INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Dans ce procédé, les vias 32 peuvent servir à établir des interconnexions. Les vias 32 peuvent en alternative ou en complément servir à former des portions d’un dispositif microélectronique sans nécessairement être des interconnexions métalliques, par exemple dans un dispositif MEMS. Les vias peuvent être destinés à être remplis d’un matériau semi-conducteur, du Poly-Si par exemple.
Le procédé peut comprendre une fourniture du substrat 3. Le procédé peut comprendre le dépôt de couches de composants 4’ (illustré en ), par exemple de transistor, de diode, de point mémoire. Ce dépôt peut par exemple comprendre les étapes du FEOL.
Ces portions 40 peuvent être métalliques et peuvent notamment former des lignes d’interconnexions métalliques. Typiquement ces portions métalliques 40 peuvent servir à redistribuer des signaux électriques. Ces portions métalliques peuvent aussi être désignées niveaux de métallisation. Il peut y avoir plusieurs portions métalliques 40 avec des interconnexions entre ces portions. Ce dépôt peut par exemple comprendre les étapes du BEOL.
Dans la suite, on considère à titre non-limitatif que ces portions 40 sont métalliques et que le via gravé 32 sert à établir une interconnexion. Les étapes suivantes s’appliquent tout à fait au cas où des portions 40 de dispositif 4 non métalliques sont déposées et/ou gravées, et/ou où un organe semi-conducteur 45 est réalisé dans le via 32.
Afin de faciliter la manipulation du substrat 3, le procédé peut ensuite comprendre le montage d’un support 41 du côté de la surface avant 3a exposée du substrat 3, par exemple par le biais d’un collage 410 réalisés sur les dépôts précédents, comme illustré par la par exemple. Cela permet en outre de protéger les dépôts réalisés en surface avant 3a du substrat 3.
L’invention concerne également un système de gestion d’un profil utilisateur généré par un réseau de communication mobile d’un opérateur et comprenant des informations permettant l’accès de l’utilisateur à au moins un service dudit réseau de communication, lorsqu’il est stocké dans un module sécurisé de gestion de profils utilisateur d’un équipement terminal, ledit système comprenant un équipement terminal selon l’invention.
Le système de gestion et le dispositif d’activation présentent au moins les mêmes avantages que ceux conférés par le procédé d’activation précité.
L’invention concerne enfin un produit programme d'ordinateur comprenant des instructions de code de programme pour la mise en œuvre respective du procédé d’activation précité, lorsqu’il est exécuté par un processeur.
D’autres caractéristiques et avantages de la présente invention ressortiront de la description faite ci-dessous, en référence aux dessins annexés qui en illustrent un exemple de réalisation dépourvu de tout caractère limitatif. Sur les figures : la représente un système de gestion d’un profil utilisateur d’un équipement terminal dans un réseau de communication, conforme à l’invention dans un mode particulier de réalisation ; la représente un exemple d’architecture d’un équipement terminal hébergeant un dispositif d’activation d’un profil utilisateur conforme à l’invention, dans un mode particulier de réalisation ; la illustre, sous forme d’ordinogramme, les principales étapes d’un procédé d’activation d’un profil utilisateur selon l’invention, dans un mode particulier de réalisation. la illustre, sous la forme d’un diagramme de flux, les messages échangés au sein du système de gestion d’un profil utilisateur selon l’invention, dans un mode particulier de réalisation ; et la représente, de façon schématique, un exemple de fichier listant des informations relatives à des instructions de code de programme accessibles par un dispositif d’activation d’un profil utilisateur conforme à l’invention, dans un mode de réalisation. la représente, de façon schématique, un exemple d’architecture matérielle d’un dispositif d’activation d’un profil utilisateur selon l’invention, dans un mode particulier de réalisation.
Description de l’invention L’invention concerne l’activation d’un profil utilisateur généré par un opérateur d’un réseau de communication suite à la souscription par un utilisateur d’un abonnement à un service fourni par ce réseau. Le principe de l’invention consiste à déclencher, sur instruction de l’utilisateur en réponse à un identifiant d’accès à des instructions de code de programme reçues au cours d’une session de communication établie avec le réseau de communication, le chargement et l’exécution automatique de ces instructions de code de programme sur l’équipement terminal, lesdites instructions de code de programme étant configurées pour commander au module sécurisé de gestion des profils de cet équipement terminal d’obtenir le profil utilisateur du réseau de communication et de le stocker dans ce module sécurisé. De la sorte, l’utilisateur n’a pas à sortir du contexte applicatif dans lequel il a obtenu l’identifiant d’accès de la part du réseau de communication et par exemple effectué sa démarche de souscription. La seule opération qu’il doit effectuer est de répondre à une requête d’accès à ces instructions de code de programme, par exemple en cliquant sur un lien vers une adresse de type URL.
La finalisation du parcours de souscription d’un utilisateur à un service d’un réseau de communication d’un opérateur s’en trouve donc simplifié et fluidifié.
Pour atteindre cet objectif, le dispositif décrit de copie d'un courant comprend une première résistance ayant une borne connectée au nœud d'entrée du dispositif décrit et une autre borne reliée à un premier nœud configuré pour recevoir une tension d'alimentation. Le courant de sortie du dispositif décrit passe dans un transistor MOS, référencé M2 dans la description suivante. Le transistor M2 a une source connectée au premier nœud, un drain relié, par exemple connecté, au nœud de sortie du dispositif décrit et une grille reliée au nœud d'entrée du dispositif décrit par un condensateur. Le dispositif décrit comprend en outre un circuit de polarisation fournissant une tension de polarisation à un deuxième nœud relié à la grille du transistor MOS M2 par une deuxième résistance. Le condensateur reliant le nœud d'entrée du dispositif décrit à la grille du transistor MOS M2 est de préférence différent d'une capacité intrinsèque ou parasite.
Ainsi, lorsqu'une modification du courant reçu par le nœud d'entrée du dispositif décrit survient, par exemple un événement transitoire correspondant à une augmentation ou à une diminution de la valeur du courant d'entrée, cette modification du courant est convertie par la première résistance en une modification de tension correspondante sur le nœud d'entrée du dispositif décrit, et est transmise sur la grille du transistor M2 par le condensateur, provoquant ainsi une modification correspondante du courant traversant le transistor MOS M2. La tension aux bornes de la deuxième résistance est non nulle pendant la modification des courants d'entrée et de sortie ou, en d'autres termes, pendant l'événement transitoire et est nulle dans un état stable dans lequel les courants d'entrée et de sortie du dispositif sont constants.
La représente un circuit d'un amplificateur à transconductance AMP1 comprenant des dispositifs de copie d'un courant selon un mode de réalisation.
L'amplificateur AMP1 est similaire à l'amplificateur AMP et seules les différences entre ces deux amplificateurs seront exposées en détail.
Plus particulièrement, l'amplificateur AMP1 diffère de l'amplificateur AMP du fait que le dispositif 104, respectivement 106, de l'amplificateur AMP est remplacé par un dispositif 1041, respectivement 1061, de copie d'un courant. De préférence, les dispositifs 1041 et 1061 sont identiques.
De façon similaire au dispositif 104, respectivement 106, le dispositif 1041, respectivement 1061, a un nœud d'entrée 1041i, configuré pour recevoir le courant d'entrée I1, respectivement I2, en provenance de la paire différentielle Diff et un nœud de sortie 1041o, respectivement 1061o, configurée pour fournir le courant I3, respectivement I4.
Ainsi, dans l'amplificateur AMP1, le nœud 1041i est connecté à la branche de la paire différentielle Diff commandée par l'entrée IN1, le nœud 1061i est connecté à la branche de la paire différentielle Diff commandée par l'entrée IN2. En outre, le nœud 1061o est relié, de préférence connecté, au nœud OUT de l'amplificateur AMP1, de sorte que le courant I4 soit fourni au nœud OUT. Le nœud 1041o est relié, de préférence connecté, au circuit 114 pour fournir un courant I3 au circuit 114 qui, à son tour, fournit un courant I5 au nœud OUT.
Chacun des dispositifs 1041 et 1061 comprend deux résistances RA et RS, un condensateur C et un transistor MOS M2.
La source du transistor M2 du dispositif 1041, respectivement 1061, est connectée au nœud 108. Le drain du transistor M2 du dispositif 1041, respectivement 1061, est reliée au nœud 1041o, respectivement 1061o, du dispositif 1041, respectivement 1061.
Plus particulièrement, dans un mode de réalisation, comme cela est représenté en , le drain du transistor M2 du dispositif 1041, respectivement 1061, est connecté au nœud 1041o, respectivement 1061o du dispositif 1041, respectivement 1061.
Dans l'exemple de la , comme la tension VDD est supérieure à la tension VSS, les tensions aux nœuds 1041i et 1041o du dispositif 1041 et les tensions aux nœuds 1061i et 1061o du dispositif 1061 sont supérieures à la tension VSS. Ainsi, le transistor M2 de chaque dispositif 1041, 1061 est un transistor NMOS ou, en d'autres mots, un transistor MOS ayant un canal de type N.
Le condensateur C du dispositif 1041, respectivement 1061, relie le nœud d'entrée 1041i, respectivement 1061i, la grille du transistor M2 du dispositif 1041, respectivement 1061. Le condensateur C peut être mis en œuvre en utilisant un ou plusieurs composants capacitifs.
La résistance RA du dispositif 1041, respectivement 1061, a une première borne connectée au nœud d'entrée 1041i, respectivement 1061i, du dispositif 1041, respectivement 1061. La deuxième borne de la résistance RA du dispositif 1041, respectivement 1061, est reliée au nœud 108. La résistance RA peut être mise en œuvre en utilisant un ou plusieurs composants résistifs.
La résistance RS du dispositif 1041, respectivement 1061, a une première borne connectée à la grille du transistor M2 du dispositif 1041, respectivement 1061, la deuxième borne de la résistance RS du dispositif 1041, respectivement 1061, étant configurée pour recevoir une tension de polarisation provenant d'un circuit de polarisation 200 du dispositif 1041, respectivement 1061. La résistance RS peut être mise en œuvre en utilisant un ou plusieurs composants résistifs.
Le circuit de polarisation 200 de de chaque dispositif 1041 et 1061 comprend un transistor MOS M1 ayant un canal du même type que celui du transistor MOS M2. Le transistor M1 du dispositif 1041, respectivement 1061, a une grille connectée à la résistance RS du dispositif 1041, respectivement 1061, et, plus particulièrement, à la borne du résistance RS opposée à la borne de la résistance RS connectée à la grille du transistor M2 du dispositif 1041, respectivement 1061. En outre, chaque transistor M1 a sa grille et son drain connectés l'un à l'autre. En d'autres mots, chaque transistor M1 est monté en diode.
Dans un mode de réalisation, comme cela est représenté en , le circuit de polarisation 200 du dispositif 1041, respectivement 1061, relie la résistance RA du dispositif 1041, respectivement 1061, au nœud 108.
Le deuxième module comprend par ailleurs des crochets 8 qui vont permettre l’assemblage d’un module à l’autre comme il sera vu plus loin.
Dans l’exemple illustré, les dimensions du deuxième module sont généralement identiques aux dimensions du premier module. Notamment la petite largeur L0 est choisie pour le transport routier selon un mode plus ou moins spécifique comme expliqué plus haut.
La illustre un module intermédiaire 3 ou module intercalaire, qui est appelé dans le présent document troisième module 3 .
Le troisième module comprenant une troisième paroi de fond 30 et deux parois latérales verticales ( 32 , 33 ). Les parois latérales verticales sont parallèles à un plan XZ .
Le troisième module comprend, de manière analogue aux autres modules déjà décrits, des anneaux de levage 41 , 42 , 43 , 44 agencés aux quatre coins supérieurs.
En outre, optionnellement, il est prévu de disposer des élingues à demeure 40 . Par exemple, dans le mode de réalisation illustré, l’élingue à demeure 40 présente une longueur de 3 m à 5 m, avec une de ses extrémités attachée au premier anneau de levage 41 et l’autre de ses extrémités attachée à un deuxième anneau de levage 42 .
La illustre un bac 101 de taille de base (i.e. dimensions de base), à savoir avec un premier module 1 assemblé directement à un deuxième module 2 .
L’assemblage mécanique entre les deux modules est réalisé par un système de crochets 9 qui viennent se prendre derrière une butée de crochet notée 8 qui sera vu en détails en relation avec les figures 10 et 11 .
Le premier fond 10 et le deuxième fond 20 sont contigus et à fleur l’un de l’autre. Les parois latérales droites 12 et 22 sont contigües et à fleur l’une de l’autre. Les parois latérales gauches 13 et 23 sont contigües et à fleur l’une de l’autre.
Les deux modules sont assemblés l’un à l’autre au niveau d’un plan de joint noté PJ . Le détail de l’interface à l’endroit de ce plan de joint sera détaillé plus loin.
La longueur dans le sens longitudinal du bac de base 101 et notée LB1 ; et substantiellement deux fois la petite largeur L0 .
Le volume intérieur du bac 101 est typiquement compris entre 50 m3 et 80 m3.
On remarque qu’il y a en tout huit anneaux de levage sur la zone supérieure du bac de base 101 .
La illustre un bac 102 de taille supérieure, à savoir avec un premier module 1 assemblé à un troisième module 3 lequel est assemblé à un deuxième module 2 .
L’assemblage mécanique entre deux modules voisins est réalisé par un système de crochets 8 qui viennent se prendre derrière une butée de crochet 9 qui sera détaillé en relation avec les figures 10 et 11 .
L’invention concerne en outre un procédé de recharge pour une batterie véhicule automobile, comprenant : - une étape de modélisation pour réaliser un modèle d’apprentissage automatique de prédiction d’un courant de recharge et de marge de temps avant un placage de lithium sur une anode de connecteur de recharge, sur la base de la température de la batterie, l’état de charge et l’état de santé de la batterie, - un étape de mesure de la température, l’état de charge, et l’état de santé de la batterie, - un étape d’évaluation déterminer sur la base dudit modèle et des mesures, un courant de recharge limitant le placage de lithium en imposant à l’anode un potentiel électrique le plus proche possible d’une référence de placage, de préférence 0V, et supérieur à ladite référence de placage, dans la marge de temps ; - un étape de recharge pour appliquer ledit courant de recharge.
Selon une variante, l’étape de modélisation comprend les sous-étapes suivantes : - mesurer le potentiel de l’anode dans le temps pendant des recharges jusqu’à la mise en place d’un placage de lithium sur l’anode ; - réaliser une corrélation entre un courant de recharge, la température, l’état de charge, et l’état de santé de la batterie, dans une marge de temps avant la mise en place d’un placage de lithium ; - déduire le modèle sur la base de cette corrélation.
Cela permet d’avoir un modèle précis sur la base de paramètres facilement mesurables en limitant les temps de calcul.
Selon une variante, la mesure du potentiel est réalisé au moyen de trois électrodes de mesure, respectivement une électrode d’anode, une électrode de cathode, et une électrode de référence. Cela permet d’être adapté aux connecteurs de charge avec trois électrodes.
Selon une variante, la mesure de la température de la batterie (B) est réalisée au moyen d’un capteur thermique de revêtement mis en place par dépôt physique en phase vapeur. Cela permet d’améliorer la précision de la mesure de température, et par là la précision de la réalisation du modèle.
Selon une variante, la batterie comporte des cellules, et ledit capteur thermique est mis en place sur chaque cellule de la batterie. Cela permet d’améliorer davantage la précision du modèle en ayant des mesures individuelles sur chaque cellule.
Un autre objet de l’invention concerne un programme d’ordinateur comprenant des instructions de code de programme pour l’exécution des étapes du procédé de recharge selon l’invention, lorsque ledit programme fonctionne sur un ordinateur.
L’invention porte en outre sur un véhicule automobile comprenant un système de recharge selon l’invention.
L’invention sera davantage détaillée par la description de modes de réalisation non limitatifs, et sur la base des figures annexées illustrant des variantes de l’invention, dans lesquelles : - illustre schématiquement le montage à trois électrodes pour les mesures de potentiel de l’anode pour la modélisation dans une variante préférée de l’invention ; - illustre schématiquement des résultats de mesures avec le montage de la figure précédente ; et - illustre schématiquement la mise en œuvre du modèle d’apprentissage automatique dans le cadre de la variante préférée de l’invention.
Le risque principal dans la recharge est le placage de lithium, c’est-à-dire que les ions lithium sont attirés à l’anode A tellement rapidement qu’ils peuvent entrer dans les structures moléculaires d’anode A. Par conséquent le lithium métallique se dépose sur l’anode A.
Le placage de lithium est une des raisons majeures de vieillissement de la batterie B. Les moyens mis en œuvre dans l’invention font partie d’un contrôleur de batterie C, pouvant lui-même faire partie d’un système de gestion de batterie (généralement appelé BMS).
Il est reconnu que le placage de lithium se passe quand le potentiel de l’anode baisse en dessous de 0V dans la mesure des trois électrodes, dont le principe est dessiné dans . Les trois électrodes : l’électrode de référence ER, l’électrode de travail ET, et l’électrode auxiliaire EA sont séparées par deux séparateurs S1, S2. L’électrode de travail ET est la cathode, l’électrode auxiliaire EA est l’anode A, et l’électrode de référence ER sert à l’installation d’une tension de référence à zéro au milieu de l’électrolyte qui remplisse l’espace entres les trois électrodes.
Afin de minimiser l’impact de l’électrode de référence ER sur le fonctionnement de la batterie B qui a en réalité deux électrodes importantes, l’électrode de référence ER est un fin fil, par exemple avec un diamètre de 5µm, lorsque les deux autres électrodes ET, EA sont de 5cm en diamètre et de 70 µm en épaisseur à titre d’exemple. Le matériau de l’électrode de référence ER peut être du cuivre, mais il peut aussi être dans d’autres matériaux par exemple de l’oxyde de lithium-titane (LTO en abrégé).
L’électrode de travail ET, l’électrode auxiliaire EA et les deux séparateurs S1, S2 doivent être idéalement des parties coupées de la cellule à mesurer afin de pouvoir assurer la constance de la qualité de fabrication entre les pièces de mesure et les pièces de production. En effet, la distribution de probabilité de la taille des particules des matériaux des électrodes influe fortement les résultats. Les séparateurs S1, S2 doivent être idéalement nettoyés par l’électrolyte avant le remplissage dans le montage.
Dans la figure 2, signifie le courant, et signifie la température avec , et . L’axe horizontal indique le temps de recharge t en débutant d’un SOC de 0%. L’axe vertical indique le potentiel de l’anode A. Le dépassement de « 0V » signifie l’apparition du placage de lithium.
La montre les résultats typiques des mesures avec trois électrodes. Le potentiel de l’anode se réduit pendant la recharge. Le dépassement de 0V signifie l’apparition du placage de lithium, mais cela n’implique pas les 100% de SOC. Ce seuil de 100% correspond à une tension plus haute que la tension maximale de la cellule (généralement appelé « cut-off voltage) » dans le protocole CCCV pour avoir une marge de sécurité. Le temps avant le placage de lithium se réduit avec le courant : un plus haut courant nécessite moins de temps pour déclencher le placage de lithium. Ce temps dépend de la température également : une basse température promeut l’apparition du placage de lithium.
Comme visible sur la , la préforme 3 comporte, de façon en soit classique, un corps de forme allongé, tubulaire, d'axe Y, limité par une paroi 31 solidaire en partie haute d’un col 32 fileté et en partie basse d’un fond 30 sensiblement hémisphérique.
Entre le col 32 et le corps de la préforme, une collerette 33 radiale fait saillie vers l’extérieur de la préforme 3.
De manière générale, la préforme 3 illustrée en présente une symétrie de révolution autour de son axe Y.
Lors de la mise en place de la préforme dans l’installation de soufflage, l’axe Y de la tige 1 est sensiblement confondu avec l’axe de révolution de la préforme 3. Dans ce qui suit, on désignera donc indifféremment par Y l’axe de la tige 1 ou celui de la préforme 3.
Dans ce qui suit, on qualifiera de « vertical » toute direction parallèle à l’axe de révolution de la tige et de « transversal » toute direction perpendiculaire à l’axe de révolution de la tige.
Comme représenté en , la tige d’étirage 1 comprend un corps 4 cylindrique ou tubulaire. Dans des modes de réalisation, le corps 4 de la tige d’étirage 1 peut présenter un épaulement, c’est-à-dire présenter deux sections longitudinales ayant deux diamètres différents. Cela est particulièrement avantageux pour le soufflage de préformes de faible diamètre. Dans le prolongement du corps 4, au niveau de l’extrémité distale 5, la tige d’étirage 1 comprend un méplat 6. Un embout 7 fait saillie à partir de ce méplat 6. Comme visible en , la tige d’étirage 1 comprend en outre, une jupe annulaire 8 dans le prolongement de son corps 4.
La représente l’étape d’insertion de la tige d’étirage 1 dans la cavité de soufflage 12.
La représente schématiquement une autre étape d’un cycle de soufflage, dans laquelle la tige d’étirage 1 est en position basse et donc placée au fond 30 de la préforme 3 pendant l’étape de soufflage. Durant cette étape, la préforme 3 devient un récipient 2.
Dans des modes de réalisation, et comme représenté sur la , le diamètre de la jupe annulaire 8 est égal au diamètre du corps 4 de la tige d’étirage 1. Dans cette configuration avantageuse, le centrage est encore amélioré. En effet, lors de l’étirage, la matière vient fluer dans le creux de la jupe 8, tendant ainsi à la bloquer, évitant ainsi tout glissement et permettant donc un bon centrage. Dans des modes de réalisation, le corps 4 et la jupe annulaire 8 sont obtenus d’un seul tenant. En d’autres termes, ils forment une seule et même pièce.
Selon d’autres modes de réalisation, le corps 4 et la jupe annulaire 8 sont deux pièces séparées.
Les modifications structurelles de la tige d’étirage 1 ont pour effet avantage de permettre de centrer parfaitement la tige 1 dans la préforme 3 vers le fond de la préforme, sur l’ensemble de sa surface inférieure, tout en limitant la diffusion de la chaleur entre ladite tige 1 et le fond 30 de la préforme 3. et ainsi d’améliorer l’étape d’étirage-soufflage.
L’embout 7 saillant peut être de toute forme. En particulier, ledit embout 7 peut être de forme conique, de forme conique arrondie, de forme ovoïde, de forme hémisphérique, etc.
Selon un mode de réalisation préféré, comme représenté en , le méplat 6 est perpendiculaire au corps 4 de la tige d’étirage 1. Cela permet une meilleure distribution et un meilleur contrôle de l’étape de soufflage. La représente une vue selon une coupe médiane longitudinale d’un exemple de réalisation de l’extrémité distale de la tige d’étirage, montrant notamment une jupe annulaire 8 présentant des bords 9 arrondis et un embout 7 de forme cylindrique. Dans ce mode de réalisation, les bords 9 de la jupe annulaire 8 sont arrondis. Ceci est particulièrement avantageux car il permet d’éviter tout risque de déchirement si lesdits bords 9 venaient à toucher la paroi de la préforme 3, par exemple lors de la phase d’étirage.