INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
L’adaptateur de balai d'essuie-glace 14 a un corps de base d’adaptateur 42. Le corps de base d’adaptateur 42 forme un corps de base porteur de l’adaptateur de balai d'essuie-glace 14. Le corps de base d’adaptateur 42 est prévu pour le couplage au balai d’essuie-glace 16. Le corps de base d’adaptateur 42 a une zone inférieure. La zone inférieure du corps de base d’adaptateur 42 est tournée vers la lame d’essuyage 22. Le corps de base d’adaptateur 42 a un logement de rail élastique 44. Le logement de rail élastique du corps de base d’adaptateur 42 est dans sa zone inférieure. Le logement de rail élastique 44 forme un logement pour le rail élastique 26. Le rail élastique 26 à l’état monté est installé sans risque de perte dans le logement de réception de rail 44. Le corps de base d’adaptateur 42 a un premier palier 46. Le palier 46 est un palier de pivotement. Le premier palier 46 est dans la zone supérieure du corps de base d’adaptateur 42.
L’adaptateur de balai d'essuie-glace 14 a un adaptateur intermédiaire 48. L’adaptateur intermédiaire 48 est prévu pour la liaison avec l’adaptateur de bras d’essuie-glace 12. L’adaptateur intermédiaire 48 est réalisé comme pièce de liaison entre l’adaptateur de balai d'essuie-glace 14 et l’adaptateur de bras d’essuie-glace 12. A l’état installé, l’adaptateur intermédiaire 48 relie l’un à l’autre l’adaptateur de balai d'essuie-glace 14 et l’adaptateur de bras d’essuyage 12. A l’état installé, l’adaptateur intermédiaire 48 relie l’adaptateur de balai d'essuie-glace 14 à l’adaptateur de bras d’essuie-glace 12. L’adaptateur intermédiaire 48 est relié solidairement au corps de base d’adaptateur 42. L’adaptateur intermédiaire 48 est relié au corps de base d’adaptateur 42 par le palier 46. L’adaptateur intermédiaire 48 est relié par le palier 46 de préférence de manière pivotante au corps de base d’adaptateur 42. Le palier 46 permet à l’adaptateur intermédiaire 48 de pivoter facilement par rapport au corps de base d’adaptateur 42.
L’adaptateur intermédiaire 48 est un élément allongé. L’adaptateur intermédiaire a une direction longitudinale d’adaptateur intermédiaire 76. L’extension principale de l’adaptateur intermédiaire 48 est orienté selon la direction longitudinale 76. L’adaptateur intermédiaire 48 a deux côtés extérieurs 50, 52 opposés. Les côtés extérieurs 50, 52 sont les côtés extérieurs longs de l’adaptateur intermédiaire 48. L’adaptateur intermédiaire 48 a un dessus 54. Le dessus 54 ferme l’adaptateur intermédiaire 48 par le haut. Le dessus 56, à l’état installé, est tourné vers l’adaptateur de bras d’essuie-glace 12. Les côtés extérieurs 50, 52 délimitent le dessus 54 sur chaque côté. Les côtés extérieurs 50, 52 et le dessus 54 réalisent une forme en U. Les côtés extérieurs 50, 52 et le dessus 54 sont en une seule pièce. L’adaptateur intermédiaire 48 a une section en forme de U. L’adaptateur intermédiaire 48 forme, dans sa zone intérieure, une zone de réception entre les deux côtés extérieurs 50, 52 et le dessus 54 ; cette zone de réception reçoit au moins en partie le corps de base d’adaptateur 42 à l’état installé. L’adaptateur intermédiaire 48 entoure le corps de base d’adaptateur 42 au moins partiellement de préférence dans la zone de son palier 46. Les côtés extérieurs 50, 52 ont chacun un orifice récepteur. Ces orifices récepteurs sont coaxiaux et servent au couplage avec le palier 46.
L’adaptateur intermédiaire 48 a une première rainure 56. Cette première rainure 56 est réalisée par le côté extérieur 50. La première rainure 56 est réalisée dans le côté extérieur 50 de l’adaptateur intermédiaire 48. La première rainure 56 est sous la forme d’une rainure avant. La première rainure avant 56 se trouve dans la zone avant de l’adaptateur intermédiaire 48. La zone avant de l’adaptateur intermédiaire 48 est entourée à l’état installé par la zone avant de l’adaptateur de bras d’essuie-glace 12. La première rainure 56 est ouverte dans le dessus 54 de l’adaptateur intermédiaire 48 tourné vers le corps de base d’adaptateur 42. La première rainure 56 est accessible par le dessus dans la direction verticale. La première rainure 56 est formée au moins en partie par le dessus 54 de l’adaptateur intermédiaire 48. La première rainure 56 est prévue pour recevoir l’élément de liaison 32 de l’adaptateur de bras d’essuie-glace 12. La première rainure 56 réalise fixe par une liaison par la forme, l’élément de liaison 32 de l’adaptateur de bras d’essuie-glace 12. A l’état couplé de l’adaptateur de bras d’essuie-glace 12 avec l’adaptateur de balai d'essuie-glace 14, l’élément de liaison 32 de l’adaptateur de bras d’essuie-glace 12 vient par une liaison par la forme dans la première rainure 56.
L’adaptateur intermédiaire 48 a une seconde rainure 58. La seconde rainure 58 est formée par le côté extérieur 50. La seconde rainure 58 est réalisée dans le côté extérieur 50 de l’adaptateur intermédiaire 48. La seconde rainure 58 est réalisée comme rainure arrière. La seconde rainure 58 est derrière la première rainure 56. La seconde rainure 58 est écartée dans la direction longitudinale 76 de l’adaptateur intermédiaire par rapport à la première rainure 56 La seconde rainure 58, arrière se trouve dans la zone arrière de l’adaptateur intermédiaire 48. La zone arrière de l’adaptateur intermédiaire 48 à l’état installé est entourée par la zone arrière de l’adaptateur de bras d’essuie-glace 12. La seconde rainure 58 est ouverte sur le dessus 54 de l’adaptateur intermédiaire 48 non tourné vers le corps de base d’adaptateur 42. La seconde rainure 58 est accessible par le haut dans la direction verticale. La seconde rainure 58 est formée au moins partiellement par le dessus 54 de l’adaptateur intermédiaire 48. La seconde rainure 58 reçoit l’élément de liaison 34 de l’adaptateur de bras d’essuie-glace 12. La seconde rainure 58 est prévue pour une fixation par une liaison par la forme de l’élément de liaison 34 de l’adaptateur de bras d’essuie-glace 12. A l’état couplé de l’adaptateur de bras d’essuie-glace 12 avec l’adaptateur de balai d'essuie-glace 14, l’élément de liaison 34 de l’adaptateur de bras d’essuie-glace 12 est reçu par une liaison par la forme dans la seconde rainure 58.
L’adaptateur intermédiaire 48 comporte deux autres rainures 60, 61. Cette autre rainure 60 est prévue pour recevoir l’élément de liaison 36 de l’adaptateur de bras d’essuie-glace 12. L’autre première rainure 60 est prévue pour une fixation par une liaison par la forme de l’élément de liaison 36 de l’adaptateur de balai d'essuie-glace 12. L’adaptateur intermédiaire 48 a une autre seconde rainure 61. Cette autre seconde rainure 61 est prévue pour recevoir le premier élément de liaison 38 de l’adaptateur de bras d’essuie-glace 12. L’autre seconde rainure 61 est prévue pour réaliser une fixation par la forme de l’élément de liaison 38 de l’adaptateur de bras d’essuie-glace 12. Dans ses côtés extérieurs opposés 50, 52 l’adaptateur intermédiaire 48 a respectivement une première rainure 56, 60 et une seconde rainure 58, 61. L’autre première rainure 60 est prévue dans le côté extérieur 52 de la zone avant. L’autre seconde rainure 61 est prévue dans le côté extérieur 52 de la zone arrière. L’autre première rainure 60 du côté extérieur 52 est identique à la première rainure 56 du côté extérieur 50. Les deux premières rainures 56, 60 sont symétriques-plan l’une par rapport à l’autre. L’autre seconde rainure 61 du côté extérieur 52 est identique à la seconde rainure 58 du côté extérieur 50. Les deux secondes rainures 58, 61 sont symétriques-plan l’une par rapport à l’autre. Comme les deux premières rainures 56, 60 et les deux secondes rainures 58, 61 sont respectivement identiques l’une à l’autre, la description ci-après se limitera à la première rainure 56 et à la seconde rainure 58 réalisées dans le côté extérieur 60 de l’adaptateur intermédiaire 48. La description des rainures 56, 58 peut se déduire respectivement de la description des autres rainures 60, 61.
La première rainure 56 a une première zone partielle 62. Cette première zone partielle 62 est réalisée comme zone supérieure de la première rainure 56. La première zone partielle 62 s’étend à partir de l’extrémité supérieure de la première rainure 56 dans le côté supérieur 54 jusqu’au fond de la première rainure 56. La première zone partielle 62 de la première rainure 56 a un tracé incliné par rapport à la direction verticale de l’adaptateur intermédiaire 48. La première rainure 56 est inclinée dans la première zone partielle 62. La première rainure 56 présente pour l’essentiel un adaptateur intermédiaire 48 incliné pratiquement par rapport à la direction verticale. Pour le couplage avec la première rainure 56, il faut procéder avec le premier élément de liaison 32 par un mouvement de montage incliné par rapport à la direction verticale de l’adapteur intermédiaire 48. La première rainure 56 comporte une zone d’extrémité 64. La zone d’extrémité 64 de la première rainure 56 est associée à l’extrémité correspondante de la première zone partielle 62. La zone d’extrémité 64 se termine directement sur la première zone partielle 62 de la première rainure 56. La zone d’extrémité 64 est issue de la première zone partielle 62 de la première rainure 56. La première place d’extrémité 64 coupe la première rainure 56. La zone d’extrémité 64 est en biais vers la première zone partielle 62 de la première rainure 56. La zone d’extrémité 64 de la première rainure 56 est orientée dans le plan horizontal de l’adaptateur intermédiaire 48.
Selon l’invention, quel que soit le mode de réalisation considéré, la plaque déflectrice 8A, 8B du déflecteur 1A, 1B présente une forme géométrique générale sensiblement de lunule (en section transversale), telle que précisé ci-dessous, pour laquelle la face amont F1A, F1B (face concave) et la face aval F2A, F2B (face convexe) de la plaque déflectrice 8A, 8B présentent des profils courbes différents, comme décrit ci-après en référence aux deux modes de réalisation 1A et 1B.
Dans le premier mode de réalisation, représenté sur les figures 3 et 4, qui est relatif au déflecteur 1A, la plaque déflectrice 8A présente, entre l’extrémité d’entrée E1A et l’extrémité de sortie E2A, trois zones successives, comme représenté sur la : - une zone d’entrée ZA1 correspondant à un tronçon rectiligne, en section transversale, à la fois sur la face amont F1A et sur la face aval F2A ; - une zone intermédiaire ZA2 correspondant, en section transversale, à un tronçon courbe à la fois sur la face amont F1A et sur la face aval F2A, les tronçons courbes présentant des courbures différentes entre la face amont F1AB et la face aval F2A ; et - une zone de sortie ZA3 correspondant à un tronçon rectiligne, en section transversale, à la fois sur la face amont F1A et sur la face aval F2A.
Le tronçon courbe de la zone intermédiaire ZA2 peut présenter une courbure variable, aussi bien sur la face amont F1A que sur la face aval F2A. Ces courbures sont adaptées et optimisées pour obtenir un déflecteur 1A répondant au mieux aux objectifs recherchés, à savoir principalement son effet sur l’écoulement. En modifiant les courbures, on est donc en mesure de modifier le profil de chacune des faces amont et aval et ainsi le profil global du déflecteur 1A, le profil global du déflecteur 1A étant un paramètre important pour adapter l’effet du déflecteur 1A sur l’écoulement.
- dépôt conforme d’une troisième couche diélectrique recouvrant au moins la portion diélectrique de protection et les deuxièmes régions, et dont l’épaisseur est égale au moins à celle de la couche diélectrique de protection formée ultérieurement ;
- gravure anisotrope de la troisième couche diélectrique telle que des portions restantes de la troisième couche diélectrique recouvrent des flancs latéraux de la portion diélectrique de protection et soient disposées sur la première région (ces portions restantes de la troisième couche diélectriques présentent alors une dimension, correspondant à l’épaisseur de la troisième couche diélectrique, qui soit égale au moins à l’épaisseur de la couche diélectrique de protection formée ultérieurement);
et peut comporter en outre, entre l’implantation des dopants dans les deuxièmes régions et le dépôt de la couche diélectrique de protection, un retrait des portions restantes de la troisième couche diélectrique.
Dans ce cas, le procédé peut comporter en outre, entre le retrait d’au moins une partie de la couche diélectrique de protection recouvrant les deuxièmes régions et le retrait de la portion diélectrique de protection, une réalisation d’espaceurs diélectriques latéraux contre des portions restantes de la couche diélectrique de protection, et la réalisation de la grille de contrôle électrostatique peut être précédée d’un retrait des portions restantes de la couche diélectrique de protection.
La couche de semi-conducteur peut correspondre à une couche superficielle d’un substrat de type semi-conducteur sur isolant, par exemple de type SOI (silicium sur isolant).
Dans ce cas, les dopants peuvent être implantés dans toute l’épaisseur de la couche de semi-conducteur, ou les dopants peuvent être implantés dans une partie seulement de l’épaisseur de la couche de semi-conducteur.
Les dopants peuvent correspondre à des atomes de bore implantés avec une dose comprise entre 1.10 16 et 9.10 17 at/cm².
Le procédé peut comporter en outre, avant la réalisation de la portion diélectrique de protection, la réalisation de tranchées d’isolation à travers au moins une partie de l’épaisseur de la couche de semi-conducteur, et les étapes ensuite mises en œuvre peuvent former plusieurs JoFETs isolés électriquement les uns des autres par les tranchées d’isolation.
Les étapes mises en œuvre peuvent former plusieurs JoFETs couplés électriquement en série par l’intermédiaire de deuxièmes régions communes à deux desdits JoFETs.
Le procédé peut comporter en outre la réalisation, dans la couche de semi-conducteur, de dispositifs à qubits de spin et/ou de dispositifs de type CMOS et/ou d’au moins une chaîne d’Andreev comportant d’autres régions (c’est-à-dire distinctes des deuxièmes régions) de semi-conducteur recristallisé possédant des propriétés de matériau supraconducteur.
Dans l’ensemble du document, le terme « sur » est utilisé sans distinction de l’orientation dans l’espace de l’élément auquel ce rapporte ce terme. Par exemple, dans la caractéristique « sur une face du premier substrat », cette face du premier substrat n’est pas nécessairement orientée vers le haut mais peut correspondre à une face orientée selon n’importe quelle direction. En outre, la disposition d’un premier élément sur un deuxième élément doit être comprise comme pouvant correspondre à la disposition du premier élément directement contre le deuxième élément, sans aucun élément intermédiaire entre les premier et deuxième éléments, ou bien comme pouvant correspondre à la disposition du premier élément sur le deuxième élément avec un ou plusieurs éléments intermédiaires disposés entre les premier et deuxième éléments.
Dans l’ensemble du document, le terme « couche » est utilisé pour désigner une couche seule, mais également une superposition de plusieurs couches distinctes.
représentent un premier procédé de réalisation d’un dispositif électronique à qubit(s) supraconducteur(s) incluant au moins un JoFET, objet de la présente invention ;
représente une variante de réalisation d’un dispositif électronique à qubit(s) supraconducteur(s) incluant au moins un JoFET ;
24 Lèvre d’essuyage
28 Unité de déflecteur
30 Zone de couplage
32 Elément de liaison
34 Elément de liaison
36 Elément de liaison
38 Elément de liaison
42 Corps de base d’adaptateur
44 Logement de rail élastique
46 Palier
48 Adaptateur intermédiaire
50 Côté extérieur de l’adaptateur intermédiaire
52 Côté extérieur de l’adaptateur intermédiaire
54 Dessus de l’adaptateur intermédiaire
56 Première rainure de l’adaptateur intermédiaire
Dans un qubit de type gatemon, la jonction Josephson peut être réalisée par un transistor à effet de champ à jonction Josephson, également appelé JoFET pour « Josephson Field Effect Transistor » ou JJ-FET pour « Josephson Junction Field Effect Transistor ». Un tel transistor comporte une grille disposée au-dessus d’une région semi-conductrice de canal s’étendant entre des régions de source et de drain supraconductrices.
Un inconvénient lié à la réalisation de ce type de qubit est que les régions supraconductrices sont généralement réalisées à partir de matériaux non compatibles avec les technologies semi-conducteurs classiquement utilisées en microélectronique.
Un but de la présente invention est de proposer un procédé de réalisation d’un dispositif électronique à qubit(s) supraconducteur(s) incluant au moins un JoFET, pouvant être mis en œuvre avec des techniques utilisées dans le domaine des semi-conducteurs.
Pour cela, la présente invention propose un procédé de réalisation d’un dispositif électronique à qubit(s) supraconducteur(s) incluant au moins un JoFET formé par la mise en œuvre des étapes de :
- réalisation, sur au moins une couche de semi-conducteur, d’au moins une portion diélectrique de protection disposée sur au moins une première région de la couche de semi-conducteur ;
- implantation de dopants dans des deuxièmes régions de la couche de semi-conducteur, adjacentes à la première région et telles que la première région soit disposée entre les deuxièmes régions ;
- dépôt d’une couche diélectrique de protection recouvrant au moins la portion diélectrique de protection et les deuxièmes régions ;
- exposition de la couche diélectrique de protection à au moins une impulsion laser ;
- retrait d’au moins une partie de la couche diélectrique de protection recouvrant les deuxièmes régions ;
- retrait de la portion diélectrique de protection ;
- réalisation d’au moins une grille de contrôle électrostatique sur la première région ;
et dans lequel les matériaux et les épaisseurs de la portion diélectrique de protection et de la couche diélectrique de protection, ainsi que la durée et la puissance de ladite au moins une impulsion laser, sont choisis tels que la superposition de la portion diélectrique de protection et de la couche diélectrique de protection sur la première région empêche ladite au moins une impulsion laser d’atteindre la première région, et que la présence de la couche diélectrique de protection seule sur les deuxièmes régions permette à ladite au moins une impulsion laser d’atteindre les deuxièmes régions et de fondre le semi-conducteur des deuxièmes régions qui forme, après un refroidissement, un matériau semi-conducteur recristallisé possédant des propriétés de matériau supraconducteur.
Ainsi, ce procédé propose la réalisation d’un dispositif électronique à un ou plusieurs qubits supraconducteurs incluant un ou plusieurs JoFETs réalisés dans une couche de semi-conducteur. Plus particulièrement, le procédé selon l’invention propose de réaliser les régions supraconductrices du ou des JoFETs en appliquant le principe d’épitaxie induite par laser pulsé ou PLIE pour « Pulsed Laser Induced Epitaxy », qui consiste à réaliser une implantation de dopants dans le matériau semi-conducteur correspondant par exemple à du silicium d’un substrat Bulk (massif) ou SOI (silicium sur isolant). Le matériau semi-conducteur dans lequel l’implantation de dopants a été réalisée est ensuite soumis à une ou plusieurs impulsions laser faisant fondre le matériau semi-conducteur. Le refroidissement du matériau semi-conducteur entraîne sa recristallisation qui lui confère des propriétés supraconductrices.
Dans le procédé selon l’invention, au moins une portion diélectrique de protection et une couche diélectrique de protection sont judicieusement choisies et réalisées pour permettre à la fois de fondre par impulsion(s) laser le semi-conducteur dans lequel les dopants sont implantés pour former des régions supraconductrices, et de protéger de la ou des impulsions laser au moins une première région de la couche de semi-conducteur destinée à former la jonction entre les régions supraconductrices.
La portion diélectrique de protection peut comporter du SiN, et la couche diélectrique de protection peut comporter du SiN et/ou du SiCO et/ou du SiO 2 .
La portion diélectrique de protection peut être réalisée en déposant tout d’abord une couche de matériau diélectrique sur la couche de semi-conducteur, puis en gravant cette couche telle qu’au moins une portion restante de cette couche forme la portion diélectrique de protection.
En outre, le transfert de la puissance électrique depuis la machine électrique basse tension vers une machine électrique haute tension se fait via deux tensions de réseaux différentes ce qui implique l’utilisation d’un convertisseur et réduit par conséquent fortement le rendement de ce transfert de puissance. En outre, cela créé un point commun entre les réseaux basse tension et haute tension qui augmente le risque de propagation de pannes entre les deux réseaux.
Enfin, la pénalité de masse liée à l’utilisation d’une batterie haute tension dans l’architecture peut être rédhibitoire pour des missions de travail aérien.
En particulier, les objectifs de l’invention sont à la fois de permettre un transfert de puissance entre le corps haute pression et le corps basse pression ou la boîte de transmission principale de l’aéronef, dans les deux sens possibles de transfert, en utilisant un réseau haute tension (également appelé réseau électrique d’hybridation interne) uniquement (c’est-à-dire sans solliciter le réseau basse tension utilisé pour alimenter les équipements de l’aéronef) et de permettre d’isoler le réseau électrique d’hybridation interne (i.e. le réseau électrique propulsif) des réseaux électriques destinés à l’alimentation des équipements de l’aéronef (i.e. le réseau électrique non-propulsif). En d’autres termes, il s’agit de réaliser une ségrégation des réseaux électriques non propulsifs et propulsifs.
À cet effet, l’invention selon un premier aspect a pour objet une architecture électrique hybride d’aéronef, ladite architecture comprenant une turbomachine et un réducteur destiné à entraîner en rotation au moins un organe propulseur dudit aéronef,
ladite architecture comprenant en outre,
un réseau électrique basse tension comprenant un stockeur d’énergie électrique basse tension et au moins une machine électrique basse tension connectés électriquement à un premier bus électrique destiné à alimenter en énergie électrique des charges de l’aéronef, et,
un réseau électrique haute tension comprenant deux machines électriques haute tension connectées électriquement à un second bus électrique, ledit second bus électrique étant connecté électriquement au premier bus électrique par l’intermédiaire d’un convertisseur électrique dudit réseau électrique haute tension et d’un premier contacteur dudit réseau électrique basse tension,
ladite architecture étant caractérisée en ce que,
les deux machines électriques haute tension sont montées sur la turbomachine et couplées chacune mécaniquement à un arbre de ladite turbomachine, et,
au moins une machine électrique basse tension est montée sur le réducteur ou sur la turbomachine et couplée mécaniquement audit réducteur ou à un arbre de ladite turbomachine.
Selon un mode de réalisation, une première machine électrique haute tension est montée sur un corps basse pression de la turbomachine et couplée mécaniquement à un arbre dudit corps basse pression, une seconde machine électrique haute tension est montée sur un corps haute pression de la turbomachine et couplée mécaniquement à un arbre dudit corps haute pression, et une première machine électrique basse tension est couplée mécaniquement au réducteur.
Selon un autre mode de réalisation, le réseau haute tension comprend en outre un stockeur d’énergie électrique haute tension connecté au second bus électrique, de préférence par l’intermédiaire d’un dispositif de protection électrique.