Capteur de lumière (4) comprenant une pluralité de pixels (1), chaque pixel comprenant : un premier transistor MOS (T1) à canal d'un premier type et un deuxième transistor MOS (T2) à canal d'un second type, les premier et deuxième transistors (T1, T2) étant connectés en série et ayant leurs sources (S) connectées, une grille du deuxième transistor (T2) étant configurée pour recevoir une tension de comparaison (Vcmp) ; une première source de courant (104) connectée en série avec les premier et deuxième transistors (T1, T2) entre un premier noeud (100) configuré pour recevoir un premier potentiel d'alimentation (GND) et un deuxième noeud (102) configuré pour recevoir un deuxième potentiel d'alimentation (VDD2) ; un troisième transistor MOS (T3) et une deuxième source de courant (108) connectés en série entre un troisième noeud (110) configuré pour recevoir un troisième potentiel d'alimentation (GND) et un quatrième noeud (112) configuré pour recevoir un quatrième potentiel d'alimentation (VDD1), le troisième transistor (T3) ayant une grille connectée à un cinquième noeud (106) de connexion de la première source de courant (104) aux premier et deuxième transistors (T1, T2) en série et étant à canal du même type que celui du premier transistor (T1) ; au moins une photodiode (PD) couplée à une grille du premier transistor (T1) ; et un interrupteur de réinitialisation (RST) ayant une borne de conduction connectée à la grille du premier transistor (T1). Capteur selon la revendication 1, dans lequel une autre borne de conduction de l'interrupteur de réinitialisation (RST) est connectée au noeud (114) de connexion de la deuxième source de courant (108) au troisième transistor (T3). Capteur selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le capteur (4) comprend en outre, pour chaque troisième transistor (4), un circuit (116) de mise en forme ayant une entrée couplée au noeud (114) de connexion de la deuxième source de courant (108) au troisième transistor (T3). Capteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel : ladite au moins une photodiode (PD) appartient à un substrat semiconducteur (L1) ; et les premier, deuxième, troisième transistors (T1, T2, T3), les première et deuxième sources de courant (104, 108) et l'interrupteur (RST) appartiennent à une couche semiconductrice (L3) reposant sur une couche isolante (300) reposant elle-même sur ledit substrat semiconducteur (L1). Capteur selon la revendication 4 prise dans sa dépendance à la revendication 3, dans lequel : une première structure d'interconnexion (BEOL1) repose sur la couche semiconductrice (L3) ; le circuit de mise en forme (116) appartient à une autre couche semiconductrice (L2) ou à un autre substrat semiconducteur (L2) ; une deuxième structure d'interconnexion (BEOL2) repose sur ladite autre couche semiconductrice (L2) ou ledit autre substrat semiconducteur (L2) ; et un ensemble comprenant le substrat (L1), la couche isolante (300), la couche semiconductrice (L3) et de la première structure d'interconnexion (BEOL1) est assemblé sur un ensemble comprenant la deuxième structure d'interconnexion (BEOL2) et de ladite autre couche semiconductrice (L2) ou dudit autre substrat semiconducteur(L2), par collage hybride de la première structure d'interconnexion (BEOL1) à la deuxième structure d'interconnexion (BEOL2). Capteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel le capteur (4) comprend en outre un circuit configuré pour fournir ladite tension de comparaison (Vcmp). Capteur selon la revendication 6, dans lequel ladite tension de comparaison (Vcmp) comprend des rampes de tension. Capteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel les premier et troisième potentiels d'alimentation sont égaux et correspondent à la masse. Capteur selon la revendication 8, dans lequel les deuxième et quatrième potentiels sont positifs par rapport à la masse, le premier transistor (T1) est à canal P, le deuxième transistor (T2) est à canal N, la première source de courant (104) est connectée au deuxième noeud (102) et la deuxième source de courant (108) est connectée au troisième noeud (110). Capteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, comprenant, dans chaque pixel (1), une grille de transfert (TG) couplant ladite au moins une photodiode au premier transistor (T1). Capteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel le premier transistor (T1) est monté en source suiveuse, le deuxième transistor (T2) est monté en source suiveuse et le troisième transistor (T3) est monté en source commune. Capteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 11, dans lequel le noeud (114) de connexion de la deuxième source de courant (108) au troisième transistor MOS (T3) est adapté à fournir un signal (OUT) indiquant un résultat d'une comparaison d'une tension sur la grille du premier transistor (T1) à la tension de comparaison (Vcmp). Capteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 12, dans lequel, pour au moins deux pixels (1) du capteur, un unique deuxième transistor (T2), une unique première source de courant (104), un unique troisième transistor (T3) et une unique deuxième source de courant (108) mettent en oeuvre respectivement les deuxièmes transistors (T2), les premières sources de courant (104), les troisièmes transistors (T3) et les deuxièmes sources de courant (108) desdits au moins deux pixels.