Capteur d’images comprenant un ou plusieurs pixels, chaque pixel (Pi) comportant : - une zone photosensible (12) formée dans un substrat (10) semi-conducteur ; - une tranchée d’isolation périphérique (16) s’étendant verticalement dans le substrat semi-conducteur et délimitant latéralement la zone photosensible (12) ; - un nœud de détection (SN) comportant une zone (151) de collecte de charges photo-générées agencée au niveau d’une face supérieure (10A) du substrat (10), la zone (110) de collecte de charges étant dopée et présentant un premier type de conductivité, en particulier de type P ; - une grille de transfert (TG) de charges s’étendant verticalement dans le substrat semi-conducteur autour de la zone (151) de collecte de charges ; - un caisson (14) intercalé entre la tranchée d’isolation périphérique (16) et la grille de transfert verticale (TG), et agencé autour du nœud de détection (SN), le caisson (14) étant dopé et présentant un deuxième type de conductivité, opposé au premier type de conductivité, en particulier de type N, la zone photosensible (12) étant formée d’une première région (13) dopée qui est du premier type de conductivité, en particulier de type P, et qui s’étend sous la zone (151) de collecte de charges et sous le caisson (14) et forme une diode avec le caisson (14), le capteur étant muni d’au moins un pixel (Pi) intégrant un transistor (M1) dit « d’accélération de détection », ledit transistor (M1) dit « d’accélération de détection » ayant une grille (191) agencée sur ladite face supérieure (10A) du substrat et qui est connectée au nœud de détection (SN), le transistor (M1) « d’accélération de détection » étant configuré pour, lors d’une opération dite de « détection de débordement de charges » lors de laquelle une polarisation de la grille de transfert (TG) est appliquée de sorte à former une barrière de potentiel puis maintenue et consécutivement à une illumination de la zone photosensible (12) durant ladite opération entrainant un transfert de charges photo-générées de la zone photosensible (12) vers le nœud de détection (SN) et une variation de potentiel à ce nœud de détection (SN), être rendu passant, le transistor « d’accélération de détection » rendu passant affaiblissant la barrière de potentiel et favorisant un transfert de charges photo-générées vers le nœud de détection (SN) de la zone photosensible. Capteur d’images selon la revendication 1, dans lequel le transistor (M1) « d’accélération de détection» comporte une région de canal formée dans une partie (135) dopée du substrat (10) présentant le premier type de conductivité, en particulier de type P. Capteur d’images selon la revendication 2, dans lequel ladite région de canal du transistor (M1) « d’accélération de détection » s’étend au niveau d’une face supérieure (10A) du substrat semi-conducteur entre une zone (142) dudit caisson (14), formant en particulier une région de source dudit transistor (M1) « d’accélération de détection », et une autre zone (172) présentant le deuxième type de conductivité, et formant en particulier une région de drain dudit transistor (M1) « d’accélération de détection » . Capteur d’images selon la revendication 3, dans lequel ladite autre zone (172) présente le deuxième type de conductivité et a un dopage, en particulier de type N+, plus important que le dopage de ladite zone dudit caisson (114). Capteur d’images selon l’une des revendications 3 ou 4, dans lequel un bloc d’isolation (55) est agencé entre la tranchée d’isolation périphérique (16) et ladite autre zone (172) présentant le deuxième type de conductivité. Capteur d’images selon l’une des revendications 1 à 5, comprenant en outre un circuit de commande (600) configuré pour, durant ladite opération de détection de débordement de charges, appliquer un potentiel (VTG) sur la grille de transfert (TG) de sorte à maintenir ladite barrière de potentiel durant ladite opération de détection de débordement de charges. Capteur d’images selon la revendication 6, dans lequel le circuit de commande (600) est configuré pour, durant ladite opération de détection de débordement de charges : selon une première phase appliquer à la grille (191) dudit transistor (M1) « d’accélération de détection », un premier potentiel d’initialisation (Vsninit) de sorte à maintenir le transistor (M1) bloqué puis, selon une deuxième phase, mettre en haute impédance, le nœud de détection (SN) et la grille (191) du transistor (M1) « d’accélération de détection ». Capteur d’images selon la revendication 7 lorsque rattachée à la revendication 3, dans lequel le circuit de commande (600) est configuré pour, lors de ladite première phase : appliquer à une région de source du transistor (M1) « d’accélération de détection» un deuxième potentiel d’initialisation (VNWELLinit) de préférence inférieur à un potentiel donné (Vdrain) appliqué à une région de drain du transistor (M1) « d’accélération de détection» puis, lors de ladite deuxième phase : mettre en haute impédance ladite zone (142) dudit caisson (14) tout en maintenant ledit potentiel donné (Vdrain) sur ladite autre zone (172). Capteur d’images selon l’une des revendications 7 ou 8, dans lequel le circuit de commande (600) est configuré pour, consécutivement à ladite variation de potentiel sur le nœud de détection (SN), remettre le nœud de détection (SN), au premier potentiel d’initialisation (Vinit_SN) et ladite zone (142) dudit caisson (14) au deuxième potentiel d’initialisation (Vinit_NWELL). Capteur d’images selon l’une des revendications 6 à 9, dans lequel le circuit de commande (600) est doté : - d’un premier étage (610), en particulier doté d’au moins une porte (612) réalisant une fonction logique « NON OU », comprenant une première entrée prévue pour recevoir un signal (S_START) de déclenchement de démarrage d’opération de détection et une deuxième entrée couplée au nœud de détection (SN) et à la grille transistor (M1) « d’accélération de détection », - un premier interrupteur (621) de couplage commandé par le signal de sortie du premier étage (610) et qui est prévu pour, lorsqu’il est rendu passant à coupler le nœud de détection (SN) à un premier potentiel d’initialisation (Vsninit) et lorsqu’il est rendu bloqué à mettre le nœud de détection (SN) en haute impédance, - un deuxième interrupteur (622) de couplage commandé par un signal de sortie du premier étage (610) et qui est prévu pour, lorsqu’il est rendu passant, coupler le caisson (14) à un deuxième potentiel d’initialisation (VNWELLinit) et lorsqu’il est rendu bloqué à mettre le caisson (14) en haute impédance. Capteur d’images selon l’une des revendications 6 à 10, dans lequel le transistor (M1) appartient à un circuit indicateur de débordement de charges formé d’un étage indicateur (630), en particulier muni d’un comparateur ou d’une porte logique telle qu’une porte logique réalisant une fonction OUI ou une fonction NON, configuré pour, consécutivement à ladite variation du potentiel sur le nœud de détection (SN), produire un signal (S_OUT) indicateur dudit débordement. Capteur d’images selon la revendication 11, dans lequel le circuit indicateur de débordement est associé à un compteur (810) configuré pour s’incrémenter à chaque réception dudit signal (S_OUT) indicateur de débordement. Capteur d’images selon l’une des revendications 6 à 12, dans lequel les pixels sont agencés dans un niveau (N 1 ) donné d’un dispositif comportant plusieurs niveaux (N 1 , N 2 , N 3 ) superposés de composants et dans lequel le circuit de commande est agencé dans un autre niveau (N 2 ) du dispositif, distinct dudit niveau donné ledit niveau donné et ledit autre niveau étant superposés. Dispositif de capture d’images à temps de vol comprenant un capteur d’images selon l’une des revendications 1 à 13. Dispositif de capture d’images basé sur la détection d‘évènements comprenant un capteur d’images selon l’une des revendications 1 à 13.