Diode électroluminescente (10) pour dispositif optoélectronique (1), la diode électroluminescente (10) présentant une forme tridimensionnelle et comprenant une hauteur (h1) s’étendant selon une première direction (X) entre une partie proximale (p1) et une partie distale (d1) opposée à ladite partie proximale (p1) le long de ladite première direction (X), ladite diode électroluminescente (10) comprenant : un noyau semiconducteur (11) dopé selon un premier type de conductivité ; une coque semiconductrice (13) dopée selon un deuxième type de conductivité opposé au premier type de conductivité, ladite coque semiconductrice (13) recouvrant au moins partiellement ledit noyau semiconducteur (11) ; la diode électroluminescente (10) comprenant une portion implantée (30) s’étendant sur une hauteur implantée (h2) comptée suivant la première direction (X), ladite hauteur implantée (h2) étant strictement inférieure à la hauteur (h1) de la diode, ladite portion implantée (30) étant disposée entre la partie distale (d1) et la partie proximale (p1) et étant disjointe de la partie distale (d1), de sorte que la portion implantée (30) délimite au sein de la coque semiconductrice (13) au moins une portion passivée (33) disjointe de la partie distale (d1) de la diode électroluminescente (10), la coque semiconductrice (13) comprenant au moins une portion active (34) délimitée au moins partiellement par ladite au moins une portion passivée (33), ladite au moins une portion passivée (33) ayant une conductivité strictement inférieure à une conductivité de ladite au moins une portion active (34). Diode électroluminescente (10) selon la revendication 1, dans laquelle la coque semiconductrice (13) recouvre le noyau semiconducteur (11) du côté de la partie distale (d1), et ne recouvre pas le noyau semiconducteur (11) du côté de la partie proximale (p1). Diode électroluminescente (10) selon l’une quelconque des revendications 1 ou 2, dans laquelle la portion implantée (30) délimite au sein du noyau semiconducteur (11) au moins une première portion implantée (31) disjointe de la partie distale (d1) de la diode électroluminescente (10), le noyau semiconducteur (11) comprenant au moins une première portion non-implantée (32) délimitée au moins partiellement par ladite au moins une première portion implantée (31), ladite au moins une première portion implantée (31) ayant une concentration ionique strictement différente d’une concentration ionique de ladite au moins une première portion non-implantée (32). Diode électroluminescente (10) selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans laquelle le noyau semiconducteur (11) comprend du nitrure de gallium (GaN) dopé N, et dans lequel la coque semiconductrice (13) comprend du nitrure de gallium (GaN) dopé P. Diode électroluminescente (10) selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, dans laquelle la portion implantée (30) est une zone de la diode électroluminescente (10) s’étendant transversalement à la première direction (X), et dans laquelle des ions sont implantés où chaque ion implanté forme : un complexe avec un élément dopant, le dopage selon le deuxième type de conductivité de la coque semiconductrice (13) étant neutralisé au niveau de la portion passivée (33) ; ou des niveaux profonds ce qui limite ou supprime la mobilité des porteurs de charge positive ou négative, sans que ces niveaux profonds ne servent de centre de recombinaison non radiatifs. Diode électroluminescente (10) selon la revendication 5, dans laquelle les ions implantés sont des ions hydrogène. Diode électroluminescente (10) selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, dans laquelle au moins un élément semiconducteur choisi dans le groupe comprenant le noyau semiconducteur (11) et la coque semiconductrice (13) présente une forme filaire, conique, tronconique, de pyramide, ou de pyramide tronquée. Diode électroluminescente (10) selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, dans laquelle la portion implantée (30) est positionnée, suivant la première direction (X), de sorte à incorporer la partie proximale (p1) de la diode électroluminescente (10). Diode électroluminescente (10) selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, dans laquelle la portion implantée (30) est disjointe de la partie proximale (p1). Organe optoélectronique comprenant un support (3, 8) s’étendant selon un plan, et au moins une diode électroluminescente (10) selon l’une quelconque des revendications 1 à 9 ; la portion implantée (30) de ladite au moins une diode électroluminescente étant sensiblement parallèle au plan du support (3, 8). Dispositif optoélectronique (1) comprenant : un support (3, 8) présentant une face de support (5) ; au moins une diode électroluminescente (10) selon l’une quelconque des revendications 1 à 9, coopérant directement ou indirectement avec ladite face de support (5) ; un premier élément conducteur (7) connecté électriquement au noyau semiconducteur (11) de la diode électroluminescente (10), et un deuxième élément conducteur (9) connecté électriquement à la coque semiconductrice (13) de la diode électroluminescente (10). Dispositif optoélectronique (1) selon la revendication 11, dans lequel ladite au moins une diode électroluminescente (10) est disposée sur la face de support (5) de sorte que la partie proximale (p1) de ladite au moins une diode électroluminescente (10) soit tournée vers la face de support (5) du support (3, 8), et de sorte que la première direction (X) s’étende transversalement à la face de support (5). Procédé de fabrication d’un dispositif optoélectronique (1) comprenant les étapes suivantes : une étape de fourniture (E1) d’un dispositif optoélectronique initial comprenant : un support (3, 8) présentant une face de support (5) ; et au moins une diode électroluminescente (10) coopérant directement ou indirectement avec ladite face de support (5), ladite au moins une diode électroluminescente (10) présentant une forme tridimensionnelle, et comprenant une hauteur (h1) s’étendant selon une première direction (X) entre une partie proximale (p1) et une partie distale (d1) opposée à ladite partie proximale (p1) le long de ladite première direction (X), ladite diode électroluminescente (10) comprenant un noyau semiconducteur (11) dopé selon un premier type de conductivité, et une coque semiconductrice (13) dopée selon un deuxième type de conductivité opposé au premier type de conductivité, ladite coque semiconductrice (13) recouvrant au moins partiellement ledit noyau semiconducteur (11)) ; une étape de passivation (E3) de l’au moins une diode électroluminescente (10) pour former le dispositif optoélectronique (1), dans laquelle l’au moins une diode électroluminescente (10) est passivée sur une portion implantée (30) s’étendant sur une hauteur implantée (h2) comptée suivant la première direction (X), ladite hauteur implantée (h2) étant strictement inférieure à la hauteur (h1) de la diode électroluminescente (10), ladite portion implantée (30) étant disposée entre la partie distale (d1) et la partie proximale (p1), et étant disjointe de la partie distale (d1), de sorte que la portion implantée (30) délimite au sein de la coque semiconductrice (13) au moins une portion passivée (33) disjointe de la partie distale (d1) de la diode électroluminescente (10), la coque semiconductrice (13) comprenant au moins une portion active (34) délimitée au moins partiellement par ladite au moins une portion passivée (33), ladite au moins une portion passivée (33) ayant une conductivité strictement inférieure à une conductivité de ladite au moins une portion active (34). Procédé de fabrication selon la revendication 13, dans lequel lors de l’étape de passivation (E3), l’au moins une diode électroluminescente (10) est passivée de sorte que la portion implantée (30) délimite également au sein du noyau semiconducteur (11) au moins une première portion implantée (31) disjointe de la partie distale (d1) de la diode électroluminescente (10), le noyau semiconducteur (11) comprenant au moins une première portion non-implantée (32) délimitée au moins partiellement par ladite au moins une première portion implantée (31), ladite au moins une première portion implantée (31) ayant une concentration ionique strictement différente d’une concentration ionique de ladite au moins une première portion non-implantée (32). Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications 13 ou 14, dans lequel l’étape de passivation (E3) est mise en œuvre par une implantation ionique, d’une manière permettant de neutraliser le dopage selon le deuxième type de conductivité de la coque semiconductrice (13) au niveau de la portion passivée (33). Procédé de fabrication selon la revendication 15, dans lequel l’étape de passivation (E3) est mise en œuvre par une implantation d’ions hydrogène. Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications 15 ou 16, dans lequel l’implantation ionique est mise en œuvre à partir d’une face arrière (6) du support (3, 8), ladite face arrière (6) du support (3, 8) étant opposée à la face de support (5) du support (3, 8). Procédé de fabrication selon l'une quelconque des revendications 15 ou 16 dans lequel l’implantation ionique est mise en œuvre à partir de la face de support (5). Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications 13 à 18, dans lequel l’étape de passivation (E3) est mise en œuvre au niveau de la partie proximale (p1), de manière à ce que la partie proximale (p1) soit incluse dans la portion implantée (30). Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications 13 à 18, dans lequel l’étape de passivation (E3) est mise en œuvre de manière à ce que la portion implantée (30) soit disjointe de la partie proximale (p1). Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications 13 à 20, comprenant en outre une étape de planarisation (E2) dans laquelle une couche de planarisation (17) est déposée au niveau de la face de support (5) du support (3, 8) jusqu’à ce qu’une épaisseur (e1) de la couche de planarisation (17), vue selon la première direction (X) et comptée à partir de la face de support (5), soit au moins égale à la hauteur (h1) de l’au moins une diode électroluminescente (10). Procédé de fabrication selon la revendication 21, dans lequel l’étape de planarisation (E2) est mise en œuvre avant l’étape de passivation (E3). Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications 13 à 22, comprenant en outre une étape de recuit (E4) dans laquelle le dispositif optoélectronique (1) est chauffé à une température de recuit, ladite température de recuit étant inférieure à 500°C.