Diode électroluminescente (100) comprenant : - une première électrode (102) ; - une première couche (104) de semi-conducteur dopé selon un premier type de conductivité et comprenant une première face (106) disposée du côté de la première électrode (102) ; - une deuxième couche (108) de semi-conducteur dopé selon un deuxième type de conductivité, opposé au premier type de conductivité ; - une région (114) de recombinaison radiative de porteurs de charge électrique des premier et deuxième types de conductivité disposée entre, ou à l’interface de, une deuxième face (110), opposée à la première face (106), de la première couche (104) et une première face (112) de la deuxième couche (108) ; - une troisième couche (118) de semi-conducteur dopé selon le deuxième type de conductivité ; - une quatrième couche (120) de semi-conducteur disposée entre une deuxième face (122), opposée à la première face (112), de la deuxième couche (108) et la troisième couche (118) ; - une deuxième électrode (124) disposée contre au moins une partie d’au moins une face latérale (126) de la troisième couche (118) et contre une partie seulement d’au moins une face latérale (128) de la quatrième couche (120) ; et dans laquelle le semi-conducteur de la quatrième couche (120) forme, par rapport au semi-conducteur de la troisième couche (118), une barrière énergétique d’au moins 100 meV s’opposant à une circulation de porteurs de charge électrique selon le deuxième type de conductivité depuis la deuxième électrode (124) vers la deuxième couche (108). Diode électroluminescente (100) selon la revendication 1, dans lequel : - le semi-conducteur de la quatrième couche (120) est non dopé ou est dopé selon le deuxième type de conductivité avec un niveau de dopage inférieur à celui du semi-conducteur de la troisième couche (118), et/ou - la composition de l’alliage du semi-conducteur de la quatrième couche (120) est différente de celle du semi-conducteur de la troisième couche (118). Diode électroluminescente (100) selon l’une des revendications précédentes, dans laquelle le premier type de conductivité correspond au type p et le deuxième type de conductivité correspond au type n. Diode électroluminescente (100) selon l’une des revendications précédentes, dans laquelle la conductivité électrique de la troisième couche (118) est supérieure à celle de la deuxième couche (108). Diode électroluminescente (100) selon l’une des revendications précédentes, dans laquelle la deuxième électrode (124) forme une couronne entourant latéralement la troisième couche (118) sur la totalité de son épaisseur et entourant latéralement seulement une partie de la quatrième couche (120), ladite partie de la quatrième couche (120) étant disposée contre la troisième couche (118). Diode électroluminescente (100) selon l’une des revendications précédentes, dans laquelle les semi-conducteurs des première, deuxième, troisième et quatrième couches (104, 108, 118, 120) sont des semi-conducteurs III-V. Diode électroluminescente (100) selon l’une des revendications précédentes, dans laquelle la région (114) de recombinaison radiative de porteurs de charge électrique des premier et deuxième types de conductivité comporte un ou plusieurs puits quantiques chacun formé d’au moins une couche émissive semi-conductrice disposée entre au moins deux couches barrières semi-conductrices. Diode électroluminescente (110) selon l’une des revendications précédentes, comportant en outre : - une couche de semi-conducteur non dopé disposée entre la région (110) de recombinaison radiative de porteurs de charge électrique des premier et deuxième types de conductivité et la deuxième couche (108), et configurée pour former une barrière de diffusion de dopants électriques, et/ou - une couche (116) de blocage de porteurs de charge électrique du deuxième type de conductivité disposée entre la région (114) de recombinaison radiative de porteurs de charge électrique des premier et deuxième types de conductivité et la première couche (104), et comprenant un semi-conducteur dopé selon le premier type de conductivité et dont le gap est supérieur à celui du semi-conducteur de la première couche (104). Procédé de réalisation d’une diode électroluminescente (100) comprenant : - réalisation, sur un premier substrat (135), d’un empilement (132) de couches incluant : a) une première couche d’électrode (133) disposée sur le premier substrat (135) ; b) une première couche (104) de semi-conducteur dopé selon un premier type de conductivité et comprenant une première face (106) disposée du côté de la première couche d’électrode (133) ; c) une deuxième couche (108) de semi-conducteur dopé selon un deuxième type de conductivité, opposé au premier type de conductivité ; d) une région (114) de recombinaison radiative de porteurs de charge électrique des premier et deuxième types de conductivité disposée entre, ou à l’interface de, une deuxième face (110), opposée à la première face (106), de la première couche (104) et une première face (112) de la deuxième couche (108) ; e) une troisième couche (118) de semi-conducteur dopé selon le deuxième type de conductivité ; f) une quatrième couche (120) de semi-conducteur disposée entre une deuxième face (122), opposée à la première face (112), de la deuxième couche (108) et la troisième couche (118) ; - gravure de l’empilement (132) telle que des portions restantes de l’empilement (132) forme au moins une structure mesa (134) ; - dépôt conforme d’une couche diélectrique (136), recouvrant au moins une face supérieure et des faces latérales de la structure mesa (134) ; - gravure anisotrope d’une partie de l’épaisseur de la couche diélectrique (136), révélant au moins une partie d’au moins une face latérale (126) de la troisième couche (118) et une partie seulement d’au moins une face latérale (128) de la quatrième couche (120) ; - réalisation d’une électrode, appelée deuxième électrode (124), contre ladite au moins une partie d’au moins une face latérale (126) de la troisième couche (118) et contre ladite partie d’au moins une face latérale (128) de la quatrième couche (120) ; et dans lequel le semi-conducteur de la quatrième couche (120) forme, par rapport au semi-conducteur de la troisième couche (118), une barrière énergétique d’au moins 100 meV s’opposant à la circulation de porteurs de charge électrique selon le deuxième type de conductivité depuis la deuxième électrode (124) vers la deuxième couche (108). Procédé selon la revendication 9, dans lequel la réalisation de l’empilement (132) de couches comporte les étapes suivantes : - épitaxie des première, deuxième, troisième et quatrième couches (104, 108, 118, 120) et de la région (114) de recombinaison radiative sur un substrat de croissance (130), telle que la troisième couche (118) soit disposée entre le substrat de croissance (130) et la quatrième couche (120) ; - dépôt de la première couche d’électrode (133) sur la première couche (104) ; - solidarisation de la première couche d’électrode (133) au premier substrat (135) qui correspond à un substrat de report ; - désolidarisation de la troisième couche (118) vis-à-vis du substrat de croissance (130) ; - gravure et planarisation mécano-chimique de la face de la troisième couche (118) précédemment disposée contre le substrat de croissance (130).