INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Lorsque le système S est un véhicule, l’alerte de l’usager du véhicule S peut se faire, par exemple, au moyen d’un voyant allumé (par exemple du tableau de bord) et/ou d’un message affiché sur au moins un écran du véhicule S (par exemple du tableau de bord ou d’un combiné central) ou sur l’écran d’un téléphone intelligent (ou « smartphone ») de l’usager, et/ou diffusé par au moins un haut-parleur du véhicule S ou de ce téléphone intelligent. Cette alerte est destinée à signaler (ici) au conducteur un défaut de fonctionnement sur la batterie cellulaire principale BP, afin qu’il fasse vérifier cette dernière (BP) rapidement dans un service après-vente.
L’enregistrement d’au moins un code défaut représentatif du plus grand seuil sm dépassé est destiné à faciliter la recherche de l’origine d’une interdiction de fourniture du courant de recharge par un technicien d’un service après-vente, et à permettre à ce technicien de solutionner le problème et d’informer l’usager du système S de l’origine d’une telle interdiction. On notera qu’un code défaut peut être éventuellement enregistré en correspondance de la (chaque) cellule CSB faisant l’objet d’une surtension détectée.
L’isolement électrique de la batterie cellulaire principale BP est préférentiellement réalisé au moyen du dispositif d’isolement DI (par action sur au moins un contacteur (ou interrupteur)), à la demande du calculateur de batterie CB, et de préférence après qu’il ait demandé une autorisation au calculateur de supervision CS, et une fois que la batterie cellulaire principale BP ne reçoit plus de courant de recharge. Cet isolement électrique est destiné à éviter une détérioration du circuit électrique principal CEP et/ou d’un équipement électronique connecté à ce dernier (CEP), comme par exemple le convertisseur CV.
On notera qu’en cas d’absence de réception d’une autorisation d’isolement électrique, le dispositif de surveillance DS peut éventuellement attendre pendant une deuxième durée d2 choisie avant d’ordonner au dispositif d’isolement DI d’isoler électriquement la batterie cellulaire principale BP.
Cette deuxième durée d2 peut éventuellement varier en fonction du seuil sm. En effet, à chaque seuil sm peut être associée une deuxième durée d2 spécifique. Dans ce cas, il est préférable que plus le m du plus grand seuil sm dépassé est grand, plus la deuxième durée d2 qui lui est associée est courte de manière à isoler la batterie cellulaire principale BP du reste du système S le plus vite possible (car la situation est plus préoccupante).
Mais en variante tous les seuils sm peuvent être associés à une même deuxième durée d2.
Par exemple, la (chaque) deuxième durée d2 peut être comprise entre 500 ms et 5 s. Mais d’autres valeurs de deuxième durée d2 peuvent être utilisées. Par exemple, la valeur de la (chaque) deuxième durée d2 peut être choisie pendant la phase de mise au point du système S.
On notera également que l’étape 10-40 peut aussi comprendre une sous-étape 40 dans laquelle on (le dispositif de surveillance DS) ré-autorise la recharge de la batterie cellulaire principale BP sans limitation (et donc après avoir recouplé la batterie cellulaire principale BP au circuit électrique principal CEP grâce au dispositif d’isolement DI). Cette ré-autorisation peut résulter du fait que les tensions tc ne dépassent plus un premier seuil de ré-autorisation sr1, inférieur ou égal au premier seuil s1, pendant au moins une première troisième durée d3 1 choisie (éventuellement variable en fonction de la température interne de la batterie cellulaire principale BP). De préférence, dans cette situation on cesse également de générer une (le dispositif de surveillance DS cesse de déclencher la génération d’une) alerte pour l’usager (lorsque cette action complémentaire est prévue).
Egalement de préférence, lorsque le plus grand seuil sm dépassé n’était pas initialement le plus grand (par exemple s4) des M seuils sm tout en étant supérieur à s1, on peut quitter la stratégie utilisée jusqu’à présent pour ce plus grand seuil sm dépassé afin d’instaurer la stratégie d’interdiction de fourniture du courant de recharge du seuil sm-1 immédiatement inférieur, à condition que les tensions tc ne dépassent plus un seuil de ré-autorisation srm (avec m ≠ 1), inférieur ou égal à ce plus grand seuil sm dépassé, pendant au moins une troisième durée d3 m choisie (éventuellement variable en fonction de la température interne de la batterie cellulaire principale BP).
Dans une autre variante, les moyens complémentaires du support sont des deux ancrages parallèles traversés par une lumière et en ce que lesdites lames présentent un épaulement latéral apte à s’encastrer respectivement dans lesdites lumières.
En alternative de fixation, lesdites faces latérales du boîtier présentent au moins un prolongement latéral traversé par une lumière orientée selon un axe parallèle à l’arbre de sortie de l’actionneur et une surface plane de calage, perpendiculaire audit axe de sortie et apte à venir en butée contre une surface complémentaire dudit support.
L’invention concerne aussi un système mécatronique formé par un équipement présentant un support pour recevoir un actionneur de positionnement d'un organe pivotant et un actionneur tel que décrit précédemment et pour lequel lesdits moyens complémentaires du support sont deux ancrages parallèles présentant un moyen complémentaire audit moyen d’enclenchement prévu sur lesdites lames de l’actionneur pour l’enclipsage dudit boîtier sur ledit support.
En particulier, ledit support présente en outre au moins un doigt de centrage positionné pour s’engager dans la lumière dudit prolongement latéral, ledit doigt présentant un épaulement pour servir de butée audit prolongement lorsque l’actionneur est enclipsé sur ledit support.
L’invention concerne également un actionneur de positionnement d'un organe pivotant, comprenant un boîtier muni d’un socle fermé par un couvercle renfermant un moteur électrique dont l’axe du rotor porte un pignon entraînant un arbre de sortie par l’intermédiaire d’un train d’engrenage multiétagé réducteur de mouvement caractérisé en ce que le volume intérieur dudit boîtier présente une longueur mesurée dans la plus grande dimension dudit boîtier, correspondant à la section du moteur électrique plus la section de la roue d’entraînement de l’arbre de sortie, et une largeur dans la direction transversale, correspondant à la largeur du stator du moteur électrique, et en ce que le moteur électrique et les mobiles du réducteur sont répartis selon trois plans dans la direction axiale, les mobiles intermédiaires étant situés dans l’enveloppe de longueur et de largeur et sur deux plans différents du plan de la roue de sortie, de telle sorte que dans le plan transversal de l’actionneur, la surface du réducteur de mouvement soit inférieure ou égale à la surface du moteur électrique.
En particulier, le moteur électrique présente une culasse prolongée radialement par trois dents bobinées disposées consécutivement dans une premier secteur angulaire et dans un secteur angulaire complémentaire présentant des dents non bobinées, l’angle formé entre deux dents bobinées consécutives étant de 60°, l’axe de la première dent bobinée formant un angle de 20°±5° par rapport à la face latérale longitudinal dudit boîtier, la culasse présentant au niveau de ladite première dent une périphérie rectiligne pour former une surface complémentaire à la surface adjacente dudit boîtier.
Dans une variante, le train réducteur de mouvement comprend un premier axe guidant une première roue dentée supérieure engrenée avec le pignon monté sur l’axe du rotor dudit moteur et un pignon lié positionné à un niveau intermédiaire, engrené avec une deuxième roue dentée liée à un troisième pignon positionné dans un niveau inférieur et guidée par un second axe, ledit troisième pignon étant engrené avec la roue dentée entraînant l’arbre de sortie.
En particulier, les axes de rotation du rotor du premier mobile intermédiaire et de la roue de sortie sont parallèles et situés dans le voisinage d’un plan médian, ledit plan médian s’étendant selon la direction longitudinale de l’actionneur, le voisinage du plan médian étant limité à une distance n’excédant pas 5% de la largeur de l’actionneur.
En variante, la face arrière présente un connecteur engagé dans l’espace compris entre la deuxième dent bobinée et la troisième dent bobinée.
En particulier, l’actionneur présente une carte électronique comportant les moyens de pilotage des bobines, ladite carte électronique s’étendant au-dessus du moteur électrique, ledit connecteur présentant des broches conductrices parallèles surmoulées par une pièce de maintien, ladite pièce de maintien présentant deux tenons cylindriques orthogonaux auxdites broches et aptes à s’insérer dans des perçages de la carte électronique, permettant le maintien du connecteur jusqu’à sa solidarisation par soudure.
La présente invention sera décrite de manière plus détaillée en référence à des exemples non limitatifs de réalisation précisant les avantages et considérations susmentionnées. Une description plus particulière de l'invention brièvement décrite ci-dessus se réfère aux dessins annexés illustrant un exemple non limitatif de réalisation d’un tel actionneur :
la représente une vue de face de l’actionneur selon l’invention,
la représente une vue de dos en perspective droite de l’actionneur selon l’invention,
la représente une vue de face en perspective droite de l’actionneur selon l’invention, dont le couvercle et l’électronique ont été retirés,
la représente une vue de face de l’actionneur selon l’invention, dont le couvercle et l’électronique ont été retirés,
-une opération de mise en contact du premier substrat, au niveau de la périphérie de sa face supérieure, avec une composition liquide comprenant un ou plusieurs composés antiadhésifs et au moins un solvant organique, la mise en contact pouvant se faire, par exemple, par enduction centrifuge ;
-une opération de séchage de ladite composition ainsi déposée par évaporation du ou desdites solvants.
Lors du séchage, si la composition comprend un ou plusieurs composés halogénosilanes et que le premier substrat est un substrat en silicium, le ou les composés halogénosilanes vont réagir avec les groupes hydroxyles présents spontanément à la surface du substrat en silicium pour former des greffons apportant le caractère antiadhésif à la périphérie du premier substrat.
Ainsi, à titre d’exemple, lorsque le premier substrat est un substrat en silicium et que le composé halogénosilane utilisé est du perfluorodécyltrichlorosilane, la couche périphérique antiadhésive correspond ainsi à une couche comprenant des greffons issus de la réaction du perfluorodécyltrichlorosilane avec le substrat en silicium, lesdits greffons répondant à la formule suivante :
les accolades positionnées au niveau des atomes de silicium appartenant au substrat en silicium, les atomes d’oxygène étant issus des groupes hydroxyles présents spontanément à la surface d’un substrat en silicium en raison d’un phénomène d’hydratation lié à l’humidité ambiante. Autrement dit, le perfluorodécyltrichlorosilane réagit, selon un mécanisme de substitution nucléophile, avec les groupes –OH présents à la surface du substrat en silicium.
Des compositions liquides pouvant être utilisées pour former la couche antiadhésive peuvent être des compositions commerciales fournies par la société 3M sous la référence NOVEC TM 2702, NOVEC TM 1700 ou NOVEC TM 1720 ou encore les compositions commerciales commercialisées par la société Daikin sous la référence Optool.
Avant l’étape de dépôt susmentionnée, le procédé de l’invention peut comprendre une étape de masquage de la zone centrale de la face supérieure du premier substrat, pour éviter que la couche antiadhésive ne se dépose également sur cette zone centrale. Il s’entend, dans le cas, qu’à l’issue de l’étape de dépôt, le procédé pourra comprendre, également, une étape de suppression du masque ainsi introduit.
Cette étape de masquage peut être réalisée :
-par photolithographie ; ou
-par dépôt, dans un premier temps, d’une couche adhésive sur toute la surface de la face supérieure du premier substrat suivi, dans un deuxième temps, de l’élimination, par exemple, par détourage, de la couche adhésive, sur la périphérie de la face supérieure.
En variante, l’étape de dépôt d’une couche périphérique antiadhésive peut comprendre les opérations suivantes :
-une opération de mise en contact du premier substrat, au niveau de sa face supérieure, avec une composition liquide comprenant un ou plusieurs composés antiadhésifs et au moins un solvant organique, la mise en contact pouvant se faire, par exemple, par enduction centrifuge ;
-une opération de séchage de ladite composition ainsi déposée par évaporation du ou desdites solvants ;
-une opération d’élimination de la couche ainsi obtenue au niveau de sa zone centrale pour ne laisser subsister qu’une couche périphérique.
L’opération d’élimination peut être obtenue par une abrasion mécanique (par exemple, au moyen d’une roue diamantée) de la zone centrale suivie éventuellement d’un polissage, par exemple, un polissage mécano-chimique pour gommer les éventuelles irrégularités de surface induites par l’abrasion mécanique.
Cette variante est particulièrement adaptée pour un premier substrat dont la zone centrale de la face supérieure est en protubérance par rapport à la périphérie de celle-ci, cette protubérance pouvant découler d’une opération préalable de détourage de la périphérie de la face supérieure.
où l représente la longueur du bras de mesure 56 de l’interféromètre, donc la somme des longueurs du trajet optique d’émission 50 et du trajet optique de réception 52. I Vibration représente un changement de la longueur de mesure 56 de l’interféromètre dû aux vibrations mécaniques.
Les phases de la lumière laser des deux rayons de référence 40,42 découlent des équations suivantes :
où ΔΩ représente la fréquence de modulation de l’installation de modulation 16 prédéterminée par l’oscillateur 14 et , les phases de ce qu’on appelle un « non common path » (NCP). Ce chemin non commun représente la partie du trajet optique sur laquelle les premier et deuxième rayons de référence 40,42 se sont pas superposés sur les premier et deuxième rayons de mesure 36,38 renvoyés, donc le trajet optique entre l’installation de modulation optique 16 et l’unité de superposition 20, en passant par le miroir 18.
En soustrayant les phases , des rayons de mesure renvoyés 36,38 des phases , des rayons de référence respectifs 40,42, les différences de phase , découlent dans l’unité de réception 22 des équations suivantes :
L’exploitation des différences de phase dans l’unité d’exploitation 24 donne ainsi :
mit .
Ainsi, la différence d’indice de réfraction n(2ω)-n(ω) de la dispersion du milieu peut être déterminée.
La représente un système 200 d’interférométrie à dispersion avec un dispositif optique 100 selon un autre exemple de réalisation de l’invention avec un système optique supplémentaire 26, en représentation schématique.
Le système optique 26 peut être disposé dans le trajet de référence 54 et/ou dans le trajet optique d’émission 50 et/ou dans le trajet optique de réception 52 pour une adaptation aux rayons. Le système optique 26 comporte en outre des optiques de formation de rayon qui peuvent éventuellement être mises en œuvre dans les trajet optiques 50, 52, 54.
Les optiques servent à égaliser la propagation des rayons qui s’effectue dans le trajet optique de référence différemment par rapport au trajet optique d’émission 50 et au trajet optique de réception 52, de sorte à maximiser l’interférence des rayons 36, 38, 40, 42. Dans le cas de l’exemple de réalisation représenté sur la , est à chaque fois une optique du système optique 26 disposée dans le trajet optique d’émission 50, dans le trajet optique de réception 52 ainsi que dans le trajet optique de référence 54 entre le miroir 18 et l’unité de superposition 20. Le système optique 26 peut être par exemple, comme représenté sur la , un système de lentilles. En variante, le système optique 26 peut aussi comprendre des miroirs et/ou des éléments holographiques.
Sur la est représenté schématiquement un système 200 d’interférométrie à dispersion avec un dispositif optique 100 selon un autre exemple de réalisation de l’invention, avec une installation de doublement de fréquence 12 inversée et une installation de modulation 16.
Le premier rayon laser 34 diffracté est généré par modulation de fréquence avec la fréquence de modulation dans l’installation de modulation optique 16 et le deuxième rayon laser 33 et le deuxième rayon laser 35 diffracté sont générés par l’installation de doublement de fréquence 12.
L’installation de doublement de fréquence 12 est alors disposée dans le trajet optique d’émission 50 après l’installation de modulation optique 16. Dans cette variante de mode de réalisation, le premier rayon laser diffracté 34 est d’abord généré au moyen de l’installation de modulation 16 à partir du premier rayon laser 31 avec la fréquence fondamentale, avant que le deuxième rayon laser 33 de la deuxième harmonique ne soit généré à partir du premier rayon laser 31 par doublement de fréquence, et le deuxième rayon diffracté 35 à partir du premier rayon laser différé 34. Pour des raisons de disposition, des installations de doublement de fréquence 12 séparées peuvent être nécessaires pour les premier et deuxième rayons laser 31,33 ainsi que pour les deux rayons laser diffractés 34,35.
La représente schématiquement un système 200 d’interférométrie à dispersion avec un dispositif optique 100 selon un autre exemple de réalisation de l’invention, dans lequel les rayons de mesure renvoyés 36,38 sont déviés.
Le trajet optique d’émission 50 et le trajet optique de réception 52 sont dans cet exemple de réalisation conçus colinéaires. Ils peuvent de nouveau être décomposés avec des méthodes usuelles, comme par exemple des diviseurs de rayons, en chemins de rayons séparés et ainsi être traités ultérieurement comme précédemment.
En variante, comme cela est représenté sur la , l’unité de superposition 20 conçue comme un diviseur de faisceau peut être disposée directement après l’installation de modulation 16. Par exemple, le diviseur de faisceau peut être formé par une face de l’installation de modulation 16 ayant un angle et un revêtement équivalents.
28 angle
30 premier rayon de mesure
31 premier rayon laser
32 deuxième rayon de mesure
33 deuxième rayon laser
34 premier rayon laser diffracté
35 deuxième rayon laser diffracté
36 premier rayon de mesure renvoyé
38 deuxième rayon de mesure renvoyé
40 premier rayon de référence
42 deuxième rayon de référence
44 signal de réception électrique
46 élément optique
48 vecteur normal
50 trajet optique d’émission
52 trajet optique de réception
L’unité de réception 22 reçoit les premier et deuxième rayons de mesure renvoyés 36,38 et les premier et deuxième rayons de référence 40,42 superposés et les convertit en un signal de réception électrique 44.
L’unité d’exploitation 24 reçoit, numérise et exploite le signal de réception électrique 44.
Le signal de réception électrique 44 peut avantageusement être numérisé dans l’unité d’exploitation 24 avec un convertisseur analogique-numérique. Au moyen d’un traitement de signal numérique, les deux signaux à bande limitée sont démodulés, de préférence démodulés par quadrature et filtrés en passe-bas.
Par formation différentielle numérique la dispersion relative entre la fréquence fondamentale et la deuxième harmonique peut ainsi être déterminée. La dispersion relative est directement dépendante des paramètres ambiants comme la pression, la température, l’humidité de l’air, la teneur en CO 2 et rend ainsi possible une mesure de ces paramètres. Le traitement purement numérique facilite considérablement la structure de mesure.
Le signal de réception 44 est mélangé dans ce but dans l’unité d’exploitation 24 à l’aide d’un signal à double tonalité (ω+ΔΩ)+2(ω+ΔΩ) avec un dépôt ΔΩ sur la fréquence fondamentale ω, en particulier avec la fréquence de modulation ΔΩ, sur les fréquences ΔΩ und 2 ΔΩ.
Des différences de phase entre le premier rayon de référence 40 et le premier rayon de mesure renvoyé 36 ainsi qu’entre le deuxième rayon de référence 42 et le deuxième rayon de mesure renvoyé 38 sont déterminées dans l’unité de réception 22 en des bandes de fréquence séparables, de manière séparée pour la fréquence fondamentale et la deuxième harmonique.
Une dispersion relative entre la fréquence fondamentale et la deuxième harmonique peut être déterminée, en particulier par formation différentielle, en particulier numérique des différences de phase.
Selon l’invention, avec le procédé d’interférométrie à dispersion avec le dispositif optique 100, un premier rayon laser 31 est émis au moyen de la source de rayonnement laser 10 avec la fréquence fondamentale de la source de rayonnement laser 10. L’équation d’onde de la lumière laser s’énonce comme suit :
où ω est la fréquence circulaire du rayonnement laser (2π * fréquence fondamentale de la lumière laser), t le temps, k le vecteur d’onde, x le lieu le long du trajet optique d’émission 50, n l’indice de réfraction (dépendant de la fréquence) du milieu circulant, c la vitesse de la lumière, λ Vide la longueur d’onde du rayonnement laser dans le vide.
Au moyen de l’installation de doublement de fréquence 12, un deuxième rayon laser 33 est généré à la fréquence 2ω de la deuxième harmonique de la fréquence fondamentale ω. Un premier rayon laser diffracté 34 et un deuxième rayon laser diffracté 35 sont générés au moyen de l’installation de modulation 16 avec un dépôt ΔΩ sur la fréquence fondamentale ω ou un dépôt 2 ΔΩ sur le double de la fréquence fondamentale 2ω.
Le premier rayon laser diffracté 34 présente une intensité du premier ordre de diffraction de la fréquence fondamentale et le deuxième rayon laser diffracté 35 une intensité du deuxième ordre de diffraction de la deuxième harmonique. Les premier et deuxième rayons laser 34,35 sont ainsi émis de manière colinéaire avec un angle 28 par rapport aux premier et deuxième rayons optiques 32,34. En particulier l’angle 28 peut alors être d’au plus 50 mrad, de préférence d’au plus 10 mrad.
Les premier et le deuxième rayons laser 34,35 sont projetés en tant que premier et deuxième rayon de référence 40,42 dans un trajet optique de référence 54 sur l’unité de réception 22. Les premier et deuxième rayons laser 31,33 sont émis en tant que premier et deuxième rayons de mesure 30,32 dans un trajet optique d’émission 50 sur un élément optique 46.
En variante, les premier et deuxième rayons laser diffractés 34,35 peuvent aussi être émis en tant que premier et deuxième rayons de mesure 30,32 et les premier et deuxième rayons laser 31,33 en tant que premier et deuxième rayons de référence 40,42.
Des premier et deuxième rayons de mesure 36,38 renvoyés par l’élément optique 46 sont reçus dans un trajet optique d’émission 52 et superposés sur les premier et deuxième rayons de référence 40,42 à l’aide d’une unité de superposition 20 et projetés sur l’unité de réception 22.
Les premier et deuxième rayons de mesure renvoyés 36,38 et les premier et deuxième rayons de référence 40,42 superposés sont reçus par l’unité de réception 22 et convertis en un signal de réception électronique 44. Ce dernier est reçu par l’unité d’exploitation 24 et numérisé.
Après avoir traversé le milieu dont la dispersion doit être déterminée, sur le chemin le long du trajet optique d’émission 50 et le trajet optique de réception 52, les phases , de la lumière laser des premier et deuxième rayons de mesure 36,38 renvoyés découlent au niveau de l’unité de réception 22 des équations suivantes :
Sur la zone centrale de la face supérieure de la première plaque est déposée par enduction centrifuge une couche adhésive obtenue par dépôt d’un produit commercial Zero Newton TM TWM12000 Series obtenu auprès du fournisseur TOK (Tokyo Ohka Kogyo Product) suivie d’un séchage à 220°C, ladite couche adhésive présentant une épaisseur de 100 µm.