INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Il ressort de ce qui précède que le nettoyage des circuits fluidiques tel qu’il est actuellement mis en œuvre au sein de nombreuses installations industrielles n’est pas toujours optimal. Lorsqu’ils en prennent conscience, les industriels concernés peuvent éventuellement faire appel à des consultants spécialistes pour tenter d’identifier des axes de modifications du paramétrage du système de nettoyage, susceptibles d’en améliorer les résultats. Un tel processus peut cependant s’avérer long et coûteux, et repose le plus souvent sur une approche empirique. En outre, les solutions identifiées dans ce cadre manquent généralement d’adaptabilité, en ce sens que toute modification des conditions initiales est susceptible de les remettre en cause, et donc de nécessiter une nouvelle itération de l’ensemble du processus de consultation.
Il existe donc un besoin pour une solution permettant d’optimiser le nettoyage de circuits fluidiques au sein d’une installation industrielle, qui ne présente pas les contraintes des solutions existantes.
La présente technique permet de proposer une solution visant à remédier à certains inconvénients de l’art antérieur. La présente technique se rapporte en effet à procédé d’optimisation du nettoyage d’un circuit fluidique au sein d’une installation industrielle, ledit circuit fluidique assurant la mise en œuvre d’un processus de traitement prédéterminé d’un fluide prédéterminé dans ladite installation industrielle. Selon le principe général de la présente technique, ledit procédé comprend au moins une itération des étapes suivantes :
- ajustement, par une machine de calcul d’une unité de nettoyage paramétrable, d’au moins une donnée de paramétrage de ladite unité de nettoyage paramétrable, en fonction au moins de mesures délivrées par une pluralité de capteurs positionnés sur ledit circuit fluidique et de caractéristiques intrinsèques audit circuit fluidique, audit fluide prédéterminé, et audit traitement prédéterminé ;
- mise en œuvre d’un nettoyage optimisé dudit circuit fluidique, par ladite unité de nettoyage paramétrable, en fonction de ladite au moins une donnée de paramétrage ajustée.
Dans un mode de réalisation particulier, ledit procédé comprend une phase de modélisation d’encrassements résultant de la mise en œuvre du processus de traitement prédéterminé du fluide prédéterminé au sein du circuit fluidique, et ladite étape d’ajustement d’au moins une donnée de paramétrage tient compte de ladite modélisation d’encrassements.
Selon une caractéristique particulière de ce mode de réalisation, ladite phase de modélisation d’encrassements comprend les étapes suivantes :
- modélisation dudit circuit fluidique ;
- modélisation dudit fluide prédéterminé ;
Avantageusement, le procédé de stockage comprend une étape de programmation de chaque mémoire non-initialisée du deuxième sous-ensemble et de chaque mémoire initialisée du premier sous-ensemble. Ainsi, les mémoires, qu’elles soient initialisées ou non, stockent un faux message. Il est ainsi plus difficile de déterminer le vrai message qui est stocké dans l’ensemble des mémoires.
, , , représentent schématiquement des premier, deuxième, troisième et quatrième modes de réalisation d’une mémoire résistive non-initialisée selon l’invention.
représente une mesure de la résistivité de quatre couches d’alliage de titane présentant des stœchiométries différentes.
représente une distribution cumulée de l’état d’un ensemble de mémoires résistives non-initialisée selon l’invention en fonction de la résistance.
représente la variation de la résistivité en fonction de la température de trois couches d’alliage de titane présentant des stœchiométries différentes.
et représentent schématiquement un premier et un deuxième mode de réalisation d’une mémoire résistive initialisée obtenue à l’issue d’une mise en œuvre d’un procédé d’initialisation selon l’invention.
représente schématiquement un taux de dilution d’un matériau à base de titane dans une région active d’une mémoire résistive obtenue à l’issue d’un procédé d’initialisation selon l’invention, en fonction d’une dimension de cette région active.
représente schématiquement un mode de mise en œuvre d’un procédé d’initialisation selon l’invention.
représente schématiquement une étape du procédé d’initialisation selon l’invention.
représente schématiquement une mesure de la résistance d’une mémoire résistive selon l’invention lors de la mise en œuvre du procédé d’initialisation et après sa mise en œuvre.
, , représentent schématiquement une mesure de la résistance de deux mémoires résistives selon l’invention en fonction d’un courant appliqué et d’une durée d’application d’un courant.
représente schématiquement un mode de mise en œuvre d’un procédé de stockage selon l’invention.
DESCRIPTION DÉTAILLÉE L’invention vise à fournir une mémoire résistive dont les performances et plus particulièrement la vitesse d’écriture ou le niveau de rétention sont configurés (que l’on nommera également initialiser).
L’invention concerne notamment un procédé d’initialisation d’une mémoire dite « non-initialisée ». Les , , et représentent schématiquement, selon une vue en coupe, une mémoire résistive non-initialisée 1 (également appelée mémoire) mise en œuvre par ledit procédé de l’invention. Ladite mémoire résistive non-initialisée comprend au moins une première couche 11 et au moins une deuxième couche 12. Dans ces modes de réalisation, la mémoire 1 comprend également une première électrode 13 et une deuxième électrode 14, lesdites première et deuxième électrodes 13, 14 étant séparées par chaque première et deuxième couches 11, 12.
Pour cela, l’invention concerne un procédé d’initialisation d’une mémoire résistive non-initialisée, ladite mémoire résistive non-initialisée comprenant : au moins une première couche, comprenant un matériau à base de titane, ledit matériau à base de titane étant conducteur ; au moins une deuxième couche, s’étendant sur ladite au moins une première couche, comprenant un premier matériau à changement de phase, ledit premier matériau à changement de phase étant apte à être dopé par du titane ; le procédé comprenant une étape de circulation d’un courant électrique, dit courant d’initialisation, dans chacune des première et deuxième couches, le courant d’initialisation étant dimensionné pour générer un gradient de température au sein de chaque première et deuxième couches impliquant la fusion d’une partie au moins du matériau à base de titane de chaque première couche sur toute son épaisseur et d’une partie au moins du premier matériau à changement de phase de chaque deuxième couche, ladite fusion résultant dans la formation, à partir du premier matériau à changement de phase et du matériau à base de titane, d’un deuxième matériau à changement de phase comprenant du titane.
Par mémoire résistive, on entend une mémoire pouvant présenter au moins deux états, la lecture de l’état courant de la mémoire pouvant être réalisée par une mesure de sa résistance.
Par matériau à base de titane, on entend un matériau dont l’un des constituants est le titane. Il s’agit par exemple d’un alliage de titane, tel que le TiTe.
Par matériau conducteur, on entend conducteur électrique et avantageusement conducteur thermique. La résistivité électrique du matériau à base de titane est par exemple inférieure à 1000 µΩ·cm, voire inférieure ou égale à 700 µΩ·cm. La résistivité est préférentiellement mesurée à une température inférieure à 700 °C, voire inférieure ou égale à 400 °C.
Par matériau à changement de phase, on entend un matériau apte à commuter sous l’action d’un paramètre tel qu’un courant électrique, d’un premier état à un deuxième état ou du deuxième état au premier état, le premier état présentant une résistivité et le deuxième état présentant une deuxième résistivité, différente de la première résistivité. Le premier état correspond par exemple à une première phase dudit matériau et le deuxième état correspond par exemple à une deuxième phase dudit matériau. La première phase pouvant être une phase cristalline, la deuxième phase pouvant être une phase amorphe.
Par apte à être dopé par de titane, on entend que du titane peut interagir électroniquement avec le premier matériau à changement de phase et modifier au moins une propriété de commutation dudit premier matériau à changement de phase. Un matériau à changement de phase dopé au moyen de titane voit par exemple sa température de changement de phase abaissée.
Par circulation d’un courant électrique, on entend le passage d’un courant électrique dans chacune des première et deuxième couches.
Par générer un gradient de température, on entend modifier localement la température desdites couches par l'apport d'une quantité de chaleur dissipée par effet Joule.
Par fusion d’une partie au moins d’un matériau à base de titane d’une première couche sur toute son épaisseur, on entend qu’une portion au moins dudit matériau à base de titane passe à l’état fondu, ladite portion atteignant deux faces de ladite couche première couche, lesdites deux faces étant opposées l’une à l’autre.
Par formation d’un deuxième matériau à changement de phase, on entend le mélange des matériaux fondus, en l’occurrence du matériau à base de titane et du premier matériau à changement de phase, et la combinaison du premier matériau à changement de phase fondu avec du titane provenant dudit matériau à base de titane fondu.
La mémoire résistive non-initialisée permet de stocker une information dans le premier matériau à changement de phase de chaque deuxième couche. La circulation du courant d’initialisation dans la mémoire résistive permet de former une région dite « active » dans la mémoire, comprenant le deuxième matériau à changement de phase. Le deuxième matériau à changement de phase comprend le premier matériau à changement de phase dopé par du titane provenant du matériau à base de titane. La région active peut stocker une information, elle présente toutefois une vitesse de commutation plus élevée que la vitesse de commutation du premier matériau à changement de phase. La vitesse de commutation dépend de la concentration de titane dopant le premier matériau à changement de phase, qui dépend elle-même du volume de la région active, qui dépend elle-même du courant ayant circulé dans les deux couches. Ainsi, la circulation d’un courant électrique prédéterminé dans la mémoire résistive permet donc de configurer les performances de ladite mémoire.
L’invention concerne également une mémoire (2) initialisée obtenue après la mise en œuvre du procédé d’initialisation selon l’invention, ladite mémoire résistive initialisée comprenant : au moins une première couche, comprenant un matériau à base de titane ; au moins une deuxième couche, s’étendant sur ladite au moins une première couche, comprenant un premier matériau à changement de phase ; et au moins une région active, chaque région active étant disposée entre une première couche et une deuxième couche, chaque région active comprenant un deuxième matériau à changement de phase comprenant du titane.
La concentration en titane du deuxième matériau à changement de phase est avantageusement supérieure à la concentration en titane du premier matériau à changement de phase et avantageusement inférieure à la concentration en titane de matériau à base de titane.
L’invention concerne enfin un procédé de stockage d’un message dans un ensemble de mémoires résistives non-initialisées, chaque mémoire résistive non-initialisée comprenant : une première couche, comprenant un matériau à base de titane, ledit matériau à base de titane étant conducteur ; une deuxième couche, s’étendant sur la première couche et comprenant un premier matériau à changement de phase, ledit premier matériau à changement de phase étant apte à être dopé par du titane ; l’ensemble de mémoires résistives non-initialisées comprenant un premier sous-ensemble de mémoires résistives non-initialisées et un deuxième sous-ensemble de mémoires résistives non-initialisées, distincts du premier sous-ensemble de mémoires résistives non-initialisées, le procédé de stockage comprenant une étape d’initialiser chaque mémoire résistive du premier sous-ensemble de mémoires résistives non-initialisée par la mise en œuvre du procédé d’initialisation selon l’invention, le message stocké étant formé par les mémoires résistives non-initialisées ou par les mémoires résistives initialisées.
On obtient ainsi des mémoires initialisées au moyen d’un « fort » courant et des mémoires non initialisées. Les mémoires initialisées vont être utilisées pour être programmées dans l’état voulu (« SET » ou « RESET ») avec un courant d’écriture (dit également de « programmation ») inférieur au courant d’initialisation. Les mémoires non-initialisées vont être insensibles au courant de programmation, c’est à dire qu’elles vont rester dans leur état « non-initialisée ».
Le procédé permet ainsi d’estimer l’état de charge SOC de l’élément électrochimique 12 à l’aide d’un modèle hybride (le troisième modèle M3) faisant intervenir d’une part un modèle de calcul de l’état de charge SOC en utilisant un comptage coulométrique (le première modèle M1) et d’autre part, un modèle calculant l’état de charge SOC en utilisant un réseau de neurones (le deuxième modèle M2). Le troisième modèle M3 sert à limiter les imprécisions sur la détermination de l’état de charge SOC liées au biais du capteur de courant 18, à l’auto-décharge de l’élément électrochimique 12 ainsi qu’au défaut de l’estimation de la capacité de l’éléments électrochimique.
Il peut être noté que, parmi ces trois modèles M1, M2 et M3, seul le deuxième modèle M2 est un réseau de neurones appris. Ainsi, le procédé d’estimation de l’état de charge SOC comporte deux phases, une phase d’apprentissage et une phase d’utilisation.
Selon l’exemple décrit, la phase d’apprentissage est mise en œuvre hors-ligne, c’est-à-dire que la phase d’apprentissage n’est pas embarquée.
C’est lors de cette phase d’apprentissage que le deuxième modèle M2 est entraîné afin d’apprendre à estimer un état de charge à partir de profils de charge et décharge à courant constant pour différentes températures et différents états de vieillissement (plusieurs éléments ayant des capacités différentes dû au vieillissement).
Dans l’exemple décrit, la phase d’apprentissage comporte une étape d’apprentissage d’un réseau de neurones, une étape de calcul et une étape d’établissement.
Lors de l’étape d’apprentissage, le réseau de neurones est entraîné pour estimer l’état de charge SOC de l’élément électrochimique 12 à partir des valeurs de tension de l’élément électrochimique 12, de courant de l’élément électrochimique 12, de température de l’élément électrochimique 12 et de capacité Q de l’élément électrochimique 12.
La valeur de capacité Q est obtenue moins fréquemment et peut être obtenue par toute technique notamment par détermination lors d’une charge ou une décharge complète.
Chaque neurone est propre à effectuer une somme pondérée des valeur(s) reçue(s) de la part des neurones de la couche précédente avec un biais éventuel propre à chaque neurone, chaque valeur étant alors multipliée par le poids synaptique respectif, puis à appliquer une fonction d’activation, typiquement une fonction non-linéaire, à ladite somme pondérée, et à délivrer aux neurones de la couche suivante la valeur résultat de l’application de la fonction d’activation. La fonction d’activation permet d’introduire une non-linéarité dans le traitement effectué par chaque neurone. La fonction sigmoïde, la fonction tangente hyperbolique, la fonction de Heaviside sont des exemples de fonctions d’activation.
Le mécanisme de translation verticale MT1 comprend des première E1 et seconde E2 extrémités opposées. La première extrémité E1 est propre à être couplée à la face interne FI du toit TV. La seconde extrémité E2 est propre à être couplée à la pièce PME. De plus, ce mécanisme de translation verticale MT1 est agencé de manière à faire varier verticalement la distance qui sépare ses première E1 et seconde E2 extrémités afin de presser verticalement sa pièce PME contre la face supérieure d’un objet Oj qui est installé sur le plancher PLV pour immobiliser cet objet Oj dans l’espace d’accueil EA.
Grâce à cette variation de la distance séparant les première E1 et seconde E2 extrémités on peut faire varier la distance (suivant la direction verticale Z) séparant la pièce PME du toit TV pour l’adapter à la hauteur à laquelle est placée la face supérieure de l’objet Oj à immobiliser. C’est ce que l’on peut observer dans l’exemple de la où les pièces PME des premier et deuxième dispositifs d’immobilisation DI sont placées à des hauteurs différentes par rapport au toit TV afin de presser respectivement les faces supérieures des premier O1 et deuxième O2 objets qui sont placées à des hauteurs différentes.
De plus, l’élasticité de la pièce PME, qui est pressée contre la face supérieure de l’objet Oj à immobiliser, lui permet de sensiblement épouser la forme de cette face supérieure, comme cela apparaît sur la , et ainsi de répartir la pression sur cette face supérieure pour que le plaquage et donc l’immobilisation soient de qualité et pérennes, y compris lorsqu’elle n’est pas plate ou placée sensiblement horizontalement dans l’espace d’accueil EA. En outre, cette élasticité permet d’éviter tout endommagement de la face supérieure de l’objet Oj immobilisé. Les possibilités d’utilisation du dispositif d’immobilisation DI sont donc nombreuses.
Par ailleurs, la distance entre objets Oj peut être très petite car la pièce PME agit exclusivement sur la face supérieure de l’objet Oj qu’elle immobilise, sans nécessiter des ancrages à quelque distance des deux côtés opposés de cet objet Oj comme c’est le cas avec un dispositif d’immobilisation à sangle(s).
Par exemple, et comme illustré non limitativement sur les figures 1 à 3, le dispositif d’immobilisation DI peut aussi comprendre une plaque rigide PR à laquelle est solidarisée fixement la pièce PME et qui est solidarisée à la seconde extrémité E2 du mécanisme de translation verticale MT1. Cette plaque rigide PR permet d’optimiser le plaquage de la pièce PME contre la face supérieure de l’objet Oj à immobiliser, car elle subit une pression répartie sur toute sa face supérieure et donc se déforme principalement dans sa sous-partie qui est au contact de la face supérieure de l’objet Oj.
Egalement par exemple, et comme illustré non limitativement sur les figures 1 à 3, le mécanisme de translation verticale MT1 peut être de type dit à ciseaux. On notera que dans l’exemple illustré non limitativement sur les figures 1 à 3 le mécanisme de translation verticale MT1 est à simple ciseaux, mais elle pourrait être à double ciseaux, voire à triple ciseaux. Cela dépend en effet de l’amplitude de la translation verticale qui est désirée pour la pièce PME.
On notera également que l’on peut utiliser d’autres types de mécanisme de translation verticale MT1, comme par exemple un vérin.
Egalement par exemple, le mécanisme de translation verticale MT1 peut être motorisé, par exemple au moyen d’un moteur électrique (non illustré et alimenté par le véhicule V). Cette motorisation permet avantageusement de faire varier verticalement, de façon automatisée ou contrôlée à distance, la distance qui sépare les première E1 et seconde E2 extrémités du mécanisme de translation verticale MT1. Ainsi, l’usager du véhicule V peut facilement agir sur le mécanisme de translation verticale MT1 pour immobiliser ou libérer un objet Oj en actionnant un organe de commande dédié ou en sélectionnant un menu sur un écran d’affichage (éventuellement dédié). L’intervention de l’usager est dans ce cas particulièrement simple.
On notera que la motorisation automatisée peut aussi éventuellement permettre un chargement/déchargement automatisé d’un ou plusieurs objets Oj dans un espace d’accueil EA. Elle peut aussi permettre une libération automatique d’un ou plusieurs objets Oj consécutivement à l’ouverture (possiblement automatisée) de la (des) porte(s) contrôlant l’accès à l’espace d’accueil EA.
Mais dans une variante de réalisation chaque mécanisme de translation verticale MT1 pourrait être actionné manuellement par l’usager du véhicule V, par exemple grâce à une molette.
On notera également, comme illustré non limitativement sur les figures 1 à 3, qu’au moins un dispositif d’immobilisation DI peut aussi comprendre un mécanisme de translation horizontale MT2 propre à être solidarisé fixement à la face interne FI du toit TV en un endroit choisi et auquel est solidarisée fixement la seconde extrémité E2 du mécanisme de translation verticale MT1. Ce mécanisme de translation horizontale MT2 est propre à translater ce mécanisme de translation verticale MT1 suivant au moins une direction dans un plan horizontal XY de l’espace d’accueil EA. Par exemple, le mécanisme de translation horizontale MT2 peut être agencé pour translater le mécanisme de translation verticale MT1 associé suivant la direction longitudinale X et/ou suivant la direction transversale. Cette option permet de conférer de la flexibilité pour le positionnement d’un objet Oj dans l’espace d’accueil EA et/ou pour les dimensions et formes des objets Oj.
Par exemple, un mécanisme de translation horizontale MT2 peut se présenter sous la forme d’un rail longitudinal ou transversal sur lequel le mécanisme de translation verticale MT1 peut être translaté.
Egalement par exemple, le mécanisme de translation horizontale MT2 peut être motorisé, par exemple au moyen d’un moteur électrique (non illustré et alimenté par le véhicule V). Cette motorisation permet avantageusement de faire varier dans le plan horizontal, de façon automatisée ou contrôlée à distance, la position du mécanisme de translation verticale MT1 au sein de l’espace d’accueil EA. Ainsi, l’usager du véhicule V peut facilement agir sur le mécanisme de translation horizontale MT2, pour positionner précisément la pièce PME par rapport à la face supérieure de l’objet Oj à immobiliser, en actionnant un organe de commande dédié ou en sélectionnant un menu sur un écran d’affichage (éventuellement dédié). L’intervention de l’usager est dans ce cas particulièrement simple.
Mais dans une variante de réalisation chaque mécanisme de translation horizontale MT2 pourrait être actionné manuellement par l’usager du véhicule V, par exemple après avoir desserré une vis de blocage.
Système de table escamotable pour véhicule La présente invention concerne le domaine de l’aménagement des véhicules, notamment les véhicules automobiles, et en particulier un système de table escamotable pour véhicule.
Il est souhaitable de pouvoir fournir un aménagement de véhicule qui soit facile d’utilisation et qui offre des fonctionnalités intéressantes à l’utilisateur.
Dans une première variante du procédé, on diminue le taux de répartition S. Par exemple, on fait varier ledit taux d’une valeur constante négative. Dans une deuxième variante du procédé, on augmente le taux de répartition S. Par exemple, on fait varier ledit taux d’une valeur constante positive.
Cette action a, d’une part, un effet sur la vitesse volumétrique horaire et sur l’efficacité des dispositifs de dépollution. D’autre part, elle a aussi une action sur la concentration d’oxydes d’azote à la sortie du moteur [NOx]eo , et donc sur le débit d’oxydes d’azote QNOx,ech entrant dans le premier dispositif de dépollution 15. Ces deux effets cumulés peuvent conduire, selon les cas de figure, à savoir selon la sensibilité des émissions d’oxydes d’azote par le moteur à la température des gaz EGR (selon qu’on utilise plutôt de l’EGR-HP ou de l’EGR-LP) et selon la sensibilité de l’efficacité du dispositif de dépollution 15 à la vitesse volumique horaire VVH, à augmenter ou à diminuer le débit d’oxydes d’azote à la sortie du circuit d’échappement QNOx,tp.
Le procédé se poursuit par une étape 1300 dans laquelle on détermine la nouvelle valeur de débit d’oxydes d’azote à l’échappement QNOx,tp résultant de cette modification du taux de répartition S, et on réalise un test qui consiste à vérifier si ledit débit QNOx,tp est inférieur à la valeur précédente.