INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Une autre variante pour le radical R 2 est que ledit groupe alkyle soit substitué par un groupe iv) notamment substitué par un groupe phényle.
Selon un autre mode de réalisation de l'invention, R 2 représente un groupe cycloalkyle (en C 3 -C 8 ), préférentiellement un groupe cycloalkyle (en C 5 -C 7 ) tel que le cyclohexyle.
De préférence, les composés de formule (I) et le tautomère (I') ou leurs sels, leurs isomères optiques, racémates, et/ou solvates tels que les hydrates et leurs dérivés, seuls ou en mélange, à titre de composant A) ;
ont les significations suivantes :
La couche d’alumine peut présenter une épaisseur allant de 1 à 100 nm ou de 5 à 35 nm ou de 5 à 20 nm ou de 1 à 10 nm.
Selon un mode de réalisation, le taux de recouvrement de la face de la feuille de lithium par l’alumine va de 50 à 100 %.
Selon un mode de réalisation, l’élément électrochimique comprend un conteneur de format cylindrique.
La feuille de lithium ou d’alliage de lithium peut être plaquée contre une paroi interne du conteneur, la couche d’alumine étant déposée uniquement sur la face de la feuille de lithium qui est orientée vers l’intérieur du conteneur. L’électrode positive est constituée d’un bloc de carbone poreux dont les pores contiennent SO 2 SOCl 2 , SO 2 Cl 2 ou un mélange de plusieurs de ceux-ci.
L’élément électrochimique peut comprendre un conteneur de format cylindrique, dans lequel l’électrode positive, un séparateur et l’électrode négative sont superposés et enroulés pour constituer un faisceau électrochimique spiralé.
L’invention a également pour objet un procédé de fabrication d’un élément électrochimique tel que décrit ci-avant, ledit procédé comprenant une étape de dépôt d’une couche d’alumine Al 2 O 3 amorphe sur au moins une face d’une feuille de lithium ou d’un alliage à base de lithium par la technique de pulvérisation cathodique radiofréquence.
L’invention repose sur la découverte que la technique de pulvérisation cathodique radiofréquence permet de réaliser un dépôt très fin d’alumine sur la surface d’une feuille de lithium ou d’alliage de lithium et que ce dépôt malgré sa finesse permet de protéger la feuille de lithium contre la réaction avec l’électrolyte.
est une représentation schématique de la structure d’un élément lithium primaire selon un mode préféré de réalisation de l’invention, dans lequel le montage des électrodes est de type « bobineau ».
est un spectre de diffraction des rayons X par de l’alumine alpha (spectre en trait pointillé).
est un spectre de diffraction des rayons X par de l’alumine amorphe (spectre en trait plein). A titre de comparaison, le spectre de diffraction des rayons X par de l’alumine alpha a été superposé en trait pointillé.
est un graphique représentant l’épaisseur de la couche d’alumine en fonction de la durée d’application du procédé de pulvérisation cathodique radiofréquence.
représente les diagrammes de Nyquist pour différents éléments primaires à matière active positive liquide.
représente la variation de la tension des éléments A1, B1 à B5 des exemples au cours d’une décharge à 20°C pendant 5 minutes sous un pulse de courant de C/60. Les éléments ont été stockés préalablement pendant un mois à 20°C.
représente la variation de la tension des éléments A1, B1 à B5 des exemples, au cours d’une décharge à 20°C pendant 5 minutes sous un pulse de courant de C/60. Les éléments ont été stockés préalablement pendant un mois à 20°C, déchargés dans les conditions des essais des essais de la , de nouveau stockés pendant une semaine à 20°C et enfin déchargés à 20°C pendant 5 minutes au régime de C/60.
représente la variation de la tension des éléments A1, B1 à B5 des exemples au cours d’une décharge à 20°C pendant 5 minutes au régime de C/60. Les éléments ont été stockés préalablement pendant un mois à 50°C. Description des modes de réalisation de l'invention
Environ 390 g de copolyuréthane silylé ionique sont obtenus et le copolyuréthane silylé ionique est conditionné dans des cartouches en aluminium à l’abri de l’humidité.
Exemple 7 : Préparation d’un copolyuréthane silylé ionique n°5 (invention)
Le copolyuréthane silylé ionique n°5 est préparé de manière similaire au polyuréthane silylé de référence, excepté que 2,6 % en poids de Jeffcat® DPA par rapport au poids d’ACCLAIM® 4200 sont introduits dans le réacteur avant l’ajout de l’IDPI, et que de l’acide méthanesulfonique est ajouté, dans un rapport molaire acide méthanesulfonique/Jeffcat® DPA égal à 1, après la réaction avec l’IDPI.
Dans un réacteur de 500 mL, 299,3 g d’ACCLAIM® 4200 et 7,82 g de Jeffcat® DPA sont introduits, puis le réacteur est laissé sous vide (de 0,1 kPa à 0,5 kPa) pendant 2 heures à 110°C pour déshydrater l’ACCLAIM® 4200 et le Jeffcat® DPA. La teneur en eau du mélange d’ACCLAIM® 4200 et de Jeffcat® DPA est alors inférieure ou égale à 0,02% en poids par rapport au poids total dudit mélange.
Le réacteur est ensuite refroidi à 90°C afin d’introduire sous azote et à pression atmosphérique 44,53 g d’IPDI et 0,15 g de Borchi®Kat 315. Le mélange est maintenu sous agitation jusqu’à atteindre un % NCO en poids de 1,7 % par rapport au poids total des composés introduits dans le réacteur, qui correspond à l’excès de groupes –NCO introduits par rapport aux groupes –OH.
3,44 g d’acide méthanesulfonique sont ensuite ajoutés à 40°C, et l’agitation est laissée pendant 1 heure.
31,95 g de Dynasylan® 1189 sont ensuite introduits, correspondant à un rapport molaire –NH/–NCO égal à 1. L’ensemble est chauffé à 40°C et mélangé jusqu’à ce que la bande caractéristique des fonctions –NCO ne soit plus détectable par spectroscopie infra-rouge.
La viscosité de ce copolyuréthane silylé ionique est de 61500 mPa.s à 23°C.
Exemple 8 : Préparation de mastics Les polymères préparés aux Exemples 2 à 7 sont utilisés pour préparer des mastics, dont la composition est indiquée dans le Tableau 1 ci-après, les pourcentages étant des pourcentages en poids sur le poids total du mastic.
Dans un premier temps, les ingrédients de l’étape 1 sont ajoutés à température ambiante (environ 23°C) et à pression atmosphérique dans un mélangeur rapide puis sont mélangés pendant 2 min.
Les ingrédients de l’étape 2 sont ensuite ajoutés et le tout est mélangé pendant 2 min.
La vitesse d’agitation est d’environ 2000 rpm (rotations par minute).
Les mastics obtenus sont conditionnés dans des cartouches en polyéthylène. Etape Ingrédient Mastic 1 (comp.) Mastic 2 (comp.) Mastic 3 (inv.) Mastic 4 (inv.) Mastic 5 (inv.) Mastic 6 (inv.) Mastic 7 (inv.) 1 Polyuréthane de référence 41,8 % 41,5 % - - - - - Copolyuréthane n°1 - - 41,8 % - - - - Copolyuréthane n°2 - - - 41,8 % - - - Copolyuréthane n°3 - - - - 41,8 % - - Copolyuréthane n°4 - - - - - 41,8 % - Copolyuréthane n°5 - - - - - - 41,8 % VTMO 3 % 3 % 3 % 3 % 3 % 3 % 3 % CALOFORT® SV 53,8 % 53,5 % 53,8 % 53,8 % 53,8 % 53,8 % 53,8 % 2 GF9 1,4 % 1,4 % 1,4 % 1,4 % 1,4 % 1,4 % 1,4 % TIBKAT® 223 - 0,6 % - - - - -
La illustre schématiquement les principaux éléments qui composent le dispositif 100 d’alimentation. Les fonctions de ces différents éléments sont décrites ci-après.
Le dispositif 100 d'alimentation comporte un transistor de puissance 10 branché en série sur la ligne 80 d’alimentation. Le transistor de puissance 10 permet de générer une chute de tension V DS à partir de laquelle il est possible d’extraire de la puissance pour alimenter un système électronique. Dans l’exemple considéré, le système électronique considéré est un capteur actif d’un dispositif DDR. La tension V DS disponible aux bornes du transistor de puissance 10 est par exemple comprise entre quelques millivolts (mV) et une dizaine de volts (V).
Tel qu’illustré sur la , le transistor de puissance 10 comporte une électrode d’entrée 11 reliée à une borne d’entrée D, une électrode de sortie 12 reliée à une borne de sortie S, et une électrode de contrôle 13 reliée à une borne de contrôle G. On entend par « tension aux bornes du transistor » la différence entre la tension au niveau l’électrode d’entrée 11 et la tension au niveau de l’électrode de sortie 12. Autrement dit, la « tension aux bornes du transistor » correspond à la différence entre la tension V D au niveau de la borne D et la tension V S au niveau de la borne S (V DS = V D – V S ).
Dans l’exemple considéré, le transistor de puissance 10 correspond à un transistor à effet de champ à semiconducteur métal-oxyde (MOSFET pour « Metal Oxyde Seminconductor Field Effect Transistor » dans la littérature anglo-saxonne). L’électrode d’entrée 11 correspond alors au drain du transistor, l’électrode de sortie 12 correspond à la source du transistor, et l’électrode de contrôle 13 correspond à la grille du transistor. Dans un tel cas, la tension V DS aux bornes du transistor correspond à la différence de tension entre le drain et la source du transistor.
Rien n’empêche toutefois d’utiliser un autre type de transistor, par exemple un transistor bipolaire (auquel cas l’électrode d’entrée 11 correspond au collecteur du transistor, l’électrode de sortie 12 correspond à l’émetteur du transistor, et l’électrode de contrôle 13 correspond à la base du transistor).
Selon encore un autre exemple, le transistor de puissance 10 peut correspondre à un transistor bipolaire à grille isolée (IGBT pour « Isolated Gate Bipolar Transistor » dans la littérature anglo-saxonne).
Tel qu’illustré sur la , le transistor peut être associé une diode 14 montée en inverse entre la borne d’entrée 11 et la borne de sortie 12.
Le dispositif 100 d'alimentation comporte également un élévateur de tension 20 configuré pour convertir la tension V DS disponible aux bornes du transistor de puissance 10 en une tension de sortie V out supérieure à V DS . L’élévateur de tension 20 permet avantageusement d’apporter un gain en tension pour une puissance apportée équivalente. L’élévateur de tension permet donc de diminuer la tension V DS aux bornes du transistor de puissance 10, et donc aussi la puissance qui doit être dissipée dans celui-ci.
Le dispositif 100 d'alimentation comporte également un module d’asservissement 30 de l’élévateur de tension 20. Le module d’asservissement 30 permet de gérer les variations du courant i L qui circule dans la ligne d’alimentation, afin de maintenir une tension de sortie V out stable. En effet, la charge du réseau est variable, et par conséquent le courant i L qui circule sur la ligne 80 d’alimentation est lui aussi variable. Le module d’asservissement 30 permet ainsi de réguler la chute de tension V DS , de sorte que la puissance collectée P U = V DS x i L corresponde à la puissance utile requise.
L’élévateur de tension 20 et son module d’asservissement 30 permettent ainsi de convertir la tension V DS variable aux bornes du transistor en une tension sensiblement constante pour alimenter le système électronique à travers une capacité de sortie 71. Dans l’exemple considéré, l’élévateur de tension 20 et son module d’asservissement 30 visent à fournir une tension de sortie V out stabilisée autour d’une valeur de référence V out_set égale à 10V.
Le module d'asservissement 30 de l'élévateur de tension 20 peut avantageusement comporter un correcteur à effet proportionnel et intégral afin d’améliorer la précision de la régulation de l’élévateur de tension 20 en fonction du courant i L qui circule sur la ligne d’alimentation.
Optionnellement, le dispositif 100 d'alimentation peut également comporter un module de régulation 40 pour contrôler le transistor de puissance 10, via son électrode de contrôle 13, afin de limiter la tension de sortie V out autour d’une première valeur seuil V out_limit_1 . Dans l’exemple considéré, la première valeur seuil V out_limit_1 est égale à 12V.
Le module de régulation 40 est configuré pour fermer le transistor de puissance 10 lorsque la tension de sortie V out dépasse la valeur seuil V out_limit_1 quand un courant i L important circule sur la ligne 80 d’alimentation. Le fait de fermer le transistor de puissance 10 permet de faire passer une partie du courant i L à travers le transistor de puissance 10, ce qui permet de faire baisser la tension de sortie V out . Le module de régulation 40 agit comme un limiteur de la tension de sortie V out . L’action du module de régulation 40 présente notamment un intérêt au démarrage, lorsque l’élévateur de tension 20 n’est pas encore alimenté/fonctionnel, ou bien lors d’une augmentation brutale et importante du courant i L qui circule sur la ligne 80 d’alimentation.
De préférence, le module de régulation 40 du transistor de puissance 10 comporte un correcteur proportionnel sans partie intégrale afin de favoriser la réactivité du module de régulation 40.
Optionnellement, le dispositif 100 d'alimentation peut également comporter un module de protection 50 permettant un écrêtage rapide de la tension de sortie V out lorsqu’elle est supérieure à une deuxième valeur seuil V out_limit_2 , par un contrôle du transistor de puissance 10 via l’électrode de contrôle 13. Dans l’exemple considéré, la deuxième valeur seuil V out_limit_2 est égale à 15V.
Le module de protection 50 a pour rôle d’encaisser des surintensités sur la ligne d’alimentation, par exemple, en cas de court-circuit, ou en cas de démarrage avec un fort courant dès le départ, lorsque l’élévateur de tension 20 et son module d’asservissement 30, ainsi que le module de régulation 40 du transistor de puissance 10, ne sont pas encore opérationnels.
Dans un mode de réalisation, la composition écran solaire cosmétique de la présente invention peut présenter un indice de protection de 80.
La composition écran solaire cosmétique de la présente invention peut être utilisée comme produit quotidien pour la photoprotection des matières kératineuses avec un IP élevé, avec un toucher sec, un contrôle et une réduction de l'huile, et une bonne stabilité.
Termes Telle qu'utilisée ici, l'expression « au moins un » est interchangeable avec " un ou plusieurs " et inclut donc les composants individuels ainsi que les mélanges/combinaisons.
Telle qu'utilisées ici, toutes les plages fournies sont censées inclure chaque plage spécifique à l'intérieur des plages données, ainsi qu'une combinaison de sous-plages intermédiaires. Ainsi, une plage de 1 à 5 inclut spécifiquement 1, 2, 3, 4 et 5, ainsi que des sous-plages telles que 2-5, 3-5, 2-3, 2-4, 1-4, etc. Toutes les plages et valeurs divulguées ici sont inclusives et combinables. Par exemple, toute valeur ou tout point décrit dans les présentes qui se situe à l'intérieur d'une plage décrite dans les présentes peut servir de valeur minimale ou maximale pour déduire une sous-plage, etc.
Les termes « comprenant », « ayant » et « incluant » sont utilisés dans leur sens large et non limitatif.
Les compositions et procédés de la présente invention peuvent comprendre, consister en, ou consister essentiellement en les éléments essentiels et limitations de la divulgation décrite ici, ainsi que tous ingrédients, composants ou limitations supplémentaires ou facultatifs décrits ici ou utiles par ailleurs.
Les termes « un », « une », « le » et « la » sont compris comme englobant le pluriel et le singulier. Ainsi, l'expression « un mélange de » concerne également les « mélanges de ». Dans l'ensemble de la divulgation, l'expression « un mélange de ceux-ci » est utilisée, après une liste d'éléments comme le montre l'exemple suivant où les lettres A à F représentent les éléments : « un ou plusieurs éléments choisis dans le groupe consistant en A, B, C, D, E, F, et un mélange de ceux-ci. » L'expression « un mélange de ces derniers » n'exige pas que le mélange inclue tous les éléments A, B, C, D, E et F (bien que tous les éléments A, B, C, D, E et F puissent être inclus). Elle indique plutôt qu'un mélange de deux ou plusieurs des éléments A, B, C, D, E et F peut être inclus. En d'autres termes, elle est équivalente à la formulation « un ou plusieurs éléments choisis dans le groupe consistant en A, B, C, D, E, F, et un mélange de deux ou plusieurs de A, B, C, D, E et F ».
Tous les pourcentages, parties et rapports sont ici basés sur le poids total des compositions de la présente divulgation, sauf indication contraire.
Ailleurs que dans les exemples opératoires ou sauf indication contraire, tous les nombres exprimant des quantités d’ingrédients et/ou des conditions de réaction doivent être compris comme étant modifiés dans tous les cas par le terme « environ » qui peut englober +/- 10 %, +/- 8 %, +/- 6 %, +/- 5 %, +/- 4 %, +/- 3 %, +/- 2 %, +/- 1 %, ou +/- 0,5 %.
« Substitué », tel qu'utilisé ici, signifie comprenant au moins un substituant. Des exemples non limitatifs de substituants incluent des atomes, tels que des atomes d'oxygène et des atomes d'azote, ainsi que des groupes fonctionnels, tels que des groupes hydroxyle, des groupes éther, des groupes alcoxy, des groupes acyloxyalkyle, des groupes oxyalkylène, des groupes polyoxyalkylène, des groupes acide carboxylique, des groupes amine, des groupes acylamino, des groupes amide, des groupes contenant de l'halogène, des groupes ester, des groupes thiol, des groupes sulfonate, des groupes thiosulfate, des groupes siloxane et des groupes polysiloxane. Le(s) substituant(s) peu(ven)t être encore substitué(s).
De même, l’expression « un sel de celui-ci » se rapporte également aux « sels de celui-ci ». Ainsi, lorsque la divulgation fait référence à « un élément sélectionné dans le groupe constitué de A, B, C, D, E, F, un sel de ceux-ci, ou un mélange de ceux-ci », elle indique qu’un ou plusieurs de A, B, C, D et F peuvent être inclus, un ou plusieurs d’un sel de A, d’un sel de B, d’un sel de C, d’un sel de D, d’un sel de E et d’un sel de F peuvent être inclus, ou un mélange de deux quelconques de A, B, C, D, E, F, d’un sel de A, d’un sel de B, d’un sel de C, d’un sel de D, d’un sel de E et d’un sel de F peuvent être inclus.
Tous les composants et éléments présentés positivement dans la présente divulgation peuvent être exclus négativement des revendications. En d’autres termes, les compositions de la présente divulgation peuvent être exemptes ou essentiellement exemptes de tous les composants et éléments cités positivement tout au long de la présente divulgation.
Silylate de silice Lorsqu’il est présent dans la composition écran solaire cosmétique de la présente invention, le silylate de silice, qui pourrait également être mentionné comme « aérogel de silice », est une matière poreuse obtenue en remplaçant (par séchage) le composant liquide d’un gel de silice par de l’air. Les aérogels de silice sont généralement synthétisés via un processus sol-gel dans un milieu liquide, puis séchés, habituellement par extraction avec un fluide supercritique, tel que, sans toutefois s'y limiter, le dioxyde de carbone supercritique (CO 2 ). Ce type de séchage permet d’éviter le rétrécissement des pores et du matériau. Le processus sol-gel et les divers processus de séchage sont décrits en détail dans Brinker, C.J., et Scherer, G.W., Sol-Gel Science : New York : Academic Press, 1990.
S'il est présent, le silylate de silice (par exemple, des particules de silylate de silice hydrophobe) a une surface spécifique par unité de masse (S M ) allant d'environ 500 à environ 1500 m 2 /g, ou en variante d’environ 600 à environ 1200 m 2 /g, ou en variante d’environ 600 à environ 800 m 2 /g, et une taille exprimée en diamètre volumique moyen (D[0,5]), allant d’environ 1 à environ 30 μm, ou en variante d’environ 5 à environ 25 μm, ou en variante d’environ 5 à environ 20 μm, ou en variante d’environ 5 à environ 15 μm. La surface spécifique par unité de masse peut être déterminée via la méthode d’absorption d’azote BET (Brunauer-Emmett-Teller) décrite dans le Journal of the American Chemical Society , vol. 60, page 309, février 1938, correspondant à la norme internationale ISO 5794/1. La surface spécifique BET correspond à la surface spécifique totale des particules considérées.
ii) -S-R 3
iv) un groupe aryle en C 5 -C 12 , facultativement substitué par un ou plusieurs hydroxyles et/ou par un ou plusieurs radicaux alcoxy en C 1 -C 8 ;
c) un groupe aryle en C 5 -C 12 , facultativement substitué par un ou plusieurs hydroxyles et/ou par un ou plusieurs radicaux alcoxy en C 1 -C 8
Selon un mode de réalisation de l'invention, R 2 représente un atome d'hydrogène.﻿
Cette haute tension, nécessaire pour l’écriture des mémoires EEPROM est très contraignante au niveau de la filière technologique et de la fiabilité du produit.
En effet, la réduction lithographique, c’est-à-dire l’augmentation de la finesse de gravure, conduit à une diminution des tensions de fonctionnement, et cette haute tension devient plus problématique en termes notamment de fuites des jonctions source/drain des transistors ainsi qu’en termes de contraintes sur les oxydes de grille (« gate stress »), voire de claquage de ces oxydes de grille, des transistors.
Par conséquent, ces risques de vieillissement prématuré et/ou de claquage des transistors ont un impact direct sur la fiabilité du produit.
C’est pourquoi on peut utiliser la solution, dite « de tension partagée » ou « split voltage » mentionnée ci-avant. Plus précisément, la haute tension nécessaire à la programmation des plans-mémoires est partagée entre une tension positive et une tension négative de sorte que la différence entre la tension positive et la tension négative corresponde à une haute tension de programmation suffisante.
Une telle solution permet un relâchement de la contrainte sur la tenue en tension des transistors.
Les mémoires non volatiles telles que les mémoires EEPROM requièrent des dispositifs de verrou en particulier pour le décodage rangée (en X) et le décodage colonne (en Y) du plan mémoire.
De préférence, de tels dispositifs de verrou doivent être compacts (typiquement un verrou par ligne de bit et par ligne de mot), supporter la haute tension et être fiables.
Actuellement de tels dispositifs de verrou utilisent un schéma à 6 transistors du type point mémoire volatil (SRAM).
Ils sont initialisés (« set » en anglais) ou réinitialisés (« reset » en anglais) sous la tension d’alimentation nominale Vdd du circuit intégré, ce qui requiert une conductivité des canaux N des transistors NMOS bien supérieure à la conductivité des canaux P des transistors PMOS.
Cette condition de conductivité est obtenue en ajustant le rapport largeur/longueur (W/L) des transistors.
Or il est prévu à l’avenir d’utiliser des mémoires basse consommation alimentées sous une tension Vdd de l’ordre de 1,2 Volts voire moins.
Or la condition de conductivité mentionnée ci-avant impose pour des transistors NMOS lents et des transistors PMOS rapides, d’avoir une grande longueur de canal pour les transistors PMOS ou bien une grande largeur de canal pour les transistors NMOS.
Aussi est-il nécessaire de dimensionner les transistors comme indiqué ci-avant au cas où certains transistors effectivement réalisés s’avéraient être des transistors NMOS lents et/ou des transistors PMOS rapides.
Ceci conduit donc à une augmentation de la taille des transistors ainsi qu’à des capacités de grille importantes.
Par ailleurs, si certains transistors effectivement réalisés s’avéraient être des transistors NMOS rapides et/ou des transistors PMOS lents, on obtiendrait une commutation lente du dispositif de verrou entre la délivrance de la haute tension et la délivrance de la basse tension et vice versa, car les transistors PMOS seraient alors sous-dimensionnés et conduiraient alors un très faible courant.
Ainsi, les dispositifs de verrous actuels du type SRAM ne peuvent pas fonctionner à une tension Vdd qui seraient égale à la valeur la plus grande entre la tension de seuil des transistors NMOS et la valeur absolue de la tension de seuil des transistors PMOS.
On note « L30 » la largeur principale de l’unité de contrôle-commande 30A, mesurée selon l’axe X entre les deux parois latérales 36.
L’unité de contrôle-commande 30A est configurée pour pouvoir être déplacé entre ses positions de fonctionnement, de test et déconnectée à l’aide d’une poignée 40, ménagée dans sa partie frontale 32, et prévue pour être manœuvrée par un intervenant.