INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Autres charges organiques La composition utile dans le cadre de l’invention peut comprendre une charge organique renforçante de type polyvinyle fonctionnalisé telles que décrites dans les demandes WO2006/069792-A1, WO2006/069793-A1, WO2008/003434-A1 et WO2008/003435-A1.
Avantageusement, le matériau du premier contact métallique CA_MC et du deuxième contact métallique AN_MC est un alliage nickel-platine de formule chimique NiPt. L’alliage nickel-platine présente en effet une résistance à l’oxydation à température ambiante et une conductivité relativement élevée.
La illustre schématiquement une alternative du dispositif semiconducteur IC, dans laquelle les diodes D_SCH1, D_SCH2 et D_SCH3 ont été fabriquées en cointégration avec d’autres composants électroniques. Par « cointégration », on entend que les diodes Schottky peuvent être fabriquées conjointement avec d’autres composants dans un procédé de fabrication commun qui peut comprendre notamment des étapes de fabrication des diodes et des autres composants réalisées simultanément, comme cela est décrit dans la suite.
Plus particulièrement, le dispositif semiconducteur IC comprend au moins une cellule mémoire non-volatile CELL, par exemple deux cellules mémoires, et au moins un transistor MOS basse-tension LV, par exemple quatre transistors basse-tension.
Les cellules mémoires CELL comportent chacune un empilement de polysilicium CELL_POLY dopé de type N et un contact métallique CELL_MC disposé en surface de l’empilement de polysilicium CELL_POLY.
L’empilement de polysilicium CELL_POLY a la même épaisseur E2, la même composition et la même concentration de dopants que la première région CA de la couche de polysilicium POLY.
En outre, le contact métallique CELL_MC a la même composition que le premier contact métallique CA_MC et que le deuxième contact métallique AN_MC.
Les transistors MOS basse-tension LV comprennent chacun une région de grille en polysilicium GOX et des régions conductrices, c’est-à-dire une région de source S et une région de drain D, dopées de type N. En outre les transistors MOS basse-tension LV comprennent un contact métallique LV_MC disposé en surface de la région de grille GOX.
La région de grille en polysilicium GOX a la même épaisseur E2 et la même composition que la couche de polysilicium POLY et les régions conductrices S, D ont la même concentration de dopants que la première région CA de la couche de polysilicium POLY.
En outre, le contact métallique LV_MC a la même composition que le premier contact métallique CA_MC et que le deuxième contact métallique AN_MC.
La illustre un système de protection SYS contre des injections de courant dans le substrat SUB.
Le système SYS comprend un circuit CONV et le dispositif semiconducteur tel que décrit précédemment en relation avec la ou 2. Le circuit CONV peut être un convertisseur de tension continue (usuellement désigné sous le terme « convertisseur DC-DC » ou « convertisseur continu-continu ») par exemple. Le circuit CONV peut être connecté à une source d’alimentation PWR permettant de délivrer un courant continu Ipwr au circuit CONV.
Au moins l’une des diodes Schottky D_SCH1, D_SCH2 et D_SCH3, par exemple la diode D_SCH1, est couplée en parallèle au circuit CONV entre le circuit CONV et la source d’alimentation PWR. La diode D_SCH1 est ainsi configurée pour limiter, voire d’éliminer, l’injection d’une partie du courant Ipwr par le circuit CONV dans le substrat SUB.
La illustre schématiquement un mode de mise en œuvre d’un procédé de fabrication des diode Schottky D_SCH1, D_SCH2 et D_SCH3. Un tel procédé de fabrication est utilisé pour former un dispositif semiconducteur IC, tel que représenté à la et 2.
Le procédé comprend une formation 100 d’une couche diélectrique STI dans un substrat SUB. La illustre schématiquement un résultat de la formation 100 de la couche diélectrique STI selon une vue en coupe.
La couche diélectrique STI est connue pour être formée entre des composants électroniques d’un circuit intégré afin d’empêcher les fuites de courant d’un composant vers un autre. Comme il sera décrit par la suite, le procédé utilise avantageusement une telle couche diélectrique STI non pas pour isoler uniquement deux composants situés l’un à côté de l’autre, mais également pour isoler le substrat SUB de composants pouvant être formés ultérieurement au-dessus de la couche diélectrique STI, tels que les diodes Schottky D_SCH1, D_SCH2 et D_SCH3.
La formation 100 de la couche diélectrique STI peut être réalisée en gravant le silicium du substrat SUB de façon à former une tranchée en profondeur du substrat SUB et en remplissant la tranchée d’un matériau diélectrique, tel que le dioxyde de silicium de formule chimique SiO 2 par exemple. La capacité d’isolation électrique de la couche diélectrique dépend de plusieurs facteurs tels que le choix du matériau diélectrique et l’épaisseur de la couche diélectrique STI.
Le système de magnétisation peut être configuré pour que l’orientation des flux magnétiques autour du mandrin ait des pôles opposés qui se succèdent, afin d’améliorer les forces d’attraction des secteurs.
Rangées de barreaux Le mandrin peut comporter une unique rangée circonférentielle de barreaux autour de l’alésage central du corps de mandrin.
En variante, le mandrin peut comporter plusieurs rangées circonférentielles de barreaux réparties longitudinalement autour de l’alésage central du corps de mandrin.
Il peut par exemple comporter entre 2 et 10 rangées circonférentielles, par exemple entre 3 et 8 rangées circonférentielles, notamment 2, 3 ou 4 rangées circonférentielles de barreaux. Les rangées circonférentielles peuvent être réparties régulièrement, avec un écartement constant entre deux rangées circonférentielles consécutives.
Le nombre de rangées circonférentielles peut par exemple dépendre de la longueur de l’empilement de tôles, de son diamètre, du ratio entre sa longueur et son diamètre, par exemple.
Une longueur de l’empilement de tôles peut par exemple être comprise entre 50 mm et 3 m, voire entre 100 mm et 2 m, mieux entre 150 mm et 1,5 m, étant par exemple de 200 mm, de 1 m, voire de 2 m.
Un diamètre d’alésage de l’empilement de tôles peut être supérieur à 100 mm, mieux supérieur à 150 mm, voire supérieur à 200 mm.
Linguets d’alignement Les linguets d’alignement peuvent être réalisés dans un matériau amagnétique, notamment paramagnétique. Avantageusement, les linguets ne sont pas magnétiques, afin de favoriser leur pénétration dans des encoches des tôles et de ne pas l’empêcher. Cela permet de ne pas nuire au bon positionnement des secteurs.
Une largeur des linguets d’alignement en section transversale peut diminuer lorsque l’on s’éloigne d’un axe longitudinal du dispositif.
La largeur des linguets peut être sensiblement égale à l’ouverture des encoches au niveau du diamètre d’alésage de l’empilement de tôles, notamment avec un léger jeu permettant d’assurer le coulissement. En outre, cette largeur peut diminuer au fur et à mesure que le linguet s’étend dans l’encoche correspondante de l’empilement de tôles. Ainsi, l’insertion du secteur sur les linguets est facilitée, et le guidage plus aisé.
Les linguets d’alignement peuvent être reçus dans des entailles longitudinales de chaque barreau, qui s’étendent radialement au-delà du diamètre de l’alésage central ménagé dans les tôles.
Les barreaux peuvent comporter chacun une entaille longitudinale à cet effet. Une entaille d’un barreau peut être centrée par rapport audit barreau.
En variante, les linguets d’alignement peuvent être enfilés dans les encoches des tôles par le haut, étant déplacés selon un axe longitudinal du dispositif. Ils servent à assurer l’alignement des encoches des tôles. Les barreaux peuvent être dépourvus des entailles longitudinales précités, étant de surface sensiblement cylindrique faisant face aux secteurs de tôle.
Le dispositif peut comporter en outre un plateau de support des secteurs. Ce plateau de support peut être réalisé dans un matériau amagnétique. Il peut être disposé sur une base du mandrin. Ce plateau de support peut permettre également de faciliter le pressage ultérieur de l’empilement de tôles, et l’extraction de celui-ci.
Secteurs Les secteurs peuvent ménager des encoches, par exemple entre 2 et 20 encoches, mieux entre 4 et 16 encoches, par exemple 6 ou 8 encoches. Ces encoches ménagent chacune une ouverture d’encoche, les ouvertures d’encoche étant de préférence bien réparties sur le secteur correspondant, avec régularité et précision.
En outre, chaque secteur comporte deux flancs latéraux qui forment l’angle de couverture du secteur. Ils sont de préférence très légèrement en retrait de la ligne théorique centrée sur le diamètre d’alésage de l’empilement de tôles. Il est en outre utile de limiter le jeu entre deux secteurs consécutifs, afin d’éviter les entrefers parasites.
De préférence, la platine secondaire est solidaire de la partie proximale du bras de liaison.
L’invention concerne également un véhicule automobile comprenant un attelage tel que décrit ci-dessus, chaque partie proximale d’un bras de liaison étant maintenue à un longeron d’un châssis du véhicule automobile.
Description des figures L'invention sera mieux comprise, grâce à la description ci-après, qui se rapporte à des modes de réalisations préférés, donnés à titre d'exemples non limitatifs, et expliqués avec référence au dessin schématique annexé, dans lequel :
illustre une vue en perspective éclatée d’un attelage selon l’invention.
Description détaillée de l’invention Pour rappel, l’invention propose une solution alternative pour monter un attelage sur un véhicule automobile, de façon plus simple et plus rapide.
La illustre une vue schématique d’un attelage selon l’invention, en vue éclatée. L’attelage 2 se compose d’une traverse 4 s’étendant le long d’une première direction 4. La traverse est de préférence métallique et sa forme est proche ou similaire d’une forme cylindrique ou, selon le présent exemple, proche ou similaire d’une forme parallélépipédique.
La longueur de la traverse 4, mesurée le long de la première direction 4, est comprise entre 1 m et 3 m, de préférence entre 1,80 m et 2,5 m.
La traverse 4 comporte au niveau de ses deux extrémités opposées, une platine 8. La platine est traversée par plusieurs passages 10A. De préférence, la platine est de nature similaire à la traverse 4.
Selon le présent exemple, les platines 8 sont parallèles ou sensiblement parallèles entre elles, et chaque platine prolonge une extrémité de la traverse 4.
Comme illustré par la , les platines 8 sont comprises dans un même plan qui ne passe pas par la traverse 4. En d’autres termes, les platines 8 sont en retrait de la traverse 4, favorisant ainsi une plus grande liberté d’accès aux passages 10A traversant lesdites platines. Selon le présent exemple, la plus petite distance entre une platine 8 et la traverse 4, est comprise entre 2 cm et 15 cm, de préférence entre 5 cm et 10 cm.
L’attelage 2 comporte également deux bras de liaison 12. De préférence, les bras de liaison 12 sont de nature similaire à la traverse 4. Chaque bras de liaison 12 s’étend le long d’une seconde direction 14, entre une partie proximale 16, traversée par au moins un passage 10B, et une partie distale 18 traversée par plusieurs passages 10C.
La partie proximale 16 d’un bras de liaison est destinée à être maintenue, par des moyens de liaison réversibles, passant à travers les passages 10C, contre par exemple un longeron d’un véhicule automobile.
Comme illustré par la , la partie distale 18 d’un bras de liaison s’étend perpendiculairement ou sensiblement perpendiculairement à la partie proximale 16 dudit bras ou à la seconde direction 14.
L’invention est remarquable en ce que les platines 8 situés aux extrémités de la traverse, s’étendent parallèlement ou sensiblement à la première direction 4, et en ce que chaque platine 8 comporte au moins deux passages 10A configurés pour être alignés avec deux passages 10B situés au niveau de l’extrémité distale 18 d’un bras de liaison. Ainsi, de façon avantageuse, la traverse 4 peut plus aisément, et donc plus rapidement, être maintenue par l’intermédiaire des platines 8, contre les parties distales 18 des bras de liaison, par l’intermédiaire de moyens de fixation réversibles.
De préférence, les moyens de liaison mentionnés ci-dessus se composent d’un écrou 20 et d’un boulon 22, la tige filetée de l’écrou 20 étant apte à passer à travers les passages ménagés à travers l’attelage.
Avantageusement, la rugosité arithmétique moyenne Ra de la surface de la face (2a) du substrat métallique (2) est supérieure ou égale à 1µm.
COMPOSITIONS SOL-GEL
La composition sol-gel, encore appelé composition SG, est une composition sol-gel, organo-minérale ou entièrement minérale. Ces compositions synthétisées par voie sol-gel à partir de précurseurs de type polyalcoxylate métallique, ont préférentiellement un réseau hybride, généralement de silice avec des groupements alkyles greffés. Une composition sol-gel (SG) est généralement obtenue à partir d’un mélange sol-gel (SG) comprenant au moins un oxyde métallique colloïdal et au moins un précurseur de type alcoxyde métallique.
Avantageusement, l’alcoxyde métallique du mélange SG est un alcoxysilane.
-Activation de l’arrivée du mélange Co2/ air à la concentration en C0 2 donné par l’opérateur. Maintien de cette fonction durant le process
-Activation du pH-mètre, régulation du pH (pH de consigne) : Deux modes au choix : réguler avec cuve PH (liquide basique OU Acide indiqué par l’opérateur) OU régulation grâce à l’arrivée de Co2 (le CO2 baisse le pH). Maintien de cette fonction durant le process.
-Activation du turbidimètre/spectrophotomètre et conductimètre + d’autre capteur éventuelle
-Vidage de la cuve de culture C4 selon 2 modes : Mode renouvellement de x pourcents par jour avec réglage du débit OU vidage de X L à intervalle de temps donné.
-Le milieu de la cuve de mélangeC3 sera renouvelé lorsque le niveau passera en dessous d’un seuil choisi par l’opérateur jusqu'à qu’il atteigne son capteur de niveau CNC3 OU le volume choisi par l’opérateur.
-Injection d’une molécule à partir de la cuve de molécules C7 si instructions de l’opérateur.
Le système de l’invention est donc très avantageux en ce qu’il est conçu pour faciliter l’ensemble des taches nécessaires à un utilisateur pour effectuer une culture cellulaire, et nécessite une intervention minimale de l’utilisateur. D’autre part, le système est conçu pour avoir un contrôle très précis des conditions de culture et est donc très avantageux pour la culture expérimentale et la recherche sur les microorganismes photosynthétiques. En effet, le système permet un paramétrage total et précis des conditions de culture, et notamment du mode d’éclairage.
Le système de l’invention permet donc l’obtention de hauts rendements de production de biomasse. De même, sa grande autonomie, sa capacité à absorber le CO 2 ainsi que son grand rendement en matière nutritive permettent de pouvoir envisager ce système de culture dans des colonies spatiales. En effet, les contraintes spatiales sont en adéquation avec les capacités que peuvent offrir ce bioréacteur soit un grand rendement surfacique, une capacité de recyclage du CO 2 des astronautes et de leur déchet (urine fèces etc…) ou encore la capacité à pouvoir cultiver les algues sans contamination du milieu extérieur.
Nous pouvons envisager un autre type d’utilisation plus terre-à-terre comme système de culture produisant de l’alimentation dans des espaces peu propices à la culture végétale standard. Il peut être par exemple utilisé dans le cadre de pays en sous-nutrition comme une installation autonome qui fournira les besoins alimentaires du secteur. Bien entendu, le système peut également être relié à une installation polluante et récupérer le CO 2 émis par cette installation.
Assemblage et culture d’objets cellulaires sur une structure de contact sous l’action de forces de radiation acoustique axiale et transversale L’invention se rapporte au domaine de la biotechnologie et en particulier de l’assemblage de cellules ou particules micrométriques, par exemple en vue de reconstruire ou de modéliser des tissus vivants.
Une autre technique connue, décrite dans le document suivant, consiste à structurer des feuillets cellulaires par lévitation acoustique dans des hydrogels : Bouyer et al. A bio- Acoustic Levitational (BAL) Assembly Method for Engineering of Multilayered , 3D Brain- Like Constructs , Using Human Embryonic Stem Cell Derived Neuro- Progenitors , Adv. Mater. 2016, 28, 161-167 . Cette technique permet d’assembler dans un hydrogel des cellules sous forme de couches ou feuillets dans l’objectif d’établir des connexions entre cellules de différentes couches. Cependant, cette technique ne permet pas de contrôler le développement de telles connexions de manière satisfaisante.
Plus généralement, les techniques d’assemblage connues dans ce domaine sont complexes et coûteuses, peuvent nécessiter des durées importantes pour assembler et cultiver des cellules et, dans la mesure où elles sont mises en œuvre in vitro, peuvent entraîner la mort d’un grand nombre de cellules.
La présente invention vise à surmonter les inconvénients précités en procurant un dispositif destiné à assembler des objets, comprenant : – une cavité configurée pour recevoir un fluide et les objets, – un système de génération configuré pour générer dans la cavité, le long d’une direction axiale, une onde acoustique stationnaire de manière à produire une force de radiation acoustique axiale apte à positionner les objets sur des nœuds et/ou des anti-nœuds de pression formés par l’onde acoustique.
Esters d'acide gras de sorbitan
La composition selon l'invention comprend un ou plusieurs esters d'acides gras en C8-C30 de sorbitan.
Les esters d'acides gras en C8-C30 de sorbitan peuvent être oxyéthylénés ou non oxyéthylénés.
De préférence, l'acide gras est insaturé (comprend au moins une liaison C=C, de préférence une) et comprend plus préférentiellement 12 à 22 atomes de carbone, plus préférentiellement de 14 à 20, le plus préférentiellement est l'acide oléique.
Les esters d'acides gras non oxyéthylénés en C8-C30 et préférentiellement en C12-C22 (notamment les monoesters, diesters et triesters) de sorbitan peuvent être choisis parmi :
caprylate de sorbitan ; cocoate de sorbitan ; isostéarate de sorbitan ; laurate de sorbitan ; oléate de sorbitan ; palmitate de sorbitan ; stéarate de sorbitan ; diisostéarate de sorbitan ; dioléate de sorbitan ; distéarate de sorbitan ; sesquicaprylate de sorbitan ; sesquiisostéarate de sorbitan ; sesquioléate de sorbitan ; sesquistéarate de sorbitan ; triisostéarate de sorbitan ; trioléate de sorbitan ; et tristéarate de sorbitan, plus préférentiellement oléate de sorbitan.
Les esters d'acides gras en C8-C30 (de préférence en C12-C18) polyoxyéthylénés (notamment monoesters, diesters et triesters) de sorbitan contenant notamment de 2 à 20 mol d'oxyde d'éthylène peuvent être choisis parmi les esters polyoxyéthylénés d'acides gras en C12-C18, notamment acide laurique, myristique, cétylique ou stéarique, oléique, de sorbitan contenant notamment de 2 à 30 mol d'oxyde d'éthylène, tels que :
- monolaurate de sorbitan polyoxyéthyléné (4 OE) (POLYSORBATE-21),
- monolaurate de sorbitan polyoxyéthyléné (20 OE) (POLYSORBATE-20),
- monopalmitate de sorbitan polyoxyéthyléné (20 OE) (POLYSORBATE-40),
- monostéarate de sorbitan polyoxyéthyléné (20 OE) (POLYSORBATE-60),
- monostéarate de sorbitan polyoxyéthyléné (4 OE) (POLYSORBATE-61),
- monooléate de sorbitan polyoxyéthyléné (20 OE) (POLYSORBATE-80),
- monooléate de sorbitan polyoxyéthyléné (5 OE) (POLYSORBATE-81),
- tristéarate de sorbitan polyoxyéthyléné (20 OE) (POLYSORBATE-65),
- trioléate de sorbitan polyoxyéthyléné (20 OE) (POLYSORBATE-85).
La tête d’aspiration 2 comporte également un dispositif d’entraînement en rotation 18 configuré pour entraîner en rotation le corps de brosse 12 autour de l’axe de rotation et à une vitesse de rotation prédéterminée comprise entre 2000 et 8000 tr/min, et par exemple entre 3000 et 5000 tr/min. L’angle de décalage α est avantageusement compris entre 32 et 46° lorsque la vitesse de rotation est égale à 4100 tr/min et le diamètre de brosse est égal à 0,06 m.
La vitesse de rotation prédéterminée et le diamètre de brosse sont plus particulièrement définis de telle sorte qu’un rapport de l’angle de décalage α, exprimé en degré, sur une vitesse tangentielle, exprimée en m.s -1 , au niveau des extrémités libres des poils de chaque rangée de poils 14, lorsque le corps de brosse 12 est entrainé en rotation à la vitesse de rotation prédéterminée, est compris entre 2,5 et 3,5. La vitesse tangentielle au niveau des extrémités libres des poils de chaque rangée de poils 14, lorsque le corps de brosse 12 est entrainé en rotation à la vitesse de rotation prédéterminée, peut par exemple être comprise entre 8 et 26 m.s -1 .
Le dispositif d’entraînement en rotation 18 comprend plus particulièrement un moteur d’entraînement 19, de préférence électrique, couplé en rotation à la brosse rotative 11. Selon le mode de réalisation représenté sur les figures, le moteur d’entraînement 19 comprend un arbre de sortie qui est sensiblement colinéaire avec l’axe de rotation du corps de brosse 12, et le moteur d’entraînement 19 est logé dans le corps de brosse 12. De façon avantageuse, la brosse rotative 11 comporte une première portion d’extrémité 11.1 configurée pour être supportée par un élément de support prévu sur le corps principal 4 et montée mobile en rotation par rapport à l’élément de support, et une deuxième portion d’extrémité 11.2 supportée par le bouchon de fermeture 17 et montée mobile en rotation par rapport au bouchon de fermeture 17.
dispositif et procédé de mesure de la rapidité d’un utilisateur à déchiffrer une information visuelle La présente invention appartient au domaine général des neurosciences. Elle concerne plus particulièrement un procédé de mesure de la rapidité d’un utilisateur à déchiffrer une information visuelle. Elle concerne également un dispositif électronique de mesure de la rapidité d’un utilisateur à déchiffrer une information visuelle.
L’étude de la vision humaine distingue généralement la vision centrale et la vision périphérique. La vision centrale est impliquée dans la perception de détails, tandis que la vision périphérique offre des impressions globales de l’environnement. La vision périphérique est parfois qualifiée de « vision de mouvement » car elle permet également de percevoir des mouvements de manière ultra-rapide, en ayant une sensibilité au mouvement de l'ordre de plusieurs dizaines d’Hertz (e.g., supérieur à 50hz). La vision périphérique fournit donc très rapidement une impression générale d’un environnement visuel, alors que la vision centrale offre une analyse détaillée mais plus lente de cet environnement.
Pour de nombreuses activités, les deux visions sont indispensables. C’est par exemple le cas lors de la conduite d’un véhicule, de la pratique de certaines activités sportives, de la lecture d’un document, de la recherche d’un objet ou d’un déplacement dans un environnement encombré ou inconnu, qu’il soit réel ou virtuel (par exemple dans le cadre d’un jeu vidéo ou d’un simulateur de conduite).
La capacité d’un individu à effectuer l’activité donnée dépend de l’aptitude à combiner ces deux visions. En effet, les mécanismes impliqués dans la vision, ou plus précisément dans l’exploration visuelle, évoluent notamment à cause du vieillissement normal ou d’un déficit touchant le système visuel. Certaines pathologies, telles que la dégénérescence maculaire liée à l’âge, entraînent une perte progressive de la vision centrale de sorte que seule la vision périphérique subsiste. Mais l’utilisation combinée de ces deux visions dépend également des compétences de l’individu et de sa familiarité à réaliser une certaine activité.
Cependant, la plupart des tests de vision humaine ou des tests de vérification qu’une personne est apte à réaliser une activité donnée n’évaluent que la vision centrale, et plus particulièrement la vision fovéale, c’est-à-dire la vision avec laquelle l’acuité visuelle est maximale. L’évaluation des capacités de la personne est alors réalisée que de manière partielle et peut entraîner des conclusions imprécises voire erronées.