INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Selon un mode de réalisation particulier de l’invention, la composition sous forme liquide pour préserver un récipient vinaire selon l’invention est constituée essentiellement de : - 4,5% en en poids de tanins de chêne, - 7,5% en poids de tanins de pépins de raisins, - 4,0 % en poids de tanins de noix de galle, - 3,5% en poids d’extrait de Tara, - 0,5% en poids d’extrait de Quebracho, - 80,0% en poids d’un solvant, chaque pourcentage étant exprimé en poids par rapport au poids total de la composition.
Selon un mode de réalisation particulier de l’invention, la composition sous forme liquide pour préserver un récipient vinaire selon l’invention contient : - 4,5% en en poids de tanins de chêne, - 7,5% en poids de tanins de pépins de raisins, - 4,0 % en poids de tanins de noix de galle, - 3,5% en poids d’extrait de Tara, - 0,5% en poids d’extrait de Quebracho, - 80,0% en poids d’un solvant, chaque pourcentage étant exprimé en poids par rapport au poids total de la composition.
Dans une variante du procédé selon l'invention, l'étape (1) de mise en contact du préimprégné P avec la composition est conduite pendant une durée d'au moins 12 h, cette durée étant avantageusement comprise entre 18 h et 36 h.
Dans une variante avantageuse, le procédé de recyclage selon l'invention peut, en outre, après l'étape (2), l'étape (2') suivante : (2') un rinçage des renforts R séparés à l'étape (2).
L'étape (2') est une étape de traitement additionnelle conduite sur les renforts R qui ont été séparés et récupérés à l'issue de l'étape (2) du procédé selon l'invention. Cette étape (2') consiste à rincer ces renforts R tels que récupérés à l'issue de l'étape (2) de manière à éliminer toute trace résiduelle de résine époxyde qui pourrait rester au niveau de leur surface.
Ce rinçage peut notamment être conduit au moyen de la composition particulière décrite ci-dessus ou bien d'une solution comprenant un composé chimique connu pour ses propriétés de dissolution des résines époxyde, par exemple au moyen d'une solution comprenant du diméthylsulfoxyde (DMSO), le DMSO étant préféré par rapport aux composés chlorés que sont le 1,1-dichloroéthane ou le 1,1,1-trichloroéthane .
Dans un mode de réalisation particulier, le procédé de recyclage selon l'invention comprend, en outre, après l'étape (3) et, le cas échéant, avant l'étape (4), au moins un cycle complémentaire comprenant les sous-étapes (i), (ii) et (iii) successives suivantes : (i) une mise en contact du préimprégné P avec la phase liquide collectée à l'étape (3), (ii) une séparation de la phase solide comprenant les renforts R de la phase liquide issue de l'étape (i), et (iii) une collecte de la phase liquide issue de l'étape (i).
La présente invention se rapporte, en deuxième lieu, à l'utilisation d'une composition particulière pour le recyclage d'un préimprégné P comprenant des renforts R et une résine thermodurcissable qui n'est pas ou qui n'est que partiellement réticulée, cette résine thermodurcissable étant formée par au moins une résine époxyde.
Selon l'invention, cette composition particulière est une composition telle que définie ci-dessus, c'est-à-dire une composition qui comprend un ou plusieurs carbonates organiques (a) choisis parmi les carbonates de dialkyle (a1) et les carbonates d'alkylène (a2), ou une ou plusieurs lactones (a').
Dans un mode de réalisation particulier, la composition dont l'utilisation fait l'objet de la présente invention est constituée d'un ou de plusieurs carbonates organiques (a) choisis parmi les carbonates de dialkyle (a1) et les carbonates d'alkylène (a2) ou bien d'une ou plusieurs lactones (a').
Les caractéristiques décrites précédemment en liaison avec la composition et, notamment, les caractéristiques relatives aux composés (a), (a1), (a2), (a') et, le cas échéant, (b), (c), (c1) et (c2) pouvant former cette composition ainsi qu'à leurs proportions molaires respectives, sont bien entendu applicables à la présente utilisation pour le recyclage du préimprégné P.
Comme indiqué précédemment, ce préimprégné P comprend au moins une résine époxyde et des renforts R, la ou les résines n'étant pas ou que partiellement réticulées.
L'utilisation selon l'invention permet de dégrader, dans des conditions douces et respectueuses de l'environnement, le préimprégné P pour récupérer la ou les résines époxyde ainsi que les renforts R, sans détérioration de leur structure et de leur matière constitutive.
Ces renforts R peuvent notamment être choisis parmi des fibres, des nappes, des tissus et des charges particulaires.
Sur la , le détecteur est orienté de façon que le cristal 31 pointe vers le plan de roulement. Une telle configuration est représentée sur la . Selon cette configuration, le cristal est situé à une distance de 96 mm du plan de roulement P XY . Cela correspond à une position basse du chariot 20. La montre une configuration opposée, selon laquelle le cristal pointe vers le haut, le chariot 20 étant en position haute.
Selon ce mode de réalisation, en fonction du signal résultant du détecteur 30 et traité par l’unité de traitement 35, la hauteur du détecteur par rapport au plan de roulement peut être définie par l’unité de contrôle 40.
Le porteur 1 peut présenter, selon l’axe de translation Z, une hauteur pouvant être comprise entre 1 m et 2m. Selon l’axe X et l’axe Y, la dimension du porteur est de préférence inférieure à 1m ou à 1.5 m.
Les configurations représentées sur les figures 2A, 6A et 6B sont adaptées au contrôle radiologique de parois, qu’il s’agisse de parois verticales ( ), de sols ( ) ou des plafonds ( ). La configuration de la permet également d’effectuer une mesure selon une géométrie dite « Marinelli », selon laquelle un échantillon est disposé autour du détecteur. Le couplage avec l’unité de localisation 7 permet une aide au positionnement du chariot dans l’installation contrôlée.
Selon une possibilité, le chariot comporte un moyen de visualisation 3D, par exemple une caméra tridimensionnelle. Cela permet d’obtenir des données géométriques tridimensionnelles dans le champ d’observation du détecteur. On obtient ainsi des données géométriques d’un composant, présent dans le champ d’observation, que l’on souhaite caractériser, et cela simultanément à l’acquisition de données radiologiques par le détecteur de rayonnement. Le composant peut être un équipement quelconque, par exemple une paroi, mais également une cuve ou un tuyau ou tout autre équipement de procédé. Les données géométriques tridimensionnelles peuvent être par exemple : des dimensions du composant observé ; des données de positionnement relatif, et/ou d’orientation, du détecteur par rapport au composant.
Les données géométriques tridimensionnelles peuvent être combinées avec les données radiologiques résultant du détecteur. La combinaison des données géométriques et des données radiologiques permet une interprétation quantitative de l’activité radiologique du composant mesuré.
L’invention pourra être mise en œuvre pour le contrôle de structures ou d’équipements d’installations nucléaires, en support à des opérations de maintenance ou de démantèlement. Elle pourra également être déployée pour la réalisation de contrôle radiologique sur des terres contaminées.
Connecteur électrique militarisé destiné à être connecté à un équipement audio, câble de connexion et système audio associés La présente invention concerne un connecteur électrique militarisé, destiné à être connecté à un équipement audio. Le connecteur électrique comprend plusieurs organes de contact électrique, au moins un organe de contact électrique étant apte à faire circuler un signal audio analogique ; un corps de connecteur, à l’intérieur duquel sont agencés les organes de contact électrique ; et un raccord arrière, fixé de manière amovible au corps de connecteur.
L’invention concerne également un câble de connexion d’un équipement audio avec un appareil électronique d’interconnexion, le câble de connexion comprenant un tel connecteur configuré pour être couplé avec un connecteur complémentaire équipant l’équipement audio.
L’invention concerne aussi un système audio destiné à équiper un opérateur, notamment un fantassin, le système comprenant un équipement audio et un appareil électronique d’interconnexion connecté à l’équipement audio via un tel câble de connexion ; l’appareil électronique d’interconnexion étant destiné à être connecté à au moins un autre équipement audio. Chaque équipement audio est une radio, ou un système d’intercommunication, ou encore un équipement de tête comportant au moins un élément parmi un microphone et un module de restitution audio.
On connaît un connecteur électrique militarisé du type précité. Un tel connecteur est par exemple conforme à la norme DEFENSE GAM T2 ; ou à la norme MIL-C-55116, aussi notée MIL-DTL- 55116C ; ou encore à la norme MIL-C-10544A.
Le connecteur électrique militarisé forme typiquement l’une des extrémités d’un câble de connexion servant à connecter un équipement audio avec un appareil électronique d’interconnexion.
Le document EP 2 845 115 B1 décrit un tel appareil électronique interconnexion, cet appareil étant également appelé dispositif PTT (de l’anglais Push-To-Talk ). Un tel dispositif PTT comporte alors au moins un bouton d’appui pour parler, c’est-à-dire un bouton PTT, configuré pour - suite à une action de l’utilisateur - autoriser l’émission d’un signal audio, en particulier sur un canal préalablement associé au bouton PTT.
Le but de l’invention est alors de proposer un connecteur électrique militarisé permettant de faciliter l’interconnexion des différents équipements audio, notamment avec l’appareil d’interconnexion.
Une telle gorge permet avantageusement de faciliter le positionnement de la couche adhésive, permet d’en limiter la déformation, et permet d’éviter la formation de poches d’air entre la feuille de matériau conducteur thermique et le circuit imprimé. De manière préférentielle, le radiateur comprend deux gorges de part et d’autre du support.
En complément, une profondeur de la gorge peut être inférieure ou égale à une épaisseur de la feuille adhésive, de manière à ce que la feuille adhésive soit directement comprise entre le bord de la feuille de matériau conducteur thermique et le radiateur dans la gorge.
Ainsi, les deux faces de la couche adhésive sont en contact avec le radiateur d’une part et avec la feuille de matériau conducteur thermique d’autre part, dans la gorge, ce qui favorise le maintien en position de la feuille de matériau conducteur thermique lors de la fabrication de l’ensemble.
En complément ou en variante, au moins un bord de l’ouverture de la feuille adhésive est découpé de manière à former des fentes dans la feuille adhésive, chaque portion de feuille adhésive entre deux fentes étant positionnée dans une gorge du radiateur.
Ainsi, le positionnement de la feuille adhésive dans la ou les gorges est facilité et la déformation de la feuille adhésive est limitée.
Selon un mode de réalisation, la couche adhésive peut être isolante électriquement.
Une couche adhésive isolante permet de prévenir des fuites de courant du circuit imprimé vers le radiateur.
Selon un mode de réalisation, l’ensemble peut comprendre en outre au moins une vis agencée de manière à serrer le circuit imprimé, la couche adhésive et le radiateur.
Le maintien des éléments de l’ensemble est ainsi amélioré. En particulier, il est assuré que la feuille de matériau conducteur thermique est bien en contact direct entre le radiateur et le circuit imprimé de manière à favoriser la dissipation de chaleur.
Un deuxième aspect de l’invention concerne un module lumineux comprenant un ensemble selon le premier aspect de l’invention et une optique de projection apte à projeter des rayons lumineux issus de la source lumineuse à semi-conducteur vers l’extérieur du module lumineux.
Un troisième aspect de l’invention concerne un procédé de fabrication d’un ensemble comprenant les étapes suivantes :
- disposer une couche adhésive sur un radiateur, la couche adhésive comprenant une ouverture ;
- disposer une feuille de matériau conducteur thermique au moins partiellement dans l’ouverture, de manière à ce qu’au moins une partie du matériau conducteur thermique soit en contact avec le radiateur ;
- vérifier qu’un positionnement de la feuille de matériau conducteur thermique corresponde à un positionnement nominal ;
- disposer un circuit imprimé sur lequel est monté une source lumineuse à semi-conducteur, sur la feuille adhésive et sur la feuille de matériau conducteur thermique.
Selon un mode de réalisation, le procédé peut comprendre en outre un serrage du circuit imprimé, de la feuille adhésive et du radiateur par une ou plusieurs vis.
En pratique, les réseaux utilisés dans une cryptographie totalement homomorphe sont décrits par une base comprenant des milliers de dimensions, par exemple entre 6000 et 7000 dimensions. En outre, en pratique, les vecteurs et ne sont pas nécessairement orthogonaux.
La représente un réseau et représente une résolution d'un problème du vecteur le plus proche.
Dans une cryptographie totalement homomorphe et partiellement homomorphe, des réseaux sont utilisés pour créer des problèmes NP (de l'anglais "nondeterministic polynomial time", temps polynomial non déterministe), tels que le problème du vecteur le plus proche. Par exemple, une condition préalable pour faire du problème de réseau un problème NP est de considérer une base de réseau comprenant des vecteurs non orthogonaux.
Par exemple, une donnée cryptée est représentée par un vecteur . Le vecteur n'appartient pas au réseau 300, c'est-à-dire que le vecteur ne peut pas être écrit sous forme d'une combinaison linéaire de et avec des coefficients entiers.
Le décryptage du vecteur consiste par exemple à résoudre le problème du vecteur le plus proche, c'est-à-dire à trouver le vecteur du réseau 300 pour lequel une distance, par exemple la norme euclidienne, par rapport au vecteur est minimale. Dans l'exemple représenté en figure 3B, ce vecteur le plus proche est un vecteur .
Le problème du vecteur le plus proche est un exemple d'une approche qui peut être appliquée afin d'effectuer une cryptographie sur la base du réseau. En outre, ou selon une variante, d'autre problèmes, tels que le problème du point le plus proche, ou le problème du vecteur le plus court, peuvent être utilisés pour crypter et/ou décrypter des données.
La représente une erreur de bruit induite par le traitement de données cryptées par des algorithmes de cryptage partiellement homomorphes.
Par exemple, le vecteur est une donnée cryptée calculée par le serveur 102 en effectuant plusieurs additions et/ou multiplications sur des données d'entrée fournies par le dispositif électronique 100. Dans l'exemple illustré par la figure 3C, le résultat non crypté attendu est la valeur vectorielle . Toutefois, l'algorithme utilisé dans cet exemple est seulement partiellement homomorphe. Par conséquent, le résultat crypté peut comprendre du bruit et/ou des erreurs. Le bruit est par exemple dû aux problèmes mathématiques sur lesquels se fonde le schéma de cryptage et/ou de décryptage, par exemple le problème de vecteur le plus proche. En même temps que s'effectuent les opérations appliquées aux données, le bruit augmente, les augmentations étant particulièrement élevées lorsque les opérations sont des multiplications.
Dans l'exemple de la figure 3C, un vecteur résoud le problème du vecteur le plus proche pour la valeur cryptée . Le décryptage par le dispositif électronique 100 du résultat crypté conduit ainsi à une mauvaise donnée décryptée, en d'autres mots, dans ce cas, avec les notations introduites en relation avec la ,
Pour éviter l'accumulation d'erreurs, des algorithmes totalement homomorphes impliquent l'utilisation d'une étape d'amorçage, effectuée par le serveur 102, pendant le traitement, pour éliminer les erreurs dans les opérations effectuées. Cette étape est basée sur l'utilisation d'une clef d'amorçage . La clef d'amorçage est par exemple générée à partir de la clef secrète .
Dans un exemple, la clef secrète est une clef secrète LWE (de l'anglais "Learning With Errors", apprentissage par erreurs) et la clef d'amorçage est une clef publique calculée à partir de la clef secrète LWE et à partir d'une clef secrète GLWE (de l'angais "General Learning With Errors", apprentissage général par erreurs) S. La clef secrète GLWE S est par exemple générée par le dispositif 100, afin de générer la clef d'amorçage . La clef d'amorçage consiste alors, par exemple, en une liste d'un nombre de textes chiffrés GGSW (de l'anglais "General Gentry, Sahai and Walter", général de Gentry, Sahai et Walter), le nombre étant par exemple égal à 630. Chaque texte chiffré GGSW crypte, à l'aide de la clef secrète GLWE S, un bit de la clef secrète LWE .
La génération d'une clef d'amorçage est connue de la personne du métier et est par exemple décrite plus en détail dans la publication "Programmable Bootstrapping Enables Efficient Homomorphic Inference of Deep Neuronal Networks" de Ilaria Chillotti, Marc Joyce publiée dans Cyber Security Cryptography and Machine Learning, 2021.
L'étape d'amorçage est par exemple effectuée, par le serveur 102, après chaque addition et/ou multiplication, ou après un nombre donné d'additions et/ou de multiplications. Plus particulièrement, l'étape d'amorçage est par exemple effectuée par le réseau neuronal, par chaque neurone ou à différentes phases du traitement.
L'étape d'amorçage consiste par exemple en une application d'une fonction de décryptage à l'aide de la clef d'amorçage . Ce décryptage est par exemple appliqué à un cryptage GLWE , sous la clef secrète GLWE S, du texte chiffré LWE . Ensuite, le décryptage utilisant la clef d'amorçage est tel que
Un deuxième bloc comporte une résistance série R s représentant toutes les contributions purement résistives, telles que l’électrolyte, les collecteurs de courant et les résistances de contact.
Un troisième bloc comporte une résistance R surf et une capacité C surf en parallèle l’un de l’autre, représentant la résistance et la capacité de surface liée à la chute de tension entre la surface de la matière active et de l’électrolyte due au transfert de charge et à l’interphase électrolytique solide (de l’anglais « Solid Electrolyte Interphase » également désigné par l’acronyme SEI). La résistance R surf et la capacité C surf définissent ainsi une constante de temps τ surf = R surf C surf liée aux phénomènes de surface (transfert de charge, SEI et double couche). Il s’agit d’une dynamique rapide, normalement inférieure à une seconde.
n blocs (n supérieur ou égal à 1) comportent chacun une résistance R diff et une capacité C diff représentant des phénomènes de diffusion des ions de lithium dans l’électrolyte et des atomes de lithium dans les deux électrodes. La résistance R diff et la capacité C diff de chacun de ces n blocs définit une constante de temps τ diff = R diff C diff liée aux phénomènes de diffusion. Il s’agit d’une dynamique lente, de l’ordre de plusieurs secondes ou minutes.
Tous ces paramètres dépendent de l’état de charge SOC de la cellule 111, de la température T de la cellule 111 et du courant I dans la cellule 111, à l’exception de la source de tension U oc qui ne dépend pas du courant I. Le modèle 400 comporte ainsi par exemple une table pour chacun d’eux, donnant la valeur du paramètre considéré en fonction de l’état de charge SOC, de la température T et, le cas échéant, du courant I.
Ainsi, dans le modèle 400, la résistance interne R de la cellule 111 est égale à la somme des résistances Rs, Rsurf et Rdiff des n blocs :
En référence à la , un exemple de procédé 500 de détermination de la table 208 va à présent être décrit.
Au cours d’une étape 502, une valeur de température T et de courant I sont sélectionnés.
Au cours d’une étape 504, une décharge complète de la cellule 111 est simulée au moyen du modèle 400, en gardant constants la température T et le courant I à leurs valeurs sélectionnées.
Au cours d’une étape 506, une énergie électrique fournie pour la cellule et une énergie thermique dissipée par effet joule au cours du temps de la simulation sont calculés à partir du résultat de la simulation. L’énergie totale délivrée E tot à chacun de plusieurs instants de la simulation est alors calculée comme la somme de l’énergie électrique fournie et de l’énergie thermique dissipée à l’instant de la simulation considéré.
Au cours d’une étape 508, la tension de circuit ouvert OCV est également calculée pour chacun des instants de la simulation, à partir du résultat de la simulation.
Au cours d’une étape 510, pour chacun des instants de la simulation, les valeurs d’énergie totale délivrée E tot et de tension de circuit ouvert OCV associées, sont enregistrées dans la table 208, avec les valeurs de température T et courant I.
Le procédé 500 retourne alors à l’étape 502 pour la sélection de nouvelles valeurs de température T et de courant I.
En référence à la , un exemple d’un procédé 600 d’estimation de l’état d’énergie SOE(t) de la cellule 111 à un instant t, va à présent être décrit.
Au cours d’une étape 602, le module 202 reçoit les mesures T(t), U(t), I(t) de la température T, la tension U et le courant I, pour l’instant t.
Au cours d’une étape 604, le module 204 estime la résistance interne R(t) de la cellule 111 pour l’instant t.
Au cours d’une étape 606, le module 206 estime la tension de circuit ouvert OCV de la cellule 111 pour l’instant t, à partir de la mesure U(t) de la tension U, de la mesure I(t) du courant I et de l’estimation R(t) de la résistance interne R.
La , la , la et la , sont des vues en coupe, illustrant de façon partielle et schématique, des étapes successives d'un exemple de procédé de fabrication d'un transistor de type MOSFET 10 selon un premier mode de réalisation.
La représente, plus particulièrement une structure comportant une couche semiconductrice 11 surmontée d'une couche diélectrique 13 aussi appelée couche d’isolant de grille. La structure de la comprend en outre une couche conductrice 17, aussi appelée couche de grille, sur la couche d’isolant de grille 13. A titre d'exemple, la structure comprend une couche isolante enterrée 15, sous la couche semiconductrice 11. Les couches 11 et 15 correspondent par exemple à un empilement de type SOI (de l’anglais « Semiconductor On Insulator » - semiconducteur sur isolant).
A titre d'exemple, en , la couche d’isolant de grille 13 est sur et en contact avec la couche semiconductrice 11 et la couche de grille conductrice 17 est sur et en contact avec la couche isolante 13. La couche semiconductrice 11 est par exemple sur et en contact avec la couche isolante enterrée 15.
A titre d'exemple, la couche de grille conductrice 17 est surmontée par une couche 19. A titre d'exemple, la couche 19 correspond à une couche de masquage pour une étape de gravure qui sera détaillée en relation avec la . La couche 19 est, par exemple, une résine. En , la couche de masquage 19 forme un bloc dont les dimensions, en vue de dessus, correspondent aux dimensions finales souhaitées pour la grille du transistor 10.
La couche semiconductrice 11 est par exemple en silicium, par exemple en silicium monocristallin. La couche semiconductrice 11 a par exemple une épaisseur comprise entre 10 nm et 500 nm, par exemple entre 50 nm et 200 nm, par exemple de l'ordre de 60 nm ou de l'ordre de 160 nm.
A titre d'exemple, la couche d’isolant de grille 13 est en dioxyde de silicium (SiO 2 ) et a, par exemple, dans la structure illustrée en , une épaisseur e1 comprise entre 1 nm et 10 nm, par exemple, comprise entre 2 nm et 6 nm, par exemple de l'ordre de 5 nm.
A titre d'exemple, la couche d'oxyde enterrée 15 est en oxyde, par exemple en dioxyde de silicium (SiO 2 ). La couche isolante enterrée 15 a par exemple une épaisseur comprise entre 100 nm et 400 nm, par exemple entre 100 nm et 250 nm, par exemple de l'ordre de 200 nm.
A titre d'exemple, la couche de grille conductrice 17 est en silicium polycristallin dopé. La couche 17 a, par exemple une épaisseur comprise entre 30 nm et 300 nm, par exemple comprise entre 50 nm et 100 nm, par exemple comprise entre 80 nm et 90 nm.