Dispositif électronique (100 ; 400 ; 400′) comprenant un substrat semiconducteur (101) dopé d’un premier type de conductivité et dans lequel s’étendent, depuis une face (101T) du substrat : – des premier et deuxième caissons (103, 105 ; 103, 401) disjoints, dopés respectivement du premier type de conductivité et d’un deuxième type de conductivité, opposé au premier type de conductivité, et présentant chacun un niveau de dopage supérieur à celui du substrat ; – au moins une première région (107, 109) et au moins une deuxième région (403 ; 111, 113) situées respectivement dans les premier et deuxième caissons, présentant chacune un niveau de dopage supérieur à celui des premier et deuxième caissons et reliées, de préférence connectées, respectivement à des première et deuxième électrodes (115, 117 ; 115, 405) du dispositif ; et – une tranchée d’isolation (125 ; 409) pénétrant dans les premier et deuxième caissons et s’étendant latéralement entre ladite au moins une première région et ladite au moins une deuxième région, le dispositif comprenant en outre une troisième région (129 ; 417) s’étendant latéralement entre les premier et deuxième caissons, sous la tranchée d’isolation, et présentant un niveau de dopage inférieur à celui des premier et deuxième caissons. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel la troisième région (129 ; 417) s’étend verticalement dans le substrat (101), depuis un fond de la tranchée d’isolation (125 ; 409), jusqu’à une profondeur sensiblement égale à celle des premier et deuxième caissons (103, 105 ; 103, 401). Dispositif selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la troisième région (129 ; 417) présente une largeur (L ; L1) comprise entre 0,26 et 2,5 µm, de préférence comprise entre 1 et 1,5 µm, plus préférentiellement de l’ordre de 1,35 µm. Dispositif selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, comprenant exactement deux premières régions (107, 109) dopées respectivement du premier et du deuxième type de conductivité. Dispositif (100) selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, comprenant exactement deux deuxièmes régions (111, 113) dopées respectivement du premier et du deuxième type de conductivité. Dispositif selon la revendication 5, dans lequel les première et deuxième électrodes (115, 117) sont des électrodes de conduction du dispositif (100). Dispositif (200) de protection contre des décharges électrostatiques comprenant un ou plusieurs dispositifs (100) selon la revendication 5 ou 6. Dispositif (400 ; 400′) selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, comprenant exactement une seule deuxième région (403) dopée du deuxième type de conductivité. Dispositif selon la revendication 8, dans lequel les première et deuxième électrodes (115, 405) sont respectivement des électrodes de conduction et de commande du dispositif (400 ; 400′). Dispositif selon la revendication 8 ou 9, dans lequel s’étendent en outre, depuis ladite face (101T) du substrat (101) : – un troisième caisson (407) disjoint des premier et deuxième caissons (103, 401), dopé du premier type de conductivité et présentant un niveau de dopage supérieur à celui du substrat, les premier et troisième caissons étant situés de part et d’autre d’une partie centrale (401C) du deuxième caisson ; – au moins une quatrième région (111, 113) située dans le troisième caisson, présentant un niveau de dopage supérieur à celui du premier caisson et reliée, de préférence connectée, à une troisième électrode (117) de conduction du dispositif (400 ; 400′) ; et – une autre tranchée d’isolation (411) pénétrant dans les deuxième et troisième caissons et s’étendant latéralement entre la deuxième région et ladite au moins une quatrième région, le dispositif comprenant en outre une cinquième région (419) s’étendant latéralement entre les deuxième et troisième caissons, sous l’autre tranchée d’isolation, et présentant un niveau de dopage inférieur à celui des deuxième et troisième caissons. Dispositif selon la revendication 10, dans lequel s’étend en outre, depuis ladite face (101T) du substrat (101), une partie périphérique (401P) du deuxième caisson (401), disjointe des premier et troisième caissons (103, 407), dopée du deuxième type de conductivité et présentant un niveau de dopage supérieur à celui du substrat. Dispositif (400) selon la revendication 11, dans lequel les premier, deuxième et troisième caissons (103, 401, 407) sont situés dans un cinquième caisson (415) dopé du deuxième type de conductivité et s’étendant dans le substrat (101) depuis ladite face (101T). Dispositif (400′) selon la revendication 11, dans lequel : – des parties du deuxième caisson (401) situées à proximité du troisième caisson (407) et le troisième caisson sont situés dans un cinquième caisson (415) dopé du deuxième type de conductivité et s’étendant dans le substrat (101) depuis ladite face (101T) ; et – le premier caisson (103) et des parties du deuxième caisson situées à proximité du premier caisson ne sont pas situées dans le cinquième caisson. Dispositif (500) de protection contre des décharges électrostatiques comprenant un ou plusieurs dispositifs (400 ; 400′) selon l’une quelconque des revendications 8 à 13. Dispositif (200) selon la revendication 7 ou 14, dans lequel s’étendent en outre, depuis ladite face (101T) du substrat (101) : – un sixième caisson (119) périphérique dopé du premier type de conductivité et présentant un niveau de dopage supérieur à celui du substrat ; et – une septième région (121) située dans le sixième caisson, dopée du premier type de conductivité, présentant un niveau de dopage supérieur à celui du sixième caisson et connectée à une quatrième électrode (123) d’application d’un potentiel de référence (GND). Puce de circuit intégré (700) comprenant un ou plusieurs éléments associés chacun à au moins un dispositif selon la revendication 15. Puce selon la revendication 16, présentant une tension d’alimentation (VCC) supérieure à 25 V, de préférence de l’ordre de 40 V.