INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Comme indiqué précédemment, la métasurface 110 peut comprendre la pluralité de nanostructures 112 et la couche de remplissage 114. Dans certains modes de réalisation, la couche de remplissage 114 peut entourer latéralement la pluralité de nanostructures 112. L'épaisseur de la métasurface 110 est entre 10 nm et 10 μm. Dans certains modes de réalisation, la couche de remplissage 114 et la pluralité de nanostructures 112 peuvent avoir la même épaisseur. Dans d'autres modes de réalisation, l'épaisseur de la couche de remplissage 114 et celle de la pluralité de nanostructures 112 peuvent varier, en fonction de l'application et des exigences de conception. Chacune de la pluralité de nanostructures 112 a une forme circulaire, une forme rectangulaire, une forme hexagonale ou toute autre forme symétrique ou asymétrique en vue de dessus. La dimension de chacune de la pluralité de nanostructures 112 en vue de dessus peut être entre 2 nm et 2000 nm. Selon certains modes de réalisation de la présente invention, l'indice de réfraction de la couche de remplissage 114 est inférieur à l'indice de réfraction de la pluralité de nanostructures 112. L'indice de réfraction de la couche de remplissage 114 peut être entre 1,0 et 3,0. L'indice de réfraction de la pluralité de nanostructures 112 peut être supérieur à 1,4, par exemple entre 1,4 et 4,0. Dans certains modes de réalisation, la couche de remplissage 114 peut être de l'air, qui a l’indice de réfraction de 1.
Des matériaux de la pluralité de nanostructures 112 peuvent comprendre des matériaux conducteurs ou diélectriques, tels que l'oxyde d'aluminium (Al 2 O 3 ), l'oxyde de niobium (V) (Nb 2 O 5 ), le nitrure de gallium, le pentoxyde de tantale (Ta 2 O 5 ), le nitrure de titane (TiN), le dioxyde de titane (TiO 2 ), le nitrure de silicium, le silane (SiH 4 ), l’oxyde de silicium (SiO), etc., ou une combinaison de ceux-ci. Des matériaux de la couche de remplissage 114 peuvent comprendre des polymères ou des matériaux diélectriques, tels que l'oxyde de silicium, le dioxyde de silicium (SiO 2 ), des résines de polytéréphtalate d’éthylène (PET), des résines de polycarbonate (PC), des résines de polyimide (PI), des polyméthacrylates de méthyle (PMMA), des résines de polystyrène, des résines de polyéthersulfone (PES), des résines de polythiophène (PT), de la novolaque de phénol (PN), une résine de verre de spin (SOG), du diélectrique de spin (SOD), etc., ou une combinaison de ceux-ci.
La métasurface 110 peut être formée par modélisation de la pluralité de nanostructures 112, suivie du remplissage de l'espace entre la pluralité de nanostructures 112 avec la couche de remplissage 114. Dans un premier temps, une couche de matériau peut être déposée sur le substrat 100 à l'aide d'un processus de dépôt approprié, tel qu’un dépôt chimique en phase vapeur (CVD), un dépôt chimique en phase vapeur par plasma à haute densité (HDP-CVD), un dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD), un dépôt chimique en phase vapeur fluidifiable (FCVD), un dépôt chimique en phase vapeur sub-atmosphérique (SACVD), ou un dépôt physique en phase vapeur (PVD), ou un dépôt par couche atomique (ALD), etc., ou une combinaison de ceux-ci. Ensuite, une couche de masque dur (non représentée) est revêtue sur la couche de matériau. Dans certains modes de réalisation, la couche de masque dur peut être une résine photosensible. Un processus de photolithographie est effectué pour modéliser la couche de masque dur, qui peut inclure un revêtement de réserve, une cuisson douce, une exposition, une cuisson post-exposition, un développement, etc., ou une combinaison de ceux-ci. Après ça, un processus de gravure (tel qu’une gravure sèche, une gravure humide, etc., ou une combinaison de celles-ci) est effectué sur la couche de matériau à l'aide du masque dur modélisé. Après le processus de gravure, une partie de la couche de matériau est enlevée sur le substrat 100 et de multiples ouvertures y sont formées. Comme mentionné précédemment, les ouvertures seront ensuite remplies avec la couche de remplissage 114.
Toujours en référence à la , la couche d'ouverture 116 est disposée horizontalement entre des sous-métagroupes voisins. Par exemple, la couche d'ouverture 116 peut définir le bord du sous-métagroupe 110A, du sous-métagroupe 110B, du sous-métagroupe 110C, du sous-métagroupe 110D et du sous-métagroupe 110E. Selon certains modes de réalisation de la présente invention, lorsque la lumière ambiante est transmise et séparée à travers le sous-métagroupe 110A, le sous-métagroupe 110B, le sous-métagroupe 110C, le sous-métagroupe 110D ou le sous-métagroupe 110E, la couche d'ouverture 116 peut isoler le rayon lumineux à l'intérieur du sous-métagroupe spécifique pour servir de fonction de blocage de lumière .
Dans une conception classique, une fois que les multiples filtres passe-bande ont été disposés et placés côte à côte sur le substrat, une couche d'ouverture est déposée de manière conforme sur la structure collective des multiples filtres passe-bande. La couche d'ouverture peut ensuite être modélisée de façon à exposer chacun des multiples filtres passe-bande sous-jacents. Comme indiqué précédemment, les multiples filtres passe-bande doivent être modélisés séparément, et la structure formée précédemment peut créer une hauteur de marche qui pose un plus grand défi pour les cycles de traitement ultérieurs. Idéalement, l'interface de jonction entre de multiples filtres passe-bande voisins devrait être verticale. Toutefois, en raison de la variation de traitement causée par le problème de hauteur de marche, les multiples filtres passe-bande adjacents peuvent ne pas être alignés avec précision, ce qui entraîne l'inclinaison de certaines interfaces de jonction. Lorsque la lumière ambiante pénètre dans la direction normale, l'interface inclinée peut générer des rayons lumineux diffusés de couleurs mélangées, qui sont considérés comme du bruit optique. La direction normale est une direction perpendiculaire à la surface du substrat. Si ces rayons lumineux diffusés de couleurs mélangées sont reçus par les parties de détection, des signaux indésirables peuvent être convertis. Pour cette raison, seules les parties centrales des multiples filtres passe-bande, en vue de dessus, sont exposées. La zone proche des interfaces de jonction peut rester couverte par la couche d'ouverture, elle est donc connue comme une région inefficace. La région inefficace des interfaces de jonction peut avoir une dimension dans une plage entre 20 μm et 25 μm en vue de dessus. Pour la région inefficace au bord de la structure collective des multiples filtres passe-bande, sa dimension peut être entre 10 μm et 15 μm en vue de dessus.
Selon certains modes de réalisation de la présente invention, la métasurface 110 peut être utilisée pour remplacer les multiples filtres passe-bande classiques. Étant donné que la métasurface 110 peut être modélisée au cours d'un seul cycle de traitement, la conception de placement de chaque sous-métagroupe a une flexibilité plus élevée. Le problème de hauteur de marche pendant la modélisation et le problème de mauvais alignement entre de multiples filtres passe-bande voisins peuvent tous deux être éliminés. La dimension de la couche d'ouverture 116 entre des sous-métagroupes voisins (ou la région inefficace des interfaces de jonction) peut être réduite à environ 10 μm en vue de dessus. Il convient de comprendre que, même si les sous-métagroupes ne sont pas placés les uns à côté des autres, la présence de la couche d'ouverture 116 est toujours nécessaire pour s’assurer que les sous-métagroupes voisins sont espacés de façon à éviter tout effet d'interaction indésirable (par exemple, le comportement de diffraction).
L'épaisseur de la couche d'ouverture 116 peut être la même que celle de la métasurface 110. Des matériaux de la couche d'ouverture 116 peuvent comprendre une résine photosensible noire, des matériaux diélectriques, des métaux opaques (tels que le tungstène (W), l'aluminium (Al)), du nitrure métallique opaque (tel que le nitrure de titane), de l'oxyde métallique opaque (tel que l'oxyde de titane (TiO)), d'autres matériaux appropriés, ou une combinaison de ceux-ci, mais la présente invention n'est pas limitée à ceux-ci. La couche d'ouverture 116 peut être formée par tout processus de dépôt approprié, tel qu'un processus de revêtement par centrifugation, un dépôt chimique en phase vapeur, un dépôt physique en phase vapeur (PVD), un dépôt par couche atomique (ALD), d'autres processus appropriées, ou une combinaison de ceux-ci.
En référence à la , la couche de colle 130 peut être disposée sur la métasurface 110 et la couche d'ouverture 116. Dans certains modes de réalisation, la couche de colle 130 peut recouvrir la métasurface 110 et la couche d'ouverture 116. Selon certains modes de réalisation de la présente invention, la couche de colle 130 peut fournir le support nécessaire pour que la lumière ambiante (en particulier les rayons lumineux inclinés) se diffuse dans un spectre de distribution plus normal. En outre, la couche de colle 130 peut assurer la protection mécanique des structures sous-jacentes, ainsi que l'adhérence avec tout composant sous-jacent. L'indice de réfraction de la couche de colle 130 est entre 1,0 et 3,0. L'épaisseur de la couche de colle 130 peut être entre 100 nm et 100μm.
La couche de colle 130 peut être un matériau diélectrique comprenant, par exemple, de l'oxyde de silicium, du nitrure de silicium, du carbure de silicium, du carbonitrure de silicium (SiCN), de l'oxynitrure de silicium, de l'oxynitrocarbure de silicium (SiO x N y C 1-x-y , où x et y sont dans une plage allant de 0 à 1), de l’orthosilicate de tétraéthyle (TEOS), du verre de silicate non dopé, ou de l'oxyde de silicium dopé (tel que le verre de phosphosilicate dopé au bore (BPSG), le verre de silice fondue (FSG), le verre de phosphosilicate (PSG), le verre de silicium dopé au bore (BSG) ou analogue), des matériaux diélectriques à faible k, des matériaux transparents organiques, etc., ou une combinaison de ceux-ci, mais la présente invention n'est pas limitée à ceux-ci. La formation de la couche de colle 130 peut inclure tout processus de dépôt approprié mentionné ci-dessus. Après ça, un processus de planarisation, tel qu’un polissage mécanique chimique, peut être effectué pour former une surface supérieure planarisée.
Toujours en référence à la , les particules dispersées 132 peuvent être réparties de manière aléatoire dans la couche de colle 130. Dans certains modes de réalisation, la couche de colle 130 et les particules dispersées 132 peuvent être collectivement appelées structure de diffusion pour la fabrication en aval. Dans certains modes de réalisation, la structure de diffusion peut être appliquée pour collecter la lumière ambiante à partir d’une diversité d’angles pour une réception par la pluralité de parties de détection 104. Selon certains modes de réalisation de la présente invention, les particules dispersées 132 peuvent être conçues pour interférer avec une propagation optique, de telle sorte que la direction d'entrée des rayons lumineux inclinés peut être ajustée à proximité de la direction normale. En d'autres termes, les particules dispersées 132 peuvent améliorer la réception de lumière ambiante hors axe et, du point de vue du capteur de lumière ambiante 10A, la source de lumière ambiante peut être détectée plus uniformément. Par conséquent, les lectures optiques du capteur de lumière ambiante 10A peuvent être moins dépendantes des orientations relatives entre le capteur de lumière ambiante 10A et la source de lumière ambiante.
Les particules dispersées 132 peuvent avoir une forme ronde, une forme ovale ou toute autre forme géométrique appropriée en vue en coupe. La dimension de chacune des particules dispersées 132 peut être entre 1 nm et 10 μm. Des matériaux des particules dispersées 132 peuvent inclure des matériaux conducteurs transparents, tels que l'oxyde d'étain et d’indium (ITO), l'oxyde d'étain dopé au fluor (FTO), l'oxyde de zinc (ZnO), l'oxyde d'étain (SnO), l'oxyde de zinc et d’indium (IZO), l'oxyde d'indium-gallium-zinc (IGZO), l’oxyde d'indium-étain-zinc (ITZO), l’oxyde d'antimoine-étain (ATO), l’oxyde de zinc dopé à l'aluminium (AZO), le dioxyde de titane, le pentoxyde de tantale, l’oxyde de niobium (V), le nitrure de silicium, le nitrure de gallium, le nitrure d'aluminium (AlN), etc., ou une combinaison de ceux-ci. Les particules dispersées 132 peuvent être incorporées dans la couche de colle 130 par moulage par coulée, extrusion, moulage par injection, laminage, etc., ou une combinaison de ceux-ci.
En référence à la , la vue en coupe du capteur de lumière ambiante 10B est illustrée. Par rapport à la , une couche d'espacement 120 peut être disposée entre la métasurface 110 et la structure de diffusion (par exemple, la couche de colle 130 et les particules dispersées 132). Les caractéristiques du substrat 100, de la pluralité de parties de détection 104, de la métasurface 110, de la couche d'ouverture 116, de la couche de colle 130 et des particules dispersées 132 sont similaires à celles illustrées à la , et les détails ne sont pas décrits à nouveau ici pour éviter une répétition.
Toujours en référence à la , la couche d'espacement 120 peut séparer la métasurface 110 et la structure de diffusion (par exemple, la couche de colle 130 et les particules dispersées 132), en fonction de l'application ou des exigences de conception. Dans certains modes de réalisation, la couche d'espacement 120 peut fournir les chemins de déplacement nécessaires pour que les rayons lumineux diffusés pénètrent dans la métasurface 110. Selon certains modes de réalisation de la présente invention, les différentes longueurs d'onde (ou couleurs) de la lumière ambiante peuvent être séparées par la métasurface 110, de telle sorte que chacun du sous-métagroupe 110A, du sous-métagroupe 110B, du sous-métagroupe 110C, du sous-métagroupe 110D et du sous-métagroupe 110E peut permettre uniquement la transmission de la couleur souhaitée. En outre, la métasurface 110 peut être modélisée au cours d'un seul cycle de traitement, réduisant ainsi l'apparition de défauts cosmétiques. En d'autres termes, la métasurface 110 peut être fabriquée plus rapidement et à moindre coût.
L'épaisseur de la couche d'espacement 120 peut être entre 100 nm et 50 μm. Des matériaux de la couche d'espacement 120 peuvent être similaires à ceux de la couche de remplissage 114, et les détails ne sont pas décrits à nouveau ici pour éviter une répétition. La couche d'espacement 120 peut être formée par tout processus de dépôt approprié mentionné ci-dessus. Dans d'autres modes de réalisation, la couche de remplissage 114 peut être déposée de manière à dépasser de la pluralité de nanostructures 112. Par exemple, la couche de remplissage 114 peut recouvrir complètement la pluralité de nanostructures 112, de telle sorte que la surface supérieure de la couche de remplissage 114 est plus haute que la surface supérieure de la pluralité de nanostructures 112. Dans ces conditions, la partie de la couche de remplissage 114 située au-dessus de la surface supérieure de la pluralité de nanostructures 112 peut être appelée couche d'espacement 120. Par conséquent, les matériaux de la couche de remplissage 114 et les matériaux de la couche d'espacement 120 peuvent être sensiblement identiques.
Pour valider la fonctionnalité du modèle fonctionnel 100, on effectue, par exemple, un « autodiagnostic intégré » désigné sous l’acronyme BIST. Comme cela sera décrit en liaison avec la .
Par exemple, le procédé consiste à :
- déterminer une sortie de référence R_A en se fondant sur une entrée de référence R_E à l’aide du modèle fonctionnel 100 et,
- vérifier la sortie de référence R_A notamment comparer la sortie de référence R_A à des données de vérité de terrain avec le modèle de surveillance 1000. Une entrée de référence R_E se trouve, par exemple, dans une mémoire et sera fournie au modèle fonctionnel 100. Par la vérification de la sortie de référence R_A avec le modèle de surveillance 1000 on peut, avec les données de référence, connues, vérifier si le modèle fonctionnel 100 est apte à fonctionner. Si le modèle fonctionnel 100 comprend un algorithme de classification, il est avantageux que les données de référence R_E couvrent différentes classes, notamment toutes les classes.
Il peut être prévu de déterminer périodiquement une sortie de référence R_A en se fondant sur une entrée de référence R_E avec le modèle fonctionnel 100 et comparer la sortie de référence R_A avec les données de vérité de terrain avec le modèle de surveillance 1000. L’exécution peut être déclenchée, par exemple, par la fourniture de l’entrée de référence R_E.
Comme le montre la et la description correspondante, le modèle fonctionnel traite l’entrée E pour la sortie A, se compose de plusieurs étapes de traitement. Les étapes de traitement sont, par exemple, effectuées de manière linéaire l’une après l’autre, dans le sens d’un procédé « pipeline » linéaire. Dans d’autres cas d’application non représentés, les étapes de traitement peuvent être reliées entre elles sous la forme d’un graphe acyclique, orienté.
Dans la suite, on décrira des étapes qui peuvent être effectuées pour valider la fonctionnalité du modèle fonctionnel. On propose des étapes pour vérifier si une quelconque étape de traitement a été effectuée et participe ainsi à la sortie A. Ces étapes peuvent également être regroupées dans une validation pipeline.
A titre d’exemple, on prévoit les étapes suivantes :
Le modèle de surveillance 1000 fournit une valeur de hachage h. Cela résulte, par exemple, de la génération d’un nombre aléatoire z et de la génération d’une valeur de hachage h(z). La valeur de hachage h(z) sera fournie ensuite au modèle fonctionnel 100. La valeur de hachage h(z) est une fonction non réversible mathématiquement pour garantir que le modèle fonctionnel 100 ne risque de fournir, lui-même, la valeur initiale. Comme une transmission d’erreur dans le modèle fonctionnel ou entre les étapes dans le modèle fonctionnel ne peut être exclue, il n’est pas certain que la valeur de hachage h(z) fournie correspond à la valeur reçue dans le modèle fonctionnel et c’est pourquoi on utilise la dénomination h’(z) ou simplement h’ comme notation dans le modèle fonctionnel et qui, dans le bon cas, est identique à h(z) ou à h.
Dans la première étape de traitement 110 du modèle fonctionnel 100, en s’appuyant sur l’entrée E on génère le résultat intermédiaire Z_E1. Ensuite, on signe la valeur de hachage h’(z), par exemple, en appliquant une fonction réversible s1, par exemple h’os1(z).
Le résultat intermédiaire Z_E1 obtenu dans la première étape de traitement est fourni avec la valeur de hachage signée h’(z)os1 à la seconde étape de traitement 120.
Dans la seconde étape de traitement 120, le modèle fonctionnel 100 s’appuyant sur le premier résultat intermédiaire Z_E1 fournit un second résultat intermédiaire Z_E2. Ensuite, on signe une nouvelle fois la valeur de hachage signée h’(z)os1, par exemple, en appliquant une fonction réversible s2, par exemple h’(z)os1os2.
Le résultat intermédiaire Z_E2 obtenu dans la seconde étape de traitement 120 est fourni avec la valeur de hachage signée h’(z)os1os2 à la troisième étape de traitement 130.
Dans la troisième étape de traitement 130, le modèle fonctionnel 100 s’appuyant sur le second résultat intermédiaire Z_E2 détermine une sortie A. Ensuite, on signe une nouvelle fois la valeur de hachage signée h’(z)os1os2, par exemple, en appliquant une fonction réversible s3, par exemple, h’(z)os1os2os3. Dans la dernière étape de traitement on génère en quelque sorte la signature définitive S(z)=h’(z)os1os2os3o…
La signature définitive S(h’(z)) est fournie avec la sortie A au modèle de surveillance 1000. Le modèle de surveillance 1000 vérifie la signature finale ou définitive S(h’(z)). Le modèle de surveillance 1000 utilise, par exemple, l’inverse des signatures réversibles s’n…s’1 successivement, par exemple S(h’(z))os’n…os’1=h’’(z). La valeur de hachage h’’(z) ainsi obtenue est alors comparée à la valeur de hachage h(z) générée à l’origine. Lors de la transmission initiale, il y a pu y avoir une transmission avec erreur de h(z) et c’est pourquoi le modèle fonctionnel n’exclut pas une valeur h’(z) différente de la valeur h(z). En outre, dans des étapes avec erreur, la signature a pu ne pas être appliquée correctement et c’est pourquoi, après des calculs inverses dans le modèle de surveillance, on calcule une troisième valeur h’’(z) qui ne correspond ni à h(z), ni à h’(z). Dans un cas correct h=h’=h’’.
Grâce à cette extension, on est assuré que la transmission initiale de la valeur de hachage h(z) est également prise en compte.
La cavité peut être ainsi conformée pour réserver un espace de dérive, ou « leeway », afin qu’au moins une dent libre puisse y faire convenablement éruption. La gouttière orthodontique est alors conformée pour présenter une rigidité suffisante pour empêcher les dents adjacentes à la cavité de venir l’encombrer. La gouttière orthodontique est de préférence conformée de manière à guider l’éruption d’au moins une dent libre.
La cavité peut être conformée pour constituer un espace technique, alternativement ou en complément à un espace de dérive. La cavité est de préférence adaptée pour recevoir au moins une partie, de préférence la totalité d’un appareil orthodontique rigidement fixé, de manière non amovible, sur au moins une dent libre, ou « appareil auxiliaire », l’appareil auxiliaire étant choisi au début du procédé.
L’appareil auxiliaire comporte de préférence au moins un crochet.
L’appareil auxiliaire peut être en particulier utilisé pour mettre en rotation une dent.
L’appareil auxiliaire peut être avantageusement adapté pour exercer une action locale beaucoup plus forte qu’une gouttière orthodontique conventionnelle. Il permet ainsi une correction efficace de la position d’une dent. Cette action peut être avantageusement complexe, et en particulier inclure une rotation d’une dent sur elle-même.
L’appareil auxiliaire comporte de préférence un premier crochet rigidement fixé sur la première dent, un deuxième crochet fixé rigidement sur ladite dent libre, et l’organe reliant physiquement le premier crochet au deuxième crochet, de préférence pour exercer une tension entre lesdits premier et deuxième crochets, de préférence pour faire tourner la dent libre de plus de 20°.
L’appareil auxiliaire peut être un fil collé sur les première et deuxième surfaces.
L’organe est de préférence tendu pour exercer une force de rapprochement entre les première et deuxième dents.
La première surface sur laquelle est fixé l’organe délimite la cavité. Elle n’est donc pas compressée par la gouttière orthodontique. Elle s’étend cependant partiellement hors de la cavité, de manière à servir d’ancrage.
De préférence, l’espace technique est dimensionné pour que ledit appareil auxiliaire puisse fonctionner sans être en contact avec la gouttière orthodontique ou sans qu’un tel contact n’interagisse sensiblement avec ledit fonctionnement.
De préférence, la gouttière orthodontique n’est pas en contact avec l’appareil auxiliaire ou la partie de l’appareil auxiliaire logé dans la cavité.
Dans un mode de réalisation, la cavité constitue un espace de rotation pour au moins une dent libre susceptible d’y tourner de plus de 10°, de préférence de plus de 20°, de préférence de plus de 30° dans la position de service, de préférence un espace dimensionné pour que ladite dent libre puisse effectuer ladite rotation sans être en contact avec la gouttière orthodontique ou sans qu’un tel contact n’interagisse sensiblement avec ladite rotation.
La gouttière orthodontique protège les dents libres et/ou l’appareil auxiliaire disposés dans la cavité, en particulier des chocs. Elle peut les isoler de l’environnement.
Dans un mode de réalisation, la gouttière orthodontique est conformée pour maintenir en position ou déplacer des dents vers une position cible, comme les gouttières orthodontiques conventionnelles. Dans un mode de réalisation, aucune desdites dents ne fait éruption dans la cavité.