Substrat pour dispositif électronique de puissance ou radiofréquence, comprenant un substrat support (30) en carbure de silicium présentant une face avant (10) et une face arrière (20), et une couche superficielle (1) de carbure de silicium monocristallin s’étendant sur la face avant (10) dudit substrat support (30), ledit substrat étant caractérisé en ce que le substrat support (30) présente au moins une portion poreuse (3) s’étendant à partir de la face arrière (20), ladite portion poreuse (3) présentant un taux de porosité supérieur à 5 % et une épaisseur supérieure à 100 nm, avantageusement supérieure à 1 µm, et plus avantageusement supérieure à 3 µm. Substrat selon la revendication 1, dans lequel la portion poreuse (3) comprend une couche (3, 3A, 3C) de SiC porosifié. Substrat selon l’une des revendications 1 ou 2 dans lequel le substrat support (30) comprend une portion non poreuse (2A, 2B, 2C) entre la couche superficielle (1) de SiC monocristallin et la portion poreuse (3). Substrat selon l’une des revendications 1 à 3, dans lequel le substrat support (30) est en SiC polycristallin ou en SiC monocristallin ou en une combinaison desdits matériaux. Substrat selon l’une des revendications précédentes, dans lequel la portion poreuse (3) présente une partie arrière (3A, 3B, 3C) présentant un premier taux de porosité et une partie avant (2A, 2B, 2C) présentant un second taux de porosité inférieur au premier taux. Substrat selon l’une des revendications précédentes, dans lequel la portion poreuse (3) présente un gradient de porosité décroissant de la face arrière (20) vers la face avant (10). Substrat selon l’une des revendications précédentes, dans lequel la portion poreuse (3) présente des pores remplis d’un matériau présentant un module d’Young inférieur au module d’Young du carbure de silicium. Substrat selon l’une des revendications précédentes, dans lequel la portion poreuse (3) présente des pores, la distance moyenne entre lesdits pores étant supérieure à 10nm, de préférence supérieure à 50nm. Dispositif électronique comprenant un substrat selon l’une quelconque des revendications précédentes et au moins un composant électronique de puissance ou radiofréquence formé dans ou sur la couche de carbure de silicium monocristallin, et un dispositif d’évacuation de chaleur, le substrat étant brasé sur le dispositif d’évacuation de chaleur par l’intermédiaire d’un matériau d’apport de sorte que le matériau d’apport est en contact solidaire d’au moins une partie de la portion poreuse (3) sur la face arrière (20) du substrat support (30). Procédé de fabrication d’un dispositif électronique de puissance ou radiofréquence comprenant : un substrat support (30) en carbure de silicium présentant une face avant (10) et une face arrière (20) , et une couche superficielle (1) de carbure de silicium monocristallin s’étendant sur la face avant (10) dudit substrat support (30), le procédé étant caractérisé en ce qu’il comprend une étape de formation, dans le substrat support (30), d’au moins une portion poreuse (3) s’étendant à partir de la face arrière (20), ladite portion poreuse (3) présentant un taux de porosité supérieur à 5 % et une épaisseur supérieure à 100 nm, avantageusement supérieure à 1 µm, et plus avantageusement supérieure à 3 µm. Procédé selon la revendication 10, comprenant en outre une étape d’assemblage de la couche superficielle (1) et du substrat support (30). Procédé selon la revendication 11, dans lequel le substrat support (30) est en carbure de silicium polycristallin. Procédé selon l’une des revendications 10 à 12, dans lequel la formation du substrat support (30) comprend une étape de porosification d’au moins une partie d’un substrat de base de carbure de silicium non poreux pour former la portion poreuse (3). Procédé selon la revendication 13, dans lequel la porosification est effectuée sur l’ensemble du substrat de base pour former un substrat support (30) entièrement poreux. Procédé selon l’une des revendications 13 ou 14, dans lequel la porosification est réalisée de sorte à former un gradient de porosité décroissant dans la portion poreuse (3) de la face arrière (20) vers la face avant (10). Procédé selon l’une des revendications 13 à 15, dans lequel la porosification est réalisée de sorte à former une zone de collage présentant un taux de porosité inférieur à 40% sur la face avant (10) du substrat support (30). Procédé selon l’une des revendications 10 à 16, comprenant une étape de comblement d’au moins une partie des pores de la portion poreuse (3) par un matériau présentant un module d’Young inférieur au module d’Young du carbure de silicium. Procédé selon l’une des revendications 10 à 17, comprenant en outre une étape d’amincissement du substrat support (30) par la face arrière (20), de sorte que l’épaisseur de la portion poreuse (3) reste supérieure ou égale à 100 nm.