INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Un niveau de contact comprend des portions conductrices généralement qualifiées de vias, qui sont destinées à connecter des zones de contact d’un composant. Les différents vias sont en outre généralement isolés des autres éléments du circuit intégré par au moins une couche diélectrique.
Le procédé est typiquement mis en œuvre dans les étapes de fabrication de « début de ligne », dites FEOL (acronyme de Front End Of Line), correspondant à la réalisation des niveaux de contact sur les composants unitaires.
Il est précisé que, dans le cadre de la présente invention, le terme via regroupe toutes les connexions électriques tels que les plots, lignes et structures conductrices qui s’étendent, de préférence perpendiculairement, depuis des zones de contact d’un composant du circuit intégréDe préférence les vias forment chacun un cylindre, de section sensiblement circulaire.
Dans le cadre de la présente invention, on qualifie de résine un matériau organique ou organo-minéral pouvant être mis en forme par une exposition à un faisceau d’électrons, de photons ou de rayons X ou mécaniquement. Ces résines sont typiquement employées pour des étapes de lithographie.
Un élément situé « à l’aplomb » ou « au droit d’» un autre élément signifie que ces deux éléments sont situés tous deux sur une même ligne perpendiculaire à un plan dans lequel s’étend principalement une face inférieure ou supérieure d’un substrat, c’est-à-dire sur une même ligne orientée verticalement sur les figures en coupe transverse.
Le procédé d’individualisation est typiquement mis en œuvre lors de la formation d’un niveau de contact sur un niveau de composants FEOL. Ce niveau de composants peut par exemple comprendre différents types de transistors, des éléments mémoire ou d’autres dispositifs élémentaires microélectroniques.
La illustre de manière schématique des composants de type transistors MOSFET (transistors à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur) à source et drain surélevés (RSD acronyme de Raised Source Drain). Ces transistors comprennent classiquement une grille 21 à base de silicium polycristallin et un diélectrique de grille 27 surmontant un canal 26 formé dans une couche active 12 d’un substrat 10, par exemple de type silicium sur isolant SOI (Silicon on Insulator). Un tel substrat SOI comprend de façon connue une couche d’oxyde enterrée 11 dite BOX (Burried Oxyde) intercalée entre un support massif en silicium (non visible) et une couche active 12 dite topSi. Les transistors sont typiquement isolés les uns des autres par des tranchées d’isolation 13.
Les transistors illustrés ici comprennent en outre des sources 22 et drains 23 surélevés à base de silicium, de part et d’autre de la grille 21 et séparés de la grille 21 par des espaceurs 25.
La grille 21 et les sources 22 et drains 23 comprennent des zones de contact 20, typiquement formées par siliciuration du silicium. Ces zones de contact 20 sont de préférence métalliques, de préférence à base de NiPtSi. Les zones de contact 20 sont destinées à être connectées à des pistes électriques par l’intermédiaire d’un niveau de contact formé sur les transistors, ce niveau de contact comprenant typiquement des contacts sous forme de vias.
Pour former le niveau de contact, au moins une couche diélectrique 200 est déposée sur les transistors, puis structurée de manière à former les contacts sous forme de vias comme décrit et illustré dans la suite. Cette couche diélectrique 200 a pour fonction d’isoler électriquement les vias entre eux. Cette couche diélectrique 200 a également pour fonction de former une barrière contre la diffusion du cuivre. Cette couche diélectrique 200 est par exemple à base de SiO 2 . La couche diélectrique 200 peut présenter une épaisseur typiquement comprise entre quelques centaines de nanomètres et quelques microns, par exemple de l’ordre de 500 nm.
Préalablement au dépôt de la couche diélectrique 200, une couche 24 d’arrêt de gravure est de préférence déposée de façon conforme sur les transistors du niveau de composants. Cette couche 24 d’arrêt de gravure est ainsi intercalée entre les transistors et la couche diélectrique 200. Elle permet de contrôler l’arrêt de la gravure de la couche diélectrique 200 lors de la formation des ouvertures de vias. Cette couche 24 d’arrêt de gravure est de préférence à base de nitrure de silicium, par exemple SiN. La couche 24 d’arrêt de gravure peut présenter une épaisseur typiquement de l’ordre de quelques dizaines de nanomètres, par exemple de l’ordre de 20 nm.
La couche 24 d’arrêt de gravure et la couche diélectrique 200 peuvent être déposées par dépôt chimique en phase vapeur (CVD), par exemple par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD, acronyme de « Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ») ou par dépôt chimique en phase à basse pression (LPCVD, acronyme de « Low Pressure Chemical Vapor Deposition »).
Afin de réaliser les contacts au travers de la couche diélectrique 200 et de la couche 24 d’arrêt de gravure, un masque de gravure 300 est formé sur la couche diélectrique 200. Il est choisi de préférence en un matériau A présentant une sélectivité de gravure importante vis-à-vis du matériau diélectrique. La sélectivité de gravure S diélec:A entre le matériau diélectrique et le matériau A est de préférence supérieure ou égale à 10:1.Ce masque de gravure 300 est de préférence de type SOC (spin on carbon), à base de carbone. Le masque 300 de type SOC peut présenter une épaisseur de l’ordre de 150 nm.
Comme illustré aux figures 1 et 2, un masque 500 à base de résine comprenant des ouvertures 501 formant des motifs de vias est déposé sur le masque de gravure 300. Ces ouvertures 501 du masque 500 servent notamment à ouvrir le masque de gravure 300. Les ouvertures 501 sont situées au moins en partie au droit des zones de contact 20. Les ouvertures 501 présentent une dimension latérale, typiquement un diamètre, comprise entre quelques dizaines de nanomètres et quelques centaines de nanomètres. Le masque 500 en résine photosensible peut présenter une épaisseur comprise entre 50 nm et 300 nm.
Un revêtement antireflets 400 de type SiARC (silicon anti reflective coating signifiant revêtement anti réflexion à base de silicium) est de préférence intercalé entre le masque 300 et le masque 500. Le revêtement antireflets 400 peut présenter une épaisseur comprise entre 25 nm et 35 nm, par exemple de l’ordre de 30 nm.
Les épaisseurs des couches de masque 300, 400, 500 peuvent varier selon les dimensions des vias visées. Les différentes couches de masque 300, 400, 500 peuvent être déposées par une méthode classique de spin coating (à la tournette).
Les ouvertures 501 du masque 500 sont réalisées en mettant en œuvre des techniques classiques de lithographie, telles que la lithographie optique, la lithographie électronique par faisceau d’électrons (ebeam), la lithographie par nanoimpression ou toute autre technique de lithographie connue de l’homme du métier.
Comme illustré à la , une gravure est effectuée dans le masque de gravure 300 pour y transférer les motifs 501 du masque 500. Cette gravure est configurée pour former les ouvertures de masque 301.
Le revêtement antireflets et le masque de gravure 300 peuvent être gravés par plasma, à l’aide d’une chimie de gravure à base de fluor par exemple CF4/N2 pour la couche antireflets, ou de préférence à base de N2/H2 pour la couche de masque 300. Ce type de plasma permet d’utiliser un masque 500 à base de résine présentant une fine épaisseur, par exemple inférieure à 200 nm.
Comme illustré à la , la couche diélectrique 200 est ensuite gravée au travers des ouvertures 301 du masque de gravure 300. Cette gravure est typiquement effectuée par plasma à base d’une chimie fluorocarbonnée, par exemple une chimie CF4/C4F8/O2, avec arrêt sur la couche 24 d’arrêt de gravure à base de nitrure. La couche 24 d’arrêt de gravure à base de nitrure est ensuite gravée par plasma à base d’une chimie CH3F/Ar/O2 avec arrêt sur le siliciure des zones de contact 20. Cela permet de former les ouvertures de vias 320 du niveau de contact.
Cet objectif est atteint avec un système de conversion de tension en courant ou de courant en tension, comprenant des (typiquement exactement 2 ou 3) bornes d’entrée et des (typiquement exactement 2 ou 3) bornes de sortie, et entre les bornes d’entrée et les bornes de sortie :
- un premier ensemble et un deuxième ensemble, chacun parmi le premier ensemble et le deuxième ensemble comprenant au moins une cellule de commutation,
et caractérisé en ce que :
le système comprend en outre un dispositif de commande commun pour le premier ensemble et pour le deuxième ensemble, chaque cellule de commutation comprenant : un premier interrupteur pouvant être dans un état passant ou dans un état bloquant, et comprenant un transistor, et un deuxième interrupteur pouvant être dans un état passant ou un état bloquant, et comprenant un transistor et/ou une diode,
de sorte que, pour chaque cellule de commutation, cette cellule de commutation oscille entre deux états dont un premier état pour lequel son premier interrupteur est passant quand son deuxième interrupteur est bloquant et un deuxième état pour lequel son premier interrupteur est bloquant quand son deuxième interrupteur est passant,
le nombre de cellules de commutation du système étant pair, chacun parmi le premier ensemble et le deuxième ensemble comprend le même nombre de cellule(s) de commutation (de préférence au moins une, de préférence exactement une ou deux ou 3). l’au moins une cellule de commutation du premier ensemble et l’au moins une cellule de commutation du deuxième ensemble étant associées par paire de sorte que chaque cellule de commutation du premier ensemble soit associée à une unique cellule de commutation du deuxième ensemble, et chaque cellule de commutation du deuxième ensemble soit associée à une unique cellule de commutation du premier ensemble,
le dispositif de commande étant agencé et/ou programmé pour envoyer aux interrupteurs des cellules de commutation un signal agencé pour faire basculer les interrupteurs entre leur état passant et leur état bloquant à une même fréquence de découpage pour tous les interrupteurs de sorte que, pour chaque paire de cellule de commutation, le premier interrupteur de la cellule de commutation du premier ensemble de la paire est bloquant quand le premier interrupteur de la cellule de commutation du deuxième ensemble de la paire est passant et le premier interrupteur de la cellule de commutation du premier ensemble de la paire est passant quand le premier interrupteur de la cellule de commutation du deuxième ensemble de la paire est bloquant.
Les cellules de commutation du premier ensemble et du deuxième ensemble peuvent former à elle deux, une structure de hacheur quatre quadrants.
Les deux ensembles peuvent être montés en parallèle entre les bornes d’entrée et les bornes de sortie :
le premier ensemble comprenant un convertisseur principal, chaque cellule de commutation du premier ensemble étant une cellule de commutation du convertisseur principal le deuxième ensemble comprenant un compensateur actif à découpage, chaque cellule de commutation du deuxième ensemble étant une cellule de commutation du compensateur actif à découpage.
La ou les cellule(s) de commutation du convertisseur principal peuvent avoir une structure identique à la structure de la ou des cellule(s) de commutation du compensateur.
La ou les cellule(s) de commutation du convertisseur principal peuvent avoir une structure de hacheur série et la ou les cellule(s) de commutation du compensateur peuvent avoir une structure de hacheur série.
La ou les cellule(s) de commutation du convertisseur principal peuvent avoir une structure de hacheur deux quadrants et la ou les cellule(s) de commutation du compensateur peuvent avoir une structure de hacheur deux quadrants.
La ou les cellule(s) de commutation du convertisseur principal peuvent avoir une structure de hacheur quatre quadrants et la ou les cellule(s) de commutation du compensateur peuvent avoir une structure de hacheur quatre quadrants.
La ou les cellule(s) de commutation du convertisseur principal peuvent avoir une structure de « hacheur élévateur » (ou « Boost » en anglais) et la ou les cellule(s) de commutation du compensateur peuvent avoir une structure de « hacheur élévateur ».
La ou les cellule(s) de commutation du convertisseur principal peuvent avoir une structure de « hacheur à accumulation inductive » (ou « Buck-Boost » en anglais) et la ou les cellule(s) de commutation du compensateur peuvent avoir une structure de « hacheur à accumulation inductive ».
Par ailleurs, un tel dispositif ne permet pas d’alterner l’application de froid et de chaud sur l’épiderme de l’utilisateur.
Il existe ainsi un besoin pour perfectionner les dispositifs et procédés capables d’alterner une sensation de froid ou de chaud sur une surface d’application d’un produit cosmétique, notamment l’épiderme de l’utilisateur.
L’invention a pour objet un procédé d’application alternée de chaud et de froid sur une surface d’application, notamment l’épiderme d’un utilisateur, à l’aide d’un dispositif d’application alternée de chaud et de froid comprenant un premier embout et un deuxième embout, lesdits embouts étant disposés à une extrémité du dispositif, et orientés d’un angle inférieur ou égal à 90° l’un de l’autre.
- on applique une température chaude comprise entre 35°C et 48°C, de préférence entre 38°C et 45°C, sur la surface d’application par le premier embout pendant une durée comprise entre 2min et 6min, par exemple égale à 5min, par exemple, égale à 3min, - on procède au pivotement du dispositif d’application d’au maximum un quart de tour, pendant une durée inférieure ou égale à 5 secondes, de préférence inférieure ou égale à 2 secondes, voire inférieure ou égale à 1 seconde et
- on applique, de manière immédiate au pivotement, une température froide comprise entre 0°C et 15°C, de préférence entre 4°C et 12°C, de préférence entre 7°C et 9°C, sur la surface d’application par le deuxième embout pendant une durée comprise entre 2min et 6min, par exemple égale à 4min, par exemple, égale à 3min.
De manière générale, les deux embouts sont agencés de manière à permettre le passage d’une application de chaud à une application de froid et vice versa par un mouvement simple et rapide de l’utilisateur, ici un quart de tour du dispositif.
La température dite « chaude » permet d’ouvrir les pores de l’épiderme et d’améliorer la pénétration du produit à l’intérieur desdits pores, tandis que la température dire « froide » permet de refermer les pores et d’améliorer la régularité de l’état de surface de l’épiderme.
Le module de génération de froid ou de chaud peut être, par exemple à effet Peltier, par une résistance thermique ou par tout autre moyen capable de générer du chaud ou du froid.
L’effet Peltier est connu et ne sera pas davantage décrit.
Les embouts d’application de chaud ou de froid sont, par exemple, réalisés en matériau métallique, tel que par exemple du cuivre, de l’acier inoxydable, de l’aluminium ou encore du Zamak, ou en céramique, ou en matière plastique chargée de particules métalliques, ou tout autre matériau capable de transmettre des calories.
Avantageusement, avant d’appliquer une température sur la surface d’application, on sélectionne une sensibilité de la surface d’application entre au moins une première sensibilité dite « élevée » et une deuxième sensibilité dite « faible ». On pourrait prévoir d’autres types de sensibilité, par exemple une sensibilité intermédiaire, et on sélectionne un mode de traitement choisi dans un groupe comprenant au moins un premier mode et un deuxième mode.
Avantageusement, la sélection de la sensibilité de la surface d’application est réalisée manuellement par l’utilisateur ou automatiquement par une unité de commande électronique du dispositif d’application configurée pour récupérer des données provenant des organes d’acquisition de données physiques de l’épiderme de l’utilisateur et analyser l’état de la surface d’application, par exemple, la sensibilité ou l’état des pores de l’épiderme de l’utilisateur.
Par exemple, la durée d’application de chaud et/ou de froid est déterminée par le mode de traitement choisi et/ou par l’unité de commande électronique en fonction de l’état de la surface d’application analysée.
La durée d’application de chaud peut ainsi être ajustée en fonction de l’état de surface de l’épiderme de l’utilisateur.
Lors de la sélection de la deuxième sensibilité, la température délivrée par le premier embout est, par exemple, inférieure à 2°C par rapport à la température délivrée lors de la sélection de la première sensibilité.
Groupes Temps Moyenne ± Erreur standard Stats Intra-groupe T2 vs. T1 Stats Inter-groupes Eduqué vs contrôle Ratio nmol TT 64PP/ µmol créatinine (x10 4 ) Eduqué T1 0,17 ± 0,04 - P=0,0500 T2 0,20 ± 0,03 - T2-T1 0,03 ± 0,05 P=0,1267 Contrôle T1 0,11 ± 0,02 - T2 0,30 ± 0,04 - T2-T1 0,19 ± 0,04 P=0,0001
Dans le groupe contrôle, la concentration du photoproduit TT 64PP normalisée par la concentration de créatinine est significativement augmentée entre les 2 visites (P=0,0001), on retrouve pratiquement trois fois plus de TT 64PP lors de la visite 2. Dans le groupe éduqué, aucune augmentation n’est observée entre les 2 visites (P=0,1267). Ainsi une forte tendance à la limite de la significativité (p=0,05) est mise en évidence entre ces deux groupes, l’application chronique de la Formule A permet de réduire notablement la quantité de ce photoproduit.
Tableau 6 : concentration de TT CPD (nmol/L) normalisé par la concentration de créatinine
Groupes Temps Moyenne ± Erreur standard Stats Intra-groupe T2 vs. T1 Stats Inter-groupes Eduqué vs contrôle Ratio nmol TT CPD/ µmol créatinine (x10 4 ) Eduqué T1 1,01 ± 0,37 - P=0,0234 T2 2,01 ± 0,60 - T2-T1 0,99 ± 0,62 P=0,4521 Contrôle T1 0,79 ± 0,42 - T2 6,92 ± 1,78 - T2-T1 6,13 ± 1 , 85 P=0,000 3
Les résultats avec le photoproduit TT CPD sont particulièrement intéressants. Dans le groupe contrôle, la teneur en TT CPD augmente dramatiquement entre les deux visites, dans le groupe éduqué, seule une tendance est observée. Il en résulte une différence statistiquement significative entre les deux groupes.
Les inventeurs démontrent qu’une simple analyse d’urine permet de mettre en évidence, l’efficacité d’un agent photoprotecteur. Il est intéressant de noter que la différence entre les deux groupes de volontaires est plus marquée pour les marqueurs urinaires que pour la mesure directe des dommages dans l’ADN de bulles de succion.
FER A FILETER L'invention a trait à un fer à fileter. Un tel fer est utilisé dans le domaine de la maroquinerie pour réaliser des lignes décoratives, désignées couramment par le terme de filets, dans le cuir. Le filet est obtenu par pression et marquage à chaud de l’extrémité chaude du fer à fileter sur le cuir. L’extrémité du fer à fileter est couramment désignée par le terme de panne. La panne permet de réaliser un filet en creux dans le cuir, par chauffage et déformation de la matière. Par la suite, les termes fer, panne et filet seront préférentiellement employés. Il est possible d’utiliser un fer à fileter pour faire du lissage à chaud ou comme coupe-fil mais de telles utilisations, tout à fait réalisables en fonction de la panne équipant le fer, ne sont pas celles initialement prévues.
En fonction de la dimension et/ou de la forme du filet à réaliser, par exemple un filet large, en V, en U, ondulé ou autre, on fixe sur le fer à fileter une panne de forme souhaitée ou on utilise un fer à fileter équipé d’une panne de la forme voulue, cela dans le cas où l’on dispose d’un jeu de fers différents. Néanmoins, quel que soit le type de fer à fileter, il convient de travailler avec un fer chaud et à la température voulue. Actuellement, dans les ateliers de maroquinerie ou de sellerie, le fer à fileter est branché en permanence afin de maintenir la température et d‘éviter un temps de mise en température relativement long. De ce fait, les fers à fileter de l’état de la technique consomment beaucoup d’électricité et ont une durée de vie d’autant plus courte qu’ils chauffent en permanence plusieurs heures par jour. En effet, la mise en température de la panne est obtenue par un fil de résistance chauffant qui a tendance à casser en cas d’utilisation prolongée. De plus, lorsque l’utilisateur souhaite changer de panne, pour réaliser un filet avec une autre configuration, il doit le faire sur un fer froid, donc éventuellement attendre le refroidissement du fer, changer la panne et attendre la mise en chauffe. En variante, cela l’oblige à avoir plusieurs fers à fileter avec des pannes différentes branchés en permanence. Ces différentes contraintes génèrent des pertes de temps et, en termes de consommation d’énergie, sont coûteuses. On connait par FR-A-2 921 671 un support pour un fer à fileter qui assiste l’utilisateur dans le maniement du fer, en assurant une pression constante sur le cuir lors de la réalisation du filet. US-A-2010/0263 412 décrit une machine sur un support fixe ayant une tête de marquage du cuir comportant une aiguille terminée par une boule qui permet de contrôler la profondeur du marquage. US-A-4 127 063 décrit un outil à frapper, pour le marquage du cuir, avec une tête interchangeable. Il existe donc un besoin pour un fer à fileter qui soit aisé à utiliser, avec un temps de mise en température réduit et permettant de réaliser des filets de diverses formes et dimensions tout en optimisant les coûts de production et la mise en œuvre.
C’est à ces besoins que se propose de répondre l’invention en offrant un fer à fileter simple, aisé à utiliser avec différentes pannes et à un coût maitrisé.
A cet effet, l’invention a pour objet un fer à fileter le cuir comprenant un organe de chauffage logé dans un corps principal du fer, une extrémité de marquage à chaud du cuir ou panne étant reliée au corps principal du fer, caractérisé en ce que le corps principal du fer est pourvu d’un organe de chauffage adapté pour chauffer sélectivement une extrémité du corps principal par induction et en ce qu’un organe de liaison amovible entre l’extrémité de marquage à chaud ou panne et l’extrémité du corps principal du fer à fileter est formé par une partie de ladite extrémité du corps principal du fer et par une partie de l’extrémité de marquage à chaud ou panne.
Ainsi, grâce à l’invention on dispose d’un fer à fileter dont on peut aisément changer la panne, le chauffage de cette dernière par induction se faisant à partir d’un organe de chauffage qui ne chauffe que l’extrémité du corps principal. De ce fait, le changement de la panne est d’autant plus aisé que, en absence de chauffage du corps principal du fer à fileter, la panne reste froide ou à faible température, ce qui autorise sa manipulation.
Selon des aspects avantageux mais non obligatoires de l’invention, un tel fer à fileter peut comprendre une ou plusieurs des caractéristiques suivantes :
L’organe de liaison est formé par un logement ménagé dans la base de la panne et adapté pour recevoir de manière amovible, une extrémité libre de forme complémentaire d’une pièce allongée constitutive de l’organe de chauffage par induction du fer à fileter.
L’extrémité de la pièce allongée constitutive de l’organe de chauffage est pourvue d’un contacteur arrêtant le chauffage lorsque la panne est séparée de l’extrémité du fer à fileter.
Un capteur ou un contacteur monté sur le fer à fileter ou sur un support du fer à fileter assure automatiquement la mise en route et l’arrêt du chauffage.
La panne est en bronze avec un traitement de surface anti-usure et évitant le collage de la panne chaude sur le cuir.
la représente une vue en perspective et en coupe d’une portion d’un appareillage électrique de coupure selon l’invention dans une position dite de contact ouvert et comportant un organe de verrouillage dans la position déverrouillée,
la représente une vue en perspective et en coupe d’une portion d’un appareillage électrique de coupure selon l’invention dans une position démontée,
la représente une vue de côté de la portion de l’appareillage électrique de coupure selon l’invention représenté à la ,
la représente une vue en perspective et en coupe d’une portion d’un appareillage électrique de coupure selon l’invention dans une position d’insertion,