INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Selon un mode de réalisation de l’invention, la barrière énergétique formée entre les semi-conducteurs des troisième et quatrième couches 118, 120 est obtenue car le gap du semi-conducteur de la quatrième couche 120 est supérieur d’au moins 100 meV par rapport au gap du semi-conducteur de la troisième couche 118. Un tel gap peut être obtenu en réalisant ces troisième et quatrième couches 118, 120 telles que la composition d’alliage du semi-conducteur de la quatrième couche 120 soit différente de celle du semi-conducteur de la troisième couche 118 (par exemple en augmentant la proportion d’aluminium dans le semi-conducteur de la quatrième couche 120 par rapport au semi-conducteur de la troisième couche 118).
Selon un autre mode de réalisation de l’invention, la barrière énergétique formée entre les semi-conducteurs des troisième et quatrième couches 118, 120 est obtenue car le semi-conducteur de la quatrième couche 120 est non dopé ou dopé selon le deuxième type de conductivité avec un niveau de dopage inférieur à celui du semi-conducteur de la troisième couche 118.
Selon un autre mode de réalisation de l’invention, la barrière énergétique formée entre les semi-conducteurs des troisième et quatrième couches 118, 120 est obtenue en raison de la différence de dopage entre les semi-conducteurs des troisième et quatrième couches 118, 120, et en raison de la différence de composition d’alliage entre les semi-conducteurs des troisième et quatrième couches 118, 120.
Dans le cas d’une barrière énergétique due à une différence de dopage entre ces semi-conducteurs, cette différence de dopage peut s’exprimer par la relation : [Math 1] avec ΔV correspondant à la hauteur de la barrière énergétique qui est supérieure ou égale à 100 meV, k la constante de Boltzman, T la température à laquelle se trouve la diode 100, N 118 la concentration en dopants ionisés dans le semi-conducteur de la troisième couche 118, N 120 la concentration en dopants ionisés dans le semi-conducteur de la quatrième couche 120, et n i la concentration en porteurs de charge électrique intrinsèques au semi-conducteur des troisième et quatrième couches 118, 120.
Dans le cas d’une différence de gap, entre les semi-conducteurs des troisième et quatrième couches 118, 120, due à une différence de composition atomique des semi-conducteurs, la valeur de cette différence de gap est fonction de la nature des semi-conducteurs utilisés pour former les couches 118, 120. Dans le cas de couches 118, 120 dopées n, avec la quatrième couche 120 formant alors une barrière vis-à-vis d’électrons, la différence de gap correspond à la somme de l’offset des bandes de conduction des semi-conducteurs de ces couches et de la courbure de ces bandes. Il est par exemple possible de calculer une approximation de cet offset des bandes de conduction en réalisant les étapes suivantes :
- déterminer le gap des semi-conducteurs des couches 118 et 120 lorsqu’ils sont intrinsèques, par exemple à l’aide d’une base de données répertoriant ce type de données, ou par calcul (voir par exemple le document A. Goyal et al., "Band gap bowing parameter in pseudomorphic Al x Ga 1−x N/GaN high electron mobility transistor structures", Journal of Applied Physics 117, 225702 (2015), qui traite de la variation de gap de GaN en fonction de sa composition en Al et de la contrainte dans la couche) puis
- calculer les niveaux des bandes de valence et de conduction de chaque semi-conducteur à partir des valeurs de gap précédemment déterminées, puis
- calculer la position du niveau de Fermi de chaque semi-conducteur pour en déduire les différences d’énergies entre la bande de valence ou de conduction et le niveau de Fermi de chaque semi-conducteur, puis
- calculer la différence entre les deux positions précédemment calculées et qui correspond à la valeur d’offset recherchée.
Ces calculs peuvent par exemple être mis en œuvre à l’aide d’un logiciel de simulation tel qu’ATLAS proposé par la société Silvaco.
Les différents éléments de la diode 100 décrits ci-dessus sont réalisés sous la forme d’une structure mesa dont la section, dans un plan parallèle à chacune des interfaces entre ces éléments, est par exemple de forme rectangulaire. D’autres formes sont toutefois possibles.
Du fait que la deuxième électrode 124 soit en contact avec la troisième couche 118 et ne soit pas en contact avec la deuxième couche 108, et que le semi-conducteur de la quatrième couche 120 forme une barrière énergétique par rapport au semi-conducteur de la troisième couche 118, les porteurs de charge électrique amenés depuis la deuxième électrode 124 entrent dans l’empilement semi-conducteur de la diode 100 depuis la troisième couche 118, à proximité de l’interface avec la quatrième couche 120, et non directement depuis les faces latérales de la quatrième couche 120. Cette différence de gap et/ou de dopage entre les troisième et quatrième couches 118, 120 a également pour conséquence de répartir les porteurs de charge électrique dans la troisième couche 118 avant leur passage jusqu’à la deuxième couche 108 à travers la quatrième couche 120 qui forme une barrière pour le passage des porteurs depuis la troisième couche 118 vers la quatrième couche 120.
Ainsi, la quatrième couche 120 permet d’améliorer l’uniformité de la distribution du courant dans la zone active de la diode 100 mais également d’imposer la position du point de la deuxième électrode 124 par lequel la densité de courant maximale sera injectée dans l’empilement semi-conducteur de la diode 100.
La représente plusieurs simulations de cartographie de densités de courant obtenues dans la diode 100 qui comporte un empilement semi-conducteur d’épaisseur totale égale à environ 0,6 µm (simulation portant la référence « c) »), ainsi que dans des diodes ne comportant pas la quatrième couche 120 et dont l’épaisseur est soit similaire à celle de la diode 100 simulée (simulation portant la référence « b) »), soit plus importante (simulation portant la référence « a) »). Pour ces trois simulations, la deuxième électrode 124 s’étend depuis le bas de l’empilement sur une épaisseur comprise entre les deux lignes horizontales noires visibles sur la partie inférieure de chacune des simulations.
Ces simulations montrent bien que la densité de courant la plus élevée injectée depuis la deuxième électrode 124 correspond au point de la deuxième électrode 124 le plus proche de la zone active (simulations a) et b)), sauf dans le cas de la diode 100 (simulation c)) dans laquelle la position de la densité de courant maximale est imposée par la position de la quatrième couche 120 au sein de la couche de transport de porteurs de charge formée par les deuxième et troisième couches 108, 118. Sur les simulations de la , les régions de l’empilement les plus claires correspondent aux régions où la densité de courant est la plus élevée. Autrement dit, l’introduction de la quatrième couche 120 dans la couche de transport permet d’imposer la position d’injection de la deuxième électrode 124 et par conséquent de relâcher les contraintes sur les étapes technologiques de réalisation de cette deuxième électrode 124.
La différence de gap et/ou de dopage entre le semi-conducteur de la quatrième couche 120 et celui de la troisième couche 118 permet en particulier de former une barrière à l’injection pour la partie de la deuxième électrode 124 en contact avec la quatrième couche 120, cette barrière étant absente ou réduite pour la partie de la deuxième électrode 124 qui est en contact avec la troisième couche 118.
illustre en perspective un premier embout amovible, d’un manche de commande d’un dispositif conforme à l’invention, et
montre en perspective un second embout amovible d’un dispositif conforme à l’invention.
EXPOSE D’UN MODE DE REALISATION
Les figures 1 et 2 illustrent un premier mode de réalisation d’un dispositif de commande conforme à l’invention.
Il est conçu pour être utilisé par une personne handicapée, ne pouvant se servir de ses mains.
Ce dispositif sert à commander des fonctionnalités dans un jeu électronique ou informatique et vise à remplacer une manette de jeux classique.
Ce dispositif présente plusieurs moyens de commande qui sont actionnables avec la bouche et avec le menton d’une personne.
Le dispositif comporte, pour ce faire, un joystick 1, c’est à dire un actionneur comprenant un levier de commande 15 qui est monté pivotant autour d’un point de pivot dans au moins deux plans P1 et P2 perpendiculaires entre eux.
Le joystick 1 est reçu dans un boitier d’accueil 2 du dispositif. Le point de pivot du joystick se trouve à l’intérieur du boitier d’accueil 2 et le joystick 1 sort du boitier d’accueil 2 pour être accessible à l’utilisateur en traversant une ouverture 10 ménagée dans le boitier d’accueil.
L’ouverture 10 est de forme ronde mais elle pourrait être de forme différente sans sortir du cadre de l’invention : par exemple de forme rectangulaire, en forme de croix pour guider le mouvement de pivot du levier 15 du joystick 1 etc.
L’ouverture 10 est fermée par une membrane 100 souple et étanche, permettant la mobilité du levier 15 du joystick 1.
La membrane 100 s’étend tout autour du levier 15 et elle empêche toute intrusion de poussière ou de liquide à l’intérieur du boitier 2 : en effet, comme le dispositif est conçu pour être actionnable notamment en partie par la bouche d’un utilisateur, il a été constaté que l’utilisateur pouvait fortement saliver et que cette salive pouvait se répandre sur le menton de l’utilisateur, puis sur le joystick avec lequel il est en contact.
La présence de cette membrane 100 étanche, fermant l’ouverture 10, assure le bon fonctionnement du dispositif et permet également de nettoyer le boitier 2.
L’ouverture 10 limite les mouvements du levier du joystick : en effet, la possibilité de pivoter du levier du joystick assure la mobilité du joystick entre une position de repos et une position activée.
En position de repos, le levier du joystick se trouve dressé suivant une direction perpendiculaire (axe de repos) à une paroi 20 du boitier d’accueil (la paroi 20 est la paroi dans laquelle l’ouverture 10 est ménagée).
En position activée, le levier du joystick s’oriente suivant une direction inclinée par rapport à l’axe de repos, et l’inclinaison peut être variable entre la direction de l’axe de repos et une direction suivant laquelle le levier vient au contact du bord de l’ouverture 10.
Pour une fermeture à ancrage horizontal orienté vers la gauche de l’ouvrant, non illustré, on utilise la deuxième encoche 52 de la platine 50 qui comprend deux branches, de manière similaire à la troisième encoche 53 mais avec une orientation inverse. Cette deuxième encoche 52 comprend ainsi une première branche 521, transversale rectiligne, et une deuxième branche oblique 522, ces deux branches étant dans le prolongement l’une de l’autre avec une zone de jonction évidée 520. Le dispositif de verrouillage/déverrouillage s’installe dans l’encoche 52 en positionnant la paroi de fond 401 du coffre transversalement au support 5, la pointe 100 du pêne étant dirigée vers la gauche du support 5. Lorsque le pêne est déployé, le pion de déverrouillage, en particulier sa tête 310, est au niveau de la zone de jonction évidée 520 des deux branches de l’encoche, de sorte que le pêne puisse se déployer au-delà de la platine afin atteindre la gâche .L’ensemble fonctionne de manière similaire à celle décrite pour un point d’ancrage latéral droit.
L’invention permet ainsi de pouvoir équiper le plus grand nombre d’ouvrants à fermetures anti-paniques, quel que soit le type d’ancrage, avec un même produit. En outre elle permet la réalisation des ancrages avec tout récepteur dans lequel s’installent les FAP, notamment avec des profilés de faible largeur, par exemple de l’ordre de 40 millimètres pour les plus étroits, le dispositif de verrouillage/déverrouillage ainsi que l’ensemble de verrouillage/déverrouillage étant très compacts.
Poignée pour porte de camion Domaine technique de l’invention La présente invention concerne de manière générale le domaine des fermetures d’ouvrants ou de portes, en particulier des systèmes de poignée.
Elle concerne plus particulièrement une poignée de crémone pour une porte de camion, notamment frigorifique.
L’invention s’applique notamment aux poignées de crémone destinées à être implantées sur une face externe de porte, notamment une porte de camion, en particulier frigorifique. Dans ce type d’agencement, la crémone comprend une barre généralement verticale et rigidement solidaire d’un bras rotatif, cette barre étant par exemple soudée ou vissée à une première partie du bras rotatif. L’ouverture du bras rotatif fait ainsi pivoter en rotation la barre verticale ainsi que des pênes qu’elle porte situés, par exemple, en haut et en bas de la porte équipée d’un tel agencement, pour permettre son ouverture.
L’invention s’applique également aux camions à carrosserie sèche et aux systèmes de poignée pour installations fixes ou mobiles, comme les containers ou les « shelters » .
État de la technique On connaît du document FR2921956 une poignée de crémone pour une porte de camion comportant : un socle destiné à être solidarisé avec ladite porte, ledit socle définissant un plan de socle ; un bras rotatif monté mobile sur ledit socle et destiné à être rigidement solidarisé à une barre de crémone pour entraîner en rotation ladite barre de crémone entre une position de fermeture où ledit bras rotatif est rabattu contre ledit socle et une position d’ouverture où ledit bras rotatif est écarté dudit socle ; un crochet monté mobile en rotation sur ledit socle pour basculer entre une position de retenue dans laquelle ledit crochet retient ledit bras rotatif en position de fermeture et une position de libération dudit bras rotatif ; et un mécanisme de verrouillage et de déverrouillage de la poignée en position de fermeture comprenant un moteur, une came rotative et un système de transmission du mouvement dudit moteur à ladite came, ledit système de transmission étant adapté à entraîner ladite came en rotation autour d’un axe de came perpendiculaire audit plan de socle entre une position de verrouillage dans laquelle ladite came interdit le basculement dudit crochet vers ladite position de libération et une position de déverrouillage dans laquelle ladite came autorise le basculement dudit crochet dans ladite position de libération.
Un exemple d’une telle poignée est le modèle du type « 16 UL-RC » de la gamme TORSEO 16 fabriqué et commercialisé par la société POMMIER.
Une poignée de crémone du type ci-dessus permet notamment d’ouvrir la porte sur laquelle elle est fixée d’une seule main et d’un seul geste.
Dans le document FR2921956, le moteur (actionneur 34) est un moteur linéaire et le mécanisme de transmission du mouvement du moteur à la came rotative, avec plusieurs bras de levier et une longue tige rectiligne reliant la came aux bras, est complexe et relativement étendu en longueur. De plus, l’actionneur présente un gros volume par rapport au reste de la poignée (bras rotatif et socle).
Ce sont les raisons pour lesquelles le mécanisme de verrouillage et de déverrouillage de la poignée divulguée dans le document FR2921956 est situé principalement à l’extérieur du bras rotatif, à l’exception de la came.
En effet, comme le montre bien la du document FR2921956, le mécanisme de verrouillage et de déverrouillage est enfermé dans un boîtier, dont une partie (référencée 14) est disposée latéralement à côté du socle de la poignée et une autre partie (référencée 15) sous celui-ci.
Ainsi, la solution d’ouverture et de fermeture motorisée proposée dans le document FR2921956 entraîne que la poignée de crémone présente un encombrement hors-tout très important et est très différente, en taille et en aspect, d’une poignée « classique » non motorisée (voir par exemple les modèles du type « 16 UL-R » et « 16 UL-X » dans la même gamme), de sorte que la gamme des poignées n’est pas homogène. Ainsi, le changement d’une poignée de ce type par une poignée classique (ou vice versa ) peut être compliqué, par exemple si le système de fixation de la poignée télécommandée sur la porte de camion est différent de celui d’une poignée standard.
De plus, la poignée de crémone de l’art antérieur ne peut pas être installée en applique sur une porte de camion et doit être nécessairement encastrée dans l’épaisseur de cette porte, typiquement comprise entre 45 et 100 millimètres. Dans le cas d’un camion frigorifique où la porte comprend un panneau isolant thermique, l’autre partie du boîtier située sous le socle de la poignée pénètre donc profondément dans ce panneau et peut alors créer un pont thermique entre la face interne de la porte du camion qui est exposée au froid et sa face externe qui peut être exposée à de fortes températures, et ceci d’autant plus que le socle et le boîtier sont souvent réalisés en métal ou en acier qui sont de bons conducteurs thermiques.
Présentation de l’invention Afin de remédier aux inconvénients précités de l’état de la technique, la présente invention propose une poignée de crémone motorisée qui ressemble à une poignée standard, qui peut être montée sur une porte de camion en applique ou par encastrement, et qui limite les risques de pont thermique après montage.
Plus particulièrement, on propose selon l’invention une poignée de crémone pour une porte de camion comportant :
A cette fin, en référence à la , le procédé d’estimation du courant de sortie du convertisseur de puissance peut comprendre, de manière préférée, l’acquisition E1 de la chute de tension Vss aux bornes du système d’interrupteur Qss et de la température représentative T.
Puis, le procédé d’estimation du courant de sortie comprend de préférence l’exécution successive des étapes suivantes pour un nombre d’itérations N : - l’initialisation E2 de la température de jonction Tss du système d’interrupteur à une valeur Tss 0 égale à la température représentative (Tss o =T) lors d’une première exécution suite à l’étape d’acquisition E1 ; ou lors d’une itération i, à une valeur Tss i déterminée à l’issue de l’itération précédente ; - la détermination E3 de la résistance Rss i du système d’interrupteur estimée en fonction de la température de jonction Tss i selon l’équation suivante : [Math 2] ; - la détermination E4 de l’intensité du courant de sortie Iout i selon l’équation suivante : [Math 3] ; - la détermination E5 de la puissance dissipée Pss i par le système d’interrupteur en fonction de l’intensité du courant de sortie Iout i et de la résistance Rss i du système d’interrupteur Qss, notamment selon l’équation [Math 4] ; - la mise à jour E6 de la température de jonction Tss i+1 estimée selon l’équation suivante, [Math 5] , où Rth est une résistance thermique donnée entre la jonction du système d’interrupteur et l’élément en contact thermique avec le système d’interrupteur présentant la température représentative T. Une telle résistance thermique peut être préalablement déterminée lors d’une étape de calibration du circuit, ou à partir des informations de dimensions de la surface de contact entre le système d’interrupteur et l’élément en contact thermique avec le système d’interrupteur, et/ou du matériau du système d’interrupteur et de l’élément en contact thermique avec le système d’interrupteur, et/ou d’un fluide de refroidissement parcourant l’élément en contact thermique avec le système d’interrupteur. La résistance thermique s’exprime généralement en °C/W ou en K/W.
Cette mise-à-jour itérative de la température de jonction Tss estimée permet avantageusement de converger vers la valeur réelle de l’intensité du courant de sortie du convertisseur de puissance. De plus, le nombre d’itérations N est, de manière préférée, compris entre 5 et 15 itérations, de préférence 10 itérations.
En résumé, la présente invention propose un convertisseur de puissance présentant un moyen de mesure de courant électrique et un procédé associé, en utilisant le ou les interrupteurs de sûreté, permettant ainsi de réduire l’encombrement du convertisseur de puissance tout en limitant l’impact du moyen de mesure de courant sur le rendement du convertisseur de puissance.
Procédé de diagnostic électronique d’une chaîne de traction électrique pour véhicule automobile L’invention concerne le domaine des véhicules électriques ou hybrides et plus précisément un procédé de diagnostic pour onduleur de véhicule hybride ou électrique.
De manière connue, un véhicule hybride comprend une batterie, une machine électrique et un moteur thermique. La machine électrique est apte à fonctionner selon deux modes de fonctionnement : un mode de fonctionnement moteur, dans lequel la machine électrique convertit de l’énergie électrique fournie par la batterie en énergie mécanique afin de démarrer le moteur thermique, et un mode de fonctionnement générateur, dans lequel la machine électrique convertit l’énergie mécanique de rotation du moteur thermique en énergie électrique stockée dans la batterie.
Dans le cas d’une machine électrique triphasée, la machine électrique comprend couramment trois bobines.
Afin de piloter la machine électrique, un onduleur est connecté entre la batterie et la machine électrique. Dans le cas présent, l’onduleur est apte à générer trois courants alternatifs déphasés les uns par rapport aux autres, à partir de la tension fournie par la batterie. Chaque courant alternatif généré permet d’alimenter une bobine de la machine électrique.
Pour générer les trois courants alternatifs, l’onduleur comprend trois niveaux de puissance. Chaque niveau de puissance comprend un premier transistor MOSFET dit « haut » puisque son drain est connecté à la batterie et un deuxième transistor MOSFET dit « bas » puisque sa source est reliée à la masse. Le drain du transistor bas est relié à la source du transistor haut. C’est au point milieu reliant les deux transistors qu’est généré le courant pour alimenter la bobine correspondante de la machine électrique. Les transistors utilisés peuvent également être de type bipolaire à grille isolée.
Cependant, chaque élément de la chaîne de traction s’use. Par exemple, chaque transistor, destiné à commuter de nombreuses fois, subit des pertes de commutation. Un dysfonctionnement d’un transistor pourrait entraîner le dysfonctionnement de l’onduleur. Afin de détecter un dysfonctionnement de l’onduleur, il est connu de mesurer la tension entre le drain et la source de chaque transistor MOSFET et de comparer les valeurs mesurées avec des valeurs de références. La tension entre le drain et la source est représentative de la résistance résiduelle du transistor MOSFET. En effet, un transistor grillé présente une résistance résiduelle très élevée.
De plus, des éléments usés peuvent également provoquer un bruit dérangeant pour l’utilisateur du véhicule et accroitre la consommation en énergie électrique du véhicule. Cela est par exemple le cas de l’inductance d’entrée, désignant le filtre CEM pour « Compatibilité électromagnétique », connecté à l’entrée de l’onduleur.
Il existe donc le besoin d’une solution permettant de pallier, au moins partiellement, aux inconvénients décrits précédemment.