Galette de silicium liée comprenant : une galette de silicium servant de substrat de support ; une couche de silicium monocristallin sur la galette de silicium servant de substrat de support ; et un film de silicium réfléchissant les infrarouges prévu entre la galette de silicium servant de substrat de support et la couche de silicium monocristallin ; où le film de silicium réfléchissant les infrarouges comprend du silicium amorphe, et une épaisseur du film de silicium réfléchissant les infrarouges est de 25 nm ou plus. Galette de silicium liée selon la revendication 1, dans laquelle le film de silicium réfléchissant les infrarouges est fait de silicium amorphe. Galette de silicium liée selon la revendication 1, dans laquelle le film de silicium réfléchissant les infrarouges est formé par une structure stratifiée faite de couche(s) de silicium amorphe et de couche(s) de silicium polycristallin. Galette de silicium liée selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans laquelle l’épaisseur du film de silicium réfléchissant les infrarouges est de 25 nm ou plus. Galette de silicium liée selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans laquelle l'épaisseur de la couche de silicium monocristallin est de 3 μm ou plus et de 30 μm ou moins. Procédé de production de la galette de silicium liée selon la revendication 2 comprenant les étapes de : un processus de formation d'une/de couche(s) formée(s) d'un film de silicium amorphe formant une couche formée d'un film de silicium amorphe d'une épaisseur de 15 nm ou plus sur une surface de la galette de silicium pour substrat de support ; un processus de traitement d'activation soumettant une surface de la couche formée d’un film de silicium amorphe et une surface d’une galette de silicium pour couche de silicium monocristallin à un traitement d'activation sous vide à température normale pour rendre les deux surfaces des zones activées ; un processus de liaison, suivant le processus de traitement d'activation, mettant en contact les deux zones activées l'une avec l'autre sous vide à température normale, liant ainsi entre elles les deux zones activées pour former le film de silicium réfléchissant les infrarouges ; et un processus de réduction d'épaisseur, après le processus de liaison, réduisant l'épaisseur de la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin, obtenant ainsi la couche de silicium monocristallin. Procédé de production de la galette de silicium liée selon la revendication 2 comprenant les étapes de : un processus de formation d'une/de couche(s) formée(s) d'un film de silicium amorphe formant une couche formée d'un film de silicium amorphe d'une épaisseur de 15 nm ou plus sur une surface d'une galette de silicium pour couche de silicium monocristallin ; un processus de traitement d'activation soumettant une surface de la couche formée d’un film de silicium amorphe et une surface de la galette de silicium pour substrat de support à un traitement d'activation sous vide à température normale pour rendre les deux surfaces des zones activées ; un processus de liaison, suivant le processus de traitement d'activation, mettant en contact les deux zones activées l'une avec l'autre sous vide à température normale, liant ainsi entre elles les deux zones activées pour former le film de silicium réfléchissant les infrarouges ; et un processus de réduction d'épaisseur, après le processus de liaison, réduisant l'épaisseur de la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin, obtenant ainsi la couche de silicium monocristallin. Procédé de production de la galette de silicium liée selon la revendication 2 comprenant les étapes de : un processus de formation d'une couche formée d'un film de silicium amorphe formant des couches formées d'un film de silicium amorphe d'une épaisseur de 16 nm ou plus sur chaque surface de la galette de silicium pour substrat de support et d’une galette de silicium pour couche de silicium monocristallin ; un processus de traitement d'activation soumettant chaque surface des couches formées d’un film de silicium amorphe formées sur chaque surface de la galette de silicium pour substrat de support et de la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin à un traitement d'activation sous vide à température normale pour rendre les deux surfaces des zones activées ; un processus de liaison, suivant le processus de traitement d'activation, mettant en contact les deux zones activées l'une avec l'autre sous vide à température normale, liant ainsi entre elles les deux zones activées pour former le film de silicium réfléchissant les infrarouges ; et un processus de réduction d'épaisseur, après le processus de liaison, réduisant l'épaisseur de la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin, obtenant ainsi la couche de silicium monocristallin. Procédé de production de la galette de silicium liée selon la revendication 3 comprenant les étapes de : un processus de formation d'une/de couche(s) formée(s) d'un film de silicium polycristallin formant une couche formée d'un film de silicium polycristallin d'une épaisseur de 15 nm ou plus sur une surface de la galette de silicium pour substrat de support ; un processus de traitement d'activation soumettant une surface de la couche formée d’un film de silicium polycristallin et une surface d’une galette de silicium pour couche de silicium monocristallin à un traitement d'activation sous vide à température normale pour rendre les deux surfaces des zones activées ; un processus de liaison, suivant le processus de traitement d'activation, mettant en contact les deux zones activées l'une avec l'autre sous vide à température normale, liant ainsi entre elles les deux zones activées pour former le film de silicium réfléchissant les infrarouges ; et un processus de réduction d'épaisseur, après le processus de liaison, réduisant l'épaisseur de la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin, obtenant ainsi la couche de silicium monocristallin. Procédé de production de la galette de silicium liée selon la revendication 3 comprenant les étapes de : un processus de formation d'une/de couche(s) formée(s) d'un film de silicium polycristallin formant une couche formée d'un film de silicium polycristallin d'une épaisseur de 15 nm ou plus sur une surface d’une galette de silicium pour couche de silicium monocristallin ; un processus de traitement d'activation soumettant une surface de la couche formée d’un film de silicium polycristallin et une surface de la galette de silicium pour substrat de support à un traitement d'activation sous vide à température normale pour rendre les deux surfaces des zones activées ; un processus de liaison, suivant le processus de traitement d'activation, mettant en contact les deux zones activées l'une avec l'autre sous vide à température normale, liant ainsi entre elles les deux zones activées pour former le film de silicium réfléchissant les infrarouges ; et un processus de réduction d'épaisseur, après le processus de liaison, réduisant l'épaisseur de la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin, obtenant ainsi la couche de silicium monocristallin. Procédé de production de la galette de silicium liée selon la revendication 3 comprenant les étapes de : un processus de formation d'une/de couche(s) formée(s) d'un film de silicium polycristallin formant des couches formées d'un film de silicium polycristallin d'une épaisseur de 16 nm ou plus sur chaque surface de la galette de silicium pour substrat de support et d’une galette de silicium pour couche de silicium monocristallin ; un processus de traitement d'activation soumettant chaque surface des couches formées d’un film de silicium polycristallin formées sur chaque surface de la galette de silicium pour substrat de support et de la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin à un traitement d'activation sous vide à température normale pour rendre les deux surfaces des zones activées ; un processus de liaison, suivant le processus de traitement d'activation, mettant en contact les deux zones activées l'une avec l'autre sous vide à température normale, liant ainsi entre elles les deux zones activées pour former le film de silicium réfléchissant les infrarouges ; et un processus de réduction d'épaisseur, après le processus de liaison, réduisant l'épaisseur de la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin, obtenant ainsi la couche de silicium monocristallin.