Procédé pour déposer un nano-objet (4) sur une surface réceptrice (20), comprenant une première étape pour saisir ce nano-objet (4) disposé une surface d’emport (21), une étape pour transférer ledit nano-objet (4) ainsi saisi vers la surface réceptrice (20), et une étape pour déposer ledit nano-objet (4) sur la surface réceptrice (20), caractérisé en ce qu’il met en œuvre un dispositif cantilever ou fourche de transfert (3) comprenant deux bras (31, 32) espacés pourvus chacun d’une dent, les deux dents étant en vis-vis et agencées pour saisir, maintenir et libérer ledit nano-objet (4). Procédé de dépôt selon la revendication précédente, mis en œuvre pour le dépôt d’un nanotube de carbone, caractérisé en ce que la surface d'emport comporte une puce semiconductrice à cantilever. Procédé de dépôt selon l’une quelconque des revendications précédentes, mis en œuvre pour le dépôt de nanotubes (4) sur des électrodes séparant des tranchées. Procédé de dépôt selon la revendication précédente, caractérisé en ce que pendant l’étape de dépôt du nanotube, les bras du dispositif cantilever de transfert pénètrent dans deux tranchées entourant une électrode. Procédé de dépôt selon la revendication précédente, caractérisé en ce que les tranchées inter-électrodes sont de largeur inférieure à 100 μm. Procédé de dépôt selon l’une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu’il comprend en outre une étape pour détecter un contact du dispositif cantilever de transfert (30) avec la surface réceptrice (20), cette étape de détection mettant en œuvre une sonde à force atomique (1) comportant une pointe (10) portant le dispositif cantilever de transfert (30) et fixée à un diapason ou résonateur mécanique (11,12) contrôlé en fréquence autour d’une fréquence de résonance prédéterminée. Procédé de dépôt selon la revendication précédente, caractérisé en ce que l’étape de détection comprend une étape pour délivrer une information d’écart entre la pointe (10) portant le dispositif cantilever de transfert (30) et la surface réceptrice (20), ladite information de distance étant traitée pour contrôler l’étape de transfert. Procédé de dépôt selon la revendication précédente, mis en œuvre pour la dépose d’un nanotube de carbone (4) sur un circuit microélectronique (20). Procédé de dépôt selon la revendication précédente, caractérisé en ce que l’étape de transfert d’un nano-tube (4) est agencée pour le déposer sur des électrodes. Procédé de dépôt selon l’une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu’il est mis en œuvre dans la réalisation d’un composant Qubit. Système (10) pour déposer un nano-objet (4) sur une surface réceptrice (20), mettant en œuvre le procédé de dépôt selon l’une quelconque des revendications précédentes, comprenant des moyens (3) pour saisir ce nano-objet disposé une surface d’emport (21), des moyens pour transférer ledit nano-objet ainsi saisi vers la surface réceptrice (20), et des moyens pour déposer ledit nano-objet (4) sur la surface réceptrice (20), caractérisé en ce qu’il comprend, au titre desdits moyens de saisie, de transfert et de dépôt, au moins un dispositif cantilever de transfert (3) comprenant deux bras (31,32) espacés pourvus chacun d’une dent, ces dents étant en vis-à vis et agencés pour saisir, maintenir et libérer ledit nano-objet (4). Système de dépôt (10) selon la revendication précédente, caractérisé en ce que le dispositif cantilever de transfert (3) est réalisé sous la forme de deux lames (310,320) sensiblement parallèles et espacées par une pièce isolante (33). Système de dépôt (10) selon la revendication précédente, caractérisé en ce que chaque lame (310,320) comprend une partie allongée dont une extrémité en porte-à-faux comporte un bras sensiblement perpendiculaire à ladite partie allongée. Système de dépôt selon la revendication précédente, caractérisé en ce que les bras comportent un revêtement électriquement conducteur. Système de dépôt selon l’une quelconque des revendications 11 à 14, mis en œuvre pour le dépôt de nanotubes sur des électrodes séparées par des tranchées. Système de dépôt selon la revendication précédente, caractérisé en ce que les tranchées inter-électrodes sont de largeur inférieure à 100 μm. Système de dépôt selon l’une quelconque des revendications 11 à 16, caractérisé en ce qu’il est mis en œuvre dans un système pour agrafer des nanotubes sur une pluralité d’électrodes d’un circuit électronique d’un point quantique. Système de dépôt selon l’une quelconque des revendications 11 à 17, caractérisé en ce qu’il comprend en outre des moyens (1) pour détecter un contact ou un risque de contact du dispositif cantilever de transfert (30) avec la surface réceptrice (20), ces moyens de détection comprenant une sonde à force atomique (1) comportant une pointe (10) portant le dispositif cantilever de transfert (30) et fixée à un diapason (11,12) contrôlé en fréquence autour d’une fréquence de résonance prédéterminée. Système de dépôt (2) selon la revendication précédente, caractérisé en ce que les moyens de détection comprennent en outre des moyens pour délivrer une information d’écart entre la pointe (10) portant le dispositif cantilever de transfert (30) et la surface réceptrice (20), et en ce qu’il comprend en outre des moyens pour contrôler les moyens de transfert à partir de ladite information de ladite information d’écart. Système de dépôt selon la revendication précédente, caractérisé en ce qu’il est disposé dans une chambre d’agrafage au sein d’une système pour réaliser des composants Qubit. Système pour agrafer des nanotubes de carbone en vue de réaliser des composants Qubit, comprenant une chambre d’agrafage intégrant un système de dépôt selon l’une des trois revendications précédentes.