Boîtier de circuit intégré, comprenant un substrat support (1) et un capot (2) fixé sur une première face (F1) du substrat support et définissant avec le substrat support un logement (3) contenant au moins une puce électronique (4) ayant une première face (41) équipée d’éléments saillants électriquement conducteurs (5) en coopération électrique sans soudure avec des plages de contact électriquement conductrices (6) situées sur la première face du substrat support, ladite au moins une puce comportant une deuxième face (42) opposée à la première face de la puce et définissant avec la capot un premier espace (ESP1) rempli d’un premier matériau à mémoire de forme (7). Boîtier selon la revendication 1, dans lequel le premier matériau à mémoire de forme (7) est thermiquement conducteur. Boîtier selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la première face de la puce définit avec la première face du substrat porteur un deuxième espace (ESP2) dépourvu de matériau de remplissage ou de matériau adhésif. Boîtier selon l’une des revendications précédentes, dans lequel les éléments saillants sont en coopération électrique avec lesdites plages de contact par l’intermédiaire d’un deuxième matériau à mémoire de forme électriquement conducteur (9). Boîtier selon la revendication 4, dans lequel le premier matériau à mémoire de forme (7) et le deuxième matériau à mémoire de forme (9) sont identiques. Boîtier selon la revendication 5, dans lequel le premier matériau à mémoire de forme (7) et le deuxième matériau à mémoire de forme (9) contiennent un alliage de nickel et de titane. Boîtier selon la revendication 6, dans lequel le premier matériau à mémoire de forme (7) et le deuxième matériau à mémoire de forme (9) contiennent une première quantité d’alliage de nickel et de titane non poreux et une deuxième quantité d’alliage de nickel et de titane poreux. Boîtier selon la revendication 7, dans lequel la deuxième quantité est inférieure ou égale à 10% de la quantité totale d’alliage de nickel et de titane. Boîtier selon la revendication 7 ou 8 dans lequel l’alliage poreux de nickel et de titane a un module d’élasticité compris entre 10 GPa et 100 GPa . Boîtier selon l’une des revendications 6 à 9, dans lequel le premier matériau à mémoire de forme (7) et le deuxième matériau à mémoire de forme (9) contiennent également du cuivre en une quantité inférieure ou égale à 5% de la quantité totale du matériau à mémoire de forme correspondant. Boîtier selon l’une des revendications précédentes, dans lequel le premier matériau à mémoire de forme (7) à une température de fin de passage à l’état austénitique comprise entre 40°C et 100°C. Procédé de fabrication d’un boîtier de circuit intégré, comprenant les étapes suivantes a) fournir au moins une puce électronique ayant une première face équipée d’éléments saillants électriquement conducteurs, b) fournir un substrat support ayant une première face équipée de plages de contact électriquement conductrices, c) retourner la puce et faire coopérer électriquement sans soudure les éléments saillants avec les plages électriquement conductrices, d) fournir une première couche d’un premier matériau à mémoire de forme dans un état martensitique et ayant une épaisseur initiale, e) déformer la première couche de façon à lui conférer une deuxième épaisseur inférieure à l’épaisseur initiale et déposer la première couche ainsi déformée sur une deuxième face de la puce retournée opposée à la première face, f) fixer un capot sur la première face du substrat support de façon à recouvrir la première couche déformée en laissant un espace entre la première couche déformée et le capot, g) achever la fixation du capot sur le substrat support en chauffant la structure obtenue à l’étape f) à une température supérieure à la température de fin de passage à l’état austénitique du premier matériau à mémoire de forme de façon que la première couche tende à retrouver son épaisseur initiale et remplisse ledit espace en assurant une pression sur le capot. Procédé selon la revendication 12, dans lequel le premier matériau à mémoire de forme est thermiquement conducteur. Procédé selon la revendication 12 ou 13, comprenant entre l’étape b) et l’étape c) un dépôt sur les plages de contact d’une couche d’un deuxième matériau à mémoire de forme électriquement conducteur identique au premier matériau à mémoire de forme déformée à l’état martensitique, et dans lequel l’étape c) comprend retourner la puce et faire coopérer électriquement sans soudure les éléments saillants avec les plages électriquement conductrices par l’intermédiaire de la couche du deuxième matériau à mémoire de forme, et dans lequel dans l’étape g) l’épaisseur de la couche du deuxième matériau à mémoire de forme augmente de façon à assurer une pression sur lesdits éléments saillants. Procédé selon l’une des revendications 12 à 14, dans lequel le premier matériau à mémoire de forme contient un alliage de nickel et de titane.