INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Ces premières étapes de dépôt 500 comportent un dépôt d’une superposition ONO de couches conformes d’oxyde de silicium O, de nitrure de silicium N, et d’oxyde de silicium O sur toute la structure obtenue à l’issue des étapes précédentes 400. Les couches sont conformes en ce qu’elles épousent les surfaces horizontales (par exemple la face avant FA) et les surfaces verticales (par exemple les flancs des grilles GPG, HVG) avec une épaisseur constante (isotrope). Une étape de gravure 510 est adaptée pour retirer la superposition de couches diélectriques ONO déposée sur la face avant FA dans les régions accueillant les transistors basses tension SRAM, GO1, et dans la région accueillant le transistor moyenne tension GP. Ainsi, l’étape de gravure 510 retirant une partie des couches diélectriques ONO accumulées sur les flancs de la première région de grille de façon à réduire la largeur w1 des régions d’espaceurs, in fine (pour le transistor moyenne tension GP, voir ).
La superposition de couches diélectriques ONO n’est pas retirée dans les régions accueillant le transistor haute tension HV et le transistor à grille flottante NVM, par exemple au moyen d’une étape de masquage 505 recouvrant et protégeant de la gravure la région haute tension HV, et la région de mémoire NVM.
La illustre le résultat d’étapes 600 comprenant d’une part une formation d’une couche d’oxyde de grille GO1OX sur la face avant FA dans les régions actives des transistors basse tension SRAM, GO1.
D’autre part, les étapes 600 comprennent un dépôt d’une deuxième couche conductrice P2 sur toute la structure obtenue à l’issue des étapes précédentes 500, GO1OX, et une gravure directionnelle adaptée pour retirer la deuxième couche conductrice P2 dans la région du transistor haute tension HV, et dans la région du transistor moyenne tension GP.
La gravure directionnelle est en outre adaptée pour retirer, dans la région du transistor haute tension HV, la superposition de couche diélectriques ONO déposée sur des surface horizontales (parallèle à la face avant FA) et pour ne pas retirer, ou retirer minoritairement, la superposition de couche diélectriques ONO déposée sur des surface verticales (perpendiculaires à la face avant FA).
La illustre le résultat d’une étape 700 dans laquelle des régions de conduction faiblement dopées LDDHV sont implantées dans le caisson HVW du transistor haute tension HV seulement. L’implantation des régions de conduction faiblement dopées LDDHV est par exemple auto-alignée sur la superposition de couches diélectriques ONO en largeur sur les flancs de la région de grille HVG du transistor haute tension HV.
En particulier, les régions de conduction faiblement dopées LDDHV ne sont pas implantées dans le caisson HWV du transistor moyenne tension GP, par exemple au moyen d’un masque bloquant l’implantation dans la région active du transistor moyenne tension GP.
La illustre le résultat d’une étape 800 de dépôt d’une ou plusieurs couche(s) diélectrique(s) HVSP s’accumulant sur les flancs de des régions de grille HVG, GPG du transistor haute tension HV et du transistor moyenne tension GP, de manière à former, in fine, les régions d’espaceurs de ces transistors.
La illustre le résultat d’étapes 900 comprenant une gravure dans la région du transistor à grille flottante NVM, typiquement par photolithographie, de manière à définir la région de grille FGCG du transistor à grille flottante NVM. La gravure est adaptée pour graver l’empilement de la deuxième couche conductrice P2, de la superposition de couches diélectriques ONO, de la première couche conductrice P1 et de la couche d’oxyde tunnel TNOX. La région de grille FGCG du transistor à grille flottante NVM comporte ainsi une grille flottante P1 située entre la couche d’oxyde tunnel TNOX et une grille de commande P2, la grille flottante P1 et la grille de commande P2 étant électriquement isolées par la superposition de couche diélectriques ONO. Une implantation de régions de conduction faiblement dopées LDDNV sont implantées dans le caisson NVW du transistor à grille flottante NVM seulement. L’implantation des régions de conduction faiblement dopées LDDNV sont par exemple auto-alignée sur la région de grille FGCG du transistor à grille flottante NVM.
En outre, les étapes 900 comprennent un dépôt d’une ou plusieurs couche(s) diélectrique(s) NVSP s’accumulant additionnellement sur les flancs de des régions de grille FGCG, HVG, GPG du transistor à grille flottante NVM, du transistor haute tension HV, et du transistor moyenne tension GP, de manière à former, in fine, les régions d’espaceurs de ces transistors.
La illustre le résultat d’étapes 1000 comprenant une gravure dans la région du transistor basse tension SRAM, GO1, typiquement par photolithographie, de manière à définir la région de grille G0, G1 du transistor basse tension SRAM, GO1. La gravure est adaptée pour graver l’empilement de la deuxième couche conductrice P2 et de la couche d’oxyde de grille GO1OX.
On fait désormais la distinction entre le transistor basse tension SRAM de cellule de mémoire vive statique, et le transistor basse tension GO1 de circuit logique.
Dans un premier cas, l’implantation des régions de conduction faiblement dopées LDD1 du transistor basse tension GO1 de circuit logique, et l’implantation des régions de conduction faiblement dopées LDD0 du transistor basse tension SRAM de cellule mémoire vive statique, sont faites dans des étapes distinctes 1000 et 1100.
Dans un second cas, l’implantation des régions de conduction faiblement dopées LDD1 du transistor basse tension GO1 de circuit logique, et l’implantation des régions de conduction faiblement dopées LDD0 du transistor basse tension SRAM de cellule mémoire vive statique, sont faites dans une seule et même étape 1000 ou 1100.
Dans le premier cas, les régions de conduction faiblement dopées LDD1 du transistor basse tension GO1 de circuit logique sont implantées dans les étapes 1000, par exemple de façon auto-alignée sur la région de grille G1 du transistor basse tension GO1 de circuit logique.
Dans une première alternative du second cas, les régions de conduction faiblement dopées LDD0 du transistor basse tension SRAM de cellule de mémoire vive statique, et les régions de conduction faiblement dopées LDD0/1 du transistor moyenne tension GP sont implantées en même temps et de la même manière que les régions de conduction faiblement dopées LDD1 du transistor basse tension GO1 de circuit logique dans les étapes 1000.
La illustre le résultat d’étapes 1100 comprenant un dépôt d’une ou plusieurs couche(s) diélectrique(s) LVSP sur les flancs des régions de grille G0, G1 des transistors basse tensions SRAM, GO1, et s’accumulent également sur les flancs des régions de grille du transistor haute tension HV, du transistor à grille flottante NVM, et du transistor moyenne tension GP, de manière à finaliser la formation des régions d’espaceurs de ces transistors.
Dans le premier cas mentionné ci-avant, les étapes 1100 comprennent une implantation des régions de conduction faiblement dopées LDD0 du transistor basse tension SRAM de cellule mémoire vive statique, par exemple de façon auto-alignée sur la région d’espaceur LVSP sur les flancs de la grille G0 du transistor basse tension SRAM.
Selon un mode de mise en œuvre préférentiel, les régions de conduction faiblement dopées LDD0/1 du transistor moyenne tension GP sont implantée en même temps et de la même manière que les régions de conduction faiblement dopées LDD0 du transistor basse tension SRAM de mémoire vive statique dans les étapes 1100 du premier cas, notamment de façon auto-alignée sur la région d’espaceur LVSP, NVSP, HVSP sur les flancs de la grille GPG du transistor moyenne tension GP.
Dans une deuxième alternative du second cas, les régions de conduction faiblement dopées LDD1 du transistor basse tension GO1 de circuit logique, et les régions de conduction faiblement dopées LDD0/1 du transistor moyenne tension GP sont implantées en même temps et de la même manière que les régions de conduction faiblement dopées LDD0 du transistor basse tension SRAM de mémoire vive statique dans les étapes 1100.
La illustre le résultat d’étapes 1200 comprenant une implantation de dopants formant des régions de conduction SD de tous les transistors SRAM, GO1, HV, NVM, GP du circuit. L’implantation 1200 est par exemple auto-alignée sur les régions d’espaceurs de chaque transistor SRAM, GO1, HV, NVM, GP comprenant des accumulations respectives de couches diélectriques ONO, HVSP, NVSP, LVSP les flancs des régions de grille G0, G1, HVG, FGCG, GPG correspondantes. Les régions de conduction SD sont implantés plus profondément dans le substrat PSUB et avec une plus grande concentration en dopants que les régions de conduction faiblement dopées LDD0, LDD1, LDDHV, LDDNV, LDD0/1.
En particulier, les accumulations de couches diélectriques, HVSP, NVSP, LVSP sur les flancs de la première région de grille GPG du premier transistor GP, forment les régions d’espaceurs ayant une première largeur w1 dans la direction perpendiculaire aux flancs de la première région de grille GPG ; et les accumulations de couches diélectriques, ONO, HVSP, NVSP, LVSP sur les flancs de la région de grille HVG du transistor haute tension HV, forment les régions d’espaceurs ayant une deuxième largeur w2 dans la direction perpendiculaire aux flancs de la première région de grille GPG.
On se réfère à cet égard aux figures 13 et 14.
La illustre schématiquement un agrandissement d’une région d’espaceur d’une réalisation d’un transistor haute tension HV telle que décrite ci-avant en relation avec les figures 1 à 12.
La illustre schématiquement un agrandissement d’une région d’espaceur d’une réalisation d’un transistor moyenne tension GP telle que décrite ci-avant en relation avec les figures 1 à 12.
A la réception de ce signal S3, l’unité de commande 5 émet un signal de commande S4 qui est délivré à l’unité de contrôle 6 pour piloter la fermeture du rideau 3.
Une fois que le rideau 3 est en position fermée, les moyens d’émission 7 cessent d’émettre le signal Sact d’activation électromagnétique.
Comme le récepteur 32 radio fréquence des moyens de contrôle 9 ne reçoit alors plus le signal Sact, le récepteur 32 ouvre le premier interrupteur 33 du circuit de pilotage 15 du vase à ressort ( ) Ainsi, la valve électropneumatique 37 n’est plus alimentée par la source 34.
Comme la valve électropneumatique 37 n’est plus alimentée, la pression pneumatique délivrée par les bouteilles 13 pressurise la deuxième chambre 23 du vase à ressort 12.
L’effort généré par la pression appliquée sur le deuxième diaphragme 28 dans la deuxième chambre 23 est supérieur à l’effort généré par le deuxième ressort 30 de sorte que la tige 26 rentre dans la première chambre 22 désactivant les freins 14.
La puissance d’émission du signal Sact par les moyens d’émission 7 du quai est configurée de sorte que seul le récepteur 32 radio fréquence des moyens de contrôle 9 de la semi-remorque 2 associée à ce quai reçoit le signal Sact d’activation électromagnétique, afin d’empêcher la réception du signal Sact par le récepteur d’un autre véhicule routier accosté à un quai de chargement voisin du quai 1.
De façon analogue, la puissance d’émission du signal Sverr par les moyens d’émission 10 disposés sur la semi-remorque 2 est configurée de sorte que seuls les moyens de réception 8 du quai auquel est accosté la semi-remorque reçoivent ledit signal.
Comme indiqué précédemment, dans l’exemple de réalisation illustré, les moyens de contrôle 9 comprennent le récepteur 32 radio fréquence.
Dans un autre mode de réalisation, les moyens de contrôle 9 peuvent comprendre, en remplacement du récepteur 32, un badge d’identification radio fréquence, et un lecteur d’identification radio fréquence synchronisé avec ce badge.
Le signal d’activation électromagnétique Sact émis par les moyens d’émission 7 alimente le badge d’identification radio fréquence qui émet un signal codé.
A la réception du signal codé, le lecteur d’identification radio fréquence ferme le premier interrupteur 33 du circuit de pilotage du vase à ressort.
Afin d’empêcher des interférences entre plusieurs quais de chargement disposés à proximité les uns des autres, le signal codé peut être synchronisé avec le lecteur permettant d’empêcher des interférences entre lesdits quais équipés chacun de moyens d’émission 4 propres.
La illustre schématiquement un premier exemple de réalisation d’un véhicule routier de transport de marchandises du type porteur 40 accosté au quai de chargement 1. Sur la , les éléments identiques à l’exemple précédemment décrit portent les mêmes références.
Le véhicule porteur 40 comprend un moteur de propulsion 41, une unité de contrôle 42 du moteur, les moyens de contrôle 9 comprenant le récepteur 32 radio fréquence, les moyens d’émission 10 et des moyens d’immobilisation 43 comprenant l’unité de contrôle 42.
Le récepteur 32 des moyens de contrôle est relié à l’unité de contrôle 42 de sorte que lorsque le signal d’activation Sact émis par les moyens d’émission 7 est reçu par le récepteur 32, le récepteur 32 délivre un signal d’anti-démarrage Sad à l’unité de contrôle 42. Le signal d’antidémarrage Sad comprend une tension prédéterminée, par exemple une tension continue de 12 volts, 24 volts ou 48 volts générée par les moyens de contrôle 9.
A la réception du signal d’anti-démarrage Sad, l’unité de contrôle 42 éteint le moteur de propulsion 41 ou empêche un démarrage du moteur de propulsion 41.
- le dispositif comprend en outre un module de surveillance de défaut configuré pour au moins surveiller la propre alimentation interne en puissance dudit dispositif ;
- le dispositif comprend en outre
- un accéléromètre configuré pour mesurer l’accélération longitudinale dudit matériel roulant ferroviaire,
- un module de combinaison configuré pour combiner ladite accélération longitudinale à une vitesse dudit matériel roulant ferroviaire fournie par une unité électronique de contrôle de frein externe audit dispositif électronique et générer une vitesse consolidée propre à être utilisée au moins par ledit module de compensation de charge.
L’invention a aussi pour objet un système de régulation de la pression fournie à un étrier de frein à cylindre pneumatique d’un matériel roulant ferroviaire, via une paire d’électrovalves comprenant une électrovalve supérieure d’augmentation et une électrovalve inférieure de relâchement de pression, le système comprenant au moins :
- un dispositif électronique tel que décrit précédemment ;
- ladite paire d’électrovalves.
Suivant un aspect avantageux, le système comprend en outre une valve relais présentant un taux de régulation 1 :1, ladite valve relais étant localisée entre la paire d’électrovalves et l’étrier de frein à cylindre pneumatique, la paire d’électrovalves étant configurée pour générer une pression pilote à destination de ladite valve relais elle-même configurée pour amplifier ensuite le débit en sortie, selon une amplification prédéterminée, à destination de l’étrier de frein à cylindre pneumatique.
L’invention a aussi pour objet un matériel roulant ferroviaire comprenant ledit système de régulation précité.
la est une représentation schématique d’un dispositif électronique de régulation de la pression fournie, à un étrier de frein à cylindre pneumatique d’un matériel roulant ferroviaire selon un mode de réalisation simplifié de la présente invention,
la est une représentation schématique d’un dispositif électronique de régulation de la pression selon différentes variantes de la présente l’invention.
La est une représentation schématique d’un système de régulation de la pression fournie à un étrier E de frein à cylindre pneumatique d’un matériel roulant ferroviaire, via une paire d’électrovalves (i.e. électrovannes) comprenant une électrovalve d’admission EV 1 supérieure d’augmentation de pression et une électrovalve d’échappement, inférieure, EV 2 de relâchement de pression selon un mode de réalisation simplifié.
Plus précisément, selon la présente invention un tel système de régulation de la pression comprend un dispositif électronique 10 de régulation de la pression fournie à l’étrier E de frein à cylindre pneumatique, ledit dispositif électronique 10 comprenant un régulateur électronique de pression 12.
Un tel régulateur électronique de pression 12 est configuré pour contrôler ladite paire d’électrovalves EV 1 et EV 2 via au moins une commande électronique en comparant en permanence un premier signal électrique P E représentatif de ladite pression au sein dudit étrier E à un deuxième signal électrique représentatif d’une pression de référence. Il est à noter que le premier signal électrique P E représentatif de ladite pression au sein dudit étrier E est obtenue par mesure directement en sortie du système de régulation 12 de pression après la paire d’électrovalves EV 1 et EV 2 tel que représenté sur la (le tout étant raccordé par de la tuyauterie).
De plus, régulateur électronique de pression 12 est configuré pour commander, via la commande C 1 , l’ouverture de l’électrovalve supérieure EV 1 lorsque la valeur du premier signal électrique est inférieure à celle du deuxième signal électrique, ou, via la commande C 2 , l’électrovalve inférieure EV 2 lorsque la valeur du premier signal électrique est supérieure à celle deuxième signal électrique, et cela en considérant qu’en présence d’une requête F U de freinage d’urgence, ledit deuxième signal électrique représentatif d’une pression de référence correspondant à un signal électrique représentatif de la valeur de pression nécessaire au freinage d’urgence dudit matériel roulant ferroviaire, et qu’en l’absence d’une requête F U de freinage d’urgence, ledit deuxième signal électrique représentatif d’une pression de référence correspondant à un signal électrique (i.e. analogique ou numérique) RFs obtenu à partir d’au moins une entrée de freinage de service dudit dispositif 10 fournie(s) par au moins une unité électronique de commande externe audit dispositif électronique 10 et/ou fournie(s) par un système de contrôle et de surveillance de train TCMS (de l’anglais Train Control and Monitoring System ).
Le cas échéant, le procédé comprend une étape de changement 252 du temps d’intégration courant, au cours de laquelle une nouvelle valeur du temps d’intégration courant est déterminée, par exemple pour obtenir un taux de remplissage moyen désiré.
Cette étape de changement 252 du temps d’intégration courant ne nécessite pas de repasser par une étape de calibration 210, et débouche à la place directement sur une nouvelle étape d’acquisition 230, avec le nouveau temps d’intégration courant. L’écart de temps calculé ultérieurement (236) sera différent pour cette nouvelle image. La table d’interpolation I sera automatiquement actualisée.
Le procédé selon l’invention permet donc d’ajuster le temps d’intégration de manière dynamique, après chaque image si besoin, sans avoir à repasser par une calibration de la caméra à chaque fois qui la rendrait inutilisable pendant quelques secondes.
Selon d’autres modes de réalisation, non représentés sur les figures, la fonction décrivant les variations de l’offset de chaque pixel en fonction du temps d’intégration peut être polynomiale avec un degré supérieur à 1, par exemple un polynôme de degré 2. On peut alors mesurer plusieurs tables d’offset avec des temps d’intégration distincts, et construire des tables d’interpolation pour chaque coefficient du polynôme, en particulier une table d’interpolation pour chaque coefficient du polynôme.
Procédé et système de traitement de signal audio numérique pour améliorer le rendu des basses fréquences La présente invention concerne un procédé de traitement de signal audio numérique pour améliorer le rendu des basses fréquences, et un système de traitement de signal audio numérique associé.
L’invention se situe dans le domaine des systèmes audio, et plus particulièrement des systèmes audio pour véhicules, en particulier pour véhicules de transport de passagers.
Dans ce type de système audio, il est connu d’utiliser divers types de transducteurs pour favoriser le rendu des signaux audio, par exemple pour écouter la musique. De tels transducteurs comportent des haut-parleurs, qui produisent une onde sonore en réponse à un signal électrique appliqué en entrée, intégrés dans l’habitacle d’un véhicule, par exemple d’un véhicule automobile, ou intégrés dans l’appui-tête de siège pour améliorer la qualité de rendu sonore pour chaque utilisateur. En outre, il a également été proposé d’intégrer des vibreurs, qui sont également des transducteurs, dans des sièges, par exemple des sièges de véhicule automobile, pour améliorer l’expérience de l’utilisateur en accompagnant le rendu sonore par des vibrations correspondantes.
Un tel transducteur comporte un élément magnétique adapté à générer des vibrations en fonction de la fréquence du signal audio fourni en entrée. Par exemple, pour un haut-parleur, l’élément magnétique est composé d’une bobine, dans laquelle on fait passer un courant électrique, plongée dans un champ magnétique créé par des pièces polaires et un aimant, le haut-parleur comprenant en outre une membrane liée à la bobine, dont les vibrations créent l’onde sonore restituée. Le déplacement de la membrane a une amplitude de déplacement par rapport à sa position d’équilibre, également appelée excursion. Pour un fonctionnement dans de bonnes conditions, une excursion maximale est prédéfinie. La restitution des basses fréquences du signal audio par un tel transducteur est limitée par une fréquence de coupure, propre à chaque transducteur.
Dans l’objectif d’améliorer la qualité de restitution sonore pour l’utilisateur, il a été proposé d’augmenter artificiellement le niveau du signal audio dans les basses fréquences, par filtrage approprié du signal audio, analogique ou numérique.
Cependant, il a été constaté qu’une amplification du niveau du signal dans les basses fréquences a pour effet d’augmenter considérablement l’excursion du transducteur, ce qui induit le risque d’atteindre la valeur d’excursion maximale du transducteur, et par conséquent l’endommagement, ou la rupture de la membrane si le volume sonore est augmenté par l’utilisateur. Ce risque est d’autant plus important que le transducteur, par exemple le haut-parleur, est petit, ce qui est le cas des transducteurs intégrés dans un appui-tête de siège ou dans un téléphone mobile.
Ainsi, il est utile de mettre au point des méthodes d’amélioration de la restitution sonore tout en se prémunissant des excursions excessives de la membrane du transducteur.
En particulier le brevet EP 2 571 286 B1 propose une technique de renforcement dynamique des fréquences basses dans une installation de reproduction sonore, par application d’un filtrage d’amplification de type filtre en plateau grave ou « lowshelf », de gain d’amplification calculé en fonction d’une valeur d’excursion estimée du haut-parleur, afin d’éviter une excursion excessive de la membrane du haut-parleur. Ainsi, la méthode proposée dans ce brevet permet de calculer un gain d’amplification adapté, et ce gain d’amplification est appliqué sur l’ensemble des basses fréquences du signal audio. Cependant, cette méthode augmente le niveau y compris de très basses fréquences, qui contribuent à l’excursion de la membrane du transducteur, tout en étant peu audibles par un utilisateur.
L’invention a pour objet d’améliorer encore plus la restitution des basses fréquences du signal audio tout en préservant le transducteur d’éventuelles dégradations.
A cet effet, l’invention propose, selon un premier aspect, un procédé de traitement de signal audio numérique pour améliorer le rendu des basses fréquences mis en œuvre dans un système audio comportant un transducteur comprenant un élément magnétique adapté à générer des vibrations en fonction de la fréquence du signal audio et ayant une valeur d’excursion maximale associée, le transducteur ayant en outre une fréquence de coupure propre. Ce procédé comporte :