INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Par « eau potable » on entend une eau que l’on peut boire ou utiliser à des fins domestiques et industrielles sans risque pour la santé. De manière préférentielle, sa conductivité est choisie entre 400 et 1100, préférentiellement entre 400 et 600 µS/cm. De manière plus préférentielle dans la présente invention, on entendra que cette eau potable possède une teneur en sulfate inférieure à 250 mg/l, une teneur en chlorures inférieure à 200 mg/l, une teneur en potassium inférieure à 12 mg/l, un pH compris entre 6,5 et 9 et un TH (Titre Hydrométrique, soit la dureté de l’eau, qui correspond à la mesure de la teneur d’une eau en ions calcium et magnésium) supérieur à 15 degrés français. Autrement dit, une eau potable ne doit pas posséder moins de 60 mg/l de calcium ou 36 mg/l de magnésium.
Afin de mesurer la densité, on utilise le test A dont le protocole est décrit ci-dessous :
a. Tare d’une éprouvette graduée de 2 litres ; b. Remplissage de l’éprouvette avec le produit à analyser, jusqu’à atteindre la graduation de 2 litres. c. Pesée du produit (Poids P, en grammes).
Le calcul de la densité exprimée en g/l est le suivant :
Densité = (P(en g) / 2 (en l)).
Dans la présente demande, les termes « densité » et « masse volumique » sont utilisés de manière interchangeable.
Le protocole pour déterminer la taille des particules constitutives mesurée selon un test B, exprimée en pourcentage est le suivant : - On utilise un système de tamis empilés sur une machine permettant de mettre en agitation lesdits tamis, afin de faire circuler les particules au travers des mailles. Une référence commerciale particulièrement adaptée est la suivante Tamisseuse Electromagnétique de laboratoire, modèle Analysette 3, commercialisé par la société FRITSCH. Les différents tamis utilisés sont les suivants 1 mm, 2 mm, 5 mm, 10 mm - On introduit 100 g de produit au sommet et on met l’appareillage en mode vibration pendant 3 min. On peut modifier ce temps, tant que l’on s’assure que la séparation granulométrique est bien terminée. - Après arrêt, on pèse le poids de chaque fraction accumulée sur chaque tamis que l’on appelle «le refus » du tamis. C’est en effet les particules n’ayant pas réussi à passer la maille car trop gros. - Le calcul est le suivant : Supérieur à 10 mm = ( poids refus 10 mm / poids X ) * 100 Entre 5 et 10 mm = ( poids refus 5 mm / Poids X ) * 100 Entre 2 et 5 mm = ( poids refus 2 mm / Poids X ) * 100 Entre 1 et 2 mm = ( poids refus 1 mm / Poids X ) * 100 Inférieur à 1 mm = ( poids refus final / Poids X ) * 100
Enfin, la matière sèche de la protéine de légumineuse texturée par voie sèche selon l’invention est supérieure à 80% en poids, préférentiellement supérieure à 90% en poids.
La teneur en protéine de la composition selon l’invention est avantageusement comprise entre 60% et 80%, préférentiellement entre 70% et 80% en poids sur la matière sèche totale. Pour analyser cette teneur en protéines, n’importe quelle méthode bien connue par l’homme du métier est utilisable. De préférence, on dosera la quantité d’azote total, typiquement selon la méthode Kjeldahl, et l’on multipliera cette teneur par le coefficient 6,25. Cette méthode est bien connue de l’homme du métier et couramment utilisée pour analyser la teneur en protéines de compositions de protéines végétales.
La composition selon la présente demande peut également comprendre des fibres de légumineuses. De préférence, la composition comprend des fibres de légumineuses dans un ratio massique protéines de légumineuses / fibres de légumineuses compris entre 70/30 et 90/10, préférentiellement compris entre 75/25 et 85/15. De préférence, la composition comprend des protéines et des fibres de légumineuses texturées par voie sèche sous forme de particules, dans un ratio massique protéines de légumineuses / fibres de légumineuses compris entre 70/30 et 90/10, préférentiellement compris entre 75/25 et 85/15. Lorsque la composition de la présente demande comprend des fibres de légumineuses, les protéines et les fibres proviennent de la même légumineuse ou bien de légumineuses différentes, de préférence proviennent de la même légumineuse. Dans un mode particulier, la composition de la présente demande comprend des protéines et des fibres de pois ou de féverole.
La présente invention est également relative à un procédé de production d’une composition de protéines de légumineuses telle que décrite ci-dessus caractérisé en ce que le procédé comprend les étapes suivantes : 1) Fourniture d’une poudre comprenant des protéines de légumineuses et optionnellement des fibres de légumineuses présentant un ratio en poids sec de protéines de légumineuses / fibres de légumineuses compris entre 70/30 et 90/10, préférentiellement compris entre 75/25 et 85/15 ; 2) Cuisson-extrusion de la poudre avec de l’eau, le ratio massique eau/poudre avant cuisson étant compris entre 35% et 45%, préférentiellement entre 37% et 43%, encore plus préférentiellement entre 39% et 41% 3) Séchage de la composition ainsi obtenue.
En variante, l’instant est celui où le véhicule a parcouru une fraction de la distance (par exemple, la moitié de la distance).
Il peut être déterminé que le véhicule a parcouru la distance par l’emploi d’un odomètre (autrement dit : compteur kilométrique).
Le procédé d’acquisition d’une première vitesse autorisée selon l’invention est par exemple mis en œuvre par un dispositif électronique. L’invention concerne donc aussi un dispositif électronique configuré pour mettre en œuvre les étapes du procédé d’acquisition d’une première vitesse autorisée selon l’invention, et un véhicule automobile comprenant le dispositif électronique. Le dispositif électronique peut avoir l’architecture d’un contrôleur ou d’un microcontrôleur.
L’invention concerne aussi un procédé d’émission d’une troisième vitesse autorisée caractérisé en ce qu’il comporte les étapes suivantes :
Réception d’une troisième requête pour obtenir la troisième vitesse autorisée, par exemple par l’intermédiaire d’un réseau de télécommunication, la troisième requête comprenant une troisième localisation géographique, Détermination de la troisième vitesse autorisée (à partir de la troisième localisation géographique) et d’une troisième limite de validité de la troisième vitesse autorisée à partir de la troisième localisation géographique, Troisième envoi, par exemple par l’intermédiaire d’un réseau de télécommunication, d’une troisième réponse à la troisième requête comprenant la troisième vitesse autorisée et la troisième limite de validité.
La troisième vitesse et/ou la troisième limite de validité sont par exemple déterminées à partir d’une carte géographique comportant une vitesse autorisée en fonction de la localisation géographique. La carte peut être mémorisée dans le serveur ci-dessous.
En variante, La troisième vitesse et/ou la troisième limite de validité sont déterminées à partir d’une table fournissant la troisième vitesse et la troisième limite de validité à partir de la troisième localisation géographique.
Selon un mode de réalisation, la troisième limite de validité est déterminée à partir d’une position géographique d’un changement de vitesse le plus proche de la troisième localisation géographique selon tous les itinéraires routiers possibles sur la carte depuis cette position (et préférablement selon la direction de déplacement du véhicule).
Selon un mode de réalisation, la troisième limite de validité est une distance de roulement à partir de la première localisation géographique jusqu’à la position géographique du changement de vitesse le plus proche.
Par exemple, les itinéraires routiers ont une longueur inférieure à un seuil prédéterminé.
Par exemple, le seuil est compris entre 1 et 5 kilomètres, mais bien entendu, le seuil peut être à l’extérieur de cette plage.
Selon un mode de réalisation, les itinéraires routiers sont tous ceux possibles depuis la troisième localisation géographique (par exemple, de longueur inférieure au seuil).
En variante, la troisième limite de validité est déterminée à partir de la localisation du changement de vitesse le plus proche de la troisième localisation jusqu’au prochain croisement routier (ainsi, s’il n’y pas de changement de vitesse jusqu’au prochain croissement routier, la localisation du changement de vitesse est le prochain croisement routier).
Le procédé d’émission d’une troisième vitesse autorisée selon l’invention est par exemple mis en œuvre par un serveur. L’invention concerne donc un serveur configuré pour mettre en œuvre les étapes du procédé d’émission d’une troisième vitesse autorisée.
L’invention concerne enfin un système de détermination d’une vitesse autorisée comprenant :
Le dispositif électronique selon l’invention, Le serveur selon l’invention, Et par exemple, le réseau de télécommunication,
Pour confirmer cette observation, la quantité de résine époxyde résiduelle, qui correspond à la résine époxyde encore présente au niveau de la surface des fibres de carbone au terme de la mise en contact avec le carbonate de propylène, a été déterminée par analyse thermique gravimétrique (ATG). Les résultats de l'ATG montrent l'absence de résine époxyde résiduelle au niveau de la surface des fibres de carbone.
L'alignement des fibres de carbone ainsi que l'absence de résine époxyde résiduelle à la surface desdites fibres de carbone sont, en outre, confirmés par les clichés MEB des , et .
Exemple 2 Le protocole opératoire mis en œuvre pour la conduite des tests a été le suivant : différentes compositions ont été préparées par introduction et, le cas échéant, mélange des différents composés, dans leurs proportions molaires respectives, tels que mentionnés dans le Tableau 1 ci-dessous.
Un échantillon de préimprégné P a été placé sans agitation, pendant une durée comprise entre 1 h et 24 h, dans chacune des compositions préalablement chauffées à une température comprise entre 25 °C et 70 °C, les conditions de durée et de température étant précisées dans le Tableau 1.
Au terme de la durée considérée de mise en contact de l'échantillon avec la composition considérée, les fibres de carbone ont été récupérées par filtration au moyen d'une toile de Nylon présentant une taille de pores de 5 µm.
Les fibres de carbone ainsi récupérées ont été tout d'abord été lavées à deux reprises à l'eau puis à deux reprises à l'éthanol avant d'être placées pendant 1 h dans une étuve à 70 °C.
Au terme de ce séchage, la quantité de résine époxyde résiduelle au niveau de la surface des fibres de carbone au terme de la mise en contact avec la composition, a été déterminée par ATG. Les résultats correspondants sont indiqués en pourcentage de résine époxyde encore présente au niveau de la surface des fibres de carbone, noté % de résine dans le Tableau 1. Il est précisé que le recyclage est considéré : - comme "excellent", si le pourcentage de résine époxyde résiduelle est strictement inférieur à 1 % (noté - comme "bon", si le pourcentage de résine époxyde résiduelle est compris entre 1 % et 10 %, et - comme "mauvais", si le pourcentage de résine époxyde résiduelle est strictement supérieur à 10 %, étant précisé qu'un pourcentage de 34 % signifie que le préimprégné P n'a pas été dégradé. [Table 1]
Objet ou structure multi-matériaux transformable à base de matériaux actifs et procédé d’impression 4D par assemblage volumique La présente invention se rapporte au domaine technique de l'impression quatre dimensions, dite impression 4D. Cette technique repose sur la réalisation par ajout de matière d'objets à trois dimensions, dits 3D. Les objets, dits 4D, sont alors capables de changer de forme ou de fonctionnalité au cours du temps une fois stimulés.
Etat de la technique antérieure La technologie d’impression 4D est connue de l’état de l’art. L’impression 4D se limite à l’impression d’objet 4D à partir d’un seul matériau actif sous stimulation externe, rendant la structure souple et peu disposée à satisfaire des contraintes mécaniques élevées.
Les matériaux utilisés sont connus sous le nom de matériaux intelligents ou actifs. Les matériaux intelligents ou actifs sont des matériaux adaptatifs et/ou évolutifs en ce qu’une ou plusieurs de leurs propriétés peuvent être modifiées par application d’un stimulus énergétique.
Toutefois, les techniques de fabrication actuelles, en ce qui concernent les objets ou structure multi-matériaux utilisent des matériaux imprimés par le même procédé de fabrication additive et des matériaux présentant des propriétés presque similaires. Pour prendre en compte le souhait de réalisation d’objets composés de matériaux similaires et dissimilaires, il convient d’user de plusieurs procédés de fabrication additive et donc de couvrir cette technique comme une technique d’assemblage d’éléments hétérogènes préfabriqués. L’utilisation de colles ou d’interfaces adhésives pour solidariser des éléments semblent naturelle. Mal sélectionnées, ces colles peuvent constituer un frein, car elles peuvent limiter la durabilité des assemblages. En outre, les colles jouent un rôle dans le contrôle des changements souhaités de forme des assemblages. Les colles ne permettent pas non plus d’utiliser tous les types de matériaux potentiellement utilisables. Enfin, le procédé de collage peut être irréversible et interdire le désassemblage et la récupération/réutilisation des éléments préfabriqués individuellement.
On connait également dans l’état de la technique des liaisons mécaniques démontables. Toutefois, ces liaisons présentent le problème d’une application irréalisable sur des éléments préfabriqués destinés à avoir des comportements isotropes.
Un but de l’invention est notamment : - de proposer des objets ou structures transformables composés ou contenant au moins un matériau intelligent ou actif, c’est-à-dire pouvant comprendre des matériaux métalliques/céramiques, de préférence des éléments préfabriqués individuels métalliques/céramiques, et des matériaux polymères, de préférence des éléments préfabriqués individuels en polymère, et/ou - de proposer des objets ou structures transformables composés d’un matériau actif ou intelligent dont la forme et/ou d’autres propriétés physiques et/ou chimiques peuvent être modifiées par application d’un stimulus énergétique, et/ou - proposer des objets ou structures transformables composés d’un matériau intelligent dont la modification de la forme et/ou d’autres propriétés physiques et/ou chimiques sont améliorées et/ou contrôlées par application du au moins un stimulus, et/ou - de proposer un procédé de fabrication d’un objet ou structure transformable par assemblage d’éléments préfabriqués individuels, et/ou - de proposer objet ou structure transformable versatile dont la structure peut être modifiée à tout moment, et/ou - de proposer un objet ou structure transformable facilement recyclable, et/ou - de proposer un objet ou structure transformable dont les éléments préfabriqués peuvent être désassemblés individuellement sans être dégradés ni détériorés permettant leur réutilisation éventuelle.
Présentation de l’invention A cet effet, il est proposé une structure ou un objet transformable tridimensionnel, dit structure transformable, comprenant un ensemble de composants élémentaires individuels, dit CEIs ou voxels, formant un ensemble monobloc. Un CEI, de préférence chacun des CEIs, comprend, de préférence est constitué de, un matériau actif ou inerte. Au moins une partie de l’ensemble de CEIs comprend au moins trois moyens de liaison. Chaque moyen de liaison d’un CEI considéré est agencé pour coopérer avec au moins un moyen de liaison d’un CEI adjacent au CEI considéré de sorte à lier, de préférence de manière réversible, le CEI considéré au CEI adjacent, de préférence de sorte à lier le CEI considéré aux CEIs adjacents à ce dernier. Pour au moins une partie de l’ensemble de CEIs, de préférence pour chaque CEI, au moins un des moyens de liaison d’un CEI considéré est, de préférence, situé d’un côté opposé à au moins un autre des moyens de liaison du CEI considéré. L’au moins un partie des CEIs de l’ensemble de CEIs comprend des CEIs dits actifs spatialement disposés, de préférence de manière spécifique et/ou prédéterminée, dans la structure transformable pour qu’au moins une propriété de la structure transformable soit modifiée en réponse à l’application d’au moins un stimulus, de préférence sur toute ou partie de la structure.
Les CEIs peuvent être de tailles variées, avantageusement identiques. Avantageusement, les CEIs peuvent être de forme cubique.
Un moyen de liaison peut être un moyen de liaison mécanique, physique et/ou chimique.
- le secteur a une étendue angulaire autour de l’axe qui est comprise entre 10 et 60°, et plus préférentiellement entre 10 et 40° ;
- le secteur a une diagonale ou plus grande longueur inscrite dans ce secteur qui représente entre 110 et 200% d’une corde maximale d’une desdites aubes ; la corde maximale d’une aube est la distance maximale entre le bord d’attaque et le bord de fuite de cette aube, mesurée dans un plan perpendiculaire à un axe d’allongement de l’aube ;
- le secteur comprend un panneau abradable cintré et des pattes de fixation de ce panneau sur la paroi cylindrique du carter de soufflante ;
- les pattes de fixation ont chacune une forme en S et comprennent une extrémité fixée au panneau et une extrémité fixée à la paroi cylindrique du carter de soufflante ;
- le panneau comprend un bord circonférentiel amont qui s’étend dans le prolongement d’un bord circonférentiel amont du reste du revêtement, et un bord circonférentiel aval, au moins l’un de ces bords comportant une marche de positionnement ;
- la nacelle comprend une manche annulaire d’entrée d’air située en amont de la soufflante et au moins un capotage annulaire situé autour du carter de soufflante, la manche d’entrée d’air étant solidarisé audit secteur ;
- un système de calage variable est associé au pied de chacune des aubes, et comprend une plateforme comportant ledit logement et portée par ledit moyeu, cette plateforme étant apte à être déplacée en rotation autour d’un axe radial appelé axe de calage ; en variante, les aubes ne sont pas du type à calage variable.
a) démontage du secteur depuis l’extérieur du carter de soufflante,
b) retrait du secteur par déplacement le long dudit axe de façon à créer un espace libre, et
b) démontage de l’aube alignée angulairement avec cet espace libre et retrait de l’aube par translation axiale vers l’amont.
- le secteur est situé entre deux aubes adjacentes et est retiré à l’étape b) par translation radiale vers l’intérieur puis translation axiale vers l’amont ;
- le secteur est situé au droit d’une des aubes à l’étape b) et est retiré par translation axiale vers l’amont ;
- le secteur est retiré par retrait de la manche d’entrée d’air à l’étape b).
shows the structure after depositing and developing a (second) photoresist 38 and opening the hard mask (nitride layer 36) in the trench region 30. The nitride layer 36 comprises a gap in the trench region 30, which exposes the oxide layer 34.
shows the structure after a step of dry etching. The step is configured to etch through the oxide layer 34 and at least partly through the BOX layer 8. The dry etch removes oxide in the region defined by the photoresist 38 nitride hard mask 36, thereby forming a trench 16 in the oxide.
shows the structure after stripping the photoresist 36 and a wet etch step. The wet etch selectively removes oxide in the trench region 30 and exposes the underlying bulk silicon layer 6. The wet etch also broadens the trench 16 in the oxide.
shows the structure after a nitride strip to remove the nitride layer 36 and to expose the pad oxide 22.
shows the structure after filling the trench 16 with silicon 40. Silicon 40 is epitaxially grown in the trench 16 on the bulk silicon substrate 6. The silicon 40 in the trench 16 is isolated from the epitaxial silicon layer 10 by the oxide layer 34 formed in the earlier “local oxidation of silicon” steps. The epitaxial silicon 40 in the trench 16 has a thickness/depth at least equal to the combined thickness of the BOX layer 8 and the epitaxial silicon layer 10. Typically, the epitaxial silicon 40 is formed to have greater thickness (e.g. about 2000 nm) so that it extends above the pad oxide layer 22. Typically, the epitaxial silicon 40 is doped during the epitaxy process to reduce resistivity. For example, the epitaxial silicon 40 may be slightly p-doped.
shows the structure after a step of depositing a polysilicon layer 42. The polysilicon layer 42 covers the pad oxide layer 22 (over the epitaxial silicon layer 10) and the epitaxial silicon 40 in the trench 16. The polysilicon layer 42 can prevent the pad oxide layer 22 from being exposed during CMP, and can help to protect the pad oxide 22 in order to provide improved uniformity and less CMP dishing. The polysilicon layer 42 may have a thickness of about 700 nm.
shows the substrate 4 after removing the polysilicon layer 42 and a step of chemical mechanical planarization (CMP). The step of CMP levels the surface of the epitaxial silicon 40 in the trench 16. The upper surface of the silicon 16 is substantially level with the pad oxide layer 22 on either side.
shows the substrate 4 after thermally growing a pad oxide layer 44 on the epitaxial silicon 40 in the trench 16, followed by deposition of a pad nitride layer 46. An oxide wet etch may be applied before the step of thermally growing the pad oxide layer 44. After one or more of the previous steps (e.g. wet etching and CMP), the pad oxide 22 may have been impacted and the thickness may no longer be controlled. By redoing a sacrificial oxidation on the whole wafer and then removing both the sacrificial oxide and the old pad oxide 22, the pad oxide can be redone with controlled thickness. In this case the original pad oxide layer 22 acts as a sacrificial layer to protect active region 10 during the fabrication process.
shows the substrate 4 after a step of patterning with a (third) photoresist 48 and opening the nitride layer 46 (hard mask open). The pad oxide layer 44 covers a central part of the epitaxial silicon 40 in the trench 16. The photoresist 48 is patterned to define device regions in the substrate 4. The pad oxide layer 44 covers an area of the epitaxial silicon 40, where a BJT is going to be formed. The pad oxide layer 22 left over the epitaxial silicon layer 10 may define regions for forming CMOS devices over the BOX layer 8.
shows the substrate 4 after stripping the photoresist 48 and performing a shallow trench isolation (STI) etch to form trenches 50 and 52 in the epitaxial silicon 40 and in the epitaxial silicon layer 10 respectively.
shows the semiconductor structure 2 after a number of further process steps. The further process steps comprise pullback, liner oxidation, high density plasma deposition (HDP), CMP direct, CMP touch-up, deglaze (wet and dry), and pad nitride strip to remove the nitride layer 46. For example, the method may comprise one or more of the following steps: nitride pullback (a quick nitride WET etch, to shorten the nitride and expose the silicon for better corner rounding), liner oxidation (a thin oxide formation covering the silicon everywhere to avoid voids), HDP deposition (to completely fill the STI trench with oxide), CMP direct and touch-up (to polish most of the HDP oxide and smooth the surface, and then change to another slurry and continue polishing slowly until touch up the nitride layer), deglaze wet (chemically remove oxide residual on top of the nitride) and dry etching oxide (further remove oxide and lower the height with respect to the nitride level, and thereby avoid an oxide level too high for post nitride stripping), and pad nitride strip (chemically remove all nitride layer). The semiconductor structure 2 may comprise a BJT in the epitaxial silicon 40 in the bulk region 17 and CMOS devices in the epitaxial silicon layer 10 over the BOX layer 8.