INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Selon un exemple particulier, l’unité de contrôle 42 applique le signal de mise en marche CMD1 en entrée du module de commutation 44 pour maintenir la connexion Ethernet tant que le signal d’activation SG1 est reçu en provenance du dispositif de diagnostic 6. De cette manière, la connexion Ethernet est conservée tant que le dispositif de diagnostic 6 a besoin de communiquer avec le dispositif passerelle 40 via l’interface OBD 10. Une fois que la connexion Ethernet n’est plus nécessaire, celle-ci peut être interrompue par le module de contrôle 42 en positionnant la bornée PD au niveau bas ‘0’.
Si l’on retourne maintenant à la Fig. 3A et que l’on considère une colonne donnée, le courant lu lors de la première phase de lecture est de l’ordre de où est le nombre de cellules passantes dans la colonne lors de la première phase de lecture. De manière similaire, le courant lu lors de la seconde phase de lecture est de l’ordre de où est le nombre de cellules passantes dans la colonne lors de la seconde phase de lecture. Le nombre de cellules passantes dans la seconde phase est soustrait au nombre de cellules passantes dans la première phase, ce qui représenté dans la figure par l’expression .
Si le nombre de valeurs d’activation positives est égale au nombre d’activation négatives, la différence n’est autre que le produit scalaire où les éléments (binaires) du vecteur sont stockés dans les cellules de la colonne. Toutefois, de manière générale, il faut corriger le résultat obtenu d’un biais lié à la différence entre le nombre de valeurs d’activation positives et celui de valeurs d’activation négatives
Le premier (resp. second) terme de l’expression (4) correspond au nombre de cellules passantes de la ligne de bit lorsque la tension de lecture est appliquée aux lignes de mot correspondant aux valeurs d’activation positives (resp. négatives) de vecteur d’activation .
Le second terme de l’expression (4) correspond à la valeur de biais résultant de la différence entre le nombre de valeurs d’activation positives et le nombre de valeurs d’activation négatives dans .
La Fig. 4A illustre schématiquement les deux phases de lecture d’une mémoire 1S1R multi-niveau permettant d’effectuer le calcul d’une opération MAC. Comme dans le cas précédent, on a supposé dans cet exemple que le vecteur d’activation était égal à . Les cellules mémoire sont ici à 3 niveaux.
Dans une première phase de lecture, on applique en entrée de la mémoire, dans une première étape, une première tension de lecture aux lignes de mot correspondant aux valeurs d’activation positives. Cette opération est répétée dans une seconde étape, en appliquant une seconde tension de lecture aux mêmes lignes de mot.
Pour chaque ligne de bit, le courant lu est égal à la somme des courants dans les différentes cellules mémoire de la colonne associée. Le courant lu dans la première étape est ainsi de l’ordre de où est le nombre de cellules de mémoire passantes dans la colonne. De manière similaire, le courant lu dans la seconde étape est de l’ordre de . Les courants ainsi lus à la première et à la seconde étape sont sommés pour chaque ligne de bit, ce qui est représenté dans la figure par l’expression .
Dans une seconde phase de lecture, on applique en entrée de la mémoire, dans une première étape la première tension de lecture aux lignes de mot correspondant aux valeurs d’activation négatives. Cette opération est répétée dans une seconde étape, en appliquant la seconde tension de lecture à ces mêmes lignes de mot.
Pour chaque ligne de bit, le courant lu dans la première étape est ainsi de l’ordre de où est le nombre de cellules de mémoire passantes dans la colonne. De manière similaire, le courant lu dans la seconde étape est de l’ordre de . Les courants ainsi lus à la première et à la seconde étape sont sommés pour chaque ligne de bit, ce qui est représenté dans la figure par l’expression .
On considère maintenant le comportement d’une cellule mémoire lors des deux phases de lecture. La caractéristique tension-courant d’une cellule mémoire a été représentée en Fig. 4B. Dans l’exemple illustré, le nombre de niveaux est égal à 3, autrement dit, la cellule peut être programmée dans 3 états différents. Les 3 niveaux de programmation sont discriminés au moyen d’une lecture à la première tension et d’une lecture à la seconde tension . Lorsque la lecture aux tensions donne respectivement , la cellule est programmée dans un premier état correspondant à la caractéristique Iprog1(V). Lorsque la lecture aux tensions donne respectivement , la cellule est programmée dans un second état correspondant à la caractéristique Iprog2(V). Enfin, lorsque la lecture aux tensions donne respectivement , la cellule est programmée selon un troisième état correspondant à la caractéristique Iprog3(V).
Chaque cellule mémoire peut donc coder un coefficient synaptique susceptible de prendre trois valeurs distinctes : -1, 0, +1.
La Fig. 4C représente schématiquement la table de vérité d’une cellule mémoire à 3 niveaux lors de la première phase de lecture. Etant donné que seules les lignes correspondant à des valeurs d’activation positives sont lues, seule la partie entourée en bas du tableau est pertinente. Lorsque la cellule n’est pas lue, c’est-à-dire lorsque son entrée est à la masse, seul un courant de fuite (provenant des cellules lues voisines), , de valeur négligeable, traverse la cellule en question. En revanche, lorsque la cellule est lue, le courant de sortie dépend de son état. Dans le premier état, correspondant à un coefficient synaptique stocké égal à -1, les courants de sortie respectivement lus à sont égaux à . La valeur numérique attribuée, égale au nombre de fois que la cellule est conductrice lors de la lecture, est égale à 0. Dans le second état, correspondant à un coefficient synaptique stocké égal à 0, les courants de sortie respectivement lus à sont égaux à et la valeur numérique attribuée est égale à 1. Enfin dans le troisième état, correspondant à un coefficient synaptique stocké égal à +1, les courants de sortie respectivement lus à sont égaux à et la valeur numérique attribuée est égale à 2.
La Fig. 4D représente schématiquement la table de vérité d’une cellule mémoire à 3 niveaux lors de la seconde phase de lecture. Etant donné que seules les lignes correspondant à des valeurs d’activation négatives sont lues, seule la partie entourée en haut du tableau est pertinente. Lorsque la cellule n’est pas lue (entrée à la masse), seul un courant de fuite, , la traverse. En revanche, lorsque la cellule est lue, le courant de sortie dépend de son état. Dans le premier état, correspondant à un coefficient synaptique stocké égal à -1, les courants de sortie respectivement lus à sont égaux à . La valeur numérique attribuée, égale au nombre de fois que la cellule est conductrice lors de la lecture, est égale à 0. Dans le second état, correspondant à un coefficient synaptique stocké égal à 0, les courants de sortie respectivement lus à sont égaux à et la valeur numérique attribuée est égale à 1. Enfin dans le troisième état, correspondant à un coefficient synaptique stocké égal à +1, les courants de sortie respectivement lus à sont égaux à et la valeur numérique attribuée est égale à 2.
Lorsque le nombre de valeurs d’activation positives est égale au nombre d’activation négatives, la différence entre la somme représentative des courants lus dans la première phase et la somme représentative des courants lus dans la seconde phase pour une même ligne de bit fournit le produit scalaire (les éléments du vecteur stockés dans les cellules de la colonne pouvant chacun prendre 3 niveaux). En revanche, comme précédemment, lorsque le nombre de valeurs d’activation positives diffère du nombre de valeurs d’activation négatives, le résultat obtenu est à corriger d’un biais lié à la différence entre le nombre de valeurs d’activation positives et celui de valeurs d’activation négatives, à savoir :
Les consommateurs sont donc toujours à la recherche de compositions nettoyantes optimisées qui offrent un effet nettoyant durable et adéquat tout en réduisant les problèmes d'irritation du cuir chevelu.
Un objet de la présente invention est donc de développer des compositions pour le nettoyage des cheveux, qui peuvent offrir un effet nettoyant adéquat durable, et en même temps, moins de problèmes d'irritation du cuir chevelu.
Un autre objet de la présente invention est de proposer un procédé de nettoyage des cheveux.
Ainsi, selon un premier aspect, la présente invention propose une composition de nettoyage des cheveux comprenant :
a) au moins un hydroxyacide ;
c) au moins un tensioactif cationique choisi parmi les amidoamines grasses répondant à la formule (I) suivante et leurs sels :
R′, qui peuvent être identiques ou différents, représentent un radical hydrocarboné contenant moins de 6 atomes de carbone ; et
Selon un deuxième aspect, la présente invention propose un procédé de nettoyage des cheveux comprenant l'application de la composition telle que décrite ci-dessus sur les cheveux, puis le rinçage des cheveux à l'eau après une période d'exposition facultative.
Les inventeurs ont constaté que la composition selon la présente invention peut délivrer un effet nettoyant durable avec une irritation réduite du cuir chevelu.
D'autres objets et caractéristiques, aspects et avantages de la présente invention apparaîtront encore plus clairement à la lecture de la description détaillée et des exemples qui suivent.
DESCRIPTION DÉTAILLÉE DE L'INVENTION Dans le présent document, sauf indication contraire, les limites d'une plage de valeurs sont incluses dans cette plage, en particulier dans les expressions « entre…et… » et « de…à… ».
présente sous forme schématique la structure matérielle d’un serveur de gestion de rechargement de véhicules électriques selon les différents modes de réalisation de l’invention.
Le principe général de l'invention repose sur l’authentification d’un véhicule électrique, préalablement à son rechargement sur une borne de rechargement de type privée, par exemple dans un environnement domestique, à des fins de suivi de la consommation électrique induite par un tel rechargement par une entité tierce, par exemple par une entreprise propriétaire du véhicule et employant son utilisateur.
On présente désormais, en relation avec les figures, deux modes de réalisation principaux de l’invention, dans le contexte, donné à simple titre d’exemple, du rechargement d’un véhicule électrique professionnel connecté à une borne de rechargement domestique, au domicile de l’utilisateur. On étendra sans difficulté le principe général de cette technique au rechargement de tout autre type de véhicule électrique ou hybride et à toute autre borne de rechargement.
Ce contexte est illustré sous forme synthétique sur la , sur laquelle un véhicule électrique ou hybride 10, est équipé d’une batterie 11 et d’un chargeur embarqué 12. Lors du rechargement de la batterie 11, l’utilisateur du véhicule 10 connecte un câble de rechargement 13 entre le chargeur embarqué 12, et une borne de recharge 14. Une telle borne de recharge 14 est par exemple un équipement de type Wallbox®, qui peut avoir été fourni à l’utilisateur par son employeur, lors de la mise à disposition du véhicule électrique professionnel, ou par le constructeur automobile du véhicule, lors de l’acquisition de ce dernier. Une telle borne de recharge 14 est par exemple installée dans le garage ou le sous-sol du domicile de l’utilisateur. Elle est reliée au réseau électrique domestique, et de préférence également à un réseau de communication local domestique, filaire ou sans fil.
On présente, en relation avec la , un premier mode de réalisation, dans lequel la borne de rechargement 14 est équipée d’une interface de saisie, permettant à un utilisateur de saisir un code d’authentification dont le contrôle par la borne de rechargement 14 déclenche le rechargement du véhicule 10. Dans l’exemple de la , la borne de rechargement 14 est associée à un boîtier digicode, ces deux équipements étant par exemple fournis par l’entreprise employant l’utilisateur. Un code d’authentification est donc requis pour l’usage de la borne de rechargement. Ainsi, l’entreprise peut s’assurer que la borne 14 n’est utilisée que pour le rechargement des véhicules électriques qui appartiennent à sa flotte de véhicules professionnels, et non pour recharger le véhicule privé de l’utilisateur ou d’un autre membre de sa famille.
La illustre sous forme schématique les différentes étapes mises en œuvre lors du rechargement du véhicule électrique professionnel 10 de l’utilisateur par la borne de rechargement domestique 14. Au cours d’une étape E1, l’utilisateur connecte le câble de rechargement 13 entre son véhicule 10 et la borne de rechargement 14. A détection de cette connexion, la borne de rechargement émet, au cours d’une étape E2, une requête de données d’authentification du véhicule 10, dont la vérification conditionnera le déclenchement effectif du rechargement du véhicule 10. Dans cet exemple, la borne de rechargement 14 est connectée par une liaison sans fil de type Wi-Fi® à un réseau de communication local (ou LAN pour l’anglais « Local Area Network »), et notamment à une passerelle d’accès 15, par exemple une Livebox® d’Orange®. Cette passerelle d’accès 15 forme également point d’accès à un réseau de communication étendu 16, par exemple le réseau Internet. Le compteur électrique 17 de l’utilisateur, par exemple un compteur communicant Linky®, est également connecté au réseau de communication local, et à la passerelle d’accès 15, par une liaison sans fil ou filaire.
La requête de données d’authentification émise par la borne 14 comprend un identifiant de cette dernière, par exemple son numéro de série. La requête est reçue par la passerelle d’accès 15, et routée (étape E3), via le réseau de communication étendu 16, jusqu’à un serveur 18 de gestion du rechargement des véhicules électriques administré par l’entreprise propriétaire du véhicule 10.
A réception de la requête, le serveur de gestion de rechargement 18 identifie la borne de rechargement 14 l’ayant émise, grâce à l’identifiant qu’elle contient, et, par consultation d’une base de données d’entreprise, l’utilisateur salarié au domicile duquel cette borne de rechargement 14 a été installée. Si la requête a bien été émise par une borne de rechargement répertoriée dans cette base, et que l’utilisateur correspondant fait partie du personnel autorisé à recharger à domicile un véhicule électrique professionnel, le serveur de gestion de rechargement 18 génère un code d’authentification, par exemple un code numérique, qu’il transmet au cours d’une étape E4 à un terminal mobile 19 de l’utilisateur du véhicule 10. Cette transmission peut s’opérer par exemple par envoi d’un message de type SMS (pour l’anglais « Short Messager Service ») sur un réseau de radiocommunication de type 4G ou 5G. Le terminal mobile 19 de l’utilisateur est par exemple un téléphone intelligent de type smartphone, ou une tablette, et peut également être un équipement professionnel fourni par l’entreprise.
A réception de ce code d’authentification sur son terminal mobile 19, l’utilisateur le saisit au cours d’une étape E5 sur le boîtier digicode 20 associé à la borne 14, ou intégré dans cette dernière. En variante, ce code peut être saisi sur un écran tactile de la borne 14, ou transmis sous forme de commande vocale à cette dernière.
Au cours d’une étape E6, la borne de rechargement 14 contrôle le code d’authentification saisi par l’utilisateur, en le comparant à une version de ce code qu’elle a reçue de la passerelle d’accès.
A l’issue de ce contrôle, la borne de rechargement 14 libère l’action de rechargement du véhicule 10, qui peut donc débuter.
On notera que lors de l’étape E4 de génération et transmission du code d’authentification par le serveur de gestion de rechargement 18, ce dernier enregistre également, dans un journal d’événements, l’ensemble des informations contextuelles associées à ce rechargement du véhicule 10. Ces informations contextuelles peuvent comprendre la requête de données d’authentification reçue de la borne 14, l’identifiant de cette dernière qu’elle contient, une donnée d’horodatage associée, un identifiant de l’utilisateur associé à cette borne de rechargement 14, un identifiant du véhicule 10, le code d’authentification généré, etc.
En complément, le serveur de gestion de rechargement 18 peut mémoriser d’autres informations relatives au véhicule 10, telles que son kilométrage, la date de son dernier rechargement, son état global, une éventuelle anomalie détectée… Ces informations, telles que le kilométrage et/ou la date du dernier rechargement, peuvent servir à réaliser une vérification additionnelle que c’est bien le véhicule professionnel que l’utilisateur recharge, et non son véhicule personnel ou celui de son conjoint.
A l’issue du rechargement, la borne de rechargement 14 peut adresser une notification de fin de rechargement au serveur 18, par l’intermédiaire de la passerelle d’accès 15. A réception de cette notification, le serveur 18 peut adresser une requête au compteur communiquant 17, par l’intermédiaire de la passerelle d’accès 15, pour obtenir la consommation électrique induite par le rechargement du véhicule 10. Cette requête comprend par exemple la donnée d’horodatage générée à réception de la requête de données d’authentification par le serveur 18, ainsi qu’une donnée d’horodatage générée à réception de la notification de fin de rechargement par le serveur 18, tous deux étant mémorisées en association dans le journal d’événements tenu par le serveur 18. Ces données d’horodatage permettent au compteur communiquant 17 d’identifier un instant de début et un instant de fin de rechargement du véhicule 10, et donc de transmettre au serveur 18, via la passerelle d’accès 15 et le réseau de communication étendu 16, la consommation électrique induite par le rechargement.
Sur la base de cette information de consommation, le serveur de gestion de rechargement 18 peut déterminer un remboursement de frais à effectuer au profit de l’utilisateur salarié.
La couche de lithographie 400 peut être formée d’une ou plusieurs couches. Elle peut être à base de résine photosensible, par exemple à tonalité positive. Un revêtement antireflets sous-jacent de type BARC (Bottom Anti Reflective Coating signifiant revêtement anti-réflexion de fond) est de préférence intercalé entre la couche de masque 300 et la couche de lithographie 400.
Les différentes couches de cette couche de lithographie 400 peuvent être déposées par une méthode classique de spin coating (à la tournette). La couche de lithographie 400 peut présenter une épaisseur ft comprise entre 50 nm et 300 nm.
Dans ce premier mode de réalisation, l’épaisseur ft de la couche de lithographie 400 est nettement inférieure au diamètre ou à la dimension d des particules P selon z. Selon un exemple, l’épaisseur ft est inférieure ou égale à la moitié de la dimension d des particules P. Dans ce cas, lors du dépôt à la tournette, la couche de lithographie 400 s’étend à la base des particules P, et les particules P présentent une partie en saillie de la couche de lithographie 400. La couche de lithographie 400 ne couvre pas le sommet des particules P. L’épaisseur de la couche de lithographie 400 reste homogène autour des particules P. Les particules P agissent alors comme un masque lors de l’étape de lithographie visant à former les motifs d’ouvertures 401 dans la couche de lithographie 400, et ultérieurement lors de la gravure de la couche de masque 300 au travers desdits motifs d’ouvertures 401.
Les motifs d’ouvertures 401 servant à ouvrir la couche de masque 300 sous-jacente sont situés au moins en partie au droit des pistes électriques 10. Les motifs d’ouvertures 401 présentent une dimension latérale L, typiquement un diamètre, comprise entre 20 nm et 1000 nm.
Comme illustré aux figures 6A, 6B, après lithographie, la couche de lithographie 400 comprend des motifs d’ouvertures 401 normaux, dépourvus de particules P, et des motifs d’ouvertures 401p perturbés, partiellement ou totalement bouchés par des particules P.
Les figures 7A, 7B, 8A, 8B, illustrent un deuxième mode de réalisation des étapes de lithographie mises en œuvre pour former les motifs d’ouvertures.
Dans ce deuxième mode de réalisation, l’épaisseur ft de la couche de lithographie 400 est du même ordre de grandeur que le diamètre ou la dimension d des particules P selon z. Selon un exemple, l’épaisseur ft et la dimension d sont telles que 0,9.d ≤ ft ≤ 1,1.d. Dans ce cas, lors du dépôt à la tournette, la couche de lithographie 400 s’étend sur les particules P, en surépaisseur. La couche de lithographie 400 couvre le sommet des particules P de façon quasi-conforme. L’épaisseur de la couche de lithographie 400 n’est plus homogène dans la zone d’individualisation, du fait de la présence des particules P. Lors de l’étape de lithographie visant à former les motifs d’ouvertures 401, la référence du point focal est typiquement prise sur les parties planes de la couche de lithographie 400. Les motifs d’ouvertures 401 qui se trouvent superposés aux particules P sont alors mal ou pas imprimés. Les particules P peuvent également agir comme un masque masquant la couche de masque 300 sous-jacente.
Comme illustré aux figures 8A, 8B, après lithographie, la couche de lithographie 400 comprend là aussi des motifs d’ouvertures 401 normaux, dépourvus de particules P, et des motifs d’ouvertures 401p perturbés, partiellement ou totalement bouchés par des particules P.
Comme illustré aux figures 9A, 9B, une gravure est effectuée au travers des motifs d’ouvertures 401, 401p pour ouvrir la couche de masque 300. Cette gravure est configurée pour former les ouvertures de masque 301, 301 F .
Le revêtement antireflets et la couche de masque 300 peuvent être gravés par plasma, à l’aide d’une chimie de gravure à base de chlore, par exemple Cl2 /BCl3. Ce type de plasma permet d’utiliser une couche de lithographie 400 à base de résine présentant une fine épaisseur, par exemple inférieure à 200 nm.
Selon une possibilité avantageuse, les particules P présentent une sélectivité de gravure S P: LTH vis-à-vis de la couche de lithographie 400, lors de la gravure de la couche de masque 300, inférieure ou égale à 1:1. Les particules P sont ainsi gravées sensiblement à la même vitesse que la couche de lithographie 400, voire plus lentement que la couche de lithographie 400. Cela permet de conserver en partie la ou les particules P présentes au niveau d’un motif d’ouverture 401p perturbé lors de la gravure de la couche de masque 300. Le motif d’ouverture 401p perturbé reste ainsi bouché suffisamment longtemps. La gravure de la couche de masque 300 sous-jacente à ce motif d’ouverture 401p perturbé est limitée ou évitée.
A l’issue de la gravure de la couche de masque 300, la couche de masque 300 comprend des ouvertures de masque 301 débouchantes, au droit des motifs d’ouvertures 401 normaux, et des ouvertures de masque 301 F altérées, au droit des motifs d’ouvertures 401p perturbés.
La couche de lithographie 400 est de préférence retirée après ouverture de la couche de masque 300. Ce retrait peut se faire classiquement par une étape dite de « stripping », par exemple par plasma à base d’oxygène. Les particules P sont également de préférence retirées après ouverture de la couche de masque 300, par un processus de nettoyage bien connu par l’homme du métier, typiquement utilisé en fin de CMP.
La couche diélectrique 200 est ensuite gravée au travers des ouvertures débouchantes 301 totalement ouvertes et éventuellement des ouvertures altérées 301 F partiellement bouchées de la couche de masque 300. Cette gravure peut être effectuée par voie sèche, typiquement par plasma.
La paroi de fond 218B du logement 218 comporte un décroché 218F formant une butée la nervure de butée 268 de la pièce intermédiaire 206. La forme du logement 218 est également adaptée à coopérer avec la languette élastique 267 de la pièce intermédiaire 260 : celle-ci est en appui contre une face interne du logement 218 qui relie la cloison de séparation 218A et la paroi de fond 218B du logement 218 ( ).