INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Agencement comprenant un système d’affichage d’une information par réflexion sur un pied de montant de pare-brise pour un véhicule L’invention concerne un agencement comprenant un dispositif lumineux apte à projeter des informations sous forme de faisceau lumineux sur un pied d’un montant de maintien d’un pare-brise, notamment au sein d’un véhicule automobile. L’invention porte encore sur un véhicule équipé d’un tel agencement.
Il est connu d’équiper les véhicules automobiles ou encore les cockpits d’avion, de train ou de navire avec des systèmes d’affichage de données. De tels systèmes peuvent se présenter sous la forme de barres de diodes électroluminescentes disposées sur une planche de bord ou un pied de montant de pare-brise de sorte à afficher directement, sur ladite barre, des informations relatives au véhicule, au contexte extérieur au véhicule et/ou à des systèmes d’assistance à la conduite. Dans le cas de l’intégration d’un tel système dans un pied, les informations diffusées par de tels dispositifs sont néanmoins limitées du fait des formes complexes et des faibles dimensions du pied inadaptées à l’intégration de tels systèmes d’affichage et à leur raccordement électrique notamment. L’augmentation du volume de tels pieds n’est pas une solution adaptée, celle-ci résultant nécessairement en une réduction du champ de vision de l’utilisateur et en une augmentation des angles morts du véhicule, susceptibles de générer des situations à risque lors de la conduite. En outre, les informations diffusées peuvent être amenées à se refléter sur les surfaces réfléchissantes annexes, telles que le pare-brise ou les vitres, ce qui peut impacter la conduite.
Le cas échéant, chaque module moyenne tension 26 est disposé sur le support 20, et est reçu par un des emplacements de réception 24.
Le module moyenne tension 26 est destiné à stocker l’énergie électrique et à la restituer ultérieurement sous une moyenne tension électrique.
Par « moyenne tension », en entend une tension comprise entre 300 V et 1500 V, par exemple 700 V.
Le module moyenne tension 26 est configuré pour alimenter le circuit de propulsion en mode dégradé, constituant ainsi un système de propulsion auxiliaire afin de permettre au véhicule 10 de se déplacer de manière autonome sur de courtes distances.
Cela est notamment pertinent lorsque la source principale est une caténaire endommagée localement, la propulsion auxiliaire permettant de rejoindre une section fonctionnelle de la caténaire.
Cependant, pour certaines applications du véhicule 10, une telle propulsion auxiliaire n’est pas nécessaire, et les modules moyenne tension 26 ne sont pas installés, de manière à réduire le coût et la masse du véhicule 10.
Le système de ventilation 28 est configuré pour refroidir chaque module basse tension 22 seul, et pour refroidir chaque module basse tension 22 et chaque module moyenne tension 26 lorsque ces derniers sont installés sur le véhicule 10.
Le système de ventilation 28 comprend au moins une prise d’air 32, la prise d’air 32 comprenant une première sortie 34 et une deuxième sortie 36, ainsi qu’un premier conduit 38 de ventilation du module basse tension 22 relié à la première sortie 34.
La deuxième sortie 36 est adaptée pour être reliée à un deuxième conduit 40 de ventilation du module moyenne tension 26 lorsque ce module moyenne tension 26 est mis en place sur le véhicule 10, ou pour être obturée lorsque le module moyenne tension 26 est absent.
La prise d’air 32 est munie d’au moins une turbine configurée pour faire circuler l’air à travers le premier conduit et optionnellement le deuxième conduit.
La turbine est configurée pour faire circuler l’air avec un débit contrôlé. Notamment, la turbine est configurée pour imposer un débit faible lorsque le module moyenne tension 26 est absent, et pour imposer un débit important lorsque le module moyenne tension 26 est installé sur le véhicule 10.
Le débit faible est par exemple inférieur à 500 m 3 /h, notamment voisin de 400 m 3 /h.
Le débit important est par exemple supérieur à 700 m 3 /h, notamment voisin de 900 m 3 /h.
Le système de ventilation 28 est ainsi facilement adaptable à la présence ou non du module moyenne tension 26 sur le véhicule 10, par une simple obturation de la deuxième sortie de la prise d’air et un simple réglage de la turbine de ventilation.
L’ensemble 12 de stockage d’énergie décrit plus haut est donc facilement adaptable à des configurations différentes du véhicule 10, selon qu’une propulsion auxiliaire est nécessaire ou non, sans nécessiter une nouvelle conception de l’ensemble 12 ou la fabrication de pièces différentes.
Soubassement de caisse pour véhicule hybride ou électrique doté de longerons latéraux renforcés La présente invention concerne d’une manière générale le soubassement de caisse des véhicules automobiles de type hybride ou électrique dotés d’une batterie de propulsion. Elle vise en particulier un tel soubassement de caisse pourvue de longerons latéraux renforcés.
illustre des courbes représentant une évolution de la température du réservoir et de la température du gaz présent dans ledit réservoir, ladite évolution étant liée à une diffusion thermique postérieure à un remplissage de référence;
illustre les courbes de la après réduction de la variable « température » ;
illustre des courbes prédictives de la deuxième température initiale du réservoir ou du gaz présent dans ledit réservoir;
illustre les courbes de la après réduction de la variable « température » et réduction de la variable « pression » entre zéro (0) et un (1);
illustre un exemple de mise en œuvre d’une courbe de variation de la température du gaz pour piloter le remplissage du réservoir et prévenir sa surchauffe;
illustre un exemple de mise en œuvre d’une courbe de variation de la température du gaz en combinaison avec la courbe de température de référence pour piloter le remplissage du réservoir et prévenir sa surchauffe;
représente un exemple de discrétisation radiale d’une paroi du réservoir ;
représente des détails d’une maille obtenue après la discrétisation de la .
Le dispositif 10 de remplissage de réservoirs 1 de gaz sous pression est par exemple une station de remplissage de réservoirs d’hydrogène sous pression.
Le dispositif 10 comprend une source 2 de gaz, une conduite 3 de remplissage reliant la source 2 au réservoir 1, une vanne 4 de régulation de débit et/ou de pression dans la conduite 3 de remplissage, un ensemble de capteur(s) 6a, 6b configuré pour mesurer la pression dans le réservoir 1 et/ou la température ambiante Tamb au niveau du dispositif 10 de remplissage.
En outre, le dispositif 10 comprend un organe 5 de commande électronique configuré pour contrôler le remplissage et notamment pour arrêter le remplissage lorsqu’une température (respectivement une masse volumique) estimée du gaz présent dans le réservoir 1 atteint une valeur limite de température (respectivement une valeur limite de masse volumique). L’organe 5 de commande est également configuré pour estimer avant le remplissage du réservoir 1, une température initiale du gaz présent dans le réservoir 1.
L’organe 5 de commande électronique comprend par exemple un microprocesseur, un ordinateur ou tout contrôleur électronique approprié.
Selon l’invention, la température initiale Tini du gaz présent dans le réservoir 1 est une valeur estimée en fonction de la température ambiante Tamb et en fonction de la pression Pini du gaz présent dans le réservoir 1 avant remplissage, ladite température initiale Tini étant supérieure ou égale ou inférieure ou égale à la température ambiante Tamb.
Ainsi, pour une température ambiante Tamb donnée, la température initiale Tini du gaz présent dans le réservoir n’est plus une grandeur fixe comme le prévoit l’art antérieur, mais plutôt une grandeur qui dépend de la pression initiale Pini du gaz présent dans le réservoir 1.
De façon avantageuse, la température initiale Tini du gaz dans le réservoir 1 est l’une au moins parmi: une première température initiale Tini_1 calculée correspondant à un état du réservoir 1 considéré comme récemment rempli à une première masse volumique ρini_1, et une seconde température initiale Tini_2 calculée correspondant à un état du réservoir 1 considéré comme récemment soutiré jusqu’à une seconde masse volumique initiale ρini_2.
La température ambiante Tamb et la pression initiale Pini sont déterminées respectivement au cours d’une étape S1 et une étape S2 d’un procédé de remplissage mettant en œuvre le dispositif de remplissage et illustré de façon schématique à la . Les étapes S1 et S2 peuvent être exécutées simultanément ou non. Quant à la température initiale Tini, qui se décline en une première température initiale Tini_1 et une deuxième température initiale Tini_2, elle est déterminée au cours d’une étape S3 également illustrée à la .
Le procédé comprend au moins les étapes suivantes effectuées au niveau de la zone d’individualisation de la puce : fournir au moins le niveau de composants, former au moins une couche diélectrique sur le niveau de composants, ladite couche diélectrique étant à base d’un matériau diélectrique, former sur l’au moins une couche diélectrique un masque de gravure présentant des ouvertures de masque situées au moins en partie au droit des zones de contact et rendant accessible l’au moins une couche diélectrique, graver l’au moins une couche diélectrique au travers des ouvertures de masque par au moins une gravure de façon à former des ouvertures de vias débouchant sur les zones de contact métalliques du niveau de composants, former des résidus fluorés aléatoirement répartis au niveau de certaines ouvertures de vias, en apportant des espèces fluorées sur au moins certaines zones de contact métalliques, les ouvertures de vias comprenant alors des ouvertures avec résidus fluorés et des ouvertures sans résidus, remplir les ouvertures avec un matériau électriquement conducteur de sorte à former au moins les vias du niveau d’interconnexions, lesdits vias comprenant des vias fonctionnels au niveau des ouvertures sans résidus et des vias altérés au niveau des ouvertures avec résidus fluorés.
Le procédé comprend en outre, préalablement à la formation des résidus fluorés dans la zone d’individualisation, une formation d’un masque de protection sur la zone destinée à former la zone fonctionnelle de la puce.
Ainsi, les résidus fluorés empêchent que le matériau électriquement conducteur soit correctement déposé dans certaines ouvertures, notamment en affectant la conformité du dépôt. Ces résidus fluorés conduisent alors à la formation de défauts dans certains vias, au niveau des zones de contact. Ces vias sont altérés. Ces vias altérés présentent typiquement une résistance électrique supérieure à celle des vias fonctionnels. L’augmentation de résistance électrique est typiquement localisée au niveau des zones de contact, là où se forment les résidus fluorés.
Le procédé proposé permet donc de dégrader volontairement mais aléatoirement le niveau de contacts. Cette dégradation volontaire permet de créer des vias altérés ou inactifs répartis de façon aléatoire au sein de la zone d’individualisation de la puce. Le diagramme de réponse de la puce ou du circuit intégré sera donc intimement lié à ce caractère aléatoire. Cette réponse sera par conséquent unique. Chaque circuit intégré réalisé par ce procédé génère ainsi une réponse différente. Par ailleurs, le diagramme de réponse du circuit intégré sera stable dans le temps contrairement aux solutions décrites ci-dessus dans la section relative à l’état de la technique.
Les résidus fluorés sont formés lors de l’apport d’espèces fluorées au niveau de certaines zones de contact. Le fluor va typiquement réagir avec le métal des zones de contact et l’humidité ambiante pour former des résidus en surface des zones de contact. Les résidus fluorés peuvent être des résidus fluoro-métalliques.
Un autre aspect concerne un procédé de réalisation d’un dispositif microélectronique comportant au moins un circuit intégré, le circuit intégré comportant au moins: un niveau de composants, comprenant chacun au moins une zone de contact, un niveau de contact comportant des vias destinés à connecter électriquement les zones de contact du niveau de composants, une zone d’individualisation du circuit intégré.
Par dispositif microélectronique, on entend tout type de dispositif réalisé avec des moyens de la microélectronique. Ces dispositifs englobent notamment en plus des dispositifs à finalité purement électronique, des dispositifs micromécaniques ou électromécaniques (MEMS, NEMS…) ainsi que des dispositifs optiques ou optoélectroniques (MOEMS…). Il peut ainsi s’agir d’un dispositif destiné à assurer une fonction électronique, optique, mécanique etc. Il peut aussi s’agir d’un produit intermédiaire uniquement destiné à la réalisation d’un autre dispositif microélectronique.
Les figures 1 à 3 illustrent schématiquement en coupe transverse des étapes de réalisation d’un niveau de contact pour des composants de type transistors, selon un mode de réalisation de la présente invention.
Les figures 4A à 4C illustrent schématiquement respectivement en coupe transverse et en vue de dessus des étapes de réalisation d’une zone d’individualisation réalisée dans le niveau de contact illustré aux figures 1 à 3, selon un mode de réalisation de la présente invention.
Les figures 5A et 5B illustrent schématiquement respectivement en coupe transverse et en vue de dessus des étapes de réalisation d’une zone fonctionnelle réalisée dans le niveau de contact illustré aux figures 1 à 3, selon un mode de réalisation de la présente invention.
Comme exposé ci-avant, un agent peut être dédié à une ou plusieurs applications.
Les agents peuvent varier selon les modes de réalisation, autant en nombre qu’en fonctionnalités. Par exemple, les agents peuvent être déclarés ou installés préalablement à l’exécution du procédé (par exemple via une liste d’agents accessibles via une interface homme machine).
Par exemple, sur réception du message MSG 4 = {TXT = « traduire truite en anglais »}, ID_APP=ID_TTXT}, le module d’analyse sémantique produit un message TRANSLATE(« truite », « EN ») interprétable par un agent de traduction TRANS_AG.
L’agent TRANS_AG interprète ce message et retourne le résultat RES 4 décrivant les actions à exécuter pour traiter la commande :
RES 4 = {"success": true, "code": 200, "actions": [{ "type": "INSERT", "cmd": {"value": "trout", "props": [{"mimetype":"text/plain"}]}, "txt": "traduire truite en anglais" }]
Par exemple, sur réception MSG 5 = {ZONE_TYPE : WEB_URL_SEARCH = « acheter action X pour 20 euros », ID_APP=ID_SRCHENG, DANS=oblong, PROX=loupe », le module d’analyse sémantique produit un message SHARES(« BUY », « X », « 20 ») interprétable par un agent STOCK_AG.
L’agent STOCK_AG interprète ce message et retourne le résultat RES 5 décrivant les actions à exécuter pour traiter la commande :
RES 5 = {"success": true, "code": 200, "input_cmd": "acheter action X pour 20 euros", "actions": [{ "type": "INSERT", "cmd": {"value": "http://www.bourse.com#BUY=X#VAL=20€", "props": [{"mimetype":"text/plain"}] }, "txt": " acheter action X pour 20 euros " }]
Dans un autre exemple, si le module d’analyse sémantique analyse la chaîne de caractères « insérer dernière image reçue par mail », le module d’analyse sémantique peut produire un message interprétable à un agent de messagerie MSG_AG configuré pour récupérer la liste des mails envoyés, les contenus des mails et des pièces-jointes, etc..).
Dans un ou plusieurs modes de réalisation, le serveur de connaissance SRV_KNOW peut éventuellement retourner au client CLT_KNOW le résultat fourni par le ou les agents (qui sera par exemple ensuite ; comme déjà exposé, utilisé pour remplacer la chaîne de caractères générée par l’utilisateur).
Dans au moins certains modes de réalisation, le résultat de l’exécution peut par exemple être constitué par un texte, par une image, par un contenu multimédia ou par une URL.
Dans au moins certains modes de réalisation,, le serveur de connaissance SRV_KNOW renvoie également au client CLT_KNOW un type de ce contenu (texte, image, vidéo, URL…).
Dans au moins certains modes de réalisation, lorsque le serveur de connaissance détermine que la chaîne de caractères n’est pas une commande, il renvoie une réponse indiquant que la chaîne de caractères reçue n’est pas identifiée comme une commande (en utilisant par exemple un mot clé indiquant cette absence d’identification, tel que « NONE »).
Par exemple, en reprenant l’exemple des messages MSG 1 à MSG 4 , le serveur de connaissance SRV_KNWL peut déterminer que les chaînes de caractères des messages MSG 1 , MSG 2 , MSG 3 ne sont pas des commandes.
Dans au moins certains modes de réalisation,, le dispositif électronique 101 peut comporter un module MOD_GA de gestion d’actions pour convertir la réponse du client CLT_KNOW en une liste d’actions (similaires à des actions utilisateur via un périphérique d’entrée) sur la fenêtre de l’application active concernée.
Ainsi, dans au moins certains modes de réalisation,, le module de gestion d’actions MOD_GA peut être configuré pour : i/ supprimer une chaîne de caractères; et
Avantageusement, la zone de refroidissement est un espace formé par un renfoncement dans la surface de la plaque de transfert.
Avantageusement, la zone de refroidissement est un espace formé par un trou traversant dans la surface de la plaque de transfert.
Avantageusement, la zone de refroidissement comprend au moins deux espaces agencés en un ensemble, de sorte que les deux espaces soient parallèles l’un par rapport à l’autre pour former une structure de type nervures.
Avantageusement, la zone de refroidissement est située entre les canaux.
Avantageusement, la zone de refroidissement s’étend le long d’au moins un canal.
La première couche électriquement conductrice 5a peut s’étendre entre la première électrode E 1 et la première couche dopée 4a. La deuxième couche électriquement conductrice 5b peut s’étendre entre la seconde couche dopée 4b et la deuxième électrode E 2 . A titre d'exemples non limitatifs, les première et deuxième couches électriquement conductrices 5a, 5b peuvent être des oxydes transparents conducteurs, tels que In 2 O 3 :H, InSnO, InZnO, In 2 O 3 :Zr, ZnO:Al, ZnSnO, ZnO:B, ZnO:Ga. De manière alternative, comme illustré aux figures 9 et 10, les première et deuxième couches électriquement conductrices 5a, 5b peuvent former un réseau de nanofils métalliques (Au, Ag, Cu etc.).
Comme illustré à la , la première couche dopée 4a peut s’étendre à la surface du substrat 1, et peut être formée par un dépôt de type pleine plaque. La première couche électriquement conductrice 5a est formée sur la première couche dopée 4a. La couche active 2, la seconde couche dopée 4b et la deuxième couche électriquement conductrice 5b sont formées successivement sur la première couche dopée 4a, à distance de la première couche électriquement conductrice 5a.
Comme illustré à la , les première et seconde couches dopées 4a, 4b peuvent être réalisées sous la forme de filaments. Lorsque les filaments des première et seconde couches dopées 4a, 4b sont en nitrure de gallium, en cas de dopage de type p, les précurseurs peuvent être le magnésocène de formule Mg(C 5 H 5 ) 2 ou le bis(methylcyclopentadienyl)magnesium de formule (CH 3 C 5 H 4 ) 2 Mg. En cas de dopage de type n, les précurseurs peuvent être le silane SiH 4 ou le germane GeH 4 .
Comme illustré à la , les première et seconde couches dopées 4a, 4b sont facultatives. La première couche électriquement conductrice 5a peut s’étendre à la surface du substrat 1, et peut être formée par un dépôt de type pleine plaque. La couche active 2 et la deuxième couche électriquement conductrice 5b peuvent être formées successivement sur la première couche électriquement conductrice 5a.
Comme illustré à la , la première couche électriquement conductrice 5a peut s’étendre à la surface du substrat 1, et peut être formée par un dépôt de type pleine plaque. La première couche dopée 4a, la couche active 2, la seconde couche dopée 4b, et la deuxième couche électriquement conductrice 5b peuvent être formées successivement sur la première couche électriquement conductrice 5a.
Comme illustré à la , le dispositif peut comporter : - un ensemble de couches actives 2 ; - une succession de diodes de type p-i-n 6 formée sur le substrat 2, chaque diode de type p-i-n 6 possédant une zone intrinsèque formée par une couche active 2 de l’ensemble.
Chaque couche active 2 est électriquement connectée à un couple d’électrodes E 1 , E 2 .
Comme illustré à la , le dispositif peut comporter un ensemble de couches actives 2, chaque couche active 2 étant en contact avec des première et deuxième couches électriquement conductrices 5a, 5b. Chacune des première et deuxième couches électriquement conductrices sont électriquement connectées à un couple d’électrodes E 1 , E 2 .
Le dispositif peut comporter des moyens d’application d’un champ magnétique aux défauts, dans lequel la transition T entre les premier et deuxième états de spin S 1 , S 2 est définie en présence du champ magnétique. A cet effet, les moyens d’application du champ magnétique peuvent comporter une couche ferromagnétique formée sur le substrat 1. La couche ferromagnétique est avantageusement formée à proximité de la couche active 2.
Selon une alternative, la transition T entre les premier et deuxième états de spin S 1 , S 2 est définie en l’absence d’un champ magnétique (ZFS, acronyme pour « Zero Field Splitting » en langue anglaise).
Comme illustré à la , le dispositif comporte avantageusement une couche d’encapsulation 6, agencée pour encapsuler la couche active 2. Une couche de filtrage est avantageusement formée au-dessous de la couche d’encapsulation 6, la couche de filtrage étant conçue pour filtrer des ondes externes possédant une longueur d’onde inférieure ou égale à la longueur d’onde de la ou des diodes électroluminescentes 3. Une telle couche de filtrage permet d’éviter une excitation optique de la couche active 2 provenant du milieu extérieur. Le dispositif peut comporter un résonateur optique comprenant des première et seconde surfaces réfléchissantes (à la longueur d’onde du rayonnement émis par la ou les diodes électroluminescentes 3). La première surface réfléchissante du résonateur optique peut être formée entre le substrat 1 et la diode électroluminescente 3. La seconde surface réfléchissante du résonateur optique peut être formée sous la couche de filtrage.
Une fois entraînés, le premier réseau neuronal (GAN, en particulier son générateur) peut générer des formes de défauts artificiels, tandis que le deuxième réseau neuronal (CNN) peut prédire la taille à associer à ces formes. Sur cette base, pour reconstituer le défaut artificiel, le défaut généré par le GAN peut être redimensionné à la taille prédite par le CNN. Les pixels manquants peuvent être comblés par tout procédé approprié, par exemple par une méthode dite de plus proche voisin (en anglais nearest neighbor ), connue en soi, dans laquelle la connectivité d’un pixel avec les pixels environnants est maintenue.
Les hyperparamètres du premier sous-modèle et du deuxième sous-modèle peuvent être déterminés par l’homme du métier selon ses compétences, par exemple selon une méthode d’essais et erreurs.
Des étapes d’entraînement 142, 144, il ressort donc un premier sous-modèle entraîné 150, apte à générer des défauts artificiels du premier type.
Dans le présent mode de réalisation, le deuxième sous-modèle pour la génération de défauts artificiels de deuxième type est identique dans sa structure au premier sous-modèle. Les étapes 146, 148 d’apprentissage sur la base des défauts 130 du deuxième type, respectivement similaires aux étapes 142, 144 d’apprentissage sur la base des défauts 128 du premier type, conduisent à obtenir un deuxième sous-modèle entraîné 152, apte à générer des défauts artificiels du deuxième type. Toutefois, il est possible de prévoir que le deuxième sous-modèle diffère du premier sous-modèle, et de l’entraîner de manière appropriée.