INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Ainsi, grâce à l’invention on dispose d’une solution permettant d‘optimiser le transport et le stockage de contenants, puisque ces derniers se présentent initialement à plat sous forme de plaques, donc aisément empilables. Un moule ou un dispositif similaire permet, par déformation, sous pression et/ou par aspiration, de plier la plaque et de réaliser le volume voulu pour le contenant, cela lorsque le contenant est chez l’utilisateur et non, comme dans l’état de la technique, chez le fabricant de contenant. Il est ainsi possible, grâce à l’invention, de réaliser la mise en forme du contenant, son remplissage avec le produit alimentaire et la fermeture du contenant en une opération effectuée chez l’utilisateur. Une telle solution, outre une limitation des étapes effectuées sur le site de production permet de limiter les risques de contamination lors de l’emballage du produit. En effet, on peut ainsi effectuer dans un temps limité les opérations de mise en forme du contenant, de son remplissage et de sa fermeture.
Selon des aspects avantageux mais non obligatoires de l’invention, un tel emballage peut comprendre une ou plusieurs des caractéristiques suivantes :
Lorsque le contenant est dans sa seconde configuration, il est maintenu en forme par un film de fermeture scellé sur l’extrémité supérieure libre du contenant, ladite extrémité s’étendant vers l’extérieur par rapport aux parois du contenant et formant un rebord.
Lorsque le contenant est dans sa seconde configuration, il est maintenu en forme par un film de mise sous vide scellé sur le fond, les parois et l’extrémité supérieure libre du contenant, ladite extrémité s’étendant vers l’extérieur par rapport aux parois du contenant et formant un rebord.
Lorsque le contenant est dans sa seconde configuration, il est maintenu en forme par un film de mise sous vide et par un film de fermeture, les deux films étant scellés l’un sur l’autre sur l’extrémité supérieure libre du contenant s’étendant vers l’extérieur par rapport aux parois du contenant et formant un rebord.
Le passage par déformation de la première à la seconde configuration est effectué par variation de pression, par aspiration et/ou appui, de part et d’autre de la plaque.
Le passage par déformation de la première à la seconde configuration est effectué lorsque le produit alimentaire est en place sur la plaque, le poids du produit alimentaire participant à la déformation de la plaque.
Au moins une partie de la plaque est pourvue de plusieurs prédécoupes ou découpes définissant plusieurs volumes utilisables du contenant une fois la plaque déformée et pliée.
La plaque est pourvue de plusieurs parties définissant chacune au moins un volume d’un contenant.
La plaque est pourvue de plusieurs parties définissant chacune un volume d’un contenant, tous les contenants étant identiques.
La plaque est pourvue de moyens assurant l’immobilisation de la plaque en une position donnée lors du passage de la première à la seconde configuration.
l’invention concerne également un dispositif d’emballage comprenant au moins un moule réutilisable définissant au moins une forme et un volume d’un contenant , à usage unique, conforme à l’une quelconque des caractéristiques précédentes, ledit moule étant adapté pour permettre le passage du contenant de la première configuration en plaque à la second configuration en contenant prêt à recevoir un produit alimentaire, au moins un support, de manière amovible du moule et ménagé dans un appareil de type formeuse/operculeuse assurant également le scellement du contenant avec un film de mise sous vide et/ou un film de fermeture.
Selon des aspects avantageux mais non obligatoires, un tel dispositif peut comprendre une ou plusieurs des caractéristiques suivantes :
En général, en fonction de son site d’implantation (zone chaude, froide, ventée, exposée au Nord ou au Sud etc.) et de sa destination (habitation, bureautique, industrielle, villégiature etc.) une installation aura majoritairement besoin de chaleur ou de froid sur une année. Par ailleurs, le milieu géothermique est presque toujours une source thermique particulièrement avantageuse à des fins d’optimisation immédiate au regard des critères d’optimisation choisis (coût d’exploitation, dépense énergétique et empreinte carbone de l’installation). Cependant, si l’on puise systématiquement les calories et les frigories dans le milieu géothermique, sa température à long terme va dériver en sens inverse du besoin majoritaire (c’est-à-dire par exemple va diminuer si le besoin majoritaire est le chauffage). Au bout de quelques années, la chaleur devient de plus en plus difficile à puiser, au point que le milieu géothermique finit par devenir inexploitable, ce qui est catastrophique par rapport à l’investissement initial. C’est pourquoi, comme exposé plus haut, on propose selon l’invention de réguler le puisage thermique dans le milieu géothermique dans le sens du respect d’une trajectoire de température jugée idéale. Cette régulation peut être indirecte : avant la mise en route de l’installation, on mesure la réactivité (variation de température) du milieu géothermique lorsqu’on puise une quantité de chaleur déterminée. En service on régule la température non pas directement, mais d’après les puisages thermiques opérés, que l’on peut traduire en termes de température du milieu géothermique d’après les essais initiaux. Une telle régulation indirecte de la température est plus fine que par mesure directe au moyen du détecteur Tg car les variations instantanées de température du milieu géothermique sont très lentes et donc très faibles entre deux instants rapprochés. Avec une telle régulation indirecte, le détecteur Tg n’est pas nécessairement présent, et s’il l’est, il ne sert qu’à vérifier de temps en temps la règle de correspondance entre puisage et variation de température, et corriger au besoin cette règle si un écart permanent semble s’installer entre température mesurée et trajectoire. En l’absence du détecteur Tg une dérive défavorable du milieu géothermique sera néanmoins constatable d’après la baisse d’efficacité du puisage.
Plus généralement, selon l’invention, l’optimisation recherchée est une optimisation globale sur une certaine période commençant à l’instant d’intervention ou un peu avant et s’étendant dans le futur de l’instant présent.
Pour cela, on se dote de prévisions relatives à des paramètres pertinents pour élaborer une estimation de la demande en énergie thermique du bâtiment en différents instants futurs et pour choisir en ces instants la combinaison d’états optimale des équipements de l’installation pour satisfaire cette demande.
Les paramètres pour lesquels les prévisions peuvent être prises en compte sont typiquement tout ou partie de la liste suivante : température extérieure, ensoleillement, vitesse du vent, prix d’achat de l’énergie, prix de revente de l’énergie, paramètres environnementaux parmi lesquels la carbonation de l’électricité fournie par le réseau 36 et aussi éventuellement des paramètres de pollution atmosphérique, degré d’occupation de l’immeuble, état des stocks thermiques dans les structures de stockage, etc.
Les prévisions relatives aux paramètres climatiques, et aux tarifs de l’énergie applicables dans la période à venir sont disponibles sous une forme pouvant directement alimenter l’entrée 23 de l’unité de commande CU. En pratique l’entrée 23 est typiquement un raccordement à un ou plusieurs serveurs via internet, sa représentation à la est purement illustrative. Concernant la carbonation, si des prévisions ne sont pas disponibles, on les établit par exemple au moyen de la méthode décrite plus haut, soit dans l’unité de commande CU soit à distance pour les transmettre à l’unité de commande CU via l’entrée 23.
D’une manière générale, le procédé d’optimisation globale de la fourniture d’énergie thermique dans un bâtiment correspond de préférence, dans son principe, à celui décrit dans WO 2022/029 235 A1. On ne décrira ici que l’adaptation de ce procédé connu pour que l’optimisation globale tende à une minimisation de l’empreinte carbone de la fourniture d’énergie thermique par l’installation.
A un instant courant de pilotage de l’installation, l’estimation de carbonation de l’électricité fournie par le réseau de distribution 36 est un prévisionnel horodaté s’étendant sur une certaine période à partir de l’instant courant. L’optimisation comprend définir un scénario prescrivant une séquence de combinaisons horodatées d’états d’activation des équipements sur ladite période. Chaque combinaison d’états est affectée à un segment temporel défini par sa date et son heure, par exemple l’heure de début du segment temporel. Typiquement tous les segments temporels ont la même durée, par exemple un quart d’heure, et ils se suivent de façon jointive dans le temps. Le scénario est défini dans le sens d’une optimisation globale sur la période au regard de l’au moins un critère comprenant la modération de l’empreinte carbone de l’énergie thermique fournie par l’installation. L’optimisation multicritère est opérée par exemple comme décrit plus haut. Typiquement, pour chaque segment temporel de la période il y a une somme des critères dans l’échelle commune, échelle en unités monétaires dans l’exemple décrit plus haut. Le scénario optimal est celui pour lequel le résultat de l’addition des sommes obtenues pour chacun des différents segments temporels est le plus favorable, donc le plus petit si l’échelle est exprimée en unité monétaire de coût. La recherche du scénario optimal est typiquement réalisée par des itérations informatiques.
Dans une version, une fois que le scénario horodaté a été établi, on opère l’installation en mettant en œuvre, à chaque instant, les équipements en prenant en compte le scénario.
De préférence, il est prévu de mettre à jour le scénario au cours de son exécution pour tenir compte des divergences éventuelles entre un historique de la fourniture d’énergie thermique dans l’installation et le scénario avant mise à jour ; et/ou des divergences éventuelles entre des prévisions récentes et des prévisions plus anciennes sur lesquelles est basé le scénario avant mise à jour.
Dans une version perfectionnée le scénario prescrit en outre des modalités d’ajustement à la demande réelle d’énergie thermique à l’instant courant et/ou à des paramètres réels des sources d’énergie à l’instant courant, ces modalités étant elles-mêmes optimisées au regard de l’au moins un critère comprenant la modération de l’empreinte carbone de l’énergie thermique fournie par l’installation. Dans l’exemple de la , si l’automate AUT est confronté à une demande d’énergie thermique différente de celle prévue par le scénario, il ajuste le scénario conformément aux modalités d’ajustement valables pour le segment temporel courant.
Lors de la construction ou de la rénovation d’un immeuble ou ensemble immobilier, il y a avantage à remplir les conditions permettant l’octroi de labels et/ou d’avantages fiscaux. Ils offrent en outre un argument commercial par affichage de vertu écologique et promesse d’économies à l’utilisation.
Dans cette optique qui s’ajoute à celle de l’optimisation telle qu’elle a été décrite jusqu’ici, l’invention propose, dans une version, non seulement d’optimiser la fourniture énergétique d’une installation, mais, en amont, de concevoir l’installation pour qu’elle permette des optimisations particulièrement avantageuses au regard des critères comprenant notamment le critère de modération de l’empreinte carbone accompagnant la satisfaction de la demande en énergie thermique. On peut procéder comme suit :
Comme cela est illustré sur les figures 1 à 8, l’invention concerne une diode électroluminescente 10, un organe optoélectronique, et un dispositif optoélectronique 1 comprenant au moins une telle diode électroluminescente 10.
Le dispositif optoélectronique 1 comprend un support 3, 8 comportant généralement un empilement d’une couche monolithique (non représentée), d’une couche d’électrode inférieure 2 qui peut être une couche de germination conductrice, et d’une première couche d’isolation électrique 4. La couche monolithique peut être formée dans un matériau semiconducteur dopé ou non, par exemple du silicium ou encore du germanium, et plus particulièrement du silicium monocristallin. Il peut aussi être formé en alumine cristallisée voire en un matériau semiconducteur III-V, par exemple en GaN. Il peut alternativement s’agir d’un substrat de type silicium sur isolant ou « SOI » pour « Silicon On Insulator » selon la terminologie anglo-saxonne consacrée. Alternativement, la couche monolithique peut être formée dans un matériau électriquement isolant. La couche d’électrode inférieure 2 sert à former une ou plusieurs premières électrodes inférieures et peut servir de couche de germination pour la croissance de portions de diodes électroluminescentes 10. Dans la suite de la description, il est fait référence à une partie proximale p1 de la diode électroluminescente. Cette partie proximale p1 correspond à la partie de la diode électroluminescente 10 qui dirigée vers le substrat de croissance (ou par exemple la couche d’électrode inférieure 2) à partir duquel les portions de la diode électroluminescente 10 ont crû. Cette couche d’électrode inférieure 2 peut être continue ou discontinue. Le matériau composant la couche d’électrode inférieure 2 peut être un nitrure, un carbure ou un borure d’un métal de transition de la colonne IV, V ou VI du tableau périodique des éléments ou une combinaison de ces composés. En pratique dans la suite du procédé de fabrication, cette couche d’électrode inférieure 2 de germination peut être complétée ou remplacée par des métaux comme l’aluminium ou le cuivre. La première couche d’isolation électrique 4 peut comprendre une couche électriquement isolante qui recouvre la couche d’électrode inférieure 2. Outre ses propriétés d’isolation électrique, elle forme un masque de croissance autorisant la croissance, par exemple épitaxiale, de parties dopées des diodes électroluminescentes 10 à partir d’ouvertures traversantes 15 délimitées par ce masque de croissance débouchant localement sur la couche d’électrode inférieure 2. Selon une variante non limitative, il peut être prévu que le support 3, 8 comprenne une base 8 assurant un maintien mécanique général du dispositif optoélectronique 1. Par exemple, cette base 8 peut être rapportée au niveau de la partie distale d1 des diodes électroluminescentes 10 et former le support 3, 8. Dans ce cas, le substrat ayant servi pour la croissance des parties dopées (comme par exemple le noyau semiconducteur 11, et la coque semiconductrice 13 qui seront présentées plus loin) peut être supprimé. Ainsi, la partie proximale p1 correspond à la partie de la diode électroluminescente 10 la plus éloignée de la base 8 formant le support 3, 8 ; et la partie distale d1 est la plus proche de la base 8 formant le support 3, 8.
Le support 3, 8 du dispositif optoélectronique 1 selon l’invention présente une face de support 5 qui coopère directement ou indirectement avec au moins une diode électroluminescente 10 selon l’invention. Par exemple, comme cela est illustré sur la les diodes électroluminescentes 10 peuvent être disposées sur la face de support 5 du support 3, 8, elle coopèrent donc directement avec la face de support 5 du support 3, 8. Alternativement et comme représenté sur la , c’est la base 8 qui forme le support 3, 8. Dans ce cas, la face de support 5 est dirigée vers la partie distale d1 des diodes électroluminescentes, et coopère avec celles-ci indirectement, par exemple par l’intermédiaire d’une couche de planarisation 17 qui sera décrite plus loin. Chaque diode électroluminescent 10 présente une forme tridimensionnelle et comprend une hauteur h1 s’étendant selon une première direction notée « X » entre la partie proximale p1 (définie plus haut) et une partie distale d1 opposée à ladite partie proximale p1 le long de ladite première direction X. Comme indiqué précédemment, la partie proximale p1 correspond à la partie de la diode électroluminescente 10 dirigée vers le substrat de croissance à partir duquel les portions de la diode électroluminescente 10 ont crû.
Selon un mode de réalisation, la diode électroluminescente 10 est disposée sur la face de support 5 de sorte que la partie proximale p1 de ladite au moins une diode électroluminescente 10 soit tournée vers la face de support 5 du support 3, 8. De manière générale, les diodes électroluminescentes 10 sont disposées de sorte que la première direction X s’étende transversalement à la face de support 5. La diode électroluminescente 10 comprend un noyau semiconducteur 11 dopé selon un premier type de conductivité, et une coque semiconductrice 13 dopée selon un deuxième type de conductivité opposé au premier type de conductivité, la coque semiconductrice 13 recouvrant au moins partiellement le noyau semiconducteur 11. Il peut notamment être prévu que la coque semiconductrice 13 recouvre le noyau semiconducteur 11 du côté de la partie distale d1, et ne recouvre pas le noyau semiconducteur 11 du côté de la partie proximale p1 Comme cela est indiqué sur les figures, la partie proximale p1 peut par exemple correspondre à la base de croissance du noyau semiconducteur 11.
Le dispositif optoélectronique 1 comprend en outre un premier élément conducteur 7 connecté électriquement au noyau semiconducteur 11 de la diode électroluminescente 10, et un deuxième élément conducteur 9 connecté électriquement à la coque semiconductrice 13 de la diode électroluminescente 10. Comme on peut le voir sur le mode de réalisation non limitatif représenté sur la , le deuxième élément conducteur 9 est disposé au niveau de la face de support 5 du support 3, 8, de manière à être connecté électriquement à la coque semiconductrice 13, et le premier élément conducteur 7 est disposé sur une face opposée de la première couche d’isolation électrique 4. La connexion électrique entre le premier élément conducteur 7 et le noyau semiconducteur 11 est réalisée par l’intermédiaire des ouvertures traversantes 15, traversant la première couche d’isolation électrique 4. Pour améliorer la clarté des figures, le premier élément conducteur 7, et le deuxième élément conducteur 9 ne sont pas représentés systématiquement. Il est cependant bien compris que d’autres modes de réalisation peuvent être mis en œuvre pour permettre la connexion électrique entre le premier élément conducteur 7 et le noyau semiconducteur 11, et entre le deuxième élément conducteur 9 et la coque semiconductrice 13.
Enfin, et comme illustré sur la , le dispositif optoélectronique peut comprendre une électrode transparente conductrice 12 configurée pour assurer une connexion électrique entre le deuxième élément conducteur 9 et la coque semiconductrice 13. Il est cependant bien compris qu’une telle électrode transparente conductrice 12 peut être adapté à n’importe quel autre mode de réalisation, comme ceux représentés sur les figures 1 à 7.
Les dispositions précédemment décrites permettent de proposer un dispositif optoélectronique 1 à diodes électroluminescentes 10 adapté pour effectuer la conversion d’un signal électrique en un rayonnement lumineux.
Comme indiqué précédemment, la diode électroluminescente 10 présente une forme tridimensionnelle, ladite forme tridimensionnelle pouvant prendre la forme d’un microfil, d’un nanofil, d’un cône, d’un tronc de cône, d’une pyramide, ou d’une pyramide tronquée. De manière générale, ladite forme tridimensionnelle de la diode électroluminescente 10 dépend de la forme du noyau semiconducteur 11 et de la forme de la coque semiconductrice 13. Ainsi, si au moins un élément semiconducteur choisi dans le groupe comprenant le noyau semiconducteur 11 et la coque semiconductrice 13 présente une forme filaire, conique, tronconique, pyramidale ou de pyramide tronquée la forme de la diode électroluminescente 10 sera semblable. Par exemple, et en référence aux figures 1 à 5, le noyau semiconducteur 11 peut présenter une forme pyramidale ou conique, et peut être disposé sur la face de support 5, de manière à être en contact avec le support 3, 8 par la partie proximale p1. Alternativement et comme représenté sur les figures 6 à 8, le noyau semiconducteur 11 peut présenter une forme de nanofil. Sur les modes de réalisation des figures 1 à 7, la coque semiconductrice 13 recouvre intégralement le noyau semiconducteur 11 lorsqu’il est en contact avec la face de support 5 du support 3, 8, de sorte que la coque semiconductrice 13 épouse la forme pyramidale, conique, ou filaire du noyau semiconducteur 11. Selon le mode de réalisation de la en revanche, la coque semiconductrice 13 recouvre d’une part partiellement le noyau semiconducteur 11 au niveau de la partie distale d1, et d’autre part des flancs du noyau semiconducteur 11, sous la forme de dépôts résiduels, disjoints ou non de la partie distale d1.
Selon un mode de réalisation, le noyau semiconducteur 11 comprend du nitrure de gallium GaN dopé N, et la coque semiconductrice 13 comprend du nitrure de gallium GaN dopé P. Alternativement, au moins un élément semiconducteur choisi parmi le noyau semiconducteur 11 et la coque semiconductrice 13 comprend de l’arséniure de gallium GaAs dopé ou non, ou de l’arséniure de gallium-indium GaInAs dopé ou non, ou un autre matériau III-V. Par « dopage P » ou « dopé P », on entend qu’un matériau semiconducteur comprend une forte quantité d’atomes accepteurs d'électrons permettant d'obtenir une plus faible densité d'électrons libres, donc un excès de trous, lesdits trous étant positivement chargés. Par exemple un atome accepteur d’électron peut être le magnésium. Par « dopage N » ou « dopé N », on entend qu’un matériau semiconducteur comprend une forte quantité d’atomes donneurs d'électrons afin d'obtenir une plus forte densité d'électrons libres, qui sont négativement chargés. Par exemple un atome donneur d’électrons peut être le silicium ou le germanium.
La diode électroluminescente 10 comprend en outre, une portion implantée 30 s’étendant sur une hauteur implantée h2 comptée suivant la première direction X, ladite hauteur implantée h2 étant strictement inférieure à la hauteur h1 de la diode. Par exemple, la hauteur implantée h2, comptée le long de la première direction X, est inférieure à 500 nm.
La portion implantée 30 est disposée entre la partie distale d1 et la partie proximale p1, et est disjointe de la partie distale d1. Selon les variantes représentées sur les figures 1 à 4, 6, et 8, la portion implantée 30 est positionnée, suivant la première direction X, de sorte à incorporer la partie proximale p1 de la diode électroluminescente 10. Alternativement, et comme représenté sur les figures 5 et 7, la portion implantée 30 est disjointe de la partie proximale p1. Par portion, ou élément « passivé » ou « neutralisé », on entend que ladite portion ou ledit élément voit la valeur absolue de sa conductivité diminuer. Par exemple, ladite portion ou ledit élément peut devenir isolant lorsqu’il est passivé. Par conséquent, il est avantageux que la portion implantée 30 soit disjointe de la partie distale d1 de sorte à permettre la conversion d’un signal électrique en un rayonnement lumineux au niveau de ladite partie distale d1.
La portion implantée 30 peut délimiter au sein du noyau semiconducteur 11 au moins une première portion implantée 31 disjointe de la partie distale d1 de la diode électroluminescente 10. Par conséquent, le noyau semiconducteur 11 comprend également au moins une première portion non-implantée 32 délimitée au moins partiellement par ladite au moins une première portion implantée 31. Ladite au moins une première portion implantée 31 présente une concentration ionique strictement différente d’une concentration ionique de ladite au moins une première portion non-implantée 32.
La portion implantée 30 délimite en outre au sein de la coque semiconductrice 13 au moins une portion passivée 33 disjointe de la partie distale d1 de la diode électroluminescente 10. Par conséquent, la coque semiconductrice 13 comprend également au moins une portion active 34 délimitée au moins partiellement par ladite au moins une portion passivée 33. Ladite au moins une portion passivée 33 présente une conductivité strictement inférieure à une conductivité de ladite au moins une portion active 34.