Dispositif optoélectronique comprenant une pluralité de couches émettrices (1, 2, 3) en empilement selon une direction z, ladite pluralité de couches émettrices (1, 2, 3) comprenant au moins : Une première couche émettrice (1) comprenant une première partie active configurée pour émettre un premier rayonnement selon une première longueur d’onde λ1, Une deuxième couche émettrice (2) comprenant une deuxième partie active configurée pour émettre un deuxième rayonnement selon une deuxième longueur d’onde λ2 différente de la première longueur d’onde λ1, lesdites couches émettrices (1, 2, 3) étant au moins en partie superposées en projection selon la direction z, chaque couche émettrice comprenant en outre, de part et d’autre de la partie active : une couche de contact électrique inférieure (12, 22, 32), et une couche de contact électrique supérieure (11, 21, 31), ladite couche de contact électrique supérieure étant transparente à la longueur d’onde d’émission λ1, λ2 de la couche émettrice considérée (1, 2, 3), le dispositif étant caractérisé en ce que chacune des couches émettrices (1, 2, 3) comprend un ensemble (10, 20, 30) de nanofils (100, 200, 300) orientés longitudinalement selon la direction z formant la partie active de la couche émettrice (1, 2, 3). Dispositif selon la revendication précédente dans lequel les nanofils (100, 200, 300) sont arrangés au sein d’une même couche émettrice (1, 2, 3) de façon à former un cristal photonique. Dispositif selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel les parties actives des couches émettrices (1, 2, 3) sont disposées en escalier, de sorte que chacun des ensembles (10, 20, 30) de nanofils (100, 200, 300) présentent au moins une partie non couverte par les autres ensembles (10, 20, 30) de nanofils (100, 200, 300). Dispositif selon la revendication précédente dans lequel, pour chaque couche émettrice (1, 2, 3) : la couche de contact électrique inférieure (12, 22, 32) est réfléchissante à la longueur d’onde d’émission λ1, λ2 de la couche émettrice considérée (1, 2, 3), et la couche de contact électrique supérieure (11, 21, 31) est transparente à la longueur d’onde d’émission λ1, λ2 de la couche émettrice considérée (1, 2, 3), et dans lequel lesdites couches de contact électrique supérieures transparentes (11, 21, 31) ne sont pas surmontées par les ensembles (10, 20, 30) de nanofils (100, 200, 300). Dispositif selon la revendication 1 dans lequel : la couche de contact électrique inférieure (32) située sous toutes les parties actives du dispositif est réfléchissante aux longueurs d’onde d’émission λ1, λ2 desdites parties actives, les autres couches de contact électrique inférieures (12, 22) sont transparentes aux longueurs d’onde λ1, λ2 des parties actives situées sous lesdites autres couches de contact électrique inférieures (12, 22), les couches de contact électrique supérieures (11, 21, 31) sont transparentes aux longueurs d’onde d’émission λ1, λ2 des parties actives situées sous lesdites couches de contact électrique supérieures (11, 21, 31). Dispositif selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel toutes les couches de contact électrique inférieures (12, 22, 32) sont reliées entre elles. Dispositif selon la revendication 1 dans lequel deux parties actives adjacentes selon la direction z partagent une même couche de contact électrique transparente. Dispositif selon la revendication précédente dans lequel la couche de contact électrique supérieure (31) d’une couche émettrice (3) correspond à la couche de contact électrique supérieure (21) d’une autre couche émettrice (2) située immédiatement au-dessus de ladite couche émettrice (3). Dispositif selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel certaines au moins des couches de contact électrique inférieures (12, 22, 32) et supérieures (11, 21, 31) sont connectées par des vias (120, 210, 220, 310) traversant selon la direction z au moins un ensemble (10, 20, 30) de nanofils. Dispositif selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel la pluralité de couches émettrices (1, 2, 3) comprend au moins une troisième couche émettrice (3) comprenant une troisième partie active configurée pour émettre un troisième rayonnement selon une troisième longueur d’onde λ3, avec λ1≠ λ2 ≠ λ3, ladite troisième couche émettrice (3) comprenant un troisième ensemble (30) de nanofils (300) orientés longitudinalement selon la direction z et formant ladite troisième partie active. Ecran émissif comprenant une pluralité de pixels formés par des dispositifs optoélectroniques selon l’une quelconque des revendications précédentes, disposés côte à côte dans un plan transverse à la direction z. Procédé de fabrication d’un dispositif optoélectronique selon l’une quelconque des revendications 1 à 10, ledit procédé comprenant au moins les étapes suivantes : Former sur un premier substrat (S1) un premier ensemble (10) de nanofils (100) configuré pour émettre le premier rayonnement selon la première longueur d’onde λ1, Former une première couche de collage (12a, 40a) pour le premier ensemble (10) de nanofils (100), Former sur un deuxième substrat (S2) un deuxième ensemble (20) de nanofils (200) configuré pour émettre le deuxième rayonnement selon la deuxième longueur d’onde λ2, Former une deuxième couche de collage (12b, 40b) pour le deuxième ensemble (20) de nanofils (200), Mettre en regard la deuxième couche de collage (12b, 40b) avec la première couche de collage (12a, 40a), Assembler les premier et deuxième ensembles (10, 20) de nanofils par collage au niveau des première et deuxième couches de collage (12a, 40a, 12b, 40b), Retirer au moins l’un parmi les premier et deuxième substrats (S1, S2), Former une première couche de contact électrique inférieure (12) et une première couche de contact électrique supérieure (11) pour le premier ensemble (10) de nanofils (100), Former une deuxième couche de contact électrique inférieure (22) et une deuxième couche de contact électrique supérieure (21) pour le deuxième ensemble (20) de nanofils (200). Procédé selon la revendication précédente dans lequel les première et deuxième couches de collage (12a, 12b) comprennent respectivement des première et deuxième couches métalliques, l’assemblage des premier et deuxième ensembles (10, 20) de nanofils étant effectué par thermocollage desdites première et deuxième couches métalliques (12a, 12b), lesdites première et deuxième couches métalliques formant la première couche de contact électrique inférieure (12), le procédé comprenant en outre, après assemblage et retrait du premier substrat (S1) : une gravure d’une partie du premier ensemble (10) de nanofils (100) et des première et deuxième couches de collage (12a, 12b), de façon à exposer une partie du deuxième ensemble (20) de nanofils (200), un dépôt d’une couche d’oxyde conductrice transparente sur la partie exposée du deuxième ensemble (20) de nanofils (200), de façon à former la deuxième couche de contact électrique supérieure (21). Procédé selon la revendication précédente comprenant en outre le dépôt d’une couche d’encapsulation (60) transparente sur la couche d’oxyde conductrice transparente (21) au niveau de la partie exposée du deuxième ensemble (20) de nanofils (200). Procédé selon la revendication 12 dans lequel les première et deuxième couches de collage (40a, 40b) comprennent respectivement des première et deuxième couches diélectriques transparentes, l’assemblage des premier et deuxième ensembles (10, 20) de nanofils étant effectué par collage moléculaire desdites première et deuxième couches diélectriques transparentes (40a, 40b), lesdites première et deuxième couches diélectriques transparentes formant une couche diélectrique intercalaire (40) entre la première couche de contact électrique inférieure (12) et la deuxième couche de contact électrique supérieure (21). Procédé selon la revendication 12 dans lequel les première et deuxième couches de collage (12a, 12b) comprennent respectivement des première et deuxième couches d’oxyde conductrices transparentes, l’assemblage des premier et deuxième ensembles (10, 20) de nanofils étant effectué par collage moléculaire desdites première et deuxième couches d’oxyde conductrices transparentes (12a, 12b), lesdites première et deuxième couches d’oxyde conductrices transparentes formant à la fois la première couche de contact électrique inférieure (12) et la deuxième couche de contact électrique inférieure (22).