INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
On a représenté le bol de collecte 2 isolément par rapport au reste de l’aspirateur 1 sur la . Comme il est visible sur cette figure, le bol de collecte 2 comporte une paroi de fond de bol 201, et une paroi latérale 200 s’étendant le long d’un axe longitudinal A à partir de la paroi de fond de bol 201 jusqu’à une ouverture supérieure. La paroi de fond 201 et/ou l’ouverture supérieure sont de préférence de forme circulaire. Les parois extérieures du bol de collecte 2 comportent une entrée d’air de bol 27 orientée sensiblement tangentiellement aux parois extérieures du bol, pour entraîner en rotation le flux d’air entrant dans le bol de collecte 2 et permettre au flux d’air de tourbillonner autour d’une paroi perforée 22, de sorte à permettre la séparation cyclonique des déchets.
Le séparateur cyclonique s’étend entre la paroi latérale 200 du bol de collecte 2 et la paroi perforée 22. Le dispositif de filtration est préférentiellement amovible par rapport au bol de collecte 2. Le bol de collecte 2 se trouve ici dans une partie inférieure de l’aspirateur 1, de sorte que l’aspirateur 1 repose en partie sur une paroi de fond de bol 201 du bol de collecte 2 lorsque l’aspirateur 1 est posé debout.
Le bol de collecte 2 comprend en outre une poignée de bol 26, qui permet de transporter le bol de collecte 2 lorsque ce dernier est dissocié de l’aspirateur 1. La poignée de bol 26 est de préférence fixée à la paroi latérale 200 par ses deux extrémités.
Lorsque l’aspirateur 1 est posé debout, l’axe longitudinal A du bol de collecte 2 est orienté à la verticale. Dissocié de l’aspirateur 1, le bol de collecte 2 peut être renversé.
Le bol de collecte 2 est configuré pour recueillir des particules solides telles que des déchets qui ont été séparées par le séparateur cyclonique. Il est prévu d’accumuler les déchets séparés dans une partie inférieure du bol de collecte 2, notamment au voisinage de la paroi de fond 201.
Le dispositif de filtration des déchets 3 est disposé, de préférence de manière amovible, à l’intérieur du bol de collecte 2, par l’ouverture supérieure du bol de collecte 2. Un avantage du caractère amovible du dispositif de filtration des déchets 3 est de faciliter sa maintenance et son remplacement éventuel, ainsi que de faciliter le vidage du bol de collecte 2.
Le dispositif de filtration des déchets 3 s’étend le long de l’axe A, vers la paroi de fond de bol 201, à partir d’un couvercle 10. Le couvercle 10 présente, de préférence, une forme complémentaire à la forme d’un bord supérieur du bol de collecte 2.
Le dispositif de filtration des déchets 3 est coaxial au bol de collecte 2 en étant enchâssé dans le bol de collecte 2.
Le couvercle 10 du dispositif de filtration des déchets 3, qui est ici de forme sensiblement circulaire, vient refermer le bol de collecte 2. Le dispositif de filtration des déchets 3 est solidarisé de façon amovible au bol.
Le dispositif de filtration des déchets 3 comprend un boîtier 21, 22, formé principalement d’une paroi de fond 21 de boîtier et de la paroi perforée 22. Dans l’état fixé au bol, la paroi de fond 21 s’étend face à la paroi de fond de bol 201 avec un léger retrait, permettant l’accumulation de particules de poussière dans le boîtier. En outre, le boîtier 21 comporte ici, sur sa surface extérieure, une corolle 222 au-dessus de la paroi de fond 201. La corolle 222 assure une fonction anti-retour et limite les risques que les déchets accumulés dans le bol de collecte 2 ne soient séparés du fond dudit bol.
Le boîtier 21 est visible séparément par rapport au reste du bol de collecte 2 sur la annexée.
La paroi perforée 22 est ici de forme tronconique. La paroi perforée 22 s’étend le long de l’axe longitudinal A, depuis la paroi de fond 21jusqu’à une portion supérieure du boîtier qui est complémentaire avec le couvercle 10. Ainsi, le couvercle 10 vient refermer le boîtier 21, 22.
Comme il est visible sur la , sur au moins une partie inférieure de son extension longitudinale, la paroi perforée 22 comprend une pluralité de perforations 220. Les perforations 220 sont par exemple circulaires.
Les perforations 220 matérialisent une entrée d’air 17 du deuxième étage de séparation de déchets sur la partie inférieure de la paroi perforée 22. Par ailleurs, l’air peut ressortir par une sortie d’air 18 réalisée ici sur une portion centrale du couvercle 10. Ainsi, le flux d’air mis en mouvement entre l’entrée E et la sortie S de l’aspirateur peut transiter au moins partiellement à l’intérieur du dispositif de filtration des déchets 3, via l’entrée d’air 17 et la sortie d’air 18. Grâce à la paroi perforée 22, le flux d’air entrant tangentiellement dans le bol de collecte 2 peut tournoyer suffisamment longtemps pour permettre une séparation efficace des poussières par force centrifuge et par gravité.
présente le spectre XPS de survol ( -a) et les spectres XPS de C1s, Li1s, O1s et F1s ( -b) obtenus par analyse de la surface de l’électrode de lithium métallique à l’issue du traitement de fluoration décrit en exemple 1 ;
présente les diagrammes de Nyquist (Im(Z) en fonction de Re(Z)), obtenus par spectroscopie d’impédance pour des piles boutons symétrique Li 0 /électrolyte/Li 0 fabriquées à partir des électrodes de lithium métallique ayant été soumises au traitement de fluoration selon l’invention (« LiF sur Li 220 µm », « LiF sur Li 20 µm ») et pour des boutons symétrique Li 0 /électrolyte/Li 0 fabriquées à partir des électrodes de lithium métallique sans traitement de fluoration (« Li 220 µm » et « Li 20 µm ») comme décrit en exemple 2 ;
présente l’évolution du potentiel moyen des plateaux de charge/décharge en fonction du nombre de cycles effectués pour une pile bouton symétrique Li 0 /électrolyte/Li 0 mettant en œuvre deux électrodes en lithium métallique ayant été soumises au traitement de fluoration selon l’invention, pour un cyclage opéré avec une densité de courant de 0,1 mA/cm 2 et une capacité de 1 mAh/cm 2 , comme décrit en exemple 2.
Description détaillée MOLECULE ORGANIQUE AROMATIQUE POLYFLUOREE Comme indiqué précédemment, le procédé de l’invention fait intervenir la mise en contact directe du lithium métal avec une molécule organique à l’état liquide, comprenant au moins un cycle aromatique porteur de liaisons C-F labiles, notées également liaisons « C Ar -F ».
Le cycle aromatique de ladite molécule est porteur d’au moins deux liaisons C Ar -F labiles, de préférence au moins trois liaisons C Ar -F labiles, encore plus préférentiellement d’au moins quatre liaisons C Ar -F labiles, par exemple de cinq liaisons C Ar -F labiles.
La molécule mise en œuvre selon l’invention sera plus simplement désignée dans la suite du texte sous l’appellation « molécule aromatique polyfluorée ».
Par « polyfluoré(e) », on entend ainsi désigner le fait que le cycle aromatique de ladite molécule mise en œuvre selon l’invention (ou ladite molécule) est porteur d’au moins deux atomes de fluor.
Il est entendu que le procédé de l’invention peut mettre en œuvre une unique molécule aromatique polyfluorée à l’état liquide ou un mélange liquide d’au moins deux molécules aromatiques polyfluorées.
La molécule aromatique polyfluorée selon l’invention comprend plus particulièrement au moins un groupement aryle partiellement fluoré ou perfluoré.
Dans cette liste, les gaz d’électrons bidimensionnel à base d’oxydes tels que SrTiO 3 ou KTaO 3 , ou à base de semiconducteurs III-V tel que InAs ou InSb sont des exemples particulièrement intéressants.
Le dispositif logique 10 comprend, en outre, une unité de contrôle 20 de direction du courant de charge circulant dans le deuxième bras 14.
L’unité de contrôle 20 comporte une sous-unité de contrôle électrique de la première conversion 22.
La sous-unité de contrôle 22 est propre à contrôler la direction du courant de charge circulant dans le deuxième bras 14 en contrôlant le sens des spins du courant de spin par un contrôle électrique de la première conversion.
Pour cela, selon l’exemple de la , la sous-unité de contrôle 22 comporte une source de tension non représentée et un contact électrique 24.
Le contact 24 est en contact avec la première zone de contact et la source de tension contrôle le potentiel du contact 24.
Le contact 24 est une multicouche formée au moins d’une couche isolante et d’une couche métallique, la couche isolante reposant sur le bras 12, et plus précisément la première zone de contact.
On peut envisager que le matériau isolant réalisant la couche isolante soit un simple matériau diélectrique ou un matériau ferroélectrique, ce qui apporte un caractère non volatil au fonctionnement du dispositif.
Lorsque le matériau isolant est un matériau ferroélectrique, le contact 24 peut être qualifié de contact ferroélectrique. Le matériau ferroélectrique peut être avantageusement choisi dans la liste constituée de BaTiO 3 , de Pb(Zr,Ti)O 3 , de BiFeO 3 , de (Hf,Zr)O 2 , et du poly(fluorure de vinylidène) (également désigné par l’acronyme PVDF).
La sous-unité de contrôle 22 est ainsi une grille électrostatique ou ferroélectrique positionnée à l’intersection entre le premier bras 12 et le canal 16.
Il est maintenant expliqué comment la sous-unité de contrôle 22 permet de contrôler le sens des spins du courant de spin par un contrôle électrique de la première conversion.
Comme visible sur la , le dispositif logique 10 comprend une structure de base qui est ici une barre de Hall en forme de H.
Lors de l’application d’un courant de charge J B1 dans le bras d’entrée, le couplage spin-orbite induit la conversion (partielle ou totale) du courant de charge en un courant de spin transverse J S qui va circuler dans le canal 16. Le mécanisme de conversion peut être typiquement de type effet Hall de spin ou de type effet Edelstein.
Selon le cas, l’orientation des spins dans le canal 16 peut varier (généralement les spins sont perpendiculaires au plan de la couche dans le cas de l’effet Hall de spin et dans le plan et parallèle à J S dans le cas de l’effet Edelstein), mais dans les deux cas, un courant de spin J S circule dans le canal 16. Arrivé à l’intersection avec le bras de sortie, le courant de spin J S est reconverti en un courant de charge par l’effet Hall de spin inverse ou par l’effet Edelstein inverse.
En prenant pour exemple le cas des effets Edelstein direct et inverse, le sens des spins (planaires) véhiculés par J S dans le canal 16 dépend du signe du courant de charge dans le premier bras 12. La conversion du courant de spin en courant de charge au niveau du deuxième bras 14 dépendant du sens de ces spins, le courant de sortie changeant de signe avec le signe du courant dans le premier bras 12.
Pour un signe donné du courant dans le premier bras 12, le sens des spins générés dans le canal 16 dépend du signe du coefficient de conversion, c’est-à-dire de l’angle de spin Hall θ SHE dans le cas effet Hall de spin, ou de la longueur d’Edelstein λ IEE dans le cas de l’effet Edelstein inverse. Généralement, l’amplitude et le signe de ce coefficient de conversion sont fixés par la structure électronique et sont donc spécifiques à chaque matériau. Par exemple, le Pt présente un angle de spin Hall θ SHE positif et le Ta un angle de spin Hall θ SHE négatif.
est un schéma électrique du circuit d’adaptation de l’invention selon un quatrième mode de réalisation,
est un schéma électrique du circuit d’adaptation de l’invention selon un cinquième mode de réalisation,
est un schéma électrique du circuit d’adaptation de l’invention selon un sixième mode de réalisation, et
est un graphique comparatif entre le signal d’entrée et le signal de sortie du circuit de l’invention pour différents transistors dont le processus de fabrication varie.
Description détaillée des modes de réalisation Tel qu’illustré sur les figures 3 à 9, le circuit intégré de l'invention comporte un circuit d’adaptation connecté à la grille d’un transistor de puissance à enrichissement P2 - P8 . Le circuit intégré présente trois bornes. Une borne d’entrée INPUT , une première borne DRAIN connectée au drain du transistor de puissance à enrichissement P2 - P8 , et une seconde borne SOURCE connectée à la source du transistor de puissance à enrichissement P2 - P8 .
Le circuit d’adaptation comporte au moins une branche 101 - 108 . Chaque branche comprend un transistor de tête M1 , M11 , M21 , M31, M41, M51 , M61, M71 dont le drain est connecté à la borne d’entrée INPUT destinée à recevoir un signal à modulation de largeur d'impulsions, alternant entre un état haut et un état bas. Ce signal est par exemple fourni par un circuit de pilotage ou « driver » dans la littérature anglosaxonne. Le signal d’entrée INPUT peut par exemple adopter un état haut compris entre 8 et 12 V et un état bas égal à 0V.
La source du transistor de tête M1 , M11 , M21 , M31, M41, M51 , M61, M71 est connectée à la grille du transistor de puissance à enrichissement P2 - P8 .
Chaque branche 101 - 108 du circuit d’adaptation de l'invention comporte également un transistor de queue M2 , M14 , M26 , M36, M44, M54, M64, M74 .
Les deux transistors de tête M1 , M11 , M21 , M31, M41, M51 , M61, M71 et de queue M2 , M14 , M26 , M36, M44, M54, M64, M74 sont connectés l’un à l’autre par un quadripôle de liaison 10 , 20 , 30 , 40 .
Dans le premier mode de réalisation des figures 3 et 4, le quadripôle de liaison 10 correspond à deux courts-circuits. Un premier court-circuit relie les bornes Q1 et Q3 du quadripôle de liaison 10 et le deuxième court-circuit relie les bornes Q2 et Q4 du quadripôle de liaison 10 .
Ainsi, le transistor de tête M1 est connecté, par sa source, au drain du transistor de queue M2 par l’intermédiaire du court-circuit reliant les bornes Q2 et Q4 . De plus, la source du transistor de queue M2 est connectée à la grille du transistor de tête M1 par l’intermédiaire du court-circuit reliant les bornes Q1 et Q3 .
Dans le deuxième mode de réalisation de la , le quadripôle de liaison 20 comporte deux transistors à appauvrissement M12, M13 en série : un transistor haut M12 et un transistor bas M13. La source du transistor haut M12 est reliée au drain du transistor bas M13 et à la première borne Q1 du quadripôle de liaison 20. La première borne Q1 est également connectée à la grille du transistor de tête M11. Le drain du transistor haut M12 est relié à la deuxième borne Q2 du quadripôle de liaison 20. La deuxième borne Q2 est également connectée à la source du transistor de tête M11. La grille du transistor bas M13 étant reliée à la troisième borne Q3 du quadripôle de liaison 20. La troisième borne Q3 est également connectée à la source du transistor de queue M14. Enfin, la grille du transistor haut M12 et la source du transistor bas M13 sont reliées à la quatrième borne Q4 du quadripôle de liaison 20, cette dernière étant également connectée au drain du transistor de queue M14.
Dans le quatrième mode de réalisation de la , le quadripôle de liaison 30 est constitué de deux quadripôles élémentaires QEi, QEi+1 connectés en série, c’est-à-dire que la troisième borne QEi-3 du premier quadripôle élémentaire QEi est connectée à la première borne QEi+1-1 du second quadripôle élémentaire QEi+1 et la quatrième borne QEi-4 du premier quadripôle élémentaire QEi est connectée à la deuxième borne QEi+1-2 du second quadripôle élémentaire QEi+1. Chaque quadripôle élémentaire QEi, QEi+1 comporte deux transistors à appauvrissement M32-M35 : : un transistor haut M32, M34 et un transistor bas M33, M35. La source de chaque transistor haut M32, M34 est reliée au drain de chaque transistor bas M33, M35 et à une première borne QEi-1, QEi+1-1 de chaque quadripôle élémentaire QEi, QEi+1. Le drain de chaque transistor haut M32, M34 est relié à une deuxième borne QEi-2, QEi+1-2 de chaque quadripôle élémentaire QEi, QEi+1, la grille de chaque transistor bas M33, M35 est reliée à une troisième borne QEi-3, QEi+1-3 de chaque quadripôle élémentaire QEi, QEi+1 et la grille de chaque transistor haut M32, M34 et la source de chaque transistor bas M33, M35 sont reliées à une quatrième borne QEi-4, QEi+1-4 de chaque quadripôle élémentaire QEi, QEi+1. Les bornes QEi-1 et QEi-2 forment respectivement les bornes Q1 et Q2 du quadripôle de liaison 30 et les bornes QEi+1-3 et QEi+1-4 forment respectivement les bornes Q3 et Q4 du quadripôle de liaison 30.
Dans le troisième mode de réalisation de la , le quadripôle de liaison 40 est constitué de n quadripôles élémentaires QE1-QEn, avec n > 1. Chaque quadripôle élémentaire comporte deux transistors à appauvrissement : un transistor haut M22, M24 et un transistor bas M23, M25, connectés de la même manière que pour les quadripôle élémentaire QEi, QEi+1 décrits en référence à la . Les quadripôles élémentaires QE1-QEn sont connectés en série, avec deux quadripôles élémentaires QEi, QEi+1 consécutifs reliés de sorte que la première borne QEi+1-1 du quadripôle élémentaire QEi+1 est reliée à la troisième borne QEi-3 du quadripôle élémentaire QEi et la deuxième borne QEi+1-2 du quadripôle élémentaire QEi+1 est reliée à la quatrième borne QEi-4 du quadripôle élémentaire QEi. La première et la deuxième borne QE1-1, QE1-2 du quadripôle élémentaire QE1 forment la première et la seconde borne Q1, Q2 du quadripôle de liaison 40 et la troisième et la quatrième borne QEn-3, QEn-4 du quadripôle élémentaire QEn forment la troisième et la quatrième borne Q3, Q4 du quadripôle de liaison 40.
Le transistor de queue M2 , M14 , M26 , M36, M44, M54, M64, M74 est relié par sa source à une borne d’un premier dipôle. La grille du transistor de queue M2 , M14 , M26 , M36, M44, M54, M64, M74 est reliée à la seconde borne du premier dipôle. Le premier dipôle peut par exemple être une résistance R1 , R11 , R21 , R31, R41, R51, R61, R71 tel qu’illustré sur les figures 3 et 5-9, ou encore une diode. Par exemple, le premier dipôle est un transistor à enrichissement M4 , monté en diode, c’est-à-dire que sa grille est connectée à son drain, tel qu’illustré sur la .
Le deuxième module de pilotage 82 est encore avantageusement configuré de sorte que les cycles de traitement successifs sont mis en œuvre de manière régulière, selon au moins une fréquence, voire selon au moins deux fréquences différentes avantageusement réparties sur une période quotidienne.
Par « fréquence », on attend la durée du cycle de traitement et/ou l’intervalle de temps entre deux cycles de traitement.
Par exemple, le deuxième module de pilotage 82 est configuré de sorte à mettre en œuvre au moins deux fréquences, par exemple une fréquence élevée et une fréquence réduite (voire également une fréquence intermédiaire).
Une fréquence « élevée » correspond à une durée du cycle de traitement supérieure, et/ou un intervalle de temps réduit entre deux cycles de traitement, par rapport à une fréquence « réduite ».
Les fréquences différentes sont avantageusement mises en œuvre pour tenir compte de l’intensité d’usage du dispositif de séchage 1.
Par exemple, une fréquence « élevée » est sélectionnée pour les heures d’accès au dispositif de séchage 1 ; et une fréquence « réduite » est sélectionnée pour les heures de restriction d’accès au dispositif de séchage 1.
De préférence encore, la durée du cycle de traitement est fixe. Et un intervalle de temps entre deux cycles de traitement successifs correspond à 1 à 10 fois, la durée du cycle de traitement.
A cet égard, la durée d’un cycle de traitement est avantageusement de 20 secondes à 7 200 secondes. Et deux cycles de traitement sont avantageusement séparés d’une durée allant de 1 à 10 fois la durée du cycle de traitement.
Par exemple et sans être limitatif, la durée d’un cycle de traitement est de 30 s à 90 s ; deux cycles de traitement sont avantageusement séparés d’une durée allant de 1 min à 10 min.
De tels cycles de traitement réguliers permettent un traitement continu de l’environnement, y compris lorsque les moyens ventilateurs 6 restent dans une configuration inactive.
De préférence encore, le deuxième module de pilotage 82 est associé à des moyens de réglage 83 qui sont prévus pour régler ladite au moins une fréquence des cycles de traitement successifs.
Cette fonctionnalité permet avantageusement de prendre en compte le volume de l’espace (avantageusement une pièce d’un bâtiment, par exemple un sanitaire) dans lequel est rapporté le dispositif de séchage 1. Elle permet également de prendre en compte la régularité d’usage de ce dispositif de séchage 1 ou encore du passage dans l’espace équipé.
En d’autres termes, la fréquence est avantageusement augmentée avec le volume de l’espace dans lequel est rapporté le dispositif de séchage 1 et/ou avec la régularité d’usage et/ou du passage dans l’espace équipé, et inversement.
Pour cela, les moyens de réglage 83 consistent avantageusement en des moyens de temporisation, avantageusement sous la forme d’un potentiomètre.
Un opérateur peut intervenir sur ces moyens de réglage 83 de sorte à régler, à façon, la fréquence (durée et/ou intervalle par exemple) des cycles de traitement successifs.
Selon un premier mode de réalisation, les moyens générateur de plasma froid 7 peuvent être autonomes par rapport aux moyens ventilateurs 6, notamment pour permettre une purification d’air sans être lié à la fonction séchage des mains.
- une première force de pression exercée lorsque le disque ouvreur se déplace transversalement par rapport audit axe de sillon dans une première plage de déplacement allant d'une position nominale du disque ouvreur à une position de décalage intermédiaire du disque ouvreur par rapport à la position nominale, et
- une seconde force de pression, supérieure à la première force de pression, exercée lorsque le disque ouvreur se déplace transversalement par rapport audit axe de sillon dans une seconde plage de déplacement allant au-delà de ladite position de décalage intermédiaire.
Ainsi, l’invention repose sur une approche nouvelle et inventive du fonctionnement d’une couple disque ouvreur/rasette d’un élément semeur. En effet, l’invention propose d’appliquer sur la rasette deux forces de pression de niveaux différents en fonction de l'importance du déplacement du disque ouvreur. Autrement dit, dès lors que le disque ouvreur s’écarte de sa position nominale de contact avec la lame de formation de la rasette, un moyen de mise en pression de la rasette est mis en œuvre afin de maintenir la lame de formation contre le disque ouvreur. En fonction de l'importance du déplacement transversal, ou décalage, du disque ouvreur par rapport à sa position nominale (position au repos, sans déformation), des forces de pression différentes, et en particulier une force de pression plus forte si le décalage est supérieur à un seuil de décalage déterminé, sont alors exercées sur la rasette par des éléments de mise en pression du moyen de mise en pression.
L’application de forces de pression adaptées au degré de décalage du disque ouvreur permet de rendre le couple disque ouvreur/rasette plus tolérant aux déformations du disque ouvreur.
En effet, afin de limiter l’entrée de poussières fines, de pailles ou de racines entre la lame de formation de sillon de la rasette et le disque ouvreur, il est nécessaire que la lame de formation de la rasette suive parfaitement le disque ouvreur, même lorsque celui se déforme ou se déplace transversalement (par exemple en raison d’un sol difficile à travailler). Une telle rasette « souple » permet un suivi efficace du disque ouvreur tout en gardant une bonne rigidité dans le sens d’avancement de la machine. La rasette selon l’invention est alors adaptée à différente conditions de semis et sols.
Pour cela, l’invention propose d'introduire une souplesse suivant un degré de liberté en rotation autour d’un axe de pivotement de la rasette, contrôlée par une contrainte, ou force de pression, maîtrisée de la rasette sur le disque ouvreur, cette souplesse étant variables selon (au moins) deux niveaux différents :
une première contrainte, ou force de pression, dite « faible » pour les « faibles » déplacements du disque, comme par exemple un léger voile du disque ; une deuxième contrainte, ou force de pression, dite « forte », supérieure à la première contrainte, pour le suivi des déformations plus importantes du disque ouvreur dans le sol, dues par exemple à des pierres.