INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
L’étape 642 comprend une deuxième implantation de dopants ChII2 dans le film semiconducteur FLMn du transistor NMOS, de manière à former une région de canal ayant une deuxième concentration en espèces dopantes ChII2, supérieure à la première concentration en espèces dopantes ChII. L’étape 642 a pour effet d’augmenter la tension de seuil du transistor NMOS de sensiblement +0,1 V. A l’issue de l’étape 642 combinée à l’étape 631, on a pu obtenir le transistor NMOS ayant la tension de seuil « médiane inférieure » iRVT. A l’issue de l’étape 641 combinée à l’étape 632, on a pu obtenir le transistor NMOS ayant la tension de seuil « ultra haute » uHVT et/ou le transistor NMOS des cellules SRAM.
La illustre des étapes d’un procédé de fabrication 700 des transistors PMOS décrits précédemment en relation avec les figures 4 et 5. Plus particulièrement, les étapes 710, 720, 731, 732, 741, 742 de la représentent les modifications apportées à une fabrication d’un transistor PMOS classique PMOS_lgcy pour obtenir les transistors TPM décrits précédemment en relation avec les figures 4 et 5, c’est-à-dire les transistors PMOS configurés pour avoir les différentes tensions de seuil nominales SLVT, LVT, iRVT, RVT, HVT dans la condition de polarisation arrière neutre NBB.
Le transistor classique PMOS_lgcy, considéré comme point de départ dans l’étape 701, est réalisé dans un caisson de type P aménagé dans le substrat porteur, comporte une région de canal en alliage de silicium-germanium avec une concentration de germanium comprise entre 18% et 20%, en pourcentage atomique, et a par exemple une tension de seuil de sensiblement 0,22 V. Toutes les caractéristiques structurelles du transistor classique PMOS_lgcy qui ne sont pas modifiées dans le procédé 700, telles que notamment la longueur de canal, les implantations des régions de conduction P+, et autres, sont identiques dans les transistors PMOS obtenus.
L’étape 710 comprend un remplacement du caisson aménagé dans le substrat porteur, classiquement dopé de type P, par un caisson NW dopé de type N, et une polarisation arrière neutre à la tension positive non-nulle +V 0 . L’étape 710 a pour effet d’augmenter la tension de seuil du transistor PMOS de sensiblement +0,15 V.
L’étape 720 comprend une formation de la couche diélectrique de grille comprenant une région en oxynitrure de silicium Ndose, et une formation d’une région de canal en alliage de silicium-germanium SiGe30%, avec une concentration de germanium supérieure à 25% en pourcentage atomique, par exemple 30%, et en outre une contrainte en compression CMPR dans le film semiconducteur FLMp du transistor PMOS. L’étape 720 a pour effet de diminuer la tension de seuil du transistor PMOS de sensiblement -0,15 V.
L’étape 731 comprend une formation d’une région conductrice de grille NG ayant un travail de sortie de type N, comportant du nitrure de titane et du lantane comme additif au nitrure de titane. L’étape 731 a pour effet d’augmenter la tension de seuil du transistor PMOS de sensiblement +0,1 V. A l’issue de l’étape 731, on a pu obtenir le transistor PMOS ayant la tension de seuil « médiane supérieure » RVT.
L’étape 732 comprend une formation d’une région conductrice de grille PG ayant un travail de sortie de type P, comportant du nitrure de titane et de l’aluminium comme additif au nitrure de titane. L’étape 732 a pour effet de diminuer la tension de seuil du transistor PMOS de sensiblement -0,05 V. A l’issue de l’étape 732, on a pu obtenir le transistor PMOS ayant la tension de seuil « super basse » SLVT.
L’étape 741 comprend une première implantation de dopants ChII dans le film semiconducteur FLMp du transistor PMOS, de manière à former une région de canal ayant une première concentration en espèces dopantes ChII. L’étape 741 a pour effet d’augmenter la tension de seuil du transistor NMOS de sensiblement +0,05 V. A l’issue de l’étape 741 combinée à l’étape 731, on a pu obtenir le transistor PMOS ayant la tension de seuil « haute » HVT. A l’issue de l’étape 741 combinée à l’étape 732, on a pu obtenir le transistor PMOS ayant la tension de seuil « basse » LVT.
L’étape 742 comprend une deuxième implantation de dopants ChII2 dans le film semiconducteur FLMp du transistor PMOS, de manière à former une région de canal ayant une deuxième concentration en espèces dopantes ChII2, supérieure à la première concentration en espèces dopantes ChII. L’étape 742 a pour effet d’augmenter la tension de seuil du transistor PMOS de sensiblement +0,1 V. A l’issue de l’étape 742 combinée à l’étape 732, on a pu obtenir le transistor PMOS ayant la tension de seuil « médiane inférieure » iRVT.
Parallèlement, on pourra fabriquer les transistors PMOS à tension de seuil « ultra haute » uHVT, et des transistors PMOS pour cellules mémoires SRAM, à partir du transistor classique PMOS_lgcy, considéré comme point de départ dans l’étape 701.
A l’étape 751, on ne remplace pas le caisson aménagé dans le substrat porteur dopé de type P, et on applique une polarisation arrière neutre à la tension négative non-nulle -V 0 . L’étape 751 a pour effet de diminuer la tension de seuil du transistor PMOS de sensiblement -0,08 V.
L’étape 752 comprend une formation de la couche diélectrique de grille comprenant une région en oxynitrure de silicium Ndose, un remplacement de la région de canal (c’est-à-dire le film semiconducteur FLMp, initialement en silicium-germanium avec une concentration de germanium comprise entre 18% et 20%, en pourcentage atomique) par une région de canal en silicium intrinsèque Si, et une contrainte en compression CMPR dans le film semiconducteur FLMp du transistor PMOS. L’étape 720 a pour effet d’augmenter la tension de seuil du transistor PMOS de sensiblement +0,25 V.
est une vue de dessus de la partie centrale d’une puce microfluidique selon un mode de réalisation,
est une vue de dessus d’une puce microfluidique selon un mode de réalisation,
est une vue suivant une coupe AA de la partie centrale de la puce microfluidique représentée sur la ,
est une vue schématique d’un système microfluidique selon un mode de réalisation,
est une vue de dessus d’une puce microfluidique selon un mode de réalisation à 2 canaux de sortie, avec injection d’un fluide échantillon et injection symétrique du fluide de gaine ;
est une vue suivant une coupe BB de la partie centrale de la puce microfluidique représentée sur la ;
est une vue de dessus d’une puce microfluidique selon un mode de réalisation à 3 canaux de sortie, avec injection symétrique du fluide de gaine ;
est une vue de dessus d’une puce microfluidique selon un mode de réalisation à 2 canaux de sortie, avec injection dissymétrique du fluide de gaine ;
est une vue de dessus d’une puce microfluidique lors de l’application d’une impulsion laser sur au moins une zone de chauffage selon un exemple ;
est une simulation en vue de dessus d’une puce microfluidique lors de l’application d’une séquence alternée d’impulsions laser sur deux zones de chauffage ;
est une simulation des débits de flux transmis dans deux canaux de sortie lors de l’application d’une séquence alternée d’impulsions laser sur deux zones de chauffage ;
représente schématiquement une séquence pour extraire une portion de fluide échantillon vers une sortie déterminée ;
est une vue en coupe d’une puce microfluidique selon un autre mode de réalisation, à symétrie de révolution.
Description détaillée De manière générale, la présente divulgation concerne un dispositif microfluidique 100 aussi appelé puce microfluidique.
Dans le présent document, on entend par fluide un liquide pur ou en mélange, ou encore un gel ou une émulsion.
est une représentation analogue à celle de la avec la vis en position haute et le couvercle en position semi-fermée ;
représente schématiquement en perspective, un exemple de mode de réalisation d’un couvercle pour le connecteur de la ;
est une représentation schématiquement en coupe du connecteur de la , avec la vis en position haute et le couvercle en position semi-fermée ;
est une représentation schématique en perspective de l’ensemble de connexion de la , avec la vis en position haute et le couvercle en position semi-fermée ;
est une représentation schématique en perspective de l’ensemble de connexion de la , avec la vis en position basse et le couvercle en position fermée ; et
est une représentation schématique en coupe de l’ensemble de connexion de la , avec la vis en position basse et le couvercle en position fermée.
Exposé détaillé d’un mode de réalisation Un exemple de mode de réalisation d’un connecteur 2 est représenté sur la . Ce connecteur 2 est utilisé dans un circuit électrique de puissance d’un véhicule automobile. Un tel circuit sert par exemple à interconnecter des composants 100 (voir figures 8 et 14) tels qu’une barre de connexion, une batterie, une borne de recharge, un convertisseur, un moteur électrique, etc. Ce circuit comporte alors un contre-connecteur 3 ou embase (« socket » en anglais) relié électriquement à ce composant 100 (voir figures 2 et 3 par exemple). Eventuellement, le contre-connecteur 3 est monté sur ou dans ce composant 100. Le connecteur 2 et le contre-connecteur 3 forment un ensemble de connexion 1.
Dans le cas de l’exemple illustré par les figures, le connecteur 2 et le contre-connecteur 3 sont des connecteurs de puissance à deux voies. Dans cet exemple, chaque voie du connecteur 2 est électriquement connectée à un élément conducteur 200 (par exemple une barre de connexion). Le connecteur 2 comporte un boîtier 4 avec deux cavités 5 (voir par exemple) dans chacune desquelles est logé un contact de puissance 6 (voir par exemple). Ce contact de puissance est sous forme d’une vis 6 métallique avec une tête 7 et une tige filetée 8 (voir par exemple). Cette vis 6 est également munie d’un capuchon 9 en matériau électriquement isolant (voir figures 7 et 8 par exemple). Le capuchon 9 comporte des structures crantées 27 configurées pour coopérer avec un outil de vissage ou dévissage de la vis 6. Ainsi, la vis 6 peut être vissée ou dévissée sans retirer son capuchon 9 protecteur.
Dans l’exemple illustré sur les figures, le connecteur 2 comporte également un porte-vis 10 (voir notamment la ). Le porte-vis 10 est monté dans le boîtier 4 à l’aide de moyens de fixation 11. Par exemple, les moyens de fixation 11 sont sous la forme de pattes élastiques 12 comportant chacune une échancrure 13 configurée pour coopérer avec une dent 14 (voir aussi ).
Le connecteur 2 comporte également un couvercle 15. Dans l’exemple illustré sur les figures, le couvercle 15 est monté en rotation sur le boîtier 4, grâce à des éléments de charnière 16. Le couvercle 15 est donc articulé entre au moins une position ouverte dans laquelle chaque vis 6 est accessible pour pouvoir être vissée ou dévissée, et une position fermée dans laquelle le couvercle 15 ferme le boîtier 4 (par exemple hermétiquement grâce à des joints) et dans laquelle chaque vis 6 est complètement masquée. La configuration du connecteur 2 avec le couvercle 15 en position ouverte est par exemple illustrée par la . La configuration du connecteur 2 avec le couvercle 15 en position fermée est par exemple illustrée par les figures 14 et 15. Entre les positions ouverte et fermée, le couvercle 15 peut prendre au moins une position intermédiaire dite semi-fermée (par exemple illustrée par les figures 12 et 13).
Le couvercle 15 en position semi-fermée bloque le porte-vis 10 pour empêcher les vis 6 de passer d’une position haute à une position basse. En effet, le porte-vis 10 comporte des protubérances hautes 17 et basses 18 qui permettent de maintenir la tête 7 de la vis 6 en position haute. Autrement dit, ces protubérances hautes 17 et basses 18 forment des moyens de rétention de la vis 6 en position haute. Ces protubérances hautes 17 et basses 18 font saillie sur la surface interne de puits 19 dans chacun desquels est logée une vis 6. Pour particulièrement, chaque puits 19 comporte une portion de paroi comprenant des languettes 20 élastiquement déformables. Certaines de ces languettes 20 comportent une protubérance basse 18 tandis que d’autres comportent une protubérance haute 17. Ainsi, le capuchon 9 se trouve maintenu grâce à une couronne 24 en position haute, la couronne 24 étant coincée entre les protubérances hautes 17 et basses 18 (voir figures 7, 10, 12). L’élasticité des languettes 20 permet à celles-ci de s’escamoter pour introduire les vis 6 dans les puits 19 et pour les faire passer de leur position haute à leur position basse.
Pour éviter que les vis 6 passent trop facilement de leur position haute à leur position basse, le couvercle 15 comporte des murets 21 qui viennent se loger derrière les languettes 20 qui comportent les protubérances basses 18 afin de limiter, voire d’interdire leur déformation (voir par exemple). Autrement dit, les murets 21 constituent des moyens de renfort des languettes 20.
Pour la livraison du connecteur 2, la vis 6 est pré-assemblée sur le connecteur 2. Plus particulièrement, dans l’exemple présenté sur les figures, pour la livraison, la vis 6 est prépositionnée dans le porte-vis 10 et le couvercle 15 est en position fermée. Le couvercle 15 en position fermé permet d’éviter que les vis 6 ne s’échappent des cavités 5 et permet de protéger les cavités 5 et les vis 6 de la poussière notamment.
Le connecteur 2 est également muni d’une portion (contacts reliés à des fils conducteurs) de circuit interlock. Le circuit interlock contrôle l’alimentation et la mise sous tension du connecteur 2. Lorsque le circuit interlock est ouvert, le connecteur 2, et donc les vis 6 ne sont pas sous tension. Lorsque le circuit interlock est fermé, le connecteur 2, et donc les vis 6 peuvent être sous tension.
Dans l’exemple de mode de réalisation illustré sur les figures, le circuit interlock comporte un shunt 25 monté dans un logement 22 du couvercle 15 (voir ). Lorsque le couvercle 15 est en position fermée, le shunt 25 établit une liaison électrique entre deux contacts 23 du circuit interlock. Lorsque le couvercle 15 est en position ouverte ou semi-fermée, le shunt n’entre pas en contact avec les contacts 23 et le circuit interlock reste ouvert (voir ). Le shunt 25 et les contacts 23 constituent des éléments de connexion d’un circuit interlock.
En outre, le capuchon 9 offre une protection IPXXB additionnelle par rapport au circuit interlock. Ainsi, un opérateur manipulant le connecteur 2 alors que le couvercle 15 est en position ouverte ou semi-fermée (par exemple pendant une opération de maintenance) n’a pas de risque d’électrocution.
Dans cet exemple de la , les données requises apparaissent dans une image illustrée sur la qui correspond à un chat de messagerie instantanée par exemple. Cette image est considérée ici comme une source de données de référence et le formulaire en ligne à remplir (accessible via une page web par exemple) de la correspond à l’application sollicitant les données requises.
Une analyse sémantique de ces données requises peut mener au premier graphe précité et une analyse sémantique du chat de la peut mener au deuxième graphe précité.
Dans au moins un mode de réalisation, ces premier et deuxième graphes sémantiques sont arborescents et comportent : * des nœuds représentatifs de prédicats, et * des feuilles représentatives de données textuelles et répondant aux prédicats. Le procédé peut alors comporter : - identifier des nœuds à prédicats communs entre les premier et deuxième graphes, et - sélectionner dans le deuxième graphe des feuilles issues des nœuds à prédicats communs, lesdites feuilles sélectionnées correspondant à ladite partie des données textuelles requises parmi les données textuelles obtenues.
Ainsi, dans une telle réalisation, il est mené une recherche de nœuds communs dans les graphes pour en déduire les feuilles issues de ces nœuds dans le deuxième graphe et qui correspondent à des réponses pertinentes pour fournir les données requises.
Dans l’exemple des figures 4 et 5, il peut être identifié les nœuds communs sous la branche d/date-entity correspondant à une date de future destination. Cette date du deuxième graphe de la donnant la réponse aux données requises sous les mêmes nœuds du premier graphe de la . Ainsi, la date (par exemple par défaut) du 10 février 2022 du premier graphe doit être corrigée en la date du 7 janvier donnée par le deuxième graphe.
Par exemple, ces premier et second graphes sémantiques peuvent être en langage informatique de représentation sémantique abstraite, ou « AMR » (pour « Abstract Meaning Representation », en français « représentation sémantique abstraite »).
Les données issues des sources peuvent être sous différentes formes. Par exemple, il peut s’agir de données d’image comportant du texte, et le procédé peut comporter alors : - traiter ces données d’image par reconnaissance de caractères pour obtenir des données textuelles.
Ainsi, les données textuelles de référence peuvent être issues d’une image telle qu’une photographie numérique, une vidéo numérique, selon un format quelconque.
Dans certains modes de réalisation, en complément ou en variante, des données issues d’une source peuvent être des données sonores, et le procédé peut comporter : - traiter lesdites données sonores pour détecter des signaux de parole et convertir les signaux de parole en données textuelles.
Dans ce cas, les données textuelles de référence sont issues par exemple d’un enregistrement audio.
Dans certains modes de réalisation, en complément ou en variante, des données d’une source peuvent être issues d’un dispositif informatique de saisie de caractères manuscrits, et le procédé peut comporter : - mettre en œuvre une reconnaissance de caractères manuscrits pour convertir les caractères saisis en données textuelles.
Par exemple, les données textuelles de référence peuvent ici être issues d’un tableau blanc connecté ou d’une tablette graphique à reconnaissance de caractères manuscrits, ou autres.
Dans certains modes de réalisation, alternativement ou en complément, les données textuelles requises peuvent elles-mêmes être issues d’une analyse de données d’image du type précité, ou encore d’un contenu audio, ou encore d’un fichier acquis par reconnaissance de caractères manuscrits.
Bien entendu, les données référentes et/ou les données requises peuvent être issues de fichiers de texte éditable (par exemple au format « doc » ou « docx ») ou de texte non éditable (par exemple au format « pdf »). Dans un mode de réalisation, une partie au moins des données textuelles obtenues peuvent être enregistrées en mémoire du dispositif informatique avec une donnée relative à un type de source dont elles sont issues. Ainsi par exemple en cas de conflit entre les réponses respectives données par différentes sources, certaines données référentes (non éditables par exemple) peuvent « faire foi » par rapport à d’autres (par exemple du texte éditable qui peut comporter des erreurs de saisie typiquement). Selon un autre exemple, des données référentes provenant d’une source de confiance, comme une source officielle (par exemple un site institutionnel ou gouvernemental) peuvent faire foi par rapport à d’autres données référentes provenant d’une source quelconque.
Dans un mode de réalisation, les données issues d’au moins une source sont enregistrées en mémoire du dispositif informatique pendant une première durée (qui peut être choisie et par exemple paramétrable), après une dernière utilisation pour la mise en œuvre du procédé.
Une telle réalisation permet de conserver en mémoire (tampon par exemple) les données les plus fréquemment consultées et d’effacer par contre des données de référence qui n’ont pas servi depuis la première durée, précitée.
Dans un premier mode de réalisation, la source d’énergie comprend une source laser et le transducteur comprend un élément solide apte à absorber le rayonnement de la source laser et à transmettre la chaleur au fluide de gaine dans une zone de la gaine hydrodynamique. Par convention nous appelons ce type de transducteur, transducteur photo-thermique.
Dans un deuxième mode de réalisation, la source d’énergie comprend une source laser et le transducteur est constitué par le fluide de gaine qui est apte à absorber directement le rayonnement de la source laser dans une zone de la gaine hydrodynamique. Le transducteur est alors de type photo-thermique.
Dans un troisième mode de réalisation, la source d’énergie comprend une source de courant électrique et le transducteur comprend un élément dissipatif résistif ou inductif apte à chauffer localement le fluide de gaine à l’intérieur du canal commun 4 dans une zone de la gaine hydrodynamique. Par convention nous appelons ce type de transducteur, transducteur électro-thermique
Dans tous les modes de réalisation, le fluide de gaine 21, 22 est choisi pour présenter une viscosité variable en fonction d’une élévation de la température, de façon à modifier le débit du flux de fluide de gaine, en norme et/ou en orientation. De façon avantageuse, le fluide de gaine 21, 22 présente une forte variation de viscosité en fonction de la température. Généralement, la viscosité du fluide de gaine diminue lorsque la température augmente. Par exemple, le fluide de gaine présente, à une température de 20°C, une viscosité comprise entre 2 mPa.s et 30 000 mPa.s, par exemple entre 10 et 1000 mPa.s et une variation thermique de viscosité comprise entre 0,2 mPa. s K -1 et 3 000 mPa. s K -1 , de préférence comprise entre 1 et 100 mPa.s K -1 par exemple d’au moins 1 mPa.s par degré Kelvin en valeur absolue. De façon avantageuse, le fluide de gaine 21, 22 a une viscosité comprise entre 10 et 1000 mPa.s à une température ambiante de 20°C pour permettre un écoulement dans le dispositif microfluidique. A titre d’exemple nullement limitatif on utilise comme fluide de gaine 21, 22 un liquide basé sur un mélange d’eau et de glycérol (1,2,3-propanetriol de formule chimique HOH 2 C–CHOH–CH 2 OH) ou un mélange d’eau et de glucides simples ou complexes (par exemple un sirop ou de l’agar-agar), ou du propylène glycol (propane-1,2-diol, de formule chimique CH 3 –CHOH–CH 2 OH) ou de l’huile de lin. Le glycérol présente une viscosité fortement variable avec la température : sa viscosité diminue 5000 fois plus que celle de l’eau quand on l’échauffe de 1°C. En revanche, le glycérol pur présente une viscosité très élevée, ce qui nécessite des différences de pression difficiles à mettre en œuvre en pratique dans un système microfluidique. Avantageusement, on sélectionne un fluide de gaine ayant à la fois une viscosité dynamique inférieure à 500 mPa.s et présentant une dépendance de sa viscosité en fonction de la température supérieure à 2 mPa.s par degré Celsius. On utilise par exemple un fluide de gaine constitué de 10 % d’eau et 90%de glycérol en concentration massique. Dans un autre exemple, on utilise un mélange constitué de 25% d’eau et 75% de glycérol en concentration massique.
Le fluide échantillon 20 et le ou les fluides de gaine 21, 22 peuvent être miscibles ou immiscibles entre eux. Le fluide échantillon 20 est composé par exemple d’eau ou d’une solution tampon phosphate salin (PBS) dans laquelle se trouvent des micro-objets ou nano-objets à catégoriser et manipuler.