Procédé de fabrication d'un transistor à haute mobilité électronique (1), ledit procédé comprenant les étapes consistant à : - fournir une tranche cible (10) comprenant un substrat cible (100) ; - fournir une tranche donneuse (20), dans lequel ladite fourniture de ladite tranche donneuse (20) comprend : la fourniture d’un substrat sacrificiel (200) ; la formation d’un film donneur (21) sur le dessus dudit substrat sacrificiel (200) ; dans lequel ledit film donneur (21) comprend une première couche III-N donneuse (201) ; - coller ledit film donneur (21) à ladite tranche cible (10) ; - séparer ladite tranche donneuse (20) et ladite tranche cible (10) par division de ladite première couche III-N donneuse (201), pour ainsi former sur ladite tranche cible (10) une couche superficielle supérieure (221) comprenant au moins en partie ladite première couche III-N donneuse (201) collée sur ladite tranche cible (10), dans lequel une épaisseur de ladite couche superficielle supérieure (221) est égale ou inférieure à 200 nm ; - former par croissance épitaxiale un empilement (300) de couches semi-conductrices III-N épitaxiales sur le dessus de ladite couche superficielle supérieure (221), dans lequel ledit empilement (300) de couches semi-conductrices III-N épitaxiales comprend : une première couche III-N active (31) ; une deuxième couche III-N active (32) sur le dessus de ladite première couche III-N active (31) ; avec un gaz d'Electrons bidimensionnel (33) entre ladite première couche III-N active (31) et ladite deuxième couche III-N active (32) ; - former un contact de grille (41) en contact avec ladite deuxième couche III-N active (32) dans une région de grille (401) ; et - former un contact galvanique de substrat (42) en contact avec ledit substrat cible (100). Procédé selon la revendication 1, dans lequel ladite fourniture de ladite tranche cible (10) comprend en outre la fourniture d’une couche diélectrique cible (101) sur le dessus dudit substrat cible (100), dans lequel une épaisseur de ladite couche diélectrique cible (101) est égale ou inférieure à 50 nm. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel ladite formation dudit film donneur (21) comprend en outre la formation d’une couche diélectrique donneuse (202) sur le dessus de ladite première couche III-N donneuse (201), dans lequel l'épaisseur de ladite couche diélectrique donneuse (202) est égale ou inférieure à 10 nm. Procédé selon les revendications 2 et 3, dans lequel ledit collage dudit film donneur (21) sur ladite tranche cible (10) correspond au collage de ladite couche diélectrique donneuse (202) sur ladite couche diélectrique cible (101), pour ainsi former un empilement de couches diélectriques (22) comprenant ladite couche diélectrique cible (101) et ladite couche diélectrique donneuse (202). Procédé selon la revendication 3 ou 4, dans lequel la formation dudit film donneur (21) comprend en outre la fourniture d’une deuxième couche épitaxiale III-N donneuse (203) entre ladite première couche III-N donneuse (201) et ladite couche diélectrique donneuse (202) ; et dans lequel l'épaisseur de ladite deuxième couche épitaxiale III-N donneuse (203) est égale ou inférieure à 10 nm. Procédé selon la revendication 5, dans lequel ladite fourniture de ladite deuxième couche épitaxiale III-N donneuse (203) correspond à la formation, sur ladite tranche donneuse (20) et entre ladite première couche III-N donneuse (201) et ladite couche diélectrique donneuse (202), d'une deuxième couche épitaxiale III-N donneuse (203) formée par croissance épitaxiale en tant que couche à polarité N. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel ladite formation dudit film donneur (21) comprend la formation par croissance épitaxiale de ladite première couche III-N donneuse (201), et dans lequel ladite croissance épitaxiale de ladite première couche III-N donneuse (201) correspond à la croissance épitaxiale d'une première section (211) et d'une deuxième section (212) de ladite première couche III-N donneuse (201) et à la croissance épitaxiale d'une troisième couche épitaxiale III-N donneuse (205) entre ladite première section (211) et ladite deuxième section (212) de ladite première couche III-N donneuse (201) ; et dans lequel ladite tranche donneuse (20) et ladite tranche cible (10) sont séparées par division de ladite première section (211) de ladite première couche III-N donneuse (201). Procédé selon la revendication 7, dans lequel ladite troisième couche épitaxiale III-N donneuse (205) comprend du nitrure d'aluminium. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel ladite formation dudit film donneur (21) comprend la formation par croissance épitaxiale de ladite première couche III-N donneuse (201), et dans lequel ladite croissance épitaxiale de ladite première couche III-N donneuse (201) correspond à la croissance épitaxiale de ladite première couche III-N donneuse (201) en tant que couche à polarité N. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel ladite formation dudit film donneur (21) comprend la fourniture de ladite première couche III-N donneuse (201), et dans lequel le procédé comprend en outre les étapes consistant à : fournir une tranche donneuse temporaire (30) comprenant une première couche III-N donneuse temporaire (401) ; coller ladite première couche III-N donneuse temporaire (401) à ladite tranche donneuse (20) ; séparer ladite tranche temporaire (30) et ladite tranche donneuse (20) par division de ladite première couche III-N donneuse temporaire (401), pour ainsi former sur ladite tranche donneuse (20) ladite première couche III-N donneuse (201) comprenant au moins en partie ladite première couche III-N donneuse temporaire (401) collée sur ladite tranche donneuse (20). Procédé selon la revendication 10, dans lequel ladite fourniture d'une tranche temporaire (30) correspond à : fournir un substrat sacrificiel temporaire (400) ; et former par croissance épitaxiale ladite première couche III-N donneuse temporaire (401) sur le dessus dudit substrat sacrificiel temporaire (400) ; ou dans lequel ladite fourniture d'une tranche temporaire (30) correspond à la croissance de ladite première couche III-N donneuse temporaire (401) en tant que couche III-N massive à polarité Ga et ledit collage de ladite première couche III-N donneuse temporaire (401) à ladite tranche donneuse (20) correspond au pavage dudit substrat sacrificiel (200) avec une ou plusieurs tranches temporaires (30) par collage desdites premières couches III-N donneuses temporaires (401) desdites tranches temporaires (30) à ladite tranche donneuse (20). Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel ledit procédé comprend en outre les étapes consistant à : former un contact de source (43) en contact avec ladite deuxième couche III-N active (32) dans une région de source (403) ; et former un contact de drain (44) en contact avec ladite deuxième couche III-N active (32) dans une région de drain (404). Procédé selon la revendication 12, dans lequel ledit procédé comprend en outre les étapes consistant à : graver ledit empilement de couches semi-conductrices III-N épitaxiales (300) dans une ou plusieurs régions ; dans lesdites une ou plusieurs régions, former un ou plusieurs évidements (500) s'étendant à travers ladite couche superficielle supérieure (221) au moins en partie jusque dans ledit substrat cible (100), dans lequel lesdits un ou plusieurs évidements (500) ne sont pas positionnés entre ladite région de grille (401) et ladite région de source (403) ou entre ladite région de grille (401) et ladite région de drain (404), pour ainsi définir une ou plusieurs régions d'isolation électrique ; fournir une couche diélectrique (501) dans un ou plusieurs desdits évidements (500) ; et former un contact (502) dans lesdites une ou plusieurs régions d'isolation électrique sur le dessus de ladite couche diélectrique (501), pour ainsi former une ou plusieurs isolations électriques. Transistor à haute mobilité électronique (1) comprenant : un substrat cible (100) ; une couche superficielle supérieure (221) sur le dessus dudit substrat cible (100) ; dans lequel une épaisseur de ladite couche superficielle supérieure (221) est inférieure à 200 nm ; un empilement de couches semi-conductrices III-N épitaxiales (300) sur le dessus de ladite couche superficielle supérieure (221), dans lequel ledit empilement de couches semi-conductrices III-N épitaxiales (300) comprend : une première couche III-N active (31) ; une deuxième couche III-N active (32) sur le dessus de ladite première couche III-N active (31) ; avec un gaz d'Electrons bidimensionnel (33) entre ladite première couche III-N active (31) et ladite deuxième couche III-N active (32) ; un contact de grille (41) en contact avec ladite deuxième couche III-N active dans une région de grille (401) ; et un contact galvanique de substrat (42) en contact avec ledit substrat cible (100). Transistor à haute mobilité électronique selon la revendication 14, dans lequel ledit transistor à haute mobilité électronique (1) comprend en outre un empilement de couches diélectriques (22) formé entre ledit substrat cible (100) et ladite couche superficielle supérieure (221) ; et dans lequel une épaisseur dudit empilement de couches diélectriques (22) est égale ou inférieure à 60 nm.