INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Lorsque le téléphone portable 6 arrive à proximité du répéteur 11, une association s’effectue par exemple via le module Wi-Fi 14 à la bande de fréquence 5 GHz. Lors de cette association, le répéteur récupère un ensemble de caractéristiques du téléphone portable 6, dont le type d’équipement et le type de service requis.
La est un organigramme illustrant des étapes de mise en œuvre du procédé selon l’invention.
En référence aux figures 1 et 2, on distingue une première étape 16 consistant au début de l’association via Wi-Fi 2.4 ou 5 GHz ou 6 GHz. A titre d’exemple on imagine une connexion entre le téléphone 6 et le répéteur 11 en Wi-Fi 5 GHz.
Les premier et deuxième éléments d’injections 320.1 et 320.2 peuvent être similaires à l’élément d’injection 120 décrit en référence aux figures 1 et 2. De même, la nappe de guidage flexible 310 peut correspondre à la nappe de guidage flexible 110 précédemment décrite.
Un premier motif 316.1 est gravé dans la première partie 315.1 tandis qu’un deuxième motif 316.2 est gravé dans la deuxième partie 315.2. L’injection sélective de lumière dans le premier élément d’injection 320.1 et/ou dans le deuxième élément d’injection 320.2 permet ainsi de projeter le premier motif, le deuxième motif, aucun des motifs ou les deux motifs à la fois, rendant ainsi possible, par un contrôle dynamique, la réalisation d’une animation à partir au moins des premier et deuxième motifs.
Sur l’exemple de la , les premier et deuxième motifs 316.1 et 316.2 ont des formes distinctes. Toutefois, conformément à la définition du motif précédemment donnée, les motifs peuvent être toute variation spatiale intentionnelle, ou prédéterminée, d’intensité lumineuse. En outre, lorsque les motifs sont des formes, les premier et deuxième motifs 316.1 et 316.2 peuvent avoir des formes identiques. L’animation est alors permise par le déplacement spatial du motif de la première partie 315.1 à la deuxième partie 315.2, ou vice versa. En outre, les couleurs projetées respectivement pour chaque motif peuvent varier, lorsque les sources 330.1 et 330.2 produisent de la lumière de couleurs différentes.
Par exemple, dans le domaine des jeux vidéo, les flux de jeu sont très sensibles à la fois à la latence et à la gigue. Ils ont en général une bande passante faible. Le trafic qui a pour source ou destination une console de jeu est également routée de manière particulière, de préférence sur la connexion 6 GHz.
Par exemple, les services d’appel Voix sur Wifi (Appel opérateur) ou Voix sur IP (WhatzApp®, Teams®, Skype® ..) nécessitent une haute qualité de service avec une latence faible et pas de perte de paquets. Ils ont cependant un besoin de bande passante très faible (1.5 à 3 Mbps typiquement pour un appel vidéo en haute qualité). La connexion 6 GHz entre la passerelle et le répéteur est donc le plus adapté.
La classification ainsi obtenue constitue des règles ou des critères prédéterminés permettant e choisir la connexion à utiliser entre le 5 GHz et le 6 GHz.
En fonction de chaque service ou de l’équipement source/destination, on sélectionne, à chaque saut Wi-Fi, la technologie la plus appropriée.
Le choix de la technologie peut être fait selon des critères stricts. Par exemple, tout le trafic IPTV Multicast peut systématiquement utiliser la connexion 6 GHz quand elle est disponible.
Le choix de la technologie peut également être fait de manière dynamique en fonction de l’environnement de l’utilisateur. Par exemple, s’il y a peu de trafic sur l’une des deux bandes mais que l’autre est utilisée, on peut choisir d’utiliser la bande la moins utilisée. Par ailleurs, si le trafic doit passer par plusieurs répéteurs successifs, le système peut utiliser de manière alternative l’une des bandes puis l’autre afin d’optimiser la charge sur chacune des bandes.
Le choix peut reposer à la fois sur le type de service, les équipements destinataires du trafic ou reposer sur une optimisation globale du système afin de répartir la charge de manière optimale.
En complément notamment de tout ce qui précède et pour les modes de réalisation décrits ou tout autre mode de réalisation de l’invention, les critères qui sont utilisés afin de déterminer la bande sur laquelle la transmission doit avoir lieu comprend l’un ou plusieurs des éléments suivants : - la disponibilité du temps d’antenne (« airtime » en anglais), - la bande passante disponible, - les interférences non-wifi opérants sur la bande, - le niveau de signal des point d’accès, répéteur et stations, - les caractéristiques de la bande de fréquence (standard utilisé ; niveau de puissance …), - la largeur de bande utilisé par l’application, - les transmissions en cours sur les différentes bandes, - les retransmissions nécessaires sur chacune des bandes pour atteindre le point d’accès principal (l’Internet), - le type de station, et - le type de service
A titre d’exemple, lorsque le point d’accès et le répéteur sont aptes à mettre œuvre des émissions en « broadcast » et en « multicast », différents cas peuvent se présenter.
Lorsque le trafic a pour source la passerelle, le trafic « Broadcast » est dupliqué sur les deux connexions 5GHz et 6 GHz entre la passerelle et le répéteur. Le répéteur a alors pour charge de supprimer le trafic de la connexion considérée comme secondaire.
Le trafic Multicast « enregistré » est envoyé uniquement sur la connexion entre la passerelle et le répéteur par laquelle l’enregistrement a été fait à l’aide du protocole IGMP.
Le trafic Multicast « non-enregistré » est dupliqué sur les connexions 5GHz et 6 GHz entre la passerelle et le répéteur. Le répéteur a alors pour charge de supprimer le trafic de la connexion considérée comme secondaire.
Lorsque le trafic a pour source le répéteur, le trafic est transmis par la connexion primaire.
Lorsque le trafic a pour source un équipement Wi-Fi connectée au répéteur, le trafic est transmis par la connexion sélectionnée pour transmettre le trafic venant ou ayant comme destination l’équipement.
Selon l’invention, la diversité des cas d’usages, des topologies réseaux et la variabilité de la disponibilité des bandes passantes sur les différentes connexions peuvent nécessiter une estimation en temps réel de la bande passante disponible en fonction des différents chemins que peuvent emprunter le trafic.
Par exemple, la est une vue schématique illustrant deux connexions simultanées entre le point d’accès et deux répéteurs successifs répéteur1 et répéteur2 selon l’invention. En fonction de la disponibilité de la connexion 5 GHz et de la qualité de la connexion 6GHz, il peut être plus efficace d’utiliser uniquement la connexion 5 GHz, d’utiliser uniquement la connexion 6 GHz ou d’utiliser une combinaison des deux, par exemple une première fois la connexion 5 GHz et une seconde fois la connexion 6 GHz. La solution la plus efficace peut également varier dans le temps et peut être différente en fonction de la quantité de données que va recevoir ou envoyer l’équipement final.
Les blocs siloxane représentent de préférence 50 et 95 % en moles du poids total de la silicone, plus particulièrement de 70 à 85 % en moles.
Le taux d'amine est de préférence compris entre 0,02 et 0,5 meq/g de copolymère dans une solution à 30 % dans le dipropylèneglycol, plus particulièrement entre 0,05 et 0,2.
La masse moléculaire moyenne en poids (Mw) de la silicone est de préférence comprise entre 5000 et 1000000 g/mol, plus particulièrement entre 10000 et 200000 g/mol. On peut notamment citer les silicones commercialisées sous les dénominations Silsoft A-843 ou Silsoft A+ par Momentive.
G) les silicones aminées de formules (XI) et (XII) :
- R, R’ et R’’, identiques ou différents, désignent un groupe alkyle en C 1 -C 4 ou un groupe hydroxyle,
- m et n sont des nombres tels que la masse moléculaire moyenne en poids du composé est comprise entre 5000 et 500000.
- x et y sont des nombres allant de 1 à 5000 ; de préférence x va de 10 à 2000, et plus préférentiellement de 100 à 1000 ; de préférence y va de 1 à 100 ;
- R 1 et R 2 , identiques ou différents, de préférence identiques, désignent un groupe alkyle, linéaire ou ramifié, saturé ou insaturé, comprenant de 6 à 30 atomes de carbone, de préférence de 8 à 24 atomes de carbone, et plus préférentiellement de 12 à 20 atomes de carbone ; et
- A désigne un radical alkylène linéaire ou ramifié ayant de 2 à 8 atomes de carbone.
De préférence, A comprend de 3 à 6 atomes de carbone, plus préférentiellement 4 atomes de carbone ; de préférence A est ramifié. On peut citer en particulier les groupes divalents suivants: -CH 2 CH 2 CH 2 - et -CH 2 CH(CH 3 )CH 2 -.
De préférence, dans la silicone de formule (XII), on a :
- x allant de 10 à 2 000, et en particulier de 100 à 1 000;
L’invention a également pour objet un procédé de traitement, le procédé étant mis en œuvre par un dispositif électronique de traitement connecté à des premier et deuxième microphones, le premier microphone comportant un transducteur électroacoustique apte à recevoir des ondes sonores acoustiques d’un signal sonore issu de cordes vocales d’un utilisateur et à transformer lesdites ondes acoustiques en un premier signal analogique ; et le deuxième microphone comportant un transducteur à excitation mécanique osseuse apte à recevoir par conduction osseuse des oscillations vibratoires dudit signal sonore et à transformer lesdites oscillations vibratoires en un deuxième signal analogique, le dispositif électronique de traitement étant configuré pour recevoir en entrée les premier et deuxième signaux analogiques et pour délivrer en sortie un signal corrigé,
le procédé de traitement comprenant :
- une étape d’hybridation comportant le calcul d’un signal hybride à partir des premier et deuxième signaux analogiques ;
- une étape d’estimation d’un bruit dans le signal hybride ; et
- une étape de réduction de bruit comportant le calcul du signal corrigé en appliquant un algorithme de soustraction spectrale généralisée au signal hybride et en fonction du bruit estimé.
la est une vue d'ensemble en perspective d'un appareil acoustique selon l'invention, l'appareil acoustique comprenant un premier microphone aérien, un deuxième microphone ostéophonique, et un dispositif électronique de traitement à délivrer un signal électrique corrigé à partir des signaux électriques issus des premier et deuxième microphones ;
la est une représentation schématique sous forme d’un synoptique du dispositif de traitement de la , connecté au premier microphone aérien et au deuxième microphone ostéophonique ;
la est une représentation schématique d’une génération de tronçons chevauchés, effectuée par le dispositif de traitement de la ;
la est un organigramme d’un procédé de traitement selon l’invention, le procédé étant mis en œuvre par le dispositif de traitement de la ;
la est une vue représentant, en partie supérieure, un signal de voix bruité enregistré par un microphone aérien de l’état de la technique ; et en partie inférieure, un signal hybride obtenu avec les premier et deuxième microphones, et après réduction de bruit via le dispositif de traitement de la ;
la est une vue avec plusieurs courbes illustrant une détection d’activité vocale de l’état de la technique, via un microphone aérien et pour un seuil de détection bas ;
la est une vue analogue à celle de la , pour un seuil de détection plus élevé ; et
la est une vue analogue à celles des figures 6 et 7, illustrant une détection d’activité vocale selon l’invention, via un microphone ostéophonique.
Dans la suite de la description, l’expression « sensiblement égal(e) à » définit une relation d’égalité à plus ou moins 20%, de préférence encore à plus ou moins 10%, de préférence encore à plus ou moins 5%.
Une solution connue au problème ci-dessus a été proposé pour des applications en optoélectronique (cas des diodes émettrices de lumière) dans le document “Lateral Hydrogen Diffusion at p-GaN Layers in Nitride-Based Light Emitting Diodes with Tunnel Junctions ». Yuka Kuwano et al, Japanese Journal of Applied Physics 52 (2013) 08JK12 08JK12-1 # 2013 The Japan Society of Applied Physics. Cette solution est illustrée aux figures 2a et 2b. La montre un empilement classique d’une diode émettrice de lumière avec une couche de GaN-p enterrée. Selon la , l’hydrogène responsable du faible taux d’activation du Mg est évacué par les flancs du composant. L’empilement de semiconducteur III-N est gravé autour du composant et un recuit sous atmosphère contenant de l’Oxygène permet de faire diffuser et d’évacuer l’Hydrogène sur une distance de l’ordre de quelques dizaines de microns et ainsi d’améliorer l’activation du Mg.
Cette solution n’est toutefois pas satisfaisante pour l’ensemble des composants à base de GaN-p. Ainsi, pour un transistor, la réalisation de gravures peut entrainer des problèmes d’intégration (topologie) et de courants parasites. De plus, un transistor a souvent des dimensions supérieures à la longueur de diffusion de l’hydrogène et il est difficile d’envisager des gravures au sein du transistor. Cette approche n’est donc notamment pas adaptée à la fabrication de transistors. De façon plus générale, la réalisation de gravure pour l’obtention de mesa rend le procédé de fabrication d’un composant électronique plus complexe.
Il existe donc un besoin de prévoir un composant électronique à base de nitrure de galium dopé p avec une activation satisfaisante des accepteurs responsables du dopage p, sans dégrader les performances du composant et facile à fabriquer, notamment lorsque ledit composant électronique est un transistor de type HEMT.
Pour ce faire, l’invention a pour objet un composant électronique comprenant : un substrat ; une couche en Nitrure de Galium GaN dopé de type p, disposée au-dessus du substrat ; une couche en un matériau semi-conducteur disposée sur la couche en Nitrure de Galium dopé de type p ; le composant comportant deux zones latérales situées de part et d’autre de la couche de GaN dopé de type p, les deux zones latérales étant implantées en oxygène.
On entend par zone latérale implantée en oxygène, une zone dans laquelle une grande partie de l’oxygène est disponible pour former des liaisons covalentes avec l’hydrogène. En d’autres termes, cette zone implantée en oxygène n’est pas une zone dopée en oxygène car dans ce cas la majorité de l’oxygène présent serait en site substitutionnel dans le réseau cristallin du GaN. Ainsi, la zone implantée en oxygène doit être vue comme une zone ayant subi une étape d’implantation en atome d’oxygène et un recuit thermique mais n’ayant pas été soumise à un budget thermique suffisant pour que l’oxygène se comporte en donneur et forme une zone de GaN dopée n. L’oxygène est ici au contraire réparti aléatoirement au sein du réseau cristallin et majoritairement en position interstitielle. Après l’implantation il y a aussi une grande quantité de défauts cristallins dans la matrice (chaque atome d’oxygène implanté déplace plusieurs centaines d’atomes de la matrice).
L’invention repose sur la création de poches d’oxygène (i.e. les zones latérales) dans des zones situées de part et d’autre de la zone en GaN où l’on cherche à obtenir une activation efficace des accepteurs. Ces poches d’oxygène à proximité de la zone dopée et donc des atomes susceptibles de jouer le rôle d’accepteurs (par exemple le magnésium Mg dans le GaN) permettent à l’hydrogène, sous l’effet d’un recuit post-implantation de diffuser vers ces poches et réagir avec l’oxygène implanté de façon à réduire la formation de complexes hydrogène-accepteur. Contrairement aux solutions de l’état de la technique, le composant selon l’invention ne nécessite pas de réaliser de gravure autour de la couche de type p. Les zones latérales peuvent être aisément réalisées en partant de la couche de GaN dopé p dans laquelle on implante de l’oxygène sur ses zones latérales ; en d’autres termes, les zones latérales sont dans le même plan que la couche de GaN-p et forment les parties d’extrémité de cette couche.
Le composant selon l’invention peut également présenter une ou plusieurs des caractéristiques ci-dessous, considérées individuellement ou selon toutes les combinaisons techniquement possibles : Les accepteurs de la couche en Nitrure de Galium GaN dopé de type p sont des atomes de Magnésium. La largeur de l’empilement actif et la largeur de chacune des zones implantées en oxygène sont inférieures ou égales à 20µm et supérieures ou égales à 1µm, la largeur étant mesurée parallèlement au plan des couches dans l’alignement de l’empilement et des zones implantées en oxygène. L’empilement actif comporte : une couche de GaN dopé de type n déposée sur la couche de GaN dopé de type p ; une couche de GaN non intentionnellement dopée déposée sur la couche de GaN dopé de type n ; une couche semi-conductrice déposée sur la couche de GaN non intentionnellement dopée pour former un gaz d’électrons bidimensionnel ; le composant comportant une zone de source, une zone de drain et une zone de grille de commande formées sur ou dans la couche semi-conductrice pour former un gaz d’électrons bidimensionnel, les deux zones latérales implantées en oxygène s’étendant également de part et d’autre de la couche de GaN dopé de type n, de la couche de GaN non intentionnellement dopée et de la couche semi-conductrice pour former un gaz d’électrons bidimensionnel. Le composant électronique comporte : une pluralité d’empilements actifs, chaque empilement actif comportant : une couche de GaN dopé de type n déposée sur la couche de GaN dopé de type p ; une couche de GaN non intentionnellement dopée déposée sur la couche de GaN dopé de type n ; une couche semi-conductrice déposée sur la couche de GaN non intentionnellement dopée pour former un gaz d’électrons bidimensionnel ; deux zones latérales implantées en oxygène s’étendant de part et d’autre de la couche de GaN dopé de type p, de la couche de GaN dopé de type n, de la couche de GaN non intentionnellement dopée et de la couche semi-conductrice pour former un gaz d’électrons bidimensionnel les zones de source, de drain et de grille de commande étant communes à la pluralité d’empilement, chaque empilement étant isolé électriquement de l’empilement adjacent par une des zones latérales implantées en oxygène. l’ensemble desdits empilements est entouré d’une zone, dite d’isolation, ladite zone d’isolation étant une zone implantée en oxygène. Selon un mode de réalisation, chacune des deux zones latérales implantées en oxygène s’étend dans ou sous la zone de grille et dans ou sous la zone de drain et la zone de source ; Selon un autre mode de réalisation, chacune des deux zones latérales implantées en oxygène s’étend dans ou sous la zone de grille et ne s’étend pas dans ou sous la zone de drain et la zone de source.
L’invention a également pour objet un procédé de fabrication d’un composant selon l’invention comportant les étapes suivantes : Réalisation sur un substrat d’un empilement formé au-dessus du substrat et incluant : une couche en Nitrure de Galium GaN dopé de type p, disposée au-dessus du substrat ; une couche en un matériau semi-conducteur disposée sur la couche en matériau semi-conducteur ; Réalisation d’un masque au-dessus de l’empilement, ledit masque masquant la partie de l’empilement formant l’empilement actif ; Implantation ionique pour introduire des atomes d’oxygène dans les deux zones de l’empilement situé de part et d’autre de la zone masquée de sorte à obtenir deux zones latérales dans la couche en Nitrure de Galium GaN dopé de type p implantées en oxygène ; Recuit suivant l’implantation ionique.
Le procédé selon l’invention peut également présenter une ou plusieurs des caractéristiques ci-dessous, considérées individuellement ou selon toutes les combinaisons techniquement possibles : la température de recuit est comprise entre 700 et 850°C. l’implantation est une implantation multi-énergies. l’énergie des atomes d’oxygènes ionisés utilisée pour l’implantation est inférieure ou égale à 200 keV. la dose d’atomes d’oxygène implantés est : supérieure à 2.10 14 cm -2 x (Wa/Wo) où Wa désigne la largeur de l’empilement actif et Wo désigne la largeur des zones latérales implantées et ; inférieure à 6.10 15 cm -2 x (Wa/Wo). l’étape d’implantation ionique pour introduire des atomes d’oxygène s’accompagne d’une étape d’implantation ionique pour introduire des atomes d’argon ou d’azote.
représente un exemple de transistor à hétérojonction selon l’art antérieur.
et représentent une solution d’activation du magnésium dans un composant optoélectronique selon l’art antérieur.
représente une vue de dessus d’un composant électronique selon un premier mode de réalisation de l’invention.
représente une vue en coupe du composant de la suivant un plan perpendiculaire au plan des couches et le long du doigt de grille.
, , et représentent schématiquement les étapes du procédé de fabrication d’un composant selon l’invention.
- les (C6-C24)acyliséthionates, de préférence les (C12-C18)acyliséthionates,
- les acylsarcosinates en C6-C24, notamment en C12-C20; notamment les palmitoylsarcosinates;
- les alkyl(C6-C24)éthercarboxylates, de préférence les alkyl(C12-C20)éthercarboxylates; en particulier ceux comportant de 2 à 50 groupements oxyde d'éthylène;
- les acides alkyl(C6-C24)amidoéthercarboxyliques polyoxyalkylénés et leurs sels, en particulier ceux comportant de 2 à 50 groupements oxyde d'alkylène, en particulier d'éthylène;
- les acylglutamates en C6-C24, notamment en C12-C20;
en particulier sous forme acide ou de sels de métaux alcalins ou alcalino-terreux, d'ammonium, ou d'aminoalcool.
Préférentiellement, la composition comprend un ou plusieurs tensioactifs anioniques sulfates, de préférence un ou plusieurs alkylsulfates en C6-C24, notamment en C12-C20, et/ou un ou plusieurs alkyléthersulfates en C6-C24, notamment en C12-C20; comprenant de préférence de 2 à 20 motifs oxyde d'éthylène; particulièrement sous forme de sels de métaux alcalins ou alcalino-terreux, d'ammonium, ou d'aminoalcool.
Le ou les tensioactifs anioniques sont de préférence présents dans la composition de lavage selon l’invention en une quantité totale allant de 2 à 30% en poids, notamment de 4 à 25% en poids, mieux de 5 à 20% en poids, encore mieux de 6 à 15% en poids, par rapport au poids total de la composition.
Tensioactifs amphotères La composition lavante selon l’invention peut comprendre un ou plusieurs tensioactifs amphotères.
En particulier, le ou les tensioactifs amphotères ou zwittérioniques sont non siliconés. Ils peuvent être notamment des dérivés d'amines aliphatiques secondaire ou tertiaire, éventuellement quaternisées, dans lesquels le groupe aliphatique est une chaîne linéaire ou ramifiée comportant de 8 à 22 atomes de carbone, lesdits dérivés d’amines contenant au moins un groupe anionique tel que, par exemple, un groupe carboxylate, sulfonate, sulfate, phosphate ou phosphonate.
On peut citer en particulier les alkyl(C 8 -C 20 )bétaïnes, les alkyl(C 8 -C 20 )sulfobétaïnes, les alkyl(C 8 -C 20 )amidoalkyl(C 3 -C 8 )bétaïnes et les alkyl(C 8 -C 20 )-amidalkyl(C 6 -C 8 )sulfobétaïnes.
Parmi les dérivés d’amines aliphatiques secondaires ou tertiaires, éventuellement quaternisées utilisables, tels que définis ci-dessus, on peut également citer les composés de structures respectives (II) et (III) suivantes :
R a -CONHCH 2 CH 2 -N + (R b )(R c )-CH 2 COO - , M + , X - (II)
- R 1 , R 2 , R 3 et R 4 , identiques ou différents, désignent un radical alkyle en C 1 -C 4 ou un groupement phényle,
- R 5 désigne un radical alkyle en C 1 -C 4 ou un groupement hydroxyle,
- m est un entier variant de 1 à 5, et
- x est choisi de manière telle que l'indice d'amine varie de 0,01 à 1 meq/g ;
F) les silicones aminées polyoxyalkylénées multibloc, de type (AB) n , A étant un bloc polysiloxane et B étant un bloc polyoxyalkyléné comportant au moins un groupement amine.
[-(SiMe 2 O) x SiMe 2 -R-N(R’’)-R’-O(C 2 H 4 O) a (C 3 H 6 O) b -R’-N(H)-R-] ou bien
[-(SiMe 2 O) x SiMe 2 -R-N(R’’)-R’-O(C 2 H 4 O) a (C 3 H 6 O) b -] dans lesquelles :
- a est un nombre entier supérieur ou égal à 1, de préférence allant de 5 à 200, plus particulièrement allant de 10 à 100 ;
- b est un nombre entier compris entre 0 et 200, de préférence allant de 4 et 100, plus particulièrement entre 5 et 30 ;
- x est un nombre entier allant de 1 à 10000, plus particulièrement de 10 à 5000 ;
- R’’ est un atome d'hydrogène ou un méthyl ;