INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
De plus, selon un mode de réalisation avantageux, la portion horizontale 120 de la paroi supérieure 119 de chacune des première et deuxième plateformes d’attelage 103, 104 comporte un rebord latéral 127 horizontal s'étendant depuis sa face latérale interne 128, c'est-à-dire sa face latérale située du côté de la poutre centrale 102 de la structure 101, et en direction de ladite poutre centrale 102, ledit rebord latéral 127 étant apte à permettre la fixation d'au moins une partie de ladite poutre centrale 102, en particulier la fixation d'une des extrémités longitudinales de l'aile supérieure 107 de cette dernière. Chaque rebord latéral 127 présente avantageusement un congé 129 au niveau de la jonction de chacune de ses faces latérales verticales 130 avec la face latérale interne 128 de la portion horizontale 120, afin de ne pas comporter d'angle vif et de réduire les concentrations de contraintes mécaniques.
Pour les mêmes raisons, la paroi inférieure 122 de chacune des première et deuxième plateformes d’attelage 103, 104 comporte un rebord latéral 131 horizontal s'étendant depuis sa face latérale interne, c'est-à-dire sa face latérale située du côté de la poutre centrale 102 de la structure 101, et en direction de ladite poutre centrale 102, ledit rebord latéral 131 étant apte à permettre la fixation d'au moins une partie de ladite poutre centrale 102, en particulier la fixation d'une des deux parois d'extrémités 110 de l'aile inférieure 108 de cette dernière. Chaque rebord latéral 131 présente avantageusement un congé au niveau de la jonction de chacune de ses faces latérales verticales avec la face latérale interne de la paroi inférieure 122, afin de ne pas comporter d'angle vif et de réduire les concentrations de contraintes mécaniques.
Dans un premier mode de réalisation de l’invention, le dispositif d’activation D, selon l’invention est quant à lui, apte à : Recevoir par ultra haute fréquence le signal en provenance de l’équipement d’accès P comprenant les données représentatives du gyroscope G0 et du magnétomètre M0, comparer les dites données G0, M0 avec des valeurs représentatives du gyroscope G1 et du magnétomètre M1 de l’émetteur E1, et Déterminer une première direction DIR1 de l’utilisateur par rapport à l’émetteur récepteur E1 en fonction de ladite comparaison, Déterminer une deuxième direction DIR2 de l’utilisateur à partir d’une estimation d’un premier angle d’arrivée φ0, φ1 dudit signal vers l’émetteur récepteur E1 par calcul d’un déphasage entre les deux antennes A1, A2 du signal reçu et d’une distance RF0, RF1 entre l’équipement portable P et l’émetteur E1, comparer la première direction DIR1 avec la deuxième direction DIR2, activer la fonction véhicule en fonction du résultat de ladite comparaison.
Dans un deuxième mode de réalisation de l’invention, le dispositif d’activation D est apte à : Recevoir par ultra haute fréquence le signal en provenance de l’équipement d’accès P comprenant les données représentatives du gyroscope G0 et du magnétomètre M0, Estimer un premier angle d’arrivée φ0, φ1 dudit signal vers l’émetteur récepteur par calcul d’un déphasage du signal reçu entre les deux antennes A1, A2, et d’une distance RF0, RF1entre l’équipement d’accès P et l’émetteur E1, comparer les dites données G0, M0 avec des valeurs représentatives du gyroscope G1 et du magnétomètre M1 de l’émetteur E1, et Calculer un deuxième angle d’arrivée φ0’,φ1’ à partir des données de l’équipement portable P et à partir d’une distance RF0,RF1 entre l’équipement d’accès P et l’émetteur E1, Comparer ledit deuxième angle φ1’ avec le premier angle φ1. et activer la fonction véhicule en fonction du résultat de ladite comparaison.
Dans ce but, le dispositif d’activation D comporte un comprend un processeur 100 et une mémoire 101 (cf. ) dans laquelle sont enregistrées des instructions permettant de configurer le processeur pour exécuter certains traitements particuliers, notamment pour mettre en œuvre les étapes du procédé d’activation selon le mode de réalisation comme cela est décrit plus bas.
Le processeur 100 et la mémoire 101 peuvent être compris dans l’émetteur récepteur E1, ou alternativement le processeur 100 et la mémoire 101 peuvent être déportés et compris dans une unité centrale de gestion 10, embarquée dans le véhicule V et reliée électroniquement à l’émetteur récepteur E1 (cf. ).
Le procédé d’activation d’une fonction véhicule, selon l’invention et illustré à la va maintenant être décrit.
Lors d’une première étape E0, on équipe au moins un émetteur récepteur E1 du dispositif d’activation D d’un gyroscope G0, d’un magnétomètre M0, et de deux antennes réceptrices A1, A2 (cf. figures 3 et 4) présentant un coefficient de couplage électromagnétique entre elles inférieur à un seuil. Lors de cette étape E0, l’équipement portable P et le dispositif d’activation DC sont équipés de moyens de communication entre eux en Ultra Haute fréquence, par exemple mais pas de manière limitative en BLE. L’équipement portable P dispose de manière connue en soi d’un magnétomètre M0 et d’un gyroscope G0 intégrés et réalise des mesures fréquentes ou récurrentes avec ces deux capteurs.
Lors de l’étape suivante E1, l’équipement d’accès portable P envoie à chaque pas de l’utilisateur et pour au moins deux pas consécutifs, S0, S1 un signal S comprenant des données représentatives des mesures issues de son gyroscope G0 et de son magnétomètre M0 au véhicule V. Ces données peuvent être des données brutes ou des données traitées par l’équipement P, qui permettent de déterminer la direction de mouvement de l’équipement d’accès P par rapport au nord magnétique.
Cette méthode de détermination de mouvement est connue de l’homme du métier et s’appelle « Pedestrian Dead Reckoning » en anglais, ou « estimation à l’aveugle du pieton » ou encore « système de navigation à l’estime », qui permet d’estimer une trajectoire grâce à un magnétomètre et un gyroscope sans avoir recours à un système plus précis de géo-positionnement.
Une fois les données reçues G0, M0 par l’émetteur récepteur E1, ce dernier les compare avec les valeurs de son gyroscope G1 et de son magnétomètre M1 (étape E2), qui indiquent la position fixe de l’émetteur E1 par rapport au nord magnétique.
Ainsi, il est possible à partir de ces deux ensembles de mesures (G0, M0) et (G1, M1) de déterminer la direction de mouvement (étape E3) sous forme d’un vecteur, de l’équipement d’accès P par rapport à l’émetteur E1 entre les deux pas S0, S1. Ceci est illustré à la .
Puis, dans un premier mode de réalisation de l’invention, à l’étape suivante, E4 le signal en ultra haute fréquence émis par l’équipement d’accès P est reçu par les deux antennes A1, A2 de l’émetteur E1. Les deux antennes A1, A2 étant découplées électromagnétiquement, elles reçoivent chacune le signal avec une phase différente. Il est proposé, selon l’invention de déterminer un déphasage Δθ (étape E4) entre les signaux reçus par chacune des deux antennes A1, A2 permettant ainsi de calculer pour chaque pas, un angle d’arrivée φ0, φ1 du signal en provenance de l’équipement portable P vers l’émetteur E1.
L’émetteur récepteur E1 détermine (étape E5) également pour chaque pas, la distance RF0, RF1 qui le sépare de l’équipement portable P. A partir des valeurs de distance RF0, RF1, et des valeurs d’angle d’arrivée φ0, φ1, l’émetteur E1 peut ainsi calculer une deuxième direction de l’utilisateur, sous la forme d’un vecteur, entre les deux pas S0, S1 (étape E6a).
La détermination du déphasage Δθ entre deux antennes A1, A2 est connue de l’homme du métier, plusieurs algorithmes existent dans ce but, par exemple l’algorithme « MUSIC », ou « Multiple signal classification » en anglais, soit classification de signaux multiples. Cet algorithme de traitement du signal permet de déterminer grâce à deux antennes découplées, A1, A2 un angle d’arrivée par rapport à un récepteur, ici l’émetteur récepteur E1. Ainsi avec deux antennes découplées, il est possible de couvrir un angle entre 0° et 180° et avec trois antennes découplées, il est possible de couvrir un angle de 0° à 360°. Ceci est connu de l’homme du métier.
Le déphasage permet ainsi de déterminer un premier angle d’arrivée φ0, φ1 du signal Ultra Haute Fréquence par rapport à l’émetteur E1.
Dans les étapes suivantes (étape E7a), le procédé selon l’invention propose judicieusement de vérifier la cohérence entre la première direction calculée selon les données du gyroscope et du magnétomètre de l’équipement portable P et la deuxième direction déterminé grâce à l’angle d’arrivée du signal RF et de la distance RF0, RF1 estimée entre l’émetteur E1 et l’équipement portable P.
La vérification de cohérence se fait en comparant les deux vecteurs, soit par une différence, soit par un quotient. Dans cet exemple, nous utiliserons la différence.
Les procédés de traitement d'activation comprennent l'accélération d'éléments ionisés dans une atmosphère de plasma vers la surface du substrat et l'accélération d'éléments ionisés accélérés à partir d'un dispositif à faisceau ionique vers la surface du substrat. En référence à la , le procédé de traitement d’activation est expliqué à l'aide d'un schéma conceptuel illustrant un exemple de dispositif qui met en œuvre ce procédé. L'appareil de liaison sous vide à température normale 930 a une chambre à plasma 931, une entrée de gaz 932, une pompe à vide 933, un dispositif d'application de tension impulsionnelle 934 et des supports à galette(s) 935a, 935b.
Tout d'abord, la galette de silicium pour substrat de support 110 et la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin 120 sont placées sur les supports à galette(s) 935a, 935b dans la chambre à plasma 931, respectivement, et fixées. Ensuite, l'intérieur de la chambre à plasma 931 est dépressurisé par la pompe à vide 933, puis le gaz source est introduit dans la chambre à plasma 931 à partir de l'entrée de gaz 932. Ensuite, une tension négative est appliquée par impulsions aux supports à galette(s) 935a, 935b (ainsi qu'à la galette de silicium pour substrat de support 110 et la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin 120) par le dispositif d'application de tension impulsionnelle 934. Ceci permet de générer un plasma du gaz formant matière première, et accélère et irradie les ions du gaz formant matière première contenus dans le plasma généré en direction de la surface de la couche formée d'un film de silicium amorphe 131 formée sur la galette de silicium pour substrat de support 110 et la surface de la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin 120.
L'élément à irradier est choisi parmi au moins l'un d’Ar, Ne, Xe, H, He et Si.
En référence à S140 en . Comme mentionné ci-dessus, le traitement d'activation dans la liaison sous vide à température normale forme une zone de silicium amorphe dans chacune de la couche formée d'un film de silicium amorphe 131 et la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin 120 à une position en profondeur d'environ 1 nm de la surface, du côté où le faisceau est irradié, et des liaisons pendantes sont formées. Dans ce mode de réalisation, puisque la couche formée d'un film de silicium amorphe 131 est faite de silicium amorphe, la zone activée 132a est formée sur la galette de silicium pour substrat de support 110 sans modifier l'épaisseur de la zone de silicium amorphe, et la zone activée 132b faite de silicium amorphe est formée sur la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin 120. Il convient de noter que ces zones faites de silicium amorphe formées sur les deux galettes de silicium fonctionnent également en tant que couches pièges à gaz (en anglais « gettering layers »). Par exemple, la zone activée 132a, qui est faite de silicium amorphe, est utile en ce qu'elle peut supprimer la diffusion vers l'extérieur de l'oxygène et des impuretés contenues dans la galette de silicium pour substrat de support 110 vers la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin 120.
- Spécificités de la liaison sous vide à température normale -
La pression de chambre dans la chambre à plasma 931 peut être de 1 x10-5 Pa ou moins. Si la valeur est de 1 × 10-5 Pa ou moins, il n'y a pas de risque que le taux de formation de liaisons pendantes soit réduit en raison d’un rattachement des éléments pulvérisés à la surface du substrat.
La tension d'impulsion appliquée à la galette de silicium pour substrat de support 110 et à la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin 120 peut être définie de sorte que l'énergie d'accélération des éléments irradiés par rapport à la surface de substrat tombe entre 100 eV et 10 keV. Si la valeur est de 100 eV ou plus, il n'y a pas de risque que les éléments irradiés se déposent à la surface de substrat, et si la valeur est de 10 keV ou moins, il n'y a pas de risque que les éléments irradiés s'injectent à l'intérieur du substrat, permettant ainsi une formation stable de liaisons pendantes.
La fréquence de la tension d'impulsion détermine le nombre de fois que la galette de silicium pour substrat de support 110 et la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin 120 sont irradiées avec des ions ou des atomes neutres. La fréquence de la tension impulsionnelle peut être comprise entre 10 Hz et 10 kHz. Si la fréquence de la tension d'impulsion est de 10 Hz ou plus, les variations d'irradiation des ions ou des atomes neutres peuvent être absorbées, stabilisant ainsi l'irradiation des ions ou des atomes neutres. Si la fréquence de la tension d'impulsion est de 10 kHz ou moins, la formation de plasma par décharge luminescente est stable.
La largeur d'impulsion de la tension d'impulsion détermine la durée pendant laquelle la galette de silicium pour substrat de support 110 et la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin 120 sont irradiées avec des ions ou des atomes neutres. La largeur d'impulsion est de préférence entre 1 µsec et 10 msec. Si la largeur d'impulsion est de 1 μsec ou plus, les ions ou les atomes neutres peuvent être irradiés de manière stable jusqu’au substrat de support et au substrat pour couche de silicium monocristallin. Si la largeur d'impulsion est de 10 ms ou moins, la formation de plasma par décharge luminescente est stable.
Comme mentionné ci-dessus, la galette de silicium pour substrat de support 110 et la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin 120 ne sont pas chauffées. Par conséquent, la température de chaque galette est la température ambiante (typiquement 30°C à 90°C).
Après le processus de traitement d'activation et le processus de liaison par la liaison sous vide à température normale décrit ci-dessus, le processus de réduction d'épaisseur des galettes de silicium pour couche de silicium monocristallin 120 est effectué (voir S160 en ). Dans ce processus, on réduit l'épaisseur de la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin 120 depuis le côté opposé de la surface stratifiée, obtenant ainsi la couche de silicium monocristallin 121 faite de silicium monocristallin. Pour réduire l'épaisseur, par exemple, la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin 120 peut être meulée et polie. De cette manière, une galette de silicium liée avec une couche de silicium monocristallin 121 de l'épaisseur souhaitée peut être obtenue. L'épaisseur de la couche de silicium monocristallin 121 peut être déterminée selon le dispositif à y former, et est de préférence de 3 μm ou plus et de 30 μm ou moins, ou peut être de 5 μm ou plus, de 10 μm ou plus, de 20 μm ou moins, ou de 15 μm ou moins. Il convient de noter que pour ce meulage et ce polissage, n'importe quel procédé de meulage et de polissage connu ou donné peut être utilisé de manière appropriée, et les exemples spécifiques incluent le meulage de surface et le polissage miroir.
La galette de silicium liée 100 ainsi obtenue comprend la galette de silicium pour substrat de support 110, la couche de silicium monocristallin 121 sur la galette de silicium pour substrat de support 110, et le film de silicium réfléchissant les infrarouges 130, fait de silicium amorphe, prévu entre la galette de silicium pour substrat de support 110 et la couche de silicium monocristallin 121. Le silicium amorphe du film de silicium réfléchissant les infrarouges 130 consiste essentiellement en la couche formée d'un film de silicium amorphe 131 sur le côté de surface de la galette de silicium pour substrat de support 110 et la zone activée 132b formée à la surface de la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin 120, et la couche formée d'un film de silicium amorphe 131 comprend la zone activée 132a formée à la surface de la couche formée d'un film de silicium amorphe 131.
Le premier mode de réalisation du procédé de production de la galette de silicium liée est décrit ci-dessus en référence à la . Dans le premier mode de réalisation, la couche formée d'un film de silicium amorphe 131 a été formée sur la galette de silicium pour substrat de support 110. Cependant, en tant que variante du premier mode de réalisation, la galette de silicium liée 100 illustrée en peut également être produite par le même processus que dans le premier mode de réalisation ci-dessus, sauf que la couche formée d'un film de silicium amorphe 131 est formée sur la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin 120. C'est-à-dire que la galette de silicium liée 100 peut être produite par les étapes suivantes : un processus de formation d'une/de couche(s) formée(s) d'un film de silicium amorphe formant la couche formée d'un film de silicium amorphe 131 faite de silicium amorphe à la surface de la galette de silicium pour la couche de silicium monocristallin 120 ; un processus de traitement d'activation soumettant la surface de la galette de silicium pour substrat de support 110 et la surface de la couche formée d'un film de silicium amorphe 131 sur la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin 120 à un traitement d'activation devant irradier les faisceaux d’ions ou les faisceaux d’atomes neutres 910 sous vide à température normale, formant ainsi les zones activées 132a, 132b sur chacune de la galette de silicium pour substrat de support 110 et la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin 120 ; un processus de liaison, suivant ce processus de traitement d'activation, mettant en contact les deux zones activées 132a, 132b sous vide à température normale, liant ainsi la galette de silicium pour substrat de support 110 et la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin 120 via la couche formée d’un film de silicium amorphe 131 ; et un processus de réduction d’épaisseur réduisant l'épaisseur de la galette de silicium pour la couche de silicium monocristallin 120 depuis le côté opposé de la surface stratifiée, pour faire la couche de silicium monocristallin 121. Puisque les mêmes techniques que celles décrites ci-dessus dans le premier mode de réalisation peuvent être utilisées pour la formation de la couche formée d'un film de silicium amorphe 131, la liaison sous vide à température normale, et le meulage et le polissage pour réduction d'épaisseur, les descriptions redondantes sont omises.
(4. Deuxième mode de réalisation de procédé de production d'une galette de silicium liée)
En référence à la , le procédé de production de la galette de silicium liée 200 selon le deuxième mode de réalisation est décrit. La galette de silicium liée 200 produite dans ce mode de réalisation est, de même que la galette de silicium liée 100 produite dans le premier mode de réalisation, une galette de silicium liée dans laquelle le film de silicium réfléchissant les infrarouges 30 illustré en est fait de silicium amorphe. Par souci de brièveté, les mêmes composants et étapes que dans le premier mode de réalisation sont, en principe, marqué(e)s avec les mêmes numéros de référence aux unités et dizaines, et la description détaillée quant à la configuration est omise, et il en va de même ci-après.
Le procédé de fabrication de la galette de silicium liée 200 comprend les étapes suivantes : un processus de formation d'une couche formée d'un film de silicium amorphe (voir S210 et S220 en ) formant des couches formées d'un film de silicium amorphe 231a, 231b d'une épaisseur de 16 nm ou plus sur chaque surface de la galette de silicium pour substrat de support 210 et de la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin 220 ; un processus de traitement d'activation (voir S230 et S240 en ) soumettant chaque surface des couches formées d’un film de silicium amorphe 231a, 231b formées sur chaque surface de la galette de silicium pour substrat de support 210 et de la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin 220 à un traitement d'activation sous vide à température normale pour rendre les deux surfaces des zones activées 232a, 232b ; un processus de liaison (voir S250 en ), suivant le processus de traitement d'activation, mettant en contact les deux zones activées 232a, 232b l'une avec l'autre sous vide à température normale, liant ainsi entre elles les deux zones activées 232a, 232b pour former le film de silicium réfléchissant les infrarouges 230 ; et un processus de réduction d'épaisseur (voir S260 en ), après le processus de liaison, réduisant l'épaisseur de la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin 220, obtenant ainsi la couche de silicium monocristallin 221.
ledit dispositif étant caractérisé en ce qu’il est adapté pour répartir au moins certains des bits de la séquence en 3 ensembles de bits distincts, chaque bit étant associé à un numéro d’index fonction de son rang au sein au moins desdits certains bits : un premier ensemble de bits pour définir la clef secrète, un deuxième ensemble de bits égaux à 0 et un troisième ensemble de bits égaux à 1 ; chaque bit d’au moins les deuxième et troisième ensembles étant associé, dans une mémoire du dispositif, à son numéro d’index ; si le dispositif effectue l’opération (j), le dispositif est adapté pour, lors de ladite opération : (j0) calculer les bits de parité en fonction de de bits du premier ensemble ;
(j1) coder, selon un code prédéterminé, la valeur de chaque bit de parité calculé par une suite de bits b1 b2…bn de longueur n supérieure ou égale à 1 ;
(j2) pour chaque bit bi, i = 1 à n : si et seulement si bi = 0, sélectionner un des bits du deuxième ensemble et si et seulement si bi = 1, sélectionner un des bits du troisième ensemble ;
(j3) pour transmettre les informations relatives aux bits de parité calculés : transmettre, sur le canal classique, pour chaque bit de parité calculé, une suite ind1 ind2 …indn où indi indique le numéro d’index associé audit bit sélectionné dans le deuxième ou troisième ensemble à l’étape j2 pour le bit bi ; si le dispositif effectue l’opération (jj), le dispositif est adapté pour, lors de ladite opération : les informations reçues en provenance de l’autre dispositif comportant, pour chacun desdits bits de parité, une suite ind1 ind2 …indn où indi, i = 1 à n avec n ≥ 1, indique un numéro d’index associé à un bit dans le deuxième ou troisième ensemble, pour chaque bit de parité : déterminer la valeur du bit bi associé, dans la mémoire du dispositif, au numéro d’index indi pour i = 1 à n, et décodage selon un code déterminé, de la valeur de chaque bit de parité en fonction de la suite de bits b1 b2…bn déterminée pour ledit bit de parité ;
effectuer, en fonction des dites valeurs des bits de parité ainsi décodées, ladite détection d’erreurs dans le premier ensemble de bits pour définir la clé secrète.
La représente schématiquement un système de génération de clé QKD dans un mode de réalisation de l’invention ;
La représente les étapes d’un procédé de distribution de clé quantique dans un mode de réalisation de l’invention ;
La illustre la transmission et détection d’une séquence de qubits dans un mode de réalisation de l’invention ;
La représente un exemple de partitionnement de la séquence aléatoire de qubits en trois ensembles effectué dans D_ALICE et D_BOB ;