INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Dans la présente invention, le matériau de cathode à haute teneur en nickel après frittage oxydatif est uniformément mélangé à de l’hexafluoronickelate de potassium, l’hexafluoronickelate de potassium oxyde le nickel bivalent se trouvant sur la surface du matériau de cathode en nickel trivalent, tout en obtenant du trifluorure de nickel et du fluorure de potassium du fait de la réduction faisant appel à l’hexafluoronickelate de potassium. Dans l’opération de frittage, le nickel trivalent, le fluor et le potassium sont dopés dans la surface du matériau de cathode, le nickel trivalent peut améliorer la capacité du matériau de cathode, le fluor peut remplacer le dopage des positions oxygène, ce qui va améliorer la stabilité du matériau de cathode, et le potassium se trouvant sur la surface peut être aisément éliminé par lavage.
En conséquence, par le procédé de préparation fourni par la présente invention, le matériau de cathode est oxydé et dopé par introduction d’hexafluoronickelate de potassium, ce qui peut résoudre le problème selon lequel le nickel trivalent se trouvant sur la surface du matériau de cathode se décompose en produisant du nickel bivalent dans le procédé de frittage oxydatif sans frittage à basse température à long terme, ce qui réduit le coût, réduit la création de défauts lithium/nickel sans introduire de matériaux métalliques ayant une inertie électrochimique ou des impuretés qui sont difficiles à éliminer, ce qui va améliorer la capacité et la stabilité des cycles du matériau de cathode.
Dans la présente invention, si d’autres types d’oxydants, tels que le permanganate de potassium et d’autres oxydants forts, sont sélectionnés, du dioxyde de manganèse peut se former sur la surface du matériau, bien qu’ils puissent amener le nickel bivalent se trouvant sur la surface du matériau de cathode à s’oxyder en nickel trivalent dans une certaine mesure, en affectant ainsi sérieusement la capacité par gramme et la conductivité du matériau de cathode.
De préférence, la quantité ajoutée d’hexafluoronickelate de potassium est de 0,1 à 10 %, par exemple de 0,1 %, 1 %, 2 %, 3 %, 4 %, 5 %, 5,3 %, 5,5 %, 5,8 %, 6 %, 6,5 %, 7 %, 7,5 %, 8 %, 8,5 %, 9 %, 9,5 %, 9,8 % ou 10 %, de préférence de 5 à 10 %, en poids par rapport au matériau de cathode à haute teneur en nickel devant être traité.
Si l’hexafluoronickelate de potassium fourni par la présente invention est ajouté en une quantité de 5 à 10 %, il peut jouer un rôle meilleur. Dans cette plage, le nickel bivalent est plus complètement oxydé, et entretemps la capacité du matériau n’est pas réduite du fait du dopage du nickel. Cependant, si la quantité ajoutée est trop grande, supérieure à 10 %, la teneur de la surface en nickel est trop élevée, et la teneur en cobalt est trop faible, ce qui va réduire la stabilité des cycles. Si la quantité ajoutée est trop faible, inférieure à 5 %, une partie du nickel divalent n’est pas encore complètement oxydée, bien que l’on puisse dans une certaine mesure atteindre l’effet de réduction du nickel divalent se trouvant sur la surface.
De préférence, le traitement thermique est mis en œuvre à une température de 200 à 500 °C, par exemple 200 °C, 205 °C, 210 °C, 220 °C, 230 °C, 240 °C, 250 °C, 260 °C, 270 °C, 280 °C, 290 °C, 300 °C, 350 °C, 400 °C, 450 °C ou 500 °C, de préférence de 200~300 °C.
Dans la présente invention, quand la température du traitement thermique est dans la plage de 200 à 300 °C, le nickel bivalent sur la surface du matériau de cathode peut être oxydé en nickel trivalent. Si la température est trop élevée, supérieure à 300 °C, d’une part une consommation inutile d’énergie augmente, et d’autre part, la décomposition du nickel trivalent peut être favorisée.
De préférence, le traitement thermique dure pendant 1 à 10 heures, par exemple 1 heure, 1,5 heure, 2 heures, 2,5 heures, 3 heures, 4 heures, 5 heures, 6 heures, 7 heures, 8 heures, 9 heures ou 10 heures, de préférence de 1 à 3 heures.
Conformément au procédé de préparation fourni par la présente invention, le procédé de traitement thermique ne dure pas trop longtemps, et l’addition d’hexafluoronickelate de potassium peut efficacement réduire la durée du traitement thermique. 1 à 3 heures de traitement thermique peuvent plus efficacement éviter que le nickel trivalent sur la surface se décompose, plus de 3 heures de traitement thermique peuvent provoquer une consommation complète de l’hexafluoronickelate de potassium, ce qui ne va pas oxyder le nickel bivalent généré par décomposition du nickel trivalent sur la surface.
De préférence, un procédé de préparation du matériau de cathode à haute teneur en nickel devant être traité comprend :
le mélange d’un précurseur de cathode à haute teneur en nickel avec une source de lithium et le frittage du mélange obtenu sous atmosphère d’oxygène pour obtenir le matériau de cathode devant être traité.
De préférence, la formule chimique générale du précurseur de cathode à haute teneur en nickel est Ni x Co y M 1-x-y (OH) 2 , x ＞ 0,6, y ≥ 0, M comprend Mn et/ou Al. Par exemple, x peut valoir 0,63, 0,65, 0,7, 0,75, 0,8, 0,85, 0,9, 0,93 ou 0,95, et y peut valoir 0,05, 0,1, 0,13, 0,15, 0,2, 0,25, 0,3 ou 0,33, etc.
De préférence, dans la formule chimique générale Ni x Co y M 1-x-y (OH) 2 du précurseur de cathode à haute teneur en nickel, x ＞ 0,9, par exemple 0,91, 0,92, 0,93, 0,94 ou 0,95.
De préférence, la source de lithium comprend de l’hydroxyde de lithium.
Dans l’invention, l’hydroxyde de lithium est choisi comme source de lithium, de sorte que la réaction peut être mise en œuvre plus profondément. Si l’on choisit d’autres sources de lithium, tels que le carbonate de lithium, une décomposition incomplète risque de se produire.
De préférence, le frittage est mis en œuvre à une température de 750 à 800 °C, par exemple 750 °C, 760 °C, 770 °C, 780 °C, 790 °C ou 800 °C.
De préférence, la membrane ondulée 27 est réalisée dans un matériau à base de cuivre à haute conduction thermique, notamment de l'ordre de 100 W.m-1.K-1. La membrane ondulée 27 présente une certaine plage d'élasticité pour pouvoir compenser les dispersions dimensionnelles des cartes électroniques 11, en particulier suivant leur épaisseur. La membrane ondulée 27 est réalisée par exemple en bronze au béryllium (CuBe2) ou tout autre matériau adapté à l'application. La membrane ondulée 27 pourra être réalisée dans un matériau métallique ayant de bonnes aptitudes élastiques.
Alternativement, la membrane pourra être réalisée dans un matériau métallique malléable ayant un allongement à la rupture supérieur à 8%, voire supérieur à 15%, mais une limite élastique réduite au regard de la déformation souhaitée. L'avantage d'un tel matériau est que la faible limite élastique permet de déformer aisément la paroi dans laquelle sont réalisées les ondulations 38. Il est ainsi possible d’adapter au cas par cas une membrane ondulée 27 réalisée à plat en lui apportant une déformation conique suffisante pour combler un jeu axial entre la puce électronique 14 et le dissipateur thermique 15. L’élasticité réversible à faible déformation autour de la position de montage permet néanmoins d’assurer une légère pression du plot d'interface central 26 sur la puce électronique 14.
Avantageusement, le matériau est choisi pour que la plage de plasticité permette de combler un jeu compris entre 0.7 mm et 0.8 mm tandis que la plage d'élasticité permet de s'adapter à une variation dimensionnelle de l'ordre de 0.1 mm.
Le choix entre l’emploi du matériau à la limite élastique élevée ou du matériau malléable dépend de la plage d’incertitude axiale plus ou moins importante que le montage présentera et de la tolérance aux efforts axiaux supportables par la puce électronique 14 à refroidir.
Afin de modifier ses caractéristiques mécaniques pour passer d'un matériau élastique à un matériau malléable, le matériau de la membrane ondulée 27, en particulier le bronze au béryllium, pourra être soumis à une ou plusieurs phases de cuisson permettant de modifier son allongement à la rupture.
Si la puce électronique 14 est destinée à fonctionner dans un environnement thermique relativement stable, une variante avantageuse pourra consister à remplacer le matériau à limite élastique élevée (ou le matériau malléable) de la membrane ondulée 27 par un matériau à mémoire de forme constitué par un alliage à base de cuivre. Sa plage de température de transformation austénitique/martensitique devra être compatible avec la plage de fonctionnement de la puce électronique 14 afin que le drain thermique 25 travaille dans son domaine de super-élasticité. Cela permet d'assurer le maintien d’une pression constante sur toute la plage de super-élasticité prévisible en fonction du taux de déformation nécessaire.
Les solutions à base de matériaux élastiques ou super-élastiques présentent l’inconvénient d’une mise en forme conique spécifique pour une épaisseur nominale à absorber donnée. En revanche, les montages et les démontages du boîtier électronique 10 peuvent être effectués sans précaution particulière. Cela n’est pas le cas d’une membrane ondulée 27 réalisée dans un matériau malléable qu’il faudra re-déformer légèrement à chaque démontage/remontage afin de s’assurer du bon plaquage de la membrane ondulée 27 sur la puce électronique 14.
Dans le cas d'un fonctionnement dans un environnement vibratoire sévère, un élément amortisseur 46 visible sur la est disposé entre le plot d'interface central 26 du drain thermique 25 et le dissipateur thermique 15. L'élément amortisseur 46 permet de garantir le contact entre le plot d'interface central 26 et la puce électronique 14. L'élément amortisseur 46 pourra être réalisé dans une mousse ou un matériau élastomère.
En variante, le drain thermique 25 pourra être utilisé pour refroidir un composant électronique 12 autre qu'une puce électronique, comme par exemple une résistance, un condensateur, un transistor, ou tout autre composant électronique dissipant de la chaleur.
TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP AYANT UN COMPORTEMENT DE TYPE P-FET DOMAINE TECHNIQUE DE L’INVENTION Le domaine technique de l’invention est celui de l’électronique de puissance. La présente invention concerne un transistor à effet de champ (ou FET, pour « Field Effect Transistor » en anglais) à base de matériaux semi-conducteurs III-N tels que le nitrure de gallium (GaN).
ARRIERE-PLAN TECHNOLOGIQUE DE L’INVENTION Le transistor à haute mobilité d’électrons (ou HEMT, pour « High Electron Mobility Transistor » en anglais) est un transistor à effet de champ bénéficiant des propriétés de conduction d’un gaz d’électrons bidimensionnel (ou 2DEG, pour « 2-Dimensional Electron Gas » en anglais). Il comprend un empilement vertical de couches de semi-conducteur III-N sur un substrat, typiquement en silicium, carbure de silicium ou saphir. Le gaz d’électrons bidimensionnel est formé par une hétérojonction entre une couche de canal, typiquement en nitrure de gallium (GaN), et une couche de barrière, typiquement en nitrure d’aluminium-gallium (AlGaN).
Le transistor HEMT supporte des densités de courant élevées à l’état passant, en raison de la forte densité de porteurs de charge et de la grande mobilité de ces porteurs dans le gaz d’électrons bidimensionnel. Il peut également présenter une vitesse de commutation élevée.
Le transistor HEMT est un transistor à effet de champ à canal N, communément appelé n-FET, c‘est-à-dire un transistor dont la conduction est assurée par des électrons. Pour réaliser des circuits logiques compatibles avec les applications de puissance, typiquement un inverseur, ce transistor n-FET est associé à un transistor à effet de champ à canal P, ou p-FET, autrement dit un transistor dont la conduction est assurée par des trous. Le p-FET doit présenter des performances similaires à celles du transistor n-FET, notamment en termes de courant, de tenue en tension et de vitesse de commutation.
La représente schématiquement un inverseur GaN décrit dans le document [« Gallium nitride-based complementary logic integrated circuits », Z. Zheng et al., Nature Electronics, Vol. 4, pp. 595–603, 2021]. Cet inverseur GaN comprend un transistor n-FET 1a connecté en série avec un transistor p-FET 1b.
La sous-étape 107-17 de l'étape de calcul de la fonction de transfert de modulation est une sous-étape d'application d'une transformée inverse à la matrice MTF.
Les nouveaux coefficients de la matrice MTF 2D à l'issue de la sous-étape 107-17 sont notés {y' i } i≥n
La sous-étape 107-18 de l'étape de calcul de la fonction de transfert de modulation est une sous-étape de remplacement de chaque coefficient y' i de la matrice MTF 2D par .
La sous-étape 107-19 de l'étape de calcul de la fonction de transfert de modulation est une sous-étape de normalisation de la matrice MTF 2D .
La sous-étape 107-20 de l'étape de calcul de la fonction de transfert de modulation est une sous-étape d'application d'une transformée de Fourier sur la matrice MTF 2D .
Les nouveaux coefficients de la matrice MTF 2D à l'issue de la sous-étape 17-23 sont notés {y'' i } i ≥n
La sous-étape 107-21 de l'étape de calcul de la fonction de transfert de modulation est une sous-étape de remplacement de chaque coefficient y'' i de la matrice MTF 2D par . Les nouveaux coefficients de la matrice MTF 2D sont ainsi notés m i = .
La sous-étape 107-22 de l'étape de calcul de la fonction de transfert de modulation est une sous-étape de création d'une matrice Limite de Diffraction dont la taille est égale à trois fois la taille de la pupille extraite.
La sous-étape 107-23 de l'étape de calcul de la fonction de transfert de modulation est une sous-étape de copie des coefficients d'un masque binaire de la pupille au centre de la matrice Limite de Diffraction.
Notons dans la suite {a i } i≥n les coefficients non nuls de la matrice Limite de Diffraction.
La sous-étape 107-24 de l'étape de calcul de la fonction de transfert de modulation est une sous-étape de remplacement, dans la matrice MTF, de chaque coefficient a i par .
La sous-étape 107-25 de l'étape de calcul de la fonction de transfert de modulation est une sous-étape d'application d'une transformée inverse à la matrice Limite de Diffraction.
Les nouveaux coefficients de la matrice Limite de Diffraction à l'issue de la sous-étape 17-25 sont notés {a' i } i≥n
La sous-étape 107-26 de l'étape de calcul de la fonction de transfert de modulation est une sous-étape de remplacement de chaque coefficient a' i de la matrice Limite de Diffraction par .
La sous-étape 107-27 de l'étape de calcul de la fonction de transfert de modulation est une sous-étape de normalisation de la matrice Limite de Diffraction.
La sous-étape 107-28 de l'étape de calcul de la fonction de transfert de modulation est une sous-étape d'application d'une transformée de Fourier sur la matrice Limite de Diffraction.
représente schématiquement une vue en coupe d’un dispositif d’amarrage dans un mode de réalisation à marée basse.
représente schématiquement une vue en coupe d’un dispositif d’amarrage dans un mode de réalisation à marée haute.
représente schématiquement un dispositif d’amarrage dans un mode de réalisation à marée haute
Description des modes de réalisation. On a représenté en un dispositif d’amarrage 1 à marée basse. Le dispositif d’amarrage 1 est également décrit en lien avec la et la représentant deux modes de réalisation dudit dispositif d’amarrage 1 dans une position à marée haute.
Les , et décrivent un dispositif d’amarrage 1 comportant un tube creux 10. Le tube creux 10 est destiné à être enterré dans le sol S formant le fond marin de la zone asséchante de sorte que ledit tube 10 soit entièrement dans le sol S. Le tube creux 10 comporte une extrémité supérieure 100 ouverte sensiblement en continuité avec le sol S. Le tube 10 comporte une extrémité inférieure 101 opposée à l’extrémité supérieure 100.
Le tube 10 comporte à son extrémité inférieure 101, un organe d’accroche 102 au sol. L’organe d’accroche 102 comporte une forme s’évasant depuis une extrémité inférieure vers une extrémité supérieure formant une base. Dans les modes de réalisation décrits aux et , l’organe d’accroche 102 comporte une forme conique. Dans le mode de réalisation décrit à la , l’organe d’accroche 102 comporte une forme pyramidale. La base de l’organe d’accroche 102 est adaptée pour être fixée sur l’extrémité inférieure 101 du tube creux 10. La base de l’organe d’accroche 102 comporte des dimensions sensiblement supérieures au diamètre du tube 10.
Le dispositif 1 comporte un élément d’étanchéité 12 monté sur une platine 103.
La platine 103 est adaptée pour clore au moins partiellement l’extrémité supérieure 100 ouverte du tube creux 10. La platine 103 comporte une pluralité de perçages et une pluralité d’organes de maintien amovibles 103a, chaque organe de maintien 103a étant adapté pour être inséré dans l’un des perçages.
L’élément d’étanchéité 102 est agencé pour étanchéifier le volume du tube creux 10. L’élément d’étanchéité 102 comporte un perçage 120, décrit en . L’élément d’étanchéité 102 comporte une pluralité de joints.
Le dispositif d’amarrage 1 comporte une ligne d’amarrage 11. La ligne d’amarrage 11 comporte à son extrémité supérieure 11.1, un organe d’amarrage 110 et à son extrémité inférieure 11.2, un contrepoids 111. La densité et la masse du contrepoids 111 sont supérieure à la densité et la masse de l’organe d’amarrage 110. La ligne d’amarrage 11 est agencée pour coopérer avec l’extrémité supérieure 100 du tube creux 10. La ligne d’amarrage 11 est agencée pour traverser le perçage 120 de l’organe d’étanchéité 12.
La ligne d’amarrage 11 comporte un cordage 112 reliant l’organe d’amarrage 110 et le contrepoids 111. Le cordage 112 et le contrepoids 111 sont montés dans le tube creux 10.
L’organe d’amarrage 110 est au-dessus de l’extrémité supérieure 100 ouverte du tube creux 10 c’est-à-dire au-dessus de la surface du sol S de la zone asséchante. L’organe d’amarrage 110 est une bouée adaptée pour recevoir un cordage d’un bateau pour son amarrage.
Le contrepoids 111 est coulissant dans le tube creux 10 entre une position basse et une position haute. Le contrepoids 111 comporte un diamètre dont les dimensions lui permettent de coulisser dans le tube creux 10 tout en évitant les accrochages contre une paroi interne dudit tube 10 et en coulissant verticalement de manière aisée.
La position basse est celle dans laquelle le contrepoids 111 est positionné dans une portion inférieure du tube creux 10 et l’organe d’amarrage 110 est positionné à proximité de l’extrémité supérieure 100 ouverte. La position haute est celle dans laquelle le contrepoids 111 est positionné dans une portion supérieure du tube creux 10 et l’organe d’amarrage 110 est positionné à distance de l’extrémité supérieure 100 ouverte.
Un autre moyen technique utilise une fonction télématique du véhicule grâce à laquelle le constructeur peut techniquement accéder à la localisation du véhiucle (V).
Enfin l’exploitation d’une pluralité de localisations du véhicule (V) apparaît comme un moyen technique inédit pour vérifier l’adéquation du dimensionnement de la combinaison des deux réservoirs carburant d’origine (R1) et gaz (R2) en regard d’une exigence d’autonomie en km ainsi estimée.
Elle concerne un procédé de réduction des particules fines en regard des Zones à Faible Emission (ZFE) par la mise en œuvre de conversions de voitures diesel par une version bicarburation au gaz.
Il s’agit de conversion d’une voiture diesel, d’une flotte de voitures diesel, ou d'un parc de voitures diesel, voitures déjà mises en circulation à l’origine en motorisation diesel par une motorisation bicarburation au gaz et d’un traitement de données pour réduire les émissions de particules fines notamment en regard des Zones à Faibles Émissions (ZFE).
ART ANTERIEUR Il est reproché à des voitures répondant à la réglementation au moment de leur achat d’être une source de pollution, notamment le parc de voitures diesel y compris des voitures récentes pourtant homologuées Euro 6 au titre de l’émission de particules fines.
Un certain nombre de villes ou de zones géographiques en Europe ont d’ores et déjà pris la décision d’interdire progressivement à la circulation des voitures diesel. Il s’agit notamment de Zones à Faibles Émissions (ZFE).
De fait, le parc des voitures diesel représente plusieurs millions de voitures qui vont être prochainement techniquement condamnés à ne plus circuler dans certaines zones du territoire.
Bien évidemment le possesseur d’une voiture diesel a la possibilité d’acheter une voiture neuve.
Il existe déjà des solutions alternatives pour certains modèles consistant à la conversion de sa voiture diesel en une voiture à bicarburation au gaz.
Dans le cas de la bicarburation au gaz, le gaz n’émet aucune particule fine notamment en bicarburation gazole-GPL, ce qui induit une réduction des particules fines proportionnellement à la proportion de gaz dans le carburant utilisé.
On comprend qu’au montage du clapet C, l’extrémité 12 forme une partie d’insertion qui se retrouve pour partie, après insertion dans l’orifice de montage, du côté de/dans l’espace intérieur creux 9. Une zone de gorge correspondant à la partie plus étroite ou zone similaire du tronçon de tige du clapet C est entourée par le flasque 15, tandis que l’extrémité de rétention 12 (appartenant à la partie d’insertion), plus large que l’orifice central, s’oppose au retrait du clapet C. Le matériau du clapet C peut être à base d’un élastomère tel que du silicone ou autre matériau élastiquement déformable.
Le clapet C est adapté, lorsque l’eau liquide brute n’entre plus dans le boîtier 2 via l’entrée 3, à libérer le passage O2 par soulèvement de la partie d’obturation 14 (décollement par rapport à la face externe du flasque 15) dans une configuration de purge d’eau par injection d’un fluide gazeux dans le boîtier 2. Ce fluide gazeux peut arriver par la sortie 4. Lorsque le filtre 1 est adapté pour une filtration centripète, ceci permet un reflux d’eau hors du boîtier 2, dans une zone centrale du boîtier qui n’interfère pas avec la zone annulaire entourant le média qui appartient à la zone d’aval, où peuvent typiquement s’accumuler des particules retenues par le média 5. Une mise à l’air au moins de l’espace intérieur creux 9 peut être obtenue.
En référence à la , la structure tubulaire S peut présenter des reliefs internes 7r, saillants radialement vers l’intérieur et participant au guidage et/ou centrage de la partie de chauffage 6c. Ces reliefs 7r, par exemple au nombre de trois, quatre ou davantage, écartent la partie de chauffage 6c de la face interne du média 5, en créant localement un contact 17 d’appui radial. La structure S peut consister en une seule pièce 7 en matériau plastique, typiquement rigide. Eventuellement le flasque 16 et la pièce 7 peuvent être clipsés et/ou rendus inséparables. En variante, ils sont optionnellement formés ensemble en une unique pièce plastique.
La partie de chauffage 6c peut éventuellement être sous forme de tige, insérée dans la structure tubulaire S de façon parallèle à un axe longitudinal du média 5. La partie de chauffage 6c est adaptée pour être allongée, par exemple en étant relativement mince. Elle s’étend à l’intérieur de l’élément filtrant EF, de façon sensiblement rectiligne depuis le raccord 6b en ayant une longueur L6 au moins égale à la moitié de la longueur L5 du média 5 de filtration. Le raccord 6b peut présenter une partie d’insertion, se verrouillant par coopération avec une face interne de fixation, formant la région de fixation RF pour solidariser le réchauffeur 6 sur le boîtier 2, typiquement à l’opposé de la vanne 10. La partie d’insertion du raccord 6b peut être adjacente à une partie extérieure plus large et présentant une section non ronde, par exemple polygonale (hexagonale à titre d’exemple non limitatif) pour faciliter une opération de serrage par un outil adapté.
Une face externe de la partie de chauffage 6c peut être cylindrique et/ou dépourvue de relief/lisse pour faciliter le guidage par de tels reliefs 7r. Les reliefs 7r peuvent présenter un côté biseauté du côté par lequel s’insère la partie de chauffage 6c, donc du côté faisant face au flasque 16 dont l’ouverture O3 sert au passage de la partie de chauffage 6c.