INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
D’autres caractéristiques non limitatives et avantageuses de la prise de courant conforme à l’invention, prises individuellement ou selon toutes les combinaisons techniquement possibles, sont les suivantes : - l’obturateur est disposé entre la base de la lyre et les bornes de connexion ; - ledit obturateur présente une forme en U dont la base comprend une rainure conformée pour accueillir une partie de la base de la lyre et dont les deux branches forment des volets d’obturation desdits orifices de la paroi intermédiaire ; - chaque volet de l’obturateur présente un pan incliné pour l’appui d’une extrémité d’une des broches de la fiche électrique engagée au travers d’un des orifices de la paroi intermédiaire ; - il est prévu des moyens de rappel dudit obturateur en position d’obturation ; - la lyre est centrée dans le boîtier par l’intermédiaire d’un plot qui coopère par encliquetage avec une barrette formée dans la paroi intermédiaire; - la lyre est maintenue dans le boîtier, à l’avant, par la paroi intermédiaire et, à l’arrière, par des aménagements prévus dans ledit boîtier ; - l’enjoliveur comprend : a) une paroi latérale délimitant le puits d’axe X, et b) un volet qui obture la section du puits, comprenant deux ouvertures pour le passage des broches d’une fiche insérée dans le puits, ce volet étant monté mobile en translation suivant ledit axe X par rapport à la paroi latérale, entre une position enfoncée et une position relevée ; - l’obturateur est mobile en translation selon un axe transversal orthogonal audit axe X ; - l’enjoliveur comprend, entre le volet et la paroi intermédiaire du boîtier, un autre obturateur solidaire dudit volet et monté libre en rotation autour de l’axe X entre une position de fermeture dans laquelle il obture les ouvertures du volet et une position d’ouverture dans laquelle il libère ces ouvertures ; - il est prévu des moyens de rappel dudit autre obturateur en position de fermeture ; et - il est prévu des moyens de rappel dudit volet en position relevée.
est une vue en perspective avec un arraché partiel d’une prise de courant conforme à l’invention,
est une vue en perspective avant du boîtier de la prise de courant de la ,
est une vue en perspective de trois quarts avec un arraché partiel du boîtier de la ,
est une autre vue en perspective de côté avec un arraché partiel du boîtier de la ,
est une vue en perspective éclatée du boîtier de la ,
est une vue de face du boîtier de la ,
est une vue en coupe selon le plan A-A de la ,
est une vue en coupe selon le plan B-B de la ,
La couche intermédiaire 106 est une couche à base d’oxynitrure de silicium SiO x N y . L’épaisseur de la couche intermédiaire 106 est comprise entre 100nm et 1000nm, en particulier entre 200nm et 1000nm.
Pour obtenir la composition variable de la couche intermédiaire 106, les paramètres de déposition sont variés lors du dépôt pour modifier la quantité d’azote et/ou la quantité d’oxygène dans l’épaisseur de la couche déposée, de telle manière que la variation graduelle de la composition de la couche déposée 106 est obtenue pour obtenir l’impédance acoustique désirée à la surface supérieure libre 126 de la couche déposée 106, comme expliqué auparavant.
La variation de la composition de la couche d’oxynitrure de silicium SiO x N y déposée est définie par qt= y/(y+x).
La variation de la quantité qt 1 est une variation décroissante entre l’interface 108 avec le substrat support 102 et la surface libre supérieure 126 de la couche d’oxynitrure de silicium SiO x N y 106. La variation est décroissante par palier ou est une décroissance linéaire.
A l’interface 118 avec le substrat support 102, la quantité qt 1 est au moins égale à 0.4, en particulier la quantité qt 1 est de l’ordre de 0.7. Ainsi, l’impédance acoustique de la couche intermédiaire 106 à l’interface 118 avec le substrat support 102 est de l’ordre de la première impédance acoustique du substrat support 102, en particulier elle est la même.
A la surface libre 126 de la couche intermédiaire 106, qui est prévue pour entrer en contact avec une autre couche lors d’une étape de procédé ultérieure, la quantité qt 1 est définie par la valeur d’impédance acoustique de la couche qui va être mise en contact sur la surface libre 126.
Lors de l’étape IV) le substrat piézoélectrique 128 est fourni.
Lors de l’étape V) la couche diélectrique 110 est réalisée sur la surface libre 130 du substrat piézoélectrique 128. Avant de réaliser la formation de la couche diélectrique 110, une ou plusieurs étapes de nettoyage, de brossage ou de polissage de la surface 130 du substrat piézoélectrique 128 peut / peuvent être réalisées pour enlever la présence de particules et de poussière pour obtenir ainsi une surface libre 130 plus propre ce qui permet l’obtention d’une couche diélectrique 110 déposée de meilleure qualité.
La formation de la couche diélectrique 110 sur la surface libre 130 du substrat piézoélectrique 128 peut être réalisée par une technique de croissance thermique ou assisté par plasma telle que LPECVD à basse pression et/ou à basse température. Un traitement thermique peut être réalisé après le dépôt de la couche diélectrique 110 pour densifier la couche diélectrique 110.
Selon une variante, des étapes de traitement de surface de la surface libre 130 du substrat piézoélectrique 128 peuvent être réalisées avant la formation de la couche diélectrique 110. Par exemple, un traitement d’activation de surface comme un traitement plasma ou un traitement à base d’ozone.
Selon l’invention, la couche diélectrique 110 est une couche d’oxyde de silicium.
Selon l’invention, le substrat piézoélectrique 128 obtenu après l’étape V), est ensuite assemblé au substrat support 102 obtenu à l’étape III) durant une étape VI) d’assemblage pour former un assemblage 132 substrat support – substrat piézoélectrique. L’assemblage du substrat piézoélectrique 128 sur le substrat support 102 est fait telle que la couche intermédiaire 106 est positionnée en contact avec la couche diélectrique 110 du substrat piézoélectrique 128 de telle manière que la couche intermédiaire 106 est en sandwich entre la couche diélectrique 110 du substrat piézoélectrique 128 et le substrat support 102. La couche intermédiaire 106 est ainsi en contact direct avec la couche diélectrique 110 du substrat piézoélectrique 128 à l’interface 112.
Dans cette structure, l’impédance acoustique de la couche intermédiaire 106 à la surface libre 126 est de l’ordre de l’impédance acoustique de la couche diélectrique d’oxyde de silicium 110. De plus, le collage entre les substrats se fait à une interface 112 qui est essentiellement faite du même matériau des deux côtés de l’interface 112.
Une fois les deux substrats assemblés, une étape d’amincissement VII) (non illustrées) du substrat piézoélectrique 128 peut être réalisée pour obtenir une couche plus mince piézoélectrique 104. Par exemple, l’étape d’amincissement peut être réalisée par meulage ou par une étape de formation d’une zone de fragilisation dans le substrat piézoélectrique 128 de manière à délimiter la couche piézoélectrique 104 à transférer sur le substrat support 102 et fracturation. Cette étape de formation d’une zone de fragilisation est réalisée par une implantation d'espèces atomiques ou ioniques dans le substrat piézoélectrique 128. L’implantation atomique ou ionique peut être réalisée de telle manière que la zone de fragilisation est située à l’intérieure du substrat piézoélectrique 128 et sépare une couche piézoélectrique 104 du reste du substrat piézoélectrique 128.
Ensuite, une étape de fracturation de l’assemblage 132 substrat support – substrat piézoélectrique par apport d’énergie thermique et/ou mécanique au niveau de la zone de fragilisation du substrat piézoélectrique 128 est ensuite réalisée pour obtenir un substrat piézoélectrique sur isolant (POI) 200 comme illustré à l’étape VII) de la et sur la , comprenant une couche piézoélectrique 104 plus mince sur un substrat support 102.
Cette méthode peut aussi être appliquée pour obtenir le substrat de la .
Pour permettre la liaison mécanique de l’arbre 81 à l’ébauche 91 : - l’arbre 81 comprend une portée 82 s’étendant au moins selon une direction radiale au premier axe A80, et - l’ébauche 91 comprend une rainure 92 orientée selon un deuxième axe A90, l’arbre et l’ébauche étant configurés et/ou agencés de sorte à : - arrêter l’arbre en translation selon le premier axe A80 relativement à l’ébauche, et - permettre de glisser l’arbre en translation dans la rainure selon le deuxième axe A90 perpendiculairement au premier axe.
Comme visible sur la , dans le mode de réalisation représenté, l’arbre de barillet présente à l’une de ses extrémités 813, une gorge 814 dont l’un des flancs 82 forme la portée 82. La gorge peut être constituée par l’assemblage de plusieurs composants. La rainure 92 réalisée dans l’ébauche 91 est quant à elle une rainure à section en T débouchant à une seule de ses extrémités. Cette rainure est réalisée selon le deuxième axe A90. Un flanc 96 de la rainure est agencé pour coopérer avec la portée 82. En coopérant par contact l’un contre l’autre, on remarque que le flanc 96 et la portée 82, une fois l’arbre 81 engagé dans la rainure 92, empêchent tout déplacement en translation de l’arbre 81 selon le premier axe A80. De préférence, l’arbre présentant au moins au niveau de son extrémité 813 une géométrie de révolution et/ou la rainure présentant au niveau de son extrémité non débouchante une géométrie de révolution, l’arbre peut tourner librement dans la rainure autour de l’axe A80.
Le fait que la rainure soit débouchante à l’une de ses extrémités permet l’introduction de l’arbre 81 dans la rainure en le déplaçant selon la direction du deuxième axe A90. Bien entendu, ce déplacement n’est possible que lorsque la roue 83 est déposée de l’extrémité 811 de l’arbre 81.
Dans le mode de réalisation décrit et représenté, la portée 82 et le flanc 96 forment chacun un plan perpendiculaire au premier axe A80, les deux plans agissant l’un sur l’autre pour limiter, selon l’axe A80, la translation de l’arbre 81 relativement à l’ébauche 91.
Dans une variante de réalisation, la surface 82 pourrait être tronconique et pourrait coopérer avec une surface tronconique dans la rainure et/ou avec des surfaces en plans inclinés dans la rainure.
Avantageusement, l’ébauche 91 peut comprendre un bouchon 93 chassé dans un trou 94 dans la partie principale de l’ébauche 91, notamment un trou traversant 94. De préférence, le bouchon 93 est collé dans le trou 94, notamment de sorte à réaliser une liaison étanche. Ainsi, l’ébauche 91 comprend de préférence un bouchon 93 chassé dans une partie principale 91. Ceci permet de réaliser la partie principale de l’ébauche 91 et la rainure 92 dans des matériaux différents.
En variante non représentée, le trou 94 peut être bordé par une surépaisseur formée sur la partie principale de l’ébauche 91. Quelle que soit la variante, le trou et le bouchon peuvent être globalement de forme cylindrique ou de forme polygonale.
Pour réaliser le montage du barillet 80 sur le bâti 90, on part d’une configuration où aucun des composants du barillet n’est mis en place dans le mouvement.
On met ensuite en place la couronne dentée 85 pour arriver à la configuration de la .
On présente ensuite l’arbre 81 et on le glisse en translation selon le deuxième axe A90 dans la rainure 92.
On met en place le ressort moteur dans le logement en le liant à la bonde 812 et à la couronne dentée 85.
On met enfin en place la roue dentée 83 sur l’arbre 81 et on fixe les deux composants l’un à l’autre à l’aide de la vis 84.
La roue dentée 83 ou rochet 83 est destinée à engrener avec un renvoi 89, comme un renvoi d’une chaîne cinématique de remontage de la montre. De préférence, ce renvoi est agencé pour engrener avec la roue dentée 83 ou le rochet 83 en un lieu tel que les actions appliquées par le renvoi 89 sur la roue dentée 83 ou sur le rochet 83 empêchent le mouvement de l’arbre 81 en translation selon la direction A90 la rainure 92.
Grâce aux solutions décrites plus haut, on minimise l’épaisseur de la pièce d’horlogerie. L’épaisseur de la pièce d’horlogerie peut être décomposée (sans tenir compte de jeux fonctionnels) en la somme de : - l’épaisseur de l’ébauche 91, notamment le fond-ébauche, - l’épaisseur du logement de ressort, - l’épaisseur de la roue dentée 83 ou du rochet 83, - l’épaisseur de la glace 10.
Dans la description qui précède, l’assemblage a été décrit appliqué au montage d’un arbre de barillet sur une ébauche, en particulier une platine. Toutefois, l’assemblage peut être utilisé pour monter tout type d’arbre horloger sur une ébauche, voire plus largement sur un composant horloger.
Pont pour guidage d’un balancier d’une pièce d'horlogerie. Domaine Technique de l'invention L’invention concerne un élément de guidage pour le guidage en pivotement d’un balancier d’une pièce d'horlogerie. L'invention concerne aussi un module horloger comprenant un tel élément de guidage. L'invention concerne encore un mouvement horloger comprenant un tel élément de guidage ou un tel module horloger. L'invention concerne enfin une pièce d'horlogerie comprenant un tel élément de guidage ou un tel mouvement horloger ou un tel module horloger
Le substrat piézoélectrique sur isolant (POI) 100 comprend un substrat support 102 assemblé à une couche piézoélectrique 104 via une couche intermédiaire 106 positionnée sur le substrat support 102 en contact direct avec le substrat support 102 à l’interface 108, et une couche diélectrique 110 à l’interface 112. La couche diélectrique 110 est en contact direct avec la couche piézoélectrique 104 à l’interface 114.
Le substrat support 102 peut être un substrat à base de silicium, en particulier un substrat massif à base de silicium. Le substrat support 102 peut être un substrat cristallin ou poly-cristallin. Le substrat support 102 à base de silicium cristallin peut avoir une orientation (111), une orientation (100) ou encore une orientation (110). Le silicium (100) a une impédance acoustique Z égale à 19.4*10 6 Pa·s/m, Le silicium (111) a une impédance acoustique de Z=21.6*10 6 Pa·s/m, le silicium (110) a une impédance acoustique de Z=21.1*10 6 Pa·s/m.
Selon l’invention, la couche diélectrique 110 est une couche à base d’oxyde de silicium avec une épaisseur entre 100 et 900nm, en particulier entre 200 et 700nm. La couche diélectrique 110 a une deuxième impédance acoustique qui est différente de la première impédance acoustique du substrat support 102, car l’oxyde de silicium a une impédance acoustique comprise entre 11.5*10 6 Pa·s/m et 14*10 6 Pa·s/m, en particulier environ 13.7*10 6 Pa·s/m. Dans une variante, la couche diélectrique 110 peut aussi être une couche à base de nitrure de silicium ou une couche comprenant une combinaison de nitrure et d’oxyde de silicium SiO x N y avec une quantité de nitrure constante dans la couche.
La couche piézoélectrique 104 est une couche à base de matériau piézoélectrique avec une épaisseur comprise entre 200nm et 700nm. Le matériau piézoélectrique peut, par exemple, être du Tantalate de Lithium (LTO), du Niobate de Lithium (LNO), du Nitrure d’Aluminium (AlN), du Titano-Circonate de Plomb (PZT), de la Langasite ou du Langatate.
La couche intermédiaire 106 est une couche ayant une composition variable, en particulier le long de son épaisseur e 1 . La variation de la composition de la couche intermédiaire 106 est telle que l’impédance acoustique de la couche intermédiaire 106 varie entre les valeurs de la première et de la deuxième impédance acoustique du substrat support 102 et de la couche diélectrique 110 respectivement. L’impédance acoustique variable de la couche intermédiaire 106 permet de limiter l’impact de la différence d’impédance acoustique entre la couche diélectrique 110 et le substrat support 102 du substrat POI 100 en passant graduellement de la valeur de la première impédance à la valeur de la deuxième impédance.
Selon une réalisation de l’invention, la couche intermédiaire 106 est une couche à base d’oxynitrure de silicium SiO x N y . L’épaisseur e 1 de la couche intermédiaire 106 est comprise entre 100nm et 1000nm, en particulier entre 200nm et 1000nm.
La couche intermédiaire 106 d’oxynitrure de silicium SiO x N y selon l’invention présente une stœchiométrie qui varie en fonction de son épaisseur e 1 pour adapter ainsi son impédance acoustique. En effet, l’impédance acoustique de la couche dépend de la variation de la quantité d’oxygène et/ou de la variation de la quantité d’azote dans la couche.
Les valeurs de x et y sont choisies de sorte qu’une variation désirée ou prédéterminée de l’impédance acoustique est observée. La quantité d’oxygène et d’azote dans la couche intermédiaire 106 dépendent du procédé de fabrication utilisé pour déposer la couche de SiO x N y .
Selon un mode de réalisation, la couche intermédiaire est réalisée telle que décrit dans Grahn et al : « Elastic properties of silicon oxynitride films determined by picosecond acoustics », Applied Physics Letter 53, 2281,1988 pour obtenir une stœchiométrie de la couche intermédiaire 106 d’oxynitrure de silicium SiO x N y qui varie selon qt 1 ( e 1 ) = y/(y+x). La couche de SiO x N y est réalisée par dépôt par pulvérisation par radiofréquence (en Anglais : rf sputtering) dans une atmosphère mixte d’oxygène et d’azote. Ainsi, la composition de la couche SiO x N y est contrôlée en variant le rapport y/(y+x) qui correspond à la quantité d’azote et la quantité d’azote et d’oxygène dans l’atmosphère lors du dépôt.
La variation de la quantité qt de la couche d’oxynitrure de silicium SiO x N y 106 est une variation dans l’épaisseur e 1 de la couche 106, entre les deux surfaces de la couche intermédiaire 106. Dans ce premier mode de réalisation, la variation de la quantité qt 1 de la couche d’oxynitrure de silicium SiO x N y 106 est une variation croissante entre l’interface 112 avec la couche diélectrique 110 et l’interface 108 avec le substrat support 102. La variation est par exemple croissante par palier ou est une croissance linéaire.
La montre la variation de la vitesse de l’onde acoustique longitudinale V longi dans la couche intermédiaire 106 en fonction de la quantité qt d’azote (N) dans la couche intermédiaire 106 pour les valeurs de la quantité qt de la couche intermédiaire 106 de 0, 0.33, 0.50, 0.68 et 1. Cette figure a été publiée dans Grahn et al : « Elastic properties of silicon oxynitride films determined by picosecond acoustics », Applied Physics Letter 53, 2281,1988.
De même, une augmentation linéaire de la vitesse de l’onde acoustique longitudinale en fonction d’une augmentation de la quantité qt de la couche intermédiaire 106 est visible. La ligne représentant la variation linéaire est un ajustement par la méthode des moindres carrés aux points de données.
En partant des données de la , l’impédance acoustique est obtenu en calculant l’impédance acoustique Z avec Z = V longi * density, avec V longi étant la vitesse de l’onde acoustique longitudinale, selon Grahn et al : « Elastic properties of silicon oxynitride films determined by picosecond acoustics », Applied Physics Letter 53, 2281 (1988).
La variation de l’impédance acoustique de la couche de SiO x N y en fonction de la quantité qt est illustrée à la . Pour une quantité qt égale à 0, la valeur de l’impédance acoustique Z est égale à la valeur de l’impédance acoustique Z d’une couche d’oxyde de silicium, étant de l’ordre de 13.7*10 6 Pa·s/m. Lorsque la quantité qt augmente, l’impédance acoustique de la couche intermédiaire 106 augmente continuellement. Pour une valeur de quantité qt entre 0.5 et 0.7, l’impédance acoustique Z devient comparable à l’impédance acoustique Z du silicium qui est entre 19.4 *10 6 Pa·s/m et 21.8 *10 6 Pa·s/m, en fonction de l’orientation cristalline du silicium. Pour qt=1, on obtient l’impédance acoustique Z de Si 3 N 4 , qui est de l’ordre de 25.5 *10 6 Pa·s/m. Cependant, cette valeur de l’impédance acoustique Z dépend des techniques de dépôts utilisées.
Ainsi, en variant la quantité qt 1 de la couche intermédiaire 106, une variation de la valeur de l’impédance acoustique de la couche 106 peut être obtenue, valeur qui peut varier entre la valeur de l’impédance acoustique d’une couche de Si 3 N 4 et d‘une couche d’oxyde de silicium. En partant des valeurs enseignées dans la , il est possible de choisir la valeur de quantité qt en fonction de la position dans l’épaisseur e 1 de la couche de SiO x N y .
Les , et illustrent les différentes étapes d’un exemple de procédé d’ajustement dynamique d’une longueur de câble dans la structure 1 dont une partie mobile effectue des aller-retours – entre une position initiale et une position finale – cette structure 1 étant équipée de deux attache de fixation de câbles. Dans cet exemple de réalisation, deux câbles 6 et 6a sont attachés à la structure 1 chacun par une attache de fixation 2 et 2a installées en parallèle. Alternativement, une attache de fixation seule peut être utilisée pour deux câbles.
Une étape préliminaire d’installation des câbles 6 et 6a se déroule selon les étapes suivantes : - détermination pour chaque câble de la longueur de câble maximale permettant à la partie mobile de la structure de réaliser ses déplacements ; - dimensionnement du ressort de torsion en fonction des caractéristiques mécaniques du câble ; - orientation de la plaque de base 4, 4a sur la structure 1 afin d’orienter le collier de serrage 3, 3k dans la direction de sollicitation D du câble 6 lorsque la partie mobile de la structure est en position finale.
À la suite de cette installation des câbles, ceux-ci sont coudés et détendus afin d’aménager au voisinage de l’attache de fixation une réserve de câble qui se déplie de manière contrôlée par l’attache de fixation lorsque les câbles seront en tension. Le moyen de rappel, ici le ressort de torsion, permet de pivoter l’attache de fixation afin de reconstituer cette réserve lorsque les câbles ne sont plus en tension.
Le procédé d’ajustement aller se déroule selon les étapes suivantes : - en position initiale de la partie mobile illustré en , le ressort de torsion 5 maintient le collier de serrage 3, 3k en position nominale dans laquelle le câble 6, 6a est coudé et détendu, réalisant une réserve de câble pouvant être utilisée ; - déplacement de la partie mobile de la structure entre sa position initiale et sa position finale en exerçant une tension de déroulage sur le câble 6, 6a ; - rotation du collier de serrage 3, 3k depuis sa position nominale qui guide le déroulage du câble 6, 6a précédemment coudé ; - la partie mobile atteint sa position finale en et le ressort de torsion 5 exerce une traction inverse à la tension de déroulage sur le câble 6, 6a par entrainement en rotation inverse du collier de serrage 3, 3k.
Et le procédé d’ajustement retour se déroule selon les étapes suivantes : - déplacement de la partie mobile de la structure entre sa position finale ( ) et sa position initiale ( ) accompagné d’un relâchement de la tension dans le câble 6, 6a ; - rotation inverse du collier de serrage 3, 3k jusqu’à atteindre la position nominale par action du ressort de torsion 5 et traction du câble 6, 6a.
L’invention n’est pas limitée aux exemples de réalisation et de mise en œuvre décrits et représentés. Ainsi, la plaque de base de l’attache de fixation peut faire partie intégrante de la structure, le collier de serrage étant alors fixé et pivotant directement sur la structure. Le moyen de rappel peut également être réalisé par tout type de ressort (à lame, à tension, à compression) ou par des mécanismes plus complexes avec des vérins : le cylindre creux de la plaque de base n’est alors plus nécessaire, le collier de serrage pouvant pivoter directement par rapport à la plaque de base.
Par ailleurs, le mécanisme d’ancrage peut être obtenu par tout maintien des extrémités du ressort à l’aide de bagues d’attaches, de verrous ou de perforation de la plaque de base et du plateau de base dans lesquels les extrémités du ressort sont repliés.
Système et procédé de protection d’un réseau électrique L’invention a trait au domaine de la protection de réseaux électriques, et elle concerne plus particulièrement les systèmes de protection des caténaires d’un réseau ferroviaire.