INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Un quelconque sorbant ou adsorbant disponible dans le commerce avec la fonction souhaitée, décrit ici, peut être utilisé. Les sorbants ou adsorbants peuvent être des matériaux poreux. Les adsorbants peuvent être, mais sans s’y limiter, l’alumine, la silice, l’aluminate de silice, le(s) oxyde(s) de magnésium. Les adsorbants ou les sorbants peuvent être éventuellement modifiés avec des oxydes de métaux alcalins et/ou alcalino-terreux pour des performances améliorées. Des exemples de matériaux disponibles dans le commerce comprennent l’alumine modifiée par de l’oxyde de calcium, l’alumine modifiée par du magnésium, Na 2 O/Al 2 O 3 , K 2 O/Al 2 O 3 , l’alumine-γ de grande surface, etc. Les exemples disponibles dans le commerce comprennent l’absorbant SHIFTGUARD 200 de Clariant AG, le catalyseur/sorbant TK-3000 et l’absorbant HTG-10 de Topsoe A/S et les catalyseurs/sorbants ET-17 et EG-2 de Haiso Technology Co.
En capturant les poisons du catalyseur, la quantité de poisons du catalyseur, tels que de l’HCl et/ou du PH 3 peut ensuite être réduite d’au moins 50 % en volume, d’au moins 60 % en volume, d’au moins 70 % en volume, d’au moins 80 % en volume, d’au moins 90 % en volume, d’au moins 95 % en volume, tels que de 50 à 99 % en volume ou de 75 à 99 % en volume, ou de 90 à 99 % en volume. La teneur en poison du catalyseur telle que définie par HCl et/ou PH 3 dans le flux de gaz sortant, après capture du poison, peut être inférieure à 5 ppm pour chacun de l’HCl et/ou du PH 3 , et plus préférablement inférieure à 1 ppm pour chacun de l’HCl et/ou du PH 3 .
De préférence, l’étape de filtration de matières particulaires, si elle est utilisée, a lieu avant la capture des poisons du catalyseur, par exemple avant l’étape de compression de gaz.
De préférence, la capture des poisons du catalyseur, si elle est utilisée, se produit après l’étape de filtration de matières particulaires si elle est utilisée, par exemple, avant l’étape de compression de gaz.
L’étape de capture des poisons du catalyseur et/ou la filtration de matières particulaires peuvent être réalisées à une température d’environ 100 °C à environ 500 °C. D’autres températures en dehors de cette plage sont possibles.
En ce qui concerne l’étape de réalisation de plusieurs réactions sur le flux de gaz ou le flux de gaz comprimé, de préférence cette partie du procédé se produit avec le flux de gaz comprimé.
La illustre une étape de formation de la microcavité 150 par gravure partielle de la couche 100 à travers l’ouverture 109 préalablement formée dans la couche de masque dur 103. Dans cet exemple, la microcavité 150 est formée par gravure humide de la couche 100 au moyen d’une solution de gravure liquide 111, par exemple à base d’acide fluorhydrique. Les dimensions de la cavité 150 sont par exemple contrôlées par contrôle du temps d’application de la solution de gravure. Dans l’exemple représenté, la microcavité 150 est non traversante, c’est à dire qu’elle s’étend sur une partie seulement de l’épaisseur de la couche 100. A titre de variante, la microcavité 150 peut être traversante et déboucher sur la face supérieure d’un substrat de support (non représenté) en contact, par sa face supérieure, avec la face inférieure de la couche 100.
La illustre la structure obtenue à l’issue d’une étape de retrait de la couche de masque dur 103, par exemple au moyen d’une solution de gravure humide adaptée à graver le matériau de la couche 103 de façon sélective par rapport au matériau de la couche 100. La face supérieure de la couche 100 est ainsi libérée, et la couche 100 comprend, du côté de sa face supérieure, une cavité concave 150, par exemple de forme hémisphérique ou en forme de portion de sphère. La profondeur de la microcavité 150 est inférieure à l’épaisseur de la couche 100.
La microcavité 150 peut être utilisée directement comme microlentille optique concave, ou servir de moule pour la réalisation de microlentilles optiques concaves ou convexes, par exemple en un matériau polymère transparent.
A titre de variante, la microcavité 150 peut avoir d’autres applications. Par exemple, la microcavité 150 peut servir de réceptacle pour des applications microbiologiques, par exemple des applications de séparation et/ou comptage de cellules biologiques.
Une limitation du procédé décrit en relation avec les figures 1A à 1E réside dans le fait que l’utilisation d’une gravure humide en solution liquide laisse peu de latitude quant au contrôle de la forme des microcavités réalisées. En outre, il est difficile par un tel procédé de réaliser des microcavités de très petites dimensions latérales, par exemple de dimensions latérales inférieures à 500 nm. Cette contrainte est notamment liée au phénomène de diffusion des espèces actives de gravure, qui ne se produit plus correctement pour des ouvertures 109 de faibles dimensions latérales, en particulier lorsque l’épaisseur de la couche de masque dur 103 est importante.
Les figures 2A à 2E sont des vues en coupe illustrant des étapes successives d’un exemple d’un procédé de fabrication d’une microcavité concave 250 dans une couche 200, selon un mode de réalisation.
Sur les figures 2A à 2E, la réalisation d’une unique microcavité 250 a été représentée. En pratique, comme dans l’exemple des figures 1A à 1E, le procédé peut comprendre la réalisation simultanée, dans une même couche 200, d’une pluralité de microcavités.
Dans l’exemple représenté, la microcavité 250 est formée du côté de la face supérieure de la couche 200.
La couche 200 est par exemple identique ou similaire à la couche 100 des figures 1A à 1E.
La illustre une étape de formation d’une couche de masque dur 203 sur la face supérieure de la couche 200, par exemple en contact avec la face supérieure de la couche 200. La couche 203 est par exemple en métal ou en un alliage comprenant du métal. A titre d’exemple, la couche 203 est en aluminium, en nitrure de titane (TiN), en cuivre, ou en un alliage aluminium-cuivre. A titre de variante, la couche 203 est en un matériau diélectrique de constante diélectrique élevée, c’est à dire supérieure à celle du dioxyde de silicium, par exemple du nitrure d’aluminium (AlN), de l’alumine (Al2O3) ou de l’oxyde d’hafnium (HFO2). La couche 203 est par exemple formée par dépôt physique en phase vapeur (PVD – de l’anglais « Physical Vapor Deposition »), par dépôt chimique en phase vapeur (CVD – de l’anglais « Chemical Vapor Deposition »), ou encore par dépôt en couche atomiques (ALD – de l’anglais « Atomic Layer Deposition »). La couche 203 s’étend par exemple de façon continue et avec une épaisseur sensiblement uniforme sur toute la surface supérieure de la couche 200. L’épaisseur de la couche de masque dur 203 est par exemple comprise entre 20 nm et 350 nm.
La illustre une étape de formation d’une couche de masquage 205, par exemple en résine photosensible, sur la face supérieure de la couche de masque dur 203, puis de formation, dans la couche 205, d’une ouverture traversante 207 débouchant sur la face supérieure de la couche de masque dur 203, par exemple par photolithographie. Cette étape est par exemple identique ou similaire à l’étape décrite en relation avec la . Les dimensions latérales de l’ouverture 207 sont choisies en fonction des dimensions souhaitées de la microcavité 250. En tout état de cause, les dimensions latérales de l’ouverture 207 sont inférieures aux dimensions latérales de la microcavité 250.
La illustre la structure obtenue à l’issue d’une étape de gravure d’une ouverture traversante 209 dans la couche de masque dur 203, en utilisant la couche 205 comme masque de gravure, puis de retrait de la couche 205.
L’ouverture 209 est située à l’aplomb de l’ouverture 207 et alignée verticalement avec l’ouverture 207. L’ouverture 209 présente par exemple des dimensions latérales sensiblement identiques à celles de l’ouverture 207. Dans cet exemple, l’ouverture 209 débouche sur la face supérieure de la couche 200. Cette étape est par exemple identique ou similaire à l’étape de la , en adaptant le procédé de gravure au matériau du masque dur 203. L’ouverture 209 est par exemple formée par un procédé de gravure plasma.
La illustre une étape de formation de la microcavité 250 par gravure partielle de couche 200 à travers l’ouverture 209 préalablement formée dans la couche de masque dur 203. Selon un aspect du mode de réalisation des figures 2A à 2E, la microcavité 250 est formée par gravure chimique en phase vapeur au moyen d’un mélange gazeux 211 à base d’acide fluorhydrique en phase vapeur (HF vapeur). Les dimensions de la cavité 150 sont par exemple contrôlées par contrôle du temps d’application de la solution de gravure. Dans l’exemple représenté, la microcavité 250 est non traversante, c’est à dire qu’elle s’étend sur une partie seulement de l’épaisseur de la couche 200. A titre de variante, la microcavité 250 peut être traversante et déboucher sur la face supérieure d’un substrat de support (non représenté) en contact, par sa face supérieure, avec la face inférieure de la couche 200.
La illustre la structure obtenue à l’issue d’une étape de retrait de la couche de masque dur 203, par exemple au moyen d’une solution de gravure humide adaptée à graver le matériau de la couche 203 de façon sélective par rapport au matériau de la couche 200. La face supérieure de la couche 200 est ainsi libérée, et la couche 200 comprend, du côté de sa face supérieure, une microcavité concave 250, par exemple de forme hémisphérique ou en forme de portion de sphère. La profondeur de la microcavité 250 est inférieure à l’épaisseur de la couche 200.
Comme dans l’exemple des figures 1A à 1E, la microcavité 250 peut être utilisée directement comme microlentille optique concave, ou servir de moule pour la réalisation de microlentilles optiques concaves ou convexes, par exemple en un matériau polymère transparent.
Ainsi, l’épaisseur e 300 de la couche diélectrique 300 est un autre levier d’ajustement des caractéristiques de la gaussienne pouvant être générée par le dispositif 1. Il s’agit cependant cette fois d’un paramètre fixé lors de sa fabrication et donc intrinsèque au dispositif. Typiquement, l’épaisseur e 300 est supérieure à 2nm et de préférence inférieure à 25nm.
Selon un mode de réalisation, les diélectriques de grille 102, 202 sont à base d’un matériau ferroélectrique. Par exemple, ils peuvent être à base de HfO 2 , HfZrO 2 , BaTiO3, Pb(Zr,Ti)O 3 (couramment désigné par le sigle PZT), SrBi 2 Ta 2 O 9 (SBT), BiFeO 3 (BFO), d’un oxyde de hafnium (HZO) dopé au silicium, ou encore d’un matériau du type Al x Sc 1−x N.
Les matériaux ferroélectriques présentent la particularité de posséder une polarisation spontanée, dont la direction de polarisation peut être modifiée sous l’action d’un champ électrique et renversée de façon réversible. Ces matériaux sont notamment caractérisés par : leur température de T c en-deçà de laquelle ils ont un comportement ferroélectrique, leur polarisation rémanente P r , qui est la valeur de la polarisation à champ nul, leur champ coercitif E c , qui est la valeur du champ à appliquer pour renverses la polarisation, et enfin leur polarisation à saturation P s .
La caractéristique de la polarisation d’un matériau ferroélectrique dans sa phase ferroélectrique (i.e. pour T c ) en fonction du champ électrique lui étant appliqué est illustrée en . On remarque un phénomène d’hystérésis qui est couramment utilisé en microélectronique pour des applications mémoires. Il existe en effet des transistors dits FeFET présentant une grille ferromagnétique en face avant et permettant de stocker chacun un bit d’information. Dans ces dispositifs, une brève impulsion du potentiel appliqué sur la grille avant du FeFET induit un courant I DS permanent et constant. Plus précisément, cette impulsion de potentiel, supérieure (ou inférieure) au potentiel coercitif +V C (respectivement - V C ), provoque une polarisation constante +P r (respectivement -P r ) du matériau ferroélectrique. Cette polarisation induit de façon permanente un courant source-drain, dont l’intensité, fonction de l’état de polarisation du matériau ferromagnétique, constitue un état mémoire qui peut être lu sans destruction de l’information. Notamment, l’état de polarisation, et donc l’information, se conservent lorsque le potentiel de grille est supprimé.
Par exemple, après application d’une tension de grille V GS supérieure au potentiel coercitif +V C , le canal du transistor devient conducteur et le courant résultant code pour une première information (par exemple un bit « 1 »). Cette information peut être effacée et changé en une deuxième information, telle un bit « 0 », en appliquant une tension de grille V GS inférieure à -V C . Les figures 7A et 7C représentent les caractéristiques courant-tension d’un transistor de l’état de la technique respectivement sans et avec matériau ferromagnétique. Les deux états pouvant être exploités pour des applications mémoire sont bien visibles sur la .
Ce principe peut être appliqué au dispositif 1 selon l’invention et même optimisé. Il est en effet possible de paramétrer les tensions de grille V G1 , V G2 de façon à ce que les deux gaussiennes de la caractéristique courant-tension I D =f(V BG ) du dispositif présentent des valeurs moyennes se situant à des valeurs de tension permettant la réalisation de portes logiques. Par exemple, l’état de polarisation des grilles en face avant 101, 201 (i.e. les tensions V G1 , V G2 ) peut constituer une entrée (ou input) A, et la tension de grille arrière V BG une entrée (ou input) B. ll est alors possible de faire coder : Une première gaussienne, correspondant à un premier état de polarisation, pour une valeur d’input A « 1 », Une deuxième gaussienne, correspondant à un deuxième état de polarisation, pour une valeur d’input A « 0 », Une première valeur de tension de grille arrière V BG,1 pour une valeur d’input B « 0 », et Une deuxième valeur de tension de grille arrière V BG,2 pour une valeur d’input B « 1 ».
L’ensemble des portes logiques élémentaires peut alors être réalisées. Par exemple, la illustre la réalisation d’une porte logique « ou exclusif » (couramment désigné sous l’acronyme anglais de « XOR »). Dans cette configuration : La valeur moyenne de la première gaussienne est égale à V BG,1 , et La valeur moyenne de la deuxième gaussienne est égale à V BG,2 .
Ainsi, si le dispositif 1 se trouve dans le premier état de polarisation (input A = « 1 ») et si la tension de grille arrière est fixée à V BG,1 (input B = « 0 »), le dispositif 1 est passant et un courant I D peut être relevé, codant ainsi pour un bit « 1 ». En revanche, pour toute autre valeur de V BG , le courant I D sera nul (ou du moins significativement moins élevé), codant ainsi pour un bit « 0 ». Si, cette fois, le dispositif 1 se trouve dans le deuxième état de polarisation (input A = « 0 ») et si la tension de grille arrière est fixée à V BG,2 (input B = « 1 »), le dispositif 1 est passant et un courant I D peut être relevé, codant ainsi pour un bit « 1 ». En revanche, pour toute autre valeur de V BG , le courant I D sera nul (ou du moins significativement moins élevé), codant ainsi pour un bit « 0 ». Ces différents cas de figure sont récapitulés dans la table 1. Comme le montre la dernière colonne de ce tableau, cette configuration permet bien de réaliser une fonction logique « XOR ». Paramètre physique V G1 , V G2 V BG I D Equivalent logique A B A XOR B Valeur 0 0 0 0 1 1 1 0 1 1 1 0
La illustre quant à elle la réalisation d’une porte logique « NON-OU » (couramment désigné sous l’acronyme anglais de « NOR »). Dans cette configuration : La valeur moyenne de la première gaussienne est différente de V BG,1 et de V BG,2 , et La valeur moyenne de la deuxième gaussienne est égale à V BG,1 .
Ainsi, si le dispositif 1 se trouve dans le premier état de polarisation (input A = « 1 »), quelle que soit la valeur de la tension de grille arrière (input B = « 0 » ou « 1 »), le dispositif 1 est bloqué. Aucun courant ne peut être relevé (ou seul un courant très faible), codant ainsi pour un bit « 0 ». Si, cette fois, le dispositif 1 se trouve dans le deuxième état de polarisation (input A = « 0 ») et si la tension de grille arrière est fixée à V BG, 1 (input B = « 0 »), le dispositif 1 est passant et un courant I D peut être relevé, codant ainsi pour un bit « 1 ». En revanche, pour toute autre valeur de V BG , le courant I D sera nul (ou du moins significativement moins élevé), codant ainsi pour un bit « 0 ». Ces différents cas de figure sont récapitulés dans la table 2. Comme le montre la dernière colonne de ce tableau, cette configuration permet bien de réaliser une fonction logique « NOR ». Paramètre physique V G1 , V G2 V BG I D Equivalent logique A B A NOR B Valeur 0 0 1 0 1 0 1 0 0 1 1 0
Il a été montré que le dispositif 1 pouvait permettre de réaliser les portes logiques XOR et NOR, mais il est entendu que toutes les autres portes logiques élémentaires (AND, OR, NOT, NAND, XNOR) sont réalisables en adaptant la position des première et deuxième gaussiennes.
Ainsi, par un simple réglage des deux tensions de grilles V G1 , V G2 , le dispositif 1 permet de réaliser efficacement l’ensemble des portes logiques élémentaires, ce que ne permettent pas les transistors FDSOI classiques qui, eux, ne peuvent être contrôlés qu’au niveau d’une seule grille avant.
Selon un mode de réalisation, le dispositif 1 comprend un circuit de contrôle permettant d’appliquer les tensions précédemment mentionnées sur chacune des électrodes. Le circuit de contrôle permet en outre de faire varier les tensions V 110 , V 210 , V G1 , V G2 et V BG , par exemple dans une plage donnée telle que [-5V, 5V].
Le circuit de contrôle est avantageusement configuré pour pouvoir générer des caractéristiques présentant une forme de gaussienne.
La génération d’une caractéristique de type gaussienne peut notamment être utile dans des applications de in-memory computing (terme anglais pouvant être traduit en français par « calcul en mémoire »). Par exemple, il est possible de réaliser des cellules mémoires non-volatiles servant à réaliser des opérations logiques élémentaires en exploitant le dispositif 1 tel que décrit précédemment.
Le dispositif 1 pourrait également être utilisé pour des applications de classification, par exemple dans le domaine de l’apprentissage machine. La classification est un aspect important de l'analyse des données exploratoire et décisionnelle. Elle a pour objectif de déterminer si un ensemble d’objets est homogène et, lorsqu’il ne l’est pas, d’établir une partition de cette collection en sous-ensembles homogènes appelés classes. Le modèle de mélange gaussien, illustré en , est une combinaison linéaire (courbe pleine) de plusieurs composantes gaussiennes (courbes en pointillés). Il est particulièrement utilisé dans le cas où les données en études ne peuvent pas être modélisées par une simple gaussienne. En d’autres termes, si la structure de données est composée naturellement de plusieurs groupes, il faut les représenter par un modèle de mélange gaussien plutôt qu’une simple distribution gaussienne.
Selon l’invention, le véhicule 10 comprend en outre un système électronique 20 d’assistance de l’utilisateur 16, le système d’assistance 20 étant adapté pour être embarqué à bord du véhicule 10.
Le système électronique d’assistance 20 comprend un dispositif de restitution 21 comportant un écran d’affichage 22 et/ou un haut-parleur 23 ; un capteur d’image(s) 24 adapté pour prendre au moins une image de l’utilisateur 16 ; et un dispositif électronique 30 d’assistance de l’utilisateur 16, le dispositif d’assistance 30 étant connecté au dispositif de restitution 21 et au capteur d’image(s) 24.
Dans l’exemple des figures 1 et 2, le dispositif de restitution 21 comporte l’écran d’affichage 22 et une paire de haut-parleurs 23. En complément, non représenté, le dispositif de restitution 21 comporte plusieurs écrans d’affichage 22 et/ou plusieurs paires de haut-parleurs 23. En variante, non représentée, le dispositif de restitution 21 comporte seulement l’écran d’affichage 22, ou bien seulement l’au moins un haut-parleur 23.
L’écran d’affichage 22 est adapté pour afficher des données à destination de l’utilisateur 16, notamment une ou plusieurs instructions visuelles, telles que des images d’expression de visage 32, visible sur la , une ou plusieurs images d’expression de visage 32 représentant un exercice facial 34 respectif à réaliser par l’utilisateur 16, comme cela sera décrit plus en détail par la suite. L’écran d’affichage 22 est typiquement un écran tactile, et est alors configuré pour détecter un appui tactile contre l’écran de la part de l’utilisateur 16, et typiquement un appui d’un doigt de l’utilisateur contre une portion de la surface de l’écran 22. L’écran tactile est par exemple un écran tactile capacitif ou un écran tactile résistif, comme connu en soi.
Chaque haut-parleur 23 est adapté pour diffuser des sons à destination de l’utilisateur 16, notamment une ou plusieurs instructions sonores, telles que des messages vocaux décrivant chacun un exercice facial 34 respectif à réaliser par l’utilisateur 16, chaque exercice facial 34 comportant au moins une expression de visage à reproduire par l’utilisateur 16.
Le capteur d’image(s) 24 est connu en soi, et est configuré pour acquérir au moins une image de l’utilisateur 16, notamment de son visage. Le capteur d’image(s) 24 est typiquement choisi parmi le groupe consistant en : un capteur infrarouge, un capteur d’images dans le spectre visible, un capteur d’images dans le proche infrarouge, un capteur d’images dans les spectres visible et proche infrarouge, un capteur de temps de vol, et un capteur de lumière structurée. Le capteur infrarouge est également appelé capteur IR (de l’anglais InfraRed ), et est configuré pour prendre au moins une image infrarouge de l’utilisateur 16, en particulier une image infrarouge de son visage. Le capteur d’images dans le spectre visible est configuré pour prendre au moins une image de l’utilisateur 16 dans le spectre visible, en particulier une image de son visage dans le spectre visible. Le capteur d’images dans le spectre visible est également appelé capteur RVB (pour Rouge Vert Bleu), ou encore capteur RGB (de l’anglais Red Green Blue ). Le capteur d’images dans le proche infrarouge est également appelé capteur NIR (de l’anglais Near InfraRed ), et est configuré pour prendre au moins une image de l’utilisateur 16 dans le spectre proche infrarouge, en particulier une image de son visage dans le spectre proche infrarouge. Le capteur d’images dans les spectres visible et proche infrarouge est également appelé capteur NIR/RGB, et est configuré pour prendre au moins une image de l’utilisateur 16 dans les spectres visible et proche infrarouge, en particulier une image de son visage dans les spectres visible et proche infrarouge. Le capteur de temps de vol est également appelé capteur TOF (de l’anglais Time Of Flight ), et est par exemple un capteur en 3 dimensions, et est alors appelé capteur 3D TOF. Le capteur de lumière structurée est par exemple un capteur en 3 dimensions, ou 3D.
Le capteur d’image(s) 24 est de préférence positionné face à l’utilisateur 16, c’est-à-dire en regard de l’utilisateur 16.
En complément, le capteur d’images 24 est typiquement positionné sensiblement parallèlement à l’écran 22, un axe de visée du capteur d’images 24 étant alors sensiblement perpendiculaire à la surface de l’écran 22, l’axe de visée étant lui-même sensiblement perpendiculaire par rapport à une surface active, non représentée, du capteur d’images 24, afin de pouvoir prendre au moins une image du visage de l’utilisateur 16 lorsqu’il est face à l’écran 22.
Le dispositif électronique d’assistance 30, visible sur la , est configuré pour assister l’utilisateur 16, en particulier le conducteur du véhicule 10, en lui permettant de réaliser un ou plusieurs exercices faciaux 34 lorsqu’il est à bord du véhicule 10.