Substrat piézoélectrique sur isolant (POI) comprenant: - un substrat support (102), en particulier un substrat à base de silicium - une couche piézoélectrique (108), en particulier une couche de tantalate de lithium (LTO) ou de niobate de lithium (LNO), - une couche diélectrique (106), en particulier une couche d’oxyde de silicium, en sandwich entre la couche piézoélectrique (108) et le substrat support (102), - une structure de piégeage (104) en sandwich entre la couche diélectrique (106) et le substrat support (102) caractérisé en ce que la structure de piégeage (104) comprend au moins deux couches de piégeage (104a, 104c), les couches de piégeage (104a, 104c) étant séparées les unes des autres par une couche intermédiaire diélectrique (104b). Substrat piézoélectrique sur isolant (POI) selon la revendication 1, dans lequel les couches de piégeage (104a, 104c) sont à base de silicium polycristallin et/ou amorphe et/ou poreux et/ou à base de carbure de silicium (SiC). Substrat piézoélectrique sur isolant (POI) selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la couche intermédiaire diélectrique (104b) est une couche d’oxyde de silicium, en particulier une couche d’oxyde de silicium natif ou une couche déposée par dépôt chimique en phase vapeur (CVD) ou une couche obtenue par oxydation thermique. Substrat piézoélectrique sur isolant (POI) selon une des revendications 1 à 3, dans lequel la ou les couches intermédiaires diélectriques (104b) ont une épaisseur égale ou inférieure à 5nm, en particulier égale ou inférieure à 1nm. Substrat piézoélectrique sur isolant (POI) selon une des revendications 1 à 4, dans lequel au moins deux des au moins deux couches de piégeage (104a, 104c) ont des propriétés physiques, en particulier une taille de grain, différentes. Substrat piézoélectrique sur isolant (POI) selon une des revendications 1 à 5, dans lequel chaque couche de piégeage (104a, 104c) a la même épaisseur. Substrat piézoélectrique sur isolant (POI) selon une des revendications 1 à 5, dans lequel au moins une couche de piégeage (304a) a une épaisseur différente de ou des autres couches de piégeage (304c, 304e), en particulier la couche de piégeage (304a) directement fournie sur le substrat support est plus épaisse que la ou les autres couches de piégeage. Substrat piézoélectrique sur isolant (POI) selon au moins une des revendications 1 à 7, dans lequel la structure de piégeage (104) a une épaisseur égale ou inférieure à 5µm, de préférence égale ou inférieure à 2µm. Procédé de fabrication d’un substrat piézoélectrique sur isolant (POI) selon une des revendications 1 à 8 comprenant les étapes de : - fournir un substrat support, en particulier un substrat à base de silicium, - fournir un substrat comprenant une couche piézoélectrique, en particulier un substrat comprenant du tantalate de lithium (LTO) ou du niobate de lithium (LNO), - former une structure de piégeage au-dessus du substrat support, - former une couche diélectrique, en particulier une couche d’oxyde de silicium, au-dessus du substrat comprenant une couche piézoélectrique et/ou au-dessus de la structure de piégeage assembler le substrat comprenant une couche piézoélectrique avec le substrat support tel que la couche diélectrique et la structure de piégeage sont en sandwich entre la couche piézoélectrique et le substrat support caractérisé en ce que l’étape de former la structure de piégeage comprend former une première couche de piégeage, former une couche intermédiaire diélectrique sur la première couche de piégeage et former une deuxième couche de piégeage sur la couche intermédiaire diélectrique. Procédé de fabrication d’un substrat piézoélectrique selon la revendication 9, comprenant par ailleurs une étape de : - former une zone de fragilisation à l’intérieur de la couche piézoélectrique, et - réaliser une fracture le long de la zone de fragilisation pour séparer une partie de la couche piézoélectrique du restant du substrat comprenant la couche piézoélectrique après l’étape d’assemblage pour transférer la partie de la couche piézoélectrique sur le substrat support.