Dispositif microélectronique (1) comprenant : un premier transistor (100) à effet de champ comprenant un premier drain, une première source, une première grille (101) et un premier diélectrique de grille (102), une première zone dopée (110), constituant l’un parmi le premier drain et la première source, une deuxième zone dopée (120), constituant l’autre parmi le premier drain et la première source, caractérisé en ce qu’il comprend en outre : un deuxième transistor (200) à effet de champ comprenant un deuxième drain, une deuxième source, une deuxième grille (201) et un deuxième diélectrique de grille (202), une troisième zone dopée (210), constituant la deuxième source si la première zone dopée (110) constitue le premier drain, ou le deuxième drain, si la première zone dopée (110) constitue la première source, une quatrième zone dopée (220), constituant l’autre parmi le deuxième drain et la deuxième source, une couche diélectrique (300) présentant une face supérieure (301) au contact de la première zone dopée (110), de la deuxième zone dopée (120), de la troisième zone dopée (210) et de la quatrième zone dopée (220), une grille arrière (400) au contact d’une face inférieure (302) de la couche diélectrique (300), et en ce que la deuxième zone dopée (120) et la quatrième zone dopée (220) forment une électrode commune (1000). Dispositif (1) selon la revendication précédente dans lequel la deuxième zone dopée (120) et la quatrième zone dopée (220) sont électriquement connectées par une couche électriquement conductrice (500), de préférence métallique. Dispositif (1) selon la revendication précédente dans lequel la couche électriquement conductrice est à base de siliciure métallique. Dispositif (1) selon l’une quelconque des revendications 2 et 3 dans lequel la couche électriquement conductrice (500) recouvre directement au moins une partie d’une face supérieure (121) de la deuxième zone dopée (120) et au moins une partie d’une face supérieure (221) de la quatrième zone dopée (220). Dispositif (1) selon l’une quelconque des revendications 2 à 4 dans lequel la couche électriquement conductrice (500) recouvre directement une partie de la face supérieure (301) de la couche diélectrique (300) et sépare la deuxième zone dopée (120) de la quatrième zone dopée (220). Dispositif (1) selon l’une quelconque des revendications 2 à 5 dans lequel la deuxième zone dopée (120) et la quatrième zone dopée (220) présentent des dopages distincts parmi un dopage de type N et un dopage de type P. Dispositif (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes comprenant une première électrode (115) et une deuxième électrode (215), et dans lequel la première zone dopée (110) est au contact de la première électrode (115) qui est configurée pour recevoir une première tension de commande V 110 et la troisième zone dopée (210) est au contact de la deuxième électrode (215) qui est configurée pour recevoir une deuxième tension de commande V 210 . Dispositif (1) selon la revendication précédente dans lequel : La première tension de commande V 110 constitue une tension de source V S du dispositif (1) et la deuxième tension de commande V 210 constitue une tension de drain V D du dispositif (1), ou La deuxième tension de commande V 210 constitue une tension de source V S du dispositif (1) et la première tension de commande V 110 constitue une tension de drain V D du dispositif (1). Dispositif (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes comprenant une première électrode de grille (105) et une deuxième électrode de grille (205), et dans lequel la première grille (101) est au contact de la première électrode de grille (105) qui est configurée pour recevoir l’application d’une première tension de grille V G1 et la deuxième grille (201) est au contact de la deuxième électrode de grille (205) qui est configurée pour recevoir l’application d’une deuxième tension de grille V G2 . Dispositif (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes comprenant une électrode de grille arrière (405) et dans lequel la grille arrière (400) est au contact de l’électrode de grille arrière (405) qui est configurée pour recevoir l’application d’une tension de grille arrière V BG . Dispositif (1) selon les revendications 7, 9 et 10 en combinaison comprenant en outre un circuit de contrôle configuré pour appliquer : la première tension de commande V 110 sur la première électrode (115), la deuxième tension de commande V 210 sur la deuxième électrode (215), la première tension de grille V G1 sur la première électrode (105), la deuxième tension de grille V G2 sur la deuxième électrode (205), la tension de grille arrière V BG sur l’électrode de grille arrière (405), la première tension de commande V 110 , la deuxième tension de commande V 210 , la première tension de grille V G1 , la deuxième tension de grille V G2 et la tension de grille arrière V BG pouvant prendre différentes valeurs et au moins des valeurs comprises entre -5 et 5 V. Dispositif (1) selon la revendication précédente dans lequel V G2 = ± V G1 + ΔV G , et avec ΔV G compris entre -5 et +5 V. Dispositif (1) selon la revendication 11 dans lequel V G2 = V G1 . Dispositif (1) selon la revendication 11 dans lequel V G2 = -V G1 . Dispositif (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel le premier transistor (100) et le deuxième transistor (200) sont séparés d’une distance L supérieure à 50 nm, et/ou inférieure à 500 nm. Dispositif (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 5 et 7 à 15 dans lequel la deuxième zone dopée (120) et la quatrième zone dopée (220) présentent un dopage de même type parmi un dopage de type N et un dopage de type P, et la première zone dopée (110) et la troisième zone dopée (210) présentent un dopage de l’autre type. Dispositif (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel la couche diélectrique (300) présente une épaisseur e 300 entre sa face inférieure (302) et sa face supérieure (301) inférieure ou égale à 25 nm, de préférence inférieure à 5 nm. Dispositif (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel le premier diélectrique de grille (102) et le deuxième diélectrique de grille (202) sont à base d’un matériau ferroélectrique. Unité de stockage à mémoire non-volatile comprenant au moins un dispositif (1) selon la revendication précédente. Procédé de contrôle du dispositif (1) selon l’une quelconque des revendications 2 à 18 ou de l’unité de stockage selon la revendication précédente, dans lequel la première tension de commande V 110 est appliquée à la première zone dopée (110) et la deuxième tension de commande V 210 est appliquée à la première zone dopée (210), et dans lequel : La première tension de commande V 110 constitue une tension de source V S du dispositif (1) et la deuxième tension de commande V 210 constitue une tension de drain V D du dispositif (1), ou La deuxième tension de commande V 210 constitue la tension de source V S du dispositif (1) et la première tension de commande V 110 constitue la tension de drain V D du dispositif (1).