Structure composite (100) pour la fabrication de composants microélectroniques comprenant une couche mince (10) monocristalline, disposée sur un substrat support (20) en carbure de silicium poly-cristallin, ledit substrat support (20) présentant une orientation cristalline préférentielle selon laquelle : - un coefficient de texture C 422 est inférieur à 30%, en particulier inférieur à 20%, et - un coefficient de texture C 220 est supérieur à 60% ou la somme des coefficients de texture C 111 +C 222 +C 511 est supérieure à 70%, en particulier supérieure à 80%. Structure composite (100) selon la revendication précédente, dans laquelle le substrat support (20) présente un dopage à l’azote et une résistivité inférieure à 30mOhm.cm. Structure composite (100) selon l’une des revendications précédentes, dans laquelle la couche mince (10) est composée de carbure de silicium. Structure composite (100) selon l’une des revendications 1 et 2, dans laquelle la couche mince (10) est composée de diamant. Structure composite (100) selon l’une des revendications précédentes, comprenant une couche intermédiaire (30) continue ou discontinue, disposée entre la couche mince (10) et le substrat support (20) et composée d’au moins un matériau métallique ou semi-conducteur. Structure composite (100) selon la revendication précédente, dans laquelle la couche intermédiaire (30) est composée de silicium, de carbure de silicium, de tungstène, et/ou de titane. Structure composite (100) selon l’une des revendications précédentes, dans laquelle le coefficient de texture C 422 est inférieur à 15%, voire inférieur à 10%. Structure composite (100) selon l’une des revendications précédentes, dans laquelle le substrat support (20) présente une épaisseur comprise entre 60 microns et 500 microns. Structure composite (100) selon l’une des revendications précédentes, comprenant un composant électronique sur et/ou dans la couche mince (10) et comprenant optionnellement un contact électrique au niveau de la face arrière du substrat support (20). Procédé de fabrication d’une structure composite (100) comportant une couche mince (10) monocristalline disposée sur un substrat support (20) en carbure de silicium poly-cristallin, le procédé de fabrication comprenant les étapes suivantes : a) la fourniture d’un substrat support (20) en carbure de silicium poly-cristallin présentant une orientation cristalline préférentielle selon laquelle : - un coefficient de texture C 422 est inférieur à 30%, en particulier inférieur à 20%, et - un coefficient de texture C 220 est supérieur à 60% ou la somme des coefficients de texture C 111 +C 222 +C 511 est supérieure à 70%, en particulier supérieure à 80%, b) la fourniture d’un substrat donneur (1) en un matériau monocristallin, c) le transfert d’une couche mince (10) issue du substrat donneur (1) sur le substrat support (20). Procédé de fabrication selon la revendication précédente, dans lequel l’étape c) de transfert comprend : c1) la formation d’un plan fragile enterré (11) dans le substrat donneur (1), délimitant la couche mince (10) entre ledit plan fragile enterré (11) et une face avant (1a) du substrat donneur (1), c2) l’assemblage par collage par adhésion moléculaire du substrat donneur (1) sur le substrat support (20), directement ou via une couche intermédiaire (30), c3) la séparation le long du plan fragile enterré (11) pour donner lieu au transfert de la couche mince (10) sur le substrat support (20). Procédé de fabrication selon la revendication précédente, dans lequel l’étape c2) comprend, avant l’assemblage des deux substrats (1,20) : - la formation d’une couche intermédiaire (30) sur le substrat donneur (1), avant ou après l’étape c1), et/ou - la formation d’une couche intermédiaire (30) sur le substrat support (20), la couche intermédiaire (30) étant formée en au moins un matériau métallique ou semi-conducteur, choisi parmi le silicium, le carbure de silicium, le tungstène et le titane. Procédé de fabrication selon l’une des deux revendications précédentes, dans lequel le matériau monocristallin composant le substrat donneur (1) est le carbure de silicium. Procédé de fabrication selon l’une des revendications 10 à 13, comprenant en outre l’élaboration de composants électroniques sur et/ou dans la couche mince (10) de la structure composite (100). Procédé de fabrication selon la revendication précédente, dans lequel l’élaboration de composants électroniques comprend notamment une étape d’homoépitaxie ou d’hétéroépitaxie sur la couche mince (10).