INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
la illustre en perspective un dispositif de collecte de pertes fluidiques selon un exemple de réalisation de l’invention ; la représente le dispositif de la , respectivement de profils gauche et droit (figures 2A et 2B), de dessus (figure 2C), de dessous (figure 2D), de devant (figure 2E) et de derrière (figure 2F) ; et la représente le dispositif des figures 1 et 2 avec un récipient de quantification à y raccorder.
Le premier module 1 comprend une paroi latérale gauche 13 et une paroi latérale droite 12 , ces deux parois délimitant le bac le long d'une direction transversale Y , perpendiculaire à X .
Au sommet des parois verticales latérales gauche et droite, i.e. sur les rives supérieures, il est prévu des anneaux de levage 41 , 42 , 43 , 44 .
Plus précisément, la paroi latérale droite 12 est délimitée par une bordure supérieure aux extrémités de laquelle sont attachés respectivement un premier anneau de levage 41 et un deuxième anneau de levage 42 . La même configuration se retrouve sur la bordure supérieure de la paroi latérale gauche 13 .
On peut ainsi lever de manière très fiable et sécurisée le premier module 1 au moins au moyen d'une configuration à quatre points d'attache comme connu en soi.
Les dimensions du premier module 1 sont dans l’exemple illustré : hauteur H1 , petite largeur selon X : L0 , grande largeur selon Y : L1 .
H1 est compris entre 2 m et 5 m. De préférence H1 peut être compris entre 3 m et 4,5 m.
L1 est compris entre 4 m et 7 m. De préférence L1 peut être compris entre 5 m et 6 m.
L0 est compris entre 2,5 m et 4m.
Le volume circonscrit est compris entre 25 m3 et 50 m3.
Le premier module 1 est circonscrit dans un parallélépipède ayant sa plus petite dimension formée par la petite largeur L0 .
Généralement, L0 est choisi inférieur à 4 mètres, de manière à pouvoir transporter le module par un transport routier.
Selon certaines réalisations, L0 est choisi inférieur à 3 mètre. Cela convient pour des convois spéciaux à signalisation et contrainte légères ou modérées.
Selon d’autres réalisations, L0 est choisi inférieur à 2,5 mètre. Cela convient pour des convois routiers standard sans contrainte particulière de trajet.
On note que L0 est la plus petite dimension de chacun desdits modules. Si on circonscrit le module dans un parallélépipède, L0 est la plus petite dimension du parallélépipède.
La paroi frontale 11 comprend un évidement d'accès noté 7 .
La hauteur H7 de l'évidement peut typiquement être comprise entre 75 centimètres et 125 cm.
illustre, selon une vue schématique en perspective de dessous, le couvercle de l'appareil de cuisson d'aliments des figures précédentes.
Comme illustré aux figures, l'invention concerne un appareil 1 de cuisson d'aliments, destiné à assurer la cuisson de différents aliments en présence de vapeur, et par exemple de vapeur d'eau. Ladite vapeur est générée par le chauffage, au sein de l'appareil 1 et en présence des aliments, d'un liquide de cuisson, par exemple un liquide aqueux, qui contient par exemple au moins 50% en poids d’eau.
Le terme « vapeur » doit ici être pris dans une acception extensive et désigne ainsi indifféremment : - une substance (de préférence aqueuse) à l'état gazeux, ou - ladite substance (de préférence aqueuse) à l'état liquide sous la forme d'un brouillard de gouttelettes et/ou de microgouttelettes, ou - un mélange de ladite substance (de préférence aqueuse) à l'état gazeux et de ladite substance (de préférence aqueuse) à l'état liquide sous la forme d'un brouillard de gouttelettes et/ou de microgouttelettes.
En d'autres termes, l'expression « vapeur d' eau » n’est pas ici limitée à sa définition strictement scientifique et recouvre l'eau à l'état gazeux, les particules d'eau liquide en suspension dans l'air, ou un mélange d'eau à l'état gazeux et de particules d'eau liquide (gouttelettes et/ou microgouttelettes) en suspension dans l'air.
L'appareil 1 est préférentiellement destiné à un usage domestique, étant entendu toutefois que l'invention peut également concerner les appareils professionnels ou semi-professionnels. L'appareil 1 est conçu pour être chauffé par une source de chauffe qui est de préférence externe, c'est-à-dire qui ne fait pas partie de l'appareil 1. L'appareil 1 est par exemple destiné à être disposé sur une plaque de cuisson indépendante pour chauffer son contenu.
L'appareil 1 de cuisson d'aliments comprend au moins d'une part un premier couvercle 2 et d'autre part une cuve 3 sur laquelle ledit couvercle 2 est destiné à reposer librement pour former une enceinte de cuisson. Le premier couvercle 2 est ainsi avantageusement distinct et indépendant de la cuve 3, et est conçu pour être associé à la cuve 3, en étant de préférence rapporté sur cette dernière, afin de former ladite enceinte de cuisson. En raison du fait que le premier couvercle 2 repose librement sur la cuve 3, de préférence sans aucun joint d'étanchéité interposé entre le premier couvercle 2 et la cuve 3, l'enceinte de cuisson ne peut pas monter en pression, c'est-à-dire que l'enceinte de cuisson est conçue pour que la pression interne régnant en son sein n'excède sensiblement pas la pression atmosphérique, ou n'excède que légèrement (par exemple d'une valeur comprise entre 1 et 3 kPa) et temporairement la pression atmosphérique. Le premier couvercle 2 est également avantageusement dépourvu de moyen de régulation de pression, du genre soupape de régulation. En d'autres termes, l’enceinte de cuisson constituée par l’association du premier couvercle 2 et de la cuve 3 forme une marmite de cuisson à pression atmosphérique, et de préférence un faitout.
Dans ce cas, l'appareil 1 est dépourvu de moyen de verrouillage du premier couvercle 2 relativement à la cuve 3, de sorte que le premier couvercle 2 peut à tout moment, y compris pendant le cycle de cuisson, être séparé manuellement de la cuve 3.
Avantageusement, l'appareil 1 de cuisson d'aliments comprend, en plus du premier couvercle 2 précité, un deuxième couvercle (non illustré) à associer à la cuve 3 en alternance avec le premier couvercle 2. En d'autres termes, la cuve 3 peut être associée, en fonction du mode de cuisson souhaité, soit avec le premier couvercle 2, soit avec le deuxième couvercle. Lesdits deuxième couvercle et cuve 3 sont avantageusement pourvus de moyens de verrouillage respectifs complémentaires, formant par exemple un système de verrouillage à baïonnette, pour que lesdits deuxième couvercle et cuve 3 forment ensemble une enceinte de cuisson capable de monter en pression. En d'autres termes, l'enceinte de cuisson formée par l'association du deuxième couvercle et de la cuve 3 est une enceinte de cuisson d'aliments sous pression, dont la pression interne peut s'élever jusqu'à un niveau supérieur à la pression atmosphérique, et qui excède par exemple la pression atmosphérique d'une valeur comprise entre 10 et 120 kPa, ou par exemple entre 50 et 100 kPa, ou encore entre 50 et 90 kPa. À cette fin, le deuxième couvercle est avantageusement pourvu d'un joint d'étanchéité destiné à assurer une étanchéité au gaz à l'interface entre le deuxième couvercle et la cuve 3. Le deuxième couvercle est également avantageusement pourvu d'une soupape de régulation de pression, agencée pour maintenir la pression régnant dans l'enceinte de cuisson à une valeur prédéterminée sensiblement constante, dite pression de fonctionnement, laquelle excède la pression atmosphérique d'une valeur qui est comprise par exemple entre 10 et 120 kPa, comme exposé précédemment. Le deuxième couvercle comporte avantageusement d'autres organes de sécurité (par exemple moyen de sécurité à l'ouverture, soupape de sécurité à la surpression…) dont est dépourvu au contraire le premier couvercle 2.
L'appareil 1 peut ainsi être utilisé dans un mode « faitout », dans lequel la cuve 3 est associée librement au premier couvercle 2, ou dans un mode « autocuiseur », dans lequel la même cuve 3 est associée au deuxième couvercle, lequel est verrouillé sur la cuve 3 pour permettre la montée en pression de l'enceinte de cuisson.
La cuve 3 forme un récipient de cuisson destiné à cuire les aliments et présente par exemple une symétrie de révolution selon un axe vertical central X-X', lequel s'étend selon une direction s'apparentant à la direction verticale lorsque l'appareil 1 est en fonctionnement normal, c'est-à-dire repose sur un plan horizontal. Il est cependant tout à fait envisageable, selon une variante alternative non illustrée, que la cuve 3 présente non pas un contour circulaire comme illustré aux figures mais un contour ellipsoïde, ovale, sans pour autant que l'on sorte du cadre de l'invention. Avantageusement, la cuve 3 est fabriquée à partir d'un matériau métallique tel que l'acier inoxydable ou l'aluminium. Elle comprend préférentiellement, comme illustré aux figures, un fond 3A (qui est par exemple un fond thermo-conducteur multicouches) ainsi qu'une paroi latérale annulaire 3B qui s'élève entre le fond 3A (de préférence à partir de la périphérie de ce dernier) et un bord supérieur libre 3C qui prolonge ladite paroi latérale 3B et s'étend latéralement vers l'extérieur de la cuve 3, comme illustré aux figures. La paroi latérale 3B présente avantageusement une première face interne 31B, qui se trouve en regard du volume interne défini par la cuve 3. Le bord supérieur libre 3C de la cuve 3, qui forme la partie terminale supérieure de la cuve 3, s'étend par exemple radialement vers l'extérieur de la cuve 3 pour former au moins une surface annulaire, en forme de collerette, définissant une zone d'appui A sur et contre laquelle est destinée à venir reposer librement le premier couvercle 2. Dans le cas où les moyens de verrouillage respectifs complémentaires de la cuve 3 et du deuxième couvercle forment un système à baïonnettes, des encoches sont ménagées à intervalles réguliers dans le bord supérieur libre 3C, pour que ce dernier forme des rampes de verrouillage espacées les unes des autres (par les encoches en question). Lesdites rampes de verrouillage sont dans ce cas avantageusement destinées à coopérer avec des rampes de verrouillage complémentaires portées par le deuxième couvercle. Le bord supérieur libre 3C présente une deuxième face interne 31C, qui se situe dans le prolongement de la première face interne 31B de la paroi latérale 3B.
Avantageusement, l'appareil 1 est pourvu d'au moins une première poignée de préhension 4 attachée à la cuve 3 pour permettre de manipuler cette dernière. La première poignée de préhension 4 fait ainsi saillie extérieurement de la paroi latérale 3D, sur la face externe de laquelle elle est fixée.
De préférence, l'appareil 1 comprend également une deuxième poignée de préhension 5, elle aussi attachée à la cuve 3, lesdites première et deuxième poignées de préhension 4, 5 étant disposées de façon diamétralement opposée par rapport à l'axe central X-X'.
Conformément à l'invention, au moins l'un desdits cuve 3 et premier couvercle 2 est pourvu d'une pluralité d'excroissances localisées 6A, 6B, 6C, 6D, 6E, 6F, 6G, 6H, 6I, destinées à venir au contact de l'autre desdits cuve 3 et premier couvercle 2, en des zones de contact respectives, lorsque le premier couvercle 2 repose librement sur la cuve 3, pour ménager en dehors desdites zones de contact, de façon permanente et indépendamment du niveau de pression régnant dans l'enceinte, un espace libre circonférentiel E entre lesdits cuve 3 et premier couvercle 2. En d'autres termes, lesdites excroissances localisées 6A, 6B, 6C, 6D, 6E, 6F, 6G, 6H, 6I forment des écarteurs qui permettent de maintenir à distance la cuve 3 et le premier couvercle 2 lorsque ce dernier repose sur la cuve 3 pour former l'enceinte de cuisson. Grâce à cet écartement entre la cuve 3 et le premier couvercle 2 réalisé au moyen des excroissances localisées 6A, 6B, 6C, 6D, 6E, 6F, 6G, 6H, 6I, il existe un passage libre entre la cuve 3 et le premier couvercle 2, qui est formé par ledit espace libre circonférentiel E , et qui assure une mise en communication de l'intérieur de l'enceinte avec l'extérieur. Le caractère circonférentiel de l'espace libre E correspond au fait que l'espace libre E s'étend sensiblement sur tout le pourtour du bord supérieur libre 3C (à l'exception des zones de contact précitées). Ainsi, l'espace libre circonférentiel E s'étend le long du pourtour du bord supérieur libre 3C, de sorte qu'il présente une forme sensiblement annulaire, interrompue localement par les zones de contact précitées au niveau desquelles la pluralité d'excroissances 6A, 6B, 6C, 6D, 6E, 6F, 6G, 6H, 6I assure l'écartement calibré de la cuve 3 et du premier couvercle 2. Le caractère circonférentiel de l’espace libre E favorise un échappement doux et progressif de la vapeur, qui est distribuée sensiblement à 360°. Cela évite les phénomènes d'émission d'un jet de vapeur puissant rencontrés par exemple avec les appareils de l'art antérieur dont le couvercle est muni d'un orifice de fuite.
Comme évoqué précédemment, ledit espace libre circonférentiel E entre lesdits cuve 3 et premier couvercle 2 est ménagé en permanence entre la cuve 3 et le premier couvercle 2, quel que soit le niveau de pression régnant dans l'enceinte. En particulier, la réalisation de l'espace libre circonférentiel E entre les cuve 3 et premier couvercle 2 n'est pas provoquée par un niveau de pression spécifique atteint au sein de l'enceinte. Il n'est notamment pas nécessaire que le couvercle 2 se soulève de la cuve 3 sous l'effet de la pression pour ménager ledit espace libre circonférentiel E . L'espace libre circonférentiel E ainsi ménagé entre les cuve 3 et premier couvercle 2 permet un échappement de vapeur V de l'intérieur de l'enceinte vers l'extérieur. Ainsi, la vapeur V peut s'échapper continûment vers l'extérieur, dès le début de sa production au cours du cycle de cuisson, en passant par l'espace libre circonférentiel E ménagé en permanence entre la cuve 3 et le premier couvercle 2. Ceci évite une expulsion brusque de vapeur qui pourrait se produire si par exemple le premier couvercle 2 venait au contact de la cuve 3 sur toute sa circonférence, et non pas seulement en des zones de contact localisées. Dans une telle situation, que l'invention permet précisément d'éviter, la vapeur s'accumulerait au sein de l'enceinte et la pression augmenterait à l'intérieur de cette dernière progressivement jusqu'à surmonter le poids du couvercle, ce dernier se soulevant alors brièvement pour laisser passer la vapeur ainsi brutalement expulsée. L'expulsion brusque de vapeur est une source d'inconfort, voire d'insécurité pour l'utilisateur. Elle est également de nature à projeter de la vapeur à une distance relativement importante à l'extérieur de l'enceinte, au point que la vapeur pourrait atteindre les poignées 4, 5 et venir se condenser sur ces dernières. Au contraire, selon l'invention, l'espace libre circonférentiel E est ménagé de manière permanente, indépendamment du niveau de pression régnant dans la cuve 3 couverte par le premier couvercle 2, autorisant ainsi une fuite de vapeur continue, douce et à faible vitesse, ce qui permet de limiter l'ensemble des inconvénients précités.
De préférence, ladite pluralité d'excroissances 6A, 6B, 6C, 6D, 6E, 6F, 6G, 6H, 6I est portée par ledit premier couvercle 2, de sorte que lesdites excroissances localisées 6A, 6B, 6C, 6D, 6E, 6F, 6G, 6H, 6I et ledit premier couvercle 2 forment un sous-ensemble unitaire d'un seul tenant, indépendant et distinct de la cuve 3. Il est cependant parfaitement envisageable que ladite pluralité d'excroissances 6A, 6B, 6C, 6D, 6E, 6F, 6G, 6H, 6I soit alternativement portée par la cuve 3, ou même qu’une partie desdites excroissances soit portée par la cuve 3 tandis qu'une autre partie est portée par le premier couvercle 2, sans pour autant que l'on sorte du cadre de l'invention. Le recours à des excroissances 6A, 6B, 6C, 6D, 6E, 6F, 6G, 6H, 6I localisées portées par le premier couvercle 2, comme illustré aux figures, est toutefois préféré, car il permet une fabrication simplifiée et offre la possibilité d'utiliser une même cuve 3 avec des couvercles différents, et par exemple avec le deuxième couvercle de cuisson sous pression évoqué dans ce qui précède.
Conformément à l'invention, ledit espace libre circonférentiel E ménagé entre les cuve 3 et premier couvercle 2 par la pluralité d'excroissances 6A, 6B, 6C, 6D, 6E, 6F, 6G, 6H, 6I localisées comprend au moins une première portion circonférentielle E1 (illustrée en coupe transversale selon un plan radial par la ) dont le volume croît de l'intérieur vers l'extérieur de l'enceinte. Comme visible en particulier sur la , la première portion circonférentielle E1 s'évase de l'intérieur de l'enceinte vers l'extérieur, c'est-à-dire que l'écartement entre la cuve 3 et le premier couvercle 2, qui est réglé par la hauteur de la pluralité d'excroissances localisées 6A, 6B, 6C, 6D, 6E, 6F, 6G, 6H, 6I, augmente de l'intérieur de l'enceinte en direction de l'extérieur.
n est un nombre entier supérieur ou égal à 2, notamment allant de 2 à 8, de préférence égal à 2,
Y est un groupe polyvalent hydrocarboné, notamment aliphatique, ayant une valence de n et comportant de 1 à 150 atomes de carbone :
- dans lequel un ou plusieurs (par exemple 1 à 150, ou encore 1 à 50 ou encore 1 à 15 ou encore 1 ou 2) motifs CH 2 sont éventuellement remplacés par un ou plusieurs motifs divalents choisis parmi les arylènes ; -O- ; -S- ; -S(O)- ; -C(=O)- ; -SO 2 - ; -N(R 1 )- ; et -[SiR 2 R 3 O] m -SiR 2 R 3 - avec :
R 1 représentant un atome d'hydrogène, un groupement hydrocarboné aliphatique comportant de 1 à 6 atomes de carbone, ou un aryl-(C1-C6)alkyle ;
m un nombre entier compris entre 1 et 20 et
les R 2 et les R 3 , identiques ou différents, représentant un atome d'hydrogène ; un atome d'halogène ; un groupement –OR 11 avec R 11 représentant un atome d'hydrogène, un groupement aryle ou un groupe hydrocarboné aliphatique comportant de 1 à 6 atomes de carbone ; un aryle ; ou un groupe hydrocarboné aliphatique comportant de 1 à 6 atomes de carbone éventuellement substitué par un ou plusieurs groupes choisis parmi un atome d’halogène, un aryle ou un hydroxyle,
- ledit groupe polyvalent étant non substitué ou substitué par un ou plusieurs groupes monovalents choisis parmi un atome d'halogène, un hydroxyle, et un aryl-(C1-C6)alkyle, de préférence non substitué.
En particulier n est un nombre entier allant de 2 à 8, de préférence n représente 2, 3 ou 4, encore plus préférentiellement n est égal à 2.
Avantageusement, R 1 représente un atome d’hydrogène ou un groupement (C1-C6)alkyle.
En particulier, les R 2 et les R 3 , identiques ou différents, représentent un groupe hydrocarboné aliphatique comportant de 1 à 6 atomes de carbone, plus particulièrement un groupe (C1-C6)alkyle.
De préférence, dans la définition de Y, le groupe polyvalent hydrocarboné peut-être un groupe polyvalent hydrocarboné aliphatique ou aromatique, de préférence aliphatique et notamment saturé, ayant une valence de n et comportant de 1 à 150 atomes de carbone, préférentiellement de 1 à 50 atomes de carbone, plus préférentiellement de 1 à 20 atomes de carbone, encore plus préférentiellement de 2 à 20 atomes de carbone.
En particulier, dans la définition de Y, le groupe polyvalent hydrocarboné est un groupe polyvalent hydrocarboné aliphatique, saturé, notamment linéaire.
De préférence, Y est un groupe polyvalent hydrocarboné tel que décrit ci-dessus dans lequel un ou plusieurs motifs CH 2 sont éventuellement remplacés par un ou plusieurs motifs divalents choisis parmi -O-, -SO 2 -, -[SiR 2 R 3 O] m -SiR 2 R 3 - et -NH-, avec R 2 , R 3 et m tels que décrits ci-dessus.
En particulier, Y est un groupe polyvalent hydrocarboné tel que décrit ci-dessus, de préférence aliphatique et saturé, et notamment linéaire, ramifié, ou étoilé, et éventuellement dans lequel :
- au moins deux motifs CH 2 sont remplacés par -O-, particulièrement entre 1 et 50 motifs CH 2 , plus particulièrement entre 1 et 15 motifs CH 2 , ou
- au moins un, de préférence un ou deux, motif CH 2 est remplacé par un motif -NH-, ou - au moins un, de préférence un, motif CH 2 est remplacé par un motif -SO 2 -, ou
Comme illustré par les figures 8A à 9C, les sous-substrats support 1 et donneur 2 peuvent être assemblés par la mise en contact par collage direct de leurs surfaces respectives 1a, 2a. Le substrat donneur 2 peut ensuite être aminci, par exemple par clivage par le procédé connu sous le nom de Smart-Cut®.
Suite à l’assemblage du sous-substrat support 1 et du sous-substrat donneur 2, le procédé peut comprendre la séparation d’une couche superficielle du sous-substrat donneur 2, au niveau de la zone de fragilisation 22, comme sur les exemples illustrés en figures 8B et 9B. Cette séparation peut être faite thermiquement ou mécaniquement, selon des étapes connues de la personne du métier.
Suite à la séparation, la surface 3a obtenue peut être irrégulière et endommagée. Un polissage, lissage chimique, guérison chimique et/ou mécanique et/ou thermique et/ou par faisceau ionique à base d'amas d'atomes ou à base de monomères de la surface 3a peut être réalisé, de sorte que la surface 3a présente une qualité cristalline et une rugosité adaptée pour d’autres procédés ultérieurs. Toute méthode de polissage mécano-chimique (CMP, abrégé de l’anglais Chemical Mechanical Polishing ) ou thermique destinée à lisser une surface à base de semi-conducteur et notamment de silicium peut être envisagée.
Selon un exemple, le sous-substrat donneur 2 comprend une couche 20 à base ou faite d’un matériau semi-conducteur, par exemple en silicium et plus particulièrement en silicium monocristallin. Le sous-substrat donneur 2 peut comprendre en outre une couche 21 à base ou faite d’un matériau diélectrique, par exemple en silice SiO 2 .
Selon un exemple pouvant être illustré par les figures 8A et 8B, la couche 21 peut former la couche superficielle du sous-substrat donneur 2. On peut notamment réaliser un collage direct oxyde de semi-conducteur, par exemple oxyde de silicium, contre oxyde de semi-conducteur, par exemple oxyde de silicium. Suite à leur assemblage, la couche 21 et la couche 11 vont former la deuxième couche 31 du substrat 3. Leurs épaisseurs respectives peuvent donc être choisies pour obtenir l’épaisseur L31 voulue. Selon cet exemple, on comprend que la paroi supérieure 322 des vias 32 et le cas échéant la paroi supérieure 352 des rainures 35 peut être formée d’un matériau diélectrique. La paroi supérieure 322 des vias 32 et le cas échéant la paroi supérieure 352 des rainures 35 peut par exemple présenter une épaisseur sensiblement comprise entre 1 nm et 600 nm.
Selon un exemple pouvant être illustré par les figures 9A et 9B, la couche 20 peut former la couche superficielle du sous-substrat donneur 2. On peut réaliser un collage direct oxyde de semi-conducteur, par exemple oxyde de silicium, contre semi-conducteur, et notamment silicium. Suite à leur assemblage, la couche 11 seule va former la deuxième couche 31 du substrat 3. Son épaisseur peut donc être choisie pour obtenir l’épaisseur L 31 voulue. Selon cet exemple, on comprend que la paroi supérieure 322 des vias 32 et le cas échéant la paroi supérieure 352 des rainures 35 peut être formée d’un matériau semi-conducteur.
Selon un exemple pouvant être illustré par la , la couche 20 peut former la couche superficielle du sous-substrat donneur 2. On peut réaliser un collage direct de semi-conducteur ou piézoélectrique contre semi-conducteur, et notamment silicium, lorsque la couche 20 est à base d’un matériau semi-conducteur ou piézoélectrique. On peut réaliser un collage direct d’oxyde de semi-conducteur contre semi-conducteur, et notamment silicium, lorsque la couche 20 est à base d’un matériau diélectrique, et notamment d’un oxyde. Suite à leur assemblage, la couche 20 va former la deuxième couche 31 du substrat 3. Son épaisseur peut donc être choisie pour obtenir l’épaisseur L 31 voulue.
Le procédé de fabrication d’un dispositif microélectronique 4 est maintenant décrit en référence aux figures 10 à 17.