INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Le processeur PROC est capable de définir le niveau de droit d’accès dudit au moins un troisième périphérique PER_SNS, par l’intermédiaire du moyen de gestion de niveau de droit d’accès CT_SNS lors de l’exécution du logiciel sécurisé par exemple. Par exemple, le moyen de gestion de niveau de droit d’accès CT_SNS peut être mis en œuvre de façon logicielle par le programme sécurisé du processeur PROC qui est seul capable de gérer individuellement le niveau de droit d’accès d’un périphérique PER_SNS, en modifiant par exemple la valeur d’un bit dédié correspondant au niveau de droit d’accès du périphérique PER_SNS.
Le processeur PROC, les contrôleurs CTRL_S et CTRL_NS, le circuit de mémoire CT_MEM ainsi que les périphériques PER_S, PER_SNS et PER_NS sont couplés au bus BS. L’interface de sécurité SEC appartenant aux moyens matériels de séparation physique peut être prévue entre le bus BS et les éléments sécurisés du système SYS, comme par exemple la région mémoire MEM_S, le moyen de gestion de niveau de droit d’accès CT_SNS, le premier contrôleur CTRL_S, les premiers périphériques PER_S et les troisièmes périphériques PER_SNS. L’interface de sécurité SEC permet par exemple d’autoriser ou d’empêcher un accès à un élément sécurisé du système selon le niveau de droit d’accès.
Le bus BS est configuré pour acheminer des signaux de communication, par exemple des signaux numériques, entre le processeur PROC, les périphériques PER_S, PER_SNS et PER_NS, et le circuit de mémoire CT_MEM.
Le transfert de données DMA_S ou DMA_NS peut donc se faire par l’intermédiaire du circuit d’accès direct en mémoire CT_DMA entre un périphérique et une région mémoire dans les deux sens à travers le bus BS.
Contrairement à des systèmes sur puce classiques dans lesquels le niveau de droit d’accès du canal du contrôleur doit être configuré par le programme sécurisé du processeur PROC, le système SYS décrit en relation avec les figures 1 et 2 comprend des contrôleurs CTRL_S, CTRL_NS ayant des canaux dont le niveau de droit d’accès est déjà défini par le niveau de droit d’accès du contrôleur.
On rappelle que le premier contrôleur d’accès direct en mémoire CTRL_S a le premier niveau de droit d’accès qui peut être le niveau de droit d’accès « sécurisé », et le deuxième contrôleur d’accès direct en mémoire CTRL_NS a le deuxième niveau de droit d’accès qui peut être le niveau de droit d’accès « non-sécurisé ».
Grâce au système SYS, les premiers contrôleur CTRL_S et les deuxièmes contrôleurs CTRL_NS ne nécessitent plus des actions du programme sécurisé pour permettre aux périphériques PER_S mettant en œuvre des fonctions d’un contexte sécurisé d’accéder aux régions mémoires sécurisée MEM_S et non-sécurisée MEM_NS et aux périphériques PER_NS mettant en œuvre des fonctions d’un contexte non-sécurisé d’accéder à la région mémoire non-sécurisée MEM_NS.
De plus, aucune action du programme sécurisé n’est également requise pour reconfigurer le niveau de droit d’accès des canaux du contrôleur lors de la réception de requête provenant de périphériques ayant un niveau de droit d’accès configurable. Par conséquent, le système SYS est parfaitement adapté à l’utilisation de troisièmes périphériques PER_SNS ayant des niveaux de droit d’accès configurables, qui sont capables de mettre en œuvre des fonctions sécurisées et des fonctions non-sécurisées.
Ainsi, chaque contrôleur d’accès direct en mémoire tel que décrit précédemment est simple et supporte le partitionnement de sécurité par canal. En effet, le circuit de routage CT_RTG est configuré pour relier l'état de sécurité des périphériques PER_S, PER_SNS et PER_NS au contrôleur d’accès direct en mémoire correspondant. En d’autres termes, l'état de sécurité du contrôleur d’accès direct en mémoire n’a pas besoin d’être programmé vis-à-vis de l'état de sécurité des périphériques PER_S, PER_SNS et PER_NS. Par conséquent, les fonctions non-sécurisées n'ont pas besoin de demander un service sécurisé au programme sécurisé pour allouer des canaux d’entrée au contrôleur d’accès direct en mémoire.
Ainsi, il n’est pas nécessaire de reconfigurer chaque contrôleur pour générer un nouvel accès direct en mémoire DMA_S ou DMA_NS à un périphérique PER_S, PER_SNS ou PER_NS selon le niveau de droit d’accès du périphérique, ce qui permet de concevoir un contrôleur plus simple.
En particulier, l’état de chaque contrôleur n’est pas reprogrammé par le programme sécurisé du système selon le niveau de droit d’accès de chaque périphérique PER_S, PER_SNS ou PER_NS, ce qui permet par exemple d’éviter une programmation erronée de l’état du contrôleur lors d’un accès direct en mémoire DMA_S ou DMA_NS d’une région mémoire par un périphérique non-autorisé.
In(R 1 ) 3 (IIc)
Zr(R 1 ) 4 (IId)
Ce(R 1 ) 4 (IIe)
Ge(R 1 ) 4 (IIf)
Ga(R 1 ) 3 (IIg)
Pb(R 1 ) 4 (IIh)
Tl-R 1 (IIi)
dans lesquelles les radicaux R 1 , identiques ou différents, sont tels que définis pour la formule générale (II).
En particulier, le métal M est le zinc et se trouve sous la forme d’un composé organométallique de formule générale (IIa) suivante :
Zn(R 1 ) 2 (IIa)
dans laquelle les radicaux R 1 , identiques ou différents, sont tels que définis pour la formule générale (II).
On peut citer comme composés organométalliques de formule générale (II) :
le tétraméthyle étain, le triméthyle indium, le tétrabenzyle zirconium, le tétraéthyle germanium, le triméthyle gallium, le tétraméthyle plomb, le cyclopentadiènyle thallium, le diméthyle zinc (Zn(CH 3 ) 2 ), le diéthyle zinc (Zn(C 2 H 5 ) 2 ), le diisopropyle zinc (Zn(i-C 3 H 7 ) 2 ), le dipropyle zinc (Zn(C 3 H 7 ) 2 ) et le diphényle zinc (Zn(C 6 H 5 ) 2 ).
Ledit composé organométallique est notamment choisi parmi le groupe constitué de : Zn(CH 3 ) 2 , Zn(C 2 H 5 ) 2 , Zn(i-C 3 H 7 ) 2 , Zn(C 3 H 7 ) 2 et Zn(C 6 H 5 ) 2 . Les numéros CAS de ces composés sont les suivants: Zn(CH 3 ) 2 : 544-97-8; Zn(C 2 H 5 ) 2 : 577-20-0; Zn(C 3 H 7 ) 2 : 628-91-1; Zn(i-C 3 H 7 ) 2 : 625-81-0 et Zn(C 6 H 5 ) 2 : 1078-58-6.
Plus préférentiellement, ledit composé métallique est choisi parmi Zn(CH 3 ) 2 , Zn(C 2 H 5 ) 2 et Zn(C 3 H 7 ) 2 ; plus particulièrement Zn(CH 3 ) 2 et Zn(C 2 H 5 ) 2 .
Lesdits composés organométalliques peuvent être formulés dans un solvant, en particulier un solvant organique, notamment choisi parmi le toluène et les alcanes contenant entre 5 et 10 atomes de carbone. De préférence, le solvant est choisi parmi le toluène, l’heptane, l’hexane ou leurs mélanges. Les composés organométalliques tels que mentionnés ci-dessus sont disponibles dans le commerce sous forme de solutions à 1 M ou 2 M.
Le circuit électronique 30 selon l’invention offre en outre une mise en œuvre possible de l’opération MAC pour plusieurs colonnes 54 à la fois, par exemple via la mise en œuvre de l’équation (7) précédente. Lors de l’inférence d’un réseau de neurones artificiels, cela permet alors d’enchaîner les calculs de sommes pondérées pour plusieurs couches successives du réseau de neurones, sans attendre par exemple la fin de l’opération MAC pour une couche précédente du réseau.
Chaque sous-cellule 25 présente en outre un encombrement réduit par rapport à la cellule mémoire de l’état de la technique, chaque sous-cellule 25 comportant un memristor et un commutateur en moins que la cellule mémoire de type 2T2R de l’état de la technique, la sous-cellule 25selon le premier mode de réalisation de l’invention étant de type 1T1R.
Les figures 10 à 13 illustrent un deuxième mode de réalisation pour lequel les éléments analogues à ceux du premier mode de réalisation décrit précédemment, sont repérés par des références identiques, et ne sont pas décrits à nouveau.
Selon le deuxième mode de réalisation, la cellule mémoire 10 comprend en outre M commutateur(s) tertiaire(s) 300, chacun étant connecté à un memristor 20 respectif, le commutateur tertiaire 300 et le memristor 20 étant connectés en série, en parallèle du commutateur primaire 22 associé.
Dans l’exemple de la , la cellule mémoire 10 comprend exactement M memristor(s) 20.
Dans l’exemple de la , la cellule mémoire 10 comprend exactement 2M+1 commutateurs 22, 24, 300.
Dans l’exemple de la , la cellule mémoire 10 est alors constituée des première et deuxième bornes principales 12, 14, de la borne auxiliaire 16, du memristor 20, et des commutateurs primaire(s), secondaire et tertiaire(s) 22, 24, 300.
Dans l’exemple de la , la cellule mémoire 10 est donc une cellule mémoire de type (2M+1)TMR, en référence à la présence de 2M+1 commutateurs (appellation (2M+1)T) et de M memristor(s) (appellation MR), et chaque sous-cellule 25 est de type 2T1R.
Dans l’exemple de la , le nombre entier M est strictement supérieur à 1.
Lorsque le nombre M est strictement supérieur à 1, l’homme du métier comprendra que l’écriture d’une valeur donnée dans un memristor 20 respectif est obtenue notamment via l’ouverture du commutateur primaire 22 en parallèle dudit memristor 20, et la fermeture du ou des M-1 autre(s) commutateur(s) primaire(s) 22, ce qui correspond alors au cas où d’éventuel(s) autre(s) commutateur(s) primaire(s) 22 sont à fermer. Selon ce deuxième mode de réalisation, l’écriture de la valeur donnée dans le memristor 20 respectif est obtenue en outre via la fermeture du commutateur tertiaire 300 en série dudit memristor 20.
Lorsque le nombre M est en variante égal à 1, l’homme du métier comprendra également que l’écriture d’une valeur donnée dans le memristor 20 de la cellule mémoire 10 est obtenue notamment via l’ouverture du commutateur primaire 22 qui est agencé en parallèle dudit memristor 20, la fermeture du commutateur tertiaire 300 en série dudit memristor 20, et qu’il n’y a alors aucun éventuel autre commutateur primaire 22 à fermer dans ce cas.
L’homme du métier observera alors que la cellule mémoire 10 selon l’invention est une cellule de type 3T1R dans le cas où M est égal à 1, et comporte alors un memristor en moins que la cellule mémoire de type 2T2R de l’état de la technique.
L’homme du métier notera plus généralement que dans l’exemple de la , pour M supérieur à 1, la cellule mémoire 10 de type (2M+1)TMR selon l’invention permet d’écrire M valeurs distincte(s), puis de lire et/ou inférer ces valeurs, chacune des M sous-cellules 25 étant associée à une valeur respective ; et que la cellule mémoire 10 est donc comparable à M cellules mémoire de type 2T2R de l’état de la technique, chaque sous-cellule 25 de type 2T1R selon l’invention étant comparable à la cellule mémoire de type 2T2R de l’état de la technique. L’homme du métier comprendra alors que la cellule mémoire 10 selon l’invention comporte M memristors en moins que les M cellules mémoire de type 2T2R correspondantes de l’état de la technique, ou encore que chaque sous-cellule 25 de type 2T1R selon l’invention comporte un memristor en moins que la cellule mémoire de type 2T2R de l’état de la technique.
Le commutateur tertiaire 300 est également appelé interrupteur tertiaire. Le commutateur tertiaire 300 est par exemple réalisé sous forme du transistor 26. Il comporte, comme connu en soi, les deux électrodes de conduction 27 et l’électrode de commande 28.
Dans l’exemple de la , le transistor 26 formant le commutateur tertiaire 300 d’une première sous-cellule 25 connectée directement à la première borne principale 12 est connecté par son électrode de source S à ladite première borne principale 12, et par son électrode de drain D au memristor 20 de ladite première sous-cellule 25. Le transistor 26 formant le commutateur tertiaire 300 d’une sous-cellule 25 respective de la série est connecté par son électrode de source S à la sous-cellule 25 précédente, en particulier à l’électrode de drain D du transistor 26 formant le commutateur primaire 22 de ladite sous-cellule 25 précédente ; et respectivement par son électrode de drain D au memristor 20 de la sous-cellule 25 respective. Le transistor 26 formant le commutateur tertiaire 300 de la dernière sous-cellule 25 connectée directement à la deuxième borne principale 14 est connecté par son électrode de source S à la sous-cellule 25 précédente, et par son électrode de drain D au memristor 20 de ladite dernière sous-cellule 25.
Selon le deuxième mode de réalisation, le circuit électronique 30 comprend en outre des lignes de programmation complémentaire 310, comme représenté sur la . Pour chaque cellule mémoire 10, l’électrode de commande 28 de chaque commutateur tertiaire 300 est connectée à une ligne de programmation complémentaire 310 respective.
En référence à la , chaque boîtier 108 comprend une partie de base 152, une partie tunnel 154 et un panneau supérieur 156. La partie tunnel 154 s'étend circonférentiellement autour de l'axe A. À titre d'exemple, la partie tunnel 154 peut comprendre une pluralité de panneaux plats 158, par exemple quatre panneaux plats 158, reliés ensemble en une boucle circonférentielle autour de l'axe A. Le boîtier 108 comprend une surface externe 160 tournée radialement vers l'extérieur par rapport à l'axe A et une surface interne 162 tournée radialement vers l'intérieur par rapport à l'axe A. À titre d'exemple, la surface externe 160 peut comprendre des surfaces des panneaux plats 158 qui sont tournées à l'opposé de l'axe A, et la surface interne 162 peut comprendre des surfaces des panneaux plats 158 tournées vers l'axe A. Le panneau supérieur 156 s'étend parallèlement à la lentille de capteur 106 (représentée sur la ), c'est-à-dire orthogonal à l'axe A défini par la lentille de capteur 106. La partie de base 152 s'étend radialement vers l'extérieur depuis la partie tunnel 154 par rapport à l'axe A, et le panneau supérieur 156 s'étend radialement vers l'intérieur depuis le tunnel par rapport à l'axe A. Le panneau supérieur 156 et la partie de base 152 peuvent être parallèles l'un à l'autre.
En revenant aux figures 4 et 5, le boîtier 108 est monté sur le corps 142 du capteur 104. Plus précisément, le boîtier 108 est directement fixé au corps 142, par exemple la face avant 146 du corps 142. Plus précisément, la partie de base 152 peut s'étendre parallèlement à la face avant 146 et venir en butée contre la face avant 146. Le boîtier 108 peut être fixé au corps 142 par encliquetage. À titre d'exemple, le corps 142 peut comprendre une pluralité de clips mâles 164, et la partie de base 152 peut comprendre une pluralité de clips femelles 166 correspondants pouvant venir en prise avec les clips mâles 164 (ou inversement). L'encliquetage permet un montage et un démontage faciles.
Le boîtier 108 est disposé dans la chambre 128. Le boîtier 108 s'étend du corps 142 à la lentille de capteur 106. Le boîtier 108 s'étend complètement autour du cylindre 148 et de la lentille de capteur 106. La surface externe 160 est exposée à la chambre 128. Aux fins de la présente invention, « A est exposée à B » signifie qu'une surface A est disposée dans un volume défini et enfermée par une structure B sans éléments intermédiaires protégeant la surface A de la structure B. Le boîtier 108 renferme un volume comprenant le cylindre 148. Le volume est défini par la surface interne 162 du boîtier 108, le panneau supérieur 156 du boîtier 108 et la face avant 146 du corps 142 du capteur 104. Le boîtier 108 protège le cylindre 148 de la chambre 128.
Le boîtier 108 peut être fixé au capteur 104 uniquement au niveau du corps 142. La partie de base 152 du boîtier 108 est fixée au corps 142 du capteur 104, et le reste du boîtier 108 n'est pas fixé au capteur 104. La partie tunnel 154 et le panneau supérieur 156 pendent de la partie de base 152 et s'étendent autour du cylindre 148 et de la lentille de capteur 106 sans être fixés directement au cylindre 148 ou à la lentille de capteur 106. Cet agencement réduit les vibrations subies par le capteur 104.
En référence à la , le boîtier 108 comprend un trou de vidange 168. Le trou de vidange 168 s'étend à travers la partie tunnel 154, c'est-à-dire depuis le volume jusqu'à l'extérieur de la partie tunnel 154, c'est-à-dire jusqu'à la chambre 128. Le trou de vidange 168 est ouvert sur le volume et ouvert sur la chambre 128. Le trou de vidange 168 peut être situé à l'endroit où la partie tunnel 154 rencontre la partie de base 152, et le trou de vidange 168 peut être espacé du panneau supérieur 156. Le trou de vidange 168 est situé circonférentiellement à un point le plus bas de la partie tunnel 154. À titre d'exemple, le trou de vidange 168 peut être situé à un coin entre deux des panneaux plats 158 de la partie tunnel 154. Cet emplacement signifie que le trou de vidange 168 est au point le plus bas lorsque le boîtier 108 est dans des positions tournées à 90° l'une de l'autre autour de l'axe A, ce qui signifie que la même conception pour le boîtier 108 peut être utilisée dans plusieurs orientations. La gravité a tendance à attirer l'humidité qui pénètre dans le volume vers le bas vers le trou de vidange 168.
Le boîtier 108 comprend deux nervures 170. Les nervures 170 s'étendent du panneau supérieur 156 du boîtier 108 au panneau de logement 138, comme illustré sur la . Les nervures 170 peuvent venir en butée contre le panneau de logement 138 ou peuvent venir suffisamment près du panneau de logement 138 pour qu'aucun écoulement d'air ne passe à travers un espace entre le panneau de logement 138 et un bord de la nervure 170 le plus proche du panneau de logement 138. Les nervures 170 ont des surfaces plates se faisant face, et les nervures 170 s'étendent parallèlement les unes aux autres. Une distance entre les nervures 170 peut être approximativement égale à un diamètre du cylindre 148 au niveau de la lentille de capteur 106, guidant ainsi l'écoulement d'air à travers la totalité de la lentille de capteur 106 tout en gardant le conduit 112 compact.
En référence à la , pour chaque ouverture 140, le logement 120 comprend une lèvre 172 s'étendant partiellement autour de l'ouverture 140. La lèvre 172 peut avoir un rayon constant à partir de l'axe A. La lèvre 172 peut s'étendre sur au moins 180° autour de l'axe A. Lorsque le boîtier 108 est installé, comme on le voit sur les figures 4 et 5, la lèvre 172 s'étend partiellement autour de la lentille de capteur 106 de l'une des nervures 170 à distance du conduit 112 (c'est-à-dire à distance de l'espace directement entre les nervures 170) jusqu'à l'autre des nervures 170. La lèvre 172 peut aider à localiser le boîtier 108 lors de l'assemblage de l'ensemble capteur 102.
En référence à la figure 8, le boîtier 108 définit au moins partiellement le conduit 112. Plus précisément, les nervures 170 et le panneau supérieur 156 définissent partiellement le conduit 112. Comme on le voit sur les figures 4 et 5, le logement 120 définit partiellement le conduit 112. En d'autres termes, le conduit 112 est formé du logement 120 et du boîtier 108. Le conduit 112 est délimité par, dans l'ordre, le panneau supérieur 156, l'une des nervures 170, le logement 120 et l'autre des nervures 170. Les nervures 170 sont parallèles les unes aux autres. Les parties du logement 120 et du panneau supérieur 156 formant le conduit 112 sont parallèles les unes aux autres, comme le montre mieux la .
La pression dans la chambre 128 est supérieure à la pression à l'extérieur du logement 120, ce qui fait sortir l'air de la chambre 128 à travers le conduit 112. Le conduit 112 définit une direction de l'écoulement d'air. La direction est vers l'axe A et vers la lentille de capteur 106. Le conduit 112 est formé pour diriger l'écoulement d'air depuis la chambre 128 à travers la lentille de capteur 106. Le conduit 112 est positionné pour évacuer l'écoulement d'air à travers la lentille de capteur 106. Les agencements parallèles des nervures 170 et du logement 120 et du panneau supérieur 156 contribuent à rendre l'écoulement d'air rectiligne et laminaire. L'écoulement laminaire élimine les débris de la lentille de capteur 106 mieux qu'un écoulement turbulent. Le conduit 112 et la lèvre 172 peuvent s'étendre collectivement entièrement autour de l'ouverture 140. La lèvre 172 bloque l'écoulement d'air de la chambre 128 à travers l'ouverture 140 sauf à travers le conduit 112.
En revenant aux figures 4 et 5, le panneau de logement 138 est formé pour favoriser un écoulement d'air laminaire à travers une transition de la lentille de capteur 106 au panneau de logement 138 sur un côté opposé de l'ouverture 140 à partir du conduit 112, c'est-à-dire la partie du panneau de logement 138 vers lequel le conduit 112 est dirigé. Le panneau de logement 138 au niveau de l'ouverture 140 à l'opposé du conduit 112 est suffisamment proche de la tangente avec la lentille de capteur 106 pour qu'un écoulement d'air laminaire se produise de la lentille de capteur 106 au panneau de logement 138, plutôt qu'une turbulence causée par la transition de la lentille de capteur 106 au panneau de logement 138.
En référence à la , la buse de fluide 110 est montée sur le boîtier 108, spécifiquement sur le panneau supérieur 156. La buse de fluide 110 s'étend à travers le panneau supérieur 156. À titre d'exemple, le panneau supérieur 156 comprend une partie en surplomb s'étendant radialement à l'extérieur de la partie tunnel 154 qui comprend une fente de montage 174 s'étendant à travers celle-ci, comme illustré sur la . La buse de fluide 110 peut s'encliqueter dans la fente de montage 174. La buse de fluide 110 peut être centrée entre les deux nervures 170. La buse de fluide 110 comprend une entrée 176 s'étendant sous le panneau supérieur 156, c'est-à-dire à distance du conduit 112, à laquelle se raccorde l'une des conduites d'alimentation 136. La buse de fluide 110 comprend une sortie 178 s'étendant dans le conduit 112. Un trajet de fluide s'étend à travers la buse de fluide 110 de l'entrée 176 à la sortie 178.
La buse de fluide 110 est dirigée à travers le conduit 112 dans la direction de l'écoulement d'air. Plus précisément, la buse de fluide 110 est dirigée à travers et vers la lentille de capteur 106 de sorte que le fluide vient percuter la lentille de capteur 106 à un angle faible, par exemple inférieur à 10°. L'emplacement de la buse de fluide 110 dans le conduit 112 et les directions de l'écoulement d'air et de pulvérisation de fluide étant identiques aident à minimiser les interférences entre l'écoulement d'air et le fluide. La buse de fluide 110 et le conduit 112 peuvent ainsi être actifs en même temps. À titre d'exemple, la source de pression 124 peut fonctionner en permanence, le conduit 112 fournissant un rideau d'air à travers la lentille de capteur 106, et la pompe 132 ou la vanne 134 peut être actionnée selon les besoins pour nettoyer la lentille de capteur 106.
L'invention a été décrite d'une manière illustrative, et il faut comprendre que la terminologie qui a été utilisée est destinée à être dans la nature des mots de description plutôt que de limitation. De nombreuses modifications et variantes de la présente invention sont possibles à la lumière des enseignements ci-dessus, et l'invention peut être mise en pratique autrement que comme spécifiquement décrit.
Selon la présente invention, un ensemble capteur est fourni ayant : un capteur comprenant une lentille de capteur ; un boîtier monté sur le capteur, le boîtier définissant au moins partiellement un conduit positionné pour évacuer l'écoulement d'air à travers la lentille de capteur, le conduit définissant une direction de l'écoulement d'air ; et une buse de fluide montée sur le boîtier et dirigée à travers le conduit dans la direction de l'écoulement d'air.
Selon un mode de réalisation, l'invention est en outre caractérisée par un logement comprenant une chambre, dans lequel le capteur et le boîtier sont disposés dans la chambre.
Selon un mode de réalisation, le logement définit partiellement le conduit.
Selon une mise en œuvre du procédé, le fluide de rinçage circule dans le au moins un adsorbeur subissant l’étape de rinçage dans le même sens de circulation que celui du gaz de charge lorsque ledit adsorbeur subit l’étape d’adsorption. On dit alors que l’étape de rinçage se fait à co-courant.
Selon une mise en œuvre du procédé, un flux issu de l’adsorbeur qui subit l’étape de rinçage est introduit, avec le gaz de charge, dans au moins un adsorbeur qui subit l’étape d’adsorption.
Selon une mise en œuvre du procédé, l’étape de rinçage s’effectue sur un nombre entier de temps de phase. L’étape de rinçage s’effectue alors sur au moins un temps de phase complet.