INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Dans les exemples illustrés ici, la bague de came 36 comprend un unique premier moyen de verrouillage 84. Il s’agit d’une protubérance 89 élastique faisant sailli de la surface supérieure 88 de l’épaulement transversal de la bague de came 36. La frette rotative 22 comprend trois deuxièmes moyens de verrouillage 86. Il s’agit d’encoches 90 localisées sur une surface inférieure de la frette rotative 22.
La protubérance 89 et les encoches 90 présentent des rampes d’accès 92 de part et d’autre de sorte à faciliter le passage de la protubérance 89 de la bague de came 36 et son placement dans l’une des encoches 90 de la frette rotative 22. Cela permet d’obtenir une sensation agréable de passage d’un cran de début de course et fin de course, ni trop fort, ni trop faible.
Le substrat 1 est avantageusement réalisé dans un matériau choisi parmi le silicium Si, le quartz SiO 2 , le saphir Al 2 O 3 .
Couche active
La couche active 2 présente des première et seconde surfaces 20, 21 opposées.
Le matériau de la couche active 2 possède avantageusement une bande d’énergie interdite Eg supérieure à 1,5 eV, de préférence supérieure à 2 eV. Le matériau de la couche active 2 comporte avantageusement au moins un composant choisi parmi le nitrure d’aluminium AlN, le nitrure de gallium GaN, l’arséniure de gallium GaAs, le phosphure de gallium GaP, le nitrure de bore BN, l’oxyde de zinc ZnO, le sulfure de zinc ZnS, le tellurure de magnésium MgTe, le sélénide de magnésium MgSe, le nitrure de silicium Si 3 N 4 , le carbure de silicium SiC, le dioxyde de silicium SiO 2 , l’alumine Al 2 O 3 , le dioxyde de germanium GeO 2 , un cristal organique, le diamant C.
Les défauts comportent avantageusement au moins un élément choisi parmi une lacune et une impureté (dopant). Autrement dit, les défauts peuvent comporter des lacunes et/ou des impuretés. A titre d'exemples non limitatifs, les lacunes peuvent être : - des centres azote-lacune lorsque le matériau de la couche active 2 est en diamant ; - des centres silicium-lacune lorsque le matériau de la couche active 2 est en carbure de silicium.
Le nombre de défauts peut être augmenté durant la formation des défauts au sein du matériau de la couche active 2 par différentes techniques : (i) ajout de défauts (impuretés) in situ ; (ii) modification des paramètres de croissance, tels que la température, la pression, le flux de précurseur dopant ; (iii) irradiation de particules (neutrons, électrons ou protons) selon une fluence pouvant atteindre 10 20 cm -2 , une énergie comprise entre 1 eV et 100 MeV et une durée d’exposition comprise entre 1 seconde et 24 heures ; (iv) implantation d’ions (e.g. C, Si, N, Al, P, Ce, H) selon une dose pouvant atteindre 10 20 cm -2 , une énergie comprise entre 1 eV et 100 MeV, et une durée d’exposition comprise entre 1 seconde et 24 heures ; (v) irradiation laser (e.g. UV, IR) selon une fluence comprise entre 1 J.cm -2 et 100 J.cm -2 .
Un recuit thermique peut être nécessaire pour activer électriquement les défauts de type dopants, c'est-à-dire provoquer la migration des dopants en sites substitutionnels dans lesquels ils seront susceptibles d’engendrer des porteurs.
Comme illustré à la , la fréquence de la transition T entre les premier et deuxième états de spin S 1 , S 2 de l’état fondamental GS peut être comprise entre 10 MHz et 1000 GHz, ou entre 30 MHz et 300 GHz. A titre d'exemple non limitatif, lorsque le matériau de la couche active 2 est en carbure de silicium, les défauts peuvent être des centres silicium-lacune avec une densité volumique de l’ordre de 10 18 cm -3 , la transition T entre les premier et deuxième états de spin S 1 , S 2 de l’état fondamental GS étant de l’ordre de 127 MHz (0,53.10 -6 eV).
Comme illustré à la et à la , la couche active 2 peut comporter des nanofilaments. La formation des nanofilaments est exécutée par des techniques connues de l’homme du métier, par exemple par une méthode vapeur-liquide-solide (VLS), une méthode solide-liquide-solide (SLS), un dépôt électro-chimique etc. A titre d'exemple non limitatif, lorsque le matériau de la couche active 2 est en nitrure de gallium, les gaz précurseurs peuvent être le triméthylgallium (TMG), de formule Ga(CH 3 ) 3 et l’ammoniac NH 3 .
Moyens d’excitation de la couche active en émission
Selon un premier mode de réalisation illustré aux figures 1 à 5, les moyens d’excitation de la couche active 2 comportent : - des première et deuxième électrodes E 1 , E 2 , électriquement connectées à la couche active 2 ; - des moyens d’excitation électrique, agencés pour appliquer une tension de polarisation entre les première et deuxième électrodes E 1 , E 2 , les moyens d’excitation électrique étant configurés pour faire transiter des électrons vers l’état excité, puis se relaxant vers le deuxième état de spin S 2 par l’intermédiaire de l’état métastable MS, lorsque la tension de polarisation est positive.
Selon un deuxième mode de réalisation illustré aux figures 6 et 8, les moyens d’excitation de la couche active 2 comportent des moyens d’excitation optique, configurés pour faire transiter des électrons vers l’état excité, puis se relaxant vers le deuxième état de spin S 2 par l’intermédiaire de l’état métastable MS.
Selon un troisième mode de réalisation illustré à la , les moyens d’excitation de la couche active 2 comportent : - des première et deuxième électrodes E 1 , E 2 , électriquement connectées à la couche active 2 ; - des moyens d’excitation électrique, agencés pour appliquer une tension de polarisation entre les première et deuxième électrodes E 1 , E 2 , les moyens d’excitation électrique étant configurés pour faire transiter des électrons vers l’état excité, puis se relaxant vers le deuxième état de spin S 2 par l’intermédiaire de l’état métastable MS, lorsque la tension de polarisation est positive ; - des moyens d’excitation optique, configurés pour faire transiter des électrons vers l’état excité, puis se relaxant vers le deuxième état de spin S 2 par l’intermédiaire de l’état métastable MS, notamment lorsque la tension de polarisation est positive.
Il est à noter que la transition des électrons vers l’état excité opérée par les moyens d’excitation optique ne nécessite pas, en tant que telle, une polarisation électrique des électrodes E 1 , E 2 mais cette transition s’opère en combinaison avec les moyens d’excitation électrique lorsque la tension de polarisation est positive.
La couche active 2 peut alors émettre des photons faisant transiter des électrons du deuxième état de spin S 2 vers le premier état de spin S 1 . L’intensité de l’émission des photons, notée I, peut s’écrire : où : - « V » est le volume de la couche active 2, - « N » est le nombre de défauts par unité de volume, - « ρ » est l’inversion de population (i.e. la différence entre le nombre d’atomes présents dans l’état excité et le nombre d’atomes présents dans l’état fondamental).
- « Par électriquement connectées », on entend que les première et deuxième électrodes sont directement ou indirectement électriquement connectées à la couche active. Plus précisément, les première et deuxième électrodes sont directement électriquement connectées à la couche active lorsque les première et deuxième électrodes sont en contact avec la couche active. Les première et deuxième électrodes sont indirectement électriquement connectées à la couche active lorsque des éléments électriquement conducteurs (e.g. des couches dopées) sont interposées entre les électrodes et la couche active.
est une vue schématique en coupe d’un dispositif selon l’invention, utilisé en émission, et illustrant un premier mode de réalisation comportant des moyens d’excitation électrique de la couche active.
est une vue schématique en coupe d’un dispositif selon l’invention, utilisé en émission, et illustrant un deuxième mode de réalisation comportant des moyens d’excitation électrique de la couche active.
est une vue schématique en coupe d’un dispositif selon l’invention, utilisé en émission, et illustrant un troisième mode de réalisation comportant des moyens d’excitation électrique de la couche active.
est une vue schématique en coupe d’un dispositif selon l’invention, utilisé en émission, et illustrant un quatrième mode de réalisation comportant des moyens d’excitation électrique de la couche active.
est une vue schématique en coupe d’un dispositif selon l’invention, utilisé en émission, et illustrant un cinquième mode de réalisation comportant des moyens d’excitation électrique de la couche active.
est une vue schématique en coupe d’un dispositif selon l’invention, utilisé en émission, et illustrant un premier mode de réalisation comportant des moyens d’excitation optique de la couche active.
est une vue schématique en coupe d’un dispositif selon l’invention, pouvant être utilisé en émission ou en détection, illustrant un premier mode de réalisation comportant des moyens d’excitation électrique et optique de la couche active.
est une vue schématique en coupe d’un dispositif selon l’invention, utilisé en émission ou en détection, et illustrant un deuxième mode de réalisation comportant des moyens d’excitation électrique et optique de la couche active.
est une vue schématique partielle en coupe d’un dispositif selon l’invention, utilisé en émission, et illustrant un premier mode de réalisation comportant une couche active formant un nanofilament, la couche active étant destinée à être excitée électriquement.
est une vue schématique partielle en coupe d’un dispositif selon l’invention, utilisé en émission, et illustrant un deuxième mode de réalisation comportant plusieurs couches actives (multicouche) formant un nanofilament, les couches actives étant destinées à être excitées électriquement.
est un diagramme de Jablonski représentant partiellement la structure énergétique d’un matériau de la couche active présentant des défauts. « m S » désigne le nombre quantique magnétique de spin.
Il est à noter que les dessins décrits ci-avant sont schématiques, et ne sont pas nécessairement à l’échelle par souci de lisibilité et pour en simplifier leur compréhension. Les coupes sont effectuées selon la normale à la surface du substrat recevant les éléments du dispositif selon l’invention.
Un objet de l’invention est un dispositif optoélectronique, comportant : - un substrat 1, - au moins une couche active 2, formée sur le substrat 1, et réalisée dans un matériau possédant une bande de valence BV et une bande de conduction BC séparées par une bande d’énergie interdite Eg ; - des défauts, présents dans le matériau, et possédant une structure énergétique définissant : un état fondamental GS dans la bande de valence BV, comprenant des premier et deuxième états de spin S 1 , S 2 , la transition T du deuxième état de spin S 2 vers le premier état de spin S 1 étant destinée à être radiative, un état métastable MS dans la bande d’énergie interdite Eg, un état excité dans la bande de conduction BC ; - des moyens d’excitation de la couche active 2, configurés pour : faire transiter des électrons vers l’état excité, puis se relaxant vers le deuxième état de spin S 2 par l’intermédiaire de l’état métastable MS, de sorte que la couche active 2 peut émettre des photons faisant transiter des électrons du deuxième état de spin S 2 vers le premier état de spin S 1 ; ou faire transiter des électrons du deuxième état de spin S 2 vers l’état excité de sorte que la couche active 2 peut détecter des photons faisant transiter des électrons du premier état de spin S 1 vers le deuxième état de spin S 2 par absorption.
Selon certains modes de réalisation de la présente description, un angle entre la première paroi latérale inclinée et une surface supérieure du substrat est dans une plage allant de 20 degrés à 60 degrés, dans lequel un angle entre la deuxième paroi latérale inclinée et la surface supérieure du substrat est dans une plage allant de 20 degrés à 60 degrés.
Des aspects de la présente description seront mieux compris grâce à la description détaillée qui suit, lue avec les figures jointes. On notera que, conformément à une pratique courante dans l'industrie, divers éléments ne sont pas dessinés à l'échelle. En pratique, les dimensions des divers éléments peuvent être arbitrairement accrues ou réduites pour la clarté de l'exposé.
Les figures 1A à 1L sont une succession de vues en coupe transversale d'un procédé de fabrication d'un capteur d'image selon certains modes de réalisation de la présente description.
Les figures 2A à 2C sont une succession de vues en coupe transversale d'une fabrication d'une couche de revêtement du capteur d'image de la selon des variantes de mode de réalisation de la présente description.
Les figures 3A à 3F sont une succession de vues en coupe transversale d'un procédé de fabrication d'un capteur d'image selon certains modes de réalisation de la présente description.
La est une vue en coupe transversale d'un capteur d'image selon le procédé de fabrication représenté dans les figures 3A à 3F.
Les figures 5A à 5F sont une succession de vues en coupe transversale d'un procédé de fabrication d'un capteur d'image selon certains modes de réalisation de la présente description.
La est une vue en coupe transversale d'un capteur d'image selon le procédé de fabrication représenté dans les figures 5A à 5F.
Les figures 7A à 7E sont une succession de vues en coupe transversale d'un procédé de fabrication d'un capteur d'image selon certains modes de réalisation de la présente description.
La est une vue en coupe transversale d'un capteur d'image selon le procédé de fabrication représenté dans les figures 7A à 7E.
Les figures 9 à 11 sont des vues en coupe transversale de capteurs d'image selon certains modes de réalisation de la présente description.
La est une vue de dessus d'une région du capteur d'image représenté dans la .
Les figures 13A, 13B et 13C sont des vues de dessus d'une lentille à méta-surface de la .
La description qui suit prévoit de nombreux modes de réalisation, ou exemples, différents pour mettre en œuvre différentes caractéristiques de l'objet proposé. Des exemples particuliers de composants et d'agencements sont décrits ci-dessous pour simplifier la présente description. Ceux-ci sont bien entendu seulement des exemples et ne sont pas destinés à être limitatifs. Par exemple, la formation d'un premier élément sur ou sous un deuxième élément dans la description qui suit peut inclure des modes de réalisation dans lesquels les premier et deuxième éléments sont formés en contact direct et peut également inclure des modes de réalisation dans lesquels des éléments supplémentaires peuvent être formés entre les premier et deuxième éléments, de sorte que les premier et deuxième éléments puissent ne pas être en contact direct. De plus, la présente description peut répéter des références numériques et/ou alphabétiques dans les divers exemples. Cette répétition a pour objet de simplifier et clarifier et n'impose pas par elle-même de relation entre les divers modes de réalisation et/ou configurations discutés.
On notera que bien que les termes premier, deuxième, etc. peuvent être utilisés ici pour décrire divers éléments, ces éléments ne devraient pas être limités par ces termes. Ces termes sont utilisés seulement pour différencier un élément d'un autre. Par exemple, un premier élément pourrait être appelé deuxième élément et, de façon similaire, un deuxième élément pourrait être appelé premier élément, sans s'écarter de la portée des modes de réalisation. Tel qu'utilisé ici, l'expression "et/ou" inclut une quelconque et toutes les combinaisons d'un ou de plusieurs des éléments associés listés.
En outre, des termes relatifs à l'espace, tels que "sous", "en-dessous", "inférieur", "supérieur" et analogues, peuvent être utilisés ici pour faciliter la description pour décrire une relation d'un élément ou d'une caractéristique par rapport à un (des) autre(s) élément(s) ou caractéristique(s) tel(s) que représenté(s) dans les figures. Les termes relatifs à l'espace sont destinés à englober différentes orientations du dispositif utilisé ou en fonctionnement en plus de l'orientation représentée dans les figures. L'appareil peut être orienté autrement (tourné de 90 degrés ou selon une autre orientation) et les descripteurs relatifs à l'espace utilisés ici peuvent de façon similaire être interprétés de façons correspondantes.
Le procédé 100 comprend, en outre, une étape 110 de diffusion des valeurs de réglages de l’exosquelette sur l’HMI 14, de manière à permettre à la personne 10 de faire elle-même le réglage de manière autonome.
est une schématisation d’un réglage d’un exosquelette 16 sur le corps de la personne 10.
Il est à noter que l’objet de la présente demande ne se limite pas à l’exosquelette illustré, il s’agit d’une schématisation simplifiée des zones de réglage afin de faciliter la lecture.
La diffusion sur l’HMI 14 des valeurs de réglages peut correspondre, par exemple, à un tableau (non illustré) dans lequel chaque zone de réglage comprend une valeur parmi une plage de réglage.
Dans cette configuration, l’exosquelette 16 comprend une zone de réglage au niveau des bras 16.1 correspondant, par exemple, à un bracelet 16.1. Si le tableau affiche la valeur 2 sur 5, alors la personne 10 va positionner son bracelet sur le deuxième trou parmi les cinq trous que comporte le bracelet.
Un réglage similaire sera fait par la personne 10 pour les zones de réglage du dos 16.2 et de la taille 16.3, ainsi que pour toutes les autres zones de réglage (non illustrées) de l’exosquelette 16.
Alternativement, les zones de réglage peuvent comprendre des sangles, trous, manivelles, glissières à multiples positions, butées et/ou vis sans fin, etc.
Avantageusement, la présente invention permet d’améliorer l’ajustement statique et dynamique de l’exosquelette sur le corps de la personne. Ce qui permet d’assurer, en outre, un ajustement continu et fréquent de manière simplifiée tout au long des travaux réalisés par la personne, et sans l’aide d’un superviseur, favorisant ainsi l’autonomie des utilisateurs. Cela se traduit par un gain de temps considérable.
Procédé de fabrication d’un tapis de sol de véhicule automobile L’invention concerne un procédé de fabrication d’un tapis de sol de véhicule automobile et un tapis réalisé par un tel procédé.
Il est connu de mettre en œuvre un procédé de fabrication d’un tapis de sol de véhicule automobile, ledit procédé comprenant les étapes suivantes : prévoir une nappe de support à base de fibres de polyester thermoplastique et/ou de polyester thermoplastique modifié, piquer des boucles de fils à base de polyester thermoplastique dans ladite nappe de manière à réaliser une nappe tuftée, déposer en face d’envers de ladite nappe tuftée une couche de fixation desdites boucles à ladite nappe, ladite couche étant à base de polyester thermoplastique modifié – pouvant être dénommé également « copolyester » – de manière à présenter un point de fusion moindre que celui du polyester, ladite couche étant déposée par extrusion suivie d’un calandrage.
On réalise ainsi un tapis tufté intégralement à base de polyester thermoplastique, modifié ou non, ce qui permet son recyclage aisé en fin de vie du véhicule par fusion pour obtenir par exemple des granulats destinés à l’injection, ou encore des fibres.
Par ailleurs, les différentes formes de polyester utilisées pour réaliser le tapis peuvent provenir du recyclage, par exemple de bouteilles en plastique, ce qui est favorable à la protection de l’environnement.
Cependant, la demanderesse a observé que la résistance à l’abrasion d’un tel tapis ne satisfait pas toujours aux exigences des constructeurs automobiles, et ceci malgré la présence de la couche de fixation, notamment quand les polyesters utilisés sont issus de recyclage.
A cet effet, et selon un premier aspect, l’invention propose un procédé de fabrication d’un tapis de sol de véhicule automobile, ledit procédé comprenant les étapes suivantes : prévoir une nappe de support à base de fibres de polyester thermoplastique et/ou de polyester thermoplastique modifié, piquer des boucles de fils à base de polyester thermoplastique sur ladite nappe de manière à réaliser une nappe tuftée, déposer en face d’envers de ladite nappe tuftée une couche de fixation desdites boucles à ladite nappe, ladite couche étant à base de polyester thermoplastique modifié de manière à présenter un point de fusion moindre que celui du polyester, ladite couche étant déposée par extrusion suivie d’un calandrage,
sachant que, préalablement au dépôt de ladite couche de fixation, ladite nappe tuftée est chauffée sur ladite face d’envers à température de fusion du polyester, de manière à réaliser une fusion de la partie desdites boucles étant en contact avec ladite nappe pour réaliser leur fixation.
Le document EP 2578533 décrits des sels de métal alcalin (de préférence sels de lithium) de type fluorosulfonylimide ayant une teneur de moins de 3000 ppm en ions sulfate.
Le document US 9,440,852 décrit un sel de NaFSI (bis(fluorosulfonyl)imide de sodium) avec une pureté supérieure ou égale à 99,5% en poids, ne contenant pas d’eau, et dans lequel chacune des impuretés NaCl, NaF et NaFSO 3 sont présentes dans une teneur inférieure ou égale à 1000 ppm.
Le document JP 6592380 divulgue un électrolyte pour une batterie Na-ion contenant du NaFSI et du propylène carbonate (PC) avec un rapport spécifique entre le PC et le sodium.
Le document EP 3985775 enseigne un électrolyte comprenant un sel de sodium, des solvants de type carbonate et des additifs (alkylène carbonate ou nitrile). Le NaFSI est cité parmi la liste des sels de sodium possibles.
Le document WO 2019/229359 décrit un procédé de fabrication de sels tels que le bis(fluorosulfonyl)imidure de lithium (LiFSI) à partir du bis(fluorosulfonyl)imide (HFSI).
Il existe un besoin de fournir une composition utile pour la préparation d’électrolyte pour les batteries Na-ion, présentant des propriétés avantageuses en termes d’ininflammabilité, de performance et notamment de de durée de vie des batteries, et pouvant être fabriquée selon un procédé simple et peu onéreux.
L’invention concerne en premier lieu une composition comprenant un sel composé d’un cation sodium et d’un anion de formule (II) :
dans laquelle R 1 et R 2 représentent indépendamment un atome de fluor ou un groupement perfluoré, la composition ayant une teneur en acétamide de 0,1 à 1000 ppm en poids.
Dans certains modes de réalisation, l’anion de formule (II) est l’anion bis(fluorosulfonyl)imide ou l’anion bis(trifluorométhylsulfonyl)imide, de préférence l’anion bis(fluorosulfonyl)imide.
Dans certains modes de réalisation, la teneur en acétamide est de 1 à 5000 ppm, de préférence de 2 à 100 ppm, en poids.
Dans certains modes de réalisation, le sel est présent dans une teneur massique supérieure ou égale à 99,5 % en poids, de préférence supérieure ou égale à 99,8 % en poids, de préférence encore supérieure ou égale à 99,9 % en poids.
Dans certains modes de réalisation, la composition comprend en outre, en poids : de 0 à 500 ppm d’eau, de préférence de 0,5 à 100 ppm et de préférence encore de 1 à 50 ppm ; de 0 à 50 ppm d’ions Cl - , de préférence de 0,5 à 20 ppm, de préférence encore de 1 à 10 ppm ; de 0 à 100 ppm d’ions F - , de préférence de 0,5 à 50 ppm, de préférence encore de 1 à 10 ppm ; de 0 à 3000 ppm d’ions SO 4 2- , de préférence de 0,5 à 500 ppm, de préférence encore de 1 à 20 ppm ; de 0 à 100 ppm d’ions FSO 3 - , de préférence de 0,5 à 50 ppm, de préférence encore de 1 à 10 ppm.
L’invention concerne aussi un procédé de préparation de la composition ci-dessus comprenant : la fourniture du composé de formule (I) :
dans laquelle R 1 et R 2 représentent indépendamment un atome de fluor ou un groupement perfluoré, la réaction du composé de formule (I) avec un composé sodé.