INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Les figures 1, 2 et 3 représentent différentes vues d’un manchon 1 pour tête d’étrognage, selon la présente invention. Le manchon 1 est destiné à équiper une tête d’étrognage de choux à inflorescence, afin d’en récupérer des morceaux, et plus particulièrement les fleurettes. Les choux à inflorescence pouvant ainsi être traités par un tel manchon, peuvent comprendre notamment les choux-fleurs, les choux romanesco ou encore les brocolis, sans toutefois être limités à de tels exemples de choux à inflorescence. A cet effet, le manchon 2, qui vient traiter le chou à inflorescence depuis la face inférieure du chou à inflorescence, c’est-à-dire depuis le côté du chou à inflorescence présentant le pied, est configuré pour, d’une part, carotter le trognon pour en permettre l’élimination, et d’autre part séparer les fleurettes entre elles.
Le manchon 1 comporte un tube 2 plongeur de carottage, et des saillies radiales 4 montées sur le tube 2.
Le tube 2 de carottage est destiné d’une part à effectuer une découpe du trognon du chou à inflorescence afin de le séparer des fleurettes, et d’autre part à venir entourer un moyen de forage de la tête d’étrognage qui vient forer ledit trognon lors de l’insertion du tube 2 de carottage dans le chou à inflorescence.
Ainsi, il existe un besoin pour la fourniture de plaques de diamant monocristallin qui présentent une surface de croissance accrue et une qualité améliorée.
L’invention a pour but de remédier aux inconvénients de l’art antérieur. En particulier, l’invention a pour but de proposer un procédé de production d’une plaque de diamant monocristallin de grande taille, ledit procédé permettant d’assurer la formation de jonctions de haute qualité, c’est-à-dire avec peu voire pas de défauts cristallins, entre les germes de diamant monocristallin.
L’invention vise en particulier un procédé de production d’une plaque de diamant monocristallin à partir d’une pluralité de germes de diamant monocristallin qui comportent une surface de croissance, ladite une surface de croissance comprenant une structure en terrasses, ladite structure en terrasses présentant plusieurs faces d’orientation cristallographique, lesdites faces d’orientation cristallographique comportant des familles de plans {100} ou des familles de plans {100} et {113}, le procédé comprenant les étapes suivantes : fourniture de germes de diamant monocristallin, chacun des germes étant associé à des caractéristiques structurelles, lesdites caractéristiques structurelles comprenant au moins : une première valeur décrivant un angle donnant une direction de propagation d’un front d’onde, un angle de désorientation de la structure en terrasses supérieur ou égal à 0° et inférieur ou égal à 10°, positionnement des germes de diamant monocristallin de manière à former une mosaïque, de sorte que deux germes de diamant monocristallin adjacents présentent des premières valeurs décrivant les angles donnant les directions de propagation des fronts d’onde dont la différence est inférieure ou égale à 5°, de préférence inférieure ou égale à 1°; et croissance épitaxiale latérale de la structure en terrasses, par dépôt chimique en phase vapeur assisté, de préférence par plasma ou par filament chaud, d’une couche monocristalline.
Cela permet ainsi d’utiliser un grand nombre de germes de diamant monocristallin et donc, par rapport aux procédés de l’art antérieur, d’augmenter la surface de croissance disponible de la plaque de diamant monocristallin à partir de laquelle pourra être générée des plaquettes de diamant monocristallin. En particulier, la croissance épitaxiale latérale de la structure en terrasses est réalisée selon l’orientation cristallographique comportant des familles de plans {100} et {113}, de façon préférée c’est l’orientation cristallographique formant les hauteurs des marches de la structure en terrasses. Cette croissance épitaxiale latérale permet la formation de jonctions entre les germes.
Un tel procédé permet également une croissance plus rapide que celle permise par les procédés de l’art antérieur, tout en conservant une qualité cristalline optimale. Le procédé selon l’invention permet également de modifier les caractéristiques physiques du diamant monocristallin ou de la surface du diamant monocristallin par l’utilisation de gaz dopant suivie d’une irradiation par exemple à un flux d’électrons et notamment l’incorporation de centres NV et NV - ou XV et XV - , X étant un élément tel que de l’azote N ou du Silicium Si par exemple.
L’invention a en outre pour but de proposer une plaque de diamant monocristallin de grande taille. Une telle plaque de diamant monocristallin présente une surface de croissance plus importante que celle permise par les procédés de l’art antérieur, et une qualité cristalline optimale avec peu voire pas de défauts cristallins.
Comme cela sera montré, le procédé selon l’invention peut être efficace même lorsque, lors de l’étape de positionnement des germes, deux germes de diamant monocristallin adjacents présentent des premières valeurs décrivant les angles donnant les directions de propagation des fronts d’onde dont la différence est supérieure à 0°.
Selon un deuxième objet, l’invention porte sur une plaque de diamant monocristallin comprenant une pluralité de germes de diamant monocristallin qui comportent une surface de croissance, ladite surface de croissance comprenant une structure en terrasses, ladite structure en terrasses présentant plusieurs faces d’orientation cristallographique, lesdites faces d’orientation cristallographique comportant des familles de plans {100} ou des familles de plans {100} et {113}, un angle de désorientation de la structure en terrasses supérieur ou égal à 0° et inférieur ou égal à 10°, et des jonctions monocristallines qui relient les germes de diamant monocristallin entre eux, les jonctions monocristallines ayant été obtenues par : une étape de positionnement des germes de diamant monocristallin de manière à former une mosaïque, de sorte que deux germes de diamant monocristallin adjacents présentent des premières valeurs décrivant les angles donnant les directions de propagation des fronts d’onde dont la différence est inférieure ou égale à 5°, de préférence sensiblement égale à 0° ; et une étape de croissance épitaxiale latérale de la structure en terrasses selon l’orientation cristallographique, par dépôt chimique en phase vapeur assisté, de préférence par plasma ou par filament chaud, d’une couche monocristalline.
De la même façon, la plaque de diamant selon l’invention présente des propriétés attendues même lorsque deux germes de diamant monocristallin adjacents présentent des premières valeurs décrivant les angles donnant les directions de propagation des fronts d’onde dont la différence est supérieure à 0°.
Selon d’autres caractéristiques optionnelles de la plaque de diamant monocristallin, cette dernière peut inclure facultativement une ou plusieurs des caractéristiques suivantes, seules ou en combinaison : dans laquelle au moins 15 %, de préférence au moins 50% et de manière encore plus préférée au moins 85%, des jonctions formées entre les germes de diamant monocristallin présentent une valeur de largeur de pic de Raman à mi-hauteur supérieure ou égale à 2,5 cm -1 et inférieure à 2,9 cm -1 .
Selon un troisième objet, l’invention porte sur une plaquette de diamant monocristallin formée par le retrait de la couche épitaxiale de diamant monocristallin obtenue par le procédé selon l’invention.
Selon un autre aspect, l’invention porte également sur un diamant monocristallin présentant une surface comportant au moins une première face cristallographique et une deuxième face cristallographique, lesdites faces cristallographiques étant chacune associée à une concentration en centres « XV- » et la concentration en centres « XV- » de la première face cristallographique étant supérieure à la concentration en centres « XV- » de la deuxième face cristallographique. En particulier, dans le diamant monocristallin selon l’invention, la première face cristallographique du diamant monocristallin appartient à la famille de plans {113}. Comme cela sera décrit, un tel diamant monocristallin est susceptible d’être obtenu par un procédé selon l’invention.
Selon un quatrième objet, l’invention porte sur une utilisation d’une plaque de diamant monocristallin selon l’invention, d’un diamant monocristallin selon l’invention, ou d’une plaquette de diamant monocristallin selon l’invention pour la fabrication d’une fenêtre optique, d’un substrat pour semi-conducteur ou pour la gestion thermique, d’un substrat pour des technologies quantiques, ou d’un diamant pour la joaillerie, de préférence supérieur à 5 carats, de préférence supérieur à 15 carats.
Comme l'ouverture du dispositif de conditionnement ne requiert que l'usage d'une seule main, le dentiste peut facilement saisir la prothèse dentaire P avec l'autre main sans risque de la faire tomber. Le cas échéant, il peut exercer un effort de torsion sur la prothèse dentaire P de manière à la détacher de la partie sécable S qui reste alors en place dans le support 3.
En configuration ouverte, Les deux bras 7, 8 demeurent maintenus par le moyen de retenue. Les deux parties 5 et 6 de l'enveloppe peuvent s'étendre selon deux axes formant un angle d'environ 180° comme cela apparait sur la . En variante, la configuration ouverte du dispositif de conditionnement pourrait ne pas correspondre exactement à la configuration illustrée sur la . Au contraire, en configuration ouverte le dispositif de conditionnement peut se trouver dans une configuration intermédiaire entre la configuration fermée (illustrée sur les figures 2, 4 et 6) et la configuration de la . Par exemple, la configuration ouverte pourrait également correspondre à la configuration de la . En configuration ouverte, les deux parties 5 et 6 de l'enveloppe peuvent s'étendre selon deux axes formant, de préférence, un angle supérieur ou égal à 60°, notamment supérieur ou égal à 90°. Dans tous les cas, en configuration ouverte, les deux parties 5 et 6 de l'enveloppe sont suffisamment écartées l'une de l'autre pour permettre un accès aisé à la prothèse dentaire.
Selon une variante de réalisation non représentée, le dispositif de conditionnement pourrait comprendre un seul des deux bras 7, 8 tels que décrit précédemment. Une seule des deux parties 5, 6 de l'enveloppe 4 pourrait alors être fixe relativement à l'embase 2. Le déplacement de la partie 5, 6 reliée à l'unique bras suffirait pour donner un accès à la prothèse dentaire. Dans une telle variante de réalisation les deux parties 5 et 6 de l'enveloppe pourraient avantageusement être dissymétriques. Une telle variante du dispositif de conditionnement pourrait donc être encore plus simple à fabriquer. Toutefois, un dispositif de conditionnement dont les deux parties de l'enveloppe sont mobiles relativement à l'embase, et comprenant deux bras chacun relié à une partie de l'enveloppe, présente l'avantage d'offrir un écartement plus important des deux parties de l'enveloppe lorsqu'elle est en configuration ouverte, ce qui facilite l'accès à la prothèse dentaire.
Selon une autre variante de réalisation représentée sur les figures 11 et 12, chaque bras 7, 8 pourrait comprendre une surface d'appui 30 s'étendant sensiblement radialement vers l'extérieur, c’est-à-dire perpendiculairement à l'axe Z. Pour ouvrir le dispositif de conditionnement, l'utilisateur pourrait positionner son pouce sur une face inférieure de l'embase 2 et son index et son majeur respectivement sur les deux surfaces d'appui. Les surfaces d'appui pourraient éventuellement avoir une forme recourbée adaptée pour recevoir l'index et le majeur. Cette prise en main s'apparente à la prise en main d'une seringue. Pour ouvrir le dispositif de conditionnement, l'utilisateur pourrait exercer un effort de traction vers le bas sur chaque surface d'appui (de la même manière qu'on presse une seringue). Cet effort de traction induirait le pivotement des deux parties de l'enveloppe par réaction des deuxièmes extrémités sur les moyens de pivot, comme décrit précédemment.
Les différentes variantes de réalisation décrites peuvent être combinées entre elles. Notamment, la variante de réalisation des figures 11 et 12 peut être réalisée avec un seul bras parmi les deux bras 7 et 8. La variante de réalisation des figures 11 et 12 ainsi que la variante de réalisation avec un seul bras parmi les deux bras 7 et 8 peuvent comprendre un clip de fixation 27 agencé entre les deux parties de l'enveloppe.
ORTHESE POUR POIGNET La présente invention concerne une orthèse pour poignet, plus spécifiquement une orthèse prévue pour limiter, voire empêcher, le mouvement d’adduction (inclinaison ulnaire) du poignet, sans empêcher les mouvements de flexion ou d’extension palmaires.
ÉTAT DE LA TECHNIQUE ANTÉRIEURE Les orthèses de poignet sont couramment utilisées pour immobiliser ou soulager le poignet suite à une opération, une tendinite ou une entorse.
Les orthèses aujourd’hui proposées sont typiquement composées d’une enveloppe ou d’un manchon destiné à envelopper le poignet et refermé sur celui-ci grâce à des moyens tels que des bandes de velours à crochets coopérant avec des bandes de velours à boucle. L’enveloppe ou le manchon sont eux-mêmes généralement composés de différentes portions alternant des tissus souples plus ou moins élastiques et des tissus rigides en fonction des zones de la main et du poignet qu’elles recouvrent. L’immobilisation des mouvements du poignet est assurée par une ou plusieurs attelles logées dans des poches.
On relève plusieurs inconvénients à ce type d’orthèse.
En effet, la présence d’attelles est perçue comme encombrante et ajoute du poids à l’orthèse. De plus, l’immobilisation du poignet est généralement réalisée par des attelles glissées dans des poches de l’orthèse et disposées sous la main, contre la paume, ou sur la partie dorsale de la main ce qui n’est pas efficace pour limiter le mouvement d’adduction. On relève de plus pour un bon nombre d’orthèses que l’enveloppe ou le manchon enserre le pouce de manière trop prononcée ce qui provoque des frottements et limite son mouvement. Par ailleurs, concernant un bon nombre d’orthèses également, on observe que l’enveloppe ou le manchon s’étend au-dessus du pli palmaire transverse distal ce qui empêche ou gêne la flexion ou l’extension palmaire et donc la liberté de mouvement de la main et des doigts. Ceci est particulièrement gênant pour les porteurs d’orthèse pratiquant un travail manuel. Enfin, la conception même de l’enveloppe ou du manchon incluant l’utilisation de portions de tissus de différentes matières rend complexe leur fabrication.
Un objet de la présente invention est de proposer une orthèse qui ne présente pas les inconvénients sus mentionnés, en particulier une orthèse qui :
Soit simple de conception, Limite ou empêche de manière efficace le mouvement d’adduction (inclinaison ulnaire) du poignet, sans empêcher les mouvements de flexion ou d’extension palmaires, Ne soit pas perçue comme encombrante ou lourde, Soit particulièrement adaptée au travail manuel.
A cet effet l’invention concerne une orthèse pour poignet comprenant une feuille en cuir configurée pour s’enrouler autour du poignet d’un utilisateur et qui comporte :
un bord proximal,
un bord distal, opposé au bord proximal, de forme convexe sur au moins une partie de sa longueur,
un premier bord latéral et un second bord latéral qui relient le bord proximal et le bord distal ,
Les saillies radiales du manchon selon la présente invention sont donc configurées pour être non-tranchantes. Au contraire, les saillies radiales sont configurées pour faire éclater le chou par insertion d’éléments volumineux dans le chou, afin de casser les liaisons entre fleurettes du chou, qui sont plus faibles que les liaisons au sein des fleurettes.
Le manchon selon la présente invention permet donc d’obtenir des fleurettes séparées ayant des formes naturelles, correspondant sensiblement à leur forme au sein du chou, et non des fleurettes avec un ou plusieurs côtés plats et lisses correspondant à des découpes.
Préférentiellement, ladite épaisseur supérieure ou égale à 3mm, de préférence à 4mm, de préférence à 6mm et plus préférentiellement à 8mm, est située, selon ladite coupe transversale à la direction radiale de ladite saillie, à une distance inférieure ou égale à 20mm dudit bord d’attaque, de préférence inférieure ou égale à 14mm, de préférence inférieure ou égale à 7mm et plus préférentiellement inférieure ou égale à 2mm.
Le manchon est notamment configuré pour présenter, au niveau des saillies radiales, une épaisseur à proximité du bord d’attaque de la saillie radiale qui est supérieure à 3mm. Dit autrement, les saillies radiales entrent directement dans le chou à inflorescence par leur partie épaisse, pour venir le contraindre mécaniquement et le faire éclater. La distance entre le bord d’attaque et la partie épaisse de la saillie radiale est donc courte, permettant notamment à la partie épaisse de la saille radiale, au cours de l’éclatement du chou, de se déplacer jusqu’à une certaine profondeur dans le chou, pour venir le séparer en fleurettes jusqu’à la tête.
Selon un mode de réalisation, ladite au moins une saillie radiale présente, selon une coupe transversale à la direction radiale de ladite saillie, un renflement au niveau du bord d’attaque, l’épaisseur supérieure ou égale à 3mm, de préférence à 4mm, de préférence à 6mm et plus préférentiellement à 8mm de ladite saillie étant obtenue au niveau dudit renflement.
Le renflement, ou partie épaisse, de la saillie radiale est prévue au niveau du bord d’attaque de la saillie radiale. La saillie radiale vient donc en contact avec le chou à éclater directement par sa partie épaisse.
Selon un autre mode de réalisation, ladite au moins une saillie radiale est dépourvue de renflement.
Dans un tel mode de réalisation, la saillie radiale peut alors présenter une épaisseur sensiblement constante sur toute sa longueur, ladite épaisseur de la saillie radiale étant alors supérieure ou égale à 3mm, de préférence à 4mm, de préférence à 6mm et plus préférentiellement à 8mm.
Préférentiellement, ladite saillie présente un bord d’attaque convexe, par exemple arrondie, ou bien un bord d’attaque en forme d’arête présentant un angle supérieur à 40°, de préférence supérieur à 60° et plus préférentiellement supérieur à 80°.
Même si la saillie radiale entre en contact avec le chou par sa partie épaisse, le bord d’attaque de la saillie radiale n’est pas une surface plane, ce qui pourrait créer des contraintes trop localisées dans le chou, et donc l’abimer, mais comporte au contraire un bord d’attaque de forme arrondie ou en pointe, afin de faciliter la mise en contact de la partie épaisse de la saillie radiale avec le chou. En particulier, dans le cas d’un bord d’attaque en forme d’arête, l’angle de l’arête est choisi de manière à créer un contrainte, et non à couper le chou, notamment grâce à un angle supérieur ou égal à 40°.
Préférentiellement, ledit bord d’attaque de ladite saillie radiale est formé par une arête d’un cylindre à base carrée, par exemple un cylindre à base carrée de 3mm, de préférence de 4mm de côté, de 6mm de côté ou de 8mm de côté.
Un exemple de renflement, ou partie épaisse, d’une saillie radiale peut être obtenu à partir d’un cylindre à base carrée positionné en tête de saillie, c’est-à-dire sur le bord d’attaque, avec l’axe du cylindre s’étendant selon la direction radiale de la saillie, et orienté de manière à présenter, au niveau du bord d’attaque, une arête du cylindre, et non une face. Un tel mode de réalisation permet donc d’avoir la partie épaisse de la saillie radiale au niveau du bord d’attaque, et d’avoir un bord d’attaque sous la forme d’une arête présentant un angle de 90°. Une telle géométrie permet une insertion douce dans le chou tout en créant rapidement des contraintes entre fleurettes à cause de l’encombrement dû à l’épaisseur du cylindre à base carrée.
Préférentiellement, ladite saillie présente une forme générale d’aile s’étendant sensiblement dans un plan comportant la direction axiale du tube et la direction radiale de ladite saillie radiale.
La saillie radiale peut également s’étendre le long de la direction axiale du tube de carottage, c’est-à-dire s’étendre aussi à l’arrière la partie épaisse. Ainsi, dans un plan transversal à la direction radiale de la saillie, la saillie présente une forme longitudinale, le long de la direction axiale du tube de carottage.
Préférentiellement, ladite saillie radiale présente un profil avec un bord de fuite et comprend une plaque s’étendant entre le bord d’attaque, et le bord de fuite.
Selon un mode de réalisation, ladite saillie radiale présente un profil avec un bord de fuite et comprend une plaque s’étendant entre le renflement présent au niveau du bord d’attaque, et le bord de fuite.
De la même manière, de la salissure et de l’humidité peuvent pénétrer à l’intérieur de la chambre 28 du carter 8, notamment entre les protubérances axiales 20, et ainsi encrasser toute la chambre 28 et la partie arrière du manchon 7.
Cette salissure et l’humidité entraînent le besoin de réaliser des opérations de maintenance périodique pour nettoyer toute cette zone. Or cela n’est pas acceptable pour les propriétaires des voitures.
Le manchon 7 selon l’invention résout les problèmes susmentionnés.
Le manchon 7 selon l’invention est illustré à la selon un premier mode de réalisation, et aux figures 6 et 7 selon un second mode de réalisation.
Le manchon 7 selon l’invention tel que représenté sur les figures 5, 6 et 7 reprend tous les éléments décrits précédemment pour le manchon 7 de l’art antérieur des figures 2 à 4, à l’exception des protubérances axiales 20 et de l’extrémité arrière 18 de la jupe 12.
En effet, l’extrémité arrière 18 de la jupe 12 n’est plus fermée mais est ouverte. Ainsi, le logement 16 présente une ouverture avant 17 débouchant sur la face avant 23 du manchon 7, ainsi qu’une ouverture arrière 22 débouchant dans l’espace interne 14 du manchon 7.
Dans le manchon 7 selon l’invention, des améliorations ont été apportées pour résoudre les problèmes mentionnés.
Le problème principal est l’étanchéité du logement 16 dans lequel se trouve la rotule 11. Pour y faire face, la jupe 12 interne présente des moyens d’étanchéité du logement 16 au niveau de l’ouverture avant 17. Ces moyens d’étanchéité consistent en une lèvre 25 d’étanchéité annulaire bordant cette ouverture avant 17 et venant au contact de l’arbre 10 lors de son introduction dans le logement 16. Une étanchéité est ainsi réalisée entre la lèvre 25 et l’arbre 10 mis en place dans la rotule 11, empêchant dès lors toute salissure et toute humidité de pénétrer à l’intérieur du logement 16 via l’ouverture avant 17.
De façon avantageuse, pour éviter d’avoir une lèvre 25 trop large et trop flexible, il est prévu un resserrement 26 de l’extrémité avant 29 de la jupe 12 de façon à réduire le diamètre de l’ouverture avant 17 du logement 16. L’ouverture avant 17 présente ainsi un diamètre légèrement supérieur au diamètre de l’arbre 10, afin qu’il soit dimensionné au plus proche de l’arbre 10. La lèvre 25 annulaire est disposée à l’intérieur du resserrement 26, ce qui permet d’avoir une lèvre 25 moins large, moins flexible et plus efficace pour assurer l’étanchéité.
La lèvre 25 est en contact étanche avec l’arbre 10.
Cependant, ce resserrement 26 ne permet plus d’introduire la rotule 11 par la face avant 23 du manchon 7 vu le diamètre réduit de l’ouverture avant 17.
C’est pourquoi l’extrémité arrière 18 de la jupe 12 présente une ouverture arrière 22 dimensionnée de façon à pouvoir accueillir la rotule 11 par déformation élastique. La rotule 11 est ainsi introduite à l’intérieur du logement 16 selon l’axe X mais dans le sens inverse par rapport à l’art antérieur. La rotule 11 rentre dans le manchon 7 par sa face arrière 24 pénètre à l’intérieur de l’espace interne 14, puis passe par l’ouverture arrière 22 de la jupe 12 pour arriver dans le logement 16.
Cette ouverture arrière 22 correspond ainsi à des moyens d’insertion de la rotule 11 par la face arrière 24 du manchon 7.
L’ouverture arrière 22 et l’ouverture avant 17 sont coaxiales selon l’axe X.