Structure pour dispositif RF munie d’un substrat (2, 92, 102, 162), le substrat étant doté d’une région semi-conductrice (2a, 12, 112, 175) revêtue d’au moins une région diélectrique (20) hétérogène, ladite région diélectrique (20) hétérogène comportant, dans au moins une première direction (d1) donnée parallèle à un plan principal du substrat, une alternance de premières zones en un premier matériau diélectrique (22) à charges fixes positives et de deuxièmes zones diélectriques en un deuxième matériau diélectrique (25) à charges fixes négatives. Structure selon la revendication 1, lesdites première et deuxième zones diélectriques étant réparties de manière périodique dans ladite première direction. Structure selon l’une des revendications 1 ou 2, dans lequel ladite région diélectrique (20) comporte dans au moins une deuxième direction réalisant un angle non-nul avec la première direction et parallèle au plan principal du substrat, une alternance de zones à base du premier matériau diélectrique (22) et de zones diélectriques à base du deuxième matériau diélectrique (25). Structure selon l’une des revendications 1 à 3, dans lequel le premier matériau diélectrique (22) à charges fixes positive est choisi parmi les matériaux suivants : oxyde de silicium, nitrure de silicium, oxycarbure de silicium. Structure selon l’une des revendications 1 à 4, dans lequel le deuxième matériau diélectrique (25) à charges fixes négatives est choisi parmi les matériaux suivants : alumine, oxyde d’hafnium. Structure selon l’une des revendications 1 à 5, dans lequel ledit substrat est : - un substrat massif (2) semi-conducteur ou, - un substrat (102) de type semi-conducteur sur isolant, ladite région semi-conductrice (12) étant une couche semi-conductrice superficielle (112) disposée sur une couche isolante (111) du substrat, ladite couche isolante (111) étant agencée sur une couche de support (110) semi-conductrice du substrat, ou - un substrat (162) hybride, ladite région semi-conductrice étant un ilot (175) semi-conducteur agencé sur une première région d’une couche de support (170) semi-conductrice du substrat hybride, la couche de support (170) semi-conductrice comportant une deuxième région sur laquelle une couche isolante (171) elle-même revêtue d’une couche semi-conductrice superficielle (172) sont disposées. Structure selon la revendication 6, dans lequel le substrat (102) est de type semi-conducteur sur isolant et dans lequel la couche de support semi-conductrice comporte une région (150) de piégeage de charges, en particulier une région riche en défaut cristallins, telle qu’une couche de polysilicium. Structure selon l’une des revendications 1 à 7, dans lequel la région diélectrique (20) est agencée sur et en contact avec ladite région semi-conductrice (2a, 12, 112, 75). Dispositif microélectronique comprenant : - une structure selon l’une des revendications précédentes, - un ou plusieurs composants électroniques, en particulier un ou plusieurs transistors au moins partiellement formés dans une région semi-conductrice dudit substrat (2, 92, 102, 162) - au moins un composant RF tel qu’une antenne ou une inductance, ledit composant RF étant agencé en regard de la dite région diélectrique (20) hétérogène.