INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
La représente, en coupe selon un plan vertical passant par son axe principal A, un turboréacteur à double flux 1 selon l’exposé. Il comporte, d’amont en aval selon la circulation du flux d’air, une soufflante 2, un compresseur basse pression 3, un compresseur haute pression 4, une chambre de combustion 5, une turbine haute pression 6 et une turbine basse pression 7.
Il comprend une veine principale I, également appelée veine primaire, et une veine secondaire II, s’étendant concentriquement autour de la veine principale I. La soufflante 2 permet d’accélérer l’air entrant dans la turbomachine 1 et de l’entraîner à la fois dans la veine principale I et dans la veine secondaire II. Le compresseur basse pression 3, le compression haute pression 4, la chambre de combustion 5, la turbine haute pression 6 et la turbine basse pression 7 sont tous prévus le long de la veine principale I ; la veine secondaire II est pour sa part dépourvue de tout module tournant en aval de la soufflante 2.
La illustre plus précisément le corps haute pression 10 de la turbomachine 1. Ce corps haute pression 10 comprend le compresseur haute pression 4, jouant le rôle de compresseur principal au sens du présent exposé, la chambre de combustion 5 et la turbine haute pression 6, jouant le rôle de turbine principale au sens du présent exposé. Il comprend en outre un circuit de refroidissement 20 destiné à refroidir les aubages de la turbine haute pression 6.
Le point d'étagement déterminé peut être un point d'étagement de régime de croisière, et le dispositif de commande peut être configuré pour commander le système de combustion en utilisant le point d'étagement déterminé pendant une condition de fonctionnement en régime de croisière du moteur.
Le dispositif de commande peut être configuré pour déterminer le point d'étagement de telle sorte que le système de combustion étagée est conçu pour basculer entre la plage de fonctionnement à injection pilote seule et la plage de fonctionnement à injection pilote et principale à un point d'étagement qui correspond à un mode de fonctionnement en régime de croisière à l'état stabilisé du moteur, le point d'étagement définissant une limite entre une première plage de fonctionnement en régime de croisière de moteur et une seconde plage de fonctionnement en régime de croisière de moteur.
La première plage de fonctionnement en régime de croisière peut correspondre à un fonctionnement en régime de croisière subsonique à l'état stabilisé du moteur et la seconde plage de fonctionnement en régime de croisière de moteur correspond à un fonctionnement en régime de croisière supersonique à l'état stabilisé du moteur.
Le point d'étagement déterminé peut être un point d'étagement d'accélération de moteur, et le dispositif de commande peut être configuré pour commander le système de combustion étagée en utilisant le point d'étagement déterminé pendant une condition de fonctionnement d'accélération du moteur. Le point d'étagement d'accélération de moteur peut être déterminé pour être identique (par exemple, réglé pour être identique) à un point d'étagement de régime de croisière en réponse à la ou aux caractéristiques de carburant.
Selon un dixième aspect, l'invention concerne un procédé de fonctionnement d'un moteur à turbine à gaz pour un aéronef, le moteur à turbine à gaz comprenant un système de combustion étagée ayant des injecteurs de carburant pilotes et des injecteurs de carburant principaux, le système de combustion étagée pouvant fonctionner dans une plage de fonctionnement à injection pilote seule et une plage de fonctionnement à injection pilote et principale, le procédé comprenant :
la détermination d'un point d'étagement, définissant le point auquel le système de combustion étagée est basculé entre le fonctionnement à injection pilote seule et le fonctionnement à injection pilote et principale, en fonction de la ou des caractéristiques de carburant déterminées ; et
la commande du système de combustion étagée selon le point d'étagement déterminé.
La ou les caractéristiques de carburant incluent l'un quelconque ou plusieurs parmi :
La détermination du point d'étagement peut comprendre la détermination du point d'étagement de telle sorte qu'un point d'étagement associé à une ou plusieurs caractéristiques de carburant qui indiquent que le carburant est associé à une production de nvPM faible correspond à un réglage de puissance moteur plus élevé par rapport à un point d'étagement associé à une ou plusieurs caractéristiques de carburant qui indiquent que le carburant est associé à une production de nvPM relativement plus élevée.
Le point d'étagement déterminé peut être un point d'étagement de régime de croisière, et le système de combustion peut être commandé en utilisant le point d'étagement déterminé pendant une condition de fonctionnement en régime de croisière du moteur.
Dilution D1 1 ml de Mavrik 2F dans 100 ml d’eau [10.0 ml/l]
Dilution D2 10 ml de D1 + 90 ml d’eau [1.0 ml/l]
-Témoin négatif : Eau.
Unité de test, application et design expérimental Des rondelles de feuilles de haricot (Ø 30 mm) ont été découpées puis placées sur un tissu humide, sur une boite de Petri ouverte. Dix acariens femelles ont été déposés sur chaque disque foliaire à l’aide d’un fin pinceau. Après 24h, les œufs pondus ont été retirés des feuilles avant l’application des différents traitements par pulvérisation. Chaque traitement a été répété 4 fois.
Application des substances testées La pulvérisation a été réalisée à l’aide d’un aérographe (Harder & Steenbeck), connecté à un compresseur pour amener la pression de pulvérisation à 2 bars pour les traitements contrôles (négatifs et positifs) et 4 bars pour la graisse (celle-ci étant plus visqueuse). Les traitements étaient pulvérisés de gauche à droite et de droite à gauche, en démarrant du coin supérieur gauche d’un cadrant de 1 m² et en finissant dans le coin droit. La pulvérisation suit les 9 lignes placées à intervalles réguliers, horizontalement et verticalement sur le cadran, formant des carrés de 10 cm² pour assurer une pulvérisation homogène. Le contrôle a été pulvérisé en premier, ensuite la graisse d’insecte et enfin, le témoin positif. Afin de permettre la pulvérisation de la graisse (solide à température ambiante), celle-ci était maintenue aux environs de 45°C en chauffant la graisse ainsi que l’aérographe juste avant l’application à l’aide d’une plaque chauffante.
Observations biologiques Les acariens morts et vivants ont été comptés 48h après le traitement, ainsi que les œufs pondus. L’efficacité du traitement a été évaluée sur base de la mortalité et de la fécondité.
Analyses des données et traitements statistiques La mortalité a été mesurée comme étant la réduction de l’effectif initial corrigée par rapport au contrôle, via la formule d’Abbot (Abbott, 1925) :
Où Mc = mortalité corrigée (%), Mo= mortalité observée dans le groupe traité (%) et Mt= mortalité de contrôle (%).
La fertilité a été calculée sur base du nombre d’œufs pondus en 48h divisé par le nombre moyen de femelles vivantes :
La réduction de fertilité a également été corrigée par rapport au contrôle via la formule d’Abbott (Abbott, 1925) :
Où FRc = Réduction de la fertilité corrigée (%), Fo = Fertilité observée dans le groupe traité et Ft = Fertilité dans le contrôle.
Les données ont été analysées avec le logiciel R, version 4.1.2. Le pourcentage de mortalité et la fertilité ont été analysés au moyen de GLM binomiales. Les moyennes ont été comparées au témoin négatif (eau) à l’aide d’un test de Dunnett.
Résultats et discussion Les résultats sont présentés dans le tableau 2 (la graisse d’insecte est indiquée « huile d’insecte »). Le test est considéré comme valide étant donné que le contrôle toxique a permis une réduction très significative de la population d’acariens (Mortalité corrigée de 71,1%) par rapport au contrôle négatif, et que la mortalité dans le témoin eau est inférieure à 10% (5%).
Mortalité moyenne, production d’œufs et réduction de fertilité de femelles Tetranichus urticae 48h après exposition à des rondelles de feuilles de haricots traitées. Les comparaisons de moyennes ont été faites par un contraste de Dunnett (* = p
Les résultats indiquent que la graisse d’insecte n’a pas eu d’effet significatif sur la survie des acariens (mortalité corrigée de 7,9%). Cependant, elle a permis une réduction significative de la fertilité des femelles par rapport à un traitement à l’eau (54,17%) . Visuellement, les acariens présents sur les feuilles traitées avec la graisse d’insecte avaient une activité ralentie. Leurs mouvements semblaient entravés par le fait que les toiles que ces acariens tisserands tissent naturellement étaient recouvertes de graisse.
Conclusion: La graisse d’insecte appliquée par pulvérisation foliaire n’a pas montré d’effet acaricide après 48h (Mortalité corrigée de 7.9%). Cependant, les femelles exposées à la graisse d’insecte ont montré une diminution significative du nombre de pontes (54.17%) en comparaison avec le contrôle eau. De plus, la graisse d’insecte semblerait ralentir l’effet des tétranyques.
La structure fixe interne 300 comporte également ici un isolant thermique 308 qui est disposé en regard de la peau de fond 302b du côté du noyau 207 et qui est fixé à la structure en nid d’abeilles 302 par des moyens de fixation tels que ceux de l’état de la technique.
Pour chaque trou 405 de la plaque 304a, la structure fixe interne 300 comporte un moyen de fixation 306a du premier type qui comprend une première vis 402 et un écrou 401. Chaque écrou 401 est fixé au cadre 301 de manière concentrique avec ledit trou 405 et donc avec l’alésage 403 associé. Ici, l’écrou 401 est logé et fixé à l’intérieur du profilé formant le cadre 301.
La tige filetée de la première vis 402 se visse dans l’écrou 401 en traversant successivement la plaque 304a, la peau résistive 302a et le cadre 301 pour se visser dans l’écrou 401, et dont la tête est en appui contre la face extérieure de la plaque 304a c'est-à-dire la face orientée vers la veine secondaire 210.
Pour chaque première vis 402, c'est-à-dire pour chaque trou 405 de la plaque 304a, la peau résistive 302a comporte alors un alésage 407 prévu pour assurer la mise en place de la tige filetée de la première vis 402.
La fixation de l’échangeur thermo-acoustique 304 est donc relativement simple à réaliser, puisqu’il suffit de mettre en place les premières vis 402 des moyens de fixation 306a du premier type.
Pour faciliter encore plus la fixation de l’échangeur thermo-acoustique 304, chaque écrou 401 est un écrou aveugle qui est mis en place dans l’alésage 403 à travers le trou 405 de la plaque 304a et l’alésage 407 de la peau résistive 302a. La mise en place des écrous 401 et des premières vis 402 consiste alors pour chaque trou 405 de la plaque 304a à réaliser un alésage 407, 403 qui traverse la peau résistive 302a et le cadre 301, puis à disposer l’écrou aveugle 401 dans ledit alésage 403, 407 ainsi réalisé, puis à sertir ledit écrou aveugle 401 sur le cadre 301 et enfin à visser la première vis 402.
Du fait des dilatations thermiques subies par les éléments constituant la structure fixe interne 300 et plus particulièrement de la plaque 304a, il y a un moyen de fixation 306a du premier type qui assure une fixation sans jeu assurant ainsi un point de référence au montage et une pluralité de moyens de fixation 306a du premier type qui assurent une fixation avec jeu parallèlement à la direction longitudinale. Dans le mode de réalisation de l’invention présenté ici, le moyen de fixation 306a du premier type sans jeu est au milieu et à l’avant de l’échangeur thermo-acoustique 304 et les autres moyens de fixation 306a du premier type avec jeu sont répartis autour de la plaque 304a.
Pour les moyens de fixation 306a du premier type avec jeu, le trou 405 de la plaque 304a prend la forme d’un trou oblong dont le grand axe est parallèle à la direction longitudinale X et pour le moyen de fixation 306a du premier type sans jeu, le trou 405 de la plaque 304a prend la forme d’un trou circulaire dont le diamètre est ajusté au diamètre de la tige filetée de la première vis 402, c'est-à-dire que la tige filetée peut y pénétrer sans jeu.
La montre un mode de réalisation particulier du moyen de fixation 306b du deuxième type qui permet également une dilatation thermique de l’échangeur thermo-acoustique 304 en cas de besoin.
Le moyen de fixation 306b du deuxième type comprend un insert 804, en particulier en résine, qui est logé et fixé dans la structure en nid d’abeilles 302, en particulier ici entre la peau résistive 302a et la peau de fond 302b. L’insert 804 présente un alésage 806 traversant qui débouche d’un côté à travers la peau résistive 302a et d’un autre côté à travers la peau de fond 302b.
Le moyen de fixation 306b du deuxième type comporte une deuxième vis 802 dont la tige filetée traverse l’alésage 806 de l’insert 804 et débouche au-delà de la peau de fond 302b. La tige filetée traverse ainsi successivement la plaque 304a, la peau résistive 302a, l’alésage 8060 de l’insert 804 et la peau de fond 302b, et la tête est en appui contre la face extérieure de la plaque 304a c'est-à-dire la face orientée vers la veine secondaire 210. À cette fin, la plaque 304a, la peau résistive 302a et la peau de fond 302b présentent chacune un trou pour le passage de la tige filetée. En particulier, la plaque présente un trou 814.
Le moyen de fixation 306b du deuxième type comporte un écrou 810 qui se visse à la tige filetée de la deuxième vis 802 en venant en appui contre la peau de fond 302b pour prendre l’échangeur thermo-acoustique 304 et la structure en nid d’abeilles 302 en sandwich.
Le moyen de fixation 306b du deuxième type comporte également une colonnette 812 qui se positionne autour de la tige filetée entre la plaque 304a et la peau résistive 302a. Le diamètre intérieur de la colonnette 812 est ajusté au diamètre de la tige filetée de la deuxième vis 802.
Dans ce mode de réalisation, le trou 814 à travers lequel la deuxième vis 802 traverse la plaque 304a prend la forme d’un trou oblong dont le grand axe est parallèle à la direction longitudinale X.
La montre la colonnette 812 qui comporte également deux patins 812a-b qui sont perpendiculaires à l’axe de la colonnette 812 et donc à la deuxième vis 802.
Il y a un patin supérieur 812a qui vient en appui contre la plaque 304a et plus particulièrement contre une face intérieure de la plaque 304a c'est-à-dire la face orientée vers le noyau 207.
L'empilement de passivation est par exemple formé in-situ avec la formation de l'empilement de couches semi-conductrices III-N épitaxiales. L'empilement de passivation est par exemple formé sur le dessus de la deuxième couche III-N active. Ainsi, un empilement de passivation entièrement cristallin est formé par croissance épitaxiale sur le dessus de l'empilement de couches semi-conductrices III-N épitaxiales. En variante, un empilement de passivation partiellement cristallin est formé par croissance épitaxiale sur le dessus de l'empilement de couches semi-conductrices III-N épitaxiales. L'empilement de passivation peut également être formé par dépôt ex-situ à l'aide d'outils d'épitaxie tels que le dépôt de couche atomique, également appelé ALD, le dépôt chimique en phase vapeur, également appelé CVD, ou le dépôt physique en phase vapeur, également appelé PVD. En variante, l'empilement de passivation peut être formé par dépôt in-situ dans une chambre MOCVD ou MBE. En variante, l'empilement de passivation peut être formé par dépôt d'un film amorphe du même matériau et recristallisation de celui-ci par recuit thermique. L'empilement de passivation sur le dessus de la deuxième couche III-N active comprend par exemple du nitrure de silicium. En variante, l'empilement de passivation sur le dessus de la deuxième couche III-N active comprend par exemple du nitrure de gallium. En variante, l'empilement de passivation sur le dessus de la deuxième couche III-N active comprend du nitrure de gallium et du nitrure de silicium.
Un empilement de passivation est formé entre l'empilement de couches semi-conductrices III-N épitaxiales et, par exemple, une grille d'un transistor. L'empilement de passivation peut être formé uniquement sous la grille et peut en outre servir de diélectrique de grille. En variante, l'empilement de passivation peut être formé sur le dessus de l'empilement de couches semi-conductrices III-N épitaxiales et peut recouvrir entièrement l'empilement de couches semi-conductrices III-N épitaxiales. En variante, l'empilement de passivation peut être formé sur le dessus de l'empilement de couches semi-conductrices III-N épitaxiales et recouvrir partiellement la surface de l'empilement de couches semi-conductrices III-N épitaxiales, et peut par exemple être formé dans la zone dépourvue de grille entre la source et le drain d'un transistor à haute mobilité électronique, où il sert de passivation et empêche l'appauvrissement du 2DEG sous-jacent.
Selon des exemples de modes de réalisation, l'empilement de passivation comprend en outre une couche d'oxyde et/ou du nitrure de silicium.
Ainsi, l'empilement de passivation comprend du nitrure de silicium et/ou une couche d'oxyde qui agit comme une couche de passivation. La couche d'oxyde présente une interface électriquement propre avec la deuxième couche III-N active, une constante diélectrique élevée pour rendre maximal le couplage électrostatique entre les contacts électriques formés sur la structure semi-conductrice et le 2DEG, cela conduisant par exemple à une augmentation de la transconductance des transistors à haute mobilité électronique fabriqués à l'aide de la structure semi-conductrice, et à une épaisseur suffisante pour éviter un claquage diélectrique et des fuites par effet tunnel quantique.
L'empilement de passivation comprend par exemple du SiN à haute densité, déposé in-situ dans un réacteur MOCVD. Le SiN peut être stoechiométrique ou non stoechiométrique. Il a été démontré expérimentalement par la demanderesse, par exemple, qu'une structure HEMT recouverte de SiN in-situ n'est pas affectée par les étapes de traitement, même celles qui ont un bilan de température élevé. En variante, l'empilement de passivation comprend par exemple de l'AlSiN. Le dopage Al permet d'augmenter la bande interdite du matériau diélectrique. En variante, la couche diélectrique donneuse d'électrons comprend un ou plusieurs de Si, Al, O et N. L'empilement de passivation présente par exemple une épaisseur de 1 à 500 nm, préférablement de 30 à 400 nm, plus préférablement de 50 à 300 nm, par exemple de 100 à 200 nm. Le SiN in-situ peut être épaissi extérieurement par du SiN ou du SiOx par PECVD ou LPCVD, par exemple pour des épaisseurs supérieures à 500 nm, avant que tout autre traitement n'ait lieu. Un empilement de passivation mince permet la formation de contacts ohmiques de faible résistance. De plus, l'empilement de passivation comprend par exemple du Si qui peut diffuser dans l'AlGaN où il agit comme un donneur. L'introduction d'un type de donneur dans la couche d'AlGaN facilite la formation de contacts ohmiques, réduisant ainsi la résistance de contact. L'empilement de passivation est formé à une température comprise entre 700°C et 1300°C, entre 700°C et 1250°C, entre 700°C et 1100°C. Il faut comprendre qu'on entend par SiN un composé constitué de Si et de N. Le SiN peut inclure le Si 3 N 4 , mais d'autres formules sont également incluses, comme par exemple, mais sans s'y limiter, la formule Si x N y , dans des rapports stoechiométriques ou non stoechiométriques différents. Dans la formule Si x N y , x et y peuvent être définis comme des nombres réels, avec 0 3 est maintenu en circulation dans la chambre réactionnelle et la conduite de SiH 4 est ouverte, cela permettant la croissance du SiN à haute température. Après la croissance du SiN, le flux de SiH 4 est interrompu et la structure est refroidie à température ambiante tout en maintenant le flux de NH 3 , pour éviter la désorption de la couche supérieure.
Selon des exemples de modes de réalisation, l'empilement de passivation est formé par croissance épitaxiale sur le dessus de la deuxième couche III-N active.
De manière avantageuse, on conserve la cristallinité du SiN amené à croître in-situ en le dopant ou en ajoutant une espèce telle que l'Al ou le B. Lorsqu'il est amené à croître sur le dessus de la deuxième couche III-N active, le SiN in-situ se déforme pour s'adapter à la contrainte résultant du désaccord de réseau entre les matériaux. Il est bien connu qu'un désaccord de réseau important est un élément déclencheur qui ramène le mode de croissance épitaxial d'un mode de croissance couche par couche de Franck-Van der Merwe bidimensionnel à un mode de croissance de Volker-Weber tridimensionnel, qui est quant à lui plus susceptible de se transformer en un mode de croissance amorphe. Un atome plus petit que Si peut donc être incorporé dans le SiN, par exemple Al ou B, pour réduire la constante de réseau du SiN en phase bêta et mieux l'adapter à la constante de réseau de la deuxième couche III-N active. Un avantage supplémentaire de l'inclusion d'Al dans le réseau de SiN est une meilleure résistance à la gravure à sec dans les plasmas à base de fluor, en raison de l'interaction entre Al et F qui donne de l’AlF hautement non volatile. L'empilement de passivation est entièrement cristallin. En variante, l'empilement de passivation est partiellement cristallin et comprend au moins quelques monocouches cristallines.
Selon des exemples de modes de réalisation, l'empilement de passivation est enlevé par gravure respectivement dans une région de source et une région de drain.
Ainsi, des ouvertures sont définies dans les couches diélectriques donneuses d'électrons pour dégager respectivement une région de source et une région de drain dans lesquelles les bornes des dispositifs doivent être formées. À titre d'exemple, une étape de photolithographie peut être réalisée et les couches diélectriques donneuses d'électrons peuvent être gravées respectivement dans une région de source et dans une région de drain. À titre d'exemple, l'empilement de passivation peut être enlevé par gravure humide dans du HF ou du HF tamponné ou par gravure à sec dans un outil à plasma RIE ou ICP selon une chimie du fluor.
Les gravures à sec et humides de l'empilement de passivation dans une chimie du fluor s'arrêteront à la deuxième couche III-N active qui agit comme un arrêt de gravure à très haute sélectivité. À titre d'exemple, la gravure des couches diélectriques donneuses d'électrons est réalisée dans un système de gravure à sec sur la base de la chimie du fluor, comme par exemple dans un système de plasma à couplage inductif utilisant du SF 6 ou du CF 4 comme gaz de gravure et des puissances de gravure RF, ou de "platine", et ICP, ou de " bobine ", de 10 W à 150 W respectivement. Cela permet d'enlever complètement l'empilement de passivation restant sans enlever la deuxième couche III-N active ou l'une quelconque des couches situées en dessous. En variante, la deuxième couche III-N active est partiellement gravée par gravure humide, par exemple dans une solution alcaline ou dans un révélateur de résine, pour ainsi permettre de former des contacts ohmiques respectifs dans une région de source et dans une région de drain, en partie dans la couche active.
Selon un deuxième aspect de la présente invention, il est fourni un transistor à haute mobilité électronique comprenant : un substrat cible ; une couche superficielle supérieure sur le dessus du substrat cible ; dans lequel l’épaisseur de la couche superficielle supérieure est inférieure à 200 nm ; un empilement de couches semi-conductrices III-N épitaxiales sur le dessus de la couche superficielle supérieure, dans lequel l'empilement de couches semi-conductrices III-N épitaxiales comprend : une première couche III-N active ; une deuxième couche III-N active sur le dessus de la première couche III-N active ; avec un gaz d'Electrons bidimensionnel entre la première couche III-N active et la deuxième couche III-N active ; un contact de grille en contact avec la deuxième couche III-N active dans une région de grille ; et un contact galvanique de substrat en contact avec le substrat cible.