Procédé de formation sur un substrat (S) d’une couche de matériau semi-conducteur dopé de formule (I) : (I), ledit procédé comprenant le dépôt sur le substrat (S) d’un précurseur de pérovskite de formule (II) : (II) et d’un composé de formule (III) : (III), avec : - A 2+ représentant Sn 2+ ou Pb 2+ ou Sn 2+ x Pb 2+ y avec x+y=1, - E 2+ et E 3+ représentant un cation respectivement divalent et trivalent d’un élément E, avec E représentant Eu, Sm, Pd ou Cd, - B + représentant un ou plusieurs cations monovalents, - X - et Y - représentant chacun indépendamment l’un de l’autre Cl - , Br - , ou I - , - m représentant un nombre inférieur à 1 et - n représentant un nombre tel que 0 Procédé selon la revendication 1 comprenant les étapes suivantes : a1) disposer d’une solution de précurseur de pérovskite de formule (II) dans un solvant polaire ou un mélanges de solvants polaires, a2) disposer d’une solution d’un composé de formule (III) dans un solvant polaire ou un mélange de solvants polaires, b) disposer d’un substrat (S), c1) déposer la solution de précurseur de pérovskite (II) sur le substrat (S), c2) chauffer à une température allant de 50°C à 150°C, afin d’obtenir un substrat couvert d’une couche de pérovskite, c3) déposer la solution du composé de formule (III) sur le substrat couvert d’une couche de pérovskite, c4) chauffer à une température allant de 50°C à 150°C. Procédé conforme à la revendication précédente, selon lequel le chauffage à l’étape c2) est précédé d’un séchage à température ambiante. Procédé conforme à la revendication 2 ou 3, selon lequel la teneur en composé de formule (III) dans la solution de composé de formule (III) est inférieure à 50 mg/mL. Procédé selon la revendication 1 comprenant les étapes suivantes : A) disposer d’une solution de précurseur de pérovskite de formule (II) et de composé de formule (III) dans un solvant polaire ou un mélange de solvants polaires, B) disposer d’un substrat (S), C1) déposer la solution de précurseur de pérovskite (II) et de composé de formule (III) sur le substrat (S), C2) chauffer à une température allant de 50°C à 150°C. Procédé conforme à l’une quelconque des revendications précédentes, selon lequel A 2+ représente Pb 2+ . Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, selon lequel E 2+ et E 3+ représentent respectivement soit Sm 2+ et Sm 3+ , soit Eu 2+ et Eu 3+ . Procédé conforme à l’une quelconque des revendications précédentes, selon lequel 0,001≤n≤0,45. Procédé conforme l’une quelconque des revendications précédentes, selon lequel m est inférieur ou égal à 0,5. Procédé conforme à l’une quelconque des revendications précédentes, selon lequel B + représente au moins un cation monovalent organique, de préférence choisi parmi le méthylammonium (CH 3 NH 3 + ), le formamidinium (NH 2 CHNH 2 + ), et Ar[(CH 2 ) z ]NH 3 + avec Ar représentant un phényle éventuellement substitué par 1 à 5 atomes de fluor et z représentant un nombre entier allant de 0 à 6 et en particulier 2. Procédé conforme à l’une quelconque des revendications 1 à 9, selon lequel B + représente au moins un cation monovalent inorganique, et de préférence Cs + . Procédé conforme à l’une quelconque des revendications précédentes, selon lequel le dépôt du précurseur de pérovskite de formule (II) et du composé de formule (III) est réalisé par enduction par centrifugation. Substrat (S) couvert d’une couche de matériau semi-conducteur dopé obtenu selon le procédé conforme à l’une quelconque des revendications précédentes. Substrat (S) couvert d’une couche de matériau semi-conducteur dopé selon la revendication précédente, dans lequel la couche de matériau semi-conducteur dopé a une épaisseur allant de 50 nm à 500 nm. Substrat (S) couvert d’une couche de matériau semi-conducteur dopé selon la revendication 13 ou 14 ayant une conductivité de type N. Substrat (S) couvert d’une couche de matériau semi-conducteur dopé selon l’une quelconque des revendications 13 à 15, dans lequel les cations trivalents E 3+ sont présents en surface et dans le volume de la couche de matériau semi-conducteur dopé. Dispositif semi-conducteur comprenant un substrat (S) recouvert d’une couche de matériau semi-conducteur dopé selon l’une quelconque des revendications 13 à 16. Dispositif selon la revendication précédente comprenant une cathode, une anode et une couche active disposée entre la cathode et l’anode et comprenant un substrat couvert d’une couche de matériau semi-conducteur dopé. Utilisation du substrat couvert d’une couche de matériau semi-conducteur dopé selon l’une des revendications 13 à 16 dans des dispositifs électroniques tels que des diodes, des transistors, des photodétecteurs ou des cellules solaires.