INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
A une étape 1130, la couche piézoélectrique est préparée pour accueillir les électrodes, par exemple par gravure d’un motif prédéterminé dans l’épaisseur de la couche piézoélectrique.
A une étape 1140, les électrodes sont formées de manière à être encastrées dans la couche piézoélectrique selon des procédés conventionnels.
En procédant selon ce procédé, on peut s’attendre à obtenir un dispositif SAW apte à exploiter un mode d’électrode d’excitation électro-acoustique.
Exemples de substrats Le respect des première et seconde caractéristiques définies ci-dessus a été vérifié pour un ensemble de transducteurs de géométrie illustrée par les figures 1 et 2.
Dans une première série de transducteurs, un substrat de verre de quartz, ou « fused quartz » en terminologie anglaise, a été considéré en association avec des électrodes d’un alliage d’aluminium à 2% de cuivre AlCu 2% et une couche piézoélectrique constituée de tantalate de lithium LiTaO 3 ou de niobate de lithium LiNbO 3 , pour des transducteurs SAW de conçus pour fonctionner à 4,8 GHz ou 2,4 GHz.
Les résultats des simulations sont exposés dans la table 1 ci-dessous.
Matériau piézoélectrique et fréquence de travail LiTaO 3 4,8 GHz LiTaO 3 2,4 GHz LiNbO 3 4,8 GHz LiNbO 3 2,4 GHz C(Subst) en m/s 3766 C(Piezo) en m/s 4,658 4,620 3,876 3,797 C(Subst)/C(Piezo) 0,81 (OK) 0,82 (OK) 0,97 (OK) 0,99 (OK) Atténuation (Elec) en dB/λ 3,18.10 -3 (OK) 2,54.10 -2 (OK) 9,31.10 -2 (OK) 7,72.10 -2 (OK) Atténuation (Piezo) en dB/λ 3,61 (OK) 6,12 (OK) 3,06 (OK) 4,09 (OK) Statut du substrat OK OK OK OK
C(Subst) et C(Piezo) indiquent respectivement la célérité d’un mode élastique volumique de cisaillement du substrat et la célérité d’un mode élastique fondamental de cisaillement de la couche piézoélectrique, C(Subst)/C(Piezo) indique le rapport de ces célérités.
Atténuation (Elec) et Atténuation (Piezo) indiquent respectivement les atténuations d’un mode élastique d’électrode dans la couche piézoélectrique et du mode fondamental de la couche piézoélectrique dans le substrat.
Les commentaires (OK) indiquent que le substrat respecte la condition concernée par la case correspondante du tableau, c’est-à-dire l’un des critères d’atténuation ou de rapport de célérités détaillés plus haut.
Nous constatons ici qu’il est possible d’utiliser du verre de quartz en tant que substrat pour chacun des transducteurs SAW considérés, ce que le tableau indique par un statut du substrat comme « OK ».
le deuxième composé redox subissant ainsi une réduction tandis que l’autre composé subissant une oxydation.
A l’issue de cette réaction, le deuxième composé ainsi réduit peut transiter vers le deuxième compartiment où il sera oxydé pour former sa forme oxydée.
L’électrolyte véhiculant le premier composé redox ou le deuxième composé redox peut être un électrolyte aqueux ou un électrolyte organique, étant entendu que cet électrolyte doit permettre la solubilisation dudit composé redox, lequel composé redox peut comporter des groupes permettant de faciliter cette solubilisation dans l’électrolyte, par exemple, un groupe hydrophile (tel que qu’un groupe -OH, un groupe COOX avec X étant un élément cationique monovalent, SO 3 X avec X étant un élément cationique monovalent, PO 3 X avec X étant un élément cationique monovalent, un groupe ammonium, un groupe glycol), lorsque l’électrolyte est un électrolyte aqueux ou un groupe solvophile (tel qu‘un groupe ammonium, un groupe polaire), lorsque l’électrolyte est un électrolyte organique.
Une cellule spécifique conforme à l’invention est une cellule telle que représentée sur la jointe en annexe, cette cellule comprenant :
-un premier compartiment 34 comprenant une électrode positive (ou cathode), généralement poreuse, 35 alimentée par un premier électrolyte 37 comprenant le premier composé redox comprenant au moins un groupe apte à capter des électrons (soit, en d’autres termes, au moins un groupe oxydant), qui subit donc une réduction lors du processus de décharge, lequel premier électrolyte est fourni au compartiment via un réservoir 39 stockant cet électrolyte, qui est relié au premier compartiment via une conduite d’alimentation 41 munie d’une pompe 43 et également via une conduite d’évacuation 45 chargée de réacheminer l’électrolyte du compartiment vers le réservoir, ledit réservoir comprenant, lorsque la cellule est à l’état chargé, le premier composé redox sous une forme oxydée et un autre composé redox sous forme immobilisée 47 également sous une forme oxydée ;
-un deuxième compartiment 49 comprenant une électrode négative (ou anode), généralement poreuse, 51 alimentée par un deuxième électrolyte 53 comprenant un composé redox comprenant au moins un groupe apte à céder des électrons (soit, en d’autres termes, au moins un groupe réducteur), qui subit donc une oxydation lors du processus de décharge, lequel deuxième électrolyte est fourni au compartiment via un réservoir 55 stockant cet électrolyte, qui est relié au deuxième compartiment via une conduite d’alimentation 57 munie d’une pompe 59 et également via une conduite d’évacuation 61 chargée de réacheminer l’électrolyte du compartiment vers le réservoir, ledit réservoir comprenant, lorsque la cellule est à l’état chargé, le deuxième composé redox sous une forme réduite et un autre composé redox sous forme immobilisée 63 également sous une forme réduite.
Le premier compartiment et le deuxième compartiment sont séparés l’un de l’autre par une membrane conductrice ionique 65, dont le rôle est d’assurer l’électroneutralité du système tout en évitant la migration des composés redox du premier compartiment vers le deuxième compartiment et vice versa .
En outre, la cellule de batterie comprend une membrane échangeuse d’ions assurant la séparation physique du premier compartiment et du deuxième compartiment et doit, en même temps, laisser passer des ions produits lors des réactions redox, en particulier, des protons ou des cations métalliques, pour assurer le maintien de l’électroneutralité de la cellule tout en empêchant la migration des composés organiques redox.
D’un point de vue du matériau constitutif, la membrane peut être en un polymère conducteur de cations.
Des candidats efficaces pour ce type de polymères sont les polymères perfluorosulfonés, tels que ceux déposés sous les marques NAFION® de la société Dupont de Nemours ou encore l’Aquivion.
Ces polymères comportent une chaîne principale (également dénommée squelette) comprenant un motif répétitif du type tétrafluoroéthylène et un motif répétitif dérivé du type tétrafluoroéthylène greffé par une chaîne pendante comportant un groupe terminal -SO 3 M avec M représentant H, Li, Na ou K.
Enfin, l’invention a trait également à une batterie à circulation d’électrolytes comprenant au moins une cellule telle que définie ci-dessus.
Lorsque la batterie comprend une seule cellule, elle peut être qualifiée de monocellulaire et lorsque la batterie comprend plusieurs cellules, elle peut être qualifiée de pluricellulaires, les différentes cellules pouvant être associées en série et/ou en parallèle.
D’autres caractéristiques et avantages de l’invention apparaîtront du complément de description qui suit et qui se rapporte à un mode de réalisation particulier.
La est une représentation schématique d’une cellule de batterie classique à circulation d’électrolytes.
Les exemples de réalisation du procédé décrits ci-dessous sont illustrés pour un empilement comprenant des couches GeTe alternées avec des couches Sb 2 Te 3 . Il est entendu que l’ensemble des matériaux indiqués ci-dessus peut être mis en œuvre dans le procédé de réalisation d’un empilement multicouches selon l’invention. Les alliages de PCM situés sur la ligne pseudo-binaire GeTe-Sb 2 Te 3 du diagramme ternaire Ge-Sb-Te, par exemple le Ge 2 Sb 2 Te 5 , le Ge 1 Sb 2 Te 4 , le Ge 1 Sb 4 Te 7 , sont notamment envisageables pour la mise en œuvre du procédé. Les alliages tels que le Sb 2 Te dopé (Ag,In), de la famille des AIST, et leurs dérivés sont également envisageables. Les chalcogénures et les sesqui-chalcogénures, tels que Bi 2 Te 3 , sont également envisageables.
On entend par taux de défauts un nombre de défauts dans la structure cristalline par unité de volume ou, le cas échéant, un nombre de défauts par unité de surface. Un nombre de défauts par unité de volume peut typiquement être estimé par diffraction des rayons X, par exemple à partir de la largeur à mi-hauteur des pics de diffraction 00l de la structure cristalline de l’empilement. Un nombre de défauts par unité de surface peut typiquement être quantifié par microscopie électronique en transmission, à partir d’une coupe transverse notamment.
La illustre en coupe transverse un empilement 20 de couches 21, 22 alternées de matériaux PCM. Les couches 21 peuvent être ici à base de Sb 2 Te 3 et les couches 22 peuvent être à base de GeTe. Trois couches 21 et deux couches 22 sont ici illustrées par souci de clarté. L’empilement 20 comprend typiquement au moins une couche 21 et au moins une couche 22. Le nombre de couches 21, 22 peut être ajusté en fonction de l’épaisseur totale souhaitée pour l’empilement. Les couches 21 présentent typiquement des épaisseurs e21, e21’, e21’’comprises entre 1 et 20 nanomètres avec une épaisseur proportionnelle à un nombre entier de blocs de van der Waals soit par exemple dans le cas du Sb 2 Te 3 où un bloc mesure environ 1 nm selon son axe c : 2 nm, 4 nm, 8 nm ou 16 nm. Ces épaisseurs e21, e21’, e21’’ ne sont pas nécessairement égales entre elles. Les couches 22 présentent typiquement des épaisseurs e22, e22’ comprises entre 0,5 et 10 nanomètres d’épaisseur proportionnelle à un nombre de blocs élémentaires de la structure cristalline du matériau de la couche 22, par exemple 0,7 nm dans le cas du GeTe correspondant à un bloc de (GeTe) 2 . Ces épaisseurs e22, e22’ ne sont pas nécessairement égales entre elles. Lorsque certaines au moins des épaisseurs des couches 21, et/ou certaines moins des épaisseurs des couches 22 ne sont pas égales entre elles, l’empilement 20 est apériodique. Dans le cadre du développement de la présente invention, il a été observé que les performances de l’empilement n’étaient pas liées à la périodicité des couches 21, 22 de matériaux PCM. Cela permet de relâcher la contrainte en précision en épaisseur requise lors de la formation de ces couches 21, 22.
Comme expliqué plus haut, la structure cristalline d’un tel empilement 20 présente des pseudo-gaps de vdW régulièrement distribués le long de la hauteur de l’empilement.
Selon un exemple, l’empilement 20 comprend des blocs de (GeTe) 2 et de Sb 2 Te 3 d’épaisseurs respectives 0,7 nm et X nm, notés 0,7/X. La valeur 0,7 nm correspond à l’épaisseur d’un bloc élémentaire de (GeTe) 2 rhomboédrique. La valeur X nm correspond à l’épaisseur des blocs de Sb 2 Te 3 trigonal, qui peut typiquement être comprise entre 1 et 20 nm, par exemple X=2, X=4,X=8 nm.
Les blocs de Sb 2 Te 3 présentent typiquement des groupements de cinq couches QL (acronyme de Quintuple Layers) faiblement couplés entre eux, et constitués de plans Te-Sb-Te-Sb-Te perpendiculaires à la direction [001] selon l’indexation hexagonale de la structure trigonale de Sb 2 Te 3 . Les groupements QL présentent une hauteur de 1,015 nm. La cellule unitaire hexagonale contient 3 QL ( c = 3,0458 nm). À l'intérieur d'un groupement QL, Sb et Te sont liés de manière covalente ou métavalente. Les groupements QL sont typiquement séparés par un espacement de 0,275 nm de hauteur. Cet espacement correspond à un pseudo-gap de vdW.
La est une image de microscopie électronique en transmission à balayage (STEM, acronyme de Scanning Transmission Electron Microscopy) illustrant un tel empilement 20 formé à partir de blocs de (GeTe) 2 et de Sb 2 Te 3 d’épaisseurs respectives 0,7 nm et 2 nm. L’arrangement en groupements QL séparés par des pseudo-gaps de VdW est clairement visible. Les segments en traits pointillés alternés, en grands traits pointillés, en petits traits pointillés et en traits continus correspondent à des alliages ternaires Ge x Sb y Te z , respectivement à GST326, GST225, GST124, et aux QL Sb 2 Te 3 .
L’empilement 20 est typiquement formé à la surface 100 d’un substrat 10 qui peut être à base de silicium, de silicium amorphe, d’oxyde de silicium amorphe. D’autres matériaux sont également envisageables pour le substrat 10, au moins au niveau de sa surface 100, par exemple TiN, WSi, W, TiSiN, TaN et le carbone. Le carbone peut par exemple être avantageusement utilisé en tant que barrière de diffusion dans les dispositifs de mémoire. Selon une possibilité, le substrat 10 comprend une électrode inférieure connectant l’empilement 20.
Une couche d’orientation 11 peut être avantageusement intercalée entre l’empilement 20 et le substrat 10. L’empilement 20 est alors formé à la surface 110 de cette couche d’orientation 11. La couche d’orientation 11 est configurée pour orienter la structure cristalline de l’empilement 20 selon l’axe cristallographique c. Cette couche d’orientation 11 peut se présenter sous forme d’un film parfaitement stœchiométrique de Sb 2 Te 3 ou de Bi 2 Te 3 , d’épaisseur e11 de l’ordre de quelques nanomètres (typiquement 5 nm pour Sb 2 Te 3 ). Cette couche d’orientation 11 peut être formée par dépôt physique en phase vapeur PVD, en utilisant par exemple une méthode de co-pulvérisation de cibles Sb et Te ou Sb 2 Te 3 et Te en ajustant les puissances sur chacune des cibles. L’utilisation d’une cible Sb 2 Te 3+x enrichie en Te est également envisageable. Cela permet de compenser un éventuel déficit en tellure lors de la formation de la couche de passivation 11. La couche de passivation 11 peut ainsi présenter une couche de surface non déficitaire ou enrichie en Te formée par exemple par un plan atomique pur de Te.
L’empilement 20 peut être directement formé par épitaxie, par exemple à une température comprise entre 180° et 300°C pour le Sb 2 Te 3 . Le dépôt épitaxial des différentes couches 21, 22 peut être effectué à partir de l’une des techniques de dépôt suivantes : le dépôt assisté par laser pulsé PLD (Pulsed Laser Deposition), l’épitaxie par jet moléculaire MBE (Molecular Beam Epitaxy), le dépôt physique en phase vapeur PVD (Physical Vapor Deposition), l’épitaxie en phase vapeur à précurseurs organométalliques MOVPE (Molecular Vapor Phase Epitaxy), le dépôt chimique en phase vapeur CVD (Chemical Vapor Deposition), le dépôt par couche atomique ALD (Atomic Layer Deposition), le dépôt par évaporation, le dépôt chimique en phase vapeur à précurseurs organométalliques MOCVD (Molecular Chemical Vapor Deposition).
Alternativement, l’empilement 20 peut être formé indirectement à partir d’un dépôt amorphe des couches 21, 22, suivi d’un recuit de cristallisation. Dans ce cas, la couche d’orientation 11 est nécessaire pour permettre l’orientation de la structure multicouches de l’empilement selon l’axe cristallographique c lors de la cristallisation.
Selon une possibilité préférée, la surface 100 du substrat 10 peut être passivée par un apport en tellure ou en antimoine par exemple. Cela améliore l’épitaxie de la couche d’orientation 11 et/ou de la première couche 21. Selon un exemple, l’apport de tellure lors du dépôt d’une couche d’orientation 11 à base de Sb 2 Te 3 ou de Bi 2 Te 3 permet de passiver la surface 100 de croissance par une couche de surface riche en Te se terminant par une monocouche atomique de Te. Cela permet notamment de réaliser une épitaxie de Van der Waals bien orientée sur tout type de substrat 10.
Comme illustré à la par les flèches noires, le super réseau 0,7/2 nm présente après épitaxie de nombreuses fautes d’empilement. Ces fautes d’empilement sont majoritairement situées au niveau des gaps de van der Waals, entre les blocs de matériau PCM.
Il a été observé dans le cadre du développement de la présente invention que la densité de ces défauts structuraux est liée : à l’écart d’énergie entre l’hétérostructure obtenue après épitaxie et la structure de composition chimique équivalente se trouvant à l’équilibre thermodynamique. Cet écart dépend notamment de la nature des blocs de GST formés dans le SL par mélange local des films de GeTe et de Sb 2 Te 3 . Cet écart à l’équilibre thermodynamique dépend in fine de l’énergie nécessaire à la diffusion des espèces chimiques permettant de tendre vers l’empilement de blocs de GST de plus basse énergie ; à un déficit local en Te dans la structure, qui induit la formation locale de défauts bicouches ou « bilayers defects » ; à la température de dépôt, qui empêche une mobilité atomique suffisante pour accommoder les défauts ; à l’épaisseur des couches de Sb 2 Te 3 .
Un principe de l’invention consiste donc à effectuer après la formation de l’empilement un recuit adapté, typiquement de l’ordre de 400°C à 500°C, par exemple 450°C, pendant une durée de plusieurs minutes à plusieurs heures pour amener la structure telle que déposée dans son état de plus basse énergie. Cet état de basse énergie correspond à une structure parfaitement orientée selon son axe c présentant des blocs pour lesquels la diffusion des espèces chimique est achevée et séparés par des pseudo gaps de vdW, sans ou avec très peu de fautes d’empilement. Selon un exemple, un empilement 20 du type SL 0.7/2nm de (GeTe) 2 /(Sb 2 Te 3 ) 2 est soumis à un recuit de guérison à 450°C pendant 60 min pour former un cristal orienté de GST 124 sans défauts au niveau des gaps de vdW.
Le recuit de guérison est typiquement effectué à une température supérieure à la température de formation de l’empilement 20, par exemple à une température supérieure à 300°C. Avantageusement, le recuit de guérison est effectué à une température compatible avec les étapes d’intégration BEOL, c’est-à-dire à une température inférieure aux températures mises en œuvre lors de ces étapes d’intégration BEOL, typiquement à une température inférieure ou égale à 500°C. Le recuit de guérison permet de diminuer la densité de défauts structuraux, en particulier de fautes empilement, dans la structure cristalline de l’empilement 20. Les paramètres du recuit de guérison sont de préférence ajustés de façon à obtenir un nombre de défauts après recuit inférieur ou égal à 50 % du nombre de défauts initialement présents dans l’empilement, avant recuit. Selon une possibilité, le nombre de défauts structuraux après recuit de guérison est inférieur ou égal à 60 % du nombre de défauts initial dans l’empilement, de préférence inférieur à 20% voire 10%. Un ou plusieurs recuits de guérison peuvent être effectués successivement. En particulier, si la densité de défauts structuraux n’a pas suffisamment diminué à l’issue du premier recuit de guérison, un deuxième recuit de guérison à une température plus élevée et/ou pendant une durée plus longue peut être effectué.
Si l’opérateur décide de stopper l’engin agricole sans couper le fonctionnement de l’un des deux distributeurs, il peut en résulter un sur régime préjudiciable au fonctionnement de l’outil.
En conséquence, même si la pression Pmot en amont du moteur hydraulique 3 est inférieure au seuil minimum Pmin, la ou les alarmes peuvent être activées.
On notera de plus que si la pression Pmot en amont du moteur hydraulique 3 est inférieure au seuil minimum Pmin et si la rotation du moteur hydraulique 3 est nulle ou très faible, l’unité d’entraînement en rotation de l’outil animé est réglé pour ne pas activer d’alarme.
De cette façon les distributeurs 2, 2A ; 2B, 9 peuvent être utilisé pour d’autres fonctions avec d’autres équipements associés à l’engin agricole, sans que la ou les alarmes ne se déclenchent.
ÉQUIPEMENT À PIÈCE ADAPTÉE AU CLIPPAGE DOUBLE Domaine technique de l’invention L’invention concerne les équipements qui sont constitués de plusieurs pièces assemblées, au moins, par clippage.
Etat de la technique Certains équipements, par exemple et non limitativement destinés à faire partie de véhicules, comprennent une première pièce sur laquelle est au moins clippée au moins une seconde pièce. A cet effet, la première pièce est munie d’au moins un trou principal délimité par un bord de paroi qui comporte un cran de clippage, et la seconde pièce comprend une patte de clippage qui est introduite dans ce trou principal et comporte un trou de clippage logeant ce cran de clippage.
Par exemple, dans le cas d’un véhicule terrestre un tel équipement peut être un pare-chocs (ou bouclier) dans lequel la première pièce est une armature de pare-chocs et la seconde pièce est choisie parmi une peau de pare-chocs, un emblème de marque, une grille de pare-chocs et un enjoliveur de pare-chocs.
Afin d’améliorer le couplage de la seconde pièce à la première pièce, il peut arriver que cette dernière comprenne plusieurs (au moins deux) trous principaux distants dans lesquels sont introduites respectivement des premières pattes de clippage de la seconde pièce.
Dans certains équipements, on est contraint de clipper plus d’une pièce sur la première pièce. C’est par exemple et non limitativement le cas lorsque l’équipement est un pare-chocs avant comprenant une armature de pare-chocs sur laquelle doivent être clippés une peau de pare-chocs, un emblème de marque, une grille de pare-chocs et un enjoliveur de pare-chocs. La première pièce (ici une armature de pare-chocs) doit alors comporter de nombreux trous principaux destinés chacun à permettre l’introduction d’une patte de clippage de l’une des autres pièces à clipper. On comprendra que plus le nombre de trous principaux doit être important dans la première pièce, plus il est difficile de déterminer les endroits où ils doivent être définis, et il peut arriver qu’il n’y ait pas suffisamment d’endroits utilisables sur la première pièce pour définir tous les trous principaux. La situation est encore plus compliquée lorsqu’au moins une pièce à coupler comporte au moins une patte de couplage devant être couplée à la première pièce sensiblement au même endroit qu’au moins une patte de couplage d’au moins une autre pièce à coupler, en raison de leurs positions respectives et/ou de leurs dimensions.
Présentation de l’invention Elle propose notamment à cet effet un équipement comprenant :
- une première pièce munie d’au moins un trou principal délimité par un bord de paroi comportant un premier cran de clippage, et
- une deuxième pièce comprenant une première patte de clippage introduite dans ce trou principal et comportant un premier trou de clippage logeant ce premier cran de clippage.
Cet équipement se caractérise par le fait :
- que le bord de paroi de sa première pièce comporte un second cran de clippage, et
Chaque élément chauffant 5 comprend, selon le mode de réalisation représenté par la , un tube 8 à l’intérieur duquel sont disposés des éléments résistifs 13 à coefficient de température positif (CTP), à savoir dans le cas présent des pierres céramiques CTP, une première électrode 11 et une deuxième électrode 12 formant une paire d’électrodes enserrant ces éléments résistifs 13 et au moins un isolant électrique 9, 10 disposé entre une électrode 11, 12 et le tube 8. Ces différents composants forment un empilement transversal agencé entre deux les deux parois principales 88 en opposition du tube 8.
Les éléments résistifs 13 comprennent une couche métallique 14 déposée en surface de l’élément résistif 13, par exemple par vaporisation ou par sérigraphie, sur chacune des faces disposées directement en regard d’une électrode. Plus précisément, la couche métallique 14 est formée d’aluminium et est déposée, sur une épaisseur comprise entre 5 et 90 microns, en surface des éléments résistifs 13, sur chacune des faces desdits éléments résistifs 13. Tel que cela est notamment visible sur la , les éléments résistifs 13 présentent une dimension selon la direction longitudinale L qui permet d’insérer une pluralité d’éléments résistifs 13 dans le tube 8 à égale distance les uns des autres.