Procédé de fabrication d’une structure multicouche de type semi-conducteur sur isolant (1) comprenant les étapes suivantes : (a) assemblage d’un substrat support (2) réalisé en un matériau semi-conducteur présentant une résistivité électrique supérieure ou égale à 500 Ω.cm et contenant de l’azote interstitiel (6) et de l’oxygène interstitiel (7), la concentration initiale en oxygène interstitiel (6) dans le substrat support (2) étant comprise entre 15 old ppma et 25 old ppma (mesurée selon la norme ASTM79), et d’un substrat donneur d’une couche semi-conductrice à transférer (4), une couche électriquement isolante (3) étant à l’interface entre le substrat support (2) et le substrat donneur, (b) transfert de ladite couche semi-conductrice (4) sur le substrat support, le procédé comprenant en outre une étape (c) de nucléation adaptée pour précipiter de façon contrôlée au moins une partie de l’oxygène interstitiel (7) et au moins une partie de l’azote interstitiel (6) de sorte à former des germes (9) de précipités d’oxygène et d’azote (8) et une étape (d) de stabilisation adaptée pour faire croître lesdits germes de précipités d’oxygène et d’azote jusqu’à une taille comprise entre 10 nm et 50 nm. Procédé selon la revendication 1, comprenant en outre, avant l’étape d’assemblage (a), la formation d’une couche de piégeage de charges (5) sur le substrat support (2), ladite couche de piégeage de charges (5) étant agencée entre le substrat support (2) et la couche électriquement isolante (3). Procédé selon la revendication 2, dans lequel la formation de ladite couche de piégeage de charges (3) comprend le dépôt d’une couche de silicium polycristallin sur le substrat support. Procédé selon la revendication 3, dans lequel le dépôt de ladite couche de silicium polycristallin est réalisé après l’étape (d) de stabilisation des précipités d’oxygène et d’azote (8). Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que la concentration initiale en azote interstitiel (6) dans le substrat support (2) est comprise entre 10 14 atomes/cm 3 et 10 15 atomes/cm 3 . Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel, à l’issue de l’étape (d) de stabilisation, le substrat support (2) comprend une concentration en précipités d’oxygène et d’azote (8) comprise entre 10 7 cm -3 et 10 10 cm -3 , préférentiellement une concentration comprise entre 10 8 cm -3 et 10 9 cm -3 . Procédé selon l’une des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que l’étape de nucléation (c) et l’étape de stabilisation (d) comprennent chacune un traitement thermique, la température appliquée durant le traitement thermique de nucléation (c) étant inférieure à la température appliquée lors du traitement thermique de stabilisation (d) et la durée du traitement thermique de nucléation (c) étant inférieure à la durée du traitement thermique de stabilisation (d). Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel l’étape de nucléation (c) comprend l’application d’une température comprise entre 650 °C et 800 °C, préférentiellement une température comprise entre 700 °C et 750 °C, pendant une durée supérieure à une heure, préférentiellement une durée de deux heures. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel l’étape de stabilisation (d) comprend l’application d’une température supérieure à 900 °C, préférentiellement une température de 950 °C, pendant une durée supérieure à deux heures, préférentiellement une durée de quatre heures. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel les étapes de nucléation (c) et de stabilisation (d) sont exécutées directement l’une à la suite de l’autre avant l’étape (a) d’assemblage. Structure multicouche de type semi-conducteur sur isolant comportant, de sa face arrière vers sa face avant, un substrat support (2), une couche électriquement isolante (3) et une couche semi-conductrice (4), caractérisé en ce que le substrat support (2) est réalisé en un matériau semi-conducteur présentant une résistivité électrique supérieure ou égale à 500 Ω.cm et comportant des précipités d’oxygène et d’azote (8) présentant une taille comprise entre 10 nm et 50 nm, dans une concentration comprise entre 10 7 cm -3 et 10 10 cm -3 . Structure selon la revendication 11 comprenant en outre une couche de piégeage de charge (5) entre le substrat support (2) et la couche électriquement isolante (3). Structure selon l’une quelconque des revendications 11 ou 12 caractérisée en ce que la concentration résiduelle en oxygène interstitiel (7) dans le substrat support (2) est inférieure à 15 old ppma, préférentiellement inférieure à 12 old ppma (mesurée selon la norme ASTM79).