INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Le dispositif optoélectronique 1 comporte donc une photodiode 2 de type Ge sur Si couplée optiquement par évanescence à un guide d’onde intégré 3 en Si 3 N 4 situé sous la photodiode 2, et plus précisément à la verticale de la portion intermédiaire d’absorption 32. Ainsi, le dispositif optoélectronique 1 présente de bonnes performances du fait que le guide d’onde intégré 3 est réalisé en Si 3 N 4 d’une part et qu’un recuit à haute température (au moins 1000°C, par exemple 1000°C ou 1100°C environ) a pu être effectué (sans engendrer de dégradation vis-à-vis des autres composants actifs ou des portions dopées) et non pas seulement en un nitrure de silicium non stœchiométrique. De plus, le guide d’onde intégré 3 est disposé sous la photodiode 2 et non pas à côté latéralement ou au-dessus d’elle, et peut ainsi être espacé vis-à-vis de la couche épaisse 11 du substrat photonique 10 d’une distance adéquate pour limiter les pertes optiques par fuite du mode guidé dans celle-ci. Par ailleurs, comme expliqué par la suite, le fait que le guide d’onde intégré 3 soit disposé sous la photodiode 2, et non pas à côté latéralement ou au-dessus d’elle, permet de réduire les contraintes de réalisation en termes de dimensionnement, de positionnement, et de budget thermique.
Les figures 2A à 2J illustrent différentes étapes d’un procédé de fabrication du dispositif optoélectronique 1 selon un mode de réalisation, où le dispositif optoélectronique 1 est similaire à celui illustré sur la .
En référence aux et 2B, on réalise un premier substrat dit semiconducteur 20, dans la mesure où il comporte un empilement de couches minces semiconductrices 23, 24, 25 destinées à la réalisation du plot semiconducteur 30.
On réalise tout d’abord ( ) un substrat SOI ou GeOI, formé d’un empilement d’une couche support 21, ici un substrat massif en silicium, d’une couche 22 d’oxyde enterré (BOX, pour Buried Oxide , en anglais) qui recouvre la couche support 11 et dont l’épaisseur est de préférence égale à 145nm environ, et une couche mince semiconductrice 23 à base de silicium dont l’épaisseur est de préférence égale à 70nm. Dans cet exemple, le substrat est de type SOI et la couche mince semiconductrice 23 est réalisée en silicium monocristallin. En variante, le substrat peut être de type GeOI et la couche mince semiconductrice 23 serait alors réalisée en germanium monocristallin.
Ensuite ( ), on réalise l’empilement semiconducteur par épitaxie. On réalise tout d’abord un dopage de la couche mince semiconductrice 23 par implantation ionique, par exemple au phosphore, suivi d’un recuit d’activation des dopants, pour ainsi obtenir une première couche mince dopée 23, ici réalisée en silicium dopé de type n. On réalise ensuite une couche mince intermédiaire 24 en germanium non intentionnellement dopé, par épitaxie à partir de la couche mince dopée 23, puis une deuxième couche mince 25 à base de silicium dopé de type p. Cette couche mince dopée 25 est ici réalisée en silicium et le dopage au bore est réalisé de préférence à la croissance. De préférence, une couche mince de collage 26, réalisée en un oxyde, est déposée sur la couche mince dopée 25. Notons que, à la suite de la réalisation par épitaxie de l’empilement semiconducteur, la couche mince intermédiaire 24 présente des contraintes mécaniques en tension dans le plan XY, du fait du différentiel de dilatation thermique entre le silicium et le germanium. La fréquence de coupure d’absorption de la photodiode 2 pourra alors être au moins égale à 1550nm.
En référence à la , on réalise ensuite le substrat photonique 10. Comme indiqué précédemment, il comporte une couche support 11, par exemple un substrat massif en silicium, une couche inférieure diélectrique 12 réalisée par exemple en un oxyde, le guide d’onde intégré 3, et une couche supérieure diélectrique 13 réalisée en un oxyde. Le guide d’onde 3 appartient ici à un circuit photonique intégré situé dans le substrat photonique 10. Il peut avoir été réalisé par un dépôt chimique en phase vapeur à basse pression (LPCVD) suivi d’un recuit à haute température (de l’ordre de 1000°C). On obtient ainsi un guide d’onde intégré 3 réalisé en Si 3 N 4 dont les pertes optiques en transmission sont fortement réduites. Un traitement de surface peut être effectué pour préparer le collage direct de type oxyde/oxyde du substrat semiconducteur 20 sur le substrat photonique 10.
En référence à la , on reporte le substrat semiconducteur 20 sur le substrat photonique 10, en mettant au contact la couche mince de collage 26 sur la couche supérieure diélectrique 13. Le substrat semiconducteur 20 est alors collé au substrat photonique 10 par un collage direct ici de type oxyde/oxyde.
En référence à la , on retire ou supprime la couche support 21 du substrat semiconducteur 20, par exemple par amincissement mécanique suivi d’une gravure humide à l’acide chlorhydrique. On amincit ensuite la couche 22 d’oxyde enterrée de manière uniforme sur toute sa surface.
En référence à la , on structure la couche mince 23 dopée n et la couche intermédiaire 24 pour ainsi obtenir respectivement la portion supérieure 33 dopée n et la portion intermédiaire d’absorption 32. La structuration peut être effectuée par photolithographie et gravure localisée, par exemple par gravure sèche avec arrêt de gravure par détection de fin d’attaque sur la couche mince 25 dopée p. La portion supérieure 33 dopée n et la portion intermédiaire d’absorption 32 sont positionnées au-dessus et à la verticale du guide d’onde intégré 3 à l’aide de marques de lithographie réalisées au préalable dans le substrat photonique 10.
Dans un premier aspect, la présente invention fournit un matériau d’électrode positive ternaire, comprenant :
un matériau de base au lithium-nickel-cobalt-manganèse ;
une couche de revêtement de phosphate ferrique appliquée en revêtement sur un côté périphérique externe du matériau de base au lithium-nickel-cobalt-manganèse ;
une couche de revêtement de bore appliquée en revêtement sur un côté périphérique externe de la couche de revêtement de phosphate ferrique et une partie de la couche de revêtement de bore s’infiltrant dans des pores de la couche de revêtement de phosphate ferrique pour être combinée avec une surface externe du matériau de base au lithium-nickel-cobalt-manganèse.
Dans un mode de réalisation facultatif, une masse de la couche de revêtement de phosphate ferrique représente 0,5 % à 5 % d’une masse brute du matériau d’électrode positive ternaire.
Dans un mode de réalisation facultatif, une masse de la couche de revêtement de bore représente 0,5 % à 5 % d’une masse brute du matériau d’électrode positive ternaire.
Dans un deuxième aspect, la présente invention fournit un procédé de préparation du matériau d’électrode positive ternaire selon l’un quelconque des modes de réalisation précédents, comprenant :
le mélange d’une suspension liquide contenant le matériau de base au lithium-nickel-cobalt-manganèse avec une solution de ferrophosphore, le séchage et le fait d’effectuer un frittage primaire sur le mélange pour former la couche de revêtement de phosphate ferrique sur le côté périphérique externe du matériau de base au lithium-nickel-cobalt-manganèse ; et
le mélange homogène d’une source de bore avec le matériau de base au lithium-nickel-cobalt-manganèse revêtu de la couche de revêtement de phosphate ferrique et le fait d’effectuer un frittage secondaire sur le mélange pour former la couche de revêtement de bore appliquée en revêtement sur le côté périphérique externe de la couche de revêtement de phosphate ferrique et le fait de laisser une partie de la couche de revêtement de bore s’infiltrer dans les pores de la couche de revêtement de phosphate ferrique pour être combinée avec la surface externe du matériau de base au lithium-nickel-cobalt-manganèse.
Dans un mode de réalisation facultatif, la suspension liquide est obtenue par dispersion du matériau de base au lithium-nickel-cobalt-manganèse dans un premier solvant, le premier solvant comprenant un solvant organique ou de l’eau ; et
la solution de ferrophosphore est obtenue par dispersion d’une source ferrique et d’une source de phosphore dans un second solvant, le second solvant comprenant de l’eau.
Dans un mode de réalisation facultatif, la source ferrique comprend un sel ferrique soluble dans l’eau ; et/ou la source de phosphore comprend au moins l’un d’un acide phosphorique et d’un sel de phosphore soluble dans l’eau ; et/ou la source de bore comprend au moins l’un d’un oxyde borique, d’un acide boronique et d’un borate.
Dans un mode de réalisation facultatif, dans la solution de ferrophosphore, une concentration d’ions ferriques est de 0,05 mol/l à 2,5 mol/l et une concentration de radicaux phosphate est de 0,05 mol/l à 2,5 mol/l.
Dans un mode de réalisation facultatif, le séchage est mis en œuvre à une température de 100 °C à 250 °C et le séchage dure 4 heures à 6 heures ; et/ou le frittage primaire est mis en œuvre à une température de frittage de 400 °C à 800 °C et le frittage est mis en œuvre dans une atmosphère d’oxygène pur ; et/ou le frittage secondaire est mis en œuvre à une température de frittage de 700 °C à 800 °C, le séchage par frittage dure 4 heures à 8 heures et le frittage est mis en œuvre dans une atmosphère d’oxygène pur.
Dans un troisième aspect, la présente invention fournit une plaque d’électrode positive, comprenant :
un collecteur d’électrode positive ; et
Plus particulièrement, la fréquence F R est déterminée par la formule suivante : F R = (2*B*z)/(c*T), avec * l'opérateur multiplié, B l'excursion de la modulation de la fréquence optique f du faisceau 102 pendant la durée T, T la durée de la modulation en fréquence, c la vitesse de la lumière et z la distance du capteur 1 à la scène, et plus particulièrement du pixel Pix concerné à la scène. Ainsi, il suffit de mesurer la fréquence F R du signal hétérodyne i PD d'un pixel Pix du capteur 1 pour connaitre la distance z séparant ce pixel Pix du point de la scène qui est associé à ce pixel Pix.
Cette mesure de la fréquence de battement F R peut être faite par transformée de Fourier rapide (FFT de l'anglais "Fast Fourrier Transform"). La méthode de mesure par FFT n'est toutefois pas adaptée à des capteurs comprenant un grand nombre de pixels, par exemple plus 100000 pixels, voire plus de 300000 pixels, dans lesquels la mesure de la fréquence F R doit être mise en œuvre simultanément pour tous les pixels du capteur en mode instantané (ou "snapshot") ou pour tous les pixels d'une ligne de la matrice de pixels en mode ligne par ligne (ou "rolling shutter"), si on vise une cadence d'acquisition d'images de la scène d'au moins 30 images par secondes.
La mesure de la fréquence de battement F R peut également être faite en comptant le nombre M de périodes Te du signal hétérodyne sur une durée donnée, par exemple la durée T de la modulation de la fréquence f du faisceau 102. Dans ce cas, on peut considérer que la fréquence F R est égale à M/T en négligeant l'incertitude sur le nombre M compté et en négligeant le chemin optique parcouru dans le capteur 1 par le faisceau de référence 108 par rapport au faisceau 106, 112, et donc que z est égal à (M*c)/(2*B). La résolution en z, notée ∂z, est alors égale c/(2*B). Cette méthode de mesure de la fréquence F R par comptage est simple à mettre en œuvre et permet d'obtenir une mesure de la fréquence F R plus rapidement qu'avec la méthode FFT. Toutefois, il est souhaitable que le rapport signal sur bruit SNR (de l'anglais "Signal to Noise Ratio") soit le plus élevé possible pour éviter les erreurs de comptage.
Il existe un besoin de pallier tout ou partie des inconvénients des méthodes connues d'acquisition des distances d'un capteur à une scène, en particulier des méthodes connues reposant sur la technique LIDAR de type FCMW.
Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des méthodes connues d'acquisition des distances d'un capteur à une scène, en particulier des méthodes connues reposant sur la technique LIDAR de type FCMW.
Un mode de réalisation prévoit un méthode d'acquisition de distances d'un capteur à une scène, la méthode comprenant, lors d'une phase de capture de la scène, un nombre N de sous-phases de capture C i consécutives, avec N un entier supérieur ou égal à 2 et i un indice entier allant de 1 à N, chacune des sous-phases de capture C i comprenant : - la fourniture d'un faisceau laser ayant une fréquence optique variant linéairement sur une plage de fréquences de largeur B i pendant une durée T i ; - la fourniture à partir dudit faisceau laser d'un faisceau de référence et d'un faisceau utile ; et - l'illumination de la scène par le faisceau utile et l'illumination d'au moins une ligne de pixels du capteur par un faisceau correspondant à une superposition du faisceau de référence et d'un faisceau réfléchi correspondant à la réflexion du faisceau utile par la scène, dans laquelle une valeur absolue d'un rapport B i /T i est différente pour chaque sous-phase de capture C i , dans laquelle, chaque sous-phase de capture C i correspond à une plage Dz i de mesure de distances du capteur à la scène, la plage Dz i allant de zmin i à zmax i avec zmax i supérieur à zmin i , les rapports B i /T i étant déterminés de sorte que pour i allant de 1 à N-1, zmin i+1 soit sensiblement égal à zmax i sans être strictement supérieur à zmax i .
Selon un mode de réalisation, les rapports B i /T i sont déterminés de sorte que pour i allant de 1 à N-1 zmin i+1 soit égal à zmax i .
Selon un mode de réalisation, pour chaque sous-phase de mesure C i et pour chaque pixel du capteur, l'illumination du pixel par le faisceau correspondant à la superposition du faisceau de référence et du faisceau réfléchi résulte en un signal oscillant à une fréquence de battement F Ri appartenant à une plage ∆F Ri de fréquences allant d'une fréquence F R inf i à une fréquence F R sup i si un point de la scène associé audit pixel est à une distance du pixel comprise dans la plage Dz i .
Selon un mode de réalisation, pour i allant de 1 à N, F R sup i est égal à K i fois F R inf i , avec K i un coefficient, et la fréquence F R inf i est identique pour tous i compris entre 1 et N.
Selon un mode de réalisation, K i est identique pour tous i compris entre 1 et N.
Selon un mode de réalisation, pour chaque sous-phase de capture C i et chaque pixel du capteur, si la fréquence de battement F Ri est comprise dans la plage de fréquences ∆F Ri , une distance z du pixel au point de la scène associé au pixel est calculée à partir de la formule suivante : z =/(2.B i ), avec c la vitesse de la lumière.
Selon un mode de réalisation, pour chaque pixel et à chaque sous-phase de capture C i , une mesure de la fréquence F Ri d'un pixel est obtenue en comptant, pendant la durée T i de ladite sous-phase C i , un nombre de périodes du signal oscillant dudit pixel.
Selon un mode de réalisation, pour chaque pixel et pour chaque sous-phase de capture C i , le pixel est à une distance du point de la scène associé à ce pixel comprise dans la plage de mesure Dz i si le nombre de périodes compté pendant la durée T i de la sous-phase C i appartient à une plage de valeurs allant d'une valeur basse Mmin i à une valeur haute Mmax i , la valeur basse étant égale à T i *F R inf i et la valeur haute étant égale à T i *F R sup i .
Selon un mode de réalisation, pour i allant de 1 à N, chaque plage Dz i a une largeur égale à une résolution visée de mesure de distance.
Selon un mode de réalisation, pour i allant de 1 à N, chaque plage Dz i a une largeur égale à une résolution visée de mesure de distance, et, pour chaque pixel et pour chaque sous-phase de capture C i , le pixel est à une distance du point de la scène associé à ce pixel comprise dans la plage de mesure Dz i si le nombre de périodes compté pendant la durée T i de la sous-phase C i est égal à un nombre déterminé par cette résolution visée.
Selon un mode de réalisation, chaque plage Dz i a une largeur égale à une résolution visée de mesure de distance, et, pour chaque pixel et pour chaque sous-phase de capture C i , une détermination que la fréquence de battement F Ri est comprise dans la plage de fréquences ∆F Ri est faite en détectant une fréquence donnée de la plage ∆F Ri .
La illustre la quatrième étape d’un procédé selon l’invention.
La illustre la détermination de la température des gaz de sortie lors de différents vols à l’aide d’un procédé selon l’invention.
La et la illustrent la mesure de l’usure d’une turbomachine à l’aide d’un procédé selon l’invention.
Procédé de détermination de la température de gaz de sortie d’une turbomachine lors d’un vol cible
Un premier aspect de l’invention concerne un procédé de détermination de la température des gaz de sortie d’un moteur lors d’une utilisation cible à partir des données associées à une partie aux moins des utilisations précédentes, les données comprenant, pour chaque utilisation parmi les utilisations précédentes, une première série de données relative au moteur et mesurée lors de l’utilisation considérée (par exemple, la température des gaz de sortie, la vitesse de rotation, etc.), et une deuxième série de données relative aux conditions environnementales lors de l’utilisation considérée (par exemple, la température, la pression, la poussière, etc.), la première et la deuxième série de données étant regroupées dans un vecteur de données associé à l’utilisation considérée . De plus, dans le procédé selon un premier aspect de l’invention, la température des gaz de sortie est déterminée à l’aide d’un modèle à base de mixture gaussienne caractérisé par un jeu de paramètres du modèle noté dans la suite.
Dans la suite, à des fins d’illustration, le moteur est une turbomachine et une utilisation correspond à un vol effectué à l’aide de la turbomachine. Par ailleurs, l’ensemble des données relatives à un vol est noté . En particulier, l’ensemble des données relatives à la température des gaz de sortie est comprise dans cet ensemble de données . De plus l’ensemble des données relative à un vol à l’exclusion des données ou de tout autre donnée relative au fonctionnement de la turbomachine (exception faite de la vitesse de rotation de la turbomachine commandée par le pilote) est noté . Un exposant pourra éventuellement être ajouté à ces notations pour préciser que plusieurs turbomachines peuvent être prises en compte. Par exemple, représente l’ensemble des données relatives à un vol d’indice de la turbomachine . Dans un mode de réalisation, les données sont mesurées lors de la phase de croisière du vol, cette dernière étant en général la phase de vol que l’on cherche à optimiser. Cependant, la période de mesure lors du vol (ou plus générale de l’utilisation) pourra être déterminée par d’autres critères, comme un niveau de vibration ou comme un niveau de consommation de carburant.
Détermination du vecteur d’état de la turbomachine
Comme illustré à la , le procédé comprend tout d’abord, pour chaque vol avec avec de préférence (c’est à dire que l’ensemble des vols précédents est pris en compte), une étape 1E1 de détermination, par un réseau de neurones récursif LSTM, d’un vecteur d’état de la turbomachine associé au vol considéré, le réseau de neurones récursif LSTM prenant en entrée le vecteur d’état de la turbomachine au vol précédent le vol considéré ainsi que les données associées au vol considéré . Lorsque plusieurs turbomachines sont prises en compte, cette étape est effectuée pour chaque turbomachine de sorte à déterminer le vecteur d’état associé au vol pour la turbomachine considérée.
Plus particulièrement, le réseau de neurone LSTM est un « gated recurrent network », notamment un réseau de neurone à mémoire à court et long terme (en anglais Long Short Term Memory ou LSTM) ou bien encore deux réseaux de neurone LSTM empilés (ou stacked LSTM). Dans la suite, sur les figures et afin de simplifier les illustrations, les deux réseaux de neurone LSTM empilés sont représentés par un seul réseau LSTM. Le lecteur pourra se référer au document Hochreiter and Schmindhuber (1997) pour plus d’information sur les réseaux de neurone LSTM.
Détermination du vecteur contextuel d’état
Comme illustré à la , le procédé comprend ensuite, à partir du vecteur d’état de la turbomachine et des données associées à chaque vol avec , une étape de détermination d’un vecteur contextuel d’état associé au vol cible , ledit vecteur contextuel d’état étant déterminé au moyen d’une somme pondérée de l’ensemble de données associé à chaque vol . Ce vecteur contextuel d’état permet d’obtenir un mécanisme d’attention à long terme pour la détermination de la température des gaz de sortie. Comme précédemment lorsque plusieurs turbomachines sont prises en compte, cette étape est mise en œuvre pour une pluralité de turbomachines.
Dans un mode de réalisation, un poids est associé à chaque vol en fonction de la similitude entre le vol considéré et le vol cible . Dans ce mode de réalisation, ce poids est calculé à l’aide d’un premier coefficient donné par la relation suivante :
[Math. 1]
où est la fonction similarité cosinus connu du domaine et qui permet de mesurer la similarité de deux vecteurs en déterminant le cosinus de leur angle. Le poids associé au vol est ensuite déterminé à partir de ce coefficient à l’aide de la relation suivante :
Dans un premier mode de réalisation de l’invention, la glissière peut être mobile avec la partie inférieure de secteur et ledit poussoir peut être fixé sur la coquille inférieure moyennant une semelle.
La glissière peut comprendre un galet qui peut coopérer avec deux encoches agencées de part et d’autre du poussoir dans la semelle lors du mouvement radial de la partie inférieure de secteur.
Dans un deuxième mode de réalisation de l’invention, la glissière peut être fixée sur la coquille inférieure et le poussoir peut être mobile avec la partie inférieure de secteur.
La glissière peut comprendre deux encoches qui peuvent coopérer avec une bille du poussoir lors du déplacement radial de la partie inférieure de secteur.
Ledit poussoir peut comprendre un ressort de rappel.
Ledit ressort de rappel peut être calibré de manière à pouvoir maintenir en une position prédéfinie la partie inférieure du secteur lorsque l’effort exercé sur le poussoir est inférieur à l’effort qu’il subit lors de la fermeture du moule.
La glissière peut avoir une section en forme de queue d’aronde. Cette forme en queue d’aronde permet un bon guidage en translation radiale et un maintien en position axiale de la partie inférieure de secteur, surtout en cas de composition collante ou de sculptures complexes du pneu qui a ainsi tendance à adhérer aux parois internes des parties moulantes du moule.
L’invention a également pour objet un procédé de moulage d’un pneumatique à l’aide d’un moule comportant - une coquille supérieure de moulage d’un flanc de pneumatique, une coquille inférieure de moulage d’un flanc de pneumatique, - une couronne de secteurs circonférentiels pour le moulage d’une bande de roulement de pneumatique, chaque secteur comportant une partie supérieure de secteur apte à être séparée axialement d’une partie inférieure de secteur, le moule étant apte à coopérer avec - des moyens d’actionnement en un mouvement radial de tous les parties de secteurs simultanément et en un mouvement axial de la partie supérieure de chaque secteur par rapport à la partie inférieure du même secteur lors des opérations d’ouverture et de fermeture du moule, le procédé incluant une étape d’extraction du pneumatique à la fin de la cuisson lorsqu’on déplace radialement vers l’extérieur tous les secteurs simultanément et lorsqu’on déplace axialement vers le haut la partie supérieure de chaque secteur, la partie inférieure du secteur étant amenée à passer d’une première position de maintien en position radialement à l’intérieur à une deuxième position de maintien radialement à l’extérieur.
Le procédé de moulage de l’invention peut comporter une étape de fermeture à vide du moule suivie d’une étape d’ouverture du moule sans recul radial des secteurs pour introduire à l’intérieur du moule une nouvelle ébauche de pneumatique.
Le procédé de moulage de l’invention peut comporter une étape de fermeture du moule axialement uniquement sur l’ébauche de pneumatique introduite à l’intérieur du moule.