INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Un premier exemple de réalisation de la production du vecteur noté peut être décrit d’une manière algorithmique par la table suivante : 1 2 mod 3 4 5 Pour allant de à 6 || ouverture pour 7 8 9 10 Tant que tel que 11 { ouverture tant-que 12 Si alors 13 { || ouverture si 14 15 16 } || fermeture si 17 Pour allant de à 18 { || ouverture pour 19 Si 20 } || fermeture pour 21 } || fermeture tant-que 22 || fermeture pour 23 Retourner le vecteur
A titre d’exemple illustratif, un tel procédé pourrait être exprimé en langage Mathematica comme suit : GenV := Function[{t, n, p, d}, \[Alpha] = Table[Floor[p[[i]]/n], {i, 1, t}]; \[Epsilon] = PowerMod[d[[1]], -1, p[[1]]]; e = u = Range[2, t]; v = Table[0, {i, 1, n}]; h = Table[Mod[d[[i + 1]] \[Epsilon], p[[i + 1]]], {i, 1, t - 1}]; \[Beta] = Table[Mod[h[[i]] - d[[i + 1]] p[[1]], p[[i + 1]]], {i, 1, t - 1}]; Do[w1 = RandomInteger[{1, \[Alpha][[1]]}]; v[[i]] = Mod[w1 \[Epsilon], p[[1]]]; u = Mod[v[[i]] d[[#]], p[[#]]] & /@ e; While[Or @@ ((u[[# - 1]] > \[Alpha][[#]]) & /@ e), If[(v[[i]] += \[Epsilon]) >= p[[1]], u += \[Beta]; v[[i]] -= p[[1]], u += h]; Do[If[u[[j]] >= p[[j + 1]], u[[j]] -= p[[j + 1]]], {j, t - 1}]], {i, n}]; v];
L’exécution d’un tel code imprimera effectivement « vrai » : {n,t}={40,3}; p = Table[RandomPrime[2^n], {i, 1, t}]; d = Table[RandomInteger[{1, p[[i]] - 1}], {i, 1, t}]; GenV[t, n, p, d]; And @@ Flatten[Table[Mod[v[[i]] d[[j]],p[[j]]]
Ce qui permet de tester l’ensemble des étapes de l’algorithme ainsi : mAlgGenCPA := Function[{n, k, t}, q = RandomPrime[2^k]; p = {}; While[Length[p] != t, p = Union[Table[RandomPrime[2^n], {i, 1, t}]]]; d = Table[RandomInteger[{1, p[[i]]-1}], {i, 1, t}]; M = GenM[t, q]; v = GenV[t, n, p, d]; w = Table[Mod[v d[[i]], p[[i]]], {i, 1, t}]; s = Mod[M . w, q]; {{p, d, M}, {q, v, s}}]; mEncapCPA := Function[{n, k, t, pk}, {q, v, s} = pk; m = Table[RandomInteger[1], {i, 1, n}]; {Ch = m . v, K = Table[Mod[m . s[[i]], q], {i, 1, t}]}]; mDecapCPA := Function[{n, k, t, sk, pk, Ch}, q = pk[[1]]; {p, d, M} = sk; b = Mod[Ch d, p]; K = Mod[ M . b , q]];
L’exécution d’un tel code imprimera effectivement « vrai » : {n, t} = {200, 3}; k = Floor[n*0.291]; {sk, pk} = mAlgGenCPA[n, k, t]; {ch, clé} = mEncapCPA[n, k, t, pk]; mDecapCPA[n, k, t, sk, pk, ch] == clé
On notera que cette procédure de recherche de clés est facilement parallélisable et peut tirer avantage de processeurs pour accélérer la recherche d’un facteur . En effet, chaque peut être confié à un processeur séparé et généré indépendamment des autres. Cette remarque s’applique également à la procédure décrite dans le deuxième exemple de réalisation de la production de qui suit.
EXEMPLE 3 Utilisation de l’électrode de référence pour le suivi des potentiels des électrodes positive et négative lors de différentes étapes de formation d’un supercondensateur hybride au potassium
La mise en œuvre du montage à trois électrodes tel que décrit en exemple 2 permet de mesurer la tension de la cellule du supercondensateur hybride au potassium via un branchement entre les électrodes négative et positive ; et de calculer les potentiels respectifs des électrodes positive et négative de la cellule du supercondensateur hybride au potassium via un branchement entre l’électrode de référence et l’électrode positive ou négative.
Par exemple, la présente l’évolution de la tension de cellule et des potentiels des électrodes négative et positive pour la cellule de supercondensateur hybride au potassium préparée en exemple 2 lors des différentes étapes de formation d’un supercondensateur hybride au potassium suivant le procédé décrit dans la demande déposée en France sous le numéro FR2109574 : charge à C/2 jusqu’à 3,2 V, maintien pendant 24 heures à la tension de 3,2 V et décharge à C/2 jusqu’à 0,5 V.
EXEMPLE 4 Utilisation de l’électrode de référence pour réaliser le suivi des potentiels des électrodes positive et négative dans un système supercondensateur hybride au potassium
Les potentiels des électrodes positive et négative dans la cellule à trois électrodes préparée en exemple 2 sont suivis lors d’un cyclage à un régime de C ; 2,5 C et 5 C.
La présente l’évolution des potentiels des électrodes positive et négative aux différents régimes.
Electrode de référence à base de matériau organique de type N La présente invention concerne le domaine des systèmes de stockage électrochimique, plus précisément le domaine des dispositifs électrochimiques de type accumulateurs ou batteries métal-ion, notamment des batteries sodium-ion, lithium-ion, potassium-ion, magnésium-ion ; des batteries lithium-soufre ou lithium-air ; et supercondensateurs, par exemple des supercondensateurs hybrides au potassium.
Elle vise plus précisément la mise en œuvre d’une électrode à base d’un ou plusieurs matériaux actifs organiques de type accepteurs d’électrons, dits encore de type N, présents sous une forme partiellement réduite chargée négativement, avec compensation des charges négatives par au moins un cation, comme électrode de référence dans une cellule dudit système de stockage électrochimique.
Les dispositifs électrochimiques de type batteries, par exemple batteries au lithium, et supercondensateurs, trouvent de multiples applications, notamment dans l’alimentation des systèmes embarqués de faible épaisseur, comme les cartes de crédit, les étiquettes intelligentes, dans l’alimentation des téléphones mobiles, le stockage de l’énergie de cellules photovoltaïques, ou encore dans l’alimentation des véhicules électriques.
Divers systèmes de stockage électrochimiques ou générateurs électrochimiques ont été développés, telles que des batteries métal-ion, notamment des batteries sodium-ion, lithium-ion, potassium-ion, magnésium-ion ; des batteries lithium-soufre ou lithium-air, et plus récemment des supercondensateurs.
Ces générateurs électrochimiques, par exemple au lithium, fonctionnent classiquement sur le principe d’insertion et désinsertion (ou intercalation-désintercalation) d’un métal, tel que le lithium, sur au moins une électrode. En particulier, dans un accumulateur lithium-ion, les cations Li + font ainsi des allers-retours entre les électrodes, respectivement positive et négative, à chaque charge et décharge de l’accumulateur. Le matériau actif de l’électrode positive est capable de libérer des ions lithium au moment de la charge et d’incorporer des ions lithium au moment de la décharge.
Les supercondensateurs constituent des dispositifs de stockage d’énergie permettant d’obtenir une densité de puissance et une densité d’énergie intermédiaires entre celles fournies par des batteries électrochimiques et par des condensateurs électrolytiques classiques. En outre, ils restituent plus rapidement de l’énergie qu’une batterie électrochimique. Dans les supercondensateurs standards, dits encore « symétriques », les deux électrodes (électrode positive et électrode négative) sont toutes deux à base de carbone activé et l’électrolyte est classiquement à base de sel d’ammonium, typiquement du tétrafluoroborate de tétraéthylammonium (Et 4 NBF 4 ) dans l’acétonitrile ou dans du carbonate de propylène. Il a également été développé des supercondensateurs, dits « hybrides » ou « asymétriques », se situant entre les supercondensateurs symétriques classiquement utilisés à base de carbone activé et les batteries. Une des électrodes, classiquement l’électrode positive, est à base de carbone activé ; l’autre électrode, classiquement l’électrode négative, étant constituée à partir d’un matériau de batterie rechargeable. Le stockage de charges dans un supercondensateur hybride se produit au niveau de l’électrode négative par le biais d’une réaction redox, tandis que le stockage de charges au niveau de l’électrode positive se produit par le biais de la formation d’une double-couche électrochimique.
Il est important, pour les systèmes de stockage électrochimiques, qu’il s’agisse des batteries ou des supercondensateurs, de pouvoir connaître et suivre l’évolution du potentiel de chaque électrode, lors du fonctionnement de la cellule électrochimique. En particulier, pour des cellules mettant en œuvre des électrolytes à base de solvant(s) organique(s), il importe que la cellule du système électrochimique ne fonctionne pas en dehors de la plage de stabilité électrochimique du ou desdits solvants organiques, pour ne pas engendrer de dégradations et notamment la production de gaz. De même, il est important de contrôler, via la limitation en potentiel, l’état de lithiation de certains composés tels que les oxydes lamellaires Li x MO 2 dont la structure est instable pour x 2 ) ou x x MO 2 avec M=Ni, Co, Mn à faible teneur en Co), ou encore éviter l’électrodépôt de lithium à l’état métallique à l’électrode négative à des potentiels inférieurs à 0V vs Li + /Li. Afin de contrer l’apparition de tout phénomène indésirable, il importe de pouvoir connaître et suivre l’évolution du potentiel de chaque électrode, lors du fonctionnement de la cellule électrochimique.
Pour cela, il est souhaitable de pouvoir introduire une électrode dite de référence au sein du système électrochimique. Une électrode de référence doit présenter un potentiel stable et connu, permettant de connaître à chaque instant le potentiel de chacune des électrodes positive et négative du système.
-beaucoup plus rarement : troubles génétiques du métabolisme des folates.
Selon un mode de réalisation préférée de la présente invention, la vitamine B9 est présente dans la composition selon l’invention en une teneur de 100 à 1000 µg de préférence 300 à 650 µg par composition unique.
La vitamine B12 est essentielle à la fabrication des globules rouges du sang et au bon fonctionnement du système nerveux du fœtus. Elle travaille avec l’acide folique pour fabriquer l’ADN (le matériel génétique).
Comme cette vitamine se trouve presque uniquement dans des aliments d’origine animale, les femmes végétariennes ou celles qui mangent très peu de viande, de poisson, d’œufs et de produits laitiers doivent y porter une attention particulière.
Une carence en vitamine B12 pourrait nuire aux fonctions cognitives de l’enfant et provoquer l’anémie ainsi que des troubles de mémoire et d’autres problèmes neurologiques permanents chez la mère.
Selon un mode de réalisation préférée de la présente invention, la vitamine B12 est présente dans la composition selon l’invention en une teneur de 1 à 15 µg de préférence 2 à 10 µg par composition unique.
La vitamine C est un cofacteur enzymatique impliqué dans un certain nombre de réactions physiologiques (hydroxylation). Elle est requise dans la synthèse du collagène et des globules rouges et contribue au système immunitaire. Elle joue également un rôle dans le métabolisme du fer en tant que promoteur de son absorption ; son utilisation est donc déconseillée chez les patients porteurs d'une surcharge en fer et particulièrement d'une hémochromatose. Sous forme oxydée (acide déshydroascorbique), elle traverse la barrière hémato-encéphalique pour accéder au cerveau et à plusieurs organes à forte concentration en vitamine C.
Selon un mode de réalisation préférée de la présente invention, la vitamine C est présente dans la composition selon l’invention en une teneur de 50 à 200 mg de préférence 60 à 140 mg par composition unique.
La et la illustrent un procédé de fabrication d’une couche de passivation selon l’invention.
La illustre un substrat support comportant une couche de passivation fabriqué dans le procédé des figures 2A et 2B.
La montre le taux de réaction en fonction de la température.
La illustre un procédé de fabrication d’une couche de passivation selon un deuxième mode de réalisation.
La montre l’épaisseur d’oxyde de silicium formé en fonction de la température.
La est le profil de température d’un procédé de fabrication d’un substrat support connu et un procédé selon l’invention.
Les figures 8A à 8E illustrent un procédé de fabrication d’un substrat du type semiconducteur sur isolant à partir d’un substrat selon l’invention.
Description détaillée de modes de réalisation Les figures 3A à 3C illustrent la fabrication d’un substrat support selon un premier mode de réalisation de l’invention. En référence à la , on commence par la mise à disposition d’un substrat de base 10 qui comporte une couche 20 d’oxyde de silicium natif. Typiquement, ce substrat peut être en silicium monocristallin. Une telle couche d’oxyde natif 20 se forme lors du contact avec de l’air comportant de l’oxygène après la fabrication du substrat support 10, par exemple après sa découpe à partir d’un lingot. Cette couche d’oxyde natif est donc présente sur tous les substrats en silicium exposés à l’air ambiant. L’épaisseur de la couche d’oxyde de silicium natif 20 est typiquement comprise entre 5 et 10 Ångström.
On place le substrat support 10 avec la couche d’oxyde natif 20 dans une chambre de dépôt adaptée pour le dépôt d’une couche de piégeage de charges 30. Une telle enceinte est typiquement une enceinte de dépôt chimique en phase vapeur (CVD, acronyme du terme anglo-saxon Chemical Vapor Deposition). Cependant, l’invention ne se limite pas à un procédé dans une enceinte de CVD et une couche de piégeage de charges 30 déposée par CVD. Le procédé peut s’appliquer à un substrat de base 10 sur lequel une couche de piégeage de charges 30 est déposée par toute technique nécessitant une montée en température susceptible de dégrader la couche d’oxyde de silicium natif 20 présente sur le substrat de base 10.
On chauffe le substrat de base 10 comportant la couche d’oxyde natif 20 progressivement de la température ambiante qui est typiquement proche de 20°C jusqu’à une température T p de dépôt de la couche de piégeage de charges. Cette température T p est typiquement supérieure à 950°C.
Pendant le chauffage, on évacue les gaz extérieurs qui peuvent être introduits dans la chambre de dépôt lors de l’introduction du substrat de base. On introduit ensuite un gaz oxydant 40 dans la chambre de dépôt afin de conserver la couche d’oxyde de silicium natif 20 pendant la montée en température. Un tel gaz oxydant 40 peut être de l’oxygène (O 2 ) ou un mélange d’un gaz porteur inerte avec de l’oxygène, par exemple un mélange d’argon et d’oxygène. On commence l’introduction du gaz oxydant 40 dans la chambre à une température T ox comprise entre 700 et 950°C afin d’éviter la dégradation de la couche d’oxyde de silicium natif 20 qui se produit à des températures plus élevées. Le débit d’oxygène assure la conservation de la couche d’oxyde de silicium natif 20 pendant la montée en température jusqu’à la température T p de dépôt de la couche de piégeage de charges 30. La couche d’oxyde de silicium natif 20 reste donc en place sur la surface du substrat de base 10 et peut être utilisée en tant que couche de passivation entre le substrat de base 10 et une couche de piégeage de charges 30.
Pendant la stabilisation de la température à la température T p de dépôt, et avant de former une couche de piégeage de charges 30, on évacue le gaz oxydant 40 de l’enceinte de dépôt. A partir de l’évacuation du gaz oxydant 40, la couche d’oxyde de silicium natif 20 commence à se dégrader en raison de la température élevée à laquelle ladite couche est exposée. On procède donc au dépôt de la couche de piégeage de charges 30 rapidement après l’évacuation du gaz oxydant. Cependant, il est nécessaire d’assurer une bonne évacuation de l’oxygène et une stabilisation de la température T p , pour le dépôt de la couche de piégeage de charges 30. Afin d’éviter une dégradation trop importante de la couche de d’oxyde de silicium natif 20, le délai entre l’évacuation complète du gaz oxydant 40 et le début de la formation de la couche de piégeage de charges 30 est avantageusement compris entre 5 et 100 secondes.
En référence à la , on forme la couche de piégeage de charges 30 dans la même enceinte. La couche de piégeage de charges 30 est typiquement en silicium polycristallin. Le dépôt de cette couche typiquement est réalisé par un procédé de dépôt chimique en phase vapeur (CVD).
Après le dépôt de la couche de piégeage de charges 30, le substrat support 100 est achevé et peut être utilisé pour la réalisation d’une structure de type semi-conducteur sur isolant.
La montre le taux de réaction R en fonction de la température pendant la même étape de montée en température pendant l’apport du gaz oxydant, réalisée dans le temps entre t1 et t2 comme illustré à la . La courbe 4A indique le taux d’oxydation du silicium monocristallin du substrat de base en raison du flux de gaz oxydant introduit dans la chambre de dépôt (ce taux d’oxydation induisant une augmentation de l’épaisseur de la couche d’oxyde de silicium). La courbe 4B correspond à la dégradation de la couche d’oxyde en raison de la montée en température (ce taux de dégradation induisant une diminution de l’épaisseur de la couche d’oxyde de silicium). Les deux courbes évoluent de manière parallèle. Ainsi, les deux phénomènes concurrents se compensent mutuellement, assurant ainsi une épaisseur stable de la couche d’oxyde de silicium sur le substrat de base. La couche d’oxyde natif est conservée pendant ce procédé.
Un deuxième mode de réalisation est illustré dans la . Les éléments désignés par les mêmes signes de référence que sur les figures 3A à 3C sont identiques ou remplissent la même fonction que les éléments déjà décrits dans le premier mode de réalisation et ne seront donc pas décrits à nouveau.
La composition selon l’invention joue notamment un rôle dans l’amélioration de la sensibilité à l’insuline, dans la captation du glucose et dans la régulation de la glycémie chez les sujets prédiabétiques.
La composition selon l’invention pourra également comprendre les caractéristiques suivantes :
- les extraits de plantes de la famille des Fabaceae sont des extraits de fenugrec, les extraits de plantes de la famille des Lauracées sont des extraits de laurier sauce, les extraits de plantes de la famille des Cannabaceae sont des extraits de houblon et les extraits de plantes de la famille des Salicacées sont des extraits de peuplier noir ;
- ledit au moins un extrait de fenugrec représente en masse de 15 à 35%, ledit au moins un extrait de laurier sauce représente en masse de 15 à 35%, ledit au moins un extrait de houblon représente en masse de 15 à 35%, et ledit au moins un extrait de peuplier noir représente en masse de 15 à 35%, les pourcentages étant exprimés en masse par rapport à la masse de la composition ;
- les extraits de plantes sont en proportion égale ;
- au moins un actif choisi parmi les vitamines, les acides aminés et les sels minéraux ;
- la composition se présente sous une forme liquide, solide ou gélifiante, apte à être prise par voie orale ;
- la composition est utilisée dans le traitement du prédiabète.
L’invention s’étend également à un ingrédient alimentaire, un complément alimentaire ou un médicament comprenant une composition selon l’invention.
La présente invention sera mieux comprise et d'autres avantages apparaîtront à la lecture de la description détaillée et illustrée par les dessins annexés, dans lesquels :
- la représente graphiquement l’évolution de la prise de poids et de la prise alimentaire pendant la durée du traitement chez les différents groupes de souris Ob/Ob ;
- la représente graphiquement une comparaison du poids initial chez les différents groupes de souris Ob/Ob et le pourcentage de l’évolution de la prise de poids chez les différents groupes de souris Ob/Ob ;
- la représente graphiquement l’évolution du niveau de glucose et la prise hydrique chez les différents groupes de souris Ob/Ob ;
- la représente graphiquement l’évolution de la glycémie réalisée au 7 ème jour et après gavage chez les différents groupes de souris Ob/Ob , l’air sous la courbe de la glycémie et le niveau d’insulinosensibilité ;
La deuxième branche formant pontet présente une forme de C ayant une portion principale et deux portions latérales s’étendant de part et d’autre de la portion principale, et une portion complémentaire s’étendant en regard de la portion principale et rejoignant les deux portions latérales.
La troisième branche formant tibi présente une forme de C ayant une portion principale et deux portions latérales s’étendant de part et d’autre de la portion principale, et un organe tibi assujetti mécaniquement sur la portion principale.
La première branche de liaison comporte des zones d’appuis configurées pour venir en butée contre respectivement la deuxième branche formant pontet et la troisième branche formant tibi dans la deuxième position stable respective de ces dernières.
L’invention a aussi pour objet, sous un deuxième aspect, une ceinture comportant une boucle de ceinture comportant au moins une partie des caractéristiques décrites précédemment, et un ruban de ceinture traversant la deuxième branche formant pontet de la boucle de ceinture.
Le ruban de ceinture peut présenter une première largeur prédéterminée et traverser la deuxième branche formant pontet de la boucle de ceinture dans sa première configuration, ou le ruban de ceinture peut présenter une deuxième largeur prédéterminée inférieure à la première largeur prédéterminée et traverser la deuxième branche formant pontet de la boucle de ceinture dans sa deuxième configuration.
La représente une ceinture munie d’un ruban de ceinture d’une première largeur et d’une boucle de ceinture conforme à l’invention, dans une première configuration.
La représente une ceinture munie d’un ruban de ceinture d’une deuxième largeur et de la boucle de ceinture de la , dans une deuxième configuration.
La est une vue en perspective de la boucle de ceinture, dans sa première configuration.
La est une vue de dessous en plan de la boucle de ceinture de la .
La est une vue de dessous en perspective de la boucle de ceinture des figures 3 et 4.
La est une vue en perspective de la boucle de ceinture, dans sa deuxième configuration.
La est une vue de dessous en perspective de la boucle de ceinture des figures 6 et 7.
La est une vue en perspective éclatée de la boucle de ceinture visible sur les figures 1 à 8.
La montre un détail de la boucle de ceinture visible sur la , pris isolément et partiellement.
- la représente graphiquement l’évolution de la glycémie réalisée au 21 ème jour et après gavage chez les différents groupes de souris Ob/Ob , l’air sous la courbe de la glycémie et le niveau de résistance à l’insuline ;
- la représente graphiquement les résultats d’un test de tolérance à l’insuline au 25ème jour de traitement et un histogramme montrant un niveau d’hypoglycémie induit par insuline pour les groupes Metformine et Véhicule chez les souris Ob/Ob ;
- la représente graphiquement sous forme d’histogramme les niveaux de glucose dans le sang, le poids total, le poids du foie, le poids de masse graisseuse, le poids sous-cutanée, et le poids épididymaire des souris Ob/Ob après leur mise à mort à l’issu du 31 ème jour de traitement ;
- la représente graphiquement l’évolution du poids des souris C57BL6 avec ou sans régime hyperlipidique ;
- la représente graphiquement l’évolution du niveau de glucose dans le sang pendant la durée du traitement chez les différents groupes de souris C57BL6 ;
- la représente graphiquement le niveau de glucose dans le sang et le poids des souris après 8 semaines de traitement chez les différents groupes de souris C57BL6 ;
- la représente graphiquement le poids des souris C57BL6 dans les différents groupes de souris pendant la durée du traitement ;
- la représente graphiquement la quantité de nourriture prise par les souris C57BL6 dans les différents groupes de souris pendant la durée du traitement ;
- la représente graphiquement le niveau de glucose dans le sang des souris C57BL6 dans les différents groupes de souris pendant la durée du traitement ;
- la représente graphiquement la quantité de prise hydrique prise par les souris C57BL6 dans les différents groupes de souris pendant la durée du traitement ;
- la représente graphiquement l’évolution du niveau de glucose au 7 ème jour de traitement et après gavage chez les différents groupes de souris C57BL6 ;
- la représente graphiquement l’aire sous la courbe de la glycémie au 7 ème jour de traitement après gavage chez les différents groupes de souris C57BL6 ;
- la représente graphiquement la glycémie plasmatique à jeun et le niveau de résistance à l’insuline au 7 ème jour de traitement après gavage chez les différents groupes de souris C57BL6 ;