Procédé de fabrication d’une structure (1) comprenant une couche mince (4) reportée sur un support (2) par l’intermédiaire d’une couche diélectrique (3), le support comprenant une couche de piégeage de charges électriques (2b) disposée superficiellement sur un substrat de base (2a), le procédé comportant les étapes suivantes : former une couche diélectrique (3) sur une surface exposée d’une face dite « principal » du support et/ou sur une surface exposée d’une face dite « principale » d’un substrat donneur ; appliquer un traitement de surface à la surface exposée de la face principale du support et/ou à la surface exposée de la face principale du substrat donneur en vue d’y former une couche barrière à la diffusion de certaines espèces atomiques ; assembler le support et le substrat donneur par leurs faces principales respectives afin de constituer une structure intermédiaire; éliminer une partie au moins du substrat donneur de la structure intermédiaire pour former la couche mince ; le procédé étant caractérisé en ce que le traitement de surface appliqué à l’une au moins des surfaces exposées comprend : l’exposition de la surface exposée à un plasma comprenant de l’oxygène pour former une épaisseur endommagée sous la surface principale, puis l’exposition de la surface exposée à un plasma comprenant de l’azote pour nitrurer l’épaisseur endommagée. Procédé de fabrication selon la revendication précédente dans lequel le substrat donneur comprend un matériau piézoélectrique monocristallin. Procédé de fabrication selon la revendication 1 dans lequel le substrat donneur est un substrat de silicium monocristallin. Procédé de fabrication selon l’une des revendications précédentes dans lequel le substrat de base (2a) est un substrat de silicium monocristallin. Procédé de fabrication selon l’une des revendications précédentes dans lequel la couche diélectrique (3) comprend de l’oxyde de silicium. Procédé de fabrication selon l’une des revendications précédentes dans lequel la couche de piégeage (2b) est en silicium polycristallin. Procédé de fabrication selon la revendication précédente dans lequel la formation de la couche diélectrique (3) comprend l’oxydation de la couche de piégeage (2b). Procédé de fabrication selon la revendication précédente dans lequel la formation de la couche diélectrique (3) précède l’application du traitement de surface sur la surface exposée de la face principale du support (2). Procédé de fabrication selon la revendication 7 dans lequel la formation de la couche diélectrique (3) succède à l’application du traitement de surface sur la surface exposée de la face principale du support (2). Procédé de fabrication selon la revendication 5 dans lequel la couche diélectrique en oxyde de silicium incorpore de l’azote, préférentiellement dans un ratio azote/oxygène inférieur à 0,5. Procédé de fabrication selon l’une des revendications précédentes dans lequel la formation de la couche diélectrique (3) comprend la formation d’une partie au moins de la couche diélectrique sur le substrat donneur. Procédé de fabrication selon la revendication précédente dans lequel l’application du traitement de surface comprend son application à la surface exposée de la face principale du substrat donneur. Procédé de fabrication selon la revendication précédente dans lequel la formation d’une partie au moins de la couche diélectrique (3) sur le substrat donneur précède l’application du traitement de surface.