INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Par ailleurs, ce suivi est uniquement basé sur les données acquises par les différents capteurs présents dans le véhicule automobile. Aucune connectivité avec d’autres véhicules automobiles ou d’autres infrastructures n’est nécessaire pour permettre le suivi.
D’autres caractéristiques avantageuses et non limitatives du procédé de suivi conforme à l’invention, prises individuellement ou selon toutes les combinaisons techniquement possibles, sont les suivantes : - il est également prévu une étape d’évaluation d’une compatibilité de ladite première représentation et de ladite deuxième représentation par détermination d’une distance entre ladite première représentation et de ladite deuxième représentation, la détermination de la représentation finale étant mise en œuvre uniquement si la première représentation et de la deuxième représentation sont compatibles ; - la détermination de la représentation finale est mise en œuvre uniquement si la distance déterminée est inférieure à une valeur de seuil prédéterminée ; - la distance déterminée est une distance de Mahalanobis ; - si la distance déterminée est supérieure à la valeur seuil prédéterminée, la représentation finale de la limite de bord de voie est déterminée à partir de ladite deuxième représentation uniquement ; - il est prévu, lors de l’étape d’évaluation, des sous-étapes de : a) projection d’un point initial de la première représentation en un premier point projeté sur la deuxième représentation, et b) projection d’un point initial de la deuxième représentation en un deuxième point projeté sur la première représentation, la détermination de la distance étant mise en œuvre lorsque l’un au moins du premier point projeté et du deuxième point projeté appartient respectivement à la deuxième représentation ou à la première représentation ; - si aucun du premier point projeté ou du deuxième point projeté appartient à l’une ou l’autre de la première représentation ou de la deuxième représentation, la représentation finale est déterminée à partir de la deuxième représentation uniquement ; - la première représentation et la deuxième représentation ont une forme de clothoïde ; - la détermination de la deuxième représentation est fonction du déplacement du véhicule entre le premier pas de temps et le deuxième pas de temps ; - l’une au moins de la première représentation et de la deuxième représentation est déterminée à partir d’une pluralité de données initiales acquises par plusieurs capteurs compris dans le véhicule automobile ; et - à l’étape de détermination de la représentation finale, la combinaison de la première représentation et de la deuxième représentation est mise en œuvre par fusion par filtrage de Kalman.
L’invention concerne également un véhicule automobile comprenant un calculateur configuré pour mettre en œuvre un procédé de suivi tel qu’introduit précédemment.
représente une vue schématique d’un véhicule automobile adapté à mettre en œuvre un procédé conforme à la présente invention ;
est une vue schématique de dessus du véhicule automobile de la , sur laquelle apparaissent des voies de circulation et des limites de bord de ces voies de circulation ;
représente, sous forme de logigramme, un exemple de procédé de suivi des limites de bords de voie de circulation conforme à l’invention ;
De préférence, l’épaisseur maximale 19 ( ) de la plaque déflectrice 8B est inférieure à 40 % de la hauteur HB ( ) de la plaque déflectrice 8B. La hauteur HB correspond à la longueur selon l’axe vertical Z de la plaque déflectrice 8A, à savoir sensiblement à la longueur entre le point P4 de l’extrémité d’entrée E1B le plus en amont et le point P3 de l’extrémité de sortie E2B le plus en amont de la plaque déflectrice 8B.
Les angles d’entrée αB1 et αB2, les angles de sortie ßB1 et ßB2 ainsi que les courbures et les longueurs de la zone intermédiaire ZB2, à la fois sur la face amont F1B et sur la face aval F2B, sont des paramètres variables en fonction des modes de réalisation envisagés et leurs valeurs sont choisies notamment pour optimiser la performance. Ainsi, en adaptant ces paramètres, on est en mesure d’optimiser le profil de chacune des faces amont et aval et ainsi d’optimiser le profil global du déflecteur 1B, pour obtenir les effets recherchés sur l’écoulement.
Dans un mode de réalisation préféré, la plaque déflectrice 8B est pourvue, dans son corps, d’un espace interne 18 représenté en tirets sur les figures 5 et 6. Cet espace interne 18 est fermé et creux. En section transversale, l’espace interne 18 peut, par exemple, présenter une forme (de taille réduite) qui est similaire à celle du contour externe de la plaque déflectrice 8B. Ce mode de réalisation préféré permet de réduire la masse du déflecteur 1B.
7 couche de liaison
8 premier revêtement
9 second revêtement
10 élément de palier
11 surface
Ensemble d’un arbre cannelé et de moyeux cannelés L’invention concerne un ensemble formé par un arbre et des moyeux, et plus précisément un ensemble d’un arbre et de moyeux cannelés.
On rappelle qu’un arbre (de transmission ou de renvoi) est un organe mécanique transmettant une puissance sous forme d'un couple et d'un mouvement de rotation. Il est généralement issu de bruts forgés puis usinés par tournage. L'extrusion est également un mode d'obtention courant pour ce type de pièce. Les procédés de fabrication des arbres et les matériaux les formant sont choisis afin d’obtenir des pièces ayant la meilleure résistance mécanique possible compte tenu des efforts subis par les arbres lors de la transmission de puissance.
Les extrémités des arbres peuvent être montées dans des moyeux pour permettre la transmission de puissance décrite ci-dessus. Les arbres peuvent par exemple être utilisés dans des ensembles comprenant plusieurs arbres reliés les uns aux autres par des moyeux. Les moyeux sont serrés contre les extrémités des arbres afin de permettre la transmission de puissance au travers de l’arbre.
Il est connu de bloquer un arbre en rotation dans un moyeu via l’utilisation de clavettes s’insérant dans deux gorges réalisées au niveau du moyeu (par exemple formé de deux demi coquilles) et de l’arbre, les gorges étant mise en regard l’une de l’autre pour verrouillage de l’arbre par rapport au moyeu grâce à une clavette. La transmission de puissance s’opère dès lors par les clavettes. Cependant, et à cause du jeu de montage des clavettes placées à l’interface entre l’arbre et le moyeu, on observe un phénomène de matage. Cela conduit à une fatigue des matériaux. On constate donc l’apparition de jeux, de désalignements et de casses.
L’utilisation de clavettes ne permet pas, à cause de la présence de jeux de montage, un alignement parfait de l’arbre et des moyeux par simple montage , a fortiori lorsque l’on multiplie les arbres et donc les clavettes. Cela augmenterait les risques de casse et il est donc nécessaire de régler cet alignement manuellement par serrage des vis des moyeux situées de part et d’autre de la clavette. Le serrage d’une vis permet de faire tourner l’arbre dans une direction ou une autre en fonction de la position de la vis par rapport à la clavette (à gauche ou à droite). Ce procédé de réglage de l’alignement, assez artisanal, n’est pas optimal et implique des contraintes de montage.
Afin d’accroître le couple transmis par un arbre, il est connu de réaliser des cannelures aux extrémités d’un arbre, ces cannelures collaborant avec des cannelures complémentaires réalisées sur la face interne des moyeux collaborant avec les cannelures de l’arbre.
Cette configuration permet d’éviter les jeux de montage décrits plus haut au sujet d’un verrouillage par clavette. L’utilisation de cannelures permet également de réaliser un calage angulaire de l’arbre par rapport au moyeu. En effet, il est possible de placer les cannelures de l’arbre à l’intérieur des cannelures des moyeux afin de pouvoir les orienter selon un certain angle (cet angle dépend du nombre de cannelures : 12 cannelures permettent un calage angulaire tous les 30°). Il est à noter qu’un calage angulaire est possible avec un système de verrouillage à clavettes en ménageant plusieurs gorges sur l’arbre.
Les arbres à extrémités cannelées présentent néanmoins un inconvénient en termes de maintenance. En effet, il peut s’avérer nécessaire, pour des actions de remplacement ou simplement de maintenance, de devoir remplacer un arbre. Or, les arbres à extrémités cannelées sont difficiles à démonter de par la volonté d’une interaction forte avec les moyeux afin de transmettre des puissances avec un couple élevé.
L’invention a notamment pour but de fournir un ensemble d’un arbre et de moyeux permettant une résistance satisfaisante aux efforts, tout en permettant de réaliser un calage angulaire varié et une maintenance facilitée.
A cet effet, l’invention a pour objet un ensemble d'un arbre mécanique comprenant deux extrémités cannelées et de deux moyeux cannelés, chaque moyeu étant formé par au moins deux demi-coquilles, les deux extrémités cannelées comprenant au moins huit cannelures, les extrémités cannelées ayant une section droite d’une forme configurée pour permettre un dégagement de l’arbre d’une demi-coquille dans une direction perpendiculaire à un axe longitudinal de l’arbre.
Ainsi, on obtient un ensemble comprenant un arbre cannelé, ce qui est intéressant pour la transmission de puissances ayant un couple élevé tout en ayant un risque de casse diminué. La présence d’au moins huit cannelures par extrémités de l’arbre permettent un calage angulaire varié et précis.
Comme indiqué précédemment, préalablement à la mise en œuvre des dépôts des couches 108 et 116, l’épaisseur et le matériau de ces couches 108 et 116 sont choisis de manière à ce que l’étape d’exposition de la structure à une ou plusieurs impulsions laser fasse fondre le matériau des deuxièmes régions 114, qui est recouvert seulement par la couche 116, mais pas le matériau des premières régions 112, qui est recouvert par les portions 110 de la couche 108 et la couche 116.
Pour cela, l’épaisseur et le matériau de la couche 116 sont tout d’abord choisis de manière à ce que cette couche présente une faible réflectivité, par exemple inférieure ou égale à environ 15 %, ou inférieure ou égale à environ 10 %, vis-à-vis de la longueur d’onde du laser utilisé pour faire fondre le semi-conducteur des deuxièmes régions 114. Selon un premier exemple de réalisation particulier, lorsque le laser utilisé pour faire fondre le semi-conducteur des deuxièmes régions 114 a une longueur d’onde égale à 308 nm, une faible réflectivité vis-à-vis de ce laser est obtenue avec une couche 116 comportant du SiN et une épaisseur E 3 comprise entre 25 nm et 35 nm, par exemple égale à 30 nm. Selon un deuxième exemple de réalisation particulier, lorsque le laser utilisé pour faire fondre le semi-conducteur des deuxièmes régions 114 a également une longueur d’onde égale à 308 nm, la couche 116 peut comporter du SiO 2 et une épaisseur E 3 comprise entre 30 nm et 40 nm, par exemple égale à 35 nm.
Après avoir choisi l’épaisseur et le matériau de la couche 116, l’épaisseur et le matériau de la couche 108 sont choisis de manière à ce que la superposition des matériaux des couches 108, 116 sur les premières régions 112 présente une forte réflectivité, par exemple supérieure ou égale à environ 50 %, ou supérieure ou égale à environ 55 %, vis-à-vis de la longueur d’onde du laser utilisé pour faire fondre le semi-conducteur des deuxièmes régions 114 et protège ainsi les premières régions 112 de manière à ce que le matériau des premières régions 112 ne fonde pas lorsqu’il est exposé à ce laser. Il convient de noter qu’en choisissant ainsi l’épaisseur et le matériau de la couche 108, le semi-conducteur des premières régions 112 est également préservé de l’implantation de dopants mise en œuvre pour obtenir les deuxièmes régions 114. Selon le premier exemple de réaliser particulier indiqué ci-dessus, la couche 108 peut comporter également du SiN et une épaisseur E 1 comprise entre 25 nm et 45 nm. Selon le deuxième exemple de réaliser particulier indiqué ci-dessus, la couche 108 peut comporter également du SiN et une épaisseur E 1 comprise entre 50 nm et 60 nm.
Un deuxième procédé de réalisation d’un dispositif électronique 100 à qubit(s) supraconducteur(s) incluant au moins un JoFET 102 est décrit ci-dessous en lien avec les figures 13 à 23. Dans l’exemple décrit en lien avec ces figures, le dispositif 100 comporte plusieurs JoFETs 102, et deux de ces JoFETs 102 sont visibles sur ces figures.
Dans ce deuxième procédé, le dispositif 100 est réalisé à partir d’un substrat de type semi-conducteur sur isolant, ici SOI (silicium sur isolant). De manière avantageuse, ce substrat est de type FDSOI (silicium sur isolant complètement déserté, ou silicium sur isolant complètement déplété). Ce substrat comporte une couche massive 134, ou couche support, sur laquelle est disposée une couche diélectrique enterrée 136, ou BOX. Une couche superficielle de semi-conducteur 138, ici de silicium, est disposée sur la couche diélectrique enterrée 136. L’épaisseur E 4 de la couche superficielle 138 est avantageusement inférieure ou égale à environ 12 nm, voire inférieure ou égale à environ 7 nm.
Comme dans le premier procédé de réalisation précédemment décrit, des tranchées d’isolation 106 de type STI sont réalisées dans le substrat (à travers les couches 138 et 136, et une partie de l’épaisseur de la couche 134), délimitant les régions du substrat dans lesquelles chacun des JoFETs 102 va être réalisé.
La couche 108 de matériau diélectrique est ensuite déposée sur le substrat en recouvrant également les tranchées 106, puis est ensuite gravée de manière à former les portions 110 qui serviront à délimiter les premières et deuxièmes régions 112, 114 qui seront obtenues dans la couche superficielle 138 (voir ). La couche 108 est par exemple similaire à celle précédemment décrite pour le premier procédé de réalisation. Une étape de nettoyage est mise en œuvre après la réalisation des portions 110.
Une autre couche diélectrique, appelée par exemple deuxième couche diélectrique, comprenant par exemple du SiO 2 , est ensuite déposée de manière conforme sur l’ensemble de la structure, c’est-à-dire sur le substrat, les tranchées 106 et les portions 110 (parois supérieures et latérales). Une gravure anisotrope est ensuite mise en œuvre afin de ne conserver que des portions restantes 140 de cette deuxième couche diélectrique, ces portions 140 recouvrant les flancs latéraux des portions 110 et étant destinées à former ou à faire partie des espaceurs latéraux des JoFETs 102 (voir ).
Dans l’exemple décrit ici, dans lequel le substrat est de type FDSOI, pour obtenir un bon fonctionnement du dispositif 100, le procédé est mis en œuvre tel que les premières régions 112 aient une épaisseur différente de celle des deuxièmes régions 114. Plus particulièrement, afin que les grilles 128 puissent réaliser un bon contrôle électrostatique de la conductivité des premières régions 112, ces premières régions 112 sont réalisées avec une épaisseur inférieure ou égale à environ 12 nm, voire inférieure ou égale à environ 7 nm. Par contre, pour que les deuxièmes régions 114 aient de bonnes propriétés supraconductrices, les deuxièmes régions 114 sont réalisées avec une épaisseur supérieure ou égale à environ 15 nm, ou supérieure ou égale à environ 20 nm.
Pour obtenir cette différence d’épaisseur entre les premières et deuxièmes régions 112 et 114, une étape d’épitaxie de semi-conducteur (de silicium dans l’exemple décrit ici) est mise en œuvre afin de faire croître ce semi-conducteur dans les parties de la couche 138 non recouvertes par les portions 110 et 140 jusqu’à atteindre une épaisseur permettant ultérieurement d’obtenir des deuxièmes régions 114 ayant les propriétés supraconductrices souhaitées. Selon un exemple de réalisation, cette étape d’épitaxie est mise en œuvre de manière à faire croître une épaisseur de semi-conducteur comprise entre environ 5 nm et 25 nm, ce qui permet l’obtention d’une épaisseur totale E 5 de semi-conducteur, au niveau des futures régions de semi-conducteur destinées à être fondues, comprise entre environ 17 nm et 30 nm. Sur la , le semi-conducteur obtenu par la mise en œuvre de cette étape de croissance est désigné par la référence 142. Du fait de la présence des portions 140 autour des portions 110, le semi-conducteur 142 n’est pas en contact avec les portions 110, ce qui permettra, à l’issue du procédé, d’obtenir des deuxièmes régions 114 distantes des grilles 128, c’est-à-dire qui ne sont pas en contact avec les grilles 128.
Une étape de nettoyage est mise en œuvre après cette épitaxie.
Comme dans le premier procédé précédemment décrit, une étape d’implantation de dopants est ensuite mise en œuvre. Les parties de la couche 138 recouvertes par les portions 110 et 140 sont protégées et les atomes dopants ne sont pas implantés dans ces parties de la couche 138 formant les premières régions 112. Les atomes dopants sont par contre implantés dans les deuxièmes régions 114 de la couche 138 non recouvertes par les portions 110 et 140. Avec cette étape d’implantation, les bords latéraux extérieurs (ceux qui ne sont pas en contact avec les portions 110) des portions 140 sont disposés à l’aplomb, ou sont alignés avec, les bords des deuxièmes régions 114 et des premières régions 112.
Dans l’exemple de réalisation visible sur la , les atomes dopants ne sont pas implantés dans toute l’épaisseur de la couche 138. Ainsi, des parties 144 de la couche 138 (délimitées symboliquement des premières régions 112 par des traits pointillés) présentes sous les deuxièmes régions 114 sont préservées de l’implantation de dopants mise en œuvre et serviront ultérieurement de germe cristallin lors de la recristallisation du semi-conducteur fondu des deuxièmes régions 114, ce qui permettra au semi-conducteur recristallisé des deuxièmes régions 114 d’être monocristallin en raison du caractère monocristallin du semi-conducteur des parties 144 de la couche 138 présent sous les deuxièmes régions 114.
En variante, il est possible que les atomes dopants soient implantés dans toute l’épaisseur de la couche 138. Dans ce cas, les deuxièmes régions 114 s’étendent depuis la surface de la couche 138 sur laquelle reposent les portions 110 et 140 jusqu’à la couche diélectrique enterrée 136 (voir ). Dans ce cas, le matériau recristallisé des deuxièmes régions 114 sera polycristallin du fait que le semi-conducteur se recristallise sur le matériau diélectrique de la couche 136.
La suite du procédé est décrite en considérant que les étapes suivantes sont mises en œuvre à partir de la structure représentée sur la , c’est-à-dire en ayant conservé les parties 144 de la couche 138 sous les deuxièmes régions 114. Ces étapes seraient toutefois mises en œuvre de manière identique si les dopants étaient implantés dans toute l’épaisseur de la couche 138.
Après cette implantation, la structure peut subir de nouveau une étape de nettoyage. La couche diélectrique de protection 116 est ensuite déposée de manière conforme sur l’ensemble de la structure, comme précédemment décrit pour le premier procédé. Comme dans le premier procédé, l’épaisseur E 3 et le matériau de la couche 116 sont choisis de manière à ce qu’une étape ultérieure d’exposition de la structure réalisée à une ou plusieurs impulsions laser fasse fondre le matériau des deuxièmes régions 114, qui est recouvert seulement par la couche 116, mais pas le matériau des premières régions 112, qui est recouvert par les portions 110, 140 et la couche 116. En variante, il est possible que la couche 116 ne soit pas déposée de manière conforme, car en raison de la présence des portions 140, des parties de la couche 116 pourront être ultérieurement conservées ou non pour former, avec les portions 140, les espaceurs latéraux autour des grilles 128.
autre vue schématique de l’adaptateur de balai d'essuie-glace et de ses éléments de liaison ainsi que de l’adaptateur intermédiaire au cours d’une opération de montage,
vue schématique de détail d’un élément de liaison arrière et d’une rainure arrière de l’adaptateur intermédiaire avec un élément d’accrochage au cours d’une opération de montage,
autre vue de détail schématique de l’élément de liaison et de la rainure arrière de l’adaptateur intermédiaire à la fin de l’opération de montage, et
vue de côté schématique de l’adaptateur de balai d'essuie-glace et de l’adaptateur de bras d’essuie-glace à l’état complètement monté.
La montre un essuie-glace 10 réalisé comme partie d’un essuie-glace de véhicule comprenant un dispositif d’essuie-glace en vue éclatée. Le dispositif d’essuie-glace comprend un adaptateur de bras d’essuie-glace 12 et un adaptateur de balai d'essuie-glace 14. L’adaptateur de bras d’essuie-glace 12 et l’adaptateur de balai d'essuie-glace 14 sont reliés à un bras d’essuie-glace non détaillé avec un balai d'essuie-glace 16. Le balai d'essuie-glace 16 comprend une lame d’essuyage 22 avec une lèvre d’essuyage 24. Le balai d'essuie-glace 16 a, un rail élastique 26. Le rail élastique 26 est relié à la lame d’essuyage 22. Le rail élastique 26 est prévu pour être relié à l’adaptateur de bras d’essuie-glace 12. Le balai d'essuie-glace 16 a une unité de déflecteur 28. L’unité de déflecteur 28 sur le côté de la lame d’essuyage 22 à l’opposé de celui de la lèvre d’essuyage 24 génère la force d’application.
L’adaptateur de bras d’essuie-glace 12 est fixé au bras d’essuie-glace. L’adaptateur de bras d’essuie-glace 12 est réalisé, de préférence, en une seule pièce avec le bras d’essuie-glace. L’adaptateur de bras d’essuie-glace 12 comporte deux côtés transversaux et deux longs côtés 18, 20 perpendiculaires aux côtés transversaux. Un côté transversal avant de l’adaptateur de bras d’essuie-glace 12 qui est l’opposé du bras d’essuie-glace constitue la face frontale de l’adaptateur de bras d’essuie-glace 12. L’adaptateur de bras d’essuie-glace 12 forme avec ses longs côtés 18, 20 et son dessus, une section pratiquement en forme de U. L’adapteur de bras d’essuie-glace 12 comporte une zone de couplage 30 pour le couplage la mise en contact avec l’adaptateur de balai d'essuie-glace 14.
L’adaptateur de bras d’essuie-glace 12 a plusieurs éléments de liaison 32, 34, 36, 38. De façon préférentielle, l’adaptateur de bras d’essuie-glace 12 a quatre éléments de liaison 32, 34, 36, 38.
Les éléments de liaison 32, 34, 36, 38 font partie de la zone de couplage 30. Les éléments de liaison 32, 34, 36, 38 se trouvent sur le côté inférieur 40 de l’adaptateur de bras d’essuie-glace 12. Le côté inférieur (ou dessous) 40 de l’adaptateur de bras d’essuie-glace 12 est tourné vers l’adaptateur de balai d'essuie-glace 14 à l’état monté de celui-ci. Les éléments de liaison 32, 34, 36, 38 sont des entretoises. Les éléments de liaison 32, 34, 36, 38 réalisés sous la forme d’entretoises s’étendent vers l’intérieur à partir chaque fois de l’un des longs côtés 18, 20. Deux éléments de liaison 32, 34 sont prévus sur le premier côté long 18. Deux éléments de liaison 36, 38 sont prévus sur le second côté long 20. Les deux éléments de liaison 32, 34 du premier côté long 18 sont symétriques plan par rapport aux deux éléments de liaison 36, 38 sur le second côté long 20. Les deux éléments de liaison 32, 36 constituent des éléments de liaison avant. Les deux éléments de liaison 32, 36 sont sur l’un des côtés transversaux avant de l’adaptateur de bras d’essuie-glace 12 notamment les côtés longs 18, 20. Les deux éléments de liaison 34, 38 sont des éléments de liaison arrière. Ces deux éléments de liaison 34, 38 sont tournés vers l’un des côtés transversaux arrière de l’adaptateur de bras d’essuie-glace 12, la zone arrière de l’adaptateur de bras d’essuie-glace 12 notamment des côtés longs 18, 20.