INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Des exemples de minéraux incluent de manière non limitative les sels de zinc (e.g. acétate de zinc, notamment déshydraté), les sels de magnésium, les sels de calcium (e.g l’hydroxyapatite, notamment sous forme de bille), les sels de potassium, les sels de manganèse, les sels de sodium, les sels de cuivre (e.g. sulfate de cuivre, notamment pentahydraté), éventuellement sous une forme hydratée, et les mélanges de ceux-ci.
Des exemples d’acides nucléiques incluent de manière non limitative l’adénosine, la cytidine, la guanosine, la thymidine, la cytodine, leurs dérivés et un mélange de ceux-ci.
En tant que co-enzymes, la coenzyme Q10, la CoA, le NAD, le NADP, et les mélanges de ceux-ci peuvent être cités.
En tant que dérivés d’adrénaline, l’adrénaline, la noradrénaline et un mélange de ceux-ci, peuvent être cités.
Les quantités de composés additionnels dépendent bien entendu de la nature du composé en question, de l’effet souhaité, et de la destination de la composition telle que décrite ici.
PROCEDE Les étapes du procédé de la présente invention peuvent être telles que décrites ci-dessous.
Fourniture d’au moins un polysaccharide ou un sel de celui-ci (étape a))
L’étape a) du procédé selon l’invention comprend la fourniture d’au moins un polysaccharide ou un sel de celui-ci, en particulier un sel physiologiquement acceptable de celui-ci.
Le polysaccharide est tel que décrit ci-dessus. De préférence, le polysaccharide est l’acide hyaluronique ou un sel d’acide hyaluronique, de préférence un sel de sodium.
Le polysaccharide peut être fourni sous forme hydratée, totalement ou partiellement, ou sous forme sèche, telle que sous forme de poudre ou de fibres. Plus particulièrement, dans l’étape a), le polysaccharide est fourni sous forme sèche telle que sous forme de poudre ou de fibres.
Lorsque le polysaccharide est fourni sous forme hydratée, il se trouve sous forme d’un gel non réticulé ou d’une solution.
Un changement de topologie du réseau 1 ou d’une partie du réseau 1 est par exemple détecté par le nœud MPR mettant en œuvre le processus à partir d’un message de type HELLO reçu et des données ou informations sur les liens entre les nœuds dits MPR sélecteurs de ce nœud MPR. Ainsi, un changement au niveau d’un lien entre deux nœuds (par exemple dû à la mobilité de l’un ou l’autre des nœuds) entraine un changement de la topologie signalé dans le message HELLO. Selon un autre exemple, un changement de topologie est par exemple détecté par le nœud MPR à partir des données ou informations reçues d’un message de type TC (premier message TC ou deuxième message TC) transmis par un autre nœud MPR du voisinage du nœud MPR mettant en œuvre l’invention.
Il est possible d’observer à partir de la que dans le processus selon la présente invention, 4 messages de type TC 211, 221, 212, 213, un seul événement de type changement de topologie 220 entrainant la transmission du deuxième message TC 221 étant détecté. Aucun tel évènement n’étant détecté sur T2, aucun deuxième message TC n’est transmis sur T2.
Un tel exemple correspond à un réseau ad hoc stable avec peu de changement de topologie.
En comparant cet exemple au cas de figure correspondant au protocole OLSR (partie supérieure 20 du diagramme de la ), il est observé que 7 messages de type TC 201 à 207 sont transmis dans le cas où le protocole OLSR serait mis en œuvre.
La transmission de messages de type TC selon cet exemple conforme à la présente invention est réduite de 43 % par rapport à la transmission de messages de type TC selon OLSR.
Cela permet de réduire les besoins en bande passante ainsi que les besoins en termes de temps calcul processeur et d’empreinte mémoire des nœuds traitant les messages TC, les besoins étant d’autant plus réduits que le réseau ad hoc est stable en termes de topologie.
Un deuxième message TC étant transmis lorsqu’un changement de topologie est détecté, aucune perte d’information sur la topologie n’est en outre perdue au niveau des nœuds formant le réseau ad hoc.
La illustre schématiquement un dispositif 3 configuré pour communiquer des données dans un réseau de type ad hoc, par exemple des données représentatives de contrôle de topologie du réseau ad hoc 1, selon un exemple de réalisation particulier et non limitatif de la présente invention. Le dispositif 3 correspond par exemple à un nœud du réseau 1, avantageusement un nœud de type MPR 101 à 104.
Le dispositif 3 est par exemple configuré pour la mise en œuvre des opérations décrites en regard des figures 1 et 2 et/ou des étapes du procédé décrit en regard de la . Des exemples d’un tel dispositif 3 comprennent, sans y être limités, un équipement électronique embarqué dans un véhicule tel qu’une TCU (de l’anglais « Telematic Control Unit » ou en français « Unité de Contrôle Télématique »), un équipement électronique embarqué dans un dispositif de communication mobile tel qu’un téléphone intelligent, une tablette, un ordinateur portable ou un dispositif de communication mobile en tant que tel. Les éléments du dispositif 3, individuellement ou en combinaison, peuvent être intégrés dans un unique circuit intégré, dans plusieurs circuits intégrés, et/ou dans des composants discrets. Le dispositif 3 peut être réalisé sous la forme de circuits électroniques ou de modules logiciels (ou informatiques) ou encore d’une combinaison de circuits électroniques et de modules logiciels.
illustre de façon schématique en vue de côté un dispositif démonté selon un autre aspect de l’invention.
illustre de façon schématique en perspective un dispositif selon un autre aspect de l’invention.
illustre de façon schématique en coupe un col selon un aspect de l’invention.
illustre de façon schématique en coupe un col et un collecteur selon un aspect de l’invention.
illustre de façon schématique en perspective un ensemble selon un aspect de l’invention.
Le gaz stocké est choisi parmi hydrogène, méthane, éthane, éthylène, acétylène et oxygène.
Or les règles de maintenance aéronautique imposent de pouvoir démonter et réparer ou remplacer la plupart des pièces de l’avion. Ainsi, un aéronef est capable de se poser en un lieu quelconque – aérodrome pour un avion, aire de pose pour un hélicoptère – adapté à sa masse et à ses exigences pour l’atterrissage mais non pourvu d’équipements de maintenance spécifiques au modèle de l’aéronef. En cas d’avarie détectée, l’aéronef est configuré pour être réparé, de manière pérenne ou provisoire, ou démonté de façon à remplacer ou à réparer un composant défectueux, conformément aux manuels et documents du constructeur agréés par les autorités de sécurité aérienne. Il est souhaitable que le composant soit aisément accessible par un opérateur de maintenance. En cas de remplacement, il est souhaitable que le composant soit le plus petit possible pour une manutention et un acheminement aisé. En cas de réparation, il est souhaitable que le composant soit réparable par des outils et des procédés éprouvés et courants dans le domaine aéronautique.
Or les réservoirs de gaz du domaine industriel terrestre ou du domaine spatial ne sont pas soumis à de tels exigences, notamment ne sont pas conçus pour une telle réparabilité.
La Demanderesse a identifié un besoin de stockage, notamment d’hydrogène, de méthane, d’éthane, d’éthylène, d’acétylène ou d’oxygène, à partir de réservoirs cryogéniques aéronautiques portés par l’aéronef et capables de fournir un liquide combustible en sortie de réservoir cryogénique.
La Demanderesse a identifié un besoin de réservoirs cryogéniques aéronautiques démontables, inspectables selon les modes d’inspection des aéronefs et réparables. En outre, on cherche un réservoir dont le rapport volume utile/volume extérieur soit élevé, dont le rapport masse de gaz contenu/masse totale soit élevé, de haute fiabilité et de haute sécurité.
Comme illustré sur les figures, le dispositif aéronautique de stockage de gaz présente une forme générale allongée avec des extrémités arrondies. Le dispositif aéronautique de stockage de gaz peut être de forme annulaire autour d’un axe longitudinal. Le dispositif aéronautique de stockage de gaz comprend une enveloppe extérieure et un récipient intérieur. Le récipient intérieur forme une chambre de stockage de gaz liquide. Le récipient intérieur est contenu dans l’enveloppe extérieure. De manière générale, le récipient intérieur et l’enveloppe extérieure sont distants l’un de l’autre.
Dans le mode de réalisation représenté, le dispositif aéronautique de stockage de gaz présente une partie centrale cylindrique de révolution et des extrémités hémisphériques. Toutefois, des formes présentant des exceptions à la cylindricité, à l’annularité et/ou à l’hémisphéricité peut être fabriquées.
présente le recouvrement du tas par de la mousse éjectée en 4 points de la surface du tas de sable distants de 50 cm.
présente l’évolution du flux en fonction du temps pour un essai continu sur 2 h d’injection de mousse sur sable.
présente une schématisation du gradient en fraction liquide au sein d’un dôme de mousse alimenté en continu au bout de deux heures.
Les exemples ci-après concernent :
- l’irrigation par une mousse sur de faible surface de tas, en colonne de 10 cm de diamètre sur du sable, des modèles de tas de minerai ou sur du minerai réel d’uranium ;
- la lixiviation de l’uranium par ce procédé « mousse » sur minerai réel ; et
- l’irrigation par recouvrement d’un tas de surface plus important : tamis de maçon 45 cm ou dispositif de 2,25 m².
Dans la partie expérimentale ci-après et dans les figures correspondantes, lorsqu’il est fait référence à une mousse de 5 cm d’épaisseur, il faut comprendre que cette mousse présente une épaisseur légèrement supérieure à 5 cm, c’est-à-dire une épaisseur de l’ordre de 5,2 cm i.e. 5,2 cm ± 0,1 cm.
Exemple 1 : Irrigation par une mousse lixiviante acide d’un tas modèle sable et kaolinite aggloméré en colonne, en batchs discontinus .
La solution moussante lixiviante de l’exemple (solution préférée) comprend du « Glucopon® 215 CS » commercialisé par la société BASF (ci-après Glucopon), stable en milieu acide sulfurique (5 à 10 g/L) et les concentrations en acide et sels de sulfates utilisées sont :
- Acide sulfurique à 10 g/L,
- Sulfate de magnésium MgSO 4 à 30 g/L (soit 6 g/l de Mg),
- Sulfate de fer à 55 g/L (soit 20 g/L de Fe), et
- Sulfate d’aluminium à 190 g/L (soit 15 g/L d’Al)
Un volume de mousse acide lixiviante donné contenant des bulles d’air (batch de mousse d’une hauteur donnée 5 à 60 cm) est généré à partir de cette solution par un générateur statique à billes qui permet de contrôler la fraction liquide de la mousse (5 à 10% le plus souvent, soit 90 à 95% d’air).
L’épaisseur Eb du premier bord 31 portant l’arête 40 est plus faible que l’épaisseur Ep de la plaque interne 16, en dehors des différentes nervures 125.
Comme illustré sur la , chaque plaque interne 16 comporte une cavité 130 configurée pour recevoir l’élément chauffant 14. Cette cavité 130 est formée par deux parois 131 parallèles s’étendant orthogonalement à la surface 45 et une paroi 132 reliant les deux parois 131.
Par exemple, comme illustré sur la , chaque paroi 131 comporte des reliefs 135 participant au maintien des plaques internes 16 sur du support 9.
Comme illustré sur la , le premier bord 31 de la plaque interne 16 de la mâchoire 4 n’est pas en contact avec le support 9, contrairement au deuxième bord 36.
Les premiers bords 31 et les deuxièmes bords 36 sont, par exemple, décalés transversalement, l’un de l’autre d’une distance Db non nulle.
Le premier bord 31 de la plaque interne 16 de la mâchoire 4 peut être courbé sans présenter d’arête saillante.
Les deuxièmes bords 36 des plaques internes 16 de la mâchoire 3 et 4 ne s’étendent pas latéralement des logements 30 et sont courbés pour ne pas avoir d’arrête saillante.
La position et la forme des premiers bords 31 et notamment de l’arrête 40 permettent, lors du bouclage, une amélioration du résultat car elle augmente l’angle de pliage des cheveux et produit, au passage de l’arrête 40, un effet équivalent à celui obtenu par le passage d’une arête saillante avec un angle particulier sur un bolduc. De plus, les plaques internes 16 dépassant de leur support 9, le premier bord 31 est rapproché de la surface externe adjacente 32, ce qui permet de se rapprocher des racines des cheveux à traiter par rapport aux appareils de l’art antérieur.
Le rayon de courbure par rapport à l’axe longitudinal Y1 de la plaque externe 13 de la mâchoire 3 peut être inférieur à celui de la plaque externe 13 de la mâchoire 4 par rapport à l’axe longitudinal Y2.
Portion externe de guidage Dans les exemples illustrés, chaque mâchoire 3 et 4 comporte une portion externe de guidage des cheveux délimitée longitudinalement, de chacun de ses deux côtés, par une surface d’arrêt 18 formée par un épaulement . La portion externe de guidage des cheveux est définie, par exemple, par les plaques externes 13.
Les épaulements 18 peuvent présenter une hauteur He variable , par exemple variant entre 0,5 mm sur la surface externe de la mâchoire s’étendant latéralement à la plaque interne 16 et 2 mm sur la surface externe de la mâchoire opposé de la plaque interne 16.
Chaque épaulement 18 peut être formé par des nervures délimitant la portion externe de guidage des cheveux. La nervure est, de préférence, plus épaisse en opposition des plaques internes 13 que sur les côtés des plaques internes 13 .
Chaque portion externe de guidage est en retrait par rapport au niveau de base de la mâchoire 3 ou 4 défini comme le niveau de la mâchoire 3 ou 4 en dehors des épaulement 18. Ainsi, chaque portion de guidage a une largeur apparente l 1 et l 2 , illustrée sur la , inférieure et en retrait du reste de la mâchoire 3 ou 4.
Les plaques internes 13 peuvent s’étendre sur toute la longueur de la portion externe de guidage.
L’une des mâchoires présente un évidement latéral 170 au niveau de la portion de guidage correspondante. L’évidement 170 est délimité latéralement par les surfaces d’arrêt en partie proximale et distale de la mâchoire délimitant la portion de guidage. Ces surfaces d’arrêt forment au niveau de l’épaulement des surfaces de guidage 20 de hauteur plus grande permettant de maintenir les cheveux dans l’évidement 170. L’évidement 170 s’étend latéralement à la mâchoire et est en regard d’une partie de l’autre mâchoire 3 ou 4. De la sorte, une partie de la surface interne 13 de l’autre mâchoire 3 ou 4 donne sur l’évidement 170, ce qui permet d’avoir au moins une partie d’un organe de traitement additionnel s’étendant de l’autre mâchoire dans l’évidement 170, notamment un peigne comme nous le verrons par la suite, et offre de nouvelles possibilités de traitement. De préférence, l’évidement 170 est de profondeur uniforme le long de l’axe longitudinal du dispositif X de sorte que la surface extérieure de la mâchoire et de forme sensiblement cylindrique le long de l’évidement 170, c’est-à-dire de section transversale identique le long de l’évidement 170.
Plus particulièrement, dans le mode de réalisation représenté en , le transistor M1 du dispositif 1041, respectivement 1061, est connecté en série avec la résistance RA du dispositif 1041, respectivement 1061. Par exemple, les drain et source interconnectés du transistor M1 du dispositif 1041, respectivement 1061, sont connectés à la résistance RA et, plus particulièrement, à la borne de la résistance RA opposée à la borne de la résistance RA connectée au nœud 1041i, respectivement 1061i.
La représente avec des formes d'onde un fonctionnement de l'amplificateur AMP1 de la selon un mode de réalisation.
Plus particulièrement, en : - une forme d'onde 300 représente la variation du courant Iout en fonction du temps t dans l'amplificateur AMP1 ; - une forme d'onde 302 représente la variation du courant Iout en fonction du temps t dans l'amplificateur AMP dans lequel des dispositifs 104 et 106 sont similaires aux dispositifs respectifs 1041 et 1061 si ce n'est que les résistances RA, les résistances RS et les condensateurs C sont omis ; - une forme d'onde 304 représente la variation, en fonction du temps t, de la tension sur la grille du transistor M2 du dispositif 1041 de l'amplificateur AMP1 ; - une forme d'onde 306 représente la variation, en fonction du temps t, de la tension sur la grille du transistor M2 du dispositif 104 de l'amplificateur AMP dans lequel le dispositif 104 est similaire au dispositif 1041, si ce n'est que la résistance RA, la résistance RS et le condensateur C sont omis ; - une forme d'onde 308 représente la variation, en fonction du temps t, de la tension sur la grille du transistor M2 du dispositif 1061 de l'amplificateur AMP1 ; et - une forme d'onde 310 représente la variation, en fonction du temps t, de la tension sur la grille du transistor M2 du dispositif 106 de l'amplificateur AMP dans lequel le dispositif 106 est similaire au dispositif 1061, si ce n'est que la résistance RA, la résistance RS et le condensateur C sont omis.
En , entre des instants successifs t0 et t1, les amplificateurs AMP et AMP1 sont dans des états stables identiques, la tension entre les entrées IN1 et IN2 de chaque amplificateur AMP, AMP1 étant constante et le courant Iout de chaque amplificateur AMP, AMP1 étant constant et déterminé par la tension entre les entrées IN1 et IN2.
A l'instant t1, un palier de tension est appliqué entre les entrées IN1 et IN2. Dans l'exemple de la , le palier de tension correspond à une augmentation de la tension sur l'entrée IN2 alors que la tension sur l'entrée IN1 n'est pas modifiée. Cela provoque une augmentation du courant I1 et une diminution du courant I2.
Dans l'amplificateur AMP, l'augmentation du courant I1 provoque une augmentation de la tension aux bornes du transistor M1 du dispositif 104, donc de la tension sur la grille du transistor M2 de ce dispositif 104. Inversement, la diminution du courant I2 provoque une diminution de la tension aux bornes du transistor M1 du dispositif 106, donc de la tension sur la grille du transistor M2 de ce dispositif 106. Il s'ensuit que le courant I3 augmente et que le courant I4 diminue, provoquant une augmentation par palier du courant Iout de l'amplificateur AMP.
Le même phénomène se produit dans l'amplificateur AMP1, mais, à cause des résistances RA des dispositifs 1041 et 1061, l'augmentation de tension sur le nœud 1041i est supérieure à l'augmentation de tension sur le nœud 104i de l'amplificateur AMP et la diminution de tension sur le nœud 1061i est supérieure à la diminution de tension sur le nœud 106 de l'amplificateur AMP. En outre, comme les variations de tension sur les nœuds 1041i et 1061i sont transmises par les condensateurs C à la grille des transistors M2 des dispositifs respectifs 1041 et 1061, l'augmentation de la tension sur la grille du transistor M2 est plus grande dans le dispositif 1041 (voir la courbe 304) que dans le dispositif 104 (voir la courbe 306), et la diminution de la tension sur la grille du transistor M2 est plus grande dans le dispositif 1061 (voir la courbe 308) que dans le dispositif 106 (voir la courbe 310). En conséquence, l'augmentation du courant Iout est plus grande dans l'amplificateur AMP1 (voir la courbe 300) que dans l'amplificateur AMP (voir la courbe 302).
A partir de l'instant t1, la tension sur la grille du transistor M2 du dispositif 1041, respectivement 1061, diminue, respectivement augmente, jusqu'à être égale à la tension sur la grille du transistor M2 du dispositif 104, respectivement 106, à une vitesse au moins partiellement déterminée par la valeur du condensateur C. En d'autres mots, à partir de l'instant t1, la tension sur la grille du transistor M2 du dispositif 1041, respectivement 1061, diminue, respectivement augmente, jusqu'à ce que le dispositif 1041, respectivement 1061, soit dans un état stable.
Ainsi, lorsqu'une modification de la tension entre des entrées IN1 et IN2 provoque une augmentation du courant Iout, une charge capacitive connectée au nœud OUT de l'amplificateur AMP1 est chargée plus rapidement que si cette charge était connectée au nœud OUT de l'amplificateur AMP.
A un instant t2 postérieur à l'instant t1, un nouveau palier de tension est appliqué entre les entrées IN1 et IN2. Dans l'exemple de la , ce palier de tension correspond à une diminution de la tension sur l'entrée IN2 alors que la tension sur l'entrée IN1 n'est pas modifiée. Cela provoque une diminution du courant I1 et une augmentation du courant I2.
Dans l'amplificateur AMP, l'augmentation du courant I2 provoque une augmentation de la tension aux bornes du transistor M1 du dispositif 106, donc de la tension sur la grille du transistor M2 de ce dispositif 106. Inversement, la diminution du courant I1 provoque une diminution de la tension aux bornes du transistor M1 du dispositif 104, donc de la tension sur la grille du transistor M2 de ce dispositif 104. Il en résulte que le courant I4 augmente et que le courant I3 diminue, provoquant une diminution du courant Iout de l'amplificateur AMP.
Le même phénomène se produit dans l'amplificateur AMP1, mais, à cause des résistances RA, l'augmentation de tension sur le nœud 1061i est supérieure à celle sur le nœud 106i et la diminution de tension sur le nœud 1041i est supérieure à celle sur le nœud 104i. Comme des variations de tension sur les nœuds 1041i et 1061i sont transmises par les condensateurs C aux grilles des transistors M2 des dispositifs respectifs 1041 et 1061, l'augmentation de tension sur la grille du transistor M2 est plus grande dans le dispositif 1061 (voir la courbe 308) que dans le dispositif 106 (voir la courbe 310), et la diminution de tension sur la grille du transistor M2 est plus grande dans le dispositif 1041 (voir la courbe 304) que dans le dispositif 104 (voir la courbe 306). En conséquence, la diminution du courant Iout est plus grande dans l'amplificateur AMP1 (voir la courbe 300) que dans l'amplificateur AMP (voir la courbe 302).
A partir de l'instant t2, la tension sur la grille du transistor M2 du dispositif 1061, respectivement 1041, diminue, respectivement augmente, jusqu'à être égale à la tension sur la grille du transistor M2 du dispositif 106, respectivement 104, à une vitesse au moins partiellement déterminée par la valeur du condensateur C. En d'autres mots, à partir de l'instant t2, la tension sur la grille du transistor M2 du dispositif 1061, respectivement 1041, diminue, respectivement augmente, jusqu'à ce que le dispositif 1061, respectivement 1041, soit dans un état stable.
Ainsi, lorsqu'une modification de la tension entre les entrées IN1 et IN2 provoque une diminution du courant Iout, une charge capacitive connectée au nœud OUT de l'amplificateur AMP1 est déchargée plus rapidement que si la charge était connectée au nœud OUT de l'amplificateur AMP.
Ainsi, les dispositifs 1041 et 1061 permettent d'augmenter la vitesse de balayage de l'amplificateur AMP1 par rapport à celle de l'amplificateur AMP. Des dispositifs 1041 et 1061 permettent en outre d'augmenter le gain de l'amplificateur AMP1 dans la bande de fréquence médiane par rapport à celui de l'amplificateur AMP, tout en laissant le gain dans la bande de fréquence basse ou, en d'autres mots, le gain DC, de l'amplificateur AMP1 inchangé par rapport à celui de l'amplificateur AMP.
En outre, les dispositifs 1041 et 1061 permettent d'augmenter le gain de transconductance gm pendant un événement transitoire par rapport à celui de l'amplificateur AMP.
Ainsi, le premier sous-niveau de navigation horizontale permet l’affichage dans une quatrième zone, d’un panneau à partir duquel il est possible d’agir sur les symboles activables, pour par exemple ajouter des éléments dans le plan de vol (ajout d’un nouveau waypoint, ajout d’un airway ou d’un holding pattern, ajout d’une procédure), éditer ou modifier une contrainte.
Lors d’une interaction sur un symbole activable du premier sous-niveau de navigation horizontale, un menu d’édition 504 s’ouvre dans une cinquième zone d’affichage, comme illustré sur la . Le menu d’édition permet de saisir des données quant à la fonction ou la commande qui a été sélectionnée par l’utilisateur.
Les étapes du procédé de l’invention qui sont mises en œuvres pour obtenir l’affichage des différentes interfaces consistent à :
- détecter une interaction sur un symbole activable de la troisième zone ;