INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Les avantages d’un tel support 10 sont nombreux : Le support 10 assure un maintien fiable de l’atténuateur 1 en limitant les déplacements horizontaux, latéraux et verticaux de l’atténuateur 1, et cela, quelles que soient les conditions de vol, Sa conception est simple, il est facilement fabricable, Il s’adapte à différentes géométrie et taille des atténuateurs 1, Il utilise des moyens de fixation conventionnels déjà utilisés dans le milieu aéronautique et ne nécessitent donc pas de concevoir des moyens de fixation supplémentaires.
Composé polycarbodiimide La composition C employée dans le cadre du procédé selon l’invention comprend (i) au moins un composé (poly)carbodiimide.
Selon un mode de réalisation particulier, le composé (poly)carbodiimide est choisi parmi les composés de formule (I) suivante : (I),
- A est un monomère choisi parmi les composés ci-dessous : .
Selon un autre mode de réalisation, le composé (poly)carbodiimide est choisi parmi les composés de formule (I’) suivante : (I’)
Un deuxième objet concerne un procédé de contrôle du dispositif dans lequel la première tension de commande V 110 est appliquée à la première zone dopée N et la deuxième tension de commande V 210 est appliquée à la première zone dopée P, et dans lequel : La première tension de commande V 110 constitue une tension de source V S du dispositif et la deuxième tension de commande V 210 constitue une tension de drain V D du dispositif, ou La deuxième tension de commande V 210 constitue la tension de source V S du dispositif et la première tension de commande V 110 constitue la tension de drain V D du dispositif.
Les figures 2A et 2B représentent chacune la cartographie du dopage au sein du dispositif selon un mode de réalisation de l’invention.
Les figures 3A et 3B représentent des caractéristiques courant-tension du dispositif selon l’un des modes de réalisation de l’invention obtenues par simulation.
La est un tableau récapitulant les paramètres appliqués lors des simulations des figures 3A et 3B.
Les figures 4A et 4B représentent la répartition des charges au sein du dispositif respectivement dans une configuration bloquée (V BG =1.7V) et dans une configuration passante (V BG =1.8V).
La est un tableau récapitulant les paramètres appliqués lors des simulations des figures 4A et 4B.
Les figures 5A et 5B représentent la répartition du potentiel électrostatique au sein du dispositif en configurations bloquée (V BG =1.7V) et passante (V BG =1.8V).
La est un tableau récapitulant les paramètres appliqués lors des simulations des figures 5A et 5B.
Les figures 6A et 6B représentent des simulations du niveau des bandes de conduction et de valence du dispositif en configurations bloquée (V BG =1.7V) et passante (V BG =1.8V).
La est un tableau récapitulant les paramètres appliqués lors des simulations des figures 6A et 6B.
Les figures 7A et 7B représentent la répartition du champ électrique dans la direction du transport au sein du dispositif en configurations bloquée (V BG =1.7V) et passante (V BG =1.8V).
La est un tableau récapitulant les paramètres appliqués lors des simulations des figures 7A et 7B.
Les figures 8A et 8B représentent la répartition de la densité de courant des électrons au sein du dispositif en configurations bloquée (V BG =1.7V) et passante (V BG =1.8V).
La est un tableau récapitulant les paramètres appliqués lors des simulations des figures 8A et 8B.
Selon un exemple, la tension de grille arrière V BG est comprise entre -1 et 2 V.
Selon un exemple, le transistor n-MOS et le transistor p-MOS sont séparés d’une distance L supérieure à 10 nm, de préférence supérieure à 50nm, et/ou inférieure à 500 nm.
Un deuxième objet de l’invention concerne un procédé de contrôle du dispositif. Selon un exemple, le procédé prévoit de faire varier la tension de grille arrière V BG entre une tension de grille arrière ouverte V BG,ON et une tension de grille arrière bloquée V BG,OFF distincte de la tension de grille arrière ouverte V BG,ON , de sorte à faire passer le dispositif d’une configuration passante, dans laquelle la jonction PN se trouve dans un état passant, à une configuration bloquée dans laquelle la jonction PN se trouve dans un état bloqué.
Selon un exemple, le procédé prévoit l’application des tensions V G1 et V G2 de sorte que V G1 = V G2 +ΔV G avec ΔV G compris entre -1V et +1 V .
Selon un exemple, le procédé prévoit l’application des tensions V G1 et V G2 de sorte que V G1 >0 et V G2 >0.
Selon un exemple, le procédé prévoit l’application de la tension V G1 de sorte que V G1 <0.
Selon un exemple, le procédé prévoit l’application de la tension V G2 de sorte que V G2 <0.
Selon un exemple, le procédé prévoit l’application des tensions V G1 et V G2 de sorte que V G1 = V G2 .
Selon un exemple, le procédé prévoit l’application des tensions V 110 et V 210 de sorte que la tension drain-source, définie par V D -V S , soit supérieure à une tension de diffusion V bi de la jonction PN.
Selon un exemple, le procédé prévoit l’application d’une tension de grille arrière V BG comprise entre -1 et 2 V.
Les termes « sensiblement », « environ », « de l'ordre de » signifient « à 10% près, de préférence à 5% près ».
Le dispositif selon différents modes de réalisation de l’invention va maintenant être décrit en référence aux figures 2A et 2B.
Le dispositif 1 comprend deux transistors à effet de champ : l’un du type n-MOS 100, et l’autre du type p-MOS 200. De préférence, il ne comprend pas d’autres transistors ou pour le moins pas d’autres transistors joints à l’un ou l’autre des deux premiers par une jonction PN.
Le transistor n-MOS 100 comprend un premier drain, une première source, une première grille 101 et un premier oxyde de grille 102.
Le premier oxyde de grille 102 s’étend sous la première grille 101. La première zone dopée N 110 et la deuxième zone dopée N 120 sont chacune en contact avec un premier canal 103, dit de conduction mais qui peut aussi être une zone désertée de porteurs, les séparant. Ce premier canal 103 est au contact de la face inférieure du premier oxyde de grille 102. Le premier canal 103 présente avantageusement une épaisseur selon la direction z comprise entre 5 et 10 nm, typiquement sensiblement égale à 7 nm.
Le transistor n-MOS 100 comprend de plus typiquement des espaceurs 104 permettant d’isoler la première grille 101 du premier drain d’une part et de la première source d’autre part. Ces espaceurs 104 couvrent typiquement les flancs latéraux de la première grille 101. Ils sont entre autres destinés à limiter le couplage capacitif parasite entre la première grille 101 et la première source d’une part et le premier drain d’autre part.
Le transistor p-MOS 200 comprend un deuxième drain, une deuxième source, une deuxième grille 201, un deuxième oxyde de grille 202 et un deuxième canal 203 lui aussi dit de conduction mais pouvant aussi être une zone désertée de porteurs. Les caractéristiques du transistor n-MOS 100 peuvent être transposées mutatis mutandis au transistor p-MOS 200.
Le transistor n-MOS 100 et le transistor p-MOS 200 sont séparés d’une distance L mesurée dans le plan XY et définie comme la distance entre un flanc 106 du transistor n-MOS 100 et un flanc 206 du transistor p-MOS 200 lui faisant face. Les flancs 106, 206 des transistors 100, 200 correspondent typiquement aux flancs des espaceurs 104, 204. La distance L est de préférence, pour des raisons de limitations technologiques lors de la fabrication du dispositif, supérieure à 50 nm. Il serait cependant envisageable dans les applications visées que la distance L soit fixée à des valeurs aussi faibles que 10 nm. Dans un objectif d’optimisation de la densité de dispositifs pouvant être intégrés sur une puce, elle est de préférence inférieure à 500 nm.
Le dispositif comprend de plus une première zone dopée N 110 et une deuxième zone dopée N 120. La première zone dopée N 110 et la deuxième zone dopée N 120 peuvent constituer respectivement le premier drain et la première source, ou inversement.
De manière similaire, le dispositif comprend une première zone dopée P 210 et une deuxième zone dopée P 220 pouvant constituer respectivement le deuxième drain et la deuxième source, ou inversement.
La deuxième zone dopée N 120 et la deuxième zone dopée P 220 sont en contact et forment ainsi une jonction PN 1000. La jonction PN 1000 présente une tension de diffusion, couramment désignée par le terme anglais de tension de « built-in », notée V BI et dont la valeur dépend notamment du niveau de dopage des zones 120, 220 la constituant.
Les zones dopées 110, 120, 210, 220 se trouvent de préférence toutes dans une couche active 10. La couche active 10 est de préférence à base d’au moins un matériau IV-IV. Il peut également être à base d’au moins un matériau III-V, de préférence à base d’au moins un matériau III-N. Par exemple, ce matériau est à base de GaN. Ce matériau peut également être à base de silicium. Il peut s’agir d’une couche homogène, formée typiquement d’un unique matériau. La couche active 10 présente typiquement une face supérieure 11 et une face inférieure 12 s’étendant toutes les deux principalement dans le plan XY du repère orthogonal XYZ. Elle présente selon la direction z une épaisseur e 10 . L’épaisseur e 10 de la couche active 10 est avantageusement comprise entre 20 et 30 nm, typiquement sensiblement égale à 25 nm.
Certains éléments constituant les transistors 100, 200 peuvent avoir été au moins partiellement formés à partir d’une couche continue dite couche de fabrication. Par exemple, certaines régions de la couche de fabrication auront pu être oxydées pour former les oxydes de grille 102, 202 et/ou les espaceurs 104, 204. La couche de fabrication peut également avoir été gravée puis différents dépôts auront pu être réalisés sur cette couche de fabrication afin de former les oxydes de grille 102, 202, espaceurs 104, 204 et/ou grilles 101, 201. Les régions non transformées ou gravées de la couche de fabrication font alors partie de la couche active 10. La couche active 10 peut de plus comprendre des zones ayant été épitaxiées à partir de la couche de fabrication.
Afin de réaliser une jonction PN 1000 fonctionnelle, dans le cas où la deuxième zone dopée N 120 constitue le premier drain, la deuxième zone dopée P 220 constitue la deuxième source. En conséquence, la première zone dopée N 110 constitue alors la première source et la première zone dopée P 220 constitue le deuxième drain. Dans ce cas de figure, la première zone dopée N 110 constitue la source et la première zone dopée P 220 le drain du dispositif 1.
A l’inverse, dans le cas où la deuxième zone dopée N 120 constitue la première source, la deuxième zone dopée P 220 constitue le deuxième drain. En conséquence, la première zone dopée N 110 constitue alors le premier drain et la première zone dopée P 220 constitue la deuxième source. Dans ce cas de figure, la première zone dopée N 110 constitue le drain et la première zone dopée P 220 la source du dispositif 1.
Le dispositif 1 comprend de plus une couche diélectrique 300 présentant une face supérieure 301 et une face inférieure 302 s’étendant toutes les deux principalement dans des plans parallèles au plan XY du repère orthogonal. La face supérieure 301 de la couche diélectrique 300 se trouve au contact de la première zone dopée N 110, de la deuxième zone dopée N 120, de la première zone dopée P 210 et de la deuxième zone dopée P 220. La couche diélectrique 300 constitue ainsi un diélectrique enterré commun aux deux transistors 100, 200 et donc de façon générale un diélectrique enterré pour le dispositif 1. Elle présente selon la direction z une épaisseur e 300 typiquement égale à 25 nm. Cette valeur correspond aux standards de l’industrie microélectronique. L’invention peut cependant parfaitement fonctionner pour d’autres valeurs de e 300 . La valeur de la tension de grille arrière V BG sera ajustée en fonction de la valeur de e 300 : plus la couche diélectrique 300 sera épaisse, plus la tension de grille arrière à appliquer sera élevée.
Ces éléments sont récapitulés dans le tableau présenté en .
Ces figures témoignent d’une commutation abrupte du courant (comportement parfois désigné par le terme anglais « steep slope », pouvant être traduit par « pente raide »). Une variation de la tension de grille arrière V BG de quelques mV (1mV=10 -3 V) seulement permet une variation de jusqu’à huit décades de courant. Cela correspond à une pente sous le seuil pouvant des valeurs aussi faibles que 1mV/dec. A titre de comparaison, la pente sous le seuil des transistors FDSOI couramment utilisés dans l’industrie est généralement de l’ordre de 80mV/dec. Le dispositif 1 selon l’invention permet donc d’atteindre des performances bien supérieures aux transistors FDSOI classiques.
Par exemple, pour V G1 =V G2 =-0,9V, une variation d’un courant d’environ 10 -5 A à un courant d’environ 10 -13 A est obtenue pour une variation de V BG de moins de 50mV.
Il est à noter que la tension de grille arrière à laquelle le dispositif 1 commute V BG,commutation peut être réglée sur une large plage de tension, ici d’environ -0,5V à près de 1,5V, en ajustant la tension appliquée sur la première grille 101 et la deuxième grille 201. Ainsi, le dispositif 1 peut être utilisé pour différentes applications par simple paramétrage des tensions V G1 et V G2 .
Les figures 4A et 4B sont des cartographies représentant la répartition des charges au sein du dispositif 1 en configurations bloquée ( ) et passante ( ).
Au cours de cette simulation : la première tension de grille V G1 et la deuxième tension de grille V G2 ont été fixées à une même valeur de -1V. la tension drain-source V DS a été fixée à une valeur de 1V. la tension de grille arrière V BG est fixée une première fois à 1,7V ( ) et une fois à 1,8V ( ). on relève la densité de charge volumique, exprimée en C.m -3 , en tout point du dispositif.
Ces cartographies permettent notamment d’observer l’évolution de la zone de charge d’espace de la jonction PN 1000. On observe que celle-ci crée une barrière de potentiel sur toute la hauteur de la jonction lorsque V BG =1,7V ( ), qui cède quand la tension de grille arrière atteint une valeur de 1,8V ( ). On observe en effet sur la , contre la face supérieure 301 de la couche diélectrique 300, une zone continue présentant une densité de charges de l’ordre de 10 19 C/m 3 . C’est notamment à travers cette zone que le courant de drain-source I D S circule une fois le dispositif commuté. Ces deux figures illustrent ainsi la commutation de la jonction PN 1000 et par conséquent celle du dispositif 1.
Les figures 5A et 5B montrent des cartographies représentant la répartition du potentiel électrostatique au sein du dispositif 1 en configurations bloquée ( ) et passante ( ). Les paramètres de simulation sont identiques à ceux des simulations illustrées aux figures 4A et 4B, comme indiqué en . On observe sur la une très forte différence de potentiel électrostatique entre la deuxième zone dopée N 120 et la deuxième zone dopée P 220 formant la jonction PN 1000, témoignant de la barrière de potentiel régnant dans la jonction PN 1000. Après commutation et passage à la configuration passante, cette différence de potentiel disparaît, ce qui permet au courant de circuler entre la source et le drain du dispositif.
Il est à noter que les figures 5A et 5B témoignent du fait qu’une commutation peut être obtenue en faisant varier V BG de 100mV, mais il a été montré qu’une variation de moins de 10mV peut suffire pour observer le même phénomène.
Les figures 6A et 6B représente des simulations du niveau des bandes de conduction ( ) et de valence ( ) entre la source et le drain du dispositif 1 en configurations bloquée (courbes gris foncé) et passante (courbes gris clair). Les paramètres de simulation sont identiques à ceux des simulations illustrées aux figures 4A et 4B, comme indiqué en . On observe que dans la configuration bloquée, la bande de conduction présente, au niveau de la deuxième zone dopée N 120, une barrière de potentiel bloquant le passage des électrons de la source au drain. Pour une valeur de V BG correspondant à la configuration passante du dispositif 1, cette barrière est abaissée et le courant peut circuler. Un phénomène similaire se produit pour la bande de valence : en configuration bloquée, la bande de valence présente, au niveau de la deuxième zone dopée P 220, une barrière de potentiel bloquant le passage des trous du drain à la source du dispositif 1. Après commutation de la configuration bloquée à la configuration passante, la barrière de potentiel est abaissée et le courant peut circuler. Ces figures démontrent à nouveau qu’une commutation abrupte du dispositif 1 est permise grâce au passage soudain de la jonction PN 1000 de l’état bloqué à l’état passant, ou inversement.
Les figures 7A et 7B montrent des cartographies représentant la répartition du champ électrique selon la direction Y au sein du dispositif 1 en configurations bloquée ( ) et passante ( ). Les paramètres de simulation sont identiques à ceux des simulations illustrées aux figures 4A et 4B, comme indiqué en . La commutation se traduit par un champ électrique latéral fort au niveau de la jonction PN 1000 à l’état OFF et un champ électrique pratiquement nul à l’état ON du dispositif 1.
Les figures 8A et 8B montrent des cartographies représentant la répartition de la densité de courant des électrons au sein du dispositif 1 en configurations bloquée ( ) et passante ( ). Une très forte augmentation de la densité de courant a lieu après commutation du dispositif 1 de l’état OFF à l’état ON.
Les caractéristiques venant d’être étudiées en référence aux figures 3A à 8C ont été obtenues en fixant la valeur des tensions de grille V G1 et V G2 et en faisant varier la tension de grille arrière V BG . Elles ont permis de montrer qu’une commutation abrupte pouvait être obtenue pour la caractéristique courant-tension I D S =f(V BG ). Une commutation abrupte peut cependant également être obtenue pour la caractéristique courant-tension I D S =f(V DS ). C’est ce qui est illustré aux figures 9A à 9D. Tout d’abord, la montre une étude de la caractéristique courant-tension I D S =f(V DS ) en fonction de la deuxième tension de grille V G 2 . Au cours de cette simulation : la première tension de grille V G1 est fixée à -0,5V. la tension drain-source V DS varie de 0V à 2V. la tension de grille arrière V BG a été fixée à 0,4V. on relève l’évolution du courant de drain-source I D S circulant dans le dispositif 1 en fonction de V DS et ce pour différentes valeurs de V G2 comprises entre -1V et 1V correspondant à autant de courbe sur la .
On observe qu’une commutation abrupte du courant drain-source I D S est obtenue autour d’une tension de commutation V DS,commutation =1.05V, et ce quelle que soit la tension V G2 appliquée sur la grille du transistor p-MOS.
La montre ensuite une étude de la caractéristique courant-tension I D S =f(V DS ) en fonction de la première tension de grille V G 1 . Au cours de cette simulation : la deuxième tension de grille V G2 est fixée à -0,5V. la tension drain-source V DS varie de 0V à 2V. la tension de grille arrière V BG a été fixée à 0,4V. on relève l’évolution du courant de drain-source I D S circulant dans le dispositif 1 en fonction de V DS et ce pour différentes valeurs de V G 1 comprises entre -1V et 1V correspondant à autant de courbe sur la .
Avantageusement, la quantité totale du ou des composé(s) (poly)carbodiimide (i) va de 0,01 à 20% en poids, de préférence de 0,1 à 15% en poids, plus préférentiellement de 0.2 à 10% en poids, encore plus préférentiellement de 0.5 à 8%, mieux de 1 à 6% en poids par rapport au poids total de la composition C.
(ii) Copolymère acrylique siliconé La composition C employée dans le cadre du procédé selon l’invention comprend (ii) un ou plusieurs copolymères acryliques siliconés.
Par « groupe radical polymérisable », on entend un radical apte à polymériser avec d’autres groupes radicaux polymérisables ou monomères.
De préférence, le motif polydiméthylsiloxane comprend au moins un groupe radical polymérisable.
Les mesures de ces différents capteurs 43 à 46 permettent notamment de déclencher des modes de nettoyage automatiques tels que, par exemple, un nettoyage de la surface vitrée 3 de la fenêtre de toit 2 avec un nombre d'aller-retours prédéterminé de l'outil de nettoyage 13, lorsque le niveau d’eau de pluie contenue dans ledit réservoir 15 est suffisant ou que de la pluie tombe. Par ailleurs, les mesures de ces différents capteurs peuvent être combinées avec d'éventuels paramétrages de la carte électronique 16 de commande en fonction de la région géographique d'installation du dispositif de nettoyage 1. Ainsi, on pourra, par exemple, décider que l'hydrométrie en début de journée (rosée matinale) peut être suffisante, dans certaines régions de France, pour déclencher un nettoyage de la surface vitrée 3 de la fenêtre de toit 2, ou encore que le nombre d’aller/retours de l'outil de nettoyage 13 doit être augmenté si l’installation a lieu dans une zone industrielle où les dépôts de polluant sur la surface vitrée 3 pourraient être plus importants que dans des zones rurales.
Enfin, le dispositif de nettoyage 1 selon l'invention comporte avantageusement un module de communication 48 associé à la carte électronique 16 de commande agencé pour communiquer, via une connexion sans fil, par exemple, du type infra rouge, Bluetooth (Marque déposée), ou similaire, avec une application affichable sur un écran électronique d'une télécommande ou d'un appareil connecté au réseau internet du type smartphone, tablette ou similaire, cette application permettant de paramétrer et/ou de contrôler ou commander le dispositif de nettoyage 1 selon l'invention.
On comprend bien que le dispositif de nettoyage 1 selon l'invention est, bien entendu, utilisé pour nettoyer une fenêtre de toit, mais il pourra également être adapté pour nettoyer d'autres équipements tels que, par exemple, des panneaux solaires.
Enfin, il va de soi que les exemples de dispositifs de nettoyage 1 selon l'invention que l’on vient de donner ne sont que des illustrations particulières, en aucun cas limitatives des domaines de l’invention.
Encore plus préférentiellement, la composition comprend un ou plusieurs copolymères acryliques siliconés comprenant : - au moins un motif crotonique, au moins un motif vinylacétate et au moins un motif vinyle alkyle ester, le radical alkyle étant un radical linéaire ou ramifié, saturé contenant de 6 à 16 atomes de carbone ; et - au moins un motif polydiméthylsiloxane (PDMS) comportant au moins un groupe radical polymérisable comprenant au moins un groupement vinylique.
Avantageusement, la quantité totale en copolymère(s) acrylique(s) siliconés (ii) va de 0,1 à 30% en poids, de préférence de 0,5 à 20% en poids, plus préférentiellement de 1 à 15% en poids, mieux de 2 à 10% en poids par rapport au poids total de la composition C.
(iii) Agent colorant La composition C employée dans le cadre du procédé selon l’invention comprend (iii) un ou plusieurs agent(s) colorant(s) choisi parmi les pigments, les colorants directs, et leurs mélanges.
La fente 17 est ainsi commune à tous les orifices de la première colonne d’orifices 14a et de la deuxième colonne d’orifices 14b.
La fente 17 présente une même section sur toute sa longueur (considérée selon l’axe Z). La fente 17 est par exemple de section oblongue. La fente 17 est agencée de sorte à former une ouverture étirée parallèlement à l’axe X.
Par ailleurs, le guide 10 est configuré de sorte que chaque orifice 14a de la première colonne d’orifices soit en regard d’un orifice 14b de la deuxième colonne d’orifices et par exemple soit colinéaire audit orifice 14b de la deuxième colonne d’orifices.
De la sorte, en introduisant un instrument médical dans un des orifices 14a de la première colonne d’orifices 14a il est possible de lui faire traverser l’orifice 14b en regard de la deuxième colonne d’orifices 14b (l’instrument médical s’étendant alors rectilignement et optionnellement parallèlement à l’axe Z) ou bien de lui faire traverser un orifice 14b de la deuxième colonne d’orifices 14b qui n’est pas en regard de l’orifice 14a concerné de la première colonne d’orifices 14a.