INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Ledit angle estimé AE et ladite vitesse estimée SE sont avantageusement utilisés comme données de correction de calculs de vitesse de rotation de la machine synchrone et de calculs de courants et de tensions de pilotage dudit onduleur de pilotage des phases de ladite machine au niveau dudit dispositif de contrôle.
Sans terminal, l’objet virtuel OBV 1 n’est pas visualisable, il l’est uniquement par l’intermédiaire d’un terminal électronique T 1 disposant de droits d’accès.
Le procédé de la comporte une étape SEL 1 exécutée sur le terminal T 1 visant à choisir et sélectionner un objet virtuel OBV 1 qui peut être enregistré dans différentes mémoires selon les modes de réalisations de l’invention ou l’usage choisi par l’utilisateur. En effet, selon un mode de réalisation, les objets virtuels peuvent être majoritairement accessibles auprès d’un serveur de données via le réseau internet, mais on comprend que l’utilisateur pourrait dans certains cas disposer d’une bibliothèque d’objets virtuels enregistrés dans un mémoire de son terminal T 1 ou encore accéder à des objets enregistrés dans un mémoire de la borne de positionnement B 1 .
Lorsqu’un objet virtuel OBV 1 est sélectionné, une commande permet d’ancrer ledit objet virtuel OBV 1 à la position courante ou à proximité du terminal électronique T 1 . A cet effet, une séquence d’étapes est réalisée visant à transmettre des éléments de la position du terminal électronique T 1 à la borne de positionnement B 1 . Parmi la séquence d’étapes, une première action consiste à mesurer une indication d’orientation, par exemple un angle vis-à-vis d’une référence tel qu’un axe, le nord magnétique ou un vecteur directeur orienté dans un repère, et à l’envoyer à la borne de positionnement B 1 et une seconde action vise à envoyer au moins un message UWB pour que la borne de positionnement B 1 puisse déterminer la distance à laquelle se trouve le terminal électronique T 1 .
Le procédé de l’invention comprend donc la réalisation d’une première action comprenant une mesure MES 2 de l’indication d’orientation TETA 2 à l’instant t où l’utilisateur active une commande d’ancrage. L’indication d’orientation est préférentiellement un angle vis-à-vis d’une référence tel que la direction d’une boussole. La commande d’ancrage peut se faire par une action spécifique ou par la sélection et la validation d’un objet virtuel OBV 1 choisi. La mesure de l’indicateur d’orientation correspond comme détaillé précédemment à une mesure d’angle avec une référence. Il peut donc s’agir du vecteur directeur orienté entre la position courante du terminal électronique et le nord magnétique. Ce vecteur directeur orienté définit un angle. Cet angle est avantageusement transmis à la borne de positionnement B 1 . La mesure peut être transmise via le protocole de liaison L 1 tel que le Bluetooth ou le Wifi ou par la liaison L 2 en UWB.
La seconde action comprend l’émission d’un message UWB du terminal électronique T 1 vers la borne de positionnement B 1 . Afin de déterminer la distance entre le terminal électronique et la borne de positionnement, deux solutions sont possibles.
La première repose sur le fait que la borne de positionnement B 1 et le terminal électronique sont synchronisés et partage une horloge commune à une précision près, par exemple une précision à la nanoseconde près. La synchronisation peut être réalisée lors de l’appairage ou dans une séquence à part. La synchronisation peut être recalée régulièrement entre les deux équipements. Enfin la synchronisation peut alternativement ou en combinaison être réalisée auprès d’un service tiers.
Dans cette première solution, le message UWB est émis par le terminal électronique T 1 avec une donnée encodant la date d’émission dudit message. Lors de la réception du message, la borne de positionnement B 1 horodate la date d’arrivée du message et le temps de vol peut être calculé entre les deux équipements. A partir du temps vol, la distance entre les deux équipements est aisément calculable.
La illustre une seconde solution qui n’impose pas de séquence de synchronisation préalable entre les deux équipements, toutefois cette solution impose un échange bidirectionnel de données en UWB entre les deux équipements. Cette séquence est plus connue dans la littérature anglosaxone sous le nom de « Two Way Ranging » dont l’acronyme est TWR.
Le terminal électronique T 1 émet un message "Poll" à l'adresse connue de la borne de positionnement B 1 . C'est ce qu'on appelle l'heure d'envoi T SP de la requête REQ 1 . La borne de positionnement B 1 enregistre ensuite l'heure de réception T RP de la requête REQ 1 et répond avec le message de réponse RES 1 au moment de l'envoi de la réponse T SR .
Le terminal électronique T 1 , à la réception du message de réponse RES 1 , enregistre alors l'heure de réception de la réponse T RR et compose le message final FINAL(T SP , T RR , T SF ), dans lequel son ID, son T SP , son T RR et son heure de début final T SF sont inclus.
Sur la base de l'heure de réception de ce message final FINAL(T SP , T RR , T SF ), la borne de positionnement B 1 peut alors déterminer le temps de vol du signal UWB. Un avantage de cette méthode est qu'aucune synchronisation temporelle n'est nécessaire entre les appareils UWB.
Selon un mode de réalisation, la séquence d’échanges de messages UWB comprend des informations propres au protocole, les temps de connexion, temps de communication, des identifiants des équipements, etc.
En option, la distance résultante peut être renvoyée dans le message de rapport au terminal électronique ou à tout appareil UWB donné dans le voisinage. Un intérêt est de calculer une position du terminal plus précisément dans le cas d’un système comportant plusieurs bornes de positionnement. L'expérience montre que les distances maximales pouvant être calculées entre le terminal électronique T 1 et la borne de positionnement B 1 pour engager le processus TWR peut aller jusqu’à plusieurs dizaines de mètres, tel que 50m, une distance optimale de fonctionnement est comprise entre 1 mètre et 30 mètres, ce qui permet des cas d’usages adaptés à la maison ou au bureau ou des salles d’exposition par exemple.
Selon un mode de réalisation, la séquence de transmission de messages UWB est répétée une pluralité de fois de manière à obtenir une distance plus précise et donc une position plus précise de l’objet virtuel OBV i vis-à-vis de la borne de positionnement B 1 . La position peut être obtenue en réalisant une moyenne des positions générées selon différentes séquences de transmission de message UWB.
Selon un mode de réalisation, l’indication d’orientation TETA 2 est émise dans un message UWB. A cette fin, un encodage de cette donnée pour être émise selon une modulation en UWB. Un intérêt est de transmettre la donnée d’angle en même temps que le message qui sera utilisé pour calculer la distance. Ce mode de réalisation est représenté à la par une flèche en pointillé entre l’étape MES2 et l’étape GEN 1 .
Selon un autre mode de réalisation, l’indication d’orientation TETA 2 est émise selon un autre protocole de données, tel que le protocole de transmission Bluetooth. La représente l’étape de transmission TR 1 de la donnée d’angle TETA 2 vers la borne de positionnement B 1 qui acquiert cette donnée à l’étape ACQ 2 .
La , la , la , la et la sont des vues en coupe, illustrant de façon partielle et schématique, des étapes successives d'un exemple de procédé de transfert d'une couche semiconductrice depuis un substrat source vers un substrat destination selon un deuxième mode de réalisation.
Le deuxième mode de réalisation est similaire au premier mode de réalisation illustré en figures 1A à 1E, à la différence près que, dans le deuxième mode de réalisation, l’activation des surfaces de collage est réalisée par dépôt d'une fine couche d’un matériau de collage apportant des liaisons pendantes permettant ensuite de former des liaisons covalentes lors de la mise en contact des surfaces activées. Les éléments communs avec le procédé des figures 1A à 1E ne seront pas détaillés à nouveau ci-après. Seules les différences avec le procédé des figures 1A à 1E seront mises en exergue.
La illustre, de façon similaire à la , en partie gauche, la structure 110 comprenant le substrat source 13 et la couche semiconductrice à transférer 15, et, en partie droite, le substrat destination 17.
La illustre une étape d'activation de la surface supérieure, appelée surface de collage, de la couche 15 et de la surface supérieure, appelée surface de collage, du substrat destination 17.
Cette étape d'activation consiste en le dépôt d'une fine couche d'activation sur les surfaces à activer. Cela permet de créer des liaisons pendantes qui serviront à former des liaisons covalentes lors de la mise en contact des couches activées dans une étape ultérieure. Cette technique de collage, est appelée collage par diffusion atomique ou ADB (de l'anglais "Atomic Diffusion Bonding").
A titre d’exemple, lors de cette étape, un faisceau d’ions ou d’atomes, par exemple de gaz neutre, par exemple d’argon, bombarde une cible 24 en un matériau dont les atomes 25 se détachent et se déposent uniformément en une fine couche sur la ou les surfaces à activer. A titre d'exemple, la cible est métallique, par exemple, en tungstène ou en titane. En variante, la cible 24 est en un matériau semiconducteur, par exemple, en silicium, en germanium, etc.
Cette étape est réalisée sous vide, c’est à dire à une pression inférieure à la pression atmosphérique, par exemple sous-ultravide, par exemple sous une pression inférieure à 10 -7 mbar, par exemple inférieure à 10 -8 mbar.
De façon similaire à ce qui a été décrit précédemment, lors de l’activation, un anneau de masquage 21 recouvre la surface de collage de la couche 15 et un anneau de masquage 23 recouvre la surface de collage du substrat destination 17.
Dans l’exemple représenté, l'activation de la surface de collage de la couche 15 et l'activation de la surface de collage du substrat destination 17 sont réalisées simultanément. A titre de variante, l'activation de la surface de collage de la couche 15 et l'activation de la surface de collage du substrat destination 17 sont réalisées successivement sans rupture de vide.
De façon similaire à ce qui a été décrit précédemment, lors de l'étape d'activation, seules les parties libres des surfaces de collage du substrat destination 17 et de la couche 15, c'est-à-dire les parties des surfaces de collage de la couche 15 et du substrat 17 qui ne sont pas recouvertes par les anneaux de masquage 21 et 23 sont activées.
A ce stade, une partie centrale de la surface de collage de la couche 15 et une partie centrale de la surface de collage du substrat destination 17 sont activées, c’est à dire surmontées par une couche 27 en le matériau de la cible 24. A titre d'exemple, les couches 27 ont chacune une épaisseur supérieure à 0,2 nm, par exemple inférieure à 100 nm. A titre d'exemple, la ou les couches 27 ont une épaisseur comprise entre 1 nm et 20 nm.
Dans cet exemple, la périphérie 15'' de la surface de collage de la couche 15 et la périphérie 17'' de la surface de collage du substrat destination 17 ne sont pas activées, c’est à dire qu’elles ne sont pas recouvertes par la couche 27, et ne comportent par conséquent pas de liaisons pendantes permettant la création de liaisons covalentes pour fixer la couche 15 au substrat 17.
La illustre une étape de collage de la structure 110 de la sur le substrat destination 17 de la . Lors de cette étape, la surface de collage de la couche 15 est mise en contact avec la surface de collage du substrat destination 17. Plus particulièrement, la couche 27 formée sur la couche 15 et la couche 27 formée sur le substrat destination 17 sont mises en contact.
Les liaisons pendantes de la couche 27 déposée sur la couche 15 et celles de la couche 27 déposée sur le substrat 17 créent, lorsqu'elles sont mises en contact, des liaisons covalentes assurant la fixation de la couche 15 sur le substrat 17.
A titre d'exemple, l'étape de collage est réalisée sous une température comprise entre 10 °C et 400 C, par exemple comprise entre 10 °C et 40 °C, par exemple à température ambiante.
La représente une vue de face d’une membrane d’un dispositif de génération d’électricité par transduction électromagnétique et une cellule.
La représente un dispositif de génération d’électricité par transduction électromagnétique joint à un dispositif de génération d’électricité par triboélectricité.
La représente une pluralité de dispositifs de génération d’électricité par transduction électromagnétique et par triboélectricité, selon une vue de face avec au moins une armature d’un supercondensateur d’un dispositif de génération d’électricité par triboélectricité associés en série.
La représente l’installation de climatisation ou de pompe à chaleur avec le dispositif de génération d’électricité par transduction électromagnétique et le dispositif de génération d’électricité par triboélectricité.
La représente le boitier où sont représentées les faces dudit boitier.
DESCRIPTION DÉTAILLÉE Avant d’entamer une revue détaillée de modes de réalisation de l’invention, sont énoncées ci-après des caractéristiques optionnelles qui peuvent éventuellement être utilisées en association ou alternativement.Selon un exemple, la bobine 3 s’étend suivant un axe longitudinal 32 entre une première extrémité 7 de la bobine 3 et une deuxième extrémité 9 de la bobine 3, la bobine 3 comprend un noyau 28, le premier aimant 2, le deuxième aimant 4 et le troisième aimant 5 étant positionnés au moins en partie dans le noyau 28 de la bobine 3.
Selon un exemple, le dispositif de génération d’électricité par transduction électromagnétique 1 comprend une membrane 6 solidaire de la première extrémité 7 de la bobine 3.
Ainsi, étant donné la solidarisation entre la membrane 6 et la bobine 3, le mouvement de la membrane 6 entraîne le mouvement de la bobine 3. Avantageusement, la membrane 6 a une forme arrondie ou toutes autres formes présentant plusieurs faces lui permettant ainsi de réceptionner une quantité importante d’ondes acoustiques, comme par exemple une forme pyramidale, une forme cylindrique, une forme conique ou une forme polyédrique. La surface de la membrane 6 est égale ou supérieure à la surface de la section en coupe transversale de la bobine 3, la bobine 3 s’étendant selon un axe longitudinal 32 entre une première extrémité 7 et une deuxième extrémité 9. Cette configuration permet d’augmenter la surface de réception des vibrations mécaniques et par conséquence d’entrainer une mise en mouvement de la bobine 3 plus sensible.
Selon un exemple, la membrane 6 est configurée pour être mise en mouvement par des vibrations mécaniques ou aériennes issues des ondes acoustiques provenant d’un flux d’air 14 d’un climatiseur ou d’une pompe à chaleur ou par de l’énergie vibratoire.
Selon un exemple, la bobine 3 comprend une première borne 24 et une deuxième borne 25, la première borne 24 est reliée à une troisième borne 8 et la deuxième borne 25 est reliée à une quatrième borne 23, la troisième borne 8 et la quatrième borne 23 sont configurées pour récupérer une première tension 10 générée en partie par le dispositif de génération d’électricité par transduction électromagnétique 1.
Selon un exemple, au moins l’un parmi le premier aimant 2, le deuxième aimant 4 et le troisième aimant 5 a une forme sensiblement cylindrique de manière à ce que la dimension de sa longueur soit plus grande que celles de sa largeur et hauteur.
Selon un exemple, le dispositif de génération d’électricité par transduction électromagnétique 1 comprend un pont redresseur 11 comprenant quatre diodes 12 configuré pour générer une deuxième tension 26, le pont redresseur 11 est connecté à la troisième borne 8 et à la quatrième borne 23. Le pont redresseur 11 est relié à la troisième borne 8 et à la quatrième borne 23. Étant donné que la première tension 10 récupérée est alternative, il est nécessaire de positionner un pont redresseur 11 de tension. Ce pont redresseur 11 est constitué de quatre diodes 12 qui ont pour fonction de redresser le courant pour obtenir en sortie la valeur absolue du courant d’entrée.
Selon un exemple, la membrane 6 est solidaire d’une cellule 27, la cellule 27 est positionnée autour de la membrane 6 de manière à augmenter la surface de réception des ondes acoustiques.
Selon un exemple, le boitier 15 comprend un déflecteur 16 ayant une forme pyramidale pour permettre une déviation du flux d’air 14.
Ainsi, la forme pyramidale du déflecteur 16 permet une réception de la quasi-totalité des ondes acoustiques se dirigeant vers la face du boitier 15 portant le déflecteur 16. Elle permet également une diffusion de ces ondes acoustiques de manière importante vers les armatures des supercondensateurs 19.
La couche de lithographie 400 peut être formée d’une ou plusieurs couches. Elle peut être à base de résine photosensible, par exemple à tonalité positive. Un revêtement antireflets sous-jacent de type BARC (Bottom Anti Reflective Coating signifiant revêtement anti-réflexion de fond) est de préférence intercalé entre la couche composite 300’ et la couche de lithographie 400.
Alternativement, la couche de lithographie 400 peut comprendre deux couches de type SOC (spin on carbon) et SiARC (pour « silicon anti reflective coating » signifiant revêtement anti réflexion à base de silicium), ainsi qu’une couche de résine photosensible (masque dit « Tri Layer »).
Les différentes couches de cette couche de lithographie 400 peuvent être déposées par une méthode classique de spin coating (à la tournette). La couche de lithographie 400 peut présenter une épaisseur comprise entre 50 nm et 300 nm.
Des motifs d’ouvertures 401 sont formés dans la couche de lithographie 400. Ces motifs d’ouvertures 401 sont situés au moins en partie au droit des pistes électriques 10. Les motifs d’ouvertures 401 présentent une dimension latérale selon y, typiquement un diamètre, comprise entre 20 nm et 1000 nm.
Les motifs d’ouvertures 401 sont réalisés en mettant en œuvre des techniques classiques de lithographie, telles que la lithographie optique, la lithographie électronique par faisceau d’électrons (e-beam), la lithographie par nanoimpression ou toute autre technique de lithographie connue de l’homme du métier.
Après lithographie, la couche de lithographie 400 comprend des motifs d’ouvertures 401 situés au-dessus de parties de la couche de masque 300 de la couche composite 300’, et des motifs d’ouvertures 401 situés au-dessus de parties des particules P de la couche composite 300’.
Comme illustré aux figures 8A, 8B, une gravure est effectuée au travers des motifs d’ouvertures 401 pour ouvrir la couche composite 300’. Cette gravure est configurée pour former les ouvertures de masque 301, 301 F .
Le revêtement antireflets et les parties de couche de masque 300 de la couche composite 300’ peuvent être gravés par plasma, à l’aide d’une chimie de gravure à base de chlore, par exemple Cl2 /BCl3. Ce type de plasma permet d’utiliser une couche de lithographie 400 à base de résine présentant une fine épaisseur, par exemple inférieure à 200 nm.
Selon une possibilité avantageuse, les particules P présentent une sélectivité de gravure S P: HM vis-à-vis de la couche de masque 300, lors de la gravure de la couche composite 300’, inférieure ou égale à 1:5. Les particules P sont ainsi sensiblement conservées lors de l’ouverture de la couche composite 300’. Cela permet de conserver en partie la ou les particules P présentes au niveau d’une ouverture 301 F lors de l’ouverture de la couche composite 300’. Les parties de couche de masque 300 de la couche composite 300’ sont quant à elles gravées au niveau d’une ouverture 301 lors de l’ouverture de la couche composite 300’.
A l’issue de l’ouverture de la couche composite 300’, la couche composite 300’ comprend des ouvertures de masque 301 débouchantes, dans les parties de couche de masque 300 de la couche composite 300’, et des ouvertures de masque 301 F altérées, au niveau des particules P de la couche composite 300’.
La couche de lithographie 400 est de préférence retirée après ouverture de la couche composite 300’. Ce retrait peut se faire classiquement par une étape dite de « stripping », par exemple par plasma à base d’oxygène.
Comme illustré aux figures 9A, 9B, la couche diélectrique 200 est ensuite gravée au travers des ouvertures débouchantes 301 totalement ouvertes et éventuellement des ouvertures altérées 301 F partiellement bouchées de la couche composite 300’. Cette gravure peut être effectuée par voie sèche, typiquement par plasma.
Après gravure de la couche diélectrique 200, on obtient ainsi dans la couche diélectrique 200 des ouvertures de via 320 fonctionnelles, au droit des ouvertures de masque 301 débouchantes, et des ouvertures de via 320 F dysfonctionnelles, au droit des ouvertures de masque 301 F altérées. Les ouvertures de via 320 F dysfonctionnelles peuvent être non gravées ou partiellement gravées. La distribution des ouvertures de via 320 F dysfonctionnelles reflète directement la position des particules P et est donc totalement aléatoire.
Comme illustré aux figures 10A, 10B, les ouvertures 320, 320 F sont ensuite remplies par un matériau conducteur 310, de façon à former respectivement des vias fonctionnels 30 OK et des vias dysfonctionnels 30 KO . Les vias fonctionnels 30 OK et les vias dysfonctionnels 30 KO forment le niveau d’interconnexions 30A. Le matériau conducteur est de préférence du cuivre. Les procédés de dépôt de cuivre, par exemple un remplissage électrolytique ECD (acronyme de « Electro Chemical Deposition »), sont bien connus de l’homme du métier.
Les vias fonctionnels 30 OK présentent typiquement une conductivité nominale lors d’un test électrique dédié. Les vias dysfonctionnels 30 KO présentent typiquement une conductivité inférieure à la conductivité nominale, voire une conductivité nulle, lors de ce test électrique. Un certain nombre de vias 30 KO , aléatoirement répartis, ne seront donc pas connectés ou seront mal connectés aux lignes 10.
Selon une possibilité, les vias dysfonctionnels 30 KO dégradés, c’est-à-dire formant une mauvaise connexion électrique avec les lignes 10, peuvent être ultérieurement désactivés, par exemple si la stabilité de leur connexion électrique n’est pas assez performante. Ils peuvent alternativement être utilisés en l’état, en tirant parti de leur résistance de connexion plus élevée (la surface de contact métallique étant plus faible que pour un via fonctionnel 30 OK ). Cette résistance de connexion plus élevée induit notamment un temps de réponse différent de la circuiterie, par exemple lors du test électrique de la zone d’individualisation.
Système d’analyse rapide La présente invention concerne encore le système pour l’analyse rapide d’un échantillon biologique.
Un tel système d’analyse rapide comprend :
- le dispositif d’analyse rapide 1 selon l’invention, et
- un réactif liquide R (représenté schématiquement sur la ), par exemple un tampon de migration ou un réactif complémentaire pour le traitement de l’échantillon ou une fonctionnalité spécifique chimique / biochimique ou immunologique.
Procédé pour l’analyse rapide d’un échantillon biologique
La présente invention concerne encore un procédé pour l’analyse rapide d’un échantillon biologique au moyen d’un dispositif d’analyse rapide 1 selon l’invention.
Préalablement, le capuchon 8 est manœuvré dans une première position de sorte à libérer le bloc absorbant 7 et à recueillir l’échantillon biologique ( , A. et B.).
Ce procédé comprend ensuite, après prélèvement de l’échantillon biologique, les étapes suivantes :
- une manœuvre du capuchon 8 depuis la première position jusqu’à la seconde position, de sorte à protéger le bloc absorbant 7 ( , B. et C.), puis
- l’introduction du volume adapté de réactif liquide R au travers dudit au moins un orifice traversant 81 du capuchon 8 dans sa seconde position ( , C. et D.).
L’échantillon biologique migre alors sur la longueur de la bandelette chromatographique 5.
Le résultat de l’analyse peut être lu au travers de la fenêtre de lecture 321 en regard de laquelle la zone de capture de la bandelette chromatographique 5 est destinée à se positionner ( . D.).