INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
v) titanate de monoalkyl triacyle. Le titanate de monoalkyl triacétyle, également appelé titanate de monoalkyle, peut être représenté par la formule RO-Ti-(OR') 3 , où R est un alkyle et les R' un groupe acyle qui peuvent être identiques ou différents. Dans certains modes de réalisation du titanate de monoalkyl triacyle, ledit alkyle est un groupe alkyle en C 1-5 , en particulier un groupe alkyle en C 1-4 , et ledit acyle est dérivé d'acide acrylique ou d'un dérivé d'acide acrylique, par exemple l'acide méthacrylique, ou d'un acide gras. Les groupes acyle en particulier sont dérivés d’un acide gras en C 6-30, plus particulièrement d’un acide gras en C 12-24, et encore plus particulièrement d’un acide gras en C 16-20. Ces acides gras peuvent être l’acide caprique, laurique, myristique, palmitique, stéarique, isostéarique, hydroxyl stéarique, oléique. Les groupes acyle de ces titanates de triacyle peuvent être identiques ou différents. Le mode de réalisation préféré est le titanate de mono-isopropyl triacyle, voir la publication de la demande de brevet US No. 2005/0019284 (en particulier les paragraphes [0038]-[0052]). Selon un autre mode de réalisation préféré, le titanate de monoalkyl triacétyle peut être le titanate d’isopropyl triisostéaroyle (ITT), le titanate d’isopropyl diméthacryl isostéaroyle, le titanate d’isopropyl diméthacryl isostéaroyle. De préférence, le titanate de monoalkyl triacyle peut être le titanate d’isopropyl triisostéaroyle (ITT), également appelé triisostéarate d’isopropyle titane (nom INCI : Isopropyl Titanium Triisostearate). Le pigment traité au titanate de monoalkyl tri-acyle peut être un pigment traité au titanate d’isopropyl triisostéaroyle. Le pigment traité au titanate de monoalkyl tri-acyle est un pigment traité avec au moins du titanate de monoalkyl triacyle. Le pigment traité au titanate de mono-alkyl tri-acyle peut être traité uniquement avec du titanate de monoalkyl tri-acyle, ou traité avec du titanate de monoalkyl tri-acyle et au moins un agent de traitement de surface supplémentaire tel qu’un agent de traitement de surface fluoré ou un agent de traitement de surface à base de silicone tel que le polydiméthylsiloxane. Par exemple, le pigment traité au titanate d’isopropyl triisostéaroyle est un pigment traité avec au moins du titanate d’isopropyl triisostéaroyle (ITT). Le pigment traité au titanate d’isopropyl triisostéaroyle ne peut être traité qu’avec du titanate d’isopropyl triisostéaroyle (ITT), ou traité avec du titanate d’isopropyl triisostéaroyle (ITT) et au moins un agent de traitement de surface supplémentaire tel qu’un agent de traitement de surface fluoré ou un agent de traitement de surface à base de silicone tel que le polydiméthylsiloxane. À titre d’exemples de pigments traités au triisostéarate d’isopropyle titane (ITT), on peut mentionner ceux vendus sous les références commerciales BTD-401® (dioxyde de titane CI177891 et triisostéarate d’isopropyle titane), BBO-12® (oxyde de fer CI77499 et triisostéarate d’isopropyle titane), BYO-12® (oxyde de fer CI77492 et triisostéarate d’isopropyle titane) et BRO-12® (oxyde de fer CI77491 et triisestéarate d’isopropyle titane) par la société Kobo ;
vi) sébacate d’isostéaryle ;
vii) les cires végétales ou animales naturelles ou les cires synthétiques polaires ;
viii) les esters gras, notamment les esters de jojoba ;
x) leurs mélanges.
Les cires mentionnées ci-dessus peuvent être celles généralement utilisées dans les cosmétiques, tels que définis ci-dessous.
Il peut s’agir notamment de cires hydrocarbonées, de silicone et/ou fluorées, comprenant éventuellement des fonctions ester ou hydroxyle. Ils peuvent également être d’origine naturelle ou synthétique.
On entend par « cire polaire » une cire contenant des composés chimiques comprenant au moins un groupe polaire. Les groupes polaires sont bien connus de l’homme du métier ; ils peuvent être, par exemple, des groupes alcool, ester ou acide carboxylique. Les cires de polyéthylène, les cires de paraffine, les cires microcristallines, l’ozokérite et les cires de Fischer-Tropsch ne sont pas incluses dans les cires polaires.
En particulier, les cires polaires ont un paramètre de solubilité Hansen moyen δ a à 25 °C, de sorte que δ a >0 (J/cm 3 ) 1/2 et mieux encore δ a >1 (J/cm 3 ) 1/2 :
dans laquelle δ p and δ h sont, respectivement, les contributions polaires et les contributions des types d’interaction spécifiques aux paramètres de solubilité de Hansen.
La définition des solvants dans l’espace de solubilité tridimensionnelle selon Hansen est décrite dans l’article de C. M. Hansen : "The three-dimensional solubility parameters", J. Paint Technol. 39, 105 (1967) :
- δ h caractérise les forces d’interaction spécifiques (telles que liaison hydrogène, acide/base, donneur/accepteur, etc.) ;
- δ h caractérise les forces d’interaction de Debye entre dipôles permanents ainsi que les forces d’interaction de Keesom entre dipôles induits et dipôles permanents.
Afin de réduire davantage le nombre de segments de route candidats pour un événement réseau donné E1, une fois une probabilité d’émission calculée pour chacun des segments de route candidats, ces derniers peuvent être ordonnés par ordre de probabilités d’émission croissantes. Sont alors sélectionnés les n segments de route candidats présentant les probabilités d’émission les plus élevées. Le nombre n peut par exemple être déterminé de manière arbitraire par application de la formule suivante :
où est le nombre de segments de route candidats pour l’événement réseau E1, le nombre n2 est choisi de manière arbitraire, est la fonction qui arrondit au nombre supérieur. Le choix de la valeur du nombre n2, ici 10 par exemple, impacte les performances obtenues. Ainsi, selon les cas de figure rencontrés, une autre valeur que 10, plus petite ou plus grande peut aider à améliorer les performances.
A l’issue de l’étape G3, une probabilité d’émission a été calculée pour l’ensemble des segments de route candidats pour un événement réseau donné.
Dans une étape G4, une probabilité de transition entre un premier segment de route candidat correspondant à un premier événement réseau E1 et un deuxième segment de route candidat correspondant à un deuxième événement réseau E2 survenant à un instant t2 et impliquant une deuxième station de base est déterminée.
Dans une première implémentation, la probabilité de transition est déterminée de la manière suivante :
dans laquelle représente le segment de route candidat se situant dans la zone de couverture de la station de base , représente le deuxième segment de route candidat se situant dans la zone de couverture de la station de base , représente une densité de distribution de distances entre les zones de couverture de la première station de base et de la deuxième station de base , représente la distance minimale sur route séparant le segment de route candidat et le deuxième segment de route candidat et représente la somme de avec la longueur du premier segment de route candidat et la longueur du deuxième segment de route candidat .En d’autres termes, représente la distance maximale sur route séparant le premier segment de route candidat et le deuxième segment de route candidat.
Une telle densité de distribution de distances entre les zones de couverture de la première station de base et de la deuxième station de base est obtenue de la manière suivante en référence à la .
Lors d’une première étape E1, un premier évènement réseau ER1 et un deuxième événement réseau ER2 sont sélectionnés parmi une pluralité d’événements réseau ER i impliquant le terminal mobile. Une telle sélection consiste à prendre l’ensemble des couples d’évènements réseau tels que les deux évènements réseau ER1 et ER2 constitutifs d’un couple d’événements réseau sont présents dans la fenêtre temporelle considérée, qu’ils sont séparés d’une durée au moins égale à une certaine durée (dite minimale), par exemple 5 minutes, et sont tels que l’événement réseau ER2 est postérieur à l’événement réseau ER1.
Le premier et le deuxième événement réseau ER1, ER2 interviennent respectivement aux instants et et impliquent les antennes et portées par deux stations de base qui peuvent être soit différentes, soit les mêmes.
Autrement dit, pour une antenne dont les coordonnées sur la carte géographique sont , ayant un rayon d’action , et en notant le disque de rayon centré sur le centre de la cellule considérée, on a :
Le présent procédé repose sur l’utilisation de données de signalisation relatives à des terminaux mobiles, et donc à leurs utilisateurs. Aussi, dans certains modes de réalisation sa mise en œuvre se doit de respecter des contraintes règlementaires d'anonymisation, et/ou de pseudonymisation, des données. Ces contraintes peuvent de plus parfois imposer des délais (relativement brefs) d'anonymisation, et/ou de pseudonymisation, des données. Ainsi, dans certains modes de réalisation, les calculs à effectuer utilisent des données de signalisation dont l’historique (i.e. la conservation) ne doit pas excéder une certaine durée. Une telle durée, ou fenêtre temporelle, peut être d’une ou plusieurs dizaines de minutes selon les modes de réalisation, par exemple de 15 minutes. Les calculs eux-mêmes doivent donc être effectués dans un temps inférieur à cette durée.
Dans une étape G2, un ou plusieurs graphes de réseaux de transport, tels que des cartes de réseaux routiers ou autoroutiers, réseau ferré, réseau métropolitain, etc. correspondant à une zone géographique dans laquelle le terminal mobile s’est déplacé sont obtenues.
Dans une étape G3, une probabilité d’émission pour un premier événement réseau E1 est déterminée au moyen de la formule suivante :
dans laquelle représente la station de base impliquée dans le premier événement réseau E1, représente un segment de route candidat se situant dans la zone de couverture de la station de base , représente un pixel de la carte de vraisemblance représentant une probabilité de connexion dudit terminal mobile à la station de base lorsque le terminal est situé sur un pixel de cette carte de vraisemblance, et représente le nombre de pixels de la carte de vraisemblance de poids non nul traversés par le segment de route candidat . Un tel segment de route candidat est par exemple une section de route ou d’autoroute, une section entre deux stations de métro, etc.
En d’autres mots, représente la moyenne des probabilités de connexion du terminal mobile à la station de base sachant que le terminal mobile se trouve, à l’instant t1 auquel l’événement réseau E1 est survenu, sur un pixel de la carte de vraisemblance traversé par le segment de route candidat
Dans certains modes de réalisation, afin de réduire le temps de calcul, préalablement au calcul de la probabilité d’émission , il peut être procédé à la sélection de segments de routes candidats .
Pour cela, dans un premier temps, une enveloppe convexe constituée d’un ensemble des segments de route candidats à un instant t0 antérieur à l’instant t1 est déterminée.
Dans un second temps, une valeur d’un seuil de tolérance de connectivité STC est calculée, par exemple comme étant le produit d’un coefficient de pondération représentatif d’une densité de répartition géographique des stations de bases avec d’un rayon médian d’une zone de couverture de station de base connaissant le rayon d’une zone de couverture d’au moins une station de base située à une distance temporelle de la station de base considérée inférieure ou égale à un deuxième seuil S. Une valeur de permettant la détermination d’une valeur pertinente du seuil de tolérance de connectivité STC est par exemple 15 minutes.
Sont alors sélectionnés comme segments de route candidat pour l’événement réseau E1 l’ensemble des segments de route candidats situés à une distance de l’enveloppe connexe constituée de l’ensemble des segments de route candidats à un instant t0 inférieure ou égale à une première distance de tolérance de connectivité STC.
Afin d’améliorer la précision du calcul de la probabilité d’émission, la probabilité d’émission peut être pondérée au moyen d’un coefficient de pénalité représentatif d’une déviation d’une direction d’un segment de route candidat avec une direction de référence , le coefficient de pénalité tendant vers zéro à mesure que la déviation entre la direction du segment de route candidat considéré et la direction de référence augmente.
A titre d’exemple, la loi mathématique liant la valeur du coefficient de pénalité avec la valeur de la déviation entre la direction du segment de route candidat considéré et la direction de référence est donnée par la formule suivante :
où correspond à la valeur du coefficient de pénalité, à la valeur de la déviation entre la direction du segment de route candidat considéré divisée par un angle de 45° et la direction de référence et une constante. Dans la suite du présent document il est considéré que vaut 1. Bien entendu, peut prendre d’autres valeurs en fonction du cas d’espèce. De même la valeur l’angle peut être différente de 45°. La valeur de l’angle peut être choisie afin que la valeur du membre ne chute pas abruptement lorsque la déviation augmente. Les performances obtenues s’en trouvent améliorées.
Selon un mode de mise en œuvre, le procédé inclut une fabrication d’un deuxième transistor pour une deuxième gamme de tensions comprenant : - des étapes de formation d’une deuxième région de grille sur la face avant du substrat semiconducteur et ayant des flancs perpendiculaires à la face avant ; - les mêmes étapes de dépôts de couches diélectriques pour former des régions d’espaceurs sur les flancs de la deuxième région de grille ; et - une étape de masquage adaptée pour empêcher ledit retrait, lors de l’étape de gravure, d’une partie des accumulations de couches diélectriques déposées sur les flancs de la deuxième région de grille.
Ainsi, les accumulations de couches diélectriques des régions d’espaceurs du premier transistor et du deuxième transistor ont les mêmes constitutions et les mêmes épaisseurs, et le deuxième transistor comporte en outre au moins une couche diélectrique (ladite partie dont le retrait est empêché par l’étape de masquage) dans ladite accumulation qui n’est pas dans les régions d’espaceur du premier transistor.
Selon un mode de mise en œuvre, le procédé inclut une fabrication d’un troisième transistor à grille flottante comprenant : - les mêmes étapes de formation de la première région grille pour former la grille flottante du troisième transistor à grille flottante, comprenant : -- une formation d’une couche diélectrique tunnel sur la face avant ; -- une formation d’une couche électriquement conductrice sur la couche diélectrique tunnel.
Cela permet en particulier de bénéficier d’une première région de grille ayant une couche diélectrique et une couche conductrice bien adaptées pour la première gamme de tension, tout en étant gratuit du fait de la cointégration avec la fabrication du troisième transistor.
Selon un mode de mise en œuvre, le procédé inclut une fabrication d’un quatrième transistor pour une quatrième gamme de tensions comprenant : - la même première étape d’implantation de dopants, formant des quatrièmes régions de conduction faiblement dopées du quatrième transistor.
Cela permet en particulier de bénéficier de premières régions de conduction faiblement dopées, ayant la même constitution et la même profondeur que les quatrièmes régions de conductions faiblement dopées, bien adaptées pour la première gamme de tension, tout en étant gratuit du fait de la cointégration avec la fabrication du quatrième transistor.
Selon un mode de mise en œuvre, le procédé inclut une fabrication d’un quatrième transistor pour une quatrième gamme de tensions comprenant : - la même étape de gravure retirant une partie des couches diélectriques accumulées sur la face avant du substrat semiconducteur.
Là encore, étant donné que la fabrication des quatrièmes transistors prévoit étape de gravure pour retirer des couches diélectriques déposées, la mise en œuvre cointégré de l’étape de gravure réduisant la largeur des régions d’espaceurs du premier transistor est gratuite.
Selon un autre aspect, il est proposé un circuit intégré comportant un premier transistor adapté pour une première gamme de tensions, et un deuxième transistor adapté pour une deuxième gamme de tensions, - le premier transistor comportant une première région de grille et le deuxième transistor comportant une deuxième région de grille, les régions de grilles étant situées sur une face avant d’un substrat semiconducteur et ayant des flancs perpendiculaires à la face avant, et comprenant chacune une couche conductrice ayant la même constitution et la même épaisseur, typiquement prise dans une direction perpendiculaire à la face avant, - le premier transistor et le deuxième transistor comportant une accumulation de couches diélectriques ayant les mêmes constitutions et les mêmes épaisseurs sur les flancs de leurs régions de grille de manière à former des régions d’espaceurs ayant, respectivement, une première largeur et une deuxième largeur dans une direction perpendiculaire aux flancs des régions de grille, - le premier transistor comportant, dans le substrat semiconducteur, des premières régions de conduction faiblement dopées alignées sur les régions d’espaceurs, et des premières régions de conduction plus fortement dopées, dans lequel le deuxième transistor comporte en outre au moins une couche diélectrique supplémentaire dans ladite accumulation de manière à former des régions d’espaceurs ayant une deuxième largeur plus grande que la première largeur des régions d’espaceurs du premier transistor.
Selon un mode de réalisation, le circuit intégré comporte en outre un troisième transistor à grille flottante comportant une région de grille flottante comprenant une couche diélectrique tunnel sur la face avant et, sur la couche diélectrique tunnel, une couche conductrice ayant la même constitution et la même épaisseur que la couche conductrice de la première région de grille et de la deuxième région de grille, dans lequel la première région de grille comporte une couche diélectrique sur la face avant ayant la même constitution et la même épaisseur que la couche diélectrique tunnel.
Selon un mode de réalisation, le circuit intégré comporte en outre un quatrième transistor adapté pour une quatrième gamme de tensions comprenant, dans le substrat semiconducteur, des quatrièmes régions de conduction faiblement dopées ayant la même constitution et la même profondeur que les premières régions de conductions faiblement dopées.
Exemple 2 Dans cet exemple, on a préparé un phosphate de ferromanganèse. Le procédé spécifique était le suivant :
Étape 1, on a préparé une solution de ferricyanure de potassium ayant une concentration de 0,5 mol/l ;
Étape 3, on a préparé une solution mixte d’acide phosphorique et d’acide perchlorique ayant une concentration totale de 1,0 mol/l, pour un rapport en moles de l’acide phosphorique à l’acide perchlorique de 1:0,9 ;
Étape 5, on a introduit dans une cuve de réaction les solutions préparées dans l’étape 3 et l’étape 4 et on les a utilisées comme solution de base, la solution de base débordant de la pale d’agitation de fond, et le pH étant de 1,8 à 2,0 ;
Étape 6, on a introduit en parallèle dans la cuve de réaction les solutions préparées dans l’étape 1, l’étape 2, l’étape 3 et l’étape 4 ; la proportion en moles des matériaux introduits dans la cuve de réaction a été régulée de façon à avoir un rapport en moles du Fe au Mn de 0,25:1 et un rapport (Fe+Mn):H 3 PO 4 de 1:1 ; et le pH dans la cuve de réaction a été ajusté à 1,8-2,0, pour une vitesse d’agitation de 300 tr/min, et la température de réaction était de 60 °C ;
Étape 7, quand on a détecté que la D50 du matériau dans la cuve de réaction était de 2 µm, on a interrompu l'introduction et on a mis en œuvre une séparation solide-liquide pour obtenir des précipités ;
Étape 8, les précipités ont d’abord été lavés à l’eau désionisée, puis lavés avec de l’éthanol anhydre ; et
Exemple 3 Dans cet exemple, on a préparé un phosphate de ferromanganèse. Le procédé spécifique était le suivant :
Étape 1, on a préparé une solution de ferrocyanure de sodium ayant une concentration de 0,1 mol/l ;
Étape 5, on a introduit dans une cuve de réaction les solutions préparées dans l’étape 3 et l’étape 4 et on les a utilisées comme solution de base, la solution de base débordant d’une pale d’agitation de fond, et le pH était de 1,8-2,0 ;
A l’étape E31, l’unité de contrôle vérifie si à la fonctionnalité activée, une consommation en énergie électrique est associée en interrogeant la table.
Dans l’affirmative, l’unité de contrôle 100 passe à l’étape E32. Dans la négative, l’unité de contrôle 100 passe à l’étape E35.
A l’étape E32, l’unité de contrôle 100 commande une estimation de la quantité d’énergie électrique consommée par la fonctionnalité activée.
Plus précisément, l’unité de contrôle 100 active un compteur temporel associé à la fonctionnalité activée.
A l’étape suivante E33, l’unité de contrôle 100 vérifie si la fonctionnalité est désactivée.
Dans l’affirmative, l’unité de contrôle 100 passe à l’étape E34.
A l’étape E34, l’unité de contrôle désactive l’estimation logicielle de la consommation en énergie électrique de la fonctionnalité, mémorise la valeur du compteur temporel associé à la fonctionnalité activée et interrompt le compteur temporel associé à la fonctionnalité activée.
A l’étape E35, l’unité de contrôle 100 commande une mesure de la quantité d’énergie électrique consommée par la fonctionnalité activée et active un compteur temporel associé à la fonctionnalité activée.
La mesure de la quantité d’énergie électrique consommée par la fonctionnalité activée est par exemple effectuée en mesurant le courant traversant une résistance de faible valeur placée entre la pile et les composants auxquels l’énergie électrique est fournie.
Les mesures du courant sont mémorisées.
Il est à remarquer ici que la mesure du courant est faite pour l’ensemble des composants de l’objet communicant ou seulement pour les composants de la fonctionnalité activée.
A l’étape suivante E36, l’unité de contrôle 100 vérifie si la fonctionnalité est désactivée.
Dans l’affirmative, l’unité de contrôle 100 passe à l’étape E37. Dans la négative, l’unité de contrôle 100 retourne à l’étape E35.
A l’étape E37, l’unité de contrôle désactive la mesure de la consommation en énergie électrique de la fonctionnalité, mémorise la valeur du compteur temporel associé à la fonctionnalité activée et interrompt le compteur temporel associé à la fonctionnalité activée.
Il est à remarquer que dans un mode particulier, la mesure de la consommation en énergie électrique de la fonctionnalité activée et l’estimation de la consommation en énergie électrique de la fonctionnalité activée peuvent être effectuées simultanément d’une manière temporaire pour vérifier si l’estimation de la consommation en énergie électrique de la fonctionnalité activée correspond à la consommation réelle en énergie électrique de la fonctionnalité activée et dans la négative modifie la valeur de la consommation en énergie électrique associée à la fonctionnalité.
Dans un mode particulier, lorsque la mesure du courant consommé par une fonctionnalité activée est stable dans le temps, par exemple fluctue dans une plage de valeurs de +/- 5%, la valeur mesurée est associée à la fonctionnalité activée et est mémorisée dans la table.
Il est ainsi proposé d’adapter une dimension de l’élément d’interface graphique pour l’ajuster à la résolution de la dalle tactile. Par exemple, la longueur ou la largeur d’un bouton est ajustée pour couvrir un nombre entier de zones de détection. Autrement dit, la dimension est ajustée pour correspondre à la granularité de la surface tactile, c’est-à-dire qu’au moins deux bords opposés de l’élément d’interface graphique sont alignés sur la grille de détection.