Procédé de fabrication d’une structure (1) comprenant une couche mince (4) reportée sur un support (2) par l’intermédiaire d’une couche intercalaire diélectrique (3), le support comprenant une couche de piégeage de charges électriques (2b) disposée superficiellement, du côté de la couche mince (4), sur un substrat de base (2a), le procédé comportant les étapes suivantes : former une première couche diélectrique (31) sur la couche de piégeage (2b) disposée sur une face principale du support ; former une couche barrière en nitrure de silicium (5) sur et en contact avec la première couche diélectrique (31) ; former une deuxième couche diélectrique (32) sur et en contact avec la couche barrière (5) ; assembler la face principale du support (2) et une face principale d’un substrat donneur afin de constituer une structure intermédiaire; éliminer une partie du substrat donneur de la structure intermédiaire pour définir la couche mince (4) sur le support (2). Procédé de fabrication selon la revendication précédente dans lequel le substrat donneur comprend un matériau piézoélectrique monocristallin ou dans lequel le substrat donneur est un substrat de silicium monocristallin. Procédé de fabrication selon l’une des revendications précédentes dans lequel la couche de piégeage (2b) est en silicium polycristallin. Procédé de fabrication selon l’une des revendications précédentes dans lequel le substrat donneur est muni, sur sa face principale et avant son assemblage au support (2), d’une couche diélectrique superficielle (41). Procédé de fabrication selon l’une des revendications précédentes dans lequel la première couche diélectrique (31) et la deuxième couche diélectrique (32) sont constituées d’oxyde de silicium ou d’oxynitrure de silicium. Procédé de fabrication selon la revendication 5 dans lequel la première couche diélectrique (31) et la deuxième couche diélectrique (32) sont constituées d’oxynitrure de silicium incorporant de l’azote dans un ratio azote/oxygène variable et croissant en direction de la couche barrière (5). Procédé de fabrication selon l’une des deux revendications précédentes dans lequel l’empilement formé de la première couche diélectrique (31), de la couche barrière (5), et de la deuxième couche diélectrique (32) est réalisé sur le support (2) par dépôt « in situ » dans une chambre et selon une technique LPCVD. Procédé de fabrication selon l’une des revendications 1 à 6 dans lequel la formation de la première couche diélectrique (31) comprend l’oxydation de la couche de piégeage (2b). Structure (1) comprenant un support (2) formé d’une couche de piégeage de charges électriques (2b) disposée superficiellement sur un substrat de base (2a) et comprenant une couche mince (4) reportée sur le support (2), la structure (1) comprenant une couche diélectrique intercalaire (3) disposée entre et en contact avec le support (2) et la couche mince (4), la structure étant caractérisée en ce que la couche diélectrique intercalaire comprend : une première couche diélectrique (31) disposée sur et en contact avec la couche de piégeage (2b) ; une couche barrière (5) en nitrure de silicium disposée sur et en contact avec la première couche diélectrique (31) ; une deuxième couche diélectrique (32) disposée sur et en contact avec la couche barrière (5). Structure (1) selon la revendication précédente dans laquelle la couche de piégeage (2b) est en silicium polycristallin. Structure (1) selon l’une des revendications 9 à 10 dans laquelle la couche de piégeage (2b) présente une épaisseur inférieure à 0,5 micron. Structure (1) selon l’une des revendications 9 à 11 dans laquelle la couche mince (4) est constituée d’un matériau piézoélectrique monocristallin ou de silicium monocristallin. Structure (1) selon l’une des revendications 9 à 12 dans laquelle la première couche diélectrique (31) et la deuxième couche diélectrique (32) sont constituées d’oxyde de silicium ou d’oxynitrure de silicium. Structure (1) selon l’une des revendications 9 à 13 dans laquelle la première couche diélectrique (32) et la deuxième couche diélectrique (32) sont constituées d’oxynitrure de silicium incorporant de l’azote dans un ratio azote/oxygène variable et croissant en direction de la couche barrière (5). Structure (1) selon l’une des revendications 9 à 14 se présentant sous la forme d’une plaquette de forme circulaire, présentant un diamètre inférieur ou égal à 200mm, et une courbure inférieure à 100 microns. Structure (1) selon l’une des revendications 9 à 15 dans laquelle la couche diélectrique intercalaire (3) présente une épaisseur supérieure à 200 nm et/ou dans laquelle la couche barrière (5) présente une épaisseur comprise entre 20% et 30% d’une épaisseur de la couche intercalaire diélectrique (3). Structure (1) selon l’une des revendications 9 à 16 dans laquelle la couche barrière (5) est constituée d’un nitrure de silicium non stœchiométrique.