INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Le transistor à haute mobilité électronique selon la présente invention peut être formé sur n'importe quel substrat, par exemple même sur des substrats étrangers. Le transistor à haute mobilité électronique selon la présente invention est formé à partir d'un empilement de couches semi-conductrices III-N épitaxiales amenées à croître sur le dessus d'une couche superficielle collée, c'est-à-dire transférée, par smart-cut, par exemple sur un substrat de silicium, comme par exemple un substrat de silicium à haute résistivité, ou un substrat de SiC, comme par exemple un substrat de SiC semi-isolant, ou un substrat de Silicium sur Isolant, ou un substrat de germanium, ou un substrat de germanium-sur-isolant, ou un substrat de saphir, etc. En outre, le film donneur est collé à la tranche donneuse sans avoir à fournir une couche tampon sur la tranche cible entre le substrat et le transistor à haute mobilité électronique avant le collage. En d'autres termes, une couche tampon ne doit pas être amenée à croître sur le substrat cible avant de coller le film donneur sur le substrat cible. Les transistors à haute mobilité électronique selon la présente invention sont donc moins sujets à des effets de piégeage que les transistors à haute mobilité électronique de l'art antérieur qui sont par exemple amenés à croître sur des substrats de SiC semi-isolants ou sur des substrats de Si à haute résistivité.
Un autre avantage du transistor à haute mobilité électronique selon la présente invention est son impédance thermique améliorée. Grâce à l'absence de couches tampons entre l'empilement de couches semi-conductrices III-N épitaxiales et le substrat cible, grâce à l'épaisseur de la première couche III-N donneuse transférée formant la couche superficielle supérieure qui est maintenue aussi mince que possible, et grâce à l'épaisseur limitée de la totalité de l'empilement de couches formé sur le substrat cible, une faible résistivité thermique peut être obtenue pour le transistor à haute mobilité électronique. En d'autres termes, l'impédance thermique est moindre entre le puits thermique à la base du substrat cible et le dispositif actif, comme par exemple le transistor à haute mobilité électronique fabriqué selon la présente invention. L'épaisseur de la couche superficielle supérieure est maintenue aussi faible que possible, et cette couche présente une épaisseur maximale de 200 nm, préférablement inférieure à 100 nm, préférablement inférieure à 50 nm.
Un avantage supplémentaire du transistor à haute mobilité électronique selon la présente invention est que l'empilement de couches minces formé sur le dessus du substrat cible permet d'utiliser le substrat en tant que quatrième borne du transistor à haute mobilité électronique. Ainsi, le contact galvanique de substrat en contact avec le substrat cible peut en effet être utilisé pour imposer une polarisation de tension du côté inférieur du substrat cible par rapport au contact de source du transistor à haute mobilité électronique. Grâce à la faible épaisseur des couches entre la face inférieure du substrat cible et le 2DEG, ce contact galvanique de substrat peut quant à lui être utilisé pour commander ou modifier certaines propriétés ou certains paramètres du transistor à haute mobilité électronique, comme par exemple la tension de seuil et/ou la fuite à l'état non passant du transistor à haute mobilité électronique. Le contact galvanique de substrat peut également être utilisé, par exemple, pour moduler l'état de charge du tampon ou des pièges massifs présents dans le substrat cible, minimisant ou éliminant ainsi les effets de piégeage du transistor à haute mobilité électronique, et réduisant ainsi les effets de mémoire dans le transistor à haute mobilité électronique. Le contact galvanique de substrat peut être formé sur la face inférieure du substrat cible et sensiblement en dessous d'une région de grille du transistor à haute mobilité électronique fabriqué sur la tranche cible après collage et croissance épitaxiale de l'empilement de couches semi-conductrices III-N épitaxiales. En variante, le contact galvanique de substrat peut être formé sur la face inférieure du substrat cible et sensiblement en dessous du transistor à haute mobilité électronique fabriqué sur la tranche cible après collage et croissance épitaxiale de l'empilement de couches semi-conductrices III-N épitaxiales.
Selon des exemples de modes de réalisation, le HEMT comprend en outre un empilement de couches diélectriques formé entre le substrat cible et la couche superficielle supérieure ; et l’épaisseur de l'empilement de couches diélectriques est égale ou inférieure à 60 nm.
Selon des exemples de modes de réalisation, le HEMT comprend en outre une deuxième couche épitaxiale III-N donneuse formée entre l'empilement de couches diélectriques et la couche superficielle supérieure ; et l’épaisseur de la deuxième couche épitaxiale III-N donneuse est égale ou inférieure à 10 nm.
Affecté : signe d’intoxication ;
Mort : aucun signe de vie.
Analyses des données et traitements statistiques Pour chaque traitement, les mortalités observées ont été corrigées selon la formule d’Abbott (Abbott, 1925) :
Les données ont été analysées avec le logiciel R, version 4.1.2. Le pourcentage de mortalité a été calculé au moyen de GLM binomiales. Les moyennes ont été comparées grâce au test t de Tuckey.
Résultats et discussion Les résultats obtenus sont énumérés dans le tableau 3. Le test est considéré comme valide avec une mortalité nulle dans les témoins négatifs et une mortalité dépassant les 90 % avec l’insecticide de référence appliqué sur verre.
Mortalité moyenne ± écart-type (%) après 1h, 1h30, 2h30, 4h30, 24h et 96h après libération des insectes dans des boites de Petri contenant de la graisse d’insecte (H) pure et diluée dans la cire d’abeille, de la cire traitée avec de l’eau (TG) ou de la lambda-cyhalothrine (TSG), traitées directement avec de l’eau (T-) ou de la lambda-cyhalothrine (TS). Les mortalités portant la même lettre ne sont pas significativement différentes (test t de Tuckey)
Après 1h30 d’exposition, la graisse d’insecte pure a montré une toxicité aigüe significativement supérieure à l’insecticide de référence, lambda-cyhalotrine, tant appliqué sur verre que sur cire. Cette toxicité supérieure de la graisse d’insecte s’est maintenue durant les premières 24h. A la fin du test, soit au bout de 96h, la toxicité de la graisse d’insecte pure était comparable à celle observée avec l’insecticide de référence.
Quant aux différentes dilutions de la graisse d’insecte dans la cire d’abeille, étonnamment aucune toxicité n’a été observée, quelle que soit la concentration testée. Plusieurs hypothèses peuvent être formulées sur l’absence d’effet toxique suite à cette dilution :
(1) une dilution trop forte bien qu’un facteur 2x est couramment utilisé ;
(2) une séquestration des composés toxiques de la graisse d’insecte par la cire ;
(3) une dégradation des principes actifs de la graisse d’insecte lors du mélange avec la cire chaude.
Conclusion: La graisse d’insecte pure a un effet insecticide par contact sur les adultes de Sito p hilus granarius comparable à celui de la référence toxique Karaté Zéon mais agit plus rapidement que ce dernier. Dès la première heure d’exposition, une mortalité moyenne de 40% a été observée avec la graisse d’insecte alors qu’avec la référence toxique la mortalité moyenne était de 2.5%. Au contraire, lors de la dilution de cette graisse d’insecte avec de la cire d’abeille, aucune toxicité à l’égard de S. granarius n’a pu être mise en évidence aux concentrations testées : 50%, 25%, 12.5% ou 6.25%.
Utilisation de pupariums d’insecte, de mouches mortes ou leurs mélanges, et de frass pour augmenter la croissance de plantes La présente invention concerne l’utilisation d’une combinaison d’une première composition (A) comprenant (i) des pupariums d’insecte holométabole , (ii) des mouches mortes entières ou leurs fragments, ou (iii) l’un de leurs mélanges, et d’une seconde composition (B) de lisier d’animal , pour accélérer la croissance des plantes et/ou pour augmenter le rendement de culture. Elle concerne également un procédé de culture d’une plante avec ces compositions.
La recherche de nouvelles stratégies visant à maintenir ou accroître la productivité des systèmes agricoles, tout en diminuant les apports en intrants agricoles, est d’un intérêt constant.
Parmi les solutions alternatives aux composés chimiques, la chitine et ses dérivés, tels que le chitosan (notamment dérivé d’insectes ou de crustacés), sont connus comme biopesticides ou pour la stimulation des défenses naturelles des plantes ou de leur croissance. Ces produits sont généralement appliqués par application foliaire ou par mélange au sol.
Ce procédé débute par une étape E2 d’initialisation de l’indice k qui désigne l’hologramme numérique courant H k dans la séquence d’hologrammes numériques traitée. L’indice k est ici initialisé à 0.
Le procédé se poursuit par une étape E4 de décomposition de l’hologramme numérique courant H k en trames de Gabor W k . Comme précédemment indiqué, l’hologramme numérique courant H k est alors représenté par un ensemble de premiers coefficients (ici complexes) W k (ζ) respectivement associés à des éléments ζ du domaine spatio-fréquentiel D. On rappelle que chacun de ces éléments du domaine spatio-fréquentiel D est formé par un premier paramètre spatial x, un second paramètre spatial y, un premier paramètre fréquentiel η et un second paramètre fréquentiel ξ.
Les coefficients W k (ζ) peuvent par exemple être calculés par la formule suivante :
W k (ζ) = (ζ)Φ D , H k >
en reprenant les notations de la formule [Math. 6] ci-dessus et avec le produit scalaire entre les fonctions f et g.
En pratique, la représentation de l’hologramme numérique courant H k utilisée est par exemple une représentation parcimonieuse, c’est-à-dire que les coefficients W k (ζ) sont choisis pour représenter au mieux l’hologramme numérique courant H k tout en étant en nombre limité. Pour ce faire, on utilise par exemple un algorithme de poursuite de base (ou " basis pursuit " selon la terminologie anglo-saxonne couramment utilisée) pour sélectionner les coefficients W k (ζ) issus de la décomposition de l’hologramme numérique courant H k en trames de Gabor à utiliser dans la représentation parcimonieuse. On pourra se référer par exemple à l’article " Basis pursuit ", de S. Chen et D. Donoho in Proceedings of 1994 28th Asilomar Conference on Signals, Systems and Computers (vol. 1, pp. 41-44), octobre 1994 en ce qui concerne l’algorithme de poursuite de base.
Le procédé de la se poursuit alors par une étape E6 de codage de l’hologramme numérique courant H k , c’est-à-dire ici de codage des coefficients W k (ζ) représentant l’hologramme numérique courant H k . Cette étape de codage est ici effectuée par la première unité de codage 22 mentionnée ci-dessus.
Un exemple de mise en œuvre envisageable pour l’étape E6 est décrit plus loin en référence à la .
L’étape E6 permet de générer des données codées D1 représentatives de l’hologramme numérique courant H k .
Ces données codées D1 sont émises, par l’unité de communication 30 du dispositif de codage 20 et via un réseau de communication, à destination du dispositif de décodage 40 (étape E8).
En variante, les données codées D1 pourraient être mémorisées au sein du dispositif de codage 20 (par exemple pour utilisation ultérieur dans le cas où le dispositif de codage 20 et le dispositif de décodage 40 sont un même et unique dispositif électronique).
Dans les étapes E10 à E14 décrites à présent, l’hologramme numérique H k d’indice k est utilisé comme hologramme numérique de référence pour le codage différentiel (c’est-à-dire sous forme d’un résidu) de l’hologramme numérique H k+1 qui suit l’hologramme numérique H k dans la séquence d’hologrammes numériques.
Lors de l’étape E10, l’unité de prédiction 24 détermine une transformation T k+1 (ici une transformation rigide comme déjà indiqué) sur la base de l’hologramme numérique de référence H k et de l’hologramme numérique suivant H k+1 , puis détermine un hologramme numérique prédit H’ k par transformation de l’hologramme numérique de référence H k en utilisant la fonction (ou symplectomorphisme) χ associée comme expliqué plus haut à la transformation T k+1 déterminée.
La transformation T k+1 est par exemple déterminée par analyse de mouvement entre la scène représentée par l’hologramme numérique de référence H k et l’hologramme numérique suivant H k+1 , comme proposé dans la demande de brevet WO 2021/004 797
La représentation W’ k de l’hologramme numérique prédit H’ k (au moyen de seconds coefficients W’ k (ε)) est alors déterminée à partir de la représentation W k de l’hologramme numérique de référence H k (au moyen des premiers coefficients W k (ε)) en utilisant la fonction χ associée à la transformation T k+1 conformément à ce qui a été précédemment décrit, c’est-à-dire qu’on a selon une notation simplifiée :
W’ k = W k o χ +
Pour l’homme du métier, les mises en œuvre des procédés décrits précédemment présentent à l’évidence des problèmes d’opérabilité et de faisabilité industrielles quant à l’aspect sécuritaire d’un environnement ATEX tel que celui du méthanol à reflux qui requiert des précautions complexes et des dispositifs onéreux en vue d’introduire en cours de procédé des produits inflammables.
Aucun de ces procédés n’est satisfaisant. Il est donc souhaitable de disposer de procédés de recyclage du PET améliorés, à faible coût et facilement opérables industriellement afin de faciliter la généralisation de ce recyclage et élargir les champs d’utilisation du PET recyclé.
Les inventeurs ont mis au point un nouveau procédé particulièrement performant de dépolymérisation par alcoolyse en conditions douces pour le recyclage du polymère polyéthylène téréphtalate (PET) en monomères d’esters de téréphtalate et monoéthylène glycol (MEG). Ce procédé est très rapide tout en étant beaucoup plus respectueux de l’environnement que les procédés de l’état de la technique. Il donne accès à un produit sous forme solide directement réutilisable du fait de sa pureté, en particulier du DMT sous forme cristalline.
Ainsi, l’invention concerne un procédé de recyclage de déchets de plastiques polyéthylène téréphthalate en monomères esters de téréphtalate comportant deux étapes :
a. une étape de broyage des déchets pour produire des fragments, et
b. une étape de dépolymérisation du PET en ester de téréphtalate et monoéthylène glycol (MEG), en présence :
(i) d’un catalyseur choisi parmi une base étheroxyde métallique ou organique, un acétate de métal, un oxyde métallique, un hydroxyde de métal ou un carbonate métallique et
(ii) d’un solvant polaire du type ester ou étheroxyde cyclique
(iii) d’un alcool choisi parmi un monoalcool ou d’un diol
ladite base est présente en quantité catalytique par rapport à la quantité de PET ladite étape de dépolymérisation se fait à température ambiante ou en chauffant jusqu’à 70°C pendant une durée comprise entre 1 minute et 4h.
Avantages de l’invention Le procédé selon l’invention propose d’associer (i) un catalyseur en quantité catalytique par rapport au PET et (ii) un alcool qui est soit un monoalcool, soit un diol, et de les faire réagir dans des conditions douces. Il présente plusieurs avantages au regard des procédés décrits antérieurement, qui sont exposés ci-après.
Un premier avantage remarquable : ce procédé ne nécessite pas de prétraitement, étape qui nécessite la mise œuvre de produits toxiques. La réaction de dépolymérisation est suffisamment efficace pour permettre une dépolymérisation complète sans gonflement préalable de la matière à traiter. Ainsi, le procédé selon l’invention est plus simple (une étape en moins), plus respectueux de l’environnement (pas de produit toxique donc pas d’effluent à traiter), plus rapide et moins cher.
Le procédé étant à risque industriel très modéré, les installations industrielles pour sa mise en œuvre peuvent par conséquent être mises en place plus aisément, le niveau de sécurisation de ces installations étant moins contraignant. La mise en conformité règlementaire est simplifiée lors de l’installation de l’usine et tout au long du cycle de production. Le CAPEX est ainsi diminué de manière significative.
Tout type de solvant peut être utilisé pour la dépolymérisation bien que les solvants de type ester soient préférés. Ces derniers sont en effet dénués de toute toxicité, ce sont des produits qui sont notamment utilisés en agroalimentaire, dans le domaine des arômes.
De manière remarquable, la réaction de dépolymérisation est complète, très rapide et produit un ester de téréphtalate d’une grande pureté. Ceci est particulièrement avantageux lorsque le PET est dépolymérisé en DMT car ce dernier est alors facilement recyclable et a des débouchés industriels et un marché reconnu.
L’ensemble des données obtenues par les différentes étapes de codage mentionnées ci-dessus (étape E150, E154, E156) peuvent en outre être codées par un codeur entropique, par exemple un codeur arithmétique adaptatif, afin d’obtenir les données D1 à transmettre au dispositif de décodage 40 (ou en variante à mémoriser pour décodage ultérieur).
Enfin, des marqueurs peuvent être insérés entre les différents types de données (ici entre les données D11, les données D12, les données D13 et les parties réelles et imaginaires de coefficients quantifiées) pour permettre de retrouver ces données au niveau du décodeur. D’autres solutions peuvent toutefois être utilisées, telles que l’utilisation d’une longueur fixe pour les données représentatives des parties réelles et des parties imaginaires des coefficients, par exemple.
Le flux de données D1 transmis (du dispositif de codage 20 au dispositif de décodage 40 dans le contexte décrit plus haut) pour représenter l’hologramme numérique H k comprend donc :
- des données D11 indicatives des positions associées respectivement à des coefficients non-nuls au sein du bloc (c’est-à-dire parmi un ensemble des positions associées de manière prédéfinie aux coefficients associés respectivement aux différents multiplets définis par la valeur pour le premier paramètre fréquentiel et par la valeur pour le second paramètre fréquentiel) ;
- puis successivement pour chacun des autres blocs , des données D12, D13 indicatives des positions associées respectivement à des coefficients non-nuls au sein du bloc concerné (c’est-à-dire parmi un ensemble des positions associées de manière prédéfinie aux coefficients associés respectivement aux différents multiplets définis par la valeur pour le premier paramètre fréquentiel et par la valeur pour le second paramètre fréquentiel) ;
- pour chaque bloc, des données représentatives des coefficients associés respectivement aux positions indiquées par lesdites données indicatives relatives au bloc concerné.
Comme déjà indiqué, pour chaque bloc, la position des coefficients utilisée pour le codage peut être définie au sein d’une séquence ordonnée des coefficients au sein du bloc concerné, par exemple l’ordre de balayage de trame déjà présenté.
On décrit ci-dessous en référence à la un procédé de décodage d’un tel flux de données, tel qu’il est mis en œuvre par exemple par le dispositif de décodage 40 à l’étape E30 décrite ci-dessus.
Pour chaque bloc défini ci-dessus dans le cadre du procédé de codage de la figure 10, le dispositif de décodage (précisément la première unité de décodage 42 dans le contexte décrit en référence à la figure 6) décode à l’étape E160 les données indicatives des positions associées à des coefficients non-nuls dans le bloc concerné, c’est-à-dire parmi un ensemble des positions associées de manière prédéfinie (ici par définition du bloc) aux coefficients associés respectivement aux différents multiplets dont la première coordonnée fréquentielle est la valeur associée à l’indice et dont la seconde coordonnée fréquentielle est la valeur associée à l’indice .
Les différents blocs sont par exemple transmis (et donc présentés au sein du flux de données) dans un ordre prédéfini par convention entre le dispositif de codage 20 et le dispositif de décodage 40, tel que l’ordre déjà mentionné de balayage de trame au sein des blocs agencés sous forme d’une matrice de blocs. En variante, des données complémentaires pourraient être placées en en-tête des données relatives à un bloc et indiquer des paramètres désignant le bloc concerné (ces paramètres étant par exemple les indices et du bloc concerné).
Dans le cas du bloc (ici le bloc ), les données D11 indicatives des positions des coefficients non-nuls (ici au sein d’une séquence ordonnée de coefficients du bloc ) représentent une différence entre une position associée à un coefficient non-nul et une autre position associée à un autre coefficient non-nul, comme exposé lors de la description du procédé de codage.
Dans le cas des blocs autres que le bloc , les données D12, D13 indicatives des positions des coefficients non-nuls (ici au sein d’une séquence ordonnée de coefficients du bloc ) désignent soit les positions des coefficients nuls dans le bloc courant alors que le coefficient à la même position était non-nul dans le bloc précédemment décodé (données D12), soit les positions des coefficients non-nuls dans le bloc courant alors que le coefficient à la même position était nul dans le bloc précédemment décodé (données D13).
Ainsi, les données D13 désignent au moins une position associée à un coefficient non-nul sans désigner au moins une autre position associée à un autre coefficient non-nul lorsque cette autre position a été indiquée par des données indicatives décodées en relation avec un autre bloc, c’est-à-dire pour une autre paire de valeurs respectives du premier paramètre fréquentiel et du second paramètre fréquentiel (cette paire de valeurs étant associé aux coefficients formant l’autre bloc).
Lorsque les données indicatives des positions des coefficients non-nuls ont été décodées pour un bloc donné , le dispositif de décodage 40 (précisément ici la première unité de décodage 42) peut décoder les coefficients associés respectivement aux positions indiquées par ces données indicatives.
Le dispositif de décodage 40 retrouve ainsi les coefficients non-nuls ( , ), c’est-à-dire les coefficients non-nuls W k ( ( , , ) ).
En parcourant l’ensemble des blocs (pour lesquels les données sont successivement transmises dans le flux de données), le dispositif de décodage 40 obtient ainsi l’ensemble des coefficients W k non-nuls de la représentation de l’hologramme numérique H k .
La est un schéma fonctionnel illustrant un couvercle donné à titre d'exemple doté d'un élément de verrouillage, utilisable conjointement avec un connecteur stérilisable, conformément à la présente divulgation. La représente un connecteur stérilisable 600 avec un couvercle 620. Le connecteur 600 peut être sensiblement similaire au connecteur 200 tel que décrit précédemment.
Le connecteur 600 peut être similaire au connecteur 200. Le couvercle 620 peut être configuré pour une application à une partie de contact pouvant être scellée 610 du connecteur 600. Comme illustré sur la , le couvercle 620 comporte un élément de verrouillage 630 qui est configuré pour permettre de relier le couvercle 620 au connecteur 600 (par exemple, au câble du connecteur 600 comme illustré sur la ), ce qui peut éviter la perte du couvercle. Comme montré dans le mode de réalisation donné à titre d'exemple illustré sur la , l'élément de verrouillage 630 peut être une petite structure de forme appropriée au dos du couvercle permettant de le verrouiller sur le câble (pour le rangement pendant que le connecteur RS est connecté à une console).
La est un schéma fonctionnel illustrant un couvercle donné à titre d'exemple de conception différente, utilisable conjointement avec un connecteur stérilisable, conformément à la présente divulgation. La représente un connecteur stérilisable 700 avec un couvercle 720. Le connecteur 700 peut être sensiblement similaire au connecteur 200 tel que décrit précédemment.