INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
L’invention propose donc un système qui comprend au moins un deux modules 1 selon l’invention. En fonction du besoin et des fonctions techniques à réaliser, il suffit de sélectionner le nombre de modules souhaité, puis de les assembler. Pour cela, des moyens d’assemblage simples et rapides sont décrits plus en détail par la suite.
Les modules 1 sont donc assemblés les uns après les autres tout en gardant leurs avantages. Les modules 1 doivent toutefois être sélectionné pour être compatible entres eux de sorte que leur juxtaposition permette au(x) passage(s) traversant(s) 15 des différents modules 1 de coopérer entre eux, tout comme les fourreaux auxiliaires 112. L’assemblage des modules 1 assure donc la continuité des fonctions de chaque module 1 pour former un système fonctionnel.
Les figures 8 et 9 illustrent un exemple de moyens d’assemblage 110 de deux modules 1 en série. Pour ce faire, les raccords d’extrémités 11a, 11b de deux modules 1 adjacents sont juxtaposés/mis en contact l’un avec l’autre, comme illustré sur la . Les passages traversant 15 ainsi que les fourreaux auxiliaires 112 des deux modules sont alors en vis-à-vis. En d’autres termes, les passages traversant 15 se retrouvent les uns face aux autres, tout comme les fourreaux auxiliaires 112.
Les raccords d’extrémité 11a, 11b sont mis en contact/juxtaposés de manière étanche ou non. Des moyens d’étanchéité (non illustrés), par exemple sous la forme de joints d’étanchéité, peuvent être prévus pour assurer l’étanchéité entre les deux raccords d’extrémité 11a, 11b et entre les passages traversant 15 et les fourreaux 112 des deux accords d’extrémités.
Le système 100 comprend des moyens d’assemblage 110 qui se présentent, dans cet exemple, sous la forme d’une bride comprenant deux demi-coques 111a, 111b qui viennent coopérer avec une surface d’assemblage des raccords d’extrémité 11a, 11b.
Plus précisément, dans cet exemple, la bride est une bride conique en ce sens que chaque demi-coque 111a, 111b comprend des surfaces inclinées l’une vers l’autre sur sa face orientée vers les raccords d’extrémités 11a, 11b. Les raccords 11a, 11b comprennent, sur la face extérieure et au niveau de leur extrémité, une surface d’assemblage présentant une inclinaison correspondante. Ainsi, les deux demi-coques 111a, 111b sont rapprochées l’une de l’autre en enserrant les raccords d’extrémité 11a, 11b des deux modules 1 adjacents pour assurer leur maintien. Des moyens de verrouillage de la position des moyens d’assemblage peuvent également être prévus.
Ces moyens d’assemblage 110 permettent de fournir un assemblage simple, rapide et fiable. On comprend toutefois que tout autre type de moyens d’assemblage peut être envisagé sans pour autant s’écarter du principe général de l’invention.
Par exemple, on pourrait envisager de solidariser deux raccords d’extrémité 11a, 111b adjacents par vissage des raccords l’un dans l’autre, par bridage avec des demie-coquilles non coniques, au moyen de colliers de serrage, via un mécanisme de verrouillage du type quart de tour, etc.
1 er mode de réalisation d’une méthode d’utilisation d’un système selon l’invention
Les figures 10a à 10c, 11 et 12 illustrent les étapes d’un premier mode de réalisation d’une méthode d’utilisation d’un système 100 selon l’invention.
Plus précisément, le système 100 comprend deux modules 1 assemblés ensemble, en série. Dans cet exemple, un des modules présente une longueur sensiblement plus élevée que l’autre module. Néanmoins, le principe de fonctionnement du système reste identique, quel que soit la longueur des deux modules 1 sélectionnés.
Ce premier mode de réalisation consiste à fournir une fonction de poussée au système 100. Pour ce faire, la méthode 20 comprend un cycle de poussée comprenant les étapes suivantes :
- verrouillage 21 de la position du système 100 par rapport à un élément extérieur 99 aux modules 1 lors du gonflage d’un premier module 1 ( ), et
- déplacement 22 de l’élément de poussée 17 ou de la gaine incompressible 14 par rapport à l’élément extérieur 99 aux modules 1 par gonflage d’un deuxième module 1 ( ).
Dans cet exemple, le deuxième module comprend un élément de poussé 17 apte à traverser le premier module 1 adjacent, de façon à transmettre une force et/ou un mouvement de translation lors de son changement d’état.
La illustre le système 100 dans son état initial dans lequel les deux modules 1 sont au repos, c’est-à-dire en position allongée correspondant à un état dégonflé.
La méthode d’utilisation du système selon ce premier mode de réalisation consiste à réaliser un cycle de poussée. Pour ce faire, un premier module 1 est utilisé pour verrouiller la position du système 1 par rapport à un élément extérieur 99.
Le premier module est donc gonflé pour passer de la position allongée à l’état contracté. Ce changement d’état permet de verrouiller (étape 21) la position du système.
Le illustre le verrouillage 21 du système 100 dans une canalisation 99. Dans cet exemple, le gonflage du premier module 1 permet un verrouillage 21 par contact direct de l’enveloppe 13 sur les parois de la canalisations 99. Dans une variante non illustrée, par exemple lorsque la canalisation est de plus grande dimension, l’enveloppe 13 du module n’est pas apte à venir en contact direct avec les parois de la canalisation 99, par exemple du fait que le diamètre du module gonflé est inférieur au diamètre de la canalisation. Il est donc possible de mettre en œuvre des moyens additionnels de verrouillage, se présentant par exemple sous la forme de biellettes, de bras, ou de tout autre moyen de bridage, qui sont activés par le changement d’état du premier module 1 et qui permettent d’immobiliser/verrouiller la position du système.
La illustre le déplacement 22 de l’élément de poussée 17 ou de la gaine incompressible 14 du deuxième module 1 du système 100 par rapport à l’élément extérieur 99 (une canalisation dans cet exemple). Pour ce faire, le deuxième module 1 est gonflé de sorte à passer de la position allongée à la position rétractée. Ce changement d’état du deuxième module 1 permet, lors de la rétractation du module, de déplacer l’élément de poussée 17 ou la gaine incompressible 14 pour exercer une force et un déplacement/mouvement de translation en poussée (c’est-à-dire vers l’avant).
Il est possible, en maintenant le premier module gonflé, c’est-à-dire en gardant le système 100 verrouillé, de gonfler et dégonfler successivement le deuxième module 1 de sorte à appliquer une répétition du mouvement de poussée, par exemple afin de dégager un obstacle d’une canalisation.
Ainsi, par l’assemblage de deux modules, il est possible de créer un mouvement de poussée.
Dans l’exemple illustré, le premier module est celui situé au niveau de la sortie de l’élément de poussée 17 ou de la gaine incompressible 14, c’est-à-dire celui situé à l’avant du système 100 en fonction de la direction de déplacement/poussée (celui situé à droite sur les figures 10a à 10c). Le deuxième module est donc celui situé à l’arrière du système 100 en fonction de la direction de déplacement/poussée de l’élément de poussée ou de la gaine incompressible 14 (celui situé à gauche sur les figures 10a à 10c).
En outre, les modules 1 du système 100 sont sélectionnés parmi les deuxième ( et 2b) et troisième ( et 3b) modes de réalisation de l’invention. En particulier, le premier module 1, situé à l’avant du système 100 (celui situé le plus à droite sur les 11a à 11c), est un module 1 selon le deuxième mode de réalisation, en ce sens qu’il ne présente pas d’élément de poussée. Le deuxième module 1, situé à l’arrière du système (celui situé le plus à gauche sur les figures 10a à 10c), est un module 1 conforme au troisième mode de réalisation, en ce sens qu’il présente un élément de poussée 17 ou une gaine incompressible 14 monté(e) en butée au sein du deuxième module 1. Cet élément de poussée 17 ou cette gaine incompressible 14 est apte à traverser le premier module 1.
La illustre un système conforme au système décrit précédemment et montre que la fonction de poussée peut également être obtenue avec des modules 1 comprenant un élément accessoire 18 traversant l’ensemble des modules. Cet élément accessoire peut permettre de mettre en rotation un outil ou tout autre équipement, comme décrit en détail précédemment. La mise en œuvre d’un élément accessoire ne change en rien la cinématique décrite précédemment.
2 ème mode de réalisation d’une méthode d’utilisation d’un système selon l’invention
Les figures 13a à 13f et 14 illustrent les étapes d’un deuxième mode de réalisation d’une méthode d’utilisation d’un système 100 selon l’invention.
Plus précisément, le système 100 comprend ici trois deux modules 1 assemblés ensemble, en série. Dans cet exemple, un des modules présente une longueur sensiblement plus élevée que les deux autres modules. Néanmoins, le principe de fonctionnement du système reste identique, quel que soit la longueur des trois modules 1 sélectionnés.
Ce deuxième mode de réalisation consiste à fournir une fonction d’avance au système 100. Pour ce faire, la méthode 30 comprend la répétition d’un cycle d’avance comprenant les étapes suivantes :
- premier verrouillage 31 de la position du système 100 par gonflage d’un premier module 1 (le module situé le plus à droite sur la ) ;
- première avance 32 du système 100 par gonflage d’un deuxième module 1 (le module central sur la ) ;
Aube pour turbomachine Domaine technique de l’invention L’invention concerne le domaine des procédés et systèmes de protection d’aubes, en particulier des aubes pour soufflante de turbomachine, en particulier pour soufflante sans carénage.
A cet effet, l’invention concerne une roue d’aubes pour turbomachine, en particulier pour une soufflante sans carénage de la turbomachine, comprenant au moins une aube, ladite aube comprenant une pluralité de cartouches de génération de gaz aptes à être déclenchées pour fissurer ladite aube.
Élément de sortie de couple pour un actionneur et actionneur comprenant un tel élément L’invention concerne un élément de sortie de couple pour un actionneur, par exemple un actionneur pour un système de verrouillage en stationnement d’une boîte de vitesses de véhicule, notamment un véhicule automobile équipée d’une boîte de vitesses automatique, par exemple un véhicule hybride. L’invention s’applique également à un système de verrouillage en stationnement d’un réducteur associé à un moteur de véhicule électrique. Ce système de verrouillage est mieux connu par son terme en anglais « park -lock » ou « parking lock » .
Des actionneurs de ce type sont connus, notamment des documents US2019383391AA et US2019136960AA qui présentent chacun un boîtier dans lequel sont logés un moteur électrique et un élément de sortie de couple.
L’élément de sortie de couple de ces actionneurs a pour fonction de transférer le couple provenant du moteur électrique à un élément externe de l’actionneur, par exemple à un levier via un axe dans le cas présent. L’élément de sortie de couple doit ainsi être de conception robuste afin de transmettre un couple important sans se détériorer dans le temps au fil des actionnements demandés.
L’élément de sortie de couple a également pour fonction de fournir une indication de position angulaire par l’intermédiaire d’un système de cible magnétique et de capteur à une unité électronique.
Il est ainsi nécessaire de concevoir l’élément de sortie de couple de manière robuste sans pour autant que la conception ne perturbe le champ magnétique du système de cible magnétique et de capteur, ce qui pourrait amener à des indications de position angulaire erronées.
Ainsi, l’invention propose un élément de sortie de couple pour un actionneur qui comprend une portion de couplage apte à être couplée avec un élément externe, ladite portion de couplage est réalisée dans un premier matériau, une portion de support apte à recevoir une cible magnétique, ladite portion de support est réalisée dans un deuxième matériau différent du premier matériau, une portion dentée réalisée dans un troisième matériau différent du premier et du deuxième matériau.
Cet agencement permet ainsi de concevoir l’élément de sortie de couple avec des matériaux différents dont les propriétés mécaniques et magnétiques sont adaptées à l’usage dans un actionneur.
Selon l’invention, le premier matériau est du métal, notamment de l’acier. Ainsi, la portion de couplage réalisée en métal, pourra transmettre un couple important, de l’ordre de 20 à 30 N.m à un élément externe mais pourra également absorber des chocs sans se détériorer dans le temps au fil des actionnements demandés.
Selon l’invention, le deuxième matériau présente des propriétés non magnétiques. De manière avantageuse, le deuxième matériau est de l’acier inoxydable ou de l’aluminium. Ainsi, la portion de support supportera la cible magnétique sans perturber le champ magnétique du système associé au capteur car la portion de support ne conduit pas les lignes de champ magnétique de la portion de couplage. La portion de support a pour fonction d’augmenter la distance entre la cible magnétique et la portion de couplage.
Selon l’invention, le troisième matériau est du plastique. Ainsi, la portion dentée sera de fabrication simple et peu couteuse tout en résistant aux efforts de transmission. La portion dentée peut-être une roue dentée ou bien un secteur denté.
Selon une caractéristique additionnelle de l’invention, la portion de couplage forme sensiblement un arbre s’étendant selon un axe X, sa première extrémité comprend une prise et sa deuxième extrémité comprend un alésage, et optionnellement une forme d’anti-rotation, dans lequel vient se loger la portion de support. La prise permet un accouplement et un transfert de couple mécanique.
Selon une autre caractéristique de l’invention, la portion de support forme sensiblement un arbre s’étendant selon l’axe X, sa première extrémité se loge en contre-forme de l’alésage de la portion de couplage et sa deuxième extrémité comprend une cuvette apte à recevoir la cible magnétique.
Selon l’invention, la portion dentée est située axialement selon l’axe X entre la portion de couplage et la portion de support. Plus précisément, la portion dentée est située axialement selon l’axe X à cheval, par-dessus, ou autour de la portion de couplage et de la portion de support
Lors de l’étape C1), le dépôt du précurseur de pérovskite II et du composé de formule III peut être réalisé par exemple par enduction par centrifugation, avec une vitesse allant typiquement de 800 rpm à 6000 rpm pendant 0,5 min à 5 min. Toute autre méthode permettant le dépôt simultané de la pérovskite II et du composé III pourrait être utilisée de manière alternative, comme par exemple l’impression jet d’encre, l’enduction à rouleau (« roll to roll » en anglais), la filière à fente (« slot die » en anglais), la vaporisation ou encore l’évaporation sous vide.
Enfin, lors de l’étape C2, un traitement thermique à une température allant de 50 °C à 150 °C, de préférence de 80 °C à 110 °C, typiquement pendant 1 min à 5 min, permet d’obtenir le substrat couvert d’une couche de matériau semi-conducteur dopé de formule I. Préalablement à ce chauffage, il est possible de sécher le substrat enduit de solution de pérovskite II et de composé III à température ambiante, typiquement pendant quelques minutes. Ce séchage permet d’évaporer une partie des solvants (selon leur nature), et permet la recristallisation de la pérovskite.
L’invention concerne également un substrat S couvert d’une couche de matériau semi-conducteur de pérovskite dopée obtenu selon le procédé décrit ci-dessus. Ce substrat est couvert d’une couche de matériau semi-conducteur dopé de formule I, ayant de préférence une épaisseur allant de 50 nm à 500 nm.
Plus précisément, le substrat S couvert d’une couche de matériau semi-conducteur dopé est avantageusement tel que l’agent dopant (c’est-à-dire le cation trivalent E 3+ ) est présent non seulement en surface mais également dans le volume de la couche de matériau semi-conducteur dopé. En d’autres termes, le procédé selon l’invention permet non seulement le dépôt d’agent dopant en surface, mais également dans l’épaisseur de la couche de pérovskite II. La répartition d’agent dopant dans la couche de matériau semi-conducteur dopé n’est pas nécessairement uniforme, et la concentration en agent dopant peut être plus élevée en surface qu’au contact du substrat, en particulier lorsque le composé de formule III est déposé sur un substrat comportant déjà une couche de pérovskite II. En revanche, lorsque la pérovskite II et le composé III sont déposés simultanément, la répartition d’agent dopant dans la couche de matériau semi-conducteur dopé peut être uniforme.
Le matériau semi-conducteur dopé recouvrant le substrat S a un dopage de type N. En effet, une fois à l’état solide et sous excitation, E 2+ relâche un électron pour se stabiliser en E 3+ . Ainsi l’électron libéré dans la bande de conduction permet de doper la pérovskite (dopage de type N car un électron est libéré).
Enfin, l’invention concerne également un dispositif semi-conducteur comprenant un substrat S recouvert d’une couche de matériau semi-conducteur dopé selon l’invention, ou un substrat S recouvert d’une couche de matériau semi-conducteur dopé obtenu selon le procédé conforme à l’invention. De manière usuelle, un tel dispositif comprend une cathode, une anode et une couche active disposée entre la cathode et l’anode et comprenant un substrat couvert d’une couche de matériau semi-conducteur dopé selon l’invention ou obtenu selon le procédé conforme à l’invention.
Exemples Exemple 1 : préparation d’échantillons MAPI
Trois substrats en verre S1, S2 et S3 ont été recouverts d’une couche de matériau semi-conducteur dopé selon l’invention.
La nature du substrat est choisie en fonction des caractérisations ultérieures : un substrat en verre S1 pour la microscope à force atomique (AFM) et rayon X (XRD), un substrat en verre avec des électrodes en or imprimées S2 pour les mesures de conductivité, et un substrat en verre couvert d’une fine couche de ITO (mélange 90/10 d’oxyde d’indium (III) (In 2 O 3 ) et d’oxyde d’étain (IV) (SnO 2 ) – 10 Ω/sq – commercialisé par Visiontek) S3 pour la microscopie électronique à balayage (MEB ou SEM en anglais), la spectrométrie photoélectronique X (XPS), la spectrométrie de masse des ions secondaires à temps de vol (ToF SIMS), l’impédance et la microscopie à sonde de Kelvin (KPFM).
Au préalable, les substrats ont chacun été lavés. Pour cela chaque substrat a été placé dans un bain à ultrasons, d’abord dans de l’Hellmanex TM III (commercialisé par Sigma Aldrich) pendant 15 min, puis dans de l’eau déminéralisée pendant 15 min, puis dans de l’isopropanol (4N) pendant 10 min. Chaque substrat a ensuite été traité pendant 15 min par un traitement UV-O 3 pour éliminer les traces organiques et rendre la surface hydrophile.
Le dépôt de la couche de pérovskite dopée a été réalisé sous atmosphère inerte (N 2 ).
Une solution de précurseur de pérovskite II-1 a été préparée en dissolvant du PbAc 2 • 3 H 2 O (4N, commercialisé par GreatCell) et de l’iodure de méthylammonium (4N, commercialisé par GreatCell) dans du diméthylformamide (DMF), avec des concentrations de 0,72 M et 2,2 M respectivement. La solution a été agitée à température ambiante pendant 30 min. La solution a ensuite été filtrée avec un filtre en PTFE (0,45 µm).
La solution de précurseur de pérovskite II-1 a ensuite été déposée sur le substrat par enduction par centrifugation à une vitesse de 2500 rpm pendant 2 min. Après séchage pendant 3 min à température ambiante, l’échantillon a été recuit pendant 25 min à 100 °C sur une plaque chauffante. L’épaisseur du film de pérovskite déposé sur le substrat était de 270-300 nm selon la nature du substrat. L’épaisseur est mesurée à l’aide d’un profilomètre tactile.
Trois solutions de SmI 2 III-1, III-2 et III-3 ont été préparées en dissolvant du SmI 2 dans un mélange 999 :1 (v/v) d’isopropanol et de N,N-dimethylformamide (DMF) et en agitant ce mélange pendant 12h à température ambiante. Les solutions ont ensuite été filtrées avec un filtre en PTFE (0,45 µm). La concentration en SmI 2 des solutions III-1, III-2 et III-3 était respectivement de 2 mg/mL, 5mg/mL et 10 mg/mL (concentrations molaires respectives de 0,005 mol/L, 0,012 mol/L et 0,025 mol/L).
Une solution 999 :1 (v/v) d’isopropanol et de N,N-dimethylformamide (DMF) ne contenant pas de SmI 2 a également été préparée pour comparaison (notée ci-après comme ayant une teneur à 0 mg/mL en SmI 2 ).
Chaque solution de SmI 2 ou de solvants purs a ensuite été déposée par enduction centrifuge directement sur la couche de pérovskite, à une vitesse de 2500 rpm pendant 1 min. Les substrats ainsi traités ont ensuite été placés sur une plaque chauffante à 100 °C pendant 10 min. Ainsi, les échantillons avec de la pérovskite dopée selon l’invention ont été obtenus à partir des trois substrats de verre S1, S2 et S3 couverts d’un matériau semi-conducteur dopé à l’aide de trois solutions différentes de SmI 2 (III-1, III-2 et III-3). Des échantillons hors invention ont également été obtenus à partir des trois substrats de verre S1, S2 et S3 couverts d’un matériau semi-conducteur non dopé (enduction centrifuge par le solvant seul sans SmI 2 ).
Exemple 2 : préparation d’échantillons MAFAPI
Les substrats utilisés sont les mêmes que ceux décrits dans l’exemple 1, et leur lavage est réalisé de la même manière. Les solutions de référence employées sont également identiques.
Une solution de pérovskite II-2 à 1M a été préparée en dissolvant des quantités stoechiométriques d’iodure de méthylammonium (4N, commercialisé par GreatCell), d’iodure de formamidinium (4N, commercialisé par GreatCell), et d’iodure de plomb (4N, commercialisé par Tokyo Chemical Industry Ltd.), dans 1 mL d’un mélange 3 :1 de diméthylformamide (DMF) anhydre et de diméthylsulfoxide anhydre. La solution a été agitée à 70 °C pendant 1h.
Le procédé de dépôt de précurseur de pérovskite et de solution de SmI 2 (teneurs de 0 mg/mL, 2 mg/mL, 5 mg/ mL et 10 mg/ mL) est identique à ce qui est décrit à l’exemple 1, excepté l’enduction par centrifugation du précurseur de pérovskite qui est réalisée à 6000 rpm pendant 30 s, et le recuit qui est réalisé à 100 °C pendant 45 min. L’épaisseur du film de pérovskite déposé sur le substrat était de 290 nm.
Exemple 3 : préparation d’un échantillon hors invention
Des échantillons hors invention ont été préparés selon un procédé analogue à celui décrit à l’exemple 1, mais pour lequel la solution de SmI 2 a été remplacée par une solution de SmI 3 .
La solution de précurseur de pérovskite employée est la même que celle décrite dans l’exemple 1. Son dépôt est réalisé de la même manière qu’à l’exemple 1.
Ensuite, trois solutions de SmI 3 dans un mélange 999 :1 (v/v) d’isopropanol et de N,N-dimethylformamide (DMF) ont été préparées, respectivement avec des teneurs de 2,6 mg/mL, 6,6 mg/ mL et 13,1 mg/ mL (concentrations molaires respectives de 0,005 mol/L, 0,012 mol/L et 0,025 mol/L). Chaque solution de SmI 3 a été déposée comme décrit à l’exemple 1.
Exemple 4 : caractérisation des échantillons
Toutes les mesures de caractérisation décrites ci-dessous ont été réalisées sous atmosphère inerte (N 2 ) et selon des procédures usuelles. Chaque mesure a été réalisée au moins 3 fois, hormis les analyses de rayon X et de spectrométrie photoélectronique qui ont été réalisées une seule fois.
Les échantillons testés ici sont ceux obtenus à l’exemple 1, hormis la mesure de conductivité pour laquelle des mesures ont également été réalisées avec les échantillons de l’exemple 2, et de l’exemple 3.
La conductivité des différents échantillons a été calculée à partir des courbes I-V qui ont été enregistrées à l’aide d’une unité de source et de mesures (SMU) Keithley 4200. Les échantillons ont été scannés de -1V à 1V avec une rampe de 5 mV/s.
La diffraction au rayon X (XRD) a été réalisée à l’aide d’un appareil Bruker D2 Phaser.
Les spectres d’absorption ont été réalisés à l’aide d’un spectrophotomètre UV-Vis-NIR Shimadzu UV-3600 Plus.
Dans le cadre de l’invention, n représente un nombre inférieur ou égal à 0,5, ce qui signifie que le pourcentage molaire de E 3+ dans le matériau semi-conducteur dopé est au maximum de 50%. De préférence, 0,001≤n≤0,45, et mieux encore 0,01≤n≤0,04.