Dispositif (1) à ondes élastiques de surface qui comprend : - un substrat POI (2) qui comprend, d’une face avant (3) vers une face arrière (4), une couche de matériau piézoélectrique (5), une couche de matériau diélectrique (6) et un substrat support (7) ; - au moins un transducteur électroacoustique (8,9) formé sur ou dans la couche de matériau piézoélectrique (5) ; le dispositif (1) à ondes élastiques de surface étant caractérisé en ce que le substrat POI (2) comprend en outre une couche additionnelle intercalée entre la couche de matériau piézoélectrique (5) et la couche de matériau diélectrique (6), la couche additionnelle étant associée à un coefficient de température de la fréquence de signe opposé à celui auquel est associée la couche de matériau diélectrique (6). Dispositif (1) à ondes élastiques de surface selon la revendication 1, dans lequel le coefficient de température de la fréquence de la couche additionnelle est négatif. Dispositif (1) à ondes élastiques de surface selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la couche additionnelle présente, pour des fréquences inférieures à 1 GHz, une impédance acoustique supérieure ou égale à celle de la couche de matériau diélectrique (6). Dispositif (1) à ondes élastiques de surface selon l’une des revendications 1 à 3, dans lequel la couche additionnelle présente une épaisseur comprise entre 20 nm et 300 nm. Dispositif (1) à ondes élastiques de surface selon l’une des revendications 1 à 4, dans lequel la couche additionnelle comprend au moins un des matériaux choisi parmi : SiN, Al 2 O 3 , AlN, Carbone diamant, GaN, LiNbO 3 , ZnO. Dispositif (1) à ondes élastiques de surface selon l’une des revendications 1 à 5, dans lequel le substrat support comprend au moins l’un des éléments choisis parmi : un substrat de silicium présentant l’orientations 110, un substrat de quartz présentant une orientation (YX/t)/θ/90° avec θ compris entre -20° et 60°, avantageusement compris entre -10° et 30°, par exemple égal à 5°. Dispositif (1) à ondes élastiques de surface selon l’une des revendications 1 à 6, dans lequel la couche de matériau diélectrique (6) présente une épaisseur supérieure à 300 nm, avantageusement d’une épaisseur comprise entre 300 nm et 600 nm, encore plus avantageusement d’une épaisseur comprise entre 300 nm et 400 nm. Dispositif (1) à ondes élastiques de surface selon l’une des revendications 1 à 7, dans lequel la couche de matériau diélectrique (6) comprend du dioxyde de silicium. Dispositif (1) à ondes élastiques de surface selon l’une des revendications 1 à 8, dans lequel la couche de matériau piézoélectrique (5) présente une épaisseur comprise entre 300 nm et 1000 nm, avantageusement supérieure à 700 nm, encore plus avantageusement supérieure à 800 nm. Dispositif (1) à ondes élastiques de surface selon l’une des revendications 1 à 9, dans lequel la couche de matériau piézoélectrique (5) comprend l’un ou l’autre du LiTaO 3 et du LiNbO 3 . Dispositif (1) à ondes élastiques de surface selon l’une des revendications 1 à 10, dans lequel la matériau formant la couche de matériau piézoélectrique (5) présente un angle de coupe (YX)/θ avec θ compris entre 10° et 52°, avantageusement compris entre 15° et 30°. Dispositif (1) à ondes élastiques de surface selon l’une des revendications 1 à 11, dans lequel le substrat POI (2) comprend également une couche de piégeage intercalée entre la couche de matériau diélectrique (6) et le substrat support, la couche de piégeage étant adaptée pour limiter le libre parcours moyen de porteurs électriques à l’interface formée entre la couche de matériau diélectrique (6) et la couche de piégeage au regard du libre parcours moyen de porteurs électriques à une interface formée entre la couche de matériau diélectrique (6) et le substrat support. Dispositif (1) à ondes élastiques de surface selon la revendication 12, dans lequel la couche de piégeage comprend du silicium poly cristallin et présente avantageusement une épaisseur comprise entre 400 nm et 2000 nm.