INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Selon une autre possibilité, la position relative entre le premier point de référence O et le récepteur radio de positionnement additionnel peut être déterminée : en émettant, depuis l’émetteur-récepteur radio de positionnement additionnel, un quatrième signal radio de demande à destination du premier émetteur-récepteur référentiel 21, un cinquième signal radio de demande à destination du deuxième émetteur-récepteur référentiel 22 et un sixième signal radio de demande à destination du troisième émetteur-récepteur référentiel 23, en émettant, depuis le premier émetteur-récepteur référentiel 21, un quatrième signal radio de réponse en destination de l’émetteur-récepteur radio de positionnement additionnel après réception du quatrième signal radio de demande, en émettant, depuis le deuxième émetteur-récepteur référentiel 22, un cinquième signal radio de réponse en destination de l’émetteur-récepteur radio de positionnement additionnel après réception du cinquième signal radio de demande et en émettant, depuis le troisième émetteur-récepteur référentiel 23, un sixième signal radio de réponse en destination de l’émetteur-récepteur radio de positionnement additionnel après réception du sixième signal radio de demande, en recevant le quatrième signal radio de réponse, le cinquième signal radio de réponse et le sixième signal radio de réponse au niveau de l’émetteur-récepteur radio de positionnement additionnel, en déterminant un quatrième temps de réponse écoulé entre l’émission du quatrième signal radio de demande et la réception du quatrième signal radio de réponse au niveau de l’émetteur-récepteur radio de positionnement additionnel, en déterminant un cinquième temps de réponse écoulé entre l’émission du cinquième signal radio de demande et la réception du cinquième signal radio de réponse au niveau de l’émetteur-récepteur radio de positionnement additionnel, en déterminant un sixième temps de réponse écoulé entre l’émission du sixième signal radio de demande et la réception du sixième signal radio de réponse au niveau de l’émetteur-récepteur radio de positionnement additionnel, et en calculant la position relative entre le premier point de référence O et l’émetteur-récepteur radio de positionnement additionnel à partir du quatrième temps de réponse, du cinquième temps de réponse et du sixième temps de réponse.
Selon une autre possibilité, la position relative entre le premier point de référence O et le récepteur radio de positionnement additionnel peut être déterminée : en synchronisant chacune des horloges des émetteurs-récepteurs radio référentiels 21, 22, 23, 24 et de l’émetteur-récepteur radio de positionnement 32 avec une horloge de l’émetteur-récepteur radio de positionnement additionnel, en émettant, depuis l’émetteur-récepteur radio de positionnement additionnel, un quatrième signal radio de demande à destination du premier émetteur-récepteur référentiel 21, un cinquième signal radio de demande à destination du deuxième émetteur-récepteur référentiel 22 et un sixième signal radio de demande à destination du troisième émetteur-récepteur référentiel 23, en recevant le quatrième signal radio de demande au niveau du premier émetteur-récepteur radio référentiel 21 et en mémorisant une quatrième date de réception du quatrième signal radio de demande correspondant à la date indiquée par l’horloge du premier émetteur-récepteur radio référentiel 21 au moment de la réception du quatrième signal radio de demande par le premier émetteur-récepteur radio référentiel 21, en recevant le cinquième signal radio de demande au niveau du deuxième émetteur-récepteur radio référentiel 22 et en mémorisant une cinquième date de réception du cinquième signal radio de demande correspondant à la date indiquée par l’horloge du deuxième émetteur-récepteur radio référentiel 22 au moment de la réception du cinquième signal radio de demande par le deuxième émetteur-récepteur radio référentiel 22, en recevant le sixième signal radio de demande au niveau du troisième émetteur-récepteur radio référentiel 23 et en mémorisant une sixième date de réception du sixième signal radio de demande correspondant à la date indiquée par l’horloge du troisième émetteur-récepteur radio référentiel 23 au moment de la réception du sixième signal radio de demande par le troisième émetteur-récepteur radio référentiel 23, et en calculant la position relative entre le premier point de référence O et l’émetteur-récepteur de positionnement additionnel à partir de la quatrième date, de la cinquième date et de la sixième date.
Le dispositif de référence spatiale 20 présente le premier point de référence O d’origine (Xo ; Yo ; Zo). Le moyen de télémétrie 30 peut être positionné et orienté dans l’espace selon de point de référence T (Xt ; Yt ; Zt). La distance du télémètre 34 au premier point C1 permet d’obtenir un positionnement dans l’espace du premier point C1 (Xc1 ; Yc1 ; Zc1) par rapport au point de référence O. La distance du télémètre 34 au deuxième point C2 permet d’obtenir un positionnement dans l’espace du deuxième point C2 (Xc2 ; Yc2 ; Zc2) par rapport au point de référence O. La distance entre les deux points C1 et C2 peut alors être calculée.
BANC DE MESURES POUR LE DIAGNOSTIC DE MACHINES INDUSTRIELLES Désignation du domaine technique concerné par l’invention
Le procédé d’initialisation 3, tel qu’illustré à la , peut également comprendre une étape préliminaire 31 de détermination du courant d’initialisation. Le courant d’initialisation est par exemple compris entre deux courants extrémaux.
Une mise en œuvre de l’étape de détermination 31 est illustrée à la . Elle met, par exemple, en œuvre une mémoire résistive non-initialisée dite « sacrificielle » car l’initialisation de cette mémoire est réalisée au-delà des courants extrémaux (afin de pouvoir déterminer lesdits courants).
La montre schématiquement une courbe de résistance qu’il est possible de mesurer aux bornes de la mémoire sacrificielle en fonction du courant appliqué.
La résistance présente un premier plateau à faible courant jusqu’à ce que le courant appliqué atteigne un courant dit « courant d’initialisation minimal ». À partir de ce courant minimal, la courbe de résistance présente un premier coude. La courbe de résistance présente également une zone dans laquelle la variation présente une pente continue avant de présenter un second coude jusqu’à atteindre un courant dit « courant d’initialisation maximal ». La courbe de résistance présente ensuite un plateau, pouvant avoir une pente légère ou diminuante. Au-delà du deuxième coude, la courbe peut également présenter une chute de résistance lorsque la région active 20 connecte les électrodes inférieure et supérieure 13, 14 entre elles.
La fusion des matériaux influence peu la mesure résistance aux bornes du mémoire. En effet, tant que les matériaux restent purs, ils ne provoquent pas de changement de tendance de la courbe de résistance. Le premier coude correspond donc au mélange du matériau à base de titane de la première couche 11 avec le premier matériau à changement de phase de la deuxième couche 12. Le courant d’initialisation est donc choisi supérieur ou égale au courant d’initialisation minimal, pour permettant de créer un volume fondu mélangeant le matériau à base de titane et le premier matériau à changement de phase. Le courant d’initialisation minimal indique que le volume de matériaux fondus présente une dimension supérieure à l’épaisseur A de la première couche 11. Le premier coude correspond par exemple à la portion de courbe de la observable pour un rapport A/R supérieur à 0,8 et comprenant également un coude.
À mesure que le courant augmente, la dimension du volume de matériau fondu augmente, diluant d’autant le matériau à base de titane. La variation linéaire de la résistance offre ainsi une progressivité et un bon contrôle de la taille du volume fondu (et donc de la dilution du matériau à base de titane). Il s’agit d’une plage optimale d’initialisation dans laquelle il peut être judicieux de choisir le courant d’initialisation.
Le deuxième coude intervient lorsque le mécanisme atteint un régime de saturation. D’une part, la dilution du matériau à base de titane peut être élevée et l’augmentation du volume de matériaux fondus dilue moins efficacement le matériau à base de titane. D’autre part, l’augmentation du volume de matériaux fondus peut montrer une saturation, parce qu’elle a atteint une limite à son expansion, telle que les flancs des première et/ou deuxième couches 11, 12 ou l’une des électrodes 13, 14.
La détermination 31 des courants d’initialisation minimal et maximal peut être scindée en deux sous-étapes correspond à la détermination d’un courant d’initialisation respectivement minimal et maximal.
La détermination desdits courants extrêmaux peut également être réalisée de manière séquentielle, en augmentant le courant par paliers, lesdits paliers pouvant être espacés d’une durée pendant laquelle aucun courant n’est appliqué, permettant par exemple le refroidissement et la solidification de la région active 20.
La détermination 31 des courants d’initialisation minimal et maximal peut également être réalisée par analyse de la composition de la région active 20. Une série de mémoires 1 peut être initialisée en appliquant des courants différents (par exemple de manière arbitraire). Une analyse de la composition de chaque mémoire initialisée 2 et plus particulièrement de chaque région active 20 permet de déterminer les courants d’initialisation minimal et maximal. Par exemple, il peut être attendu que le courant d’initialisation minimal permette de former une région active 20 présentant une concentration de titane maximale dans le deuxième matériau à changement de phase, cette concentration de titane dans le deuxième matériau étant strictement inférieure à la concentration initiale de titane dans le matériau à base de titane pur (c’est à dire avant mélange) et avantageusement strictement supérieure à la concentration de titane dans le premier matériau à changement de phase pur. Il peut également être attendu que le courant d’initialisation maximal permette de former une région active 20 présentant une concentration de titane minimal dans le deuxième matériau à changement de phase, cette concentration étant préférentiellement inférieure ou égale à 1/100, mais avantageusement strictement supérieure à la concentration de titane dans le premier matériau à changement de phase pur.
L’application 32 du courant d’initialisation et la solidification 33 de la région active 20 peuvent être réalisées, séquentiellement, plusieurs fois. L’amplitude du courant d’initialisation peut par exemple augmenter à chaque fois. Ainsi, la dimension de région active 20 augmente à chaque réalisation de l’application du courant d’initialisation. Ce mode de mise en œuvre permet d’approcher, de manière graduelle, des performances souhaitées. En revanche, le mode de formation de la région active 20 ne permet pas d’initialiser la mémoire en appliquant un courant d’initialisation dont l’amplitude est inférieure à une amplitude déjà employée.
D’ailleurs, appliquer un courant supérieur au courant d’initialisation employé pour initialiser une mémoire 2 peut entrainer une initialisation complémentaire de cette mémoire 2. Il est donc avantageux de lire ou commuter la mémoire initialisée avec un courant plus faible que celui utilisé pour réaliser l’initialisation. Autrement dit, Il est avantageux d’initialiser la mémoire 2 avec un courant d’initialisation supérieur ou égal au courant de lecture et au courant de commutation afin d’éviter une initialisation complémentaire non souhaitée de la mémoire lors de sa lecture ou de sa commutation.
La mémoire à initialiser peut d’ailleurs être dans un état d’initialisation intermédiaire. Cet état d’initialisation intermédiaire est par exemple obtenu après une première initialisation. La mémoire résistive dans un état d’initialisation intermédiaire présente alors une région active dite « intermédiaire ». Cette région active intermédiaire comprend par exemple un troisième matériau à changement de phase comprenant également du titane. Cette région active intermédiaire est par exemple obtenue par une première fusion des première et deuxième couches. Le troisième matériau à changement de phase intermédiaire présente alors une concentration de titane supérieure à la concentration sera atteint dans le deuxième matériau à changement de phase. La circulation 32 d’un courant d’initialisation génère également un gradient de température au sein de la région active intermédiaire impliquant sa fusion et le mélange du troisième matériau à changement de phase avec le matériau à base de titane de la première couche (également partiellement fondu) et avec le premier matériau à changement de phase (également partiellement fondu). Il en résulte la formation d’un deuxième matériau à changement de phase à partir du premier matériau à changement de phase, du matériau à base de titane et du troisième matériau à changement de phase. La région active 20 formée par le deuxième matériau à changement de phase présente d’ailleurs une dimension (telle que son rayon) supérieure à une dimension de la région active intermédiaire.
La représente une mesure de la résistance moyenne d’un ensemble de 4096 mémoires non-initialisées 1 lors de différents modes d’utilisation ou lors de leur initialisation. Le courant appliqué sur chacune des mémoires est une impulsion présentant, séquentiellement, une montée de 10 ns à une amplitude maximale, un maintien de cette amplitude maximale pendant une durée de 300 ns et une chute de 10 ns.
Une première courbe de résistance, dite courbe d’initialisation, mesurée lors de l’initialisation 3 de chaque mémoire, est représentée par des carrés (également indiquée par « INIT » dans la ). La courbe d’initialisation présente en partie la même tendance que la courbe discutée en référence à la . Elle présente notamment un premier plateau pour des valeurs de courant faibles (inférieurs à 1,3 mA), un premier coude observable pour un courant compris entre 1,3 mA et 1,6 mA et une partie linéaire entre 1,6 mA et 1,8 mA. Le courant maximal appliqué est le courant d’initialisation. Dans cet exemple, le courant d’initialisation est de 1,8 mA. À l’issue de l’initialisation 3 (comprenant ici une étape de circulation 32 du courant d’initialisation et une étape de refroidissement/solidification 33 du deuxième matériau à changement de phase formé), chaque mémoire résistive 1 est initialisée et présente une région active 20 dans laquelle une information peut être encodée.
Une deuxième courbe de résistance, dite courbe de contrôle, représentée par des losanges (également indiquée par « ctrl » dans la figure), présente la variation de résistance de chaque mémoire initialisée 2 à l’issu de leur initialisation, lorsque le courant diminue du courant d’initialisation (1,8 mA) à un courant nul. La courbe de contrôle ne présente pas la même tendance que la courbe d’initialisation, preuve du changement de comportant de chaque mémoire résistive.
La région active 20 présente ainsi un deuxième matériau à changement de phase, solidifié et contenant du titane. Ledit titane forme par exemple un nouvel alliage avec le premier matériau à changement de phase.
La région active 20 permet ainsi de stocker une information en l’encodant dans une valeur de résistivité du deuxième matériau à changement de phase. En effet, le deuxième matériau à changement de phase de la région active 20 peut présenter, au même titre que le premier matériau à changement de phase, une phase amorphe ou une phase cristalline. En revanche, le titane combiné avec le premier matériau à changement de phase tend augmenter la vitesse de cristallisation et/ou de trempe du deuxième matériau à changement de phase (et donc la vitesse de commutation de la région active 20). Ainsi, la présence de la région active 20, disposée entre les électrodes inférieure et supérieure 13, 14 permet de stocker une information dans la mémoire initialisée 2. À la différence d’une mémoire 1 non-initialisée, la vitesse de commutation de l’information est améliorée.
Le deuxième matériau à changement de phase dans la région active 20, illustré dans les et , comprend un volume de la première couche 11 correspondent à la portion inférieure 21 de la région active 20 et un volume de la deuxième couche 12 correspondant à la portion supérieure 22 de la région active 20.
Le deuxième matériau à changement de phase présente une concentration de titane. Ladite concentration de titane est proportionnelle à untaux de dilution du matériau à base de titane dans le deuxième matériau à changement de phase. Ledit taux de dilution est égal au rapport du volume de la portion inférieure 21 de la région active par le volume totale de la région active 20. Il dépend donc du volume de la région active 20 et donc d’une dimension de la région active 20, telle que son rayon R. Dans l’exemple de la , la région active 20 présente une forme hémisphérique et son volume total dépendant dépend de son rayon R. Le taux de dilution du matériau à base de titane dans la région active 20 correspond au volume de la portion inférieure 21 de la région active 20 par rapport au volume total de la région active 20. Le volume de la portion inférieure 21 de la région active 20 est donné par
Ainsi, le taux de dilution du matériau à base de titane dans le premier matériau à changement de phase est égal à
Le taux de dilution dépend donc directement du rapport de l’épaisseur A de la première couche 11 par la dimension de la région active 20, en l’occurrence son rayon R.
La illustre la variation du taux de dilution D du matériau à base de titane dans le premier matériau à changement de phase, tel que calculé ci-dessus en fonction du rapport A/R. Plus le rayon de la région active 20 est grand (rapport A/R faible) et plus le matériau à base titane est dilué dans une quantité de premier matériau à changement de phase. À l’inverse, plus le rayon de la région active 20 est faible (rapport A/R grand) et plus le matériau à base de titane est concentré. La mémoire non-initialisée 1 considérée pour réaliser ce calcul présente une épaisseur B de la deuxième couche infinie (permettant d’obtenir un rapport A/R de 0 et une valeur [0 ; 0]).
Il en résulte qu’une région active 20 présentant une grande dimension présente un deuxième matériau à changement de phase combinant une faible concentration de titane. À l’inverse une région active 20 présentant une faible dimension présente un deuxième matériau à changement de phase combinant une forte concentration de titane. Une région active 20 de faible dimension présente donc une vitesse de cristallisation et/ou trempe élevée (puisque les propriétés du matériau à changement de phase sont fortement impactées) tandis qu’une région active 20 de grande dimension présente une vitesse de cristallisation et/ou trempe faible.
La dimension de la région active 20 dépend de la dimension du volume total de matériaux fondus. Cette dernière dépend des paramètres menant à sa formation, tel que la densité de courant dans chaque couche. En effet, une densité de courant modérée créera un volume de matériaux fondus de petite taille tandis qu’une densité de courant élevée créera un volume de grande taille. La densité de courant dans les première et deuxième couches 11, 12 est proportionnelle à l’amplitude du courant appliqué sur ces couches. C’est donc en contrôlant l’amplitude du courant appliqué qu’il est possible de contrôler la dimension de la région active 20. Le contrôle de l’amplitude du courant permet donc de contrôler le taux de dilution du matériau à base de titane dans la région active 20. Ainsi, le contrôle de l’amplitude du courant permet donc de contrôler la concentration de titane dans le deuxième matériau à changement de phase.
Il est avantageux que la première couche 11 présente une épaisseur A inférieure à l’épaisseur B de la deuxième couche 12. Ainsi, la dilution du matériau à base de titane dans le premier matériau est plus efficace. L’épaisseur B de la deuxième couche 12 est par exemple quatre fois supérieure, voire vingt fois supérieure, à l’épaisseur A de la première couche 11. Lorsque l’épaisseur A de la première couche 11 est supérieure à l’épaisseur B de la deuxième couche B, la variation de la concentration de titane en fonction d’une dimension de la région active est plus faible. Ce cas de figure peut améliorer le contrôle de la concentration de titane lorsque le courant d’initialisation est difficilement contrôlé. En revanche, la dimension minimale de la région active pour permettre une dilution du matériau à base de titane est d’autant plus élevée que l’épaisseur A de la première couche 11 est élevée. Le courant minimum à appliquer pour former la région active 20 est donc également plus élevé.
La dilution du matériau à base de titane est également réalisée de manière efficace lorsque le premier matériau à changement de phase de la deuxième couche 12 comprend une concentration initiale de titane (c’est-à-dire avant mélange) qui soit inférieure à la concentration initiale de titane du matériau à base de titane de la première couche 11. Ainsi, la fusion et le mélange des deux matériaux (premier matériau et matériau à base de titane) tend à diluer le titane plutôt que le concentrer. Le premier matériau à changement de phase de la deuxième couche 12 comprend par exemple une concentration de titane nulle.
La représente schématiquement un procédé 3 d’initialisation d’une mémoire 1. La mise en œuvre de ce procédé permet d’obtenir une mémoire résistive initialisée 2 telle qu’illustrée aux ou . Le procédé d’initialisation 3 comprend une étape de circulation 32 d’un courant électrique, dit courant d’initialisation, entre les première et deuxième électrodes 13, 14 de la mémoire résistives 1 de manière à former la région active 20. Le courant d’initialisation étant choisi de manière à fusionner une partie du matériau à base de titane de la première couche 11 de la mémoire résistive 1 et une partie du premier matériau à changement de phase de la deuxième couche 12 de la mémoire résistive non-initialisée 1. Il s’en suit mécaniquement un mélange des matériaux fondus ; et un dopage du premier matériau fondu avec du titane de manière à former le deuxième matériau à changement de phase.
La fusion est notamment rendue possible par l’établissement d’un gradient thermique dans les premières et deuxième couches 11, 12.
Le procédé 3 d’initialisation comprend également une étape de solidification 33 du deuxième matériau à changement de phase pour former la région active 20. La solidification 33 est par exemple obtenue par l’arrêt du courant d’initialisation.
Le mélange des matériaux fondus et la combinaison du titane avec le premier matériau peuvent avoir lieu de manière concomitante pendant toute la durée d’application du courant d’initialisation.
Pour que le courant d’initialisation mis en œuvre ne soit pas trop élevé et ne dégrade pas la mémoire 1, il est avantageux que la température de fusion des première et deuxième couches 11, 12 soit inférieure à 1000 °C et de manière encore préférée inférieure à 700 °C.
Une épaisseur du deuxième segment 132 de la patte 131 formant chaque dispositif de stabilisation 13 est comprise entre 20% et 50% de l’épaisseur du premier segment 133. En particulier, une épaisseur du deuxième segment 132 de la patte 131 formant chaque dispositif de stabilisation 13 est comprise entre 0,5 mm et 1 mm.
Bien entendu, le support de joint de capot 1 est particulièrement adapté à une intégration sur un véhicule automobile 7, le support de joint de capot 1 étant destiné à être fixé solidairement à un support d’aile 4 du véhicule automobile 7, à accueillir un joint de capot 2 sur sa plateforme 11, et à être mis en compression par le capot 6 lorsque celui-ci est fermé et écrase le joint de capot 2 contre ladite plateforme 11.
En référence aux FIGURES 3 et 4, l’invention concerne aussi un arrangement 5 pour véhicule automobile 7, l’arrangement comportant :
- un support d’aile 4 comportant une zone de fixation 41 d’une aile de carrosserie 3 du véhicule automobile 7 et une dépression 42 destinée à être située du côté d’un compartiment moteur du véhicule automobile 7,