INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
L’actionnement du levier 12 entraine la rotation du support de levier 22 et donc du cylindre à came 110 à l’intérieur du porte-modules 150.
Sur la , dans la position neutre, des protubérances de la face de contact 111 viennent en appui contre les organes de contact 102 d’au moins certains modules de contact 100a-j, lesquels n’envoient pas de consigne d’application d’une ou plusieurs fonctions de freinage, de dé-freinage ou autres.
Sur la , on voit des organes de contact 102 qui sont sollicités et qui se trouvent à des distances d1 et d2 de leur boîtier 101 respectif.
Sur la , dans la position de freinage, ces mêmes protubérances de la face de contact 111 s’écartent et relâchent les organes de contact 102 d’au moins certains modules de contact 100a-j, lesquels envoient au moins une consigne d’application d’un freinage et possiblement des consignes relatives à d’autres fonctions.
Sur la , on voit des organes de contact 102 qui ne sont plus sollicités et qui se trouvent à des distances d3 et d4, respectivement supérieures à d1 et d2, de leur boîtier 101 respectif.
Les figures, 10 à 12, en combinaison avec la , montrent une gamme de manipulateurs 4 qui se différencient par le nombre de modules de contact dont il dispose et donc le nombre de fonctions applicables par sélection des positions du levier 12.
Sur la , le manipulateur 4 est pourvu de dix modules de contact 100a-j.
Sur la , le manipulateur 4 est pourvu de huit modules de contact 100a-h, dont quatre modules de contact de chaque côté du porte-modules 150, lequel a une taille adaptée, tout comme l’organe de maintien 130 et le cylindre à came 110.
Avantageusement, des niveaux de priorité distincts sont associés aux différents types de contenus audiovisuels formant cette autre pluralité de contenus audiovisuels disponibles. Par exemple, lorsqu’aucun contenu audiovisuel en cours de diffusion ne peut être sélectionné, alors la sélection se fait parmi les contenus audiovisuels diffusés préalablement enregistrés. Si toutefois aucun contenu audiovisuel en cours de diffusion et enregistré ne peut être sélectionné, alors la sélection se fait parmi des contenus disponibles en rediffusion. Si aucun des contenus audiovisuels précédents ne peut être sélectionné, alors la sélection est mise en œuvre parmi les contenus audiovisuels disponibles à la demande. Autrement dit, les contenus audiovisuels parmi lesquels la sélection est mise en œuvre sont hiérarchisés selon des priorités de sélection différentes.
Selon un autre aspect particulier de l’invention, le contenu audiovisuel diffusé préalablement enregistré est supprimé de la mémoire lorsqu’au moins une condition de suppression est satisfaite, ladite au moins une condition de suppression appartenant à un groupe comprenant : - une période temporelle est écoulée ; - une capacité de stockage de la mémoire est atteinte ; - le contenu audiovisuel diffusé préalablement enregistré a été restitué par le terminal de l’utilisateur comme programme de la chaîne de télévision virtuelle.
Avantageusement, il est possible d’optimiser l’espace de stockage de la mémoire sur laquelle les contenus audiovisuels sont enregistrés, afin de permettre à la fois d’alimenter en continu la chaine virtuelle, et d’éviter de garder du contenu audiovisuel trop vieux, ou déjà visualisé par l’utilisateur.
L’invention concerne également un dispositif de génération d’une chaîne de télévision virtuelle pour un utilisateur d’un terminal configuré pour accéder à au moins un service de diffusion de contenus audiovisuels, lesdits contenus audiovisuels comprenant des contenus audiovisuels en cours de diffusion. Ce dispositif est configuré pour : - sélectionner, parmi une pluralité de contenus audiovisuels en cours de diffusion, et accessibles depuis le terminal de l’utilisateur par ledit au moins un service, un contenu audiovisuel en cours de diffusion, en fonction d’au moins un critère de sélection et d’informations descriptives associées auxdits contenus audiovisuels en cours de diffusion ; - lorsqu’aucun contenu audiovisuel en cours de diffusion n’est sélectionné, sélectionner, parmi au moins une autre pluralité de contenus audiovisuels, et accessibles depuis le terminal de l’utilisateur par ledit au moins un service, au moins un autre contenu audiovisuel, en fonction dudit au moins un critère de sélection et d’informations descriptives associées auxdits contenus audiovisuels; - sur réception d’une demande d’accès à ladite chaîne de télévision virtuelle en provenance dudit terminal de l’utilisateur, transmettre, en vue de sa restitution par le terminal de l’utilisateur comme programme de la chaîne virtuelle : (i) le contenu audiovisuel en cours de diffusion, lorsqu’un contenu audiovisuel en cours de diffusion a été sélectionné; et (ii) ledit au moins un autre contenu audiovisuel sinon.
Avantageusement, le dispositif est en outre configuré pour enregistrer le contenu audiovisuel en cours de diffusion sélectionné, dit contenu audiovisuel diffusé préalablement enregistré, dans une mémoire et en ce que ladite au moins une autre pluralité de contenus audiovisuels comprend le contenu audiovisuel diffusé préalablement enregistré.
Avantageusement, le dispositif est configuré pour obtenir au moins un critère de préférence dudit utilisateur, et ledit au moins un critère de sélection comprend ledit au moins un critère de préférence dudit utilisateur.
Avantageusement, le dispositif est configuré pour déterminer au moins une thématique, dite récurrente, à partir d’informations descriptives de contenus audiovisuels programmés dans au moins une grille de télévision sur une période temporelle donnée et d’un critère d’occurrence prédéterminé et ledit au moins un critère de sélection comprend ladite thématique récurrente.
L’invention concerne également un équipement de service impliqué dans la mise en œuvre d’au moins un service de diffusion de contenus audiovisuels à un utilisateur. Cet équipement de service comprend un dispositif de génération d’une chaîne de télévision virtuelle pour ledit utilisateur tel que décrit précédemment.
L’invention concerne également un produit programme d’ordinateur comprenant des instructions de code de programme pour la mise en œuvre d’un procédé tel que décrit précédemment, lorsqu’il est exécuté par un processeur.
L’invention vise également un support d’enregistrement lisible par un ordinateur sur lequel est enregistré un programme d’ordinateur comprenant des instructions de code de programme pour l’exécution des étapes du procédé de génération d’une chaîne de télévision virtuelle selon l’invention tel que décrit ci-dessus.
Alternativement, le support d'enregistrement peut être un circuit intégré dans lequel les programmes sont incorporés, le circuit étant adapté pour exécuter ou pour être utilisé dans l'exécution du procédé précité.
Selon un exemple de réalisation, la présente technique est mise en œuvre au moyen de composants logiciels et/ou matériels. Dans cette optique, le terme « module » peut correspondre aussi bien à un composant logiciel qu’à un composant matériel ou un ensemble de composants matériels et logiciels, un composant logiciel correspondant lui-même à un ou plusieurs programmes ou sous-programmes d’ordinateur ou de manière plus générale à tout élément d’un programme apte à mettre en œuvre une fonction ou un ensemble de fonctions.
Selon des exemples de modes de réalisation, la première couche III-N active comprend du nitrure de gallium, l'épaisseur de la première couche III-N active étant égale ou inférieure à 50 nm.
Préférablement, la première couche III-N active est obtenue par croissance épitaxiale et comprend du nitrure de gallium pur, préférablement une monocouche de nitrure de gallium.
Selon des exemples de modes de réalisation, la première couche III-N active comprend de l'InAlGaN, et la deuxième couche III-V active comprend de l'InAlGaN, et la deuxième couche III-N active comprend une bande interdite plus large qu’une bande interdite de la première couche III-N active et la deuxième couche III-N active comprend une polarisation supérieure à la polarisation de la première couche III-N active.
Ainsi, l'utilisation de matériaux différents dans la première couche III-N active et la deuxième couche III-N adjacente provoque une polarisation qui contribue à une région 2DEG conductrice à proximité de la jonction entre la première couche III-N active et la deuxième couche III-N active, en particulier dans la première couche III-N active qui comprend une bande interdite plus étroite que la bande interdite de la deuxième couche III-N active.
Selon des exemples de modes de réalisation, la deuxième couche III-N active comprend du nitrure d'indium-gallium-aluminium.
La deuxième couche III-N active présente par exemple une épaisseur comprise entre 10 et 100 nm, de préférence entre 20 et 50 nm. Une telle combinaison d'épaisseurs permet d'obtenir de bonnes caractéristiques pour la couche active, par exemple en ce qui concerne le 2DEG obtenu.
Selon des exemples de modes de réalisation, l'empilement de couches semi-conductrices III-N épitaxiales est conçu pour accueillir un canal électronique entre la région de source et la région de drain lorsqu'une tension de polarisation positive est appliquée au contact de grille.
Ainsi, une fois qu'une tension de polarisation supérieure à la tension de seuil du transistor à haute mobilité électronique est appliquée au contact de grille, des électrons circulent dans le canal électronique sous la grille entre la source et le drain du transistor à haute mobilité électronique.
Selon des exemples de modes de réalisation, le procédé comprend en outre les étapes consistant à : former un contact de source en contact avec la deuxième couche III-N active dans une région de source ; et former un contact de drain en contact avec la deuxième couche III-N active dans une région de drain.
Préférablement, le contact de source et/ou le contact de drain sont des contacts ohmiques respectivement formés dans une région de source et/ou dans une région de drain.
Les contacts de source et de drain sont des contacts ohmiques avec le 2DEG et peuvent être réalisés en déposant des empilements de métaux, comme par exemple Ti/Al/Ni/Au, Ti/Al/Mo/Au, Ti/Al/Ti/Au, Ti/Al/Ti/W, Ti/Al/W, Ti/Al/W/Cr, Ta/Al/Ta, V/Al/Ni/Au, etc., en contact avec la deuxième couche III-N active de l'empilement de couches semi-conductrices III-N épitaxiales. La deuxième couche III-N active peut être évidée avant le dépôt du métal. Les propriétés de contact peuvent être encore améliorées par recuit thermique, typiquement à une température comprise entre 800°C et 900°C, comme par exemple 850°C, dans une atmosphère d'azote ou une atmosphère de gaz de formage. En variante, des couches d'interconnexion métalliques supplémentaires sont définies à l'aide de procédés connus de l'homme du métier, pour permettre l'établissement de voies de courant de faible résistivité vis-à-vis des courants de grille, de source et de drain.
La formation d'un contact ohmique dans la région de source et la formation d'un contact ohmique dans la région de drain comprennent une pluralité d'étapes de traitement. À titre d'exemple, cela consiste à commencer par déposer une résine photosensible et à définir les zones respectives des contacts ohmiques respectifs par une étape de lithographie. Des couches de passivation potentielles sont ensuite partiellement ou totalement enlevées respectivement dans une région de source et/ou dans une région de drain. En variante, des couches de passivation potentielles sont entièrement enlevées dans une région de source et/ou dans une région de drain. Une fois que les zones des contacts ohmiques sont définies, c'est-à-dire lorsque la région de source et la région de drain ont été définies, une couche métallique ou un empilement de couches métalliques peut être déposé, par exemple par évaporation thermique, ou par pulvérisation, ou par évaporation par faisceau d'électrons. Des motifs métalliques sont définis consécutivement par réalisation d'un décollement du métal, sur le dessus de la résine photosensible et sans contact avec la deuxième couche III-N active. En variante, la résine photosensible est d'abord enlevée et l'empilement métallique comprenant par exemple du Ti et de l'Al est déposé, puis une deuxième étape de dépôt de résine photosensible et de photolithographie est réalisée pour pouvoir graver à sec l'empilement métallique dans des zones où celui-ci est indésirable et enlever la résine photosensible. Les contacts ohmiques définis peuvent ensuite être soumis à une ou plusieurs étapes d'alliage, par exemple à une étape de recuit thermique rapide pendant une durée d'une minute dans une atmosphère réduite ou inerte, comme par exemple de l'hydrogène ou du gaz de formage ou de l'azote gazeux, à une température par exemple comprise entre 800°C et 900°C.
Selon des exemples de modes de réalisation, le procédé comprend en outre les étapes consistant à : graver l'empilement de couches semi-conductrices III-N épitaxiales dans une ou plusieurs régions ; dans la ou les régions, former un ou plusieurs évidements s'étendant à travers la couche superficielle supérieure au moins en partie jusque dans le substrat cible, dans lequel le ou les évidements ne sont pas positionnés entre la région de grille et la région de source ou entre la région de grille et la région de drain, pour ainsi définir une ou plusieurs régions d'isolation électrique ; fournir une couche diélectrique dans un ou plusieurs des évidements ; et former un contact dans la ou les régions d'isolation électrique sur le dessus de la couche diélectrique, pour ainsi former une ou plusieurs isolations électriques.
Le ou les évidements s'étendant à travers la couche superficielle supérieure au moins en partie jusque dans le substrat cible peuvent par exemple s'étendre à travers le tampon III-N et au moins en partie à travers le substrat cible. À titre d'exemple, cela permet la combinaison entre un substrat cible SOI et la gravure en tranchée profonde des isolations électriques décrites ci-dessus afin de créer des îlots isolés électriquement avec une polarisation variable du substrat.
Selon des exemples de modes de réalisation, le procédé comprend en outre les étapes consistant à fournir un empilement de passivation sur le dessus de la deuxième couche III-N active.
La fourniture de l'empilement de passivation sur le dessus dudit empilement de couches semi-conductrices III-N épitaxiales correspond à la croissance épitaxiale de l'empilement de passivation sur le dessus de l'empilement de couches semi-conductrices III-N épitaxiales.
Le rayon de la soufflante peut être mesuré entre la ligne centrale du moteur et l'extrémité d'une aube de soufflante au niveau de son bord d'attaque. Le diamètre de soufflante (qui peut simplement être le double du rayon de la soufflante) peut être supérieur à (ou de l'ordre de) un quelconque nombre parmi : 140 cm, 170 cm, 180 cm, 190 cm, 200 cm, 210 cm, 220 cm, 230 cm, 240 cm, 250 cm (environ 100 pouces), 260 cm, 270 cm (environ 105 pouces), 280 cm (environ 110 pouces), 290 cm (environ 115 pouces), 300 cm (environ 120 pouces), 310 cm, 320 cm (environ 125 pouces), 330 cm (environ 130 pouces), 340 cm (environ 135 pouces), 350 cm, 360 cm (environ 140 pouces), 370 cm (environ 145 pouces), 380 (environ 150 pouces) cm, 390 cm (environ 155 pouces), 400 cm, 410 cm (environ 160 pouces) ou 420 cm (environ 165 pouces). Le diamètre de soufflante peut être dans une plage inclusive délimitée par deux quelconques des valeurs de la phrase précédente (c'est-à-dire que les valeurs peuvent former des limites supérieures ou inférieures), par exemple dans la plage de 240 cm à 280 cm ou 330 cm à 380 cm. Strictement à titre d'exemple non limitatif, le diamètre de soufflante peut être dans la plage de 170 cm à 180 cm, 190 cm à 200 cm, 200 cm à 210 cm, 210 cm à 230 cm, 290 cm à 300 cm ou 340 cm à 360 cm.
La vitesse de rotation de la soufflante peut varier lors de l'utilisation. Généralement, la vitesse de rotation est plus faible pour des soufflantes de plus grand diamètre. Strictement à titre d'exemple non limitatif, la vitesse de rotation de la soufflante dans des conditions de régime de croisière peut être inférieure à 3 500 tr/min, par exemple inférieure à 2 500 tr/min, par exemple inférieure à 2 300 tr/min. Strictement à titre d'exemple non limitatif supplémentaire, la vitesse de rotation de la soufflante dans des conditions de régime de croisière pour un moteur à turbine à gaz « à engrenages » ayant un diamètre de soufflante dans la plage de 200 cm à 210 cm peut être dans la plage de 2 750 à 2 900 tr/min. Strictement à titre d'exemple non limitatif supplémentaire, la vitesse de rotation de la soufflante dans des conditions de régime de croisière pour un moteur à turbine à gaz « à engrenages » ayant un diamètre de soufflante dans la plage de 210 cm à 230 cm peut être dans la plage de 2 500 à 2 800 tr/min. Strictement à titre d'exemple non limitatif supplémentaire, la vitesse de rotation de la soufflante dans des conditions de régime de croisière pour un moteur à turbine à gaz « à engrenages » ayant un diamètre de soufflante dans la plage de 340 cm à 360 cm peut être dans la plage de 1 500 à 1 800 tr/min. Strictement à titre d'exemple non limitatif supplémentaire, la vitesse de rotation de la soufflante dans des conditions de régime de croisière pour un moteur à entraînement direct ayant un diamètre de soufflante dans la plage de 190 cm à 200 cm peut être dans la plage de 3 600 à 3 900 tr/min. Strictement à titre d'exemple non limitatif supplémentaire, la vitesse de rotation de la soufflante dans des conditions de régime de croisière pour un moteur à entraînement direct ayant un diamètre de soufflante dans la plage de 300 cm à 340 cm peut être dans la plage de 2 000 à 2 800 tr/min.
Lors de l'utilisation du moteur à turbine à gaz, la soufflante (avec des aubes de soufflante associées) tourne autour d'un axe de rotation. Cette rotation entraîne le déplacement de l'extrémité de l'aube de soufflante avec une vitesse U tip . Le travail réalisé par les aubes de soufflante 23 sur le flux conduit à une élévation d'enthalpie dH du flux. Le chargement d'une extrémité de soufflante peut être défini comme étant dH/U tip 2 , où dH est l'élévation d'enthalpie (par exemple l'élévation d'enthalpie moyenne 1-D) sur la soufflante et U tip est la vitesse (translationnelle) de l'extrémité de soufflante, par exemple au niveau du bord d'attaque de l'extrémité (qui peut être définie comme étant le rayon d'extrémité de soufflante au niveau du bord d'attaque multiplié par la vitesse angulaire). Le chargement d'extrémité de soufflante dans des conditions de régime de croisière peut être supérieur à (ou de l'ordre de) l'un quelconque nombre parmi : 0,28, 0,29, 0,30, 0,31, 0,32, 0,33, 0,34, 0,35, 0,36, 0,37, 0,38, 0,39 ou 0,4 (toutes les valeurs étant sans dimension). Le chargement d'extrémité de soufflante peut être dans une plage inclusive délimitée par deux quelconques des valeurs de la phrase précédente (c'est-à-dire que les valeurs peuvent former des limites supérieures ou inférieures), par exemple dans la plage de 0,28 à 0,31, ou 0,29 à 0,3 (par exemple pour un moteur à turbine à gaz à engrenages).
Des moteurs à turbine à gaz selon la présente invention peuvent avoir n'importe quel taux de dilution souhaité, où le taux de dilution est défini comme étant le rapport du débit massique du flux à travers le conduit de dérivation au débit massique du flux à travers le noyau dans des conditions de régime de croisière. Dans certains agencements le taux de dilution peut être supérieur à (ou de l'ordre de) un quelconque nombre parmi : 9. 9,5, 10, 10,5, 11, 11,5, 12, 12,5, 13, 13,5, 14, 14,5, 15, 15,5, 16, 16,5, 17, 17,5, 18, 18,5, 19, 19,5 ou 20. Le taux de dilution peut être dans une plage inclusive délimitée par deux quelconques des valeurs de la phrase précédente (c'est-à-dire que les valeurs peuvent former des limites supérieures ou inférieures), par exemple dans la plage de 12 à 16, 13 à 15, ou 13 à 14. Strictement à titre d'exemple non limitatif, le taux de dilution d'un moteur à turbine à gaz à entraînement direct selon la présente description peut être dans la plage de 9:1 à 11:1. Strictement à titre d'exemple non limitatif, le taux de dilution d'un moteur à turbine à gaz à engrenage selon la présente description peut être dans la plage de 12:1 à 15:1. Le conduit de dérivation peut être sensiblement annulaire. Le conduit de dérivation peut être radialement à l'extérieur du moteur de base. La surface radialement externe du conduit de dérivation peut être définie par une nacelle et/ou un carter de soufflante.
Le rapport de pression global d'un moteur à turbine à gaz tel que décrit et/ou revendiqué ici peut être défini comme étant le rapport de la pression de stagnation à la sortie du compresseur à la plus haute pression (avant entrée dans la chambre de combustion) à la pression de stagnation en amont de la soufflante. À titre d'exemple non limitatif, le rapport de pression global d'un moteur à turbine à gaz tel que décrit et/ou revendiqué ici en régime de croisière peut être supérieur à (ou de l'ordre de) un quelconque nombre parmi : 35, 40, 45, 50, 55, 60, 65, 70, 75. Le rapport de pression global peut être dans une plage inclusive délimitée par deux quelconques des valeurs de la phrase précédente (c'est-à-dire que les valeurs peuvent former des limites supérieures ou inférieures), par exemple dans la plage de 50 à 70. Strictement à titre d'exemple non limitatif, le rapport de pression global dans des conditions de régime de croisière d'un moteur à turbine à gaz à engrenages ayant un diamètre de soufflante dans la plage de 200 cm à 210 cm peut être dans la plage de 40 à 45. Strictement à titre d'exemple non limitatif, le rapport de pression global dans des conditions de régime de croisière d'un moteur à turbine à gaz à engrenages ayant un diamètre de soufflante dans la plage de 210 cm à 230 cm peut être dans la plage de 45 à 55. Strictement à titre d'exemple non limitatif, le rapport de pression global dans des conditions de régime de croisière d'un moteur à turbine à gaz à engrenages ayant un diamètre de soufflante dans la plage de 340 cm à 360 cm peut être dans la plage de 50 à 60. Strictement à titre d'exemple non limitatif, le rapport de pression global dans des conditions de régime de croisière d'un moteur à turbine à gaz à entraînement direct ayant un diamètre de soufflante dans la plage de 300 cm à 340 cm peut être dans la plage de 50 à 60.