INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
À l'étape 1230, le au moins un processeur peut déterminer un deuxième ensemble d'attributs associés à l'individu particulier. L'approche identique ou similaire à celle discutée peut être utilisée, telle que l'utilisation de modèles prédictifs (par exemple, un ou plusieurs réseaux bayésienss, modèles d'analyse de composantes principales (ACP), arbres de décision, classificateur de forêt aléatoires, classificateurs binaires, classificateurs multiclasse, classificateurs linéaires, réseau neuronaauxs, réseau neuronal profond, machine vectorielle de support, modèles de Markov cachés, modèle de voisin le plus proche, modèle de régression, modèle de concentration, modèle aberrant, modèle de classification, modèle d'ajustement des moindres carrés, modèle de séries temporelles, et/ou tout autre modèle d'apprentissage automatique ou d’apprentissage non automatique).
À l'étape 1240, le au moins un processeur peut générer, en utilisant la pluralité de poids d'échantillon, une pluralité de poids personnalisés associés au premier ensemble d'attributs et au second ensemble d'attributs. La pluralité des poids personnalisés peut être déterminée et reçue de la même manière ou d'une manière similaire à celle décrite ci-dessus (p. ex., en fonction de la confiance, de l'information associée à la personne, aux pairs ou aux groupes, ou de toute autre donnée).
Le remplacement de la phase gazeuse est effectué via une installation de gestion de gaz 110 reliée à la cuve 1.
L’installation de gestion de gaz 110 comprend : une ligne d’alimentation 40 reliée à une source de gaz 41 et à un compresseur 50 et débouchant dans l’espace intermédiaire 30. La source de gaz 41 comporte un réservoir de gaz rempli d’une dite espèce principale ou un générateur de gaz apte à générer une dite espèce principale, par exemple le dioxyde de carbone. une ligne d’aspiration 42 reliée à une pompe à vide 43 et débouchant dans l’espace intermédiaire 30.
L’installation de gestion de gaz 110 peut comprendre en outre différents éléments permettant de paramétrer et de surveiller l’injection et l’aspiration de gaz. Par exemple l’installation de gestion de gaz 110 comprend un ou plusieurs appareils choisis parmi : un analyseur de gaz 44 extrait de l’espace secondaire par la ligne d’aspiration 42, un débitmètre d’entrée de gaz 46 et/ou de sorti de gaz 45, une unité de commande 47, un capteur de pression 48 situé dans l’espace intermédiaire 30, un capteur de température 49 situé dans l’espace intermédiaire 30.
Ainsi, la phase gazeuse est remplacée en réalisant une aspiration de la phase gazeuse de l’espace intermédiaire 30 via la ligne d’aspiration 42 durant laquelle la pompe à vide 43 est activée, et une injection dans laquelle la ou chaque espèce chimique principale est injectée en phase gazeuse depuis la source de gaz 41 jusque dans l’espace intermédiaire 30.
De manière optionnelle, cette opération de remplacement peut être réalisée de manière répétée jusqu’à ce que la phase gazeuse présente les paramètres souhaités.
Dans un premier exemple, la source de gaz est une source de CO 2 . Dans un second exemple, la source de gaz est une source de trans-1,3,3,3-Tetrafluoropropene.
La pompe à vide 43 est ensuite activée afin d’abaisser la pression jusqu’à une pression absolue inférieure au point triple de ladite ou chaque espèce chimique principale.
Dans un premier exemple, le point triple du dioxyde de carbone se situe à 519 kPa à 217K. Ainsi, pour le dioxyde de carbone, la pression sera abaissée jusqu’à une pression absolue inférieure à 519 kPa.
Dans un deuxième exemple, le point triple du trans-1,3,3,3-Tetrafluoropropene se situe à 0,22 kPa à 168 K. Ainsi, pour le trans-1,3,3,3-Tetrafluoropropene, la pression sera abaissée jusqu’à une pression absolue inférieure à 0,22 kPa.
Ensuite, l’espace interne 51 de la cuve 1 est rempli de gaz liquéfié, par exemple d’hydrogène liquide. Ainsi, la température de l’espace intermédiaire va diminuer par transfert thermique. La température de ladite ou chaque espèce chimique principale de la phase gazeuse va diminuer et ladite ou chaque espèce chimique principale va condenser directement en phase solide, sans passer par l’état liquide. Ce phénomène va donc permettre de diminuer davantage la pression de l’espace intermédiaire.
Un tel procédé décrit ci-dessus peut être appliqué de manière analogue à la cuve 111 autoporteuse, illustrée sur la et à d’autre cuve présentant un espace intermédiaire et destinée à contenir du gaz liquéfié.
On décrit ci-après un tableau de comparaison des espèces chimiques principales, diazote (N 2 ), dioxyde de carbone (CO 2 ) et trans-1,3,3,3-Tetrafluoropropene (R1234ze(E)) :
[Tableau 1] : Espèce T triple (K) P triple (kPa) Psat à 126K (kPa) Psat à 303K (kPa) R= Psat(N 2 )/Psat à 126K N 2 63 1,25x10 1 3,40x10 3 N/A (supercritique) 1 CO 2 217 5,19x10 2 1,40x10 -2 7,20x10 3 242857 R1234ze(E) 168 2,20x10 -1 5,80x10 2 >15455
La deuxième colonne correspond à la température en Kelvin (K) du point triple de l’espèce principale indiquée dans la colonne de gauche.
La troisième colonne correspond à la pression en kilo Pascal (kPa) du point triple de l’espèce principale indiquée dans la colonne de gauche.
La quatrième et la cinquième colonnes correspondent à la pression saturante (Psat), respectivement à 126 K et à 303 K de l’espèce principale indiquée dans la première colonne de gauche.
On connaît déjà une prise électrique telle que précitée du document FR2967830 appartenant aux demanderesses. Un inconvénient de la prise électrique décrite dans ce document réside dans le fait que le montant central bloqué dans la position axiale haute, lorsqu’il est dans la position angulaire de verrouillage, ne peut être débloqué pour pouvoir enfoncer le piston sans le faire d’abord pivoter depuis sa position angulaire de verrouillage vers sa position angulaire de coulissement axial.
Dès lors, un choc frontal ou un appui fort sur le piston lorsque le montant central est verrouillé en position haute risque d’endommager ledit montant central car il ne peut pas coulisser vers l’arrière et risque de déformer le fond du puits.
Afin de remédier à cet inconvénient, la présente invention propose une prise électrique telle que définie en introduction dans laquelle le blocage du montant central en position axiale haute est débrayable en cas de choc frontal intervenant sur le piston.
Plus particulièrement, on propose selon l’invention une prise électrique dans laquelle il est prévu, au moins sur l’une desdites parties arrière du montant central et avant de la paroi de fond, une surface inclinée de sorte que lesdites parties arrière et avant sont adaptées à glisser l’une sur l’autre pour faire passer le montant central de sa position angulaire de verrouillage à sa position angulaire de coulissement lorsque le piston reçoit une force de déplacement dirigée vers la paroi de fond du puits.
Ainsi, lorsqu’un choc intervient sur la face avant du piston de la prise électrique conforme à l’invention, la coopération de la partie arrière du montant central et de la partie avant de la paroi de fond du puits de la prise électrique autorise le recul du montant central et du piston dans le puits ce qui réduit considérablement le risque de casse du montant central.
D’autres caractéristiques non limitatives et avantageuses de la prise électrique conforme à l’invention, prises individuellement ou selon toutes les combinaisons techniquement possibles, sont les suivantes :
- elle comporte un obturateur monté à une extrémité avant du montant central, cet obturateur étant adapté à tourner librement par rapport au montant central entre une position d'obturation desdits orifices du piston et une position d'ouverture desdits orifices ;
- l'obturateur est logé à l'arrière du piston, dans une cassette ;
- ladite surface inclinée fait un angle non nul avec un plan perpendiculaire à l’axe du puits, ladite surface inclinée s’éloignant du piston dans le sens de pivotement du montant central depuis sa position angulaire de verrouillage vers sa position angulaire de coulissement ;
- ladite partie arrière du montant central comporte une surface plane perpendiculaire à l’axe longitudinal du montant central ;
- le montant central comporte au moins une nervure longitudinale s'étendant en saillie de sa face externe et dont une face d’extrémité arrière forme ladite partie arrière du montant central ;
- une partie de la prise située à l’avant du montant central comporte au moins une rampe inclinée vers l’arrière et ledit montant central comporte au moins une partie avant adaptée à glisser sur ladite rampe pour passer de sa position angulaire de coulissement à sa position angulaire de verrouillage ;
- chaque rampe est prévue sur la face arrière d’une paroi de fond de la cassette ;
- ladite nervure longitudinale comporte une face d’extrémité avant qui forme ladite partie avant du montant central ;
- chaque rampe inclinée s’étend selon une pente inférieure à la pente selon laquelle s’étend ladite surface inclinée de l’une des parties arrière du montant central et avant de la paroi de fond du puits ;
- ledit montant central est lié en rotation à l'obturateur dans sa position angulaire de verrouillage ;
Dans le cadre de la présente invention, et sauf indication contraire, le terme « procédé réalisé en conditions aseptiques » se réfère à un procédé réalisé dans des conditions exemptes de tout germe et/ou microorganisme.
Dans le cadre de la présente invention, et sauf indication contraire, le terme « procédé réalisé en conditions stériles » se réfère à un procédé réalisé dans des conditions exemptes de tout germe et/ou microorganisme susceptible d’être délétère au microorganisme apte à transformer un substrat en composé de formule (I) utilisé dans le cadre du procédé de la présente invention.
Dans le cadre de la présente invention, et sauf indication contraire, l’asepsie ou la stérilisation peut être obtenue par toute méthode, en particulier thermique, chimique, mécanique ou par rayonnement, permettant l’élimination des germes et/ou microorganismes. L’asepsie ou la stérilisation peuvent être réalisées sur les fluides, matières premières, et/ou dispositifs utilisés dans le cadre du procédé selon la présente invention. A titre illustratif on peut citer notamment, les méthodes suivantes : Stérilisation par chaleur sèche ou humide, réalisée par montée en température jusqu’à un température suffisante, suivie d’un maintien de cette température sur une durée suffisante pour l’élimination des germes et/ou microorganismes, à titre illustratif la température peut être de 121°C, puis maintien de cette température de 121°C pendant une durée suffisante permettant l’élimination des germes, Filtration sur membrane ou plusieurs filtrations successives sur membrane, dont le plus petit diamètre de coupure permet l’élimination de tout germe et/ou microorganisme
Dans le cadre de la présente invention, et sauf indication contraire, le terme « réacteur » fait référence à un récipient apte à la réalisation de réactions chimiques. Dans le cadre de la présente invention, le réacteur peut être utilisé après avoir été aseptisé ou stérilisé ou sans aseptisation ou stérilisation.
Dans le cadre de la présente invention, et sauf indication contraire, le terme « fermenteur » fait référence à un réacteur apte à la réalisation de fermentations. Dans le cadre de la présente invention, le fermenteur peut être utilisé après avoir été aseptisé ou stérilisé ou sans aseptisation ou stérilisation.
Dans le cadre de la présente invention et sauf indication contraire, un composé de formule (I) obtenu par un procédé de bioconversion peut être qualifié de composé de formule (I) naturel.
Dans le cadre de la présente invention et sauf indication contraire, une frambinone obtenue par un procédé de bioconversion peut être qualifiée de frambinone naturelle.
Dans le cadre de la présente invention et sauf indication contraire, une vanilline obtenue par un procédé de bioconversion peut être qualifiée de vanilline naturelle.
Un premier aspect de la présente invention se réfère à un procédé de préparation d’un composé de formule (I) comprenant une étape (a) dans laquelle un substrat est transformé en composé de formule (I) par bioconversion en présence d’un microorganisme caractérisé en ce que l’étape (a) est réalisée dans des conditions non stériles.
Dans le cadre de la présente invention, un composé de formule (I) présente la formule suivante :
R, identique ou différent, est choisi dans le groupe constitué de OH, OR 1 , formyle, CO 2 H, les chaines alkyles linéaires ou branchées, optionnellement substituées, comprenant entre 1 et 6 atomes de carbone, alcényles, linéaires ou branchées, optionnellement substituées, comprenant entre 1 et 6 atomes de carbone.
Selon un mode de réalisation particulier, R est choisi dans le groupe constitué de formyle -CHO, OH, OMe, OEt, OPr, OBu, méthyle, éthyle, -(CH 2 ) 2 -C(O)-CH 3 , -CH=CH-C(O)-CH 3 , -CH=CH-CO 2 H, -CO 2 H, -CH 2 -OH.
Selon un mode de réalisation particulier, le composé de formule (I) est choisi parmi vanilline et frambinone.
Dans le cadre de la présente invention, le microorganisme peut être n'importe quel micro-organisme capable de former le composé de formule (I) par bioconversion d'un substrat approprié. Le microorganisme, en particulier bactérie ou fungus, peut être un microorganisme sauvage, modifié génétiquement par biologie moléculaire, muté, par mutagénèse aléatoire ou dirigée.
De préférence le microorganisme est choisi parmi les bactéries appartenant à l’ordre des Actinomycetales , Caulobacterales ou Pseudomonadales, de préférence appartenant à la famille des Streptomycetacae , Pseudonocardiacae , Micrococcaceae, Caulobacteraceae, ou Pseudomonadaceae, très préférentiellement Streptomyces setonii, Amycolatopsis sp. Streptomyces psammoticus, Amycolatopsis thermoflava, Micrococcus sp, Caulobacter segnis, Pseudomonasfluorescens. ou leurs mutants, encore plus préférentiellement Streptomyces setonii, Amycolatopsis sp. Streptomyces psammoticus . De manière préférée la réaction de bioconversion est conduite en présence d’une souche disponible sous le numéro ATCC39116, DSMZ 9991, DSMZ 9992, CCTCC 2015329, CCTCC 2011265, IMI 390106 ou Zyl 926 ou leurs mutants, préférentiellement ATCC39116, DSMZ 9991, DSMZ 9992, CCTCC 2015329, IMI 390106 ou Zyl 926 ou leurs mutants et très préférentiellement ATCC39116, DSMZ 9991, DSMZ 9992, CCTCC 2015329, IMI 390106 ou Zyl 926. Selon un autre mode de réalisation le microorganisme peut être choisi parmi les microorganismes génétiquement modifiés appartenant à la famille Saccharomyces cerevisiae , Schizosaccharomyces pombe , E.coli , Corynebacterium glutamicul .
Selon un mode de réalisation, le circuit générateur de tension indépendante de la température est configuré pour générer une tension constante avec la température sur un nœud de base et dans lequel le pont résistif diviseur de tension comporte un premier élément résistif couplé entre le nœud de base et un nœud de référence et un deuxième élément résistif couplé entre le nœud de référence et une borne de masse.
Selon un mode de réalisation, le pont résistif diviseur de tension est apte à modifier le rapport des valeurs résistives des éléments résistifs en conservant une valeur résistive totale des éléments résistifs en série, de façon commandée par un signal de contrôle.
Le rapport des valeurs résistives des éléments résistifs permet d’obtenir la tension de référence voulue, c’est-à-dire la tension correspondant à un seuil de température adapté à une application donnée du circuit intégré.
Selon un mode de réalisation, le circuit générateur de tension indépendante de la température comprend un premier transistor bipolaire ayant une base couplée sur le nœud de base, un émetteur couplé à un nœud intermédiaire d’un circuit résistif d’ajustement de la tension constante, et un collecteur couplé à une première branche.
Le circuit générateur de tension indépendante de la température comprend, en outre, un deuxième transistor bipolaire ayant une base couplée sur le nœud de base, un émetteur couplé au nœud intermédiaire du circuit résistif d’ajustement de la tension constante, et un collecteur couplé à une deuxième branche.
Le circuit générateur de tension indépendante de la température comprend également un circuit générateur de courant configuré pour générer un premier courant dans la première branche et un deuxième courant dans la deuxième branche, le premier transistor bipolaire, le deuxième transistor bipolaire, et le circuit résistif d’ajustement de la tension constante étant configurés conjointement pour générer la tension proportionnelle à la température absolue entre le nœud intermédiaire et la borne de masse, et pour générer la tension complémentaire à la température absolue entre le nœud de base et le nœud intermédiaire.
Un tel circuit générateur de tension indépendante de la température, usuellement désigné par les termes anglais « band-gap structure », permet de produire toutes les tensions utiles pour réaliser une détection du seuil de température, notamment la tension proportionnelle à la température absolue et la tension constante avec la température à partir de laquelle est obtenue la tension de référence.
Selon un mode de réalisation, le circuit générateur de courant comprend un amplificateur ayant une première entrée couplée sur la première branche et une deuxième entrée couplée sur la deuxième branche, l‘amplificateur étant configuré pour générer un signal de commande sur le nœud de base adapté pour commander un asservissement de l’intensité des courants s’écoulant dans la première branche et dans la deuxième branche, par le premier transistor bipolaire et le deuxième transistor bipolaire.
Par « asservissement de l’intensité des courants », on entend qu’à partir du signal de commande généré sur les bases de deux transistors bipolaires possédant des superficies différentes, on ajuste simultanément la conductivité dans les deux branches respectives en fonction de la différence d’intensité des courants dans ces branches. En effet, par exemple, pour une même tension base-émetteur des transistors bipolaires, le transistor bipolaire ayant la plus grande superficie est capable d’augmenter l’intensité du courant circulant dans sa branche plus amplement que l’autre transistor bipolaire, jusqu’à l’obtention d’un courant identique dans les deux branches.
Selon un mode de réalisation, le circuit générateur courant comprend un montage miroir de courant configuré pour générer ledit premier courant dans la première branche et ledit deuxième courant dans la deuxième branche.
Un montage miroir de courant, classique et connu en soi, permet de dupliquer le courant s’écoulant dans la première branche pour générer un courant de même intensité dans la deuxième branche.
Selon un mode de réalisation, le circuit de génération de courant comprend un premier transistor MOS ayant des bornes de conduction couplées sur la première branche entre le miroir de courant et le collecteur du premier transistor bipolaire et une borne de commande couplée à un nœud de la deuxième branche, et un deuxième transistor MOS ayant des bornes de conduction couplées sur la deuxième branche entre le nœud de la deuxième branche et le collecteur du deuxième transistor bipolaire et une borne de commande couplée au nœud de la deuxième branche.
Le circuit de génération de courant comprend également un troisième transistor MOS ayant des bornes de conduction respectivement couplées à une borne de tension d’alimentation et au nœud de base et une borne de commande couplée au nœud de la deuxième branche.
D’une part, le premier transistor MOS permet de réduire l’influence des variations de la tension d’alimentation sur la tension constante avec la température, et donc sur la tension de référence.
D’autre part, le deuxième transistor MOS permet de réduire l’influence de l’effet d’Early lié au fonctionnement des transistors bipolaires sur le courant de la deuxième branche. Le courant de la deuxième branche devient donc indépendant de la tension collecteur-émetteur du deuxième transistor bipolaire. De même, cela permet aussi que le courant dupliqué dans la première branche devienne indépendant de la tension collecteur-émetteur du premier transistor bipolaire.
Enfin, le troisième transistor MOS permet de fournir suffisamment de courant sur le nœud de base pour alimenter le pont résistif diviseur de tension. En outre, le troisième transistor MOS permet de produire un asservissement du courant dans les branches par commande sur les bases des transistors bipolaires, de manière comparable au signal de commande défini précédemment.
Le dispositif de préhension selon l’invention sera décrit ci-dessous en référence aux figures 1 à 4. Le dispositif (1) est destiné à être inséré dans une cavité (34) située sur une face supérieure (32) de l’objet (31) à soulever. Le dispositif est utilisé de manière avantageuse pour soulever un module d’éléments (31) électrochimiques, par exemple de type lithium-ion, mais il est entendu qu’il peut être utilisé pour soulever tout objet, tant que la forme et les dimensions du manchon correspondent à celles de la cavité de cet objet.
La cavité du module peut se situer sur un composant servant de support commun aux éléments électrochimiques (31). Ce peut être un alésage (34) pratiqué à travers la section transversale d’une poutre servant de support aux éléments. La section transversale de la tige du dispositif de préhension et la section transversale de la cavité sont de préférence circulaires. La paroi de la cavité est de préférence lisse. Par le terme « lisse », on entend une paroi dépourvue d’encoches, de filetage, de moyen d’encliquetage, de stries ou de moyen d’accrochage de la tige du dispositif de préhension dans la cavité.
La tige (2) du dispositif peut être constituée d’une seule pièce présentant ou non des portions de diamètres différents. Elle peut aussi être constituée par l’emboitement de deux pièces (2.1, 2.2) ou de davantage de pièces, présentant des diamètres identiques ou différents. Dans un mode de réalisation, la tige est constituée de l’emboitement de deux pièces (2.1, 2.2) de diamètres différents. La tige comprend à l’une de ses extrémités une première butée (3) et à l’extrémité opposée une seconde butée (4). L’extrémité du dispositif comprenant la première butée est introduite en premier dans la cavité (34) de l’objet à soulever. La première butée peut être constituée d’un renflement de l’extrémité de la tige. De préférence, le renflement présente une forme oblongue pour faciliter l’insertion du dispositif dans la cavité.
L’une des extrémités (6) du manchon (5) prend appui sur ce renflement (3). Le manchon est de préférence cylindrique. Le diamètre externe du manchon est adapté au diamètre de la cavité et est tel qu’il permet au manchon d’entrer dans la cavité de l’objet avant compression du manchon dans sa direction longitudinale. Le diamètre extérieur du manchon est légèrement inférieur au diamètre de la cavité. Il ne doit pas être trop petit par rapport au diamètre de la cavité au risque de créer une force de friction insuffisante avec la cavité de l’objet à soulever. Il ne doit pas être trop proche du diamètre de la cavité au risque de provoquer une résistance à l’introduction de l’outil dans la cavité. Le diamètre du manchon est de préférence égal au diamètre du renflement dans sa partie la plus évasée.
Une première pièce de pression (8) est placée sur l’extrémité du manchon (7) opposée à celle (6) en contact avec le renflement (3). Elle est mobile sur la tige (2.1). Son déplacement en direction de la première butée (3) permet d’appliquer une force de compression sur le manchon selon son axe longitudinal car celui-ci est pris en étau entre la première butée (3) et la première pièce de pression (8). La compression exercée par la première pièce de pression (8) entraine une réduction de la longueur du manchon (7) et son expansion dans la direction radiale dans la cavité de l’objet. L’expansion du manchon dans la direction radiale crée une force de friction dirigée radialement dans la cavité. La force de friction entre le manchon et la cavité est supérieure au poids de l’objet, ce qui permet de soulever l’objet et de le maintenir dans sa position soulevée.