Dispositif électronique (200 ; 300) comprenant un substrat semiconducteur (101) dopé d’un premier type de conductivité et dans lequel s’étendent, depuis une face (101T) du substrat (101) : – un premier caisson (201) dopé d’un deuxième type de conductivité, opposé au premier type de conductivité ; – un deuxième caisson (103) dopé du premier type de conductivité et situé dans le premier caisson (201) ; – un troisième caisson (105) électriquement isolant et situé dans le deuxième caisson (103) ; – un quatrième caisson (109) dopé du premier type de conductivité et situé dans le troisième caisson (105) ; et – des première, deuxième et troisième régions (113, 115, 117) dopées du premier type de conductivité et situées respectivement dans le substrat (101), dans le deuxième caisson (103) et dans le quatrième caisson (109). Dispositif selon la revendication 1, dans lequel les première et deuxième régions (113, 115) présentent chacune, vue de dessus, une forme annulaire entourant la troisième région (117). Dispositif selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le premier caisson (201) présente, vu de dessus, une forme annulaire entourant la deuxième région (115). Dispositif selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel les première et troisième régions (113, 117) sont destinées à être connectées respectivement à un premier nœud (119) d’application d’un potentiel de référence, de préférence la masse (GND), et à un deuxième nœud (121) d’application d’un potentiel d’alimentation (VHV). Dispositif selon la revendication 4, dans lequel le potentiel d’alimentation (VHV) est supérieur à 10 V, de préférence supérieur à 20 V, plus préférentiellement égal à environ 25 V. Dispositif (200) selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel la deuxième région (115) est destinée à être laissée à un potentiel flottant. Dispositif (300) selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, comprenant en outre un premier élément résistif (R1) reliant la première région (113) à la deuxième région (115) et un deuxième élément résistif (R2) reliant la deuxième région (115) à la troisième région (117). Dispositif (300) selon la revendication 7, dans lequel le deuxième élément résistif (R2) présente une résistance environ deux fois supérieure à celle du premier élément résistif (R1). Dispositif selon l’une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel le premier caisson (201) comprend des puits verticaux (201L) revêtant tous les flancs du deuxième caisson (103) et un puits horizontal (201B) revêtant un fond du deuxième caisson (103) opposé à ladite face (101T) du substrat (101). Dispositif selon l’une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel le troisième caisson (105) comprend une couche d’oxyde (107) interposée verticalement entre le deuxième caisson (103) et le quatrième caisson (109) et au moins une tranchée d’isolation (111) s’étendant depuis ladite face (101T) du substrat (101) jusqu’à la couche d’oxyde (107). Dispositif selon l’une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel le premier type de conductivité est P et le deuxième type de conductivité est N. Dispositif (403) de protection contre des décharges électrostatiques comprenant au moins un dispositif (200 ; 300) selon l’une quelconque des revendications 1 à 11. Capteur d’images (400) comprenant un dispositif (403) selon la revendication 12 et une pluralité de pixels comportant chacun au moins une diode photosensible. Capteur selon la revendication 13, dans lequel les pixels sont formés dans et sur un autre substrat semiconducteur (401) situé sur et en contact avec ladite face (101T).