Procédé d’assemblage par adhésion moléculaire de deux substrats présentant chacun une face principale, l’un au moins des deux substrats étant pourvu d’une couche superficielle diélectrique du côté de sa face principale, le procédé comprenant les étapes suivantes : (a) la mise en contact des faces principales des deux substrats, puis ; (b) l’initiation et la propagation d'une onde de collage entre les faces principales des deux substrats pour les assembler l’un à l’autre ; Le procédé étant caractérisé en ce qu’il comprend, avant l’étape de mise en contact, une étape de préparation de la couche superficielle diélectrique visant à introduire dans cette couche une dose de soufre supérieure à 3,0 E13 at/cm^2. Procédé d’assemblage selon la revendication précédente dans lequel la dose de soufre est supérieure à 3,5 E13 at/cm^2. Procédé d’assemblage selon l’une des revendications précédentes dans lequel l’étape de préparation de la couche superficielle diélectrique vise également à introduire dans cette couche une dose de fluor supérieure à 4,0 E14 at/cm^2. Procédé d’assemblage selon l’une des revendications 1 et 2 dans lequel l’étape de préparation comprend l’activation de la couche superficielle diélectrique par un plasma d’un gaz comprenant du soufre. Procédé d’assemblage selon l’une des revendications précédentes dans lequel l’étape de préparation comprend l’activation de la couche superficielle diélectrique par un plasma comprenant de l’hexafluorure de soufre. Procédé d’assemblage selon l’une des deux revendications précédentes dans lequel le plasma comprend également de l’oxygène ou de l’azote. Procédé d’assemblage selon la revendication précédente dans lequel l’activation de la couche superficielle diélectrique est conduite pendant une durée d’activation comprise entre 15 secondes et 2 minutes. Procédé d’assemblage selon la revendication précédente dans lequel la couche superficielle est exposée au plasma d’oxygène ou d’azote pendant toute la durée de l’activation, et une quantité maitrisée d’hexafluorure de soufre est mélangée à l’oxygène ou à l’azote pendant une période déterminée de la durée d’activation. Procédé d’assemblage selon l’une des revendications 1 à 2 dans lequel l’étape de préparation comprend la préparation d’une chambre d’un équipement d’activation plasma par un plasma d’un gaz comprenant du soufre puis, après la préparation de la chambre, le traitement de la couche superficielle diélectrique dans la chambre par un plasma comprenant de l’oxygène ou de l’azote. Procédé d’assemblage selon l’une des revendications 1 à 3 dans lequel l’étape de préparation comprend la préparation d’une chambre d’un équipement d’activation plasma par un plasma comprenant de l’hexafluorure de soufre puis, après la préparation de la chambre, le traitement de la couche superficielle diélectrique dans la chambre par un plasma comprenant de l’oxygène ou de l’azote. Procédé d’assemblage selon l’une des revendications précédentes comprenant le traitement thermique des deux substrats assemblés l’un à l’autre. Procédé d’assemblage selon l’une des revendications précédentes dans lequel les deux substrats sont pourvus d’une couche superficielle diélectrique d’oxyde de silicium ou de nitrure de silicium du côté de leur face principale, et l’étape de préparation est conduite sur chacune des couches superficielles diélectriques. Procédé d’assemblage selon l’une des revendications précédentes dans lequel la couche superficielle diélectrique est en oxyde de silicium. Procédé d’assemblage selon la revendication précédente dans lequel l’oxyde de silicium de la couche superficielle diélectrique contient de l’azote, préférentiellement dans un ratio azote/oxygène inférieur à 0,5. Procédé d’assemblage selon l’une des revendications 1 à 12 dans lequel la couche superficielle diélectrique est en nitrure de silicium. Structure (1) comprenant un substrat support (2), une couche enterrée diélectrique (3) disposée sur et en contact avec le substrat support (2) et une couche dite « utile » (4) sur et en contact avec la couche enterrée (3), la structure étant caractérisée en ce que la couche enterrée diélectrique (3) comporte une dose de soufre supérieure à 3,0 E13 at/cm^2. Structure (1) selon la revendication précédente dans laquelle la dose de soufre est supérieure à 3,5 E13 at/cm^2. Structure (1) selon la revendication précédente dans laquelle la couche enterrée diélectrique (3) comporte une dose de fluor supérieure à 4,0 E14 at/cm^2. Structure (1) selon l’une des revendications 16 à 18 dans laquelle la couche enterrée diélectrique est en oxyde de silicium. Structure (1) selon la revendication précédente dans laquelle l’oxyde de silicium de la couche enterrée diélectrique contient de l’azote, préférentiellement dans un ratio azote/oxygène inférieur à 0,5. Structure (1) selon l’une des revendications 16 à 17 dans laquelle la couche enterrée diélectrique est en nitrure de silicium.