Dispositif piézoélectrique comprenant un empilement comprenant des couches piézoélectriques organiques (400), des premières électrodes (100) et des deuxièmes électrodes (200), chaque couche piézoélectrique organique (400) étant disposée entre une première électrode (100) et une deuxième électrode (200), le dispositif piézoélectrique comprenant en outre des vias (510, 520), pour connecter électriquement, d’une part, les premières électrodes (200) et, d’autre part, les deuxièmes électrodes (200), les vias (510, 520) étant disposés dans les couches piézoélectriques organiques (400) et traversants de part en part l’empilement, caractérisé en ce que les vias (510, 520) ont une forme de disque, d’hippodrome ou d’ovale présentant des angles (α) rentrants supérieurs à 315°. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que les vias (510, 520) ont une forme d’étoile ayant au moins 5 branches. Dispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce que les vias (510, 520) ont une forme d’étoile ayant au moins 5 branches et au plus 8 branches. Dispositif selon l’une des revendications 2 ou 3, caractérisé en ce que la plus grande dimension de l’étoile est comprise entre 600 et 2000 µm. Dispositif piézoélectrique selon l’une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la couche piézoélectrique organique (400) comprend une matrice polymérique en PVDF, en un copolymère de PVDF ou en un terpolymère de PVDF, ou en une résine par exemple époxy ou un polyuréthane thermoplastique. Dispositif piézoélectrique selon l’une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la première électrode conductrice électrique (100) et/ou la deuxième électrode conductrice électrique (200) sont en argent imprimé, en Ti-Au ou en PEDOT-PSS. Dispositif piézoélectrique selon la revendication précédente, caractérisé en ce que l’empilement comporte au moins 5 couches piézoélectriques organiques et, de préférence, au moins 10 couches piézoélectriques organiques. Procédé de fabrication d’un dispositif piézoélectrique selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce qu’il comprend les étapes suivantes : a) former une première électrode (100), b) former sur la première électrode (100), par sérigraphie, une couche piézoélectrique organique (400) à travers un premier masque comprenant une ouverture ayant une forme de disque, d’hippodrome ou d’ovale présentant des angles (α) rentrants supérieurs à 315°, moyennant quoi on forme un via (510) dans la couche piézoélectrique organique (400), le via (510) ayant une forme de disque, d’hippodrome ou d’ovale présentant des angles (α) rentrants supérieurs à 315, c) former une deuxième électrode (200) sur la couche piézoélectrique organique (400), d) former sur la deuxième électrode (200) obtenue à l’étape c), par sérigraphie, une couche piézoélectrique organique (400) à travers un deuxième masque comprenant une ouverture ayant une forme de disque, d’hippodrome ou d’ovale présentant des angles (α) rentrants supérieurs à 315°, moyennant quoi on forme un via (520) dans la couche piézoélectrique organique (400), le via (520) ayant une forme de disque, d’hippodrome ou d’ovale présentant des angles (α) rentrants supérieurs à 315, e) éventuellement répéter les étapes a), b), c) et d) jusqu’à former un empilement avec le nombre de couches piézoélectriques (400) désiré. Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que l’ouverture du premier masque et/ou l’ouverture du deuxième masque ont une forme d’étoile ayant au moins 5 branches. Procédé selon l’une des revendications 8 et 9, caractérisé en ce que la plus grande dimension de l’étoile est comprise entre 600 µm et 2000 µm, et de préférence entre 600 µm et 1000 µm.