INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
En effet, avec cet agencement, lorsque l’on a terminé l’opération de perçage de la tête de rivet 300 d’origine et que l’on saisit le socle de support 400 pour le retirer de la surface sur laquelle on a réalisé l’opération de perçage, la collerette 150 maintien le guide de perçage 100 dans le socle de support 400, ce qui évite ainsi que le guide de perçage 100 glisse hors du socle de support 400.
Dans une deuxième mise en œuvre de la première façon de réaliser l’invention, le premier élément de butée comprend au moins un ergot qui fait saillie vers l’extérieur de la paroi externe périphérique selon une orientation longitudinale, transversale ou longitudinale et transversale.
Dans un premier exemple, le premier élément de butée s’étend longitudinalement le long de la paroi externe périphérique.
Dans une mise en œuvre du premier exemple, l’ergot est agencé pour venir en butée contre au moins une surface de butée intérieure (p. ex. une rainure de guidage de l’ergot qui forme une butée axiale) du socle de support 400. Dans ce cas, la surface de butée intérieure du socle de support 400 peut être disposée dans la chambre à copeaux 142.
Dans un deuxième exemple, le premier élément de butée s’étend transversalement le long de la paroi externe périphérique.
Dans une mise en œuvre du deuxième exemple et du troisième exemple, l’ergot est agencé pour venir en butée contre au moins une surface de butée intérieure (p. ex. une rainure de guidage de l’ergot qui forme une butée transversale) du socle de support 400. Dans ce cas, la surface de butée intérieure du socle de support 400 peut être disposée dans la chambre à copeaux 142.
Dans un troisième exemple, le premier élément de butée s’étend longitudinalement et transversalement le long de la paroi externe périphérique.
Dans une mise en œuvre du troisième exemple, l’ergot est agencé pour venir en butée contre au moins une surface de butée intérieure (p. ex. une rainure de guidage de l’ergot qui forme une butée axiale et transversale) du socle de support 400. Dans ce cas, la surface de butée intérieure du socle de support 400 peut être disposée dans la chambre à copeaux 142.
Les deuxièmes moyens magnétiques 32 comprennent au moins une plaque métallique 41. Ici, les deuxièmes moyens magnétiques 32 comprennent plusieurs plaques métalliques 41 aptes à subir une attraction magnétique. De manière avantageuse mais non limitativement, il y a autant de plaques métalliques 41 que d’aimants 34. Ici, il y a quatre plaques métalliques 41. De la sorte, le verrouillage de l’organe de fermeture est efficace lorsque celui-ci est recouvre la cuve 16. Plusieurs aimants et plaques métalliques fiabilisent davantage le verrouillage.
Les plaques métalliques 41 comprennent de manière avantageuse, du fer, du cobalt, du nickel, du gadolinium ou un mélange de ceux-ci.
Suivant une alternative, les deuxièmes moyens magnétiques 32 comprennent un ou des aimant(s) présentant une force magnétique comprise entre 200g et 800g.
En référence à la , le boîtier 2 comprend des logements 42 qui sont destinés à recevoir chacun une plaque métallique 41. Les logements 42 peuvent être également formés sur la paroi latérale 19 de la cuve 16. Les plaques métalliques 41 sont ici disposées à l’extérieur et autour de la paroi latérale 19 de la cuve 16. Les plaques métalliques 41 sont réparties régulièrement autour de la paroi latérale 19. Dans l’exemple illustré de la , chaque logement 42 est formé avantageusement par deux pattes 43a, 43b qui s’étendent, d’une part depuis une paroi interne du boîtier 2 dans un plan perpendiculaire à l’axe de révolution B de la cuve 16, et d’autre part en regard l’une de l’autre. Chaque patte 43a, 43b présente une gorge 44 recevant un bord d’une plaque métallique 41. De la sorte, chaque aimant 37 est disposé en regard des aimants (ici séparés par la paroi latérale 19) pour faciliter le trajet du flux magnétique de chaque aimant vers la plaque métallique 41 correspondante. Avantageusement, les plaques métalliques 41 sont fixées dans leur logement respectif.
De manière avantageuse, chaque plaque métallique 41 est disposée à une distance prédéterminée D d’un aimant 37 correspondant. La distance prédéterminée D permet une force d’attraction et une réception efficace du champ magnétique pour le verrouillage de l’organe de fermeture 30 sur la cuve 16. La distance prédéterminée D est comprise entre 4 mm et 15 mm. La force magnétique est comprise entre 200g et 800g.
Les aimants 37 présentent un point de curie compris entre 120°C et 450°C. De la sorte, le verrouillage de la cuve 16 est optimal et notamment en situation de fonctionnement de l’appareil où la température à l’intérieur de la cuve 16 et dans son environnement proche avoisine les 100°C minimum. A titre d’exemple, les moyens 15 de génération de vapeur sont portés à une température de 120°C.
Nous allons désormais décrire les différentes étapes de montage de l’organe de fermeture 30 dans l’appareil 1 électroménager. Dans une première étape, la cuve 16 est remplie avec une certaine quantité de fluide, ici de l’eau. La cuve 16 est fermée dans une deuxième étape avec l’organe de fermeture 30 amovible. La force d’attraction entre chaque aimant 37 et chaque plaque métallique 41 correspondante permet une position adéquate et un verrouillage efficace de l’organe de fermeture 30 sur la cuve 16.
Ensuite, dans le cadre d’une cuisson des aliments à la vapeur, le panier de cuisson 10 est inséré dans le bol 4 de préparation. Ce dernier est préalablement installé sur le socle 3 du boîtier 2.
Les aliments M coupés en morceaux sont introduits dans le panier de cuisson 10. Le couvercle 5 est ensuite mis en place sur le bol 4 de préparation afin de fermer le volume interne et former la zone de cuisson. Lors de la mise en marche de l’appareil 1 électroménager, la vapeur générée par les moyens 15 de génération de vapeur dans la cuve 16, circule de la cuve 16 vers la zone de cuisson. La vapeur traverse en particulier la canalisation 23 agencée entre la cuve et le couvercle (délimitant en partie la zone de cuisson).
Bouilloire comprenant un couvercle équipé d’un dispositif d’évacuation de vapeur La présente invention concerne le domaine des appareils de chauffage de liquides, et en particulier des bouilloires électriques.
Etat de la technique Le document CN104138203 divulgue une bouilloire électrique comprenant :
- un dispositif d’évacuation de vapeur configuré pour convoyer, à l’extérieur du volume interne et par exemple vers l’extérieur de la bouilloire, de la vapeur générée dans le volume interne lors d’une ébullition de l’eau contenue dans le volume interne.
Aux extrémités opposées de la tige 40, le corps fixe 14 comporte deux butées axiales 42 coopérant respectivement avec la première extrémité 16a du chemin de guidage, et avec une extrémité de l’actionneur 18. La graduation 30 est marquée sur la surface extérieure de la tige fixe 40.
Les figures 7 à 9 représentent quant à elles un troisième mode de réalisation préféré de l’invention, dans lequel le corps fixe 14 comporte en plus de la tige intérieure 40 une enveloppe extérieure 50 en forme de tube fermé à ses extrémités, et centré sur l’axe 11. L’enveloppe extérieure 50, de diamètre extérieur de l’ordre de 8 mm, peut présenter une longueur de plusieurs dizaines de centimètres. Comme évoqué précédemment, le mécanisme de maintien 22 comprend ici une rondelle anti-retour 52 solidaire de l’extrémité axiale 12a du chariot mobile 12, et coopérant avec la tige intérieure 40 qu’elle traverse.
Bien entendu, diverses modifications peuvent être apportées par l’homme du métier à l’invention qui vient d’être décrite, uniquement à titre d’exemples non limitatifs, et dans la limite de la portée définie par les revendications annexées. En particulier, les différents modes de réalisation préférés peuvent être combinés entre eux.
Procédé de fabrication de transistors hautes-tension sur un substrat du type silicium sur isolant Des modes de réalisation et de mise en œuvre concernent la microélectronique, en particulier la fabrication de dispositifs semiconducteurs comprenant des transistors haute-tension dans et sur un substrat du type SOI (connu sous le terme anglosaxon « Silicon On Insulator » pour « silicium sur isolant » en français).
Des dispositifs semiconducteurs sur substrat du type SOI ou également nommé « FDSOI » pour « Fully Depleted Silicon On Insulator » (« silicium sur isolant complétement déserté » en français) intègrent typiquement des composants semiconducteurs tels que des transistors du type MOS (pour « Métal Oxyde Semiconducteur »).
Des transistors MOS fonctionnant à différentes plages de tension peuvent être fabriqués à partir d’un même substrat SOI capable de leur conférer de meilleures performances qu’un substrat de silicium monolithique (usuellement désigné par le terme anglais « bulk »). Par exemple, des transistors MOS dits haute-tension peuvent être conçus en cointégration avec d’autres composants semiconducteurs sur un substrat SOI.
Cependant, les transistors haute-tension fabriqués à partir d’un substrat SOI subissent le phénomène de dégradation par porteurs chauds (également connu sous l’acronyme « HCI » des termes anglais usuels « Hot Carrier Injection » en anglais). La dégradation par porteurs chauds se traduit par une dérive sur le long terme de la tension de seuil et des courants linéaires et saturés des transistors, conduisant à une dégradation des performances des transistors haute-tension.
En conséquence, des étapes supplémentaires pour aménager une région de substrat monolithique localisée dans le substrat SOI, sont classiquement prévues pour la fabrication des transistors haute-tension, de façon à limiter le phénomène de dégradation par porteurs chauds. En particulier, les composants électroniques, notamment les transistors haute-tension, réalisés dans la région monolithique localisée sont formés dans le substrat porteur tandis que les composants d’autres régions sont formés sur un film mince isolé du substrat porteur par une couche d’oxyde de silicium enterrée.
Par ailleurs, la région de substrat monolithique localisée ne permet pas notamment l’effet « complétement déserté », ni un effet « partiellement déserté » avantageux des techniques SOI. Cela limite les performances des transistors haute-tension formés sur le substrat porteur, notamment en termes de contrôle de canaux courts, de densité et de disparités de caractéristiques entre les transistors.
Il existe un besoin de concevoir, à partir d’un substrat du type silicium sur isolant, des transistors haute-tension ne subissant pas les inconvénients susmentionnés et d’augmenter leur fiabilité.
Il est donc proposé une solution permettant de former, dans une région du substrat SOI, un film mince ayant une épaisseur suffisamment élevée pour rendre possible la fabrication de transistors haute-tension dans cette région du substrat sans causer une perte de performance lors du fonctionnement de ces transistors, notamment sans subir les phénomènes de dégradations par porteurs chauds.
Selon un aspect, il est proposé un procédé de fabrication d’au moins un transistor haute-tension dans et sur une région haute-tension d’un substrat du type silicium sur isolant comportant un film semiconducteur ayant une première épaisseur, électriquement isolé d’un substrat porteur par une couche diélectrique enterrée.
Le procédé comprend une croissance par épitaxie du film semiconducteur, jusqu’à une deuxième épaisseur supérieure à la première épaisseur, sélectivement dans la région haute-tension.
On propose ainsi d’augmenter l’épaisseur du film semiconducteur sélectivement, c’est-à-dire seulement dans la région haute-tension du substrat du type silicium sur isolant, et pas dans une autre « première » région dudit substrat. La première région, distincte de la région haute-tension, peut être par exemple une région basse-tension dans et sur laquelle peuvent être formés des transistors fonctionnant à des plages de tensions plus faibles que les transistors haute-tension, par exemple des tensions inférieures à 2 volts, tandis que les transistors haute-tension peuvent être destinés à fonctionner à des tensions supérieures à 2 volts par exemple.
Par conséquent, le procédé selon cet aspect permet de former, dans la région haute-tension où sont fabriqués les transistors haute-tension, un film semiconducteur suffisamment épais pour éviter le phénomène de dégradation par porteurs chauds, mais également suffisamment mince pour bénéficier des avantages en matière de performance des dispositifs en silicium sur isolant et ainsi améliorer les performances des transistors haute-tension.
Selon un mode de mise en œuvre, le procédé comprend une croissance par épitaxie du substrat porteur dans une région monolithique localisée du substrat du type silicium sur isolant, dans lequel ladite croissance du film semiconducteur dans la région haute-tension est réalisée simultanément avec la croissance du substrat porteur dans la région monolithique localisée.
En pratique, comme illustré sur la (partie b), la tête 12 sert d’appui sur une face 21 d’une première pièce de matériau 20 à assembler, et la tige 11 est prévue pour être rabattue par une force F sur une face 31 d’une deuxième pièce de matériau 30 à assembler de manière à former une « tête de fermeture », aussi appelé rivure 13.
Toutefois, l’invention pourra s’adapter à d’autres formes de rivets (monobloc ou en parties) qui comprennent une tête et au moins une tige, et ce, sans nécessiter de modifications substantielles de l’invention.
L’un des objectifs de cette invention est de fournir une solution qui permet de percer la tête d’un rivet sans abîmer les surfaces à assembler.
En effet, pour permettre l’extraction d’un rivet tout en conservant le diamètre initial du trou dans lequel le rivet était logé, il est primordial de percer parfaitement au centre de la tête du rivet à retirer, en général, avec un diamètre de foret légèrement inférieur au diamètre de la queue du rivet afin d’affaiblir le rivet. Ensuite, une fois le rivet affaibli, on peut utiliser tout outil adéquat pour le faire sortir de son logement.
Dans ce cadre, l’inventeur propose d’utiliser un guide de perçage à travers lequel un élément de perçage peut être guidé afin d’être au droit de la tête d’un rivet à retirer tout en empêchant l’élément de perçage de glisser.
En particulier, l’extrémité inférieure du guide de perçage présente une forme complémentaire de la tête de rivet à retirer.
Enfin, le guide de perçage comprend une première chambre pour récupérer les copeaux produits lors du perçage de la tête de rivet et une deuxième chambre pour guider l’élément de perçage, la première chambre étant plus volumineuse que la deuxième chambre.
Ainsi, comme illustré sur la , l’invention concerne un guide de perçage 100 qui est destiné à être utilisé lors d’une opération de perçage.
En pratique, à l’aide d’un élément de perçage 200, l’opération de perçage consiste à percer une tête de rivet 300 d’origine d’un rivet qui relie au moins deux pièces de matériau.
En particulier, l’élément de perçage 200 est une pièce d’outillage qui sert au perçage de trous par rotation.
Dans un exemple, l’élément de perçage 200 est un foret à goujure hélicoïdale.
Toutefois, selon les besoins, on pourra envisager d’autres éléments de perçage 200 adéquats, et ce, sans nécessiter de modifications substantielles de l’invention.
Dans l’invention, comme illustré sur la , la , la , la , la , la et la , le guide de perçage 100 comprend un corps 110 de guide de perçage et un trou traversant 140.
En pratique, le corps 110 de guide de perçage s’étend entre une ouverture d’extrémité supérieure 120 et une ouverture d’extrémité inférieure 130 qui est opposée à l’ouverture d’extrémité supérieure 120.
Dans une première mise en œuvre particulière, le corps 110 de guide de perçage présente la forme d’un cylindre tubulaire.
Dans une deuxième mise en œuvre particulière, le corps 110 de guide de perçage présente la forme d’un parallélépipède.
On peut modifier la forme du logement 28 recevant le piston. On peut fabriquer le support de palier en une seule partie ou en plus de deux parties.
Compresseur à spirales comprenant un ensemble clapet anti-retour de refoulement avec des surfaces d’étanchéité métal sur métal Domaine de l’invention L’invention se rapporte à un compresseur à spirales comprenant un ensemble clapet anti-retour de refoulement amélioré, également appelé ensemble clapet de refoulement de non retour, agencé au niveau d’une sortie de refoulement du compresseur à spirales et fixé à la coque de compresseur du compresseur à spirales. Un tel ensemble clapet anti-retour de refoulement contrôle la communication entre une chambre de refoulement du compresseur à spirales et une tuyauterie d’un système frigorifique. Lorsque le compresseur à spirales fonctionne, le gaz comprimé ouvre le clapet normalement fermé pour permettre le refoulement du gaz comprimé dans le système frigorifique. Lorsque le compresseur s’arrête, un élément de clapet sollicité par ressort sera poussé vers un siège de clapet et fermera le clapet pour empêcher le reflux de gaz réfrigérant à haute pression depuis le système frigorifique dans la chambre de refoulement du compresseur à spirales. Ainsi, un éventuel mouvement inverse des éléments de volute du compresseur à spirales peut être évité, et le redémarrage du compresseur à spirales est facilité en raison du découplage du compresseur à spirales de la pression du système.
Arrière-plan de l’invention Le document US7721757B2 montre un ensemble clapet anti-retour de refoulement pour une utilisation dans un compresseur à spirales, où un élément de piston comprenant un élément d’étanchéité en PTFE coopère avec un siège de clapet métallique annulaire ayant une surface de contact arrondie. De tels ensembles de clapet anti-retour de refoulement ont des taux de fuite très faibles en raison du matériau d’étanchéité en polymère relativement souple, qui est cependant soumis à l’usure. Les fuites augmenteront donc tout au long de la durée de vie de fonctionnement du compresseur à spirales.
Le document US9506470B2 divulgue un compresseur à spirales avec un clapet anti-retour de refoulement fixé à la coque de compresseur hermétique. Le clapet anti-retour de refoulement comprend un élément de clapet métallique en forme de disque flottant coopérant avec un siège de clapet métallique annulaire ayant une surface de contact plate. De tels clapets anti-retour de refoulement ont une résistance à l’usure améliorée, mais en même temps des taux de fuite accrus par rapport aux éléments de clapet comprenant des joints d’étanchéité.
Un objet de la présente invention est de fournir un compresseur à spirales avec un ensemble clapet anti-retour de refoulement qui peut surmonter les inconvénients rencontrés dans des compresseurs à spirales conventionnels.
Un autre objet de la présente invention est de fournir un compresseur à spirales avec un clapet anti-retour de refoulement ayant des propriétés d’étanchéité améliorées sur toute la durée de vie de fonctionnement du compresseur à spirales.
Selon l’invention, un tel compresseur à spirales comprend une coque de compresseur ayant une sortie de refoulement, et un ensemble clapet anti-retour de refoulement comprenant :
- un boîtier de clapet agencé au niveau de la sortie de refoulement de la coque de compresseur et étant hermétiquement fixé à la coque de compresseur, le boîtier de clapet comprenant un siège de clapet métallique,
- un élément de clapet agencé à l’intérieur du boîtier de clapet et mobile entre une position fermée dans laquelle l’élément de clapet prend appui contre le siège de clapet métallique et une position ouverte dans laquelle l’élément de clapet est éloigné du siège de clapet métallique,
dans lequel le siège de clapet métallique a une surface d’étanchéité tronconique ou toroïdale et l’élément de clapet a une surface d’étanchéité métallique configurée pour coopérer avec la surface d’étanchéité tronconique ou toroïdale lorsque l’élément de clapet est dans la position fermée, le siège de clapet métallique et l’élément de clapet étant configurés pour définir un contact d’étanchéité linéaire entre la surface d’étanchéité métallique de l’élément de clapet et la surface d’étanchéité tronconique ou toroïdale du siège de clapet métallique lorsque l’élément de clapet est dans la position fermée.
Une telle configuration de l’élément de clapet et du siège de clapet métallique conduit à une pression de contact élevée au niveau de la zone d’étanchéité entre l’élément de clapet et le siège de clapet métallique et donc à de bonnes propriétés d’étanchéité. De plus, les surfaces d’étanchéité métal sur métal garantissent moins d’usure et une durée de vie accrue de l’ensemble clapet anti-retour de refoulement.
Selon un mode de réalisation de l’invention, le contact d’étanchéité linéaire est annulaire.
Selon un mode de réalisation de l’invention, le boîtier de clapet comprend une ouverture d’entrée reliée fluidiquement à une chambre de refoulement du compresseur à spirales, et une ouverture de sortie configurée pour être reliée fluidiquement à un système de réfrigérant, tel qu’un système frigorifique ou de refroidissement. Avantageusement, le siège de clapet métallique s’étend autour de l’ouverture d’entrée.
Selon un mode de réalisation de l’invention, le boîtier de clapet a une première partie d’extrémité agencée à l’intérieur de la coque de compresseur et une deuxième partie d’extrémité agencée à l’extérieur de la coque de compresseur et configurée pour être reliée à un système de réfrigérant.
Les essais expérimentaux ont été conduits dans des modèles in vitro décrits ci-dessous.
1) Modèle du tube digestif supérieur :
La méthode développée par Menezez et Blackburn a été utilisée pour simuler le tube digestif du poulet [Menezes-Blackburn D, Gabler S, Greiner R. « Performance of Seven Commercial Phytases in an in Vitro Simulation of Poultry Digestive Tract. » J Agric Food Chem. 2015 Jul 15;63(27):6142-9]. Elle consiste à simuler les 3 compartiments de la partie haute du digestif : le jabot (30 min à pH 5, 40°C sous agitation), le proventricule / gésier (45 min à pH 3, 40°C sous agitation avec ajout de pepsine), l’intestin (60 min à pH 6.5, 40°C sous agitation avec ajout de pancréatine et extrait de bile). Le taux de protection et de libération du butyrate pour chaque molécule (50 mM d’équivalent acide butyrique du butyryl lactylate de l’invention ou tributyrine de l’art antérieur) a été évalué dans chacun des compartiments de façon séquentielle (quantification de la libération d'acide butyrique et de l'ester butyrique résiduel).
2) Modèle in vitro : tube digestif bas (fermentation cæcale) :
Douze poulets de chair âgés de vingt et un jours (Ross PM33), logés dans des cages, nourris et abreuvés à volonté, ont été euthanasiés et leur contenu cæcal a été collecté et regroupé. Toutes les expériences ont été menées conformément aux directives de l'Union européenne en matière de protection des animaux et à la législation régissant le traitement éthique des animaux, et les chercheurs ont été certifiés par le gouvernement français pour mener des expérimentations animales. Les installations du Centre d'expertise et de recherche en nutrition sont conformes à la convention no. C 03 159 4 du 6 novembre 2008, relative à l'expérimentation sur les animaux vivants vertébrés (règlement européen 24/11/86 86/609 CEE ; arrêté ministériel du 19 avril 1988).
Le contenu caecal a été mélangé (5% poids/volume) avec un tampon anaérobie préparé selon Theodorou et al. [Theodorou, Michael K., et al. “A simple gas production method using a pressure transducer to determine the fermentation kinetics of ruminant feeds." Animal feed science and technology 48.3-4 (1994): 185-197], puis la suspension microbienne transférée dans des tubes Hungate contenant 50 mM d'acide butyrique équivalent pour chaque candidat (butyryl lactylate de l’invention ou tributyrine de l’art antérieur) et incubé 24h sous agitation constante à 40°C.
Pour s'assurer qu'aucun des traitements n'avait d'effet néfaste sur l'activité et la viabilité microbiennes, la production de gaz a été mesurée en cinétique pendant toute la durée de la fermentation au moyen d'un transducteur de pression en suivant la méthodologie de Theodorou et al.
À la fin de la fermentation, l'acide butyrique et l'ester butyrique résiduel a été quantifié.