Transistor à effet de champ (2) comprenant : un substrat (21) ; une couche de canal d’électrons (22) disposée sur le substrat (21) ; une couche barrière (23) disposée sur la couche de canal d’électrons (22) ; une couche de canal de trous (24) disposée sur la couche barrière (23) ; une couche de matériau semi-conducteur dopé de type p (25) disposée sur la couche de canal de trous (24) ; une électrode de source (27) comprenant une première portion (27a) en contact ohmique avec la couche de canal d’électrons (22) et une deuxième portion (27b) en contact ohmique avec la couche de matériau semi-conducteur dopé de type p (25) ; une électrode de drain (28) en contact ohmique avec la couche de canal d’électrons (22) ; une électrode de grille (29) disposée en regard de la couche de matériau semi-conducteur dopé de type p (25), entre les électrodes de source et de drain (27-28). Transistor (2) selon la revendication 1, dans lequel la couche de matériau semi-conducteur dopé de type p (25) s’étend de façon continue de l’électrode de source (27) jusqu’à l’électrode de drain (28) et dans lequel l’électrode de drain (28) est en contact Schottky avec la couche de matériau semi-conducteur dopé de type p (25). Transistor (2) selon la revendication 1, dans lequel la couche de matériau semi-conducteur dopé de type p (25) s’étend de façon discontinue de l’électrode de source (27) jusqu’à l’électrode de drain (28) et dans lequel l’électrode de drain (28) est en contact ohmique avec la couche de matériau semi-conducteur dopé de type p (25). Transistor (2) selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la couche de canal d’électrons (22) et la couche de canal de trous (24) sont formées d’un même matériau, par exemple du nitrure de gallium non intentionnellement dopé. Transistor (2) selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel la couche de matériau semi-conducteur dopé de type p (25) est une couche de nitrure de gallium dopé de type p. Transistor (2) selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel la couche de canal d’électrons (22) est constituée de nitrure de gallium non intentionnellement dopé et dans lequel la couche barrière (23) est constituée de nitrure d’aluminium-galium, de préférence non intentionnellement dopé. Transistor (2) selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel l’électrode de grille (29) est séparée de la couche de matériau semi-conducteur dopé de type p (25) par une couche diélectrique (30). Transistor selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel la couche de matériau semi-conducteur dopé de type p (25) présente une concentration en impuretés dopantes comprise entre 1.10 17 cm -3 et 1.10 18 cm - . Transistor selon l’une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel la couche barrière (23) est constituée de nitrure d’aluminium-galium et présente une taux d’aluminium compris entre 15 % et 25 %. Transistor selon l’une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel la couche barrière (23) est constituée de nitrure d’aluminium-galium et présente une épaisseur (t AlGaN ) comprise entre 2 nm et 10 nm. Circuit intégré (100) comprenant : un substrat (21) ; une couche de canal d’électrons (22) disposée sur le substrat (21) ; une couche barrière (23) disposée sur la couche de canal d’électrons (22) ; une couche de canal de trous (24) disposée sur la couche barrière (23) ; une couche de matériau semi-conducteur dopé de type p (25) disposée sur la couche de canal de trous (24) ; une première électrode de source (27) comprenant une première portion (27a) en contact ohmique avec la couche de canal d’électrons (22) et une deuxième portion (27b) en contact ohmique avec la couche de matériau semi-conducteur dopé de type p (25) ; une première électrode de drain (28) en contact ohmique avec la couche de canal d’électrons (22) ; une première électrode de grille (29) disposée en regard de la couche de matériau semi-conducteur dopé de type p (25), entre les électrodes de source et de drain (27-28) ; une deuxième électrode de source (31) en contact ohmique avec la couche de canal d’électrons (22) ; une deuxième électrode de drain (32) en contact ohmique avec la couche de canal d’électrons (22) ; et une structure de grille (33) disposée entre les deuxièmes électrodes de source et de drain ; circuit dans lequel les premières électrodes de source (27), de drain (28) et de grille (29), appartiennent à un transistor à effet de champ (2) selon l’une quelconque des revendications 1 à 10 et dans lequel la deuxième électrode de source (31), la deuxième électrode de drain (32) et la structure de grille (33) appartiennent à un transistor à haute mobilité d’électrons (3). Circuit intégré (100) selon la revendication 11, dans lequel la première électrode de drain (28) est reliée électriquement à la deuxième électrode de drain (32) de sorte à être soumise au même potentiel électrique. Circuit intégré (100) selon l’une des revendications 11 et 12, dans lequel la structure de grille (33) du transistor à haute mobilité d’électrons (3) comprend une portion (331) de la couche de matériau semi-conducteur dopé de type p (25) et une deuxième électrode de grille (332) disposée en regard de ladite portion (331).