Procédé de préparation d’une couche mince monodomaine (4) en matériau ferroélectrique comprenant du lithium, le procédé comprenant : la fourniture d’une première couche (8) monodomaine en matériau ferroélectrique comprenant du lithium, reportée sur un support (2), la première couche (8) présentant une épaisseur superficielle (11) riche en lithium; la finition de la première couche (8), cette finition comprenant une étape de traitement thermique de la face libre (9) de la première couche (8), suivi d’une étape d’amincissement de la première couche pour former la couche mince monodomaine (4) ; le procédé de préparation étant caractérisé en ce qu’il comprend, avant le traitement thermique : une première étape de nettoyage par voie humide de la face libre (9) de la première couche (8), l’étape de nettoyage étant apte à éliminer la couche superficielle riche en lithium ; une seconde étape de préparation de la première couche (8) visant à éliminer, prévenir ou limiter l’apparition de dendrites (12) riches en lithium et en hydrogènes susceptibles de nucléer sur la face libre (9) de la première couche (8) lorsqu’elle est dépourvue de la couche superficielle riche en lithium. Procédé de préparation selon la revendication précédente dans lequel la fourniture de la première couche (8) comprend : une implantation d’espèces légères dans une première face (6) d'un substrat donneur (5) ferroélectrique comprenant du lithium pour former un plan de fragilisation (7) et définir la première couche (8) entre le plan de fragilisation (7) et la première face (6) du substrat donneur (5) ; l'assemblage de la première face (6) du substrat donneur (5) au support (2) par l’intermédiaire d’une couche diélectrique intercalaire (3) ; la fracture du substrat donneur (5) au niveau du plan de fragilisation (7) pour reporter la première couche (8) sur le substrat support (2) et exposer une face libre (9) de la première couche (8) à l’atmosphère, cette exposition conduisant à former l’épaisseur superficielle (11)riche en lithium. Procédé de préparation selon l’une des revendications précédentes dans lequel la première étape de nettoyage comprend le brossage et la dispense d’eau désionisée sur la face libre (9) de la première couche (8). Procédé de préparation selon l’une des revendications précédentes dans lequel la seconde étape de préparation vise à éliminer les dendrites (12) et est appliquée 50h au moins, de préférence 75h au moins, après l’application de la première étape de nettoyage. Procédé de préparation selon l’une des revendications précédentes dans lequel la seconde étape de préparation est une étape de nettoyage par voie humide de la face libre (9) de la première couche (8). Procédé de préparation selon la revendication précédente dans lequel la seconde étape de préparation comprend le brossage et la dispense d’eau désionisée sur la face libre (9) de la première couche (8). Procédé de préparation selon l’une des deux revendications précédentes dans lequel la seconde étape de préparation vise à prévenir ou limiter l’apparition des dendrites (12) et est appliquée moins de 50h, de préférence moins de 10h, après l’application de la première étape de nettoyage. Procédé de préparation selon la revendication précédente dans lequel la seconde étape de préparation comprend l’exposition de la face libre (9) de la première couche à un plasma. Procédé de préparation selon la revendication précédente dans lequel le plasma est choisi dans la liste formée d’un plasma O2, d’un plasma N2 et d’un plasma à base de fluor, tel qu’un plasma SF6 ou CxHyFz, ou d’une combinaison de ces plasmas. Procédé de préparation selon l’une des revendications précédentes dans lequel le support (2) est formé d’un substrat massif électriquement conducteur ou semi-conducteur. Procédé de préparation selon l’une des revendications 1 à 9 dans lequel le support (2) comprend un substrat de base (2a) et une couche de piégeage (2b), la couche de piégeage (2b) étant disposée entre la couche diélectrique intercalaire (3) et le substrat de base (2a). Procédé de préparation selon l’une des revendications précédentes dans lequel la première couche (8) et la couche mince (4) sont constituées d’un matériau piézoélectrique monocristallin, tel que du tantalate de lithium ou du niobate de lithium. Procédé de préparation selon la revendication précédente dans lequel la première couche (8) et la couche mince (4) sont constituées de niobate de lithium. Procédé de préparation selon l’une des revendications précédentes dans lequel dans laquelle la couche diélectrique intercalaire (3) comprend au moins une couche d’oxyde de silicium, d’oxynitrure de silicium ou de nitrure de silicium.