INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
On utilise ainsi, très avantageusement, l’air réchauffé, présent à l’intérieur du boîtier BB de la batterie principale BP, pour contrôler l’embuage des vitres latérales arrière VL, de façon particulièrement simple et sans que cela ne nécessite de faire fonctionner (éventuellement spécifiquement) l’installation de chauffage/ climatisation du véhicule V. On évite ainsi de consommer de l’énergie électrique de la batterie principale BP, ce qui permet d’éviter de réduire l’autonomie kilométrique du véhicule V.
On notera que l’avantage procuré par l’invention est encore plus intéressant lorsque le pare-brise PB est chauffant, car ce dernier (PB) a tendance à favoriser la formation de buée (ou l’embuage) sur les faces internes FI des vitres latérales arrière VL, comme indiqué dans la partie introductive.
Par exemple, et comme illustré non limitativement sur les figures 1 à 3, le/chaque conduit CA peut être associé à un volet VC qui a une position réglable de manière à contrôler l’alimentation en air réchauffé d’au moins une vitre latérale arrière VL associée. La position du/de chaque volet VC est donc imposée par un moteur électrique en fonction d’une commande fournie par un calculateur du véhicule V. De préférence, un volet VC est placé dans son état ouvert (ou passant) lorsque le ventilateur VA associé est en fonctionnement, pour alimenter en air réchauffé au moins une vitre latérale arrière VL associée, et inversement placé dans son état fermé (ou non passant) lorsque le ventilateur VA associé n’est pas en fonctionnement.
Egalement par exemple, et comme illustré non limitativement sur les figures 1 à 3, le/chaque conduit CA peut être associé à au moins un aérateur AV qui est propre à diffuser l’air réchauffé vers une vitre latérale arrière VL associée.
Egalement par exemple, et comme illustré non limitativement sur les figures 1 à 3, les deux montants intermédiaires MI, droit et gauche, peuvent comprendre chacun une partie de conduit CA et un aérateur AV. Ainsi, l’air réchauffé, extrait du boîtier BB par un ventilateur VA, peut être diffusé à proximité d’au moins une vitre latérale arrière VL, là où est implanté un aérateur AV associé à cette dernière (VL). On notera qu’un conduit CA associé à une vitre latérale arrière VL peut éventuellement être équipé de plusieurs (au moins deux) aérateurs AV en des endroits différents, afin de diffuser de l’air réchauffé en plusieurs endroits de cette vitre latérale arrière VL.
Egalement par exemple, et comme illustré non limitativement et au moins partiellement sur les figures 1 et 2, dans un premier exemple de réalisation le véhicule V peut comprendre deux conduits CA, droit et gauche, qui sont propres à alimenter en air réchauffé respectivement les vitres latérales arrière VL droite et gauche. Dans ce cas, chaque conduit CA est associé à son propre ventilateur VA et à d’éventuels volet VC et aérateur(s) AV, comme illustré non limitativement.
Dans une variante illustrée non limitativement sur la , le véhicule V peut avoir un deuxième exemple de réalisation dans lequel il comprend un unique ventilateur VA qui alimente (grâce à deux sorties) deux conduits CA, droit et gauche, propres à alimenter en air réchauffé respectivement les vitres latérales arrière VL droite et gauche. Dans ce cas, chaque conduit CA peut être associé à d’éventuels volet VC et aérateur(s) AV, comme illustré non limitativement.
- de silice hydratée tels que le produit « MT-100WP » de la société TAYCA,
- de silice et d'alumine tels que les produits " MT-500SA®" et " MT-100SA®" de la société TAYCA, "TIOVEIL™ AQ-N" de la société CRODA,
- d'alumine tels que les produits "TTO-55 (A)®" de la société ISHIHARA,
- d'alumine et de stéarate d'aluminium tels que les produits " MT-100TV®, MT-100Z®, MT-01®" de la société TAYCA, le produit "Solaveil™ CT100" de la société CRODA et le produit "Eusolex T-AVO®" de la société MERCK,
- de silice, d'alumine et d’acide alginique tel que le produit "MT-100AQ®" de la société TAYCA,
- d'alumine et de laurate d'aluminium,
- d'oxyde de fer et de stéarate de fer,
- d'oxyde de zinc et de stéarate de zinc,
- de silice et d'alumine et traités par une silicone tels que les produits " MTY-500SAS®" ou "MICROTITANIUM DIOXIDE MT-100SAS®" de la société TAYCA,
- de silice, d'alumine, de stéarate d'aluminium et traités par une silicone,
Le dépôt de la couche conductrice 2 consiste ici au dépôt uniforme d’une première sous-couche 21 conductrice (étape E11) selon un premier procédé et au dépôt uniforme d’une deuxième sous-couche conductrice 23 recouvrant la première sous-couche 21 conductrice (étape E12) selon un deuxième procédé. Le premier procédé et le deuxième procédé peuvent être identiques. Toutefois, en fonction du type de procédé utilisé et l’épaisseur à déposer, il peut être avantageux de mettre en œuvre des procédés différents.
Ainsi et de manière préférée, le premier procédé est tel qu’il permet de déposer des couches d’une première épaisseur tandis que le deuxième procédé est tel qu’il permet de déposer des couches d’une deuxième épaisseur différente de la première épaisseur. Ainsi, le deuxième procédé permet de déposer des couches d’épaisseur supérieure à celles déposées par le premier procédé. Par exemple le premier procédé permet de déposer des couches d’épaisseur comprise entre 0,1 µm et 0,2 µm tandis que le deuxième procédé permet de déposer des couches d’épaisseur comprise entre 0,5 µm et 7 µm.
Selon ce mode de réalisation on obtient alors une deuxième sous-couche 23 conductrice d’épaisseur supérieure à celle de la première sous-couche 21 conductrice.
A l’issue de l’étape de retrait de la couche isolante on obtient une microaiguille telle qu’illustrée sur la . Sur cette figure, la microaiguille 10 comprend un fut en pointe 1 recouverte uniformément par une couche 2 conductrice, elle-même recouverte uniformément par une couche isolante 3 d’épaisseur x.
Selon un mode de réalisation, la deuxième sous-couche 23 conductrice est constituée du même matériau conducteur que celui constituant la première sous-couche 21 conductrice. Ceci favorisa l’adhésion entre les deux couches.
Selon un mode de réalisation, la deuxième sous-couche 23 conductrice est constituée d’un matériau conducteur différent de celui constituant la première sous-couche 21 conductrice. Dans ce cas, on veillera à ce que les matériaux choisis sont compatibles pour adhérer l’un à l’autre.
Dans le cas où les matériaux de la première sous couche 21 ou de la deuxième sous couche 23 sont différents, on veillera à ce que le matériau de la deuxième sous-couche conductrice 23 soit en matériau plus conducteur que celui de la première sous couche conductrice 21.
A titre d’exemple la première sous-couche 21 et/ou la deuxième sous-couche 21 sont en en cuivre en nickel, en or, en argent ou titane, etc.
La première sous-couche 21 est en matériau choisi pour adhérer au fut en pointe tout en permettant à la deuxième sous-couche 23 d’adhérer à la première sous-couche 21.
De manière complémentaire, pour éviter un phénomène de délamination entre la première sous couche 21 conductrice et la deuxième sous couche 23 conductrice provoqué par la superposition de couches d’épaisseurs différentes et/ou de matériaux différents, l’une et/ou l’autre des surfaces de ces sous couches 21, 23 en contact présentent une rugosité de surface pour améliorer l’adhésion entre les deux.
A l’issue de l’étape de retrait (étape E3), de préférence, par laser, comme illustré sur la , la pointe 11 de la microaiguille 10 est dénudée de la totalité de l’épaisseur x de la couche isolante 3 et une partie de l’épaisseur de la couche 2 conductrice. L’épaisseur de la couche conductrice 2 est suffisamment importante afin de garantir une épaisseur minimale Emin (soit par exemple 0,1µm) après l’enlèvement de la couche d’isolant 3 de la pointe 11 de la microaiguille 10 ; le fut en pointe 1 de la microaiguille 10 reste intacte, son épaisseur n’est pas entamée. Comme dit précédemment, et afin de prendre en compte l’incertitude t du laser tout en garantissant la présence d’une épaisseur minimale de couche conductrice après l’enlèvement de la totalité de l’épaisseur x de la couche isolante 3, l’épaisseur de la couche conductrice est supérieure ou égale à t + Emin ; t étant l’intervalle de tolérance totale du laser utilisé lors de l’étape E3.
Selon un mode de réalisation illustré sur la , la couche conductrice 2 est constituée de la première sous couche 21 conductrice et de la deuxième sous-couche 23 conductrice et d’une sous-couche 22 intermédiaire disposée entre la première sous couche 21 conductrice et la deuxième sous-couche 23 conductrice.
Par conséquent le dépôt de la couche conductrice 2 comprend le dépôt de la première sous-couche 21 conductrice (étape E11’) suivi du dépôt de la sous couche 22 intermédiaire (étape E12’) suivi du dépôt de la deuxième sous-couche 23 conductrice (étape E13’). La couche intermédiaire 22 est de préférence déposée juste après le dépôt de la première couche conductrice 21 pour éviter une oxydation de la première sous couche 21 conductrice.
L’ajout de la couche intermédiaire 22 diminue encore le phénomène de délamination notamment celui entre les première et deuxième sous couches conductrices 21, 23.
En particulier, on prévoit que l’épaisseur de la sous-couche 22 intermédiaire est sensiblement identique à celui de la première sous couche 21. En outre, cette sous couche intermédiaire 22 est en matériau identique à celui de la deuxième sous couche 23.
Comme précédemment, la première sous-couche conductrice 21 est déposée selon un premier procédé et la deuxième sous-couche conductrice est déposée selon un deuxième procédé afin d’obtenir une deuxième sous-couche 23 conductrice d’épaisseur supérieure à celle de la première sous couche 21 conductrice.
Le guide sous forme d’une encoche dans la partie proximale s'étend dans le prolongement du tube de l’inserteur.
Selon un autre mode de réalisation de l'invention, le poussoir est formé par une tige dont l’extrémité distale comprend une zone susceptible d’interagir avec la partie inférieure du DIU comprenant un orifice dans lequel est(sont) attaché(s) le un ou les plusieurs fil(s) de retrait du DIU.
Selon un autre mode de réalisation de l'invention, ladite zone d’interaction du poussoir avec la partie inférieure du DIU comprend une extrémité droite.
Selon un mode de réalisation ou d’utilisation de l'invention, le un ou les plusieurs fil(s) fixé(s) à la base du DIU coulisse (nt) librement à l’intérieur du tube pour sortir de l’embout solidaire de l’extrémité proximale du tube de l’inserteur.
Selon un mode de réalisation de l'invention, le un ou plusieurs fil(s) fixé(s) à la base du DIU sort(ent) du tube par l’extrémité proximale du tube, via l’embout.
Selon un autre mode d’utilisation de l'invention, le un ou plusieurs fil(s) est(sont) positionné(s) dans un « espace optimisé » (7) entre la paroi interne du tube et une paroi du poussoir présentant une section transversale de forme polygonale ou polyédrique, présentant optionnellement au moins une partie concave ou convexe, ou de forme formée de courbes inscrites dans un cercle à partir d'un point central, appelée rosace.
L’expression « espace optimisé » (7) au sens de la présente invention correspond à un espace défini entre une paroi (9) droite, convexe ou concave d’un poussoir selon la présente invention, dont la section transversale présente un diamètre (un cercle fictif (10)) passant par les sommets de la forme polygonale ou polyédrique, tel que représenté sur la et la paroi interne du tube de l’inserteur.
Selon un autre mode de réalisation de l'invention, le poussoir présente une surface de contact avec le DIU de sorte que un ou plusieurs fil(s) est(sont) positionné(s) dans au moins un «espace optimisé», de préférence un, deux, trois, quatre ou plus «espace(s) optimisé(s)». Le(s)dit(s) un ou plusieurs espace(s)représente(nt) au moins 40% de la surface de la section transversale interne du tube de l’inserteur.
Selon un autre mode de réalisation de l'invention, le un ou plusieurs fil(s) est(sont) positionné(s) dans au moins un «espace optimisé», de préférence un, deux, trois, quatre ou plus «espace(s) optimisé(s)». Le(s)dit(s) un ou plusieurs espace(s)représente(nt) au moins 40% de la surface de la section transversale interne du tube de l’inserteur.
Selon un mode préféré de réalisation de l'invention le(s)dit(s) un ou plusieurs espace(s)représente(nt) de 40% à 50%, de 50% à 60%, de 60% à 70%, ou plus de la surface de la section transversale interne du tube de l’inserteur.
Selon un mode préféré de réalisation de l'invention, le poussoir de l’inserteur présente une section transversale d’une forme remplissant de préférence de 10% à 20%, de 20% à 30%, de 30% à 40%, de 40% à 50%, ou de 50% à moins de 60% de la surface de la section transversale interne du tube de l’inserteur.
Selon un mode particulier de réalisation de l'invention, le un ou plusieurs fil(s) du DIU est composé de un ou deux fils fixés au DIU.
Selon un mode particulier de réalisation de l'invention, les deux fils sont soit dans un même espace, entre la paroi interne du tube et une paroi du poussoir, soit dans un espace différent, entre la paroi interne du tube et deux parois différentes du poussoir.
Selon un mode particulier de réalisation de l'invention, le poussoir présente une section transversale de forme polygonale ou polyédrique.
Selon un autre mode particulier de réalisation de l'invention, le poussoir présente une section transversale de forme polygonale en étoile (ou de forme étoilée).
Selon un autre mode particulier de réalisation de l'invention, le poussoir présente une section transversale de forme en étoile comprenant de 3 à 16 branches, en particulier 1, 2, 3, 4, 5,6 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, ou 16 branches.
Diethylamino hydroxybenzoyl hexyl benzoate,
Bis-(diethylaminohydroxybenzoyl benzoyl)piperazine,
2,4,6-tris-(bi-phenyl)-triazine,
Enfin, lors de la phase 30, on réalise la couche semiconductrice 2 par épitaxie à partir de la couche de nucléation 13 du substrat de croissance 1, d’une manière similaire à ce qui a été décrit précédemment en référence aux et 2L.
Notons par ailleurs que l’étape d’amincissement peut être effectuée par d’autres techniques que le meulage ( grinding ) et la gravure. Ainsi, la technique Smart Cut TM peut être utilisée. Ainsi, on effectue une implantation d’ions H + dans une zone d’épaisseur constante de la couche initiale de nucléation. Puis, l’étape d’amincissement consiste à séparer la couche initiale de nucléation en deux parties suivant l’axe vertical Z, au niveau de la zone fragilisée par l’implantation d’ions H + . Notons à ce titre que la couche initiale de nucléation 13 à base de GaN (dans la structure de nucléation 10) peut présenter une polarité azote au niveau de sa face supérieure. Aussi, après l’étape de report et de collage sur la structure de liaison 20, cette couche de nucléation 13 présentera alors la polarité gallium voulue.
L’amincissement par Smart Cut TM est de préférence effectué avant l’étape de report et de collage, de sorte que la température de fusion T f n’entraîne pas de contrainte sur la température de fracture du Smart Cut TM . Il pourra toutefois être effectué après cette étape. Dans ce dernier cas, le matériau de la couche de liaison 22 est de préférence choisie de sorte que la température de fusion T f est supérieure à la température de fracture de Smart Cut TM .
Par ailleurs, la couche de liaison 22 peut être une couche continue dans le plan XY, mais peut ne s’étendre que sur une partie de la surface du substrat support. A ce titre, la illustre un exemple d’une telle configuration, où la couche de liaison 22 est située dans une échancrure pratiquée à partir de la face supérieure du substrat support 21, et remplit celle-ci. La couche de nucléation 13 s’étend alors dans le plan XY en venant au contact de la couche de liaison 22 et au contact d’une surface périphérique du substrat support 21 qui entoure cette dernière. Cette configuration permet de réduire les risques d’évaporation ou de fuite du matériau fusible alors liquide de la couche de liaison 22.
Par ailleurs, comme l’illustrent les figures 5A à 5C, la couche de liaison 22 peut être une couche discontinue (ou discrétisée) dans le plan XY, et peut alors être formée d’une pluralité de plots 22.1 distincts les uns des autres et réalisés en le matériau fusible. Par plot, on entend une portion du matériau fusible délimité dans le plan XY. Il peut prendre une forme de bille (surface latérale courbe dans le plan XY et suivant l’axe Z) ou peut présenter une forme polygonale dans le plan XY.
La illustre le substrat de croissance 1 formé de l’empilement du substrat support 21, de la couche discontinue de liaison 22 (pluralité de plots 22.1 distincts), puis de la couche de nucléation 13, à la température T 1 où le matériau fusible est à l’état solide. Chaque plot 22.1 est au contact de portions minces d’adhérence 23 opposées deux à deux suivant l’axe Z, situées pour l’une sur le substrat support, et pour l’autre sur la couche de nucléation 13. Ces portions minces d’adhérence 23 assurent une bonne adhérence et positionnement du plot 22.1 lorsque le matériau fusible est à l’état liquide. Elles sont appelées habituellement UBM, pour Under Bump Metallization en anglais.
La illustre le substrat de croissance 1 et la couche semiconductrice 2, à la température d’épitaxie T e où le matériau fusible est à l’état liquide. La couche de nucléation 13 est dilatée dans le plan XY du fait de son coefficient de dilatation thermique plus élevé que celui du substrat support 21. Les plots 22.1 de la couche de liaison 22 sont agencés dans le plan XY de sorte que la couche de nucléation 13 (et donc la couche semiconductrice 2) reste plane.
La illustre un exemple d’agencement des portions minces d’adhérence 23 dans le plan XY, sous la forme de bandes alignées suivant des lignes parallèles aux rayons du substrat support 21. Plusieurs portions minces d’adhérence 23 peuvent être disposées suivant une même ligne allant du centre du substrat support 21 jusqu’à la bordure. Cette configuration permet d’accommoder davantage la différence entre les coefficients de dilatation thermique de la couche de nucléation 13 et de la couche semiconductrice 2 d’une part et le substrat support 21 d’autre part.
Procédé de fabrication d’un substrat support pour application radiofréquences La présente invention concerne un procédé de préparation d’un substrat support pour la réalisation d’une structure de type semi-conducteur sur isolant, ledit substrat support comprenant une couche d’oxyde et une couche de piégeage de charges. L’invention se rapporte également à un tel substrat support.
Ces substrats support trouvent une application notable dans le domaine des dispositifs intégrés radiofréquences, c’est-à-dire des dispositifs électroniques traitant des signaux dont la fréquence est comprise entre environ 3kHz et 300GHz, par exemple dans le domaine des télécommunications (téléphonie, Wi-Fi, Bluetooth…).
Etat de la technique Un substrat du type semiconducteur sur isolant (SOI) tel qu’utilisé pour des applications radiofréquences comprend successivement un substrat support, une couche d'oxyde enterré (souvent désignée par l'acronyme BOX, pour « Buried OXide ») et une couche semiconductrice monocristalline, qui est la couche active, c'est-à-dire dans ou sur laquelle sont destinés à être formés des composants électroniques.
Afin d’éviter ou de limiter le phénomène de couplage électromagnétique qui peut se produire entre un dispositif électronique et le substrat support d'un substrat de silicium sur isolant sur lequel ledit dispositif est formé, il est connu d’intégrer au substrat support une couche de polysilicium (silicium polycristallin) directement sous la couche d’oxyde enterrée. Les joints dans les grains qui forment le polycristal constituent des pièges pour les porteurs de charge. Ainsi, on empêche la formation d'un plan conducteur sous l'isolation.
Avant la formation de la couche de piégeage, il est connu de former une couche de passivation sur le substrat support. Une telle couche favorise la formation de la couche de piégeage et empêche sa recristallisation, notamment pendant des montées en température du substrat. La couche de passivation est en un diélectrique amorphe, typiquement en dioxyde de silicium.
Les figures 1A à 1C illustrent la fabrication d’un substrat support connu. Typiquement, en référence à la , on forme la couche de passivation 21 par oxydation du substrat de base 10 par apport d’un gaz oxydant 40 dans une enceinte à une température supérieure à 1000°C. Ensuite, en référence à la , sans extraire le substrat comportant la couche de passivation de l’enceinte, on évacue le gaz oxydant. En référence à la , on forme la couche de piégeage de charges 30 dans la même enceinte.
En référence à la , un tel procédé nécessite une première phase de recuit dans l’intervalle entre tc1 et tc2 visant à dégrader entièrement la couche d’oxyde natif qui se forme naturellement sur le substrat lors du contact avec l’air ambiant avant le dépôt d’autres couches. Le procédé comprend en outre une phase d’oxydation entre tc2 et tc3 et une phase d’évacuation entre tc3 et tc4 du gaz oxydant avant la réalisation de la couche de piégeage de charges entre tc4 et tc5. Le procédé se termine à tc6 après le refroidissement du substrat support. Toutes ces étapes sont typiquement réalisées à une température élevée T p supérieure à 1000°C, typiquement à la même température que le dépôt de la couche de piégeage de charges. Un tel procédé est long et implique donc une haute consommation d’énergie et une immobilisation de l’enceinte de dépôt.
De plus, ladite entrée 50 est accessible par ledit robot 4 sur contrôle, à savoir que l'accès n'est pas libre et soumis à des restrictions d'accès, notamment un verrouillage de l'entrée 50, comme par exemple une fermeture verrouillée et commandée à distance de la porte de ladite entrée 50.
Selon un mode de réalisation complémentaire, l'enceinte 52 est combinée ou fait partie de l'enceinte de sécurité entourant ledit poste 2, en particulier quand l'interface 5 est intégrée audit poste 2.
Selon un mode de réalisation, l'interface 5 comprend des moyens de contrôle de l'accès à l'entrée 50 de ladite enceinte, lesdits moyens de contrôle comprenant des moyens de reconnaissance et de communication dudit robot 4. En somme, c'est l'interface 5 qui intègre un moyen adapté pour distinguer le robot 4 à son approche de l'entrée 50, notamment par l'intermédiaire de moyens de communication entre l'interface 5 et ledit robot 4, ou bien via le gestionnaire 6 des déplacements dudit au moins un robot 4. En somme, en fonction du poste 2 à approvisionner, l'interface 5 peut communiquer à distance pour dialoguer avec ledit robot 4, le gestionnaire 6, ou bien encore un système 8 de supervision (tel que décrit par la suite).
Ainsi, les moyens de déchargement peuvent intervenir pour transférer le consommable depuis le robot 4, dans une zone sécurisée, sans risque pour un opérateur.
En l'état, au moins un des postes 2 concernés de la ligne 1 de production comprend une interface 5 selon l'invention, assurant le transfert et le chargement automatisé du consommable correspondant.
Préférentiellement, chacun des certains desdits postes 2 de la ligne 1 de production comprend une interface 5.
L'invention concerne aussi un procédé de gestion de l'approvisionnement en consommables de certains postes 2 de traitement d'une ligne 1 de production selon l'invention. Un tel procédé de gestion comprend plusieurs étapes, non limitative.
Tout d'abord, on commande le transport d'un consommable depuis une zone 3 de stockage vers un des certains postes 2. En particulier, le consommable correspondant est dédié audit poste 2 concerné.
De plus, un robot 4 mobile autonome transporte ledit consommable depuis la zone 3 de stockage vers ledit des certains postes 2.
Une fois arrivé sur place, on transfert et on charge ledit consommable depuis ledit robot 4 vers ledit espace 20 de réception dudit des certains postes 2. Le transfert et le chargement s'effectue par les moyens de chargement dédiés, avec éventuellement prise en charge du média 7 de transport.
Avantageusement, au cours du transfert, ledit robot 4 se positionne par rapport à une interface 5 d'approvisionnement équipant ledit parmi les certains postes 2 de traitement.