INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Les embases 41 et la tige de montage 42 sont montées pivotantes par rapport à la paroi cylindrique 31 et donc par rapport à la portion d’attache 18.
Dans l’exemple illustré, une des deux embases 41 est située adjacente à la partie supérieure 15 au niveau de sa première extrémité 21, tandis que l’autre des deux embases 41 est positionnée au-dessus de la partie supérieure 15 et en regard de la zone supérieure additionnelle de fixation 27 du pilier additionnel 17.
L’organe d’ancrage 6 comporte en outre une ou plusieurs bagues cylindriques 43 montées entre la tige de montage 42 et la paroi cylindrique 31.
L’organe d’ancrage 6 peut aussi comporter une ou plusieurs bagues cylindriques (non représentées) montées entre la tige de montage 42 et les embases 41.
La ou les bagues montées entre la tige de montage 42 et la paroi cylindrique 31 peuvent être par exemple en métal ou en plastique, tandis que la ou les bagues montées entre la tige de montage 42 et les embases 41 sont par exemple réalisées en métal.
Les tiges 20 sont chacune montées par une première extrémité libre, ou emmanchée, dans un orifice ménagé dans une des embases 41 respectives, et logées par une deuxième extrémité libre, ou emmanchée, opposée à la première extrémité libre dans un espace de réception respectif formés entre les saillies 32 sur la partie supérieure 15 du dispositif de connexion 7.
Les tiges 20 présentent une position stable dans laquelle elles sollicitent les embases 41 et/ou la partie supérieure 15 pour mettre le dispositif de connexion 7 sensiblement à l’horizontale.
Dans le système de freinage ferroviaire 2 décrit ci-dessus, les efforts générés au freinage sont transmis par les deux piliers principaux 16 et par le pilier additionnel 17 au dispositif de connexion 7 et en particulier à sa partie supérieure 15 puis au support 5 du véhicule ferroviaire 1 par l’intermédiaire de la portion d’attache 18 du dispositif de connexion 7.
La chaîne de transmission a un GMP qui est, ici, purement électrique et donc qui comprend, notamment, une machine motrice électrique MME, un arbre moteur AM, et un arbre de transmission AT. On entend ici par « machine motrice électrique » une machine électrique agencée de manière à fournir du couple pour déplacer le véhicule V lorsqu’elle est alimentée en énergie électrique (ici) par la batterie principale BP (on parle alors de fourniture d’un couple de sortie positif), ainsi qu’éventuellement à récupérer du couple dans un freinage récupératif (on parle alors de fourniture d’un couple de sortie négatif).
La machine motrice électrique MME (ici un moteur électrique) est ici couplée à la batterie principale BP, afin d’être alimentée en énergie électrique, ainsi qu’éventuellement d’alimenter cette batterie principale BP en énergie électrique, notamment lors d’un freinage récupératif.
On considère dans ce qui suit, à titre d’exemple non limitatif, que la machine motrice électrique MME comprend un rotor, un stator, et au moins un capteur CT chargé d’effectuer périodiquement des mesures mti de sa température interne. Par exemple, le (chaque) capteur CT effectue périodiquement des mesures mti de la température interne du stator. Egalement par exemple, cette période peut être égale à 5 ms.
Par ailleurs, cette machine motrice électrique MME est couplée à l’arbre moteur AM, pour lui fournir un couple de sortie par entraînement en rotation. Cet arbre moteur AM est ici couplé à un réducteur RD qui est aussi couplé à l’arbre de transmission AT, lui-même couplé à un premier train T1 (ici de roues), de préférence via un différentiel D1.
On notera, comme illustré non limitativement sur la , que la machine motrice électrique MME peut être associée à un circuit de régulation thermique CRT, dédié ou partagé dans le véhicule V, et permettant de la refroidir ou réchauffer selon les besoins pour que sa température interne soit contenue le plus possible dans un intervalle de températures it choisi. Par exemple, le calculateur de supervision CS peut être chargé de contrôler le fonctionnement du circuit de régulation thermique CRT en fonction des mesures de température interne mti issues du capteur CT et de l’intervalle de températures it. Dans ce cas, dès que les mesures de température interne mti sont en dehors de l’intervalle de températures it, le calculateur de supervision CS contrôle le fonctionnement du circuit de régulation thermique CRT pour réchauffer ou refroidir la machine motrice électrique MME, selon les besoins.
Le convertisseur CV est aussi chargé, ici, pendant les phases de roulage du véhicule V de convertir une partie du courant électrique stocké dans la batterie principale BP pour alimenter en courant électrique converti le réseau de bord RB et la batterie de servitude BS (pour la recharger).
On notera, comme illustré non limitativement sur la , que le convertisseur CV peut faire partie d’un chargeur CH comprenant aussi un calculateur de recharge (non illustré) chargé, au moins, de contrôler les recharges de la batterie principale BP.
On notera également que la batterie principale BP est associée à un boîtier de batterie BB qui comprend notamment un calculateur de batterie CB. Cette batterie principale BP et son boîtier de batterie BB constituent un pack batterie.
Comme évoqué plus haut, l’invention propose notamment un procédé de surveillance destiné à permettre la surveillance du fonctionnement de la machine motrice électrique MME, en particulier pendant une phase de limitation de son couple de sortie.
Dans l’exemple illustré non limitativement sur les figures 1 et 2, le dispositif de surveillance DS fait partie du calculateur de batterie CB (associé à la batterie principale BP). Mais cela n’est pas obligatoire. En effet, le dispositif de surveillance DS pourrait comprendre son propre calculateur dédié, lequel est alors couplé au calculateur de gestion CG, ou bien pourrait faire partie d’un autre calculateur embarqué (par exemple le calculateur de supervision CS ou un calculateur de gestion chargé de gérer le fonctionnement de la machine motrice électrique MME).
Les fibres ou fils de filaments intermédiaires peuvent présenter un diamètre variant d’environ 0.5 à environ 5 µm, ou d’environ 1 à environ 3 µm, ou d’environ 1.5 à environ 2 µm.
Les fibres ou fils de filaments intermédiaires peuvent présenter une longueur variant d’environ 1 à environ 20 cm, ou d’environ 2 à environ 18 cm, ou d’environ 5 à environ 15 cm.
Les filaments intermédiaires peuvent être extraits de sources naturelles ou être produits de manières recombinantes en fermenteurs en utilisant des microorganismes recombinants génétiquement modifiées pour produire les protéines composant les filaments intermédiaires.
À titre d’exemple, des filaments intermédiaires peuvent être obtenus de manière recombinante selon le procédé décrit par Oliveira et al . ( Microb Biotechnol . 2021 ;14(5) :1976-1989) ou dans les demandes US 2019/0002529 A1, ou US 2005/0034280 A1.
À titre d’exemple, des filaments intermédiaires peuvent être préparés à partir du mucus ou hydrogel produit par les poissons de la famille des Myxinidae , tel que la myxine. Les fils de myxine sont constitués de filaments intermédiaires alignés axialement, qui se condensent en une fibre solide d’environ 1 à 3 μm de diamètre pouvant mesurer jusqu’à environ 15 cm de long (Böcker et al ., ACS Biomater. Sci. Eng. , vol. 2, no. 1, pp. 90–95, 2016).
Lorsque la myxine est attaquée par un prédateur, celle-ci va libérer, par l’intermédiaire de glandes, des fibres sèches de mucine et de filaments intermédiaires. Ces fibres s’hydratent instantanément en un mucus et des fils fibreux riches en filaments intermédiaires (FI) (Böcker et al ., ACS Biomater. Sci. Eng. , vol. 2, no. 1, pp. 90–95, 2016).
Les filaments intermédiaires de myxine comprennent trois protéines de kératine fils (« threads keratins ») (TK) (α, β et γ). Les filaments intermédiaires de myxine sont qualifiés de « kératines » en raison de caractéristiques dans les domaines de la tête et de la queue qui sont similaires à la kératine. TKα est un homologue de la kératine de type II et TKγ possède des caractéristiques des kératines de type I, mais contient également des similitudes structurelles avec les filaments intermédiaires de type III, qui comprennent la desmine et la vimentine (Böni et al., ACS Appl Mater Interfaces . 2018 ;10(47) :40460-40473).
Les filaments intermédiaires d’un hydrogel d’un poisson de la famille des Myxinidae peuvent être configurés en fibres amyloïdes par exposition de l’hydrogel à une déformation mécanique, telle qu’un étirement. Cette déformation peut être appliquée lors de la manipulation, par exemple manuelle, de l’hydrogel lors de sa récupération à partir des poissons ou par tout dispositif mécanique permettant un tel étirement. Alternativement, la déformation mécanique, par exemple un étirement, peut être exercé sur les filaments intermédiaires d’un matériau sec.
Protéines glycosylées Selon un mode de réalisation, un matériau convenant à l’invention comprend des protéines glycosylées.
Une protéine glycosylée est une protéine sur laquelle sont greffées des groupements sucres (ou glycosyles). La fixation peut se faire sur des atomes d’azote - N-glycosylation - ou d’oxygène - O-glycosylation. Des protéines glycosylées convenant à l’invention sont aptes à former un mucus en présence d’eau.
Les protéines glycosylées convenant à l’invention sont des protéines glycosylées aptes à former un hydrogel en présence d’une phase aqueuse.
On entend par « hydrogel » un système comprenant des réseaux de polymères liés physiquement ou chimiquement et piégeant de l’eau dans les espaces intermoléculaires. Les protéines glycosylées aptes à former des hydrogels sont connus de l’homme de l’art.
Des protéines glycosylées convenant à l’invention peuvent être des mucines.
Au sens de l’invention, le terme « mucine » vise à désigner une protéine fortement glycosylée et entrant dans la composition de nombreux mucus. Les mucines sont, notamment, caractérisées par la répétition en tandem de séquences d’acides aminées riches en sérine et thréonine, points de fixation des structures glycosylées.
Des protéines de type mucine existent chez pratiquement tous les animaux et de nombreux microorganismes. Les mucines convenant à l’invention sont les mucines aptes à former un hydrogel.
Des mucines convenant à l’invention sont des protéines fortement glycosylées à multiples domaines dont la structure leur confère la propriété de former des gels par homo-oligomérisation contribuant à la création de réseaux de protéines.
Selon un mode de réalisation de la caisse, chaque pièce de renforcement est disposée derrière une garniture latérale de coffre.
la , représente une vue en perspective d’une partie d’une caisse de véhicule selon l’invention équipée d’un premier mode de réalisation d’une pièce de renforcement;
la , représente une vue en perspective d’une partie d’une caisse de véhicule selon l’invention équipée d’un deuxième mode de réalisation d’une pièce de renforcement.
Une pièce 1a, 1b de renforcement selon l’invention, illustrée sur les figures, est conçue pour renforcer une structure 2 arrière d’un véhicule automobile, illustrée partiellement sur les figures. Ainsi, la pièce 1a, 1b de renforcement est fixée sur la structure 2 pour former une caisse 3 de véhicule selon l’invention.
La pièce 1a, 1b de renforcement est conçue pour être rapportée sur la structure 2 arrière afin de réduire les déformations de la structure 2 arrière en cas de choc arrière subi par la structure 2. Comme illustré sur les figures, la structure 2 arrière présente au moins un passage de roue 4 formé, par exemple, d’une tôle 5 emboutie.
La pièce 1a, 1b de renforcement s’étend entre une première extrémité 6 et une deuxième extrémité 7a, 7b. La illustre un premier mode de réalisation de la pièce 1a de renforcement tandis que la illustre un deuxième mode de réalisation de la pièce 1b de renforcement.
La pièce 1a, 1b de renforcement est conformée pour s’étendre au moins en partie autour du passage de roue 4 de la structure 2 arrière.
Les première 6 et deuxième 7a, 7b extrémités sont conçues pour être fixées respectivement sur des premier 8 et deuxième 9a, 9b éléments rigides de la structure 2 capables de transférer des efforts subis lors d’un choc arrière.
Comme illustré sur les figures, la pièce 1a, 1b de renforcement présente un corps 10a, 10b tubulaire s’étendant entre les première 6 et deuxième 7a, 7b extrémités. A chacune des première 6 et deuxième 7a, 7b extrémités est fixée une platine 11 de fixation. Le corps 10a, 10b présente, par exemple, une section transversale 12 oblongue, illustrée sur la .
Comme illustré sur la , chaque platine 11 est conformée pour prendre appui une surface d’appui 13, illustrée sur la , du premier 8 et/ou deuxième 9a, 9b éléments rigides correspondant. Chaque platine 11 de fixation est conçue pour être fixée par soudure sur la structure arrière 2.
Dans les premier et deuxième modes de réalisation illustrés sur les figures, la première extrémité 6 est conformée pour être fixée sur une cloison de pied de volet 14. A cet effet, la platine 11 de fixation associée à la première extrémité 6 est sensiblement plane et présente une orientation inclinée par rapport au corps 10a, 10b.
Quant à la deuxième extrémité 7a, 7b, les deuxième éléments 9a, 9b rigides sont respectivement un support de fixation de gâche de siège 15 ou une jonction de pied C 16. Dans le premier mode de réalisation, le corps 10a présente une forme générale de L tandis que dans le deuxième mode de réalisation, le corps 10b présente une forme générale de U.
Dans le premier mode de réalisation, la deuxième extrémité 7a est insérée dans un orifice ménagé dans le support de fixation de gâche de siège 15 dont la forme est complémentaire à la section transversale 12.
Selon le deuxième mode de réalisation, la forme du corps 10b est complexe puisque des coudes 17 sont nécessaires, le corps 10b s’étendant alors dans différents plans, pour adapter la forme du corps 10b au pourtour du passage de roue 4 de la structure 2 arrière.
[La ] représente une vue de dessus schématique d’une structure semi-conductrice comprenant une inductance avec une seule spire de bobine selon un mode de réalisation ;
[La ] représente une vue de dessus schématique d’une structure semi-conductrice comprenant une inductance avec plusieurs spires de bobine selon un mode de réalisation ;
[La ] représente un diagramme schématique illustrant un procédé de formation d’une structure semi-conductrice selon un mode de réalisation ;
[La ] représente un diagramme schématique illustrant un procédé de formation d’une structure semi-conductrice selon un autre mode de réalisation ;
[La ] représente un tracé représentant le facteur de qualité de différentes inductances en fonction de la fréquence ;
[La ] représente un tracé représentant le facteur de qualité maximal en fonction de la densité d’inductance ;
[La ] représente un diagramme de circuit d’un amplificateur à faible bruit ; et
[La ] représente un diagramme de circuit d’un amplificateur de puissance.
La représente une coupe transversale d’une structure semi-conductrice 2 selon un mode de réalisation. La structure comprend une inductance 4 imprimée par micro-transfert (µTP). L’inductance 4 comprend un noyau métallique 6, typiquement en cuivre, entouré d’une couche diélectrique 8 à haute perméabilité comprenant des nanoparticules de cobalt. La couche diélectrique 8 contenant du cobalt est typiquement recouverte d’une couche diélectrique mince 9 (par exemple, de l’oxyde de silicium) prévue dans le cadre du processus d’impression par micro-transfert avant de soulever l’inductance 4 du substrat natif. L’inductance 4 est fixée à une tranche cible 10 qui est une tranche de SOI comprenant des couches métalliques et une couche de silicium active 12 comprenant des dispositifs semi-conducteurs tels que des transistors et des diodes formés par des régions dopées dans la couche de silicium active 12. La tranche comprend une couche d’oxyde enterrée (BOX) 14 séparant la couche supérieure 12 du silicium non épitaxié sous-jacent à haute résistivité 16. L’inductance 4 est connectée à la technologie SOI par une couche de redistribution supérieure (RDL) 18 par l’intermédiaire d’une couche métallique supérieure 20 de la tranche de SOI. Une couche de passivation 22 recouvre la structure semi-conductrice 2. Typiquement, l’inductance 4 est fixée sur le dessus de l’empilement BEOL (back end of line – extrémité de fin de ligne) 23 de la tranche de SOI. L’empilement BEOL 23 comprend des couches métalliques (par exemple quatre ou six couches métalliques incluant une couche métallique supérieure) séparées par des couches diélectriques interstitielles et connectées par des trous de liaison.
Les nanoparticules de cobalt dans la couche diélectrique 8 augmentent la perméabilité magnétique relative (µ r ), ce qui peut augmenter le facteur de qualité de l’inductance 4. Cependant, étant donné que la couche diélectrique 8 serait affectée par les températures de traitement requises pour former des dispositifs semi-conducteurs dans la couche de silicium active, la formation de l’inductance directement sur la tranche 10 ne fournirait pas les mêmes propriétés avantageuses du dispositif. Par conséquent, l’inductance 4 est formée séparément sur un autre substrat (le substrat natif), puis imprimée par transfert sur la tranche cible 10, qui a déjà été préparée. Par exemple, la couche de silicium active 12 peut être remplie de dispositifs semi-conducteurs dans un procédé CMOS et l’inductance 4 peut être imprimée par transfert après achèvement du procédé BEOL (back end of line).
La représente une vue de dessus d’une structure semi-conductrice selon un mode de réalisation, qui peut être le même mode de réalisation que celui illustré à la . Les mêmes numéros de référence sont utilisés dans les différentes figures pour désigner des caractéristiques similaires ou équivalentes afin de faciliter la compréhension et ne sont pas destinés à limiter les modes de réalisation illustrés. La structure 2 comprend une inductance 4 contenant une seule spire de bobine 24. L’inductance 4 est reliée à une RDL 18, qui relie électriquement l’inductance 4 à la couche métallique 20 de la tranche cible.
La représente une vue de dessus d’une structure semi-conductrice 2 selon un autre mode de réalisation, qui peut être le même mode de réalisation que celui illustré à la . La structure 2 comprend une inductance 4 comprenant trois spires de bobine 24. L’inductance 4 est reliée à la RDL 18, qui relie électriquement l’inductance 4 à la couche métallique 20 de la tranche cible. La RDL 18 assure les interconnexions entre les différentes spires 24 de l’inductance 4.
La représente un diagramme schématique du procédé de transfert de l’inductance 4 du substrat natif (non représenté) vers la tranche cible 10. L’inductance 4 comprend un noyau métallique 6 comprenant du cuivre et recouvert d’une couche diélectrique 8 comprenant des nanoparticules de cobalt. La couche diélectrique 8 est configurée, par la densité de nanoparticules de cobalt, pour présenter une permittivité relative d’environ trois (µ r ≈ 3). Une couche diélectrique µTP 9 recouvre la couche diélectrique 8 de cobalt. La tranche cible 10 étant une tranche de SOI comprend trois couches étant la couche de silicium active 12 au sommet, la couche d’oxyde enterrée 14 au milieu et la couche sous-jacente de silicium non épitaxié 16. Des dispositifs semi-conducteurs, tels que des transistors, des diodes, des résistances de puits, etc. ont déjà été formés dans la couche de silicium active 12 avant le processus de transfert. Ceci peut résoudre l’incompatibilité de processus de la formation de l’inductance intégrée 4 et de la tranche de SOI. Une couche d’adhésif (colle) 17 peut être appliquée sur la tranche cible 10 ou sur l’inductance 4 pour fixer l’inductance 4 à la tranche 10. Après avoir fixé l’inductance 4, une RDL (non représentée) peut être formée pour connecter électriquement l’inductance 4 à la tranche cible 10. La tranche de SOI 10 comprend une couche d’oxyde 23 (et éventuellement une ou plusieurs couches métalliques, par exemple dans un empilement BEOL) sur la couche active 12.
Quatre inductances différentes, dont une selon un mode de réalisation, ont été simulées et comparées. Les résultats sont résumés dans le tableau 1.
Inductance Spécification L (pH) R (Ω) Q Qmax SRF (GHz) Spires OD (µm) 1 µTP avec Cobalt (mode de réalisation) 925 0,549 21,2 55,8 61 1 320 2 µTP sans cobalt (mode de réalisation) 754 0,532 17,8 49,8 67 1 320 3 BEOL Cu 2 spires 918 0,943 12,23 34 32 2 185 4 BEOL Cu 1 spire 738 0,69 13,2 48 59,6 1 320
On précise ici qu’une structure métallurgique est dite « totalement amorphe » au sens de la présente invention lorsqu’une analyse par diffraction des rayons X telle que décrite ci-dessous ne met pas en évidence de pic de cristallisation. Une structure métallurgique est dite « partiellement amorphe » au sens de la présente invention lorsqu’une analyse par diffraction des rayons X telle que décrite ci-dessous met en évidence quelques pics de cristallisation. Sauf spécification contraire, le terme « amorphe » est utilisé tant pour les alliages dits « totalement amorphes » que pour les alliages dits « partiellement amorphes » au sens de l’invention. Une telle évaluation du caractère amorphe d’un alliage métallique est détaillée dans l’article Cheung et al., 2007 (Cheung et al. (2007) « Thermal and mechanical properties of Cu–Zr–Al bulk metallic glasses) » doi:10.1016/j.jallcom.2006.08.109). Elle permet de faire une analyse moyenne sur une surface et de s’affranchir des quelques défauts métallurgiques inévitables, tout en analysant uniquement les cristaux de taille significative, c’est-à-dire supérieure à quelques nanomètres et/ou en quantité significative. Les figures 3, 4 et 5 représentent une analyse DRX telle que décrite précédemment. Ces figures montrent l’intensité du faisceau diffracté en fonction de l’angle entre le faisceau incident et le faisceau diffracté. La est une analyse DRX d’un alliage métallique à l’état « totalement amorphe », la fraction amorphe étant très largement majoritaire par rapport à la fraction cristalline. La est une analyse similaire réalisée sur un alliage à l’état « partiellement amorphe », la fraction amorphe étant majoritaire par rapport à la fraction cristalline. Sur cette figure, on retrouve la bosse caractéristique des structures amorphes, mais avec la présence également de pics. La est une analyse similaire réalisée sur un alliage cristallin, la fraction cristalline étant majoritaire par rapport à la fraction amorphe. Sur cette , la bosse caractéristique des AMAs n’est pas présente et les pics de cristallinité sont bien visibles.
On entend par « épaisseur critique » (noté ec) d’un alliage métallique amorphe spécifique l’épaisseur limite maximum en-deçà de laquelle l’alliage métallique présente une structure métallurgique « totalement amorphe » ou au-delà de laquelle il n’est plus possible d’obtenir une structure métallurgique « totalement amorphe », lorsque l’alliage métallique est moulé depuis un état liquide et est soumis à un refroidissement rapide tel que le transfert de la chaleur à l’intérieur de l’alliage métallique soit optimal. Plus spécifiquement, l’épaisseur critique est déterminée par moulages successifs de plaques d’environ 2 cm² et de différentes épaisseurs, moulées depuis l’état liquide dans les conditions suivantes : - L’alliage est mis en fusion à une température de Tl + 150°C avec Tl, la température de liquidus de l’alliage (en °C) ; - L’alliage est moulé dans un moule en cuivre de type CuC1 et est refroidi à une température maximum d’environ vingt degrés Celsius (20°C). - L’alliage est élaboré et moulé sous atmosphère inerte et de haute pureté (e.g. sous argon de qualité 6.0) ou sous vide secondaire (pression - Après moulage, les plaques sont coupées afin d’obtenir une tranche, c’est à dire une section longitudinale de la plaque, de différentes épaisseurs. - Les tranches obtenues sont analysées par diffraction des rayons X pour déterminer si elles présentent une structure amorphe ou cristalline. L’épaisseur critique est alors déterminée comme étant l’épaisseur maximum pour laquelle la structure est « totalement amorphe » au sens où l’analyse par diffraction des rayons X de l’alliage ne met pas en évidence de pic de cristallinité.