Cellule solaire multi-jonctions à porteurs chauds (HCMJSC), comprenant : au moins une jonction inférieure ; et au moins une jonction supérieure de type cellule solaire à porteurs chauds (HCSC) comprenant : un absorbeur; au moins une couche choisie parmi : a/ une couche contact électron, dont la bande de conduction est supérieure à la bande de conduction de l’absorbeur, et/ou b/ une couche contact trou, dont la bande de valence est inférieure à la bande de valence de l’absorbeur. Cellule solaire selon la revendication 1, selon laquelle la jonction supérieure comprend deux couches contact : une couche contact électron, et une couche contact trou. Cellule solaire selon la revendication 1 ou 2, selon laquelle la jonction supérieure comprend dans l’ordre : une couche contact électron ; une première couche contact énergie sélective (SEC) ; un absorbeur; une deuxième couche contact énergie sélective (SEC) ; et une couche contact trou. Cellule solaire selon l’une quelconque des revendications précédentes, selon laquelle la jonction inférieure et la jonction supérieure sont séparées par une jonction tunnel. Cellule solaire selon l’une quelconque des revendications précédentes, comprenant une jonction supérieure et au moins deux jonctions inférieures, lesdites jonctions inférieures absorbant dans des domaines spectraux différents. Cellule solaire selon l’une quelconque des revendications précédentes, comprenant : au moins deux jonctions inférieures absorbant dans des domaines spectraux différents ; une jonction supérieure de type cellule solaire à porteurs chauds comprenant : une couche contact électron ; une première couche contact énergie sélective (SEC) ; un absorbeur ; une deuxième couche contact énergie sélective (SEC) ; et une couche contact trou ; deux terminaux, positionnés aux extrémités de la cellule ; une couche anti-reflet positionnée au contact de la jonction supérieure ; optionnellement au moins une jonction tunnel positionnée entre les jonctions inférieures et/ou entre la jonction supérieure et la première jonction inférieure ; optionnellement un miroir ou une couche métallique, positionné(e) sous la dernière jonction ; optionnellement un élément optique de piégeage visant à augmenter l’absorption et positionné : entre la couche anti-reflet et la jonction supérieure, entre la jonction supérieure et les jonctions inférieures, ou sous la jonction inférieure (entre la jonction et le miroir). Cellule solaire selon l’une quelconque des revendications précédentes, selon laquelle l’absorbeur de la jonction supérieure présente une épaisseur inférieure à 1 µm. Cellule solaire selon l’une quelconque des revendications précédentes, selon laquelle les porteurs chauds de l’absorbeur ont une élévation de température supérieure à 10ºC par rapport à la température du matériau, en condition opératoire au point de fonctionnement maximum. Dispositif comprenant au moins une cellule solaire (HCMJSC) selon l’une quelconque des revendications 1 à 8 et au moins un élément optique configuré pour diriger l'énergie solaire vers la cellule solaire. Procédé de fabrication d’une cellule solaire (HCMJSC) selon l’une quelconque des revendications 1 à 8, par : - croissance épitaxiale, en particulier par jet moléculaire (MBE pour épitaxie par faisceau moléculaire ou PA-MBE pour épitaxie par faisceau moléculaire assistée par plasma), MOVPE (épitaxie en phase vapeur organométallique), ou ALD (dépôt de couche atomique) ; et/ou - par impression jet d’encre, avec une lame ou de type « fente-matrice », par dépôt chimique en phase vapeur (CVP ou PECVD pour dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma) ou par pulvérisation. Procédé de production d’électricité, selon lequel : au moins une cellule solaire (HCMJSC) selon l’une quelconque des revendications 1 à 8 ou un dispositif selon la revendication 9, est exposé au rayonnement solaire par son côté jonction supérieure, et on collecte un courant électrique.