Plaque en SiC polycristallin présentant une orientation cristalline préférentielle, ladite plaque étant caractérisée en ce que : (i) son coefficient de texture C 422 est inférieur à 30 %, et (ii.a) son coefficient de texture C 220 est supérieur à 60 %, et de préférence supérieur à 80 %, ou (ii.b) la somme des coefficients de texture C 111 +C 222 +C 511 est supérieure à 70 %, et de préférence supérieure à 80 %. Plaque en SiC polycristallin selon la revendication 1, caractérisée en ce que sa résistivité électrique est inférieure à 20 mOhm.cm, de préférence inférieure à 15 mOhm.cm, et encore plus préférentiellement inférieure à 10 mOhm.cm. Plaque en SiC polycristallin selon l’une quelconque des revendications 1 à 2, caractérisée en ce qu’elle est dopée à l’azote avec un taux d’azote, mesuré par spectroscopie de masse des ions secondaires, supérieur à 5 x 10 19 atomes/cm 3 , de préférence supérieur à 1 x 10 20 atomes/cm 3 , et encore plus préférenciellement supérieur à 1,5 x 10 20 atomes/cm 3 . Plaque en SiC polycristallin selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisée en ce que son coefficient de texture C 422 est inférieur à 20 %, de préférence inférieure à 15 %, et encore plus préférentiellement inférieur à 10 %. Plaque en SiC polycristallin selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, dopée à l’azote avec un taux d’azote, mesuré par spectroscopie de masse des ions secondaires, supérieur à 5 x 10 19 atomes/cm 3 , ladite plaque présentant une résistivité électrique inférieure à 15 mOhm.cm et une orientation cristalline préférentielle, et ladite plaque étant caractérisée en ce que : (i) son coefficient de texture C 422 est inférieur à 20 %, et (ii.a) son coefficient de texture C 220 est supérieur à 60 %, et de préférence supérieur à 80 %, ou (ii.b) la somme des coefficients de texture C 111 +C 222 +C 511 est supérieure à 80 %. Plaque en SiC polycristallin selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisée en ce qu’il s’agit d’une ébauche brute issue d’un procédé de dépôt par phase vapeur. Plaque en SiC polycristallin selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisée en ce qu’il s’agit d’une ébauche intermédiaire pour la fabrication d’un wafer obtenue par rectification d’une ébauche brute selon la revendication 6. Plaque en SiC polycristallin selon la revendication 7, caractérisée en ce que son épaisseur est inférieure à 550 µm, de préférence inférieure à 500 µm, plus préférentiellement inférieure à 450 µm, et encore plus préférentiellement comprise entre 355 µm et 420 µm. Plaque en SiC polycristallin selon l’une quelconque des revendications 1 à 8, caractérisée en ce qu’elle présente un diamètre compris entre 140 mm et 165 mm, une épaisseur comprise entre 350 µm et 450 µm et une déformation caractérisée par un Warp inférieur à 50 µm, de préférence inférieur à 40 µm et encore plus préférentiellement inférieur à 30 µm. Plaque en SiC polycristallin selon la revendication 9, caractérisée en ce qu’elle présente une épaisseur comprise entre 350 µm et 400 µm. Plaque en SiC polycristallin selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisée en ce qu’elle présente un diamètre compris entre 185 mm et 210 mm, une épaisseur comprise entre 500 µm et 650 µm et une déformation caractérisée par un Warp inférieur à 70 µm, de préférence inférieur à 50 µm et encore plus préférentiellement inférieur à 40 µm. Plaque en SiC polycristallin selon la revendication 11, caractérisée en ce qu’elle présente une épaisseur comprise entre 500 µm et 600 µm. Plaque en SiC polycristallin selon l’une quelconque des revendications 1 à 13, caractérisée en ce qu’elle a été obtenue par un procédé de CVD. Procédé de fabrication d’une plaque en SiC polycristallin selon l’une quelconque des revendications 1 à 13 comprenant une étape de dépôt chimique en phase vapeur d’une couche de SiC polycristallin sur la surface en graphite d’un substrat (12) comprenant une surface en graphite, dans lequel on introduit dans une enceinte (2) chauffée un mélange de gaz de manière à créer une phase gazeuse comprenant : - au moins un précurseur gazeux de silicium et/ou de carbone, - au moins un gaz dopant comprenant au moins un atome d’azote, - un gaz porteur, ledit mélange de gaz se décomposant sur la surface dudit substrat (12) en graphite pour former une couche de SiC polycristallin sur ladite surface en graphite dudit substrat, et ledit procédé étant caractérisé en ce que la température dans ladite enceinte chauffée (2) est comprise entre 1450 K et 1650 K et la pression partielle totale desdits précurseurs gazeux est inférieure à 350 mbar, et de préférence inférieure à 300 mbar. Procédé selon la revendication 14, caractérisé en ce que ladite phase gazeuse comprend du trichlorométhylsilane, et de préférence ne comprend pas d’autres précurseurs de silicium et/ou de carbone. Procédé selon l’une quelconque des revendications 14 et 15, caractérisé en ce que ledit gaz dopant est sélectionné dans le groupe formé par : NH 3 , N 2 H 4 , N 2 , H 2 NCH 3 .