Dispositif à faisceaux d’électrons (100 ; 200 ; 400) comprenant : - une chambre de traitement (130 ; 430) ayant une direction longitudinale (Z) ; - au moins une source de faisceau d’électrons (110, 210, 310), chaque source étant adaptée à émettre un faisceau d’électrons dans un plan faisceau (PF) sensiblement transversal à la direction longitudinale (Z) de manière à induire un plasma ou un point d’évaporation dans la chambre de traitement (130 ; 430) pour le traitement d’une surface d’une pièce (106) ; - au moins un premier orifice (122) de passage du faisceau d’électrons dans ladite chambre de traitement, le diamètre du cercle minimal dans lequel s’inscrit ledit premier orifice étant inférieur ou égal à un huitième, par exemple inférieur ou égal à un dixième, de la plus petite dimension (D3, L3) d’une section transversale de la chambre de traitement (130) prise dans le plan faisceau. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel la chambre de traitement (130 ; 430) comprend une cible (104). Dispositif selon la revendication 2, dans lequel la chambre de traitement (130 ; 430) comprend un premier socle de support (134) adapté à supporter la cible (104), ledit premier socle de support étant par exemple mobile. Dispositif selon la revendication 3, dans lequel le premier socle de support comprend, ou consiste en, un creuset, par exemple un creuset refroidi. Dispositif selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel la chambre de traitement (130 ; 430) comprend un deuxième socle de support (136) adapté à supporter la pièce (106) à traiter, ledit deuxième socle de support étant par exemple mobile. Dispositif selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel la au moins une source de faisceau d’électrons (110, 210, 310) est externe à la chambre de traitement (130 ; 430). Dispositif selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, comprenant un appareil de déviation (140, 240), tel un électroaimant ou un aimant permanent, adapté à dévier le faisceau d’électrons dans la chambre de traitement (130 ; 430), ledit appareil de déviation étant par exemple mobile. Dispositif selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, comprenant une chambre de pompage (120 ; 420) reliée à une première pompe à vide (126) et à la chambre de traitement (130 ; 430), la chambre de pompage étant adaptée à réaliser un pompage sous vide différentiel de ladite chambre de traitement. Dispositif selon la revendication 8, dans lequel la chambre de traitement (130 ; 430) est délimitée par des parois formant un corps cylindrique ou parallélépipédique, et la chambre de pompage (120 ; 420) est positionnée contre une paroi latérale du corps, à l’intérieur ou à l’extérieur dudit corps. Dispositif selon la revendication 9, dans lequel la chambre de pompage (120 ; 420) est coaxiale avec la chambre de traitement (130 ; 430). Dispositif selon l’une quelconque des revendication 8 à 10, dans lequel le au moins un premier orifice (122) est entre la chambre de pompage (120 ; 420) et la chambre de traitement (130 ; 430), et le dispositif comprend au moins un deuxième orifice (124) de passage du faisceau d’électrons entre la chambre de pompage (120 ; 420) et la au moins une source de faisceau d’électrons (110). Dispositif selon la revendication 11, dans lequel le diamètre du cercle minimal dans lequel s’inscrit le au moins un deuxième orifice (124) est inférieur ou égal à un huitième, par exemple inférieur ou égal à un dixième, de la plus petite dimension de la section transversale de la chambre de traitement (130) prise dans le plan faisceau. Dispositif selon l’une quelconque des revendications 1 à 12, dans lequel la au moins une source de faisceau d’électrons (110, 210, 310) comprend une chambre de génération d’électrons (112, 212) et un tube (114, 214) entre la chambre de génération d’électrons et la chambre de traitement (130 ; 430). Dispositif selon la revendication 13 en combinaison avec la revendication 11 ou 12, dans lequel le tube (114, 214) est relié à la chambre de génération d’électrons et à la chambre de pompage (120 ; 420), et le au moins un deuxième orifice (124) est entre la chambre de pompage et le tube. Dispositif selon l’une quelconque des revendications 1 à 14, dans lequel la au moins une source de faisceau d’électrons (110, 210, 310) comprend un appareil de focalisation (116, 216), tel un électroaimant, adapté à focaliser le faisceau d’électrons, et par exemple à le diriger vers la chambre de traitement (130 ; 430). Dispositif selon l’une quelconque des revendications 1 à 15, comprenant une deuxième pompe à vide (142) reliée à la chambre de traitement (130 ; 430) et/ou une troisième pompe à vide (115) reliée à la au moins une source de faisceau d’électrons (110, 210, 310). Dispositif selon l’une quelconque des revendications 1 à 16, comprenant plusieurs sources de faisceau d’électrons (110, 210, 310) externes à la chambre de traitement (130 ; 430). Dispositif selon la revendication 17, dans lequel au moins deux des sources de faisceau d’électrons sont adaptées à émettre des électrons selon deux plans faisceau parallèles entre eux. Dispositif selon l’une quelconque des revendications 1 à 18, dans lequel le au moins un premier orifice (122), et dans certains cas, le au moins un deuxième orifice (124), correspond à un orifice d’un diaphragme. Dispositif selon l’une quelconque des revendications 1 à 19 en combinaison avec la revendication 2, comprenant : - une source de polarisation de la cible (104) à une tension comprise entre 0 et 10 kV, de préférence entre 2 et 5 kV ; et/ou - un élément de refroidissement de la cible. Dispositif selon l’une quelconque des revendications 1 à 20, dans lequel le dispositif est adapté à mettre en oeuvre : - un dépôt de couche mince par pulvérisation cathodique ; - un dépôt de couche mince par évaporation par faisceau d'électron en phase vapeur ; - un nettoyage par plasma ; - une densification de couche par plasma ; et/ou - une gravure par plasma.