INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Ainsi, on choisira avantageusement l’épaisseur de la couche barrière en nitrure de silicium 5 pour qu’elle présente une épaisseur comprise entre 20% et 30% de l’épaisseur de la couche intercalaire diélectrique. C’est notamment le cas lorsque le reste de la couche intercalaire est formée d’oxyde de silicium ou d’oxynitrure de silicium avec un ratio azote/oxygène inférieur à 0,5 et/ou que cette couche intercalaire 3 présente une épaisseur supérieure à 100nm. Avec un tel choix, on peut limiter la déformation d’une structure 1 se présentant sous la forme d’une plaquette de forme circulaire, et un diamètre supérieur ou égal à 150mm, à moins de 60 microns. Pour une structure 1 se présentant sous la forme d’une plaquette circulaire de diamètre égale à 200 mm, la déformation peut être limitée à moins de 100 microns.
On notera que cette approche visant à ajuster l’épaisseur de la couche barrière 5 pour limiter la déformation de la structure 1 est particulièrement intéressante à exploiter lorsque la couche diélectrique intercalaire 3 est relativement épaisse, supérieure à 200nm. Dans un tel cas, les contraintes se développant dans la structure 1 peuvent être relativement importantes, et il devient intéressant de les compenser pour éviter la déformation excessive de la structure. On note également, que cette déformation est d’autant plus importante que la dimension de la structure est importante, par exemple le diamètre de la plaquette lorsque la structure prend la forme d’une plaquette circulaire.
Dans d’autre cas, notamment lorsque la couche diélectrique intercalaire 3 est relativement peu épaisse, par exemple inférieure à 200nm, on peut souhaiter limiter la contrainte apportée en tension par la couche barrière en nitrure de silicium 5. A cet effet, on peut prévoir de former cette couche barrière 5 d’un nitrure non stœchiométrique, enrichi en Si par rapport à un nitrure de silicium stœchiométrique, de sorte à faire chuter sa tension. Ce type de nitrure voit son indice dépasser 2.02 à 633nm, tendant vers 2,1, 2,2 voire même 2,3.
Très généralement, et en référence à la , la structure 1 peut être réalisée par un procédé de fabrication comprenant :
la fourniture du support 2 comprenant une couche de piégeage de charges électriques 2b disposée superficiellement; la formation de la première couche diélectrique 31 sur une face dite « principale » du support 2 ; la formation de la couche barrière en nitrure de silicium 5 sur et en contact avec la première couche diélectrique 31 ; la formation de la deuxième couche diélectrique 32 sur et en contact avec la couche barrière 5 ; l’assemblage de la face principale du support et une face principale d’un substrat donneur afin de constituer une structure intermédiaire; l’élimination d’une partie du substrat donneur de la structure intermédiaire pour définir la couche mince 4 sur le support 2.
Ainsi, la première couche diélectrique 31, la couche barrière 5, la deuxième couche diélectrique 32 sont réalisées successivement sur le support 2. Comme on l’a précisé précédemment, l’épaisseur et/ou la stœchiométrie de la couche barrière 5 peut être ajustée pour limiter la déformation du support 2 après que celui-ci a reçu l’empilement. De cette manière, on facilite l’étape d’assemblage, car les faces principales du substrat donneur et du support sont planes ce qui favorise leur mise en contact intime.
Par « substrat donneur », on désigne un substrat constitué du matériau de la couche mince 4, ou comprenant une épaisseur superficielle en ce matériau. Ainsi, le substrat donneur peut, à titre d’exemple, être formé d’un substrat massif de silicium monocristallin, d’un substrat massif de tantalate de lithium ou de niobate de lithium, ou encore d’un substrat composite formé d’un premier substrat sur lequel repose une épaisseur (au moins égale à celle de la couche mince 4) de tantalate de lithium ou de niobate de lithium ou autres matériaux à base de Lithium.
Les couches diélectriques composant la couche diélectrique intercalaire 3 peuvent être réalisées par dépôt, par exemple selon une technique LPCVD (acronyme de l’expression anglo-saxonne « Low Pressure Chemical Vapor Deposition » ou dépôt chimique en phase vapeur à pression sous atmosphérique) ou PECVD (acronyme de l’expression anglo-saxonne « Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition » ou dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma). Comme on l’a déjà mentionné, la technique LPCVD peut être préférable en ce qu’elle tend à incorporer une quantité moindre d’hydrogène dans la couche formée que la technique PECVD.
La première couche diélectrique 31 et/ou la deuxième couche diélectrique 32 peuvent être constituées d’oxyde de silicium ou d’oxynitrure de silicium.
Lorsqu’il est réalisé par dépôt d’oxyde de silicium ou d’oxynitrure de silicium, cet empilement de couches peut être réalisé in situ, dans le même équipement de dépôt et sans extraire le support de l’équipement, ce qui forme une possibilité intéressante du point de vue de la cadence de fabrication.
Cette approche « in-situ » est particulièrement intéressante à exploiter lorsque la première couche diélectrique 31 et la deuxième couche diélectrique 32 sont constituées d’oxynitrure de silicium incorporant de l’azote dans un ratio azote/oxygène variable et croissant en direction de la couche barrière en nitrure de silicium 5. On peut maitriser l’incorporation d’azote dans l’équipement pour faire varier sa concentration au fur et à mesure de l’élaboration des différentes couches de l’empilement.
Une première couche diélectrique 31 en oxyde de silicium peut être alternativement obtenue par oxydation de la couche de piégeage 2b lorsque celle-ci est en silicium. Un tel traitement peut être mis en œuvre en exposant le support 2 muni de la couche de piégeage 2b dans un four d'oxydation à une température strictement comprise entre 700°C et 1000°C et dans une atmosphère riche en oxygène. Il peut s'agir d'une atmosphère sèche ou humide. Comme cela est bien connu en soi, la durée de cette exposition est choisie selon l'épaisseur désirée de la première couche diélectrique. On préférera généralement limiter la température d’oxydation à 900°C pour éviter tout risque de recristallisation de la couche de piégeage 2b. Dans cette approche, on fait préférablement suivre l'oxydation par une étape de polissage de la surface oxydée afin de faciliter l'assemblage ultérieur du substrat donneur et du substrat support 2.
Le substrat donneur peut être muni, sur sa face principale et avant son assemblage au support 2, d’une couche diélectrique superficielle 41. Comme on l’a déjà énoncé, la présence de cette couche diélectrique superficielle permet de faciliter l’étape suivante d’assemblage entre le substrat donneur et la deuxième couche diélectrique 32 présente sur le support 2.
L’étape d’assemblage est avantageusement mise en œuvre par adhésion moléculaire. Comme cela est bien connu en soi, au cours d’un procédé d’adhésion moléculaire, les surfaces exposées du support 2 (la deuxième couche diélectrique) et du substrat donneur (éventuellement formé de la couche diélectrique superficielle), parfaitement propres, planes et lisses, sont mises en contact intime l’une avec l’autre pour favoriser le développement de liaisons moléculaires, par exemple de type van der Waals ou covalentes. L’assemblage des deux corps est alors obtenu sans utilisation d’un adhésif. Ces liaisons peuvent être renforcées par l’application d’un traitement thermique à la structure intermédiaire.
Que l’élimination d’une partie de l’épaisseur du substrat donneur soit réalisée par amincissement ou par fracture, on peut appliquer à la structure 1 ainsi formée tout type de traitement de finition permettant de conformer la couche mince 4 à des spécifications d’épaisseur, d’uniformité d’épaisseur, de rugosité ou à tout autre type de spécifications.
Le terme « groupe phénol » désigne un quelconque groupe comprenant un cycle aromatique, de préférence un cycle benzénique, comprenant au moins un groupe hydroxyle (OH).
Selon un mode de réalisation particulier de l'invention, le polyphénol X est une épigallocatéchine, en particulier un extrait de thé vert ayant pour nom INCI Green Tea Extract, comprenant notamment au moins 45 % d'épigallocatéchine par rapport au poids total dudit extrait, par exemple, le produit commercialisé sous le nom Dermofeel Phenon 90 M-C® par la société Evonik Nutrition & Care ou le produit commercialisé sous le nom Tea Polyphenols Green Tea Extract® par la société Tayo Green Power.
L'acide tannique sera utilisé plus particulièrement en tant que polyphénol X.
- le fût du moule de second niveau présente le même diamètre que le fût du moule de premier niveau ;
- l’organe d’emboîtement femelle fait saillie radialement par rapport au fût du moule de premier niveau associé pour former une poignée de préhension ;
- l’organe d’emboîtement femelle présente la forme d’une cornière comportant un siège qui s’étend radialement depuis une extrémité libre du tronçon supérieur du fût associé, vers l’extérieur du moule associé, et un rebord qui s’étend axialement depuis une extrémité périphérique dudit siège associé, et l’organe d’emboîtement mâle du moule de second niveau présente la forme d’une collerette qui s’étend radialement autour de l’axe central depuis une extrémité libre du tronçon inférieur du fût associé, jusqu’à un bord périphérique, ladite collerette étant adaptée pour être en appui axial sur ledit siège de la cornière pour assurer une étanchéité entre le moule de premier niveau et le moule de second niveau empilés, et le bord périphérique de ladite collerette étant adapté pour coopérer avec ledit rebord de la cornière pour centrer axialement le moule de premier niveau et le moule de second niveau superposés suivant l’axe central ;
- l’embase, le moule de premier niveau et le moule de second niveau sont des solides de révolution engendrés autour de l’axe central du dispositif ;
- le dispositif comporte une pluralité d’embases interchangeables qui sont chacune d’une hauteur différente. Cette caractéristique permet de réaliser des premières couches dites solides d’épaisseurs différentes ;
- le moule de second niveau est équipé d’un organe d’emboîtement femelle supérieur qui est adapté pour coopérer avec un organe d’emboîtement mâle inférieur complémentaire d’un autre moule de second niveau, dans le but de pouvoir empiler axialement une pluralité de moules de second niveau.
L’invention concerne aussi un procédé pour le moulage d’une préparation culinaire étagée, qui est mis en œuvre au moyen d’un dispositif pour le moulage d’une préparation culinaire étagée qui comporte au moins : une embase présentant une forme de coupelle qui comporte un fond adapté pour supporter la préparation culinaire et une paroi périphérique qui s’étend axialement autour de l’axe central du dispositif, depuis le fond de l’embase, jusqu’à un bord supérieur d’extrémité libre, un moule de premier niveau comprenant un fût qui est délimité par une face intérieure destinée à mouler la préparation culinaire et qui s’étend axialement autour de l’axe central depuis un tronçon inférieur, jusqu’à un tronçon supérieur, ledit tronçon inférieur étant conçu pour être emmanché de façon amovible à l’intérieur de la paroi périphérique de ladite embase, et l’extrémité libre du tronçon supérieur dudit fût étant équipée d’un organe d’emboîtement femelle supérieur qui s’étend autour de l’axe central, un moule de second niveau comprenant un fût qui est délimité par une face intérieure destinée à mouler la préparation culinaire, qui présente le même diamètre que le fût du moule de premier niveau, et qui s’étend axialement autour de l’axe central depuis un tronçon inférieur jusqu’à un tronçon supérieur, et l’extrémité libre du tronçon inférieur étant équipée d’un organe d’emboîtement mâle inférieur qui est adapté pour coopérer avec ledit organe d’emboîtement femelle du moule de premier niveau, le moule de second niveau étant conçu pour être empilé sur le moule de premier niveau dans une position emboîtée de moulage dans laquelle l’organe d’emboîtement mâle du moule de second niveau est reçu dans l’organe d’emboîtement femelle complémentaire du moule de premier niveau, de sorte que le fût du moule de premier niveau s’étend coaxialement au fût du moule de second niveau,
Avantageusement, le procédé selon la présente invention comprend en outre au moins : une étape de montage du moule de premier niveau sur l’embase dans une position dans laquelle le moule de premier niveau est emboîté de façon amovible avec l’embase, une étape de moulage qui consiste à mouler une première couche alimentaire dans l’ensemble formé par le moule de premier niveau et l’embase précédemment emboîtés, une étape de démontage du moule de premier niveau et de l’embase, à la suite de laquelle la première couche alimentaire repose sur l’embase, et une étape de découpage de la première couche alimentaire au moyen d’un outil tranchant qui prend appui sur le bord supérieur d’extrémité libre de la paroi périphérique de l’embase.
Suivant d’autres caractéristiques optionnelles du procédé selon l’invention, prises seules ou en combinaison :
- le procédé comporte une étape de fabrication de la préparation culinaire étagée qui est réalisée à la suite de ladite étape de découpage, et qui comprend au moins une première phase consistant successivement à : monter le moule de premier niveau sur l’embase, déposer une première couche dans l’ensemble formé par le moule de premier niveau et de l’embase, et recouvrir la première couche déposée précédemment par une seconde couche ;
- l’étape de fabrication de la préparation culinaire comprend au moins une seconde phase consistant successivement à : monter le moule de second niveau sur le moule de premier niveau, déposer une autre première couche dans le moule de second niveau, recouvrir ladite première couche déposée précédemment par une seconde couche.
est une vue en perspective de l’embase, du moule de premier niveau et des deux moules de second niveau du dispositif selon l’invention, en position emboîtée de moulage ;
est une vue éclatée en perspective du dispositif de la ;
est une vue en section axiale du dispositif de la à l’intérieur duquel une préparation culinaire est montée ;
est une vue de détail en section axiale d’une partie du dispositif de la ;
Le document EP3225548 divulgue une coque d’intimité de siège d’avion comportant un panneau latéral escamotable. Une telle configuration repose sur une cinématique de déplacement complexe basée sur l’utilisation d’une bielle articulée induisant des mouvements combinés de translation et de rotation. En outre, ce système nécessite de déplacer l’ensemble du panneau latéral pour avoir accès au siège.
L'invention vise à remédier efficacement à ces inconvénients en proposant une unité de siège pour une cabine de véhicule comportant:
- un siège comportant une assise et un dossier, ledit siège étant mobile entre une position assise et une position allongée, et
- une coque d'intimité s'étendant au moins en partie autour du siège,
- la coque d'intimité comportant un panneau arrière et un panneau latéral s’étendant suivant un côté du siège,
- ledit panneau latéral comporte une partie fixe et une partie mobile,
- ladite partie mobile du panneau latéral étant mobile par rapport à la partie fixe entre :
- une position rétractée dans laquelle la partie mobile délimite avec la partie fixe et le panneau arrière un espace semi-clos autour du siège pour conférer une intimité au passager, et
- une position déployée dans laquelle la partie mobile de la coque d'intimité est éloignée par rapport au siège de façon à dégager un espace d'accès audit siège.
L’invention permet ainsi, grâce à la partie mobile de la coque d'intimité, d'augmenter la dimension d’accès au siège pour des configurations à pitch court de façon à faciliter l’installation sur le siège d’une personne à mobilité réduite. L'invention est basée sur l'utilisation d’une cinématique plus simple à intégrer que des bielles articulées. L'invention présente également l’avantage de masquer les composants électriques et mécaniques disposés sous le siège grâce à la présence de la partie fixe du panneau latéral.
Selon une réalisation de l'invention, une liaison glissière est disposée entre la partie mobile et la partie fixe du panneau latéral, de sorte que la partie mobile est mobile par rapport à la partie fixe suivant un mouvement de translation uniquement.
Selon une réalisation de l'invention, lorsque la partie mobile est en position déployée, un bord arrière de la partie mobile se situe vers l’arrière au-delà du panneau arrière de la coque d'intimité.
Selon une réalisation de l'invention, la liaison glissière est disposée sur une face supérieure de la partie fixe du panneau latéral, la liaison glissière formant un angle non nul par rapport à un plan horizontal.
Selon une réalisation de l'invention, une liaison pivot ayant un axe vertical est disposée entre la partie mobile du panneau latéral et le panneau arrière situé derrière le dossier, de façon à autoriser un déplacement de la partie mobile par rapport à la partie fixe suivant un mouvement de rotation uniquement autour de l'axe vertical de la liaison pivot.
Selon une réalisation de l'invention, la partie mobile est mobile de la position rétractée vers une position intermédiaire suivant un mouvement de translation uniquement puis est mobile de la position intermédiaire vers la position déployée suivant un mouvement de rotation uniquement.
Selon une réalisation de l'invention, ladite unité de siège comporte un dispositif de verrouillage et de déverrouillage de la partie mobile par rapport à la partie fixe du panneau latéral de la coque d'intimité.
Alternativement ou de manière complémentaire, les senseurs 3, 3’ peuvent également être reliés par voie filaire ou non filaire à au moins un contrôleur de calcul de masse 15’ équipant une station sol 18 pour traiter et/ou mémoriser les jeux de données de vol J1, J2 en dehors de l’aéronef 1.
Par ailleurs, le ou les contrôleurs de calcul de masse 5’, 15’ peuvent respectivement comprendre par exemple au moins un processeur et au moins une mémoire, au moins un circuit intégré, au moins un système programmable, au moins un circuit logique, ces exemples ne limitant pas la portée donnée à l’expression « contrôleur ». Le terme processeur peut désigner aussi bien une unité centrale de traitement connue sous l’acronyme CPU, une unité graphique de traitement GPU, une unité digitale connue sous l’acronyme DSP, un microcontrôleur…
Avantageusement, un tel aéronef 1 peut comporter des capteurs 4 agencés sur des atterrisseurs 6. Ces capteurs 4 peuvent également être reliés par voie filaire ou non filaire avec le ou les contrôleurs de calcul de masse 5’, 15’ pour estimer une masse estimée Me de l’aéronef 1 et/ou avec au moins un contrôleur de cohérence 5, 15.
Ces capteurs 4 peuvent ainsi être choisis parmi le groupe comportant les capteurs de force, les capteurs de pression, les capteurs de déplacement, les capteurs de position et les capteurs de déformation.
En outre, le ou les contrôleurs de calcul de masse 5’, 15’ et le ou les contrôleurs de cohérence 5, 15 peuvent être disjoints l’un de l’autre ou former un ou des ensembles monolithiques, tels que représentés à la . Une telle représentation de la n’est cependant donnée qu’à titre d’exemple non limitatif.
De plus, un tel aéronef 1 peut comporter une interface homme-machine 7 permettant par exemple au pilote de l’aéronef 1 de réaliser une mise à jour d’un paramètre lié à une information se rapportant à une masse théorique calculée Mtc de l’aéronef 1. En outre, une telle interface homme-machine 7 est alors reliée par voie filaire ou non filaire avec le ou les contrôleurs de cohérence 5, 15.
Tel que représenté à la , le procédé 20 comporte ainsi une réalisation 21 d’une pluralité de vols effectués par un utilisateur de l’aéronef 1 ou par un autre utilisateur d’un autre aéronef de même type.
Dés lors, pour au moins un vol parmi la pluralité de vols réalisés, le procédé 20 comporte une acquisition 22 en vol d’au moins un jeu de données de vol J1, J2 acquis au même instant t avec les senseurs 3, 3’ précédemment décrits.
Le procédé 20 comporte ensuite une réalisation 23 d’au moins un test de cohérence prédéterminé avec le ou les contrôleurs 5, 15. Par exemple et tels que représentés à la , trois tests de cohérence peuvent être mis en œuvre indépendamment en parallèle. Ce ou ces tests de cohérence permettent ainsi de vérifier qu’une masse de référence Mref fiable a d’ores et déjà été calculée et est donc mémorisée ou encore qu’elle est calculable.
En outre, le procédé 20 comporte un calcul 24 avec le ou les contrôleurs 5, 15 d’au moins une masse calculée Mc de l’aéronef 1 en fonction d’au moins une masse choisie parmi le groupe comportant une masse courante d’un carburant embarqué, une masse d’un carburant consommé, une masse préalablement mesurée de l’aéronef 1, une masse à vide de l’aéronef 1, une charge utile préalablement renseignée par un utilisateur, une masse mesurée par un équipement connecté tel un treuil ou une élingue et la masse de référence Mref.
Par suite, si l’un des tests de cohérence est validé, le procédé 20 comporte alors une mémorisation 25 du ou des jeux de données de vol J1, J2 acquis à l’instant t du vol et de ladite au moins une masse calculée Mc1, Mc2 au même instant t.
Le ou les contrôleurs de calcul de masse 5’, 15’ permettent alors d’associer chaque jeu de données de vol J1, J2 avec une masse calculée Mc1, Mc2 correspondante pour former un jeu de données d’apprentissage {J1, Mc1}, {J2, Mc2} du ou des modèles d’intelligence artificielle à apprentissage automatique éventuellement contenus dans la mémoire 2 embarquée.
Ainsi, un tel jeu de données d’apprentissage {J1, Mc1}, {J2, Mc2} est issu d’au moins un vol réalisé par l’utilisateur de l’aéronef 1 en conditions réelles lors d’une mission et non lors d’une phase d’essais réalisée par le constructeur de l’aéronef 1
Avant une utilisation des jeux de données d’apprentissage {J1, Mc1}, {J2, Mc2} et selon un exemple de réalisation avantageux de l’invention, le procédé 20 peut également comporter un décompte 26 pour compter un nombre N des jeux de données d’apprentissage {J1, Mc1}, {J2, Mc2}.
Dans ce cas, le procédé 20 comporte alors ensuite une comparaison 27 entre le nombre N et une valeur de seuil prédéterminée S. En outre, une utilisation 28 des jeux de données d’apprentissage {J1, Mc1}, {J2, Mc2} peut être mise en œuvre lorsque ce nombre N est supérieur ou égal à la valeur de seuil prédéterminée S.
Les étapes de décompte 26 et de comparaison 27 étant optionnelles, le procédé 20 comporte néanmoins une utilisation 28 des jeux de données d’apprentissage {J1, Mc1}, {J2, Mc2} pour programmer le ou les modèles d’intelligence artificielle à apprentissage automatique 50, 51, 52 tels que représentés à la .
Le séparateur a de préférence une tangente de l’angle de perte diélectrique à 1Ghz inférieure à 10 -2 , de préférence inférieure à 5.10 -3 , de préférence inférieure à 1.10 -3 .
Dans un mode de réalisation, un conducteur, de préférence chaque conducteur peut être inséré dans une gaine de protection afin de protéger le conducteur de la chaleur et/ou de la corrosion et/ou d’attaques chimiques. La gaine de protection peut être notamment en un polymère (par exemple en PET ou en PE), ou en céramique, notamment en alumine, notamment pour un environnement à une température supérieure à 400°C. La gaine de protection est de préférence en un matériau présentant un coefficient d’expansion thermique sensiblement identique à celui du matériau du conducteur.
Un gainage avec une gaine en un matériau isolant électriquement est particulièrement avantageux si le séparateur, en particulier la pièce de blindage et/ou la plaque d’amortissement et/ou l’enveloppe externe, présente une résistivité inférieure à 1000 microohm.cm, voire inférieure à 100 microohm.cm.
Dans le cas où le capteur est destiné à une analyse par réflectométrie, la gaine peut être segmentée pour créer des discontinuités, comme décrit ci-après.