Procédé de fabrication comprenant, pour chaque photodétecteur (PD) d'une matrice de photodétecteurs d'un capteur de lumière (1), une utilisation d'un masque (120) obtenu par autoassemblage dirigé d'un copolymère à blocs pour former, par une première étape de gravure, au moins une première structuration (122) du côté d'une première face (106) du photodétecteur destinée à recevoir de la lumière. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la longueur caractéristique du copolymère à blocs est inférieure à 100 nm, de préférence à 50 nm. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel l'autoassemblage dirigé du copolymère à blocs est mis en œuvre par chemo-épitaxie. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 ou 2, dans lequel l'autoassemblage dirigé du copolymère à blocs est mis en œuvre par grapho-épitaxie. Procédé selon la revendication 4, dans lequel la première étape de gravure comprend un transfert du masque (120) obtenu par autoassemblage dirigé du copolymère à blocs dans un masque dur (112) pour y former des ouvertures traversantes, puis une gravure à partir desdites ouvertures. Procédé selon la revendication 4 ou 5, dans lequel l'autoassemblage dirigé du copolymère à bloc, comprend, pour chaque photodétecteur (PD), une gravure d'au moins une cavité de guidage (114), et un dépôt du copolymère à blocs dans ladite au moins une cavité de guidage (114). Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel les photodétecteurs (PD) sont disposés dans une couche de silicium (100) et les premières structurations (122) sont formées dans une couche isolante reposant sur la couche de silicium (100). Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel les photodétecteurs (PD) sont disposés dans une couche de silicium (100) et les premières structurations (122) sont formées dans la couche de silicium (100). Procédé selon la revendication 6, dans lequel les photodétecteurs (PD) sont disposés dans une couche de silicium (100) et, pour chaque photodétecteur (PD), ladite au moins une cavité de guidage (114) est gravée directement dans le silicium (100). Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel, pour au moins un des photodétecteurs (PD), plusieurs premières structurations (122) sont formées lors de la première étape de gravure, le pas des premières structurations (122) étant, de préférence, inférieur à 100 nm. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel, pour au moins un photodétecteur (PD), le procédé comprend en outre une formation, par une deuxième étape de gravure, d'au moins une deuxième structuration (304, 404, 504) du côté de la première face (106), ladite au moins une deuxième structuration (304, 404, 504) ayant, dans un plan parallèle à ladite première face (106), une plus petite dimension supérieure à une plus petite dimension des premières structurations (122). Procédé selon la revendication 11, dans lequel la deuxième étape de gravure est mise en œuvre après la première étape de gravure. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 11, dans lequel l'autoassemblage du copolymère à blocs est configuré pour que, pour plusieurs desdits photodétecteurs (PD), les premières structurations (122) forment un motif aléatoire de type empreinte digitale. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 13, dans lequel le pas des photodétecteurs (PD) est inférieur ou égal à 1,5 µm, par exemple inférieur à 1 µm. Procédé selon la revendication 6, dans lequel : les photodétecteurs (PD) sont disposés dans couche de silicium (100) ; ladite au moins une cavité de guidage (114) est gravée directement dans le silicium (100) ; et pour au moins un photodétecteur (PD), une largeur ou un diamètre de ladite au moins une cavité de guidage (114) est sensiblement égale à 1,5 fois la longueur caractéristique du copolymère à blocs.