Procédé de fabrication de dispositifs optoélectroniques comprenant la croissance par épitaxie, sur chaque première couche (18) de premières couches d'un premier matériau semiconducteur recouvrant un premier support (20) et espacées les unes des autres, d'une deuxième couche (24) en un deuxième matériau, et la croissance par épitaxie, sur chaque deuxième couche, d'un empilement (26) de couches semiconductrices comprenant une troisième couche (28) au contact physique de la deuxième couche, la séparation de chaque empilement par rapport à la première couche par gravure de la deuxième couche par une gravure sélective à la fois par rapport aux premier et troisième matériaux, et le report des empilements sur un deuxième support (40), chacun des premier et troisième matériaux étant un composé III-V ou II-VI. Procédé selon la revendication 1, comprenant, après l'étape de séparation de chaque empilement (26) par rapport à la première couche (18), la réutilisation du premier support (20) recouvert des premières couches pour la croissance par épitaxie, sur chaque première couche, d'une nouvelle deuxième couche (24) du deuxième matériau semiconducteur, et la croissance par épitaxie sur chaque nouvelle deuxième couche, d'un nouvel empilement (26) de couches semiconductrices. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le deuxième matériau est un composé ternaire ou quaternaire. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la gravure utilisée à l'étape de séparation de chaque empilement (26) par gravure de la deuxième couche (24) est une gravure humide sélective par rapport aux premier et troisième matériaux. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel les paramètres de maille des premier, deuxième, et troisièmes matériaux sont égaux à 0,1 % prés. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel chaque empilement (26) comprend, en outre, au moins une quatrième couche (32) d'un quatrième matériau, et dans lequel la gravure utilisée à l'étape de séparation de chaque empilement (26) par gravure de la deuxième couche (24) est sélective à la fois par rapport aux premier, troisième et quatrième matériaux. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel le deuxième support (40) comprend une plaque comprenant plusieurs exemplaires d'un circuit électronique, chaque circuit électronique étant recouvert d'un empilement (26) parmi les empilements après l'étape de report des empilements sur le deuxième support. Procédé selon la revendication 7, comprenant en outre la découpe de la plaque (40) pour séparer les circuits électroniques recouverts chacun d'un empilement (26) parmi les empilements. Produit intermédiaire comprenant un premier support (20) recouvert de premières couches (18) d'un premier matériau semiconducteur espacées les unes des autres et comprenant, sur chaque première couche, une deuxième couche (24) en un deuxième matériau reliée à la première couche par une relation d'épitaxie, et, sur chaque deuxième couche, un empilement (26) de couches semiconductrices comprenant une troisième couche (28) au contact physique de la deuxième couche et reliée à la deuxième couche par une relation d'épitaxie, chacun des premier et troisième matériaux étant un composé III-V ou II-VI, le deuxième matériau étant adapté à être gravé de façon sélective par rapport aux premier et troisième matériaux. Produit intermédiaire selon la revendication 9, dans lequel chaque empilement (26) comprend, en outre, au moins une quatrième couche (32) d'un quatrième matériau, le deuxième matériau étant adapté à être gravé de façon sélective à la fois par rapport aux premier, troisième et quatrième matériaux.