INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
A titre d'exemple, à l'issue de l'étape de planarisation, les couches 17 et 17' présentent, en dehors des ouvertures 19b et des régions de formation des éléments NEMS 20 du dispositif, une épaisseur cumulée e2, à partir de la face supérieure de la couche isolante enterrée 15, comprise entre 1 µm et 50 µm, par exemple comprise entre 5 µm et 30 µm, par exemple comprise entre 10 µm et 20 µm.
A titre d'exemple, l'étape de planarisation est réalisée par CMP (polissage mécano physique, de l'anglais "Chemical Mechanical Polishing"). En variante, l'étape de planarisation est réalisée par un polissage ou meulage mécanique (grinding) suivi d'un polissage sec (dry polish). Encore en variante, l'étape de planarisation est réalisée par une combinaison des techniques décrites ci-avant.
La illustre la structure obtenue à l’issue d’une étape de report d'une couche semiconductrice 25 sur la face supérieure de la structure illustrée en et plus particulièrement, sur la face supérieure de la couche 17'. A titre d'exemple, la couche 25 est reportée sur et en contact avec la face supérieure de la couche 17'. A titre d'exemple, la couche semiconductrice 25 est une plaquette semiconductrice (wafer) ou une partie de plaquette semiconductrice. La couche 25 est par exemple en le même matériau que la couche 17’, par exemple en silicium. La couche 25 est de préférence monocristalline. La couche 25 est, par exemple dopée. A titre d'exemple, la couche 25 correspond à la couche semiconductrice cristalline supérieure d’une structure SOI. Dans ce cas, le substrat de support de la structure SOI peut servir de poignée lors du report. Après report et fixation de la couche 25 sur la face supérieure de la couche 17’, le substrat de support et la couche isolante enterrée de la structure SOI peuvent être retirés de façon à conserver uniquement la couche 25. A titre de variante, la couche 25 correspond à une partie de l’épaisseur d’un substrat semiconducteur massif. Le substrat est d’abord reporté et fixé sur la face supérieure de la couche 17’, puis aminci, par exemple par meulage et/ou CMP, de façon à conserver uniquement la couche 25.
La couche 25 est par exemple fixée par collage moléculaire de sa face inférieure avec la face supérieure de la couche 17'. Le collage est par exemple un collage moléculaire de type SAB (de l’anglais "Surface Activated Bonding" - collage à activation de surface), c’est à dire que l'étape de report est précédée d'une étape de préparation ou nettoyage de la surface de collage de la couche 25 et/ou de la surface de collage de la couche 17’, par traitement plasma.
Pour améliorer le collage, après report de la couche 25 sur et en contact avec la face supérieure de la couche 17’, un recuit peut être prévu, par exemple à une température de l’ordre de 400°C.
En dehors des ouvertures 19b et des régions de formation des éléments NEMS 20 du dispositif, les couches 17, 17’ et 25 présentent une épaisseur cumulée e3. L'épaisseur e3 est, par exemple, déterminée en fonction du type d’élément MEMS que l’on cherche à réaliser. L'épaisseur e3 correspond, par exemple, à l'épaisseur finale d’un élément mécanique, par exemple une masse sismique, d’un élément MEMS du dispositif. L'épaisseur e3 peut être ajustée en fonction du type d’application considéré. L'épaisseur e3 est, par exemple, comprise entre 10 µm et 300 µm, par exemple entre 20 µm et 100 µm, par exemple entre 30 µm et 80 µm, par exemple entre 40 et 60 µm.
La illustre la structure obtenue à l’issue d’une étape de gravure localisée, à partir de la face supérieure de la couche 25, de l’empilement formé par les couches 17, 17’ et 25.
A titre d'exemple, l'étape de gravure est réalisée à travers un masque, par exemple un masque dur, en un oxyde, par exemple en orthosilicate de tétraéthyle (TEOS). La gravure des couches 25, 17' et 17 est, par exemple une gravure ionique réactive profonde (DRIE, de l'anglais "Deep Reactive Ion Etching").
Lors de cette étape des ouvertures et/ou tranchées verticales 28 sont formées dans l'empilement des couches 25, 17' et 17. A titre d'exemple, ces tranchées et/ou ouvertures débouchent sur la face supérieure de la couche 15 ou sur la face supérieure des protections 21p. La gravure est par exemple une gravure sélective du ou des matériaux semiconducteurs des couches 17, 17’ et 25 par rapport au matériau diélectrique de la couche 15 et des éléments de protection 21. Les tranchées et ouvertures 28 définissent et délimitent latéralement, dans l’empilement des couches semiconductrices 17, 17’ et 25, des éléments MEMS comprenant notamment un élément mécanique 29, par exemple une masse sismique. Dans cet exemple, les tranchées et ouvertures 28 permettent en outre d’exposer la face supérieure des éléments de protection 21p en vis à vis des éléments NEMS 20 du dispositif. De plus, dans cet exemple, les tranchées et ouvertures 28 définissent en outre, en vis à vis de l’ouverture de reprise de contact de masse 19b, une portion 30 de l’empilement des couches 17’ et 17, aussi appelée région de reprise de contact de masse, en contact, par sa face inférieure, avec le substrat 13.
A titre d'exemple, l'étape de gravure décrite ci-avant est précédée d'une étape de formation de plots 27, par exemple sur et en contact avec la face supérieure de la couche semiconductrice 25, en vis à vis de portions de la couche 25 non retirées lors de l’étape de gravure ultérieure et en dehors des éléments MEMS et notamment de l'élément mécanique 29 du dispositif. A titre d'exemple, les plots 27 sont en germanium et ont, par exemple, une épaisseur comprise entre 100 nm et 1 µm, par exemple de l'ordre de 500 nm. Les plots 27 permettent, par exemple, le scellement ultérieur de la structure obtenue à l'issue du procédé décrit en relation avec les figures 1 à 8 avec un capot (non représenté).
La illustre la structure obtenue à l’issue d’une étape de retrait d’une partie de la couche 15 et des régions de protection isolantes 21p. Lors de cette étape, aussi appelée étape de libération, la couche 15 et les éléments de protection 21p sont gravés de façon sélective par rapport aux couches semiconductrices 17, 17’ et 25, de manière à libérer les éléments MEMS et NEMS du dispositif. A titre d’exemple, la gravure est une gravure chimique gazeuse. A titre d’exemple, la gravure est réalisée sous vapeur de fluorure d'hydrogène (HF). A titre d'exemple, la libération a une vitesse comprise entre 5 nm/min et 100 nm/min, par exemple comprise entre 20 nm/min et 60 nm/min, par exemple de l'ordre de 48 nm/min. Le temps de gravure peut être contrôlé de façon à conserver des portions de la couche diélectrique 15 servant d’ancrage ou support mécanique aux éléments MEMS et NEMS du dispositif.
A titre d'exemple, des parties de silicium polycristallin peuvent subsister dans la structure obtenue à l'issue de cette étape. En effet, à titre d'exemple, à proximité des éléments NEMS 20, une partie des régions 23 peut subsister.
Chaque bloc de sécurité 150 et 250 réalise une fonction de protection contre les surpressions et de gavage du circuit hydraulique associé, et optionnellement une fonction de purge du circuit hydraulique associé. On définit ainsi pour le bloc de sécurité 150 un organe de gavage 152 et un organe de décharge 154, et pour le bloc de sécurité 250 un organe de gavage 252 et un organe de décharge 254. Chaque organe de gavage 152 et 252 comprend typiquement un ou plusieurs clapets anti-retour et soupapes tarées formant limiteur de pression adaptés pour réaliser un gavage à l’admission de la pompe hydraulique 110 ou 210 associée, ainsi qu’une protection en surpression.
Chaque bloc de sécurité 150 et 250 assure ainsi une pression minimale dans le circuit primaire 100 et le circuit secondaire 200 via les organes de gavage 152 et 252 dès lors que la pompe de gavage 310 est actionnée, et réalise une décharge de pression lorsque la pression dans l’un de ces circuits primaire 100 ou secondaire 200 dépasse une valeur de tarage via les organes de décharge 154 et 254. A titre d’exemple, l’organe de décharge 154 associé au circuit primaire 100 peut être calibré à une pression de l’ordre de 350 bar, et l’organe de décharge 254 associé au circuit secondaire 200 peut être calibré à une pression de l’ordre de 210 bar. Ces pressions dépendent des composants choisis pour chaque circuit, primaire ou secondaire.
Chaque organe de décharge 154 et 254 comprend typiquement une soupape ou valve tarée, configurée de manière à réaliser un échappement de fluide dès lors que la pression dans l’une des conduites du circuit associé dépasse la valeur seuil de tarage. Cet échappement de fluide peut par exemple être dirigé depuis une conduite que l’on qualifie de haute pression du circuit vers une conduite que l’on qualifie de basse pression du circuit, ou vers le réservoir R. La valeur de tarage de chaque organe de tarage 154 et 254 est typiquement définie en fonction des pressions admissibles par les différents composants des circuits hydrauliques primaire 100 et secondaire 200, notamment en fonction des pressions maximales admissibles par les moteurs hydrauliques 120, 130, 220 et 230.
De manière optionnelle, on peut piloter le moteur primaire M et la pompe secondaire 210, typiquement via le contrôleur 20, de manière à ce que la pression dans le circuit secondaire 200 demeure inférieure à la pression de tarage de l’organe de décharge, que cela soit lors de la mise en service du système, lors de son fonctionnement ou lors de son arrêt.
Un tel pilotage permet d’éviter des pertes notamment lors de la mise en service et de l’arrêt du circuit secondaire 200 qui pourraient résulter d’une surpression dans le circuit secondaire et d’un échauffement du fluide dans le circuit secondaire 200.
Selon un exemple, le contrôleur 20 pilote la vitesse du moteur M et la cylindrée des pompes primaires 110 et secondaires 210 pour réaliser des accélérations de manière à ne pas dépasser une valeur limite d’accélération. En particulier, le contrôleur 20 peut gérer une mise en route de l’engin comprenant une accélération de la traction conjointe avec une accélération des éléments vibrants. Il peut également générer le lancement des éléments vibrants à accélération contrôlée, tout en maintenant une vitesse d’avancement constante de l’engin. Pour cela, le contrôleur 20 détermine à chaque instant un point de fonctionnement du moteur primaire M qui permet de fournir la puissance nécessaire, en pression et en débit, pour l’entrainement de la pompe primaire 110 et de la pompe secondaire 210, et éventuellement en tenant compte de l’entrainement de la pompe de gavage. Si nécessaire le moteur primaire M peut être accéléré. Le contrôleur 20 fait évoluer la cylindrée de la pompe primaire 110 et de la pompe secondaire 210 en conséquence, par exemple pour maintenir la vitesse d’avancement constante, et l’accélération de vibration souhaitée. D’une manière générale, le contrôleur 20 peut faire évoluer la vitesse du moteur primaire M et les cylindrées de la pompe primaire 110 et de la pompe secondaire 210 suivant les besoins en pression et en débit de chaque circuit 100, 200, 300.
En variante, pour un mode de réalisation simple et économique, la pompe primaire 110 est une pompe hydraulique à commande manuelle. De cette manière, un utilisateur peut régler manuellement la vitesse d’avancement d’un compacteur qui reste constante pendant le travail, c’est-à-dire que le contrôleur 20 règle le régime du moteur primaire M à une valeur fixe, ce qui permet d’obtenir une vitesse d’avancement constante. Le contrôleur 20 fait alors évoluer la cylindrée de la pompe secondaire 210 pour obtenir l’accélération de vibration souhaitée.
La présente plusieurs courbes qui illustrent l’évolution de différents paramètres en fonction d’un tel pilotage qui maintient une pression dans le circuit secondaire 200 inférieure à la pression de tarage de l’organe de décharge 254 via un pilotage de la vitesse de rotation du moteur primaire M et de la cylindrée de la pompe secondaire 210, étant entendu que ces courbes se transposent également pour le pilotage du circuit primaire 100.
On représente sur cette figure une évolution de l’accélération A du moteur primaire M en fonction du temps t, une évolution de la vitesse de rotation V du moteur primaire M en fonction du temps t, et une évolution de la pression P au sein du circuit de vibration 200 en fonction du temps t dans la conduite haute pression du circuit de vibration 200.
L’instant t1 désigne l’envoi d’une commande de mise en service du circuit de vibration 200. A cet instant, le moteur primaire M est alors mis en rotation pour atteindre une vitesse cible Vc. L’accélération du moteur primaire M est typiquement constante et égale à une valeur maximale admissible d’accélération Amax qui permet de maintenir une pression P dans la conduite haute pression du circuit hydraulique strictement inférieure à la pression de tarage Pt de l’organe de décharge 254. La vitesse de rotation V du moteur primaire M2 augmente alors de manière régulière, selon une pente constante. Lorsque la vitesse cible Vc est atteinte, l’accélération devient nulle. La vitesse est maintenue à la vitesse cible Vc, et la pression dans le circuit s’établit à une valeur sensiblement constante permettant de maintenir la vitesse de rotation tout en compensant les différentes pertes de charge et frottements.
L’instant t3 désigne l’envoi d’une consigne d’arrêt du circuit de vibration 200. Le système vise alors à amener la vitesse à une valeur nulle le plus vite possible. Le moteur primaire M est donc freiné, avec une décélération constante et égale à une valeur maximale admissible de décélération, par exemple –Amax. Cette valeur maximale admissible de décélération est dimensionnée de manière à ce que la pression dans la ligne haute pression du circuit de vibration 200 demeure inférieure à la pression de tarage Pt de l’organe de décharge 254. On note ici que la ligne basse pression et la ligne haute pression sont inversées entre la phase d’accélération et la phase de décélération. La vitesse de rotation du moteur primaire M diminue alors de manière régulière, selon une pente constante, jusqu’à son arrêt à l’instant t4.
De manière optionnelle, le contrôleur 20 peut piloter le moteur M en tenant compte des besoins de puissance et de vitesse de la pompe de gavage 300, en même temps qu’il prend en compte les besoins des pompes primaires 110 et secondaires 210. Par exemple, si pendant certaines phases, le besoin de gavage augmente, par exemple lors des phases d’accélération et de montée en pression, alors le moteur primaire M peut être accéléré pour augmenter le débit de gavage, tout en ajustant la cylindrée des pompes primaires 110 et secondaires 210 pour maintenir les vitesses demandées.
De manière optionnelle, contrôleur 20 est configuré de manière à piloter le moteur primaire M, la pompe primaire 110 et la pompe secondaire 210 de manière à ce que les éléments vibrants soient entrainés dans un même sens de rotation que les organes de déplacement. En effet, les éléments vibrants sont souvent portés par un axe de rotation comportant des paliers, qui sont eux-mêmes portés par l’intérieur du rouleau. De cette manière, la vitesse relative des paliers est réduite, ce qui diminue les pertes dans les paliers des masses vibrantes, et l’effort de l’entrainement des masses vibrantes participe à l’entrainement du rouleau du compacteur. Ceci participe à économiser l’énergie et à augmenter l’autonomie de la machine.
Dans le cas d’un circuit simplifié avec commande manuelle de la pompe primaire 110, un capteur de sens d’avancement permet au contrôleur 20 de connaitre le sens de rotation.
On peut ainsi piloter, typiquement via le contrôleur 20, la cylindrée de la pompe primaire 110 et/ou la cylindrée de la pompe secondaire 210.
Le système tel que proposé est aussi réversible, et permet de réaliser une fonction de récupération d’énergie lors de l’arrêt du circuit secondaire 200 comme on l’explique ci-après.
Par exemple, et comme illustré non limitativement sur les figures 1, 3 et 4, la partie avant PV de la pièce de support PS peut comprendre un premier logement L1 logeant partiellement le connecteur CN en empêchant son découplage de la carte électronique CE. On comprendra que les dimensions du premier logement L1 sont choisies de manière à permettre le logement partiel du connecteur CN tout en l’empêchant (quasiment totalement) de bouger pour éviter qu’il se découple de la carte électronique CE. La portion de paroi qui délimite le premier logement L1 juste derrière le connecteur CN définit en effet une cale (ou butée) arrière restreignant le déplacement de ce dernier (CN).
Comme illustré non limitativement sur les figures 1, 3 et 4, le premier logement L1 peut être une cavité qui est définie dans la face avant FV de la partie avant PV de la pièce de support PS. Mais dans une variante non illustrée le premier logement L1 pourrait être défini par une nervure périphérique érigée depuis la face avant FV de la partie avant PV, et éventuellement fermée (c’est-à-dire en boucle).
Egalement par exemple, et comme illustré non limitativement sur les figures 1, 3 et 4, la sous-partie SPC de la carte électronique CE (qui comporte la zone de couplage ZC) peut s’étendre devant le premier logement L1. Cela permet de positionner le connecteur CN dans le premier logement L1. On notera qu’un positionnement très précis du connecteur CN dans le premier logement L1 peut être obtenu grâce à un positionnement très précis de la carte électronique CE par rapport à la partie avant PV de la pièce de support PS. A cet effet, et comme illustré non limitativement et au moins partiellement sur les figures 1, 3 et 4, la partie avant PV peut, par exemple, comprendre deux plots de positionnement PP s’étendant sensiblement perpendiculairement depuis sa face avant FV et destinés à traverser deux trous traversants TP correspondants définis dans la carte électronique CE.
Egalement par exemple, et comme illustré non limitativement sur les figures 1, 3 et 4, la partie avant PV de la pièce de support PS peut comprendre une nervure périphérique NP érigée (ou s’étendant) depuis sa face avant FV. Cette nervure périphérique NP délimite un second logement L2 qui inclue le premier logement L1 et qui loge une partie du connecteur CN. Cela permet notamment d’augmenter le volume du premier logement L1 pour l’accueil du connecteur CN (et ainsi d’éviter qu’il ne soit trop profond), mais aussi d’augmenter la longueur de la cale (ou butée) arrière restreignant le déplacement du connecteur CN. On notera que dans l’exemple illustré non limitativement sur les figures 1 et 4 la nervure périphérique NP est fermée (c’est-à-dire en boucle), mais cela n’est pas obligatoire.
On notera également, comme illustré non limitativement sur les figures 1, 3 et 4, que la carte électronique CE peut éventuellement s’appuyer contre la nervure périphérique NP qui assure alors une seconde fonction de butée (ou calage) pour une définition précise de la distance séparant la carte électronique CE de la face avant FV de la partie avant PV.
On notera également que la pièce de support PS peut être solidarisée, fixement et de façon étanche aux liquides et poussières, à la face externe FE de la paroi PB. Cela permet de protéger la carte électronique CE et le connecteur CN, mais aussi d’empêcher l’entrée de liquide et poussières dans le logement interne LI, via le trou traversant TT. Par exemple, cette étanchéité peut être obtenue au moyen d’un joint.
Projecteur de phare de véhicule L’invention se rapporte au domaine technique des projecteurs de phare de véhicule.
État de l’art Un projecteur de phare de véhicule connu de l’état de la technique, notamment du document EP 2 339 228 B1, comporte : - un boîtier, réalisé dans un premier matériau plastique, - un ensemble de modules optiques, agencé à l’intérieur du boîtier ; - des premier et second connecteurs, respectivement de type mâle et femelle, conçus pour connecter des faisceaux électriques.
Les connecteurs et les faisceaux électriques permettent d’interconnecter les différents composants électroniques internes entre eux. Les connecteurs et les faisceaux électriques doivent être tenus afin de ne pas générer de bruits parasites, et afin de ne pas générer des risques de déconnexion ou de court-circuit. Les interfaces de fixation des connecteurs classiques possèdent des dimensions faibles qui nécessitent une grande précision lors de leur fabrication. Lorsque le boîtier est réalisé dans un matériau thermodurcissable, il est très difficile de former l’interface de fixation au sein du boîtier, c’est-à-dire de rendre l’interface de fixation et le boîtier monobloc. En effet, l’injection d’un matériau thermodurcissable, très liquide quand il rentre dans le moule, se durcit au fur et à mesure grâce à la température du moule. Mais le matériau thermodurcissable est tellement liquide qu’il parvient à s’introduire dans les plans de joint du moule, même si le moule est parfaitement ajusté. Il faut donc, lorsque le boîtier injecté sort du moule, le passer dans un centre d’usinage afin d’ébavurer tous les plans de joints. Mais pour cela, il faut que la fraise d’usinage puisse avoir accès aux plans de joints. Or, dans le cas de l’interface de fixation de connecteurs classiques, les différents orifices sont trop petits par rapport au diamètre de la fraise d’usinage.
L’invention vise à remédier en tout ou partie aux inconvénients précités. A cet effet, l’invention a pour objet un projecteur de phare de véhicule, comportant : - un boîtier, réalisé dans un premier matériau plastique, - un ensemble de modules optiques, agencé à l’intérieur du boîtier ; - des premier et second connecteurs, respectivement de type mâle et femelle, conçus pour connecter des faisceaux électriques ; remarquable en ce que le projecteur comprend : - une ouverture, formée dans le boîtier ; - un organe de fixation, agencé dans l’ouverture pour former une interface de fixation entre les premier et second connecteurs ; l’organe de fixation étant réalisé dans un second matériau plastique différent du premier matériau plastique.
Ainsi, un tel projecteur selon l’invention permet l’utilisation de connecteurs standards, grâce à l’organe de fixation qui est distinct du boîtier, et qui peut donc être formé indépendamment du boîtier. Il est donc possible de s’affranchir d’une interface de fixation des connecteurs avec les contraintes d’un matériau thermodurcissable pour le boîtier.
Selon une caractéristique de l’invention, l’organe de fixation et le boîtier sont conçus pour que l’organe de fixation s’emboîte dans l’ouverture par un emboîtage élastique.
Ainsi, un avantage procuré est la facilité de l’assemblage de l’organe fixation sur le boîtier.
Selon une caractéristique de l’invention : - l’organe de fixation comporte des collerettes élastiquement déformables ; - le boîtier comporte des ergots, agencés autour de l’ouverture pour maintenir en position les collerettes.
La présente invention a également pour objet l’utilisation du Pt(octane-2,4-dione) 2 comme catalyseur d’hydrosilylation.
Le circuit secondaire 200 comprend une pompe secondaire 210 reliée à deux moteurs hydrauliques 220 et 230 adaptés pour entrainer en rotation des éléments adaptés pour générer des vibrations, par exemple des masses excentrées. La pompe secondaire 210 est une pompe hydraulique à cylindrée variable.
Dans l’exemple illustré, le circuit secondaire 200 comprend ainsi deux moteurs hydrauliques 220 et 230 adaptés pour entrainer en rotation deux éléments vibrants, respectivement 225 et 235, ce qui correspond typiquement à un compacteur tandem comprenant deux rouleaux. On comprend que dans le cas d’un compacteur comprenant un unique rouleau, le circuit secondaire 200 peut alors ne comprendre qu’un unique moteur hydraulique entrainant en rotation un unique élément vibrant.
Dans l’exemple illustré, une valve de bipasse 240 est montée en parallèle du moteur hydraulique 230, ce qui permet ainsi d’activer soit les deux moteurs hydrauliques 220 et 230, soit uniquement le moteur hydraulique 220. La valve de bipasse 240 est typiquement une valve à commande électrique.
Le circuit secondaire 200 tel qu’illustré est un circuit hydraulique en boucle fermée.