INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
BREVE DESCRIPTION DES FIGURES Les figures sont présentées à titre indicatif et nullement limitatif de l’invention. La représente schématiquement, en vue de dessus, un premier mode de réalisation de la structure d’interconnexion ; La est une vue en coupe de la structure d’interconnexion selon le premier mode de réalisation ; La est une vue en coupe de la structure d’interconnexion selon un deuxième mode de réalisation ; La est un schéma synoptique illustrant l’enchaînement des étapes du procédé de fabrication de la structure d’interconnexion ; La est un schéma synoptique illustrant un mode de mise en œuvre préférentiel de la troisième étape du procédé de fabrication ; La est un schéma synoptique illustrant un mode de mise en œuvre préférentiel de la quatrième sous-étape de la troisième étape du procédé de fabrication ; Les figures 7A à 7G représentent en vue de coupe des étapes ou sous-étapes de fabrication de la structure d’interconnexion ; La représente schématiquement un système d’analyse d’un échantillon, comprenant la structure d’interconnexion ; La est une vue agrandie de la centrée sur la structure d’interconnexion dans le système d’analyse et sur un échantillon disposé sur la structure d’interconnexion.
Dans la description, le terme « optiquement transparent », ou « transparent », est dit de tout matériau ou élément qui présente un coefficient de transmission optique supérieur à 85% pour au moins une longueur d’onde comprise dans la bande spectrale s’étendant dans le domaine du visible, soit entre 400 nm et 800 nm.
Un premier aspect de l’invention concerne une structure d’interconnexion 1 optiquement transparente comprenant une pluralité d’électrodes traversantes 20.
La structure d’interconnexion 1 est par exemple destinée à s’interfacer entre un échantillon biologique et un dispositif électronique ou électro-optique pour imager l’activité électrique et/ou optique dudit échantillon.
De préférence, les vides entre les fibres 5 de l’enchevêtrement 3D de la matelassure 3 sont laissés libres. On obtient une matelassure très respirante, en raison des nombreux inter-espaces entre les fibres qui favorisent la circulation d’air.
La couche de matelassure d’assise 3a, s’étend longueur suivant une direction longitudinale Xa de l’assise d’un bord arrière jusqu’à un bord avant de l’assise, et en largeur suivant une direction transversale Ya de l’assise d’un premier bord latéral jusqu’à un second bord latéral, ainsi qu’en épaisseur suivant une direction orthogonale Za, qui est orthogonale à la direction longitudinale et à la direction transversale de l’assise. L’épaisseur de la couche de matelassure d’assise peut être comprise entre 60mm à 100mm.
La couche de matelassure de dossier 3b s’étend en longueur suivant une direction longitudinale Xb du dossier d’un bord inférieur vers un bord supérieur du dossier, et en largeur suivant une direction transversale Yb du dossier d’un premier bord latéral jusqu’à un second bord latéral, ainsi qu’en épaisseur suivant une direction orthogonale Zb qui est orthogonale à la direction longitudinale et à la direction transversale du dossier. L’épaisseur de la couche de matelassure de dossier peut être comprise entre 23 mm à 50 mm.
L’interface 4, en particulier l’interface d’assise 4a ou l’interface de dossier 4b peut comprendre un matériau entièrement ou partiellement en plastique. Par exemple, ladite interface 4 est en ABS (acrylonitrile butadiène styrène) et /ou PC (Polycarbonate) et/ou P/E (Copolymère Polypropylène/Polyéthylène).
En particulier ladite interface de dossier 4b peut comprendre :
- au moins une coque déformable 90 de dossier, recevant la matelassure qui est une matelassure de dossier 3b, ladite coque déformable 90 étant configurée pour prendre différentes formes notamment depuis une position initiale de lordose lombaire et en particulier jusqu’à une position finale de cyphose lombaire, en réponse à une charge variable appliquée par le dos de l’occupant du siège,
- un système couplant ladite coque déformable 90 de dossier à la structure comprenant des liens supérieurs de contrôle de déplacement91s, et des liens inférieurs de contrôle de déplacement91i.
Les liens supérieurs de contrôle de déplacement 91s et/ou les liens inférieurs de contrôle de déplacement 91i sont typiquement des liens articulés qui peuvent comprendre des bielles.
Selon un autre mode de réalisation la matelassure 3, en particulier d’assise et de dossier peut être associée à une structure de siège, qui comprend une suspension SUP typiquement métallique, en particulier, tel qu’illustrée à la :
- une suspension SUP typiquement métallique reliant une entretoise avant et une entretoise arrière d’une structure d’assise, les entretoises reliant un flasque droit et un flasque gauche de la structure d’assise,
- une suspension SUP typiquement métallique reliant un montant droit et un montant gauche d’une structure de dossier.
Encore, selon un autre mode de réalisation, la matelassure peut être associée à un support ST, typiquement préassemblé la matelassure, et qui autorise notamment un assemblage à une structure de siège typiquement dépourvue d’interface ou de suspension, tel qu’illustrée à la .
Il va maintenant être décrit un procédé de fabrication d’un enchevêtrement 30 de fibres. Le procédé de fabrication est un procédé de fabrication en continu comprenant, tel qu’illustré schématiquement à la :
- /A/ extrusion d’un polymère thermoplastique dans une filière d’extrusion 6 comprenant des buses d’extrusion 60 reparties suivant une direction en longueur X6 et suivant une direction en largeur Y6 de la filière d’extrusion, générant un rideau de fibres continues fondues 50, chutant par gravité,
- /B/ réception du rideau de fibres continues fondues chutant par gravité entre deux organes de guidage 7, 8 contrarotatifs, avec une génération d’un enchevêtrement 3D de fibres 5 selon une répartition aléatoire avec fusion des boucles entre les fibres continues, en particulier selon une couche d’épaisseur déterminée par l’entraxe ETR entre les deux organes contrarotatifs 7, 8,
La correspond à une structure obtenue à l’issue d’une étape de gravure de la couche d’isolant 336 de manière à former des espaceurs isolants 236 sur les flancs de la région de grille 230 recouverte par la couche d’oxyde 334.
La correspond à une structure obtenue à l’issue : - d’une étape de gravure des parties de la couche d’oxyde 334 non recouvertes par les espaceurs isolants 236, formant la fine couche d’oxyde 234 de protection ; puis - d’une deuxième étape d’implantation ionique pour former les régions de source 224 et de drain 226 dans la couche semiconductrice 320, formant la couche semiconductrice 220 avec les régions de source, de drain, de corps et de canal.
Pour un transistor NMOS, les première et deuxième étapes d’implantation ionique peuvent utiliser des dopants de type n tels que l'arsenic (As) ou le phosphore (P). Pour un transistor PMOS, les première et deuxième étapes d’implantation ionique peuvent utiliser des dopants de type p tels que le bore (B).
La représente, par une vue en coupe, un dispositif électronique comprenant un transistor MOSFET 400 selon un autre mode de réalisation.
Le transistor 400 se distingue du transistor 200 de la essentiellement en ce que l’épaisseur e1 de l’isolant de grille 432 sous une zone centrale de la région de grille 430 est inférieure à l’épaisseur e2 de l’isolant de grille 432 sous des zones périphériques de la région de grille, par exemple notamment autour des zones où l’isolant de grille 432 n'est pas recouvert par la portion inférieure 430B de la région de grille 430.
A titre d'exemple, entre la région de grille 430 et la couche semiconductrice 220, l’isolant de grille 432 a une épaisseur décroissante à partir des bords de la portion inférieure 430B de la région de grille 430 en direction du centre de ladite région de grille. Par exemple, l’épaisseur de l’isolant de grille décroit de façon sensiblement continue entre l’épaisseur e2 et l’épaisseur e1, dans la direction X de la longueur de canal du transistor depuis les bords de la portion inférieure 430B de la région de grille 430 jusqu’à une zone centrale de la région de grille.
A titre d'exemple, l’épaisseur e1 est comprise entre 1 et 6 nm, voire entre 2 et 3 nm, et l’épaisseur e2 est comprise entre 5 et 10 nm, voire entre 5 et 7 nm.
Cette augmentation d’épaisseur peut être obtenue par une étape d’oxydation thermique de la couche d'isolant de grille 432, après l’étape de gravure formant la région de grille 430. A titre d'exemple, l'étape d'oxydation thermique est réalisée à une température comprise entre 300°C et 1200°C, par exemple comprise entre 500°C et 1000°C, par exemple de l'ordre de 900°C. A titre d'exemple, l'étape d'oxydation thermique est une oxydation thermique rapide, réalisée pendant une durée comprise entre 1 seconde (s) et 2 minutes (min), par exemple comprise entre 20 s et 1 min, par exemple de l'ordre de 35 s.
La prévision d’un isolant de grille 432 relativement épais (épaisseur e2) sous une zone périphérique de la région de grille 430 permet de réduire la capacité parasite Coff, à l’état bloqué, du transistor 400, entre la couche semiconductrice 220 et la région de grille 430. Le maintien d’une épaisseur relativement faible de l’isolant de grille 432 (épaisseur e1) sous une zone centrale de la région de grille 430 permet en revanche de diminuer ou de ne pas augmenter de façon significative la résistance Ron à l’état passant du transistor. On peut ainsi obtenir une diminution particulièrement intéressante du produit Ron.Coff, notamment pour des applications de commutation de signaux RF.
Cet effet de diminution du produit Ron.Coff peut être particulièrement renforcé dans la mesure où la région de grille du transistor comprend une encoche en partie inférieure. En effet, l’oxydation, et ainsi l’augmentation d’épaisseur, peut être réalisée sensiblement sous l’encoche et ainsi au niveau d’une zone de chevauchement diminuée du fait de cette forme de région de grille, et la combinaison de la diminution de la longueur de chevauchement et de l’augmentation d’épaisseur d’isolant au niveau de cette zone de chevauchement permet de réduire davantage la capacité parasite Coff.
En outre, on a représenté dans la , pour l’exemple, une longueur d’encoche L5’ inférieure à la longueur d’encoche L5 du transistor 200 de la . Cette caractéristique n’est pas nécessairement combinée avec la caractéristique précédemment décrite.
La représente, par une vue en coupe, un dispositif électronique comprenant un transistor MOSFET 500 selon un autre mode de réalisation.
Le transistor 500 se distingue du transistor 200 de la principalement par trois caractéristiques qui peuvent être considérées individuellement ou en combinaison.
Le transistor 500 peut comprendre une couche d’oxyde 534, par exemple en SiO 2 , plus épaisse que la couche d’oxyde 234 de la , par exemple supérieure à 5 nm.
Cette couche d’oxyde plus épaisse peut être obtenue par une étape de réoxydation de la région de grille 530 (par exemple, par une technique de réoxydation thermique usuelle de la microélectronique), après l’étape de gravure destinée à former ladite région de grille. On peut alors la nommer "couche de réoxydation de la région de grille" ou "couche de réoxydation". Cette étape de réoxydation peut être suivie (ou précédée) d’un dépôt chimique en phase vapeur (CVD), par exemple avec le TEOS comme précurseur.
Cette couche d’oxyde plus épaisse peut permettre de réduire davantage la capacité de chevauchement Cov.
La représente schématiquement une vue agrandie de la structure d’interconnexion 1 dans le système 8 et l’échantillon 82 disposé sur la structure d’interconnexion 1.
La source de lumière 80 est apte à produire une onde lumineuse O1, dite onde lumineuse incidente O1, en direction de l’échantillon 82, selon une direction de propagation Zo.
La source de lumière 80 émet dans la bande spectrale s’étendant entre 400 nm et 800 nm, dite bande visible. Dans le cas où la source de lumière comporte plusieurs sources élémentaires de type diodes électroluminescentes (LED, acronyme de « Light Emitting Diodes » en anglais) ou de type diodes laser, les sources élémentaires émettent préférentiellement dans la même bande visible.
La source de lumière 82 peut comprendre un diaphragme, un filtre, ou un diffuseur (non représentés).
La source de lumière 82 peut comprendre un polariseur (non représenté).
La structure d’interconnexion 1 est disposée en regard de la source de lumière 80.
L’échantillon 82 est disposé sur la première face 11 du substrat 10 de la structure d’interconnexion 1.
En référence à la , l’échantillon 82 est plus particulièrement disposé en une couche 2D de neurones 821 sur la première face 11 du substrat 10. Les neurones 821 sont par ailleurs disposés dans le volume 823 d’une chambre fluidique 824, le volume 823 de la chambre fluidique 824 étant rempli d’un liquide, ou milieu de culture 822, circulant ou non et permettant de cultiver les neurones 821. La chambre fluidique 824 est réalisée dans un matériau optiquement transparent, par exemple en polydiméthylsiloxane ou PDMS. Elle a de préférence des dimensions micrométriques de sorte que la structure d’interconnexion 1 peut recevoir plusieurs chambres fluidiques.
La structure d’interconnexion 1 est suffisamment rigide pour recevoir l’échantillon 82.
Le dispositif électro-optique 81 est disposé en regard de la deuxième face 12 du substrat 10 de la structure d’interconnexion 1.
Par dispositif électro-optique, on désigne un dispositif optique comprenant au moins un élément à commande de signal présentant un effet électro-optique, cet élément à commande de signal étant utilisé pour moduler un faisceau de lumière traversant le dispositif 81.
En référence à la , le dispositif électro-optique 81 peut comprendre un film d’interface 811, par exemple une couche de polyamide, disposée entre la structure d’interconnexion 1 et l’élément à commande de signal 813 présentant un effet électro-optique.
L’élément à commande de signal 813 présentant un effet électro-optique est de préférence un cristal liquide. Un cristal liquide a la propriété de moduler la polarisation de la lumière qui le traverse sous l’effet d’un signal électrique qui lui est appliqué via une électrode de commande.
Dans l’exemple de réalisation donné figures 8 et 9, le dispositif électro-optique 81 est une cellule de cristaux liquides 812 dont les électrodes de commande 814 sont disposées en regard des électrodes traversantes 20 de la structure d’interconnexion 1. Chaque cristal liquide 813 de la cellule de cristaux liquides 812 est commandé par le signal électrique Vin émis par une cellule 821 de l’échantillon 82 et transmis par la structure d’interconnexion 1. Sous l’effet de ce signal électrique Vin, le cristal liquide 813 module localement l’onde lumineuse transmise O2 par l’échantillon et par la structure d’interconnexion 1. L’onde lumineuse modulée localement O 3 contient l’information de l’activité électrique de l’échantillon 82.
Un analyseur de lumière comprenant un capteur d’image et un polariseur (non représentés) peut être utilisé pour enregistrer l’image de l’onde lumineuse transmise et modulée O 3 par le système 8.
Le signal électrique Vin de l’échantillon est transmis directement et fidèlement, c’est-à-dire en respectant la distribution spatiale dudit signal électrique, à travers la structure d’interconnexion 1, cela grâce aux électrodes traversantes 20 de la structure d’interconnexion 1.
La montre un véhicule 10c. Le véhicule 10c a une vitre 12c. Le véhicule 10c est équipé en seconde monte selon le procédé. Le véhicule 10c a une autre variante de dispositif de nettoyage 36c. Le dispositif de nettoyage 36c est prévu pour nettoyer la vitre 12c. Le véhicule 10c a un réservoir de liquide de nettoyage 42c. Le réservoir 42c contient un liquide de nettoyage encore appelé liquide lave-glace. Le dispositif de nettoyage 36c a une unité de pulvérisation 14c fixe. L’unité de pulvérisation fixe 14c comporte deux éléments de pulvérisation 24c fixes par rapport à la vitre 12c du véhicule. L’unité de pulvérisation fixe 14c pourrait également comporter seulement un élément de pulvérisation 24c fixe par rapport à la vitre 12c du véhicule. L’élément de pulvérisation 24c applique du liquide de nettoyage sur la vitre 12c. Le dispositif de nettoyage 36c a un essuie-glace 18c. L’essuie-glace 18c a une autre unité de pulvérisation 16c montée mobile par rapport à la vitre 12c du véhicule. Le dispositif de nettoyage 36c comporte une unité de conduite 26c.
L’unité de conduite 26c est installée en seconde monte. L’unité de conduite 26c remplace l’unité de conduite d’origine du véhicule10c. L’autre unité de pulvérisation 16c est reliée à la pompe 20c par l’unité de conduite 26c. L’unité de conduite 26c a une soupape commutable 22c. La soupape commutable 22c est prévue pour alimenter l’unité de pulvérisation fixe 14c ou l’autre unité de pulvérisation 16c en liquide de nettoyage. La soupape commutable 22c est une soupape ou vanne à trois voies. La soupape commutable comporte trois orifices. On peut également envisager une soupape 22c comme soupape à 3/2 voies. Avec une soupape à 3/3 voies on pourrait activer l’unité de pulvérisation fixe 14c ou l’autre unité de pulvérisation 16c car elle comporterait trois branchements et trois positions de commutation. Le raccord 54c relie l’autre unité de pulvérisation 16c à la pompe 20c. L’unité de conduite 26c vers l’autre unité de pulvérisation 16c de l’essuie-glace 18c est équipée d’un clapet antiretour 28c. Le clapet antiretour 28c évite le retour du liquide de nettoyage. Le clapet antiretour 28c pourrait, par exemple, être un clapet antiretour à bille ou un clapet antiretour à ressort.
La est un ordinogramme schématique d’un procédé 32c pour l’équipement en seconde monte du véhicule 10c et remplacer l’unité de pulvérisation fixe 14c d’origine reliée seulement à la pompe 20c. Dans au moins une étape d’installation 60c on sépare l’unité de pulvérisation fixe 14c de la pompe 20c. Le tuyau qui relie la pompe 20c et l’unité de pulvérisation fixe 14c est démonté du véhicule 10c. Dans une étape d’installation 58c on relie l’autre unité de pulvérisation 16c de l’essuie-glace 18c à la pompe 20c de l’unité de pulvérisation fixe 14c. Dans l’étape d’installation 58c on installe pour cela une nouvelle unité de conduite 26c qui relie l’autre unité de pulvérisation 16c à la pompe 20c en plus à l’unité de pulvérisation fixe 14c. L’unité de conduite 26c mise en place dans l’étape d’installation 58c est équipée de la soupape commutable 22c.
Dans une variante d’étape d’installation 58a par rapport à l’étape d’installation 58c, on relie également l’autre unité de pulvérisation 16c de l’essuie-glace 18a à la pompe 20a de l’unité de pulvérisation fixe 14a. Dans cette variante d’étape d’installation 58a on installe également une nouvelle unité de conduite 26a qui relie l’autre unité de pulvérisation 16a en plus à l’unité de pulvérisation fixe 14a à la pompe 20a. L’unité de conduite 26a installée dans l’étape d’installation 58c ne comporte toutefois pas de soupape commutable. Dans une variante d’étape d’installation 58b par rapport à l’étape d’installation 58c, on relie également l’autre unité de pulvérisation 16b de l’essuie-glace 18b à la pompe 20b de l’unité de pulvérisation fixe 14b. Dans une autre variante d’étape d’installation 58b on installe une nouvelle unité de conduite 26b qui relie l’autre unité de pulvérisation 16b à la pompe 20b à la place de l’unité de pulvérisation fixe 14b. Dans ce cas, l’unité de pulvérisation fixe 14b reste non raccordée après l’installation en seconde monte et ainsi elle est neutralisée. Dans au moins une autre étape d’installation 62c on fournit l’autre unité de pulvérisation 16c prête à fonctionner.
La montre un ordinogramme schématique d’un procédé 34c pour la gestion du véhicule 10c équipé en seconde monte. Dans une étape de fonctionnement 64c on active au choix l’autre unité de pulvérisation 16c de l’essuie-glace 18c ou de l’unité de pulvérisation fixe 14c. Dans l’étape de fonctionnement 64c on choisit entre l’unité de pulvérisation fixe 14c et l’autre unité de pulvérisation 16c de l’essuie-glace 18c avec la soupape commutable 22c. Selon le choix, on règle la position de la soupape commutable 22c dans une autre étape de fonctionnement 66c pour pulvériser du liquide de nettoyage sur la vitre 12c du véhicule avec cette autre unité de pulvérisation 16c de l’essuie-glace 18c, par l’unité de pulvérisation fixe 14c ou par l’unité de pulvérisation fixe 14c et en même temps avec l’autre unité de pulvérisation 16c de l’essuie-glace 18c.
La montre, à titre d’exemple, l’un des multiples systèmes d’équipement de seconde monte 38c envisageable pour l’équipement en seconde monte du véhicule 10c avec le dispositif de nettoyage 36c. Le système d’équipement de seconde monte 38c comprend l’essuie-glace 18c muni de l’autre unité de pulvérisation 16c. Le système d’équipement de seconde monte 38c comprend l’unité de conduite 26c. Le système d’équipement de seconde monte 38c comprend la soupape commutable 22c. Le système d’équipement de seconde monte 38c comprend le clapet antiretour 28c.
La montre un équipement 40c pour l’installation de seconde monte de dispositifs de nettoyage 36c sur différents véhicules 10c. Par exemple, l’équipement 40c comporte différents composants pour l’installation de seconde monte de l’autre dispositif de nettoyage 36c. En variante, l’équipement 40c, en variante ou en plus pourrait également avoir des composants pour l’installation de seconde monte d’autres dispositifs de nettoyage 36a, 36b décrits. L’équipement 40c comprend un ensemble de balais d’essuie-glace 18c, 18’c, 18’’c différents les uns des autres. Ces différents essuie-glace 18c, 18’c, 18’’c sont destinés à différents véhicules 10c. Les essuie-glaces 18c, 18’c, 18’’c ont des unités de pulvérisation 16c, 16’c, 16’’c différentes les unes des autres. Les essuie-glaces 18c, 18’c, 18’’c ont d’autres unités de pulvérisation 16c, 16’c, 16’’c différentes. Les autres unités de pulvérisation 16c, 16’c, 16’’c ont des diamètres différents, des longueurs différentes et des raccords différents pour être reliés aux essuie-glaces 18c, 18’c, 18’’c. L’équipement 40c se compose d’un ensemble d’unités de conduite 26c, 26’c, 26’’c, différentes. Les unités de conduite 26c, 26’c, 26’’c sont différentes, par exemple, par leur longueur ou leur diamètre.
On peut également envisager que les unités de conduite 26c ; 26’c ; 26’’c correspondent à des matières différentes ou à des couleurs différentes pour simplifier l’association à différents véhicules 10c. Les unités de conduite 26c ; 26’c ; 26’’c peuvent également avoir des fixations spécifiques aux véhicules ou des tracés spécifiques tels que, par exemple des coudes ou des angles. Les différentes unités de conduite 26c, 26’c ; 26’’c sont fournies pour différents véhicules 10c qui assurent les différentes fonctions de pulvérisation. L’équipement 40c se compose d’un ensemble de différents raccords 54c ; 54’c ; 54’’c. Les raccords 54c ; 54’c ; 54’’c sont prévus pour relier l’unité de conduite 26c, 26’c, 26’’c à la pompe 20c ; 20’c ; 20’’c et l’autre unité de pulvérisation 16 ; 16’c ; 16’’c et l’unité de pulvérisation fixe 14c, pour les raccorder par des liaisons étanches. Les raccords 54c ; 54’c ; 54’’c ont des diamètres différents et des angles différents. L’équipement 40c comporte des vannes trois voies 22c ; 22’c ; 22’’c. Les vannes 22c ; 22’c ; 22’’c ont chacune trois orifices. L’équipement 40 pourrait, en option, avoir un ensemble d’adaptateurs différents 30c ; 30’ ; 30’’c pour différentes pompes 20c ; 20’c ; 20’’c. L’équipement 40c peut également comporter des composants pour l’installation de seconde monte des dispositifs de nettoyage 36a et 36b.
(références sans suffixes alphabétiques)
10 Véhicule
12 Vitre du véhicule
14 Unité de pulvérisation
16 Autre unité de pulvérisation
18 Essuie-glace
20 Pompe
Selon un mode de réalisation particulier, le procédé comprend : - calcul, à partir de la durée de manœuvre et de la vitesse de déplacement, d’une distance de déplacement réalisée par le véhicule au cours de la manœuvre en marche arrière à compter de la détection dudit au moins un obstacle dans le cône de scrutation ; la position courante étant estimée à partir de ladite distance de déplacement.