Procédé d’initialisation (3) d’une mémoire résistive non-initialisée (1), ladite mémoire résistive non-initialisée (1) comprenant : au moins une première couche (11), comprenant un matériau à base de titane, ledit matériau à base de titane étant conducteur ; au moins une deuxième couche (12), s’étendant sur ladite au moins une première couche (11), comprenant un premier matériau à changement de phase, ledit premier matériau à changement de phase étant apte à être dopé par du titane ; le procédé (3) comprenant une étape de circulation (32) d’un courant électrique, dit courant d’initialisation, dans chacune des première et deuxième couches (11, 12), le courant d’initialisation étant dimensionné pour générer un gradient de température au sein desdites première et deuxième couches (11, 12) impliquant la fusion d’une partie au moins du matériau à base de titane de chaque première couche (11) sur toute son épaisseur et d’une partie au moins du premier matériau à changement de phase de chaque deuxième couche (12), ladite fusion résultant dans la formation, à partir du premier matériau à changement de phase et du matériau à base de titane, d’un deuxième matériau à changement de phase comprenant du titane. Procédé d’initialisation (3) selon la revendication précédente, dans lequel le deuxième matériau à changement de phase présente une concentration de titane, provenant du matériau à base de titane fondu, le courant d’initialisation étant choisi pour contrôler ladite concentration. Procédé d’initialisation (3) selon l’une des revendications précédentes, comprenant une étape de détermination (31) d’un courant d’initialisation minimal associé à une concentration maximale de titane dans le deuxième matériau à changement de phase, ladite concentration maximale de titane dans le deuxième matériau à changement de phase étant strictement inférieure à la concentration du titane dans le matériau à base de titane pur, le courant d’initialisation utilisé lors de l’étape de circulation (32) étant supérieure ou égal au courant d’initialisation minimal. Procédé d’initialisation (3) selon la revendication précédente, comprenant une étape de détermination d’un courant d’initialisation maximal, le courant d’initialisation maximal étant associé à une concentration minimale de titane dans le deuxième matériau à changement de phase, ladite concentration minimale de titane dans le deuxième matériau à changement de phase étant strictement inférieure ou égale à 1/100, le courant d’initialisation utilisé lors de l’étape de circulation (32) étant inférieur ou égal au courant d’initialisation maximal. Procédé d’initialisation (3) selon l’une des revendications précédentes, dans lequel la mémoire résistive non-initialisée (1) présente au moins une région active intermédiaire, chaque région active intermédiaire étant disposée entre une première couche (11) et une deuxième couche (12), chaque région active intermédiaire comprenant au moins un troisième matériau à changement de phase comprenant du titane, le courant d’initialisation circulant également dans chacune des région active intermédiaire, le courant d’initialisation étant dimensionné pour générer également un gradient de température au sein de chaque région active intermédiaire impliquant également la fusion d’une partie au moins du troisième matériau à changement de phase de chaque région active intermédiaire, ladite fusion résultant dans la formation, à partir du premier matériau à changement de phase et du matériau à base de titane et du troisième matériau à changement de phase, d’un deuxième matériau à changement de phase comprenant du titane. Procédé d’initialisation (3) selon l’une des revendications précédentes, dans lequel le matériau à base de titane de chaque première couche (11) comprend un premier élément, dit « élément porteur », neutre vis-à-vis des propriétés de commutation du premier matériau à changement de phase. Procédé d’initialisation (3) selon l’une des revendications précédentes, dans lequel le matériau à base de titane de chaque première couche (11) comprend des impuretés pouvant exercer une influence sur des propriétés électroniques du premier matériau à changement de phase. Procédé d’initialisation (3) selon l’une des revendications précédentes, dans lequel le matériau à base de titane présente une résistivité inférieure à 1000 µΩ·cm. Procédé d’initialisation (3) selon l’une des revendications précédentes, dans lequel le matériau à base de titane comprend une concentration en titane telle qu’un traitement thermique dudit matériau à base de titane à une température inférieure ou égale à 400 °C modifie sa résistivité de moins de 70 %. Procédé d’initialisation (3) selon l’une des revendications précédentes, dans lequel le premier matériau à changement de phase est un alliage binaire ou un alliage ternaire comprenant du germanium, de l’antimoine, du tellure, du gallium ou du sélénium. Procédé d’initialisation (3) selon l’une des revendications précédentes, dans lequel chaque première et deuxième couches (11, 12) présentent une température de fusion comprise dans ]400 °C ; 1000 °C[. Procédé d’initialisation (3) selon l’une des revendications 1 à 11, dans lequel la mémoire résistive non-initialisée (1) comprend une première électrode (13) et une deuxième électrode (14), la première électrode (13) étant en contact avec une première couche (11), la deuxième électrode s’étendant sur une deuxième couche (12), la première électrode (13) présentant une largeur inférieure à une largeur de chaque première couche (11), la deuxième électrode (14) présente une largeur supérieure à la largeur de la première électrode (13). Procédé d’initialisation (3) selon l’une des revendications 1 à 11, dans lequel la mémoire résistive non-initialisée (1) comprend une première électrode (13), une deuxième électrode (14), deux deuxièmes couches (12) et une première couche (11), chacune des deuxièmes couches (12) s’étendant sur une des faces de la première couche (11), la première électrode (13) étant en contact avec une des deux deuxièmes couches (12), la deuxième électrode (14) étant en contact avec une autre des deux deuxième couches (12), les première et deuxième électrodes (13, 14) présentant chacune une largeur supérieure ou égale à la largeur de la première couche. Mémoire résistive (2) initialisée obtenue après la mise en œuvre du procédé d’initialisation (3) selon l’une des revendications précédentes, ladite mémoire résistive initialisée comprenant : au moins une première couche (11), comprenant un matériau à base de titane ; au moins une deuxième couche, s’étendant sur ladite au moins une première couche, comprenant un premier matériau à changement de phase ; et au moins une région active (20), chaque région active étant disposée entre une première couche et une deuxième couche, chaque région active comprenant un deuxième matériau à changement de phase comprenant du titane. Procédé de stockage (4) d’un message dans un ensemble de mémoires résistives non-initialisées, chaque mémoire résistive non-initialisée comprenant : au moins une première couche, comprenant un matériau à base de titane, ledit matériau à base de titane étant conducteur ; au moins une deuxième couche, s’étendant sur ladite au moins une première couche et comprenant un premier matériau à changement de phase, ledit premier matériau à changement de phase étant apte à être dopé par du titane ; l’ensemble de mémoires résistives non-initialisées comprenant un premier sous-ensemble de mémoires résistives non-initialisées et un deuxième sous-ensemble de mémoires résistives non-initialisées, distincts du premier sous-ensemble de mémoires résistives non-initialisées, le procédé de stockage (4) comprenant une étape d’initialiser (41) chaque mémoire résistive du premier sous-ensemble de mémoires résistives non-initialisée par la mise en œuvre du procédé d’initialisation (3) selon l’une des revendications 1 à 13, le message stocké est formé par les mémoires résistives non-initialisées ou par les mémoires résistives initialisées.