INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
La barre de serrage 26 comporte de plus une lumière 31 dans laquelle est insérée l’extrémité de la manette de desserrage 20 qui forme un doigt d’actionnement 32 coopérant avec cette lumière 31. Ainsi, lors du serrage des mors 8, 10 suite à un mouvement de traction sur l’anneau d’élingage 11, la descente de la barre de serrage 26 et de sa lumière 31 entraîne une descente conjointe du doigt d’actionnement 32, ce qui entraîne un pivotement de la manette de desserrage 20 autour de son axe 21, jusqu’à sa position de serrage.
Lorsque la traction sur l’anneau d’élingage 11 est relâchée et qu’il est question de retirer la pince de levage, l’action sur la manette de desserrage 20 en direction de sa position de desserrage entraîne inversement un mouvement du doigt d’actionnement 32 vers le haut, ce dernier entraînant ainsi la barre de serrage 26 vers le haut, et un écartement des mors 8, 10 comme décrit précédemment.
Des variantes de réalisation peuvent être mises en œuvre. Par exemple, un seul levier 25 peut être utilisé pour déplacer la barre de serrage 26, avec par exemple un simple roulement d’appui à la place d’un des deux leviers 25 décrits.
De même, les leviers 25 peuvent être constitués par d’autres éléments qu’une came dentée engrenant sur une crémaillère, par exemple par un dispositif à biellette, ou encore un levier simple avec une liaison rotule sur la barre de serrage 26.
Par ailleurs, le mors d’appui peut également être mobile, et adapté au serrage par rapprochement du mors mobile par un mécanisme de serrage supplémentaire.
PINCE DE LEVAGE POUR PANNEAUX FERMÉS L’invention concerne le domaine du levage et de la manutention, et est particulièrement adaptée pour les panneaux de construction employés dans le domaine du bâtiment.
Les constructions à ossature bois connaissent actuellement un important essor compte tenu de leurs qualités écologiques, d’isolation et de coût. La mise en œuvre des constructions à ossature bois a introduit de nouvelles méthodes de travail dans le domaine du bâtiment. Notamment, des éléments de construction qui autrefois étaient produits directement sur place par l’assemblage de briques, parpaings, murs banchés, etc., sont maintenant préparés en dehors du chantier, dans des ateliers de menuiserie. Des panneaux semi-finis comportant une structure, des menuiseries, et un éventuel isolant sont ainsi assemblés sur un premier lieu de production et sont ensuite livrés et installés sur le chantier pour l’assemblage final, avant de réaliser les finitions de la construction.
Ces nouvelles méthodes de construction entraînent de nouveaux besoins dans la manipulation des panneaux, aussi bien sur leur lieu de production que pour leur installation sur chantier.
ART ANTÉRIEUR Le levage et la manutention des panneaux sont actuellement réalisés généralement de manière traditionnelle par des éléments d’élingage directement rapportés sur les panneaux (sangles, crochets, etc.). Ceci implique de positionner au préalable ces éléments, avec un certain cout en matériel et en temps de production. De plus, ces éléments sont difficilement déplaçables sur les panneaux, et les procédés associés sont donc peu adaptables, notamment quand le centre de gravité du panneau est déplacé par l’ajout ou le retrait de constituants. L’accrochage et le décrochage des panneaux dans le cadre d’un élingage exigent de nombreuses manipulations, et souvent la présence d’un opérateur à proximité du lieu de la mise en place et du retrait des élingues, ce qui peut rendre nécessaire l’emploi de nacelles, échelles, etc. augmentant encore le cout et les aléas de la pose, en surcroit des problèmes de sécurité qui peuvent alors se poser.
L’invention a pour but d’améliorer les pinces de levage de l’art antérieur.
À cet effet, l’invention vise une pince de levage pour panneaux fermés, adaptée à saisir un panneau par serrage suivant une direction de serrage, comportant : – un premier élément de mâchoire comportant : un corps s’étendant sensiblement suivant la direction de serrage ; une tête de serrage s’étendant sensiblement perpendiculairement par rapport au corps ; et un mors monté sur cette tête de serrage ; – un deuxième élément de mâchoire comportant : un corps s’étendant sensiblement suivant la direction de serrage ; une tête de serrage s’étendant sensiblement perpendiculairement par rapport au corps ; et un mors monté sur cette tête de serrage ; – un câble souple cheminant entre au moins une poulie montée sur le premier élément de mâchoire, et au moins une poulie montée sur le deuxième élément de mâchoire ; le deuxième élément de mâchoire étant relié au premier élément de mâchoire suivant une liaison pivot autour d’un axe de serrage qui s’étend suivant une direction sensiblement perpendiculaire à la direction de serrage, et qui est mobile le long d’une glissière s’étendant sur le corps du premier élément de mâchoire, sensiblement suivant la direction de serrage.
La précision du type d’environnement est liée aux données propres à l’environnement de l’utilisateur dont dispose le procédé. Si l’utilisateur paramètre l’étape d’analyse d’images, voire l’étape d’analyse sonore, avec ses lieux préférés, alors la précision du type de lieu est améliorée et peut faire référence par exemple à des pièces de son domicile ou à des pièces de son lieu de travail, voire d’autres lieux qu’il a l’habitude de fréquenter tels sa voiture, un train, un commerce, la maison de ses parents ou de ses enfants ou amis.
Comme mentionné précédemment, le type de localisation peut être par exemple mais non limitativement choisi parmi : - l’extérieur, - un lieu public, - un véhicule, - un lieu de travail, - un lieu d’habitation, - une pièce dans un lieu d’habitation, - une pièce dans un lieu de travail.
Parmi des exemples de lieu public, on peut citer des salles de sport, de concert, mais également des gares, aéroports, musées. Parmi une pièce dans un lieu de travail, il peut également être considéré un contexte d’usine et de bâtiments d’usine.
L’étape E14 peut être suivie d’une ou plusieurs autres étapes optionnelles qui sont décrites en référence à la mais qui sont également applicables au mode de réalisation de la . Notamment ces étapes peuvent comprendre une ou plusieurs actions choisies parmi : - la transmission de ladite image à un serveur partagé ou à un second dispositif, - la transmission dudit type à un serveur partagé ou à un second dispositif, - la mise en mode silencieux dudit premier dispositif, - la mise en mode sonnerie dudit premier dispositif, - la mise en mode vibreur dudit premier dispositif, - le changement de mode de notification dudit premier dispositif, - le verrouillage dudit premier dispositif, - le déclenchement d’envoi d’un message texte, - la mise en vieille, - l’arrêt dudit premier dispositif, - l’enregistrement dans ledit premier dispositif de ladite image ou dudit type.
La représente un mode de réalisation préféré d’une application d’un procédé selon l’invention.
Le procédé de la reprend les étapes E11 à E14 de la qui ne sont pas décrites en détail ci-après.
Le procédé de la peut avantageusement déterminer un type de localisation associé à un dispositif. Ce procédé peut être utilisé pour différentes applications qui sont notamment décrites en référence à la .
Ainsi, le procédé de la peut notamment être utilisé pour une application de localisation du dispositif 1. En effet, le dispositif 1 étant de préférence un dispositif mobile, son utilisateur peut parfois avoir oublié où il l’a laissé et vouloir le retrouver. La présente divulgation peut permettre de le localiser.
Le procédé comprend à cet effet une étape E10 de réception d’une requête de localisation. Cette requête de localisation déclenche l’étape E11 précédemment décrite. Cette requête de localisation demande le type de localisation dans lequel se trouve le dispositif 1. Le procédé de la , permet à l’issu de l’étape E14 d’obtenir le type de localisation. L’étape E14 est suivie d’une étape E15 de transmission du type de localisation. Il peut être envisagé que le propriétaire du dispositif 1 mettant en œuvre les étapes E10 à E15 utilisent un terminal utilisateur tel un ordinateur, une tablette ou une montre connectée pour transmettre une requête de localisation et recevoir le type de localisation.
Ainsi, un utilisateur peut avantageusement localiser son téléphone même quand il est en mode silencieux par exemple puisque le dispositif recherché, sur réception d’une requête de localisation, va déclencher le procédé de détermination.
Selon une autre utilisation, le procédé de la peut trouver une application dans la configuration ou le paramétrage selon le type de localisation dans laquelle se trouve le dispositif 1.
Ainsi, suite à la réception du type de localisation, le propriétaire du dispositif 1 peut souhaiter par exemple mettre son téléphone en mode silencieux ou sonnerie ou vibreur. Le procédé comprend à cet effet, une étape E16 de réception d’une action à effectuer en lien avec le type de localisation détecté. Cette action peut être une ou plusieurs actions choisies parmi : - la mise en mode silencieux - la mise en mode sonnerie - la mise en mode vibreur, - le changement de mode de notification dudit premier dispositif, - la mise en mode sonnerie dudit premier dispositif, - le changement de mode de notification dudit premier dispositif,- le déclenchement d’envoi d’un message texte - la mise en veille, - l’arrêt - le verrouillage
Il est à noter que la mise en mode silencieux ou la mise en mode sonnerie peut aussi dépendre du contact qui appelle. Par exemple, les appels venant des contacts professionnels peuvent être désactivés si le type détecté correspond à un type lié au domicile et inversement les appels venant des contacts personnels peuvent être désactivés si le type détecté correspond à un type lié au lieu professionnel.
La représente un mode de réalisation distribué d’un procédé selon la présente divulgation. Le procédé est par exemple mis en œuvre par un système représenté en .
Le procédé comprend une étape E20 de transmission d’une requête du type de localisation. Cette étape est mise en œuvre par le dispositif 2 de la . Comme mentionné précédemment, le propriétaire du dispositif 1 peut utiliser le dispositif 2 pour obtenir le type de localisation du dispositif 1, pour le chercher ou le configurer ou pour toute autre application.
Le procédé de la comprend ensuite les étapes E10 à E12 précédemment décrites.
En , chaque carré correspond à un élément ou à un composé binaire dont la formule chimique est indiquée à côté du carré. Certains carrés correspondant à deux composés binaires ayant un élément en commun sont reliés par une courbe qui correspond alors à un composé ternaire comprenant les trois éléments des deux composés binaires. A titre d'exemple la courbe, qui relie le carré correspondant au composé binaire GaAs et le carré correspondant au composé binaire InAs, correspond au composé ternaire In x Ga 1-x As, où x est un nombre réel variant de 0 à 1 selon le point considéré de la courbe.
Selon un mode de réalisation, lorsque le premier matériau composant la couche semiconductrice 18 et le troisième matériau composant les couches semiconductrices 28 et 30 est le InP et que le quatrième matériau composant la couche active 32 est le InGaAs, pour pouvoir faire croître par épitaxie la couche sacrificielle 24 sur la couche de InP 18, comme cela est décrit précédemment en relation avec la , il est nécessaire que le paramètre de maille L du deuxième matériau soit proche du paramètre de maille L du composé binaire InP.
En , cela signifie que le deuxième matériau qu'en traçant une droite D parallèle à l'axe des ordonnées et passant par le carré correspondant composé binaire InP, le coefficient x du composé ternaire In x Ga 1-x As de la couche 32 est proche de celui du composé ternaire situé à l'intersection de la droite D et de la courbe qui relie le carré correspondant au composé binaire GaAs et le carré correspondant au composé binaire InAs.
Un procédé de sélection du matériau composant la couche sacrificielle 24 comprend la recherche d'un composé ternaire ou quaternaire sur la droite D parallèle à l'axe des ordonnées et passant par le carré correspondant au premier matériau, dans le présent exemple InP. Le deuxième matériau doit en outre pouvoir être gravé de façon sélective par rapport au premier matériau (composé binaire InP), au troisième matériau (composé binaire InP), et au quatrième matériau (composé ternaire InGaAs). Dans le présent exemple, il peut s'agir d'un composé ternaire InAlAs, InAlP, AlGaS, AlAsSb, ZnSeCd, ZnSeTe, ou GaAsSb, voire quaternaire InAlGaAs. En effet, pour de tels composés, une gravure à base de chlorure de fer (III) hydraté (FeCl 3 :H 2 O ) est sélective par rapport au composé binaire InP et au composé ternaire InGaAs.
Le mode de réalisation du procédé de fabrication décrit précédemment en relation avec les figures 1 à 10 peut être mis en oeuvre pour la fabrication de dispositifs optoélectroniques correspondant notamment à des capteurs d'images infrarouges ou des capteurs images en lumière visible et d'images infrarouges.
La est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un mode de réalisation d'un dispositif optoélectronique 50 comprenant un empilement d'un premier circuit électronique 52, d'un deuxième circuit électronique 54, et d'un troisième circuit électronique 56. Le deuxième circuit électronique 54 est interposé entre le premier circuit électronique 52 et le troisième circuit électronique 56. Le premier électronique 52 comprend des composants optoélectroniques, par exemple des photodiodes, à base de silicium. Le deuxième circuit électronique 54 comprend des composants optoélectroniques, par exemple des photodiodes en composés III-V ou II-VI. Le troisième circuit électronique 56 comprend des composants électroniques, notamment des transistors MOS, pour la commande des composants optoélectroniques en composés III-V ou II-VI et des composants optoélectroniques à base de silicium. Selon un mode de réalisation, le deuxième circuit électronique 54 est fixé au troisième circuit électronique 56 par collage moléculaire hybride.
Selon un mode de réalisation, la fabrication de l'empilement comprenant le premier circuit électronique 52 et le deuxième circuit électronique 54 peut mettre en oeuvre le mode de réalisation du procédé de fabrication décrit précédemment en relation avec les figures 1 à 10. Le premier circuit électronique 52 correspond au circuit électronique 40 décrit précédemment et le deuxième circuit électronique 54 comprend l'un des empilements 26 décrits précédemment.
Procédé de fabrication d’un matériau à changement de phase La présente invention concerne, en général, un procédé de fabrication d’un matériau à changement de phase, et plus particulièrement un procédé de fabrication d’un empilement multicouches comprenant des gaps ou pseudo-gaps de van der Waals. Une application particulière liée à la mise en œuvre de ce procédé est la fabrication de mémoires à changement de phase.
ETAT DE LA TECHNIQUE Les matériaux à changement de phase PCM (acronyme de Phase Change Material) font désormais l’objet de nombreuses applications dans le domaine des mémoires à changement de phase en microélectronique et en photonique ou pour les convertisseurs thermoélectriques.
Dans le domaine des mémoires à changement de phase en particulier, les matériaux les plus étudiés sont les alliages de PCM polycristallin situés sur la ligne pseudo-binaire GeTe-Sb 2 Te 3 du diagramme ternaire Ge-Sb-Te. L’un de ces matériaux le plus connu est le Ge 2 Sb 2 Te 5 . Ces matériaux présentent typiquement un mécanisme de liaison chimique dit « métavalent » qui leur confère des propriétés physiques uniques les différenciant des autres matériaux dits covalents, métalliques, etc … Certaines phases cristallographiques de ces matériaux PCM permettent d’accommoder les lacunes présentes dans le réseau cristallin en adoptant une structure sous forme de feuillets faiblement liés entre eux par des liaisons homopolaires très faiblement covalentes ou de type van der Waals. Ces liaisons faibles entre feuillets ou blocs cristallins dans la structure du matériau PCM sont appelées gaps ou pseudo-gaps de van der Waals.
Le document « R. E. Simpson et al., Nature nanotechnology 2011, 6, 501 » divulgue une méthode de structuration améliorée de ces matériaux PCM. Dans ce document, la couche de Ge 2 Sb 2 Te 5 polycristalline (servant de référence) des dispositifs mémoire à changement de phase est remplacée par une hétérostructure multicouches de composition chimique globale équivalente et comprenant des couches cristallines de (GeTe) 2 et Sb 2 Te 3 alternées. Une telle hétérostructure comprend également des pseudo-gaps de van der Waals s’étendant au sein des couches et/ou entre les couches alternées. Une telle hétérostructure correspond typiquement à un super-réseau (SL pour Super-Lattice) et est également appelée iPCM (interfacial Phase Change Material).
Cette solution basée sur les SL permet de réduire de 40% le courant de programmation, d’augmenter la vitesse de programmation, et d’améliorer l’endurance du dispositif mémoire, en comparaison du dispositif intégrant la référence PCM de Ge 2 Sb 2 Te 5 . Depuis 2011, cet effet des SL sur l’amélioration des performances des dispositifs mémoire a été confirmé par de nombreux groupes dans le monde mais le mécanisme à l’origine de l’amélioration des performances dans les dispositifs intégrant des SL reste toujours très débattu. Il apparaît cependant de façon consensuelle que les meilleures performances sont obtenues soit en augmentant la proportion de Sb 2 Te 3 dans le super réseau en utilisant par exemple des couches de Sb 2 Te 3 de plus grande épaisseur (4 nm au lieu de 1 nm, ou 8 nm au lieu de 4 nm ou 2 nm par exemple), soit en réduisant l’épaisseur de la couche de GeTe.
Un objectif de la présente invention est d’améliorer les performances des SL à changement de phase, en particulier pour des hétérostructures présentant des couches de faibles épaisseurs, notamment inférieures à 8 nm.
Un tel substrat sera rejeté comme impropre à assurer un fonctionnement satisfaisant du dispositif considéré.
A l’inverse, un substrat dans lequel ce rapport C vol.sub /C fond.piezo est inférieur à 1 (célérité d’un mode élastique volumique de cisaillement du substrat inférieure à la célérité du mode élastique fondamental de cisaillement de la couche piézoélectrique) guide le mode élastique fondamental de cisaillement de la couche piézoélectrique dans le volume du substrat et celui-ci absorbe le mode, l’empêchant de détériorer la réponse en fréquence du dispositif considéré.
Un tel substrat pourra être retenu pour la fabrication et la mise en œuvre du dispositif considéré.
Plus le rapport de célérités décrit précédemment sera petit, plus le rayonnement dans le substrat du mode de la couche piézoélectrique sera fort et meilleure sera la pureté spectrale de la réponse en fréquence du dispositif.
Même si un rapport de 1 peut être considéré comme acceptable pour certaines applications, il est préférable de retenir un rapport plus petit que 1, un rapport de 0,9 permettant déjà une amélioration nette de la réponse en fréquence et donc des performances du dispositif.
Les célérités des modes peuvent être déterminées par mesures sur une ou des structures de test sur le substrat.
Alternativement, les célérités peuvent être déterminées par une méthode de calcul par éléments finis, et plus spécifiquement une méthode FEM-BEM, Finite Element Method – Boundary Element Method en terminologie anglaise, modélisant en deux dimensions une période d’un transducteur SAW donné en tenant compte des effets de rayonnement dans le substrat, de géométrie telle qu’illustré par la .
Une méthode de calcul par éléments finis permet de prendre en compte l’encastrement des électrodes dans la couche piézoélectrique ainsi que l’effet de masse des électrodes.
La réponse en fréquences du transducteur SAW donné ayant été calculée selon la méthode ci-dessus, on peut obtenir la célérité d’un mode élastique volumique de cisaillement du substrat et la célérité d’un mode élastique fondamental de cisaillement de la couche piézoélectrique de la formule Eq. 2 ci-dessous :
Eq. 2
où c représente la célérité d’une onde considérée, sa longueur d’ondes et sa fréquence.
La longueur d’ondes est déterminée par la géométrie des électrodes du transducteur SAW donné et la fréquence du mode considéré, cette fréquence pouvant s’extraire de la réponse en fréquences de ce transducteur, comme illustré par la .
La montre, pour un transducteur SAW donné illustré par la , un graphe de simulation de l’impédance électrique d’un transducteur SAW en échelle linéaire en abscisse et en échelle logarithmique en ordonnée avec, en fonction de la fréquence indiquée en abscisse et s’étendant de 2,2 à 2,6 GHz, une conductance G et la susceptance B associée indiquées en Siemens par mètre en ordonnée, les ordonnées visibles sur le graphe s’étendant entre 100 S/m et 1×10 11 S/m.
Les signatures particulières du mode élastique volumique de cisaillement du substrat et d’un mode élastique fondamental de cisaillement de la couche piézoélectrique sont indiquées respectivement par BS et FS sur le graphe.
On peut tirer de ce graphe la fréquence du mode « Bulk Shear » à environ 2,55 MHz et la fréquence du mode « Fundamental Shear » à environ 2,36 MHz, qui permettent de calculer les célérités de ces modes à partir de l’équation Eq. 2 dans ce dispositif SAW donné.
Procédé d’évaluation d’un substrat Sur la base des conditions d’acceptation d’un substrat détaillées ci-dessus, on peut détailler un procédé 900 d’évaluation d’un matériau pour son utilisation en tant que substrat dans un dispositif SAW à électrodes encastrées dans une couche piézoélectrique, procédé illustré par le diagramme de la .
Selon un exemple, certaines au moins des premières couches présentent des épaisseurs différentes, et/ou certaines au moins des deuxièmes couches présentent des épaisseurs différentes, de sorte à ce que la structure multicouches de l’empilement soit apériodique. Une structure multicouches apériodique est plus facile à réaliser qu’une structure multicouches parfaitement périodique. Une contrainte de fabrication est supprimée. Cela facilite la fabrication de l’empilement.
Selon un exemple, le substrat comprend une électrode inférieure configurée pour effectuer un changement de phase localisé de l’empilement.
Selon un exemple, chaque pseudo-gap de van der Waals séparant deux feuillets de la structure cristallographique se présente sous forme d’un espacement entre deux plans purs d’un même type d’atomes, ledit espacement présentant une dimension normale aux plans inférieure ou égale à deux fois le rayon de van der Waals dudit type d’atomes. Les liaisons entre les atomes à travers le pseudo-gap de van der Waals sont typiquement plus courtes et plus fortes que des liaisons de van der Waals ordinaires. Les gaps de van der Waals sont un cas particulier des pseudo-gaps de van der Waals pour lesquels l’espacement présente une dimension normale aux plans égale à deux fois le rayon de van der Waals du type d’atomes. Ainsi, les pseudo-gaps de van der Waals incluent par définition les gaps de van der Waals.