INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
La (ou les) couche(s) intermédiaire(s) 30 est(sont) destinée(s) à être enterrée(s) dans l’ensemble collé 50 après assemblage (figures 5c’, 5c’’), et à terme, dans la structure composite 100. Même si la couche intermédiaire 30 est continue lors de sa formation sur l’un et/ou l’autre des substrats 1,20, elle peut, au cours des traitements thermiques ultérieurs se segmenter et présenter un caractère discontinu. C’est essentiellement le cas lorsque l’épaisseur initiale de ladite couche est très faible, typiquement inférieure à 10nm.
Revenant à la description de la phase c2) d’assemblage, et comme cela est bien connu en soi, le collage direct par adhésion moléculaire ne nécessite pas une matière adhésive, car des liaisons s’établissent à l’échelle atomique entre les surfaces assemblées. Plusieurs types de collage par adhésion moléculaire existent, qui diffèrent notamment par leurs conditions de température, de pression, d’atmosphère ou de traitements préalables à la mise en contact des surfaces. On peut citer le collage à température ambiante avec ou sans activation préalable par plasma des surfaces à assembler, le collage par diffusion atomique (« Atomic diffusion bonding » ou ADB selon la terminologie anglo-saxonne), le collage avec activation de surface (« Surface-activated bonding » ou SAB), etc.
La phase c2) d’assemblage peut comprendre, préalablement à la mise en contact des faces 1a,20a à assembler, des séquences classiques de nettoyages par voie chimique (par exemple, nettoyage RCA), d’activation de surface (par exemple, par plasma oxygène ou azote) ou autres préparations de surface (telles que le nettoyage par brossage (« scrubbing »)), susceptibles de favoriser la qualité de l’interface de collage 40 (faible défectivité, forte énergie d’adhésion).
Enfin, une troisième phase c3) comprend la séparation le long du plan fragile enterré 11, qui mène au report de la couche mince 10 sur le substrat support 20 ( ).
La séparation le long du plan fragile enterré 11 s’opère habituellement par l’application d’un traitement thermique à une température comprise entre 800°C et 1200°C. Un tel traitement thermique induit le développement des cavités et microfissures dans le plan fragile enterré 11, et leur mise sous pression par les espèces légères présentes sous forme gazeuse, jusqu’à la propagation d’une fracture le long dudit plan fragile 11. Alternativement ou conjointement, une sollicitation mécanique peut être appliquée à l’ensemble collé et en particulier au niveau du plan fragile enterré 11, de manière à propager ou aider à propager mécaniquement la fracture menant à la séparation. A l’issue de cette séparation, on obtient d’une part la structure composite 100 comprenant le substrat support 20 et la couche mince 10 transférée, et d’autre part, le reste 1’ du substrat donneur. Le niveau et le type de dopage de la couche mince 10 sont définis par le choix des propriétés du substrat donneur 1 ou peuvent être ajustés ultérieurement via les techniques connues de dopage de couches semi-conductrices.
La surface libre 10a de la couche mince 10 est habituellement rugueuse après séparation : par exemple, elle présente une rugosité comprise entre 5nm et 100nm RMS. Des phases de nettoyage et/ou de lissage peuvent être appliquées pour restaurer un bon état de surface (typiquement, une rugosité inférieure à quelques angströms RMS). En particulier, ces phases peuvent comprendre un traitement de lissage mécano-chimique de la surface libre de la couche mince 20. Un enlèvement compris entre 50nm et 300nm permet de restaurer efficacement l’état de surface de ladite couche 10. Elles peuvent également comprendre au moins un traitement thermique à une température comprise entre 1200°C et 1800°C. Un tel traitement thermique est appliqué pour évacuer les espèces légères résiduelles de la couche mince 10 et pour favoriser le réarrangement du réseau cristallin de la couche mince 10. Il permet en outre de renforcer l’interface de collage 40. Le traitement thermique peut également comprendre ou correspondre à une épitaxie sur la couche mince 10, afin d’augmenter l’épaisseur de cette dernière (par exemple, homoépitaxie de c-SiC sur une couche mince 10 en c-SiC, hétéroépitaxie de GaN sur une couche mince 10 en c-SiC, ou autre).
Enfin, notons que l’étape c) de transfert peut comprendre une étape de reconditionnement du reste 1’ du substrat donneur en vue d’une réutilisation en tant que substrat donneur 1 pour une nouvelle structure composite 100. Des traitements mécaniques et/ou chimiques, similaires à ceux appliqués à la structure composite 100, peuvent être mis en œuvre au niveau de la face avant 1’a du substrat restant 1’.
La structure composite 100 obtenue est extrêmement robuste aux traitements thermiques à très hautes températures susceptibles d’être appliqués pour améliorer la qualité de la couche mince 10 ou pour fabriquer des composants sur et/ou dans ladite couche 10. Le substrat support 20 dans la structure composite 100 est stable et ne voit pas sa courbure augmenter de façon rédhibitoire pendant les traitements thermiques à hautes températures appliqués à la structure composite 100 pour sa fabrication et ultérieurement.
La structure composite 100 selon l’invention est particulièrement adaptée pour l’élaboration d’un (ou plusieurs) composant(s) microélectronique(s) à haute tension, tels que par exemple des diodes Schottky, des transistors MOSFET, etc. Elle répond plus généralement aux applications microélectroniques de puissance, en autorisant une excellente conduction électrique verticale, une bonne conductibilité thermique et en procurant une couche mince en c-SiC de haute qualité.
La structure composite 100 peut également répondre aux applications radiofréquences, avec un substrat support 20 résistif dont les caractéristiques physiques et potentiellement thermiques sont parfaitement adaptées à la fabrication de composants électroniques RF.
Transistor à haute mobilité électronique et son procédé de fabrication La présente invention concerne de manière générale, entre autres, une structure semi-conductrice et un procédé de croissance de celle-ci. Plus particulièrement, elle concerne un transistor à haute mobilité électronique comprenant des couches actives à base de nitrure, dans lequel le transistor à haute mobilité électronique atteint des performances exceptionnelles pour des applications à haute puissance et haute fréquence, et un procédé de fabrication de celui-ci.
Contexte de l’invention Les dispositifs à semi-conducteurs comprenant par exemple du nitrure de gallium, également appelé GaN, et/ou des hétérostructures à base de nitrure du groupe III, comme par exemple des hétérostructures d'InAlGaN/GaN, permettent le transport de courants forts et prennent en charge des tensions élevées. Cela les rend de plus en plus souhaitables pour des dispositifs à semi-conducteurs de puissance. De manière générale, les dispositifs fabriqués pour des applications à haute puissance/haute fréquence sont basés sur des structures de dispositifs qui présentent une haute mobilité électronique et un champ électrique critique élevé, et sont appelés par exemple transistors à effet de champ à hétérojonction, également appelés HFET, des transistors à haute mobilité électronique, également appelés HEMT, ou des transistors à effet de champ dopés par modulation, également appelés MODFET. Les HEMT sont par exemple utiles dans des applications de circuits analogiques, comme les amplificateurs de puissance RF/micro-ondes ou les commutateurs de puissance. Ces dispositifs peuvent généralement supporter des tensions élevées, par exemple jusqu'à 1000 volts, ou fonctionner à des fréquences élevées, par exemple de 100 kHz à 100 GHz.
Des HEMT comprenant du GaN sont typiquement fabriqués sur le dessus de substrats classiques, comme par exemple des substrats de carbure de silicium semi-isolants, également appelés SiC, ou des substrats de silicium à haute résistivité. Pour les applications à haute puissance et haute fréquence, il est en effet essentiel de maximiser la résistivité du substrat sous-jacent des dispositifs. La croissance des HEMT en GaN commence généralement par la croissance d'une couche de nucléation en AlN sur le dessus du substrat. Cette couche de nucléation d'AlN présente habituellement une densité élevée de dislocation traversante. Pour obtenir une meilleure qualité cristalline lors de la croissance du HEMT en GaN sur le dessus de la couche de nucléation en AlN, c'est-à-dire pour obtenir une plus faible densité de dislocation traversante lors de la croissance du HEMT en GaN sur le dessus de la couche de nucléation en AlN, il est habituel de faire croître, par exemple, une couche tampon en GaN de 1 µm d'épaisseur sur le dessus de la couche de nucléation en AlN.
le bord de fuite comprenant un point de fuite situé sur la plateforme, une tangente au bord de fuite au point de fuite s’étendant dans la veine depuis la plateforme entre la deuxième pale et un plan radial de fuite passant par l’axe et le point de fuite.
- la plateforme est une première plateforme, la pièce comprenant une deuxième plateforme de sorte à définir la veine d’écoulement entre la première plateforme et la deuxième plateforme, la veine s’étendant radialement sur une hauteur de veine, l’ailette s’étendant radialement sur une hauteur d’ailette, un rapport de la hauteur d’ailette sur la hauteur de veine étant supérieur ou égal à 0,01 et inférieur ou égal à 0,4 ;
- la première pale et la deuxième pale sont séparées angulairement dans une direction circonférentielle d’un pas angulaire, une séparation angulaire de la première pale et de l’ailette dans la direction circonférentielle étant inférieure ou égale à six dixièmes du pas angulaire ;
- la première pale comprend un bord d’attaque et un bord de fuite séparés d’une corde de pale, l'ailette comprenant une pluralité de profils empilés selon une direction radiale entre un pied d’ailette situé sur la plateforme et une tête d’ailette, chaque profil définissant une corde entre le bord d’attaque de l’ailette et le bord de fuite de l’ailette et une épaisseur maximale du profil entre un intrados de l’ailette et un extrados de l’ailette dans une direction perpendiculaire à une ligne de corde, un rapport d’une différence entre la corde du profil de tête et la corde du profil de pied sur la corde de pale étant inférieur ou égal en valeur absolue à 0,05 ; un rapport de l’épaisseur maximale du profil de pied sur la corde du profil de pied est inférieur ou égal à 0,05 ; et un rapport de l’épaisseur maximale du profil de tête sur la corde du profil de pied est inférieur ou égal à 0,05 ;
- la première pale comprend un bord d’attaque et un bord de fuite séparés d’une corde de pale, l'ailette comprenant une pluralité de profils empilés selon une direction radiale entre un pied d’ailette et une tête d’ailette, chaque profil définissant une corde d’ailette entre le bord d’attaque et le bord de fuite, un rapport de la corde du profil de pied d’ailette sur la corde de pale étant supérieur ou égale à 0,2 et inférieur ou égal à 1,1 ; un premier angle orienté étant défini depuis l’axe à une première tangente à la ligne de cambrure du profil de pied d’ailette au point d’attaque, un deuxième angle orienté étant défini depuis l’axe à une deuxième tangente à la ligne de cambrure du profil de pied de la première pale à un point référence de la ligne de cambrure du profil de pied de la première pale, le point référence présentant une position axiale du point d’attaque, une différence entre le premier angle orienté et le deuxième angle orienté étant supérieure ou égale – 50 degrés et inférieure ou égale à + 10 degrés, l'ailette définissant une coordonnée axiale d’un point à mi-corde d’un profil d’ailette, le point à mi-corde étant situé à égale distance du bord d’attaque de l’ailette et du bord de fuite de l’ailette, la coordonnée axiale étant supérieure ou égale à une position axiale du bord d’attaque de la première pale et inférieure ou égale à une somme de la position axiale du bord d’attaque de la première pale et de la corde de pale;
- la première pale comprend un bord d’attaque et un bord de fuite séparés d’une corde de pale, l'ailette comprenant une pluralité de profils empilés selon une direction radiale entre un pied d’ailette et une tête d’ailette, chaque profil définissant une ligne de cambrure et une corde entre le bord d’attaque de l’ailette et le bord de fuite de l’ailette, un rapport de la corde du profil de pied d’ailette sur la corde de pale étant supérieur ou égale à 0,1 et inférieur ou égal à 0,4 ; un angle entre une première tangente à la ligne de cambrure du profil de pied d’ailette au point d’attaque et une deuxième tangente à la ligne de cambrure du profil de pied de la première pale à un point référence de la ligne de cambrure du profil de pied de la première pale, le point référence présentant une position axiale du point d’attaque, étant inférieur ou égale en valeur absolue à 10 degrés, l'ailette définissant une coordonnée axiale d’un point à mi-corde d’un profil d’ailette, le point à mi-corde étant situé à égale distance du bord d’attaque de l’ailette et du bord de fuite de l’ailette, la coordonnée axiale étant supérieure ou égale à une différence d’une position axiale du bord d’attaque de la première pale et d’un dixième de la corde de pale, et inférieure ou égale à une somme de la position axiale du bord d’attaque de la première pale et d’une moitié de la corde de pale ;
la est une représentation schématique d’une turbomachine ; la est une représentation schématique d’une pièce statorique selon un premier mode de réalisation ;
les figures 3 et 4 sont des vues schématiques en section dans un plan perpendiculaire à un axe radiale de la turbomachine d’une pièce statorique selon le premier mode de réalisation.
DESCRIPTION DETAILLEE DE L'INVENTION Turbomachine En référence à la , une turbomachine est représentée de manière schématique, plus spécifiquement un turboréacteur axial 1 à double flux. Le turboréacteur 1 illustré s’étend selon un axe Δ et comporte successivement, dans le sens d’écoulement des gaz dans la turbomachine, une soufflante 2, une section de compression pouvant comprendre un compresseur basse pression 3 et un compresseur haute pression 4, une chambre de combustion 5, et une section de turbine pouvant comprendre une turbine haute pression 6 une turbine basse pression 7 et une tuyère d’échappement.
Pièce statorique En aval de la soufflante ou d’un étage de compression, la turbomachine peut comprendre un étage d’aubes de redressement. Un tel étage d’aubes de redressement peut comprendre une pièce statorique 20 comme présentée en référence à la .
La pièce statorique 20, ou l’ensemble 20 de pièces statoriques si elle n'est pas monobloc, présente au moins deux pales adjacentes 24, 26 et une plateforme 22 à partir de laquelle s'étendent les pales 24, 26.
chaque méthode respective d’entrainement étant de préférence choisie parmi le groupe consistant en : une méthode d’apprentissage adverse ; une méthode basée sur des défenses certifiées ; et une méthode basée sur une approche de régularisation ;
- chaque bloc d’intelligence artificielle a une topologie basée sur un mécanisme d’apprentissage avec rétropropagation du gradient, distincte de la topologie respective du ou des autres blocs de la pluralité de blocs d’intelligence artificielle ;
chaque topologie étant de préférence choisie parmi le groupe consistant en : une topologie basée sur un mécanisme de convolution, une topologie basée sur un mécanisme d’attention, une topologie basée sur un mécanisme de récurrence ;
- le nombre K de blocs d’intelligence artificielle est supérieur ou égal à 3 ;
le nombre K de blocs d’intelligence artificielle étant de préférence compris entre 3 et 5 ;
- chaque donnée acquise correspond à un signal capté par un capteur ;
chaque donnée acquise étant de préférence une image, et le capteur étant alors un capteur d’image(s).
L’invention concerne également un programme d’ordinateur comportant des instructions logicielles qui, lorsqu’elles sont exécutées par un ordinateur, mettent en œuvre un procédé de traitement tel que défini ci-dessus.
L’invention a également pour objet un dispositif électronique de traitement de donnée(s), comprenant :
- un module d’acquisition configuré pour acquérir une donnée ;
- un module de traitement configuré pour traiter la donnée via l’inférence d’un algorithme d’intelligence artificielle, préalablement entraîné lors d’un entrainement préalable,
le dispositif comprend en outre :
- un module de calcul configuré pour calculer un code à partir de la donnée acquise ;
- un module de sélection configuré pour sélectionner, en fonction du code calculé, un bloc parmi la pluralité de blocs d’intelligence artificielle,
le module de traitement étant alors configuré pour traiter la donnée via l’inférence, parmi la pluralité de blocs d’intelligence artificielle, du seul bloc d’intelligence artificielle sélectionné,
Chaque indicateur de détection Id est ensuite comparé à un seuil S fixé en fonction de la probabilité de fausse détection souhaitée. Le seuil est ici fixé à 3,5 ce qui autorise une probabilité de fausse détection ici inférieure à 10 -3 .
Si l’indicateur de détection Id est inférieur au seuil, les écarts sont cohérents et il n’y a donc a priori pas de leurrage. La localisation horizontale hybride reste utilisée pour la navigation opérationnelle.
Dans le cas contraire, on considère qu’un leurrage est en cours et une alerte est émise.
Comme on dispose en mémoire de plusieurs écarts entretenus depuis des instants différents, il est possible de faire une analyse sur toute la période donnée, ce qui permet de détecter des leurrages rapides occasionnant une brusque dérive de la localisation horizontale hybride à partir simplement des écarts les plus récents et des leurrages lents occasionnant une dérive très progressive de la localisation horizontale hybride opérationnelle à partir des écarts les plus anciens.
On comprend donc que la détection des leurrages lents est d’autant plus efficace qu’on dispose de données anciennes. Cependant, il est nécessaire de limiter le nombre N de données en mémoire pour limiter la taille de celle-ci et le volume de calculs à réaliser.
Si on utilise une simple fenêtre temporelle glissante pour gérer le contenu de la mémoire (à chaque instant prédéterminé, la donnée la plus ancienne est effacée et la dernière donnée calculée est mémorisée), on comprend que la profondeur temporelle sera très limitée.
On utilise donc préférentiellement un algorithme de sélection des données mémorisées tel qu’au bout d’un certain temps, le groupe de données mémorisées contient, pour la période donnée, une première série d’écarts entretenus dernièrement mémorisés et des séries d’écarts entretenus séparées de la première série par des multiples du pas de temps.
Plus précisément, l’algorithme vise à conserver dans le groupe : une première série de n écarts entretenus, dernièrement mémorisés, séparés deux à deux par un pas de temps, une deuxième série de n écarts entretenus, séparée de la première série par deux fois le pas de temps, les écarts entretenus de la deuxième série étant séparés deux à deux par deux pas de temps, une troisième série de n écarts entretenus, séparée de la deuxième série par quatre fois le pas de temps, les écarts entretenus de la troisième série étant séparés deux à deux par quatre pas de temps, une quatrième série de n écarts entretenus, séparée de la troisième série par huit fois le pas de temps, les écarts entretenus de la quatrième série étant séparés deux à deux par huit pas de temps, une cinquième série de n écarts entretenus, séparée de la quatrième série par seize fois le pas de temps, les écarts entretenus de la cinquième série étant séparés deux à deux par seize pas de temps, une sixième série de n écarts entretenus, séparée de la cinquième série par trente-deux fois le pas de temps, les écarts entretenus de la sixième série étant séparés deux à deux par trente-deux pas de temps.
Le nombre n est ici égal à quatre. On a représenté sur la les trois premières séries : la première série S1 comprend les écarts entretenus depuis les instants -4, -8, -12, -16 (soit l’instant courant moins un pas de temps, l’instant courant moins deux pas de temps, l’instant courant moins trois pas de temps, l’instant courant moins quatre pas de temps) ; l’écart entretenu depuis l’instant prédéterminé -20 a été supprimé ; la deuxième série S2 comprend les écarts entretenus depuis les instants -24, -32, -40, -48 ; les écarts entretenus depuis les instants -52, -56, -60, -64 ont été supprimés ; la troisième série S3 comprend les données des instants prédéterminés -68, -84, -100, 116 ; et ainsi de suite pour les autres séries…
On peut également présenter les choses ainsi, dans cet exemple avec le nombre n égal à 4 : une valeur tj est sélectionnée toutes les quatre valeurs pour être propagée pour t N+1 -t i au-delà de 4*Δt (soit 16s si Δt vaut 4s) ; sur ces valeurs propagées pour t N+1 -t i au-delà de 4*Δt, une valeur est sélectionnée toutes les quatre valeurs pour être propagée pour t N+1 -t i au-delà de 16*Δt (soit 64s si Δt vaut 4s) ; sur ces valeurs propagées pour t N+1 -t i au-delà de 16*Δt, une valeur est sélectionnée toutes les quatre valeurs pour être propagée pour t N+1 -t i au-delà de 64*Δt (soit 256s si Δt vaut 4s) ; sur ces valeurs propagées pour t N+1 -t i au-delà de 64*Δt, une valeur est sélectionnée toutes les quatre valeurs pour être propagée pour t N+1 -t i au-delà de 256*Δt (soit 1024s si Δt vaut 4s) ; etc. et pour finir aucune valeur n’est propagée au-delà d’une valeur maximale de t N+1 -t i .
Ce mode de gestion de la mémoire permet une profondeur temporelle bien plus importante qu’une fenêtre glissante pour un même nombre de données. Ainsi, avec une quarantaine d’écarts entretenus mémorisés, on a une profondeur temporelle d’environ une heure.
On notera que, dans le présent descriptif, on a négligé les temps de calcul des écarts.
En cas de leurrage, le fait de disposer des indicateurs de détection correspondant à des instants passés de début de calcul d’écart ELH différents permet aussi de déterminer un instant de début de leurrage (l’instant le plus ancien pour lequel l’indicateur Id est supérieur au seuil).
On peut donc calculer une nouvelle navigation opérationnelle en corrigeant la navigation inertielle pure à l’instant courant avec l’écart entretenu le plus récent antérieur à l’instant de début de leurrage et la proposer au pilote du véhicule.
On détaille ci-après une manière de réaliser les calculs utilisés pour la mise en œuvre de l’invention.
Pour entretenir les écarts, on procède à un échantillonnage sur des intervalles de temps (typiquement 30 secondes à 2 minutes) et à une propagation, sur ces intervalles de temps, des : N’ jeux d’états d’erreur ELH(t i , t N ) de la localisation inertielle pure horizontale (qui est supposée correcte), N’ matrices de covariance d’erreur P(ELH(t i , t N )) associées.
Dans cet exemple, les moyens de pression 7 comprennent donc deux éléments de mise en pression tels qu’illustrés en lien avec les figures 3A, 3B, 4A et 4B. Ces éléments de mise en pression sont donc deux ressorts hélicoïdaux A et B, ici de raideurs différentes, montés de manière concentrique.
Dans sa position nominale PN ( ), le déplacement du disque ouvreur est nulle (d=0mm). Lors d’un déplacement transversal, le disque ouvreur 2 s’éloigne de cette position nominale PN (figures 6B et 6C).
En fonction de l’amplitude des déplacements du disque ouvreur 2 (et donc de l'importance de la force F appliquée transversalement sur le disque), la longueur de la zone de compression ZC du moyen de pression 7 comprenant les deux ressorts A et B, varient. Ainsi, la longueur « l » (figures 7A à 7C) de la zone de compression ZC diminue avec l’augmentation du déplacement transversal du disque ouvreur 2. En d'autres termes, plus le disque s’écarte de sa position nominale PN, plus la longueur de la zone de compression ZC diminue.