Procédé de fabrication d’une structure comprenant au moins deux puces (p11, p12, p13, p14) sur un substrat receveur (3), comprenant : - la formation d’un substrat pseudo-donneur (10) par placement d’au moins un pavé (P1, P2, P3) d’au moins un substrat donneur (2) sur un substrat support (1) ; - le collage dudit substrat pseudo-donneur (10) sur un substrat receveur (3) par l’intermédiaire des pavés de sorte que chaque pavé recouvre au moins partiellement au moins deux zones d’intérêt distinctes (Z1, Z2, Zn) du substrat receveur (3) ; - le transfert d’une portion (P’1, P’2, P’3) desdits pavés (P1, P2, P3) sur le substrat receveur (3) ; - au moins une étape de polissage mécano-chimique des pavés (P1, P2, P3) du substrat pseudo-donneur et/ou des portions de pavés transférées sur le substrat receveur ; - après ladite au moins une étape de polissage mécano-chimique, un enlèvement de matière desdites portions (P’1, P’2, P’3) de pavés de sorte à diviser chaque portion de pavé en au moins deux puces (p11, p12, p13, p14) agencées chacune sur une zone d’intérêt (Z1, Z2, Zn) respective. Procédé selon la revendication 1, dans lequel, après l’étape de gravure, le taux de couverture des puces (p11, p12, p13, p14) sur le substrat receveur (3), c’est-à-dire le ratio entre la surface totale des puces et la surface totale du substrat receveur, est inférieur à 50%, de préférence inférieur à 30%. Procédé selon l’une des revendications 1 ou 2, dans lequel le taux de couverture des pavés (P1, P2, P3) sur le substrat pseudo-donneur (10), c’est-à-dire le ratio entre la surface totale des pavés et la surface totale du substrat support, est supérieur à 50%, de préférence supérieur à 75%. Procédé selon l’une des revendications 1 à 3, dans lequel chaque pavé (P1, P2, P3) présente un côté de longueur supérieure ou égale à 5 mm, de préférence supérieure ou égale à 8 mm, et de manière préférée supérieure ou égale à 10 mm. Procédé selon l’une des revendications 1 à 4, dans lequel chaque puce (p11, p12, p13, p14) présente un côté de longueur inférieure ou égale à 5 mm, de préférence inférieure ou égale à 3 mm, et de manière préférée inférieure ou égale à 1 mm. Procédé selon l’une des revendications 1 à 5, dans lequel la distance entre deux pavés (P1, P2, P3) adjacents est inférieure ou égale à 3 mm, de préférence inférieure ou égale à 1 mm. Procédé selon l’une des revendications 1 à 6, dans lequel la distance entre deux puces (p11, p12, p13, p14) adjacentes est supérieure ou égale à 3 mm, de préférence supérieure ou égale à 5 mm. Procédé selon l’une des revendications 1 à 7, dans lequel chaque pavé recouvre au moins partiellement deux zones d’intérêt distinctes du substrat receveur et on forme, à partir dudit pavé, une puce sur chaque zone d’intérêt respective. Procédé selon l’une des revendications 1 à 7, dans lequel chaque pavé recouvre un coin respectif de quatre zones d’intérêt distinctes du substrat receveur agencées en carré ou en rectangle, et on forme, à partir dudit pavé, une puce sur chaque coin de la zone d’intérêt respective. Procédé selon l’une des revendications 1 à 7, dans lequel chaque pavé se présente sous la forme d’une bande recouvrant au moins partiellement au moins trois zones d’intérêt alignées du substrat receveur et on forme, à partir dudit pavé, une puce sur chaque zone d’intérêt respective. Procédé selon l’une des revendications 1 à 10, dans lequel le substrat support (1) et le substrat receveur (3) présentent un diamètre sensiblement identique, supérieur au diamètre du substrat donneur (2). Procédé selon l’une des revendications 1 à 11, dans lequel le collage du substrat pseudo-donneur (10) sur le substrat receveur (3) est réalisé par adhésion moléculaire. Procédé selon l’une des revendications 1 à 12, dans lequel le transfert de chaque portion (P’1, P’2, P’3) de pavé comprend successivement la formation d’une zone de fragilisation (11) par implantation d’espèces atomiques dans chaque pavé (P1, P2, P3) du substrat pseudo-donneur (10) pour définir une portion (P’1, P’2, P’3) de pavé à transférer, le collage du substrat pseudo-donneur (10) sur le substrat receveur (3) par l’intermédiaire des pavés (P1, P2, P3), et le détachement de chaque pavé le long de la zone de fragilisation (11). Procédé selon l’une des revendications 1 à 12, dans lequel le transfert de chaque portion (P’1, P’2, P’3) de pavé comprend un amincissement par meulage et/ou gravure de chaque pavé (P1, P2, P3) du substrat pseudo-donneur. Procédé selon l’une des revendications 1 à 14, dans lequel chaque pavé (P1, P2, P3) présente une épaisseur comprise entre 20 µm et 1000 µm, de préférence comprise entre 100 µm et 700 µm, et la portion transférée de chaque pavé présente une épaisseur comprise entre 30 nm et 1,5 µm. Procédé selon l’une des revendications 1 à 15, dans lequel chaque pavé (P1, P2, P3) comprend : - un matériau semi-conducteur, tel qu’un matériau III-V, notamment le nitrure d'indium (InN), le nitrure de gallium (GaN), le nitrure d’aluminium (AlN), l’arséniure d'indium (InAs), l’arséniure de gallium (GaAs), l’arséniure d’aluminium (AlAs), le phosphure d'indium (InP), le phosphure de gallium (GaP) ou le phosphure d’aluminium (AlP), ou un matériau IV ou IV-IV, notamment le germanium ou le carbure de silicium (SiC), - un matériau piézoélectrique, tel que le tantalate de lithium (LiTaO 3 ), le niobate de lithium (LiNbO 3 ), le niobate de potassium-sodium (K x Na 1-x NbO 3 ou KNN), le titanate de baryum (BaTiO 3 ), le quartz, le titano-zirconate de plomb (PZT), un composé de niobate de plomb-magnésium et de titanate de plomb (PMN-PT), l’oxide de zinc (ZnO), le nitrure d’aluminium (AlN) ou le nitrure d’aluminium et de scandium (AlScN), et/ou - un matériau électriquement isolant, tel que le diamant, le titanate de strontium, la zircone yttriée ou le saphir. Procédé selon l’une des revendications 1 à 16, comprenant une étape de formation par épitaxie d’au moins une couche épitaxiale sur chaque portion de pavé, l’enlèvement de matière pour diviser chaque portion de pavé en puces étant mis en œuvre après ladite étape d’épitaxie. Procédé selon l’une des revendications 1 à 17, dans lequel l’enlèvement de matière comprend : - la formation d’un masque comprenant un film protecteur recouvrant en partie lesdites portions de pavés selon un motif définissant lesdites puces dans chaque portion de pavé et au moins une ouverture définissant un espace à former entre deux puces ; - la gravure de chaque portion de pavé au travers de chaque ouverture du masque de sorte à former ledit espace pour séparer lesdites puces les unes des autres. Procédé selon la revendication 18, dans lequel la gravure est réalisée au moyen d’une solution de gravure et le masque est formé d’une résine photosensible. Procédé selon la revendication 18, dans lequel la gravure est réalisée au moyen d’un faisceau d’ions et le masque est formé d’un métal. Procédé selon l’une des revendications 1 à 17, dans lequel l’enlèvement de matière est réalisé de manière sélective par un faisceau focalisé d’ions, ledit faisceau étant contrôlé pour balayer uniquement les régions des portions de pavés à enlever.