INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
L’invention concerne aussi un procédé d’assemblage d’un système de régulation thermique (4) comprenant plusieurs dispositifs de régulation thermique (4) tels que décrits précédemment, qui comprend les étapes suivantes :
– l'organe attracteur est situé en regard des ioniseurs de l'étage d'ionisation. Il faut comprendre ici par "en regard" qu'une particule ionisée par l'un des ioniseurs du dispositif ionique de traitement et se propageant, à partir de l'ioniseur considéré, en direction de l'axe longitudinal selon une direction sensiblement radiale, heurte nécessairement, dans son parcours, l'organe attracteur. En d'autres termes, un plan sensiblement perpendiculaire à l'axe longitudinal et contenant les ioniseurs de l'étage d'ionisation présente une intersection non vide avec l'organe attracteur.
– l'organe attracteur est, selon la direction de l'axe longitudinal, partiellement ou totalement décalé par rapport aux ioniseurs de l’étage d’ionisation. Dans ce cas, et de manière particulièrement avantageuse, l'invention prévoit que l’organe attracteur est décalé par rapport aux ioniseurs de sorte à être placé en amont des ioniseurs relativement au flux d’air, afin de pouvoir étirer et homogénéiser un nuage de particules ionisées au sein du conduit.
- l’organe attracteur prend la forme d’une plaque qui s’étend, dans le conduit précédemment défini, en regard des ioniseurs de l’étage d’ionisation. Selon différents exemples de réalisation de cette forme particulière, une telle plaque peut être sensiblement plane ou présenter une forme courbe.
- l’organe attracteur prend la forme d’un cylindre qui s’étend, dans le conduit, le long de l’axe longitudinal. Selon un exemple particulièrement avantageux d'une telle configuration, l'organe attracteur prend la forme d'un fil matérialisant, aux tolérances de fabrication et de montage, l'axe longitudinal du carter du dispositif ionique de traitement selon l'invention.
– selon la direction de l'axe longitudinal, l’organe attracteur s’étend entre un bord inférieur et un bord supérieur des ioniseurs de l’étage d’ionisation. Les dénominations "inférieur" et "supérieur" sont ici définies en relation avec le sens de circulation du flux d'air contenant les particules à filtrer dans le conduit du dispositif ionique de traitement selon l'invention. Plus précisément, le terme "inférieur" est à comprendre comme l'amont relativement à ce sens de circulation, et le terme "supérieur" est à comprendre comme l'aval relativement à ce sens de circulation. En d'autres termes, le flux d'air contenant les particules à filtrer circule, au sein du conduit délimité par les parois du carter du dispositif ionique de traitement, selon la direction de l'axe longitudinal, entre une extrémité longitudinale inférieure et une extrémité longitudinale supérieure dudit conduit.
- selon la direction de l'axe longitudinal, un bord inférieur de l'organe attracteur est situé en amont d'un bord inférieur des ioniseurs de l'étage d'ionisation. Avantageusement, une distance, mesurée selon la direction de l'axe longitudinal entre le bord inférieur des ioniseurs et le bord inférieur de l’organe attracteur est inférieure à une dimension mesurée selon la direction de l'axe longitudinal, de l’étage d’ionisation.
- selon la direction de l'axe longitudinal, un bord supérieur de l’organe attracteur est situé en aval d'un bord supérieur des ioniseurs de l’étage d’ionisation. Avantageusement, une distance, mesurée selon la direction de l'axe longitudinal, entre le bord supérieur des ioniseurs et le bord supérieur de l’organe attracteur est inférieure à une dimension, mesurée selon la direction de l'axe longitudinal, de l’étage d’ionisation.
- l'organe attracteur est formé dans un matériau antistatique. D’une manière générale, l’organe attracteur est formé dans un matériau faiblement conducteur électrique.
- le matériau constituant l'organe attracteur comporte un plastique, par exemple un polypropylène, et une charge de carbone. Avantageusement, la quantité de carbone que comprend le matériau formant l'organe attracteur est comprise entre 5% et 20% d’une masse de plastique composant le matériau de l’organe attracteur.
- l'organe attracteur est configuré pour qu’un courant de décharge s’écoulant dans ledit organe attracteur soit inférieur ou égal à 1µA, en particulier pour un système traitant un débit d’air d’environ 100 m 3 /h. Complémentairement, dans ce cas, une différence de potentiel électrique entre une masse électrique et l’organe attracteur est inférieure ou égale à quelques dizaines de Volts, par exemple 50 V.
– une distance entre les ioniseurs et l’organe attracteur est comprise entre 50 mm et 100 mm. D’une manière générale, la distance entre les ioniseurs et l’organe attracteur est inférieure à 100 mm. Dans le contexte de l’invention, la distance entre les ioniseurs et l’organe attracteur est ajustée en fonction du matériau de l’organe attracteur et de la puissance des ioniseurs ;
- l’organe attracteur est relié à une masse électrique du dispositif ionique de traitement selon l'invention. Avantageusement, le carter du dispositif de filtration est également relié à une masse électrique du dispositif ionique de traitement.
- le carter du dispositif ionique de traitement est réalisé dans un matériau métallique.
illustre schématiquement en perspective un exemple de réalisation d'un dispositif ionique de traitement selon l'invention,
est une vue schématique d'un exemple de réalisation d'un dispositif ionique de traitement tel que celui illustré par la , en perspective coupée selon un plan contenant l'axe longitudinal précédemment défini,
Par « inclusions », on entend des particules (ici la composition de protéines de légumineuses texturées par voie sèche) mélangées avec une pâte avant sa cuisson. Après celle-ci, la composition de protéines de légumineuses texturées par voie sèche est piégée dans le produit final (d’où le terme « inclusion ») et apportent à la fois sa teneur en protéine ainsi qu’un caractère croustillant lors de la consommation.
L’invention sera particulièrement d’intérêt afin de réaliser des inclusions dans des produits de confiserie tels que fat filings, chocolats, de manière à apporter également une tenue en protéines ainsi qu’un caractère croustillant.
L’invention sera particulièrement d’intérêt afin de réaliser des inclusions dans des produits alternatifs aux produits laitiers tels que fromages, yaourts, glaces et boissons.
L’invention sera particulièrement d’intérêt dans le domaine des analogues de viandes, de poissons, de sauces, de soupes.
Une application particulière concerne l’utilisation de la composition selon l’invention pour la fabrication de substitut de viande, notamment de viande hachée. Mais également sauce bolognaise, steak pour hamburger, viande pour tacos et pitta, « chili sin carne ».
Dans les pizzas, la composition comprenant des protéines de légumineuses texturées selon l’invention sera particulièrement d’intérêt pour être saupoudrée au-dessus de la dite pizza (« topping » en anglais).
Dans les plats cuisinés déshydratés (par exemple. Bolino en Europe ou Good Dot en Inde), on utilisera la composition texturée selon l’invention en tant qu’élément apportant de fibreux et de protéine. Ainsi, il est possible d'obtenir un produit qui s'hydrate vite et jusqu’à son cœur tout en apportant une mâche intéressante.
Exemples Exemple 1 : Production d’une composition de protéines de légumineuses texturées selon l’invention
On réalise un mélange poudre constitué de 87% de protéine de pois NUTRALYS® F85M (comportant 87,2% de protéines) de la société ROQUETTE et 12,5% de fibre de pois I50M.
Ce mélange est introduit par gravité dans un extrudeur COPERION ZSK 54 MV de la société COPERION.
Le mélange est introduit avec un débit régulé de 300 kg/h. Une quantité de 120 kg/h d’eau est également introduite. Le ratio massique eau/poudre est donc de (120/ 300) * 100 = 40%.
La vis d’extrusion, composée de 85 % d’éléments de convoyage, 5% d’éléments de pétrissage et 10% d’éléments à pas inversé, est mise en rotation à une vitesse comprise à 575 tours/min et envoie le mélange dans une filière. Comme indiqué dans la description, les éléments de convoyage ont été placés en tout début de vis avec une température réglée entre 20°C et 70°C, puis les éléments de pétrissage avec une température comprise entre 90°C et 150°C et enfin les éléments de pas inversés avec des températures comprises entre 100°C et 120°c.
Le produit est dirigé en sortie vers une filière constituée de 44 trous cylindrique de 1,5 mm, d’où est expulsée la protéine texturée qui est coupée à l’aide de couteaux tournant à 2100 tours / minutes.
La protéine texturée ainsi produite est séchée dans un séchoir Dryer VD 14 x 14 KM*1 à une température de 86°C dans un flux d’air chaud de 2000 kg/h.
Une mesure de densité de la protéine extrudée à l’aide du test A nous indique une valeur de 270 g/L.
On entend par « gravure sélective vis-à-vis de » ou « gravure présentant une sélectivité vis-à-vis de » une gravure configurée pour enlever un matériau A ou une couche A vis-à-vis d’un matériau B ou d’une couche B, et présentant une vitesse de gravure du matériau A supérieure à la vitesse de gravure du matériau B. La sélectivité est le rapport entre la vitesse de gravure du matériau A sur la vitesse de gravure du matériau B. Elle est de préférence notée S A:B . Une sélectivité S A:B égale à 5:1 signifie que le matériau A est gravé 5 fois plus vite que le matériau B.
De préférence, le réservoir est apte à être alimenté en solution.
De préférence, il est entendu par solution distinctes ou différentes des solutions de même composition mais de concentrations différentes.
De préférence, le réservoir est apte à être alimenté avec plusieurs solutions liquides.
De préférence, le réservoir est apte à laisser transiter en son sein plusieurs solutions liquides.
De préférence, le réservoir est apte être alimenté par plusieurs solutions identiques ou différentes.
De préférence, les au moins deux entrées du réservoir sont comprises dans une partie du réservoir en vis-à-vis d’une partie du réservoir sur laquelle sont comprises les au moins deux sorties du réservoir.
De préférence, les au moins deux entrées du réservoir sont situées ou disposées sur ou le long d’une partie du réservoir.
De préférence, les au moins deux entrées du réservoir sont comprises dans une partie d’une paroi du réservoir.
De préférence, les au moins deux entrées du réservoir sont comprises dans une partie du réservoir en vis-à-vis d’une partie d’une partie d’une paroi du réservoir sur laquelle sont comprises les au moins deux sorties du réservoir.
De préférence, les au moins deux sorties du réservoir sont situées ou disposées sur ou le long d’une partie du réservoir.
De préférence, les au moins deux sorties du réservoir sont comprises dans une partie d’une paroi du réservoir.
Les au moins deux entrées, de préférence chacune des au moins deux entrées, et les au moins deux sorties, de préférence chacune des au moins deux sorties, peuvent être comprises dans un même plan, dit plan axial.
De préférence, le plan axial est sécant de chacune des entrées et de chacune des sorties du réservoir.
De préférence, le réservoir s’étend principalement selon un axe, dit axe de dilution, qui s’étend principalement perpendiculairement à la direction principale selon laquelle est destinée à circuler la solution dans la puce depuis le réservoir vers l’évacuation.
De préférence, le réservoir est de forme oblongue.
Dans cet exemple, les branches SIGZ, RSTZ, RSTB, SIGB comportent respectivement : – un premier commutateur MSMPSIGZ, MSMPRSTZ, MSMPRSTB, MSMPSIGB reliant le nœud SN2 à un nœud VZSIG, VZRST, VBRST, VBSIG ; – un élément capacitif C1, C2, C3, C4 comprenant une première borne connectée au nœud VZSIG, VZRST, VBRST, VBSIG et une deuxième borne connectée au nœud 403 d’application du potentiel de référence ; – un transistor MSFSIGZ, MSFRSTZ, MSFRSTB, MSFSIGB comprenant une borne de grille connectée au nœud VZSIG, VZRST, VBRST, VBSIG et une borne de drain connectée au nœud 401 d’application du potentiel VRT ; et – un deuxième commutateur MRDSIGZ, MRDRSTZ, MRDRSTB, MRDSIGB reliant une borne de source du transistor MSFSIGZ, MSFRSTZ, MSFRSTB, MSFSIGB à la colonne Vx1.
À titre d’exemple, les commutateurs et les transistors des branches SIGZ, RSTZ, RSTB et SIGB du circuit 400 sont des transistors MOS.
Dans cet exemple, les commutateurs MSMPSIGZ, MSMPRSTZ, MSMPRSTB, MSMPSIGB sont utilisés comme interrupteurs de multiplexage entre le nœud SN2 et l’élément capacitif C1, C2, C3, C4 correspondant, en permettant par exemple un accès en écriture à ces éléments capacitifs. Les transistors MOS MSFSIGZ, MSFRSTZ, MSFRSTB, MSFSIGB sont montés en suiveurs de tension et sont par exemple utilisés pour recopier sur leur source, à une tension grille-source près, la tension stockée par l’élément capacitif C1, C2, C3, C4 correspondant. Les commutateurs MRDSIGZ, MRDRSTZ, MRDRSTB, MRDSIGB sont utilisés comme interrupteurs de connexion à la colonne Vx1 et permettent d’appliquer, sur la colonne Vx1, la tension de source du transistor MSFSIGZ, MSFRSTZ, MSFRSTB, MSFSIGB correspondant.
Le circuit de commande 400 permet avantageusement d’intégrer simultanément des charges photogénérées dans les zones photosensibles 103 et 107 des photodiodes D1 et D2, d’échantillonner les charges photogénérées dans la photodiode D2 en parallèle de l’intégration dans les photodiodes D1 et D2 et de lire successivement, via un même chemin électrique, des signaux permettant de reconstituer une image de profondeur et une image 2D d’une scène.
Dans l’exemple illustré en , le circuit de commande 400 est compatible avec un fonctionnement du capteur d’images en mode dit à obturateur global (« global shutter », en anglais). Toutefois, la personne du métier est capable d’adapter le circuit 400 pour le rendre compatible avec un fonctionnement du capteur d’images en mode dit à obturateur déroulant (« rolling shutter », en anglais).
La est un schéma électrique d’un circuit de commande 500 du photosite 100 de la selon un autre mode de réalisation. Le circuit 500 de la comprend des éléments en commun avec le circuit 400 de la . Ces éléments communs ne seront pas décrits à nouveau en détail ci-après. Le circuit 500 est par exemple plus précisément utilisé dans le cas où le photosite 100 est mis en œuvre en tant que photosite 100G adapté à capter de la lumière verte.
Dans l’exemple représenté, le circuit 500 comprend un premier niveau 500A identique au premier niveau 400A du circuit 400. Dans cet exemple, le circuit 500 comprend en outre un deuxième niveau 500B. Le deuxième niveau 500B du circuit 500 diffère par exemple du deuxième niveau 400B du circuit 400 en ce que le deuxième niveau 500B du circuit 500 comporte seulement deux branches SIGG et RSTG reliant chacune le nœud SN2 du circuit 450 à une colonne Vx2, par exemple différente de la colonne Vx1. Les branches SIGG et RSTG du circuit 500 présentent par exemple des structures similaires à celles des branches SIGB et RSTB, respectivement, du circuit 400 de la .
Plus précisément, dans cet exemple, les branches SIGG et RSTG comportent respectivement : – un premier commutateur MSMPSIGG, MSMPRSTG reliant le nœud SN2 à un nœud VGSIG, VGRST ; – un élément capacitif C5, C6 comprenant une première borne connectée au nœud VGSIG, VGRST et une deuxième borne connectée au nœud 403 d’application du potentiel de référence ; – un transistor MSFSIGG, MSFRSTG comprenant une borne de grille connectée au nœud VGSIG, VGRST et une borne de drain connectée au nœud 401 d’application du potentiel VRT ; et – un deuxième commutateur MRDSIGG, MRDRSTG reliant une borne de source du transistor MSFSIGG, MSFRSTG à la colonne Vx2.
À titre d’exemple, les commutateurs et les transistors des branches SIGG et RSTG du circuit 500 sont des transistors MOS.
Les transistors MSMPSIGG, MSMPRSTG, MSFSIGG, MSFRSTG, MRDSIGG et MRDRSTG présentent par exemple des fonctions analogues à celles précédemment exposées pour les transistors MSMPSIGB, MSMPRSTB, MSFSIGB, MSFRSTB, MRDSIGB et MRDRSTB, respectivement.
Bien que l’on ait exposé ci-dessus en relation avec la un mode de réalisation dans lequel le circuit 500 est utilisé pour commander un photosite 100G adapté à capter de la lumière verte, la personne du métier est capable d’adapter le circuit 500 pour commander un photosite adapté à capter de la lumière rouge. Plus précisément, un circuit identique au circuit 500 pourrait être utilisé.
Dans un souci de simplification, on a exposé ci-dessus en relation avec les figures 4 et 5 des circuits de commande 400 et 500 utilisant une même tension d’alimentation VRT sur chaque branche SIGZ, RSTZ, SIGB, RSTB, SIGG et RSTG. À titre de variante, on pourrait prévoir d’utiliser des tensions d’alimentation différentes sur toutes ou partie de ces branches.
En outre, on a exposé ci-dessus en relation avec les figures 4 et 5 des circuits 400 et 500 dont les deuxièmes niveaux 400B et 500B comportent, pour chaque capacité C1, C2, C3, C4, C5, C6, un transistor MSFSIGZ, MSFRSTZ, MSFRSTB, MSFSIGB, MSFSIGG, MSFRSTG dont la grille est connectée à l’une des bornes de la capacité correspondante et dont la source est reliée à la colonne Vx1, Vx2 correspondante par un commutateur MRDSIGZ, MRDRSTZ, MRDRSTB, MRDSIGB, MRDSIGG, MRDRSTG. À titre de variante, on peut prévoir que toutes les capacités d’un même deuxième niveau 400B, 500B soient reliées, par des commutateurs, à la grille d’un seul transistor de lecture dont la source est reliée, par un autre transistor, à la colonne Vx1, Vx2 correspondante, et que le potentiel appliqué sur la grille du transistor de lecture soit réinitialisé au moyen d’encore un autre transistor. La mise en œuvre de cette variante est à la portée de la personne du métier à partir des indications de la présente description.
La est un chronogramme illustrant un mode de mise en œuvre d’un procédé de commande des photosites 100Z et 100G du capteur d’images 300 de la respectivement commandés par les circuits 400 et 500 des figures 4 et 5.
Plus précisément, la illustre l’évolution, en fonction du temps t : – d’un signal TGRSTZ de commande du transistor de transfert MTGRST du photosite 100Z ; – d’un signal TGZ de commande du transistor de transfert MTG du photosite 100Z ; – d’un signal TGRSTG de commande du transistor de transfert MTGRST du photosite 100G ; – d’un signal TGG de commande du transistor de transfert MTG du photosite 100G ; – d’un signal MODE de commande des grilles de transfert verticales VEGA des photosites 100Z et 100G ou, à titre de variante, de la grille de transfert verticale VEGA du photosite 100Z uniquement ; – d’un signal RST1 de commande des commutateurs MRST des photosites 100Z et 100G ; – d’un signal SMPRSTZ de commande du commutateur MSMPRSTZ de la branche RSTZ du deuxième niveau 400B du circuit 400 ; – d’un signal SMPSIGZ de commande du commutateur MSMPSIGZ de la branche SIGZ du deuxième niveau 400B du circuit 400 ; – d’un signal SMPRSTB de commande du commutateur MSMPRSTB de la branche RSTB du deuxième niveau 400B du circuit 400 ; – d’un signal SMPSIGB de commande du commutateur MSMPSIGB de la branche SIGB du deuxième niveau 400B du circuit 400 ; – d’un signal SMPRSTG de commande du commutateur MSMPRSTG de la branche RSTG du deuxième niveau 500B du circuit 500 ; – d’un signal SMPSIGG de commande du commutateur MSMPSIGG de la branche SIGG du deuxième niveau 500B du circuit 500 ; – d’un signal RDRSTZ de commande du commutateur MRDRSTZ de la branche RSTZ du deuxième niveau 400B du circuit 400 ; – d’un signal RDSIGZ de commande du commutateur MRDSIGZ de la branche SIGZ du deuxième niveau 400B du circuit 400 ; – d’un signal RDRSTB de commande du commutateur MRDRSTB de la branche RSTB du deuxième niveau 400B du circuit 400 ; – d’un signal RDSIGB de commande du commutateur MRDSIGB de la branche SIGB du deuxième niveau 400B du circuit 400 ; – d’un signal RDRSTG de commande du commutateur MRDRSTG de la branche RSTG du deuxième niveau 500B du circuit 500 ; et – d’un signal RDSIGG de commande du commutateur MRDSIGG de la branche SIGG du deuxième niveau 500B du circuit 500.
Dans le procédé illustré en , chaque signal de commande présente des états haut et bas. Dans cet exemple, le commutateur est fermé, ou le transistor est passant, lorsque le signal de commande correspondant est à l’état haut et le commutateur est ouvert, ou le transistor est bloqué, lorsque le signal de commande correspondant est à l’état bas. Cet exemple n’est toutefois pas limitatif, la personne du métier étant en mesure d’adapter ce qui est décrit en relation avec la au cas où le commutateur est fermé lorsque le signal de commande correspondant est à l’état bas et ouvert lorsque le signal de commande correspondant est à l’état haut.
L’étape 106 est, alors, une étape de comparaison de l’image acquise avec le gabarit de référence. L’image est de préférence acquise après fusion de l’une des passes de poudre déposée. La passe à laquelle l’image est acquise est, par exemple, la passe associée à un numéro de passe prédéfini. Alternativement, la passe à laquelle est acquise l’image peut être choisie aléatoirement ou en fonction de critères métiers indiquant, par exemple, un numéro de passe auquel l’image doit être acquise.
La comparaison est mise en œuvre en comparant l’image acquise de la nouvelle pièce avec l’image comprise dans le gabarit qui correspond au même numéro de passe. Avantageusement, cette comparaison permet de comparer les images de deux pièces qui ont été acquises au même instant durant leur processus de fabrication.
La comparaison peut être effectuée par une superposition de l’image de la nouvelle pièce avec l’image correspondante du gabarit.
Préférentiellement, dans le cas où le gabarit comprend l’ensemble de contours internes minimaux 301a, l’image de la nouvelle pièce est comparée au contour interne minimal 301a du gabarit correspondant au même numéro de passe.
L’étape 107 est, ensuite, une étape de vérification de la conformité dimensionnelle de la nouvelle pièce fabriquée.
La conformité de la nouvelle pièce est déterminée en fonction de la comparaison mise en œuvre à l’étape 106 de comparaison.
Préférentiellement, une pièce est définie comme conforme si l’image à chaud de la nouvelle pièce respecte les limitations définies par le contour interne minimal 301a du gabarit.
En l’occurrence, concernant la cavité interne de la pale, la conformité de la nouvelle pièce est vérifiée si la cavité interne de la nouvelle pièce dans l’image à chaud associée est plus grande que le contour interne minimal 301a compris dans le gabarit. En d’autres termes, la nouvelle pièce est définie comme étant non-conforme lorsque le contour interne minimal 301a du gabarit est plus grand, partiellement ou totalement, que la cavité interne de la nouvelle pièce dans l’image acquise à chaud. Les dimensions de la cavité interne de la nouvelle pièce excèdent alors le gabarit de référence.
L’étape 108 est, enfin, une étape d’arrêt de la fabrication de la nouvelle pièce dans le cas où la conformité de la pièce n’est pas vérifiée à l’étape 107 de vérification de conformité. L’intérêt est de pouvoir prématurément stopper la fabrication d’une pièce dont la non-conformité est détectée au cours de sa fabrication. Ceci permet, avantageusement, de diminuer la quantité de poudre perdue lors de la fabrication de la nouvelle pièce non-conforme. Un autre avantage est de réduire le temps passer à fabriquer ladite nouvelle pièce non-conforme et de déclencher, par exemple, la fabrication d’une autre nouvelle pièce. Ceci est particulièrement avantageux dans le cadre d’une production en série de pièces.
L’arrêt de la fabrication peut être effectué manuellement par un opérateur et, dans ce cas, l’étape 108 est une étape d’émission d’une alerte de non-conformité de la nouvelle pièce en cours de fabrication. L’alerte peut alors être une information sonore ou visuelle indiquant que ladite nouvelle pièce est non-conforme.