Procédé de fabrication d’une structure semiconductrice ou piézoélectrique (10), comprenant les étapes successives suivantes : (a) fourniture d’un substrat donneur (11) comprenant une couche semiconductrice ou piézoélectrique (5), (b) fourniture d’un substrat receveur (12), (c) traitement d’une surface libre (7) du substrat donneur (11) et/ou d’une surface libre (9) du substrat receveur (12), (d) collage du substrat donneur (11) sur le substrat receveur (12), ladite au moins une surface traitée (7, 9) étant à l’interface entre le substrat donneur (11) et le substrat receveur (12), et (e) transfert d’une portion (3) de la couche semiconductrice ou piézoélectrique (5) du substrat donneur (11) sur le substrat receveur (12), le traitement de la surface libre (7) du substrat donneur (11) et/ou de la surface libre (9) du substrat receveur (12) comprenant les étapes successives suivantes : (c1) un polissage mécano-chimique, (c2) un retrait de matière dans une région périphérique de la surface polie (7,9). Procédé selon la revendication 1, dans lequel, à l’issue de l’étape de polissage mécano-chimique du substrat donneur (11) et/ou du substrat receveur (12) (c1), la surface polie (7,9) présente un relief à la périphérie dudit substrat (11,12), de sorte que l’étape de retrait de matière (c2) dans la région périphérique de ladite surface (7,9) est effectuée pour aplanir ledit relief. Procédé selon l’une des revendications 1 ou 2, dans lequel le retrait de matière périphérique est réalisé par abrasion par un faisceau d’ions focalisé sur une zone de la périphérie de la couche semiconductrice ou piézoélectrique (5) polie, le faisceau d’ions balayant l’ensemble de ladite périphérie. Procédé selon la revendication 1 à 3, dans lequel le retrait de matière périphérique est réalisé après enregistrement du profil topographique de la surface polie (7,9) par profilométrie et mis en œuvre de sorte que le profil modifié après retrait de matière ne présente qu’un seul maximum et que ledit maximum est le point le plus au centre de la surface polie (7,9) du profil modifié. Procédé selon l’une des revendications 1 à 4, dans lequel la portion (3) de la couche semiconductrice ou piézoélectrique (5) du substrat donneur (11) à transférer sur le substrat receveur (12) est délimitée par formation d’une zone de fragilisation préalablement au collage (d) du substrat donneur (11) sur le substrat receveur (12), de sorte que le transfert de ladite portion (3) sur le substrat receveur (12) comprend le détachement du substrat donneur (11) le long de la zone de fragilisation. Procédé selon la revendication 5, dans lequel la zone de fragilisation dans le substrat donneur (11) est formée par implantation d’hydrogène et/ou d’hélium. Procédé selon l’une des revendications 1 à 6, dans lequel le substrat donneur (11) comprend une couche piézoélectrique (5), la surface du substrat donneur à traiter et à coller étant une surface libre (7) de la couche piézoélectrique (5) et la portion du substrat donneur transférée étant une portion (3) de la couche piézoélectrique (5). Procédé selon la revendication 7, dans lequel la fourniture du substrat donneur (11) comprend les étapes successives suivantes : (a1) collage d’une couche piézoélectrique épaisse (8) sur un substrat de manipulation (4), (a2) amincissement de la couche piézoélectrique épaisse (8) par sa face opposée au substrat de manipulation (4), de sorte que le polissage mécano-chimique (c1) est réalisé sur la surface libre (7) de la couche piézoélectrique amincie (5), opposée au substrat de manipulation (4). Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que la couche piézoélectrique épaisse (8) présente une épaisseur comprise entre 100 µm et 2 mm, préférentiellement une épaisseur comprise entre 200 µm et 1mm et en ce que la couche piézoélectrique amincie et polie (5) présente une épaisseur comprise entre 1 µm et 100 µm, préférentiellement une épaisseur comprise entre 5 µm et 50 µm. Procédé selon l’une des revendications 8 ou 9, dans lequel la fourniture du substrat donneur (11) comprend en outre une étape (a3) de retrait d’une portion périphérique du substrat donneur (11) préalablement au polissage mécano-chimique (c1) de la surface libre (7) de la couche piézoélectrique amincie (5). Procédé selon l’une des revendications 1 à 6, dans lequel le substrat donneur (11) comprend une couche semi-conductrice, la surface du substrat donneur à traiter et à coller étant une surface libre de la couche semi-conductrice et la portion du substrat donneur transférée étant une portion de la couche semi-conductrice. Procédé selon l’une des revendications 7 à 11, caractérisé en ce qu’il comprend en outre une étape de formation d’une couche électriquement isolante (6) sur la surface libre de la couche piézoélectrique (5) ou semi-conductrice, de sorte que le collage (d) du substrat donneur (11) sur le substrat receveur (12) est réalisé par l’intermédiaire de ladite couche électriquement isolante (6). Procédé selon la revendication 12, caractérisé en ce que la couche électriquement isolante (6) formée à la surface de la couche piézoélectrique (5) ou semiconductrice polie présente une épaisseur comprise entre 10 nm et 10 µm, préférentiellement une épaisseur comprise entre 30 nm et 5 µm. Procédé selon l’une des revendications 12 ou 13, dans lequel l’étape (c) comprend un traitement de la surface libre (7) de la couche piézoélectrique (5) ou semi-conductrice du substrat donneur (11) et dans lequel la formation de la couche électriquement isolante (6) sur ladite surface libre (7) est réalisé après ladite étape de traitement (c) et préalablement au collage (d). Procédé selon l’une des revendications 1 à 14, dans lequel la fourniture du substrat receveur (12) (b) comprend la formation d’une couche électriquement isolante (2), préférentiellement une couche d’oxyde, la surface du substrat receveur (12) à traiter et à coller étant une surface libre (9) de la couche électriquement isolante (2). Procédé selon la revendication 15, caractérisé en ce que la couche électriquement isolante (2) formée à la surface du substrat receveur (12) présente une épaisseur comprise entre 10 nm et 10 µm, préférentiellement une épaisseur comprise entre 30 nm et 5 µm. Procédé selon l’une des revendications 15 ou 16, dans lequel la couche électriquement isolante (2) est formée par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD). Procédé selon l’une des revendications 15 à 17, dans lequel l’étape de retrait de matière (c2) est réalisée sur l’ensemble de la surface polie (9) du substrat receveur (12). Procédé selon la revendication 18, dans lequel la quantité de matière à retirer localement à la surface de la couche électriquement isolante (2) lors de l’étape de retrait de matière à la surface (9) de ladite couche électriquement isolante (2) est déterminée à partir de mesures d’épaisseur de ladite couche électriquement isolante (9) par ellipsométrie et/ou réflectométrie.