Circuit intégré comprenant un circuit générateur de tension indépendante de la température (BG) configuré pour générer une tension constante avec la température (VBG) par somme d’une tension proportionnelle à la température absolue (VPTAT) et d’une tension complémentaire à la température absolue (VCTAT),caractérisé en ce que le circuit intégré comprend en outre un circuit de détection de seuil de température (DET) configuré pour générer une tension de référence (VREF) égale à une fraction de la tension constante avec la température (VBG) et un circuit comparateur (COMP) configuré pour comparer la tension proportionnelle à la température absolue (VPTAT) avec la tension de référence (VREF). Circuit intégré selon la revendication 1, dans lequel le circuit générateur de tension indépendante de la température (BG) est configuré pour générer une tension constante avec la température (VBG) sur un nœud de base (NB) et dans lequel le pont résistif diviseur de tension comporte un premier élément résistif (RS1) couplé entre le nœud de base (NB) et un nœud de référence (NREF) et un deuxième élément résistif (RS2) couplé entre le nœud de référence (NREF) et une borne de masse (GND). Circuit intégré selon la revendication 2, dans lequel le pont résistif diviseur de tension (RS1, RS2) est apte à modifier le rapport des valeurs résistives des éléments résistifs (RS1, RS2) en conservant une valeur résistive totale des éléments résistifs en série, de façon commandée par un signal de contrôle (CTRL). Circuit intégré selon l’une des revendications 2 ou 3, dans lequel le circuit générateur de tension indépendante de la température (BG) comprend : - un premier transistor bipolaire (Q1) ayant une base couplée sur le nœud de base (NB), un émetteur couplé à un nœud intermédiaire (NINT) d’un circuit résistif d’ajustement de la tension constante (RCTAT, RPTAT), et un collecteur couplé à une première branche, - un deuxième transistor bipolaire (Q2) ayant une base couplée sur le nœud de base (NB), un émetteur couplé au nœud intermédiaire (NINT) du circuit résistif d’ajustement de la tension constante (RCTAT, RPTAT), et un collecteur couplé à une deuxième branche, - un circuit générateur de courant (POL) configuré pour générer un premier courant (IL) dans la première branche et un deuxième courant (IR) dans la deuxième branche, - le premier transistor bipolaire (Q1), le deuxième transistor bipolaire (Q2), et le circuit résistif d’ajustement de la tension constante (RCTAT, RPTAT) étant configurés conjointement pour générer la tension proportionnelle à la température absolue (VPTAT) entre le nœud intermédiaire (NINT) et la borne de tension de masse (GND), et pour générer la tension complémentaire à la température absolue (VCTAT) entre le nœud de base (NB) et le nœud intermédiaire (NINT). Circuit intégré selon la revendication 4, dans lequel le circuit générateur de courant (POL) comprend un amplificateur (OP) ayant une première entrée (INR) couplée sur la première branche et une deuxième entrée (INL) couplée sur la deuxième branche, l‘amplificateur (OP) étant configuré pour générer un signal de commande (VCOM) sur le nœud de base (NB) adapté pour commander un asservissement de l’intensité des courants (IR, IL) s’écoulant dans la première branche et dans la deuxième branche, par le premier transistor bipolaire (Q1) et le deuxième transistor bipolaire (Q2). Circuit selon la revendication 4, dans lequel le circuit générateur courant (POL) comprend un montage miroir de courant (MIR) configuré pour générer ledit premier courant (IL) dans la première branche et ledit deuxième courant (IR) dans la deuxième branche. Circuit intégré selon la revendication 6, dans lequel le circuit de génération de courant (POL) comprend : - un premier transistor MOS (M1) ayant des bornes de conduction couplées sur la première branche entre le miroir de courant (MIR) et le collecteur du premier transistor bipolaire (Q1) et une borne de commande couplée à un nœud (NR) de la deuxième branche, et - un deuxième transistor MOS (M2) ayant des bornes de conduction couplées sur la deuxième branche entre le nœud (NR) de la deuxième branche et le collecteur du deuxième transistor bipolaire (Q2) et une borne de commande couplée au nœud (NR) de la deuxième branche, - un troisième transistor MOS (M3) ayant des bornes de conduction respectivement couplées à une borne de tension d’alimentation (VDD) et au nœud de base (NB) et une borne de commande couplée au nœud (NR) de la deuxième branche. Système de mesure de la température, comprenant : - le circuit intégré selon l’une des revendications 1 à 7, dans lequel le circuit comparateur (COMP) est configuré pour générer un signal de détection (VOUT) lorsque la tension proportionnelle à la température absolue (VPTAT) est inférieure à la tension de référence (VREF), ou lorsque la tension proportionnelle à la température absolue (VPTAT) est supérieure à la tension de référence (VREF) - un circuit de contrôle (DRIVER) connecté au circuit de détection de seuil de température (DET) et à un élément (ELEM) ayant des caractéristiques variant en température, le circuit de contrôle (DRIVER) étant configuré pour désactiver l’élément (ELEM) lorsque le signal de détection est généré. Procédé de détection d’un seuil de température à partir d’une tension constante avec la température (VBG) générée par somme d’une tension proportionnelle à la température absolue (VPTAT) et d’une tension complémentaire à la température absolue (VCTAT), caractérisé en ce que le procédé comprend une génération d’une tension de référence (VREF) égale à une fraction de la tension constante avec la température (VBG), et une comparaison de la tension proportionnelle à la température absolue (VPTAT) avec la tension de référence (VREF). Procédé selon la revendication 9, dans lequel la génération de la tension constante avec la température (VBG) est faite sur un nœud de base (NB) et dans lequel la génération de la tension de référence (VREF) égale à une fraction de la tension constante avec la température (VBG) est faite avec un pont résistif diviseur de tension comportant un premier élément résistif (RS1) couplé entre le nœud de base (NB) et un nœud de référence (NREF) et un deuxième élément résistif (RS2) couplé entre le nœud de référence (NREF) et une borne de masse (GND). Procédé selon la revendication 10, comprenant une modification par le pont diviseur de tension (RS1, RS2) du rapport des valeurs résistives des éléments résistifs (RS1, RS2) en conservant une valeur résistive totale des éléments résistifs en série, commandée par un signal de contrôle (CTRL). Procédé selon l’une des revendications 10 ou 11, dans lequel la génération de la tension constante avec la température (VBG) comprend : - une génération d’un premier courant (IL) dans une première branche couplée au collecteur d’un premier transistor bipolaire (Q1), et d’un deuxième courant (IR) dans une deuxième branche couplée au collecteur d’un deuxième transistor bipolaire (Q2), - une génération de la tension proportionnelle à la température absolue (VPTAT) aux bornes d’un premier élément résistif (RPTAT) couplée entre un émetteur du deuxième transistor bipolaire (Q2) une borne de masse (GND), - une génération de la tension complémentaire à la température absolue (VCTAT) entre une base du premier transistor bipolaire (Q1) et un nœud intermédiaire (NINT) couplé à l’émetteur du premier transistor bipolaire (Q1) par l’intermédiaire d’un deuxième élément résistif (RCTAT). Procédé selon la revendication 12, dans lequel la génération dudit premier courant (IL) dans la première branche et dudit deuxième courant (IR) dans la deuxième branche comprend une commande du premier transistor bipolaire (Q1) et du deuxième transistor bipolaire (Q2) , de façon à réduire la différence d’intensité entre les courants (IR, IL) s’écoulant respectivement dans la première branche et dans la deuxième branche, en fonction de la différence entre l’intensité du premier courant (IL) circulant dans la première branche et de l’intensité du deuxième courant (IR) circulant dans la deuxième branche. Procédé selon la revendication 12, dans lequel la génération dudit premier courant (IL) dans la première branche et dudit deuxième courant (IR) dans la deuxième branche est faite par un montage miroir de courant (MIR). Procédé de mesure de la température comprenant : - le procédé de détection d’un seuil de température selon la revendication 9 à 14 comprenant en outre une génération d’un signal de détection (VOUT) lorsque la tension proportionnelle à la température absolue (VPTAT) est inférieure à la tension de référence (VREF), ou lorsque la tension proportionnelle à la température absolue (VPTAT) est supérieure à la tension de référence (VREF), - une désactivation d’un élément (ELEM) ayant des caractéristiques variant en température par un circuit de contrôle (DRIVER) lorsque le signal de détection est généré.