Procédé de fabrication d’un dispositif optique sur un substrat support (SUB), comprenant une formation d’une pluralité de microlentille comportant : - une formation de premières structures de microlentille (LS1) par photolithographie (PTH_LITO1) sur le substrat support (SUB) de sorte que les premières structures de microlentille (LS1) sont séparées les unes des autres, puis par une déformation des premières structures de microlentille (LS1) de façon à donner une forme bombée aux premières structures de microlentille (LS1), les premières structures de microlentille (LS1) étant séparées les unes des autres par des régions d’espacement (GP) après déformation, puis - une formation de deuxièmes structures de microlentille (LS2) par photolithographie (PTH_LITO2) de sorte que les deuxièmes structures de microlentille (LS2) s’étendent sur les premières structures de microlentille (LS1) puis par déformation des deuxièmes structures de microlentille (LS2) de sorte que les deuxièmes structures de microlentille (LS2) présentent une forme bombée épousant la forme bombée desdites premières structures de microlentille (LS1) et s’étendent en partie dans les régions d’espacement (GP) entre les premières structures de microlentille (LS1). Procédé selon la revendication 1, dans lequel, après déformation, chaque deuxième structure de microlentille (LS2) présente une courbure supérieure ou égale à une courbure de chaque première structure de microlentille (LS1). Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 ou 2, comprenant en outre : - une réticulation des premières structures de microlentille (LS1) par traitement thermique suite à leur déformation, et - une réticulation des deuxièmes structures de microlentille (LS2) par traitement thermique suite à la déformation desdites deuxièmes structures de microlentille (LS2). Procédé selon l’une des revendications 1 à 3, dans lequel les photolithographies (PTH_LITO1, PTH_LITO2) permettant de former lesdites premières structures de microlentille (LS1) et lesdites deuxièmes structures de microlentille (LS2) sont effectuées en utilisant un même masque (MSK). Procédé selon l’une des revendications 1 à 4, dans lequel la déformation desdites deuxièmes structures de microlentille (LS2) comprend un traitement par plasma de diffusion à une température adaptée. Procédé selon la revendication 5, dans lequel le plasma à diffusion est un plasma de tétrafluorure de carbone et de dioxygène. Procédé selon l’une des revendications 1 à 6, dans lequel les premières structures de microlentille (LS1) et les deuxièmes structures de microlentille (LS2) sont formées par des matériaux différents. Procédé selon l’une des revendications 1 à 6, dans lequel les premières structures de microlentille (LS1) et les deuxièmes structures de microlentille (LS2) sont chacune formées d’une résine polymère novolaque. Procédé selon l’une des revendications 1 à 7, dans lequel les deuxièmes structures de microlentille (LS2) sont formées à partir d’un matériau choisi de façon à limiter la réflexion de la lumière sur la surface extérieure des deuxièmes structures de microlentille (LS2). Procédé selon la revendication 9, dans lequel le matériau formant lesdits deuxièmes structures de microlentille (LS2) présente un indice de réfraction compris entre 1,5 et 1,7. Procédé selon l’une des revendications précédentes, dans lequel l’épaisseur (E2) desdites deuxièmes structures de microlentille (LS2) est comprise entre 400nm et 4µm. Procédé selon l’une des revendications précédentes, dans lequel l’épaisseur (E2) desdites deuxièmes structures de microlentille (LS2) est supérieure à 0,1 µm. Procédé selon l’une des revendications précédentes, dans lequel les premières structures de microlentille (LS1) sont formées de façon à être espacées les unes des autres d’une distance supérieure ou égale à 300nm. Procédé selon l’une des revendications précédentes, dans lequel les deuxièmes structures de microlentille (LS2) sont formées par photolithographie de façon à être espacées les unes des autres, avant ladite déformation, d’une distance supérieure ou égale à 300nm. Procédé selon l’une des revendications précédentes, dans lequel les deuxièmes structures de microlentille (LS2) sont espacées les unes des autres, après la déformation des deuxièmes structures de microlentille (LS2), d’une distance au moins sensiblement nulle. Capteur optique (DISP) comprenant un substrat support (SUB) et une pluralité de microlentille comprenant : - des premières structures de microlentille (LS1) de forme bombée disposées sur le substrat support (SUB) de sorte que les premières structures de microlentille (LS1) sont séparées les unes des autres par des régions d’espacement (GP), - des deuxièmes structures de microlentille (LS2) s’étendant sur les premières structures de microlentille (LS1) et déformées de sorte que les deuxièmes structures de microlentille (LS2) présentent une forme bombée épousant la forme bombée desdites premières structures de microlentille (LS1) et s’étendent en partie dans les régions d’espacement (GP) entre les premières structures de microlentille (LS1). Capteur optique selon la revendication 16, dans lequel chaque deuxième structure de microlentille (LS2) déformée présente une courbure supérieure ou égale à une courbure de chaque première structure de microlentille (LS1). Capteur optique selon l’une quelconque des revendications 16 ou 17, dans lequel les matériaux des premières structures de microlentille (LS1) et des deuxièmes structures de microlentille (LS2) sont différents. Capteur optique selon l’une quelconque des revendications 16 ou 17, dans lequel les premières structures de microlentille (LS1) et les deuxièmes structures de microlentille (LS2) sont en résine polymère novolaque. Capteur optique selon l’une des revendications 16 à 18, dans lequel le matériau des deuxièmes structures de microlentille (LS2) est configuré pour limiter la réflexion de la lumière (LUM) sur la surface extérieure des deuxièmes structures de microlentille (LS2). Capteur optique selon la revendication 20, dans lequel le matériau desdites deuxièmes structures de microlentille (LS2) présente un indice de réfraction compris entre 1,5 et 1,7. Capteur optique selon l’une des revendications précédentes, dans lequel l’épaisseur (E2) desdites deuxièmes structures de microlentille (LS2) est comprise entre 400nm et 4µm. Capteur optique selon l’une des revendications précédentes, dans lequel l’épaisseur (E2) desdites deuxièmes structures de microlentille est supérieure à 0,1µm. Capteur optique selon l’une des revendications précédentes, dans lequel les premières structures de microlentille (LS1) sont espacées les unes des autres d’une distance supérieure ou égale à 300nm. Capteur optique selon l’une des revendications précédentes, dans lequel les deuxièmes structures de microlentille (LS2) sont espacées les unes des autres d’une distance au moins sensiblement nulle.