INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
S1 : mélanger un colloïde d'hydroxyde de fer avec au moins une source de carbone, et sécher par pulvérisation le mélange résultant pour obtenir un nano-oxyde de fer dopé au carbone ;
S2 : mélanger le nano-oxyde de fer avec au moins une source de lithium, et fritter sous une atmosphère inerte pour obtenir un matériau fritté ;
S3 : mélanger le matériau fritté, au moins un polymère organique, et au moins un solvant organique, broyer par voie humide sous atmosphère protectrice, et sécher par pulvérisation le matériau broyé résultant sous atmosphère protectrice pour obtenir un matériau sec ; et
S4 : fritter (« sintering » en langue anglaise) le matériau sec sous une atmosphère inerte pour obtenir le matériau actif pour batterie.
Dans certains modes de réalisation de la présente divulgation, dans l’étape S1, le colloïde d’hydroxyde de fer est préparé de la manière suivante : ajout, de préférence lentement, d’une solution de sel de fer à de l’eau, de préférence chaude, sous chauffage et agitation, et maintient au chaud du mélange résultant pendant une période de temps spécifiée pour obtenir le colloïde d’hydroxyde de fer. Le colloïde d’hydroxyde de fer est préparé en chauffant une solution de sel de fer dans de l’eau pour permettre une réaction d’hydrolyse. En outre, l’eau est de l’eau désionisée présentant une teneur en impuretés inférieure ou égale à 1 000 ppm ; en outre, la solution de sel de fer présente une concentration de 0,1 mol/L à 12 mol/L ; en outre, la solution de sel de fer est chauffée à 80 °C ou plus ; et en outre, une fois l’ajout terminé, le mélange est maintenu au chaud pendant 10 min ou plus.
Dans certains modes de réalisation de la présente divulgation, dans l’étape S1, l’eau chaude a une température de 80 °C ou plus, en particulier de 80°C à 100°C. Avantageusement, la solution de sel de fer et l’eau sont chauffés à une température de 80 °C ou plus, en particulier de 80°C à 100°C.
Dans certains modes de réalisation de la présente divulgation, dans l’étape S1, la ou les sources de carbone sont choisies parmi nanotube de carbone (CNT), noir de carbone conducteur, poudre de graphite, polyéthylèneimine (PEI), glucose, alcool polyvinylique (PVA) et leurs mélanges. En outre, la source de carbone a une taille de particule en volume Dv50 allant de 0,5 µm à 3 µm.
Dans certains modes de réalisation de la présente divulgation, dans l’étape S1, le séchage par pulvérisation est effectué à une température allant de 180 °C à 250 °C.
Dans certains modes de réalisation de la présente divulgation, dans l’étape S1, pendant le séchage par pulvérisation, le mélange doit être remué à une vitesse de rotation de 100 tours/min à 500 tours/min.
Dans certains modes de réalisation de la présente divulgation, dans l’étape S1, la ou les sources de carbone ont été ajoutées selon une quantité allant de 5 % à 30 % en poids, par rapport à la masse du nano-oxyde de fer obtenu.
Dans certains modes de réalisation de la présente divulgation, dans l’étape S1, le nano-oxyde de fer a une surface spécifique Brunauer–Emmett–Teller (BET) allant de 28 m 2 /g à 58 m 2 /g et une taille de particule en volume Dv50 allant de 100 nm à 700 nm.
Dans certains modes de réalisation de la présente divulgation, dans l’étape S2, la ou les sources de lithium sont choisies parmi monohydrate d’hydroxyde de lithium, hydroxyde de lithium anhydre, oxyde de lithium et leurs mélanges, et un rapport molaire entre le lithium dans la source de lithium et le fer dans le nano-oxyde de fer va de 5,0 à 5,8.
Dans certains modes de réalisation de la présente divulgation, dans l’étape S2, le frittage (« sintering » en langue anglaise) est effectué à une température allant de 600 °C à 900 °C. En outre, le frittage est effectué pendant 8 h à 36 h.
Dans certains modes de réalisation de la présente divulgation, dans l’étape S3, le ou les polymères organiques sont choisis parmi les polypyrroles (PPy), les polythiophènes (PT), les polyacétylènes (PA), les polyphénylènes, les polyphénylacétylènes (PPA) et leurs mélanges. En outre, le ou les polymères organiques ont été ajoutés selon une quantité allant de 0,1 % à 3 % en poids de la masse théorique du matériau actif pour batterie obtenu.
Dans certains modes de réalisation de la présente divulgation, dans l’étape S3, le ou les solvants organiques sont choisis parmi la triéthanolamine (TEA), le N-méthylpyrrolidone (NMP), le 2-hydroxyéthylamine, le glycérol, l’éther di-n-pentylique (DNPE) et leurs mélanges. Par comparaison à des solvants organiques à faible point d’éclair tels que le méthanol et l’éthanol, le solvant organique adopté dans la présente divulgation a un point d’éclair relativement plus élevé, ce qui assure le déroulement uniforme du séchage par pulvérisation.
Dans certains modes de réalisation de la présente divulgation, dans l’étape S3, le broyage par voie humide est effectué de la manière suivante : ajout du matériau fritté au solvant organique, réalisation d’un concassage grossier par voie humide sous atmosphère protectrice, et réalisation d’un broyage à sable (« sand-grinding » en langue anglaise) au cours duquel le polymère organique est ajouté pour obtenir le matériau broyé. En outre, le concassage grossier par voie humide est effectué à une vitesse de rotation allant de 400 tours/min à 800 tours/min, et un matériau obtenu après le concassage grossier par voie humide présente une taille de particule Dv50 inférieure ou égale à 20 μm. En outre, le broyage à sable est effectué à une vitesse de rotation allant de 2 000 tours/min à 3 000 tours/min.
Pour ce faire, l’invention concerne un procédé de détermination de la position d’un dispositif d’actionnement d’au moins un élément à actionner de siège d’aéronef, le dispositif d’actionnement comprenant une unité de calcul, un actionneur monté mobile en translation et/ou rotation sur un arbre de sortie de sorte à actionner l’au moins un élément de siège d’aéronef correspondant, ledit arbre de sortie étant relié à un codeur de position angulaire de sorte qu’une position X de l’actionneur sur ledit arbre de sortie correspond à une unique position angulaire θ du codeur de position angulaire, le procédé comprenant un sous procédé préalable de calibrage automatique dudit dispositif d’actionnement comprenant les étapes suivantes: une étape de placement de l’actionneur à une position prédéterminée Xref correspondant à une valeur d’angle attendue θatt du codeur ; une étape de mesure d’une valeur d’angle de positionnement initial θini du codeur de position angulaire lorsque l’arbre de l’actionneur est dans la position prédéterminée Xref ; une étape de comparaison de ladite valeur d’angle de positionnement initial θini et de ladite valeur d’angle attendue θatt ; une étape de calcul du décalage angulaire θdécal du signal du codeur de position angulaire, avec , θdécal étant compris entre 0° et 359°.
Notamment, une telle solution permet de limiter les contraintes appliquées au système et ne nécessitent pas la mise en œuvre de pièces supplémentaires pour fonctionner.
En outre, un tel procédé de calibrage s’avère relativement simple mécaniquement et peu chronophage à réaliser pour chacun des actionneurs, et peut être relativement facile pour un opérateur à mettre en œuvre, et ce même si une haute précision est requise.
Par ailleurs, une telle solution s’avère relativement simple en termes de montage de l’ensemble tout en présentant une solution fiable.
Selon un aspect particulier d’au moins un mode de réalisation de l’invention, le procédé comprend une étape de mesure de la position X(t) de l’actionneur à un instant donné selon la relation suivante :
avec Xmin une position minimale de l’actionneur,
avec K un coefficient de proportion entre la valeur d’angle envoyée par le codeur et la valeur de la position de l’actionneur.
Selon un aspect particulier d’au moins un mode de réalisation de l’invention, le procédé comprend une étape de détermination d’une position d’au moins un élément à actionner de siège d’aéronef en fonction de ladite position de l’actionneur à un instant donné X(t).
Selon un aspect particulier d’au moins un mode de réalisation de l’invention, le procédé comprend une étape de détermination d’une position angulaire minimale θmin du codeur correspondant à une position minimale Xmin de l’actionneur, et d’une position angulaire maximale θmax du codeur correspondant à une position maximale Xmax de l’actionneur, la position angulaire maximale θmax et la position angulaire minimale θmin présentant un écart absolu inférieur à 360°.
Selon un aspect particulier d’au moins un mode de réalisation du procédé, si (θmin) > (θmax), le procédé comprend, pour 355° une étape de détection du sens de rotation dudit codeur angulaire 9 ; une étape de désactivation de ladite étape de mesure de la position (X(t)) de l’actionneur à un instant donné pendant une durée prédéterminée.
La durée prédéterminée peut consister en une période de temps supposée pendant laquelle le codeur va parcourir un certain nombre de degrés incluant le 359 ème degré et le 360 ème degrés correspondant au degré 0. Par exemple, cette durée prédéterminée peut être d’environ 15ms.
L’invention concerne également un dispositif d’actionnement d’au moins un élément à actionner de siège d’aéronef, le dispositif d’actionnement comprenant une unité de calcul, un actionneur muni d’un arbre de sortie de sorte à actionner l’au moins un élément de siège d’aéronef correspondant, ledit arbre de sortie étant relié à un codeur de position angulaire de sorte qu’une position X de l’actionneur sur ledit arbre de sortie correspond à une unique position angulaire θ du codeur, ledit dispositif étant configuré pour mettre en œuvre un procédé de détermination de la position du dispositif d’actionnement selon l’un des modes de réalisation précités.
Selon un aspect particulier d’au moins un mode de réalisation de l’invention, l’actionneur est mobile entre une position minimale Xmin correspondant à une unique position angulaire minimale θmin du codeur 9 et une position maximale Xmax correspondant à une unique position angulaire maximale θmax du codeur 9, l’écart entre la position angulaire maximale θmax et la position angulaire minimale θmin étant inférieur à 360 degrés.
Selon un aspect particulier d’au moins un mode de réalisation de l’invention, l’écart entre la position minimale Xmin de l’actionneur 3 et la position maximale Xmax de l’actionneur 3 est compris entre 100mm et 800mm, préférentiellement entre 500mm et 700mm, encore préférentiellement égal à 600mm.
Dans d’autres modes de réalisation, la tôle élémentaire comporte en outre un creux intérieur, dans laquelle la portion périphérique comprenant l’au moins une section structurée est le bord intérieur du disque creux.
Avantageusement, la tôle élémentaire comprend deux sections structurées présentant une structure périodique, et deux sections non structurées.
De préférence, la tôle élémentaire comprend en outre une encoche d’orientation agencée dans l’au moins une section non structurée.
L’invention se rapporte aussi à un empilement de tôles comprenant une pluralité de tôles élémentaires telles que décrites ci-dessus, empilées de manière coaxiale, une première tôle élémentaire définissant le fond de l’empilement et les tôles élémentaires successives étant agencées au-dessus de la première tôle de sorte qu’un premier élément de périodicité de la structure périodique de chaque tôle élémentaire est disposé directement au-dessus d’un deuxième élément de périodicité de la structure périodique de la tôle élémentaire sous-jacente.
De manière avantageuse, le nombre de tôles élémentaires est égal au nombre d’éléments de périodicité de la structure périodique dans chaque section structurée de chaque tôle élémentaire respective.
De préférence, chaque tôle élémentaire est décalée angulairement par rapport à la tôle adjacente suivante, l’angle de décalage étant déterminé par la périodicité de la structure périodique et le diamètre de la circonférence extérieure de la tôle élémentaire de sorte que l’angle de décalage soit n fois l'angle formé par deux éléments périodiques adjacents ayant pour sommet l'intersection de l'axe central avec le plan de la tôle, n étant un nombre entier.
L’invention concerne également un résolveur comprenant :
un rotor comprenant au moins un empilement de tôles telles que décrites ci-dessus, un stator configuré pour recevoir le rotor, et des connexions électriques configurées pour établir un champ électrique variable lors de la rotation du rotor par rapport au stator.
L’invention se rapporte aussi à une machine électrique tournante comprenant :
L’invention concerne également un procédé de fabrication d’un empilement de tôles telles que décrites ci-dessus, comprenant les étapes suivantes :
la mise à disposition d’une pluralité de tôles élémentaires telles que décrites ci-dessus,
la définition d’une tôle de fond, l’empilement d’une pluralité de tôles de manière coaxiale sur la tôle de fond, de sorte que le premier élément de périodicité de la structure périodique de chaque tôle élémentaire est disposé directement au-dessus du deuxième élément de périodicité de la structure périodique de la tôle élémentaire sous-jacente, le serrage de l’empilement aligné, le collage de l’empilement sur les sections non structurées superposées.
La est une vue de dessus d’une tôle élémentaire selon l’invention.
La est un agrandissement d’une portion de la tôle élémentaire de la .
On connait divers dispositifs d’ancrage que ce soit pour des câbles électriques ou de télécommunication.
Un exemple de dispositif d’ancrage connu est décrit dans la demande de brevet FR-A-2958461.
Il existe un besoin d’amélioration des dispositifs d’ancrage de câble.
Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des dispositifs d’ancrage de câble connus.
Un mode de réalisation prévoit un dispositif d’ancrage de câble comportant : un corps ; et au moins un premier mandrin d’enroulement d’une portion de câble, la surface externe du premier mandrin étant en élastomère ou analogue.
Selon un mode de réalisation, le premier mandrin comporte une couronne externe en élastomère ou analogue, portée par une bague.
Selon un mode de réalisation, le dispositif comporte un deuxième mandrin sur lequel est monté le premier mandrin.
Selon un mode de réalisation, le deuxième mandrin est intégré au corps.
Selon un mode de réalisation, le corps est en matière plastique, de préférence, thermoplastique.
Selon un mode de réalisation, le premier mandrin est interchangeable en fonction du diamètre et/ou de la nature du câble.
Selon un mode de réalisation, le corps intègre une gorge de pincement du câble en sortie.
A titre d’exemple le système SIV (Système d’Information des Véhicules) permet d’accéder associé à un VIN d’une voiture (V) l’adresse de son propriétaire pour ceux qui ne sont pas opposés à l’exploitation de leur données personnelle soit en ordre de grandeur 40 %.
Il est privilégié que le procédé exploite une pluralité de localisations d’usage de la voiture parmi l’adresse du domicile, le lieu de travail, le lieu de résidence secondaire et le lieu de vacances.
En effet, l’adresse du propriétaire de la voiture est statistiquement un lieu d’usage qui peut déjà suffire si par exemple il s’agit de la région Bretagne où à ce jour il n’existe aucune Zone à Faibles Émissions (ZFE).
Par contre en zone urbaine, un propriétaire par exemple en France à Versailles n’est pas dans la Zone à Faibles Émissions (ZFE) du Grand Paris à l’intérieur du périmètre de l’A86 mais est potentiellement affecté par l’interdiction d’accéder à cette Zone à Faibles Émissions (ZFE) du Grand Paris, par exemple pour y aller travailler.
Dans ce contexte, il est avantageux que parmi des conversions éligibles, le procédé privilégie celle dont l’autonomie est la plus compatible avec les différentes localisations disponibles en fonction de la taille du réservoir de gaz.
Selon un mode de mise en œuvre du procédé, les localisations d’usages de la voiture (V) sont obtenues automatiquement avec l’accord du propriétaire via une application sur son téléphone portable qui peut à titre d’exemple retracer ses trajets, c’est-à-dire ceux du téléphone dont on suppose que ceux-ci sont ceux de la voiture (V) quand la localisation correspond également à une route ou une voie pour véhicules.
En termes d’utilisation du procédé, il est privilégié que le procédé soit collectif, c’est-à-dire qu’il soit utilisé de façon collective sur une pluralité de voitures (V).
Selon un mode d’utilisation, le procédé est utilisé dans le contexte d’un site web où il faut disposer du VIN ou de la plaque d’immatriculation pour en déduire a minima la marque et le modèle pour identifier la possibilité technique des solutions de conversions en bicarburation gaz disponibles et de la localisation de la voiture (V), y compris en utilisant l’adresse IP de l’ordinateur connecté au site web comme localisation d’usage approximative.
Selon un mode d’utilisation, le procédé est utilisé dans le contexte d’un territoire ou d’une zone géographique pour lesquels on s’interroge sur les possibilités techniques d’effectuer la conversion en version bicarburation au gaz des voitures (V) de ce territoire ou de cette zone géographique, la localisation de l’usage de la voiture (V) étant a minima ce territoire ou cette zone géographique.
Selon un mode d’utilisation, le procédé est utilisé dans le contexte d’un propriétaire d’un parc captif qui s’interroge sur les possibilités techniques d’effectuer la conversion en version bicarburation au gaz des voitures (V) de son parc captif.
Selon un mode d’utilisation, le procédé est utilisé dans le contexte d’un constructeur automobile qui s’interroge sur les possibilités techniques d’effectuer la conversion des voitures de sa marque ou de ses marques déjà immatriculés, en version bicarburation au gaz et combiné au fait que la voiture (V) dispose d’une option télématique grâce à laquelle le constructeur peut techniquement accéder à la localisation de la voiture (V), en ayant obtenu l’autorisation de son propriétaire.
Selon un dernier mode d’utilisation, le procédé est utilisé dans le contexte d’un lieu (L) qui dispose d’un moyen pour acquérir le VIN ou la plaque d’immatriculation (PI) de la voiture (V) et de fait sa localisation d’usage dans ce lieu (L) précis. Il peut s’agir d’une route, d’une rue, d’un parking ou d’une station service disposant d’une caméra (CA) pour lire la plaque d’immatriculation (PI) de la voiture (V) ou d’une personne disposant d’un moyen de lire le VIN souvent physiquement présent (VI) en bas de pare-brise.
En termes d’application industrielle, le procédé concerne la réduction des émissions de particules fines par la mise en œuvre de conversions de voitures diesel déjà mis en circulation par une version bicarburation au gaz déjà disponible ou prévue d’être disponible.
Procédé de réduction des particules fines en regard des Zones à Faibles Émissions par la mise en œuvre de conversions de voitures diesel par une version bicarburation au gaz DOMAINE DE L'INVENTION AUQUEL SE RAPPORTE L'INVENTION
Le transistor n-FET 1a est un transistor HEMT classique comprenant notamment un substrat 11 en silicium, une couche de canal 12 en GaN disposée sur le substrat 11, une couche barrière 13 en AlGaN disposée sur la couche de canal 12 et une structure de grille. La structure de grille comprend une couche de GaN dopée p 14 (p-GaN) et une électrode de grille 15a en contact avec la couche de p-GaN 14 (grille dite p-GaN). Le transistor n-FET 1a comprend en outre une électrode de drain 16a et une électrode de source 17a en contact ohmique avec le gaz d’électrons bidimensionnel situé au voisinage immédiat de l’interface entre la couche de canal 12 et la couche barrière 13.
Le transistor p-FET 1b comprend le même empilement de couches semi-conductrices 11 à 14, une électrode de grille 15b, une électrode de drain 16b et une électrode de source 17b. La couche de p-GaN 14 forme une couche de conduction de trous qui s’étend continûment entre l’électrode de drain 16b et l’électrode de source 17b. La portion de la couche de p-GaN 14 située sous la grille 15b constitue la région de canal et est amincie pour pouvoir être contrôlée efficacement (et électro-statiquement) par la grille 15b. Cette portion est soumise à un traitement plasma oxygène pour dépeupler la région de canal en trous (à l’équilibre thermique) et conférer au transistor p-FET un comportement normalement fermé.
En raison de la faible mobilité des trous dans la couche de p-GaN 14 (comparée à celle des électrons dans le 2DEG), la densité de courant du transistor p-FET 1b est environ 100 fois inférieure à celle du transistor n-FET 1a. Pour pouvoir supporter le même courant, le transistor p-FET 1b doit donc avoir une surface active environ 100 fois supérieure à celle du transistor n-FET 1a, ce qui augmente le coût de l’inverseur.
On constate qu’il existe un besoin de prévoir un transistor à effet de champ présentant le comportement d’un transistor p-FET et une densité de courant élevée, typiquement du même ordre de grandeur que celle d’un transistor n-FET formé à partir des mêmes matériaux semi-conducteurs.
Selon un premier aspect de l’invention, on tend à satisfaire ce besoin en prévoyant un transistor à effet de champ comprenant : un substrat ; une couche de canal d’électrons disposée sur le substrat ; une couche barrière disposée sur la couche de canal d’électrons ; une couche de canal de trous disposée sur la couche barrière ; une couche de matériau semi-conducteur dopé de type p disposée sur la couche de canal de trous ; une électrode de source comprenant une première portion en contact ohmique avec la couche de canal d’électrons et une deuxième portion en contact ohmique avec la couche de matériau semi-conducteur dopé de type p ; une électrode de drain en contact ohmique avec la couche de canal d’électrons ; une électrode de grille disposée en regard de la couche de matériau semi-conducteur dopé de type p, entre les électrodes de source et de drain.
Le contact ohmique entre la deuxième portion de l’électrode de source et la couche de matériau semi-conducteur dopé de type p permet l’injection de trous libres dans la couche de canal de trous lorsqu’une tension négative est appliquée entre l’électrode de grille et l’électrode de source. Ces trous attirent des électrons libres à l’interface entre la couche de canal d’électrons et la couche barrière, formant ainsi un canal de conduction entre l’électrode de source et l’électrode de drain. Le transistor à effet de champ se comporte alors comme un transistor p-FET alors que sa conduction est assurée par des électrons.
Dans un premier mode de réalisation du transistor, la couche de matériau semi-conducteur dopé de type p s’étend de façon continue de l’électrode de source jusqu’à l’électrode de drain et l’électrode de drain est en contact Schottky avec la couche de matériau semi-conducteur dopé de type p.
Dans un deuxième mode de réalisation, la couche de matériau semi-conducteur dopé de type p s’étend de façon discontinue de l’électrode de source jusqu’à l’électrode de drain et l’électrode de drain est en contact ohmique avec la couche de matériau semi-conducteur dopé de type p.