INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Le dispositif de protection 1 de l’invention illustré sur les figures est destiné à être utilisé comme montré sur la et la , pour protéger un plant P, d’une part au niveau de sa tige T en formant un volume cylindrique creux de protection autour de la tige, et d’autre part, au niveau de son pied en formant sur le sol S une surface de protection à fonction de paillage en empêchant l’herbe de pousser.
Le VIN est de la forme par exemple VF73AHC8FJ614969 dont l’entête contient le code du constructeur (VF1, VF3, VF7…) suivi du modèle puis du numéro de série lui-même en l’occurrence un véhicule de marque V7 Citroën et le modèle 3A9HC8 qui est un des 172 types homologués pour le C4 Picasso.
De façon avantageuse, le procédé accède à une base de données associant le VIN du véhicule (V) et l’adresse du propriétaire du véhicule (V) permettant de déterminer si l’adresse du propriétaire correspond ou non à une Zone à Faibles Émissions (ZFE) présente ou futur.
Un mode de réalisation du procédé d'enrichissement du lithium à partir d'une argile au lithium de la présente invention a été élaboré. Les différences entre le procédé du présent mode de réalisation et celui du mode de réalisation 1 sont les suivantes : à l'étape (3), pour la charge d'alimentation, le dosage de l'oléate de sodium était de 640 g/t et le dosage de la cocoamine était de 160 g/t.
Un mode de réalisation du procédé d'enrichissement du lithium à partir d'une argile au lithium de la présente invention a été élaboré. La différence entre le procédé du présent mode de réalisation et celui du mode de réalisation 1 réside uniquement dans l'utilisation de nitrate ferrique au lieu du sulfate ferrique.
Un procédé d'enrichissement du lithium à partir d'une argile au lithium a été élaboré. La seule différence entre ce procédé et celui du mode de réalisation 1 est que l'hexamétaphosphate de sodium n'a pas été ajouté lors des étapes (6) et (7).
Un procédé d'enrichissement du lithium à partir d'une argile au lithium a été élaboré. La seule différence entre le procédé et le mode de réalisation 1 est que le sulfate ferrique n'a pas été ajouté lors des étapes (3) et (6).
Un procédé d'enrichissement du lithium à partir d'une argile au lithium a été élaboré. Les différences entre ce procédé et celui du mode de réalisation 1 sont que le sulfate ferrique n'a pas été ajouté lors des étapes (3) et (6), que l'oléate de sodium n'a pas été ajouté lors des étapes (3), (4), (6), (7) et (8) ; à l'étape (3), le dosage de cocoamine était de 300 g/t; à l'étape (4), le dosage de cocoamine était de 150 g/t; à l'étape (6), le dosage de cocoamine était de 150 g/t ; à l'étape (7), le dosage de cocoamine était de 60 g/t ; et à l'étape (8), le dosage de cocoamine était de 80 g/t.
Un procédé d'enrichissement du lithium à partir d'une argile au lithium a été élaboré. La différence entre ce procédé et celui du mode de réalisation 1 réside uniquement dans l'utilisation de sulfate de cuivre au lieu du sulfate ferrique.
Un procédé d'enrichissement du lithium à partir d'une argile au lithium a été élaboré. La différence entre ce procédé et celui de l'exemple 1 réside uniquement dans l'utilisation de laurylamine au lieu de la cocoamine.
Le Tableau 1 présente les données relatives à la vérification de l'effet des procédés utilisés dans les modes de réalisation et les exemples comparatifs. La teneur en Li 2 O du minerai brut utilisé dans les modes de réalisation et les exemples comparatifs est de 0,60 % à 0,70 %. Dans le tableau ci-après, la teneur est la teneur en Li 2 O, le rendement est un rapport de la masse du produit à la masse du minerai brut, et le taux de récupération est un rapport d'un produit du rendement en produit par la teneur à un produit du rendement en minerai brut (100 %) par la teneur.
Élément Concentré A (%) Concentré B (%) Concentré final Résidus finaux (%) Teneur Rendement Récupération Teneur Rendement Récupération Teneur/% Rendement /% Récupération /% Taux d'enrichissement Teneur Rendement Récupération Mode de réalisation 1 1,68 23,39 58,43 1,33 10,23 20,31 1,57 33,62 78,74 2,34 0,22 66,38 21,26 Mode de réalisation 2 1,53 25,88 58,63 1,18 11,05 19,39 1,43 36,93 78,02 2,13 0,24 62,61 21,98 Mode de réalisation 3 1,66 22,43 55,12 1,23 9,04 16,45 1,53 31,47 71,57 2,30 0,28 68,53 28,43 Mode de réalisation 4 1,53 21,38 50,13 1,31 9,63 19,40 1,46 31,01 69,52 2,26 0,28 70,99 30,48 Mode de réalisation 5 1,57 22,58 53,00 1,25 9,85 18,37 1,46 32,43 71,38 2,19 0,28 67,57 28,62 Exemple comparatif 1 1,64 23,25 56,65 0,60 15,47 13,89 1,22 38,72 70,53 1,83 0,32 61,28 29,47 Exemple comparatif 2 1,40 21,58 45,14 0,90 9,35 12,64 1,25 30,93 57,77 1,93 0,41 69,07 42,23 Exemple comparatif 3 1,25 26,34 47,54 0,77 13,28 14,88 1,09 39,62 62,42 1,58 0,43 60,38 37,58 Exemple comparatif 4 1,46 21,26 46,48 1,21 9,55 17,20 1,38 30,81 63,67 2,06 0,35 69,19 36,33 Exemple comparatif 5 1,38 22,34 47,49 1,12 11,25 19,43 1,29 33,59 66,92 2,00 0,32 66,41 33,08
La montre un troisième mode de réalisation d’un système de collecte 1’’ selon l’invention. La grille de rétention incurvée 3 est ici montée pivotante autour d’une barre de pivot 20 de la structure de maintien 2. Un moteur non représenté permet de faire pivoter la grille de rétention 3 dans l’une de trois positions P1, P2, P3 comme suit :
- une position d’immersion (P1) dans laquelle elle retient les débris du milieu aquatique ;
- une autre position d’immersion (P2) dans laquelle elle peut libérer tout organisme vivant du milieu aquatique, par exemple un poisson qui viendrait se prendre ;
- une position de déversement (P3) dans laquelle elle déverse les débris retenus du milieu aquatique dans le filet de collecte 4.
Le système 1’’ peut comprendre au moins un détecteur, non représenté, adapté pour détecter la présence de débris et/ou d’organisme vivant retenus par la grille de rétention, le fonctionnement du moteur étant asservi au détecteur. Le détecteur peut fonctionner par vibration, pour détecter la présence d’un objet ou d’un poisson non souhaité et donc indiquer au moteur de faire pivoter la grille 3 de la position P1 à P2.
Les figures 5A à 5C illustrent un barreau 30 d’une grille de rétention 3 à profil globalement hydrodynamique dans le sens du flux F et qui évolue du bas vers le haut, c’est-à-dire de la partie immergée de la grille 3 à sa partie non immergée. Le barreau 30 est pourvu d’une gorge 31 se rétrécissant au fur et à mesure en direction du filet de collecte 40. Ainsi, dans la position d’immersion de la grille 3, l’eau entrant dans la gorge 31 est évacuée vers le haut en longeant cette gorge qui se rétrécit et soulève ainsi chaque déchet/débris pour réduire son frottement sur les barreaux 30 et l’aide par-là à être évacué plus facilement dans le filet 40.
Les figures 6 à 7A illustrent un quatrième mode de réalisation : le système de collecte 1’’’ est ici escamotable par pivotement pour rabattre la structure de maintien 2 et la grille de rétention 3 depuis la position d’immersion pour collecter les débris/déchets (figures 7, 7A) jusqu’à une position repliée dans laquelle la structure 2 et la grille 3 sont plaquées le long de la coque C du navire (figures 6, 6A), le filet de collecte 40 avec ses arceaux 41 ayant été retiré au préalable.
Tel qu’illustré, la structure de maintien 2 est montée pivotante sur au moins deux points de pivot 22 solidaire de la coque C du navire, entre une position repliée où elle est rabattue contre la coque C (figures 6,6A) et une position déployée où elle est sensiblement à l’horizontale au-dessus de la ligne de flottaison L (figures 7, 7A). Pour réaliser le déploiement ou le rabattement de la structure de maintien 2, on peut par exemple utiliser un dispositif 8 de câble 80 dont une extrémité est fixée à la structure 2 et à enrouler sur une poulie d’enroulement 81 par exemple qui peut être manipulée au moyen d’une manivelle par un utilisateur depuis le pont du navire. Pour rabattre la grille de rétention 3, celle-ci est montée pivotante autour d’une barre de pivot 20 sur la structure de maintien. Ainsi, avant de rabattre la structure de maintien 2 avec la grille de rétention 3 on fait pivoter par l’intermédiaire d’un moteur cette dernière de sa position d’immersion à une position horizontale dans laquelle elle s’étend sensiblement dans le plan de la structure de maintien 2. Pour faciliter le pivotement de la grille de rétention 3 de sa position d’immersion à la position horizontale, un contrepoids 32 sous la forme d’une barre lestée est fixé dans le prolongement arrière de la grille 3, au-delà de la chambre de collecte 4.
On a représenté aux figures 8 et 8A un cinquième mode de réalisation d’un système de collecte 10 de débris/déchets flottants selon l’invention.
La structure de maintien 2 comprenant ici au moins deux poutres de maintien 23 fixées transversalement à deux flotteurs F1, F2 d’un bateau de sorte à fixer la grille de rétention 3 et la chambre de collecte 4.
La structure de maintien 2 comprend également deux jambes latérales 24, agencées de part et d’autre des barreaux 30 de la grille 3 parallèles entre eux et aux jambes 24, et supportées par une des poutres de maintien 23.
Enfin la structure de maintien 2 comprend un treillis 25 dans le prolongement arrière des jambes latérales 24 qui est soutenu par les poutres de maintien 23 au-dessus des flotteurs F1, F2. Ce treillis 25 forme le support d’un bac de collecte 42 ouvert sur l’avant et sur lequel le filet de collecte 40 est fixé.
Les figures 9A à 9D illustrent différents agencements relatifs de barreaux à profil hydrodynamique 30 entre eux, et donc de profil de la grille de rétention 3.
Ainsi, les barreaux 30 peuvent être coplanaires en étant régulièrement espacés les uns des autres ( ).
Les barreaux 30 peuvent alternativement être décalés selon deux plans d’inclinaison différente, avec alternance d’un barreau d’un des deux plans avec un barreau de l’autre des deux plans ( ).
Les barreaux 30 peuvent être agencés selon un profil incurvé avec une concavité plus ou moins prononcée destinée à être dans le sens d’un courant F (figures 9C, 9D).
Ensuite, la galette de silicium pour la couche de silicium monocristallin a été meulée et polie depuis le côté opposé de la surface liée de manière à laisser une épaisseur de 10 μm, et la galette de silicium liée pour l'Exemple Conventionnel 1 a été obtenue.
(Exemple Comparatif 1)
La même galette de silicium servant de substrat de support et la même galette de silicium pour couche de silicium monocristallin que dans l'Exemple 1-1 ont été préparées. Dans l'Exemple 1-1, une couche formée d'un film de silicium amorphe d’une épaisseur de 15 nm a été formée à la surface de la galette de silicium servant de substrat de support par le procédé CVD au plasma. Ici, dans l'Exemple Comparatif 1, la galette de silicium liée a été produite dans les mêmes conditions que l'Exemple 1-1, à ceci près que l'épaisseur d’une couche formée d'un film de silicium amorphe formée était de 10 nm.
(Evaluation : Réflectance infrarouge)
Pour évaluer la réflectivité infrarouge du film de silicium réfléchissant les infrarouges, la lumière infrarouge a été incidente sur les surfaces des galettes de silicium liées à l'aide d'un dispositif de mesure d'épaisseur de films (CHRocodile IT500, fabriqué par Presitec), et l'intensité du signal de la lumière réfléchie a été détectée. En référence à la , le principe de mesure de la réflectance aux infrarouges à l'aide de la méthode infrarouge à transformée de Fourier (FTIR, de l’anglais « Fourier Transform Infrared ») avec cet instrument est brièvement expliqué. La source de lumière laser qui sert de lumière incidente pour cet instrument est une diode super luminescente. En utilisant cet instrument, la lumière réfléchie L2 et la lumière réfléchie L3 obtenues lorsque la lumière proche infrarouge L1 a été irradiée sur la galette de silicium liée ont été détectées, et la réflectance infrarouge L2/L3 a été obtenue. Ici, la lumière réfléchie L2 est la lumière réfléchie depuis la surface 528A de la galette de silicium liée 500, et la lumière réfléchie L3 est la lumière réfléchie depuis l'interface de la couche de silicium monocristallin 521 et de la région 530 formée de silicium amorphe. La lumière infrarouge non réfléchie se dirigera ensuite vers la région 510 du silicium monocristallin du côté du substrat de support.
Les résultats sont répertoriés dans le Tableau 1 ci-dessous. D'après les résultats de cette évaluation, il a été confirmé que les zones en silicium amorphe dans les Exemples 1-1 à Exemple 1-4 fonctionnent suffisamment en tant que films de silicium réfléchissant les infrarouges, tandis que les zones en silicium amorphe formées dans l'Exemple Conventionnel et l'Exemple Comparatif 1 sont insuffisantes pour fonctionner en tant que films de silicium réfléchissant les infrarouges.
Echantillon Exemple Conventionnel 1 Exemple Comparatif 1 Exemple 1-1 Exemple 1-2 Exemple 1-3 Exemple 1-4 Film de silicium réfléchissant les IR Amorphous silicon Amorphous silicon Amorphous silicon Amorphous silicon Amorphous silicon Amorphous silicon Epaisseur du film de silicium réfléchissant les IR 6 11 16 21 26 31 Intensité de réflexion de la lumière réfléchie 4214 7862 11700 14879 18262 19394 Réflectance (%) 23,7 44,3 65,9 83,8 100 100
[Exemple Expérimental 2]
(Exemple 2-1)
Les galettes de silicium CZ de type n (dopant : phosphore) d'un diamètre de 8 pouces (203,2 mm) et d'une épaisseur de 500 μm ont été préparées pour être la galette de silicium servant de substrat de support et la couche de silicium monocristallin. Ensuite, la galette de silicium servant de substrat de support a été introduite dans le système CVD à plasma, et le degré de vide dans le système a été maintenu à 1 × 10-5 Pa ou moins. Ensuite, avec la température de l'étage maintenue à 800°C, 55 cm3STP/min (en anglais « sccm ») de gaz silane (CH3SiH3) en tant que gaz source et 110 cm3STP/min de gaz H2 en tant que gaz porteur ont été mis en circulation, pour former une couche formée d'un film de silicium polycristallin d’une épaisseur de 15 nm à la surface de la galette de silicium pour substrat de support par procédé CVD à plasma.
Ensuite, la galette de silicium pour substrat de support et la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin ont toutes deux été introduites dans la chambre, et le degré de vide a été maintenu à 1 × 10-5 Pa ou moins. Ensuite, le traitement d'activation a été appliqué à la surface de la galette de silicium pour substrat de support et à la surface de la galette pour couche active en irradiant des ions d'argon à 1,4 keV pour former une zone activée (silicium amorphe) à la surface des deux galettes de silicium. Ensuite, les deux substrats ont été liés en liant ensemble les zones activées des deux galettes sous vide à température normale.
Ensuite, la galette de silicium pour la couche de silicium monocristallin a été meulée et polie depuis le côté opposé de la surface liée de manière à laisser une épaisseur de 10 μm, et la galette de silicium liée a été obtenue.
L'observation par MET de l'interface de liaison de la galette de silicium liée ainsi obtenue a confirmé la formation d'une zone de silicium amorphe d'une épaisseur de 1 nm en plus de la couche formée d’un film de silicium polycristallin d'une épaisseur de 15 nm. En d'autres termes, il a été trouvé qu'une zone activée d'une épaisseur d’1 nm était formée lorsque la surface de la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin était soumise au traitement d'activation.
(Exemple 2-2)
Dans l'Exemple 2-1, une couche formée d'un film de silicium polycristallin d’une épaisseur de 15 nm a été formée à la surface de la galette de silicium servant de substrat de support par le procédé CVD au plasma. Ici, dans l'Exemple 2-2, la galette de silicium liée pour l'Exemple 2-2 a été produite dans les mêmes conditions que l'Exemple 2-1, à ceci près que l'épaisseur de la couche formée d'un film de silicium polycristallin formée était de 20 nm.
(Exemple 2-3)
Puis, la phase d’émission comprend une étape PE_calib d’envoi d’un deuxième flux audio à diffuser par le haut-parleur de calibrage 85. Suite à cette étape d’envoi PE_calib, le deuxième signal audio est émis par le haut-parleur de calibrage 85. Lors de cette émission, le deuxième signal audio émis est acquis par le microphone nomade externe 25.
De manière analogue au premier signal audio, le deuxième signal audio est par exemple un balayage continu sinusoïdal (de l’anglais, sweep ).
Puis, la phase de calibrage comprend par exemple une étape PC_FF de calibrage du microphone nomade externe 25.
L’étape PC_FF de calibrage du microphone nomade externe 25 comprend une troisième sous-étape de réception 132 lors de laquelle le dispositif de calibrage 90 reçoit le signal acquis par le microphone nomade externe 25 suite à l’émission du deuxième signal audio par le haut-parleur de calibrage 85.
L’étape PC_FF de calibrage du microphone nomade externe 25 comprend en outre une troisième sous-étape de détermination 134 lors de laquelle un troisième filtre de calibrage H_calib_FF est déterminé à partir du signal reçu depuis le microphone nomade externe 25. Le troisième filtre de calibrage H_calib_FF est également un filtre numérique comprenant un gain dont une valeur évolue fréquentiellement. Le troisième filtre de calibrage H_calib_FF est propre au microphone nomade externe 25.
La troisième sous-étape de détermination 134 est par exemple analogue à la première sous-étape de détermination 114 et à la deuxième la sous-étape de détermination 124, à l’exception du fait que le troisième filtre de calibrage H_calib_FF est déterminé à partir du signal reçu depuis le microphone nomade externe 25 plutôt que du signal reçu depuis le microphone de calibrage 80 ou du microphone nomade interne 20.
À l’issue de la sous-étape de détermination 134, le troisième filtre de calibrage H_calib_FF est déterminé.
Le procédé de calibrage comprend en outre une phase d’implémentation PI comportant préférentiellement une première étape d’implémentation 142 lors de laquelle le premier filtre de calibrage H_calib_SPK est implémenté dans le dispositif audio nomade 10, plus précisément sur la première connexion 50 de l’unité de commande 33. Par exemple, le premier filtre de calibrage H_calib_SPK est implémenté entre le sommateur 35 et le bloc 70.
La phase d’implémentation PI comprend en outre préférentiellement une deuxième étape d’implémentation 144 lors de laquelle le deuxième filtre de calibrage H_calib_FB est implémenté dans le dispositif audio nomade 10, et plus particulièrement sur la deuxième connexion 55 de l’unité de commande 33. Par exemple, le deuxième filtre de calibrage H_calib_FB est implémenté entre le microphone nomade interne 20 et le premier filtre prédéterminé HFB.
La phase d’implémentation PI comprend en outre préférentiellement une troisième étape d’implémentation lors de laquelle le troisième filtre de calibrage H_calib_FF est implémenté dans le dispositif audio nomade 10, et préférentiellement sur la troisième connexion 60 de l’unité de commande 33. Par exemple, le troisième filtre de calibrage H_calib_FF est implémenté entre le microphone nomade externe 25 et le deuxième filtre prédéterminé HFF.
À l’issue du procédé de calibrage selon l’invention, le haut-parleur nomade 15, le microphone nomade interne 20, et un microphone nomade externe 25 sont calibrés.
A l’issu de la phase d’implémentation PI, des valeurs du ou de chaque filtre de calibrage H_calib_SPK, H_calib_FB, H_calib_FF sont stockées dans l’unité de commande 33, et de préférence dans la mémoire 96 de l’unité de commande
Lorsque le dispositif audio nomade 10 comprend plusieurs chaînes audio CH1, CH2, le procédé de calibrage décrit ci-dessus est itéré pour chaque chaîne audio CH1, CH2.
Selon une première variante, l’étape d’envoi PE_calib du deuxième signal audio et l’étape de calibrage PC_FF du microphone nomade externe 25 sont mises en œuvre préalablement à l’étape PE_nomade d’envoi du premier signal audio.
Selon une deuxième variante non-représentée, le dispositif audio 10, préférentiellement chaque chaîne audio CH1, CH2, comprend une pluralité de microphones nomades externes 25 i . Selon cette deuxième variante, l’unité de commande 33 comprend une pluralité de troisièmes connexions 60 i reliant respectivement un microphone nomade interne 25 i et le sommateur 35. L’unité de commande 33 comprend, sur chacune de ces connexions 60 i , un deuxième filtre prédéterminé respectif HFF i .
Selon cette deuxième variante, suite à l’étape PE_calib d’envoi du deuxième signal audio au haut-parleur de calibrage 85, chaque microphone nomade externe 25 i acquiert le deuxième signal audio issu de ladite émission. La phase de calibrage comprend alors, pour chaque microphone nomade externe 25 une étape PC_FF i de calibrage dudit microphone nomade externe 25 lors de laquelle un troisième filtre H_calib_FF i respectif du microphone nomade externe 25 i est déterminé.
La représente une ossature d’une planche de plongée sous-marine selon un mode de réalisation de l’invention.
La représente un mode de réalisation d’un moyen de fixation selon l’invention.
La représente un système de traction selon un mode de réalisation de l’invention et un dispositif de traction.
La représente un procédé de fabrication d’une planche de plongée sous-marine selon un mode de réalisation de l’invention.
Des aspects de la présente invention sont décrits en référence à des organigrammes et/ou à des schémas fonctionnels de procédés, d'appareils (systèmes) selon des modes de réalisation de l'invention.
Sur les figures, les organigrammes et les schémas fonctionnels illustrent l'architecture, la fonctionnalité et le fonctionnement d'implémentations possibles de systèmes, de procédés selon divers modes de réalisation de la présente invention. À cet égard, chaque bloc dans les organigrammes ou blocs-diagrammes peut représenter un système, un dispositif, un module pour mettre en œuvre la ou les fonctions spécifiées. Dans certaines implémentations, les fonctions associées aux blocs peuvent apparaître dans un ordre différent que celui indiqué sur les figures. Par exemple, deux blocs montrés successivement peuvent, en fait, être exécutés sensiblement simultanément, ou les blocs peuvent parfois être exécutés dans l'ordre inverse, en fonction de la fonctionnalité impliquée. Chaque bloc des schémas de principe et/ou de l'organigramme, et des combinaisons de blocs dans les schémas de principe et/ou l'organigramme, peuvent être mis en œuvre par des systèmes matériels spéciaux qui exécutent les fonctions ou actes spécifiés ou effectuer des combinaisons de matériel spécial.
Dans la suite de la description, l’expression « planche » ou « planche de plongée » ou encore « planche de plongée sous-marine » correspond à une planche pouvant être totalement immergée ou partiellement immergée. De préférence, une telle planche peut être utilisée avec une ou plusieurs bouteilles de plongée selon leur taille.
L’expression « grandes profondeurs » au sens de l’invention correspond à des profondeurs égales ou supérieures à 10 mètres, de préférence supérieures ou égales à 15 mètres, de manière plus préférée supérieures ou égales à 20 mètres, de manière encore plus préférée supérieures ou égales à 25 mètres.
Les termes « avant » et « arrière » au sens de l’invention correspondent à une orientation ou une position lors de l’utilisation de la planche par un utilisateur. Ainsi, la partie avant est la partie la plus proche de la tête d’un utilisateur. La partie arrière correspond à la partie de la planche opposée à la partie avant. En outre, lorsque deux éléments sont définis comme étant agencés l’un derrière l’autre ou l’un en arrière de l’autre, cela signifie que les deux éléments se succèdent.
Les termes « supérieur » et « inférieur » au sens de l’invention correspondent à une orientation lors de l’utilisation normale de la planche. Ainsi, une partie supérieure correspond à la partie la plus haute lorsque l’utilisateur utilise la planche. À l’inverse, une partie inférieure est la partie la plus basse lorsque l’utilisateur utilise la planche.
Par « lié » ou « connecté » on entend au sens de l’invention, couplé directement ou indirectement avec un ou plusieurs éléments intermédiaires. Deux éléments peuvent être couplés mécaniquement, électriquement ou liés par un canal de communication.