Dispositif (1) à ondes élastiques de surface qui comprend : - un substrat composite (2) qui comprend, d’une face avant (3) vers une face arrière (4), une couche de matériau piézoélectrique (5), une couche de matériau diélectrique(7), une couche de piégeage (8) et un substrat support (S), la couche de piégeage (8) comprenant une densité de défauts supérieure à une densité de défauts prédéterminé, la densité de défauts prédéterminée étant une densité de défauts pour laquelle la résistivité de la couche de piégeage (8) est supérieure ou égale à 10 kΩ pour des températures comprises entre -20°C et 120°C ; - au moins un transducteur électroacoustique (9, 10) formé sur et/ou dans la couche de matériau piézoélectrique (5) ; le dispositif (1) à ondes élastiques de surface étant caractérisé en ce que le substrat composite comprend en outre une couche additionnelle (6) intercalée entre la couche de matériau piézoélectrique (5) et la couche de matériau diélectrique (7), la couche additionnelle (6) étant choisie de sorte que la vitesse de phase d’une onde élastique dans ladite couche additionnelle soit supérieure aux vitesses de phase de la même onde élastique dans l’une et l’autre de la couche de matériau diélectrique et de la couche de matériau piézoélectrique. Dispositif (1) à ondes élastiques de surface selon la revendication 1, dans lequel la couche additionnelle (6) est associée à un coefficient de température de la fréquence de signe opposé à celui associé à la couche de matériau diélectrique (7). Dispositif (1) à ondes élastiques de surface selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la couche additionnelle (6) présente, pour des fréquences inférieures à 1 GHz, une impédance acoustique supérieure ou égale à celle de la couche de matériau diélectrique (7). Dispositif (1) à ondes élastiques de surface selon l’une des revendications 1 à 3, dans lequel la couche additionnelle (6) présente une épaisseur comprise entre 20 nm et 300 nm. Dispositif (1) à ondes élastiques de surface selon l’une des revendications 1 à 4, dans lequel la couche additionnelle (6) comprend au moins un des matériaux choisi parmi : SiN, Al 2 O 3 , AlN, Carbone diamant, GaN, LiNbO 3 , SiC. Dispositif (1) à ondes élastiques de surface qui comprend : - un substrat composite (2) qui comprend, d’une face avant (3) vers une face arrière (4), une couche de matériau piézoélectrique (5), une couche de matériau diélectrique (7), une couche de piégeage (8) et un substrat support (S), la couche de piégeage (8) comprenant une densité de défauts supérieure à une densité de défauts prédéterminé, la densité de défauts prédéterminée étant une densité de défauts pour laquelle la résistivité de la couche de piégeage (8) est supérieure ou égale à 10 kΩ pour des températures comprises entre -20°C et 120°C ; - au moins un transducteur électroacoustique (9, 10) formé sur et/ou dans la couche de matériau piézoélectrique (5) ; le dispositif (1) à ondes élastiques de surface étant caractérisé en ce que le substrat support (S) comprend un substrat de silicium présentant une orientation du type 110. Dispositif (1) à ondes élastiques de surface selon l’une des revendications 1 à 6, dans lequel la couche de piégeage (8) comprend du silicium polycristallin et présente une épaisseur comprise entre 400 nm et 2000 nm, avantageusement supérieure à 1000 nm. Dispositif (1) à ondes élastiques de surface selon l’une des revendications 1 à 7, dans lequel la couche de matériau diélectrique (7) présente une épaisseur supérieure à 300 nm, avantageusement d’une épaisseur comprise entre 300 nm et 600 nm, encore plus avantageusement d’une épaisseur comprise entre 300 nm et 400 nm. Dispositif (1) à ondes élastiques de surface selon l’une des revendications 1 à 8, dans lequel la couche de matériau diélectrique (7) comprend du dioxyde de silicium. Dispositif (1) à ondes élastiques de surface selon l’une des revendications 1 à 9, dans lequel la couche de matériau piézoélectrique (5) présente une épaisseur comprise entre 300 nm et 1000 nm, avantageusement supérieure à 700 nm, encore plus avantageusement supérieure à 800 nm. Dispositif (1) à ondes élastiques de surface selon l’une des revendications 1 à 10, dans lequel la couche de matériau piézoélectrique (5) comprend l’un ou l’autre du LiTaO 3 et du LiNbO 3 . Dispositif (1) à ondes élastiques de surface selon l’une des revendications 1 à 11, dans lequel le matériau formant la couche de matériau piézoélectrique (5) présente un angle de coupe (YX)/θ avec θ compris entre 10° et 60°, avantageusement compris entre 15° et 50°.