Composant électronique (100, 400) comprenant : Un substrat (107) Un empilement actif (101i) formé au-dessus du substrat et incluant : une couche (110i) en Nitrure de Galium GaN dopé de type p, disposée au-dessus du substrat (107) ; une couche (111i) en un matériau semi-conducteur disposée sur la couche (110i) en Nitrure de Galium GaN dopé de type p ; caractérisé en ce que le composant comporte deux zones latérales (105i) situées de part et d’autre de la couche (110i) de GaN dopé de type p, les deux zones latérales étant implantées en oxygène. Composant électronique (100, 400) selon la revendication précédente caractérisé en ce que les accepteurs de la couche en Nitrure de Galium GaN dopé de type p sont des atomes de Magnésium. Composant électronique (100, 400) selon la revendication précédente caractérisé en ce que la largeur (Wa) de l’empilement actif et la largeur (Wo) de chacune des zones implantées en oxygène sont inférieures ou égales à 20µm et supérieures ou égales à 1µm, la largeur étant mesurée parallèlement au plan des couches dans l’alignement de l’empilement et des zones implantées en oxygène. Composant électronique (100, 400) selon l’une des revendications précédentes caractérisé en ce que ledit empilement actif (101i) comporte : une couche de GaN dopé de type n (111i) déposée sur la couche de GaN dopé de type p ; une couche de GaN non intentionnellement dopée (112i) déposée sur la couche de GaN dopé de type n ; une couche semi-conductrice (113i) déposée sur la couche de GaN non intentionnellement dopée pour former un gaz d’électrons bidimensionnel ; le composant comportant en outre une zone de source(103), une zone de drain (102) et une zone de grille (104) de commande formées sur ou dans la couche semi-conductrice pour former un gaz d’électrons bidimensionnel ; les deux zones latérales implantées en oxygène s’étendant également de part et d’autre de la couche de GaN dopé de type n, de la couche de GaN non intentionnellement dopée et de la couche semi-conductrice pour former un gaz d’électrons bidimensionnel. Composant électronique selon la revendication 4 caractérisé en ce qu’il comporte : une pluralité d’empilements actifs, chaque empilement actif comportant : une couche de GaN dopé de type n déposée sur la couche de GaN dopé de type p ; une couche de GaN non intentionnellement dopée déposée sur la couche de GaN dopé de type n ; une couche semi-conductrice déposée sur la couche de GaN non intentionnellement dopée pour former un gaz d’électrons bidimensionnel ; deux zones latérales implantées en oxygène s’étendant de part et d’autre de la couche de GaN dopé de type p, de la couche de GaN dopé de type n, de la couche de GaN non intentionnellement dopée et de la couche semi-conductrice pour former un gaz d’électrons bidimensionnel les zones de source, de drain et de grille de commande étant communes à la pluralité d’empilement ; chaque empilement étant isolé électriquement de l’empilement adjacent par une des zones latérales implantées en oxygène. Composant électronique selon la revendication précédente caractérisé en ce que l’ensemble desdits empilements est entouré d’une zone, dite d’isolation, ladite zone d’isolation étant une zone implantée en oxygène. Composant électronique selon l’une des revendications 4 à 6 caractérisé en ce que chacune des deux zones latérales implantées en oxygène s’étend dans ou sous la zone de grille et dans ou sous la zone de drain et la zone de source. Composant électronique selon l’une des revendications 4 à 6 caractérisé en ce que chacune des deux zones latérales implantées en oxygène s’étend dans ou sous la zone de grille et ne s’étend pas dans ou sous la zone de drain et la zone de source. Procédé (200) de fabrication d’un composant selon l’une des revendications précédentes caractérisé en ce qu’il comporte les étapes suivantes : Réalisation (201) sur un substrat (307) d’un empilement formé au-dessus du substrat et incluant : une couche (310) en Nitrure de Galium GaN dopé de type p, disposée au-dessus du substrat (307) ; une couche (311) en un matériau semi-conducteur disposée sur la couche en Nitrure de Galium GaN dopé de type p ; Réalisation (202) d’un masque (315) au-dessus de l’empilement, ledit masque masquant la partie de l’empilement formant l’empilement actif ; Implantation ionique (203) pour introduire des atomes d’oxygène dans les deux zones de l’empilement situé de part et d’autre de la zone masquée de sorte à obtenir deux zones latérales dans la couche en Nitrure de Galium GaN dopé de type p implantées en oxygène ; Recuit (202) suivant l’implantation ionique. Procédé selon la revendication précédente caractérisé en ce que la température de recuit est comprise entre 700 et 850°C. Procédé selon l’une des revendications 9 ou 10 caractérisé en ce que l’implantation est une implantation multi-énergies. Procédé selon l’une des revendications 9 à 11 caractérisé en ce que l’énergie des atomes d’oxygènes ionisés utilisée pour l’implantation est inférieure ou égale à 200 keV. Procédé selon l’une des revendications 9 à 12 caractérisé en ce que la dose d’atomes d’oxygène implantés est : supérieure à 2.10 14 cm -2 x (Wa/Wo) où Wa désigne la largeur de l’empilement actif et Wo désigne la largeur des zones latérales implantées et ; inférieure à 6.10 15 cm -2 x (Wa/Wo). Procédé selon l’une des revendications 9 à 13 caractérisé en ce que l’étape d’implantation ionique pour introduire des atomes d’oxygène s’accompagne d’une étape d’implantation ionique pour introduire des atomes d’argon ou d’azote.