INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Dans le cadre de l’invention, la vanne de recyclage V2 peut être une vanne tout ou rien ou plus préférentiellement une vanne à ouverture et fermeture proportionnelles. De même, la vanne d’évacuation V3 peut être une vanne tout ou rien ou plus préférentiellement une vanne à ouverture et fermeture proportionnelles.
Les vannes V2 et V3 sont de préférence des électrovannes ou des vannes pneumatiques ou hydrauliques.
Le terme « matériau rigide ou semi-rigide » signifie un matériau dont le module de Young est supérieur à 10 MPa.
Les termes appareil, appareil de test, appareil de test d’échantillon, appareil d’analyse par PCR sont utilisés indifféremment pour désigner l’appareil d’analyse d’échantillon par PCR.
Le terme matériau hydrophile signifie un matériau dont l’angle de contact d’avancé d’une goutte d’eau pure sur un surface plane constitué par ce matériau est inférieure à 90°.
L’invention sera mieux comprise à l’aide des exemples de réalisation suivants, donnés à titre non limitatif, conjointement avec les figures qui représentent
Les figures 1a et 1b, une vue de dessus et de dessous de la puce échantillon selon l’invention.
La , une vue de dessus de la puce échantillon des figures 1a et 1b sans les films de protection et de scellement.
La , une vue en coupe de la partie active de la puce selon l’axe A-A de la .
La , une vue de détail C de l’orifice d’entrée de la .
La , une vue en coupe de la partie active de la puce selon l’axe B-B de la .
La , une vue éclatée de la puce selon l’invention avant collage des éléments de la partie active de la puce.
Les figures 6a-c montrent les différentes étapes de collage de la fenêtre et de la partie métallique pour réaliser la partie active de la puce.
Les figures 7a-c montrent une vue schématique de la puce en combinaison avec l’appareil de test.
La , des courbes représentant le signal de fluorescence de différents échantillons (RFU en ordonnées) en fonction du nombre de cycles (en abscisses).
Les figures 9a-e, le procédé d’utilisation de la puce selon l’invention.
Sur ces figures les mêmes éléments portent les mêmes références.
Sur les figures 1a et 1b, la puce échantillon selon l’invention est représentée selon un mode préférentiel de réalisation sous la forme d’une plaquette rectangulaire 10. Cette plaquette de forme parallélépipédique 10 en matériau opaque a une longueur égale à environ cinq fois sa largeur sur la figure (de préférence entre 50x10 mm (et une épaisseur d’au moins 1 mm) et 200x100 mm (et une épaisseur d’au plus 10 mm)). Elle est pourvue dans sa partie active 13, (partie gauche de la figure) d’une ouverture 16 (voir ) sensiblement carrée entourée d’un cadre opaque 1 dans laquelle est logée une fenêtre transparente 2 (voir ). Celle-ci est pourvue de deux orifices 50 et 51 respectivement un orifice d’entrée 50 permettant l’introduction l’échantillon liquide et un orifice de sortie 51 pour l’évacuation de l’atmosphère présente dans la chambre 4 situées sur une diagonale de la fenêtre 2 et communiquant avec la chambre 4 (voir figures 3 et 4) pourvue de guides capillaires 12 ( ). Dans le prolongement et dans le même plan que le cadre 1 se trouve la languette 9 munie sur l’un de ses cotés d’une encoche 8 servant de moyen de détrompage lors de l’introduction de la plaquette rectangulaire 10 dans l’appareil de test, non représenté sur la figure. Sur les figures 1a et 1b, sont respectivement représentées les vues de dessus et de dessous de la puce échantillon, et sur la une vue agrandie de la partie active 13 de la puce sans les films de protection 60 et de scellement 6. Sur la , une plaque métallique 3 est logée dans l’ouverture 16 ( ), fermant ainsi la partie active 13 de la puce échantillon. Cette plaque métallique 3, dans le prolongement de la languette 9, sera légèrement en relief (au-dessus) par rapport à la languette 9 afin de réaliser un bon contact thermique et mécanique avec l’élément de thermalisation 21 ( -c).
Équation 14 : [Math 15]
L'équation suivante 15 exprime la formule de décodage de la valeur d'exposant exp dans le format Modified Posit : [Math 16]
Dans le format MP, une fois que l'exposant est obtenu à partir de l'équation 15 précédente, les valeurs et lzoc_max sont exprimées par les équations suivantes 16 et 17 : [Math 17] Par exemple, les codages d'exposant biaisés et non biaisés sont tous deux pris en charge et, dans le cas où le biaisé est utilisé, la valeur de biais est , alors que, sinon, pour un codage d'exposant à complément à deux, bias=0. [Math 18]
L'équation suivante 18 fournit la valeur du maximum absolu lzoc, qui représente la valeur lzoc qui ne peut pas être dépassée : [Math 19]
Définition 14 : Dans le format Modified Posit, les paramètres sont choisis de sorte qu'il y ait toujours au moins 1 bit de mantisse.
Définition 15 : Dans le format Modified Posit, lorsque la taille des bits de régime (RB), lzoc, est égale à lzoc_max (équation 17), le bit de fin (TB) disparaît.
Dans le format MP, l'exposant maximal exp_max est obtenu, conformément à l'équation 19 ci-dessous, en utilisant l'équation 15 avec deux modifications : 1) lzoc est substituée dans la limite supérieure de la somme par lzoc_max (équation 17) ; et 2) la contribution +e dans l'équation 15 est retirée. [Math 20]
L'exposant minimum exp_min est donné par l'équation 20 suivante : [Math 21]
A partir des définitions 14 et 15 , des valeurs particulières sont codées comme l'illustre le tableau 5 : [Table 5] Tableau 5 : Codages particuliers Modified Posit
La représente des exemples de conversion de deux valeurs A et B sur la base du format Modified Posit, où A : K= 4 et S=1 ; et B : K=2 et S=1.
Dans la valeur A, la taille de RB est 1 bit, (deuxième bit en partant de la gauche). Par conséquent, la taille de l'exposant explicite (quatrième au septième bits) est égale à 4 ( définition 13 , équation 14 ). La valeur d'exposant finale est donnée par deux contributions (équation 15) : 1) la valeur de la somme, qui dépend de la taille du champ de RB, lzoc ; et 2) la valeur dans le champ d'exposant explicite.
Dans la valeur A, la valeur de la somme est 0, alors que l'exposant explicite est égal à 10. Dans la valeur A, l'exposant final est égal à 10. La valeur finale MP peut être calculée en utilisant l'équation 16.
Dans la valeur B, la taille de RB est 2 bits (deuxième et troisième bits en partant de la gauche). Par conséquent, la taille de l'exposant explicite (cinquième à septième bits) est égale à 3 (équation 14). Les deux contributions d'exposant sont : -12 pour la somme et 5 à partir du champ d'exposant explicite. Dans la valeur B, l'exposant final est égal à -7. De nouveau, la valeur finale MP peut être calculée avec l' équation 16 .
La est un graphe représentant une longueur de bits d'exposant (EXP. BIT-LENGTH) en fonction de la valeur d'exposant (EXPONENT VALUE) pour les quatre formats FP différents : double (DOUBLE), float (FLOAT), Posit avec ES=2 (POSIT) et le format Modified Posit avec des paramètres K = 1 et S = 1. On notera que le format MP utilise moins de bits pour représenter le même champ d'exposant que le format Posit. Par conséquent, le format MP peut être considéré comme plus précis que le format Posit.
La est un graphe représentant une longueur de bits d'exposant (EXP. BIT-LENGTH) en fonction de la valeur d'exposant (EXP. VALUE) pour les six formats FP : - IEEE-Like avec ES=7 (IEEE-LIKE) ; - Posit avec ES = 2 (POSIT) ; - UNUM avec ESS=3 (UNUM) ; - Custom Posit avec ES=2 et ES_MAX_DYNAMIC=7 (PCUST) ; - Not Contiguous Posit avec ES_IEEE)=8, ES_POSIT=2 (NCP) ; et - Modified Posit avec K=1, S=1 (MP).
Format binaire à nombres G De nouveau en se référant aux figures 1 et 2 , le format FP utilisé dans les fichiers de registres 104, 114 est par exemple un format ayant au moins trois champs séparés : un champ de signe, un champ d'exposant et une partie de fraction. Un exemple d'un format conçu de cette façon est le format binaire à nombres g, décrit plus en détail dans la publication de Schulte “A family of variable-precision interval arithmetic processors”, IEEE Transactions on Computers, Volume: 49, Numéro du 5 mai 2000.
A l'issue de cette étape, bien que cela ne soit pas représenté, chaque puce 103 est reportée sur la face supérieure d'un substrat de report 107, par exemple au moyen d’un outil de prélèvement et placement (pick and place), de sorte que la face 105 portant le premier élément d'antenne 101a soit sensiblement orthogonal au substrat de report 107. A titre d'exemple, la puce 103 est fixée sur le substrat de report 107 par l'intermédiaire d'un film adhésif, de colle ou d'un matériau de brasure. A titre d’exemple, la deuxième piste conductrice 111b et le joint de soudure 115 sont déposés successivement après le report et la fixation de la puce d’antenne 103 sur la face de connexion du substrat de report 107.
Le joint de soudure 115 est par exemple formé par projection de billes de soudure au laser (laser solder ball jetting).
La et la illustrent respectivement par une vue en perspective et une vue en coupe, partielles et schématiques, un exemple de dispositif électronique 300 comportant une antenne 301 selon un deuxième mode de réalisation, la étant une vue en coupe selon le plan de coupe B de la .
Le dispositif 300 des figures 3A et 3B comprend des éléments communs avec le dispositif 100 des figures 1A et 1B. Ces éléments ne seront pas détaillés à nouveau ci-après. Le dispositif 300 des figures 3A et 3B diffère du dispositif 100 des figures 1A et 1B essentiellement en ce que, dans le dispositif 300, la puce d’antenne 103 du dispositif 100 est remplacée par une puce d’antenne 303. La puce 303 comprend les mêmes éléments que la puce 103 du dispositif 100, agencés sensiblement de la même manière. La puce 303 diffère de la puce 103 en ce qu’elle comprend en outre un deuxième élément d’antenne 301b sur une autre face de la puce 303. A titre d'exemple, la puce 303 comprend une antenne 301 formée par l'association des premier 101a et deuxième 301b éléments d'antenne. En figures 3A et 3B, le deuxième élément d'antenne 301b est formé sur une face 321 correspondant à la face supérieure de la puce 303 dans l'orientation des figures 3A et 3B ou, en d'autres termes, à la face de la puce 303 opposée à la face 109.
Le deuxième élément d'antenne 301b est par exemple formé sur et en contact avec la puce 303. Le deuxième élément d'antenne 301b est connecté, par exemple relié, au premier élément d'antenne 101a par un joint de soudure 323.
Le deuxième élément d'antenne 301b est, par exemple, en le même matériau que le premier élément d'antenne 101a. A titre d'exemple, le deuxième élément d'antenne 301b a la même forme et la même taille que le premier élément d'antenne 101a. En d'autres termes, les premier 101a et deuxième 301b éléments d'antenne comportent des lignes conductrices de même longueur, de même largeur et dont l'espacement entre deux lignes successives est similaire. Le deuxième élément d'antenne 301b est, par exemple, formé après l'étape de report de la puce 303 sur le substrat de report 107. A titre d'exemple, le deuxième élément d'antenne 301b est formé par dépôt localisé d’un matériau conducteur, par exemple une encre conductrice, sur la face supérieure du substrat 117, éventuellement suivi d’un frittage. Le dépôt localisé est par exemple mis en oeuvre par impression jet d’encre, ou par toute autre méthode adaptée de dépôt localisé d’un matériau conducteur sur un substrat.
A titre d'exemple, le joint de soudure 323 est déposé à l'issue de l'étape de formation du deuxième élément d'antenne 301b. A titre d'exemple, le joint de soudure 323 est similaire au joint de soudure 115 par sa composition, sa taille et son procédé de dépôt. A titre d'exemple, les joints de soudure 115 et 323 sont déposés au sein d'une seule et même étape.
La et la illustrent respectivement par une vue en perspective et une vue en coupe, partielles et schématiques, un exemple de dispositif électronique 400 comportant une antenne 401 selon un troisième mode de réalisation, la étant une vue en coupe selon le plan de coupe B de la .
Le dispositif 400 des figures 4A et 4B comprend des éléments communs avec le dispositif 300 des figures 3A et 3B. Ces éléments ne seront pas détaillés à nouveau ci-après. Le dispositif 400 des figures 4A et 4B diffère du dispositif 300 des figures 3A et 3B essentiellement en ce que, dans le dispositif 400, la puce d’antenne 303 du dispositif 300 est remplacée par une puce d’antenne 403. La puce 403 comprend les mêmes éléments que la puce 303 du dispositif 300, agencés sensiblement de la même manière. La puce 403 diffère de la puce 303 en ce qu’elle comprend en outre un troisième élément d’antenne 401c sur une face de la puce 403. Le troisième élément d'antenne 401c est, par exemple, formé sur une face 425 correspond à la face latérale de la puce 403, opposée à la face 105. A titre d'exemple, la puce 403 comprend une antenne 401 formée par l'association des premier 101a, deuxième 301b et troisième 401c éléments d'antenne.
Le troisième élément d'antenne 401c est, par exemple, formé sur et en contact avec une couche de protection 426, située au niveau de la face 425 de la puce 403. Plus précisément, l’élément d’antenne 401c est, par exemple, formé sur et en contact avec la face de la couche de protection 426 opposée au substrat de la puce. La couche de protection 426 est, par exemple, similaire à la couche de protection 106 située au niveau de la face 105 de la puce 403. Si la couche de protection 426 est omise, le troisième élément d'antenne 401c est par exemple formé sur et en contact avec le substrat de la puce 403. Le troisième élément d'antenne 401c est connecté, par exemple relié, au deuxième élément d'antenne 301b formé sur la face 321 de la puce 403 par exemple par un joint de soudure 427.
Le troisième élément d'antenne 401c est, par exemple, en le même matériau que les premier 101a et deuxième 301b éléments d'antenne et est, par exemple de même taille que ces derniers. En d'autres termes, les premier 101a, deuxième 301b et troisième 401c éléments d'antenne comportent des lignes conductrices de même longueur, de même largeur et dont l'espacement entre deux lignes successives est similaire.
A titre d'exemple, le joint de soudure 427 est similaire aux joints de soudure 115 et 323 par sa composition et sa taille.
La , la et la sont des vues en coupe, illustrant de façon partielle et schématique, des étapes successives d'un exemple de procédé de fabrication du dispositif 400 illustré en figures 4A et 4B selon un mode de réalisation.
Le dispositif 400 est fabriqué à partir d'une structure illustrée en similaire à la structure illustrée en , la structure illustrée en comportant, le substrat 117, revêtue sur une face 105, d'une couche de protection 106 et de premiers éléments d'antenne 101a formés sur la face 105.
Le procédé de fabrication du dispositif 400 illustré en figures 4A et 4B est similaire au procédé de fabrication du dispositif 100 illustré en et 2B à la différence près qu'il comprend des étapes de formation des éléments d'antenne 301b.
A partir de la structure illustrée en , la couche de protection 426 est déposée sur une face du substrat 117, correspondant, à l'issue du procédé de fabrication du dispositif 400, à la face 425 de la puce 403. A titre d'exemple, la couche 426 est déposée avant la formation des premiers éléments d'antenne 101a sur la couche 106. A l'issue de la formation des couches de protection 106 et 426 et de la formation des premiers éléments d'antenne 101a, la structure correspond à celle représentée en , la structure de la étant retournée par rapport à la structure de la .
• gène sfGFP exprimé de manière constitutive.
L'ordre des composants :
Gène de résistance à la kanamycine, pBBR1-msc2, oriT provenant du plasmide RP4, araC, promoteur pBad, séquence de Cas3 de Type I-E d’ E. coli , séquence de Cascade, terminateur de S. pyogenes, promoteur de rhamnose, matrice comprenant un espaceur pouvant s'hybrider à la séquence sfGFP, rmtB (gène de l’ARNr 16S méthylase) qui confère une résistance à l'amikacine et à la gentamicine, gène sfGFP
Procédés, clonage :
• Squelette
Le p1075 contenant le réplicon pBBR1 et le système CRISPR/Cas, a été utilisé comme trame pour le clonage du gène sfGFP, le terminateur de S. pyogenes après la Cas3 de Type I-E et la Cascade d’ E. coli , la matrice CRISPR avec cible sfGFP et le promoteur de rhamnose pour contrôler la matrice CRISPR avec cible sfGFP (voir carte plasmidique ).
• Transformation, sélection et vérification de séquence
Technique de transformation : La construction finale (p1364) est électroporée à la souche d'intérêt (cellules NEB 10-bêta pour le clonage ou souche JKE201 pour conjugaison supplémentaire). Les colonies correctes sont sélectionnées sur 3 marqueurs antibiotiques (kanamycine, gentamicine, amikacine), les colonies auront une couleur verte distinctive (due à l'expression de la GFP) et avec confirmation en utilisant une PCR de colonie avec les amorces spécifiques de construction.
La vérification de la séquence est effectuée en soumettant le plasmide purifié à un séquençage avec des amorces spécifiques à la construction pour couvrir l'ensemble de la construction.
Voir la pour une carte plasmidique mettant en évidence les principaux composants du plasmide final, p1364.
EXEMPLE 2 : Distribution conjugative à partir de la souche donneuse d' E. coli JKE201 à la souche receveuse d' E. coli b52
Procédés :
La souche JKE201 a été transformée avec du p1364 et un clone positif a été sélectionné sur des plaques LB à kanamycine (additionnées de DAP) et ensuite vérifié par le signal de positivité à la GFP. Une colonie de la souche donneuse JKE201/p1364 transformée ainsi que la souche receveuse b52 (souche C-1a-CGSC, obtenue auprès du Coli Genetic Stock Center) ont été cultivées en phase exponentielle dans du LB liquide (JKE201 additionnée de DAP). Les deux cultures ont ensuite été mélangées à 5:1 (JKE201/p1364 : b52) et déposées par points gélose LB solide pour incuber pendant la nuit.
Après conjugaison pendant une nuit, le mélange a été retiré par grattage et dissous dans du LB liquide et étalé sur des plaques de LB contenant de la kanamycine mais sans DAP pour sélectionner uniquement les transconjugants b52. Ceux-ci ont été dénombrés par rapport au décompte total de receveurs sur des plaques LB.
Le p1364 se transfère à haute fréquence dans la souche modèle b52. La montre le nombre de transconjugants formés à la suite du transfert de RP4 oriT sur p1364 et l'absence résultante de transconjugants lorsqu’oriT est absente.
Le second capteur C2 installé à la sortie du boîtier papillon 9 mesure la pression de l’air à cet endroit et fournit un signal de pression P2 correspondant.
Le troisième capteur C3 est installé au niveau de la vanne 51 en sortie du déshuileur 4 pour y mesurer la pression et fournir le signal P3 correspondant. Le capteur C3 associé à la vanne 51 peut être installé en amont ou en aval de celle-ci.
Les signaux de pression P1-3 des capteurs C1-3 sont transmis à la machine d’apprentissage LMx qui reçoit également des signaux représentant le régime R et la charge CH du moteur à combustion interne Mx. Par définition, le régime R est la vitesse de rotation du moteur et la charge CH est la quantité de carburant introduite à chaque cycle du moteur.
La machine d’apprentissage LMx surveille la conduite de retour 5 et émet un signal de défaut SD dès qu’elle constate un triplet de pressions T (P1-3) associé à la fuite-limite SE et signifiant qu’une fuite égale à la fuite-limite SE est atteinte pour avertir le conducteur de la nécessité de remédier à cette fuite ou éventuellement l’arrêt programmé du moteur.
L’apprentissage de la machine LMx équipant le moteur à combustion interne Mx de série d’un véhicule se fait avec un système de détection modèle 100a combiné à un moteur de test Ma identique aux moteurs Mx de série qui équipent une gamme de véhicules.
Le système de détection 100X encore appelé système de détection "courant", ayant la même structure que le système de détection modèle 100a, les composants des deux systèmes portent les mêmes références sauf que la machine d’apprentissage dite machine d’apprentissage courante porte la référence LMx et celle du système modèle 100a porte la référence LMa.
Selon la , le système modèle 100a est appliqué à un moteur Ma représenté par un unique cylindre 1 avec un carter moteur 2 relié par une conduite de gaz de carter 3 à un déshuileur 4 lui-même relié par une vanne 51 (vanne PCV selon la terminologie usuelle) à une conduite de retour 5 des gaz de carter déshuilés. Cette conduite 5 est reliée à la conduite d’admission 6 entre le filtre à air 7 et le turbocompresseur 8. La sortie du compresseur 8 est reliée à un boîtier papillon 9 dont la sortie est reliée par la tubulure 10 à la chambre de combustion du moteur 1.
La sortie du turbocompresseur 8 est équipée d’un capteur de pression C1 qui y mesure la pression P1 et la tubulure 10 en aval du boîtier papillon 9 est équipée d’un capteur de pression C2 qui mesure la pression P2 dans la tubulure.
En amont ou en aval de la vanne 51 la conduite de retour 5 est équipée d’un capteur de pression C3 qui fournit la pression P3.
L’entrée de la conduite 5 à l’entrée ou la sortie de la vanne 51 est un point de fuite portant la référence E1 ; le corps de la conduite 5 porte la référence E2 et la jonction de la conduite 5 avec la conduite d’alimentation porte la référence E3.
Les points de fuite E1, E2, E3 représentent des points de fuites potentielles de la conduite 5, à savoir la jonction aux points E1 et E3 et la structure de la conduite 5 entre ces points E1 et E3.
Aux points E1 et E3, la fuite peut résulter d’une défaillance de la jonction allant jusqu’à l’arrachement de la conduite de retour 5. Entre ses deux extrémités, la conduite 5 peut avoir des défauts d’étanchéité tels que des perçages, voire une rupture totale ; ces possibilités sont schématisées par le point de fuite E2.
Les points de fuite E1, E2, E3 sont équipés chacun d’un simulateur de fuite SF1, SF2, SF3 qui sont des dispositifs créant une fuite artificielle aux extrémités E1, E3 de la conduite de retour 5 et une fuite artificielle du corps E3 de la conduite de retour 5 pour servir à l’apprentissage de la machine LMa.
Les simulateurs de fuite SF1-3 sont des branchements sur la conduite de retour 5 aux points E1-E3 comportant chacun un trou calibré (MF1-3) choisi par le constructeur du moteur en fonction du débit de la fuite-limite imposée par la norme.
Pour l’apprentissage de la machine LMa, on réalise successivement à chaque point de fuite E1-3 quel que soit l’ordre, une fuite simulée par l’orifice calibré MF1-3 associé à chaque point de fuite E1-3.
On applique ensuite un champ moteur complet (régime R, charge CH) à cette fuite calibrée MF1 ou MF2 ou MF3 et on enregistre les pressions P1, P2, P3 mesurées par les capteurs C1, C2, C3 et qui correspondent à tout instant à un triplet de pressions T(P1, P2, P3) associé à cette fuite-limite MF1 ou MF2 ou MF3.
la représente schématiquement un convertisseur destiné à mettre en œuvre une conversion de Custom Posit en nombres G selon un exemple de mode de réalisation de la présente description ;
la représente schématiquement un convertisseur destiné à mettre en œuvre une conversion de nombres G en Not Contiguous Custom Posit selon un exemple de mode de réalisation de la présente description ;
la représente schématiquement un convertisseur destiné à mettre en œuvre une conversion de Not Contiguous Custom Posit en nombres G selon un exemple de mode de réalisation de la présente description ;
la représente schématiquement un convertisseur destiné à mettre en œuvre une conversion de nombres G en Modified Posit selon un exemple de mode de réalisation de la présente description ;
la représente schématiquement un convertisseur destiné à mettre en œuvre une conversion de Modified Posit en nombres G selon un exemple de mode de réalisation de la présente description ;
la représente schématiquement un exemple d'un circuit additionneur FP ; et
la représente schématiquement un circuit additionneur FP selon un exemple de la présente description.