INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
De préférence, un tel agencement des surfaces de contact entre la couche métallique et l’au moins une paire de couches, associé à la forte conductivité thermique et électrique de la couche métallique, permet de diminuer les résistances de contact entre la couche métallique et l’au moins une paire de couches et, en outre, pour la seconde configuration un tel agencement de la surface de contact entre les portions centrales des deux couches de l’au moins une paire de couches permet de diminuer les résistances de contact au niveau de la surface de contact entre les portions centrales des deux couches de l’au moins une paire de couches. De préférence, un tel agencement des surfaces de contact entre la couche métallique et l’au moins une paire de couches associé à la forte conductivité thermique et électrique de la couche métallique, et, en outre, pour la seconde configuration un tel agencement de la surface de contact entre les portions centrales des deux couches de l’au moins une paire de couches, permet d’homogénéiser la température au niveau de l’extrémité proximale et de l’extrémité distale des couches de l’au moins une paire de couches. De préférence, un tel agencement des surfaces de contact entre la couche métallique et l’au moins une paire de couches, associé à la forte conductivité thermique et électrique de la couche métallique permet d’obtenir un compromis optimal entre une diminution des résistances de contact entre la couche métallique et l’au moins une paire de couches, et une bonne homogénéisation de la température entre la couche métallique et l’au moins une paire de couches et, en outre, pour la seconde configuration un tel agencement de la surface de contact entre les portions centrales des deux couches de l’au moins une paire de couches, permet d’obtenir un compromis optimal entre les portions centrales des deux couches de l’au moins une paire de couches, et une bonne homogénéisation de la température entre les portions centrales des deux couches de l’au moins une paire de couches. Bien que constituant une amélioration de l’invention, l’agencement des surfaces de contact entre la couche métallique et l’au moins une paire de couches, et, en outre, pour la seconde configuration l’agencement de la surface de contact entre les portions centrales des deux couches de l’au moins une paire de couches, tels que décrits ci-dessus, associé à la forte conductivité thermique et électrique de la couche métallique peut contribuer à l’obtention d’un ZT effectif proche de 1 ou égal à 1.
Le microcapteur peut comprendre, au niveau de la surface de contact entre la portion centrale de la couche métallique et l’au moins une paire de couches, et, pour la seconde configuration, entre les portions centrales des deux couches de l’au moins une paire de couches, une couche mince intermédiaire visant à diminuer la résistance de contact entre la couche métallique et l’au moins une paire de couches, et, pour la seconde configuration, entre les portions centrales des deux couches de l’au moins une paire de couches. De préférence, la couche métallique et/ou l’au moins une paire de couches en matériau semiconducteur peut comprendre des éléments chimiques constitutifs de la couche mince intermédiaire ayant diffusés dans la couche métallique et/ou dans l’au moins une paire de couches en matériau semiconducteur.
De préférence, les matériaux constituant les couches de l’au moins une paire de couches sont : - des matériaux semiconducteurs comprenant du Tellurure et/ou du Bismuth et/ou du Germanium et/ou de l’antimoine, et/ou - des alliages de Heusler.
De préférence, le matériau semiconducteur constituant l’au moins une paire de couches comprend, ou est constitué à au moins 90 %, en pourcentage atomique, du Tellurure de Bismuth ou du Tellurure de Germanium ou du Tellure de Plomb ou du Tellure d’Antimoine ou un alliage d’Antimoine-Plomb ou un alliage de Silicium-Germanium.
De préférence, pour une température de mesure avoisinant les 300 K, le matériau semiconducteur est en Tellure de Bismuth.
De préférence, pour une température de mesure avoisinant les 700 K, le matériau semiconducteur est un alliage comprenant du Tellure, de l’Antimoine, du Germanium et de l’Argent ou un alliage comprenant du Plomb et du Tellure.
De préférence, pour une température de mesure avoisinant les 900 K, le matériau semiconducteur est un alliage comprenant du Zinc et de l’Anitmoine ou ses dérivés ou de la skuttérudite.
De préférence, pour une température de mesure avoisinant les 1200 K, le matériau semiconducteur est un alliage comprenant du Silicum et du Germanium.
De préférence, l’au moins une paire de couches repose intégralement sur la couche en matériau diélectrique.
De préférence, la totalité d’une surface ou d’une face de l’au moins une paire de couches qui est en regard de la couche en matériau diélectrique est en contact avec le matériau diélectrique.
De préférence, la caractéristique du microcapteur selon laquelle la totalité des couches de l’au moins une paire de couches est en contact avec la couche en matériau diélectrique permet de diminuer les pertes ou échanges électriques et/ou les pertes ou échanges thermiques des couches de l’au moins une paire de couches avec l’environnement du microcapteur. Un tel agencement des couches de l’au moins une paire de couches, bien que constituant une amélioration de l’invention, peut contribuer à l’obtention d’un ZT effectif proche ou égal à 1.
De préférence, le microcapteur comprend une couche de matériau absorbant recouvrant, de préférence recouvrant uniquement : - dans la première configuration, la portion centrale de la couche de métal, ou - dans la seconde configuration, la portion centrale de la couche de l’au moins une paire de couches recouvrant la portion centrale de l’autre couche de l’au moins une paire de couches, ladite couche de matériau absorbant est apte à absorber la chaleur sur une large gamme de longueur d’onde.
De préférence, la couche en matériau absorbant recouvre une surface supérieure de la portion centrale de la couche de métal ou une surface supérieure de la couche de l’au moins une paire de couches recouvrant la portion centrale de l’autre couche de l’au moins une paire de couches.
Il peut être entendu par large gamme de longueur d’onde des longueurs d’ondes comprises entre la centaine de nanomètres et quelques centaines de microns.
Le matériau absorbant peut être un matériau diélectrique. Le matériau absorbant peut être du noir de carbone, de l’or noir ou du noir de platine.
De préférence, le microcapteur est agencé et/ou comprend des moyens de fixation destinés ou aptes à coopérer avec une chambre à vide pour que l’au moins une paire de couches en matériau semiconducteur et la couche de métal et/ou la couche de matériau absorbant et/ou la couche en matériau diélectrique et/ou le support matériau en conducteur thermique soient maintenus sous vide primaire ou secondaire. De préférence, l’utilisation du microcapteur sous conditions ambiantes de pressions offre des sensibilités et des seuils de détection inférieurs à ceux de l’état de la technique. L’utilisation du microcapteur sous vide n’est pas nécessaire mais permet d’améliorer encore davantage la sensibilité et le seuil de détection du microcapteur.
De préférence, une épaisseur, s’étendant selon l’axe d’empilement des couches du microcapteur, des couches de l’au moins une paire de couches et/ou une épaisseur, s’étendant selon l’axe d’empilement des couches du microcapteur, de la portion centrale et/ou des portions annulaires de la couche de métal est comprise entre 0,01 et 10 µm et/ou une épaisseur, s’étendant selon l’axe d’empilement des couches du microcapteur, de la couche de matériau absorbant est comprise entre 0,1 et 10 µm.
De préférence, les épaisseurs des couches de l’empilement de couches du microcapteur telles que décrites ci-dessus permettent de diminuer, de préférence de rendre négligeable, le gradient de température, dans chacune des couches de l’empilement de couches du microcapteur, selon l’axe d’empilement des couches du microcapteur. De préférence, les épaisseurs des couches de l’empilement de couches du microcapteur telles que décrites ci-dessus permettent de maximiser le gradient de température, dans chacune des couches de l’au moins une paire de couches, entre la portion centrale de la couche de métal et les portions annulaires de la couche de métal, pour la première configuration, ou entre les portions centrales des deux couches de l’au moins une paire de couches et les portions annulaires de la couche de métal, pour la seconde configuration. Les épaisseurs des couches de l’empilement de couches du microcapteur telles que décrites ci-dessus, bien que constituant une amélioration de l’invention, peuvent contribuer à l’obtention d’un ZT effectif proche ou égal à 1.
De préférence, le support en matériau conducteur thermique est annulaire et s’étend le long d’un pourtour de la face inférieure du microcapteur.
De préférence, l’effet du support en matériau conducteur thermique annulaire s’étendant le long du pourtour de la face inférieure du microcapteur permet de générer un gradient de température s’étendant radialement ou depuis le centre du microcapteur, où la puissance du rayonnement thermique est absorbée, vers la périphérie ou le pourtour du microcapteur.
De préférence, une épaisseur, s’étendant selon l’axe d’empilement des couches du microcapteur, de la partie de la couche en matériau diélectrique qui est en vis-à-vis du support en matériau conducteur thermique annulaire est supérieure à l’épaisseur du reste de la couche en matériau diélectrique. Autrement dit, de préférence, une épaisseur de la couche en matériau diélectrique varie dans le plan perpendiculaire à l’axe d’empilement des couches du microcapteur. De préférence, la couche en matériau diélectrique comprend une partie, dite centrale, et une partie annulaire qui s’étend le long d’un pourtour de la couche en matériau diélectrique. De préférence, le reste de la couche en matériau diélectrique correspond à la partie centrale de la couche en matériau diélectrique. De préférence, la partie annulaire de la couche en matériau diélectrique correspond à la partie de la couche en matériau diélectrique qui est en vis-à-vis du support en matériau conducteur thermique annulaire. De préférence, la partie centrale de la couche en matériau diélectrique s’étend depuis un centre de la couche en matériau diélectrique jusqu’à la partie annulaire de la couche en matériau diélectrique. De préférence, le centre de la couche en matériau diélectrique coïncide ou est confondu avec l’axe de révolution du microcapteur.
De préférence, l’épaisseur de la partie annulaire de la couche en matériau diélectrique présente une épaisseur supérieure à l’épaisseur de la partie centrale de la couche en matériau diélectrique.
De préférence, l’épaisseur du reste de la couche en matériau diélectrique est inférieure à 20 µm, de préférence encore à 18 µm, de manière préférée à 16 µm, de manière encore préférée à 14 µm, de manière davantage préférée à 12 µm, de manière encore davantage préférée à 10 µm. De préférence, l’épaisseur du reste de la couche en matériau diélectrique est inférieure à 9 µm, de préférence encore à 8 µm, de manière préférée à 7 µm, de manière encore préférée à 6 µm, de manière davantage préférée à 5 µm, de manière encore davantage préférée à 4 µm, de manière particulièrement préférée à 3 µm, de manière particulièrement avantageuse à 2 µm et de manière préférée entre toutes à 1 µm.
De préférence, le matériau diélectrique peut comprendre uniquement une partie annulaire. Autrement dit, le matériau diélectrique peut ne pas comprendre de partie centrale.
De préférence, l’épaisseur de la partie de la couche en matériau diélectrique qui est en vis-à-vis du support en matériau conducteur thermique annulaire est comprise entre 1 et 100 µm, de préférence encore entre 12,5 et 50 µm.
De préférence, une longueur de la couche en matériau diélectrique et/ou une longueur du support en matériau conducteur thermique est supérieure à une longueur des autres couches de l’empilement de couches du microcapteur ; pour chacune des couches de l’empilement de couches du microcapteur, la longueur d’une couche considérée de l’empilement de couches du microcapteur est comprise dans un plan perpendiculaire à l’axe d’empilement des couches du microcapteur et s’étend entre une portion centrale et un bord, de préférence un bord externe, de la couche considérée.
De préférence, la longueur d’une couche considérée de l’empilement de couches du microcapteur s’étend entre une extrémité, dite proximale, située du côté du centre du microcapteur et une extrémité, dite distale, située du côté du bord externe, de la couche considérée.
De préférence, la couche en matériau diélectrique et/ou le support en matériau conducteur thermique s’étendent, radialement ou selon la direction reliant le centre du microcapteur aux bords du microcapteur, au-delà des autres couches de l’empilement de manière à empêcher un court-circuit entre l’au moins une paire de couches et/ou la couche de métal et le support en matériau conducteur thermique.
Selon l’invention, il est également proposé un procédé de fabrication d’un microcapteur selon l’invention. Le procédé comprend les étapes consistant à : - déposer une couche constituée d’un matériau diélectrique sur un support en matériau conducteur thermique, - réaliser une première succession d’étapes de microfabrication pour former une première couche d’une paire de couches, destinées à former un thermocouple, recouvrant une première partie de la couche en matériau diélectrique, - réaliser une deuxième succession d’étapes de microfabrication pour former une deuxième couche de la paire de couches, destinées à former le thermocouple, recouvrant une deuxième partie de la couche en matériau diélectrique, les première et deuxième couches de la paire de couches sont séparées, par une tranchée, d’une distance minimale supérieure à 500 nm, - réaliser une troisième succession d’étapes de microfabrication pour former une couche de métal recouvrant partiellement la paire de couches, la couche de métal comprend deux portions annulaires par paire de couches, une des deux portions annulaires recouvre une portion périphérique d’une des deux couches de la paire de couches et l’autre des deux portions annulaires recouvre une portion périphérique de l’autre des deux couches de la paire de couches ; dans une première configuration du microcapteur, la couche de métal comprend une portion centrale qui recouvre, au moins, une portion de chacune des deux couches de la paire de couches qui est adjacente à la tranchée, et dans une seconde configuration du microcapteur, une portion centrale de la deuxième couche de la paire de couches recouvre une portion centrale de la première couche de la paire de couches.
Le procédé d’obtention du microcapteur peut également comprendre une ou des étapes de traitement de la surface de contact entre la couche métallique et la paire de couches permettant de diminuer les résistances de contact entre la couche métallique et la paire de couches en matériau semiconducteur. De préférence, un tel traitement vise à diminuer la résistance de contact entre la couche métallique et la de couches en matériau semiconducteur.
Le procédé selon l’invention est particulièrement adapté, de préférence encore spécialement conçu, pour mettre en œuvre le microcapteur selon l’invention. Ainsi, toute caractéristique du microcapteur selon l’invention peut être intégrée dans le procédé selon l’invention et inversement.
De préférence, dans la première configuration, la capacité calorifique du microcapteur s’entend de la capacité calorifique mesurée entre la portion centrale de la couche métallique et la portion des couches de l’au moins une paire de couches recouvertes par la portion centrale.
De préférence, dans la seconde configuration, la capacité calorifique du microcapteur s’entend de la capacité calorifique mesurée entre la portion centrale de la couche de l’au moins une paire de couches recouvrant la portion centrale de l’autre couche de l’au moins une paire de couches.
De préférence, l’agencement des couches de l’empilement de couches du microcapteur tel que défini ci-dessus permet d’obtenir une telle constante de temps thermique. De préférence, l’agencement des couches de l’empilement de couches du microcapteur tel que défini ci-dessus permettant d’obtenir une telle constante de temps thermique permet de diminuer le temps de réponse du microcapteur.
De préférence encore, l’agencement du microcapteur selon l’invention, de préférence encore le microcapteur selon l’invention dont le ZT effectif compris entre 0,1 et 1,9 et/ou dont la conductivité thermique du microcapteur est inférieure ou égale à 10 W.m - 1 .K -1 et/ou dont la constante de temps thermique, notée tau, du microcapteur est inférieure ou égale à 10 s permet d’obtenir une détectivité spécifique supérieure aux détecteurs de l’état de la technique. De préférence, la détectivité spécifique du microcapteur selon l’invention est supérieure ou égale à 1.10 9 cm.Hz 0,5 .W -1 , de préférence à 5.10 9 , de préférence encore à 1.10 10 , de manière davantage préférée à 5.10 10 et de manière encore davantage préférée à 1.10 11 cm.Hz 0,5 .W -1 .
De préférence, chacune des couches de l’au moins une paire de couches présente un paramètre ZT compris entre 0,1 et 1,9.
De préférence, le ZT de chacune des couches de l’au moins une paire de couches en matériau semiconducteur est supérieur ou égal à 0, 1, de préférence encore à 0,2, de manière préférée à 0,3, de manière encore préférée à 0,4, de manière davantage préférée à 0,5, de manière encore davantage préférée à 0,6, de manière particulièrement préférée à 0,7, de manière particulièrement avantageuse à 0,8, de manière tout particulièrement avantageuse à 0,9. De manière avantage le ZT de chacune des couches de l’au moins une paire de couches en matériau semiconducteur est égal à 1.
De préférence, le ZT de chacune des couches de l’au moins une paire de couches en matériau semiconducteur est inférieur ou égal à 1,9, de préférence encore à 1,8, de manière préférée à 1,7, de manière encore préférée à 1,6, de manière davantage préférée à 1,5, de manière encore davantage préférée à 1,4, de manière particulièrement préférée à 1,3, de manière particulièrement avantageuse à 1,2, de manière tout particulièrement avantageuse à 1,1 et de manière préférée entre toutes à 1,05.
Des couches de l’au moins une paire de couches présentant un paramètre ZT compris entre 0,1 et 1,9, bien que constituant une amélioration de l’invention, peuvent contribuer à l’obtention d’un ZT effectif proche ou égal à 1.
De préférence, un ratio entre une épaisseur, s’étendant selon l’axe d’empilement des couches du microcapteur, d’une couche ou des couches de l’au moins une paire de couches et, pour une couche considérée de l’au moins une paire de couches : - dans la première configuration, une distance (R 1 -R 2 ) entre la portion centrale de la couche de métal recouvrant la couche considérée et la portion annulaire de la couche de métal recouvrant la couche considérée est inférieur à 0,1 %, de préférence à 0,05 %, de préférence encore à 0,01 %, ou - dans la seconde configuration, une distance (R 1 -R 2 ) entre la portion centrale de la couche considérée et la portion annulaire de la couche de métal recouvrant la couche considérée est inférieur à 0,1 %, de préférence à 0,05 %, de préférence encore à 0,01 % ; la distance (R 1 -R 2 ) est comprise dans un plan perpendiculaire à l’axe d’empilement des couches du microcapteur.
De préférence, l’épaisseur de l’au moins une paire de couche est inférieure ou égale à 10 µm.
Il peut être entendu par bord, par exemple du microcapteur ou d’une couche, une bordure, une extrémité périphérique, un contour ou un pourtour du microcapteur.
De préférence, le microcapteur, de préférence encore chacune des couches de l’empilement de couches formant le microcapteur, présente une géométrie sphérique. De préférence, la longueur des couches de l’au moins une paire de couches, de préférence encore une longueur de chacune des couches de l’empilement de couches formant le microcapteur, s’étend radialement depuis un centre du microcapteur vers le bord du microcapteur.
Le microcapteur, de préférence encore chacune des couches de l’empilement de couches formant le microcapteur, peut présenter une géométrie rectangulaire ou carré. De préférence, la longueur des couches de l’au moins une paire de couches, de préférence encore une longueur de chacune des couches de l’empilement de couches formant le microcapteur, s’étend selon une longueur ou une largeur du carré ou du rectangle, de préférence depuis un centre du microcapteur vers le bord du microcapteur.
De préférence, l’agencement des couches de l’au moins une paire de couches respectant ce ratio permet de maximiser le gradient de température, dans chacune des couches de l’au moins une paire de couches, entre la portion centrale de la couche de métal et les portions annulaires de la couche de métal, pour la première configuration, et entre les portions centrales des deux couches de l’au moins une paire de couches et les portions annulaires de la couche de métal. De préférence, l’agencement des couches de l’au moins une paire de couches respectant ce ratio permet de minimiser le gradient de température, dans chacune des couches de l’au moins une paire de couches, entre la couche de métal et la couche de matériau diélectrique. L’agencement des couches de l’au moins une paire de couches respectant ce ratio, bien que constituant une amélioration de l’invention, peut contribuer à l’obtention d’un ZT effectif proche ou égal à 1.
De préférence, dans la première configuration du microcapteur, une surface de contact entre la portion centrale de la couche métallique et l’au moins une paire de couches est supérieure à 0,1 %, de préférence encore à 0,25 %, de manière préférée à 0,5 %, de manière encore préférée à 0,75 %, de manière davantage préférée à 1 %, de manière encore davantage préférée à 2 %, de manière particulièrement préférée à 4 %, de manière particulièrement avantageuse à 6 %, de manière tout particulièrement avantageuse à 8 % et de manière préférée entre toutes à 10 %, d’une surface totale d’une face de l’au moins une paire de couches qui est en regard de la couche métallique.
De préférence, dans la seconde configuration du microcapteur, la surface de contact entre les portions centrales des deux couches de l’au moins une paire de couches est supérieure à 0,1 %, de préférence encore à 0,25 %, de manière préférée à 0,5 %, de manière encore préférée à 0,75 %, de manière davantage préférée à 1 %, de manière encore davantage préférée à 2 %, de manière particulièrement préférée à 4 %, de manière particulièrement avantageuse à 6 %, de manière tout particulièrement avantageuse à 8 % et de manière préférée entre toutes à 10 %, d’une surface totale d’une face de la couche de l’au moins une paire de couches dont la portion centrale recouvre la portion centrale de l’autre couche de l’au moins une paire de couches et/ou d’une surface totale d’une face de la couche de l’au moins une paire de couches dont la portion centrale est recouverte par la portion centrale de l’autre couche de l’au moins une paire de couches.
L’invention se rapporte à une porte latérale pour véhicule, notamment pour véhicule automobile, caractérisée en ce que la porte latérale comprend :
- un renfort de bandeau,
- un renfort de cadre, le renfort de cadre étant destiné à venir au niveau d’une vitre en position fermée,
- un caisson intérieur,
le renfort de cadre recouvrant le renfort de bandeau de sorte à emprisonner le renfort de bandeau entre le renfort de cadre et le caisson intérieur.
Le renfort de bandeau peut être fixé sur le caisson intérieur, notamment par soudage et/ou par rivet auto-poinçonneur.
Le renfort de cadre peut être fixé sur le caisson intérieur, notamment par soudage et/ou par rivet auto-poinçonneur.
Le renfort de bandeau peut comprendre une poutre ayant une section fermée sensiblement en forme de quadrilatère.