INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Il apparaîtra clairement à l’homme de l’art que la présente invention est susceptible de diverses variantes de réalisation et d’applications. En particulier, l’invention n’est pas limitée à la forme du ressort 30 précédemment décrite. En effet, le ressort 30 peut ne comporter qu’une seule lame élastique agencée pour exercer sur le distal palier 23 une force en direction de la roue tangente 19.
En outre, le ressort peut être maintenu dans le carter par d’autres moyens qu’une excroissance engagée dans un évidement du carter. Ainsi, par exemple, l’évidement peut être formé dans le ressort et l’excroissance peut être formée dans le carter.
Par ailleurs, le réducteur peut être utilisé dans d’autres systèmes mécaniques qu’un système de direction assistée pour véhicule automobile.
Structure avant de véhicule automobile électrique équipé d’un générateur sonore La présente invention se rapporte à une structure avant de véhicule automobile électrique comprenant un générateur sonore.
Les véhicules automobiles électriques sont dotés de nouvelles fonctions et de nouveaux équipements qui n’existaient pas sur les véhicules thermiques. Il en va notamment du câblage de prise de charge rapide en courant continu ainsi que le câble de prise de charge en courant alternatif, et aussi du générateur sonore qui permet de simuler le bruit d’un véhicule automobile thermique traditionnel, en particulier en agglomération à basse vitesse.
Aussi, afin de pouvoir produire des véhicules automobiles électriques bon marché, on conserve dans la mesure du possible, les éléments des véhicules automobiles thermiques sans réelle modification. Et au surplus, on tente de conserver les mêmes processus d’assemblage.
Néanmoins, le câblage dont la masse linéique est relativement importante requiert l’aménagement de chemins de câble et des attaches spéciales régulièrement espacées les unes des autres afin de l’y maintenir.
Pour certains modèles, un chemin de câbles s’étend au-dessus du passage de roue avant et rejoint, d’un côté les connecteurs de recharge débouchant à l’extérieur, et d’un autre côté, vient s’étendre en retour sous le longeron avant à l’intérieur du véhicule pour rejoindre ensuite les batteries d’accumulateurs notamment.
Par ailleurs, le générateur sonore doit nécessairement être installé sur des parties du véhicule automobile présentant une masse d’inertie relativement importante de manière à ce que les vibrations mécaniques qu’il engendre ne soient pas absorbées au moins partiellement par lesdites parties, et qu’elles soient suffisamment audibles à l’extérieur du véhicule, sans pour autant être gênantes pour le conducteur.
De surcroît, le générateur sonore doit être solidarisé à ladite partie du véhicule de manière rigide.
Aussi, un problème qui se pose et que vise à résoudre la présente invention est de fournir une structure avant de véhicule automobile électrique, qui non seulement présente le moins de modifications possibles par rapport aux véhicules automobiles thermiques mais aussi, qui nécessite le moins de pièces supplémentaires.
Dans le mode de réalisation, l’alésage 401 prévu dans l’épaisseur de la paroi du bouton d’extraction 400 présente une forme oblongue ou elliptique, autorisant ainsi non seulement des déplacements en rotation mais également en translation.
La prise électrique représentée est en outre munie d’un dispositif de verrouillage de la platine 320 permettant d’éviter l’extraction intempestive d’une fiche électrique sous l’effet d’un choc ou de vibrations imprévues. Comme on peut le voir plus particulièrement sur les figures 6 et 8, ce dispositif de verrouillage comprend une pièce 600 fixée au plateau postérieur 200 par l’intermédiaire d’un élément 203 et présentant une portion en saillie sur laquelle peut venir se positionner l’extrémité d’une patte 340 de la platine 320 et présentant une entaille 323 et une encoche 324. Chaque pièce 600 est mobile en translation selon une direction orthogonale aux axes X1 et X et au contact d’un ressort 610. Une lamelle 620 est accolée contre la pièce 600. En position verrouillée, l’encoche 324 de l’extrémité d’une patte 340 de la platine 320 est disposée au contact de la portion en saillie de la pièce 600. La face oblique de l’entaille 323 permet de débloquer le dispositif de verrouillage au moment de l’insertion de la fiche électrique 9 dans la prise alors que la face oblique de l’encoche 324 facilite l’extraction de la fiche vers une position de déconnexion.
La prise électrique représentée comprend également deux bras 202 s’étendant à partir du plateau postérieur 200 du corps principal 100. Un ressort 322 est disposé autour de chaque bras 202, chaque ressort 322 étant chacun compressible selon une direction parallèle au premier axe X. Les ressorts 322 permettent de ramener la platine 320 en position basse non verrouillée suite à un déverrouillage de la platine par le dispositif de verrouillage.
Une plaque support 110 fixée au corps principal 100 est interposée entre chaque platine 320 et le plateau postérieur 200 comme on peut le voir sur les figures 5 à 8.
Comme on peut le voir sur la , la platine 320 comprend deux pattes 340. La platine 320 est associée à un obturateur 310, un ressort 330 et une plaque 300 dans l’épaisseur de laquelle sont prévus des trous 301, 302 permettant le passage des broches d’une fiche électrique et un trou 303. Les extrémités longitudinales de l’obturateur 310 permettent d’obturer les trous 301, 302 en l’absence d’une fiche électrique. L’obturateur 310 est fixé à la platine 320 par une liaison pivot en étant monté sur une tige centrale 328 et actionné à l’aide du ressort 330. Chaque patte 340 comprend un trou 321 permettant le passage de l’axe 530.
Puce laser à semiconducteur pour capteur de gaz La présente invention se rapporte au domaine des lasers à semiconducteur, et plus particulièrement des puces laser à semiconducteur, notamment pour des capteurs de gaz.
De manière générale, les puces laser à semiconducteur sont obtenues par une suite complexe d’étapes de dépôt de couches sur un substrat monocristallin (aussi appelé substrat dans la présente description) formant une plaquette (appelée en général wafer en anglais ) et par découpe de cette plaquette pour obtenir des puces laser. Ce dépôt de couches est réalisé soit par épitaxie en phase liquide ou gazeuse, soit par jet moléculaire sur le substrat. Le substrat est constitué d’un cristal pur (en général InP ou InAs ou GaAs ou autre matériau semiconducteur). Une unité laser est généralement une portion parallélépipédique de la plaquette, et est obtenue par une série d’étapes de gravure chimique ou physicochimiques et de dépôt de matériaux pouvant être non cristallins ou cristallins destinés à constituer la cavité laser ainsi que le réseau de diffraction et structurer l’unité laser.
Il existe différents types de puces laser à semiconducteur, notamment des puces laser à cascade quantique, ou puces QCL pour l’anglais Quantum Laser Cascade . Une puce laser à cascade quantique comprend deux électrodes pour appliquer un champ électrique entre les deux électrodes, un guide d’ondes disposé entre les électrodes et une unité laser qui correspond à une structure comprenant une région à gain formée de plusieurs couches qui comprennent par exemple une alternance de strates d’un premier type définissant chacune une barrière quantique et de strates d’un second type définissant chacune un puits quantique, ces strates étant constituées de premier et second matériaux semiconducteurs, respectivement constitutifs des barrières et des puits. L’unité laser à cascade quantique comporte en outre deux couches de confinement optique disposées de part et d’autre de la région à gain. L’unité laser forme un barreau qui s’étend au moins partiellement sur la longueur de la puce laser à semiconducteur.
Une fois que la puce laser est fabriquée, elle est en général clivée parallèlement au barreau formé par les unités laser sur le substrat. Ceci permet de fixer la largeur de la puce laser. Elle est ensuite clivée perpendiculairement au barreau pour permettre de réaliser les facettes qui jouent le rôle de miroir. Ces clivages consistent à casser le cristal du substrat sur lequel les unités lasers ont été déposées suivant un axe cristallin, c’est-à-dire un axe s’étendant sur l’épaisseur du substrat, pour obtenir une surface miroir quasi-parfaite. Cette cassure est généralement réalisée en rayant la surface du substrat comprenant les unités laser puis en appliquant une pression de part et d’autre de la rayure de sorte à casser le cristal suivant cet axe cristallin.
Le coût global de production d’une puce laser à semiconducteur est défini notamment par l’équation suivante : Surface de matériau utilisé pour fabriquer une puce laser / Rendement de production de la puce laser à semiconducteur x Coût de fabrication de la puce laser clivée.
Il est entendu que : La surface de matériau utilisé est définie par la surface de matériau (substrat et couches déposées) utilisé pour fabriquer la puce laser, Le rendement de production de la puce laser à semiconducteur est défini par le ratio du nombre d’unités laser fonctionnelles sur le nombre d’unités laser maximum pouvant être produite sur la puce laser, Le coût de fabrication de la puce laser clivée correspond au coût de mise en œuvre du procédé utilisé pour la fabrication de ladite puce laser.
Ainsi, plus la surface de matériau utilisé est grande, et/ou plus le rendement de production de la puce laser à semiconducteur est faible, et/ou plus le coût de fabrication de la puce laser est élevé.
Il existe dans l’art antérieur des puces laser comprenant une seule unité laser. De telles puces laser à semiconducteur présentent un rendement de production non optimisé. En effet, il n’y a qu’une unité laser fonctionnelle et la surface de la puce laser à semiconducteur n’est pas exploitée au maximum. Autrement dit, une partie de la surface de la puce laser est perdue.
Il existe également dans l’art antérieur des puces laser à semiconducteur comprenant plusieurs unités laser qui sont configurées par exemple pour émettre chacune une longueur d’onde qui leur est propre. Par exemple, le document US7826509 décrit une puce laser comprenant plusieurs unités laser dont la largeur est de 2 mm typiquement. Cette géométrie est proposée dans des capteurs portables à large bande afin de détecter simultanément un grand nombre de composés chimiques. L’utilisation d’une telle surface de matériau est particulièrement couteuse.
La présente invention vise à réduire le coût global de production d’une puce laser à semiconducteur en maximisant le nombre d’unité laser sur la plus petite puce laser obtenue par clivage.
Résumé Dans la présente description, les termes puce, puce laser et puce laser à semiconducteur sont utilisés de manière interchangeable, les termes ensemble et ensemble puce-embase sont utilisés de manière interchangeable et les termes unité laser et unité laser à semiconducteur sont utilisés de manière interchangeable.
Procédé de regroupement de descriptions de formes d’ondes La présente invention concerne le domaine de l’intelligence électronique et concerne plus particulièrement le regroupement de formes d’ondes, par exemple de formes d’ondes radars.
Dans le domaine de l’intelligence électronique il est indispensable d’obtenir des informations sur l’adversaire. Associer un type d’émetteur radar à une forme d’onde est donc un enjeu crucial.
Pour permettre cette association, il est nécessaire de posséder une base de renseignement contenant des descriptions détaillées de toutes les formes d’ondes préalablement identifiées. Il est alors possible de comparer un signal détecté aux descriptions de cette base afin de l’associer à la forme d’onde dont il est le plus similaire.
Cette base de renseignement contient les descriptions de très nombreuses formes d’onde différentes. Il arrive que certaines descriptions soient quasiment identiques. En général, cela est dû au fait que certaines formes d’onde sont émises par le même radar mais avec des modes légèrement différents ou perçus comme tels par le dispositif d’écoute. Par ailleurs, certains modes sont très similaires et ne diffèrent que par des détails qui ne sont pas forcément reportés dans la description de la forme d’onde.
Ces descriptions quasiment identiques posent problème car elles entrainent des ambigüités lors de l’identification, et compliquent beaucoup le travail de l’opérateur qui renseigne les bases de données utilisées en opération à partir de la base de renseignement. En effet, certains signaux captés peuvent ainsi être associés à deux descriptions de la base de renseignement et donc à deux formes d’ondes différentes.
Il n’est pas envisageable de chercher ces descriptions manuellement, car ce serait une tâche beaucoup trop longue et fastidieuse compte tenu du nombre important de formes d’ondes dans la base de renseignement et de la complexité de leur description. Il est donc nécessaire de trouver un moyen automatique de réaliser cette détection.
La problématique de regroupement de données présentant des similarités a depuis longtemps été étudiée. On parle de clustering en anglais, ce terme sera utilisé dans le reste de ce document.
Il existe de nombreux algorithmes de clustering ayant tous des caractéristiques leur conférant un avantage sur les autres dans un cas de figure spécifique. Parmi ces algorithmes, certains sont basés sur le regroupement de données proches au sens distance euclidienne, comme le clustering hiérarchique agglomératif (Kaufman & Rousseeuw, 1990), ou l’algorithme DBSCAN (Ester, Kriegel, Sander, & Xu, 1996).
Ces algorithmes ont d’abord été pensés pour travailler sur des données ayant des variables quantitatives. C’est-à-dire des variables soumises à une relation d’ordre, prenant une valeur numérique et pour lesquelles les opérations arithmétiques ont un sens. Cependant, les descriptions de formes d’ondes présentent d’autres types de variables, telles que des variables qualitatives, des intervalles, des histogrammes. Ces données sont dites symboliques. Des études cherchant à effectuer du clustering sur ce type de données ont été menées (Park, Choi, Delcher, Wang, & Yoon, 2019) (Cury, Crémona, & Diday, 2009) (Brito, 2014).
Cependant, dans toutes ces recherches, les algorithmes mis en place ont pour but à la fois de regrouper les données qui sont proches, de séparer les données qui sont très éloignées et surtout de créer des groupes les plus grands et homogènes possible. Pour le regroupement de descriptions de formes d’ondes, les deux derniers objectifs posent problème car ils risquent de regrouper des données qui sont considérées comme proches car très éloignées des autres, mais qui en réalité sont loin d’être identiques et donc qui ne proviennent pas du même radar par exemple.
L’invention vise à pallier certains problèmes précités. A cet effet, un objet de l’invention porte sur un procédé automatique de détection des descriptions quasiment identiques de la base de renseignement. La solution de l’invention s’appuie sur des techniques de clustering permettant de regrouper des données qui sont très similaires. Elle repose sur l’utilisation conjointe d’un calcul de distance entre deux descriptions et d’un algorithme de clustering . L’algorithme de clustering permet de regrouper les descriptions qui ont des valeurs de distance très faibles. La solution de l’invention présente l’avantage d’être automatisée et ainsi de ne nécessiter que très peu d’interventions humaines contrairement aux solutions de l’art antérieur. De plus elle permet le traitement de données symboliques composant les descriptions des formes d’ondes.
A cet effet, un objet de l’invention est un procédé de regroupement de descriptions de formes d’ondes comprises dans une base de données, ledit procédé comprenant les étapes suivantes : pour chaque description de la base de données : calculer une distance sur données symboliques entre ladite description et chacune des autres descriptions , avec déterminer la description , pour laquelle la distance est minimale et former une paire à partir des descriptions et , soit , former seuils tels que, pour allant de à la ou les -ième des paires présentent chacune une distance inférieure au seuil former ensembles, de paires à partir des seuils pour allant de 1 à : effectuer au moins une étape de fusion itérative regroupant les descriptions des paires comprises dans l’ensemble en des groupes en fonction dudit seuil , ladite au moins une étape de fusion itérative ne regroupant pas la ou les descriptions appartenant à un groupe formé à partir des ensembles avec y de manière à obtenir des groupes ayant chacun une distance maximale entre deux descriptions qui sont différentes de celles des autres groupes , un ensemble formé par tous les groupes obtenus étant dénommé partition de données.
Selon un mode de réalisation préféré, l’étape D comprend les sous étapes suivantes : D1- pour allant de 1 à , effectuer ladite au moins une étape de fusion itérative à partir desdites paires comprises dans l’ensemble tant qu’une distance maximale entre deux descriptions des groupes formés dans une étape de fusion itérative précédente à partir desdites paires comprises dans l’ensemble , est inférieure au seuil , D2- pour effectuer ladite au moins une étape de fusion itérative de sorte que chaque groupe formés par ladite au moins une étape de fusion itérative regroupe les descriptions des paires comprises dans l’ensemble qui présentent une description en commun.
Selon un mode de réalisation préféré, l’étape C de formation des ensembles, de paires est telle que : - ledit ensemble comprend la ou les paires présentant une distance inférieure au seuil - pour allant de 2 à ledit ensemble comprend la ou les paires présentant chacune une distance inférieure au seuil mais supérieure ou égale au seuil - ledit ensemble comprend la ou les paires présentant chacune une distance supérieure ou égale au seuil
Selon un mode de réalisation préféré, le procédé comprend une étape ultérieure E consistant à ordonner les groupes obtenus suite à l’étape D de celui qui possède la plus petite distance maximale entre deux descriptions du groupe à celui qui possède la plus grande distance maximale entre deux descriptions du groupe.
Selon un mode de réalisation préféré, calcul de distance sur données symboliques comprend :
Il demeure nécessaire de proposer des compositions améliorées telles que des compositions de fond de teint ayant des propriétés améliorées par rapport à la facilité de composition et/ou au confort d'application de la composition elle-même.
En conséquence, un aspect de la présente invention est une composition, en particulier une composition de fond de teint, qui possède des propriétés améliorées quant à la facilité de composition et/ou au confort d'application de la composition, à la stabilité de la composition et/ou à la stabilité de la couleur de la composition, et en particulier des propriétés améliorées liées à la présence de polyphénols tels que de l'acide tannique dans les compositions, y compris des propriétés telles qu'une stabilité et/ou une résistance à l'eau améliorées.
La présente invention concerne des compositions, en particulier des compositions de fond de teint pour cosmétiques, comprenant un système de solvant. Le système de solvant comprend de l'eau et l'eau est présente en une quantité d'au moins environ 10 % en poids par rapport au poids total de la composition. Le système de solvant comprend au moins un monoalcool en C2-C5 en une quantité efficace pour inhiber la formation d'un précipité de composé X et de composé Y dans la composition avant application. Les compositions comprennent en outre au moins un composé non ionique polyoxyalkyléné Y présentant environ quatre à environ sept unités d'oxyalkylène par molécule et optionnellement avec une masse molaire supérieure à 200 g/mol. En outre, les compositions comprennent au moins un pigment. Dans certains modes de réalisation, le composé non ionique polyoxyalkyléné Y présente un HLB supérieur à environ 7. Dans certains modes de réalisation, l'au moins un monoalcool en C2-C5 est présent dans la composition en une concentration en poids d'environ 55 % en poids ou moins. Dans certains autres modes de réalisation, l'au moins un monoalcool en C2-C5 (par exemple, éthanol) peut être présent en une concentration en poids dans la composition allant d'environ 5 % à environ 55 %. Dans certains modes de réalisation, l'au moins un monoalcool en C2-C5 est ou comporte de l'éthanol.
Selon certains autres modes de réalisation, l'au moins un monoalcool en C2-C5 (par exemple, éthanol) est présent en une concentration en poids dans la composition d'environ 5 % à environ 55 %, l'eau est présente en une concentration en poids dans la composition d'environ 10 % à environ 40 %, les composé X et composé Y sont chacun indépendamment présents en une concentration en poids d'environ 0,5 % à environ 25 %, et l'au moins un monoalcool en C2-C5 est présent en une concentration telle qu'un rapport de poids de (monoalcool en C2-C5) sur (monoalcool en C2-C5 plus eau) est d'au moins environ 0,3.
La présente invention concerne également des procédés de soin et/ou de maquillage, et/ou de préparation au soin et/ou maquillage de matière kératineuse par application de compositions de la présente invention à la matière kératineuse en une quantité suffisante pour prendre soin de la matière kératineuse et/ou pour la maquiller et/ou la préparer au soin et/ou maquillage.
« Environ » tel qu'utilisé ici signifie à 15 % près du nombre indiqué (par exemple, « environ 15 % » signifie de 8,5 % à 11,5 % et « environ 2 % » signifie de 1,7 % à 2,3 %), tel qu'à 10 % près du nombre indiqué, tel qu'à 5 % du nombre indiqué.
Telles qu'utilisées ici, toutes les plages fournies sont censées inclure chaque plage spécifique à l’intérieur des plages données, et toutes les combinaisons de sous-plages intermédiaires. Ainsi, une plage de 1 à 5 inclut de manière spécifique 1, 2, 3, 4 et 5, ainsi que les sous-plages 2 à 5, 3 à 5, 2 à 3, 2 à 4, 1 à 4, etc. Des plages sous forme, par exemple, « d’ environ 0,5 %, 1 % ou 2 % à environ 4 %, 5 % ou 15 % » envisagent également spécifiquement d’environ 0,5 % à environ 4 %, d’environ 0,5 % à environ 5 %, de 0,5 % à environ 15 %, d’environ 1 % à environ 4 %, d’environ 1 % à environ 5 %, de 1 % à environ 15 %, d’environ 2 % à environ 4 %, d’environ 2 % à environ 5 %, et de 2 % à environ 15 %.
« Matière filmogène », « polymère filmogène » ou « agent filmogène » tel qu'utilisé ici signifie un polymère ou une résine qui laisse un film sur le substrat auquel il(elle) est appliqué(e), par exemple, après qu'un solvant accompagnant la matière filmogène a été évaporé, absorbé dans le substrat et/ou dissipé sur celui-ci. « Matière filmogène supplémentaire » désigne des matières filmogènes autres que le composé X et le composé Y, qui sont aptes à former un film lors de l’élimination du monoalcool en C2-C5.
« Cire » tel qu'utilisé ici est un composé gras lipophile qui est solide à température ambiante (25 °C) et passe de l'état solide à l'état liquide de façon réversible, ayant une température de fusion supérieure à 30 °C et, par exemple, supérieure à 45 °C, et une dureté supérieure à 0,5 MPa à température ambiante.
« Substitué » tel qu'utilisé ici signifie comprenant au moins un substituant. Des exemples non limitatifs de substituants incluent des atomes, tels que des atomes d'oxygène et des atomes d'azote, ainsi que des groupes fonctionnels, tels que des groupes hydroxyle, des groupes éther, des groupes alcoxy, des groupes acyloxyalkyle, des groupes oxyalkylène, des groupes polyoxyalkylène, des groupes acide carboxylique, des groupes amine, des groupes acylamino, des groupes amide, des groupes contenant un halogène, des groupes ester, des groupes thiol, des groupes sulfonate, des groupes thiosulfate, des groupes siloxane et des groupes polysiloxane. Le(s) substituant(s) peu(ven)t être encore substitué(s).