Diode électroluminescente (100) comportant au moins : - un substrat (102) ; - une portion (108), dite d’un premier type, d’Al X 1 Ga ( 1-X 1 -Y 1 ) In Y 1 N dopé selon un premier type de conductivité, avec X1 > 0 et X1+Y1 ≤ 1, disposée au-dessus du substrat (102) ; - une portion émissive (110) comprenant un alliage dilué d’AlN contenant des atomes de gallium et/ou d’indium avec une concentration inférieure à 30 % ; - une portion (112), dite d’un second type, d’Al X 2 Ga ( 1-X 2 -Y 2 ) In Y 2 N dopé selon un second type de conductivité, opposé au premier type de conductivité, avec X2 > 0 et X2+Y2 ≤ 1, la portion émissive (110) étant disposée entre la portion (108) du premier type et la portion (112) du second type. Diode électroluminescente (100) selon la revendication 1, comportant en outre une portion intermédiaire (106) de GaN dopé selon le premier type de conductivité disposée entre le substrat (102) et la portion (108) du premier type. Diode électroluminescente (100) selon l’une des revendications 1 ou 2, dans lequel la proportion d’atomes de gallium et/ou d’indium dans le matériau de la portion émissive (110) est inférieure ou égale 10 %, et en particulier inférieure ou égale à 5 %. Diode électroluminescente (100) selon l’une des revendications précédentes, comportant en outre une couche tampon (104) disposée entre le substrat (102) et la portion (108) du premier type ou entre le substrat (102) et la portion intermédiaire (106) lorsque la diode électroluminescente (100) comporte une telle portion intermédiaire (106). Diode électroluminescente (100) selon la revendication 4, dans laquelle le matériau de la couche tampon (104) est à base de GaN ou d’AlN ou d’AlGaN. Diode électroluminescente (100) selon l’une des revendications précédentes, dans laquelle : - des dopants de type n présents dans le matériau de l’une des portions (108, 112) soit du premier type soit du second type correspondent à des atomes de silicium et/ou de soufre et/ou de germanium ; - des dopants de type p présents dans le matériau de l’autre desdites portions (108, 112) soit du premier type soit du second type correspondent à des atomes de magnésium et/ou de béryllium. Diode électroluminescente (100) selon l’une des revendications précédentes, dans laquelle le matériau de la portion (108) du premier type et/ou de la portion (112) du second type comporte de l’AlN. Diode électroluminescente (100) selon l’une des revendications précédentes, comportant une pluralité de nanofils s’étendant depuis le substrat (102), chacun des nanofils comportant au moins les portions (108, 112) du premier type et du second type et la portion émissive (110). Diode électroluminescente (100) selon l’une des revendications 1 à 7, dans laquelle au moins les portions (108, 112) du premier type et du second type et la portion émissive (110) forment un empilement de couches disposé sur le substrat (102). Procédé de réalisation d’une diode électroluminescente (100), comportant au moins : - réalisation, sur un substrat (102), d’une portion (108), dite d’un premier type, d’Al X 1 Ga ( 1-X 1 -Y 1 ) In Y 1 N dopé selon un premier type de conductivité, avec X1 > 0 et X1+Y1 ≤ 1 ; - réalisation, sur la portion (108) du premier type, d’une portion émissive (110) comprenant un alliage dilué d’AlN contenant des atomes de gallium et/ou d’indium à une concentration inférieure à 30 % ; - réalisation, sur la portion émissive (110), d’une portion (112), dite d’un second type, d’Al X 2 Ga ( 1-X 2 -Y 2 ) In Y 2 N dopée selon un second type de conductivité, opposé au premier type de conductivité, avec X2 > 0 et X2+Y2 ≤ 1.