Procédé de fabrication d'une pièce de forme complexe par frittage par compaction uni-axiale et à chaud, caractérisé en ce qu'il comprend au moins les étapes consistant à : - Disposer d’un matériau pulvérulent M1 dédié à constituer ladite pièce de forme complexe, - Disposer d’une contre-forme de ladite pièce de forme complexe, - Densifier par frittage par compaction uni-axiale et à une température variant de 300 à 2200°C, ledit matériau M1 au contact de ladite contre-forme, en formant le cas échéant une phase intermédiaire à l’interface de ladite pièce de forme complexe et de ladite contre-forme densifiées, - Disposer de l’ensemble pré-pièce/contre-forme densifié ainsi formé, et - Décocher ladite pièce de forme complexe dudit ensemble, caractérisé en ce que ladite contre-forme est sous une forme densifiable et constituée d’un matériau M2 comprenant au moins un composant matriciel A et au moins un composé B inorganiques et en ce que ledit décochage comprend au moins la solubilisation sélective dudit composé B et/ou de l’éventuelle phase intermédiaire. Procédé selon la revendication 1, dans lequel lesdits matériaux M1 et M2 possèdent des plages de température de densification par frittage telles que la température maximale de frittage Tmax(M1) du matériau M1 est inférieure ou égale à la température maximale de frittage Tmax(M2) du matériau M2. Procédé selon la revendication précédente dans lequel la température maximale de frittage Tmax(M1) du matériau M1 est supérieure à la température pour laquelle le matériau M2 est au maximum de vitesse de densification Tvmax(M2). Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel lesdits matériaux M1 et M2 possèdent des cinétiques de densification telles que la différence entre les températures auxquelles les matériaux M1 et M2 sont au maximum de leur vitesse de densification respective, « |Tvmax (M1) – Tvmax (M2)| » est inférieure à 50°C. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel lesdits matériaux M1 et M2 possèdent des plages de température de densification par frittage telles que la différence entre les températures minimales de frittage Tmin(M1) du matériau M1 et Tmin(M2) du matériau M2, « |Tmin (M1) – Tmin (M2)| » est inférieure à 300°C, voire inférieure à 100°C, la température Tmin(M2) étant de préférence inférieure au maximum de vitesse de densification Tvmax(M1) du matériau M1. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel ladite contre-forme densifiable possède une densité relative telle que sa différence avec la densité relative du matériau M1 non densifié est de moins de 25 %, en particulier moins de 20 %, de préférence moins de 5 %. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel le composant matriciel A est choisi parmi la silice (SiO 2 ), la zircone yttriée dite « poudre d’YSZ », le nitrure de silicium (Si 3 N 4 ), le carbure de bore (B 4 C), le carbure de silicium (SiC), le nitrure de bore, notamment hexagonal (h-BN), et leurs mélanges et de préférence comprend au moins de la silice. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel ledit matériau M2 comprend au moins un composé B choisi parmi le zircon, le nitrure de bore hexagonal et la silice, notamment parmi le zircon et la silice, de préférence comprend au moins le zircon. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la teneur en composé(s) B dans le matériau M2 est supérieure ou égale au seuil de percolation volumique du composé B dans le composant A. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel le matériau M2 est choisi parmi les mélanges h-BN/SiO 2, Si 3 N 4 /SiO 2 , SiC/SiO 2 , h-BN/ZrSiO 4 , Si 3 N 4 /ZrSiO 4 , SiC/ZrSiO 4 , ou SiO 2 /ZrSiO 4 , de préférence est le composite SiO 2 /ZrSiO 4 . Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le matériau M1 comprend au moins du titane, du cuivre, un alliage de titane, un alliage de nickel, un alliage de fer, un alliage d’aluminium, un alliage de cuivre, du carbure de titane, du carbure de tungstène, du carbure de tungstène-cobalt, du nitrure d’aluminium, du nitrure de gallium, du nitrure de silicium, du silicium, un alliage de silicium, ou leurs mélanges, de préférence au moins du titane, du cuivre, un alliage de titane, un alliage de nickel, du carbure de tungstène-cobalt ou leurs mélanges, plus préférentiellement comprend au moins du titane, un alliage de titane et/ou du carbure de tungstène-cobalt et en particulier est du WC comprenant 6 à 12% de Co, du TA6V, du TiAl, ou du Ti. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes mettant en présence un couple de matériaux M1/M2 choisi parmi WC comprenant 6 à 12% de Co (M1) / Composite SiO 2 /ZrSiO 4 (M2), TA6V (M1) / Composite SiO 2 /ZrSiO 4 (M2), TiAl (M1) / Composite SiO 2 /ZrSiO 4 (M2), Ti (M1) / Composite SiO 2 /ZrSiO 4 (M2), WC (M1) / Composite SiC/h-BN (M2), WC (M1) / Composite Si 3 N 4 /h-BN (M2), WC (M1) / Composite h-BN/SiO 2 (M2), WC (M1)/ Composite h-BN/SiC/Si 3 N 4 (M2), WC comprenant 6 à 12% de Co (M1) / Composite SiC/ h-BN (M2), WC comprenant 6 à 12% de Co (M1) / Si 3 N 4 /h-BN (M2), WC comprenant 6 à 12% de Co (M1) / h-BN/SiO 2 (M2), WC comprenant 6 à 12% de Co (M1) / h-BN/SiC/Si 3 N 4 (M2), Ti (M1) / Composite YZS/ SiO 2 (M1), TiAl/ Composite YZS/ SiO 2 (M1), TA6V (M1) / Composite YZS/ SiO 2 , ou couple Cu (M1) / Composite SiO 2 / ZrSiO 4 . Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel la densification est réalisée dans une plage de température de frittage variant de 300°C à 2000°C, en particulier de 600°C à 2000°C, de préférence de 1000°C à 1900°C, notamment de 1150°C à 1750°C. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel la densification est réalisée par frittage flash (encore appelé frittage SPS, acronyme anglais de « Spark Plasma Sintering »), ou par compaction uniaxiale à chaud. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel le décochage implique la solubilisation sélective du ou d’un composé B de la contre-forme densifiée. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 14 dans lequel ledit décochage est réalisé en présence d’une phase intermédiaire en surface de ladite pièce de forme complexe et en conservant ladite phase intermédiaire. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 14 dans lequel ledit décochage est réalisé en présence d’une phase intermédiaire en surface de ladite pièce de forme complexe et par solubilisation sélective de ladite phase intermédiaire. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel ladite solubilisation sélective est réalisée par immersion dans un milieu réactionnel chimique, notamment acide ou basique, en particulier à une température allant de 20°C à 250°C, en autoclave ou à pression ambiante. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, comprenant consécutivement à la solubilisation sélective, une étape de retrait par action mécanique de la contre-forme résiduelle, notamment par sablage, brossage, microbillage, polissage, tribofinition, vibrations, ultrasons, et/ou chocs. Procédé de fabrication d’une contre-forme densifiable utile pour la préparation d’une pièce de forme complexe selon le procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 19 comprenant au moins les étapes consistant à - Réaliser par fabrication additive un objet organique/inorganique à partir d’au moins un liant organique et d’au moins un mélange comprenant au moins un composant matriciel A et au moins un composé B, inorganiques, - Délianter ledit objet organique/inorganique ainsi formé pour en éliminer sa composante organique, - Fritter ledit objet ainsi obtenu pour former une contre-forme densifiable. Procédé selon la revendication précédente dans lequel ledit liant organique comprend au moins une résine photopolymérisable, notamment choisie parmi la famille des acrylates et leurs mélanges. Procédé selon la revendication 20 ou 21 dans lequel ledit composant A est choisi parmi la silice, la zircone yttriée dite « poudre d’YSZ », le nitrure de silicium (Si 3 N 4 ), le carbure de bore (B 4 C), le carbure de silicium (SiC), le nitrure de bore, notamment hexagonal (h-BN) et leurs mélanges et de préférence comprend au moins de la silice. Procédé selon l’une quelconque des revendications 20 à 22 dans lequel ledit composé B est choisi parmi le zircon, le nitrure de bore hexagonal et la silice, notamment parmi le zircon et la silice, de préférence comprend au moins le zircon. Procédé selon l’une quelconque des revendications 20 à 23 dans lequel l’étape de déliantage de la contre-forme est réalisée thermiquement, en particulier à une température variant de 200°C à 600°C et notamment avec une vitesse de montée en température variant de 0,1 et 1°C/min. Procédé selon l’une quelconque des revendications 20 à 24 dans lequel le frittage est réalisé dans des conditions permettant une densification seulement partielle de ladite contre-forme, de préférence à une température allant de 600°C à 2200°C, en particulier de 600 à 1400°C. Procédé selon l’une quelconque des revendications 20 à 25 comprenant en outre au moins les étapes consistant à - disposer de la densité relative du matériau devant être densifié par frittage par compaction uni-axiale pour former une pièce de forme complexe, au contact de ladite contre-forme à fabriquer et - ajuster le frittage dudit objet pour former une contre-forme dont la densité relative est telle que sa différence avec la densité relative du matériau, devant être fritté à son contact, est de moins de 25 %, en particulier moins de 20%, de préférence moins de 5 %. Méthode utile pour déterminer l’adéquation d’un matériau M2 à constituer la contre-forme d’une pièce de forme complexe à former par frittage par compaction uni-axiale d’un matériau M1, ladite méthode comprenant au moins les étapes consistant à - Disposer de la courbe de la vitesse de densification par frittage par compaction uni-axiale et en fonction de la température, du matériau M1, CVD1, - Disposer de la courbe de la vitesse de densification par frittage par compaction uni-axiale et en fonction de la température, du matériau M2, CVD2 et, - Déterminer si l’écart des températures minimales de frittage et maximales de frittage entre chacun des matériaux M1 et M2, est inférieur ou égale à 50°C, un écart inférieur ou égal à 50°C traduisant l’adéquation du matériau M2 à former une contre-forme pour la réalisation de ladite pièce de forme complexe. Méthode selon la revendication précédente dans laquelle la différence entre les températures auxquelles les matériaux M1 et M2 sont au maximum de leur vitesse de densification respective, « |Tvmax (M1) – Tvmax (M2)| » est en outre inférieure à 50°C.