Dispositif quantique (100) à qubits de semi-conducteur, comportant au moins : - une couche (104) d’un premier semi-conducteur disposée sur une couche (106) d’un deuxième semi-conducteur dont l’énergie de bande interdite est différente de celle du premier semi-conducteur, telle que l’une des couches (104, 106) forme une barrière de potentiel de confinement vis-à-vis d’électrons ou de trous destinés à être localisés dans des régions de confinement formées dans l’autre couche (104, 106) ; - des cavités (108) formées à travers une partie seulement de l’épaisseur de la couche (104) du premier semi-conducteur, - des grilles de commande (110) électriquement conductrices, chacune disposée au moins en partie dans l’une des cavités (108). Dispositif quantique (100) selon la revendication 1, dans lequel chacune des grilles de commande (110) comporte au moins un matériau métallique. Dispositif quantique (100) selon l’une des revendications précédentes, dans lequel : - le semi-conducteur de ladite une des couches (104, 106) formant la barrière de potentiel de confinement est de l’AlGaAs et le semi-conducteur de ladite autre couche (104, 106) est du GaAs, ou - le semi-conducteur de ladite une des couches (104, 106) formant la barrière de potentiel de confinement est du SiGe et le semi-conducteur de ladite autre couche (104, 106) est du Si ou du Ge. Dispositif quantique (100) selon l’une des revendications 1 ou 2, comportant en outre une couche (114) d’un troisième semi-conducteur telle que la couche (106) du deuxième semi-conducteur soit disposée entre les couches (104, 114) des premier et troisième semi-conducteurs, et dans lequel l’énergie de bande interdite du deuxième semi-conducteur est inférieure à celles des premier et troisième semi-conducteurs tel que les couches (104, 114) des premier et troisième semi-conducteurs forment des barrières de potentiel de confinement vis-à-vis d’électrons ou de trous destinés à être localisés dans les régions de confinement formées dans la couche (106) du deuxième semi-conducteur. Dispositif quantique (100) selon la revendication 4, dans lequel : - les premier et troisième semi-conducteurs sont du SiGe et le deuxième semi-conducteur est du Si ou du Ge, ou - les premier et troisième semi-conducteurs sont du AlGaAs et le deuxième semi-conducteur est du GaAs. Dispositif quantique (100) selon l’une des revendications précédentes, dans lequel l’épaisseur de la couche (106) du deuxième semi-conducteur est comprise entre 5 nm et 50 nm et avantageusement entre 10 nm et 20 nm, et/ou dans lequel l’épaisseur de la couche (104) du premier semi-conducteur est comprise entre 5 nm et 200 nm et avantageusement entre 10 nm et 100 nm, et/ou dans lequel l’épaisseur d’une partie de la couche (104) du premier semi-conducteur disposée sous les cavités (108) est inférieure à l’épaisseur de la couche (104) du premier semi-conducteur et comprise entre 5 nm et 100 nm et avantageusement entre 5 et 30 nm. Dispositif quantique (100) selon l’une des revendications précédentes, comportant en outre au moins une couche (112) de matériau diélectrique disposée au moins entre des parois de chacune des cavités (108) et chacune des grilles de commande (110). Dispositif quantique (100) selon la revendication 7, dans lequel la couche (112) de matériau diélectrique a une épaisseur inférieure ou égale à 20 nm et avantageusement inférieure ou égale à 10nm. Dispositif quantique (100) selon l’une des revendications précédentes, dans lequel les qubits sont agencés en formant une matrice de qubits. Procédé de réalisation d’un dispositif quantique (100) à qubits de semi-conducteur, comportant au moins : - réalisation d’une couche (104) d’un premier semi-conducteur sur une couche (106) d’un deuxième semi-conducteur dont l’énergie de bande interdite est différente de celle du premier semi-conducteur, telle que l’une des couches (104, 106) forme une barrière de potentiel de confinement vis-à-vis d’électrons ou de trous destinés à être localisés dans des régions de confinement formées dans l’autre couche (104, 106) ; - réalisation de cavités (108) à travers une partie de l’épaisseur de la couche (104) du premier semi-conducteur ; - réalisation de grilles de commande (110) électriquement conductrices, chacune disposée au moins en partie dans l’une des cavités (108).