INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Le retour élastique : le retour élastique s’exprime en pourcentage (%). Il est représentatif du pouvoir de récupération du fil élastique lorsque les contraintes appliquées pour le déformer sont levées. On cherche à obtenir un retour élastique le plus élevé possible. Le retour élastique a été mesuré conformément à la méthode décrite dans la norme DIN 53835-2 ; La déformation permanente : la déformation permanente ou irréversible s’exprime en pourcentage (%). Elle est représentative de la perte permanente d’élasticité du fil après plusieurs étirements successifs. On cherche à obtenir la déformation permanente la plus faible possible. La déformation permanente a été mesurée conformément à la méthode décrite dans la norme DIN 53835-2.
Tous les tests ont été réalisés sous conditions d’ambiance normalisées par la norme DIN EN ISO 139 (l’humidité relative (HR) étant de 65% ± 2%, la température étant de 20°C ± 2°C).
, , et sont des graphes montrant les courbes d’hysteresis obtenues respectivement pour les fils des Essais 1, 2, 3 et 4. A partir de ces courbes, il est possible de calculer le retour élastique et la déformation permanente des fils des Essais 1-4.
Les résultats sont représentés sur le graphe montré à la .
Il ressort de ce graphe que le procédé selon l’invention permet de réaliser un fil, par exemple un fil monofilament, à base d’un copolymère à blocs polyamide et à blocs polyéther recyclable présentant des propriétés viscoélastiques remarquables. Ainsi, l’Essai 1 possède un retour élastique de 96,6% et une déformation permanente de seulement 2,5%. Le procédé selon l’invention permet ainsi de réaliser des fils élastiques recyclables présentant des propriétés élastiques comparables aux fils élastiques existants qui ne sont pas recyclables.
Par exemple, l’installation 2 comporte des conducteurs électriques 6 permettant la circulation d’un courant électrique, de préférence un courant électrique alternatif (AC) monophasé ou polyphasé.
Dans l’exemple illustré, l’installation 2 est une installation monophasée avec neutre et comporte à ce titre une ligne de phase (P in , P out , notée L dans ce qui suit) et une ligne de neutre (N in , N out , notée N dans ce qui suit). Cet exemple n’est cependant pas limitatif. En variante, l’installation pourrait comporter un nombre différent de conducteurs 6, par exemple pour accommoder des courants polyphasés, notamment triphasés, avec ou sans neutre.
L’appareil de protection 4 est ici connecté en amont de la source électrique (sur ses entrées N in et P in ) et en aval de ou des charges électriques (sur ses sorties N out et P out ).
De façon générale, l’appareil de protection 4 est destiné à protéger des équipements électriques tels que des charges électriques et/ou l’installation 2 elle-même contre des défauts électriques tels que des surtensions, des courts circuits ou des défauts différentiels.
Dans ce qui suit, on désignera par l’appellation « circuit électrique aval » la portion de l’installation électrique 2 qui se trouve connectée en aval de l’appareil de protection 4 (par exemple du côté de la sortie de l’appareil de protection 4) et qui comporte au moins une desdites charges électriques.
Sur la , les défauts électriques susceptibles d’apparaître dans l’installation 2, en aval de l’appareil de protection, sont représentées schématiquement par des blocs d’impédances Zcc, Z dN et Z dL .
L’impédance Zcc connectée entre deux pôles correspond à un défaut de basse impédance ou de court-circuit. Les impédances Z dN et Z dL connectées entre un pôle et la terre correspondent, respectivement, à un défaut de fuite sur la ligne de neutre (impédance terre neutre) et à un défaut de fuite sur la ligne de phase (impédance terre phase).
L’appareil de protection 4 est ici un appareil de protection différentielle (RCD, pour « residual current device » en anglais), mais cet exemple n’est pas limitatif et d’autres exemples sont possibles. Par exemple, en variante, l’appareil de protection 4 pourrait être un disjoncteur.
De façon générale, l’appareil de protection 4 comporte un élément de mesure 8, un déclencheur 10 et des contacts électriques séparables 11 qui raccordent les bornes d’entrée (N in et P in ) aux bornes de sortie (N out et P out ) de l’appareil de protection 4.
Les contacts séparables 11 sont commutables, réversiblement et sélectivement, entre un état fermé, dans lequel l’appareil de protection 4 laisse passer le courant, et un état ouvert, dans lequel l’appareil de protection 4 empêche le passage du courant.
L’élément de mesure 8, qui peut comporter un capteur, notamment un capteur de courant ou de tension, de préférence associé aux conducteurs 6, est configuré pour détecter un défaut électrique dans l’installation 2. Le déclencheur 10 est apte à déclencher la commutation des contacts électriques 11 vers un état ouvert depuis un état fermé afin de déconnecter le réseau de l’installation 2 lorsqu’un défaut électrique est détecté grâce à l’élément de mesure 8.
Dans l’exemple, l’élément de mesure 8 est un tore de mesure différentielle qui entoure les conducteurs électriques 6 des lignes de neutre et de phase.
On comprend toutefois que la nature de l’élément de mesure 8 et du déclencheur 10 peuvent être différentes en fonction de la nature de l’appareil de protection 4. Par exemple, si l’appareil de protection 4 est un disjoncteur au lieu d’un appareil de protection différentielle, alors l’élément de mesure 8 et/ou le déclencheur 10 peuvent être au moins en partie remplacés par un déclencheur magnétothermique. D’autres modes de réalisation sont bien évidemment possibles.
Le module de détection 12 est ici connecté électriquement en parallèle de l’appareil de protection 4.
Dans les modes de réalisation illustrés, le module de détection est intégré au sein de l’appareil de protection 4, par exemple dans un même boîtier que l’appareil de protection 4.
Mais en variante, le module de détection pourrait être intégré dans un module indépendant et associé électriquement et/ou mécaniquement à l’appareil de protection électrique, Par exemple le module de détection pourrait être un module externe amovible connecté à l’appareil de protection 4. Le module externe pourrait alors comporter son propre boîtier, avec de préférence des moyens de fixation, permettant la fixation de ce boîtier sur un rail de fixation aux côtés de l’appareil de protection 4, ou directement sur un boîtier de l’appareil de protection 4. De préférence, le cas échéant, le boîtier propre du module externe présente une largeur normalisée, par exemple 18mm de large ou 36mm de large, pour faciliter l’installation dans des tableaux électriques.
Après une étape de déshuilage, telle que décrite à l’exemple 1, le catalyseur usé U2 a été obtenu ; il contient 12 %pds de carbone.
Exemple 5 : Obtention du catalyseur régénéré R3 (comparatif)
Une partie du catalyseur usé U2 subit une régénération sous atmosphère oxydante à 480°C pendant 2 heures sous un flux d’air sans eau de 450 NL/L/h. On obtient le catalyseur régénéré R3 qui contient 0,14 %pds de soufre et ne contient plus de carbone. Sa composition en métaux n’est pas modifiée par rapport au catalyseur neuf A.
Le catalyseur R3 a une surface BET de 347 m 2 /g, ce qui représente 90% de la surface BET du catalyseur neuf A. Il présente également un volume poreux de 0,58 mL/g, ce qui représente 96% du volume poreux du catalyseur neuf A.
Exemple 6 : Obtention du catalyseur régénéré R4 (comparatif)
Une autre partie du catalyseur usé U2 subit une régénération sous atmosphère oxydante à 400°C pendant 2 heures sous un flux d’air sans eau de 450 NL/L/h. On obtient le catalyseur régénéré R4 qui contient 0,56 %pds de carbone et 0,39 %pds de soufre. Sa composition en métaux n’est pas modifiée par rapport au catalyseur neuf A.
Le catalyseur R4 a une surface BET de 370 m 2 /g et un volume poreux de 0,58 mL/g, ce qui représente respectivement 96% de la surface BET et 96% du volume poreux du catalyseur neuf A.
Exemple 7 : Obtention des catalyseurs réjuvénés R1R, R3R (comparatifs) et R2R, R4R (selon l’invention)
Le catalyseur R1 issu de l’exemple 2 a été imprégné à sec avec une solution aqueuse constituée d’acide phosphorique et d’acide γ-cétovalérique (pKa1 = 4,6) ayant les ratios molaires P ajouté / Mo de 0,2 et acide γ-cétovalérique / Mo de 0,08. Après une maturation de 3 heures, le catalyseur est séché à 120°C pendant 2 heures. Le catalyseur séché est ensuite calciné à 400°C pendant 4 heures sous un flux d’air de 450 NL/L/h contenant 50 g d’eau par kg d’air sec On obtient alors le catalyseur R1R qui présente des teneurs en MoO 3 et en NiO identiques à celles du catalyseur A ou encore du catalyseur R1.
Les catalyseurs R2R, R3R et R4R sont préparés de la même manière, mais par imprégnation des catalyseurs régénérés R2, R3 et R4 issus respectivement des exemples 3, 5 et 6.
Exemple 8 : Performances catalytiques des catalyseurs A, U1, R1, R2, U2, R3, R4, R1R, R2R, R3R et R4R.
Les performances des catalyseurs décrits précédemment sont évaluées en hydrocraquage en une étape d’une charge comprenant une fraction distillats sous vide à l’aide d’une unité pilote de test isotherme en configuration downflow.
Cette charge de test a préalablement été hydrotraitée. Après cette étape d’hydrotraitement, la charge de test présente les propriétés du tableau 1 ci-après. Afin de simuler les pressions partielles d’hydrogène sulfuré et d’ammoniac générées par l’étape d’hydrotraitement du procédé, la charge de test est additivée respectivement de DMDS et d’aniline de manière à obtenir 15300 ppm pds de soufre et 1400 ppm pds d’azote dans la charge additivée finale.
Caractéristique de la charge hydrotraitée
Caractéristiques unité Valeur Densité à 15°C g/mL 0,8889 Azote ppm poids 46 Soufre ppm poids 143 Carbone Aromatique %poids 9,4 Point initial Distillation Simulée °C 174 T°C 10% Distillation simulée °C 343 T°C 20% Distillation simulée °C 381 T°C 30% Distillation simulée °C 404 T°C 40% Distillation simulée °C 422 T°C 50% Distillation simulée °C 439 T°C 60% Distillation simulée °C 455 T°C 70% Distillation simulée °C 473 T°C 80% Distillation simulée °C 494 T°C 90% Distillation simulée °C 523 Point final Distillation Simulée °C 599
Chaque catalyseur est évalué séparément et est sulfuré préalablement au test d’hydrocraquage à l’aide d’un gazole straight run additivé de 4% poids de diméthyldisulfure (DMDS) et 2% poids d’aniline. La sulfuration est conduite à une VVH de 2 h -1 , un rapport volumique H 2 /charge de 1000 NL/L, une pression totale de 14 MPa et une température de 350°C pendant 6 heures.
où N est le nombre de chaines de sous-modules du premier module de conversion électrique, C 1 est une capacité équivalente d’une chaine de sous-modules du premier module de conversion électrique, K 1 est le paramètre d’entrée réglable, v 3,4 est la tension mesurée entre les troisième et quatrième terminaux continus, v * 3,4ref est une consigne de tension entre les troisième et quatrième terminaux continus et W 1ref est une valeur nominale de l’énergie interne du premier module de conversion électrique lorsque v 3,4 est égale à v * 3,4ref . Autrement dit, C 1 est la capacité équivalente des condensateurs des sous-modules d’une des chaines de sous-modules du premier module de conversion électrique.
Cette équation est une équation générale s’appliquant à un convertisseur DC/DC quelconque.
Partant de cette expression de la consigne d’énergie interne W i1 *, il peut être démontré que :
où C dc2 est la capacité équivalente du second réseau d’alimentation électrique continu connecté aux troisième et quatrième terminaux continus, P 1,2 est la puissance prélevée (respectivement fournie) au premier réseau d’alimentation électrique continu, P dc2 est la puissance consommée (respectivement fournie) par le second réseau d’alimentation électrique continu et alpha est un facteur dépendant de la topologie du convertisseur de tension.
Selon cette équation, grâce au module de contrôle selon l’invention, la capacité du second réseau d’alimentation électrique continu est augmentée virtuellement d’une valeur de capacité virtuelle, en utilisant l’énergie interne du premier module de conversion électrique. La valeur de cette capacité virtuelle est :
La valeur de cette capacité virtuelle peut être réglée en ajustant le paramètre d’entrée réglable K 1 .
Avantageusement, le module de contrôle est en outre configuré pour déduire de ladite consigne d’énergie interne du premier module de conversion électrique une consigne de tension aux bornes des chaines de sous-modules desdits premier et deuxième modules de conversion électrique.
Le module de contrôle est donc configuré pour contrôler, de préférence de manière coordonnée, les tensions aux bornes des chaines de sous-modules des premier et deuxième modules de conversion électrique, ce qui permet de réguler les échanges d’énergie entre les premier et deuxième modules de conversion électrique.
Avantageusement, le premier module de conversion électrique comprend une deuxième borne alternative reliée électriquement à ladite partie alternative du convertisseur de tension, le premier module de conversion électrique comprenant en outre une chaine de sous-modules connectés en série entre ladite première borne continue et ladite deuxième borne alternative.
Le premier module de conversion électrique comprend alors au moins deux chaines de sous-modules connectées respectivement entre la première borne continue et la première borne alternative et entre la première borne continue et la deuxième borne alternative du premier module de conversion électrique. Ces chaines de sous-modules sont avantageusement chacune connectées respectivement dans un premier et un deuxième demi-bras supérieurs du premier module de conversion électrique.
Avantageusement, le premier module de conversion électrique comprend en outre une deuxième borne continue reliée électriquement à l’un des deuxième et troisième terminaux continus, le premier module de conversion électrique comprenant en outre une chaine de sous-modules connectés en série entre ladite première borne alternative et ladite deuxième borne continue du premier module de conversion électrique. Une telle configuration correspond notamment à un convertisseur de tension présentant une topologie en autotransformateur DC ou en Front-to-Front MMC.
Le premier module de conversion électrique comprend avantageusement un demi-bras inférieur s’étendant entre ladite première borne alternative et ladite deuxième borne continue, et dans lequel est connectée ladite chaine de sous-modules.
Le premier module de conversion électrique comprend avantageusement au moins un premier bras s’étendant entre ses première et deuxième bornes continues.
Lorsque le convertisseur de tension présente une topologie en autotransformateur DC, ladite deuxième borne continue est reliée électriquement au troisième terminal continu. Lorsque le convertisseur de tension présente une topologie en Front-to-Front MMC, ladite deuxième borne continue est reliée électriquement au deuxième terminal continu.
De préférence, au moins une inductance est connectée en série avec ladite chaine de sous-modules entre ladite première borne alternative et ladite deuxième borne continue du premier module de conversion électrique.
De manière avantageuse, le module de contrôle comprend un calculateur supplémentaire configuré pour calculer une consigne d’énergie interne du deuxième module de conversion électrique, cette énergie interne étant stockée dans les condensateurs des sous-modules dudit deuxième module de conversion électrique, cette consigne d’énergie interne du deuxième module de conversion électrique étant calculée par application d’une fonction ayant un paramètre d’entrée réglable, ladite consigne d’énergie interne du deuxième module de conversion électrique étant fonction de la tension mesurée entre les premier et deuxième terminaux continus, le module de contrôle supplémentaire étant configuré pour déduire de cette consigne d’énergie interne du deuxième module de conversion électrique une consigne de tension aux bornes de chaque condensateur dudit deuxième module de conversion électrique.
Afin de ne pas surcharger le dessin, le substrat 101, les couches électriquement isolantes 103 et 107 et les régions électriquement isolantes 305 n’ont pas été représentés en .
Dans l’exemple représenté, le commutateur 300 comporte en outre une couche électriquement isolante 307. La couche 307 du commutateur 300 est par exemple analogue à la couche 111 du commutateur 100. Dans le commutateur 300, la couche 307 est interposée entre la couche 303 et l’élément chauffant 113. Plus précisément, dans l’exemple illustré, la couche 307 revêt la face supérieure des piliers 301, la face supérieure et les flancs de la couche 303, les flancs de la région 109, les parties exposées des électrodes 105a et 105b et la face supérieure et les flancs des régions 305. À titre d’exemple, la couche 307 est en un matériau électriquement isolant et thermiquement conducteur, par exemple le même matériau que celui des piliers 301, par exemple le nitrure de silicium ou le nitrure d’aluminium.
Bien que cela n’ait pas été illustré sur les figures, la structure du commutateur 300 peut être revêtue, du côté de la face supérieure du substrat 101, d’une couche thermiquement isolante destinée à confiner la chaleur produite par l’élément chauffant 113.
Le commutateur 300 présente une structure dans laquelle l’élément chauffant 113 est plus éloigné du substrat 101 que la couche 109 en matériau à changement de phase. Cela implique une capacité thermique faible, l’élément chauffant 113 pouvant être situé à proximité de l’air ambiant. Il en résulte avantageusement des échanges thermiques rapides, donc des durées de commutation faibles.
La est une vue en coupe, schématique et partielle, d’un exemple d’un commutateur 500 à base d’un matériau à changement de phase selon un mode de réalisation.
Le commutateur 500 de la comprend des éléments communs avec le commutateur 300 des figures 3 et 4. Ces éléments communs ne seront pas détaillés à nouveau ci-après. À la différence du commutateur 300 des figures 3 et 4, dans lequel la région 109 en matériau à changement de phase est située au-dessous de l’élément chauffant 113, la région 109 du commutateur 500 est, dans l’orientation de la , située au-dessus de l’élément chauffant 113.
Dans l’exemple représenté, l’élément chauffant 113 est plus précisément sur et en contact avec la face supérieure de la couche électriquement isolante 103. En outre, dans cet exemple, la couche électriquement isolante 307 revêt la face supérieure et les flancs de l’élément chauffant 113 et se prolonge sur des parties de la face supérieure de la couche 103 non revêtues par l’élément chauffant 113.
Dans l’exemple illustré en , la région 109 en matériau à changement de phase, traversée par les piliers 301, est située sur et en contact avec la face supérieure de la couche 307, à l’aplomb de l’élément chauffant 113. Dans cet exemple, les électrodes de conduction 105a et 105b du commutateur 500 sont sur et en contact avec la face supérieure de la couche 307. En outre, les électrodes 105a et 105b revêtent chacune un flanc et une partie de la face supérieure de la région 109.
Dans l’exemple représenté, la couche électriquement isolante 107 s’étend entre les électrodes 105a et 105b. La couche 107 est, dans l’orientation de la , sur et en contact avec la face supérieure de la région 109.
Bien que cela n’ait pas été illustré en , le commutateur 500 peut en outre comporter une couche de passivation de la région 109 et des régions électriquement isolantes analogues respectivement à la couche 303 et aux régions 305 du commutateur 300 des figures 3 et 4.
Par rapport au commutateur 300, le commutateur 500 présente une structure dans laquelle l’élément chauffant 113 est plus proche du substrat 101. Cela implique, dans le cas du commutateur 500, une capacité thermique supérieure qui favorise l’application d’une tension de commande moindre sur l’élément chauffant 113, par rapport au commutateur 300, pour obtenir une élévation comparable de la température de la région 109 lors des commutations.
Les figures 6A à 6C illustrent, par des vues en coupe schématiques et partielles, des étapes successives d’un exemple d’un procédé de fabrication du commutateur 300 de la selon un mode de réalisation.
La illustre plus précisément une étape de formation de la couche électriquement isolante 103 sur la face supérieure du substrat 101, par exemple par oxydation thermique du matériau du substrat 101. La illustre en outre une étape de réalisation des électrodes de conduction 105a et 105b sur la face supérieure de la couche 103. À titre d’exemple, un niveau de métallisation est d’abord déposé, par exemple par dépôt physique en phase vapeur (« Physical Vapor Deposition » - PVD, en anglais) d’une ou plusieurs couches métalliques, du côté de la face supérieure du substrat 101. Des étapes de photolithographie puis gravure permettent ensuite de conserver uniquement des parties du niveau de métallisation qui sont situées aux emplacements souhaités des électrodes 105a et 105b. Des lignes radiofréquence, non représentées en , peuvent en outre être formées dans le premier niveau de métallisation au cours de cette étape.
La illustre une étape de formation de la couche électriquement isolante 107 autour des électrodes 105a et 105b. À titre d’exemple, la couche 107 est d’abord déposée, par exemple par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (« Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition » - PECVD, en anglais), par exemple plus précisément par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma à haute densité (« High-Density Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition » - HDPCVD ou HDP PECVD, en anglais), du côté de la face supérieure de la structure de la . La couche 107 peut, après dépôt, revêtir les électrodes 105a et 105b et présenter une épaisseur par exemple de l’ordre de 700 nm. Une étape de planarisation, par exemple par polissage mécano-chimique, permet ensuite d’exposer les faces supérieures des électrodes 105a et 105b. La couche 107 présente par exemple alors une épaisseur sensiblement égale à celle des électrodes 105a et 105b.
La illustre en outre une étape de formation des régions électriquement isolantes 305. À titre d’exemple, une couche électriquement isolante est d’abord déposée du côté de la face supérieure du substrat 101. Des étapes de photolithographie puis gravure permettent alors de conserver des parties de la couche électriquement isolante situées aux emplacements souhaités des régions 305. À titre de variante, les régions 305 peuvent être formées par dépôt localisé d’un matériau électriquement isolant du côté de la face supérieure du substrat 101.
La illustre une étape de formation de la région 109 en matériau à changement de phase et de la couche de passivation 303. À titre d’exemple, une couche en matériau à changement de phase et une couche de passivation sont successivement déposées, par exemple par dépôt physique en phase vapeur, du côté de la face supérieure de la structure de la . Des étapes de photolithographie puis gravure, par exemple par gravure ionique réactive (« Reactive Ion Etching » - RIE, en anglais) ou par gravure par faisceau ionique (« Ion Beam Etching » - IBE, en anglais), permettent ensuite de conserver uniquement des parties de la couche en matériau à changement de phase et de la couche de passivation aux emplacement souhaités de la région 109 et de la couche 303. Au cours de ces étapes, des ouvertures 601 peuvent en outre être formées dans la couche en matériau à changement de phase et dans la couche de passivation aux emplacement souhaités des piliers 301. À titre de variante, les ouvertures 601 peuvent être formées après des étapes de photolithographie puis gravure postérieures aux étapes de formation de la région 109 et de la couche 303.
Les composés polaires ayant répondu au test de neutralisation de l’Orange 5 dans la masse, sont également évalués selon l’aspect de la composition finale, après mélange de la composition de base A (45,85g) décrite ci-dessus avec l’Orange 5 et le composé polaire, avec la composition B (qsp 100g) comprenant les émollients, les composés pâteux et les cires végétales décrits à l’exemple 1.
La préparation de la composition finale est ainsi réalisée selon le protocole suivant :