INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Bien que la représente un exemple dans lequel les données sont des données médicales et dans lequel le traitement des données médicales cryptées est effectué par un réseau neuronal, dans des variantes de mode de réalisation, les données pourraient être un autre type de données confidentielles ou sensibles, et le traitement de ces données par le serveur 102 pourrait impliquer d'autres moyens en plus, ou à la place, du réseau neuronal.
La représente des exemples d'opérations de cryptage totalement homomorphe et illustre les propriétés d'une cryptographie totalement homomorphe.
Comme cela est représenté par des blocs 200 et 202 en figure 2, un algorithme de cryptage totalement homomorphe (ENCRYPT) utilisant la clef secrète et appliqué à des données en clair et résulte en des données cryptées et respectivement. On écrit : , et , où est la fonction de cryptage résultant de l'application de l'algorithme de cryptage totalement homomorphe.
En outre, le décryptage de la donnée cryptée résulte en la donnée en clair . On écrit , où est la fonction de décryptage qui inverse la fonction de cryptage . De façon similaire, le décryptage de la donnée cryptée résulte en la donnée en clair . On écrit .
Le principe des algorithmes chiffrement totalement homomorphe est d'être homomorphes en addition et en multiplication, comme cela est représenté par des blocs 204 et 206 en .
Le bloc 204 représente la propriété d'homomorphisme en addition : le cryptage de l'addition des données en clair et est égal à l'addition des données cryptées et , c'est-à-dire : .
De façon similaire, le bloc 206 représente la propriété d'homomorphisme en multiplication : le cryptage du produit des données en clair et est égal au produit des données cryptées et , c'est-à-dire : .
En pratique, le serveur 102 est configuré pour recevoir un nombre N de données cryptées , où pour chaque appartenant à l'ensemble , correspond au cryptage, par le dispositif électronique 100, d'une donnée en clair . Le serveur 102 est en outre configuré pour appliquer une opération , correspondant à une combinaison d'additions et de multiplications, aux données cryptées à . En d'autres mots, le serveur 102 est configuré pour générer la donnée cryptée . Des algorithmes de chiffrement totalement homomorphe sont tels que le décryptage, par le dispositif électronique 100, de la donnée cryptée est égal à une donnée en clair qui est identique à la donnée qui aurait été obtenue par l'application de l'opération aux données en clair à . En d'autres mots :
Toutefois, les propriétés de stabilité homomorphe par l'application d'une pluralité d'additions et de multiplications sont encore vérifiées par des algorithmes chiffrement totalement homomorphe. En effet, l'accumulation d'additions et plus particulièrement de multiplications dans des algorithmes seulement partiellement homomorphes amène un bruit dans des valeurs intermédiaires manipulées par le serveur 102. Cela résulte en le fait que la donnée décryptée ne correspond pas exactement à la valeur de .
La figure 3A représente un réseau 300 utilisé dans des algorithmes de chiffrement totalement homomorphe. Le réseau 300 est décrit complétement par une base constituée de deux vecteurs et . Le réseau 300 comprend tous les vecteurs qui pourraient être écrits comme , où et appartiennent à l'ensemble des entiers .
Dans l'exemple représenté par le réseau 300, et et le réseau est un réseau euclidien équivalent à l'ensemble . Un vecteur du réseau 300 est par exemple égal au vecteur et le vecteur est ensuite désigné par les coordonnées .
L’étape d'application peut être réalisée par divers méthodes d'application telles que la pulvérisation à l'air comprimé, le trempage, le revêtement par centrifugation, le brossage, l’essuyage avec un chiffon
Le procédé d'obtention comprend avantageusement une étape de durcissement. De manière avantageuse, l’étape de durcissement débute lorsqu’au moins l'un des solvants s'évapore. L'étape de durcissement est avantageusement réalisée à température ambiante. Le procédé comprend l'avantage de ne pas nécessiter de chauffage de la composition ni du substrat pour que le durcissement se produise. Avantageusement, le procédé ne nécessite pas d’exposer la composition ou le substrat aux rayonnements UV pour induire le durcissement.
Avantageusement, l'étape de durcissement se fait en une seule étape.
Selon un mode de réalisation, le revêtement est sec au toucher en moins de huit heures, préférentiellement en moins d'une heure.
Selon un mode de réalisation, le revêtement peut être exposé à l'eau en moins de 24 heures.
Selon un mode de réalisation, le durcissement complet est réalisé en moins de 7 jours.
Exemples Exemple 1 : Exemples de composition de revêtement
Exemple 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 Premier solvant 1 44.5 ― 44.5 44.5 44.5 44.5 44.5 44.5 44.5 44.5 44.5 Premier solvant 2 ― 44.5 ― ― ― ― ― ― ― ― ― Deuxième solvant 1 29.5 29.5 ― ― ― ― 29.5 29.5 29.5 29.5 29.5 Deuxième solvant 2 ― ― 29.5 ― ― ― ― ― ― ― ― Deuxième solvant 3 ― ― ― 29.5 ― ― ― ― ― ― ― Deuxième solvant 4 ― ― ― ― 29.5 ― ― ― ― ― ― Deuxième solvant 5 ― ― ― ― ― 29.5 ― ― ― ― ― Polysilazane 1 12.5 12.5 12.5 12.5 12.5 12.5 ― 12.5 12.5 12.5 12.5 Polysilazane 2 ― ― ― ― ― ― 12.5 ― ― ― ― PFPE-Si [1] 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 ― ― ― ― PFPE-Si [2] ― ― ― ― ― ― ― 2.5 ― ― ― PFPE-Si [3] ― ― ― ― ― ― ― ― 2.5 ― ― PFPE-Si [4] ― ― ― ― ― ― ― ― ― 2.5 ― PFPE-Si [5] ― ― ― ― ― ― ― ― ― ― 2.5 PFPE-Si [6] ― ― ― ― ― ― ― ― ― ― ― PFPE-Si [7] ― ― ― ― ― ― ― ― ― ― ― PFPE-Si [8] ― ― ― ― ― ― ― ― ― ― ― Co-solvant 1 8.0 8.0 8.0 8.0 8.0 8.0 8.0 8.0 8.0 8.0 8.0 Co-solvant 2 ― ― ― ― ― ― ― ― ― ― ― Eau 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0
Exemple 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 Premier solvant 1 44.5 44.5 44.5 44.5 37 49.5 45.5 43.0 44.5 44.5 Premier solvant 2 ― ― ― ― ― ― ― ― ― ― Deuxième solvant 1 29.5 29.5 29.5 29.5 37 24.5 30 28.5 29.5 29.5 Deuxième solvant 2 ― ― ― ― ― ― ― ― ― ― Deuxième solvant 3 ― ― ― ― ― ― ― ― ― ― Deuxième solvant 4 ― ― ― ― ― ― ― ― ― ― Deuxième solvant 5 ― ― ― ― ― ― ― ― ― ― Polysilazane 1 12.5 12.5 12.5 12.5 12.5 12.5 12.5 12.5 12.5 12.5 Polysilazane 2 ― ― ― ― ― ― ― ― ― ― PFPE-Si [1] ― ― ― 2.5 2.5 2.5 1 5 2.5 2.5 PFPE-Si [2] ― ― ― ― ― ― ― ― ― ― PFPE-Si [3] ― ― ― ― ― ― ― ― ― ― PFPE-Si [4] ― ― ― ― ― ― ― ― ― ― PFPE-Si [5] ― ― ― ― ― ― ― ― ― ― PFPE-Si [6] 2.5 ― ― ― ― ― ― ― ― ― PFPE-Si [7] ― 2.5 ― ― ― ― ― ― ― ― PFPE-Si [8] ― ― 2.5 ― ― ― ― ― ― ― Co-solvant 1 8.0 8.0 8.0 ― 8.0 8.0 8.0 8.0 8.0 8.0 Co-solvant 2 ― ― ― 8.0 ― ― ― ― ― ― Eau 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 0 1.25
Les quantités sont exprimées en pourcentage en poids de la composition de revêtement totale.
Premier solvant 1 : éthoxynonafluorobutane
Premier solvant 2 : Opteon™ SF79
Deuxième solvant 1 : 1-méthoxy-2-propanol
Deuxième solvant 2 : éther di-n-butylique
Deuxième solvant 3 : dipropylène glycol méthyle éther
Deuxième solvant 4 : dipropylène glycol diméthyl éther
shows a schematic diagram of a cross section of a substrate in a seventeenth step of forming a semiconductor structure according to an embodiment;
shows a schematic diagram of a cross section of a substrate in a nineteenth step of forming a semiconductor structure according to an embodiment; and
shows a flow diagram illustrating the steps of a method of forming a semiconductor structure according to an embodiment.
Detailed description shows a schematic cross-section of a semiconductor structure 2 (e.g. a part of a low noise amplifier, LNA) according to an embodiment. The semiconductor structure 2 comprises a SOI substrate 4 comprising a bulk silicon substrate 6 (also referred to as a “silicon handling wafer”), a buried oxide (BOX) layer 8 and an epitaxial silicon layer 10. The epitaxial layer 10 is the active layer in which semiconductor devices such as transistors, diodes and/or resistors are formed.
A complementary metal oxide semiconductor (CMOS) device 12 is formed in the epitaxial layer 10 in a CMOS device region 13 above the BOX layer 8 and surrounded by isolation 14. The CMOS device 12 may be a 1.2 V or 2.5 V CMOS device for example. A trench 16 is located in a bulk region 17 in the substrate 4 and goes through the epitaxial layer 10 and the BOX layer 8 to reach the underlying bulk silicon 6. The trench 16 is filled with (substantially) monocrystalline silicon (also referred to as “epitaxial silicon” in this disclosure). The bulk region 17 is defined by the trench 16 and is directly adjacent to and in contact with the CMOS device region 13. A bipolar junction transistor (BJT) 18 (e.g. a SiGe or SiGeC heterojunction bipolar transistor, HBT) is formed in or on the monocrystalline silicon in the trench 16. The BJT 18 is substantially level with the CMOS device 12 (i.e. they are located at substantially the same height in the substrate 4).The monocrystalline silicon in the trench 16 connects the BJT 18 directly to the bulk silicon layer 6 without intervening oxide. This can significantly improve the heat conduction/dissipation from the HBT 18. The HBT 18 is at least partially surrounded by isolation material 20, preferably being thermally grown silicon oxide (SiO 2 ). The structure 2 also comprises a plurality of metal layers (not shown) on the substrate 4 for electrically connecting to the CMOS device 12 and the BJT 18. Typically the structure 2 would comprise at least four metal layers (three thin layers and one thick topmost layer) made from copper.
The BOX layer 8 can have a thickness of about 1000 nm, while the epitaxial layer 10 above it can have a thickness of about 150 nm for example. The resistivity of the epitaxial silicon layer may be about 20 Ω-cm, while the handling wafer 6 has a higher resistivity of about 3 kΩ-cm. The epitaxial silicon in the trench 16 preferably has a very low resistance of only about 0.5 Ω-cm (typically achieved by doping).
Figures 2A to 2S are schematic diagrams illustrating the steps of a method of forming a semiconductor structure 2 according to an embodiment. The structure 2 formed may be the structure 2 illustrated in . The same reference numerals have been used in different Figures for equivalent or similar features to aid understanding and are not intended to limit the illustrated embodiments.
shows a SOI substrate 4 comprising a silicon handling wafer 6, a BOX layer 8 and an epitaxial silicon layer 10. On the substrate 4 is a pad oxide layer 22 and a nitride hard mask layer 24. The pad oxide layer 22 is a thermal oxide and may have a thickness of about 8 nm and the nitride hard mask layer 24 may have a thickness of about 120 nm.
shows the SOI substrate 4 after depositing an oxide layer 26. Typically, the oxide is deposited by low pressure chemical vapour deposition (LPCVD).
shows the structure after depositing a photoresist 28, developing the photoresist 28 to define a trench region 30, etching the nitride hard mask 24 (mask open) in the trench region 30. The deposited oxide 26 and the pad oxide 22 are removed from the trench region 30 to expose the underlying silicon layer 10. The step of removing the oxides is typically performed at the same time as opening the mask 24 (i.e. in the same etch step).
shows the structure after stripping the photoresist 28 and a thermal oxidation step comprising a so called local oxidation of silicon (LOCOS) process. The thickness of the thermal oxide 32 in the trench region 30 is increased. Importantly, shallow trench isolation (STI) is not used at this stage to provide silicon oxide. The oxide 32 formed in the trench region 30 has a typical LOCOS shape with flat top and bottom surfaces and tapered ends, and with about half the cross section located above the surface of the epitaxial silicon layer 10 on either side.
shows the structure after an oxide wet etch to remove the oxide in the trench region 30. The epitaxial silicon layer 10 is exposed in the trench region 30. The epitaxial silicon layer 10 is thinner in the trench region 30 due to the previous step of oxidation.
shows the structure after a further step of thermal oxidation to form a new oxide layer 34 over the BOX layer 8, however there may be no physical transition between the two oxide layers (i.e. the oxide located in the trench region can be substantially homogenous). Applying a second “local oxidation of silicon” process allows the oxide layer in the trench region 30 to grow through the epitaxial silicon layer 10 and to the BOX layer 8. In the trench region 30, there is oxide from the surface to the bulk silicon layer 6. The ends of the epitaxial silicon layer 10 on either side of the trench region 30 are tapered towards the trench region 30. A step of wet deglazing may be performed before the thermal oxidation to avoid oxide formation on the nitride hard mask 24.
shows the structure after a nitride strip to remove the nitride hard mask 24. A previous step of deglazing can avoid or reduce oxide formation on top of the hard mask 24 and thereby prevent surface defects after stripping the nitride.
shows the structure after a step of nitride deposition to form nitride layer 36 on the pad oxide layer 22 and on the oxide layer 34 in the trench region 30. The nitride layer 36 can be used as a second hard mask.
Un mode de réalisation selon l’invention concerne l’utilisation d’un extrait de beurre de karité selon la présente invention en tant que gélifiant et/ou pour gélifier des alcools éthyliques dénaturés (INCI : ALCOHOL DENAT) et/ou des alcools isopropyliques (INCI : ISOPROPYL ALCOHOL) et/ou des alcool gras de C6 à C44.
Un mode de réalisation selon l’invention concerne l’utilisation d’un extrait de beurre de karité selon la présente invention en tant qu’épaississant dans une composition.
Au sens de la présente invention, on entend par « maintenir et/au augmenter la stabilité d’une émulsion » maintenir un mélange homogène et/ou empêcher que l’émulsion ne se sépare en ses deux phases constituantes.
Dans un mode de réalisation, les émulsions sont des émulsions huile dans eau.
Dans un mode de réalisation, les émulsions sont des émulsions eau dans huile.
Un mode de réalisation selon l’invention concerne l’utilisation d’un extrait de beurre de karité selon la présente invention pour augmenter le caractère hydrophobe d’une composition cosmétique, en particulier pour la fabrication de vernis et/ou de fonds de teint et/ou de produits solaires et/ou de produit pour le traitement cosmétique des cils.
Un autre objet de la présente invention concerne un procédé de modification de la rhéologie d’une composition, et/ou de gélification d’une compositions huileuse et/ou d’un glycol et/ou d’un alcool et/ou de la phase aqueuse d’une composition et/ou de la phases grasses d’une composition, et/ou de stabilisation d’une émulsion et/ou d’augmentation du caractère hydrophobe d’une composition, notamment d’une composition cosmétique, en particulier pour la fabrication de vernis et/ou de fonds de teint et/ou de produits solaires, et/ou de produit pour le traitement cosmétique des cils, caractérisé en ce qu’il comprends l’ajout dans ladite composition ou dans ladite émulsion d’un extrait de beurre de karité selon l’invention.
Un mode de réalisation selon l’invention concerne un procédé de gélification d’une composition huileuse caractérisé en ce qu’il comprend l’ajout dans ledit alcool d’un extrait de beurre de karité selon l’invention, ladite composition huileuse étant choisi dans la liste comprenant les huiles minérales, les huiles végétales, les huiles minérales, les huiles estérifiées et/ou les alcanes linéaires et/ou ramifiés de C10 à C40.
Un mode de réalisation selon l’invention concerne un procédé de gélification d’un alcool éthylique dénaturé (INCI : ALCOHOL DENAT) et/ou d’un alcool isopropylique (INCI : ISOPROPYL ALCOHOL) et/ou des alcool gras de C6 à C44, caractérisé en ce qu’il comprend l’ajout dans ledit alcool d’un extrait de beurre de karité selon l’invention.
Un autre objet de la présente invention concerne l’utilisation d’un extrait de beurre de karité selon l’invention en tant que substituts et/ou qu’équivalent des paraffines d’origine fossile, des diméthicones, de la lanoline et/ou du petrolatum, et/ou des cires naturelles notamment des cires d’abeille, de carnauba et/ou de candelilla, notamment dans le domaine des revêtements, des encres, des vernis, des papiers, des cartons, des adhésifs, des bougies, des matières plastiques, des caoutchoucs, des produits alimentaires, des cosmétiques et/ou des produits pharmaceutiques.
Un autre objet de la présente invention concerne un procédé de substitution d’un composé choisi dans la liste consistant en paraffines d’origine fossile, , diméthicones, lanoline et/ou petrolatum et/ou cires naturelles notamment cires d’abeille, de carnauba et/ou de candelilla, notamment dans le domaine des revêtements, des encres, des vernis, des papiers, des cartons, des adhésifs, des bougies, des matières plastiques, des caoutchoucs, des produits alimentaires, des cosmétiques et/ou des produits pharmaceutiques caractérisé en ce que la substitution est effectuée en remplaçant le composé par d’un extrait de beurre de karité selon l’invention.
Un autre objet de la présente invention concerne un extrait de beurre de karité selon l’invention pour son utilisation seul ou dans une composition pharmaceutique, notamment dermatologique, dans le traitement et/ou la prévention des peaux et/ou des muqueuses brulées et/ou des crevasses et/ou de la gale et/ou du pityriasis alba et/ou de la dermatite atopique et/ou de l'ichtyose et/ou des états de sécheresse de la peau et/ou des muqueuses qui accompagnent les affections cutanées et/ou pathologies des muqueuses telles que l'eczéma, et/ou pour maintenir ou améliorer l'état d'hydratation de la peau et/ou des muqueuses des peaux et/ou muqueuses agressées, sensibles, sensibilisées, altérées, intolérantes, fragiles et/ou réactives, et/ou dans le traitement des états squameux et/ou des démangeaisons liés à la sécheresse de la peau et/ou des muqueuses et/ou dans le traitement et/ou la prévention des poux et/ou des parasites et/ou en tant que booster du SPF.
Au sens de la présente invention, on entend par « booster du SPF » une formulation destinée à augmenter la protection solaire vis-à-vis des UVA et/ou des UVB en association avec des filtres solaires chimiques et/ou minéraux
Un mode de réalisation selon l’invention concerne l’extrait de beurre de karité selon l’invention pour son utilisation en tant qu’agent anti-poux et/ou anti parasitaire par effet occlusif privateur d’oxygène.
Un autre objet selon l’invention concerne un procédé de traitement thérapeutique et/ou de prévention des peaux et/ou des muqueuses brulées et/ou des crevasses et/ou de la gale et/ou du pityriasis alba et/ou de la dermatite atopique et/ou de l'ichtyose et/ou des états de sécheresse de la peau et/ou des muqueuses qui accompagnent les affections cutanées et/ou pathologies des muqueuses telles que l'eczéma, et/ou pour maintenir ou améliorer l'état d'hydratation de la peau et/ou des muqueuses des peaux et/ou muqueuses agressées, sensibles, sensibilisées, altérées, intolérantes, fragiles et/ou réactives, et/ou dans le traitement des états squameux et/ou des démangeaisons liés à la sécheresse de la peau et/ou des muqueuses et/ou dans le traitement et/ou la prévention des poux et/ou des parasites et/ou en tant que booster du SPF caractérisé en ce qu’il comprend l’application sur la zone à traiter d’un extrait de beurre de karité selon l’invention.
Dans les exemples, tous les pourcentages sont donnés en poids, sauf indication contraire, la température est exprimée en degré Celsius sauf indication contraire, et la pression est la pression atmosphérique, sauf indication contraire.
shows a schematic diagram of a cross section of a substrate in a first step of forming a semiconductor structure according to an embodiment;
shows a schematic diagram of a cross section of a substrate in a second step of forming a semiconductor structure according to an embodiment;
shows a schematic diagram of a cross section of a substrate in a third step of forming a semiconductor structure according to an embodiment;
shows a schematic diagram of a cross section of a substrate in a fourth step of forming a semiconductor structure according to an embodiment;
shows a schematic diagram of a cross section of a substrate in a fifth step of forming a semiconductor structure according to an embodiment;
shows a schematic diagram of a cross section of a substrate in a sixth step of forming a semiconductor structure according to an embodiment;
shows a schematic diagram of a cross section of a substrate in a seventh step of forming a semiconductor structure according to an embodiment;
shows a schematic diagram of a cross section of a substrate in an eighth step of forming a semiconductor structure according to an embodiment;
shows a schematic diagram of a cross section of a substrate in a ninth step of forming a semiconductor structure according to an embodiment;
shows a schematic diagram of a cross section of a substrate in a tenth step of forming a semiconductor structure according to an embodiment;
shows a schematic diagram of a cross section of a substrate in an eleventh step of forming a semiconductor structure according to an embodiment;
shows a schematic diagram of a cross section of a substrate in a twelfth step of forming a semiconductor structure according to an embodiment;
shows a schematic diagram of a cross section of a substrate in a thirteenth step of forming a semiconductor structure according to an embodiment;
shows a schematic diagram of a cross section of a substrate in a fourteenth step of forming a semiconductor structure according to an embodiment;
shows a schematic diagram of a cross section of a substrate in a fifteenth step of forming a semiconductor structure according to an embodiment;
shows a schematic diagram of a cross section of a substrate in a sixteenth step of forming a semiconductor structure according to an embodiment;
Si les protéines de légumineuses, en particulier issues de pois ou de féverole, sont particulièrement adaptées à la conception de l’invention, il est néanmoins possible de parvenir à celle-ci avec d’autres sources de protéines végétales telles que les protéines d’avoine, d’haricot mungo, de pomme de terre, de maïs ou encore de pois chiche. L’homme du métier saura faire les adaptations éventuellement nécessaires.
Par « texturée » ou « texturation », on entend dans la présente demande tout procédé physique et/ou chimique visant à modifier une composition comportant des protéines afin de leur conférer une structure ordonnée spécifique. Dans le cadre de l’invention, la texturation des protéines vise à donner l’aspect d’une fibre, telles que présentes dans les viandes animales. Comme il sera décrit dans la suite de cette description, un procédé particulièrement préféré pour texturer les protéines est la cuisson extrusion, particulièrement à l’aide d’un extrudeur bi-vis.
Par « texturée par voie sèche » ou « texturation par voie sèche », on entend dans la présente demande un procédé de texturation, en particulier par cuisson-extrusion, dans lequel la quantité d’eau dans le mélange présent dans l’extrudeur représente moins de 35%, de préférence moins de 32%, de préférence encore moins de 30% du poids total des ingrédients mis en œuvre lors du procédé. De manière préférée, la quantité d’eau dans le mélange présent dans l’extrudeur est comprise entre 26% et 32%, de préférence entre 26% et 31%, par exemple est de 26%, 27%, 28%, 29%, 30% ou 31%. Typiquement, comme détaillé ci-dessous, la composition de la présente demande est de préférence préparée par cuisson-extrusion en introduisant une poudre et de l’eau dans un extrudeur, ladite poudre contenant des protéines de légumineuse et optionnellement des fibres de légumineuse, et dans ce contexte l’expression « texturée par voie sèche » signifie que le poids en eau introduit dans l’extrudeur représente moins de 35%, de préférence moins de 32%, de préférence encore moins de 30% du poids total en eau et en poudre introduit dans l’extrudeuse.