INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Dans l'exemple de la , le capteur d'image 100, 200 comprend, par exemple, une source de lumière 504 configurée pour émettre une lumière ayant une longueur d'onde dans la plage allant de 280 à 400 nanomètres. La source de lumière 504 est configurée, par exemple, pendant une période d'intégration du capteur d'image 100 ou 200, pour générer des rayons lumineux vers une scène extérieure à capturer. Les rayons lumineux générés par la source de lumière 504 sont diffusés et/ou réfléchis par la scène. Le capteur d'image 100 ou 200 est par exemple configuré pour éteindre la source de lumière 504 à la fin de la phase d'intégration et pour entrer dans une phase de lecture pendant laquelle les charges générées correspondantes sont transférées aux circuits de pixel et traitées.
Dans un exemple dans lequel le réseau 102 comprend au moins certains des photo-capteurs configurés pour capturer de la lumière IR, la source de lumière 504 est par exemple configurée en outre pour émettre une lumière ayant une longueur d'onde dans la plage allant de 900 à 1500 nanomètres pendant une période d'intégration correspondante.
Dans l'exemple de la , le capteur d'image 100 ou 200 comprend, par exemple, une source de lumière supplémentaire 506 configurée pour émettre une lumière ayant une longueur d'onde dans la plage allant de 900 à 1500 nanomètres. Dans un exemple, la source de lumière supplémentaire 506 fonctionne d'une façon similaire à la source de lumière 504. Dans un autre exemple, les deux sources de lumière 504 et 506 sont allumées séquentiellement afin d'irradier une scène avec différentes longueurs d'onde d'irradiation. Dans ce cas, par exemple, seules des charges générées dans les photo-capteurs qui sont surmontés du filtre permettant le passage de la même longueur d'onde que la source de lumière d'irradiation peuvent être traitées. Cela permet d'obtenir des images d'une même scène irradiée par différentes longueurs d'onde. En comparant les images capturées avec différentes longueurs d'onde d'irradiation, il est possible de déduire des informations relatives à la scène irradiée, qui ne seraient pas accessibles avec une seule source d'irradiation. De plus, une imagerie UV donne des détails différents sur un objet par rapport à ce qu'une lumière visible ou infrarouge donnerait.
Le capteur d'image 100 ou 200 peut avoir différentes applications dans lesquelles une imagerie UV de relativement haute résolution est utilisée. Selon un exemple, le capteur d'image 100 ou 200 est une partie d'un appareil de surveillance de la peau configuré pour effectuer une imagerie UV de la peau, telle que la figure d'un utilisateur, afin de vérifier la santé de la peau et/ou pour détecter la présence de produits sur la peau, tels que du maquillage ou de l'écran solaire. Selon un autre exemple, le capteur d'image est une partie d'un appareil de surveillance d'eau et/ou de gaz, qui est par exemple configuré pour mesurer des composants polluants, tels que du phosphate, du sulfure d'hydrogène et/ou des hydrocarbures dans l'eau ou des polluants tels que de l'ammoniaque, du sulfure d'hydrogène, de l'oxyde nitrique, du dioxyde de soufre, du dioxyde d'azote et/ou des mercaptans dans l'air.
Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. La personne du métier comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaîtront à la personne du métier. Par exemple, bien que des modes de réalisation aient été décrits dans lesquels le capteur d'image comprend un circuit de lecture CMOS, d'autres types de circuit de lecture pourraient être utilisés. En outre, il sera clair pour la personne du métier que, plutôt que d'être intégrés dans les photo-capteurs, les filtres décrits ici pourraient être intégrés dans un module optique disposé au-dessus du réseau 102, les filtres étant par exemple mis en œuvre sous forme d'un revêtement sur une ou plusieurs lentilles ou des fenêtres planes recouvrant le réseau.
Des modes de réalisation des capteurs d'image 100, 200 ont été décrits dans lesquels les photo-capteurs 104 ont tous le premier filtre ou certains ont le premier filtre et d'autres ont le deuxième filtre. Par exemple, le réseau de photo-capteurs est constitué de sensiblement la moitié, ou entre 45 % et 55 %, du nombre de photo-capteurs comprenant le premier filtre et les photo-capteurs restants comprenant le deuxième filtre.
Dans des variantes de mode de réalisation des capteurs d'image 100, 200, en plus des photo-capteurs 104 ayant les premier et/ou deuxième filtres, au moins certains des photo-capteurs 104 comprennent un troisième filtre configuré pour émettre une lumière dans la plage allant de 400 à 800 nanomètres et pour éliminer par filtrage au moins partiellement, et pour éviter qu'elle n'atteigne le photo-capteur 104, une lumière ayant des longueurs d'onde inférieures à 400 nanomètres ou supérieures à 800 nanomètres.
Selon une alternative au procédé Smart Cut™ qui vient d’être décrit, les portions de pavés peuvent être obtenues par amincissement par meulage et/ou gravure de chaque pavé du substrat pseudo-donneur après collage du substrat pseudo-donneur sur le substrat receveur. Cependant, un avantage du procédé Smart Cut™ est de minimiser la perte de matière, le substrat pseudo-donneur pouvant éventuellement être recyclé et utilisé pour transférer à nouveau des portions de pavés sur le même substrat receveur ou sur un autre substrat receveur.
Eventuellement, après le transfert desdites portions de pavés sur le substrat receveur, on peut mettre en œuvre un polissage mécano-chimique de la surface des portions de pavés.
La illustre la formation, par exemple par photolithographie, d’un masque comprenant un film protecteur M11, M12, M13, M14 recouvrant partiellement chaque portion de pavé et des ouvertures s’étendant entre les portions de film protecteur.
Le film protecteur est configuré pour définir un motif correspondant à la géométrie et à l’emplacement de chaque puce sur chaque zone d’intérêt respective.
Les ouvertures correspondent typiquement à la surface du substrat receveur située entre les zones d’intérêt. Ainsi, dans l’exemple illustré, les ouvertures sont en forme de croix et délimitent quatre portions rectangulaires M11-M14 du film protecteur sur chaque portion de pavé.
Selon un mode de réalisation, le film protecteur ne s’étend pas jusqu’aux bords de la portion de pavé situés dans la zone d’intérêt. Cela permet, dans l’étape de gravure suivante, de retirer également une région périphérique des portions de pavé, par exemple pour redimensionner ladite portion. Cependant, dans un souci de minimiser la perte de matière, les pavés sont de préférence dimensionnés pour minimiser la région périphérique à retirer.
De manière avantageuse, la solution de gravure n’attaque pas ou peu le matériau du substrat receveur 3.
A l’issue de la gravure, la partie des pavés non recouverte par le film protecteur a été retirée, sur tout ou partie de l’épaisseur des pavés, pour séparer les puces.
En référence à la , on retire le film protecteur de sorte à libérer la surface des puces. La structure est donc prête pour les étapes de fabrication ultérieures, par exemple un dépôt ou une épitaxie d’une ou plusieurs couches additionnelles sur les puces, la formation de composants électroniques dans ou sur les puces, la découpe du substrat receveur pour séparer les puces, etc.
On notera que, après la formation des puces, aucun polissage mécano-chimique n’est mis en œuvre afin de ne pas créer d’inhomogénéité au sein des puces. En d’autres termes, toute étape de polissage mécano-chimique est réalisée soit sur le substrat pseudo-donneur, soit sur le substrat receveur après le transfert des portions de pavés, mais avant l’enlèvement de matière conduisant à l’obtention des puces. Ainsi, le polissage mécano-chimique est réalisé dans tous les cas sur les pavés ou portions de pavés, qui présentent de relativement grandes dimensions, supérieures à la dimension nécessaire à la réalisation des puces visées. Plus précisément, chaque pavé présente une dimension supérieure à un multiple de la dimension des puces ciblée dans le procédé de fabrication. Par exemple, chaque pavé peut présenter une dimension deux ou quatre fois supérieure à la dimension ciblée.
De multiples géométries peuvent être obtenues selon la destination de la structure finale et l’agencement des zones d’intérêt.
Dans certains modes de réalisation, chaque pavé recouvre au moins partiellement deux zones d’intérêt distinctes du substrat receveur et on forme, à partir dudit pavé, une puce sur chaque zone d’intérêt respective.
Par exemple, comme illustré sur la , chaque pavé et portion de pavé transférée P’1 peut être agencé de sorte à recouvrir une partie de deux zones d’intérêt adjacentes ainsi que la surface du substrat receveur entre lesdites zones d’intérêt. L’enlèvement de matière peut être réalisé de sorte à retirer le matériau de chaque portion de pavé en regard de la surface séparant les zones d’intérêt, et, le cas échéant, le matériau de chaque portion de pavé en regard de chaque zone d’intérêt pour respecter la géométrie souhaitée pour chaque puce p11, p12 (cf. ).
Le premier dispositif d’amortissement 40 est ici formé de plusieurs blocs cylindriques 40a-40e répartis à la périphérie du système amortisseur 22 de forme globalement cylindrique, et centré sur l’axe 8. Chacun des blocs 40a-40e est ainsi cylindrique d’axe orthogonal ou sensiblement orthogonal à la surface extérieure plane 26 de la plaque de tête 36, en direction de laquelle sont orientés ces blocs. Ces derniers sont espacés les uns des autres, et ils sont de préférence réalisés en mousse, en bois, en nid-d’abeilles ou encore à l’aide d’une structure tubulaire métallique, préférentiellement avec la même contrainte d’écrasement σ 1 (en MPa).
La surface active S 1 (en m²) du premier dispositif d’amortissement 40 correspond à la surface des blocs 40a-40e destinée à être impactée axialement par la surface extérieure plane 26 de la plaque de tête 36, en cas de chute axiale du colis. Plus précisément, cette surface active S 1 correspond à l’addition des surfaces actives S 1 a -S 1 e de tous les blocs 40a-40e formant le premier dispositif d’amortissement 40. Ces surfaces S 1 a -S 1 e correspondent aux extrémités axiales inférieures des blocs 40a-40e, et elles sont très préférentiellement toutes planes ou sensiblement planes, orthogonales ou sensiblement orthogonales à l’axe 8, et coplanaires. En cas de non planéité de ces extrémités axiales inférieures des blocs 40a-40e, chaque surface active S 1 a -S 1 e correspond alors à la surface projetée de l’extrémité axiale inférieure du bloc concerné, dans un plan orthogonal à l’axe 8, et selon la direction de ce même axe.
D’ailleurs, en raison du caractère cylindrique du bloc, chaque surface active S 1 a -S 1 e correspond également, en termes de dimension et de forme, à toute section transversale de son bloc correspondant 40a-40e. Alternativement, les blocs pourraient présenter une forme pyramidale, les surfaces actives pouvant alors varier selon l’épaisseur du bloc et ainsi générer des décélérations plus faibles au début de l’impact. Dans ce cas de figure, le principe général de l’invention selon lequel les premiers et seconds paramètres sont tels que la seconde valeur représentative de décélération γ 2 est différente de la première valeur représentative de décélération γ 1 , se vérifie à chaque instant au cours d’une chute axiale du colis conduisant l’ensemble radioactif à écraser plastiquement les premier et second dispositifs d’amortissement.
Ces surfaces actives sont représentées schématiquement sur la coupe de la prise dans le plan de ces surfaces ou à forte proximité, orthogonalement à l’axe 8, et également en partie visibles sur la .
La masse M 1 (en kg) correspondant à la masse du panier 30 destiné à être amorti par le premier dispositif d’amortissement 40.
Ainsi, à l’aide des paramètres précités relatifs à ce premier dispositif d’amortissement 40, il est déterminé la valeur de γ 1 , correspondant à une première valeur représentative de la décélération du panier 30 en cas de chute axiale du colis conduisant ce panier à écraser plastiquement le premier dispositif d’amortissement 40. Cette première valeur représentative de décélération γ 1 est déterminée par la formule suivante : γ 1 = (σ 1 *S 1 )/M 1 .
Comme indiqué précédemment, le système amortisseur interne 22 comporte aussi plusieurs seconds dispositifs d’amortissement 50a-50f, chacun associé à l’un des assemblages 32a-32g pour l’amortir en cas de chute axiale du colis. Ainsi, les seconds dispositifs d’amortissement 50a-50f sont indépendants les uns des autres, et également indépendant des blocs du premier dispositif d’amortissement 40. Cela a pour conséquence qu’en cas de chute axiale du colis, chacun de ces éléments se déforme plastiquement de manière libre, sans être gêné par la déformation des autres éléments situés à distance. Cette indépendance des blocs lors de leur écrasement est notamment obtenue du fait de l’absence de plaque de répartition des efforts que l’on retrouve dans certaines solutions de l’art antérieur, et qui est habituellement disposée entre les systèmes amortisseurs et le contenu radioactif.
Dans ce mode de réalisation préféré de l’invention, tous les seconds dispositifs d’amortissement 50 sont identiques, donc seul l’un d’eux sera décrit en détail ci-après.
Chaque second dispositif d’amortissement est ici formé d’un unique bloc cylindrique 50a-50f, les blocs étant répartis à la périphérie et au centre du système amortisseur 22, selon une même répartition que celle des assemblages 32a-32f. Les blocs 50a-50f sont ainsi cylindriques d’axes orthogonaux ou sensiblement orthogonaux à la surface extérieure plane 26 de la plaque de tête 36, ainsi qu’à la surface d’extrémité axiale des assemblages de combustible nucléaire en direction de laquelle sont orientés ces blocs 50a-50f, respectivement. Les blocs 50a-50f sont espacés les uns des autres, et également espacés des blocs du premier dispositif d’amortissement 40. Ils sont de préférence réalisés en mousse, en bois ou en nid-d’abeilles, préférentiellement avec la même contrainte d’écrasement σ 2 (en MPa), elle-même préférentiellement différente de la contrainte d’écrasement σ 1 précitée.
La surface active S 2 (en m²) de chaque second dispositif d’amortissement 50a-50f correspond à la surface du bloc destinée à se trouver axialement en appui contre la surface d’extrémité axiale de l’assemblage associé 32a-32f, en cas de chute axiale du colis. Cette surface S 2 est donc formée par l’extrémité axiale inférieure du bloc amortisseur 50a-50f, qui est très préférentiellement plane ou sensiblement plane, orthogonale ou sensiblement orthogonale à l’axe 8. Toutes les surfaces actives S 2 sont d’ailleurs préférentiellement coplanaires. En cas de non planéité de cette extrémité axiale inférieure du bloc amortisseur, la surface active S 2 correspond alors à la surface projetée de l’extrémité axiale inférieure de ce bloc, dans un plan orthogonal à l’axe 8, et selon la direction de ce même axe.
D’ailleurs, en raison du caractère cylindrique du bloc, la surface active S 2 correspond également, en termes de taille et de forme, à toute section transversale de son bloc correspondant 50a-50f. En vue axiale, cette surface active S 2 correspond également de préférence, en taille et en forme, à celle de la surface d’extrémité axiale de l’assemblage associé 32a-32f, une correspondance parfaite ou quasi-parfaite étant effectivement recherchée entre ces deux surfaces, dans la direction de l’axe 8. Néanmoins, la surface active S 2 pourrait être de dimension inférieure ou supérieure, sans sortir du cadre de l’invention.
Les surfaces actives S 2 sont représentées schématiquement sur la coupe de la prise dans le plan de ces surfaces ou à forte proximité, orthogonalement à l’axe 8, et l’une d’elles est également visible sur la .
La masse M 2 (en kg) correspond quant à elle à la masse de chaque assemblage de combustible nucléaire 32a-32f, destiné à être amorti par le second dispositif d’amortissement 50a-50f lui étant situé axialement en regard.
Ainsi, à l’aide des paramètres précités relatifs à chacun de ces seconds dispositifs d’amortissement 40, il est déterminé la valeur de γ 2 correspondant à une seconde valeur représentative de la décélération de chaque assemblage 32a-32f, en cas de chute axiale du colis conduisant cet assemblage à écraser plastiquement son second dispositif d’amortissement associé, la seconde valeur représentative de décélération γ 2 étant déterminée par la formule suivante : γ 2 = (σ 2 *S 2 )/M 2 .
Grâce à la conception proposée, les premiers et seconds paramètres précités sont avantageusement choisis de telle sorte que la seconde valeur représentative de décélération γ 2 soit différente de la première valeur représentative de décélération γ 1 . A cet égard, le rapport |γ 2 - γ 1 | / min (γ 2 , γ 1 ) est préférentiellement supérieur à 1,1.
Cela conduit à réduire l’encombrement global du système amortisseur interne 22, puisqu’il est spécifiquement tenu compte de la décélération maximale admissible pour le panier 30, et de celle de chacun des assemblages 32a-32f, souvent supérieure à celle du panier. Chacun des dispositifs d’amortissement indépendants 40, 50a-50f peut ainsi être conçu au plus juste, pour améliorer la compacité de l’ensemble.
Notre protocole et sa mise en œuvre pourraient être utilisés pour fournir des nombres aléatoires basés sur le cloud à des utilisateurs distants. Dans ce cas, la sécurité de la séquence sera limitée par la sécurité de la connexion entre le dispositif et l’utilisateur. Le dispositif peut également être intégré dans d’autres dispositifs grâce à sa petite taille.
Pour certaines applications, la mise en œuvre nécessite un cryostat externe, car certains composants nécessitent une température de 4 K pour fonctionner. Ainsi, le besoin de cryostats rend le dispositif plus adapté à une utilisation en combinaison avec d’autres dispositifs nécessitant une température froide.
L’invention permet d’améliorer un protocole existant pour certifier qu’une séquence de nombres est produite de manière imprévisible. Le protocole est basé sur la contextualité quantique sur une puce photonique. Cependant, l’invention peut également s’intégrer plus généralement dans tout autre protocole de certification de caractère aléatoire quantique basé sur la violation d’inégalités de Bell . Elle permet à l’utilisateur de prendre en compte les imperfections inhérentes à toute mise en œuvre physique d’un tel protocole. Ces imperfections constitueraient des failles de sécurité pour les méthodes de certification préexistantes.
Selon d’autres aspects avantageux mais non obligatoires de l’invention, un tel procédé peut incorporer une ou plusieurs des caractéristiques suivantes :
- Le paramètre de dépendance est pris comme la solution à un problème d’optimisation appelé « fraction de signal restreinte quantique », qui calcule la distance entre le comportement d’entrée-sortie estimé du dispositif quantique D et l’ensemble de corrélations d’entrée-sortie caractérisées par un niveau donné de la hiérarchie Navascues-Pironio-Acin de problèmes semi-définis positifs.
- Le protocole est configuré comme suit : i. dans une première phase, nous définissons les paramètres suivants : • le jeu G, à n entrées et k-cohérent, • le dispositif quantique D compatible avec le jeu G, • l’entrée spécifique x appelée « paire d’entrées singularisée », • un seuil de score χ, qui est un nombre réel de l’intervalle [0, 1], • une probabilité de test q, qui est un nombre réel de l’intervalle [0, 1], • une longueur de sortie N, qui est un nombre entier positif, • un niveau l de la hiérarchie NPA, qui est un nombre entier positif ; • une table ê correspondant à un comportement estimé du dispositif quantique D, qui possède des parties correspondant à des entrées et des sorties, et qui est initialement mise à zéro, • une estimation de score c, qui est une estimation du score atteint par le dispositif quantique D pour le jeu G, qui est un nombre réel de l’intervalle [0,1], et qui est initialement mis à zéro, ii. dans la seconde phase : • nous répétons les étapes suivantes N fois : - nous choisissons t dans l’intervalle [0,1] selon la distribution (q, 1-q) - si t = 1 (« tour de jeu »), nous jouons au jeu G à l’aide du dispositif quantique D, enregistrons l’entrée et la sortie dans la partie correspondante de la table ê, nous ajoutons le score du jeu G à l’estimation du score c, - si t = 0 (« tour de génération »), alors nous entrons l’entrée singularisée x dans le dispositif quantique D et enregistrons la sortie, • nous calculons la fraction de signal de la table ê au niveau L de la hiérarchie NPA, notée SF_l, • si c / (qN) − SF_l.(2^n − k) / 2^n ⩽ χ, alors le protocole échoue ; sinon, il réussit.
- Le jeu non local est le jeu CHSH, qui est tel que n = 4 et k = 3.
L’invention concerne également un système de mise en œuvre de ce procédé, comprenant un dispositif quantique.
Selon d’autres aspects avantageux mais non obligatoires de l’invention, un tel système peut incorporer une ou plusieurs des caractéristiques suivantes :
- Le système comprend une source de photons uniques basé sur une boîte quantique (‘quantum dot’ en anglais).
- Le système comprend une puce photonique.
- La puce photonique comprend des séparateurs de faisceau et des déphaseurs thermo-optiques, et les entrées du dispositif quantique D correspondent au choix des paramètres des déphaseurs.
- Le système comprend des détecteurs de photons, et les sorties du dispositif quantique D correspondent à des événements de détection de photons.
- Le système comprend un logiciel de service cryptographique intégrant une interface utilisateur et un module de traitement de données. L’interface utilisateur est configurée pour recevoir une requête d’un utilisateur pour obtenir une clé cryptographique et transmettre une clé cryptographique cryptée au client. Le module de traitement de données est en communication avec le dispositif quantique D, configuré pour transmettre une requête au dispositif quantique D pour recevoir une séquence de bits aléatoire, puis tester la séquence de bits pour certifier le fait que la séquence de bits contient une entropie minimale positive même en présence d’information auxiliaire quantique, puis en cas de validation du test, générer une clé cryptographique cryptée à partir de la séquence de bits, puis transmettre la clé cryptographique cryptée à l’utilisateur via l’interface utilisateur.
- Le système comprend un module de stockage de séquences de bits contenant une entropie minimale positive même en présence d’information auxiliaire quantique, précédemment certifiées grâce au dispositif quantique D.
la est une vue en coupe schématique d'un dispositif électronique selon un autre exemple de mode de réalisation de la présente description ;
la est un organigramme représentant des étapes d'un procédé de fabrication du capteur d'image de la et 2 ;
la représente une vue de dessus schématique du capteur d'image selon la et 2 ; et
la est une vue schématique du dispositif électronique des exemples de la et 2 selon un autre exemple de mode de réalisation de la présente description.
Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence sauf précision contraire à l'orientation des figures ou à un capteur d'image dans une position normale d'utilisation.
La est une vue en coupe schématique d'un capteur d'image 100 selon un exemple de mode de réalisation de la présente description.