Capteur d’images polarimétrique (100) formé dans et sur un substrat semiconducteur (101), le capteur comprenant une pluralité de pixels (P) comprenant chacun : - une région photosensible (103) formée dans le substrat semiconducteur (101) ; - une structure de diffraction (119) formée du côté d’une face d’éclairement de la région photosensible (103) ; et - une structure de polarisation (111) formée du côté de la structure de diffraction (119) opposé à la région photosensible (103). Capteur (100) selon la revendication 1, dans lequel ladite pluralité de pixels (P) comprend au moins des premier et deuxième pixels adaptés à mesurer des rayonnements selon respectivement des première et deuxième polarisations distinctes, dans lequel : la structure de polarisation (111) du premier pixel (P) est adaptée à transmettre majoritairement des rayonnements selon la première polarisation et la structure de polarisation (111) du deuxième pixel (P) est adaptée à transmettre majoritairement des rayonnements selon la deuxième polarisation ; et la structure de diffraction (119) du premier pixel (P) est adaptée à favoriser l’absorption, dans la région photosensible (103) du pixel, des rayonnements selon la première polarisation par rapport aux rayonnements selon la deuxième polarisation, et la structure de diffraction (119) du deuxième pixel (P) est adaptée à favoriser l’absorption, dans la région photosensible (103) du pixel, des rayonnements selon la deuxième polarisation par rapport aux rayonnements selon la première polarisation. Capteur (100) selon la revendication 1 ou 2, dans lequel, dans chaque pixel (P), la structure de polarisation (111) du pixel comprend une pluralité de barres parallèles. Capteur (100) selon la revendication 3, dans lequel lesdites barres parallèles sont métalliques. Capteur (100) selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel, dans chaque pixel (P), la structure de diffraction (119) du pixel comprend une pluralité de cavités ou tranchées s’étendant verticalement dans le substrat du côté de la face d’éclairement de la région photosensible (103). Capteur (100) selon la revendication 5, dans lequel lesdites cavités ou tranchées s’étendent sur une profondeur comprise entre 50 et 500 nm. Capteur (100) selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel ladite pluralité de pixels (P) comprend différents pixels adaptés à mesurer des rayonnements dans des gammes de longueurs d’ondes différentes, et dans lequel, dans chaque pixel, la structure de polarisation (111) et/ou la structure de diffraction (119) sont adaptées en fonction de la gamme de longueurs d’onde destinée à être mesurée par le pixel. Capteur (100) selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel, dans chaque pixel (P), la structure de polarisation (111) et/ou la structure de diffraction (119) sont adaptées en fonction de l’angle d’incidence des rayonnements reçus par le pixel. Capteur (100) selon l’une quelconque des revendications 1 à 8, comprenant un empilement d’interconnexion recouvrant une face du substrat (101) opposée aux structures de diffraction (119) et aux structures de polarisation (111). Capteur (100) selon l’une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel, les structures de polarisation (111) sont des filtres polariseurs. Capteur (100) selon l’une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel les structures de polarisation (111) sont des routeurs de polarisation.