INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Comme gélifiant lipophile minéral, on peut citer les argiles éventuellement modifiées comme les hectorites modifiées par un chlorure d’ammonium en C 10 à C 22 , comme l’hectorite modifiée par du chlorure de di-stéaryl di-méthyl ammonium telle que, par exemple, celle commercialisée sous la dénomination de Bentone 38V ® par la société ELEMENTIS. On peut également citer l’hectorite modifiée par du chlorure de distéaryldiméthylammonium, connue également comme bentonite de quaternium-18, telle que les produits commercialisés ou fabriqués sous les dénominations Bentone 34 par la société Rheox, Claytone XL, Claytone 34 et Claytone 40 commercialisés ou fabriqués par la société Southern Clay, les argiles modifiées connues sous la dénomination de bentonites de benzalkonium et de quaternium-18 et commercialisées ou fabriquées sous les dénominations Claytone HT, Claytone GR et Claytone PS par la société Southern Clay, les argiles modifiées par du chlorure de stéaryldiméthylbenzoylammonium, connues comme bentonites de stéralkonium, telles que les produits commercialisés ou fabriqués sous les dénominations Claytone APA et Claytone AF par la société Southern Clay, et Baragel 24 commercialisé ou fabriqué par la société Rheox.
Selon un premier mode de réalisation préféré, le composé lipophile protonable est un polymère cationique répondant à la formule (I) suivante :
Dans la formule (I) susmentionnée, lorsque R 4 représente un groupe -X-NH-, X est relié à l’atome de silicium.
Dans la formule (I) susmentionnée, R 1 , R 2 et R 3 représentent de préférence CH 3 .
Dans la formule (I) susmentionnée, R 4 est de préférence un groupe -(CH 2 ) 3 -NH-.
Selon un deuxième mode de réalisation particulièrement, le composé lipophile protonable est un polymère cationique répondant à la formule (II) suivante :
dans laquelle : X 1 représente -O-, -CH 2 - ou -NH-, de préférence -NH-, R 1 représente un radical alkylène divalent, linéaire, cyclique ou ramifié, comprenant de 20 à 50 atomes de carbone, de préférence de 25 à 45 atomes de carbone, mieux de 30 à 40 atomes de carbone, et préférentiellement de 34 à 36 atomes de carbone, R 1 pouvant inclure un radical cycloalkylène comprenant de 3 à 10 atomes de carbone, de préférence comprenant 6 atomes de carbone, ledit radical cycloalkylène étant éventuellement substitué par une ou plusieurs chaînes alkyles comprenant de 6 à 10 atomes de carbone.
Dans l'exemple de la , le stockage Flash est réparti en deux banques mémoire (Bank A, Bank B), contenant chacune 128 secteurs (Sector 0 à Sector 127). Bien entendu, dans des variantes de mode de réalisation, le stockage Flash pourrait comprendre une seule banque mémoire ou plus de deux banques mémoire. Chaque secteur Flash comprend par exemple une pluralité de lignes Flash. Dans un exemple, chaque secteur a une capacité de stockage de plusieurs milliers d'octets.
Dans la banque A, un pointeur EEPROM_SECTOR_START_A est par exemple utilisé pour indiquer le secteur de départ de la zone de stockage de données 404. Dans l'exemple de la , cette zone commence dans un secteur 120 et occupe huit secteurs finaux 120 à 127 de la banque A.
De façon similaire, dans la banque B, un pointeur EEPROM_SECTOR_START_B est par exemple utilisé pour indiquer le secteur de départ de la zone de stockage de données 404. Dans l'exemple de la , cette zone commence dans un secteur 126 et occupe deux secteurs finaux 126 à 127 de la banque B.
Dans certains modes de réalisation, les secteurs de la zone de stockage de code 402 ont une première taille, égale par exemple à environ 8 kB, alors que les secteurs de la zone de stockage de données 404 ont une deuxième taille qui est plus petite que la première taille, égale par exemple à environ 6 kB.
Les pointeurs EEPROM_SECTOR_START_A et EEPROM_SECTOR_START_B sont par exemple stockés dans des registres correspondants 412A, 412B, respectivement, des registres 412. Par exemple, le registre 412A est un registre à 16 bits stockant trois bits (les bits 0 à 2 dans l'exemple de la ), indiquant le secteur de départ de la zone de stockage de données 404 de la banque A, qui peut par exemple être un quelconque des huit derniers secteurs numérotés 127/0 à 120/7 en . Par exemple, la valeur binaire "000" désigne le secteur 127/0 et la valeur binaire "111" désigne le secteur 120/7. Le registre 412A stocke également par exemple un bit EEPROM_ENA, indiquant si la banque A comporte une zone de stockage de données 404, ce bit étant le bit 15 du registre 412A dans l'exemple de la .
De façon similaire, le registre 412B est par exemple un registre à 16 bits stockant trois bits (les bits 0 à 2 dans l'exemple de la ), indiquant le secteur de départ de la zone de stockage de données de la banque B. Le registre 412B stocke également par exemple un bit EEPROM_ENB, indiquant si la banque B comporte une zone de stockage de données 404, ce bit étant le bit 15 du registre 412B.
Dans certains modes de réalisation, les bits de validation EEPROM_ENA et EEPROM_ENB sont fixés par défaut à une valeur, par exemple un "0", qui désactive les zones de stockage de données 404 de chaque banque, de sorte que toutes les banques soient utilisées pour le stockage de code, et la désignation des zones de stockage de données est spécifiquement programmée en écrivant dans les registres 412.
Dans certains modes de réalisation, les adresses fournies sur le bus 108 de la qui sont utilisées pour accéder à la zone de stockage de code 402 sont différentes des adresses fournies sur le bus 108 qui sont utilisées pour accéder à la zone de stockage de données 404, et le contrôleur 406 est par exemple configuré pour mettre en œuvre une mise en correspondance d'adresse, à l'aide par exemple du circuit de mise en correspondance d'adresse 411, de ces adresses avec les adresses physiques des secteurs Flash. Dans l'exemple de la , les adresses pour accéder aux secteurs 0 à 127 de la zone de stockage de code 402 vont de 0x0800_0000 à 0x080F_FFFF pour la banque A et de 0x0810_0000 à 0x081F_FFFF pour la banque B (adresses représentées en hexadécimal), alors que les adresses pour accéder aux secteurs 120 à 127 de la zone de stockage de code 402 vont de 0x0900_0000 à 0x0900_BFFF pour la banque A et de 0x0900_C000 à 0x0901_7FFF pour la banque B. Bien entendu, ces adresses sont essentiellement des exemples et de quelconques plages d'adresses qui sont différentes et non chevauchantes pourraient être utilisées pour accéder à la zone de stockage de code 402 et à la zone de stockage de données 404. Un avantage de l'utilisation d'adresses différentes est que cela permet au contrôleur 406 de détecter lorsqu'un accès est souhaité à la zone de stockage de code 402 ou à la zone de stockage de données 404 et de vérifier, à l'aide des registres 412, que la partie correspondante de la mémoire Flash est en effet configurée comme le type de stockage souhaité.
La est un organigramme représentant des étapes d'un procédé 600 d'écriture dans une mémoire Flash selon un exemple de mode de réalisation de la présente description. Les étapes du procédé 600 sont par exemple mises en œuvre par le contrôleur 406 de la mémoire Flash 104.
Dans une étape 601 (RECEIVE WR CMD TO FIRST DATA STORAGE ZONE ADDR), le contrôleur 406 de la mémoire Flash reçoit par exemple une commande d'écriture destinée à une adresse associée à la zone de stockage de données 404. Dans certains modes de réalisation, l'adresse de la commande d'écriture désigne une partie d'une ligne Flash dans une plage d'adresses dédiée à la zone de stockage de données 404, ce qui signifie que le contrôleur 406 peut déduire à partir de l'adresse que l'intention est d'écrire dans la zone de stockage de données 404. L'adresse de la commande d'écriture est fournie sur les lignes de bus d'entrée ADDR et est par exemple accompagnée d'une valeur de taille sur les lignes de bus d'entrée SIZE indiquant une taille en bits de la valeur de données à écrire, qui est par exemple de 16 ou 32 bits. En outre, une première valeur de données à écrire est fournie sur les lignes de bus d'entrée WR DATA. Le signal de validation d'écriture WE est également par exemple activé.
Dans une étape 602 (FLASH LINE = DATA STORAGE ZONE?), le contrôleur 406 est par exemple configuré pour vérifier que la ligne Flash correspondant à l'adresse à accéder fait partie de la zone de stockage de données 404. Pour ce faire, le contrôleur 406 lit par exemple les registres 412 et vérifie que la ligne Flash à accéder fait partie d'un secteur désigné comme faisant partie de la zone de stockage de données 404.
Si la ligne Flash n'est pas dans la zone de stockage de données 404 (branche N partant de l'étape 602), dans une étape 603 (ERROR SIGNAL), un signal d'erreur est par exemple transmis par le contrôleur 406 au dispositif de traitement 102 et/ou à un autre circuit, indiquant que la commande d'écriture ne peut pas être satisfaite et l'étape d'écriture est par exemple abandonnée.
Si la ligne Flash est dans la zone de stockage de données 404 (branche Y partant de l'étape 602), dans une étape 604 (WRITE FIRST DATA VALUE AND ECC TO FIRST PORTIONS OF FLASH LINE), une étape d'écriture est mise en œuvre par le contrôleur 406 sur la partie de la ligne Flash désignée par l'adresse d'écriture. Cela implique par exemple le calcul d'une valeur d'ECC associée aux données d'écriture puis le stockage des données d'écriture en tant que première valeur de données dans une partie de la ligne Flash et le stockage de la valeur d'ECC calculée dans une autre partie de la ligne Flash. On suppose que, avant cette étape d'écriture, tous les bits de la ligne Flash sont dans un état non programmé qui est par exemple un état correspondant à un "1" logique.
Dans certains modes de réalisation, l'étape d'écriture implique le chargement des données d'écriture et de la valeur d'ECC dans le registre d'écriture 408 du contrôleur 406. Le registre d'écriture 408 a par exemple la longueur d'une ligne Flash et cette étape implique par exemple de masquer dans le registre d'écriture 408 les bits de la ligne Flash qui ne doivent pas être modifiés. Le contrôleur 406 est par exemple configuré pour déterminer l'adresse physique de la ligne Flash contenant l'adresse d'écriture et pour lire cette ligne Flash à partir du stockage Flash 400 et la stocker dans le tampon d'écriture 408. Le contrôleur 406 est par exemple configuré pour écrire ensuite la première valeur de données dans la partie de la ligne Flash identifiée par l'adresse d'écriture. Par exemple, l'adresse d'écriture désigne un ou deux des champs de données D0 à D5 de la ligne Flash. Le contrôleur 406 stocke par exemple, dans le tampon d'écriture 408, la valeur de données dans la partie de données de la ligne Flash désignée par l'adresse d'écriture, et la valeur d'ECC correspondante dans la partie de la ligne Flash associée à cette partie de données. Par exemple, en prenant l'exemple de la ligne Flash 300 de la , la première valeur de données est par exemple stockée dans les champs D0 et D1 et la valeur d'ECC est par exemple stockée dans les champs ECC0 et ECC1. Le contenu du registre d'écriture 408 est ensuite écrit par exemple dans la ligne Flash correspondante de la zone de stockage de données 404, de sorte que seuls les champs de données D0 et D1, et les champs d'ECC ECC0 et ECC1, soient modifiés et que les autres bits de la ligne Flash soient maintenus non modifiés, et donc dans l'état non programmé. Bien entendu, parmi les bits des champs modifiés, seuls les bits qui doivent changer d'état, par exemple d'un "1" logique à un "0" logique, sont réellement modifiés.
Dans certains modes de réalisation, la première valeur de données stockées pendant la première étape d'écriture des étapes 601 à 604 correspond à un paquet EEPROM complet. Selon une variante, dans le cas où la taille du paquet EEPROM est plus grande que la granularité d'écriture, une ou plusieurs étapes d'écriture supplémentaires sont par exemple mises en œuvre en répétant les étapes 601 à 604 afin de stocker le paquet EEPROM complet.
Quelque temps après la première étape d'écriture mise en œuvre dans les étapes 601 à 604, une étape d'écriture supplémentaire d'une deuxième valeur de données dans la même ligne de Flash est par exemple mise en œuvre, comme cela est représenté par les étapes 605 à 608. Par exemple, la ligne Flash est réservée pour un paquet EEPROM donné et la deuxième étape d'écriture est mise en œuvre afin de stocker au moins une partie d'une deuxième valeur de données actualisée du paquet EEPROM. Il n'est pas possible de modifier la première valeur de données dans la ligne Flash sans effacer tout d'abord tout le secteur. Par conséquent, la nouvelle valeur de données et le nouveau ECC correspondant sont par contre écrits dans d'autres parties non programmées de la ligne Flash dans des étapes 605 à 608. Selon une variante, la deuxième étape d'écriture est mise en œuvre afin de stocker un paquet EEPROM associé à une autre adresse virtuelle. Les étapes 605 (RECEIVE WR CMD TO SECOND DATA STORAGE ZONE ADDR), 606 (FLASH LINE=DATA STORAGE ZONE?) et 607 (ERROR SIGNAL) sont par exemple identiques aux étapes 601 à 603 décrites précédemment, et ne seront pas décrites de nouveau en détail. L'étape 608 (WRITE SECOND DATA VALUE AND ECC TO SECOND PORTIONS OF FLASH LINE) est cependant différente comme cela sera décrit ci-après plus en détail.
la représente schématiquement un dispositif électronique comprenant une mémoire Flash configurée pour être utilisée pour émuler une mémoire de données selon un exemple de mode de réalisation de la présente description ;
la représente une ligne d'une mémoire Flash stockant un paquet EEPROM selon une approche non optimale ;
la représente une ligne d'une mémoire Flash stockant des paquets EEPROM selon un exemple de mode de réalisation de la présente description ;
la représente schématiquement la mémoire Flash de la plus en détail selon un exemple de mode de réalisation de la présente description ;
la représente schématiquement des registres et un stockage de mémoire Flash de la plus en détail selon un exemple de mode de réalisation de la présente description ;
la est un organigramme représentant des étapes d'un procédé d'écriture dans une mémoire Flash selon un exemple de mode de réalisation de la présente description ; et
la est un organigramme représentant des étapes d'un procédé de lecture à partir d'une mémoire Flash selon un exemple de mode de réalisation de la présente description.
De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, taillenelles et matérielles identiques.
La représente schématiquement un dispositif électronique 100 comprenant un dispositif de traitement 102 (P), une mémoire Flash 104 (FLASH) et une mémoire volatile 106 (RAM), telle qu'une mémoire vive, interconnectés par un bus 108. Le dispositif de traitement 102 comprend par exemple un ou plusieurs processeurs commandés par des instructions stockées dans la mémoire volatile 106. Le dispositif électronique 100 est par exemple un circuit intégré, ou une puce, et les mémoire Flash 104 et mémoire volatile sont par exemple intégrées sur une puce avec le dispositif de traitement 102. Le dispositif électronique 100 peut comprendre des composants supplémentaires (non représentés) reliés au bus 108. Dans certains modes de réalisation, le dispositif 100 comprend également une interface d'entrée/sortie 110 (I/O INTERFACE) reliée au bus, permettant des communications avec des dispositifs externes à la puce tels qu'un dispositif mémoire externe.
La mémoire Flash 104 est configurée pour émuler, dans au moins une partie de sa zone de stockage, une mémoire de stockage de données. Par exemple, la mémoire de stockage de données émulée a une granularité d'accès plus fine que celle de la mémoire FLASH. Dans les modes de réalisation décrits dans la présente demande, la mémoire de stockage de données émulée est une EEPROM, toutefois les principes décrits ici pourraient être appliqués à l'émulation, à l'aide d'une mémoire FLASH, d'autres types de mémoires de données.
La représente une ligne 200 de la mémoire Flash 104 de la stockant un paquet EEPROM selon une approche non optimale. Dans l'exemple de la , la ligne Flash 200 est longue de 138 bits. Par exemple, il y a 128 bits de stockage de données/code (bits 0 à 127), correspondants à la granularité de longueur de bits d'un accès de lecture ou d'écriture Flash, et 9 bits de code de correction d'erreur (ECC) (bits 128 à 136). Le bit 137 n'est par exemple pas utilisé. Dans des variantes de mode de réalisation, chaque ligne Flash et/ou la partie de stockage de données/code de chaque ligne Flash peuvent avoir une longueur de bit différente.
La granularité d'accès d'une EEPROM est généralement plus faible que celle d'une mémoire Flash et, selon un exemple illustré en , chaque paquet de données EEPROM (EE PACKET) à stocker a une longueur de 48 bits, comprenant 16 bits de données, 16 bits d'adresse et 16 bits de vérification de redondance cyclique (CRC), qui est utilisé pour vérifier l'intégrité du paquet. L'adresse est par exemple une adresse virtuelle associée aux données EPROM et sert par exemple comme identifiant de données EEPROM dans la mémoire FLASH. Lorsque la valeur de données associée à une adresse virtuelle donnée doit être modifiée, les données modifiées associées avec la même adresse virtuelle est stockée dans un nouvel emplacement mémoire Flash, qui est par exemple un emplacement mémoire libre suivant dans la mémoire Flash. Lorsqu'une valeur de données associées à une adresse virtuelle donnée doit être lue à partir de la mémoire Flash, une recherche est effectuée parmi les données EEPROM en utilisant des étapes de lecture afin de trouver la valeur de données la plus récente, la plus à jour, associée à l'adresse virtuelle.
Cette répartition des réservoirs de mousse métallique permet d’assurer un remplissage complet du pack batterie par la mousse métallique en cas d’incendie.
Selon un autre mode de réalisation, le réservoir de mousse métallique comprend une substance chimique à base de métal apte à générer une mousse métallique lorsqu’elle est libérée du réservoir de mousse métallique.
De préférence, la mousse métallique est une mousse d’aluminium.
Selon un autre mode de réalisation, le réservoir de mousse métallique comprend une enveloppe contenant la substance chimique configurée pour s’ouvrir à partir d’un seuil de température.
De préférence, le seuil de température est compris entre 800°C et 900°C.
Selon un autre aspect de l’invention, celle-ci a trait à un véhicule mû au moins partiellement par de l’énergie électrique comprenant un pack batterie tel que défini précédemment.
Selon un autre aspect de l’invention, celle-ci a trait à un procédé de retardement de la propagation d’un incendie dans un pack batterie tel que défini précédemment. Le procédé comprend les étapes de : positionnement d’au moins un réservoir de mousse métallique dans un carter du pack batterie logeant au moins un module de batterie, libération d’une mousse métallique par le réservoir de mousse métallique sous l’effet d’une augmentation de température dans le pack batterie, et remplissage au moins partiel du carter par la mousse métallique pour priver le module de batterie d’oxygène.
L’invention fournit ainsi un pack batterie de véhicule mû au moins partiellement par de l’énergie électrique comprenant un dispositif de retardement de propagation d’incendie permettant de stopper ou de ralentir la propagation d’un incendie plus efficacement, tout en facilitant la maintenance et le refroidissement des modules de batteries.
En cas d’incendie dans le pack batterie, le réservoir de mousse métallique libère de la mousse métallique qui s’étend dans le pack batterie, chassant ainsi l’oxygène présent dans le pack batterie. La propagation de l’incendie dans le pack batterie est ainsi stoppée ou ralentie, permettant aux passagers de quitter le véhicule en toute sécurité.
BREVE DESCRIPTION DES FIGURES D’autres caractéristiques et avantages de l’invention ressortiront à la lecture de la description qui suit, en référence aux figures annexées, qui illustrent : : une vue schématique d’un pack batterie comprenant deux réservoirs de mousse métallique, avant dispersion de la mousse métallique dans le pack batterie ; : une vue schématique du pack batterie après dispersion de la mousse métallique dans le pack batterie.
DESCRIPTION DETAILLEE D’UN MODE DE REALISATION La et la illustrent une vue schématique d’un pack batterie 1 destiné à alimenter un moteur électrique d’un véhicule mû au moins partiellement par de l’énergie électrique.
Le pack batterie 1 comprend au moins un module de batterie 2 logé dans un carter 4.
Dans l’exemple de la et de la , le pack batterie 1 comprend trois modules de batterie 2.
Chaque module de batterie 2 contient au moins une cellule électrochimique apte à générer du courant par réaction chimique, par exemple de type lithium-ion (ou Li-ion), de type Ni-Mh, ou Ni-Cd ou plomb.
Les modules de batterie 2 sont alignés ou empilés.
Concernant la mesure de la dureté, les protocoles de préparation des échantillons et de mesure sont les suivants : le beurre est placé dans un moule de 75 mm de diamètre qui est rempli à environ 75% de sa hauteur. Afin de s’affranchir du passé thermique et de contrôler la cristallisation, le moule est placé à l'étuve programmable Vôtsch VC0018 où il est tout d'abord mis en température à 80°C pendant 60 minutes, puis refroidi de 80°C à 0°C à une vitesse de refroidissement de 5°C/minute, puis laissé à la température stabilisée de 0°C pendant 60 minutes, puis soumis à une montée en température allant de 0°C à 20°C, à une vitesse de chauffe de 5°C/minute, puis laissé à la température stabilisée de 20°C pendant 180 minutes. La mesure de la force de compression est réalisée avec le texturomètre TA/TX2i de Swantech. Le mobile utilisé est choisi selon la texture : - mobile cylindrique en acier de 2 mm de diamètre pour les matières premières très rigides ; - mobile cylindrique en acier de 12 mm de diamètre pour les matières premières peu rigides. La mesure comporte 3 étapes : une 1ère étape après détection automatique de la surface de l'échantillon où le mobile se déplace à la vitesse de mesure de 0,1 mm/s, et pénètre dans le beurre à une profondeur de pénétration de 0,3 mm, le logiciel note la valeur de la force maximale atteinte ; une 2ème étape dite de relaxation ou le mobile reste à cette position pendant une seconde et où on note la force après 1 seconde de relaxation ; enfin une 3ème étape dite de retrait ou le mobile revient à sa position initiale à la vitesse de 1 mm/s et on note l'énergie de retrait de la sonde (force négative).
La valeur de la dureté mesurée lors de la première étape correspond à la force de compression maximale mesurée en Newton divisée par la surface du cylindre du texturomètre exprimée en mm 2 en contact avec le beurre ou l’émulsion selon l'invention. La valeur de dureté obtenue est exprimée en méga-pascals ou MPa.
- les oligomères linéaires ou ramifiés, homo ou copolymères de (méth)acrylates d’alkyle ayant de préférence un groupement alkyle en C 8 -C 30 ,
- les oligomères homo et copolymères d’esters vinyliques ayant des groupements alkyles en C 8 -C 30 ,
- les oligomères homo et copolymères de vinyléthers ayant des groupements alkyles en C 8 -C 30 ,
- les polyéthers liposolubles résultant de la polyéthérification entre un ou plusieurs diols en C 2 -C 100 , de préférence en C 2 -C 50 ,
Dispositif de stabilisation vertébrale ARRIERE PLAN DE L’INVENTION
La présente invention concerne le domaine des implants chirurgicaux et plus particulièrement les dispositifs de stabilisation vertébrale implantée dans un corps humain ou animal pour le traitement des pathologies du rachis.
Il existe de nombreux dispositifs de stabilisation vertébrale dont le principe général est de relier des vertèbres adjacentes par des tiges.