Procédé de formation d’une couche à base d’un matériau diélectrique sur une couche à base d’un matériau III-V gravé, le procédé comprenant au moins les étapes suivantes : Fournir au moins une couche à base d’un matériau III-V, de préférence III-N, dite couche III-V (100), présentant une face avant (101), Graver au moins une partie de la couche III-V (100) à partir de la face avant (101) de sorte à exposer une surface de la couche III-V dite surface gravée (103), Exposer au moins la surface gravée (103) à un traitement plasma de O 2 , de N 2 ou d’un mélange de O 2 et de N 2 , cette étape étant réalisée à une température T traitement avec T traitement Déposer une couche à base d’un matériau diélectrique, dite couche diélectrique (200), au moins sur la surface gravée. Procédé selon la revendication précédente dans lequel l’étape de gravure et l’étape de traitement plasma sont effectuées dans un même réacteur. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel T traitement Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel T traitement >40°C. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel l’étape de traitement plasma a une durée t traitement , avec t traitement traitement Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes comprenant en outre, avant l’étape de dépôt de la couche diélectrique, une étape de nettoyage humide. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel l’étape de dépôt de la couche diélectrique est effectuée sous vide. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel l’étape de gravure comprend une gravure par plasma chloré. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel l’étape de gravure comprend au moins un cycle de gravure de type ALE. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel l’étape de traitement plasma est réalisée sous une tension de polarisation V bias nulle. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel la gravure est effectuée de sorte à graver une épaisseur de matériau III-V supérieure à 100 nm (10 -9 mètres), de préférence supérieure à 500 nm, de préférence supérieure à 1 µm (10 -6 mètres), de préférence supérieure à 3 µm. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel l’étape de traitement plasma est réalisée en injectant un flux de O 2 , de N 2 ou d’un mélange de O 2 et de N 2 , présentant un débit massique D flux compris entre 50sccm et 1000sccm, de préférence entre 100sccm et 500sccm. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel l’étape de traitement plasma est réalisée en injectant un flux de O 2 , de N 2 ou d’un mélange de O 2 et de N 2 généré par une source de puissance P source comprise entre 100W et 4000W, de préférence entre 300W et 1000W. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel le matériau III-V est l’un parmi le GaN et l’AlGaN. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel le matériau diélectrique est l’un parmi l’AlN, l’Al 2 O 3 et l’HfO 2 . Procédé de réalisation d’un dispositif microélectronique comprenant la formation d’une couche à base d’un matériau diélectrique (200) sur une couche (100) à base d’un matériau III-V gravé en mettant en œuvre le procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, le dispositif microélectronique étant pris parmi un transistor et une LED. Procédé de réalisation d’un dispositif microélectronique selon la revendication précédente dans lequel : le dispositif microélectronique est un transistor, la gravure de la couche III-V (100) est effectuée de sorte à réaliser une tranchée dans le matériau III-V gravé, le dépôt de la couche à base d’un matériau diélectrique (200) est effectué sur au moins sur une partie de la surface gravée de la tranchée de sorte à former un diélectrique de grille, le procédé comprenant, après la formation de la couche diélectrique (200), l’étape suivante : remplir la tranchée pour définir au moins une grille du transistor.