INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Un morceau de film de protéines glycosylées et de fibres amyloïdes, i.e. de mucines et de protéines de filament intermédiaire, (1 cm x 2 mm) a été connecté à deux électrodes en carbone vitreux (diamètre : 6 mm). La connexion entre le film et le carbone vitreux a été fait en humidifiant le film au niveau des points de contact. Un espace de 1 mm sépare les deux électrodes de carbone vitreux ( (A)). Ce dispositif est ensuite placé dans une enceinte hermétique. Une solution de KCl saturée est placée dans l’enceinte hermétique afin de maintenir une humidité relative (HR) de 85 % ( (B)). Le film de protéines est placé dans l’enceinte climatique à haute humidité (85 %) et l’enceinte a été dégazée avec de l’azote (N 2 ) pendant 18h.
La différence de potentiel électrique en circuit ouvert (E OC ) entre les deux électrodes a été enregistrée durant le dégazage ( (C)).
On peut constater que l’E OC observée pendant le dégazage est instable durant les 7 premières heures. Par la suite, on peut voir une stabilisation aux environs de 10 mV.
Une fois le dégazage terminé, une première courbe d’intensité-potentiel (I-V) a été réalisée entre 0 et 3V à une vitesse de 5 mV/s ( (A), ligne discontinue). Cette courbe peut être décomposée en 3 phases : Phase 1 : entre 0 V et 1.4 V, un très faible courant est observé, Phase 2 : entre 1.4 V et 2.6 V, une légère augmentation de courant est observée, ce qui correspond au début de l’électrolyse de l’eau qui intervient à partir de 1.23 V. Phase 3 : entre 2.6 V et 3 V, une augmentation du courant jusqu’à 80 µA et qui correspond à l’électrolyse de l’eau puisque le potentiel électrique est supérieur à 1.23 V.
Ensuite une chronoampérométrie à 3 V vs E ref a été réalisée pendant 2h afin d’observer l’évolution du courant en fonction du temps ( (B)). On peut constater dans un premier temps qu’il y a une diminution du courant au cours des premières minutes. Cela correspond à la stabilisation du système suite à la courbe I-V réalisée précédemment. Dans un second temps, il y a une augmentation du courant au cours du temps puisqu’il passe de 40 µA à 120 µA. Pendant cette étape, l’oxydation de l’eau intervient du côté anode et la réduction des protons en hydrogène du côté de la cathode.
Cela permet de stabiliser le mouvement en translation des moyens de déverrouillage et donc d’éviter un décalage de l’un des composants des moyens de déverrouillage.
L’invention concerne également une soufflante pour turbomachine d’aéronef montée mobile en rotation autour d’un axe de rotation R, caractérisée en ce qu’elle comprend un cône d’entrée selon l’un des modes de réalisation précités.
Selon un aspect d’au moins un mode de réalisation de la soufflante, le passage de ladite position engagée à ladite position désengagée se fait par la rotation dudit cône d’entrée par rapport audit au moins un organe de blocage dans le sens de rotation correspondant au sens de rotation de ladite soufflante autour de l’axe de rotation R.
est une vue latérale en coupe illustrant schématiquement un cône d’entrée selon un mode de réalisation de l’invention, le dispositif de blocage étant en position engagée, les moyens de déverrouillage étant en position initiale ;
est une vue détaillée des moyens de déverrouillage, en position de déverrouillage ;
est une vue détaillée de la , illustrant la bague de déverrouillage et l’organe de blocage en rotation ;
est une vue en perspective arrière du cône d’entrée de la ;
est une vue schématique de face du fonctionnement du dispositif de blocage par rapport à la première plateforme d’appui ;
est une vue latérale en coupe illustrant schématiquement un cône d’entrée selon un deuxième mode de réalisation de l’invention, le dispositif de blocage étant en position engagée, les moyens de déverrouillage étant en position initiale, et
Il est à noter que, dans toute la description, les termes « amont » et « aval » sont à considérer selon la direction principale d’écoulement des gaz au sein de la turbomachine, et donc à leur arrivée sur la surface externe du cône d’entrée par le biais du flux d’air F.
Ladite pièce intercalaire peut prendre la forme d’une pièce comprenant, entre son entrée et sa série de sorties, un ensemble de canaux reliant ladite entrée à chacune des sorties de telle sorte que le liquide provenant de ladite entrée se repartisse entre chacune des sorties.
Ladite pièce intercalaire peut notamment être obtenue par moulage ou impression additive. Elle est préférentiellement en plastique. Dans ce dernier cas, on comprend que ladite pièce intercalaire peut-être fabriquée à un coût limité et ainsi constituer un consommable remplaçable après chaque cycle d’utilisation.
La circulation du milieu de culture depuis sa source vers les boites de culture cellulaire peut être engendrée par une pompe placée en un point quelconque du circuit.
Afin d’évacuer le milieu de culture usagé des boites de culture vers un récipient de recueil des milieux usagés ou cellules, un autre dispositif 1 selon l’invention peut être disposé entre ledit récipient de recueil des milieux usagés ou cellules et les boites de culture. Alternativement, le même dispositif 1 que celui mis en œuvre entre la source de milieu de culture et les boites de culture peut être utilisé à cet effet.
De façon analogue à ce qui a été décrit précédemment pour la circulation du milieu de culture de sa source vers les boites de culture, le milieu usagé est prélevé de chacune des boites via un tube souple compris dans une série de tubes souples. Cette dernière peut être connectée à une pièce intercalaire telle que décrite précédemment comprenant une série d’entrée communiquant toutes avec une même sortie reliée au récipient de recueil des milieux usagés ou cellules.
La circulation du milieu de culture des boites de culture cellulaire vers le récipient de recueil des milieux usagés ou cellules peut être engendrée par une pompe placée en aval de ladite boite. Ladite pompe peut être identique ou différente à celle utilisée pour La circulation du milieu de culture depuis sa source vers les boites de culture cellulaire.
Le dispositif 1 selon l’invention va permettre d’ouvrir ou de fermer le passage du liquide dans chaque tube souple compris dans la série de tubes souples. Ladite fermeture est provoquée par l’écrasement dudit tube souple entre deux mors 21, 22 d’une même pince 20.
Les pinces 20, de l’ensemble de pinces 20, comprennent : - un premier mors 21 disposé sur un levier 30 et, - un deuxième mors 22 formant une mâchoire avec ledit premier mors 21.
Les deux mors 21, 22 peuvent prendre des formes variées. Préférentiellement, chacun des deux mors 21, 22 a, en coupe droite, une forme de dôme dont la pointe s’étend en direction du mors complémentaire de la même mâchoire.
Le levier 30 présente une extrémité distale et une extrémité proximale entre lesquelles s’étend un bras 31. L’extrémité proximale comprend un logement apte à recevoir une tige formant un axe B de pivotement. Cette dernière a avantageusement un axe longitudinal perpendiculaire à l’axe du bras 31.
L’extrémité distale peut avantageusement comprendre une languette 33 destinée à permettre l'ouverture de la pince par un utilisateur. Ladite languette 33 permet à l’utilisateur de débrayer la pince 20 en position ouverte pour placer entre les mors 21, 22 un des tubes flexibles de la série de tubes flexibles.
Le premier mors 21 peut être disposé à la surface du bras 31. Alternativement, il peut être déporté à l’aplomb ou au-dessous dudit bras 31. Dans ce dernier mode de réalisation, le déport du mors 21 peut être réalisé via une lame 32 s’étendant à partir du bras 31. Avantageusement, le bras à une forme de L sur la base duquel est placé le premier mors 21.
Le levier 30 comprend en outre une pièce suiveuse 34 destinée à interagir avec le profil de came. La pièce suiveuse 34 est avantageusement un téton s’étendant du bras 31 en direction du profil de came.
Préférentiellement le levier 30 est une pièce monobloc. Ledit bras de levier 30 peut être fabriqué par moulage ou par impression additive.
Le deuxième mors 22 de la pince 20 peut être fixe ou mobile. Préférentiellement ledit mors 22 est fixe. Par « fixe », on entend désigner le fait que lors du passage de la mâchoire de la position ouverte à la position fermée, le deuxième mors 22 est immobile, la mâchoire se fermant uniquement par rapprochement du premier 21 vers le deuxième mors 22. Dans ce dernier mode de réalisation, le deuxième mors 22 est disposée avantageusement sur le chemin destiné à recevoir le tube flexible.
Le mouvement des mors 21, 22 entre ladite position ouverte et ladite position fermée peut être avantageusement limitée par une première butée 51 limitant le déplacement dudit levier en position ouverte et une deuxième butée 52 limitant le déplacement en position fermée. Avantageusement, les butées 51, 52 sont disposées de sorte à limiter le déplacement du levier 30 et sont encore plus avantageusement associées au châssis 70.
SYSTEME SUR PUCE INTEGRANT UN CIRCUIT D’ACCES DIRECT EN MEMOIRE ET PROCEDE CORRESPONDANT Des modes de réalisation et de mise en œuvre concernent les systèmes sur puce, notamment un contrôleur d’accès direct en mémoire intégré à des systèmes sur puce.
Les microcontrôleurs et les processeurs au sein d’un système sur puce possèdent généralement des fonctions pouvant être utilisées par certaines applications lorsque celles-ci sont exécutées par le processeur. Certaines de ces fonctions nécessitent d’être protégées contre des actions non-autorisées, comme par exemple une intrusion non-autorisée dans la mémoire du système permettant d’avoir accès à des données sensibles, ou un blocage des fonctions critiques du système.
Pour éviter ces actions non-autorisées, ces fonctions sont réparties dans des contextes de niveau de droit d’accès sécurisés et non-sécurisés distincts. Les fonctions dans le contexte sécurisé sont seulement accessibles par un programme sécurisé du système sur puce, ce qui est uniquement possible quand le processeur du système est dans un état sécurisé.
Il convient de définir les contextes sécurisés et non-sécurisés de façon que le contexte du système sur puce puisse s’adapter à l’application à exécuter. En effet, certains périphériques mettent en œuvre des fonctions sécurisées et le système doit être dans le contexte sécurisé pour les utiliser, tandis que d’autres périphériques mettent en œuvre des fonctions non-sécurisées et le système doit être dans le contexte non-sécurisé pour les utiliser. Il existe également des périphériques dont le niveau de droit d’accès, sécurisé ou non-sécurisé, peut changer selon leurs utilisations.
Les périphériques de niveau de droit d’accès « sécurisé » sont seulement accessibles par le programme sécurisé, tandis que les périphériques de niveau de droit d’accès « non-sécurisé » peuvent être accessibles par le programme sécurisé ou également par un programme non-sécurisé du système lors de leurs exécutions par le processeur.
Typiquement, certains périphériques peuvent être accessibles par un contrôleur d’accès direct en mémoire (plus connu sous l’acronyme « DMA » des termes anglais usuels « Direct Memory Access ») qui est un dispositif maître d’un bus de communication du système, sur lequel peuvent être reliés les processeurs, les périphériques et les mémoires. À la réception d'une requête de transfert d’accès direct en mémoire provenant d'un périphérique, le contrôleur d’accès direct en mémoire effectue un ou plusieurs accès aux registres de ce périphérique. Lorsque le périphérique dispose d’un niveau de droit d’accès « sécurisé », le contrôleur d’accès direct en mémoire doit avoir le niveau de droit d’accès « sécurisé », de la même façon que le processeur.
Le contrôleur d’accès direct en mémoire est donc souvent utilisé dans les systèmes sur puce pour réaliser des transferts de données entre un périphérique et une région mémoire indépendamment du processeur afin d’éviter des interruptions pouvant ralentir le fonctionnement du processeur.
En effet, un contrôleur d’accès direct en mémoire peut être requis par des applications sécurisées pour transférer des données entre des périphériques sécurisés et une région mémoire sécurisée, et aussi par des applications non-sécurisées pour transférer des données entre des périphériques non sécurisés et une région mémoire non-sécurisée.
Pour empêcher une perte ou un vol des données sensibles, il convient de ne pas permettre aux applications non-sécurisées de configurer le contrôleur d’accès direct en mémoire dans un état sécurisé, qui leur permettrait d’accéder aux régions mémoires sécurisées et aux périphériques sécurisés. Par ailleurs, les requêtes d’accès direct en mémoire provenant des périphériques de niveau de droit d’accès sécurisé ne doivent typiquement pas être acheminées vers un contrôleur d’accès direct en mémoire dans en état non sécurisé.
Etant donné que plusieurs périphériques peuvent être programmés de façon à avoir un niveau de droit d’accès sécurisé ou non-sécurisé, l’état du contrôleur d’accès direct en mémoire est généralement défini par le niveau de droit d’accès sécurisé ou non-sécurisé de la requête générée par chaque périphérique et étant adressée au contrôleur. Le niveau de droit d’accès de la requête est typiquement défini par le niveau de droit d’accès sécurisé ou non-sécurisé du périphérique à l’origine de la requête.
A cet effet, les contrôleurs d’accès direct en mémoire classiques disposent de plusieurs canaux permettant d’acheminer les requêtes des périphériques vers le contrôleur, et le niveau de droits d’accès du contrôleur d’accès direct en mémoire est typiquement programmable pour chaque canal. Classiquement, le programme sécurisé est prévu pour configurer le niveau de droit d’accès de chaque canal du contrôleur d’accès direct en mémoire, selon le niveau de droit d’accès de la requête reçue par le contrôleur.
En outre, les canaux des contrôleurs classiques sont typiquement peu nombreux par rapport au nombre de périphériques du système. En conséquence, le programme sécurisé doit attribuer dynamiquement des canaux aux différents périphériques et définir leurs niveaux de droit d’accès en fonction des périphériques qui sont actifs et de leurs niveaux de droit d’accès respectifs. De plus, la réattribution régulière des canaux à des périphériques génère systématiquement des interruptions et des mises en œuvre du programme sécurisé, ce qui détériore les performances globales du système.
Par conséquent, les contrôleurs d’accès direct en mémoire classiques sont complexes sur le plan de leurs conceptions et de leurs utilisations.
Ainsi, il existe un besoin de proposer des solutions ne subissant pas les inconvénients susmentionnés.
Des modes de mise en œuvre et de réalisation proposent un contrôleur d’accès direct en mémoire simple et capable de gérer les accès directs en mémoire de façon autonome sans configuration du contrôleur par le logiciel sécurisé du système sur puce.
Selon un aspect, il est proposé un système sur puce comportant un circuit de mémoire comprenant une première région mémoire accessible avec un premier niveau de droit d’accès et une deuxième région mémoire accessible avec le premier niveau de droit d’accès ou un deuxième niveau de droit d’accès, au moins un premier périphérique ayant le premier niveau de droit d’accès, au moins un deuxième périphérique ayant le deuxième niveau de droit d’accès, et un circuit d’accès direct en mémoire apte à générer des accès directs en mémoire.
Un matériau activé tel que décrit ici peut comprendre au moins un matériau additionnel électriquement conducteur.
Un matériau additionnel électriquement conducteur peut être une fibre de carbone, une fibre métallique, des polymères conjugués, ou des nanoparticules.
Un matériau activé tel que décrit peut être configuré sous forme d’un textile tissé ou non-tissé.
Selon un de ses aspects, la présente invention concerne l’utilisation d’un matériau activé tel que défini ici, en particulier obtenu par un procédé tel que défini ici, pour générer une énergie électrique à partir d’une atmosphère environnante humide.
Le matériau ainsi utilisé peut être électriquement connecté à une première et à une seconde électrode. La première et/ou la seconde électrodes peuvent être choisies parmi des électrodes d’or, d’argent, de platine, d’aluminium ou de carbone.
Selon un autre de ses aspects, la présente invention concerne un dispositif de production d’énergie électrique comprenant :
(a) au moins un matériau activé tel que défini ici, en particulier obtenu par un procédé tel que défini ici,
(b) au moins une paire d’électrodes comprenant une première électrode et une seconde électrode, lesdites électrodes étant électriquement connectées audit matériau,
ledit matériau étant destiné à, ou configuré pour, être exposé au moins partiellement, à une atmosphère environnante humide.
Un dispositif de production d’énergie tel que décrit ici est configuré pour assurer l’exposition d’au moins une partie du matériau activé tel que décrit ici à une atmosphère environnante humide.
Selon un autre de ses aspects, la présence invention concerne une utilisation d’un dispositif de production d’énergie tel que décrit ici pour alimenter en énergie électrique un appareil électrique ou électronique destiné à, ou configuré pour, être alimenté en énergie électrique.
Selon un autre de ses aspects, la présente invention concerne un procédé pour alimenter en énergie électrique un appareil électrique ou électronique destiné à être alimenté en énergie électrique, le procédé comprenant au moins une étape consistant à exposer à une atmosphère environnante humide, au moins partiellement, au moins un matériau activé tel que défini ici, en particulier obtenu par un procédé tel que défini ici, ledit matériau étant arrangé dans un dispositif de production d’énergie électrique tel que décrit ici, ledit dispositif étant électriquement connecté audit appareil électrique.
Selon un autre de ses aspects, la présente invention concerne un procédé pour alimenter en énergie électrique un appareil électrique ou électronique destiné à, ou configuré pour, être alimenté en énergie électrique, le procédé comprenant au moins les étapes consistant à :
a) connecter électriquement un dispositif, tel que décrit ici, à un appareil électrique ou électronique destiné à être alimenté en énergie électrique, et
b) exposer, au moins partiellement, ledit matériau à une atmosphère environnante humide.
Selon un autre de ses aspects, la présente invention concerne un procédé de fabrication d’un dispositif tel que décrit ici, en particulier obtenu par un procédé tel que défini ici, comprenant au moins une étape consistant à connecter électriquement un matériau activé tel que décrit ici à une première et à une seconde électrode d’une paire d’électrodes.
A l’issue de l’ouverture 100 des commutateurs primaires 22, de la fermeture 105 du ou des éventuels autres commutateurs primaires 22, et de la fermeture 110 de l’au moins un commutateur secondaire 24, le procédé comprend, lors de l’étape suivante 120, l’assignation d’une valeur à l’au moins un memristor 20 de ladite au moins une cellule mémoire 10, avec une tension de programmation correspondant à la valeur entre l’au moins une première borne principale 12 et l’au moins une borne auxiliaire 16 de ladite au moins une cellule mémoire 10.
Lors de cette étape d’assignation 120, le troisième contrôleur 46 applique alors le premier potentiel électrique V1 au(x) ligne(s) de source 36 agencée(s) du côté de l’au moins une première borne principale 12, et respectivement le deuxième potentiel électrique V2 au(x) autre(s) ligne(s) de source 36, agencée(s) du côté l’au moins une borne auxiliaire 16, la tension de programmation correspondant à la valeur assignée étant égale à la différence entre les premier V1 et deuxième V2 potentiels.
L’homme du métier comprendra alors que pour assigner l’état bas LRS au(x) memristor(s) 20 qui sont programmés, cette assignation de l’état bas LRS correspondant à l’opération SET, le troisième contrôleur 46 sélectionne une valeur plus élevée, telle que la valeur VH, pour le premier potentiel que celle sélectionnée pour le deuxième potentiel, telle que la valeur VL, avec VH supérieur à VL par convention, la tension appliquée au(x) memristor(s) 20 étant alors égale à VH-VL.
Inversement, pour assigner l’état haut HRS au(x) memristor(s) 20 qui sont programmés, cette assignation de l’état haut HRS correspondant à l’opération RESET, le troisième contrôleur 46 sélectionne une valeur plus faible, telle que la valeur VL, pour le premier potentiel que celle sélectionnée pour le deuxième potentiel, telle que la valeur VH, avec VH > VL, la tension appliquée au(x) memristor(s) 20 étant alors égale à VL-VH.
Pour la programmation de chaque memristor 20, la tension de programmation est typiquement égale à environ 2 volts, et la valeur VH est par exemple égale à environ 2 volts, pendant que la valeur VL est sensiblement nulle.
Pour la lecture de chaque memristor 20, la tension de lecture est plus faible et typiquement comprise entre environ 0,1 et 0,4 volt, et la valeur VH est par exemple comprise entre environ 0,1 et 0,4 volt, pendant que la valeur VL est sensiblement nulle.
Par convention encore, une résistance plus faible du memristor 20 correspondant son état bas LRS est associée à une valeur plus faible que celle associée à une résistance plus élevée du memristor 20 correspondant son état haut HRS. À titre d’exemple, l’état bas LRS du memristor 20 correspond à un poids faible, c’est-à-dire un « 0 » logique ; et l’état haut HRS du memristor 20 correspond à un poids fort, c’est-à-dire un « 1 » logique.
En complément, plusieurs niveaux distincts de l’état bas LRS et/ou de l’état haut HRS sont utilisés, afin d’avoir plus de deux valeurs de programmation possibles pour le memristor 20. La pluralité de niveaux distincts est de préférence associée à l’état bas LRS, celui-ci étant plus facilement contrôlable que l’état haut HRS.
L’homme du métier comprendra alors que pour assigner, via l’opération SET, l’état bas LRS à l’un des memristors 20 de la cellule mémoire 10 encadrée en trait pointillé de la rangée 52 d’indice égal à 1 dans l’exemple de la ou au memristor 20 de la cellule mémoire 10 encadrée en trait pointillé dans l’exemple de la , le premier potentiel de valeur égale à VH est appliqué à la ligne de source supplémentaire SL 0 , pendant que le deuxième potentiel de valeur égale à VL est appliqué aux lignes de source SL 1 , SL 2 , …, SL N . Inversement, dans cet exemple de la ou de la , pour assigner, via l’opération RESET, l’état haut HRS au memristor 20 précité, la valeur du premier potentiel appliqué à la ligne de source supplémentaire SL 0 est égale à VL, pendant que la valeur du deuxième potentiel appliqué aux lignes de source SL 1 , SL 2 , …, SL N est égale à VH.
Comme décrit précédemment, ce positionnement du potentiel de chacune des lignes de source 36 à l’une ou l’autre valeur est typiquement effectuée en commandant les multiplexeurs 72 de manière correspondante via le positionnement d’un message respectif sur le bus de sélection 74. À titre d’exemple, en supposant qu’un bit de valeur 1 commande la sélection de la valeur VH par le multiplexeur 72, et respectivement qu’un bit de valeur 0 commande la sélection de la valeur VL par ledit multiplexeur 72, et en outre que - pour le message appliqué sur le bus de sélection 74 - le premier bit du message est associé au premier multiplexeur, par convention celui associé la ligne de source supplémentaire SL 0 , et respectivement le dernier bit du message est associé au dernier multiplexeur, par convention celui associé la ligne de source SL N , alors l’état bas LRS est assigné, via l’opération SET, au memristor 20 précité à la ou 5 en positionnant le message (1000) sur le bus de sélection 74 ; et inversement l’état haut HRS est assigné, via l’opération RESET, à ce memristor 20 en positionnant le message (0111) sur ledit bus de sélection 74.