Dispositif optoélectronique, comportant : - un substrat (1), - au moins une couche active (2), formée sur le substrat (1), et réalisée dans un matériau possédant une bande de valence (BV) et une bande de conduction (BC) séparées par une bande d’énergie interdite (Eg) ; - des défauts, présents dans le matériau, et possédant une structure énergétique définissant : un état fondamental (GS) dans la bande de valence (BV), comprenant des premier et deuxième états de spin (S 1 , S 2 ), la transition (T) du deuxième état de spin (S 2 ) vers le premier état de spin (S 1 ) étant destinée à être radiative, un état métastable (MS) dans la bande d’énergie interdite (Eg), un état excité dans la bande de conduction (BC) ; - des moyens d’excitation de la couche active (2), configurés pour : faire transiter des électrons vers l’état excité, puis se relaxant vers le deuxième état de spin (S 2 ) par l’intermédiaire de l’état métastable (MS), de sorte que la couche active (2) peut émettre des photons faisant transiter des électrons du deuxième état de spin (S 2 ) vers le premier état de spin (S 1 ) ; ou faire transiter des électrons du deuxième état de spin (S 2 ) vers l’état excité de sorte que la couche active (2) peut détecter des photons faisant transiter des électrons du premier état de spin (S 1 ) vers le deuxième état de spin (S 2 ) par absorption. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel les moyens d’excitation de la couche active (2) comportent : - des première et deuxième électrodes (E 1 , E 2 ), électriquement connectées à la couche active (2) ; - des moyens d’excitation électrique, agencés pour appliquer une tension de polarisation entre les première et deuxième électrodes (E 1 , E 2 ), les moyens d’excitation électrique étant configurés pour faire transiter des électrons vers l’état excité, puis se relaxant vers le deuxième état de spin (S 2 ) par l’intermédiaire de l’état métastable (MS), lorsque la tension de polarisation est positive. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel les moyens d’excitation de la couche active (2) comportent des moyens d’excitation optique, configurés pour faire transiter des électrons vers l’état excité, puis se relaxant vers le deuxième état de spin (S 2 ) par l’intermédiaire de l’état métastable (MS). Dispositif selon la revendication 1, dans lequel les moyens d’excitation de la couche active (2) comportent : - des première et deuxième électrodes (E 1 , E 2 ), électriquement connectées à la couche active (2) ; - des moyens d’excitation électrique, agencés pour appliquer une tension de polarisation entre les première et deuxième électrodes (E 1 , E 2 ), les moyens d’excitation électrique étant configurés pour faire transiter des électrons vers l’état excité, puis se relaxant vers le deuxième état de spin (S 2 ) par l’intermédiaire de l’état métastable (MS), lorsque la tension de polarisation est positive ; - des moyens d’excitation optique, configurés pour faire transiter des électrons vers l’état excité, puis se relaxant vers le deuxième état de spin (S 2 ) par l’intermédiaire de l’état métastable (MS). Dispositif selon la revendication 1, dans lequel les moyens d’excitation de la couche active (2) comportent : - des première et deuxième électrodes (E 1 , E 2 ), électriquement connectées à la couche active (2) ; - des moyens d’excitation électrique, agencés pour appliquer une tension de polarisation entre les première et deuxième électrodes (E 1 , E 2 ), les moyens d’excitation électrique étant configurés pour faire transiter des électrons du deuxième état de spin (S 2 ) vers l’état excité lorsque la tension de polarisation est négative ; - des moyens d’excitation optique, configurés pour faire transiter des électrons du deuxième état de spin (S 2 ) vers l’état excité. Dispositif selon l’une des revendications 3 à 5, dans lequel les moyens d’excitation optique comportent au moins une diode électroluminescente (3, 3a, 3b) formée sur le substrat (1). Dispositif selon la revendication 6, dans lequel les moyens d’excitation optique comportent des première et deuxième diodes électroluminescentes (3a, 3b) s’étendant de part et d’autre de la couche active (2). Dispositif selon l’une des revendications 3 à 7, comportant un résonateur optique à l’intérieur duquel s’étend la couche active (2), le résonateur optique étant conçu pour coopérer avec les moyens d’excitation optique de sorte que les moyens d’excitation optique font : - transiter des électrons vers l’état excité, puis se relaxant vers le deuxième état de spin (S 2 ) par l’intermédiaire de l’état métastable (MS) ; ou - transiter des électrons du deuxième état de spin (S 2 ) vers l’état excité. Dispositif selon l’une des revendications 1 à 8, dans lequel la couche active (2) présente des première et seconde surfaces (20, 21) opposées ; le dispositif comportant : - une première couche dopée (4a), d’un premier type de conductivité, s’étendant en contact de la première surface (20) de la couche active (2) ; - une seconde couche dopée (4b), d’un second type de conductivité opposé au premier type de conductivité, s’étendant en contact de la seconde surface (21) de la couche active (2). Dispositif selon l’une des revendications 1 à 9, comportant : - des première et deuxième électrodes (E 1 , E 2 ), électriquement connectées à la couche active (2) ; - une première couche électriquement conductrice (5a), de préférence réalisée dans un oxyde conducteur, s’étendant entre la première électrode (E 1 ) et la couche active (2) ; - une deuxième couche électriquement conductrice (5b), de préférence réalisée dans un oxyde conducteur, s’étendant entre la couche active (2) et la deuxième électrode (E 2 ). Dispositif selon la revendication 10 en combinaison avec la revendication 9, dans lequel : - la première couche électriquement conductrice (5a) s’étend entre la première électrode (E 1 ) et la première couche dopée (4a) ; - la deuxième couche électriquement conductrice (5b) s’étend entre la seconde couche dopée (4b) et la deuxième électrode (E 2 ). Dispositif selon l’une des revendications 1 à 11, dans lequel la couche active (2) comporte des nanofilaments. Dispositif selon l’une des revendications 1 à 12, comportant : - un ensemble de couches actives (2) ; - une succession de diodes de type p-i-n (6) formée sur le substrat (1), chaque diode de type p-i-n (6) possédant une zone intrinsèque formée par une couche active (2) de l’ensemble. Dispositif selon l’une des revendications 1 à 13, comportant des moyens d’application d’un champ magnétique aux défauts, dans lequel la transition (T) entre les premier et deuxième états de spin (S 1 , S 2 ) est définie en présence du champ magnétique. Dispositif selon l’une des revendications 1 à 14, dans lequel le matériau de la couche active (2) possède une bande d’énergie interdite supérieure à 1,5 eV, de préférence supérieure à 2 eV.