INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Dans le mode de réalisation préféré représenté sur la , la troisième conduite (11) est directement reliée au ou à un réservoir (T). De cette façon, un utilisateur ne peut pas relier la troisième conduite (11) avec la pompe (P), même suite à une mauvaise manipulation du distributeur (19). Ainsi, dans le mode de réalisation préféré, il n’y a jamais de pression dans la troisième conduite (11).
Selon le mode de réalisation de la , la deuxième conduite (8) et la troisième conduite (11) sont reliées à l’hydraulique du véhicule tracteur (15) via un distributeur (19). En configuration de travail de la machine (1), le distributeur (19) est dans une première position (191). Dans la présente description, à moins d’une mention contraire, le distributeur (19) est à considérer en première position (191) et la machine (1) en configuration de travail. Le distributeur (19) est par exemple une vanne de distribution sélective à tiroir, préférentiellement actionnable depuis le tracteur (15).
Afin de pouvoir amener la pression dans le circuit hydraulique du dispositif d’allégement (9), respectivement dans le circuit hydraulique de la machine (1), au niveau de la pression atmosphérique, il est possible de placer le distributeur (19) dans une position flottante (192). Dans sa position flottante (192), le distributeur (19) permet de relier la deuxième conduite (8) au réservoir (T). Dans la position flottante (192), le distributeur (19) relie également le réservoir (T) et la troisième conduite (11), le cas échéant.
Dans le contexte de la présente invention, un substrat cible est l'un des suivants : un substrat de silicium, un substrat de silicium sur isolant, un substrat de carbure de silicium, un substrat de saphir, un substrat de germanium, un substrat de germanium sur isolant, ou toute autre variante appropriée de ce qui précède. Ainsi, le procédé d'obtention d'une haute mobilité électronique selon la présente invention est compatible avec les techniques de fabrication existantes développées pour la technologie et les procédés des semi-conducteurs à oxyde métallique complémentaires. En d'autres termes, la fabrication du transistor à haute mobilité électronique est compatible avec la technologie CMOS, étant donné que les présentes caractéristiques et les présentes étapes de traitement peuvent y être intégrées sans grand effort supplémentaire. Cela réduit la complexité et les coûts associés à la fabrication d'un tel transistor. À titre d'exemple, le substrat cible est un substrat de silicium, comme par exemple un substrat de Si , et des combinaisons de ceux-ci, et des substrats comprenant des couches initiales, tels qu'un empilement de couches. À titre d'exemple, un substrat de Si peut être utilisé lorsque des couches épitaxiales doivent être amenées à croître sur le dessus du substrat de Si. En variante, le substrat cible est par exemple un substrat de silicium, comme par exemple un substrat de Si . Cela peut par exemple permettre une intégration GaN / CMOS. En variante, le substrat cible du transistor à haute mobilité électronique comprend un substrat de GaN autoporteur, un substrat d'AlN autoporteur.
Dans le contexte de la présente invention, lorsque le substrat cible est un substrat de silicium sur isolant, le substrat cible comprend une couche de base comprenant du silicium massif. La résistivité de la couche de base du substrat de silicium sur isolant est typiquement comprise entre 3 et 5 kOhm.cm et est préférablement supérieure à 1 kOhm.cm. Ainsi, la résistivité du substrat cible sous-jacent à l'empilement de couches semi-conductrices III-N épitaxiales est rendue maximale pour des applications à haute puissance et haute fréquence.
Dans le contexte de la présente invention, la technologie du silicium sur isolant, également appelée SOI, correspond à la fabrication de dispositifs à semi-conducteurs dans un substrat stratifié de silicium-isolant-silicium. Le choix de l'isolant dépend en grande partie de l'application prévue des dispositifs à semi-conducteurs. Plusieurs types de substrats de silicium sur isolant peuvent être utilisés dans le contexte de la présente invention.
Du fait de l'isolation vis-à-vis du silicium massif de la couche de base du substrat de silicium sur isolant, la capacité parasite au sein des dispositifs à semi-conducteurs fabriqués à partir de l'hétérostructure de nitrure du groupe III est réduite, améliorant ainsi leur consommation d'énergie et leurs performances. Les dispositifs à semi-conducteurs fabriqués sur du silicium sur isolant présentent également une plus grande résistance au verrouillage et de meilleures performances à VDD équivalent que les dispositifs à semi-conducteurs intégrés sur d'autres types de substrats. La dépendance à la température des dispositifs à semi-conducteurs fabriqués sur SOI est réduite par comparaison à des dispositifs à semi-conducteurs intégrés sur d'autres types de substrats. Du fait de l'isolation, les dispositifs à semi-conducteurs fabriqués sur SOI présentent de plus faibles courants de fuite et par conséquent, un meilleur rendement énergétique.
Les substrats de silicium sur isolant pour Radiofréquences, également appelés substrats RF-SOI, permettent d'obtenir de hautes performances RF sur des films de silicium compatibles avec les procédés CMOS standard, une isolation RF et des signaux de puissance à haute linéarité, de faibles pertes RF, un traitement numérique et une intégration de la gestion de l'énergie.
À titre d'exemple, un substrat à intégrité de signal améliorée pour application RF comprend une couche de base comprenant du silicium à haute résistivité, une couche riche en pièges formée sur le dessus de la couche de base, un isolant enterré formé sur le dessus de la couche riche en pièges, et une couche supérieure formée sur le dessus de l'isolant enterré, la couche supérieure comprenant un monocristal. La résistivité de la couche de base est généralement supérieure à 3 kOhm.cm. L'épaisseur de la couche supérieure est typiquement comprise entre 50 nm et 200 nm. L'ajout d'une couche riche en pièges permet d'obtenir des performances RF exceptionnelles. Un tel substrat est particulièrement bien adapté à des dispositifs ayant des spécifications de linéarité contraignantes. Les applications visent par exemple typiquement les normes LTE-Advanced et 5G et répondent à des exigences de performances différentes. Par comparaison à un substrat de SOI à haute résistivité, un substrat à intégrité du signal améliorée présente une meilleure linéarité, de plus faibles pertes RF, une plus faible diaphonie, des facteurs de qualité améliorés pour les composants passifs, des tailles de puce plus petites et une meilleure conductivité thermique. Les substrats à intégrité du signal améliorée présentent en outre typiquement un facteur de qualité harmonique inférieur à -80 dBm.
Un autre exemple de RF-SOI, appelé SOI à haute résistivité, vise par exemple des dispositifs ayant des spécifications de linéarité inférieures. Un tel substrat comprend une couche de base comprenant du silicium à haute résistivité, un isolant enterré formé sur le dessus de la couche de base et une couche supérieure comprenant un monocristal mince.
Les substrats de silicium sur isolant de puissance répondent aux exigences d'intégration, par exemple, de fonctions à haute tension et analogiques dans des circuits intégrés de puissance intelligents, économes en énergie et de grande fiabilité, pour les marchés automobile et industriel. Ils offrent une excellente isolation électrique et conviennent parfaitement à l'intégration de dispositifs fonctionnant sur différentes tensions, de quelques volts à plusieurs centaines de volts, tout en réduisant la superficie de la puce et en améliorant la fiabilité. Ces substrats sont idéaux pour des applications telles que des émetteurs-récepteurs CAN/LIN, des alimentations à découpage, des circuits d'attaque de moteurs sans balais, des circuits d'attaque de LED, etc. Un SOI de puissance comprend une couche de base comprenant du silicium, un isolant enterré formé sur le dessus comprenant de l'oxyde, et une couche supérieure comprenant du silicium. L'épaisseur de l'isolant enterré est typiquement comprise entre 0,4 µm et 1 µm et l'épaisseur de la couche supérieure est typiquement comprise entre 0,1 µm et 1,5 µm.
Les substrats de silicium sur isolant pour la photonique répondent à l'exigence d'intégration de fonctions optiques, par exemple sur une puce CMOS, pour des émetteurs-récepteurs optiques de faible coût et à grande vitesse. Ces substrats comprennent une couche de base comprenant du silicium, un isolant enterré formé sur le dessus de la couche de base et comprenant de l'oxyde, et une couche supérieure formée sur le dessus de l'isolant enterré et comprenant du silicium monocristallin. L'épaisseur de l'isolant enterré est typiquement comprise entre 0,7 µm et 2 µm et l'épaisseur de la couche supérieure est typiquement comprise entre 0,1 µm et 0,5 µm. La couche de silicium cristallin sur isolant peut être utilisée pour fabriquer par exemple des guides d'ondes optiques et d'autres dispositifs optiques, passifs ou actifs, par exemple par le biais d'implantations appropriées. L'isolant enterré permet par exemple la propagation de lumière infrarouge dans la couche de silicium sur la base d'une réflexion interne totale. La surface supérieure des guides d'ondes peut être soit laissée non recouverte et exposée à l'air, par exemple pour des applications de détection, soit recouverte d’un revêtement, par exemple constitué de silice.
Un gaz d'Electrons bidimensionnel, également appelé 2DEG, est un gaz d'électrons libres de se déplacer dans deux dimensions, mais étroitement confinés dans la première. Ce confinement étroit conduit à des niveaux d'énergie quantifiés pour le mouvement dans cette direction. Les électrons apparaissent sous la forme d'une feuille 2D intégrée à un monde 3D. Les hétérostructures à base de nitrure du Groupe III comprenant une première couche III-N active et une deuxième couche III-N active, comme par exemple des hétérostructures d'AlGaN/GaN, qui sont très adaptées à des applications à haute puissance et haute fréquence en raison de leur grande vitesse électronique et de leur champ électrique critique élevé. Dans cette hétérostructure, un gaz d'électrons bidimensionnel, également appelé 2DEG, est généré par la polarisation spontanée et piézoélectrique entre la première couche III-N active et la deuxième couche III-N active, c'est-à-dire par exemple entre l'AlGaN et le GaN.
Dans le cadre de la présente invention, la première couche III-N active comprend un ou plusieurs éléments parmi N, P, As, et un ou plusieurs éléments parmi B, Al, Ga, In et Tl. La première couche III-N active comprend par exemple du GaN. La deuxième couche III-N active comprend un ou plusieurs éléments parmi N, P, As et un ou plusieurs éléments parmi B, Al, Ga, In et Tl. La deuxième couche III-N active comprend par exemple de l'AlGaN. Le terme AlGaN se rapporte à une composition comprenant Al, Ga et N dans un rapport stoechiométrique quelconque (Al x Ga y N) dans lequel x est compris entre 0 et 1 et y est compris entre 0 et 1. En variante, la deuxième couche III-N active comprend par exemple de l'AlN. En variante, la deuxième couche III-N active comprend de l'InAlGaN. Une composition telle que l'InAlGaN comprend de l'In dans n'importe quelle quantité appropriée. En variante, la première couche III-N active et la deuxième couche III-N active comprennent toutes deux de l'InAlGaN, et la deuxième couche III-N active comprend une bande interdite plus large qu’une bande interdite de la première couche III-N active et dans laquelle la deuxième couche III-N active comprend une polarisation supérieure à la polarisation de la première couche III-N active. En variante, la première couche III-N active et la deuxième couche III-N active comprennent toutes deux du BInAlGaN, et la deuxième couche III-N active comprend une bande interdite plus large qu’une bande interdite de la première couche III-N active et dans laquelle la deuxième couche III-N active comprend une polarisation supérieure à la polarisation de la première couche III-N active. Les compositions de la couche active peuvent être choisies au vu des caractéristiques à obtenir, les compositions pouvant donc varier en conséquence.
Dans le contexte de la présente invention, un contact de grille, comme par exemple une électrode de grille, est prévu dans la région de grille du transistor à haute mobilité électronique. La formation d'un contact de grille dans la région de grille comprend une pluralité d'étapes de traitement. À titre d'exemple, cette étape comprend le dépôt d'une résine photosensible et la réalisation d'une étape de lithographie définissant la base du contact de grille, par exemple en éliminant complètement les couches de passivation potentielles présentes sur le dessus de la deuxième couche III-N active, comme par exemple de l'oxyde ou une ou plusieurs couches diélectriques. En variante, cette étape comprend le dépôt d'une résine photosensible et la réalisation d'une étape de lithographie définissant la base du contact de grille en éliminant par exemple en partie les couches de passivation présentes sur le dessus de la deuxième couche III-N active, comme par exemple de l'oxyde ou une ou plusieurs couches diélectriques. Ainsi, certaines couches de passivation restent en dessous de la grille du transistor à haute mobilité électronique et forment un diélectrique de grille pour réduire encore davantage les effets de piégeage et le courant de fuite. L'électrode de grille du contact de grille est par exemple une grille de Métal-Oxyde-Semi-conducteur, également appelée grille MOS, et peut être réalisée par dépôt d'empilements de métaux, comprenant par exemple Ni, Pt, W, WN ou TiN et recouverts d'Al, Au ou Cu. Des motifs métalliques sont définis consécutivement en réalisant un décollement du métal sur le dessus de la résine photosensible. En variante, l'empilement de métaux de grille est déposé, et comprend par exemple Ni, Pt, W, WN ou TiN et est recouvert d'Al, Au ou Cu. Les étapes d’application de résine photosensible et de lithographie sont ensuite réalisées, et les motifs de résine photosensible ainsi définis servent de masque pour la gravure à sec des empilements métalliques dans les zones où elle n'est pas souhaitée. La résine photosensible est ensuite enlevée.
Selon des exemples de modes de réalisation, la fourniture de la tranche cible consiste en outre à former une couche diélectrique cible sur le dessus du substrat cible, l'épaisseur de la couche diélectrique cible étant égale ou inférieure à 50 nm.
présente le spectre XPS de survol ( -a) et les spectres XPS de C1s, Li1s, O1s et F1s ( -b) obtenus par analyse d’une zone distincte de la surface de l’électrode de lithium métallique à l’issue du traitement de fluoration décrit en exemple 1 ;
présente les diagrammes de Nyquist (Im(Z) en fonction de Re(Z)), obtenus par spectroscopie d’impédance pour des piles boutons symétrique Li 0 /électrolyte/Li 0 fabriquées à partir des électrodes de lithium métallique ayant été soumises au traitement de fluoration selon l’invention (« LiF sur Li ») et pour des boutons symétrique Li 0 /électrolyte/Li 0 fabriquées à partir des électrodes de lithium métallique sans traitement de fluoration (« Li 20 µm ») comme décrit en exemple 2 ;
présente l’évolution du potentiel moyen des plateaux de charge/décharge en fonction du nombre de cycles effectués pour une pile bouton symétrique Li 0 /électrolyte/Li 0 , mettant en œuvre deux électrodes en lithium métallique ayant été soumises au traitement de fluoration selon l’invention, pour un cyclage opéré avec une densité de courant de 0,3 mA/cm 2 et une capacité de 1 mAh/cm 2 , comme décrit en exemple 2.
Description détaillée MEMBRANE POLYMERIQUE FLUOREE Comme indiqué précédemment, le procédé de l’invention fait intervenir la mise en contact directe du lithium métal avec une membrane polymérique formée à partir d’au moins un polymère porteur de groupements pendants possédant au moins un cycle aromatique porteur de liaisons C-F labiles, notées également liaisons « C Ar -F ».
Par l’expression « groupe pendant », on entend, au sens de la présente invention, un groupement latéral, de la chaîne principale du polymère. On utilisera indifféremment les termes « latéral » ou « pendant ». Un groupement latéral n’est pas intégré dans la chaîne principale du polymère.
De préférence, la chaîne principale du polymère porteur desdits groupements pendants est une chaîne hydrocarbonée, autrement dit formée d’atomes de carbone et d’hydrogène.
Le cycle aromatique des groupements pendants est porteur d’au moins deux liaisons C Ar -F labiles, de préférence d’au moins trois liaisons C Ar -F labiles, encore plus préférentiellement d’au moins quatre liaisons C Ar -F labiles, par exemple de cinq liaisons C Ar -F labiles.
Par « labile », on entend une liaison « C Ar -F », autrement dit une liaison entre un atome de carbone du cycle aromatique et un atome de fluor, apte à se rompre sous l’action du lithium métal Li 0 agissant comme donneur d’électron, pour former du fluorure de lithium (LiF).
On désigne plus simplement dans la suite du texte, les groupements pendants possédant au moins un cycle aromatique porteur de liaisons C-F labiles, sous l’appellation « groupements pendants aromatiques polyfluorés ».
Par « polyfluoré », on entend ainsi désigner le fait que le cycle aromatique du groupement pendant dudit polymère (ou le groupement pendant) est porteur d’au moins deux atomes de fluor.
La membrane polymérique mise en œuvre selon l’invention sera plus simplement désignée dans la suite du texte sous l’appellation « membrane polymérique fluorée ».
Polymère porteur des groupements pendants aromatiques polyfluorés
Dans la présente description, en l’absence d’indications contraires, le terme « polymère » sera utilisé pour désigner, au sens large, aussi bien des homopolymères que des copolymères. Par « copolymère », on entend un polymère dérivé d’au moins deux espèces différentes de monomères.
Par « unité monomérique », on entend dans le cadre de la présente invention la plus petite unité constitutive dont la répétition conduit à une chaîne polymérique.
On désigne également plus simplement, dans la suite du texte, un polymère présentant des groupements pendants possédant au moins un cycle aromatique porteur de liaisons C Ar -F labiles, tel que mis en œuvre pour former ladite membrane polymérique fluorée, sous l’appellation « polymère fluoré ».
Un groupement pendant peut comprendre plus particulièrement, voire être formé par, un groupe aryle partiellement fluoré ou perfluoré.
Exemple 4 : Utilisation de graisse d’insecte selon l’invention comme pesticide (insecticide) sur les coléoptères S itophilus granarius
Les adultes utilisés pour le test ont été issus de l’élevage du laboratoire maintenu à température ambiante sur des grains de blé.
Toxique standard, nom commercial: Karaté Zéon
Substance active: Lambda-cyhalothrine
Concentration: 100 g/l
Formulation: suspension (CS)
Dose testée: 0.01 l de produit formulé dans une bouillie de 200 l/ha
-Témoin négatif : Eau ou cire d’abeille.
Unité de test, application et design expérimental
L’unité de test est composée d’une boite de Pétri en verre de 9 cm de diamètre. Dans cette unité, il a été coulé soit la graisse d’insecte pure, soit de la cire d’abeille ou un mélange de cire d’abeille et de graisse d’insecte dans les proportions suivantes : 50%, 25%, 12.5% et 6.25%. Avant d’être coulées, la graisse d’insecte et la cire d’abeille ont été préalablement chauffées à 70°C en étuve.
Pour chaque traitement, 4 boites de Pétri sont confectionnées. Dans chacune des boites, 10 insectes seront libérés. L’ensemble des boites est placé à température ambiante (20°C +/-2°C).
Application des substances testées L’eau et la lambda-cyhalothrine ont été appliqués sur les boites de Petri (vide ou avec de la cire) à l’aide d’une tour de Burgerjon sur base d’un volume de 200 l/ha. L’appareil a été calibré pour délivrer 2mg/cm² +/-10% correspondant à une application de 200 l/ha +/-10%. L’application a été contrôlée par gravimétrie par pesée d’une plaque en verre avant et après pulvérisation. Les produits ont été appliqués dans l’ordre suivant : eau, lambda-cyhalothrine.
Observations biologiques Après la libération des insectes dans les boites, le statut de chaque individu a été évalué après 1h, 1h30 2h30, 4h30, 24h et 96h d’exposition et classé :
Vivant : aucun signe d’intoxication, comportement normal ;
De manière générale, la section de connexion 7 du premier embout 6a est complémentaire de la portion de connexion 5 de la première extrémité 4a du module 2a de corps central 2. En particulier, la section de connexion 7 coopère avec la portion de connexion 5 par emboitement. Ces caractéristiques sont transposables à la coopération entre le second embout 6b et la seconde extrémité 4b du module 2a de corps central 2.
En vue d’une coopération par emboitement, chaque portion de connexion 5 du module 2a de corps central 2 peut comporter un organe mâle ou organe femelle. En parallèle, chaque section de connexion 7 de chaque embout 6a, 6b comporte un organe mâle ou organe femelle. Bien entendu, chaque organe mâle est complémentaire d’un organe femelle. Ceci afin que chaque portion de connexion 5 du module 2a de corps central 2 soit complémentaire d’une section de connexion 7 d’un embout 6a, 6b.
Comme illustré aux figures 1 à 4, de préférence, une extrémité 4a, 4b du module 2a de corps central 2 est équipée d’un organe mâle alors que l’autre extrémité 4a, 4b du module 2a de corps central 2 est équipée d’un organe femelle. Ici, la première extrémité 4a est équipée d’un organe femelle alors que la seconde extrémité 4b est équipée d’un organe mâle. Cette configuration inversée des extrémités 4a, 4b permet de connecter directement en série deux modules 2a de corps central 2 par emboitement de leur extrémité 4a, 4b complémentaire. Par voie de faits, le premier embout 6a possède un organe mâle alors que le second embout 6b comporte un organe femelle. Il est tout à fait possible d’inverser la configuration des extrémités 4a, 4b du module 2a de corps central 2 et des extrémités 10 des embouts 6a, 6b. Comme illustré à la , le dispositif d’analyse 1 peut comporter plusieurs modules 2a de corps central 2 montés en série. Ceci permet de vérifier la reproductibilité des analyses ou de réaliser une étude sur plusieurs organismes vivants différents ou de même type ou sur plusieurs polluants aquatiques différents ou de même type.
Dans cet exemple, l’organe mâle et l’organe femelle sont de types tronconiques. L’organe mâle présentant des dimensions légèrement inférieures à celles de l’organe femelle aux vues d’un emboitement. Le caractère tronconique contribue à un centrage parfait et rapide de l’organe mâle par rapport à l’organe femelle.
Le dispositif d’analyse 1 peut être utilisé en position horizontale ou en position verticale. Dans un exemple d’utilisation non limitatif tel qu’illustré à la , plusieurs modules 2a de corps central 2 sont montés en série et en position verticale formant un système d’analyse. Plusieurs systèmes d’analyse peuvent être suspendus à des moyens de support tel qu’une potence. Dans ce cas, le système décrit comporte des moyens d’accrochage ainsi que des moyens d’alimentation avec un ou des répartiteurs. Ces moyens d’alimentation correspondent aux moyens de recirculation de l’eau, plus précisément aux conduits d’admission 25. Préférentiellement, les conduits d’admission 25 de l’eau sont choisis dans des matériaux inertes.
Comme illustré dans les figures 1 à 4, le dispositif d’analyse 1 comprend encore un moyen de réception 130 qui est prévu apte à assurer l’immobilisation d’un filtre 13. Le moyen de réception 130 est disposé à une extrémité 4a, 4b du module 2a de corps central 2. Le moyen de réception 130 peut également être disposé au niveau de l’embout 6a, 6b.
Comme illustré aux figures 1 à 3, le moyen de réception 130 comprend au moins un épaulement interne 14 disposé entre la portion de connexion 5 d’une extrémité 4a, 4b et le module 2a de corps central 2. L’épaulement interne 14 assure une liaison entre le module 2a de corps central 2 et ladite extrémité 4a, 4b. Ici, la première extrémité 4a du module 2a de corps central 2 porte l’épaulement interne 14.