Procédé de polissage de la face avant d’une plaque de carbure de silicium polycristallin comprenant une région superficielle au moins partiellement écrouie sous l’effet d’un meulage, ledit procédé comprenant : - le déplacement relatif d’une meule entrainée en rotation et de la plaque de carbure de silicium polycristallin jusqu’à retirer, avec la meule en rotation en contact avec la face avant de la plaque, une couche comprenant la région superficielle au moins partiellement écrouie et présentant une épaisseur inférieure ou égale à 3 µm de la plaque de carbure de silicium polycristallin, - l’arrêt du déplacement relatif et le maintien de la meule en rotation en contact avec la face avant de la plaque de carbure de silicium polycristallin pendant une durée supérieure à 15 secondes. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la meule présente une dureté supérieure à la dureté maximale permettant le retrait d’une couche non écrouie de même épaisseur que la région superficielle au moins partiellement écrouie et faite de carbure de silicium polycristallin. Procédé selon l’une des revendications 1 à 2, dans lequel la meule comprend des grains de diamant enrobés dans un liant, la taille des grains de diamant étant supérieure à 2 µm (mesh 12000). Procédé selon l’une des revendications 1 à 3, dans lequel, lors du déplacement relatif de la meule et de la plaque de carbure de silicium polycristallin, la vitesse relative de la meule et de la face avant de la plaque de carbure de silicium polycristallin est comprise entre 0,05 µm/s et 0,5 µm/s, préférentiellement comprise entre 0,1 µm/s et 0,45 µm/s, préférentiellement encore comprise entre 0,15 µm/s et 0,45 µm/s, jusqu’au retrait de l’épaisseur inférieure ou égale à 3 µm de la plaque de carbure de silicium polycristallin. Procédé selon l’une des revendications 1 à 4, dans lequel le maintien de la meule en rotation en contact avec la face avant de la plaque de carbure de silicium polycristallin est mis en œuvre pendant une durée supérieure ou égale à 30 secondes, préférentiellement une durée supérieure ou égale à 40 secondes. Procédé selon la revendication 5, dans lequel le maintien de la meule en rotation en contact avec la face avant de la plaque de carbure de silicium polycristallin pendant une durée supérieure ou égale à 30 secondes, préférentiellement une durée supérieure ou égale à 40 secondes, est fractionné en plusieurs séquences. Procédé selon l’une des revendications 1 à 6, comprenant en outre, postérieurement à l’arrêt du déplacement relatif et au maintien de la meule en rotation en contact avec la face avant de la plaque de carbure de silicium polycristallin, une étape supplémentaire de déplacement relatif de la meule et de la face avant de la plaque de carbure de silicium polycristallin jusqu’ à retirer, avec la meule en rotation en contact avec la face avant de la plaque, une épaisseur supplémentaire de la plaque de carbure de silicium polycristallin inférieure ou égale à 1 µm . Procédé selon l’une des revendications 1 à 7, dans lequel, la vitesse de rotation de la meule pendant le polissage est comprise entre 10 m/s et 45 m/s, préférentiellement entre 10 m/s et 25 m/s. Procédé selon l’une des revendications 1 à 8, dans lequel, au cours du polissage, la face avant de la plaque de carbure de silicium polycristallin est entrainée en rotation à une vitesse comprise entre 200 tr/min et 600 tr/min. Procédé de fabrication d’une plaque de carbure de silicium polycristallin comprenant : - l’amincissement par meulage d’une plaque de carbure de silicium polycristallin épaisse sur au moins sa face avant, de sorte à obtenir une plaque de carbure de silicium polycristallin amincie, - le polissage de la face avant de la plaque de carbure de silicium polycristallin amincie, ledit polissage étant mise en œuvre par un procédé selon l’une des revendications 1 à 9. Procédé selon la revendication 10, dans lequel l’amincissement de la plaque de carbure de silicium polycristallin épaisse sur au moins sa face avant est mis en œuvre au moyen d’une meule dont la taille des grains est comprise entre 10 µm (mesh 2000) et 30 µm (mesh 600). Procédé de préparation d’une structure multicouche comprenant : - la fabrication d’une plaque de carbure de silicium polycristallin par un procédé selon l’une des revendications 10 à 11, - la fourniture d’un substrat donneur d’une couche à transférer, - le transfert de la couche à transférer du substrat donneur sur la face avant de la plaque de carbure de silicium polycristallin. Procédé selon la revendication 12, dans lequel le substrat donneur est un substrat de carbure de silicium monocristallin. Procédé selon l’une des revendications 12 ou 13, dans lequel l’étape de transfert comprend : - la formation d’une zone de fragilisation par implantation d’espèces atomiques dans le substrat donneur de sorte à délimiter la couche à transférer, - le collage de la face implantée du substrat donneur sur la face avant de la plaque de carbure de silicium polycristallin, - le détachement du substrat donneur le long de la zone de fragilisation. Procédé selon la revendication 14, dans lequel le collage est un collage direct, préférentiellement un collage par diffusion atomique.