INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Si tel est le cas, le procédé reprend à l’étape 300, dans laquelle la valeur du taux de répartition est remplacée par la nouvelle valeur ayant conduit à une diminution des émissions de NOx. On peut alors poursuivre au pas suivant par une nouvelle modification du taux de répartition S, qui va dans le même sens de la diminution ou de l’augmentation qu’au pas précédent, et d’une valeur identique, par exemple -0,005 ou +0,0005.
Dans le cas contraire, le procédé oriente vers une étape 1400 dans laquelle on fait varier le taux de répartition dans le sens contraire de celui qui avait été retenu de manière itérative à l’étape 1200. En d’autres termes, dans la première variante du procédé, où on a diminué le taux de répartition S à l’étape 1200, on l’augmente à l’étape 1400. De même, dans la deuxième variante du procédé, où on a augmenté le taux de répartition S à l’étape 1200, on le diminue à l’étape 1400.
Le procédé se poursuit alors par une étape 1500 dans laquelle on détermine la nouvelle valeur de débit d’oxydes d’azote à l’échappement QNOx,tp résultant de cette modification du taux de répartition S, et on réalise un test qui consiste à vérifier si ledit débit est inférieur à la valeur précédente.
Si tel est le cas, le procédé se poursuit par une étape 1600, dans laquelle la valeur du taux de répartition S est remplacée par la nouvelle valeur ayant conduit à une diminution des émissions de NOx. On peut alors poursuivre au pas suivant par une nouvelle modification du taux de répartition S, qui va dans le même sens de l’augmentation ou de la diminution qu’au pas précédent, et qui peut être d’une valeur identique, par exemple +0,005 ou -0,0005.
Dans le cas contraire, c’est-à-dire si on observe une augmentation du débit d’oxydes d’azote à l’échappement QNOx,tp par rapport à la valeur immédiatement précédente, le procédé oriente vers une étape 1700 dans laquelle on fige la valeur du taux de répartition S sur la valeur immédiatement précédente.
Dans un mode de réalisation de l’invention, on peut limiter la variation totale cumulée du taux de répartition S à une valeur constante prédéterminée, par exemple +0,10 ou -0,10 de variation de taux de répartition par rapport à la valeur initiale So dans les deux sens, c’est-à-dire tant à l’étape 1200 qu’à l’étape 1400, après quoi on fige la valeur, jusqu’à ce que le point de fonctionnement du moteur soit modifié, ce qui conduira à ce moment à définir une nouvelle valeur de taux de répartition initial So à l’étape 300 et à reprendre les étapes itératives du procédé sur cette base.
En d’autres termes, si après une succession d’étapes 1200 de variation du taux de répartition atteignant -0,1 (cas de la première variante du procédé) ou +0,1 (deuxième variante du procédé) par rapport à la valeur initiale du taux de répartition So, on continue d’observer une diminution du débit d’oxydes d’azote à l’échappement QNOx,tp , on arrête de faire varier ledit taux de répartition S et on le fige sur la dernière valeur obtenue. Autrement dit le procédé ne reprend pas à l’étape 1200.
De la même manière, si après une première itération de l’étape 1200 de variation du taux de répartition conduisant à une augmentation du débit d’oxydes d’azote à l’échappement QNOx,tp qui conduite le procédé à se poursuivre par des étapes 1400 de variation du taux de répartition en sens contraire, c’est-à-dire dans le sens de l’augmentation selon la première variante du procédé ou dans le sens de la diminution selon la deuxième variante du procédé, on observe qu’après une succession d’étapes 1400 de variation du taux de répartition dans ledit sens contraire atteignant +0,1 (cas de la première variante du procédé) ou -0,1 (deuxième variante du procédé) par rapport à la valeur initiale du taux de répartition So, on continue d’observer une diminution du débit d’oxydes d’azote à l’échappement QNOx,tp , on arrête de faire varier ledit taux de répartition S et on le fige sur la dernière valeur obtenue. Autrement dit le procédé ne reprend pas à l’étape 1400.
Bien entendu, la variation totale cumulée du taux de variation S est toujours limitée à une valeur maximale dans le sens de la diminution et dans le sens de l’augmentation par le fait que le taux de répartition S est toujours compris entre 0 et 1, indépendamment du fait que l’on prévoie ou non une valeur constante prédéterminée pour la variation maximale cumulée du taux.
Ce procédé permet pas à pas et de manière empirique de diminuer efficacement les rejets d’oxydes d’azote dans l’atmosphère sans qu’il soit besoin d’avoir recours à une modélisation très complexe de la totalité du dispositif de motorisation.
On comprend de l’exposé des étapes qui précède, que l’invention permet de trouver empiriquement un minimum local de débit d’oxydes d’azote à l’échappement QNOx,tp .
TURBOMACHINE D’AERONEF COMPORTANT DES AUBES D’HELICE A CALAGE VARIABLE Domaine technique de l'invention La présente invention concerne le domaine des turbomachines d’aéronef et en particulier des hélices propulsives de ces turbomachines qui comportent des aubes à calage variable.
Arrière-plan technique Une hélice de turbomachine d’aéronef peut être carénée, comme c’est le cas d’une soufflante par exemple, ou non carénée comme c’est le cas d’une architecture du type open-rotor par exemple.
iii) un composé de formule Li x Mn 2-y-z Ni y M z O 4-d-c F c où M représente un ou plusieurs éléments choisis dans le groupe consistant en B, Mg, Al, Si, Ca, Ti, V, Cr, Fe, Co, Cu, Zn, Y, Zr, Nb, Ru, W et Mo; et 1≤x≤1,4 ; 0<y≤0,6 ; 0≤z≤0,2 ; 0≤d≤1 ; 0≤c≤1,
iv) un composé de formule Li x Mn 2-y-z M' y M'' z O 4 , où M' et M" sont choisis dans le groupe consistant en B, Mg, Al, Si, Ca, Ti, V, Cr, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Y, Zr, Nb et Mo ; M' et M" étant différents l’un de l’autre, et 1≤x≤1,4 ; 0≤y≤0,6 ; 0≤z≤0,2, et
v) un composé de formule LiVPO 4 F.
La matière active anodique n’est pas particulièrement limitée. Elle est un matériau capable d’insérer du lithium dans sa structure. Elle peut être choisie parmi des composés du lithium, des matériaux carbonés comme le graphite, le coke, le noir de carbone et le carbone vitreux. Elle peut aussi être à base d’étain, de silicium, de composés à base de carbone et de silicium, de composés à base de carbone et d’étain ou de composés à base de carbone, d’étain et de silicium. Elle peut aussi être un oxyde de titane lithié tel que Li 4 Ti 5 O 12 ou un oxyde de titane de niobium tel que TiNb 2 O 7 .
Bien entendu, ces exemples sont non limitatifs et le procédé décrit ultérieurement pourra être utilisé pour n'importe quel type d’élément électrochimique 12, et notamment lorsque le calcul de son état de charge SOC repose classiquement sur un compteur coulométrique pouvant diverger et/ou une recalibration impliquant un temps de repos et un courant faible.
Le capteur de courant 18 est propre à mesurer le courant délivré par l’élément électrochimique 12.
Le capteur de température 20 est propre à mesurer la température de l’élément électrochimique 12.
Un exemple de mise en œuvre du procédé d’estimation de l’état de charge SOC est maintenant décrit en référence à la représentation en schéma-bloc de la .
Comme cela apparaîtra à la description qui suit, le procédé comporte l’emploi de trois modèles, un premier modèle M1, un deuxième modèle M2 et un troisième modèle M3.
Un modèle est ici défini comme l’outil mathématique correspondant à une technique mesurant ou estimant une grandeur physique. La technique est ainsi une étape d’un procédé de mesure ou d’estimation prenant en entrée des mesures et donnant en sortie une valeur représentative de la grandeur physique alors que le modèle prend en entrée des valeurs numériques pour sortir d’autres valeurs numériques. C’est la technique qui vient donner une signification physique à ces valeurs numériques.
Par exemple, le nombre total du réseau de neurones est de l’ordre de plusieurs dizaines de neurones, au maximum une centaine de neurones.
Dans l’exemple décrit, le réseau de neurones comprend plusieurs couches, à savoir une couche d’entrée, une ou plusieurs couche(s) cachée(s) et une couche de sortie.
Ainsi, il s’agit d’apprendre les paramètres libres du réseau de neurones à partir d’un jeu de données obtenu par des expériences réelles en laboratoire, typiquement pour un nombre compris entre 20 et 40 d’éléments électrochimiques différents.
Le jeu d’entraînement est utilisé pour que le réseau de neurones apprenne ses différents paramètres libres par itérations successives jusqu’à vérifier un critère de performance souhaitée. Il est ainsi obtenu un réseau de neurones appris.
Le réseau de neurones constitue ainsi, pour l’élément électrochimique 12, un deuxième modèle M2 estimant une valeur de l’état de charge SOC à partir des valeurs de tension, de courant, de température et de capacité.
Le deuxième modèle M2 est plutôt robuste aux biais de courant même forts, de par sa structure basée sur un perceptron multicouche qui est sans effet mémoire, c’est-à-dire qui utilise uniquement les valeurs courantes et non les valeurs antérieures pour obtenir l’estimation souhaitée.
En outre, du fait de sa faible dimension, le deuxième modèle M2 est facilement embarquable car son empreinte mémoire et son empreinte processeur sont réduites.
Néanmoins, cela entraîne qu’un tel deuxième modèle M2 présente une erreur d’estimation, c’est-à-dire un écart entre la valeur estimée et la valeur réelle, relativement importante dans certaines conditions.
Le réseau de neurones du deuxième modèle M2 est chargée sur une mémoire du calculateur 22.
Au contraire de la phase d’apprentissage qui est effectuée une seule fois, la phase d’utilisation est mise en œuvre pour une pluralité d’instants.
En particulier, la phase d’utilisation correspond à une phase d’utilisation en temps réel de la batterie 10.
Selon un autre exemple, la durée entre deux instants n’est pas constante.
Les étapes de la phase d’utilisation sont mises en œuvre pour chaque instant.
En ce sens, il peut ainsi être considéré que la phase d’utilisation est itérative et qu’à chaque instant de mise en œuvre, une itération a lieu.
Selon l’exemple décrit, la phase d’utilisation est mise en œuvre en ligne, c’est-à-dire que la phase d’utilisation est embarquée et donc mise en œuvre par le calculateur 22.
La phase d’utilisation comporte une étape d’obtention, une étape de calcul, une étape de détermination du seuil, une étape de comparaison, une étape de détermination de la valeur estimée de l’état de charge.
Lors de l’étape d’obtention, le calculateur 22 obtient des mesures (valeurs) de la tension U, du courant I de la température T et la capacité Q de l’élément électrochimique 12.
Lors de l’étape de calcul, le calculateur 22 calcule la valeur de l’état de charge SOC selon deux techniques distinctes correspondant aux premier modèle M1 et deuxième modèle M2.
Selon une première technique, le calculateur 22 réalise la technique dite coulométrique présentée précédemment.
désigne un instant antérieur, désigne la valeur estimée de l’état de charge SOC obtenue à l’instant présent , et désigne la valeur estimée de l’état de charge SOC obtenue à l’instant antérieur .
Plus précisément, la première technique comporte trois opérations, une opération d’obtention, une opération de calcul et une opération de déduction.
L’alliage Ti 40 Te 60 présente une stabilité suffisante après recuit pour former une première couche 11 d’une mémoire résistive non-initialisée 1. En effet sa résistivité varie de moins de 70 %. La variation de résistivité de l’alliage Ti 45 Te 55 après recuit est toutefois moindre, puisqu’inférieure à 40 %.
De manière générale, un alliage conducteur, présentant un pourcentage (ou une stœchiométrie) de titane comprise entre 40 % et 50 %, constitue un candidat acceptable pour former une première couche 11. Un pourcentage de titane de 45 % étant toutefois préférée.
Un deuxième matériau à changement de phase peut être formée à partir du mélange du matériau à base de titane fondu avec le premier matériau à changement de phase fondu. Une bonne miscibilité du matériau à base de titane avec le premier matériau à changement de phase lorsque ceux-ci sont fondus permet d’ailleurs de former un deuxième matériau à changement de phase homogène. Le deuxième matériau à changement de phase est particulier en ce qu’il comprend du titane. Le titane provient notamment du matériau à base de titane se dissociant au moins partiellement. On entend par dissociation que les liaisons chimiques d’une partie des constituants dudit matériau à base de titane sont rompues, notamment à cause de la température. Le deuxième matériau à changement de phase comprend dont du premier matériau à changement de phase dopé avec du titane provenant du matériau à base de titane. Au moins une région 20, dite « région active », est formée par le deuxième matériau à changement de phase.
Les et représentent schématiquement, en coupe, deux modes de réalisation d’une mémoire résistive 2, dite « initialisée », obtenue à l’issue de la mise en œuvre du procédé d’initialisation selon l’invention (décrit ci-dessous), c’est-à-dire comprenant au moins une région active 20. Une mémoire initialisée 2 est une mémoire dont les performances ont été configurées. Chaque région active 20 peut être obtenue par la circulation d’un courant électrique dans les première et deuxième couches 11, 12. Le courant électrique échauffe alors lesdites couches 11, 12, notamment pas effet Joule, et un gradient thermique s’établit au sein de la mémoire initialisée. Lorsque le courant électrique atteint un seuil, la température au sein des premières et deuxième couches 11, 12 est telle que chacune d’elles fusionne, au moins en partie, créant une ou plusieurs volumes (ou bulles) de matériau fondu en leur sein. La percolation des volumes de matériau fondu dans l’épaisseur de chaque première couche et au niveau de l’interface entre les première et deuxième couches permet de former un volume dans laquelle du matériau à base de titane et du premier matériau à changement de phase se mélangent et se combinent. La solidification dudit volume forme ainsi au moins une région active 20, comprenant une partie au moins du deuxième matériau à changement de phase (c’est-à-dire le premier matériau à changement de phase dopé au moyen d’une concentration de titane).
La miscibilité du matériau à base de titane avec le premier matériau à changement de phase permet aux deux matériaux de former un volume de matériaux fondus homogène qui formera, après sa solidification, une région active 20. De plus, l’aptitude du titane du matériau à base de titane à se combiner avec le premier matériau à changement de phase permet ainsi de former un deuxième matériau à changement de phase dont les propriétés électriques sont différentes de celles du premier matériau à changement de phase. Une région active 20 peut stocker une information, c’est-à-dire commuter d’un état de basse résistivité à un état de haute résistivité). Grâce au titane, la vitesse de cristallisation du deuxième matériau à changement de phase est augmentée par rapport à la vitesse de cristallisation du premier matériau à changement de phase (sans titane). La vitesse de commutation dans un état de haute ou de basse résistivité est donc plus élevée.
La vitesse de commutation d’une région active 20 est donc plus élevée que la vitesse de commutation d’une deuxième couche (ou de la mémoire 1 non-initialisée de manière globale). De plus, le courant de commutation de la région active (permettant de chauffer le deuxième matériau à sa température de transition) est plus faible que le courant de commutation d’une deuxième couche 12. Une région active 20 peut donc être commutée sans commuter une deuxième couche 12.
Le titane du matériau à base de titane peut être apte à se combiner spontanément avec le premier matériau à changement de phase, par exemple par insertion, sans nécessairement requérir la dissociation de l’alliage. La combinaison du titane avec le premier matériau à changement de phase peut toutefois requérir la dissociation d’une partie du matériau à base de titane, par exemple pour que les atomes de titane puissent se combiner par insertion ou substitution avec le premier matériau.
Les forces de liaisons au sein du matériau à base de titane peuvent être suffisamment faibles pour qu’une fois fondu, le matériau se dissocie partiellement et libère des atomes de titane. L’énergie de liaison du titane au sein de son matériau est, par exemple, choisie de sorte qu’elle soit inférieure ou égale à la chaleur latente de liquéfaction du premier matériau à changement de phase. De la sorte, lorsque suffisamment d’énergie apportée à la mémoire non-initialisée 1 est suffisante pour faire fondre le premier matériau à changement de phase, une partie du matériau à base de titane est alors dissocié en laissant libre des atomes de titane.
La dissociation du matériau à base de titane peut également être réalisée au moyen d’un échauffement complémentaire, obtenu au moyen d’une impulsion électrique. L’amplitude de l’impulsion électrique mise en œuvre pour la dissociation du matériau à base de titane est avantageusement inférieure ou égale à l’amplitude d’un courant d’initialisation (décrit ci-après) permettant la fusion du matériau à base de titane et du premier matériau à changement de phase. L’amplitude de l’impulsion électrique est préférentiellement inférieure à 100 mA, afin de ne pas dégrader les matériaux de la mémoire non-initialisée 1. De manière préférée, une amplitude inférieure à 10 mA, voire inférieure ou égale à 5 mA, est suffisante. L’impulsion électrique présente une durée préférentiellement inférieure à 10 µs, voire inférieure à 1 µs et de manière encore préférée inférieure à 500 ns.
Chaque région active 20 est disposée entre les électrodes supérieure et inférieure 14, 13. Dans les modes de réalisation des et , une région active 20 présente une forme hémisphérique (dite dôme) de rayon R. Sa base est parallèle au plan des couches P et coïncide avec la surface du substrat S. La première couche 11 et la région active 20 reposent également sur le même plan.
Lorsque l’électrode inférieure 13 traverse le substrat S, comme c’est le cas dans les et , la région active 20 est disposée à l’aplomb de l’électrode inférieure 13 et contre cette électrode. La région active 20 est d’ailleurs, de par son mécanisme de formation, localisée au niveau de sa zone de contact avec l’électrode inférieure 13. Le rayon R de la région active 20 est avantageusement supérieur à l’épaisseur A de la première couche 11 (afin de permettre un mélange du matériau à base de titane avec du premier matériau). Dans l’exemple de la , le rayon R est inférieur à l’épaisseur totale A + B des première et deuxième couches 11, 12.
Dans l’exemple de la , le rayon R est supérieur à l’épaisseur totale A + B des première et deuxième couches 11, 12. Dans ce dernier cas, la région active 20 connecte les électrodes inférieure et supérieure 13, 14 entre elles.
Dans ces deux exemples, la première couche 11 diffère de la mémoire non-initialisée 1 en ce qu’elle entoure une portion 21 de la région active 20 (c’est-à-dire que cette dernière la traverse dans l’épaisseur, de part en part) dite « portion de dôme inférieure ». En d’autres termes, la région active 20 traverse la première couche 11. Grâce à cela, les courants de lecture et/ou de programmation traversent préférentiellement la région active 20, de sorte que la conduction électrique dans la région active 20 soit peu influencée par la première couche 11 restante.
La deuxième couche 12 de la mémoire initialisée 2 diffère également de la mémoire 1 en ce qu’elle entoure également une portion 22 de la région active 20, dite portion « portion de dôme supérieure ».
Lors de l’application d’un courant entre les électrodes inférieure et supérieure 13, 14 de la mémoire résistive non-initialisée 1, ledit courant circule dans la première couche 11 et dans la deuxième couches 12. L’échauffement dans chaque couche dépend de la densité de courant en chaque point desdites couches 11, 12. L’électrode inférieure 13 traversante, telle qu’illustrée sur les , , et , concentre le courant électrique au niveau du point de contact entre ladite électrode inférieure13 et une première couche 11 et plus particulièrement au niveau d’une portion centrale 111 d’une première couche 11. La densité de courant est concentrée au niveau de la portion centrale 111 et au voisinage de cette portion 111. Les courbes d’iso-densité peuvent présenter une forme sensiblement hémisphérique à partir de l’électrode inférieure 13. La densité de courant, lorsqu’elle dépasse une densité critique, provoque la fusion des matériaux et crée un volume de matériaux fondus. L’interface entre les milieux solides et le milieu liquide (c’est-à-dire la surface du volume de matériau fondu) suit également les courbes d’iso-densité et peut également montrer une forme sensiblement hémisphérique à partir de l’électrode inférieure 13.
Selon l’amplitude du courant appliqué entre les électrodes inférieure et supérieure 13, 14, la surface du volume de matériaux fondus peut atteindre la deuxième couche 12. Une partie des atomes de titane du matériau à base de titane se combine alors avec le matériau à changement de phase pour former le deuxième matériau à changement de phase, présentant des propriétés électriques différentes du premier matériau à changement de phase. La solidification du volume de matériau fondu (par exemple, suite à l’arrêt du courant) finalise la formation de la région active 20 telle qu’illustrée aux et .
La représente schématiquement, selon une vue en coupe, un premier mode de réalisation la mémoire résistive non-initialisée 1. Dans ce mode de réalisation, la mémoire 1 ne comprend qu’une première couche 11 et une deuxième couche 12. Les première et deuxième électrodes 13, 14 sont séparées par la première couche 11 et la deuxième couche 12. La première couche 11 est en contact avec la première électrode 13 et est électriquement reliée à cette dernière. La deuxième couche 12 est au contact de la première couche 11 et est reliée électriquement à cette dernière. La deuxième électrode 14 est au contact de la deuxième couche 12 et est reliée électriquement à cette dernière. Les première et deuxième électrodes 13, 14 ainsi que les première et deuxième couches 11, 12 sont donc reliées électriquement en série de sorte qu’un courant électrique puisse circuler entre les deux électrodes 13, 14 et à travers les première et deuxièmes couches 11, 12.
La première couche 11 s’étend par exemple sur un substrat isolant S, comprenant par exemple un matériau diélectrique. Le plan des couches P correspond alors à la surface du substrat isolant S. La première couche 11 présente une épaisseur A pouvant être comprise entre 0,5 nm et 20 nm. L’épaisseur A de la première couche se mesure perpendiculairement au plan des couches P. La deuxième couche 12 s’étend sur la première couche 11, c’est à dire parallèlement au plan des couches P. La deuxième couche 12 présente une épaisseur B, mesurée perpendiculairement au plan des couches P. Elle peut être comprise entre 10 nm et 200 nm. L’épaisseur B de la deuxième couche 12 est avantageusement supérieure à l’épaisseur A de la première couche 11 et préférentiellement supérieure à quatre fois, voire vingt fois, l’épaisseur A de la première couche 11.
Il est judicieux de garantir une épaisseur B de la deuxième couche qui soit suffisamment importante pour garantir une isolation thermique suffisante au niveau de la deuxième électrode 14. Une bonne isolation permet de réduire l’amplitude du courant nécessaire pour programmer la mémoire 1. Une épaisseur B de la deuxième couche d’environ 50 nm permet d’obtenir une isolation suffisante. En revanche, il est préférable d’éviter que cette épaisseur B soit trop importante car elle peut rendre difficile l’intégration de la mémoire 1.