INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Dans les exemples illustrés, les câbles 202 sont solidarisés par le ou les boitiers de connexion 230. En variante non représentée, les câbles 202 sont solidarisés par d’autres moyen, par exemple avec des serre-câbles multiples, l’isolation électrique des couteaux de connexions 220 étant réalisée par d’autres moyens, par exemple en recouvrant partiellement les couteaux de connexion par un revêtement isolant.
Dispositif de distribution de courant et tableau électrique comprenant un tel dispositif La présente invention concerne un dispositif de distribution de courant et un tableau électrique comprenant un tel dispositif de distribution de courant.
Il est aussi connu de relier entre eux, au moyen de peignes conducteurs, certains des appareils électriques fixés sur un même rail de fixation. Un peigne est respectivement associé à chacune des phases et au neutre de la source de puissance, tandis que les dents de chaque peigne sont généralement sécurisées par vissage dans les bornes correspondantes, ce qui là aussi prend du temps.
Il est aussi connu, notamment de EP1424756, de fixer un dispositif de distribution du courant électrique directement au rail de fixation. Le dispositif de distribution comprend des terminaux de connexion, qui sont reliés à la source de courant et qui sont ménagés sur une face avant du dispositif de distribution, située au-dessus du rail. Lors du montage d’un appareil électrique au rail, dans le même mouvement l’appareil électrique est connecté électriquement au dispositif de distribution et monté mécaniquement sur le rail. Un tel dispositif de distribution est cependant limité à une source de courant monophasée, c’est-à-dire avec une phase et un neutre. Il n’est pas possible de connecter directement un appareil électrique triphasé sur un tel dispositif de distribution. Lorsque la source de courant est triphasée, le tableau électrique comprend trois rails de fixation, chacun surmonté d’un dispositif de distribution monophasé associé à une phase respective de la source de courant. Une charge électrique triphasée est ensuite connectée à chacune des phases par des fils installés manuellement, ce qui est peu pratique.
GB2112587 décrit, par exemple, un dispositif de distribution avec trois bus conducteurs, prévus pour être chacun reliés à une phase respective d’une source de puissance. Un tel dispositif de distribution est, d’une part, relativement encombrant et, d’autre part, ne peut être connecté qu’à des appareils électriques spécifiques et n’est cependant pas compatible avec les appareils électriques monophasés existants, prévus pour être montés sur les dispositifs de distribution de l’art antérieur, par exemple similaires à ceux décrits dans EP1424756.
C’est à ces problèmes qu’entend plus particulièrement remédier l’invention, en proposant un dispositif de distribution qui soit compatible avec des appareils multiphasés ou monophasés.
À cet effet, l’invention concerne un dispositif de distribution de courant électrique, configuré pour relier une source de puissance électrique à un appareil électrique dans lequel :
le dispositif de distribution est configuré :
pour être porté par un rail de fixation dans un tableau électrique, le dispositif de distribution comprenant un boitier présentant une forme à la fois allongée, selon un axe longitudinal parallèle au rail de fixation, et aplatie, s’étendant selon un plan moyen qui est parallèle à l’axe longitudinal, parallèle à un axe de hauteur et orthogonal à un axe de profondeur, le dispositif de distribution comprenant une face avant et une face arrière, qui sont opposées l’une à l’autre et qui sont parallèles au plan moyen, un côté bas, par lequel le dispositif de distribution est monté sur le rail de fixation, et un côté haut, qui est opposé au côté bas et qui est relié au côté bas par la face avant et par la face arrière, et pour relier chaque phase, et optionnellement un neutre, d’une source de puissance électrique à des terminaux de connexion du dispositif de distribution, chaque terminal de connexion ménageant un volume de connexion, qui débouche sur la face avant et qui est prévu pour recevoir un terminal complémentaire d’un appareil électrique monté sur le rail de fixation,
le dispositif de distribution comprend plusieurs bus conducteurs, qui sont électriquement isolés les uns des autres et qui sont chacun respectivement associés à une phase de la source de puissance et optionnellement à un neutre de la source de puissance, et chaque terminal de connexion est connecté à un des bus conducteurs, les terminaux de connexion étant arrangés le long du dispositif de distribution selon un motif répétitif, l’ensemble des motifs formant une zone de connexion du dispositif de distribution.
Dans l’exemple décrit, chaque filtre optique 33a est un filtre de lumière infrarouge, dont le pic de transmission est centré sur une longueur d’onde de 1400 nm et apte à laisser passer des rayons de lumière dont la longueur d’onde est comprise entre 1350 nm et 1450 nm, le reste étant absorbé par ce filtre 33a. On pourra par exemple prévoir que chaque filtre optique 33a soit un filtre absorbant passe-bande dont le coefficient de transmission est supérieur à 80% dans la bande 1350 nm – 1450 nm et dont le pic de transmission est centré sur 1400 nm..
A l’issue de ce montage, le module 10 et la première partie 100A sont assemblés, comme illustré sur la (B). La (B) illustre également que le procédé comprend ensuite l’assemblage d’une deuxième partie 100B au module 20. Plus précisément, la deuxième partie 100B comprend un rotor, en l’espèce le propulseur 30, qui est assemblé à l’arbre 12 du module 20. Ainsi, le propulseur 30 peut être cinématiquement couplé à l’arbre 12, donc au porte-satellite 28. Des éléments de fixation 32 appropriés peuvent être employés à cette fin. Par exemple, les éléments de fixation 32 peuvent comprendre un écrou.
Il résulte de ce procédé la turbomachine 100 illustrée sur la (C).
Comme il ressort de la , les éléments de fixation 32, 46, 94 sont tous prévus d’un même côté du module 20, à savoir le côté avant (à gauche sur la ). Ainsi, pour la fixation des composants du module 20 aux pièces de la turbomachine distinctes de ces composants, l’accès aux éléments de fixation peut se faire toujours du même côté et évite donc au monteur d’effectuer certaines opérations à l’aveugle.
Les figures 4 et 5 illustrent des variantes de la zone Z de la . Sur ces figures, les éléments correspondant ou identiques à ceux du premier mode de réalisation recevront le même signe de référence et ne seront pas décrits à nouveau.
La variante de la diffère du mode de réalisation précédemment décrit en ce que le réducteur 20 est un réducteur planétaire et non un réducteur épicycloïdal : en effet, c’est le porte-satellite 28 qui est fixe (ici fixé au carter 40), tandis que la couronne 26 est mobile, et plus particulièrement cinématiquement couplée à l’arbre 12.
Toutefois, cela ne modifie pas l’assemblage du module 10 au reste de la turbomachine 100, étant donné que le module 10 se comporte comme un ensemble d’un seul tenant, et que la localisation des fixations avec le reste de la turbomachine 100 n’est, dans cette variante, pas modifiée.
Les autres éléments décrits précédemment restent valables mutatis mutandis, en échangeant si besoin la couronne 26 et le porte-satellite 28.
Par ailleurs, comme il ressort de la , l’élément d’attache 18 doit contourner la couronne 26 pour se fixer au porte-satellite 28. De ce fait, l’élément d’attache 18 s’étend d’un côté du réducteur 20, à savoir le côté arrière (à droite sur la ) à un autre côté du réducteur 20, à savoir le côté avant (à gauche sur la ). Bien que ceci soit précisé dans le cadre de la variante de la , une telle caractéristique pourrait aussi être mise en œuvre dans le mode de réalisation de la , en reliant l’élément d’attache 18 à la couronne 26 non pas radialement à l’extérieur de la couronne 26 comme cela est illustré sur la , mais à l’arrière de la couronne 26, du côté opposé à la bride 14b du support de palier 14.
Indépendamment de ce qui précède, la illustre que l’arbre 12 présente une butée 12a pour le positionnement axial du rotor correspondant, à savoir le propulseur 30. La butée 12a est située telle que le rotor (le propulseur 30) soit maintenu à distance des paliers 16, afin de ne pas entraver leur fonctionnement. Par ailleurs, le propulseur 30 est convenablement maintenu entre la butée 12a et l’élément de fixation 32 qui sont situés de part et d’autre du propulseur 30 dans la direction axiale X.
En l’espèce, la butée 12a est formée par un épaulement de l’arbre 12 configuré pour coopérer avec la forme du propulseur 30.
La variante de la diffère de celle de la en ce que les composants du module 10 comprennent en outre un deuxième arbre 96 cinématiquement couplé au réducteur 20. En l’occurrence, le deuxième arbre 96 est cinématiquement couplé au solaire 22, et configuré pour être assemblé à l’arbre de turbine BP 92. Par ailleurs, comme il ressort de la , le deuxième arbre 96 est prévu d’un côté du réducteur 20 opposé au côté de l’arbre 12.
Le fait de prévoir un deuxième arbre 96 comme intermédiaire entre le deuxième rotor, ici la turbine BP 90, et le réducteur 20, offre une flexibilité de conception accrue. Par exemple, cela permet de prévoir une souplesse 96a, c’est-à-dire une portion en serpentin capable d’accommoder des efforts, ici axiaux. De plus, cela permet un déport de l’élément de fixation 94 qui ne se trouve plus au niveau du réducteur 20, mais au niveau du deuxième arbre 96. Il s’ensuit une meilleure compacité du réducteur 20.
Le deuxième arbre 96 peut être monobloc avec le solaire 22, par exemple formé en une seule pièce, voire venu de matière.
A priori, il n’est pas nécessaire de prévoir de palier dédié pour soutenir le deuxième arbre 96, dans la mesure où sa rotation est déjà soutenue par les paliers qui soutiennent l’arbre de turbine BP 92 dont le deuxième arbre 96 est solidaire en rotation. Toutefois, de tels paliers sont envisageables.
Le cas échéant, les deuxièmes éléments de fixation 94 peuvent être situés à une extrémité axiale du deuxième arbre 96 opposée au réducteur 20 pour serrer axialement vers l’aval le deuxième arbre 96 contre le deuxième rotor, à savoir l’arbre de turbine BP 92.
Par ailleurs, la illustre un maintien axial du propulseur 30 sur l’arbre 12 légèrement différent de celui de la : au lieu de prévoir que l’élément de fixation 32 et la butée 12a encadrent le propulseur 30 dans son ensemble, le propulseur 30 est prévu avec un appendice 34 configuré pour être enserré entre la butée 12a et l’élément de fixation 32. Par exemple, l’appendice forme un épaulement complémentaire de l’épaulement qui forme la butée 12a.
On remarque que, notamment à basse fréquence (voir notamment la caractéristique à 5 kHz) et à haute fréquence (voir notamment la caractéristique à 500 kHz), la capacité MOS caractérisée à la présente de moins bonnes performances que la capacité MOS caractérisée à la . Les pentes des caractéristiques pour chacune des fréquences étudiées sont en effet plus faibles que leurs équivalentes sur la , traduisant un passage moins rapide du régime d’accumulation au régime d’inversion en réponse à une variation de tension. La comparaison des figures 2A et 2B met donc en lumière une nette amélioration grâce au procédé selon l’invention des performances des composants électroniques comprenant une interface matériau III-V gravé/diélectrique.
Un avantage de la solution proposée par l’invention est que les étapes d’exposition à un traitement plasma de la couche III-V 100 gravée et de dépôt d’une couche diélectrique 200 peuvent être réalisées après n’importe quel type de gravure et pour n’importe quel matériau III-V. Le procédé selon l’invention constitue donc une solution que l’on pourrait qualifier d’universelle contre le problème de la qualité des interfaces entre un matériau III-V gravé et un diélectrique. Une telle adaptabilité permet de plus une certaine standardisation des procédés de fabrication de composants électroniques dans lesquels le procédé selon l’invention peut être intégré.
Un autre avantage de la solution proposée est que l’étape de traitement plasma est une étape rapide pouvant de plus être réalisée immédiatement après l’étape de gravure, dans le même réacteur. Le procédé selon l’invention peut ainsi être intégré à un procédé de fabrication de dispositifs microélectroniques sans altérer la productivité.
À travers les différents modes de réalisation décrits ci-dessus, il apparaît clairement que l’invention propose une solution efficace pour améliorer la productivité de la formation d’une interface entre une couche de matériau III/V gravé et une couche diélectrique tout en assurant une bonne qualité de cette interface.
Le procédé proposé est particulièrement avantageux pour des applications puissance, telles que des transistors de puissance ou des LED ou µLED. Dans ce cas, l’épaisseur de matériau III-V à graver, tel que le GaN, peut être d’une centaine de nanomètres à plusieurs microns.
Procédé de fabrication d’une structure d’interconnexion de circuit intégré La présente description concerne de façon générale les circuits électroniques tels que les circuits intégrés, et plus particulièrement des extrémités de structures d’interconnexion de circuits intégrés (FBEOL, Far Back End Of Line) comprenant des métallisations de cuivre, et les procédés de fabrication de ces structures.
Les circuits intégrés (CI) sont généralement composés de plusieurs couches superposées constituées de matériaux semi-conducteurs, isolants et conducteurs.
Dans une première phase (front end of line, FEOL) d'un processus de fabrication d'un circuit intégré, des composants tels que, entre autres, des transistors, des diodes, des résistances et/ou des condensateurs, sont formés dans et/ou sur un substrat, qui peut comprendre, ou consister en, une couche semi-conductrice.
Dans une seconde phase (back end of line, BEOL) du processus, les composants sont interconnectés par une structure d’interconnexion électrique. Une structure d'interconnexion comprend typiquement des pistes (ou lignes) métalliques conductrices, généralement plusieurs pistes métalliques empilées sur plusieurs niveaux et isolées électriquement les unes des autres par des couches isolantes. Des vias traversent une ou plusieurs couches isolantes de la structure d'interconnexion de manière à relier électriquement entre elles les pistes métalliques.
Dans une troisième phase du processus dite FBEOL (far back end of line), qui peut être incluse dans la phase BEOL, une extrémité de structure d’interconnexion peut être formée au-dessus du, ou au, dernier niveau de la structure d'interconnexion. Par extrémité de structure d’interconnexion, on entend le niveau le plus éloigné du substrat. Cette extrémité de structure peut comprendre au moins une piste métallique supplémentaire et/ou au moins un plot métallique pour relier des composants du circuit intégré à d'autres emplacements dudit circuit intégré ou pour relier le circuit intégré à un autre circuit électronique, par exemple un circuit imprimé. L’extrémité de la structure d'interconnexion peut être adaptée à faciliter l’encapsulation du circuit intégré dans une résine pour intégrer ledit circuit intégré dans un boîtier électronique.
Les vias, les pistes métalliques, ainsi que la piste métallique supplémentaire et/ou le plot métallique (plus largement les éléments d’interconnexion), peuvent être en cuivre, qui remplace de plus en plus l’aluminium dans les circuits électroniques. En effet, le cuivre étant un meilleur conducteur que l'aluminium, les éléments d’interconnexion en cuivre peuvent avoir des dimensions plus réduites que celles en aluminium, et utiliser moins d'énergie pour faire passer l'électricité à travers eux.
Une extrémité de structure d’interconnexion comprenant des éléments d’interconnexion en cuivre peut permettre de réaliser un contact cuivre-cuivre, par exemple par fil (wire bonding) sur le plot métallique, par exemple avant encapsulation dans un boîtier, ou par l’intermédiaire d’un pilier métallique et/ou d’une bille métallique.
Cependant, il est préférable que le cuivre soit protégé de l’air, ou de toute atmosphère oxydante et/ou corrosive, au moins jusqu’à la mise en contact et l’encapsulation.
Il existe un besoin d’une structure d’interconnexion pour circuit intégré qui comprenne, à son extrémité la plus éloignée du substrat, une métallisation de cuivre et qui permette de protéger le cuivre. Par raccourci, on désigne par le terme "extrémité" de la structure d’interconnexion, son extrémité la plus éloignée du substrat, et qui est adaptée à relier des composants du circuit intégré à d'autres emplacements dudit circuit intégré ou à relier le circuit intégré à un autre circuit électronique, par exemple un circuit imprimé.
Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des structures d’interconnexion connues.
L’ensemble des étapes i) à vii) sont réalisés pour une pluralité de points N1 à Nk (k un entier strictement positif) de manière à balayer totalement ou partiellement la surface S1. On obtient ainsi une pluralité de listes L1 à Lk chacune associée à un point de la surface S1. Chaque liste L1 à Lk comprend une quantification des caractéristiques ferroélectriques tel que la réponse électromécanique locale en saturation, la réponse électromécanique locale rémanente, les tensions coercitives, la tension de nucléation, l’aire de la courbe hystérésis, l’amplitude rémanente, l’amplitude à la saturation, la composante affine de la courbe d’hystérésis et le décalage de la courbe d’hystérésis (offset en anglais). De plus, il est envisageable d’extraire des mesures des propriétés électrostatiques de l’échantillon, des informations sur les variations des propriétés mécaniques locales du matériau grâce à l’acquisition de la fréquence de résonance par exemple. Il est aussi envisageable d’extraire le coefficient piézoélectrique d33 qui correspond à la partie linéaire de la courbe d’hystérésis en amplitude PFM. Avantageusement, le procédé de caractérisation selon l’invention comprend en outre une étape de cartographie. Pour chaque caractéristique ferroélectrique extraite des listes L1 à Lk, on génère une cartographie associée de la surface à partir des listes préalablement obtenues. On réalise ainsi une imagerie de la surface de l’échantillon permettant d’exploiter les caractéristiques piézoélectrique et ferroélectrique de la surface S1 de l’échantillon.
PROCEDE D’ANALYSE DE LA VIABILITE DE CELLULES ANIMALES PAR MESURE ELECTROCHIMIQUE La présente invention concerne l’analyse de la viabilité cellulaire par électrochimie, notamment par analyse de l’activité du transfert d’électrons.
Les cellules eucaryotes, notamment les cellules animales, notamment humaines, peuvent réaliser des transferts d’électrons vers le compartiment extracellulaire, c’est-à-dire transférer des électrons intracellulaires vers le milieu extracellulaire au travers de la membrane plasmique. Ce mécanisme de transfert d’électrons est couramment nommé tPMET pour « trans-Plasma Membrane Electron Transport ». Outre les cellules animales et humaines il est retrouvé chez de nombreux organismes tels que les levures et les plantes.
Les tPMET ont été mis en évidence dans les années 60 en montrant que des cellules sont capables de réduire des colorants incapables de pénétrer à l’intérieur des cellules. Cependant, les effets de composés redox sur les cellules ont été observés bien avant la découverte des tPMET. Dès 1925, il a été démontré que des colorants peuvent être réduits par des explants de tissus, puis que les membranes plasmiques sont imperméables à ces colorants.
Les tPMET sont impliqués dans une grande diversité de processus cellulaires physiologiques et pathologiques. En oxydant le NADH/NADPH intracellulaire, les tPMET permettent d’ajuster l’état redox au sein de la cellule et de contrôler les ratios NAD + /NADH et NADP + /NADPH. Ces deux ratios sont des éléments majeurs du contrôle du métabolisme cellulaire. La simplicité des mécanismes tPMET permet de régénérer rapidement le NAD(P) + ; en quelques secondes l’ensemble du pool intracellulaire de NAD(P)H peut être ré-oxydé.
Les tPMET semblent également être associés à la régulation de la prolifération cellulaire. Ils sont impliqués dans l’entrée d’éléments nutritifs dans les cellules et à la captation du fer. En conditions physiologiques, les tPMET sont impliqués dans la défense de l’organisme contre les attaques d’agents pathogènes par exemple. Les électrons captés du cytoplasme sont utilisés pour générer des composés oxydants toxiques comme du peroxyde d’hydrogène.
Les tPMET sont en outre impliqués dans divers processus pathologiques. Dans les cellules cancéreuses, les tPMET semblent jouer un rôle majeur en termes d’activité métabolique modifiée/augmentée. En particulier, ils contribuent à la ré-oxydation rapide du NADH généré par la glycolyse et permettent aux cellules de se développer en absence de dioxygène. L’expression d’oncogènes, comme N-myc, semble corrélée au niveau d’activité tPMET de lignées en culture. L’inhibition des tPMET chez les cellules cancéreuses pourrait constituer une nouvelle stratégie pour les thérapies anticancéreuses.
Le suivi des tPMET présente donc un grand intérêt dans de nombreux domaines de la biologie cellulaire visant des applications biomédicales très variées.
L’activité tPMET est couramment évaluée par spectrophotométrie en suivant l’apparition ou la disparition de couleur associée à la réduction de colorants. En raison du couplage entre les tPMET et l’activité mitochondriale, cette méthode est utilisée en routine pour évaluer la viabilité des cellules. Les principaux colorants utilisés sont le XTT et le MTT. Le kit de détection commercialisé par ATCC (XTT Cell proliferation Asasy Kit) repose sur ce principe. Les cellules réduisent le médiateur redox phénazine methosulfate (PMS) qui, à son tour, réduit le sel de tétrazolium XTT. La concentration de la forme réduite est mesurée par spectrophotométrie. Il s’agit donc d’une mesure finale qui se fait après que la forme réduite du médiateur redox se soit accumulée en solution.
Plus récemment, Sherman et al., Whole Eukaryotic Cells. Anal. Chem. 90, 2780–2786, 2018b ont également rapporté l’évaluation de l’activité tPMET par électrochimie : Dans ce cas, le médiateur redox est le ferricyanure de potassium et la concentration de sa forme réduite est mesurée par électrochimie. Toutefois, la mesure décrite dans cette étude est une mesure réalisée sur le milieu, après extraction des cellules de la suspension cellulaire. Cette méthode reste donc une mesure finale de la forme réduite du médiateur qui doit d’abord s’accumuler en solution. Elle ne permet pas le suivi en temps réel. Elle exige en outre une étape supplémentaire d’extraction des cellules du milieu de culture avant que la concentration du ferrocyanure ne soit mesurée par électrochimie
EP 1 199 560 décrit un procédé électrochimique pour la détermination du nombre de cellules et l’activité des systèmes biologiques. Cependant, le procédé implique l’application d’une substance gélifiante dans la contre-électrode employée comme récipient de réaction, et l’introduction du système biologique, préalablement mis en suspension dans une phase liquide, dans le récipient de réaction, de façon à ce que ledit système biologique soit immobilisé avec le médiateur d’oxydoréduction au sein de la substance gélifiante.
De plus, le procédé ne fait que mesurer l’intensité et il n’est fait aucune mention de l’application d’un potentiel contrôlé (fixe ou variable) à l’électrode de travail. Curieusement, le procédé selon EP 1 199 560 applique le système biologique à évaluer sur la contre-électrode sans imposer de potentiel à l’électrode de travail. Ceci semble donc indiquer un fonctionnement de type pile dans lequel l’intensité est régulée par la différence de potentiel entre l’électrode de travail et la contre-électrode sur laquelle le système biologique est immobilisé. Ces systèmes électrochimiques de type pile sont connus pour leur manque de stabilité car l’intensité qui traverse le circuit électrique dépend des cinétiques électrochimiques de l’électrode de travail et de la contre-électrode ainsi que de la migration ionique au sein de la suspension, donc des caractéristiques de conduction ionique de la solution.