Outre les caractéristiques qui viennent d’être évoquées dans le paragraphe précédent, le procédé d’initialisation selon l’invention peut présenter une ou plusieurs caractéristiques complémentaires parmi les suivantes, considérées individuellement ou selon toutes les combinaisons techniquement possibles : le deuxième matériau à changement de phase présente une concentration de titane, provenant du matériau à base de titane, le courant d’initialisation étant choisi pour contrôler ladite concentration ; ledit procédé comprend une étape de détermination d’un courant d’initialisation minimal associé à une concentration maximale de titane dans le deuxième matériau à changement de phase, ladite concentration maximale de titane dans le deuxième matériau à changement de phase étant strictement inférieure à la concentration du titane dans le matériau à base de titane pur, le courant d’initialisation utilisé lors de l’étape de circulation étant supérieure ou égal au courant d’initialisation minimal ; le courant d’initialisation minimal est supérieur ou égal à un courant de lecture et à un courant de commutation de la mémoire résistive initialisée ; ledit procédé comprend une étape de détermination d’un courant d’initialisation maximal, le courant d’initialisation maximal étant associé à une concentration minimale de titane dans le deuxième matériau à changement de phase, ladite concentration minimale de titane dans le deuxième matériau à changement de phase étant inférieure ou égale à 1/100, le courant d’initialisation utilisé lors de l’étape de circulation étant inférieur ou égal au courant d’initialisation maximal ; la mémoire résistive non-initialisée présente au moins une région active intermédiaire, chaque région active intermédiaire étant disposée entre une première couche et une deuxième couche, chaque région active intermédiaire comprenant au moins un troisième matériau à changement de phase comprenant du titane, le courant d’initialisation circulant également dans chacune des région active intermédiaire, le courant d’initialisation étant dimensionné pour générer également un gradient de température au sein de chaque région active intermédiaire impliquant également la fusion d’une partie au moins du troisième matériau à changement de phase de chaque région active intermédiaire, ladite fusion résultant dans la formation, à partir du premier matériau à changement de phase et du matériau à base de titane et du troisième matériau à changement de phase, d’un deuxième matériau à changement de phase comprenant du titane ; ledit procédé comprend une étape de solidification du deuxième matériau à changement de phase de manière à former au moins une région solide, dite « région active », comprenant une partie au moins du deuxième matériau à changement de phase ; le matériau à base de titane comprend un premier élément, dit « élément porteur », neutre vis-à-vis des propriétés de commutation du premier matériau à changement de phase, l’élément porteur étant préférentiellement du germanium, de l’antimoine ou du tellure ; le matériau à base de titane comprend des impuretés, introduites de manière intentionnelle ou non, pouvant exercer une influence sur les propriétés électroniques du premier matériau à changement de phase, lesdites impuretés étant avantageusement du carbone ou de l’azote ; le matériau à base de titane est choisi de sorte que la fusion d’une partie au moins de chaque première couche dissocie également une partie au moins des constituants dudit matériau à base de titane ; par dissocier, on entend que la liaison chimique d’une partie des constituants dudit matériau peut être rompue ; la dissociation des constituants dudit matériau à base de titane peut également être obtenue par l’échauffement dudit matériau au moyen d’une impulsion électrique présentant préférentiellement une intensité inférieure à 100 mA, voire inférieure à 10 mA et de manière encore préférée, inférieure ou égale à 5 mA ; l’impulsion électrique présentant préférentiellement une durée inférieure à 10 µs, voire inférieure à 1 µs et de manière encore préférée inférieure à 500 ns ; le matériau à base de titane présente une résistivité inférieure à 1000 µΩ·cm et préférentiellement inférieure ou égale à 700 µΩ·cm ; le premier matériau à changement de phase comprend une concentration de titane inférieure à la concentration de titane du matériau à base de titane pur, le premier matériau à changement de phase comprenant une concentration de titane préférentiellement nulle ; le matériau à base de titane comprend une concentration en titane telle qu’un traitement thermique dudit matériau à une température inférieure ou égale à 400 °C modifie sa résistivité de moins de 70 %, voire de moins de 40 %, la concentration en titane étant préférentiellement comprise entre 25 % et 65 %, voire entre 40 % et 50 %, par exemple égale à 45 % ; le premier matériau à changement de phase est un alliage, préférentiellement stœchiométrique ; par alliage stœchiométrique, on entend que les coefficients stœchiométriques de chaque constituant dudit alliage sont des entiers naturels ; un alliage stœchiométrique est également thermodynamiquement stable et ne donnent pas lieu à une séparation de phases, par exemple pendant un étape de fabrication ou une étape de programmation ; le premier matériau à changement de phase est un alliage binaire ou un alliage ternaire comprenant du germanium, de l’antimoine, du tellure, du gallium ou du sélénium ; ledit premier matériau à changement de phase peut également comprendre des traces, introduites de manière intentionnelle ou non, d’azote, de carbone, de bore, d’oxygène ou encore de silicium ; les premières et deuxièmes couches présentent chacune une température de fusion comprise dans ]400 °C ; 1000 °C] et préférentiellement comprise dans [450 °C ; 700 °C] ; autrement dit, le matériau à base de titane et le premier matériau à changement de phase présentent chacun une température de fusion comprise dans ]400 °C ; 1000 °C[ et préférentiellement comprise dans [450 °C ; 700 °C] ; l’épaisseur de chaque deuxième couche est supérieure à l’épaisseur de chaque première couche et préférentiellement supérieure à quatre fois, voire vingt fois, l’épaisseur de chaque première couche, l’épaisseur de chaque première couche étant préférentiellement comprise entre 0,5 nm et 20 nm et l’épaisseur de chaque deuxième couche étant préférentiellement comprise entre 10 nm et 200 nm ; la mémoire résistive non-initialisée comprend une première électrode et une deuxième électrode, la première électrode étant en contact avec une première couche, la deuxième électrode s’étendant sur une deuxième couche, la première électrode présentant une largeur inférieure à une largeur de chaque première couche, la deuxième électrode présente une largeur supérieure à la largeur de la première électrode ; par en contact, on entend qu’il n’y a pas d’élément intermédiaire entre la première électrode et la première couche en contact ; la mémoire résistive non-initialisée comprend une première électrode, une deuxième électrode, deux deuxièmes couches et une première couche, chacune des deuxièmes couches s’étendant sur une des faces de la première couche, la première électrode étant en contact avec une des deux deuxièmes couches, la deuxième électrode étant en contact avec une autre des deux deuxième couches, les première et deuxième électrodes présentant chacune une largeur supérieure ou égale à la largeur de la première couche; la mémoire résistive comprend une alternance de premières et deuxième couches.