INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
L’étape a) du procédé peut éventuellement inclure un traitement thermique appliqué au substrat support 20, à une température supérieure ou égale à 1500°C, typiquement entre 1500°C et 2000°C, de manière à stabiliser sa structure poly-cristalline. En effet, ces gammes de températures sont susceptibles d’être appliquées plus tard dans le procédé pour la fabrication de la structure composite 100.
Le procédé de fabrication selon l’invention comprend ensuite une étape b) de fourniture d’un substrat donneur 1 en un matériau monocristallin dont sera issue la couche mince 10 ( ). Comme évoqué précédemment en référence à la structure composite 100, le matériau monocristallin peut être le carbure de silicium de polytype 4H, 6H ou 3C, le diamant, le silicium, les composés semi-conducteurs II-IV ou III-V (notamment GaN), etc. Le substrat donneur 1 se présente préférentiellement sous la forme d’une plaquette de diamètre 100mm, 150mm, 200mm voire plus (identique à ou très proche de celui du substrat support 20) et d’épaisseur comprise typiquement entre 300 microns et 800 microns. Il présente une face avant 1a et une face arrière 1b. La rugosité de surface de la face avant 1a est avantageusement choisie inférieure à 1nm RMS, voire inférieure à 0,5nm RMS, mesurée par microscopie à force atomique (AFM) sur un scan de 20 microns x 20 microns. Le type de dopage et la résistivité du substrat donneur 1 sont définis en fonction des besoins des composants qui seront élaborés sur et/ou dans la couche mince 10 de la structure composite 100.
Enfin, le procédé comprend une étape c) de transfert d’une couche mince 10 issue du substrat donneur 1 sur le substrat support 20. Il existe différentes options, connues de l’état de la technique pour effectuer un transfert de couche (amincissement mécanique, chimique ou mécano-chimique, séparation au niveau d’une couche poreuse présente dans le substrat donneur 1...), qui ne seront pas décrites ici de manière exhaustive.
Selon un mode préféré, l’étape c) du procédé implique une implantation d’espèces légères et un assemblage par collage direct, selon le principe du procédé Smart Cut TM .
Une première phase c1) correspond à l’introduction d’espèces légères dans le substrat donneur 1 pour former un plan fragile enterré 11 délimitant, avec une face avant 1a du substrat donneur 1, la couche mince 10 à transférer ( ). Notons que même si la couche mince 10 à transférer est illustrée comme une couche continue, elle pourrait également être constituée de pavés discontinus, par exemple préparés à la surface du substrat donneur 1.
L’énergie d’implantation des espèces légères est choisie de manière à atteindre la profondeur déterminée. Par exemple, des ions hydrogène seront implantés à une énergie comprise entre 10 keV et 250 keV, et à une dose comprise entre 5 E 16/cm 2 et 1 E 17/cm 2 , pour délimiter une couche mince 10 présentant une épaisseur de l’ordre de 100nm à 1500nm. Notons qu’une couche de protection pourra être déposée sur la face avant 1a du substrat donneur 1, préalablement à l’étape d’implantation ionique. Cette couche de protection peut être composée par un matériau tel que l’oxyde de silicium ou le nitrure de silicium par exemple. Elle est retirée préalablement à la phase suivante.
L’étape c) de transfert comprend ensuite une deuxième phase c2) d’assemblage du substrat donneur 1, du côté de sa face avant 1a, sur le substrat support 20, du côté de sa première face 20a, par collage par adhésion moléculaire, le long d’une interface de collage 40 ( ).
Optionnellement, une couche intermédiaire 30 peut être formée sur la face avant 1a du substrat donneur 1, avant ou après l’introduction des espèces légères de la phase c1), et en tout état de cause, avant la phase d’assemblage. Cette couche intermédiaire 30 peut être en un matériau semi-conducteur, par exemple silicium ou carbure de silicium, ou en un matériau métallique tel que le tungstène, le titane, etc. L’épaisseur de la couche intermédiaire 30 est avantageusement limitée, typiquement entre quelques nanomètres et quelques dizaines de nanomètres.
Dans le cas où la couche intermédiaire 30 est formée avant la première phase c1), l’énergie d’implantation (et potentiellement la dose) des espèces légères sera ajustée à la traversée de cette couche supplémentaire. Dans le cas où la couche intermédiaire 30 est formée après la phase c1), on prendra soin de former cette couche en appliquant un budget thermique inférieur au budget thermique de bullage, ledit budget thermique de bullage correspondant à l’apparition de cloques à la surface du substrat donneur 1 du fait d’une croissance et d’une mise sous pression trop importante des microcavités dans le plan fragile enterré 11.
Dans ce mode de réalisation, le circuit comporte alors deux transistors à enrichissement, dont les tensions de seuil se compensent avec les deux paires de transistors à appauvrissement.
Le circuit d’adaptation de ce deuxième mode de réalisation délivre alors une tension maximale de 6V.
Selon un troisième mode de réalisation, le quadripôle de liaison est constitué de n quadripôles élémentaires, avec n > 1, chaque quadripôle élémentaire comportant deux transistors à appauvrissement : un transistor haut et un transistor bas, la source du transistor haut étant reliée au drain du transistor bas et à une première borne du quadripôle élémentaire, le drain du transistor haut étant relié à une deuxième borne du quadripôle élémentaire, la grille du transistor bas étant reliée à une troisième borne du quadripôle élémentaire et la grille du transistor haut et la source du transistor bas étant reliées à une quatrième borne du quadripôle élémentaire ; les quadripôles élémentaires étant connectés en série, avec deux quadripôles élémentaires consécutifs reliés de sorte que la première borne du quadripôle élémentaire est reliée à la troisième borne du quadripôle élémentaire et la deuxième borne du quadripôle élémentaire est reliée à la quatrième borne du quadripôle élémentaire ; la première et la deuxième borne du quadripôle élémentaire formant la première et la seconde borne du quadripôle de liaison et la troisième et la quatrième borne du quadripôle élémentaire formant la troisième et la quatrième borne.
Selon les modes de réalisation, le premier dipôle peut par exemple être un transistor à enrichissement dont la grille est reliée à son drain. Le transistor se comporte alors comme une diode. De préférence, le premier dipôle est une résistance, ce qui permet de mieux compenser les variations au sein du circuit. Le dimensionnement du transistor ou la valeur de la résistance n’a en principe pas d’incidence importante sur la valeur de la référence de tension. Cependant, le dimensionnement de ces composants peut être adapté afin de limiter la consommation énergétique du circuit d’adaptation.
Le circuit d’adaptation de ce troisième mode de réalisation délivre alors une tension maximale de 3V multiplié par n.
Afin d’augmenter la valeur du courant transmise au transistor de puissance, il est possible de connecter plusieurs branches telles que décrites précédemment en parallèle.
Le circuit d’adaptation comporte alors m branches connectées en parallèle, chaque branche étant connectée par la source de son transistor de tête, sur la grille du transistor de puissance. Le courant disponible en sortie est ainsi augmenté d'un rapport m, tout en gardant les performances de la branche d'origine.
est un schéma électrique d’un circuit d’adaptation de l’art antérieur comportant des composants discrets,
est un schéma électrique d’un autre circuit d’adaptation de l’art antérieur, réalisable dans un circuit intégré,
est un schéma électrique du circuit d’adaptation de l’invention selon un premier mode de réalisation,
est un schéma électrique d’une variante du mode de réalisation de la ,
est un schéma électrique du circuit d’adaptation de l’invention selon un deuxième mode de réalisation,
est un schéma électrique du circuit d’adaptation de l’invention selon un troisième mode de réalisation,
Selon un vingt-deuxième aspect, l'invention concerne un procédé de chargement de carburant sur une pluralité d'aéronefs effectuant une pluralité de missions, la pluralité de missions étant alimentée en carburant à partir d'une source de carburant comprenant une quantité d'un carburant par défaut et une quantité d'un carburant non par défaut, le procédé comprenant :
Comme une casse de l’arbre 8 entraîne une survitesse de la turbine 5, le deuxième capteur 11 permet de détecter la casse de l’arbre 8 en comparant les valeurs délivrées par le deuxième capteur 11 à un seuil de vitesse.
Le turbopropulseur 1 comprend en outre un troisième capteur 12 de vitesse de rotation mesurant la vitesse de rotation d’un rotor de la machine 7 pour contrôler ladite machine.
Le turbopropulseur 1 nécessite donc trois capteurs 10, 11, 12 pour fonctionner afin de contrôler la machine 7, détecter une casse de l’arbre 8, et détecter une survitesse de la turbomachine 9.
Ces capteurs 10, 11, 12 sont en outre redondants pour répondre à des exigences réglementaires.
En outre, l’intégration des capteurs 10, 11, 12 dans le turbopropulseur 1 nécessite de réserver des espaces sur l’arbre 8 alors que l’arbre 8 est intégré dans un environnement contraint formé par le turbopropulseur 1.
De plus, les capteurs 10, 11, 12 augmentent la masse du turbopropulseur 1, et d’autant plus que les capteurs 10, 11, 12 sont redondants.
De surcroît, le capteur 11 est placé à proximité de la turbine 5 recevant les gaz chauds de sorte que le capteur 11 est disposé dans un environnement chaud compromettant sa fiabilité.
Au vu de ce qui précède, l’invention a pour objet un turbopropulseur pour aéronef comprenant
• un arbre de propulsion,
• une hélice de propulsion montée sur l’arbre de propulsion, notamment située à une première extrémité de l’arbre de propulsion,
• un module d’entraînement relié à l’arbre de propulsion, comportant un arbre d’entraînement relié à une deuxième extrémité de l’arbre de propulsion, et
• un premier capteur de vitesse de rotation configuré pour mesurer une première vitesse de rotation de l’hélice de propulsion.
Le module d’entraînement comprend
• un seul deuxième capteur de vitesse de rotation configuré pour mesurer une deuxième vitesse de rotation de l’arbre d’entraînement, et
• des moyens de commande pour détecter une casse de l’arbre de propulsion et pour détecter une défaillance de la protection en survitesse de l’arbre de propulsion à partir
- une première étape de déplacement au cours de laquelle le tube intérieur avec la nappe est déplacé vers la première extrémité à travers le manchon d’insertion, et
- une deuxième étape de déplacement au cours de laquelle le tube intérieur avec la nappe est déplacé dans le tube extérieur et où, en passant au niveau de la première extrémité, le filet s’enfile autour de la nappe et pénètre avec le tube intérieur et la nappe dans le tube extérieur à travers son ouverture d’insertion.
Avantageusement, le procédé de fabrication comporte une sixième étape de fourniture au cours de laquelle un cône d’introduction est fourni et il comporte, préalablement à la deuxième étape de déplacement, une seconde étape de mise en place au cours de laquelle le cône d’introduction est disposé au niveau de l’ouverture d’insertion du tube extérieur et où le cône d’introduction présente son petit diamètre à l’intérieur de ladite ouverture d’insertion et son grand diamètre orienté vers la première extrémité du manchon d’insertion.
Avantageusement, le manchon d’insertion prend la forme d’un cylindre creux avec un cône au niveau de la deuxième extrémité où le cône s’évase en partant du cylindre creux.
Avantageusement, chacun des tubes est flexible.
Avantageusement, entre la quatrième étape de fourniture et l’étape d’enfilage, le procédé de fabrication comporte une sous-étape de fourniture au cours de laquelle un système d’aide qui comporte un cylindre dont une extrémité est fermée par une pointe est fourni, une sous-étape d’enfilage au cours de laquelle le filet est enfilé sur le cylindre depuis la pointe, et une sous-étape de transfert au cours de laquelle le filet est récupéré sur le cylindre.
L’invention propose également un conduit isolé comportant :
- un tube intérieur,
- une nappe enroulée autour du tube intérieur,
- un tube extérieur disposé autour de la nappe, et
- un filet arrangé autour de la nappe à l’intérieur du tube extérieur.
Avantageusement, le filet est extensible et prend la forme d’un tube constitué de mailles où à l’état repos, le diamètre du filet est inférieur au diamètre de la nappe enroulée autour du tube intérieur.
est une vue en coupe axiale d’un conduit isolé selon l’invention,
- détermination d’un type de ligne de marquage au sol entre la voie de circulation courante et la voie latérale adjacente en fonction de la première information.
Les données issues de la caméra embarquée dans le véhicule sont utilisées seulement pour obtenir des informations sur la largeur d’une voie latérale adjacente à une voie courante sur laquelle circule le véhicule. Ces informations de largeur permettent de déterminer le type de la voie latérale adjacente, ce qui permet alors de déterminer quel type de ligne sépare la voie courante de la voie latérale adjacente.
Ainsi, selon la présente invention, la détermination du type de ligne n’utilise pas directement les données obtenues de la caméra mais utilise uniquement l’information sur le type de la voie latérale adjacente. Même lorsque les données obtenues des caméras sont d’une qualité insuffisante pour déterminer le type de ligne, il reste possible d’utiliser ces données pour déterminer la largeur de la voie adjacente, seule l’information sur la présence d’une ligne étant nécessaire à cet effet.
L’invention permet alors de déterminer le type de ligne de marquage au sol indépendamment du niveau de qualité des données sur cette ligne de marquage au sol obtenues de la caméra.
Cela permet d’améliorer la détermination du type de ligne de marquage au sol, et ainsi d’améliorer le fonctionnement du système SALC.
Selon une variante, la détermination de la première information comprend au moins une des étapes suivantes :
- comparaison des deuxièmes données avec une valeur seuil de largeur déterminée ; et/ou
- détermination d’une deuxième information représentative de variation de largeur de la voie latérale adjacente sur une distance déterminée en fonction des deuxièmes données.
Selon une variante supplémentaire, la voie latérale adjacente correspond à une voie de type voie de circulation lorsqu’un résultat de la comparaison indique que la largeur de la voie latérale adjacente est supérieure à la valeur seuil de largeur.
Selon encore une variante, lorsque la voie latérale adjacente correspond à une voie de type voie de circulation, le type de ligne de marquage au sol entre la voie de circulation courante et la voie latérale adjacente est déterminé comme correspond à une ligne discontinue.
Selon une variante additionnelle, le procédé comprend en outre une étape de détermination d’un indicateur de confiance associé à la détermination de la première information, l’indicateur de confiance étant déterminé en fonction des deuxièmes données.
Selon une autre variante, le procédé comprend en outre une étape de contrôle d’un système de changement semi-automatique de voie de circulation, dit système SALC, du véhicule en fonction du type de ligne de marquage au sol.
Selon encore une variante, la première information appartient à un ensemble d’informations comprenant :
- une information représentative d’une voie de circulation ;
- une information représentative d’une bande d’arrêt d’urgence ; et
• les ravageurs de l'ordre des homoptères, par exemple Aleurodes brassicae, Bemisia tabaci, Trialeurodes vaporariorum, Aphis gossypii, Brevicoryne brassicae, Cryptomyzus ribis, Aphis fabae, Aphis pomi, Eriosoma lanigerum, Hyalopterus arundinis, Phylloxera vastatrix, Pemphigus spp., Macrosiphum avenae, Myzus spp., Phorodon humuli, Rhopalosiphum padi, Empoasca spp., Euscelis bilobatus, Nephotettix cincticeps, Lecanium corni, Saissetia oleae, Laodelphax striatellus, Nilaparvata lugens, Aonidiella aurantii, Aspidiotus hederae, Pseudococcus spp., Psylla spp;
• les ravageurs de l'ordre des Lépidoptères par exemple Pectinophora gossypiella, Bupalus piniarius, Cheimatobia brumata, Lithocolletis blancardella, Hyponomeuta padella, Plutella xylostella, Malacosoma neustria, Euproctis chrysorrhoea, Lymantria spp., Bucculatrix thurberiella, Phyllocnistis citrella, Ephestia kuehniella, Galleria mellonella, Tineola bisselliella, Tinea pellionella, Hofmannophila pseudospretella, Cacoecia podana, Capua reticulana, Choristoneura fumiferana, Clysia ambiguella, Homona magnanima, Tortrix viridana, Cnaphalocerus spp., Oulema oryzae;
• les ravageurs de l'ordre des Hyménoptères par exemple Diprion spp., Hoplocampa spp., Lasius spp., Monomorium pharaonis, Vespa spp;
• les ravageurs de l'ordre des Diptères par exemple Aedes spp., Anopheles spp., Culex spp., Drosophila melanogaster, Musca spp., Fannia spp., Calliphora erythrocephala, Lucilia spp., Chrysomyia spp., Cuterebra spp., Gastrophilus spp., Hyppobosca spp., Stomoxys spp., Oestrus spp., Hypoderma spp., Tabanus spp., Tannia spp., Bibio hortulanus, Oscinella frit, Phorbia spp., Pegomyia hyoscyami, Ceratitis capitata, Dacus oleae, Tipula paludosa, Hylemyia spp., Liriomyza spp.;
• les ravageurs de l'ordre des Siphonaptères par exemple Xenopsylla cheopis, Ceratophyllus spp. ;
• les neamnotes phytoparasites telles que Pratylenchus spp., Radopholus similis, Ditylenchus dipsaci, Tylenchulus semipenetrans, Heterodera spp., Globodera spp., Meloidogyne spp., Aphelenchoides spp., Longidorus spp., Xiphinema spp., Trichodorus spp., Bursaphelenchus spp.
De préférence, les nuisibles sont des insectes et/ou des acariens. De préférence, les insectes sont des ordres hémiptères, thysanoptères, coléoptères ou lépidoptères. De préférence, les nuisibles sont des pucerons, des acariens ou des coléoptères.
De préférence, lorsque les nuisibles sont des pucerons ou des coléoptères, la graisse d’insecte selon l’invention est utilisée à une dose allant de 0,0001 à 0,001 L/ha, de préférence de 0,0002 à 0,0008 L/ha.
De préférence, lorsque les nuisibles sont des acariens, la graisse d’insecte selon l’invention est utilisée à une dose allant de 0,001 à 0,01 L/ha, de préférence de 0,002 à 0,006 L/ha.
De préférence, la graisse d’insecte selon l’invention permet d’augmenter la mortalité des ravageurs et/ou de diminuer la capacité reproductive des ravageurs.
Typiquement, la graisse selon l’invention augmente la mortalité des ravageurs d’au moins 10 fois, typiquement après 48h d’exposition, par rapport à une population de ravageurs non traités.
Par « diminuer la capacité reproductive » des ravageurs, on entend que la graisse selon l’invention ralentit la multiplication desdits ravageurs et/ou diminue le nombre de pontes. De préférence, la multiplication des ravageurs est mesurée par le taux d’accroissement de la population de ravageurs. Ce taux d’accroissement peut être mesuré comme indiqué dans l’exemple 2 ci-dessous.
Typiquement, la graisse selon l’invention diminue le taux d’accroissement d’une population de ravageurs d’au moins 10%, de préférence d’au moins 15%, typiquement après 48h d’exposition, par rapport à une population de ravageurs non traités.
Typiquement, la graisse selon l’invention diminue le nombre de pontes d’au moins 20%, de préférence d’au moins 30%, typiquement après 48h d’exposition, par rapport à une population de ravageurs non traités.
La présente invention se rapporte également à un procédé de traitement d’une culture, comprenant l’application d’une graisse d’insecte selon l’invention sur ladite culture.
La graisse d’insecte et la culture sont telles que décrites précédemment.
- les bras et le canal sont réalisés dans un même matériau.
- les bras sont réalisés dans un premier matériau, les zones de contact étant réalisées dans un deuxième matériau et le canal étant réalisé dans un troisième matériau distinct du premier matériau et du deuxième matériau.
- chaque matériau est choisi parmi :
- un oxyde, en particulier SrTiO 3 ou KTaO 3 ,
- un matériau semiconducteur III-V, de préférence InAs ou InSb,
- un matériau semiconducteur II-VI, de préférence HgTe ou CdTe,
- les dichalcogénures de métaux de transition, de préférence WS 2 , WSe 2 , PtSe 2 , MoTe 2 ou MoSe 2 , et
- des isolants topologiques, de préférence (Bi,Sb) 2 (Se,Te) 3 .
- le dispositif logique est propre à réaliser une opération logique sur deux entrées logiques pour obtenir une sortie logique, l’état de la sortie logique étant le sens du courant circulant dans le deuxième bras, l’état logique d’une première entrée étant la valeur d’un potentiel appliqué sur une sous-unité de contrôle et l’état logique d’une deuxième entrée étant le sens du courant circulant dans le premier bras ou l’état logique d’une première entrée étant la valeur d’un courant appliqué sur une sous-unité de contrôle et l’état logique d’une deuxième entrée étant la valeur d’un autre courant appliqué sur une sous-unité de contrôle, ou l’état logique d’une première entrée étant la valeur du potentiel appliqué à la sous-unité de contrôle de la première conversion et l’état logique d’une deuxième entrée étant la valeur du potentiel appliqué à la sous-unité de contrôle de la deuxième conversion.
La description se rapporte également à une architecture de calcul logique comportant au moins deux dispositifs logiques tels que précédemment décrits, l’architecture de calcul logique vérifiant au moins l’une des propriétés suivantes :
- une première propriété selon laquelle le premier bras d’un des deux dispositifs logiques est confondu avec le deuxième bras de l’autre dispositif logique, et
- une deuxième propriété selon laquelle le deuxième bras d’un des deux dispositifs logiques est connecté avec une sous-unité de contrôle électrique d’une des deux conversions.
- la est une représentation schématique d’un exemple de dispositif logique avec les sens de courant indiqués pour deux cas distincts (respectivement à gauche et à droite),
- la est un graphe montrant l’évolution de la variation de résistance en fonction de l’angle formé par le champ par rapport au courant dans le cas de gaz bidimensionnels de SrTiO3,
- la est une représentation schématique des différents cas correspondant aux différentes valeurs possibles lorsque le dispositif logique de la réalise une fonction XNOR,
Le chauffage par microonde à l’étape v) peut être réalisé par à une pression comprise entre 5 et 60 bars, notamment entre 10 et 40 bars.
Avantageusement, à une température de 150°C et une pression de 35 bars, l’étape v) peut être réalisée en moins de 10 minutes notamment en 5 minutes.
Le taux de conversion du résidu carboné mis en œuvre à l’étape v) en quantum dots de graphène à l’issue de l’étape v) est généralement de 100% L’avancement de la réaction de conversion peut être aisément suivi : au début de la réaction à l’étape v), le résidu carboné n’est pas soluble dans le milieu réactionnel et devient soluble au fur et à mesure de sa conversion. La réaction est généralement terminée lorsque le résidu carboné initial a totalement disparu, c’est-à-dire est totalement solubilisé sous la forme de GQDs.
Sans vouloir se limiter à une théorie particulière, les étapes iv) et v) permettraient de couper chimiquement des liaisons chimiques fragiles afin de conduire à la formation de fragments fonctionnalisés, appelés GQDs.
[Etape vi)]
L’étape vi) consiste en la récupération des quantum dots à base de graphène (GQDs) obtenus à l’étape iv).
Cette étape peut être réalisée selon des méthodes conventionnelles telles que par chromatographie, extraction, dialyse et/ou ultracentrifugation.
De préférence, cette étape est réalisée par extraction du milieu réactionnel avec un solvant organique, en particulier un solvant organique polaire, notamment polaire protique, tel qu’un alcool, plus particulièrement un alcool aliphatique.
De façon avantageuse, les quantum dots de graphène sont récupérés dans la phase organique qui peut être lavée et concentrée sous pression réduite. Le résidu obtenu peut être séché sous vide, à une température de l’ordre de 80°C, typiquement pendant 2 heures.