Procédé de fabrication d’une couche de pérovskite (100) à multi-cations, en vue de former une couche photo-active, le procédé comprenant les étapes de : a) fourniture d’un substrat (1) présentant une face de dépôt (2), b) dépôt d’une solution précurseur comprenant au moins un solvant et des précurseurs de la pérovskite de sorte à former un film humide (5) sur la face de dépôt (2), les précurseurs comprenant au moins du CsX, FAY, PbZ 2 , avec X, Y et Z = I, Br, et un additif FACl, les quantités étant déterminées de sorte que le rapport molaire du césium par rapport au plomb est compris entre environ 4% et 22 %, de préférence entre 13% et 20%, que le rapport molaire du FACl par rapport au plomb est compris entre 0,1% et 5%, en particulier entre 0,1% et 2%, et que la couche de pérovskite (100) présente une formule brute du type Cs x FA (1-x+w) Pb(I y Br (1-y) ) 3 avec x compris entre 0,04 et 0,22, y compris entre 0 et 1 et w compris entre 0,001 et 0,05, et c) balayage d’une surface exposée du film humide (5) par un flux d’air sec ou de gaz inerte présentant une vitesse supérieure ou égale à 120 m/s de sorte à cristalliser la couche de pérovskite (100) à multi-cations, le procédé comprenant en outre l’application d’un traitement thermique sur le substrat (1) de sorte que la face de dépôt (2) présente une température allant d’environ 25°C à 80°C au moins pendant l’étape b). Procédé de fabrication selon la revendication précédente dans lequel l’application d’un traitement thermique sur le substrat (1) est réalisée de sorte que la face de dépôt (2) présente une température allant entre environ 30°C et 70°C, et de préférence entre environ 40°C et 60°C. Procédé de fabrication selon l’une des revendications 1 à 2, dans lequel les précurseurs de la couche de pérovskite (100) sont choisis parmi une combinaison de CsX, FAY et PbZ 2 , avec X, Y et Z = I , Br et l’additif FACl. Procédé de fabrication selon l’une des revendications précédentes, dans lequel l’au moins un solvant est choisi parmi le DMF et /ou le DMSO. Procédé de fabrication selon l’une des revendications précédentes, dans lequel la concentration molaire du plomb dans la solution précurseur est comprise entre 0.5 M et 1.7 M. Procédé de fabrication selon l’une des revendications précédentes, dans lequel le seul budget thermique appliqué pendant le procédé de fabrication est fourni par le traitement thermique appliqué au substrat (1) de sorte que la face de dépôt (2) présente une température allant d’environ 25°C à 80°C pendant les étapes b) et c). Procédé de fabrication selon l’une des revendications 1 à 5, dans lequel l’étape c) d’application du flux de gaz inerte ou d’air sec est suivie d’une étape d) d’application d’un recuit thermique réalisé à une température comprise entre 70°C et 100°C. Procédé de fabrication selon l’une des revendications 1 à 7, dans lequel, l’étape c) de balayage par un flux de gaz inerte ou d’air sec est réalisée par un déplacement relatif du substrat (1) comprenant le film humide (5) et d’une buse de projection (6), telle qu’une buse de projection d’un couteau à gaz, la buse de projection étant disposée de sorte que la longueur (L) de la trajectoire du flux du gaz inerte ou de l’air sec entre la sortie de la buse de projection (6) et la surface exposée du film humide (5) est comprise entre environ 3,1 millimètres et 6 millimètres, et de préférence entre environ 3.1 millimètres et 4 millimètres. Procédé de fabrication selon la revendication précédente dans lequel la vitesse de déplacement relatif entre le film humide (5) et la buse de projection (6) lors de l’étape c) est comprise entre 1 et 50 mm/s et de préférence entre 5 et 30 mm/s. Procédé de fabrication selon la revendication 8 ou 9, dans lequel l’angle αformé entre le flux de gaz inerte ou d’air sec et le film humide est compris entre 90° et 45°. Procédé de fabrication selon l’une des revendications précédentes, dans lequel l’étape b) de dépôt de la solution précurseur est effectuée par enduction via une filière plate ou via un couchage à lame, de sorte à obtenir un film humide (5) d’une épaisseur constante et d’une concentration homogène. Procédé de fabrication selon l’une des revendications précédentes dans lequel l’étape b) de dépôt de la solution précurseur est réalisée de sorte à obtenir une épaisseur de film humide (5) constante, comprise entre 2 et 16 micromètres préférentiellement entre 2,5 et 8 micromètres et de préférence encore entre 3 et 5 micromètres.