Procédé (4) de dépôt de couches atomiques assisté par plasma comprenant : une fourniture (40) d’un substrat (2) présentant une surface exposée (20) dans un réacteur plasma (1), le réacteur plasma comprenant une chambre de réaction (10) délimitée par des parois (100, 101) et un plateau (110) électriquement conducteur présentant une face supérieure (110a) sur laquelle est disposé le substrat (2), une paroi latérale (100) de la chambre de réaction étant au moins en partie non parallèle à la face supérieure (110a) du plateau (110) et étant électriquement conductrice, une pluralité de cycles (41) de dépôt de couches atomiques sur la surface exposée (20) du substrat (2), chaque cycle comprenant : une injection dans la chambre de réaction d’un précurseur à base d’une première espèce (410), un traitement plasma (412) de la surface exposée (20) du substrat (2) par un plasma généré par couplage capacitif entre le plateau (110) et la paroi latérale (100), par application d’une puissance radiofréquence au plateau (110). Procédé (4) selon la revendication précédente, dans lequel la pluralité de cycles (41) de dépôt comprend en outre une injection dans la chambre de réaction d’un précurseur à base d’une deuxième espèce (413). Procédé (4) selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le traitement plasma (412) est effectué simultanément à au moins une injection dans la chambre de réaction d’un précurseur (410, 413) ou suite à au moins une injection dans la chambre de réaction d’un précurseur (410, 413). Procédé (4) selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la puissance radiofréquence est inférieure ou égale à 80 W, la pression dans la chambre de réaction (10) est inférieure ou égale à 80 mTorr, et la durée du traitement plasma (412) au cours d’un cycle (41) de dépôt est inférieure ou égale à 1 minute. Procédé (4) selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la puissance radiofréquence est supérieure ou égale à 50 W, la pression dans la chambre de réaction (10) est inférieure ou égale à 20 mTorr, et la durée du traitement plasma (412) au cours d’un cycle (41) de dépôt est supérieure ou égale à 1 minute. Procédé (4) selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel lorsque le plasma est généré, le traitement plasma (412) comprend l’injection dans la chambre de réaction d’un gaz rare, de préférence de l’argon, éventuellement en mélange avec H 2 . Procédé (4) selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le traitement plasma (412) étant effectué simultanément à et/ou après l’injection du précurseur à base de la première espèce (410), la première espèce est à base d’un métal. Procédé (4) selon la revendication précédente, dans lequel lorsque le plasma est généré, le traitement plasma (412) est exempt d’injection de dihydrogène. Procédé (4) selon l’une quelconque des deux revendications précédentes, dans lequel le métal présente une électronégativité comprise entre 1,1 et 2,4. Procédé (4) selon l’une quelconque des trois revendications précédentes, dans lequel la première espèce comprend le métal et des ligands alkyls, amines, oxygénés ou halogénés. Procédé (4) selon l’une quelconque des revendications 7, 9 et 10, dans lequel le traitement plasma (412) étant effectué simultanément à l’injection du précurseur à base de la première espèce (410), le traitement plasma (412) et l’injection dudit précurseur (410) sont chacun fait par impulsions simultanées ou séquentielles entre le traitement plasma (412) et l’injection dudit précurseur (410). Procédé (4) selon l’une quelconque des revendications 2 à 6, dans lequel, le traitement plasma (412) étant effectué après l’injection du précurseur à base de la première espèce et/ou après l’injection du précurseur à base de la deuxième espèce, la première espèce est à base d’un métal et la deuxième espèce comprend l’un au moins parmi les éléments oxygène, azote et soufre. Procédé (4) selon la revendication précédente, le traitement plasma (412) étant effectué simultanément à l’injection du précurseur à base de la deuxième espèce (413), la deuxième espèce est choisie parmi le groupe constitué de O 2 , N 2 (éventuellement en mélange avec H 2 ), NH 3 , H 2 S. Procédé (4) selon la revendication 12, le traitement plasma (412) étant effectué après l’injection du précurseur à base de la deuxième espèce (413), la deuxième espèce est choisie parmi le groupe constitué de H 2 O, O 2 , NH 3 . Procédé (4) selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le plateau (110) étant configuré pour être ajusté en hauteur dans la chambre de réaction (10), le procédé comprend un ajustement de la hauteur du plateau préalablement au traitement plasma (412), de préférence préalablement au cycle (41) de dépôt.