INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
En pratique, la structure illustrée en peut être portée par un substrat de support, non représenté, par exemple en un matériau semiconducteur, par exemple en silicium. La couche isolante enterrée 15 est par exemple sur et en contact avec une face supérieure du substrat de support.
La correspond à une structure obtenue à l'issue d'une étape de gravure de la couche de grille conductrice 17 de la structure illustrée en . Lors de cette étape, la couche de grille conductrice 17 est gravée de sorte que seule la partie de la couche de grille 17 située sous la couche de masquage 19 subsiste, les parties de la couche de grille conductrice 17 non recouvertes par la couche de masquage 19 étant retirées. A titre d'exemple, le procédé de gravure utilisé grave le matériau conducteur de grille sélectivement par rapport au matériau de la couche d’isolant de grille 13. La couche d'isolant de grille 13 joue alors un rôle de barrière à la gravure de sorte que la gravure s’interrompt sur la face supérieure de la couche 13. A l'issue de cette étape, la partie non gravée de la couche 17 forme la grille conductrice du transistor 10. A titre d'exemple, à l'issue de cette étape de gravure, la grille conductrice 17 a une longueur (définissant la longueur de canal du transistor – c’est à dire la distance source–drain) comprise entre 50 nm et 300 nm, par exemple comprise entre 100 nm et 200 nm, par exemple de l'ordre de 140 nm. La grille conductrice 17 a par exemple une largeur (définissant la largeur de canal du transistor) comprise entre 1 µm et 10 µm, par exemple de l'ordre de 5 µm.
La correspond à une structure obtenue à l'issue d'une étape d'oxydation thermique de la structure illustrée en .
Lors de cette étape, la structure illustrée en subit une oxydation. Ainsi, la couche d'isolant de grille 13 s'épaissit dans les régions où elle n'est pas recouverte par la grille conductrice 17. La couche d'isolant de grille 13 s'épaissit en outre, lors de cette étape, entre la grille conductrice 17 et la couche semiconductrice 11 dans des régions situées au bord de la grille conductrice 17. L’épaisseur de la couche d’isolant de grille 13 reste en revanche inchangée en vis à vis d’une partie ou région centrale de la grille conductrice 17, protégée de l’oxydation par la grille 17. Toujours lors de cette étape, une couche d'oxyde 130 est, par exemple, formée, sur les bords latéraux de la grille conductrice 17.
A titre d'exemple, la couche d'isolant de grille 13 est localement épaissie de 1 nm à 10 nm, par exemple de 2 nm à 4 nm, dans les régions où elle n’est pas recouverte par la grille conductrice 17. Ainsi, à l'issue de l'étape d'oxydation thermique, la couche d'isolant de grille 13 a une épaisseur e2 supérieure à e1, par exemple comprise entre 1 nm et 15 nm, par exemple comprise entre 3 nm et 8 nm, par exemple de l'ordre de 7 nm, dans les régions où elle n'est pas recouverte par la grille conductrice 17.
L’invention concerne également un dispositif ainsi défini, dans lequel l’ergot de dégagement est porté par une face interne de la chute.
L’invention concerne également un dispositif ainsi défini, dans lequel l’ergot de dégagement présente une extrémité libre en forme de pointe arrondie.
L’invention concerne également un dispositif ainsi défini, dans lequel l’ergot de dégagement est évidé.
L’invention concerne également un dispositif ainsi défini, dans lequel l’ergot de dégagement est formé d’une tige pliée dont les extrémités sont solidarisées à une face interne de la chute.
L’invention concerne également un dispositif ainsi défini, dans lequel la chute comporte deux ergots de dégagement agencés de façon symétrique par rapport à un axe de symétrie de la chute.
L’invention concerne également une chute ainsi définie.
La montre une bride de cellule à laquelle est connectée une bride de conteneur vues depuis l’extérieur de la cellule ;
La montre une bride de cellule avec sa porte ouverte et sa chute écartée de l’ouverture vues depuis l’intérieur de la cellule ;
La montre une bride de cellule avec sa porte ouverte et sa chute engagée dans son ouverture vues depuis l’intérieur de la cellule ;
La montre une bride de cellule avec sa chute engagée dans son ouverture selon une vue depuis l’extérieur de la cellule durant l’écoulement d’objets dans la cellule ;
La montre une bride de cellule avec une bride de conteneur qui lui est connectée avec la porte ouverte et la chute engagée dans l’ouverture vues depuis l’extérieur de la cellule lorsque des objets non écoulés restent dans une région située entre deux oreilles internes ;
La montre une bride de cellule avec une bride de conteneur qui lui est connectée lorsque la fermeture de la porte est bloquée par des objets non écoulés selon une vue depuis l’extérieur de la cellule ;
La montre de façon agrandie une portion de bride de cellule avec une bride de conteneur qui lui est connectée lorsque la fermeture de la porte est bloquée par des objets non écoulés, selon une vue depuis l’extérieur de la cellule ;
La montre une chute équipée de deux ergots de dégagement conformément à l’invention ;
La montre de façon agrandie une bride de cellule avec une bride de conteneur qui lui est connectée avec l’ergot de dégagement de sa chute engagée entre deux oreilles internes pour maintenir à l’écart des objets non écoulés, selon une vue depuis l’extérieur de la cellule ;
La montre de façon agrandie une bride de cellule avec l’ergot de dégagement de sa chute engagée entre deux oreilles internes pour capture des objets non écoulés, selon une vue depuis l’extérieur de la cellule.
D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront à la lecture des exemples qui suivent et qui se rapportent à la préparation de différentes compositions de recyclage ainsi qu'à leur mise en œuvre pour recycler un préimprégné P.
correspond à un cliché photographique des renforts tels qu'obtenus à l'issue du test 1.
correspond à un cliché photographique des renforts tels qu'obtenus à l'issue du test 2.
correspondent à des clichés pris au moyen d'un microscope électronique à balayage (MEB) des renforts tels que récupérés à l'issue du test 1, avec des grossissements respectifs de 500, 1500 et 3000.
Les tests ont été conduits sur des échantillons découpés dans un même rouleau de préimprégné P, ce préimprégné P comprenant une résine époxyde partiellement réticulée et des fibres de carbone en tant que renforts R.
Les échantillons se présentent sous la forme de rectangles d'environ 40 mg et de dimensions 3 cm x 1,5 cm x 0,125 mm.
Différentes compositions de recyclage ont été préparées à partir de carbonate de propylène (noté CP) ou de γ-valérolactone (notée γ-Val) en tant que solvant.
Exemple 1 Les extrémités opposées d'échantillons de préimprégné P ont été successivement trempées dans une cire fondue, en l'espèce dans une cire d'abeille (test 1) et dans une cire de carnauba (test 2).
Après refroidissement de chacune des cires à la température ambiante, les échantillons ont été placés, sans agitation, dans du carbonate de propylène préalablement chauffé à une température de 25 °C, pendant une durée de 24 h, puis pendant 1 h dans du diméthylsulfoxyde (DMSO).
Au terme de la durée considérée de mise en contact des échantillons des tests 1 et 2 avec le carbonate de propylène, ceux-ci ont été extraits du carbonate de propylène. Ils ont été tout d'abord été lavés à deux reprises à l'eau puis à deux reprises à l'éthanol avant d'être placés pendant 1 h dans une étuve à 70 °C.
Au terme de ce séchage, on récupère des fibres de carbone bien alignées, sans trace de résine époxyde visible à l'œil nu, comme le montrent les clichés des figures 1 et 2.
illustre un module lumineux comprenant un ensemble selon un premier mode de réalisation de l’invention;
illustre un ensemble selon un deuxième mode de réalisation de l’invention ;
illustre un ensemble selon un troisième mode de réalisation de l’invention ;
illustre une feuille adhésive de l’ensemble selon le troisième mode de réalisation de l’invention ;
est un diagramme illustrant les étapes d’un procédé de fabrication selon l’invention ;
présente une source monolithique apte à être intégrée dans un ensemble selon un mode de réalisation de l’invention.
La illustre un module lumineux 10 comprenant un ensemble 100 selon un premier mode de réalisation de l’invention.
L’ensemble 100 comprend :
- un radiateur 110 ;
- une feuille adhésive 120 ;
- une feuille de matériau conducteur thermique 130, telle qu’une feuille à base de graphite. On entend par matériau conducteur thermique tout matériau dont la conductivité thermique est supérieure à une valeur seuil, par exemple 5 W.m -1 .K -1 . Dans ce qui suit, l’exemple du graphite est considéré à titre illustratif uniquement. Le graphite permet avantageusement une conductivité thermique supérieure à la valeur seuil ci-dessus, par exemple égale à 7 W.m -1 .K -1 ;
- un circuit imprimé 140, aussi appelé PCB, pour « Printed Circuit Board » en anglais ;
- une source lumineuse à semi-conducteur 150.
Aucune restriction n’est attachée à la source lumineuse 150 qui peut être une source monolithique comprenant une pluralité d’éléments électroluminescents. La source lumineuse 150 peut alternativement comprendre un unique élément électroluminescent, tel qu’une LED. Dans ce qui suit, il est considéré que la source lumineuse 150 est une source monolitihique. En effet, l’invention est particulièrement avantageuse dans le cas d’une source lumineuse 150 de type monolithique, en raison des contraintes d’échauffement élevées liées à une telle source.
Un tel dispositif d’analyse rapide selon l’invention a l’intérêt d’enfermer le bloc absorbant après l’opération de prélèvement, ce qui assure une sécurité optimale de l’utilisateur à l’encontre de toute contamination.
Le dispositif d’analyse rapide selon l’invention a également l’intérêt de permettre à l’utilisateur de rapporter un réactif liquide sur le bloc absorbant enveloppé par le capuchon (sans devoir retirer le capuchon pour libérer le bloc absorbant).
- le bloc absorbant comporte deux parties : une partie amont, solidarisée avec l’embase et une partie aval, saillante par rapport à ladite embase ;
- le bloc absorbant présente une forme allongée présentant une surface latérale ; le capuchon comporte au moins une paroi latérale formant une jupe, destinée à venir en regard de la surface latérale dudit bloc absorbant ; et ledit au moins un orifice traversant est ménagé dans ladite au moins une paroi latérale dudit capuchon ; de préférence, le bloc absorbant présente une forme parallélépipédique comportant deux faces frontales, le capuchon comporte deux parois frontales destinées à venir, dans ladite seconde position, en regard desdites deux faces frontales du bloc absorbant, et ledit au moins un orifice traversant est ménagé dans l’une des deux parois frontales dudit capuchon ;
- l’embase comporte une surface externe comportant au moins une rainure et/ou une nervure, pour servir de pince-dent et/ou de moyens d’emboîtement élastique pour le capuchon dans la première position et/ou la seconde position ;
- les moyens d’assemblage consistent en des moyens d’assemblage amovible du capuchon par rapport au boîtier, lequel boîtier comporte des moyens de réception amovible du capuchon, par exemple l’embase du bloc absorbant et/ou un organe support additionnel, distinct de ladite embase ;
- les moyens d’assemblage consistent en des moyens d’assemblage inamovible du capuchon par rapport au boîtier, lesquels moyens d’assemblage inamovible consistent avantageusement en des moyens d’assemblage conférant un degré de liberté, avantageusement en pivotement et/ou en translation, du capuchon par rapport au boîtier ;
- le boîtier comporte une forme générale allongée définissant un axe longitudinal et comportant deux extrémités, et l’une desdites extrémités comporte ladite embase équipée dudit bloc absorbant.
La présente invention concerne encore un système pour l’analyse rapide d’un échantillon biologique, destiné à la détection de la présence d’au moins un analyte dans ledit échantillon biologique, par exemple un échantillon biologique salivaire.
Le système d’analyse rapide comprend :
- ledit dispositif d’analyse rapide selon l’invention, et
- un réactif liquide, par exemple un tampon de migration ou un réactif complémentaire pour le traitement de l’échantillon ou une fonctionnalité spécifique chimique / biochimique ou immunologique.
La présente invention concerne encore un procédé pour l’analyse rapide d’un échantillon biologique au moyen d’un dispositif d’analyse rapide selon l’invention.
- une manœuvre du capuchon depuis la première position jusqu’à la seconde position, puis
La trappe amovible est par exemple configurée pour être positionnée en vis-à-vis de la partie de la carte DEL dépourvue d’unités d’éclairage de manière à empêcher tout accès au logement du dispositif d’éclairage en cours de fonctionnement. Ainsi, la trappe sert de capot de fermeture du logement du dispositif d’éclairage et permet de protéger la carte de pilotage lorsque cette dernière est positionnée au sein du logement du dispositif d’éclairage.
Selon une possibilité, la trappe est constitué d’une plaque métallique munie de moyens de fixation qui coopèrent avec des moyens de fixation correspondant situé sur le cadre du dispositif d’éclairage et en particulier autour du logement du dispositif d’éclairage.
Lorsqu’elle est en position fermée, la trappe sert également de radiateur ou dissipateur pour la carte électronique de pilotage. Ainsi, la trappe est utile afin d’éviter toute surchauffe de la carte électronique de pilotage, ce qui permet de protéger cette dernière, mais aussi la carte DEL et plus largement le dispositif d’éclairage dans son ensemble, et d’éviter la survenance d’éventuels dommages ou dysfonctionnements. La liaison thermique entre la carte électronique de pilotage et la trappe, permettant un transfert de chaleur depuis la carte électronique de pilotage vers la trappe, se fait par exemple avec un Pad thermique.
Selon une possibilité, le dispositif d’éclairage comprend en outre des moyens de refroidissement agencés de manière à refroidir et/ou éviter toute surchauffe anormale de la carte DEL et plus généralement de l’ensemble du dispositif d’éclairage. Par exemple, de tels moyens de refroidissement comprennent un dissipateur thermique du type dissipateur à ailettes.
Selon un troisième aspect, la présente invention a pour objet une carte électronique de pilotage d’un dispositif d’éclairage conforme à celui décrit ci-avant, ladite carte électronique de pilotage étant agencée pour être positionnée de manière amovible au sein du logement du dispositif d’éclairage, ladite carte électronique de pilotage comprenant en outre au moins deux connecteurs agencés pour permettre sa connexion et/ou déconnexion et son montage en mezzanine sur la carte DEL conforme à celle décrite plus haut.
Selon une possibilité, lesdits au moins deux connecteurs de la carte électronique de pilotage sont des connecteurs mâles ou femelles de type barrettes à pins ou barrettes à broches, chacun des connecteurs comprenant au moins quatre pins ou broches.
Selon un mode de réalisation, au moins deux connecteurs de la carte électronique de pilotage sont orientés dans des directions distinctes. Par exemple, un premier connecteur est orienté selon une direction parallèle à l’axe longitudinal de la carte DEL, tandis qu’un deuxième connecteur est orienté selon une direction orthogonale à l’axe longitudinal de la carte DEL.
Selon une possibilité, la carte électronique de pilotage comprend exactement deux connecteurs. Par exemple, chacun des deux connecteurs sont des barrettes à broches, l’axe longitudinal de l’une des barrettes étant orthogonal à l’axe longitudinal de l’autre barrette.
En particulier, lesdits au moins deux connecteurs de la carte électronique de pilotage sont agencés de manière à coopérer avec lesdits au moins deux connecteurs situés sur la deuxième partie de la carte DEL. Ainsi et selon un mode de réalisation particulier, chaque connecteur mâle de la carte électronique de pilotage est destiné à se connecter à un connecteur femelle de la carte DEL.
La disposition des connecteurs sur la carte DEL d’une part, et la carte électronique de pilotage d’autre part, permet le montage ou positionnement en mezzanine de la carte électronique de pilotage sur la carte DEL. Par montage en mezzanine, on entend un positionnement particulier de la carte électronique de pilotage par rapport à la carte DEL, lesdites cartes, une fois connectée l’une à l’autre, étant situées dans des plans parallèles, ou sensiblement parallèles, et proches.
Ce montage en mezzanine des deux cartes électronique permet d’assurer la compacité et la simplicité de l’ensemble, la carte électronique de pilotage étant positionnée de manière à s’insérer dans le logement du dispositif d’éclairage, ledit logement pouvant être refermé au moyen de la trappe amovible.
Un tel montage en mezzanine permet en particulier l’obtention d’un dispositif d’éclairage de structure harmonieuse, simple et compacte, ce qui permet d’assurer la sécurité de l’ensemble au moyen notamment du logement et de la trappe ou capot de protection.
Selon un mode de réalisation, la carte électronique de pilotage comprend des moyens configurés pour augmenter et/ou diminuer la puissance électrique consommée par le dispositif d’éclairage.
Ainsi, la fonction d’une telle carte électronique de pilotage est de permettre un « dimming », c’est-à-dire une atténuation et/ou une augmentation de l’intensité de l’éclairage produit par le dispositif d’éclairage dans son ensemble.
Selon un mode de réalisation, la carte électronique de pilotage comprend des moyens configurés pour augmenter et/ou diminuer la puissance électrique consommée par au moins un des ensembles d’unités d’éclairage primaire et/ou secondaires de la carte DEL.
La fonction d’une telle carte électronique de pilotage est donc également de permettre la modification du spectre d’émission du dispositif d’éclairage, par exemple en atténuant l’intensité de l’éclairage produit par les ensembles d’unités d’éclairage secondaires tout en augmentant l’intensité de l’éclairage produit par l’ensemble d’unités d’éclairage primaire.
A titre d'exemple, entre la grille conductrice 17 et la couche semiconductrice 11, dans des régions situées au voisinage du bord de la grille conductrice 17, la couche d'isolant de grille 13 a une épaisseur décroissante à partir du flanc latéral de la grille conductrice 17 en direction du centre de la grille conductrice 17. Plus particulièrement, l’épaisseur de la couche d’isolant de grille décroit de façon sensiblement continue de l’épaisseur e2 jusqu’à l’épaisseur e1, depuis les bords de la grille conductrice 17 jusqu’à une partie ou région centrale de la grille conductrice, dans la direction de la longueur de canal du transistor.
A titre d'exemple, l'étape d'oxydation thermique est réalisée à une température comprise entre 300 °C et 1200 °C, par exemple comprise entre 500 °C et 1000 °C, par exemple de l'ordre de 900 °C. A titre d'exemple, l'étape d'oxydation est réalisée pendant une durée comprise entre 1 s et 2 min, par exemple comprise entre 20 s et 1 min, par exemple de l'ordre de 35 s. A titre d'exemple, l'étape d'oxydation thermique est réalisée sous vapeur d'eau.
La représente un exemple de du transistor 10 obtenu à l'issu du procédé de fabrication.
Le transistor 10 comprend, par exemple, une région de source 21 et une région de drain 23 formées dans la couche semiconductrice 11. Les régions de source 21 et de drain 23 sont, par exemple, séparées latéralement l’une de l’autre par une région de corps (body). Une partie supérieure de la région de corps constitue la région de formation de canal 24 du transistor 10. La grille conductrice 17 est située au-dessus de la région de formation de canal 24.
A titre d'exemple, les régions de source 21, de drain 23 et de corps affleurent la face supérieure de la couche semiconductrice 11.
Le transistor 10 est, par exemple, un transistor MOS à canal N (NMOS) c'est-à-dire un transistor dont les régions de source 21 et de drain 23 sont dopées de type N, par exemple dopées d'atomes de bore, alors que la région de corps est dopée de type P, par exemple dopée d'atomes d'arsenic ou de phosphore.
En variante, le transistor 10 est, par exemple, un transistor MOS à canal P (PMOS) c'est-à-dire un transistor dont les régions de source 21 et de drain 23 sont dopées de type P, par exemple dopées d'atomes d'arsenic ou de phosphore, alors que la région de corps est dopée de type N, par exemple dopée d'atomes de bore.
A titre d'exemple, le transistor 10 comprend des espaceurs isolants 25, 27 pouvant revêtir les flancs de la grille 17 et les flancs de l'isolant de grille 13. Les espaceurs isolants 25 sont, par exemple, en nitrure de silicium (Si 3 N 4 ) et les espaceurs isolants 27 sont, par exemple, en nitrure de silicium (Si 3 N 4 ).
Le transistor 10 peut être entouré latéralement par une tranchée isolante non représentée, par exemple de type STI (de l'anglais "Shallow Trench Isolation" – tranchée d’isolation peu profonde). La tranchée isolante forme ainsi un anneau autour du transistor 10. La tranchée isolante s'étend, par exemple, verticalement à travers la couche semiconductrice 11 jusqu'à atteindre la couche isolante enterrée 15. La tranchée isolante permet d'isoler électriquement le transistor 10 d’autres composants (non visibles sur la figure) du dispositif.
Dans cet exemple, l'épaisseur de la couche d'isolant de grille 13 augmente graduellement à partir du vis-à-vis d’une partie ou région centrale de la grille conductrice 17l vers les bords latéraux de la grille.
L'épaisseur de la couche d'isolant de grille 13 et plus particulièrement, son évolution graduelle est, par exemple contrôlée par la température et/ou la pression et/ou le temps de l'étape d'oxydation thermique décrite en relation avec la .
A l'issue de l'étape d'oxydation thermique décrite en relation avec la et dans le but d'obtenir le transistor illustré en , des régions de source 21 et drain 23 sont implantées dans la couche semiconductrice 11, des espaceurs isolants 25, 27 sont formés de part et d'autre de la grille conductrice 17, la couche de masque 19 est retirée.
Un avantage du mode de réalisation décrit en relation avec les figures 1A à 1D résulte de l’épaisseur variable, décroissante en direction de la partie centrale de la grille, de la couche d’isolante de grille 13 du transistor. La prévision d’un isolant de grille relativement épais (épaisseur e2) sous une partie périphérique de la grille 17 permet de réduire la capacité parasite COFF, à l’état bloqué, du transistor, entre la couche semiconductrice 11 et la grille 17. Le maintien d’une épaisseur relativement faible de l’isolant de grille (épaisseur e1) sous une partie centrale de la grille 17 permet en revanche de diminuer ou de ne pas augmenter de façon significative la résistance RON à l’état passant du transistor. On peut ainsi obtenir un compromis RON/COFF particulièrement intéressant, notamment pour des applications de commutation de signaux RF. Les transistors 10 sont avantageusement des commutateurs RF, par exemple destinés à fonctionner à des fréquences comprises entre 3 kHz et 300 GHz, par exemple entre 100 MHz et 10 GHz, par exemple de l'ordre du GHz.
La , la , la , la , la et la sont des vues en coupe, illustrant de façon partielle et schématique, des étapes successives d'un exemple de procédé de fabrication d'un transistor 50 ou 51 selon un deuxième mode de réalisation.
La illustre, plus particulièrement une structure comprenant une couche semiconductrice 11 sur et en contact avec une couche d'oxyde enterrée 15. Les couches 11 et 15 de la sont, par exemple identiques aux couches 11 et 15 illustrées en .
Les tranchées 31 sont par exemple formées dans la couche semiconductrice 11 et s'étendent, par exemple de la face supérieure de la couche semiconductrice 11 à sa face inférieure dans l'orientation de la . A titre d'exemple, les tranchées 31 sont formées par gravure ou par sciage.
Le module 1 tel que présenté ci-dessus est, de préférence, réalisé en caoutchouc de récupération de pneus par moulage et intégration des éléments de signalisation 122.