INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Les vertèbres Va, Vb, Vc à instrumenter sont en général préalablement préparées avant de recevoir le dispositif de stabilisation. Classiquement, les apophyses articulaires ou épineuses des vertèbres peuvent avoir été préalablement réduites et les vertèbres préalablement percées pour recevoir les vis.
Comme indiqué précédemment, le premier tronçon fileté 1a.1, 1b.1, 1c.1 des vis 1a, 1b, 1c sont insérés en quinconce dans les vertèbres Va, Vb et Vc de part et d’autre du plan sagittal médian et alternativement. Ainsi, le premier tronçon 1a.1 de la vis 1a est inséré dans la vertèbre Va à gauche du plan sagittal médian, le premier tronçon 1b.1 de la vis 1b est inséré dans la vertèbre Vb à droite du plan sagittal médian et le premier tronçon 1c.1 de la vis 1c est inséré dans la vertèbre Vc à gauche du plan sagittal médian. De manière symétrique, le premier tronçon 1’a.1 de la vis 1’a est inséré dans la vertèbre Va à droite du plan sagittal médian plus ou moins en regard de la vis 1a, De la même façon, le premier tronçon 1’b.1 de la vis 1’b est inséré dans la vertèbre Vb à gauche du plan sagittal médian plus ou moins en regard de la vis 1b et le premier tronçon 1’c.1 de la vis 1’c est inséré dans la vertèbre Vc à droite du plan sagittal médian plus ou moins en regard de la vis 1c. Ainsi, chaque vertèbre Va, Vb, Vc est équipée de deux vis respectivement 1a et 1’a ; 1b et 1’b ; 1c et 1’c.
Toutes les vis étant identiques, la description ci-après d’une vis s’applique à toutes. Comme précédemment indiqué, chaque vis 1 comprend un premier tronçon 1.1 et un deuxième tronçon 1.2, séparés par une collerette 2. Le premier tronçon 1.1 est complètement inséré dans l’os de la vertèbre jusqu’à la collerette 2. La collerette 2 se trouve ainsi à la surface de la vertèbre, en appui sur l’os, le deuxième tronçon de la vis 1.2 étant en saillie de la vertèbre.
Le chirurgien sait percer et positionner correctement les vis 1 en fonction de la morphologie du patient.
L’homme du métier saura conformer le premier tronçon 1.1 de telle sorte à faciliter son engagement dans l’os. Par exemple, le premier tronçon peut être auto-taraudeur et présenter une extrémité taillée en forme de pointe. En variante, le premier tronçon peut être également auto-perceur.
La collerette 2 qui sépare le premier et le deuxième tronçon 1.1 ; 1.2 de la vis 1 présente une surface inférieure convexe en calotte sphérique en contact avec l’os de la vertèbre et une surface supérieure d’appui concave en calotte sphérique. L’homme du métier saura adapter le diamètre et la convexité de la collerette en fonction de l’anatomie du patient et des contraintes mécaniques subies.
Le deuxième tronçon 1.2 de la vis 1 vient ainsi en saillie de la vertèbre lorsque la vis 1 est fixée. Le filetage du deuxième tronçon 1.2 est réalisé de telle sorte à recevoir un ensemble de fixation F. De manière préférentielle, le deuxième tronçon fileté 1.2 est pourvu d’une portion terminale agencée pour autoriser une liaison en rotation avec un outil de vissage. La portion terminale, représentée sur la uniquement, peut ainsi comprendre une empreinte 1.3 de forme complémentaire à celle de la pointe d’un tournevis. A titre d’exemples non limitatifs, l’empreinte peut être hexagonale, cruciforme, étoilée ou triangulaire. En outre, le deuxième tronçon fileté 1.2 peut comporter une amorce de rupture 1.4 pour pouvoir séparer par rupture la portion terminale du deuxième tronçon fileté lorsque l’intervention chirurgicale est terminée.
L’homme du métier saura fabriquer la vis, ici monobloc et d’un seul tenant entre le premier tronçon de vis, le deuxième tronçon de vis et la collerette, en matériau biocompatible et inoxydable suffisamment résistant mécaniquement et chimiquement pour l’application envisagée.
L’homme du métier saura déterminer le diamètre et la longueur de la vis pour être les mieux adapter à l’âge, à la morphologie et à la qualité osseuse du patient. A titre d’illustration, la longueur des vis peut être classiquement comprise entre 65mm et 90mm.
Selon ce mode de réalisation particulier de l’invention, le dispositif comprend chacun deux paires de tiges de liaisons, respectivement référencées 3a, 3b et 3’a, 3’b. Chaque tige présente deux extrémités opposées pour relier l’un à l’autre et deux à deux les deuxièmes tronçons filetés de deux des vis.
La cupule peut par exemple être traversée par une tige centrale filetée le long de laquelle elle peut monter et/ou descendre. Le mécanisme est actionné par une molette disposée dans le bas du mécanisme.
La cupule peut aussi comprendre au moins un ergot externe qui se déplace dans une rainure hélicoïdale. Là encore, le mécanisme est actionné par une molette disposée dans le bas du mécanisme.
Ces réceptacles sont complexes et nécessites de nombreuses pièces mobiles les unes par rapport aux autres.
Par ailleurs, si le réceptacle est opaque, l’utilisateur n’a pas moyen de suivre la consommation du produit et peut être surpris de ne plus avoir de produit.
De plus, en fin de fin d'utilisation, le produit n’est que très peu maintenu par l’enveloppe externe et le bâton peut se détacher de la cupule.
Enfin, le réceptacle reste encombrant que ce soit lorsque le produit est neuf ou en fin d’utilisation.
Il existe donc un besoin d’une solution permettant de résoudre au moins une partie des inconvénients mentionnés tout en conservant un mécanisme simple de conception et d’utilisation.
Ainsi, l’invention concerne une recharge destinée à être montée de manière amovible sur une base d’un réceptacle d’un produit cosmétique, ladite recharge s’étendant selon un axe principal X longitudinal et comprenant :
- un manchon inférieur configuré pour se fixer de manière amovible sur la base du réceptacle,
- un bâton de produit cosmétique immobile par rapport au manchon inférieur,
- un manchon supérieur opposé au manchon inférieur,
- au moins un manchon intermédiaire faisant la liaison entre le manchon supérieur et le manchon inférieur,
le manchon supérieur, le au moins un manchon intermédiaire et le manchon inférieur comprenant des premiers et/ou des seconds moyens de déplacement de manière à ce qu’ils soient déplaçables en rotation et axialement les uns par rapport aux autres de sorte à suivre la restitution du produit cosmétique,
les premiers et/ou les seconds moyens de déplacement du au moins un manchon intermédiaire s’étendant sur toute la hauteur d’une surface externe et/ou interne du au moins un manchon intermédiaire.
On entend par « bâton », un objet rigide de forme allongé. Autrement dit, le produit cosmétique est sous forme rigide et de forme allongée, c’est-à-dire s’étendant selon un axe principal longitudinal confondu avec l’axe principal X de la recharge quand il est logé dans celle-ci.
Pour chaque empilement élémentaire 101i, la couche de GaN non intentionnellement dopé 112i et la couche d’AlGaN 113i forment une hétérojonction de sorte qu’un gaz d’électrons bidimensionnel 114i soit intrinsèquement formé sous l'interface entre la couche de GaN non intentionnellement dopé et la couche d’AlGaN. Les couches d’AlGaN 113i peuvent être recouvertes d’une couche de passivation non représentées sur la , par exemple en dioxyde de silicium (SiO 2 ), nitrure de silicium (Si 3 N 4 ), nitrure d’aluminium (AlN), nitrure de galium (GaN) ou alumine (Al 2 O 3 ). Cette couche de passivation sert à bien maîtriser la surface de la couche d’AlGaN.
La couche de GaN dopé p 110i et la couche de GaN dopé n 111i forment ensemble une barrière de potentiel particulièrement élevée (jonction PN déplétée) sous la couche de gaz d’électrons 114i.
Avantageusement, le dopage p de la couche 111i est réalisé avec du Magnésium et le dopage n de la couche 112i est réalisé avec du Silicium.
Une zone implantée en oxygène se trouve de part et d’autre de chaque empilement actif 101i. Il peut s’agir soit d’une partie de la zone périphérique 106 soit d’une zone élémentaire 105j. Ainsi, selon l’invention, deux zones latérales implantées en oxygène sont agencées de part et d’autre de chaque couche de GaN dopé de type p 110i. Dans le mode de réalisation illustré sur les figures 3 et 4, deux zones latérales, 106 ou 105j, implantées en oxygène sont agencées de part et d’autre de l’empilement entier 101i. L’intérêt de ces zones latérales implantées en oxygène sera détaillé par la suite.
Selon l’invention, la zone active 101 et la zone implantée en oxygène 105 sont réalisées à partir d’un seul et même empilement de couches. Un procédé 200 de réalisation d’un composant comportant la zone active 101 et la zone implantée en oxygène 105 incluant la zone périphérique et la pluralité de zones implantées élémentaires est illustrée aux figures 6 à 8 ainsi que sur la représentant les différentes étapes de ce procédé 200.
Le première étape 201 consiste à déposer sur un substrat 307 l’empilement voulu, à savoir dans l’exemple de la , un empilement incluant : une couche de GaN dopé p 310, une couche de GaN dopé n 311 disposée sur la couche de GaN dopé p, une couche de GaN non intentionnellement dopé 312 disposée sur la couche de GaN dopé n, une couche d’AlGaN 313 disposée sur la couche de GaN non intentionnellement dopé, une couche de passivation 314.
Cet empilement est obtenu par des techniques d’épitaxie connue de l’homme du métier, par exemple par épitaxie en phase vapeur aux organométalliques MOCVD (Metalorganic Vapor Phase Epitaxy selon la terminologie anglaise). On notera que les couches de transition et tampon ont été volontairement omises sur les figures 6 à 8.
Le procédé 200 comporte ensuite une étape 202 de masquage des zones destinées à former les zones actives élémentaires du composant. Un masque 315 en résine photosensible est ainsi représenté sur la . Cette étape de masquage est réalisée par des techniques de photolithographie bien connues de l’homme du métier. Le masque 315 sert par exemple ici à délimiter une des zones actives élémentaires 101i.
Le procédé 200 comporte ensuite une étape 203 d’implantation ionique en atomes d’oxygène dans les zones non protégées par la résine, ladite implantation étant destinée à former les zones élémentaires implantées en oxygène et la zone périphérique d’isolation implantée en oxygène. L’étape d’implantation est suivie d’une étape de retrait de la résine, par exemple par décapage ou stripping selon la terminologie anglaise. L’étape de retrait de la résine est suivie d’une étape de recuit thermique à une température d’environ 800°C (entre 700°C et 850°C) pendant 1 à 30 quelques minutes. Le temps nécessaire à la diffusion latérale de l’hydrogène dépend de la température et de la taille W des zones actives.
Le procédé 200 selon l’invention permet ainsi de réaliser l’ensemble de la zone implantée en oxygène 105 représentée sur les figures 3 et 4 incluant la zone périphérique d’isolation 106 et la pluralité de zones implantées en oxygène élémentaires 105j agencées entre chaque zone active élémentaire 101i.
Les zones implantées en oxygènes doivent donc être vues comme des zones ayant subi une implantation en oxygène et un recuit thermique, créant ainsi des poches implantées à la fois autour du composant pour l’isoler mais également au sein du composant pour améliorer l’activation de l’accepteur (ici le Mg) de chaque couche 110i de la barrière de confinement. En effet, on retrouve deux zones latérales 105i qui se retrouvent à la fois de part et d’autre de chaque couche de GaN dopé p 110i mais aussi de part et d’autre du gaz 2DEG 114i. L’implantation d’oxygène conduit à la formation de niveaux profonds (associés aux défauts d’implantation) dans le gap du semiconducteur GaN qui neutralisent complètement le 2DEG à l’endroit de l’implantation. Dans cette zone, le transistor n’est donc pas actif, ce qui assure l’isolation. Le recuit post implantation permet en outre à l’Hydrogène, qui passive le dopant Mg, de diffuser et de réagir avec l’Oxygène implanté. La distance de diffusion de l’Hydrogène étant limitée, il est nécessaire de fractionner les poches d’Oxygène dans la zone active ( et 4). Chaque zone élémentaire d’Oxygène 105i de largeur Wo va interagir avec les parties actives 101i de largeur Wa qui lui sont proches.
Avantageusement, la largeur des zones actives élémentaires Wa et des zones élémentaires implantées Oxygène Wo sont au maximum de 20µm pour permettre une interaction efficace entre les atomes d’Oxygène et les atomes d’Hydrogène. Elles sont au minimum de 1µm afin d’éviter la neutralisation complète du 2DEG par la dispersion latérale de l’implantation d’Oxygène dans les zones actives et de respecter les contraintes de masquage de l’étape d’implantation. Dans cette fenêtre comprise entre 1µm et 20µm, le choix de Wo et du taux de zone active Wa/(Wa+Wo) est libre et est dicté par l’objectif de performance du transistor en termes de fréquence, de résistance thermique et de résistances d’accès.
L’étape d’implantation d’oxygène doit être réalisée de sorte que l’oxygène soit présent dans la profondeur de l’empilement et notamment au niveau du gaz 2DEG et de la couche de GaN dopée p. Pour ce faire, on utilisera avantageusement plusieurs énergies d’implantation qui permettent à la fois de neutraliser le 2DEG (isolation) et d’interagir avec la couche dopée Mg enterrée. Il est aussi avantageux d’utiliser une implantation multi-énergies pour répartir la dose d’Oxygène en profondeur. L’épaisseur de la zone implantée en Oxygène est notée t. Elle doit être supérieure ou égale à la profondeur de la couche dopée de GaN dopé p (Mg). Cette dernière étant de l’ordre de 150nm, une énergie maximale de 150-200keV est suffisante et réalisable avec un bâti d’implantation classiquement utilisé dans une salle blanche de type CMOS. Il est connu pour l’homme du métier de choisir une séquence d’énergies et de doses permettant d’obtenir un profil d’Oxygène approximativement plat à la concentration d’oxygène visée. Un exemple d’un tel profil est donné en . Ce profil d’implantation d’Oxygène est obtenu par implantation triple (40keV avec une dose d’implantation de 5.10 14 cm-2, 80keV avec une dose d’implantation de 10 15 cm-2 et 170 keV avec une dose d’implantation de 3.10 15 cm-2). La concentration d’Oxygène est élevée (i.e. supérieure à 10 20 cm-3) autour de la couche 110i de p GaN dopé Mg. Les défauts générés par les trois implantations sont suffisants pour neutraliser le gaz 2DEG à l’interface 114i entre la couche 112i d’AlGaN et la couche 113i de GaN non intentionnellement dopée. S’agissant de la dose d’implantation d’Oxygène, Φ Oxygène que l’on peut considérer comme étant approximativement égale à [O] x t, où [O] est la concentration d’oxygène et t est l’épaisseur de la zone implantée en Oxygène, elle est : suffisante pour capter l’Hydrogène dans la couche de GaN dopé p ; typiquement, on cherchera à avoir une dose Φ Oxygène > 2.10 14 cm -2 x (Wa/Wo). Cela correspond donc par exemple à une concentration [O]> 1.10 19 cm -3 si t = 200nm et Wa=Wo ; limitée, afin d’éviter les déformations du substrat et de faciliter l’intégration de cette étape aux étapes de fabrication du transistor ; typiquement, on cherchera à avoir une dose Φ Oxygène e 15cm -2 x (Wa/Wo). Cela correspond à une concentration [O] 20 cm -3 si t=200nm et Wa=Wo. Une telle gamme de dose est également suffisante pour isoler le transistor au niveau du gaz 2DEG.
Comme mentionné précédemment, la zone implantée en oxygène n’est pas une zone dopée en oxygène car dans ce cas la majorité de l’oxygène présent serait en site substitutionnel dans le réseau cristallin du GaN et l’oxygène ne serait alors pas disponible pour capter l’hydrogène empêchant l’obtention d’un dopage p dans le GaN par la création de complexes Mg-H. Ainsi, la zone implantée en oxygène doit être vue comme une zone ayant subi une étape d’implantation en atome d’oxygène puis un recuit mais n’ayant pas été soumise à un budget thermique suffisant pour que l’oxygène se comporte en donneur et forme une zone de GaN dopée n. Néanmoins, afin d’éviter de façon encore plus certaine que l’oxygène ne joue pas un rôle de dopant (i.e. donneur) dans le GaN implanté, l’étape 203 d’implantation en oxygène peut être une étape de co-implantation durant laquelle on implante à la fois de l’oxygène et de l’Argon Ar ou de l’azote N. On s’assure de la sorte qu’aucun dopage résiduel de type n n’apparaisse et ne dégrade la forte résistivité de la zone implantée.
En plus du rôle d’activateur du dopage p dans la couche de GaN de la barrière de confinement et d’isolant du gaz 2DEG du transistor, l’utilisation des zones latérales 105j implantées en oxygène permet de fractionner (cf. vue de dessus en ) les zones actives 101i de puissance. Les zones actives d’un transistor de puissance sont en effet des sources de chaleurs localisées dont l’extension vaut Wg x L, où Wg est le développement de la grille et L est la longueur de la source de chaleur (qui peut être plus grande que Lg) mesurée suivant l’axe Ox, L étant par exemple égale à 0.5µm. Wg correspond à la largeur de grille, mesurée suivant l’axe Oy en vis-à-vis de la zone active. En Fractionnant la zone active du transistor en sources de chaleur unitaires Wa, espacées de Wo, on limite le couplage thermique entre ces sources. La résistance thermique du transistor s’en trouve réduite.
La représente une variante du transistor selon l’invention représenté en . Comme dans le cas de la , la représente une vue de dessus d’un transistor HEMT 400 selon l’invention dans un plan Oxy. Comme le transistor 100, le transistor 400 comporte : Une zone active 401 incluant une pluralité de zones actives élémentaires 401i ; Une zone de drain 402 ; Une zone de source 403 ; Une zone de grille 404 ; Une zone implantée en oxygène 405 incluant : une zone périphérique d’isolation 406 ; une pluralité de zones élémentaires implantées en oxygène 405 j agencées entre chaque zone active élémentaire 401i.
Ainsi, comme illustré dans la , une première tige de liaison 3a va relier le deuxième tronçon 1a.2 de la vis 1a au deuxième tronçon 1b.2 de la vis 1b et une deuxième tige de liaison 3b va relier le deuxième tronçon 1b.2 de la vis 1b au deuxième tronçon 1c.2 de la vis 1c de sorte que les vis 1a, 1b, 1c sont reliées deux à deux. De la même manière, une troisième tige 3’a va relier le deuxième tronçon 1’a.2 de la vis 1’a au deuxième tronçon 1’b.2 de la vis 1’b, et une quatrième tige 3’b va relier le deuxième tronçon 1’b.2 de la vis 1’b au deuxième tronçon 1’c.2 de la vis 1’c de sorte que les vis 1’a, 1’b, 1’c sont reliées deux à deux. Les tiges 3a, 3’b sont ainsi parallèles entre elles comme les tiges 3’a et 3b le sont également entre elles. Les tiges 3a et 3’a stabilisent les vertèbres Va et Vb entre elles, les tiges 3b et 3’b les vertèbres Vb et Vc en se croisant sur le plan sagittal médian de la colonne respectivement entre les vertèbres Va et Vb et entre les vertèbres Vb et Vc.
Chaque tige 3 est ici réalisée en matériau biocompatible et présente sur toute sa longueur une section constante. La section est ici circulaire.
Les tiges 3 peuvent être en tout matériau biocompatible suffisamment rigide pour obtenir la stabilisation des vertèbres entre elles. On choisira par exemple un matériau ayant un module de Young compris entre 3,6 GPa et 60 GPa. A titre d’exemple, le matériau peut-être un matériau composite comprenant un mélange de fibres de carbone et de polyétheréthercétone(PEEK).
L’homme du métier est à même de déterminer le diamètre de la section de la tige en fonction du matériau utilisé, des caractéristiques mécaniques recherchées et de l’anatomie du patient. Il saura également déterminer la longueur des tiges pour l’adapter à la morphologie et à la pathologie du patient et selon que les tiges sont placées parallèlement au plan sagittal médian ou selon qu’elles se croisent sur celui-ci.
De manière préférentielle et selon le mode de réalisation particulier de l’invention, les tiges sont incurvées, facilitant ainsi leur mise en place et limitant les interférences avec la partie centrale des vertèbres accouplées.
La fixation de chaque extrémité des tiges 3 à l’une des vis 1 est assurée par un ensemble de fixation F engagé sur le deuxième tronçon filetée de la vis.
Chaque ensemble de fixation F conforme à l’invention comprend au moins une pince 50.1, 50.2 engageable sur le deuxième tronçon fileté 1.2 d’une des vis 1 et agencée pour serrer une extrémité de la tige 3, et un écrou 80 qui a une surface inférieure d’appui et qui est agencé pour être vissé sur le deuxième tronçon fileté 1.2 en serrant la pince 50.1, 50,2 contre la surface supérieure de la collerette 2 de la vis 1. Chaque ensemble de fixation F est agencé pour créer une liaison rotule entre la pince 50.1, 50.2 et le deuxième tronçon fileté 1.2. De manière préférentielle, la surface inférieure d’appui de l’écrou 80 et la surface supérieure d’appui de la collerette 2 telles que précédemment décrites sont des surfaces concaves en calotte sphérique identiques l’une à l’autre.
L’ensemble de fixation F peut présenter plusieurs configurations selon qu’il se trouve sur une vis implantée dans une des vertèbres d’extrémité de la partie de colonne appareillée (vertèbres Va, Vc) ou sur une vis implantée dans une vertèbre intermédiaire (vertèbre Vb). L’ensemble de fixation F comprendra ainsi une douille dans les deux configurations adaptées aux vertèbres d’extrémité ou une deuxième pince dans la configuration adaptée aux vertèbres intermédiaires.
En référence à la , l’ensemble de fixation F1 selon la première configuration comprend une pince 50.1, une douille 60 et un écrou 80. La pince 50.1 est ici de forme plus ou moins rectangulaire et comprend deux mors 51, 52 reliés par une portion élastiquement déformable, ici une épingle 55 en métal à ressort, de telle manière que les mors soient mobiles l’un par rapport à l’autre entre une position ouverte et une position fermée. L’épingle 55 illustrée à la comprend une première patte 55.1 en forme de crochet qui enserre élastiquement une portion de la première partie 51.1 à l’opposé de la deuxième partie 51.2 et deux pattes 55.2 en forme de crochet qui enserrent élastiquement une portion de la première partie 52.1 opposée à la deuxième partie 52.2. L’homme du métier saura réaliser la portion élastiquement déformable de manière différente. Il pourra par exemple réaliser la pince en une seule pièce, les deux mors étant reliées l’un à l’autre par une portion élastiquement déformable issue de matière. Les deux mors peuvent être reliés l’un à l’autre par une articulation éventuellement associée à un ressort en spirale.
Chaque mors 51 comprend une première partie 51.1, ou partie de liaison à la vis 1, destinée à être engagée sur le deuxième tronçon 1.2 de la vis 1, et une deuxième partie 51.2, ou partie de liaison à la tige 3, qui s’étend en saillie latérale par rapport à la première partie 51.1 et qui est agencée pour recevoir une des extrémités d’une des tiges 3.
La première partie 51.1 est ici de forme plus ou moins parallélépipédique avec une section transversale carrée de côté sensiblement égal ou légèrement supérieur au diamètre de la collerette 2. La première partie 51.1 comprend une surface intérieure 51.3 faisant face au mors 52 (et donc tournée vers l’intérieur de la pince 50.1) et à l’opposé une surface extérieure 51.4 tournée vers l’extérieur de la pince 50.1. La surface intérieure 51.3 est une surface plane. La surface extérieure 51.4 est de forme convexe en calotte sphérique complémentaire de celle de la surface supérieure de la collerette 2 de manière à pouvoir prendre un appui surfacique sur celle-ci.
La première partie 51.1 du premier mors 51 est pourvue d’un perçage 51.5 pour être engagé sur le deuxième tronçon fileté 1.2 de la vis 1. Le perçage 51.5 débouche d’un côté sur la surface intérieure 51.3 de la première partie 51.1 du mors perpendiculairement à celle-ci et de l’autre côté sur la surface extérieure 51.4. Le perçage 51.5 comprend ici, le long d’un axe central, un premier tronçon tronconique et un deuxième tronçon cylindrique, le premier tronçon ayant une grande section débouchant sur la surface extérieure 51.4 et une petite section confondue avec une section cylindrique du deuxième tronçon, le deuxième tronçon débouchant sur la surface intérieure 51.3.
La deuxième partie 51.2 comprend une rainure hémicylindrique 51.6 d’axe central perpendiculaire à l’axe central du perçage 51.5 et de rayon sensiblement égal ou légèrement inférieur au rayon de la tige 3.