Procédé de mise en forme d’éléments de substrats comprenant : - la fourniture d'éléments de substrat ayant chacun un premier côté (110) et un deuxième côté (120) se rencontrant au niveau d'un coin ; - le prélèvement et le placement des éléments de substrat pour les aligner sur un dispositif support ; - la découpe de chacun des éléments de substrat le long d'une ligne de découpe (570) ayant une première direction commune et croisant les premier et deuxième côtés (110, 120) de chacun des éléments de substrat afin de créer un troisième côté (130) sur chaque élément de substrat, le troisième côté de chacun des éléments de substrat rencontrant les premier et deuxième côtés au niveau des coins correspondants. Procédé selon la revendication 1, dans lequel, pendant le prélèvement et le placement, lesdits éléments de substrat sont orientés de sorte que les premiers côtés des éléments de substrat soient parallèles sur le dispositif de support et/ou de sorte que les deuxièmes côtés des éléments de substrat soient parallèles sur le dispositif de support. Procédé selon la revendication 2, dans lequel la découpe desdits éléments de substrat est effectuée le long d'une deuxième ligne de découpe (580, 590, 595) ayant une deuxième direction commune à tous les éléments de substrat, différente de ou parallèle à la première direction et croisant les premier et deuxième côtés et/ou un autre côté de chacun des éléments de substrat. Procédé selon la revendication 3, dans lequel la deuxième direction est perpendiculaire à la première direction. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel ledit dispositif de support est configuré pour maintenir en place lesdits éléments de substrat pendant que la découpe des éléments de substrat est effectuée. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel les éléments de substrat comprennent du verre ou un matériau photovoltaïque ou un matériau semiconducteur, par exemple du silicium, du carbure de silicium, du germanium, un alliage d'indium et de gallium ou du saphir ou une matrice de contact à billes ou un substrat à matrice de pastilles. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel les éléments de substrat ont un quatrième côté, le premier côté ou le deuxième côté rencontrant le quatrième côté au niveau d'un coin supplémentaire ; et dans lequel, après que le troisième côté 130 des éléments de substrat a été créé, les éléments de substrat sont prélevés et placés de sorte à être alignés sur le dispositif de support ou sur un autre dispositif de support ; puis une autre découpe des éléments de substrat est effectuée le long d'une ligne de découpe supplémentaire ayant une troisième direction commune à tous les éléments de substrat et croisant le premier côté ou le deuxième côté et le quatrième côté de chacun des éléments de substrat afin de créer au moins un cinquième côté, pour chacun des éléments de substrat, rencontrant le premier côté ou le deuxième côté et le quatrième côté au niveau des coins correspondants. Procédé d’obtention d’éléments de substrats comprenant : - la découpe (620, 630) d'un substrat, agencé sur un dispositif de support, avec un premier outil de découpe, en des éléments de substrat (100) ayant chacun un premier et un deuxième côté se rencontrant au niveau d'un coin ; - la rotation de l'outil de découpe et la découpe 610 des éléments de substrat, afin de créer au moins un troisième côté, pour chacun des éléments de substrat, le troisième côté rencontrant les premier et deuxième côtés au niveau de coins correspondants. Procédé selon la revendication 8, dans lequel la découpe des éléments de substrat est effectuée le long d'au moins deux lignes de découpe parallèles. Procédé selon la revendication 8 ou 9, dans lequel, pendant la découpe du substrat, une même opération de découpe est effectuée deux fois afin de séparer deux éléments de substrat adjacents. Procédé selon l'une quelconque des revendications 8 à 10, dans lequel les éléments de substrat sont agencés en colonnes avec un intervalle entre des colonnes adjacentes ou en lignes avec un intervalle entre des lignes adjacentes. Procédé selon l'une quelconque des revendications 8 à 11, dans lequel les éléments de substrat comprennent chacun un même agencement de caractéristiques, l'agencement de caractéristiques étant tourné de 180° entre des éléments de substrat alternés de telle sorte que des coins opposés soient découpés sur des éléments de substrat alternés. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 12, dans lequel au moins une des étapes de découpe est effectuée par sciage ou par découpe au laser. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel l'étape de fourniture d'éléments de substrat comprend la découpe d'un substrat, placé sur un support initial, en des éléments de substrat.