INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Ainsi, le substrat 3 comprend des vias 32 pour leur utilisation ultérieure dans un procédé de fabrication d’un dispositif microélectronique. Ceci permet de fournir les vias indépendamment des autres étapes de réalisation d’un dispositif microélectronique 4, comme décrit ultérieurement en référence au procédé de fabrication du dispositif microélectronique.
La dimension longitudinale L 32 peut être choisie de sorte que les vias 32 affleurent la surface de la première couche 30, à l’interface avec la deuxième couche 31, comme par exemple illustré dans les figures 1A à, 2A et 2C. En variante, non illustrée ici, les vias 32 peuvent en outre s’étendre sur une portion de l’épaisseur L 31 de la deuxième couche 31. C’est le cas par exemple lorsque le sous-substrat donneur 2 et le sous-substrat support 1 présentent chacun une couche superficielle à base d’un matériau diélectrique, ces couches superficielles formant ensemble la deuxième couche 31 après l’assemblage.
Les vias 32 étant non débouchants, ils sont délimités par une paroi latérale 320, une paroi de fond 321 et une paroi supérieure 322 opposée à la paroi de fond 321. Notons qu’on peut définir de façon interchangeable la surface avant 3a et la surface arrière 3b du substrat 3 par rapport aux parois de fond 321 et supérieure 322 des vias. Dans la suite et y compris pour le procédé de fabrication du dispositif microélectronique décrit ultérieurement, on considère à titre non limitatif que la paroi de fond 321 est disposée vers la surface arrière 3b du substrat 3 et la paroi supérieure 322 est disposée vers la surface avant 3a du substrat 3. Les procédés décrits ultérieurement peuvent toutefois être adaptés au cas où la paroi de fond 321 est disposée vers la surface avant 3a du substrat 3 et la paroi supérieure 322 est disposée vers la surface arrière 3b du substrat 3.
Par exemple, la sélection des vias à graver 32’ peut être faite par la face avant, et par exemple après une gravure du substrat 3 des vias 32 en face arrière. La sélection des vias à graver 32’ peut être faite par la face arrière, et par exemple avant ou après une gravure du substrat 3 des vias 32 en face avant.
Selon un exemple pouvant être illustré par les figures 1A et 1B, les vias 32 forment au moins un ensemble 32a comprenant un motif 32b se répétant au moins une fois le long d’au moins une direction, de préférence de deux directions, du plan d’extension principale des première 30 et deuxième 31 couches. Ces directions sont de préférence perpendiculaires. On peut prévoir que ces directions ne soient pas perpendiculaires entre elles. On a donc au moins un motif 32b de vias 32 et un ou plusieurs ensembles 32a de vias 32 répétant un motif 32b. Chaque ensemble comprend un motif 32b répété de via 32. Les motifs 32b peuvent être différents entre plusieurs ensembles 32a.
Un motif 32b peut ne comprendre qu’un seul via 32, ou plusieurs vias 32 comme illustré en . Le motif 32b de via peut être de toute forme. Selon un exemple, plusieurs vias 32 peuvent former un motif polygonal pris dans un plan parallèle au plan d’extension principale des première 30 et deuxième 31 couches. Les motifs 32b de vias 32 peuvent être disposés à intervalles réguliers dans le plan d’extension principale des première 30 et deuxième 31 couches.
Ainsi, le substrat 3 peut être un substrat générique comprenant une matrice de vias, dans laquelle des vias à graver 32 seront choisis en fonction des organes électriquement conducteur ou semi-conducteur à former, comme décrit plus en détail ultérieurement.
Pour cela, les motifs 32b de vias 32 peuvent être successivement séparés par un premier pas A selon une première direction contenue dans le plan d’extension principale des première 30 et deuxième 31 couches. Les motifs 32b de vias 32 peuvent être successivement séparés par un deuxième pas B selon une deuxième direction contenue dans le plan d’extension principale des première 30 et deuxième 31 couches, distincte de la première. De préférence, ces première et deuxième directions sont perpendiculaires. Ces pas sont pris centre à centre entre un via du motif 32b et le via correspondant du motif 32b suivant, comme l’illustre la .
L’un et/ou l’autre de ces pas A et B peuvent être sensiblement compris entre 50 µm et 300 µm, de préférence entre 100 µm et 200 µm. Ces pas peuvent être différents l’un de l’autre ou égaux entre eux, selon la géométrie de matrice désirée.
Selon un exemple illustré par les figures 3A et 3B, les vias 32 forment plusieurs ensembles 32a, 32a’, 32a’’, c’est-à-dire au moins deux ensembles ou plus. Chaque ensemble 32a, 32a’, 32a’’ peut comprendre un motif 32b de via se répétant comme décrit ci-dessus. Les motifs 32b, 32b’, 32b’’ de différents ensembles peuvent être différents, comme l’illustre par exemple la .
Les vias 32 peuvent par ailleurs présenter une configuration parmi plusieurs configurations, ou de façon équivalente une structure parmi plusieurs structures. Par exemple, les vias 32 peuvent être au moins en partie creux et/ou au moins en partie remplis d’un matériau solide. Ces configurations sont maintenant décrites en références aux figures 2A à 2C, qui illustrent différentes configurations possibles de vias. Les motifs 32b de vias répétés ne sont pas représentés.
Selon un exemple, la paroi latérale 320 du via 32 peut être faite d’un matériau diélectrique, et le via 32 peut être rempli d’un matériau électriquement conducteur 323 ou semi-conducteur. Cette configuration est compatible avec les étapes du FEOL.
La paroi latérale 320 du via 32 peut être faite d’un matériau diélectrique et le via 32 peut être creux. De préférence, selon ces exemples, au moins la paroi latérale 320 et la paroi de fond 321 sont en matériau diélectrique. La paroi supérieure 320 peut être en matériau diélectrique ou en matériau semi-conducteur ou en matériau piézoélectrique, comme il apparaitra plus clairement lors de la description du procédé de fabrication du substrat 3.
Selon un autre exemple, la paroi latérale 320 du via 32 peut être faite d’un matériau diélectrique, et le via 32 est rempli du matériau de la première couche 30. Selon cet exemple, la paroi de fond 321 du via peut se situer à la normale de la paroi latérale 320 à son extrémité. Cette paroi de fond peut ne pas être matérialisée physiquement par un changement de matériau, comme l’illustre les pointillés en .
Selon un autre exemple, le via 32 peut être creux et non délimité par une paroi latérale en matériau diélectrique. La paroi latérale 320 du via 32 peut être faite du matériau de la première couche 30.
Lorsque le via 32 est creux, il n’est pas rempli d’un matériau solide. Le via 32 est de préférence remplis d’une atmosphère gazeuse telle que de l’air, de l’azote ou de l’argon, éventuellement à une pression inférieure ou égale à la pression ambiante.
Lorsqu’au moins la paroi de fond 321 et la paroi latérale 320 sont en matériau diélectrique, le via 32 une fois rempli par un matériau conducteur électriquement ou semi-conducteur sera isolé électriquement de la première couche 30 et des autres vias 32. En variante, les parois des vias 32, et notamment la paroi latérale 320, peuvent être en matériau semi-conducteur, et plus particulièrement du même matériau que celui de la première couche 30. L’isolation électrique des vias 32 peut être faite ultérieurement lors du procédé de fabrication du dispositif microélectronique à partir du substrat 3, décrit ultérieurement.
Les vias peuvent présenter une dimension transversale D 32 , par exemple un diamètre, sensiblement inférieure ou égale à 30 µm, de préférence sensiblement comprise entre 1 µm et 30 µm, de préférence sensiblement comprise entre 5 µm et 15 µm, et plus préférentiellement encore entre 8 et 12 µm. Ainsi, la dimension latérale D 32 est inférieure aux dimensions typiques des TSV-last, ce qui permet d’avoir un plus grand nombre de vias 32 pour une même surface du substrat 3 dans le plan d’extension principale des première 30 et deuxième 31 couches, c’est-à-dire une plus grande densité de vias 32. La dimension longitudinale des vias L 32 peut être de l’ordre de l’épaisseur L 30 de la couche 30, les vias 32 étant non débouchants. L 32 peut être sensiblement inférieure ou égale à 200 µm, de préférence sensiblement comprise entre 50 et 150 µm, par exemple sensiblement égale à 100 µm. Ces gammes de longueur permettent de faciliter la formation d’un organe électriquement conducteur ou semi-conducteur traversant, par exemple une interconnexion traversante par le via 32, du substrat 3 lors de la fabrication du dispositif microélectronique 4.
Un via 32 peut en outre présenter plusieurs portions présentant chacune une configuration, les configurations étant différentes entre les portions. Par exemple, un via peut présenter une première portion 32c avec une configuration, et une deuxième portion 32d avec une configuration différente, comme illustré par exemple dans les figures 2A et 2B. La dimension latérale D 32 d’un via peut être différente entre les portions, par exemple la première portion 32c et la deuxième portion 32d. Notamment, une première portion peut être remplie et une deuxième portion peut être creuse. Cela permet d’obtenir un via de dimension plus petite tout en facilitant l’accès par la portion creuse.
Les vias 32 peuvent présenter un facteur de forme sensiblement supérieur ou égal à 5, et de préférence supérieur ou égal à 10. Par facteur de forme, on entend le rapport entre la dimension la plus longue sur la dimension la plus courte. Ici le facteur de forme F est tel que F = L 32 /D 32 . Ce facteur de forme permet de faciliter la formation d’un organe électriquement conducteur ou semi-conducteur traversant, par exemple une interconnexion traversante par le via 32, lors de la fabrication du dispositif, et d’augmenter la densité des vias 32 sur le substrat.
En variante, les troisième P3 et quatrième P4 panneaux (et respectivement les cinquième P5 et sixième P6 panneau) formant le premier flanc (respectivement formant le deuxième flanc) comprenant deux faces inclinées l’une par rapport à l’autre peuvent être remplacés par un unique panneau composite, qui est cintré au niveau de la zone de jonction entre les deux faces inclinées. Pour ce faire, le cadre peut comprendre des entailles, sur les longerons du cadre, au niveau de la zone de jonction entre les deux faces inclinées l’une par rapport à l’autre, orientées vers l’intérieur, autorisant, le cintrage du cadre selon un rayon de courbure déterminé.
Par comparaison avec le mode de réalisation des figures 1 et 2 qui comporte une arête à la zone de jonction entre les deux faces inclinées formées par les troisième et quatrième panneaux P3, P4 (respectivement cinquième et sixième panneaux P5, P6), la zone de jonction obtenue par cintrage est de profil courbe, dépourvue d’arrête vive.
De préférence, il doit être tenu compte de cette courbure, dans le fond de forme hexagonale, et de sorte que la forme du fond épouse ce rayon de courbure. Il est de préférence procédé à un usinage du fond afin de casser l’arête vive en regard de la zone de jonction, afin que le rayon de courbure du fond épouse celui de la zone de jonction.
Procédé de fabrication sur ligne automatisée Les différents panneaux composites formant la caisse, voire le couvercle, peuvent être fabriqués manuellement, en atelier, en assemblant, un à un, et de manière indépendante, les différents panneaux composites.
Toutefois, et selon un mode de réalisation avantageux, le procédé de fabrication peut être mise en œuvre en œuvre sur une ligne de fabrication automatisée comprenant un convoyeur avec une presse à rouleaux. Il peut s’agir notamment d’une ligne de fabrication classiquement utilisée dans le domaine de la fabrication des portes isoplanes.
Une telle fabrication automatisée comprend de manière notable l’utilisation d’un cadre de manutention, temporaire, configuré pour être manutentionné par le convoyeur de la ligne automatisée, et qui forme en partie (seulement) un ou plusieurs des cadres du ou des panneaux composites du cercueil selon la présente divulgation.
La illustre à titre d’exemple un cadre de manutention, temporaire, rectangulaire autorisant une fabrication sur une ligne automatisée avec convoyeur, le cadre de manutention comprenant un assemblage de tasseaux externes, sur la périphérie, et des tasseaux internes formant, avec les tasseaux externes, un cadre hexagonal du couvercle (ou de fond) des panneaux composites, après découpe du cadre de manutention le long des tasseaux internes, et selon une trajectoire de découpe passant par les tasseaux internes.
Le cadre de manutention comprend en particulier deux tasseaux, courts et deux tasseaux longs, externes, formant respectivement des traverses et des longerons du cadres. Deux premiers tasseaux internes, court et long, relient respectivement une première traverse, et un premier longeron, d’une part, et le premier longeron à une deuxième traverse.
Deux deuxièmes tasseaux internes, court et long, relient respectivement la première traverse, et un deuxième longeron, d’une part, et le deuxième longeron à la deuxième traverse.
Le cadre formant le panneau de fond (ou panneau de couvercle) est obtenu par une découpe passant le long des tasseaux internes, à savoir le long des deux premiers tasseaux internes, court et long et le long des deux deuxièmes tasseaux, court et long, avec génération de quatre chutes aux angles du cadre de manutention Cm rectangulaire. Après découpe, le cadre du panneau composite hexagonal est ainsi le résultat d’un assemblage des tasseaux internes (premiers et deuxième), des parties médianes restantes des traverses formées par les tasseaux externes, ainsi que de parties intermédiaires restantes des tasseaux externes formant les longerons du cadre de manutention.
Dans un tel cas, le cadre de manutention permet de profiter de l’utilisation de la ligne automatisée, même lorsque le cadre final du panneau composite à obtenir n’est pas rectangulaire, et par exemple hexagonal pour un cercueil parisien, dans ce mode de réalisation.
Les figures 9 et 10 illustrent un autre intérêt du cadre de manutention, à savoir la fabrication de panneaux composites de cadre rectangulaire, mais qui sont individuellement de trop petite taille pour être manutentionnés de manière rentable par la ligne automatisée.
La est ainsi une vue d’un cadre de manutention, temporaire, rectangulaire comprenant un assemblage de tasseaux externes, sur la périphérie, et des tasseaux internes formant avec les tasseaux externes, deux cadres longs et deux cadre courts, pour l’obtention des quatre panneaux composites destinés à former les deux flancs du cercueil, après découpe des tasseaux internes, selon des trajectoires de découpe.
La est une vue d’un cadre de manutention, temporaire, rectangulaire comprenant un assemblage de tasseaux externes, sur la périphérie, et des tasseaux internes formant avec les tasseaux externes, quatre cadres, pour l’obtention des quatre panneaux composites formant deux premier panneaux (de tête) et deux panneaux (de pied) pour la fabrication de deux cercueils, après découpe des tasseaux internes.
A la ou à la , les tasseaux internes, s’étendent perpendiculairement entre eux, et subdivisent le cadre de manutention en quatre cadres destinés à la fabrication de quatre panneaux composites distinctes.
Aussi, et de manière générale, la présente divulgation concerne encore un procédé de fabrication d’un cercueil 1 comprenant les étapes : /A/ assemblage d’un cadre de manutention Cm, rectangulaire, temporaire comprenant des tasseaux externes Te, formant la périphérie du cadre de manutention, et des tasseaux internes Ti, joignant les tasseaux externes Te entre eux, subdivisant l’espace interne du cadre de fabrication en plusieurs sous-espaces, /B/ assemblage d’une première paroi sur un premier côté du cadre de manutention, destinée à former la/ou les paroi(s) intérieure(s) Pint ou la/ou les paroi(s) extérieure(s) Pext, /C/ garnissage du cadre de fabrication avec un matériaux d’âme MA, avec insertion d’un matériau d’âme dans un ou plusieurs desdits sous-espaces, /D/ assemblage d’une deuxième paroi sur un deuxième côté du cadre destinée à former la ou/les parois (s) extérieure(s) Pext ou la/ou les paroi(s) intérieure (s) Pint), obtenant un panneau composite intermédiaire. /E/ découpe du panneau composite intermédiaire selon un ou plusieurs trajectoires de coupe Tj le long des tasseaux internes, de sorte à obtenir un panneau composite par exemple formant le couvercle ou le fond du cercueil selon une possibilité, ou afin d’obtenir plusieurs panneaux composites destinés à former la ceinture du cercueil selon une seconde possibilité.
Le processus décrit en relation avec la peut être mis en œuvre au sein d’un système de traitement de données informatique. À titre d’illustration supplémentaire, la illustre de façon schématique un système informatique de traitement données conçu pour la garantie de la confidentialité de partage de données à plusieurs niveaux. Le système comprend une plateforme informatique hôte 210 qui comprend un ou plusieurs ordinateurs, chacun ayant de la mémoire et au moins un processeur. La plateforme informatique hôte 210 prend en charge le fonctionnement d’une application d’entreprise 240 modérant l’accès à des informations dans une ou plusieurs banques de données 260. En particulier, l’application d’entreprise 240 traite des requêtes d’accès aux données reçues à partir d’une interface d’interrogation 250 dans un client informatique 230 correspondant sur un réseau de communication informatique 220.
De façon importante, un module de garantie de la confidentialité de partage de données à plusieurs niveaux 300 est couplé à l’application d’entreprise 240. Le module de garantie de la confidentialité de partage de données à plusieurs niveaux 300 comprend des instructions de programme informatique utilisables, lors de leur exécution dans la plateforme informatique hôte 210, pour déconstruire une requête d’accès aux données reçue à partir de l’interface d’interrogation 250 en critères constitutifs, tels que des identifiants de colonne (champs). Les instructions de programme récupèrent ensuite une combinaison minimale des critères afin de considérer la requête d’accès aux données spécifique à un individu particulier plutôt que générique à un nombre quelconque d’individus. À cet égard, la combinaison minimale des critères peut être aussi simple qu’un nombre minimal d’identifiants de colonne, ou la combinaison minimale peut être une exigence plus complexe qui varie en termes de nombre et d’identité d’identifiants de colonne sur la base d’un identifiant de colonne spécifique présent dans la requête d’accès aux données. Selon un aspect du mode de réalisation, les instructions de programme interrogent un graphique des relations 280 avec les critères d’interrogation afin de récupérer une indication de la combinaison minimale.
Une fois que la combinaison minimale a été déterminée pour la requête d’accès aux données, les instructions de programme calculent si la combinaison minimale existe ou non dans la requête d’accès aux données. Si tel n’est pas le cas, les instructions de programme refusent la requête d’accès aux données comme étant générique par nature et reflétant une approche coercitive d’accès aux données et de récupération de données susceptible de violer des exigences de confidentialité de l’application d’entreprise 240. Mais dans la mesure où les instructions de programme déterminent que la combinaison minimale existe dans la requête d’accès aux données, les instructions de programme autorisent l’application d’entreprise 240 à produire un ensemble de résultats de données à partir de la banque de données 260 et, selon un second niveau de garantie de la confidentialité, les instructions de programme du module 300 appliquent une ou plusieurs règles de partage de données 270 à l’ensemble de résultats avant d’autoriser l’application d’entreprise 240 à renvoyer l’ensemble de résultats à confidentialité garantie à l’interface d’interrogation 250.
À titre d’une autre illustration supplémentaire du fonctionnement du module de garantie de la confidentialité de partage de données à plusieurs niveaux 300, la est un organigramme illustrant un processus pour la garantie de la confidentialité de partage de données à plusieurs niveaux. En commençant au bloc 310, une requête d’accès aux données est reçue qui comprend un ou plusieurs critères pour effectuer une interrogation, et au bloc 320, les critères de la requête peuvent être extraits. Au bloc 330, les critères sont soumis à un graphique des relations afin de déterminer, pour chaque critère, une combinaison minimale de critères nécessaire d’être présents afin de conclure que la requête d’accès aux données est spécifique et non générique. Au bloc 340, la combinaison minimale est reçue à partir du graphique de relations, et au bloc de décision 350, il est déterminé si les critères de la requête d’accès aux données satisfont ou non l’exigence de la combinaison minimale. Si tel n’est pas le cas, au bloc 360, la requête d’accès aux données est refusée. Mais dans le cas contraire, au bloc 370, un ensemble de résultats est reçu pour la requête d’accès aux données, et au bloc 380, une ou plusieurs règles de partage de données sont récupérées pour la requête d’accès aux données et les règles sont ensuite appliquées à l’ensemble de résultats au bloc 390. De cette manière, une approche à plusieurs niveaux de la confidentialité de partage de données est accomplie.
La présente invention peut être incorporée dans un système, un procédé, un produit programme informatique ou toute combinaison de ceux-ci. Le produit programme informatique peut comprendre un support ou des supports de stockage non transitoire(s) lisible(s) par ordinateur ayant des instructions de programme lisibles par ordinateur stockées sur celui-ci ou ceux-ci, qui lorsqu’elles sont exécutées au sein de l’ordinateur, amènent un ou plusieurs processeurs à réaliser différents processus à titre d’exemple de différents aspects de la présente invention. À cette fin, le support de stockage non transitoire lisible par ordinateur peut être un dispositif tangible qui peut retenir et stocker des instructions pour une utilisation par un dispositif d’exécution d’instructions tel qu’un processeur (unité centrale de traitement ou « CPU »).
Outre un chargement direct à partir d’une mémoire pour une exécution par un ou plusieurs cœurs d’une CPU ou de multiples CPU, les instructions de programme lisibles par ordinateur décrites ici peuvent en variante être téléchargées sur un réseau de communication informatique dans la mémoire d’un ordinateur pour une exécution dans celui-ci. Par ailleurs, seule une partie des instructions de programme peut être récupérée dans la mémoire du dispositif informatique sur un réseau de communication informatique, tandis que d’autres parties peuvent être chargées à partir d’un stockage persistant du dispositif informatique. Encore en outre, seule une partie des instructions de programme peut être exécutée par un ou plusieurs cœurs de traitement d’une ou de plusieurs CPU des dispositifs informatiques tandis que d’autres parties peuvent être exécutées de manière coopérative au sein d’un dispositif informatique différent positionné à distance sur le réseau de communication informatique, des résultats du calcul par les deux dispositifs étant partagés entre ceux-ci.