Procédé de fabrication d'une structure, comprenant : la formation d'un évidement (2) dans un substrat semi-conducteur (1) ; l'oxydation d'au moins une surface intérieure de fond (2a) de l'évidement (2) ; et la fourniture d'un liquide capable de dissoudre un oxyde d'un matériau de substrat semi-conducteur (1) au moins à la surface intérieure de fond (2a) de l'évidement (2). Procédé de fabrication d'une structure selon la revendication 1, dans lequel la formation de l'évidement (2) dans le substrat semi-conducteur (1) est effectuée par gravure utilisant un catalyseur qui comprend un métal noble. Procédé de fabrication d'une structure selon la revendication 2, dans lequel la gravure utilisant un catalyseur qui comprend un métal noble est une gravure chimique assistée par un métal. Procédé de fabrication d'une structure selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel l'oxydation est une oxydation thermique, une oxydation anodique, ou une photo-oxydation. Procédé de fabrication d'une structure selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel le substrat semi-conducteur (1) est un substrat de Si, et l'oxyde du matériau de substrat semi-conducteur est un oxyde de Si. Procédé de fabrication d'une structure selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel le liquide qui est capable de dissoudre l'oxyde du matériau de substrat semi-conducteur (1) comprend du fluorure d'hydrogène. Procédé de fabrication d'une structure, comprenant : la formation d'un évidement (2) dans un substrat semi-conducteur (1) ; la fourniture d'un oxyde contenant des impuretés au moins à une surface intérieure de fond (2a) de l'évidement (2) ; le chauffage du substrat semi-conducteur (1) en présence d'oxygène gazeux ; et la fourniture d'un liquide capable de dissoudre un oxyde d'un matériau de substrat semi-conducteur (1) au moins à la surface intérieure de fond (2a) de l'évidement (2). Procédé de fabrication d'une structure selon la revendication 7, dans lequel la formation de l'évidement (2) dans le substrat semi-conducteur (1) est effectuée par gravure utilisant un catalyseur qui comprend un métal noble. Procédé de fabrication d'une structure selon la revendication 8, dans lequel la gravure utilisant un catalyseur qui comprend un métal noble est une gravure chimique assistée par un métal. Procédé de fabrication d'une structure selon l'une quelconque des revendications 7 à 9, dans lequel l'oxyde contenant une impureté est formé par dépôt chimique en phase vapeur, dépôt chimique en phase vapeur basse pression, ou implantation ionique. Procédé de fabrication d'une structure selon l'une quelconque des revendications 7 à 10, dans lequel l'oxyde contenant une impureté comprend, en tant qu'impureté, au moins l'une parmi une impureté de type P et une impureté de type N. Procédé de fabrication d'une structure selon l'une quelconque des revendications 7 à 11, dans lequel le substrat semi-conducteur (1) est un substrat de Si, et l'oxyde du matériau de substrat semi-conducteur est un oxyde de Si. Procédé de fabrication d'une structure selon l'une quelconque des revendications 7 à 12, dans lequel le liquide qui est capable de dissoudre l'oxyde du matériau de substrat semi-conducteur comprend du fluorure d'hydrogène. Procédé de fabrication d'un condensateur, comprenant : la fabrication d'une structure comprenant un substrat semi-conducteur (1) comprenant un évidement par le procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 13 ; et la formation d'une couche conductrice (13) ou d'une couche diélectrique (14) dans l'évidement (2) du substrat semi-conducteur (1).