Substrat (3) comprenant : une première couche (30) à base d’un matériau semi-conducteur, une deuxième couche (31) surmontant la première couche, caractérisé en ce que le substrat (3) comprend une pluralité de vias (32) creux enterrés s’étendant depuis la deuxième couche (31) sur une portion de la première couche (30), chaque via (32) étant délimité par une paroi latérale (320), une paroi de fond (321), et une paroi supérieure (322) opposée à la paroi de fond (321). Substrat selon la revendication précédente, dans lequel au moins la paroi de fond (321) et la paroi latérale (320) sont en matériau diélectrique. Substrat selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la deuxième couche (31) est une couche à base, et de préférence faite, d’un matériau choisi parmi un matériau diélectrique, par exemple un oxyde, un matériau semi-conducteur ou un matériau piézoélectrique. Substrat selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la deuxième couche (31) est une couche de matériau diélectrique, par exemple un oxyde, enterrée surmontée par une troisième couche (33) à base d’un matériau choisi parmi un matériau semi-conducteur ou un matériau piézoélectrique. Substrat selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel chaque via (32) présente au moins une dimension transversale comprise entre 1 µm et 30 µm. Substrat selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel au moins une partie des vias (32), et de préférence chaque via (32), présente un rapport de forme supérieur ou égal à 10, de dimensions la plus longue orientée suivant une dimension en épaisseur des première (30) et deuxième (31) couches. Substrat (3) selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la pluralité de vias (32) forme une matrice périodique. Substrat (3) selon la revendication précédente, dans lequel les vias (32) sont séparés deux à deux par un pas constant suivant au moins une direction du plan d’extension principale des première et deuxième couches, le pas est compris entre 50 µm et 300 µm, de préférence entre 100 µm et 200 µm. Substrat (3) selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel au moins un via (32) sur au moins une portion d’une dimension longitudinale dudit via (32), est intégralement entouré par une rainure (35) s’étendant depuis la deuxième couche (31) sur une portion de la première couche (30). Substrat (3) selon la revendication précédente, dans lequel la rainure (35) s’étend depuis la deuxième couche (31) dans la première couche (30) sur une dimension longitudinale inférieure ou égale à la dimension longitudinale du via (32). Substrat (3) selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le substrat (3) comprend en outre un repère (34) configuré de façon à permettre l’alignement du substrat (3). Procédé de fabrication du substrat (3) selon l’une quelconque des revendications précédentes, comprenant : une fourniture d’un sous-substrat support (1) comprenant au moins une première couche (10) à base d’un matériau semi-conducteur, le sous-substrat support (1) présentant une surface exposée (1a), une gravure d’une pluralité de vias (32) de sorte que les vias (32) s’étendent depuis la surface exposée (1a) sur une portion de la première couche (10), chaque via étant délimité par une paroi latérale (320) et une paroi de fond (321), une fourniture d’un sous-substrat donneur (2) comprenant une couche superficielle (20, 21) présentant une surface exposée (2a), un assemblage du sous-substrat support (1) et du sous-substrat donneur (2) par leurs surfaces exposées (1a, 2a), de façon à recouvrir les vias (32), chaque via étant alors délimité par la paroi latérale (320), la paroi de fond (321), et une paroi supérieure (322) opposée à la paroi de fond (321). Procédé selon la revendication précédente, dans lequel suite à la gravure de la pluralité de vias (32) et de préférence avant l’assemblage du sous-substrat support (1) et du sous-substrat donneur (2), le procédé comprend, pour chaque via (32), une formation d’un matériau diélectrique au niveau au moins de la paroi de fond (321) et de la paroi latérale (320). Procédé selon la revendication précédente, dans lequel la formation d’un matériau diélectrique au niveau au moins de la paroi de fond (321) et de la paroi latérale (320) de la pluralité de vias (32) comprend : une oxydation thermique de façon à oxyder le matériau semi-conducteur de la première couche (10) au niveau au moins de la paroi de fond (321) et de la paroi latérale (320), et/ou un dépôt du matériau diélectrique au niveau au moins de la paroi de fond (321) et de la paroi latérale (320). Procédé selon l’une quelconque des trois revendications précédentes, dans lequel la couche superficielle (20, 21) du sous-substrat donneur est une couche à base, et de préférence faite, d’un matériau choisi parmi un matériau diélectrique, par exemple un oxyde, un matériau semi-conducteur ou un matériau piézoélectrique. Procédé selon l’une quelconque des quatre revendications précédentes, dans lequel : le sous-substrat support (1) comprend en outre une couche superficielle (11) à base, et de préférence faite, d’un matériau diélectrique, par exemple un oxyde, surmontant la première couche (10), la couche superficielle présentant la surface exposée (1a), et/ou la couche superficielle (21) du sous-substrat donneur est une couche à base, et de préférence faite, d’un matériau diélectrique, par exemple un oxyde, surmontant une couche (20) à base d’un matériau choisi parmi un matériau semi-conducteur ou un matériau piézoélectrique. Procédé selon l’une quelconque des cinq revendications précédentes, dans lequel la gravure de la pluralité de vias (32) est configurée de façon à former une matrice périodique. Procédé selon l’une quelconque des six revendications précédentes, dans lequel le procédé comprend en outre, préalablement à l’assemblage du sous-substrat support (1) et du sous-substrat donneur (2), une gravure d’une rainure (35) entourant intégralement au moins un via (32) sur au moins une portion d’une dimension longitudinale dudit via (32), la rainure (35) s’étendant depuis la couche superficielle (11) dans la première couche (10). Procédé de fabrication d’un dispositif microélectronique (4) comprenant : une fourniture d’un substrat (3) selon l’une quelconque des revendications 1 à 11 ou d’un substrat (3) fabriqué par le procédé selon l’une quelconque des revendications 12 à 18, présentant une surface exposée avant (3a) et une surface exposée arrière (3b), une formation d’au moins une portion de couche (40) du dispositif (4) par un dépôt, sur la surface exposée avant (3a) du substrat (3), de ladite portion, et/ou une gravure de la surface exposée avant (3a) du substrat (3), configurée de façon à former ladite portion, au niveau d’au moins un via, une gravure par la surface exposée arrière (3b) du substrat (3), dans laquelle une paroi parmi la paroi supérieure (322) et la paroi de fond (321) de l’au moins un via est gravée de façon à déboucher dans le via (32), puis poursuivre la gravure pour atteindre l’au moins une portion de couche (40) du dispositif (4), pour former une cavité (43), le dépôt d’un organe électriquement conducteur ou semi-conducteur (45) de façon à remplir la cavité (43). Procédé selon la revendication précédente, comprenant préalablement à la gravure par la surface exposée arrière (3b) du substrat (3), une sélection d’au moins un via à graver (32’) parmi la pluralité de vias (32) comprenant : l’application, sur la surface exposée arrière (3b) du substrat (3), d’un masque (42) comprenant des ouvertures (420) située à l’aplomb de l’au moins un via à graver (32’), et une gravure de la première couche (30) de façon à atteindre ladite paroi de l’au moins un via à graver (32’). Procédé selon la revendication précédente, dans lequel la sélection de l’au moins un via à graver (32’) comprend l’application du masque (42) puis la gravure de la première couche (30) à travers les ouvertures (420) du masque (42). Procédé selon la revendication 20, dans lequel la sélection de l’au moins un via à graver (32’) comprend la gravure de la première couche (30) de façon à atteindre ladite paroi de l’au moins un via à graver (32’), puis l’application du masque (42). Procédé selon l’une quelconque des quatre revendications précédentes, dans lequel le dépôt de l’organe électriquement conducteur ou semi-conducteur (45) est configuré de façon à en outre recouvrir par une couche électriquement conductrice ou semi-conductrice (46) au moins une portion de la surface exposée arrière (3b) du substrat (3), Procédé selon l’une quelconque des cinq revendications précédentes, dans lequel le procédé comprend : entre la formation de l’au moins une portion de couche (40) du dispositif (4), et la gravure par la surface exposée arrière (3b) du substrat (3), le montage d’un support (41) sur la surface exposée avant (3a) du substrat (3), et après le dépôt de l’organe électriquement conducteur ou semi-conducteur (45) de façon à remplir la cavité (43), le démontage du support (41).