INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Un évidement ou gorge 34 annulaire est ménagée sur la face frontale 26d de la garniture d’isolation. La gorge 34 est orientée axialement vers l’extérieur du dispositif. La gorge 34 présente un fond 34a qui est décalé axialement vers l’intérieur du dispositif par rapport à la face frontale 14d de la bague extérieure 14 et par rapport à la face frontale 24d de la douille. Dans l’exemple de réalisation illustré, la gorge 34 s’étend sur la majeure partie de la face frontale 26d de la garniture d’isolation. En variante, il pourrait être possible de prévoir une dimension radiale réduite de la gorge 34. Dans l’exemple de réalisation illustré, le fond 34a de la gorge présente une forme étagée. En variante, le fond 34a pourrait s’étendre purement radialement. Alternativement, le fond 34a pourrait s’étendre obliquement. La profondeur axiale de la gorge 34 est supérieure ou égale à l’épaisseur de matière devant être reprise en usinage lors de la fabrication du dispositif.
Dans une première étape, la bague extérieure 14 du palier et la douille 24 sont montées à l’intérieur d’un moule qui est prévu pour le surmoulage de la garniture d’isolation 26. Dans cette position montée à l’intérieur du moule, la douille 24 est radialement à distance de la bague extérieure 14
La présente invention concerne une cuve étanche pour gaz naturel liquéfié comportant un dispositif de perforation, qui permet de pallier ces inconvénients au moins en partie.
A cette fin, l’invention propose une cuve étanche destinée au transport de gaz à l’état liquide et destinée à être installée dans un ouvrage flottant, la cuve comportant : - une membrane primaire d’étanchéité destinée à être au contact du gaz,
- une membrane secondaire d’étanchéité,
- un espace primaire séparant la membrane secondaire d’étanchéité de la membrane primaire d’étanchéité, - un dispositif de perforation de la membrane primaire d’étanchéité, la cuve étant caractérisée en ce que le dispositif de perforation comporte un organe de perforation disposé dans l’espace primaire.
En disposant ainsi l’organe de perforation dans l’espace primaire de la cuve, on évite l’utilisation d’un mât, complexe et coûteuse. Le dispositif de perforation de la cuve selon l’invention est également plus fiable car l’organe de perforation est disposé près de la membrane primaire d’étanchéité, c’est-à-dire à proximité immédiate de la paroi qui doit être perforée.
Selon une mode de réalisation, un axe de perforation de l’organe de perforation de la cuve selon l’invention s’étend de manière sécante à un plan principal d’allongement de la membrane primaire d’étanchéité situé au droit de l’organe de perforation.
Alternativement, un axe de perforation de l’organe de perforation de la cuve selon l’invention s’étend parallèlement à un plan principal d’allongement de la membrane primaire d’étanchéité, près duquel l’organe de perforation est situé. Une telle solution permet de loger l’organe de perforation dans un espace réduit, par exemple délimité par une onde de la membrane, ou entre deux panneaux isolants de l’espace primaire.
Avantageusement, le dispositif de perforation de la cuve selon l’invention comporte un dispositif de propulsion de l’organe de perforation, le dispositif de propulsion étant agencé dans l’espace primaire. Cet agencement permet une compacité du dispositif de perforation.
Avantageusement encore, le dispositif de perforation de la cuve selon l’invention comporte un dispositif d’actionnement de l’organe de perforation, le dispositif d’actionnement étant configuré pour être installé entre la membrane secondaire d’étanchéité et une enveloppe externe de la cuve. Cet agencement permet de faire passer facilement un câble d’alimentation jusqu’au dispositif d’actionnement.
Le dispositif de propulsion de la cuve selon l’invention est contrôlé par le dispositif d’actionnement. Plus précisément, le dispositif de perforation de la cuve selon l’invention comporte préférentiellement un dispositif de blocage de l’organe de perforation, apte à être commandé ou contrôlé par le dispositif d’actionnement.
Avantageusement, le dispositif de perforation de la cuve selon l’invention comporte une redondance du dispositif de blocage et du dispositif d’actionnement. Le dispositif de perforation comprend ainsi au moins deux dispositifs de blocage et deux dispositifs d’actionnement, chacun associé à un dispositif de blocage. Cette redondance permet de sécuriser le contrôle du dispositif de perforation de la cuve selon l’invention et éviter qu’une commande intempestive ou un défaut électrique provoque l’actionnement du dispositif de perforation.
Dans un mode de réalisation, le dispositif de propulsion, le dispositif de blocage et l’organe de perforation de la cuve selon l’invention sont logés dans un espace délimité au moins en partie par un bossage de la membrane primaire d’étanchéité. Un tel bossage peut être dédié à la réception du dispositif de propulsion, du dispositif de blocage et de l’organe de perforation. Alternativement et de manière avantageuse, ce bossage est une onde formée dans une plaque métallique de la membrane primaire d’étanchéité.
Préférentiellement, le dispositif de perforation de la cuve selon l’invention comporte un dispositif de rappel de l’organe de perforation. Une fois le trou réalisé dans la membrane primaire d’étanchéité, un tel dispositif de rappel déplace l’organe de perforation de manière à garantir que celui-ci n’obstrue pas le trou qu’il a généré.
Avantageusement, la cuve selon l’invention comportant une paroi de fond et des parois latérales, le dispositif de perforation est disposé au niveau de la paroi de fond de la cuve.
Avantageusement encore, la cuve selon l’invention comporte une barrière primaire d’isolation dans l’espace primaire, la barrière primaire d’isolation comportant une pluralité de caissons d’isolation ou de panneaux d’isolation, le dispositif de perforation étant disposé dans un espace entre deux caissons de la pluralité de caissons d’isolation, ou entre deux panneaux d’isolation ou dans un caisson ou à l’intérieur d’un panneau isolant. Ces caissons ou panneaux isolent thermiquement la cuve pour limiter les entrées de calories.
Avantageusement, l’épaisseur de la membrane primaire d’étanchéité de la cuve selon l’invention est comprise entre 0,5 et 2 millimètres.
L’invention concerne également un procédé de fabrication d’un dispositif de palier tel que défini précédemment comprenant :
- une étape de surmoulage de la garniture d’isolation sur la deuxième bague du palier et sur la douille, les gorges annulaires de la garniture d’isolation étant formées lors du surmoulage,
- une étape de rectification des faces frontales de la deuxième bague et des faces frontales de la douille de l’ensemble formé par ladite deuxième bague, ladite douille et la garniture d’isolation, et
- une étape d’assemblage dudit ensemble avec la première bague du palier.
Brève description des figures La présente invention sera mieux comprise à l’étude de la description détaillée de modes de réalisation, pris à titre d’exemple nullement limitatifs et illustrés par les dessins annexés sur lesquels :
est une demi-vue en coupe d’un dispositif de palier selon un premier exemple de réalisation de l’invention,
sont des demi-vues en coupe d’une bague extérieure et d’un manchon d’isolation lors de la fabrication du dispositif de palier de la ,
est une demi-vue en coupe d’un dispositif de palier selon un deuxième exemple de réalisation de l’invention, et
sont des demi-vues en coupe selon des plans de coupe différents d’un dispositif de palier selon un troisième exemple de réalisation de l’invention.
Les bagues intérieure 12 et extérieure 14 du palier sont concentriques et s’étendent axialement le long de l’axe X-X’ du palier. Les bagues intérieure 12 et extérieure 14 sont réalisées en acier. Les bagues sont du type massive. On entend par « bague massive », une bague dont la forme est obtenue par usinage avec enlèvement de copeaux (tournage, rectification) à partir de tubes, de barres, d’ébauches forgées et/ou roulées.
Dans l’exemple de réalisation illustré, le palier 10 comprend également une rangée d’éléments roulants 16, ici des billes, interposés radialement entre les bagues intérieure 12 et extérieure 14. Les éléments roulants 16 sont réalisés en acier. Le palier 10 comprend également une cage 17 de maintien de l’espacement circonférentiel régulier des rouleaux 16. Le palier 10 peut être équipé en outre de joints d’étanchéité.
Une approche consiste alors à faire de l’ingénierie de contraintes mécaniques, de manière à compenser les contraintes mécaniques liées au différentiel de dilatation thermique. Ainsi, la couche de nucléation peut être réalisée à partir de couches minces intermédiaires, dites couches tampon, pour induire des contraintes mécaniques initiales en compression (déformation initiale en flexion de type convexe), lesquelles viendront compenser la mise en tension de la couche de nucléation lors du refroidissement (absence in fine de déformation en flexion). Cependant, cette approche nécessite d’avoir un contrôle fin des contraintes mécaniques au sein des couches, et s’avère difficile à mettre en œuvre lorsque le substrat support et la couche de nucléation présentent une grande surface, par exemple de l’ordre de 300mm, ou que l’on souhaite réaliser une couche semiconductrice d’une épaisseur de l’ordre de 4 à 5µm.
Une autre approche consiste à utiliser une couche de liaison, située entre le substrat support et la couche de nucléation, et réalisée en un matériau fusible. Le document US6746777B1 illustre une telle approche. Lors de la montée en température, le matériau fusible passe de l’état solide à l’état liquide, de sorte qu’il y a alors un découplage des contraintes mécaniques entre le substrat support et la couche de nucléation. Le paramètre de maille de celle-ci n’est alors plus contraint par le substrat support, ce qui permet de réaliser une couche semiconductrice de bonne qualité cristalline. De plus, on limite l’intensité des contraintes mécaniques associées au différentiel de dilatation thermique. Cependant, il existe un besoin de disposer d’un tel procédé dont les risques de dégradation de la couche de nucléation et/ou de la couche semiconductrice sont réduits.
L’invention a pour objectif de remédier au moins en partie aux inconvénients de l’art antérieur, et plus particulièrement de proposer un procédé de réalisation d’une couche semiconductrice par épitaxie à partir d’un substrat de croissance comportant une couche de liaison en un matériau fusible. Le procédé permet de limiter les risques de dégradations liées au différentiel de dilatation thermique. De plus, on préserve la qualité d’adhérence de la couche de nucléation sur la couche de liaison, que celle-ci soit à l’état solide ou à l’état liquide, et on réduit ainsi les risques de dégradations de la couche de nucléation associées aux contraintes mécaniques subies par celle-ci.
Pour cela, l’objet de l’invention est un procédé de réalisation d’une couche semiconductrice par épitaxie à partir d’un substrat de croissance présentant un coefficient de dilatation thermique différent de celui de la couche semiconductrice, le procédé comportant les étapes suivantes : réalisation du substrat de croissance formé d’un empilement d’un substrat support, d’une couche de liaison en un matériau fusible, puis d’une couche de nucléation ; puis réalisation de la couche semiconductrice par épitaxie à partir de la couche de nucléation, à une température d’épitaxie T e supérieure à une température de fusion T f du matériau fusible.
Selon l’invention, le procédé de réalisation comporte une étape de détermination, préalablement à la réalisation du substrat de croissance, d’une épaisseur seuil e th de la couche de nucléation, telle que celle-ci présente une énergie élastique E e , associée aux contraintes mécaniques orientées dans un plan parallèle au substrat support, inférieure à une énergie d’adhérence E a de la couche de nucléation sur la couche de liaison, pour une température T exp supérieure ou égale à la température de fusion T f . De plus, lors de la réalisation du substrat de croissance, la couche de nucléation est réalisée en un matériau présentant une structure cristallographique identique à celle du matériau de la couche semiconductrice, et présente une épaisseur inférieure ou égale à l’épaisseur seuil e th déterminée.
L’étape de détermination de l’épaisseur seuil e th peut comporter les étapes suivantes : réalisation d’un substrat de croissance dit test formé d’un empilement d’un substrat support test, d’une couche de liaison test, puis d’une couche de nucléation test, réalisés respectivement en les mêmes matériaux que ceux du substrat support, de la couche de liaison, et de la couche de nucléation, la couche de nucléation test présentant une épaisseur initiale e (i) susceptible d’être supérieure à l’épaisseur seuil e th ; exposition du substrat de croissance test à la température T exp supérieure ou égale à la température de fusion T f ; évaluation d’un critère de qualité d’adhérence, pour lequel l’énergie élastique E e de la couche de nucléation est inférieure à l’énergie d’adhérence E a de la couche de nucléation sur la couche de liaison ; réitération des étapes de réalisation du substrat de croissance test, d’exposition et d’évaluation, la nouvelle couche de nucléation test présentant alors une épaisseur inférieure à celle de l’itération précédente, jusqu’à ce que le critère de qualité d’adhérence soit validé, l’épaisseur seuil e th étant alors définie comme étant l’épaisseur de la couche de nucléation test vérifiant le critère de qualité d’adhérence.
L’étape d’évaluation peut comporter une mesure locale d’une dégradation de la couche de nucléation test par décollement, clivage et/ou fripure, le critère de qualité d’adhérence étant considéré comme validé en l’absence d’une telle dégradation. Pour cela, on peut mesurer une valeur d’une grandeur physique associée à la dégradation considérée, et définir que la dégradation est absence lorsque la valeur mesurée est inférieure ou égale à un seuil prédéfini.
L’étape de réalisation du substrat de croissance peut comporter les étapes suivantes : réalisation d’une première structure comportant la couche de nucléation, de sorte que la couche de nucléation présente un champ de contraintes mécaniques identique à celui de la couche de nucléation test ; réalisation d’une deuxième structure comportant le substrat support et la couche de liaison ; assemblage de la première structure sur la deuxième structure par collage de la couche de nucléation sur la couche de liaison.
Le collage de la couche de nucléation sur la couche de liaison peut être effectué par brasure, par thermocompression sous vide, ou par collage direct.
La couche de nucléation de la première structure peut présenter une épaisseur initiale supérieure à l’épaisseur seuil e th , l’étape de réalisation du substrat de croissance comportant alors une étape d’amincissement de la couche de nucléation pour qu’elle présente une épaisseur inférieure ou égale à l’épaisseur seuil e th déterminée ; l’étape d’amincissement étant effectuée avant l’étape d’assemblage de la couche de nucléation sur la couche de liaison, ou après l’étape d’assemblage de la couche de nucléation sur la couche de liaison.
L’étape d’amincissement peut être réalisée par meulage, gravure humide ou sèche, ou par Smart Cut TM .
La température de fusion T f peut être inférieure ou égale à 50%, ou à 25%, ou à 15%, de la température d’épitaxie T e .
La couche de nucléation et la couche semiconductrice peuvent être réalisées à base d’un composé cristallin III-V comportant des éléments des colonnes III et IV du tableau périodique, ou à base d’un composé cristallin II-IV comportant des éléments des colonnes II et VI du tableau périodique, ou d’un élément ou composé cristallin IV comportant au moins un élément de la colonne IV du tableau périodique. Le substrat support peut être réalisé en silicium, en saphir, en saphir, en silice, en verre, en quartz, en AlN, en SiC, ou en GaAs.
Le substrat support peut présenter une dimension, dans un plan parallèle aux couches de liaison et de nucléation, au moins égale à 200mm, voire à 300mm.
L’invention porte également sur une structure semiconductrice, comportant : un substrat de croissance formé d’un empilement d’un substrat support, d’une couche de liaison en un matériau fusible, puis d’une couche de nucléation ; et une couche semiconductrice épitaxiée à partir de la couche de nucléation ; le substrat de croissance présentant un coefficient de dilatation thermique différent de celui de la couche semiconductrice.
Selon une caractéristique de l’invention, ladite languette prolonge ledit conduit vers ledit échangeur thermique et ladite pièce est un pion cylindrique solidaire dudit échangeur thermique, une des deux butées proximale audit conduit comportant une entaille formant ledit dégagement et fermée par une lamelle sécable, ladite lamelle sécable étant en contact avec ledit pion. Par « fermée » on entend ici au moins partiellement fermée, l’important étant que la lamelle sécable bloque le déplacement du pion dans l’entaille en dehors d’une situation de choc frontal. Il convient de noter que ce mode de réalisation alternatif ne permet un maintien vertical du conduit de ventilation dans le véhicule que par la pression exercée sur le pion par la force de rappel élastique de la lamelle sécable, et qu’il peut être nécessaire de prévoir une butée spécifique sur l’échangeur thermique.
Selon une caractéristique de l’invention, ledit au moins un dispositif d’attache est un dispositif d’accroche par encliquetage. Cela permet un montage et remontage facilité du conduit de ventilation sur l’échangeur thermique, notamment sans vis.
Selon une caractéristique de l’invention, lesdits moyens de fixation comportent en outre un moyen de guidage dudit conduit sur ledit échangeur thermique selon ladite direction longitudinale.
Selon une caractéristique de l’invention, lesdits moyens de fixation comportent en outre un dispositif antivibratoire disposé entre l’échangeur thermique et le conduit de ventilation. Ce dispositif antivibratoire est par exemple un élastomère ou une lamelle souple disposée sur un ou plusieurs dispositifs d’accroche par encliquetage ou sur les moyens de maintien. Il permet de garantir la position du conduit de ventilation par rapport à l’échangeur thermique dans la direction longitudinale, de limiter les vibrations lors du roulage du véhicule, et d’éviter les problèmes de tolérance dues à la fabrication du conduit de ventilation et de l’échangeur thermique.
Selon une caractéristique de l’invention, l’échangeur thermique comporte un radiateur et un moto-ventilateur.
L’invention concerne aussi un procédé de montage du module thermique selon l’invention, comportant au moins les étapes de :
- positionnement de ladite pièce entre les dites deux butées en effectuant un mouvement de translation dudit conduit avec un angle d’attaque incliné par rapport à un plan d’allongement principal du module thermique,
- rotation dudit conduit autour d’un axe parallèle audit plan d’allongement principal et situé entre lesdites deux butées,
- fixation dudit conduit via ledit au moins un dispositif d’attache.
Le procédé de montage selon l’invention comporte des avantages analogues à ceux du module thermique selon l’invention.
illustre un module thermique selon l’invention, dans un premier mode de réalisation de l’invention, comportant notamment un conduit de ventilation et un échangeur thermique,
est une vue en perspective d’une pièce de moyens de maintien du module thermique selon l’invention, dans le premier mode de réalisation de l’invention, destinée à être solidaire du conduit de ventilation,
est une vue en coupe et en perspective d’autres éléments de moyens de maintien, destinés à être solidaires de l’échangeur thermique, dans le premier mode de réalisation de l’invention,
est une vue en coupe du module thermique selon l’invention au niveau de moyens de maintien du module thermique selon l’invention, dans le premier mode de réalisation de l’invention, rendant notamment visible la coopération entre la pièce de la et les éléments de la ,
est une vue en perspective d’une boîte à eau de l’échangeur thermique rendant visible les éléments des moyens de maintien de la ,
Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. En particulier, différentes structures de données non ordonnées et ordonnées n'ont pas été décrites et sont connues de la personne du métier.
Dans la description qui suit, les termes liaison montante et liaison descendante désignent respectivement le chargement de données à partir d'un dispositif terminal dans un réseau et le téléchargement de données depuis un réseau dans un dispositif terminal. Les termes paquets avant et paquets arrière désignent respectivement des paquets de données traversant une passerelle d'un réseau dans des directions opposées, la direction avant correspondant par exemple à la direction d'un premier paquet de données d'un flux donné de paquets.
La représente schématiquement un exemple d'un dispositif électronique 100 comprenant un circuit intégré 102 selon un mode de réalisation de la présente description. Le dispositif électronique 100 est par exemple un dispositif terminal dans un réseau, ou un dispositif de passerelle dans un réseau, ou peut jouer le rôle d'un dispositif terminal pour certains flux de paquets et d'un dispositif de passerelle pour d'autres flux de paquets.
Dans certains modes de réalisation, le dispositif 100 est un dispositif IoT. De plus ou selon une variante, le dispositif électronique 100 fait par exemple partie d'un système électronique d'une automobile.
Le dispositif électronique 100 comprend en outre une mémoire non volatile 104 (NV MEM) et une mémoire volatile 106 (RAM). La mémoire non volatile 104 est par exemple une mémoire FLASH. La mémoire volatile 106 est par exemple une mémoire vive. Les mémoires 104 et 106 sont par exemple reliées l'une à l'autre par l'intermédiaire d'un bus 108.
Le dispositif électronique 100 comprend en outre un circuit de traitement 110 (CPU) et une interface de communications 112 (INTERFACE), par exemple reliée aux mémoires 104 et 106 par l'intermédiaire du bus 108. Dans certains modes de réalisation, le circuit de traitement 110 est un processeur configuré pour exécuter des instructions stockées par exemple dans la mémoire 106. Selon un autre exemple, le circuit de traitement 110 est mis en œuvre par un matériel dédié, par exemple par un sous-système électronique dédié ou un ASIC (de l'anglais "Application Specific Integrated Circuit", circuit intégré propre à une application).
L'interface de communications 112 est par exemple configurée pour émettre et recevoir des flux de paquets vers des ou en provenance de dispositifs externes au dispositif électronique 100. Dans certains modes de réalisation, l'interface de communications 112 est une interface sans fil configurée pour recevoir des flux de paquets de données provenant de sources externes et envoyés par l'intermédiaire d'un réseau tel que, par exemple, un réseau Wi-Fi (de l'anglais "Wireless Fidelity", sans fil fidélité). De plus ou selon une variante, l'interface de communications 112 est une interface sans fil configurée pour émettre des flux de paquets de données vers des destinations externes par l'intermédiaire d'un réseau tel que, par exemple, un réseau Wi-Fi. Par exemple, le dispositif électronique 100 est connecté à l'Internet des Objets par l'intermédiaire de l'interface 112. Dans un autre mode de réalisation, l'interface 112 est une interface câblée configurée pour recevoir des flux de paquets de données provenant de sources externes et envoyés par l'intermédiaire d'un réseau câblé tel que, par exemple, un réseau Ethernet.