Capteur d’images (100 ; 200 ; 300 ; 400 ; 500) formé dans et sur un substrat semiconducteur (101), le capteur comprenant une pluralité de pixels (P) comprenant chacun un photodétecteur (103) formé dans le substrat, le capteur comprenant en outre au moins des première (MS1) et deuxième (MS2) métasurfaces bidimensionnelles superposées, dans cet ordre, en vis à vis de ladite pluralité de pixels, chaque métsurface étant constituée d’un réseau bidimensionnel de plots (109 1 , 109 2 ), la première métasurface ayant une première fonction optique et la deuxième métasurface ayant une deuxième fonction optique différente de la première fonction optique. Capteur d’images (100 ; 200 ; 300 ; 400 ; 500) selon la revendication 1, dans lequel les première (MS1) et deuxième (MS2) métasurfaces sont à une distance du substrat semiconducteur (101) inférieure à 500 µm, par exemple inférieure à 100 µm. Capteur d’images (100 ; 200 ; 300 ; 400 ; 500) selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la première métasurface (MS1) est à une distance du substrat semiconducteur (101) comprise entre 1 et 50 µm, et la deuxième métasurface (MS2) est à une distance de la première métatsurface (MS1) comprise entre 1 et 50 µm. Capteur d’images (100 ; 200 ; 300 ; 400 ; 500) selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel les plots (109 1 ) de la première métasurface (MS1) et les plots (109 2 ) de la deuxième métasurface sont en silicium amorphe. Capteur d’images (100 ; 200 ; 300 ; 400 ; 500) selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel les plots (109 1 ) de la première métasurface (MS1) et les plots (109 2 ) de la deuxième métasurface sont entourés latéralement d’oxyde de silicium. Capteur d’images (100 ; 200 ; 300 ; 400 ; 500) selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel les plots (109 1 , 109 2 ) des première (MS1) et deuxième (MS2) métasurfaces ont des dimensions latérales sub-longueur d’onde. Capteur d’images (100 ; 200 ; 400 ; 500) selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel la première fonction optique est une fonction de routage de la lumière incidente en fonction de son état de polarisation, et la deuxième fonction optique est une fonction de focalisation de la lumière vers les photodétecteurs (103) des pixels (P) sous-jacents. Capteur d’images (200) selon la revendication 7, comprenant en outre une couche de filtres couleur (201) entre la première métasurface (MS1) et le substrat (101). Capteur d’images (400) selon la revendication 7, comprenant en outre une couche de filtres couleur (401) au-dessus de la deuxième métasurface (MS2). Capteur d’images (500) selon la revendication 7, comprenant en outre, au-dessus de la deuxième métasurface (MS2), une troisième métasurface (MS3) adaptée à mettre en oeuvre une fonction optique de routage de la lumière incidente en fonction de sa longueur d’onde. Capteur d’images (300) selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel la première fonction optique est une fonction de routage de la lumière incidente en fonction de son état de polarisation, et la deuxième fonction optique est une fonction de routage et de focalisation de la lumière vers les photodétecteurs (103) des pixels (P) sous-jacents, en fonction de sa longueur d’onde. Capteur d’images (100 ; 200 ; 300 ; 400 ; 500) selon l’une quelconque des revendications 1 à 11, dans lequel, en vue de dessus, les plots (109 1 ) de la première métasurface (MS1) et/ou les plots (109 2 ) de la deuxième métasurface (MS2) ont des formes asymétriques, par exemple rectangulaires ou elliptiques.