INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Selon une caractéristique de l’invention, chaque moyen de projection formé dans l’au moins une zone de distribution est distant d’un moyen de projection voisin d’une distance d’espacement, selon la direction longitudinale, comprise entre 0,2mm et 20mm. Préférentiellement, la distance d’espacement entre deux moyens de projection voisins est comprise entre 0,28mm et 13,70mm.
Selon une caractéristique de l’invention, les moyens de projection sont disposés selon une distribution symétrique de part et d’autre d’un plan transversal médian du connecteur. Cette distribution symétrique des moyens de projection, selon la direction longitudinale, permet de projeter le fluide nettoyant en direction de la surface vitrée de façon homogène tout le long de la zone de distribution du connecteur.
Selon une caractéristique de l’invention, la zone de distribution comprend au moins quatre trous de projection. Dans un cas où la zone de distribution s’étend de façon continue d’une extrémité longitudinale à l’autre du connecteur, deux trous de projection peuvent être disposés d’un côté du plan transversal médian du connecteur qui sépare longitudinalement le connecteur en deux parties de dimensions longitudinales sensiblement égales et deux autres trous de projection peuvent être disposés de l’autre côté du plan transversal médian.
En d’autres termes, selon une caractéristique de l’invention, au moins deux trous de projection communiquant avec le conduit de distribution sont disposés de chaque côté du plan transversal médian du connecteur, perpendiculaire à la direction longitudinale du conduit de distribution, ce plan transversal médian séparant le connecteur en deux parties de même dimension longitudinale.
Selon une caractéristique de l’invention, la zone de distribution comprend au moins quatre trous de projection de chaque côté du plan transversal médian du connecteur.
Etat de la technique antérieure Les écrins pour pièces d’horlogerie ont deux fonctions principales, celles de stocker une pièce d’horlogerie et de présenter cette pièce d’horlogerie.
Après un stockage prolongé dans un écrin (au-delà de son autonomie), une pièce d’horlogerie s’arrête et n’indique donc plus l’heure courante ou souhaitée. L’utilisateur doit donc effectuer une correction de l’heure de la pièce d’horlogerie lorsqu’il souhaite de nouveau l’utiliser.
Il est connu de proposer des écrins adaptés aux montres automatiques qui offrent une solution à ce problème. Ces écrins proposent des moyens de maintien des pièces d’horlogerie qui sont entraînés en rotation dans l’écrin. Il s’ensuit que les pièces d’horlogerie stockées sont elles aussi entraînées en rotation autour d’un axe non vertical. Ceci provoque un mouvement d’une masse oscillante d’une pièce d’horlogerie stockée relativement au bâti du mouvement de la pièce d’horlogerie et, en conséquence, un remontage de la pièce d’horlogerie.
Néanmoins, même avec un tel écrin, une montre automatique peut indiquer une heure très erronée après un long stockage dans l’écrin du fait d’une erreur de marche de la pièce d’horlogerie. L’utilisateur doit donc, dans cette situation, effectuer aussi une correction de l’heure de la pièce d’horlogerie lorsqu’il souhaite de nouveau l’utiliser.
Présentation de l'invention Le but de l’invention est de fournir un dispositif de mise à l’heure et un procédé de mise à l’heure remédiant aux inconvénients évoqués ci-dessus et améliorant les écrins connus de l’art antérieur. En particulier, l’invention propose un dispositif de mise à l’heure permettant de faciliter la mise à l’heure d’une pièce d’horlogerie.
Selon l’invention, un dispositif permet la mise à l’heure d’une pièce d’horlogerie, notamment montre, en particulier montre bracelet, munie de : - au moins une aiguille mobile autour d’un premier axe pour indiquer l’heure, et - un organe manipulable de mise à l’heure. Le dispositif comprend : - un ensemble capteur de détection d’une ou plusieurs positions discrètes d’au moins une aiguille, - un élément de détermination d’une heure courante, notamment une horloge de référence, - un actionneur pour actionner un organe manipulable de mise à l’heure, et - une unité logique de traitement apte à commander l’actionneur en fonction de données reçues de l’ensemble capteur et de l’élément de détermination d’une heure courante.
L’ensemble capteur peut comprendre plusieurs capteurs, les capteurs : - étant de nature optique, notamment étant des capteurs infrarouges, et/ou - comprenant chacun un émetteur de signal et un récepteur d’un signal réfléchi, et/ou - étant des capteurs de distance ou de proximité, et/ou - étant agencés et/ou configurés de sorte à être positionnés autour du premier axe, notamment positionnés selon une répartition angulaire régulière autour du premier axe.
Le dispositif peut comprendre un bâti et une partie mobile, notamment mobile en rotation autour d’un deuxième axe, relativement au bâti, entre une première position et une deuxième position.
Le bâti peut comprendre un logement de réception et de positionnement d’une pièce d’horlogerie sur le bâti et l’ensemble capteur peut être agencé sur la partie mobile.
Le bâti peut comprendre des premiers éléments de positionnement et la partie mobile peut comprendre des deuxièmes éléments de positionnement, les premiers et deuxièmes éléments de positionnement étant aptes à positionner l’ensemble capteur relativement au logement.
La partie mobile peut comprendre un élément de masquage, notamment une vitre, opaque à la lumière visible et transparente au rayonnement détecté par l’ensemble capteur.
Le dispositif peut être une boîte de présentation ou un écrin, le bâti étant par exemple une embase d’écrin et la partie mobile étant par exemple un couvercle d’écrin.
Le dispositif peut comprendre un capteur de détection de la position de la partie mobile relativement au bâti.
Le dispositif peut comprendre une batterie.
L’horloge de référence peut être une horloge à oscillateur à quartz, l’oscillateur à quartz étant par exemple un oscillateur à quartz compensé en température.
Le dispositif peut comprendre une interface homme-machine munie d’une ou plusieurs sources lumineuses indiquant selon leur état, l’état de fonctionnement du dispositif.
Similairement au transistor 100 de la , le transistor MOSFET 200 est formé dans et sur une couche semiconductrice 220. Le dispositif comprend une couche isolante enterrée 210, sous la couche semiconductrice 220. Les couches 210 et 220 correspondent par exemple à un empilement de type SOI, le dispositif comprenant alors un substrat en contact et sous la couche isolante enterrée 210 (substrat non représenté). La couche semiconductrice 220 est par exemple sur et en contact avec la couche isolante enterrée 210.
La couche semiconductrice 220 est par exemple en silicium, par exemple en silicium monocristallin. La couche semiconductrice 220 peut présenter une épaisseur comprise entre 10 nm et 500 nm, par exemple entre 50 nm et 200 nm, par exemple de l'ordre de 60 nm ou de l'ordre de 160 nm.
A titre d'exemple, la couche isolante enterrée 210 est en dioxyde de silicium (SiO 2 ). La couche isolante enterrée 210 peut présenter une épaisseur comprise entre 100 nm et 600 nm, par exemple entre 200 nm et 450 nm, par exemple de l'ordre de 400 nm.
Le transistor 200 comprend une région de source 224 et une région de drain 226 formées dans une région de la couche semiconductrice 220, dite région de corps (body) 222.
Une partie supérieure 222A de la région de corps 222, entre la région de source 224 et la région de drain 226, constitue la région de canal du transistor 200. La région de canal 222A présente une longueur L1.
Une région de drain légèrement dopé (LDD) 228 est formée entre la région de canal 222A et chaque région de source 224/drain 226.
A titre d'exemple, les régions de source 224, de drain 226 et de corps 222 affleurent à la face supérieure de la couche semiconductrice 220.
Le transistor 210 comprend, en outre, une région de grille 230 située au-dessus de la région de corps 222, par exemple au-dessus de la région de canal 222A.
Le transistor 200 se distingue du transistor 100 de la essentiellement en ce que la région de grille 230 comprend une portion supérieure 230A (première portion) et une portion inférieure 230B (deuxième portion). La portion supérieure 230A a une longueur L3A (première longueur) supérieure à la longueur L3B (deuxième longueur) de la portion inférieure 230B, de sorte que la portion supérieure déborde de part et d’autre au-dessus de la portion inférieure. La portion inférieure est, par exemple, centrée dans la direction X par rapport à la portion supérieure, mais ceci n’est pas limitatif.
La région de grille 230 présente ainsi une forme avec encoche 231 ("notch" en anglais) en partie inférieure. La longueur L5 de l’encoche 231 correspond sensiblement à la moitié de la différence entre L3A et L3B, et peut varier par exemple entre 5 et 25 nm, voire entre 5 et 15 nm. Cette valeur peut être contrôlée, comme expliqué dans l’exemple de procédé de fabrication décrit en relation avec les figures 3A à 3F.
La portion inférieure 230B de la région de grille 230 permet de réduire le chevauchement entre la région LDD 228 et la région de grille 230, permettant ainsi de réduire la capacité de chevauchement Cov, tandis que la portion supérieure 230A de la région de grille 230 forme un masque de protection lors de l’opération de dopage de la couche de semiconducteur 220 pour former la région LDD 228, et ce masque de protection peut être dimensionné pour réduire la diffusion du dopant lors de cette opération de dopage. En outre, cela permet de limiter le nombre d’opérations de procédé, en comparaison avec le transistor 100’ de la , la forme de la région de grille étant obtenue en adaptant la gravure de la région de grille, sans nécessairement ajouter d’étapes, telles que celles nécessaires à la formation d’un espaceur de décalage. Ceci est illustré dans l’exemple de procédé de fabrication des figures 3A à 3F.
Selon un exemple, les première et deuxième portions de la région de grille 230 représentée sont en silicium polycristallin, mais ceci n’est pas limitatif, comme par exemple décrit en lien avec la .
La hauteur H3A (première hauteur) de la portion supérieure 230A et la hauteur H3B (deuxième hauteur) de la portion inférieure 230B peuvent varier. Par exemple, augmenter la hauteur H3B permet de réduire davantage la capacité de chevauchement Cov.
Par exemple, la région de grille 230 présente : - une première longueur L3A comprise entre 60 et 500 nm, par exemple comprise entre 80 et 200 nm ; - une deuxième longueur L3B comprise entre 30 et 490 nm ou entre 50 et 470 nm, par exemple comprise entre 50 et 190 nm ou entre 70 et 170 nm, voire entre 50 et 80 nm ; - une hauteur totale H3 comprise entre 50 et 140 nm, par exemple comprise entre 70 et 110 nm ; - une première hauteur H3A comprise entre 40 et 90 nm, par exemple comprise entre 60 et 80 nm ; - une deuxième hauteur H3B comprise entre 10 et 50 nm, par exemple comprise entre 10 et 30 nm.
La région de grille 230 est séparée de la région de corps 222 par une couche isolante 232 (isolant de grille). A titre d'exemple, l'isolant de grille est en dioxyde de silicium (SiO 2 ).
L'isolant de grille a, par exemple, une épaisseur comprise entre environ 1 nm et 10 nm. L'isolant de grille peut avoir une épaisseur comprise entre environ 1 et 4,5 nm, par exemple environ 2,1 nm, pour un transistor dit GO1 ("Gate Oxide 1" en anglais), c’est-à-dire un transistor à isolant de grille de faible épaisseur, ou une épaisseur comprise entre environ 5 et 7,5 nm, par exemple environ 6,5 nm, pour un transistor dit GO2 ("Gate Oxide 2" en anglais), c’est-à-dire un transistor à isolant de grille de forte épaisseur.
La présente invention sera décrite ci-après de manière plus détaillée à l’aide d’un dispositif de nettoyage pour l’équipement de seconde monte d’un véhicule selon l’invention représenté dans les dessins annexés dans lesquels :
schéma d’un véhicule équipé d’un dispositif de nettoyage installé en seconde monte,
représentation schématique d’une variante de dispositif de nettoyage,
représentation schématique d’une autre variante d’un dispositif de nettoyage,
ordinogramme schématique d’un procédé d’équipement de seconde monte d’un dispositif de nettoyage,
ordinogramme schématique de mise en œuvre d’un dispositif de nettoyage installé en seconde monte,
représentation schématique d’un système d’équipement en seconde monte pour l’équipement en seconde monte du véhicule avec le dispositif de nettoyage, et
représentation schématique d’un équipement pour installer des dispositifs de nettoyage adaptés, en seconde monte sur différents véhicules.
La montre un véhicule 10a. Le véhicule 10a a une vitre 12a. Le véhicule 10a est équipé en seconde monte avec un procédé de seconde monte sur le véhicule 10a. Le véhicule 10a a un dispositif de nettoyage 36a. Le dispositif de nettoyage 36a a été installé en seconde monte sur le véhicule 10a. Le dispositif de nettoyage 36a est prévu pour nettoyer la vitre 12a du véhicule 10a. Le nettoyage de la vitre 12a du véhicule se fait avec du liquide de nettoyage (ou liquide lave-glace). Le liquide de nettoyage est de l’eau de lavage. L’eau de lavage contient, par exemple, un additif antigel ou un additif de nettoyage ou autre additif pour améliorer l’efficacité du nettoyage ou les propriétés de fonctionnement. Le véhicule 10a a un réservoir de liquide lave-glace 42a. Le réservoir de liquide de lavage 42a contient le liquide lave-glace. Le dispositif de nettoyage 36a comporte une unité de pulvérisation fixe 14a. L’unité de pulvérisation fixe 14a existait avant l’équipement en seconde monte partielle du véhicule 10a. L’unité de pulvérisation fixe 14a comporte deux éléments de pulvérisation 24a fixes par rapport à la vitre 12a du véhicule. L’unité de pulvérisation fixe 14a pourrait également comporter un élément de pulvérisation 24a, fixe par rapport à la vitre 12a du véhicule. L’élément de pulvérisation 24a permet d’appliquer le liquide de nettoyage sur la vitre 12a du véhicule. Chaque élément de pulvérisation 24a a un orifice de distribution 44a. Les orifices de distribution 44a ont une direction de distribution 46a.
L’installation de distribution 46a est orientée sensiblement parallèlement à la vitre 12a du véhicule. L’unité de pulvérisation fixe 14a a une pompe 20a. La pompe 20a fournit le liquide de nettoyage ou liquide lave-glace sous pression à l’unité de pulvérisation fixe 14a. La pompe 20a équipait déjà le véhicule avant l’installation en seconde monte partielle du véhicule 10a. L’unité de pulvérisation 14a fixe a une unité de conduite 26a. L’unité de conduite 26a distribue le liquide de nettoyage mis en pression par la pompe 20a. L’unité de conduite 26a est un tuyau en matière plastique. L’unité de conduite 26a pourrait également être réalisée un tube ou tuyau en un métal. Le véhicule 10a comportait déjà avant l’installation en seconde monte une unité de conduite 26a pour alimenter l’unité de pulvérisation fixe 14a. L’unité de conduite 26a est modifiée ou remplacée lors de l’installation en seconde monte.
Le dispositif de nettoyage 36a comporte un essuie-glace 18a. L’essuie-glace 18a a une autre unité de pulvérisation 16a mobile par rapport à la vitre 12a du véhicule. L’essuie-glace 18a est installé en seconde monte dans le véhicule 10a par une autre étape de pulvérisation 16a. L’autre unité de pulvérisation 16a est installée sur le balai 52a de l’essuie-glace 18a. Cette autre unité de pulvérisation 16a permet de distribuer le liquide de nettoyage sur la vitre 12a. Cette autre unité de pulvérisation 16a est reliée en plus de l’unité de pulvérisation fixe 14a, par l’unité de conduite 26a (par comparaison avec l’état initial du véhicule 10a, modifié ou remplacé) avec la pompe 20a. L’autre unité de pulvérisation comporte plusieurs autres éléments de pulvérisation 48a. Ces autres éléments de pulvérisation 48a sont répartis dans la direction principale d’extension 50a du balai d'essuie-glace 52a. Chaque autre élément de pulvérisation 58a a un orifice de distribution 68a. Les orifices de distribution 68a sont orientés dans une direction de distribution 56a. La direction de distribution 56a est sensiblement parallèle à la vitre 12a du véhicule. La direction de distribution 56a est orientée en direction de la vitre 12a.
L’unité de conduite 26a (modifiée ou remplacée par rapport à l’état de départ du véhicule 10a) comporte une pièce de liaison 50a qui ne peut être commutée. La pièce de liaison 54a est une pièce en T, étanche. La pièce de liaison 54a pourrait également être réalisée comme pièce en Y. La pièce de liaison 54a comporte trois orifices. Les orifices sont reliés entre eux dans chaque état de fonctionnement. La pièce de liaison 54a relie l’unité de pulvérisation fixe 14a et l’autre unité de pulvérisation 16a à la pompe 20a. L’unité de conduite 26a comporte un clapet antiretour 28a vers l’unité de pulvérisation fixe 14a ou l’autre unité de pulvérisation 16a de l’essuie-glace 18a. Le clapet antiretour 28a évite le retour du liquide de nettoyage. Le clapet antiretour 28a pourrait être, par exemple, un clapet antiretour à bille ou un clapet antiretour à ressort.
Les figures 2 et 3 montrent d’autres exemples de réalisation de l’invention. Les descriptions suivantes et les dessins se limitent, pour l’essentiel, aux différences entre les modes de réalisation sachant que les composants portant les mêmes références selon la description et les dessins on se reportera à la description de l’exemple de réalisation de la . Pour distinguer les modes de réalisation, le suffixe (a) des références de l’exemple de la est remplacé par les suffixes (b) et (c) pour les exemples de réalisation des figures 2 et 3.
La montre un véhicule 10b. Le véhicule 10b a une vitre 12b. Le véhicule 10b est équipé en seconde monte selon le procédé. Le véhicule 10b a une variante de dispositif de nettoyage 36b. Le dispositif de nettoyage 36b est prévu pour nettoyer la vitre 12b. Le dispositif de nettoyage 36b a une unité de pulvérisation fixe 14b avec un élément de pulvérisation 24b fixe par rapport à la vitre 12b. Le dispositif de nettoyage 36b a une unité de conduite 26b. L’unité de conduite 26b est installée en seconde monte. L’unité de conduite 26b remplace l’unité de conduite d’origine du véhicule 10b. Le véhicule 10b a un réservoir de liquide de nettoyage 42b.
Le réservoir de liquide de nettoyage 42b contient un liquide de nettoyage encore appelé liquide lave-glace. Le dispositif de nettoyage 36b a un essuie-glace 18b. L’essuie-glace 18b a une autre unité de pulvérisation 16b montée de manière mobile par rapport à la vitre 12b du véhicule. L’autre unité de pulvérisation 16b est reliée à une pompe 20b à la place de l’unité de pulvérisation fixe 14b par l’unité de conduite 26b. L’unité de conduite 26b a un raccord 54b. Le raccord 54b ne peut être commuté. Le raccord 54b est réalisé sous la forme d’un élément étanche en I. Le raccord 54b pourrait également être réalisé sous la forme d’une pièce en L. Le raccord 54b a deux orifices. Le raccord 54b est prévu pour relier l’autre unité de pulvérisation 16b à la pompe. L’unité de pulvérisation fixe 14b est coupée de l’unité de conduite 26b. L’unité de conduite 26b comporte un clapet antiretour 28b pour l’autre unité de pulvérisation 16b de l’essuie-glace 18b. Le clapet antiretour 28b évite le retour du liquide de nettoyage. Le clapet antiretour 28b pourrait, par exemple, être réalisé sous la forme d’un clapet antiretour à bille ou d’un clapet antiretour à ressort.
Une fenêtre saphir 112 est disposée sur la partie supérieure de l’enceinte 102 et permet le contrôle de la température du substrat métallique 104 grâce à un pyromètre bichromatique 114 disposé à l’extérieur de l’enceinte 102.
Le réacteur utilisé dans les exemples et tel que décrit ci-dessus en référence aux figures 1 et 2 et consiste en une enceinte cylindrique céramique en nitrure de silicium Si3N4 d’environ 300 mL de volume interne qui contient le fluide sous pression et le substrat métallique maintenu par un support en alumine. Cette céramique étant insensible aux champs magnétiques, elle est entourée d’une boucle à induction, elle-même reliée à un générateur à induction d’une puissance maximale de 7 kW. Cela permet de chauffer préférentiellement le substrat métallique situé au centre du fluide sous pression. Cette céramique est maintenue sous pression par un ensemble de joints en polymère (Peek, Viton®, EPDM et/ou Kalrez®) et d’un ensemble métallique cylindrique vissé et contraint par 6 colonnes métalliques équidistantes les unes des autres en acier 316 L. Pour éviter une trop grande déformation due à l’augmentation de la température de cet ensemble métallique, un fluide (de l’éthylène glycol) contrôlé en température à 20 °C grâce à un cryostat circule en son sein. Cet ensemble de maintien offre la possibilité de pressuriser un fluide jusqu’à 25 MPa. Une autre amélioration concerne l’ajout de piquages sur la partie métallique supérieure permettant l’injection de fluides par le haut tout en conservant l’emplacement d’une fenêtre saphir. Cette dernière permet de contrôler la température du substrat métallique grâce à un pyromètre bichromatique en gardant l’injection de fluides et du précurseur par le haut du réacteur. Les fluides et précurseurs sont injectés à un débit contrôlé au moyen d’une pompe HPLC pour l’eau et d’une pompe Isco pour le co-solvant (ici l’azote). La pression est maintenue par un régulateur de pression en sortie. Ce réacteur fonctionne en mode semi-continu avec un substrat fixe et des fluides en circulation continue.
Un substrat parallélépipédique métallique de titane-aluminium à base gamma de dimension 1,5x1,5x0,5 cm est donc introduit dans ce réacteur.
Des dépôts d’un revêtement continu d’oxyde d’aluminium alpha avec des débits d’eau et d’azote (en tant que co-solvant) de 1,3 mL/min et 2 mL/min respectivement, une pression de 10 MPa et des températures de 510°C, 630°C et 700°C ont été effectués sur ce substrat en utilisant comme matériau précurseur le nitrate d’aluminium Al(NO 3 ) 3 .
En utilisant un diffractomètre à rayons X en incidence rasante à un angle de 1° (ou GIXRD pour Grazing incidence angle XRD) sur le substrat revêtu et en analysant le diffractogramme obtenu grâce au logiciel EVA, on observe qu’à une température de 510°C, le dépôt contient un mélange d’oxyde d’aluminium métastable, la phase kappa, et surtout, d’oxyde d’aluminium alpha.
A la température de 630°C, on observe plus aisément les raies de diffraction de l’oxyde d’aluminium alpha à 25,51° et 43,23° avec toujours cette phase métastable qu’est l’oxyde d’aluminium kappa.
A 700°C, il est difficile de noter la présence de l’oxyde d’aluminium alpha. On distingue clairement les raies de diffraction d’une nouvelle phase métastable, l’oxyde d’aluminium thêta.
Par observation au microscope électronique à balayage de la section transverse réalisée par préparation métallographique du substrat revêtu, on s’aperçoit que la morphologie des dépôts réalisés dans un mélange eau/azote est homogène et se constitue d’agrégats de grains hexagonaux de quelques centaines de nanomètres.
On observe également que la section transverse de ce revêtement réalisé à 600 °C nous renseigne sur la morphologie du dépôt en profondeur et également sur son épaisseur. Le dépôt semble posséder deux types de structures en allant du substrat vers l’extérieur, une relativement dense sur 2 µm (la plus proche du substrat) et une relativement poreuse sur 60 µm. En outre, l’épaisseur moyenne est d’environ 61 ± 11 μm ce qui permet d’établir une vitesse de dépôt d’environ 300 nm.min -1 . Ces deux zones se constituent d’oxydes d’aluminium.
En conclusion, ce procédé de dépôt chimique sous pression et en température assisté par chauffage à induction a permis d’élaborer des revêtements d’oxyde d’aluminium alpha et mixtes à des températures très nettement inférieures à 850 °C à une pression comprise entre 1 MPa à 25 MPa sur des substrats métalliques de TiAl de géométries complexes.
Suppport de douche avec réglage coulissant sans effort L’invention se rapporte à un support de douche servant au maintien d’un pommeau de douche.
Elle se rapporte plus particulièrement à un support de douche réglable par coulissement sur tout ou partie d’une hauteur d’une barre de douche verticale fixée à un mur.