INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
La présente la réponse spectrale d’un premier filtre de couleur, pour différents angles d’incidence d’une onde électromagnétique incidente sur le premier filtre de la .
La présente la réponse spectrale d’un deuxième filtre de couleur, différent du premier filtre, pour différents angles d’incidence d’une onde électromagnétique incidente sur le deuxième filtre de la .
La est un schéma détaillé d’un élément optoélectronique de la matrice selon le premier aspect de l’invention.
La est un schéma synoptique d’un procédé de fabrication de la matrice et en particulier des filtres de couleur selon un deuxième aspect de l’invention.
Les , , , , , , , , , illustrent les étapes du procédé de la selon le deuxième aspect de l’invention,
La est un schéma synoptique d’un procédé de fabrication de la matrice et en particulier des filtres de couleur selon un troisième aspect de l’invention.
La illustre une étape du procédé selon le troisième aspect de l’invention.
La couche mince 4 de la structure 1 peut être de toute nature qui convient, notamment d’un matériau monocristallin. Lorsque la structure 1 est destinée à recevoir des composants intégrés à semi-conducteur, la couche mince 4 peut être ainsi composée de silicium monocristallin, ou de tout autre matériau semi-conducteur monocristallin tel que du germanium, du silicium germanium du carbure de silicium. Lorsque la structure 1 est destinée à recevoir des filtres à onde élastique de surface, la couche mince 4 peut être composée d’un matériau piézoélectrique et/ou ferroélectrique, monocristallin, tel que du tantalate de lithium ou du niobate de lithium. La couche mince 4 peut également comprendre des composants intégrés finis ou semi-finis, initialement formés sur un substrat donneur et reportés sur le support 2 au cours de l’étape de fabrication de la structure 1. D’une manière générale, la couche mince peut présenter une épaisseur comprise entre 10nm et 10 microns, selon l’application envisagée de la structure 1 et les performances attendues des composants.
La couche diélectrique intercalaire 3 peut quant à elle présenter une épaisseur comprise entre 50nm et plusieurs microns, par exemple 5 microns ou plus.
Pour prévenir la diffusion de certaines espèces atomiques vers la couche de piégeage 2b, la structure 1 comprend une couche barrière 5 en nitrure de silicium disposée dans la couche diélectrique intercalaire 3. Par « nitrure de silicium » on désigne un nitrure dont la formule générale est de la forme Si x N y , constitué donc d’azote et de silicium dans des proportions qui peuvent être stoechiométrique (Si 3 N 4 ) ou non.
Plus précisément, la couche diélectrique intercalaire 3 comprend, formées et disposées sur le support 2 :
Une première couche diélectrique 31 disposée sur et en contact avec la couche de piégeage 2b ; une couche barrière 5 en nitrure de silicium sur et en contact avec la première couche diélectrique ; une deuxième couche diélectrique 32 sur et en contact avec la couche barrière 5.
Pour des raisons qui seront rendues apparentes à la lecture de la suite de cette description, et comme cela est apparent sur la , la couche diélectrique intercalaire 3 peut également comprendre, disposée entre la deuxième couche diélectrique 32 et la couche mince 4, une couche diélectrique superficielle 41. Cette couche diélectrique superficielle 41 est avantageusement en contact avec la couche mince 4 et avec la deuxième couche diélectrique 32, mais cette caractéristique n’est pas impérative, et l’on peut prévoir que la couche diélectrique intercalaire 3 comprend d’autres couches que la couche diélectrique superficielle 41, disposées entre la deuxième couche diélectrique 32 et la couche mince 4.
Les espèces atomiques susceptibles de diffuser vers la couche de piégeage 2b peuvent notamment provenir de la couche mince 4. Il peut dans ce cas s’agir, à titre d’exemple, de lithium, lorsque cette couche mince 4 est constituée de tantalate de lithium ou de niobate de lithium (ou plus généralement de tout matériau à base de lithium). En prévoyant une couche barrière 5 en nitrure de silicium apte à bloquer la diffusion, entre autres, du lithium entre la couche mince 4 et la couche de piégeage 2b, on évite la dégradation des performances RF de la structure 1. Pour que l’effet barrière soit effectif, notamment vis-à-vis d’espèces légères telles que le lithium, il est préférable que la couche barrière en nitrure de silicium 5 présente une épaisseur au moins égale à 20 nm. Il n'est en général pas nécessaire de prévoir une épaisseur supérieure à 70nm pour que l’effet barrière soit suffisant (vis-à-vis de la diffusion d’espèces légères telles que le lithium ou l’hydrogène), mais on peut néanmoins former une couche barrière 5 présentant une épaisseur supérieure à cette valeur de 70nm si d’autres bénéfices sont attendus ou si la structure 1 est particulièrement sensible à la migration de ces espèces, comme cela sera décrit dans une section suivante de cette description.
La deuxième couche diélectrique 32 et, si elle est présente, la couche diélectrique superficielle 41, sont prévues pour faciliter l’assemblage de la structure. Aussi ces couches sont avantageusement à base d’oxyde de silicium, car il s’agit de matériaux dont on connaît bien les propriétés adhésives et que l’on sait préparer pour cet assemblage (nettoyage, traitement d’activation…). Il n’est pas nécessaire que ces couches 32,41 soient épaisses pour remplir leur fonction d’adhésion au cours de la fabrication de la structure, et avantageusement leurs épaisseurs sont chacune comprises entre 5 nm et 30nm.
Enfin la première couche diélectrique 31 vient fournir l’épaisseur de diélectrique complémentaire à la deuxième couche diélectrique 32, à la couche barrière 5 et aux éventuelles autres couches diélectriques disposées sur la deuxième couche diélectrique 32, pour obtenir une couche diélectrique intercalaire 3 d’épaisseur choisie. On rappelle que cette couche diélectrique intercalaire 3 peut présenter une épaisseur comprise entre 50nm et plusieurs microns, aussi la première couche diélectrique 31 peut présenter une épaisseur comprise entre 20 nm et plusieurs microns. Cette première couche diélectrique 31 est avantageusement à base d’oxyde de silicium, par simplicité de mise en œuvre.
Les espèces atomiques susceptibles de migrer vers la couche de piégeage 2b peuvent également provenir de la couche diélectrique intercalaire 3 elle-même, ou de l’interface d’assemblage présente au niveau de la deuxième couche diélectrique 32. C'est notamment le cas lorsque la couche diélectrique intercalaire 3 est réalisée, au moins en partie, par des techniques de dépôt mettant en œuvre des traitements thermiques modérés, inférieurs à 650°C. Ces traitements ne permettent pas d'exodiffuser certaines espèces, telles que de l’hydrogène, de la couche déposée et celles-ci restent donc susceptibles de diffuser au cours des autres étapes de fabrication de la structure 1, vers la couche de piégeage 2b.
Pour se prémunir de la diffusion de ces espèces qui désorbent de la couche diélectrique intercalaire 3, notamment à partir de la première couche diélectrique 31 disposée sous la couche barrière 5, au plus proche de la couche de piégeage 2b, il peut être avantageux de choisir le matériau et la technique de formation de la première et de la deuxième couche diélectrique 31, 32 (et dans une moindre mesure, des couches éventuellement présentes entre la deuxième couche diélectrique 32 et la couche mince 4) pour qu’elles ne contiennent peu d’hydrogène ou qu’elle limite la diffusivité de cet hydrogène. C’est notamment le cas lorsque la couche diélectrique intercalaire 3 est relativement épaisse, d’une épaisseur supérieure ou égale à 200nm, conduisant à une première couche diélectrique 31 présentant une épaisseur typiquement supérieure à 100nm. C’est également le cas lorsque la couche de piégeage 2b est relativement peu épaisse, inférieure à 500nm. Dans ces deux cas, les performances RF de la structure 1 sont particulièrement sensibles à la diffusion d’hydrogène vers la couche de piégeage 2b, comme cela a été exposé en introduction de cette demande.
Pour former des couches diélectriques contenant peu d’hydrogène, on peut former ces couches par dépôt selon une technique LPCVD (acronyme de l’expression anglo-saxonne « Low Pressure Chemical Vapor Deposition » ou dépôt chimique en phase vapeur à pression sous atmosphérique) dans une gamme de température comprise entre 650°C et 850°C, et préférentiellement entre 700°C et 800°C. Pour ce qui concerne la première couche diélectrique 31 disposée directement sur la couche de piégeage 2b, on peut choisir de la former par oxydation thermique de cette couche de piégeage, lorsque cette couche est constituée de silicium. Pour former des couches diélectriques limitant la diffusivité de cet hydrogène, on peut prévoir d’y incorporer de l’azote (pour former une couche de SiON). Pour caractériser la proportion d’azote dans la couche, on pourra s’appuyer sur une mesure de son indice de réfraction qui évolue (à une longueur d’onde de 633m) entre 1,45 pour du SiO2 à 2,02 pour du Si3N4 (c’est-à-dire un nitrure de silicium stœchiométrique).
La proportion d’azote dans la couche de SiON pourra être choisie très librement et selon la limitation de la diffusivité attendue, étant entendue que plus cette proportion est importante, plus cette diffusivité est réduite. Si l’on ne souhaite pas modifier excessivement les propriétés acoustiques de ces couches par rapport à des couches formées d’oxyde de silicium (ce qui peut avoir une conséquence sur la performance de certains composants formés sur la structure 1, tel que des composants à onde élastique), il est préférable de limiter la proportion d’azote, par exemple pour que le ratio azote/oxygène reste compris entre 0,01 et 0,5 ou entre 0,05 et 0,1.
La proportion d’azote dans la première couche diélectrique 31 et dans la deuxième couche diélectrique 32 peut être identique ou différente entre elles. Cette proportion peut être constante au sein de la couche ou varier. Dans un mode de réalisation, le ratio azote/oxygène est variable dans la première couche diélectrique 31 et dans la deuxième couche diélectrique 32, croissant en direction de la couche barrière 5.
On notera que certains diélectriques peuvent apporter une contrainte mécanique en compression sur le substrat sur lequel ils sont formés. C’est le cas de l’oxyde de silicium. D’autres diélectriques peuvent apporter une contrainte en tension, comme c’est le cas du nitrure de silicium. Ces contraintes peuvent conduire à la déformation du substrat (« bow » selon le terme anglo-saxon consacré).
Aussi, lorsque la première couche 31 et la deuxième couche 32 sont formées d’un matériau diélectrique apportant une contrainte mécanique en compression, par exemple à base d’oxyde de silicium, l’épaisseur de la couche barrière 5 en nitrure de silicium peut être ajustée pour compenser cette contrainte. On restera bien entendu au-dessus de l’épaisseur seuil de 20nm conférant à cette couche son effet barrière.
Le module de mesure 100, embarqué dans le dispositif 10, est configuré pour recevoir des signaux S10, S20, S30, S40 émis par une pluralité de satellites S1, S2, S3, S4 de l’ensemble de satellites S1, S2, S3, S4.
Le module de mesure 100 est configuré pour déterminer la position et/ou la vitesse du dispositif 10 à un instant ( t+1 ) à partir des signaux S10, S20, S30, S40 reçus , appelée « observation à l’instant (t+1) » . La position et/ou la vitesse peuvent être mesurées directement ou bien à partir d’autres mesures préalables, comme par exemple des « pseudoranges », connus en soi.
Le module de mesure 100 est configuré pour déterminer la position p(t+1) et/ou la vitesse v(t+1) du dispositif 10 à l’instant (t+1) en utilisant des mesures et un modèle prédictif basé sur un filtre spécifique. Le modèle prédictif permet de déterminer l’état du système par itérations successives.
A cette fin, le module de mesure 100 est configuré pour détermine r une estimation
de l’état du système à un instant t+1 à partir de l’estimation
réalisé à l’itération précédente à l’instant t, d’un gain K du filtre à l’instant t, d’un modèle Φ représentatif du système entre l’instant t et l’instant t+1 et d e l ’innovation
du filtre à l’instant t+1. Le gain K est paramétré par un vecteur de coefficients de gain θ1, θ2, …, θn variables. Une structure de gain possible, employée dans la présente mise en œuvre, est donnée par les équations [Math 36] et suivantes ci-après .
Les fonctions du module de mesure 100 permettant de mettre en œuvre ce modèle prédictif vont maintenant être décrites pour une itération réalisée à un instant t+1.
L e module de mesure 100 est configuré pour calculer la meilleure prédiction de l’état du système à l’instant t+1, notée
, à partir d’une estimation prédéterminée de l’état du système à l’instant t, notée
, et d’un modèle Φ de paramètres représentatifs du système.
Le module de mesure 100 est configuré pour calculer la prédiction de l’observation à l’instant t+1, notée
, comme étant le produit d’une matrice d’observation H prédéterminée et de la meilleure prédiction
de l’état du système à l’instant t+1 calculée.
En variante, H et Φ pourraient être des opérateurs non-linéaires plutôt que des matrices.
Le module de mesure 100 est configuré pour calculer l’erreur de prédiction du filtre, appelée « innovation », notée
La est une représentation schématique d’un dispositif barrière 1 attaché autour du tronc d’un arbre 1.
Le dispositif barrière 1 comporte ici en outre un dispositif de recharge 15 de l’alimentation électrique 5, notamment sous forme de panneau photovoltaïque, relié à l’alimentation électrique 5 et fournissant à celle-ci du courant électrique pour sa recharge.
Le panneau photovoltaïque 15 peut notamment être installé dans les branches de l’arbre ou bien sur un poteau dédié. Un seul panneau photovoltaïque 15 peut être connecté à plusieurs dispositifs barrière 1 dans plusieurs arbres 100 proches.
Le dispositif barrière 1 selon l’invention permet de protéger les sommités des arbres 100 de façon économique, notamment par rapport à de la glu devant être régulièrement renouvelée, et écologique, du fait de moindres rejets et d’une préservation des insectes qui peuvent ne pas être tués.
La mise en place du dispositif barrière 1 à électrodes 3 est de plus aisée et rapide, et potentiellement moins salissante que l’application de glu.
Dispositif pour le moulage d’une préparation culinaire étagée et procédé de mise en œuvre d’un tel dispositif Domaine de l’invention La présente demande de brevet se rapporte au domaine du moulage et de la confection d’une préparation culinaire étagée, et plus particulièrement au domaine de la confection de pâtisseries étagés.
La présente invention trouvera de façon non-exclusive des applications avantageuses dans le domaine de la pâtisserie.
Etat de la technique La confection de pâtisseries étagées consiste généralement à superposer alternativement des couches alimentaires de différentes natures, par exemple en alternant des couches solides du type génoise, avec des couches de garniture du type crème et/ou mousse, pour obtenir une pâtisserie de forme cylindrique.
Dans ce but, il est connu d’utiliser un moule de forme cylindrique, aussi appelé emporte-pièce, dans lequel on confectionne une à une les couches solides de la pâtisserie.
Une fois les couches solides confectionnées, on érige la pâtisserie étagée en superposant alternativement une couche solide et une couche de garniture, jusqu’à obtenir la pâtisserie souhaitée.
La confection d’une pâtisserie étagée telle que décrite précédemment est délicate et aboutie généralement à une pâtisserie dont les couches sont assemblées de façon irrégulière.
De plus, une superposition imprécise des couches de la pâtisserie peut occasionner des problèmes d’équilibre de la pâtisserie, voire une chute de la pâtisserie.
La présente invention a notamment pour but de résoudre les inconvénients de l'art antérieur précité en proposant un dispositif pour le moulage d’une préparation culinaire étagée qui permet à la fois de mouler préalablement les couches solides de la pâtisserie et de guider les différentes couches lors du montage de la pâtisserie pour obtenir une pâtisserie régulière.
On atteint cet objectif, ainsi que d’autres qui apparaîtront à la lecture de la description qui suit, avec un dispositif pour le moulage d’une préparation culinaire étagée, caractérisé en ce qu’il comporte au moins : une embase présentant une forme de coupelle qui comporte un fond adapté pour supporter la préparation culinaire et une paroi périphérique qui s’étend axialement autour de l’axe central du dispositif, depuis le fond de l’embase, jusqu’à un bord supérieur d’extrémité libre, un moule de premier niveau comprenant un fût qui est délimité par une face intérieure destinée à mouler la préparation culinaire et qui s’étend axialement autour de l’axe central depuis un tronçon inférieur, jusqu’à un tronçon supérieur, ledit tronçon inférieur étant conçu pour être emmanché de façon amovible à l’intérieur de la paroi périphérique de ladite embase, et l’extrémité libre du tronçon supérieur dudit fût étant équipée d’un organe d’emboîtement femelle supérieur qui s’étend autour de l’axe central, un moule de second niveau comprenant un fût qui est délimité par une face intérieure destinée à mouler la préparation culinaire, et qui s’étend axialement autour de l’axe central depuis un tronçon inférieur jusqu’à un tronçon supérieur, et l’extrémité libre du tronçon inférieur étant équipée d’un organe d’emboîtement mâle inférieur qui est adapté pour coopérer avec ledit organe d’emboîtement femelle du moule de premier niveau, le moule de second niveau étant conçu pour être empilé sur le moule de premier niveau dans une position emboîtée de moulage dans laquelle l’organe d’emboîtement mâle du moule de second niveau est reçu dans l’organe d’emboîtement femelle complémentaire du moule de premier niveau, de sorte que le fût du moule de premier niveau s’étend coaxialement au fût du moule de second niveau.
Ainsi, l’ensemble formé par l’embase et le moule de premier niveau est adapté pour confectionner une ou plusieurs couches dites solides et l’ensemble formé par l’embase, le moule de premier niveau et le moule de second niveau permet d’ériger la pâtisserie étagée en superposant alternativement une couche solide et une couche de garniture, jusqu’à obtenir la pâtisserie souhaitée.
- la illustre, schématiquement et partiellement, la disposition des canaux et des obstacles d’un dispositif de régulation thermique selon un exemple de mise en œuvre de l’invention,
- la illustre, schématiquement et partiellement, une coupe d’un canal de la ,
- la illustre, schématiquement et partiellement, une variante du dispositif de régulation de la ,
- la illustre, schématiquement et partiellement, un autre exemple de mise en œuvre de l’invention,
- la illustre, schématiquement et partiellement, un autre exemple de mise en œuvre de l’invention.
On a représenté sur la un ensemble 100 comportant un ensemble de cellules de batterie 101 à refroidir, par exemple disposées suivant une pluralité de rangées parallèles, et un dispositif de régulation thermique 1 agencé pour refroidir les cellules 101, qui sont en contact thermique avec une plaque supérieure du dispositif de refroidissement 1, comme expliqué plus bas.
Le dispositif de régulation thermique 1 comporte une plaque supérieure 2 et une plaque inférieure 3 assemblée avec la plaque supérieure 2 pour former ensemble un réseau de circulation 4 formé d’une pluralité de canaux 5 de circulation pour un fluide caloporteur liquide, notamment une eau glycolée, comme mieux visible sur la .
Le sens de circulation du fluide dans les canaux 5 est matérialisé par des flèches F.
Les canaux 5 sont alimentés en fluide, via une région de distribution de fluide, non représentée, qui communique avec une entrée de fluide 7. Est également prévue une sortie de fluide 8. Une bride 9 peut être connectée à cette entrée 7 et cette sortie 8 pour assurer des raccordements avec un circuit externe de fluide, qui comprend, entre autres, une pompe.
Le réseau de circulation 4 comprenant des zones 10 de mélange de fluide dans chacune desquelles deux écoulements séparés 11 de fluide débouchent suivant des angles respectifs choisis de sorte à générer un mélange d’une couche pariétale 12 de fluide et d’une couche interne 14 de fluide dans la zone de mélange 10.
Comme illustré très schématiquement sur la , dans le réseau 4 de circulation de fluide caloporteur, une couche pariétale 12 de fluide, qui est sur ou à proximité d’une paroi 2 d’échange thermique, est davantage chauffée que la couche interne 14, qui est plus éloignée de cette paroi 2. La couche interne 14 et la couche pariétale 12 se prolongent l’une l’autre de manière continue en termes de température.
Le gradient de température au sein d’une section transversale de fluide est plus grand en amont de la zone de mélange 10, et plus faible dans la zone de mélange 10. Le mélange vise à atténuer, voire supprimer, ce gradient de température au sein du fluide.
L’invention permet ainsi d’homogénéiser la température du fluide sur toute la section transversale de l’écoulement, à savoir sur la paroi 2 et au centre de l’écoulement.
Le mélange peut se faire à relativement faibles vitesses du fluide, mélange qui est de type chaotique grâce aux angles choisis pour les deux écoulements qui débouchent dans la zone de mélange.
Dans l’exemple décrit, l’angle d’incidence entre les deux écoulements de fluide 11 débouchant dans la zone de mélange 10 est de 90°.
On va maintenant décrire plus en détails le réseau de circulation 4.
La mémoire 41 peut par exemple comprendre une mémoire ROM (Read-Only Memory), une mémoire RAM (Random Access Memory), une mémoire EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory) ou tout autres types de moyens de stockage adaptés permettant notamment la lecture d’instructions de code. La mémoire peut par exemple comprendre des moyens de stockage optique, électronique ou encore magnétique.
Le calculateur 4 peut par exemple être adapté pour envoyer des instructions au capteur de densité de flux thermique 31, au capteur de température 32 et au système de détermination de flux radiatifs pour que ces différents éléments prennent des mesures.
Le calculateur 4 peut par exemple comprendre une unité d’entrées/sorties analogiques 43 présentant plusieurs entrées respectives connectées au capteur de densité de flux thermique 31, au capteur de température 32 et au système de détermination de flux radiatifs. Le calculateur 4 peut également comprendre un convertisseur analogique numérique 42 permettant de convertir les tensions analogiques des entrées analogiques en valeurs de tension numériques.
La présente divulgation porte également sur un programme informatique comportant des instructions pour la mise en œuvre d’un procédé de détermination d’un flux thermique convectif lorsque ce programme est exécuté par un processeur.
La présente divulgation porte enfin sur un support d’enregistrement non transitoire lisible par un ordinateur sur lequel est enregistré un programme pour la mise en œuvre d’un procédé de détermination d’un flux thermique convectif lorsque ce programme est exécuté par un processeur.
Procédé de détermination de la position d’un dispositif à partir d’un réseau de satellites dans un système prédictif La présente invention se rapporte au domaine du positionnement par satellite et concerne plus particulièrement un procédé et un dispositif de géolocalisation.