INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Selon un aspect particulier et avantageux, l’appareil comprend un retardateur optique disposé sur un trajet commun du faisceau lumineux émis et du faisceau lumineux d’excitation, le retardateur optique ayant une retardance optique et étant orienté de façon à ajuster au moins un état de polarisation du faisceau lumineux d’excitation incident sur l’échantillon.
Par exemple, le retardateur optique comprend une lame quart d’onde, une lame demi-onde, un rhomboèdre de Fresnel, une lame biréfringente ayant une retardance ajustable ou un retardateur optique pixellisé ayant une retardance ajustable spatialement.
Selon un aspect particulier, l’appareil comprend un calculateur apte à calculer un taux de polarisation en fonction du spectre de la première partie du faisceau lumineux émis polarisée suivant le premier état de polarisation et du spectre de la deuxième partie du faisceau lumineux émis polarisée suivant le deuxième état de polarisation.
L’invention concerne aussi un procédé de spectrométrie Raman ou de photoluminescence ou de fluorescence comprenant les étapes suivantes : générer et diriger un faisceau lumineux d’excitation incident sur un échantillon, collecter et diriger un faisceau lumineux émis par l’échantillon vers une entrée d’un spectromètre comprenant au moins un réseau de diffraction et un système de détection, séparer et modifier la polarisation du faisceau lumineux émis sur un trajet optique en dehors du trajet du faisceau lumineux d’excitation, de façon à séparer le faisceau lumineux émis incident sur le réseau de diffraction en une première partie du faisceau lumineux émis polarisée suivant un premier état de polarisation et une deuxième partie du faisceau lumineux émis polarisée suivant un deuxième état de polarisation, le deuxième état de polarisation étant orthogonal au premier état de polarisation, lesdits premier et deuxième états de polarisation étant choisis parmi des états de polarisation possédant une composante S1 de leur vecteur de Stokes inférieure ou égale à 0,2 en valeur absolue et acquérir sur une première zone de détection du système de détection un spectre de la première partie du faisceau lumineux émis polarisée suivant le premier état de polarisation et simultanément acquérir, sur une deuxième zone de détection un spectre de la deuxième partie du faisceau lumineux émis polarisée suivant le deuxième état de polarisation, la première zone et la deuxième zone étant séparées selon une direction transverse à une direction de diffraction spectrale sur le système de détection.
est une vue schématique d’un appareil de spectrométrie Raman ou de photoluminescence ou de fluorescence selon la présente divulgation,
est une vue schématique d’un dispositif optique séparateur et modificateur de polarisation selon un premier exemple de réalisation,
est une vue schématique d’un dispositif optique séparateur et modificateur de polarisation selon un deuxième exemple de réalisation,
est une vue schématique d’un dispositif optique séparateur et modificateur de polarisation selon un troisième exemple de réalisation.
Plus précisément, dans l’exemple représenté, le transistor MTG2 comporte une zone 817 de collecte de charges photogénérées dans la deuxième zone photosensible 107 et une grille de transfert 819 horizontale identiques ou similaires, respectivement, à la zone 117 et à la grille 119 du transistor MTG1.
Afin d’optimiser l’espace disponible, les transistors MTG1, MTG2 et MTGRST sont par exemple, comme illustré en , disposés dans trois coins du carré formé par la tranchée d’isolation périphérique 111 du photosite 800. Dans cet exemple, la grille de transfert verticale VEGA comporte trois tranchées d’isolation 115 disjointes s’étendant latéralement entre les grilles des transistors MTG1, MTG2 et MTGRST. La géométrie du photosite 800 illustrée en n’est pas limitative, la personne du métier pouvant prévoir toute géométrie adaptée à l’intégration de trois transistors de transfert à l’intérieur d’un même photosite.
Un avantage du photosite 800 tient au fait qu’il permet de capturer deux échantillons du signal lumineux infrarouge reçu au moyen d’une même image de profondeur. Cela permet de gagner encore davantage en résolution, ou en nombre d’images utiles pour la capture de la totalité des échantillons, par rapport au photosite 100.
La est un schéma électrique d’un circuit 900 de commande du photosite 800 de la selon un mode de réalisation.
Dans l’exemple représenté, le circuit 900 comprend deux circuits 901 et 902, par exemple identiques ou similaires chacun au circuit 450 du circuit 400 de la . Plus précisément, dans cet exemple, chaque circuit 901, 902 comporte un nœud SN11, SN12 analogue au nœud SN1 du circuit 450 de la et un autre nœud SN21, SN22 analogue au nœud SN2 du circuit 450. Dans l’exemple illustré en , les nœuds SN11 et SN12 des circuits 901 et 902 sont respectivement connectés aux transistors de transfert MTG1 et MTG2 du photosite 800, par exemple aux zones 117 et 817 du photosite 800.
Dans cet exemple, le circuit 900 comprend en outre des branches SIGZ1, RSTZ1, RSTB et SIGB reliant le nœud SN21 du circuit 901 à une colonne Vx et des branches SIGZ2 et RSTZ2 reliant le nœud SN22 à la colonne Vx. Les branches SIGZ1 et SIGZ2 du circuit 900 sont par exemple identiques ou similaires à la branche SIGZ du circuit 400 de la et les branches RSTZ1 et RSTZ2 du circuit 900 sont par exemple identiques ou similaires à la branche RSTZ du circuit 400. En outre, les branches RSTB et SIGB du circuit 900 sont par exemple identiques aux branches RSTB et SIGB du circuit 400.
La personne du métier est capable de déduire le fonctionnement du circuit de commande 900 de la à partir du fonctionnement du circuit de commande 400 de la précédemment décrit en relation avec les figures 4 et 6. En particulier, lors de la phase d’échantillonnage, les transistors de transfert MTG1 et MTG2 sont commandés de sorte que chaque transistor MTG1, MTG2 est passant pendant un quart de la période du signal. Pendant la moitié restante de la période du signal, le transistor MTGRST est passant tandis que MTG1 et MTG2 sont bloqués. Cela permet avantageusement d’acquérir deux échantillons par photosite 800 au moyen d’une même image de profondeur.
De façon optionnelle, le circuit 900 peut en outre comporter un commutateur SW, par exemple un transistor MOS, reliant le nœud SN11 du circuit 901 au nœud SN12 du circuit 902. Le commutateur SW relie par exemple le transistor MTG1 au transistor MTG2, le commutateur comportant par exemple plus précisément une borne connectée à la zone 117 et une autre borne connectée à la zone 817 du photosite 800. Dans ce cas, lorsque le transistor MTG1 est à l’état passant pour transférer les charges photogénérées dans la zone photosensible 103, dans le cas du photosite 100Z, ou dans les zones photosensibles 103 et 107, dans le cas des photosites 100G et 100R, à l’issue de la phase d’intégration INT, on peut commander le commutateur SW : – soit à l’état ouvert (transistor bloqué) de sorte à transférer les charges photogénérées vers le nœud SN11 uniquement, le circuit de commande 900 présentant dans ce cas un fonctionnement similaire à celui du circuit 400 ; ou – soit à l’état fermé (transistor passant), de sorte à répartir le transfert des charges photogénérées vers les nœuds SN11 et SN12, qui équivalent dans ce cas à un unique nœud présentant une capacité environ égale au double de la capacité d’un seul des nœuds SN11 et SN12.
Cela permet avantageusement de bénéficier d’une double dynamique, c’est-à-dire d’accéder à deux gammes d’un couple formé par les paramètres « gamme d’intensité lumineuse » et « précision ».
La est une vue de dessus, schématique et partielle, d’un photosite 1000 de capteur d’images selon encore un autre mode de réalisation. La est une vue en coupe, selon le plan AA de la , du photosite 1000 de la .
Le photosite 1000 des figures 10 et 11A comprend des éléments communs avec le photosite 100 des figures 1, 2A et 2B. Ces éléments communs ne seront pas décrits à nouveau ci-après. Le photosite 1000 des figures 10 et 11A diffère du photosite 100 des figures 1, 2A et 2B en ce que le photosite 1000 comprend une troisième zone photosensible 1003 formée dans le substrat semiconducteur 101 et interposée entre les première et deuxième zones photosensibles 103 et 107. La troisième zone photosensible 1003 est située à l’aplomb des première et deuxième zones photosensibles 103 et 107 (au-dessus de la première zone photosensible 103 et au-dessous de la deuxième zone photosensible 107, dans l’orientation de la ). Vue de dessus, la troisième zone photosensible 1003 présente par exemple un pourtour de forme sensiblement rectangulaire. La troisième zone photosensible 1003 présente par exemple des dimensions latérales inférieures à celles de la première zone photosensible 103. Plus précisément, en vue de dessus, le rectangle formé par la troisième zone photosensible 1003 s’étend entre les tranchées 115 de la grille VEGA et entre les deux murs opposés de la tranchée d’isolation périphérique 111 perpendiculaires aux tranchées 115. La troisième zone photosensible 1003 est par exemple formée dans une septième région 1005 du substrat 101 dopée du premier type de conductivité, le type N dans cet exemple, et présentant un niveau de dopage N5. Le taux de dopage N5 de la septième région 1005 du substrat 101 est par exemple supérieur au niveau de dopage N1 de la première région 105 et inférieur au niveau de dopage N2 de la deuxième région 109. Dans l’exemple représenté, la septième région 1005 du substrat 101 est en contact, par sa face inférieure, avec la face supérieure de la première région 105 sous-jacente et en contact, par sa face supérieure, avec la face inférieure de la deuxième région 109 sus-jacente. En outre, dans cet exemple, la troisième zone photosensible 1003 est sensiblement en contact, par sa face inférieure, avec la face supérieure de la première zone photosensible 103 sous-jacente et sensiblement en contact, par sa face supérieure, avec la face inférieure de la deuxième zone photosensible 107 sus-jacente.
La troisième zone photosensible 1003 fait par exemple partie d’une troisième diode photosensible D3, par exemple une photodiode pincée présentant une tension de pincement Vpin3. Dans cet exemple, la tension de pincement Vpin3 de la troisième photodiode D3 est supérieure à la tension de pincement Vpin1 de la première photodiode D1 et inférieure à la tension de pincement Vpin2 de la deuxième photodiode D2.
Chaque zone photosensible 103, 107, 1003 du photosite 1000 est par exemple destinée à collecter des photons incidents, lors de phases d’illumination du capteur d’images dont fait partie le photosite 100, et à convertir ces photons en paires électron-trou. Dans cet exemple, la première zone photosensible 103 est adaptée à capter de la lumière dans une première gamme de longueurs d’onde, la deuxième zone photosensible 107 est adaptée à capter de la lumière dans une deuxième gamme de longueurs d’onde, différente de la première gamme de longueurs d’onde, et la troisième zone photosensible 1003 est adaptée à capter de la lumière dans une troisième gamme de longueurs d’onde. La troisième gamme de longueurs d’onde comprend par exemple les première et deuxième gammes de longueurs d’onde. À titre de variante, la troisième gamme de longueurs d’onde peut être comprise entre les première et deuxième gammes de longueurs d’onde.
Plus précisément, les première et deuxième zones photosensibles 103 et 107 sont par exemple destinées à capturer respectivement des images 2D et des images de profondeur d’une scène. À titre d’exemple, la première zone photosensible 103 du photosite 1000 est adaptée à capter de la lumière visible, par exemple de la lumière bleue, et la deuxième zone photosensible 107 du photosite 1000 est adaptée à capter un rayonnement infrarouge, par exemple un rayonnement infrarouge proche, lorsque le photosite 1000 est illuminé du côté de sa face inférieure 101B. La troisième zone photosensible 1003 du photosite 1000 est alors par exemple adaptée à capter à la fois de la lumière visible et un rayonnement infrarouge proche.
Dans l’exemple illustré en figures 10 et 11A, le photosite 1000 comporte, outre la grille de transfert VEGA adaptée à transférer les charges photogénérées dans la première zone photosensible 103 vers la troisième zone photosensible 1003, une autre grille de transfert verticale VEGA2 adaptée à transférer les charges photogénérées dans la troisième zone photosensible 1003 vers la deuxième zone photosensible 107. Plus précisément, un circuit de commande du photosite 1000 peut être utilisé pour appliquer alternativement, sur la grille de transfert verticale VEGA2 : – un cinquième potentiel adapté à bloquer un transfert de charges depuis la troisième zone photosensible 1003 vers la deuxième zone photosensible 107 ; ou – un sixième potentiel, différent du cinquième potentiel, adapté à permettre un transfert de charges depuis la troisième zone photosensible 1003 vers la deuxième zone photosensible 107.
Dans cet exemple, la grille de transfert verticale VEGA2 comprend deux tranchées d’isolation 1015 disjointes, par exemple des tranchées d’isolation capacitives. Comme illustré en , chaque tranchée d’isolation 1015 de la grille de transfert verticale VEGA2 s’étend verticalement dans l’épaisseur du substrat semiconducteur 101 depuis la face supérieure 101T du substrat 101 jusqu’à la troisième zone photosensible 1003, et pénètre partiellement dans la troisième zone photosensible 1003 jusqu’à une profondeur inférieure à celle de la grille de transfert verticale VEGA. En d’autres termes, chaque tranchée d’isolation 1015 s’interrompt dans l’épaisseur de la septième région 1005 du substrat 101 et ne débouche pas dans la première région 105 du substrat 101. Dans cet exemple, chaque tranchée d’isolation 1015 traverse totalement la deuxième région 109 du substrat 101 et pénètre partiellement dans la septième région 1005.
représente une vue isométrique d’une nacelle selon un premier mode de réalisation de l’invention ;
illustre schématiquement des interactions tourbillonnaires dans un carénage de la nacelle de la ;
représente une vue agrandie d’un côté latéral d’une nacelle selon un deuxième mode de réalisation de l’invention ;
illustre schématiquement une interaction tourbillonnaire dans le carénage de la nacelle de la .
Le groupe propulsif 10 comprend une nacelle 12 qui peut être reliée mécaniquement au fuselage 4 et/ou à l’aile 6 par des moyens de liaison. Un bras s’étendant sensiblement transversalement depuis le fuselage 4 peut par exemple relier la nacelle 12 au fuselage 4 du côté aval de la nacelle 12.
L’aéronef 2 comprend plusieurs voilures fixes générant de la portance, tel qu’un empennage 3, les ailes 6 et la nacelle 12. A cet effet, ces éléments créent des tourbillons marginaux 3’, 6’ et 12’, respectivement au droit des extrémités desdites voilures fixes, ces extrémités étant éloignées du fuselage 4.
Ainsi, les deux nacelles 12 de part et d’autre du fuselage 4 sont considéré comme formant une voilure auxiliaire. La présente invention vise à limiter la traînée associée aux tourbillons marginaux 12’ aux extrémités latérales de la voilure auxiliaire. Cette réduction sera détaillée dans la présente description.
La présente à sa partie droite une vue isométrique d’une portion aval 12.2 de la nacelle 12 de la .
Dans le contexte de l’invention, le dispositif ionique de traitement de l’air est soit du type d’un dispositif ionique d’ionisation, soit du type d’un dispositif ionique de filtration. Dans ce cas, le dispositif ionique de traitement comporte alors un étage collecteur configuré pour collecter les particules ionisées par l’étage d’ionisation, l’étage collecteur étant polarisé par la source électrique. Dans le contexte de la présente invention, la polarisation de l’étage collecteur par la source électrique s’entend comme une polarisation électrique, la source électrique étant reliée électriquement à l’étage collecteur afin de fournir une énergie électrique nécessaire à son fonctionnement.
Ainsi, dans le contexte de l’invention, lorsque le dispositif ionique de traitement est du type d’un dispositif ionique d’ionisation, le dispositif ionique d’ionisation est configuré pour ioniser les particules traversant le conduit, de sorte que, en sortie du dispositif ionique de traitement, l’air transporte une grande quantité d’ions.
A contrario, dans le contexte de l’invention, lorsque le dispositif ionique de traitement est du type d’un dispositif ionique de filtration, l’étage collecteur situé en aval de l’étage d’ionisation permet de capter les particules ainsi chargées électriquement de sorte que, en sortie du dispositif ionique de traitement, le flux d’air sortant dudit dispositif ionique de traitement et formant l’air ambiant est exempt de telles particules.
Il faut tout d'abord comprendre ici que le conduit formé par le carter du dispositif ionique de traitement selon l'invention est délimité par les parois du carter : en d'autres termes, le flux d'air contenant les particules à filtrer se propage à l'intérieur du volume dudit conduit délimité par des parois du carter du dispositif ionique de traitement selon l'invention, et cette propagation s'effectue selon une direction principale sensiblement parallèle, à d'éventuelles turbulences près, à l'axe longitudinal du carter et du conduit précités.
Dans le contexte de l’invention, les ioniseurs sont par exemple orientés perpendiculairement ou sensiblement perpendiculairement par rapport à l’axe longitudinal. Bien entendu, la présente invention couvre toute les orientations possibles des ioniseurs, relativement à l’axe longitudinal.
Par ailleurs, il faut également comprendre ici que les ioniseurs sont répartis sur une périphérie des parois précitées du carter du dispositif ionique de traitement. En d'autres termes, les ioniseurs sont disposés, au sein du conduit délimité par les parois extérieures du carter, le long d'un pourtour d'une section de ce conduit selon un plan sensiblement perpendiculaire à l'axe longitudinal précédemment défini. Cette configuration avantageuse permet ainsi de libérer un espace central du conduit, facilitant ainsi l’écoulement dudit flux d’air au travers du dispositif ionique de traitement. En outre, cette configuration permet avantageusement de faciliter l’accès aux ioniseurs et, le cas échéant, à l’étage collecteur lorsque le dispositif ionique de traitement est du type d’un dispositif ionique de filtration. Enfin, cette configuration permet de faciliter la fixation mécanique des différents composants du dispositif ionique de traitement selon l’invention, et notamment de la source électrique.
Selon un mode de réalisation, selon une direction parallèle à l'axe longitudinal précité, les ioniseurs sont avantageusement tous situés sensiblement, aux tolérances de fabrication et de montage près, à une même distance d'une extrémité longitudinale du carter du dispositif ionique de traitement selon l'invention. Selon un autre mode de réalisation, le dispositif ionique de traitement selon l’invention comporte plusieurs étages d’ionisation, chaque étage d’ionisation comportant plusieurs ioniseurs répartis en périphérie des parois du carter, de sorte que lesdits ioniseurs sont disposés, au sein du conduit, le long d'un pourtour d'une section de ce conduit et définie selon un plan sensiblement perpendiculaire à l’axe longitudinal. En outre, les différents étages d’ionisation sont répartis au sein du dispositif ionique de traitement le long de l’axe longitudinal.
Selon un exemple de mise en œuvre de l'invention, les ioniseurs sont dirigés strictement perpendiculairement par rapport à l'axe longitudinal du carter du dispositif ionique de traitement.
Selon un autre exemple de mise en œuvre de l'invention, les ioniseurs sont dirigés selon une direction formant un angle non nul avec un plan perpendiculaire à l'axe longitudinal du carter et du conduit délimité par les parois de celui-ci, préférentiellement inférieur à 45 degrés environ.
Avantageusement, les ioniseurs de l’étage d’ionisation sont répartis et s’étendent selon au moins deux plans dont un axe directeur est parallèle à l’axe longitudinal. En d'autres termes, l'invention prévoit que les ioniseurs sont avantageusement répartis en au moins deux groupes d'ioniseurs dont chacun s'étend dans un plan contenant une direction parallèle à celle de l'axe longitudinal du carter du dispositif ionique de traitement.
Selon un exemple de mise en œuvre de l'invention, les au moins deux groupes d'ioniseurs sont sensiblement symétriquement disposés par rapport à l'axe longitudinal du carter, c'est-à-dire, en d'autres termes, qu'ils sont sensiblement placés face à face au sein du conduit délimité par les parois du carter du dispositif ionique de traitement selon l'invention.
Selon l'invention, l'organe attracteur est placé entre les au moins deux groupes d'ioniseurs précités, c'est-à-dire qu'il est placé au sein du conduit délimité par les parois du carter, conduit à l'intérieur duquel se propage le flux d'air contenant les particules à filtrer. En d'autres termes, l'organe attracteur est immergé dans le flux d'air contenant les particules à filtrer.
En attirant les particules ionisées, l'organe attracteur permet d'homogénéiser le flux de ces dernières dans la région du conduit du carter dans laquelle il est placé. En d'autres termes et par analogie mécanique, l'organe attracteur fonctionne comme un ressort étirant, dans sa direction, le plasma formé par les ioniseurs.
Selon différentes caractéristiques du dispositif ionique de traitement selon l'invention, prises séparément ou en combinaison :
– l'organe attracteur s'étend le long de l'axe longitudinal du carter du dispositif ionique de traitement. Plus précisément, l'invention prévoit que l'organe attracteur s'étend selon une direction sensiblement parallèle, aux tolérances de fabrication et de montage près, à la direction de l'axe longitudinal du carter.
– l'organe attracteur est situé au centre du carter. Il faut comprendre ici que l'organe attracteur s'étend sensiblement symétriquement autour de l'axe longitudinal du carter. L'attraction des particules ionisées est ainsi réalisée de manière homogène radialement par rapport à l'axe longitudinal.
A titre d’exemple, l’épaisseur du substrat 10 est d’au moins 250 μm, par exemple inférieure à 600 μm et l’épaisseur du revêtement 12 est d’au moins 3 μm, par exemple inférieure à 20 μm. Ainsi, le revêtement 12 est nettement plus fin que le substrat 10. De préférence, l’épaisseur du revêtement 12 ne fait que quelques pourcents de l’épaisseur du substrat 10. A titre d’exemple, l’épaisseur du revêtement 12 représente entre 0,5 % et 8 % de l’épaisseur du substrat 10.
On va maintenant décrire un procédé, conforme à la présente divulgation, de fabrication de la pièce d'habillage plastronique 1 montrée à la .
Le procédé de fabrication débute par la fourniture du film d'aspect 2. Le film d'aspect 2 est fourni sous forme d'une feuille plane, par exemple rectangulaire. Cette feuille plane 2 est visible dans la figure 2b.
Le procédé de fabrication continue alors avec une étape de texturisation et de thermoformage du film d'aspect 2. C’est cette étape qui est au cœur de la présente divulgation. Elle constitue un procédé de texturisation et de thermoformage négatif du film d'aspect 2. Celui-ci est illustré par les figures 2a à 2f. Le procédé en question comprend ainsi six sous-étapes a à f, dont chacune correspond à l’une des figures 2a à 2f.
Dans la sous-étape a, cf. la figure 2a, on prévoit un moule de thermoformage 14. Le moule 14 a une cavité de thermoformage 16 définie par une paroi 18. La forme générale de la paroi 18 de la cavité de thermoformage 16 est le négatif de la forme tridimensionnelle à impartir au film d'aspect 2. On notera que la paroi 18 de la cavité de thermoformage 16 a un grain 20 qui est le négatif de la texture à impartir au film d'aspect 2. Le grain 20 présente, de préférence, une profondeur maximale inférieure à l’épaisseur du revêtement 12.
On entend ici par profondeur maximale du grain 20 la distance entre le point le plus élevé et le point le plus reculé du grain 20, prise selon une direction perpendiculaire à la forme générale de la paroi 18.