INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Pour la réception des câbles P, D, le bloc chambre 11 comprend un logement principal 4 destiné à recevoir un câble principal P et un logement dérivé 5 destiné à recevoir un câble dérivé D. Si l’on considère la direction de perforation, le logement dérivé 5 se trouve en amont du logement principal 4. Autrement dit, le logement principal 4 est disposé entre le logement dérivé 5 et le fond 10 du berceau 1. Chaque logement 4, 5 présente une forme générale cylindrique ou semi-cylindrique et est conformé pour recevoir un câble P, D avec un faible jeu entre le câble P, D et le logement 4, 5. L’axe X1 du logement principal 4 est parallèle à l’axe X2 du logement dérivé 5 et les axes X1, X2 des logements 4, 5 sont situés dans un même plan perpendiculaire au plan de la paroi centrale 20a du couvercle 2. Ainsi, les axes X1, X2 des logements 4, 5 sont perpendiculaires à l’axe X0 de l’organe de perforation 3 et perpendiculaires aux plans des secondes faces latérales 11c, 11d du bloc chambre 11. Chaque logement 4, 5 a deux extrémités ouvertes définissant deux ouvertures de passage pour le câble à installer. Le logement principal 4 et le logement dérivé 5 sont séparés l’un de l’autre par une partie de séparation 12 isolante. Ainsi, l’utilisateur du connecteur C ne risque pas de toucher le câble dérivé D lorsqu’il installe le câble principal P.
Le logement principal 4 et le logement dérivé 5 communiquent l’un avec l’autre par l’intermédiaire d’un passage 6 d’organe de perforation. Ce passage 6 s’étend perpendiculairement aux axes X1, X2 des logements 4, 5 et est configuré pour recevoir l’organe de perforation 3 porté par le couvercle 2 et permettre son déplacement en translation à l’intérieur du passage 6. Ce passage 6 comprend donc un orifice central 6a ménagé dans la partie de séparation 12 et débouchant dans le logement principal 4 et dans le logement dérivé 5. Ce passage 6 est prolongé en aval du logement principal 4 par un orifice aval 6b débouchant dans le logement principal 4 et se terminant dans une partie isolante 13 située entre le logement principal 4 et le fond 10. L’orifice central 6a et l’orifice aval 6b sont coaxiaux. Ce passage 6 est également prolongé en amont du logement dérivé 5 par un orifice amont 6c débouchant dans le logement dérivé 5 et traversant une partie de guidage 14 isolante définissant une section de paroi du logement dérivé 5.
Afin de faciliter l’insertion du câble principal P dans le logement principal 4, le bloc chambre 11 comporte une fente d’insertion 15 formée dans l’une de ses premières faces latérales 11a ou 11b et qui communique avec le logement principal 4. La fente d’insertion 15 s’étend sur toute la longueur du logement principal 4. Ainsi, le câble principal P peut être inséré latéralement, autrement dit selon une direction transversale à l’axe X1 du logement principal 4, par passage à travers la fente d’insertion 15.
Au niveau de sa partie comprenant le logement principal 4, la fente d’insertion 15 et la partie de séparation 12 isolante, le bloc chambre 11 présente une forme de C en coupe transversale. Au niveau de sa partie comprenant le logement dérivé 5 et la partie de guidage 14, le bloc chambre 11 présente une forme de U en coupe transversale. En effet, la partie du bloc chambre 11 située en amont du logement dérivé 5 comporte deux cornes de guidage 16 permettant d’assurer le guidage du couvercle 2 par rapport au berceau 1. Ces cornes 16 sont configurées pour être reçues dans les évidements 22 du couvercle 2 lorsque le bord libre du couvercle 2 vient en contact avec le fond 10 du berceau 1.
Pour le maintien en position du couvercle 2 par rapport au berceau 1 dans chacune des trois positions, le bloc chambre 11 comprend une structure de retenue en position haute 7, une structure de retenue en position intermédiaire 8 et une structure de retenue en position basse 9 aptes à coopérer avec la structure d’encliquetage 24, 25 du couvercle 2. Ainsi, la structure d’encliquetage 24, 25 du couvercle 2 et les structures de retenue 7, 8, 9 du berceau 1 forment les moyens de maintien en position.
La structure de retenue en position haute 7 permet d’assurer que le couvercle 2 reste assemblé au berceau 1 tout en empêchant un perçage non souhaité des câbles P, D.
L’exemple de substrat de renfort 250 de la , et l’exemple de substrat de renfort 450 de la , comprennent ainsi un deuxième élément de renfort dont au moins une partie croise un bord 915 de l’autre cavité du corps de la carte puce 200 de la , selon une direction longitudinale formant un angle compris entre 80° et 100° par rapport audit bord 915 de l’autre cavité.
En outre, l’exemple de substrat de renfort 250 de la , et l’exemple de substrat de renfort 450 de la , comprennent un troisième élément de renfort dont au moins une partie croise un bord 905 de la cavité du corps de la carte puce 200 de la , selon une direction longitudinale formant un angle compris entre 80° et 100° par rapport audit bord 905 de la cavité.
Chaque segment rectiligne de la portion en zig zag du deuxième élément de renfort 251b, 451b, respectivement du troisième élément de renfort 251c, 451c, peut être l’au moins une partie de l’élément de renfort ayant une forme longitudinale formant un angle compris entre 80° et 100° par rapport au bord 915 de l’autre cavité, respectivement par rapport au bord 905 de la cavité, du corps de la carte puce.
On notera qu’un élément de renfort en zigzag permet de multiplier les intersections entre l’élément de renfort et un axe particulier de contrainte mécanique, typiquement une diagonale ou une médiane du corps de la carte puce, ou un bord d’une cavité formée dans le corps de la carte à puce, ce qui permet d’augmenter encore la résistance mécanique et la durabilité du corps vis-à-vis de contraintes mécaniques de l’axe concerné tout en permettant au corps de conserver une flexibilité idoine, typiquement compatible avec la norme ISO/IEC 10373-1 (par exemple dans sa troisième édition, 2020-10).
De préférence, l’au moins une partie du deuxième élément de renfort croise un bord 915 de l’autre cavité du corps de la carte puce 200 de la , selon une direction longitudinale formant un angle de 84° ou 96° par rapport audit bord 915 de l’autre cavité.
De même, l’au moins une partie du troisième élément de renfort, croise un bord 905 de la cavité du corps de la carte puce 200 de la , selon une direction longitudinale formant de préférence un angle de 84° ou 96° par rapport audit bord 905 de la cavité.
Ces angles permettent de limiter le risque d’arrachage de ces éléments de renfort lors du passage d’un outil d’usinage pour fabriquer la cavité, par exemple par fraisage.
La représente de manière schématique une cavité et un élément de renfort d’un troisième exemple de carte à puce 1000 conforme à l’invention.
La carte à puce 1000 comprend un corps 1010 comprenant une cavité 1080 formée pour loger un microcircuit, et éventuellement une interface de contact permettant au microcircuit de communiquer avec un dispositif extérieur à travers l’interface de contact.
Une zone centrale 1081 de la cavité 1080 est configurée pour former une partie profonde de la cavité.
Une zone périphérique 1082 de la cavité est configurée pour former une partie périphérique, dite un lamage, de largeur LL, moins profonde que la partie profonde et entourant la partie profonde de la cavité.
Le corps 1010 de la carte à puce 1000 comporte en outre un substrat de renfort, non représenté, comprenant un élément de renfort 1151 dont au moins une partie croise un bord 1005 de la cavité 1080 selon une direction longitudinale formant un angle compris entre 80° et 100° par rapport audit bord 1005 de la cavité 1080.
De préférence, l’élément de renfort 1151 a une largeur L tel que L = a × LL avec a ayant une valeur comprise entre 1,5 et 1,7.
Par exemple, la valeur de a est 1,6.
Ainsi l’élément de renfort peut couvrir 80% de la largeur du lamage de la cavité et être centré dans sa largeur par rapport à un bord 1005 de ladite cavité 1080.
La partie du lamage non couverte par l’élément de renfort a ainsi une largeur suffisante pour que l’élément de renfort ne soit pas coupé lors de l’usinage de la zone centrale en raison des limites de précision de l’outil d’usinage.
la est une vue schématique illustrant la mise en œuvre du procédé d’inspection par le dispositif d’inspection illustré à aux figures 1A et 1B ;
la est une vue schématique d’un dispositif d’inspection d’un tronçon de canalisation selon un deuxième mode de réalisation de l’invention, dans un premier état de fonctionnement ;
la est une vue identique à celle de la , dans laquelle le dispositif d’inspection est dans un deuxième état de fonctionnement ;
la est une vue schématique d’une variante du dispositif d’inspection illustré à la , dans un premier état de fonctionnement ;
la est une vue identique à celle de la , dans laquelle le dispositif d’inspection selon cette variante est dans un deuxième état de fonctionnement.
DESCRIPTION DETAILLEE DE L’INVENTION En référence aux figures 1A et 1B, un tronçon de canalisation T d’un pipeline est enfoui dans le sol à une profondeur p , ici sensiblement comprise entre 1 et 2 mètres par rapport à une surface S sol plane du sol. Ce pipeline est destiné au transport d’un fluide sous pression tel que du gaz sous pression, du pétrole… Le tronçon de canalisation T est de forme cylindrique et s’étend selon un axe Y longitudinal sensiblement parallèle à la surface S sol du sol. On comprendra que seule une section transversale du tronçon de canalisation T, selon un plan XZ perpendiculaire à l’axe Y, est visible sur les figures 1A et 1B.
Le tronçon de canalisation T est en matériau ferromagnétique (par exemple en acier) de sorte que le champ magnétique terrestre induit, dans ledit tronçon de canalisation T, un champ magnétique F t ayant une direction de polarisation P t sensiblement perpendiculaire à l’axe Y du tronçon de canalisation T.
Par ailleurs, le tronçon de canalisation T a été, lors de sa fabrication et de son transport jusqu’à son lieu d’enfouissement, levé et manipulé à l’aide d’électroaimants puissants, ce qui peut induire localement un champ magnétique rémanent (non illustré) de longue durée dans ledit tronçon de canalisation T.
Il est également connu d’appliquer, dans le tronçon de canalisation T, un courant électrique permettant d’abaisser son potentiel électrochimique en dessous d’une valeur donnée pour limiter la corrosion dudit pipeline. Le cas échéant, un champ magnétique (non illustré) est également induit dans le tronçon de canalisation T par cette protection cathodique du pipeline.
Pour inspecter le pipeline, il est prévu selon le procédé de l’invention de disposer, sur la surface S sol du sol au-dessus du pipeline, un chariot configuré pour se déplacer le long du pipeline selon une direction sensiblement parallèle à l’axe Y de manière à inspecter des tronçons de canalisation T successifs. A cet effet, le chariot comprend un châssis qui est par exemple porté par des roues et sur lequel est monté un réseau de magnétomètres M 1, M 2, M 3, M 4 alignés selon un axe sensiblement perpendiculaire à la direction d’avancement du chariot et parallèle à la surface S sol du sol.
Le réseau de magnétomètres M 1, M 2, M 3, M 4 comprend un magnétomètre central M 1 , deux premiers magnétomètres latéraux M 2 , deux deuxièmes magnétomètres latéraux M 3 et deux troisièmes magnétomètres latéraux M 4 . Les magnétomètres latéraux M 2 , M 3 , M 4 sont répartis symétriquement de part et d’autre du magnétomètre central M 1 . Les premiers magnétomètres latéraux M 2 sont espacés du magnétomètre central M 1 d’une distance d 1 . Les deuxièmes magnétomètres latéraux M 3 sont espacés des premiers magnétomètres latéraux M 2 d’une distance d 2 supérieure à la distance d 1 . Les troisièmes magnétomètres latéraux M 4 sont espacés des deuxièmes magnétomètres latéraux M 3 d’une distance d 3 supérieure à la distance d 2 . De préférence, la distance d 1 est sensiblement égale à un rayon extérieur r du tronçon de canalisation T ou à 10% de la profondeur p d’enfouissement du tronçon de canalisation T. La distance d 2 est ici sensiblement égale à deux fois la distance d 1 , et la distance d 3 est ici sensiblement égale à trois fois la distance d 1 . De préférence encore, les troisièmes magnétomètres latéraux M 4 sont espacés du magnétomètre central M 1 d’une distance sensiblement égale à deux fois la profondeur p d’enfouissement du tronçon de canalisation T.
Les magnétomètres M 1, M 2, M 3, M 4 sont ici des magnétomètres triaxiaux à vannes de flux (de l’anglais « fluxgate ») qui sont reliés à une unité d’enregistrement et de traitement pour mesurer et enregistrer l’orientation et l’intensité d’un flux magnétique compris entre 0,1 nanotesla et 1 millitesla, avec une précision de l’ordre du nanotesla. Les magnétomètres M 1, M 2, M 3, M 4 sont ici identiques.
Le chariot comprend en outre une bobine C ayant un axe W d’enroulement qui s’étend dans un plan perpendiculaire à la direction d’avancement du chariot et dans lequel s’étendent les magnétomètres M 1, M 2, M 3, M 4 . La bobine C est montée sur le châssis du chariot via des moyens d’orientation permettant de régler l’orientation de l’axe W de la bobine C dans ledit plan. On notera que les magnétomètres M 1, M 2, M 3, M 4 s’étendent à l’extérieur de la bobine C.
En référence aux figures 2A et 2B, la bobine C comprend un cadre c de forme rectangulaire autour duquel est enroulé un fil conducteur f , ici en cuivre, formant des spires N. L’axe W de la bobine C est perpendiculaire au cadre c d’enroulement du fil conducteur f et passe par le centre dudit cadre.
Pour une profondeur p d’enfouissement du tronçon de canalisation T sensiblement égale à 1,5 mètre, le cadre c de la bobine C a, par exemple, une longueur a sensiblement égale à 3 mètres et une largeur b sensiblement égale à 1 mètre, la longueur a s’étendant parallèlement à la direction de déplacement du chariot. Le fil conducteur f de la bobine C a un diamètre d sensiblement égal 1 millimètre et le nombre de spires N est sensiblement égal à 100, de sorte que le fil conducteur f a une longueur l sensiblement égale à 800 mètres. Selon la formule connue suivante (où ρ Cu est la résistivité du cuivre), la bobine C présente une résistance R coil sensiblement égale à 16 Ohm (Ω) :
La bobine C est reliée à un générateur de courant G porté par le chariot. Le générateur de courant G comprend ici un onduleur relié à une batterie délivrant une tension continue sensiblement égale à 24 volts, de sorte que la bobine C est parcourue par un courant I alternatif ayant une amplitude sensiblement égale à 1,5 ampère. La bobine C génère alors un champ magnétique F c ayant une intensité variable et une direction de polarisation P c s’étendant selon l’axe W ( ).
2. 34,6 g d’acide phosphorique (85%) ont été dissous dans 100 ml d’eau pure pour préparer une solution B, et 24 g d’eau ammoniacale ont été dilués à 100 ml pour préparer une solution C.
3. La solution B et la solution C ont été ajoutées à la solution A, et une solution trouble D s’est formée, avec un pH d’environ 3,9 à ce moment.
4. La solution trouble D a été ajoutée dans un réacteur pendant 4h de réaction à 80°C.
5. La suspension obtenue après la réaction a été soumise à une séparation solide-liquide, lavée puis séchée dans une étuve pour obtenir un phosphate de manganèse-fer de type hureaulite (Mn 0,8 Fe 0,2 ) 5 (PO 4 ) 2 [PO 3 (OH)] 2 ·4H 2 O.
Exemple 4 Dans cet exemple, un phosphate de manganèse-fer de type hureaulite a été préparé par les étapes suivantes :
1. 58,8 g de tétrahydrate d’acétate de manganèse et 16,68 g d’heptahydrate de sulfate ferreux ont été dissous dans 300 ml d’eau pure pour préparer une solution A, où le rapport molaire (Mn:Fe) était de (8:2).
2. 27,7 g d’acide phosphorique (85%) ont été dissous dans 100 ml d’eau pure pour préparer une solution B, et 24 g de NaOH ont été dissous dans 100 ml d’eau pure pour préparer une solution C.
3. La solution B et la solution C ont été ajoutées lentement à la solution A, et une solution trouble D s’est formée, avec un pH de 4,8 à ce moment.
Exemple 5 Dans cet exemple, un phosphate de manganèse-fer de type hureaulite et un phosphate de lithium-manganèse-fer ont été préparés par les étapes suivantes :
1. 507g de monohydrate de sulfate de manganèse et 556g d’heptahydrate de sulfate ferreux ont été dissous dans 5 L d’eau pure pour préparer une solution A, où le rapport molaire (Mn:Fe) était de (6:4).
2. 461,2 g d’acide phosphorique (85%) ont été dissous dans 2 L d’eau pure pour préparer une solution B, et 544 g d’eau ammoniacale ont été dilués à 2 L pour préparer une solution C.
3. La solution B et la solution C ont été ajoutées à la solution A et une solution trouble D s’est formée avec un pH de 4,6.
4. La solution trouble D a été ajoutée dans un réacteur pendant 1h de réaction à 90°C.
5. La suspension obtenue après la réaction a été soumise à une séparation solide-liquide, lavée puis séchée dans une étuve pour obtenir un phosphate de manganèse-fer de type hureaulite (Mn 0,6 Fe 0,4 ) 5 (PO 4 ) 2 [PO 3 (OH)] 2 ·4H 2 O.
Le microcircuit 120 peut comprendre un processeur, une mémoire et une interface de communication avec une autre entité électronique, par exemple une interface de communication contact.
La carte 100 peut également comporter une interface de contact (non visible sur la ) reliée électriquement à l’interface de communication contact du microcircuit 120. Ainsi, le microcircuit 120 peut communiquer avec un dispositif extérieur à travers l’interface de contact mise au contact d’un dispositif adapté pour cette communication, ce type de communication étant connu comme communication par contact, par exemple telle que définie par la norme ISO/IEC 7816-2 (par exemple dans sa deuxième édition, 2007-10-15).
Le corps 110 de la carte à puce 100 comprend entre les couches externes dudit corps un substrat de renfort (non visible dans la ) comprenant un élément de renfort.
La fonction de l’élément de renfort est d’augmenter la résistance mécanique et la durabilité du corps de la carte à puce vis-à-vis de contraintes mécaniques telles que les torsions et flexions, et de ne pas impacter le fonctionnement de la carte à puce en cas de cassure.
La représente de manière schématique un exemple de substrat de renfort 150 de la carte à puce 100 de la .
Le substrat de renfort 150 est par exemple formé d’une feuille configurée pour être laminée avec au moins une autre couche pour former le corps de la carte à puce. Le substrat de renfort 150 comporte une face supérieure 156. La face supérieure 156 est considérée comme plane.
Le substrat de renfort 150 comprend un matériau électriquement isolant 155 (référencé sur la ), typiquement du plastique ou du papier, et l’élément de renfort 151.
L’élément de renfort est électriquement conducteur.
Typiquement, l’élément de renfort 151 est en métal.
Le substrat de renfort et l’élément de renfort peuvent ainsi être fabriqués avec des outils et procédés existants, habituellement utilisés par l’homme du métier pour fabriquer un substrat de circuit électrique comprenant un élément conducteur, typiquement un substrat comprenant une antenne qui aura une liaison électrique avec le microcircuit, ou un substrat comprenant une, ou plusieurs, liaison électrique connectée électriquement au microcircuit et à un autre composant électronique de la carte à puce pour établir une liaison électrique entre eux.
L’élément de renfort 151 ne comprend pas de liaison électrique.
C’est-à-dire que l’élément de renfort n’est relié électriquement à aucun microcircuit et aucun composant électronique, par exemples diode, résistance ou transistor.
Ainsi, une éventuelle rupture de l’élément de renfort est sans conséquence pour le bon fonctionnement de la carte à puce car cet élément de renfort n’est pas utilisé dans une connexion électrique.
Par exemple, comme représenté sur la , l’élément de renfort 151 forme au moins une portion en zigzag.
Un élément de renfort en zigzag désigne ici un élément de renfort qui est par exemple déposé en formant des allers et retours successifs, formant ainsi des segments rectilignes reliés entre eux par des détours formant des boucles. Les segments rectilignes sont par exemple parallèles les uns aux autres, et deux segments rectilignes adjacents sont par exemple reliés l’un à l’autre par une portion qui est le plus souvent courbe, par exemple en arc de cercle.
L’au moins une portion en zigzag 151 a un pas P et une largeur L.
Phosphate de manganÈse-fer de type hureaulite et son procÉdÉ de prÉparation et son utilisation DOMAINE La présente divulgation appartient au domaine des matériaux d’électrodes positives pour batteries au lithium-ion, et se rapporte en particulier à un phosphate de manganèse-fer de type hureaulite à son procédé de préparation et à son utilisation.
ARRIÈRE-PLAN Les batteries au lithium-ion sont actuellement les batteries d’alimentation les plus prometteuses en raison de leur haute densité d’énergie, de leur grand courant de charge-décharge et de leur longue durée de vie. Parmi celles-ci, le phosphate de lithium-fer présente les avantages d’une bonne sécurité, d’une capacité théorique élevée et d’une bonne capacité de débit, et devient l’un des matériaux d’électrodes positives les plus largement utilisés pour les batteries au lithium-ion, attirant de plus en plus l’attention des chercheurs. Cependant, il présente également des inconvénients tels qu’une mauvaise conductivité électronique, un faible coefficient de diffusion d’ions lithium et une plate-forme à faible potentiel de travail, ce qui affecte son développement et son application dans le domaine des batteries d’alimentation. À l’heure actuelle, le revêtement de carbone, la réduction de la taille de particules et le dopage d’éléments sont les principaux procédés d’amélioration pour surmonter les défauts du matériau. De plus, le matériau de phosphate de lithium-manganèse (4,1 eV) de la même structure familiale a un potentiel redox plus élevé que le phosphate de lithium-fer (3,4 eV) et présente les avantages d’une tension de sortie plus élevée et d’une plus grande capacité, mais sa conductivité et sa capacité de débit plus faibles limitent considérablement l’application du phosphate de lithium-manganèse. Le matériau LiMn 1-x Fe x PO 4 /C, qui est la combinaison des deux, peut non seulement conserver les avantages d’une grande sécurité et d’une grande stabilité du phosphate de lithium-fer, mais également améliorer sa tension de travail à des degrés variables selon la quantité de manganèse ajoutée. Ce système de solution solide a été favorisé par un nombre croissant de chercheurs et est progressivement devenu la future tendance de développement et une alternative aux matériaux de phosphate de lithium-fer.
RÉSUMÉ La présente divulgation vise à résoudre au moins un des problèmes techniques mentionnés ci-dessus existant dans l’art antérieur. À cette fin, la présente divulgation fournit un phosphate de manganèse-fer de type hureaulite, son procédé de préparation et son utilisation.
Selon un aspect de la présente divulgation, un phosphate de manganèse-fer de type hureaulite est fourni, dans lequel le phosphate de manganèse-fer de type hureaulite a la formule chimique générale (Mn x Fe 1-x ) 5 (PO 4 ) 2 [PO 3 (OH)] 2 ·4H 2 O, 0,2≤x< 1, le phosphate de manganèse-fer de type hureaulite appartient au système monoclinique avec une structure de réseau spatial C2/c(15) Z=4, où le manganèse et le fer sont divalents et sont distribués de manière uniforme dans une cellule unitaire au niveau atomique, et le phosphate de manganèse-fer de type hureaulite a la morphologie d’une structure colonnaire avec une distribution granulométrique D50 allant de 8 à 100 μm.
Dans certains modes de réalisation préférés de la présente divulgation, x est de 0,5 à 0,7.
Dans certains modes de réalisation préférés de la présente divulgation, le rapport longueur-diamètre des particules du phosphate de manganèse-fer de type hureaulite est de (1-3):1.
La présente divulgation fournit également un procédé de production du phosphate de manganèse-fer de type hureaulite, comprenant les étapes de :
S1 : ajout d’une solution de source de phosphore à une solution de métal mixte contenant une source de manganèse divalent et une source de fer divalent pour obtenir une solution trouble, où le rapport molaire de Mn sur Fe dans la solution de métal mixte est x:(1-x) ; et