INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Selon un exemple, lorsque au moins la paroi de fond et la paroi latérale sont en matériau diélectrique, la paroi latérale de la pluralité de vias présente une dimension transverse sensiblement comprise entre 50 nm et 600 nm, de préférence sensiblement égale à 400 nm.
Selon un exemple, la couche superficielle du sous-substrat donneur est une couche à base, et de préférence faite, d’un matériau choisi parmi un matériau diélectrique, par exemple un oxyde, un matériau semi-conducteur ou un matériau piézoélectrique.
Selon un exemple, le sous-substrat support comprend en outre une couche superficielle à base, et de préférence faite, d’un matériau diélectrique, par exemple un oxyde, surmontant la première couche (10), la couche superficielle présentant la surface exposée, et/ou la couche superficielle du sous-substrat donneur est une couche à base, et de préférence faite, d’un matériau diélectrique, par exemple un oxyde, surmontant une couche à base d’un matériau choisi parmi un matériau semi-conducteur ou un matériau piézoélectrique.
On comprend donc que la couche d’oxyde enterrée du substrat peut provenir du sous-substrat donneur et/ou du sous-substrat support.
Selon un exemple, la couche superficielle du substrat donneur est à base, de préférence faite, de l’un parmi un matériau semi-conducteur ou un matériau diélectrique. Selon que la couche superficielle est à base d’un matériau semi-conducteur ou d’un matériau diélectrique, on comprend que la paroi supérieure des vias, et le cas échéant des rainures, est à base ou faite d’un matériau semi-conducteur ou d’un matériau diélectrique.
Selon un exemple, la gravure de la pluralité de vias est configurée de façon à former une matrice périodique. Les effets et avantages décrits relativement à la matrice de vias sont donc obtenus.
Selon un exemple, le procédé de fabrication du substrat comprend en outre, préalablement à l’assemblage du sous-substrat support et du sous-substrat donneur, une gravure d’une rainure entourant intégralement au moins un via sur au moins une portion d’une dimension longitudinale dudit via, la rainure s’étendant depuis la couche superficielle dans la première couche. Les effets et avantages décrits relativement à la rainure sont donc obtenus.
Selon un exemple, le procédé comprend une formation d’une zone de fragilisation à une profondeur de la surface de la couche superficielle du substrat donneur, puis une séparation du substrat donneur au niveau de la zone de fragilisation.
Selon un exemple, le procédé de fabrication du dispositif microélectronique comprend préalablement à la gravure par la surface exposée arrière du substrat, une sélection d’au moins un via à graver parmi la pluralité de vias comprenant : l’application, sur la surface exposée arrière du substrat, d’un masque comprenant des ouvertures située à l’aplomb de l’au moins un via à graver, et une gravure de la première couche de façon à atteindre ladite paroi de l’au moins un via à graver. Ainsi, il est possible de sélectionner les vias à graver parmi les vias présents. Le procédé est ainsi adaptable selon la configuration de dispositif microélectronique désirée. Cette sélection est particulièrement avantageuse en synergie avec la caractéristique selon laquelle les vias forment une matrice de vias.
Selon un exemple, la sélection de l’au moins un via à graver comprend l’application du masque puis la gravure de la première couche à travers les ouvertures du masque. Ainsi, on évite une potentielle fragilisation de la paroi des vias à graver. Cette gravure grave ainsi la première couche au droit de l’au moins un via à graver jusqu’à déboucher dans l’au moins un via à graver.
Selon un exemple, la sélection de l’au moins un via à graver comprend la gravure de la première couche de façon à atteindre ladite paroi de l’au moins un via à graver, puis l’application du masque. Ainsi, la paroi latérale en matériau diélectrique peut être présente tout le long de la dimension longitudinale de la cavité qui sera formée. Il n’est pas nécessaire d’isoler la portion de la cavité pour compléter la paroi en matériau diélectrique du via. La première couche est plus particulièrement gravée sur l’ensemble de son plan d’extension principale.
Selon un exemple, le dépôt de l’organe électriquement conducteur ou semi-conducteur est configuré de façon à en outre recouvrir par une couche électriquement conductrice ou semi-conductrice au moins une portion de la surface exposée arrière du substrat.
illustre trois exemples de réalisation de la grille de l’invention ainsi que des effets sur un champ acoustique traversant la grille de chacun desdits trois exemples ;
représente schématiquement une comparaison entre un champ acoustique diffusé à travers une grille de l’état de l’art et un champ acoustique diffusé à travers la grille selon l’invention, ladite grille étant agencée dans une garniture de porte du véhicule automobile ;
représente schématiquement une comparaison entre un champ acoustique diffusé à travers une grille de l’état de l’art et un champ acoustique diffusé à travers la grille selon l’invention, ladite grille étant agencée dans un tableau de bord du véhicule automobile ;
représente schématiquement une comparaison entre un champ acoustique diffusé à travers une grille de l’état de l’art et un champ acoustique diffusé à travers la grille selon l’invention, ladite grille étant agencée dans un siège du véhicule automobile.
Description détaillée La illustre une vue d’au-dessus d’un véhicule automobile 2 comprenant une grille 4 de haut-parleur 6 selon l’invention.
Le haut-parleur 6 est disposé dans la dans une garniture de porte 8 à l’intérieur d’un habitacle du véhicule automobile, mais il peut être agencé dans un siège 10 ou dans un tableau de bord 12 du véhicule automobile 2, les différentes implantations possibles seront amplement détaillées plus loin dans la présente description.
La grille 4 comprend une paroi 4.1 ayant une face avant 4.2 et une face arrière 4.3.
Le haut-parleur 6 diffuse des ondes acoustiques 14 qui vont atteindre la face arrière 4.3 pour traverser la paroi 4.1, cela est possible grâce à des fentes formant des passages entre la face arrière 4.3 et la face avant 4.2.
La représente une vue en coupe agrandie A d’une portion latérale de la grille 4 de la .
En référence à la , les fentes 4.5 s’étendent de la face arrière 4.3 vers la face avant 4.2 (suivant l’axe transversal Y) et formant des écrans 4.6 dans la paroi 4.1 de la grille 4. A cet effet, les fentes 4.5 s’étendent sur toute une épaisseur E de la paroi 4.1.
Préférentiellement, l’épaisseur E est comprise entre 5 mm et 100 mm, et plus préférentiellement comprise entre 10 mm et 80 mm.
De préférence, l’épaisseur E est constante (suivant X). Toutefois, l’épaisseur E peut axialement varier de manière à ce que la face avant 4.1 et/ou la face arrière 4.3 présente(nt) une surface non plane. Par exemple, l’épaisseur E peut être moins importante sur les côtés latéraux de la grille 4 qu’une partie centrale de cette dernière.
Les fentes 4.5 comprennent une largeur f qui peut avantageusement varier entre chacune des fentes 4.5 de la grille 4 suivant une étendue axiale et transversale (X et Y). A cet effet, une largeur d des écrans 4.6 peut également varier. Cette variation va permettre à la grille 4 de modifier au moins partiellement la directivité du champ acoustique émis par le haut-parleur. La modification de la directivité sera détaillée dans la présente description.
Préférentiellement, les fentes 4.5 sont parallèles suivant une étendue axiale. Toutefois, la largeur f desdites fentes 4.5 peut varier suivant l’épaisseur E (suivant Y) formant ainsi des fentes 4.5 rétrécissant et/ou s’élargissant entre la face arrière 4.3 et la face avant 4.2 de la paroi 4.1.
Dans cette , les fentes 4.5 sont illustrées comme étant parallèles à l’axe Z. Toutefois, la grille 4 peut être agencée devant le haut-parleur 6 de la dans une autre orientation autour de l’axe Y, inclinant ainsi les fentes 4.5 par rapport à l’axe Z.
La paroi 4.1 comprend des résonateurs 16 agencés au droit de l’écran 4.6 et débouchant sur une face latérale 4.7 de la fente 4.5.
Dans un mode de réalisation particulier, l’invention concerne une association telle que définie ci-dessus comprenant en outre :
un solvant de l’acétyl hexapeptide-1, un émulsifiant de l’acétyl hexapeptide-1, un dispersant de l’oxyde de zinc, et de l’eau.
Dans un mode de réalisation particulier, le solvant de l’acétyl hexapeptide-1 est choisi parmi : le palmitate d’isopropyle, la glycérine, le triglycéride caprylique caprique, le dicaprylyl carbonate et le propanediol.
Dans un mode de réalisation particulier, l’émulsifiant de l’acétyl hexapeptide-1 est choisi parmi : la lécithine, les esters de sorbitan, les alkyl polyglucosides et les dérivés polyoxyéthylénés.
Dans un mode de réalisation particulier, le dispersant de l’oxyde de zinc est choisi parmi : le triglycéride caprylique caprique, le dicaprylyl carbonate, le C12-15 alkyl benzoate et le diisobutyl adipate.
un solvant de l’acétyl hexapeptide-1 en particulier le palmitate d’isopropyle, un émulsifiant de l’acétyl hexapeptide-1 en particulier la lécithine, un dispersant de l’oxyde de zinc, en particulier le triglycéride caprylique caprique et de l’eau.
Dans un mode de réalisation particulier, l’invention concerne une association comprenant ou constituant en un mélange :
d’oxyde de zinc, d’acétyl hexapeptide-1, de cannabidiol ou de cannabigérol, d’un solvant de l’acétyl hexapeptide-1, d’un émulsifiant de l’acétyl hexapeptide-1, d’un dispersant de l’oxyde de zinc, et de l’eau.
d’oxyde de zinc, d’acétyl hexapeptide-1, de cannabidiol, d’un solvant de l’acétyl hexapeptide-1, d’un émulsifiant de l’acétyl hexapeptide-1, d’un dispersant de l’oxyde de zinc, et de l’eau.
d’oxyde de zinc, d’acétyl hexapeptide-1, de cannabigérol, d’un solvant de l’acétyl hexapeptide-1, d’un émulsifiant de l’acétyl hexapeptide-1, d’un dispersant de l’oxyde de zinc, et de l’eau.
du dioxyde de titane, éventuellement un agent d’enrobage du dioxyde de titane tel que l’alumine, l’hydroxyde d’aluminium, les esters de jojoba ou l’acide stéarique, éventuellement un support de l’agent d’enrobage.
Les documents FR3089682 (B1), US2020185441 (A1) et CN111277775 (A) dont le contenu est incorporé par référence à la présente demande dans les limites prévues par la loi, décrivent une matrice de pixels d'un capteur d'image ou de lumière CMOS.
La est une reproduction de la des documents susmentionnés. Plus particulièrement, la illustre schématiquement un exemple d'une colonne 400 d'une matrice de pixels d'un capteur d'image ou de lumière, la matrice pouvant comprendre une pluralité de colonnes 400.
La colonne 400 de la comprend par exemple N circuits de pixels PIX1 à PIXN, où N est par exemple égal à au moins deux. Dans d'autres exemples, la colonne 400 pourra toutefois comprendre un seul circuit de pixel. De préférence, les N circuits de pixels PIX1 à PIXN sont identiques les uns aux autres.
Chaque circuit de pixel est couplé entre un rail de tension de sortie VS et un autre rail de tension VCS. Dit autrement, chaque circuit de pixel comprend un noeud connecté au rail VS et un noeud connecté au rail VCS.
La illustre schématiquement un exemple du circuit de pixel PIX1 de la , les autres circuits de pixels PIX2 à PIXN de la étant, de préférence, identiques ou similaires au circuit du pixel PIX1.
Le circuit de pixel PIX1 ou, plus simplement, le pixel PIX1, comprend une photodiode 102, par exemple une photodiode pincée. La photodiode 102 a une de ses électrodes, par exemple sa cathode, couplée à un noeud de détection SN du pixel. La photodiode 102 a, par exemple, l'autre de ses électrodes couplée à un rail d'un potentiel de polarisation Vpol.
En , la photodiode 102 est couplée au noeud SN par une porte de transfert, représentée par un commutateur 702. La porte de transfert 702 est disposée entre la photodiode 102 et le nœud de détection SN. La porte de transfert 702 est de préférence connecté au noeud SN. La porte de transfert 702 est contrôlée par un signal TG, par exemple fourni par un circuit de commande du capteur.
Le pixel PIX1 comprend un transistor MOS (de l'anglais "Metal Oxide Semiconductor" – métal oxyde semiconducteur) 204 ayant son nœud de commande (grille) connecté au nœud SN, et agencé pour fonctionner en suiveur de tension. Le transistor 204 a un de ses noeuds de conduction, par exemple son drain, couplé, de préférence connecté, au rail VCS, et l'autre de ses noeuds de conduction, par exemple sa source, couplé au rail VS.
Le transistor 204 est couplé au rail VS par un transistor MOS de lecture 504 contrôlé par un signal de lecture RD, par exemple fourni par un circuit de commande du capteur. Par exemple, le transistor 504 a un de ses noeuds de conduction, par exemple sa source, connecté au rail VS, et l'autre de ses noeuds de conduction, par exemple son drain, connecté au transistor 204, par exemple à la source du transistor 204.
Le pixel PIX1 comprend en outre un transistor MOS 502 de réinitialisation du noeud SN. Le transistor 502 est contrôlé par un signal RST, par exemple fourni par un circuit de commande du capteur. Le transistor 502 est couplé par ses nœuds de conduction entre le nœud SN et un rail de tension de réinitialisation VRST.
Dans l'exemple de la , les transistors 502, 204 et 504 sont à canal P (PMOS). Ainsi, le potentiel VRST est un potentiel bas, par exemple un potentiel plus proche d'un potentiel d'alimentation bas que d'un potentiel d'alimentation haut de la colonne 400 ( ). Le transistor 502 a par exemple sa source couplée, de préférence connectée, au rail VRST, et son drain couplé, de préférence connecté, au noeud SN. Le potentiel Vpol est par exemple le potentiel de masse GND.
En se référant de nouveau à la , une source de courant 402 couple le rail VCS à un rail d'alimentation bas configuré pour recevoir le potentiel d'alimentation bas, par exemple le potentiel de masse GND. La source de courant 402 est configurée pour délivrer un courant I, de préférence constant. Par exemple, une borne de la source de courant 402 est connectée au rail VCS, l'autre borne de la source de courant 402 étant connectée au rail d'alimentation bas GND.
En outre, une impédance variable 404 couple le rail VS à un rail d’alimentation haut configuré pour recevoir le potentiel d'alimentation haut Vdd. L'impédance variable 404 est contrôlée par un amplificateur différentiel 406. L’impédance variable 404 est par exemple mise en œuvre par un transistor PMOS dans l'exemple de la où les pixels ont des transistors 204 à canal P. L'impédance variable 404 a par exemple une borne de conduction connectée au rail VS et une autre borne de conduction connectée au rail d'alimentation VDD. Par exemple, le potentiel d'alimentation VDD est haut par rapport au potentiel d'alimentation bas GND.
L’amplificateur différentiel 406 contrôle l’impédance variable 404 sur la base de la tension sur le rail de tension VCS. Dans l’exemple de la , l’amplificateur différentiel 406 a l’une de ses entrées, dans cet exemple son entrée positive, couplée au rail de tension VCS, et son autre entrée, dans cet exemple son entrée négative, couplée à un circuit 408 (bloc "CALIB. CIRCUIT" en ), qui fournit une tension de référence VREF. Par exemple, la tension de référence VREF est une tension qui varie en fonction d’au moins la température afin d’assurer une compensation de température. Dans des variantes de réalisation, la tension de référence VREF pourrait être fixe, ou pourrait dépendre d’autres paramètres comme le procédé de fabrication, la tension d’alimentation ou la tension du rail de tension VS.
Lors d'une opération de lecture d'un pixel de la colonne 400, le transistor 504 du pixel ( ) est mis à l'état passant alors que les transistors 504 des autres pixels de la colonne 400 ( ) sont maintenus à l'état bloqué. Lorsque le transistor 504 du pixel est à l'état passant, une tension VSN du noeud SN du pixel détermine une tension sur le rail VS. Une lecture de la tension du noeud SN correspond alors à une mémorisation ou à un échantillonnage de la tension sur le rail VS, par exemple sur un condensateur d'échantillonnage (non illustré). Une borne du condensateur d'échantillonnage est par exemple couplée au rail VS, par exemple par un commutateur. Une autre borne du condensateur d'échantillonnage est, par exemple, couplée au rail d'alimentation GND.
Un double échantillonnage corrélé (CDS de l'anglais "Correlated Double Sampling") est mis en œuvre lors de l'opération de lecture du pixel. Par exemple, une première tension du rail VS déterminée par un niveau de réinitialisation du noeud SN est mémorisée ou échantillonnée, par exemple sur un premier condensateur d'échantillonnage, lors d'une lecture du niveau de réinitialisation du noeud SN, et une deuxième tension du rail VS déterminée par un niveau de signal du noeud SN est mémorisée, par exemple sur un deuxième condensateur d'échantillonnage, lors d'une lecture du niveau de signal du noeud SN. Ainsi, l'opération de lecture d'un pixel en mettant en œuvre un double échantillonnage corrélé comprend une lecture du niveau de réinitialisation du noeud SN, suivie d'une lecture du niveau de signal du noeud SN.
Le corps de suceur 23 comprend une semelle 24, par exemple en matière plastique, munie d’une face inférieure 25 configurée pour être orientée vers la surface à nettoyer.
Le corps de suceur 23 comprend en outre une bouche d’aspiration avant 26 située à proximité d’un bord avant 23.1 du corps de suceur 23 et débouchant dans la face inférieure 25 de la semelle 24, et une bouche d’aspiration arrière 27 située à proximité d’un bord arrière 23.2 du corps de suceur 23 et débouchant dans la face inférieure 25 de la semelle 24. De façon avantageuse, chacune des bouches d’aspiration avant et arrière 26, 27 s’étend selon une direction d’extension D1 qui s’étend perpendiculairement à une direction de déplacement D2 du suceur d’aspirateur 6. Toutefois, selon une variante de réalisation de l’invention non représentée sur les figures, le corps de suceur 23 pourrait être pourvu d’une seule bouche d’aspiration par exemple située à proximité du bord arrière 23.2 du corps de suceur 23 ou à proximité du bord avant 23.1 du corps de suceur 23.
Le corps de suceur 23 comprend en outre un canal d’aspiration central 28 qui est relié fluidiquement à chacune des bouches d’aspiration avant et arrière 26, 27. De façon avantageuse, le canal d’aspiration central 28 s’étend sensiblement dans un plan longitudinal vertical médian P du suceur d’aspirateur 6.
Le suceur d’aspirateur 6 comprend également un manchon de raccordement 29 qui est relié fluidiquement au canal d’aspiration central 28 (et donc aux bouches d’aspiration avant et arrière 26, 27) et auquel est destiné à être raccordé et fixé l’embout d’aspiration 8 de l’aspirateur domestique 2. De façon avantageuse, le suceur d’aspirateur 6 comprend un dispositif d’articulation 31 reliant mécaniquement le manchon de raccordement 29 au corps de suceur 23, de manière à permettre un pivotement du corps de suceur 23 vers l’avant et vers l’arrière lors d’un déplacement du suceur d’aspirateur 6 selon une direction de déplacement D1.
Le corps de suceur 23 comporte en outre des éléments de roulement 32, tels que des roulettes et/ou des galets de roulement, faisant saillie de la face inférieure 25 de la semelle 24 et configurés pour rouler sur la surface à nettoyer. De façon avantageuse, les éléments de roulement 32 sont montés libres en rotation par rapport au corps de suceur 23. Les éléments de roulement 32 peuvent par exemple comporter deux roulettes disposées sur une partie avant de la semelle 24 et par exemple entre le bord avant 23.1 du corps de suceur 23 et un bord avant de la bouche d’aspiration 8, et un éventuellement galet de roulement situé à proximité du bord arrière 23.2 du corps de suceur 23.
Le suceur d’aspirateur 6 comprend de plus un dispositif de nettoyage à la vapeur 33 comportant un support de serpillère 34 qui s’étend majoritairement ou intégralement sous la semelle 24, et une serpillère 35 qui est configurée pour être en contact avec la surface à nettoyer. De façon avantageuse, la serpillère 35 est fixée de manière amovible au support de serpillère 34 par exemple par l’intermédiaire d’un système de fixation auto-agrippante, tel qu’un système de fixation à boucles et crochets.
Selon le mode de réalisation représenté sur les figures, le dispositif de nettoyage à la vapeur 33 comporte en outre un support de serpillère additionnel 34’ qui s’étend majoritairement ou intégralement sous la semelle 24, et une serpillère additionnelle 35’ qui est configurée pour être en contact avec la surface à nettoyer. De façon avantageuse, le support de serpillère 34 et le support de serpillère additionnel 34’ sont disposés l’un à côté de l’autre.
Cependant, selon une variante de réalisation de l’invention non représentée sur les figures, le dispositif de nettoyage à la vapeur 33 pourrait être dépourvu du support de serpillère additionnel 34’ et de la serpillère additionnelle 35’.
Le support de serpillère additionnel 34’ et la serpillère additionnelle 35’ ne seront pas décrits en détails ci-après puisque le support de serpillère additionnel 34’ et la serpillère additionnelle 35’ sont respectivement identiques au support de serpillère 34 et à la serpillère 35. Dans les dessins annexés, les éléments relatifs au support de serpillère additionnel 34’ auront les mêmes références numériques que les éléments correspondants relatifs au support de serpillère 34 mais seront suivis par une apostrophe. Il en est de même pour les éléments relatifs à la serpillère additionnelle 35’.
Comme montré sur les figures 3 et 5, le support de serpillère 34 est situé entre la bouche d’aspiration avant 26 et la bouche d’aspiration arrière 27. De façon avantageuse, la serpillère 35 et le support de serpillère 34 s’étendent sensiblement parallèlement l’un par rapport à l’autre, et sensiblement horizontalement lorsque la serpillère 35 repose sur une surface horizontale.
Selon le mode de réalisation représenté sur les figures, le support de serpillère 34 et la serpillère 35 sont chacun circulaires et sont configurés pour être disposés de manière coaxiale. Toutefois, selon une variante de réalisation de l’invention non représentée sur les figures, le support de serpillère 34 et la serpillère 35 pourraient avoir une toute autre forme, par exemple carré, ovale ou rectangulaire.
Selon le mode de réalisation représenté sur les figures, la semelle 24 comporte une cavité de réception 36 prévue sur la face inférieure 25 de la semelle 24, et le support de serpillère 34 est reçu au moins partiellement dans la cavité de réception 36.
De façon avantageuse, le support de serpillère 34 est monté mobile en rotation par rapport au corps de suceur 23 autour d’un axe de rotation A qui est confondu avec un axe central du support de serpillère 34, et le support de serpillère additionnel 34’ est monté mobile en rotation par rapport au corps de suceur 23 autour d’un axe de rotation additionnel A’ qui est confondu avec un axe central du support de serpillère additionnel 34’. De façon avantageuse, l’axe de rotation A et l’axe de rotation additionnel A’ s’étendent verticalement lorsque le suceur d’aspirateur 6 repose sur une surface horizontale.
Le suceur d’aspirateur 6 comporte en outre un mécanisme d’entraînement en rotation 37 configuré pour entraîner en rotation le support de serpillère 34 autour de l’axe de rotation A et pour entraîner en rotation le support de serpillère additionnel 34’ autour de l’axe de rotation additionnel A’. De façon avantageuse, le mécanisme d’entraînement en rotation 37 est configuré pour entraîner en rotation le support de serpillère 34 selon un premier sens de rotation S1 et le support de serpillère additionnel 34’ selon un deuxième sens de rotation S2 qui est opposé au premier sens de rotation S1.