INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Compression ou décompression Le procédé 1 peut aussi comprendre une étape de compression ou de décompression d’une image initiale enregistrée selon le procédé précédemment décrit (et comprenant donc un ou plusieurs sgpixel(s) 2) : on respectivement compresse ou décompresse l’image initiale en une image respectivement compressée ou décompressée respectivement en diminuant le volume d’informations représentant l’image compressée grâce à la compression ou en augmentant le volume d’informations représentant l’image décompressée grâce à la décompression , la compression ou décompression portant sur au moins une composante ou propriété de sgpixel 2 précédemment listée, de préférence parmi la ou les couleur(s) et/ou la ou les teinte(s) et/ou la luminosité (de sgpixel 2, de domaine 30, et/ou de séparation 3) et/ou l’au moins une ligne de séparation et/ou l’au moins un gradient spatial (de couleur(s), de teinte(s) et/ou de luminosité pour chaque sgpixel 2, domaine 30, et/ou séparation 3 ) au sein de chaque pixel initial considéré.
L’on respectivement compresse ou décompresse l’image initiale de façon à rendre son contenu directement visualisable selon un procédé selon les étapes de visualisation ou affichage précédemment décrites, sans étape complémentaire de transcription de l’image finale.
Pour l’image décompressée, la propriété de séparation 3 ou de gradient 4 est ‘directement’ utilisable, au sens des figures 3 et 4.
Alors que pour l’image compressée, par exemple par ondelette, on n’a pas directement la valeur de séparation 3 ou de gradient 4 pour chaque sgpixel, car elle est obtenue comme une composante fréquentielle s’appliquant à plusieurs pixels.
Typiquement, on respectivement compresse ou décompresse l’image initiale, au moyen :
- d’une transformation par ondelettes de chaque composante à compresser, et/ou d’une transformation par Transformation en Cosinus Discret (DCT).
Après la compression ou décompression, le procédé 1 peut comprendre une recherche de séquences identiques, et une indexation de ces séquences et remplacement de chaque séquence répétée par son indice dans un flux des données ou informations de l’image.
De préférence, le procédé 1 utilise une compression avec pertes sur au moins une composante (moins critique) parmi la ou les couleurs et/ou la ou les teinte(s) et/ou la luminosité et/ou l’au moins une ligne de séparation et/ou l’au moins un gradient spatial de chaque pixel initial considéré ou de l’au moins une séparation au sein de chaque pixel initial considéré, et sans perte sur au moins une autre composante (plus critique) parmi activation ou désactivation de l’au moins une séparation 3, et/ou visualisation de l’au moins une séparation 3 et/ou largeur ou surface de visualisation de l’au moins une séparation 3.
A la compression, d’une façon générale, il s’agit de considérer comme autant de canaux supplémentaires aux informations spatiales par exemple R, G, B, et Alpha, les informations de séparation, gradient spatial, et si appliquées, largeurs de séparation, ses couleurs, son dégradé 4 (Alpha étant le canal de transparence si existant).
Pour cela, l’objet de l’invention est un procédé de fabrication d’un dispositif optoélectronique comportant une photodiode de type germanium sur silicium couplée optiquement à un guide d’onde en Si 3 N 4 , la photodiode comportant un plot semiconducteur formé d’une portion inférieure dopée réalisée à base de silicium, une portion supérieure dopée, et une portion intermédiaire d’absorption réalisée à base de germanium et située entre les portions inférieure et supérieure dopées suivant un axe d’épaisseur de la photodiode.
Selon l’invention, le procédé comporte les étapes suivantes : réalisation d’un substrat dit semiconducteur, comportant un empilement semiconducteur de couches minces destinées à former les portions du plot semiconducteur ; réalisation d’un substrat dit photonique, comportant le guide d’onde en Si 3 N 4 ; report et collage du substrat semiconducteur sur le substrat photonique ; réalisation de la photodiode, par photolithographie et gravure de l’empilement semiconducteur pour former le plot semiconducteur alors situé au-dessus du guide d’onde.
Le procédé peut comporter, lors de l’étape de réalisation de la photodiode, une étape de réalisation de la portion supérieure dopée et de la portion intermédiaire d’absorption, par gravure localisée d’une couche mince supérieure dopée et d’une couche mince intermédiaire réalisée à base de germanium de l’empilement semiconducteur, avec arrêt de gravure sur une couche mince inférieure dopée de l’empilement semiconducteur destinée à former la portion inférieure dopée.
Le procédé peut comporter, après l’étape de réalisation de la portion supérieure dopée et de la portion intermédiaire d’absorption, une étape de réalisation d’espaceurs réalisés à base d’un matériau électriquement isolant, disposés contre les flancs de la portion intermédiaire d’absorption, et s’étendant sur une partie de la couche mince inférieure dopée ou de la portion inférieure dopée.
Le procédé peut comporter, après l’étape de réalisation de la portion supérieure dopée et de la portion intermédiaire d’absorption, une étape de réalisation de la portion inférieure dopée, par gravure localisée d’une couche mince inférieure dopée, de sorte que la portion inférieure dopée présente des parties latérales non recouvertes.
Le procédé peut comporter, après l’étape de réalisation de la portion inférieure dopée, une étape de réalisation de portions latérales conductrices, réalisées en un matériau électriquement conducteur, situées sur et au contact d’une face supérieure des parties latérales de la portion inférieure dopée, par siliciuration du matériau à base de silicium de la portion inférieure dopée.
Le procédé peut comporter une étape de réalisation d’une portion centrale conductrice, réalisée en un matériau électriquement conducteur, située sur et au contact d’une face supérieure de la portion supérieure dopée, celle-ci étant réalisée à base de silicium, par siliciuration du matériau à base de silicium de la portion supérieure dopée de manière simultanée à la siliciuration du matériau à base de silicium de la portion inférieure dopée.
Le procédé peut comporter une étape de dépôt d’une couche isolante d’encapsulation recouvrant le plot semiconducteur, puis une étape de réalisation de métallisation de contact comportant des vias conducteurs latéraux traversant la couche isolante d’encapsulation pour venir au contact des portions latérales conductrices.
Le procédé peut comporter, lors de l’étape de réalisation du substrat photonique, une étape de réalisation du guide d’onde en un nitrure de silicium stœchiométrique Si 3 N 4 , suivie d’une étape de recuit du guide d’onde à au moins 1000°C.
L’invention porte également sur un dispositif optoélectronique comportant : une photodiode de type germanium sur silicium, comportant un plot semiconducteur formé d’une formé d’une portion inférieure dopée réalisée à base de silicium, une portion supérieure dopée, et une portion intermédiaire d’absorption réalisée à base de germanium et située entre les portions inférieure et supérieure dopées suivant un axe d’épaisseur de la photodiode ; un guide d’onde en Si 3 N 4 , couplé optiquement à la photodiode.
Selon l’invention, le guide d’onde est situé en dessous de la photodiode suivant un axe d’épaisseur de la photodiode, et est intégré dans un substrat photonique sur lequel repose la photodiode.
Le substrat photonique peut comporter une couche support et une couche inférieure diélectrique sur laquelle repose le guide d’onde, le guide d’onde étant espacé de la couche support d’au moins 2µm.
La portion inférieure dopée peut présenter une dimension transversale supérieure à celle de la portion intermédiaire d’absorption, des espaceurs réalisés à base d’un matériau électriquement isolant, disposés contre les flancs de la portion intermédiaire d’absorption, et s’étendant sur une partie de la face supérieure de la portion inférieure dopée.
Le dispositif optoélectronique peut comporter des portions latérales conductrices, réalisées en un siliciure, situées sur et au contact d’une face supérieure de parties latérales de la portion inférieure dopée non recouvertes par les espaceurs.
La portion supérieure dopée peut être réalisée à base de silicium. Le dispositif optoélectronique peut comporter une portion centrale conductrice, réalisées en un siliciure, située sur et au contact d’une face supérieure de la portion supérieure dopée.
En outre, la distance entre la spire interne 3a du concentrateur 3 et la spire externe de l’antenne 14 du module est maintenant constante, pour un type de module donné.
La nouvelle structure ne nécessite pas de modification importante du procédé d’assemblage des inserts d’antenne dans les corps de carte. Seul est modifié le processus de fabrication des inserts, en utilisant une ébauche de concentrateur à partie centrale métallique sensiblement pleine avant une phase d’usinage qui élimine cette partie centrale métallique sensiblement pleine et qui finalise la géométrie du concentrateur et de l’insert d’antenne.
Ce procédé et cette configuration d’antenne concentrateur peuvent être avantageusement utilisés quelle que soit la zone P1, P2 du module qui traverse l’insert d’antenne et quelles que soient les profondeurs d’usinage de la cavité du module.
METHODES ET APPAREILS DE DETERMINATION ET D'UTILISATION DE DIRECTIONS CONTROLABLES DE L’ESPACE DE GAN DOMAINE
Cette divulgation concerne un traitement d'image utilisant l’intelligence artificielle et des réseaux neuronaux profonds, y compris des réseaux antagonistes génératifs (GAN), tels que pour créer une réalité augmentée. Plus particulièrement, cette divulgation concerne des méthodes et des appareils pour déterminer et utiliser des directions contrôlables d'espace de GAN.
Des GAN ont été appliqués avec succès pour contrer diverses tâches telles que la simulation d’effets de maquillage sur le visage humain ou le changement de couleurs de cheveux pour fournir une technologie réaliste de réalité augmentée (RA) dans l’industrie de la beauté. Néanmoins, des modèles génératifs conditionnels qui offrent des contrôles sur la sémantique de sortie nécessitent généralement de grandes quantités de données de formation étiquetées, qui peuvent être coûteuses et longues à obtenir. De plus, des artefacts et des emmêlements d’attributs apparaissent parfois dans les résultats de retouche du visage actuels, ce qui peut entraîner une réduction de l’expérience utilisateur générale.
Il est souhaitable d’obtenir des contrôles sur la sémantique de sortie de GAN d'origine, en vue d’améliorer l’expérience utilisateur en supprimant les artefacts ou en démêlant les attributs lors de la retouche de visages humains et en générant de grandes quantités de données synthétiques étiquetées pour former des modèles conditionnels.
Les présents méthodes, appareils et techniques se rapportent à la détermination de directions dans un espace latent de GAN et à l’obtention de contrôles démêlés sur la sémantique de sortie de GAN, par exemple, pour permettre l’utilisation de celle-ci pour générer des images synthétisées telles que pour une utilisation dans le but de former un autre modèle ou créer une réalité augmentée. Les présents méthodes, appareils et techniques, conformément à des modes de réalisation, utilisent les directions de gradient de réseaux auxiliaires pour contrôler la sémantique dans des codes latents de GAN. Il est démontré qu’il est possible d’utiliser des quantités minimales de données étiquetées avec des tailles aussi petites que 60 échantillons, lesquelles données peuvent être obtenues rapidement sous surveillance humaine. Est également montré ici, conformément à des modes de réalisation, la sélection de canaux de codes latents importants avec des masques pendant la manipulation, ce qui entraîne des contrôles plus démêlés.
L’invention concerne un dispositif informatique comprenant :
un processeur et un dispositif de stockage, le dispositif de stockage contenant des instructions qui, lorsqu’elles sont exécutées par le processeur, amènent le dispositif informatique à :
fournir un générateur et un réseau auxiliaire partageant un espace latent, le générateur étant configuré pour générer des images synthétisées présentant des attributs sémantiques interprétables par l’homme et le réseau auxiliaire comprenant une pluralité de classificateurs d’attribut sémantique, y compris un classificateur d’attribut sémantique pour chaque attribut sémantique à commander lors de la génération d’une image synthétisée à partir d’une image source, chaque classificateur d’attribut sémantique étant configuré pour classer une présence d’un des attributs sémantiques dans des images et fournir une direction significative pour commander le un des attributs sémantiques dans les images synthétisées du générateur ; et
lors d'une demande au générateur de générer l’image synthétisée à partir de l’image source, appliquer un contrôle d’attribut sémantique respectif pour contrôler un attribut sémantique respectif dans l’image synthétisée, le contrôle d’attribut sémantique respectif répondant à la direction significative fournie par le classificateur associé à l’attribut sémantique.
L’invention peut en outre présenter une ou plusieurs des caractéristiques ci-dessous :
- la direction significative comprend une direction de gradient, et les instructions amènent le dispositif informatique à calculer un contrôle d’attribut sémantique respectif à partir d’une direction de gradient respective du classificateur associé à l’attribut sémantique ;
Avantageusement, au moins une bielle latérale et la bielle centrale du système avant de fixation comportent un point de liaison supplémentaire entre la palette avant et la bielle considérée, où le point de liaison supplémentaire est activé en cas de défaillance d’un chemin primaire d’efforts et crée un chemin auxiliaire d’efforts entre la structure et le réservoir, et où chaque point de liaison supplémentaire est constitué d’une chape réalisée dans la bielle ou la paire de bielles considérée et d’un axe emmanché dans des alésages de ladite chape et qui traverse un alésage de la palette avant dont le diamètre est supérieur au diamètre de l’axe.
Avantageusement, la bielle arrière du système arrière de fixation comporte un point de liaison supplémentaire entre la bielle arrière et le réservoir, où le point de liaison supplémentaire est activé en cas de défaillance d’un chemin primaire d’efforts et crée un chemin auxiliaire d’efforts entre la structure et le réservoir et où le point de liaison supplémentaire est constitué d’une chape réalisée dans la bielle arrière ou la paire de bielles arrière et d’un axe emmanché dans des alésages de ladite chape et qui traverse un alésage du réservoir dont le diamètre est supérieur au diamètre de l’axe.
Avantageusement, la palette avant est doublée.
Avantageusement, la palette arrière est doublée.
Avantageusement, chaque système avant de fixation est fixé au niveau d’une poutre avant de la structure, chaque système arrière de fixation est fixé au niveau d’une poutre arrière de la structure, pour chaque poutre, la structure comporte un arceau où la poutre est fixée horizontalement le long d’une corde dudit arceau, et, pour chaque poutre, l’aéronef comporte une barre en V dont la pointe est fixée de manière articulée à la poutre et dont l’extrémité de chaque branche est fixée de manière articulée à l’arceau.
est une vue en perspective de deux réservoirs et des moyens de fixation,
est une vue en perspective des moyens de fixation avant,
est une vue en perspective des moyens de fixation arrière, et
est une vue de dessus d’un réservoir et des moyens de fixation latérale.
Dans la description qui suit, les termes relatifs à une position sont pris en référence à un aéronef en position normale de vol, c'est-à-dire tel que représenté sur la . La flèche F indique la direction en marche avant de l’aéronef 100.
La montre un aéronef 100 qui comporte un fuselage 102 de chaque côté duquel est fixée une aile 104 qui porte au moins un moteur 106 fonctionnant avec du carburant comme le dihydrogène ou le kérosène.
Le carburant est stocké dans au moins un réservoir 110 qui est logé et fixé à l’intérieur du fuselage 102 et ici à l’arrière du fuselage 102.
(4) Le matériau sec a été soumis à un frittage à basse température à 550 °C pendant 10 h, et un matériau fritté résultant a été tamisé à travers un tamis à mailles 400 pour obtenir un matériau actif pour batterie haute capacité Li 5 FeO 4 .
Dans cet exemple comparatif, Li 5 FeO 4 sans carbone a été synthétisé, ce qui était différent de l’Exemple 1 en ce sens que la source de carbone et le polymère organique n’ont pas été ajoutés ; et un processus de synthèse spécifique était le suivant :
(1) Sous chauffage à 90 °C et agitation à 80 tours/min, 3 l d’une solution de chlorure de fer ayant une concentration de 5 mol/L ont été lentement ajoutés à de l’eau désionisée, et un mélange résultant a été maintenu au chaud pendant 20 min pour obtenir une solution colloïdale d’hydroxyde de fer ; et un mélange résultant a été séché par pulvérisation à 200 °C pour obtenir un nano-oxyde. Il a été déterminé que le nano-oxyde de fer avait une taille de particule Dv50 de 890 nm et une surface BET de 31 m 2 /g.
(3) Le matériau en bloc fritté a été placé dans un broyeur avec des rouleaux à un intervalle de 1,5 mm, un solvant 2-hydroxyéthylamine a été ajouté, et le matériau en bloc fritté a été soumis à un concassage grossier par voie humide à une vitesse de rotation de 650 tours/min dans une atmosphère d’azote jusqu’à ce qu’un matériau concassé ait une taille de particule Dv50 de 12 μm ; le matériau concassé a été soumis à un broyage à sable à grande vitesse pendant 1,5 h à une vitesse de rotation de 2 600 tours/min jusqu’à ce qu’un matériau résultant ait une taille de particule de 1,2 μm ; le matériau obtenu après le broyage à sable a été séché par pulvérisation à 220 °C dans une atmosphère d’azote pour obtenir un matériau sec ; et le matériau sec a été tamisé à travers un tamis à mailles 400 pour obtenir un matériau actif pour batterie Li 5 FeO 4 . Une taille de particule Dv50 du matériau actif pour batterie a été déterminée comme étant de 5,2 μm.
Test de caractérisation : Comme représenté sur la , le matériau Li 5 FeO 4 synthétisé par le procédé ci-dessus avait une uniformité particulaire majeure.
Le nano-oxyde de fer obtenu dans cet exemple comparatif a une taille de particule plus grande que le nano-oxyde de fer obtenu dans l’Exemple 1. La raison en est que la poudre de graphite est introduite dans le colloïde d’hydroxyde de fer dans l’Exemple 1, de sorte que la croissance à l’état fondu de l’oxyde de fer peut être bloquée pour permettre une petite taille de particule du produit final de l’Exemple 1.
Dans cet exemple comparatif, un matériau actif pour batterie Li 5 FeO 4 a été synthétisé, ce qui était différent de l’Exemple 1 en ce sens qu’un broyage à sec a été adopté ; et un processus de synthèse spécifique était le suivant :
(1) Le nano-oxyde de fer de l’Exemple 1 et l’hydroxyde de lithium ont été mélangés à une vitesse de rotation élevée de 600 tours/min pendant 40 min dans un mélangeur à grande vitesse avec un rapport molaire entre le lithium et le fer de 5,3 pour obtenir un matériau homogène, et le matériau homogène a été soumis à un frittage à haute température à 680 °C pendant 25 h sous une atmosphère d’azote pour obtenir un matériau en bloc fritté.
(2) Le matériau en bloc fritté a été placé dans un broyeur avec des rouleaux à un intervalle de 1,5 mm et soumis à un broyage par flux d’air, puis PT a été ajouté selon une quantité de 1 % d’une masse théorique du matériau finalement synthétisé, et un mélange résultant a été mélangé à sec puis fritté à 520 °C dans une atmosphère d’azote.
(3) Un matériau fritté a été tamisé à travers un tamis à mailles 400 pour obtenir un matériau actif pour batterie Li 5 FeO 4 . Une taille de particule Dv50 du matériau actif pour batterie a été déterminée comme étant de 8,2 μm.
Test de caractérisation : Comme représenté sur la , le matériau Li 5 FeO 4 synthétisé par le procédé ci-dessus avait une grande taille de particule.
Dans cet exemple comparatif, un matériau actif pour batterie Li 5 FeO 4 a été synthétisé, ce qui était différent de l’Exemple 1 en ce sens qu’une matière organique de faible poids moléculaire a été utilisée à la place du polymère ; et un processus de synthèse spécifique était le suivant :
La portion inférieure dopée 31 est réalisée à base de silicium dopé selon un premier type de conductivité, ici de type p. Dans cet exemple, elle est réalisée en silicium. Elle s’étend ici sur et au contact de la couche mince de collage 26 (cf. ). Elle présente une dimension transversale supérieure à celle des portions intermédiaire 32 et supérieure 33, de sorte qu’elle comporte au moins une partie latérale 31.1, et ici deux parties latérales, non recouvertes par ces dernières et qui s’étendent de part et d’autre, suivant l’axe X, des portions intermédiaire 32 et supérieure 33. Ces parties latérales 31.1 permettent de polariser électriquement la portion inférieure dopée 31 de manière latérale.
La portion intermédiaire d’absorption 32 est réalisée à base de germanium non intentionnellement dopé (intrinsèque ou présentant un léger dopage de type p). Dans cet exemple, elle est réalisée en germanium. Elle s’étend sur et au contact de la portion inférieure dopée 31 et présente une dimension transversale inférieure à cette dernière. Elle est le lieu d’absorption du mode optique à détecter, et présente une épaisseur adaptée à maximiser l’absorption. Le germanium présente ici des contraintes mécaniques en tension dans le plan XY, de sorte que la longueur d’onde de coupure d’absorption peut être ici au moins égale à 1550nm.
La portion supérieure dopée 33 est réalisée en un matériau semiconducteur dopé selon un deuxième type de conductivité opposé au premier type, ici de type n. Elle peut être réalisée à base de silicium et/ou de germanium, et est de préférence réalisée en silicium.
Dans un mode de réalisation, la photodiode 2 comporte des portions latérales conductrices 42, situées sur et au contact des parties latérales 31.1 de la portion inférieure dopée 31, et réalisées en un matériau électriquement conducteur, et ici en un siliciure. Elles améliorent le contact électrique entre la portion inférieure dopée 31 et les vias conducteurs 45.
Dans un mode de réalisation, la photodiode 2 comporte également des espaceurs 41, sous la forme de portions latérales isolantes, réalisés en un matériau électriquement isolant, par exemple un nitrure de silicium et/ou en orthosilicate de tétraéthyle (TEOS). Ces espaceurs 41 assurent une séparation physique, suivant l’axe X, entre les portions latérales conductrices 42 et la portion intermédiaire d’absorption 32.
Dans ce mode de réalisation où la portion supérieure dopée 33 est réalisée en silicium, une portion centrale conductrice 43 peut être située sur et au contact de cette dernière. Elle est réalisée en un matériau électriquement conducteur, et ici en un siliciure. Elle améliore le contact électrique entre la portion supérieure dopée 33 et le ou les vias conducteurs 46.
La photodiode 2 comporte une couche isolante d’encapsulation 44, qui recouvre le plot semiconducteur 30 et s’étend sur le substrat photonique 10. Des métallisations de contact sont prévues pour assurer la polarisation électrique de la photodiode 2, à savoir ici des vias conducteurs latéraux 45 et au moins un via conducteur central 46, qui s’étendent au travers de la couche isolante d’encapsulation 44 pour venir ici au contact, respectivement, des portions latérales conductrices 42 et de la portion centrale conductrice 43. Des plots conducteurs 47, 48 peuvent être prévus sur et au contact des extrémités supérieures des vias conducteurs 45, 46 pour faciliter la connexion électrique.