en projetant un jet d’eau à une pression comprise entre 10 et 2500 bars sur au moins une surface de ladite pièce de façon à y retirer la résine sans affecter les fibres.
Ainsi, cette solution permet d’atteindre l’objectif susmentionné. De manière générale, le procédé selon l’invention permet d’obtenir des surfaces décapées de résine sans détériorer les fibres de la pièce composite.
En particulier, la propulsion par jet d’eau à une pression comprise entre 10 et 2500 bars est un moyen d’usinage permettant d’enlever uniquement la résine sans dégrader les fibres. En effet, le jet d’eau (notamment sans ajout de particules abrasives) permet une érosion de la résine par « effet coin ». L’eau à une pression minimale de 10 bars s’incruste au niveau des microporosités présentes dans la résine, ce qui génère des fissures au sein de la résine. L’eau pénètre ensuite dans les fissures et les élargi jusqu’à retirer des fragments de la résine. Les fibres étant plus résistantes à l’érosion que la résine, ces dernières ne commencent à être érodées que pour des conditions d’usinage plus sévères (par exemple à une pression supérieure notamment à 300 bars).