INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
On a ajouté les additifs ZrO 2 et Y 2 O 3 en des quantités de 3000 ppm et 1500 ppm, respectivement (sur la base d’une proportion de masse de Zr/Y de ZrO 2 /Y 2 O 3 dans le précurseur).
D2. On a soumis un produit obtenu à l’étape D1 à un broyage grossier et un broyage fin pour obtenir un intermédiaire avec une taille de particules D50 d’environ 4 µm, on a rigoureusement mélangé l’intermédiaire avec les additifs WO 3 et Al 2 O 3 , puis on a soumis un mélange résultant à un second frittage dans une atmosphère avec une concentration d’oxygène de 95 %, avec un cycle de frittage de 15 h et un temps de maintien de 6 h à 550 °C. On a ajouté les additifs WO 3 et Al 2 O 3 en des quantités de 1500 ppm et 1000 ppm, respectivement (sur la base d’une proportion en masse de W/Al de WO 3 /Al 2 O 3 dans le produit obtenu à l’étape D1).
Dans cet exemple, on a préparé un matériau de cathode par l’intermédiaire des étapes spécifiques suivantes.
D1. On a rigoureusement mélangé le précurseur de matériau de cathode obtenu à l’exemple 2 avec du LiOH et des additifs de dopage de masse ZrO 2 et SrO, puis on a soumis un mélange résultant à un premier frittage dans une atmosphère avec une concentration en oxygène de 97 %, avec un cycle de frittage de 29 h et un temps de maintien de 15 h à 830 °C.
Un rapport molaire du Li dans le LiOH sur une somme de Ni, Co, Mn, et Fe dans le précurseur de matériau de cathode (Li/(Ni+Co+Mn+Fe)) était de 1,03.
On a ajouté les additifs ZrO 2 et SrO en des quantités de 2000 ppm et 800 ppm, respectivement (sur la base d’une proportion de masse de Zr/Sr de ZrO 2 /SrO dans le précurseur).
D2. On a soumis un produit obtenu à l’étape D1 à un broyage grossier et un broyage fin pour obtenir un intermédiaire avec une taille de particules D50 d’environ 4 µm, on a rigoureusement mélangé l’intermédiaire avec les additifs Sb 2 O 3 et TiO 2 , puis on a soumis un mélange résultant à un second frittage dans une atmosphère avec une concentration d’oxygène de 97 %, avec un cycle de frittage de 14 h et un temps de maintien de 5 h à 400 °C. On a ajouté les additifs Sb 2 O 3 et TiO 2 en des quantités de 1000 ppm et 2000 ppm, respectivement (sur la base d’une proportion en masse de Sb/Ti de Sb 2 O 3 /TiO 2 dans le produit obtenu à l’étape D1).
D1. On a rigoureusement mélangé le précurseur de matériau de cathode obtenu à l’exemple 3 avec du LiOH et des additifs de dopage de masse CeO 2 et La 2 O 3 , puis on a soumis un mélange résultant à un premier frittage dans une atmosphère avec une concentration en oxygène de 99 %, avec un cycle de frittage de 30 h et un temps de maintien de 16 h à 750 °C.
Un rapport molaire du Li dans le LiOH sur une somme de Ni, Co, Mn, et Fe dans le précurseur de matériau de cathode (Li/(Ni+Co+Mn+Fe)) était de 1,01.
On a ajouté les additifs CeO 2 et La 2 O 3 en des quantités de 1500 ppm et 1500 ppm, respectivement (sur la base d’une proportion de masse de Ce/La de CeO 2 /La 2 O 3 dans le précurseur).
D2. On a soumis un produit obtenu à l’étape D1 à un broyage grossier et un broyage fin pour obtenir un intermédiaire avec une taille de particules D50 d’environ 4 µm, on a rigoureusement mélangé l’intermédiaire avec les additifs Nb 2 O 5 et B 2 O 3 , puis on a soumis un mélange résultant à un second frittage dans une atmosphère avec une concentration d’oxygène de 97 %, avec un cycle de frittage de 16 h et un temps de maintien de 8 h à 280 °C. On a ajouté les additifs Nb 2 O 5 et B 2 O 3 en des quantités de 1500 ppm et 1000 ppm, respectivement (sur la base d’une proportion en masse de Nb/B de Nb 2 O 5 /B 2 O 3 dans le produit obtenu à l’étape D1).
A cet égard, une structure classique de diode Schottky prévoit une implantation de régions fortement dopées de type P, de concentration ionique typiquement comprise entre 1 e 12 et 1 e 16 atomes/cm 3 , entre l’anode et la couche diélectrique. En particulier, ces régions d’implantation, souvent sous forme d’anneau, permettent de lisser les lignes de champ électrique aux extrémités de la couche diélectrique.
Cependant, les jonctions formées par association par les régions d’implantation fortement dopés P, le caisson semiconducteur dopé N et le substrat dopé P peuvent reproduire le comportement d’un transistor bipolaire au sein de la structure de la diode Schottky et peuvent donc conduire à des effets parasites, qu’on pourra nommer par la suite « transistor bipolaire parasite » de la diode.
Plus particulièrement, ces effets peuvent être la formation d’une capacité parasite et une génération de courants parasites pouvant circuler dans le substrat aussi bien lors de la polarisation en inverse, c’est-à-dire lorsque le courant circule de la cathode vers l’anode, que lors de la polarisation en direct de la diode par l’intermédiaire de ces jonctions. Il subsiste alors un courant indésirable généré par la diode Schottky en plus du courant injecté par les différents circuits du système circulant dans le substrat commun.
Il existe donc un besoin de proposer une solution permettant de concevoir une diode Schottky ne présentant pas de courants parasites dans son substrat et permettant de limiter l’injection de courant au sein d’un système électronique.
Selon un aspect, il est proposé un dispositif semiconducteur comprenant au moins une diode Schottky sur un substrat, ladite au moins une diode Schottky comportant une couche de polysilicium disposée sur une couche diélectrique s’étendant en profondeur dans le substrat et adaptée pour isoler électriquement la couche de polysilicium du substrat, la couche de polysilicium présentant au moins une première région dopée de type N, dite région de cathode, adjacente à au moins une deuxième région non-dopée, dite région d’anode, un premier contact métallique disposé en surface de ladite au moins une première région et un deuxième contact métallique disposé en surface de ladite au moins une deuxième région de sorte que ledit premier contact métallique et ledit deuxième contact métallique sont adaptés à être isolés électriquement l’un de l’autre.
En d’autres termes, il est proposé une diode Schottky présentant une topologie particulière dans laquelle l’anode et la cathode sont situés au-dessus de la couche diélectrique. Cette topologie particulière permet d’éviter que des lignes de champ électrique trop abruptes ne se produisent entre l’anode et la cathode et ne nécessite donc pas d’implanter des régions fortement dopées de type P au niveau de la jonction métal-semiconducteur de la diode pour lisser ces lignes de champ électrique.
Par conséquent, la diode Schottky ne subit pas les effets parasites liés au « transistor bipolaire parasite » tels que des courants et capacités indésirables.
Par ailleurs, la couche diélectrique située entre la diode et le substrat permet de limiter, voire empêcher le passage d’un courant entre la diode Schottky et le substrat, notamment les courants générés par le « transistor bipolaire parasite ».
Selon un mode de réalisation, ledit premier contact métallique et ledit deuxième contact métallique sont isolés l’un de l’autre par une couche d’oxyde s’étendant sur la couche de polysilicium.
La couche d’oxyde permet de garantir une isolation électrique entre le premier contact métallique et le deuxième contact métallique. En effet, les contacts métalliques servent à faire circuler un courant dans chaque anode et cathode et peuvent être isoler entre eux par la couche d’oxyde pour éviter une interférence électrique entre les différentes régions d’anode et de cathode.
Selon un mode de réalisation, le matériau des contacts métalliques est un alliage nickel-platine.
Un alliage de nickel et platine présente des caractéristiques de conduction électrique avantageuses.
Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend en outre au moins une cellule mémoire non-volatile comportant un empilement de polysilicium dopé de type N et d’un contact métallique disposé en surface dudit empilement de polysilicium. Avantageusement : - ledit empilement de polysilicium a la même épaisseur, la même composition et la même concentration de dopants que la première région de la couche de polysilicium, et - ledit contact métallique a la même composition que le premier contact métallique et que le deuxième contact métallique.
Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend en outre au moins un transistor MOS basse-tension comprenant une région de grille en polysilicium, des régions conductrices dopées de type N et un contact métallique disposé en surface de ladite région de grille. Avantageusement : - ladite région de grille en polysilicium a la même épaisseur et la même composition que la couche de polysilicium, - lesdites régions conductrices ont la même concentration de dopants que la première région de la couche de polysilicium, et - ledit contact métallique a la même composition que le premier contact métallique et que le deuxième contact métallique.
Selon un autre aspect, il est également proposé un système de protection contre des injections de courant dans le substrat, comprenant un circuit capable de générer des courants dans le substrat, le dispositif semiconducteur tel que défini précédemment, dans lequel ladite au moins une diode Schottky est couplée en parallèle au circuit et configurée pour limiter, voire éliminer, les courants générés par le circuit dans le substrat.
Un dispositif comportant une diode Schottky selon cet aspect permet avantageusement de réduire, voire d’éliminer les injections de courant dans le substrat des différents circuits d’un même système.
L’exécution d’un tel code imprimera effectivement « vrai » : n = 500; k = Floor[n*0.291]; {sk, pk} = qLess6AlgGenCPA[n, k]; {Ch, K, H} = qLess6EncapCPA[n, k, pk]; K == qLess6DecapCPA[n, k, sk, pk, Ch, H]
Par ailleurs, étant donnée la structure algébrique simple de l’invention, il est possible de la généraliser à une variété d’anneaux, de groupes et de corps finis. De telles généralisations (traductions d’une structure algébrique vers une autre), évidentes à l’homme de l’art sont fréquemment le cas en cryptologie, comme en témoignent les références suivantes : M. van Dijk, C. Gentry, S. Halevi et V. Vaikuntanathan, « Fully Homomorphic Encryption over the Integers », Advances in Cryptology - EUROCRYPT 2010, 29th Annual International Conference on the Theory and Applications of Cryptographic Techniques, Monaco / French Riviera, May 30 - June 3, 2010. Proceedings, Lecture Notes in Computer Science, vol. 6110, pp. 24-43, Springer, 201 ; J.H. Cheon et D. Stehlé, « Fully Homomorphic Encryption over the Integers Revisited », Advances in Cryptology -- EUROCRYPT 2015, 2015, Springer Berlin Heidelberg, pp. 513—536 ; D. Aggarwal, A. Joux, A. Prakash et M. Santha, « A New Public-Key Cryptosystem via Mersenne Numbers », Advances in Cryptology - CRYPTO 2018 - 38th Annual International Cryptology Conference, Santa Barbara, CA, USA, August 19-23, 2018, Proceedings, Part III, Lecture Notes in Computer Science, vol. 10993, pp. 459-482, Springer, 2018 ; J.S. Coron, T. Lepoint et M. Tibouchi, « New Multilinear Maps Over the Integers », Advances in Cryptology - CRYPTO 2015 - 35th Annual Cryptology Conference, Santa Barbara, CA, USA, August 16-20, 2015, Proceedings, Part I, Lecture Notes in Computer Science, vol. 9215, pp. 267-286, Springer, 2015 ; K. Jarvis et M. Nevins, « ETRU: NTRU over the Eisenstein integers », Des. Codes Cryptogr., vol. 74, n° 1, pp. 219-242, 2015 ; A. Joux, « Fully homomorphic encryption modulo Fermat numbers », Cryptology ePrint Archive, Report 2019/187, 2019, https://ia.cr/2019/187.
De manière similaire, le procédé inventif pourrait être généralisé à des non binaires. Les algorithmes présentés dans la présente invention seraient alors basés sur le problème du SàD borné (« Bounded Knapsack Problem », cf. H. Kellerer, U. Pferschy et D. Pisinger, « The Bounded Knapsack Problem », Knapsack Problems, 2004, Springer Berlin Heidelberg, Berlin, Heidelberg, pp. 185-209). Une telle généralisation entraîne une modification de la taille des et donc un nouvel équilibrage des paramètres et des niveaux de sécurité, comme il est évident à l’homme de l’art.
L’invention a été décrite au travers d’un exemple illustré par la figure 1 selon lequel un deuxième dispositif électronique , 10-2 souhaite partager la valeur d’un second secret , que nous pouvons référencer , avec un unique premier dispositif électronique , 10-1 pour exploiter ledit secret et produire une clé de session. Pour cela, ledit secret , est encapsulé (procédé 130) à partir de la clé publique du destinataire , 10-1 (produite par un procédé 120) sous la forme d’un chiffré . Ledit destinataire , 10-1 recouvre la valeur dudit secret par la mise en œuvre d’un procédé de décapsulation (procédé 140) dudit chiffré .
L’invention prévoit en outre que les procédés 130 et 140 puissent être mis en œuvre successivement dans des directions opposées par les deux dispositifs électroniques , 10-2 et , 10-1. Ainsi, à son tour le premier dispositif électronique , 10-1, agissant comme partage la valeur d’un secret , que nous pouvons référencer , avec l’unique deuxième dispositif électronique , 10-2 agissant comme pour exploiter ledit secret et produire une clé de session. Ledit secret , est encapsulé (procédé 130) sous la forme d’un chiffré à partir de la clé publique , du destinataire , 10-2. Ledit destinataire , 10-2 recouvre la valeur dudit secret par la mise en œuvre d’un procédé de décapsulation (procédé 140) dudit chiffré .
L’invention prévoit alors que la future clé de session exploitée par les deux dispositif électroniques , 10-2 et , 10-1 puisse résulter d’une combinaison des secrets et ainsi échangés de manière sécurisée. A titre d’exemples non limitatifs, ladite clé de session peut résulter de la mise en œuvre par les deux dispositifs électroniques , 10-2 et , 10-1 d’un ou-exclusif ou d’une fonction de hachage appliqué auxdits secrets et .
Enfin, il importe de noter que les différents procédés et modes de réalisation peuvent être combinés entre eux afin d’offrir de nombreuses options de mise en œuvre évidente à l’homme de l’art.
A titre d’exemple non limitatif, le procédé suivant, noté fournit à la fois une compression des clés publiques telle que celle fournie par et une extension à telle que celle fournie par .
Puisque les procédés et sont évidents à l’homme de l’art nous allons nous attacher à expliquer comment compresser le couple dans le cas
L’étape de génération d’un couple de clés secrète et publique, notée , correspondant à , ainsi que de publication de ladite clé publique produite consiste à : générer une deuxième donnée aléatoire par un générateur de nombres aléatoires 13 du premier dispositif électronique , 10-1 accomplissant ladite étape, ladite deuxième donnée aléatoire et en dériver , la est publique et la est gardée secrète ; produire la clé secrète compressible où , et sont dérivés de manière déterministe de ; produire la clé publique compressible où : est un premier de bits dérivé de manière déterministe de ; est dérivé de manière déterministe de ; est initialisé aléatoirement ; est produit ainsi : pour , tant que rafraîchir ; ; ; ; ; .
Il est aisé de voir que pk peut être compressée en ce qui permet un gain de mémoire considérable.
Procédé de détermination d’une somme d’intégrité arithmétique d’une séquence de données, dispositif électronique et programme d’ordinateur associés La présente invention concerne un procédé de détermination d’une somme d’intégrité arithmétique, ainsi qu’un programme d’ordinateur et un dispositif électronique associés.
Des dispositifs électroniques sécurisés sont conçus pour rendre quasi impossible toute intrusion dans leur fonctionnement mais il est préférable de vérifier que les calculs qu’ils effectuent, notamment des calculs arithmétiques, sont intègres, c’est-à-dire non altérés.
Une première solution consiste à vérifier l’absence de faute dans un calcul en répétant le calcul et en comparant les résultats obtenus pour chaque itération.
Une deuxième solution consiste à vérifier l’absence de faute dans un calcul, en cherchant à retrouver les données initiales par application d’un algorithme inverse.
Cependant, ces solutions doublent le temps de calcul et nécessitent de doubler l’implémentation, notamment pour se prémunir contre les attaques doubles fautes qui injectent la même erreur, ce qui consomme de la mémoire du dispositif l’électronique.
Les compartiments ou contenants des kits selon la divulgation peuvent être dans n’importe quelle configuration, sans limitation. Ils peuvent par exemple être une bouteille, un tube, un sachet, une ampoule ou un quelconque autre contenant configuré pour contenir la/les composition(s) de prétraitement et la/les composition(s) de coloration de manière mutuellement séparée dans le kit. Les kits peuvent éventuellement inclure des compartiments supplémentaires pour des composants supplémentaires tels que, par exemple, des compositions de prétraitement supplémentaires, des compositions de coloration supplémentaires, des compositions de shampoing, et similaires.
un premier compartiment ou contenant qui contient une composition de prétraitement comprenant au moins un composé à base d'amine et éventuellement au moins un solvant ; et
un second compartiment ou contenant qui contient une composition de coloration comprenant au moins un composite microtube-colorant et éventuellement au moins un solvant, dans lequel, dans le composite microtube-colorant, le colorant comprend au moins un agent de coloration capillaire.
un premier compartiment ou contenant qui contient une composition de prétraitement comprenant d'environ 0,01 % à environ 15 % d'au moins un composé à base d'amine non tensioactif et de l’eau,
dans lequel la composition de prétraitement a un pH inférieur ou égal à 7 environ, tel que de 2 environ à 6 environ ; et
un second compartiment ou contenant qui contient une composition de coloration comprenant d'environ 0,01 % à environ 15 % d'au moins un composite halloysite-colorant comprenant au moins un agent de coloration capillaire et de l'eau,
dans lequel la composition de coloration a un pH inférieur ou égal à 7 environ, tel que de 2 environ à 6 environ.
Dans divers modes de réalisation, les kits tels que ceux décrits ci-dessus peuvent éventuellement comprendre d'autres compartiments ou récipients, par exemple, un troisième compartiment ou récipient contenant une composition de prétraitement selon la divulgation différente de celle dans le première compartiment ou récipient, et/ou un quatrième compartiment ou récipient contenant une composition de coloration selon la divulgation différente de celle dans le deuxième compartiment ou récipient.
Il doit être entendu que, dans des exemples de kits selon l’invention, la/les composition(s) de prétraitement et composition(s) de coloration peut/peuvent être décrite(s) ici pour divers systèmes, procédés et exemples, par exemple en ce qui concerne des composants particuliers et/ou plages particulières de ceux-ci.
L'expression « et/ou » doit être entendue comme incluant à la fois le conjonctif et le disjonctif. Par exemple, « A et/ou B » signifie « A et B » ainsi que « A ou B », et couvre expressément des exemples de l'un des deux sans référence à l'autre. Par exemple, « prévenant et/ou réduisant » la corrosion inclut des cas de prévention de la corrosion et de réduction de la corrosion, ainsi que des cas où la corrosion est réduite mais pas empêchée, etc.
Durant le processus de lavage, un rapport de volume du mélange solide-liquide sur la solution alcaline et sur l’eau pure est d’environ 4/1/2.
Selon un mode de réalisation dans un troisième aspect de la présente divulgation, un matériau de cathode est fourni, dans lequel les matières premières de préparation du matériau de cathode comprennent le précurseur de matériau de cathode.
Étant donné que le matériau de cathode adopte toutes les solutions techniques du précurseur de matériau de cathode dans les modes de réalisation ci-dessus, le matériau de cathode présente au moins tous les effets bénéfiques permis par les solutions techniques des modes de réalisation ci-dessus. En d’autres termes, le matériau de cathode a une faible teneur en impureté soufre, un faible degré de désordre lithium-nickel, et une excellente capacité spécifique par gramme et d’excellentes performances de cyclage.
Selon certains modes de réalisation de la présente divulgation, les matières premières pour la préparation du matériau de cathode comprennent en outre une source de lithium.
Selon certains modes de réalisation de la présente divulgation, les matières premières pour la préparation du matériau de cathode comprennent en outre au moins un composé sélectionné dans le groupe constitué d’un dopant de masse (« a bulk dopant » en langue anglaise), d’un dopant de surface, et d’un agent de revêtement de surface.
Selon certains modes de réalisation de la présente divulgation, le dopant de masse comprend au moins un composé sélectionné dans le groupe constitué du ZrO 2 , de l’Y 2 O 3 , du SrO, du CeO 2 , du La 2 O 3 , et du MoO 3 .
Selon certains modes de réalisation de la présente divulgation, le dopant de surface et l’agent de revêtement de surface sont chacun indépendamment au moins un composé sélectionné dans le groupe constitué du WO 3 , de l’Al 2 O 3 , du Sb 2 O 3 , du TiO 2 , du Nb 2 O 5 , du B 2 O 3 , du MgCO 3 , et du NaF.
Selon certains modes de réalisation de la présente divulgation, le matériau de cathode a la formule chimique suivante :
Li 1+b Ni x Co y Mn z Fe a M c O 2 ,
où 0 ≤ b ≤ 0.2, 0 ≤ c ≤ 0,03, et M comprend au moins deux éléments choisis dans le groupe constitué de Ni, Co, Mn, Zr, Al, Mg, Ti, Sr, W, Y, Mo, Sb, Nb, Sn, Zn, La, Ce, B, et F.
Selon certains modes de réalisation de la présente divulgation, dans Li 1+b Ni x Co y Mn z Fe a M c O 2 , M est dérivé d’au moins un composé sélectionné dans le groupe constitué d’un dopant de masse, d’un dopant de surface et d’un agent de revêtement de surface.
Une quantité de chacun du dopant de masse, du dopant de surface, et de l’agent de revêtement de surface est calculée sur la base de la valeur de c dans Li 1+b Ni x Co y Mn z Fe a M c O 2 .
Selon un mode de réalisation dans un quatrième aspect de la présente divulgation, un procédé de préparation du matériau de cathode est fourni, comprenant les étapes suivantes : mélanger un précurseur de matériau de cathode avec une source de lithium, et soumettre la solution résultant du mélange à un premier frittage (« sintering » en langue anglaise) puis un second frittage successivement.
Étant donné que le procédé de préparation du matériau de cathode adopte toutes les solutions techniques du matériau de cathode dans les modes de réalisation ci-dessus, le procédé de préparation présente au moins tous les effets bénéfiques permis par les solutions techniques des modes de réalisation ci-dessus.
Selon certains modes de réalisation de la présente divulgation, un rapport molaire du lithium dans la source de lithium sur les atomes de métaux de transition dans le précurseur de matériau de cathode est de (1 - 1,1)/ 1. Étant donné qu’il peut y avoir une certaine perte par frittage de la source de lithium durant les processus de frittage, notamment durant un premier processus de frittage, la gamme de rapport ci-dessus permet qu’un rapport lithium/métal de transition du matériau de cathode soit maintenu à environ 1.
Selon certains modes de réalisation de la présente divulgation, une source de lithium comprend au moins un composé sélectionné dans le groupe constitué du LiOH et Li 2 CO 3 .
À titre d'autres exemples de charges inorganiques susceptibles d'être utilisées dans les compositions peuvent être encore citées les charges minérales du type alumineux, en particulier de l'alumine (Al 2 O 3 ), des oxydes d’aluminium, des hydroxydes d'aluminium, des aluminosilicates, des oxydes de titane, des carbures ou nitrures de silicium, tous du type renforçants tels que décrits par exemple dans les demandes WO99/28376-A2, WO00/73372-A1, WO02/053634-A1, WO2004/003067-A1, WO2004/056915-A2, US6610261-B1 et US6747087-B2. On peut citer notamment les alumines « Baikalox A125 » ou « CR125 » (société Baïkowski), « APA-100RDX » (Condéa), « Aluminoxid C » (Evonik) ou « AKP-G015 » (Sumitomo Chemicals).