INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Le système de poussette selon l’invention comprend en outre un poussoir 30 monté sur le châssis 6 et muni à une extrémité supérieure d’une poignée 12 pour tenir et pousser le système de poussette.
La longueur du poussoir 30 est réglable (par exemple étant télescopique) entre une position haute correspondant à la configuration déployée en poussette et une position basse correspondant à la configuration pliée en siège-vélo dans laquelle il forme une retenue mécanique arrière pour le dossier du siège vélo.
Le système de poussette selon l’invention comprend encore une poignée avant (non représentée sur les figures) positionnée à l’avant du châssis, entre les jambes de l’enfant, et une poignée arrière 31 positionnée à l’arrière du dossier de l’assisse. Ces poignées permettent d’assurer un portage du système de poussette, notamment lorsqu’il s’agit de le charger ou de le décharger d’un porte-vélo.
Le système de poussette selon l’invention comprend encore un dispositif de verrouillage du train de roues avant dans sa position déployée et dans sa position pliée.
Dans le mode de réalisation représenté sur les figures 3A et 3B, le dispositif de verrouillage du train de roues avant comprend un pion d’indexation principal 32 qui est mobile manuellement entre deux positions de verrouillage dans lesquelles il vient se loger dans des réceptacles 34, 34’ positionnés sur l’un des côtés du châssis 4 (figures 3A et 3B), et une position de déverrouillage dans laquelle il est rétracté hors des réceptacles du châssis.
T : Température de l’air préchauffé entrant dans l’atomiseur °C.
MVNT : Masse volumique apparente non tassée.
H : % massique de l’humidité résiduelle.
S : Surface spécifique apparente, BET m 2 /g.
G : Distribution granulométrique D v 10/D v 50/D v 90 en µm.
Les 4 échantillons de poudre P1 à P4 obtenus à l’issue de l’atomisation sont par la suite traités dans une étuve sous vide pour éliminer l’humidité résiduelle.
Les formulations de cet exemple sous forme de poudres sont utilisées directement dans la formulation d’électrode de type Cathode NMC, comme décrit dans l’exemple 2.
Toutes les formulations obtenues dans cet exemple ont une masse volumique apparente beaucoup plus faible par rapport au agrégats broyés solides de l’exemple 3 (P0). P2, P3 et P4 présentent des surfaces spécifiques apparentes supérieures à P0 et à P1.
Exemple 5 : Réalisation des encres pour cathodes et évaluation des cathodes avec les poudres nanotubes de carbone P1 à P4 et l’échantillon P0 de l’exemple 3.
Deux méthodes sont utilisées pour faire la cathode de la formulation décrit dans l’exemple 2.
Méthode 1 : La formulation est identique à la méthode de l’exemple 2, mais en utilisant les poudres P0 à P4 à la place de la dispersion Dref de l’exemple 1.
NMC 622, PVDF Kynar HSV8010 et les poudre P0 à P4 ont été pré mélangées à sec dans un mélangeur planétaire puis dans un mélangeur à disque pendant 40 min à 50°C. La N-méthyl pyrrolidone a été rajoutée progressivement pour maintenir la viscosité des encres pour cathodes obtenues dans les valeurs 6000-10000 Centipoises.
Méthode 2 : Avec cette méthode , on fabrique la pâte pour cathode selon la méthode originale d’extrusion à partir des produits secs P0 granulés broyés, P1 à P4 poudre obtenues par atomisation ainsi que les matières actives et le liant PVDF. Dans ce cas la Dref liquide ne peut pas être utilisée. Le mélange NMC 622, PVDF Kynar HSV8010 est extrudé successivement avec les poudres P0 à P4 à l’aide d’une micro-extrudeuse commercialisée par la société DSM. On introduit de la NMP puis les poudres P conjointement au mélange NMC 622, PVDF Kynar HSV8010. La NMP est ajoutée au mélange solide et ajustée de sorte à obtenir des viscosités des encres obtenues comprises entre 6000 et 10000 Centipoises et sont utilisées pour la réalisation des électrodes comme décrit dans l’exemple 2.
On suit les étapes suivantes identiques pour les poudres P0 à P4 :
– Introduction de 9,35 mL de NMP dans l’extrudeuse, préchauffée à 50°C ; une
fois la NMP introduite, la vitesse de vis est augmentée à 240 rpm ;
La transformation des bactéries est réalisée par insertion de la séquence nucléique adéquate à l'aide d'un vecteur convenable. Une technique consiste à faire pénétrer dans le cytoplasme bactérien un plasmide comportant une séquence nucléique apte à coder le polypeptide désiré. Une autre technique repose sur l'insertion d'une séquence nucléique dans le génome bactérien lui-même. Ces techniques et d'autres, sont connues dans le domaine des biotechnologies cellulaires, et seront mises en œuvre sans difficulté par une personne qualifiée dans le domaine concerné.
Une fois transformé, chaque variant est mis en culture pour la production de biomasse, puis utilisé immédiatement ou conservé. Il est commode de produire une série de bactéries aptes à exprimer différentes d'enzymes, de manière à disposer d'autant de modules pour construire des schémas réactionnels pouvant être mis en œuvre par le procédé selon l'invention. On pourra ainsi puiser dans cette banque cellulaire pour préparer à façon le mélange réactionnel désiré à l'étape a) du procédé selon l'invention.
Une fois que le mélange réactionnel est préparé dans le milieu convenable, on laisse les réactions se dérouler. Cette façon de procéder correspond à un mode de production discontinu (en batch). A noter qu'une production en mode continu ou semi-continu est tout à fait possible aussi comme il sera exposé plus loin. La chaine réactionnelle s'interrompt spontanément lorsque le substrat organique initial est épuisé. Le composé d'intérêt synthétisé se trouve pour l'essentiel excrété sous forme solubilisée dans le milieu aqueux. Selon le schéma réactionnel adopté, le composé sera constitué par l'un des produits P1, P2, …, Pn obtenu dans l'une ou l'autre des réactions du schéma réactionnel. Après séparation de la biomasse, on pourra alors le récupérer aisément dans le surnageant, dont la composition est simple comparée à celle résultant des autres techniques connues jusqu'à présent.
Selon un mode de réalisation particulier de l'invention, le procédé peut utiliser deux modules cellulaires, dont le premier transforme le substrat organique initial, et le second utilise le produit de la première réaction pour donner un deuxième produit, que l'on peut séparer du milieu pour obtenir le composé désiré. Dans ce cas, le mélange réactionnel comprend une bactérie exprimant une première enzyme E1 apte à catalyser la première réaction R1 à partir dudit substrat organique pour fournir un premier produit P1, et une bactérie exprimant une deuxième enzyme E2 apte à catalyser une deuxième réaction R2 à partir dudit premier produit P1, pour former un deuxième produit P2, lequel est récupéré à l'étape c) en tant que composé d'intérêt.
Cette modalité peut être le début d'un schéma réactionnel plus étendu, auquel cas le deuxième produit peut être à son tour consommé en tant que substrat d'une réaction en aval. Dans un tel schéma réactionnel étendu, le mélange réactionnel comprend en outre au moins une bactérie exprimant une enzyme E3, …, En, apte à catalyser une réaction R3, …, Rn, à partir d'un produit Pn-1 obtenu par une réaction Rn-1, pour fournir un produit Pn, lequel est récupéré à l'étape c) en tant que composé d'intérêt ou est consommé en tant que substrat d'une réaction Rn+1.
Lorsqu'un cofacteur est requis pour effectuer la première réaction, on introduit celui-ci à l'étape a) dans le milieu réactionnel. Le premier module cellulaire est choisi pour transformer de substrat organique initial et ce cofacteur (dit premier cofacteur CoF1), et le second module va utiliser soit le produit P1 de la première réaction, pour donner un deuxième produit P2, soit le coproduit CoP1 de la première réaction pour donner un deuxième coproduit CoP2. Le produit P2 peut être séparé du milieu pour obtenir le composé désiré, ou bien impliqué en tant que substrat dans une réaction en aval d'un schéma réactionnel plus étendu. Selon une modalité particulière, le coproduit CoP2 peut également être impliqué en tant que substrat d'une autre réaction.
Ainsi, conformément à un mode de réalisation du procédé selon l'invention, le mélange réactionnel comprend un cofacteur CoF1 dudit substrat organique, une bactérie exprimant une enzyme E1 apte à catalyser une première réaction R1 à partir dudit substrat organique et du cofacteur CoF1 pour former un premier produit P1 et un premier coproduit CoP1 ; et une bactérie exprimant une deuxième enzyme E2 apte à catalyser une deuxième réaction R2 à partir du premier produit P1 pour former un deuxième produit P2, ou à partir du premier coproduit CoP1 pour former un deuxième coproduit CoP2, l'un des deux au moins étant consommé dans une troisième réaction, ou récupéré à l'étape c) en tant que composé d'intérêt. On comprend que l'expression "troisième réaction" désigne ici l'une quelconque des réactions pouvant avoir lieu en aval de la réaction visée.
Lorsque le schéma réactionnel est plus étendu, le mécanisme ci-dessus peut être généralisé. En effet, chacune des réactions Rn d'un schéma réactionnel peut mettre en œuvre un cofacteur CoFn réagissant avec le produit Pn-1 généré par la réaction Rn-1 en amont sous l'effet d'une enzyme En. Un produit Pn et un coproduit CoPn sont alors formés. Le coproduit CoPn peut ensuite être utilisé comme cofacteur CoFn+1 d'une réaction Rn+1 en aval. De son côté, le produit Pn peut être utilisé comme substrat d'une (autre) réaction Rn+1 en aval, à moins qu'il ne soit le composé d'intérêt que l'on cherche à obtenir. Cette modalité peut être généralisée à l'un ou plusieurs des modules impliqués.
C'est pourquoi, selon un mode de réalisation du procédé objet de l'invention, le mélange réactionnel comprend au moins un cofacteur CoFn, au moins une bactérie exprimant d'une enzyme En apte à catalyser une réaction Rn à partir du produit Pn-1 d'une réaction Rn-1 et dudit cofacteur CoFn pour former un produit Pn et un coproduit CoPn, l'un des deux au moins étant consommé dans une réaction Rn+1, ou récupéré à l'étape c) en tant que composé d'intérêt.
On l'a vu, une réaction Rn du schéma réactionnel peut utiliser en tant que substrat un cofacteur, qui est généralement un coproduit généré par une réaction en amont. Il convient dans ce cas que soit présent à ses côtés un autre composé, dit "substrat complémentaire", qui va donner un produit complémentaire à l'issu de la réaction Rn. Ce dernier peut ne pas être utile dans la suite du schéma réactionnel et s'accumuler dans le milieu. C'est pourquoi, selon une caractéristique du procédé objet de l'invention, le mélange réactionnel peut comprendre en outre au moins un substrat complémentaire SCn dudit au moins un cofacteur CoFn.
Dans le procédé selon l'invention, ledit au moins un cofacteur CoFn peut être introduit en totalité ou en partie dans le mélange réactionnel à l'étape a), ou durant l'étape b). Il est en effet parfois préférable d'ajouter un cofacteur CoFn n'intervenant pas dans les premières étapes du schéma réactionnel, seulement quand le produit Pn devant réagir avec ledit cofacteur CoFn est présent dans le milieu en quantité significative. La cinétique réactionnelle est ainsi prise en compte pour optimiser la production du composé d'intérêt.
Par ailleurs, lorsqu'un cofacteur est nécessaire à une première réaction, il est particulièrement avantageux qu'une seconde réaction (réaction en aval) permette sa régénération. En effet, les cofacteurs sont des composés onéreux qui impactent directement les coûts de production. Un schéma réactionnel a été imaginé pour répondre à cet objectif, dans lequel la seconde réaction consomme le coproduit issu de la première réaction en tant que cofacteur dans la deuxième réaction, pour reformer le cofacteur initial. Ce faisant, il convient d'apporter un substrat complémentaire de la deuxième réaction, qu'on choisira de sorte qu'il ait un prix de revient modéré. Au terme de la deuxième réaction, un second produit est formé qui peut présenter un intérêt ou pas, mais surtout le cofacteur de la première réaction est régénéré.
Ainsi dans un mode de réalisation particulièrement intéressant du procédé selon la présente invention, ledit au moins un cofacteur CoFn est formé au moins en partie dans le mélange réactionnel par une réaction Rn-1 catalysée par une enzyme En-1 apte à former un produit Pn-1 et un coproduit CoPn-1, ledit coproduit CoPn-1 étant identique au cofacteur CoFn.
Il est cependant préférable d'apporter une certaine quantité de ce cofacteur dans le milieu, afin d'initier le processus jusqu'à ce que la régénération du cofacteur soit suffisante pour assurer un apport continu dudit cofacteur. Or, il est apparu qu'une quantité minime suffit pour amorcer le cycle des réactions. La quantité du cofacteur qu'il est nécessaire d'introduire dans le mélange réactionnel pour un déroulement complet de la réaction concernée est alors significativement minorée par rapport à la quantité du substrat correspondant avec lequel il doit réagir. Elle peut être au moins 20 fois inférieure, mais de préférence au moins 100 fois inférieure, de manière encore préféré d'au moins 500 fois inférieure, et encore mieux d'au moins 1000 fois inférieure. A noter que certains cofacteurs synthétisés dans le cytoplasme cellulaire, tels que l'ATP par exemple, peuvent être présents dans l'espace périplasmique en quantité certes faible, mais suffisante.
Ainsi dans ce cadre, selon l'invention, la quantité du premier cofacteur CoF1 introduite dans le mélange réactionnel à l'étape a) correspond à une concentration molaire au moins 20 fois inférieure à la concentration molaire initiale dudit substrat organique.
Comme indiqué précédemment, le substrat organique initial peut être de nature diverse, incluant toute sorte de molécules carbonées. Le procédé a en particulier démontré son efficacité pour transformer des hydrates de carbone communs (sucres) tels que le glucose, le fructose, le glycérol, ou autres, en des composés d'intérêt tels que des sucres rares notamment des sucres phosphorylés, des isomères particuliers de sucres rares, du dihydroxyacétone et d'autres molécules recherchées pour donner accès à d'importantes voies de synthèse. D'autres composés organiques peuvent constituer le substrat de départ, parmi lesquels les aldéhydes, les alcools, les acides organiques, les carbamates, les hydrocarbures, les acides aminés. A titre d'exemple peuvent être cités le glyoxal fournissant du glycolaldéhyde, ou encore la L-phénylalanine point de départ de production du 2-phényléthanol. Le substrat organique peut aussi être par extension, un composé comprenant un unique atome de carbone, tel que le dioxyde carbone.
Chaque commutateur primaire 22 est également appelé interrupteur primaire. Chaque commutateur primaire 22 est par exemple réalisé sous forme d’un transistor 26.
Le commutateur secondaire 24 est de manière analogue également appelé interrupteur secondaire. Le commutateur secondaire 24 est par exemple réalisé sous forme du transistor 26.
Chaque commutateur 22, 24 comporte, comme connu en soi, deux électrodes de conduction 27 et une électrode de commande 28.
Le transistor 26 est typiquement un transistor à effet de champ, également appelé FET (de l’anglais Field Effect Transistor ). Le transistor à effet de champ est, par exemple, un transistor à effet de champ à grille isolée, également appelé MOSFET (de l’anglais Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) . En variante, le transistor à effet de champ est un transistor à effet de champ à jonction, également appelé JFET (de l’anglais Junction Field Effect Transistor ) ; un transistor à effet de champ avec une grille métallique, également appelé MESFET (de l’anglais MEtal Semiconductor Field Effect Transistor ) ;un transistor à effet de champ à haute mobilité d’électrons, également appelé MODFET (de l’anglais MO dulated- D oping Field Effect Transistor ) ou HEMT (de l’anglais High Electron Mobility Transistor ) ; un transistor à effet de champ organique, également appelé OFET (de l’anglais Organic Field Effect Transistor ) ; un transistor CNFET (de l’anglais Carbon Nanotube Field Effect Transistor ) ; un transistor EOSFET (de l’anglais Electrolyte Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ) ; un transistor CMOS (de l’anglais Complementary Metal Oxide Semiconductor ) ; un transistor FDSOI (de l’anglais Fully Depleted Silicon On Insulator ) ; un transistor FinFET (de l’anglais Fin Field-Effect Transistor ) ; ou encore un transistor ISFET (de l’anglais Ion Sensitive Field Effect Transistor ).
Lorsque le transistor 26 est un transistor à effet de champ, les électrodes de conduction 27 sont, comme connu en soi, des électrodes de source S et de drain D, l’électrode de commande 28 étant une électrode de grille G.
Dans l’exemple de la , le transistor 26 formant le commutateur primaire 22 d’une première sous-cellule 25 connectée directement à la première borne principale 12 est connecté par son électrode de source S à ladite première borne principale 12 et par son électrode de drain D à la sous-cellule 25 suivante, en particulier à l’électrode de source S du transistor 26 formant le commutateur primaire 22 de ladite sous-cellule 25 suivante. Le transistor 26 formant le commutateur primaire 22 d’une sous-cellule 25 respective de la série est connecté par son électrode de source S à la sous-cellule 25 précédente, en particulier à l’électrode de drain D du transistor 26 formant le commutateur primaire 22 de ladite sous-cellule 25 précédente ; et respectivement par son électrode de drain D à la sous-cellule 25 suivante, en particulier à l’électrode de source S du transistor 26 formant le commutateur primaire 22 de ladite sous-cellule 25 suivante. Le transistor 26 formant le commutateur primaire 22 de la dernière sous-cellule 25 connectée directement à la deuxième borne principale 14 est connecté par son électrode de source S à la sous-cellule 25 précédente, en particulier à l’électrode de drain D du transistor 26 formant le commutateur primaire 22 de ladite sous-cellule 25 précédente ; et respectivement par son électrode de drain D à la deuxième borne principale 14. Le transistor 26 formant le commutateur secondaire 24 est connecté par son électrode de source S à la deuxième borne principale 14 et par son électrode de drain D à la borne auxiliaire 16.
En variante, le transistor 26 est un transistor bipolaire ; ou un transistor bipolaire à grille isolée, également appelé IGBT (de l’anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) .
Sur la , un circuit électronique 30 comprend des lignes de valeur 32, des lignes de programmation 34, des lignes de source 36; et un ensemble 40 de cellules mémoire 10, chaque cellule mémoire 10 étant telle que définie ci-dessus.
Pour chaque cellule mémoire 10, l’électrode de commande 28 de chaque commutateur primaire 22 est connectée à une ligne de valeur 32 respective, l’électrode de commande 28 du commutateur secondaire 24 est connectée à une ligne de programmation 34 respective, et la borne auxiliaire 16 est connectée à une ligne de source 36 respective.
En complément, le circuit électronique 30 comprend une ligne de référence 38 à laquelle est appliquée un potentiel de référence VR.
En complément, le circuit électronique 30 comprend un premier contrôleur 42 configuré pour contrôler, c’est-à-dire piloter ou encore commander, chacune des lignes de valeur 32 ; un deuxième contrôleur 44 configuré pour contrôler chacune des lignes de programmation 34 ; et un troisième contrôleur 46 configuré pour contrôler chacune des lignes de source 36, ainsi qu’en complément la ligne de référence 38.
En complément encore, le circuit électronique 30 comprend un dispositif de mesure 50 configuré pour effectuer des mesures représentatives des grandeurs électriques des cellules mémoire 10 de l’ensemble 40, telles que les tensions aux extrémités des memristors 20 desdites cellules mémoire 10.
L’ensemble 40 de cellules mémoire 10 est agencé de sorte à comporter un ou plusieurs sous-ensembles de cellules mémoire 10, où les cellules mémoire 10 sont connectées en série les unes les autres au sein de chaque sous-ensemble respectif.
L’ensemble 40 de cellules mémoire 10 est typiquement agencé sous forme d’une matrice comportant des rangées 52 (de l’anglais row ) et des colonnes 54 (de l’anglais column ). Selon cet agencement, chaque rangée 52 est de préférence disposée horizontalement, et chaque colonne 54 est de préférence disposée verticalement. Les cellules mémoire 10 d’une même rangée 52 sont par exemple connectées à une même ligne de valeur 32 et à une même ligne de source 36, et les cellules mémoire 10 d’une même colonne 54 sont par exemple connectées à une même ligne de programmation 34.
Lorsque l’ensemble 40 est agencé sous forme matricielle, le nombre de rangées 52 est de préférence sensiblement égal au nombre de colonnes 54.
Selon cet agencement, les cellules mémoire 10 d’une même colonne 54 sont connectées en série les unes des autres, chaque colonne 54 comportant une première extrémité 56 connectée au potentiel de référence VR et une deuxième extrémité 58 connectée à un module de mesure 60 respectif. Chaque module de mesure 60 est configuré pour mesurer une tension cumulée des cellules mémoire 10 de la colonne 54 à laquelle il est connecté.
De la même façon, les volets 16 et 17 de la deuxième paire P2 ont été rabattus chacun à angle droit par rapport à la partie principale 12 autour la ligne de pliage L2, dans des directions opposées par rapport à la partie principale, à la main et sans outil, en jouant sur la souplesse des charnières 26 et 27. Les volets 16 et 17 s’étendent de part et d’autre de la partie principale 12, avec le volet 16 rabattu du côté de la face 12A de la partie principale 12 alors que le volet 17 est rabattu du côté de la face 12B de cette partie.
Dans l’agrafe 200 de la , les volets 15 et 16 sont rabattus du même côté de la partie principale, vers la face 12A, alors que les volets 14 et 17 sont rabattus du côté opposé, vers la face 12B. Le positionnement relatif des volets 15 et 16 ne gêne pas l’accès à ces volets, en particulier aux orifices 151 et 161. De la même façon, le positionnement relatif des volets 14 et 17 ne gêne pas l’accès à ces volets, en particulier aux orifices 141 et 171. Cet accès serait moins facile si les volets 15 et 17 étaient rabattus du même côté de la partie principale et les volets 14 et 16 rabattus de l’autre côté. Bien entendu, les volets 14 et 17 pourraient être rabattu du côté de la face 12B, alors que les volets 15 et 16 seraient rabattus du côté de la face 12A. Dans tous les cas, il est avantageux que le volet 15 de la première paire P1, qui est le plus proche d’un point Q d’intersection entre les lignes de pliage L1 et L2, soit rabattu du même côté de la partie principale 12 que le volet 16 de la deuxième paire P2, qui est le plus éloigné de ce point d’intersection, alors que le volet 14 de la première paire P1, qui est le plus éloigné du point d’intersection Q, est rabattu du même côté que le volet 17 de la deuxième paire P2, qui est le plus proche de ce point d’intersection.
D’autre part, les languettes 143, 153, 163 et 173 ont été pliées perpendiculairement aux voiles principaux des volets 14 à 17 auxquels elles sont rattachées, de façon à constituer des crochets d’ancrage de ces volets. Le pliage des languettes 143 à 173 peut, dans ce cas également, être effectué à l’aide d’une autre plaque ou agrafe utilisée comme une clé de pliage.
D’autres positions peuvent être envisagées pour les volets 14, 15, 16 et 17 par rapport à la partie principale 12, ce qui permet de créer d’autres géométries d’agrafe de fixation, adaptées à la position relative des surfaces d’un poteau et d’une jambe de force d’une clôture.
La représente l’utilisation de l’agrafe 100 entre un poteau 400 et une jambe de force 500 réalisés chacun par sciage longitudinal d’un morceau de bois de section ronde, de telle sorte que le poteau 400 et la jambe de force 500 sont chacun à section semi-circulaire.
Les volets 14 et 17 de l’agrafe 100 ont respectivement un appui contre une face longitudinale 402 ou 502 du poteau 400 ou de la jambe de force 500, alors que le volet 15 est en appui contre une surface périphérique 404 du poteau 400 et le volet 16 est en appui contre une surface d’extrémité 504 de la jambe de force 500.