INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Selon un exemple, le rapport du diamètre D2 du cercle C2 et du diamètre D1 du cercle C1 est compris entre 0,3 et 0,95 ou plus précisément entre 0,5 et 0,9.
Selon un exemple, les éléments de retenue présentent une hauteur d’accrochage Ha comprise entre 30 micromètres et 120 micromètres, plus particulièrement entre 30 micromètres et 70 micromètres, encore plus particulièrement entre 40 micromètres et 60 micromètres.
Selon un exemple, la tête présente une épaisseur Hh comprise entre 30 micromètres et 70 micromètres, en particulier 40 micromètres et 60 micromètres.
Selon un exemple, la tige présente une hauteur Ht qui est comprise entre 150 micromètres et 330 micromètres, en particulier entre 200 micromètres et 300 micromètres.
Selon un exemple, le ratio de l’épaisseur Hh de la tête et de la hauteur Ht de la tige est compris entre 0,05 et 0,3, ou plus particulièrement entre 0,1 et 0,25.
Selon un exemple, le ratio de la hauteur d’accrochage Ha et de la hauteur Ht de la tige est compris entre 0,05 et 0,4 en particulier entre 0,05 et 0,3, plus particulièrement entre 0,1 et 0,25.
Selon un exemple, la tige présente, en vue de côté selon la direction longitudinale et/ou la direction transversale, une portion proximale s’étendant depuis l’extrémité inférieure de la tige, une portion distale s’étendant depuis l’extrémité supérieure de la tige et une portion intermédiaire agencée entre la portion proximale et la portion distale, la portion distale et la portion proximale présentent par rapport à une droite perpendiculaire à la direction longitudinale et à la direction transversale, une courbure supérieure à la courbure de la portion intermédiaire.
Selon un exemple, en vue de côté selon la direction longitudinale et/ou la direction transversale dans une vue projetée dans le plan perpendiculaire à cette vue de côté, la tige présente deux bords opposés (ici deux bords externes opposés) dont l’un au moins des deux bords comprend une courbure avec un point d’inflexion, ou deux points d’inflexion ou trois points d’inflexion ou plus, par exemple dix points d’inflexion, les points d’inflexion étant distincts, dans certains cas, chacun des deux bords, comprend une courbure avec un point d’inflexion, ou deux points d’inflexion ou trois points d’inflexion ou plus, par exemple dix points d’inflexion, les points d’inflexion étant distincts.
Selon un exemple, en vue de côté selon la direction longitudinale et/ou la direction transversale dans une vue projetée dans le plan perpendiculaire à cette vue de côté, la tige présente deux bords opposés (ici deux bords externes opposés) dont l’un au moins, dans certains cas les deux bords, présente une forme générale de tilde ou tilde inversée ou de S ou S inversé.
Après l'étape de retrait des micro-aiguilles de la surface de la substance kératineuse, la composition comprenant au moins un pigment hydrophobe dispersé dans un milieu physiologiquement acceptable peut être retirée de la surface de la substance kératineuse.
Il est préférable que le processus cosmétique selon la présente invention comprenne en outre l'étape consistant à maintenir ou de laisser la composition comprenant au moins un pigment hydrophobe dispersé dans un milieu physiologiquement acceptable sur la substance kératineuse après l'étape de retrait des micro-aiguilles de la surface de la substance kératineuse et avant l'étape de retrait de la composition de la surface de la substance kératineuse, car la composition peut pénétrer efficacement dans la substance kératineuse via les trous formés sur et dans la substance kératineuse par les micro-aiguilles.
Le processus cosmétique selon la présente invention peut être destiné aux traitements cosmétiques d'une substance kératineuse telle que la peau et les lèvres, préférentiellement la peau, et plus préférentiellement la peau du visage.
Le processus cosmétique selon la présente invention peut être utilisé pour améliorer l'aspect esthétique d'une substance kératineuse, par exemple en colorant la substance kératineuse.
Le processus cosmétique selon la présente invention peut proposer à une substance kératineuse des effets de couleur durables et uniformes. En conséquence, par exemple, les effets de maquillage fournis par le processus cosmétique selon la présente invention peuvent être maintenus pendant une longue période de temps, par exemple, sur un visage même si du sébum ou de la sueur est présent sur le visage ou si de la pluie tombe sur le visage.
Cependant, le processus cosmétique selon la présente invention ne correspond pas au tatouage de la peau, qui est une coloration semi-permanente, car le tatouage de la peau est accompagné de douleur. De plus, le processus cosmétique selon la présente invention colore la couche superficielle d'une substance kératineuse telle que la peau et les lèvres, et par conséquent, la couleur fournie par le processus cosmétique selon la présente invention peut durer, par exemple, seulement quelques semaines, ce qui ne correspond pas à une coloration semi-permanente.
Ci-après, la composition, la feuille de micro-aiguilles, et similaires utilisés pour le processus cosmétique selon la présente invention, ainsi que des exemples de mise en œuvre du processus cosmétique selon la présente invention, seront expliqués de manière détaillée.
{Composition}
La composition à utiliser pour le processus cosmétique selon la présente invention comprend au moins un pigment hydrophobe dispersé dans un milieu physiologiquement acceptable.
La composition peut être utilisée comme composition de prétraitement d'une substance kératineuse.
Il est préférable que la composition à utiliser pour le processus cosmétique selon la présente invention soit sous la forme d'un liquide à température ambiante (par exemple 25 °C) sous pression atmosphérique (760 mm Hg), qui présente une viscosité inférieure à 1 000 cP, de préférence inférieure à 500 cP, et plus préférentiellement inférieure à 200 cP.
(Pigment hydrophobe)
La composition à utiliser pour le processus cosmétique selon la présente invention comprend au moins un pigment hydrophobe. Un seul pigment hydrophobe ou une combinaison d'une pluralité de pigments hydrophobes différents peut être utilisé.
Dans la présente invention, le terme « pigments » doit être compris comme signifiant des particules blanches ou colorées, inorganiques ou organiques, de forme quelconque, insolubles dans un milieu physiologiquement acceptable et destinées à colorer une substance kératineuse telle que la peau et les lèvres.
Il est préférable que la taille du pigment hydrophobe soit supérieure à 100 nm. Dans le cadre de la présente invention, la « taille » d'une particule signifie un diamètre volumique moyen. Le diamètre volumique moyen peut être évalué par diffraction de la lumière en utilisant, par exemple, un granulomètre laser, tel que le Mastersizer de Malvern, dans lequel les particules à évaluer sont dispersées dans un milieu liquide, par exemple du néopentanoate d'octyldodécyle. Selon un mode de réalisation de la présente invention, la taille du pigment hydrophobe peut aller de 100 nm à 25 μm, préférentiellement de 200 nm à 10 μm.
Il est préférable que le pigment hydrophobe soit choisi parmi les pigments à revêtement hydrophobe. Le terme « pigment à revêtement hydrophobe » désigne tout pigment revêtu d'au moins un composé lipophile ou hydrophobe. Le terme « composé lipophile » désigne tout composé soluble ou dispersable dans l'huile. Le terme « composé hydrophobe » désigne tout composé insoluble dans l'eau.
Un kit bandeau et collier-cravate (1) caractérisé en ce qu'il comprend le collier (11) et est cousu sur 0,50 cm (15) sur la pointe du haut du premier losange (16). La cravate (12) a pour dimension une hauteur totale de 77 cm avec un tour de cou (11) de 50 cm et des emplacements en losange (16) de 6 cm de largeur sur 6 cm de hauteur pour une largeur totale de 7 cm, car chacun des losanges (16) est cousu sur 0,50 cm (15) sur les deux rubans noirs (18) aux extrémités de droite et de gauche.
Un kit bandeau et collier-cravate (1) caractérisé en ce qu'il comprend les rubans de la cravate (18) et mesure 1 cm de largeur pour 52 cm de longueur.
Un kit bandeau et collier-cravate (1) caractérisé en ce qu'il comprend les pierres (8) qui sont fournis avec le kit (1), elles correspondent aux couleurs associe aux chakras.
représente le kit bandeau et collier-cravate (1).
représente la face verso du bandeau (2) (la face qui se trouve contre la peau). représente l’emplacement rectangulaire plié et cousu façon portefeuille (5).
représente le bandeau positionné sur le sixième chakra (9) et sur le septième chakra (10). représente la partie collier (11) et la partie cravate (12).
représente la partie collier (11).
représente la face verso collier-cravate (3) (la face qui se trouve contre la peau). représente la face recto collier-cravate (3) (la face extérieur).
représente l’inconvénient de la technique conventionnelle des pierres (8) pour le nettoyage, l’équilibrage et la recharge d’un ou des sept chakra principaux, d’être en position allongé et immobile (20).
représente un individu portant le kit bandeau et collier-cravate, en position debout (21)
représente un individu portant le kit (22), solutionnant le nettoyage, l’équilibrage et la recharge d’un ou des sept chakras principaux, tout en gardant une liberté de mouvement pendant les activités de la vie quotidienne.
[Table 1] représente la correspondance des chakras couverts par le kit bandeau et collier-cravate avec leur signification.
Dispositif de retenue amélioré. La présente invention concerne le domaine des dispositifs de retenue, notamment les dispositifs de retenue à crochets.
Les systèmes de fermeture à crochets sont bien connus et utilisés dans de nombreux domaines d’application, conduisant de fait à la réalisation de multiples formes de crochets ou plus généralement à de multiples formes d’éléments de retenue destinés à coopérer mutuellement ou avec des éléments complémentaires tels que des boucles.
Une problématique récurrente vis-à-vis de tels produits concerne l’effort de retenue appliqué, compte tenu notamment des dimensions fortement réduites des crochets et des contraintes de fabrication associés.
En effet, la réalisation de crochets présentant des résistances élevées conduit naturellement à un surdimensionnement, ce qui nuit à la douceur du système et donc au ressenti par l’utilisateur, ce qui est fortement pénalisant dans certains domaines notamment dans le domaine de l’hygiène, et conduit également à une consommation accrue de matière ce qui est pénalisant en termes de coût, et également pénalisant en termes de fabrication. Une problématique récurrente concerne également la reproductibilité des éléments de retenue et plus particulièrement en tenant compte des pénuries de certaines matières premières à l’échelle mondiale.
Un tel procédé est de préférence mis en œuvre au moyen d’un système informatique 1000 illustré par la , comprenant une unité informatique de calcul 1010 et une mémoire informatique 1020 fonctionnellement en communication avec l’unité de calcul informatique et stockant une base de données stockant des paramètres de géométrie et de nature des électrodes, de la couche piézoélectrique, et du substrat.
A une étape 910, l’unité informatique 1010 récupère dans la base de données 920 des données incluant des paramètres de géométrie et de nature des électrodes, de la couche piézoélectrique, et du substrat.
Ces données incluent en particulier les caractéristiques du matériau considéré pour le substrat : sa nature et, le cas échéant, son orientation cristallographique.
A une étape 920, l’unité informatique calcule une atténuation d’un mode élastique d’électrode dans la couche piézoélectrique à partir des données récupérées à l’étape 910.
A une étape 925, l’unité informatique compare l’atténuation calculée à l’étape 920 à une valeur prédéfinie d’atténuation.
Si l’atténuation du mode élastique d’électrode est plus grande ou égale à la valeur prédéfinie d’atténuation, alors l’unité informatique émet un signal R1 de rejet du substrat, celui-ci n’étant pas apte à permettre au dispositif SAW de mettre en œuvre un mode d’électrode par excitation acousto-électrique.
Si l’atténuation du mode élastique d’électrode est plus petite que la valeur prédéfinie d’atténuation (situation indiquée par « Y »), alors l’unité informatique émet un signal A1 d’acceptation partielle du substrat, celui-ci respectant au moins l’une des conditions nécessaires à son acceptation, qui est ici celle de son aptitude à permettre au dispositif SAW de mettre en œuvre un mode d’électrode par excitation acousto-électrique.
Cette valeur prédéfinie d’atténuation peut être 1 dB/λ, pour les raisons expliquées plus haut.
A une étape 930, l’unité informatique calcule un rapport de célérités entre un mode élastique volumique de cisaillement du substrat sur un mode élastique fondamental de cisaillement de la couche piézoélectrique, à partir des données récupérées.
A une étape 935, l’unité informatique compare le rapport de célérités calculé à l’étape 930 à une valeur prédéterminée de rapport de célérités.
Si le rapport de célérités est plus petit que la valeur prédéterminée de rapport de célérités (situation indiquée par « Y »), alors l’unité informatique émet un signal A2 d’acceptation partielle du substrat, celui-ci respectant au moins l’une des conditions nécessaires à son acceptation, qui est ici celle de son aptitude à atténuer suffisamment le mode de cisaillement fondamental de la couche piézoélectrique pour que le dispositif SAW considéré présente des performances acceptables en termes de pureté de sa réponse en fréquence.
Si le rapport de célérités est plus grand ou égal à la valeur prédéterminée de rapport de célérités, alors l’unité informatique émet un signal R2 de rejet du substrat, celui-ci n’étant pas apte à permettre au dispositif SAW de fonctionner de manière acceptable.
La valeur prédéterminée de rapport de célérités peut être égale à 1, préférablement égale à 0,9 comme expliqué ci-dessus.
A une étape 940, l’unité informatique vérifie si les deux signaux A1 et A2 ont effectivement été émis et, dans ce cas, émet un signal A représentatif d’une acceptation du substrat dans le sens où celui-ci remplit les deux conditions nécessaires pour être considéré comme apte à former un dispositif SAW destiné à fonctionner en mettant en œuvre un mode d’électrode.
Ce procédé d’évaluation d’un substrat permet d’effectuer le choix d’un substrat pour un dispositif SAW destiné à mettre en œuvre un mode d’électrode, sans avoir à passer par une phase chronophage et coûteuse de fabrication d’échantillons de test et de caractérisation de ces derniers du point de vue électro-acoustique, ou permet au moins de cibler le type d’échantillons à produire.
Il est à noter que ces conditions d’acceptation d’un substrat s’appliquent particulièrement aux cas où les électrodes sont faites d’un métal relativement léger, tel que l’aluminium ou un alliage d’aluminium (par exemple un alliage d’aluminium à 2% de cuivre AlCu 2% ), et où la couche piézoélectrique est formée de tantalate de lithium LiTaO 3 ou de niobate de lithium LiNbO 3 , selon la géométrie décrite dans les figures 1 et 2.
La représente la structure obtenue après la réalisation d'un collage moléculaire entre les blocs 16 et la couche isolante 22. Dans ce but, la structure représentée en est appliquée contre la structure représentée en de façon que la face libre 14 de chaque bloc 16 soit mise en contact avec la couche isolante 22.
La représente la structure obtenue après la séparation, pour chaque bloc 16, de la couche semiconductrice 18 du reste de bloc 16 par rupture du bloc 16 au niveau du plan de fragilisation P. On obtient ainsi des couches semiconductrices monocristallines 18 du premier matériau qui reposent sur le support 20 au contact physique de la couche isolante 22 à distance les unes des autres. Le nombre de couches semiconductrices adjacentes 18 dépend notamment des dimensions du support 20. La dimension latérale maximale de chaque couche semiconductrice 18 correspond à la dimension latérale du bloc 16 décrite précédemment, et est par exemple comprise entre 1 mm et 10 mm. Selon un mode de réalisation, le nombre de couches semiconductrices 18 sur le support 20 est compris entre 1 et 4. Selon un mode de réalisation, l'épaisseur de chaque couche semiconductrice 18 est comprise entre 10 nm et 4 µm.
Le procédé peut comprendre un traitement des couches semiconductrices 18 présentes sur le support 20 pour favoriser des étapes ultérieures de croissance par épitaxie sur les couches semiconductrices 18. Le traitement peut comprendre le détourage du pourtour des couches semiconductrices 18 et/ou une gravure du côté des faces supérieures des couches semiconductrices 18 pour retirer des parties des couches semiconductrices 18 dont la qualité cristalline ne serait pas suffisante pour des étapes ultérieures de croissance par épitaxie. Le traitement peut comprendre une étape de planarisation mécanochimique, également appelée gravure mécanochimique ou CMP (sigle anglais pour Chemical-Mechanical Planarization), qui combine généralement gravure chimique et mécanique.
La représente la structure obtenue après la croissance par épitaxie, d'une couche sacrificielle monocristalline 24 en un deuxième matériau sur chaque couche semiconductrice 18, et après la formation, sur chaque couche sacrificielle 24, d'un empilement 26 de couches semiconductrices monocristallines en composés III-V ou II-VI, dans lequel sont formés ultérieurement au moins un composant optoélectronique, de préférence une pluralité de composants optoélectroniques .
Selon un mode de réalisation, les composants optoélectroniques qui sont formés ultérieurement dans chaque empilement 26 correspondent à des photodiodes. Selon un autre mode de réalisation, les composants optoélectroniques qui sont formés ultérieurement dans chaque empilement 26 correspondent à des diodes électroluminescentes. A titre d'exemple, chaque empilement 26 comprend des première et deuxième couches semiconductrices 28 et 30, et une couche active 32 interposée entre les deux couches semiconductrices 28 et 30. La première couche semiconductrice 28 est située du côté de la couche sacrificielle 24, au contact physique de la couche sacrificielle 24, et la deuxième couche semiconductrice 30 comprend une face libre 34. Les couches semiconductrices 28 et 30 sont des couches d'un troisième matériau semiconducteur, qui peut être identique au premier matériau.
Selon un mode de réalisation, l'épaisseur totale du chaque empilement 26 est comprise entre 50 nm et 3 µm.
La couche active 32 est la région depuis laquelle est captée la majorité du rayonnement électromagnétique reçu par les composants optoélectroniques formés dans l'empilement 26 ou est émise la majorité du rayonnement électromagnétique fourni par les composants optoélectroniques formés dans l'empilement 26. Selon un mode de réalisation, la couche active 32 peut comporter des moyens de confinement, tels qu'un puits quantique unique ou des puits quantiques multiples. Selon un mode de réalisation, la couche active 32 forme un puits quantique unique. La couche active 32 est alors composée d'une monocouche monocristalline d'un quatrième matériau semiconducteur, par exemple un alliage du composé III-V ou II-VI et d'un troisième élément, notamment le InGaAs, dont la bande interdite est différente du premier matériau semiconducteur dopé. Une structure de puits quantiques multiples comprend un empilement de couches semiconductrices formant une alternance de puits quantiques et de couches barrières.
Le troisième matériau semiconducteur composant les couches semiconductrices 28 et 30 est un composé III-V ou un composé II-VI tel que défini précédemment pour le premier matériau. De préférence, le troisième matériau est identique au premier matériau. Selon un mode de réalisation, l'épaisseur de la couche semiconductrice 28 est comprise entre 50 nm et 500 nm.
Selon un mode de réalisation, le deuxième matériau composant la couche sacrificielle 24 est un composé ternaire ou un composé quaternaire. Le deuxième matériau est différent du premier matériau, du troisième matériau, et du quatrième matériau. Le deuxième matériau est choisi de façon à avoir un paramètre de maille, également appelée constante de maille, proche du paramètre de maille du premier matériau pour permettre la croissance par épitaxie d'un cristal du deuxième matériau depuis un cristal du premier matériau. De préférence, les paramètres de maille des premier et deuxième matériaux sont égaux à 0,1 % prés. Le deuxième matériau est choisi de façon à avoir un paramètre de maille proche du paramètre de maille du troisième matériau pour permettre la croissance par épitaxie d'un cristal du troisième matériau depuis un cristal du deuxième matériau. De préférence, les paramètres de maille des troisième et deuxième matériaux sont égaux à 0,1 % prés.
Le deuxième matériau semiconducteur est un matériau susceptible d'être gravé de façon sélective par rapport au premier matériau, au troisième matériau, et au quatrième matériau. La gravure du deuxième matériau est dite sélective par rapport au premier matériau, troisième et quatrième matériaux lorsque, dans de mêmes conditions de gravure, la vitesse de gravure, également appelée taux de gravure, par exemple exprimé en nm/min, du deuxième matériau est supérieure d'au moins un facteur 200 aux vitesses de gravure du premier, troisième et quatrième matériaux. De préférence, le deuxième matériau semiconducteur est un matériau susceptible d'être gravé par gravure chimique humique de façon sélective par rapport au premier, troisième, et quatrième matériaux. Selon un mode de réalisation, l'épaisseur de la couche sacrificielle 24 est comprise entre 200 nm et 800 nm.
La représente une plaque 40 comprenant plusieurs exemplaires non séparés d'un circuit électronique et recouverte d'une couche de liaison 42. Le nombre d'exemplaires du circuit électroniques de la plaque 40 correspond au nombre d'empilements 26 destinés à être fixés à la plaque 40. La plaque 40 peut notamment être réalisée selon des technologies classiques de fabrication d'une plaque de circuits intégrés à transistors MOS. Le plaque 40 peut comprendre un substrat semiconducteur 44 recouvert d'une structure d'interconnexion 46. La structure d'interconnexion 46 permet notamment de connecter des composants électroniques de la plaque 40, par exemple des transistors MOS, entre eux et à des plots conducteurs en surface de la structure d'interconnexion 46. La structure d'interconnexion 46 comprend un empilement de couches isolantes dans lequel sont disposés des éléments conducteurs, par exemple des pistes conductrices et des vias conducteurs (non représentés en ), situés entre et à travers les couches isolantes de l'empilement. La couche de liaison 42 peut être une couche de d’oxyde de silicium (SiO 2 ).
La représente la structure obtenue après la séparation des empilements 26 des couches semiconductrices 18 pour leur transfert sur la plaque 40. La séparation de chaque empilement 26 de la couche semiconductrice 18 sous-jacente est obtenue par une élimination de la couche sacrificielle 24 interposée entre l'empilement 26 et la couche semiconductrice 18. Selon un mode de réalisation, l'élimination de la couche sacrificielle 24 est réalisée par une gravure sélective de la couche sacrificielle 24, par exemple une gravure chimique humide. Les empilements 26 séparés des couches semiconductrices 18 peuvent être déplacés par l'intermédiaire d'une poignée, non représentée en .
La représente la structure obtenue après la fixation des empilements 26 à la plaque 40. On obtient ainsi des empilements 26 qui reposent sur la plaque 40 au contact physique de la couche de liaison 42 à distance les uns des autres. Selon un mode de réalisation, la fixation des empilements 26 à la couche de liaison 42 peut comprendre une étape de transfert collectif par prélèvement et report (Micro transfer printing en anglais).