INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Dans cet exemple, le photosite 100 comporte une première zone photosensible 103 formée dans le substrat semiconducteur 101. Comme illustré en figures 2A et 2B, la première zone photosensible 103 s’étend verticalement dans l’épaisseur du substrat semiconducteur 101 depuis une face inférieure 101B du substrat 101 jusqu’à une profondeur inférieure à l’épaisseur du substrat 101. Dans l’exemple illustré, la première zone photosensible 103 du photosite 100 présente, vue de dessus, un pourtour de forme sensiblement carrée. La première zone photosensible 103 est par exemple formée dans une première région 105 du substrat semiconducteur 101 dopée d’un premier type de conductivité, par exemple le type N, et présentant un niveau de dopage N1.
La première zone photosensible 103 peut par exemple constituer une première diode photosensible D1, ou photodiode, par exemple une photodiode pincée présentant une tension de pincement Vpin1.
Dans l’exemple représenté, le photosite 100 comporte en outre une deuxième zone photosensible 107 formée dans le substrat semiconducteur 101. La deuxième zone photosensible 107 est située à l’aplomb de la première zone photosensible 103 (au-dessus de la première zone photosensible 103, dans l’orientation des figures 2A et 2B). Dans l’exemple illustré, la deuxième zone photosensible 107 s’étend verticalement dans l’épaisseur du substrat semiconducteur 101, depuis une face supérieure 101T du substrat 101 opposée à la face inférieure 101B, jusqu’à une profondeur inférieure à l’épaisseur du substrat 101. Vue de dessus, la deuxième zone photosensible 107 présente par exemple un pourtour de forme rectangulaire. La deuxième zone photosensible 107 présente par exemple des dimensions latérales inférieures à celles de la première zone photosensible 103. Plus précisément, en vue de dessus, le rectangle formé par la deuxième zone photosensible 107 est inscrit à l’intérieur du carré formé par la première zone photosensible 103. La deuxième zone photosensible 107 est par exemple formée dans une deuxième région 109 du substrat 101 dopée du premier type de conductivité, le type N dans cet exemple, et présentant un niveau de dopage N2. Le taux de dopage N2 de la deuxième région 109 du substrat 101 est par exemple supérieur au niveau de dopage N1 de la première région 105. Dans l’exemple représenté, la deuxième région 109 du substrat 101 est en contact, par sa face inférieure, avec la face supérieure de la première région 105 sous-jacente. En outre, dans cet exemple, la deuxième zone photosensible 107 est sensiblement en contact, par sa face inférieure, avec la face supérieure de la première zone photosensible 103 sous-jacente.
La deuxième zone photosensible 107 peut par exemple constituer une deuxième diode photosensible D2, par exemple une photodiode pincée présentant une tension de pincement Vpin2. Dans cet exemple, la tension de pincement Vpin2 de la deuxième photodiode D2 est supérieure à la tension de pincement Vpin1 de la première photodiode D1.
Chaque zone photosensible 103, 107 est par exemple destinée à collecter des photons incidents, lors de phases d’illumination du capteur d’images dont fait partie le photosite 100, et à convertir ces photons en paires électron-trou. Dans cet exemple, la première zone photosensible 103 est adaptée à capter de la lumière dans une première gamme de longueurs d’onde et la deuxième zone photosensible 107 est adaptée à capter de la lumière dans une deuxième gamme de longueurs d’onde, différente de la première gamme de longueurs d’onde. Les première et deuxième zones photosensibles 103 et 107 sont par exemple destinées à capturer respectivement des images 2D et des images de profondeur d’une scène. À titre d’exemple, la première zone photosensible 103 du photosite 100 est adaptée à capter de la lumière visible, par exemple de la lumière bleue, et la deuxième zone photosensible 107 du photosite 100 est adaptée à capter un rayonnement infrarouge, par exemple un rayonnement infrarouge proche, lorsque le photosite 100 est illuminé du côté de sa face inférieure 101B.
Dans un cas où les première et deuxième zones photosensibles 103 et 107 sont en le même matériau, par exemple le silicium, la lumière visible et le rayonnement infrarouge sont absorbés majoritairement à des profondeurs différentes dans le substrat semiconducteur 101 depuis sa face inférieure 101B. Dans ce cas, la profondeur d’absorption majoritaire de la lumière visible est inférieure à celle du rayonnement infrarouge. La deuxième zone photosensible 107 peut par exemple présenter une épaisseur supérieure à celle de la première zone photosensible 103 afin d’optimiser l’absorption du rayonnement infrarouge dans la deuxième zone photosensible 107.
Dans l’exemple représenté, le photosite 100 comporte en outre une tranchée d’isolation périphérique 111, par exemple une tranchée d’isolation capacitive, délimitant latéralement la première zone photosensible 103. Plus précisément, dans cet exemple, la tranchée d’isolation périphérique 111 borde toutes les faces latérales de la première zone photosensible 103 et présente, en vue de dessus, un pourtour de forme sensiblement carrée.
La tranchée d’isolation périphérique 111 permet d’isoler électriquement les première et deuxième zones photosensibles 103 et 107 du photosite 100 par rapport aux zones photosensibles des photosites voisins, non représentés en figures 1, 2A et 2B. La tranchée d’isolation périphérique 111 est formée dans le substrat 101. Dans l’orientation des figures 2A et 2B, la tranchée d’isolation périphérique 111 s’étend verticalement dans l’épaisseur du substrat 101, depuis la face supérieure 101T du substrat 101, jusqu’à la face inférieure 101B du substrat 101. En d’autres termes, la tranchée d’isolation périphérique 111 s’étend verticalement, dans cet exemple, sur toute l’épaisseur du substrat 101 et débouche du côté des faces supérieure 101T et inférieure 101B du substrat 101.
La tranchée d’isolation périphérique 111 présente par exemple une largeur comprise entre 30 et 600 nm, et une profondeur comprise entre 5 et 20 µm. Dans l’exemple illustré en figures 2A et 2B, la tranchée d’isolation périphérique 111 présente une profondeur égale à l’épaisseur du substrat 101.
Bien que cela n’ait pas été détaillé en figures 1, 2A et 2B, la tranchée d’isolation périphérique 111 comporte par exemple une région électriquement conductrice dont les parois latérales sont revêtues d’une couche électriquement isolante. Cette couche isole électriquement la région électriquement conductrice de la tranchée 111 par rapport au substrat 101. À titre d’exemple, la région électriquement conductrice de la tranchée 111 est en silicium polycristallin ou en un métal, par exemple le cuivre, ou en un alliage métallique, et la couche électriquement isolante de la tranchée 111 est en un matériau diélectrique, par exemple en oxyde de silicium. À titre d’exemple, la tranchée d’isolation périphérique 111 est une tranchée de type CDTI (de l’anglais « Capacitive Deep Trench Isolation »), ou tranchée profonde d’isolation capacitive.
Dans l’exemple illustré en figures 1, 2A et 2B, le photosite 100 comporte en outre une grille de transfert verticale VEGA adaptée à transférer les charges photogénérées dans la première zone photosensible 103 vers la deuxième zone photosensible 107. Plus précisément, un circuit de commande du photosite 100 peut être utilisé pour appliquer alternativement, sur la grille de transfert verticale VEGA : – un premier potentiel adapté à bloquer un transfert de charges depuis la première zone photosensible 103 vers la deuxième zone photosensible 107 ; ou – un deuxième potentiel, différent du premier potentiel, adapté à permettre un transfert de charges depuis la première zone photosensible 103 vers la deuxième zone photosensible 107.
Dans cet exemple, la grille de transfert verticale VEGA comprend deux tranchées d’isolation 115 disjointes, par exemple des tranchées d’isolation capacitives. Comme illustré en figures 2A et 2B, chaque tranchée d’isolation 115 de la grille de transfert verticale VEGA s’étend verticalement dans l’épaisseur du substrat semiconducteur 101 depuis la face supérieure 101T du substrat 101 jusqu’à la première zone photosensible 103, et pénètre partiellement dans la première zone photosensible 103 jusqu’à une profondeur inférieure à celle de la tranchée d’isolation périphérique 111. En d’autres termes, chaque tranchée d’isolation 115 s’interrompt dans l’épaisseur de la première région 105 du substrat 101 et ne débouche pas du côté de la face inférieure 101B du substrat 101. Dans cet exemple, chaque tranchée d’isolation 115 traverse totalement la deuxième région 109 du substrat 101 et pénètre partiellement dans la première région 105. À titre d’exemple, chaque tranchée d’isolation 115 présente une profondeur comprise entre 3 et 18 µm.
Dans l’exemple représenté, les tranchées d’isolation 115 forment deux plaques sensiblement parallèles entre elles et bordant deux faces latérales opposées de la deuxième zone photosensible 107. Dans cet exemple, les tranchées d’isolation 115 sont en outre, vues de dessus, sensiblement parallèles à deux côtés opposés de la tranchée d’isolation périphérique 111.
Dans cet exemple, les tensions de pincement Vpin1 et Vpin2 des diodes D1 et D2 peuvent être ajustées en modifiant les niveaux de dopage N1 et N2 des zones photosensibles 103 et 107. Les tensions Vpin1 et Vpin2 peuvent en outre être ajustées en modifiant respectivement une distance entre les deux murs opposés de la tranchée d’isolation périphérique 111 parallèles aux tranchées d’isolation 115 et la largeur de la grille de transfert verticale VEGA, autrement dit la distance entre les deux tranchées d’isolation 115. Les tensions Vpin1 et Vpin2 dépendent en outre d’une tension de polarisation d’une couche d’inversion passivant les flancs de la tranchée 111, pour la zone photosensible 103, et des tranchées 115, pour la zone photosensible 107. Cette tension de polarisation est par exemple identique pour les deux zones photosensibles 103 et 107. Dans cet exemple, la tension de polarisation de la couche d’inversion ne permet pas d’ajuster les tensions de pincement Vpin1 et Vpin2 indépendamment l’une de l’autre.
Chaque tranchée d’isolation 115 de la grille de transfert verticale VEGA présente par exemple une structure analogue à celle de la tranchée d’isolation périphérique 111. Plus précisément, bien que cela n’ait pas été détaillé en figures 1, 2A et 2B, chaque tranchée d’isolation 115 comporte par exemple une région électriquement conductrice, par exemple en silicium polycristallin ou en un métal, par exemple le cuivre, ou en un alliage métallique. La région électriquement conductrice de chaque tranchée d’isolation 115 est par exemple en le même matériau que la région électriquement conductrice de la tranchée d’isolation périphérique 111. En outre, chaque tranchée 115 comporte par exemple une couche électriquement isolante revêtant les parois latérales et la face inférieure de la région électriquement conductrice. Cette couche isole électriquement la région électriquement conductrice de la tranchée 115 par rapport au substrat 101. À titre d’exemple, la couche électriquement isolante de chaque tranchée 115 est en un matériau diélectrique, par exemple en oxyde de silicium. La couche électriquement isolante de chaque tranchée d’isolation 115 est par exemple en le même matériau que la couche électriquement isolante de la tranchée d’isolation périphérique 111.
La région électriquement conductrice de chaque tranchée d’isolation 115 est par exemple électriquement isolée de la région électriquement conductrice de la tranchée d’isolation périphérique 111. Cela permet par exemple de polariser les régions électriquement conductrices des tranchées d’isolation 115 indépendamment de la région électriquement conductrice de la tranchée d’isolation périphérique 111.
La représente une vue du dispositif dans lequel une des coques 11 et une partie de la boite de collecte n’ont pas été représentés. Ainsi, une seule coque 11 et une seule partie de la boite de collecte 10 à laquelle elle est fixée sont représentées.
La rend particulièrement visible le fait que la boîte de collecte 10 du dispositif de régulation thermique 4 comporte en son sein au moins une chambre de collecte 26 communiquant fluidiquement avec au moins un des canaux de circulation 8 formés au sein du tube, et plus particulièrement un des ensembles de circulation 21, 22 formés par plusieurs canaux.
Dans certains modes de réalisation, la boite de collecte 10 est formée par deux parties rapportées et fixées ou soudées l’une contre l’autre, avec des moyens de fixation en périphérie des demi-coques. Au moins une partie comporte des pattes d’accrochage 40 qui permettent un maintien des demi-coques entre elles avant une opération de brasage figeant la position des demi-coques et la tenue de la boite de collecte.
Avantageusement, la même structure peut être indépendamment présente pour les coques isolantes comprenant les manchons.
Chaque partie de la boite de collecte présente deux creux 42 formés par déformation de ladite partie et une nervure 44 disposée entre les deux creux. On comprend que lorsque les deux parties sont fixées l’une à l’autre, les creux 42 de chaque partie sont disposés en regard pour former les chambres de collecte 26 précédemment évoquées et les nervures 44 de chaque partie sont au contact l’une de l’autre pour former une paroi centrale 46 qui délimite et sépare l’une de l’autre les chambres de collecte 26.
Chaque coque isolante est équipée de deux manchons de raccordement 18a, 18b qui débouchent respectivement dans l’un des deux creux 42 formés dans les parties de la boite de collecte.
Module d’accumulateur intégrant une plaque d’échangeur thermique La présente invention concerne les dispositifs de stockage d’énergie électrique comportant des racks d’accumulateurs, et plus particulièrement mais non exclusivement les dispositifs de stockage stationnaires containerisés.
On entend par « partie inférieure d’une enceinte », le fond de la capacité, de type hémisphérique ou elliptique en général, ainsi que les 15% inférieurs de la virole.
Dans un mode de réalisation, le dispositif de régénération du système selon l’invention est chargé en catalyseur d’hydroconversion au sein de sa deuxième enceinte 107.
Dans un mode de réalisation, le dispositif de régénération du système selon l’invention comprend une cloison 106 disposée dans l’espace entre la première enceinte 100 et la deuxième enceinte 107 supportant les parois latérales 105 de ladite deuxième enceinte 107 et séparant de manière étanche le dit espace entre la première enceinte 100 et la deuxième enceinte 107 en une première zone supérieure vide 103 ;104 et une deuxième zone inférieure vide 112, et la première enceinte 100 comprend dans sa partie inférieure une ouverture 101 pour l’introduction et la sortie d’un liquide de fluidisation dans ladite deuxième zone inférieure vide 112, et la paroi inférieure 111 de la deuxième enceinte 107 est poreuse pour permettre l’écoulement dudit liquide de fluidisation dans ladite deuxième enceinte 107.
Typiquement la cloison 106 peut être un anneau de support généralement plat de quelques centimètres de largeur qui est soudé dans la partie inférieure de la face interne de la première enceinte 100 et sur lequel vient reposer la deuxième enceinte 107. Il sert de support pour la deuxième enceinte 107 et réalise une séparation étanche de l’espace situé entre la première enceinte 100 et la deuxième enceinte 107 en deux zones distinctes. Une collerette de forme conique peut également être utilisée.
Les parois poreuses qui permettent de bien distribuer les fluides (gaz et liquides) peuvent être constituées, à titre d’exemple non limitatif, de plaques à trou, de grilles assemblées en lamelles, de feuilles de métal fritté. Des empilements modulaires d’objets constitués de parois poreuses et formant par assemblage une paroi poreuse sont également envisageables.
La plus grande taille des pores de la paroi inférieure de la deuxième enceinte 111 est inférieure au diamètre des grains de catalyseur afin de bien confiner le lit de grains de catalyseur. La taille des pores de la paroi poreuse inférieure de la deuxième enceinte 111 permet le passage du liquide de fluidisation.
La plus grande taille des pores des parties poreuses des parois latérales de la deuxième enceinte 105 et des parois latérales de la troisième enceinte 108 est inférieure au diamètre des grains de catalyseur afin de bien confiner le lit de grains de catalyseur. La taille des pores des parties poreuses des parois latérales de la deuxième enceinte 105 et des 108 permet le passage des gaz de régénération.
Les parties poreuses des parois latérales de la deuxième enceinte 105, de la paroi inférieure de la deuxième enceinte 111 et des parties des parois latérales 108 de la troisième enceinte contenue dans ladite deuxième enceinte sont avantageusement dimensionnées pour obtenir une bonne distribution des fluides sur les différentes sections de passage du dispositif de régénération.
La perte de charge offerte par ces parois poreuses est suffisante pour permettre de distribuer les fluides sur la section de passage.
Les pertes de charges au passage des gaz radialement dans le lit granulaire sont de préférence comprises entre 1 kPa et 100 kPa, de préférence entre 10 kPa et 50 kPa.
La perte de charge à travers les parties poreuses des parois latérales de la deuxième enceinte 105 et des parties des parois latérales 108 de la troisième enceinte contenues dans ladite deuxième enceinte est de préférence comprise entre 1 kPa et 100 kPa, de préférence entre 10 kPa et 50kPa.
La perte de charge à travers la paroi inférieure poreuse 111 de la deuxième enceinte est comprise de préférence entre 1 et 100 kPa, de préférence entre 10 kPa et 50kPa.
Pour favoriser la distribution du liquide de fluidisation à travers la paroi poreuse inférieure 111 de la deuxième enceinte, sa perte de charge unitaire (dans des conditions similaires et pour une section de passage similaire) est préférentiellement au moins égale à la perte de charge unitaire des parties poreuses des parois latérales de la deuxième enceinte 105 ou des parties des parois latérales 108 de la troisième enceinte contenues dans ladite deuxième enceinte.
La perte de charge d’une paroi poreuse est la différence de pression entre les deux enceintes qu’elle sépare, elle dépend du débit traité et de la porosité des parois.
Dans un mode de réalisation, la première enceinte 100 du dispositif de régénération du système selon l’invention comprend dans sa partie supérieure une ouverture 102 pour l’évacuation de l’excès de liquide de fluidisation, ladite ouverture 102 étant en connexion fluidique avec la deuxième enceinte 107.
Dans un mode de réalisation, le dispositif de régénération du système selon l’invention comprend un déflecteur 110 installé dans la deuxième enceinte 107 au-dessus de la troisième enceinte 109 et en dessous de l’ouverture d’entrée du catalyseur usé 9.
Le signal de battement cardiaque peut être mesuré avec un capteur en contact avec la peau, tel qu’un capteur piézoélectrique ou un capteur de pression. Alternativement, le signal de battement cardiaque peut être mesuré par un capteur de mesure sans contact, tel qu’une caméra prévue pour capteur un flux d’images d’un visage de la personne cible, associée à une unité de traitement prévue pour générer le signal de battement cardiaque, et en particulier un signal rPPG, par traitement des images captées.
Lors d’une étape 304, le signal de battement cardiaque mesuré à l’étape 302 est traité pour extraire une ou plusieurs impulsions contenues dans ledit signal de battement cardiaque, par exemple de manière similaire à l’étape 104 ou à l’étape 204.
Lors d’une étape 306, optionnelle, les impulsions extraites sont filtrées en fonction d’au moins un critère de qualité, tel que : un écart type de l’impulsion par rapport à l’ensemble des impulsions, un K plus proches voisins de chaque impulsion par rapport à l’ensemble des impulsions, etc. Pour chaque critère de qualité, la valeur calculée pour chaque impulsion est comparée à une valeur seuil prédéterminée pour ledit critère de qualité. Si la valeur calculée est conforme au seuil prédéterminé alors l’impulsion est considérée comme étant de bonne qualité et est conservée, dans le cas contraire l’impulsion est considérée comme étant de mauvaise qualité et est éliminée.
Lors d’une étape 310, le modèle intelligent pré-entrainé associé à la personne cible est sélectionné, par exemple en fonction d’un identifiant de la personne cible, ou un identifiant dudit modèle intelligent pré-entrainé.
Puis, lors d’une étape 312 au moins une, en particulier chaque, impulsion conservée à l’étape 306 est entrée dans le modèle intelligent pré-entrainé associé à la personne cible pour obtenir une valeur estimée de la tension artérielle, TAE, de la personne cible au moment de la mesure du signal de battement cardiaque à l’étape 302. Ainsi, une valeur de tension artérielle individuelle est obtenue pour chaque impulsion entrée dans le modèle intelligent. Si plusieurs valeurs de tension artérielle individuelles sont obtenues, chaque valeur de tension artérielle individuelle peut être fournie. Alternativement, une valeur de tension artérielle globale peut être calculée à partir de toutes les valeurs de tension artérielle individuelles.
Les étapes 302-312 forment une phase de prédiction 314 qui peut être répétée autant de fois que souhaitée, à la fréquence souhaitée.
Dans l’exemple décrit, et de manière nullement limitative, l’estimation de la tension artérielle est réalisée pour une impulsion individuellement.
Alternativement, le modèle intelligent peut prendre en entrée plusieurs impulsions, en série ou en parallèle, pour fournir : soit une valeur de tension artérielle individuelle pour chaque impulsion, soit une valeur de tension artérielle pour l’ensemble des impulsions entrées dans ledit modèle.
Le procédé 300 peut en outre comprendre, optionnellement : la phase de classification 200 de la , et/ou la phase de construction 100 de la .
Dans ce cas, la phase de classification 200 peut être réalisée immédiatement avant, ou bien avant, la première itération de la phase de prédiction 314. De plus, la phase construction 100 peut être réalisée immédiatement avant, ou bien avant, la phase de de classification 200.
En outre, comme indiqué plus haut, la phase de classification peut être réalisée une seule fois, ou être réitérée autant de fois que souhaité pour vérifier/modifier la classification d’une personne, par exemple en particulier en fonction de son état de santé.
Ainsi, le procédé 300, et plus globalement la présente invention, propose d’utiliser un modèle spécifique associé à une personne parmi plusieurs modèles spécifiques. Chacun de ces modèles peut se présenter de manière individuelle. Alternativement, au moins deux, et en particulier tous les, modèles peuvent être intégrés au sein d’un modèle global qui englobe lesdits modèles. Dans ce cas, le modèle global prend en entrée : une première impulsion extraite du premier signal, et une donnée indiquant le modèle spécifique à utiliser pour la personne, ou la classe C i dans laquelle la personne cible a préalablement été classée, lors de la phase de classification 200.
La est une représentation schématique d’un exemple de réalisation non limitatif d’un dispositif selon l’invention.
Le dispositif 400 de la peut être utilisée pour mettre en œuvre un procédé selon l’invention, et en particulier le procédé 300 de la .
Le dispositif 400 comprend un capteur 402 pour mesurer un signal de battement cardiaque. Le capteur peut être un capteur en contact avec la peau, tel qu’un capteur piézoélectrique ou un capteur de pression. Alternativement, dans l’exemple représenté, le capteur 402 comprend une caméra prévue pour capteur une flux d’images d’un visage de la personne cible, ladite caméra étant associée à une unité de calcul prévue pour générer le signal de battement cardiaque, et en particulier un signal rPPG, par traitement des images captées.
Le dispositif 400 comprend en outre une unité de calcul 404 pour mettre en œuvre la phase d’estimation du procédé selon l’invention, et en particulier la phase d’estimation 314 de la .