INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Conformément à la présente demande, les reliefs formés par les nervures 120 viennent en interférence avec les billes 151 d’agitation sur leur chemin vers une position d’obstruction de l’orifice d’admission 116. Les nervures 120 permettent ainsi le maintien d’un écart entre ledit élément d’agitation et l’orifice d’admission 116, et leur espacement permet au produit cosmétique fluide de contourner l’élément d’agitation (flèches vertes) pour atteindre l’orifice d’admission 116, entrer dans le canal traversant, puis sortir de l’ensemble 100 par l’orifice de distribution 113.
Luge convertible en sac à dos L’invention concerne une luge, ainsi qu’un ensemble comprenant une telle luge et une paire de raquettes à neige.
Elle s’applique en particulier aux luges destinées à la pratique d’une activité sportive, notamment de type rando-luge, afin de permettre à un randonneur de glisser sur un terrain neigeux.
Ce type de luges forme un sac présentant un espace de stockage du matériel nécessaire au randonneur, ledit sac pouvant être porté, notamment sur le dos, lors des phases de marche, et pouvant, lors des phases de glisse, contenir les équipements de marche telle qu’une paire de raquettes à neige ou de bâtons.
Le document DE-19 805 505 décrit un sac à dos de randonnée convertible en luge, comprenant une coque formant un espace de stockage dans une configuration de portage et présentant un fond dont la surface externe est agencée pour permettre la glisse dans une configuration de glisse.
En particulier, l’espace de stockage est fermé par une paroi supérieure souple qui présente une zone arrière rigidifiée formant une assise pour l’utilisateur en configuration de glisse, des bretelles pouvant être fixées sur la coque pour permettre le portage du sac sur le dos.
Cette solution ne donne pas entière satisfaction en ce que la surface de glisse de la coque présente des moyens de fixation réversible des bretelles, ce qui peut altérer l’efficacité de ladite surface lors de l’utilisation en configuration de glisse.
En outre, la paroi supérieure souple ne permet pas de conférer une bonne assise pour l’utilisateur, notamment en portant une poignée de maintien, tout en garantissant l’intégrité de l’espace de stockage lors de l’utilisation en configuration de glisse.
L’invention vise à perfectionner l’art antérieur en proposant notamment une luge qui est convertible en sac à dos, dans laquelle les configurations de glisse et de portage sont optimisées conjointement relativement à leur fonction respective de glisse et de stockage.
A cet effet, selon un premier aspect, l’invention propose une luge comprenant une coque inférieure présentant un fond dont la surface externe est agencée pour permettre la glisse de ladite luge, ledit fond étant bordé par une paroi périphérique qui s’étend depuis ledit fond jusqu’à un bord libre, ladite luge comprenant :
Par « perfluoré », on entend désigner un groupement (par exemple, aryle), où l’ensemble des atomes d’hydrogène ont été substitués par des atomes de fluor.
Par « partiellement fluoré », on entend désigner un groupement (par exemple, aryle), où seule une partie des atomes d’hydrogène (un ou plusieurs atomes d’hydrogène) ont été substitués par des atomes de fluor.
De préférence, la molécule mise en œuvre selon l’invention est porteuse d’au moins un groupement aryle perfluoré, en particulier d’au moins un groupement phényle perfluoré.
De préférence, ladite molécule aromatique polyfluorée se présente à l’état liquide à température ambiante (25°C) et pression atmosphérique (760 mm de Hg, soit 1013,25 hPa).
De préférence, ladite molécule aromatique polyfluorée présente un point d’ébullition, à pression atmosphérique, compris entre 50 °C et 180 °C, en particulier entre 100°C et 150 °C.
De préférence, ladite molécule aromatique polyfluorée présente un poids moléculaire compris entre 100 et 1 000 g.mol -1 , en particulier compris entre 180 et 500 g.mol -1 .
Les molécules aromatiques polyfluorées peuvent être disponibles dans le commerce ou préparées, préalablement à la mise en œuvre du procédé de l’invention, par des méthodes de synthèse connues de l’homme du métier.
En particulier, la molécule aromatique polyfluorée n’est pas de nature polymérique. Elle est distincte ainsi d’homopolymères ou de polymères.
Également, ladite molécule aromatique polyfluorée est en particulier non ionique. En particulier, il ne s’agit pas d’un sel, en particulier d’un liquide ionique.
Dans le cadre de l’invention, on entend par : - « C t-z » où t et z sont des entiers, une chaîne carbonée pouvant avoir de t à z atomes de carbone ; par exemple C 1-4 une chaîne carbonée qui peut avoir de 1 à 4 atomes de carbone ; - « alkyle », un groupe aliphatique saturé, linéaire ou ramifié ; par exemple un groupe C 1-4 -alkyle représente une chaîne carbonée de 1 à 4 atomes de carbone, linéaire ou ramifiée, plus particulièrement un méthyle, éthyle, propyle, isopropyle, butyle, isobutyle, tert -butyle ; - « alkylène », un radical divalent saturé, linéaire ou ramifié, dérivé d’un alkyle. Par exemple un groupe C 1 -C 3 -alkylène représente une chaine carbonée saturée, linéaire ou ramifiée, de 1 à 3 atomes de carbone, par exemple un méthylène, éthylène, 1-méthyléthylène ou propylène ; - « groupement polycyclique », un groupement présentant deux ou plusieurs noyaux (cycles), condensés (ortho-condensés ou ortho- et péri-condensés) les uns aux autres, c’est-à-dire présentant, deux à deux, au moins deux carbones en commun. - « cycloalkyle », un groupe alkyle cyclique, par exemple un cycloalkyle en C 3 à C 20 représente un groupe carboné cyclique de 3 à 20 atomes de carbone, par exemple un cyclopropyle, cyclobutyle, cyclopentyle, cyclohexyle, cycloheptyle ; - « aryle », un groupe monocyclique ou polycyclique aromatique, comportant plus particulièrement de 4 à 14 atomes de carbone, de préférence de 4 à 9 atomes de carbones. De préférence, il s’agit d’un groupe phényle. - « alcoxy », un radical alkyle lié à un atome d’oxygène.
Selon un mode de réalisation particulier, ladite molécule aromatique polyfluorée mise en œuvre dans le procédé de l’invention comprend au moins un groupement pentafluorophényle.
Dans un mode de réalisation particulier, ladite molécule aromatique polyfluorée présente la formule (M) suivante : où G est un groupement hydrocarboné, linéaire ou ramifié, cyclique ou non, pouvant présenter une ou plusieurs insaturations, éventuellement porteur d’un ou plusieurs atomes de fluor, pouvant être interrompu par un ou plusieurs atomes d’oxygène et/ou un ou plusieurs groupes carbonyle (C=O).
Selon un mode de réalisation particulier, ladite molécule aromatique polyfluorée est de formule (M1) suivante : dans laquelle : p vaut 0 ou est un entier compris entre 1 et 4 ; R représentent, indépendamment les uns des autres, un atome d’hydrogène ou un atome de fluor ; X représente un atome d’hydrogène, un atome de fluor ou un groupe hydrocarboné, saturé ou insaturé, linéaire, ramifié ou cyclique, aromatique ou non, éventuellement interrompu par un ou plusieurs atome(s) d’oxygène et/ou groupe(s) carbonyle, ayant de préférence de 2 à 6 atomes de carbone.
De préférence, –(CR 2 ) p - dans la formule (M1) représente un groupe alkylène –(CH 2 ) p - ou perfluoralkylène –(CF 2 ) p -, en particulier un groupe alkylène –(CH 2 ) p -.
De préférence, dans la formule (M1), X est choisi parmi : - un atome d’hydrogène ou de fluor ; - un groupe aryle en C 4 à C 9 , en particulier un groupe phényle, ledit groupe aryle étant éventuellement substitué par un ou plusieurs groupements choisis parmi un atome de fluor, des groupes C 1- 4 -alkyle, eux même éventuellement substitués par un ou plusieurs atomes de fluor ; de préférence un groupe aryle partiellement fluoré ou perfluoré, par exemple un groupe pentafluorophényle (C 6 F 5 ) ; - un groupe cycloalkyle en C 4 à C 9 , par exemple un groupe cyclohexyle ; ledit groupe cycloalkyle étant éventuellement substitué par un ou plusieurs groupements choisis parmi un atome de fluor, des groupes C 1- 4 -alkyle, eux même éventuellement substitués par un ou plusieurs atomes de fluor ; - un groupe (C 1 -C 4 )alcoxy, éventuellement substitué par un ou plusieurs atomes de fluor ; - un groupe -C(O)-(C 1 -C 4 )alkyle ou -C(O)-O-(C 1 -C 4 ) alkyle, en particulier -C(O)-méthyle ; et - un groupe vinyle ou (méth)acrylate.
Selon un mode de réalisation particulier, ladite molécule aromatique polyfluorée est de formule (M1) dans laquelle X représente un groupe vinyle ou (méth)acrylate, en particulier vinyle.
La zone de compression 29 s’étend au-delà de ladite limite.
La zone de traction 27 ne comporte que des portions de la surface interne 9 subissant des contraintes de traction, ou au contraire peut comporter à la fois des portions de la surface interne 9 subissant des contraintes de traction et d’autres subissant des contraintes de compression.
En revanche, la zone de compression 29 ne comprend que des portions de la surface interne 9 présentant des contraintes de compression.
De préférence, la limite L est placée la plus proche possible de la soudure 30.
Avantageusement, l’étape de détermination comprend, en plus ou à la place des sous-étapes définies ci-dessus, les autres sous-étapes suivantes :
- simulation des déformations plastiques générées à la surface interne 9 des extrémités de conduits 11,13 par le soudage bout à bout desdites extrémités de conduits 11,13 l’une à l’autre en l’absence des étapes préalables d’élimination et de remplissage ;
- détermination sur la surface interne 9 d’une limite L’ entre une zone de déformation 31 de la surface interne 9 présentant dans la simulation une déformation plastique supérieure à un niveau déterminé, et une zone peu déformée 33 de la surface interne 9 présentant dans la simulation une déformation plastique inférieure audit niveau déterminé ;
- choix de la longueur déterminée l de telle sorte que la zone en creux 15 couvre toute la zone de déformation 31.
Le niveau déterminé est typiquement de de 10% par rapport à la loi d’écrouissage du matériau du conduit 1, 3.
Le résultat de l’étape de simulation est représenté sur la . La zone de déformation 31 s’étend entre la soudure 30 et la limite L’. La zone peu déformée 33 s’étend au-delà de la limite L’.
La zone de déformation 31 ne comporte que des portions de la surface interne 9 dans laquelle le niveau de déformation plastique est supérieur au niveau déterminé, ou au contraire comporte à la fois des portions dans laquelle la déformation plastique est supérieure au niveau déterminé et d’autres portions pour lesquelles la déformation plastique est inférieure au niveau déterminé. En revanche, la zone peu déformée 33 ne comporte que des portions de la surface interne 9 dans lesquelles la déformation plastique est inférieure au niveau déterminé.
Cette méthode est particulièrement adaptée, car la demanderesse a constaté que le niveau de contraintes axiales dans les extrémités de conduits est peu impacté par la présence de la couche d’acier inoxydable déposée dans la zone en creux. Les contraintes de traction sont essentiellement générées par la soudure bout à bout des extrémités de conduits 11,13 l’une à l’autre.
Ceci est vrai également pour les déformations plastiques.
En variante, la longueur déterminée l de la zone en creux 15 est fixée arbitrairement, c’est-à-dire sur la base de l’expérience de l’opérateur, sans simulation préalable.
La profondeur p de la zone en creux 15 est choisie de manière à garantir, à l’issue des différentes étapes du procédé, les propriétés métallurgiques et chimiques de résistance à la corrosion sous contrainte attendues. Cette profondeur doit également permettre de reprendre les déformations plastiques qui seront générées à l’étape de soudure bout à bout.
Typiquement, la longueur déterminée l est comprise entre 20 mm et 40 mm. Les diamètres extérieurs de tuyauterie sont en général compris entre 200 mm et 350 mm et présentent une épaisseur entre 20 mm et 37 mm.
Ces HEMT en GaN sont sujets à des effets de piégeage, tant depuis la surface du HEMT que depuis la couche tampon en GaN ou la couche massive en GaN amenée à croître sur le dessus de la couche de nucléation en AlN. Les pièges présents dans la couche tampon/massive en GaN résultent d'impuretés intentionnelles, comme par exemple du carbone ou du fer, qui sont introduites dans la couche tampon/massive en GaN pour en augmenter la résistivité. L'ajout de ces impuretés intentionnelles permet d'obtenir une tension de claquage plus élevée et des fuites plus faibles pour les HEMT en GaN. En d'autres termes, la couche tampon/massive de GaN contient toujours un fond d'impuretés pour augmenter le confinement, introduisant ainsi des effets de piégeage pour les HEMT en GaN qui en résultent.
En outre, cette couche tampon en GaN crée une impédance thermique entre le HEMT en GaN actif et le puits thermique à la base du substrat sur lequel est fabriqué le HEMT en GaN actif, cela entraînant une dégradation des performances et compromettant la fiabilité du HEMT en GaN. De même, lors de la croissance des HEMT en GaN sur le dessus de substrats en silicium, outre la couche de nucléation en AlN, il est nécessaire de faire croître un tampon de gestion de la contrainte en plus de la couche tampon en GaN. Cela augmente l'épaisseur totale de l'empilement de couches, par exemple jusqu'à 2 µm. Ces couches tampons constituent une impédance thermique importante pour les HEMT en GaN.
Compte tenu du besoin sans cesse croissant de solutions à haute puissance et à haute fréquence, l'industrie des télécommunications doit relever le défi de rendre ces dispositifs actifs à base de nitrure du groupe III compatibles avec les technologies existantes. À titre d'exemple, les dispositifs actifs à base de nitrure du groupe III devraient permettre la miniaturisation continue des dispositifs microélectroniques et l'amélioration continue de leurs performances.
Un objet de certains modes de réalisation de la présente invention est donc de proposer un transistor à haute mobilité électronique et un procédé de fabrication de celui-ci qui ne présentent pas les défauts inhérents à l'art antérieur. Plus précisément, un objet de certains modes de réalisation de la présente invention est de proposer un transistor à haute mobilité électronique présentant des performances et une fiabilité améliorées à haute puissance et haute fréquence, ainsi qu'un procédé de fabrication de celui-ci.
Il existe un besoin d'un transistor à haute mobilité électronique qui présente une résistivité améliorée, des pertes de puissance et des problèmes de linéarité réduits. De plus, il existe un besoin d'une structure semi-conductrice qui, du point de vue de la fabrication, soit compatible avec les technologies existantes.
Il existe un besoin d'un transistor à haute mobilité électronique pouvant être amené à croître sur n'importe quel substrat et présentant une impédance thermique réduite. Il existe également un besoin d'un transistor à haute mobilité électronique dont certaines propriétés et certains paramètres peuvent être commandés ou modifiés à travers le substrat sur lequel le transistor à haute mobilité électronique est amené à croître. Enfin, il est nécessaire de disposer d'un transistor à haute mobilité électronique pour lequel les effets de piégeage sont minimisés, voire éliminés.
Cet objet est atteint, selon un premier aspect présenté à titre d'exemple de la présente invention, par un procédé de fabrication d'un transistor à haute mobilité électronique, le procédé comprenant les étapes consistant à : fournir une tranche cible comprenant un substrat cible ; fournir une tranche donneuse, dans lequel la fourniture de la tranche donneuse comprend : la fourniture d’un substrat sacrificiel ; la formation d’un film donneur sur le dessus du substrat sacrificiel ; dans lequel le film donneur comprend une première couche III-N donneuse ; coller le film donneur à la tranche donneuse ; séparer la tranche donneuse et la tranche cible par division de la première couche III-N donneuse, pour ainsi former sur la tranche cible une couche superficielle supérieure comprenant au moins en partie la première couche III-N donneuse collée sur la tranche cible, dans lequel une épaisseur de la couche superficielle supérieure est égale ou inférieure à 200 nm ; former par croissance épitaxiale un empilement de couches semi-conductrices III-N épitaxiales sur le dessus de la couche superficielle supérieure, dans lequel l'empilement de couches semi-conductrices III-N épitaxiales comprend : une première couche III-N active ; une deuxième couche III-N active sur le dessus de la première couche III-N active ; avec un gaz d'Electrons bidimensionnel entre la première couche III-N active et la deuxième couche III-N active ; former un contact de grille en contact avec la deuxième couche III-N active dans une région de grille ; et former un contact galvanique de substrat en contact avec le substrat cible.
Le procédé selon la présente invention permet de faire croître un transistor à haute mobilité électronique sur n'importe quel substrat, par exemple même sur des substrats étrangers. Le procédé selon la présente invention permet de fabriquer un transistor à haute mobilité électronique à partir d'un empilement de couches semi-conductrices III-N épitaxiales amenées à croître sur le dessus d'une couche superficielle collée, c'est-à-dire transférée, par un procédé « smart-cut », par exemple sur un substrat de silicium, comme par exemple un substrat de silicium à haute résistivité, ou un substrat de SiC, comme par exemple un substrat de SiC semi-isolant, ou un substrat de Silicium sur Isolant, ou un substrat de germanium, ou un substrat de germanium sur isolant, ou un substrat de saphir, etc. En outre, le procédé selon la présente invention permet de coller le film donneur à la tranche cible sans avoir à fournir de couche tampon sur la tranche cible entre le substrat et le transistor à haute mobilité électronique avant le collage. En d'autres termes, une couche tampon ne doit pas être amenée à croître sur le substrat cible avant de coller le film donneur sur le substrat cible. Les transistors à haute mobilité électronique fabriqués selon le procédé de la présente invention sont donc moins sujets à des effets de piégeage que les transistors à haute mobilité électronique de l'art antérieur amenés à croître, par exemple, sur des substrats de SiC semi-isolants ou sur des substrats de Si à haute résistivité.
Un autre avantage du procédé selon la présente invention est l'impédance thermique améliorée des transistors à haute mobilité électronique fabriqués. Grâce à l'absence de couches tampon entre l'empilement de couches semi-conductrices III-N épitaxiales et le substrat cible, grâce à l'épaisseur de la première couche III-N donneuse transférée qui est maintenue aussi mince que possible, et grâce à l'épaisseur limitée de la totalité de l'empilement de couches formé sur la tranche cible, une faible résistivité thermique peut être obtenue pour le transistor à haute mobilité électronique. En d'autres termes, l'impédance thermique est moindre entre le puits thermique à la base du substrat et le dispositif actif, comme par exemple le transistor à haute mobilité électronique fabriqué selon la présente invention. L'épaisseur de la première couche III-N donneuse transférée sur le substrat cible est maintenue aussi faible que possible, et cette couche présente une épaisseur maximale de 200 nm, préférablement inférieure à 100 nm, et préférablement inférieure à 50 nm.
Un avantage supplémentaire du procédé selon la présente invention est que l'empilement de couches minces formé sur le dessus de la tranche cible permet d'utiliser le substrat en tant que quatrième borne du transistor à haute mobilité électronique. Ainsi, le contact galvanique de substrat en contact avec le substrat cible peut en effet être utilisé pour imposer une polarisation de tension du côté inférieur du substrat cible par rapport au contact de source du transistor à haute mobilité électronique. Grâce à la faible épaisseur des couches entre la face inférieure du substrat cible et le 2DEG, ce contact galvanique de substrat peut quant à lui être utilisé pour commander ou modifier certaines propriétés ou certains paramètres du transistor à haute mobilité électronique, comme par exemple la tension de seuil et/ou la fuite à l'état non passant du transistor à haute mobilité électronique. Le contact galvanique de substrat peut par exemple également être utilisé pour moduler l'état de charge du tampon ou des pièges massifs présents dans le substrat cible, pour ainsi minimiser ou éliminer les effets de piégeage du transistor à haute mobilité électronique, et pour ainsi réduire les effets de mémoire dans le transistor à haute mobilité électronique. Le contact galvanique de substrat peut être formé sur la face inférieure du substrat cible et sensiblement en dessous d'une région de grille du transistor à haute mobilité électronique fabriqué sur la tranche cible après collage et croissance épitaxiale de l'empilement de couches semi-conductrices III-N épitaxiales. En variante, le contact galvanique de substrat peut être formé sur la face inférieure du substrat cible et sensiblement en dessous du transistor à haute mobilité électronique fabriqué sur la tranche cible après collage et croissance épitaxiale de l'empilement de couches semi-conductrices III-N épitaxiales.
Dans le cas des solutions existantes de l'art antérieur, lorsqu'un transistor à haute mobilité électronique est fabriqué, par exemple sur un substrat en SiC, étant donné que les substrats en SiC utilisés dans les applications RF présentent généralement une très haute résistivité, par exemple une résistivité supérieure à 1,10 5 Ohm.cm, il est très difficile d'obtenir un quelconque impact sur les propriétés du dispositif HEMT en GaN actif à travers le substrat. Lorsqu'un transistor à haute mobilité électronique est fabriqué, par exemple sur un substrat à haute résistivité dans le cas des solutions existantes de l'art antérieur, une tension de polarisation très élevée, par exemple supérieure à 100 V, est nécessaire pour obtenir un impact quelconque sur le dispositif HEMT actif, en raison de la présence de l'empilement tampon épais entre le dispositif HEMT actif et le substrat. Contrairement à ces solutions de l'art antérieur, le procédé selon la présente invention ne nécessite pas l'application d'une tension très élevée par le biais du contact galvanique de substrat pour obtenir un effet sur les propriétés des dispositifs actifs fabriqués sur le dessus du substrat cible, car l'épaisseur totale de l'empilement de couches entre le substrat et le 2DEG est maintenue faible.
Dans le contexte de la présente invention, une tranche donneuse est à titre d'exemple une tranche d'un diamètre de 125 mm ou 150 mm ou 200 mm ou 300 mm. En variante, dans le contexte de la présente invention, une tranche donneuse comprend par exemple une pluralité de puces ou de pavés de quelques mm 2 ou de quelques cm 2 du matériau de la première couche III-N donneuse. Dans le contexte de la présente invention, une tranche cible est par exemple une tranche d'un diamètre de 125 mm ou 150 mm ou 200 mm ou 300 mm, le diamètre de la tranche cible étant supérieur au diamètre de la tranche donneuse. Ainsi, à titre d'exemple, une tranche donneuse peut être collée sur une tranche cible. En variante, à titre d'exemple, plusieurs tranches donneuses peuvent être collées sur une tranche cible, augmentant ainsi le rendement de fabrication.
Dans le contexte de la présente invention, un substrat sacrificiel est l'un des suivants : un substrat de silicium, un substrat de silicium sur isolant, un substrat de carbure de silicium, un substrat de saphir, un substrat de germanium, un substrat de germanium sur isolant, ou toute autre variante appropriée de ce qui précède. D'autres variantes du substrat sacrificiel sont décrites ci-après.
Le turbopropulseur 1 nécessite seulement deux capteurs 24, 33 pour piloter la machine 30 et détecter une défaillance du turbopropulseur 16 comportant une casse de l’arbre de propulsion 18 et/ou la défaillance de la protection en survitesse, permettant de libérer de l’espace sur l’arbre de propulsion 18 et dans le turbopropulseur 16.
De plus la réduction du nombre de capteurs permet de réduire la masse du turbopropulseur 16.