INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Comme plus visible sur la , dans l’exemple particulier représenté, la portion incurvée 18 peut comprendre une zone de réception 23 pour les verres 16. Deux saillies 24 peuvent faire saillie à partir de la zone de réception 23 pour s’engager respectivement dans deux ouvertures 26 formées dans les verres 16. En outre, la plaquette nasale 20 peut comprendre un crochet 28 ouvert vers le haut, dans lequel un bord inférieur des verres 16 peut être introduit. Dès lors, les verres 16 peuvent être fixés sur la monture 12 par emboitement du bord des verres 16 dans le crochet 28 de la plaquette nasale 20 et par insertion des ouvertures 26 des verres 16 dans les saillies 24 de la monture 12. Les verres 16 sont ainsi amovibles et peuvent facilement être remplacés, dans l’exemple considéré.
Chaque branche 14 s’étend selon une direction longitudinale à partir de la monture 12. Chaque branche 14 présente une extrémité proximale reliée à la monture 12 et une extrémité distale destinée à se trouver au voisinage des oreilles d’un utilisateur lorsque les lunettes 10 sont portées.
Les branches 14 s’étendent ici de manière sensiblement curviligne vers l’intérieur des lunettes 10, c’est-à-dire vers la tête de l’utilisateur lorsque les lunettes 10 sont portées. La courbure des branches 14 participe à exercer une pression sur la tête de l’utilisateur pour assurer le bon maintien des lunettes 10. Ici, chaque branche 14 s’étend dans la continuité de la portion incurvée 18 de la monture 12. Ainsi, vue de haut (voir la ), les lunettes 10 ont une forme sensiblement arrondie adaptée à enserrer la tête d’un utilisateur.
Une tige 30 peut être fixée à l’extrémité distale de chaque branche 14, pour s’étendre dans le prolongement des branches 14. Les tiges 30 sont destinées à reposer sur les oreilles de l’utilisateur. Les tiges 30 peuvent être en élastomère, pour augmenter le confort de l’utilisateur lorsque les lunettes 10 sont portées. La tige 30 peut par exemple comprendre un logement 32 et une rainure 34, adaptée à coopérer avec une languette 36 et une nervure 38 formée sur chaque branche 14.
De plus, la surface dédiée à ladite fenêtre n'est pas disponible pour l'impression ou la personnalisation des deux côtés d'un document. Certains documents, comme les cartes d'identité, sont relativement petits. Cette surface non disponible sur les deux faces de la carte peut être une contrainte inacceptable, ce qui exclut les technologies de fenêtres transparentes ou translucides.
Une solution décrite dans le document EP2001687 propose un portrait secondaire sans fenêtre. Le portrait secondaire est construit par perforation dans l'épaisseur du document. Grâce à cette solution, il n'est pas nécessaire de sélectionner une zone dédiée pour le portrait secondaire. En effet, la perforation peut se faire sur plusieurs zones du document d'identité. Néanmoins, cette solution rend le document mécaniquement plus fragile, en particulier, il y a un risque élevé de rupture à cet endroit sous l'effet contraintes mécaniques.
L'invention vise à fournir un document d'identité comprenant un portrait secondaire sans attribuer une zone transparente dédiée à ce portrait secondaire, ou sans enlever de surface utile pour l’impression, ou sans affaiblir la structure du document par perforation.
La présente invention remédie à ces différents inconvénients. A cet effet, l'objet de l'invention est un procédé de fabrication d'un document d'identité, comprenant une étape consistant à fournir un corps de document comprenant au moins une première et une seconde couches transparentes externes et une couche centrale blanche, la couche centrale blanche comprenant un substrat transparent au moins partiellement recouvert d'un revêtement opaque blanc photosensible, une étape d'exposition d'au moins un point du revêtement opaque blanche photosensible à un premier rayonnement, le rayonnement étant adapté pour effectuer une ablation du revêtement opaque blanc photosensible, de sorte que le point exposé au rayonnement devienne transparent, et de sorte que la lumière puisse traverser l'épaisseur du document d'identité à l'emplacement du point.
Grâce à ces caractéristiques, il est possible d'obtenir un portrait secondaire sans affaiblir la structure du corps du document d'identité. De plus, le revêtement opaque blanc photosensible peut également être utilisé comme fond du document d'identité.
- le revêtement est une couche en film mince d'oxyde métallique appliquée sur le substrat transparent,
- le dépôt de la couche mince d'oxyde métallique est obtenu par dépôt chimique en phase vapeur dans un réacteur à plasma,
- le diamètre du point est inférieur à 500 µm, de sorte que point n'est pas visible dans des conditions de lumière ambiante pour un oeil humain, mais visible lorsqu'il est rétroéclairée par une lumière plus intense que la lumière ambiante,
- le premier rayonnement est un rayonnement laser proche d'un rayonnement UV, à une longueur d'onde dans la gamme de 190 à 400 nm, ou proche d'un rayonnement IR, à une longueur d'onde dans la gamme de 700 à 2500 nm, ou proche d'un rayonnement vert à une longueur d'onde dans la gamme de 500nm à 550 nm,
- plusieurs points du revêtement opaque blanc photosensible sont exposés au premier rayonnement afin de former un motif spécifique,
- le procédé comprend une étape consistant à ajouter un filtre entre la couche centrale blanche et la première couche transparente externe, le filtre étant adapté pour bloquer un second rayonnement différent du premier rayonnement, et étant adapté pour transmettre le premier rayonnement,
- le second rayonnement laser est un rayonnement laser proche d'un rayonnement laser UV, à une longueur d'onde comprise entre 190 et 400 nm, ou proche d'un rayonnement laser IR, à une longueur d'onde comprise entre 700 et 2500 nm, ou proche d'un rayonnement vert à une longueur d'onde comprise entre 500nm et 550 nm,
- au moins l'une de la première ou de la seconde couche transparente externe comprend un substrat dopé avec des additifs sensibles au second rayonnement, et comprenant une étape d'exposition du substrat au second rayonnement pour rendre noires les particules irradiées et former au moins une marque,
- la couche centrale blanche est constituée d'un substrat recouvert du revêtement opaque blanc photosensible sur toute la surface de la couche centrale,
- la couche centrale blanche est constituée d'un substrat teinté blanc comprenant une fenêtre recevant un insert transparent recouvert d'un revêtement opaque blanc photosensible,
Notons que cet exemple d’impulsions plasma et/ou d’impulsions lors de l’injection d’un précurseur peut s’appliquer pour l’injection d’un précurseur à base d’un deuxième métal 413a. Cela peut s’appliquer pour une partie seulement des injections 410, 413a ou pour chaque injection 410, 413a d’un cycle 41.
De préférence le traitement plasma 412 et injection d’un précurseur 410, 413a sont chacun fait par impulsions simultanées ou séquentielles. Par « séquentielle » on entend que les impulsions ne sont pas complètement simultanées entre l’injection et le traitement plasma, et de préférence les impulsions ne se recoupent pas temporellement entre l’injection et le traitement plasma. Ceci permet une réduction in situ du précurseur soit en phase gazeuse soit au niveau des adsorbats sur la couche exposée 20 du substrat 2. La durée des impulsions peut être sensiblement identique entre injection 410,413a et le traitement plasma 412 ou bien ces durées peuvent être indépendantes. Ce mode est autolimitant avec le déphasage entre l’impulsion du précurseur et le traitement plasma. Comme le précurseur métallique ne réagit pas avec lui-même, une fois que la surface du substrat est saturée par les adsorbats, plus aucune réaction ne peut se produire. Le traitement plasma permet de réduire les ligands des adsorbats, et un nouveau pulse de précurseur métallique peut de nouveau engendrer de nouveaux adsorbats, par libération de sites d’ancrage. Les durées d’impulsion pour l’injection du précurseur et pour le traitement plasma peuvent être adaptés selon les cas, et notamment en fonction de la détente subie par le précurseur à son entrée dans la chambre. Par exemple, la durée d’injection du précurseur peut être ≤1 s d’ouverture et la durée du plasma peut être ≤ à 20 s.
De préférence, lorsque qu’un précurseur à base d’un métal est injecté par impulsion, le précurseur comprend le métal et des ligands alkyls. Le ligand est de préférence non halogéné, car un ligand halogéné peut possibilité endommager les parois du réacteur en formant une chimie gravante. De plus, les halogènes étant fortement électronégatifs, ils renforcent la liaison Métal-Halogène, ce qui rend la création de liaisons pendantes d’autant plus difficile.
Selon exemple, comme illustré par les figures 3C et 3D, une injection d’un précurseur à base d’un métal 410,413a peut être suivie par un traitement plasma 412. Cela peut s’appliquer pour l’injection du précurseur à base du premier métal 410 comme l’illustre la , et/ou pour l’injection du précurseur à base d’un deuxième métal 413a comme l’illustre la .
Comme l’illustre la , lorsque le cycle 41 comprend plusieurs injections de précurseur à base d’un métal 410, 413a, chaque injection peut être faite simultanément à un traitement plasma 412, une injection et le traitement plasma associé 412 étant séparés de l’injection 413a et du traitement plasma 412 suivant par une phase de purge 414.
Notons que des combinaisons de ces exemples sont possibles, avec par exemple une injection d’un précurseur à base d’un premier métal 410 simultanément à un traitement plasma 412, suivie d’une injection d’un précurseur à base d’un deuxième métal 413a elle-même suivie d’un traitement plasma 412.
Selon un exemple le traitement plasma 412 peut comprendre une injection d’argon en mélange avec du dihydrogène dans la chambre de réaction 10, par exemple lorsque le traitement plasma 412 suit l’injection d’un précurseur à base d’un premier métal comme illustré en . Lorsque le plasma est généré, le traitement plasma 412 peut ne pas comprendre d’injection de d’hydrogène dans la chambre 10 de réaction. En effet, lors du développement de l’invention il a été mis en évidence qu’il n’était pas nécessaire d’injecter dans la chambre un gaz réducteur tel que le d’hydrogène pour réduire le métal déposé. Les propriétés du plasma généré par couplage capacitif conjuguées à l’injection du ou des précurseur(s) métallique(s) suffisent à faire croître une couche métallique sur la surface exposée 20 du substrat 2. Ceci est notamment le cas lorsque l’injection 410,413a et le traitement plasma 412 sont simultanés, et surtout lorsque le précurseur métallique contient des ligands de type alkyl. Lorsque le traitement plasma 412 et/ou injection d’un précurseur 410,413a sont faites par impulsion, le traitement plasma comprend néanmoins de préférence une injection de dihydrogène dans la chambre de réaction 10 . En injection simultanée, il est préférable d’éviter un plasma réactif (par exemple à base d’H 2 ) au risque de détruire le précurseur et on aura une croissance de type CVD (i.e. non couche/couche, car non autolimitée). En mode séquentiel, on peut se permettre d’utiliser un plasma réactif, car seuls les ligands des adsorbats seront traités par ce plasma.
En ce qui concerne les paramètres de génération du plasma, pour la croissance de couche métallique, de préférence ces paramètres sont choisis de façon à modifier et/ou éliminer les ligands du précurseur pour favoriser le dépôt d’une couche métallique par adsorption métal sur métal. Pour cela la puissance de la polarisation radiofréquence peut être inférieure ou égale à 80 W, la pression dans la chambre de réaction 10 peut être inférieure ou égale à 80 mTorr, et la durée du traitement plasma au cours d’un cycle 41 peut être inférieure ou égale à une minute. La dose déposée est ainsi limitée ce qui améliore l’élimination du ligand sans risquer d’enlever le métal déposé.
En ce qui concerne la nature du métal, ce procédé est particulièrement adapté pour le dépôt des métaux titane, tantale, aluminium, argent, zinc , ruthénium, platine, cuivre.
Le précurseur à base du premier métal et le précurseur à base du deuxième métal sont de préférence des précurseurs organométalliques dédiés aux procédés ALD. Le procédé peut être adapté selon le précurseur métallique. Par exemple, pour un précurseur métallique chloré, on choisira de préférence un plasma N 2 /H 2. Pour un précurseur organométallique, on choisira plutôt un plasma inerte, et notamment un plasma Ar, pour retirer le ligand organique.
Des exemples de dépôt sont maintenant décrits, en référence aux figures 4A à 4C.
Afin de déposer une couche d’oxyde, de nitrure et/ou de sulfure d’un métal sur la surface exposée 20, le procédé comprend l’injection d’un précurseur à base d’un métal 410 et une injection d’un précurseur comprenant l’un au moins parmi les éléments oxygène, azote et soufre 413b. De préférence, dans un cycle 41, l’injection du précurseur à base d’oxygène, d’azote et/ou de soufre 413b suit l’injection du précurseur à base de métal 410. Le traitement plasma 412 peut être effectué avant et/ou simultanément à et/ou après l’injection du précurseur à base d’oxygène, d’azote et/ou de soufre 413b. Ainsi la quantité et la réactivité du précurseur à base d’oxygène, d’azote et/ou soufre sont limitées de façon à moduler la réactivité de surface avant l’injection du précurseur à base de métal 410 du cycle 41 suivant. Selon l’ordre relatif entre le traitement plasma 412 et l’injection du précurseur à base d’oxygène, d’azote et/ou de soufre 413b, ce précurseur peut être désigné par le terme « réactant thermique » lorsque le traitement plasma 412 suit l’injection 413b, ou « réactant plasma » lorsque le traitement plasma 412 est simultané à l’injection 413b.
Comme l’illustre la par exemple, l’injection du précurseur à base de métal 410 peut être suivie de l’injection du précurseur à base d’oxygène, d’azote et/ou de soufre 413b, elle-même suivie du traitement plasma 412. Selon cet exemple, le précurseur à base d’oxygène, d’azote et/ou de soufre peut être choisi parmi le groupe constitué de H 2 O, O 2 , NH 3 , ou O 3 avec un ozoneur. Le précurseur métallique peut être traité thermiquement par le deuxième précurseur avant le traitement plasma 412. Le traitement plasma 412 peut-être à base d’argon.
Selon un deuxième exemple, par exemple illustré par la , l’injection du précurseur à base de métal 410 peut être suivie de l’injection du précurseur à base d’oxygène, d’azote et/ou de soufre 413b, elle-même faite simultanément au traitement plasma 412. Selon cet exemple le précurseur à base d’oxygène, d’azote et/ou de soufre peut être choisi parmi le groupe constitué de O 2 , N 2 , NH 3 et H 2 S. Les précurseurs H 2 O et O 3 ne sont pas utilisés par non plasmagène. Dans le cas de H 2 S, un traitement par plasma simultané est nécessaire pour activer l’énergie de réaction. Une couche respectivement d’oxyde, de nitrure ou de sulfure de métal est donc déposée de préférence lorsque l’injection du deuxième précurseur 413b est simultanée au traitement plasma 412. Le précurseur à base d’oxygène, d’azote et/ou de soufre peut être injecté 413b avec de l’argon.
Selon un troisième exemple, illustré par la , l’injection du précurseur à base de métal 410 peut être suivie par le traitement plasma 412, ce dernier étant suivi de l’injection du précurseur à base d’oxygène et/ou d’azote, et/ou de soufre dans le cas où un traitement plasma est aussi fait simultanément à l’injection de soufre 413b.
Les deux régimes de traitement plasma 412 décrits précédemment peuvent être utilisés pour le dépôt d’une couche d’oxyde, de nitrure et/ou de sulfure. Selon un premier exemple, la puissance de la polarisation radiofréquence peut être inférieure ou égale à 80 W, la pression dans la chambre de réaction peut être inférieure ou égale à 80 mTorr, et la durée du traitement plasma au cours d’un cycle de dépôt peut être inférieure ou égale à 1 minute. Ces paramètres permettent de jouer sur la réactivité de surface entre le précurseur à base de métal, le précurseur à base d’oxygène, d’azote et/ou de soufre (réactant thermique ou plasma), ainsi que les radicaux du plasma.
Ces procédés font généralement usage d’approches supervisées, ce qui nécessite des données correctement étiquetées, ce qui est peu réaliste du fait de la complexité et de l’opacité des messages BGP.
Il existe donc un besoin d’un procédé permettant de faire une analyse non supervisée de données BGP, afin de pouvoir détecter de manière efficace des anomalies dans les chemins pour le routage de données à destination d’un préfixe d’adresses.
Résumé A cet effet, il est divulgué un procédé de détection d’une anomalie dans un ensemble de chemins pour le routage de données à destination d’un préfixe d’adresses dans un réseau composé de systèmes autonomes, les chemins étant annoncés à un système autonome local par des systèmes autonomes voisins du système autonome local, le procédé comprenant : /a/ recevoir pendant un laps de temps des informations représentatives d’au moins une partie de l’ensemble de chemins ; /b/ générer, à partir des informations reçues, une matrice comprenant des éléments représentatifs de tronçons de chemin de l’ensemble de chemins, les tronçons de chemin reliant respectivement des paires de systèmes autonomes se trouvant sur l’ensemble de chemins ; /c/ réitérer les étapes /a/ et /b/ afin d’obtenir une séquence temporelle de matrices selon l’étape /b/ ; /d/ analyser une similarité entre les matrices de la séquence, et /e/ dans un cas où au moins une des matrices de la séquence diffère des autres matrices de la séquence, détecter une anomalie de routage.
Un système autonome est un ensemble de réseaux et de routeurs sous une même autorité administrative.
Différents systèmes autonomes peuvent être interconnectés par des chemins pour transporter du trafic, et des routeurs BGP (pour « Border Gateway Protocol ») mettant en œuvre un protocole BGP, ayant comme objectif d’échanger des informations de routage et d’accessibilité de réseaux informatiques dont les systèmes autonomes sont responsables.
Un système autonome local peut être un système autonome auquel les chemins sont annoncés.
Un système autonome voisin est un système autonome auquel un système autonome local est connecté directement, c’est-à-dire sans devoir passer par un autre système autonome.
Une paire de systèmes autonomes correspond à deux systèmes autonomes voisins qui se trouvent sur un chemin.
Chaque système autonome peut annoncer dans l’Internet un ou plusieurs préfixes d’adresses relatifs à des préfixes dont il est responsable.
Un préfixe d’adresses indique une plage d’adresses de réseaux.
Un chemin pour le routage de données correspond à un chemin entre systèmes autonomes sur lequel du trafic est acheminé. Un chemin peut avoir comme provenance un système autonome et comme destination un préfixe d’adresses. Le chemin qui relie un système autonome à un préfixe peut passer par d’autres systèmes autonomes.
A chaque système autonome peut être attribué un identifiant unique, appelé « Autonmous System Number » (ASN).
Par exemple, un chemin qui passe dans l’ordre par trois systèmes autonomes nommés AS11, AS1 et AS56 peut être représenté comme [AS11 AS1 AS56].
Un tronçon de chemin correspond à une partie de chemin qui relie respectivement deux systèmes autonomes voisins. Par exemple, un chemin qui passe dans l’ordre par trois systèmes autonomes AS11, AS1 et AS56 comprend deux tronçons de chemin [AS11 AS1] et [AS1 AS56].
BGP est un protocole qui utilise des messages de mise à jour de chemins afin d’annoncer des changements de chemin. Chaque mise à jour agrège une liste des systèmes autonomes requis pour rejoindre un préfixe donné et par lesquels le ou les chemins passent.
Les informations relatives à tous les chemins pour rejoindre un préfixe à partir du système autonome local peuvent être « accumulées » pendant un laps de temps par le système autonome local et être agrégées dans une matrice, permettant une représentation des chemins annoncés au système autonome local.
A l’issue de l’étape de mise en positionnement, les languettes de l’adaptateur amovible sont logées dans la forme arrondie de l’une des extrémités longitudinales de l’organe de couverture, et les plots disposés sur une paroi supérieure de cet adaptateur amovible sont au contact des épaulements de la cloison supérieure de l’organe de couverture.
L’invention concerne par ailleurs un balai d’essuyage comprenant un dispositif de connexion tel que décrit précédemment.
Le balai d’essuyage est alors relié au module de connexion par l’intermédiaire du connecteur, ce module de connexion et éventuellement l’adaptateur amovible étant eux-mêmes recouverts par l’organe de couverture.
L’invention porte également sur un système d’essuyage comprenant un bras d’essuie-glace porteur d’un balai d’essuyage tel que décrit précédemment, le balai d’essuyage étant relié au bras d’essuie-glace par l’intermédiaire du dispositif de connexion.
Ce bras d’essuie-glace peut être alternativement un premier type de bras d’essuie-glace ou un deuxième type de bras d’essuie-glace. Il coopère avec l’organe de couverture en s’insérant dans celui-ci.
est une vue éclatée du balai d’essuyage et du dispositif de connexion représentés sur la , rendant notamment visible un organe de couverture apte à recouvrir un module de connexion du dispositif de connexion ;
est une vue en perspective du module de connexion et du capot représentés sur la , dans laquelle la plateforme rotative est dans une position de montage ;
est une représentation en perspective de la plateforme rotative de la associée à un adaptateur amovible ;
illustre, schématiquement, l’organe de couverture selon une vue en perspective ;
est une vue de coupe de l’organe de couverture de la , coopérant ici avec l’adaptateur amovible de la et un capot du dispositif de connexion ;
illustre, en perspective, le dispositif de connexion de la , et notamment l’organe de couverture, associé à un certain type de bras d’essuie-glace selon un premier mode de réalisation ;
est une vue en coupe du dispositif de connexion, de l’organe de couverture et du bras d’essuie-glace selon le premier mode de réalisation de la ;
On entend par « dimensions » des grandeurs géométriques dont les valeurs sont imposées par le cahier des charges. Par exemple, dans le cas de la pale, les dimensions internes de la cavité sont mesurées, telles que sa longueur, sa largeur, sa hauteur et son périmètre.
Optionnellement, les dimensions externes de la pale sont mesurées, telles que la longueur, la largeur, la hauteur et le périmètre extérieures de la pièce.
Ces mesures peuvent être effectuées au moyen d’une technique de contrôle non-destructif, par exemple par imagerie infrarouge ou rayon X, ou au moyen d’un contrôle destructif, par exemple par dissection de la pièce.
L’objectif de cette étape 102 de mesure des dimensions de la pièce est d’évaluer les dimensions de la pièce de référence après fabrication. Il est donc question ici de mesures « à froid », c’est-à-dire après fabrication et refroidissement de la pièce de référence.
L’étape 103 est, ensuite, une étape de vérification de la conformité de la pièce de référence. La conformité de la pièce de référence est évaluée par comparaison des dimensions mesurées à froid de la pièce de référence avec les dimensions imposées par le cahier des charges.
Dans cette étape 103 de vérification, la pièce de référence est définie comme étant conforme si les dimensions mesurées à froid sont en accord avec les dimensions prévues par le cahier des charges. Par exemple, une dimension est prévue si elle est inférieure ou supérieure à un seuil prédéfini, ou qu’elle est comprise dans un intervalle de tolérance prédéfini.
En l’occurrence, la pale de référence est définie comme étant conforme si les dimensions de sa cavité internes sont en accord avec les dimensions de la cavité imposées par le cahier des charges.
L’étape 104 est, alors, une étape de détermination d’un gabarit de référence à partir de ladite pièce de référence conforme.