INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Les valeurs attendues de la puissance en réception du signal de test ROPTiatt sont consignées dans un abaque mémorisé dans le module de vérification de la conformité de paramètres de réception d’un signal optique 60. Par exemple, un tel abaque indique que si l’ONU-i émet un signal optique à une puissance d’émission de 0dB, alors le dispositif de terminaison 50-1 doit mesurer une valeur de puissance optique en réception de -20dB, si l’ONU-i émet un signal optique à une puissance d’émission de -3dB,alors le dispositif de terminaison 50-1 doit mesurer une valeur de puissance optique en réception de -23dB, si l’ONU-i émet un signal optique à une puissance d’émission de -6dB, alors le dispositif de terminaison 50-1 doit mesurer une valeur de puissance optique en réception de -26dB, etc. Bien entendu de telles valeurs ne sont données ici qu’à titre d’exemple non limitatif.
Lorsque la différence entre la valeur effective de la puissance en réception du signal de test ROPT1 mesurée à l’étape E4 et la valeur attendue correspondante de la puissance en réception du signal de test ROPT1att est inférieure ou égale à un seuil S1, il est considéré que le dispositif de terminaison 50-1 embarqué dans l’OLT 10 a un comportement conforme à ce qui est indiqué dans l’abaque ou que l’abaque mémorisé dans le module de vérification de la conformité de paramètres de réception d’un signal optique 60 correspond bien au modèle du dispositif de terminaison 50-1.
Lorsque la différence entre la valeur effective de la puissance en réception du signal de test ROPT1 mesurée à l’étape E4 et la valeur attendue correspondante de la puissance en réception du signal de test ROPT1att est supérieure au seuil S1, il est considéré que le dispositif de terminaison 50-1 embarqué dans l’OLT 10 a un comportement non-conforme à ce qui est indiqué dans l’abaque ou que l’abaque mémorisé dans le module de vérification de la conformité de paramètres de réception d’un signal optique 60 ne correspond pas au modèle du dispositif de terminaison 50-1.
Dans une telle situation, l’OLT 10 transmet, dans une étape E6, un message MSG2 comprenant un identifiant du dispositif 50-1, la première valeur de puissance optique d’émission EOPT1 ainsi que la valeur de la différence entre la valeur effective de la puissance en réception du signal de test ROPT1 mesurée à l’étape E4 et la valeur attendue correspondante de la puissance en réception du signal de test ROPT1att à destination du module de vérification de la conformité de paramètres de réception d’un signal optique 60.
Dans une étape E7, le dispositif de terminaison 50-1 procède également à une comparaison de la valeur effective de la puissance en réception du signal de test ROPT1 mesurée à l’étape E4 avec un deuxième seuil S2.
Lorsque la valeur effective de la puissance en réception du signal de test ROPT1 mesurée à l’étape E4 est inférieure ou égale au seuil S2, l’OLT 10 transmet, dans une étape E8, un message MSG3 comprenant un identifiant du dispositif 50-1 et la première valeur de puissance optique d’émission EOPT1 ainsi qu’une information de décrochage IDec du dispositif de terminaison 50-1 à destination du module de vérification de la conformité de paramètres de réception d’un signal optique 60.
La représente les étapes mises en œuvre par les différents équipements de terminaison 10, ONU-i constitutif du réseau 100 lors de l’exécution du procédé de vérification de la conformité d’une valeur effective d’au moins un paramètre de réception PReff, ici la puissance optique en réception d’un signal optique de test TS avec une valeur attendue dudit paramètre de réception Pratt du signal optique de test TS émis par un premier dispositif de terminaison 50-1 embarqué dans l’OLT 10 et reçu par un dispositif de terminaison 70-i embarqué dans une ONU-i.
Dans une première étape G1, le module 60 transmet, dans un message MSG1’ à destination de l’OLT 10 et des ONU-i, un calendrier d’émission CalDw relatif à un test à effectuer au sein du réseau 100 pour le sens de communication descendant, c’est-à-dire pour des signaux optiques émis par le dispositif de terminaison 50-1 à destination des différentes ONU-i.
Si on applique une force magnétique en mettant une clé magnétique dans la proximité de la pièce porteuse 600, on obtiendra le scénario illustré sur la .
On observe sur la une vue en perspective de la goupille 20 et une vue en coupe du corps 30 du dispositif de fixation en état verrouillé de la présente invention. Le dispositif 100 comporte un capuchon 70 dans son corps 30. Le capuchon 70 définit avantageusement l’espace de mouvement de la plaque magnétique 90. Le capuchon 70 peut avantageusement supporter, sur sa surface supérieure, les moyens de verrouillage 50.
Le couvercle 80 comporte un logement qui accueille les éléments constituant le corps 30. Le couvercle 80 est muni d’une ouverture sur la surface supérieure pour recevoir la goupille 20. La partie de verrouillage 22 de la goupille 20 introduite dans l’ouverture du couvercle 80 interagit avec les moyens de verrouillage qui la retiennent. Avantageusement, la couvercle 80 et la plaque magnétique 90 permettent d’avoir une structure compacte et fermée.
Avantageusement, le couvercle 80 comporte une partie pied pouvant être fixé sur une pièce porteuse 600.
L’élément élastique de rappel peut comporter une pluralité de ressorts à lames 60. Comme illustré sur la , les trois ressorts à lames sont disposés autour de l’ouverture des moyens de retenue. On observe une vue de dessous d’un dispositif de fixation en état verrouillé. Les crans de verrouillage 52 sont maintenus pour former une ouverture réduite qui retient la partie de verrouillage de la goupille 20. Les crans sont avantageusement maintenus en position par les lames élastiques qui les relient. Avantageusement ces lames élastiques forment essentiellement une forme circulaire.
La montre une vue de dessous d’un dispositif de fixation en état verrouillé lors de l’application d’une force de déverrouillage. On observe que les crans de verrouillage se déplacent axialement vers l’extérieur. Par conséquent, l’ouverture délimitée s’élargit de sorte que la partie de verrouillage 22 soit libérée.
À part de la plaque magnétique, les composants du dispositif de fixation 100 peuvent être réalisés par moulage de matière plastique connue, plus particulièrement en plastiques techniques tels que des polyamides, des résines d'acétal, des polyesters thermoplastiques.
Dispositif d’accouplement en rotation de pièces coaxiales Le présent exposé concerne le domaine de l’assemblage mécanique, et plus particulièrement un dispositif d’accouplement en rotation de deux pièces coaxiales. Un tel dispositif peut trouver son application notamment dans le domaine des turbomachines, typiquement les turbomachines d’aéronef.
Dans les turbomachines d’aéronef, comme dans d’autres domaines, il est nécessaire d’assembler plusieurs pièces coaxiales les unes avec les autres tout en assurant que ces pièces soient accouplées en rotation. Par exemple, un arbre peut être accouplé en rotation à une bague de palier, à un disque soutenant des aubes, etc.
Les dispositifs existants font souvent appel à des anneaux d’arrêt standardisés, ce qui oblige à concevoir des pièces de liaison dont les dimensions correspondent à ces anneaux d’arrêt. Il s’ensuit que ces dispositifs sont, en pratique, encombrants.
Il existe donc un besoin pour un nouveau type de dispositif d’accouplement en rotation de pièces coaxiales.
A cet effet, le présent exposé concerne un dispositif d’accouplement en rotation d’une première pièce pour turbomachine avec une deuxième pièce pour turbomachine, coaxiale à la première pièce, le dispositif d’accouplement comprenant une première bague configurée pour être vissée sur une partie filetée de la première pièce, une deuxième bague configurée pour être en prise en rotation avec la deuxième pièce, une bague intermédiaire configurée pour maintenir axialement la deuxième bague par rapport à la première bague, et un organe de couplage en rotation de la première bague et de la deuxième bague l’une par rapport à l’autre.
La première bague, configurée pour être vissée sur une partie filetée de la première pièce, peut elle-même comprendre un filetage correspondant. Au sens du présent exposé, le terme filetage désigne indifféremment un filetage stricto sensu ou un taraudage.
La première pièce et la deuxième pièce sont coaxiales, ce qui définit un axe commun. La direction axiale correspond à la direction de l'axe commun et une direction radiale est une direction perpendiculaire à l’axe commun et coupant cet axe. De même, un plan axial est un plan contenant l'axe commun et un plan radial est un plan perpendiculaire à cet axe. Une circonférence s’entend comme un cercle appartenant à un plan radial et dont le centre appartient à l’axe commun. Une direction tangentielle ou circonférentielle est une direction tangente à une circonférence ; elle est perpendiculaire à l’axe commun mais ne passe pas par l’axe.
La première bague et la deuxième bague peuvent elles-mêmes être coaxiales, en particulier par rapport au même axe que les première et deuxième pièces. La bague intermédiaire peut être coaxiale à au moins l’une de la première bague et de la deuxième bague.
Lorsque la deuxième bague est en prise en rotation avec la deuxième pièce, la deuxième bague et la deuxième pièce tournent conjointement, c’est-à-dire de manière couplée, notamment autour de l’axe précité. De même, l’organe de couplage permet de coupler en rotation la première bague et la deuxième bague, assurant ainsi que ces bagues tournent conjointement, notamment autour de l’axe précité. La prise en rotation de la deuxième bague et de la deuxième pièce est indépendante des autres pièces du dispositif d’accouplement.
Les figures 4A et 4B illustrent schématiquement un fonctionnement électrique d’un dispositif optoélectronique selon les premier et deuxième modes de réalisation de la présente invention.
La illustre schématiquement un fonctionnement électrique d’un dispositif optoélectronique selon le troisième mode de réalisation de la présente invention.
Les figures 5A à 5H illustrent des étapes d’un procédé de fabrication du dispositif optoélectronique illustré à la selon un mode de réalisation de la présente invention.
Les figures 6A à 6G illustrent des étapes d’un procédé de fabrication du dispositif optoélectronique illustré à la selon un mode de réalisation de la présente invention.
Les figures 7A à 7G illustrent des étapes d’un procédé de fabrication du dispositif optoélectronique illustré à la selon un mode de réalisation de la présente invention.
Les dessins sont donnés à titre d'exemples et ne sont pas limitatifs de l’invention. Ils constituent des représentations schématiques de principe destinées à faciliter la compréhension de l’invention et ne sont pas nécessairement à l'échelle des applications pratiques. En particulier, les dimensions des différents éléments constitutifs des couches émettrices ne sont pas forcément représentatives de la réalité.
DESCRIPTION DÉTAILLÉE Avant d’entamer une revue détaillée de modes de réalisation de l’invention, il est rappelé que l’invention peut notamment comprendre les caractéristiques optionnelles ci-après pouvant être utilisées en association ou alternativement :
Selon un exemple, les nanofils sont arrangés au sein d’une même couche émettrice de façon à former un cristal photonique. Cela permet d’augmenter la directivité d’émission du rayonnement produit par les nanofils, selon la direction longitudinale z. L’efficacité d’extraction est ainsi améliorée.
Selon un exemple, les parties actives des couches émettrices sont disposées en escalier, de sorte que chacun des ensembles de nanofils présentent au moins une partie non couverte par les autres ensembles de nanofils, du côté d’émission du dispositif. Les parties actives sont ainsi au moins en partie non couvertes par d’autres ensembles de nanofils. L’efficacité d’extraction est ainsi améliorée. La dimension latérale du pixel formé par les différentes couches émettrices en partie superposées selon la direction verticale z reste inférieure à la dimension d’un pixel formé par des couches émettrices adjacentes selon une direction latérale.
Selon un exemple, pour chaque couche émettrice : la couche de contact électrique inférieure est réfléchissante à la longueur d’onde d’émission λ1, λ2 de la couche émettrice considérée, et la couche de contact électrique supérieure est transparente à la longueur d’onde d’émission λ1, λ2 de la couche émettrice considérée.
Les couches de contact électrique inférieures réfléchissantes permettent d’augmenter le flux de rayonnement vers la face d’émission du dispositif. L’efficacité d’extraction est ainsi améliorée.
Selon un exemple, les couches de contact électrique supérieures transparentes ne sont pas surmontées par les ensembles de nanofils.
Selon un exemple, dans le dispositif : la couche de contact électrique inférieure située sous toutes les parties actives du dispositif est réfléchissante aux longueurs d’onde d’émission λ1, λ2 desdites parties actives, les autres couches de contact électrique inférieures sont transparentes aux longueurs d’onde λ1, λ2 des parties actives situées sous lesdites autres couches de contact électrique inférieures, les couches de contact électrique supérieures sont transparentes aux longueurs d’onde d’émission λ1, λ2 des parties actives situées sous lesdites couches de contact électrique supérieures.
Les couches de contact électrique inférieures et supérieures transparentes permettent de superposer différentes couches émettrices tout en laissant passer les rayonnements issus de ces couches émettrices.
Selon un exemple, les couches de contact électrique inférieures sont disposées en regard d’un côté de base du dispositif.
Selon un exemple, les couches de contact électrique supérieures sont disposées en regard d’un côté d’émission du dispositif.
où est la sensibilité du capteur top 32, est le moment magnétique de l’objet ciblé 2 et est la distance de l’objet ciblé 2 par rapport à r. Lorsque la tension mesurée aux bornes du premier capteur est maximale (par exemple M TOP sur la ), l’objet magnétique 2 est positionné sous le capteur top 32. Il ne se trouve pas exactement à l’aplomb du capteur top 32 (puisque nous avons vu que le signal mesuré y est nul, comme discuté en référence à la ) mais sa distance r vis-à-vis du premier capteur 32 est très proche de la hauteur de passage z 2 . On peut donc estimer la tension V 32 par
On obtient donc le moment magnétique µ de l’objet magnétique 2 en calculant
Cette première manière de faire permet de déterminer le moment magnétique de l’objet magnétique 2. La précision de détermination ne dépend pas ici de la position relative de l’objet par rapport aux capteurs 32, 33.
La montre une autre façon de réaliser le calcul 13 du moment magnétique µ de l’objet magnétique 2. Dans ce calcul, les signaux électriques TOP, BOTTOM mesurés aux bornes des deux capteurs 32, 33 sont pris en compte. Deux courbes théoriques f TOP , f B OTTOM sont ajustées sur les deux signaux TOP, BOTTOM. L’étendue temporelle des signatures caractéristiques dépend en grande partie de la vitesse de passage de l’objet magnétique 2 entre les deux capteurs 32, 33 et donc de la vitesse d’écoulement, qui est connue. En revanche, l’amplitude des courbes TOP, BOTTOM en tout instant dépend du moment magnétique µ porté par l’objet magnétique 2. L’ajustement des courbes théoriques f TOP , f B OTTOM dépend donc uniquement du moment magnétique µ de l’objet magnétique 2. La prise en compte des valeurs mesurées par les deux capteurs 32, 33 ainsi que l’ajustement des valeurs mesurées permettent d’améliorer davantage la détermination du moment magnétique µ.
Les courbes théoriques f TOP , f B OTTOM prennent en compte une estimation du champ magnétique rayonné par l’objet magnétique 2 et perçu par un capteur. Par exemple, le champ perçu au niveau du capteur top 32 et rayonné par un objet magnétique 2 aux coordonnées , et est :
où et sont respectivement la largeur mesurée selon X et la longueur mesurée selon Y du capteur top 32, est l’angle entre µ et X, et est l’angle entre µ et Z. Lorsque le moment magnétique µ est aligné selon Z alors, le champ mesuré au niveau du capteur top 32 devient :
Le champ perçu au niveau du deuxième capteur 33 et émis par l’objet magnétique 2 aux coordonnées , et peut être obtenu de la même manière.
La connaissance de la hauteur de passage z 2 et l’ajustement des champs magnétiques et , représentés par les courbes f TOP et f OTTOM dans la , permettent ainsi de déterminer le moment magnétique µ avec précision.
La montre un exemple de courbe de référence R(z b ). Afin que les résultats obtenus à partir de cette courbe soient précis, il est préférable que la courbe R prenne en compte des caractéristiques de la biopuce 3. Pour cela, elle est par exemple générée en considérant un système de calibration. Le système de calibration comprend par exemple des capteurs de champ magnétique de calibration et un objet magnétique de calibration. Le système de calibration est par exemple un modèle, par exemple numérique. Il peut comprendre des capteurs de calibration qui sont par exemple des modèles des capteurs top et bottom 32, 33. Les capteurs de calibration sont par exemple établis à partir des positions relatives des capteurs top et bottom 32, 33 entre eux et par rapport au canal microfluidique 31. Ils peuvent également présenter des sensibilités de calibration, qui sont préférentiellement égales aux sensibilités des capteurs top et bottom 32, 33. Le système de calibration peut également comprendre un objet de calibration. Cet objet peut présenter le même diamètre que l’objet magnétique 2 que l’on souhaite caractériser au moyen de la biopuce 3 (on parlera alors d’objet magnétique cible). Il peut également présenter le même moment magnétique que l’objet magnétique 2 cible. Toutefois, il est avantageux que l’objet magnétique de calibration présente des caractéristiques indépendantes des caractéristiques des objets magnétiques 2 cibles. De cette manière, la courbe de référence peut être utilisée pour différentes objets magnétiques, quelque soit leur moment magnétique, voir leur diamètre. L’indépendance de l’objet de calibration quant au moment magnétique de l’objet magnétiques 2 cible est possible grâce à la prise en compte de rapport d’amplitudes plutôt que des valeurs absolues. Les rapports d’amplitudes sont indépendants des moments magnétiques considérés. Donc l’objet magnétique de calibration peut présenter un moment magnétique égal à 1.
Dans l’exemple de la , la courbe de référence R(zb) correspond à un rapport du champ dipolaire maximum émis par l’objet de calibration (présentant un moment magnétique arbitraire) et perçu au niveau des capteurs de calibration. Dans cet exemple les capteurs de calibration sont distants d’une distance de 26 µm, mesurée selon la direction normale. Cette distance correspond ainsi à une biopuce 3 comprenant un canal microfluidique 31 présentant une hauteur hcan = 20 µm (seules cette plage de hauteurs est illustrée dans la puisque l’objet cible 2 ne peut pas pénétrer dans les parois du canal 31) et dont les capteurs top et bottom 32, 33 sont distants du canal 31 d’une distance respectivement égale à 5 µm et 1,7 µm. Dans cet exemple, le rayon Ro de l’objet cible 2 a été pris en compte (mais ce n’est pas obligatoire), ce qui permet de limiter la plage de hauteurs de passage z b à considérer. Elle s’étend en effet entre Ro et hcan-Ro.
Le procédé 1 comprend avantageusement une étape de détermination 10 de la courbe de référence. Selon un mode de réalisation, la courbe de référence R(zb) correspond à un rapport du champ dipolaire maximum émis par l’objet de calibration (présentant un moment magnétique arbitraire) et perçu au niveau des capteurs de calibration. Le calcul des champs perçus, tel que décrit précédemment (en référence aux champs et ), peut être considéré. Il s’agit en l’occurrence du calcul du champ émis par l’objet de calibration présentant un moment magnétique arbitraire au niveau des capteurs de calibration.
Le calcul est réalisé pour différentes hauteurs de passage z de l’objet magnétique de calibration entre les capteurs de calibration. Pour chaque hauteur de passage z, le champ magnétique dipolaire émis par l’objet magnétique de calibration et perçu par chaque capteur de calibration est déterminé.
La montre par exemple, un calcul des champs magnétiques maximum perçus par les capteurs de calibration (noté et ) et rayonnés par un objet magnétique de calibration présentant différents moments magnétiques. Le moment magnétique est donné en fonction d’un nombre de bille magnétique plutôt qu’en unité standard (c’est-à-dire en A·m 2 ). Chaque bille magnétique présente par exemple un moment magnétique égal à 1,56×10 -14 A·m 2 . Le calcul est réalisé pour un nombre de bille compris entre 1 bille magnétique et 20 billes magnétiques.
Le champ magnétique maximum perçu par un premier capteur de calibration est matérialisé en traits pleins alors que le champ magnétique maximum perçu par un deuxième capteur de calibration est matérialisé en traits discontinus. Le champ magnétique maximum perçu croît ou décroît en fonction de la hauteur de passage de l’objet magnétique.
Le calcul du rapport des champs magnétiques maximum en fonction de la hauteur de passage permet d’obtenir la courbe de référence, telle que celle illustrée par la . Le rapport calculé est constant en fonction du nombre de billes magnétiques considéré.
Edition génétique des gènes CA_C2613 (SEQ ID NO : 1), CA_C3673 (SEQ ID NO : 2) et/ou CA_C1340 (SEQ ID NO : 3) :
Les inactivations des gènes CA_C1340, CA_C2613 et CA_C3673 dans la souche ΔCA_C1340-ΔCA_C2613-ΔCA_C3673, a été réalisée par édition génétique selon le protocole décrit par Wasels et al. 2020, utilisant respectivement les couples d’amorces CA_C1340_verif_Fwd (SEQ ID NO : 54) / CA_C1340_verif_Rev (SEQ ID NO : 55) ; CA_C2613_verif_Fwd (SEQ ID NO : 43) / CA_C2613_verif_Rev (SEQ ID NO : 44) ; CA_C3673_verif_Fwd (SEQ ID NO : 45) / CA_C3673_verif_Rev (SEQ ID NO : 46) lors de la validation de l’édition. L’emploi d’autres outils génétiques, telle que ceux basés sur la recombinaison homologue ou l’insertion d’éléments génétiques mobiles, peut permettre d’obtenir des mutants possédant des génotypes équivalents, i.e. n’exprimant plus les produits des gènes CA_C1340, CA_C2613 et/ou CA_C3673, ou exprimant une version non fonctionnelle de ceux-ci.
Des suivis de croissance des souches de C. acetobutylicum DSM 792 sauvage, et ΔCA_C1340 ΔCA_C2613 ΔCA_C3673 ont été réalisés en quintuplicat sur du milieu CGM contenant 30 mM de xylose ( ).
Les résultats révèlent une amélioration du temps de génération lors de croissance sur xylose comme source de carbone. En outre, l’inactivation conjointe des gènes codant les répresseurs AraR et XylR permet une amélioration de + 171 % du temps de génération par rapport à la souche sauvage.
Suivi de consommation d’un mélange de sucres Des suivis de consommation d’un mélange de sucre ont été réalisés en triplicats techniques avec les souches C. acetobutylicum DSM 792 sauvage et ΔCA_C1340 ΔCA_C2613 ΔCA_C3673, sur un milieu CGM contenant 25 mM de glucose, 25 mM d’arabinose et 70 mM de xylose (Figure 6).
Les résultats indiquent que la coassimilation simultanée de l’arabinose et du glucose, est rendue possible lors de l’inactivation conjointe de CA_C1340 et des gènes CA_C2613 et CA_C3673.
La répression catabolique empêchant la coassimilation du xylose en présence des deux autres sucres est cependant maintenue. Ce résultat inattendu indique que la synergie entre l’inactivation conjointe des gènes codant les répresseurs AraR et XylR permet la levée de la répression catabolique pesant sur l’arabinose, tout en la maintenant pour le xylose.