Dispositif de verrou, possédant un mode de fonctionnement dans lequel il est capable sur commande de délivrer et de maintenir sur sa borne de sortie (OUT) soit une haute tension (HV) soit une basse tension (LV), comprenant -une bascule verrou du type RS (BSV) apte à être alimentée entre une première tension d’alimentation (Vplus) et une deuxième tension d’alimentation (Vminus) inférieure à la première tension d’alimentation et possédant une première (A) et une deuxième (B) entrées de bascule et une sortie de bascule (OUTN2) connectée à la borne de sortie (OUT), et -un module de commande (MCM) configuré o pour positionner la bascule verrou dans un état initialisé ou dans un état réinitialisé lorsque la première tension d’alimentation (Vplus) a une première valeur (Vdd) inférieure à la basse tension (LV) puis, o la bascule verrou étant positionnée, pour conférer la haute tension (HV) à la première tension d’alimentation (Vplus) et la basse tension (LV) à la deuxième tension d’alimentation (Vminus) et pour délivrer simultanément à partir d’un instant de délivrance (td), aux deux entrées de bascule, deux tensions d’entrée (VA, VB) correspondant en théorie à un état logique interdit, dans des conditions de délivrance telles que ces deux tensions d’entrée (VA, VB) ne se traduisent pas en réalité pour ladite bascule par l’état logique interdit, de façon à faire délivrer et maintenir sur la sortie de bascule la haute tension (HV) ou la basse tension (LV). Dispositif selon la revendication 1, dans lequel la haute tension (HV) et la basse tension (LV) ont des valeurs correspondant à celles utilisées dans des phases d’effacement/programmation de cellules-mémoires non volatiles. Dispositif selon l’une des revendications précédentes, comprenant des transistors NMOS et des transistors PMOS, et dans lequel la première valeur (Vdd) de la première tension d’alimentation (Vplus) est au moins égale à la valeur la plus grande entre la tension de seuil des transistors NMOS et la valeur absolue de la tension de seuil des transistors PMOS, et inférieure ou égale à 1,2 Volts. Dispositif selon l’une des revendications précédentes, dans lequel la bascule verrou (BSV) comporte une première porte logique (NOR1) et une deuxième porte logique (NOR2), -la première porte logique (NOR1) possédant une première entrée de porte (ENR10) couplée à la première entrée de bascule (A), une deuxième entrée de porte (ENR11) et une première sortie de porte (OUTN1), -la deuxième porte logique (NOR2) possédant une première entrée de porte (ENR20) couplée à la première sortie de porte (OUTN1), une deuxième entrée de porte (ENR21) couplée à la deuxième entrée de bascule (B) et une deuxième sortie de porte (OUTN2) couplée à la deuxième entrée de porte (ENR11) de la première porte logique (NOR1) ainsi qu’à la sortie de bascule (OUT). Dispositif selon la revendication 4, dans lequel la première porte logique (NOR1) et la deuxième porte logique (NOR2) sont des portes NON OU. Dispositif selon la revendication 4 ou 5, dans lequel les première et deuxième portes logiques (NOR1, NOR2) comportent des transistors NMOS ayant leur grille connectée à la première entrée de bascule (A) ou à la deuxième entrée de bascule (B) et le module de commande est configuré pour, lorsque la bascule est positionnée, délivrer à partir dudit instant de délivrance (td) sur chaque entrée de bascule (A, B), ladite tension d’entrée correspondante (VA, VB) ayant une valeur inférieure à la valeur de la deuxième tension d’alimentation (Vminus) augmentée de la tension de seuil des transistors NMOS. Dispositif selon l’une des revendications précédentes, dans lequel la bascule verrou comporte des transistors MOS et le module de commande est configuré pour, lorsque la bascule est positionnée, délivrer une tension d’entrée (VA, VB) sur l’entrée de bascule correspondante, ayant une valeur telle que la différence entre la première tension d’alimentation (Vplus) et la tension d’entrée correspondante (VA, VB) soit inférieure à une valeur de référence choisie pour réduire voire supprimer les contraintes dans les oxydes de grille des transistors MOS. Dispositif selon la revendication 7, dans lequel la haute tension est égale à 15 volts et la valeur de référence est égale à 12 volts. Dispositif selon l’une des revendications précédentes, dans lequel le module de commande comporte -une première porte logique NON ET (NAND1), apte à être alimentée entre une première tension auxiliaire (VdVp) et une deuxième tension auxiliaire (VgVm), possédant une première entrée de porte (END10) apte à recevoir un signal logique (SetN) d’initialisation de la bascule verrou, une deuxième entrée de porte (END11) apte à recevoir un signal de commande (NoGsN), et une première sortie de porte (OUTD1) couplée à la première entrée de bascule (A), -une deuxième porte logique NON ET (NAND2), apte à être alimentée entre la première tension auxiliaire (VdVp) et la deuxième tension auxiliaire (VgVm), possédant une première entrée de porte (END20) apte à recevoir le signal de commande (NoGsN), une deuxième entrée de porte (END21) apte à recevoir un signal logique (ResetN) de réinitialisation de la bascule verrou, et une deuxième sortie de porte (OUTD2) couplée à la deuxième entrée de bascule (B), -des moyens de contrôle configurés pour, en fonction de différentes phases de fonctionnement de la bascule verrou, attribuer une valeur logique au signal de commande, délivrer le signal d’initialisation dans son état logique actif ou inactif, délivrer le signal de réinitialisation dans son état logique inactif ou actif et gérer les valeurs de la première tension d’alimentation (Vplus), de la deuxième tension d’alimentation (Vminus), de la première tension d’alimentation auxiliaire (VdVp) et de la deuxième tension d’alimentation auxiliaire (VgVm). Dispositif selon la revendication 9, dans lequel, -afin de positionner la bascule verrou dans son état initialisé, les moyens de contrôle sont configurés pour conférer ladite première valeur (Vdd) à la première tension auxiliaire (VdVp) et à la première tension d’alimentation (Vplus) et une valeur de point froid d’alimentation (GND) à la deuxième tension auxiliaire (VgVm) et à la deuxième tension d’alimentation (Vminus), et conférer au signal de commande (NoGsN) une première valeur logique autorisant un transfert inversé du signal d’initialisation dans son état logique actif vers la première entrée de bascule et du signal de réinitialisation dans son état logique inactif vers la deuxième entrée de bascule, et -afin de positionner la bascule verrou dans son état réinitialisé, les moyens de contrôle configurés pour conférer ladite première valeur (Vdd) à la première tension auxiliaire (VdVp) et à la première tension d’alimentation (Vplus) et une valeur de point froid d’alimentation (GND) à la deuxième tension auxiliaire (VgVm) et à la deuxième tension d’alimentation (Vminus), et conférer au signal de commande (NoGsN) une première valeur logique autorisant un transfert inversé du signal d’initialisation dans son état logique inactif vers la première entrée de bascule et du signal de réinitialisation dans son état logique actif vers la deuxième entrée de bascule. Dispositif selon la revendication 9 ou 10 prise en combinaison avec la revendication 6, dans lequel une fois que la bascule verrou est positionnée, les moyens de contrôle sont configurés pour augmenter la valeur de la deuxième tension d’alimentation (Vminus) et pour conférer au signal de commande (NoGsN) sa deuxième valeur logique lorsque la valeur de cette deuxième tension d’alimentation (Vminus) devient supérieure ou égale à la différence entre la première valeur (Vdd) de la première tension d’alimentation (Vplus) et la tension de seuil des transistors NMOS des première et deuxième portes logiques (NOR1, NOR2). Dispositif selon la revendication 11, dans lequel les moyens de contrôle comportent en outre des moyens auxiliaires configurés pour appliquer la première valeur (Vdd) de la première tension d’alimentation (Vplus) à la première tension d’alimentation auxiliaire (VdVp) tant que la deuxième tension d’alimentation (Vminus) est inférieure à ladite première valeur (Vdd) puis pour faire basculer la première tension d’alimentation auxiliaire (VdVp) sur la deuxième tension d’alimentation (Vminus) lorsque la deuxième tension d’alimentation (Vminus) est supérieure ou égale à ladite première valeur (Vdd). Dispositif selon l’une des revendications précédentes, incorporé au sein d’un circuit intégré. Dispositif de mémoire non volatile, comprenant un plan mémoire matriciel comportant des rangées et de colonnes de cellules mémoire non volatiles, un décodeur rangée comportant au moins un dispositif de verrou selon l’une des revendications précédentes et un décodeur colonne comportant un dispositif de verrou selon l’une des revendications précédentes. Dispositif selon la revendication 14, à architecture du type à « tension partagée ». Dispositif selon la revendication 14 ou 15, dans lequel les cellules-mémoire sont des cellules EEPROM.