INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
On vient ensuite former une métallisation 129 s’étendant sur et en contact avec la face supérieure de la membrane 113, en vis à vis de la cavité 109 du transducteur, par exemple sur la majeure partie de la surface de la cavité 109 ou sur sensiblement toute la surface de la cavité 109. La métallisation 129 s’étend en outre sur les flancs et au fond de l’ouverture 127. En particulier, la métallisation 129 vient en contact avec la face supérieure de la zone 123 du substrat 101 délimitée latéralement par la tranchée 121. Ainsi, la métallisation 129 est reliée électriquement à la métallisation inférieure 125a du transducteur par l’intermédiaire de la zone 123 du substrat 101. La métallisation 129 est en revanche isolée électriquement du reste du substrat 101. Ainsi, les métallisations 125a et 125b sont reliées électriquement respectivement à l’électrode supérieure et à l’électrode inférieure du transducteur CMUT. A titre d’exemple, pour former les métallisations 129, une couche métallique est d’abord déposée pleine plaque, sur toute la surface supérieure de la structure, cette couche étant ensuite gravée localement pour isoler électriquement les unes des autres les électrodes des différents transducteurs. Dans le cas où la couche semiconductrice 113 est dopée, la gravure peut être prolongée à travers la couche 113, de façon à isoler électriquement les unes des autres les électrodes des différents transducteurs.
La illustre la structure obtenue à l’issue d’une étape de report et de fixation de la structure de la sur un circuit électronique de contrôle 150. Le circuit électronique 150 est par exemple un circuit intégré préalablement formé dans et sur un substrat semiconducteur, par exemple un substrat en silicium. Le circuit électronique 150 est par exemple réalisé en technologie CMOS (de l’anglais « «Complementary Metal Oxide Semiconductor » - métal oxyde semiconducteur complémentaire). Le circuit électronique 150 est par exemple configuré pour, lors d'une phase d'émission, appliquer entre les électrodes de chaque transducteur une tension alternative d'excitation superposée à une tension de polarisation continue, de façon à provoquer l'émission d'une onde acoustique ultrasonore par le transducteur, et, lors d'une phase de réception, appliquer entre les électrodes de chaque transducteur une tension de polarisation continue et lire entre lesdites électrodes une tension alternative générée sous l'effet d'une onde acoustique ultrasonore reçue. Le substrat dans et sur lequel est intégré le circuit 150 correspond par exemple à une tranche (wafer en anglais) de silicium ou à une portion de tranche de silicium. Ainsi, dans cet exemple, le report mis en œuvre lors de cette étape est un report de tranche à tranche. On parle aussi d’assemblage ou encapsulation à l’échelle de la tranche, ou WLP, de l’anglais « Wafer Level Packaging ».
Dans l’exemple représenté, le circuit électronique 150 comprend, du côté de sa face supérieure, pour chaque transducteur CMUT de la structure de la , deux métallisations de connexion 151a et 151b destinées à être connectées respectivement aux métallisations de connexion 125a et 125b du transducteur.
Dans cet exemple, lors du report, chaque métallisation 125a de la structure de la est mise en contact, par sa face inférieure, avec la face supérieure d’une métallisation 151a correspondante du circuit électronique 150, et chaque métallisation 125b de la structure de la est mise en contact, par sa face inférieure, avec la face supérieure d’une métallisation 151b correspondante du circuit électronique 150. La fixation des métallisations 125a, 125b aux métallisations 150a, 150b peut être une fixation par collage direct, par thermocompression, par collage eutectique, au moyen d’une couche de soudure, de plots de soudure, de billes de soudure, ou par tout autre moyen connu de fixation et de connexion électrique de métallisations de contact.
A titre de variante, non représentée, pour améliorer la tenue mécanique de l’assemblage lors des diverses étapes du procédé, la fixation du circuit intégré de contrôle 150 sur la structure de transducteurs CMUT peut être réalisée après les étapes de la et avant l’étape de retrait de la couche support 117 ( ).
La structure de la peut ensuite être découpée en une pluralité de puces individuelles comprenant chacune un ou plusieurs transducteurs CMUT, par exemple une matrice de transducteurs CMUT, et un circuit électronique de contrôle du ou des transducteurs CMUT de la puce. La découpe est par exemple réalisée par sciage, par exemple de façon similaire à ce qui a été illustré dans l’exemple décrit ci-après de la .
Les figures 2A à 2E illustrent un autre exemple de mise en œuvre d’étapes de reprise de contact sur les transducteurs CMUT réalisés par le procédé des figures 1A à 1E.
Le procédé des figures 2A à 2E diffère du procédé des figures 1F à 1I principalement en ce que, dans le procédé des figures 2A à 2E, l’assemblage des transducteurs et du circuit électrique de contrôle des transducteurs est réalisé à l’échelle de la puce individuelle, et non pas à l’échelle du substrat ou wafer (avant découpe en puces individuelles) comme dans le procédé des figures 1F à 1I.
Le procédé des figures 2A à 2F comprend des étapes identiques ou similaires à celles décrites ci-dessus en relation avec la d’amincissement du substrat 101, de formation de tranchées d’isolation 121 délimitant des zones de connexion 123 du substrat, et de formation de métallisations de contact 125a, 125b sur la face inférieure du substrat 101.
La illustre plus particulièrement une étape de report et de fixation de la structure de la sur une structure d’interconnexion 210.
La structure d’interconnexion 210 est par exemple formée dans et sur un substrat semiconducteur 211, par exemple un substrat en silicium. Le substrat 211 est de préférence relativement fortement dopé. A titre d’exemple, le substrat 211 est un substrat en silicium de niveau de dopage compris entre 10 13 et 10 18 atomes/cm 3 . L’épaisseur du substrat 211 est par exemple comprise entre 30 µm et 1 mm.
La structure d’interconnexion 210 comprend, pour chaque transducteur CMUT de la structure de la , deux métallisations de contact 213a et 213b disposées sur et en contact avec la face supérieure du substrat 211 et destinées à être connectées respectivement aux métallisations de contact 125a et 125b du transducteur. La structure d’interconnexion 210 comprend en outre, pour chaque transducteur CMUT de la structure de la deux métallisations de contact 215a et 215b disposées sur et en contact avec la face inférieure du substrat 211, par exemple à l’aplomb respectivement des métallisations de contact 213a et 213b. La structure d’interconnexion 210 comprend en outre des tranchées d’isolation verticales 217, par exemple similaires aux tranchées 121 de la structure de la , s’étendant sur toute l’épaisseur du substrat 211. Les tranchées 217 sont agencées de façon que, pour chaque transducteur CMUT, les métallisations de connexion 213a et 215a associées au transducteur soient reliées électriquement l’une à l’autre par une zone du substrat 211 et soient isolées électriquement des métallisations de contact 213b et 215b du transducteur ainsi que des métallisations de contact 213a, 215a, 213b, 215b des autres transducteurs.
La structure d’interconnexion 210 peut être réalisée séparément, puis reportée et fixée sur la face inférieure de la structure de la . Le report est par exemple réalisé à l’échelle du substrat ou wafer (WLP).
Dans cet exemple, lors du report, chaque métallisation 125a de la structure de la est mise en contact, par sa face inférieure, avec la face supérieure d’une métallisation 213a correspondante de la structure d’interconnexion 210, et chaque métallisation 125b de la structure de la est mise en contact, par sa face inférieure, avec la face supérieure d’une métallisation 213b correspondante de la structure d’interconnexion 210. La fixation des métallisations 125a, 125b aux métallisation 213a, 213b peut être une fixation par collage direct, par thermocompression, au moyen d’une couche de soudure, de plots de soudure, de billes de soudure, ou par toute autre moyen connu de fixation et connexion électrique de métallisations de contact.
La illustre la structure obtenue à l’issue d’une étape de reprise d’un contact électrique sur la membrane (et électrode supérieure) 113 de chaque transducteur CMUT. Cette étape est similaire à ce qui a été décrit ci-dessus en relation avec la .
Dans cette mise en œuvre, de préférence, la partie restante des gaz qui ne sont pas introduits dans le dispositif par l’ouverture 14, entre dans la deuxième enceinte 107 par le sommet, par exemple à travers l’ouverture 9, ou par la base du lit de grains de catalyseur par exemple par l’ouverture 101 où le gaz se répand dans la deuxième zone inférieure vide 112 située entre la première et la deuxième enceinte et traverse la paroi inférieure poreuse 111 de la seconde enceinte et se mélange avec les gaz de régénération majoritairement introduits par l’ouverture 14.
Dans un mode de réalisation, la zone inférieure vide 112 est préférentiellement en légère surpression par rapport à la zone inférieure du lit de grains de catalyseur contenu dans la deuxième enceinte 107. Ceci est réalisé par exemple en injectant des petites quantités de gaz à travers l’ouverture 101. Grace à la perte de charge offerte au passage de ce gaz à travers la paroi inférieure poreuse 111 de la seconde enceinte, l’espace vide 112 est alors en surpression par rapport au lit de grains de catalyseur, ce qui limite le passage de gaz du lit de grains de catalyseur vers la zone inférieure vide 112.
Le fait d’introduire dans le dispositif de régénération 100 ladite partie restante des gaz par la base ou le sommet du lit de grain de catalyseur permet d’une part de régénérer les grains de catalyseur situés au-dessus du sommet des parties poreuse des parois latérales 105 et 108, et d’autre part d’éviter que du gaz traversant le lit radialement contourne celui-ci en circulant dans l’espace vide 115 situé au-dessus du lit ou dans la zone inférieure vide 112 située au-dessous de la paroi inférieure poreuse 111 de la seconde enceinte. En effet les gaz de régénération ont tendance à s’écouler à travers les zones offrant le moins de résistance à l’écoulement et offrant donc une perte de charge plus faible. En renforçant la résistance à l’écoulement dans les espaces vide 115 et 112 on optimise donc l’écoulement radial des gaz de régénération traversant le lit de grains de catalyseur.
La présence d’une ou plusieurs plaques 113 au sein de la deuxième enceinte 107 du dispositif de régénération 100, permet d’accroitre la résistance à l’écoulement des gaz dans l’espace vide 115. De préférence, la partie haute de la ou des plaques 113 émerge au-dessus du lit de grains de catalyseur dans l’espace vide 115 de la deuxième enceinte 107.
De préférence, la vitesse radiale des gaz pendant la phase de régénération en entrée de lit de catalyseur en périphérie est comprise entre 0,02 et 0,5m/s.
De préférence, la vitesse radiale dans les mêmes conditions mais en sortie du lit de catalyseur sera préférentiellement comprise entre 0,25 et 2,5 m/s.
Dans un mode de réalisation, l’ouverture 14 pour l’admission des gaz de régénération au sein du dispositif de régénération 100 est en connexion fluidique avec un circuit gazeux permettant de recycler en partie les gaz entrant dans ledit dispositif. Une vanne d’isolement est préférentiellement positionnée sur ce conduit. De préférence, cette ouverture est utilisée également si nécessaire pour introduction dans le dispositif des gaz permettant de sécher le lit de grains de catalyseur après chargement et pour purger le dispositif.
Dans un mode de réalisation, l’ouverture 15 qui permet l’évacuation des fumées de combustion résultant de la régénération du lit de grains de catalyseur ainsi que des gaz résultant du séchage du lit de grains de catalyseur après le chargement et la purge du dispositif de régénération 100 est reliée au circuit gazeux permettant de recycler en partie les gaz entrant dans le réacteur par l’ouverture 14. Une vanne d’isolement est préférentiellement positionnée sur ce conduit.
L’étape de combustion du coke et des composés soufrés est mise en œuvre de préférence en une étape de combustion contrôlée en présence d’oxygène.
D’une part, l’étape de combustion est mise en œuvre en limitant la concentration en oxygène disponible dans le gaz à l’entrée du dispositif de régénération à une teneur comprise de préférence entre 0,1 et 5% en volume. Cela permet de contrôler les conditions de mise en contact entre les combustibles déposés sur les grains de catalyseur (coke, soufre, azote) et le comburant (oxygène contenu dans le gaz de régénération) afin d’éviter la dégradation des propriétés des grains de catalyseur. En effet, les grains de catalyseur sont sensibles à la désactivation hydrothermale associée à la présence de vapeur d’eau à haute température.
Dans un mode de réalisation, le gaz de combustion comprend une teneur en oxygène contrôlée, typiquement entre 0,1% et 5%, préférentiellement comprise entre 0,3% et 1%.
D’autre part, l’étape de combustion est mise en œuvre en contrôlant la distribution du gaz afin que l’écoulement soit le plus uniforme possible au contact des grains de catalyseur.
Dans un mode de réalisation, le gaz de combustion est préchauffé à une température comprise entre 250 et 600°C préférentiellement comprise entre 275°C et 500°C.
Comme l’étape de combustion est mise en œuvre en limitant l’apport d’oxygène, cela permet de contrôler l’avancement des réactions de combustion et donc de limiter l’augmentation de la température. On monte donc progressivement la température du gaz à l’entrée du dispositif de régénération tout en limitant le gradient de température dans la zone de combustion afin de limiter la température en sortie du dispositif en dessous d’une valeur en général comprise entre 350 et 600°C en fonction de la nature des grains de catalyseur à régénérer.
Dans un mode de réalisation, la régénération s’effectue par paliers croissants de température, en limitant l’échauffement du lit de catalyseur à un gradient de température compris entre 10 et 100°C, préférentiellement compris entre 25 et 50°C.
Lorsque les valeurs de température de sortie et les valeurs de concentration en oxygène du gaz de combustion sortant se rapprochent des valeurs caractérisant le gaz en entrée, il est possible d’augmenter la température du gaz en entrée. L’étape de combustion est terminée typiquement lorsqu’on n’observe plus d’échauffement ou de consommation d’oxygène à la température maximum des gaz d’entrée admissible pour les grains de catalyseur.
gîte d’évaluation de population d’écrevisses L’invention concerne un dispositif qui permet d’attirer naturellement les différentes espèces d’écrevisses dans des loges sans avoir à recourir à des appâts ou à des pièges. Le but est de pouvoir détecter la présence d’écrevisse en plaçant les dispositifs dans les cours d’eau afin d’évaluer la présence ou l’absence d’écrevisses mais aussi d’en évaluer la population. Les données de colonisation des loges, obtenues grâce à l’utilisation d’un nombre important de dispositifs identiques permettent un suivi des populations à long terme. L’invention est un cylindre de 28 cm de diamètre et 10 cm d’épaisseur en ciment qui contient 6 loges (1) de forme subcylindrique de 8.5 cm de longueur, de 4 cm de diamètre au milieu et 3 cm de diamètre au niveau des extrémités. Le volume de ces loges est de 100 ml. Ces loges (1) sont disposées en étoile avec une extrémité débouchant sur l’extérieur du cylindre. Quatre logettes (2) en forme de parallélogramme de 3.5 cm de longueur, 2.5 cm de largeur et de 1cm d’épaisseur sont centrées entre les loges. Elles sont destinées à accueillir les juvéniles d’écrevisses. Elles débouchent par le petit côté (2.5 cm par 1 cm) à l’extérieur du cylindre. Des sillons (3) de 3 mm de côté, réalisés dans le sens de la longueur des loges (1), dans les parois hautes et basses, permettent d’y introduire un stylet afin d’extraire les écrevisses. Le dispositif global ainsi constitué pèse 10kg et sa forme lui permet de résister au courant. La face supérieure est décorée pour la rendre plus discrète dans le cours d’eau. vue d’ensemble du dispositif vue en coupe horizontale du dispositif
Système de pulvérisation comprenant des moyens de détection de surface foliaire La présente invention concerne le domaine de la pulvérisation.
L’objet de la présente invention concerne plus particulièrement un système de pulvérisation comprenant des moyens de détection de surface foliaire mettant en œuvre une technologie de de capteurs configurés pour une détection précise de la surface foliaire à traiter et une aspersion optimale de celle-ci.
La présente invention trouvera de façon non-exclusive des applications avantageuses dans le domaine agricole et/ou viticole et/ou arboricole en équipant un engin du type véhicule d’épandage comprenant des rampes de pulvérisation verticales et/ou horizontales (ou tout système équivalent) équipées d’une pluralité de buses de pulvérisation.
Art antérieur On connait dans le domaine agricole et/ou viticole et/ou arboricole les pulvérisateurs.
Les pulvérisateurs sont classiquement destinés à pulvériser sur les cultures des produits sous forme de liquide.
De tels pulvérisateurs sont par exemple utilisés pour appliquer sur les cultures des engrais pour désherber ou encore pour traiter les cultures contre certaines maladies et/ou lutter contre certains insectes (insectes, acariens, etc.) qui sont susceptibles de nuire à la récolte.
La montre quatre graphes illustrant les évolutions de grandeurs caractéristiques des ondes de surface ainsi que la permittivité diélectrique dans de telles structures en fonction de l’épaisseur de la couche diélectrique indiquée en abscisse, variant de 0 à 0,4 µm, avec en A) la vitesse de phase exprimée en m.s -1 et variant entre 4050 et 4140, en B) le coefficient de réflexion exprimé en pourcentage et variant entre 8 et 9,6, en C) le coefficient de couplage électromécanique k²s exprimé en pourcentage et variant entre 6,5 et 10, et en D) la permittivité diélectrique relative, sans dimension, variant entre 51 et 48,5.
Chaque graphe contient cinq courbes, correspondant respectivement à la nature de la couche métallique considérée (Al-Cu, Ti, Mo, Cu, Ni).
On peut constater de ces graphes que la vitesse de phase, le coefficient de réflexion et le coefficient de couplage électromécanique k S ² présentent chacun un maximum pour une épaisseur de SiO 2 inférieure à 600 nm, et même inférieure à 400 nm : autour de 50 nm pour la vitesse de phase, entre 80 nm et 180 nm pour le coefficient de réflexion selon la nature de la couche métallique, et entre 250 nm et 400 nm pour le coefficient de couplage électromécanique k S ².
Ainsi, afin de trouver un équilibre entre l’intérêt de maximiser l’épaisseur de SiO 2 et celui de maximiser l’un ou plusieurs des paramètres mentionnés dans le paragraphe précédent, on peut avantageusement choisir une épaisseur de SiO 2 comprise entre 25 nm et 2 µm, préférablement entre 50 nm et 600 nm, plus préférablement entre 50 nm et 400 nm, encore plus préférablement entre 250 nm et 400 nm.
Alternativement, on peut exprimer des valeurs préférentielles pour l’épaisseur de SiO 2 en termes relatifs par rapport à l’épaisseur de la couche métallique, auquel cas on peut avantageusement choisir une épaisseur de la couche diélectrique 230 comprise entre 0,5 et 40 fois, préférablement entre 10 et 40 fois, encore plus préférablement entre 20 et 40 fois l’épaisseur de la couche métallique 220.
On peut également chercher à exploiter l’existence des maxima, par exemple pour maximiser le couplage électromécanique k S ² en choisissant une épaisseur de SiO 2 comprise entre 250 nm et 400 nm, pour maximiser la vitesse de phase en choisissant une épaisseur de SiO 2 comprise entre 25 nm et 100 nm, ou encore pour maximiser le coefficient de réflexion en choisissant une épaisseur de SiO 2 comprise entre 80 nm et 180 nm.
Structure 2 – Double couche diélectrique Une alternative à placer la couche métallique 220 directement en contact avec le substrat 210 consiste à interposer une couche diélectrique optionnelle 330 entre eux, de manière à obtenir la structure en couche illustrée par la , dite « structure à couche diélectrique optionnelle ».
L’effet de masse est lié à l’augmentation de la masse par unité de volume du lieu de propagation de l’onde.
On peut considérer que l’onde est d’autant plus sensible aux propriétés du milieu que celui-ci coïncide avec la localisation de sa densité d’énergie maximum.
Ainsi, plus la couche métallique est comparativement lourde (e.g. 10,22 g.cm - ³ pour une couche métallique de molybdène contre 2,65 g.cm - ³ pour une couche diélectrique de silice) et se trouve proche de la couche piézoélectrique qui est le siège du maximum d’énergie de l’onde, plus la vitesse de phase sera ralentie par ledit effet de masse.
Éloigner cette couche métallique de forte masse volumique de la couche piézoélectrique par la présence d’une couche diélectrique de masse volumique plus faible se traduit de fait par une augmentation de ladite vitesse de phase.
Dans le cas d’une couche diélectrique optionnelle, il est naturellement tenu compte de l’effet de masse de l’ensemble des deux couches diélectriques (e.g. silice) toujours présentes dans l’empilement avec une somme d’épaisseurs constante d’un calcul à l’autre, seule la position de la couche métallique changeant et donc son influence sur la vitesse de phase au même titre.
On pourra se référer aux descriptions précédentes pour les éléments communs aux figures 2 et 8.
Modélisations 6
En ce qui concerne cette structure à couche diélectrique optionnelle illustrée par la , une sixième série de modélisations a permis d’évaluer l’effet des épaisseurs de la couche de diélectrique 230 interposée entre la couche piézoélectrique 240 et la couche métallique 220 et de la couche de diélectrique optionnelle 330 interposée entre le substrat 210 et la couche métallique 220 sur les caractéristiques du transducteur interdigité SAW 200.
A cette fin d’évaluation, on a considéré des structures similaires à celle de la , correspondant à la structure à couche métallique de la série de modélisations 1, aux différences près que cette fois la couche métallique est constituée de molybdène, que la couche diélectrique optionnelle 330 est présente, et que la couche diélectrique 230 et la couche diélectrique optionnelle 330 sont chacune constituées d’une couche d’oxyde de silicium SiO 2 dont on a fait varier l’épaisseur.
Dans un mode de réalisation, le procédé de régénération selon l’invention est caractérisé en ce que la section réactionnelle 40 d’hydroconversion comprend, au moins un, deux ou trois, réacteurs d’hydroconversion opérant en lit bouillonnant.
Dans un mode de réalisation, le transfert du catalyseur d’hydroconversion usé entre la section réactionnelle 40 et la section de régénération est réalisé par convoyage en phase liquide.
Lorsque le convoyage est réalisé en phase liquide, l’homme du métier sait déterminer la nature et le débit de liquide nécessaire pour atteindre une fluidisation du catalyseur suffisante et permettre son transport depuis une capacité vers une autre. Il est bien connu de l’homme du métier de mettre en œuvre une fluidisation douce afin d’éviter les chocs entre les grains de catalyseur en respectant une vitesse de fluide supérieure mais proche de la vitesse minimum de fluidisation du catalyseur.
Etape b) de chargement du dispositif de régénération
Selon l’invention, le procédé de régénération comprend une étape b) de chargement du dispositif de régénération 100 avec le catalyseur d’hydroconversion usé.