Procédé de fabrication d’un substrat support comprenant une couche de piégeage de charges pour une structure de type semi-conducteur sur isolant ou piézoélectrique sur isolant pour application radiofréquences, comprenant : la mise en place d’un substrat de base (10) comprenant une couche (20) d’oxyde de silicium natif dans une chambre de dépôt, la montée en température de la chambre de dépôt jusqu’à une température (T p ) de dépôt de la couche de piégeage de charges (30), l’introduction d’un gaz oxydant dans ladite chambre de dépôt pour conserver la couche (20) d’oxyde de silicium natif pendant la montée en température, l’évacuation de l’oxygène de la chambre de dépôt à la température (T p ) de formation de la couche de piégeage de charges (30), le dépôt, dans la chambre de dépôt, de la couche de piégeage de charges (30) en silicium polycristallin sur la couche (20) d’oxyde de silicium natif. Procédé selon la revendication 1, comprenant en outre la formation d’une seconde couche (22) d’oxyde de silicium entre la première couche d’oxyde de silicium natif (20) et le substrat de base (10). Procédé selon la revendication 1 ou la revendication 2, dans lequel l’épaisseur totale de la ou les couches d’oxyde de silicium (20, 22) est comprise entre 0,5 et 1,5 nm. Procédé selon l’une des revendications précédentes, dans lequel le temps écoulé entre la fin de l’évacuation d’oxygène et le début du dépôt de la couche de piégeage de charges est supérieur à 30 secondes. Procédé selon l’une des revendications précédentes, dans lequel la température de dépôt de la couche de piégeage de charges est supérieure à 950°C. Procédé selon l’une des revendications précédentes, dans lequel le gaz oxydant comprend de l’oxygène ou un mélange d’argon et d’oxygène. Procédé selon l’une des revendications précédentes, dans lequel le substrat de base est en silicium monocristallin. Procédé selon l’une des revendications précédentes, dans lequel la couche de piégeage de charges est en silicium polycristallin. Procédé selon l’une des revendications précédentes, dans lequel la formation de la couche de piégeage de charges est réalisée par un procédé de dépôt chimique en phase vapeur (CVD). Procédé de fabrication d’une structure de type semi-conducteur sur isolant ou piézoélectrique sur isolant pour applications radiofréquences, caractérisé en ce qu’il comprend les étapes suivantes : la fabrication d’un substrat support (100) par un procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, la mise à disposition d’un substrat donneur (50) semi-conducteur ou piézoélectrique, la formation d’une couche électriquement isolante (40) sur la couche de piégeage de charges (30) et/ou sur ledit substrat donneur (50), le collage du substrat donneur (50) sur le substrat support par l’intermédiaire de la couche électriquement isolante , le transfert de la couche semi-conductrice ou piézoélectrique (55) sur le substrat support (100), la couche électriquement isolante (40) étant agencée à l’interface entre la couche semi-conductrice ou piézoélectrique (55) transférée et la couche de piégeage de charges (30). Procédé selon la revendication 10, comprenant en outre une étape de formation d’une zone de fragilisation (51) dans le substrat donneur (50) de sorte à délimiter une couche semi-conductrice ou piézoélectrique (55) à transférer, et dans lequel le transfert de la couche semi-conductrice ou piézoélectrique (55) sur le substrat support comprend le détachement du substrat donneur (50) le long de ladite zone de fragilisation (51). Procédé selon la revendication 11, comprenant, avant l’étape de formation de la zone de fragilisation dans le substrat donneur, une étape de collage dudit substrat donneur (50) sur un substrat temporaire (52) de sorte à former un substrat dit pseudo-donneur (53), et dans lequel l’étape de collage comprend le collage dudit substrat pseudo-donneur (53) sur le substrat support (100) par l’intermédiaire de la couche électriquement isolante (40). Procédé selon la revendication 10, dans lequel le transfert de la couche semi-conductrice ou piézoélectrique (55) sur le substrat support comprend un amincissement du substrat donneur par le côté opposé à la couche électriquement isolante. Procédé selon l’une des revendications 10 à 13, dans lequel le substrat donneur est semi-conducteur et comprend du silicium. Procédé selon l’une des revendications 10 à 13, dans lequel le substrat donneur est piézoélectrique et comprend un composé de formule ABO 3 , où A est choisi parmi le baryum et le lithium et B est choisi parmi le tantale, le titane et le niobium.