INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Par exemple, la fonction f peut être définie par : , où représente le poids ajusté, et tanh la fonction tangente hyperbolique, ou autre fonction sigmoïde similaire permettant de borner le facteur d’évolution du poids (par exemple à +1/-1 max avec tanh). Le fait de borner le facteur d’évolution du poids dans un intervalle précis permet d’éviter des divergences de valeurs.
La figure 7 représente une source lumineuse pilotable . Elle comporte notamment un module de communication et un contrôleur . Ce contrôleur est configuré pour mettre en œuvre les étapes L10 à L70 décrites en référence à la . La source reçoit en particulier des commandes du dispositif de pilotage par ses moyens de communication et le contrôleur modifie la couleur de la lumière émise par la source à partir des paramètres de cette commande.
À titre d’illustration, des parties de composants optiques couplées optiquement l’une à l’autre sont typiquement des portions de guides d’onde suffisamment proches l’une de l’autre pour qu’au moins 50 % et, de préférence, plus de 80 % de la puissance du signal optique se propageant dans l’un de ces deux guides d’ondes soit transmise à l’autre de ces deux guides d’ondes. Par exemple, un tel couplage optique est un couplage adiabatique tel que décrit en détail dans l’article suivant : B. Ben Bakir et al., « Hybrid Si/III-V lasers with adiabatic coupling », 2011.
Des parties de composants optiques couplées capacitivement l’une à l’autre sont, par exemple, les deux électrodes d’un modulateur de phase et/ou d’amplitude. Un tel modulateur est par exemple divulgué dans la demande US20170237229.
Pour réaliser un tel couplage optique ou capacitif, les deux parties 4 et 6 de composants optiques sont séparées l’une de l’autre par une fine couche diélectrique 8. Une fine couche diélectrique est une couche en matériau diélectrique dont l’épaisseur est inférieure à 250 nm et, typiquement, inférieure à 150 nm. Dans le cas d’un couplage optique, l’épaisseur de la fine couche diélectrique est souvent comprise entre 100 nm et 250 nm ou entre 100 nm et 200 nm. Dans le cas d’un couplage capacitif, l’épaisseur de la fine couche diélectrique est généralement comprise entre 5 nm et 50 nm et le plus souvent comprise entre 5 nm et 30 nm ou entre 5 nm et 20 nm. Pour rester compatible avec l’utilisation d’un substrat SOI standard pour fabriquer la puce photonique 2, la fine couche diélectrique est une fine couche d’oxyde de silicium.
Pour simplifier la et les suivantes, seule une portion de la puce photonique 2 comportant les deux parties 4 et 6 de composants optiques couplées entre elles à travers la fine couche diélectrique 8 est représentée.
Ici, la description est faite dans le cas particulier où les parties 4 et 6 sont, respectivement, l’électrode inférieure et l’électrode supérieure d’un modulateur 10 de phase et/ou d’amplitude du signal optique. Dans ce cas particulier, les parties 4 et 6 de composants optiques sont couplées capacitivement l’une à l’autre. Par exemple, l’architecture du modulateur 10 est identique ou similaire à l’architecture du modulateur décrit dans la demande US20170237229. Ainsi, par la suite, l’architecture précise du modulateur 10 n’est pas décrite en détail. Toutefois, tout ce qui est décrit par la suite dans ce cas particulier s’applique également au cas où les parties 4 et 6 sont couplées l’une à l’autre par l’intermédiaire d’un couplage optique.
Les figures sont orientées par rapport à un repère orthogonal XYZ. Les directions X et Y sont horizontales. La direction X est perpendiculaire au plan de coupe. La direction Z est verticale. Dans ce texte, les termes tels « au-dessus », « au-dessous », « supérieur », « inférieur » sont définis par rapport à la direction Z.
La puce photonique 2 comporte successivement en allant du bas vers le haut :
– un substrat 18 constitué, en allant du bas vers le haut, d’un support 20 et d’une couche 22 en matériau diélectrique,
– une couche 24 de matériau semi-conducteur encapsulé, directement située sur une face supérieure de la couche 22 en matériau diélectrique,
– la fine couche 8 en oxyde de silicium, et
– une couche 26 à l’intérieur de laquelle la partie 6 est encapsulée.
L’épaisseur du support 20 est typiquement supérieure à 200 µm ou 400 µm. Par exemple, le support 20 est réalisé en silicium ou en silicium polycristalin.
La couche 22 est réalisée dans un matériau diélectrique ayant des propriétés optiques et électriques proches ou identiques aux propriétés optiques et électriques de l’oxyde de silicium. Dans cet exemple de réalisation, la couche 22 est une couche en oxyde de silicium. L’épaisseur de la couche 22 est typiquement supérieure à 500 nm ou à 1 µm ou plus. Dans ce texte, un matériau diélectrique est un matériau dont la conductivité électrique à 20°C est inférieure à 10 -7 S/m et, de préférence, inférieure à 10 -9 S/m ou 10 -15 S/m. De plus, son indice de réfraction est inférieure l’indice de réfraction du matériau semi-conducteur encapsulé dans la couche 24.
La couche 24 contient un matériau semi-conducteur 30 dans lequel est réalisée la partie 4 encapsulée dans un matériau 32 d’encapsulation diélectrique. Comme pour la couche 22, le matériau 32 d’encapsulation diélectrique est un matériau diélectrique dont les propriétés optiques et électriques sont proches ou identiques de celles de l’oxyde de silicium. Dans cet exemple, le matériau 32 est de l’oxyde de silicium.
Dans ce mode de réalisation, le matériau semi-conducteur 30 est du silicium monocristallin. Ainsi, la partie 4 est réalisée en silicium monocristallin. Par exemple, l’épaisseur du silicium monocristallin dans la couche 24 est comprise entre 100 nm et 800 nm et, typiquement, entre 300 nm et 500 nm. Toujours dans ce mode de réalisation, la couche 24 comporte aussi des reliquats 34 d’une couche 36 ( ) de masquage utilisée pour structurer le silicium monocristallin afin de réaliser les parties de composants optiques encapsulées à l’intérieur de la couche 24. Ces reliquats 34 sont situés à l’intérieur de la couche 24 et s’étendent chacun le long de l’interface entre les couches 22 et 24. Ici, un tel reliquat 34 sépare l’extrémité inférieure de la partie 4, de la couche 22. La couche 36 de masquage et les reliquats 34 sont réalisés, dans ce mode de réalisation, dans un matériau diélectrique différent de l’oxyde de silicium. Ici, la couche 36 est réalisée en nitrure de silicium.
L’épaisseur des reliquats 34 et de la couche 36 est typiquement trois ou cinq fois inférieure à l’épaisseur de silicium monocristallin 30 encapsulé dans la couche 24. Par exemple, l’épaisseur de la couche 36 est inférieure à 100 nm.
- la réalisation des plots enfoncés comporte, avant la structuration de la couche en matériau semi-conducteur :
- à l'emplacement de chaque plot, la réalisation d'une cavité qui traverse la couche en matériau semi-conducteur et dont le fond s'étend parallèlement à l'interface entre la couche enterrée et la couche en matériau semi-conducteur à la profondeur prédéterminée à l'intérieur de la couche enterrée, puis
- le dépôt d'une couche de masquage qui recouvre la totalité de la couche en matériau semi-conducteur ainsi que le fond de chaque cavité, cette couche de masquage étant réalisée dans un matériau différent de l’oxyde de silicium de la couche enterrée et différent du silicium,
- le remplissage de chaque cavité avec un matériau de remplissage différent du matériau semi-conducteur, puis
- la structuration de la couche en matériau semi-conducteur comporte :
- la gravure de la couche de masquage aux emplacements où la couche de matériau semi-conducteur doit être retirée pour obtenir un masque de gravure, puis
- la gravure de la couche en matériau semi-conducteur à travers le masque de gravure obtenu, cette gravure formant des creux dans la couche en matériau semi-conducteur aux emplacements où le matériau semi-conducteur est gravé.
4) l’épaisseur de la couche de masquage est supérieure à la profondeur prédéterminée.
- le masque de gravure obtenu recouvre au moins dix pourcents de la surface de la couche de matériau semi-conducteur avant qu’elle soit gravée, et
- l’encapsulation de la couche en matériau semi-conducteur comporte :
- le remplissage des creux avec le matériau d’encapsulation diélectrique, puis
- le polissage, avec arrêt sur la couche de masquage, de la face à partir de laquelle les creux ont été remplis avec le matériau d’encapsulation diélectrique pour éliminer le matériau d’encapsulation diélectrique situé en dehors de ces creux.
6) la profondeur prédéterminée est inférieure à 150 nm ou 100 nm.
7) le cumul des surfaces des faces enfouies est supérieur à 10 % de la surface de la couche enterrée.
8) le matériau semi-conducteur est du silicium monocristallin.
- l’amincissement de la couche enterrée comporte une opération d’amincissement de la couche enterrée avec arrêt de cet amincissement dès que la face enfouie des plots est mise à nue.
1) la réalisation des plots enfoncés comporte, avant la structuration de la couche en matériau semi-conducteur :
- l'oxydation de la couche en matériau semi-conducteur pour obtenir une couche d'oxyde thermique qui recouvre la couche en matériau semi-conducteur, puis
- le remplissage de chaque cavité avec un matériau de remplissage différent de l’oxyde de silicium de la couche enterrée, puis
- le polissage, avec arrêt sur la couche d’oxyde thermique, de la face à partir de laquelle les cavités ont été remplies avec le matériau de remplissage pour éliminer le matériau de remplissage situé en dehors de ces cavités.
- le dépôt d'une couche de masquage qui recouvre les plots enfoncés réalisés et la totalité de la couche en matériau semi-conducteur, cette couche de masquage étant réalisée dans un matériau différent du matériau semi-conducteur, puis
- la gravure de la couche de masquage et de l'oxyde de silicium thermique aux emplacements où la couche de matériau semi-conducteur doit être retirée pour obtenir un masque de gravure, puis
- la gravure de la couche en matériau semi-conducteur à travers le masque de gravure obtenu, cette gravure formant des creux dans la couche en matériau semi-conducteur aux emplacements où le matériau semi-conducteur est gravé,
la une représentation schématique d’un exemple d’environnement dans lequel l’invention peut être mise en œuvre ; la et la illustrent la prise en compte par le moteur de traitement de l’agent conversationnel de l’échange de l’utilisateur avec l’agent conversationnel et des interactions de l’utilisateur avec le site Web ; la et la illustrent la mise à jour du contenu du site web par le moteur de traitement de l’agent conversationnel.
La illustre de façon générique une plate-forme 1 qui comporte un site Web 2 et un agent conversationnel 3 associé.
La plate-forme 1 est typiquement mise en œuvre sur un serveur et peut faire appel au contenu de différentes bases de données (BD).
L’accès par l’utilisateur au site Web 2 et à l’agent conversationnel 3 se fait via le réseau internet 4 à partir d’un terminal de communication 5a, 5b qui peut être de tout type : ordinateur, assistant personnel digital, tablette, smartphone etc.
L’agent conversationnel 3 comprend un moteur de traitement du langage externe (NLP LUIS.ai et QnaMaker des Cognitives Services de Microsoft, par exemple) couplé à un service de compréhension de mots clés réalisé via une approche algorithmique.
En fonctionnement, l’utilisateur interagit à la fois avec l’agent conversationnel 3 et avec le site Web 2.
Une interface API 6 gère l’agent conversationnel 3 et le site web 2 et met à jour l’un et l’autre en fonction des interactions de l’utilisateur.
Notamment, au fur et à mesure des interactions de l’utilisateur avec le site web 2, ladite interface API 6 met à jour le dialogue de l’agent conversationnel 3 pour tenir compte non seulement de l’échange de l’utilisateur avec l’agent conversationnel 3, mais également des interactions de l’utilisateur avec le site web 2.
C’est ce qu’illustrent les figures 2 et 3. Dans son analyse (étape 10), le moteur de traitement de l’agent conversationnel 3 prend en compte comme données d’entrée (DE) la dernière interaction avec ledit agent conversationnel 3 (formulation d’une nouvelle requête par l’utilisateur) ou la dernière interaction de l’utilisateur avec le contenu de la page de site web (sélection d’un sous-contenu par action sur un lien dans la page par exemple). En sortie, le moteur de traitement de l’agent conversationnel 3 renvoie à l’utilisateur un message sélectionné dans l’arbre conversationnel (étape 11) en fonction de la dernière interaction (qu’elle soit avec l’agent conversationnel 3 ou avec le site web 2).
Typiquement, dans l’exemple de la , une action de l’utilisateur sur la partie du site Web qui détaille les partenariats de l’entreprise renvoie immédiatement au message [042] et à la branche de l’arbre conversationnel de ce message. Le pop-up affiché à l’utilisateur pour l’agent conversationnel lui donne par exemple le message suivant « Voulez-vous plus d’informations sur nos partenaires ? ».
Ainsi, les interactions avec le site Web sont prises en compte par l’agent conversationnel 3 comme données d’entrée, au même titre que les requêtes formulées directement par l’utilisateur audit agent conversationnel 3.
On notera en particulier que le moteur de traitement de l’agent conversationnel 3 est à cet effet entrainé préalablement avec ces deux types de données d’entrée.
En effet, lors du clic d’un des éléments html de la page, l’agent conversationnel récupère le contenu textuel de la balise à l’aide d’une fonction JavaScript et l’envoie au modèle de prédiction de l’agent. Ce modèle est entraîné sur l’ensemble du vocabulaire du site de telle sorte à ce que soit catégorisé les différents onglets par un couplage d’intentions/entités.
Le modèle interprète donc le clic sur le site comme une phrase envoyée au bot, un dialogue est alors enclenché et le message lié au couple intention/entité appropriée est envoyé.
Un scénario alternatif repose sur le fait de lier, de manière explicite, le contenu du site web avec un scénario dans le bot, en indiquant l’identifiant unique du scénario à déclencher au sein de l’élément HTML de la page correspondant.
Dans le deuxième mode de fonctionnement, ledit élément convertisseur électrique est configuré pour délivrer une tension continue aux bornes des deux condensateurs, ou autrement dit, une tension continue entre lesdits premier et deuxième points de liaison, à partir de la tension alternative entre les première et seconde bornes alternatives du premier convertisseur électrique.
Avantageusement, ledit étage d’adaptation de niveau de tension du premier convertisseur électrique comprend en outre une diode, ladite diode étant connectée dans la ligne principale dudit étage d’adaptation de niveau de tension lorsque ledit premier élément de commutation commandable dudit étage d’adaptation de niveau de tension est connecté dans la ligne secondaire, ladite diode étant connectée dans la ligne secondaire de l’étage d’adaptation de niveau tension lorsque ledit premier élément de commutation commandable dudit étage d’adaptation de niveau de tension est connecté dans la ligne principale. Un tel étage d’adaptation de niveau de tension comprend des composants disponibles dans le commerce et peu coûteux.
Ledit étage d’adaptation de niveau de tension comprend avantageusement un unique élément de commutation commandable, grâce à quoi le contrôle dudit convertisseur électrique est facilité.
Lorsque ladite diode est connectée dans la ligne secondaire et le premier élément de commutation commandable est connecté dans la ligne principale de l’étage d’adaptation de niveau de tension, l’étage d’adaptation de niveau de tension est configuré pour fournir à l’élément convertisseur électrique une tension continue supérieure à la tension entre les bornes continues du convertisseur électrique. Autrement dit, cette configuration correspond au premier mode de fonctionnement, ou encore à une conversion DC/AC, dans lequel le premier convertisseur électrique est configuré pour convertir une tension continue entre ses bornes continues en une tension alternative entre ses bornes alternatives. Autrement dit, l’étage d’adaptation de niveau de tension se comporte alors comme un élévateur de tension.
Lorsque ladite diode est connectée dans la ligne principale et le premier élément de commutation commandable est connecté dans la ligne secondaire, l’étage d’adaptation de niveau de tension, l’étage d’adaptation de niveau de tension est configuré pour délivrer entre les bornes continues du premier convertisseur électrique une tension continue inférieure à la tension fournie par l’élément convertisseur électrique. Autrement dit, cette configuration correspond au deuxième mode de fonctionnement, ou encore à une conversion AC/DC, dans lequel le premier convertisseur électrique est configuré pour convertir une tension alternative entre ses bornes alternative en une tension continues entre ses bornes continues. Autrement dit, l’étage d’adaptation de niveau de tension se comporte alors comme un abaisseur de tension.
De préférence, ledit étage d’adaptation de niveau de tension du premier convertisseur électrique comprend un hacheur parallèle. Un hacheur parallèle est également appelé convertisseur Boost. L’étage d’adaptation de niveau de tension se comporte alors comme un élévateur de tension.
Selon une variante avantageuse, le premier élément de commutation commandable de l’étage d’adaptation de niveau de tension du premier convertisseur électrique est connecté dans la ligne principale, ledit étage d’adaptation de niveau de tension du premier convertisseur électrique comprenant en outre un deuxième élément de commutation commandable connecté dans la ligne secondaire dudit étage d’adaptation de niveau de tension. Dans cette variante, l’étage d’adaptation de niveau de tension est réversible en puissance. L’étage d’adaptation de niveau de tension peut alors se comporter comme un élévateur de tension, apte à fournir à l’élément convertisseur électrique une tension supérieure à la tension entre les bornes continues du premier convertisseur électrique, ce qui correspond au premier mode de fonctionnement. Dans cette variante, l’étage d’adaptation de niveau de tension peut également se comporter comme un abaisseur de tension, apte à délivrer entre les première et seconde bornes continues du premier convertisseur électrique une tension inférieure à la tension fournie par l’élément convertisseur électrique, ce qui correspond au deuxième mode de fonctionnement. Un intérêt est en outre de permettre un contrôle plus efficace de l’étage d’adaptation de niveau de tension en disposant d’un élément de commutation supplémentaire.
De préférence, l’élément convertisseur électrique du premier convertisseur électrique présente une topologie en demi-pont ou en pont complet. Dans la configuration en demi-pont, l’élément convertisseur électrique comprend avantageusement deux éléments de commutation commandables. Dans la configuration en pont complet, l’élément convertisseur électrique comprend avantageusement quatre éléments de commutation commandables.
La topologie en demi-pont présente l’avantage d’être peu coûteuse compte-tenu d’un nombre d’éléments de commutation commandables réduit. En outre, cette topologie permet d’exploiter efficacement les capacités des éléments semi-conducteurs constituant les éléments de commutation commandables. Dans cette topologie, l’élément convertisseur électrique permet de délivrer au premier enroulement primaire du dispositif de transformation d’énergie électrique une tension relativement faible.
La topologie en pont complet présente l’avantage de pouvoir délivrer une puissance de sortie importante, notamment deux fois supérieure à celle d’un élément convertisseur électrique en demi-pont. En outre, cette topologie permet d’exploiter efficacement les capacités des éléments semi-conducteurs constituant les éléments de commutation commandables. Dans cette topologie, l’élément convertisseur électrique permet de délivrer au premier enroulement primaire du dispositif de transformation d’énergie électrique un courant relativement faible.
De manière avantageuse, l’élément convertisseur électrique du premier convertisseur électrique comporte au moins une première boucle comprenant au moins un premier condensateur, un deuxième condensateur, un premier élément de commutation commandable et un deuxième élément de commutation commandable connectés dans ladite première boucle, lesdits premier et deuxième éléments de commutation commandables étant reliés entre eux en un point de connexion formant ladite première borne alternative du premier convertisseur électrique.
Lesdits premier et deuxième condensateurs s’étendent avantageusement entre lesdits premier et deuxième points de liaison reliant l’étage d’adaptation de niveau de tension et l’élément convertisseur électrique.
De préférence, le premier condensateur et le deuxième condensateur de l’élément convertisseur électrique du premier convertisseur électrique sont reliés entre eux en un point intermédiaire formant la deuxième borne alternative dudit premier convertisseur électrique. Cette configuration correspond à une topologie en demi-pont.
Préférentiellement, l’élément convertisseur électrique du premier convertisseur électrique comprend en outre un troisième élément de commutation commandable et un quatrième élément de commutation commandable connectés en série l’un par rapport à l’autre et en parallèle des premier et deuxième éléments de commutation commandables, les troisième et quatrième éléments de commutation commandables étant reliés entre eux en un point de connexion formant ladite deuxième borne alternative du premier convertisseur électrique. Cette configuration correspond à une topologie en pont complet.
Selon une variante particulièrement avantageuse, le premier convertisseur électrique comprend en outre une troisième borne alternative reliée au premier enroulement primaire du dispositif de transformation d’énergie électrique, le premier condensateur et le deuxième condensateur de l’élément convertisseur électrique du premier convertisseur électrique étant reliés entre eux en un point intermédiaire formant ladite troisième borne alternative du premier convertisseur électrique. Cette configuration correspond à une variante de la topologie en pont complet de l’élément convertisseur électrique. Cette configuration permet de réduire le calibre et donc la dimension et le coût des condensateurs utilisés. Les premier et deuxième éléments de commutation commandables s’étendent alors dans un premier bras tandis que les troisième et quatrième éléments de commutation commandables s’étendant dans un deuxième bras. Dans cette variante, un contrôle adapté des tensions générées dans chacun des premier et deuxième bras permet d’ajuster le courant circulant dans ces bras, réduisant encore l’ondulation de la tension délivrée à l’étage d’adaptation du niveau de tension.
Le premier enroulement primaire du dispositif de transformation d’énergie électrique comprend avantageusement un point milieu auquel est relié électriquement ledit point intermédiaire de l’élément convertisseur électrique et donc la troisième borne alternative du premier convertisseur électrique.
Le compartiment 1 comprend une plaque externe 39 fixée sur la paroi de fond 5 du bac pour former les canaux 37 de circulation de fluide caloporteur.
La plaque externe 39 comporte une pluralité de zones renfoncées 40 formant la pluralité de canaux 37, avec des portions d’écoulement en U.
La paroi de fond 5 comprend des connectiques 41 d’entrée et de sortie de fluide caloporteur.
Le fluide caloporteur est un fluide réfrigérant, notamment un fluide choisi parmi les fluides réfrigérants R134a, R1234yf ou R744, ou une eau glycolée.
Le fluide caloporteur est lui-même refroidi par un échangeur d’évaporation (appelé « chiller » en anglais) connecté à une boucle de climatisation du véhicule.
Système de détection de fuite de fluide de refroidissement dans un équipement électronique La présente invention concerne un système de détection de fuite de fluide de refroidissement dans un équipement électronique, adapté pour des équipements électroniques embarqués sur des aéronefs.
L’invention se situe dans le domaine de la maintenance d’équipements électroniques embarqués, en particulier dans des aéronefs.