Procédé de collage direct entre deux substrats (1,2), le procédé comprenant les étapes de : fourniture d’un premier substrat (1) et d’un second substrat (2) comprenant respectivement une première surface de collage hydrophile (3) et/ou une seconde surface de collage hydrophile (4), dépôt sur la première et/ou sur la seconde surface de collage hydrophile (3,4) d’une solution basique (B) constituée de molécules de base forte et d’eau déionisée, séchage de la première et/ou de la seconde surface de collage hydrophiles (3,4) de sorte à atteindre une concentration comprise entre environ 10 9 atome/cm 2 et 10 15 atome/cm 2 de cations issus des molécules de base forte sur la première et/ou sur la seconde surface de collage hydrophiles (3,4), mise en contact de la première et de la seconde surface de collage hydrophile (3,4) de sorte à obtenir un collage direct spontané et un assemblage (7) du premier substrat (1) avec le second substrat (2) comprenant une interface de collage direct (6). Procédé de collage direct selon la revendication 1, dans lequel l’étape c) de séchage est réalisée de sorte que la première surface de collage hydrophile (3) et la seconde surface de collage hydrophile (4) sont recouvertes d’une à cinq monocouches atomiques d’H 2 O. Procédé de collage direct selon la revendication 1 ou 2, dans lequel les molécules de base forte sont choisies parmi les bases LiOH, NaOH, KOH, RbOH, CsOH, Mg(OH) 2 , Ca(OH) 2 , Sr(OH) 2 , Ba(OH) 2 et un mélange de ces bases. Procédé de collage direct selon l’une des revendications 1 à 3, dans lequel la solution basique (B) présente une concentration en molécules de base forte comprise entre 10 -8 mol/l et 10 -2 mol/l dans l’eau déionisée. Procédé de collage direct selon l’une des revendications 1 à 4, dans lequel l’étape c) est réalisée par centrifugation, par exemple avec une vitesse de rotation d’environ 2000 tours/min de la première et/ou de la seconde surface de collage hydrophile (3,4) et en particulier pendant 45 sec. Procédé de collage direct selon l’une des revendications 1 à 5, comprenant une étape e) d’application d’un traitement thermique à l’assemblage (7) obtenu à l’étape d) à une température comprise entre 50°C et 500°C, notamment entre 50 et 350°C et en particulier entre 60 et 250°C. Procédé de collage direct selon l’une des revendications 1 à 6, dans lequel le premier et le second substrats (1,2) sont en silicium. Procédé de collage direct selon l’une des revendications 1 à 7, dans lequel la première surface de collage hydrophile (3) et/ou la seconde surface de collage hydrophile (4) sont formées au moins en partie par un film hydrophile (5) dans un matériau choisi parmi l’oxyde de silicium, le nitrure de silicium, l’oxyde de cuivre et un mélange de ces matériaux. Procédé de collage direct selon l’une des revendications 1 à 8, dans lequel le premier substrat (1) fourni l’étape a) comprend une ou plusieurs premières vignettes (8) provenant du vignetage du premier substrat (1) de sorte à obtenir un collage direct de l’une ou plusieurs premières vignettes au second substrat (2). Assemblage (7) comprenant un premier substrat (1) et un second substrat (2) en silicium comprenant respectivement une première surface de collage hydrophile (3) et une seconde surface de collage hydrophile (4), la première et la seconde surface de collage hydrophile (3,4) étant collées par collage direct, des molécules de base forte étant disposées avec une concentration comprise entre environ 10 9 atome/cm 2 et 10 15 atome/cm 2 , et notamment entre environ 10 10 atome/cm 2 et 10 14 atome/cm 2 , à l’interface de collage direct (6) entre le première et la seconde surface de collage hydrophiles (3,4).