INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Si en revanche la deuxième zone dopée 120 et la quatrième zone dopée 220 présentent des dopages de types différents, ces dernières sont court-circuitées afin de former l’électrode commune 1000. Typiquement, pour réaliser ce court-circuit, on prévoit la présence d’une couche électriquement conductrice 500, de préférence métallique, au contact à la fois de la deuxième zone dopée 120 et de la quatrième zone dopée 220. Cette couche électriquement conductrice 500, que l’on nomme également couche métallique 500 est une couche continue assurant la connexion électrique de ces deux zones 120, 220. Elle est avantageusement à base d’un siliciure, c’est-à-dire un matériau composé de silicium et d’un ou plusieurs éléments métalliques. Par exemple, elle peut être à base de NiPtSi ou de NiSi. Elle présente avantageusement un niveau de résistivité électrique inférieur à 150 µΩ.cm et typiquement supérieur à 5 µΩ.cm.
On entend ici le terme « couche » au sens large. Il peut s’agir aussi bien d’un dépôt s’étendant principalement selon le plan XY que d’un élément présentant de faibles dimensions dans ce plan.
Selon un mode de réalisation illustré à la , la couche métallique 500 peut séparer dans le plan XY les deuxième et quatrième zones dopées 120, 220. Selon un autre mode de réalisation avantageux illustré aux figures 1A et 1B, les deuxième et quatrième zones dopées 120, 220 sont en contact et la couche métallique 500 recouvre directement au moins une partie de chacune de leurs surfaces supérieures 121, 221. De préférence, dans ce mode de réalisation, la couche métallique 500 s’étend dans le plan XY d’un flanc 106 du premier transistor 100 à un flanc 206 du deuxième transistor 200. Avantageusement, la couche métallique 500 recouvre l’intégralité des faces supérieures 121, 221 des zones dopées 120, 220. Il est aussi possible que la couche 500 sépare les deuxième et quatrième zones dopées tout en les recouvrant également. Il est également possible, comme cela est illustré à la , que la deuxième zone dopée 120 et la quatrième zone dopée 220 soient séparées dans le plan XY par un élément isolant 600 et connectées électriquement par l’intermédiaire de la couche métallique 500 recouvrant cette fois à la fois les surfaces supérieures 121, 221 des deuxième et quatrième zones dopées 120, 220 et la face supérieure 601 de l’élément isolant 600.
Si la couche électriquement conductrice 500 n’est pas nécessaire dans le cas où la deuxième zone dopée 120 et la quatrième zone dopée 220 présentent le même type de dopage (cas illustré aux figures 1E et 1F), il est cependant envisageable qu’elle soit présente.
Les zones dopées 110, 120, 210, 220 se trouvent de préférence toutes dans une couche active 10. La couche active 10 est de préférence à base d’au moins un matériau IV-IV. Par exemple, ce matériau est à base de silicium. La couche active 10 peut également être à base d’au moins un matériau III-V, de préférence à base d’au moins un matériau III-N. Par exemple, ce matériau est à base de GaN. La couche active 10 peut également être formée par des monocouches de dichalcogénure de métal de transition (couramment désignées par l’acronyme anglais TMD, « Transition-Metal Dichalcogenide monolayers »), par exemple de type MoS 2 ou WS 2 . Il peut s’agir d’une couche homogène, formée typiquement d’un unique matériau. La couche active 10 présente typiquement une face supérieure 11 et une face inférieure 12 s’étendant toutes les deux principalement dans le plan XY du repère orthogonal XYZ. Elle présente selon la direction z une épaisseur e 10 . Si la couche active 10 est à base de silicium, l’épaisseur e 10 varie typiquement de 5 nm à 50 nm. Si en revanche elle est formée par des matériaux à deux dimensions tels que les monocouches TMD, la couche active 10 peut présenter une valeur d’épaisseur e 10 aussi faible que quelques nanomètres.
Certains éléments constituant les transistors 100, 200 peuvent avoir été au moins partiellement formés à partir d’une couche continue dite couche de fabrication. Par exemple, certaines régions de la couche de fabrication auront pu être transformées pour former les diélectriques de grille 103, 203 et/ou les espaceurs 104, 204. La couche de fabrication peut également avoir été gravée puis différents dépôts auront pu être réalisés sur cette couche de fabrication afin de former les diélectriques de grille 103, 203, espaceurs 104, 204 et/ou grilles 101, 201. Les régions non transformées ou gravées de la couche de fabrication font alors partie de la couche active 10. La couche active 10 peut de plus comprendre des zones ayant été épitaxiées à partir de la couche de fabrication.
Le dispositif 1 comprend de plus une couche diélectrique 300 présentant une face supérieure 301 et une face inférieure 302 s’étendant toutes les deux principalement dans des plans parallèles au plan XY du repère orthogonal. La face supérieure 301 de la couche diélectrique 300 se trouve au contact de la première zone dopée 110, de la deuxième zone dopée 120, de la troisième zone dopée 210 et de la quatrième zone dopée 220. La couche diélectrique 300 constitue ainsi un diélectrique enterré commun aux deux transistors 100, 200 et donc de façon générale un diélectrique enterré pour le dispositif 1. Elle présente selon la direction z une épaisseur e 300 .
Le dispositif 1 comprend en outre une grille arrière 400 au contact de la face inférieure 302 de la couche diélectrique 300.
Le dispositif 1 peut comprendre les électrodes ou reprises de contact suivantes : une première électrode 115 au contact de la première zone dopée 110, une deuxième électrode 215 au contact de la troisième zone dopée 210, une première électrode de grille 105 au contact de la première grille 101, une deuxième électrode de grille 205 au contact de la deuxième grille 201, une électrode de grille arrière 405 au contact de la grille arrière 400, chacune de ces électrodes étant configurée pour pouvoir recevoir l’application d’une tension. Ces électrodes sont typiquement des couches métalliques déposées au contact de chacune des zones dopées 110, 210 et grilles 101, 201, 400.
Plus précisément, on prévoit notamment que puissent être appliquées : une première tension de commande V 110 sur la première électrode 115, une deuxième tension de commande V 210 sur la deuxième électrode 215, une première tension de grille V G1 sur la première électrode 105, une deuxième tension de grille V G2 sur la deuxième électrode 205, une tension de grille arrière V BG sur l’électrode de grille arrière 405.
De préférence, toutes les électrodes 115, 215, 105, 205 et 405 sont accessibles – c’est-à-dire que des tensions peuvent leur être appliquées –depuis une même face dite face avant du dispositif 1. Dans cette optique, la grille arrière 400 fait avantageusement saillie par rapport à la couche diélectrique 300 de sorte à permettre une reprise de contact de ladite grille arrière 400 depuis la face avant du dispositif 1. La couche diélectrique 300 peut en outre, au niveau de cette reprise de contact, présenter une surépaisseur. Cette surépaisseur correspond typiquement à la somme de l’épaisseur e 300 de la couche diélectrique 300 et de l’épaisseur e 10 de la couche active 10. L’électrode de grille arrière 405 se trouve alors de niveau selon la direction z avec la première électrode 115 et la deuxième électrode 215. Cela permet de faciliter leur fabrication simultanée. On prévoit alors avantageusement la présence d’au moins une tranchée d’isolation peu profonde (couramment désignée STI, acronyme anglais de « Shallow Trench Isolation ») permettant d’isoler électriquement la grille arrière 400 de la couche active 10.
Ainsi, le comportement du dispositif 1 peut être contrôlé au niveau de cinq points de commande. Les transistors FDSOI, couramment utilisés dans l’industrie microélectronique, qui présentent une unique grille en face avant, ne peuvent être contrôlés qu’au niveau de quatre points de commande (drain, source, grille avant, grille arrière, visibles sur la ). Grâce à ce point de commande supplémentaire, il est possible de contrôler plus finement le comportement électrique du dispositif 1 par rapport à un transistor FDSOI classique. Cela confère également au dispositif 1 des fonctionnalités supplémentaires et permet de l’utiliser pour d’autres applications, comme cela sera détaillé plus avant.
La première tension de commande V 110 et la deuxième tension de commande V 210 constituent pour le dispositif 1 respectivement une tension de drain V D et une tension de source V S , ou inversement. Plus précisément : Si la première zone dopée 110 constitue la première source et la troisième zone dopée 210 le deuxième drain, alors la première tension de commande V 110 constitue la tension de source V S du dispositif 1 et la deuxième tension de commande V 210 constitue la tension de drain V D du dispositif 1. Ce cas de figure est envisagé à la . Si la première zone dopée 110 constitue le premier drain et la troisième zone dopée 210 la deuxième source, alors la première tension de commande V 110 constitue la tension de drain V D du dispositif 1 et la deuxième tension de commande V 210 constitue la tension de source V S du dispositif 1. Ce cas de figure est envisagé à la .
En fonction du type des transistors 100, 200 (n-MOS, p-MOS, TFET), donc du type de dopage des zones dopées 110, 120, 210 et 220, le fonctionnement du dispositif 1 s’apparente lui-même au fonctionnement d’un transistor de type n-MOS, p-MOS ou TFET. Dans l’exemple illustré à la , le premier transistor 100 est un transistor du type n-MOS, le deuxième transistor 200 est du type p-MOS, la source du dispositif 1 se trouve au niveau de la première zone dopée 110, qui est ici une zone dopée N, et le drain au niveau de la troisième zone dopée 210, ici dopée P. Dans cette configuration, le dispositif 1 en fonctionnement aura donc un comportement de type n-TFET.
Dans l’exemple illustré à la , les transistors 100, 200 sont du même type que dans le mode de réalisation de la , mais les tensions de commande V 110 , V 210 appliquées sont telles que la source du dispositif 1 se trouve au niveau de la troisième zone dopée 210, ici dopée P, et que le drain se trouve au niveau de la première zone dopée 110, ici dopée N. Dans cette configuration, le dispositif 1 en fonctionnement aura un comportement de type p-TFET.
- un muscle procerus , ou pyramidal du nez situé à la racine du nez ;
- un muscle depressor supercilli s’insérant dans les couches profondes de la peau au niveau du sourcil ;
- des muscles orbiculaires de l’œil ou orbiculaire des paupières ou encore orbicularis oculi , recouvrant les paupières ;
- un muscle nasalis , ou muscle transversal du nez, i.e. un muscle triangulaire se trouvant sous le cartilage de l’aile du nez ;
- un muscle élévateur de l’aile du nez et de la lèvre supérieure, ou levator labii superioris alaeque nasi ;
- un muscle petit zygomatique, ou zygomaticus minor , longeant la joue et attaché à la lèvre supérieure ;
- un muscle grand zygomatique, ou zygomaticus major , longeant les pommettes et attaché à la commissure des lèvres ;
- un muscle releveur de la lèvre supérieure, ou levator labii superioris , se trouvant sur la face qui longe les ailes du nez ;
- un muscle depressor septi nasi , ou muscle abaisseur du septum nasal, situé en dessous de l’orifice narinaire entre la muqueuse et la structure musculaire de la lèvre ;
- un muscle levator anguli oris , ou muscle élévateur de l'angle de la bouche, i.e. muscle élévateur de la lèvre supérieure ;
- un muscle orbiculaire de la bouche, ou orbicularis oris , entourant la bouche ;
- un muscle masséter, ou masseter , i.e. un muscle de mastication ;
- un muscle depressor labii inferioris , ou muscle abaisseur de la lèvre inférieure, situé dans la partie latérale du menton ;
- un muscle depressor anguli oris , ou muscle abaisseur de l’angle de la bouche ;
- un muscle mentalis , ou muscle mentonnier, petit muscle au centre du menton ;
- un muscle compressor narium minor , petit muscle de l'expression faciale ;
En variante non représentée, le module d’entrainement 40, le module de détermination 42, et le module d’activation 44, ainsi qu’en complément facultatif le module d’évaluation 46, sont réalisés chacun sous forme d’un composant logique programmable, tel qu’un FPGA (de l’anglais Field Programmable Gate Array ), ou encore d’un circuit intégré, tel qu’un ASIC (de l’anglais Application Specific Integrated Circuit ).
Lorsque le dispositif d’assistance 30 est réalisé sous forme d’un ou plusieurs logiciels, c’est-à-dire sous forme d’un programme d’ordinateur, également appelé produit programme d’ordinateur, il est en outre apte à être enregistré sur un support, non représenté, lisible par ordinateur. Le support lisible par ordinateur est par exemple un medium apte à mémoriser des instructions électroniques et à être couplé à un bus d’un système informatique. A titre d’exemple, le support lisible est un disque optique, un disque magnéto-optique, une mémoire ROM, une mémoire RAM, tout type de mémoire non-volatile (par exemple EPROM, EEPROM, FLASH, NVRAM), une carte magnétique ou une carte optique. Sur le support lisible est alors mémorisé un programme d’ordinateur comprenant des instructions logicielles.
Le module d’entrainement 40 est configuré pour indiquer, sous forme d’au moins une instruction, au moins un exercice facial 34 à réaliser par l’utilisateur 16, chaque exercice facial 34 comportant au moins une expression de visage à reproduire par l’utilisateur 16. L’instruction est par exemple une instruction visuelle, telle qu’une image 32 ou une succession d’images 32 représentant une expression de visage à reproduire par l’utilisateur 16 ; ou une instruction sonore, telle qu’un message vocal décrivant l’expression de visage à reproduire par l’utilisateur 16 ; ou encore une instruction visuelle et sonore, telle qu’une ou plusieurs images d’expression de visage 32 à reproduire par l’utilisateur 16 combinée(s) avec un message vocal associé.
Le module d’entrainement 40 est par exemple configuré pour afficher sur l’écran d’affichage 22 une ou plusieurs images d’expression de visage 32 représentant au moins un exercice facial 34 à réaliser par l’utilisateur 16, chaque exercice facial 34 comportant au moins une expression de visage à reproduire par l’utilisateur 16.
Le module d’entrainement 40 est par exemple configuré pour indiquer l’au moins un exercice facial 34 sur réception d’une requête de l’utilisateur 16, c’est-à-dire sur demande de l’utilisateur 16. La requête de l’utilisateur 16 est par exemple effectuée sous forme d’un appui tactile sur un icone représentatif de la fonctionnalité de mise en œuvre d’exercice(s) facial(aux).
En variante ou en complément, le module de détermination 42 est configuré pour déterminer régulièrement la tension des muscles faciaux de l’utilisateur 16, et le module d’activation 44 est configuré pour proposer automatiquement l’activation du module d’entrainement 40 pour indiquer l’au moins un exercice facial 34 si ladite tension est supérieure à un seuil de déclenchement.
L’homme du métier comprendra que le seuil de déclenchement est généralement une valeur prédéfinie de la tension des muscles faciaux. Cette valeur prédéfinie de la tension des muscles faciaux est typiquement une valeur caractéristique d’un niveau de stress de l’utilisateur 16 au-delà de laquelle il est utile de proposer à l’utilisateur 16 de réaliser au moins un exercice facial 34, afin de se détendre, notamment de diminuer la tension de ses muscles faciaux.
En variante ou en complément encore, le module d’activation 44 est configuré pour proposer l’activation du module d’entrainement 40 en un instant temporel prédéfini, tel qu’un instant correspondant à un agenda d’exercice spécifique.
En complément facultatif, le module d’entrainement 40 est configuré pour indiquer successivement plusieurs exercices faciaux 34 à réaliser par l’utilisateur 16. Selon ce complément facultatif, le module d’évaluation 46 est de préférence configuré pour évaluer successivement chaque réalisation d’exercice facial 34 effectuée par l’utilisateur 16.
L’exercice facial 34 comporte une seule expression de visage, indiquée sous forme d’une seule instruction, telle qu’une seule image d’expression de visage 32 affichée par le module d’entrainement 40 sur l’écran d’affichage 22, l’expression de visage étant destinée à être reproduite ensuite par l’utilisateur 16 ; ou bien une pluralité d’expressions de visage 32 distinctes les unes des autres, indiquées sous forme d’une pluralité d’instructions, telle qu’une pluralité d’images d’expression de visage 32 distinctes les unes des autres, affichées par le module d’entrainement 40 sur l’écran d’affichage 22, les expressions de visage étant destinées à être reproduites ensuite successivement par l’utilisateur 16.
Lorsque l’exercice facial 34 comporte une pluralité d’expressions de visage, le module d’entrainement 40 est par exemple configuré pour indiquer lesdites expressions de visage de manière successive, avec de préférence une temporisation prédéfinie entre les instants temporels successifs de début d’indication de deux instructions successives correspondant à deux expressions de visage successives. L’homme du métier comprendra alors que la temporisation correspond par exemple à la durée pendant laquelle chaque image 32 est affichée. La temporisation prédéfinie est typiquement de l’ordre de quelques secondes, par exemple de 2 à 15 secondes, afin de permettre à l’utilisateur 16 d’avoir suffisamment de temps pour prendre connaissance de chaque nouvelle expression de visage à reproduire ensuite par lui-même.
Dans l’exemple de la , trois exercices faciaux 34 sont représentés, chaque exercice facial 34 correspondant à une rangée de cinq images d’expression de visage 32. L’homme du métier observera que le premier exercice facial 34 correspondant à la première rangée de cinq images d’expression de visage 32, à savoir la rangée supérieure à la , vise à exercer des muscles faciaux supérieurs, disposés autour des yeux de l’utilisateur 16. Les deuxième et troisième exercices faciaux 34 correspondant aux deuxième et troisième rangées d’images d’expression de visage 32, à savoir la rangée intermédiaire et la rangée inférieure à la , visent quant à eux à exercer des muscles faciaux inférieurs, disposés autour de la bouche de l’utilisateur 16.
Les muscles faciaux, ou muscles du visage, sont un groupe de muscles striés innervés par le nerf facial (nerf crânien VII) qui, entre autres choses, contrôlent les expressions faciales. Ces muscles sont également appelés muscles mimétiques.
Les muscles faciaux comprennent généralement :
- un muscle frontal, ou occipito-frontal, ou encore frontalis , recouvrant le front avec de longues fibres ;
- un muscle temporalis , ou temporal, attirant la mandibule vers le haut et l'arrière en refermant la mâchoire ;
La traverse supérieure de coffre 13 comprend également une face de dessous de traverse supérieure de coffre 134 qui forme la face de dessus de l’emplacement 19 adapté pour la réception du panneau de matériau isolant 17 ; cette face de dessous de traverse supérieure de coffre134 s’étend ici selon une pente b descendante (de l’ordre de 8 à 10°), depuis l’espace extérieur E vers l’espace intérieur I (lorsque le coffre de volet roulant 1 est en situation, c’est-à-dire posé dans la baie de bâtiment B).
La traverse supérieure de coffre 13 comprend encore une bordure d’extrémité de traverse supérieure 135 orientée du côté de l’espace intérieur I, munie d’une structure d’emboitement élastique 136 dont la fonction est détaillée plus loin dans la description.
La pente b permet de rigidifier la structure de la traverse supérieure de coffre 13. La pente a précitée du chant supérieur 173 du panneau de matériau isolant 17 est adaptée pour épouser au mieux cette pente b de la face de dessous de traverse supérieure de coffre 134.
De son côté, la traverse inférieure de coffre 14 comprend :
- une lumière longitudinale 141 adaptée pour le passage du tablier du volet roulant D,
- une structure d’emboitement 142, destinée à coopérer avec une structure d’emboitement complémentaire 162 ménagée sur la bordure inférieure de la trappe amovible 16, pour assurer une solidarisation amovible entre les deux,
- une face de dessus de traverse inférieure 143 qui forme la face de dessous de l’emplacement 19 adapté pour la réception du panneau de matériau isolant 17, et qui est prolongée ici à l’équerre par un retour frontal de traverse inférieure 144.
Le coffre de volet roulant 1 est assemblé en usine avec la menuiserie 2 de type porte ou fenêtre pour former la structure de menuiserie 3 de type « bloc baie » telle qu’illustrée sur la .
Pour cela, la menuiserie 2 comprend une traverse supérieure de menuiserie 21 ; et le coffre de volet roulant 1 est fixé sur cette traverse supérieure de menuiserie 21 par l’intermédiaire d’une cornière de fixation 23 au moyen de vis de fixation 24.
Comme on peut le voir sur la notamment, la face de dessus 25 de la traverse supérieure de menuiserie 21 comprend une aile en saillie 26, orientée verticalement vers le haut.
Une face 26a de cette aile en saillie 26 s’étend à distance et parallèlement au retour frontal de traverse inférieure 144 du coffre de volet roulant 1, définissant ensemble un logement d’encastrement 27, destiné à l’encastrement de la languette de panneau isolant 176.
L’autre face 26b de l’aile en saillie 26 définit, avec une partie frontale 28 horizontale de la traverse supérieure de menuiserie 21 une feuillure de traverse supérieure 29.
Le panneau de matériau isolant 17 monobloc est positionné dans son emplacement 19, de préférence de manière ajustée pour optimiser les caractéristiques d’isolation, avec :
- sa face arrière 171 en appui contre la trappe amovible 16 (préalablement positionnée dans son emplacement 16a),
- son chant supérieur 173 en appui contre la face de dessous de traverse supérieure de coffre 134, et
- son chant inférieur 174 en appui contre la traverse inférieure 14, la face 175a de la feuillure 175 venant en appui contre la face de dessus de traverse inférieure 143, et la face 175b de la feuillure 175 venant en appui contre le retour frontal de traverse inférieure 144.
Selon un mode de réalisation, l’élément lithiophile est choisi parmi le silicium, l’argent, le zinc et le magnésium, de préférence le silicium.
Ledit composé comprenant un tel élément peut être un élément pur tels que ceux mentionnés ci-dessus, ou une molécule ou alliage comprenant un tel élément.
Le composé comprenant un tel élément est donc également dit « lithiophile ».
Le composé comprenant au moins un élément formant des alliages avec le lithium peut être choisi parmi les métaux choisis parmi Mg, Si, Zn, Ag, Al, Sn, Bi, sous forme de corps pur, ou d’oxydes, sulfures, nitrures, oxysulfures, iodures, fluorures, ou sels de ces métaux tels que nitrates, sulfates, phosphates, et leurs mélanges.
Selon un mode de réalisation, ledit composé est sous forme de poudre, notamment de poudre nanométrique, c’est-à-dire de poudre dont les particules ont un diamètre nominal (ou équivalent) inférieur à 100 nm environ (Institut national de recherche et de sécurité (INRS), Les nanomatériaux , Paris, juin 2008).
On entend ici par « liant », les polymères permettant de conférer à la couche la cohésion des différents composants et sa tenue mécanique sur le substrat. On peut ainsi citer à titre de liants les liants polymériques tels que le polyéthylène oxyde (PEO), le polyfluorure de vinylidène (PVDF) et ses copolymères tels que le copolymère de polyfluorure de vinylidène et hexafluoropropylène (PVDF-HFP).
La couche de surface peut comprendre outre le composé lithiophile et le liant polymérique, d’autres ingrédients. Ainsi, selon un mode de réalisation, ladite couche de surface peut comprendre en outre du carbone, par exemple sous forme de poudre fine de carbone, ou nanofibre ou nanotubes de carbone.
Selon un mode de réalisation, la couche de surface peut également comprendre des traces de solvants par exemple des traces de solvants résiduels du procédé de préparation.
Le substrat est un support généralement solide, organique ou inorganique. Il est conducteur ionique du lithium. La conductivité ionique définit la capacité du substrat à laisser transiter les ions lithium.