Procédé de réalisation d’une couche semiconductrice (2) par épitaxie à partir d’un substrat de croissance (1) présentant un coefficient de dilatation thermique différent de celui de la couche semiconductrice (2), le procédé comportant les étapes suivantes : réalisation (20 ; 200) du substrat de croissance (1) formé d’un empilement d’un substrat support (21), d’une couche de liaison (22) en un matériau fusible, puis d’une couche de nucléation (13) ; réalisation (30) de la couche semiconductrice (2) par épitaxie à partir de la couche de nucléation (13), à une température d’épitaxie T e supérieure à une température de fusion T f du matériau fusible ; caractérisé en ce qu’il comporte l’étape suivante : détermination (10), préalablement à la réalisation (30) du substrat de croissance (1), d’une épaisseur seuil e th de la couche de nucléation (13), telle que celle-ci présente une énergie élastique E e , associée aux contraintes mécaniques orientées dans un plan parallèle au substrat support (21), inférieure à une énergie d’adhérence E a de la couche de nucléation (13) sur la couche de liaison (22), pour une température T exp supérieure ou égale à la température de fusion T f ; lors de la réalisation (20 ; 200) du substrat de croissance (1), la couche de nucléation (13) est réalisée en un matériau présentant une structure cristallographique identique à celle du matériau de la couche semiconductrice (2), et présente une épaisseur inférieure ou égale à l’épaisseur seuil e th déterminée. Procédé de la réalisation selon la revendication 1, dans lequel l’étape de détermination (10) de l’épaisseur seuil e th comporte les étapes suivantes : réalisation (11) d’un substrat de croissance dit test (1t (i) ) formé d’un empilement d’un substrat support test (21t), d’une couche de liaison test (22t), puis d’une couche de nucléation test (13t), réalisés respectivement en les mêmes matériaux que ceux du substrat support (21), de la couche de liaison (22), et de la couche de nucléation (13), la couche de nucléation test (13t) présentant une épaisseur initiale (e (i) ) susceptible d’être supérieure à l’épaisseur seuil e th ; exposition (12) du substrat de croissance test (1t) à la température T exp supérieure ou égale à la température de fusion T f ; évaluation (13) d’un critère de qualité d’adhérence, pour lequel l’énergie élastique E e de la couche de nucléation (13) est inférieure à l’énergie d’adhérence E a de la couche de nucléation (13) sur la couche de liaison (22) ; réitération des étapes de réalisation (11) du substrat de croissance test, d’exposition (12) et d’évaluation (13), la nouvelle couche de nucléation test (13t) présentant alors une épaisseur inférieure à celle de l’itération précédente, jusqu’à ce que le critère de qualité d’adhérence soit validé, l’épaisseur seuil e th étant alors définie comme étant l’épaisseur de la couche de nucléation test (13t) vérifiant le critère de qualité d’adhérence. Procédé de réalisation selon la revendication 2, dans lequel l’étape d’évaluation (13) comporte une mesure locale d’une dégradation de la couche de nucléation test (13t) par décollement, clivage et/ou fripure, le critère de qualité d’adhérence étant considéré comme validé en l’absence d’une telle dégradation. Procédé de réalisation selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel l’étape de réalisation (20 ; 200) du substrat de croissance (1) comporte les étapes suivantes : réalisation (21 ; 210) d’une première structure (10) comportant la couche de nucléation (13), de sorte que la couche de nucléation présente un champ de contraintes mécaniques identique à celui de la couche de nucléation test (13t) ; réalisation (23 ; 220) d’une deuxième structure (20) comportant le substrat support (11) et la couche de liaison (22) ; assemblage (24 ; 230) de la première structure (10) sur la deuxième structure (20) par collage de la couche de nucléation (13) sur la couche de liaison (22). Procédé de réalisation selon la revendication 4, dans lequel le collage de la couche de nucléation (13) sur la couche de liaison (22) est effectué par brasure, par thermocompression sous vide, ou par collage direct. Procédé de réalisation selon la revendication 4 ou 5, dans lequel la couche de nucléation (13) de la première structure (10) présente une épaisseur initiale supérieure à l’épaisseur seuil e th , l’étape de réalisation (20 ; 200) du substrat de croissance comportant alors une étape d’amincissement (22 ; 240) de la couche de nucléation (13) pour qu’elle présente une épaisseur inférieure ou égale à l’épaisseur seuil e th déterminée ; l’étape d’amincissement (22) étant effectuée avant l’étape d’assemblage (24) de la couche de nucléation (13) sur la couche de liaison (22), ou après l’étape d’assemblage (230) de la couche de nucléation (13) sur la couche de liaison (22). Procédé de réalisation selon la revendication 6, dans lequel l’étape d’amincissement (22 ; 240) est réalisée par meulage, gravure humide ou sèche, ou par Smart Cut TM . Procédé de réalisation selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel la température de fusion T f est inférieure ou égale à 50%, ou à 25%, ou à 15%, de la température d’épitaxie T e . Procédé de réalisation selon l’une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel la couche de nucléation (13) et la couche semiconductrice (2) sont réalisées à base d’un composé cristallin III-V comportant des éléments des colonnes III et IV du tableau périodique, ou à base d’un composé cristallin II-IV comportant des éléments des colonnes II et VI du tableau périodique, ou d’un élément ou composé cristallin IV comportant au moins un élément de la colonne IV du tableau périodique, et dans lequel le substrat support (21) est réalisé en silicium, en saphir, en saphir, en silice, en verre, en quartz, en AlN, en SiC, ou en GaAs. Procédé de réalisation selon l’une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel le substrat support (21) présente une dimension, dans un plan parallèle aux couches de liaison et de nucléation, au moins égale à 200mm, voire à 300mm. Structure semiconductrice, comportant : un substrat de croissance (1) formé d’un empilement d’un substrat support (21), d’une couche de liaison (22) en un matériau fusible, puis d’une couche de nucléation (13) ; et une couche semiconductrice (2) épitaxiée à partir de la couche de nucléation (13) ; le substrat de croissance (1) présentant un coefficient de dilatation thermique différent de celui de la couche semiconductrice (2) ; caractérisée en ce que la couche de nucléation (13) est réalisée en un matériau présentant une structure cristallographique identique à celle du matériau de la couche semiconductrice (2), et présente une épaisseur inférieure ou égale à une épaisseur seuil e th prédéfinie telle qu’une énergie élastique E e , associée à ses contraintes mécaniques orientées dans un plan parallèle au substrat support (21) est inférieure à une énergie d’adhérence E a de la couche de nucléation (13) sur la couche de liaison (22), pour une température T exp supérieure ou égale à la température de fusion T f du matériau fusible. Structure semiconductrice selon la revendication 11, dans lequel la couche de liaison (22) est une couche continue qui s’étend continûment dans un plan parallèle au substrat support (21) et à la couche de nucléation (13). Structure semiconductrice selon la revendication 12, dans lequel la couche de liaison (22) est située dans et remplit une échancrure du substrat support (21). Structure semiconductrice selon la revendication 11, dans lequel la couche de liaison (22) est une couche discontinue formée d’une pluralité de plots (22.1) distincts les uns des autres et agencés dans un plan parallèle au substrat support (21) et à la couche de nucléation (13). Structure semiconductrice selon la revendication 14, dans lequel chaque plot (22.1) est au contact de portions minces d’adhérence (23) situées sur le substrat support (21) et sur la couche de nucléation (13), les portions minces d’adhérence présentant une forme de bande orientées suivant des lignes parallèles aux rayons du substrat support (21).