INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
- un second étage d’atténuation acoustique comportant une seconde âme alvéolaire 20,
- une paroi intermédiaire 19 qui fait partie intégrante du cadre structural 14 et s’étend parallèlement à la peau résistive 16 ; elle est micro-perforée ou macro-perforée pour former un septum acoustique entre les deux étages d’atténuation acoustique,
- optionnellement, une peau arrière 21, qui recouvre la seconde âme alvéolaire 20. L’invention n’est pas limitée aux modes de réalisation illustrés.
A titre d’exemple, le cadre structural peut présenter une forme différente de celle illustrée. L’organisation peut être de forme trapézoïdale, ou autrement polygonale, voir comporter des segments arqués, etc… pour répartir la charge du caisson aéro-acoustique en de multiples points du cadre structural. Ainsi, le cadre structural peut tangenter certains contours périphériques du caisson aéro-acoustique lui-même. Par ailleurs, les ailettes du cadre structural peuvent être alternativement en I, en T, en L.
INVERSEUR DE POUSSEE COMPRENANT AU MOINS UNE MEMBRANE DEPLOYABLE DE DEVIATION L’invention se rapporte au domaine des nacelles et des inverseurs de poussée pour ensemble propulsif d’aéronef, et, plus particulièrement, aux inverseurs de poussée équipés de membranes déployables.
Dans un exemple de mise en œuvre, le procédé comporte, préalablement à l’étape de post traitement oxydant, une étape de thermolyse ou vapo-thermolyse, dans un réacteur, d’un matériau composite comportant des fibres et une matrice organique.
Par exemple, l’étape de thermolyse ou vapo-thermolyse est configurée pour produire les fibres recyclées et décomposer la matrice organique en au moins un composé organique.
Le réacteur peut être le même que celui dans lequel l’étape de post traitement oxydant est mise en œuvre, ou un autre réacteur, en amont de celui de l’étape de post traitement oxydant.
Est également proposé, selon un deuxième aspect de l’invention, un dispositif de traitement configuré pour mettre en œuvre un procédé de traitement d’un matériau composite tel que décrit précédemment.
Dans un exemple de réalisation, le dispositif comporte au moins un réacteur.
Par exemple, le réacteur est configuré pour mettre en œuvre à la fois une étape de vapo-thermolyse et une étape de post traitement oxydant.
Par exemple, le réacteur comporte une entrée d’alimentation configurée pour fournir, dans le réacteur, un matériau composite à traiter, et par ailleurs une sortie par laquelle sont récupérées des fibres dites « recyclées ».
Dans un exemple de réalisation, le dispositif comporte un surchauffeur de vapeur.
Le surchauffeur de vapeur est par exemple configuré pour injecter de la vapeur surchauffée dans le réacteur.
Par exemple, le surchauffeur de vapeur est en amont du réacteur.
Par exemple, le surchauffeur de vapeur est configuré pour porter une vapeur d’eau à une température comprise entre 300°C et 600°C à injecter dans le réacteur.
Dans un exemple de réalisation, le dispositif comporte au moins un capteur configuré pour contrôler l’étape de post traitement oxydant.
L’au moins un capteur comporte par exemple au moins un capteur de température et/ou un capteur de teneur en oxygène. Eventuellement, il peut comporter un capteur de pression.
Dans un exemple de réalisation, le dispositif comporte une unité de contrôle configurée pour réguler automatiquement l’étape de post traitement oxydant, en particulier en fonction de données transmises par l’au moins un capteur.
Il s’agit par exemple d’un système automatisé de contrôle des paramètres de l’étape de post traitement oxydant et de l'ensemble des modes opératoires associés.
Dans un exemple de réalisation, le dispositif comporte une unité de traitement d’eau configurée pour traiter de l’eau courante et fournir une eau osmosée.
Polymères associatifs La composition de coloration des fibres kératiniques capillaires employée dans le cadre du procédé de retrait de la couleur selon l’invention peut comprendre en outre au moins un polymère associatif différent des agents épaississants anioniques non carboxyliques précédemment décrits.
De manière particulièrement préférée, le ou les polymères associatifs sont choisis parmi les copolymères comportant parmi leurs monomères un acide carboxylique à insaturation α,β-monoéthylénique et un ester d’acide carboxylique à insaturation α,β-monoéthylénique et d’un alcool gras oxyalkyléné.
Le procédé décrit en figures 4A à 4F comprend des étapes similaires à certaines étapes du procédé décrit en relation avec les figures 2A à 2H. Ces étapes ne seront pas détaillées à nouveau ci-après. Seules les différences avec le procédé des figures 2A à 2H seront mises en exergue.
La illustre un substrat 11 de départ comportant une couche d’oxyde 113, par exemple en dioxyde de silicium, entre deux niveaux semiconducteurs, par exemple en silicium. Le substrat 11 comprend un niveau semiconducteur inférieur ou couche semiconductrice 111, et un niveau semiconducteur supérieur ou couche semiconductrice 115. Le niveau semiconducteur supérieur 115 a, par exemple une épaisseur comprise entre 5 µm et 20 µm, par exemple de l'ordre de 10 µm. La couche de dioxyde de silicium a, par exemple, une épaisseur comprise entre 0,2 µm et 5 µm, par exemple de l'ordre de 1 µm. Le niveau semiconducteur inférieur 111 a par exemple une épaisseur comprise entre 100 µm et 1 mm, par exemple comprise entre 500 µm et 800 µm, par exemple de l'ordre de 725 µm.
La illustre une structure obtenue à l'issue d'une étape de dépôt d'une couche 13 sur la face supérieure du substrat 11 similairement à ce qui a été décrit en relation avec le premier mode de réalisation en à la différence près que le substrat 11 est un substrat SOI.
La illustre une structure obtenue à l'issue d'une étape de formation de plots 15 dans la structure de la . Cette étape est similaire à ce qui a été décrit en relation avec le premier mode de réalisation en à la différence près que la couche 113 joue le rôle de couche d'arrêt de la gravure. Ainsi, la hauteur des plots 15 est définie par l’épaisseur du niveau semiconducteur supérieur 115 du substrat SOI.
La illustre une structure obtenue à l'issue d'une étape de retrait de la couche 19 de la structure illustrée en . Cette étape est similaire à ce qui a été décrit en relation avec le premier mode de réalisation en .
La illustre une structure obtenue à l'issue d'une étape de report du substrat 27 et de la couche 29 sur la face supérieure de la structure illustrée en . Cette étape est similaire à ce qui a été décrit en relation avec la .
La illustre une structure obtenue à l'issue d'une étape de formation des tranchées 23. L'étape de formation des tranchées 23 décrite dans ce présent mode de réalisation est similaire à l'étape de formation des tranchées 23 décrite en relation avec le premier mode de réalisation en à la différence près qu'elle est réalisée en deux étapes et qu'elle comprend, en plus de la gravure du substrat 11, une autre gravure permettant la gravure de la couche 113. Lors de la première étape, seul le niveau inférieur 111 du substrat SOI est gravé, la couche 113 servant de couche d’arrêt de gravure. Ceci permet de limiter la détérioration du substrat 27.
A l'issue de cette étape, des étapes similaires aux étapes des figures 2E à 2G sont mises en oeuvre à partir de la figure illustrée en .
La et la sont des vues en coupe, illustrant de façon partielle et schématique, des étapes successives d'un procédé de fabrication puis d'assemblage de deux structures par collage selon un quatrième mode de réalisation.
La illustre une structure similaire à la structure illustrée en à la différence près que, le substrat 27 comprend des tranchées 37, formées à partir de sa face inférieure dans l'orientation de la . En effet, avant l'étape de report du substrat 27 et de la couche 29 sur la structure illustrée en , l'ensemble formé du substrat 27 et de la couche 29 est structuré, par exemple par gravure, de façon à former des tranchées 37 délimitant des plots 39. A titre d'exemple, les tranchées 37 sont non traversantes et s'étendent, par exemple de la face inférieure de la couche 29, dans la couche et dans une partie du substrat 27. A titre d'exemple les plots 39 ont le même pas de répétition (distance centre à centre entre deux plots voisins) que les plots 15. A titre d’exemple, le motif formé par les plots 39 dans le substrat 27 correspond à la symétrie du motif formé par les plots 15 dans le substrat 11, par rapport à un plan parallèle aux faces arrières des substrats 11 et 27 et passant entre les deux substrats. A titre d'exemple, les tranchées 37 s'étendent sur une profondeur comprise entre 50 µm et 600 µm, par exemple comprise entre 200 µm et 400 µm, par exemple de l'ordre de 300 µm.
La illustre une structure obtenue à l'issue d'une étape de dépôt de la couche hydrophobe 25. Cette étape est similaire à ce qui a été décrit en relation avec la .
A l'issue de cette étape, des étapes similaires aux étapes des figures 3B à 3D sont mises en oeuvre à partir de la figure illustrée en .
Un avantage du présent mode de réalisation réside dans le fait que la présence des tranchées 37 facilite la circulation et le dépôt homogène du matériau hydrophobe lors de la formation de la couche 25. Ceci est tout particulièrement avantageux lorsque l’épaisseur des plots 15 est faible.
Dans l’exemple représenté, les plots 39 ont une surface supérieure à celle des plots 15. Ainsi, la face supérieure de chaque plot 15 est entièrement couverte par le plot 39 sus-jacent lors du traitement hydrophobe, de sorte que le matériau hydrophobe est formé uniquement sur les flancs des plots 15.
A titre de variante, les plots 39 ont une surface inférieure à celle des plots 15. Ainsi, seule une partie centrale de la face supérieure de chaque plot 15 est couverte par le plot 39 sus-jacent lors du traitement hydrophobe. Le matériau hydrophobe est alors formé sur les flancs des plots 15 et sur une partie périphérique de la face supérieure des plots 15.
On notera par ailleurs que dans ce mode de réalisation, les tranchées 17 peuvent être omise. Dans ce cas, l’épaisseur des plots 15 est nulle. La surface de chaque plot 15 correspond alors à la surface totale de la puce 20 à l’issue de l’étape de découpe. Si le traitement hydrophobe est mis en oeuvre avant la découpe (c’est à dire avant la formation des tranchées 31), les plots 39 ont de préférence une surface inférieure à celle des plots 15. Il en résulte que seule une partie centrale de la face supérieure de chaque plot 15 est couverte par le plot 39 sus-jacent lors du traitement hydrophobe. Le matériau hydrophobe est alors formé uniquement sur une partie périphérique de la face supérieure des plots 15. Si le traitement hydrophobe est mis en oeuvre après la découpe (c’est à dire après la formation des tranchées 31), les plots 39 peuvent avoir une surface inférieure ou supérieure à celle des plots 15.
Encore en variante, lorsque la couche 25 est en OTS, la couche 25 a un angle de goutte, pour une goutte d'eau, de l'ordre de 110°.
Encore en variante, lorsque la couche 25 est en perfluorodecyldimethylchlorosilane, la couche 25 a un angle de goutte, pour une goutte d'eau, de l'ordre de 110°.
A titre d'exemple, la surface de la couche 13 a un angle de goutte, pour une goutte d'eau, inférieur à 10°.
La et la illustrent des étapes respectivement identiques aux étapes 1G et 1H. Ces étapes correspondent au report et collage d'une puce 20 fabriquée via le procédé des figures 2A à 2F, sur une structure présentant une surface d’accueil présentant un contraste d’hydrophilie similaire, par exemple sur une autre puce 20’ fabriquée par le même procédé.
Un avantage du mode de réalisation des figures 2A à 2H est qu'il permet un meilleur contrôle de l’état de surface de la couche 13. Cela réduit la défectivité du collage et permet d’obtenir une surface à l’hydrophilie bien contrôlée . Un autre avantage est l’absence de dégradation de la couche hydrophobe 25 lors du retrait de la couche de résine 19, ce qui permet d’améliorer le contraste hydrophile/hydrophobe et de faciliter l’auto-alignement. En outre, ce procédé permet d’élargir la liste des matériaux hydrophobes disponibles dans la mesure où il n’est plus nécessaire de choisir un matériau résistant au nettoyage chimique mis en oeuvre lors du retrait de la couche 19.
Un autre avantage du présent mode de réalisation est que le substrat 27 peut être recyclé, donc utilisé de nouveau, à l'issu du procédé (en fonction du procédé utilisé pour le retrait du substrat 27).
Encore un autre avantage du présent mode de réalisation est que la découpe décrite en relation avec la peut être réalisée par gravure plasma ce qui réduit les contaminations particulaire et métallique par rapport à une découpe mécanique, par exemple avec une scie diamantée. Une découpe par laser est aussi possible avec les mêmes avantages.
La , la , la et la sont des vues en coupe, illustrant de façon partielle et schématique, des étapes successives d'un procédé de fabrication puis d'assemblage de deux structures par collage selon un deuxième mode de réalisation.
Plus particulièrement, dans ce mode de réalisation, on prévoit d'assembler une première structure obtenue à l'issue des étapes des figures 2A à 2F avec une seconde structure obtenue par un procédé similaire à la différence près qu'elle n'a pas subi d'étape de découpe pour la formation des puces 20 individuelles.
Pour réaliser cette seconde structure, on prévoit, dans un premier temps, de déposer une couche hydrophobe 35 sur la face arrière de la structure illustrée en et ainsi aboutir à la structure illustrée en . Cette étape est similaire à l'étape de dépôt de la couche 25 à la différence près que la couche 35 est formée sur la structure illustrée en et non sur la structure illustrée en .
A l'issue de cette étape, dans un deuxième temps, le substrat 27 et la couche 29 sont retirés pour former la structure illustrée en similairement à ce qui a été décrit en relation avec la .
La structure illustrée en et la structure illustrée en sont alors assemblées et auto-alignées par confinement d'eau.
La représente une structure obtenue à l'issu du dépôt de gouttes d'eau 26 à la surface des plots 15 de la structure illustrée en et le report, sur celle-ci, de la structure illustrée en , les couches 13 des deux structures se faisant face. La représente une structure obtenue à l'issu du collage de ces deux structures.
Ces étapes sont similaires à ce qui a été décrit à l'échelle d'une puce en relation avec les figures 2G et 2H, elles ne sont donc pas décrites de nouveau ci-après.
La , la , la , la , la et la sont des vues en coupe, illustrant de façon partielle et schématique, des étapes successives d'un procédé de fabrication puis d'assemblage de deux structures par collage selon un troisième mode de réalisation.
Le troisième mode de réalisation est similaire au premier mode de réalisation illustré en relation avec les figures 2A à 2H à la différence près que le substrat de départ 11 correspond à un substrat dit SOI (de l'anglais "Semiconductor On Insulator", semiconducteur sur isolant).
Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. La personne du métier comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaîtront à la personne du métier. En particulier, les modes de réalisation décrits ne se limitent pas aux exemples de matériaux et de dimensions mentionnés dans la présente description. Aussi, les modes de réalisation des figures 3, 4 et 5 peuvent être combinés.
De plus, les modes de réalisations ont été décrit pour un collage hydrophile toutefois ils peuvent être mis en oeuvre pour des collages hydrophobes. Autrement dit, au lieu de prévoir une structure présentant une surface avant hydrophile, la face avant de la structure peut être hydrophobe, à condition que la couche 25 ou 35 déposée sur les flancs de la structure soit plus hydrophobe que la face avant.
Dans ce sens, un exemple (non limitatif) de collage hydrophobe va maintenant être décrit. Dans cet exemple, on propose de fabriquer une structure similaire à la structure illustrée en à la différence près qu'elle ne comprend pas de couche 13. A l'issue de l'étape de nettoyage de la face supérieure des plots 15, on propose un nouveau nettoyage permettant de désoxyder la surface des plots 15. Pour cela, elle subit un traitement à base de HF vapeur ou gazeux. A l'issu de ce nettoyage, la face supérieure des plots 15 a un angle de goutte, pour une goutte d'eau de l'ordre de 70°. Dans cet exemple, un substrat 27 est également reporté sur la face supérieure des plots 15 à la différence près que la face inférieure du substrat 27 n'est pas recouvert d'une couche d'oxyde 27 comme cela a été décrit en relation avec le premier mode de réalisation. Dans cet exemple, avant l'étape de report du substrat 27 sur la face supérieure des plots 15, la face inférieure du substrat 27 subit un même nettoyage permettant de désoxyder sa surface. A la suite du report du substrat destiné à protéger la face avant des puces, des étapes similaires à ce qui a été décrit en relation avec les figures 2D à 2H sont réalisées. Le collage de deux puces formées par ce procédé, est alors dit hydrophobe puisque les faces avant des puces sont hydrophobe. Dans cet exemple, les faces avant des puces ont un angle de goutte, pour une goutte d'eau de l'ordre de 70° et les flancs des puces ont un angle de goutte, pour une goutte d'eau de l'ordre de 110°. Dans ce cas, la différence d'hydrophilie est d'environ 40° en angle de goutte. Plus généralement, ce procédé peut s'étendre à la fabrication de puces, destinées à un collage par confinement d'eau, si la différence d'hydrophilie entre sa face avant et ses flancs est supérieure à 20°, par exemple supérieure à 30°, par exemple supérieure à 40° en angle de goutte, pour une goutte d'eau.
En variante, on peut prévoir de rendre la face avant du substrat 11 et celle du substrat 27 hydrophobe par le dépôt d'une couche hydrophobe, par exemple moins hydrophobe que la couche 25. A titre d'exemple, on peut prévoir le dépôt d'une couche en silicium, par exemple d'une épaisseur de l'ordre de 5 nm, sur la face avant du substrat 11 et du substrat 27. Dans cette variante, la couche hydrophobe déposée sur la face avant du substrat 11 et du substrat 27 est, par exemple, nettoyée à base d'un mélange d'acide sulfurique et d'eau oxygénée dans les proportions 10 pour 1 puis rincée et de nouveau nettoyée à base d'un mélange porté à 50°C d'eau, d'ammoniaque et d'eau oxygénée dans les proportions un pour cinq pour cinq.
De plus, dans la présente description, le collage correspond à un collage par confinement de goutte d'eau. Toutefois on peut prévoir que le collage se fasse par confinement d'une goutte d'un autre liquide.
Par ailleurs, dans la description on considère un collage de deux puces, toutefois elle peut être généralisable au collage de deux structures quelconques électroniques ou non.
Dispositif microélectronique à deux transistors à effet de champ La présente invention concerne le domaine de la microélectronique et plus particulièrement les technologies CMOS (de l’anglais « Complementary Metal Oxide Semiconductor, pouvant se traduire en français par « métal-oxyde-semiconducteur complémentaires ») avancées. Elle trouve comme applications particulièrement avantageuses l’électronique basse consommation et les dispositifs de protection contre les décharges électrostatiques.
ETAT DE LA TECHNIQUE Différents types de transistors sont actuellement utilisés dans les circuits électroniques pour réaliser de nombreuses fonctions (circuits logiques, amplification, modulation de signaux…).
Une des structures les plus utilisées actuellement est le transistor FDSOI (de l’anglais « Fully Depleted Silicon On Insulator », pouvant être traduit en français par « silicium sur isolant entièrement déserté »), représenté en . Cette technologie consiste à placer une fine couche isolante sous la couche de semiconducteur, par exemple de silicium, de sorte à créer une barrière permettant notamment d’éviter les fuites de courant. Les transistors FDSOI sont privilégiés dans les applications basse consommation.
Les transistors Z²FET sont, eux, notamment employés pour des applications mémoire et de protection contre les décharges électrostatiques (ESD). Il s’agit d’une diode p-i-n polarisée en direct dont le canal intrinsèque est seulement partiellement recouvert par une grille avant.
Un objectif de la présente invention est de proposer une alternative aux dispositifs existants tout en présentant des performances au moins équivalentes et/ou en permettant de réaliser des fonctions pour lesquelles tous les dispositifs actuels ne peuvent pas être employés.
RESUME Pour atteindre cet objectif, un premier aspect concerne un dispositif microélectronique comprenant : un transistor n-MOS à effet de champ comprenant un premier drain, une première source, une première grille et un premier oxyde de grille, une première zone dopée N, constituant l’un parmi le premier drain et la première source, une deuxième zone dopée N, constituant l’autre parmi le premier drain et la première source.
Le dispositif comprend de plus : un transistor p-MOS à effet de champ comprenant un deuxième drain, une deuxième source, une deuxième grille et un deuxième oxyde de grille, une première zone dopée P, constituant la deuxième source si la première zone dopée N constitue le premier drain, ou le deuxième drain, si la première zone dopée N constitue la première source, une deuxième zone dopée P, constituant l’autre parmi le deuxième drain et la deuxième source, une couche diélectrique présentant une face supérieure au contact de la première zone dopée N, de la deuxième zone dopée N, de la première zone dopée P et de la deuxième zone dopée P, une grille arrière au contact d’une face inférieure de la couche diélectrique.
Il présente en outre la particularité que la deuxième zone dopée N et la deuxième zone dopée P forment une jonction PN.
L’objet ainsi défini constitue un dispositif microélectronique pouvant remplacer dans de nombreuses applications les transistors actuellement utilisés. Ce dispositif peut présenter en outre des performances améliorées. De manière avantageuse, il permet de générer une commutation abrupte grâce à la jonction PN, utilisable par exemple pour des dispositifs à pente élevée. Les niveaux de courant employés peuvent rester faible, si bien que cette technique convient bien aux systèmes électroniques à très faible consommation d’énergie.
En d’autres termes, on peut résumer cette détermination commune en ce qu’elle comprend
- la détermination, pour au moins une source non décodée, d’un ensemble associé (i.e. l’ensemble) comprenant les nœuds ayant décodé sans erreur le message émis par ladite source, et la détermination de l’information mutuelle relative audit ensemble associé, et
La représente une destination destinée à un système de télécommunication OMAMRC a sources, éventuellement relais et une destination, , selon un mode de réalisation de l’invention. Une telle destination est apte à mettre en œuvre le procédé de transmission selon la .
Procédé de réduction du facteur de crête d’un signal de type OFDM, produits programme d’ordinateur et dispositifs correspondants. Domaine de l’invention Le domaine de l’invention est celui de la transmission de données via l’utilisation d’un signal radiofréquences du type OFDM (« Orthogonal Frequency Division Multiplexing » en anglais) transmis via une pluralité d’antennes d’un émetteur radiofréquences à destination d’une pluralité de récepteurs.
L’invention se rapporte plus particulièrement à une méthode de réduction du facteur de crête d’un tel signal.
Une telle forme d’onde est utilisée dans de nombreux domaines liés à la transmission de données par liens radiofréquences. L’invention a ainsi des applications, notamment, mais non exclusivement, dans le domaine de la téléphonie mobile (e.g. réseaux 4G, 5G ou au-delà (6G) tels que définis par le 3GPP (pour « 3rd Generation Partnership Project » en anglais)) ou des réseaux locaux sans fil WLAN (pour « Wireless Local Area Network » en anglais, e.g. utilisant le WiFi), l’accès internet sans fil à haut débit (WiMAX), les liaisons numériques asymétriques (xDSL), les liaisons sans fils point à multi-point, etc.