INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Ainsi, de préférence, les couronnes circonférentielles mobiles 21 et 22 sont de préférence destinées à accueillir les fuseaux 30 de manière provisoire et pour une durée courte, avant que lesdits fuseaux 30 ne soient disposés sur la ou les couronnes fixes 23 pour une durée plus longue. Les couronnes circonférentielles mobiles 21 et 22 correspondent alors à une zone de transition entre la zone de tressage 10 et les parties fixes de la zone de réserve 20. De préférence, la disposition d’un fuseau 30 sur l’une des couronnes mobiles 21, 22 n’est donc que provisoire, pour une durée correspondant de préférence à la durée nécessaire pour que le fil issu dudit fuseau, qui est en cours d’entremêlement avec les autres fils au moment où ledit fuseau est retiré de la zone de tressage, soit entièrement tressé à la structure tressée à réaliser. On réduit ainsi fortement le risque de singularités dans la structure tressée finale.
Comme illustré sur l’exemple de la , la machine selon l’invention comprend de préférence un système d’entraînement global qui comprend d’une part le système d’entraînement 71 des supports de guidage 51 et d’autre part le système d’entraînement 73, 74, 76, 21, 22 des supports de réserve 52.
Dans l’exemple illustré sur les figures 1 à 4, le système d’entraînement en rotation des couronnes mobiles 21 et 22, qui appartient au système d’entraînement des supports de réserve 52, peut être lié mécaniquement au système d’entraînement en rotation des roues à encoches 11, qui appartient au système d’entraînement des supports de guidage 51. Par exemple, comme illustré sur la , le système d’entraînement en rotation 71 de chaque roue à encoches 11, de préférence sous la forme d’engrenages, est relié par une courroie 72 à un pignon 73 appartenant à la zone de réserve 20. Les couronnes mobiles 21, 22 comprennent chacune une crémaillère circonférentielle 74, 76 actionnée directement ou indirectement par le pignon 73. Ainsi, dans l’exemple illustré sur la , le mouvement du système d’entraînement 71 des supports de guidage 51 est transmis au système d’entraînement 21, 22, 73, 74, 76 des supports de réserve 52 par le biais d’un système de transmission du mouvement sous la forme d’une courroie 72.
De préférence, afin de limiter encore le risque de singularité dans le tressage suite à un changement du nombre de fuseaux 30 participant au tressage, le système d’entraînement global est configuré de sorte que la vitesse angulaire d’au moins une partie des supports de réserve 52 soit fonction de la vitesse angulaire d’au moins une partie des supports de guidage 51, afin que le mouvement d’au moins une partie des supports de réserve 52 accompagne le mouvement d’au moins une partie des supports de guidage 51. De préférence, la vitesse angulaire d’au moins une partie des supports de réserve 52 est égale à la vitesse angulaire d’au moins une partie des supports de guidage 51, c’est-à-dire qu’au moins une partie des supports de réserve 52 parcoure la même étendue angulaire par rapport à l’axe central de la machine qu’au moins une partie des supports de guidage pour une durée donnée. L’axe central de la machine peut être défini par exemple comme l’axe passant par le point de tirage ou par le centre du mandrin de conformation de la machine, et passant par le centre du chemin de guidage principal. La vitesse angulaire est exprimée en radians par seconde et l’étendue angulaire en radians, le centre de référence étant un point de l’axe central de la machine de tressage.
Ainsi, au moins une partie des supports de guidage effectue un tour complet le long du chemin de guidage 100 lorsqu’au moins une partie des supports de guidage 51 effectue un tour complet du chemin de guidage 100.
Dans l’exemple illustré sur les figures 1 à 4, les couronnes mobiles 21, 22 effectuent un tour complet autour du chemin de guidage 100 lorsque qu’au moins une partie des fuseaux 30 effectue un tour complet du chemin de guidage 100. Ainsi, les fuseaux 30 présents sur la première couronne 21 mobile dans le sens horaire suivent le mouvement des fuseaux 30 mobiles dans le sens horaire sur le chemin de guidage 100, et les fuseaux 30 présents sur la deuxième couronne 22 mobile dans le sens antihoraire suivent le mouvement des fuseaux 30 mobiles dans le sens antihoraire sur le chemin de guidage 100. Le rapport de réduction entre la rotation des roues à encoches 11 et la rotation de chaque couronne circonférentielle 21, 22 doit par conséquent correspondre de préférence à la moitié de la valeur du nombre de roues à encoches 11 par rangée circonférentielle. Dans l’exemple illustré sur la , la machine de tressage comporte une unique rangée de roues à encoches 11 comprenant seize roues à encoches 11. Ainsi, la valeur du rapport de réduction entre la rotation de chaque engrenage 71 desdites roues à encoches 11 et la rotation de la crémaillère 74, 76 de chaque couronne mobile 21, 22 sera de huit.
La montre le diagramme SEM du matériau d’anode en carbone dur préparé selon l’Exemple 1, à partir duquel on peut voir que la morphologie du matériau était des particules sphéroïdes à bords arrondis.
La montre le diagramme XRD du matériau d’anode en carbone dur préparé selon l’Exemple 1, à partir duquel on peut voir qu’environ 24° correspondaient au plan cristallin du pic de diffraction (002), la largeur du demi-pic était plus grande et l’angle était plus petit, indiquant que le désordre de ce matériau de carbone dur était plus élevé, et l’espacement calculé entre les couches d=0,37 nm était favorable au stockage et à la libération des ions sodium.
Exemple 2 Un matériau d’anode en carbone dur a été préparé selon le présent exemple, qui comprenait les étapes suivantes.
(1) De l’amidon avec une taille de particules allant de 2 μm à 80 μm et de la nano-silice (5 nm à 50 nm) ont été mélangés selon un rapport massique de 100:1 dans un mélangeur à grande vitesse pendant 5 minutes pour obtenir l’amidon mélangé.
(3) Les microsphères à base d’amidon obtenues de l’étape (2) ont été placées dans un four tubulaire, purgées en introduisant de l’air pendant 30 min, et ont été encore chauffées jusqu’à la température cible de 200°C à une vitesse de chauffage de 5°C/min après 30 min de purge, ont subi un traitement thermique thermostatique à la température cible pendant 12h, et refroidies jusqu’à la température ambiante pour obtenir un deuxième produit fritté mélangé avec de la nano-silice.
(4) Le deuxième produit fritté obtenu de l’étape (3) a été séparé à travers un séparateur à cyclone pour obtenir de la silice et des microsphères préoxydées à base d’amidon, et les microsphères préoxydées à base d’amidon ont été encore séparées par séparation cyclonique pendant 4 fois pour éliminer la silice des microsphères préoxydées à base d’amidon, afin d’obtenir des microsphères préoxydées à base d’amidon d’une pureté de 99,6%.
(5) Les microsphères préoxydées à base d’amidon obtenues à l’étape (4) ont été placées dans un four de carbonisation à haute température, purgées en introduisant du N 2 pendant 30 min, chauffées jusqu’à la température cible de 1400°C à une vitesse de chauffage de 5°C/min, et ont subi un traitement thermique thermostatique à la température cible et sous une atmosphère de N 2 pendant 2h, et refroidies jusqu’à la température ambiante pour obtenir le matériau d’anode en carbone dur.
Exemple 3 Un matériau d’anode en carbone dur a été préparé selon le présent exemple, qui comprenait les étapes suivantes.
(1) De l’amidon avec une taille de particules allant de 2 μm à 80 μm et de la nano-silice (5 nm à 50 nm) ont été mélangés selon un rapport massique de 100:3 dans un mélangeur à grande vitesse pendant 5 minutes pour obtenir l’amidon mélangé.
(3) Les microsphères à base d’amidon obtenues de l’étape (2) ont été placées dans un four tubulaire, purgées en introduisant de l’air pendant 30 min, et ont été encore chauffées jusqu’à la température cible de 200°C à une vitesse de chauffage de 5°C/min après 30 min de purge, ont subi un traitement thermique thermostatique à la température cible pendant 12h, et refroidies jusqu’à la température ambiante pour obtenir le deuxième produit fritté mélangé avec de la nano-silice.
(4) Le deuxième produit fritté obtenu de l’étape (3) a été séparé à travers un séparateur à cyclone pour obtenir de la silice et des microsphères préoxydées à base d’amidon, et les microsphères préoxydées à base d’amidon ont été encore séparées par séparation cyclonique pendant 6 fois pour éliminer de la silice des microsphères préoxydées à base d’amidon, afin d’obtenir des microsphères préoxydées à base d’amidon d’une pureté de 99,5%.
Exemple de contraste 1 Un matériau d’anode en carbone dur a été préparé selon le présent exemple de contraste, qui diffère de l’Exemple 1 en ce qu’aucune nano-silice n’a été ajoutée. Le processus spécifique était comme suit.
(1) De l’amidon avec une taille de particules allant de 2 μm à 80 μm a été pris comme matière première, placé dans un four tubulaire, chauffé jusqu’à 220°C avec une vitesse de chauffage de 5°C/min sous la protection de N 2, a subi un traitement thermique thermostatique pendant 8h, et refroidi jusqu’à la température ambiante pour obtenir un premier matériau fritté grumeleux.
Toujours pour chaque condensateur 136, le fond 134 du support 132 présente une ouverture 908 (par exemple, une fenêtre ou bien une échancrure) laissant apparente une partie 910 de la première plaque de la barre omnibus inférieure 128. Cette partie 910 est conçue pour être connectée à l’autre des bornes 138,140 du condensateur 136 et sera appelée par la suite « partie de connexion 910 ». De préférence, la partie de connexion 910 de la première plaque de la barre omnibus inférieure 128 présente une épaisseur réduite par rapport au reste de la première plaque de la barre omnibus inférieure 128, par exemple réduite d’au moins 25%. Par exemple, la partie de connexion 910 présente une épaisseur d’au plus 0,6 mm [ , tandis que la première plaque de la barre omnibus inférieure 128 présente, autour de la partie de connexion 910, une épaisseur d’au moins 1 mm. Cette épaisseur réduite permet de faciliter le soudage de la borne 138, 140 du condensateur 136.
: une vue en perspective isométrique et en éclaté d’une partie haute d’une jambe de suspension de véhicule automobile, et de l’assemblage de butée supérieure de suspension de cette jambe de suspension selon un quatrième mode de réalisation ;
: une vue en coupe de la partie haute de la jambe de suspension de véhicule automobile, et de l’assemblage de butée supérieure de suspension de cette jambe de suspension selon ce quatrième mode de réalisation ;
: une vue en coupe d’une perspective isométrique de l’assemblage de butée supérieure de suspension de cette jambe de suspension selon ce quatrième mode de réalisation avant fixation du support inférieur avec le couvercle ;
: une vue en coupe d’une perspective isométrique de l’assemblage de butée supérieure de suspension de cette jambe de suspension selon ce quatrième mode de réalisation où des rabats de fixation du support inférieur traversent des orifices de fixation associés du couvercle en position libre, avant sertissage ;
: une vue en coupe d’une perspective isométrique de l’assemblage de butée supérieure de suspension de cette jambe de suspension selon ce quatrième mode de réalisation où les rabats de fixation sont sertis contre le couvercle du côté du couvercle opposé au bloc filtrant pour assurer la fixation du couvercle avec le support inférieur de bloc filtrant.;
: une vue du support inférieur selon ce quatrième mode de réalisation, avant sertissage des rabats de fixation ;
: une vue d’une variante de réalisation d’un support inférieur convenant pour ce quatrième mode de réalisation, avant sertissage des rabats de fixation ;
La portion centrale 41 du couvercle 40 de bloc filtrant forme une cuvette avec un fond 47 en appui axial contre la face supérieure 23 du bloc filtrant 20 et une paroi latérale annulaire 48 , de préférence cylindrique, conique ou tronconique, vient le cas échéant en appui radial contre une face annulaire périphérique 24 du bloc filtrant 20 . Cet appui radial peut être localisé voire occasionnel et permet notamment un auto-centrage par rapport à l’axe de référence A1 .
Quelle que soit la technique utilisée, le détourage peut générer des défauts que le polissage mécano-chimique va permettre en partie de résorber.
Le polissage mécano-chimique permet d’obtenir une surface libre 7 de la couche piézoélectrique amincie 5 présentant une rugosité compatible avec un collage sur le substrat receveur 12. Toutefois, à l’issue d’une telle étape de polissage mécano-chimique, les inventeurs ont remarqué que la surface polie 7 de la couche piézoélectrique amincie 5 présente un relief périphérique. La rapporte une analyse par profilométrie de la surface 7. L’analyse profilométrique est menée à l’aide d’une pointe dont on enregistre le déplacement vertical durant le balayage de la surface 7, de sorte à obtenir le profil topographique de la surface le long du chemin suivi par la pointe. La profilométrie de la surface 7 permet donc de mettre en évidence le relief périphérique précédemment mentionné (carré noir sur la ).
Plus les profils s’écartent de la planéité, plus l’impact sur le collage est négatif. Le procédé selon l’invention comprend donc un retrait de matière dans la région périphérique de ladite surface.
L’étape de retrait de matière dans la région périphérique de la surface polie 7 de la couche piézoélectrique amincie 5 est préférentiellement réalisée de sorte à aplanir le relief périphérique formé lors de l’étape de polissage mécano-chimique. L’objectif est d’éviter que, lors du collage sur le substrat receveur 12, ledit relief ne bloque l’eau de condensation et n’empêche son élimination sous l’effet de la propagation de l’onde de collage.
Les inventeurs observent que le relief périphérique peut atteindre plusieurs micromètres d’épaisseur et plusieurs millimètres de largeur et que les dimensions dudit relief dépendent des paramètres de meulage (tels que les vitesses de rotation de la meule et du plateau de meulage, la vitesse de descente et l’inclinaison de la meule) et des paramètres de polissage mécano-chimique (tels que la répartition de la pression appliquée sur les plaques, l’hydrodynamique du mélange colloïdal utilisé, la vitesse de rotation relative de la tête de polissage et du plateau). Il s’avère très difficile de décorréler l’effet de chacun de ces paramètres sur les caractéristiques du relief périphérique qui en résulte et donc d’identifier des valeurs de paramètres n’entrainant pas la formation d’un tel relief. Le retrait de matière périphérique selon l’invention apporte une solution extérieure au procédé d’amincissement et de polissage qui permet de supprimer le relief périphérique quels que soient les paramètres de meulage et de polissage mécano-chimique utilisés.
Le retrait de matière périphérique peut être réalisé par abrasion par un faisceau d’ions focalisé sur une zone de la périphérie de la surface 7 de la couche piézoélectrique amincie et polie 5, le faisceau d’ions balayant l’ensemble de ladite périphérie. Lors de la mise en œuvre de l’abrasion par faisceau d’ions, on peut régler plusieurs paramètres, tels que la largeur du faisceau, l’angle d’incidence, le courant (correspondant au flux d’ions constituant le faisceau), la vitesse de balayage (définissant le temps pendant lequel une zone de la surface se situe sous le faisceau) et la vitesse d’abrasion (correspondant à la vitesse d’enlèvement de la matière), afin de contrôler de manière très précise ledit retrait de matière périphérique. Il est en effet possible de moduler la vitesse d’abrasion jusqu’à des valeurs très faibles (de l’ordre de 10 -3 m 3 /s). Le contrôle combiné de la vitesse d’abrasion et de la vitesse de balayage permet d’atteindre une précision du profil de surface au nanomètre près.
L’abrasion par faisceau d’ions est une technique classiquement utilisée pour ajuster l’épaisseur d’un substrat piézoélectrique afin d’en améliorer les performances. L’invention propose d’utiliser cette technique pour rectifier la topologie de la surface du substrat et en améliorer la planéité. L’abrasion par faisceau d’ions présente l’avantage de permettre de corriger le profil de la surface avec suffisamment de précision pour éviter un retrait de matière trop important et la formation d’un creux. En effet, un tel creux affecterait également la qualité de collage entre le substrat donneur et le substrat receveur en augmentant la largeur de la surface périphérique sur laquelle les substrats ne sont pas correctement collés, surface qui se forme classiquement lors du collage de deux substrats notamment à cause des chanfreins que présentent les deux substrats.
En pratique, on enregistre préalablement le profil topographique par profilométrie. Puis, l’épaisseur à supprimer est déterminée de sorte à ce que le profil modifié ne présente qu’un seul maximum, donc un point de dérivée nulle, et que ce point soit le point le plus au centre du substrat (point le plus à droite des profils de la ).
Optionnellement enfin, la formation du substrat donneur 11 représenté sur la comprend en outre une étape de formation de la couche électriquement isolante 6 sur la surface libre 7 de la couche piézoélectrique amincie 5, du côté opposé au substrat de manipulation 4. Dans le cas où on a réalisé un polissage mécano-chimique suivi d’un retrait d’une portion périphérique de ladite surface 7, la couche électriquement isolante 6 est préférentiellement formée postérieurement à ces traitements sur la couche piézoélectrique amincie 5, polie et aplanie.
La couche électriquement isolante 6 est préférentiellement formée par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD) ou par dépôt physique en phase vapeur (PVD).
Selon un mode de réalisation alternatif de l’invention non développé ici, le substrat donneur comprend une couche semi-conductrice, la surface du substrat donneur à traiter (par polissage mécano-chimique et par retrait périphérique de matière) et à coller étant une surface libre de la couche semi-conductrice et la portion du substrat donneur transférée étant une portion de la couche semi-conductrice. Dans ce mode de réalisation également, l’abrasion par faisceau laser assure un retrait de matière périphérique avec une très grande précision.
Selon ce mode de réalisation également, une couche d’oxyde peut être formée sur la surface libre de la couche semi-conductrice, ladite couche pouvant avoir été préalablement traitée par polissage mécano-chimique et retrait de matière périphérique.
Selon ce mode de réalisation, le procédé permet d’obtenir une structure multicouche de type semi-conducteur sur isolant par transfert de la couche semi-conductrice sur un substrat receveur tel que le substrat 12
Fourniture d’un substrat receveur et éventuels traitements de la surface libre du substrat receveur.
Selon le mode de réalisation détaillé ici, le substrat receveur 12 représenté sur la comprend, de sa face arrière vers sa face avant : - un substrat support qui forme le substrat support 1 dans la structure de type piézoélectrique sur isolant 10 finale, - une couche électriquement isolante qui forme la couche électriquement isolante 2 dans la structure de type piézoélectrique sur isolant 10 finale.
Le substrat support 1 est donc fabriqué en un matériau tel que le silicium (Si), le saphir, l’alumine (Al 2 O 3 ), le nitrure d’aluminium (AlN), le verre, le quartz, la mullite, le molybdène (Mo), le tungstène (W), le phosphure d’indium (InP), l’arséniure de galium (GaAs) et/ou le carbure de silicium (SiC). Le substrat support 1 présente une épaisseur comprise entre 10 µm et 2 mm, préférentiellement une épaisseur comprise entre 200 µm et 1 mm.
La présente invention a notamment pour but d’apporter une solution à ce problème. Elle concerne un système anti-surpression pour réservoir cryogénique. Ce système anti-surpression est remarquable en ce qu’il comprend un réservoir tampon ainsi qu’une première vanne anti-surpression installée en série sur une canalisation entre le réservoir cryogénique et le réservoir tampon, et en ce que le réservoir tampon est raccordé à une deuxième vanne anti-surpression,
- la première vanne anti-surpression étant une vanne active, c’est-à-dire une vanne contrôlée de telle façon que lorsque la pression dans le réservoir cryogénique atteint une valeur de pression prédéterminée, la vanne laisse sortir du réservoir un débit de gaz tel qu’il permet de maintenir la pression à cette valeur de pression prédéterminée dans le réservoir ; et
- la deuxième vanne anti-surpression étant une vanne passive, c’est-à-dire une vanne qui s’ouvre automatiquement lorsque la pression dans le réservoir tampon atteint à la hausse un premier seuil de pression et qui se referme automatiquement lorsque la pression dans le réservoir tampon atteint à la baisse un deuxième seuil de pression prédéterminé.
Ainsi, les pertes de fluide dans le réservoir dues au système anti-surpression sont limitées au strict nécessaire pour limiter la pression dans le réservoir à la valeur de pression prédéterminée. De plus, l’évacuation de gaz vers l’extérieur du système est limitée aux instants d’ouverture de la deuxième vanne. Cela présente l’avantage d’éviter un risque permanent d’inflammation du gaz évacué lorsque ce gaz est inflammable, tel par exemple l’hydrogène.
- la valeur du deuxième seuil de pression est comprise entre 0,5 et 2 bars ;
- le système anti-surpression comprend une canalisation d’évacuation de gaz raccordée au réservoir tampon et la deuxième vanne est installée en série sur cette canalisation d’évacuation de gaz ;
- la valeur du premier seuil de pression est inférieure à la valeur de pression prédéterminée.
L’invention est également relative à un système de stockage cryogénique de fluide comprenant un réservoir cryogénique ainsi qu’un tel système anti-surpression.
La , déjà décrite, est une vue schématique d’un réservoir cryogénique selon l’art antérieur.
La , déjà décrite, illustre l’évolution de la pression dans le réservoir cryogénique de la , en fonction du temps.
La , déjà décrite, illustre l’évolution de la masse de fluide dans le réservoir cryogénique de la , en fonction du temps.
La est une vue schématique d’un système de stockage cryogénique de fluide comprenant un système anti-surpression conforme à un mode de réalisation de l’invention.
Le système anti-surpression 40 représenté sur la comprend un réservoir tampon 45 relié au réservoir cryogénique 1 par une canalisation 42 sur laquelle est installée en série une première vanne anti-surpression 44. Le réservoir tampon 45 est également raccordé à une deuxième vanne anti-surpression 48. De façon avantageuse, la deuxième vanne anti-surpression 48 est installée en série sur une canalisation 46 d’évacuation de gaz raccordée au réservoir tampon. La première vanne anti-surpression 44 est une vanne active, c’est-à-dire une vanne contrôlée par un contrôleur 43 de telle façon que lorsque la pression dans le réservoir cryogénique 1 atteint une valeur de pression prédéterminée, la vanne laisse sortir du réservoir un débit de gaz tel qu’il permet de maintenir la pression à cette valeur de pression prédéterminée dans le réservoir. Cette valeur de pression prédéterminée correspond avantageusement au seuil de pression P1 précité auquel la valeur de la pression à l’intérieur du réservoir doit être limitée. La deuxième vanne anti-surpression 48 est une vanne passive, c’est-à-dire une vanne qui s’ouvre automatiquement lorsque la pression dans le réservoir tampon 45 atteint à la hausse un premier seuil de pression et qui se referme automatiquement lorsque la pression dans le réservoir tampon atteint à la baisse un deuxième seuil de pression prédéterminé.
description DÉTAILLÉE d’un mode de rÉalisation Sur la est illustrée la partie haute d'une jambe de suspension, en appui sur un élément 10 3 de caisse de véhicule en forme ici de bol tronconique inversé. La jambe de suspension comporte un ressort hélicoïdal 10 5 , un amortisseur télescopique 106 situé à l'intérieur du ressort hélicoïdal 10 5 , et un assemblage 100 de butée supérieure de suspension, réalisant une interface entre la caisse 10 3 d’une part, et le ressort hélicoïdal 10 5 et l’amortisseur télescopique 106 d’autre part.