Laser à rétroaction distribuée (1000) comprenant : une structure en semi-conducteurs III-V (1010) comprenant une région active (1033) et un réseau (1020) gravé sur une surface de liaison de la structure en semi-conducteurs III-V pour fournir une rétroaction optique à la région active pour générer une lumière de sortie qui est délivrée en sortie de la région active ; et une structure en silicium (1005) comprenant un guide d’ondes en silicium (1025) pour recevoir la lumière de sortie provenant d’un premier côté et d’un deuxième côté de la région active de la structure en semi-conducteurs III-V, la structure en semi-conducteurs III-V étant liée à la structure en silicium de sorte que la surface de liaison soit liée à une surface de la structure en silicium. Laser à rétroaction distribuée selon la revendication 1, dans lequel le laser à rétroaction distribuée (1000) est un laser à rétroaction distribuée asymétrique configuré pour délivrer en sortie la lumière de sortie par un seul côté de la région active (1033). Laser à rétroaction distribuée selon la revendication 1, dans lequel la lumière de sortie est délivrée en sortie par le premier côté de la région active (1033) et dans lequel la lumière de sortie est en outre délivrée en sortie par le deuxième côté de la région active qui est opposé au premier côté. Laser à rétroaction distribuée selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel le premier côté et le deuxième côté de la région active (1033) sont séparés par le réseau qui est gravé sur la surface de liaison. Laser à rétroaction distribuée selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel la lumière de sortie est une lumière monomode. Laser à rétroaction distribuée selon la revendication 5, dans lequel le réseau fournit une rétroaction optique pour générer la lumière monomode. Laser à rétroaction distribuée selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel le réseau (1020) est configuré pour appliquer un décalage quart d’onde à la région active (1033) pour former la lumière de sortie. Laser à rétroaction distribuée selon la revendication 7, dans lequel le décalage quart d’onde du réseau (1020) génère une lumière monomode en tant que lumière de sortie. Laser à rétroaction distribuée selon la revendication 7 ou 8, dans lequel le réseau (1020) est configuré pour appliquer le décalage quart d’onde dans une partie médiane du réseau. Laser à rétroaction distribuée selon l’une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel le réseau est un réseau non uniforme qui décale une distribution optique vers l’un parmi : le premier côté de la région active, ou le deuxième côté de la région active. Laser à rétroaction distribuée selon l’une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel la structure en semi-conducteurs III-V (1010) comprend un premier amplificateur optique à semi-conducteurs pour amplifier une lumière provenant du premier côté de la région active vers le guide d’ondes en silicium (1025). Laser à rétroaction distribuée selon l’une quelconque des revendications 1 à 11, comprenant en outre un ou plusieurs coupleurs adiabatiques, dans lequel la lumière de sortie est couplée en provenance d’au moins l’un ou plusieurs parmi le premier côté ou le deuxième côté à l’aide des un ou plusieurs coupleurs adiabatiques pour coupler la lumière vers le guide d’ondes en silicium. Laser à rétroaction distribuée selon la revendication 12, dans lequel le coupleur adiabatique comprend un guide d’ondes III-V, le guide d’ondes III-V étant disposé au-dessus du guide d’ondes en silicium (1025), et dans lequel le guide d’ondes III-V et la couche de silicium sont séparés par une couche d’oxyde. Laser à rétroaction distribuée selon l’une quelconque des revendications 1 à 13, dans lequel la structure en semi-conducteurs III-V (1010) comprend un deuxième amplificateur optique à semi-conducteurs pour coupler la lumière provenant du deuxième côté de la région active vers le guide d’ondes en silicium de la structure en silicium. Laser à rétroaction distribuée selon l’une quelconque des revendications 1 à 14, dans lequel le guide d’ondes en silicium (1025) comprend une section de largeur étroite qui est à proximité de la région active (1033) de la structure en semi-conducteurs III-V (1010) qui est liée à la structure en silicium (1005), la section de largeur étroite minimisant un couplage de la région active à la section de largeur étroite du guide d’ondes en silicium. Laser à rétroaction distribuée selon la revendication 15, dans lequel le guide d’ondes en silicium (1025) comprend une ou plusieurs sections élargies qui sont plus larges que la section de largeur étroite pour coupler la lumière de sortie provenant de la structure en semi-conducteurs III-V vers le guide d’ondes en silicium. Laser à rétroaction distribuée selon l’une quelconque des revendications 1 à 16, dans lequel la lumière de sortie est couplée de la structure en semi-conducteurs III-V (1010) à la structure en silicium (1005) sans facette revêtant la structure en semi-conducteurs III-V. Procédé pour la fabrication d’un laser à rétroaction distribuée (1000) comprenant : la gravure (1210) d’un réseau (1020) sur une structure en semi-conducteurs III-V (1010), la structure en semi-conducteurs III-V comprenant une région active (1033) pour générer une lumière, le réseau étant gravé sur une surface de liaison de la structure en semi-conducteurs III-V pour fournir une rétroaction optique à la région active pour générer une lumière de sortie qui est délivrée en sortie par un premier côté et un deuxième côté de la région active ; et la liaison (1225) de la structure en semi-conducteurs III-V (1010) à une structure en silicium (1005), la structure en silicium comprenant un guide d’ondes en silicium (1025) pour recevoir la lumière de sortie provenant de la structure en semi-conducteurs III-V, la structure en semi-conducteurs III-V étant liée à la structure en silicium de sorte que la surface de liaison ayant le réseau soit liée à une surface de la structure en silicium pour coupler de manière optique la région active au guide d’onde en silicium. Procédé selon la revendication 18, dans lequel le premier côté et le deuxième côté de la région active (1033) sont séparés par le réseau (1020) qui est gravé sur la surface de liaison. Procédé selon la revendication 18 ou 19, dans lequel le réseau (1020) est gravé de telle sorte qu’un décalage quart d’onde soit appliqué à la région active (1033) pour former la lumière de sortie.