INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
On atteint cet objectif, ainsi que d’autres qui apparaîtront à la lecture de la description qui suit, avec un procédé perfectionné pour la détection d’objets au moyen d’un réseau de neurones, ledit réseau de neurones étant alimenté en entrée par au moins une première carte de flux optique originale qui représente le suivi informatisé d'objets en mouvement dans une scène par analyse des différences de contenu entre une première image capturée par un dispositif d'acquisition d’images dans une première position à un instant antérieur, et une seconde image successive capturée par ledit dispositif d'acquisition d’images dans une seconde position à un instant courant, caractérisé en ce qu’il comporte au moins : une première étape d’estimation des trois paramètres de translation et des trois paramètres de rotation de l’ego mouvement du dispositif d'acquisition d’images entre ladite première position et ladite seconde position, les trois paramètres de translation comprenant deux paramètres de translation secondaires et un paramètre de translation principale suivant un axe longitudinal qui correspond au déplacement principal du dispositif d'acquisition d’images, une deuxième étape qui consiste à estimer une première matrice de rotation qui permet de passer de la première position à une première position rectifiée virtuelle, et une seconde matrice de rotation qui permet de passer de la seconde position à une seconde position rectifiée virtuelle, de sorte que les deux paramètres de translation secondaires et les trois paramètres de rotation qui permettent le passage depuis la première position rectifiée jusqu’à la seconde position rectifiée sont égales à zéro, une troisième étape de normalisation qui consiste à calculer une seconde carte de flux optique rectifiée qui est obtenue en appliquant la première matrice de rotation et la seconde matrice de rotation à la première carte de flux optique originale, et qui représente le suivi informatisé d’objets en mouvement entre la première position rectifiée et la seconde position rectifiée.
Ainsi, le procédé selon l’invention permet d’obtenir des cartes de flux optique rectifiées qui font abstraction des mouvements parasites du capteur d’acquisition d’images, tels que des mouvements de tangage, de roulis et de lacet lorsque le capteur d’acquisition d’images est monté sur un véhicule automobile.
- le procédé comporte une étape d’apprentissage qui consiste à alimenter un réseau de neurones avec une pluralité de cartes de flux optique rectifiées selon la troisième étape de normalisation du procédé, pour entraîner ledit réseau de neurones. Cette caractéristique permet d’améliorer les performances d’apprentissage du réseau de neurones ainsi alimenté par des cartes de flux optique rectifiées ;
- le procédé comporte une étape de détection qui consiste à alimenter un réseau de neurones avec une pluralité de cartes de flux optique rectifiées selon la troisième étape de normalisation, pour réaliser une détection d’objets. Cette caractéristique permet d’améliorer les performances de détection du réseau de neurones ainsi alimenté par des cartes de flux optique rectifiées.
L’invention concerne également un calculateur configuré pour mettre en œuvre le procédé décrit précédemment.
De plus, l’invention concerne un véhicule automobile comprenant un calculateur du type décrit ci-dessus, et au moins un dispositif d'acquisition d’images qui est solidaire en mouvement du véhicule automobile, le véhicule automobile se déplaçant principalement suivant un axe longitudinal.
une vue schématique de dessus d’un véhicule automobile équipé d’un dispositif d’acquisition d’images, dans une première position antérieure et dans une seconde position courante ;
une vue schématique similaire à celle de la du véhicule automobile dans une première position rectifiée et dans une seconde position rectifiée suivant le procédé selon l’invention ;
une vue schématique d’une première carte de flux optique originale ;
une vue schématique d’une seconde carte de flux optique rectifiée au moyen du procédé selon l’invention.
Comme illustré à la , un substrat de manipulation H1 est assemblé par collage à l’ensemble 10 de nanofils 100, par l’intermédiaire de la couche intercalaire diélectrique 60. Le substrat S1 est ensuite retiré et une couche de collage 12a métallique est formée au niveau des régions d’injection de trous 103, de préférence pleine plaque.
Comme illustré à la , les ensembles 10, 20 de nanofils 100, 200 sont ensuite assemblés par collage métal-métal entre les couches de collage 12a, 12b, par exemple par thermocompression Au-Au pour des couches de collage 12b, 12a à base d’or. Les couches de collage 12a, 12b déposées pleine plaque permettent une tolérance d’alignement entre les ensembles 10, 20 de nanofils 100, 200. Les couches de collage 12a, 12b forment avantageusement la première couche de contact électrique inférieure 12. Le substrat S2 est ensuite retiré.
Comme illustré à la , une couche de collage 22b métallique est formée au niveau des régions d’injection de trous 203, de préférence pleine plaque. Un ou des vias 122 peuvent être formés au travers de l’ensemble 20 de nanofils 200 de manière à connecter électriquement la couche de collage 22b à la première couche de contact électrique inférieure 12.
Comme illustré à la , les ensembles 20, 30 de nanofils 200, 300 sont ensuite assemblés par collage métal-métal entre les couches de collage 22a, 22b, par exemple par thermocompression Au-Au pour des couches de collage 22b, 22a à base d’or. Les couches de collage 22a, 22b déposées pleine plaque permettent une tolérance d’alignement entre les ensembles 20, 30 de nanofils 200, 300. Les couches de collage 22a, 22b forment avantageusement la deuxième couche de contact électrique inférieure 22. Le substrat de manipulation H1 est ensuite retiré.
Comme illustré à la , une première gravure ou série de gravures localisée est effectuée de façon à exposer une partie de l’ensemble 20 de nanofils 200. Une deuxième gravure ou série de gravures localisée est ensuite effectuée de façon à exposer une partie de l’ensemble 30 de nanofils 300. Ces gravures successives sont configurées de façon à obtenir une structure en escaliers des ensembles 30, 20, 10 de nanofils 300, 200, 100. Après gravures, les couches de contact électrique supérieures 11, 21, 31 à base d’oxyde conducteur transparent sont formées sur les parties exposées des ensembles 10, 20, 30 de nanofils 100, 200, 300.
Comme illustré à la , la structure en escaliers peut être encapsulée par une couche d’encapsulation 60 transparente puis planarisée. Des vias 210, 310 peuvent être formés au travers de cette couche d’encapsulation 60 pour connecter électriquement les couches de contact électrique supérieures 21, 31. Le substrat S3 peut ensuite être retiré ou aminci.
Comme illustré à la , après retrait du substrat S3, la troisième couche de contact électrique inférieure 32 métallique peut être formée au niveau des régions d’injection de trous 303. Selon une possibilité non illustrée, le substrat S3 est électriquement conducteur et n’est pas retiré en totalité. Il est aminci pour former directement la troisième couche de contact électrique inférieure 32. Un ou des vias 322 peuvent ensuite être formés au travers de l’ensemble 30 de nanofils 300 de manière à connecter électriquement la troisième couche de contact électrique inférieure 32 à la deuxième couche de contact électrique inférieure 22.
Les figures 6A à 6G illustrent des étapes de fabrication d’un dispositif optoélectronique tel qu’illustré en , selon un autre mode de réalisation de l’invention.
Comme illustré à la , la première étape consiste à former séparément les différents ensembles 10, 20, 30 de nanofils sur des substrats S1, S2, S3 distincts. Comme précédemment, un substrat de manipulation H1 est assemblé à l’ensemble 10 de nanofils 100 et le substrat S1 est retiré.
Les couches de contact électrique supérieures 21, 31 à base d’oxyde conducteur transparent sont formées sur les surfaces planarisées des ensembles 20, 30 de nanofils 200, 300, puis recouvertes par des couches de collage 40b, 50 typiquement à base d’un matériau diélectrique tel que l’oxyde de silicium. La première couche de contact électrique inférieure 12 à base d’oxyde conducteur transparent est formée de préférence pleine plaque au niveau des régions d’injection de trous 103, et une couche de collage 40a similaire aux couches de collage 40b, 50 est formée sur la première couche de contact électrique inférieure 12.
Comme illustré à la , les ensembles 10, 20 de nanofils 100, 200 sont ensuite assemblés par collage oxyde-oxyde entre les couches de collage 40a, 40b, par exemple par collage moléculaire. Les couches de collage 40a, 40b déposées pleine plaque permettent une tolérance d’alignement entre les ensembles 10, 20 de nanofils 100, 200. Les couches de collage 40a, 40b forment avantageusement la couche intercalaire diélectrique 40. Le substrat S2 est ensuite retiré.
Comme illustré à la , la deuxième couche de contact électrique inférieure 22 à base d’oxyde conducteur transparent est formée de préférence pleine plaque au niveau des régions d’injection de trous 203. Une couche d’oxyde de faible épaisseur (non illustrée) peut être formée sur la deuxième couche de contact électrique inférieure 22 de manière à faciliter le collage ultérieur. Un ou des vias 122 peuvent être formés au travers de l’ensemble 20 de nanofils 200 de manière à connecter électriquement la deuxième couche de contact électrique inférieure 22 à la première couche de contact électrique inférieure 12.
Comme illustré à la , les ensembles 20, 30 de nanofils 200, 300 sont ensuite assemblés par collage oxyde-oxyde entre les couches 22, 50. Le substrat de manipulation H1 est ensuite retiré.
Comme illustré à la , après retrait du substrat de manipulation H1, la première couche de contact électrique supérieure 11 à base d’oxyde conducteur transparent est formée au niveau des régions d’injection d’électrons 101. Les différentes couches de contact électrique supérieures 11, 21, 31 sont sensiblement à l’aplomb les unes des autres, alignées les unes par rapport aux autres par exemple au niveau d’une de leurs extrémités latérales. Des vias 210, 310 sont typiquement formés au travers des premier et deuxième ensembles 10, 20 de nanofils 100, 200 pour venir connecter respectivement les couches de contact électrique supérieures 21, 31.
Comme illustré à la , le substrat S3 peut ensuite être retiré.
Comme illustré à la , après retrait du substrat S3, la troisième couche de contact électrique inférieure 32 métallique peut être formée au niveau des régions d’injection de trous 303. Un ou des vias 322 peuvent ensuite être formés au travers de l’ensemble 30 de nanofils 300 de manière à connecter électriquement la troisième couche de contact électrique inférieure 32 à la deuxième couche de contact électrique inférieure 22.
En fonction du code d’étalement utilisé, on peut répondre à différents besoins :
Si l’on souhaite avoir une liaison ayant une forte discrétion énergétique, il faut : Utiliser un code long indépendant et identiquement distribué (iid) sur chaque symbole avec un facteur d’étalement grand ; ou Utiliser un code court avec ajout d’un embrouilleur pour chaque symbole (transforme le code court en code long) avec un facteur d’étalement grand.
Si l’on souhaite avoir une liaison avec un gain en efficacité spectrale et en performances, il convient de : choisir un code ou un sous ensemble de code d’étalement permettant de minimiser les interférences introduites par le FTN en émission ; et/ou choisir la constellation utilisée par le code d’étalement pour limiter les erreurs de réception intrinsèques (cas pathologiques) et introduites par le FTN
L’utilisation d’un code court, d’une modulation de phase, ou d’un facteur d’étalement suffisamment grand permet de réduire la complexité de la réception.
Dans un autre mode de réalisation, le code d’étalement long est obtenu par embrouillage d’un code court, le rendant ainsi spécifique au symbole auquel il va être multiplié.
Dans une étape 105, le bloc de compression 15 compresse alors, en fonction du taux de compression , la période séparant les chips des symboles étalés ( ). En sortie du bloc de compression 15, les symboles étalés sont donc constitués de SF impulsions liées au code d’étalement séparées par une période . Dans un mode de réalisation, est choisi strictement inférieur à 1.
Ainsi en reprenant l’exemple ci-dessus, le signal FTN-DSSS en sortie du bloc de compression 15 est :
Remarque : le facteur permet d’obtenir une puissance moyenne d’émission constante indépendamment de la valeur de .
Dans une étape 106, ces symboles étalés constitués de SF impulsions séparées par une période sont ensuite filtrés par le filtre de mise en forme, pouvant être en racine de Nyquist de temps d’orthogonalité ou quelconque de bande utile fini .
Dans une étape 107, le signal résultant de transmission FTN-DSSS à puissance constante est ensuite émis via l’antenne RF 17.
avec : : le taux de compression, compris entre 0 et 1 ; : les chips issus des symboles étalés ; : le temps séparant les chips ; : le facteur d’étalement ; : la réponse impulsionnelle du filtre de mise en forme.
On peut considérer un code d’étalement (i.e. un bi-code) de modulation quelconque et différent sur la partie réelle et sur la partie imaginaire du symbole. Dans ce cas l’expression des est donnée par :
: le symbole transmis
: le code d’étalement sur la partie réelle, , du symbole
CA_C2613_verif_Fwd : TCGGCAGCAAAAACTCCAGT (SEQ ID NO : 43)
CA_C2613_verif_Rev : GCAATTGCTGGCGGAATGAA (SEQ ID NO : 44)
CA_C3673_verif Fwd : TACTTCATACATATCTAACGCACTCT (SEQ ID NO : 45)
CA_C3673_verif Rev : AAATAACTTCTACTATGAGACAAGCA (SEQ ID NO : 46)
- Plasmide N°3 : pGRNA_ΔCA_C3673 (SEQ ID NO : 30)
Il contient tous les éléments du pGRNA ind avec une substitution de l’ARN guide permettant de cibler CA_C3673 (Oligo-20-mer obtenu par hybridation des primers gRNA_CA_C3673_Fwd (SEQ ID NO : 41) et gRNA_CA_C3673_Rev (SEQ ID NO : 42) et intégré au plasmide par la technique du golden gate assembly, après digestion par BsaI. Il contient également une matrice d’édition permettant l’inactivation de CA_C3673. Cette matrice d’édition a été construite par clonage des fragments LHA et RHA obtenus respectivement par amplification avec les couples de primers CA_C3673_LHA_Fwd (SEQ ID NO : 37) / CA_C3673_LHA_Rev (SEQ ID NO : 38) et CA_C3673_RHA_Fwd (SEQ ID NO : 39) / CA_C3673_RHA_Rev (SEQ ID NO : 40) à partir de l’ADNg de C. acetobutylicum DSM 792. La matrice d’édition a été clonée entre les sites de restriction BamHI et SalI.
Edition génétique des gènes CA_C2613 (SEQ ID NO : 1) et CA_C3673 (SEQ ID NO : 2)
: la contribution du code d’étalement associé au symbole courant
: l’interférence associée aux symboles précédents et suivants (si le SF est supérieur ou égal à l’inverse du taux de compression – 1).
: le bruit reçu.
: l’amplitude du canal
On obtient donc des symboles avec plus ou moins d’interférences. La réception optimale au sens du critère MLSE (Maximum Likelihood Sequence Estimation) est donnée en utilisant sur les symboles reçus, une boite de décision mettant en œuvre l’algorithme de Viterbi avec une métrique de branche non classique.
A partir du schéma optimal, on peut en déduire des configurations de récepteurs sous-optimaux en ajoutant optionnellement un égaliseur (Minimum Mean Square Error (MMSE), Expected Propagation (EP) …), effectué par le bloc d’égalisation 28.
Puis, dans une étape 208, le bloc de décision 29 décide, en fonction des séquences de symboles issues de l’étape 207 quels symboles de la constellation ont été reçus (Viterbi ou décision symbole à symbole).
Puis au cours d’une étape 209 sont réalisées les opérations inverses de celles à l’émission comprenant : la démodulation du symbole, le désentrelacement et enfin le décodage canal :
- ainsi, la démodulation du symbole est effectuée par le bloc de démodulation 30, qui fournit ainsi pour chaque symbole les bits correspondant au symbole conformément au type de modulation choisie ;
- le bloc de désentrelacement 31 effectue le traitement inverse de l’entrelacement effectué à l’étape 102.
- et enfin, le décodage canal est effectué par le bloc de décodage 32, pour identifier d’éventuelles erreurs, voire les corriger et finalement délivrer une estimation des bits transmis.
Le récepteur 20 décrit ci-dessus en référence à la met en œuvre une démodulation avec commutation, mais bien sûr l’application de l’invention ne se limite pas à ce type de récepteur.
L’invention propose ainsi l’utilisation conjointe de la technique du DSSS et du FTN (avec filtre de mise en forme RRC ou autre), dans le but d’assurer une certaine discrétion énergétique et une robustesse au brouillage pour SF suffisant, tout en limitant la perte en efficacité spectrale par rapport à une liaison DSSS classique, et tout en cherchant à obtenir de bonnes performances en réception à complexité raisonnable . La combinaison des deux techniques DSSS et FTN permet à la fois de tirer profit de leurs avantages complémentaires, et d’en réduire leurs inconvénients.
En effet, au niveau de l’efficacité spectrale :
- le FTN augmente l’efficacité spectrale (d’autant plus que le taux de compression est petit),
- tandis que le DSSS la diminue (d’autant plus que le facteur d’étalement est grand) ;
Lorsqu'elles sont volatiles, les huiles de silicone sont plus particulièrement choisies parmi celles possédant un point d'ébullition compris entre 60°C et 260°C, et plus particulièrement encore parmi :
(i) les polydialkylsiloxanes cycliques comportant de 3 à 7, de préférence de 4 à 5 atomes de silicium. Il s'agit, par exemple, de l'octaméthylcyclotétrasiloxane commercialisé notamment sous le nom de VOLATILE SILICONE® 7207 par UNION CARBIDE ou SILBIONE® 70045 V2 par RHODIA, le décaméthylcyclopentasiloxane commercialisé sous le nom de VOLATILE SILICONE® 7158 par UNION CARBIDE, et SILBIONE® 70045 V5 par RHODIA, ainsi que leurs mélanges.
On peut également citer les cyclocopolymères du type diméthylsiloxane / méthylalkylsiloxane, tel que la SILICONE VOLATILE® FZ 3109 commercialisée par la société UNION CARBIDE.
Pour éviter le retour de la languette 38 en position non rabattue sous l’effet de la force centrifuge lors de la rotation de la deuxième bague 40, il est possible de prévoir, à l’extrémité libre de la languette 38, un pliage supplémentaire afin de verrouiller la languette 38 sur la première bague 30.
Dans le troisième mode de réalisation, illustré sur les figures 4 et 5, la première pièce 10 et la deuxième pièce 20 sont identiques à celles décrites dans le cadre du premier mode de réalisation.
En revanche, la bague intermédiaire 50 comprend, en guise de corps 52, un jonc annulaire fendu. La bague intermédiaire 50 présente ainsi un diamètre de référence lorsqu’elle est au repos, et elle peut être déformée pour augmenter ou réduire son diamètre par rapport au diamètre de référence.
Notamment, la bague intermédiaire 50 peut être montée dans une gorge 33 de la première bague 30. La gorge 33 peut être une gorge annulaire, prévue ici à l’extérieur de la première bague 30 (c’est-à-dire, plus généralement, du côté de la deuxième bague 40). La bague intermédiaire 50 peut être comprimée pour permettre le passage de la deuxième bague 40 dans la direction d’insertion 70, comme précédemment détaillé. Une fois la deuxième bague 40 emmanchée, la bague intermédiaire 50 n’est plus contrainte et retrouve sa position de repos : son diamètre s’élargit pour retrouver le diamètre de référence, qui est tel que la bague intermédiaire 50 s’étend dans le logement ménagé par l’épaulement 45. De ce fait, en butant contre l’épaulement 45, la bague intermédiaire 50 forme une butée axiale pour la deuxième bague 40, comme l’illustre la . Le diamètre de référence peut être dimensionné pour que la bague intermédiaire 50 soit, lorsqu’elle est montée entre la première bague 30 et la deuxième bague 40, radialement à cheval entre la première bague 30 et la deuxième bague 40.
Comme illustré sur la , une paroi annulaire de la deuxième bague 50 forme une butée radiale pour éviter que la bague intermédiaire 50 ne se desserre trop, ce qui pourrait lui permettre de ressortir de la gorge 33 et découplerait la première bague 30 et la deuxième bague 40.
Dans ce mode de réalisation, l’organe de couplage 60 comprend les pattes 47 identiques à celles décrites en référence aux modes de réalisation précédents, et ne comprend pas de languettes telles que les languettes 38. De ce fait, la première bague 30 peut être dépourvue des languettes 38, tandis que la deuxième bague 40 et la bague intermédiaire 50 peuvent être dépourvues d’encoches 48, 58 correspondantes.
En outre, comme le jonc annulaire fendu de la bague intermédiaire 50 ne nécessite pas le filetage 55 du premier mode de réalisation, le dispositif d’accouplement 100 peut être axialement plus compact dans ce troisième mode de réalisation que dans les modes de réalisation précédents.
La illustre, en coupe longitudinale, une turbomachine 80 pour aéronef. La turbomachine 80 est une turbomachine à double flux avec une soufflante avant 82 comportant un disque de soufflante 84 sur lequel sont disposées des aubes de soufflante 86 retenues par leur pied dans des alvéoles ménagées sur la jante. Le disque de soufflante 84 est monté en porte-à-faux sur l'arbre basse pression 88 qui supporte également le tambour 90 du compresseur basse pression immédiatement en aval du disque de soufflante 84 et dont il est solidaire en rotation.
L’arbre basse pression 88 est soutenu par rapport au carter de la turbomachine 80 par au moins un palier, en l’espèce un palier amont 88a et un palier aval 88b. Par ailleurs, l’arbre haute pression 92, coaxial à l’arbre basse pression 88 et radialement extérieur à celui-ci, est également soutenu par rapport au carter par au moins un palier, en l’espèce un palier intermédiaire 92a.
Un dispositif d’accouplement 100 tel que précédemment décrit peut être utilisé pour coupler en rotation l’arbre basse pression 88 avec le palier amont 88a et/ou le palier aval 88b, l’arbre basse pression 88 formant alors la première pièce 10 et la bague du palier amont 88a ou aval 88b qui est solidaire de l’arbre formant alors la deuxième pièce 20, par exemple. Pour faciliter le montage dans la turbomachine 80, comme illustré, le dispositif d’accouplement 100 peut être prévu en amont du palier amont 88a ou en aval du palier aval 88b. Optionnellement, en plus d’assurer un accouplement en rotation, le dispositif d’accouplement 100 assure ici un blocage axial du palier amont 88a et du palier aval 88b.
Par ailleurs, un dispositif d’accouplement 100 précédemment décrit peut être utilisé pour coupler en rotation l’arbre haute pression 92 avec le palier intermédiaire 92a, l’arbre haute pression 92 formant alors la première pièce 10 et la bague du palier intermédiaire 92a qui est solidaire de l’arbre formant alors la deuxième pièce 20, par exemple. Le dispositif d’accouplement 100 peut être prévu en amont ou en aval du palier intermédiaire 92a, par exemple selon la solution la plus simple pour le montage de la turbomachine 80.
Le dispositif d’accouplement 100 n’est pas nécessairement employé pour accoupler un arbre avec un palier. Par exemple, il peut aussi, lorsqu’un arbre est en plusieurs parties, comme en l’occurrence l’arbre basse pression 88, être utilisé pour accoupler en rotation les deux parties 881, 882 de cet arbre, comme cela a été illustré sur la .
Bien que la présente différentes positions d’utilisation du dispositif d’accouplement 100, il est clair que ces positions ne sont ni exhaustives ni cumulatives, de sorte que le dispositif d’accouplement 100 pourrait être employé seulement à l’une de ces positions, ou encore à d’autres positions pertinentes.