INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Le connecteur 700 peut être similaire au connecteur 200. Le couvercle 720 peut être configuré pour une application à une partie de contact pouvant être scellée 710 du connecteur 700. Comme illustré sur la , le couvercle 720 comporte un élément de verrouillage 730 qui est configuré pour permettre de relier le couvercle 720 au connecteur 700 (par exemple, au câble du connecteur 700 comme illustré sur la ), ce qui peut éviter la perte du couvercle. Comme montré dans le mode de réalisation donné à titre d'exemple illustré sur la , l'élément de verrouillage 730 peut être un cordon de connexion flexible (ou similaire) qui est connecté à un ensemble de câbles du connecteur 700 sur une extrémité, et vient en prise de manière sûre avec le couvercle 720 sur l'autre extrémité, notamment en utilisant une structure de butée en forme de losange venant en prise avec une structure en boucle sur le couvercle 720, comme illustré sur la , pour empêcher que le couvercle 720 tombe de l'élément de verrouillage. Dans certains cas, l'élément de verrouillage 730 peut comprendre une charnière tournante pour améliorer davantage la flexibilité, comme illustré sur la . En outre, dans certains cas, l'élément de verrouillage 730 peut comprendre un (par exemple, un crochet, comme illustré sur la , ou similaire) pour fixer l'élément de verrouillage 730 lorsque le couvercle 720 est appliqué à une partie de contact pouvant être scellée 710, comme illustré sur la .
Un ensemble connecteur donné à titre d'exemple, selon la présente divulgation, configuré pour être utilisé dans un dispositif médical pour connecter un premier composant du dispositif médical à un second composant du dispositif médical, comprenant un connecteur qui comprend : une première coque et une seconde coque, dans lequel la première coque et la seconde sont configurées pour venir en prise l'une avec l'autre ; un logement avant qui comprend une zone de contact du connecteur pour venir en prise avec une zone de contact correspondante dans l'un parmi le premier composant et le second composant ; et un surmoulage qui surmoule une combinaison de la première coque, de la seconde coque et du logement avant ; dans lequel : chacun de la première coque, de la seconde coque et du logement avant comprend un premier matériau qui est compatible avec un traitement de nettoyage et de stérilisation (C&S) ; et le surmoulage comprend un second matériau qui assure l'étanchéité de la combinaison de la première coque, de la seconde coque et du logement pendant le traitement de nettoyage et de stérilisation (C&S).
Dans un mode de réalisation donné à titre d'exemple, le connecteur est configuré pour permettre d'appliquer au moins une stérilisation sans devoir fermer ou couvrir la zone de contact du connecteur.
Dans un mode de réalisation donné à titre d'exemple, le premier matériau comprend un polymère.
Dans un mode de réalisation donné à titre d'exemple, le polymère comprend au moins l'un du polypropylène et du polycarbonate.
Dans un mode de réalisation donné à titre d'exemple, le second matériau comprend un thermoplastique polymère.
Dans un mode de réalisation donné à titre d'exemple, le polymère thermoplastique comprend un vulcanisat thermoplastique (TPV).
Dans un mode de réalisation donné à titre d'exemple, le connecteur comprend en outre une ou plusieurs coques de blindage configurées pour fournir un blindage de composants électriques et/ou d'ensembles de circuits du connecteur disposés à l'intérieur du connecteur.
Dans un mode de réalisation donné à titre d'exemple, chacune de la ou des coques de blindage comprend une feuille métallique estampée.
Dans un mode de réalisation donné à titre d'exemple, l'ensemble connecteur comprend en outre un couvercle configuré pour venir en prise avec la zone de contact du connecteur et sceller celle-ci.
Dans un mode de réalisation donné à titre d'exemple, le couvercle vient en prise avec le connecteur et scelle celui-ci sans utiliser de mécanisme ou de composants de verrouillage.
Dans un mode de réalisation donné à titre d'exemple, le couvercle est configuré pour permettre l'application d'un traitement de nettoyage qui est conforme à un ou plusieurs indices de protection contre la pénétration de liquides.
Dans un mode de réalisation donné à titre d'exemple, le ou les indices de protection contre la pénétration de liquides comprennent au moins l'un d'un indice IPX6 et d'un indice IPX7 de protection contre la pénétration de liquides.
Ainsi, la tranche donneuse et la tranche cible sont séparées l'une de l'autre par smart-cut en provoquant la séparation de la première section de la première couche III-N donneuse sur la tranche donneuse, en laissant ainsi une première partie restante de la première section de la première couche III-N donneuse sur le substrat sacrificiel séparée du substrat cible, et en laissant également une deuxième partie restante de la première section de la première couche III-N donneuse sur le substrat cible, la somme de l’épaisseur de la première partie restante et de l’épaisseur de la deuxième partie restante correspondant sensiblement à l'épaisseur totale de la première section de la première couche III-N donneuse amenée à croître sur le substrat sacrificiel avant le collage. En d'autres termes, la première section de la première couche III-N donneuse est divisée dans son épaisseur. Cette séparation forme sur la tranche cible une couche superficielle supérieure comprenant au moins en partie la première section de la première couche III-N donneuse initialement amenée à croître sur le substrat sacrificiel et collée sur la tranche cible, et comprenant la troisième couche épitaxiale III-N donneuse, et comprenant la deuxième section de la première couche III-N donneuse initialement amenée à croître sur le substrat sacrificiel, l’épaisseur de la couche superficielle supérieure sur la tranche cible étant égale ou inférieure à 200 nm.
De plus, la troisième couche épitaxiale III-N donneuse peut être utilisée comme arrêt de gravure pour commander de manière précise et fiable l'épaisseur de la deuxième section de la première couche III-N donneuse. En effet, après collage du film donneur sur la tranche cible et après séparation de la tranche donneuse et de la tranche cible au niveau de la première section de la première couche III-N donneuse, la première section de la première couche III-N donneuse est amincie, par exemple par polissage mécano-chimique, également appelé CMP. Cette première section de la première couche III-N donneuse est amincie jusqu'à la troisième couche épitaxiale III-N donneuse. La troisième couche épitaxiale III-N donneuse peut ensuite être gravée de manière sélective par rapport à la deuxième section sous-jacente de la première couche III-N donneuse. À titre d'exemple, une gravure humide à l'aide de KOH peut être utilisée pour graver sélectivement l'AlN de la troisième couche épitaxiale III-N donneuse sans graver le GaN de la deuxième section de la première couche III-N donneuse. Cette gravure chimique de la troisième couche épitaxiale III-N donneuse permet donc d'exposer la deuxième section de la première couche III-N donneuse. Ainsi, l'épaisseur de la deuxième section de la première couche III-N donneuse restant sur le substrat cible peut de manière simple être commandée de façon très précise et fiable. Cela permet de minimiser l'épaisseur de la deuxième section de la première couche III-N donneuse sur le substrat cible en faisant croître l'épaisseur souhaitée de la deuxième section de la première couche III-N donneuse sur la tranche donneuse.
Selon des exemples de modes de réalisation, la troisième couche épitaxiale III-N donneuse comprend du nitrure d'aluminium.
La troisième couche épitaxiale III-N donneuse comprend par exemple de l'AlN. À titre d'exemple, la troisième couche épitaxiale III-N donneuse comprend de l'AlN à polarité N formé par croissance épitaxiale sur le dessus du substrat sacrificiel. Ainsi, lorsque la tranche donneuse est retournée et que le film donneur est collé à la tranche cible, la troisième couche épitaxiale III-N donneuse comprend de l'AlN à polarité Ga. La densité des dislocations traversantes dans l'empilement de couches semi-conductrices III-N épitaxiales amenées à croître sur le dessus de la couche superficielle supérieure est ainsi minimisée.
Selon des exemples de modes de réalisation, la fourniture d'une tranche donneuse consiste en outre à fournir un tampon III-N formé entre le substrat sacrificiel et le film donneur.
Un tampon III-N formé entre le substrat sacrificiel et le film donneur comprend par exemple un tampon formé par croissance épitaxiale à polarité Ga. Ainsi, la qualité de la croissance épitaxiale de la première couche III-N donneuse est améliorée. L'épaisseur du tampon III-N est par exemple de quelques centaines de nanomètres, ou de quelques micromètres. À titre d'exemple, le tampon III-N formé entre le substrat sacrificiel et le film donneur comprend par exemple du GaN à polarité Ga. Ainsi, la qualité de la croissance épitaxiale de la première couche III-N donneuse est améliorée, comme par exemple la qualité de la croissance épitaxiale du GaN à polarité N. Facultativement, la tranche donneuse peut en outre comprendre une couche diélectrique donneuse sur le dessus de la première couche III-N donneuse, l’épaisseur de la couche diélectrique donneuse étant égale ou inférieure à 10 nm. Facultativement, le film donneur comprend en outre une deuxième couche épitaxiale III-N donneuse formée par croissance épitaxiale entre la première couche III-N donneuse et la couche diélectrique donneuse, la deuxième couche épitaxiale III-N donneuse comprenant par exemple un matériau à polarité N, comme par exemple de l'AlN à polarité N, et l’épaisseur de la deuxième couche épitaxiale III-N donneuse étant égale ou inférieure à 10 nm.
Le tampon III-N peut être de nature différente de celle du substrat sacrificiel, en ce sens, par exemple, que la bande interdite du substrat sacrificiel et celle du tampon III-N sont relativement éloignées l'une de l'autre, comme par exemple de 1,1 eV et 6,2 eV respectivement, dans le sens où le tampon III-N présente une large bande interdite, afin d'obtenir les présentes caractéristiques, telles qu'une tension de claquage élevée, par exemple supérieure à 250 V, préférablement supérieure à 500 V, encore plus préférablement supérieure à 1000 V, par exemple supérieure à 2000 V, ou même bien supérieure. Le tampon III-N est par exemple un tampon III-N à large bande interdite. Le terme III fait ici référence à des éléments du Groupe III, tels que B, Al, Ga, In, Tl, Sc, Y et les séries des Lanthanides et des Actinides. Le tampon III-N peut comprendre un empilement de couches, dont la première, sur le substrat sacrificiel, est par exemple une couche de nucléation.
Selon des exemples de modes de réalisation, le procédé comprend en outre les étapes consistant à : après la séparation de la tranche donneuse et de la tranche cible le long de la première couche III-N donneuse et avant la croissance épitaxiale de l'empilement de couches semi-conductrices III-N épitaxiales, charger la tranche cible comprenant la couche superficielle supérieure dans une chambre épitaxiale ; et désorber la couche superficielle supérieure in-situ dans la chambre épitaxiale.
La tranche cible comprenant la couche superficielle supérieure est préparée pour l'épitaxie, la tranche cible comprenant la couche superficielle supérieure étant par exemple soumise à un polissage mécano-chimique pour préparer la couche superficielle supérieure à l'épitaxie. La tranche cible comprenant la couche superficielle supérieure est chargée dans une chambre épitaxiale pour la croissance de l'empilement de couches semi-conductrices III-N épitaxiales. La surface de la couche superficielle supérieure est nettoyée par une étape de désorption in-situ, éliminant ainsi tout endommagement de surface ou d'implantation. Ainsi, la surface de la couche superficielle est en parfait état pour former par croissance épitaxiale l'empilement de couches semi-conductrices III-N épitaxiales sur le dessus de la couche superficielle in-situ dans la chambre épitaxiale. Cela améliore la qualité de la croissance épitaxiale des couches actives du transistor à haute mobilité électronique, améliorant ainsi les caractéristiques électriques et thermiques du transistor à haute mobilité électronique. Dans le contexte de la présente invention, la croissance épitaxiale est réalisée par MOCVD ou MBE ou toute autre chambre épitaxiale appropriée. Les couches épitaxiales de la tranche donneuse peuvent être formées in-situ par croissance épitaxiale dans une chambre épitaxiale MOCVD ou MBE. La première couche III-N active et la deuxième couche III-N active peuvent être formées in-situ par croissance épitaxiale dans une chambre épitaxiale MOCVD ou MBE.
Selon des exemples de modes de réalisation, la formation du film donneur consiste à former par croissance épitaxiale la première couche III-N donneuse sur le dessus du substrat sacrificiel, et la croissance épitaxiale de la première couche III-N donneuse correspond à la croissance épitaxiale de la première couche III-N donneuse en tant que couche à polarité N.
À titre d'exemple, la formation du film donneur consiste à former par croissance épitaxiale la première couche III-N donneuse, et la croissance épitaxiale de la première couche III-N donneuse sur le dessus du substrat sacrificiel correspond à la croissance épitaxiale de la première couche III-N donneuse en tant que couche à polarité N sur le dessus du substrat sacrificiel.
La première couche III-N donneuse comprend par exemple du GaN à polarité N formé par croissance épitaxiale sur la tranche donneuse par MOCVD ou par MBE. La tranche donneuse est retournée, et la première couche III-N donneuse est collée sur la face supérieure de la tranche cible. La tranche donneuse et la tranche cible sont ensuite collées l'une à l'autre. Ainsi, la première couche III-N donneuse collée sur la face supérieure de la tranche cible est à polarité Ga. La densité des dislocations traversantes dans l'empilement de couches semi-conductrices III-N épitaxiales amenées à croître sur le dessus de la couche superficielle supérieure est ainsi minimisée.
Selon des exemples de modes de réalisation, la formation du film donneur consiste à fournir une première couche III-N donneuse. Dans cet exemple de mode de réalisation, le matériau d'une première couche III-N donneuse temporaire est par exemple formé par croissance épitaxiale sur le dessus d'un substrat sacrificiel temporaire d'une tranche temporaire et le matériau de la première couche III-N donneuse temporaire est formé par croissance épitaxiale en tant que couche à polarité Ga sur le substrat sacrificiel temporaire de la tranche temporaire. À titre d'exemple, la première couche III-N donneuse temporaire comprend du GaN à polarité Ga formé par croissance épitaxiale sur le substrat sacrificiel temporaire. Dans cet exemple de mode de réalisation, le procédé comprend en outre les étapes consistant à : fournir une tranche donneuse temporaire comprenant une première couche III-N donneuse temporaire ; coller la première couche III-N donneuse temporaire à la tranche donneuse ; séparer la tranche temporaire et la tranche donneuse par division de la première couche III-N donneuse temporaire, pour ainsi former sur la tranche donneuse la première couche III-N donneuse comprenant au moins en partie la première couche III-N donneuse temporaire collée sur la tranche donneuse.
Ainsi, le transfert de la couche par smart-cut est réalisé deux fois séquentiellement. Le premier transfert commence par la première couche III-N donneuse temporaire amenée à croître, par exemple sous la forme d'une couche à polarité Ga, sur la tranche donneuse temporaire. Cette première couche III-N donneuse temporaire, amenée à croître sous la forme d'une couche à polarité Ga, est transférée sur la tranche donneuse pour former la première couche III-N donneuse sous la forme d'une couche à polarité N sur la tranche donneuse. Un deuxième transfert par smart-cut depuis cette tranche donneuse vers la tranche cible est ensuite effectué, pour ainsi retourner le matériau de la première couche III-N donneuse temporaire d'origine et retourner ainsi le matériau de la première couche III-N donneuse, de sorte qu'une surface à polarité Ga du matériau de la première couche III-N donneuse est formée sous la forme d'une couche superficielle supérieure sur la tranche cible. Grâce à ces étapes supplémentaires du procédé correspondant à un double transfert de couche, il n'est pas nécessaire, par exemple, de former par croissance épitaxiale la première couche III-N donneuse en tant que couche à polarité N sur le dessus du substrat sacrificiel de la tranche donneuse. La qualité de la première couche III-N donneuse sur le dessus du substrat sacrificiel est meilleure lorsque celle-ci est formée par croissance épitaxiale sous la forme d'une couche à polarité Ga que lorsqu'elle est amenée à croître sous la forme d'une couche à polarité N.
Selon des exemples de modes de réalisation, la fourniture d'une tranche temporaire correspond à : fournir un substrat sacrificiel temporaire ; et former par croissance épitaxiale la première couche III-N donneuse temporaire sur le dessus du substrat sacrificiel temporaire ; ou la fourniture d'une tranche temporaire correspond à la croissance de la première couche III-N donneuse temporaire sous la forme d'une couche III-N massive à polarité Ga et le collage de la première couche III-N donneuse temporaire à la tranche donneuse correspond au pavage du substrat sacrificiel avec une ou plusieurs tranches temporaires par collage des premières couches III-N donneuses temporaires des tranches temporaires à la tranche donneuse.
Ainsi, soit le film donneur est obtenu en formant par croissance épitaxiale la première couche III-N donneuse temporaire sur le dessus du substrat sacrificiel temporaire de la tranche temporaire ; soit le film donneur est obtenu en formant un pavage d’un matériau III-N massif autoporteur sur le dessus du substrat sacrificiel. À titre d'exemple, le film donneur est obtenu à partir d'un pavage de matériau de GaN massif autoporteur sur le dessus du substrat sacrificiel. L'épaisseur du matériau III-N massif autoporteur de la première couche III-N donneuse temporaire est par exemple de quelques centaines de micromètres, comme par exemple de 500 µm. Dans cet exemple de mode de réalisation, les tranches temporaires utilisées pour le pavage ne sont généralement pas formées par croissance épitaxiale mais fabriquées à l'aide d'un procédé de croissance de cristal massif (bien que des tranches temporaires comprenant un substrat sur lequel une couche III-N a été formée par croissance épitaxiale puissent également être envisagées). L'approche la plus simple serait de paver les substrats massifs sur le substrat sacrificiel de la tranche donneuse avec la face N vers le haut dans la direction transversale 4 visible sur les figures, puis de les soumettre à un smart-cut pour obtenir la tranche cible. Comme la première couche III-N donneuse temporaire présente par exemple une épaisseur de quelques centaines de micromètres, le processus de smart-cut de la tranche donneuse, sur laquelle la première couche III-N donneuse temporaire est collée, en la tranche cible peut être répété plusieurs fois, avec un CMP de rafraîchissement de la première couche III-N donneuse temporaire entre ces opérations, pour ainsi réduire les coûts de traitement. La première couche III-N donneuse temporaire peut par exemple être formée sur le dessus d'un ensemble de petits substrats, par exemple sous forme d'une polarité Ga, et transférée sur une tranche donneuse plus grande, pour ainsi former par exemple une tranche donneuse à polarité N. Cela permet de créer une tranche donneuse à partir de substrats compatibles III-N ayant un ou plusieurs diamètres inférieurs au diamètre de la tranche donneuse.
Selon un mode de réalisation du système de conditionnement thermique, la boucle primaire de liquide caloporteur comprend un dispositif de chauffage électrique configuré pour sélectivement chauffer le liquide caloporteur.
Selon un mode de réalisation du système de conditionnement thermique, le circuit de fluide caloporteur diélectrique comporte une vanne quatre-voies disposée conjointement sur la boucle primaire, sur la première branche de dérivation et sur la deuxième branche de dérivation.
Un composant unique permet ainsi de régler le débit respectif dans trois parties différentes du circuit de fluide caloporteur diélectrique, à savoir la boucle primaire, la première branche de dérivation et la deuxième branche de dérivation.
La vanne quatre-voies peut être une vanne proportionnelle.
Selon un exemple de mise en œuvre du système de conditionnement thermique, le circuit de liquide caloporteur comporte une première vanne trois-voies disposée conjointement sur la boucle primaire et sur la première branche de liaison.
La première vanne trois-voies est par exemple une vanne proportionnelle.
Selon un exemple de réalisation, le circuit de liquide caloporteur comporte une deuxième vanne trois-voies disposée conjointement sur la boucle secondaire et sur la première branche de liaison.
La deuxième vanne trois-voies est une vanne proportionnelle.
Selon une réalisation du système de conditionnement thermique, le circuit de fluide liquide caloporteur comporte une troisième vanne trois-voies disposée conjointement sur la boucle secondaire et sur la deuxième branche de liaison.
L’usage de vannes trois-voies permet de multiples possibilités de circulation de liquide caloporteur, permettant de nombreux modes de fonctionnement différents, avec un nombre réduit de composants.
La troisième vanne trois-voies est par exemple une vanne proportionnelle.
Selon un aspect du système de conditionnement thermique, la boucle principale du circuit de fluide réfrigérant comporte un dispositif d’accumulation de fluide réfrigérant disposé en aval du deuxième échangeur bifluide et en amont du dispositif de compression.
Selon un mode de réalisation, le dispositif d’accumulation de fluide réfrigérant est disposé en amont de la deuxième section d’échange thermique de l’échangeur interne.
L’invention se rapporte également à un procédé de fonctionnement d’un système de conditionnement thermique tel que décrit précédemment, dans un premier mode de refroidissement, dans lequel : - le dispositif de compression de fluide réfrigérant est maintenu à l’arrêt, - un débit de fluide caloporteur diélectrique circule dans le troisième échangeur bifluide où il cède de la chaleur au fluide caloporteur, et se divise en : -- un premier débit de fluide caloporteur diélectrique circulant dans le quatrième échangeur de chaleur où il reçoit de la chaleur, -- un deuxième débit de fluide caloporteur diélectrique circulant dans le cinquième échangeur de chaleur où il reçoit de la chaleur, dans le sixième échangeur de chaleur où il reçoit de la chaleur, le premier débit de fluide caloporteur diélectrique et le deuxième débit de fluide caloporteur diélectrique se rejoignant avant de regagner le troisième échangeur bifluide, - un débit de liquide caloporteur circule dans le troisième échangeur bifluide où il reçoit de la chaleur du fluide caloporteur diélectrique, et dans le huitième échangeur de chaleur où il cède de la chaleur au flux d’air extérieur, et rejoint le troisième échangeur bifluide.
Dans ce mode de fonctionnement, le premier élément de la chaine de traction, le deuxième élément et le troisième élément de la chaine de traction électrique sont tous les trois refroidis par le fluide caloporteur diélectrique, en transférant la chaleur absorbée au liquide caloporteur au niveau du troisième échangeur bifluide. La chaleur rejetée dans le liquide caloporteur est ensuite dissipée dans le flux d’air extérieur au niveau du huitième échangeur de chaleur. Les éléments de la chaine de traction sont ainsi refroidis sans activer le dispositif de compression de fluide réfrigérant, ce qui limite la consommation énergétique. Ce mode de fonctionnement est avantageux par exemple lorsque la température extérieure est suffisamment basse et le débit d’air extérieur suffisant pour permettre un échange thermique suffisant au niveau du huitième échangeur.