INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
La représente un émetteur-récepteur optique 700 à multiplexage par répartition en longueur d’onde à voies multiples, selon certains modes de réalisation à titre d’exemple. Dans le mode de réalisation illustré, l’émetteur-récepteur optique 700 comprend une structure d’émetteur photonique intégrée 705 et une structure de récepteur photonique intégrée 710. Selon certains de modes de réalisation à titre d’exemple, la structure d’émetteur photonique intégrée 705 et la structure de récepteur photonique intégrée 710 sont des composants optiques à titre d’exemple fabriqués comme un dispositif PIC, tel que le PIC 820 de la , discuté ci-dessous. La structure d’émetteur photonique intégrée 705 est un exemple d’un émetteur à multiplexage par répartition dense en longueur d’onde (DWDM) ayant une pluralité de voies (voies d’émetteur 1-N) dans lesquelles chaque voie gère une longueur d’onde de lumière différente. La structure de récepteur photonique intégrée 710 est un exemple d’un récepteur à DWDM qui reçoit une lumière à DWDM (par ex., provenant d’un réseau optique ou provenant de la structure d’émetteur photonique intégré 705 en mode boucle). La structure de récepteur photonique intégrée 710 peut recevoir et traiter une lumière par le filtrage, l’amplification et la conversion de celle-ci en un signal électrique à l’aide de composants tels que des multiplexeurs, des amplificateurs optiques à semi-conducteurs (SOA) et un ou plusieurs détecteurs tels que des photodétecteurs (par ex., des photodiodes).
La représente une vue latérale d’un dispositif optique-électrique 800 comportant un ou plusieurs dispositifs optiques, selon certains de modes de réalisation à titre d’exemple. Selon le mode de réalisation illustré, le dispositif optique-électrique 800 est représenté comme comportant un substrat de carte de circuit imprimé (PCB) 805, un substrat organique 860, un circuit intégré spécifique à une application 815 (ASIC) et un PIC 820.
Selon certains modes de réalisation à titre d’exemple, le PIC 820 comporte des dispositifs à base de silicium sur isolant (SOI) ou de silicium (par ex., de nitrure de silicium (SiN)), ou peut comprendre des dispositifs formés à partir à la fois de silicium et d’un matériau sans silicium. Ledit matériau sans silicium (appelé en variante « matériau hétérogène ») peut comprendre l’un parmi un matériau III-V, un matériau magnéto-optique (MO) ou un matériau de substrat cristallin. Les semi-conducteurs III-V possèdent des éléments qui se trouvent dans le groupe III et le groupe V du tableau périodique (par ex., l’arséniure-phosphure d’indium-gallium (InGaAsP), l’arséniure-nitrure de gallium-indium (GaInAsN), l’arséniure d’aluminium-indium-gallium (AlInGaAs)). Les effets de dispersion des porteurs des matériaux à base de III-V peuvent être significativement plus élevés que dans les matériaux à base de silicium, car la vitesse des électrons dans les semi-conducteurs III-V est bien plus rapide que celle dans le silicium. De plus, les matériaux III-V possèdent une bande interdite directe, qui permet une création efficace de lumière par pompage électrique. Ainsi, les matériaux semi-conducteurs III-V permettent des opérations photoniques avec une efficacité accrue par rapport au silicium pour à la fois générer de la lumière et moduler l’indice de réfraction de lumière. Ainsi, les matériaux semi-conducteurs III-V permettent une opération photonique avec une efficacité accrue lors d’une génération de lumière à partir d’électricité et d’une conversion de lumière en retour en électricité.
Les oxydes de silicium à faible perte optique et de haute qualité sont ainsi combinés avec l’efficacité électro-optique des semi-conducteurs III-V dans les dispositifs optiques hétérogènes décrits ci-dessous ; dans les modes de réalisation de la divulgation, lesdits dispositifs hétérogènes utilisent des transitions de guides d’ondes optiques hétérogènes à faible perte entre les guides d’ondes hétérogènes et uniquement en silicium des dispositifs.
Les matériaux MO permettent à des PIC hétérogènes de fonctionner sur la base de l’effet MO. De tels dispositifs peuvent utiliser l’effet Faraday, dans lequel le champ magnétique associé à un signal électrique module un faisceau optique, offrant une modulation à bande passante élevée, et met en rotation le champ électrique du mode optique, permettant des isolateurs optiques. Lesdits matériaux MO peuvent comprendre, par exemple, des matériaux tels que le fer, le cobalt ou le grenat d’yttrium et de fer (YIG). En outre, selon certains modes de réalisation à titre d’exemple, des matériaux de substrat cristallin fournissent des PIC hétérogènes dotés d’un couplage électromécanique élevé, d’un coefficient électro-optique linéaire, d’une faible perte de transmission et de propriétés physiques et chimiques stables. Lesdits matériaux de substrat cristallin peuvent comprendre, par exemple, du niobate de lithium (LiNbO3) ou du tantalate de lithium (LiTaO3).
Dans l’exemple illustré, le PIC 820 échange de la lumière avec une source de lumière externe 825 via une fibre optique 821, dans une configuration à puce retournée où un côté supérieur du PIC 820 est relié au substrat organique 860 et de la lumière se propage vers l’extérieur (ou vers l’intérieur) à partir d’un côté inférieur du PIC 820 tournant le dos (par ex., vers un coupleur), selon certains modes de réalisation à titre d’exemple. La fibre optique 821 peut se coupler au PIC 820 à l’aide d’un prisme, d’un réseau ou d’une lentille, selon certains modes de réalisation à titre d’exemple. Les composants optiques du PIC 820 (par ex., les modulateurs optiques, les commutateurs optiques) sont commandés, au moins en partie, par une circuiterie de commande comprise dans un ASIC 815. À la fois l’ASIC 815 et le PIC 820 sont représentés comme étant disposés sur des piliers en cuivre 814, qui sont utilisés pour coupler en communication les PIC via le substrat organique 860. Un substrat de PCB 805 est couplé à un substrat organique 860 via une interconnexion 816 par boîtier matriciel à billes (BGA) et peut être utilisé pour interconnecter le substrat organique 860 (et ainsi, l’ASIC 815 et le PIC 820) avec d’autres composants du dispositif optique-électrique 800 non représentés (par ex., des modules d’interconnexion, des alimentations électriques, etc.).
Comme discuté ci-dessus, tandis que les lasers à DFB peuvent posséder des réseaux fabriqués dans le guide d’ondes en silicium, le traitement utilise un équipement de lithographie spécialisé pour générer un motif de réseau doté de dimensions suffisamment petites. Toutefois, les fonderies de silicium peuvent ne pas posséder de capacités de lithographie pour la fabrication de réseaux et généralement cela requiert de lourds investissements en capitaux dans un équipement supplémentaire (par ex., un équipement de lithographie par UV profonds). En outre, le temps de développement du processus de réseau en Si peut être significatif, et la répétabilité médiocre du processus reste problématique. En outre, le déplacement des tranches de production hors de la fonderie de Si pour effectuer l’étape de réseau ailleurs augmente le temps de cycle et le risque de contamination.
Selon certains de modes de réalisation à titre d’exemple, les réseaux sont formés dans la structure III-V à l’aide d’une croissance par épitaxie III-V, et facultativement d’une remise en croissance. Selon certains de modes de réalisation à titre d’exemple, la structure épitaxiale III-V est d’abord mise en croissance à mi-chemin, puis le réseau est modelé et gravé, et la structure laser est finalisée par remise en croissance pour incorporer le réseau à l’intérieur des matériaux. Selon certains de modes de réalisation à titre d’exemple, le III-V est mis en croissance selon les spécifications et un réseau de surface supérieure est gravé et aucune remise en croissance ne survient (par ex., la puce épitaxiale III-V est liée par puce retournée au SOI à l’aide de la surface supérieure de sorte que le mode soit couplé de manière adiabatique aux guides d’ondes en silicium dans le SOI). Un avantage de la formation de réseaux à DFB dans la structure III-V est qu’elle parallélise les processus de fabrication entre les fonderies : par exemple, entre une installation de fabrication III-V qui produit la structure de réseau III-V en parallèle avec une installation de fabrication de tranches de silicium pour achever le traitement amont de tranche de silicium. En outre, une DFB dotée du réseau dans la structure III-V évite des étapes de processus additionnelles dans la fonderie de silicium au-delà du déroulement du processus SiPh existant (par ex., utilisées pour concevoir la tranche de silicium). De cette manière, de nombreuses fonderies de Si peuvent être plus aisément utilisées pour la fabrication d’un laser à DFB avec des processus de liaison de tranche. Par exemple, une fonderie SiPh donnée peut être configurée pour une épaisseur de silicium de 500 nm dans la tranche de SOI, tandis que d’autres fonderies SiPh peuvent être configurées pour une épaisseur de silicium de 220 nm ; cependant, il peut être difficile ou impossible de former des réseaux lorsque le silicium est aussi fin que 220 nm. Ainsi, la formation du réseau dans une structure III-V permet aux processus de conception et de fabrication de devenir insensibles à l’épaisseur de SOI, ce qui nous permet de mettre en œuvre ce concept sur une quelconque structure de SOI comportant 220 nm de Si.
Les Figures 9A et 9B représentent une approche pour la formation d’un ou de plusieurs lasers à DFB symétriques ayant des réseaux III-V verticaux, selon certains modes de réalisation à titre d’exemple. Sur la , une structure III-V 900 est partiellement mise en croissance. Par exemple, une tranche III-V comprenant une ou plusieurs couches d’InP, GaAs, AlAs ou InAs est partiellement mise en croissance (par ex., mise en croissance à l’aide d’un traitement de fabrication par croissance par épitaxie III-V). Selon certains de modes de réalisation à titre d’exemple, les réseaux à DFB sont ensuite modelés sur la structure III-V (par ex. à l’aide d’une nano-impression ou d’une lithographie par faisceau d’électrons). Selon certains de modes de réalisation à titre d’exemple, après que les réseaux à DFB sont modelés sur la structure III-V 900 (par ex., gravés par voie humide et/ou sèche), des couches supplémentaires du III-V sont mises en croissance sur les gravures. Selon d’autres modes de réalisation à titre d’exemple, le réseau est un réseau de surface supérieure et aucune remise en croissance supplémentaire sur les réseaux ne survient ; au lieu de cela, la surface de liaison du réseau de surface supérieure est liée à la tranche de silicium, comme discuté plus en détail ci-dessous.
La représente une structure III-V gravée 925 à titre d’exemple (par ex., ou un réseau incorporé sur lequel une remise en croissance épitaxiale a été appliquée comme illustré sur la , ou une tranche épitaxiale III-V dotée d’un réseau de surface supérieure où la remise en croissance est omise), conformément à certains de modes de réalisation à titre d’exemple. La structure III-V gravée 925 est liée à la structure en silicium (par ex., une tranche en silicium) pour former la structure liée 950 qui comporte une ou plusieurs DFB ayant les réseaux. Selon certains de modes de réalisation à titre d’exemple, avant liaison, une couche diélectrique (par ex., en SiO2, SiN ou Al2O3) est ajoutée sur la surface de la structure III-V gravée 925 pour améliorer la liaison.
Selon certains de modes de réalisation à titre d’exemple, la structure III-V gravée 925 est liée à la structure en silicium à l’aide d’une liaison de tranche assistée par plasma. Par exemple, (1) une tranche épitaxiale III-V est modelée avec des réseaux à DFB et des repères d’alignement pour aligner la structure épitaxiale III-V sur le silicium ; (2) la tranche épitaxiale III-V est montée face vers le bas sur une bande de décollement par UV et le processus d’individualisation est réalisé sur le côté arrière de la tranche épitaxiale III-V pour protéger la surface côté avant (par ex., le réseau de surface supérieure, le côté de liaison) contre les dommages et la contamination ; et (3) chaque puce épitaxiale III-V est liée avec précision avec un SOI cible à l’aide des repères d’alignement de sorte que le réseau et la région active soient disposés sur la largeur étroite du guide d’ondes en silicium et que les effilements du guide d’ondes en silicium soient disposés sous des régions de SOA respectives de la puce III-V.
Selon certains de modes de réalisation à titre d’exemple, la structure III-V gravée 925 est liée à la structure en silicium à l’aide d’une impression par micro-transfert (uTP). Par exemple, (1) une tranche épitaxiale III-V est modelée avec des réseaux à DFB et des repères d’alignement pour aligner la structure épitaxiale III-V sur le silicium ; (2) la tranche épitaxiale III-V est individualisée en puces épitaxiales III-V à l’aide d’un processus de uTP de gravure et d’évidement ; et (3) chaque puce épitaxiale III-V est liée avec précision à un SOI cible à l’aide du processus d’estampage par uTP.
La présente invention concerne également l’utilisation d’une huile de base de viscosité inférieure ou égale à 4 dans une composition lubrifiante pour moteur pour réduire les émissions de particules dudit moteur.
La présente invention concerne également une méthode de réduction de l’émission de particules dans un moteur, de préférence moteur à gaz, à essence, diesel ou encore hybride, comprenant l’utilisation d’une composition lubrifiante comprenant une huile de base de viscosité inférieure ou égale à 4.
La présente invention concerne également une méthode de réduction de l’émission de particules dans un moteur, de préférence moteur à gaz, à essence, diesel ou encore hybride, lubrifié par une composition lubrifiante comprenant l’ajout dans ladite composition lubrifiante d’une huile de base de viscosité inférieure ou égale à 4.
Les particules, l’huile de base et la composition lubrifiante étant telles que définies ci-dessus.
La présente invention couvre tous les véhicules motorisés, notamment les véhicules comprenant un moteur 2-temps ou 4-temps, les moteurs essence, diesel, hybride, gaz.
La présente invention couvre tous les véhicules motorisés, de préférence comprenant au moins un moteur à combustion, notamment les véhicules lourds ou véhicules légers, de préférence les poids lourds.
Exemple 1 : Compositions lubrifiantes Les compositions lubrifiantes suivantes ont été préparées selon le tableau 2 suivant.
Composition de référence (en % par rapport au poids total de la composition) Composition 1 (comparative) (en % par rapport au poids total de la composition) Composition 2 (selon l’invention) (en % par rapport au poids total de la composition) Composition 3 (selon l’invention) (en % par rapport au poids total de la composition) Composition 4 (selon l’invention) (en % par rapport au poids total de la composition) Composition 5 (selon l’invention) (en % par rapport au poids total de la composition) Grade 10W-40 10W-40 5W-30 5W-30 0W-40 0W-30 Paquet additif 21,4 11,3 21,4 11,3 21,4 21,4 Huile de base minérale (groupe III) 76,1 84,5 76 82,8 68,8 73,1 (mélage de deux huiles de base) Viscosité huile de base 6 8 4 4 3 2,9 Polymère butadiène styrène hydrogéné 2,5 4,2 2,6 5,9 9,8 5,5
Les caractéristiques des compositions lubrifiantes sont rassemblées dans le tableau 3 ci-dessous :
Composition de référence Composition 1 (comparative) Composition 2 (selon l’invention) Composition 3 (selon l’invention) Composition 4 (selon l’invention) Composition 5 (selon l’invention) KV 40°C ASTM D445-97 ou ISO3104 (mm 2 /s) 91,57 94,32 56,76 52,45 74,22 50,3 KV 100°C ASTM D445-97 ou ISO 3104 (mm 2 /s) 13,49 13,8 9,747 9,751 13,53 9,674 VI (ISO 3104) 147 149 158 174 188 181 HTHS 150°C CEC L14-90 (mPa.s) 4 3,86 3,14 2,99 3,83 3,85 Noack 1h 250°C CEC L-040-93 (%) 6,5 4,6 12,2 13,6 31,5 32
Exemple 2 : Mesure du nombre de particules émises et du Fuel Eco
Les compositions de l’exemple 1 ont été testées sur cycle WHTC et la quantité de particules présentant une taille supérieure ou égale à 10 nm émises à la fin de chaque cycle a été mesurée.
Les tests moteurs ont été effectués sur des moteurs 6 cylindres en ligne turbocompressé. Les tests sont faits à la même température de départ du moteur. Toutes les autres conditions du banc d'essai ont également été maintenues constantes. L'échantillonnage pour les mesures des gaz d'échappement a été effectué dans les gaz d'échappement bruts avant le système d'échappement mais après les systèmes de traitement. Ainsi, les effets observés sont bien dus à la seule utilisation de la composition lubrifiante et non à un autre critère quelconque comme la température, l’humidité, etc.
La distribution granulométrique a été mesurée en parallèle par un spectromètre à mobilité différentielle Cambustion (DMS500). Il utilise une décharge haute tension pour charger chaque particule proportionnellement à sa surface. Les particules chargées sont introduites dans une section de classification avec un fort champ électrique radial. Ce champ provoque la dérive des particules à travers un flux dans une colonne vers les détecteurs d'électromètre. Les particules sont détectées à différentes distances dans la colonne, en fonction de leur rapport résistance aérodynamique / charge. Les sorties des 22 électromètres sont traitées en temps réel à 10 Hz pour fournir des données spectrales et d'autres mesures.
Selon une autre caractéristique alternative, l’enveloppe interne est en matériau composite.
Selon une autre caractéristique, la bouteille de stockage de gaz résiste à une pression nominale de 7 MPa, et l’enveloppe interne résiste à une pression intérieure maximale de 4 MPa correspondant à 57% de la pression nominale de 7 MPa supportée par la bouteille de stockage de gaz.
Selon une autre caractéristique, la bouteille de stockage de gaz résiste à une pression nominale de 10 MPa, et l’enveloppe interne résiste à une pression intérieure maximale de 5,7 MPa correspondant à 57% de la pression nominale de 10 MPa supportée par la bouteille de stockage de gaz.
Selon une autre caractéristique, la bouteille de stockage de gaz résiste à une pression nominale de 15 MPa, et l’enveloppe interne résiste à une pression intérieure maximale de 8,5 MPa correspondant à 57% de la pression nominale de 15 MPa supportée par la bouteille de stockage de gaz.
Selon une autre caractéristique, l’enveloppe externe comporte des nervures internes et/ou externes.
Selon une autre caractéristique, l’enveloppe interne est réalisée en matière thermoplastique chargée en fibres de renfort, notamment un Polyamide chargé avec au moins 30% de fibre de verre.
Selon une autre caractéristique, l’enveloppe interne comporte un col débouchant hors de l’enveloppe externe, les demi-coques et la ceinture surmoulée de l’enveloppe externe formant un recouvrement étanche de l’enveloppe interne, hors ledit col débouchant hors de l’enveloppe externe.
L’enveloppe interne est alors protégée de l’humidité ambiante et de la corrosion.
L’invention concerne également un procédé de fabrication d’une bouteille de stockage de gaz conçue pour résister à une pression nominale, ledit procédé comportant les étapes suivantes : - on réalise une enveloppe interne présentant une épaisseur lui permettant, en fonction de sa conception et du matériau dont elle est faite, de résister à une pression inférieure ou égale à la pression nominale que supporte la bouteille de stockage de gaz, - on recouvre deux parties distinctes de l’enveloppe interne de deux demi-coques d’une enveloppe externe, à l’exception d’une partie centrale périphérique de l’enveloppe interne, - on surmoule avec un matériau thermoplastique les demi-coques avec des moyens d’assemblage des demi-coques l’une avec l’autre, sous la forme d’une ceinture injectée recouvrant partiellement les demi-coques, l’enveloppe externe comportant ladite ceinture, ladite ceinture surmoulant aussi ladite partie centrale périphérique de l’enveloppe interne.
Selon une autre caractéristique, si l’enveloppe interne présente une épaisseur lui permettant, en fonction de sa conception et du matériau dont elle est faite, de résister à une pression inférieure à la pression nominale que supporte la bouteille de stockage de gaz, on forme une enveloppe externe comportant les demi-coques et les moyens d’assemblage des demi-coques l’une avec l’autre, ladite enveloppe externe présentant une épaisseur telle que, en fonction de sa conception et du matériau dont elle est faite, sa résistance combinée à celle de ladite enveloppe interne permette que la résistance à la pression de l’ensemble des deux enveloppes atteigne au moins ladite résistance à la pression nominale de la bouteille de stockage de gaz.
Selon une autre caractéristique, on réalise le surmoulage des moyens d’assemblage des demi-coques l’une avec l’autre après recouvrement de l’enveloppe interne par les demi-coques en insérant l’enveloppe interne recouverte desdites demi-coques dans un moule d’injection plastique, et en injectant un matériau plastique venant en contact et venant recouvrir la partie centrale périphérique de l’enveloppe interne, ledit matériau plastique injecté venant recouvrir au moins partiellement les deux demi-coques pour les assembler l’une avec l’autre.
D’autre buts et avantages de la présente invention apparaîtront au cours de la description qui va suivre se référant aux dessins ci-joints illustrant des exemples de réalisation et dans lesquels :
est une vue schématique en perspective d’une bouteille de stockage de gaz selon l’invention ;
est une vue schématique en coupe de la bouteille de stockage de gaz de la ;
est une vue schématique en perspective vu de dessous d’une demi-coque supérieure de l’enveloppe externe de la bouteille de stockage de gaz de la , laissant apparaitre partiellement l’intérieur de ladite demi-coque ;
est une vue de détail en perspective selon un autre angle de vue d’une coupe de la demi-coque supérieure de la ;
Le dispositif DR est par exemple configuré pour la mise en œuvre des opérations décrites en regard des figures 6, 7 et 8 et/ou des étapes du procédé décrit en regard de la . Des exemples d’un tel dispositif DR comprennent, sans y être limités, un équipement électronique embarqué tel qu’un ordinateur de bord d’un véhicule, un calculateur électronique tel qu’une UCE (« Unité de Commande Electronique »), un téléphone intelligent, une tablette, un ordinateur portable. Les éléments du dispositif DR, individuellement ou en combinaison, peuvent être intégrés dans un unique circuit intégré, dans plusieurs circuits intégrés, et/ou dans des composants discrets. Le dispositif DR peut être réalisé sous la forme de circuits électroniques ou de modules logiciels (ou informatiques) ou encore d’une combinaison de circuits électroniques et de modules logiciels.
est une vue schématique de détail en perspective vu de dessus de l’intérieur d’une demi-coque inférieure ou supérieure de l’enveloppe externe de la bouteille de stockage de gaz de la .
Cette bouteille de stockage de gaz 1 comporte une enveloppe interne 2 et une enveloppe externe 3, l’enveloppe externe 3 recouvrant au moins partiellement l’enveloppe interne 2. L’enveloppe externe 3 peut recouvrir totalement l’enveloppe interne 2, à un embout d’extrémité près, comme illustré sur les figures. La bouteille de stockage de gaz 1 est considérée posée verticalement sur le sol, comme illustré sur la . Ainsi, en référence à la , le haut de la bouteille de stockage de gaz 1 est en haut de la , le bas de la bouteille de stockage de gaz 1 est en bas de la figure.
L’enveloppe interne 2 présente une forme globalement cylindrique, elle délimite un volume interne V.INT dans lequel au moins un gaz peut être stocké sous pression. L’enveloppe interne 2 est portée par un axe longitudinal AA’ qui est confondu avec un axe de révolution de la forme cylindrique de l’enveloppe interne 2, selon une direction verticale. L’enveloppe interne 2 comporte un col 20 en partie haute, sur lequel peut venir se monter un robinet ou des moyens d’évacuation du gaz contenu dans la bouteille de stockage de gaz 1. L’enveloppe interne 2 comporte également un fond 21 en partie basse. L’enveloppe interne 2 comporte en outre une partie centrale périphérique 22.