Dispositif microélectronique (1) comprenant : un transistor n-MOS (100) à effet de champ comprenant un premier drain, une première source, une première grille (101) et un premier oxyde de grille (102), une première zone dopée N (110), constituant l’un parmi le premier drain et la première source, une deuxième zone dopée N (120), constituant l’autre parmi le premier drain et la première source, caractérisé en ce qu’il comprend en outre : un transistor p-MOS (200) à effet de champ comprenant un deuxième drain, une deuxième source, une deuxième grille (201) et un deuxième oxyde de grille (202), une première zone dopée P (210), constituant la deuxième source si la première zone dopée N (110) constitue le premier drain, ou le deuxième drain, si la première zone dopée N (110) constitue la première source, une deuxième zone dopée P (220), constituant l’autre parmi le deuxième drain et la deuxième source, une couche diélectrique (300) présentant une face supérieure (301) au contact de la première zone dopée N (110), de la deuxième zone dopée N (120), de la première zone dopée P (210) et de la deuxième zone dopée P (220), une grille arrière (400) au contact d’une face inférieure (302) de la couche diélectrique (300), et en ce que la deuxième zone dopée N (120) et la deuxième zone dopée P (220) forment une jonction PN (1000). Dispositif (1) selon la revendication précédente comprenant une première électrode (115) et une deuxième électrode (215), et dans lequel la première zone dopée N (110) est au contact de la première électrode (115) qui est configurée pour recevoir une première tension de commande V 110 et la première zone dopée P (210) est au contact de la deuxième électrode (215) qui est configurée pour recevoir une deuxième tension de commande V 210 . Dispositif (1) selon la revendication précédente dans lequel : La première tension de commande V 110 constitue une tension de source V S du dispositif (1) et la deuxième tension de commande V 210 constitue une tension de drain V D du dispositif (1), ou La deuxième tension de commande V 210 constitue la tension de source V S du dispositif (1) et la première tension de commande V 110 constitue la tension de drain V D du dispositif (1). Dispositif (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes comprenant une première électrode de grille (105) et une deuxième électrode de grille (205), et dans lequel la première grille (101) est au contact de la première électrode de grille (105) qui est configurée pour recevoir l’application d’une première tension de grille V G1 et la deuxième grille (201) est au contact de la deuxième électrode de grille (205) qui est configurée pour recevoir l’application d’une deuxième tension de grille V G2 . Dispositif (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes comprenant une électrode de grille arrière (405) et dans lequel la grille arrière (400) est au contact de l’électrode de grille arrière (405) qui est configurée pour recevoir l’application d’une tension de grille arrière V BG . Dispositif (1) selon les revendications 2 à 5 en combinaison comprenant en outre un circuit de contrôle configuré pour appliquer : la première tension de commande V 110 sur la première électrode (115), la deuxième tension de commande V 2 10 sur la deuxième électrode (215), la première tension de grille V G1 sur la première électrode (105), la deuxième tension de grille V G2 sur la deuxième électrode (205), la tension de grille arrière V BG sur l’électrode de grille arrière (405), la première tension de commande V 110 , la deuxième tension de commande V 210 , la première tension de grille V G1 , la deuxième tension de grille V G2 et la tension de grille arrière V BG pouvant prendre différentes valeurs et au moins des valeurs comprises entre -5 et 5 V. Dispositif (1) selon la revendication précédente dans lequel le circuit de contrôle est configuré pour pouvoir faire passer le dispositif (1) d’une configuration passante, dans laquelle la jonction PN (1000) se trouve dans un état passant, à une configuration bloquée dans laquelle la jonction PN (1000) se trouve dans un état bloqué, ou inversement, ce en faisant varier la tension de grille arrière V BG entre une tension de grille arrière ouverte V BG, ON et une tension de grille arrière bloquée V BG, OFF distincte de la tension de grille arrière ouverte V BG, ON . Dispositif (1) selon la revendication précédente dans lequel V G1 = V G2 +ΔV G avec ΔV G compris entre -1V et +1V. Dispositif (1) selon l’une quelconque des deux revendications précédentes dans lequel V G1 Dispositif (1) selon l’une quelconque des trois revendications précédentes, dans lequel V G2 Dispositif (1) selon l’une quelconque des revendications 7 et 8, dans lequel V G1 >0 et V G2 >0. Dispositif (1) selon l’une quelconque des revendications 7 à 11, dans lequel V G1 = V G2 . Dispositif (1) selon l’une quelconque des revendications 7 à 12, dans lequel la jonction PN présente une tension de diffusion V bi , et dans lequel la tension drain-source, définie par V D -V S , est supérieure à la tension de diffusion V bi . Dispositif (1) selon l’une quelconque des revendications 7 à 13, dans lequel la tension de grille arrière V BG est comprise entre -1 et 2 V. Dispositif (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel le transistor n-MOS (100) et le transistor p-MOS (200) sont séparés d’une distance L supérieure à 10 nm, de préférence supérieure à 50nm, et/ou inférieure à 500 nm. Procédé de contrôle du dispositif (1) selon l’une quelconque des revendications 2 à 15 dans lequel la première tension de commande V 110 est appliquée à la première zone dopée N (110) et la deuxième tension de commande V 210 est appliquée à la première zone dopée P (210), et dans lequel : La première tension de commande V 110 constitue une tension de source V S du dispositif (1) et la deuxième tension de commande V 210 constitue une tension de drain V D du dispositif (1), ou La deuxième tension de commande V 210 constitue la tension de source V S du dispositif (1) et la première tension de commande V 110 constitue la tension de drain V D du dispositif (1). Procédé de contrôle du dispositif (1) selon la revendication précédente dans lequel le dispositif comprend une électrode de grille arrière (405), la grille arrière (400) est au contact de l’électrode de grille arrière (405) qui est configurée pour recevoir l’application d’une tension de grille arrière V BG , et dans lequel la tension de grille arrière V BG varie entre une tension de grille arrière ouverte V BG,ON et une tension de grille arrière bloquée V BG,OFF distincte de la tension de grille arrière ouverte V BG,ON , de sorte à faire passer le dispositif (1) d’une configuration passante, dans laquelle la jonction PN (1000) se trouve dans un état passant, à une configuration bloquée dans laquelle la jonction PN (1000) se trouve dans un état bloqué.