INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Selon le mode de réalisation représenté sur les figures, le mécanisme d’entraînement en rotation 37 est logé dans le corps de suceur 23, et comporte un moteur d’entraînement 38 et un train d’engrenage 39 couplé mécaniquement à un arbre de sortie du moteur d’entraînement 38. Le support de serpillère 34 et le support de serpillère additionnel 34’ sont chacun couplé mécaniquement au train d’engrenage 39, par exemple via un pignon d’entraînement respectif. Cependant, le mécanisme d’entraînement en rotation 37 pourrait par exemple comporter une courroie d’entraînement à la place du train d’engrenage 39, ou tout autre élément de transmission de mouvement.
Le dispositif de nettoyage à la vapeur 33 comporte en outre un circuit de distribution de vapeur 41 (voir notamment la ) configuré pour être relié fluidiquement au générateur de vapeur 17, et plus particulièrement à un conduit d’acheminement de vapeur 42 (voir la ) relié fluidiquement à une sortie de vapeur du générateur de vapeur 17. Le générateur de vapeur 17 est ainsi configuré pour alimenter en vapeur le circuit de distribution de vapeur 41 lorsque l’embout d’aspiration 8 de l’aspirateur domestique 2 est connecté au manchon de raccordement 29.
Lorsque l’un des réservoirs centraux 7 est en mode de vidange, la deuxième vanne 12 reliée audit réservoir central 7 est fermée. En première partie de vidange, la pression dans le réservoir central 7 est supérieure à la pression de consommation. La troisième vanne 13 reliée audit réservoir central 7 est ouverte, la quatrième vanne 14 correspondante est ouverte et la cinquième vanne reliée audit réservoir central 7 est fermée. Le gaz subit une réduction de pression dans le détendeur 9 et est fourni au collecteur 38 10 à la pression de consommation. Le gaz est ensuite consommé par le ou les organes consommateurs 3.
En variante, les deuxièmes vannes 12 peuvent être remplacées par au moins une vanne multivoies possédant une entrée et plusieurs sorties, une par réservoir central 7. Ladite vanne multivoies forme un distributeur.
En variante, les cinquièmes vannes 15 peuvent être remplacées par au moins une vanne multivoies possédant plusieurs entrées, une par réservoir central 7, et une sortie vers le compresseur 20 ou les compresseurs 20 . Ladite vanne multivoies forme un collecteur 38 10.
En option des débitmètres supplémentaires sont disposés en entrée de chaque réservoir tampon. Une redondance de la mesure de débit de liquide est assurée.
La contenance du dispositif de réservoir cryogénique est comprise entre 10 kg et 10000 kg de gaz, préférablement entre 100 kg et 10000 kg de gaz.
Selon un exemple, les vias sont séparés deux à deux par un pas constant suivant au moins une direction du plan d’extension principale des première et deuxième couches.
Selon un exemple, le pas est sensiblement compris entre 50 µm et 300 µm, de préférence entre 100 µm et 200 µm. Ce pas permet une meilleure densité des vias creux dans le substrat. Ainsi, une plus grande densité d’interconnexion est possible. En outre, l’adaptabilité du substrat à différents dispositif microélectronique est améliorée.
Selon un exemple, les vias sont parallèles entre eux.
Selon un exemple, les vias présentent une dimension longitudinale orientée suivant une dimension en épaisseur de la première et de la deuxième couche.
Selon un exemple, les vias s’étendent selon une direction parallèle à la normale au plan d’extension principale des première et deuxième couches.
Selon un exemple, les vias sont cylindriques. Ainsi, la paroi de fond des vias est plus homogène que pour des formes non-cylindriques, par exemple une forme carrée pour laquelle les coins seront moins profond que le centre, suite à la gravure des vias. Une forme cylindrique minimise cet effet. En outre, les contraintes mécaniques sont moins élevées pour des vias cylindriques qui n’ont pas les singularités des coins. C’est avantageux pour les traitements thermiques pendant la fabrication des circuits.
Selon exemple, au moins un via, et de préférence chaque via, sur au moins une portion d’une dimension longitudinale dudit via, est intégralement entouré par une rainure s’étendant depuis la deuxième couche sur une portion de la première couche. La rainure permet d’améliorer l’isolation électrique entre les vias. La rainure est ainsi fabriquée au préalable et de façon indépendante des autres étapes de fabrication du dispositif microélectronique. La rainure est ainsi compatible avec les étapes de FEOL se déroulant à haute température. En outre, la rainure étant fabriqué au préalable, sa géométrie n’est pas limitée par les autres étapes de fabrication du dispositif microélectronique.
Selon un exemple, chaque rainure n’est pas remplie par un matériau solide. Chaque rainure est de préférence remplie d’une atmosphère gazeuse isolante électriquement, par exemple de l’air, de l’azote ou de l’argon, éventuellement à une pression inférieure ou égale à la pression ambiante.
Selon un exemple, chaque rainure est délimitée par une paroi de fond, une paroi latérale et une paroi supérieure opposée à la paroi de fond. Pour au moins une rainure, et de préférence pour chaque rainure, au moins une partie de la paroi latérale et la paroi de fond peuvent être dans le même matériau que celui de la première couche. L’isolation des via est en effet suffisante grâce à l’atmosphère isolante contenue dans la rainure. Alternativement, pour au moins une rainure, et de préférence pour chaque rainure, au moins une partie de la paroi latérale et la paroi de fond peuvent être en matériau diélectrique, par exemple le même matériau diélectrique que les parois du via. Ainsi, l’isolation électrique du via est encore améliorée.
Selon un exemple, la rainure est concentrique audit via. Cela permet notamment de diminuer la capacité parasite entre le vias et le substrat et d’augmenter la tension de claquage.
Selon un exemple, la rainure s’étend depuis la deuxième couche dans la première couche sur une dimension longitudinale inférieure ou égale à la dimension longitudinale du via, de préférence à plus ou moins 5 µm. Ainsi, la rainure entoure le via sur au moins une portion et de préférence sensiblement toute la dimension longitudinale.
Selon un exemple, le substrat comprend en outre un repère configuré de façon à permettre l’alignement du substrat. Cela permet de faciliter encore la fabrication du dispositif microélectronique, en facilitant l’alignement du substrat, et notamment pour la réalisation des étapes de photolithographies nécessaire à la construction du FEOL et du BEOL, et donc l’ouverture des vias.
Selon un exemple, le matériau semi-conducteur est choisi parmi le groupe constitué de silicium Si, germanium Ge, SiGe, un matériau III-V (par exemple GaN, InN, InGaAs, GaP, InP, InAs, AsGa…), un matériau II-VI, des matériaux à large bande-interdite, par exemple supérieure à 3 eV.
Selon un exemple, le matériau semi-conducteur comprend, et de préférence est, du silicium.
Selon un exemple, le matériau piézoélectrique est choisi parmi le tantalate de lithium (LiTaO 3 ), le niobate de lithium (LiNbO 3 ), le niobate de potassium-sodium (K x Na 1-x NbO 3 ou KNN), le titanate de baryum (BaTiO 3 ), le quartz, le titano-zirconate de plomb (PZT), un composé de niobate de plomb-magnésium et de titanate de plomb (PMN-PT), l’oxide de zinc (ZnO), le nitrure d’aluminium (AlN) ou le nitrure d’aluminium et de scandium (AlScN).
Selon un exemple, le matériau diélectrique est un oxyde de semi-conducteur, et de préférence de la silice de formule chimique SiO 2 .
Comme illustré en , un via peut présenter une section transversale, par exemple dans un plan sensiblement parallèle au plan d’extension principale des première 30 et deuxième 31 couches, de forme carré, polygonale, ou cylindrique. De préférence, les vias 32 sont cylindriques.
Selon un exemple illustré en et 2B, un via 32 peut comprendre une rainure 35 configurée pour améliorer l’isolation électrique des vias 32. Le substrat 32 est ainsi particulièrement adapté pour des applications de hautes fréquences et/ou en remplacement de substrat de haute résistivité pour les applications le demandant. Pour cela, le via 32 présente une section transversale intégralement entourée de la rainure 35, prise dans le plan d’extension principale des première 30 et deuxième 31 couches. La rainure 35 peut entourer le via 32 sur au moins une portion de sa dimension longitudinale L 32 . Les rainures 35 sont de préférence disposées de façon à isoler les vias 32 les uns des autres, une rainure 35 entourant de préférence un seul via 32. Les rainures 35 ne se touchent de préférence pas entre elles. La rainure 35 peut plus particulièrement s’étendre depuis la deuxième couche 31 sur une portion de la première couche 30. Notons que la rainure 35 peut être disposée autour d’un via 32 quelle que soit sa configuration décrite ci-dessus. La rainure confère une meilleure isolation diélectrique à la configuration de via qu’elle entoure.
Chaque rainure 35 est de préférence enterrée, c’est-à-dire qu’elle ne débouche pas sur l’une ou l’autre des surfaces exposées 3a, 3b du substrat 3. Chaque rainure 35 définit donc un volume clos. Chaque rainure 35 peut être creuse, elle n’est pas remplie d’un matériau solide. Chaque rainure 35 est alors de préférence remplie d’une atmosphère gazeuse telle que de l’air, de l’azote ou de l’argon, éventuellement à une pression inférieure ou égale à la pression ambiante. Chaque rainure 35 peut être remplie, de préférence entièrement, d’un matériau solide, et par exemple d’un matériau diélectrique.
Chaque rainure 35 peut être délimitée par une paroi latérale 350, une paroi de fond 351 et une paroi supérieure 352 opposée à la paroi de fond 351. La paroi de fond 351 est disposée vers la surface arrière 3b du substrat et la paroi supérieure 352 est disposée vers la surface avant 3a du substrat 3. Parmi ces parois, au moins la paroi de fond 351 et la paroi latérale 350 peuvent être en matériau diélectrique, par exemple en SiO 2 . Comme l’illustre la , toutes les parois peuvent être en matériau diélectrique. On peut prévoir que la rainure 35 affleure la surface de la première couche 30, comme les vias 32 illustrés en et 2B. La paroi supérieure 352 peut être du même matériau que la deuxième couche 31. Toutes les parois peuvent être dans le même matériau que la couche dans laquelle ou contre laquelle elles s’étendent, en matériau diélectrique, semi-conducteur ou piézoélectrique selon la couche considérée.
Comme illustré par exemple par les figures 2A et 2B, chaque rainure 35 peut présenter une dimension longitudinale, ou de façon équivalente une profondeur, L 35 sensiblement égale ou inférieure à celle du via L 32 , selon un exemple égale à plus ou moins 5 µm.
Comme illustré par exemple par les figures 2A et 2B, chaque rainure 35 peut présenter une dimension transversale D 35 prise de part et d’autre du via 32, par exemple un diamètre, sensiblement inférieure ou égale à 50 µm, de préférence sensiblement comprise entre 20 µm et 30 µm. Chaque rainure 35 peut présenter une largeur sensiblement inférieure ou égale à 5 µm, par exemple sensiblement comprise entre 2 et 4 µm. Ainsi, de façon similaire aux dimensions des vias 32, une amélioration de l’isolation électrique peut être obtenue tout en permettant d’obtenir une grande densité de vias 32. Synergiquement, il est particulièrement avantageux d’utiliser ces rainures 35 lorsque les vias 32 sont proches les uns des autres, comme c’est le cas pour une haute densité de vias 32 sur le substrat 3, afin d’améliorer leur isolation électrique. Par haute densité, par exemple les pas A et/ou B sont inférieurs ou égaux à 100 µm. On peut prévoir que les rainures 35 présentent des dimensions égales ou distinctes entre les différentes rainures 35.
Selon les dimensions des rainures 35 dans le plan d’extension principale des première 30 et deuxième 31 couches, le pas peut être adapté de sorte que les rainures 35 sont distinctes les unes des autres. Chaque rainure 35 peut être cylindrique, et de préférence concentrique au via 32 qu’elle entoure.
Lorsque le substrat 3 comprend plusieurs ensembles 32a, chaque ensemble peut présenter une configuration de via, ou le cas échant plusieurs tronçons de configurations. Les configurations de via 32 de différents ensembles 32a peuvent différer entre elles. De préférence, chaque via 32 d’un même ensemble 32a présente la même configuration de via, ou le cas échant plusieurs tronçons de configurations. Les dimensions des vias 32 peuvent en outre varier entre les différents ensembles 32a. De préférence, chaque via 32 d’un même ensemble 32a présente les mêmes dimensions. La section transversale des vias 32 peut en outre varier entre les différents ensembles 32a. De préférence, chaque via 32 d’un même ensemble 32a présente la même section transversale.
Comme l’illustrent par exemple les figures 1A, 1B, et 3A, 3B, le substrat 3 peut comprendre au moins une marque ou de façon équivalente un repère 34 permettant l’alignement du substrat 3 avec d’autres éléments. Ainsi, le placement des vias 32 lors du procédé de fabrication du dispositif microélectronique est fiabilisé. Ce repère 34 peut être formé par une ou plusieurs portion(s) de couche de matériau diélectrique au niveau de la première couche 30 et/ou de la deuxième couche 31. Notons que la personne du métier peut tout à fait envisager d’autres variantes de repère, comme par exemple un marquage disposé sur la surface 3a avant ou la surface arrière 3b du substrat 3.
Le procédé de fabrication du substrat 3 est maintenant décrit en référence aux figures 4A à 5D.
Le procédé comprend la fourniture d’un sous-substrat 1. Le sous-substrat 1 comprend au moins une première couche 10, destinée à former la première couche 30 du substrat 3 qui sera obtenu, comme l’illustre par exemple les figures 4A et 5A. Selon un exemple non illustré, le sous-substrat 1 peut comprendre en outre une couche superficielle destinée à former au moins en partie la deuxième couche 31 du substrat 3. La couche superficielle est de préférence à base ou faite d’un matériau diélectrique. Le sous-substrat 1 présente en outre une surface exposée 1a, au niveau de la première couche 10 ou de la couche superficielle 11.
Comme par exemple illustré par les figures 4A et 5A, les vias 32 peuvent être formés par gravure, et de préférence par gravure ionique réactive profonde (communément abrégée DRIE, de l’anglais « Deep Reactive Ion Etching »). Pour cela, l’étape de gravure peut comprendre l’application d’un masque 12 comprenant des ouvertures 120 à partir desquelles les vias 32 vont être gravés, comme l’illustre par exemple la . Le masque 12 est de préférence un masque en résine. On peut prévoir que le masque soit dur, par exemple avec l’application d’un masque 12 en résine puis la gravure de la couche superficielle 11 en matériau diélectrique, retirer ce masque et graver la première couche 10 grâce au masque d’oxyde dit « dur » ainsi formé. Notons que la couche superficielle 11 peut être retirée après la gravure des vias 32, et les vias 32 isolés électriquement par dépôt d’une couche diélectrique par la suite.
La gravure est de préférence configurée pour obtenir les caractéristiques des vias 32 décrites précédemment, et notamment leurs dimensions et les pas les séparant. Par exemple, les dimensions du masque 12 et/ou le temps et la vitesse de gravure sont ajustés pour cela.
La gravure est configurée pour graver uniquement le pourtour des vias 32. Comme l’illustre par exemple la , une rainure 320’ peut être gravée, cette rainure 320’ étant destinée à former la paroi latérale 320 du via 32. En variante, comme l’illustre par exemple la , le via 32 peut être gravé sur sensiblement tout son volume.
Pour former la paroi latérale 320 en matériau diélectrique, le procédé peut ensuite comprendre une formation d’un matériau diélectrique pour former la paroi latérale 320. Comme l’illustre par exemple la , la rainure 320’ peut être remplie, de préférence entièrement, par un matériau diélectrique. Pour cela, le matériau diélectrique, par exemple de la silice SiO 2 , peut être déposé. Ce dépôt peut être un dépôt chimique en phase vapeur (communément abrégé CVD, de l’anglais Chemical Vapor Deposition ) à partir de précurseurs gazeux comprenant de l’oxygène et du silicium, par exemple de l’orthosilicate de tétraéthyle (communément abrégé TEOS de l’anglais tetraethyl orthosilicate ) ou du silane de formule chimique SiH 4 , éventuellement combiné avec du dioxygène. Le dépôt est par exemple un dépôt CVD à pression subatmosphérique (communément abrégé SACVD, de l’anglais Sub-Atmospheric CVD ), ou un dépôt en phase chimique assisté par plasma (communément abrégé PECVD, de l’anglais Plasma-Enhanced CVD.
Lorsque le via 32 est gravé sur sensiblement tout son volume, la formation du matériau diélectrique peut être réalisée sur la paroi latérale 320 et la paroi de fond 321, comme l’illustre par exemple la . Cette formation peut être faite par dépôt du matériau diélectrique comme décrit ci-dessus. Cette formation peut en variante être faite par oxydation thermique, par exemple à une température de sensiblement 1050 °C dans une atmosphère comprenant de l’oxygène.
La tendance générale est donc de limiter l’utilisation des filtres chimiques synthétiques.
Au-delà de ses considérations, l’aspect sensoriel pour l’utilisateur lors de l’application topique de ses préparations doit aussi être pris en considération.
Les filtres physiques utilisés dans les préparations de protection solaire sont la plupart du temps des substances inertes d’origine minérale telles que l’oxyde de zinc (ZnO) et le dioxyde de titane (TiO 2 ) l’oxyde de cérium, l’oxyde de zirconium. Leur utilisation dans des produits de protection solaire reste toutefois malaisée, avec l’apparition de traces blanches lors de l’application.
Plus de soixante phyto-cannabinoïdes sont connus, dont des cannabinoïdes non psychotropes tels que le cannabidiol (CBD), le cannabigérol (CBG), le cannabinol (CBN), le cannabichromène (CBC), le cannabivarin (CBDV), le cannabicyclol (CBL) et le cannabicitran (CBT).
On entend par « phyto-cannabinoïdes » des cannabinoïdes d’origine végétale, c’est-à-dire issus des plantes.
Ainsi, les phyto-cannabinoïdes non psychotropes contenus dans le chanvre tels que le cannabidiol et le cannabigérol aident à soulager les affections cutanées tels que l’inflammation et présentent de façon inattendue un effet d’atténuation de l’apoptose cellulaire induite par les rayonnements UV.
D’autres substances actives telles que les peptides biomimétiques peuvent avoir un effet de protection de la peau contre les rayonnements solaires. En effet, les peptides biomimétiques miment l’action des peptides naturels, tout en étant biocompatibles. Parmi ces peptides biomimétiques, l’acétyl hexapeptide-1, agoniste de l’alpha-MSH en stimulant la synthèse de la mélanine, permet de renforcer la capacité naturelle de photoprotection de la peau en la protégeant des dégâts de l’ADN initiés par les UV et diminue l’apparition d’érythème solaire, apaise la peau abîmée par le soleil et limite les signes de photovieillissement.
PROBLEME TECHNIQUE Il existe un besoin en compositions d’application topique permettant de protéger la peau contre les rayonnements solaires et de la prévenir de ses ravages.
Il existe un besoin de compositions topiques à forte protection solaire avec une texture permettant une application aisée et un recouvrement optimal de la peau lors de l’application.
Il existe un besoin de compositions topiques à forte protection solaire qui après application laisse une sensation d’hydratation et de douceur et ne laisse pas la sensation d’un film collant appliqué sur la peau et ne laissant pas de traces blanches désagréables sur la peau.
Il existe un besoin de compositions de protection solaire limitant l’utilisation de filtres chimiques solaires à base de produits naturels, biocompatibles et non toxiques, ou à base de produits respectueux pour l’environnement.
L’un des buts de l’invention est de proposer une association de substances actives permettant de protéger la peau contre les rayonnements solaires, et permettant notamment de prévenir les ravages d’une exposition prolongée au soleil tels que l’érythème solaire.
Un autre but de la présente invention est de proposer une association de substances actives permettant de protéger la peau contre les rayonnements solaires à base de produits naturels, dont par exemple des extraits de plantes, et/ou à base de produits biomimétiques, inspirés de la nature et biocompatibles avec la peau.
Un autre but de la présente invention est de proposer une composition, notamment topique, comprenant l’association de différentes substances actives hétérogène, qui est stable.
Un autre but de l’invention est de proposer une composition topique qui permet une application rapide et homogène sur la peau, une transparence du produit après application et laissant sur la peau une sensation d’hydratation et de douceur, sans la sensation d’un film appliqué sur la peau.
Un premier objet de la présente invention est une association comprenant ou constituant en un mélange d’au moins un oxyde de zinc, d’acétyl hexapeptide-1 et d’au moins un phyto-cannabinoïde non psychotrope.
Le cannabidiol et le cannabigérol utilisés peuvent être d’origine naturel et provenir d’extraits de plantes de différentes variétés de chanvre, en particulier du Cannabis sativa, indica ou ruderalis.
Selon un autre mode de réalisation particulier, le cannabidiol ou le cannabigérol utilisé provient d’extraits de chanvre contennant moins de 0,3 % de THC, en particulier moins de 0,2% de THC.
Selon un autre mode de réalisation particulier, le cannabidiol ou le cannabigérol utilisé est synthétisé par des méthodes connues de l’Homme du métier.
Selon un autre mode de réalisation particulier, l’acétyl hexapeptide-1 utilisé est sous forme d’huile.
L’acétyl hexapeptide-1 peut se présenter sous forme d’une solution hydrophile ou en dispersion/émulsion huileuse, lipophile.
En forme huileuse, il est commercialisé par exemple sous le nom de MelinOil TM (Nom INCI : Isopropyl Palmitate (and) Lecithin (and) Water (and) Acetyl Hexapeptide-1 ) par la société Lucas Meyer Cosmetics). Le MelinOil TM de la société Lucas Meyer Cosmetics est une dispersion d’acétyl hexapeptide-1 dans un mélange de lécithine, de palmitate d’isopropyle et d’eau.
En forme aqueuse, l’acétyl hexapeptide-1 est commercialisé sous le nom de Melitane TM (Nom INCI : Glycerin (and) Water (and) Dextran (and) Acetyl Hexapeptide-1 ). Le Melitane TM de la société Lucas Meyer Cosmetics est une solution d’acétyl hexapeptide-1 dans un mélange de glycérine, de Dextran et d’eau.
Selon un autre mode de réalisation particulier, l’oxyde de zinc utilisé est sous forme particulaire dans un dispersant.
Selon un autre mode de réalisation particulier, le dispersant de l’oxyde de zinc utilisé est choisi parmi : le triglycéride caprylique caprique, le dicaprylyl carbonate, le C12-15 alkyl benzoate et le diisobutyl adipate.
Une dispersion de ZnO utilisée est par exemple commercialisée sous le nom de Xperse® 501 (Nom INCI : Zinc oxide (and) Caprylic/capric triglyceride (and) polyhydroxystearic acid ) de la société Evercare.
Dans un mode de réalisation particulier, l’invention concerne une association telle que définie ci-dessus comprenant en outre du dioxyde de titane (TiO 2 ).
Dans un mode de réalisation particulier, l’invention concerne une association telle que définie ci-dessus, comprenant ou constituant en un mélange d’oxyde de zinc, de dioxyde de titane, d’acétyl hexapeptide-1 et d’un cannabinoïde non psychotrope.
Dans un mode de réalisation particulier, le cannabinoïde non psychotrope est choisi parmi le groupe suivant : le cannabidiol (CBD), le cannabigérol (CBG), le cannabinol (CBN), cannabichromène (CBC), le cannabivarin (CBDV), le cannabicyclol (CBL) et le cannabicitran (CBT).
Dans un mode de réalisation particulier, l’invention concerne une association telle que définie ci-dessus, comprenant ou constituant en un mélange d’oxyde de zinc, de dioxyde de titane, d’acétyl hexapeptide-1 et de cannabidiol ou de cannabigérol.
Dans un mode de réalisation particulier, l’invention concerne une association telle que définie ci-dessus, comprenant ou constituant en un mélange d’oxyde de zinc, de dioxyde de titane, d’acétyl hexapeptide-1 et de cannabidiol.