INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Le procédé de contrôle et le procédé de transmission s’avèrent notamment pertinents dans un réseau de communication ou des dispositifs de communications (NWDAF, NEF (en anglais Network Exposure Function), ADRF…) sont gérés par des entités différentes et que ces fonctions interagissent avec des fonctions externes au réseau mobile comme les terminaux utilisateurs et/ou les serveurs applicatifs. Les procédés permettent ainsi de certifier que les échanges sont conformes à un contrat signé entre les entités, à une réglementation ou à une spécification voire à une volonté d’un utilisateur. Certaines de ces fonctions transmettent des données (ou informations) relatives à un ou plusieurs services de communication (audio, vidéo, texte…) dans des messages à destination d’autres fonctions en charge de les traiter, de les stocker ou de les agréger par exemple. Sachant que les services peuvent avoir des contraintes spécifiques, les justificatifs numériques signés sont avantageusement relatifs à un service de communication en particulier ou à un ensemble de services ayant les mêmes contraintes. Ainsi, chaque fonction impliquée dans l’acheminement de ces données (ou informations) relative à un service a la capacité de valider ou non les justificatifs numériques signés transmis par une autre fonction du réseau de communication. Dans le cas particulier où le justificatif numérique signé concerne un consentement d’un utilisateur, et que ce consentement est révoqué conduisant à une révocation de la fonction transmettant le justificatif numérique signé, alors les données relatives à l’utilisateur sont possiblement supprimées et l’échange de messages entre des fonctions est interrompu à la suite de la révocation.
Un exemple de mise en œuvre dans un réseau de communication où un dispositif NWDAF est désagrégé est présenté ci-dessous :
Les données de navigation, en particulier les données de cartographie sur lesquelles se basent les systèmes ADAS, comprennent également des informations sur le chemin le plus probable, aussi appelé MPP (de l’anglais « Most Probable Path »), associé à chaque route. Le chemin le plus probable correspond en général à la trajectoire généralement empruntée par les véhicules circulant sur une route donnée. En particulier, ce chemin le plus probable tient compte des intersections prises par les véhicules. Un exemple de détermination du chemin le plus probable pour un véhicule est par exemple décrit dans le document DE102011078946A1.
Les systèmes ADAS se basent ainsi, pour chaque intersection de la route sur laquelle circule le véhicule, sur une trajectoire supposée du véhicule au-delà de l’intersection, correspondant à son chemin le plus probable. Un tel fonctionnement des systèmes ADAS amène ainsi par exemple à une accélération ou un ralentissement anticipé du véhicule, en fonction des caractéristiques d’une voie, avant l’entrée du véhicule dans cette même voie.
Lorsque le conducteur ne souhaite pas suivre le chemin le plus probable, les systèmes ADAS du véhicule se basent par conséquent sur une trajectoire erronée du véhicule, résultant en des comportements inattendus du véhicule, susceptibles de surprendre le conducteur.
Un autre objet de la présente invention est d’informer le conducteur des conditions de circulation du véhicule.
Selon un premier aspect, la présente invention concerne un procédé de rendu d’un chemin le plus probable pour un véhicule circulant dans un environnement routier, le procédé étant mis en œuvre par un calculateur, le procédé comprenant les étapes suivantes :
- réception de premières données représentatives d’une position du véhicule dans l’environnement routier, depuis un système embarqué dans le véhicule ;
- réception de deuxièmes données représentatives d’une cartographie de l’environnement routier ;
- détermination de troisièmes données représentatives d’un chemin le plus probable pour le véhicule dans l’environnement routier, en fonction des premières et deuxièmes données ; et
- rendu, en fonction des troisièmes données, d’un premier contenu graphique représentatif du chemin le plus probable à destination d’un conducteur du véhicule, pour affichage sur un dispositif d’affichage embarqué dans le véhicule.
On comprend ici que la détermination des troisièmes données correspond par exemple à un calcul du chemin le plus probable du véhicule en fonction de données de navigation issues des deuxièmes données, notamment un historique de navigation d’une pluralité de véhicules circulant dans l’environnement routier, le calcul étant appliqué en fonction de la position du véhicule issue des premières données. Selon un autre exemple, la détermination des troisièmes données correspond à une mise en correspondance de la position du véhicule, issue des premières données, avec un ensemble de chemins les plus probables prédéterminés et issus des deuxièmes données.
Ainsi, selon la présente invention, une information est transmise à destination du conducteur du véhicule, de manière à informer le conducteur sur le chemin le plus probable que va parcourir le véhicule, tel que déterminé selon le procédé. Le conducteur peut ainsi prévoir de manière fiable le comportement du véhicule et anticiper ou réagir à des changements de comportement du véhicule en différenciant la conduite du véhicule d’un suivi du chemin le plus probable. En particulier, le conducteur est informé de toute accélération et/ou ralentissement du véhicule à l’approche d’une intersection.
Selon une variante, le procédé comprend en outre une étape de contrôle d’un système d’aide à la conduite, dit système ADAS, du véhicule en fonction des troisièmes données.
A titre d’exemple non limitatif, l’étape de calcul 120 peut être mise en œuvre par un ordinateur ou plus généralement par tout type de dispositif informatique configuré pour cela.
Dans un premier mode de réalisation, le procédé de production 100 selon l’invention peut comprendre une étape de surfaçage 115, par lithographie ou par laser, des faces d’orientation cristallographique OC1, OC2 des familles de plans {100} ou des familles de plans {100} et {113} des germes 10, 11, 12, 13 de diamant monocristallin de sorte que lesdits germes présentent des angles donnant les directions de propagation D 10 , D 11 des fronts d’onde FO 10 , FO 11 sensiblement identiques. Cela permet ainsi de limiter l’apparition de défauts cristallins lors des étapes de croissance.
A titre d’exemple non limitatif, l’étape de surfaçage 115 peut être mise en œuvre par un laser, tel qu’un laser guidé par un jet d’eau, par exemple de 50 µm de diamètre, d’une longueur d’onde de 532 nm, d’une puissance de 50 W et d’une fréquence de 6 kHz. En particulier, l’étape de surfaçage 115 peut être mise en œuvre par un laser présentant un diamètre d’au moins 10 µm, de préférence d’au moins 20 µm, de façon plus préférée d’au moins 30 µm et de façon plus préférée d’au moins 50 µm de diamètre. L’étape de surfaçage 115 peut être mise en œuvre par un laser présentant un diamètre d’au plus 200 µm, de préférence d’au plus 150 µm, de façon plus préférée d’au plus 125 µm et de façon plus préférée d’au plus 100 µm de diamètre.
L’étape de surfaçage 115 peut être réalisée en balayant le laser sur la surface de la plaque de diamant monocristallin. L’étape de surfaçage 115 peut alternativement être mise en œuvre par lithographie, notamment par l’utilisation d’un masque de photolithographie comprenant des motifs à réaliser sur la surface du diamant. Une étape de dépôt de SiO 2 dans un bâti de PECVD (dépôt chimique en phase vapeur assistée par plasma) puis de résine photosensible précède la photolithographie. Ensuite, une étape de gravure dans un bâti de gravure ionique réactive du dépôt de SiO 2 puis du diamant permet de compléter le resurfaçage.
Le procédé de production 100 selon l’invention comprend en outre une étape de positionnement 130 des germes de diamant monocristallin, de manière à former une mosaïque. Les germes de diamant monocristallin sont positionnés de sorte que deux germes de diamant monocristallin adjacents présentent des premières valeurs décrivant les angles donnant les directions de propagation D 10 , D 11 des fronts d’onde FO 10 , FO 11 dont la différence est de préférence sensiblement égale à 0°, de façon plus préférée égale à 0°.
Les germes de diamant monocristallin sont positionnés de sorte que deux germes de diamant monocristallin adjacents présentent des premières valeurs décrivant les angles donnant les directions de propagation D 10 , D 11 des fronts d’onde FO 10 , FO 11 dont la différence est d’au plus 5°.
Les germes de diamant monocristallin sont positionnés de sorte que deux germes de diamant monocristallin adjacents présentent des premières valeurs décrivant les angles donnant les directions de propagation D 10 , D 11 des fronts d’onde FO 10 , FO 11 dont la différence est supérieure ou égale à 0° et inférieure ou égale à 5°.
Les germes de diamant monocristallin peuvent être positionnés de sorte que deux germes de diamant monocristallin adjacents présentent des premières valeurs décrivant les angles donnant les directions de propagation D 10 , D 11 des fronts d’onde FO 10 , FO 11 dont la différence est inférieure ou égale à 4°, de préférence inférieure ou égale à 3°, préférentiellement inférieure ou égale à 2° et de manière encore plus préférée inférieure ou égale à 1° et de manière encore plus préférée égale à 0°.
Dans un mode de réalisation, le positionnement 130 des germes de diamant monocristallin peut être réalisé selon une même direction de propagation du front d’onde FO 10 , FO 11 , de manière à former une mosaïque, chaque germe 10, 11, 12, 13 de diamant monocristallin comprenant un angle donnant la direction de propagation D 10 , D 11 , du front d’onde FO 10 , FO 11 dont la différence est supérieure ou égale à 0° et inférieure ou égale à 5°. par rapport à la deuxième valeur décrivant l’angle donnant la direction de propagation du front d’onde principal FO de la pluralité de germes 10, 11, 12, 13 de diamant monocristallin constituant la mosaïque.
Optionnellement, comme montré sur la , les germes 10, 11, 12, 13 de diamant monocristallin peuvent être de forme parallélépipédique, plus particulièrement de forme carrée, ou encore octaédrique ou encore triangulaire. Ils peuvent en outre être positionnés en décalé les uns par rapport aux autres, de manière qu’au moins un sommet S de chaque germe 10, 11, 12, 13 de diamant monocristallin est positionné en vis-à vis par rapport à un côté d’un germe de diamant monocristallin adjacent. Ainsi, les sommets S des germes se retrouvent en contact ou non et en vis-à-vis avec au maximum deux germes adjacents. Cela permet ainsi de limiter la génération de contraintes mécaniques lors des étapes de croissance.
Afin d’obtenir des jonctions de haute qualité et permettre la fabrication d’une plaque de diamant monocristallin de grande taille, les germes de diamant monocristallin peuvent présenter une différence d’épaisseur d’au plus 50 µm, de préférence d’au plus 30 µm, par rapport à un autre germe de diamant monocristallin adjacent.
Afin d’améliorer encore plus la formation de jonctions de haute qualité et permettre la fabrication d’une plaque de diamant monocristallin de grande taille, les germes de diamant monocristallin peuvent être positionnés par ordre d’épaisseur croissante selon une direction de propagation définie par un des angles D 10 , D 11 des fronts d’onde FO 10 , FO 11 . Plus particulièrement, les germes de diamant monocristallin sont positionnés de façon à présenter une différence d’épaisseur croissante par rapport à un ou plusieurs des germes adjacents, dans le sens des directions de propagation des fronts d’onde FO 10 , FO 11 donnés par leurs angles D 10 D 11 . A titre d’exemple illustratif, les germes de diamant monocristallin, qui forment la mosaïque et qui présentent une première épaisseur E1 minimum peuvent être positionnés en premier dans le sens des directions de propagation de leurs fronts d’onde, d’angles associés D 10 , D 11 puis les germes de diamant monocristallin qui présentent une deuxième épaisseur E2 croissante de moins de 5 µm de différence par rapport à la première épaisseur E1 peuvent être positionnés de manière adjacente aux germes de diamant monocristallin qui présentent une telle première épaisseur E1. Enfin, les germes de diamant monocristallin qui présentent une épaisseur croissante, par exemple une troisième épaisseur E3 de plus 5 µm et jusqu’à 50 µm de différence par rapport aux germes adjacents, sont positionnés en suivant, de manière adjacente aux germes de diamant monocristallin qui présentent une deuxième épaisseur E2 croissante de moins de 5 µm de différence par rapport à la première épaisseur E1 dans le sens de la direction de propagation définie par un des angles D 10 , D 11 des fronts d’onde FO 10 , FO 11 . Ainsi, la différence d’épaisseur entre chaque germe de diamant monocristallin adjacent est de préférence inférieure ou égale à 30 µm, de façon plus préférée inférieure ou égale à 25 µm, de façon encore plus préférée inférieure ou égale à 20 µm, et par exemple inférieure ou égale à 15 µm.
Optionnellement, l’étape de positionnement 130 peut en outre comprendre un placement d’un germe de diamant monocristallin par rapport à un autre germe de diamant monocristallin à une distance R1 d’au plus 200 µm, de préférence d’au plus 150 µm, de manière plus préférée d’au plus 100 µm, de manière encore plus préférée d’au plus 50 µm.
Toujours dans l’invention, le procédé de production 100 d'une plaque de diamant monocristallin de grande taille comprend une étape de dépôt d’une couche de diamant monocristallin sur la mosaïque, cette étape de dépôt comporte une ou plusieurs étapes de croissance épitaxiale. L’étape de dépôt d’une couche de diamant monocristallin sur la mosaïque peut comprendre l’injection d’un gaz à des conditions de pression, de débit et de température prédéterminées. Pour cela, la mosaïque est, par exemple, positionnée dans un réacteur de dépôt assisté par plasma microonde de type connu, par exemple dans les conditions suivantes : 200 mbar, 21 kW, 2000 sccm de H 2 , 5 % CH4, et à une température de croissance allant de 1000°C à 1060°C. A titre d’exemple non limitatif, le réacteur de dépôt assisté par plasma microonde peut comprendre :
- une cavité résonante formée au moins en partie, par les parois internes cylindriques d’une enceinte du réacteur,
- un système d’arrivée de gaz de traitement apte à apporter des gaz de traitement au sein de la cavité résonante,
Plus généralement, le champ d’utilisation du gaz R1234ZE s’étend à tous les matériels destinés à produire du froid disposant d’un système de réfrigération embarqué.
COMPOSITION LUBRIFIANTE AVEC DES PROPRIÉTÉS FUEL ECO AMÉLIORÉES DANS LES VÉHICULES HYBRIDES La présente invention a pour objet une composition lubrifiante utilisée pour les véhicules légers, notamment les véhicules hybrides, et plus particulièrement de type véhicule hybride rechargeable et véhicule hybride comprenant un prolongateur d’autonomie. La présente invention a également pour objet l’amélioration du Fuel Eco à basse température des moteurs de tels véhicules.
Les véhicules hybrides comprennent deux moteurs, un moteur thermique et un moteur électrique. Dans la plus grande partie des véhicules hybrides, le moteur thermique entraîne les roues et est secondé par un moteur électrique. Une batterie fournit l’électricité nécessaire au fonctionnement du moteur électrique, cette batterie est, dans le cas des véhicules hybrides classiques, rechargée pendant les phases de freinage et de décélération, par un système de récupération de l’énergie cinétique (SREC) intégré au véhicule.
- les véhicules mild-hybrides qui comprennent une assistance électrique lors des accélérations ; et
D’autres technologies complémentaires ont été récemment développées : les véhicules hybrides rechargeables et les véhicules hybrides comprenant un prolongateur d’autonomie. Les véhicules hybrides rechargeables (appelés également plug-in en anglais) comprennent un moteur thermique et un moteur électrique, la batterie peut être rechargée sur le réseau électrique, ces véhicules peuvent ainsi rouler en mode 100% électrique sur une distance de plusieurs dizaines de kilomètres, par exemple 50 kilomètres. Dans les véhicules hybrides comprenant un prolongateur d’autonomie (appelé également range extender en anglais), seul le moteur électrique entraine les roues. Ce moteur électrique est alimenté par une batterie pendant quelques dizaines de kilomètres. Lorsque la batterie atteint un certain seuil de charge (par exemple de l’ordre de 30%) le moteur thermique démarre et entraîne un générateur de courant permettant de produire l’électricité nécessaire pour recharger la batterie et maintenir le fonctionnement du moteur électrique.
Dans ces deux types de véhicules hybrides, le moteur thermique est utilisé moins souvent et fonctionne donc à des températures plus basses (aux alentours, voire même inférieures à 40°C) notamment que les moteurs des autres types de véhicules hybrides. Or, à faible température, les compositions lubrifiantes classiques sont plus visqueuses et les additifs ne sont pas actifs comme dans une application conventionnelle à plus haute température. Les lubrifiants actuels ont été optimisés pour permettre un gain de consommation de carburant à chaud.
Les besoins en compositions lubrifiantes haute performance augmentent, notamment en ce qui concerne l’efficacité énergétique et plus particulièrement l’amélioration du Fuel Economy ou Fuel Eco sous une forme abrégée (FE) des compositions lubrifiantes ou la réduction de la consommation de carburant des moteurs, en particulier des moteurs de véhicules hybrides.
L’objectif pour améliorer le FE est notamment d’avoir des compositions lubrifiantes les plus fluides possibles, et donc présentant une viscosité faible éventuellement corrélée à un grade faible.
La présente invention a donc pour but de fournir une composition lubrifiante permettant la lubrification du moteur de véhicule hybride rechargeable ou comprenant un prolongateur d’autonomie, avec des propriétés améliorées de Fuel Eco.
La présente invention a également pour but de fournir une composition lubrifiante présentant des propriétés améliorées de Fuel Eco à basse température pour des moteurs de véhicules légers, notamment de véhicules hybrides.
Ainsi, la présente invention concerne une composition lubrifiante comprenant :
- un générateur de microonde configuré pour générer des microondes dont la fréquence est comprise entre 300 MHz et 3000 MHz,
- un module de sortie des gaz apte à retirer lesdits gaz de la cavité résonante,
- un module de couplage des ondes apte à transférer les microondes depuis le générateur de microonde jusqu’à la cavité résonante, de façon à permettre la formation d’un plasma homogène à l’interface plasma /surface,
- un support de croissance présent dans la cavité résonante,
- un module de contrôle de la température de croissance des surfaces.
En particulier, le procédé de production 100 selon l’invention comprend une étape de croissance épitaxiale 140 latérale de la structure en terrasses selon l’orientation cristallographique OC2 de la face de familles de plans {100} lorsque les germes comprennent des familles de plans {100} uniquement ou de la famille de plans {113} lorsque les germes comprennent des familles de plans {100} et {113}, par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma d’une couche monocristalline.
L’étape de croissance épitaxiale 140 latérale peut être mise en œuvre dans un réacteur de dépôt assisté par plasma de type connu à des conditions prédéterminées pour permettre une croissance C2 selon l’orientation cristallographique OC2 comme cela est présenté en .
De façon préférée, l’étape de croissance épitaxiale 140 comporte une croissance épitaxiale selon l’orientation cristallographique OC2 de la face de la famille de plans {113}. En effet, elle permet la formation de jonctions monocristallines 10-1, entre deux germes 10, 11 de diamant monocristallin, de haute qualité comme cela est présenté dans les exemples.
L’étape de croissance épitaxiale 140 latérale peut éventuellement être effectuée par un moyen adapté pour le dépôt chimique en phase vapeur assisté par filament chaud.
A titre d’exemple illustratif, les conditions de croissance lors de l’étape de croissance épitaxiale 140 latérale peuvent comprendre la génération d’une pression comprise entre 20 hPa et 500 hPa au sein de la cavité résonante, l’injection de microondes à une puissance comprise par exemple entre 0,5 kW et 100 kW (ou plus), selon le type de générateur utilisé (fréquence utilisée), l’injection de gaz, par exemple à un débit total d’au moins 150 standard cm 3 par minute (sccm), les gaz comprenant par exemple du méthane, de l’argon et du dihydrogène ou un mélange de tout ou partie de ces gaz, et des additifs tels que oxygène, azote, bore, phosphore et argon, ou encore des halogènes et la mise en fonctionnement de systèmes de refroidissement de l’enceinte, du substrat pour contrôler la température de la ou des surfaces de croissance dans un intervalle allant de préférence de 800°C 1200°C, du système d’injection des gaz et du porte substrat.
Dans un mode de réalisation particulier du procédé de production 100 selon l’invention, l’étape de croissance épitaxiale 140 latérale de la structure en terrasses selon l’orientation cristalline OC2 des germes 10, 11, 12, 13 de diamant monocristallin comprenant des familles de plans {100} ou des germes 10, 11, 12, 13 de diamant monocristallin comprenant des familles de plans {100} et {113}, peut comprendre une étape d’introduction 141 d’un gaz adapté pour empêcher le développement de contraintes et la formation de macles à l’interface entre les germes 10, 11, 12, 13. Un tel gaz peut par exemple être introduit par un système d’arrivée de gaz pour permettre un apport en azote dans la cavité résonante, par exemple à une concentration d’au plus 250 ppm d’azote, préférentiellement d’au plus 10 ppm d’azote, de préférence d’au plus 3 ppm d’azote. L’utilisation d’azote, à une teneur de par exemple au moins 1 ppm, par exemple lors de l’étape de croissance épitaxiale 140 latérale permet de limiter le développement de défauts cristallins, notamment des macles et assure une plus grande stabilité cristalline.
Dans un mode de réalisation particulier du procédé de production selon l’invention, l’étape de croissance épitaxiale 140 latérale peut en outre comprendre une étape de création 142 de centres colorés dits centres « XV- », suivie d’une irradiation par faisceau d’électrons et d’un recuit. Pour cela, l’étape de création 142 de centres XV- comprend l’introduction, par un système d’arrivée de gaz, pour permettre un apport en gaz dopant « X », tel qu’à titre d’exemples non limitatifs l’azote ou le silicium, dans la cavité résonante, par exemple à une concentration de 10 ppm à 1000 ppm d’azote. L’utilisation de tels gaz dits dopants permet de modifier les propriétés du diamant synthétisé. Cela peut par exemple modifier ses propriétés optiques, électroniques et quantiques. Avantageusement, l’étape de création 142 peut être réalisée lors d’une croissance épitaxiale latérale de la structure en terrasses selon l’orientation cristallographique OC2 de la face de la famille de plans {113}.
Dans un autre mode de réalisation particulier du procédé de production selon l’invention, celui-ci peut comprendre une deuxième étape de croissance épitaxiale latérale comprenant en outre la création 142 de centres « XV- » tel que décrit précédemment. De façon préférée, cette étape de création 142 de centres « XV- » sera réalisée après une étape de surfaçage.