INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
La première partie 53.1 est ici de forme plus ou moins parallélépipédique avec une section transversale carrée identique à celle de la première partie 51.1 et comprend une surface intérieure 53.3 faisant face au mors 51 (et donc tournée vers l’intérieur de la pince 50.2) et à l’opposé une surface extérieure 53.4 tournée vers l’extérieur de la pince 50.1. La surface intérieure 53.3 est une surface plane. La surface extérieure 53.4 de forme concave en calotte sphérique.
La première partie 53.1 du troisième mors 53 est également pourvu d’un perçage 53.5 pour être engagé sur le deuxième tronçon fileté 1.2 de la vis 1. Le perçage 53.5 débouche en bas sur la surface extérieure 53.4 et en haut sur la surface intérieure 53.3. Compte tenu de la concavité de la surface extérieure 53.4 qui rentre dans la première partie 53.1, le perçage 53.5 a une longueur minime.
La deuxième partie 53.2 est identique à la deuxième partie 51.2 et fait face à celle-ci de telle manière que les rainures 51.6 et 53.6 délimitent un logement cylindrique pour accueillir l’extrémité de la tige 3.
La deuxième douille 70 délimite un conduit traversant pour pouvoir être engagée sur le deuxième tronçon 1.2 de la vis 1. Le conduit est ici cylindrique. Il peut être fileté ou non. La deuxième douille 70 comprend ici une surface frontale inférieure 70.1 en calotte sphérique convexe complémentaire de la face supérieure de la collerette 2 et une surface frontale supérieure 70.2 en calotte sphérique concave complémentaire de la surface extérieure concave 53.4 de la première partie 53.1 du troisième mors 53.
Ainsi, une vis 1 équipée de l’ensemble de fixation F2 dans la deuxième configuration comprend successivement engagés le long du deuxième tronçon 1.2 de vis 1 : une deuxième douille 70 dont la surface frontale inférieure 70.1 est en appui contre la collerette 2, une pince 50.2 dont le troisième mors 53 a sa surface extérieure 53.4 en appui de la surface frontale supérieure 70.2 de la deuxième douille 70 et dont le premier mors 51 a sa surface extérieure 51.4 en appui contre la surface inférieure d’appui de l’écrou 80. Le perçage 51.5 du premier mors 51 ainsi que les surfaces extérieures 51.4, 53.4 coopérant avec la surface inférieure de l’écrou 80 et la surface frontale supérieure 70.2 de la deuxième douille 70 permettent de créer une liaison rotule de la pince 50.2 autour de la vis 1.
On notera que le centre de la calotte sphérique de la surface extérieure 51.4 et le centre de la calotte sphérique de la surface extérieure 53.4 sont confondus.
En référence aux figures 4 à 8, un ensemble de fixation F3 selon une troisième configuration comprend deux pinces, une pince inférieure 50.1 et une pince supérieure 50.2. La pince inférieure 50.1 est identique à celle de l’ensemble de fixation F1 précédemment décrit et la pince 50.2 est identique à celle de l’ensemble de fixation F2 précédemment décrit. La surface extérieure 51.4 du mors 51 de la pince inférieure 50.1 vient prendre appui sur la surface supérieure de la collerette 2 ; la surface extérieure 52.4 du mors 52 de la pince inférieure 50.1 prend appui contre la surface extérieure 53.4 du mors 53 de la pince supérieure 50.2 ; la surface extérieure 51.4 du mors 51 de la pince supérieure 50.2 vient prendre appui sur la surface inférieure de l’écrou 80. On assure ainsi une liaison rotule des pinces 50.1 et 50.2 sur la vis 1.
Dans ces exemples, les transistors NMOS et les transistors PMOS peuvent avantageusement être configurés pour avoir des tensions de seuil nominales respectives à des valeurs différentes dans la condition de polarisation arrière neutre NBB, pour chaque circuit CMOS respectif SLVT, LVT, iRVT, RVT, HVT.
La illustre un graphique des couples de tensions de seuil pour les circuits CMOS respectifs SLVT, LVT, iRVT, RVT, HVT.
Les transistor NMOS et PMOS peuvent être configurés pour avoir des tensions de seuil dans un intervalle de tensions de seuil dites super basses SLVT, entre 0,15 V et 0,25 V, en valeurs absolues, par exemple 0,24 V pour le transistor NMOS et 0,17 V pour le transistor PMOS.
Les transistor NMOS et PMOS peuvent être configurés pour avoir des tensions de seuil dans un intervalle de tensions de seuil dites basses LVT, entre 0,2 V et 0,3 V, en valeurs absolues, par exemple 0,28 V pour le transistor NMOS et 0,22 V pour le transistor PMOS.
Les transistor NMOS et PMOS peuvent être configurés pour avoir des tensions de seuil dans un intervalle de tensions de seuil dites médianes inférieures iRVT, entre 0,25 V et 0,35 V, en valeurs absolues, par exemple 0,34 V pour le transistor NMOS et 0,27 V pour le transistor PMOS.
Les transistor NMOS et PMOS peuvent être configurés pour avoir des tensions de seuil dans un intervalle de tensions de seuil dites médianes supérieures RVT, entre 0,3 V et 0,4 V, en valeurs absolues, par exemple 0,39 V pour le transistor NMOS et 0,32 V pour le transistor PMOS.
Les transistors NMOS et PMOS peuvent être configurés pour avoir des tensions de seuil dans un intervalle de tensions de seuil dites hautes HVT, entre 0,35 V et 0,45 V, en valeurs absolues, par exemple 0,43 V pour le transistor NMOS et 0,37 V pour le transistor PMOS.
Toutes les valeurs de tensions de seuil présentées ci-dessus en relation avec la , sont données à titre d’exemple, et peuvent être considérées à 10% près.
D’une part, les différentes tensions de seuil SLVT, LVT, iRVT, RVT, HVT des transistors des circuits CMOS peuvent être paramétrées en modulant le travail de sortie des régions de grille NG, PG, notamment en introduisant un additif dans la partie métallique, en nitrure de titane, de la grille. Par exemple, le lantane est un additif permettant d’abaisser le travail de sortie de la grille NG, dans ce cas appelé « travail de sortie de type N » sans pour autant désigner un type de dopage. Par exemple, l’aluminium est un additif permettant d’augmenter le travail de sortie de la grille PG, dans ce cas appelé « travail de sortie de type P » sans pour autant désigner un type de dopage.
D’autre part, les différentes tensions de seuil SLVT, LVT, iRVT, RVT, HVT des transistors des circuits CMOS peuvent être paramétrées en modulant le travail de sortie des régions de canal, notamment en dopant les films semiconducteurs respectifs FLMn, FLMp, à une concentration en espèces dopantes pouvant être nulle iSi, iSiGe (matériau semiconducteur intrinsèque) ou à différentes concentrations ChII, ChII2 (par exemple deux niveaux de concentrations des dopants).
Par ailleurs, tous les transistors NMOS des circuits CMOS du dispositif semiconducteur DSOI peuvent être réalisés dans le même caisson PW de type P, et polarisés selon la même condition de polarisation arrière neutre (-1V) ou directe ou inverse. De même tous les transistors PMOS des circuits CMOS du dispositif semiconducteur DSOI peuvent être réalisés dans le même caisson NW de type N, et polarisés selon la même condition de polarisation arrière neutre (+1V) ou directe ou inverse.
En outre, le dispositif semiconducteur DSOI peut avantageusement comporter un circuit CMOS à ultra faible fuites uHVT (également dit « à tensions de seuil ultra haute »), et un circuit CMOS de cellules mémoires vives statiques « SRAM » (acronyme bien connue de l’homme de l’art des termes anglais « Static Random Access Memory »), selon les mêmes étapes de procédé de fabrication que les autres circuit CMOS (on se référera à cet égard aux figures 6 et 7 décrites ci-après). Les deux types NMOS et PMOS des transistors uHVT et SRAM, sont situés dans un caisson semiconducteur PW dopé du type P, aménagé dans le substrat porteur PSUB. En conséquence, les transistors uHVT, SRAM, en particulier les transistors PMOS, ne sont pas adaptés à être réalisés dans le même caisson PW, NW que les transistors du même type des circuits CMOS.
La illustre des étapes d’un procédé de fabrication 600 des transistors NMOS décrits précédemment en relation avec les figures 4 et 5. Plus particulièrement, les étapes 610, 620, 631, 632, 641, 642 de la représentent les modifications apportées à une fabrication d’un transistor NMOS classique NMOS_lgcy pour obtenir les transistors TNM décrits précédemment en relation avec les figures 4 et 5, c’est-à-dire les transistors NMOS configurés pour avoir les différentes tensions de seuil nominales SLVT, LVT, iRVT, RVT, HVT dans la condition de polarisation arrière neutre NBB.
Le transistor classique NMOS_lgcy, considéré comme point de départ dans l’étape 601, est réalisé dans un caisson de type N aménagé dans le substrat porteur, comporte une région de canal en silicium intrinsèque, et a par exemple une tension de seuil de sensiblement 0,34V. Toutes les caractéristiques structurelles du transistor classique NMOS_lgcy qui ne sont pas modifiées dans le procédé 600, telles que notamment la longueur de canal, les implantations des régions de conductions N+, et autres, sont identiques dans les transistors NMOS obtenus.
L’étape 610 comprend un remplacement du caisson aménagé dans le substrat porteur, classiquement dopé de type N, par un caisson PW dopé de type P, et une polarisation arrière neutre à la tension négative non-nulle -V 0 . L’étape 610 a pour effet d’augmenter la tension de seuil du transistor NMOS de sensiblement +0,1 V.
- G représente un motif sucre comportant 5 à 6 atomes de carbone ; de préférence le glucose, le fructose ou le galactose ; encore mieux le glucose;
- t désigne une valeur allant de 0 à 10, de préférence de 0 à 4, mieux de 0 à 3, encore mieux 0 ;
- v désigne une valeur allant de 1 à 15, de préférence de 1 à 4 ; le degré moyen de polymérisation (v) étant plus particulièrement compris entre 1 et 2.
De préférence, le tensioactif alkyl(poly)glycoside est un tensioactif alkyl(poly)glucoside.
De préférence, la composition lavante selon l’invention comprend le ou les tensioactifs non ioniques, lorsqu’ils sont présents, en une teneur totale allant de 0,05 à 15 % en poids, de préférence de 0,1 à 10% en poids, préférentiellement de 0,2 à 5% en poids, par rapport au poids total de la composition lavante.
Autres ingrédients La composition lavante selon l’invention peut comprendre de l’eau ou un mélange d’eau et d’un ou plusieurs solvants cosmétiquement acceptables choisis parmi les alcools en C 1 -C 4 , tels que l'éthanol, l'isopropanol, le tertio-butanol ou le n-butanol; les polyols tels que le glycérol, le propylèneglycol et les polyéthylèneglycols; et leurs mélanges.
De préférence, la composition lavante selon l’invention présente une teneur totale en eau comprise entre 20 et 95% en poids, de préférence entre 30 et 90%, préférentiellement entre 40 et 85% en poids, encore mieux entre 50 et 80% en poids par rapport au poids total de la composition.
Le pH de la composition lavante selon l'invention varie généralement de 3 à 9, de préférence de 3 à 7, préférentiellement de 3,5 à 6, et mieux de 4 à 5,5.
La composition cosmétique lavante selon l'invention peut en outre comprendre au moins un ingrédient cosmétique usuel, notamment choisi parmi les agents conditionneurs, polymériques ou non ; on peut notamment citer les polymères cationiqus, les polymères amphotères, les silicones, les silicones organomodifiées telles que les silicones aminées ; les huiles végétales, minérales, animales ou de synthèse ; les alcools gras liquides ; les esters gras liquides ; les corps gras solides et notamment les cires, les esters gras solides, les alcools solides, les céramides ; les filtres solaires; les agents hydratants; les agents antipelliculaires, les agents antioxydants; les agents nacrants et opacifiants; les agents plastifiants ou de coalescence; les conservateurs; les séquestrants (EDTA et ses sels); les matières colorantes. La composition peut bien évidemment comprendre plusieurs ingrédients cosmétiques figurant dans la liste ci-dessus. L'homme de métier veillera à choisir les ingrédients entrant dans la composition, ainsi que leurs quantités, de manière telle que les propriétés avantageuses de la composition selon l'invention ne soient pas, ou substantiellement pas, altérées par l'adjonction envisagée.
Le procédé selon l’invention est particulièrement adapté pour le traitement capillaire, en particulier de lavage et/ou de conditionnement, des cheveux sensibilisés, fragilisés et/ou abîmés, ou des cheveux chargés en ions métalliques, notamment cuivre et/ou calcium.
Notamment, ce procédé peut être utilisé pour le renforcement des cheveux notamment sensibilisés, fragilisés et/ou abîmés et/ou pour limiter la perte de brillance des cheveux, notamment sensibilisés, fragilisés et/ou abîmés.
L’étape 732 telle que décrite ci-avant est effectuée à l’issue de l’étape 752, et permet d’obtenir le transistor PMOS adapté pour des cellules mémoires SRAM.
L’étape 742 telle que décrite ci-avant est en outre effectuée à l’issue de l’étape 732 (combinée à l’étape 752), et permet d’obtenir le transistor PMOS à tension de seuil « ultra haute » uHVT.
Toutes les valeurs d’augmentation et de diminution des tensions de seuil données ci-avant en relation avec les figures 6 et 7 sont des valeurs arbitraires correspondant néanmoins à l’ordre de grandeur des effets réellement obtenus en pratique.
Pièce de drainage thermique d’un module électronique 3D Champ d’application
La présente invention concerne le domaine des modules optoélectroniques 3D d’imagerie, en particulier d’imagerie spatiale. Plus particulièrement, l’invention concerne la gestion thermique d’un capteur d’image utilisé dans le cadre d’applications spatiales, qu’elles soient scientifiques ou industrielles.
Dans l’industrie spatiale il est souhaitable de miniaturiser les modules optoélectroniques d’imagerie tout en utilisant des capteurs optoélectroniques plus performants ayant une plus grande résolution.
Dans le contexte de l’imagerie spatiale le maintien du capteur d’image à une température basse et stable est nécessaire pour assurer son bon fonctionnement. Les performances d’un capteur optoélectronique se dégradent drastiquement lorsque la température augmente. Le courant d’obscurité augmente et ainsi le noir devient gris lors de la détection. Cela est problématique dans des applications spatiales pour lesquelles le noir est prédominant sur la majorité des images. Cette problématique est amplifiée par l’utilisation de capteurs ayant de plus en plus de résolution. L’augmentation de la résolution induit une augmentation de la consommation électrique pour une même technologie du capteur et donc le capteur dissipe plus de chaleur lors de son fonctionnement.
Ainsi pour un fonctionnement dans des conditions de faible luminosité, la réduction du bruit thermique dans les imageurs est fondamentale. On entend par « bruit thermique » un bruit généré par l’agitation thermique des porteurs de charges.
Un problème à résoudre dans ce contexte consiste à maintenir une basse température d’un capteur optoélectronique dans un module électronique 3D pour une application spatiale. Un objectif général est d’assurer une basse température de fonctionnement pour un capteur optoélectronique afin de réduire le bruit thermique, et ainsi le courant d’obscurité. Cela permet d’améliorer la qualité des images.
Les solutions utilisées actuellement pour refroidir les capteurs sont l’addition d’un échangeur thermique de type Peltier et un radiateur pour dissiper la chaleur. Cependant, ce type de solution présente un coût élevé. De plus, la mise en œuvre de cette solution et son implémentation restent complexes. En effet, la surface dédiée à l’échange thermique dans le capteur n’est pas facilement accessible pour installer un tel dispositif dans un module électronique 3D. Ainsi, l’implémentation d’un échangeur thermique se fait au détriment de la compacité du module 3D.
Le brevet européen EP3340303B1 illustre un module électronique 3D comprenant un capteur optoélectronique et un berceau rigide thermiquement conducteur sous forme d’un cadre délimitant une ouverture qui loge ledit capteur. Le berceau est refroidi passivement et joue le rôle de masse thermique. Cependant, la surface de contact entre le berceau et le capteur est limitée à la périphérie du capteur. Cela augmente la résistance thermique entre le capteur et le berceau et limite la surface d’échange thermique.
Pour pallier aux limitations des solutions existantes en ce qui concerne l’amélioration de la dissipation thermique du capteur optoélectronique intégré dans un module électronique 3D, l’invention propose une pièce de drainage thermique faiblement couteuse, simple à implémenter et compatible avec une structure tridimensionnelle d’un module électronique. La pièce de drainage thermique permet de réduire la résistance thermique de 4°C/W par rapport à la solution du brevet européen EP3340303B1 (3°C/W au lieu de 7°C/W). La pièce de drainage selon l’invention permet de maximiser la surface d’échange thermique entre le capteur et le berceau quelque soit la manière dont le capteur est reporté dans le berceau. De plus, l’invention propose un module électronique 3D dans lequel la pièce de drainage selon l’invention est implémentée de manière à créer un circuit thermique reliant le capteur à une interface refroidie par des moyens externes. De plus, l’invention présente un procédé de fabrication du module électronique 3D selon l’invention.
La solution selon l’invention permet d’améliorer la qualité des images dans un environnement à faible luminosité en réduisant le bruit thermique dans le capteur. La réduction du bruit thermique est réalisée par réduction de la résistance thermique entre le capteur et la masse thermique du module. La réduction de la résistance thermique entre le capteur et la masse thermique du module est réalisée par augmentation de la surface d’échange thermique entre le capteur et la masse thermique du module.
Dans l’exemple illustré sur la , l’élément d’indexage 52 est ajustable le long de la glissière 50 dans un nombre limité de positions discrètes, disposées à intervalles réguliers le long de la glissière 50. Pour cela, et comme illustré sur la , les positions discrètes sont définies par des sections élargies 501 de la glissière 50 pouvant être traversées par l’élément d’indexage 52 et reliées entre elles par des sections rétrécies 502 de la glissière 50 ne pouvant pas être traversées par l’élément d’indexage 52.
Plus précisément, les sections élargies 501 sont circulaires et ont un diamètre équivalent à celui de la tige 54, de manière à ce que la tige 54 puisse s’engager dans chacune de ces sections élargies 501 ; et les sections rétrécies 502 ont une largeur inférieure au diamètre de la tige 54, de manière à ce que la tige 54 ne puisse pas s’engager et coulisser dans ces sections rétrécies 502. La largeur des sections rétrécies 502 est par contre équivalente ou supérieure au diamètre du corps de vis 56 de l’élément de verrouillage 55, de sorte que ce corps de vis 56 puisse s’engager et coulisser dans ces sections rétrécies 502.
Ainsi, il suffit de dévisser l’élément d’indexage 52, en se saisissant de sa tête élargie 53, juste suffisamment pour que la tige 54 sorte de la section élargie 501 dans laquelle elle est logée (le dévissage n’est donc pas complet), puis de faire coulisser l’élément d’indexage 52 (c’est alors le corps de vis 56 de l’élément de verrouillage 55 qui se déplace dans la ou les sections rétrécies 502 traversées) jusqu’à atteindre une autre section élargie 501, et enfin de revisser l’élément d’indexage 52 pour que la tige 54 s’engage et se coince dans cette autre section élargie 501.
Dans une variante illustrée sur la , l’élément d’indexage 52 est ajustable le long de la glissière 50 de manière continue, l’élément d’indexage 52 étant alors libre de coulisser le long de la glissière 50. Dans ce cas, la glissière 50 présente une largeur constante et équivalente ou supérieure au diamètre de la tige 54.
Il est à noter que, dans l’exemple illustrée, la glissière 50 est rectiligne. Pour autant, et dans une variante non illustrée, la glissière 50 pourrait être arquée. De manière générale, la glissière 50 présente une longueur comprise par exemple entre 4 et 12 centimètres, et par exemple entre 4 et 8 centimètres.
Dans l’exemple illustré, et pour chaque panneau latéral 2, le couplage mécanique arrière 4 comprend ou forme une articulation pivotante autour d’un axe arrière 40 substantiellement orthogonal au panneau latéral 2 ; cette articulation pivotante autorisant un pivotement ou débattement angulaire de la portion arrière 34 du panneau latéral 3 vis-à-vis du flanc arrière 24 correspondant du troussequin 23. Dans cet exemple, le couplage mécanique arrière 4 forme une liaison pivot avec un seul degré de liberté en rotation.
Ainsi, lors de l’ajustement du panneau latéral 2 le long de la glissière 50, donc au moyen du couplage mécanique avant 5, le panneau latéral 2 pivote dans sa globalité autour de cet axe arrière 40.
Ainsi, il est avantageux que la glissière 50, qui est rectiligne, soit tangente ou sensiblement tangente à un cercle centré sur cet axe arrière 40. Dans ce cas, la souplesse du panneau latéral 2 permettra de suivre un débattement arqué dans une glissière 50 rectiligne. Dans la variante où la glissière 50 est arquée, alors cette la glissière 50 suit un cercle centré sur l‘axe arrière 40.
Dans une variante non illustrée, le couplage mécanique arrière 4 forme une liaison pivot glissant, avec l’articulation pivotante selon l’axe arrière 40 qui est associée à une glissière, afin de procurer un degré de liberté en rotation et un degré de liberté en translation.
Par ailleurs, chacun des deux panneaux latéraux 2 peut comprendre une housse munie d’une ouverture 37 sur sa face intérieure 35, cette ouverture 37 s’étendant par exemple dans le sens de la longueur du panneau latéral 2, afin de pouvoir garnir intérieurement le panneau latéral 2 avec au moins une garniture interne en matériau souple, comme par exemple du type mousse.
Ainsi, il est possible de changer ou compléter aisément la garniture interne, toujours dans le souci de s’adapter à la morphologie de l’animal, en jouant sur la densité de la garniture interne, sur le nombre de couches de matériau formant la garniture interne, et sur les matériaux employés pour la ou les couches de matériau formant la garniture interne.
Par ailleurs, et dans une version non illustrée, il est possible d’inverser la position de la glissière 50, en la solidarisant à la joue latérale 22 (au lieu du panneau latéral 3), de sorte que l’élément d’indexage 52 traverse le panneau latéral 3 pour s’engager dans cette glissière 50 prévue sur la joue latérale 22.
Il est également envisageable, en variante, d’inverser les positions de la tête élargie 53 de l’élément d’indexage 52 et de l’élément de verrouillage 55, en ayant l’élément de verrouillage 55 qui vient en appui contre la face supérieure 26 de l’arçon 2, tandis que la tête élargie 53 vient sur le dessous contre la face intérieure 35 du panneau latéral 3.
POLYMÈRES CATIONIQUES ET LEURS PROCÉDÉS DE PRÉPARATION La présente invention a pour objet de nouveaux polymères cationiques, ainsi que leurs procédés de préparation. Elle a également pour objet des compositions, notamment cosmétiques, contenant lesdits polymères.
Le couvercle 204 est percé de fenêtres de ventilation 206 qui permettent le passage du dihydrogène, en particulier en cas de fuite de la canalisation de transport 112a-b, vers l’extérieur, limitant d’autant la concentration de dihydrogène dans le canal d’enfouissement 200a-b et les risques liés à la présence de dihydrogène. Préférentiellement, le couvercle 204 est en position supérieure par rapport au fond 203, c'est-à-dire au-dessus.
En cas de surpression, il est également possible de prévoir que le couvercle 204 se rompe sous l’effet de la surpression limitant ainsi les risques de rupture du caniveau 202. À cette fin, la résistance au déchirement du couvercle 204 est inférieure à la résistance au déchirement du caniveau 202, par exemple par la réalisation de zones moins épaisses. Il est également possible de prévoir que la rupture s’effectue au niveau des moyens de fixation du couvercle 204, par exemple en utilisant des boulons fusibles qui rompent au-delà d’une certaine pression.