Procédé de fabrication d’un transducteur CMUT, comprenant les étapes suivantes : a) former une première couche d’oxyde de silicium (103) sur une face d’une première couche de silicium (101) définissant une première électrode du transducteur ; b) former une deuxième couche d’oxyde de silicium (111) sur une face d’une deuxième couche de silicium (113) ; c) après l’étape a), former, du côté de ladite face de la première couche de silicium (101), par oxydation localisée du silicium de la première couche de silicium (101), des murs d’oxyde de silicium (107) ayant une hauteur supérieure à l’épaisseur de la première couche d’oxyde de silicium (103), lesdits murs (107) délimitant latéralement une cavité (109) du transducteur ; et d) après les étapes b) et c), reporter et fixer l’ensemble comprenant la deuxième couche de silicium (113) et la deuxième couche d’oxyde de silicium (111) sur l’ensemble comprenant la première couche de silicium (101), la première couche d’oxyde de silicium (103) et les murs d’oxyde de silicium (107), de façon à fermer la cavité (109) du transducteur, ladite cavité (109) s’étendant verticalement de la face de la première couche d’oxyde de silicium (103) opposée à la première couche de silicium (101) à la face de la deuxième couche d’oxyde de silicium (111) opposée à la deuxième couche de silicium (113). Procédé selon la revendication 1, dans lequel, à l’étape a), la première couche d’oxyde de silicium (103) est formée par oxydation thermique en croissance sèche de ladite face de la première couche de silicium (101) et, à l’étape b), la deuxième couche d’oxyde de silicium (111) est formée par oxydation thermique en croissance sèche de ladite face de la deuxième couche de silicium (113). Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel l’étape c) comprend une étape de dépôt d’une couche de nitrure de silicium (105) sur la face de la première couche d’oxyde de silicium (103) opposée à la première couche de silicium (101), suivie d’une étape de gravure localisée de la couche de nitrure de silicium (105) et de la première couche d’oxyde de silicium (103) aux emplacements souhaités des murs (107) d’oxyde de silicium, suivie d’une étape d’oxydation thermique pour former les murs (107) d’oxyde de silicium, suivie d’une étape de retrait de la couche de nitrure de silicium (105). Procédé selon la revendication 3, dans lequel le retrait de la couche de nitrure de silicium (105) est réalisé par gravure humide. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel, à l’étape d), l’ensemble comprenant la deuxième couche de silicium (113) et la deuxième couche d’oxyde de silicium (111) est fixé sur l’ensemble comprenant la première couche de silicium (101), la première couche d’oxyde de silicium (103) et les murs d’oxyde de silicium (107) par collage direct. Procédé selon la revendication 5, dans lequel le collage direct mis en œuvre à l’étape d) comprend un recuit à une température comprise entre 700 et 1100°C. Procédé selon la revendication 5 ou 6, dans lequel le collage direct mis en œuvre à l’étape d) est un collage de la face de la deuxième couche d’oxyde de silicium (111) opposée à la deuxième couche de silicium (113) sur la face des murs d’oxyde de silicium (107) opposée à la première couche d’oxyde de silicium (101). Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel la première couche de silicium (101) est un substrat fixe et la deuxième couche de silicium (113) est une membrane flexible du transducteur. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel l’épaisseur de la première couche d’oxyde de silicium (103) est sensiblement égale à l’épaisseur de la deuxième couche d’oxyde de silicium (111). Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 9, comprenant en outre des étapes formation, sur la face de la première couche de silicium (101) opposée à la première couche d’oxyde de silicium (103), de métallisations de contact (125a, 125b) du transducteur, et une étape de connexion desdites métallisations de contact à un circuit intégré de contrôle (150 ; 250) du transducteur. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel la première couche de silicium (101) est dopée. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 11, comprenant une étape de formation, sur une face de la deuxième couche de silicium (113) opposée à la deuxième couche d’oxyde de silicium (111), une couche métallique (129) définissant une deuxième électrode du transducteur. Transducteur CMUT comprenant : - une première couche de silicium (101) définissant une première électrode du transducteur ; - une première couche d’oxyde de silicium (101) disposée sur et en contact avec la face supérieure de la première couche de silicium (101) ; - des murs localisés d’oxyde de silicium (107) s’étendant verticalement plus haut que la face supérieure de la première couche d’oxyde de silicium (103) et pénétrant partiellement dans la première couche de silicium, lesdits murs (107) délimitant latéralement une cavité (109) du transducteur ; - une deuxième couche d’oxyde de silicium (111) fermant la cavité par sa face supérieure, la cavité s’étendant verticalement de la face supérieure de la première couche d’oxyde de silicium (103) à la face inférieure de la deuxième couche d’oxyde de silicium (111) ; et - une deuxième couche de silicium (113) disposée sur et en contact avec la face supérieure de la deuxième couche d’oxyde de silicium (111).