INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
La première carte à circuit imprimé 2 comporte un premier module radio fréquence 9, 10 configuré pour faire l’interface entre le module de traitement informatique 5 et le premier réseau de télécommunication DN1. Le premier module radiofréquence comporte un premier module d’émission-réception 9, configuré pour réaliser des opérations sur les signaux émis et reçus, notamment des opérations de conversion analogique-numérique et des opérations de mise en forme des signaux, et un premier module d’antennes 10, ou module FEM (« Front End Module », en langue anglaise), qui comporte notamment un ou plusieurs connecteur d’antenne, des amplificateurs de puissance, des filtres d’émission/réception et des interrupteurs.
La deuxième carte à circuit imprimé 3 comporte un deuxième module radiofréquence 11, 12 configuré pour faire l’interface entre le module de traitement informatique 5 et le deuxième réseau de télécommunication DN2. Le deuxième module radiofréquence comporte un deuxième module d’émission-réception 11 configuré pour réaliser des opérations sur les signaux émis et reçus, notamment des opérations de conversion analogique-numérique et des opérations de remise en forme, et un deuxième module d’antennes 12, ou module FEM, qui comporte notamment un ou plusieurs connecteurs d’antennes, des amplificateurs de puissance, des filtres d’émission/réception et des interrupteurs.
Le module de traitement informatique 5, le module d’alimentation 4 et le module d’horloge 14 sont réalisés sur la première carte à circuit intégré 2 mais sont communs à l’ensemble du dispositif. Ainsi, des liaisons 13 permettent l’envoi des signaux de commande, de données, d’alimentations et d’horloge depuis la première carte à circuit intégré vers la deuxième carte à circuit intégré.
Ici, les liaisons 13 sont réalisées sous la forme de bus d’interface haute vitesse (HSI, « High Speed Interface», selon l’acronyme anglo-saxon usuel). De préférence, les liaisons 13 permettent un débit d’au moins 10 Gbps à une fréquence d’au moins 5 GHz. Le bus reliant les deux cartes à circuit imprimé 2, 3 présente une dimension maximale de 50 millimètres, par exemple ici 40 millimètres, de façon à assurer une liaison totale (c’est-à-dire une liaison comprenant le bus et les pistes conductrices des) maximale entre les modules de 150 millimètres.
Les liaisons 13 présentent en outre une impédance comprise entre 75 ohms et 110 ohms et une perte d’insertion différentielle maximale de -6 dB.
Les alcènes linéaires obtenus présentent un intérêt important dans le domaine de l'industrie pétrochimique et de la synthèse organique. L’oligomérisation maitrisée de ces alcènes peut aussi permettre de produire des carburants pour l’aviation et ainsi d’obtenir du BioJet.
La demanderesse a démontré de manière surprenante que l’utilisation d’un catalyseur comprenant une zéolithe selon l’invention et possédant des propriétés texturales particulières dans un procédé de déshydratation isomérisante d’une charge comprenant un monoalcool primaire permet d’obtenir un taux de conversion dudit alcool très supérieur à celui obtenu avec les zéolithes utilisées dans les procédés de l’art antérieur, conjointement à une faible désactivation du catalyseur zéolitique.
La demanderesse a également démontré de manière surprenante que l’utilisation d’un catalyseur comprenant une zéolithe selon l’invention, et en particulier possédant des propriétés texturales particulières (notamment un volume mésoporeux particulier), dans la réaction de déshydratation isomérisante permet de capter les impuretés azotées basiques présentes dans la charge alcoolique et de produire un effluent alcènes avec une teneur en composés azotés faible, notamment en amont d’une étape d’oligomérisation, permettant ainsi de protéger de la désactivation le catalyseur en aval de la déshydratation isomérisante en particulier le catalyseur d’oligomérisation. L’avantage de l’utilisation d’un catalyseur selon l’invention qui est très actif, est qu’il permet de réaliser simultanément la captation de molécules azotées basiques et la déshydratation isomérisante de l’alcool à la température de la réaction de déshydratation. Cela permet d’éviter une étape intermédiaire de purification de l’effluent comprenant les alcènes obtenus en amont de l’étape d’oligomérisation.
Selon la présente invention, l’expression « compris entre … et … » et « entre …. et … » sont équivalentes et signifient que les valeurs limites de l’intervalle sont incluses dans la gamme de valeurs décrite. Si tel n’est pas le cas et que les valeurs limites ne sont pas incluses dans la gamme décrite, une telle précision sera apportée par la présente invention.
Dans le sens de la présente invention, les différentes plages de paramètres pour une étape donnée telles que les plages de pression et les plages de température peuvent être utilisées seules ou en combinaison. Par exemple, dans le sens de la présente invention, une plage de valeurs préférées de pression peut être combinée avec une plage de valeurs de température plus préférée.
Charge Conformément à l’invention, la charge traitée dans le procédé selon l’invention est une charge comprenant, de préférence consistant en, au moins un monoalcool primaire, de formule R-CH 2 -OH, dans lequel R est un radical alkyl non linéaire de formule générale C n H 2n+1 où n est un entier compris entre 3 et 20 (tel que l’isobutanol), seul ou en mélange.
Dans la suite de l’exposé, le terme alkyl désigne un composé hydrocarboné de formule générale C n H 2n+1 où n est un entier compris entre 3 et 20, de préférence entre 3 et 10, de manière préférée entre 3 et 5, voire égal à 4.
Dans un mode de réalisation, la charge comprend au moins 40% en poids de monoalcool primaire par rapport au poids total de ladite charge.
Dans un mode de réalisation, la charge comprend au moins 70% en poids de monoalcool primaire par rapport au poids total de ladite charge.
Dans un mode de réalisation, dans lequel la charge comprend au moins 90% en poids de monoalcool primaire par rapport au poids total de ladite charge.
On peut citer, comme monoalcool primaire selon l’invention, l’isobutanol ; 2-methylbutan-1-ol ; 2,2-dimethylpropan-1-ol ; 2-methylpentan-1-ol ; 2,2-dimethylbutan-1-ol ; 2-ethylbutan-1-ol. Ils peuvent être seuls ou en mélange.
Ledit monoalcool primaire est préférentiellement l’isobutanol ou le 2-methyl-1-butanol, pris seul ou en mélange. Très préférentiellement, ledit monoalcool primaire est l’isobutanol. De manière préférée, la charge comprend entre 40 et 100% en poids, de préférence entre 70 et 100% en poids, préférentiellement entre 90 et 100% en poids d’isobutanol.
Ladite charge peut provenir de procédés chimiques ou biochimiques, par exemple fermentaires. En particulier, cette charge peut être issue d’au moins un procédé de fermentation de biomasse en particulier lignocellulosique.
Ladite charge peut contenir de l’eau, notamment jusqu’à 60% poids d’eau, de préférence jusqu’à 30% d’eau, préférentiellement jusqu’à 10% poids d’eau. Elle peut également comprendre des impuretés de type minéral (telles que Na, Ca, P, Al, Si, K, SO 4 ) et de type organique (telles que du méthanol, de l’éthanol, du n-butanol, des aldéhydes, des cétones, et les acides correspondant, par exemple l’acide furanique, acétique, isobutyrique).
Ladite charge peut contenir des impuretés azotées, en particulier entre 5 et 100 ppm d’azote total.
Les deux bobinages secondaires 22a et 22b sont sensiblement identiques, et ne diffèrent l’un de l’autre que par une rotation d’un angle β’, avec β’=360°/(4*N tot ).
Les deux bobinages secondaires 22a et 22b sont entourés par le bobinage primaire 21.
Le bobinage primaire 21 présente une portion 211, en forme d’arc de cercle, et une ligne 212 située à l’emplacement de l’au moins une paire de pôles manquante et qui relie les deux extrémités 213 et 214 de la portion en arc de cercle 211.
Le bobinage primaire 21 peut être constitué de plusieurs spires concentriques réparties sur une ou plusieurs couches. Là encore, pour des raisons de lisibilité, on n’a pas représenté séparément chacune de ces spires.
Ici, la ligne 212 est une ligne droite. Dans des variantes non représentées, les deux extrémités 213 et 214 sont reliées par une ligne courbe, ou tout autre tracé non rectiligne formant une ligne ouverte. En tout état de cause, la ligne 212 est configurée pour contourner un obstacle prédéterminé.
La portion en arc de cercle 211 s’étend ici selon un angle compris entre 270° et 330°, en suivant le contour extérieur des bobinages secondaires 22a et 22b.
En tout état de cause, le bobinage primaire délimite une surface d’intérêt S1 (voir , zone hachurée), inscrite à l’intérieur d’un disque dit utile D1. Ici, la surface d’intérêt S1 a la forme d’un disque tronqué, de même diamètre que le disque utile D1.
Un rapport entre l’aire de la surface d’intérêt S1 et l’aire du disque utile D1 est compris entre 70% et 99%, ici de l’ordre de 98%.
En outre, de manière avantageuse, la surface d’intérêt S1 passe par le centre du disque utile D1. On s’assure ainsi que la forme de la surface d’intérêt S1 ne s’éloigne pas trop de la forme du disque utile D1.
La illustre de manière schématique, et selon une vue en perspective, les bobinages d’une carte de circuit imprimé selon l’invention, en utilisation avec une cible correspondante 40.
La cible 40 est une cible métallique, agencée solidaire d’un élément mécanique mobile en rotation, et dont on souhaite mesurer la position angulaire.
La cible 40 comporte une pluralité de pales agencées selon une forme générale circulaire. En particulier le nombre de pales est égal à N tot tel que défini ci-avant. Ici, on a donc quatre pales. Chaque pale s’étend sur un secteur angulaire de même étendue, et la répartition angulaire des pales est régulière.
La cible 40 est agencée concentrique avec le disque utile tel que défini ci-avant.
La cible 40 est identique avec la cible destinée à coopérer avec une carte de circuit imprimé selon l’art antérieur, comportant un nombre N tot de paires de pôles.
Dans le mode de réalisation de la , les bobinages de la carte de circuit imprimé comportent : un bobinage primaire 41, formé ici par quatre spires : deux spires concentriques situées sur une première face de la carte de circuit imprimé, superposées à deux autres spires concentriques situées sur une face opposée de la carte de circuit imprimé ; et trois bobinages secondaires 42a, 42b, 42c, composés chacun de plusieurs spires qui s’étendent chacune sur la première face et sur la face opposée de la carte de circuit imprimé, chaque bobinage secondaire comportant deux paires de pôles, avec chaque paire de pôle qui s’étend sur un angle de 120°
Les figures 5A et 5B illustrent les bobinages d’une carte de circuit imprimé pour un capteur inductif de mesure de position angulaire, selon une variante du premier mode de réalisation de l’invention. La illustre le bobinage primaire 51 et un premier bobinage secondaire 52a. La illustre un second bobinage secondaire 52b.
Des phases de réinitialisation RAZ de polarisation du photo-détecteur PD par le biais du bloc de réinitialisation de polarisation peuvent être mises en œuvre chacune entre une première phase d’échantillonnage C0 effectuée par le biais de la capacité C INT1 du premier élément de mémorisation et une phase d’échantillonnage effectuée C2 par le biais de la capacité C INT2 .
Ainsi, entre une première phase d’échantillonnage C0 mise en œuvre par le biais de la capacité C INT1 pour faire l’acquisition de premiers échantillons et une autre phase d’échantillonnage C2 mise en œuvre par le biais de la capacité C INT 2, l’interrupteur 11 de repolarisation est mis dans un état passant (i.e. état « ON » ou fermé) pour coupler le photo-détecteur PD du bloc 10 de réinitialisation de polarisation.
Lors des premières phases d’échantillonnage C0 et des autres phases d’échantillonnage C2, la capacité C INT2, l’interrupteur 11 de repolarisation est typiquement mis dans un état bloqué (i.e. état « OFF » ou ouvert) pour isoler le photo-détecteur PD du bloc 10 de réinitialisation de polarisation.
La structure d’amplificateur capacitif à transimpédance CTIA diffère de l’exemple décrit précédemment notamment en ce qu’elle comprend un deuxième étage amplificateur A2. Ce deuxième étage amplificateur A2 a typiquement un agencement identique à celui du premier étage amplificateur A1.
Ainsi, la deuxième capacité d’intégration C INT2 est agencée ici dans une deuxième branche de rétroaction située entre une entrée du deuxième étage amplificateur A2, elle-même couplée au nœud de détection N D et une sortie reliée à un nœud NL2 de lecture lui-même couplé à un étage de sortie (non représenté sur cette figure) du circuit de lecture.
Un interrupteur 18 de réinitialisation, commandé par le même signal SRES que l’interrupteur 8 de réinitialisation est prévu en parallèle avec la deuxième branche de rétroaction. La réinitialisation des capacités Cint1 et Cint2 est typiquement réalisée au démarrage de chaque phase d’intégration, chacune comportant une séquence répétée de phases d’échantillonnage.
Le deuxième étage amplificateur A2 est également réalisé avec un nombre de transistors réduit, ici deux transistors M11, M22. Le deuxième étage amplificateur A2 est pourvu d’un transistor M22, ici de type NMOS, dont la grille est couplée au photo-détecteur PD.
Le transistor M22, dans l’exemple illustré de type NMOS, a une électrode de source mise au potentiel de référence et une électrode de drain reliée à la capacité d’intégration C INT2 et à un deuxième transistor M 1, dans l’exemple illustré de type PMOS, formant une source de courant.
Pour cela, le transistor M11 peut être monté en miroir de courant avec la même portion de circuit appartenant au même bloc de polarisation externe BPE.
L’interrupteur 10 de repolarisation est mis dans un état passant (i.e. « ON » ou « fermé »), par le biais du signal de commande SRAZ lors de phases de réinitialisation RAZ situées chacune entre une première phase d’échantillonnage C0 effectuée par le biais de la capacité CINT1 et une autre phase d’échantillonnage C2 effectuée par le biais de la capacité CINT2.
Deux séquences successives d’échantillonnage Seq1, Seq2 réalisées par le circuit de lecture du premier pixel P1 sont données à titre d’exemple sur la . Chaque séquence Seq1, Seq2 comporte une première phase d’échantillonnage C0 mise en œuvre par la capacité C int1 , suivie d’une phase de réinitialisation de polarisation RAZ du photodétecteur PD, puis une phase d’échantillonnage C2 est mise en œuvre par la capacité C int2 , suivie d’une autre phase de réinitialisation de polarisation RAZ du photodétecteur PD.
Ainsi, les phases de réinitialisation RAZ de polarisation du pixel P 1 sont réalisées entre une première phase d’échantillonnage C0 et une troisième phase d’échantillonnage C2, et en particulier pendant des deuxièmes phases d’échantillonnage C1 et quatrième phase d’échantillonnage C3, mises en œuvre par le biais d’un autre couple de capacités d’intégration (non représentée), typiquement situées sur un même autre pixel Pj (avec j≠1) de profondeur (non représenté) ayant une structure semblable à celle du pixel P 1 .
Les phases de réinitialisation RAZ de polarisation dudit photo-détecteur PD sont ici effectuées entre une première phase d’échantillonnage C0 et une troisième phase d’échantillonnage C2 de la séquence Séq1 ou entre une troisième phase d’échantillonnage C2 de la séquence Séq1 et une première phase d’échantillonnage C0 de la séquence Séq2 suivante.
Selon un mode de réalisation, les phases de réinitialisation de polarisation de cet autre pixel de profondeur Pj (avec j≠1) peuvent être réalisées chacune pendant une première phase d’échantillonnage C0 menée par la capacité C int1 du pixel P1 et pendant une troisième phase d’échantillonnage C2 menée par la capacité C int2 du pixel P 1 .
La donne un exemple de réalisation particulier d’étages de sortie 51, 61 du circuit de lecture du pixel P1 de profondeur décrit précédemment.
Le circuit de lecture comprend ici un premier étage 51 de sortie à trois transistors couplé au premier élément de mémorisation et en particulier à la première capacité d’intégration C INT1 par le biais d’un premier nœud lecture NL1, ainsi qu’un deuxième étage 61 de sortie à trois transistors couplé au deuxième élément de mémorisation et en particulier à la deuxième capacité d’intégration C INT2 par le biais d’un deuxième nœud lecture NL2.
la est une vue schématique d’une installation électrique selon l’invention.
En référence à la , on décrit une installation électrique 10 selon l’invention.
L’installation électrique 10 est par exemple située dans un véhicule électrique ou hybride (non représenté), par exemple une automobile, un train ou un aéronef.
L’installation 10 comprend un circuit électrique 12, et au moins un connecteur électrique 14.
Le circuit électrique 12 comprend un premier câble électrique 16 à un premier potentiel électrique et relié électriquement à un premier contact 18 du connecteur électrique 10, et un deuxième câble électrique 20 à un deuxième potentiel électrique et relié électriquement à un deuxième contact 22 du connecteur électrique.
Le circuit électrique 12 est par exemple configuré pour que la différence de potentiel entre le premier câble électrique 16 et le deuxième câble électrique 20 soit supérieure à 500 V en valeur absolue lorsque le connecteur électrique 14 est dans une configuration déconnectée, dans laquelle le premier contact 18 est à l’écart du deuxième contact 22.
Le circuit électrique 12 comprend avantageusement au moins un dispositif 24 consommateur d’énergie électrique, destiné à consommer une puissance électrique supérieure à 500 kW. Le circuit électrique 12 comprend par exemple une source d’énergie électrique 26, telle qu’une batterie ou une pile à combustible.
La source d’énergie électrique 26, le dispositif 24 et le connecteur électrique 14 sont par exemple montés en série les uns avec les autres.
Le connecteur électrique 14 est mobile selon un axe de connexion X entre une configuration connectée (représentée sur la ), dans laquelle le premier contact 18 et le deuxième contact 22 sont en contact électrique l’un avec l’autre et définissent une zone de contact 28, et la configuration déconnectée (non représentée, mais se déduisant de la configuration connectée en écartant le premier contact 18 et le deuxième contact 22 l’un de l’autre selon l’axe de connexion X).
Outre le premier contact 18 et le deuxième contact 22, le connecteur électrique 14 comprend un premier manchon 30 et un deuxième manchon 32 fixés sur et entourant respectivement le premier contact 18 et le deuxième contact 22 autour de l’axe de connexion X, le premier manchon et le deuxième manchon formant un boîtier 34 dans la configuration connectée, le boîtier définissant une cavité 36 autour de la zone de contact 28.
Le premier contact 18 et le deuxième contact 22 sont par exemple en cuivre ou en aluminium ou en alliages comportant ces métaux. Dans l’exemple, le premier contact 18 et le deuxième contact 22 sont par exemple à nu dans la cavité 36.
En variante non représentée, le premier contact 18 et/ou le deuxième contact 22 est ou sont recouvert(s) d’une couche électriquement conductrice, par exemple obtenue par métallisation, par exemple en nickel.
Le deuxième contact 22 est par exemple un contact mâle dont au moins une partie 38 est adaptée pour être reçu dans un logement 40 défini par le premier contact 18, qui forme donc un contact femelle.
Par exemple, le premier contact 18 comporte des lamelles (non représentées) s’étendant axialement, flexibles radialement et délimitant radialement le logement 40.
Si le premier contact 18 et le deuxième contact 22 sont uniques (connecteur simple), le boîtier 34 a avantageusement une forme de révolution autour de l’axe de connexion X.
Les lettres O, V, O-B et F désignent les quatre positions distinctes de l’ouvrant à savoir O pour ouverte, V pour verrouillée, O-B pour oscillo-battante et F pour fermée.
On constate que, lorsque l’ouvrant est en position O ouverte, sa capacité a une valeur comprise dans la plage [X1-X2], comme illustré à la . Lorsque l’ouvrant est en position F fermée, sa capacité a une valeur comprise dans la plage [Y1-Y2], comme illustré à la . Lorsque l’ouvrant est en position V verrouillée, sa capacité a une valeur comprise dans la plage [Z1-Z2], comme illustré à la . Lorsque l’ouvrant est en position O-B oscillo-battante, sa capacité a une valeur comprise dans la plage [W1-W2], comme illustré à la .
On constate également que la plage de valeurs [Y1-Y2] est supérieure à la plage de valeurs [X1-X2]. Cela signifie que la capacité mesurée par le capteur lorsque l’ouvrant est en position fermée est supérieure à celle qu’il mesure lorsque l’ouvrant est en position ouverte. C’est logique car la permittivité vue par l’électrode est supérieure lorsque l’ouvrant est fermé.
On constate également que la plage de valeurs [Z1-Z2] est supérieure à la plage de valeurs [Y1-Y2]. Cela signifie que la capacité mesurée par le capteur lorsque l’ouvrant est en position verrouillé est supérieure à celle qu’il mesure lorsque l’ouvrant est en position fermée. C’est logique car le verrouillage de l’ouvrant peut assurer une compression supérieure du joint (par rapport à la position fermée) et peut se traduire par une augmentation de la permittivité du milieu en face de l’électrode.
On constate enfin que la plage de valeurs [W1-W2] est supérieure à la plage de valeurs [W1-W2]. Cela signifie que la capacité mesurée par le capteur lorsque l’ouvrant est en position fermée est supérieure à celle qu’il mesure lorsque l’ouvrant est en position oscillo-battante. Cela peut être dû au fait que le pivotement de l’ouvrant autour de l’axe Y2 entraîne un positionnement particulier du joint et de l’électrode qu’il porte vis-à-vis du dormant, et peut se traduire par une augmentation de la permittivité du milieu en face de l’électrode. Ce phénomène dépend notamment de la position de l’électrode sur le joint, du profil de la zone du joint qui accueille l’électrode, et de la position de cette zone vis-à-vis du dormant lorsque l’ouvrant est en position oscillo-battante.
A partir d’une mesure de la capacité, on peut donc en déduire dans quelle position se situe l’ouvrant vis-à-vis du dormant parmi les quatre positions précitées. Il suffit donc par exemple de préenregistrer ces plages de valeurs dans une mémoire du circuit électronique, et de comparer chaque valeur mesurée par le capteur à un instant t vis-à-vis de ces plages de valeurs, pour déterminer la position de l’ouvrant à cet instant t.
La est un graphe similaire à celui de la et qui montre des valeurs incorrectes de capacité mesurées par le capteur. Ces valeurs sont trop élevées (W1) ou trop basses (W2) et sont caractéristiques d’un dysfonctionnement du circuit tel qu’une coupure ou un court-circuit du circuit par exemple.
Les figures 15 à 17 montre un mode de réalisation du capteur 703 et son montage dans l’ouvrant 705 de la menuiserie.
Le capteur 703 présente un boîtier 720 de forme générale parallélépipédique dont une extrémité comprend un rebord périphérique 721. L’ouvrant 705 comporte un trou 715 dans lequel est engagé le boîtier 720, le rebord 721 étant destiné à prendre appui sur le bord périphérique du trou 715 pour assurer le positionnement souhaité du capteur 703 vis-à-vis du dormant. Le capteur 703 peut être fixé ou maintenu dans cette position, par exemple par un système d’encliquetage. Dans l’exemple représenté, le boîtier 720 comprend sur un côté, à proximité du rebord 721, un ergot 722 destiné à coopérer par encliquetage avec le bord périphérique du trou 715.
De la même façon, le boîtier 720 peut comprendre un aménagement 723 tel qu’un renfoncement facilitant la préhension du capteur 703 lors de sa pose sur l’ouvrant ou de sa dépose de l’ouvrant. La préhension, la manipulation et la pose du boîtier 720 sont avantageusement réalisées manuellement, c’est-à-dire sans outil.