INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
On connait du document de brevet JP-A-2021132008 un dispositif de refroidissement d’éléments électrochimiques d’une batterie par pulvérisation d’un premier fluide caloporteur sur ces éléments. Ce premier fluide caloporteur est lui-même refroidi par un refroidisseur entièrement immergé dans ce premier fluide caloporteur, ce refroidisseur étant sous la forme d’un échangeur parcouru par un deuxième fluide caloporteur. Cet échangeur est entièrement immergé dans une réserve du premier fluide caloporteur accumulé au fond de la batterie.
Malheureusement cet échangeur est très encombrant et prend la place de plusieurs cellules, et donc diminue fortement l’autonomie de la batterie. En outre, il est rapporté à l’intérieur de la batterie et doit donc y être fixé, ce qui oblige à une opération d’assemblage délicate du fait des raccordements fluidiques nécessaires alors que le carter de la batterie doit être fermé et hermétique.
Le but de l’invention est de remédier à au moins l’un de ces manques en proposant une batterie présentant une meilleure intégration de cet échangeur.
A cet effet, l’objet de l’invention propose une batterie comprenant : - un carter hermétique délimitant un volume interne, et comprenant un fond destiné à collecter par gravité un premier fluide caloporteur projeté dans ce volume interne, - un élément électrochimique de stockage d’énergie électrique, logé dans ce volume interne, - une buse de projection du premier fluide caloporteur, logée dans le volume interne, et destinée à projeter le premier fluide caloporteur contre l’élément électrochimique, - un refroidisseur comprenant une chambre destinée à recevoir un second fluide caloporteur, ce refroidisseur étant destiné à refroidir le premier fluide caloporteur par échange thermique avec ce second fluide caloporteur par conduction thermique à travers une première paroi de la chambre, le fond du carter comprenant cette première paroi.
On comprendra par «de projection du premier fluide caloporteur dans tout le texte de ce document, une projection d’un fluide sous forme de pulvérisation de fines gouttelettes et/ou d’un brouillard et/ou d’un jet continu ou non de liquide ou de gaz.
La illustre schématiquement un anneau de stator, lequel est divisé en plusieurs secteurs comprenant chacun un substrat 10 revêtu d'une couche abradable 12.
Un exemple de réalisation de la couche abradable 12 va être décrit en lien avec les figures 2A, 2B et 3. Les figures 2A et 2B illustrent de manière schématique la réalisation d'un exemple de procédé selon l'invention, tandis que la illustre schématiquement le déroulé de ce procédé.
Le procédé comprend l’obtention E1 d’une composition pulvérulente 30 et une étape de frittage réactif E2 de la composition pulvérulente 30 préparée.
Le substrat 10 à revêtir est disposé dans la cavité d'un moule 20. La composition pulvérulente 30 est alors déposée sur une surface S du substrat 10. Comme cela est représenté à la figure 2B, le moule 20 est ensuite refermé, par exemple par un couvercle 25. Une face d'appui de son couvercle 25 s'applique contre la couche de composition pulvérulente 30 de sorte à comprimer celle-ci sur le substrat 10. La pression de compression appliquée sur la composition pulvérulente 30 peut être une pression uniaxiale. L'épaisseur de la couche de composition pulvérulente 30 est ainsi réduite du fait de la compression entre le substrat 10 et le couvercle 25 : la composition pulvérulente 30 est compactée. La composition pulvérulente 30 subissant la compression est ensuite frittée. On peut, par exemple, mettre en œuvre une technique de frittage flash (« SPS ») pour réaliser la couche abradable 12. La couche abradable 12 est obtenue à l'issue de cette étape de frittage E2.
Dans l'exemple illustré, la couche abradable 12 obtenue a une densité sensiblement uniforme. On pourrait en variante former des couches abradables à densité variable, par exemple en suivant les principes décrits dans la demande de brevet FR 3 044 945.
On décrit, dans le présent exemple, que la couche abradable 12 est directement formée sur le substrat 10 à partir de la composition pulvérulente 30 déposée au préalable sur le substrat 10. Dans une variante non illustrée, on peut d'abord former la couche abradable 12 sur un support distinct du substrat 10 par mise en œuvre du procédé de frittage sous pression qui a été décrit plus haut. Selon cette variante, la couche abradable 12 ainsi formée est ensuite séparée du support pour être positionnée sur la surface S du substrat 10. Cette couche abradable 12 ainsi positionnée est ensuite solidarisée à la surface S du substrat 10 afin d'obtenir le substrat revêtu. Cette solidarisation peut être effectuée par brasage, frittage ou à l'aide d'éléments rapportés (boulonnage par exemple).
La couche abradable 12 formée est tout particulièrement adaptée pour équiper les anneaux de turbine haute ou basse pression ou les anneaux de compresseur, par exemple dans le domaine aéronautique, et tout particulièrement dans les turboréacteurs d'avion.
Différents détails relatifs au substrat 10, à la composition pulvérulente 30 et aux paramètres opératoires pouvant être imposés durant le procédé vont à présent être décrits.
Le substrat 10 peut être en matériau métallique, par exemple en superalliage. Lorsque le substrat 10 est en matériau métallique, ce dernier peut par exemple être formé par l'un des matériaux commerciaux suivants : alliage « AM1 », alliage « C263 ou alliage « M509 » (les marques entre guillemet étant déposées).
En variante, le substrat 10 peut être en matériau composite à matrice céramique (CMC). Dans ce cas, le substrat 10 peut comporter un renfort fibreux tissé, formé de fibres de carbone ou de carbure de silicium, densifié par une matrice céramique, comprenant par exemple du carbure de silicium.
Pour améliorer l’adhérence de la couche abradable 12 sur le substrat 10, le substrat 10 peut être revêtu d'une couche d'accrochage (non représentée) que la couche abradable 12 est destinée à revêtir. Dans le cas d'un substrat 10 métallique, on peut par exemple utiliser une couche d'accrochage MCrAlY, par exemple une couche d'accrochage CoNiCrAlY. Dans le cas d'un substrat en CMC, on peut utiliser une couche d'accrochage de mullite, par exemple.
Concernant la composition pulvérulente 30, elle comprend des particules céramiques et une charge inorganique.
Dans le présent exemple de réalisation, les particules céramiques, formant une poudre, sont réalisées en zircone yttriée (YSZ). Cette poudre est destinée, après frittage, à former la matrice du revêtement, c’est pourquoi on parle de poudre de matrice céramique. D’autres exemples de poudre céramique peuvent être utilisés, par exemple des zircones co-dopées avec un métal de transition ou un lanthanide (dysprosium, scandium, hafnium, tantale, lanthane…).
Dans d’autres exemples, ces particules sont fibreuses : elles possèdent alors des facteurs de forme variables, compris entre 2 et 30, de préférence entre 2 et 25.
Les particules fibreuses peuvent avoir un diamètre moyen à l'état non aggloméré (ou largeur moyenne) supérieur ou égal à 6 µm, par exemple compris entre 6 µm et 8 µm. Les particules fibreuses peuvent avoir une longueur moyenne supérieure ou égale à 15 µm, par exemple comprise entre 15 µm et 300 µm, étant entendu que le facteur de forme moyen des particules fibreuses demeure supérieur ou égal à 2.
Les particules fibreuses utilisables dans le cadre de l’exposé peuvent correspondre à celles décrites dans la demande de brevet FR 3 082 765.
La capacité en énergie électrique restante dans la pile est déterminée par exemple à partir de la formule suivante :
où Cr est la capacité en énergie électrique restante dans la pile, C 0 est la capacité en énergie électrique initiale de pile, D i est la valeur du compteur temporel associé à la fonctionnalité i et I i est la valeur de consommation en énergie électrique associée à la fonctionnalité i ou la valeur du courant mesuré pour la fonctionnalité i.
Procédé de fabricaiton d’un circuit intégré et circuit intégré correspondant Des modes de mise en œuvre et de réalisations concernent les circuits intégrés, en particulier la fabrication d’un transistor adapté pour une première gamme de tensions en cointégration avec des étapes de fabrication d’au moins un autre transistor adapté pour une autre gamme de tensions.
La cointégration permet de réutiliser des étapes de fabrication prévues pour des éléments typiquement présents dans un type de circuit intégré, afin de fabriquer un élément particulier sans étape supplémentaires ni coût supplémentaire.
Par exemple, dans un circuit intégré comportant une mémoire non-volatile, des transistors à grille flottante sont typiquement prévus pour stocker de données en mémoire, des transistors adaptés pour une gamme de tensions dite haute tension sont typiquement prévus pour les opérations d’écriture en mémoire, et des transistors adaptés pour une gamme de tensions dite basse tension sont typiquement prévus pour ordonnancer le fonctionnement de la mémoire, dans un circuit logique du type machine d’états.
Typiquement, dans un circuit bon marché de ce type comportant une mémoire non-volatile, aucune architecture particulière de transistors adaptée pour une première gamme de tensions dite moyenne tension n’est proposée, pour des raisons de coût, et seules des architectures de transistors basse tension ou haute tension existent. La gamme moyenne tension est par exemple supérieure à la gamme basse tension et inférieure à la gamme haute tension, et est destinée à des communications de signaux d’usage général tels que des signaux d’entrée-sortie du circuit intégré.
Classiquement, pour fabriquer à moindre coûts un transistor adapté pour la gamme moyenne tension et sans introduire d’étape supplémentaires, on reproduit un transistor haute tension, car apte à supporter les moyennes tensions et à pouvoir fonctionner dans la gamme de moyennes tensions. Typiquement, le fonctionnement des transistors haute-tension n’est pas optimisé pour la gamme moyenne tensions, et en outre, l’encombrement des transistors hautes tensions est excessif pour la gamme moyenne tension et irréductible. En effet, pour supporter des tensions élevées, les transistors haute tension comportent typiquement des régions de conduction étendues sous leurs grilles, et la longueur minimale de grille des transistors haute tension ne peut pas être réduite sans introduire des effets parasites de canal court.
Ainsi il existe un besoin de fournir des techniques de fabrications de transistors adaptées pour une gamme de tensions particulière, optimisés dans leurs fonctionnement, compactes et à moindre coût.
Selon un aspect, il est proposé à cet égard un procédé de fabrication d’un circuit intégré incluant une fabrication d’un premier transistor pour une première gamme de tensions, comprenant : - des étapes de formation d’une première région de grille sur une face avant d’un substrat semiconducteur et ayant des flancs perpendiculaires à la face avant ; - des étapes de dépôts de couches diélectriques s’accumulant sur les flancs de la première région de grille de manière à former des régions d’espaceurs ayant une largeur dans une direction perpendiculaire aux flancs de la première région de grille ; - une étape de gravure retirant une partie des couches diélectriques accumulées sur les flancs de la première région de grille de façon à réduire la largeur des régions d’espaceurs ; - une première étape d’implantation de dopants alignée sur les régions d’espaceurs, formant des premières régions de conduction faiblement dopées du premier transistor ; - une deuxième étape d’implantation de dopants formant des premières régions conduction du premier transistor, plus fortement dopées que les régions de conduction faiblement dopées.
En effet, typiquement dans une fabrication de circuit intégré comportant plusieurs transistors pour plusieurs gammes de tensions respectives, les étapes de dépôts de couches diélectriques de manière à former des régions d’espaceurs, s’accumulent sur les flancs de toutes les régions de grille qui sont déjà formées sur la face avant.
Or, dans le procédé selon cet aspect, il est proposé de retirer spécifiquement une partie des couches diélectriques accumulées sur les flancs de la première région de grille, de façon à réduire la largeur des régions d’espaceurs. En réduisant la largeur des régions d’espaceurs du premier transistor, on rapproche les zones d’implantation des premières régions de conduction faiblement dopées vers la région de canal du premier transistor. On considère que la région de canal du transistor est située dans le substrat semiconducteur, en regard de la première région de grille. Et, en rapprochant lesdites premières régions de conduction faiblement dopées de la région de canal des, d’une part on réduit les phénomènes d’ionisation par impact engendrant des « porteurs chauds » dégradant le transistor ; et d’autre part on paramètre la tension de seuil du transistor en conjonction avec les conditions de la première étape d’implantation de dopants, pour des performances optimisées dans la première gamme de tensions.
Par ailleurs, le terme « régions de conduction faiblement dopées » usuellement employé sous sa forme anglaise « Lightly Doped Drain/Source », est parfaitement connu de l’homme de l’art, et désigne une région implantée typiquement moins profondément que la région de conduction, avec une concentration en dopants typiquement moindre. Les régions de source et de drain du transistor incluent les régions de conduction faiblement dopées et les régions de conduction plus fortement dopées.
Par exemple, les premières régions faiblement dopées selon cet aspect peuvent avoir une concentration en espèces dopantes comprise entre 10 16 cm -3 (dix puissance seize atomes par centimètre-cube) et 10 18 cm -3 (dix puissance dix-huit), et une profondeur comprise entre 100 nm (nanomètres) et 500 nm, tandis que les premières régions de conduction plus fortement dopées peuvent avoir une concentration en espèces dopantes comprise entre 10 18 cm -3 (dix puissance dix-huit) et 10 20 cm -3 (dix puissance vingt), et une profondeur comprise entre 100 nm et 500 nm.
Selon un mode de mise en œuvre : - lesdites étapes de dépôts de couches diélectriques comportent une étape de dépôt de couche(s) diélectrique(s) antérieure à ladite étape de gravure et au moins une autre étape de dépôt de couche(s) diélectrique(s) ultérieure à ladite étape de gravure ; - ladite étape de gravure est adaptée pour retirer la ou les couche(s) diélectrique(s) déposée lors de l’étape antérieure.
En alternative, l’étape de gravure pourrait aussi être mise en œuvre après les dépôts de toutes les couches diélectriques, de façon à réduire la largeur des régions d’espaceurs par l’extérieur. Cela étant, le mode de mise en œuvre défini ci-dessus présente l’avantage d’avoir une meilleure tolérance en matière d’alignement que son alternative, et même de ne pas être contraint du tout en matière d’alignement.
Selon un mode de mise en œuvre, l’étape de dépôt de couches diélectriques antérieure à l’étape de gravure comporte un dépôt d’une superposition de couches conformes d’oxyde de silicium, de nitrure de silicium, et d’oxyde de silicium.
Le récupérateur central est muni d’un tissu absorbant pour hydrocarbures et, en dessous, d’un tuyau d’évacuation vers l’égout.
Le tissu absorbant permet d’absorber les huiles et graisses avant l’évacuation vers l’égout.
Le tissu absorbant est, par exemple, changé régulièrement, par exemple tous les six mois.
Une telle station de lavage représente donc un génie civil de moindre envergure par rapport à une station de lavage classique.
Agent de nettoyage d’un récipient comprenant des billes de nettoyage Domaine technique de l’invention L’invention concerne un agent de nettoyage de dépôts adhérant sur une paroi interne d’un récipient, un procédé de nettoyage de ce récipient et un kit de nettoyage.
Arrière-plan technique On connaît déjà dans l'état la technique, des agents de nettoyage pour nettoyer des dépôts adhérant sur une paroi interne d’un récipient, par exemple pour nettoyer les dépôts adhérant sur une paroi interne d’une carafe et plus particulièrement d’une carafe à vin. Les carafes à vin ont généralement des formes complexes afin d’améliorer le décantage du vin ou pour des raisons esthétiques. À cause de ces formes complexes, le nettoyage des carafes est particulièrement laborieux car elles présentent des zones difficiles d’accès rendant leur nettoyage compliqué voire impossible sans matériel adapté. Une solution proposée dans l’art antérieur a été d’utiliser un agent de nettoyage comprenant des billes de nettoyage. Ces billes de nettoyages sont introduites dans la carafe et peuvent atteindre des zones de la carafe qui seraient autrement inaccessibles. En agitant la carafe contenant les billes de nettoyage, il est possible de nettoyer en partie ces zones inaccessibles de la carafe.
Toutefois, l’utilisation de ces billes de nettoyage présente des inconvénients. En effet, ces billes de nettoyage ont tendance à écraser et tasser les dépôts, renforçant ainsi leur adhérence à la paroi de la carafe. Ainsi, la carafe n’est pas correctement nettoyée et, en outre, les dépôts étant encore plus incrustés sur la paroi, le retrait de ceux-ci est encore plus difficile.
L'invention a notamment pour but fournir un agent de nettoyage permettant de faciliter le nettoyage d’une paroi interne d’un récipient.
À cet effet, l’invention a pour objet un agent de nettoyage de dépôts adhérant sur une paroi interne d’un récipient, notamment en verre, destiné à contenir un liquide, tel qu’un liquide alimentaire, l’agent de nettoyage comprenant plusieurs billes métalliques de nettoyage, chaque bille de nettoyage ayant un diamètre A, l’agent de nettoyage étant caractérisé en ce que chaque bille de nettoyage comprend un perçage traversant présentant deux ouvertures diamétralement opposées, les pourtours des ouvertures formant des bords de coupe pour enlever par formation de copeaux les dépôts adhérant sur la paroi interne du récipient lorsque l’agent de nettoyage est agité dans le récipient, les perçages étant circulaires et ayant un diamètre B, le rapport diamètre B/diamètre A étant compris entre 1/4 et 2/3.
Les bords de coupe formés par les pourtours des ouvertures du perçage permettent de racler les dépôts adhérant sur la paroi interne du récipient au lieu de les tasser ou de les écraser. Les bords de coupe créent ainsi des copeaux à partir des dépôts adhérant à la paroi, ces copeaux pouvant être facilement évacués. Le nettoyage du récipient est donc facilité.
Le fait que le perçage soit traversant permet de faciliter l’évacuation des copeaux et évite que les billes écrasent ces copeaux contre la paroi interne une fois qu’ils ont été formés. En outre, si le perçage était borgne, la cavité formée par le perçage se remplirait petit à petit des copeaux découpés dans les dépôts et finirait par se boucher. La bille ainsi bouchée serait alors équivalente à une bille de l’art antérieur, incapable de former des copeaux à partir des dépôts adhérant à la paroi interne et, au lieu de cela, écraserait et tasserait les dépôts contre la paroi interne du récipient. Le nettoyage du récipient s’en trouve donc amélioré.
Le rapport diamètre B/diamètre A compris entre 1/4 et 2/3, autrement dit compris entre 0,25 et 0,66, permet d’obtenir un bord de coupe ayant un angle de coupe suffisamment aigu pour former efficacement des copeaux à partir des dépôts. En outre, ce rapport particulier permet d’obtenir un bord de coupe qui ne soit pas trop aigu, ce qui pourrait nuire au déplacement par roulage des billes de nettoyage et donc à leur capacité à atteindre des zones difficilement accessibles du récipient. Enfin, ce rapport particulier évite que le diamètre du perçage soit trop grand par rapport au diamètre de la bille, ce qui provoquerait une réduction de poids de la bille de nettoyage trop importante qui nuirait à son efficacité de nettoyage lorsqu’elle frotte contre la paroi interne du récipient.
L’agent de nettoyage peut être utilisé sur tout type de récipient, par exemple des récipients en verre telle qu’une carafe à vin, des récipients en plastique ou des récipients en bois. Le récipient est par exemple un flacon, une carafe, une boite, un fût, une théière, une cuve ou une bouteille.
L’invention peut également comporter les caractéristiques optionnelles suivantes prises seules ou en combinaison.
Le diamètre A des billes de nettoyage est compris entre 2 et 30 mm, de préférence entre 2 et 5mm. Le diamètre A des billes de nettoyage est adapté en fonction du récipient à nettoyer. De manière générale, plus le récipient est grand plus le diamètre A choisi pour les billes de nettoyage est grand. On comprend également que le diamètre A des billes de nettoyage utilisées peut être choisi en fonction de particularités géométriques du récipient à nettoyer, tels que des passages étroits à travers lesquels les billes doivent pouvoir passer. Selon les modes de réalisation, l’agent de nettoyage peut comprendre un assortiment de billes ayant des diamètres A différents afin de permettre le nettoyage complet de la paroi interne du récipient. On comprend que puisque le rapport entre le diamètre B du perçage traversant et le diamètre A de la bille de nettoyage doit être compris entre 1/4 et 2/3, les diamètres B de perçage des billes de nettoyage d’un même agent de nettoyage peuvent être différents entre eux.
Les billes de nettoyage sont réalisées en laiton, de préférence en laiton sans plomb. Les billes de nettoyage en laiton peuvent avantageusement être utilisées sur des surfaces dites fragiles, par exemple lorsque le récipient à nettoyer est en bois ou en plastique. De telles billes de nettoyage acceptent des déformations et ne laissent donc pas de marques sur la paroi du récipient. De préférence, les billes de nettoyage sont réalisées en laiton sans plomb, par exemple en laiton CuZn42, afin de garantir l’absence de résidus de plomb après le nettoyage. Cela est particulièrement avantageux dans le cas où le récipient est un récipient de liquide alimentaire. Selon d’autres modes de réalisation, le laiton utilisé est un laiton comprenant du plomb tel que du laiton CuZn39Pb2 ou CuZn39Pb3.
Dans différents exemples, les équipements, nœuds ou stations, sont respectivement chacun compatibles avec l’une ou plusieurs normes de la famille des standards IEEE 802.11.
Une radio peut héberger plusieurs interfaces points d’accès, chaque interface point d’accès AP ayant ses propres paramètres de connexion (e.g. une interface point d’accès pour un réseau privé, un réseau public, un réseau vidéo …).
Chaque nouveau nœud ou station qui recherche un point d’accès auquel s’associer peut, avant association, choisir le point d’accès optimal dans la topologie du réseau. Chaque nouveau nœud ou station pourra également décider si les conditions de propagation (par exemple en se basant sur un indicateur de la puissance reçue (« Received Signal Strength Indicator (RSSI) » en anglais) entre les divers points d’accès possibles sont équivalentes, et privilégier une interface radio ne servant pas au sous réseau d’acheminement.
Selon l’exemple d’architecture matérielle représenté à la , au moins les nœuds 100b, 100d et 100e, comprennent, reliés par un bus de communication 200 : un processeur ou CPU (« Central Processing Unit » en anglais) 201 ; une mémoire vive RAM (« Random Access Memory » en anglais) 202 ; une mémoire morte ROM (« Read Only Memory » en anglais) 203 ; une unité de stockage telle qu’un disque dur (ou un lecteur de support de stockage, tel qu’un lecteur de cartes SD (« Secure Digital » en anglais) 204 ; au moins une interface de communication 205 permettant au nœud de communiquer avec les équipements du réseau local.
Le processeur 201 est capable d’exécuter des instructions chargées dans la RAM 202 à partir de la ROM 203, d’une mémoire externe (non représentée), d’un support de stockage (tel qu’une carte SD), ou d’un réseau de communication. Lorsque le nœud est mis sous tension, le processeur 201 est capable de lire de la RAM 202 des instructions et de les exécuter. Ces instructions forment un programme d’ordinateur causant la mise en œuvre, par le processeur 201, de tout ou partie du procédé décrit en relation avec les Figs. 3.