INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
En dehors de la période précitée qui est associée à chaque pic de mercure, l’opération b) prévoit, à chaque instant, de doser le réactif de démercurisation en appliquant à la valeur de concentration en mercure Cc une fonction f, qui est préétablie et qui est croissante avec la valeur de concentration en mercure Cc. Cette fonction f est ici préenregistrée dans le calculateur 60 et appliquée par ce dernier. L’application de la fonction f permet de commander un dosage spécifique du réactif de démercurisation et fournit une valeur exprimée par exemple en grammes par normal m 3 de fumées. Comme la fonction f est croissante avec la valeur de concentration en mercure Cc, on comprend que la valeur, à laquelle le réactif de démercurisation est dosé par la fonction f, est calculée basse lorsque les fumées à traiter contiennent peu de mercure et est calculée haute lorsque les fumées à traiter contiennent beaucoup de mercure.
représente une vue schématique partielle d’une installation pour illustrer le déplacement des érafloirs ;
représente une vue partielle en perspective d’une installation conforme à l’invention ;
représente une vue partielle en perspective d’une installation conforme à l’invention dont les éléments d’éraflage mobiles des érafloirs sont des éléments d’éraflage rotatifs ;
représente une vue schématique d'un élément d'éraflage mobile oscillant au cours de son déplacement à pivotement ;
représente une vue schématique d'un élément d'éraflage mobile rotatif au cours de son déplacement en rotation.
Comme mentionné ci-dessus, l’invention concerne un procédé de traitement de fruits récoltés en grappe, en particulier de raisins issus de vendange, et une installation de traitement de fruits récoltés en grappe, notamment pour la mise en œuvre du procédé.
De manière générale, le procédé, objet de l’invention, met en œuvre au moins deux érafloirs, avec chaque érafloir 2 comprenant une entrée 3, une première sortie 4 et une deuxième sortie 5, ainsi qu’au moins un élément 6 d’éraflage mobile s’étendant entre l’entrée 3 et la première sortie 4 de l’érafloir 2, et un dispositif 7 d’entraînement en déplacement du ou des éléments 6 d’éraflage mobiles.
Chaque élément 6 d’éraflage mobile de chaque érafloir 2 est un élément configuré pour générer, sous l’effet de son déplacement, une force ou action d’éraflage, fonction au moins de la vitesse de déplacement dudit élément 6 d’éraflage.
Le procédé comprend une étape de positionnement en série desdits érafloirs 2 pour obtenir une ligne d’érafloirs 2 dans laquelle la première sortie 4 de chaque érafloir 2 alimente l’entrée de l’érafloir 2 disposé le plus proche en aval, c’est-à-dire immédiatement en aval, et pour les ou au moins deux des érafloirs 2 de ladite série, et une étape d’entraînement en déplacement des éléments 6 d’éraflage à une vitesse de déplacement prise au niveau de la première sortie 4 de chaque érafloir 2 est différente d’un érafloir à un autre, la valeur de la vitesse de déplacement du au moins un élément 6 d’éraflage de l’érafloir disposé en amont pris suivant la direction amont/aval le long de la ligne d’érafloirs 2 étant inférieure à la valeur de la vitesse de déplacement du au moins un élément 6 d’éraflage de l’érafloir 2 disposé en aval, pour permettre de générer, au niveau de la première sortie 4 desdits érafloirs 2, une action d’éraflage qui, suivant la direction amont/aval, croît d’un érafloir 2 à l’autre, le long de la ligne d’érafloir 2 comme cela sera décrit plus en détail ci-après.
L’installation 1 permettant la mise en œuvre d’un tel procédé comprend donc au moins deux érafloirs 2 disposés en série pour former, depuis le premier érafloir 2 de la série dit amont, en direction du dernier érafloir 2 de la série dit aval, une ligne d’érafloirs 2 avec la première sortie de chaque érafloir 2 communiquant avec l’entrée 3 de l’érafloir 2 le plus proche disposé en aval, l’amont et l’aval étant pris par référence au sens de déplacement des produits le long de la ligne d’érafloirs 2.
Bien que dans les exemples représentés, la ligne d’érafloirs 2 ne comprenne que deux érafloirs 2, l’invention s’applique également à des installations 1 comprenant un nombre d’érafloirs supérieur à deux.
L’entrée 3 du premier érafloir 2 de la série, c’est-à-dire l’érafloir le plus en amont pris par rapport au sens de circulation des produits le long de la ligne d’érafloirs forme l’entrée d’admission des produits à traiter à l’intérieur de la ligne d’érafloirs 2.
Les produits cheminent à l’intérieur de l’érafloir 2, le long du au moins un élément 6 d’éraflage mobile s’étendant entre l’entrée 3 et la première sortie 4 dudit érafloir 2. Une partie des produits est, au cours de ce cheminement, évacuée à travers la deuxième sortie 5 de l’érafloir 2. La deuxième sortie 5 de l’érafloir 2 est disposée entre l’entrée 3 et la première sortie 4 de l’érafloir 2. Les produits non évacués à travers la deuxième sortie 5 de l’érafloir 2 sont évacués de l’érafloir 2 par la première sortie 4 de l’érafloir 2, et alimentent l’entrée 3 de l’érafloir 2 le plus proche disposé en aval.
Le même processus se produit pour cet érafloir 2 aval. Ainsi, les produits cheminent à l’intérieur de l’érafloir 2, le long du au moins un élément 6 d’éraflage mobile s’étendant entre l’entrée 3 et la première sortie 4 dudit érafloir 2. Une partie des produits est, au cours de ce cheminement, évacuée à travers la deuxième sortie 5 de l’érafloir 2. La deuxième sortie 5 de l’érafloir 2 est disposée entre l’entrée 3 et la première sortie 4 de l’érafloir 2. Les produits non évacués à travers la deuxième sortie de l’érafloir 2 sont évacués de l’érafloir 2 par la première sortie 4 de l’érafloir 2. Bien évidemment, la première sortie 4 de ce deuxième érafloir 2 aval n’alimente pas l’entrée 3 d’un érafloir 2 disposé encore en aval, lorsque la ligne d’érafloirs ne comporte que deux érafloirs. Pour assurer une bonne communication entre la première sortie 4 d'un érafloir 2 et l'entrée 3 de l'érafloir 2 aval le plus proche, une jupe entourant l'entrée 3 de l'érafloir aval peut être prévue.
Au niveau de chaque deuxième sortie 5 d’érafloir, les fruits peuvent être collectés. La première sortie 4 d’un érafloir 2 sert à l’évacuation des rafles et autres déchets, mais également à celle des fruits non détachés des rafles, d’où l’intérêt de la mise en série des érafloirs 2 et la force variable d’éraflage pour permettre de détacher progressivement l’ensemble des fruits des rafles, en faisant croître la force d’éraflage mesurée au niveau de la première sortie des érafloirs le long de la ligne d'érafloirs pour permettre de détacher les fruits les moins mûrs qui sont plus solidement attachés aux rafles au niveau du ou des érafloirs aval.
Un autre mode de réalisation prévoit un capteur d’image comprenant : - une matrice de pixels ; et - au moins un tel convertisseur numérique-analogique, le convertisseur digital-analogique étant relié à au moins un comparateur de pixels.
la représente, de manière schématique, un capteur d’image comprenant un convertisseur digital-analogique alimentant une matrice de pixels selon un mode de réalisation de la présente description ;
la représente, de manière schématique, un amplificateur du convertisseur digital-analogique de la , de façon détaillée, selon un mode de réalisation de la présente description ;
la représente, de manière schématique, l’amplificateur du convertisseur digital-analogique de la , de façon détaillée, selon un autre mode de réalisation de la présente description ;
la représente, de manière schématique, l’amplificateur du convertisseur digital-analogique de la , de façon détaillée, selon encore un autre mode de réalisation de la présente description ;
la est un chronogramme illustrant des exemples de signaux pour la mise en oeuvre de génération de rampes et de sauts de tension avec le convertisseur digital-analogique des figures 1 à 3 ;
la représente, de manière schématique, un convertisseur digital-analogique selon un autre mode de réalisation de la présente description ; et
la est un chronogramme illustrant des exemples de signaux pour la mise en oeuvre de génération de rampes et de sauts de tension avec le convertisseur digital-analogique de la .
Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence sauf précision contraire à l'orientation des figures. Le nœud de commande d’un transistor correspond, dans le cas d’un transistor MOS, à sa grille. Les nœuds de conduction principale d’un transistor correspondent, dans le cas d’un transistor MOS, à la source et au drain du transistor. Dans d’autres types de transistor, tels que des transistors bipolaires, le nœud de commande correspond à la base, et les nœuds de conduction principale correspondent à l’émetteur et au collecteur.
La représente, de manière schématique, un dispositif électronique, par exemple un capteur d’image 10 selon un mode de réalisation de la présente description. Le capteur d’image 10 comprend un convertisseur digital-analogique 100 ayant une tension de sortie VRAMP, et une matrice de pixels 150 couplée à une sortie du générateur 100. Dans un autre exemple où le dispositif n’est pas un capteur d’image, l’élément numéroté 150 est, par exemple, une charge à alimenter avec une rampe de tension. La matrice de pixels 150 est associée par exemple à des convertisseurs analogique-numérique à rampe (non illustrés), configurés pour convertir, à l’aide de la rampe de tension VRAMP, des niveaux de tension analogique des pixels en valeurs numérique. Dans d’autres mode de réalisation, le convertisseur 100 pourrait fournir la rampe de tension VRAMP à d’autres type de circuits, qui comprennent ou pas des convertisseurs à rampe.
La couche d’oxyde de silicium 111 est par exemple formée sur et en contact avec la face inférieure (dans l’orientation de la ) de la couche de silicium 113, avant report de l’empilement 111-113-115-117 sur la face supérieure de la structure de la . La couche 111 est par exemple formée par oxydation thermique en croissance sèche, par exemple dans les mêmes conditions que la couche 103 ( ). L’épaisseur de la couche 111 est par exemple comprise entre 20 et 300 nm, par exemple entre 100 et 150 nm, par exemple de l’ordre de 125 nm. De préférence, l’épaisseur de la couche 111 est sensiblement égale à l’épaisseur de la couche 103.
L’empilement des couches 111, 113, 115 et 117 est ensuite reporté et fixé sur la face supérieure de la structure de la . La fixation de l’empilement est de préférence réalisée par collage direct ou collage moléculaire de la face inférieure de la couche d’oxyde de silicium 111 sur la face supérieure des murs d’oxyde de silicium 107, sans apport de matière intermédiaire.
Pour améliorer la qualité du collage, un recuit de la structure à une température relativement élevée peut être prévu, par exemple à une température comprise entre 700 et 1100°C. On parle alors de collage fusion (« fusion bonding » en anglais)
A l’issue de cette étape, les cavités 109 des transducteurs CMUT sont fermées de façon hermétique. La face inférieure de la couche d’oxyde de silicium 111 définit la face supérieure des cavités 109. Le collage peut être réalisé sous-vide de façon à obtenir des cavités 109 présentant une pression inférieure à la pression atmosphérique.
A l’issue de ces étapes, le substrat 117 et la couche d’oxyde de silicium enterrée 115 peuvent être retirées. La couche de silicium 113 est conservée et forme la membrane des transducteurs CMUT. La couche 113 peut en outre, lorsqu’elle est dopée, former, pour partie, l’électrode supérieure des transducteurs CMUT. Une couche conductrice, par exemple métallique (non visible sur la , correspondant à la couche 129 dans l’exemple de la ), peut en outre être déposée sur et en contact avec la face supérieure de la couche semiconductrice 113, et former en partie l’électrode supérieure des transducteurs.
Dans cet exemple, le substrat 101 forme l’électrode inférieure des transducteurs CMUT. Diverses étapes de reprise de contact sur les électrodes des transducteurs CMUT et d’isolation électrique des électrodes des transducteurs CMUT peuvent en outre être mises en œuvre. Les figures 1F à 1I illustrent un exemple, non limitatif, de mise en œuvre de telles étapes.
La illustre la structure obtenue à l’issue d’une étape d’amincissement du substrat 101, par sa face inférieure, et de formation d’éléments de reprise de contact du côté de la face inférieure du substrat 101 aminci.
A titre d’exemple, le substrat 101 est aminci par meulage en utilisant la couche 117 comme poignée. A l’issue de l’étape d’amincissement, l’épaisseur du substrat 101 est par exemple comprise entre 10 et 150 µm, par exemple entre 20 et 100 µm.
Après l’amincissement, des tranchées d’isolation 121 sont formées à partir de la face inférieure du substrat 101, en vis à vis des murs d’oxyde de silicium 107 des transducteurs CMUT. Les tranchées 121 s’étendent verticalement à travers le substrat 101, sur toute l’épaisseur du substrat 101, et débouchent sur la face inférieure des murs d’oxyde de silicium 107.
Plus particulièrement, dans cet exemple, pour chaque cellule élémentaire de transducteur CMUT, ou pour chaque élément de transducteur CMUT, on vient former, en périphérique de la cellule ou de l’élément, par exemple en périphérie de la cavité 109 de la cellule (du côté droit de la cavité dans l’exemple représenté), une tranchée d’isolation 121, par exemple de forme annulaire, délimitant latéralement une zone 123 du substrat 101 destinée à être connectée électriquement à l’électrode supérieure du transducteur. Dans cet exemple, la zone 123 est entièrement entourée et isolée électriquement du reste du substrat 101 par la tranchée d’isolation 121.
La tranchée 121 est par exemple remplie d’un matériau électriquement isolant, par exemple de l’oxyde de silicium. A titre de variante, les parois latérales de la tranchée 121 sont revêtues d’un matériau électriquement isolant, par exemple de l’oxyde de silicium, puis la tranchée est comblée avec un matériau électriquement isolant, par exemple du silicium polycristallin non dopé ou de l’oxyde de silicium.
La illustre en outre la formations de métallisations de contact sur la face inférieure du substrat 101. Plus particulièrement, dans cet exemple, pour chaque transducteur CMUT ou pour chaque élément de transducteur CMUT, on forme deux métallisations de contact 125a et 125b disjointes sur et en contact avec la face inférieure du substrat 101. La métallisation 125a est située en périphérie de la cavité et est en contact uniquement avec la face inférieure de la zone 123 du substrat 101 isolée électriquement du reste du substrat par la tranchée 121. La métallisation 125b est située en vis à vis de la cavité 109 et s’étend par exemple sur la majeure partie de la surface de la cavité 109, par exemple sur sensiblement toute la surface de la cavité 109. La métallisation 125b n’est pas en contact avec la zone 123 du substrat 101.
On notera que dans l’exemple représenté, chaque élément de transducteur CMUT comprend deux cavités 109 (correspondant par exemple à deux cellules élémentaires de transduction) excitées simultanément et séparées latéralement par un mur d’oxyde de silicium 107. Les modes de réalisation décrits ne se limitent pas à cet exemple particulier. A titre de variante, chaque transducteur CMUT peut comporter une unique cavité 109 ou un nombre de cavités 109 supérieur à 2.
La illustre la structure obtenue à l’issue d’une étape de retrait de la couche support 117 et de la couche d’oxyde de silicium 115 de la structure de la , de façon à exposer la face supérieure de la couche de silicium 113, formant la membrane des transducteurs CMUT.
La illustre la structure obtenue à l’issue d’une étape de reprise d’un contact électrique sur la membrane (et électrode supérieure) 113 de chaque transducteur CMUT.
Plus particulièrement, dans cet exemple, on vient former, à partir de la face supérieure de la structure de la , dans chaque transducteur CMUT, à l’aplomb de la zone 123 du substrat 101 délimitée latéralement par la tranchée 121, une ouverture 127 s’étendant verticalement à travers la membrane 113, la couche d’oxyde de silicium 111 et le mur d’oxyde de silicium 107, et débouchant sur la face supérieure de la zone 123 du substrat 101 délimitée latéralement par la tranchée 121.
Selon un autre mode de réalisation particulier, les informations reçues comprennent en outre une valeur d’empreinte carbone déterminée, dans l’intervalle de temps courant, par ladite au moins une sous-entité de production ou de stockage d’énergie associée à ladite au moins une entité, et transmise par ladite au moins une sous-entité à ladite au moins une entité, et dans lequel la sélection d’une action est mise en œuvre en outre à partir de ladite valeur d’empreinte carbone conformément à un critère de minimisation de l’empreinte carbone de l’énergie à fournir à l’autre entité ou au fournisseur d’énergie externe.
Ce mode de réalisation a pour avantage d’ajouter la minimisation de l’empreinte carbone de l’énergie à fournir à l’autre entité au compromis de réduction des dépenses pour l’énergie requise par l’entité et de maximisation des profits pour l’énergie fournie par l’entité. De ce fait, le procédé d’échange d’énergie selon ce mode de réalisation est rendu plus économe en énergie et moins polluant.
Selon un autre mode de réalisation particulier, la quantité d’énergie à consommer, dans l’intervalle de temps courant, par au moins une sous-entité de consommation en énergie associée à ladite au moins une entité, est basée sur la consommation en énergie calculée au niveau d’au moins un appareil consommateur en énergie qui est associé à ladite au moins une sous-entité de consommation en énergie, conformément à la minimisation d’un critère d’insatisfaction d’un utilisateur dudit au moins un appareil, ledit critère étant lié :
- soit à un décalage de l’utilisation dudit au moins un appareil dans un intervalle temporel postérieur à l’intervalle temporel courant, si ledit au moins un appareil a un profil d’utilisation décalable dans le temps,
- soit à une diminution du niveau de puissance dudit au moins un appareil dans l’intervalle de temps courant, si ledit au moins un appareil a un profil d’utilisation décalable en puissance.
Un tel mode de réalisation permet à la sous-entité de consommation en énergie associée à ladite au moins une entité d’appliquer à son niveau une stratégie optimale pour déterminer, dans l’intervalle de temps courant, la quantité d’énergie à consommer conformément à un critère de performance énergétique qui repose ici sur la minimisation de l’insatisfaction d’un utilisateur d’au moins un appareil consommateur en énergie rattaché à la sous-entité de consommation en énergie, en tant que sous-entité de cette sous-entité de consommation en énergie.
Selon un autre mode de réalisation particulier, ladite au moins une sous-entité de production d’énergie associée à ladite au moins une entité met en œuvre ce qui suit dans l’intervalle de temps courant :
-- une valeur du prix que coûte l’énergie disponible dans l’intervalle de temps courant auprès de l’autre entité et/ou d’un fournisseur d’énergie externe audit ensemble,
-- la quantité d’énergie stockée, dans l’intervalle de temps courant, par au moins une sous-entité de stockage d’énergie associée à ladite au moins une entité, si ladite au moins une sous-entité de stockage est présente,
- à partir de la valeur du prix et, le cas échéant, de la quantité d’énergie stockée, et selon un critère de performance de production d’énergie :
-- sélectionner une destination de l’énergie produite par ladite au moins une sous-entité de production d’énergie dans l’intervalle de temps courant parmi ladite autre entité ou le fournisseur d’énergie externe, ladite au moins une sous-entité de stockage d’énergie associée à ladite au moins une entité, au moins un appareil consommateur en énergie associé à ladite au moins une sous-entité de consommation en énergie,
-- calculer la quantité d’énergie produite à utiliser selon la destination sélectionnée.
Un tel mode de réalisation permet à la sous-entité de production d’énergie associée à ladite au moins une entité d’appliquer également à son niveau une stratégie optimale pour déterminer, dans l’intervalle de temps courant, la quantité d’énergie à utiliser conformément à un critère de performance de production énergétique, en fonction de l’action sélectionnée selon ce critère qui est soit fournir de l’énergie à l’autre entité ou au fournisseur d’énergie externe, charger une sous-entité de stockage d’énergie associée à ladite au moins une entité, ou alimenter en énergie au moins un appareil consommateur en énergie rattaché à ladite au moins une entité de consommation en énergie.
Selon un autre mode de réalisation particulier, ladite au moins une sous-entité de stockage d’énergie associée à ladite au moins une entité met en œuvre ce qui suit dans l’intervalle de temps courant :
- recevoir des informations relatives à au moins une valeur du prix que coûte l’énergie disponible dans l’intervalle de temps courant auprès d’un fournisseur d’énergie externe audit ensemble,
Lors du retrait du substrat source 13, seule la zone centrale de la couche à transférer 15 située hors du vis-à-vis des marches 29 et 31 reste fixée au substrat destination 17. La partie périphérique du substrat destination 17, située en vis-à-vis des marches 29 et 30 reste en revanche libre, c'est-à-dire non recouverte par la couche 15.
Ainsi, à l'issue du procédé illustré en figures 1A à 1F, la couche transférée 15 présente un bord net et régulier correspondant sensiblement au bord de la marche 29 et/ou 30.
Les étapes d’activation des surfaces de collage ( ) et de collage ( ) sont réalisées sans rupture de vide, par exemple au sein d'un même équipement, comprenant par exemple, une chambre d'activation dans laquelle est mise en oeuvre l'étape de gravure de la et l'étape d'activation de la , et une chambre de collage dans laquelle est mise en oeuvre l'étape de collage de la .
En pratique, lors de l'étape de collage ( ), on cherche à aligner les structures de façon à faire coïncider les zones centrales de la surface de collage de la couche 15, délimitée par la marche 29 et de la surface de collage du substrat 17, délimitée par la marche 30. Toutefois, même si l’alignement n’est pas parfait, la solution proposée permet d’obtenir un bord net de la couche transférée, puisque seules les portions des surfaces de collage mises en contact adhèrent l’une à l’autre.
La , la , la , la , la et la sont des vues en coupe, illustrant de façon partielle et schématique, des étapes successives d'un exemple de procédé de transfert d'une couche semiconductrice depuis un substrat source vers un substrat destination selon un deuxième mode de réalisation.
Le deuxième mode de réalisation est similaire au premier mode de réalisation illustré en figures 1A à 1F, à la différence près que, dans le deuxième mode de réalisation, l’activation des surfaces de collage est réalisée par dépôt d'une fine couche d’un matériau de collage apportant des liaisons pendantes permettant ensuite de former des liaisons covalentes lors de la mise en contact des surfaces activées. Les éléments communs avec le procédé des figures 1A à 1F ne seront pas détaillés à nouveau ci-après. Seules les différences avec le procédé des figures 1A à 1F seront mises en exergue.
La illustre, de façon similaire à la , une étape de gravure de la marche 30, sur la périphérie de la face supérieure du substrat destination 17 et de la marche 29 sur la périphérie de la face supérieure de la couche 15.
La illustre une étape d'activation de la surface de collage, de la couche 15 et de la surface de collage, du substrat destination 17.