Procédé de fabrication d'un dispositif micro-électromécanique comportant les étapes successives suivantes : - prévoir une structure SOI comportant une première couche semiconductrice (17) sur une couche isolante (15) ; - former une deuxième couche semiconductrice (17’) par épitaxie sur et en contact avec la face supérieure de la première couche semiconductrice (17) ; - reporter et fixer, par collage moléculaire, une troisième couche semiconductrice (25) sur et en contact avec la face supérieure de la deuxième couche semiconductrice (17’) ; et - former des tranchées s’étendant verticalement depuis la face supérieure de la troisième couche semiconductrice (25) jusqu’à la face supérieure de la couche isolante (15), lesdites tranchées délimitant latéralement un élément mécanique(29) du dispositif. Procédé selon la revendication 1, dans lequel les première (17), deuxième (17') et troisième (25) couches semiconductrices sont en silicium. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel l'étape de formation des tranchées est suivie par une étape de libération, dans laquelle la couche isolante (15) est retirée sous l'élément mécanique (29). Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel l'étape de report de la troisième couche semiconductrice (25) sur la deuxième couche semiconductrice (17') est précédée d'une étape de nettoyage par traitement plasma de la face inférieure de la troisième couche semiconductrice (25) et/ou de la face supérieure de la deuxième couche semiconductrice (17'). Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel l'élément mécanique a une épaisseur (e3) comprise entre 10 µm et 300 µm, par exemple entre 20 µm et 100 µm, par exemple entre 30 µm et 80 µm, par exemple entre 40 µm et 60 µm. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, comprenant en outre, avant l’étape de formation de la deuxième couche semiconductrice (17’), une étape de gravure localisée de la première couche semiconductrice (17) de façon à définir dans ladite première couche semiconductrice (17) des éléments de transduction électromécanique (20) de dimensions microniques ou submicroniques. Procédé selon la revendication 6, comprenant en outre, après ladite étape de gravure localisée et avant l’étape de formation de la deuxième couche semiconductrice (17’), une étape de formation d’éléments de protection (21p) en un matériau isolant localisés en vis à vis desdits éléments de transduction électromécanique (20) de dimensions microniques ou submicroniques. Procédé selon la revendication 7 dans son rattachement à la revendication 3, dans lequel les éléments de protection (21p) sont retirés avec la couche isolante (15) lors de l’étape de libération. Dispositif micro-électromécanique comportant un élément mécanique (29) comprenant, dans son épaisseur, une première couche semiconductrice (17), une deuxième couche semiconductrice (17’) formée par épitaxie sur et en contact avec la face supérieure de la première couche semiconductrice (17), et une troisième couche semiconductrice (25) fixée, par collage moléculaire, sur et en contact avec la face supérieure de la deuxième couche semiconductrice (17’). Dispositif selon la revendication 9, dans lequel l'élément mécanique (29) a une épaisseur (e3) comprise entre 10 µm et 300 µm, par exemple entre 20 µm et 100 µm, par exemple entre 30 µm et 80 µm, par exemple entre 40 µm et 60 µm. Dispositif selon la revendication 9 ou 10, comprenant en outre des éléments de transduction électromécanique (20) de dimensions microniques ou submicroniques formés dans la première couche semiconductrice (17).