INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Avant de décrire les modes de réalisation selon cette divulgation, la correspondance entre chaque dessin va être expliquée. La est une vue en coupe transversale schématique d’une galette de silicium liée 1 conformément à cette divulgation. Ici, un film de silicium réfléchissant les infrarouges 30 peut être fait de silicium amorphe ou être formé par une structure stratifiée d’une/de couche(s) de silicium amorphe et d’une/de couche(s) de silicium polycristallin. La illustre une galette de silicium liée 2 dans laquelle le film de silicium réfléchissant les infrarouges 30 est fait de silicium amorphe. Les figures 2B à 2D illustrent trois aspects différents des films de silicium réfléchissant les infrarouges 30 dans des galettes de silicium liées 3 à 5 dans lesquelles les films de silicium réfléchissant les infrarouges 30 sont en particulier formés par une structure stratifiée de couche(s) de silicium amorphe et de couche(s) de silicium polycristallin, et sont ci-après désignés en tant que premier, deuxième et troisième aspects, respectivement.
La est une vue en coupe transversale schématique illustrant un mode de réalisation du procédé de production de la galette de silicium liée 2 lorsque le film de silicium réfléchissant les infrarouges est fait de silicium amorphe (ci-après appelé le premier mode de réalisation). Dans le premier mode de réalisation illustré en , une couche formée d'un film de silicium amorphe 131 est formée sur une galette de silicium pour substrat de support 110, cependant, la couche formée d'un film de silicium amorphe peut être formée sur une galette de silicium pour couche de silicium monocristallin 120 à la place.
La est une vue en coupe transversale schématique illustrant un mode de réalisation du procédé de production de la galette de silicium liée 2 lorsque le film de silicium réfléchissant les infrarouges est fait de silicium amorphe et fournit la couche formée d'un film de silicium amorphe 231 sur à la fois la galette de silicium pour substrat de support 210 et la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin 220 (ci-après dénommé deuxième mode de réalisation).
La est une vue en coupe schématique illustrant un mode de réalisation du procédé de production de la galette de silicium liée 3 lorsque le film de silicium réfléchissant les infrarouges est formé par une structure stratifiée d'une couche de silicium amorphe et d'une couche de silicium polycristallin et ayant le film de silicium réfléchissant les infrarouges conformément au premier aspect (ci-après dénommé troisième mode de réalisation). Dans le troisième mode de réalisation illustré en , la couche formée d'un film de silicium polycristallin 335 est formée sur la galette de silicium pour substrat de support 310, cependant, la couche formée d'un film de silicium polycristallin peut être formée sur la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin 320 à la place, et dans ce cas, la galette de silicium liée 4 ayant le film de silicium réfléchissant les infrarouges selon le deuxième aspect peut être produite.
La est une vue en coupe schématique illustrant un mode de réalisation du procédé de production de la galette de silicium liée 5 lorsque le film de silicium réfléchissant les infrarouges 430 est formé par une structure stratifiée d'une couche de silicium amorphe et de couches de silicium polycristallin et ayant le film de silicium réfléchissant les infrarouges 430 conformément au troisième aspect (ci-après dénommé quatrième mode de réalisation).
Un ou des mode(s) de réalisation de cette divulgation sont décrits en détail ci-dessous en référence aux dessins. Tout d'abord, une vue d'ensemble des galettes de silicium liées 1 à 5 selon cette divulgation est donnée en référence à la et aux figures 2A à 2D. Ici, le film de silicium réfléchissant les infrarouges 30 dans la galette de silicium liée 1 décrite en peut être fait de silicium amorphe ou être formé par une structure stratifiée d’une/de couche(s) de silicium amorphe et d’une/de couche(s) de silicium polycristallin. Ensuite, le procédé de production d'une galette de silicium liée selon les premier à quatrième modes de réalisation pour obtenir les galettes de silicium liées 2 à 5 sera décrit, et les détails de chaque configuration seront également expliqués. Les aspects spécifiques applicables à cette divulgation sont ensuite décrits. Dans chaque dessin, l'épaisseur de chaque composant est exagérée à des fins d'explication. Par conséquent, l'épaisseur de chaque composant diffère du rapport d'épaisseur réel.
(2. Galette de silicium liée)
En référence à la , la galette de silicium liée 1 selon cette divulgation comprend une galette de silicium pour substrat de support 10, une couche de silicium monocristallin 21 faite de silicium monocristallin sur la galette de silicium pour substrat de support 10, et un film de silicium réfléchissant les infrarouges 30 prévu entre la galette de silicium pour substrat de support 10 et la couche de silicium monocristallin 21. Le film de silicium réfléchissant les infrarouges 30 comprend du silicium amorphe. Dans la galette de silicium liée 2 de la , le film de silicium réfléchissant les infrarouges 30 est fait de silicium amorphe, et dans les galettes de silicium liées 3 à 5 des figures 2B à la , le film de silicium réfléchissant les infrarouges 30 est formé par une structure stratifiée de couche(s) de silicium amorphe et de couche(s) de silicium polycristallin. Ici, le silicium monocristallin en tant que matériau de la galette de silicium pour substrat de support 10 et la couche de silicium monocristallin 21 est transparent aux lumières infrarouges, tandis que le silicium amorphe et le silicium polycristallin en tant que matériau du film de silicium réfléchissant les infrarouges 30 sont opaques aux lumières infrarouges. En rendant l'épaisseur du film de silicium réfléchissant les infrarouges 30 qui est fait de silicium amorphe seul ou de silicium amorphe et polycristallin de 16 nm ou plus, les galettes de silicium liées d’épaisseurs minces et une réflectance infrarouge élevée peuvent être obtenues. Le film de silicium réfléchissant les infrarouges 30 peut être fait de silicium amorphe ou peut être formé par une structure stratifiée de couche(s) de silicium amorphe et de couche(s) de silicium polycristallin, cependant si l'épaisseur de celui-ci est inférieure à 16 nm, il ne réfléchira pas suffisamment les lumières infrarouges. L'épaisseur du film de silicium réfléchissant les infrarouges 30 est de préférence de 20 nm ou plus, plus préférablement de 25 nm ou plus, et encore plus préférablement de 30 nm ou plus. Bien que le film de silicium réfléchissant les infrarouges 30 s'approche de 100 % de réflectance plus il est épais, il sature généralement à 25 nm. Pour cette raison, bien qu'il n'y ait pas de limite particulière à la limite supérieure, il est possible de fixer la limite supérieure à 40 nm aux fins de rendre la galette de silicium liée 1 plus petite. L'épaisseur de la couche de silicium monocristallin 21, dans laquelle pénètrent les lumières infrarouges, est de préférence de 3 μm ou plus et de 30 μm ou moins, bien qu'il n'y ait pas de limite particulière. Selon l'application de la galette de silicium liée 1, l'épaisseur de la couche de silicium monocristallin 21 peut être de 5 μm ou plus, 10 μm ou plus, 20 μm ou moins, ou 15 μm ou moins.
La illustre schématiquement la galette de silicium liée lorsque le film de silicium réfléchissant les infrarouges 30 est fait de silicium amorphe.
La illustre en abscisse les numéros des pièces et en ordonnée la durée totale des durées mesurées, en secondes (s), des premiers et seconds tirs qui ont été recueilli de l’historique 164 des tableaux 1 et 2. La courbe de la illustre l’évolution de la durée totale du tir des pièces (à savoir la somme des durées des premiers et seconds tirs) pour le même premier programme de projection « 24785 » de l’historique 164 du tableau 1.
Dans le cas de l’exemple du tableau 1, le nombre de passes des premiers tirs a été laissé à l’appréciation de l’opérateur, pour permettre d’ajuster le nombre de passes en fonction des cotes plans des pièces à revêtir. L’opérateur vérifie ensuite que le nombre total de passes (ou dit autrement la durée totale de passes mesurée) de tous les tirs du tableau 2 est équivalent ou quasi-équivalent (c’est-à-dire avec un seuil de tolérance) au nombre référence de passes. Ce nombre référence de passes peut être déterminé par l’opérateur à partir des tableaux 1 et 2. .
Le nombre total de passes peut varier pour un même programme de projection. Par exemple, dans l’exemple du tableau 1, les durées totales du nombre total de passes des tirs des projections n°1, 3, 4, 6 et 7 sont différentes pour le même premier programme « 24785 ».
Par exemple, la durée totale des tirs, à laquelle correspond le nombre référence de passe du premier programme « 24785 », est d’environ 460 s. Ainsi, le nombre référence de passe pour le premier programme « 24785 » peut être choisi pour correspondre sensiblement à la durée de 460 s pour le revêtement de nouvelles pièces avec ce premier programme, avec un seuil de tolérance de +/-10%, par exemple pour la phase de revêtement des prochaines pièces avec le programme « 24785 ». La illustre ce seuil de tolérance du nombre référence de passes par une zone hachurée. Dans ce cas, les pièces PC12458, PC12484, PC12871 et PC12881 présentent des durées totales de tirs comprises dans le seuil de tolérance du nombre référence de passes défini. Alors que la pièce PC12882 présente une durée totale de tirs hors du seuil de tolérance du nombre référence de passes défini. La pièce PC12882 peut être considérée comme présentant une anomalie qui pourra faire l’objet d’une opération 324-6 de diagnostic et d’intervention.
Par exemple, la durée totale des tirs du second programme « 15283 » est d’environ 355 s correspondant à la projection n°2. Ainsi, le nombre référence de passe pour le second programme « 15283 » peut être choisi pour correspondre sensiblement à la durée de 355 s pour le revêtement de nouvelles pièces avec ce second programme. Le seuil de tolérance peut également être de +/-10% pour ce second programme « 15283 ».
Par exemple, la durée totale des tirs, à laquelle correspond le nombre référence de passe du troisième programme « 15283 » est d’environ 358 s correspondant à la projection n°5. Ainsi, le nombre référence de passe pour le troisième programme « 13145 » peut être choisi pour correspondre sensiblement à la durée de 358 s pour le revêtement de nouvelles pièces avec ce second programme. Le seuil de tolérance peut également être de +/-10% pour ce troisième programme « 13145 ».
Le dispositif de commande 124 peut émettre une alerte lorsqu’une durée totale des tirs de l’historique 164 est en dessous ou au-dessus du seuil de tolérance. L’alerte émise peut produire une notification apparaissant sur le système informatique mettant en œuvre le dispositif de suivi 150. Dans l’exemple des tableaux 1 et 2, une alerte peut être générée automatique pour la pièce PC12882.
Par ailleurs, il peut être préférable de déterminer un rapport entre la durée du premier tiret la durée totale de tirs. Ce rapport peut être choisi élevé, typiquement au moins de 80%
Le nombre de passe du second tir (ou une seconde épaisseur du second tir) à réaliser (ou dit autrement à configurer dans l’opération 324-4 de projection) peut être déterminé par l’opérateur en se basant sur une première épaisseur mesurée après le premier tir dans l’historique 164 et l’épaisseur finale du revêtement. Par exemple, le nombre de passe du second tir est déterminé par le calcul suivant : dans lequel N2 correspond au nombre de passe du second tir, N1 correspond au nombre de passe du premier tir (fourni par l’historique 164), E1 correspond à la première épaisseur mesurée après le premier tir (fourni également par l’historique 164) et Ef correspond à l’épaisseur finale du revêtement (préalablement définie par l’opérateur). Dans ce calcul plus le nombre de passe au premier tir sera importante plus l’épaisseur finale déposée sera précise.
A titre d’exemple, le premier tir dépose la première épaisseur de 0,28 mm en 23 passes. Ainsi, pour une épaisseur finale de 0,30 mm, le second tir devrait réaliser entre 1 et 2 passe(s). L’opérateur a déterminé ce nombre de second tir en réalisant le calcul ci-dessous :
L’exemple du tableau 1 indique que les durées de second tir des pièces PC12458 PC12881 et PC12882 sont basses par rapport aux autres. Par conséquent, des anomalies est identifiées sur le nombre de passes effectué par la torche 112 sur les pièces PC12484 et PC12871. Ces anomalies détectées peuvent être corrigées de façon préventive sur les pièces ultérieures à revêtir
Configuration du dispositif de mesure 140 et/ou une formation de l’opérateur
Cet exemple reprend le procédé 400, si ce n’est que l’étape 402 d’analyse est suivie, à la place de l’étape de configuration 404, d’une étape 902 d’amélioration de la mesure d’épaisseur de revêtement. Cette amélioration comporte par exemple une configuration du dispositif de mesure 140 et/ou une formation de l’opérateur lorsque la mesure d’épaisseur de revêtement est réalisée manuellement par l’opérateur.
Ainsi, dans ce cas, au cours de l’étape 402 d’analyse, le module d’analyse 166 détermine une variabilité importante des durées de mesure de l’épaisseur de revêtement.
Par exemple, cette variabilité des durées de mesure de l’épaisseur est déterminée en réalisant une moyenne de référence des durées de mesure d’épaisseur avec un intervalle de tolérance. A titre d’exemple, l’intervalle de tolérance peut être de +/-10% de la moyenne de référence des durées de mesure d’épaisseur.
Dans un premier exemple, le guide d’onde optique est un guide d’onde optique monomode.
Dans un deuxième exemple, le guide d’onde optique est un guide d’onde optique multimode.
Dans l’invention, le substrat définit au moins une surface.
Ainsi, le substrat peut comprendre deux ou plus de deux surfaces.
Dans un premier exemple de la surface du substrat, celle-ci est sensiblement plane et généralement orientée horizontalement.
Dans un deuxième exemple de la surface du substrat, celle-ci est non plane et généralement orientée horizontalement.
Dans un troisième exemple de la surface du substrat, celle-ci est incurvée et généralement orientée verticalement.
Dans un quatrième exemple de la surface du substrat, celle-ci est généralement inclinée par rapport à l’horizontale.
Toutefois, selon les besoins, on pourra envisager d’autres formes de la surface du substrat, et ce, sans nécessiter de modifications substantielles de l’invention.
Par ailleurs, le guide d’onde optique est formé dans un matériau de transmission optique.
Dans un premier exemple de matériau du guide d’onde optique, celui-ci comporte du verre tel que du dioxyde de silicium (SiO2), des éléments chalcogènes, dit fibre de verre de chalcogénure (p. ex. le soufre, le sélénium ou le tellure).
Dans un deuxième exemple de matériau du guide d’onde optique, celui-ci comporte du plastique tel que des polymères transparents (p. ex. polyméthacrylate de méthyle (PMMA), le polystyrène (PS) et le polycarbonate (PC)).
Dans un troisième exemple de matériau du guide d’onde optique, celui-ci comporte des semiconducteurs à base de silicium (Si), du gallium arsenide (GaAs) et/ou du gallium nitride (GaN)
Toutefois, selon les besoins, on pourra envisager d’utiliser d’autres matériaux pour former le guide d’onde optique, et ce, sans nécessiter de modifications substantielles de l’invention.
En pratique, le guide d’onde optique est disposé en tout ou partie sur ou dans le substrat.
Dans une première mise en œuvre du guide d’onde optique, tout ou partie de celui-ci est disposé sur le substrat.
De façon avantageuse le procédé comporte une étape de traitement de données sur la base du VIN de la voiture et d’au moins une localisation de l’usage de la voiture pour vérifier l’éligibilité technique d’au moins une solution de conversion en bicarburation gazole-gaz en regard des Zones à Faibles Émissions (ZFE) présentes et futures.
De façon avantageuse cette étape va notamment consister à partir du VIN acronyme de Vehicle Identification Number qui est le numéro d’identification de la voiture, à identifier le constructeur et le type de la voiture.
De façon avantageuse cette étape va notamment consister à partir du VIN à consulter une base de données des caractéristiques techniques de la voiture.
De façon avantageuse cette étape va notamment consister à consulter une base de données des conversions en version bicarburation au gaz présentes et futures sous forme de kit de conversion.
De façon avantageuse cette étape va notamment consister à consulter la base de données des Zones à Faibles Émissions (ZFE) présentes et futures.
De façon avantageuse cette étape va notamment consister à vérifier l’existence d’au moins une conversion en version bicarburation au gaz déjà disponible ou prévue d’être disponible pour le type de la voiture de préférence avant la mise en place des Zones à Faibles Émissions (ZFE) interdisant l’accès de sa voiture en fonction de sa motorisation et son année de fabrication ou de sa mise en circulation.
De façon avantageuse ensuite au moins une voiture diesel est convertie en une voiture à bicarburation gazole-gaz suite à cette étape ce qui induit une réduction des particules fines proportionnellement à la proportion de gaz dans le carburant utilisé, sur le lieu de l’usage de la voiture.
De façon avantageuse, le procédé exploite une base de données faisant correspondre au VIN de la voiture, la composition physique de la voiture.
De façon avantageuse, quand la voiture possède une plaque d’immatriculation, le procédé exploite une base de données faisant correspondre la plaque d’immatriculation à tout ou partie du VIN de la voiture.
De façon avantageuse, le procédé accède à une base de données associant en France les codes postaux des communes aux Zones à Faibles Émissions (ZFE) présentes ou futures.
De façon avantageuse, le procédé accède à une base de données associant le VIN de la voiture et l’adresse du propriétaire de la voiture permettant de déterminer si l’adresse du propriétaire correspond ou non à une Zone à Faibles Émissions (ZFE) présente ou futur.
Selon un mode de mise en œuvre du procédé, les localisations sont obtenues automatiquement avec l’accord du propriétaire via une application sur son téléphone portable qui peut à titre d’exemple retracer ses trajets, c’est-à-dire ceux du téléphone dont on suppose que ceux-ci sont ceux de la voiture quand la localisation correspond également à une route ou une voie pour véhicules.
En termes d’utilisation du procédé, il est privilégié que le procédé soit collectif, c’est-à-dire qu’il soit utilisé de façon collective sur une pluralité de voitures.
Le système d’émission 10 ou 20 comprend également une électrode dénommée anode An et une électrode dénommée cathode Cath configurées pour générer des porteurs de charge qui traversent l’empilement jusqu’à la couche active. Les porteurs de charges injectés par l’anode sont typiquement les trous et les porteurs de charges injectés par la cathode sont des électrons dénommés électrons d’émission. Typiquement les électrons et les trous se recombinent de manière radiative pour générer une émission lumineuse EL, de manière classique. La cathode Cath peut être disposée de deux manières différentes et n’est pas illustrée sur les figures 5 et 6, mais sur les figures 8 et 9 décrites plus loin. La cathode et l’anode sont par exemple, et de manière classique, en un matériau typiquement constitué d’une bicouche titane et d’or (Ti(10nm)/Au(50nm)) ou d’un alliage de AuGeNi pour éviter un contact Schottky avec les semi-conducteurs ,de type n.
Le système d’émission selon l’invention comprend également un dispositif dit injecteur de spin SID original déposé sur l’empilement STA. L’injecteur SID comprend un ensemble d’au moins une première couche L1 très fine en matériau ferromagnétique Mfer et d’au moins une deuxième couche L2 très fine en matériau métallique Mmet.
Préférentiellement le métal Mmet est un métal lourd, tel que le tantale (Ta), le tungstène (W), le bismuth (Bi), le platine (Pt), le terbium (Tb) ou tout alliage de ces matériaux. On entend par métal lourd un métal présentant un numéro atomique élevé bénéficiant d’un fort couplage spin-orbite (en particulier au niveau de Fermi).
Typiquement le matériau ferromagnétique Mfer est choisi parmi: CoFeB, Co, Fe, CoFe, FePt, CoPt, FeTb ou tout alliage de même type (métaux de transition et possiblement terres rares).
Selon un mode de réalisation l’ensemble comprend une seule couche de chaque matériau et selon un autre mode de réalisation l’ensemble comprend plusieurs couches de l’un ou de l’autre des matériaux, voir des couches d’autres éléments, dans un agencement de type multicouche.
Dans une variante l’ensemble comprend également une couche d’un matériau à forte conduction électronique (Cu, Au,..), ceci afin d’amplifier les effets de SOT extrinsèque ou intrinsèque proche des interfaces (voir plus loin), comme dans le cas du Pt.
Chaque couche est ultra fine, typiquement d’épaisseur inférieure à 10 nm, préférentiellement inférieure à 5 nm, pouvant atteindre 1 nm dans la limite inférieure (CoFeB). L’ensemble L1/L2 présente une structure de barre, dénommée barre de Hall HB, selon un axe X et présente une première extrémité et une deuxième extrémité. La barre HB présente une épaisseur e faible, typiquement inférieure à 10-20 nm, une largeur S selon Y et une longueur L selon X. On entend par forme de barre un élément de forme allongée, avec une longueur L supérieure ou égale à 2.5 fois la largeur S, préférentiellement supérieure ou égale à 4 ou 5 fois S. A titre d’exemple non limitatif la longueur L est de l’ordre de 100-150 µm, la largeur S de l’ordre de 20-50 µm.
L’injecteur SID comprend également une première électrode EL1 et une deuxième électrode EL2, dites de spin, en contact électrique avec respectivement la première et la deuxième extrémité de la barre de Hall HB, et configurées pour générer, dans la barre de Hall, un courant I impulsionnel selon l’axe X dans un premier sens s1 ou un deuxième sens s2 opposé au premier sens. Préférentiellement pour simplifier la fabrication des électrodes de contact, toutes les électrodes (incluant donc l’anode et la cathode) sont dans un même matériau, par exemple un bicouche de titane et d’or (Ti/Au).
La illustre le principe de fonctionnement de l’injecteur, qui sera décrit plus précisément plus loin. L’injecteur est basé sur l’utilisation du couplage spin-orbite (Spin Orbit coupling en anglais) donnant lieu à un effet de couple de spin-orbite (désigné par l’acronyme SOT pour spin-orbit torque en anglais) réalisé par l’effet Hall de Spin (Spin Hall Effect en anglais désigné par l’acronyme SHE). Le SOT-SHE est par exemple décrit dans la publication « Spin Torque Switching with the Giant Spin Hall effect of Tantalum » de Liu et al . (Science VOL 336, 555, 2012). La barre de Hall est réalisée typiquement par lithographie.