INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
La demande WO 2019/175164 A1 décrit un système de freinage ferroviaire du type à biellettes de transmission d’effort. Ce système est pourvu d’un connecteur présentant deux tiges verticales autour desquelles sont montés pivotants les leviers mobiles qui permettent d’actionner les portes-garnitures et donc les garnitures portées par les portes-garnitures pour serrer un disque de frein de véhicule ferroviaire.
Le connecteur est formé en deux parties distinctes et reliées entre elles par les deux tiges verticales. Une partie supérieure du connecteur présente une tête d’attache configurée pour assujettir mécaniquement le connecteur au support formé directement ou indirectement par le bogie, l’essieu ou autre. Il est précisé qu’aucune pièce additionnelle n’est nécessaire.
Dans la demande WO 2019/175164 A1, il est aussi indiqué que, selon une variante non illustrée, le système pourrait être sans biellette et les forces de friction seraient alors transmises par le connecteur.
L’invention concerne un système de freinage ferroviaire du type sans biellette, présentant des performances améliorées, tout en étant simple, commode et économique.
Dans une sixième étape 96, la proposition de changement de vitesse de consigne affichée est validée automatiquement ou par un conducteur du véhicule.
Dans une septième étape 97, une accélération ou une décélération du véhicule est déclenchée de la vitesse de consigne courante jusqu’à la nouvelle vitesse de consigne.
Selon une variante, les variantes et exemples des opérations décrits en relation avec les figures 4 à 8 s’appliquent aux étapes du procédé de la .
Un mélange comprenant du polycarbonate et environ 0,5% d’une composition de diester, % en poids de mélange, a été extrudé.
Les compositions des Exemples 1, 3, 5 et 7 à 11 (SELON L’INVENTION) se sont révélées efficaces pour améliorer l’écoulement du fondu de polycarbonate. A titre d’exemple : Dans le cas de la composition issue de l’exemple 1 et 3, l’indice de fluidité à chaud (Melt flow index, MFI) a été déterminé selon la norme ISO 1133 sur un appareil dédié (de marque CEAST, modèle 7024). Le Polycarbonate extrudé non additivé possède un MFI de 12.9g/10min. Le même polycarbonate additivé à 0,5% de la composition issue de l’exemple 1 possède un MFI de 43,5g/10min. Le même polycarbonate additivé à 0,5% de la composition issue de l’exemple 3 possède un MFI de 42.75g/10min.
En outre, aucun jaunissement du produit final n’a été observé.
Exemple 13 : Utilisation dans un procédé de préparation de polycarbonate (COMPARATIF)
Une composition de diester d’alkyle en C8/C10 d’isosorbide commercialisée par la société Demanderesse sous la dénomination Polysorb ID46 a été utilisée dans un procédé de préparation de polycarbonate.
La composition de Polysorb ID46 n’a pas permis d’améliorer l’écoulement du fondu de polycarbonate. Il semble que les diesters sont vaporisés pendant la mise en forme du fait de chaines alkyle trop courtes. A titre d’exemple, le polycarbonate extrudé non additivé possède un MFI de 12.9g/10min. Le même polycarbonate additivé à 0,5% de Polysorb ID46 possède un MFI de 15.7g/10min.
Le polycarbonate obtenu après extrusion présente une couleur jaune indésirable.
Papier-peint à propriétés biocides La présente invention vise à proposer un papier-peint possédant des propriétés biocides, ainsi qu’un procédé de fabrication d’un tel papier-peint.
Les papier-peints sont classiquement utilisés pour la décoration intérieure, en particulier pour constituer des revêtements muraux dédiés à procurer un effet décoratif visuel.
Or, les espaces intérieurs peuvent être propices à la contamination par un ou plusieurs microorganismes pathogènes, et donc à leur propagation, ce qui peut être générateur de maladies épidémiques et pandémiques. A ce titre, il a déjà été envisagé de mettre à profit les revêtements muraux à des fins de décontamination au sein d’habitacles.
Par exemple, CN 106 088 495, CN 106 079 763 et CN 106 079 785 proposent des papiers-peints comprenant une couche anti-moisissure et antibactérienne mettant en œuvre notamment de la zéolithe chargée en argent et du chlorure de didécyl diméthyl ammonium. Plus précisément, il s’agit de papier-peints dont les propriétés anti-moisissure et antibactérienne nécessitent la superposition au niveau du papier peint à traiter, de plusieurs couches de compositions distinctes, dont certaines sont anti-moisissures et/ou antibactériennes. Pour des raisons évidentes, la fabrication de tels papiers-peints est complexe. Enfin, ces documents ne visent pas des papier-peints aux propriétés antivirales.
La présente invention a précisément pour objet de proposer un papier-peint performant en termes de propriétés biocides, notamment antivirales, et ayant également pour avantage d’être élaboré selon un protocole aisé de mise en œuvre. En particulier, il ne nécessite pas d’aménagement technique fastidieux et dispendieux du procédé de fabrication du papier peint proprement dit.
La présente invention vise également à proposer un papier-peint doté de propriétés antimicrobiennes, en particulier antivirales, adapté à la décoration intérieure.
Elle vise également un procédé simplifié pour le traitement de surface biocide d’un papier-peint.
Ainsi, la présente invention vise à titre principal, un papier-peint à propriétés biocides dont tout ou partie de la face externe dédiée à procurer un effet décoratif visuel, comporte un dépôt d’au moins un agent liant polymérique, ledit agent liant étant obtenu par polymérisation d’au moins un monomère choisi parmi les acides acryliques et méthacryliques, les acrylates, méthacrylates, aliphatiques ou aromatiques, styrène et leurs mélanges, et contenant en outre de 0,05 % à 6 % en poids sec d’au moins un sel d’ammonium quaternaire non polymérique par rapport au poids sec total dudit dépôt.
Selon une variante particulière, ce dépôt se présente sous la forme d’une couche ou encore d’un film et à ce titre forme un revêtement notamment tel que détaillé ci-après.
Bien que l’abondance relative de la famille des Desulfovibrionaceae (comme celle des Prevotellaceae) soit faible par rapport à d’autres familles bactériennes, nous avons cependant pu retrouver la présence d’OTU de cette famille chez les souris SOD1 seulement (aucune détection chez les souris Wild Type). Ceci pourrait suggérer un rôle potentiel des Desulfovibrionaceae dans la physiopathologie chez les souris SOD1.
Etude de corrélation chez la souris SOD1 traitée ou non traitée avec la dose faible de la composition C1 (associée à C2) pendant 10 semaines
L’analyse de corrélation RCCA réalisée chez la souris SOD1 contrôle et traitée avec la dose faible de PL a permis de mettre en évidence une corrélation positive forte entre la famille des Lachnospiraceae et la distance parcourue par les souris. Plus cette famille est abondante, plus la distance parcourue par les souris est importante. Sachant qu’un des principaux effets d’une composition selon l’invention sur le microbiote intestinal des souris SOD1 est d’augmenter l’abondance des espèces de Lachnospiraceae, la corrélation observée suggère un rôle de cette famille bactérienne dans le rétablissement de la capacité des souris SOD1 à parcourir une distance proche de celle parcourue par les souris Wild Type ( ).
La mise en évidence d’une corrélation négative entre Desulfovibrionaceae et l’importance des symptômes chez la souris SOD1 suggère que les espèces de cette famille, productrices de sulfures, puissent être impliquées dans la physiopathologie, comme cela a été observé dans d’autres pathologies tels que le syndrome du côlon irritable ou les maladies inflammatoires chroniques de l’intestin (Crohn, recto-colite…). Parallèlement, la plus faible abondance d’espèces de la famille des Lachnospiraceae chez la souris SOD1 pourrait se traduire par une diminution de la concentration en butyrate intra-colique, une large part des espèces de Lachnospiraceae étant productrices de ce métabolite aux effets santé démontrés.
L’administration d’une composition selon l’invention à faible dose pendant 10 semaines s’accompagne de changements au niveau de la composition du microbiote de la souris SOD1, se traduisant, en particulier, par une augmentation de l’abondance des Lachnospiraceae et la disparition des Desulfovibrionaceae. Ceci corrèle avec l’amélioration significative de la capacité des souris à parcourir une distance équivalente à celle des souris Wild Type. L’administration d’une composition selon l’invention permettrait donc à la fois de ré-équilibrer pour partie le microbiote altéré de la souris SOD1, engendrant des modifications métaboliques et de diminuer la gravité de certains symptômes chez la souris SOD1 voir de rétablir un phénotype normal.
PROCEDE DE PREPARATION D’UN MELANGE VOLATIL D’ALCANES ET DE COMPOSITION COSMETIQUE La présente demande concerne un procédé de préparation d’un mélange volatil d’alcanes.
La présente demande concerne également un procédé de préparation d’une composition cosmétique comprenant ce mélange volatil d’alcanes.
L’invention concerne également la composition cosmétique résultante.
On appelle « alcane en C>x » un alcane constitué d’au moins x+1 atomes de carbone, ledit alcane pouvant être linéaire ou ramifié. Par exemple, le dodécane est un alcane linéaire en en C>10 ou alcane en C 12 .
On appelle « alcane en C≤x» un alcane constitué d’au plus x atomes de carbone ou de moins de x atomes de carbone, ledit alcane pouvant être linéaire ou ramifié, Par exemple le 2,3,6-triméthylheptane (CAS 4032-93-3) est un alcane en C≤10.
On appelle « alcane en C x -C y » un alcane constitué de x à y atomes de carbone, le dit alcane pouvant être linéaire ou ramifié. Par exemple, les alcanes en C 1 -C 2 sont le méthane et l’éthane.
Le procédé de stockage 4 comprend une première étape 41 d’initialisation de chaque mémoire du premier sous-ensemble par la mise en œuvre du procédé d’initialisation 3 tel que décrit précédemment. Chaque mémoire initialisée est alors, à faible courant, dans un état initialisé.
Le message stocké est alors formé par les mémoires non-initialisées ou par les mémoires initialisées. La faible différence de résistance entre une mémoire initialisée et une mémoire non-initialisée dans un même état de résistance (haut ou base) ne permet pas de déterminer quelle mémoire porte l’information. Il est alors nécessaire de connaître la clé de chiffrement ayant permis de former les premier et deuxième sous-ensembles pour déterminer le message stocké.
Pour rappel, une mémoire non-initialisée, ou également « vierge », est une mémoire ne comprenant pas de région active. À l’inverse, une mémoire initialisée est une mémoire comprenant une région active.
Le procédé de stockage 4 peut également comprendre une deuxième étape 42 consistant à programmer, par exemple aléatoirement, chaque mémoire non-initialisée du deuxième sous-ensemble et chaque mémoire initialisée du premier sous-ensemble. Par programmation d’une mémoire, on entend la commutation de cette mémoire dans un état de basse résistance ou de haute résistance. Ainsi, les mémoires, qu’elles soient initialisées ou non, stockent un faux message dans leurs états de résistance respectifs, permettant de cacher le vrai message à stocker dans l’état initialisé ou non. Il est ainsi plus difficile de déterminer le vrai message qui est stocké dans l’ensemble des mémoires.
De plus, sans connaissance exact des paramètres ayant permis de programmer les mémoires du deuxième sous-ensemble (tels que son amplitude ou la vitesse de cristallisation des dispositifs), il est difficile de forcer la lecture du message chiffrer en tentant de reprogrammer chaque mémoire résistive afin de distinguer les mémoires des mémoires programmées. En effet, les mémoires initialisées présentant un courant de commutation inférieur au courant de commutation des mémoires non-initialisées. La reprogrammation des toutes les mémoires tendrait alors à effacer le message stocker plutôt que le révéler.
Roue d’implantation pour former un plan de fragilisation dans une pluralité de plaquettes donneuses DOMAINE DE L’INVENTION L’invention tombe dans le domaine de l’implantation ionique, et porte plus particulièrement sur un équipement d’implantation ionique adapté à la formation d’un plan de fragilisation dans une pluralité de plaquettes donneuses dans le cadre d’un procédé de transfert de couche mince mise en œuvre selon la technologie Smart Cut®.
ARRIERE PLAN TECHNOLOGIQUE DE L’INVENTION Le document US2020186117 propose de reporter une couche mince d’un matériau ferroélectrique sur un support en mettant en œuvre la technologie Smart Cut®. Le support présente un coefficient de dilatation thermique différent de celui du matériau ferroélectrique constituant la couche mince reportée. Il peut notamment s’agir d’un support en silicium.
La technologie Smart Cut® prévoit de définir la couche mince par introduction d’espèces légères dans un substrat donneur, les espèces légères se concentrant dans un plan de fragilisation situé à la profondeur de pénétration moyenne des espèces. Le substrat donneur est ensuite assemblé au support et le report de la couche s’effectue par détachement de la couche mince au niveau du plan de fragilisation. Dans le cas d’une couche en un matériau ferroélectrique et/ou piézoélectrique et lorsque les espèces légères sont choisies parmi les ions d’hydrogène et les ions d’hélium, ce détachement est provoqué par une élévation modeste de la température à laquelle est soumis l’assemblage, de l’ordre de 170°C.
Pour limiter les contraintes qui se développent dans l’assemblage lorsque celui-ci est élevé en température, notamment lors de l’étape de détachement qui vient d’être évoquée, le document US2020186117 propose de constituer le substrat donneur de l'assemblage d'une couche épaisse formée du matériau ferroélectrique et d'un substrat manipulateur, le coefficient de dilatation thermique du substrat manipulateur étant similaire à celui du substrat support. Un tel substrat donneur est désigné hétérostructure donneuse dans la suite de cette description.
L’étape d’introduction des espèces légères dans l’hétérostructure donneuse peut être conduite par l’intermédiaire d’un équipement d’implantation ionique. Les figures 1a et 1b représentent une vue schématique d’une configuration connue d’un tel équipement.
Une roue 1 d’un équipement d’implantation ionique comprend un disque 1a disposé dans un plan présentant un angle faible par rapport à la verticale (typiquement entre 5° et 10°). La roue porte sur une de ses faces une pluralité de supports 2 pour respectivement recevoir une pluralité d’hétérostructures donneuses. Le disque est entrainé en rotation autour d’un axe R perpendiculaire et passant par son centre, à une vitesse pouvant atteindre 1200 tours/minutes. Les supports présentent des cales 2a contre lesquelles les bords des hétérostructures donneuses viennent en appui lorsque la roue est entrainée en rotation à grande vitesse. Lors de cette rotation, les faces exposées des hétérostructures donneuses sont successivement disposées en vis-à-vis d’une source S d’ions d’espèces légères (par exemple des ions d’hydrogène ou d’hélium) accélérés à une énergie donnée et conformés en un faisceau d’ions F définissant un courant d’implantation. L’énergie d’implantation, le courant d’implantation et la durée d’exposition au faisceau forment, pour une espèce implantée donnée, les conditions de l’implantation. L’énergie définit la profondeur de pénétration moyenne des ions, et le courant définit pour une durée d’exposition donnée la dose implantée. Le faisceau F scanne toutes les surfaces exposées des hétérostructures donneuses.
La puissance apportée par les ions pénétrant dans une hétérostructure donneuse tend à échauffer cette hétérostructure. Pour éviter un échauffement excessif, le disque principal et les supports de la roue sont parcourus de conduits dans lesquels circule un fluide de refroidissement, typiquement de l’eau. Les supports contre lesquels les hétérostructures donneuses sont plaquées forment des dissipateurs thermiques, il est donc important que ces hétérostructures soient bien en contact intime avec leur support pour favoriser l’évacuation de chaleur. Il est ainsi généralement prévu de munir ces supports (qui peuvent être formés d’un bloc d’aluminium pour aider à cette dissipation) d’une partie superficielle en élastomère qui permet d’assurer cette intimité de contact.
On cherche généralement à réduire la durée de l’étape d’implantation en augmentant le courant du faisceau et, ce faisant, on tend à accroitre la puissance apportée aux hétérostructures donneuses et donc leur température.
En cherchant à augmenter le courant d’implantation d’une hétérostructure donneuse présentant une couche épaisse ferroélectrique, la Demanderesse a observé l’exfoliation de la couche mince pendant l’étape d’implantation elle-même. Ce phénomène non désiré, puisqu’il rend l’étape de report de couche impossible, a été obtenu malgré tous les soins apportés pour refroidir les supports du disque d’implantation au cours de cette étape.
OBJET DE L’INVENTION Un but de l’invention est de proposer une roue d’implantation permettant de remédier à ce problème. Plus particulièrement, un but de l’invention est de proposer une roue d’implantation particulièrement adaptée à l’implantation d’une hétérostructure donneuse sur une large gamme de conditions d’implantation et sans provoquer l’exfoliation prématurée de l’hétérostructure donneuse.
L’homme du métier observera alors que le fait d’avoir seulement l’ouverture de chaque commutateur primaire 22 dudit lot au cours du cycle d’inférence correspond bien à un multiple égal à 1, la durée cumulée d’ouverture dudit commutateur primaire 22 étant alors égale à la durée dudit cycle d’inférence, de sorte que le ratio ρ précité est égal à 1.
L’homme du métier comprendra néanmoins que la lecture d’au moins une cellule mémoire 10 d’une rangée 52 respective est préférentiellement effectuée avec un procédé de lecture comprenant les étapes suivantes :
- ouverture de commutateurs primaires 22 des cellules mémoire 10 de ladite rangée 52, via l’application d’une commande d’ouverture sur une ligne de valeur 32 respective connectée à ladite rangée 52 ;
- fermeture d’éventuels autres commutateurs primaires 22 des cellules mémoire 10 de ladite rangée 52, via l’application d’une commande de fermeture sur la ou les éventuelles autres lignes de valeur 32 connectées à ladite rangée 52 ;
- fermeture de l’au moins un commutateur secondaire 24 de ladite au moins une cellule mémoire 10, via l’application d’une commande de fermeture sur l’au moins une ligne de programmation 34 connectée à ladite au moins une cellule mémoire 10 de ladite rangée 52 ;
- lecture d’une valeur d’au moins un memristor 20 de ladite au moins une cellule mémoire 10, avec une tension de lecture respective entre l’au moins une première borne principale 12 et l’au moins une borne auxiliaire 16 de ladite au moins une cellule mémoire 10, via l’application d’un troisième potentiel électrique V3 aux lignes de source 36 agencées du côté de l’au moins une première borne principale 12 et d’un quatrième potentiel électrique V4 aux autres lignes de source 36, agencées du côté l’au moins une borne auxiliaire 16, la tension de lecture étant égale à la différence entre les troisième et quatrième potentiels V3, V4, le ou chaque commutateur primaire 22 en parallèle dudit au moins un memristor 20 à lire étant ouvert.
La tension de lecture est alors typiquement d’environ 0,1 à 0,4 volt, et elle est par exemple obtenue en positionnant la valeur VH à cette valeur d’environ 0,1 à 0,4 volt, la valeur VL à une valeur sensiblement nulle, et le cas échéant la valeur VCOMPL à VDD.
On conçoit alors que la cellule mémoire 10 selon l’invention, et le circuit électronique 30 associé, permettent l’implémentation de tous types de réseaux de neurones, et notamment de réseaux de neurones autres que les seuls réseaux de neurones binaires, également appelés BNN.
MÉMOIRE RÉSISTIVE À PERFORMANCES CONFIGURABLES ET PROCÉDÉS ASSOCIÉS DOMAINE TECHNIQUE DE L’INVENTION Le domaine technique de l’invention est celui des mémoires résistives et plus particulièrement des mémoires à changement de phase, dite PCRAM pour « Phase Change Random Access Memory » en anglais.
ARRIÈRE-PLAN TECHNOLOGIQUE DE L’INVENTION Les mémoires résistives peuvent offrir un stockage de longue durée tout en minimisant leur consommation énergétique. En effet, ces mémoires sont non-volatiles, et l’information est donc encodées dans une valeur de résistance de la mémoire et une énergie électrique n’est nécessaire que lors de la lecture de l’information (c’est-à-dire la mesure de la valeur de résistance) ou lors de l’écriture de l’information dans la mémoire résistive (aussi appelée commutation). Les mémoires résistives sont donc de bonnes candidates pour stocker une information pérenne dans un dispositif ou un circuit intégré. Elles sont par exemple réalisées au niveau d’un bloc fonctionnel métier d’un dispositif ou d’un circuit intégré, aussi appelé « back end of line » en anglais, pour stocker des informations sur une longue durée (tels que des instructions de calcul ou des résultats de calcul).
Les récents développements de mémoires résistives concernent entre autres la réduction de l’amplitude du courant de commutation, permettant d’améliorer la vitesse de commutation des mémoires résistive. L’article [« Thermal Barrier Phase Change Memory » J. Shen & al., ACS Appl. Mater. Interfaces, Jan. 2019, 11, 5, 5336–5343] divulgue par exemple une mémoire résistive dont la durée de commutation est réduite. La mémoire résistive divulguée comprend une pluralité de couches en matériau à changement de phase, en l’occurrence du Sb 2 Te 3 , séparées par des couches semi-métalliques, en l’occurrence en TiTe 2 . Cet agencement de bicouches Sb 2 Te 3 /TiTe 2 permet d’obtenir un courant de commutation réduit d’environ 85 % et offre ainsi une durée de commutation réduite à environ 10 ns.
Ce type de mémoire peut donc être envisagé en tant que mémoire vive et peut être réalisé dans un bloc fonctionnel logique d’un dispositif ou d’un circuit intégré, aussi appelé « front end of line » en anglais.
Si une mémoire résistive Sb 2 Te 3 /TiTe 2 peut présenter une durée de commutation réduite, grâce à la réduction du courant de commutation, elle présente en revanche une dégradation de la pérennité du stockage d’information (dite aussi pérennité de rétention), ce qui fait qu’elle ne peut plus être considérée pour du stockage de longue durée au niveau du bloc métier.
Il est donc nécessaire, lors de la fabrication d’un dispositif ou d’un circuit intégré, de réaliser différents types de mémoires résistives afin d’obtenir soit un stockage pérenne, soit une vitesse de commutation élevée. La fabrication du dispositif ou du circuit intégré est donc plus complexe car elle requiert le dépôt de matériaux différents et donc des étapes de masquage et démasquage supplémentaires selon les matériaux déposés et ciblés.
Il existe donc un besoin de fournir une mémoire résistive dont ses performances puissent être ajustées.
L’invention résout, au moins partiellement, les problèmes évoqués précédemment, en proposant un procédé d’initialisation d’une mémoire résistive afin de modifier ses performances et plus particulièrement sa vitesse de commutation ou son niveau de rétention.
Ainsi, au fur et à mesure des déplacements verticaux du bloc fonctionnel mobile 20, le store 118 se déroule ou s’enroule en restant tendu dans un plan vertical et transversal.
La conception selon l’invention permet de disposer dans la zone centrale d’un aménagement de type dressing.
On appelle « dressing », ou « dressing-room », une petite pièce ou une zone particulière d’un espace habitable qui est aménagée pour y ranger des vêtements et s'y habiller.
C’est notamment le cas lorsque le bloc fonctionnel mobile 20 est dans sa position extrême basse dans laquelle un utilisateur peut pénétrer et se tenir debout à l’intérieur de la zone centrale en ouvrant la porte coulissante 82C et en passant par l’ouverture centrale « O ».
Les découpes 122 et 123 permettent à l’utilisateur d’entrer dans la zone centrale de dressing.
Dans cet état d’utilisation, l’utilisateur peut utiliser un miroir « M » qui est par exemple fixé en partie haute sur la face intérieure de la cloison transversale arrière (Voir figures 4 à 6).