Substrat transparent (1000) muni sur une de ses surfaces principales d’un empilement (1001) de couches minces, ledit empilement (1001) est constitué des couches suivantes à partir du substrat : - un premier module diélectrique (1002) d’une ou plusieurs couches minces ; - une couche (1003) à base de nitrure de titane ; - un deuxième module diélectrique (1004) d’une ou plusieurs couches minces ; dans lequel le premier modules diélectrique (1002) et/ou le deuxième module diélectrique (1004) comprend à partir du substrat (1001) : - une première couche mince (1002a, 1004a) à base de nitrure ; - une couche absorbante (1002b, 1004b) à base d’oxyde de tungstène ; - une deuxième couche mince (1002c, 1004c) à base de nitrure ; ledit oxyde de tungstène comprend au moins un élément dopant sélectionné parmi les éléments chimiques du groupe 1 selon la nomenclature de l’IUPAC. Substrat selon la revendication 1, tel que couche (1002b, 1004b) d’oxyde de tungstène comprend l’élément dopant X ou les éléments dopants X1,X2,… dans des proportions telles que le rapport molaire, X/W dudit élément sur le tungstène , W, ou la somme des rapports molaires de chaque élément sur le tungstène (X1+X2+…)/W est comprise entre 0,01 et 0,6, de préférence entre 0,02 et 0,3. Substrat selon l’une quelconque des revendications 1 à 2, tel que la couche (1002b, 1004b) d’oxyde de tungstène comprend au moins un élément dopant sélectionné parmi l’hydrogène, le lithium, le sodium, le potassium et le césium. Substrat selon la revendication 3, tel que la couche (1002b, 1004b) d’oxyde de tungstène comprend le césium comme élément dopant, et le rapport molaire du césium sur le tungstène est compris entre 0,01 et 0,4, de préférence entre 0,01 et 0,2. Substrat selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, tel que l’épaisseur physique de la ou des couches (1002b, 1004b) d’oxyde de tungstène peut être comprise entre 6nm et 350nm, en particulier entre 20 nm et 250 nm, de préférence entre 40nm et 200 nm. Substrat selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, tel que les premières (1002a, 1004a) et deuxièmes (1002c, 1004c) couches à base de nitrure des premier (1002) et deuxième (1004) modules diélectriques sont à base de nitrure d’aluminium ou de nitrure de silicium. Substrat selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, tel que les premières (1002a, 1004a) et deuxièmes (1002c, 1004c) couches à base de nitrure des premier (1002) et deuxième (1004) modules diélectriques sont en contact avec la couche (1002b, 1004b) d’oxyde de tungstène. Substrat selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, tel que le premier module diélectrique (1002) et/ou le deuxième module diélectrique (1004) sont constitués à partir du substrat (1000): - de la première couche mince (1002a, 1004a) à base de nitrure ; - de la couche absorbante (1002b, 1004b) à base d’oxyde de tungstène ; - de la deuxième couche mince (1002c, 1004c) à base de nitrure. Substrat transparent selon l’une quelconque des revendications 1 à 8, tel que l’épaisseur de la couche (1003) de nitrure de titane est comprise entre 5nm et 100nm, de préférence entre 10 nm et 50 nm, l’épaisseur de la ou les couches absorbantes à base d’oxyde de tungstène est comprise entre 5 et 100nm, de préférence entre 10 et 50nm, et les épaisseurs des couches (1002a, 1004a, 1002c, 1004c) à base de nitrure du premier (1002) et du deuxième (1004) modules diélectriques sont comprises entre 5nm et 100nm, de préférence entre 5nm et 50nm. Simple vitrage comprenant un substrat selon l’une quelconque des revendication 1 à 9. Vitrage feuilleté (2000) comprenant un premier substrat (1000) transparent selon l’une quelconque des revendications 1 à 9, un intercalaire de feuilletage (2001) et un deuxième substrat transparent (2002), tel que le premier substrat transparent (1000) et le deuxième substrat transparent (2002) sont en contact adhésif avec l’intercalaire de feuilletage (2001) et l’empilement (1001) de couches minces du premier substrat transparent (1000) est en contact avec l’intercalaire de feuilletage (2001). Procédé de fabrication d’un substrat transparent selon l’une quelconque de revendications 1 à 9, tel que la ou les couches (1002b, 1004c) d’oxyde de tungstène sont déposées par une méthode de pulvérisation cathodique magnétron à l’aide d’une cible en oxyde de tungstène dopé à l’aide d’un élément chimique choisi parmi les éléments chimiques du groupe 1 selon la nomenclature de l’IUPAC. Procédé de fabrication selon la revendication 12, tel que la ou les couches absorbantes d’oxyde de tungstène est déposée à une température de substrat inférieure à 100°C, de préférence comprise entre 20 et 60°C. Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications 12 à 13, tel que la couche à base d’oxyde de tungstène est déposée dans une atmosphère de dépôt composée de 60 à 100 % d’argon et 0 à 40 % de dioxygène, de préférence de 70 à 85% d’argon et de 15 à 30% de dioxygène. Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications 12 à 14, tel que la couche d’oxyde de tungstène est déposée à une pression comprise entre 1 et 15 mTorr, de préférence entre 3 et 10 mTorr.