Procédé de fabrication d’au moins un transistor haute-tension (HV_NMOS, HV_PMOS) dans et sur une région haute-tension (HV_REG) d’un substrat du type silicium sur isolant (SOI) comportant un film semiconducteur (FLM) ayant une première épaisseur (E1), électriquement isolé d’un substrat porteur (BLK) par une couche diélectrique enterrée (BOX), le procédé comprenant : - une croissance par épitaxie du film semiconducteur (FLM), jusqu’à une deuxième épaisseur (E2, E3) supérieure à la première épaisseur (E1), sélectivement dans la région haute-tension (HV_REG). Procédé selon la revendication 1, comprenant une croissance par épitaxie du substrat porteur (BLK) dans une région monolithique localisée (LBLK_REG) du substrat du type silicium sur isolant (SOI), dans lequel ladite croissance du film semiconducteur (FLM) dans la région haute-tension (HV_REG) est réalisée simultanément avec la croissance du substrat porteur (BLK) dans la région monolithique localisée (LBLK_REG). Procédé selon la revendication 2, dans lequel ladite croissance du substrat porteur (BLK) dans la région monolithique localisée (LBLK_REG) comprend : - une formation d’un masque dur (HD_MSK1) recouvrant le film semiconducteur (FLM) dans la région haute-tension (HV_REG) et découvrant le film semiconducteur (FLM) dans la région monolithique localisée (LBLK_REG), - une oxydation du film semiconducteur (FLM) dans la région monolithique localisée (LBLK_REG), et une gravure retirant sélectivement le film semiconducteur oxydé (FLM_OX) et la couche diélectrique enterrée (BOX) dans la région monolithique localisée (LBLK_REG) ; et dans lequel ladite croissance du film semiconducteur (FLM) dans la région haute-tension (HV_REG) comprend : - une gravure adaptée pour retirer le masque dur (HD_MSK1) dans la région haute-tension (HV_REG) préalablement à ladite croissance par épitaxie du film semiconducteur (FLM) dans la région haute-tension (HV_REG). Procédé selon la revendication 1, dans lequel ladite croissance du film semiconducteur (FLM) comprend une formation d’un masque dur dédié (HD_MSK2) découvrant le film semiconducteur (FLM) dans la région haute-tension (HV_REG), préalablement à ladite croissance par épitaxie du film semiconducteur (FLM) dans la région haute-tension (HV_REG). Procédé selon l’une des revendications 1 à 4, comprenant une formation d’une région de grille (G) dudit au moins un transistor haute-tension (HV_NMOS, HV_PMOS) sur le film semiconducteur (FLM) ayant la deuxième épaisseur (E2) de la région haute tension (HV_REG), et une formation de régions de conduction (S, D) dudit au moins un transistor haute-tension (HV_NMOS, HV_PMOS) dans le film semiconducteur (FLM) ayant la deuxième épaisseur (E2) de la région haute tension (HV_REG). Procédé selon l’une des revendications précédentes, dans lequel la deuxième épaisseur (E2, E3) du film semiconducteur (FLM) dans la région haute-tension (HV_REG) est suffisamment petite pour engendrer un état complétement déserté dans toute l’épaisseur du film semiconducteur (FLM) en présence d’une région de canal dudit au moins un transistor haute-tension (HV_NMOS, HV_PMOS). Procédé selon l’une des revendications précédentes, dans lequel la première épaisseur (E1) est inférieure ou égale à 7 nm et la deuxième épaisseur (E2) est comprise entre 20 nm et 25 nm. Dispositif semiconducteur comprenant au moins un transistor haute-tension (HV_NMOS, HV_PMOS) disposé dans et sur une région haute tension (HV_REG) d’un substrat du type silicium sur isolant (SOI) comportant un film semiconducteur (FLM), électriquement isolé d’un substrat porteur (BLK) par une couche diélectrique enterrée (BOX), dans lequel le film semiconducteur (FLM) a une première épaisseur (E1) dans une première région (LV_REG) différente de la région haute tension et a une deuxième épaisseur (E2, E3) supérieure à la première épaisseur (E1) dans la région haute-tension (HV_REG). Dispositif semiconducteur selon la revendication 8, dans lequel ledit au moins un transistor haute-tension (HV_NMOS, HV_PMOS) comporte une région de grille (G) disposée sur le film semiconducteur (FLM) ayant la deuxième épaisseur (E2, E3) dans la région haute tension (HV_REG), et des régions de conduction (S, D) formées dans le film semiconducteur (FLM) ayant la deuxième épaisseur (E2, E3) dans la région haute tension (HV_REG). Dispositif semiconducteur selon l’une des revendications 8 ou 9, dans lequel la deuxième épaisseur (E2, E3) du film semiconducteur (FLM) dans la région haute-tension (HV_REG) est suffisamment petite pour engendrer un état complétement déserté dans toute l’épaisseur du film semiconducteur (FLM) en présence d’une région de canal dudit au moins un transistor haute-tension (HV_NMOS, HV_PMOS). Dispositif semiconducteur selon l’une des revendications 8 à 10, dans lequel la première épaisseur (E1) est inférieure ou égale à 7 nm et la deuxième épaisseur (E2) est comprise entre 20 nm et 25 nm.