Procédé de réalisation d’un empilement (20) à changement de phase comprenant au moins : une première couche (21) d’un premier matériau A, une deuxième couche (22) d’un deuxième matériau B, différent du premier matériau A, ledit empilement (20) présentant une structure cristallographique en feuillets séparés par des pseudo-gaps de van der Waals, ledit procédé comprenant au moins les étapes suivantes : une fourniture d’un substrat (10), une formation de l’empilement (20) sur une surface (100) du substrat (10), ladite formation comprenant au moins : une formation de la première couche (21), une formation de la deuxième couche (22) sur la première couche (21), le procédé étant caractérisé en ce que, après formation de l’empilement (20), au moins un recuit de guérison est effectué, ledit recuit de guérison étant effectué de sorte que l’empilement (20) présente, après ledit recuit, un taux de défauts nominal inférieur à 50% d’un taux de défauts initial de l’empilement (20), pris avant ledit recuit. Procédé selon la revendication précédente comprenant en outre, après l’au moins un recuit de guérison, une détermination du taux de défauts dans l’empilement (20) basée sur une mesure par diffraction des rayons X (DRX). Procédé selon la revendication précédente dans lequel un recuit de guérison supplémentaire est effectué si le taux de défauts déterminé est supérieur au taux de défauts nominal. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes comprenant en outre, après l’au moins un recuit de guérison, une pluralité d’étapes d’intégration de l’empilement (20) destinées à former un dispositif à changement de phase à base dudit empilement (20), tel qu’une mémoire à changement de phase ou un convertisseur thermoélectrique. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel des paramètres du recuit de guérison sont choisis de sorte que l’empilement (20) présente, après ledit recuit, un taux de défauts nominal inférieur à 60%, de préférence inférieur à 20%, d’un taux de défauts initial de l’empilement (20), pris avant ledit recuit. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes comprenant en outre, après formation de l’empilement (20) et avant l’étape de recuit de guérison, une formation d’une couche d’électrode supérieure sur l’empilement (20). Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel les matériaux A et B sont choisis parmi le tellure (Te), l’antimoine (Sb), les alliages binaires Ge-Sb, Ga-Sb, Ge-Te, Ge-Se, GeSe2, Sb-Te, Sb-Se, As-Se, As-Te, Sn-Se, Sn-Te, Bi-Se, Bi-Te, Ga-Te, Ga-Se, Pb-Te, In-Se, Pb-Se, Zr-Te, Zr-Se, Ti-Te, Ti-Se, Si-Te, Al-Te, Mo-Te, Mo-Se, W-S, W-Se, les alliages ternaires Ge-Sb-Te, Ge-Se-Te, Ag-Sb-Te, Ge-Bi-Te, Ge-Sb-Se et quaternaire Ge-Sb-Se-Te, et un mélange de ces alliages. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel le recuit de guérison est effectué à une température inférieure ou égale à 500 °C, de préférence inférieure ou égale à 450°C. Procédé selon la revendication précédente dans lequel la température du recuit de guérison est supérieure à une température maximale de formation de l’empilement (20). Procédé selon l’une quelconque des deux revendications précédentes dans lequel la température du recuit de guérison est strictement supérieure à 300 °C. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes comprenant en outre, avant la formation de l’empilement (20), une formation d’une couche d’orientation (11) configurée pour orienter l’empilement (20) selon l’axe cristallographique c , la formation de l’empilement (20) se faisant alors sur une surface (110) de ladite couche d’orientation (11). Procédé selon la revendication précédente dans lequel la couche d’orientation (11) est à base de Sb 2 Te 3 ou de Bi 2 Te 3 et présente une épaisseur inférieure ou égale à 10 nm. Procédé selon l’une quelconque des deux revendications précédentes dans lequel la formation des première et deuxième couches (21, 22) se fait par dépôt des matériaux A et B sous forme amorphe, et dans lequel la formation de l’empilement (20) comprend en outre, après lesdits dépôts des matériaux A et B sous forme amorphe, un recuit de cristallisation effectué à une température inférieure ou égale à 300°C. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel la formation de l’empilement (20) comprend une pluralité de formations de premières couches (21) alternées avec une pluralité de formations de deuxièmes couches (22), de sorte à ce que la structure de l’empilement (20) soit multicouches et comprenne une pluralité de premières et deuxièmes couches (21, 22) alternées. Procédé selon la revendication précédente dans lequel certaines au moins des premières couches (21) présentent des épaisseurs différentes, et/ou certaines au moins des deuxièmes couches (22) présentent des épaisseurs différentes, de sorte à ce que la structure multicouches de l’empilement (20) soit apériodique. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel le substrat (10) comprend une électrode inférieure configurée pour effectuer un changement de phase de l’empilement (20). Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel chaque pseudo-gap de van der Waals séparant deux feuillets de la structure cristallographique se présente sous forme d’un espacement entre deux plans purs d’un même type d’atomes, ledit espacement présentant une dimension normale aux plans inférieure ou égale à deux fois le rayon de van der Waals dudit type d’atomes.