INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Enfin, le dispositif IRM 1 comprend également des moyens de contrôle dudit dispositif IRM 1. Ces moyens de contrôle peuvent notamment comprendre un ordinateur 13 interfacé, via des moyens d’interfaçage 11, avec les différents éléments formant le dispositif IRM 1.
Le dispositif IRM 1 ainsi décrit peut être mis en œuvre pour l’exécution du procédé de formation d’une image IRM d’un corps disposé dans le volume d’examen.
Selon les termes de la présente invention, une image du corps peut être à deux dimensions ou à trois dimensions.
Ainsi, le procédé de formation d’une image selon la présente invention comprend la mise en œuvre d’une séquence élémentaire SE. Notamment, la séquence élémentaire SE peut être d’une durée dite durée de répétition TR.
Ainsi, la est une représentation schématique d’une séquence élémentaire SE susceptible d’être considérée dans le cadre de l’exécution du procédé selon la présente invention. Notamment, la séquence élémentaire SE représentée à la est une séquence dite d’écho de spin 3D rapide (« Turbo Spin Echo 3D » selon la terminologie Anglo-Saxonne). L’invention n’est cependant pas limitée à cette seule séquence et l’homme du métier pourra en adapter les principes à d’autres types de séquences. Par exemple, il peut être considéré de mettre en œuvre, dans le cadre de la présente invention, une séquence élémentaire SE d’écho de spin, une séquence d’écho de spin rapide.
Ainsi, la séquence élémentaire SE selon la présente invention peut comprendre la génération d’au moins un signal d’écho SiE, sur une plage temporelle d’écho PE, en soumettant le corps à imager positionné dans un volume d’examen du dispositif IRM à une séquence d’impulsions RF. Les impulsions RF sont notamment produites par la bobine RF 8. Les bobines à gradient, notées Gx, Gy et Gz, sont, pour leur part, mises en œuvre pour coder spatialement le corps disposé dans le volume d’examen.
A noter que les bobines à gradient sont également mises en œuvre, ou alimentées, tout au long de l’exécution d’une séquence de mesure (notamment lors de l’exécution de la ou des séquences élémentaires) afin d’homogénéiser le champ magnétique principal B 0 auquel est soumis le corps dans le volume d’analyse. En d’autres termes, les bobines à gradient produisent des champs locaux qui s’ajoutent au champ magnétique principal B 0 et donc la résultante présente une homogénéité supérieure à celle du champ magnétique principal B 0 dans le volume d’analyse.
D’autres solutions consistent à dégrader volontairement et aléatoirement les vias d’un niveau d’interconnexions. Le document US 2014/042627 A1 divulgue un procédé dans lequel certaines ouvertures du masque de gravure permettant de former les vias sont partiellement bouchées par des particules issues d’un polymère diblocs.
Ce procédé ne permet cependant pas de boucher de façon satisfaisante les ouvertures du masque de gravure.
Un objet de la présente invention consiste donc à dépasser les limitations des solutions connues.
En particulier, un objet de la présente invention est de proposer un procédé de réalisation d’une zone d’individualisation qui soit efficace et qui présente un caractère aléatoire.
RESUME Pour atteindre cet objectif, selon un mode de réalisation on prévoit un procédé de réalisation d’une zone d’individualisation d’une puce microélectronique, ladite puce comprenant au moins : un premier et un deuxième niveaux de pistes électriques, un niveau d’interconnexions situées entre les premiers et deuxième niveaux de pistes électriques et comportant des vias destinés à connecter électriquement des pistes électriques du premier niveau avec des pistes électriques du deuxième niveau.
La puce présente au moins une autre zone, distincte de la zone d’individualisation, destinée à former une zone fonctionnelle de la puce.
Le procédé comprend au moins les étapes suivantes effectuées au niveau de la zone d’individualisation de la puce : fournir au moins le premier niveau de pistes électriques, former au moins une couche diélectrique sur le premier niveau, déposer aléatoirement des particules sur une face exposée de la couche diélectrique, puis appliquer un tampon de brassage sur ladite face exposée pour que le tampon de brassage déplace au moins certaines particules sur la face exposée de la couche diélectrique, déposer une couche de masque sur la face exposée comprenant les particules, planariser la couche de masque de façon à obtenir une couche composite comprenant les particules et présentant une surface plane, déposer une couche de lithographie sur la couche composite, former dans la couche de lithographie des motifs d’ouvertures, lesdits motifs d’ouvertures étant situés au moins en partie au droit des pistes électriques, ouvrir la couche composite au travers des motifs d’ouvertures de la couche de lithographie, de façon à former des ouvertures de masque, lesdites ouvertures de masque comprenant des ouvertures de masque altérées au niveau des particules de la couche composite, et des ouvertures de masque débouchantes en dehors des particules de la couche composite, graver l’au moins une couche diélectrique au travers des ouvertures de masque, de façon à former des ouvertures de vias débouchant sur le premier niveau des pistes électriques, comprenant des ouvertures de vias fonctionnelles au droit des ouvertures de masque débouchantes, et des ouvertures de vias dégradées au droit des ouvertures de masque altérées, remplir les ouvertures de vias avec un matériau électriquement conducteur de sorte à former au moins les vias du niveau d’interconnexions, lesdits vias comprenant des vias fonctionnels au niveau des ouvertures de vias fonctionnelles et des vias dysfonctionnels au niveau des ouvertures de vias dégradées.
Le procédé comprend en outre, préalablement au dépôt des particules dans la zone d’individualisation, une formation d’un masque de protection sur la zone destinée à former la zone fonctionnelle de la puce.
Ainsi, les particules déplacées par le tampon sont réparties aléatoirement sur la couche diélectrique préalablement à la formation de la couche de masque. La formation des ouvertures de masque dans la couche de masque est perturbée. En particulier, certaines ouvertures de masque sont mal formées au sein de la couche de masque du fait de la présence des particules. Ces ouvertures de masque altérées, qui peuvent être en partie obstruées ou totalement bouchées, empêchent ensuite que certaines ouvertures de vias soient correctement formées. Des ouvertures de vias dégradées sont ainsi formées, qui peuvent être typiquement soit totalement bouchées soit partiellement bouchées. Le matériau électriquement conducteur ne peut plus être correctement déposé dans ces ouvertures de vias dégradées. Les particules déposées avant formation de la couche de masque conduisent in fine à la formation de vias dysfonctionnels, qui peuvent être inactifs – c’est-à-dire sans conduction électrique – ou dégradés – c’est-à-dire avec une conduction électrique très inférieure à une conduction nominale d’un via fonctionnel.
Le procédé proposé permet donc de dégrader volontairement mais aléatoirement le niveau d’interconnexions. Cette dégradation volontaire permet de créer des vias dysfonctionnels répartis de façon aléatoire au sein de la zone d’individualisation de la puce. Le diagramme de réponse de la puce ou du circuit intégré sera donc intimement lié au caractère aléatoire de la répartition des vias dysfonctionnels. Cette réponse sera par conséquent unique. Chaque circuit intégré réalisé par ce procédé génère ainsi une réponse différente. Par ailleurs, le diagramme de réponse du circuit intégré sera stable dans le temps contrairement aux solutions décrites ci-dessus dans la section relative à l’état de la technique. Le caractère aléatoire ou le désordre sur les positions des particules, obtenu à l’issue du dépôt et du brassage des particules, est supérieur à celui obtenu à partir d’un copolymère diblocs comme divulgué par le document US 2014/042627 A1, puisqu’un copolymère diblocs présente nécessairement intrinsèquement un certain ordre.
De manière particulièrement avantageuse, il a été constaté que le procédé proposé permet d’aboutir à ce que le caractère aléatoire de la répartition des vias dysfonctionnels ou inactivés soit homogène ou sensiblement homogène sur toute la surface d’une plaque portant des zones d’individualisation. Ainsi une zone d’individualisation située au bord d’une plaque bénéficiera d’un caractère aléatoire de même ampleur qu’une zone d’individualisation située au centre de cette même plaque.
Par ailleurs, le dépôt aléatoire de particules, par exemple à partir d’une solution colloïdale, et l’application d’un tampon de brassage déplaçant lesdites particules sont des étapes courantes des technologies de la microélectronique. Ces étapes peuvent par exemple correspondre à la mise en œuvre au moins partielle d’un procédé de polissage mécano-chimique CMP (acronyme de « Chemical Mechanical Polishing »), bien connu et largement utilisé dans les technologies de la microélectronique. Cela permet d’éviter des coûts de développement liés à de nouveaux procédés. Les coûts de mise en œuvre de ce procédé d’individualisation sont ainsi réduits.
Le procédé selon l’invention propose ainsi une solution fiable, que l’on peut aisément mettre en œuvre et à un cout réduit, afin de réaliser une zone d’individualisation d’un circuit intégré.
Dans cette étude, la blatte P. americana a été utilisée comme modèle. En effet, cet insecte dont le génome a été récemment séquencé mais non annoté est capable de s’adapter à un traitement insecticide en modifiant sa composition en sous-unités nicotiniques (Benzidane Y et al., 2017) et possède des cibles neuronales des insecticides bien identifiées et caractérisées (Thany SH et al., 2007 ; Sinakevitch IG et al., 1996 ; Grolleau F et al., 2000).
A ce jour, 19 sous-unités nicotiniques ont été identifiées chez P. americana et déposées dans la base du NCBI : 9 sous-unités α (α1 à α9) et 10 sous-unités β (β1 à β10) (Jones et al., 2021). La sous-unité β1 appartenant à la majorité des nAChRs hétéropentamériques, celle-ci représente une cible de choix pour les dsRNA afin de mettre au point la technique d’interférence par ARN dans le contexte de l’invention.
Production des dsRNA Identification des fragments d’intérêt spécifiques de la sous-unité nicotinique β1
Afin de déterminer les fragments nucléotidiques (100 pb) spécifiques de la séquence codante de la sous-unité β1 (N° accession NCBI : MW201213.1 – SEQ ID NO : 36) nécessaires à la synthèse des dsRNA, l’alignement des différentes sous-unités nicotiniques identifiées chez la blatte P. americana a été réalisé à l’aide du logiciel Clustal Omega.
Amplification des fragments spécifiques par PCR
Le plasmide pCR-Blunt dans lequel a été inséré la séquence nucléotidique de la sous-unité nicotinique β1 (pCR-Blunt/ β1) a servi de matrice pour l’obtention des fragments d’intérêt. L’amplification par PCR a été réalisée à l’aide de l’ADN polymérase haute fidélité KOD Hot Start TM (Novagen) en utilisant les amorces spécifiques dsRNA-β1 (Tableau 2) complétée de la séquence du promoteur T7 (5′-TAATACGACTCACTATAGGG-3’) selon le mélange réactionnel suivant : 0,4 μL d’ADN polymérase KOD (1 U/μL), 2 μL de tampon KOD (10X), 2 μL de dNTP (2 mM), 1,2 μL de MgSO 4 (10 mM), 1,2 μL d’amorces sens et anti-sens (10 μM), 2 μL de plasmide pCR-Blunt/ β1 (10 ng/μL) et d’H 2 O qsp 20 μL.
Les amplicons sont obtenus après une dénaturation initiale à 95°C pendant 2 minutes suivie de 30 cycles composés de 3 étapes (dénaturation pendant 20 secondes à 95°C, hybridation pendant 20 secondes à 60°C et élongation de 10 secondes à 70°C) puis d’une élongation finale de 7 minutes à 70°C.
En parallèle, l’amplification d’une partie de la séquence nucléotidique bactérienne codant la β-galactosidase (100 pb), présente dans le plasmide pCR-Blunt, a été réalisée en utilisant les amorces spécifiques LacZ (Tableau 2) associée à la séquence du promoteur T7. Cet amplicon sera utilisé pour la production de dsRNA témoin.
Amorces (5’-3’) Taille de l’amplicon (pb) Position sur la séquence (n° base) SEQ ID NO : β1-début Sens : TAATACGACTCACTATAGGGATGAACACGGGGGCGCGAGC Antisens :TAATACGACTCACTATAGGGCATCCTCCGAGCACCAACCA 140 1-100 57 58 β1-fin Sens : TAATACGACTCACTATAGGGCCGCCGCACCCCTCGTACGG Antisens : TAATACGACTCACTATAGGGGGTCCGACAGCTCCATCACC 140 1123-1222 59 60 LacZ Sens : TAATACGACTCACTATAGGGATGACCATGATTACGCCAAG Antisens : TAATACGACTCACTATAGGGTGGCGGCCGTTACTAGTGGA 140 1-100 61 62
Tableau 2 : Séquences des amorces utilisées pour la synthèse des dsRNA. La séquence du promoteur T7 est encadrée.
Purification des produits de PCR et Transcription in vitro et synthèse des dsRNA
Le protocole détaillé plus haut pour le puceron du pois a été utilisé.
Modèle d’étude : les blattes Periplaneta americana
Les blattes P. americana sont élevées au laboratoire SiFCIR dans des vivariums à une température de 29°C et avec une photopériode cyclique de 12h d’éclairage et 12h d’obscurité. Elles sont nourries et hydratées ad libitum .
Dans le but de contourner les mécanismes de résistances mis en place par l’insecte, les dsRNA seront testés sur des blattes mâles ayant été exposées pendant 30 jours à une dose sublétale d’imidaclopride (0,025 μg/blatte/jour) selon Benzidane et al. (2017).
Le port esclave du deuxième système « Time-aware system 2 » envoie un message de suivi ‘Pdelay_Resp_Follow_Up’ contenant le timestamp d’envoi ‘t3’ du message de réponse précédent ‘Pdelay_Resp’.
A la fin de cet échange de trois messages, le premier système « Time-aware system 1 » dispose des quatre Timestamp (t1, t2, t3, t4), qui vont permettre de calculer un délai de propagation moyen ‘D’, selon l’équation suivante :
Le délai maître-esclave ‘t4-t3’ et le délai esclave-maître ‘t2-t1’ qui sont déterminés comme les différences entre les horodatages respectifs permettent de calculer un délai moyen à partir duquel l’esclave connait la différence entre son horloge et l’horloge du maître, ce qui lui permet alors de régler sa propre horloge.
Le standard IEEE 802.1AS inclut une deuxième phase d’échange protocolaire qui complète la première phase et permet de synchroniser les horloges entre plusieurs systèmes d’un réseau sensible au temps. La illustre cet échange sur trois systèmes (i-1, i, i+1).
Le port maître du premier système ‘i-1’ (« Time-aware system i-1 ») envoie un message de synchronisation ‘Sync’ à un port esclave d’un deuxième système ‘i’ (« Time-aware system i »), tout en capturant le timestamp d’envoi ‘t(s,i-1)’.
Le port esclave du deuxième système ‘i’ (« Time-aware system i ») reçoit le message de synchronisation ‘Sync’ et capture le timestamp de réception ‘t(r,i)’ correspondant.
Le port maître du premier système ‘i-1’ (« Time-aware system i-1 ») envoie au port esclave du deuxième système ‘i’ un message de suivi ‘Follow_Up’ contenant le timestamp d’envoi ‘t(s,i-1)’ du message de synchronisation précédent.
Un port maître du deuxième système ‘i’ (« Time-aware system i ») peut à son tour envoyer le message de synchronisation ‘Sync’ à un port esclave d’un troisième système ‘i+1’ (« Time-aware system i+1 »), tout en capturant le timestamp d’envoi ‘t(s,i)’ correspondant.
Le port esclave du troisième système ‘i+1’ (« Time-aware system i+1 ») reçoit le message de synchronisation ‘Sync’ et capture le timestamp de réception ‘t(r,i+1)’ correspondant.
Le port maître du deuxième système ‘i’ (« Time-aware system i ») envoie au port esclave du troisième système ‘i+1’ le message de suivi ‘Follow_Up’ contenant le timestamp d’envoi ‘t(s,i-1)’ du premier message de synchronisation envoyé par la premier système ‘i-1’.
De cette manière, le deuxième système ‘i’ et le troisième système ‘i+1’ peuvent se synchroniser sur l’horloge de référence du premier système ‘i-1’.
Comme indiqué précédemment, le procédé de routage de l’invention considère que tous les commutateurs TSN ainsi que les terminaux connectés au réseau TSN sont considérés parfaitement synchronisés entre eux, pour assurer la propriété de « Just-in-Time » requise par certains flux.
Par la synchronisation temporelle mise en place, les commutateurs peuvent alors récupérer une information sur les latences des routes ou chemins (en récupérant les délais de propagation et le délai de séjour moyen des paquets au niveau des commutateurs pour déterminer la latence de chaque route ou chemin).
Le procédé de routage de l’invention a pour objectif d’assurer l’arrivée des paquets à leur destination « juste à temps », c’est-à-dire pas avant ni après la date limite (« deadline »). En effet, par exemple pour les systèmes en boucle fermée dits « closed-loop systems » en anglais, les messages envoyés par un capteur doivent arriver juste à l’instant où un contrôleur doit vérifier s’il y a un message reçu de la part de ce capteur.
La date limite est un paramètre prédéfini pour répondre au besoin applicatif des flux de l’application concernée, et il peut être fixé par l’opérateur ou le concepteur de l’application. Par exemple, pour une boucle de type « capteur / contrôleur PLC / actionneur » qui exige une latence maximum à ne pas dépasser, une donnée qui va être enregistrée au niveau du capteur doit impérativement arriver au bout d’un temps précis au niveau du contrôleur PLC. Le paramètre de date limite peut aussi être configuré au niveau du contrôleur PLC qui contient une boucle pour lui permettre de vérifier l’arrivée d’une nouvelle donnée émise par le capteur.
Le perfluoropolytéher organosilane est par exemple obtenu par réaction entre un perfluoropolyéther-alcool avec un silane à fonctionnalité isocyanate, préférentiellement avec un catalyseur tel que par exemple le dilaurate de dibutylétain (DBTDL). Le mélange peut être chauffé pour accélérer la réaction. Le silane à fonctionnalité isocyanate est par exemple choisi parmi le 3-isocyanatopropyltriéthoxysilane le 3-isocyanatopropyltriméthoxysilane.
Une réaction d’un silane à fonctionnalité isocyanate avec un perfluoropolyéther-alcool monofonctionnel peut être décrite comme :
Une réaction d’un silane à fonctionnalité isocyanate avec un perfluoropolyéther-alcool bifonctionnel peut être décrite comme :
À titre d’exemple, le perfluoropolyéther-alcool est choisi parmi :
1H,1H,8H,8H-Perfluoro-3,6-dioxaoctane-1,8-diol de formule 7 :
1H,1H,11H,11H-Perfluoro-3,6,9-trioxaundecane-1,11-diol de formule 8 :
1H,1H-perfluoro-3,6,9-trioxatridecan-1-ol de formule 9 :
Perfluoropolyéther-alcool (CAS: 90317-77-4) de formule 10 :
Perfluoropolyéther-dialcool de formule 11 :
Fluorolink® E10H de formule 12 :
Avec 1.5 < p < 2.5 et 1.5 < m/n < 2
Selon l’invention, le perfluoropolyéther organosilane est solubilisé dans un premier solvant.
Selon l’invention, le polysilazane est solubilisé dans un deuxième solvant.
Avantageusement, le premier solvant et le deuxième solvant sont miscibles.
Selon une possibilité, le premier solvant et le deuxième solvant sont identiques.
Selon une autre possibilité, le premier solvant et le deuxième solvant sont différents.
Les éléments 61, 62, 71, 72 sont visibles plus en détail sur la .
En particulier, la paire de détecteurs magnétiques de translation 61 est disposée en regard de l’anneau de translation 51 et permet de quantifier le déplacement de cet anneau 51 le long de l’axe de codeur X. Autrement dit, ces détecteurs 61 permettent de coder chaque déplacement de l’anneau de translation 51 le long de l’axe de codeur X en détectant des changements dans le flux magnétique grâce à l’alternance magnétique axiale des anneaux élémentaires constituant cet anneau de translation 51. Par exemple, les détecteurs 61 sont décalés l’un de l’autre d’une fraction du pas de crantage en translation défini par cet anneau de translation 51.
La paire de détecteurs magnétiques de rotation 62 est disposée en regard de l’anneau de rotation 52. Les détecteurs 62 permettent de quantifier chaque mouvement rotatif de l’anneau de rotation 52 autour de l’axe de codeur X en détectant des changements dans le flux magnétique grâce à l’alternance magnétique circonférentielle mise en œuvre par les pièces élémentaires constituant l’anneau de translation 52. Par exemple, les détecteurs magnétiques 62 sont décalés d’une fraction du pas de crantage en rotation défini par l’anneau de rotation 52.
Chaque détecteur magnétique de chaque paire présente par exemple un capteur à effet Hall ou un capteur magnéto-résistif ou un solénoïde. En outre, chaque détecteur magnétique 61, 62 est relié à un contrôleur externe du codeur 10 par des câbles 74 visibles sur la .
Selon un exemple de réalisation, le codeur magnétique 10 et en particulier le corps fixe 22, présente une pluralité de paires de détecteurs magnétiques pour au moins l’une des directions de codage. Par exemple, le détecteur 10 peut comprendre deux ou trois paires de détecteurs magnétiques de translation et/ou de rotation. Le doublement, voire le triplement de détecteurs magnétiques permet d’améliorer la fiabilité du dispositif.
Chaque dent de crantage en translation 71 est disposée en regard de l’anneau de translation 51. En particulier, chaque dent de crantage en translation 71 présente une surface qui est orientée vers l’anneau de translation 51 et présente une dimension inférieure ou égale au pas de crantage en translation. Une telle surface présente par exemple une étendue longitudinale qui est inférieure ou égale au pas de crantage de cet anneau 51. En outre, chaque dent de crantage en translation 71 est faite d’un matériau ferromagnétique ou magnétique tel qu’inox série 400. Chaque dent de crantage en translation 71 est préférentiellement un aimant. Chaque dent de crantage en translation 71 est par exemple un aimant parallélépipédique ou un aimant en arc de cercle. Un tel aimant est par exemple issu d’un « polyaimants » ou d’un « aimant programmable » nommé Polymagnets®.
Dans l’exemple de la , lorsque l’anneau de translation 51 est constitué d’un anneau élémentaire central 51-2 et deux anneaux élémentaires périphériques 51-1 et 51-2, chaque dent de crantage en translation 71 définit une position stable dans laquelle elle est disposée en regard de l’anneau élémentaire central 51-2. Pour assurer une telle position stable, chaque dent de crantage en translation 71 présente une magnétisation de sens opposé à celui de la surface extérieure de l’anneau élémentaire central 51-2.
Chaque dent de crantage en rotation 72 est disposée en regard de l’anneau de rotation 52. Comme dans le cas précédent, chaque dent de crantage en rotation 72 présente une surface orientée vers l’anneau de rotation 52 d’une dimension inférieure ou égale à celle du pas de crantage en rotation. En outre, chaque dent de crantage en rotation 72 est faite d’un matériau ferromagnétique ou magnétique tel qu’inox série 400. Chaque dent de crantage en rotation 72 est préférentiellement un aimant. Chaque dent de crantage en rotation 72 est par exemple un aimant parallélépipédique ou un aimant en arc de cercle. Un tel aimant est par exemple issu d’un « polyaimants » ou d’un « aimant programmable » nommé Polymagnets®.
Comme cela est illustré sur la , les dents de crantage associées aux anneaux différents 51, 52 sont avantageusement reliées entre elles par une pièce de raccordement 77. Cette pièce de raccordement 77 est par exemple une pièce magnétique ou ferromagnétique, et s’étend avantageusement selon l’axe de codeur X.
Par ailleurs, dans l’exemple de la une pluralité de dents de crantage 71, 72 est associée à chacun des anneaux 51, 52. En particulier, dans l’exemple de cette figure, trois dents de crantage sont associées à chacun des anneaux. Avantageusement, selon l’invention, lorsqu’une telle pluralité de dents de crantage est associée à un anneau, les dents de crantage sont disposées de manière équidistante selon la direction circonférentielle de l’anneau 51, 52 correspondante. Il doit être également compris qu’une seule dent de crantage pour chaque anneau serait suffisante afin d’assurer une fonction de crantage selon la direction correspondante.