INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Plus exactement, une position de référence est déterminée sur l’afficheur AFF (préférentiellement affichée) et les coordonnées spatiales du premier indicateur visuel par rapport à la position de références sont fonction des coordonnées spatiales de position de la position relative déterminée. Par exemple, l’écart entre le premier élément visuel 31 et la position cible est fonction de la position relative.
Par ailleurs, le film semiconducteur FLMn peut être formé en silicium intrinsèque, ou en silicium dopé de type P à plus ou moins grande concentration d’espèce dopantes.
De manière analogue, film semiconducteur FLMp du transistor PMOS peut avantageusement être contraint en compression dans la direction de la région de canal du transistor PMOS, la région de canal du transistor PMOS étant adaptée à se former dans la région du film semiconducteur FLMp entre les bornes de conductions P+ du transistor PMOS, sous la région de grille PG. Le film semiconducteur FLMp peut avantageusement être formé en composition de silicium-germanium SiGe30%, avec une concentration de germanium supérieure à 25% en pourcentage atomique, par exemple 30%, pouvant être lui-aussi intrinsèque ou dopé de type N à plus ou moins grande concentration d’espèce dopantes.
Les régions de grilles NG, PG des transistors TNM, TPM comportent typiquement une couche conductrice et une couche diélectrique de grille située entre la couche conductrice et le film semiconducteur respectif FLMn, FLMp. Typiquement, la couche conductrice comporte une partie en métal ou en composé métallique, par exemple du nitrure de titane, située du côté de la région de canal par exemple sur la couche diélectrique de grille, et une partie en silicium polycristallin utilisée pour contacter électriquement la grille.
Avantageusement, la couche diélectrique de grille comprend une couche d’oxynitrure de silicium (« SiON », ou SiO x N y , par exemple Si 2 O 2 N avec x=1, y=0,5), par exemple dans une structure bi-couche comprenant une couche diélectrique à haute permittivité (usuellement « high-k »), tel que l’oxyde d’hafnium HfO 2 , et la couche d’oxynitrure de silicium SiON. La présence de l’oxynitrure de silicium permet d’augmenter la capacité de la région diélectrique de grille et ainsi d’améliorer les performances du transistor, par rapport à une couche classique en dioxyde de silicium. En effet, une plus grande capacité du diélectrique de grille engendre une augmentation du nombre de porteurs dans le canal pour une tension donnée, ce qui permet une conduction d’une plus grande quantité de courant. La concentration d’azote dans l’oxynitrure de silicium SiON permet par ailleurs de moduler la tension de seuil des transistors NMOS et PMOS.
Les différentes caractéristiques des transistors NMOS et PMOS décrites ci-dessus sont prévues d’une part afin de configurer les transistors NMOS et PMOS pour avoir des tensions de seuil nominales VTnom ( ) respectives dans la condition de polarisation arrière neutre NBB ( ) décrite ci-dessous ; et d’autre part simultanément afin de bénéficier de techniques susmentionnées d’amélioration des performances des transistors NMOS et PMOS.
Le dispositif semiconducteur DSOI comporte en effet un circuit d’alimentation ALM configuré pour générer des tensions +V 0 , -V 0 dans le caisson PW de type P et le caisson NW de type N, de manière à procurer sélectivement des conditions de polarisation arrière neutre NBB, directe FBB et inverse RBB ( ) au transistor NMOS et au transistor PMOS.
La condition de polarisation arrière neutre NBB est caractérisée par une génération d’une première tension négative non-nulle -V 0 , par exemple sensiblement -1 V (volt), dans le caisson PW du type P logeant le transistor NMOS ; ainsi qu’une première tension positive non-nulle +V 0 , par exemple sensiblement +1 V, dans le caisson NW du type N logeant le transistor PMOS.
A cet égard, le caisson PW du type P comporte une région de prise de contact P+ apte à recevoir la première tension négative -V 0 et le caisson NW du type N comporte une région de prise de contact N+ apte à recevoir la première tension positive +V 0 . Le dispositif DSOI peut comporter en outre un caisson d’isolation NISO, du type N, empêchant la polarisation du substrat porteur PSUB aux tensions -V 0 ou +V 0 appliquées dans les caissons PW ou NW, du fait des deux jonctions PN opposées, JPNiso et JNPiso. Des structures d’isolation latérales STI, par exemple des tranchées d’isolation peu profondes, sont typiquement prévues pour fournir une isolation électrique locale entre les éléments des caissons PW, NW, et en particulier pour former un accès aux caissons PW, NW respectifs par les prises de contact P+, N+.
Ainsi, étant donné que les transistors NMOS et PMOS sont spécifiquement configurés pour avoir une tension de seuil nominale, et donc un comportement nominal, dans la condition de polarisation arrière neutre « -V 0 ; +V 0 » (c’est-à-dire les tensions de seuil et le comportement prévus pour un fonctionnement normal du circuit), il est avantageusement possible de produire des polarisations arrières directes FBB et inverses RBB exploitables, à la fois pour les transistors NMOS et PMOS, sans dépasser la tension de seuil de la jonction PN entre les deux caissons.
La illustre la condition de polarisation arrière neutre NBB, la condition de polarisation arrière directe FBB et la condition de polarisation arrière inverse RBB, dans les caissons PW, NW du dispositif semiconducteur DSOI décrit en relation avec la .
On rappelle que le circuit d’alimentation ALM est configuré pour générer une première tension négative non-nulle -V 0 , par exemple sensiblement -1 V voire -1,5 V, dans le caisson PW logeant le transistor NMOS, ainsi qu’une première tension positive non-nulle +V 0 , par exemple sensiblement +1 V voire +1,5 V, dans le caisson NW logeant le transistor PMOS, dans la condition de polarisation arrière neutre NBB.
Dans la condition de polarisation arrière neutre NBB, la jonction JPN (et la jonction JPNiso) entre les caissons PW et NW (respectivement NISO) est polarisée à une tension directe de -2 V voire -3 V et est donc bloquée. De même, la jonction JNPiso entre le caisson NISO et le substrat PSUB est polarisée à une tension directe de -1 V voire -1,5 V (en considérant que le potentiel du substrat porteur PSUB est à 0 V), et est donc bloquée.
Le circuit d’alimentation ALM est en outre configuré pour générer, dans la condition de polarisation arrière directe FBB, une tension -V 0 +Δf supérieure à la première tension négative non-nulle -V 0 dans le caisson PW, par exemple une tension de sensiblement 0 V, c’est-à-dire supérieure « +Δf » de sensiblement +1 V voire +1,5 V ; ainsi qu’une tension +V 0 -Δf inférieure à ladite première tension positive non-nulle +V 0 dans le caisson NW, par exemple une tension de sensiblement 0 V, c’est-à-dire inférieure « -Δf » de sensiblement -1 V voire -1,5 V.
Dans la condition de polarisation arrière directe FBB, les jonctions JPN, JPNiso, JNPiso entre les caissons PW, NW, NISO, PSUB sont polarisées à des tensions directes de 0 V et sont donc bloquées.
Le circuit d’alimentation ALM est en outre configuré pour générer, dans la condition de polarisation arrière inverse RBB, une tension -V 0 -Δr inférieure à ladite première tension négative non-nulle -V 0 dans le caisson PW, par exemple une tension de sensiblement -2 V voire -3 V, c’est-à-dire inférieure « -Δr » de sensiblement -1 V ou -1,5 V ; et une tension +V 0 +Δr supérieure à ladite première tension positive non-nulle +V 0 dans le caisson NW, par exemple une tension de sensiblement +2 V voire +3 V, c’est-à-dire supérieure « +Δr » de sensiblement +1 V voire +1,5 V.
Lorsqu’un seul module d’éclairage est apte à réaliser les deux fonctions, limite l’encombrement associé à la réalisation de ces fonctions est limité dans le dispositif lumineux.
Selon des modes de réalisation non limitatifs, le dispositif lumineux peut comprendre un premier module d’éclairage apte à réaliser une fonction d’éclairage de feu de croisement et un deuxième module d’éclairage apte à réaliser une fonction d’éclairage de feu de route, le module lumineux étant agencé de manière être traversé par les rayons lumineux issus du premier module d’éclairage et/ou du deuxième module d’éclairage.
Un unique module lumineux peut également être mutualisé en regard de deux modules d’éclairage, ce qui limite les coûts et l’encombrement du dispositif lumineux selon l’invention.
Selon des modes de réalisation non limitatifs, le module lumineux peut être apte à émettre des rayons lumineux selon au moins un motif lumineux, le module lumineux étant agencé de manière à ce que ledit au moins un motif lumineux soit en regard d’une surface optique du au moins un module d’éclairage.
Ainsi, le motif lumineux peut superposer la surface optique du au moins un module d’éclairage. Notamment, le motif lumineux peut avoir la même forme que la surface optique du au moins un module d’éclairage, ce qui permet d’harmoniser la signature du dispositif lumineux avec une grande précision.
Selon des modes de réalisation non limitatifs, le module lumineux peut être agencé à l’intérieur d’une lentille d’un système optique du module d’éclairage.
Le module lumineux est ainsi protégé mécaniquement et n’est pas exposé à l’extérieur du dispositif lumineux.
Selon des modes de réalisation non limitatifs, le module lumineux peut être agencé sur une glace externe du dispositif lumineux.
Ainsi, le montage du module lumineux est facilité.
Selon un premier mode de réalisation non limitatif, le module lumineux peut comprendre : - un guide de lumière comprenant une nappe de guidage au moins partiellement transparente, la nappe de guidage étant apte à recevoir des rayons lumineux par au moins une tranche d’injection de lumière de ladite nappe de guidage et à renvoyer les rayons lumineux dans une direction sensiblement normale localement à une surface de la nappe de guidage selon au moins un motif lumineux, le guide de lumière comprenant en outre au moins un élément d’injection de lumière apte à recevoir de la lumière et à distribuer la lumière dans la nappe de guidage ; - au moins une source de lumière apte à injecter de la lumière dans ledit au moins un élément d’injection de lumière. L’élément de contrôle peut être apte à activer ladite au moins une source de lumière lorsque le module d’éclairage est désactivé.
Ainsi, le module lumineux est de type avec nappe de guidage, par exemple avec nappe de guidage flexible, qui est peu coûteux, facile à fabriquer, et facile d’intégration. En outre, une telle solution est peu sensible aux conditions environnementales telles que l’humidité et la température.
On entend par « flexible », le fait que la nappe de guidage soit apte à être courbée sans être endommagée. Ainsi, une telle nappe de guidage peut être placée sur un support non planaire et en adopter la forme sans être endommagée. En particulier, lorsque le module lumineux comprenant la nappe de guidage flexible est placé en regard d’un module d’éclairage, la nappe de guidage flexible peut être courbée selon la courbure d’une surface optique de projection du module d’éclairage. En particulier, la nappe de guidage flexible peut être agencée de manière convexe avec un rayon de courbure dirigé vers l’intérieur du véhicule automobile lorsque le dispositif d’éclairage est monté dans ou sur ledit véhicule automobile.
En complément selon le premier mode de réalisation non limitatif, le dispositif lumineux peut comprendre un premier module d’éclairage apte à réaliser une fonction d’éclairage de feu de croisement et un deuxième module d’éclairage apte à réaliser une fonction d’éclairage de feu de route, le module lumineux peut comprendre un unique guide de lumière, un premier motif étant gravé dans une première partie de la nappe de guidage de l’unique guide de lumière et un deuxième motif étant gravé dans une deuxième partie de la nappe de guidage de l’unique guide de lumière, le premier motif peut être agencé en regard d’une première surface optique de projection du premier module d’éclairage et le deuxième motif peut être agencé en regard d’une deuxième surface optique de projection du deuxième module d’éclairage.
Ainsi, l’encombrement et le coût associé au module lumineux est réduit, avec un seul élément d’injection et une source pour éclairer deux motifs en regard de deux modules d’éclairage distincts.
Le carter annulaire comporte conventionnellement dans sa partie supérieure aussi appelée « zone 12h » par référence à la position des aiguilles sur le cadran d’une horloge, un interface de fixation à un pylône de l’aéronef, comportant par exemple des pattes ou des chapes de fixation au pylône.
Le carter annulaire, conventionnellement, est réalisé par un assemblage par soudage de secteurs angulaires de carter issus de fonderie. Ces secteurs angulaires sont usinés sur leurs bords pour permettre un ajustement aussi précis que possible des secteurs les uns aux autres et certains de ceux-ci comportent des pattes et des chapes de fixation, qui comportent des surfaces fonctionnelles qui doivent également être usinées afin de recevoir des organes de fixation complémentaires du pylône.
Les pièces issues de fonderie sont lourdes, de par la nécessité de présenter une rigidité structurelle suffisante et de disposer de surépaisseurs suffisantes pour les usinages ultérieurs.
Les pièces issues de fonderie représentent un coût élevé et leur usinage par fraisage entraîne également des coûts élevés.
Enfin, les étapes de fonderie, fraisage, ajustage et soudage des différents secteurs, de par leur durées cumulées, génèrent des délais d’industrialisation importants.
Il existe donc un réel besoin pour une fabrication simplifiée du carter annulaire de ce carter, permettant d’en réduire les coûts et les durées de production.
L’invention parvient à ce but en proposant une nouvelle conception d’un carter réalisé par laminage et tournage sur lequel les organes de fixation sont rapportés par un procédé de soudage ou bradage.
Dans ce but, l’invention propose un procédé de fabrication d’un carter annulaire de turbomachine, comportant :
- au moins une étape de réalisation d’au moins un organe de suspension de la turbomachine en saillie sur la surface externe dudit corps,
caractérisé en ce que l’étape de réalisation du corps est effectuée par laminage et tournage et en ce que l’étape de réalisation dudit au moins un organe de suspension est effectuée postérieurement à l’étape de réalisation dudit corps et comporte au moins une sous-étape de fixation audit corps d’au moins un élément rapporté porteur dudit au moins un organe de suspension soudage.
Par rapport aux procédés connus de la technique, le remplacement des opérations de moulage, d’usinage et d’assemblage des secteurs du corps par le laminage et le tournage d’un corps monobloc permet à la fois un gain de matière non négligeable, et un gain de temps considérable parce qu’il n’est plus nécessaire d’ajuster ni de souder des secteurs individuels. De plus la fabrication du carter se trouve simplifiée car l’organe de suspension ne faisant plus partie initialement du carter, l’usinage de ses surfaces fonctionnelles peut être réalisé en temps masqué indépendamment de la fabrication du corps annulaire.
- l’étape de réalisation dudit au moins un organe de suspension comporte une sous étape d’usinage du corps, préalable à la sous-étape de fixation, au cours de laquelle on réalise au moins une ouverture traversante en direction radiale par rapport à un axe principal du corps, et, au cours de la sous-étape de fixation, on soude ou on brase ledit au moins un élément rapporté, de dimensions complémentaires de celles de ladite au moins une ouverture, dans ladite au moins une ouverture,
- ledit au moins un élément rapporté comporte une plaque de dimensions complémentaires de celles de l’au moins une ouverture, qui est soudée dans ladite au moins une ouverture au cours de la sous-étape de fixation, et ledit au moins un organe de suspension comporte au moins une patte qui fait saillie à partir de ladite plaque sensiblement selon une direction radiale par rapport à un axe principal du carter et qui s’étend dans un plan orienté perpendiculairement à l’axe du carter,
La montre un exemple d’une autre partie du signal d’émission numérique TxD que le module émetteur 221 reçoit dans la phase de données 452 de l’installation de commande de communication 21 et génère à partie de là, les signaux CAN_H, CAN_L pour le bus 40. A la , le signal d’émission TxD commute plusieurs fois du niveau ou valeur HI (niveau haut) à un niveau ou valeur bas (niveau bas) et revient à un niveau ou valeur HI (niveau haut) et ainsi de suite.
Comme le montre plus précisément la figue 10, le module d’émission 221 génère pour le signal d’émission TxD de la les signaux CAN_H, CAN_L pour les brins 41, 42 du bus de façon à avoir sur le bus 40 l’état L0 ( ) pour un état LW (niveau bas) du signal d’émission TxD de la l’état L1 ( ) pour le niveau ou valeur Hi (niveau haut) du signal d’émission TxD de la .
Pour les deux états 401, 402 du bus selon la , le module d’émission 221 utilise chaque fois un état de bus dominant et un état de bus récessif comme décrit précédemment. Le module d’émission 221 génère l’état de bus 403 (sic) comme décrit précédemment.
Au contraire, les états L0, L1 du bus selon la sont un premier état de bus L0 et un second état de bus L1 qui fonctionnent tous deux selon CAN XL.
Le module de réception 222 peut également recevoir les signaux selon la ou la et les signaux selon la ou la dans les deux phases de communication différentes, à savoir le mode SIC ou la phase d’arbitrage 451 et la phase de données 452. Pour cela, le module de réception 121 commute les seuils de réception T2, T3 pour les modes de fonctionnement respectifs comme cela a été décrit ci-dessus en référence à la et à la .
En fonctionnement du système de bus 1 le module de réglage de mode de réception 25 vérifie dans le signal RxD généré par le premier récepteur 2221, si le bit res XL est à la valeur H, notamment la valeur 1, ou à la valeur L, notamment 0. Si le bit res XL n’est à la valeur H, notamment la valeur 1, alors, un message 45, 47 CAN XL est émis par le bus 40. Si le bit res XL a la valeur L notamment 0, un message 46 CAN XL est émis à ce moment par le bus 40. De plus, le module de réglage de mode de réception 25, notamment son contrôleur de protocole 251 vérifie dans le signal RxD généré par le premier récepteur 2221 si la séquence ADS indique que le message 45, 47 CAN XL a été envoyé avec la seconde couche physique 452 P par le bus 40.
Si le module de réglage de mode de réception 45 notamment son contrôleur de protocole 51 détecte qu’à ce moment un message 45, 47 CAN XL est émis par le bus 40 et/ou que pour le message 45, 47 du bus 40 on utilise la seconde couche physique 452_P, alors le module de réglage de mode de réception 25 neutralise le premier récepteur 2221 par un signal S_1. Ainsi, les composants analogues sont désactivés, qui saisissent une différence de tension VDIFF minimum de +1,5 V et maximum de +3,00 V.
Le module de réglage de mode de réception 25 active le second récepteur 2222 par un signal S_2 correspondant et activant les composants analogues qui saisissent une différence de tension BDIFF d’un minimum de 0,1 V et d’un maximum de +0,1 V.
Le module de réglage de mode de réception 25 peut émettre successivement les signaux S_1, S_2. En variante, le module de réglage de mode de réception 25 peut émettre au moins partiellement simultanément les signaux S_1, S_2.
Si le second récepteur 2222 est activé, il utilise dans le mode de fonctionnement FAST_RX, au moins un seuil de réception pour détecter des niveaux L1 pour CAN_H avec des tensions VCAN_H1+1,5V jusqu’à +2,46V. Le second récepteur 2222 dans le mode de fonctionnement FAST_RX détecte au moins un seuil de tension autour du niveau L1 pour CAN_L avec des tensions VCAN_H1 +2,25V jusqu’à +3,51V. En particulier, on utilise comme seuil de réception, le seuil de réception T3 de la pour saisir une différence de tension VDIFF d’un minimum de -0,1 V et d’un maximum de +0,1 V. En d’autres termes, dans le mode de fonctionnement FAST_RX le second récepteur 2222 vérifie le niveau L1 pour CAN_H avec les tensions VCAN_H1+1,5V jusqu’à +2,46V et le niveau L1 pour CAN_L avec des tensions VCAN_H1+2,25V jusqu’à +3,51V.
Le module de réglage de mode de réception 25, notamment son contrôleur de protocole 251 peut en outre vérifier le signal RxD généré par le premier récepteur 2221 pour déterminer si la séquence DAS à la fin de la phase de données 452 indique que la phase de données 452 termine le message 45, 47 CAN XL et commute de la seconde couche physique 452_P de nouveau sur la première couche physique 451_P.
Si le module de réglage de mode de réception 25 notamment sa machine d’état 252 détecte qu’il y a eu commutation du mode de fonctionnement FAST_RX au mode de fonctionnement SIC pour la phase d’arbitrage 451 comme décrit ci-dessus, alors le module de réglage de mode de réception 25 désactive le second récepteur 2222 par un signal S_2. S’il y a eu commutation du mode de fonctionnement FAST_RX au mode de fonctionnement SIC pour la phase d’arbitrage 451, la machine d’état 252 ne saisit plus aucun niveau L1, L0 dans un message 45, 47 CN XL dans la phase de données 452. De plus, le module de réglage de mode de réception 15 active le premier récepteur 2222 par un signal S_1. Les composants analogues sont ainsi activés qui saisissent une différence de tension VDIFF minimale de +1,5 V et maximale de +3,00 V. En particulier, on utilise comme seuil de réception, le seuil de réception T1 de la pour saisir une différence de tension VDIFF minimale de +0,5 V et maximale de +0,9 V.
Le module de réglage de mode de réception 25 peut émettre successivement les signaux S_2, S_1. En variante, le module de réglage de mode de réception 25 peut émettre au moins en partie simultanément, les signaux S_2, S_3.
Ensuite, le poste participant 20 peut de nouveau participer à l’arbitrage pour l’émission des messages 45, 46, 47 suivants par le bus 40. Si le poste participant 20 se voit alors attribuer l’arbitrage, ce poste participant 20 peut émettre un message 46. Dans le cas contraire, l’un des postes participants 10, 30 émet un message 45, 46, 47 et le poste participant 20 procède alors comme décrit précédemment.
Selon une variante du premier mode de réalisation, on n’utilise, par exemple, que le récepteur 2221 dont le seuil de réception T1 pour commuter sur le seuil de réception T3 et dans lequel pour le seuil de réception T3 il commute sur le seuil de réception T1.
Le module de réglage de mode de réception 25 règle ainsi, selon l’exemple de réalisation ci-dessus et sa variante, les seuils de réception T1, T3 selon le mode de réalisation nécessaire à ce moment (SIC, FAST_RX) de l’installation d’émission/réception 22. Néanmoins, l’installation d’émission/réception 22 est plus économique qu’une installation d’émission/réception 12 car l’installation d’émission/réception 220 n’a pas la fonctionnalité complète d’une installation d’émission/réception 12 CAN-Sic XL.
De préférence, la teneur totale en sel(s) de (poly)acides carboxyliques hydroxylés comprenant au total 2 à 8 atomes de carbone, dans la composition selon l’invention est d’au moins 0,5% en poids par rapport au poids total de la composition. Cette teneur peut aller de 0,5 à 10% en poids, notamment de 0,8 à 8% en poids, mieux de 1 à 5% en poids, par rapport au poids total de la composition.
En particulier, la teneur totale en sel(s) de métaux alcalins, alcalino-terreux ou de zinc, de (poly)acides carboxyliques hydroxylés comprenant au total de 4 à 6 atomes de carbone, de 1 à 3 groupes OH et 2 ou 3 groupements COOH, dans la composition selon l’invention peut aller de 0,5 à 10% en poids, notamment de 0,8 à 8% en poids, mieux de 1 à 5% en poids, par rapport au poids total de la composition.
Tout particulièrement, la teneur totale en sel(s) de métaux alcalins ou alcalino-terreux d’acides lactique, glycolique, tartrique et/ou citrique, dans la composition selon l’invention peut aller de 0,5 à 10% en poids, notamment de 0,8 à 8% en poids, mieux de 1 à 5% en poids, par rapport au poids total de la composition.