INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Les contacts électriques 15 de la seconde ligne sont connectés deux à deux par d’autres busbars 20.
Un tel agencement est commode et économique.
Dans le cas d’un montage exclusivement en parallèle, chacun des busbars 20 connecte le pôle positif d’une cellule de stockage d’électricité 7 au pôle négatif de la cellule de stockage d’électricité 7 suivante.
La batterie de stockage d’électricité 3 comprend encore un circuit 31 de refroidissement des cellules de stockage d’électricité 7.
Ce circuit est représenté de manière schématique sur les figures 2 et 3.
Le circuit de refroidissement 31 comprend une partie 32 de distribution de fluide caloporteur dans les canaux de circulation 27 de toutes les structures de séparation 25.
La partie de distribution 32 comporte un collecteur amont 33 et une pluralité de canaux de distribution 35 raccordés fluidiquement au collecteur amont 33.
Le circuit de refroidissement 31 comprend un jeu de canaux de distribution 35 pour chaque ensemble 5 de cellules de stockage d’électricité 7.
Pour chaque ensemble 5 de cellules de stockage d’électricité 7, les canaux de distribution 35 s’étendent selon la direction principale P et sont ménagés entre le fond 21 et les faces inférieures 11 des cellules de stockage d’électricité 7 (voir ). Les canaux de distribution 35 distribuent le fluide caloporteur dans les canaux de circulation 27 de tous les interstices 19 dudit ensemble 5.
Le circuit de refroidissement 31 comporte encore une partie 36 d’évacuation du fluide caloporteur sortant des canaux de circulation 27 de toutes les structures de séparation 25.
La partie 36 d’évacuation comporte un collecteur aval 37 et, pour chaque ensemble 5, un sous-collecteur 39 de collecte du fluide caloporteur, raccordé fluidiquement au collecteur aval 37. Les canaux de circulation 27 de tous les interstices 19 d’un même ensemble 5 débouchent dans le sous-collecteur 39 associé audit ensemble 5.
- maintenir en forme l’enveloppe en configuration déployée, y compris lors d’une mise en dépression du volume de répartition d’air, et
- être neutralisés pour passer l’enveloppe de la configuration déployée à la configuration contractée.
- Les moyens de maintien comprennent les seconds moyens d’accrochage.
- Les moyens de maintien comprennent une armature flexible qui est rapportée à l’enveloppe de manière amovible.
la est une vue schématique en perspective d’une unité terminale de traitement d’air conforme à l’invention, en service dans un bâtiment ;
la est également une vue schématique en perspective de l’unité terminale de la , montrée seule, l’angle d’observation de la étant différent de celui de la ;
la est une coupe schématique dans le plan III de la ; et
la est une vue similaire à la , illustrant l’unité terminale dans une configuration différente de celle illustrée aux figures 1 à 3.
Sur les figures 1 à 4 est représentée une unité terminale de traitement d’air 1 pour un bâtiment 2. Cette unité terminale 1 permet de traiter, en particulier de renouveler, l’air du bâtiment 2 et appartient à cet effet à un réseau de ventilation, qui amène ou extrait de l’air vis-à-vis de l’intérieur du bâtiment 2 et dont les échanges d’air avec l’intérieur d’une pièce 3 du bâtiment 2 sont opérés au niveau de l’unité terminale 1, disposée dans cette pièce 3, typiquement au plafond 4 de cette dernière. La nature du bâtiment 2 n’est pas limitative, ce bâtiment pouvant être aussi bien une habitation qu’un bâtiment tertiaire, c’est-à-dire un bâtiment qui reçoit du public et/ou qui est le lieu d’activités tertiaires.
Comme bien visible sur les figures 1 à 4, l’unité terminale 1 comporte deux composants principaux que sont un diffuseur 10 et un plénum 20. Comme expliqué en détail par la suite, le diffuseur 10 est rigide comparativement au plénum 20, ce dernier pouvant ainsi être qualifié de souple comparativement au diffuseur 10. A l’état assemblé de l’unité terminale 1, le diffuseur 10 et le plénum 20 sont assemblés fixement l’un à l’autre par des moyens d’assemblage 30, plus spécifiquement visibles sur la . Ces moyens d’assemblage 30, qui seront détaillés par la suite, sont avantageusement réversibles dans le sens où ils permettent de détacher et rattacher à volonté le diffuseur 10 et le plénum 20.
Comme bien visible sur les figures 1 et 3, le diffuseur 10 comporte une plaque 11 que l’on peut qualifier de rigide dans le sens où le matériau constituant la plaque 11 est rigide, en figeant la forme géométrique de la plaque 11, sans possibilité d’altérer cette forme autrement qu’en endommageant la plaque 11. Préférentiellement, le matériau constituant la plaque 11 comprend ou consiste en une matière métallique, telle que de l’acier ou de l’aluminium, et/ou une matière plastique, telle que du PVC rigide.
Sur chacun des deux côtés principaux de la plaque 11, celle-ci présente une face plane 12, respectivement 13. Ces deux faces planes 12 et 13 sont ainsi opposées l’une à l’autre suivant la direction d’épaisseur de la plaque 11, en correspondant respectivement à une face intérieure 12, qui est tournée vers le plénum 20, et une face extérieure 13.
Egalement comme bien visible sur les figures 1 et 3, la plaque 11 est ajourée par des passages traversants 14 qui relient l’une à l’autre les faces intérieure 12 et extérieure 13. Ces passages traversants 14 permettent à l’air de passer au travers de la plaque 11, en étant défléchis afin de mieux répartir l’air ainsi diffusé. En pratique, lorsque l’unité terminale 1 est utilisée pour amener de l’air à l’intérieur de la pièce 3 du bâtiment 2, l’air traverse la plaque 11 depuis la face intérieure 12 jusqu’à la face extérieure 13 via les passages traversants 14 qui défléchissent les écoulements d’air y circulant de manière à répartir l’admission d’air correspondante dans sensiblement toute la pièce 3 ; lorsque l’unité terminale 1 est utilisée pour extraire de l’air depuis la pièce 3, l’air traverse la plaque 11 depuis la face extérieure 13 jusqu’à la face intérieure 12 via les passages traversants 14 qui défléchissent les écoulements d’air y circulant de manière à répartir la reprise d’air correspondante depuis sensiblement toute la pièce 3.
Comme bien visible sur les figures 1 à 4, le plénum 20 comporte une enveloppe 21 définissant un volume interne V21. Le volume interne V21 permet à l’air y circulant de se répartir à l’intérieur de l’enveloppe 21.
L’enveloppe 21 est constituée d’un matériau qui est plus souple que le matériau constituant la plaque 11. Ce matériau de l’enveloppe 21 est flexible, en étant déformable à la main de manière à pouvoir passer l’enveloppe 21 entre une configuration déployée, illustrée sur les figures 1 à 3, et une configuration contractée, illustrée sur la . Le volume interne V21 est plus grand lorsque l’enveloppe 21 est en configuration déployée que lorsque l’enveloppe 21 est en configuration contractée. Quel que soit le matériau constituant l’enveloppe 21, cette dernière inclut un corps principal 22 délimitant le volume interne V21, ainsi qu’un manchon 23 qui s’étend en longueur depuis le corps principal 22 à l’extérieur du volume interne V21, et ce entre deux extrémités 23A et 23B du manchon 23, opposées l’une à l’autre suivant la direction longitudinale de ce manchon.
une électrode de pseudo-référence 3 en argent (PRA) ;
une connexion électrique 4 de l’électrode de travail 1;
une connexion électrique 5 de l’électrode auxiliaire ; et
une connexion électrique 6 de la PRA.
Ce système est réalisé par sérigraphie sur une bandelette en céramique de 34 mm de long, 10 mm de large et 0.5 mm d’épaisseur (Metrohm Dropsens, figure A). Ainsi, une électrode de travail de 4 mm de diamètre est illustrée à la Figure 2A.
La Figure 2B représente une cellule de mesure électrochimique dans laquelle la bandelette 7 de la Figure 2A est disposée à la base d’une cellule en téflon constituée de deux parties :
la partie supérieure 8 de la cellule;
la partie inférieure 9 de la cellule ;
les parties 8 et 9 étant séparées par un joint torique 10;
un film de parafilm 11 obturant la partie supérieure 8.
Un tel système peut être miniaturisé en réduisant considérablement le volume de l’échantillon, par exemple en ménageant au-dessus de l’électrode un volume de seulement quelques microlitres dans lequel on introduit l’échantillon à doser par capillarité. De telles configurations sont notamment développées pour les bandelettes de mesure de la glycémie.
La illustre les résultats obtenus lors d’un test de viabilité réalisé sur cellules Vero (1 million de cellules). DCIP 50 µM dans du tampon HBSS, polarisation à 300 mV, électrodes DropSens en carbone. La flèche indique l’injection de la suspension de cellules (1,2 et 3) ou de la solution tamponnée (4,5 et 6) pour les contrôles.
La illustre les résultats obtenus lors d’un test de viabilité réalisé sur cellules Hela (1 million de cellules). DCIP 50 µM dans du tampon HBSS, polarisation à 300 mV, électrodes DropSens en carbone. La flèche indique l’injection de la suspension de cellules (1 et 2) ou de la solution tamponnée (4 et 5) pour les contrôles.
La illustre les résultats obtenus lors d’un test de viabilité réalisé sur cellules Vero intactes, fixées ou lysées (1 million de cellules). DCIP 50 µM dans du tampon HBSS, polarisation à 300 mV, électrodes DropSens en carbone. La flèche indique l’injection de la suspension de cellules (1 et 2) ou du lysat (3 et 4) ou de cellules fixées (5 et 6).
Exemples Préparation des cellules Les essais ont été réalisés sur des lignées de cellules de mammifères, une lignée humaine Hela (ATCC CCL-2, carcinomateuses du col de l’utérus) et une lignée non humaine Vero (ATCC CCL-81, rein de singe vert Cercopithecus aethiops). Toutes les lignées proviennent de l’American Type Culture Collection (Manassas, Virginie, Etats-Unis).
Les stocks primaires de cellules ont été gracieusement fournis par la Fonderphar (Fondation pour le développement et la recherche pharmaceutique, Toulouse, France). Pour chaque lignée cellulaire des stocks secondaires ont été produits en amplifiant le stock primaire. Les banques de cellules ont été conservées en solution cryoconservatrice (sérum fœtal de veau additionné de 10% de DMSO [Corning, Corning, Etats-Unis]) à -80°C.
Enfin, l’invention concerne aussi un système comprenant :
Le dispositif électronique (ou le véhicule) selon l’invention, Le serveur selon l’invention.
L’invention concerne également un programme d’ordinateur comprenant des instructions, exécutables par un microprocesseur ou un microcontroller, pour la mise en œuvre d’un des procédés selon l’invention.
Les caractéristiques et avantages du dispositif électronique, du véhicule automobile, du système et du programme d’ordinateur sont identiques à ceux des procédés, c’est pourquoi, ils ne sont pas repris ici.
représente un dispositif électronique d’un véhicule automobile, un véhicule automobile et un système selon un mode de réalisation de l’invention.
représente le procédé de l’invention, selon un exemple de réalisation, mis en œuvre par le dispositif électronique, le véhicule et le système de la .
, le système 1000 comprend un serveur 400, un réseau de télécommunication 320 et un égo véhicule 100. Le système peut comporter en outre un réseau de télécommunication local sans fil 310, un deuxième véhicule 200, un premier ordinateur client 500 d’un fournisseur de logiciel et un deuxième ordinateur client 600 du fabricant du véhicule 100.
En référence aux figures 1 et 2, à l’étape S10, le serveur 400 reçoit les données d’installation 121 d’un logiciel 123 depuis le premier ordinateur client 500 identifié, auprès du serveur 400, à partir de premières données d’identification 510 et authentifié, auprès du serveur 400, à partir de premières données d’authentification 520 mémorisées par le premier ordinateur client 500. Les données d’installation 121 sont alors mémorisées dans la mémoire 420 du serveur 400.
Selon un mode de réalisation, la chaine de bloc 130 est mise à jour dans le serveur 400 et mémorisée dans la mémoire 420, lorsque des blocs comprenant un premier bloc 131 (par exemple les parties de la chaine de bloc 130 mis à jour, ou uniquement les parties de la chaine de bloc 130 mises à jour jusqu’au premier bloc 131) sont reçus du premier ordinateur client 500, par exemple en même temps que les données d’installation 121.
A l’étape S20, le serveur 400 reçoit des données d’autorisation 122 depuis un deuxième ordinateur client 600 identifié auprès du serveur 400 à partir de deuxièmes données d’identification 610 et authentifié auprès du serveur 400 à partir de deuxièmes données d’authentification 620 mémorisées par le deuxième ordinateur client 600.
Ainsi, le serveur 400 mémorise dans sa mémoire 420, la chaine de blocs 130, les données d’installation 121 et les données d’autorisation 122.
Les premières données d’identification 510 sont différentes des deuxièmes données d’identification 610. Les premières données d’authentification 520 sont différentes des deuxièmes données d’authentification 620.
Selon un mode de réalisation particulier de la divulgation, le réseau est configuré pour appliquer le décalage quart d’onde dans une partie médiane du réseau.
Selon un mode de réalisation particulier de la divulgation, le réseau est un réseau non uniforme qui décale une distribution optique vers l’un parmi : le premier côté de la région active, ou le deuxième côté de la région active.
Selon un mode de réalisation particulier de la divulgation, la structure en semi-conducteurs III-V comprend un premier amplificateur optique à semi-conducteurs pour amplifier une lumière provenant du premier côté de la région active vers le guide d’ondes en silicium.
Selon un mode de réalisation particulier de la divulgation, le laser à rétroaction distribuée comprend en outre un ou plusieurs coupleurs adiabatiques, dans lequel la lumière de sortie est couplée en provenance d’au moins l’un ou plusieurs parmi le premier côté ou le deuxième côté à l’aide des un ou plusieurs coupleurs adiabatiques pour coupler la lumière vers le guide d’ondes en silicium.
Selon un mode de réalisation particulier de la divulgation, le coupleur adiabatique comprend un guide d’ondes III-V, le guide d’ondes III-V étant disposé au-dessus du guide d’ondes en silicium, et dans lequel le guide d’ondes III-V et la couche de silicium sont séparés par une couche d’oxyde.
Selon un mode de réalisation particulier de la divulgation, la structure en semi-conducteurs III-V comprend un deuxième amplificateur optique à semi-conducteurs pour coupler la lumière provenant du deuxième côté de la région active vers le guide d’ondes en silicium de la structure en silicium.
Selon un mode de réalisation particulier de la divulgation, le guide d’ondes en silicium comprend une section de largeur étroite qui est à proximité de la région active de la structure en semi-conducteurs III-V qui est liée à la structure en silicium, la section de largeur étroite minimisant un couplage de la région active à la section de largeur étroite du guide d’ondes en silicium.
Selon un mode de réalisation particulier de la divulgation, le guide d’ondes en silicium comprend une ou plusieurs sections élargies qui sont plus larges que la section de largeur étroite pour coupler la lumière de sortie provenant de la structure en semi-conducteurs III-V vers le guide d’ondes en silicium.
Selon un mode de réalisation particulier de la divulgation, la lumière de sortie est couplée de la structure en semi-conducteurs III-V à la structure en silicium sans facette revêtant la structure en semi-conducteurs III-V.
Selon un deuxième aspect, la présente divulgation concerne un procédé pour la fabrication d’un laser à rétroaction distribuée comprenant : la gravure d’un réseau sur une structure en semi-conducteurs III-V, la structure en semi-conducteurs III-V comprenant une région active pour générer une lumière, le réseau étant gravé sur une surface de liaison de la structure en semi-conducteurs III-V pour fournir une rétroaction optique à la région active pour générer une lumière de sortie qui est délivrée en sortie par un premier côté et un deuxième côté de la région active ; et la liaison de la structure en semi-conducteurs III-V à une structure en silicium, la structure en silicium comprenant un guide d’ondes en silicium pour recevoir la lumière de sortie provenant de la structure en semi-conducteurs III-V, la structure en semi-conducteurs III-V étant liée à la structure en silicium de sorte que la surface de liaison ayant le réseau soit liée à une surface de la structure en silicium pour coupler de manière optique la région active au guide d’onde en silicium.
Selon un mode de réalisation particulier de la divulgation, le premier côté et le deuxième côté de la région active sont séparés par le réseau qui est gravé sur la surface de liaison.
Selon un mode de réalisation particulier de la divulgation, le réseau est gravé de telle sorte qu’un décalage quart d’onde soit appliqué à la région active pour former la lumière de sortie.
La description qui suit comporte une discussion sur les figures ayant des illustrations données à titre d’exemple de mises en œuvre de modes de réalisation de la divulgation. Les dessins doivent être compris à titre d’exemple, et non à titre de limitation. Telles qu’utilisées dans la présente, les références à un ou plusieurs « modes de réalisation » doivent être comprises comme décrivant un élément particulier, une structure particulière ou une caractéristique particulière compris ou comprise dans au moins une mise en œuvre de l’objet de l’invention. Ainsi, les expressions telles que « dans un mode de réalisation » ou « dans un mode de réalisation en variante » apparaissant dans la présente décrivent divers modes de réalisation et diverses mises en œuvre de l’objet de l’invention, et ne font pas nécessairement toutes référence au même mode de réalisation. Cependant, elles ne sont pas non plus nécessairement mutuellement exclusives. Pour identifier facilement la discussion d’un quelconque élément ou fait particulier, le chiffre le plus significatif ou les chiffres les plus significatifs dans un numéro de référence fait ou font référence au numéro de la figure (« FIG. ») dans laquelle cet élément ou ce fait est introduit en premier.
représente une architecture de laser à rétroaction distribuée (DFB) à base de silicium, selon certains modes de réalisation à titre d’exemple.
représente une architecture de laser à DFB à faible perte fabriqué en silicium à voies multiples à titre d’exemple, selon certains modes de réalisation à titre d’exemple.
représente un exemple d’une architecture à DFB à faible perte fabriquée en silicium à voies multiples dans laquelle chaque laser à DFB symétrique excite deux voies d’une architecture à voies multiples, selon certains modes de réalisation à titre d’exemple.
représente des architectures de laser à DFB à titre d’exemple qui mettent en œuvre un modulateur de Mach-Zehnder (MZM) pour une combinaison de puissance, conformément à certains modes de réalisation à titre d’exemple.
représente un procédé à titre d’exemple pour la mise en œuvre d’un dispositif à DFB symétrique, selon certains modes de réalisation à titre d’exemple.
représente un organigramme d’un procédé pour l’étalonnage d’un dispositif optique à DFB symétrique, selon certains modes de réalisation à titre d’exemple.
représente un émetteur-récepteur optique à titre d’exemple, selon certains modes de réalisation à titre d’exemple.
est un schéma représentant une vue latérale d’un dispositif optique-électrique, selon certains modes de réalisation à titre d’exemple.
[Fig. 9A-9B] représentent une approche pour la fabrication d’un ou de plusieurs lasers à DFB symétriques ayant des réseaux III-V, selon certains modes de réalisation à titre d’exemple.
représente un laser à DFB à titre d’exemple doté de réseaux III-V intégrés, conformément à certains modes de réalisation à titre d’exemple.
représente le laser à DFB à titre d’exemple doté de réseaux III-V intégrés, conformément à certains modes de réalisation à titre d’exemple.
représente un laser à DFB asymétrique à titre d’exemple, conformément à certains modes de réalisation à titre d’exemple.
représente un organigramme d’un procédé pour la mise en œuvre d’un laser à DFB doté de réseaux III-V intégrés, conformément à certains modes de réalisation à titre d’exemple.
représente un organigramme d’un procédé 1200 pour la formation d’un laser à DFB doté de réseaux III-V intégrés, conformément à certains modes de réalisation à titre d’exemple.
Les descriptions de certains détails et mises en œuvre vont suivre, dont une description des figures, lesquelles peuvent illustrer certains ou tous les modes de réalisation décrits ci-dessous, ainsi que la discussion d’autres modes de réalisation potentiels ou mises en œuvre potentielles des concepts de l’invention présentés dans la présente. Un aperçu des modes de réalisation de la divulgation est fourni ci-dessous, suivi d’une description plus détaillée en référence aux dessins.
DESCRIPTION DÉTAILLÉE Dans la description qui suit, à des fins d’explication, de nombreux détails spécifiques sont énoncés afin de fournir une compréhension de divers modes de réalisation de l’objet de l’invention. Il sera cependant évident pour l’homme du métier, que des modes de réalisation de l’objet de l’invention peuvent être mis en pratique sans ces détails spécifiques. De manière générale, les instances d’instruction, les structures et les techniques bien connues ne sont pas nécessairement représentées en détail.
Comme discuté, un PIC peut mettre en œuvre un laser accordable, dans lequel le laser peut être accordé pour délivrer en sortie une lumière de différentes longueurs d’onde. Selon certains modes de réalisation à titre d’exemple, le laser accordable peut mettre en œuvre un ou plusieurs filtres optiques pour obtenir une longueur d’onde cible du système optique. Les valeurs d’accord peuvent varier sur différentes températures, ce qui peut nécessiter des boucles de commande rapides qui sont intégrées près du PIC pour garantir que les accordeurs soient alignés au cours du fonctionnement. Un laser photonique au silicium à longueur d’onde fixe (par ex., monomode) doté d’une DFB peut être configuré dans le PIC de telle sorte qu’aucun étalonnage en longueur d’onde ne soit requis, ce qui peut réduire le coût d’étalonnage et peut en outre permettre un temps de démarrage de module plus rapide, ce qui réduit la consommation de puissance et simplifie une commande de laser. Un laser à DFB peut être mis en œuvre comme un laser à PIC intégré dans lequel le résonateur laser est constitué d’une structure périodique dans le milieu de gain laser, qui fonctionne comme un réflecteur de Bragg distribué dans la plage de longueurs d’onde d’action laser. Selon certains modes de réalisation à titre d’exemple, un laser à rétroaction distribuée possède de multiples modes de résonateur axial, mais il existe typiquement un mode qui est préférable en termes de pertes ; ainsi, un fonctionnement à fréquence unique peut être mis en œuvre.
Tandis que certaines sources à DFB qui ne sont pas à base de silicium peuvent mettre en œuvre des revêtements à facettes (par ex., un revêtement antiréflectivité (AR), un revêtement à haute réflectivité (HR)) pour obtenir une puissance plus élevée, cette approche est incompatible avec les DFB photoniques à base de silicium car les revêtements ne peuvent pas être appliqués sur les facettes d’une DFB photonique à base de silicium. De plus, ces approches gaspillent de la puissance étant donné que les revêtements possèdent des défauts qui peuvent gaspiller des parties de la lumière (par ex., 20 %). De plus, ces approches souffrent de problèmes de fiabilité dus aux revêtements. De plus, ces approches présentent une tolérance médiocre à la rétroaction et sont plus sensibles à la rétroaction et aux réflexions. De plus, l’application du revêtement requiert un accès aux deux côtés de sortie de la DFB pour appliquer les revêtements, et les revêtements ne peuvent pas être appliqués sur des conceptions en silicium ayant des sources intégrées qui sont intégrées au milieu de la conception, ce qui rend impossible un tel accès.