Procédé de traitement d’une plaquette de carbure de silicium polycristallin, comprenant : la caractérisation (R2) d’une rugosité de surface d’une face avant de la plaquette de carbure de silicium polycristallin ; lorsque l’état de surface caractérisé ne répond pas à une spécification prédéterminée pour le collage (C) de la plaquette de carbure de silicium polycristallin avec un substrat de carbure de silicium monocristallin avec la face avant à l’interface de collage, la réduction (R3), par retrait de matière de la face avant de la plaquette de carbure de silicium polycristallin, de la rugosité de surface de la face avant. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le retrait de matière de la face avant vient retirer une épaisseur de matière comprise entre 3 et 10 µm. Procédé selon l’une des revendications 1 et 2, dans lequel le retrait de matière de la face avant comprend un meulage. Procédé selon la revendication 3, dans lequel le meulage comprend en succession un meulage grossier et un meulage fin. Procédé selon la revendication 4, dans lequel le meulage grossier est réalisé avec une meule dont une grosseur du grain abrasif est caractérisée par un mesh inférieur à 5000. Procédé selon l’une des revendications 4 et 5, dans lequel le meulage fin est réalisé avec une meule dont une grosseur du grain abrasif est caractérisée par un mesh supérieur à 5000. Procédé selon l’une des revendications 4 à 6, dans lequel le meulage fin vient retirer une épaisseur de matière inférieure à 3 µm. Procédé selon l’une des revendications 4 à 7, dans lequel le retrait de matière de la face avant comprend en outre, suite au meulage, un polissage de la face avant. Procédé selon la revendication 8, dans lequel le polissage est un polissage chimique ou mécano-chimique. Procédé selon l’une des revendications 8 et 9, dans lequel le polissage vient retirer une épaisseur de matière inférieure à 1 µm. Procédé selon l’une des revendications 1 à 10, dans lequel la plaquette de carbure de silicium polycristallin présente, après correction de l’état de surface de la face avant, une épaisseur de 350 µm +/- 25 µm. Procédé selon l’une des revendications 1 à 11, dans lequel la plaquette de carbure de silicium polycristallin présente, avant correction de l’état de surface de la face avant, une épaisseur de 365 µm +/- 10 µm. Procédé selon l’une des revendications 1 à 12, dans lequel la plaquette de carbure de silicium polycristallin est issue d’un amincissement double face d’une plaque de carbure de silicium polycristallin. Procédé selon l’une des revendications 1 à 13, dans lequel la caractérisation de l’état de surface de la face avant de la plaquette de carbure de silicium polycristallin comprend une mesure de haze par diffusion de lumière. Procédé selon l’une des revendications 1 à 14, comprenant en outre, après correction (R3) de l’état de surface de la face avant, le collage (C) de la plaquette de carbure de silicium polycristallin avec le substrat de carbure de silicium monocristallin avec la face avant de la plaquette de carbure de silicium polycristallin à l’interface de collage. Procédé selon la revendication 15, comprenant en outre, après la correction de l’état de surface de la face avant et avant le collage, une réitération de la caractérisation de l’état de surface de la face avant et : lorsque l’état de surface caractérisé par la réitération de la caractérisation ne répond pas à la spécification prédéterminée, une correction additionnelle, par retrait de matière, de l’état de surface de la face avant ; ou lorsque l’état de surface caractérisé par la réitération de la caractérisation répond à la spécification prédéterminée, la réalisation dudit collage. Procédé de fabrication d’un lot de substrats de silicium monocristallin présentant chacun une épaisseur de 350 µm +/- 25 µm, comprenant : la fourniture d’un ensemble de plaquettes de carbure de silicium polycristallin présentant chacune une épaisseur de 365 µm +/- 10 µm ; pour chacune des plaquettes de l’ensemble: la caractérisation (R2) d’une rugosité de surface d’une face avant de la plaquette ; lorsque l’état de surface caractérisé répond à une spécification prédéterminée pour le collage (C) de la plaquette avec un substrat de carbure de silicium monocristallin avec la face avant à l’interface de collage, l’ajout de la plaquette audit lot ; lorsque l’état de surface caractérisé ne répond pas à ladite spécification prédéterminée, la réduction (R3), par retrait d’une épaisseur de matière d’au moins 3 µm de la face avant de la plaquette, de la rugosité de surface de la face avant puis l’ajout de la plaquette audit lot.