Les figures 8A à 8H illustrent schématiquement un exemple de mode de réalisation des étapes du procédé de fabrication d'un transistor à haute mobilité électronique à partir d'une tranche donneuse 20 selon la présente invention. Les composants dont les références numériques sont identiques à celles des figures 1A à 1J ou de la ou de la ou de la ou de la ou de la ou de la ou de la remplissent la même fonction. Une tranche temporaire 30 est fournie, comme représenté sur la . Dans cet exemple de mode de réalisation, la tranche temporaire 30 comprend un substrat sacrificiel temporaire 400. Une première couche III-N donneuse temporaire 401 est formée par croissance épitaxiale sur le dessus du substrat sacrificiel temporaire 400, comme représenté sur la . Une tranche donneuse 20 est fournie, la tranche donneuse 20 comprenant par exemple un substrat sacrificiel 200. Selon une variante de réalisation, la tranche donneuse 20 comprend par exemple un substrat sacrificiel 200 et comprend en outre une couche diélectrique sur le dessus de la couche sacrificielle, l’épaisseur de la couche diélectrique étant égale ou inférieure à 50 nm et la couche diélectrique facilitant le collage. La première couche III-N donneuse temporaire 401 est retournée par rapport à la tranche donneuse 20 et par rapport à son orientation d'origine, comme représenté sur la . La première couche III-N donneuse temporaire 401 est collée à la tranche donneuse 20, par exemple directement sur le substrat sacrificiel 200, comme illustré sur la , ou en variante sur la couche diélectrique formée sur le substrat sacrificiel 200. La tranche temporaire 30 et la tranche donneuse 20 sont séparées par division de la première couche III-N donneuse temporaire 401 au niveau du plan 410, pour ainsi former sur la tranche donneuse 20 la première couche III-N donneuse 201 comprenant au moins en partie la première couche III-N donneuse temporaire 401 collée à la tranche donneuse 20. Selon une autre variante de réalisation, la tranche temporaire 30 correspond à une première couche III-N donneuse temporaire 401 amenée à croître, par exemple, sous la forme d'une couche III-N massive à polarité Ga. La première couche III-N donneuse temporaire 401 est ensuite collée à la tranche donneuse 20. À titre d'exemple, une ou plusieurs tranches temporaires 30 sont collées à la tranche donneuse 20, le diamètre de la tranche donneuse 20 étant supérieur au diamètre des tranches temporaires 30. La tranche donneuse 20 comprend par exemple un substrat sacrificiel 200. Selon une variante de réalisation, la tranche donneuse 20 comprend par exemple un substrat sacrificiel 200 et comprend en outre une couche diélectrique sur le dessus de la couche sacrificielle, l’épaisseur de la couche diélectrique étant égale ou inférieure à 50 nm et la couche diélectrique facilitant le collage. La première couche III-N donneuse temporaire 401 est retournée par rapport à la tranche donneuse 20 et par rapport à son orientation d'origine, comme représenté sur la . La première couche III-N donneuse temporaire 401 est collée à la tranche donneuse 20, par exemple directement sur le substrat sacrificiel 200, comme illustré sur la , ou en variante sur la couche diélectrique formée sur le substrat sacrificiel 200. La tranche temporaire 30 et la tranche donneuse 20 sont séparées par division de la première couche III-N donneuse temporaire 401 au niveau du plan 410, pour ainsi former sur la tranche donneuse 20 la première couche III-N donneuse 201 comprenant au moins en partie la première couche III-N donneuse temporaire 401 collée sur la tranche donneuse 20. Le film donneur 21 comprenant la première couche III-N donneuse 201 est ensuite collé à une tranche cible, par exemple la tranche cible de la , et les étapes du procédé telles qu'illustrées sur les figures 1C à 1J sont appliquées en utilisant la tranche donneuse 20 et la tranche cible.