INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Le dispositif de suivi 150 comporte un module 160 de réception des mesures du dispositif de mesure 158 et un module 161 d’enregistrement, sur un support informatique, comme le support informatique 162, d’un historique 164 des opérations du revêtement de chaque pièce, avec les durées de ces opérations mesurées par le dispositif de mesure 158.
Les modules de réception 160 et d’enregistrement 161 peuvent par exemple être des modules logiciels du programme informatique P.
Les historiques 164 peuvent comprendre chacun des identifiants (par exemple des lettres alphabétiques et/ou des valeurs binaires) associés aux opérations de revêtement et leurs durées mesurées (par exemple en secondes s). Avantageusement, les historiques 164 peuvent être datés.
Les historiques 164 sont par exemple enregistrés sous la forme de feuilles de calcul d’un tableur ou un format numérique reconnaissable par un tableur informatique.
est une vue d’un mode de réalisation d’un système d’échappement d’une turbomachine ; et
est une représentation des différentes étapes d’un premier mode de mise en œuvre du procédé de fabrication selon l’invention ; et
est une représentation schématique de l’environnement de fabrication pour le procédé de fabrication de la ; et
sont des représentations schématiques en coupe d’une première et d’une deuxième tôles soudées durant le procédé de fabrication de la ; et
est une représentation des différentes étapes d’un deuxième mode de mise en œuvre du procédé de fabrication selon l’invention ; et
sont des représentations schématiques en coupe d’une première et d’une deuxième tôles durant le procédé de fabrication de la ; et
est une représentation des différentes étapes d’un troisième mode de mise en œuvre du procédé de fabrication selon l’invention ; et
est une représentation des premières étapes du procédé selon l’invention intégrant une variante de mise en œuvre dudit procédé ; et
est une représentation d’un outillage mâle et d’un outillage femelle annulaires permettant la fabrication de canalisations d’un échangeur de chaleur en un seul secteur.
- détermination d’informations représentatives d’une catégorie d’usure de l’ensemble de plaquettes de frein par classification d’un ensemble de données comprenant les troisièmes données, les quatrièmes données et les cinquièmes données à partir d’un modèle de classification appris dans une phase dite d’apprentissage, la catégorie d’usure étant associée à une classe d’un ensemble de classes en sortie du modèle de classification ;
- contrôle du véhicule en fonction des informations représentatives d’une catégorie d’usure.
L’utilisation de données représentatives du comportement dynamique du véhicule et sur des données d’environnement du véhicule acquises en temps réel pour les croiser avec un modèle de classification appris au préalable permet de déterminer ou de prédire un niveau d’usure d’une ou plusieurs plaquettes de frein du véhicule en temps réel. La détermination de l’usure des plaquettes de frein du véhicule permet d’adapter le contrôle du véhicule pour réduire les risques associés au niveau d’usure, par exemple en contrôlant un ou plusieurs systèmes ADAS du véhicule pour adapter le mode de conduite au niveau d’usure et/ou en alertant le conducteur.
Cela permet d’améliorer la sécurité du véhicule et de ses passagers et/ou d’améliorer la durée de vie des plaquettes de frein en adaptant le comportement du véhicule au niveau d’usure déterminé.
Selon une variante, le contrôle du véhicule comprend au moins une des étapes suivantes :
- contrôle d’au moins un système d’aide à la conduite, dit système ADAS, du véhicule en fonction de la catégorie d’usure ; et/ou
- rendu d’un premier message représentatif de la catégorie d’usure via une interface homme-machine embarquée dans le véhicule ; et/ou
- rendu d’un deuxième message représentatif d’au moins une recommandation fonction de la catégorie d’usure via l’interface homme-machine embarquée dans le véhicule ; et/ou
- détermination d’un itinéraire pour le véhicule en fonction de la catégorie d’usure.
Selon une autre variante, le système ADAS appartient à un ensemble de systèmes ADAS comprenant :
Brève description des figures D’autres avantages et caractéristiques ressortiront mieux de la description qui va suivre d’un mode d’exécution de l’invention, en référence aux figures annexées sur lesquelles :
est une vue en perspective d'une structure de wagon de transport de marchandises conforme à l'invention,
est une vue en perspective de la poutre centrale de la structure de la ,
est une vue de détail de la poutre centrale de la selon l'axe III-III',
est une vue en coupe transversale de la poutre centrale de la selon l'axe IV-IV',
est une vue en coupe transversale de la poutre longitudinale de la selon l'axe V-V',
est une vue en perspective d'une plateforme d'attelage de la structure de la ,
est une vue en coupe transversale de la plateforme d'attelage de la selon l'axe VII-VII',
est une vue en coupe longitudinale de la plateforme d'attelage de la selon l'axe VIII-VIII',
est une vue en perspective d'un support latéral de la structure de la ,
est une vue en perspective d'une structure de wagon articulé de transport de marchandises conforme à l'invention,
est une vue en perspective d'une plateforme d'articulation de la structure de la ,
est une vue en coupe longitudinale de la plateforme d'articulation de la selon l'axe XII-XII'.
La présente invention concerne une structure d'un wagon de transport de marchandises telles que, par exemple, des conteneurs, des citernes, des coils (mot anglais désignant une bobine de tôle issue du laminage à chaud), des trémies, ou encore des grumes. Par ailleurs, selon la longueur du wagon, la structure sera articulée ou non. Ainsi, pour des wagons de longueur inférieure ou égale à environ 60 pieds, la structure sera non articulée, et pour des wagons de longueur supérieure, ladite structure sera articulée.
Ainsi, sur les figures 1 à 7, on a représenté une structure 1 de wagon non articulé de transport de marchandises, la structure 1 étant destinée, d'une part, à supporter les marchandises et, d'autre part, à recevoir deux bogies configurés pour rouler sur des rails de voie ferrées, lesdits bogies et marchandises n'étant pas représentés sur les figures, afin de ne pas les surchargées.
Ladite structure 1 comprend au moins : - une poutre centrale 2 longitudinale, - une première et une deuxième plateformes d’attelage 3, 4 étant fixées chacune à l'une des extrémités longitudinales de ladite poutre centrale 2, et - une pluralité de supports longitudinaux 5 fixés en vis-à-vis de part et d'autre de ladite poutre centrale 2 et répartis le long de cette dernière entre lesdites première et deuxième plateformes d'attelage 3, 4.
La représente le spectre de puissance de la fibre optique 2 entre 1545 nm et 1555 nm. La réflectivité des pics du peigne obtenu atteint -21 dBm.
La représente un procédé de fabrication de la fibre optique 2. Ce procédé débute par une étape 50 de fourniture d’une fibre optique dont le cœur 10 est initialement dépourvu de réseau de Bragg. Par exemple, la fibre optique fournie est la fibre optique commercialisée sous la référence SMF-28 par la société Corning®.
Ici, la gaine mécanique de cette fibre optique est transparente aux impulsions d’un laser femtoseconde de sorte qu’il n’est pas nécessaire de retirer cette gaine mécanique aux emplacements où doivent être réalisés les motifs M i .
Ensuite, une étape 52 de formation du motif M i dans le cœur 10 de la fibre optique fournie est réitérée à chaque emplacement où un tel motif M i doit être formé.
Lors de l’étape 52, chaque bulle B j est créée par une seule impulsion du laser femtoseconde. Plus précisément, lors d’une opération 54 de création d’une bulle B j , le faisceau du laser femtoseconde est focalisé sur le centre de la bulle B j à créer puis une impulsion d’une durée inférieure à 500 fs ou à 250 fs est émise et irradie le point du cœur 10 où doit se situer le centre de la bulle B j . La bulle B j est alors créée dans le cœur 10.
Ensuite, la fibre optique est déplacée par rapport au laser femtoseconde pour que le faisceau du laser femtoseconde soit maintenant focalisé sur le centre de la prochaine bulle B j+1 à créer, puis l’opération 54 est répétée.
Dans ce mode de réalisation, les bulles B j sont donc créées les unes après les autres.
Les valeurs des différents paramètres d’un laser femtoseconde pour créer une bulle telle que la bulle B j dépendent des caractéristiques de la fibre optique fournie ainsi que des caractéristiques du laser femtoseconde utilisé. Le réglage de ces différents paramètres pour créer les bulles B j précédemment caractérisées, fait parti des compétences de l’homme du métier. Par exemple, à titre d’illustration, le lecteur peut consulter à ce sujet la demande CN211603608U qui décrit en détail un exemple d’installation permettant de former des bulles telles que les bulles B j dans le cœur d’une fibre optique. Ici, les paramètres suivants ont été utilisés pour à fabriquer la fibre optique 2 :
- la longueur d’onde centrale de l’impulsion du laser femtoseconde est égale à 512 nm,
- la durée de chaque impulsion du laser femtoseconde est égale à 160 fs, et
- la puissance de chaque impulsion du laser femtoseconde est égale à 45 nJ.
La représente un motif M2 i qui peut être utilisé à la place du motif M i pour réaliser un réseau de Bragg d’ordre très élevé. Le motif M2 i est identique au motif M i sauf que les bulles B j se chevauchent. Il existe donc entre chaque paire de bulles B j , B j+1 immédiatement consécutives, une zone Z c de chevauchement. Pour cela, la distance entre les centres de chaque paire de bulles B j , B j+1 immédiatement consécutives est choisie inférieure à D j . Typiquement, cette distance est comprise entre 0,05*D j et 0,9*D j ou entre 0,5*D j et 0,9*D j . Dans ce mode de réalisation, puisque les bulles B j se chevauchent, elles sont fluidiquement raccordées les unes aux autres.
La représente un motif M3 i qui peut être utilisé à la place du motif M i pour réaliser un réseau de Bragg d’ordre très élevé. Le motif M3 i comporte un premier et un second traits en pointillés. Le premier trait en pointillés comporte quatre bulles disjointes B1 1 à B1 4 alignées les unes derrière les autres le long d’un axe A1 i appartenant au plan P i . Le second trait en pointillés comporte quatre bulles disjointes B2 1 à B2 4 alignées les unes derrière les autres le long d’un axe A2 i appartenant au plan P i . Ici, les axes A1 i et A2 i sont tous les deux parallèles à la direction Y. De plus, les axes A1 i et A2 i sont symétriques l’un de l’autre par rapport à l’axe 4. Par exemple, la distance la plus courte entre l’axe A1 i et l’axe 4 est comprise entre 50 nm et 100 nm.
Les bulles B1 j et B2 j sont chacune identiques à la bulle B j et disposées le long de leurs axes A1 i et A2 i respectifs pour que le motif M3 i soit centré sur l’axe 4.
Variantes du réseau de Bragg :
Cette stratégie PFM, en référence à la , est ici employée lorsque le chargeur fonctionne en mode charge G2V, si le convertisseur LLC DCDC est en zone non saturée, et en mode décharge V2G si le convertisseur LLC DCDC est en zone non saturée.
Cette approche consiste à réguler la tension du bus continu en faisant varier la fréquence de commutation .
Ainsi on calcule 51 une fréquence de commutation de type « par anticipation » en anglais feedforward est obtenue par inversion de gain en fonction de la puissance du convertisseur , de la tension de la batterie et de la référence de tension du bus continu .
Elle est ajoutée 53 à une sortie du contrôleur Proportionnel-Intégral PI 52, pour annuler l'erreur de tension du bus CC.
Ce contrôleur PI 52 recevant en entrée l’erreur entre la tension de la batterie et la référence de tension du bus continu .
La précision de la régulation de la tension du bus continu est toutefois perdue lorsque le point de fonctionnement se trouve dans les zones de saturation 20 des deux modes de fonctionnement, en charge G2V et en décharge V2G car la fréquence de commutation est saturée à 200 kHz, qui est la fréquence de commutation maximale autorisée.
Lorsque le chargeur fonctionne en mode décharge et en zone saturée, on met alors en œuvre, en référence à la , une approche par PSM, telle que décrite dans la publication scientifique H. A. Attar, M. Ghanes, M. Hamida and M. Taleb, " Control strategies design and comparison of DC-DC LLC converter in V2X mode for electric vehicle charger application" 2021 IEEE Conference on Control Technology and Applications (CCTA), 2021, pp. 1154-1159, doi: 10.1109/CCTA48906.2021.9659000.
La régulation PSM comprend :
Le calcul 61 d’un décalage de phase feedforward obtenue par inversion du gain en fonction de la puissance du convertisseur DC-DC 140, de la tension de la batterie Vbat et de la valeur de référence de la tension du bus continu VDCref ;
Le calcul 62 d’une valeur de régulation de phase par un régulateur proportionnel intégral PI, fonction de la différence entre la tension du bus continue et de la valeur de référence du bus continu ;
Et la sommation 63 de la valeur de régulation de phase calculée avec le décalage de phase feedforward
Au niveau de l’étage de conversion AC-DC avec topologie de Vienne, le convertisseur AC-DC est commandé notamment sur la base de la loi de commande divulguée dans la demande d’art antérieur FR3061819 A1.
En référence aux figures 7 et 8, on met en œuvre une étape de génération 71, 81 des courants de consigne pour la stratégie de contrôle AC-DC, avec , x indiquant la phase électrique.
Les courants de consignes sont calculés de deux manières en fonction du mode de fonctionnement du chargeur et de la zone de fonctionnement du DCDC.
A cet effet on définit un paramètre d’entrée pour générer des courants de référence, calculée de sorte que :
Si le chargeur fonctionne en mode charge G2V et si le convertisseur DC-DC est dans une zone saturée, le paramètre d’entrée est la somme 80 de la demande en puissance du chargeur avec la valeur de régulation calculée pour la régulation du bus continu tel que représenté .
Le dispositif de suivi 150 peut en outre comprendre un module d’analyse 166 des historiques 164 enregistrés qui est conçu pour analyser les historiques 164 enregistrés et les durées mesurées afin de déterminer par exemple une anomalie de l’appareil de projection thermique 110. Ce module d’analyse 166 est par exemple un module logiciel du programme informatique P.
Le module d’analyse 166 peut par exemple être conçu pour émettre une alerte, lorsqu’une anomalie de l’appareil de projection thermique 110 est détectée.
Le dispositif de suivi 150 peut en outre comprendre un module 168 de configuration de l’appareil de projection thermique 110. Ce module de configuration 168 est par exemple conçu pour, en fonction de l’analyse effectué par le module d’analyse 166, corriger l’anomalie détectée sur l’appareil de projection thermique 110.
En référence à la , un exemple d’un procédé 300 de suivi de l’appareil de projection thermique 110 va à présent être décrit.
Le procédé de suivi 300 comprend une phase de revêtement 302.
Au cours de cette phase de revêtement 302, l’appareil de projection thermique 110 réalise le revêtement de la pièce 10. La phase de revêtement 302 est constituée de plusieurs opérations successives, telles que schématisées en blocs sur la .
Au cours d’une opération 322, le dispositif de préparation 30 prépare la surface de la pièce 10.
Par exemple, l’outillage de masquage 132 réalise un masque sur la surface de la pièce 10 à revêtir, et/ou l’outillage de sablage 134 réalise un nettoyage de la surface de la pièce 10 à revêtir.
Au cours d’une opération de tir 324, le dispositif de commande 124 pilote la torche 112 pour réaliser au moins un tir de façon à former au moins une partie du revêtement.
Chaque tir peut comprendre les opérations suivantes.
Au cours d’une opération 324-2, le dispositif de commande 124 démarre de la torche 112. Le démarrage de la torche 112 peut s’effectuer selon un cycle de démarrage de la torche 112. Ce cycle de démarrage de la torche peut être programmé de façon automatique et verrouillée pour éviter les erreurs de démarrage de la torche 112. Une erreur de démarrage de la torche peut endommager la torche 112 et également la projection thermique par conséquent. En fonction du mode de démarrage de l’arc électrique dans la torche 112 (par exemple en surtension ou piézo-électrique), le cycle de démarrage de la torche peut se faire automatiquement en contrôlant plusieurs paramètres de la projection thermique, comme des paramètres de gaz (tels que la température et la pression d’un fluide de refroidissement utilisé dans un circuit de refroidissement de l’appareil de projection thermique, la pression d’alimentation des gaz, etc.) et/ou des paramètres électriques. De cette manière, le débit de projection du jet peut être figé.
Suite au démarrage de la torche 112, le dispositif de commande 124 commande la torche 112 pour réaliser une opération de projection thermique 324-3 comportant au moins une passe 324-4, au cours de laquelle la torche 112 démarrée projette le matériau de revêtement pour former une couche du revêtement soit sur la surface préparée de la pièce 10, soit sur la ou les couches formées lors de passes précédentes. En particulier, le dispositif de commande 124 est configuré, par exemple par l’opérateur, pour réaliser un nombre prédéfini de passes à chaque tir. Ainsi, on entend par le terme « passe », un déplacement du bras robot 122 avec la torche allumée 112 pour former une couche du revêtement.
Une opération de projection thermique 324-3 (en particulier la ou les passes incluses dans ce tir) peut être chronométrée par exemple par le dispositif 158 de mesure de la durée. Le dispositif de suivi 150 peut être configuré pour enregistrer chaque passe sous forme d’une heure de départ et d’une heure de fin de passe, par exemple.
Durant la phase de revêtement 302, une coupure (ou dit autrement un imprévu) intempestive de la torche 112 peut se produire par exemple pendant l’opération de démarrage 324-2 et/ou pendant l’opération de projection 324-4. Dans ce cas, éventuellement, une opération de diagnostic et d’intervention 324-6 peut être réalisée, suivie d’une autre opération de démarrage 324-2 de la torche 112 pour la réalisation d’une ou plusieurs autres passes 324-4.
L’opération 324-6 peut être réalisée manuellement par un opérateur en intervenant par exemple sur le dispositif de commande 124 de la torche 112.
Au cours d’une opération 326, le dispositif de mesure 140 mesure une épaisseur du revêtement. Cette opération 326 peut être répétée après chaque opération de projection thermique 324-3.
Alors que dans le premier mode de réalisation, la couche formée d'un film de silicium amorphe 131 a été formée uniquement sur la galette de silicium pour substrat de support 110, le deuxième mode de réalisation diffère en ce que les couches formées d'un film de silicium amorphe 231a, 231b sont formées sur chacune de la galette de silicium pour substrat de support 210 et la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin 220. Le procédé de formation des couches formées d’un film de silicium amorphe 231a, 231b faites de silicium amorphe est le même que dans le premier mode de réalisation, et un procédé CVD ou similaire peut être appliqué. L'épaisseur totale des couches formées d'un film de silicium amorphe 231a, 231b formées ici est de 16 nm ou plus pour garantir que le film de silicium réfléchissant les infrarouges 230 réfléchit efficacement la lumière infrarouge lorsqu'il est transformé en la galette de silicium liée 200. L'épaisseur de chacune des couches formées d'un film de silicium amorphe 231a, 231b peut être la même ou différente. Dans le procédé de production du deuxième mode de réalisation, puisque les deux surfaces à activer sont en silicium amorphe, l'épaisseur du film de silicium réfléchissant les infrarouges 230 obtenu après liaison et l'épaisseur totale des couches formées d’un film de silicium amorphe 231a, 231b formées avant liaison sont les mêmes. L'épaisseur totale des couches formées d’un de silicium amorphe 231a, 231b est de préférence de 20 nm ou plus, plus préférablement de 25 nm ou plus, et encore plus préférablement de 30 nm ou plus. La limite supérieure à l'épaisseur totale de la couche formée d'un film de silicium amorphe 231 n'est pas particulièrement limitée, mais la limite supérieure est d'environ 40 nm pour une productivité industrielle.
Dans le deuxième mode de réalisation, le traitement d'activation active les surfaces des couches formées en film de silicium amorphe 231a, 231b pour former les zones activées 232a, 232b sur les surfaces des deux galettes de silicium. Ensuite, dans le processus de liaison, les zones activées 232a, 232b sont liées entre elles sous vide à température normale comme dans le premier mode de réalisation.
Le processus de réduction d'épaisseur peut également être réalisé de la même manière que dans le premier mode de réalisation.
La galette de silicium liée 200 ainsi obtenue comprend la galette de silicium pour substrat de support 210, la couche de silicium monocristallin 221 sur la galette de silicium pour substrat de support 210, et le film de silicium réfléchissant les infrarouges 230, fait de silicium amorphe, prévu entre la galette de silicium pour substrat de support 210 et la couche de silicium monocristallin 221. Le silicium amorphe du film de silicium réfléchissant les infrarouges 230 consiste essentiellement en la couche formée d'un film de silicium amorphe 231a prévue à la surface de la galette de silicium pour substrat de support 110 et en la couche formée d'un film de silicium amorphe 231b prévue à la surface de la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin 220. La couche formée d'un film de silicium amorphe 231a comprend la zone activée 232a formée à la surface de la couche formée d'un film de silicium amorphe 231a, et la couche formée d'un film de silicium amorphe 231b comprend la zone activée 232b formée à la surface de la couche formée d’un film de silicium amorphe 231b.
(5. Troisième mode de réalisation de procédé de production d’une galette de silicium liée)
En référence à la , le procédé de production de la galette de silicium liée 300 selon le troisième mode de réalisation est décrit. Ce mode de réalisation est un procédé de production de galettes de silicium liées 2, 3 dans les aspects illustrés en et en . Contrairement aux premier et deuxième modes de réalisation, le film de galette de silicium réfléchissant les infrarouges 330 dans ce mode de réalisation est formé par une structure stratifiée d'une couche de silicium amorphe et d'une couche de silicium polycristallin.
Le procédé de fabrication de la galette de silicium liée 300 comprend les étapes suivantes : un processus de formation d'une/de couche(s) formée(s) d'un film de silicium polycristallin (voir S310 et S320 en ) formant une couche formée d'un film de silicium polycristallin 331 d'une épaisseur de 5 nm ou plus à la surface de la galette de silicium pour substrat de support 310 ; un processus de traitement d'activation (voir S330 et S340 en ) soumettant la surface de la couche formée d’un film de silicium polycristallin 331 et la surface d’une galette de silicium pour couche de silicium monocristallin 320 à un traitement d'activation sous vide à température normale pour rendre les deux surfaces des zones activées 332a, 332b ; un processus de liaison (voir S350 en ), suivant ce processus de traitement d'activation, mettant en contact les deux zones activées 332a, 332b l'une avec l'autre sous vide à température normale, liant ainsi entre elles les deux zones activées 332a, 332b pour former le film de silicium réfléchissant les infrarouges 330 ; et un processus de réduction d'épaisseur (voir S360 en ), après le processus de liaison, réduisant l'épaisseur de la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin 320, obtenant ainsi la couche de silicium monocristallin 321.