INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Ainsi, il existe un besoin d’identifier un biomarqueur permettant d’éviter ou de réduire l’exposition aux antibiotiques chez des nouveau-nés.
L’interleukine 10 (IL-10), une cytokine anti-inflammatoire jouant également un rôle comme facteur immuno-régulateur a été étudiée comme biomarqueur de diagnostic du sepsis néonatal, sans pour autant présenter de résultats significatifs pour la prise de décision médicale. Seules des études de petites échelles ou des analyses rétrospectives ont été réalisées pour évaluer les performances de l’IL-10 comme biomarqueur pour diagnostiquer le sepsis néonatal (Wang et al. Pediatr Crit Care Med. 2021. 22(9) :e492-e501 ; Zeitoun AA et al. Scand J Infect Dis. 2010 Apr;42(4):299-305 ; Sherwin et al. Am J Perinatol, 2008 Nov;25(10):629-36). Ainsi, des études rigoureuses à plus grandes échelles sont nécessaires afin d’évaluer précisément l’efficacité de ce biomarqueur pour son utilisation clinique afin de minimiser la mise en œuvre des antibiotiques.
Une diode électroluminescente 100 selon un mode de réalisation particulier est décrite ci-dessous en lien avec la qui représente une vue en coupe de cette diode 100.
La diode 100 comporte une première électrode 102 ainsi qu’une première couche 104 de semi-conducteur dopé selon un premier type de conductivité. La première couche 104 comprend une première face 106 disposée du côté de la première électrode 102.
Dans l’exemple de réalisation décrit ici, le premier type de conductivité correspond au type p. Ainsi, la première électrode 102 correspond à l’anode de la diode 100. En outre, selon cet exemple de réalisation, la première électrode 102 peut comporter au moins l’un des matériaux suivants : Ti, Ag, Cr, Al, TiN, W, Cu, Au, ITO (oxyde d’indium et d’étain). La première électrode 102 peut comporter une épaisseur comprise entre 10nm et 2µm. De plus, dans cet exemple de réalisation, la première couche 104 comporte du GaN, ou plus généralement n’importe quel semi-conducteur III-V tel que de l’InGaN, de l’AlGaN, de l’InAlGaN, du GaAs, du GaP, etc. La première couche 104 peut comporter une épaisseur comprise entre par exemple 50 et 300 nm s’il s’agit de GaN dopé de type P. Le niveau de dopage du semi-conducteur de la première couche 104 est par exemple compris entre 1 e 17 et 5 e 21 atomes/cm 3 .
La diode 100 comporte également une deuxième couche 108 de semi-conducteur dopé selon un deuxième type de conductivité, opposé au premier type de conductivité, c’est-à-dire de type n dans cet exemple de réalisation. En outre, selon cet exemple de réalisation, la deuxième couche 108 comporte du GaN, ou plus généralement n’importe quel semi-conducteur III-V tel que l’un de ceux précédemment mentionnés pour la première couche 104. Le semi-conducteur de la deuxième couche 108 peut être similaire ou non à celui de la première couche 104. La deuxième couche 108 peut comporter une épaisseur comprise entre 200 nm et 20 µm. Le niveau de dopage du semi-conducteur de la deuxième couche 108 est par exemple compris entre 1 e 17 et 5 e 21 atomes/cm 3 .
La diode 100 comporte également, entre une deuxième face 110, opposée à la première face 106, de la première couche 104 et une première face 112 de la deuxième couche 108, une région 114 de recombinaison radiative de porteurs de charge électrique des premier et deuxième types de conductivité. Dans l’exemple de réalisation décrit ici, cette région 114 comporte un ou plusieurs puits quantiques chacun formé par au moins une couche émissive semi-conductrice non dopée disposée entre au moins deux couches barrières semi-conductrices. Les couches formant la région 114 comporte du semi-conducteur III-V. Par exemple, les couches barrière peuvent comporter du GaN, et les couches émissives peuvent comporter de l’InGaN.
Dans l’exemple de réalisation décrit ici, la diode 100 comporte également une couche 116 de blocage d’électrons disposée entre la région 114 et la première couche 104 (et contre la deuxième face 110 de la première couche 104) et comprenant un semi-conducteur, ici de type III-V, dopé selon le même type de conductivité que la première couche 104 (type p dans l’exemple de réalisation décrit ici) et dont le gap est supérieur à celui du semi-conducteur de la première couche 104. Par exemple, lorsque la première couche 104 comporte du GaN dopé p, la couche 116 de blocage d’électrons peut comporter de l’AlGaN dopé p ou de l’InAlGaN dopé p.
Selon une première variante, que la diode 100 comporte ou non la couche 116 de blocage d’électrons (ou de trous), il est possible que la diode 100 comporte une couche de semi-conducteur non dopé (non visible sur la ) disposée entre la région 114 et la deuxième couche 108 (et contre la première face 112 de la deuxième couche 108) et configurée pour former une barrière de diffusion de dopants électriques. Cette barrière de diffusion peut comporter un semi-conducteur III-V, par exemple similaire à celui de la deuxième couche 108 (du GaN dans l’exemple de réalisation décrit ici).
Selon une deuxième variante, il est possible que la diode 100 ne comporte ni la couche 116 de blocage d’électrons ou de trous, ni la couche formant une barrière de diffusion de dopants.
Selon une troisième variante compatible avec les première et deuxième variantes exposées ci-dessus, il est possible que la région 114 ne comporte pas de puits quantique, mais corresponde simplement à l’interface entre la deuxième face 110 de la première couche 104 et la première face 112 de la deuxième couche 108.
La diode 100 comporte également une troisième couche 118 de semi-conducteur dopé selon le deuxième type de conductivité. Le semi-conducteur de la troisième couche 118 est par exemple similaire à celui de la deuxième couche 108, autant en termes de composition atomique (GaN dans l’exemple décrit ici) que de niveau de dopage.
La diode 100 comporte également une quatrième couche 120 de semi-conducteur disposée entre une deuxième face 122, opposée à la première face 112, de la deuxième couche 108 et la troisième couche 118.
La diode 100 comporte également une deuxième électrode 124 disposée contre au moins une partie d’au moins une face latérale 126 de la troisième couche 118 et contre une partie seulement d’au moins une face latérale 128 de la quatrième couche 120. De manière avantageuse, la deuxième électrode 124 forme une couronne entourant latéralement la troisième couche 118 sur la totalité de son épaisseur (sur la , l’épaisseur totale de la troisième couche 118 est appelée e 118 ) et entourant latéralement la quatrième couche 120 sur seulement une partie de son épaisseur (sur la , l’épaisseur totale de la quatrième couche 120 est appelée e 120 , et celle de la partie de la quatrième couche 120 entourée par la deuxième électrode 124 est appelée e 120_1 ). L’épaisseur de la deuxième électrode 124, appelée e 124 sur la , est égale à la somme de l’épaisseur totale de la troisième couche 118 et de l’épaisseur de la partie de la quatrième couche 120 entourée par la deuxième électrode 124 (e 124 = e 118 + e 120_1 , avec e 120_1 120 ). Sur la , les épaisseurs correspondent aux dimensions parallèles à l’axe Z, et sont ici perpendiculaires aux faces 106, 110, 112 et 122 des couches de l’empilement réalisé.
Dans la diode 100, les deuxième, troisième et quatrième couches 108, 118, 120 forment ensemble la couche de transport de charges électriques selon le deuxième type de conductivité de la diode 100.
Le semi-conducteur de la quatrième couche 120 forme, par rapport au semi-conducteur de la troisième couche 118, une barrière énergétique d’au moins 100 meV s’opposant à la circulation des porteurs de charge électrique selon le deuxième type de conductivité depuis la troisième couche 118 vers la quatrième couche 120. Cette barrière énergétique a pour conséquence d’induire une différence de barrière énergétique entre la deuxième électrode 124 et la troisième couche 118 et entre la troisième couche 118 et la quatrième couche 120. L’injection de porteurs électriques étant alors défavorisée à l’interface entre l’électrode 124 et la troisième couche 118 en comparaison de celle à l’interface entre l’électrode 124 et la quatrième couche 120.
Dans une première phase, le réacteur est chargé avec l’huile de paraffine Isane Biolife 78 (10,00kg) et le polyéthylèneglycol monooléate (800 g) et le mélange est agité à une vitesse de 1200 rpm pendant 5 min à la température de 25°C.
Une deuxième phase consiste à ajouter l’agent antimousse DC62 (0,03kg) ou BYK-1630 (0,04kg). Le milieu est agité à une vitesse de 1000 rpm pendant 8 min à 25°C.
Une troisième phase consiste en l’ajout de la suspension de microcapsules (606g) préparée selon l’exemple 2. La suspension est additionnée via la pompe de recirculation fonctionnant à 1200 rpm et le mélange est laissé à homogénéiser 5 min à 30°C.
Récupération : le produit est récupéré sous la forme d’une émulsion inverse blanche liquide de viscosité de 1200cp à 3 rpm et 20°C (viscosimètre Brookfield DV1 avec mobile LV5).
L’émulsion est analysée par microscopie optique avec un zoom de x640 qui démontre l’intégrité des capsules. L’image obtenue est présentée en .
Exemple 5 : Fabrication d’un prémélange concentré sur unité Unimix 15L à dose constante (4%) de capsules
On reproduit les conditions opératoires de l’exemple 4 avec les quantités suivantes : l’huile de paraffine Isane Biolife 78 (8,00kg), le polyéthylèneglycol monooléate (640 g), agent antimousse BYK-1630 (0,04kg), suspension de microcapsules (970g) préparée selon l’exemple 2.
Récupération : le produit est récupéré sous la forme d’une émulsion inverse blanche liquide de viscosité de 1500cp à 3 rpm et 20°C (viscosimètre Brookfield DV1 avec mobile LV5).
Exemple 6 : Préparation d’une bouillie de pulvérisation
On vise des dilutions de 20L/ha soit 20L dans 1000L d’eau (volume pulvérisé sur 1 ha).
Dans un mélangeur de 15L on ajoute 8,5L d’eau et on verse sous agitation 0,15L u prémélange de l’exemple 4. On obtient une émulsion de paraffine avec des microparticules en suspension.
On pulvérise la bouillie obtenue sur un support et on l’observe par microscopie optique.
Utilisation de pupariums d’insecte pour augmenter la croissance de plantes La présente invention concerne l’utilisation d’une composition comprenant (i) des pupariums d’insecte holométabole , (ii) des mouches mortes entières ou leurs fragments, ou (iii) l’un de leurs mélanges, pour accélérer la croissance des plantes et/ou pour augmenter le rendement de culture. Elle concerne également une semence de plante enrobée par une telle composition . Enfin, elle concerne un procédé d’enrobage de semence et un procédé pour accélérer la croissance d’une plante et/ou pour augmenter le rendement de culture, utilisant cette composition.
Parmi les solutions alternatives aux composés chimiques, la chitine et ses dérivés, tels que le chitosan, sont connus comme biopesticides ou pour la stimulation des défenses naturelles des plantes. Ces produits sont généralement appliqués par application foliaire ou par mélange au sol.
On obtient alors une fonction de transfert suréchantillonnée 9 pour toutes les fréquences présentes dans le signal suréchantillonné 7.
Le signal suréchantillonné 7 est converti dans le domaine fréquentiel au moyen d’une Transformation de Fourier Discrète g de taille compatible avec celle du signal 9.
Ensuite, à l’étape h, on réalise un produit complexe échantillon par échantillon entre le signal 9 et le signal 10 en sortie du module de FFT g. On obtient alors un signal 11 qui est une version fréquentielle de la réponse du câble sous test à l’injection du signal suréchantillonné 7. On réalise enfin une Transformation de Fourier Discrète inverse i pour obtenir le signal temporel 12 correspondant à la mesure qui serait obtenue en injectant dans le câble le signal suréchantillonné 7.
Ainsi, le procédé décrit permet d’obtenir une mesure par réflectométrie équivalente à celle qui serait obtenue avec un signal injecté suréchantillonné mais sans augmenter la fréquence d’échantillonnage du convertisseur numérique analogique.
La schématise un second mode de réalisation de l’invention, dans lequel plusieurs mesures 4 du signal rétropropagé sont réalisées à différentes fréquences d’échantillonnages. Pour chaque mesure 4 à une fréquence d’échantillonnage donnée, le signal de test 1 est suréchantillonné via l’étape a à la même fréquence d’échantillonnage.
On obtient ainsi plusieurs estimées 6 de la fonction de transfert du câble en sortie du diviseur d pour les différentes fréquences d’échantillonnage.
L’interpolation f de la est alors réalisée en deux sous étapes.
Dans une première sous étape j, on recherche, pour chaque fréquence de la liste de fréquences à interpoler 8, le signal injecté 3 converti en fréquence dont le module est le plus élevé à la fréquence considérée, en utilisant si nécessaire une interpolation des signaux d’entrée 3. Dans une seconde sous étape k, on réalise l’interpolation à la fréquence sélectionnée sur l’estimée 6 sélectionnée à l’étape j.
Le résultat 9 en sortie de l’interpolation k consiste en une concaténation en fréquence des différentes mesures 6 interpolées aux fréquences de la liste 8.
Un avantage de cette seconde variante est qu’elle permet d’améliorer le résultat de l’interpolation notamment dans les zones du spectre contenant un signal trop faible et soumis à des sources de bruits diverses, notamment au bruit de quantification intrinsèque au convertisseur analogique numérique. En particulier, le signal injecté est très faible à proximité des multiples de la fréquence d’échantillonnage du convertisseur numérique analogique, car le signal injecté vu dans le domaine fréquentiel est contenu dans une enveloppe de sinus cardinal qui a la particularité de s’annuler à ces fréquences spécifiques.
Les fréquences d’échantillonnage des signaux 4 sont choisies de sorte que leurs multiples dans la plage de fréquences [0 Facq] ne soient jamais identiques et que la distance minimum entre toute paire de multiples soit la plus élevée possible. Par exemple, en choisissant Fdac1 = 95.237 MHz, et Fdac2 = 90.908 MHz, on obtient les combinaisons de points d’annulation suivants : Fdac1 = 95.237 MHz Fdac2 = 90.908 MHz 95.237 MHz 90.908 MHz 190.474 MHz 181.816 MHz 285.711 MHz 272.725 MHz 380.949 MHz 363.633 MHz 476.186 MHz 454.541 MHz 571.423 MHz 545.449 MHz 666.660 MHz 636.357 MHz 761.897 MHz 727.265 MHz 857.134 MHz 818.174 MHz 952.371 MHz 909.082 MHz 1047.609 MHz 999.990 MHz 1142.846 MHz 1090.898 MHz 1238.083 MHz 1181.806 MHz 1333.320 MHz 1272.715 MHz 1428.557 MHz 1363.623 MHz 1523.794 MHz 1454.531 MHz 1545.439 MHz Les fréquences les plus rapprochées qu’on puisse trouver entre ces deux ensembles sont : 95.237 MHz et 90.908 MHz qui sont éloignées de 4.329 MHz.
Le procédé selon l’invention peut être implémenté sur le composant 111,115 à partir d’éléments matériels et/ou logiciels.
Le procédé selon l’invention peut être implémenté directement par un processeur embarqué ou dans un dispositif spécifique. Le processeur peut être un processeur générique, un processeur spécifique, un circuit intégré propre à une application (connu aussi sous le nom anglais d’ASIC pour « Application-Specific Integrated Circuit ») ou un réseau de portes programmables in situ (connu aussi sous le nom anglais de FPGA pour « Field-Programmable Gate Array »). Le dispositif selon l’invention peut utiliser un ou plusieurs circuits électroniques dédiés ou un circuit à usage général. La technique de l'invention peut se réaliser sur une machine de calcul reprogrammable (un processeur ou un micro contrôleur par exemple) exécutant un programme comprenant une séquence d'instructions, ou sur une machine de calcul dédiée (par exemple un ensemble de portes logiques comme un FPGA ou un ASIC, ou tout autre module matériel).
CONCENTRATEUR DE FLUX GRADIOMETRIQUE DE VOLUME POUR DETECTION MAGNETIQUE ULTRASENSIBLE ET SYSTEME DE DETECTION MAGNETIQUE A BASE DE SQUID METTANT EN ŒUVRE CE CONCENTRATEUR DE FLUX. DOMAINE DE L'INVENTION La présente invention concerne une antenne primaire destinée à être utilisée comme concentrateur de flux pour un magnétomètre ultrasensible. Cette antenne est un gradiomètre de géométrie volumique en cuivre. L'invention vise également des équipements intégrant cette antenne : dispositif de détection magnétique à SQUID, ou tous autres types de magnétomètres ultra-sensibles (centres NV, capteurs à magnétorésistance géante, magnétomètres atomiques), IRM basée sur une détection à SQUID, biomagnétisme, ou plus généralement magnétométrie ultrasensible en champ proche.
ETAT DE LA TECHNIQUE Le SQUID (« Superconducting Quantum Interference Device » pour dispositif d’interférence quantique supraconducteur) est un magnétomètre de taille micrométrique, constitué d’une boucle en matériau supraconducteur interceptée par deux Jonctions Josephson. Les technologies et matériaux utilisés sont très variables, mais on distingue deux grandes familles : les SQUID à basse température critique (bas Tc), fonctionnant sous les 10 K, présentant des performances supérieures mais nécessitant une cryogénie plus lourde, et les SQUID haute température critique, de performances moindres et de fabrication plus complexe, mais pouvant fonctionner à la température de l’azote liquide (77 K). Le SQUID se comporte comme un flux-mètre, c’est-à-dire qu’il produit une tension V (Φ) sinusoïdale dépendant du flux magnétique Φ le traversant. Ce sont des magnétomètres présentant de très hautes performances : parmi leurs nombreux avantages, on trouve en premier lieu leur extrême sensibilité (seuil de détection approchant les 1 fT.Hz − 1 / 2 ) [1], leur large bande d’utilisation, jusqu’à plus de 100 MHz [2], et la conservation de leur sensibilité jusqu’aux très basses fréquences, y compris en champ continu (DC). Une description détaillée du fonctionnement des SQUID est donnée dans le livre de John Clarke [3].
En raison de leur petite taille, les SQUID sont beaucoup utilisés en champ proche, c'est-à-dire pour mesurer le magnétisme local aux petites échelles, par exemple pour cartographier les domaines magnétiques de certains matériaux. L'utilisation de SQUID en champ plus lointain, en particulier pour des expériences d’IRM ou de mesure du biomagnétisme, requiert en général l’utilisation d’un concentrateur de flux. Il s’agit d’une antenne magnétique classique en série avec une bobine d'entrée placée au-dessus du SQUID. Le flux magnétique est capté par l'antenne primaire, puis retransmis au niveau du SQUID via la bobine d'entrée. En somme, on peut comprendre l'utilisation du concentrateur de flux comme si la surface du SQUID était virtuellement augmentée, lui permettant de capter un large flux magnétique malgré sa petite taille. Ces concentrateurs de flux peuvent être de géométries diverses, fabriqués à partir de métaux comme le cuivre ou de matériaux supraconducteurs comme des fils de Niobium-Titane. Un état des lieux des diverses implémentations des concentrateurs de flux est donné dans la revue de Fagaly [4] ou de manière plus détaillée dans le chapitre du livre de Weinstock [5].
Pour chaque marqueur, le seuil retenu est celui présentant la spécificité la plus élevée et conduisant à une sensibilité d'au moins 0,895. La sensibilité, la spécificité, les valeurs prédictives positives et négatives, ainsi que les rapports de vraisemblance positifs et négatifs ont été estimés au seuil optimal, avec leurs intervalles de confiance à 95% associés.
Biomarqueurs seuls
Combinaisons de biomarqueurs Le biomarqueur IL10 a été combiné avec les autres biomarqueurs dans le cadre d’un modèle de régression logistique, en supposant un effet additif des marqueurs après transformation logarithmique et les résultats de performance sont présentés dans le [Tableau 8] ci-dessous :
7.3. Biomarqueur IL10 selon l’invention pour déterminer l’arrêt du traitement antibiotique [Tableau 9]
(a)Modèles basés sur une régression logistique; (b)Par les experts du comité d’adjudication; (c)Dénominateur < 51 dans certains cas pour les modèles basés sur une régression logistique en raison de deux patients pour lesquels des donnés sur les biomarqueurs étaient manquantes ; (d)Dénominateur < 42 dans certains cas en raisons d’un patient pour lequel des donnés sur les biomarqueurs étaient manquantes.
Ainsi, parmi les patients ayant reçu une antibiothérapie, quelques-uns (5/51) identifiés comme ayant une infection par le comité d’adjudication ont été reclassés par les modèles comme n’ayant pas d’infection mais ce résultat était attendu car la sensibilité du modèle est fixée à 0,9.
Cependant, on constate que plus de la moitié (61,9%) des antibiothérapies auraient pu être évitées en utilisant le biomarqueur IL10. Cette performance est également maintenue lorsque ce biomarqueur est combiné par exemple à la PCT.
A l’inverse, le biomarqueur IL6 qui présentait les meilleurs résultats parmi l’ensemble des biomarqueurs évalués en termes d’aire sous la courbe ROC (AUC 0.864 ; Se 0,90 ; Sp 5,536 [0,799 ; 0,929]), ne permet pas d’éviter un nombre suffisant d’antibiothérapies (seulement 23,8%) pour être mis en œuvre et présenter un bénéfice pour les patients, confirmant ainsi le caractère surprenant obtenu avec le biomarqueur IL10.
Le biomarqueur IL10 selon l’invention, utilisé seul ou en combinaison, trouve ainsi une application toute particulière chez les patients en service de néonatalogie en tant qu’outil dans l’arrêt précoce des traitements antibiotiques prescrits initialement suite à une suspicion de sepsis néonatal tardif.
Dans la présente demande, il est fait référence au(x) listage(s) de séquence(s) dont le(s) identificateur(s) (ou « SEQ ID NO ») sont listés ci-après.
SEQ ID NO : 1 (IL-10) : SPGQGTQSENSCTHFPGNLPNMLRDLRDAFSRVKTFFQMKDQLDNLLLKESLLEDFKGYLGCQALSEMIQFYLEEVMPQAENQDPDIKAHVNSLGENLKTLRLRLRRCHRFLPCENKSKAVEQVKNAFNKLQEKGIYKAMSEFDIFINYIEAYMTMKIRN
Quelle que soit la forme sous laquelle les listages sont fournis, ces listages font partie de la présente demande.
Dispositif intraoculaire prévu pour être implanté dans un œil d’une personne La présente invention concerne un dispositif intraoculaire prévu pour être implanté dans un œil d’une personne.
Le domaine de l’invention est de manière générale le domaine des dispositifs intraoculaires implantables dans un œil, et en particulier le domaine des implants intraoculaires.
État de la technique Le cristallin est un organe formant une lentille transparente et permet aux rayons lumineux de converger à l'intérieur de l'œil pour les concentrer sur la rétine. Le cristallin est formé d’un noyau transparent, limité en périphérie par une enveloppe translucide, également appelé sac capsulaire. Le cristallin est disposé derrière l’iris et est maintenu solidaire du corps ciliaire par des fibres de suspension (fibres zonulaires).
La cataracte est une opacification du cristallin de l’œil d’une personne, en particulier due au vieillissement. Cette maladie peut être soignée par une opération chirurgicale : une ouverture capsulaire antérieure est pratiquée dans le cristallin et une phacoémulsification du noyau du cristallin est réalisée de sorte à vider l’intérieur du cristallin, tout en conservant le sac capsulaire. Ensuite, un implant intraoculaire, également appelé « cristallin artificiel », est inséré dans le sac capsulaire. Cette solution est une réponse robuste à la cataracte. L’implant intraoculaire est relativement simple à mettre en place (implantation), efficace sur le plan optique.
Il convient de souligner que les trois LED dont la cartographie de la densité de courant est simulée et représentée sur la présentent sensiblement les mêmes caractéristiques électriques courant = f(tension), ce qui signifie que l’introduction de la quatrième couche 120 au sein de la couche de transport de charges formée par les deuxième et troisième couches 108, 118 n’influe pas négativement sur le comportement électro-optique de la LED.