INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Dans tous les cas, le dispositif 2 d’activation comporte un corps 4 de tête d’extincteur (montré sur les figures déjà fixé dans une ouverture ménagée dans la paroi du réservoir 1, sur la partie supérieure du réservoir 1), une poignée 5 d’actionnement manuel, un moyen d’activation 6 mobile en translation à l’intérieur et selon un axe longitudinal du corps 4 de tête d’extincteur par actionnement de la poignée 5 d’actionnement manuel, et un dispositif de sécurité comprenant une goupille 7 (mode de réalisation non limitatif des figures 1 à 16) ou 7’ (mode de réalisation non limitatif de la ).
Plus précisément, la poignée 5 d’actionnement manuel, laquelle joue également le rôle de poignée de portage de l’extincteur, est montée sur le corps 4 de tête d’extincteur, mobile en rotation autour d’un axe d’articulation 8 depuis une position de repos vers une position d’activation. Dans les exemples non limitatifs illustrés, la poignée 5 d’actionnement manuel comporte une partie de préhension 9 de forme allongée pour faciliter la prise en main, et dont une extrémité est pourvue d’une chape comportant deux ailes 10a, 10b parallèles. La chape vient ici en surplomb du corps 4 et du moyen d’activation 6. Plus précisément, le corps 4 de tête d’extincteur comprend deux flasques 11a, 11b faisant saillie en s’étendant parallèlement selon un axe longitudinal du corps 4 de tête d’extincteur, et les deux ailes 10a, 10b constituent deux parois externes s’étendant parallèlement aux deux flasques 11a, 11b et perpendiculairement à l’axe d’articulation 8. En variante non représentée, ce sont les deux flasques du corps de tête qui pourraient constituer les deux parois externes définissant un espace interne dans lequel les deux ailes de la chape de la poignée pourraient s’étendre. Quelle que soit la variante envisagée, l’axe d’articulation 8 traverse les deux flasques 11a, 11b et les deux ailes 10a, 10b au niveau d’orifices correspondants, tels que ceux référencés 12a, 12b sur les ailes, et 13a, 13b sur les flasques (voir figures 1 et 2).
Par ailleurs, dans l’exemple non limitatif représenté sur les figures, le moyen d’activation 6 est un percuteur dont l’extrémité inférieure est apte à venir percer l’opercule d’une cartouche de gaz (non représentée) par basculement de la poignée 5 depuis la position de repos jusqu’à la position d’activation, pour que le gaz contenu dans la cartouche puisse s’écouler dans le réservoir 1 de l’extincteur et le mettre sous pression. Ceci est dû au fait que la poignée 5 d’actionnement manuel porte, dans la partie recouverte par la chape, une came (non visible) en contact avec une extrémité supérieure du percuteur 6, et dont le profil est configuré pour permettre, par rotation de la poignée 5 d’actionnement manuel autour de son axe d’articulation 8, une translation du percuteur 6 jusqu’à une position dans laquelle l’extrémité inférieure du percuteur perfore l’opercule de la cartouche de gaz.
Dans la variante non représentée d’un extincteur à pression permanente, le percuteur 5 est remplacé par une tige ou piston portant un obturateur. Tant que la poignée est dans sa position de repos, l’obturateur empêche la communication entre le réservoir et la lance de fluide. En revanche, le basculement de la poignée depuis sa position de repos vers la position d’activation entraîne le déplacement en translation de la tige ou piston portant l’obturateur et la mise en communication du réservoir d’extincteur avec une lance de sortie.
Dans tous les cas, la goupille 7 ou 7’ du dispositif de sécurité est configurée pour s’étendre longitudinalement selon un axe de réception XX’ de goupille parallèle à l’axe d’articulation 8 (voir figures 3 et 17) en traversant les parois externes 12a, 12b au niveau d’orifices 12c situés au-dessus des orifices recevant l’axe d’articulation 8 (voir figures 1 et 2), et agencée pour occuper une position de sécurité bloquant la poignée 5 dans la position de repos, comme illustré notamment sur les figures 3, 5, 6, 11, 12 et 17. Comme déjà évoqué, le rôle du dispositif de sécurité est de bloquer tout actionnement intempestif de la poignée 5 d’actionnement manuel, notamment pendant le portage de l’extincteur jusqu’à la zone d’incendie, et empêcher ainsi une translation du moyen d’activation 6. Autrement dit, tant que la goupille 7 ou 7’ occupe sa position de sécurité, la poignée 5 est bloquée dans sa position de repos.
Dans les modes de réalisation non limitatifs représentés, le dispositif 2 comporte de préférence également un scellé de sécurité 14 muni d’un fil 15 traversant des perçages transversaux prévus du côté d’une première extrémité du corps longitudinal cylindrique de la goupille 7 ou 7’ dépassant de la paroi externe correspondante (l’aile 10b dans l’exemple des figures) lorsque la goupille 7 ou 7’ est en position de sécurité. Un tel perçage transversal est représenté par la référence 16 sur la . L’avantage du scellé est notamment de faciliter la maintenance des extincteurs, et, dans le cas particulier d’un extincteur à pression auxiliaire, de s’assurer que la cartouche auxiliaire n’a pas encore été activée. Lorsque la goupille est en position de sécurité, le fil 15 passe également de préférence au travers d’orifices correspondants 16’ pratiqués au niveau d’une extension tubulaire solidaire de l’aile 10b et coaxiale avec l’orifice 12c (voir figures 2 et 5).
Les transistors T1 et T2 sont des transistors à effet de champ à grille isolée, ou transistors à effet de champ à structure métal-oxyde-semiconducteur, appelé par la suite des transistors MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) ou transistors MOS. De plus, les transistors T1 et T2 sont des transistors MOS à canal P, ou transistors MOS de type P, ou transistors PMOS. Par ailleurs, les transistors MOS à canal N sont appelés par la suite transistor MOS de type N, ou transistor NMOS. Le drain du transistor T1 est relié, de préférence connecté, à un noeud recevant la tension VBUS, et la source du transistors T1 est reliée, de préférence connectée, à la source du transistor T2. Le drain du transistor T2 est relié, de préférence connecté, à un noeud A. Les grilles des transistors T1 et T2 sont reliées entre elles et à un noeud B.
Les diodes DZ1 et D1 sont reliées en série tête bêche entre le drain du transistor T1, ou le drain du transistor T2, et le noeud B. Plus particulièrement, la cathode de la diode DZ1 est reliée, de préférence connectée, au drain du transistor T1, et l'anode de la diode DZ1 est reliée, de préférence connectée, à l'anode de la diode D2. La cathode de la diode D2 est reliée, de préférence connectée, au noeud B. De plus, la diode DZ1 est une diode Zener.
La résistance R1 relie le noeud B à un noeud recevant la tension de seuil Vth. Selon un exemple, la résistance R1 a une résistance de 100 kOhm.
Le circuit 502 de division de tension comprend deux résistances R2 et R3, un transistor T3, et une diode D2.
Les résistances R2 et R3 sont reliées en série entre un noeud C et l'anode de la diode D2. Selon un exemple, la résistance R2 a une résistance de 20 kOhm, et la résistance R11 a une résistance de 10 kOhm.
La diode D2 a sa cathode reliée, de préférence connectée, à un noeud GND, symbolisé par un triangle en et recevant une tension de référence, par exemple, la masse.
Le transistor T3 est un transistor bipolaire de type NPN. La grille du transistor T3 est reliée, de préférence connectée, au noeud milieu entre les résistances R2 et R3. L'émetteur du transistor T3 est relié, de préférence connecté, au noeud fournissant la tension VBUSMON, et le collecteur du transistor T3 est relié, de préférence connecté, au noeud C. Le transistor T3 est optionnel, et a un rôle tampon de source de courant.
Le coefficient n du circuit 502 est définie par le rapport de la somme des résistances des résistances R2 et R3, par la résistance de la résistance R3. Selon un exemple, le coefficient n est égale à 3.
Le circuit 503 de sélection comprend quatre transistors T4, T5, T6 et T7, sept résistances R4, R5, R6, R7, R8, R9, et R10, et trois diodes Zener DZ2, DZ3, DZ4.
Le transistor T4 est transistor MOS de type P. Le drain du transistor T4 est relié, de préférence connecté, au noeud C, et la source du transistor T4 est reliée, de préférence connectée, au noeud recevant la tension VBUS. La grille du transistor T4 est reliée, de préférence connectée, à un noeud D.
Le résistance R4 et la diode DZ2 sont reliés en parallèle entre le noeud D et le noeud recevant la tension VBUS. Plus particulièrement, l'anode de la diode DZ2 est reliée, de préférence connectée, au noeud D, et la cathode de la diode DZ2 est reliée, de préférence connectée, au noeud recevant la tension VBUS. Selon un exemple, la résistance R5 a une résistance de l'ordre de 100 kOhm.
La résistance R5 et le transistor T5 sont reliés en série entre le noeud D et le noeud GND. Le transistor T5 est un transistor MOS de type N. Plus particulièrement, une première borne de la résistance R5 est reliée, de préférence connectée, au noeud D, et une deuxième borne de la résistance R5 est reliée, de préférence connectée au drain du transistor T5. La source du transistor T5 est reliée, de préférence connectée, au noeud GND. La grille du transistor T5 est reliée, de préférence connectée à un noeud E. Selon un exemple, la résistance R5 a une résistance de l'ordre de 10 kOhm.
La résistance R6 et la diode DZ3 sont reliées en parallèle entre le noeud E et le noeud GND. Plus particulièrement, l'anode de la diode DZ3 est reliée, de préférence connectée, au noeud GND, et la cathode de la diode DZ3 est reliée, de préférence connectée, au noeud E. Selon un exemple, la résistance R6 a une résistance de l'ordre de 100 kOhm.
La résistance R7 relie les noeuds E et A. Selon un exemple, la résistance R7 a une résistance de l'ordre de 10 kOhm.
Le transistor T6 est un transistor MOS de type P, et qui relie le noeud recevant la tension VBUS au noeud fournissant la tension VBUSMON. Plus particulièrement, le drain du transistor T6 est reliée, de préférence connectée, au noeud fournissant la tension VBUSMON. La source du transistor T6 est reliée, de préférence connectée, au noeud recevant la tension VBUS. La résistance R8 relie la grille du transistor T6 au noeud A. Selon un exemple, la résistance R8 a une résistance de l'ordre de 10 kOhm. La diode DZ4 relie la grille du transistor T6 à sa source. Plus particulièrement, l'anode de la diode DZ4 est reliée, de préférence connectée, à la grille du transistor T8, et la cathode de la diode DZ4 est reliée, de préférence connectée, à la source du transistor T6.
Le transistor T7 est un transistor MOS de type N. Le drain du transistor T7 est relié, de préférence connecté, au noeud recevant la tension de seuil, et la source du transistor T7 est reliée, de préférence connectée, au noeud GND. La grille du transistor T7 est reliée, de préférence connectée au noeud recevant la tension EPR_ON. La résistance R8 relie la grille du transistor T7 au noeud GND. Selon un exemple, la résistance R8 a une résistance de l'ordre de 100 kOhm.
La technique de projection dynamique par gaz froid permet de facilement contrôler l’épaisseur et le nombre de couches du revêtement.
Elle permet également de revêtir soit la pièce entière, soit seulement des localisations spécifiques de la pièce.
L’obtention de pièces revêtues d’un revêtement électriquement et thermiquement isolant comprenant un matériau céramique permet de répondre aux nouvelles réglementations exigeant une isolation électrique et thermique malgré des températures allant jusqu’à 800°C afin de contenir les flammes et fumées pendant une durée d’au moins 5 minutes après la survenue d’un incident.
PROCEDE AMELIORE DE FABRICATION D’ACIDES CARBOXYLIQUES α-β INSATURES A PARTIR DE POLY(3-HYDROXYALCANOATE) La présente invention concerne un procédé de fabrication d’acides carboxyliques α-β insaturés par thermolyse de poly(3-hydroxyalcanoate), tout en limitant les phénomènes d’encrassement liés à une condensation fortuite des vapeurs chaudes d’acide carboxyliques α-β insaturés générées sur des parois du procédé et à la formation subséquente de solides par une réaction de polymérisation radicalaire. L’invention est basée sur l’introduction dans le réacteur de thermolyse d’un inhibiteur de polymérisation radicalaire et l’utilisation des conditions de thermolyse particulières rendant cet inhibiteur partiellement volatil lors de la thermolyse du poly(3-hydroxyalcanoate). Ainsi, en cas de condensation fortuite de vapeurs chaudes d’acide carboxyliques α-β insaturés générées sur des parois du procédé, l’inhibiteur de polymérisation radicalaire se condense également et protège la phase liquide formée contre une réaction de polymérisation radicalaire.
Une des voies possibles pour obtenir ces acides carboxyliques α-β insaturés est la thermolyse à des températures de 150 à 300°C de poly(3-hydroxyalcanoates) correspondants, selon la réaction suivante :
Si R 1 =R 2 = H : Poly(3-hydroxyalcanoate) = poly(3-hydroxypropionate) (P3HP) ; Acide carboxylique α-β insaturé = acide propénoique (acide acrylique).
Si R 1 = méthyle et R 2 = H : Poly(3-hydroxyalcanoate) = poly(3-hydroxyisobutyrate) (P3HiB) ; Acide carboxylique α-β insaturé = acide isobuténoique (acide méthacrylique).
Si R 1 = H et R 2 = méthyle : Poly(3-hydroxyalcanoate) = poly(3-hydroxybutyrate) (P3HB) ; Acide carboxylique α-β insaturé = acide but-2-énoique (acide crotonique).
Un problème potentiel de tout procédé de fabrication d’acides carboxyliques α-β insaturés est que ces composés peuvent facilement polymériser de manière radicalaire lorsqu’ils se retrouvent à chaud et en phase liquide. Cela est vrai dans les phases liquides formées volontairement, telles que les phases liquides présentes dans une colonne de distillation, dans un réacteur ou dans un condenseur, mais cela peut aussi arriver dans les phases liquides formées de manière fortuite, telles que celles se formant lors d’une condensation fortuite de vapeurs chaudes sur une paroi présentant un point froid. La conséquence habituelle de ce processus est le dépôt, dans les équipements de l’installation, de polymères solides qui finissent par provoquer des bouchages et rendent nécessaire un arrêt de l’atelier en vue d’un nettoyage, lequel s’avère difficile et coûteux en temps d’immobilisation non productif.
Dans une variante, au moins une partie de la liqueur mère (III) ou (III’) obtenue à l’étape de cristallisation g) ou c), notamment par refroidissement, du sulfate de sodium Na 2 SO 4 , subit une étape de cristallisation, notamment par évaporation, de l’hydroxyde de lithium (LiOH), en particulier il s’agit de l’étape de l’étape de cristallisation c) (notamment telle que décrite ci-avant) ou d’une étape de cristallisation c’), plus particulièrement pour l'obtention d’un sel d’hydroxyde de lithium d’une part (notamment impur) et de la liqueur mère (I) (notamment telle que décrite ci-avant) ou d’une liqueur mère (I’) comprenant du sulfate de sodium et de l’hydroxyde de lithium d’autre part.
De préférence, dans ce cas le ratio massique Li/Na dans la liqueur mère III ou III’ est élevé, en particulier supérieur ou égal à 0.8, plus particulièrement supérieur ou égal à 0.9 ou à 1.
Dans un mode de réalisation, l’étape de cristallisation par évaporation c’) est effectuée par chauffage de la liqueur mère (III’) à une température supérieure ou égale à 30°C, plus particulièrement inférieure ou égale à 110°C, par exemple allant de 50°C à 70°C, jusqu’à l’obtention d’un sel d’hydroxyde de lithium solide.
Avantageusement, la liqueur mère (I’) obtenue à l’étape de cristallisation par évaporation c’) a une concentration massique en sulfates de sodium supérieure ou égale à 5% et inférieure ou égale à 30%, de préférence supérieure ou égale à 8% et inférieure ou égale à 25%, encore de préférence supérieure ou égale à 10% et inférieure ou égale à 20%, préférentiellement inférieure ou égale à 18%, notamment inférieure ou égale à 16%.
Avantageusement, la liqueur mère (I’) obtenue à l’étape de cristallisation par évaporation c’) a une concentration massique en hydroxyde de lithium (LiOH) supérieure ou égale à 3% et inférieure ou égale à 20%, de préférence supérieure ou égale à 5% et inférieure ou égale à 15%, encore de préférence supérieure ou égale à 6% et inférieure ou égale à 10%.
Dans une variante, ledit procédé comprend une étape de dissolution d’) d’au moins une partie du sel d’hydroxyde de lithium obtenu à l’étape de cristallisation c’) pour la formation d’une composition aqueuse (C’) comprenant ledit sel d’hydroxyde de lithium dissous, et ledit procédé comprend une étape de cristallisation e’), notamment par évaporation, d’au moins une partie de la composition aqueuse (C’) pour l’obtention de cristaux d’hydroxyde de lithium, et éventuellement d’une liqueur mère (II’), en particulier lesdits cristaux d’hydroxyde de lithium subissent une étape de séchage f’), plus particulièrement pour l’obtention de cristaux d’hydroxyde de lithium monohydraté.
De préférence, la liqueur mère (II’) est riche en hydroxyde de lithium, et comprend des traces de sulfate de sodium.
Avantageusement, la liqueur mère (II’) obtenue à l’étape de cristallisation e’) par évaporation a une concentration massique en hydroxyde de lithium (LiOH) supérieure ou égale à 6% et inférieure ou égale à 30%, de préférence supérieure ou égale à 8% et inférieure ou égale à 25%, encore de préférence supérieure ou égale à 10% et inférieure ou égale à 20%, en particulier supérieure ou égale à 12% et inférieure ou égale à 17%.
Avantageusement, la liqueur mère (II’) obtenue à l’étape de cristallisation e’) par évaporation a une concentration massique en sulfate de sodium inférieure ou égale à 10%, de préférence inférieure ou égale à 8%, encore de préférence inférieure ou égale à 6% ou à 4% ou à 3%, en particulier inférieure ou égale à 2%.
Avantageusement, l’étape de dissolution d’) dans de l’eau dudit sel d’hydroxyde de lithium est effectuée en sorte que la concentration massique en hydroxyde de lithium soit inférieure à la solubilité du LiOH.
Avantageusement, la concentration massique en LiOH dans la composition aqueuse (C’) préparée lors de l’étape de dissolution d’) est supérieure ou égale à 1% et inférieure ou égale à 15%, de préférence inférieure ou égale à 12%, encore de préférence inférieure ou égale à 8%, en particulier supérieure ou égale à 3%.
Avantageusement, l’étape de cristallisation e’), notamment par évaporation comprend le chauffage de la composition aqueuse (C’), éventuellement suivie d’une étape de séchage f’), jusqu’à l’obtention de cristaux d’hydroxyde de lithium monohydraté (LiOH, H 2 O).
Les inventeurs ont observé que les eaux mères qui entourent le sel de lithium produit lors de la cristallisation par évaporation c’) sont chargées en sulfate de sodium (Na 2 SO 4 ) ce qui peut nuire à la forme cristalline des cristaux obtenus. De plus, ces eaux mères apportent une quantité non négligeable de Na 2 SO 4 . La re-dissolution du sel d’hydroxyde de lithium lors de la dissolution d’) permet de générer une liqueur mère (II’) nettement moins riche en Na 2 SO 4 que la liqueur mère (I’) obtenue à la cristallisation par évaporation c’). Avantageusement, les cristaux obtenus à la cristallisation par évaporation e’) sont nettement plus purs. La réalisation d’une seconde cristallisation par évaporation e’) permet donc de produire des cristaux de LiOH monohydraté de grande pureté, et une liqueur mère (II’) appauvrie en sulfate de sodium et donc enrichie en LiOH.
On notera que la ré-autorisation peut aussi résulter du remplacement du premier D1 ou second D2 détecteur défaillant, suivie d’une mise à jour du calculateur de supervision CS, dans un service après-vente.
On notera également, comme illustré non limitativement sur la , que le calculateur de supervision CS (ou le calculateur du dispositif de surveillance DS) peut aussi comprendre une mémoire de masse MM1, notamment pour stocker les valeurs en cours des première i1 et seconde i2 informations, ainsi que d’éventuelles données intermédiaires intervenant dans tous ses calculs et traitements. Par ailleurs, ce calculateur de supervision CS (ou le calculateur du dispositif de surveillance DS) peut aussi comprendre une interface d’entrée IE pour la réception d’au moins les valeurs en cours des première i1 et seconde i2 informations, pour les utiliser dans des calculs ou traitements, éventuellement après les avoir mises en forme et/ou démodulées et/ou amplifiées, de façon connue en soi, au moyen d’un processeur de signal numérique PR2. De plus, ce calculateur de supervision CS (ou le calculateur du dispositif de surveillance DS) peut aussi comprendre une interface de sortie IS, notamment pour délivrer un message (ou ordre) de limitation (simple ou double), un message (ou ordre) de fin de limitation (simple ou double), un éventuel message d’alerte d’usager, et un éventuel message contenant un code défaut.
On notera également que l’invention propose aussi un produit programme d’ordinateur (ou programme informatique) comprenant un jeu d’instructions qui, lorsqu’il est exécuté par des moyens de traitement de type circuits électroniques (ou hardware), comme par exemple le processeur PR1, est propre à mettre en œuvre le procédé de surveillance décrit ci-avant pour surveiller les premières i1 et seconde i2 informations délivrées respectivement par les premier D1 et second D2 détecteurs du véhicule V.
Surveillance d'une tension La présente description concerne de façon générale les systèmes et dispositifs électroniques, et plus particulièrement les systèmes et dispositifs électroniques adaptés à la technologie USB de type C et au protocole USB PD. La présente description concerne de façon plus précise, une partie d'un circuit de commande d'un connecteur adapté à la technologie USB-C PD.
La technologie USB (de l'anglais, "Universal Serial Bus") est une norme de bus informatique servant à relier tout type de dispositifs électroniques entre eux, et leur permettant d'échanger des données et/ou de l'énergie. La technologie USB a évolué au fil du temps, et l'une de ses dernières version, la technologie USB de type C mettant en oeuvre le protocole de transfert d'énergie USB PD a la possibilité d'échanger des puissances plus grandes, c'est-à-dire par exemple des puissances supérieures à 100 W sur la base d'une tension supérieure à 20 V.
Il serait souhaitable de pouvoir améliorer, au moins en partie, certains aspects des dispositifs électroniques adaptés à mettre en oeuvre la technologie USB de type C.
Il existe un besoin pour des dispositifs adaptés à mettre en oeuvre la technologie USB de type C et le protocole USB PD adaptés à recevoir une puissance supérieure à 100 W sur la base d'une tension supérieure à 20 V.
Il existe un besoin pour des dispositifs adaptés à mettre en oeuvre la technologie USB de type C et le protocole USB PD adaptés à recevoir une puissance de l'ordre de 240 W sur la base d'une tension de l'ordre de 48 V.
Il existe un besoin pour un circuit permettant à des dispositifs adaptés à mettre en oeuvre la technologie USB de type C et le protocole USB PD déjà existant, de recevoir une puissance de l'ordre de 240 W sur la base d'une tension de l'ordre de 48 V.
Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des dispositifs connus adaptés à mettre en oeuvre la technologie USB de type C.
Un mode de réalisation prévoit un circuit d'adaptation de tension d'une première tension reçue par un connecteur, adapté à fournir une deuxième tension égale à : - la première tension, si la première tension est inférieure à une tension de seuil ; ou - à la première tension divisée par un premier coefficient, si la première tension est supérieure ou égale à la tension seuil.
Selon un mode de réalisation, le circuit comprend un premier circuit comparateur adapté à comparer la première tension à la tension de seuil.
Selon un mode de réalisation, le circuit comprend un deuxième circuit de division de tension adapté à diviser la première tension par le premier coefficient.
Selon un mode de réalisation, ledit deuxième circuit comprend un pont diviseur de tension.
Selon un mode de réalisation, le premier coefficient est de l'ordre de 3.