Dispositif optoélectronique (1), comportant : un substrat support (10), comportant : une première couche diélectrique (14), réalisée en un matériau électriquement isolant, et formant une face supérieure du substrat support (10) s’étendant suivant un plan principal ; une source laser (2), comportant : une membrane semiconductrice (20), reposant sur la première couche diélectrique (14), formée d’une portion latérale (21.1) dopée de type n, une portion latérale (21.2) dopée de type p, et une portion centrale (22) optiquement active située entre et au contact des portions latérales dopées (21.1, 21.2) pour former une jonction latérale p-i-n s’étendant parallèlement au plan principal ; une deuxième couche diélectrique (26), réalisée en un matériau électriquement isolant, recouvrant la membrane semiconductrice (20) ; des électrodes (25), reposant sur les portions latérales dopées (21.1, 21.2), assurant ainsi une injection latérale de porteurs de charge dans la portion centrale (22) ; caractérisée en ce que la membrane semiconductrice (20) est réalisée à base de GaAs cristallin, la portion centrale (22) comportant des boîtes quantiques à base de GaAs, et les portions latérales dopées (21.1, 21.2) étant réalisées à base de Al x Ga 1-x As avec une proportion d’aluminium x comprise entre 0.05 et 0.30. Dispositif optoélectronique (1) selon la revendication 1, dans lequel la proportion d’aluminium x est comprise entre 0.10 et 0.25. Dispositif optoélectronique (1) selon la revendication 1 ou 2, dans lequel les électrodes (25) sont au contact des portions latérales dopées (21.1, 21.2). Dispositif optoélectronique (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, comportant une couche intercalaire (23), réalisée à base de Al y GaAs cristallin avec une proportion d’aluminium y supérieure à la proportion d’aluminium x des portions latérales dopées (21.1, 21.2), s’étendant entre et au contact de la première couche diélectrique (14) d’une part et de la membrane semiconductrice (20) d’autre part. Dispositif optoélectronique (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel la première et la deuxième couches diélectriques (14, 26) sont réalisées en un matériau présentant un indice de réfraction inférieur à celui de la portion centrale (22). Dispositif optoélectronique (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel le substrat support (10) est de type SOI. Dispositif optoélectronique (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel le substrat support (10) comporte un guide d’onde intégré (13) couplé optiquement à un guide d’onde actif formé par la portion centrale (22) de la membrane semiconductrice (20). Procédé de fabrication d’un dispositif optoélectronique (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, comportant les étapes suivantes : a) réalisation d’un empilement semiconducteur (30), comportant : un substrat de croissance (31) ; une couche d’arrêt de gravure (32) épitaxiée à partir du substrat de croissance (31), et d’une couche intercalaire (23) à base d’AlGaAs épitaxiée ; b) report et assemblage de l’empilement semiconducteur (30) sur le substrat support (10), la couche intercalaire (23) étant orientée vers le substrat support (10) ; c) retrait du substrat de croissance (31) puis de la couche d’arrêt de gravure (32) ; d) réalisation de la membrane semiconductrice (20), à partir d’au moins la couche intercalaire (23) ; e) réalisation de la deuxième couche diélectrique (26) et des électrodes (25). Procédé de fabrication selon la revendication 8, dans lequel : lors de l’étape a), l’empilement semiconducteur (30) comporte une couche (33) à boîtes quantiques destinée à former la portion centrale (22), épitaxiée à partir de la couche d’arrêt de gravure (32), à partir de laquelle est épitaxiée la couche intercalaire (23) ; à la suite de l’étape c), une face de la couche (33) à boîtes quantiques est rendue libre ; l’étape d) comporte des opérations de : structuration de la couche (33) à boîtes quantiques pour rendre libre une surface de la couche intercalaire (23) et obtenir la portion centrale (22) ; et réalisation des portions latérales dopées (21.1, 21.2) par épitaxie à partir de la couche intercalaire (23). Procédé de fabrication selon la revendication 8, dans lequel : lors de l’étape a), l’empilement semiconducteur (30) comporte la couche intercalaire (23) épitaxiée à partir de la couche d’arrêt de gravure (32) ; à la suite de l’étape c), une face de la couche intercalaire (23) est rendue libre ; l’étape d) comporte des opérations de : réalisation d’une couche (33) à boîtes quantiques par épitaxie à partir de la couche intercalaire (23) ; structuration de la couche (33) à boîtes quantiques pour rendre libre une surface de la couche intercalaire (23) et obtenir la portion centrale (22) ; et réalisation des portions latérales dopées (21.1, 21.2) par épitaxie à partir de la couche intercalaire (23). Procédé de fabrication d’un dispositif optoélectronique (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, comportant les étapes suivantes : a) réalisation d’un empilement semiconducteur (30), comportant un substrat de croissance (31), une couche d’arrêt de gravure (32) épitaxiée à partir du substrat de croissance (31), et une structure latérale épitaxiée à partir de la couche d’arrêt de gravure (32) et formée de la portion centrale (22) et de couches latérales dopées (35.1, 35.2) réalisées à base d’Al x Ga 1-x As situées de part et d’autre de la portion centrale (22) dans le plan principal ; b) report et assemblage de l’empilement semiconducteur (30) sur le substrat support (10), la couche intercalaire (23) étant orientée vers le substrat support (10) ; c) retrait du substrat de croissance (31) puis de la couche d’arrêt de gravure (32), rendant libre une face de la structure latérale opposée au substrat support (10) ; d) réalisation de la membrane semiconductrice (20), par structuration des couches latérales dopées (35.1, 35.2) pour obtenir les portions latérales dopées (21.1, 21.2) ; e) réalisation de la deuxième couche diélectrique (26) et des électrodes (25).