INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Comme visible notamment sur les figures 5 et 6 deux premières bielles 58 relient l’arbre d’entrée 40 de l’axe du(des) pignon(s) double(s) 46. La longueur de ces bielles est adaptée pour maintenir le pignon double 46 (ou l’un des pignons doubles 46) en prise avec le pignon d’entrée 42. Ces premières bielles 58 se trouvent ainsi de part et d’autre des pignons doubles 46.
De manière similaire, des deuxièmes bielles 60 relient l’axe du(des) pignon(s) double(s) 46 avec l’axe du quatrième pignon 48 et de troisièmes bielles 62 relient l’axe du quatrième pignon 48 avec l’axe (fixe) du cinquième pignon 50. Ces paires de bielles 58, 60, 62 définissent ainsi trois côtés d’un parallélogramme déformable, le quatrième côté étant formé par le segment allant du centre de l’arbre d’entrée 40 au centre de l’axe du cinquième pignon 50, ce quatrième côté étant « rigide ».
Le parallélogramme déformable ci-dessus peut être déformé par le vérin 30. Ce dernier est monté pivotant sur la plaque support 22 et agit avantageusement sur l’axe du quatrième pignon 48. Tout autre point d’action sur le parallélogramme déformable peut être envisagée : l’action peut être directe sur le parallélogramme ou bien indirecte, par exemple à l’aide d’un bras agissant sur ce parallélogramme.
Le fonctionnement du dispositif de préhension est décrit ci-après.
Une position du vérin 30 correspond à la position illustrée sur les figures dans laquelle les mâchoires 12 sont en position ouverte. En outre, le premier disque 2 et le deuxième disque 4 sont orientés par rapport à la plaque support 22 qui présente elle aussi une fente de telle sorte que les deux fentes radiales 10 (celle du premier disque 2 et celle du deuxième disque 4) se superposent avec la fente de la plaque support 22 de telle sorte qu’un tube puisse coulisser dans les fentes radiales 10 et parvenir au centre des disques, au niveau des logements 6. Dans une machine à cintrer, un dispositif tel le dispositif de préhension illustré sur les figures, est monté à l’extrémité d’un bras de robot qui se déplace pour venir saisir un tube à cintrer. Du fait de la présence des fentes évoquées ci-avant, le dispositif de préhension peut saisir le tube à cintrer non seulement à son extrémité mais tout le long de ce tube.
Une fois le tube dans ses logements 6, le vérin 30 est actionné. Le pignon double 46 (ou l’un des pignons doubles 46) guidé par les premières bielles 58 vient tourner autour du pignon d’entrée 42 qui reste immobile. Dans ce mouvement, les pignons, du quatrième pignon 48 au septième pignon 54 sont entrainés et viennent donc faire pivoter le deuxième disque 4 par rapport au premier disque 2. Comme expliqué plus haut, les trous oblongs radiaux 18, les fentes arquées 20 et le pion de commande 16 coopèrent pour venir fermer les mâchoires 12 sur le tube à cintrer. Le moteur électrique 28 peut alors être mis en route pour orienter le tube à cintrer dans l’espace.
Les mâchoires 12 peuvent être desserrées dans toutes les positions du premier disque 2 et du deuxième disque 4. Le vérin 30 agit alors dans le sens inverse pour libérer le tube.
Le pliage-dépliage du quatrième ensemble est indépendant, ce qui fait que la chaise est pliable et dépliable en deux mouvements par des gestes simples.
En revanche, dans le cas de pièces 1, 2 en forme de barques, les profilomètres 7 sont situés à l’extrémité des pièces 1, 2 et subissent une flexibilité importante des pièces 1, 2 à cet endroit. Les pièces 1, 2 sont en effet déformées sous leur propre poids. Cette déformation n’est pas compensable par le système d’accostage qui se limite à des déplacements rigides uniquement. La conformation est subie via le contact entre les pièces 1, 2 et n’est pas contrôlée.
Il faut donc un bon compromis. Les profilomètres 7 doivent être bien espacés tout en restant situés dans des zones « contrôlables » des pièces 1, 2, c’est-à-dire liées rigidement le plus possible aux actionneurs. Il est à noter qu’il peut se former des « bulles », difficilement modélisables, au moment où les pièces 1, 2 entrent en contact dans des zones pourtant rigides. Cela rend quasiment impossible le choix d’un emplacement idéal pour les profilomètres 7 qui doit donc être fait de façon empirique.
Selon un mode de réalisation préféré, le procédé d’accostage comprend trois étapes dont une étape de présentation ou d’approche des pièces 1, 2. La pièce mobile 2 est « présentée » face à la pièce fixe 1. La pièce mobile 2 est bien alignée avec la pièce fixe 1. Les distances entre les deux pièces 1, 2 selon une direction de balayage X et une direction transversale Z sont de quelques centimètres.
La direction de balayage X des profilomètres 7 est approximativement parallèle à la direction d’avancement A de la pièce mobile 2. La direction transversale Z est sensiblement perpendiculaire à la direction de balayage X et est sensiblement parallèle à la direction d’émission du laser des profilomètres 7. Il existe une direction Y perpendiculaire aux directions X et Z.
Dans cet exemple et par rapport à la , la direction de balayage X est sensiblement parallèle à l’axe des pièces 1, 2 et la direction transversale Z est sensiblement orthogonale à leur surface.
Le procédé d’accostage comprend également une étape de chevauchement dans laquelle la pièce mobile 2 translate vers la pièce fixe 1 selon la direction de balayage X jusqu’à une distance inférieure à 4 mm selon la direction de balayage X et en maintenant une distance de quelques centimètres par rapport à la pièce fixe 1 selon la direction transversale Z.
Il s’ensuit une étape de plaquage dans laquelle la pièce mobile 2 translate par rapport à la pièce fixe 1 selon la direction transversale Z jusqu’à ce que les deux pièces 1, 2 soient en contact réel ou imminent. Par exemple, la distance selon la direction transversale Z peut être de 2 mm. Puis, les pièces 1, 2 se déforment ou se conforment en appliquant un effort selon la direction transversale Z jusqu’à atteindre un seuil qui peut être de 800 Newton, par exemple.
Les déplacements de la pièce mobile 2 lors de ces trois étapes sont obtenus par un asservissement basé sur les mesures du profil de l’extrémité 5 de la pièce mobile 2 et du profil de l’extrémité de la pièce fixe 1. L’information de chaque profilomètre 7 donne un nuage de points à partir duquel il est possible d’extraire une droite, représentant le profil de la pièce observée.
La représente le profil ou vecteur S de la pièce mobile 2, le profil ou vecteur S’’ de la pièce fixe 1 et le profil ou vecteur S’ de la cible dans le cas d’un unique profilomètre 7. Avec n profilomètres 7, les vecteur S et S’ ont donc 3n composantes.
Le procédé d’accostage comprend une boucle d’asservissement dans laquelle un profil cible de l’extrémité 5 de la pièce mobile 2 est déterminé pour les trois étapes précédemment décrites et dans laquelle des profils de l’extrémité 5 de la pièce mobile 2 et des profils de l’extrémité 4 de la pièce fixe 1 sont mesurés par les profilomètres 7.
Le procédé d’accostage comprend en particulier une étape d’initialisation dans laquelle la position de la pièce fixe 1 par rapport aux profilomètres 7 est mesurée pour pouvoir générer trois vecteurs cibles S1’, S2’, S3’ dont un premier vecteur cible S1’ présentant des coordonnées (x’ 1 , z’ 1 , α’ 1 ) lors de l’étape de présentation des pièces, un deuxième vecteur cible S2’ présentant des coordonnées (x’ 2 , z’ 2 , α’ 2 ) lors de l’étape de chevauchement des pièces et un troisième vecteur cible S3’ présentant des coordonnées (x’ 3 , z’ 3 , α’ 3 ) lors de l’étape de plaquage des pièces.
La position relative de la pièce fixe 1 par rapport aux actionneurs ou plus précisément par rapport à la partie fixe 15 des actionneurs est connue approximativement car la pièce fixe 1 est référencée dans un repère atelier.
La position relative de la partie fixe des actionneurs par rapport à la pièce mobile 2 est également connue approximativement à tout instant, par la géométrie de la pièce fixe 1 et le modèle de l’actionneur.
Enfin, la position relative de la pièce fixe 1 par rapport aux profilomètres 7 est aussi connue approximativement. Une précision trop dégradée peut compromettre la stabilité de la commande.
La concaténation des informations lues sur les n profilomètres 7 permet d’obtenir un vecteur de mesure de la pièce fixe 1 S’’ présentant des coordonnées (x’’, z’’, α’’), avec (x’’, z’’) désignant les coordonnées d’un point (A’’) d’un profil à l’extrémité de la pièce fixe 1 et α’’ la tangente au point (A’’), x’’ étant une coordonnée suivant la direction de balayage (X) et z’’ étant une coordonnée suivant la direction transversale (Z).
Le vecteur de mesure de pièce fixe 1 (x’’, z’’, α’’) obtenu avec la pièce fixe 1 permet de fixer très précisément un degré de liberté en orientation pour le profilomètre 7 (rotation autour d’un axe parallèle à la direction transversale Y, dans le repère du profilomètre) et deux en translation (suivant les directions X et Z). En faisant pivoter le profilomètre autour d’un axe parallèle à la direction de balayage X jusqu’à minimiser la valeur selon un axe parallèle à la direction transversale Z, il est également possible d’obtenir précisément une orthogonalité, donc de connaître la rotation par rapport à la direction de balayage X. Les autres degrés de liberté des profilomètres 7 restent estimés. En pratique, une erreur de translation de l’ordre du cm selon la direction Y et une erreur de rotation de l’ordre de 1° selon la direction transversale Z ne compromettent pas la convergence de l’accostage pour des diamètres de tôle atteignant plusieurs mètres, l’impact sur la consigne S’ étant négligeable.
On peut prévoir que l'organe de liaison est en contact avec deux zones d'une face externe de la peau externe disposées de sorte que l'ouverture est interposée entre les deux zones.
L'organe de liaison assure ainsi une liaison entre les deux côtés de la peau externe autour de l'ouverture.
On peut prévoir que l'organe de liaison est fixé au panneau par au moins un élément de fixation.
L'ensemble selon l'invention pourra présenter en outre au moins l'une quelconque des caractéristiques suivantes :
- l'élément de fixation est aveugle ;
- l'élément de fixation s'étend dans la peau externe ;
- l'élément de fixation s'étend dans la couche centrale ;
- l'élément de fixation s'étend dans la peau interne ;
- l'élément de fixation s'étend dans le logement ;
- le panneau comprend une boite délimitant le logement ;
- la boite est en contact avec au moins l'une des peaux externe et interne ;
- l'organe de liaison comprend au moins une platine configurée pour accrocher le vérin, de préférence deux platines délimitant entre elles un emplacement d'accrochage ; et
- il comprend un vérin accroché à l'organe et s'étendant dans le logement.
On prévoit également selon l'invention un moteur d’aéronef comprenant un inverseur de poussée et un ensemble selon l'invention.
On prévoit aussi selon l'invention un procédé de fabrication d’un ensemble pour nacelle de moteur d’aéronef, dans lequel,
en présence d'un panneau comprenant une peau externe, une peau interne et une couche centrale,
La couche 19 est, par exemple, du même type de conductivité que la zone 15, par exemple de type P. A titre d’exemple, le niveau de dopage de la couche 19 est inférieur à celui de la zone 15. La couche 19 est de préférence très faiblement dopée. Le niveau de dopage de la couche 19 est par exemple compris entre 1.10 13 atomes/cm 3 et 1.10 1 5 atomes/cm 3 . Ainsi, le matériau de la couche est de préférence fortement résistif. A titre d’exemple, le matériau de la couche 19 a une conductivité électrique comprise entre 10 Ω.cm et 200 Ω.cm, voire supérieure à 200 Ω.cm.
La couche 19 est par exemple en le même matériau que le substrat 13, par exemple en silicium. A titre d'exemple, la couche 19 est formée par épitaxie sur et en contact avec la surface supérieure de la structure de la .
La illustre une structure obtenue à l'issue d'une étape de formation, dans une partie supérieure de la couche 19, d'une deuxième zone semiconductrice 21 de type de conductivité opposé à celui de la couche 19, par exemple de type N.
La zone 21 est, par exemple, formée dans la couche 19 de façon à ce que la face avant de la zone 21 affleure la face avant de la couche 19. La zone 21 est, par exemple, située à l’aplomb de la zone 15. A titre d’exemple, le centre de la zone 21 est aligné verticalement avec le centre de la zone 15.
La zone 21 est par exemple formée par implantation d’éléments dopants du côté de la face supérieure de la couche 19. A titre d’exemple, l’implantation est localisée sur une partie seulement de la surface du substrat 13. Ainsi, dans cet exemple, la zone 21 s’étend sur une partie seulement de la couche 19. A titre d'exemple, la zone 21 s'étend, dans le plan de la face avant de la structure, sur une surface inférieure à la surface de la zone 15.
Le niveau de dopage de la zone 21 est par exemple équivalent à celui du substrat 13. A titre d’exemple, le niveau de dopage de la zone 21 est comprise entre 1.10 19 atomes/cm 3 et 1.10 20 atomes/cm 3 . L’épaisseur de la zone 21 est par exemple comprise entre 0,8 µm et 4 µm.
La illustre une étape de traitement de la surface supérieure de la couche 19 au moyen d’un plasma fluoré. Lors de cette étape, on vient implanter des atomes de fluor dans une partie superficielle de la couche 19, par exemple à l’extrême surface de la couche 19.
A titre d'exemple, le plasma est un plasma de fluorure de carbone, les atomes de carbone permettant d'éviter une gravure de la couche 19 pendant le traitement. A titre d'exemple, le plasma est en tétrafluorure de carbone (CF4), en octafluorocyclobutane (C4f8) ou en trifluorométhane (CHF3).
A titre d'exemple, le traitement plasma est réalisé sur toute la surface de la face avant de la structure.
De préférence, lors de cette étape, un plasma à couplage inductif est utilisé. A titre d'exemple, la puissance de polarisation du substrat permettant l'accélération des ions à la surface est supérieure à 50 W, par exemple supérieure à 100 W.
La illustre une structure obtenue à l'issue d'une étape de dépôt d'une couche électriquement isolante ou couche de passivation 27 sur la face avant de la structure illustrée en .
La couche 27 est par exemple déposée pleine plaque sur toute la surface de la structure. La couche 27 a par exemple une épaisseur sensiblement constante sur l'ensemble de sa surface. A titre d'exemple, l'épaisseur de la couche 27 est comprise entre 1 µm et 4 µm, par exemple égale à environ 2 µm.
A titre d'exemple, la couche 27 est en un oxyde, par exemple un oxyde de silicium, par exemple en USG (de l'anglais "Undoped Silicate Glass", verre de silicate non dopé), en TEOS (orthosilicate de tétraéthyle) ou en un oxyde thermique. A titre d'exemple, la couche 27 est formée par dépôt chimique en phase vapeur ou CVD (de l'anglais "Chemical Vapor Deposition) comme un dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD, Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition) ou un dépôt chimique en phase vapeur à basse pression (LPCVD, Low Pressure Chemical Vapor Deposition). Ce dépôt est, par exemple, suivi d'un recuit de la couche 27.
La illustre une structure obtenue à l'issue d'une étape de gravure localisée de la couche 27 à partir de la structure illustrée en .
Lors de cette étape, on vient former, par exemple, une ouverture traversante dans la couche 27 et ainsi découvrir une portion de la zone 21.
A titre d'exemple, la gravure est effectuée de sorte que les flancs de l'ouverture soient obliques et que l'ouverture se rétrécisse avec sa profondeur. En d'autres termes, en , l'ouverture est plus étroite au niveau de la face avant de la zone 21 qu'au niveau de la face avant de la couche 27.
321 vis
33 Manchon de centrage
34 Broche
35 Attache d’entretoise
351 Vis
4 Feuille
41 Contour intérieur
42 contour extérieur
5 Lame d’enclipsage
6 Poteau
61 Coin
62 Côté
621 Nervure de renforcement
65 Pied
651 Broche
66 Lame
L’article “ Catalyst deactivation in liquid- and gas-phase hydrogenation acetylene using a monolithic catalyst reactor” de Asplud et al. publié dans Catalysis Today, vol. 24 (181-187) 1995, s’intéresse à l’utilisation d’un support de catalyseur sous la forme de monolithe céramique en alumine-α pour l’hydrogénation sélective de l’acétylène. Ce document divulgue l’utilisation d’un support en monolithe imprégné directement avec du PdCl 2 sur les parois du monolithe, la phase active obtenue à base de palladium ayant une épaisseur de 200 µm.
La Demanderesse a mis au point un nouveau procédé de préparation d’un catalyseur comprenant une phase active à base d’un métal du groupe VIII déposée sur une alumine alpha, et un support se présentant sous la forme d’un monolithe ou d’une mousse céramique ou métallique, ledit procédé comprenant une étape de mise en contact d’une poudre d’alumine gamma avec un support se présentant sous la forme d’un monolithe ou d’une mousse céramique ou métallique, suivie d’une étape de calcination à haute température afin de transformer l’alumine gamma en une alumine alpha, et enfin une étape d’imprégnation du précurseur de la phase active sur le précurseur de catalyseur calciné comprenant une alumine alpha. Ce procédé de préparation particulier permet une bonne accroche de la phase active sur les parois du support après une enduction de l’alumine gamma, permettant alors de traiter à de très haute température le monolithe ou la mousse sans que l’accroche se détériore, et cela même pour des catalyseurs finaux comprenant une surface spécifique très faible.
Objets de l’invention La présente invention a pour objet un procédé de préparation d’un catalyseur d’hydrogénation sélective comprenant une phase active à base d’au moins un métal du groupe VIII, déposée sur une alumine alpha, et un support se présentant sous la forme d’un monolithe ou d’une mousse céramique ou métallique, lequel procédé comprend au moins les étapes suivantes :
a) on approvisionne une poudre d’alumine gamma comprenant une surface spécifique comprise entre 100 et 500 m²/g ;
b) on met en contact par enduction ladite poudre d’alumine gamma de l’étape a) avec un support se présentant sous la forme d’un monolithe ou d’une mousse céramique ou métallique pour obtenir un précurseur de catalyseur comprenant une alumine gamma ;
c) on calcine le précurseur de catalyseur obtenu à l’issue de l’étape b) à une température comprise entre 900°C et 1300°C pour obtenir un précurseur de catalyseur calciné comprenant une alumine alpha ;
d) on met en contact le précurseur de catalyseur calciné obtenu à l’issue de l’étape c) avec une solution comprenant au moins un précurseur de la phase active comprenant au moins un métal du groupe VIII pour obtenir un matériau ;
e) on sèche le matériau obtenu à l’issue de l’étape d) à une température inférieure à 250°C puis on calcine le matériau séché à une température comprise entre 250°C et 550°C.
Selon un ou plusieurs modes de réalisation, ledit métal du groupe VIII est le palladium.
Selon un ou plusieurs modes de réalisation, la teneur en palladium est comprise entre 0,005 et 1% poids en élément palladium par rapport au poids total du catalyseur.
Dans un mode de réalisation selon l’invention, lorsque le support se présente sous la forme d’une mousse céramique ou métallique, ladite étape b) comprend les sous-étapes suivantes :
b1) on disperse la poudre d’alumine gamma dans une solution à base d’acide nitrique et d’eau, puis on broie le précurseur de catalyseur dispersé de manière à obtenir une suspension ;
- soit une étape de centrifugation de la mousse céramique ou métallique enduite obtenue à l’issue de l’étape b2) ;
- soit une étape de soufflage de la mousse céramique ou métallique enduite obtenue à l’issue de l’étape b2) ;
À titre d’amélioration supplémentaire, lorsque l’humidité courante de l’air est inférieure au deuxième seuil d’humidité prédéfini et que la concentration courante des particules magnétiques est supérieure ou égale au seuil de concentration supérieur prédéfini, le dispositif de démagnétisation est commandé pour démarrer ; et, lorsque la concentration courante des particules magnétiques est inférieure à la valeur de concentration standard, le dispositif de démagnétisation est commandé pour cesser de fonctionner, où le deuxième seuil d’humidité est supérieur au premier seuil d’humidité.
À titre d’amélioration supplémentaire, la concentration des particules magnétiques est obtenue comme suit :
les substances magnétiques contenues dans l’air de l’atelier sont régulièrement collectées par un dispositif de collecte ; les particules cibles magnétiques contenues dans les substances magnétiques sont identifiées par un analyseur de propreté, et le nombre de particules cibles magnétiques est mesuré par l’analyseur de propreté ; et la concentration des particules magnétiques dans l’atelier est déterminée en fonction du nombre de particules cibles magnétiques.
À titre d’amélioration supplémentaire, le dispositif de collecte est placé à la tête d’un four et/ou en queue de four dans l’atelier.
À titre d’amélioration supplémentaire, lorsque l’humidité de l’air est supérieure ou égale au premier seuil d’humidité prédéfini, ou que la concentration des particules magnétiques est supérieure ou égale au seuil de concentration supérieur prédéfini, le matériel d’alarme de l’atelier est commandé pour envoyer un signal d’alerte précoce.
Dans un deuxième aspect, la présente invention propose en outre un système de traitement des particules magnétiques dans un atelier de frittage de matériau de cathode. Le système comprend un dispositif de traitement, un dispositif de surveillance et un dispositif de contrôle, le dispositif de surveillance et le dispositif de contrôle étant en communication avec le dispositif de traitement ; le dispositif de surveillance étant configuré pour acquérir en continu des données environnementales de l’atelier, et les données environnementales comprenant l’humidité de l’air et une concentration des particules magnétiques ;
le dispositif de traitement est configuré pour recevoir, en temps réel, l’humidité de l’air et la concentration des particules magnétiques envoyées par le dispositif de surveillance, afin de juger si l’humidité de l’air est supérieure ou égale à un premier seuil d’humidité prédéfini et si la concentration des particules magnétiques est supérieure ou égale, ou non, à un seuil de concentration supérieur prédéfini ;
dans l’affirmative, une commande de contrôle de démagnétisation est envoyée au dispositif de contrôle, de sorte que le dispositif de contrôle commande le démarrage du dispositif de démagnétisation dans l’atelier ; et, après que le dispositif de démagnétisation a fonctionné pendant une durée prédéfinie, le dispositif de contrôle commande le dispositif de démagnétisation pour qu’il arrête de fonctionner ; et
après qu’un dispositif de démagnétisation a cessé de fonctionner, une commande de contrôle de déshumidification est envoyée au dispositif de contrôle, de sorte que le dispositif de contrôle commande le démarrage du dispositif de déshumidification dans l’atelier ; et, lorsqu’une humidité courante de l’air est inférieure à une valeur d’humidité standard, et qu’une concentration courante des particules magnétiques est inférieure à une valeur de concentration standard, le dispositif de contrôle commande au dispositif de déshumidification d’arrêter de fonctionner, où la valeur d’humidité standard est inférieure au premier seuil d’humidité, et la valeur de concentration standard est inférieure au seuil de concentration supérieur.
À titre d’amélioration supplémentaire, le dispositif de surveillance comprend une unité de surveillance des particules magnétiques qui comprend un dispositif de collecte et un analyseur de propreté, où le dispositif de collecte est configuré pour collecter régulièrement les substances magnétiques contenues dans l’air de l’atelier ; et l’analyseur de propreté est configuré pour identifier les particules cibles magnétiques contenues dans les substances magnétiques et mesurer le nombre de particules cibles magnétiques, de manière à déterminer la concentration des particules magnétiques dans l’atelier en fonction du nombre de particules cibles magnétiques.