Procédé d’accélération d’électrons par interaction laser-plasma dans lequel au moins une impulsion laser (IL0) est dirigée sur une surface (SS) d’une cible à l’état condensé (CS), ladite surface étant recouverte d’une couche de gaz (CG), l’intensité de ladite au moins une impulsion étant suffisante pour : - dans une étape A, générer, à partir de la cible à l’état condensé, un plasma dense (MP) ; - dans une étape B, après réflexion par le plasma dense, générer un sillage laser (WF) dans la couche de gaz ; - dans une étape C, chauffer les électrons dudit plasma dense à une énergie telle qu’un paquet (EB) desdits électrons soit injecté dans ledit sillage pour y être accéléré, ladite impulsion, ou au moins l’impulsion destinée à être réfléchie par le plasma dense et à chauffer les électrons de ce dernier, étant en incidence oblique en polarisation s sur ladite cible. Procédé selon la revendication précédente, dans lequel : la génération du plasma dense en étape A est induite par une desdites au moins une impulsion laser dite pré-impulsion (IL1), les étapes B et C sont induites par une desdites au moins une impulsion laser dite impulsion principale (IL2), dans l’étape B, ladite impulsion principale est superposée spatialement à la pre-impulsion et présente un retard temporel par rapport à la pre-impulsion. Procédé selon la revendication précédente, dans lequel ledit retard temporel est suffisament faible pour qu’une longueur d'échelle du gradient (L) du plasma dense soit inférieure à une longueur d’onde ( ) de l’impulsion principale. Procédé selon la revendication précédente, dans lequel ledit retard temporel est compris entre et . Procédé selon l’une quelconque des revendications 2 à 4, comprenant une étape de réglage dudit retard temporel de manière à optimiser une charge dudit paquet d’électron injecté dans ledit sillage. Procédé selon l’une quelconque des revendications 2 à 5, dans laquelle, dans l’étape A, l’intensité de la pre-impulsion est supérieure à sur ladite surface et dans laquelle, dans l’étape B, l’intensité de l’impulsion principale est supérieure à après réflexion par ledit plasma dense. Procédé selon l’une quelconque des revendications 2 à 6, comprenant une étape préalable aux étapes A et B de génération de la pre-impulsion et de l’impulsion principale à partir d’une même impulsion laser dite initiale. Procédé selon l’une quelconque des revendications 2 à 7, comprenant une étape préalable aux étapes A et B, d’augmentation du contraste temporel de l’impulsion principale par réflexion sur un ou plusieurs miroirs plasmas additionnels. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel une pression moyenne dans la couche de gaz est comprise entre 0.1 atm et 200 atm, préférentiellement comprise entre 0.5 atm et 50 atm Système d’accélération d’électrons par interaction laser-plasma (1) comprenant : une cible à l’état condensé (CS) recouverte d’une couche de gaz (CG), un système laser (SL) adapté pour générer au moins une impulsion laser (IL0) un système optique (SO) adapté pour diriger ladite au moins une impulsion laser sur une surface (SS) de la cible à l’état condensé le système laser et le système optique étant en outre configurés de telle sorte que l’intensité de ladite au moins une impulsion soit suffisante pour : générer, à partir de la cible à l’état condensé, un plasma dense (MP) ; après réflexion par le plasma dense, générer un sillage (WF) dans la couche de gaz ; chauffer les électrons dudit plasma dense à une énergie telle qu’un paquet (EB) desdits électrons soit injecté dans ledit sillage pour y être accéléré, le système optique étant en outre adapté pour que ladite impulsion, ou au moins l’impulsion (IL2), destinée à être réfléchie par le plasma dense et à chauffer les électrons de ce dernier, soit en incidence oblique en polarisation s sur ladite cible. Système selon la revendication précédente, dans lequel le système laser et le système optique sont configurés pour : Générer une première dite impulsion, dite pré-impulsion (IL1), et la diriger vers la cible pour générer ledit plasma dense, Générer une seconde dite impulsion (IL2), dite impulsion principale, et la diriger vers la cible pour générer ledit sillage dans la couche de gaz et induire ledit chauffage des électrons dudit plasma dense, ladite impulsion principale, lors de sa réflexion par le plasma dense, étant superposée spatialement à la pre-impulsion. Système selon la revendication précédente, dans lequel ledit système laser est adapté pour que le contraste temporel de la l’impulsion principale soit supérieur à , préférentiellement supérieur à . Système selon l’une quelconque des revendications 10 à 11, comprenant un bec de gaz (GN) relié à un réservoir de gaz, le bec de gaz étant adapté pour délivrer un jet de gaz (GJ) configuré pour former la couche de gaz, Système selon la revendication précédente, comprenant une cellule de gaz scellée ou partiellement scellée par la cible, le bec de gaz étant adapté pour délivrer le jet de gaz dans la cellule de gaz. Système selon l’une quelconque des revendications 12 à 14, dans lequel ladite cible est formée par une portion de ruban qui se déroule d’une bobine (BR), ledit système comprenant un ensemble moteur (MT) adapté pour dérouler ledit ruban dans la cellule. Système selon l’une quelconque des revendications 12 à 15, dans lequel le réservoir de gaz comprend de l’hélium et/ou de l’hydrogène et/ou de l’azote. Système selon l’une quelconque des revendications 12 à 16, dans lequel le bec de gaz est adapté pour qu’une pression moyenne dans la couche de gaz soit comprise entre 0.1 atm et 200 atm, préférentiellement comprise entre 0.5 atm et 50 atm.