INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Lors d’une étape initiale 100, le dispositif de traitement 20 calcule alors, via son module d’hybridation 30, le signal hybride à partir des premier et deuxième signaux analogiques, issus des premier et deuxième microphones 12, 14, de la manière décrite précédemment.
La est une représentation schématique d’un présentoir selon l’art antérieur en position montée.
La est une représentation schématique du présentoir de la avant assemblage.
La est une représentation schématique d’un insert de maintien selon l’art antérieur.
La est une représentation schématique d’un présentoir selon une forme de réalisation de l’invention.
La est une représentation schématique d’une première paroi de présentation du présentoir de la .
La est une représentation schématique d’une deuxième paroi de présentation du présentoir de la sur laquelle sont montés les inserts de maintien et des organes de contrainte.
La est une représentation schématique d’un insert de maintien selon un première forme de réalisation de l’invention.
La est une représentation schématique d’un doigt en saillie de la vu de dessus et vu en coupe A-A en position plane et en position inclinée.
La est une représentation schématique d’un insert de maintien avec une ouverture traversante selon un deuxième forme de réalisation de l’invention.
La est une représentation schématique d’un exemple de mise en œuvre d’un procédé de fabrication d’un présentoir selon l’invention.
DESCRIPTION DETAILLEE DE L’INVENTION En référence à la , il est représenté un présentoir d’informations P comprenant deux parois de présentation 1, 2 mais l’invention s’applique également à un présentoir d’informations P comprenant plus de deux parois de présentation 1, 2, en particulier, 3 ou 4.
Comme illustré aux figures 5 et 6, chaque paroi de présentation 1, 2 comporte un premier bord de montage 11, 21 et un deuxième bord de montage 12, 22. Les bords de montage 11, 12, 21, 22 d’une paroi de présentation 1, 2 sont diamétralement opposés et se présentent sous la forme de languettes ou de rabats. Dans cet exemple, les parois de présentation 1, 2 sont indépendantes mais il va de soi qu’elles pourraient être réalisées par pliage d’une seule feuille de papier.
Les premiers bords de montage 11, 21 sont destinés à être assemblés ensemble. De manière analogue, les deuxièmes bords de montage 12, 22 sont destinés à être assemblés ensemble. De tels bords de montage 11, 12, 21, 22 sont connus de l’homme du métier et ne seront pas présentés en détails. Ils permettent notamment le montage d’organes de contrainte comme cela sera présenté par la suite.
De manière connue, chaque paroi de présentation 1, 2 est réalisée dans une feuille de papier cartonné ayant un premier grammage G1 inférieur ou égal à 555g/m2. De préférence, le premier grammage G1 est compris entre 300g/m2 et 400g/m2, de préférence encore, égal à 350g/m2. Un tel papier cartonné est aisément disponible et peut être avantageusement recyclé étant donné qu’il est dénué de colle.
Il est possible d’utiliser une, deux voire davantage de couches de matériau réfractaire entre les éléments. Le matériau réfractaire peut être un matériau très compressible, c’est-à-dire que sous l’effet de la compression, son épaisseur peut être réduite d’au moins 50% ou d’au moins 70 % ou d’au moins 80%. Son épaisseur peut être réduite jusqu’à environ 95%.
Le matériau réfractaire résiste à une température allant au moins jusqu’à 1200 °C. Ce peut être une feuille comprenant des fibres de céramique, c’est-à-dire des fibres (de silicates) vitreuses artificielles à orientation aléatoire et dont le pourcentage pondéral d’oxydes alcalins et d’oxydes alcalino-terreux : [Na 2 O] + [K 2 O] + [CaO] + [MgO] + [BaO] est inférieur à 18 %. Ces fibres sont élaborées à partir de mélanges silice/alumine ou à partir de kaolinite. D’autres oxydes comme la zircone, les oxydes de bore ou de titane peuvent être ajoutés. Les fibres de céramique sont très compressibles. Elles agissent alors comme un ressort. L’épaisseur de la feuille comprenant des fibres de céramique s’adapte donc à la distance entre deux éléments. La feuille comprenant des fibres de céramique compense les légères variations des dimensions des éléments qui pourraient se produire lors de leur fabrication. Cela permet d’utiliser une seule taille de coffre de groupement pour la batterie.
Outre sa propriété de résister à de fortes températures, le matériau réfractaire peut aussi présenter la propriété d’être un bon isolant thermique et d’éviter que la chaleur générée par un élément fonctionnant de manière anormale ne se propage aux éléments voisins. Le matériau réfractaire peut présenter une conductivité thermique à 20°C inférieure à 0,5 W/(m.K), de préférence allant de 0,02 à 0,2 W/(m.K).
La cale rigide est constituée d’un matériau présentant une dureté supérieure ou égale à 90 Shore A selon la norme ASTM D 2240-15(2021). Sa rigidité permet de maintenir un écartement constant entre deux éléments voisins. En l’absence de cale rigide, le gonflement de deux éléments voisins conduirait à un écrasement quasiment total de la couche de matériau réfractaire sur toute sa hauteur. L’épaisseur de la couche de matériau réfractaire pourrait en effet ne représenter plus que 5% de son épaisseur avant compression. A une si faible épaisseur, la couche de matériau réfractaire ne remplirait quasiment plus sa fonction de barrière thermique. Grâce à l’invention, la couche de matériau réfractaire n’est réduite qu’à l’emplacement de la cale rigide, c’est à-dire uniquement dans la région périphérique. Comme la couche de matériau réfractaire est en contact avec pratiquement la totalité de la hauteur de l’élément, il est possible d’obtenir une barrière thermique très efficace.
Le matériau constituant la cale rigide résiste de préférence à une température d’au moins 200°C. De préférence, il s’agit d’un matériau non conducteur électrique (comme par exemple du plastique). De préférence encore, il s’agit de polytétrafluoroéthylene (PTFE), ou de polyimide (PI) ou de polyépoxyde (PE). L’épaisseur de la cale rigide n’est pas limitée. Elle est choisie par un opérateur en fonction de l’écartement recherché entre les éléments et de l’épaisseur minimale souhaitée de la couche de matériau réfractaire. Elle peut aller de 0,5 à 1,5 mm, de préférence de 0,7 à 1 mm. L’utilisation de cale rigide permet de maintenir le matériau réfractaire non comprimé et maintenir constant l’écartement entre deux éléments. Ainsi, la longueur de la batterie ne varie pas au cours de son fonctionnement. L’invention permet donc de répondre à la double exigence de disposer d’une part d’une batterie conservant une longueur constante au cours de son fonctionnement, et d’autre part qui empêche la propagation d’un emballement thermique entre les éléments de la batterie.
La représente schématiquement un premier mode de réalisation dans lequel une seule couche de matériau réfractaire est utilisée. Elle montre une batterie (1) comprenant deux éléments électrochimiques (2-1, 2-2) de format parallélépipédique. Le conteneur de ces éléments présente une face supérieure comportant les bornes positive et négative et une face inférieure opposée à la face supérieure en contact avec un support. Les éléments sont connectés électriquement par une pièce de connexion (15). Une couche de matériau réfractaire (3-1) est disposée entre les éléments. La hauteur de la couche de matériau réfractaire est dans cet exemple identique à la hauteur des éléments. Une face de la couche de matériau réfractaire est au contact de l’une des faces d’aire la plus grande (4-1) de l’un des éléments (2-1). Le contact s’effectue sur toute la hauteur de la couche de matériau réfractaire. La face opposée de la couche de matériau réfractaire n’est pas complètement au contact de l’une des faces d’aire la plus grande (4-2) de l’élément voisin (2-2). En effet, la présence de la cale rigide (5) d’épaisseur « e » ne permet pas à la face opposée de la couche de matériau réfractaire (3-1) d’être complètement au contact de la face d’aire la plus grande (4-2) de l’élément voisin (2-2). La région centrale et la région périphérique sont schématisées par les lettres C et P respectivement. Les deux limites L1 et L2 entre la région centrale C et la région périphérique P des conteneurs des deux éléments coïncident avec les limites entre la région centrale et la région périphérique de la couche de matériau réfractaire. On note que la cale rigide est placée hors de la région centrale. La couche de matériau réfractaire n’est donc comprimée que dans sa région périphérique qui est la moins sujette au gonflement. La couche de matériau réfractaire dans sa région centrale n’est pas déformée.
La représente schématiquement un second mode de réalisation dans lequel deux couches (3-1, 3-2) de matériau réfractaire sont disposées entre deux éléments (2-1, 2-2). Ce second mode de réalisation est préférable au premier car les deux faces (4-1, 4-2) des deux éléments qui se trouvent en vis-à-vis sont toutes les deux complètement en contact avec une couche de matériau réfractaire. L’effet de barrière thermique est donc amélioré.
La cale rigide présente de préférence la forme d’un cadre comprenant deux montants verticaux de hauteur H1 et deux montants horizontaux de longueur L1. La hauteur H1 et la longueur L1 sont déterminées de sorte que l’aire du cadre soit supérieure à l’aire de la région centrale de la couche de matériau réfractaire et donc qu’une fois en place entre les éléments, la cale rigide se situe hors de la région centrale de la couche de matériau réfractaire.
Pour une mise en place facile de la cale entre les éléments lors de la fabrication de la batterie, on peut rendre le cadre solidaire d’un second cadre de dimensions H2 et L2 supérieures à H1 et L1. De préférence, le second cadre, la ou les couches de matériau réfractaire et la face du conteneur au contact avec une couche de matériau réfractaire ont les mêmes hauteur et largeur.
Le premier cadre est rendu solidaire du second cadre grâce à des éléments de liaison. Lorsque le second cadre est placé entre deux éléments électrochimiques, il est aligné avec le bord des éléments électrochimiques. Le premier cadre est automatiquement correctement placé hors de la région centrale de la couche de matériau réfractaire.
Les éléments de liaison reliant le premier cadre au second cadre peuvent être au nombre de six, deux éléments de liaison reliant chacun un montant horizontal du premier cadre à un montant horizontal du second cadre, quatre éléments de liaison reliant chacun un coin du premier cadre à un coin du second cadre.
La zone de jonction entre un élément de liaison et un montant du premier ou du second cadre peut être renforcée en élargissant localement la zone de jonction. Cet élargissement peut avoir une forme circulaire ou rectangulaire.
L’ensemble formé par le premier cadre, le second cadre, les éléments de liaison et éventuellement les renforts peut être fabriqué par moulage d’une pièce plastique. On obtient une seule pièce aisément manipulable et facile à positionner.
La cale rigide peut être intégrée dans une couche de matériau réfractaire. Elle peut aussi être prise en sandwich entre deux couches de matériau réfractaire. Dans les deux cas, cela permet de n’avoir qu’une seule pièce à manipuler lors du montage des éléments.
La est une vue de dessus d’un ensemble constitué d’une couche de matériau réfractaire (3-1) sur laquelle est déposée une cale rigide. La cale rigide comprend un premier cadre comprenant deux montants horizontaux (6-1, 6-3) de longueur L1 et deux montants verticaux (6-2, 6-4) de hauteur H1. Ce premier cadre s’inscrit dans un second cadre de plus grandes dimensions comportant deux montants horizontaux (6-5, 6-7) de longueur L2 et deux montants verticaux (6-6, 6-8) de hauteur H2. Les dimensions du second cadre correspondent aux dimensions de la couche de matériau réfractaire qui peut elle-même être découpée aux dimensions de la face de l’élément avec laquelle elle est en contact. Les dimensions H1 et L1 du premier cadre sont calculées de sorte qu’il se situe hors de la région centrale de la couche de matériau réfractaire. Le premier cadre est rendu solidaire du second cadre à l’aide d’éléments de liaison. Deux éléments de liaison (8-1, 8-2) relient chacun un montant horizontal du premier cadre à un montant horizontal du second cadre. Quatre éléments de liaison (9-1, 9-2, 9-3, 9-4) relient chacun un coin du premier cadre à un coin du second cadre. Les extrémités des éléments de liaison sont munies de renforts (10) qui sont constitués par un élargissement de la zone de jonction entre les montants du premier ou du second cadre et les éléments de liaison.
Un procédé pour l’assemblage d’une batterie comprenant au moins deux éléments élec-trochimiques comprend les étapes de : a) mise à disposition d’un premier élément électrochimique de format parallélépipèdique, b) mise en place d’une première couche d’un matériau réfractaire résistant à une température allant jusqu’à 1200°C au contact de la totalité d’une première face qui est l’une des faces de plus grande aire de l’un des éléments électrochimiques, ladite première couche comportant une région centrale ayant pour centre le centre de la première couche et une aire représentant de 30 à 60% de l’aire de la première face ; c) mise en place d’une cale rigide présentant une dureté supérieure ou égale à 90 Shore A selon la norme ASTM D 2240-15(2021) contre la première couche, la cale rigide étant située hors de la région centrale de ladite première couche ; d) accolement contre la cale rigide d’une seconde face qui est l’une des faces de plus grande aire du second élément électrochimique de format parallélépipèdique.
est une vue en coupe schématique d’un détecteur mono-polarisation dont les espaces de mesure de particules positive et négative sont de largeur variable.
est une vue en coupe schématique d’un détecteur mono-polarisation présentant en entrée une électrode de mise en forme du champ électrique.
est une vue en coupe schématique d’un détecteur mono-polarisation présentant un rayon de courbure variable.
est une vue en coupe schématique d’un détecteur mono-polarisation comprenant des parois se croisant.
Comme illustré aux figures 1 et 2, un détecteur mono-polarisation 1 de particules positives et négatives d’un plasma 3 comprend une tête 5 hémisphérique ou en quart de sphère pourvue d’une paroi interne 7, d’une paroi intermédiaire 9 et d’une paroi externe 11.
La paroi externe 11 présente une ouverture externe 13 et la paroi intermédiaire 9 présente une ouverture intermédiaire 15 qui dans ce mode de réalisation est alignée avec l’ouverture externe 13 selon un axe principal 17 de la tête 5.
Le détecteur mono-polarisation 1 comprend un capot19 (ou collimateur) apte à être rapporté sur la tête 5. Ce capot 19 présente une bouche d’entrée 21 s’étendant transversalement à l’axe principal 17 pour la circulation des particules positives et négatives du plasma 3 vers l‘ouverture externe 13 et l’ouverture intermédiaire 15. Ce capot 19 a pour objectif de servir de collimateur aux particules en leur imposant le bon angle d’arrivée par rapport à l’axe principal 17 ainsi que la bonne répartition des lignes de champ électrique en entrée. Cette valeur est typiquement d’un angle maximum de 20°.
Une telle géométrie du champ électrique en entrée du détecteur a pour effet de correctement guider et assurer une bonne séparation des particules positives et négatives en entrée des détecteurs. Cela impose une forme particulière qui dépend de nombreux paramètres. Il existe donc de multiples solutions.
Le détecteur mono-polarisation 1 comprend un dispositif d’application d’une haute tension 23 selon une polarité (soit positive, soit négative) et une valeur définies, ledit dispositif étant configuré pour appliquer la haute tension à la paroi intermédiaire 9.
Le détecteur mono-polarisation 1 comprend une unité de comptage 25 de charges positives et négatives configurée pour mesurer des charges d’une première polarité dans un interstice interne 27 entre la paroi interne 7 et la paroi intermédiaire 9 et pour mesurer des charges d’une deuxième polarité dans un interstice externe 29 entre la paroi intermédiaire 9 et la paroi externe 11.
En d’autres termes, l’interstice interne 27 et l’interstice externe 29 correspondent au volume situé entre la paroi interne 7 et la paroi intermédiaire 9, et, respectivement au volume situé entre la paroi intermédiaire 9 et la paroi externe 11.
Ainsi, entre la paroi externe 11 (ou électrode externe) et la paroi intermédiaire 9 (ou électrode intermédiaire) se trouve un interstice externe 29 disposant d’une entrée (l’ouverture externe 13), zone de captation d’une espèce de particules de même signe.
Entre la paroi interne 7 (ou électrode interne) et la paroi intermédiaire 9 (ou électrode intermédiaire) se trouve un interstice interne 27 disposant d’une entrée (l’ouverture intermédiaire 15), zone de captation de l’autre espèce de particules de signe opposé à la première espèce collectée.
Le signe des espèces collectées dans l’interstice interne 27 et l’interstice externe 29 dépend du signe de la polarisation appliquée sur la paroi intermédiaire 9. La paroi externe 11 et la paroi interne 7 sont normalement (mais pas obligatoirement) à la masse.
Puisque la paroi intermédiaire 9 présente une polarité d’une haute tension, seule les populations de particules de bonne polarité pourront parcourir l’intégralité de l’interstice correspondant et aller jusqu’à l’unité de comptage 25. Ainsi, chaque unité de comptage 25 ne mesurera qu’une seule polarité de particules.
D’autre part, les transistors PMOS et NMOS sont typiquement réalisés dans des caissons du substrat porteur ayant un type de dopage respectif, soit dans une configuration de « caissons normaux » (usuellement « regular well » en anglais) dans laquelle les transistors PMOS sont réalisés dans un caisson de type N et les transistors NMOS dans un caisson de type P (c’est-à-dire à la manière des réalisations de transistor MOS en substrat monolithique, « bulk » en anglais) ; soit dans une configuration de « caissons inversés » (usuellement « flip well » en anglais) dans laquelle les transistors PMOS sont réalisés dans un caisson de type P et les transistors NMOS dans un caisson de type N (ce qui est possible en raison de la couche diélectrique enterrée des substrats SOI).
En conséquence, en cas de polarisation arrière, la différence de potentiel entre les caissons de type P et de type N est limitée par la tension de seuil de la jonction PN formée entre les caissons, de sorte que la configuration de caissons normaux ne permet pas (ou trop peu pour être exploitable) la polarisation arrière directe, et la configuration de caissons inversés ne permet pas (ou trop peu pour être exploitable) la polarisation arrière inverse.
La cointégration de caissons normaux avec des caissons inversés n’est pas avantageuse, en particulier en matière d’occupation surfacique, du fait que dans ce cas, des transistors du même type (NMOS ou PMOS) doivent être réalisés dans des caissons distincts et électriquement isolés.
Des techniques d’isolation électrique des caissons de type N et de type P au moyen de tranchées d’isolation latérale supplémentaire et plus profondes que les tranchées d’isolation latérales typiques, permettent des polarisations arrières à la fois directes et inverses mais engendrent des étapes de fabrication supplémentaires, qui sont chères et complexes en matière de fabrication du dispositif semiconducteur, et engendrent aussi une complexité supplémentaire en matière de conception du circuit.
Des modes de réalisation et de mise en œuvre permettent des polarisations arrières directes et inverses exploitables à des valeurs supérieures à la tension de seuil de la jonction PN entre les caissons, à la foi pour des transistors NMOS et des transistors PMOS, les transistors du même type (NMOS ou PMOS) étant tous aptes à être cointégrés dans un même caisson du substrat porteur, et sans engendrer de complexités dans la fabrication et dans la conception du circuit.
Selon un aspect, il est proposé à cet égard un dispositif semiconducteur du type silicium sur isolant comportant au moins un transistor NMOS dans et sur un film semiconducteur séparé d’un caisson dopé de type P aménagé dans un substrat porteur par une couche diélectrique enterrée, au moins un transistor PMOS dans et sur un film semiconducteur séparé d’un caisson dopé de type N aménagé dans le substrat porteur par la couche diélectrique enterrée, et un circuit d’alimentation configuré pour générer des tensions dans les caissons de type P et de type N, de manière à procurer sélectivement des conditions de polarisation arrière neutre, directe et inverse, au transistor NMOS et au transistor PMOS, dans lequel le circuit d’alimentation est configuré pour générer, dans la condition de polarisation arrière neutre, une première tension négative non-nulle dans le caisson de type P et une première tension positive non-nulle dans le caisson de type N, les transistors NMOS et PMOS étant respectivement configurés pour avoir des tensions de seuil nominales dans la condition de polarisation arrière neutre.
En d’autres termes, il est proposé de réaliser les transistors NMOS et PMOS spécifiquement configurés pour avoir des tensions de seuil nominales, c’est-à-dire les tensions de seuil prévues pour un fonctionnement normal du circuit, dans la condition particulière de polarisation arrière neutre où les caissons des transistors sont respectivement polarisés négativement et positivement.
En conséquence, à partir de la condition de polarisation arrière neutre comprenant une polarisation négative du caisson de type P et une polarisation positive du caisson de type N, il est possible d’augmenter la tension polarisant le caisson de type P et de simultanément diminuer la tension polarisant le caisson de type N, de manière à produire une polarisation arrière directe exploitable, à la fois pour les transistors NMOS et PMOS, sans dépasser la tension de seuil de la jonction PN entre les deux caissons.
Selon un mode de réalisation, le circuit d’alimentation est à cet égard configuré pour générer, dans la condition de polarisation arrière directe, une tension supérieure à ladite première tension négative non-nulle dans le caisson de type P et une tension inférieure à ladite première tension positive non-nulle dans le caisson de type N.
Selon un mode de réalisation, le circuit d’alimentation est configuré pour générer, dans la condition de polarisation arrière inverse, une tension inférieure à ladite première tension négative non-nulle dans le caisson de type P et une tension supérieure à ladite première tension positive non-nulle dans le caisson de type N.
En effet, à partir de la même condition de polarisation arrière neutre comprenant une polarisation négative du caisson de type P et une polarisation positive du caisson de type N, il est aussi possible de diminuer la tension polarisant le caisson de type P et de simultanément augmenter la tension polarisant le caisson de type N, de manière à produire une polarisation arrière inverse exploitable, à la fois pour les transistors NMOS et PMOS, sans dépasser la tension de seuil de la jonction PN entre les deux caissons.
Selon un mode de réalisation, ledit au moins un transistor NMOS comporte une région de canal contrainte en tension, dans le film semiconducteur respectif, et ledit au moins un transistor PMOS comporte une région de canal contrainte en compression, dans le film semiconducteur respectif.
Une contrainte mécanique en tension dans une direction d’un cristal de silicium engendre typiquement une contrainte en compression dans une direction perpendiculaire du matériau, et réciproquement. Par « une région de canal contrainte en tension/compression » on entend que la contrainte donnée (tension ou compression) est considérée dans la direction de la région de canal, c’est-à-dire dans la direction entre la source et le drain du transistor.