Description détaillée de modes de réalisation Les figures 1A à 1J illustrent schématiquement un exemple de mode de réalisation des étapes du procédé de fabrication d'un transistor à haute mobilité électronique 1 selon la présente invention. Une tranche donneuse 20 est fournie, comme représenté sur la . La tranche donneuse 20 comprend un substrat sacrificiel 200. Sur le dessus du substrat sacrificiel 200 est formé un film donneur 21. Le film donneur 21 comprend une première couche III-N donneuse 201. La première couche III-N donneuse 201 est par exemple formée par croissance épitaxiale sur le dessus du substrat sacrificiel 200. Il est également fourni une tranche cible 10 comprenant un substrat cible 100, comme illustré sur la . Sur la , la tranche donneuse 20 est retournée par rapport à son orientation initiale et par rapport à la tranche cible 10. La tranche donneuse 20 retournée est ensuite abaissée vers la tranche cible 10, comme le montre la . La représente le film donneur 201 collé à la tranche cible 10. La tranche donneuse 20 et la tranche cible 10 sont séparées l'une de l'autre au moyen de la technologie smart-cut le long du plan 40 représenté sur la . La tranche donneuse 20 et la tranche cible 10 sont séparées par division de la première couche III-N donneuse 201 au niveau du plan 40, pour ainsi former sur la tranche cible 10 une couche superficielle supérieure 221 comprenant au moins en partie la première couche III-N donneuse 201 collée sur la tranche cible 10, et former également sur la tranche donneuse 20 une couche superficielle donneuse 222 comprenant au moins en partie la première couche III-N donneuse 201 formée par croissance épitaxiale sur la tranche donneuse 20, comme illustré sur la . L'épaisseur de la couche superficielle supérieure 221 est égale ou inférieure à 200 nm. De plus, la somme de l'épaisseur de la couche superficielle supérieure 221 et de l'épaisseur de la couche superficielle donneuse 222 correspond sensiblement à l'épaisseur de la première couche III-N donneuse 201 formée par croissance épitaxiale sur la tranche donneuse 20. Selon une variante de réalisation, la tranche donneuse 20 et la tranche cible 10 sont séparées à l'interface entre la première couche III-N donneuse 201 et le substrat sacrificiel 200, pour ainsi former sur la tranche cible 10 une couche superficielle supérieure 221 comprenant la première couche III-N donneuse 201 collée sur la tranche cible 10. Dans cette variante de réalisation, l'épaisseur de la couche superficielle supérieure 221 est égale ou inférieure à 200 nm, et correspond sensiblement à l'épaisseur de la première couche III-N donneuse 201 formée par croissance épitaxiale sur la tranche donneuse 20. Le procédé selon la présente invention permet donc d'obtenir la structure semi-conductrice illustrée sur la , avec une couche superficielle supérieure 221 formée sur le substrat cible 100 de la tranche cible 10. La représente l'étape de procédé suivante consistant à former par croissance épitaxiale un empilement 300 de couches semi-conductrices III-N épitaxiales sur le dessus de la couche superficielle supérieure 221, l'empilement 300 de couches semi-conductrices III-N épitaxiales comprenant une première couche III-N active 31 et une deuxième couche III-N active 32, avec un gaz d'Electrons bidimensionnel 33 entre la première couche III-N active 31 et la deuxième couche III-N active 32. Comme représenté sur la , le procédé comprend en outre les étapes consistant à former un contact de grille en contact avec la deuxième couche III-N active 32 dans une région de grille 401 et à former un contact galvanique de substrat 42 en contact avec la face arrière du substrat cible 100 suivant direction transversale 4. Un transistor à haute mobilité électronique 1 a été fabriqué.