INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
L’objet de l’invention est réalisé par un substrat piézoélectrique sur isolant (POI) comprenant: un substrat support, en particulier un substrat à base de silicium, une couche piézoélectrique, en particulier une couche de tantalate de lithium (LTO) ou de niobate de lithium (LNO), une couche diélectrique, en particulier une couche d’oxyde de silicium, en sandwich entre la couche piézoélectrique et le substrat support, une structure de piégeage en sandwich entre la couche diélectrique et le substrat support, caractérisé en ce que la structure de piégeage comprend au moins deux couches de piégeage, les couches de piégeage étant séparées les unes des autres par une couche intermédiaire diélectrique. La séparation de la structure de piégeage en au moins deux couches de piégeage avec une couche diélectrique entre deux couches de piégeage permet de ségréger une partie de la contamination par les éléments métalliques aux interfaces entre les couches de piégeage, la couche intermédiaire ainsi réduisant le niveau de cumulation des éléments métalliques à l’interface entre la structure de piégeage et le substrat support. Ainsi, l’effet parasite peut être efficacement réduit. Le substrat support peut avoir de préférence une résistivité supérieure ou égale à 500Ω.cm
Selon un mode réalisation, les couches de piégeage du substrat POI peuvent être à base de silicium polycristallin ou amorphe ou poreux ou à base de carbure de silicium (SiC). De tels couches réduisent de manière efficace les effets parasites.
Selon un mode réalisation, la couche intermédiaire diélectrique du substrat POI peut être une couche d’oxyde de silicium, en particulier une couche d’oxyde de silicium natif ou une couche déposée par dépôt chimique en phase vapeur (CVD) ou une couche obtenue par oxydation thermique. Les oxydes de silicium sont faciles à réaliser et en même temps on peut observer une accumulation des éléments métalliques diffusés au niveau des interfaces des couches intermédiaires de la structure de piégeage.
Selon un mode réalisation, la ou les couches intermédiaires diélectriques du substrat POI peuvent avoir une épaisseur égale ou inférieure à 5nm, en particulier égale ou inférieure à 1nm. Même des couches de telles faibles épaisseurs montrent un effet sur la réduction des effets parasites.
Selon un mode réalisation, au moins deux des au moins deux couches de piégeage peuvent avoir une ou plusieurs propriétés physiques, en particulier une la taille de grain différente. Ainsi il devient possible d’encore améliorer la suppression des effets parasites.
Selon un mode réalisation, chaque couche de piégeage du substrat POI peut avoir la même épaisseur. Selon une alternative, au moins une couche de piégeage du substrat POI peut avoir une épaisseur différente de ou des autres couches de piégeage. Ceci permet d’optimiser les propriétés du substrat POI.
Selon un mode réalisation, la structure de piégeage du substrat POI peut avoir une épaisseur égale ou inférieure à 5µm, de préférence égale ou inférieure à 2µm. Ainsi, même avec des structures de piégeage plus minces que dans l’état de l’art on peut obtenir une réduction de l'effet parasite satisfaisante.
L’objet de l’invention est également réalisé par le procédé de fabrication d’un substrat piézoélectrique sur isolant (POI) tel que décrit ci-dessus et comprenant les étapes de : fournir un substrat support, en particulier un substrat à base de silicium, fournir un substrat comprenant une couche piézoélectrique, en particulier un substrat comprenant du tantalate de lithium (LTO) ou du niobate de lithium (LNO), former une structure de piégeage au-dessus du substrat support, former une couche diélectrique, en particulier une couche d’oxyde de silicium, au-dessus du substrat comprenant une couche piézoélectrique et/ou au-dessus la structure de piégeage, assembler le substrat comprenant une couche piézoélectrique avec le substrat support tel que la couche diélectrique et la structure de piégeage sont en sandwich entre la couche piézoélectrique et le substrat support, caractérisé en ce que l’étape de former la structure de piégeage comprend former une première couche de piégeage, former une couche intermédiaire diélectrique sur la première couche de piégeage et former une deuxième couche de piégeage sur la couche intermédiaire diélectrique. Avec ce procédé un substrat peut être obtenu qui permet de réduire de manière efficace l’effet négatif de la diffusion d’éléments métalliques vers le substrat support.
Selon un mode réalisation, le procédé de fabrication d’un substrat piézoélectrique peut comprendre de plus une étape de : former une zone de fragilisation à l’intérieur de la couche piézoélectrique, et réaliser une fracture le long de la zone de fragilisation pour séparer une partie de la couche piézoélectrique du restant du substrat comprenant la couche piézoélectrique après l’étape d’assemblage pour transférer la partie de la couche piézoélectrique sur le substrat support. Ce procédé permet de fabriquer les substrats POI selon l’invention de manière industrielle.
L’invention et ses avantages seront expliqués plus en détail dans la suite au moyen de modes de réalisation avantageux, donnés en exemple et en s’appuyant sur les figures suivantes, dans lesquelles les numéros de référence identifient des caractéristiques de l’invention.
représente schématiquement un substrat piézoélectrique sur isolant (POI) selon un deuxième mode de réalisation de l’invention.
Selon un mode de réalisation de l’invention, la bouche d’aspiration est située à proximité d’un bord avant du corps principal ou d’un bord arrière du corps principal.
Selon un mode de réalisation de l’invention, le corps principal comporte un capot de recouvrement configuré pour recouvrir le conduit d’aspiration central.
Selon un mode de réalisation de l’invention, la position de manchon prédéterminée correspond à une position de rangement du suceur d’aspirateur, également nommée position parking.
Selon un mode de réalisation de l’invention, le réservoir de liquide de nettoyage délimite au moins partiellement une chambre de stockage de liquide. De façon avantageuse, le réservoir de liquide de nettoyage et la semelle délimitent la chambre de stockage de liquide.
Selon un mode de réalisation de l’invention, le réservoir de liquide de nettoyage est inamovible.
Selon un autre mode de réalisation de l’invention, le réservoir de liquide de nettoyage est monté de manière amovible sur le corps principal, et par exemple sur la semelle.
Selon un mode de réalisation de l’invention, le dispositif de nettoyage humide comporte un dispositif de distribution de fluide qui est configuré pour être relié fluidiquement au réservoir de liquide de nettoyage et pour alimenter la serpillère en liquide de nettoyage.
Selon un mode de réalisation de l’invention, le dispositif de distribution de fluide comporte au moins un orifice d’écoulement de liquide situé en regard de la serpillère et configuré pour alimenter en liquide de nettoyage la serpillère.
Selon un mode de réalisation de l’invention, le réservoir de liquide de nettoyage comporte une sortie de liquide prévue dans une partie inférieure du réservoir de liquide de nettoyage, et le dispositif de nettoyage humide comporte un organe d’obturation qui est mobile entre une position d’obturation dans laquelle l’organe d’obturation obture la sortie de liquide et une position de libération dans laquelle l’organe d’obturation libère la sortie de liquide.
Selon un mode de réalisation de l’invention, le dispositif de nettoyage humide comporte un organe d’actionnement, tel qu’une pédale d’actionnement, configuré pour être actionné par un utilisateur, par exemple avec un pied de l’utilisateur, l’organe d’actionnement étant monté mobile entre une première position d’actionnement et une deuxième position d’actionnement, l’organe d’actionnement et l’organe d’obturation étant configurés de telle sorte qu’un déplacement de l’organe d’actionnement de la première position d’actionnement à la deuxième position d’actionnement entraîne un déplacement de l’organe d’obturation de la position de libération à la position d’obturation et de telle sorte qu’un déplacement de l’organe d’actionnement de la deuxième position d’actionnement à la première position d’actionnement entraîne un déplacement de l’organe d’obturation de la position d’obturation à la position de libération.
La présente invention concerne en outre un aspirateur comprenant un suceur d’aspirateur selon l’invention.
Brève description des figures L’invention sera mieux comprise à l’aide de la description qui suit en référence aux dessins schématiques annexés représentant, à titre d’exemple non limitatif, une forme d’exécution de ce suceur d’aspirateur.
est une vue en perspective avant d’un suceur d’aspirateur selon la présente invention.
est une vue de côté du suceur d’aspirateur de la .
est une vue en coupe longitudinale du suceur d’aspirateur de la .
est une vue en perspective arrière du suceur d’aspirateur de la .
Ainsi, le dispositif optoélectronique 1 présente des performances améliorées par rapport à celles de l’exemple de l’art antérieur mentionné précédemment, par le fait que la membrane semiconductrice 20 est réalisée à base de GaAs, qu’elle comporte des boîtes quantiques à base de GaAs, ici en InAs/GaAs, et que les portions latérales dopées 21.1, 21.2 sont réalisées à base de Al x Ga 1-x As avec une proportion d’aluminium x comprise entre 0.05 et 0.30 environ, et de préférence comprise entre 0.10 et 0.25 environ. En effet, le dispositif optoélectronique 1 présente à la fois un bon confinement optique du mode guidé dans le guide d’onde actif, mais également de bonnes propriétés électriques, tant en termes de résistance électrique dans les portions latérales (injection latérale des porteurs de charge) que de fuites des porteurs de charge hors de la portion centrale 22. De plus, il est alors possible d’obtenir une portion centrale 22 comportant des boîtes quantiques, et non pas des puits quantiques multiples, ce qui permet d’obtenir notamment une température de fonctionnement plus élevée, une réduction du courant de seuil, ainsi qu’une sensibilité réduite aux défauts cristallins, entre autres avantages des boîtes quantiques.
A ce titre, la illustre un exemple d’évolution du facteur de confinement optique Γ du mode guidé dans le guide d’onde actif (portion centrale 22), en fonction de la proportion d’aluminium x des portions latérales en Al x Ga 1-x As.
Dans cet exemple, le dispositif optoélectronique 1 comporte une membrane semiconductrice 20 de 300nm d’épaisseur comportant des portions latérales en Al x Ga 1-x As et une portion centrale 22 en GaAs intrinsèque de 1µm de largeur, encapsulée dans une couche diélectrique en SiO 2 . Le guide d’onde intégré 13 n’est pas présent. Le facteur de confinement optique Γ est déterminé par le logiciel Lumerical de simulation numérique des équations de l’électromagnétisme par le solveur de modes MODE-FDE.
Comme la courbe le montre, le facteur de confinement optique Γ augmente très fortement entre x=0 et 0.10, puis augmente faiblement à partir de x=0.30. Il est égal ainsi à une valeur de 50% environ pour x=0.05, et à une valeur de 60% environ pour x=0.10, pour être égal à 75% environ pour x=0.30. Ainsi, une proportion d’aluminium d’au moins 0.05 environ, et de préférence d’au moins 0.10 environ, permet d’obtenir un bon confinement optique du mode guidé dans la portion centrale 22.
Par ailleurs, il apparaît que la mobilité des électrons dans les portions latérales 21.1, 21.2 d’Al x Ga 1-x As dopé, qui est représentative de la résistance électrique dans ces portions latérales 21.1, 21.2, chute fortement à mesure qu’augmente la proportion d’aluminium x. Ainsi, elle est maximale pour une proportion x nulle, et diminue de quasiment deux ordres de grandeur lorsque la proportion x est de l’ordre de 0.40 à 0.50. Ainsi, il apparaît que la mobilité des électrons, et donc la résistance électrique, reste suffisamment élevée pour une proportion d’aluminium x d’au plus 0.30 environ, et de préférence d’au plus 0.25 environ, pour que la source laser 2 présente de bonnes propriétés électriques.
Enfin, la illustre un exemple d’évolution de la tension de diffusion ΔV d associée aux barrières de potentiel à l’interface entre la portion centrale 22 et les portions latérales dopées 21.1, 21.2, en fonction de la proportion d’aluminium x des portions latérales en Al x Ga 1-x As.
La configuration du dispositif optoélectronique 1 est ici similaire à celle de la . La tension de diffusion ΔV d est déterminée par le logiciel de simulation SILVACO ® d’ATLAS ® . La courbe montre que la tension de diffusion ΔV d augmente jusqu’à x=0.40 avant de diminuer fortement. En effet, à partir de 0.40 environ, la structure de bandes d’énergie de l’Al x Ga 1-x As passe d’une structure directe à une structure indirecte. Il importe toutefois que la proportion d’aluminium reste faible, ici inférieure à 0.30 environ pour que la tension de diffusion soit faible également. Ainsi, il n’est pas nécessaire d’appliquer une différence de potentiels importante aux portions latérales dopées de la source laser, ce qui permet de limiter les risques de fuite des électrons de la portion centrale 22 vers la portion latérale dopée p.
Aussi, par le fait que les portions latérales soient réalisées à base d’Al x Ga 1-x As avec une proportion d’aluminium comprise entre 0.05 et 0.30 environ, et de préférence entre 0.10 et 0.25 environ, le dispositif optoélectronique 1 présente des performances optimisées en termes de propriétés optiques (confinement optique dans la portion centrale 22) et de propriétés électriques (confinement et réduction des fuites des porteurs de charge).
Les figures 3A à 3H illustrent des étapes d’un procédé de fabrication d’un dispositif optoélectronique 1 similaire à celui des et 1B, selon un premier mode de réalisation.
En référence à la , on réalise tout d’abord un empilement semiconducteur 30, comportant, suivant un axe vertical : un substrat de croissance 31 à base de GaAs, par exemple ici réalisé en GaAs ; une couche d’arrêt de gravure 32 ; une couche 33 comportant les boîtes quantiques ici de type InAs/GaAs ; et enfin la couche intercalaire 23 à base d’Al y Ga 1-y As. L’empilement semiconducteur 30 peut également être recouvert par une couche de collage 34, ici à base d’un oxyde tel que du SiO 2 .
Le substrat de croissance 31 est ici réalisé en GaAs cristallin, et de préférence monocristallin. Il peut être réalisé en un autre matériau cristallin, qui présenterait un paramètre de maille adapté à la croissance épitaxiale de la couche d’arrêt de gravure 32 et ensuite de la couche 33 à boîtes quantiques.
La couche d’arrêt de gravure 32 est réalisée par épitaxie d’un matériau semiconducteur cristallin à partir du substrat de croissance 31. Elle peut ici être réalisée en In 0.49 Ga 0.51 P, qui présente un bon accord du paramètre de maille avec celui du GaAs du substrat de croissance 31. Elle peut présenter une épaisseur de l’ordre de 200nm.
La couche 33 à boîtes quantiques est réalisée par épitaxie à partir de la couche d’arrêt de gravure 32, de manière à former des boîtes quantiques de type InAs/GaAs ou équivalents. Il s’agit donc de nanocristaux d’InAs situés dans des couches de mouillage en GaAs. La couche 33 à boîtes quantiques peut être réalisée par la méthode de croissance de Stranski-Krastanow. Elle consiste à déposer un matériau (ici de l’InAs) présentant un désaccord de maille avec le GaAs. La croissance est tout d’abord bidimensionnelle (couche pseudomorphique d’InAs) jusqu’à atteindre une épaisseur critique où la relaxation des contraintes mécaniques conduit à la formation des boîtes quantiques. Cette méthode, bien connue, n’est pas davantage détaillée. La couche 33 à boîtes quantiques présente l’épaisseur souhaitée de la membrane semiconductrice 20, par exemple de l’ordre de quelques centaines de nanomètres. On peut avoir plusieurs plans superposés de boîtes quantiques.
La couche de collage 34, ici réalisée en SiO 2 , peut être amincie par polissage mécano-chimique (CMP) de sorte qu’elle présente une épaisseur de l’ordre de quelques dizaines de nanomètres, par exemple 50nm, ainsi qu’une rugosité RMS adaptée au collage avec le substrat support 10. Notons par ailleurs que cette couche de collage 34 reste facultative, dans la mesure où un assemblage par collage de type III-V sur oxyde peut également être envisagé.
En référence à la , on réalise le substrat support 10, lequel est ici un substrat photonique de type SOI. Comme indiqué précédemment, il comporte : un substrat 11 en silicium ; une couche 12 d’oxyde enterré (BOX) ; un guide d’onde intégré 13 en silicium monocristallin appartenant à un circuit photonique intégré (PIC) ; et enfin une couche diélectrique d’encapsulation 14, réalisée ici en un oxyde de silicium, qui recouvre le guide d’onde intégré 13 et la couche 12 d’oxyde enterré.
En référence à la , on effectue le report et l'assemblage par collage de l’empilement semiconducteur 30 sur le substrat support 10, de sorte que la couche de collage 34 soit au contact de la couche diélectrique d’encapsulation 14. Dans cet exemple, l’assemblage est effectué par collage direct de type oxyde/oxyde.
Selon une autre caractéristique de l’invention, le procédé comprend en outre une obtention d’au moins un critère de préférence de l’utilisateur, et ledit au moins un critère de sélection comprend ledit au moins un critère de préférence dudit utilisateur.
Avantageusement, selon une mode de réalisation de l’invention, le critère de sélection utilisé pour mettre en œuvre la sélection du contenu audiovisuel en cours de diffusion ou d’un autre contenu audiovisuel le cas échéant, correspond à des critères de préférence de l’utilisateur.
Par « critère de préférence », on entend une caractéristique ou un ensemble de caractéristiques liées à un contenu audiovisuel et qui définissent une préférence ou un goût de l’utilisateur pour ce contenu audiovisuel. Il s’agit par exemple d’un thème, tel que le sport, les voyages, le cinéma, etc, d’un genre de film, comme une comédie, un thriller, etc, d’un niveau de violence ou d’action selon l’heure du jour ou le jour de la semaine, d’un acteur présent dans le film, etc.
Ainsi, l’utilisateur peut définir un thème qui lui est propre, comme par exemple « automobile Europe » ou « sport sans football » ou bien élargir la définition d’un thème proposé par une chaîne thématique, comme « exploration des fonds marins et voyage ».
Selon une autre caractéristique de l’invention le procédé comprend une détermination d’au moins une thématique, dite récurrente, à partir d’informations descriptives de contenus audiovisuels programmés dans au moins une grille de télévision sur une période temporelle donnée et d’un critère d’occurrence prédéterminé et ledit au moins un critère de sélection comprend ladite thématique récurrente.
Dans un autre mode de réalisation de l’invention, le critère de sélection sur lequel se base la sélection du contenu audiovisuel correspond à une ou plusieurs thématiques dites récurrentes. Autrement dit, la sélection est basée sur l’identification préalable de thématiques récurrentes sur une période temporelle finie.
Par « thématique récurrente », on entend un thème, généralement d’actualité, qui fait l’objet d’une couverture médiatique importante sur une période temporelle donnée, laquelle se traduit par la programmation de plusieurs contenus audiovisuels portant sur la même thématique dans les grilles de programmes télévisuelles accessibles pour l’utilisateur. Cette thématique récurrente peut être liée à un événement médiatique ponctuel, tel qu’un événement sportif (par exemple les « Jeux Olympiques », la « coupe du monde de football » etc.), politique (par exemple l’« élection présidentielle »), culturel (par exemple le « festival de Cannes », le « Carnaval de Rio » etc.), une commémoration etc. Cet événement est limité dans le temps.
Il est ainsi possible de créer des chaînes virtuelles définies en fonction de certaines thématiques que l’on retrouve régulièrement dans les contenus audiovisuels d’une grille de télévision à venir. L’identification d’une thématique récurrente se fait avantageusement par analyse des informations descriptives de contenus audiovisuels à venir, dans une ou plusieurs grilles de programmes associées à une période temporelle futures, par exemple par l’extraction de mots clés.
Un critère d’occurrence est alors prédéterminé pour permettre d’établir à partir de quand une thématique devient récurrente, et à partir de quand cette thématique n’est plus d’actualité. Avantageusement, ce critère d’occurrence prédéterminé est un entier compris entre 0 et N, correspondant à un nombre de fois où l’on retrouve la thématique après analyse des informations descriptives. Par exemple, un certain nombre de fois où des mots clés apparaissent dans les informations descriptives des contenus audiovisuels programmés dans des grilles de programmes télévisuels. Ainsi, on considère qu’à partir d’un certain seuil d’apparition de la thématique (par exemple identification du nombre d’apparition de mots clés) dans les informations descriptives des contenus audiovisuels, alors la thématique revient régulièrement et est donc identifiée comme récurrente. Si au contraire, en dessous de ce seuil d’apparition de la thématique, on considère alors que la thématique n’est pas récurrente ou n’est plus récurrente car elle tend à disparaître des informations descriptives.
Il est alors possible de proposer des thèmes particuliers à l’utilisateur en ce basant sur ces événements médiatiques ponctuels, et de mettre en avant des chaînes virtuelles thématiques proposant des contenus audiovisuels uniquement centrés sur une thématique. L’utilisateur peut donc accéder à une mosaïque de chaînes virtuelles qui sont construites dynamiquement en fonction des thématiques traitées dans les grilles de télévision à venir. Il est possible de construire ainsi plusieurs chaînes virtuelles, chacune basée sur une thématique récurrente.
Avantageusement, ces chaînes virtuelles basées sur des thématiques récurrentes identifiées sont éphémères, c’est-à-dire que leur durée de vie est limitée dans le temps.
Cette limite de temps correspond à la période temporelle sur laquelle la thématique peut être identifiée à partir des informations descriptives des contenus audiovisuels, c’est-à-dire la période temporelle pendant laquelle l’événement médiatique ponctuel a lieu. Cette période de temps peut aller de quelques semaines à plusieurs mois en fonction du type d’événement médiatique. En d’autres termes, une fois que l’événement médiatique ponctuel est terminé, la thématique identifiée tend à disparaître des informations descriptives des contenus audiovisuels et donc la chaîne virtuelle n’est plus alimentée en contenus audiovisuels et n’a donc plus lieu d’être.
Il est ainsi possible de proposer à l’utilisateur des chaînes virtuelles évolutives dans le temps.
En variante, le critère de sélection peut être basé à la fois sur les critères de préférence de l’utilisateur et sur des thématiques récurrentes.
Selon un aspect particulier de l’invention, ladite au moins une autre pluralité de contenus audiovisuels parmi laquelle ladite sélection dudit au moins un autre contenu audiovisuel est mise en œuvre comprend en outre : - des contenus audiovisuels disponibles en rediffusion, si aucun contenu audiovisuel en cours de diffusion et aucun contenu audiovisuel diffusé préalablement enregistré ne peut être sélectionné; - des contenus audiovisuels accessibles à la demande, si aucun contenu audiovisuel disponible en rediffusion ne peut être sélectionné.
Un avantage est d’exploiter toute la diversité de l’offre audiovisuelle disponible pour l’utilisateur via les différents services de diffusion auxquels il a accès. La chaîne virtuelle est alors toujours alimentée par de contenus audiovisuels.
Les moyens générateur de plasma froid 7 vont ainsi permettre de traiter et de purifier les surfaces intérieures du dispositif de séchage 1, avantageusement le volume interne 3 et en particulier le long du circuit aéraulique 5, garantissant une bonne qualité de l’air soufflé sur l’utilisateur.