Photodiode (200 ; 300) formée dans un substrat semiconducteur (210 ; 310) présentant une première surface (210A ; 310A) et une deuxième surface (210B ; 310B), le substrat comprenant une première région semiconductrice (216 ; 316) de type N formée par croissance épitaxiale et une deuxième région semiconductrice (214 ; 314) de type N plus fortement dopée que la première région (216 ; 316), ladite deuxième région s’étendant depuis la première surface (210A ; 310A) du substrat jusqu’à une première profondeur (H2) dans la première région de type N ; la concentration de dopant de la première région (216 ; 316) de type N augmentant graduellement entre la deuxième surface (210B ; 310B) et la première surface (210A ; 310A) du substrat. Photodiode (300) selon la revendication 1, dans laquelle le substrat (310) comprend en outre une région (312) de type P entre la première région (316) de type N et la deuxième surface (310B) du substrat. Photodiode (300) selon la revendication 2, dans laquelle la concentration de dopant de la région dopée P (312 ; 712) est sensiblement constante. Photodiode (300) selon la revendication 2 ou 3, dans laquelle la concentration de dopant de la région dopée P (312 ; 712) diminue graduellement entre la deuxième surface (310B ; 710B) du substrat (310 ; 710) et la première région (316 ; 716) de type N. Photodiode (200 ; 300) selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, comprenant en outre une région semiconductrice fortement dopée P, sur la deuxième région (214 ; 314) de type N au niveau de la première surface (210A ; 310A) du substrat. Photodiode selon la revendication 5, dans laquelle la concentration de dopant de la région (718) fortement dopée P est comprise entre quelques 10 18 at./cm 3 et quelques 10 19 at./cm 3 . Photodiode selon la revendication 5 ou 6, dans laquelle la région (718) fortement dopée P est formée par implantation ionique. Photodiode (200 ; 300) selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, dans laquelle : - la hauteur de la première région semiconductrice (216 ; 316) de type N est comprise entre 4,5 µm et 10 µm, par exemple entre 4,5 et 7,5 µm ; et/ou - la profondeur (H2) de la deuxième région semiconductrice (214 ; 314) de type N est comprise entre 1 µm et 2 µm ; et/ou - la hauteur de la région semiconductrice (312) de type P est comprise entre 0,5 µm et 3 µm, par exemple entre 0,5 et 1,5 µm. Photodiode (200 ; 300) selon l’une quelconque des revendications 1 à 8, dans laquelle la concentration de dopant de la première région (216 ; 316 ; 716) de type N augmente dans un ratio compris entre 2 et 100, par exemple entre 2 et 10, voire entre 2 et 4. Photodiode (200 ; 300) selon l’une quelconque des revendications 1 à 9, dans laquelle la concentration de dopant de la deuxième région (214 ; 314 ; 714) de type N est de quelques 10 17 at./cm 3 . Photodiode (200 ; 300) selon l’une quelconque des revendications 1 à 10, dans laquelle la deuxième région (214 ; 314 ; 714) de type N est formée par implantation ionique. Photodiode (200 ; 300) selon l’une quelconque des revendications 1 à 11, dans laquelle le substrat est en silicium. Photodiode (200 ; 300) selon l’une quelconque des revendications 1 à 12, dans laquelle des tranchées isolantes (120 ; 720) sont formées dans la hauteur du substrat (210 ; 310 ; 710) de manière à isoler ladite photodiode, lesdites tranchées pouvant par exemple former des isolations par tranchées profondes capacitives. Méthode de fabrication d’une photodiode (700) dans un substrat semiconducteur (710) présentant une première surface (710A) et une deuxième surface (710B), la méthode comprenant : - la fourniture d’un premier substrat (703, 704) ; - la formation, par croissance épitaxiale sur le premier substrat, d’une première région semiconductrice (716) de type N, comprenant l’augmentation graduelle de la concentration de dopant de type N au cours de ladite croissance épitaxiale, de sorte que la première région (716) de type N formée comprend une première surface (716A) la plus éloignée du premier substrat plus fortement dopée N qu’une deuxième surface (716B) la plus proche du premier substrat ; et - la formation d’une deuxième région semiconductrice (714) de type N plus fortement dopée que la première région (716), ladite deuxième région semiconductrice étant formée depuis la première surface (716A) de la première région (716), au niveau de la première surface (710A) du substrat (710), jusqu’à une première profondeur (H2) dans ladite première région. Méthode de fabrication selon la revendication 14, dans laquelle le premier substrat (704) comprend une région semiconductrice (712) de type P, la formation par croissance épitaxiale de la première région semiconductrice (716) de type N étant réalisée à partir de ladite région semiconductrice de type P. Méthode de fabrication selon la revendication 14, comprenant, préalablement à la formation de la première région semiconductrice (716) de type N, la formation d’une région semiconductrice (712) de type P par croissance épitaxiale à partir du premier substrat (703) ; la formation par croissance épitaxiale de la première région semiconductrice (716) de type N étant réalisée à partir de ladite région semiconductrice de type P formée. Méthode de fabrication selon l’une quelconque des revendications 14 à 16, comprenant la formation d’une région semiconductrice (718) fortement dopée P sur la deuxième région (714) de type N. Dispositif électronique comprenant au moins une photodiode selon l’une quelconque des revendications 1 à 13. Dispositif électronique selon la revendication 18, ledit dispositif étant un capteur d’images à temps de vol comprenant une pluralité de pixels, chaque pixel comprenant la au moins une photodiode.