INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Le procédé selon cet aspect de l’invention permet, lorsque le système de recharge électrique applique une marge de sécurité au courant transmis, d’augmenter la deuxième consigne de courant transmise au système de recharge électrique au-delà du deuxième courant maximal de recharge acceptable par la batterie. Cette augmentation permet de compenser la marge de sécurité du système de recharge électrique et ainsi de positionner le cinquième courant, autrement dit le courant de recharge effectivement reçu par la batterie, au niveau du courant maximal de recharge acceptable par la batterie. Ainsi, le temps de recharge de la batterie est réduit grâce au procédé selon cet aspect de l’invention.
Selon un aspect non limitatif de l’invention, la deuxième consigne de courant de recharge est égale à la première consigne de courant de recharge à laquelle on ajoute un écart de courant, l’écart de courant étant égal à un correcteur intégral du deuxième courant maximal de recharge de la batterie déterminé auquel on soustrait le cinquième courant de recharge aux bornes de la batterie déterminé.
Selon un aspect non limitatif de l’invention, le correcteur intégral comporte une valeur de gain prédéterminé.
Selon un aspect non limitatif de l’invention, Le procédé réitère les étapes de : déterminer un premier courant maximal de recharge que peut fournir le système de recharge électrique ; Déterminer un deuxième courant maximal de recharge de la batterie ; Déterminer un troisième courant maximal d’alimentation électrique de la batterie et du réseau électrique ; Selon cet aspect de l’invention, le procédé comporte les étapes supplémentaires de : Transmettre une troisième consigne de courant de recharge au système de recharge électrique, la troisième consigne de courant de recharge étant égale au troisième courant maximal d’alimentation déterminé auquel on ajoute l’écart de courant ; Charger la batterie au moyen d’un courant égal à la troisième consigne de courant de recharge ; Selon cet aspect de l’invention, le procédé réitère ensuite l’étape de déterminer le cinquième courant de recharge aux bornes de la batterie ; Si ledit cinquième courant de recharge aux bornes de la batterie déterminé est inférieur au deuxième courant maximal de recharge de la batterie déterminé, le procédé réitère l’étape de transmettre, au système de recharge électrique, une deuxième consigne de courant de recharge supérieure à la première consigne de courant de recharge, si le cinquième courant de recharge aux bornes de la batterie déterminé est supérieur d’un pourcentage prédéterminé au deuxième courant maximal de recharge de la batterie déterminé, le procédé comporte une étape complémentaire de transmettre, au système de recharge électrique, une deuxième consigne de courant de recharge égale au troisième courant maximal d’alimentation électrique de la batterie et du réseau électrique, selon cet aspect de l’invention, le procédé réitère ensuite l’étape de charger la batterie au moyen d’un courant égal à la deuxième consigne de courant de recharge.
Selon un aspect non limitatif de l’invention, le pourcentage prédéterminé est égal à 0,5%.
Selon un aspect non limitatif de l’invention, le cinquième courant de recharge aux bornes de la batterie déterminé est égal à une valeur maximale de courant sélectionnée parmi une pluralité de valeurs de courant mesurées aux bornes de la batterie dans une fenêtre de temps prédéterminée.
Selon un aspect non limitatif de l’invention, l’étape de déterminer le cinquième courant de recharge aux bornes de la batterie est réitérée selon une première période prédéterminée comprise entre 10 et 20 millisecondes.
Selon un aspect non limitatif de l’invention, l’étape de transmettre une troisième consigne de courant de recharge est réitérée selon une deuxième période prédéterminée comprise entre 20 et 100 millisecondes. Selon un aspect non limitatif de l’invention, Le dispositif est un véhicule électrique ou hybride ; Le réseau électrique est un réseau de puissance ; La batterie est une batterie de puissance ; et Le système de recharge électrique est une borne de recharge électrique.
représente une cartographie de courants mise en œuvre par le procédé selon l’invention.
Selon un mode de réalisation, le procédé d’extraction biocompatible de composés hydrosolubles d’intérêt nutritionnel à partir d’une culture de microalgues vivantes selon l’invention comprend en outre une étape j. de séchage des composés d’intérêt nutritionnel obtenus à l’étape h. ou i., par lyophilisation, atomisation ou séchage, de préférence par atomisation ou lyophilisation.
De manière préférée selon l’invention, l’étape j. est réalisée par Lyophilisation à une température comprise entre -20 et -80°C et une pression de 5 à 500 µbar ; ou Atomisation dans un flux d’air chaud à une température comprise entre 80°C et 300°C, de préférence entre 90°C à 220°C. : ou Séchage à une température comprise entre 40 et 80°C, ou séchage sous pression.
Par procédés de filtration membranaires sont entendus de préférence la filtration tangentielle ou la filtration frontale.
Par « champs électriques pulsés bipolaires » est entendu un traitement non-thermique sélectif de très courte durée, généralement de quelques microsecondes à quelques millisecondes. Il s’agit d’un champ électrique d’intensité E dont la valeur oscille entre positif et négatif causant des changements de répartition de charge dans la cellule soumise au champ électrique. L’application d’un champ électrique pulsé engendre ainsi l’accumulation de charges sur les surfaces membranaires, et l’augmentation du potentiel transmembranaire de la membrane cellulaire. L’attraction entre les charges de signes opposés accumulées de part et d’autre de la membrane cellulaire provoque une compression de cette dernière, une force élastique tend à s’opposer à cette électrocompression. Lorsque les champs électriques pulsés appliqués dépassent une valeur critique Ecr, la force électrocompressive devient supérieure à la force élastique, on assiste alors à l’apparition de pores au niveau de la membrane cellulaire. L’électroporation est généralement réversible, mais au-delà d’une intensité de champs électriques pulsés élevée, ainsi que pour de longues durées de traitement, on assiste à une intensification de la perméabilisation et une destruction irréversible de la membrane cellulaire. Les paramètres sont variables d’une cellule à l’autre en fonction de sa composition et donc de sa rigidité.
Par « composés d’intérêts nutritionnels » sont entendus des composés de nature hydrosolubles tels que des protéines, vitamines, minéraux, sucres…qui varient en fonction de l’organisme traité.
De manière préférée, les vitamines sont choisies parmi les vitamines A, E, B1, B2, B6, B12, etc.
De manière préférée, les minéraux sont choisis parmi : Na, Ca, K, Mg, P, Fe, Zn, etc.
De manière préférée, les sucres sont choisis parmi : glucose, rhamnose, fucose, ribose, xylose, arabinose, mannose, galactose, etc.
Par « extraction biocompatible » est entendu : extraction non-destructive des cellules permettant de les conserver vivantes après traitement. Ainsi, les microalgues restent vivantes et permettent d’extraire plusieurs fois les composés hydrosolubles visés.
Par « homogénéisation » est entendu selon l’invention le fait d’harmoniser entre eux les différents éléments d’un mélange.
Par « filtration » est entendu un procédé de séparation permettant de séparer les constituants d'un mélange qui possède une phase liquide et une phase solide au travers d’un milieu poreux dont la taille est définie en fonction des éléments à séparer.
Par « filtration membranaire » est entendu ce procédé de séparation physique se déroulant en phase liquide. Cette filtration permet de purifier, fractionner ou concentrer les composés d’intérê dans un solvant au travers d’une membrane.
Par « filtration frontale » est entendu selon l’invention le passage d’un fluide à épurer perpendiculairement à la surface du filtre.
Par « centrifugation » est entendu au sens de l’invention cette technique permettant par l’action de la force centrifuge, de séparer les phases d'un mélange. Ce mélange est entrainé dans un mouvement de rotation très rapide, et les particules les plus lourdes sont alors poussées vers les parois du récipient sous l'action de la force centrifuge, alors que les particules plus légères et les liquides restent en surface (surnageant).
Par « mise en culture des souches de microalgues » est entendu selon l’invention que les microalgues sont mises dans un milieu permettant leur développement et leur multiplication.
Par « séparation des microalgues de leur milieu de culture » est entendu l’action d’isoler totalement ou en partie les microalgues de leur milieu de culture.
Lors de la conférence Transducers & Eurosensors 2007, X.A. Fu et al. ont publié un article intitulé « Nitrogen doped polycristalline 3C-SiC films deposited by LPCVD for MEMS applications » . Dans cet article, les auteurs étudient le dépôt de SiC pour des niveaux de gaz dopants (NH 3 ) variant de 2% à 12% en fraction molaire du précurseur de silicium (Dichlorosilane). Pour obtenir une résistivité en dessous de 20 mohm.cm dans ces conditions, le taux de dopant doit dépasser 5%. Un taux de dopant plus élevé entraine une hausse de la contrainte résiduelle sans pour autant accroitre le gradient de contrainte. Dans cette étude, le dépôt est réalisé à basse température 900°C et basse pression favorisant une croissance cristalline exclusivement selon l’axe (111), mais avec une vitesse de dépôt extrêmement lente de 0,6 µm/h. Un dopage important ne semble pas modifier dans ces conditions l’orientation cristalline de la couche mince déposée, mesurée par analyse de la diffraction de rayons X (DRX).
Dans la publication de H.K.E. Latha et al parue en 2014 dans la revue Mater. Res. Express 1 015902, on étudie les effets d’un fort dopage du 3C-SiC obtenu par CVD en utilisant le méthyltrichlorosilane (MTCS) comme précurseur de silicium et de carbone, et le NH 3 comme agent dopant. Les conditions de dépôt sont de 1040°C à basse pression. La vitesse de croissance du dépôt atteint 5 µm/h environ, bien supérieure au cas précédent, mais toujours très insuffisante pour produire de fortes épaisseurs (plusieurs centaines de microns) de manière économiquement viable. Une influence du niveau dopage sur l’orientation cristalline et la taille de grains est observée dans ces conditions. Un fort niveau de dopage s’accompagne d’un grossissement de la taille des grains et leur axe d’orientation cristalline est modifiée selon l’analyse de diffraction de rayons X (DRX).
La demande de brevet WO 2021/060515 (Tokai Carbon) propose un procédé pour obtenir un substrat P-SiC d’épaisseur comprise entre 500 µm et 6 mm, à une température de dépôt élevée proche de 1500°C. Le temps de dépôt se situe entre 5 h à 15 h, soit des vitesses de dépôt au-delà de 100 µm/h, particulièrement adaptées à une production industrielle. Le dopage du P-SiC est obtenu en ajoutant du diazote dans le mélange. Pour obtenir un substrat suffisamment plan, le brevet propose un procédé qui fait varier la concentration de précurseur de SiC au cours du dépôt, afin de réduire le gradient de taille de grain trop prononcé dans le dépôt. Ce procédé est proposé pour des concentrations massiques d’azote comprises entre 200 ppm (2.8 x 10 19 atm/cm 3 ) et 1000 ppm (1.38 x 10 20 atm/cm 3 ). Au-delà de 1000 ppm, il est noté qu’une concentration excessive d’azote dans le P-SiC génèrerait des défauts importants dans les cristaux et une déformation du substrat.
Ainsi, une concentration importante de dopant azote dans le matériau P-SiC est potentiellement un facteur limitant pour obtenir une bonne planéité, mais elle est souhaitable pour obtenir une faible résistivité électrique. Il faut prendre en compte ces tendances contradictoires lorsque l’on cherche à fabriquer un substrat brut P-SiC par CVD avec une résistivité faible (par exemple < 10 mOhm.cm) et une planéité suffisante pour pouvoir usiner par rectification un wafer P-SiC en enlevant une épaisseur de matière aussi faible que possible. En ce qui concerne la planéité du substrat brut obtenu par CVD, on doit garder à l’esprit que l’enlèvement de matière par rectification d’une surface aussi dure que celle du SiC est un procédé long et couteux, et en plus, toute épaisseur de matière enlevée par rectification correspond à de la matière qui est perdue. En effet, le coût de fabrication du wafer P-SiC doit atteindre un niveau suffisamment bas pour pouvoir servir de substrat combiné avec une couche mince de SiC polycristallin dans des applications d’électronique de puissance.
Selon l’état de la technique industrielle, l’épaisseur nominale du wafer P-SiC fini est 350 µm pour un diamètre nominal de 150 mm. Un produit brut (ébauche brute) plus épais est fabriqué à partir d’un procédé de dépôt CVD sur un substrat de graphite. Pour des raisons économiques, une fois décollée du graphite, l’ébauche en P-SiC ne doit pas dépasser une épaisseur de 1 mm ; on vise typiquement 750 µm et préférentiellement 600 µm, afin d’obtenir un temps du dépôt CVD raisonnable et de réduire l’épaisseur devant être éliminée en rectification et polissage, à respectivement un maximum de 650 µm, typiquement 400 µm, préférentiellement 250 µm.
Le Warp d’un wafer d’épaisseur 350 µm de diamètre six pouces doit être inférieur à 50 µm après rectification et polissage pour être conforme aux standards de la microélectronique. Pour atteindre cet objectif, il faut d’abord préparer par rectification à partir de l’ébauche brute décollée du graphite une ébauche intermédiaire, qui servira ensuite comme point de départ pour préparer, par rectification fine suivie d’un polissage, le wafer de P-SiC sur lequel sera ensuite transférée une couche monocristalline de SiC. La différence entre l’épaisseur initiale de l’ébauche brute et la déformation mesurée sur ladite ébauche brute ne doit pas être inférieure à l’épaisseur de l’ébauche intermédiaire. Cela signifie que le volume de l’ébauche (cylindrique) intermédiaire rectifiée doit être inclus dans le volume de l’ébauche brute (voir ).
Dans la présente invention, les inventeurs ont cherché à optimiser la fabrication d’un substrat SiC brut présentant un fort taux de dopant N typiquement supérieur à 5 x 10 19 atomes/cm 3 , préférentiellement supérieur à 10 20 atomes/cm 3 , pour atteindre typiquement une résistivité du matériau inférieure à 15 mOhm.cm et préférentiellement inférieure à 10 mOhm.cm. La conductivité thermique du matériau devrait être typiquement supérieure à 200 W/mK, mais on préfère une valeur supérieure à 250 W/m/K, malgré un fort taux de dopant N qui peut affecter la conductivité thermique en générant des défauts cristallins supplémentaires nuisibles à la propagation des phonons. On cherche également un substrat qui présente en surface une excellente homogénéité de sa taille de grains, et de préférence un grain fin.
Objets de l’invention Il résulte des travaux menés par les inventeurs de la présente demande qu’une plaque massive de SiC polycristallin (noté ici « P-SiC ») peut être obtenu par un dépôt chimique en phase vapeur (CVD) opérant dans une plage de température allant d’environ 1300 K à environ 1800 K sur un substrat comprenant une surface en graphite. Dans ce procédé, qui forme le premier objet de la présente invention, on introduit dans une enceinte chauffée un mélange de gaz de manière à créer une phase gazeuse comprenant au moins un précurseur gazeux de silicium et/ou de carbone, au moins un gaz dopant comprenant au moins un atome d’azote, et un gaz porteur, ledit mélange de gaz se décomposant sur la surface dudit substrat en graphite pour former une couche de SiC polycristallin sur ladite surface en graphite dudit substrat, et ledit procédé étant caractérisé en ce que la température dans le réacteur est comprise entre 1450 K et 1650 K et la pression partielle totale desdits précurseurs gazeux est inférieure à 350 mbar, et de préférence inférieure à 300 mbar. Ce dépôt se fait sur la surface en graphite d’un substrat comprenant une surface en graphite ; ledit substrat peut être une plaque en graphite. Ce substrat, et plus particulièrement cette plaque en graphite, est avantageusement circulaire, de manière à permettre l’obtention directe d’un disque circulaire en SiC.
Selon un mode de réalisation avantageux, ladite phase gazeuse comprend du trichlorométhylsilane au titre de précurseur de silicium et de carbone, et de préférence ne comprend pas d’autres précurseurs de silicium et/ou de carbone. Ledit gaz dopant est avantageusement sélectionné dans le groupe formé par : NH 3 , N 2 H 4 , N 2 , H 2 NCH 3 .
Ce produit permet de déposer une couche de carbure de silicium polycristallin (P-SiC) qui peut ensuite être séparé de la surface en graphite sur laquelle est a été formée ; on obtient ainsi un disque en P-SiC dont l’épaisseur peut être réduite par rectification, puis polissage des deux faces.
Ainsi on peut produire une plaque en SiC polycristallin, qui représente un autre objet de la présente invention. Cette plaque peut être une ébauche brute, qui peut ensuite subir des étapes de rectification pour devenir une ébauche intermédiaire pour la fabrication d’un substrat en SiC polycristallin apte à recevoir un transfert d’une couche de SiC monocristallin pour former un wafer utilisable pour la fabrication d’un substrat pour le dépôt de circuits intégrés. Ladite plaque, ladite ébauche brute et ladite ébauche intermédiaire représentent d’autres objets de la présente invention, comme cela sera expliqué par la suite. Elles présentent avantageusement une microstructure et une texture cristallographique particulières, comme cela sera expliqué ci-dessous.
Ladite plaque en SiC polycristallin présente une texture cristallographique particulière, qui peut être obtenue pour des caractéristiques de dopage et de conductivité particulières. Ainsi, un deuxième objet de l’invention est une plaque en SiC polycristallin, caractérisée en ce que : (i) son coefficient de texture C 422 est inférieur à 30%, et (ii.a) son coefficient de texture C 220 est supérieur à 60% et de préférence supérieur à 80 %, ou (ii.b) la somme des coefficients de texture C 111 +C 222 +C 511 est supérieure à 70 % ; et de préférence supérieure à 80 %. Avantageusement son coefficient de texture C 422 est inférieur 20 %, de préférence inférieur à 15 %, et de préférence inférieur à 10 %.
Avantageusement, la résistivité électrique de cette plaque en SiC polycristallin est inférieure à 20 mOhm.cm, de préférence inférieure à 15 mOhm.cm, et encore plus préférentiellement inférieure à 10 mOhm.cm, et/ou son taux d’azote est supérieur à 5 x 10 19 atomes/cm 3 , de préférence supérieur à 1 x 10 20 atomes/cm 3 , et encore plus préférentiellement supérieur à 1.5 x 10 20 atomes/cm 3 . De manière habituelle dans le domaine des substrats pour microélectronique, le taux de dopage (en l’occurrence le taux d’azote) peut être déterminé par spectrométrie de masse des ions secondaires (Secondary Ion Mass Spectroscopie, SIMS).
Un mode de réalisation particulièrement préféré de ce deuxième objet de l’invention est une plaque en SiC polycristallin, dopée à l’azote avec un taux d’azote, mesuré par spectroscopie de masse des ions secondaires, supérieur à 5 x 10 19 atomes/cm 3 , ladite plaque présentant une résistivité électrique inférieure à 15 mOhm.cm et une orientation cristalline préférentielle, ladite plaque étant caractérisée en ce que : (i) son coefficient de texture C 422 est inférieur à 20%, et (ii.a) son coefficient de texture C 220 est supérieur à 80%, ou (ii.b) la somme des coefficients de texture C 111 +C 222 +C 511 est supérieur à 80 %.
Ladite plaque en SiC polycristallin possède typiquement la forme d’un disque circulaire. Elle est caractérisée par une bonne planéité, et présente avantageusement soit un diamètre compris entre 140 mm et 165 mm soit un diamètre compris entre 185 mm et 210 mm ; ces deux plages de diamètre comprennent les tailles actuellement habituelles en industrie des semi-conducteurs, à savoir 6 pouces et 8 pouces.
Ladite plaque en SiC polycristallin peut être une ébauche brute issue d’un procédé de dépôt par phase vapeur. Il peut aussi s’agir d’une ébauche intermédiaire pour la fabrication d’un wafer obtenue par rectification d’une telle ébauche brute. Dans un mode de réalisation, la plaque en SiC polycristallin selon l’invention présente une épaisseur inférieure à 550 µm, de préférence inférieure à 500 µm, plus préférentiellement inférieure à 450 µm, et encore plus préférentiellement comprise entre 355 µm et 420 µm ; ce mode de réalisation convient particulièrement pour les plaques d’un diamètre compris entre 140 mm et 165 mm. Dans un autre mode de réalisation, la plaque en SiC polycristallin selon l’invention présente une épaisseur inférieure à 850 µm, de préférence inférieure à 800 µm, plus préférentiellement inférieure à 750 µm, et encore plus préférentiellement comprise entre 510 µm et 650 µm ; ce mode de réalisation convient particulièrement pour des plaques d’un diamètre compris entre185 mm et 210 mm.
Par exemple, les panneaux photovoltaïques sont orientés pendant une fraction de la journée selon une première position pour laisser passer le plus de lumière possible, au détriment de la production électrique. Puis, une fois le besoin d'ensoleillement des plantes satisfait, les panneaux photovoltaïques sont orientés pendant une autre fraction de la journée selon une deuxième position pour maximiser la production électrique.
Toutefois, par exemple si une donnée agro-climatique, par exemple la température locale mesurée au niveau des plantes cultivées est excessive, ou supérieure à une valeur prédéterminée, l'orientation des panneaux photovoltaïques peut être modifiée pour abriter les plantes cultivées du soleil par l’ombre projetée des panneaux photovoltaïques et éviter ainsi un échauffement excessif de celles-ci.
On peut prévoir que le dispositif agrivoltaïque est en outre relié à un ensemble d’au moins une station météorologique, c’est-à-dire aux capteurs agro-climatiques distants.
Par exemple, on peut prévoir une pluralité de stations météorologiques en réseau.
Les données agro-climatiques émises par l’ensemble de stations météorologiques sont reçues par le module d’optimisation.
10 panneau photovoltaïque
20 structure porteuse
21 poteau
30 plantes cultivées
100 dispositif agrivoltaïque
200 serveur
210 module d’optimisation
220 module heuristique
230 module de détermination des besoins physiologiques
Cependant, dans certains cas, il arrive que le cristallin soit entièrement détruit, ou que les fibres de suspension maintenant le cristallin soient rompues : il s’agit d’une rupture capsulaire ou d’une désinsertion zonulaire. Dans ces cas, il n’est plus possible d’utiliser le sac capsulaire pour y disposer un implant intraoculaire.
Les acteurs de ce domaine ont proposé plusieurs solutions pour répondre à cette situation, telles que par exemple des lunettes d’aphaque, des lentilles de contact, des implants de chambre antérieure, des implants de sulcus, des implants suturés, des implants clippés à l’iris, ou encore des implants ancrés à la sclère. Cependant, ces solutions sont soit complexes à implanter, soit fragiles, soit insuffisantes sur le plan de la correction optique, ou encore difficile à gérer sur le plan du stock. De plus, certaines des solutions sont astigmatogènes car elles nécessitent de pratiquer une large incision qui est refermée par des points de suture.
Un but de la présente invention est de remédier à au moins un des inconvénients de l’état de la technique.
Un autre but de l’invention est de proposer une solution moins fragile, plus simple à implanter, plus efficace sur le plan de la correction optique et permettant une gestion plus simple de stock, comparée aux solutions connues.
L’invention propose d’atteindre au moins l’un des buts précités par un dispositif intraoculaire, prévu pour être implanté dans un œil d’une personne, en particulier en lieu et place d’un cristallin dudit œil, ledit dispositif comprenant: un corps définissant un logement pour recevoir un implant intraoculaire, et au moins un moyen d’attache dudit corps audit œil.