INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
En outre, la troisième diode de signal D30, le troisième transistor de signal T30, la troisième résistance R30, la quatrième résistance R40 ainsi que le troisième condensateur de signal C30 sont des composants de faible niveau, c’est-à-dire des composants électroniques simples du marché. A titre d’exemple indicatif, la troisième diode de signal D30 est une diode signal 1A/50V, le troisième transistor de signal T30 est un transistor signal bipolaire PNP 1A/50V, la troisième résistance R30 et la quatrième résistance R40 sont des résistances bas niveau 10kΩ 1/4W 50V ou encore le troisième condensateur de signal C30 est un condensateur bas niveau 1nF/50V. De manière différente, la diode D qui est connecté au collecteur du transistor de puissance 60 doit résister à des tensions plus importantes. De ce fait, la diode D peut être une diode rapide 1A/1000V.
Enfin, de manière similaire à la , et afin de limiter le délai t4 entre l’initialisation à fermeture du transistor de puissance de la commande du pilote et l’augmentation de la tension au collecteur du transistor de puissance Vc et le délai t6 associé à la diminution de la tension à la grille Vg pour atteindre la valeur minimale Vgmin imposée par la commande du pilote 40, le circuit de compensation de retards d’initialisation d’arrêt de conduction 84 comprend, comme représenté en , une deuxième diode de signal D20, dont la cathode est connectée au pilote 40, bloquante par rapport au sens du courant en direction de la grille g’ du transistor de puissance 60.
Le circuit de compensation de retards d’initialisation de d’arrêt de conduction 84 comprend un deuxième transistor de signal T20 relié à l’anode de la deuxième diode de signal D20 par l’intermédiaire d’un émetteur du deuxième transistor de signal T20. Le deuxième transistor de signal T20 est un transistor bipolaire NPN et comprend également une base et un collecteur relié à la grille g’ du transistor de puissance 60.
Le circuit de compensation de retards d’initialisation de d’arrêt de conduction 84 comprend également une deuxième résistance R20, reliée à l’émetteur du deuxième transistor de signal T20 et à la base du deuxième transistor de signal T20 et un deuxième condensateur de signal C20 relié à la base du deuxième transistor de signal T20 et à la grille g’ du transistor de puissance 60.
Ainsi, lorsque le pilote 40 fournit une commande d’arrêt de conduction, un différentiel de tension est observable entre la tension à la grille g’ et les armatures du deuxième condensateur de signal C20. Dès lors, cette différence de tension permet au deuxième condensateur de signal C20 de se charger permettant de réduire le temps nécessaire à la diminution de la tension à la grille g’ du transistor de puissance 60, c’est-à-dire les délais t4 et t6.
En outre, la deuxième diode de signal D20, le deuxième transistor de signal T20, la deuxième résistance R20 ainsi que le deuxième condensateur de signal C20 sont des composants de faible niveau, c’est-à-dire des composants électroniques simples du marché. A titre d’exemple indicatif, la deuxième diode de signal D20 est une diode signal 1A/50V, le deuxième transistor de signal T20 est un transistor signal bipolaire NPN 1A/50V, la deuxième résistance R20 est une résistance bas niveau 10kΩ 1/4W 50V ou encore le deuxième condensateur de signal C20 est un condensateur bas niveau 1nF/50V. Ainsi, le circuit de compensation de retards d’initialisation d’arrêt de conduction 84 présente également l’avantage d’être un circuit simple à mettre en œuvre.
En variante, le deuxième transistor de signal T20 est un transistor MOSFET canal N. Dès lors, le circuit de compensation de retards d’initialisation d’arrêt de conduction 84 s’active avec un décalage. En effet, comme dit précédemment, dans le cas d’utilisation d’un transistor à effet de champs MOSFET, la plage de fonctionnement de ce type de transistor est comprise entre 2 Volts et 20 Volts alors qu’un transistor bipolaire NPN fonctionne selon une plage de tension définie entre 0 Volts et 20 Volts. Ainsi, il est nécessaire de fonctionner avec des tensions plus élevées entre grille g’ et l’émetteur e’.
Selon une variante, la première diode de signal D10 et/ou la deuxième diode de signal D20 et/ou la troisième diode de signal D30 sont des diodes Schottky ou des diodes de jonction P-N ou encore des diodes PIN.
De plus, le circuit de compensation des retards 80 présente l’avantage de permettre d’augmenter la fréquence de commutation de du transistor de puissance 60 à grille isolé en réduisant les délais t1, t2, t3, t4, t5 et t6.
Le circuit de compensation des retards 80 présente également l’avantage de permettre de réduire les pertes en conduction en réduisant les délais t2 et t5.
Enfin, la représente un chronogramme comparant les retards d’un transistor de puissance en réponse à une commande selon l’état de l’art et les retards d’un transistor de puissance en réponse à une commande selon l’invention. Plus précisément, el chronogramme présente une initialisation de conduction du transistor de puissance soumise par une commande du pilote suivi d’une initialisation d’un arrêt de conduction du transistor de puissance soumise également par un signal de commande du pilote, d’abord selon l’état de l’art et ensuite selon l’invention.
Ainsi, le signal de commande Cde fourni par le pilote 40 prend la forme d’un signal créneau dont le niveau haut induit à une initialisation d’une mise en conduction du transistor de puissance 60 et dont le signal bas induit une initialisation d’un arrêt de la conduction du transistor de puissance. En réponse à ce signal de commande Cde, la tension Vg à la grille g’ augmente, dans le cas d’une initialisation de conduction, ou diminue, dans le cas d’un arrêt de la conduction du transistor de puissance. Ces initialisations induisent, comme énoncé précédemment, les délais t1, t2, t3, t4, t5, t6. Or, comme visible sur le chronogramme, les délais t1, t2, t3, t4, t5, t6 représentant le retard ou délai pour les actions cités précédemment, à savoir l’initialisation de conduction ou l’arrêt de conduction du transistor de puissance, visible au niveau du collecteur du transistor de puissance par l’intermédiaire de la tension collecteur Vc et du courant collecteur Ic, pour un fonctionnement selon l’état de l’art sont visuellement plus important que les délais t1’, t2’, t3’, t4’, t5’, t6’ présentant les délais nécessaires pour le fonctionnement avec le circuit de compensation de retards 80.
Ainsi, à titre d’exemple indicatif, sans compensation, le temps nécessaire à la mise en conduction du transistor de puissance est équivalent à 456 nanosecondes et le temps nécessaire à l’arrêt de conduction du transistor de puissance est équivalent à 355 nanosecondes. A l’inverse, avec l’action du circuit de compensation des retards 80, le temps nécessaire à la mise en conduction du transistor de puissance est équivalent à 125 nanosecondes et le temps nécessaire à l’arrêt de conduction du transistor de puissance est équivalent à 106 nanosecondes, mettant en lumière une réduction des retards purs cumulés d’environ 580 nanosecondes.
procédé de gestion du mode de déverrouillage d’un objet. Domaine technique.
Le domaine de l'invention est celui des télécommunications.
Au moins certaines pattes cannelées 25 comprennent des rainures 254 à l'intérieur de laquelle est reçue des portions renflées 554, comme illustrée sur les Figs. 1 et 4. Dès lors, cette coopération de forme permet d'aligner et de centrer ladite patte par rapport à la fenêtre. Chaque patte cannelée 25, et notamment chaque portion distale 156 ou gorge 157, comprend une rainures 254 à l'intérieur de laquelle est reçue une portion renflée 554. Chaque portion renflée 554 est de forme complémentaire à celle d’une rainure 254. Ainsi chaque patte cannelée 25 comprend deux rainures 254 disposées de part et d’autre du plan P de la patte, de préférence de manière symétrique. Les dents des pattes peuvent être exemptées de rainure.
On va maintenant décrire le procédé d’assemblage pour fermer le module d’embrayage M, selon le premier mode de réalisation illustré aux Figs. 1 à 4 et Figs. 12 à 13.
Durant une première étape a) on fournit un sous-ensemble d’au moins un embrayage E0, E1, E2, comportant en outre : - un porte-disques d’entrée 13 de couple notamment d’un embrayage d’entrée E0, - un élément d’entrée 3 de couple, - un moyeu cylindrique 80 et un porte-disques de sortie de couple comprenant une cannelure 230 ; Le sous-ensemble d’au moins un embrayage E0, E1, E2 peut comprendre en outre : - un élément de calage 60, notamment d’épaisseur prédéfinie, destiné à ajuster la position axiale du couvercle de fermeture 50 par rapport au sous-ensemble ; - un roulement 90 préalablement positionné en appui sur l’élément d’entrée 3, le roulement 90 présentant une face frontale arrière 91 et une face frontale avant 92 opposée.
Durant une deuxième étape a) on fixe solidairement en rotation le porte-disques d’entrée 13 sur le l’élément d’entrée 3, notamment par soudure de type laser, ou par friction ou avec apport de matière.
Durant une troisième étape c) on fixe solidairement en rotation le porte-disques de sortie 23 sur le moyeu cylindrique 80, par coopération de formes ou par soudure notamment de type laser.
Durant une quatrième étape d) on fournit : un couvercle de fermeture 50, exempté de transmettre le couple, le couvercle servant simplement à fermer le sous-ensemble cité du module d’embrayage ; et un anneau d’arrêt 35 axial, de type fendu, par exemple une rondelle élastique d’épaisseur constante.
Durant une cinquième étape e) on réalise un assemblage par emmanchement du couvercle de fermeture 50 et de la cannelure 230 du porte-disques de sortie 23, dite liaison emmanchée 100. Puis on vient retenir cette liaison emmanchée 100 par l’anneau d’arrêt 35 axial, de sorte à réaliser une liaison clipsée. Notamment, l’anneau d’arrêt 35 axial est inséré en partie dans une gorge 135 formée dans le porte-disques de sortie 23, en particulier dans les dents 250 des pattes cannelées 25. En particulier on peut préalablement découper, - en extrémité libre de la cannelure 230, des échancrures 235 à l’intérieur desquelles le couvercle de fermeture 50 sera ensuite emmanchée en force selon l’étape e). On délimite entre les échancrures des pattes cannelées destinées à être emmanchées au travers du couvercle 50 ; - au sein du couvercle de fermeture 50, des fenêtres 55A, 55B au travers desquelles la cannelure 230, et notamment les pattes cannelées 25 seront ensuite emmanchée en force selon l’étape e). En particulier durant l’étape e), le couvercle de fermeture 50 est enfilé axialement sur l’élément d’entrée 3 de couple avant d’être ensuite emmanchée sur la cannelure 230 du porte-disques de sortie. Par « enfilement » ou « couvercle enfilé », on entend le fait de faire glisser le couvercle 50 sur ou autour de l’élément d’entrée 3, notamment de son moyeu d’entrée destiné à être couplé à l’arbre A0. Dès lors, l’étape d’enfilement peut être réalisée sans qu’il n’y ait de contact physique entre le couvercle de fermeture 50 et ledit élément d’entrée 3 de couple. Durant l’étape e), on peut ajuster la position axiale du couvercle de fermeture, en fonction d’au moins - l’épaisseur de l’anneau d’arrêt 35 choisie par défaut, suivant la dimension axiale de la gorge 135 ; - la profondeur variable à usiner des échancrures 239 initialement découpées. On rectifie la profondeur des échancrures 239 par usinage, et consécutivement la longueur de tranches 253 des pattes cannelées ; - d’au moins un élément de calage 60 additionnel sélectionné parmi différentes épaisseur d’une même gamme avant d’être positionné au sein du sous-ensemble. Cet élément de calage 60 est sélectionné en fonction de sa troisième cote C3 dite épaisseur prédéfinie. La différence entre la valeur maximale de la troisième cote C3 et la valeur minimale de la troisième cote C3 peut être comprise entre 0,5 et 2 mm. La gamme G des éléments de calage peut présenter quatre calibres différents, autrement dit, quatre épaisseur différentes d’éléments de calage.
Ensuite on peut positionner l’élément de calage 60 en divers endroits. Dans le premier mode, l’élément d’entrée 3, l’organe de roulement 90, l’élément de calage 60 et le couvercle de fermeture 50, se succèdent axialement (de l’arrière AR vers l’avant AV) de préférence dans cet ordre d’empilage énoncé. Dans l’alternative de la , l’élément d’entrée 3, l’élément de calage 60, l’organe de roulement 90 et le couvercle de fermeture 50, se succèdent axialement (de l’arrière AR vers l’avant AV) de préférence dans cet ordre d’empilage énoncé. Avant d’emmancher le couvercle 30 avec la cannelure 230, on peut positionner l’élément de calage: soit, dans le premier mode, dans le fond 52 du couvercle de fermeture 50 (voir ) ou bien sur un organe de roulement 90 en appui contre l’élément d’entrée 3 (voir montage en ); soit, entre un organe de roulement 90 et l’élément d’entrée 3 (voir montage finale en ).
On décrit maintenant en détail les étapes pour la sélection d’un élément de calage 60 parmi une gamme G d’éléments de calage de calibres différents. Pour sélectionner un élément de calage 60 : - Selon une étape a') l’on mesure une première cote C1 représentative d’une distance axiale entre une face frontale avant 92 de l’organe de roulement 90 et le fond d’une échancrure 239 du porte-disques de sortie 23 ; - Selon une étape b’) l’on mesure une deuxième cote C2 représentative d’une distance axiale entre le fond 52 du couvercle de fermeture et l’extrémité externe 59 du couvercle de fermeture. L’extrémité externe 59 est notamment le bandeau 500 ; - Enfin on sélectionne une troisième côte C3 d’élément de calage en fonction des première et deuxième cotes C1, C2. On peut prendre également en compte l’épaisseur de l’anneau d’arrêt axial.
On a décrit sur les Figs. 5-9, un deuxième mode de réalisation sensiblement similaire au premier mode de réalisation, à l’exception du fait que la liaison emmanchée 100 est réalisée : - via des zones de serrages Z1, Z2 localisées différemment ; - au moins en partie depuis un flanc extérieur 252 ; - au moins en partie sur une ou plusieurs gorges 257 de la patte cannelée 25 ; - au moins en partie depuis des portions distales 256 de la patte cannelée 25. Sur les Figs. 5-9, la liaison emmanchée 100 d’une patte cannelée 25 est réalisée depuis : - une première zone de serrage Z1 sur une portion distale 256, notamment une gorge 257 ; et - une deuxième zone de serrage Z2 sur une portion distale 256, notamment une autre gorge 257.
Au niveau de la zone de serrage Z1, la portion distale 256 ou gorge 257 à emmancher comprend : - soit un flanc extérieur 252 de la patte cannelée (voir Figs. 5 et 7), - soit une tranche 253 de la patte cannelée (voir les fenêtre 55A, et ), - soit une surface plane distale de la patte cannelée (voir les , fenêtre 55B, et ). Au niveau de la zone de serrage Z2, la portion distale 256 ou gorge 257 à emmancher comprend : - soit un (autre) flanc extérieur 252 de la patte cannelée (voir Figs. 5 et 7), - soit une tranche 253 de la patte cannelée (voir les fenêtre 55B, et ), - soit une (autre) surface plane distale de la patte cannelée (voir les , fenêtre 55A, et ).
Sur la , la liaison emmanchée 100 peut être réalisée en partie de part et d’autre, sur une seule portion distale 256 d’une fenêtre 55A recevant une patte cannelée 25. Et notamment de part et d’autre d’une seule gorge 257 de patte. Cette portion distale 256 définit en outre les zone de serrage Z1.
Avantageusement, chaque crête 550 et/ou portion renflée 554, peut être réalisée depuis un seul bord de la fenêtre 55A, 55B, à partir du bord extérieur 552 (voir les Figs. 6-8) de la fenêtre.
Par ailleurs chaque fenêtre 55A, 55B comprend une forme symétrique, ayant un plan P’ de symétrie.
Dans les exemples illustrés, les fenêtres 55A, 55B comprennent chacune au moins une crête 550, disposée par exemple au centre de la fenêtre (Figs. 6-9).
Par ailleurs, chaque fenêtre 55A, 55B comprend une forme symétrique, ayant un plan P’ de symétrie. Les fenêtres illustrées aux Figs. 6-9 comprennent chacune une seule crête 550, formée depuis le bord extérieur 552 et donc d’extension radiale vers l’intérieur. Dès lors, le plan P’ de symétrie peut ainsi passer par le milieu de cette crête 550.
Dans la mesure où, selon cette variante V1, le dépôt métallique est ainsi formé à la surface du substrat postérieurement au thermoformage de ce dernier, le dépôt métallique ne subit donc pas la déformation mécanique et l’échauffement auxquels est soumis le substrat plat au cours de l’étape C de thermoformage. Il est ainsi avantageusement possible de fabriquer un article tridimensionnel de formes et de géométries particulièrement marquées et / ou complexes, impliquant donc pour cela une déformation importante du substrat plat lors du thermoformage, sans risque que l’étape C ne conduise à une dégradation (délamination, (micro)-fissuration, etc.) de la qualité du dépôt métallique, et en particulier de ses propriétés en matière de conductivité électrique. Il devient en particulier avantageusement possible de soumettre le substrat plat à un taux de déformation supérieur ou égal à 200 % au cours de l’étape C de thermoformage. Une telle variante V1 s’avère particulièrement avantageuse dans le cas notamment où l’on souhaite obtenir un article tridimensionnel comprenant un ou plusieurs motifs métalliques à des fins fonctionnelles, tel que formant en particulier une ou plusieurs pistes métalliques conductrices de circuit imprimé, une ou plusieurs électrodes de capteur / détecteur ou encore une ou plusieurs d’antennes radiofréquences.
Selon une autre variante (ci-après, « variante V2 »), l’étape C de thermoformage est réalisée après l’étape D de métallisation. Selon cette variante V2, l’étape C est donc une étape de thermoformage du substrat plat métallisé, au cours de laquelle le substrat plat et le dépôt métallique formé à sa surface subissent donc simultanément une déformation. S’il est éventuellement envisageable (« variante V2a ») que le revêtement de masquage temporaire soit présent à la surface du substrat plat lors de l’étape C de thermoformage, ceci n’est pas pour autant strictement nécessaire. Il est même au contraire avantageux que, dans cette variante V2, l’étape E d’élimination du revêtement de masquage temporaire soit réalisée avant l’étape C de thermoformage (« variante V2b »), de manière à éviter qu’une déformation du revêtement de masquage temporaire ne dégrade éventuellement le dépôt métallique.
Selon cette variante V2, l’étape B de formation du revêtement de masquage temporaire et l’étape D de métallisation sont ainsi toutes deux réalisées sur le substrat plat. La mise en œuvre de ces étapes B et D s’en trouve ainsi simplifiée, lesdites étapes B et D pouvant être aisément réalisées en ligne dans un contexte industriel. Ceci étant, il est préférable de réserver cette variante V2 à la fabrication d’articles tridimensionnels nécessitant une déformation limitée du substrat métallisé au cours de l’étape C de thermoformage, afin de limiter le risque d’une dégradation de la qualité du dépôt métallique lors du thermoformage qui pourrait conduire à une rupture ou une inhomogène des propriétés conductrices du (ou des) motif(s) métallique(s), et / ou à la fabrication d’articles tridimensionnels dont le (ou les) motif(s) métallique(s) est (sont) essentiellement décoratif(s).
Réalisée après l’étape B, l’étape D de métallisation (ci-après abrégée « étape D ») consiste à former à la surface du substrat, et au moins sur la (ou les) zone(s) non masquées(s) par le revêtement de masquage temporaire ou sur une ou des zone(s) du substrat correspondant à la (ou les) zone(s) non masquées(s) par le revêtement de masquage temporaire, un dépôt métallique destiné à former tout ou partie (c’est-à-dire à lui-seul ou en combinaison éventuellement avec un dépôt métallique complémentaire par exemple) du (ou des) motif(s) métalliques(s) recherché(s). Par « dépôt métallique », on entend ici de manière générale un dépôt, une couche, comprenant - ou formé de - au moins un(e) métal ou substance métallique, en ce donc compris au moins un métal élémentaire (ou « corps simple élémentaire »), au moins un mélange de métaux élémentaires, au moins un alliage métallique et / ou encore au moins un oxyde métallique.
Avantageusement, l’étape D de métallisation est réalisée de manière que le dépôt métallique obtenu à l’issue de cette dernière comprend au moins un métal (ou « substance métallique ») choisi dans le groupe comprenant : un métal élémentaire tel que l’argent Ag, l’or Au, le nickel Ni, le cuivre Cu, le fer Fe, l’étain Sn, le cobalt Co, un alliage de ces derniers, un mélange de deux ou plus de ces métaux élémentaires, ou encore un ou plusieurs oxydes de l’un au moins de ces métaux élémentaires.
De manière avantageuse, en particulier en matière de propriétés de conductivité électrique et / ou en matière de propriétés décoratives (effet « miroir », par exemple) du ou des motif(s) métallique(s), l’étape D de métallisation est réalisée de manière que le dépôt métallique est en métal massif, éventuellement chargé de particules additionnelles (ou « charges ») qui peuvent être organiques ou inorganiques. Dans ce cas, le dépôt métallique est donc essentiellement - si non totalement, aux inévitables impuretés non métalliques près - formé de métal (ou « substance métallique »), tel que défini ci-avant. Avantageusement, le métal massif pourra être constitué d’un unique métal élémentaire pur (typiquement à plus de 90 %, de préférence à plus de 95 %, et de préférence encore à plus de 98 %). Par exemple, le dépôt métallique pourra ainsi être formé d’un métal élémentaire pur, par exemple d’argent Ag pur (de préférence à plus de 95 %, et de préférence encore à plus de 98 %), et éventuellement de particules additionnelles. Le cas échéant, ledit métal massif forme une matrice massive au sein de laquelle lesdites particules additionnelles sont dispersées. Lesdites particules additionnelles sont préférentiellement choisies de taille caractéristique inférieure à 100 µm. De manière générale, la mise en œuvre de telles particules additionnelles visent à modifier les propriétés physiques ( i.e . mécaniques / tribologiques, électriques et / ou optiques) et / ou les propriétés chimiques intrinsèques du métal massif qui en est chargé. A titre d’exemples non limitatifs de particules additionnelles susceptibles d’être incluses, seules ou en mélange, dans un dépôt métallique en métal massif, on peut citer : des particules de carbone diamant, des particules de carbure de silicium SiC, des particules de disulfure de molybdène MoS 2 , des particules d’une ou plusieurs de terres rares ou oxyde(s) de terre(s) rare(s), des particules de graphène, des particules d’un fluoropolymère (tel que le polytétrafluoroéthylène (PTFE), par exemple), des particules de métal élémentaire ou d’oxyde(s) métallique(s), etc.