INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
La présente invention a pour but de pallier notamment ces inconvénients en proposant une solution permettant d’automatiser la mise en place d’un container depuis son emplacement de stockage dans le véhicule de livraison jusqu’à une aire de l’espace public sans aménagement spécifique (sans avoir à utiliser de « docks »).
A cet effet, la présente invention a pour premier objet, un système de mise en place automatisée d’au moins un container mobile communiquant, sur une aire de livraison, à partir d’un véhicule de livraison transportant ledit container dans un espace de stockage dudit véhicule, ledit véhicule étant stationné à proximité de l’aire de livraison, dans lequel le véhicule comporte un système d’aide à la conduite et des capteurs de perception couplés au système d’aide à la conduite, pour l’aide à la conduite du véhicule, dans lequel le container comporte des capteurs de perception de son environnement, dans lequel le véhicule et le container comportent respectivement des moyens de communication par voie d’onde permettant d’échanger à distance les informations délivrées par leurs capteurs de perception respectifs ; ledit système d’aide à la conduite étant en outre configuré pour coopérer avec des moyens de pilotage permettant de guider le container depuis le véhicule jusqu’à l’aire de livraison suivant une trajectoire déterminée à partir des informations délivrées par les moyens de perception du véhicule et du container.
Selon une caractéristique, le container est muni de moyens de déplacement motorisés, guidés par les moyens de pilotage ; lesdits moyens de déplacement étant configurés de manière à permettre le déplacement du container depuis le véhicule jusqu’à l’aire de livraison suivant la trajectoire déterminée.
Selon une autre caractéristique, les moyens de déplacement comportent au moins un agencement de roues motorisé agencé sous le container.
Selon une autre caractéristique, le véhicule comporte des moyens de déchargement supportés par un mécanisme de déploiement motorisé et articulé autour du seuil de chargement de l’espace de stockage du véhicule ; lesdits moyens étant commandés pour se déployer à partir du seuil de chargement, à l’extérieur de l’espace de stockage, jusqu’à une position de déploiement correspondant au niveau de l’aire de livraison ; lesdits moyens étant configurés pour définir une surface de roulage pour le container entre le seuil de chargement et le niveau de l’aire de livraison.
Selon une autre caractéristique, le véhicule de livraison est un véhicule autonome.
La présente invention a pour deuxième objet un véhicule pour un système tel que décrit ci-dessus, comportant un système d’aide à la conduite dudit véhicule, des moyens de pilotage couplés au système d’aide à la conduite, aptes à guider par voie d’onde un container mobile communiquant avec le véhicule, et des capteurs de perception aptes à fournir, en coopération avec des capteurs de perception du container communiquant, des informations pour le guidage du container.
La présente invention a pour troisième objet, un container mobile communiquant pour un système tel que décrit ci-dessus, comportant des capteurs de perception de son environnement, des moyens de communication par voie d’onde et des moyens de déplacement aptes à être guidés par des moyens de pilotage à distance via les moyens de communication.
Selon une caractéristique, les moyens de déplacement comportent au moins un agencement de roues motorisé pilotable à distance.
La présente invention a pour quatrième objet, un procédé mis en œuvre par un système tel que décrit ci-dessus, consistant :
- dans une première étape, à contrôler l’accessibilité de l’aire de livraison via les capteurs de perception du véhicule ;
Avantageusement, le choix des positions d’accroche des tiges 462- détermine les dimensions et de cellules et permet d’influer sur l’élargissement de la bande de fréquences du faisceau (notamment en transmission). En outre, les différentes dimensions et de l’ensemble des cellules 400 du dispositif de contrôle de faisceaux RF 300 peuvent être identiques ou variables en fonction de l’application de l’invention. Par exemple, et de façon non limitative, un dispositif de contrôle de faisceaux RF 300 utilisé pour transmettre et/ou dévier et/ou réfléchir un faisceau RF peut comprendre des dimensions et variables par rapport au centre O du dispositif afin de moduler spatialement la phase du faisceau incident.
Le dispositif de contrôle de faisceaux RF 300 selon l’invention peut être fabriqué à partir d’une modélisation des cellules 400 en circuit électrique équivalent (phase de conception). Une telle modélisation permet avantageusement d’optimiser les propriétés de contrôle quasi-optique des faisceaux RF désirées pour le dispositif 300 en fonction de l’application de l’invention. En particulier, les caractéristiques du cadre de support de cellule 420 constitué de éléments de coin 4200- , formant murs 420- interrompus chacun par une des fentes 440- , permettent de modéliser une impédance caractéristique d’une cellule 400. Avantageusement, l’impédance caractéristique d’une cellule 400 est déterminée en fonction des paramètres et de la cellule 400. Par exemple, une largeur de fentes plus faible peut induire une impédance caractéristique plus forte. Dans ce cas, la variation de profil des fentes (par des échancrures) peut être mise en œuvre dans la phase de conception pour optimiser l’impédance caractéristique .
Une interconnexion interne 460 d’une cellule (l’interconnexion 460 comprenant tiges 462- ), électriquement conductrice, forme une discontinuité électrique dans la cellule 400. En outre, deux interconnexions internes 460 forment un nombre de 2 discontinuités électriques successives dans la cellule 400, correspondant aux deux ensembles de tiges 462- . Ainsi, dans les modes de réalisation de cellule 400 représentés sur les figures 3 et 4, les tiges électriquement conductrices 462- , encore appelées « tiges inductives », forment une succession de charges inductives notées « L » et exprimées en nH (nanoHenry), et positionnées en parallèle dans le circuit équivalent de la cellule 400.
Le schéma (a) de la représente un tel circuit équivalent modélisé à partir de cellules du dispositif de contrôle de faisceaux RF.
Les paramètres relatifs à la représentation électrique de la cellule 400 en circuit équivalent dépendent de la position des points d’accroche 462- 1 des tiges 462- selon les dimensions et .
Ainsi, en référence à l’exemple de la figure 4 et au circuit modélisé sur le schéma (a) de la figure 5, la première charge inductive et la deuxième charge inductive sont branchées respectivement en entrée et en sortie de la portion de ligne d’impédance caractéristique de longueur respectivement et (avec par exemple ).
Avantageusement, la configuration des interconnexions internes 460 de manière symétrique par rapport au cadre de support de cellule 420, selon des points d’attache au niveau des bords 430- , permet de modéliser des circuits électromagnétiques équivalents de la cellule 400 identiques (ou invariants) par rapport à la caractérisation selon chaque polarisation TE et TM des champs électriques incidents des ondes TEM produites par les sources RF 100 et 200.
Les inductances L des charges inductives successives modélisées par le circuit équivalent peuvent en outre dépendre du ou des diamètres des tiges 462- des interconnexions internes 460. En particulier, l’augmentation du diamètre peut induire une diminution de l’inductance. Dans des modes de réalisation de l’invention, une augmentation du diamètre par trois peut entraîner une diminution de l’inductance L d’un facteur trois. À titre d’exemple non limitatif, un diamètre trop grand peut dégrader de façon significative la largeur de la bande de transmission pour les fréquences élevées (de la source 200). Dans ce cas, une étape d’optimisation du ou des diamètres peut être mis en œuvre dans la phase de conception du dispositif 300 pour optimiser en parallèle la ou les valeurs d’inductances L. Par exemple, il est possible d’obtenir des inductances L jusqu’à une valeur limite L limit déterminée à partir d’une valeur minimale du diamètre des tiges.
Les inductances L peuvent également dépendre de l’angle d’inclinaison des tiges 462- . En particulier, une forte variation de cet angle d’inclinaison par rapport à une valeur de 90° peut induire une augmentation de l’inductance d’une part tandis que la distribution des positions de cette inductance est dissymétrique sur le circuit équivalent. Il peut en résulter des effets sur les propriétés de réflexion et de transmission du dispositif 300. Par exemple, la variation de l’angle peut être liée à l'élargissement de la bande de fonctionnement du dispositif 300, avec une dégradation simultanée du niveau de réflexion.
La figure 6 représente une vue en perspective d’une cellule 400 comprenant deux interconnexions internes 460 et un plateau 470 interne au cadre de support de cellule 420, selon des modes de l’invention où le nombre est égal à 4.
Le plateau 470 interne au cadre de support de cellule 420 peut s’étendre dans un plan orthogonal à l’axe du prisme Z’ et être agencé (ou positionné) sensiblement au milieu des deux interconnexions internes 460.
Un plateau interne 470 peut être une structure métallique ayant une épaisseur et une forme adaptée à la forme de la base polygonale de côtés du cadre de support 420. Par exemple et sans limitation, la base polygonale du cadre de support de cellule 420 peut avoir une forme carrée ( ) de côté de longueur et le plateau interne 470 peut avoir une forme carrée de côté de longueur , tel que et .
En particulier, le plateau interne 470 peut être conçu pour se rapprocher du cadre de support de cellule 420, selon un espacement (ou longueur) , mais ne pas être connecté métalliquement par les côtés du plateau interne 470 au cadre de support de cellule 420. Dans certains modes de réalisation, le plateau interne 470 peut être maintenu à l’intérieur du cadre de support de cellule 420 par un moyen de support diélectrique. Alternativement, le plateau interne 470 peut être maintenu par une connexion diélectrique ou métallique aux deux interconnexions internes 460. Par exemple, cette connexion diélectrique ou métallique aux deux interconnexions internes peut être un pilier central s’étendant selon l’axe du prisme Z’ et comprenant une extrémité supérieure et une extrémité inférieure connectées aux deux interconnexions internes 460, le plateau capacitif étant alors agencé sensiblement au milieu du pilier central entre les des deux interconnexions internes 460.
Un plateau interne 470 métallique et électriquement conducteur peut induire une charge capacitive notée « C» exprimée en fF (femtoFarad), formant une discontinuité électrique élémentaire dans la cellule 400. Un tel plateau 470 interne au cadre de support de cellule 420 correspondant plus généralement à un plateau appelé « plateau capacitif ».
Selon les modes de réalisation où le dispositif de contrôle de faisceaux RF 300 comprend deux interconnexions internes 460 (tiges inductives) et un plateau interne 470 (plateau capacitif), formant trois discontinuités électriques élémentaires comme décrit en référence à l’exemple sur la , le dispositif de contrôle de faisceaux RF 300 est alors qualifié de « dispositif d’ordre 3 ».
La modélisation en circuit électrique équivalent de la cellule 400 telle que représentée sur la est représentée sur le schéma (b) de la . Cette modélisation en circuit électrique équivalent représente une succession de charges : inductive (L), capacitive (C) et inductive (L). Chacune des charges (capacitive et inductives) dans le circuit équivalent modélisé sont conçues pour réaliser une réponse fréquentielle du dispositif de contrôle de faisceaux RF 300 de type filtre passe-haut. Notamment, une telle structure des cellules 400 permet d’obtenir une augmentation significative de la réjection de la bande fréquentielle basse. Par exemple, à 8.5 GHz, la réjection de la bande X peut atteindre 32 dB lorsque la bande passante est la bande Ka.
Lors du traitement thermique par la surface externe de chauffage, la mèche de cheveux peut être guidée contre la plaque externe par la portion de guidage du dispositif.
Les étapes du procédé sont de préférence réalisées de manière successives le long de la mèche de cheveux, notamment de la racine des cheveux vers les pointes, dans l’ordre suivant : - Optionnellement traitement de peignage et/ou vapeur / traitement thermique interne / guidage des cheveux / traitement thermique externe par enroulement sur une ou deux mâchoires ou - Optionnellement traitement de peignage et/ou vapeur / traitement thermique interne / appui contre le premier bord de la ou d’une des plaques internes / traitement thermique externe par la surface externe de chauffage d’une des mâchoires / guidage par l’évidement / optionnellement traitement thermique externe par la surface externe de chauffage de l’autre mâchoire.
Le procédé peut comporter l’application d’une pression sur l’extrémité distale des mâchoires pour maintenir les mâchoires en configuration rapprochée de sorte à exercer une force plus importante sur les cheveux dans ladite configuration des mâchoires. Le procédé peut comporter la mise en place du ou des embouts tels que décrits précédemment sur l’extrémité distale d’une ou des deux mâchoires préalablement à l’application de ladite pression.
la est un agrandissement de la ,
la illustre un agrandissement d’un bord de l’une des plaques internes du dispositif de la ,
Le niveau de réinitialisation du noeud SN correspond par exemple à la tension VSN du noeud SN à la fin d'une phase de réinitialisation du noeud SN. Une phase de réinitialisation est par exemple mise en œuvre en commutant le transistor 502 à l'état passant, et prend fin, par exemple, en commutant le transistor 502 à l'état bloqué.
Le niveau de signal du noeud SN correspond par exemple à la tension VSN du noeud SN lorsque celle-ci est déterminée par une quantité de lumière reçue par le pixel pendant une période d'intégration. Par exemple, le niveau de signal du noeud SN correspond à la tension VSN du noeud SN après que la porte de transfert 702 ait été commutée successivement à l'état passant puis à l'état bloqué alors que le transistor 502 est à l'état bloqué.
La est un chronogramme illustrant un exemple des caractéristiques temporelles de signaux dans le circuit de pixel de la , et en particulier les caractéristiques temporelles des signaux RST, TG et RD. Dans l’exemple de la , les tensions VSN et VS ne sont pas illustrées.
Le signal RST est initialement à un état, par exemple à l’état bas dans cet exemple où le transistor 502 est à canal P, pour que le nœud de détection SN soit couplé à la tension VRST (transistor 502 passant). Cela correspond à une phase de réinitialisation du noeud SN, par exemple à un niveau bas. Pendant que le noeud SN est couplé à la tension VRST, une impulsion 802 du signal TG, par exemple à l'état bas dans cet exemple où les transistors du pixel sont à canal P, provoque la mise à l'état passant de la porte de transfert 702 et la réinitialisation d'une tension VSENSE aux bornes de la photodiode 102. La fin de l’impulsion 802 marque le début d'une période d'intégration T_INT.
Pour chaque opération de lecture du pixel, le signal de réinitialisation RST est amené à un état, par exemple l’état haut dans cet exemple où le transistor 502 est à canal P, pendant une période 804 pour isoler le nœud de détection SN du rail VRST (transistor 502 à l'état bloqué). Cela marque la fin de la phase de réinitialisation du noeud SN.
Pendant la période 804, le signal de lecture RD est amené à un état, par exemple l’état bas dans cet exemple où le transistor 504 est à canal P, pendant une période 806 pour que le transistor 504 soit passant et que la tension VS soit déterminée par la tension VSN du noeud SN.
Pendant la période 806, une impulsion 808 du signal TG, par exemple à l'état bas, provoque la mise à l'état passant de la porte de transfert 702 et le transfert de charges de la photodiode 102 vers le noeud SN, d'où il résulte que, dans cet exemple, la tension VSN du noeud SN augmente. La fin de l'impulsion 808 marque la fin de la période d'intégration T_INT.
Comme cela est représenté par des flèches 810 et 812, un double échantillonnage corrélé est mis en œuvre pendant l'opération de lecture (période 806), en échantillonnant les tensions sur le rail VS, par exemple avec des condensateurs d’échantillonnage, avant et après l’impulsion 808 du signal TG. L'échantillonnage de la tension VS avant l'impulsion 808 permet de capturer le niveau de réinitialisation du noeud SN, et l'échantillonnage de la tension VS après l'impulsion 808 permet de capturer le niveau de signal du noeud SN. Le niveau de signal du noeud SN est déterminé par la valeur de la tension VSENSE à la fin de la période d’intégration T_INT, c'est-à-dire à la fin de l'impulsion 808, donc par la quantité de charges photogénérées dans le pixel pendant la période T_INT.
Dans l'exemple décrit en relation avec les figures 1, 2 et 3, le niveau de réinitialisation du noeud SN est un niveau bas et le niveau de signal du noeud SN est un niveau haut. A titre d'exemple, le niveau de signal est un niveau haut relativement au niveau bas de réinitialisation du noeud SN.
Les figures 1, 2 et 3 décrites précédemment concernent des exemples où le transistor suiveur de tension 204 des pixels est un transistor PMOS, et, où, plus généralement, les transistors du pixel sont à canal P. Toutefois, dans d'autres exemples ce transistor suiveur de tension est un transistor NMOS, et, plus généralement, les transistors du pixel sont à canal N comme cela va maintenant être illustré par les figures 4 et 5.
La est une reproduction de la figure numérotée 9 des documents susmentionnés. Plus particulièrement, la illustre schématiquement une colonne 900 d'une matrice de pixels d'un capteur d'image selon un autre exemple de réalisation. Bien que cela ne soit pas illustré en , la matrice de pixels peut comprendre une pluralité de colonnes 900. En outre, comme pour une colonne 400, la colonne 900 peut comprend un ou plusieurs pixels (bloc "PIXELS" en ) chacun connecté entre le rail VCS et le rail VS, et étant, de préférence, identiques les uns aux autres.
L’exemple de la est similaire à celui de la , excepté que le transistor suiveur de tension se trouvant dans chaque pixel (non illustré en ) est mis en œuvre par un transistor NMOS plutôt que par un transistor PMOS.
Ainsi, la source de courant 402 de la est remplacée par une source de courant 902 disposée entre le rail de tension VCS et le rail d’alimentation haut VDD. La source de courant 902 est configurée pour délivrer un courant I, de préférence constant. Par exemple, une borne de la source de courant 902 est connectée au rail VCS, l'autre borne de la source de courant 902 étant connectée au rail d'alimentation haut VDD.
En outre, à la place de l’impédance variable 404 de la , une impédance variable 904 est disposée entre le rail de sortie de tension VS et le rail d'alimentation bas GND, et est contrôlée par l’amplificateur différentiel 406. L’impédance variable 904 est par exemple mise en œuvre par un transistor NMOS. L'impédance variable 904 a par exemple une borne de conduction connectée au rail VS et une autre borne de conduction connectée au rail d'alimentation bas GND.
La illustre schématiquement exemple de pixel de la matrice de pixels de la , ce pixel étant référencé PIX1 en . Les autres pixels de la sont, de préférence, mis en œuvre de manière identique ou similaire à ce pixel PIX1.
Le pixel PIX1 de la diffère du pixel PIX1 décrit précédemment en relation avec la ce que : - le transistor PMOS 204 est remplacé par un transistor NMOS 104, - le transistor PMOS 502 est remplacé par un transistor NMOS 1002, et - le transistor PMOS 504 est remplacé par un transistor NMOS 1004.
Dans certains modes de réalisation, le terminal 100 comprend un (ou plusieurs) capteur 100c intégré ainsi que des moyens lui permettant d’être communicativement connecté à un (ou plusieurs) capteur 100c distinct du terminal 100.
De retour à la , le terminal 100 comprend des moyens de communication sans fils, e.g. selon un protocole cellulaire du type 2G, 3G, 4G, 5G, etc. au sens du 3GPP (pour « 3rd Generation Partnership Project » en anglais) ou LoRa®, NB-IoT (pour « Narrowband Internet of things » en anglais), Cat-M, lui permettant de se connecter à un réseau de radiocommunications via une station de base 130. De la sorte, le terminal 100 est apte à communiquer, via le cœur 140 de réseau, avec un serveur distant 160 afin, par exemple, de télécharger le protocole de sécurité comme décrit plus avant ci-dessous en relation avec la . Par ailleurs, le terminal 100 est apte à communiquer, via le cœur 140 de réseau, avec un serveur d’alerte 150 (e.g. un serveur d’un service de secours) afin, par exemple, de transmettre la (ou les) information d’alerte générée par la (ou les) fonction d’alerte exécutée sur le terminal 100 comme décrit plus avant ci-dessous en relation avec la .
Selon les modes de réalisation, le serveur distant 160 et le serveur d’alerte 150 sont un seul et même serveur, ou bien des serveurs distincts comme dans le mode de réalisation de la .
Par ailleurs, afin de mettre en œuvre tout ou partie des étapes du procédé d’activation de la (selon l’un quelconque des modes de réalisation décrit ci-dessous en relation avec la ), le terminal 100 comprend un dispositif 100d comprenant par exemple ( ) une mémoire vive 203 (par exemple une mémoire RAM), une unité de traitement 202 équipée par exemple d’un processeur, et pilotée par un programme d’ordinateur stocké dans une mémoire morte 201 (par exemple une mémoire ROM ou un disque dur). A l’initialisation, les instructions de code du programme d’ordinateur sont par exemple chargées dans la mémoire vive 203 avant d’être exécutées par le processeur de l’unité de traitement 202.
Cette illustre seulement une manière particulière, parmi plusieurs possibles, de réaliser le dispositif 100d afin qu’il effectue certaines étapes du procédé d’activation selon l’invention (selon l’un quelconque des modes de réalisation et/ou variantes décrit(e)s ci-dessous en relation avec la ). En effet, ces étapes peuvent être réalisées indifféremment sur une machine de calcul reprogrammable (un ordinateur PC, un processeur DSP ou un microcontrôleur) exécutant un programme comprenant une séquence d’instructions, ou sur une machine de calcul dédiée (par exemple un ensemble de portes logiques comme un FPGA ou un ASIC, ou tout autre module matériel).
Dans le cas où le dispositif 100d est réalisé avec une machine de calcul reprogrammable, le programme correspondant (c’est-à-dire la séquence d’instructions) pourra être stocké dans un médium de stockage amovible (tel que par exemple un CD-ROM, un DVD-ROM, une clé USB) ou non, ce médium de stockage étant lisible partiellement ou totalement par un ordinateur ou un processeur.
Dans certains modes de réalisation, le dispositif 100d est inclus dans le terminal 100 mobile.
On présente désormais, en relation avec la les étapes d’un procédé d’activation du protocole de sécurité sur le terminal 100 selon un mode de réalisation de l’invention.
Plus particulièrement, le protocole de sécurité comprend au moins une fonction d’alerte comprenant des instructions de code de programme configurant le terminal 100 mobile pour qu’une (ou plusieurs) information d’alerte soit générée sur la base d’une comparaison entre :
- d’une part, une quantité basée sur au moins une donnée qui est issue soit d’un (ou de plusieurs) capteur 100c, soit d’un moyen de saisie du terminal 100 mobile ; et
- d’autre part, un seuil d’activation prédéterminé.
Comme décrit ci-dessus en relation avec la , suivant les modes de réalisation, le (ou les) capteur 100c est soit intégré au terminal 100, soit communicativement connecté au terminal 100. Par ailleurs, le moyen de saisie comprend par exemple un clavier physique, un écran tactile ou encore un microphone du terminal 100.
De même, suivant les implémentations considérées, la quantité précitée est soit directement représentative de ladite au moins une donnée, soit représentative d’une variation, sur une période de temps prédéterminée, de ladite au moins une donnée. Ainsi, les fonctions d’alerte sont par exemple des fonctions du type :