INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Pour résoudre une telle problématique, il est connu de découpler le couvercle et le corps du boitier en intercalant un matériau élastique entre le corps et le couvercle du boitier. Une telle solution est par exemple décrite dans le document JP2020169572. Cette solution permet de faire baisser la fréquence de résonnance du couvercle, mais il s’avère que sur des boitiers d’onduleurs de groupes motopropulseurs électriques, cette fréquence de résonnance reste encore trop importante et les nuisances liées aux vibrations du couvercle sont encore gênantes.
L’invention vise à remédier à tout ou partie des inconvénients de l’état de la technique en proposant notamment une solution permettant d’éviter les phénomènes d’amplification des vibrations transmises par une partie d’un groupe motopropulseur électrique de véhicule (réducteur, machine électrique…) au boîtier d’un dispositif d’électronique de puissance de ce groupe motopropulseur électrique. Pour ce faire est proposé selon un premier aspect de l'invention, un boîtier pour un dispositif d’électronique de puissance d’un groupe motopropulseur électrique, par exemple pour un onduleur, le boîtier comprenant : - un fond, - un ensemble de parois périphérique définissant avec le fond un logement apte à recevoir les composants du dispositif d’électronique de puissance, - une couverture recouvrant ce logement, le boîtier étant caractérisé en ce que l’ensemble de parois périphérique comprend une première partie fixée au fond et une deuxième partie solidarisée ou solidarisable à la couverture, la couverture et la deuxième partie de l’ensemble de parois périphérique formant conjointement une masse reliée élastiquement à la première partie de l’ensemble de parois périphérique.
On entend par solidarisable l’aptitude à être solidarisé tout en étant par exemple amovible.
Ainsi, en comparaison avec la solution de l’art antérieur connue, on peut limiter davantage les phénomènes d’amplification des vibrations, en particulier lors des phases d’utilisation à faible régime et abaisser le niveau de vibration pour des régimes plus importants.
S’agissant d’un dispositif destiné à des moyens de transport telles que des automobiles, il est également avantageux que la solution proposée n’ajoute pas de masse et qu’elle soit d’un encombrement réduit. Ici, la masse oscillante utilisée pour filtrer les vibrations est empruntée aux parois du boitier en tant que tel et non à un élément extérieur rapporté assurant uniquement une fonction de filtration. La solution proposée ne génère donc pas de poids et d’encombrement supplémentaire.
L’invention peut comporter en outre une ou plusieurs des caractéristiques suivantes :
Selon un mode de réalisation, la couverture et la deuxième partie de l’ensemble de parois périphérique sont formés d’un seul tenant, notamment dans une même pièce.
Selon un mode de réalisation, la couverture et la deuxième partie de l’ensemble de parois périphérique sont formés sur deux pièces distinctes.
Selon un mode de réalisation, la couverture et la deuxième partie de l’ensemble de parois périphérique sont montés l’un sur l’autre de façon amovible.
Le cas échéant, lorsque la première partie et la deuxième partie ne sont pas amovibles, la couverture peut former un couvercle mobile.
la est un schéma–blocs représentant un mode de réalisation d'un procédé de modification de l'alimentation d'un écran d'affichage ;
la représente des chronogrammes de l'alimentation d'un écran d'affichage pendant l'affichage de données vidéo ;
la est une figure similaire à la et représente un autre mode de réalisation d'éléments du pixel d'affichage de la ;
la est une vue de dessus du pixel d'affichage représenté en ;
la représente un autre mode de réalisation d'un pixel d'affichage ;
la représente des chronogrammes de signaux pendant le fonctionnement du pixel d'affichage de la ;
la est une vue en coupe transversale très simplifiée d'un exemple d'un pixel d'affichage ;
la est une vue de dessous du pixel d'affichage de la ; et
la et la représentent chacune un schéma-blocs du pixel d'affichage de la .
Sauf précision contraire, lorsque l'on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires autres que des conducteurs, et lorsque l'on fait référence à deux éléments reliés (en anglais "coupled") entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés par l'intermédiaire d'un ou plusieurs autres éléments. En outre, un signal qui alterne entre un premier état stable, par exemple un état bas, noté "0", et un deuxième état stable, par exemple un état haut, noté "1", sera appelé "signal binaire". Les états haut et bas de différents signaux binaires d'un même circuit électronique peuvent être différents. En pratique, les signaux binaires peuvent correspondre à des tensions ou à des courants qui peuvent ne pas être parfaitement stables à l'état haut ou bas. En outre, dans la description suivante, la source et le drain d'un transistor MOS sont appelés "bornes de puissance" du transistor à effet de champ à grille isolée, ou transistor MOS.
En outre, sauf précision contraire, lorsqu'on parle d'une tension au niveau d'un plot conducteur, on considère la différence entre le potentiel au niveau dudit plot conducteur et un potentiel de référence, par exemple, la masse, prise comme étant égale à 0V.
La décrite ci-dessous représente une LED 100 selon un premier mode de réalisation de l’invention.
Dans la description ci-dessous, le terme « épaisseur » est utilisé pour désigner la dimension parallèle à l’axe Z représenté sur les figures 1 et 3, c’est-à-dire la dimension parallèle à la direction selon laquelle s’étendent les nanofils de la LED 100 dans le premier mode de réalisation, ou la direction d’empilement des différentes couches de la LED 100 dans le deuxième mode de réalisation.
La LED 100 comporte un substrat 102 sur lequel les autres éléments de la LED 100 sont disposés et servant de support mécanique à ces autres éléments. Dans ce premier mode de réalisation, le substrat 102 comporte par exemple du saphir. D’autres types de substrat peuvent être utilisés, comprenant par exemple un matériau semi-conducteur tel que du silicium. L’épaisseur de ce substrat 102 est par exemple égale à plusieurs centaines de microns.
Sur ces figures, la LED 100 comporte également une couche tampon 104 disposée sur le substrat 102. De manière avantageuse, la couche tampon 104 comporte de l’AlN ou de l’AlGaN ou encore du GaN. L’épaisseur de la couche tampon 104 est par exemple comprise entre environ 0,5 µm et 3 µm. Elle peut éventuellement être dopée électriquement et contenir d’autres éléments chimiques et notamment de l’Indium ou du Bore. Cette couche tampon favorise la croissance de la portion 106.
La LED 100 comporte, sur la couche tampon 104, une pluralité de nanofils s’étendant sensiblement dans le sens de l’épaisseur de la LED 100, c’est-à-dire selon une direction sensiblement perpendiculaire à la surface du substrat 102 sur laquelle la couche tampon 104 est formée. Sur la , tous les nanofils sont représentés comme étant perpendiculaires à la surface de la couche tampon 104 sur laquelle les nanofils sont réalisés. En pratique, ces nanofils peuvent ne pas être tous parfaitement perpendiculaires à cette surface de la couche tampon 104, et les angles formés entre la surface de croissance de ces nanofils et les directions de croissance de ces nanofils peuvent varier de plusieurs degrés, voire d’une dizaine de degrés ou plus. A titre d’exemple, le diamètre de chaque nanofil et la distance entre les axes de croissance de deux nanofils voisins, c’est à dire leur périodicité, peuvent être compris entre environ 100 nm et 300 nm. En outre, la LED 100 peut comporter un nombre de nanofils compris entre environ 1 million (pour une surface de 100x100 µm 2 ) et 10 millions (pour une surface de 300x300 µm 2 ), avec une densité moyenne par exemple égale à environ 100 fils/µm 2 sur le substrat 102.
Dans l’exemple de réalisation de la , chaque nanofil comporte une portion intermédiaire 106 de GaN dopé selon un premier type de conductivité (type n dans l’exemple de réalisation de la ). A titre d’exemple, l’épaisseur de la portion intermédiaire 106 est comprise entre environ 100 nm et 1 micron.
En variante, il est possible que les nanofils de la LED 100 ne comportent pas ces portions intermédiaires 106.
Dans chaque nanofil, la portion intermédiaire 106 est surmontée d’une portion 108, dite d’un premier type, d’Al X 1 Ga ( 1-X 1 -Y 1 ) In Y 1 N dopé selon le premier type de conductivité, avec X1 > 0 et X1+Y1 ≤ 1. Selon une réalisation avantageuse, le matériau de cette portion 108 comporte des atomes de soufre et/ou de silicium et/ou de germanium et/ou correspond à de l’AlN. A titre d’exemple, l’épaisseur de la portion 108 est comprise entre environ 100 nm et 1 µm.
Selon un exemple de réalisation, le dopage de type n des semi-conducteurs des portions 106, 108 est obtenu par incorporation d’atomes de silicium dans les semi-conducteurs des portions 106, 108, par exemple mis en œuvre lors des dépôts de semi-conducteur servant à réaliser ces portions. La concentration de dopants dans les semi-conducteurs des portions 106, 108 est par exemple comprise entre environ 10 1 6 at/cm 3 et 10 2 1 at/cm 3 .
La portion 108 de chaque nanofil est surmontée d’une portion émissive 110, ou portion active, d’AlN contenant des atomes de gallium et/ou d’indium. La proportion, ou concentration, d’atomes de Ga et/ou d’In dans l’AlN de la portion émissive 110 est inférieure à 30 % et par exemple comprise entre environ 1% et 10 % voire même comprise entre 1 % et 5 %. A titre d’exemple, l’épaisseur de la portion émissive 110 est comprise entre environ 25 nm et 100 nm.
Dans chaque nanofil, la portion émissive 110 est surmontée d’une portion 112, dite d’un second type, d’Al X 2 Ga ( 1-X 2 -Y 2 ) In Y 2 N dopée selon un second type de conductivité (type p dans l’exemple de réalisation de la ), opposé au premier type de conductivité, avec X2 > 0 et X2+Y2 ≤ 1. Selon une réalisation avantageuse, le matériau de cette portion 112 comporte des atomes de béryllium et/ou de magnésium et/ou correspond à de l’AlN. A titre d’exemple, l’épaisseur de la portion 112 est comprise entre environ 10 nm et 100 nm, et avantageusement entre environ 10 nm et 50 nm. Le matériau de la portion 112 peut comporter des atomes d’indium, ce qui permet d’augmenter la quantité de dopants de p, notamment des atomes de magnésium, incorporés dans le matériau de cette portion 112, facilitant ainsi son dopage.
Selon un exemple de réalisation, le dopage de type p du semi-conducteur de la portion 112 est obtenu par incorporation d’atomes de magnésium dans le semi-conducteur de la portion 112, par exemple lors du dépôt de ce semi-conducteur. La concentration de dopants dans le semi-conducteur de la portion 112 est par exemple comprise entre environ 10 1 6 at/cm 3 et 10 21 at/cm 3 .
Par exemple le moyen de rappel est agencé sur la zone centrale 42’b de la molette 42’.
Comme illustré aux figures 5 et 6, le moyen de rappel 47 peut être un ressort 47’, par exemple un ressort de compression.
La illustre l’ensemble 1 selon le présent exposé dans lequel la molette 42’ est vissée dans l’ouverture taraudée 40’ du cadre 5. Lors du vissage de la molette dans l’ouverture taraudée 40’, la molette applique une contrainte sur le ressort 47’ qui passe d’un état libre ( ) à un état comprimé ( ).
Lorsque la fenêtre de positionnement 11 est connectée au cadre 5, le ressort 47’ est dans un état comprimé.
Lorsque la molette 42’ est dévissée de l’ouverture taraudée 40’, la molette 42’ n’applique plus de contrainte sur le ressort. Le ressort 47’ se détend et entraine la molette 42’ en dehors de l’ouverture taraudée 40’ de sorte que la molette 42’ soit désengagée de l’ouverture taraudée 40’ ( ).
Cette configuration permet de faciliter la déconnexion de la fenêtre de positionnement 11 et du cadre 5.
Les moyens de connexion présentés ci-dessus (tel que la molette comprenant le filetage et l’ouverture taraudée) ne sont pas limitatifs et tout autre moyen de connexion, par exemple amovibles peuvent être utilisés.
Dans le présent exposé, la fenêtre de positionnement 11 comprend des moyens de préhension 46 ( ) s’étendant en saillie du corps 28 de la fenêtre de positionnement 11. Les moyens de préhension 46 sont agencés de sorte à manipuler la fenêtre de positionnement 11 au moyen d’un pouce et d’un index d’un utilisateur.
Par exemple, les moyens de préhension 46 sont agencés de sorte qu’ils présentent chacun une première face 46’ agencée en regard l’une de l’autre et une deuxième face 46 ‘’ opposée à la première face 46’. Les deuxièmes faces 46’’ étant destinées à recevoir un pouce ou un index de l’utilisateur.
Par exemple les deuxièmes faces 46’’ comprennent une forme adaptée pour être manipulée par un pouce et un index de l’utilisateur.
Par exemple les deuxièmes faces 46 ‘’ comprennent une forme concave.
Dans le présent exposé, la fenêtre de positionnement 11 comprend deux moyens de préhension 46.
Par exemple, un premier moyen de préhension 46 est agencé sur une première patte 34 de la fenêtre de positionnement et un deuxième moyen de préhension 46 est agencé sur une deuxième patte 36 de la fenêtre de positionnement.
Par exemple, les moyens de préhension 46 sont des ergots de saisie 460 qui s’étendent en saillie du corps de la fenêtre de positionnement. Les moyens de préhension sont fixes par rapport au corps.
Les moyens de préhension permettent une manipulation aisée de la fenêtre de positionnement 11, par exemple lors de la coopération de la fenêtre de positionnement 11 et du cadre 5 en vue de la connexion de la fenêtre de positionnement 11 au cadre 5.
Lorsque la fenêtre de positionnement 11 est connectée au cadre 5, la fenêtre de positionnement 11 peut être manipulée de sorte qu’elle coopère avec le guide de positionnement 9.
L’utilisateur U pointe au moyen d’un dispositif de pointage 1 une direction dans l’environnement virtuel 4 en dehors des zones d’intérêts 41 1 , 41 2 , 41 3 , 41 4 , la direction pointe notamment l’arrière-plan 40. Alors, le pointeur virtuel 42 est dans une zone libre (c’est-à-dire hors zone d’intérêt).
Dans ce cas, le gestionnaire 2 ne déclenche pas l’adaptateur 23 et fournit comme position du pointeur virtuel 42 la position commandée pc par le dispositif de pointage 1. Ainsi, le pointeur virtuel reproduit 42 suit la direction, l’orientation de la main de l’utilisateur U et/ou du dispositif de pointage 1 comme l’aurait fait un pointeur laser physique.
La illustre un schéma simplifié de mise en œuvre d’un pointeur virtuel selon l’invention lorsqu’il pointe une zone d’intérêt.
L’environnement virtuel reproduit 4 est constitué de plusieurs zones d’intérêt 41 1 , 41 2 , 41 3 , 41 4 , notamment des zones interactives, éventuellement reproduites sur ou dans un arrière-plan 40. Pour cela, un reproducteur (non illustré) reproduit l’environnement virtuel 4 en fonction de données relatives à l’environnement virtuel ev générées notamment par un générateur d’environnement virtuel tel que décrit notamment en illustration des figures 2 ou 3.
L’utilisateur U pointe au moyen d’un dispositif de pointage 1 une direction dans l’environnement virtuel 4 proche voire dans une zone d’intérêt 41 1 . Alors, le pointeur virtuel 42 est sur la bordure de la zone d’intérêt 41 1 voire dans cette zone d’intérêt. La direction fournie par le dispositif de pointage correspond à une position commandée pc sur la bordure de la zone d’intérêt 41 1 .
Dans ce cas, le gestionnaire 2 déclenche l’adaptateur 23 et fournit comme position du pointeur virtuel 42 la position adaptée pa. Ainsi, le pointeur virtuel reproduit 42 suit non pas la direction, l’orientation de la main de l’utilisateur U et/ou du dispositif de pointage 1 mais une direction calculée pour réduire les erreurs de pointage correspondant à la position adaptée pa du pointeur virtuel 42. Dans notre exemple de la , le pointeur virtuel reproduit 42 est centrée dans la zone d’intérêt 41 1 alors qu’un pointeur laser physique aurait suivi la direction (en trait plein) de la position commandée pc correspondant à la direction, l’orientation de la main de l’utilisateur U et/ou du dispositif de pointage 1. Le pointeur virtuel 42 est alors dit magnétique car il est attiré par la position prédéfinie de la zone d’intérêt dès qu’il la frôle ou y entre.
Procédé de traitement d’une interface d’utilisateur configurée pour communiquer avec un terminal de communication. La présente invention concerne un procédé de traitement d’une interface d’utilisateur configurée pour communiquer avec un terminal de communication.
Elle concerne en outre un dispositif de traitement et un terminal de communication mettant en œuvre un tel procédé de traitement.
De nos jours, des nombreuses interfaces d’utilisateur (ou interface homme-machine) sont accessibles au public ou au moins à une collectivité, pour d’utilisations variées. Il peut s’agir par exemple, d’un clavier d’un terminal de paiement, un distributeur bancaire, un ascenseur, une serrure électronique d’une porte, un interphone, etc.
Ces interfaces d’utilisateur étant manipulées par de nombreuses personnes, leur utilisation partagée contribue fortement à la propagation de certains microbes tels que des virus ou des bactéries. Ainsi, l’utilisation de ces interfaces peut être problématique, et notamment en cas de pandémie.
La présente invention propose une technique permettant l’utilisation d’une interface d’utilisateur, sans qu’elle soit manipulée par un utilisateur.
est une vue schématique d’un ensemble selon un exemple de réalisation de l’invention, en perspective,
représente l’ensemble de la , sans le couvercle,
est vue de la paroi de fond du compartiment de l’ensemble illustré aux figures 1 et 2,
est une vue schématique et partielle, en coupe, de l’ensemble de la ,
est une vue schématique et partielle, en perspective, de l’organe de connexion fluidique de l’ensemble de la ,
est une autre vue schématique et partielle, en perspective, de l’organe de connexion fluidique de l’ensemble de la ,
est une vue schématique et partielle, en coupe, de l’organe de connexion fluidique de l’ensemble de la ,
est une vue schématique et partielle, en perspective, de la paroi de fond de l’ensemble de la .
On a représenté sur les figures 1 et 2 un ensemble 100 de stockage d’énergie électrique comportant une pluralité de modules de batterie 101, et un compartiment 1. Comme visible sur a , les modules 101 sont rangés selon deux ranges parallèles de six modules chacune.
Ces modules 101 comportent des cellules de batterie pour le stockage d’énergie électrochimique. Les modules 101 sont connectés entre eux par des barreaux conducteurs 6. Chaque module 101 comprend un boîtier qui contient les cellules de batterie.
Ce compartiment 1 comporte quatre poutres 3 formant une paroi latérale 4.
Le compartiment 1 comprend en outre un couvercle 5 agencé pour être assemblé avec les poutres 3 pour fermer le compartiment 1.
Le couvercle 5 est agencé pour s’appuyer sur les poutres 3 formant la paroi latérale 4 du compartiment 1.
Chaque module 101 est pourvu d’une boucle interne de refroidissement à fluide caloporteur qui comprend une tubulure d’entrée de fluide et une tubulure de sortie de fluide. On donnera la référence 102 à ces tubulures ici rigides, comme illustré à la .
On note que dans le mode de réalisation décrit ici, le dispositif NF1 envoie au dispositif NF2 non seulement les poids affectés aux zones élémentaires comprises dans la zone d’intérêt ZI, mais également les poids affectés aux zones élémentaires non comprises dans cette zone ZI. Un exemple d’utilisation de ces poids en dehors de la zone d’intérêt ZI est décrit plus en détail ultérieurement.
En variante, seuls les poids correspondant aux zones élémentaires couvrant la zone d’intérêt ZI sont inclus dans la réponse RESP, si une telle zone d’intérêt a été précisée dans la requête de découverte comme critère CRIT. Cette variante permet de limiter la taille du message envoyé par le dispositif NF1 au dispositif NF2 ; toutefois, elle requiert un effort de filtrage supplémentaire du dispositif NF1.
En référence à la , sur réception de la réponse RESP par le module d’obtention 9B du dispositif NF2 (étape G20), si J>1, le dispositif NF2 compare les poids affectés aux zones élémentaires couvrant la zone d’intérêt ZI obtenus pour les différents dispositifs candidats NFCj, j=1,…,J. Dans le mode de réalisation décrit ici, pour opérer cette comparaison, le dispositif NF2 détermine, via son module 9C de détermination, pour chaque dispositif candidat NFCj, j=1,…,J identifié dans la réponse RESP, une métrique notée µ(NFCj) à partir des poids affectés aux zones élémentaires couvertes par la zone de service de ce dispositif candidat et par la zone d’intérêt ZI (étape G30).
On note que si la zone d’intérêt ZI n’est pas incluse dans les critères CRIT de recherche spécifiés dans la requête de recherche, le module 9C de détermination choisit à partir des dispositifs candidats NFCj, j=1,…J identifiés dans la réponse RESP, ceux ayant une zone de service recouvrant la zone d’intérêt, et ne détermine la métrique µ(NFCj) que pour les dispositifs candidats ainsi choisis.
Dans le mode de réalisation décrit ici, la métrique µ(NFCj) calculée par le module 9C de détermination pour chaque dispositif candidat NFCj concerné est la somme des poids affectés aux zones élémentaires couvertes par la zone de service de ce dispositif candidat et par la zone d’intérêt ZI.
En variante, on peut envisager d’appliquer des facteurs de pondération à chaque poids (par exemple compris entre 0 et 1). Un exemple d’une telle somme pondérée est donné ultérieurement.
Dans l’exemple illustratif envisagé en référence à la (NF3, NF4 et NF5 identifiés comme dispositifs candidats et zone d’intérêt ZI contenant la cellule C6), les métriques évaluées par le module 9C de détermination sont les suivantes : µ(NFC1=NF3)=70% ; µ(NFC2=NF4)=20% ; µ(NFC3=NF5)=10%.
Le module 9D de sélection du dispositif NF2 sélectionne alors le dispositif candidat NFCj0 optimisant la métrique µ pour implémenter la fonction réseau NWDAF recherchée par le dispositif NF2 (étape G40), autrement dit, dans le mode de réalisation décrit ici, celui qui maximise la métrique µ (on note que suivant la métrique µ envisagée et la façon dont les poids sont affectés aux zones élémentaires, le module 9D peut être amené à sélecter le dispositif candidat minimisant la métrique µ pour l’optimiser). Dans l’exemple illustratif envisagé ici, c’est le dispositif NF3 qui est sélectionné pour implémenter la fonction NWDAF dont a besoin le dispositif NF2 sur la zone d’intérêt ZI={C6}.
Suite à cette sélection, le dispositif NF2 adresse sa requête au dispositif NFCj0 sélectionné, cette requête indiquant les statistiques et/ou prédictions souhaitées par le dispositif NF2 (étape G50).
Il peut arriver qu’au cours de l’exécution des fonctionnalités qui lui sont affectées, une instance de fonction réseau (par exemple le dispositif NF3 sélectionné lors de l’étape G50) doive transférer les requêtes qui lui ont été adressées en tout ou partie vers une autre instance implémentant la même fonction réseau. Ce transfert d’une instance qualifiée de « source » vers une instance qualifiée de « cible » ou de relais peut être déclenché pour des raisons internes (ex. équilibrage de la charge, arrêt progressif de l’instance, etc.), ou pour des raisons externes (ex. mobilité d’un équipement utilisateur dont elle est en charge) signalées par exemple par d’autres fonctions réseau auprès desquelles elle s’est abonnée pour être informée des événements correspondants. Un tel transfert nécessite la sélection d’une nouvelle instance de fonction réseau (i.e. l’instance cible ou servant de relais de façon équivalente).
La représente les principales étapes mises en œuvre ici par le dispositif NF3 précédemment sélectionné (dispositif source) lorsqu’une telle situation se présente, requérant un transfert vers une instance cible implémentant également la fonction réseau NWDAF pour servir de relais au dispositif NF3 pour tout ou partie des fonctionnalités qu’il implémente. Ces étapes reprennent, éventuellement à quelques aménagements près, les étapes du procédé de sélection selon l’invention qui viennent d’être décrites.