INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
En outre, l’invention a encore pour objet, selon un autre de ses aspects, un procédé de réalisation d’un module photovoltaïque tel que défini précédemment, à partir d’un empilement, formé selon un axe d’empilement vertical, comportant : - une première couche transparente formant la face avant du module photovoltaïque, destinée à recevoir un flux lumineux, - une pluralité de cellules photovoltaïques disposées côte à côte et reliées électriquement entre elles, - un ensemble encapsulant la pluralité de cellules photovoltaïques, - une structure composite formant un cadre pour le module photovoltaïque, comportant au moins : - une couche centrale, - un cadre composite, disposé au moins en partie tout autour de la périphérie de la couche centrale de sorte à entourer au moins en partie la couche centrale,
la rigidité du cadre composite étant supérieure à la rigidité de la couche centrale, le cadre composite présentant un module de Young supérieur à 10 GPa à 25°C, l’ensemble encapsulant la pluralité de cellules photovoltaïques étant situé au moins en partie entre ladite première couche et ladite structure composite, le procédé comportant l’étape de fabrication du module photovoltaïque par un procédé de lamination, d’infusion, de moulage par transfert de résine (ou encore RTM pour « Resin Transfer Molding » en anglais) et/ou de consolidation de préimprégnés, de sorte à ce que le cadre composite soit intégré à l’intérieur du module photovoltaïque, notamment entre les première et deuxième couches.
L’étape de fabrication peut comporter une étape de lamination à chaud et sous vide réalisée à une température supérieure ou égale à 120°C, voire 140°C, voire encore 150°C, et inférieure ou égale à 170°C, voire 180°C, typiquement comprise entre 130°C et 180°C, voire entre 145°C et 165°C, et pendant une durée du cycle de lamination d’au moins 5 minutes, voire 10 minutes, voire 15 minutes, notamment comprise entre 5 et 20 minutes.
Le procédé selon l’invention permet d’améliorer la caractérisation de l’aliment à cuire en déterminant notamment son type et sa géométrie dimensionnelle, de sorte à déterminer précisément le plan de cuisson à partir de cette caractérisation. En effet, il est démontré que l’épaisseur de l’aliment à cuire est prépondérante dans la détermination de la durée de cuisson. Par ailleurs, lors d’une utilisation d’un appareil de cuisson muni d’une plaque de cuisson à faible inertie thermique, la température de la plaque de cuisson chute au contact de l’aliment à cuire. Ainsi une superficie estimée lors de l’étape de caractérisation peut être exploitée pour corriger une perte de calories de la plaque de cuisson liée au contact de l’aliment à cuire.
Ainsi, l’invention permet un accompagnement personnalisé de l’utilisateur afin que celui-ci obtienne en fin de cuisson de l’aliment à cuire un résultat, c’est-à-dire le niveau de cuisson et la texture, le plus proche d’un résultat souhaité.
Selon un mode de réalisation, le plan de cuisson comprend les durées de cuisson pour atteindre différents niveaux de cuisson de l’aliment à cuire, notamment saignant, à point, bien cuit.
Selon un mode de réalisation, l’algorithme de cuisson est déterminé, par exemple, par une loi statistique basée sur une pluralité de plans d’expériences correspondant à une pluralité d’essais empiriques propre à chaque type, géométrie et état de l’aliment à cuire.
Selon un mode de réalisation, le procédé comprend également une étape de mise sous tension du dispositif d’assistance et/ou de l’appareil de cuisson.
Selon un mode de réalisation, l’étape de détermination détermine une température de préchauffage de l’appareil de cuisson en plus de l’algorithme de cuisson.
Selon un mode de réalisation, le procédé comprend une étape de positionnement de l’aliment à cuire au contact de l’appareil de cuisson.
Le contact avec l’appareil de cuisson est réalisé lorsque l’aliment à cuire est positionné à l’intérieur de l’appareil de cuisson, comme par exemple dans un four, ou lorsque l’aliment à cuire est positionné au-dessus d’une surface chauffante comme par exemple dans un barbecue.
Selon un mode de réalisation, l’étape de caractérisation détermine la géométrie dimensionnelle de l’aliment à cuire au moyen d’un algorithme d’odométrie visuelle, ou d’un algorithme de traitement d’image permettant une reconstruction tridimensionnelle, ou d’une technologie de réalité augmentée.
L’algorithme d’odométrie s’applique au déplacement du dispositif d’assistance et est utilisée dans l’étape de caractérisation pour déterminer un lien entre la position du dispositif d’assistance lors de l’acquisition d’une image et un contenu de cette image. L’odométrie impose que le dispositif d’assistance soit déplacé entre plusieurs prises de vue. L’algorithme d’odométrie nécessite une unité de calcul spécifique qui peut être intégrée sur certains smartphones.
Les algorithmes de traitement d’image analysent des caractéristiques physiques particulières sur plusieurs images distinctes prises à des positions différentes autour de la cible. Ces images sont utilisées afin de reconstruire dans un espace tridimensionnel une représentation physique de l’aliment à cuire. Une solution repose sur le domaine technique de la photogrammétrie qui consiste à reconstruire une scène en utilisant la parallaxe obtenue entre les images acquises ayant des points de vue différents. Ainsi, la géométrie dimensionnelle de l’aliment à cuire est déterminée à l’aide d’une reconstruction tridimensionnelle ainsi que d’un référentiel de mesure disposé dans un champ de vue des images.
Ainsi, la détermination de la géométrie dimensionnelle est réalisée automatiquement.
Selon un mode de réalisation, le type de l’aliment à cuire est déterminé automatiquement à partir d’au moins une image de la pluralité d’image, ou indiqué par un utilisateur.
La détermination automatique du type de l’aliment à cuire met en œuvre, par exemple, une solution d’intelligence artificielle de reconnaissance d’image basée sur un réseau de neurones.
Ledit réseau de neurones, Deep Learning en anglais, peut être entraîné sur une base de données représentant des aliments pouvant être disposés sur l’appareil de cuisson. Le réseau de neurones mis en place est de type classifieur ayant pour caractéristiques de sortie le type de l’aliment ainsi qu’un indice de confiance variant sur une plage de 0 à 1 en valeur flottante.
- sélection d’un ou plusieurs autres objets similaires, par exemple les 3 autres objets ayant les niveaux de similitude les plus élevés ;
- collecte de l’action réalisée pour clôturer les autres objets du même type, cette information de l’action réalisée étant par exemple stockée dans un objet de type contenu informatif généré automatiquement lors de la clôture d’un objet du premier type ;
- affichage de la ou les recommandations dans une fenêtre de l’IHM sur l’écran du dispositif 110.
Un appui sur le bouton 31023 génère par exemple une requête pour supprimer l’objet 311 de la base de données 112.
Chaque objet 321, 322 du deuxième groupe 32 comprend en outre chacun un ensemble de boutons virtuels, par exemple 3 boutons 3201, 3202, 3203, une instruction particulière à chaque bouton étant exécutée (par exemple par le serveur 111) lorsque le premier utilisateur clique ou appui (via son doigt lorsque l’écran du dispositif 110 est tactile) sur le bouton ad hoc.
Par exemple, un appui sur le bouton 3201 génère une requête pour répondre à la question ou au problème associé à l’objet 321. Une telle requête génère par exemple l’ouverture automatique d’un nouveau message électronique avec comme destinataire l’émetteur du premier message ayant entrainé la génération du premier objet 321, avec par exemple l’ensemble des destinataires du premier message électronique en copie de ce nouveau message électronique. Un ensemble d’informations tels que l’objet, le projet sont par exemple automatiquement récupérées de la deuxième liste d’informations pour être ajoutés à l’objet et/ou au corps de ce nouveau message électronique. Le premier utilisateur peut alors compléter le texte de ce nouveau message électronique.
La transmission de ce nouveau message électronique entraine automatiquement par exemple le changement de statut du premier objet qui passe de « en cours » à « clôturé » et, optionnellement, la génération d’un nouvel objet de type contenu informatif, avec par exemple les éléments principaux de la réponse apportée par ce nouveau message électronique.
Un appui sur le bouton 3202 génère par exemple une requête pour générer une ou plusieurs recommandations ou suggestions de réponse, comme pour la génération de recommandations suite à l’appui sur le bouton 3102.
Enfin, un appui sur le bouton 3203 génère par exemple une requête pour supprimer l’objet 321 de la base de données 112.
La liste des objets affichés évolue ainsi dynamiquement en fonction des actions du premier utilisateur via l’IHM, notamment via les boutons 3101, 3102, 3103, 3201, 3202, 3203 associés aux objets graphiques 311, 312, 313, 321, 322.
La illustre schématiquement un dispositif 4 configuré pour communiques des données représentatives d’un ensemble de messages électroniques (aussi appelés courriers électroniques, courriels ou emails), selon un exemple de réalisation particulier et non limitatif de la présente invention. Le dispositif 4 correspond par exemple à un dispositif de calcul tel que le dispositif 110 de la ou le serveur 111 de la .
Le dispositif 4 est par exemple configuré pour la mise en œuvre des opérations décrites en regard des figures 1, 2 et 3 et/ou des étapes du procédé décrit en regard de la . Des exemples d’un tel dispositif 4 comprennent, sans y être limités, un équipement électronique tels qu’un dispositif de calcul, un dispositif de traitement de données, un ordinateur, un serveur, un dispositif de communication mobile tel qu’une tablette, un téléphone intelligent ou un objet connecté (par exemple une montre connectée). Les éléments du dispositif 4, individuellement ou en combinaison, peuvent être intégrés dans un unique circuit intégré, dans plusieurs circuits intégrés, et/ou dans des composants discrets. Le dispositif 4 peut être réalisé sous la forme de circuits électroniques ou de modules logiciels (ou informatiques) ou encore d’une combinaison de circuits électroniques et de modules logiciels.
Selon différents exemples de réalisation particuliers et non limitatifs, le dispositif 4 est couplé en communication avec d’autres dispositifs ou systèmes similaires, par exemple par l’intermédiaire d’un bus de communication ou au travers de ports d’entrée / sortie dédiés.
Selon un exemple de réalisation particulier et non limitatif, le dispositif 4 comprend un bloc 42 d’éléments d’interface pour communiquer avec des dispositifs externes, par exemple un serveur distant ou le « cloud ». Les éléments d’interface du bloc 42 comprennent une ou plusieurs des interfaces suivantes :
Selon un autre aspect, il est prévu un système comprenant le circuit intégré tel que défini précédemment, dans lequel le circuit comparateur est configuré pour générer un signal de détection lorsque la tension proportionnelle à la température absolue est inférieure à la tension de référence, ou lorsque la tension proportionnelle à la température absolue est supérieure à la tension de référence et un circuit de contrôle connecté au circuit de détection de seuil de température et à un élément ayant des caractéristiques variant en température, le circuit de contrôle étant configuré pour désactiver l’élément lorsque le signal de détection est généré.
Il existe des systèmes intégrant des éléments pouvant avoir des caractéristiques variant avec la température et pouvant représenter un risque lorsque ceux-ci sont exposés à des températures trop hautes ou trop basses. Ainsi, en utilisant un circuit de détection de seuil de température tel que défini ci-avant au sein de ces systèmes, on peut désactiver de façon autonome et automatiquement ces dispositifs afin de protéger efficacement l’utilisateur contre ces risques.
Selon un autre aspect, il est proposé un procédé de détection d’un seuil de température à partir d’une tension constante avec la température générée par somme d’une tension proportionnelle à la température absolue et d’une tension complémentaire à la température absolue, comprenant une génération d’une tension de référence égale à une fraction de la tension constante avec la température, et une comparaison de la tension proportionnelle à la température absolue avec la tension de référence.
Selon un mode de mise en œuvre, la génération de la tension constante avec la température est faite sur un nœud de base et dans lequel la génération de la tension de référence égale à une fraction de la tension constante avec la température est faite avec un pont résistif diviseur de tension comportant un premier élément résistif couplé entre le nœud de base et un nœud de référence et un deuxième élément résistif couplé entre le nœud de référence et une borne de masse.
Selon un mode de mise en œuvre, le procédé comprend une modification par le pont diviseur de tension du rapport des valeurs résistives des éléments résistifs en conservant une valeur résistive totale des éléments résistifs en série, commandée par un signal de contrôle.
Selon un mode de mise en œuvre, la génération de la tension constante avec la température comprend une génération d’un premier courant dans une première branche couplée au collecteur d’un premier transistor bipolaire, et d’un deuxième courant dans une deuxième branche couplée au collecteur d’un deuxième transistor bipolaire, et une génération de la tension proportionnelle à la température absolue aux bornes d’un premier élément résistif couplée entre un émetteur du premier transistor bipolaire une borne de masse.
La génération de la tension constante avec la température comprend également une génération de la tension complémentaire à la température absolue entre une base du deuxième transistor bipolaire et un nœud intermédiaire couplé à l’émetteur du deuxième transistor bipolaire par l’intermédiaire d’un deuxième élément résistif.
Selon un mode de mise en œuvre, la génération dudit premier courant dans la première branche et dudit deuxième courant dans la deuxième branche comprend une commande du premier transistor bipolaire et du deuxième transistor bipolaire, de façon à réduire la différence d’intensité entre les courants s’écoulant respectivement dans la première branche et dans la deuxième branche, en fonction de la différence entre l’intensité du premier courant circulant dans la première branche et de l’intensité du deuxième courant circulant dans la deuxième branche.
Selon un mode de mise en œuvre, la génération dudit premier courant dans la première branche et dudit deuxième courant dans la deuxième branche est faite par un montage miroir de courant.
Selon un autre aspect, il est prévu un procédé comprenant le procédé de détection d’un seuil de température tel que défini précédemment, comprenant une génération d’un signal de détection par le circuit comparateur lorsque la tension proportionnelle à la température absolue est inférieure à la tension de référence, ou lorsque la tension proportionnelle à la température absolue est supérieure à la tension de référence, et une désactivation d’un élément ayant des caractéristiques variant en température par un circuit de contrôle connecté au circuit de détection de seuil lorsque le signal de détection est généré.
La illustre schématiquement un circuit intégré IC, comportant un générateur de tension indépendante de la température BG selon un mode de réalisation.
Le circuit générateur de tension indépendante de la température BG comporte un premier transistor bipolaire Q1 et un deuxième transistor bipolaire Q2. De tels transistors bipolaires utilisés dans un circuit générateur de tension indépendante de la température BG sont connus en soi et possèdent des zones d’émetteur et des densités de courant de jonction base-émetteur différentes. A titre d’exemple, la superficie du premier transistor bipolaire Q1, correspondant à la taille du premier transistor bipolaire Q1, peut être huit fois supérieure à la superficie du deuxième transistor bipolaire Q2. Pour obtenir un tel rapport de tailles, le premier transistor bipolaire Q1 peut comprendre un montage en parallèle de N transistors bipolaires, par exemple N=8, dans lequel chacun des transistors bipolaires présente une superficie identique à celle du deuxième transistor bipolaire Q2. Un tel montage en parallèle peut être réalisé en couplant respectivement les collecteurs, les émetteurs ainsi que les bases de chaque transistor ensemble. Une superficie N fois plus grande permet au transistor bipolaire d’amplifier d’un facteur N l’intensité du courant sur son collecteur pour une même tension appliquée entre sa base et son émetteur.
- établissement d’un diagnostic de chaque serrure électrique en fonction de la valeur de tension mesurée ;
- détermination de l’état de verrouillage du véhicule en fonction d’un résultat du diagnostic de chaque serrure électrique de l’ensemble de portes.
Après transmission d’une commande de verrouillage à destination de la ou les serrures d’un véhicule, la mesure de la tension appliquée à un fil pilote connecté à chaque serrure du véhicule et utilisé pour commander le verrouillage / déverrouillage de la serrure permet d’établir un diagnostic de la serrure et de vérifier si la serrure fonctionne ou est en défaut.
A partir du diagnostic ainsi effectué et de la commande de verrouillage transmise, il est possible de déterminer si la serrure est effectivement verrouillée, sans avoir besoin d’équiper le véhicule de capteurs de verrouillage. Cela permet ainsi de réduire le coût de fabrication du véhicule.
Selon une variante, le résultat du diagnostic appartient à un ensemble de résultats comprenant :
- court-circuit ;
- circuit ouvert ;
- tension invalide ;
- erreur interne ; et
- tension valide.
Selon une autre variante, l’état de verrouillage appartient à un ensemble d’états comprenant :
- un état verrouillé ; et
- un état déverrouillé.
Selon une variante supplémentaire, l’état de verrouillage correspond à l’état verrouillé lorsque le résultat du diagnostic de chaque serrure de l’ensemble de portes correspond à une tension valide correspondant à une valeur de tension déterminée mesurée sur le fil pilote.
Selon encore une variante, le procédé comprend en outre une étape de détermination d’un état d’ouverture ou de fermeture de chaque porte de l’ensemble de portes, la détermination de l’état de verrouillage du véhicule étant en outre fonction de l’état d’ouverture ou de fermeture de chaque porte de l’ensemble de portes.
Selon une variante additionnelle, la commande de verrouillage est une commande en tension avec une valeur de tension déterminée transmise via le fil pilote.
Selon un mode de réalisation préféré, ledit sel de lithium A comprend au moins un groupement –S(O) 2 -OR. De préférence, ledit sel de lithium A comprend deux groupements –S(O) 2 -OR lorsque ledit sel de lithium B comprend deux groupements –S(O) 2 -F. Ainsi, ledit sel de lithium A comporte deux groupements -OR comportant chacun au moins une double liaison carbone-carbone permettant la formation facilitée d’un polymère contenant un sel de lithium.
Selon un mode de réalisation particulier, ledit sel de lithium A est de formule (III) Li-N(S(O) 2 -OR) 2 avec R de formule R 4 -X-(Y) n - dans laquelle R 4 est un radical comprenant au moins une double liaison carbone-carbone ; X est un hétéroatome sélectionné parmi le groupe consistant en O, S et N(R 5 ) dans lequel R 5 est H ou C 1 -C 10 alkyle ; de préférence R 5 est H, CH 3 ou C 2 H 5 ; Y est un groupement sélectionné parmi le groupe consistant en -C(R 6 )(R 7 )-, -C(R 6 )(R 7 )C(R 6 )(R 7 )SC(R 6 )(R 7 )- et -[(O) z (C(R 8 )(R 9 )-C(R 8 )(R 9 )O) m -C(R 8 )(R 9 )C(R 8 )(R 9 )]- avec R 6 et R 7 indépendamment sélectionnés pour chaque atome de carbone et pour chaque unité Y parmi H ou F ; R 8 et R 9 indépendamment sélectionnés pour chaque atome de carbone et pour chaque unité Y parmi H, F ou CH 3 ; m un entier de 1 à 50, avantageusement de 1 à 40, de préférence de 1 à 30, plus préférentiellement de 1 à 20, en particulier de 1 à 10 ; z = 0 si X est O ; n est un nombre entier de 1 à 50 , avantageusement de 1 à 40, de préférence de 1 à 30, plus préférentiellement de 1 à 20, en particulier de 1 à 10.
Lorsque ledit sel de lithium A est de formule (III) Li-N(S(O) 2 -OR) 2 , les substituants R sont sélectionnés indépendamment l’un de l’autre pour chacun des groupements fonctionnels S(O) 2 -OR.
Ainsi, selon un mode de réalisation préféré, ledit sel de lithium A est de formule (IIIa), (IIIb), (IIIc), (IIId), (IIIe), (IIIf), (IIIg), (IIIh), (IIIi) ou (IIIj) :
X est un hétéroatome sélectionné parmi le groupe consistant en O, S et N(R 5 ) dans lequel R 5 est H ou C 1 -C 10 alkyle ;
Y est un groupement sélectionné parmi le groupe consistant en -C(R 6 )(R 7 )-, -C(R 6 )(R 7 )C(R 6 )(R 7 )SC(R 6 )(R 7 )- et -[(O) z (C(R 8 )(R 9 )-C(R 8 )(R 9 )O) m -C(R 8 )(R 9 )C(R 8 )(R 9 )]- avec R 6 et R 7 indépendamment sélectionnés pour chaque atome de carbone et pour chaque unité Y parmi H ou F ; R 8 et R 9 indépendamment sélectionnés pour chaque atome de carbone et pour chaque unité Y parmi H, F ou CH 3 ;
m un entier de 1 à 50, avantageusement de 1 à 40, de préférence de 1 à 30, plus préférentiellement de 1 à 20, en particulier de 1 à 10 ;
z = 0 si X est O ;
n est un nombre entier de 1 à 50 , avantageusement de 1 à 40, de préférence de 1 à 30, plus préférentiellement de 1 à 20, en particulier de 1 à 10 ;
W est sélectionné parmi O et S, de préférence O.
De préférence, ledit sel de lithium A est de formule (IIIa), (IIIb), (IIIc), (IIId), (IIIe), (IIIf), (IIIg), (IIIh), (IIIi) ou (IIIj) dans laquelle
X est un hétéroatome sélectionné parmi le groupe consistant en O, S et N(R 5 ) dans lequel R 5 est H ou C 1 -C 10 alkyle ; de préférence R 5 est H, CH 3 ou C 2 H 5 ;
DISPOSITIF DE MOTORISATION DES MOUVEMENTS DU PISTON D’UN RÉSERVOIR DE FLUIDE UTILISÉ DANS LE MILIEU MÉDICAL DOMAINE D’APPLICATION DE L’INVENTION
La présente invention est relative au milieu médical et notamment aux adaptations permettant de mettre en mouvement dans les meilleures conditions le piston d’un réservoir de fluide utilisé dans le milieu médical.
Dans le domaine médical dentaire, le traitement communément appelé « dévitalisation », a pour objectif de transformer une dent pathologique en une entité saine, asymptomatique et fonctionnelle sur l’arcade, c’est-à-dire assurer ses fonctions masticatoire, manducatrice (calage, guidage et centrage de l’occlusion), phonétique et esthétique.
Pour ce faire, le praticien chirurgien-dentiste effectue une désinfection à la fois chimique et mécanique du système canalaire dentaire. Il utilise classiquement une instrumentation rotative en nickel titane et des solutions d’irrigation. Dans le domaine médical dentaire, l’irrigation des poches parodontales a pour objectif de nettoyer les espaces interdentaires et les régions sous-gingivales de la plaque buccale afin d’éviter la colonisation de bactéries nocives. Cette procédure est aussi utilisée pour distribuer des agents antimicrobiens dans les zones sous-gingivales. Ses bénéfices sont le nettoyage interdentaire, la prévention de l’halitose, le nettoyage sous gingival et l’application d’agents antimicrobiens.
En plus de la dévitalisation et de l’irrigation des poches parodontales, le chirurgien-dentiste est amené à effectuer d’autres d’opérations avec le même outil : Dévitalisation, Application de révélateur de plaque, Application de révélateur de caries, Application de produit de nettoyage dentaire, Nettoyage avant collage prothétique ou collage de composite, Irrigation de sérum physiologique lors de chirurgies, Application de plasma riche en plaquettes.
Si la seringue d’irrigation garde toujours sa place dans l’irrigation au cours de l’intervention, un nombre croissant de dispositifs et d’équipements réservés à l’activation des solutions a émergé récemment afin de compléter son action et d’optimiser l’efficacité du parage et de la désinfection.
C’est le cas des dispositifs d’irrigation mécanisés de type pousse-seringue qui, de plus en plus, remplacent ou s’associent à ces seringues en les surpassant techniquement. Ces dispositifs utilisent alors des seringues ou des réservoirs à piston de forme dédiée.