INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Selon les exemples donnés, un circuit fluidique principal 71 comporte un refroidisseur 12, un réchauffeur 13, un filtre 14, une liaison de surpression 11 débouchant dans le carter 50, un senseur de pression 15. Par exemple, le réseau hydraulique de sortie 62 du circuit fluidique principal 71 comporte une première liaison hydraulique sortant de la pompe de distribution 10. Cette première liaison hydraulique débouche, au niveau d’une jonction, sur la liaison de surpression 11 et une deuxième liaison hydraulique qui sort du carter pour atteindre le refroidisseur 12 et le réchauffeur 13. Une troisième liaison hydraulique relie le refroidisseur 12 et le réchauffeur 13 à un filtre 14, la troisième liaison pouvant comprendre un compteur de particules 99 éventuel. Ce filtre 14 débouche via une liaison retournant dans le carter sur un circuit de distribution 17 équipé d’un senseur de pression 15. En outre, un circuit fluidique de secours 72 comporte une liaison de surpression 20 débouchant dans le carter 50 et un senseur de pression 23. Une vanne peut être agencée dans le carter en amont du réchauffeur et du refroidisseur.
Par exemple, le réseau hydraulique de sortie 64 du circuit fluidique de secours 72 comporte une première liaison hydraulique sortant de la pompe de distribution 22. Cette première liaison hydraulique débouche, au niveau d’une jonction, sur la liaison de surpression 20 et une deuxième liaison hydraulique qui atteint un circuit de distribution 24 équipé d’un senseur de pression 23. La deuxième liaison hydraulique peut comprendre un compteur de particules 999 Le circuit fluidique de secours 72 est dépourvu de filtre, de réchauffeur et de refroidisseur pour limiter les risques de fuites.
Selon un autre aspect, le réservoir 1 peut loger au moins un senseur de niveau de fluide lubrifiant 7, 8, voire au moins un senseur de température 5, 6.
la représente un procédé de fabrication du dispositif électronique de la selon un autre mode de réalisation de la présente description ;
la représente le procédé de la sous forme de blocs ;
la représente un système électronique selon un mode de réalisation de la présente description ; et
la représente un système électronique selon un autre mode de réalisation de la présente description.
La puce électronique 102 est montée sur une première région d’un substrat 107 du dispositif électronique 100. La puce électronique 102 est reliée, par exemple par l’intermédiaire des plots de contacts 110, au substrat 107 ou à des pistes conductrices du substrat 107 et/ou à des composants du substrat 107.
Le substrat 107 comprend, par exemple, une couche de masse 116 supportant une surface conductrice, reliée à la masse, et par exemple, dotée d’une ouverture (non illustrée).
la détermination d'une attribution de carburant pour la pluralité de missions en utilisant le procédé du vingt et unième aspect et éventuellement l'une quelconque ou plusieurs des déclarations associées ci-dessus ; et
le chargement du carburant sur la pluralité d'aéronefs en fonction de l'attribution de carburant.
Selon un vingt-troisième aspect, l'invention concerne un support non transitoire lisible par ordinateur sur lequel sont stockées des instructions qui, lorsqu'elles sont exécutées par un processeur, amènent le processeur à mettre en œuvre le procédé du vingt et unième aspect et éventuellement une ou plusieurs quelconques déclarations associées ci-dessus.
Selon un vingt-quatrième aspect, l'invention concerne un système de détermination d'attribution de carburant à l'échelle de la flotte pour déterminer une attribution de carburant pour une flotte pour une pluralité de missions, le système de détermination d'attribution de carburant à l'échelle de la flotte comprenant un dispositif informatique configuré pour mettre en œuvre le procédé du vingt et unième aspect et éventuellement une ou plusieurs quelconques déclarations associées ci-dessus.
Selon un vingt-cinquième aspect, l'invention concerne un système de détermination d'attribution de carburant à l'échelle de la flotte pour déterminer une attribution de carburant pour une pluralité de missions effectuées par une pluralité d'aéronefs, la pluralité de missions étant alimentée en carburant à partir d'une source de carburant comprenant une quantité d'un carburant par défaut et une quantité d'un carburant non par défaut, l'attribution de carburant indiquant la quantité du carburant non par défaut et du carburant par défaut à attribuer à chaque mission de la pluralité de missions, le carburant par défaut et le carburant non par défaut ayant une ou plusieurs caractéristiques de carburant différentes les unes des autres, le procédé comprenant :
un module d'obtention d'attribution de carburant proposée initiale configuré pour obtenir une attribution de carburant proposée initiale pour chaque mission de la pluralité de missions ;
un module d'optimisation à l'échelle de la flotte configuré pour réaliser une optimisation à l'échelle de la flotte dans laquelle l'attribution de carburant proposée de chaque mission de la pluralité de missions est modifiée dans les limites des contraintes du carburant par défaut et/ou non par défaut disponible total de la source de carburant pour réduire au minimum une somme de paramètres d'impact des nvPM par mission sur la totalité de la pluralité de missions, chaque mission de la pluralité de missions étant associée à un paramètre d'impact des nvPM par mission respectif déterminé selon une utilisation de carburant proposée pour cette mission, l'utilisation de carburant définissant de quelle façon l'attribution de carburant pour la mission respective doit être utilisée pendant cette mission ; et
L’hélice 17 est située à une première extrémité de l’arbre de propulsion 18.
Le turbopropulseur 16 comprend en outre un module d’entraînement 19 comportant un arbre d’entraînement 20 relié à une deuxième extrémité de l’arbre de propulsion 18.
Le module d’entraînement 19 délivre un couple d’entraînement sur l’arbre d’entraînement 20 lorsque le module d’entraînement 19 est alimenté par une source d’alimentation de l’aéronef 15 ou génère de l’énergie électrique lorsque l’arbre d’entraînement 20 est entraîné par l’arbre de propulsion 18.
Le turbopropulseur 16 comprend en outre un compresseur 21 situé sur l’arbre 18 entre la première et la deuxième extrémités, et une turbine 22 située sur l’arbre 18 entre le compresseur 21 et la deuxième extrémité de l’arbre 18.
Le turbopropulseur 16 peut en outre comprendre une boîte de vitesses 23 reliant l’hélice 17 à l’arbre de propulsion 18, et comprend un premier capteur 24 de mesure de la vitesse de rotation de l’hélice 17.
Le turbopropulseur 16 comprend en outre une turbomachine 25 comportant un deuxième compresseur 26 relié à une deuxième turbine 27 par un deuxième arbre 28 de transmission, et une chambre de combustion 29 annulaire disposée autour du deuxième arbre 28.
Selon un premier mode de fonctionnement « thermique », l’hélice 17 alimente le compresseur 21 en air.
Le compresseur 21 comprime l’air délivré par l’hélice 17 et alimente en air comprimé le deuxième compresseur 26.
Le deuxième compresseur 26 comprime l’air comprimé reçu.
Un combustible, par exemple du kérosène, est injecté dans la chambre de combustion 29 et s’enflamme au contact de l’air comprimé par le deuxième compresseur 21 produisant des gaz chauds.
Les gaz chauds se détendent en partie dans la deuxième turbine 27 entraînant le deuxième compresseur 26 par l’intermédiaire du deuxième arbre 28, puis s’échappent dans la turbine 22.
Les gaz chauds se détendent dans la turbine 22 qui entraîne l’arbre de propulsion 18 sous l’effet de la détente des gaz chauds.
L’arbre de propulsion 18 entraîne l’hélice 17 par l’intermédiaire de la boîte de vitesses 23, le compresseur 21, et l’arbre de d’entraînement 20.
Le module d’entraînement 19 comprend une machine électrique tournante 30 comportant un rotor 31 et un stator 32 logeant le rotor 31.
Le rotor 31 comprend un arbre rotorique relié à l’arbre d’entraînement 20.
La machine 30 est par exemple du type synchrone triphasée.
Dans un mode particulier de réalisation, lorsque l’aéronef est un aéronef quadrimoteurs dans lequel l’ensemble de canalisations de prélèvement d’air comprend quatre canalisations 21, 22, 23, 24 associées chacune à l’un des quatre moteurs de propulsion M1, M2, M3, M4 de l’aéronef, pour chacune desdites quatre canalisations l’écart déterminé à l’étape D) correspond à un écart entre la pente d’évolution temporelle de la température correspondant à cette canalisation et une médiane ou une moyenne des trois pentes d’évolution temporelle de la température correspondant respectivement aux trois autres canalisations.
Dans un autre mode particulier de réalisation, lorsque l’aéronef est un aéronef bimoteurs dans lequel l’ensemble de canalisations de prélèvement d’air comprend deux canalisations 21, 22 associées chacune à l’un des deux moteurs de propulsion M1, M2 de l’aéronef, pour chacune desdites deux canalisations l’écart déterminé à l’étape D) correspond à un écart entre la pente d’évolution temporelle de la température correspondant à cette canalisation et la pente d’évolution temporelle de la température correspondant à l’autre canalisation.
STRUCTURE FIXE INTERNE POUR AÉRONEF COMPORTANT UNE STRUCTURE EN NID D’ABEILLES, UN ÉCHANGEUR THERMO-ACOUSTIQUE, UN CADRE ET DES MOYENS DE FIXATION La présente invention concerne une structure fixe interne pour un aéronef où ladite structure fixe interne comporte une structure en nid d’abeilles, un échangeur thermo-acoustique, un cadre et des moyens de fixation qui assurent la fixation de l’échangeur thermo-acoustique à la structure en nid d’abeilles, un ensemble propulsif comportant une telle structure fixe interne ainsi qu’un aéronef comportant au moins un tel ensemble propulsif. La présente invention concerne également différents procédés de fabrication d’une telle structure fixe interne.
Les Figs. 10 et 11 montrent une structure fixe interne 900 de l’état de la technique.
Classiquement, la structure fixe interne 900 comporte une structure en nid d’abeilles 902 présentant deux faces entre lesquelles s’étendent des alvéoles. La première face est recouverte par une peau résistive 902a qui est ajourée pour laisser passer les ondes sonores à atténuer vers les alvéoles. La première face est orientée vers la veine secondaire 210. La deuxième face est recouverte d’une peau de fond 902b qui obture les alvéoles. La deuxième face est orientée vers le noyau 207.
La structure fixe interne 900 comporte également un isolant thermique 904 qui est fixé du côté du noyau 207 à la structure en nid d’abeilles 902 à l’aide de premiers moyens de fixation non représentés.
La plaque 908a permet entre autres la fixation de l’échangeur thermo-acoustique 908 à la structure en nid d’abeilles 902 du côté de la veine secondaire 210 grâce à des deuxièmes moyens de fixation 910a-b.
Chaque deuxième moyen de fixation 910a-b comprend une vis 912a-b dont la tête est en appui contre la plaque 908a et dont la tige filetée traverse la structure en nid d’abeilles 902 à travers un trou prévu à cet effet dans une résine 917. Chaque deuxième moyen de fixation 910a-b comprend également un écrou 914a-b qui se visse sur la tige filetée et prend l’échangeur thermo-acoustique 908 et la structure en nid d’abeilles 902 en sandwich.
Chaque deuxième moyen de fixation 910a-b comprend également une colonnette 916a-b qui se positionne autour de la tige filetée entre la plaque 908a et la peau résistive 902a.
Pour le deuxième moyen de fixation 910a du premier type, le diamètre intérieur de la colonnette 916a et le diamètre du trou traversant la structure en nid d’abeilles 902 sont ajustés au diamètre de la tige filetée.
une excellente planéité (faible courbure), une faible résistivité électrique (lorsqu’elle est requise pour l’application et les composants à fabriquer sur la structure composite 100) et, une bonne conductibilité thermique (en particulier dans le cas de la 1ère variante énoncée).
Le rayon de courbure du substrat support 20 est supérieur à 25m, avantageusement supérieur ou égal à 50m. A titre d’exemple, un substrat support 20 de 150mm de diamètre présente une courbure (ou « warp ») inférieure ou égale à 100 microns, voire 50 microns, et un substrat support 20 de 200mm de diamètre présente une courbure (ou « warp ») inférieure ou égale à 150 microns, voire 70 microns.
La gamme de rayon de courbure du substrat support 20 rend ce dernier parfaitement compatible avec les spécifications d’une structure composite 100 munie d’une couche mince monocristalline 10, avec le procédé de fabrication d’une telle structure 100 et avec l’élaboration ultérieure de composants microélectroniques sur et/ou dans la couche mince 10. Notons que la courbure de la structure composite 100 reste proche de la courbure du substrat support 20.
Selon un mode particulier de l’invention, la structure composite 100 comprend une couche intermédiaire 30 continue ou discontinue, disposée entre la couche mince 10 et le substrat support 20 et composée d’au moins un matériau métallique ou semi-conducteur ( ). Comme cela sera décrit plus loin, en référence à un procédé de fabrication de la structure composite 100, la couche intermédiaire 30 pourra être formée du côté de la couche mince 10, du côté du substrat support 20 ou des deux côtés, préalablement à l’assemblage le long d’une interface de collage 40.
La couche intermédiaire 30 peut être par exemple composée de silicium, de carbure de silicium, de tungstène et/ou de titane. Son épaisseur est typiquement comprise entre quelques nm et quelques centaines de nm, préférentiellement entre 2nm et 50nm.
La présente invention concerne également un procédé de fabrication de la structure composite 100.
Le procédé comprend une première étape a) de fourniture d’un substrat support 20 en carbure de silicium poly-cristallin présentant une orientation cristalline préférentielle selon laquelle :
- un coefficient de texture C 422 est inférieur à 30%, en particulier inférieur à 20%, à 15%, voire inférieur à 10%, et
Préférentiellement, pour adresser les applications d’électronique de puissance, le substrat support 20 présente un dopage à l’azote permettant d’atteindre une résistivité électrique inférieure à 30mOhm.cm, à 15mOhm.cm, voire inférieure à 10mOhm.cm.
Le rayon de courbure du substrat support 20 est supérieur à 25m, avantageusement supérieur ou égal à 50m.
L’étape a) met en œuvre une technique de dépôt chimique en phase vapeur (CVD pour « Chemical Vapor Deposition »). Cette technique fait intervenir un mélange gazeux comprenant au moins un gaz précurseur de silicium (tel qu’un silane ou un chlorosilane) et/ou au moins un gaz précurseur de carbone (tel qu’un alcane ou un alcène), et/ou au moins un gaz précurseur de silicium et de carbone (tel que le méthyltrichlorosilane, abrégé MTCS), et, si nécessaire, au moins un gaz dopant comprenant de l’azote (par exemple le NH 3 , le N 2 H 4 , le N 2 ). Ledit gaz dopant peut aussi être un précurseur de carbone et/ou de silicium (par exemple une amine telle que le H 2 NCH 3 ). Ces gaz peuvent être dilués dans un gaz porteur, qui peut être un gaz réducteur tel que l’hydrogène et/ou un gaz inerte tel que l’argon.
Ce mélange gazeux est admis dans un réacteur se trouvant à haute température où les gaz précurseurs sont décomposés et réagissent sur la surface d’un germe, préférentiellement en graphite isostatique à grain fin et purifié, pour former le polytype 3C-SiC dont les propriétés de résistance mécanique et thermique, le coefficient de dilatation thermique et la pureté sont parfaitement compatibles avec les spécifications de la structure composite 100. Le polytype 3C-SiC, par ailleurs, peut être dopé avec de l’azote jusqu’à des niveaux très élevés, typiquement 10 20 atomes/cm 3 , et présenter ainsi une résistivité inférieure à 30mOhm.cm, sans dégradation de la qualité du substrat qui serait préjudiciable à la qualité de la structure composite et ultérieurement aux performances des composants microélectroniques. Enfin, c’est un matériau capable de résister aux procédés à hautes températures que devra subir le substrat support 20 pendant la fabrication de la structure composite 100 et des composants.
La température du réacteur lors du dépôt par CVD du SiC doit se situer entre environ 1000°C et environ 1600°C, préférentiellement entre environ 1100°C et environ 1400°C. Dans cette plage de température, les vitesses de dépôt peuvent évoluer dans des plages assez larges, du micron/h à plus de 100 microns/h. Avantageusement, la pression totale dans le réacteur ne dépasse pas 350 mbar, voire 300 mbar.
En modifiant les paramètres du procédé CVD tels que la température, la pression partielle du précurseur et potentiellement le pourcentage de gaz dopant, il est possible de faire évoluer l’orientation cristalline/la texture de la couche p-SiC déposée.
A l’issue du dépôt, les germes en graphite revêtus par une épaisse couche de dépôt de SiC sont usinés, puis oxydés à l’air typiquement à 900°C pour éliminer tout résidu de graphite. Notons que le retrait des germes de graphite pourrait également être opéré par des techniques d’usinage uniquement mécanique ou encore essentiellement par brulage/oxydation.
La montre un exemple d’architecture de calcul logique 28 pouvant être obtenue grâce à l’emploi de trois dispositifs logiques 10 concaténés, distingués dans la par un signe de référence _1, _2 et _3.
Le premier dispositif logique 10_1 est un dispositif selon la comportant une deuxième sous-unité de conversion 26_1 en remplacement de la première sous-unité de conversion.
Les deuxième et troisième dispositifs logiques sont également des dispositifs selon la comportant une deuxième sous-unité de conversion 26_2 ou 26_3 en remplacement de la première sous-unité de conversion mais dans lesquels le premier bras 12_2 ou 12_3 s’étend uniquement d’un seul côté par rapport au canal 16 de sorte que ces dispositifs présentent une forme de H auquel il manque une branche.
Dans cet exemple, le premier bras 12-2 et 12-3 des deuxième et troisième dispositifs logiques est confondu avec le deuxième bras 14_1 du premier dispositif logique 10_1.
Il est également possible de concaténer les dispositifs en connectant le deuxième bras 14 d’un premier dispositif 10 au contact électrique 24 d’un deuxième dispositif 10. Ceci peut permettre de réaliser d’autres fonctions logiques, la sortie du premier dispositif 10 contrôlant le signe de la conversion dans le deuxième dispositif 10.
La concaténation de dispositifs logiques 10 permet ainsi de réaliser des opérations logiques tout en conservant une faible consommation énergétique.
Système de gestion d'un groupe de registres tournants défini de façon arbitraire dans des registres de processeur L’invention est relative au chargement de blocs de données à partir d'une mémoire vers les registres d’un processeur, où les blocs de données peuvent commencer à des adresses désalignées par rapport à un bus de données de la mémoire.
Arrière-plan Dans certaines applications de traitement de données, comme le "streaming", un ou plusieurs flots de données peuvent être enregistrés dans une mémoire, pour être relus par un processeur en vue de recevoir un traitement ultérieur. Dans une telle application, les opérations de lecture en mémoire pour récupérer les données du flot n'utilisent pas de mémoire cache, de sorte que chaque lecture présente une latence de plusieurs cycles d'une horloge système. Les opérations de lecture sont souvent exécutées dans une boucle pour créer un pipeline de traitements où les instructions de lecture peuvent s'enchaîner sans latence.
Le cœur d'une telle boucle est une instruction qui charge un nombre de bits de la largeur du bus de données dans des registres de travail du processeur, désignés explicitement par l'instruction de chargement. Une première difficulté réside dans la gestion des registres destinataires en tenant compte de la latence mémoire. En effet, les registres désignés par une itération de la boucle ne reçoivent leurs données que plusieurs cycles plus tard, de sorte que l'itération suivante ne peut pas désigner les mêmes registres. Une seconde difficulté est que le bus d’accès mémoire fonctionne à performance maximale uniquement lorsque les adresses de lecture mémoire sont alignées, c’est-à-dire multiples de la taille des données accédées en lecture. Cependant l’organisation du logiciel applicatif ne permet pas de respecter cet alignement dans la majorité des cas.
Pour surmonter la première difficulté dans une architecture de processeur générique, on utilise une technique d'expansion de variables modulaire ou MVE ("Modulo Variable Expansion"). Selon cette technique, on conçoit une macro-boucle dans laquelle plusieurs itérations de lecture sont "déroulées" pour utiliser des registres destination différents. Le nombre d'itérations déroulées est choisi pour avoir un temps d'exécution supérieur à la latence mémoire maximale. Cette technique est difficile à appliquer lorsque la latence mémoire est grande, ce qui est typiquement le cas en mode "streaming", car le nombre de registres disponibles pourrait devenir insuffisant compte tenu que d'autres opérations de la boucle ont aussi besoin de registres.
Certaines architectures de processeur disposent d'un groupe de registres tournants permettant de dérouler une boucle de manière transparente. Des écritures ou lectures successives à la même adresse du groupe de registres tournants résultent en des accès à des registres successifs du groupe de registres. Lorsque le dernier registre est atteint, la succession redémarre du premier registre. Une boucle peut alors être écrite de manière traditionnelle avec une seule opération d'accès qui utilise comme destination une adresse affectée au groupe de registres tournants. Le brevet US7594102 évoque un tel groupe de registres. Le document de Hewlett-Packard "HPL-PD Architecture Specification", disponible sur le lien https://www.hpl.hp.com/techreports/93/HPL-93-80R1.pdf, décrit une architecture de processeur comprenant un groupe de registres tournants.
Pour surmonter la seconde difficulté, liée au fait que les données à traiter ne sont pas généralement alignées en mémoire, il a été proposé par exemple dans le brevet US7197625B1 de charger les valeurs de deux lectures mémoire successives dans des registres spécialisés, à partir desquels une instruction extrait les données correctement alignées pour les traitements dans le processeur.
Résumé On prévoit de façon générale un cœur de processeur comprenant une interface mémoire système de N bits ; un jeu de registres de travail comprenant une pluralité de registres à usage général de capacité inférieure à N bits ; un jeu de registres vectoriels de N bits ; dans son jeu d'instructions, une instruction de manipulation de registres exécutable avec les paramètres suivants : a) une valeur définissant dans le jeu de registres vectoriels une zone tampon formée d'une pluralité de registres vectoriels consécutifs, et b) une référence à un premier registre à usage général, le premier registre à usage général contenant un index identifiant un registre vectoriel à l'intérieur de la zone tampon ; et une unité d'exécution configurée pour, lors de l'exécution d'une instruction de manipulation de registres, lire ou écrire, en un cycle, N bits dans le registre vectoriel identifié à partir de la valeur définissant la zone tampon et de l'index contenu dans le premier registre à usage général.
L'instruction de manipulation de registres peut être une instruction de chargement de vecteur exécutable avec les paramètres suivants : a) la valeur définissant la zone tampon, b) la référence au premier registre à usage général contenant l'index, et c) une référence à un deuxième registre à usage général contenant une adresse mémoire source. L'unité d'exécution est alors configurée pour, lors de l'exécution d'une instruction de chargement de vecteur, transférer des données de la mémoire depuis l'adresse contenue dans le deuxième registre à usage général dans le registre vectoriel identifié par l'index.