INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Comme l’illustrent les figures 4 et 5, le réchauffeur 16 est sensiblement analogue au réchauffeur 16 précédemment décrit à cette différence qu’il comporte une membrane souple 44 qui est interposée entre les première et seconde faces 32, 38.
Cette membrane souple 44 délimite avec la seconde face 38 un volume étanche 46 et elle recouvre au moins une partie de la gouttière 30. Le réchauffeur comprend en outre au moins un port 47 d’alimentation en gaz sous pression de ce volume 46 de façon à pouvoir déformer la membrane 44 à l’intérieur de la gouttière 30.
Cette configuration a été représentée schématiquement aux figures 8 et 9. Sur la , le volume est réduit à sa plus simple expression car la membrane 44 est plaquée contre la deuxième plaque 36, alors que, sur la , le volume 46 a été alimenté en gaz sous pression et déforme la membrane 44 jusqu’à ce qu’elle épouse les parois de la gouttière 30. La membrane 44 est donc susceptible, lorsque le réchauffeur 16 est rempli de résine, de chasser la résine hors du réchauffeur 16 en occupant le volume initialement occupé par cette résine.
Dans l’exemple qui a été représenté ici, les plaques 34, 36 et la membrane 44 ont chacune une forme générale rectangulaire ou parallélépipédique s’étendant suivant une direction principale L, et les première et deuxième extrémités 40, 42 de la gouttière 30 sont respectivement agencées à proximité de deux bords 48, 50 de la première plaque 34 opposés selon la direction L. Le bord 48 est agencé du côté de l’entrée de résine 24 et le bord 50 est agencé du côté de la sortie de résine 26.
Le deuxième ensemble peut être agencé pour générer une ondulation de courant, à valeur moyenne nulle, de même amplitude mais en opposition de phase par rapport à celle générée par le premier ensemble.
Les deux premiers interrupteurs d’une même paire de cellules de commutation peuvent être connectés aux mêmes borne(s) d’entrée et borne(s) de sortie sans passer par l’intermédiaire d’un transistor ou d’un interrupteur.
Les deux deuxièmes interrupteurs d’une même paire de cellules de commutation peuvent être connectés aux mêmes borne(s) d’entrée et borne(s) de sortie sans passer par l’intermédiaire d’un transistor ou d’un interrupteur.
De préférence, aucune cellule de commutation est connectée à une borne d’entrée en passant par un transistor.
De préférence, aucune cellule de commutation est connectée à une borne de sortie en passant par un transistor.
Chaque cellule de commutation peut être connectée aux deux bornes d’entrée sans aucun élément intermédiaire.
Chaque cellule de commutation peut être connectée à une des bornes de sortie sans aucun élément intermédiaire.
Chaque cellule de commutation peut être connectée à une des bornes de sortie par l’intermédiaire d’une inductance.
Chaque cellule de commutation du premier ensemble peut être connectée à une des bornes de sortie par l’intermédiaire d’une inductance uniquement.
Chaque cellule de commutation du deuxième ensemble peut être connectée à une des bornes de sortie par l’intermédiaire d’une inductance et d’un condensateur.
Chaque cellule de commutation peut être connectée aux deux bornes de sortie sans aucun élément intermédiaire.
Chaque cellule de commutation peut être connectée à une des bornes d’entrée sans aucun élément intermédiaire.
Chaque cellule de commutation peut être connectée à une des bornes d’entrée par l’intermédiaire d’une inductance.
Chaque cellule de commutation du premier ensemble peut être connectée à une des bornes d’entrée par l’intermédiaire d’une inductance uniquement.
Chaque cellule de commutation du deuxième ensemble peut être connectée à une des bornes d’entrée par l’intermédiaire d’une inductance et d’un condensateur.
Chaque inductance du premier ensemble peut être couplée avec une inductance du deuxième ensemble.
Il sera compris que cette disposition n’est pas limitative de l’invention. Par exemple la gouttière pourrait avoir une forme de spirale avec une première extrémité sur un bord de la première plaque et une deuxième extrémité au centre de la spirale.
Il est en tout état de cause important que la membrane 44, qui est interposée entre la première plaque 34 et la deuxième plaque 36, n’interrompe pas le passage de la résine.
Aussi, à cet effet, la deuxième plaque 36 comporte une première ouverture 52 qui forme l’entrée de résine 24 et qui est agencée au droit d’un premier orifice 56 de la membrane 44 coïncidant avec la première extrémité 40 de la gouttière 30. De même, la deuxième plaque 36 comporte une seconde ouverture 54 qui forme la sortie de résine 26 et qui est agencée au droit d’un second orifice 58 de la membrane 44 coïncidant avec la seconde extrémité 42 de la gouttière 30. La résine peut donc traverser la membrane 44. La résine est par exemple acheminée et évacuée respectivement par les première et deuxième canalisations chauffantes (non représentées ici) qui sont insérés dans les entrée de résine 24 et sortie de résine 26.
En variante, comme l’illustrent les figures 12a et 12b, de préférence à un agencement bord à bord de la première extrémité de la gouttière 40 du premier orifice 56 de la membrane 44 et de la première ouverture de la deuxième plaque 36, on peut, pour des raisons d’étanchéité, utiliser un embout 40b qui traverse la membrane 44. Ainsi, la première extrémité 40 de la gouttière 30 comporte un embout 40b qui traverse le premier orifice 56 de la membrane 44, la première ouverture 52, et qui comporte un conduit interne 40c dont l’extrémité libre 40d forme l’entrée de résine 24 à laquelle est raccordée la première canalisation chauffante (non représentée ici). La membrane 44 est comprimée autour de la périphérie 40e de l’embout 40b par la deuxième plaque 36.
De même, la seconde extrémité 42 de la gouttière 30 peut comporter un embout 42b qui traverse le second orifice 58 de la membrane 44, la seconde ouverture 54, et qui comporte un conduit interne 42c dont l’extrémité 42d forme la sortie de résine 26 à laquelle est raccordée la seconde canalisation chauffante (non représentée ici). La membrane 44 est comprimée autour de la périphérie 42e de l’embout 42b par la deuxième plaque 36.
Il sera compris, que sans limitation de l’invention, les entrée et sortie 24, 26 de résine pourraient aussi être agencées latéralement ou dessous dans la première plaque 34 et communiquer directement avec la gouttière 30. En ce cas la membrane ne nécessiterait pas d’être traversée par la résine et ne comporterait pas d’orifices tels que les orifices 56, 58.
Le positionnement du port 47 est essentiel pour déterminer à partir de quelle zone la membrane 44 va commencer à se déformer. Le but étant en effet de chasser la résine du réchauffeur 16 en direction du moule 20, il est souhaitable que la déformation de la membrane 44 commence du côté opposé à la sortie de résine 26 pour se propager vers cette sortie de résine 26 afin de refouler la résine en direction du moule 20. A cet effet, le port d’alimentation 47 est agencé à proximité immédiate de la première ouverture 52.
De préférence, comme l’illustrent les figures 6 et 7, la première ouverture 52 est sensiblement circulaire et le port d’alimentation 49 est une fente en forme J de qui est formée dans la deuxième plaque 36 et dont une branche recourbée 49 s’étend en partie autour de la première ouverture 52.
De la même manière que pour le réchauffeur 16 connu de l’état de la technique, la gouttière 30 serpente entre ses première et deuxième extrémités 40, 42. Plus la longueur de la gouttière 30 est élevée, plus grande sera la capacité de résine pouvant être refoulée. Aussi, de préférence, la gouttière 30 serpente sur une surface représentant 60 à 95% d’une aire de la première face 32.
Comme on l’a vu précédemment, la gouttière 30 pourrait être enroulée en spirale selon un pourcentage sensiblement analogue de l’aire de la première face 32.
La circulation de la résine à travers les plaques 34, 36 et la membrane 36 exige un positionnement précis des ouvertures 52, 54 et orifices 56, 58. Il est donc important que les plaques 34, 36, la membrane 44 et l’au moins un élément chauffant soient positionnés de manière stricte les uns par rapport aux autres. Dans ce but, comme l’illustre la qui représente un réchauffeur 16 à deux éléments chauffants 60, 62 réalisés sous forme de plaques, les éléments chauffants 60, 62, les première et deuxième plaques 34, 36 et la membrane 44 comportent sur des bords longitudinaux des encoches 64 en regard les unes des autres qui reçoivent des moyens de serrage 66, 68 permettant le positionnement et le serrage des éléments ou plaques chauffantes 60, 62, des première et deuxième plaques, et membrane 44 les uns contre les autres. Les moyens de serrage 66, 68 sont par exemple des tirants 66 filetés à leurs extrémités recevant des écrous 68.
Il sera compris que cette disposition n’est pas limitative de l’invention. En variante les éléments chauffants 60, 62 pourraient être intégrés aux plaques 34, 36. Les encoches 64, tirants 66 et écrous 68 pourraient par exemple être remplacés par des perçages formés dans un des éléments chauffants 60, des perçages en regard dans les plaques chauffantes 34, 36, et par des trous taraudés également en regard formés dans l’autre élément chauffant 62, qui recevraient des vis de serrage.
Avec un tel réchauffeur 16, comme l’illustre la , une installation 10 d’injection de résine selon l’invention comporte, comme précédemment d’amont en aval selon une direction de l’écoulement de la résine injectée, un système d’injection 12, une première canalisation chauffante 14, un réchauffeur 16, une seconde canalisation chauffante 18, un moule de fabrication 20 et un dispositif de tirage au vide 22. Le réchauffeur comporte une entrée de résine 24 qui est alimentée par la première canalisation chauffante 14 et une sortie de résine 26 qui alimente la seconde canalisation chauffante 18. Le moule 20 comporte au moins une première partie 20a comportant une empreinte apte à recevoir une préforme de la pièce composite et au moins une deuxième partie 20b apte à fermer l’empreinte. L’installation toutefois comporte de surcroit une source de gaz sous pression commandée, notamment un surpresseur 66 délivrant de l’air comprimé, qui est reliée au port d’alimentation 47 du réchauffeur 16. Dans cette configuration, le système d’injection 12 de résine est apte à être déconnecté de ladite installation. A cet effet il est par exemple connecté au premier conduit 14 par un raccord rapide 68 qui en permet la déconnexion, afin de pouvoir l’utiliser dans une autre installation 10 du même type.
Dans cette configuration, comme l’illustre la , une pièce composite de turbomachine peut être fabriquée à l’aide d’une installation d’injection 10 de ce type selon un procédé comportant en premier lieu une première étape ET1 de mise en place d’une préforme de la pièce (non représentée) dans le moule 20 et de fermeture du moule 20. Puis, dans une deuxième étape ET2, on chauffe la résine dans le système d’injection 12, les conduits chauffants 14, 18 et le réchauffeur 16. Dans une troisième étape ET3, on commande le 12 pour qu’il exerce une pression de résine dans l’installation 20 afin de remplir le moule 20.
Puis dans une quatrième étape on commande la déformation de la membrane 44 afin de chasser au moins une partie de la résine contenue dans le circuit de résine et la gouttière 30 du réchauffeur 16 dans le but de maintenir la pression de résine dans le moule 20.
A cet effet, au cours de la quatrième étape ET4, on relie la source de gaz sous pression 66 commandée au port d’alimentation 47 du réchauffeur 16 en ouvrant une vanne de liaison 70 puis on commande la source de gaz pour provoquer la déformation de la membrane 44. On peut alors, au cours d’une cinquième étape ET5, déconnecter le système d’injection 12 de l’installation 10.
Selon un autre aspect, il est proposé un procédé de fabrication d’au moins une diode Schottky sur un substrat comprenant :
- une formation d‘une couche diélectrique dans le substrat de sorte que la couche diélectrique s’étend en profondeur dans le substrat,
- une formation d’une couche de polysilicium sur la couche diélectrique, la couche diélectrique étant adaptée pour isoler électriquement la couche de polysilicium du substrat,
- un dopage de la couche de polysilicium de façon à former au moins une première région dopée de type N, dite région de cathode, adjacente à au moins une deuxième région non-dopée, dite région d’anode, de la couche de polysilicium,
- une formation d’un premier contact métallique en surface de ladite au moins une première région et d’un deuxième contact métallique en surface de ladite au moins une deuxième région de sorte que ledit premier contact métallique et ledit deuxième contact métallique sont adaptés à être isolés électriquement l’un de l’autre.
Selon un mode de mise en œuvre, le dopage de la couche de polysilicium comprend un masquage et gravure adaptées pour former des ouvertures au niveau de ladite au moins une première région de la couche de polysilicium et une implantation ionique sur la couche de polysilicium au niveau desdites ouvertures.
Les différentes régions dopées peuvent ainsi être formées simultanément à des endroits spécifiques de la couche de polysilicium.
Selon un mode de mise en œuvre, la formation du premier contact métallique et du deuxième contact métallique comprend :
- une formation d’une couche d’oxyde s’étendant sur la couche de polysilicium,
- une gravure de la couche d’oxyde découvrant partiellement ladite au moins une première région et ladite au moins deuxième région de la couche de polysilicium, et
- une siliciuration en surface de ladite au moins une première région et en surface de ladite au moins une deuxième région de sorte que ledit premier contact métallique et ledit deuxième contact métallique sont isolés l’un de l’autre par la couche d’oxyde.
Selon un mode de mise en œuvre, le matériau des contacts métalliques est un alliage nickel-platine.
Selon un mode de mise en œuvre, le procédé comporte en outre une fabrication d’au moins une cellule mémoire non-volatile comprenant : - une formation d’un empilement de polysilicium réalisée simultanément avec la formation de la couche de polysilicium, - un dopage de type N dudit empilement de polysilicium réalisé simultanément avec le dopage de la couche de polysilicium, et - une formation d’un contact métallique en surface dudit empilement de polysilicium réalisée simultanément avec la formation du premier contact métallique et du deuxième contact métallique.
Une cointégration de diodes Schottky avec des cellules mémoires non-volatiles permet de fabriquer « gratuitement » les diodes Schottky dans un même procédé, notamment lors des étapes communes de formation, de dopage de la couche de polysilicium et de formation des contacts métalliques. Par « gratuitement », on entend que le procédé ne nécessite pas d’étapes supplémentaires dédiées exclusivement à la formation des diodes Schottky et permet donc de réduire le nombre d’étapes pour la fabrication du dispositif semiconducteur IC, ce qui réduit ainsi le coût et le temps de production d’un tel dispositif IC.
Selon un mode de mise en œuvre, le procédé comporte en outre une fabrication d’au moins un transistor MOS basse-tension comprenant :
- une formation d’une région de grille en polysilicium réalisée simultanément avec la formation de la couche de polysilicium,
Comme illustrées par les figures 5 5a et 9, les liaisons pivots sur les axes A2, A3 et A5, sont mises en œuvre par deux paliers chacune : un palier principal et un palier secondaire.
Plus précisément, comme illustrée par la , la liaison pivot mise en œuvre selon l’axe A2 entre l’extrémité basse 410 du bras 400 et le chariot 300 est guidée par les deux paliers 320 et 330. L’entraînement en rotation est mis en œuvre au moyen d’un moteur 321 associé à un réducteur 322. Ce moteur 321 est également associé à un premier codeur 323 assurant une prise de mesure de la vitesse.
La partie entraînée en rotation du réducteur 322 est fixée à un côté de l’extrémité 410 du premier bras 400 pour transmettre le mouvement de rotation. Le palier 320 assurant le guidage de ce côté est appelé principal car au plus près du moteur 321.
Le deuxième côté de l’extrémité 410 est équipé d’une extension axiale 331 qui guidée en rotation par le deuxième palier 330 dit secondaire ou de reprise est associé à un deuxième codeur 332 assurant une prise de mesure de la position.
Il en est de même pour les liaisons pivots pour les axes A3 et A5.
Ainsi, également illustrée par la , la liaison pivot mise en œuvre selon l’axe A3 entre l’extrémité haute 420 du bras 400 et le deuxième bras 500 est guidée par les deux paliers 430 et 440. L’entraînement en rotation est mis en œuvre au moyen d’un moteur 431 associé à un réducteur 432. Ce moteur 431 est également associé à un premier codeur 433 assurant une prise de mesure de la vitesse.
La partie entraînée en rotation du réducteur 432 est fixée à un côté de l’extrémité 510 du deuxième bras 500 pour transmettre le mouvement de rotation. Le palier 430 assurant le guidage de ce côté est appelé principal car au plus près du moteur 431.
Le deuxième côté de l’extrémité 510 est équipé d’une extension axiale 441 qui guidée en rotation par le deuxième palier 440 dit secondaire ou de reprise est associé à un deuxième codeur 442 assurant une prise de mesure de la position.
Enfin, comme illustrée par , la liaison pivot mise en œuvre selon l’axe A5 dans le poignet 600 pour guider en rotation l’électro-broche 200 selon un plan perpendiculaire à l’axe A5 est guidée par les deux paliers 610 et 620. L’entraînement en rotation est mis en œuvre au moyen d’un motoréducteur 611. Ce motoréducteur 611 est équipé d’un premier codeur assurant une prise de mesure de la vitesse.
La partie entraînée en rotation du motoréducteur 611est fixée à un côté du fourreau 220 accueillant l’électro-broche 200 pour transmettre le mouvement de rotation selon l’axe A5. Le palier 610 assurant le guidage de ce côté est appelé principal car au plus près du motoréducteur 611.
Le fourreau 220 sur sa portion disposée en opposition à celle coopérant avec le motoréducteur 611 est préformé pour être guidé en rotation par le deuxième palier 620 dit secondaire ou de reprise et est associé à un deuxième codeur 622 assurant une prise de mesure de la position.
La présence sur ces liaisons pivots de deux codeurs, l’un lié directement au moteur et l’autre disposé dans la chaîne d’entraînement après la cinématique du réducteur permet de mettre en œuvre l’asservissement illustré par la .
Comme illustrée par la , la machine-outil est commandée par une unité de commande 700 dite CNC traitant ave des consignes pour chaque axe des liaisons pivots à deux paliers (mais également celle mise en œuvre à un seul palier pour l’axe A4) ci-dessus décrites, une boucle d’asservissement :
de position 710,
de vitesse 720, et
de couple 730.
R 15 représente un atome d'hydrogène ;
Ar—O—S(O) 2 — avec Ar représentant un groupe aryle éventuellement substitué, de préférence un phényle éventuellement substitué par un ou plusieurs groups alkyle ;
R a et R b , qui peuvent être identiques ou différents, sont tels que définis précédemment, de préférence, R a représente un atome d'hydrogène et R b représente un groupe aryle ;
Y représente soit un groupe hydroxyle, soit un groupe oxo ; représente une liaison simple lorsque Y est un groupe oxo ; et représente une liaison double lorsque Y représente un groupe hydroxyle ;
En outre, un tuyau d’alimentation destiné à communiquer avec la cavité interne du corps de four rotatif est prévu au fond du bac de tête de four ; un tuyau conducteur de chaleur destiné à communiquer avec la cavité interne du corps de four rotatif est prévu à une extrémité du mécanisme de chauffage ; un tuyau de guidage de matière destiné à communiquer avec la cavité interne du corps de four rotatif est prévu à une extrémité du bac de queue de four ; et le tuyau d’alimentation, le tuyau conducteur de chaleur et le tuyau de guidage de matière passent tous à travers le boîtier de support relié au bac de tête de four et s’étendent dans la cavité interne du corps de four rotatif.
En outre, une membrane filtrante anti-poussière est prévue à une extrémité du tuyau d’entrée de gaz de la pompe à gaz.
En outre, une direction de rotation du corps de four rotatif est opposée à une direction de rotation du mécanisme d’agitation.
Par ailleurs, une bague de liaison est prévue à chacune des deux extrémités du corps de four rotatif pour la liaison avec les boîtiers de support, de sorte que le corps de four rotatif tourne entre les deux boîtiers de support sous l’action du mécanisme de remorquage et du mécanisme d’entraînement.
En outre, un élément conducteur de chaleur est prévu dans la cavité interne du corps de four rotatif, l’élément conducteur de chaleur est agencé en spirale sur une paroi latérale de la cavité interne du corps de four rotatif, et une rainure de guidage de matière en spirale est formée entre l’élément conducteur de chaleur et une paroi interne du corps de four rotatif.
Par ailleurs, une direction de spirale de l’élément conducteur de chaleur et une direction de spirale de la rainure de guidage de matière sont identiques à la direction de rotation du corps de four rotatif.
En outre, les au moins deux pales sont de structure en forme de plaque plate ou de structure en forme d’arc circulaire.
En outre, au moins deux mécanismes de remorquage sont prévus ; et le mécanisme d’entraînement est situé entre les au moins deux mécanismes de remorquage.
Par ailleurs, une bague de limitation et une bague d’engrenage qui sont reliées aux au moins deux mécanismes de remorquage et au mécanisme d’entraînement sont prévues à l’extérieur du corps de four rotatif.
Les effets bénéfiques de la présente demande par rapport à la technologie classique sont les suivants :
dans la présente demande, le mécanisme d’agitation ayant la direction de rotation opposée à celle du corps de four rotatif est prévu à l’intérieur du corps de four rotatif, et le gaz à haute température à l’intérieur du corps de four rotatif est pompé dans le mécanisme d’agitation à travers la pompe à gaz, de sorte que le gaz à haute température puisse être réinjecté dans la cavité interne du corps de four rotatif à travers les pales rotatives, et la matière première de batterie à l’intérieur du corps de four rotatif peut être entièrement dispersée à travers le gaz à haute température de diffusion ayant un impact sur la matière première de batterie à l’intérieur du corps de four rotatif, ce qui évite la liaison de la matière première de batterie, assure un contact suffisant entre la matière première de batterie et la paroi interne du corps de four rotatif, et améliore la vitesse de séchage de la matière première de batterie.
dans la présente demande, l’élément conducteur de chaleur en spirale et la rainure de guidage de matière en spirale sont prévus dans la paroi interne du corps de four rotatif, et la rainure de guidage de matière en spirale est définie dans l’élément conducteur de chaleur, de sorte que la matière première de batterie puisse toujours être en contact avec l’élément conducteur de chaleur lorsque la matière première de batterie se déplace le long de la rainure de guidage de matière d’une extrémité du bac de tête de four à une extrémité du bac de queue de four, ce qui sèche efficacement la matière première de batterie à travers l’élément conducteur de chaleur et la paroi interne du corps de four rotatif. En plus, après l’utilisation de l’élément conducteur de chaleur et de la rainure de guidage de matière pour coopérer avec le mécanisme d’agitation, le gaz soufflé des pales peut avoir un impact sur la matière première de batterie dans la rainure de guidage de matière pour augmenter davantage la force d’impact de gaz, de sorte que la matière première de batterie monte et descend en continu sous l’influence de l’élément conducteur de chaleur et de la rainure de guidage de matière, ce qui peut non seulement améliorer davantage l’uniformité du séchage de la matière première de batterie, mais également accélérer le séchage de la matière première de batterie et améliorer la vitesse de séchage de la matière première de batterie.
est une vue schématique de face d’un four rotatif selon la présente demande ;