Substrat (3) comprenant : une première couche (30) à base d’un matériau semi-conducteur, une deuxième couche (31) couche surmontant la première couche (30). caractérisé en ce que le substrat (3) comprend une pluralité de vias (32) enterrés s’étendant depuis la deuxième couche (31) sur une portion de la première couche (30), chaque via (32) étant délimité par une paroi latérale (320), une paroi de fond (321), et une paroi supérieure (322) opposée à la paroi de fond (321) , et en ce qu’au moins un ensemble (32a) de la pluralité de vias (32) forme un motif (32b) se répétant le long d’au moins une direction du plan d’extension principale des première (30) et deuxième (31) couches. Substrat (3) selon la revendication précédente, dans lequel chaque via (32) présente au moins une dimension transversale comprise entre 1 µm et 30 µm. Substrat (3) selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel au moins une partie des vias (32) présente un rapport de forme supérieur ou égal à 10, de dimensions la plus longue orientée suivant une dimension en épaisseur des première (30) et deuxième (31) couches. Substrat (3) selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel, au sein d’un ensemble (32a) de vias (32), deux motifs (32b) de vias (32) se répétant successivement sont séparés par un pas constant suivant au moins une direction du plan d’extension principale des première (30) et deuxième (31) couches, le pas étant compris entre 50 µm et 300 µm. Substrat (3) selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le substrat (3) comprend plusieurs ensembles (32a, 32a’, 32a’’) de vias (32) formant chacun un motif (32b, 32b’, 32b’’) se répétant le long d’au moins une direction du plan d’extension principale des première (30) et deuxième (31) couches. Substrat (3) selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel au moins un via (32) présente au moins une configuration de via parmi les suivantes : la paroi latérale (320) du via (32) est faite d’un matériau diélectrique, et le via (32) est rempli d’un matériau électriquement conducteur ou semi-conducteur ou le via (32) est creux, la paroi latérale (320) du via (32) est faite d’un matériau diélectrique, et le via (32) est rempli du matériau de la première couche (30), la paroi latérale (320) du via (32) est faite du matériau de la première couche (30) et le via est creux. Substrat (3) selon la revendication précédente, dans lequel au moins un via (32) présente une première configuration de via sur une première portion (32c), et une deuxième configuration de via distincte de la première configuration de via sur une deuxième portion (32d), les première (32c) et deuxième (32d) portions s’étendant successivement suivant une dimension en épaisseur des première (30) et deuxième (31) couches. Substrat (3) selon l’une quelconque des deux revendications précédentes, dans lequel, le substrat (3) comprenant plusieurs ensembles (32a, 32a’, 32a’’) de vias (32) formant chacun un motif (32b, 32b’, 32b’’) se répétant le long d’au moins une direction du plan d’extension principale des première (30) et deuxième (31) couches, au moins un ensemble (32a, 32a’, 32a’’présente au moins une configuration de via distincte d’un autre ensemble (32a, 32a’, 32a’’). Procédé de fabrication du substrat (3) selon l’une quelconque des revendications précédentes, comprenant : une fourniture d’un sous-substrat support (1) comprenant au moins une première couche (10) à base d’un matériau semi-conducteur, le sous-substrat support (1) présentant une surface exposée (1a), la formation d’une pluralité de vias (32) de sorte que les vias (32) s’étendent depuis la surface exposée (1a) sur une portion de la première couche (10), chaque via étant délimité par une paroi latérale (320) et une paroi de fond (321), au moins un ensemble (32a) de vias (32) formant un motif (32b) se répétant le long d’au moins une direction du plan d’extension principale des première (30) et deuxième (31) couches, une fourniture d’un sous-substrat donneur (2) comprenant une couche superficielle (20, 21) présentant une surface exposée (2a), un assemblage du sous-substrat support (1) et du sous-substrat donneur (2) par leurs surfaces exposées (1a, 2a), de façon à recouvrir les vias (32), chaque via étant alors délimité par la paroi latérale (320), la paroi de fond (321), et une paroi supérieure (322) opposée à la paroi de fond (321). Procédé selon la revendication précédente dans lequel la formation de la pluralité de vias (32) comprend, pour au moins un ensemble de vias (32a) et sur au moins une première portion (32c) desdits vias (32), une gravure d’au moins un pourtour du via (32). Procédé selon la revendication précédente, dans lequel la formation de la pluralité de vias (32) comprend, suite à la gravure au moins du pourtour du via (32), une formation d’un matériau diélectrique sur au moins le pourtour gravé du via (32) de façon à former la paroi latérale (320) du via (32) en matériau diélectrique. Procédé selon la revendication précédente, dans lequel lors de la gravure d’au moins le pourtour du via (32), le via (32) est gravé sur sensiblement tout son volume, et la formation de la pluralité de vias (32) comprend, suite à la formation d’un matériau diélectrique sur au moins le pourtour gravé du via (32) de façon à former la paroi latérale (320) du via (32) en matériau diélectrique, un dépôt d’un matériau électriquement conducteur ou semi-conducteur (323) de façon à remplir au moins en partie le via. Procédé selon l’une quelconque des quatre revendications précédentes, la formation de la pluralité de vias (32) comprend la formation de plusieurs ensembles (32a, 32a’, 32a’’) de vias (32) formant chacun un motif (32b, 32b’, 32b’’) se répétant le long d’au moins une direction du plan d’extension principale des première (30) et deuxième (31) couches, Procédé de fabrication d’un dispositif microélectronique (4) comprenant : une fourniture d’un substrat (3) selon l’une quelconque des revendications 1 à 8 et/ou d’un substrat (3) fabriqué par le procédé selon l’une quelconque des revendications 9 à 13, présentant une surface exposée avant (3a) et une surface exposée arrière (3b), une formation d’au moins une portion de couche (40) du dispositif (4) par un dépôt, sur au moins l’une parmi les surfaces exposées avant (3a) ou arrière (3b) du substrat (3), de ladite portion, et/ou une gravure d’au moins l’une parmi les surfaces exposées avant (3a) ou arrière (3b) du substrat (3), configurée de façon à former ladite portion (40), au niveau d’au moins un via, une gravure par l’une parmi les surfaces exposées avant (3a) ou arrière (3b) du substrat (3), jusqu’à atteindre le via, et : poursuivre la gravure pour atteindre l’au moins une portion de couche (40) du dispositif (4), ou au niveau de l’au moins un via, une gravure par l’autre parmi les surfaces exposées avant (3a) ou arrière (3b) du substrat (3), jusqu’à atteindre le via, le dépôt d’au moins un organe électriquement conducteur ou semi-conducteur (45) de façon à mettre en continuité électrique au moins le via (32) et la portion de couche de dispositif (40). Procédé selon la revendication précédente, dans lequel le procédé comprend, une sélection d’au moins un via à graver (32’) parmi la pluralité de vias (32), uniquement une partie de la pluralité de vias (32) étant sélectionnée comme via à graver (32’). Procédé selon la revendication précédente, dans lequel la sélection de l’au moins un via à graver (32’) comprend l’application, sur ladite surface exposée avant (3a) ou arrière (3b) du substrat (3), d’un masque (42) comprenant des ouvertures (420) situées à l’aplomb de l’au moins un via à graver (32’), suivie de la gravure de façon à atteindre l’au moins un via à graver (32’). Procédé selon l’une quelconque des deux revendications précédentes, dans lequel, lorsque le procédé met en œuvre la gravure par l’autre parmi les surfaces exposées avant (3a) ou arrière (3b) du substrat (3), jusqu’à atteindre le via, la sélection de l’au moins un via à graver (32’) parmi la pluralité de vias (32) comprend l’application, sur ladite autre surface exposée avant (3a) ou arrière (3b) du substrat (3), d’un masque (42) comprenant des ouvertures (420) situées à l’aplomb de l’au moins un via à graver (32’), et le procédé comprend en outre une gravure de façon à atteindre l’au moins un via à graver (32’). Procédé selon l’une quelconque des quatre revendications précédentes, dans lequel, le dépôt de l’organe électriquement conducteur ou semi-conducteur (45) est configuré de façon à en outre recouvrir par une couche électriquement conductrice ou semi-conductrice (46) au moins une portion de la surface exposée avant (3a) et/ou arrière (3b) du substrat (3).