Dans le contexte de la présente invention, la formation du film donneur sur le dessus du substrat sacrificiel comprend la fourniture d'une première couche III-N donneuse, la première couche III-N donneuse étant formée par croissance épitaxiale. À titre d'exemple, la formation du film donneur sur le dessus du substrat sacrificiel comprend la croissance épitaxiale de la première couche III-N donneuse sur le dessus du substrat sacrificiel. Dans le contexte de la présente invention, la première couche III-N donneuse comprend du GaN. La première couche III-N donneuse comprend par exemple du GaN à polarité N formé par croissance épitaxiale sur la tranche donneuse par MOCVD ou par MBE. La tranche donneuse est retournée, et la première couche III-N donneuse est collée sur la face supérieure de la tranche cible. La tranche donneuse et la tranche cible sont ensuite collées l'une à l'autre. Ainsi, la première couche III-N donneuse collée sur la face supérieure de la tranche cible est à polarité Ga. La densité des dislocations traversantes dans l'empilement de couches semi-conductrices III-N épitaxiales amenées à croître sur le dessus de la couche superficielle supérieure est ainsi minimisée. En variante, la première couche III-N donneuse comprend par exemple du GaN fourni sur la tranche donneuse après avoir été amené à croître sur une tranche temporaire par MOCVD ou par MBE sous la forme d'une couche à polarité Ga et qui est collé sur la face supérieure de la tranche donneuse au moyen d'une technologie smart-cut. La tranche donneuse et la tranche cible sont séparées l'une de l'autre par un smart-cut de la première couche III-N donneuse du film donneur. Dans le contexte de la présente invention, une interface est formée entre la première couche III-N donneuse et le substrat sacrificiel, la première couche III-N donneuse et le substrat sacrificiel venant au contact l'un de l'autre. La séparation de la tranche donneuse de la tranche cible par smart-cut au niveau de la première couche III-N donneuse se produit en provoquant une rupture de la première couche III-N donneuse à l'interface entre la première couche III-N donneuse et le substrat sacrificiel. En d'autres termes, la première couche III-N donneuse est découpée à l'interface entre la première couche III-N donneuse et le substrat sacrificiel. Cette séparation forme sur la tranche cible une couche superficielle supérieure comprenant la première couche III-N donneuse initialement amenée à croître sur le substrat sacrificiel et collée sur la tranche cible, l’épaisseur de la couche superficielle supérieure sur la tranche cible correspondant sensiblement à l'épaisseur de la première couche III-N donneuse amenée à croître sur le substrat sacrificiel. Selon la présente invention, l'épaisseur de la couche superficielle supérieure est égale ou inférieure à 200 nm sur la tranche cible. En variante, la séparation de la tranche donneuse de la tranche cible par smart-cut au niveau de la première couche III-N donneuse se produit en provoquant la division de la première couche III-N donneuse, laissant ainsi une première partie restante de la première couche III-N donneuse sur le substrat sacrificiel séparé du substrat cible, qui sera désignée ultérieurement comme étant la couche superficielle supérieure, et en laissant également une deuxième partie restante de la première couche III-N donneuse sur le substrat cible, qui sera désignée ultérieurement comme étant la couche superficielle donneuse, la somme de l'épaisseur de la première partie restante et de l'épaisseur de la deuxième partie restante correspondant sensiblement à l'épaisseur totale de la première couche III-N donneuse amenée à croître sur le substrat sacrificiel avant le collage. En d'autres termes, la première couche III-N donneuse est divisée dans son épaisseur. Cette séparation forme sur la tranche cible une couche superficielle supérieure comprenant au moins en partie la première couche III-N donneuse initialement amenée à croître sur le substrat sacrificiel et liée à la tranche cible, l’épaisseur de la couche superficielle supérieure sur la tranche cible étant égale ou inférieure à 200 nm.