INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Selon un mode de réalisation plus préféré, la composition A selon l’invention comprend le 3-aminopropyltriéthoxysilane (APTES), le méthyltriméthoxysilane (MTMS) ou le méthyltriéthoxysilane (MTES) et au moins un pigment enrobé avec au moins un alcoxysilane de formule (IIb) tel que décrit précédemment.
Selon un mode de réalisation plus préféré, la composition A selon l’invention comprend le 3-aminopropyltriéthoxysilane (APTES), le méthyltriméthoxysilane (MTMS) ou le méthyltriéthoxysilane (MTES) et au moins un oxyde de fer, de préférence un oxyde de fer (III) tel que Fe2O3 comme pigment, ledit pigment étant enrobé avec au moins un alcoxysilane de formule (IIb) tel que décrit précédemment, de préférence le triéthoxycaprylylsilane.
Procédé de traitement des fibres kératiniques La présente invention a pour objet un procédé de coloration des fibres kératiniques telles que les cheveux, comprenant les étapes suivantes : a) l’application sur les fibres kératiniques d’au moins une composition A comprenant : - au moins un alcoxysilane choisi parmi les composés de formule (I) ou de formule (I’) tels que décrits précédemment, leurs oligomères et/ou leurs mélanges, et - au moins un alcoxysilane de formule (II) tel que décrit précédemment, ses oligomères et/ou leurs mélanges, et b) l’application sur les fibres kératiniques d’au moins une composition B comprenant au moins un polymère filmogène tel que décrit précédemment, la composition A et/ou la composition B comprenant au moins un pigment, ledit pigment étant enrobé avec au moins un alcoxysilane de formule (I), (I’) ou (II) tel que décrit précédemment.
Selon un mode de réalisation préféré, le procédé de coloration des fibres kératiniques telles que les cheveux comprend : i) l’application sur lesdites fibres kératiniques de la composition A selon l’invention comprenant : - au moins un alcoxysilane choisi parmi les composés de formule (I) ou de formule (I’) tels que décrits précédemment, leurs oligomères et/ou leurs mélanges, - au moins un alcoxysilane de formule (II) tel que décrit précédemment, ses oligomères et/ou leurs mélanges, et - au moins un pigment, ledit pigment étant enrobé avec au moins un alcoxysilane de formule (I), (I’) ou (II) tel que décrit précédemment, ii) optionnellement un temps de pose de 10 secondes à 20 minutes, notamment de 20 secondes à 10 minutes, de préférence de 30 secondes à 5 minutes de la composition A sur lesdites fibres, iii) optionnellement une étape de lavage, de rinçage, d’essorage ou de séchage desdites fibres, iv) l’application sur lesdites fibres kératiniques de la composition B selon l’invention comprenant au moins un polymère filmogène tel que décrit précédemment, v) optionnellement un temps de pose de 10 secondes à 20 minutes, notamment de 20 secondes à 10 minutes, de préférence de 30 secondes à 5 minutes de la composition B selon l’invention sur lesdites fibres, vi) optionnellement une étape de lavage, de rinçage, d’essorage et vii) optionnellement une étape de séchage et/ou de chauffage des fibres kératiniques par exemple à une température supérieure ou égale à 30°C.
Selon un mode de réalisation préféré, le procédé de coloration des fibres kératiniques telles que les cheveux comprend : i) l’application sur lesdites fibres kératiniques de la composition A selon l’invention comprenant : - au moins un alcoxysilane choisi parmi les composés de formule (I) ou de formule (I’) tels que décrits précédemment, leurs oligomères et/ou leurs mélanges, - au moins un alcoxysilane de formule (II) tel que décrit précédemment, ses oligomères et/ou leurs mélanges, ii) optionnellement un temps de pose de 10 secondes à 20 minutes, notamment de 20 secondes à 10 minutes, de préférence de 30 secondes à 5 minutes de la composition A sur lesdites fibres, iii) optionnellement une étape de lavage, de rinçage, d’essorage ou de séchage desdites fibres, iv) l’application de la composition B selon l’invention comprenant : - au moins un polymère filmogène tel que décrit précédemment, et - au moins un pigment, ledit pigment étant enrobé avec au moins un alcoxysilane de formule (I), (I’) ou (II) tel que décrit précédemment, v) optionnellement un temps de pose de 10 secondes à 20 minutes, notamment de 20 secondes à 10 minutes, de préférence de 30 secondes à 5 minutes de la composition B selon l’invention sur lesdites fibres, vi) optionnellement une étape de lavage, de rinçage, d’essorage et vii) optionnellement une étape de séchage et/ou de chauffage des fibres kératiniques par exemple à une température supérieure ou égale à 30°C.
La représente schématiquement une vue de dessus d’un exemple d’agencement de plusieurs grilles 110 d’un dispositif 100 comportant plusieurs qubits. Sur cet exemple, chaque grille 110 comporte une section, dans le plan de face supérieure de la couche 104 à travers laquelle les grilles 110 sont réalisées, en forme de disque, et de diamètre d par exemple compris entre 10 nm et 200 nm. En outre, les centres de deux grilles 110 voisines sont espacés d’une distance a par exemple comprise entre 10 nm et 250 nm et supérieure au diamètre d . Bien entendu, d’autres formes de grilles peuvent être envisagées.
La représente des résultats de simulations réalisées pour comparer la susceptibilité au désordre de charges d’un dispositif 100 comportant plusieurs qubits dont les grilles sont réalisées comme représenté sur la par rapport à un dispositif quantique de l’art antérieur comportant plusieurs qubits, dont les éléments sont réalisés avec les mêmes matériaux (premier et troisième semi-conducteurs correspondant à du Si 0,2 Ge 0,8 ; deuxième semi-conducteur correspondant à du Ge) et les mêmes dimensions que pour le dispositif 100, mais dont les grilles sont réalisées sur la surface supérieure d’une couche de semi-conducteur (et non dans une cavité formée au préalable dans la couche de semi-conducteur comme dans le dispositif 100). Afin d’obtenir une comparaison appropriée, l’épaisseur de la couche de semi-conducteur sur laquelle les grilles sont réalisées dans le dispositif de l’art antérieur est choisie comme étant égale à l’épaisseur h des portions restantes de la couche 104 localisées sous les cavités du dispositif 100 simulé afin d’assurer essentiellement le même niveau de couplage électrostatique entre les grilles de contrôle et les électrons ou trous dans les boîtes quantiques sous-jacentes.
Sur la , les courbes 10, 20 et 30 représentent, pour le dispositif 100, la variabilité, ou déviation standard, des facteurs gyromagnétiques selon chacun des axes X, Y et Z pour des valeurs du diamètre d de grille allant de 20 nm à 60 nm. Les courbes 12, 22 et 32 représentent ces mêmes valeurs pour le dispositif quantique de l’art antérieur comportant les grilles réalisées au-dessus de la couche de semi-conducteur. La courbe 40 représente la variabilité du niveau d’énergie E 0 du premier trou confiné dans une des boîtes quantiques du dispositif 100 pour des valeurs du diamètre d de grille allant de 20 nm à 60 nm, et la courbe 42 représente la variabilité de ce même niveau d’énergie E 0 pour le dispositif quantique de l’art antérieur comportant les grilles réalisées au-dessus de la couche de semi-conducteur. Les résultats représentés sur la ont été obtenus avec les paramètres suivants : - densité moyenne de charges à l’interface entre le premier semi-conducteur et la couche diélectrique égale à 10 11 cm -2 ; - épaisseur h = 20 nm ; - épaisseur t de la couche 104 = 100 nm ; - distance a = 80 nm.
Ces simulations impliquent implicitement que les charges interfaciales qui se trouvent entre les grilles génèrent un désordre électrostatique bien plus important que les charges localisées sur les interfaces recouvertes par les grilles métalliques. Cela est une conséquence de l’effet d’écrantage par la grille même. L’emploi de grilles 110 telles que proposées dans le dispositif 100 permet donc d’éloigner les charges moins écrantées (piégées à la surface entre les grilles), réduisant la variabilité due au désordre de charges. Plus les rapports a / d et t / h (avec t correspondant à l’épaisseur de la couche 104 dans laquelle les grilles 110 sont réalisées) sont grands, plus l’utilisation de grilles telles que proposées dans le dispositif 100 est avantageuse. En particulier, ces simulations montrant que la variabilité du niveau d’énergie E 0 peut être réduite d’un facteur 4 si a / d > 2. La variabilité diminue avec le rapport t / h jusqu’à t / h = 3 et elle a la tendance à saturer pour t / h > 3. Dans les simulations dont les résultats sont représentés sur la , la valeur du rapport t / h est égale à 5.
Procédé de fabrication d’une structure semi-conductrice ou piézoélectrique L’invention concerne un procédé de fabrication d’une structure semi-conductrice ou piézoélectrique.
ETAT DE LA TECHNIQUE Le transfert d’une couche active, c’est-à-dire destinée à la formation de composants pour des dispositifs électroniques, optiques ou opto-électroniques, sur un substrat support par l’intermédiaire d’une couche électriquement isolante, est largement utilisé dans l’industrie microélectronique.
Dans certaines situations, la couche active est obtenue par amincissement d’un substrat donneur, ledit amincissement étant réalisé par un retrait de matière, tel qu’un meulage (« grinding » selon la terminologie anglo-saxonne). Pour améliorer l’état de surface de la couche active avant le collage, il est généralement nécessaire de procéder à un polissage mécano-chimique (CMP, acronyme du terme anglo-saxon « Chemical Mechanical Polishing »).
Tel est le cas notamment pour la fabrication d’un dispositif radiofréquence (RF), tel qu’un résonateur ou filtre, sur un substrat comprenant successivement, de sa base vers sa surface, un substrat support, généralement en un matériau semi-conducteur tel que du silicium, une couche électriquement isolante et une couche piézoélectrique.
La couche piézoélectrique est typiquement obtenue par transfert d’un substrat épais en un matériau piézoélectrique sur un substrat support.
Le transfert de la couche de piézoélectrique implique un collage du substrat piézoélectrique épais sur le substrat support, suivi d’un amincissement du substrat piézoélectrique épais, de sorte à ne laisser sur le substrat support qu’une couche piézoélectrique mince, de l’épaisseur souhaitée pour la fabrication du dispositif RF.
Pour une bonne adhésion du substrat piézoélectrique sur le substrat support, on procède généralement à la formation d’une couche d’oxyde (par exemple un oxyde de silicium) sur chacun des deux substrats, et on colle lesdits substrats par l’intermédiaire desdites couches d’oxyde.
La couche d’oxyde formée à la surface du substrat support peut être formée par oxydation thermique. Par exemple, s’il s’agit d’un substrat de silicium, on peut ainsi former une couche d’oxyde de silicium. Toutefois, l’oxydation thermique présente plusieurs inconvénients. Elle peut être incompatible avec certains matériaux, par exemple avec les couches de piégeage de charges en silicium polycristallin. En outre, l’oxydation thermique génère des couches d’oxyde qui ne permettent pas une bonne diffusion, par exemple du lithium ou de l’hydrogène.
Ainsi, le dépôt d’une couche d’oxyde par PECVD est souvent préféré à l’oxydation thermique. La couche d’oxyde peut ensuite être polie, par exemple par polissage mécano-chimique.
Pour renforcer le collage oxyde-oxyde entre le substrat piézoélectrique et le substrat support, il est connu d’effectuer, après le collage, un recuit de consolidation. Ledit recuit de consolidation est typiquement réalisé à une température comprise entre 100 °C et 300 °C.
Or, le matériau piézoélectrique et le matériau du substrat support présentant des coefficients de dilatation thermique très différents, la mise en œuvre d’un tel recuit peut engendrer une déformation importante de l’assemblage.
Pour pallier ce type de problème, il est connu de recourir à un pseudo-substrat donneur, c’est-à-dire une hétérostructure dans laquelle le substrat piézoélectrique est collé sur un substrat de manipulation (« handle substrate » en anglais).
Dans ce mode de réalisation particulier, le procédé selon l’invention comprend la fourniture d’un substrat donneur 11 comprenant une couche piézoélectrique à transférer 3, la fourniture d’un substrat receveur 12 comprenant le substrat support 1 et la couche électriquement isolante 2, et le transfert de la couche piézo-électrique à transférer 3 du substrat donneur 11 sur le substrat receveur 12, la couche électriquement isolante 2 étant à l’interface de collage (voir ).
Selon ce mode de réalisation, le substrat donneur 11 représenté sur la est une hétérostructure couramment qualifiée de substrat pseudo- donneur qui comprend, de sa face arrière vers sa face avant : - un substrat de manipulation 4, - une couche piézoélectrique amincie 5 dans laquelle va être délimitée la couche piézoélectrique à transférer 3 sur le substrat receveur 12, - de manière optionnelle, une couche électriquement isolante 6, préférentiellement une couche d’oxyde.
Le matériau piézoélectrique de la couche piézoélectrique 3 et le matériau du substrat support 1 présentent des coefficients de dilatation thermique très différents. Le dépôt d’une couche en matériau piézoélectrique sans substrat de manipulation sur le substrat support, une couche électriquement isolante étant à l’interface, exposerait la structure multicouche résultante à des déformations importantes lors de la mise en œuvre de recuits thermiques, par exemple pour renforcer l’interface de collage entre couche en matériau piézoélectrique et substrat support.
Le substrat de manipulation 4 est donc fabriqué dans un matériau dont le coefficient de dilatation thermique est proche de celui du matériau du substrat support 1 sur lequel la couche piézoélectrique 3 est destinée à être transférée. Par proche, on entend une différence de coefficient de dilatation thermique entre le matériau du substrat de manipulation 4 et le matériau du substrat support 1 inférieure ou égale à 5 %, et de préférence égale ou voisine de 0 %. Des matériaux adaptés sont par exemple le silicium, le saphir, le nitrure d’aluminium polycristallin, ou encore l’arséniure de gallium. Préférentiellement, le substrat de manipulation 4 est fabriqué dans le même matériau que le substrat support 1. Dans la présente invention, on s’intéresse au coefficient de dilatation thermique dans un plan parallèle à la surface principale des substrats. Le substrat de manipulation 4 présente une épaisseur comprise entre 100 µm et 2 mm, préférentiellement une épaisseur comprise entre 200 µm et 1 mm. Préférentiellement, le substrat de manipulation 4 présente une épaisseur proche de celle du substrat support 1, afin que la structure obtenue après collage du substrat donneur 11 sur le substrat receveur 12 soit la plus symétrique et la plus équilibrée possible en termes de comportements mécanique et thermique. Un coefficient de dilatation thermique et une épaisseur du substrat de manipulation 4 proches respectivement du coefficient de dilatation thermique et de l’épaisseur du substrat support 1 permettent de minimiser les contraintes sur la structure multicouche et sa déformation sous l’effet des variations de température.
La couche électriquement isolante 6 est par exemple une couche d’oxyde, de nitrure et/ou de carbure de silicium (SiO x , SiO x N y , SiN x , SiC x , SiO x C y ), x et y étant des nombres réels compris entre 0 et 2, et/ou un polymère. La couche électriquement isolante 6 présente une épaisseur comprise entre 10 nm et 10 µm, préférentiellement une épaisseur comprise entre 30 nm et 5 µm.
Fourniture du substrat donneur et éventuels traitements d’une surface libre du substrat donneur
Comme représenté sur la , la formation du substrat donneur 11 comprend le collage d’une couche piézoélectrique épaisse 8 sur un substrat de manipulation 4.
La couche piézoélectrique épaisse 8 présente une épaisseur comprise entre 100µm et 2 mm, préférentiellement une épaisseur comprise entre 200 µm et 1 mm. La couche piézoélectrique épaisse 8 est formée du matériau piézoélectrique qui constitue la couche piézolélectrique 3 dans la structure piézoélectrique sur isolant finale 10. La couche piézoélectrique épaisse 8 peut donc comprendre du LiTaO 3 , LiNbO 3 , BaTiO 3 et/ou PZT.
Le collage de la couche piézoélectrique épaisse 8 sur le substrat de manipulation 4 est par exemple réalisé à l’aide d’une couche adhésive photo-polymérisable préalablement déposée sur une face exposée du substrat de manipulation 4 ou de la couche piézoélectrique épaisse 8. Le dépôt de la couche adhésive photo-polymérisable est avantageusement effectué par enduction centrifuge, ou « spin coating » selon la terminologie anglo-saxonne. Le collage par une couche adhésive photo-polymérisable présente l’avantage de comprendre moins d’étapes de fabrication que le collage moléculaire. En outre, le polymère, initialement liquide, va combler les défauts de planéité et compenser en partie la tombée de bord due au chanfreinage des substrats. Le collage par une couche adhésive photo-polymérisable permet donc de coller les substrats plus proches de leur périphérie que le collage moléculaire.
Alternativement, le collage de la couche piézoélectrique épaisse 8 sur le substrat de manipulation 4 est réalisé par collage moléculaire, par collage par abrasion moléculaire sous ultra vide ou par collage métal/métal par thermocompression.
Après le collage de la couche piézoélectrique épaisse 8 sur le substrat de manipulation 4, on amincit la couche piézoélectrique épaisse 8 par sa face opposée au substrat de manipulation, comme représenté sur la , de sorte que la couche piézoélectrique amincie 5 présente une épaisseur comprise entre 1 µm et 100 µm, préférentiellement une épaisseur comprise entre 5 µm et 50 µm.
L’amincissement de la couche piézoélectrique épaisse 8 est par exemple réalisé par un meulage (« grinding » selon la terminologie anglo-saxonne) grossier, qui permet de réduire rapidement l’épaisseur du substrat donneur 11. Puis, un meulage plus fin peut être mis en œuvre pour continuer à réduire l’épaisseur du substrat donneur 11, mais en diminuant la rugosité de la surface dudit substrat donneur 11.
Enfin, un polissage mécano-chimique (CMP, acronyme du terme anglo-saxon « Chemical Mechanical Polishing ») est réalisé pour lisser la surface libre 7 de la couche piézoélectrique amincie 5 opposée au substrat de manipulation 4, de sorte à atteindre la rugosité souhaitée pour le collage du pseudo-substrat donneur 11 sur le substrat support 12 et ainsi améliorer la qualité de collage.
Préalablement au polissage mécano-chimique, le procédé peut comprendre en outre une étape de détourage de la couche piézoélectrique 8, 5. L’étape de détourage peut être mise en œuvre avant, pendant (par exemple entre deux meulages de finesses différentes) ou après l’étape d’amincissement de la couche piézoélectrique 8, 5. Le détourage comprend un retrait de matière périphérique sur au moins l’épaisseur de la couche piézoélectrique 8, 5.
La couche piézoélectrique épaisse 8 présente un chanfrein périphérique C sur chacune de ses faces principales (non représenté sur les figures). L’objectif de l’étape de détourage est de supprimer l’angle vif généré par l’amincissement du substrat donneur 11 au niveau du chanfrein lorsque l’épaisseur e de la couche piézoélectrique amincie 5 est inférieure à l’épaisseur du chanfrein C de la couche piézoélectrique amincie 5 et de générer un angle droit (ou obtus). En effet, un tel angle vif est susceptible de se briser lors de la manipulation du substrat donneur 11, de générer de l’écaillage ou « flaking » selon la terminologie anglo-saxonne et de polluer la ligne de fabrication avec les débris.
Le détourage peut être réalisé à l’aide d’une roue abrasive, par exemple une roue diamantée, entrainée en rotation autour d’un axe Y, le substrat donneur 11 étant lui-même fixé sur un support entrainé en rotation autour d’un axe X, l’axe Y pouvant être parallèle ou perpendiculaire à l’axe X.
Le premier axe optique 40 et le deuxième axe optique 50, ou leur projection dans un même plan tel que précédemment évoqué, forment entre eux un angle B compris entre 40 et 45 degrés. Avantageusement, cet angle B peut être égal à 42°. Il convient de noter que l’angle A, formé entre le premier plan d’allongement principal de la première lentille de projection 6 et le deuxième plan d’allongement principal de la deuxième lentille de projection 7, et l’angle B formé entre le premier axe optique 40 et le deuxième axe optique 50 sont des angles supplémentaires de telle sorte que la somme de l’angle A et de l’angle B est égale à 180 degrés.
L’inclinaison du deuxième axe optique 50 par rapport au premier optique 40 est orientée de sorte que le deuxième axe optique 50 tend à s’éloigner du plan longitudinal médian du véhicule 1 au fur et à mesure qu’on s’éloigne de l’avant du véhicule 1.
La illustre schématiquement l’intérêt d’un tel agencement des sous-ensembles lumineux l’un par rapport à l’autre et respectivement formés par une source lumineuse, un réflecteur et une lentille de projection, en représentant la projection d’une première fonction d’éclairage 45 et d’une deuxième fonction d’éclairage 55 sur une surface verticale placée à 25 mètres du véhicule équipé du module lumineux selon l’invention.
Dans le mode de réalisation représenté, avec la première source lumineuse 4, et plus particulièrement avec la première diode électroluminescente 41 et la deuxième diode électroluminescente 42 allumées simultanément, générant un faisceau d’intensification, la première fonction d’éclairage 45 complète un faisceau lumineux 100, 102 projeté par le véhicule automobile 1, dans une zone centrale du faisceau lumineux 100, 102 pour améliorer le mode d’éclairage « feux de route », tandis que la deuxième fonction d’éclairage 55 vient prolonger latéralement une extrémité latérale 104 du faisceau lumineux 100, 102. Cette extrémité latérale 104 est, dans le mode de réalisation représenté, l’extrémité du faisceau lumineux 100, 102 la plus proche de l’intérieur d’un virage pris par le véhicule automobile 1.
Plus particulièrement, le faisceau lumineux 100, 102 est ici un faisceau d’une fonction d’éclairage de type « feux de route », avec un premier sous-faisceau 100 consistant en un faisceau de type « feux de croisement » et un deuxième sous-faisceau 102 consistant en un sous-faisceau complémentaire permettant de former avec le premier sous-faisceau 100 un faisceau global de type « feux de route ». Le premier sous faisceau 100 peut être généré seul pour réaliser un faisceau d’éclairage de type « feux de croisement », qui permet d’éclairer la route face au véhicule automobile 1 avec une intensité et un découpage du faisceau qui permet de ne pas éblouir les autres usagers. La combinaison des deux faisceaux permet de réaliser un faisceau d’éclairage de type « feux de route », qui permet d’éclairer la route face au véhicule automobile 1 avec une intensité lumineuse importante.
Dans le cas d’exemple ici illustré d’un module lumineux équipant un projecteur du véhicule côté gauche, la deuxième fonction d’éclairage 55 sert à éclairer le bas-côté gauche de la route sur laquelle circule le véhicule. Et à cet effet, la deuxième source lumineuse est disposée à droite de la première source lumineuse, vers l’intérieur du véhicule, pour que le deuxième faisceau lumineux incliné par rapport au plan longitudinal médian du véhicule puisse éclairer le côté gauche, vers l’extérieur du véhicule. On comprend que si le module lumineux équipe un projecteur du véhicule côté droit, la deuxième fonction d’éclairage sert alors à éclairer le bas-côté droit de la route sur laquelle circule le véhicule. Et à cet effet, la deuxième source lumineuse est disposée à gauche de la première source lumineuse, vers l’intérieur du véhicule, pour que le deuxième faisceau lumineux incliné par rapport au plan longitudinal médian du véhicule puisse éclairer le côté droit, vers l’extérieur du véhicule.