INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
En référence aux figures 1, 2 et 3, le collier de serrage comporte une structure 1 munie d’un relief 2. Le relief 2, typiquement cranté, permet en coopération avec l’ouverture traversante 3 de fermer le collier de serrage. La structure 1 comporte au moins une âme 4 munie d’un orifice traversant 5.
L’orifice traversant 5 et l’ouverture traversante 3 de la structure 1 définissent ainsi un passage pour y retenir le relief 2.
Classiquement l’association du relief 2 en coopération avec l’ouverture traversante 3 est connue comme étant un système de fermeture autobloquant présentant un cliquet (non représenté ici) qui vient butée contre chaque relief.
L’âme 4 comporte au moins un fil continu de matière minérale résistante au feu.
L’âme 4 délimite ledit orifice traversant 5 et s’étend continûment jusqu’au relief 2.
Un matériau polymère 8 entoure en tout ou partie l’âme 4. Ainsi, l’âme 4 est revêtue en tout ou partie par un matériau polymère 8.
Les figures 1, 2 et 3 sont des représentations du même dispositif, mais en configuration totalement ouverte pour les figures 2 et 3 et en cours de fermeture pour la . Ainsi, dans la , la deuxième extrémité 7 est placée vers l’orifice et l’ouverture traversant 5,3 de la structure 1 lors de la fermeture.
Plusieurs essais ont été réalisés avec de la fibre de basalte noyée dans du polymère classique permettant de maintenir un câble. Le mode d’essai utilisé était selon la norme EN50200/IEC60331-2 avec un câble résistant au feu. Il a pu être constaté que la performance était maintenue avec maintien du câble en position pendant toute la durée de l’essai.
Dispositif de séparation à goujon d’arrimage amorti La présente invention se rapporte aux systèmes de séparation entre deux parties ou éléments structurels et plus particulièrement à ceux munis de goujons d’arrimage dont la rupture pyrotechnique ou non des écrous de séparation permet leur rétractation dans une des deux parties.
Dans les systèmes de séparation actuels, le choc résultant de la séparation nécessite d’être absorbé pour éviter que le goujon ne transperce la coiffe (bolt catcher) dans laquelle il est enfermé. Une solution classique consiste à prévoir dans cette coiffe une sorte de cage crantée pour réduire la vitesse du goujon au fur et à mesure de son avancée et interdire son retour en arrière.
Si une telle solution donne globalement satisfaction, elle s’avère inadaptée aux constellations de satellites qui, pour assurer des liaisons HRS ponctuelles (Hold down and Release System) qu’impliquent de telles constellations, nécessitent des goujons de fort diamètre (supérieur à 20 mm) et de masse conséquente (supérieur à 1Kg) et surtout devant se rétracter très rapidement (en moins de 20ms), tous critères de performance inatteignables à ce jour avec les dispositifs de séparation de l’état de l’art.
La présente invention a donc pour but principal de répondre aux critères de performance précités en proposant un dispositif de séparation d’une seconde partie d’une première partie, comportant une première interface destinée à être fixée à la première partie et une seconde interface destinée à être fixée à la seconde partie, un goujon d’arrimage traversant les première et seconde interfaces et étant maintenu à la première interface par un écrou de séparation et à la seconde interface par un premier ensemble écrou/contre-écrou, le goujon d’arrimage étant recouvert d’une coiffe solidaire de la seconde interface et destinée à le recevoir une fois l’écrou de séparation rompu et les premières et seconde interfaces séparées, caractérisé en ce qu’il comporte un ressort de rétractation pour extraire le goujon d’arrimage de la première interface, le propulser vers un matériau amortisseur disposé en fond de coiffe et l’y maintenir par sa seule force de maintien résiduelle.
L’invention concerne également un pack de batterie pour un véhicule électrique, le pack de batterie comprenant une entretoise entre une paire de cellules, dans lequel au moins une partie de l'entretoise est formée d'un matériau élastomère pour absorber la contraction et/ou l'expansion des cellules.
L’entretoise peut décrire un passage d'écoulement entre les cellules ou entre au moins une des cellules et l’entretoise, par exemple pour qu'un fluide de refroidissement s'y écoule.
L’entretoise peut comprendre une ou plusieurs parties de contact formées du matériau élastomère. Au moins une des parties de contact peut comprendre deux zones de contact ou plus, qui peuvent être espacées les unes des autres, par exemple pour fournir une force de séparation prédéterminée aux cellules lorsqu'elles sont comprimées.
L'entretoise peut comprendre une plaque d'entretoise. L'entretoise ou la plaque d'entretoise peut comprendre un matériau élastomère. Le matériau élastomère peut faire saillie de la plaque d'entretoise, par exemple pour décrire un passage d'écoulement entre au moins une des cellules et la plaque d'entretoise pour qu'un fluide de refroidissement s'y écoule.
La plaque d’entretoise peut comprendre un ou plusieurs vides dans lesquels au moins une partie du matériau élastomère peut être incluse ou moulée. Au moins un des vides peut comprendre une rainure de clavette dans laquelle le matériau élastomère peut comprendre ou décrire une clavette.
L’invention concerne également une entretoise pour un pack de batterie, par exemple comme décrit ci-dessus, l'entretoise comprenant une plaque d'entretoise avec un matériau élastomère faisant saillie de la plaque d'entretoise pour décrire, en utilisation, un passage d'écoulement entre la plaque d'entretoise et au moins l'une d'une paire de cellules entre lesquelles l'entretoise est reçue pour qu'un fluide de refroidissement s'y écoule.
Dans cet exemple, le caisson 105 comprend en outre une tranchée d’isolation 111 (STI) s’étendant depuis la face 101T du substrat 101 jusqu’à la couche électriquement isolante 107. À titre d’exemple, la tranchée 111 est une tranchée d’isolation peu profonde (« Shallow Trench Isolation » - STI, en anglais). Dans l’exemple illustré en figures 1A et 1B, la tranchée 111 présente, vue de dessus, une forme annulaire bordant, ou délimitant, tous les flancs du caisson 109. Plus précisément, la tranchée 111 revêt tous les flancs du caisson 109.
Dans l’exemple représenté, le dispositif 100 comporte en outre des régions 113 (P+), 115 (P+), 116 (N+) et 117 (P+) s’étendant verticalement dans l’épaisseur du substrat semiconducteur 101 depuis la face 101T. Les régions 113 et 115 sont situées respectivement dans le substrat 101 et dans le caisson 103. Les régions 116 et 117 sont situées dans le caisson 109.
Dans l’exemple représenté, la région 113 présente, vue de dessus, une forme annulaire entourant le caisson 103. Tous les flancs internes de la région 113, c’est-à-dire des flancs de la région 113 situés en regard de la région 115, sont, dans cet exemple, séparés du caisson 103 par une partie du substrat 101 plus faiblement dopée que la région 113. À titre de variante, la région 113 pourrait être électriquement isolée du caisson 103 par une tranchée d’isolation annulaire entourant le caisson 103 et interposée entre les flancs internes de la région 113 et le caisson 103.
Dans l’exemple illustré, la région 115 présente, vue de dessus, une forme annulaire entourant le caisson 105. Dans cet exemple, tous les flancs externes de la région 115, c’est-à-dire des flancs de la région 115 situés en regard de la région 113, sont séparés du substrat 101 par une partie du caisson 103 et tous les flancs internes de la région 115, c’est-à-dire des flancs de la région 115 situés en regard de la région 117, sont séparés du caisson 105 par une autre partie du caisson 103. À titre de variante, la région 115 pourrait être électriquement isolée du substrat 101 par une tranchée d’isolation annulaire entourant la région 115 et interposée entre les flancs externes de la région 115 et le substrat 101. En outre, la région 115 pourrait être électriquement isolée du caisson 105 par une autre tranchée d’isolation annulaire entourant le caisson 105 et interposée entre les flancs internes de la région 115 et le caisson 105.
Dans l’exemple représenté, la région 116 formée dans le caisson 109 est en contact, par l’une de ses faces (la face inférieure de la région 116, dans l’orientation de la ), opposée à la face 101T du substrat 101, avec la couche électriquement isolante 107 du caisson 105. Dans l’exemple illustré, la région 116 présente, vue de dessus, une forme annulaire entourant la région 117. Les flancs externes de la région 116 sont séparés de la tranchée d’isolation 111 par des parties du caisson 109 présentant un niveau de dopage par exemple sensiblement égal à celui du substrat 101.
Dans l’exemple représenté, la région 117 formée dans le caisson 109 est en contact, par l’une de ses faces (la face inférieure de la région 117, dans l’orientation de la ), opposée à la face 101T du substrat 101, avec la couche électriquement isolante 107 du caisson 105. Les flancs de la région 117 sont par exemple en contact avec les flancs internes de la région 116.
Dans l’exemple représenté, la région 113 est située à la périphérie du caisson 103, la région 115 est située à la périphérie du caisson 105 et la tranchée d’isolation 111 est située à la périphérie du caisson 109. Dans cet exemple, les régions 113, 115, 116 et 117 sont concentriques, la région 117 étant entourée par la région 116 elle-même entourée par la région 115, la région 115 étant elle-même entourée par la région 113.
Les régions 113, 115 et 117 sont dopées du premier type de conductivité (le type P, dans cet exemple) et présentent chacune un niveau de dopage supérieur à celui du substrat semiconducteur 101. La région 116 est dopée du deuxième type de conductivité (le type N, dans cet exemple) et présente un niveau de dopage supérieur à celui du substrat semiconducteur 101, par exemple sensiblement égal à celui des régions 113, 115 et 117.
Les régions 113 et 115 sont par exemple destinées à être connectées à un nœud 119 d’application d’un potentiel de référence, par exemple la masse (GND). La région 116 est par exemple flottante, c’est-à-dire qu’elle n’est destinée à être connectée à aucun nœud d’application d’un potentiel. La région 117 est par exemple destinée à être connectée à un nœud 121 d’application d’un potentiel d’alimentation (VHV).
Les caissons 103 et 105 ainsi que les régions 113, 115, 116 et 117 sont par exemple formés dans le substrat 101 par implantation ionique depuis la face 101T du substrat 101.
À des fins de simplification, les figures 1A et 1B illustrent un cas dans lequel seule les régions 116 et 117, dopées respectivement du deuxième et du premier type de conductivité, sont formées dans le caisson 109. Toutefois, en pratique, une ou plusieurs autres régions dopées du premier et/ou du deuxième type de conductivité peuvent en outre être formées dans le caisson 109. Ces régions peuvent notamment être disposées de sorte à former une ou plusieurs jonctions P-N permettant par exemple de réaliser un ou plusieurs composants électroniques choisis parmi une diode, un triac, un thyristor, etc., de préférence un triac ou un thyristor. De manière générale, la personne du métier est capable de prévoir, dans le caisson 109 du dispositif 100, le ou les composants électroniques adaptés à l’application visée.
Les nœuds 119 et 121 du dispositif 100 de protection contre des décharges électrostatiques des figures 1A et 1B sont par exemple destinés à être connectés à des plots (non représentés) d’un circuit intégré. Afin de pouvoir supporter le potentiel d’alimentation VHV appliqué au nœud 121, le composant électronique choisi peut être associé en série avec un ou plusieurs composants de même type ou de types différents.
En cas de décharge électrostatique du côté du nœud 121, le potentiel VHV augmente jusqu’à provoquer un phénomène d’avalanche au sein du ou des composants que comporte le dispositif 100 dans le caisson 109. Le courant résultant de la décharge traverse alors le dispositif 100, depuis le nœud 121, et est évacué par le nœud 119 d’application du potentiel de référence GND. En cas de décharge électrostatique du côté du nœud 119, le dispositif 100 présente un fonctionnement analogue à celui décrit précédemment dans le cas d’une décharge électrostatique du côté du nœud 121, à la différence que le courant est alors évacué depuis le nœud 119 vers le nœud 121.
De manière générale, le dispositif 100 permet, en cas de décharge électrostatique du côté du nœud 121 d’application du potentiel d’alimentation VHV, d’évacuer des électrons depuis la région 117 vers les régions 113 et 115. Cela permet notamment d’éviter que des électrons ne s’accumulent au nœud 121 sous l’effet de la décharge électrostatique, donc d’éviter de causer des dommages irréversibles à des composants ou circuits connectés entre les nœuds 119 et 121. Le dispositif 100 permet en outre, en cas de décharge électrostatique du côté du nœud 119 d’application du potentiel de référence GND, d’évacuer des électrons depuis les régions 113 et 115 vers la région 117. Cela permet notamment d’éviter que des électrons ne s’accumulent au nœud 119 sous l’effet de la décharge électrostatique, donc d’éviter de causer des dommages irréversibles aux composants ou circuits connectés entre les nœuds 119 et 121.
Un inconvénient du dispositif 100 tient au fait que le caisson 105, et plus précisément la couche 107, présente une tension de claquage de l’ordre de quelques volts. Cela ne permet pas de mettre en œuvre le dispositif 100 dans un cas où le potentiel VHV, appliqué à la région 117 par l’intermédiaire du nœud 121, est supérieur à une dizaine de volts, par exemple égale à environ 25 V. Pour pallier cet inconvénient, une augmentation de l’épaisseur de la couche 107 aurait pu être envisagée. Cela aurait toutefois entraîné une augmentation indésirable de l’encombrement du dispositif 100 et une complexification du procédé de fabrication du dispositif 100.
La est une vue de dessus, schématique et partielle, d’un dispositif 200 de protection contre des décharges électrostatiques selon un premier mode de réalisation. La est une vue en coupe, selon le plan AA de la , du dispositif 200 de la .
Afin de produire une image photoréaliste du pneumatique identifié, le générateur 108 est configuré pour synthétiser (ou « générer ») une image de domaine cible à partir d'une image de domaine source (ici, « l’image photoréaliste synthétisée »)(ici, les termes « synthétiser » et « générer » sont utilisés de manière interchangeable). Il est entendu qu’une séquence d'images peut être fournie à mesure que l'image est construite ou rendue. Il est également entendu qu’une seule image peut être produite sur la base d’un ensemble donné de valeurs de paramètres de rendu. Dans les deux cas, l'image photoréaliste 113 est rendue à l'aide de préréglages provenant, au moins en partie, d’un modèle appris par le système 100. Avec le synthétiseur 104, un opérateur peut modifier les valeurs des paramètres de rendu pour personnaliser les valeurs standards associées avec chaque modèle de pneumatique, ce qui rend les données correspondantes plus réutilisables.
Ainsi, à la fin d’une étape de génération des images photo-réalistes 113 du procédé de l’invention réalisé par le système 100, des données exploitables sont déjà fournies dans un modèle déjà entrainé. Il est entendu que ce modèle pourrait être entraîné sur un ou des composants CNN du type ImageNet-VGG dans Tensorflow et/ou ses équivalents. Les données exploitables obtenues sont utilisées dans la construction d’un modèle d’images photoréaliste représentant le ou les pneumatiques identifiés dans un état « parfait » (c.-à-d., un état sans anomalies avant leur utilisation).
Pour rendre proches les images photoréalistes et les images cibles en termes de caractéristiques de contenu (et donc accélérer l'apprentissage), le processeur du système 100 détermine une perte d’encodeur (ou « perte de contenu ») 115 en utilisant les données de caractéristiques sémantiques sources et les données de caractéristiques synthétiques. La perte de contenu est calculée par une distance Euclidienne entre une représentation intermédiaire des caractéristiques de niveau supérieur de l'image d'entrée et l'image de contenu dans une couche. Ainsi, le générateur 108 peut être considéré comme un encodeur suivi d'un décodeur dont l’encodeur donne une représentation raccourcie du contenu pour extraire les caractéristiques sémantiques de base de l'entrée. A titre d’exemple, il est connu d’utiliser une ou des fonctions objectives pour la régression (par exemple, l’erreur absolue moyen (« EAM ») et l’erreur quadratique moyenne (« EQM »). Il est aussi connu d’utiliser une ou des mesures de similarité d’une image synthétisée par rapport à une image cible (par exemple, le rapport signal de crête sur bruit (ou « peak signal-to-noise ratio » ou « PSNR » en anglais)). Il est également connu d’utiliser des mesures de luminance, de contraste et de structure pour mesurer la similarité entre deux ou plusieurs images (par exemple, la mesure de l'indice de similarité structurelle (ou « structural similarity index measure » ou « SSIM » en anglais)). Le système pourrait mettre en œuvre un ou des moyens pour déterminer la perte de contenu 115comme entendu par l’homme du métier.
Dans le système 100 qui réalise le procédé de l’invention, le discriminateur 110 prend en entrée les images photoréalistes 113 synthétisées (et donc les données caractéristiques synthétiques). En outre, le processeur du système 100 introduit les images cibles t (et donc les données d'images cibles) de la base de données 106 au discriminateur 110. Le discriminateur 110 permet de classer ces données d'images cibles à partir des données caractéristiques synthétiques. Pour rendre proche les images photoréalistes et les images cibles en termes de caractéristiques de style, le discriminateur 110 détermine et sort une perte de réseau adversaire génératif (GAN)(ou « perte de style »)(ou « style loss »). La perte de style peut être mesurée comme le degré de corrélation présente entre les cartes de caractéristiques dans une couche donnée. Elle concerne un argument mathématique selon lequel l'entraînement du générateur 108 devrait chercher à minimiser la distance entre la distribution des données observées dans l'ensemble de données d'entraînement et la distribution observée dans les images photoréalistes générées. A titre d’exemple, les matrices de Gram, qui montrent la distribution globale des caractéristiques dans une couche donnée, pourraient être utilisées pour interpréter les informations de style dans une image. A titre d’exemple, d’autres mesures de distance de distribution pourraient être utilisées, y compris, sans limitation, la fonction de perte de Wasserstein (ou « the Wasserstein loss funciton »)(qui cherche à augmenter l’écart entre les scores des images réelles et ceux des images générées), la divergence de Kullback-Leibler (ou « KL divergence ») et la divergence de Jensen-Shannon (ou « JS divergence »).
Le processeur du système 100 détermine ensuite une perte totale en fonction de la perte du contenu et la perte du style. La perte représente une variation totale qui aide à réduire le bruit dans les images photoréalistes 113. Lorsque l'apprentissage du modèle est terminé, le système 100 sort les paramètres d’un modèle de transfert de style pour générer une ou des images synthétisées finales.
Dans tous les modes de réalisation de l’invention, le système 100 peut réaliser une ou plusieurs étapes du procédé (et le procédé entier) de manière itérative. Par conséquent, en répétant ce procédé, le processeur entraîne le générateur 108 et le discriminateur 110 en utilisant la perte de contenu et la perte du style, jusqu'à ce que la perte totale soit égale ou inférieure à un seuil de perte prédéterminé ou atteigne le nombre maximum d'itérations afin de minimiser la distorsion de l'image pendant le transfert du style d'image.
Il est entendu que l'architecture du système 100 peut être adaptée de telle sorte qu'elle peut appliquer un seul style dans une image (par exemple, une seule image réelle) ou elle peut mélanger et assortir plusieurs styles (par exemple, deux ou plusieurs images réelles).
L’invention divulguée permet de capter des éléments particuliers liés au procédé de fabrication du pneumatique identifié qui n’apparaissent pas dans les fichiers CAO initiaux (par exemple, les données correspondantes à des évents, à des anomalies de matières, et à des bavures aux jonctions des pièces de moule produisant le pneumatique qui sont présentes à la surface du pneumatique identifié). Ainsi, l’invention divulguée rend disponible les données correspondantes à des phénomènes optiques du moyens d’acquisition qui sont auparavant indisponibles en raison des difficultés et des coûts à les reproduire par simulation physique.
Comme utilisé ici, « image », au singulier ou au pluriel, fait respectivement référence aux images fixes et aux images capturées dans des séquences vidéo. La caméra peut être choisie parmi les caméras disponibles dans le commerce, y compris, sans limitation, des caméras de profondeur et des caméras à lumière visible (caméra RVB). Il est entendu que les termes « caméra vidéo », "caméra", "appareil photo", "capteur" et "capteur optique" peuvent être utilisés de manière interchangeable et peuvent se référer à un ou plusieurs appareils configurés pour capturer des images vidéos et fixes.
Dans tous les modes de réalisation de l’invention, au moins un réseau neuronal peut être entraîné pour permettre de reconnaitre des anomalies caractéristiques dans des images de synthèse réalistes de pneumatiques sortant du GAN et de créer à minima des boîtes englobantes (ou « régions encadrées ») autour des anomalies caractéristiques reconnues, et au mieux une détermination précise des frontières des anomalies. Pendant cet entraînement, les coordonnées de la boîte englobante de l’anomalie caractéristique sont mises en corrélation avec les coordonnées des positions prédéterminées sur la surface du pneumatique identifié. Les régions recadrées et les anomalies caractéristiques sont transmises à un réseau neuronal (par exemple, un ou des CNNs) pour apprendre conjointement la représentation de l’anomalie caractéristique dans des pneumatiques différents.
Le système informatique peut inclure des préprogrammations des informations de gestion. Par exemple, un réglage du procédé réalisé par le système 100 peut être associé avec les paramètres des environnements physiques typiques dans lesquels le système fonctionne.
Dans des modes de réalisation de l’invention, le système 100 (et/ou une installation incorporant le système 100) peut recevoir des commandes vocales ou d'autres données audio représentant, pour exemple, une démarche ou un arrêt du procédé de l’invention mis en œuvre par le système 100. La commande peut inclure une demande pour l'état actuel du procédé prédéterminé. Une réponse générée peut être représentée de manière audible, visuelle, tactile (par exemple, en utilisant une interface haptique) et/ou virtuelle et/ou augmentée. Cette réponse, ainsi que les données correspondantes, peuvent être enregistrées dans le réseau neuronal.
Synthèse d’images par méthodes de simulation physique et d’apprentissage profond pour l’apprentissage anticipé d’un modèle d’évaluation de la surface d’un pneumatique L’invention concerne le domaine du contrôle visuel des pneumatiques. Plus particulièrement,
l’invention concerne la synthèse d’images par méthodes de simulation physique et d’apprentissage profond pour l’apprentissage anticipé d’un modèle d’évaluation de la surface d’un pneumatique.
Le mode d’application est adapté pour que l’utilisateur sélectionne un ensemble d’une ou de plusieurs couleurs de produit de maquillage à partir de la carte d’identification affichée dans le mode de mappage, et qu'il sélectionne un modèle de photographie de teint ou plusieurs modèles de photographie de teint. Le mode d’application est configuré pour afficher des images de simulation d’applications de l’ensemble sélectionné de couleurs de produit de maquillage respectivement sur le au moins un modèle de photographie de teint.