INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Par ailleurs, un état de surface dégradé d’un écran dichroïque RF produit plus de perturbations sur le front d’onde d’un faisceau RF réfléchi que sur le front d’onde d’un faisceau RF transmis. Cependant, la production de ces perturbations est d’autant plus importante pour une bande de fréquences hautes que pour une bande de fréquences plus basses. Ainsi, il est également désirable que l’écran dichroïque RF se comporte comme un filtre passe-haut, fonctionnant donc en transparence dans une bande de fréquences hautes.
Les substrats diélectriques constitutifs de ces surfaces périodiques induisent en outre des pertes ohmiques sur faisceau RF transmis qui peuvent être minimisées, mais ne peuvent pas être annulées.
D’autre part, l’accroissement du nombre de surfaces périodiques capacitives constitutives d’un tel écran dichroïque RF utilisé en tant que filtre coupe-bande, peut permettre un élargissement de la bande de fréquences passante du faisceau RF transmis. Cependant, en considérant qu’un faisceau RF à transmettre ait un angle d’incidence non nul par rapport à la normal de l’écran dichroïque RF, plus la structure de l’écran dichroïque RF est épaisse (i.e., le nombre de surfaces périodiques est important), plus cette structure devient sensible à cet angle d’incidence. L’épaisseur de la structure et des espacements entre les surfaces périodiques évolue de manière inversement proportionnelle au cosinus de l’angle d’incidence du faisceau RF à transmettre, comme décrit dans l’article “A Low-Profile Third-Order Bandpass Frequency Selective Surface” de N. Behdad et al. Antennas and Propagation, IEEE Transactions on , 2009 , pages. 460– 466.
Il est également connu d’utiliser des écrans dichroïques RF formés de plaques perforées. De tels écrans dichroïques RF sont fréquemment utilisés comme filtres passe-bande. Ces plaques perforées sont constituées de feuilles métalliques perforées selon une périodicité donnée, avec des trous rectangulaires ou circulaires, comme décrit dans l’article “Transmission and reflection of metallic mesh in the far infrared” de P. Vogel et al. Infrared Physics, 1964, vol. 4, pp. 257–262.
Les perforations agissent comme des guides d’ondes pour les faisceaux électromagnétiques RF de longueur d’onde , pour lesquelles l’écran dichroïque RF doit être transparent. Ces perforations doivent être assez larges pour qu’un mode électromagnétique puisse s’y établir. La périodicité associé à ces perforations est typiquement de l'ordre de . Or, des lobes de réseaux peuvent y être excités pour des faisceaux d’angle d’ouverture important et/ou ayant un angle d’incidence non nul par rapport à la normal de l’écran dichroïque RF. La périodicité de ces perforations constitue ainsi une première contrainte, du fait qu’elle limite l’angle d’incidence pour lequel l’écran dichroïque RF peut être utilisé et/ou l’angle d’ouverture du faisceau RF (puisqu’il en résulte des pertes significatives pour un secteur angulaire trop important, par exemple supérieures à 40°).
Une seconde contrainte correspond aux effets des réflexions partielles dans les plans de discontinuités, pour des faisceaux en transmission dans ces guides d’ondes. Ces réflexions partielles dépendent de la quantité de métal constituant les plaques perforées et sont d'autant plus importantes que les parois métalliques sont épaisses. Les réflexions partielles en entrée et en sortie des guides d’ondes peuvent se compenser à une fréquence donnée, en ajustant la longueur des sections guidées. Cependant, autour de cette fréquence donnée et sur un secteur angulaire, la recombinaison des réflexions partielles produit une ondulation dans la bande de fréquences, qui peut atteindre plusieurs dixièmes de dB.
Le circuit intégré IC comprend également un circuit de détection de seuil de température DET. Le circuit de détection de seuil DET comporte un pont résistif diviseur de tension. Le pont résistif diviseur de tension comporte une première résistance RS1 et une deuxième résistance RS2. La première résistance RS1 est reliée entre le nœud de base NB et un nœud de référence NREF et la deuxième résistance RS2 est reliée entre le nœud de référence NREF et la borne de masse GND.
Ainsi, le pont résistif diviseur de tension génère une tension de référence VREF entre le nœud de référence NREF et la borne de masse GND. La tension de référence VREF est égale à une fraction de la tension constante avec la température VBG et vaut en particulier : .
Par ailleurs, le pont résistif diviseur de tension peut recevoir un signal de contrôle CTRL provenant d’un circuit de commande externe par exemple. Selon le signal de contrôle CTRL reçu, le pont résistif diviseur de tension peut augmenter ou diminuer le rapport « k » des valeurs résistives de la première résistance RS1 et de la deuxième résistance RS2 en conservant une valeur résistive totale des résistances RS1 et RS2 en série.
Un utilisateur peut alors définir le rapport résistif du pont résistif diviseur de tension en utilisant le signal de contrôle CTRL et modifier par conséquence la valeur de la tension de référence VREF. La tension de référence VREF peut être modifiée pour qu’elle puisse correspondre à un seuil de température voulu pour une application donnée, par exemple à une température de -15°C.
Le circuit de détection de seuil de température DET comporte, en outre, un circuit comparateur COMP qui peut être un amplificateur opérationnel monté en comparateur par exemple.
Le circuit comparateur COMP comprend une entrée inverseuse connectée au nœud de référence NREF et une entrée non-inverseuse connectée au nœud intermédiaire NINT. Cela permet de détecter une baisse de la température au-dessous du seuil de température déterminée par la tension de référence VREF.
En intervertissant les connexions des entrées du circuit comparateur COMP, c’est-à-dire en connectant l’entrée inverseuse au nœud intermédiaire NINT et l’entrée non-inverseuse au nœud de référence NREF, le circuit comparateur COMP est configuré pour détecter une hausse de la température au-dessus du seuil de température déterminée par la tension de référence VREF.
A l’issu de la comparaison, le circuit comparateur COMP génère en sortie un signal de détection VOUT lorsque la tension proportionnelle à la température absolue VPTAT est supérieure à la tension de référence VREF ou lorsque la tension proportionnelle à la température absolue VPTAT est inférieure à la tension de référence VREF.
Ainsi, le circuit comparateur COMP permet de détecter lorsque la température mesurée atteint un seuil de température haute ou un seuil de température basse.
D’une part, si une variation parasite de la tension constante avec la température VBG se manifeste alors une variation parasite se retrouve également dans la tension complémentaire à la température absolue VPTAT et dans la tension proportionnelle à la température absolue VPTAT qui définissent la tension constante avec la température VBG. Autrement dit, la tension proportionnelle à la température absolue VPTAT subit des variations similaires à celles de la tension constante avec la température VBG.
D’autre part, la tension de référence VREF présente une variation parasite correspondant à la variation de la tension VBG proportionnellement au rapport résistif « k » du pont résistif diviseur de tension.
En faisant la comparaison de la tension proportionnelle à la température absolue VPTAT avec la tension de référence VREF, les variations parasites dans chacune de ces tensions se compensent mutuellement au premier ordre.
La compensation des variations parasites permet de réduire sensiblement la disparité entre le signal proportionnel à la température VPTAT et la tension de référence VREF afin de garantir une détection fiable du seuil de température.
Par exemple, des mesures expérimentales réalisées pour une détection d’un seuil de température de -15°C ont été obtenues avec une imprécision de seulement 2,7°C pour un écart maximal à la moyenne correspondant à trois écart-types.
La illustre une variante du circuit générateur de courant POL comprenant, dans cette variante un montage miroir de courant actif MIR.
Le montage miroir de courant MIR comprend un transistor MOS ML sur la première branche et un transistor MOS MR sur la deuxième branche. Le transistor MOS ML de la première branche a une source reliée à la borne de tension d’alimentation VDD, une grille et un drain reliés à un nœud NL de la première branche. Le transistor MOS MR de la deuxième branche a une source reliée à la borne de tension d’alimentation VDD, une grille couplée à la grille du transistor MOS ML de la première branche et un drain relié à un nœud NR de la deuxième branche.
- une première opération 201 au cours de laquelle le premier calculateur 10 transmet à chaque serrure 12 une commande de verrouillage ; et
- une deuxième opération 202 au cours de laquelle le premier calculateur réalise le diagnostic de chaque serrure (correspondant à la troisième opération 103) et détermine l’état de verrouillage du véhicule (correspondant à la cinquième opération 105).
La illustre schématiquement un dispositif 3 configuré pour déterminer un état de verrouillage d’un véhicule, selon un exemple de réalisation particulier et non limitatif de la présente invention. Le dispositif 3 correspond par exemple à un dispositif embarqué dans le véhicule 10, par exemple un calculateur.
Le dispositif 3 est par exemple configuré pour la mise en œuvre des opérations décrites en regard des figures 1 et 2 et/ou des étapes du procédé décrit en regard de la . Des exemples d’un tel dispositif 3 comprennent, sans y être limités, un équipement électronique embarqué tel qu’un ordinateur de bord d’un véhicule, un calculateur électronique tel qu’une UCE (« Unité de Commande Electronique »), un téléphone intelligent (de l’anglais « smartphone »), une tablette, un ordinateur portable. Les éléments du dispositif 3, individuellement ou en combinaison, peuvent être intégrés dans un unique circuit intégré, dans plusieurs circuits intégrés, et/ou dans des composants discrets. Le dispositif 3 peut être réalisé sous la forme de circuits électroniques ou de modules logiciels (ou informatiques) ou encore d’une combinaison de circuits électroniques et de modules logiciels.
Selon un exemple de réalisation particulier et non limitatif, le dispositif 3 comprend un bloc 32 d’éléments d’interface pour communiquer avec des dispositifs externes, par exemple une clé d’un système ADML. Les éléments d’interface du bloc 32 comprennent une ou plusieurs des interfaces suivantes :
La illustre un organigramme des différentes étapes d’un procédé de détermination d’un état de verrouillage d’un véhicule, le véhicule comprenant un ensemble de portes, une serrure électrique étant associée à chaque porte de l’ensemble de portes pour verrouiller chaque porte, selon un exemple de réalisation particulier et non limitatif de la présente invention. Le procédé est par exemple mis en œuvre par un ou plusieurs dispositifs embarqués dans le véhicule 10 ou par le dispositif 3 de la .
Dans une première étape 41, une commande de verrouillage est transmise à destination de chaque serrure électrique de l’ensemble de portes.
Dans une deuxième étape 42, une valeur de tension est mesurée sur un fil pilote relié à chaque serrure électrique.
Dans le mode de réalisation représenté, le réservoir géologique 12 est en outre un réservoir sous-marin. Par « sous-marin », on entend que le sol 16 est recouvert par la mer 18 ou, en variante, par une étendue d’eau douce telle qu’un lac.
L’installation 10 comprend une structure 20, un dispositif d’injection 22, un dispositif d’extraction 24 d’eau et un échangeur de chaleur 26. Ledit échangeur de chaleur 26 est visible sur la montrant une vue détaillée de la structure 20.
L’installation 10 comprend également un module électronique 27 de commande.
Dans le cas d’un réservoir géologique 12 sous-marin, la structure 20 est de préférence flottante, comme dans le mode de réalisation représenté. La structure 20 est par exemple une structure de type « Single Point Anchor Reservoir » (SPAR), ou une plate-forme semi-submersible, ou une coque de navire de type Offshore C-Hub TM .
Dans le mode de réalisation visible sur la , la structure 20 comporte en outre un compartiment 28 de stockage de dioxyde de carbone à l’état liquide.
De préférence, la structure 20 comporte en outre un dispositif 29 de connexion et de déchargement de dioxyde de carbone liquide dans le compartiment 28. De préférence, la structure 20 comporte en outre un organe de production d’énergie et/ou un organe de stockage d’énergie (non représentés), comme décrits dans la demande FR2107559 précédemment citée.
Le dispositif d’injection 22 est apte à injecter un flux 30 ( ) de dioxyde de carbone dans le réservoir géologique 12 depuis la structure 20. En particulier, le dispositif d’injection 22 est apte à : prélever du dioxyde de carbone à l’état liquide dans le compartiment 28 de stockage ; conditionner ledit dioxyde de carbone jusqu’à un état souhaité ; et envoyer ledit dioxyde de carbone conditionné dans le réservoir géologique 12.
Dans le mode de réalisation représenté, le dispositif d’injection 22 comprend notamment un conduit d’injection 32.
Le conduit d’injection 32 est destiné à recevoir le flux 30 en amont du réservoir géologique 12. Dans la présente description, les termes « amont » et « aval » se réfèrent au sens du flux circulant dans le conduit évoqué.
Dans le mode de réalisation représenté, le conduit d’injection 32 inclut notamment une première conduite 34 de grande longueur, immergée et disposée sous la structure 20 ( ). De préférence, ladite première conduite 34 est flexible. En amont de la première conduite 34, le conduit d’injection 32 est notamment formé par des canalisations solidaires de la structure 20.
Dans le mode de réalisation représenté, le dispositif d’injection 22 comprend en outre un premier puits 35, une pompe d’injection 36, une pompe de relèvement 37 et une unité 38 de conditionnement.
Le premier puits 35 ( ) est relié à la première conduite 34 et fixé au sol 16 sous-marin. Par « puits », on entend un dispositif formé par une tête de puits, qui dépasse dudit sol 16, et une ou plusieurs conduites rigides, par exemple en acier, qui relient ladite tête de puits à la réserve 14.
La pompe d’injection 36, la pompe de relèvement 37 et l’unité 38 de conditionnement seront décrites ultérieurement.
Le dispositif d’extraction 24 d’eau est apte à extraire un flux 40 ( ) d’eau liquide du réservoir géologique 12. Dans le mode de réalisation représenté, le dispositif d’extraction comprend notamment un conduit d’extraction 42.
Le conduit d’extraction 42 est destiné à recevoir le flux 40 d’eau liquide en aval du réservoir géologique 12. Dans le mode de réalisation représenté, le conduit d’extraction 42 inclut notamment une deuxième conduite 44 de grande longueur, immergée et disposée sous la structure 20. De préférence, ladite deuxième conduite 44 est flexible. En aval de ladite deuxième conduite 44, le conduit d’extraction 42 est notamment formé par des canalisations solidaires de la structure 20.
Dans le mode de réalisation représenté, le dispositif d’extraction 24 d’eau comprend en outre un deuxième puits 45, une pompe d’extraction 46, une unité 47 de dessablage et une unité 48 de traitement.
Le brevet US 4,080,419 propose un procédé de lixiviation d’un minerai fragmenté en utilisant une mousse générée in situ [ 2 ] . Plus particulièrement, un agent tensioactif non-ionique comme du 4-nonylphényl-polyéthylène glycol (Tergitol™ NPX) est ajouté à la solution de lixiviation qui est dispersée dans le tas avant que de l’air ne soit ajouté, de manière ascensionnelle, moyennant quoi de la mousse est générée. A noter cependant que le brevet US 4,080,419 [ 2 ] envisage également d’utiliser une mousse de forte densité, obtenue en utilisant du CO 2 ou des vapeurs d’hydrocarbures halogénés (colonne 5, dernier paragraphe). Selon un mode de mise en œuvre particulier, la mousse est pulvérisée directement à la surface du tas puis, grâce à sa forte densité, diffuse à l’intérieur du tas grossier à forte porosité.
Dans le brevet US 6,099,615 [3 ] , une solution contenant un agent tensioactif ou un agent moussant est mise en contact avec le minerai et de la mousse est formée pendant que le minerai est écrasé, convoyé ou aggloméré i.e. avant la formation du tas. Ce traitement préalable est utilisé pour favoriser la perméabilité du tas et éviter la formation de chemins préférentiels dans ce dernier.
De même, la demande de brevet US 2013/045052 [4 ] envisage d’utiliser une mousse dans le traitement d’un dépôt d’excavation afin de réduire la contamination de l’eau et faciliter la récupération de constituants de valeur. Après la dispersion de la mousse sur le dépôt d’excavation, des moyens tels que des forages sont utilisés pour injecter cette dernière au sein du dépôt moyennant quoi elle s’épand, dans ce dernier, de manière ascendante, descendante et circonférentielle. Le procédé décrit dans la demande de brevet US 2013/045052 [4 ] nécessite donc des moyens notamment mécaniques pour favoriser l’injection de la mousse dans le dépôt.
Enfin, les Demanderesses ont déjà proposé des mousses de décontamination ou désinfectantes comprenant, toutes, un agent tensioactif moussant et un agent gélifiant ou viscosant et ce, respectivement dans la demande internationale WO 2004/008463 [5 ] et dans la demande internationale WO 2016/202879 [6 ] .
Les inventeurs se sont fixé pour but de proposer un procédé répondant aux problèmes techniques des procédés d’irrigation en général. Plus particulièrement, ces problèmes sont notamment les inhomogénéités de traitement des surfaces et les difficultés de contrôle des quantités/débits liquides d’irrigation, que ce soit pour la lixiviation en tas de minerai ou le traitement des sols. Le procédé de l’invention doit donc garantir avant tout un traitement homogène de la surface du substrat et apporter un flux d’irrigation contrôlé adapté à l’application. Le flux d’irrigation dudit-procédé induit un temps de contact suffisant de la solution avec le substrat favorisant ainsi la récupération d’éléments d’intérêt présents dans le tas ou l’inactivation des éléments polluants d’un sol ou encore l’apport d’éléments à intérêt agronomique à un sol.
La présente invention permet d’atteindre le but que se sont fixé les inventeurs. En effet, ces derniers proposent un procédé facile à mettre en œuvre et à faible impact environnemental car ne nécessitant ni dispositifs techniques coûteux, ni réactifs dangereux, grâce auquel, par exemple, il est possible de récupérer efficacement des éléments d’intérêt dans le cadre d’une lixiviation en tas, tout en minimisant les quantités d’effluents à traiter par la suite.
Plus particulièrement, les inventeurs ont montré qu’il est possible d’améliorer l’irrigation d’un tas permettant d’optimiser le rendement d’irrigation et, de ce fait, le rendement de récupération ou d’extraction des éléments d’intérêt contenus dans ce dernier. Cette amélioration est obtenue en utilisant une mousse consistant en une dispersion de bulles d’air dans une solution aqueuse moussante dont la fraction liquide et la hauteur utilisée sont contrôlées.
Pour les tas les plus perméables, l’irrigation par une couche de mousse aqueuse telle que mise en œuvre dans l’invention, déposée de manière homogène sur toute la surface du tas garantit une répartition homogène du flux d’irrigation à la surface du tas et évite les zones non arrosées, notamment, dans le cas des minerais ou solides divisés issus de déchets de mines urbaines.
De même, pour les tas peu perméables, les débits d’irrigation sont parfois trop élevés au niveau du point d’injection et des flaques se forment à la surface allant jusqu’à inonder la totalité de la surface. L’irrigation par une couche de mousse permet, notamment en fonction de sa fraction liquide et de sa hauteur, de moduler le flux d’irrigation en contrôlant le drainage gravitaire au sein de la mousse et ainsi d’éviter la formation de flaques sur le tas.
Tous ces avantages sont obtenus sans qu’il soit nécessaire de forcer la pénétration de la mousse dans le tas notamment par des moyens d’injection tel que des tuyaux, des canalisations et des forages.
A ce propos, il convient de noter qu’il n’était pas du tout évident de mettre en œuvre une mousse consistant en une dispersion de bulles d’air dans une solution aqueuse moussante compte-tenu de l’enseignement du brevet US 4,080,419 [2] qui envisage d’utiliser une mousse obtenue en utilisant du CO 2 ou des vapeurs d’hydrocarbures halogénés et apte à présenter, grâce à sa forte densité, un mouvement descendant rapide suite à son dépôt à la surface du tas. Les inventeurs ont montré qu’un mouvement descendant du liquide contenu dans la mousse peut être obtenu avec une mousse à bulles d’air en sélectionnant une fraction liquide et une hauteur d’utilisation appropriée.
De façon remarquable, les propriétés de la mousse mise en œuvre dans la présente invention sont utilisables non seulement dans les procédés de lixiviation en tas mais également en agriculture, agronomie et horticulture.
En effet, pour les applications sur l’arrosage des sols en agriculture, agronomie et horticulture ou pour le traitement nutritif ou curatif de ces sols, les procédés par aspersion ou en anglais « sprinkler » ou par goutte à goutte via des canalisations sont consommateurs d’eau et l’irrigation est, comme pour la lixiviation en tas du minerai, le plus souvent inhomogène. L’irrigation par la « technique mousse » selon l’invention permet un traitement homogène de la surface du sol dans lequel un apport d’eau maitrisé sur les premiers centimètres du sol comme, par exemple, les 10 à 30 premiers centimètres, permet d’économiser l’eau utilisée et garantit un apport homogène et efficace en éléments d’intérêt agronomique. Dans ce cas de figure, l’amélioration du rendement obtenu via le procédé selon l’invention correspond à l’amélioration du rendement de production agricole ou horticole pour une quantité d’eau apportée.
Enfin, la mousse d’irrigation mise en œuvre dans l’invention peut également être utilisée pour décontaminer in-situ un sol contaminé sur une profondeur donnée par des agents biologiques comme, par exemple, des bactéries, des virus, des champignons et des toxines, ou par des agents chimiques comme, par exemple, des composés organophosphorés et des solvants organiques.
De façon générale, la présente invention concerne un procédé d’irrigation consistant à déposer, sur un substrat poreux tel que, par exemple, un tas pour lixiviation ou un sol, une couche de mousse de formulation adaptée avec une épaisseur supérieure à 5 cm (borne non-incluse) et une fraction liquide inférieure ou égale à 15% en volume.
En d’autres termes, la présente invention concerne un procédé pour irriguer un substrat poreux comprenant les étapes consistant à :
Selon une caractéristique de l’invention, le moyen de connexion comprend au moins un canal formé dans le prolongement du circuit de fluide diélectrique et au moins un organe de connexion du circuit électrique au réseau électrique de la colonne d’alimentation du centre de données informatiques. L’échange d’information et/ou l’alimentation électrique du matériel informatique sont assurés par l’organe de connexion. Cet organe de connexion se présente, par exemple, comme une prise ou une fiche ayant une prise ou une fiche complémentaire au niveau de la colonne d’alimentation du centre de données informatiques. Avantageusement, cet organe de connexion permet de déconnecter le module du centre de données informatiques sans mettre l’ensemble des modules connectés au centre de données informatiques hors tension. Ainsi, il est possible d’intervenir sur un module sans impacter les autres module du centre de données informatiques. En d’autres termes, l’organe de connexion est configuré pour assurer une mise hors tension indépendante des modules d’un centre de données informatiques.