INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
On comprendra que si le dispositif de contrôle DC ne déclenche aucune modification prédéfinie sur la ligne de contrôle LC, le second circuit de détection CD2 ne reçoit pas le premier signal s1 prédéfini, et donc il (CD2) n’induit pas la variation prédéfinie de la première tension u1, si bien que le dispositif de contrôle DC n’autorise pas son système S à alimenter électriquement le connecteur externe CE et donc le dispositif externe DE.
En d’autres termes, lorsqu’un connecteur externe CE a été connecté au connecteur de recharge CR, le dispositif de contrôle DC est chargé de contrôler si ce connecteur externe CE est réellement destiné à permettre la fourniture d’énergie électrique à au moins un dispositif externe DE auquel il est censé être couplé, avant que le système S n’alimente électriquement le connecteur externe CE. A cet effet, on provoque une interaction prédéfinie entre le système S et le connecteur externe CE (et plus précisément son second circuit de détection CD2), sous le contrôle du dispositif de contrôle DC, et si le résultat de cette interaction est celui escompté, alors le dispositif de contrôle DC en déduit que le connecteur externe CE est réellement destiné à permettre la fourniture précitée, et par conséquent il autorise cette fourniture. Il n’y a donc plus de risque qu’en présence d’une valeur anormale de la résistance du connecteur externe d’un câble de recharge, similaire à la résistance du premier composant résistif CR1, le système S alimente ce connecteur externe, puisque ce dernier ne pourra pas induire la variation prédéfinie de la première tension u1 du fait qu’il est dépourvu de second circuit de détection CD2. De plus, il n’y a pas de risque d’alimentation d’un dispositif externe qui n’est pas adapté à cet effet.
Le dispositif de contrôle DC peut être réalisé sous la forme d’une combinaison de circuits ou composants électriques ou électroniques (ou « hardware ») et de modules logiciels (ou « software »). A titre d’exemple, il peut s’agir d’un microcontrôleur.
Le processeur PR1 peut comprendre des circuits intégrés (ou imprimés), ou bien plusieurs circuits intégrés (ou imprimés) reliés par des connections filaires ou non filaires. On entend par circuit intégré (ou imprimé) tout type de dispositif apte à effectuer au moins une opération électrique ou électronique. Par exemple, ce processeur PR1 peut être un processeur de signal numérique (ou DSP (« Digital Signal Processor »)).
La mémoire MD est vive afin de stocker des instructions pour la mise en œuvre par le processeur PR1 de ses opérations.
Par exemple, et comme illustré non limitativement sur les figures 1 et 2, le dispositif de contrôle DC peut aussi comprendre un circuit de sélection CS qui est propre à être installé sur la ligne de contrôle LC entre des première SP1 et seconde SP2 sous-parties de cette dernière (LC). Il est donc intercalé entre les première SP1 et seconde SP2 sous-parties de la ligne de contrôle LC.
Ce circuit de sélection CS est aussi connecté à un circuit d’alimentation électrique C1 que comprend le système S, et qui peut fournir au moins une tension d’alimentation choisi. On notera que le circuit d’alimentation électrique C1 peut être alimenté en énergie électrique issue de la batterie de servitude BS ou de la batterie principale BR. Cependant, lorsque la tension d’alimentation est très basse il est préférable que l’énergie électrique soit issue de la batterie de servitude BS. Mais on pourrait envisager que l’énergie électrique soit issue de la batterie principale BR, via le convertisseur CV (qui assure alors une partie au moins de sa conversion). On comprendra que le circuit d’alimentation électrique C1 est agencé de manière à générer au moins une tension d’alimentation choisie à partir d’une tension qu’il reçoit, par exemple du réseau de bord RB ou du convertisseur CV. Il peut donc comprendre un convertisseur de tension, notamment.
Le circuit de sélection CS est agencé de manière à coupler le connecteur de recharge CR au circuit d’alimentation électrique C1 lorsque le type détecté du connecteur externe CE est représentatif non seulement d’un besoin de fourniture d’énergie électrique pour au moins un dispositif externe DE, mais aussi d’un besoin d’alimentation électrique d’au moins un dispositif interne DIj de ce connecteur externe CE qui est propre à être couplé à la ligne de contrôle LC.
On comprendra que si le type détecté du connecteur externe CE est représentatif d’une recharge en mode 2, 3 ou 4, le circuit de sélection CS est agencé de manière à coupler entre elles les première SP1 et seconde SP2 sous-parties de la ligne de contrôle LC pour que la recharge puisse se faire. En revanche, si le type détecté (possiblement de façon erronée) du connecteur externe CE est représentatif d’un besoin d’alimentation électrique d’au moins un dispositif externe DE et d’au moins un dispositif interne DIj (du connecteur externe CE), le circuit de sélection CS est agencé de manière à coupler le connecteur de recharge CR au circuit d’alimentation électrique C1 pour que chaque dispositif interne DIj du connecteur externe CE puisse être alimenté avec la tension d’alimentation choisie afin que l’alimentation électrique de chaque dispositif externe DE puisse se faire de façon sécurisée.
La illustre un schéma simplifié d’échanges lors de la mise en œuvre d’un procédé de contrôle d’un équipement électronique utilisant un projecteur-stimulateur neuronal selon l’invention,
Le procédé de contrôle BEQC d’un équipement électronique commande au moyen d’une commande donnée cmd n un équipement électronique connecté EQt à un réseau de communication en fonction d’une fréquence neuronale f ecg reçue d’une interface neuronale directe BI lors d’une diffusion d’un flux lumineux l(f n ) avec une fréquence donnée fn par un projecteur PSN dans une zone de projection donnée ZPn ancrée sur un équipement électronique EQt connecté au réseau de communication. La fréquence neuronale reçue f ecg est fonction de la fréquence donnée fn. La fréquence donnée fn et la commande donnée cmd n sont associées.
En particulier, le procédé de contrôle BEQC comporte une activation BI_ACT d’une diffusion PJ d’un flux lumineux l(fn) avec une fréquence donnée fn notamment mis en œuvre par un projecteur PSN. Un procédé de stimulation visuel VST, notamment mis en œuvre par le projecteur PSN, comporte la diffusion PJ du flux lumineux l(fn) avec une fréquence donnée fn.
En particulier, le projecteur PSN diffuse PJ le flux lumineux l(fn) avec une fréquence donnée fn dans une zone de projection donnée ZPn, notamment définie par des coordonnées de zone de projection co n .
En particulier, l’activation BI_ACT d’une diffusion d’un flux lumineux avec une fréquence donnée l(fn) comporte un émetteur de stimulation neuronale BS_EM émettant un signal sv(fn), i, i(fn), i(fn,z n ), i(fn,co n ).
En particulier, le déclenchement BS_EM émet un signal relatif à la fréquence donnée fn utilisée lors de la diffusion PJ d’un flux lumineux avec la fréquence donnée fn. Le signal émis par le déclenchement BS_EM est notamment : - soit un signal d’indication i, tel qu’un signal d’indication i de la fréquence donnée fn et/ou de la zone de projection donnée z n : i, i(fn), i(fn,z n ), i(fn,co n ), à destination de la diffusion PJ et/ou du procédé de stimulation visuel VST ; - soit un signal visuel sv(fn) à reproduire avec la fréquence donnée fn à la diffusion PJ et/ou au procédé de stimulation visuel VST.
En particulier, le procédé de stimulation visuel VST comporte, préalablement à la diffusion PJ, une génération SV_GN de signal visuel sv(fn) avec une fréquence donnée fn indiquée dans le signal d’indication i(fn), i(fn,z n ), i(fn,co n ) provenant du déclenchement BS_EM.
En particulier, le procédé de contrôle d’équipement électronique BEQC comporte, préalablement au déclenchement BS_EM de diffusion du flux lumineux avec une fréquence donnée l(fn), une recherche PN_RTV des paramètres donnés associés aux commandes de l’équipement électronique EQt, c’est-à-dire des fréquences données et, le cas échéant, des zones de projections données. En particulier, la recherche de paramètres donnés PN_RTV, notamment dans un dispositif de stockage tel qu’une base de commandes BDC, par exemple la base de commandes de la .
En particulier, le procédé de contrôle d’équipement électronique BEQC comporte, préalablement au déclenchement BS_EM de la diffusion d’un flux lumineux avec une fréquence donnée l(fn), une génération SV_GN de signal visuel sv(fn) avec une fréquence donnée fn indiquée dans le signal d’indication i(fn) , i(fn,z n ), i(fn,co n ) provenant du déclenchement BS_EM.
En particulier, le procédé de contrôle d’équipement électronique BECQ comporte, préalablement à la recherche de paramètres donnés PN_RTV, une recherche des commandes de l’équipement électronique CMD_RTV, notamment dans un dispositif de stockage tel qu’une base d’équipements électroniques BDE, par exemple la base d’équipements électroniques de la , fournissant une liste de commandes {cmd i } i=1…n…N aptes à être mises en œuvre par l’équipement électronique EQt.
Lorsqu’un passage du statut « éteint » ou « désactivé » à un statut « allumé » ou « activé » est détecté [ON] par cette vérification EQ_ST ?, alors la vérification EQ_ST ? émet une commande d’activation bcic_on. La commande d’activation bcic_on comporte éventuellement la liste des commandes fournissant une liste de commandes {cmd i } i=1…n…N aptes à être mises en œuvre par l’équipement électronique EQt. La commande d’action bcic_on déclenche l’activation BI_ACT d’une diffusion PJ d’un flux lumineux l(fn) avec une fréquence donnée fn et/ou la recherche de commandes CMD_RTV.
Lorsqu’un passage du statut « en veille» à un statut « allumé » ou « activé » est détecté [WK] par cette vérification EQ_ST ?, alors la vérification EQ_ST ? émet une commande de réveil bcic_wk. La commande de réveil bcic_wk comporte éventuellement la liste des commandes fournissant une liste de commandes {cmd i } i=1…n…N aptes à être mises en œuvre par l’équipement électronique EQt. La commande de réveil bcic_wk déclenche l’activation BI_ACT d’une diffusion PJ d’un flux lumineux l(fn) avec une fréquence donnée fn et/ou la recherche de commandes CMD_RTV.
En particulier, le procédé de contrôle d’équipement électronique BEQC comporte, après déclenchement BS_EM de diffusion PJ d’un flux lumineux avec une fréquence donnée l(fn), une supervision de l’équipement électronique EQ_MNT commandant l’équipement électronique EQt au moyen d’une commande donnée cmd n fonction d’une fréquence neuronale captée f ecg provenant d’une interface neuronale directe BI lors de la diffusion PJ du flux lumineux avec une fréquence donnée l(fn) par un projecteur PSN associée à l’équipement électronique EQt.
L’invention a pour but de déterminer précisément et de manière robuste des prévisions de puissance produite par au moins un panneau photovoltaïque, aussi bien sur du court terme que sur du long terme. La présente invention concerne un procédé de prévision d’une puissance produite par au moins un panneau photovoltaïque. Pour ce procédé, on construit un modèle de prévision de puissance produite, à partir de données météorologiques et données de production pendant une période prédéterminée. Le modèle de prévision est une combinaison d’une fonction de transfert calibrée et un modèle de variation de la puissance (construit par apprentissage automatique), la combinaison est corrigée en fonction de la puissance produite. Puis, en temps réel, on détermine une prévision de puissance produite par application du modèle de prévision d’une puissance produite. Ainsi, le procédé selon l’invention se base sur une combinaison de modèles physiques et d’intelligence artificielle afin d’être le plus robuste possible aux erreurs de prévision météorologique. Le procédé selon l’invention permet notamment de prédire une puissance produite, tout en estimant un certain intervalle de confiance associé. L’intervalle de confiance permet d’estimer une incertitude associée aux prévisions. Ainsi, le procédé peut être utilisé par les agrégateurs pour optimiser la gestion de la production, tout en respectant les exigences du réseau. De plus, la correction du modèle permet d’améliorer la précision de la prévision. Ainsi, même sans capteurs au sol, le procédé selon l’invention permet d’améliorer les prévisions courts termes tout en restant fiables sur les prévisions longs termes.
L’invention concerne un procédé de prévision d’une puissance produite par au moins un panneau photovoltaïque. Pour ce procédé, on met en œuvre les étapes suivantes :
On acquiert une puissance produite par ledit au moins un panneau photovoltaïque pendant une période prédéterminée ; On acquiert des données météorologiques pendant ladite période prédéterminée, lesdites données météorologiques comprenant au moins une irradiance, éventuellement une température et éventuellement d’autres données de prévision météorologique ; On calibre une fonction de transfert qui relie la puissance produite par ledit au moins un panneau photovoltaïque à ladite irradiance et éventuellement à ladite température pour ladite période prédéterminée ; On construit une base d’apprentissage pour ladite période prédéterminée à partir de ladite puissance produite acquise, desdites données météorologiques acquises, et de paramètres temporels ; On construit un modèle de variation de la puissance produite par ledit au moins un panneau photovoltaïque au moyen d’une méthode d’apprentissage automatique entraînée sur ladite base d’apprentissage construite, ledit modèle de variation de la puissance produite associant une variation de la production à des données météorologiques et à un paramètre temporel ; On construit un modèle de prévision de puissance produite par ledit au moins un panneau photovoltaïque par combinaison de ladite fonction de transfert calibrée et appliquée à une irradiance théorique pour un ciel clair sans nuage et dudit modèle de variation de la puissance produite, et au moyen d’une correction de ladite combinaison en fonction de ladite puissance produite acquise ; En temps réel, on acquiert la puissance produite par ledit au moins un panneau photovoltaïque ; En temps réel, on acquiert des données de prévisions météorologiques pour au moins un instant futur ; En temps réel, on détermine une prévision de la puissance produite par ledit au moins un panneau photovoltaïque pour ledit au moins un instant futur, par application dudit modèle de prévision de puissance produite à ladite puissance produite acquise en temps réel, et auxdites données de prévisions météorologiques acquises en temps réel.
Selon un mode de réalisation, pendant ladite période prédéterminée, on acquiert l’irradiance mesurée au moyen d’un pyranomètre.
Selon un aspect, ladite méthode d’apprentissage automatique est un apprentissage automatique de régression, de préférence une méthode de forêt aléatoire.
Conformément à une mise en œuvre, ladite étape de correction de ladite construction dudit modèle de prévision de puissance produite est fonction d’une comparaison entre une puissance produite acquise et une puissance produite estimée au moyen de ladite fonction de transfert et dudit modèle de variation pour plusieurs pas de temps antérieur à l’instant considéré.
Avantageusement, ladite étape de correction met en œuvre la formule suivante :
avec t l’instant considéré, i un pas de temps futur, j un pas de temps passé, Prod c est la puissance produite corrigée, Prod f,50p est la puissance produite médiane estimée par ledit modèle de variation de puissance produite et ladite fonction de transfert, Prod m est la puissance produite acquise, , et étant des pondérations respectivement des prévisions météorologiques et de la puissance produite acquise, et K un coefficient correctif.
Selon une caractéristique, ledit modèle de variation de la puissance produite détermine une puissance produite médiane et/ou une puissance produite pour le dixième centile et/ou une puissance produite pour le quatre-vingt-dixième centile.
De manière avantageuse, on acquiert lesdites données de prévision météorologiques au moyen d’un service en ligne, et selon un pas temporel compris entre 5 minutes et 4 heures, de préférence entre 15 minutes et 1 heure.
Selon une option de réalisation, lesdites données de prévision météorologique comprennent une température, une irradiance, une vitesse du vent, un taux de précipitation, un taux d’humidité de l’air.
Conformément à un mode de réalisation, on acquiert lesdites données de prévision météorologique pour un horizon temporel compris entre 1 heure et 14 jours, de préférence entre 1 et 7 jours.
De préférence, on détermine une prévision de la puissance produite pour un horizon temporel futur correspondant audit horizon temporel desdites données de prévision météorologique.
Selon un mode de réalisation, ladite fonction de transfert est une cartographie qui relie une irradiance, une température et une puissance produite par ledit au moins un panneau photovoltaïque.
En outre, l’invention concerne un procédé de gestion d’une installation électrique comprenant au moins un panneau photovoltaïque. Pour ce procédé, on met en œuvre les étapes suivantes :
On détermine une prévision de la puissance produite par ledit au moins un panneau photovoltaïque au moyen du procédé selon l’une des caractéristiques précédentes ; et On gère ladite installation électrique en fonction de ladite prévision de puissance produite, par exemple en gérant une batterie électrique de ladite installation électrique, et/ou en gérant une distribution électrique au sein d’un réseau électrique.
- au moins une paroi transversale 852 (avantageusement une paroi transversale ou deux parois transversales) destinée à venir, dans la seconde position, en regard d’une face transversale 752 du bloc absorbant 7.
Et ledit au moins un orifice traversant 81 est avantageusement ménagé dans l’une des deux parois frontales 851 du capuchon 8.
Ledit au moins un orifice traversant 81 débouche ainsi avantageusement en regard d’une face frontale 751 du bloc absorbant 7.
Selon une forme de réalisation illustrée sur les figures 1 à 5 ou 7, la paroi latérale 85 comporte encore avantageusement :
- une première bordure 853, libre, au travers de laquelle débouche le volume interne 8’, et
- une seconde bordure 854 raccordée à une paroi terminale 86, obturant le volume interne 8’.
Selon une forme de réalisation illustrée sur la , la paroi latérale 85 comporte encore avantageusement deux bordures 853, 854 libres.
Moyens d’assemblage Les moyens d’assemblage 9 (autorisant la manœuvre du capuchon 8 entre les deux positions précitées) peuvent prendre diverses formes.
Selon une forme de réalisation illustrée au travers des figures 1 à 5, les moyens d’assemblage 9 consistent avantageusement en des moyens d’assemblage 9 amovible du capuchon 8 par rapport au boîtier 2.
Le boîtier 2 et le capuchon 8 coopèrent alors par le biais de moyens d’assemblage 9 amovibles.
Pour cela, le boîtier 2 comporte alors avantageusement des moyens de réception amovible 91 qui sont adaptés à la réception amovible du capuchon 8 (avantageusement par emboîtement ou emmanchement).
Ces moyens de réception amovible 91 sont par exemple formés par :
- l’embase 6 du bloc absorbant 7 (figures 1 à 4) et/ou
- un organe support additionnel 911, distinct de l’embase 6, de préférence ménagé au niveau d’une seconde extrémité 2b du boîtier 2 ( ).
L’emboîtement, ou emmanchement, est avantageusement effectué au travers de la première bordure 853, libre, du capuchon 8 au travers de laquelle débouche le volume interne 8’.
Par exemple, l’embase 6 forme les moyens de réception amovible 91 autorisant la seconde position dans laquelle le bloc absorbant 7 est logé (avantageusement sans être comprimé) dans le volume interne 8’ du capuchon 8.
On entend par « gravure sélective vis-à-vis de » ou « gravure présentant une sélectivité vis-à-vis de » une gravure configurée pour enlever un matériau A ou une couche A vis-à-vis d’un matériau B ou d’une couche B, et présentant une vitesse de gravure du matériau A supérieure à la vitesse de gravure du matériau B. La sélectivité est le rapport entre la vitesse de gravure du matériau A sur la vitesse de gravure du matériau B. Elle est de préférence notée S A:B . Une sélectivité S A:B égale à 5:1 signifie que le matériau A est gravé 5 fois plus vite que le matériau B. Une sélectivité S A:B inférieure à, ou supérieure à, s’applique à la valeur du premier matériau A. Une sélectivité S A:B supérieure à 5:1 vaut par exemple 10:1. Une sélectivité S A:B inférieure à 1:5 vaut par exemple 0,5:5, soit 1:10.
Le niveau 10A s’étend principalement selon un plan xy. Le premier niveau de pistes 10A comprend des pistes électriques 10. Ces pistes électriques 10 sont formées dans un matériau conducteur tel que le cuivre ; ces pistes électriques 10 sont typiquement séparées et/ou encapsulées par une couche diélectrique 201. Cette couche diélectrique a également pour fonction de former une barrière contre la diffusion du cuivre. Cette couche diélectrique 201 est par exemple formée de SiO 2 .
Les figures 2A et 2B illustrent la formation d’une couche diélectrique 200 sur le premier niveau de pistes 10A, en prévision de la formation du niveau d’interconnexion 30A.
La couche diélectrique 200 est de préférence directement au contact du premier niveau 10A. Elle est à base d’un matériau diélectrique, par exemple à base d’un oxyde de silicium ou d’un nitrure de silicium, ou encore d’un oxy-nitrure de silicium. Elle peut être à base de SiO 2 , de SiOCH, de Si x N y , de SiCN, de SiO x N y ou de SiO x C y N z avec x, y, z des nombres rationnels positifs non nuls.
Cette couche diélectrique 200 peut être déposée par dépôt chimique en phase vapeur (CVD), par exemple par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD, acronyme de « Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ») ou par dépôt chimique en phase à basse pression (LPCVD, acronyme de « Low Pressure Chemical Vapor Deposition »).
La couche diélectrique 200 peut présenter une épaisseur e typiquement comprise entre 20 nm et 1000 nm, de préférence entre 50 nm et 500 nm, par exemple de l’ordre de 100 nm.
Comme illustré aux figures 3A, 3B, et à la , des particules P sont ensuite déposées aléatoirement sur la face exposée 202 de la couche diélectrique 200. Le dépôt des particules P peut se faire par dispersion d’une solution colloïdale comprenant lesdites particules P en suspension. Dans une telle solution colloïdale, les particules P sont animées par un mouvement brownien qui assure une distribution aléatoire des positions de particules au sein de la solution, avant dépôt. Lors du dépôt sur la surface exposée 202 de la diélectrique 200, ce caractère aléatoire sur les positions de particules est conservé. À ce stade, les particules P se répartissent donc aléatoirement à la surface de la couche diélectrique 200. Le dépôt des particules P peut se faire sur une surface intermédiaire, typiquement une surface 30 d’un tampon 3 de polissage ou de brassage, mise en contact avec la face exposée 202 de la couche diélectrique 200, comme illustré à la . La dispersion peut se faire dans ce cas sur la surface intermédiaire 30, par exemple via une canule 4. Le caractère aléatoire sur les positions de particules est conservé lors de la mise en contact de la surface intermédiaire 30 avec la surface exposée 202 de la couche diélectrique 200.
Les critères de classement sont ainsi choisis de la manière suivante, le doigt n°i respecte : Critère n°1 : Nombre de bifurcations inférieur ou égal à 5 et supérieur ou égale à 3. Critère n°2 : la présence d’un crochet avec un angle par rapport à l’horizontale compris entre à 10° et 20. Critère n°3 : la présence d’un couple bifurcation – lac séparés d’une distance comprise entre à 2mm et 5mm.
La limitation à trois critères de classement a pour but de simplifier la présentation du procédé selon l’invention. En pratique, le nombre de critères de classement est de l’ordre des centaines.