INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Selon un mode de réalisation, la couche de passivation est une structure multicouches comprenant au moins une première couche de passivation, par exemple en nitrure de silicium, sur la couche de protection, et au moins une autre couche sur la première couche de passivation, la première couche de passivation formant la couche résiduelle de passivation.
Selon un mode de réalisation, la au moins une autre couche comprend une couche diélectrique, par exemple en dioxyde de silicium, sur la première couche de passivation et une deuxième couche de passivation, par exemple en nitrure de silicium, sur la couche diélectrique.
Selon un mode de réalisation, la première épaisseur de la couche de passivation est comprise entre 710 et 1340 nm et l’épaisseur de la couche résiduelle de passivation est comprise entre 10 et 40 nm.
Selon un mode de réalisation, l’étape de formation de la première ouverture et/ou l’étape de formation de la deuxième ouverture et/ou l’étape de suppression de la couche résiduelle de passivation comprend une étape de gravure sèche.
Selon un mode de réalisation : - la couche de protection est formée par une technique de dépôt de couche atomique ; et/ou - la couche de passivation est formée par une technique de dépôt chimique en phase vapeur, par exemple une technique de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma.
Un mode de réalisation prévoit un circuit intégré comprenant une structure d’interconnexion comportant des éléments d’interconnexion en cuivre s’étendant au moins en partie à travers une couche isolante et affleurant à une première surface de ladite structure d’interconnexion, une extrémité de structure d’interconnexion comprenant : - une couche de protection sur la première surface de la structure d’interconnexion, ladite couche de protection comprenant un matériau adapté à protéger le cuivre des éléments d’interconnexion, par exemple de l’oxydation et/ou de la corrosion ; - une couche de passivation sur la couche de protection ; et - une première ouverture dans la couche de passivation s’étendant jusqu’à la couche de protection.
Selon un mode de réalisation, l’extrémité de structure d’interconnexion comprend en outre : - une couche isolante supplémentaire dans la première ouverture et sur la couche de passivation ; et - une deuxième ouverture dans la couche isolante supplémentaire, au droit de la première ouverture, au moins une partie de ladite deuxième ouverture s’étendant jusqu’à la couche de protection.
Selon un mode de réalisation, la couche de passivation est une structure multicouches comprenant : - une première couche de passivation, par exemple en nitrure de silicium, sur la couche de protection ; - une couche diélectrique, par exemple en dioxyde de silicium, sur la première couche de passivation ; et - une deuxième couche de passivation, par exemple en nitrure de silicium, sur la couche diélectrique.
Selon un mode de réalisation, l’extrémité de la structure d’interconnexion est obtenue en mettant en oeuvre le procédé selon un mode de réalisation.
Selon un mode de réalisation, le circuit intégré comprend en outre un élément de contact électrique dont une première extrémité est reliée à au moins un des éléments d’interconnexion, l’élément de contact électrique étant par exemple un fil, un pilier et/ou une bille.
Selon un mode de réalisation, la couche de protection : - est un matériau isolant ou diélectrique, en particulier incluant de l'aluminium et/ou de l’hafnium ; et/ou - a une épaisseur comprise entre 1 nm et 100 nm, par exemple entre 5 nm et 50 nm.
Activation du catalyseur Ledit catalyseur est de préférence activé avant son utilisation à l’étape a). De préférence, l’activation du catalyseur est mise en œuvre à haute température et en présence d’un agent réducteur, un gaz inerte ou un mélange de ceux-ci.
Selon un mode de réalisation particulier, l’agent réducteur est choisi dans le groupe constitué par l’hydrogène, le monoxyde de carbone, le monoxyde d’azote, le formaldéhyde, les alcanes en C 1 -C 6 et les hydrohalocarbures en C 1 -C 10 , ou un mélange de ceux-ci ; de préférence l’hydrogène ou un hydrohalocarbure en C 1 -C 10 , ou un mélange de ceux-ci ; en particulier l’hydrogène, chlorotrifluoroéthylène, trifluoroéthylène, chlorotrifluoroéthane, trifluoroéthane ou difluoroéthane ou un mélange de ceux-ci.
Le gaz inerte peut être de l’azote ou de l’argon ; de préférence de l’azote.
De préférence, l’activation du catalyseur est mise en œuvre à une température comprise entre 100°C et 400°C, en particulier à une température comprise entre 150°C et 350°C. En particulier, l’activation du catalyseur est mise en œuvre à une température comprise entre 100°C et 400°C, en particulier à une température comprise entre 150°C et 350°C, en présence d’hydrogène comme agent réducteur.
De préférence, au cours de l’étape i’), la température du lit catalytique est augmentée d’une température T1 à une température T2. En particulier, au cours de ladite étape i’), la température du lit catalytique est augmentée d’une température T1 à une température T2 supérieure à T1 avec un gradient de température inférieure à 0,5°C/min. Le gradient de température mis en œuvre permet d’éviter une dégradation précoce du catalyseur et ainsi de permettre un meilleur rendement ou une meilleure productivité de la réaction d’hydrogénolyse. En particulier, la température est augmentée avec un gradient de température inférieur à 0,45°C/min ou inférieur à 0,40°C/min, ou inférieur à 0,35°C/min, ou inférieur à 0,30°C/min, ou inférieur à 0,25°C/min, ou inférieur à 0,20°C/min, ou inférieur à 0,15°C/min, ou inférieur à 0,10°C/min, ou inférieur à 0,05°C/min. La température T1 représente la température initiale de l’étape d’activation. Cette température T1 peut être la température ambiante. Alternativement, la température T1 peut être comprise entre 0°C et 150°C, avantageusement entre 0°C et 120°C, de préférence entre 0°C et 100°C, plus préférentiellement entre 10°C et 100°C, en particulier entre 20°C et 100°C, plus particulièrement entre 20°C et 75°C, de manière privilégiée entre 20°C et 50°C. La température T2 représente la température à atteindre lors de la phase d’activation. La température T2 est avantageusement comprise entre 150°C et 400°C, de préférence entre 155°C et 375°C, plus préférentiellement entre 160°C et 350°C, en particulier entre 165°C et 325°C, plus particulièrement entre 170°C et 320°C, de manière privilégiée entre 175°C et 310°C, de manière plus privilégiée entre 180°C et 300°C. Selon un mode de réalisation préféré, le température T2 est avantageusement comprise entre 185°C et 290°C, de préférence entre 190°C et 280°C, plus préférentiellement entre 195°C et 270°C, en particulier entre 200°C et 260°C. La température T2 peut être maintenue de 5 min à 200h, de préférence de 10 min à 100h, en particulier de 15 min à 75h, plus particulièrement de 30 min à 50h, de manière privilégiée de 1h à 25h. La température T2 peut être maintenue de 5 min à 24h, de préférence de 10 min à 20h, en particulier de 15 min à 15h, plus particulièrement de 30 min à 10h, de manière privilégiée de 1h à 10h.
De préférence, le flux gazeux utilisé au cours de l’étape i’) ne comprend pas d’oxygène. De préférence, l’étape i’) peut être mise en œuvre avec une quantité d’agent réducteur supérieure à 0,01 mol par gramme de catalyseur, de préférence supérieure à 0,05 par gramme de catalyseur. En particulier, l’étape i’) peut être mise en œuvre avec une quantité d’agent réducteur comprise entre 0,01 et 10 mol par gramme de catalyseur, de préférence entre 0,05 et 5 mol par gramme de catalyseur.
La présente technologie a d’autre part pour objet la mousse PUR/PIR obtenue qui présente les caractéristiques suivantes : une densité comprise entre 110 kg/m 3 et 130 kg/m 3 , une conductivité thermique comprise 24 mW/m.K et 26 mW/m.K, et /ou une contrainte en compression comprise entre 1,30 MPa et 1,50 MPa.
La présente technologie a d’autre part pour objet la mousse PUR/PIR obtenue à partir de la composition définie précédemment.
La présente technologie a d’autre part pour objet la mousse PUR/PIR, caractérisée en ce que ladite mousse a une densité comprise entre 110 et 130 kg/m 3 .
La présente technologie a d’autre part pour objet la mousse PUR/PIR, caractérisée en que ladite mousse a conductivité thermique comprise entre 24 et 26 mW/m.K.
La présente technologie a d’autre part pour objet la mousse PUR/PIR, caractérisée en que ladite mousse présente une contrainte en compression comprise entre 1,30 et 1,50 MPa.
La présente technologie comprend par ailleurs un procédé de fabrication de ladite mousse PUR/PIR, ledit procédé comprenant les étapes de : mettre en contact au moins un composé polyisocyanate et le mélange de polyols comprenant trois (3) polyols différents et un polyol allongeur de chaine, lesdits polyols étant choisis parmi les polyols polyéthers et les polyols polyesters, en présence de catalyseur(s), d’agent(s) d’expansion et optionnellement de retardateur(s) de flamme et d’additif(s) ; déposer la composition de la mousse PUR/PIR sur un empilement de fibres de verre ou de mat de verre, et laisser solidifier ladite formulation après expansion de façon à former un bloc de mousse.
La mousse ainsi obtenue peut être utilisée en tant qu’isolant thermique, et plus particulièrement en tant qu’isolant pour les cuves de méthaniers.
La présente technologie concerne aussi l’utilisation de la mousse de polyuréthane/polyisocyanurate définie précédemment, ou obtenue selon le procédé défini précédemment pour une isolation thermique.
Dans le cadre de la présente technologie, le terme « environ » est utilisé explicitement ou non, chaque quantité présentée dans le contexte de la présente description se réfère à la valeur réelle donnée mais aussi à l'approximation de cette valeur donnée qui serait raisonnablement déduite sur la base de l'homme du métier, y compris les équivalents et approximations dus aux conditions expérimentales et/ou de mesure pour une telle valeur donnée. Par exemple, le terme « environ » dans le contexte d'une valeur ou d'une plage donnée fait référence à une valeur ou une plage qui se situe à moins de 20%, de préférence à moins de 15%, plus préférablement à moins de 10%, plus préférablement à moins de 9%, plus préférablement à moins de 8% plus préférablement à moins de 7%, plus préférablement à moins de 6 %, et plus préférablement à moins de 5% de la valeur ou de la plage donnée.
Dans le cadre de la présente technologie, on entend par « polyols » tout composé organique portant au moins deux groupes hydroxyle (-OH) dans leur structure moléculaire. La réactivité des polyols est définie par différents paramètres tels que la fonctionnalité, l’indice hydroxyle, et l’aromaticité.
La fonctionnalité fait référence au nombre moyen de groupes hydroxyles réactifs présents par molécule. Lors de la production de mousses, les groupes hydroxyles réagissent avec des groupes isocyanates (-NCO) qui sont liés aux composés isocyanates.
L’indice hydroxyle, ou indice OH aussi noté IOH, des polyols fait référence au nombre de groupes hydroxyle (-OH) réactifs disponibles pour la réaction. L’indice hydroxyle est exprimé en milligramme (mg) d’hydroxyde de potassium (KOH) équivalent à la teneur en hydroxyle d’un gramme (g) de polyols, et noté « mg KOH/g polyols » dans la présente demande. L’indice hydroxyle est ainsi déterminé selon la norme ASTM D4274-16. La détermination de l’indice hydroxyle permet notamment d’apprécier l’efficacité de la réticulation de la formulation.
L’aromaticité des composés est une propriété intrinsèque due à la présence d’une structure cyclique, plane et particulièrement stable. Un composé est dit aromatique si sa structure satisfait les règles de Hückel.
On entend par « polyol polyéther » des polyols comprenant une ou plusieurs fonctionnalités éther au sein de leur structure moléculaire. On entend par « polyol polyester » des polyols comprenant une ou plusieurs fonctionnalités ester au sein de leur structure moléculaire.
L’expression « polyol allongeur de chaine » fait référence à des molécules polyols qui ont pour rôle de favoriser la formation de liaisons chimiques et d’améliorer les propriétés physiques du ou des composés obtenus lorsque ces mêmes molécules entrent dans la synthèse du produit final de manière covalente.
Ladite méthode d’analyse du risque informatique peut comporter en outre l’étape suivante : - pour chaque flux toxique présentant un risque pour la sécurité informatique du réseau d’intérêt ou d’un desdits au moins un réseau tiers, transmission d’une alerte à un administrateur du réseau d’intérêt ou à un tiers de confiance.
Ceci permet à l’administrateur de rapidement prendre les mesures qu’impose le risque.
Ladite méthode d’analyse du risque informatique peut comporter en outre l’étape suivante : - configuration d’une interface par l’administrateur du réseau d’intérêt ou par le tiers de confiance, permettant de sélectionner au moins un type de risque pertinent pour la sécurité informatique du réseau d’intérêt ou d’un desdits au moins un réseau tiers ; - pour chaque flux toxique identifié comme correspondant à un type de risque sélectionné à l’étape précédente, transmission d’une alerte à l’administrateur du réseau d’intérêt ou au tiers de confiance.
Ceci permet à l’administrateur de ne pas être alerté lorsque le risque identifié est considéré par lui comme n’étant pas important, et de se concentrer ainsi sur les risques importants.
La est une vue schématique d’un premier exemple d’architecture réseau dans lequel l’invention peut être implémentée ;
La est une vue schématique de l’architecture de la , avec en complément un tiers de confiance auquel sont envoyés les flux toxiques ;
La est une vue schématique d’un premier mode de réalisation de la méthode d’analyse du risque informatique selon l’invention ;
La est une vue schématique d’un deuxième exemple d’architecture réseau dans lequel l’invention peut être implémentée ;
La est une vue schématique de l’architecture de la , avec en complément un tiers de confiance auquel sont envoyés les flux toxiques ; et
La est une vue schématique d’un deuxième mode de réalisation de la méthode d’analyse du risque informatique selon l’invention.
Description détaillée de l’invention La illustre un exemple d’architecture réseau dans lequel l’invention peut être implémentée. Dans cet exemple, plusieurs réseaux 20 , 30 , 40 et 50 communiquent entre eux. Plus précisément, le réseau 20 échange des flux réseau 11a avec les réseaux 30 et 40 alors que le réseau 50 échange des flux réseau 11b avec le réseau 40 . Le réseau 20 peut correspondre au réseau d’une grande société, alors que les réseaux 30 et 40 sont les réseaux de sous-traitants directs de cette grande société, et que le réseau 50 est un réseau d’un sous-traitant indirect. Au sens de l’invention, le réseau 20 correspond au réseau d’intérêt alors que les réseaux 30 , 40 et 50 sont des réseaux tiers, directs ou indirects.
Par exemple, le réseau tiers 30 peut correspondre au réseau d’un prestataire en charge de gérer les différentes imprimantes du réseau d’intérêt 20 , notamment pour déployer à distance les mises à jour de celles-ci.
Pour ce faire, le prestataire utilise un serveur 31 du réseau tiers 30 pour se connecter à un périphérique 2 4 du réseau d’intérêt 20 . L’invention vise notamment à vérifier qu’une attaque informatique réalisée sur le réseau tiers 30 ne puisse entraîner une vulnérabilité du réseau d’intérêt 20 par l’intermédiaire des flux réseau existants 11a entre le réseau tiers 30 et le réseau d’intérêt 20 .
Le réseau tiers 40 peut correspondre au réseau d’un prestataire en charge de la gestion des postes téléphoniques 25 des différents bureaux du réseau d’intérêt 20 .
Pour ce faire, le prestataire utilise un serveur 41 du réseau tiers 40 pour se connecter aux postes téléphoniques 2 5 du réseau d’intérêt 20 .
Les variations d’épaisseur 9 sont localisées sur la peau 2 en fonction du ou des modes de vibration prédéterminés de manière à uniformiser les déformations de la peau 2 au niveau du ou des ventres 7. « Uniformiser les déformations » signifie améliorer la distribution desdites déformations sur l’ensemble de la peau 2. Cette uniformisation des déformations a plusieurs conséquences.
Premièrement, l’uniformisation des déformations de la peau 2 permet d’uniformiser l’énergie transmissible par ladite peau 2 à la couche de glace 4. En effet, en uniformisant les déformations, on uniformise les courbures qui sont des zones de fortes contraintes et donc de forte concentration d’énergie. Ainsi, l’uniformisation de la courbure permet d’uniformiser l’énergie élastique de déformation présente dans la glace au niveau des ventres 7. Par conséquent, les variations d’épaisseur 9, en uniformisant les courbures lors des déformations de la peau 2, permettent d’uniformiser l’énergie transmissible par ladite peau 2 à la couche de glace 4. Cette énergie est responsable du dégivrage de la surface 3 à dégivrer. Elle est particulièrement adaptée à l’élargissement de la surface de délamination de la couche de glace 4.
Deuxièmement, l’uniformisation de la courbure des déformations de la peau 2 permet d’augmenter et d’uniformiser le taux de restitution d’énergie sur la surface 3 à dégivrer. Or, le taux de restitution d’énergie caractérise la capacité à transmettre l’énergie et notamment la capacité à propager une fissure. Par conséquent, les variations d’épaisseur 9 permettent d’amplifier le transfert d’énergie de la peau 2 à la couche de glace 4, en particulier d’optimiser la propagation de fissures dans la couche de glace 4. Cela peut notamment permettre de propager plus efficacement des fissures lorsque la surface à dégivrer 3 présente plusieurs couches de glace 4 superposées les unes sur les autres.
Troisièmement, l’uniformisation des déformations de la peau 2 permet d’élargir les zones de courbure de ladite peau 2. L’élargissement des zones de courbure permet une meilleure répartition d’énergie sur la surface à dégivrer 3 et donc d’augmenter la surface de la peau 2 protégée efficacement contre le givre.
Par ailleurs, les modes de vibration de la peau 2 dépendent de la distribution de masse et des moments quadratiques (liés à la géométrie) de ladite peau 2. Il est possible d’influencer les modes de vibration en faisant varier ces paramètres, par exemple afin d’obtenir un mode de vibration spécifique à une excitation préférée. Une méthode permettant de faire varier ces paramètres peut consister à optimiser la topologie de la peau 2 par exemple en créant des zones sans matière au sein de la peau 2. Une telle optimisation peut facilement être obtenue, notamment par impression 3D. Une autre méthode permettant de faire varier ces paramètres peut consister à réaliser la peau 2 en différents matériaux, par exemple en combinant matériau métallique et matériau composite, ou en utilisant des matériaux dits « sandwich ». Un matériau sandwich comprend deux couches externes minces et rigides entre lesquelles on assemble une âme interne légère et épaisse, telle qu’un nid d’abeille.
De préférence, les modes de vibration prédéterminés correspondent à des modes de résonance de la peau 2. Les modes de résonance sont des modes de vibration particulièrement adaptés au dégivrage puisqu’ils permettent d’obtenir des déformations de la peau 2 maximales. Cela permet d’optimiser l’efficacité du dégivrage de la surface à dégivrer 3.
De plus, comme représenté sur la et la , les variations d’épaisseur 9 de la peau 2 sont localisées, de préférence, au niveau des ventres 7 du ou des modes de vibration prédéterminés.
Dans un mode de réalisation particulier représenté sur la , la et de la à la , les variations d’épaisseur 9 de la peau 2 correspondent à des augmentations d’épaisseur de la peau 2. Ces augmentations d’épaisseur peuvent être réalisées directement dans la forme de la peau 2. Il peut s’agir notamment de bosses comme montré sur la ou sur la et la . Une bosse correspond à une saillie de matière présentant un contour linéaire et pouvant prendre des formes variées. Toutefois, une surépaisseur peut également prendre d’autres formes, par exemple une saille de matière étagée (avec un contour non linéaire) comme représentée sur la et la .
Par ailleurs, dans un autre mode de réalisation représenté sur la et la , les augmentations d’épaisseur de la peau 2 (dans ce cas des bosses) sont réalisées par des pièces rapportées. La peau 2 comporte une couche principale 23 d’épaisseur égale à l’épaisseur caractéristique E. Les pièces rapportées réalisant les augmentations d’épaisseurs sont fixées sur la couche principale 23 au niveau de la surface 6 opposée à la surface à dégivrer 3. Elles peuvent être fixées de façon usuelle, par exemple en étant collées. Les pièces rapportées sur la couche principale 23 de la peau 2 correspondent aux variations d’épaisseur 9. Elles permettent d’augmenter localement l’épaisseur de la peau 2 de façon simple, peu onéreuse et modulable.
Dans une réalisation particulière de l’un des modes de réalisation précédents, les augmentations d’épaisseur de la peau 2 présentent une forme de bosse. Comme représenté dans des exemples particuliers sur la et la , ces bosses comprennent chacune une partie centrale 17 et une partie périphérique 18. La partie centrale 17 correspond à l’endroit où l’épaisseur de la peau 2 est maximale. La partie centrale 17 est entourée par une partie périphérique 18, 18A, 18B. La partie centrale 17 et la partie périphérique 18, 18A, 18B peuvent être agencées de manières variées. Par exemple, comme représenté sur la , la partie périphérique 18 peut entourer totalement la partie centrale 17 de manière circonférentielle. Dans un autre exemple, représenté sur la , la partie périphérique 18A, 18B peut entourer partiellement la partie centrale 17 sur les flancs. Dans ce cas, la partie périphérique 18A, 18B peut se présenter en deux éléments s’étendant longitudinalement de chaque côté de la partie centrale 17. De plus, la partie centrale 17 présente une rigidité supérieure à la rigidité de la partie périphérique 18, 18A, 18B. Par exemple, la partie centrale 17 peut être réalisée dans un matériau plus rigide que le matériau de la partie périphérique 18, 18A, 18B. Cette différence de rigidité permet d’optimiser d’avantage les déformations de la peau 2 lorsqu’elle est excitée par les actionneurs 5.
Dans un autre mode de réalisation, représenté sur la et la , les variations d’épaisseur 9 correspondent à des diminutions d’épaisseur locales de la peau 2 par rapport à l’épaisseur caractéristique E. Les diminutions d’épaisseur comprennent notamment chacune un fond 19 correspondant à l’endroit où l’épaisseur de la peau 2 est minimale.
Dans une réalisation particulière de ce mode de réalisation, représenté sur la , les diminutions d’épaisseur correspondent à des cavités incurvées. Ces cavités présentent notamment une forme arrondie creusée dans l’épaisseur de la peau 2. De plus, la peau comporte, au droit des fonds 19 de ces cavités, une partie rigide 20. La partie rigide 20 présente une rigidité supérieure à la rigidité du reste de la peau 2. Cette différence de rigidité permet d’optimiser d’avantage les déformations de la peau 2 lorsqu’elle est excitée par les actionneurs 5.
Dans une autre réalisation particulière de ce mode de réalisation, représenté sur la , l’élément 1 comporte une membrane 21. La membrane 21 est agencée sur la peau 2 de manière à épouser la forme des diminutions d’épaisseurs (dans ce cas des cavités). De plus, la membrane 21 comporte, au niveau de chaque fond 19, une extrémité concave 22. Ces extrémités concaves 22 présentent une rigidité supérieure à la rigidité du reste de la membrane 21. Cette différence de rigidité permet d’optimiser d’avantage les déformations de la peau 2 lorsqu’elle est excitée par les actionneurs 5. Par exemple, la membrane 21 est agencée sur la peau 2 par collage.