Structure semi-conductrice (2) comprenant : - une tranche semi-conductrice (10) comprenant un ou plusieurs dispositifs semi-conducteurs ; - une inductance (4) fixée à ladite tranche semi-conductrice ; et - une couche de redistribution (18) connectant électriquement l’inductance (4) à au moins un desdits un ou plusieurs dispositifs semi-conducteurs. Structure semi-conductrice (2) selon la revendication 1, dans laquelle ladite inductance comprend un noyau métallique (6) et une couche diélectrique (8) recouvrant au moins partiellement ledit noyau métallique. Structure semi-conductrice (2) selon la revendication 2, dans laquelle ladite couche diélectrique (8) comprend des nanoparticules de cobalt. Structure semi-conductrice (2) selon la revendication 2 ou la revendication 3, dans laquelle ladite couche diélectrique (8) est un film nanocomposite de polystyrène au cobalt revêtu de carbone (Co/C-PS). Structure semi-conductrice (2) selon l’une quelconque des revendications 2 à 4, dans laquelle ladite couche diélectrique (8) comprend une couche de SiON sur un côté dudit noyau métallique (6) faisant face à ladite tranche semi-conductrice (10). Structure semi-conductrice (2) selon l’une quelconque des revendications 2 à 5, dans laquelle au moins une partie de ladite couche diélectrique (8) est configurée pour avoir une perméabilité magnétique relative de 3. Structure semi-conductrice (2) selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans laquelle ladite inductance (4) contient une seule spire de bobine. Structure semi-conductrice (2) selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, dans laquelle ladite inductance (4) comprend plusieurs spires de bobine. Structure semi-conductrice (2) selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans laquelle ladite tranche semi-conductrice (10) est une tranche de silicium sur isolant, SOI. Structure semi-conductrice (2) selon l’une quelconque des revendications précédentes, comprenant en outre une couche adhésive (17) entre ladite inductance (4) et ladite tranche semi-conductrice (10). Structure semi-conductrice (2) selon la revendication 10, dans laquelle ladite couche adhésive (17) comprend au moins un élément parmi le benzocyclobutène (BCB) et un matériau photodiélectrique. Amplificateur à faible bruit (36) comprenant une structure semi-conductrice (2) selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel ladite inductance (38) est une inductance d’entrée dudit amplificateur à faible bruit (36) et au moins un desdits dispositifs semi-conducteurs est un transistor (40) connecté à ladite inductance (38). Amplificateur de puissance (42) comprenant une structure semi-conductrice (2) selon l’une quelconque des revendications 1 à 11, dans lequel ladite inductance (38) est une inductance de sortie dudit amplificateur de puissance (42) et au moins l’un desdits dispositifs semi-conducteurs est un transistor connecté à ladite inductance. Procédé de formation d’une structure semi-conductrice, le procédé comprenant : - la formation d’une inductance (4) sur un substrat ; - la formation d’un ou plusieurs dispositifs semi-conducteurs dans une tranche semi-conductrice (10) ; et - le transfert de ladite inductance dudit substrat sur ladite tranche semi-conductrice (10) ; et - la formation d’une couche de redistribution (18) connectant électriquement ladite inductance (4) à au moins un desdits un ou plusieurs dispositifs semi-conducteurs. Procédé selon la revendication 14, dans lequel ladite étape de formation de ladite inductance (4) comprend la fourniture d’un noyau métallique (6) et la fourniture d’une couche diélectrique (8) recouvrant au moins partiellement ledit noyau métallique. Procédé selon la revendication 15, comprenant en outre la fourniture de nanoparticules de cobalt dans ladite couche diélectrique (8). Procédé selon l’une quelconque des revendications 14 à 16, comprenant en outre la fourniture d’une couche adhésive (17) sur ladite tranche semi-conductrice avant ladite étape de transfert. Procédé selon l’une quelconque des revendications 14 et 17, dans lequel ladite étape de transfert comprend une impression par micro-transfert (µTP).