Procédé pour la mise en œuvre d’un dispositif photovoltaïque, en particulier d’au moins une sous-cellule solaire comprenant des étapes consistant à : A) prévoir une plaque (40) de silicium dotée d’éléments constitutifs de cellule(s) solaire(s) (C1, C2) ou dotée de sous-cellule(s) solaire(s) au moins partiellement réalisée(s), ladite plaque ayant une face (41a) dite supérieure, une face (41b) dite inférieure opposée à la face supérieure, les faces supérieure et inférieure suivant une orientation cristalline ‘(100)’, des bords latéraux (41c, 41e) entre ladite face supérieure et ladite face inférieure et suivant une orientation cristalline ‘(110)’, B) réaliser sur ladite face supérieure (41a) de la plaque (40): - au moins une pluralité de sillons (115) répartis le long d’un axe donné (∆) qui s’étend parallèlement à des premiers bords latéraux (41c, 41d) opposés de ladite plaque (40), lesdits sillons s’étendant principalement respectivement entre des deuxièmes bords latéraux (41f, 41d) opposés et orthogonaux auxdits premiers bords latéraux, ou - au moins un sillon (215) le long d’un axe donné (∆) qui s’étend entre les deuxièmes bords latéraux (41f, 41d), ledit au moins un sillon (215) ayant une longueur minimale (Lsmin) entre au moins 50% et 80% d’une distance Lt entre les deuxièmes bords latéraux, puis, après l’étape B), effectuer une étape de clivage de la plaque de sorte à former une fissure de clivage se propageant entre les sillons (115) ou le long dudit au moins un sillon (215) et à effectuer une séparation de la plaque (40) en une première portion (40a) et une deuxième portion (40b). Procédé selon la revendication 1, ladite plaque (40) étant dotée d’au moins une première ligne conductrice (108) et d’au moins une deuxième ligne conductrice (109) s’étendant sur la face (41a) supérieure parallèlement auxdits bords latéraux (41c, 41d), ladite au moins une pluralité de sillons (115) ou ledit au moins un sillon (215) étant réalisé(s) entre la première ligne conductrice (107) et ladite deuxième ligne conductrice (109). Procédé selon l’une des revendications 1 ou 2, dans lequel l’étape de clivage de la plaque est réalisée par action mécanique sur la plaque (40), en particulier avec mise en flexion par application d’au moins une force (F). Procédé selon l’une des revendications 1 à 3, comprenant entre l’étape B) et l’étape C) : la réalisation d’au moins une entaille (165) d’amorce dans ladite plaque (40), ladite entaille (165) d’amorce étant formée au niveau d’un des deuxièmes bords latéraux (41f, 41d). Procédé selon l’une des revendications 1 à 4, dans lequel ladite au moins une pluralité de sillons (115) ou ledit au moins un sillon (215) est ou sont réalisé(s) par abrasion de la face supérieure (41a), en particulier à l’aide d’une ou plusieurs pointes. Procédé selon l’une des revendications 1 à 5, dans lequel ladite au moins une pluralité de sillons (115) ou ledit au moins un sillon (215) s’étendent de biais par rapport aux premiers bords latéraux (41c, 41d). Procédé selon l’une des revendications 1 à 6, dans lequel la distance maximale L max entre deux sillons successifs de ladite pluralité de sillons (115) ou entre d’une part un sillon d’extrémité de ladite pluralité de sillons (115) le plus proche d’un deuxième bord donné parmi lesdits deuxièmes bords latéraux (41f, 41d) et d’autre part ce deuxième bord donné est : (1) Lmax = D s /Tan(α*π/180) avec Ds une valeur de déviation tolérée de fissure de clivage choisie inférieure à une distance séparant deux cellules ou deux sous-cellules formées sur ladite plaque, α un angle de désorientation maximal toléré de la fissure de clivage prédéterminé inférieur à 0.3° et de préférence inférieur à 0.1°. Procédé selon la revendication 7, dans lequel le nombre de sillons (115) de ladite au moins une pluralité de sillons (115) entre lesdits deuxièmes bords (41f, 41d) est supérieur à N, avec N = Lmax/Lt, Lt étant la distance entre lesdits deuxièmes bords. Procédé selon l’une des revendications 1 à 8, dans lequel les sillons (115) de ladite au moins une pluralité de sillons (115) sont agencés de manière périodique selon un pas de répartition donné. Procédé selon l’une des revendications 1 à 9, ladite au moins une pluralité de sillons (115) ou ledit au moins un sillon (215) ayant une largeur (Ds) comprise entre 10 et 300 microns, de préférence entre 20 à 100 microns. Procédé selon l’une des revendications 1 à 10, ladite au moins une pluralité de sillons (115) ou ledit au moins un sillon (215) ayant une profondeur comprise entre 1 et 20 microns, de préférence entre 1 et 10 microns. Procédé selon l’une des revendications 1 à 11, comprenant en outre après l’étape de clivage de la plaque (40) : l’assemblage et/ou l’interconnexion de la première portion (40a) avec une autre portion de silicium ou avec ladite deuxième portion (40b), de sorte à former un module photovoltaïque ou une guirlande de sous-cellules interconnectées.