INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Les séries temporelles respectives et reçues sont mémorisées, sous forme appropriée 10 i,k , 12 i,k , dans une mémoire électronique 16 du dispositif 14.
Chaque série temporelle d’indice i mémorisée comporte N valeurs représentatives du fonctionnement de l’équipement 4 i pendant une période de durée D.
Le processeur de calcul 18 est configuré pour mettre en œuvre un module 22 de projection, configuré pour appliquer une projection des valeurs d’une série temporelle sur un nombre M de fonctions de base afin d’obtenir un vecteur descriptif, de taille M, de la série temporelle. Le nombre M est paramétrable, et est inférieur ou égal au nombre N de valeurs d’une série temporelle.
Le processeur 18 est en outre configuré pour mettre en œuvre un module 24 d’entraînement d’un algorithme, mettant en œuvre un modèle paramétré, de détermination d’anomalie par apprentissage machine sur au moins une partie des vecteurs descriptifs calculés. L’algorithme de détermination d’anomalie permet de calculer un score d’anomalie par vecteur descriptif.
Par exemple, le module 24 met en œuvre l’entraînement des paramètres d’un modèle de détermination d’anomalie dit de forêt d’isolement (de l’anglais « isolation forest »), connu dans le domaine des algorithmes d’apprentissage machine.
L’entraînement mis en œuvre est non supervisé, en d’autres termes il est effectué uniquement à partir des données relevées sans utilisation d’exemples préalablement labélisés par des experts.
En outre, le processeur 18 met en œuvre un module 26 d’application du modèle de détermination d’anomalie, avec les paramètres déterminés par apprentissage, aux vecteurs descriptifs des séries temporelles pour calculer un score d’anomalie par série temporelle. Le score d’anomalie est une valeur représentative d’une présence d’anomalie dans les données traitées. Dans un mode de réalisation, plus le score d’anomalie est élevé pour un équipement donné, plus il est considéré que le fonctionnement observé est anormal.
Le processeur 18 met également en œuvre un module 28 de détermination d’un sous-ensemble de séries temporelles comportant une anomalie, mettant en œuvre une comparaison du score d’anomalie de chaque série temporelle à un seuil d’anomalie prédéterminé pour déterminer un sous-ensemble de séries temporelles comportant une anomalie, et un module 30 de détermination, pour chaque série temporelle en anomalie, à partir de son vecteur descriptif, d’au moins une partie des valeurs du vecteur descriptif ayant une influence dans l’obtention du score d’anomalie de ladite série temporelle.
En particulier, le module 30 permet de fournir une explication, plus aisément compréhensible et utilisable par un opérateur humain, de la source d’anomalie observée. Cela permet notamment de réaliser une maintenance prédictive, par exemple en déterminant une cause de dysfonctionnement d’un équipement qui se traduit par une observation d’anomalie dans les données des séries temporelles observées.
Le module 30 met en œuvre, dans un mode de réalisation, un algorithme permettant de calculer, pour une série temporelle donnée, un niveau d’influence de chaque composante du vecteur descriptif et/ou de calculer une ou plusieurs série(s) temporelle(s) alternative(s), la ou chaque série temporelle alternative étant calculée à partir de ladite série temporelle donnée et respectant des règles prédéterminées, la ou chaque série temporelle alternative ayant un score d’anomalie dans le domaine de fonctionnement « normal », en particulier un score d’anomalie inférieur au seuil d’anomalie prédéterminé. Une telle série temporelle alternative est également appelée série temporelle de contre-exemple ou contrefactuelle (en anglais « counterfactual series »).
Plusieurs modes de réalisations des modules 22, 24, 26, 28 et 30 seront décrits ci-après.
Le masque dur HD_MSK1 peut être un masque en nitrure de silicium de formule Si 3 N 4 . Le masque dur HD_MSK1 recouvre le film semiconducteur FLM dans la région basse-tension LV_REG et dans la région haute tension HV_REG et découvre le film semiconducteur FLM dans la région monolithique LBLK_REG.
Les figures 2 à 6 illustrent les résultats des étapes 110 à 114 d’un premier mode de mise œuvre du procédé.
La illustre le résultat d’une étape 110 d’oxydation du film semiconducteur FLM dans la région monolithique localisée LBLK_REG. Par exemple, le film semiconducteur FLM peut être oxydé en utilisant des techniques d’oxydation classiques et connues par l’homme du métier. Suite à l’oxydation, le film semiconducteur oxydé FLM_OX peut former avec la couche de diélectrique enterrée BOX une couche homogène d’oxyde de silicium SiO 2 .
La illustre le résultat d’une étape 111 de formation d’un masque en résine RES_MSK.
A cette étape 111, le masque en résine RES_MSK recouvre le masque dur HD_MSK1 dans la région basse-tension LV_REG et le film semiconducteur oxydé FLM_OX dans la région monolithique localisée LBLK_REG. Le masque dur HD_MSK1 est découvert dans la région haute-tension HV_REG.
La illustre le résultat d’une étape 112 de gravure du masque dur HD_MSK1. La gravure 112 est adaptée pour retirer le masque dur HD_MSK1 dans les régions qui ne sont pas recouvertes par le masque en résine RES_MSK, c’est-à-dire en particulier dans la région haute-tension HV_REG. A l’issue de l’étape 112, le masque en résine RES_MSK est retiré.
La illustre le résultat d’une étape 113 de gravure du film semiconducteur oxydé FLM_OX. L’étape 113 de gravure, qui peut être par exemple une gravure par voie humide, est configurée pour graver sélectivement l’oxyde de silicium et ne pas graver, ou graver avec une dynamique très inférieure à la dynamique de gravure de l’oxyde de silicium, le silicium cristallin du film semiconducteur FLM et du substrat porteur BLK. Ainsi, l’étape 113 permet de retirer sélectivement le film semiconducteur oxydé FLM_OX et la couche diélectrique enterrée BOX dans la région monolithique localisée LBLK_REG.
En conséquence, à l’issue de l’étape 113, le film semiconducteur en silicium FLM est découvert dans la région haute tension HV_REG et le substrat porteur en silicium BLK est découvert dans la région monolithique localisée LBLK_REG. Le masque dur HD_MSK1 ne recouvre plus que le film semiconducteur FLM dans la région basse-tension LV_REG.
La illustre le résultat d’une étape 114 de croissance par épitaxie du film semiconducteur FLM et du substrat porteur BLK. L’épitaxie permet de faire croître du silicium cristallin à partir des couches découvertes en silicium cristallin, c’est-à-dire le film semiconducteur FLM de la région haute tension HV_REG et le substrat porteur BLK dans la région de substrat monolithique localisée LBLK_REG.
Ainsi, dans ce mode de mise en œuvre, la croissance du film semiconducteur FLM est réalisée « gratuitement » lors d’une même étape 114 mutualisée avec la croissance du substrat porteur BLK dans la région monolithique localisée LBLK_REG.
En particulier, il convient de choisir une épaisseur supplémentaire Esup1 afin que la couche de substrat porteur BLK dans la région monolithique localisée LBLK_REG atteigne la même hauteur que les couches en surface des autres régions du substrat SOI, par exemple la surface du film semiconducteur FLM dans la région basse-tension LV_REG.
Etant donné que la croissance du film semiconducteur FLM est subordonnée à la croissance du substrat porteur BLK, le film semiconducteur FLM croît de l’épaisseur supplémentaire Esup1, dans la région haute-tension HV_REG.
Ainsi, on obtient une deuxième épaisseur totale E2 du film semiconducteur FLM dans la région haute-tension HV_REG qui correspond à la somme de la première épaisseur E1 et de l’épaisseur supplémentaire Esup1, et est donc supérieure à la première épaisseur E1. L’épaisseur supplémentaire Esup1 peut être comprise entre 10 nm et 25 nm par exemple. La deuxième épaisseur totale E2 est supérieure ou égale à 20 nm, et est de préférence comprise entre 20 nm et 25 nm. La deuxième épaisseur E2 vaut, par exemple 25 nm pour une première épaisseur E1 égale à 7 nm et une épaisseur supplémentaire Esup1 égale à 18 nm. Il peut être avantageux de définir une deuxième épaisseur E2 inférieure ou égale à 25 nm de manière à garantir que le film semiconducteur FLM soit entièrement déserté. Toutefois, ces valeurs sont données à titre d’exemple non-limitatif et il est envisageable de prévoir un film semiconducteur FLM plus ou moins épais, par exemple pour une deuxième épaisseur E2 inférieure à 20 nm ou supérieure à 25 nm, et en conséquence sans bénéficier de l’effet entièrement déserté.
La croissance du film semiconducteur FLM permet de former, dans la région haute-tension HV_REG où sont fabriqués les transistors haute-tension, un film semiconducteur FLM suffisamment épais pour éviter le phénomène de dégradation par porteurs chauds, mais également suffisamment mince pour bénéficier des avantages en matière de performances des dispositifs en silicium sur isolant et ainsi améliorer les performances des transistors haute-tension.
A cet égard, la deuxième épaisseur totale E2 du film semiconducteur FLM dans la région haute-tension HV_REG est suffisamment petite pour engendrer un état complètement déserté dans toute l’épaisseur du film semiconducteur FLM en présence d’une région de canal du transistor haute-tension HV_NMOS, HV_PMOS.
En effet, un film semiconducteur dans un état complétement déserté permet d’assurer un meilleur contrôle électrostatique du canal des transistors haute-tension et de réduire des effets de canaux courts.
Description de modes de réalisation On va en premier lieu lister et décrire les contenus de modes de réalisation du présent exposé. (1) Un procédé pour fabriquer une fibre optique selon le présent exposé est un procédé pour fabriquer une fibre optique dans lequel une portion de connexion par épissage par fusion d'une fibre de verre est revêtue d'une résine, dans lequel la résine est délivrée, depuis un outil dont la surface est mouillée par la résine, à la portion de connexion par épissage par fusion, en s'écoulant du fait du propre poids de la résine. Dans une délivrance utilisant une seringue de la technique apparentée, des bulles d'air sont susceptibles d'être générées parce que la résine est forcée de s'écouler par pression. Par contraste, conformément au procédé et au dispositif pour fabriquer une fibre optique du présent exposé, la surface de l'outil pour délivrer la résine est dans un état mouillé par la résine, et la résine est délivrée depuis l'outil à la portion de connexion par épissage par fusion, par écoulement de la résine dû au propre poids de la résine. Par conséquent, il est plus improbable que des bulles d'air soient générées. De plus, comme la résine est délivrée non pas par un écoulement dû à la pression, mais par un écoulement dû au propre poids de la résine, il est improbable que des bulles d'air soient générées.
(2) Dans le procédé pour fabriquer une fibre optique selon (1), l'outil est un élément en forme de bâtonnet ayant une extrémité en pointe effilée, et la résine stockée dans un récipient est ramassée par l'élément en forme de bâtonnet et délivrée à la portion de connexion par épissage par fusion. De cette façon, la résine, par exemple une résine durcissant aux UV, est ramassée par l'élément en forme de bâtonnet ayant une extrémité en pointe effilée et délivrée à la portion de connexion par épissage par fusion si bien qu'il n'y a pas de bulles d'air contenues dans la résine, et par conséquent l'efficacité du travail de recouvrement peut être améliorée.
(3) Dans le procédé pour fabriquer une fibre optique selon (1) ou (2), il est préférable que la résine soit délivrée, par utilisation de l'outil, le long d'une surface de paroi d'un moule configuré pour couvrir la portion de connexion par épissage par fusion. Par l'utilisation d'un tel moule, la résine délivrée à la portion de connexion par épissage par fusion peut être moulée sous une forme cylindrique le long d'une couche de revêtement existante. De plus, comme la résine est délivrée, par l'utilisation de l'élément en forme de bâtonnet, le long de la surface de paroi du moule, il est plus improbable que des bulles d'air soient générées.
(4) Dans le procédé pour fabriquer une fibre optique selon (1) ou (2), il est préférable que l'outil soit stocké dans un état où une surface de l'outil est mouillée par la résine. Afin de stocker l'élément en forme de bâtonnet dans un état où la surface de l'élément en forme de bâtonnet est mouillée par la résine, par exemple, l'élément en forme de bâtonnet dans un état mouillé, une fois utilisé, peut être de nouveau inséré dans un récipient contenant la résine et stocké dans celui-ci. Comme l'élément en forme de bâtonnet, une fois utilisé, est dans un état mouillé par la résine, il est improbable que des bulles d'air soient générées quand l'élément en forme de bâtonnet à l'état mouillé est de nouveau inséré dans le récipient contenant la résine. L'élément en forme de bâtonnet est stocké constamment à l'état mouillé par la résine. Il est plus improbable que des bulles d'air soient générées puisque l'élément en forme de bâtonnet est géré de façon à être constamment à l'état mouillé par la résine durant l'utilisation et après l'utilisation.
(5) Dans le procédé pour fabriquer une fibre optique selon (4), avant que la résine soit délivrée, le récipient peut être chauffé pour que les bulles d'air dans la résine soient éliminées. Comme décrit, quand le récipient est chauffé à environ 40°C, par exemple, la résine dans le récipient est également chauffée. Comme il est probable que les bulles d'air soient éliminées quand la résine est chauffée, il est possible d'empêcher que des bulles d'air soient contenues dans la résine ramassée par l'élément en forme de bâtonnet.
(6) Dans le procédé pour fabriquer une fibre optique selon (1) ou (2), il est préférable que la résine soit délivrée à la portion de connexion par épissage par fusion dans un état où la portion de connexion par épissage par fusion est inclinée. Par la délivrance de la résine à la portion de connexion par épissage par fusion dans un état où la portion de connexion par épissage par fusion est inclinée comme décrit ci-dessus, la résine délivrée est aisément étalée sur la portion de connexion par épissage par fusion. De plus, même quand des bulles d'air sont générées, comme les bulles d'air peuvent être poussées vers le bas, il est possible d'empêcher encore davantage la génération de bulles d'air.
(7) Dans le procédé pour fabriquer une fibre optique selon (6), il est préférable que la résine soit délivrée à une portion revêtue adjacente à la portion de connexion par épissage par fusion. Par la délivrance de la résine à la portion revêtue adjacente à la portion de connexion par épissage par fusion comme décrit ci-dessus, la résine peut être aisément délivrée à toute la portion de connexion par épissage par fusion.
(8) Dans le procédé pour fabriquer une fibre optique selon (2), il est préférable d'englober : l'ouverture et la fermeture du moule pour attacher la fibre optique au moule ; la saisie de l'élément en forme de bâtonnet par une unité de délivrance de résine, le ramassage de la résine par l'élément en forme de bâtonnet, et la délivrance de la résine à la portion de connexion par épissage par fusion ; et le durcissement de la résine délivrée par irradiation de la résine délivrée avec des UV. Dans l'ouverture et la fermeture du moule comme décrit ci-dessus, la fibre optique est attachée au moule, et la portion de connexion par épissage par fusion peut être positionnée par rapport au moule. Ensuite, lors de la délivrance de la résine, la résine est ramassée par l'élément en forme de bâtonnet et délivrée à la portion de connexion par épissage par fusion, si bien que la résine peut être délivrée à la portion de connexion par épissage par fusion sans génération de bulles d'air. En outre, lors du durcissement de la résine, il est possible de mouler la résine sous une forme cylindrique le long d'une couche de revêtement existante sans génération de bulles d'air dans le moule, et il est possible de durcir la résine sous une forme appropriée dans le moule par simple irradiation de la résine avec des UV puisqu'une résine durcissant aux UV est utilisée. Avec le procédé pour fabriquer une fibre optique, il est possible de fabriquer une fibre optique qui soit reconnectée entièrement automatiquement.
(9) Un dispositif pour fabriquer une fibre optique selon le présent exposé est un dispositif pour fabriquer une fibre optique dans lequel une portion de connexion par épissage par fusion d'une fibre de verre est revêtue d'une résine, le dispositif comprenant : une portion de moule à laquelle la fibre optique doit être attachée ; une unité de délivrance de résine configurée pour délivrer la résine, depuis un outil dont la surface est mouillée par la résine, à la portion de connexion par épissage par fusion, par écoulement de la résine du fait du propre poids de la résine ; et une unité d'irradiation aux UV configurée pour durcir la résine délivrée par irradiation de la résine délivrée avec des UV. Comme décrit, avec la portion de moule, la fibre optique est attachée à un moule, et la portion de connexion par épissage par fusion peut être positionnée par rapport au moule. Ensuite, avec l'unité de délivrance de résine, la résine est ramassée par l'élément en forme de bâtonnet et délivrée à la portion de connexion par épissage par fusion, si bien que la résine peut être délivrée à la portion de connexion par épissage par fusion sans génération de bulles d'air. En outre, avec l'unité d'irradiation aux UV, la résine peut être moulée sous une forme cylindrique le long de la couche de revêtement existante sans génération de bulles d'air dans le moule, et la résine peut être durcie sous une forme appropriée dans le moule par simple irradiation de la résine avec des UV puisqu'une résine durcissant aux UV est utilisée. Avec le dispositif pour fabriquer une fibre optique, il est possible de fabriquer une fibre optique qui soit reconnectée entièrement automatiquement.
(10) Dans le procédé pour fabriquer une fibre optique selon (9), l'outil est un élément en forme de bâtonnet ayant une extrémité en pointe effilée, et la résine stockée dans un récipient est ramassée par l'élément en forme de bâtonnet et délivrée à la portion de connexion par épissage par fusion. De cette façon, la résine, par exemple une résine durcissant aux UV, est ramassée par l'élément en forme de bâtonnet ayant une extrémité en pointe effilée et délivrée à la portion de connexion par épissage par fusion si bien qu'il n'y a pas de bulles d'air contenues dans la résine, et par conséquent l'efficacité du travail de recouvrement peut être améliorée.
[Détails de modes de réalisation du présent exposé] On va décrire ci-après, en référence aux dessins, un procédé pour fabriquer une fibre optique et un dispositif pour fabriquer une fibre optique conformément à un mode de réalisation du présent exposé. Les modes de réalisation décrits ci-dessous constituent des exemples d'un procédé pour fabriquer une fibre optique et d'un dispositif pour fabriquer une fibre optique pour incarner l'idée technique du présent exposé, et le présent exposé n'y est pas limité et peut être également appliqué à d'autres modes de réalisation englobés dans la portée des revendications.
[Premier mode de réalisation] Un procédé pour fabriquer une fibre optique et un dispositif pour fabriquer une fibre optique selon un premier mode de réalisation du présent exposé vont être décrits en référence aux Figures 1A à 6B.
On va en premier lieu décrire le procédé pour fabriquer une fibre optique et le dispositif pour fabriquer une fibre optique selon le premier mode de réalisation du présent exposé en se référant aux Figures 1A à 1E. Une fibre optique est souvent fabriquée en unités d'environ 50 km, par exemple. Dans le cas d'une fibre optique plus courte que 50 km, il est nécessaire de joindre deux fibres optiques ou plus. En outre, quand une fibre optique plus longue que 50 km est requise, il est aussi nécessaire de joindre deux fibres optiques ou plus.
Un procédé de jonction d'un câble de fibre optique 10 et d'un câble de fibre optique 20 est en gros divisé en un procédé d'élimination de couche de revêtement existante, un procédé d'épissage par fusion des fibres optiques, un procédé de délivrance de résine durcissant aux UV, un procédé d'irradiation aux UV, et un procédé d'inspection et de post-traitement. Bien que la résine dans le présent mode de réalisation soit illustrée par une résine durcissant aux UV, le présent exposé n'est pas limité à une résine durcissant aux UV, et d'autres types de résines peuvent être utilisés.
La est un diagramme illustrant le procédé d'élimination d'une couche de revêtement existante. Les câbles de fibres optiques 10 et 20 englobent des fibres optiques 12 et 22, et des couches de revêtement existantes 11 et 21 qui revêtent les périphéries des fibres optiques 12 et 22. Dans le procédé d'élimination de couche de revêtement existante, comme l'illustre la , la couche de revêtement existante 11 du premier câble de fibre optique présenté et la couche de revêtement existante 21 du deuxième câble de fibre optique présenté 20 du même type que le premier câble de fibre optique 10 sont grattés sous la forme d'un arc circulaire dans la direction longitudinale par un outil d'élimination de revêtement T tel qu'une meule rotative pour former un évidement en forme d'arc 16. L'évidement 16 est formé de façon que la portion la plus profonde de la partie centrale de celui-ci n'atteigne pas les fibres de verre 12 et 22 et que les couches de revêtement existantes 11 et 21 subsistent. Ensuite, au voisinage du centre de l'évidement 16, les couches de revêtement existantes 11 et 21 sont coupées par un dénudeur, un dégaineur, ou analogue, les couches de revêtement existantes 11 et 21 sur un côté d'extrémité sont arrachées et éliminées, et les parties d'extrémité des fibres de verre 12 et 22 sont exposées. La moitié restante de l'évidement 16 sur les fibres de verre 12 et 22 a une forme effilée, et les fibres de verre 12 et 22 au niveau de la moitié restante de l'évidement 16 sont dans un état revêtu par les couches de revêtement existantes 11 et 21. Sur les fibres de verre nues exposées 12 et 22, les portions en excès sont découpées et éliminées de façon à mesurer une distance prédéterminée depuis les portions d'extrémité revêtues par les couches de revêtement existantes 11 et 21, en formant ainsi des faces d'extrémité pour un épissage par fusion. L'évidement 16 peut être formé au moyen par exemple d'une machine de traitement par laser au lieu de la meule rotative.
La est un diagramme illustrant le procédé d'épissage par fusion de fibres de verre. Dans le procédé d'épissage par fusion de fibres de verre, comme l'illustre la , les fibres de verre 12 du premier câble de fibre optique 10 dont la couche de revêtement existante 11 est retirée et la fibre de verre 22 du deuxième câble de fibre optique 20 dont la couche de revêtement existante 21 est retirée sont épissées par fusion au moyen d'un outil d'épissage par fusion S dans un état où les faces d'extrémité de la fibre de verre 12 et de la fibre de verre 22 sont aboutées l'une contre l'autre dans une portion de connexion 31.
Dans la B, la capacité est alimentée à partir d’un niveau plus bas de la colonne 1.
Dans la figure 4C, à la différence de la figure 4A, le liquide de cuve 23 de la capacité 11 est pressurisé par une pompe P qui renvoie le liquide de cuve en haut de la colonne 1.
montre l’évolution des débits d’air moyenne pression, de production d’argon brut (‘argon mixture’) et de liquide riche lors d’un changement de marche rapide entre 100% et 75% de régime de fonctionnement du compresseur d’air principal. On compare deux scénarios :
La figure 4A un scénario ‘base’ dit pseudo-statique, où le changement de marche est fait d’un régime stationnaire à 100% du régime de fonctionnement du compresseur jusqu’à 75% à raison de 1.6%/min. Les diminutions du débit de production d’argon et du débit de liquide riche 2 suivent de façon proportionnelle la diminution du débit d’air moyenne pression A qui alimente la première colonne K1.