Puce laser à semi-conducteur (101, 201, 301, 401, 501, 601, 701) comprenant Un substrat (105, 205, 305, 405, 505, 605, 705) comprenant : deux faces latérales (107, 207, 307, 407, 507, 607, 707), une face inférieure (109, 209, 309, 409, 509, 609, 709), une face supérieure (108, 208, 308, 408, 508, 608, 708), au moins deux lasers semi-conducteurs (202, 302, 402, 502, 602, 702), ces deux lasers (102, 202, 302, 402, 502, 602, 702) étant répartis entre lesdites deux faces latérales (102, 202, 302, 402, 502, 602, 702) avec un espacement (E) entre deux lasers (102, 202, 302, 402 502, 602, 702) voisins, ledit substrat (105, 205, 305, 405, 505, 605, 705) présentant une largeur (l), cette largeur étant la distance entre lesdites deux faces latérales (107, 207, 307, 407, 507, 607, 707) du substrat (105, 205, 305, 405, 505, 605, 705) et une épaisseur (e), cette épaisseur (e) étant la distance mesurée entre la face inférieure (109, 209, 309, 409, 509, 609, 709) et la face supérieure (108, 208, 308, 408, 508, 608, 708, 808) du substrat (105, 205, 305, 405, 505, 605, 705) perpendiculairement à la largeur (l), ladite largeur (l) étant inférieure ou égale à 4 fois l’épaisseur (e). Puce selon la revendication précédente, caractérisé en ce que le substrat (105, 205, 305, 405, 505, 605, 705) présente une largeur (l) 1,5 à 3 fois supérieure à l’épaisseur (e). Puce selon l’une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu’elle comprend au moins trois unités laser (102, 202, 302, 402, 502, 602, 702), ces trois unités laser (102, 202, 302, 402, 502, 602, 702) étant réparties entre lesdites deux faces latérales (107, 207, 307, 407, 507, 607, 707) du substrat (105, 205, 305, 405, 505, 605, 705) avec un espacement (E) entre deux lasers (102, 202, 302, 402, 502, 602, 702) voisins. Puce selon l’une des revendications précédentes, caractérisé en ce que les unités laser (102, 202, 302) sont plus proches de la face supérieure (108, 208 308) du substrat (105, 205, 305) que de la face inférieure (109, 209, 309) du substrat (105, 205, 305). Puce selon l’une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu’elle comprend au moins deux électrodes (103, 203, 303, 403, 503, 603, 703) de polarité différente configurées pour permettre le passage d’un courant électrique dans au moins une unité laser (102, 202, 302, 402, 502, 602, 702) de la puce laser (101, 201, 301,401, 501, 601, 701). Puce selon l’une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu’elle comprend au moins une couche isolante (104, 204, 304, 404, 504, 604, 704) configurée pour isoler électriquement les unités laser (102, 202, 302, 402, 502, 602, 702) disposées sur une même face substrat (105, 205, 305, 405, 505, 605, 705) les unes des autres. Puce selon l’une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le substrat (105, 205, 305, 405, 505, 605, 705) comprend au moins un matériau semiconducteur de type InP ou GaAs ou GaSb ou InAs ou Silicium. Puce selon l’une des revendication précédentes, caractérisée en ce que la puce laser (101, 201, 301, 401, 501, 601, 701) est une puce laser à cascade quantique comprenant des unités laser (102, 202, 302, 402, 502, 602, 702) à cascade quantique. Puce selon l’une des revendications précédentes, caractérisée en ce qu’au moins une unité laser (102, 202, 302, 402, 502, 602, 702) est une unité laser à cascade quantique émettant en régime impulsionnel à 4 à 10 microns. Ensemble (100, 200, 300, 400, 500, 600, 700) comprenant : Au moins une puce laser (101, 201, 301, 401, 501, 601, 701) telle que revendiquée précédemment, Une embase (111, 211, 311, 411, 511, 611, 711) sur laquelle est montée ladite puce (101, 201, 301, 401, 501, 601, 701). Ensemble selon la revendication précédente, caractérisé en ce que l’embase (111, 211, 311, 411, 511, 611, 711) comprend au moins deux pistes électriques (112, 212, 312, 412, 512, 612, 712) de polarité différente, chacune des pistes électriques (112, 212, 312, 412, 512, 612, 712) étant configurée pour être en contact électrique avec au moins une électrode (103, 203, 303, 403, 503, 603, 703) de même polarité. Ensemble selon l’une des revendications 10 ou 11, caractérisé en ce que la puce (101, 201, 401, 501, 701) comprend N unités laser (102, 202, 402, 502, 702), N étant supérieur ou égale à deux, au plus N-1 desdites unités laser (102, 202, 402, 502, 702) étant électriquement connectées avec les pistes électriques (112, 212, 412, 512, 712) de l’embase (111, 211, 411, 511, 711). Ensemble selon l’une des revendications 10 à 12, caractérisé en ce que l’ensemble puce-embase (100, 200, 300, 400, 500, 600, 700) comprend au moins une puce laser (101, 201, 301, 401, 501, 601, 701) comprenant au moins N unités laser (102, 202, 302, 402, 502, 602, 702), N étant supérieur ou égal à deux, au moins deux unités laser étant configurés pour émettre un rayonnement lumineux à une longueur d’onde donnée dans des conditions atmosphériques différentes, notamment à des températures différentes. Capteur de gaz (1) comprenant : Une cellule (20) formant un résonateur, comprenant un conduit d’entrée de gaz (60), un conduit de sortie de gaz (70) et au moins une ouverture dite entrée laser (40); Au moins un ensemble puce-embase (100, 200, 300, 400, 500, 600, 700) tel que revendiqué dans les revendications 10 à 13, comprenant au moins deux unités lasers, au moins une desdites deux unités laser étant configurée pour émettre, dans la cellule (20), un rayonnement lumineux présentant une longueur d’onde dont la valeur est spécifiquement adaptée à l’excitation d’un gaz à détecter, de telle sorte qu’une interaction entre le rayonnement lumineux et le gaz à détecter contenu dans la cellule induise la génération d’un signal caractéristique de la présence dudit gaz à une fréquence de résonance de la cellule ; et Un dispositif de détection du signal. Procédé de production d’un ensemble puce-embase (100, 200, 300, 400, 500, 600, 700) tel que revendiqué précédemment comprenant les étapes suivantes : Formation d’une puce laser par: Dépôt de couches de matière pour former au moins deux unités laser sur un substrat, lesdites unités laser étant espacées d’un espacement dans la dimension de la largeur du substrat, ledit substrat présentant une épaisseur correspondant à la distance entre une face supérieure et une face inférieure dudit substrat, Clivage du substrat de manière à former deux faces latérales dudit substrat, la largeur du substrat obtenue correspondant à la distance entre les deux faces latérales obtenues, ladite largeur étant comprise inférieure ou égale à 4 fois l’épaisseur dudit substrat, Fixation de la puce obtenue sur une embase.