INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Différentes armures de tissage tridimensionnel peuvent être utilisées, par exemple, la préforme tissée peut être une préforme tissée interlock, multi-satin ou multi-toile, par exemple, comme décrit dans le document WO 2006/136755.
Dans un mode de réalisation, la préforme peut être une préforme d’une pièce aéronautique, par exemple une préforme d’aube de turbomachine, une préforme d’anneau de turbomachine ou une préforme de distributeur.
La représente une préforme fibreuse 1000 de l’invention, laquelle comprend deux zones de bord 202a 202b et une zone utile 201.
Pour aider à la compréhension, une aube de turbomachine pouvant être formée dans la zone utile 201 est figurée en pointillés.
Comme représenté, la préforme 1000 comprend des repères textiles 101a, 101b, 102a, 102b permettent de repérer des directions particulières 31a, 31b, 41a et 41b.
La représente schématiquement un procédé de disposition d’une préforme 1000 dans un outillage, ici un conformateur 60.
Le conformateur 60 comprend une première 61 et une deuxième partie de conformateur 62.
Dans un mode de réalisation, la disposition de la préforme 1000 dans la cavité du conformateur 60, comprend une étape d’alignement des directions particulières de la préforme fibreuse 31a, 31b, 41a, 41b repérées par les repères textiles 101a, 101b, 102a, 102b avec des directions particulières du conformateur 301a, 301b, 401a et 401b.
Cette disposition particulière assure que l’ensemble des étapes de préparation de la pièce finale en matériau composite soit réalisé avec des préformes orientées selon une direction particulière, choisie pour permettre l’obtention des propriétés mécaniques attendues dans la pièce finale.
Dans l’exemple représenté, le capteur d’images 400 comprend un substrat semiconducteur 401 (IMG) dans et sur lequel sont formés une pluralité de pixels, non détaillés en . Chaque pixel du capteur 400 comporte au moins une diode photosensible, ou photodétecteur, par exemple de type diode à avalanche à photon unique (« Single-Photon Avalanche Diode » - SPAD, en anglais). Les pixels du capteur d’images 400 sont, dans l’orientation de la , destinés à être illuminés par la face supérieure du substrat 401.
Dans cet exemple, le capteur 400 comprend en outre le substrat semiconducteur 101 dans lequel est formé un dispositif 403 (ESD PROTECTION) de protection contre les décharges électrostatiques. Le dispositif de protection 403 comprend un ou plusieurs dispositifs unitaires de protection contre les décharges électrostatiques du type du dispositif 200 ou du dispositif 300 précédemment décrits en relation avec les figures 2A, 2B et 3.
Dans l’orientation de la , le substrat 401 est en contact, par sa face inférieure, avec la face supérieure 101T du substrat 101 sous-jacent. À titre d’exemple, les substrats 101 et 401 sont collés par collage moléculaire de sorte à obtenir une structure tridimensionnelle, ou 3D.
À titre d’exemple, un dispositif 200 ou 300 est relié ou connecté à chaque photodétecteur, par exemple chaque diode à avalanche à photon unique, du substrat 401. Dans cet exemple, les photodétecteurs du capteur d’images 400 sont alimentés par le potentiel VHV et les dispositifs 200 ou 300 du dispositif 403 permettent de protéger les photodétecteurs du substrat 401 contre les décharges électrostatiques pouvant survenir dans le capteur 400.
Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. La personne du métier comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaîtront à la personne du métier. En particulier, bien que l’on ait détaillé ci-dessus le cas dans lequel le premier type de conductivité est P et le deuxième type de conductivité est N, les modes de réalisation décrits sont transposables par la personne du métier au cas où le premier type de conductivité est N et le deuxième type de conductivité est P. Dans ce cas, il convient par exemple que le potentiel VHV, appliqué à la région 117 par l’intermédiaire du nœud 121, présente une valeur négative, par exemple de l’ordre de - 25 V.
En outre, bien que les régions 113, 115 et la tranchée d’isolation 111 des dispositifs 200 et 300 précédemment décrits en relation avec les figures 2A, 2B et 3 présentent, vues de dessus, une forme annulaire, les régions 113, 115 et la tranchée d’isolation 111 pourraient, à titre de variante, présenter chacune une forme différente. À titre d’exemple, les régions 113, 115 et la tranchée d’isolation 111 pourraient présenter chacune, vue de dessus, la forme d’une bande s’étendant latéralement le long d’une direction orthogonale au plan AA de la , ou d’un « U » dont la barre horizontale s’étendrait le long d’une direction orthogonale au plan AA de la et donc les barres verticales s’étendraient le long de directions parallèles au plan AA et à la face 101T du substrat 100. Dans ce cas, les régions 113, 115 et la tranchée d’isolation 111 seraient par exemple situées d’un même côté de la région 117, de sorte que la région 115 et la tranchée d’isolation 111 soient interposées entre les régions 113 et 117.
Enfin, la mise en œuvre pratique des modes de réalisation et variantes décrits est à la portée de la personne du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus. En particulier, la personne du métier est en mesure de prévoir les niveaux de dopage du substrat 101, des caissons 201, 103, 105 et 109 et des régions 113, 115 et 117. En outre, la personne du métier est capable de prévoir et de former dans le caisson 109, outre la région 117, une ou plusieurs autres régions dopées du premier type de conductivité et une ou plusieurs régions dopées du deuxième type de conductivité de sorte à former au moins une jonction P-N.
Dispositif de protection contre des décharges électrostatiques La présente description concerne de façon générale les dispositifs électroniques. La présente description concerne plus particulièrement les dispositifs de protection de circuits intégrés contre des décharges électrostatiques.
Un circuit intégré non protégé peut subir, en cas de décharge électrostatique, des détériorations irréversibles susceptibles de causer des dysfonctionnements importants du circuit. Pour pallier cet inconvénient, les circuits intégrés actuels sont généralement équipés de protections contre les décharges électrostatiques.
Il existe un besoin d’améliorer les dispositifs existants de protection des circuits intégrés contre les décharges électrostatiques.
Il serait en particulier souhaitable de réaliser des dispositifs de protection des circuits intégrés contre les décharges électrostatiques qui soient compatibles avec des tensions d’alimentation des circuits supérieures à plusieurs volts, voire à plusieurs dizaines de volts, et présentant un encombrement minimal.
Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des dispositifs connus de protection des circuits intégrés contre les décharges électrostatiques.
Pour cela, un mode de réalisation prévoit un dispositif électronique comprenant un substrat semiconducteur dopé d’un premier type de conductivité et dans lequel s’étendent, depuis une face du substrat : – des premier et deuxième caissons disjoints, dopés respectivement du premier type de conductivité et d’un deuxième type de conductivité, opposé au premier type de conductivité, et présentant chacun un niveau de dopage supérieur à celui du substrat ; – au moins une première région et au moins une deuxième région situées respectivement dans les premier et deuxième caissons, présentant chacune un niveau de dopage supérieur à celui des premier et deuxième caissons et reliées, de préférence connectées, respectivement à des première et deuxième électrodes du dispositif ; et – une tranchée d’isolation pénétrant dans les premier et deuxième caissons et s’étendant latéralement entre ladite au moins une première région et ladite au moins une deuxième région, le dispositif comprenant en outre une troisième région s’étendant latéralement entre les premier et deuxième caissons, sous la tranchée d’isolation, et présentant un niveau de dopage inférieur à celui des premier et deuxième caissons.
Selon un mode de réalisation, la troisième région s’étend verticalement dans le substrat, depuis un fond de la tranchée d’isolation, jusqu’à une profondeur sensiblement égale à celle des premier et deuxième caissons.
Selon un mode de réalisation, la troisième région présente une largeur comprise entre 0,26 et 2,5 µm, de préférence comprise entre 1 et 1,5 µm, plus préférentiellement de l’ordre de 1,35 µm.
Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend exactement deux premières régions dopées respectivement du premier et du deuxième type de conductivité.
Dans le document FR2364641, la bride est serrée à la barre de douche à l’aide d’une poignée tournant formant une vis. Si ce mécanisme est simple et pratique, il demeure la question de la force de la personne qui va visser la poignée. Une personne âgée ou un enfant peut ne pas totalement visser la poignée, impliquant qu’il y a un risque que lors de son utilisation, le support de douche puisse redescendre le long de la barre de douche.
Les documents FR2377184 et FR3103715 proposent chacun un mécanisme de serrage/desserrage de la bride reposant sur l’usage d’un bouton-poussoir, actionnable en rotation ou translation. Pour faire coulisser le support de douche le long de la barre et le régler en hauteur, le principe de fonctionnement de ces deux mécanismes consiste à appuyer sur le bouton-poussoir tout en relevant ou abaissant simultanément le support de douche. Ces mécanismes sont certes plus simples et pratiques que celui exposé ci-dessus, et sont davantage adaptés à n’importe quel type d’utilisateur. Toutefois, et comme indiqué, deux actions doivent être réalisées simultanément (appuyer sur le bouton-poussoir et manipuler le support de douche) pour réaliser un coulissement, ce qui en pratique nécessite l’usage des deux mains avec une première main qui appuie sur le bouton-poussoir et une seconde main qui saisit le support de douche pour le faire monter ou descendre concomitamment.
L’invention se propose de répondre à la problématique de la mise en œuvre d’un coulissement sans effort d’un support de douche le long d’une barre de douche afin de le régler en hauteur, au moyen d’un support de douche comprenant un mécanisme de serrage/desserrage, appelé par la suite mécanisme de verrouillage, qui soit le plus ergonomique et facilement manipulable possible.
Un but de l’invention est d’avoir un support de douche qui puisse être aisément coulissé avec une action ergonomique de la part de l’utilisateur.
Un autre but de l’invention est que le support de douche puisse être facilement monté/installé sur la barre de douche, et avantageusement bas coût.
Ainsi, l’invention propose un support de douche pour un support d’un pommeau de douche avec réglage en hauteur sur une barre de douche, ledit support de douche comprenant au moins : - une bride présentant une ouverture adaptée pour un coulissement le long de la barre de douche, - un élément de préhension solidaire de la bride et adapté pour recevoir et maintenir le pommeau de douche, - un mécanisme de verrouillage adapté pour bloquer/libérer le coulissement de la bride le long de la barre de douche, ledit mécanisme de verrouillage comprenant un levier accouplé à un élément presseur pour déplacer ledit élément presseur entre une position de serrage bloquant le coulissement, et une position de desserrage libérant le coulissement, le support de douche étant caractérisé en ce que le mécanisme de verrouillage est configurable entre trois configurations : - une configuration neutre pour laquelle le levier est dans une position neutre telle que l’élément presseur est dans sa position de serrage ; - une configuration haute pour laquelle le levier est dans une position relevée telle que l’élément presseur est dans sa position de desserrage permettant un coulissement en montée ; et - une configuration basse pour laquelle le levier est dans une position abaissée telle que l’élément presseur est dans sa position de desserrage permettant un coulissement en descente ; ladite position neutre étant intercalée entre la positon relevée et la position abaissée.
Ainsi, en levant ou en abaissant le levier du mécanisme de verrouillage du support de douche, l’utilisateur configure le mécanisme de verrouillage dans une de ses trois configurations possibles, tel que : - lorsqu’il est dans sa configuration haute ou basse, l’élément presseur du mécanisme de verrouillage se desserre de la barre de douche et la bride du support de douche peut coulisser le long de cette dernière ; et
- lorsqu’il est dans sa configuration neutre, l’élément presseur serre la barre de douche et la bride est bloquée/fixée à une certaine hauteur.
Un avantage de l’invention est que le levier est conçu de sorte que son actionnement ne suppose pas sa préhension. Ainsi, l’utilisateur n’a pas besoin de saisir le levier pour le configurer dans sa configuration haute ou basse. En exerçant un appui sur le dessus (respectivement le dessous) du levier, l’utilisateur le configure dans sa configuration basse (respectivement sa configuration haute). En continuant d’exercer l’appui sur le levier, l’utilisateur fait coulisser la bride le long de la barre de douche, sans qu‘il ait besoin simultanément de manipuler/saisir la bride pour la faire monter ou descendre.
C’est pourquoi la configuration neutre est intercalée entre la configuration haute et la configuration basse.
Plus précisément, lorsque le levier est dans sa position neutre et que la bride de douche est à une hauteur donnée le long de la barre de douche : - l’utilisateur lève le levier pour le passer dans sa position relevée s’il souhaite monter la bride. En levant le levier et en le maintenant dans cette position, l’utilisateur configure le mécanisme de verrouillage dans sa configuration haute et fait coulisser la bride vers le haut de la barre de douche.
- l’utilisateur baisse le levier pour le passer dans sa position abaissée s’il souhaite baisser la bride. En abaissant le levier et en le maintenant dans cette position, l’utilisateur configure le mécanisme de verrouillage dans sa configuration basse et fait coulisser la bride vers le base de la barre de douche.
Une telle conception atteint les buts recherchés de praticité et d’ergonomie : la bride est réglable en hauteur simplement en exerçant un appui sur le levier ; et l’action est ergonomique car elle suit une réflexion de l’utilisateur telle que : s’il veut monter ou baisser la bride, il lève ou baisse le levier, et s’il veut arrêter de lever ou de baisser la bride, il cesse de toucher/d’actionner le levier.
Avantageusement, l’invention est parfaitement adaptée aux utilisateurs âgés, pouvant souffrir d’arthrose, ou même qui seraient amputés de leur main préférentielle.
Selon une caractéristique de l’invention, l’élément presseur est déployé dans l’ouverture de la bride en position de serrage, et l’élément presseur est rétracté hors de l’ouverture de la bride en position de desserrage.
Selon une caractéristique de l’invention, le mécanisme de verrouillage comprend au moins un organe de rappel élastique sollicitant le levier en direction de sa position neutre.
- un filtrage de type FIR pour reproduire l’effet des premier et deuxième filtres, la fonction de transfert dudit filtrage FIR étant estimée en fonction de la comparaison entre ledit signal de retour et un signal obtenu à partir du bruit de quantification extrait du codeur sigma-delta.
Suivant un autre aspect, l’invention décrit un procédé de décorrélation des bruits de quantification dans un dispositif émetteur, selon lequel un procédé de prédistorsion selon l’invention est mis en œuvre sur chacune des voies Vi, i = 1 à N, avec N entier >1.
Dans des modes de réalisation, ce procédé comprend les étapes suivantes :
- dans une phase transitoire préalable, des signaux déterministes sont fournis à l’entrée des convertisseurs numériques-analogiques, tels que étant donné deux voies distinctes quelconques, l’amplitude et/ou la fréquence de ces signaux déterministes est différente entre lesdites voies.
La est une illustration d’une architecture d’un dispositif émetteur de l’art antérieur effectuant un traitement de prédistorsion ;
La est une représentation schématique du spectre du signal en sortie de l’amplificateur de puissance dans un dispositif émetteur présentant une distorsion ;
La est une représentation schématique du spectre du signal en sortie de l’amplificateur de puissance dans un dispositif émetteur comportant un codeur sigma-delta et un filtre de mise en forme du bruit sans distorsion ;
La est une représentation schématique du spectre du signal en sortie de l’amplificateur de puissance dans un dispositif émetteur comportant un codeur sigma-delta et un filtre de mise en forme du bruit et effectuant un traitement de prédistorsion ;
La est une représentation schématique du spectre du signal en sortie de l’amplificateur de puissance dans un dispositif émetteur comportant un codeur sigma-delta et un filtre de mise en forme du bruit et effectuant un traitement de prédistorsion dans un mode de réalisation de l’invention ;
La est une illustration d’une architecture d’un dispositif émetteur effectuant un traitement de prédistorsion dans un mode de réalisation de l’invention ;
La est une illustration d’un bloc d’estimation des coefficients de compensation dans un mode de réalisation de l’invention ;
La illustre une partie d’un bloc d’estimation des coefficients de compensation dans un mode de réalisation de l’invention ;
La est une illustration des étapes d’un procédé dans un mode de réalisation de l’invention.
- le bruit de non-linéarité due à l’amplificateur 16, en pointillé.
Le codeur sigma-delta a le même comportement que dans le cas de la , mais dans la bande passante, le bruit de quantification est annulé pour accéder au signal d’intermodulation présent dans la bande de B à 5B.
Ainsi, dans un dispositif émetteur selon l’invention, la même fréquence d’échantillonnage que considérée dans le cas de la peut être conservée même si une prédistorsion est effectuée.
DECORRELATION
Une des effets d’intégrer le codeur sigma delta dans la voie de traitement en émission, comme décrit ci-dessus, est de réduire le nombre de bits en entrée du DAC 13, ce qui est particulièrement critique dans les dispositifs émetteurs multivoies.
De plus, l’invention proposée permet de réduire les contraintes de fréquence de sur-échantillonnage, ce qui est particulièrement critique dans les systèmes millimétriques. De plus, ces systèmes ont généralement des contraintes de bruit dans les canaux adjacents moins importantes. Cela s’adapte donc plus particulièrement à l’invention proposée puisqu’une partie du bruit de quantification est émis dans les bandes de B à 5B et est émis dans le spectre, ce qui vient polluer les canaux adjacents. Dans le cas des systèmes millimétriques, les contraintes de bruit dans les canaux adjacents sont généralement moins sévères.
Il est souvent nécessaire, dans les architectures de dispositif émetteur utilisées par exemple pour effectuer du beamforming numérique, d’avoir un grand nombre de ces voies en parallèle afin d’obtenir un gain important dans la direction visée. Ce grand nombre de voies entraîne une surface de silicium importante et peut entraîner un nombre d’entrée/sortie importante. Pour limiter le nombre d’entrée/sortie, il est possible d’utiliser le même signal numérique en entrée de toutes les voies (I, respectivement Q) et d’effectuer le beamforming en opérant un retard différent (et/ou en opérant un déphasage des signaux) sur chacune des voies, pour compenser la différence de temps de vol entre les signaux.
Dans le cas des architectures multivoies, l’utilisation de codeur sigma delta tel que proposé en peut s’avérer problématique puisque si le signal d’entrée est le même sur chacune des voies de traitement d’émission, alors le bruit de quantification sera le même sur chacune des voies et va donc s’ajouter de façon cohérente lors de la formation du faisceau, ce qui augmente le bruit dans la bande et en dehors de la bande. Dans ce but, WO2020105040A1 propose d’implémenter les modulateurs sigma-delta de façon différentiée les uns des autres afin de réduire la corrélation du bruit entre les différentes voies.
L’implémentation de la prédistorsion dans chacune des voies d’un dispositif émetteur comprenant N voies Vi, i = 1 à N (N entier strictement supérieur à 1) comprenant chacune une voie de traitement d’émission et une voie de retour telles que considérées plus haut contribue à résoudre le problème de corrélation des bruits de quantification. En effet, il est fort probable que les coefficients des différents amplificateurs de puissance soient différents les uns des autres ce qui en soi va rendre les signaux d’entrée différents les uns des autres et va donc décorréler les bruits de quantification.
Dans un mode de réalisation, un tel dispositif émetteur multivoies comporte en outre un bloc de contrôle (non représenté) mettant en œuvre des traitements pour :
(i) garantir que les bruits soient décorrélés avant l’activation de la prédistorsion ; et/ou
(ii) s’assurer que les ensembles de coefficients de prédistorsion utilisés par les DPD à un même instant dans deux voies différentes Vi, Vj, i ≠j, restentnt bien différents.
Une des solutions est de sur-dimensionner la taille des chemins de données dans les circuits de prédistorsion (i.e. le nombre de bits de codage des coefficients de la fonction non linéaire de prédistorsion et les calculs associés, un nombre B >0 de bits déterminés prenant ainsi, du fait du surdimensionnement, toujours la valeur numérique 0 et donnant lieu ensuite à des erreurs de mesure en analogique). Ainsi, il sera possible dans la première phase avant estimation initiale des paramètres de non-linéarités des PA, notamment avant calibration, de générer des erreurs de linéarités en dessous des niveaux qui dégradent les performances du dispositif émetteur. Ces valeurs seront différentes pour chacune des voies et permettront ainsi de décorréler les bruits de quantification. Cela permettra également d’augmenter la probabilité d’avoir des coefficients différents pour chacun des voies ou de permettre de les modifier légèrement en cas d’égalité sans que cela ait un impact sur les performances de linéarité. Ceci permettra d’éviter de modifier les codeurs sigma delta sur chacune des voies, ces codeurs resteront donc très simples et identiques sur toutes les voies.
Une autre alternative est d’envoyer des signaux déterministes à l’entrée des modulateurs sigma-delta à des niveaux faibles et à des fréquences telles que ces signaux soient filtrés par le filtre passe analogique utilisé dans l’émetteur, de telle sorte que ces signaux n’apparaissent pas en sortie du PA 16. On pourra faire varier simplement l’amplitude ou la fréquence des ces signaux entre les différentes voies. Ces signaux pourront être des simples signaux carrés qui sont simples à générer. En dernier lieu on pourra également s’assurer qu’après beam-forming, ces signaux déterministes s’annulent dans la direction d’émission visée. De tels signaux déterministes sont aisés à générer, hors bande (et donc supprimés) et ils ne sont utilisés que pendant la phase initiale, avant estimation des coefficients de distorsion de signaux en phase opérationnelle.
La représente un dispositif émetteur 50 du type le dispositif émetteur 10 représenté en , comportant N voies V1, … VN, chaque voie Vi comportant une voie de traitement d’émission et une voie de retour comme décrit en référence à la . Un bloc de retard 41 est en outre inséré entre le codeur sigma-delta 12 et le DAC 13. Une partie de ce retard peut également être implémenté au niveau du DAC 13. Ce retard permet d’effectuer l’opération de beamforming de façon plus efficace qu’avec un déphasage. Grace à la nature digitale du signal, l’implémentation de ce retard est grandement simplifiée.
L’invention a été décrite ci-dessus dans un contexte d’émission radiofréquence, toutefois l’invention peut bien sûr être mise en œuvre relativement à des dispositifs émetteurs autres, par exemple de signaux audiofréquence, ultrasons …
On note que ce premier mode de réalisation s’applique en particulier à la pièce d’enchevêtrement 30 de la .