INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Le matériau composite apte à absorber les impacts selon l’invention est donc, grâce à sa structuration à deux échelles et ses trois réseaux, un matériau auto-régénérant et autoportant, qui peut supporter des milliers de tests d'impact sans que ses performances d'absorption d'énergie ne soient affectées. Le matériau composite apte à absorber les impacts selon l’invention peut ainsi être utilisé dans des équipements de protection individuelle civils et militaires, pour les équipements de sport et de loisirs, les applications automobiles, la protection des appareils électroniques et sensibles, etc...
De manière avantageuse, la fraction de matériau précomposite dans le matériau composite apte à absorber les impacts peut être comprise entre de 10 et 70% en poids, et de préférence entre 30 et 50% en poids.
De manière avantageuse, le polybororganosiloxane peut être choisi parmi le polyborodiméthysiloxane et ses dérivés.
De manière avantageuse, le matériau polymère thermoplastique utilisable dans le matériau composite apte à absorber les impacts selon l’invention peut être choisi parmi les caoutchoucs styrène-butadiène-styrène SBS (Kraton), les styrène-butadiène (SBR), polyuréthanes thermoplastiques (TPU), l’éthylène-propylène EPR, le caoutchouc nitrile butadiène (NBR), le polyéthylène ou le polyéthylène-acétate de vinyle (PEVA), ou les polymères élastomères acryliques.
Enfin, la présente invention a encore pour objet un procédé de fabrication du matériau composite apte à absorber les impacts selon l’invention, qui comprend les étapes suivantes :
A) mélange d’un matériau dilatant choisi parmi les polybororganosiloxanes avec un gel de silice pour former un matériau précomposite comprenant le premier réseau nanoscopique de nanoparticules de SiO 2 ;
B) incorporation du matériau précomposite dans un matériau polymère thermoplastique, pour former une structure ramifiée fibrillée et interconnectée de filaments de matériau précomposite dans un réseau de fibres thermoplastiques, ces filaments constituant le deuxième réseau fibrillé ;
C) mise en forme de ladite structure ramifiée, fibrillée et interconnectée de filaments de matériau précomposite dans le réseau de fibres thermoplastiques, de manière à obtenir ledit matériau composite.
A titre de polybororganosiloxane, on pourra utiliser avantageusement du polyborodiméthysiloxane (PBDMS) ou ses dérivés.
En ce qui concerne l’étape A, celle-ci consiste à mélanger un matériau dilatant choisi parmi les polybororganosiloxanes et ses dérivés, avec un gel réactif de nanoparticules de SiO 2 pour former un matériau précomposite comprenant le premier réseau nanoscopique de nanoparticules de SiO 2 .
Par gel de silice, on entend, au sens de la présente invention, un gel à base de nanoparticules de SiO 2 consistant en des billes de gel de silice poreuse et de taille nanométrique, présentant très grande surface spécifique, de l’ordre de 300-750 m 2 /g. A titre de gels de silice utilisables dans le cadre de la présente invention, on pourra notamment citer les gels commercialisés sous la marque AEROSIL® par la société EVONIK.
Selon un premier mode de réalisation de l’étape A du procédé selon l’invention, celle-ci peut être réalisée comme suit : dissolution préalable dudit matériau dilatant dans un solvant, pour favoriser l’homogénéité du mélange, puis on ajoute le mélange ainsi obtenu dans un gel réactif de nanoparticules de SiO 2 (car présentant une interaction chimique attractive avec le puis élimination du solvant par rotavaporisation.
A titre de solvants utilisables dans le procédé selon l’invention pour dissoudre le matériau dilatant, on peut citer le tétrahydrofurane (THF) ou du dichlorométhane (DCM). Le mélange du matériau dilatant et du solvant peut durer entre plusieurs heures et plusieurs jours. L'utilisation d’un solvant permet un processus facile de fabrication du pré-composite en facilitant la fabrication d'un mélange homogène ayant la nanostructure désirée.
A titre de gel réactif de nanoparticules de silice, on peut notamment citer les gels réactifs commercialisés sous la dénomination commerciale Kieselgel™ par la société MERCK. Le gel réactif de nanoparticules de silice ayant une interaction chimique attractive élevée avec le matériau dilatant, et en particulier le PBMS, permet de renforcer le matériau composite apte à absorber les impacts selon l’invention, et de stabiliser sa structure.
Un agent tensioactif à base de silicium peut être ajouté lors de l’étape A de mélange du matériau dilatant (par exemple le PBDMS) avec le gel de silice pour faciliter l'incorporation du matériau dilatant (notamment le PBDMS) dans la silice, conduisant à la formation de la structure désirée. A titre de tensioactifs à base de silicium, on peut notamment citer les tensioactifs commercialisés sous la marque TEGOSTAB® par la société EVONIK.
la illustre, isolement, les plaques internes et les logements du dispositif de la ,
la illustre, en perspective, un exemple de capot de protection thermique selon l’invention,
la illustre, en perspective, un autre exemple de capot de protection thermique selon l’invention,
la illustre, en perspective, l’extrémité distale d’un dispositif comportant des capots de protection thermique selon l’invention,
la est une vue en coupe longitudinale du dispositif de la ,
la illustre, en perspective, un agrandissement du dispositif de la au niveau d’un épaulement,
la illustre, en perspective, un agrandissement du dispositif de la au niveau d’un autre épaulement,
la illustre, en vue de côté, le montage d’un capot de protection thermique sur un dispositif selon l’invention,
la illustre, en perspective, l’extrémité distale d’un dispositif comportant des embouts de protection thermique selon l’invention,
la est une coupe longitudinale de l’extrémité distale du dispositif de la , et
la illustre, en perspective, de manière isolée, les embouts de la .
On a représenté aux figures 1 et 2 un exemple de dispositif 2 de traitement des cheveux selon l’invention.
Ce dispositif 2 présente deux mâchoires 3 et 4 mobiles l’une par rapport à l’autre entre une configuration écartée (non représentée) d’introduction entre elles d’une mèche de cheveux et une configuration rapprochée de traitement, illustrée à la .
Les mâchoires 3 et 4 sont portées par des bras respectifs supérieur 5 et inférieur 6, lesquels sont, dans l’exemple considéré, reliés entre eux à une de leurs extrémités par une articulation 8, le dispositif 2 formant ainsi une pince.
Les bras 5 et 6 définissent, entre l’articulation 8 et les mâchoires 3 et 4, des demi-poignées respectives 10 et 11 sur lesquelles l’utilisateur peut appuyer pour rapprocher les mâchoires 3 et 4 et ainsi venir pincer les cheveux s’étendant entre les deux mâchoires.
Selon un exemple, le procédé comprend une réalisation de motifs dans la couche électriquement conductrice ou semi-conductrice arrière.
Selon un exemple, le procédé comprend la passivation de la surface exposée arrière du substrat.
Selon un exemple, le procédé de fabrication d’un dispositif microélectronique comprend : entre la formation de l’au moins une portion de couche du dispositif, et la gravure par la surface exposée arrière du substrat, le montage d’un support sur la surface exposée avant du substrat, et après le dépôt de l’organe électriquement conducteur ou semi-conducteur de façon à remplir la cavité électrique, le démontage du support. Le support permet ainsi de faciliter la manipulation du substrat.
Par dispositif microélectronique, on entend tout type de dispositif réalisé avec les moyens de la microélectronique. Ces dispositifs englobent notamment en plus des dispositifs à finalité purement électronique, des dispositifs micromécaniques ou électromécaniques, ainsi que des dispositifs optiques ou optoélectroniques. Il peut s’agir d’un dispositif destiné à assurer une fonction électronique, optique, mécanique etc. Il peut aussi s’agir d’un produit intermédiaire uniquement destiné à la réalisation d’un autre dispositif microélectronique. Il peut aussi s’agir d’une structure d’interconnexions électriques passives.
Il est précisé que, dans le cadre de la présente invention, le terme « sur » ou « au-dessus » ne signifie pas obligatoirement « au contact de ». Ainsi, par exemple, le dépôt d’une couche sur une autre couche, ne signifie pas obligatoirement que les deux couches sont directement au contact l’une de l’autre mais cela signifie que l’une des couches recouvre au moins partiellement l’autre en étant soit directement à son contact, soit en étant séparée d’elle par un film, encore une autre couche ou un autre élément.
On entend par un élément « à base » d’un matériau A, un élément comprenant ce matériau A uniquement ou ce matériau A et éventuellement d’autres matériaux.
Dans la description détaillée qui suit, il pourra être fait usage de termes tels que « longitudinal », « transversal ». Ces termes doivent être interprétés relativement au substrat ou à la dimension en épaisseur des dispositifs. Ainsi, une dimension longitudinale, une hauteur, une profondeur ou une épaisseur d’un élément ou d’une couche s’entend d’une dimension selon l’épaisseur du substrat qui le porte ou le contient. Une largeur, ou encore une section ou une dimension transversale s’entend d’une dimension perpendiculaire à l’épaisseur du substrat.
On entend par « collage direct » un collage sans apport de matière adhésive (de type colle ou polymère notamment) qui consiste en la mise en contact de surfaces relativement lisses (d’une rugosité moyenne quadratique RMS, de l’anglais Root Mean Square , typiquement inférieure à 5 Å, 10 -10 m), par exemple réalisé à température ambiante et sous atmosphère ambiante, afin de créer une adhérence entre elles.
Le substrat 3 est maintenant décrit selon plusieurs exemples de réalisation en référence aux figures 2A à 3C.
Comme par exemple illustré par la , le substrat 3 comprend une première couche 30, à base ou faite d’un matériau semi-conducteur. Selon un exemple le matériau semi-conducteur comprend, et de préférence est, du silicium. La première couche 30 présente une épaisseur L 30 , par exemple sensiblement comprise entre 100 µm et 800 µm.
Le produit cosmétique source est introduit dans la base de données.
La mise en œuvre de l'algorithme des k plus proches voisins (k-NN) est effectuée après une extraction de valeurs par un modèle d’apprentissage automatique.
On stocke dans la base de données, les paramètres caractérisant du produit cosmétique source.
La mise en œuvre du réseau de neurones artificiels encodeur comprend une détection d’une scintillance sur l’image source; une classification de l’image source en fonction de la scintillance détectée ; une différenciation de l’algorithme de recommandation du produit cosmétique cible en fonction de la classification de l’image source.
On ne détecte pas de scintillance sur l’image source, on prétraite l’image source pour un recadrage de la zone corporelle et les paramètres caractérisant du produit cosmétique source sont représentés dans un vecteur de type E (produit R, produit G, produit B, brillant, détail de brillant, humidité, intensité), pour alimenter l’entrée de l’algorithme de recommandation.
On détecte une scintillance sur l’image source et les paramètres caractérisant du produit cosmétique source sont représentés dans un vecteur de type E (produit R, produit G, produit B, brillant, détail de brillant, humidité, intensité, scintillance R, scintillance G, scintillance B), pour alimenter l’entrée de l’algorithme de recommandation.
la illustre schématiquement un mode de réalisation et de mise en œuvre de l’invention.
Description détaillée La illustre un mode de mise en œuvre d’un procédé de recommandation d’un produit cosmétique.
Le procédé de génération de rendu comprend une obtention d’une image source . L’image source est une image d’un produit cosmétique réel PC appliqué sur une personne. Par exemple, lorsque le produit cosmétique est un produit de maquillage du visage ou un produit capillaire, l’image source peut être un portrait d’une personne sur qui est appliqué le produit de maquillage ou le produit capillaire. Ici, le produit cosmétique est un rouge à lèvres.
Le procédé peut comprendre une délimitation d’une zone d’intérêt de l’image source , la zone d’intérêt correspondant à la zone de l’image source dans laquelle se situe le produit cosmétique PC, ici la bouche de la personne sur laquelle est appliqué le rouge à lèvres.
En particulier, le procédé selon l’invention comprend une mise en œuvre d’un réseau de neurones artificiels encodeur. Ce réseau de neurones artificiels encodeur est entraîné pour extraire des paramètres caractérisant d’un produit cosmétique d’une image reçue en entrée de ce réseau de neurones artificiels encodeur.
Les paramètres caractérisant permettent de définir les caractéristiques du produit cosmétique présent dans l’image reçu en entrée. Par exemple, lorsque le produit cosmétique est un produit de maquillage des lèvres, notamment un rouge à lèvre ou un brillant à lèvres (« gloss »), les paramètres caractérisant peuvent être choisis parmi un brillant, un détail de brillant, une humidité, une intensité, une scintillance R, une scintillance G, une scintillance B du produit de maquillage des lèvres.
Le réseau de neurones artificiels encodeur E est par exemple un réseau de neurones convolutif.
Plus particulièrement, dans le procédé selon l’invention, le réseau de neurones artificiels encodeur est mis en œuvre en prenant en entrée l’image source ou la zone d’intérêt définie de l’image source. Le réseau de neurones artificiels encodeur E permet alors de déterminer des paramètres caractérisant associés au produit cosmétique PC représenté dans l’image source ou dans la zone d’intérêt de l’image source. Ces paramètres caractérisant sont représentés dans un vecteur .
Le procédé de génération de rendu comprend ensuite une mise en œuvre d’un moteur de recommandation de produit comprenant la mise en œuvre d’un l'algorithme des k plus proches voisins ( k -NN).
Cette gravure peut selon un exemple être une gravure sélective du matériau de la couche 30 par rapport au matériau diélectrique des parois du via 32. La gravure peut par exemple être une gravure sélective du silicium par rapport à la silice SiO 2 en gravure ionique réactive utilisant un précurseur tel que SF 6 . Par gravure « sélective d’un matériau A par rapport à un matériau B » on entend que la vitesse de gravure du matériau A est 10 et de préférence 100 fois supérieure à celle du matériau B. On peut également envisager la réalisation d’un amincissement mécanique partiel du substrat 3 terminé par une gravure plasma ou chimique sélective. La paroi en matériau diélectrique peut ensuite être gravée sélectivement par rapport au matériau de la première couche 30, pour déboucher dans le via 32’. Certains vias 32’ uniquement peuvent être soumis à cette gravure sélective. Par exemple, la gravure du matériau diélectrique peut être une gravure ionique réactive. La gravure du matériau semi-conducteur peut être similaire à celle faite pour graver la couche 30.
En alternative ou en complément, on peut aussi envisager une gravure localisée à partir de la surface arrière 3b par le biais d’un masque présentant des ouvertures à l’aplomb des vias 32’ à graver, et le remplissage des cavités gravées par un organe électriquement conducteur ou semi-conducteur.
De préférence, préalablement au dépôt de l’organe électriquement conducteur ou semi-conducteur en surface avant 3a et/ou surface arrière 3b du substrat 3, le procédé comprend la formation de paroi 450 en matériau diélectrique de façon à isoler cet organe des couches qu’il traverse, comme l’illustre la par exemple. Les parois 450 peuvent être formé par un dépôt PECVD, par exemple de SiO 2 . Ce dépôt est de préférence suffisamment conforme pour couvrir les flancs de la cavité 43. Cela permet d’éviter un court-circuit par le substrat 3.
Le procédé peut ensuite comprendre un dépôt configuré de façon à recouvrir par une couche métallique ou semi-conductrice 46 au moins une portion de la surface exposée arrière 3b du substrat 3, pour mettre en continuité la portion de dispositif 40, le via 32 et la face arrière 3b du substrat 3, comme illustré par exemple par la .
Le procédé peut en outre comprendre au moins l’un parmi, de préférence entre la formation des cavités 43 et le dépôt de la couche 46 : le retrait du masque 42, une passivation de la surface arrière 3b exposée du substrat 3, par exemple par formation d’une couche de matériau diélectrique 44, aussi appelée couche de passivation 44. Cette formation peut être faite par dépôt d’un matériau diélectrique, par exemple comme décrit précédemment, une gravure de la couche 44 de façon à retirer une éventuelle couche d’oxyde qui se serait formé au niveau du via 32’. Cette éventuelle couche d’oxyde peut en effet limiter la reprise de contact électrique sur la portion 40.
Selon l’exemple illustré par la , ce procédé peut aussi s’appliquer à un via présentant une paroi latérale en matériau diélectrique et rempli par le même matériau que la première couche 30. Les mêmes étapes que décrites précédemment peuvent s’appliquer.
Les figures 8A à 8D décrivent un autre exemple dans lequel les via 32 sont creux. Comme décrit précédemment une cavité 43 peut être formée à l’aplomb des vias à graver 32’, de façon à déboucher dans le via 32.
Lorsque les parois des vias 32’ à graver ne sont pas en matériau diélectrique, le procédé peut comprendre la formation d’une couche diélectrique au niveau au moins de la paroi latérale 320, selon les modalités précédemment décrites en référence au procédé de fabrication du substrat 3. Cet exemple peut être illustré par la . Des parois 450 en matériau diélectrique sont en outre avantageusement formées au niveau des cavités gravées 43.
Les vias 32’ peuvent ensuite être remplis de l’organe électriquement conducteur ou semi-conducteur 45. Les étapes décrites ensuite en référence aux précédents exemples peuvent s’appliquer.
En variante, la gravure peut être effectuée depuis une face du substrat 3 jusqu’à déboucher dans le via 32’, et poursuivie pour former au moins une cavité 43, par exemple une cavité de raccordement électrique 43 et atteindre l’autre face du substrat 3, que ce soit depuis la face avant ou la face arrière. Le procédé peut en outre comprendre les autres étapes décrites précédemment pour obtenir le dispositif illustré en .
Comme illustré par les figures 9A à 9C, les exemples décrits peuvent s’appliquer également à l’exemple selon lequel les vias 32 présentent plusieurs tronçons de configuration le long d’un même via 32. Par exemple, une portion remplie par un matériau électriquement conducteur ou semi-conducteur peut être reliée par l’organe 45. Une portion creuse du via 32 peut être au moins en partie remplie par la couche 46 et/ou un autre organe 45, après formation d’une paroi en matériau diélectrique de façon à isoler le via 32.
Les exemples décrits peuvent s’appliquer également à l’exemple selon lequel les vias 32 comprennent des rainures 35. Afin de ne pas remplir les rainures de l’organe conducteur ou semi-conducteur, les ouvertures 420 du masque 42 peuvent être disposées de façon à ne pas permettre la gravure des rainures 35. Lors des étapes subséquentes à la formation des cavités 43, les rainures 35 restent de préférence closes et ne sont donc pas remplies par l’organe 45.
Au vu de la description qui précède, il apparaît clairement que l’invention propose un substrat, son procédé de fabrication et un procédé de fabrication d’un dispositif microélectronique permettant de faciliter la fabrication de vias dans un dispositif microélectronique.
Notamment, le substrat peut présenter toute caractéristique résultant de son procédé de fabrication et inversement, ce procédé peut comprendre toute étape configurée pour obtenir une caractéristique du substrat. Le procédé de fabrication d’un dispositif microélectronique peut mettre en œuvre toute caractéristique du substrat.
Dans les exemples décrits, le matériau semi-conducteur est en silicium. Notons que l’invention peut tout à fait s’appliquer à d’autres semi-conducteurs mono ou polycristallins, éventuellement dopés, et notamment au semi-conducteurs Si, Ge, SiGe, SiC, matériau III-V (par exemple AlN, GaN, InN, InGaAs, GaP, InP, InAs, AsGa…), et matériau II-VI. Le matériau diélectrique peut être un oxyde ou un nitrure de semi-conducteur, par exemple SiO 2 , SiN, Al 2 O 3 . Le matériau piézoélectrique peut à titre d’exemple être choisi parmi le tantalate de lithium (LiTaO 3 ), le niobate de lithium (LiNbO 3 ), le niobate de potassium-sodium (K x Na 1-x NbO 3 ou KNN), le titanate de baryum (BaTiO 3 ), le quartz, le titano-zirconate de plomb (PZT), un composé de niobate de plomb-magnésium et de titanate de plomb (PMN-PT), l’oxide de zinc (ZnO), le nitrure d’aluminium (AlN) ou le nitrure d’aluminium et de scandium (AlScN), d’autres matériaux pouvant naturellement être envisagés.
Selon un mode de réalisation de l’invention, les instructions de code de programme en question sont celles d’une application logicielle instantanée INST_APP1. Par définition, l’application logicielle instantanée INST_APP1 est liée ou adossée à une application logicielle native APP1. Plus précisément, les instructions de code de programme de l’application instantanée INST_APP1 correspondent généralement à une sous-partie des instructions de code de programme de cette application native APP1, cette sous-partie permettant la mise en œuvre d’une partie des fonctionnalités de l’application logicielle native APP1. En l’espèce, la fonctionnalité est la gestion (stockage, activation, désactivation, suppression) d’un profil utilisateur dans le module eUICC/eSIM de l’équipement terminal UE. Selon une première option, l’application logicielle native APP1 en question est une application propriétaire de l’opérateur du réseau RC, dédiée à la mise en en œuvre de cette fonctionnalité, c’est-à-dire que l’application instantanée INST_APP1 et son application native APP1 réalisent la même fonctionnalité. En variante, APP1 est une application logicielle plus générique de gestion des offres de service d’un utilisateur qui est enrichie d’autres fonctionnalités que celle de gestion du module eUICC, liées par exemple à un suivi de consommation de l’utilisateur, la possibilité de souscrire à d’autres offres, etc. On comprend qu’un avantage de l’application instantanée INST_APP1 est qu’elle réalise les seules fonctions requises pour l’activation du profil utilisateur UP. Elle reste donc la plus légère possible.
Contrairement à l’application logicielle native qui nécessite plusieurs actions volontaires consécutives de la part de l’utilisateur pour s’exécuter sur son équipement terminal, à savoir la télécharger depuis un magasin d’application logicielles, puis l’installer sur l’équipement terminal UE et enfin fournir un couple d’identifiant/mot de passe de l’utilisateur pour accéder à un compte de l’utilisateur auprès de l’opérateur, l’application instantanée INST_APP1 bénéficie d’une mise en œuvre allégée : elle peut être téléchargée et exécutée automatiquement sur l’équipement terminal UE dès lors que l’utilisateur UT a sélectionné l’information d’identification d’accès aux instructions de code de programme de cette application instantanée INST_APP1.
Avantageusement, l’application instantanée INST_APP1 est signée avec le même certificat de l’opérateur (« carrier privilege ») que l’application logicielle native APP1. De la sorte, elle hérite des mêmes droits d’accès ou privilèges que l’application native APP1, ce qui lui permet d’accéder au module eUICC/eSIM de l’équipement terminal, au même titre que l’application native dont elle dépend.