INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Comme illustré sur la , au moins une partie des modules d’entraînement 30 et des deuxièmes modules d’espacement amovibles 20 de la deuxième machine de tressage 2000 s’étendent suivant un cercle C 2 de rayon R 2 autour de l’axe A de la deuxième machine de tressage 2000. Plus précisément, au moins une partie des portions d’assemblage 31 des modules d’entraînement 30 sont réparties sur le cercle C 2 de rayon R 2 , c’est-à-dire que les centres des roues à encoches 32 sont répartis sur le cercle C 2 de rayon R 2 . La deuxième machine de tressage 2000 comprend N 2 modules d’entraînement 30 et N 2 deuxièmes modules d’espacement amovibles 20 répartis sur le cercle C 2 de rayon R 2 . Le nombre N 2 de modules d’entraînement 30 de la deuxième machine de tressage 2000 est différent du nombre N 1 de modules d’entraînement 30 de la première machine de tressage 1000, afin de s’adapter à la différence de dimensions de la structure tressée à réaliser.
De préférence, les portions d’assemblage 31 de deux modules d’entraînement 30 successifs de la deuxième machine de tressage 2000 sont espacées d’une distance proche de la distance L d’espacement entre les portions d’assemblage 31 de deux modules d’entraînement 30 successifs de la première machine de tressage 1000. Ainsi, les centres de deux roues à encoches 32 consécutives de la deuxième machine de tressage 2000 peuvent être espacés d’une distance comprise entre 90% et 110% de la distance L d’espacement entre les centres de deux roues à encoches 32 consécutives de la première machine de tressage 1000. Par conséquent, les roues à encoches 32 utilisées dans la première machine de tressage 1000 peuvent être utilisées dans la deuxième machine de tressage 2000 tout en assurant un guidage aisé des fuseaux 3 entre les modules d’entraînement 30.
Pour les mêmes raisons, la distance entre la portion d’assemblage 31 d’un module d’entraînement 30 et le point de croisement des rainures d’un deuxième module d’espacement 20 adjacent est de préférence constante le long du deuxième chemin de guidage 200, c’est-à-dire que la distance entre le centre d’une roue à encoche 32 d’un module d’entraînement 30 et le point de croisement des rainures d’un deuxième module d’espacement 20 adjacent audit module d’entraînement 30 est de préférence constante le long du deuxième chemin de guidage 100. Ladite distance est ainsi de préférence proche de la distance entre la portion d’assemblage 31 d’un module d’entraînement 30 et le point de croisement des rainures d’un premier module d’espacement 10 adjacent, c’est-à-dire proche de la distance entre le centre d’une roue à encoche 32 d’un module d’entraînement 30 et le point de croisement des rainures d’un premier module d’espacement 10 adjacent audit module d’entraînement 30.
Afin de pouvoir réutiliser facilement les roues à encoches 32 de la première machine de tressage 1000 dans la deuxième machine de tressage 2000, l’homme du métier peut suivre certaines règles et approximations pour concevoir la deuxième machine de tressage 2000 à partir de la première machine de tressage 1000. Ainsi, à partir de la première machine de tressage 1000 montée comprenant un nombre N 1 de modules d’entraînement 30 dont les centres des roues à encoches 32 sont montés sur un cercle de rayon R 1 , et dans l’objectif de réaliser le montage d’une deuxième machine de tressage 2000 comprenant un nombre N 2 de modules d’entraînement 30, l’homme du métier pourra estimer que les portions d’assemblage centrales desdits N 2 modules d’entraînement 30 doivent être réparties sur un cercle de rayon R 2 dont la valeur est estimée par l’expression :
Ainsi, selon un exemple, la valeur du rayon R 2 du cercle C 2 sur lequel sont répartis les N 2 modules d’entraînement 30 de la deuxième machine de tressage 2000 peut correspondre à entre 90% et 110% de la valeur de l’expression précédente.
La transformation de la première machine de tressage 1000 ayant une première taille en deuxième machine de tressage 2000 ayant une deuxième taille différente de la première taille est réalisée en démontant la première machine de tressage 1000 de sorte à séparer les modules d’entraînement 30 et les premiers modules d’espacement 10. Les premiers modules d’espacement 10 sont mis de côté. Ensuite, tout ou partie des modules d’entraînement 30 sont montés avec les deuxièmes modules d’espacement 20 de sorte à définir le deuxième chemin de guidage 200 et obtenir la deuxième machine de tressage 2000 de taille différente. Des modules d’entraînement 30 supplémentaires n’appartenant pas à la première machine de tressage 1000 peuvent être utilisés pour la réalisation de la deuxième machine de tressage 2000 lorsque celle-ci a une taille plus importante.
On ne sort bien entendu pas du cadre de l’invention si l’ensemble pour la fabrication de structures tressées de taille variable comprend également des troisièmes modules d’espacement aptes à être assemblés de manière amovible avec tout ou partie des modules d’entraînement 30 en intercalant un troisième module d’espacement entre deux modules d’entraînement 30 consécutifs de sorte à définir un troisième chemin de guidage différent des premier et deuxième chemins de guidage 100 et 200 sur lequel les fuseaux 3 d’alimentation en fil sont mobiles afin de participer au tressage, et de sorte à espacer deux modules d’entraînement 30 consécutifs d’un troisième espacement angulaire différent des premier et deuxième espacements angulaires, l’assemblage des troisièmes modules d’espacement et des modules d’entraînement 30 étant configuré pour obtenir une machine de tressage ayant une troisième taille différente des première et deuxième tailles de machine de tressage. De la même façon, l’ensemble pour la fabrication de structures tressées de taille variable peut comprendre d’autres pluralités de modules d’espacement permettant chacune de réaliser des machines de tressage ayant une taille différente.
Plus particulièrement, dans un tel procédé, le système 140 est mis en œuvre pour la génération d’un signal comprenant au moins un chirp parmi M chirps, un s-ème chirp parmi lesdits M chirps étant associé à un symbole de modulation de rang s d’une constellation de M symboles, s étant un entier de 0 à M-1. Le s-ème chirp résulte d’une modulation d’un chirp de base dont une fréquence instantanée varie entre une première fréquence instantanée et une deuxième fréquence instantanée pendant un temps symbole T, comme décrit ci-dessus en relation avec les , et . La modulation correspond ainsi, pour le symbole de modulation de rang s, à une permutation circulaire du motif de variation de la fréquence instantanée sur le temps symbole T, obtenue par un décalage temporel de s fois une durée temporelle élémentaire Tc, telle que M*Tc=T.
Plus particulièrement encore, le mode de réalisation de la correspond à la mise en œuvre du système 140 selon le mode de réalisation représenté sur la .
Ainsi, lors d’une étape E600 , la première capacité C1 de la première source 310 est chargée à la première tension prédéterminée V1sta (cas de la ). Par exemple :
- dans un premier temps, la résistance Z est isolée électriquement de la première capacité C1, e.g. via l’ouverture de l’interrupteur 310s3. La première capacité C1 est déconnectée de la première sortie d’alimentation, e.g. via l’ouverture de l’interrupteur 310s2, et est connectée électriquement à l’alimentation électrique, e.g. via la fermeture de l’interrupteur 310s1, pour être chargée sous une tension égale à la deuxième tension prédéterminée Vbias ; puis
- dans un deuxième temps, si la première tension prédéterminée V1sta est inférieure à la deuxième tension prédéterminée Vbias (cas de la ), la première capacité C1 est déconnectée de la première sortie d’alimentation, e.g. via l’ouverture de l’interrupteur 310s2, et est déconnectée de l’alimentation électrique, e.g. via l’ouverture de l’interrupteur 310s1. La résistance Z est mise en parallèle de la première capacité C1, e.g. via la fermeture de l’interrupteur 310s3, pendant une durée prédéterminée pour réduire la tension aux bornes de la première capacité C1 depuis la deuxième tension prédéterminée Vbias jusqu’à la première tension prédéterminée V1sta ; puis
- dans un troisième temps, la résistance Z est isolée électriquement de la première capacité C1, e.g. via l’ouverture de l’interrupteur 310s3, la première capacité C1 étant toujours déconnectée de l’alimentation électrique, e.g. via l’ouverture de l’interrupteur 310s1.
De retour à la , lors d’une étape E610 , la première sortie d’alimentation de la première source de tension 310 est connectée à l’entrée de contrôle du VCO 300 pendant une première durée sensiblement égale à s fois la durée temporelle élémentaire Tc pour moduler la fréquence instantanée du VCO 300 en fonction de la première tension V1. Par exemple, la première capacité C1 est connectée électriquement à la première sortie d’alimentation, e.g. via la fermeture de l’interrupteur 310s2, pour fournir la première tension V1 à l’entrée de contrôle du VCO 300 pendant la durée s*Tc. Plus particulièrement, la première tension V1 décroit sensiblement linéairement depuis la première tension prédéterminée V1sta jusqu’à une première tension finale V1sto pendant la durée s*Tc (cas de la ). Ainsi, une première portion d’un chirp est générée pendant la durée s*Tc ( ).
A contrario, selon certaines implémentations, lorsque s est nul, l’étape E610 n’est pas mise en œuvre. De même, selon certaines implémentations, lorsque s est nul, l’étape E600 n’est pas mise en œuvre non plus.
De retour à la , lors d’une étape E620 , la deuxième capacité C2 de la deuxième source 320 est chargée à la deuxième tension prédéterminée Vbias (cas de la ). Par exemple, la deuxième capacité C2 est déconnectée de la deuxième sortie d’alimentation, e.g. via l’ouverture de l’interrupteur 320s2, et est connectée à l’alimentation électrique, e.g. via la fermeture de l’interrupteur 320s1, pour être chargée sous une tension égale à la deuxième tension prédéterminée Vbias.
De retour à la , lors d’une étape E630 , la deuxième sortie d’alimentation de la deuxième source de tension 320 est déconnectée de l’alimentation électrique, e.g. via l’ouverture de l’interrupteur 320s1, et est connectée électriquement à l’entrée de contrôle du VCO 300 pendant une deuxième durée sensiblement égale à (M-1-s) fois la durée temporelle élémentaire Tc pour moduler la fréquence instantanée du VCO 300 en fonction de la deuxième tension. Par exemple, la deuxième capacité C2 est connectée à la deuxième sortie d’alimentation, e.g. via la fermeture de l’interrupteur 320s2, pour fournir la deuxième tension V2 à l’entrée de contrôle du VCO 300 pendant la durée (M-1-s)*Tc. Plus particulièrement, la deuxième tension V2 décroit sensiblement linéairement depuis la tension V2sta, égale à la deuxième tension prédéterminée Vbias, jusqu’à la deuxième tension finale V2sto pendant la durée (M-1-s)*Tc (cas de la ). Ainsi, une deuxième portion du chirp est générée pendant la durée (M-1-s)*Tc ( ).
Par ailleurs, la première tension prédéterminée V1sta de la première source est configurée pour être sensiblement égale à la valeur de la deuxième tension V2sto à la fin de la deuxième durée (M-1-s)*Tc. De la sorte, la fréquence instantanée à la fin du chirp est effectivement identique à celle au début du chirp ( ).
Dans certains modes de réalisation discutés ci-dessus en relation avec la dans lesquels la première source de tension 310 et/ou la deuxième source de tension 320 sont implémentées avec d’autres types de moyens que des capacités C1, C2 (e.g. par mise en œuvre de DAC), les étapes respectives E600 et/ou E620 de charge desdites capacités ne sont pas mises en œuvre.
Par ailleurs, dans certains modes de réalisation, la fréquence instantanée du VCO 300 varie sensiblement linéairement selon une première pente et selon une deuxième pente sur deux plages de tensions de commandes disjointes. Il s’agit par exemple du mode de réalisation des et . Dans ce cas, lorsque s est égal à M-1, la première tension prédéterminée V1sta peut être choisie soit dans la plage de tension comprise entre la tension minimale prédéterminée Vbias et la première tension intermédiaire Vi1, soit dans la plage de tension comprise entre deuxième tension intermédiaire Vi2 et la deuxième tension prédéterminée Vbias. Ainsi, des chirps de base (ou chirps bruts) présentant des pentes de fréquences instantanées opposées peuvent être obtenus.
Dans certains modes de réalisation évoqués ci-dessus en relation avec la , le système 140 comprend une pluralité de couples de sources de tensions 310, 320. Plus particulièrement, chaque couple de sources de tensions comprend une première source de tension 310 (selon l’un quelconque des modes de réalisation décrits précédemment) et une deuxième source de tension 320 (selon l’un quelconque des modes de réalisation décrits précédemment). Dans certains de ces modes de réalisation, les couples de sources de tensions 310, 320 de la pluralité sont mis en œuvre successivement pour alimenter l’entrée de contrôle du VCO 300 sur des portions temporelles de durée T successives afin de générer une pluralité de chirps correspondants.
Alternativement, deux couples de sources de tensions 310, 320 de la pluralité peuvent être mis en œuvre successivement et périodiquement pour alimenter l’entrée de contrôle du VCO 300 lors de portions temporelles de durée T successives afin de générer une pluralité de chirps correspondants. Par exemple, lorsque les couples de sources de tensions 310, 320 implémentent des sources de tensions correspondant au mode de réalisation de la , les sources de tensions 310, 320 d’un premier couple peuvent être chargées (étapes E600 et E620) pendant que les sources de tensions 310, 320 d’un deuxième couple sont connectées à l’entrée de contrôle du VCO 300 (étapes E610 et E630). En alternant charge et connexion des sources de tensions des deux couples, on peut ainsi générer des chirps sur des portions temporelles de durée T successives.
Système récepteur d’énergie électrique, dispositif de transfert d’énergie électrique et véhicule volant équipés dudit système récepteur d’énergie électrique La présente demande se rapporte à un système récepteur d’énergie électrique, à un dispositif de transfert d’énergie électrique par induction comprenant un tel système récepteur d’énergie électrique, ainsi qu’à un véhicule volant pourvu de batteries rechargeables et équipé dudit système récepteur d’énergie électrique.
L’invention concerne aussi un procédé de fabrication d’un dispositif optoélectronique.
Etat de la technique Un dispositif optoélectronique est un dispositif configuré pour effectuer une conversion d’un signal électrique en un rayonnement électromagnétique, comme par exemple un rayonnement lumineux. Il existe dans l’état de la technique, des dispositifs optoélectroniques comprenant des diodes électroluminescentes, également connues sous l’acronyme LED pour « light-emitting diode » selon la terminologie anglo-saxonne consacrée, formées sur un substrat.
De manière générale, chaque diode électroluminescente comprend un matériau actif exploitant ou non des puits quantiques, une portion semiconductrice dopée selon un premier type de dopage, par exemple dopée P et une portion semiconductrice dopée selon un deuxième type de dopage, par exemple dopée N.
Chaque diode électroluminescente peut être formée sur la base d’éléments tridimensionnels semiconducteurs micrométriques voire nanométriques, eux-mêmes au moins partiellement obtenus par croissance par épitaxie de type dépôt en phase vapeur d’organométalliques (MOCVD) ou de type épitaxie par jets moléculaires (MBE) ou de type épitaxie en Phase vapeur aux Hydrures (HVPE). Les diodes électroluminescentes sont typiquement formées à base d’un matériau semiconducteur comprenant par exemple des éléments de la colonne III et de la colonne V du tableau périodique, tel qu’un composé III-V, notamment le nitrure de gallium (GaN), le nitrure d’indium et de gallium (InGaN) ou le nitrure d’aluminium et de gallium (AlGaN).
Il existe des dispositifs optoélectroniques comportant une matrice de diodes électroluminescentes présentant une certaine surface d’émission au travers de laquelle est transmis le rayonnement lumineux émis par les diodes électroluminescentes. De tels dispositifs optoélectroniques peuvent notamment être utilisés dans la constitution d’écrans d’affichage ou de systèmes de projection d’images, où la matrice de diodes électroluminescentes définit en fait une matrice de pixels lumineux où chaque pixel comporte traditionnellement au moins un sous-pixel pour générer chaque couleur, chaque sous-pixel contenant lui-même au moins une diode électroluminescente.
Une des difficultés liée à l’augmentation de la définition des écrans est de parvenir à ce que le rayonnement lumineux émis par les diodes électroluminescentes tridimensionnelles d’un sous-pixel ne se mélange pas avec le rayonnement lumineux émis par les diodes électroluminescentes d’un sous-pixel adjacent afin d’améliorer les contrastes. Or, cette problématique s’avère de plus en plus difficile à résoudre compte tenu de la miniaturisation croissante des diodes électroluminescentes.
Par ailleurs, lorsque la définition des écrans augmente, les dimensions entre les diodes électroluminescentes et les dimensions de chaque sous-pixel deviennent micrométriques, voire nanométriques. L’’emploi de diodes électroluminescentes tridimensionnelles devient alors inéluctable avec des dimensions de diodes électroluminescentes tridimensionnelles toujours plus petites. Or, l’intensité lumineuse émise par les diodes électroluminescentes tridimensionnelles nanométriques décroît drastiquement à mesure que la taille des diodes électroluminescentes tridimensionnelles se réduit.
Cette difficulté peut notamment être causée par la présence de défauts cristallins, générés lors de la fabrication de la diode électroluminescente. Il est d’ailleurs fréquent de constater ces défauts cristallins à la base de la diode électroluminescente en particulier pour des diodes électroluminescentes ayant une forme de fil ou de pyramide. Ces défauts cristallins peuvent générer des dislocations dans la structure cristalline qui conduisent à terme, à la dégradation des puits quantiques existants. Il en ressort des recombinaisons non-radiatives non désirées, entraînant ainsi une chute de l’efficacité lumineuse et du rendement global. En effet, il a été constaté que la présence de dégradations au niveau de la base d’une diode électroluminescente ayant une forme de fil ou de pyramide affectait l’efficacité quantique interne (IQE) de cette diode électroluminescente.
La présente invention a pour but de proposer une solution qui réponde à tout ou partie des problèmes précités. En particulier, la présente invention a pour but d’améliorer le rendement d’injection, et le rendement quantique interne des diodes électroluminescentes.
Ce but peut être atteint grâce à la mise en œuvre d’une diode électroluminescente pour dispositif optoélectronique, la diode électroluminescente présentant une forme tridimensionnelle et comprenant une hauteur s’étendant selon une première direction entre une partie proximale et une partie distale opposée à ladite partie proximale le long de ladite première direction, ladite diode électroluminescente comprenant :
un noyau semiconducteur dopé selon un premier type de conductivité ; une coque semiconductrice dopée selon un deuxième type de conductivité opposé au premier type de conductivité, ladite coque semiconductrice recouvrant au moins partiellement ledit noyau semiconducteur ;
la diode électroluminescente comprenant une portion implantée s’étendant sur une hauteur implantée comptée suivant la première direction, ladite hauteur implantée étant strictement inférieure à la hauteur de la diode, ladite portion implantée étant disposée entre la partie distale et la partie proximale et étant disjointe de la partie distale, de sorte que la portion implantée délimite au sein de la coque semiconductrice au moins une portion passivée disjointe de la partie distale de la diode électroluminescente, la coque semiconductrice comprenant au moins une portion active délimitée au moins partiellement par ladite au moins une portion passivée, ladite au moins une portion passivée ayant une conductivité strictement inférieure à une conductivité de ladite au moins une portion active.
Les dispositions précédemment décrites permettent de proposer une diode électroluminescente comprenant une portion implantée ayant une conductivité diminuée localement. La forme tridimensionnelle de la diode électroluminescente permet en outre de définir plus simplement une portion implantée dans laquelle la conductivité est diminuée.
La diode électroluminescente peut en outre présenter une ou plusieurs des caractéristiques suivantes, prises seules ou en combinaison.
De manière générale, la partie proximale correspond à la partie de la diode électroluminescente dirigée vers le substrat de croissance à partir duquel les portions de la diode électroluminescente ont crû. Par exemple, la partie proximale peut correspondre à la base de croissance du noyau semiconducteur. Cette partie proximale comporte typiquement une proportion de défaut cristallin plus importante que la partie distale.
Suivant encore un autre aspect de l'invention, il est proposé une chambre d’inversion, comprenant :
une entrée agencée pour qu’un flux d’une solution à l’état liquide comprenant : un premier type de spins nucléaires ayant un premier rapport gyromagnétique et hyperpolarisés et un deuxième type de spins nucléaires ayant un deuxième rapport gyromagnétique,
entre dans la chambre par cette entrée;
- une sortie agencée pour que le flux de solution sorte de la chambre par cette sortie
l’entrée et la sortie étant agencées pour que cette solution s’écoule selon le flux de solution dans un conduit dont une portion appelée portion d’inversion traverse la chambre d’inversion ;
la chambre comprenant en outre :
de préférence un écran magnétique entourant la portion d’inversion de manière à isoler la portion d’inversion des champs magnétiques ambiants autour de l’écran magnétique; au moins un moyen d’aimantation (de préférence situé au moins en partie à l’intérieur de l’écran magnétique), dit au moins un moyen d’aimantation interne, agencé pour créer un champ magnétique d’inversion dont la principale composante est selon une direction Z et s’inverse en parcourant l’intérieur de la portion d’inversion de manière à transférer, au sein de la portion d’inversion, l’hyperpolarisation du premier type de spins nucléaires vers le deuxième type de spins nucléaires lors de l’écoulement du flux de solution avec une vitesse non nulle dans la portion d’inversion de l’entrée de la chambre jusqu’à la sortie de la chambre.
- peut être agencé pour produire un champ magnétique constant dans le temps et opposé au champ de l’autre moyen d’aimantation interne, de sorte que la somme des champs de ces deux moyens d’aimantations internes s’inverse au sein, de préférence au centre, de la portion d’inversion, et/ou
- peut comprendre ou être un solénoïde interne, l’au moins un moyen d’aimantation interne comprenant ainsi, au moins en partie à l’intérieur de l’écran magnétique, une paire de solénoïdes internes, avec de préférence :
la chambre pouvant comprendre en outre une alimentation agencée pour alimenter les deux solénoïdes internes par des courants de sens de rotation opposés, et/ou les champs de fuite des deux solénoïdes internes qui s’opposent.
L’au moins un moyen d’aimantation interne peut comprendre, au moins en partie à l’intérieur de l’écran magnétique, plusieurs solénoïdes internes, entourant au moins en partie la portion d’inversion et reliés par des ponts diviseurs de courant, les solénoïdes internes étant séparés en deux ensembles de solénoïdes internes, la chambre comprenant en outre une alimentation agencée pour alimenter les deux ensembles de solénoïdes internes :
- par des courants de sens de rotation opposés, et/ou
- de sorte que les champs de fuite des deux ensembles de solénoïdes internes s’opposent.