Dispositif (100) à ondes élastiques de surface comprenant une couche piézoélectrique (120), des électrodes (150A, 150B) encastrée dans la couche piézoélectrique, et un substrat (130) supportant la couche piézoélectrique et les électrodes, le dispositif étant caractérisé en ce que le substrat vérifie les deux conditions suivantes : une atténuation d’un mode élastique d’électrode dans la couche piézoélectrique est inférieure à 0,1 dB/λ ; et un rapport de célérités entre un mode élastique volumique de cisaillement du substrat sur un mode élastique fondamental de cisaillement de la couche piézoélectrique est plus petit qu’une valeur prédéterminée de rapport de célérité, le substrat étant choisi parmi l’arséniure de gallium et un verre ayant un module d’Young compris entre 60 GPa et 180 GPa, un coefficient de poisson compris entre 0,15 et 0,35, et une masse volumique comprise entre 2000 kg/m 3 et 6000 kg/m 3 . Dispositif selon la revendication 1, dans lequel le substrat est formé de verre ayant un module d’Young compris entre 60 GPa et 80 GPa, un coefficient de poisson compris entre 0,15 et 0,25, et une masse volumique comprise entre 2100 kg/m 3 et 2400 kg/m 3 . Dispositif selon la revendication 1, dans lequel le substrat est formé de d’arséniure de gallium. Dispositif selon l’une quelconques des revendications 1 à 3, dans lequel la valeur prédéterminée de rapport de célérités est égale à 1. D ispositif selon l’une quelconques des revendications 1 à 4, dans lequel la valeur prédéterminée de rapport de célérités est égale à 0,9. D ispositif selon l’une quelconques des revendications 1 à 3, dans lequel l’atténuation est définie par la formule où, pour une excitation des électrodes générant un mode propagatif d’une onde élastique de cisaillement, Δ est le coefficient de réflexion acoustique par les électrodes, la fonction log représente le logarithme décimal tel que log(e)~0,434, et f h et f b sont des fréquences associées à une résonance de l’onde élastique de cisaillement auxquelles une susceptance du dispositif à ondes élastiques atteint respectivement un maximum et un minimum. Procédé (900) de détermination de l’adaptation d’un substrat à un dispositif à ondes élastiques de surface comprenant une couche piézoélectrique, des électrodes encastrées dans la couche piézoélectrique et ledit substrat, le procédé étant mis en œuvre au moyen d’un système informatique et caractérisé en ce qu’ il comprend l’étape d’émettre (840) un signal représentatif d’une adaptation du substrat au dispositif à onde élastique de surface, lorsque : une atténuation d’un mode élastique d’électrode dans la couche piézoélectrique est inférieure à 0,1 dB/λ ; et un rapport entre une célérité d’un mode élastique volumique de cisaillement du substrat et une célérité d’un mode élastique fondamental de cisaillement de la couche piézoélectrique est plus petit que la valeur prédéterminée de rapport de célérité. Procédé (900) de détermination de l’adaptation d’un substrat à un dispositif à ondes élastiques de surface selon la revendication 4, caractérisé en ce que le système informatique (900) comprend une unité informatique de calcul (910) et une mémoire informatique (920) fonctionnellement en communication avec l’unité de calcul informatique et stockant une base de données stockant des paramètres de géométrie et de nature des électrodes, de la couche piézoélectrique, et du substrat, l’unité de calcul informatique mettant en œuvre les étapes suivantes : récupérer (810) dans la base de données de la mémoire informatique (920) des données incluant des paramètres de géométrie et de nature de l’électrode, de la couche piézoélectrique, et du substrat ; calculer (820) une atténuation d’un mode élastique d’électrode dans la couche piézoélectrique, à partir des données récupérées ; comparer (825) l’atténuation du mode élastique d’électrode dans la couche piézoélectrique à une valeur prédéfinie d’atténuation de 0,1 dB/λ ; calculer (830) un rapport de célérités entre un mode élastique volumique de cisaillement du substrat sur un mode élastique fondamental de cisaillement de la couche piézoélectrique, à partir des données récupérées ; comparer (835) le rapport de célérités à une valeur prédéterminée de rapport de célérités ; émettre (840) le signal représentatif d’une adaptation du substrat au dispositif à onde élastique de surface, lorsque : l’atténuation du mode élastique d’électrode dans le substrat est plus petite que la valeur prédéfinie d’atténuation ; et le rapport de célérités est plus petit que la valeur prédéterminée de rapport de célérité. Procédé selon l’une quelconque des revendications 7 à 8, dans lequel la valeur prédéterminée de rapport de célérités est égale à 1. Procédé selon l’une quelconque des revendications 7 à 9, dans lequel la valeur prédéterminée de rapport de célérités est égale à 0,9. Procédé selon l’une quelconque des revendications 7 à 10, dans lequel l’atténuation est définie par la formule où, pour une excitation des électrodes générant un mode propagatif d’une onde élastique de cisaillement, Δ est le coefficient de réflexion acoustique par les électrodes, la fonction log représente le logarithme décimal tel que log(e)~0,434, et f h et f b sont des fréquences associées à une résonance de l’onde élastique de cisaillement auxquelles une susceptance du dispositif à ondes élastiques atteint respectivement un maximum et un minimum. Procédé (1100) de fabrication d’un dispositif à ondes élastiques de surface comprenant une couche piézoélectrique, des électrodes encastrées dans la couche piézoélectrique et un substrat, caractérisé en ce qu’il comprend le procédé (900) de détermination de l’adaptation d’un matériau de substrat selon l’une quelconque des revendications 7 à 11.