INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
L’élément est par exemple un signal, une donnée, une fonction, notamment d’un logiciel, ou un équipement.
L’arrivée de précurseurs gazeux 12 et le module de pompage 13 peuvent être configurés pour maintenir, au moins lors du traitement plasma 412, une pression sensiblement comprise entre 5 et 200 mTorr, de préférence comprise entre 5 mTorr et 100 mTorr, de préférence comprise entre 5 mTorr et 80 mTorr dans la chambre 10 de réaction. De préférence, la pression dans la chambre de réaction est sensiblement inférieure ou égale à 100 mTorr au moins lors du traitement plasma 412.
La source de puissance 14 peut être configurée pour appliquer la puissance radiofréquence avec une puissance inférieure ou égale à 100 W.
La source de puissance 14 peut être configurée pour appliquer la puissance radiofréquence avec une fréquence comprise entre 2 et 100 MHz lorsque le plasma est généré par couplage capacitif.
Ces paramètres dans les gammes indiquées ci-dessus permettent d’obtenir les caractéristiques de flux ionique suivantes du plasma généré entre la paroi latérale 100 et le plateau 110, adaptées au dépôt PEALD : densité de puissance : 0,05 à 0,5 W/cm 2 flux ionique : 10 12 à 10 14 ions/cm 2 énergie des ions : 0 à 300 eV (avec 1 eV ≈ 1,60218.10 -19 J).
Au vu de la description qui précède, il apparaît clairement que l’invention propose une solution améliorée de dépôt assisté par plasma. Le procédé est amélioré notamment en termes de nature de couche déposée et/ou de sélectivité du dépôt. Le procédé PEALD permet un meilleur contrôle du bombardement ionique, et notamment une assistance du plasma plus douce que les solutions existantes, et donc qui engendre moins de défauts induits. Il apparaît en outre clairement que l’invention propose un réacteur amélioré de dépôt assisté par plasma, permettant notamment une assistance du plasma plus douce que les solutions existantes, et donc qui engendre moins de défauts induits.
L’invention n’est pas limitée aux modes de réalisations précédemment décrits et s’étend à tous les modes de réalisation couverts par l’invention. La présente invention ne se limite pas aux exemples précédemment décrits. Bien d’autres variantes de réalisation sont possibles, par exemple par combinaison de caractéristiques précédemment décrites, sans sortir du cadre de l’invention. En outre, les caractéristiques décrites relativement à un aspect de l’invention peuvent être combinées à un autre aspect de l’invention. Notamment, le procédé peut comprendre toute étape résultant de la mise en œuvre d’une caractéristique du réacteur et le réacteur peut présenter toute caractéristique permettant, par exemple un élément configuré pour, la mise en œuvre une étape du procédé.
Dans les exemples illustrés, l’arrivée 12 a été représentée au niveau de la face supérieure 101 du réacteur 1. Une autre disposition, par exemple au niveau de la paroi latérale 100, est possible. Il en va de même pour le module de pompage 13.
Réacteur de dépôt assisté par plasma La présente invention concerne le domaine des réacteurs plasmas de dépôt. Elle trouve pour application particulièrement avantageuse le domaine du dépôt de couche mince, et plus particulièrement de couche mince d’épaisseur contrôlée, par exemple pour la fabrication de dispositif microélectronique.
ETAT DE LA TECHNIQUE Les procédés de dépôt par couche atomique (communément désignés par dépôt ALD, de l’anglais Atomic Layer Deposition) sont couramment utilisés pour déposer des couches minces, par exemple à des épaisseurs inférieures ou égales à 100 nm, sur des substrats 2D ou 3D. De façon générale, le dépôt ALD est un procédé cyclique comprenant deux étapes principales : une injection d’un précurseur, typiquement un précurseur métallique, une injection d’un autre précurseur, typiquement un réactif tel qu’un réactif à base d’oxygène ou d’azote.
Ces étapes sont auto-limitantes, ce qui permet de déposer des couches conformes et uniformes sur le substrat. L’énergie nécessaire à la réaction des précurseurs peut typiquement être apportée par la température (on parle alors d’ALD thermique). Cette énergie peut être apportée en utilisant une assistance par un plasma (communément désigné PEALD, de l’anglais Plasma Enhanced ALD) pour améliorer la réactivité de surface. Cela permet notamment de diminuer la température de travail, typiquement à des températures inférieures ou égales à 250°C.
Les réacteurs PEALD industriels utilisent principalement des sources plasmas à couplage capacitif ou à couplage inductif (respectivement communément désignées CCP, de l’anglais Capacitively Coupled Plasma, et ICP, de l’anglais Inductively Coupled Plasma). Ces réacteurs comprennent de façon classique une chambre 10’ de réaction, une arrivée de précurseur gazeux 12’ configurée pour amener des précurseurs gazeux dans la chambre 10’, et un module de pompage 13’ de la chambre 10’. Dans un réacteur 1’ CCP, par exemple illustré en , le plasma est généré 3 typiquement à des pressions de l’ordre de quelques Torr entre deux électrodes 110’, 18’ avec un dispositif de puissance radiofréquence (RF) 16’. Les électrodes 110’, 18’ sont disposées parallèlement l’une en face de l’autre et le substrat est déposé entre elles, une électrode 110’ étant le plateau relié à la masse 110’ portant le substrat 2. Dans les technologies classiques de CCP, le bombardement ionique sur le plateau est toutefois important. Des grilles peuvent être ajoutées dans l’espace inter-électrodes pour limiter ce bombardement ionique. Dans un réacteur 1’ ICP, par exemple illustré en , le plasma est généré 3, typiquement à des pressions de l’ordre de 100 mTorr et de façon déportée par une source 15’, comprenant un dispositif de puissance RF 16’, puis est amené dans la chambre de réaction 10’ jusqu’au substrat 2 par diffusion. Le bombardement ionique est ainsi limité.
Cependant le bombardement ionique peut être bénéfique pour moduler la réactivité de surface et améliorer les propriétés du dépôt telles que la densité, la morphologie, la contrainte, la conformité notamment sur un substrat 3D, à condition que l’énergie de ce bombardement et sa densité ionique soient maîtrisées. À cette fin, certains réacteurs récemment développés utilisent des plasmas ICP auxquels une puissance RF supplémentaire a été ajoutée au niveau du porte-substrat, pour permettre l’extraction des ions du plasma déporté avec une énergie incidente contrôlée au moment où ils arrivent au voisinage du substrat. En pratique, les matériaux élaborés dans ces réacteurs sont surtout des oxydes ou des nitrures, dont les propriétés physico-chimiques peuvent être éventuellement modulées par une polarisation supplémentaire permettant d’extraire les ions du plasma pour qu’ils assistent les mécanismes de croissance. L’obtention d’autres matériaux reste limitée.
Un objet de la présente invention est donc de proposer un réacteur amélioré de dépôt assisté par plasma.
est une vue schématique de l’appareil électrique de la , en coupe selon le plan médian PC2 de l’une des jambes du poussoir,
est une vue schématique en perspective arrière d’une partie avant de l’appareil électrique de la avec un seul système de connexion représenté,
est une vue schématique agrandie de la zone A de la , et
est une vue schématique en coupe selon un plan PM2 de la sans le conducteur électrique.
Dans la description qui va suivre, par convention, le terme « avant » désignera le côté de l’appareil électrique orienté vers un utilisateur lorsque cet appareil électrique est en position d’utilisation, tandis que le terme « arrière » désignera le côté opposé de cet appareil. Les termes « supérieur » et « inférieur » seront employés par référence à la direction verticale pour l’utilisateur se tenant debout devant l’appareil électrique en position d’utilisation.
Sur les figures, on a représenté quatre modes de réalisation d'un appareil électrique 100 ; 200 ; 300 ; 400 selon l’invention.
L'appareil électrique 100 ; 200 ; 300 ; 400 représenté et décrit constitue ici un bloc de jonction destiné à assurer la jonction, c’est-à-dire la liaison électrique et mécanique, entre au moins deux conducteurs électriques. Les blocs de jonction 100 ; 200 des premier et deuxième modes de réalisation (figures 1 à 13) sont adaptés à assurer la jonction entre deux conducteurs électriques, tandis que les blocs de jonction 300 ; 400 conformes au troisième et quatrième modes de réalisation (figures 14, 15, 16 et 19-32) permet d’assurer la jonction entre une pluralité de conducteurs électriques dont le nombre est ici compris entre 2 et 6 dans le troisième mode de réalisation et entre 2 et 8 dans le quatrième mode de réalisation.
Bien entendu, il est possible de concevoir des blocs de jonction permettant d’assurer la connexion électrique d’un nombre quelconque de conducteurs électriques sur le modèle de l’un des blocs de jonction 300 ; 400 conformes au troisième ou au quatrième mode de réalisation. En outre, comme expliqué ultérieurement, les blocs de jonction 300 ; 400 des troisième et quatrième modes de réalisation peuvent être connectés en série avec un autre bloc de jonction du même type, ce qui permet la connexion de conducteurs électriques additionnels.
L’appareil électrique 100 ; 200 ; 300 ; 400 selon l’invention comporte un boîtier 110 ; 210 ; 310 ; 410 électriquement isolant réalisé par exemple en matière plastique.
Pour la mise en œuvre de sa fonction de jonction, le boîtier 110 ; 210 ; 310 ; 410 de l’appareil électrique 100 ; 200 ; 300 ; 400 comporte une pluralité de conduits d’insertion 111 ; 211 ; 311 ; 411 indépendants autorisant chacun l’insertion d’un conducteurs électriques 1 et loge une pluralité de systèmes de connexion électrique 120 ; 220 ; 320 ; 420 identiques, chaque système de connexion électrique 120 ; 220 ; 320 ; 420 étant respectivement associé à l’un des conduits d’insertion 111 ; 211 ; 311 ; 411 (figures 1, 12, 14 et 16).
Chacun des premier et deuxième modes de réalisation de l’appareil électrique 100 ; 200 est ici pourvu de deux conduits d’insertion 111 ; 211 indépendants pour l’insertion de deux conducteurs électriques 1 et loge deux systèmes de connexion électrique 120 ; 220 identiques respectivement associés aux deux conduits d’insertion 111 ; 211.
Les deux conduits d’insertions 111 ; 211 et les deux systèmes de connexion électrique associés sont identiques mis à part leur disposition symétrique par rapport à un plan médian P1 ; P2 de l’appareil électrique 100 ; 200 correspondant (figures 5 et 9).
Le boîtier 310 de l’appareil électrique 300 conforme au troisième mode de réalisation est ici pourvu de six conduits d’insertion 311 indépendants autorisant chacun l’insertion d’un conducteur électrique 1. Les conduits d’insertion 311 sont ici disposés côté à côte, parallèlement les uns aux autres. Le boîtier 310 loge six systèmes de connexion électrique 320 respectivement associés aux six conduits d’insertion 311. Ils sont donc ici disposés les uns à côté des autres.
Le boîtier 410 de l’appareil électrique 400 conforme au quatrième mode de réalisation est ici pourvu de huit conduits d’insertion 411 indépendants autorisant chacun l’insertion d’un conducteur électrique 1. Les conduits d’insertion 411 sont ici disposés côté à côte, parallèlement les uns aux autres. Le boîtier 410 loge huit systèmes de connexion électrique 420 respectivement associés aux huit conduits d’insertion 411. Ils sont ici aussi disposés les uns à côté des autres (voir figures 16 et 19 à 22 et 36).
En variante, l’appareil électrique peut également être agencé de manière à assurer une fonction électrique différente de celle du bloc de jonction. Bien entendu, lorsque l’appareil électrique n’est pas un bloc de jonction mais un appareil électrique ayant une autre fonction tel qu’un interrupteur ou une prise de courant électrique, le boîtier peut être pourvu d’un seul conduit d’insertion et loger un seul système de connexion associé.
illustre schématiquement la connexion d’un dispositif de diagnostic à un véhicule via un port OBD implémentant l’option 1 d’affectation de broche selon la norme DoIP ;
illustre schématiquement la connexion d’un dispositif de diagnostic à un véhicule via un port OBD implémentant l’option 2 d’affectation de broche selon la norme DoIP ;
illustre schématiquement une première approche visant à mettre en œuvre un câble d’adaptation entre un dispositif de diagnostic et un véhicule, selon les options 1 et 2 de la norme DoIP ;
illustre schématiquement une deuxième approche visant à connecter ensemble des broches d’un port ODB ;
illustre schématiquement une troisième approche visant à connecter ensemble des broches d’un port ODB ;
illustre schématiquement un dispositif passerelle, et un système passerelle, connectés à un dispositif de diagnostic, conformément à un exemple de réalisation particulier et non limitatif de la présente invention ;
illustre schématiquement un dispositif passerelle et un système passerelle selon un exemple de réalisation particulier et non limitatif de la présente invention ;
illustre sous forme d’un diagramme différentes étapes d’un procédé de contrôle mis en œuvre par un dispositif passerelle selon un exemple de réalisation particulier et non limitatif de la présente invention ;
illustre schématiquement un dispositif passerelle et un système passerelle selon un exemple de réalisation particulier et non limitatif de la présente invention ; et illustre sous forme d’un diagramme différentes étapes d’un procédé de contrôle mis en œuvre par un dispositif passerelle selon un exemple de réalisation particulier et non limitatif de la présente invention.
Description des exemples de réalisation Comme indiqué ci-avant, la présente invention vise notamment un dispositif passerelle d’un véhicule et un procédé de contrôle d’un tel dispositif passerelle, ainsi qu’un système passerelle comprenant un tel dispositif passerelle, pour permettre des échanges de signaux selon le protocole Ethernet entre le dispositif passerelle et un dispositif de diagnostic. Des exemples de mises en œuvre de l’invention vont à présent être décrits dans ce qui va suivre en référence conjointement aux figures 7-10. Au préalable, des approches alternatives à la présente invention sont décrites en référence aux figures 4-6.
Les termes « premier(s) » (ou première(s)), « deuxième(s) », etc.) sont utilisés dans ce document par convention arbitraire pour permettre d’identifier et de distinguer différents éléments (tels que des câblages, etc.) mis en œuvre dans les modes de réalisation décrits ci-après.
Dans le présent document, les signaux Ethernet_DIAG Tx+ et Ethernet-DIAG Tx- au sens de la norme DoIP sont aussi appelés plus simplement « Tx+ » et « Tx- » respectivement ( ). De même, les signaux Ethernet_DIAG Rx+ et Ethernet-DIAG Rx- au sens de la norme DoIP sont aussi appelés plus simplement « Rx+ » et « Rx- » respectivement ( ).
Dans le présent document, les options 1 et 2 font référence aux options discutées précédemment, dites option 1 et option 2 conformément à la norme DoIP (norme ISO 13400).
Des approches autres que la présente invention, également considérées par le présent demandeur, sont décrites en référence aux figures 4, 5 et 6. Les avantages de la présente invention ressortiront notamment au regard de ces approches alternatives.
Selon un mode de réalisation non limitatif, lesdits au moins deux éléments de liaison comprennent chacun un élément de rappel élastique configuré pour: - passer d’un état compressé primaire à un état compressé secondaire supérieur lorsque ledit au moins un échangeur de chaleur passe d’une position de repos à une position dilatée, - passer dudit état compressé secondaire audit état compressé primaire lorsque ledit au moins un échangeur de chaleur passe de sa position dilatée à sa position de repos.
Selon un mode de réalisation non limitatif, un élément de liaison comprend : - un premier élément de connexion configuré pour relier lesdits éléments de liaison avec ledit arbre d’enroulement dudit au moins un rideau, - un deuxième élément de connexion configuré pour relier ledit élément de liaison avec ledit élément de jonction.
Selon un mode de réalisation non limitatif, les éléments de liaison sont reliés aux éléments de jonction par liaison glissière. Cela permet aux éléments de jonction de se déplacer facilement sans entraîner le déplacement des pans qui ne sont pas fixés à l’échangeur de chaleur, et par conséquent sans entraîner le déplacement de l’arbre d’enroulement dudit au moins un rideau.
est une vue d’un dispositif de régulation d’un flux d’air destiné à circuler à travers un échangeur de chaleur d’un véhicule, ledit dispositif de régulation étant intégré dans une face avant dudit véhicule et comprenant au moins un rideau et un cadre composé d’au moins quatre pans et d’au moins quatre éléments de jonction, selon un mode de réalisation non limitatif de l’invention,
est une vue en perspective assemblée du dispositif de régulation de la figure précédente, selon un mode de réalisation non limitatif, selon un mode de réalisation non limitatif,
est une vue en perspective assemblée d’un module de régulation thermique comprenant ledit dispositif de régulation de la figure précédente et des boîtes collectrices d’un échangeur de chaleur, selon un mode de réalisation non limitatif de l’invention,
est une vue schématique de face du module de régulation thermique de la figure précédente, avec deux rideaux et un échangeur de chaleur comprenant un faisceau d’échange de chaleur et des boîtes collectrices, selon un mode de réalisation non limitatif,
est une vue schématique de face du module de régulation thermique de la figure précédente sur laquelle ledit cadre n’est pas représenté, ledit module de régulation thermique comprenant en outre des éléments de liaison, selon un mode de réalisation non limitatif,
est une vue schématique de face du cadre du dispositif de régulation de la comprenant quatre pans et quatre éléments de jonctions en deux parties selon un mode de réalisation non limitatif,
est une vue schématique de face dudit cadre de la figure précédente sur laquelle une des parties des éléments de jonction n’est pas visible, selon un mode de réalisation non limitatif,
est une vue en perspective assemblée du dispositif de régulation de la , sans les éléments de jonction, selon un mode de réalisation non limitatif,
est une vue de dessus dudit échangeur de chaleur dudit module de régulation thermique de la assemblé avec un des quatre pans du cadre dudit dispositif de régulation dudit module de régulation thermique, selon un mode de réalisation non limitatif,
est une vue de dessus éclatée dudit échangeur de chaleur et ledit pan de la figure précédente, selon un mode de réalisation non limitatif,
est une vue de dessus de l’ensemble échangeur de chaleur – pan de la figure précédente, dans laquelle un arbre d’enroulement d’un rideau sont également illustrés, selon un mode de réalisation non limitatif,
est une vue en perspective de l’ensemble échangeur de chaleur – pan de la figure précédente, selon un mode de réalisation non limitatif,
Pour verrouiller le dispositif de verrouillage 10, il suffit de basculer vers le bas, le levier de manœuvre 20 autour de l’axe de pivotement S2 et ainsi l’opérateur n’a qu’une seule manœuvre à exécuter. De façon correspondante, pour le déverrouillage du dispositif de verrouillage 10, il suffit de pivoter le levier de manœuvre 20 vers le haut autour de l’axe de pivotement S2 de sorte que l’opérateur n’a qu’une seule manœuvre à effectuer. Le dispositif de verrouillage 10 selon l’invention permet ainsi une manœuvre simple, rapide et protégée contre toute fausse manœuvre.
Si, dans la position du dispositif de verrouillage 10 selon la , dans laquelle le dispositif de verrouillage 10 n’est pas encore à l’état verrouillé ( ), on ne pourrait fermer la couverture du dessus du compartiment à batterie 3, le non-verrouillage du bloc à batterie 5 se voit tout simplement ce qui permet de terminer le verrouillage du bloc-batterie 5 par le simple basculement du levier de manœuvre 20 dans sa position serrée représentée à la .
L’invention n’est pas limitée à l’exemple de réalisation représenté du chariot de manutention 1 comme chariot à petite levée. En variante le chariot de manutention 1 peut également être sous la forme d’un chariot élévateur à grand mât, comme commissionneur ou comme tracteur.
(sans les suffixes redondants)
2 Châssis
3 Compartiment à batterie
4 Ouverture du compartiment
5 Bloc-batterie
5a Segment de paroi/paroi latérale du bloc-batterie
6 Poste de changement de batterie
10 Dispositif de verrouillage
11 Support
11 Consoles de palier
12 Paroi latérale du compartiment à batterie
Ainsi, afin de limiter la capacitance parasite, il convient de limiter la métallisation de la couche piézoélectrique, par exemple en limitant la surface occupée par la couche définissant les électrodes des résonateurs et leurs plots de connexions respectifs à des valeurs inférieures à 10 4 µm².
De préférence, la seule surface cumulée des plots de connexion doit rester inférieure à 10 4 µm², chaque plot de connexion étant défini comme une région de la couche définissant les électrodes formant un rectangle de surface suffisante, prévu pour permettre une micro-soudure par écrasement de fil ou de boule, « wedge bonding » et « ball bonding », respectivement, en terminologie anglaise.
Couche diélectrique Initialement, il convient de noter que la présence de la couche diélectrique 230 est nécessaire afin de diminuer l’effet HBAR (High Overtone Bulk Acoustic Resonator en terminologie anglaise) dû à la présence de la couche métallique 220, et par là de réduire les réponses parasites ainsi induites au niveau du résonateur interdigité SAW 200.
Modélisations 4 – couche diélectrique et admittance
Toujours dans la structure à couche métallique illustrée par la , une quatrième série de modélisations a permis d’évaluer l’effet de l’épaisseur de la couche de diélectrique 230 interposée entre la couche piézoélectrique 240 et la couche métallique 220 sur les caractéristiques du résonateur interdigité SAW 200.
A cette fin d’évaluation, on a considéré des structures similaires à celle de la , correspondant à la structure à couche métallique de la première série de modélisations, aux différences près que la couche métallique est constituée de molybdène et que la couche diélectrique est constituée d’une couche d’oxyde de silicium SiO 2 dont on a fait varier l’épaisseur.
Pour les calculs, on a considéré un facteur de qualité Q de 10000 pour la couche de LiTaO 3 et le substrat de silicium, de 1000 pour le SiO 2 , et de 100 pour le molybdène.
La montre six graphes illustrant l’évolution, en fonction de la fréquence indiquée en abscisse, du module et de la susceptance de l’admittance harmonique (module harmonique |Y| harmo en trait plein exprimé en dB/S.µm -1 sur les axes des ordonnées du côté gauche de chaque graphe et susceptance B harmo en pointillés exprimée en S.m -1 sur les axes des ordonnés du côté droit de chaque graphe), pour des épaisseurs de SiO 2 de 0, 20, 50, 100, 200 et 500 nm, respectivement sur les graphes indiqués A) à F).
On peut constater de ces graphes que la distance entre la fréquence de résonance (maximum de la conductance harmonique) et la fréquence d’anti-résonance (minimum de la conductance harmonique) augmente avec l’épaisseur de SiO 2 .
Ces deux fréquences augmentent en raison de la diminution de l’effet de masse, le couplage entre la couche métallique et la couche piézoélectrique diminuant avec l’augmentation de l’épaisseur de SiO 2 .
On peut donc avoir avantage à maximiser l’épaisseur de la couche de SiO 2 .
On constate également que des réponses parasites proches de 2,7 GHz n’apparaissent que pour des épaisseurs de SiO 2 supérieures à 200 nm, comme visible sur les graphes E) et F) mais pas sur les graphes A) à D).
Ainsi, on peut avoir avantage à utiliser une couche d’oxyde d’épaisseur inférieure à 200 nm, par exemple comprise entre 50 m et 200 nm, préférablement entre 100 nm et 200 nm, pour éviter l’apparition de telles réponses parasites.
Modélisations 5 – couche diélectrique et ondes de surface
Une cinquième série de modélisations a permis d’évaluer l’effet de l’épaisseur de la couche diélectrique 230 sur les grandeurs caractéristiques des ondes de surface ainsi que la permittivité diélectrique.