INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Les modules de contact 100a-j sont ici des contacteurs électriques ou électromécaniques, pourvus d’un boîtier électrique 101 et d’un organe de contact 102 en saillie du boitier électrique 101.
Dans certains modes de réalisation, le point de prélèvement est prévu entre le compresseur principal et la chambre de combustion. Toutefois, en remplacement ou en complément, la veine principale peut comprendre un ou plusieurs points de prélèvement au niveau du compresseur principal.
Dans certains modes de réalisation, le compresseur principal est le module tournant le plus proche de la chambre de combustion sur son côté amont. Autrement dit, aucun autre module tournant n’est prévu entre le compresseur principal et la chambre de combustion. Cela n’interdit pas toutefois que la veine principale de la turbomachine comprenne un ou plusieurs compresseurs supplémentaires : par exemple, la turbomachine peut comprendre un compresseur basse pression et un compresseur haute pression, auquel cas le compresseur principal est le compresseur haute pression.
Dans certains modes de réalisation, le compresseur principal est configuré de sorte que la pression du fluide de travail en sortie du compresseur principal soit comprise entre 0,15 et 5,0 MPa, de préférence comprise entre 0,8 et 2,0 MPa.
Dans certains modes de réalisation, le compresseur principal est configuré de sorte que la température du fluide de travail en sortie du compresseur principal soit comprise entre 150 et 1000°C, de préférence comprise entre 500 et 800°C.
Dans certains modes de réalisation, la chambre de combustion est configurée pour augmenter la pression du fluide de travail d’au moins 5%, de préférence d’au moins 20%. De préférence, cette augmentation de pression est inférieure à 50%.
Dans certains modes de réalisation, la chambre de combustion est configurée de sorte que la température du fluide de travail en sortie de la chambre de combustion soit supérieure à 1000°C, de préférence supérieure à 1200°C.
Dans certains modes de réalisation, la chambre de combustion est configurée pour être alimentée par du kérosène ou de l’hydrogène.
Dans certains modes de réalisation, la turbine principale est le module tournant le plus proche de la chambre de combustion sur son côté aval. Autrement dit, aucun autre module tournant n’est prévu entre la chambre de combustion et la turbine principale. Cela n’interdit pas toutefois que la veine principale de la turbomachine comprenne une ou plusieurs turbines supplémentaires : par exemple, la turbomachine peut comprendre une turbine haute pression et une turbine basse pression, auquel cas la turbine principale est la turbine haute pression.
Dans certains modes de réalisation, la turbine principale entraîne le compresseur principal en rotation.
Dans certains modes de réalisation, la turbine principale comprend un ou plusieurs étages d’aubes mobiles et un ou plusieurs étages d’aubes fixes. Ces aubes peuvent notamment être réalisées en céramique.
Dans certains modes de réalisation, le compresseur auxiliaire est configuré pour augmenter la pression du fluide de refroidissement d’au moins 8%, de préférence d’au moins 10%.
Dans certains modes de réalisation, le compresseur auxiliaire est configuré pour augmenter la pression du fluide de refroidissement de manière à atteindre une pression au moins 3% plus importante, de préférence au moins 5% plus importante, que la pression en sortie de la chambre de combustion. On facilite ainsi l’écoulement du fluide de refroidissement jusque dans la turbine principale, y compris en cas de surpression locale au sein de la turbine principale.
Dans certains modes de réalisation, le compresseur auxiliaire est configuré pour augmenter la pression du fluide de refroidissement de manière à atteindre une pression au plus 8% plus importante, de préférence au plus 5% plus importante, que la pression en sortie de la chambre de combustion. En effet, une compression trop importante augmente inutilement la puissance de compression requise, ce qui réduit le rendement de la turbomachine.
Dans certains modes de réalisation, le compresseur auxiliaire est configuré pour augmenter la température du fluide de refroidissement d’au moins 100°C, voire même d’au moins 150°C.
Dans certains modes de réalisation, le circuit de refroidissement est configuré de sorte que le débit du fluide de refroidissement soit compris entre 1% et 10%, de préférence compris entre 1% et 8% du débit du fluide de travail au niveau du point de prélèvement. De telles plages représentent de bon compromis entre efficacité du refroidissement et rendement de la turbomachine, le débit de prélèvement le plus faible possible étant visé.
Dans certains modes de réalisation, le circuit de refroidissement débouche dans la veine principale au niveau des aubages de la turbine principale.
On ne sort bien entendu pas du cadre de l’invention si les rôles du bord de l’ébauche destiné à former le bord d’attaque de l’aube et du bord de l’ébauche destiné à former le bord de fuite sont échangés ou alternés lors des étapes précédentes. La déformation de l’ébauche fibreuse depuis le fil traceur de chaîne vers un premier bord de l’ébauche, puis depuis le fil traceur de chaîne vers un deuxième bord de l’ébauche pour chaque fil traceur de trame simplifie la déformation de l’ébauche fibreuse dans la direction des ordonnées Y. Un opérateur seul peut facilement et rapidement répéter cet enchaînement de déformations tout en conservant une bonne répétabilité et un emplacement des zones de décadrage identiques d’une aube à l’autre. Cet enchaînement de déformations constitue un mode préféré de réalisation de l’invention.
Cependant, on ne sort pas du cadre de l’invention si la déformation de l’ébauche fibreuse dans la direction des ordonnées Y est réalisée simultanément ou alternativement de part et d’autre du fil traceur de chaîne vers chacun des bords pour superposer un fil traceur de trame à son repère visuel correspondant. Toutefois, cet enchaînement de déformations est relativement plus délicat à mettre en œuvre pour un seul opérateur, tout en conservant une bonne répétabilité.
Lorsque l’ébauche fibreuse est entièrement déformée, on peut afficher à nouveau tous les repères visuels des fils traceurs – avec ou sans les tolérances – de sorte à vérifier que tous les fils traceurs sont bien superposés au repère visuel correspondant. Des déformations mineures peuvent être opérées pour assurer une superposition satisfaisante de tous les fils traceurs avec leur repère visuel.
Si l’ébauche fibreuse a été humidifiée avant les étapes de déformation, elle peut être séchée après avoir été déformée.
Après ces étapes de déformation, on peut procéder à une étape de compactage de l’ébauche fibreuse déformée dans un moule de compactage, éventuellement précédée d’une étape de pré-compactage. Ces étapes de pré-compactage ou de compactage sont par exemple décrites dans le document US2016243777A1 ou US2016288380A1. Le moule de compactage peut comprendre le moule de mise en forme.
Ainsi, on obtient une préforme fibreuse après mise en forme et éventuellement compactage de l’ébauche fibreuse.
On procède ensuite à l’imprégnation de la préforme fibreuse par une résine thermodurcissable que l’on polymérise par traitement thermique. Par exemple, on utilise à cet effet le procédé bien connu de moulage par injection ou transfert dit RTM ("Resin Transfert Moulding"). Conformément au procédé RTM, on injecte via un port d’injection une résine, par exemple une résine thermodurcissable, dans l’espace interne occupé par la préforme dans le moule d’injection. Cette configuration permet l'établissement d'un gradient de pression entre la partie inférieure de la préforme où la résine est injectée et la partie supérieure de la préforme située à proximité du port d’évacuation. De cette manière, la résine injectée sensiblement au niveau de la partie inférieure de la préforme va imprégner progressivement l'ensemble de la préforme en circulant dans celle-ci jusqu'au port d’évacuation par lequel le surplus est évacué. Bien entendu, l’outillage de moulage par injection peut comprendre plusieurs ports d’injection et plusieurs ports d’évacuation.
Après l’injection et la polymérisation, l’aube est démoulée. Elle peut éventuellement subir un cycle de post-cuisson pour améliorer ses caractéristiques thermomécaniques. Au final, l’aube est détourée pour enlever l’excès de résine et des chanfreins peuvent être usinés. On obtient ainsi une pièce composite formée d’un renfort fibreux densifié par une matrice.
Des couches protectrices peuvent être collées sur la pièce composite ainsi obtenue.
PROFILÉ D'HABILLAGE POUR UN PANNEAU La présente invention porte sur un profilé d'habillage pour un panneau. L'invention trouve une application particulièrement avantageuse, mais non exclusive, avec les panneaux composites formant des éléments de mobiliers, notamment des coques d'intimité ou des consoles appartenant à des unités de sièges de type "classe affaires" et "première classe" d'une cabine d'avion.
De façon connue en soi, une unité de siège comporte un siège associé à une console et à une coque d'intimité. La coque d'intimité s'étend au moins en partie autour du siège de manière à délimiter un espace semi-clos privatif autour du passager. Une telle configuration permet de garantir l'intimité du passager installé sur le siège.
La console et/ou la coque d'intimité sont formés par des panneaux composites dits de type "sandwich", c’est-à-dire que ces panneaux sont constitués par un empilement de couches de différents matériaux structurels ou non. Pour réaliser la finition des chants de ces panneaux composites, il est nécessaire de les recouvrir avec un profilé d’habillage dit "edgecap" en anglais.
Les profilés d'habillage peuvent être réalisés en métal, en polymère ou en élastomère, usiné ou injecté. Toutefois, ce type de profilé nécessite de découper le profilé en plusieurs morceaux (technologie dite "split line" en anglais) car les limites technologiques ainsi que les limites de coûts des procédés de fabrication existants ne permettent pas de réaliser les formes précises d'un profilé d'habillage s'étendant d'un seul tenant suivant toute la longueur du chant à recouvrir. En outre, ce type de profilé usiné ou injecté est peu tolérant en termes de dimensionnement alors que les panneaux composites sur lesquels ils sont montés présentent des tolérances assez grandes. Cela génère des problèmes d’accostage et de qualité perçue.
Les profilés d'habillage peuvent également consister en des profils extrudés en élastomère de type silicone ou en polyuréthane thermoplastique (TPU). Toutefois, ce type de profilé pose des problèmes de qualité perçue, dans la mesure où ils présentent des marques d’extrusion et sont sensibles aux rayures. Ce type de profilé pose également des problèmes de collage sur le panneau à habiller du fait de la nature même du matériau.
caractérisé en ce que : ladite base est présente en quantité catalytique par rapport à la quantité dudit polyester de téréphtalate ladite étape de dépolymérisation se fait à température ambiante ou en chauffant jusqu’à 70°C pendant une durée comprise entre 1 minute et 4h.
Le matériau à base de polyester de téréphtalate peut être un plastique, un textile ou un autre type de matériau contenant 100% de polyester de téréphtalate (PET ou PBT) ou un matériau composite contenant un mélange de polyester de téréphtalate avec autres constituants tels que le coton, le polyamide, les polyuréthanes, les polyoléfines et les polymères fluorés, tels qu’un plastique composite, un textile multifibre ou un matériau composite d’isolation.
Avantages de l’invention Le procédé selon l’invention propose d’associer (i) un catalyseur en quantité catalytique par rapport au polyester de téréphtalate et (ii) un alcool qui est soit un monoalcool, soit un diol, et de les faire réagir dans des conditions douces. Il présente plusieurs avantages au regard des procédés décrits antérieurement, qui sont exposés ci-après.
Le procédé peut être qualifié de « très rapide » puisque que la réaction est complète en moins de 4h à température ambiante, et en moins de 20 minutes en conditions de chauffage optimisées, notamment entre 55 et 70°C. Elle démarre instantanément et peut conduire à une dépolymérisation complète dès 1 min.
La réaction de dépolymérisation est simple. La dépolymérisation et la purification peuvent se faire en une seule et même étape. Dans un mode de réalisation préféré, la dépolymérisation est réalisée par méthanolyse. Après complétion de la réaction, le produit obtenu est directement un ester de téréphtalate (comme le DMT) sous forme de cristaux. Un lavage permet d’enlever les produits intermédiaires ou de dégradation qui nécessiteraient des opérations de distillation fastidieuses dans les procédés classiques afin de les séparer du produit d’intérêt.
Le procédé permet également d’obtenir du DET ou du BHET lorsque la dépolymérisation du PET est effectuée par éthanolyse ou glycolyse respectivement.
Ce procédé peut être appliqué à tout type de matériau comprenant un polyester de téréphtalate, en particulier du PET, pur ou en mélange, transparent ou coloré, quelle que soit son épaisseur ou sa composition.
L’homme du métier sait que les matériaux textiles composites et multifibres peuvent être fabriqués de différentes manières. Ils peuvent être tissés et enduits sous forme de plusieurs couches, ou de nature non tissée. Ils sont composés de différents matériaux en particulier de polyester mélangé à d’autres matériaux.
La nature des matériaux de type « polyester » peut différer et à titre non exhaustif ce dernier peut être du Polyéthlène téréphtalate, (PET); du Polybutylène téréphtalate (PBT), de l’acide polylactique (PLA), un polycaprolactone (PCL)… Les matériaux pouvant être recyclés grâce au procédé selon l’invention comprennent au moins un polyester téréphtalique de type PET ou PBT.
Les autres matériaux mélangés au polyester peuvent être, de manière non limitative, le polyamide (Nylon 6,6 ou diadipate d’hexamethylne diamine, Nylon 6 ou polycaprolactame...), les polyuréthanes, le coton ; des polyoléfines (Polypropylène, Polyéthylène), des polymères fluorés (Ces derniers sont généralement enduits.
Dans le contexte de la présente invention, le film donneur de la tranche donneuse est collé par collage direct au substrat cible de la tranche cible. En d'autres termes, grâce au collage direct, le film donneur de la tranche donneuse vient directement au contact du substrat cible de la tranche cible.
En variante, dans le contexte de la présente invention, une couche diélectrique cible est fournie sur le dessus du substrat cible. La couche diélectrique cible comprend par exemple du dioxyde de silicium, également appelé SiO 2 . À titre d'exemple, la couche diélectrique cible est une couche d'oxyde enterrée, également appelée BOX. L'épaisseur de la couche diélectrique cible est par exemple égale ou inférieure à 50 nm, par exemple de 20nm, 10nm, 5nm, etc. L'épaisseur de la couche diélectrique cible est donc maintenue aussi faible que possible. La couche diélectrique cible est utilisée pour faciliter le collage du film donneur au substrat cible. En d'autres termes, le film donneur de la tranche donneuse est collé à la couche diélectrique donneuse de la tranche cible.
Selon des exemples de modes de réalisation, la formation du film donneur consiste en outre à former une couche diélectrique donneuse sur le dessus de la première couche III-N donneuse, l'épaisseur de la couche diélectrique donneuse étant égale ou inférieure à 10 nm.
Une couche diélectrique donneuse est par exemple une couche de nitrure de silicium, comme par exemple une couche amorphe de nitrure de silicium. A titre d'exemple, la couche diélectrique donneuse est formée par croissance épitaxiale sur le dessus de la première couche III-N donneuse. L'épaisseur de la couche diélectrique donneuse est maintenue aussi mince que possible, comme par exemple de 5 à 10 nm. La couche diélectrique donneuse agit comme une couche de blocage du courant entre le substrat cible et le transistor à haute mobilité électronique fabriqué par le procédé selon la présente invention.
Selon des exemples de modes de réalisation, le collage du film donneur sur la tranche cible correspond au collage de la couche diélectrique donneuse sur la couche diélectrique cible, pour ainsi former un empilement de couches diélectriques comprenant la couche diélectrique cible et la couche diélectrique donneuse.
L'épaisseur de la couche diélectrique cible et l'épaisseur de la couche diélectrique donneuse sont maintenues aussi faibles que possible, cela permettant de minimiser l'épaisseur de l'empilement de couches diélectriques entre le substrat cible et la première couche III-N donneuse. À titre d'exemple, l'épaisseur de l'empilement de couches diélectriques est égale ou inférieure à 60 nm. Ceci améliore encore davantage l'impédance thermique des transistors à haute mobilité électronique fabriqués par le procédé selon la présente invention.
En variante, lorsque le film donneur ne comprend pas de couche diélectrique donneuse sur le dessus de la première couche III-N donneuse, le collage du film donneur à la tranche cible correspond au collage direct de la première couche III-N donneuse à la couche diélectrique cible, pour ainsi former un empilement de couches diélectriques comprenant la couche diélectrique cible.
Selon des exemples de modes de réalisation, la formation du film donneur consiste en outre à fournir une deuxième couche épitaxiale III-N donneuse entre la première couche III-N donneuse et la couche diélectrique donneuse.
Une deuxième couche épitaxiale III-N donneuse comprend par exemple du nitrure d'aluminium. À titre d'exemple, la deuxième couche épitaxiale III-N donneuse comprend de l'AlN à polarité N formé par croissance épitaxiale. Cette deuxième couche épitaxiale III-N donneuse agit comme une barrière arrière pour le transistor à haute mobilité électronique fabriqué après le collage du film donneur sur la tranche cible, confinant ainsi les électrons dans la première couche III-N active de la couche semi-conductrice III-N épitaxiale. Ainsi, il n'est pas nécessaire d'introduire des impuretés dans la première couche III-N active, cela réduisant encore davantage les effets de piégeage.
Selon des exemples de modes de réalisation, l'épaisseur de la deuxième couche épitaxiale III-N donneuse est égale ou inférieure à 10 nm.
Ainsi, l'épaisseur du film donneur sur la tranche donneuse est maintenue aussi faible que possible. Cela permet de minimiser l'épaisseur de la couche superficielle supérieure sur la tranche cible après collage, améliorant ainsi l'impédance thermique du transistor à haute mobilité électronique fabriqué par le procédé selon la présente invention.
Selon des exemples de modes de réalisation, la fourniture de la deuxième couche épitaxiale III-N donneuse correspond à la formation, sur la tranche donneuse et entre la première couche III-N donneuse et la couche diélectrique donneuse, d'une deuxième couche épitaxiale III-N donneuse formée par croissance épitaxiale en tant que couche à polarité N.
Ainsi, lorsque la tranche donneuse est retournée pour être collée à la tranche cible, la deuxième couche épitaxiale III-N donneuse collée sur le substrat cible est à polarité Ga. La densité des dislocations traversantes dans l'empilement de couches semi-conductrices III-N épitaxiales amenées à croître sur le dessus de la couche superficielle supérieure est ainsi minimisée.
À titre d'exemple, la fourniture de la deuxième couche épitaxiale III-N donneuse correspond à la croissance épitaxiale de la deuxième couche épitaxiale III-N donneuse sur le dessus de la tranche donneuse et entre la première couche III-N donneuse et la couche diélectrique donneuse en tant que couche à polarité N. En variante, la fourniture de la deuxième couche épitaxiale III-N donneuse correspond à la croissance épitaxiale de la deuxième couche épitaxiale III-N donneuse sur le dessus d'une tranche temporaire en tant que couche à polarité Ga et entre une couche diélectrique donneuse et une couche du matériau de la première couche III-N donneuse, au collage de la tranche temporaire à la tranche donneuse et à la séparation de la tranche temporaire et de la tranche donneuse au niveau de la couche du matériau de la première couche III-N donneuse, pour ainsi former la première couche III-N donneuse sur la tranche donneuse, la deuxième couche épitaxiale III-N donneuse étant sur le dessus de la première couche III-N donneuse et la couche diélectrique donneuse étant sur le dessus de la deuxième couche épitaxiale III-N donneuse.
Selon des exemples de modes de réalisation, la formation du film donneur consiste à former par croissance épitaxiale la première couche III-N donneuse, et la croissance épitaxiale de la première couche III-N donneuse correspond à la croissance épitaxiale d'une première section et d'une deuxième section de la première couche III-N donneuse et à la croissance épitaxiale d'une troisième couche épitaxiale III-N donneuse entre la première section et la deuxième section de la première couche III-N donneuse ; et la tranche donneuse et la tranche cible sont séparées par division de la première section de la première couche III-N donneuse.
À titre d'exemple, la formation du film donneur comprend la croissance épitaxiale de la première couche III-N donneuse, et la croissance épitaxiale de la première couche III-N donneuse correspond à la croissance épitaxiale d'une première section et d'une deuxième section de la première couche III-N donneuse sur le dessus du substrat sacrificiel et à la croissance épitaxiale d'une troisième couche épitaxiale III-N donneuse entre la première section et la deuxième section de la première couche III-N donneuse sur le dessus du substrat sacrificiel. Dans ce mode de réalisation, la première couche III-N donneuse est par exemple formée par croissance épitaxiale sous la forme d'une couche à polarité N. En variante, la fourniture de la première couche III-N donneuse correspond à la croissance épitaxiale de la première couche III-N donneuse sur le dessus d'une tranche temporaire en tant que couche à polarité Ga, la première couche III-N donneuse comprenant une première section et une deuxième section sur le dessus de la première section, le collage de la tranche temporaire à la tranche donneuse et la séparation de la tranche temporaire et de la tranche donneuse au niveau de la première section, pour ainsi former la première couche III-N donneuse sur la tranche donneuse, la deuxième section de la tranche temporaire devenant la première section de la première couche III-N donneuse sur la tranche donneuse et la première section de la tranche temporaire devenant la deuxième section de la première couche III-N donneuse sur la tranche donneuse.
Les effets d’un extrait de Garcinia mangostana et de jus d’Avena sativa fraiche, seul ou en combinaison sur la production d’interleukines 12p40 (IL-12p40) par des cellules dendritiques dérivées des monocytes, stimulées avec les cultures planctoniques de C. acnes sont présentés dans le tableau 3 ci-dessous.
Produits Concentration Production moyenne d’IL-12p40 (%) % d’inhibition Statistiques Pas de stimulation - 0 - Stimulation Culture C. acnes 100 0 Dexaméthasone 300 ng/ml 49,4 50,0 P Extrait Garcinia mangostana (G. m.) 1,25 µg/ml 89,9 NS 2,5 µg/ml 78,6 21,4 P 10 µg/ml 57,2 41,8 P Jus d’Avena sativa fraiche 10 µg/ml 78,4 NS 20 µg/ml 87,1 NS 70 µg/ml 87,4 NS Extrait G. m + Jus d’Avena sativa fraiche 1,25 µg/ml +10 µg/ml 84,7 NS 2,5 µg/ml + 20 µg/ml 71,9 28,1 P 10 µg/ml + 70 µg/ml 50,6 48,4 P
Sans stimulation, les cellules dendritiques dérivées des monocytes ne produisent pas d’IL-12p40. Cependant, la culture planctonique de C. acnes induit significativement la production d’IL-12p40 par les cellules dendritiques dérivées des monocytes. Le contrôle positif, la dexaméthasone à 300 ng/ml, inhibe de façon significative cette production, ces résultats attendus permettent de valider ce test.