Procédé de fabrication d'une connexion électrique d'un circuit électronique, le procédé comprenant les étapes suivantes : prévoir un substrat de silicium (SUB2) ayant une face avant (100) revêtue d'une structure d'interconnexion (BEOL2), une face arrière (102) opposée à la face avant (100), au moins un via (200) pénétrant verticalement dans le substrat (SUB2) à partir de la face avant (100) sur une partie de l'épaisseur du substrat (SUB2), ledit au moins un via (200) comprenant un cœur conducteur (201) en silicium et une gaine isolante (202) en oxyde de silicium pouvant comprendre du nitrure de silicium, la gaine (202) recouvrant le cœur (201) et l'isolant électriquement du substrat (SUB2) ; graver, à partir de la face arrière (102), le substrat (SUB2) sélectivement par rapport à la gaine (202) de sorte qu'une partie dudit au moins un via (200) fasse saillie de la face arrière (102) ; déposer une couche isolante (300) d'oxyde de silicium pouvant comprendre du nitrure de silicium du côté de la face arrière (102) sur une épaisseur supérieure à une hauteur de la partie dudit au moins un via (200) en saillie ; effectuer un polissage chimico-mécanique de la couche isolante (300) jusqu'à exposer le cœur conducteur (201) dudit au moins un via en laissant en place une partie de l'épaisseur de la couche isolante (300) sur la face arrière (102) ; et former une électrode conductrice (104) du côté de la face arrière (102) et en contact avec le cœur (201) dudit au moins un via (200). Procédé selon la revendication 1, dans lequel l'étape de formation de l'électrode (104) comprend le dépôt d'une couche conductrice sur la couche isolante (300) et en contact avec le cœur (201) dudit au moins un via (200), et une étape de retrait d'une partie de la couche conductrice en laissant en place ladite électrode (104). Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la couche isolante (300) est déposée sur et en contact avec la face arrière (102) du substrat (SUB2) et la partie dudit au moins un via (200) en saillie. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel le procédé comprend en outre, entre l'étape de polissage et l'étape de formation de l'électrode (104), une étape de gravure d'une partie du cœur (201) dudit au moins un via (200), la gravure étant mise en œuvre du côté de la face arrière (102) et étant sélective par rapport à la gaine (202) et à la couche isolante (300). Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel le procédé comprend en outre, après l'étape de formation de l'électrode (104), une étape de formation d'un film quantique (QF) reposant sur la couche isolante (300) et l'électrode (104). Procédé selon la revendication 5, dans lequel le procédé comprend en outre : une étape de prévision d'un substrat supplémentaire (SUB1) en silicium ayant une face avant (108) revêtue d'une structure d'interconnexion supplémentaire (BEOL1) et une face arrière (110) opposée à la face avant (108) du substrat supplémentaire (SUB1) et destinée à recevoir de la lumière (106) ; et une étape d'assemblage de la structure d'interconnexion (BEOL2) sur la structure d'interconnexion supplémentaire (BEOL1). Procédé selon la revendication 5 ou 6, dans lequel le film quantique (QF) est configuré pour convertir de la lumière infrarouge en paires électron-trou et l'électrode (104) est en un matériau transparent à la lumière infrarouge, par exemple en oxyde de zinc et/ou en oxyde d'indium-étain. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel la gaine (202) dudit au moins un via est en contact avec le cœur (201) dudit au moins un via. Dispositif (1) comprenant : un substrat semiconducteur (SUB2) en silicium comprenant une face avant (100) et une face arrière (102) opposée à la face avant (100) ; une structure d'interconnexion (BEOL2) revêtant la face avant (100) ; une couche isolante (300) en oxyde de silicium pouvant comprendre du nitrure de silicium, la couche isolante (300) reposant sur la face arrière (102) ; au moins un via (200) comprenant un cœur conducteur (201) en silicium recouvert latéralement d'une gaine isolante (202) en oxyde de silicium pouvant comprendre du nitrure de silicium, ledit au moins un via (200) traversant le substrat (SUB2) à partir de sa face avant (100), au moins la gaine (202) dudit au moins via (200) traversant la couche isolante (300) et affleurant une première face de la couche isolante (300) opposée à une deuxième face de la couche isolante (300) tournée vers le substrat (SUB2) ; et une électrode conductrice (104) reposant sur et en contact avec le cœur conducteur (201) dudit au moins un via, du côté de la face arrière (102) du substrat (SUB2). Dispositif selon la revendication 9, comprenant en outre un film quantique (QF) reposant sur la couche isolante (300) et l'électrode (104). Dispositif selon la revendication 10, comprenant en outre un substrat supplémentaire (SUB1) en silicium et une structure d'interconnexion supplémentaire (BEOL1) reposant sur une face avant (108) du substrat supplémentaire (SUB1), la structure d'interconnexion (BEOL2) étant assemblée sur la structure d'interconnexion supplémentaire (BEOL1) et le substrat supplémentaire (SUB1) comprenant une face arrière (110) opposée à sa face avant (108) et destinée à recevoir de la lumière (106). Dispositif selon la revendication 10 ou 11, dans lequel le film quantique (QF) est configuré pour convertir de la lumière infrarouge en paires électron-trou et l'électrode (104) est en un matériau transparent à la lumière infrarouge, par exemple en oxyde de zinc et/ou en oxyde d'indium-étain. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 9 à 12, dans lequel la gaine (202) dudit au moins un via est en contact avec le cœur (201) dudit au moins un via.