Procédé de fabrication d’une structure (100) comprenant une pluralité de membranes (11) chacune surplombant une cavité (3), le procédé de fabrication comprenant les étapes suivantes : a) une étape de formation d’une pluralité de cavités (3) débouchant au niveau d’une face avant (2a) d’un substrat support (2), les cavités (3) présentant une profondeur (p) et une aire (A) dans le plan (x,y) de la face avant (2a), et étant espacées d’un espacement (e) ; b) une étape d’assemblage par collage direct d’un substrat donneur (1) sur le substrat support (2), au niveau de leurs faces avant respectives (1a,2a), de manière à sceller les cavités (3) sous vide, le collage direct étant hydrophile et impliquant un nombre donné (N) de monocouches d’eau à une interface de contact (5) entre le substrat donneur (1) et le substrat support (2) ; c) une étape de transfert d’une couche mince (10) issue du substrat donneur (1) sur le substrat support (2), ladite couche mince (10) composant les membranes (11) à l’aplomb des cavités (3) ; le procédé de fabrication étant caractérisé en ce que : - étant définie une aire spécifique (S) autour de chaque cavité (3), dans le plan de l’interface de contact (5), ladite aire spécifique (S) s’exprimant en fonction de la moitié de l’espacement (e), - l’aire (A), la profondeur (p) de chaque cavité, et l’aire spécifique (S) sont définies à l’étape a) pour satisfaire la relation suivante : S / A = (P atm x p) / (N x 10 15 x k B x T), avec P atm la pression atmosphérique, N le nombre de monocouches d’eau à l’interface de contact, k B la constante de Boltzmann et T la température ambiante. Procédé de fabrication selon la revendication précédente, dans lequel le nombre (N) de monocouches d’eau est compris entre 1 et 5, plus particulièrement compris entre 1 et 3. Procédé de fabrication selon l’une des revendications précédentes, dans lequel : - chaque cavité (3) a une forme carrée dans le plan (x,y) de la face avant (2a) du substrat support (2), présentant une longueur de côté (L) et les cavités (3) sont réparties de façon matricielle avec un espacement (e) constant entre elles, - l’espacement (e) et la longueur (L) des cavités sont reliés par la relation suivante : e / L = racine[1 + [(P atm x p) / (N x 10 15 x k B x T)]] – 1. Procédé de fabrication selon l’une des revendications précédentes, dans lequel : - le substrat support (2) est formé d’au moins un matériau choisi parmi le silicium, le germanium, les composés semi-conducteurs III-V, le tantalate de lithium, le niobate de lithium et le verre, - la couche mince (10) est formée d’au moins un matériau choisi parmi le silicium, le germanium, les composés semi-conducteurs III-V, le tantalate de lithium et le niobate de lithium, et - au moins un parmi le substrat support (2) et la couche mince (10) de la structure (100) comprend un matériau, le long de l’interface de contact (5), qui s’oxyde en présence de molécules d’eau. Procédé de fabrication selon l’une des revendications précédentes, dans lequel l’étape c) de transfert est basée sur : - la création d’un plan fragile enterré dans le substrat donneur (1), préalablement à l’étape b) d’assemblage, et - l’application d’un traitement thermique au cours de l’étape c) pour développer des microfissures dans le plan fragile enterré et aboutir à une séparation le long dudit plan. Procédé de fabrication selon l’une des revendications précédentes, comprenant une séquence préparatoire, préalable à l’étape a), dans le cas où le nombre de monocouches d’eau (N) impliquées dans le collage direct de l’étape b) n’est pas connu, ladite séquence préparatoire comprenant : - la formation d’une pluralité de cavités débouchant au niveau d’une face avant d’un substrat support de test, les cavités présentant la profondeur (p) et des dimensions latérales (L), et étant espacées d’un espacement test (e1) ; - l’assemblage par collage direct d’un substrat donneur (1) sur le substrat support de test, au niveau de leurs faces avant respectives, de manière à sceller les cavités sous vide, le collage direct étant hydrophile et impliquant un nombre donné (N) de monocouches d’eau à une interface de contact entre le substrat donneur (1) et le substrat support de test ; - le transfert d’une couche mince (10) issue du substrat donneur (1) sur le substrat support de test, pour former une structure test ; - la mesure d’une déformation moyenne (h 0 ), selon un axe (z) normal au plan (x,y) de la face avant du substrat support de test, d’une pluralité de membranes (11) de la structure test ; - la détermination de l’espacement (e) entre les cavités à appliquer à l’étape a), en fonction de l’espacement test (e1), des dimensions latérales (L) des cavités, de la déformation (h 0 ) moyenne des membranes (11), de la profondeur (p) des cavités et de l’épaisseur de la couche mince (10).