Substrat piézoélectrique sur isolant (POI) comprenant : - un substrat support (102), en particulier un substrat à base de silicium, - une couche piézoélectrique (108), en particulier une couche de tantalate de lithium (LTO) ou de niobate de lithium (LNO), - une couche diélectrique (106), en particulier une couche d’oxyde en silicium, en sandwich entre la couche piézoélectrique (108) et le substrat support (102), - une structure de piégeage (104) en sandwich entre la couche diélectrique (106) et le substrat support (102) comprenant une première couche de piégeage (104a) à base de silicium polycristallin ou amorphe ou poreux, de préférence à base de silicium polycristallin, et, caractérisé en ce que la structure de piégeage (104) comprend une deuxième couche de piégeage (104b) à base d’un matériau différent. Substrat piézoélectrique sur isolant (POI) selon la revendication 1, dans lequel la deuxième couche de piégeage (104b) est à base de carbure de silicium. Substrat piézoélectrique sur isolant (POI) selon la revendication 2, dans lequel la deuxième couche de piégeage (104b) est plus fine que la première couche de piégeage (104a). Substrat piézoélectrique sur isolant (POI) selon la revendication 2 ou 3, dans lequel la deuxième couche de piégeage (104b) a une épaisseur inférieure ou égale à 500nm, en particulier une épaisseur inférieure ou égale à 200nm, en particulier une épaisseur inférieure ou égale à 50nm. Substrat piézoélectrique sur isolant (POI) selon une des revendications 1 à 4, dans lequel la première couche de piégeage a une épaisseur inférieure ou égale à 2µm, en particulier une épaisseur inférieure ou égale à 1µm. Substrat piézoélectrique sur isolant (POI) selon une des revendications 1 à 5, dans lequel la deuxième couche de piégeage (104b) est directement formée sur la première couche de piégeage (104a). Substrat piézoélectrique sur isolant (POI) selon une des revendications 1 à 6, dans lequel la première couche de piégeage (104a) est positionnée entre le substrat support (102) et la deuxième couche de piégeage (104b). Procédé de fabrication d’un substrat piézoélectrique sur isolant (POI) selon une des revendications 1 à 7 comprenant les étapes de : - fournir un substrat support, en particulier un substrat à base de silicium, - fournir un substrat comprenant une couche piézoélectrique, en particulier un substrat comprenant du tantalate de lithium (LTO) ou du niobate de lithium (LNO), - former une structure de piégeage par-dessus le substrat support, - former une couche diélectrique, en particulier une couche d’oxyde de silicium, par-dessus le substrat piézoélectrique et/ou par-dessus la structure de piégeage, - assembler le substrat comprenant une couche piézoélectrique avec le substrat support tel que la couche diélectrique et la structure de piégeage sont en sandwich entre la couche piézoélectrique et le substrat support caractérisé en ce que la formation de la structure de piégeage comprend la formation d’une première couche à base de silicium polycristallin ou amorphe ou poreux, de préférence à base de silicium polycristallin, et, la formation d’une deuxième couche de piégeage à base d’un matériau différent. Procédé de fabrication d’un substrat piézoélectrique selon la revendication 8, comprenant par ailleurs une étape de : - former une zone de fragilisation à l’intérieur de la couche piézoélectrique, et - réaliser une fracture le long de la zone de fragilisation pour séparer une partie de la couche piézoélectrique du restant du substrat comprenant la couche piézoélectrique après l’étape d’assemblage pour transférer la partie de la couche piézoélectrique sur le substrat support.