Tampon de polissage adapté au polissage d’au moins un substrat parmi les substrats semi-conducteurs, optiques, magnétiques ou électromécaniques comprenant : une couche de polissage comprenant une polyurée ayant une phase molle et une phase dure, la phase molle étant un copolymère d'espèces aliphatiques exemptes de fluor et d'une espèce aliphatique fluorée, la polyurée étant durcie avec un agent de durcissement où la phase dure comprend une cristallinité où la polyurée est caractérisée par un point de fusion d'au moins 230°C et une ΔH f d'au moins 3, Joules/gramme tel que déterminé par calorimétrie différentielle à balayage de la polyurée. Le tampon selon la revendication 1, dans lequel la polyurée de la couche de polissage forme une matrice et la couche de polissage comprend en outre des micro-éléments polymères remplis de gaz ou de liquide dispersés dans la matrice. Le tampon de polissage selon la revendication 1 ou 2, dans lequel l'agent de durcissement comprend un agent de durcissement de formule I : (Formule I) où, R 1 , R 2 et R 3 sont choisis parmi un atome d’hydrogène H, un halogène et des groupes alkyles de 1 à 3, à la condition qu'au moins un des R 1 , R 2 et R 3 , soit un groupe alkyle de 1 à 3 atomes de carbone, et qu'il n'y ait pas plus d'un halogène par noyau aromatique. Le tampon de polissage selon la revendication 3, dans lequel l’agent de durcissement de formule I est la 4,4'-méthylène-bis-(3-chloro-2,6-diéthylaniline). Le tampon de polissage selon la revendication 3, dans lequel l'agent de durcissement comprend en outre un ou plusieurs agents de durcissement supplémentaires choisis parmi la diéthyltoluène-diamine (DETDA) ; la 3,5-diméthylthio-2,4-toluène-diamine et ses isomères ; la 3,5-diéthyltoluène-2,4-diamine et ses isomères par exemple, la 3,5-diéthyltoluène-2,4-diamine et ses isomères ; la 3,5-diéthyltoluène-2,6-diamine) ; le 4,4'-bis-(sec-butylamino) diphénylméthane ; le 1,4-bis-(sec-butylamino)-benzène, le 4,4'-méthylène-bis-(2-chloroaniline) polytétraméthylèneoxy de-di-p-aminobenzoate ; le N,N-dialkyl diamino diphényl méthane ; la p,p'-méthylène dianiline (MDA) ; la m-phénylènediamine (MPDA) ; la 4,4'-méthylène-bis(2-chloroaniline) (MBOCA) ; la 4,4'-méthylène-bis-(2,6-diéthylaniline) (MDEA) ; la 4,4'-méthylène-bis-(2,3-dichloroaniline) (MDCA) ; le 4,4'-diamino-3,3'-diéthyl-5,5'-diméthyl diphénylméthane, 2,2',3,3-tétrachloro diamino diphénylméthane ; le triméthylène glycol di-p-aminobenzoate. Le tampon de polissage selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le copolymère de la phase molle a une structure contenant un oxyde d'alkylène fluoré et un oxyde d'alkylène non fluoré, dans lequel le rapport molaire entre l'oxyde d'alkylène fluoré et l'oxyde d'alkylène non fluoré est inférieur à 3. Le tampon de polissage selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel l'espèce aliphatique exempte de fluor est un éther de polytétraméthylène et dans lequel la phase dure comprend le produit de réaction de segments durs de diisocyanate et d'un agent de durcissement. Le tampon de polissage selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la couche de polissage a une surface de polissage comprenant une macrotexture. Le tampon de polissage selon la revendication 1 dans lequel le taux de retrait à 120 rotations par minute (RPM) à la pression de 345 hPa est le même ou plus élevé que le taux de retrait à 275 hPa. Le tampon de polissage selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel la couche de polissage reste hydrophile pendant le polissage dans des conditions de cisaillement.