Procédé de fabrication d’une pièce de MgB 2 comportant : a) la production d’une préforme par mise en forme d’une poudre de particules de MgB 2 au moyen d’une technique de fabrication additive sur lit de poudre, comportant l’insolation de la poudre de MgB 2 avec un rayonnement laser, et b) une étape de densification de la préforme, jusqu’à obtention de la pièce de MgB 2 . Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le diamètre équivalent médian des particules de la poudre de MgB 2 varie de 1 µm à 50 µm, en particulier varie de 2 µm à 30 µm, de préférence varie de 5 µm à 20 µm. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que l’étape a) est mise en œuvre par frittage sélectif par laser (SLS ou DLMS). Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que l’étape b) comprend une étape de frittage, en particulier par densification sous charge, ou une étape d’imprégnation, en particulier avec un métal conducteur distinct du magnésium, et de préférence avec du cuivre ou un alliage de cuivre et d’argent. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu’il comporte : a) la production d’une préforme par mise en forme d’une poudre de particules de MgB 2 au moyen d’une technique de fabrication additive sur lit de poudre, comportant l’insolation de la poudre de MgB 2 avec un rayonnement laser, avec une dose d’énergie variant de 4 J/cm²/passe à 70 J/cm²/passe, de manière à obtenir la préforme à base d’une poudre insolée de MgB 2 , et b) une étape de densification de la préforme, par frittage de la poudre insolée de MgB 2 , jusqu’à obtention de la pièce de MgB 2 . Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, caractérisée en ce que l’étape a) est conduite de telle sorte que la densification de la poudre de MgB 2 après insolation varie de 30 % à 45 %, de préférence varie de 35 % à 45 %, exprimé par rapport à la masse volumique théorique sans porosité. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la dose d’énergie du rayonnement laser en étape a) varie de 4,5 J/cm²/passe à 70 J/cm²/passe, en particulier varie de 5 J/cm²/passe à 70 J/cm²/passe, encore plus particulièrement varie de 6 J/cm²/passe à 60 J/cm 2 /passe. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que l’épaisseur du lit de poudre en étape a) varie de 50 μm à 800 μm, en particulier varie de 75 μm à 500 μm, de préférence varie de 100 μm à 300 μm. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que l’étape de frittage est effectuée par densification sous charge, notamment par SPS ou par pressage à chaud, en particulier par SPS. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce qu’il comprend : a) la production d’une préforme par mise en forme d’une poudre de particules de MgB 2 au moyen d’une technique de fabrication additive sur lit de poudre, dans un environnement avec de l’oxygène, comportant l’insolation de la poudre de MgB 2 avec un rayonnement laser, avec une dose d’énergie variant de 50 J/cm²/passe à 90 J/cm²/passe, de manière à obtenir une contreforme à base d’une poudre de MgO et la préforme à base d’une poudre non insolée de MgB 2 contiguë à la poudre de MgO, et b) une étape de densification de la préforme, par frittage de la poudre non insolée de MgB 2 en étape a), dans un four de frittage sous atmosphère inerte, suivie d’une étape de dépoudrage de la poudre de MgO, jusqu’à obtention de la pièce de MgB 2 . Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce que la dose d’énergie du rayonnement laser en étape a) varie de 50 J/cm²/passe à 80 J/cm²/passe, de préférence varie de 50 J/cm²/passe à 70 J/cm²/passe. Procédé selon l’une quelconque des revendications 10 ou 11, caractérisé en ce que l’épaisseur du lit de poudre en étape a) varie de 50 μm à 800 μm, en particulier varie de 75 μm à 500 μm, de préférence varie de 100 μm à 300 μm. Procédé selon l’une quelconque des revendications 10 à 12, caractérisé en ce que l’étape de frittage est effectuée à une température variant de 700 °C à 1050 °C, en particulier variant de 750 °C à 1000 °C, de préférence variant de 800 °C à 950 °C. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu’il comprend une étape postérieure de démoulage de la pièce de MgB 2 . Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, la pièce de MgB 2 étant un supraconducteur possédant une température critique comprise entre 35 K et 39 K.