INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
- un support de joint de capot 1 conforme au premier aspect de l’invention et tel que décrit précédemment, le support de joint de capot 1 étant fixé solidairement au support d’aile 4, et
- un joint de capot 2 fixé solidairement au support de joint de capot 1.
La zone de fixation 41 de l’aile de carrosserie 3 est située latéralement à l’extérieur de la dépression 42 du support d’aile 4, relativement à l’axe transversal Y. En d’autres termes, la dépression 42 est destinée à être située du côté d’un compartiment moteur du véhicule automobile 7.
Chaque au moins un dispositif de fixation 12 est en appui sur la zone de fixation 41 de l’aile de carrosserie 3, et chaque au moins un dispositif de stabilisation 13 est en appui contre la dépression 42.
Enfin, la illustre l’intégration d’un tel arrangement 5 sur un véhicule automobile 7, le capot 6 avant du véhicule automobile 7 comprimant le joint de capot 2 contre le support de joint de capot 1 lorsque ledit capot 6 avant est fermé. L’arrangement 5 est situé à proximité d’un passage de roue 31 du véhicule automobile 7.
En synthèse, l’invention concerne un support de joint de capot 1 présentant une plateforme 11 de fixation d’un joint de capot 2, le support comportant un dispositif de fixation 12 sur un support d’aile 4 de véhicule automobile 7 permettant de ménager un évidement entre le support d’aile 4 et la plateforme 11, relativement à un axe vertical Z. Complémentairement, le support de joint de capot 1 comporte un système d’amorce de rupture 15 configuré pour rompre le dispositif de fixation 12 si un effort appliqué sur le support de joint de capot 1 dépasse une intensité nominale de rupture prédéterminée.
Charnière de capot de protection de fiche pour un connecteur enfichable et ensemble de fiche comprenant une telle charnière L'invention concerne une charnière de capot de protection de fiche pour un connecteur enfichable, en particulier pour un port de charge d'un véhicule électrique, dans laquelle la charnière de capot de protection de fiche comprend un capot de protection pour recouvrir le connecteur enfichable. La présente invention concerne en outre un ensemble de fiche comprenant une charnière de capot de protection de fiche.
Les charnières de capot de protection de fiche et les ensembles de fiche sont connus. Le capot de protection d'une charnière de capot de protection de fiche sert à recouvrir un connecteur enfichable. Le recouvrement du connecteur peut être nécessaire pour le protéger des influences extérieures ou pour éviter tout contact accidentel avec des parties sous tension du connecteur enfichable. Des capots de protection connus sont généralement reliés par une articulation à un boîtier de fiche ou à une autre pièce fixe.
Le but de la présente invention est d'améliorer les capots de protection connus et leur liaison à une pièce fixe.
Pour la charnière de capot de protection de fiche mentionnée au début, cet objectif est atteint en ce que la charnière de capot de protection de fiche comprend une charnière à quatre articulations, dont deux articulations côté capot sont montées sur le capot de protection et deux articulations côté fixation sont configurées pour être montables sur un châssis, la charnière à quatre articulations présentant deux éléments d'articulation, chacun des éléments d'articulation reliant respectivement l'une des articulations côté capot à l'une des articulations côté fixation.
L'objet est atteint pour l'ensemble de fiche mentionné au début en ce que la charnière de capot de protection de fiche est une charnière de capot de protection de fiche selon l'invention et l'ensemble de fiche comprend un boîtier de fiche, en particulier pour un port de charge d'un véhicule électrique côté véhicule, et la charnière de capot de protection de prise forme avec le boîtier de fiche une unité structurelle préassemblée.
A cet effet, la description décrit un procédé d’estimation de l’état de charge d’au moins un élément électrochimique d’une batterie, le procédé étant mis en œuvre par un calculateur, le calculateur mémorisant un modèle d’estimation de l’état de charge estimant à partir d’une valeur de tension, d’une valeur de courant, d’une valeur de température et d’une valeur de capacité de l’au moins un élément électrochimique la valeur de l’état de charge de l’au moins un élément électrochimique, le modèle d’estimation de l’état de charge étant un réseau de neurones appris,
- calcul de la valeur de l’état de charge de l’au moins un élément électrochimique selon une première technique et une deuxième technique,
- obtention d’une valeur estimée de l’état de charge obtenue à un instant antérieur,
- calcul de la valeur de la quantité de charge accumulée depuis l’instant antérieur par utilisation des valeurs du courant obtenues,
- déduction d’une première valeur calculée de l’état de charge par calcul de la somme de la valeur estimée de l’état de charge obtenue à l’instant antérieur et du ratio de la valeur de la quantité de charge accumulée depuis l’instant antérieur et de la valeur de la capacité de l’au moins un élément électrochimique,
- application du modèle d’estimation de l’état de charge sur les valeurs obtenues du courant, de la température et de la capacité de l’au moins un élément électrochimique au même instant d’obtention et sur une valeur de tension dépendant de la valeur obtenue de tension de l’au moins un élément électrochimique au même instant d’obtention, pour obtenir une deuxième valeur calculée de l’état de charge,
- comparaison entre la différence en valeur absolue entre la deuxième valeur calculée et la première valeur calculée et la valeur absolue d’un seuil, et
En effet, le procédé correspond à l’utilisation d’un modèle hybride utilisant deux techniques distinctes : une première technique issue du monde de la mesure et basée sur un comptage coulométrique et une deuxième technique issue du monde de l’apprentissage machine basée sur l’application d’un réseau de neurones.
Le procédé qui vient d’être décrit repose sur un effet de boussole.
Avec cette analogie, la deuxième valeur calculée sert de direction de référence et la force avec laquelle il faut modifier la première valeur calculée est proportionnelle à la valeur du biais de courant maximal .
Le procédé peut ainsi être interprété comme une correction de la technique coulométrique par l’effet de boussole.
Il convient de noter que ce gain en précision est obtenu avec un surcoût calculatoire relativement faible car le réseau de neurones utilisé présente une empreinte mémoire très restreinte (peu de neurones). Cela entraîne que le gain en précision reste compatible avec une application embarquée.
Par ailleurs, le procédé permet également d’effectuer une recalibration permanente de la première technique alors que l’élément électrochimique 12 est en utilisation usuelle, même dans la portion plane Z23. Cela permet ainsi à l’élément électrochimique 12 de continuer sa mission tout en ayant une bonne estimation de l’état de la charge SOC. Ceci a pour conséquence une meilleure disponibilité de l’élément électrochimique 12 et/ou d’éviter le surdimensionnement de la batterie 10.
Un autre mode de réalisation est notamment décrit à la .
Dans cette , il apparaît que le procédé d’estimation repose sur les trois modèles M1, M2 et M3 précités et un quatrième modèle M4.
Le quatrième modèle M4 est un modèle de prétraitement d’une entrée du deuxième modèle M2.
Plus précisément, au lieu de fournir la tension de l’élément électrochimique 12 en entrée du deuxième modèle M2, le quatrième modèle M4 vient fournir une valeur estimée de la valeur de la tension en régime établi à l’instant d’obtention.
Pour cela, le quatrième modèle M4 est un modèle propre à estimer la valeur de la tension en régime établi à partir de la valeur de tension de l’élément électrochimique 12 à l’instant d’obtention, la valeur de courant de l’élément électrochimique 12 à l’instant d’obtention et le temps écoulé depuis l’instant antérieur.
Le quatrième modèle M4 est un modèle électrique équivalent du système.
En l’occurrence, il s’agit ici d’un modèle électrique de type RC du premier ordre de l’élément électrochimique 12. Autrement formulé, l’élément électrochimique 12 est assimilé à une première résistance en série avec un composant, le composant étant formé d’une deuxième résistance et d’un condensateur. Les valeurs de résistance et de capacité de ces éléments sont des données du constructeur.
Ainsi, dans ce cas, le procédé comporte, en outre, une étape d’estimation de la valeur de la tension en régime établi à l’instant d’obtention par utilisation d’un modèle d’estimation de la tension en régime établi qui est ici le quatrième modèle M4 en phase d’inférence.
Une troisième courbe de résistance représentée par des cercles (également indiquée par « SET » sur la figure) présente la variation de la résistance de chaque mémoire initialisée 2 lorsque le courant appliqué augmente. La troisième courbe se superpose à la courbe de contrôle, montrant que les mémoires sont stables et qu’elles présentent le même comportant.
Le caractère conducteur du matériau à base de titane de la première couche permet de réaliser une initialisation 3 contrôlée de chaque mémoire résistive et ainsi configurer correctement leurs performances. En effet, une première couche isolante ne permet en revanche pas de contrôler correctement la circulation 32 du courant d’initialisation sur chaque mémoire 1. Par exemple, il est nécessaire d’appliquer une tension élevée aux bornes d’un matériau isolant pour réaliser un claquage et permettre la circulation d’un courant suffisant pour réaliser l’initialisation. Or, il devient difficile de contrôler le courant circulant dans la mémoire au moment du claquage. Cette manière d’opérer réduit le contrôle de l’initialisation et résulte en une grande dispersion de performances au sein de l’ensemble des mémoires 1.
Il est d’ailleurs avantageux que la première couche 11 présente un caractère métallique. En effet, un matériau présentant un caractère isolant, semiconducteur ou semi-métallique montre une dépendance en température différente d’un matériau présentant un caractère métallique. Par exemple, à mesure que la température augmente, un matériau présentant un caractère métallique voit sa résistivité augmenter de manière monotone à partir d’une certaine température. Ainsi, à mesure que le courant d’initialisation augmente et que la température augmente dans la première couche, la résistivité de la première couche augmente. Le caractère métallique de la première couche freine l’augmentation de courant et de température et permet de contrôler facilement et précisément le courant d’initialisation qui circule dans la mémoire. À l’inverse, à mesure que la température augmente, un matériau présentant un caractère semi-métallique voit sa résistivité diminuer à partir d’une certaine température. Ainsi, à mesure que le courant d’initialisation augmente et que la température augmente dans la première couche 11, la résistivité de la première couche décroît. Le caractère semi-métallique de la première couche accélère alors l’augmentation de courant et de température et peut entraîner un emballement de sorte que le courant d’initialisation puisse former une région active trop grande, voire dégrader les première et/ou deuxième couches. Le phénomène est plus intense lorsqu’il s’agit d’un matériau présentant un caractère isolant ou semiconducteur. La forte non-linéarité de la résistivité de ces matériaux en fonction de la tension et de la température augmente davantage le risque d’emballement et donc de dégradation de la mémoire.
La troisième courbe de résistance de la montre une tendance caractéristique du comportement de mémoires résistives à changement de phase dans un état de basse résistance aussi dit état « haut » ou état « programmé » ou encore état « SET » en anglais.
Une quatrième courbe de résistance, représentée par des triangles (également indiquée par « RESET » sur la figure), présente la variation de la résistance de chaque mémoire initialisée 2 après la commutation de toutes les mémoires 2 dans un état de haute résistance, aussi dit état « bas » ou état « effacé » ou encore état « RESET » en anglais. À la différence de la troisième courbe, la quatrième courbe montre effectivement une tendance caractéristique du comportement de mémoires résistives dans un état bas.
La indique également un exemple de courant de lecture pouvant être utilisé pour lire l’état de résistivité d’une mémoire initialisée, ainsi qu’une plage de courant de commutation de la région active 20 de chaque mémoire initialisée 2. Le courant d’initialisation employé est supérieur au courant de lecture et au courant de commutation maximal.
Les , et montrent les différences de comportement entre deux mémoires résistives initialisées 2 au moyen de deux courants d’initialisation différents. Une première mémoire 2 a été initialisée au moyen d’un courant d’initialisation de 1,5 mA et une deuxième mémoire 2 a été initialisée au moyen d’un courant d’initialisation de 1,8 mA. Chacune des première et deuxième mémoires 2 comprend donc une région active 20. Toutefois, la région active 20 de la première mémoire, ayant été formée avec un courant plus faible que la deuxième mémoire, présente une concentration de titane qui est supérieure à celui de la région active 20 de la deuxième mémoire.
La montre deux courbes de résistance en fonction du courant appliqué aux bornes des deux mémoires résistives 2, lorsqu’elles sont dans un état de basse résistance (état haut ou « SET). La première mémoire, initialisée avec un courant d’initialisation moindre, présente une résistance plus faible que la deuxième mémoire, initialisée avec le courant le plus élevé.
La variation de la résistance en fonction du courant présente également une pente différente entre les deux mémoires, la première mémoire (initialisée à 1,5 mA) affichant une pente plus faible que la deuxième mémoire (initialisée à 1,8 mA).
Les et montrent une mesure de la résistance des deux mémoires lorsqu’elles sont dans un état de haute résistance (indiqué « RESET » sur les figures) ou dans un état de basse résistance (indiqué « SET » sur les figures), la commutation pour passer d’un état à l’autre étant réalisée avec différentes durées de chute (aussi appelée « fall time » en anglais). La durée de chute correspond à une durée pendant laquelle le courant mis en œuvre pour réaliser la commutation décroît jusqu’à une valeur nulle. La montre la variation de résistance pour la première mémoire (initialisée avec un courant d’initialisation de 1,5 mA) tandis que la montre la variation de résistance pour la deuxième mémoire (initialisée avec un courant d’initialisation de 1,8 mA). Le rapport de la valeur de résistance de l’état de haute résistance par la valeur de résistance de l’état de basse résistance est appelé « fenêtre de programmation ». Les deux figures montrent que la fenêtre de programmation augmente fortement à mesure que la durée de chute croît. L’augmentation de la durée de chute améliore la cristallisation du deuxième matériau de la région active 20 et réduit donc la résistivité associée (c’est-à-dire la fenêtre de programmation). La deuxième mémoire présente une fenêtre de programmation plus étendue que la première mémoire. En revanche, résistance SET équivalente (représentée par les traits pointillés), la première mémoire nécessite une durée de chute de 10 ns tandis que la deuxième mémoire nécessite un temps de chute de 10 000 ns.
La première mémoire, initialisée avec un courant d’initialisation de 1,5 mA présente une vitesse de commutation (en l’occurrence une vitesse de programmation) plus élevée que la deuxième mémoire. La première mémoire peut donc être utilisée en lieu et place d’une mémoire vive de type statique (ou SRAM pour « Static Random Access Memory » en anglais) ou dynamique (ou DRAM pour « Dynamic Random Access Memory » en anglais). Elle peut être connectée à une unité de calcul.
À la différence d’une SRAM ou d’une DRAM, une mémoire résistive initialisée, dont le mécanisme de stockage est basé sur la capacité de la région active à changer de phase, présente une consommation électrique faible (car ne nécessite pas une alimentation en continue pour conserver un état), une latence réduite et une densité d’intégration élevée.
À l’inverse, la deuxième mémoire, initialisée avec un courant d’initialisation plus élevé, par exemple de 1,8 mA, présente une vitesse d’écriture faible mais offre une sensibilité à la recristallisation plus faible, donc un meilleur niveau de stockage.
La représente schématiquement un mode de mise en œuvre d’un procédé de stockage 4 d’un message dans un ensemble de mémoires résistives. Ce procédé de stockage utilise la capacité qu’ont les mémoires non-initialisées 1 selon l’invention d’être initialisée pour stocker le message, sans toutefois offrir une lecture aisée de ce message en l’absence de clé de chiffrement.
Le procédé de stockage 4 tire avantage de la faible différence de résistivité entre une mémoire initialisée et une mémoire non-initialisée lorsqu’elles sont dans un même état de résistance (par exemple de haute résistance ou de basse résistance). La différence de résistance peut être inférieure à 20 %, voire inférieure à 10 %.
Pour cela, l’ensemble de mémoires non-initialisées comprend un premier sous-ensemble de mémoires résistives non-initialisées selon l’invention et un deuxième sous-ensemble de mémoires résistives non-initialisées selon l’invention. Les deux sous-ensembles sont distincts l’un de l’autre. C’est-à-dire que chacune des mémoires non-initialisées de l’ensemble fait partie exclusivement du premier sous-ensemble précité ou exclusivement du deuxième sous-ensemble précité.
En effet, les antennes à balayage électronique 2D de type réseau transmetteurs (transmitarray) nécessitent au moins autant de lignes de contrôle que de cellules, soit pour une matrice de rangées et colonnes. A contrario , dans le cas présent, en supposant qu’une cellule/ bande élémentaire de déphasage puisse être contrôlée au moyen d’une seule ligne de contrôle, le nombre de lignes de contrôle requis pour la même précision d’orientation n’est plus que de .
La représente de manière schématique les lignes de contrôle des différentes cellules/bandes élémentaires de la première surface et de la seconde surface de déphasage.
Dans ce mode de réalisation, chaque cellule élémentaire de la première surface et chaque bande élémentaire de la seconde surface est contrôlée à l’aide d’une seule ligne de contrôle, 320 et 330. Par exemple, les cellules/bandes élémentaires sont réalisées à partir de varactors et chaque ligne de contrôle commande de manière analogique la capacitance du varactor associé.
Lorsque les déphasages ne peuvent prendre qu’une pluralité de valeurs discrètes, comme dans le cas d’une cellule à diodes PIN, le nombre de lignes de contrôle par cellule/bande élémentaire pourra être égal à . Les cellules/bandes élémentaires pourront appliquer une atténuation en sus d’un déphasage, de manière à pouvoir apodiser le faisceau et en réduire les lobes secondaires. Lorsque ces coefficients d’atténuation peuvent prendre valeurs discrètes, le nombre de lignes de contrôle par cellule/bande élémentaire passe alors à , ce qui conduit à un nombre total de lignes de contrôle égal à . Selon une variante de réalisation, les coefficients d’atténuation peuvent être choisis fixes (apodisation fixe) et dans ce cas le nombre de lignes de contrôle n’est plus que de .
La représente de manière schématique une antenne à balayage électronique bidimensionnel selon un second mode de réalisation de l’invention.
Ce mode de réalisation diffère du premier en ce que la première surface de déphasage, 410, n’opère plus en transmission mais en réflexion. Les éléments portant les signes de référence 420-442 sont fonctionnellement similaires aux éléments 220-242 et leur description sera par conséquent omise.
L’onde issue de la source micro-onde, après avoir été guidée par la première section rectiligne du guide, est réfléchie par la première surface de déphasage 410 avant de se propager dans la seconde section rectiligne du guide. La première surface de déphasage applique ici, d’une part, une première loi de déphasage visant à convertir l’onde cylindrique en onde plane et, d’autre part une seconde loi de déphasage selon la direction y, visant à orienter le faisceau dans le plan (yz).
De même que précédemment, les premières cellules élémentaires 411 peuvent en outre effectuer une apodisation du faisceau (ici orthogonalement à l’axe (Ox) en appliquant des valeurs d’atténuation appropriées (par exemple approximant un sinus cardinal).
Enfin, le guide d’onde PPW 240 ou 440 peut être réalisé selon différentes variantes. Selon une première variante, l’espace entre ses plaques parallèles est simplement empli d’air. Selon une seconde variante, cet espace est occupé par un diélectrique. Selon une troisième variante, représentée schématiquement en , une structure à ondes lentes (slow-wave structure) est prévue en crénelant la plaque inférieure de la seconde section rectiligne du guide d’onde, et en l’inclinant par rapport à laquelle plaque métallique supérieure dans laquelle sont formés les stubs. On note ici que l’écart entre la plaque supérieure M1 et la plaque inférieure M2 se réduit dans la direction de propagation (Ox) et que la plaque inférieure M2 présente des ondulations sur sa face supérieure, dans la direction (Oz). La présence d’un diélectrique et a fortiori d’une structure à ondes lentes dans le guide d’onde permet d’abaisser la vitesse de phase et de réduire la longueur d’onde guidée. Il en résulte que le pas du réseau de stubs continus peut être choisi plus faible, ce qui permet d’éviter l’apparition de lobes secondaires et d’étendre la plage angulaire de balayage.
outil de liaison électrique assurant un passage de courant optimum par serrage d’une âme d’un fil à relier La présente invention concerne le domaine de l’outillage électrique industriel.
L’objet de la présente invention porte plus particulièrement sur un dispositif permettant de créer un liaison électrique fiable, aisément maintenable et compacte pour des niveaux de courant forts, entre un fil électrique et un élément conducteur.
Par élément conducteur au sens de la présente invention, on entend ici et dans toute la description qui suit un élément dédié pour la conduction d’un courant électrique, dont la conception précise varie selon le type de connexion à réaliser. L’élément conducteur correspond ainsi par exemple à un élément d’un connecteur d’alimentation, notamment d’une prise électrique mâle ou femelle, ou encore à un conducteur électrique d’un bornier ou d’une barrette de connexion.
En outre, par courant fort au sens de la présente invention, on entend ici et dans toute la description qui suit un courant adapté aux procédés industriels, par exemple un courant adapté à des essais de cellules de batterie, ou toute autre opération, notamment un courant avoisinant – à date de l’invention - 300A.
Art antérieur On connaît pour réaliser une liaison électrique en courant fort plusieurs solutions dans l’art antérieur.
Une première solution illustrée en annexée à la présente description consiste à réaliser la liaison électrique à l’aide d’une cosse 1A sertie sur le fil à relier et maintenue en position par un écrou de serrage 2A sur l’élément conducteur 3A.
L’un des inconvénients d’une telle solution est que la cosse 1A est sertie sur le fil à relier.
où PasCFAx représente le déplacement entre chaque bloc CFA en x, de même en y pour PasCFAy.
et PosX(i coul ) repère le déplacement physique dans le bloc CFA pour la position de chaque photosite, de même pour PosY(i coul ) en y.
L’unité de distance est la même pour PasCFAx ou y et PosX(i coul ) ou PosY(i coul ).