INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Parmi ces objectifs figurent : - le besoin de déterminer la quantité d'énergie requise pour faire commuter une cellule mémoire (par exemple basculer le spin d’une jonction tunnel magnétique) ; - le besoin de déterminer un taux d'erreur binaire (BER) sur une cellule mémoire ; - le besoin de déterminer le temps de commutation d’une cellule mémoire, c'est-à-dire la durée nécessaire des impulsions de programmation d’une cellule mémoire ; et/ou - le besoin de disposer d'un système permettant de faire un diagnostic automatisé des non-linéarités et des dispersions des signaux électriques générés pour le test de la mémoire et de s’autocalibrer.
Par exemple, les solutions proposées par la présente description visent des tests en régime quasi-statique ou en régime impulsionnel de jonctions tunnel magnétiques (MTJ, Magnetic Tunnel Junction) de type STT (Spin Transfer Torque), SOT (Spin Orbit Torque) ou autres.
Typiquement, le comportement stochastique des jonctions tunnel magnétiques pour les applications MRAM nécessite d’exécuter un très grand nombre de cycles d’écriture/lecture, à partir d’impulsions électriques, lors du test pour extraire l’ensemble des paramètres de ces jonctions.
La présente description propose la réalisation d’un système automatisé et optimisé en temps d’exécution qui permet d’effectuer l’ensemble des protocoles de test nécessaires à la caractérisation des propriétés de commutation de mémoires à résistance variable.
Dans la description et les revendications, et sauf précision contraire, les terminologies suivantes sont utilisées pour se référer aux notions exposées ci-après : - régime de test quasi-statique : régime de test dans lequel la lecture (la mesure) de la mémoire est réalisée par un système de mesure en continu, par exemple une unité sourcemètre (SMU, Source Measure Unit) ou un multimètre numérique (DMM, Digital MultiMeter), pendant une durée typiquement supérieure à environ 10 microsecondes, par exemple comprise entre environ 10 microsecondes et 5 millisecondes, et des temps d’attente entre deux mesures pouvant être d’au moins 50 microsecondes ; - régime de test impulsionnel : régime de test dans lequel la lecture (la mesure) de la mémoire est réalisée par un système de mesure en dynamique, par exemple un convertisseur analogique-numérique (ADC, Analog to Digital Converter) ou un oscilloscope (scope), pendant une durée typiquement inférieure ou égale à 1 microseconde, par exemple comprise entre environ 10 nanosecondes et 1 microseconde, et des temps d’attentes entre deux mesures pouvant être supérieurs à 50 nanosecondes ; - régime de test de taux d'erreur : régime de test impulsionnel particulier dans lequel on cherche à déterminer un taux d'erreur binaire d’une mémoire, les temps d’attente entre deux mesures pouvant être compris entre environ 50 nanosecondes et 1 microseconde ; - régime de mesure de commutation temps réel : régime de test impulsionnel particulier dans lequel on cherche à déterminer la commutation en temps réel de la mémoire, les temps d’attente entre deux mesures pouvant être compris entre 50 microsecondes et 10 millisecondes ; - régime d'autocalibration : régime d’autotest du système de test, par exemple dans lequel des motifs (pattern) prédéterminés de données sont stockés dans une mémoire du système de test.
Un exemple de mémoire utilisant des états de résistance distincts pour stocker des données est une mémoire magnétique à accès aléatoire (MRAM), par exemple de type couple de transfert de spin (Spin-Transfer Torque MRAM, STT-MRAM). Selon un exemple de mise en œuvre, une telle mémoire MRAM comprend un réseau de cellules, chaque cellule 100 comprenant une jonction tunnel magnétique 110 (MTJ, Magnetic Tunnel Junction) formée d'une paire de couches ferromagnétiques 112, 114 séparées par une mince couche isolante 116, comme illustré en .
Une première couche ferromagnétique 114, dite "couche fixe" ou "couche de référence" (RL), est caractérisée par une aimantation avec une direction fixe, et une deuxième couche ferromagnétique 112, dite "couche de stockage" ou "couche libre" (FL), est caractérisée par une aimantation avec une direction qui varie lors de l'écriture de la cellule, par exemple en appliquant un champ magnétique à ladite cellule, ou une impulsion électrique (tension ou courant). Une cellule MRAM comprend en outre généralement un premier contact métallique (ou contact métallique supérieur) et un deuxième contact métallique (ou contact métallique inférieur), les couches ferromagnétiques et isolante étant entre le premier contact et le deuxième contact.
Une cellule de mémoire magnétique 100 comporte typiquement un transistor (à effet de champ) 120 de commande, électriquement en série avec la jonction tunnel magnétique 110, par exemple, la région de drain 122 du transistor 120 est en série avec la jonction tunnel 110, comme représenté. Le transistor 120 comprend en outre, classiquement, une région de source 126 et une grille 124 entre le drain et la source.
Comme illustré en , lorsque les aimantations respectives de la couche de référence RL et de la couche de stockage FL sont antiparallèles (AP-State), la jonction tunnel magnétique présente une valeur de résistance élevée, correspondant par exemple à un état logique haut "1". Par contre, lorsque les aimantations respectives sont parallèles (P-State), la jonction tunnel magnétique présente une valeur de résistance faible, correspondant selon l’exemple à un état logique bas "0". La valeur de résistance élevée est définie relativement à la valeur de résistance faible, et inversement. Selon un autre exemple (non illustré), une valeur de résistance élevée correspond à un état logique bas "0" et une valeur de résistance basse correspond à un état logique haut "1".
Afin de tester une cellule MTJ en régime impulsionnel à haute fréquence, en particulier pour déterminer un taux d’erreur binaire (BER) de ladite cellule, celle-ci peut être lue en déterminant sa valeur de résistance, et dans certains cas, en comparant la valeur de résistance déterminée à une valeur de résistance de référence qui peut être une valeur de résistance intermédiaire entre celle de l'état logique haut "1" et l'état logique bas "0".
Par exemple, le terme de haute fréquence dans le cas d’une mémoire MRAM s’explique par le fait qu’un changement d’état d’une cellule de la mémoire (opération d’écriture) peut s’effectuer par application, sur la résistance de la cellule, d’impulsions électriques de l’ordre d’une centaine de picosecondes à quelques centaines de nanosecondes, avec des temps de montée (transitions) des impulsions de l’ordre de quelques dizaines de picosecondes à quelques dizaines de nanosecondes. Dans cet exemple, le dispositif de génération des impulsions doit présenter une fréquence de coupure haute supérieure à 10 GHz. La fréquence de coupure basse peut être définie par l’opération de lecture, pour lequel un mode quasi-statique, ou, dit autrement, une fréquence beaucoup plus basse, est communément utilisé. Ainsi, en lecture, une impulsion de tension (ou de courant) de polarisation est appliquée sur la cellule pendant une durée comprise entre environ 1 microseconde et 10 millisecondes, la fréquence basse de fonctionnement du circuit étant alors de quelques dizaines de Hz à quelques centaines de kHz.
L'écriture d’une cellule nécessite l'application d'une tension (ou d’un courant) d’amplitude suffisamment élevée entre le premier contact métallique et le deuxième contact métallique de ladite cellule, pour atteindre l’énergie barrière (Eb) qui permet de faire commuter l’aimantation de la couche libre dans la direction souhaitée par rapport à la couche de référence, en particulier pour passer d’un état à l’autre, comme illustré en . Dans le cas des mémoires MRAM de type STT et/ou SOT, l’angle entre les aimantations des couches libres et de référence est généralement optimisé pour n’autoriser que deux angles, 0° et 180°, correspondant respectivement aux états de basse et haute résistance.
La lecture de la cellule pour tester celle-ci peut s'effectuer par une mesure de sa résistance électrique en appliquant une tension (ou un courant) entre le premier contact métallique et le deuxième contact métallique de ladite cellule, d’amplitude inférieure à l’amplitude de la tension (ou du courant) appliquée en écriture, afin que l'opération de lecture ne modifie pas l'état de la cellule pendant le test.
Outre l’application d’une tension ou d’un courant, le passage d'un état à un autre de la jonction tunnel peut être affecté par un champ magnétique et/ou par la température, par exemple selon la relation suivante :
- si la valeur du sémaphore est égale à la première valeur prédéfinie, attendre une durée prédéfinie, puis conférer au sémaphore, de manière définitive, une deuxième valeur prédéfinie ;
- si la valeur du sémaphore est égale à la deuxième valeur prédéfinie, mettre en œuvre la phase de détection.
On propose de plus un procédé de détection tel que précédemment décrit, comprenant en outre les étapes, si le circuit de traitement a détecté que l’élément de boîtier été ouvert suite à la mise hors tension du compteur électrique, de générer et d’envoyer un message d’alarme.
On propose de plus un programme d’ordinateur comprenant des instructions qui conduisent le circuit de traitement du compteur électrique tel que précédemment décrit à exécuter les étapes du procédé de détection tel que précédemment décrit.
la représente des étapes d’un procédé de détection mis en œuvre par le compteur.
DESCRIPTION DETAILLEE DE L’INVENTION En référence à la , le compteur électrique 1 selon l’invention est destiné à mesurer l’énergie électrique fournie à l’installation électrique 2 d’un abonné par un réseau de distribution 3.
Le compteur 1 est un compteur monophasé ou polyphasé, par exemple triphasé.
Le compteur 1 comprend un boîtier 4 à l’intérieur duquel sont intégrés tous les composants fonctionnels du compteur 1. Par « boîtier », on entend donc ici l’enveloppe physique qui sépare l’intérieur du compteur 1 de l’extérieur.
Le boîtier 4 comprend au moins un élément de boîtier qui est normalement fermé en opération mais qui est susceptible d’être ouvert. L’élément de boîtier est possiblement amovible mais peut aussi demeurer solidaire du reste du boîtier 4 lorsqu’il est ouvert.
Ici, le boîtier 4 comporte deux éléments de boîtier, en l’occurrence un couvre-borne 5 et un capot 6, qui sont amovibles.
Le compteur 1 comporte un dispositif de détection 7 qui permet de détecter l’ouverture du couvre-borne 5 et/ou du capot 6 lorsque le compteur 1 est hors tension, et ce, même après une longue période hors tension du compteur 1 (typiquement 3 mois ou plus). Le dispositif de détection 7 permet donc de tracer les tentatives de fraude et d’alerter le SI si tel est le cas afin que l’opérateur puisse prendre ses dispositions quant à la fraude avérée.
Le dispositif de détection 7 comprend tout d’abord un supercondensateur C1 et un circuit d’alimentation. Le circuit d’alimentation comprend un composant d’alimentation 8 monté en parallèle du supercondensateur C1.
Pour une composition solide anhydre pour les lèvres (ex : stick pour les lèvres), la teneur totale en cires ira généralement de 0,5% à 30% en poids, mieux de 5% à 15% en poids par rapport au poids total de la composition.
Selon un mode particulier, la composition de l’invention comprend en outre un ou plusieurs corps gras pâteux.
Par « corps gras pâteux », on désigne un composé gras non cristallin comprenant, à une température de 25°C, une fraction liquide et une fraction solide.
Selon l’invention, le corps gras pâteux peut être choisi dans le groupe constitué de la lanoline et de ses dérivés, les composés siliconés polymères, les copolymères de (méth)acrylates d'alkyles ayant de préférence un groupement alkyle en C8-C30, les oligomères homo et copolymères d'esters vinyliques ayant des groupements alkyles en C8-C30, les oligomères homo et copolymères de vinyl-éthers ayant des groupements alkyles en C8-C30, les polyéthers liposolubles résultant de la polyéthérification entre un ou plusieurs diols en C2-050, les copolymères d'éthylène-oxyde et/ou de propylène-oxyde avec des alkylènes-oxydes à longue chaîne en C6-C30, les esters de diglycérol, le propionate d'arachidyle, les esters de phytostérol, les polyesters non réticulés résultant de la polycondensation entre un diacide ou un polyacide carboxylique linéaire ou ramifié en C4-C50 et un diol ou un polyol, l'ester résultant de la réaction d'estérification de l'huile de ricin hydrogénée avec l'acide isostéarique tel qu'un monodi- ou tri-isostéarate d'huile de ricin hydrogénée, un mélange de stérols de soja et de pentaérythritol oxyéthyléné (5 0E) oxypropyléné (5 OP), les triglycérides d'acides gras et leurs dérivés, le beurre de karité, le beurre de cacao, l'huile ou beurre de mangue, et leurs mélanges.
On peut citer notamment les triglycérides d’acides gras et leurs dérivés, les esters de polyol(s) et de dimère diacide d’acide gras, ou d’un de ses esters, les esters d’huile de ricin hydrogénée, les esters oligomères de glycérol, notamment les esters de diglycérol, les beurres végétaux et leurs mélanges.
La teneur en corps gras pâteux peut aller de 0,05 à 30% en poids par rapport au poids total de la composition.
Pour une composition de poudre compactée (ex : fard à paupières, poudre de teint), la teneur totale en corps gras pâteux ira généralement de 0 à 10%, en particulier de 0,2 à 5% en poids par rapport au poids total de la composition.
Pour une composition solide anhydre pour la peau et distincte d’une poudre (ex : correcteur de teint), la teneur totale en corps gras pâteux ira généralement de 0 à 30% en poids, en particulier de 5 à 15% en poids par rapport au poids total de la composition. Pour une composition solide anhydre pour les lèvres (ex : stick pour les lèvres), la teneur totale en corps gras pâteux ira généralement de 0 à 30% en poids, en particulier de 5 à 15% en poids par rapport au poids total de la composition.
Selon un mode particulier, la composition de l’invention est une composition solide comprenant :
Des particules d’oxyde de zinc, Une ou plusieurs matières colorantes sensibles à la lumière, choisies dans le groupe constitué par les colorants et pigments organiques (ex : laques), les pigments composites comprenant au moins l’un desdits colorants ou pigments organiques, les pigments nacrés comprenant au moins l’un desdits colorants ou pigments organiques, et leurs mélanges, Des particules de nitrure de bore, Une ou plusieurs cires, de préférence en une teneur totale allant de 1 à 25% en poids, en particulier de 4 à 20% en poids par rapport au poids total de la composition, Des huiles hydrocarbonées, Eventuellement un gélifiant lipophile, Eventuellement une ou plusieurs matières colorantes additionnelles non sensibles à la lumière, choisies dans le groupe constitué par les oxydes de fer, les pigments organiques, les nacres, et leurs mélanges,
Selon un mode particulier et préféré, la composition de l’invention est une composition solide comprenant :
Des particules d’oxyde de zinc, en particulier en une teneur de 0,1 à 50% en poids, notamment de 1 à 30% en poids voire de 2 à 20% en poids, par rapport au poids total de la composition, Une ou plusieurs matières colorantes sensibles à la lumière, choisies dans le groupe constitué par les colorants ou pigments organiques (ex : laques), les pigments composites comprenant au moins l’un desdits colorants ou pigments organiques, les pigments nacrés comprenant au moins l’un desdits colorants ou pigments organiques, et leurs mélanges, en particulier en une teneur de 0,001% à 30%, mieux de 0,01% à 20% en poids par rapport au poids total de la composition, Des particules de nitrure de bore, en particulier en une teneur de 0,1 à 50% en poids, notamment de 2 à 30% en poids par rapport au poids total de la composition, Une ou plusieurs cires en une teneur totale allant de 1 à 25% en poids, en particulier de 4 à 20% en poids par rapport au poids total de la composition, Des huiles hydrocarbonées, Un ou plusieurs gélifiants lipophiles, Une ou plusieurs matières colorantes additionnelles non sensibles à la lumière, choisies dans le groupe constitué par les oxydes de fer, les pigments organiques, les nacres, et leurs mélanges,
Selon un autre mode particulier, la composition de l’invention est une composition fluide ou liquide comprenant :
Les éléments tubulaires textile interne et externe 70,80 sont disposés sur une préforme en forme de pied (non représentée), en particulier la préforme est disposée dans le volume d’accueil du pied de l’élément tubulaire textile interne 70. Les éléments tubulaires textile interne 70 et externe 80 subissent alors une étape de thermocompression au-cours de laquelle des portions textiles thermofusibles sont thermofondues pour solidariser lesdits éléments tubulaires textiles interne et externe 70,80 entre-eux et les former à la former de la préforme.
Avantageusement, ledit élément tubulaire textile externe 150 est sensiblement une chaussette tricotée et l’élément tubulaire textile interne 140 est également une chaussette tricotée distincte de la chaussette tricotée de l’élément 150. Alternativement, ces éléments tubulaires 140,150 pourraient être en liaison tricotée au niveau de leurs ouvertures d’introduction du pied telle que représentée à la ou au niveau de leurs pointes de pied.
La région principale externe 148 comprend dans un exemple une ou plusieurs portion(s) textile(s) thermofondue(s) ou partiellement thermofondue(s), encore de préférence comprend un ou des fil(s) collé(s) sur lui-même et/ou entre-eux.
Selon le mode de réalisation, et en référence à la , il est présenté réducteur sonore 1, dit réducteur 1. Le réducteur 1 comprenant un orifice d’entrée de gaz 12, dits gaz, destinés à se propager dans le réducteur sonore 1. Le réducteur 1 comprend une chambre d’expansion 2 et un canal 3 communiquant avec la chambre d’expansion 2. Le canal 3 s’étend selon un axe 8, dit axe du canal 8, depuis la chambre d’expansion 2 vers un orifice de sortie des gaz 13 hors du réducteur 1. Un axe de révolution de l’orifice d’entrée 12 du réducteur et un axe de révolution de l’orifice de sortie 13 du réducteur sont perpendiculaires à un plan, dit plan normal, perpendiculaire à l’axe du canal 8. Le réducteur 1 comprend, en outre, une zone d’absorption 4 d’une onde sonore produite par les gaz. La zone d’absorption 4 enveloppe le canal 3. Selon le mode de réalisation, la zone d’absorption 4 s’étend radialement depuis le canal 3 et enveloppe complétement le canal 3.
La zone d’absorption 4 de l’onde sonore est constituée par un matériau architecturé monobloc. La zone d’absorption 4, ou la partie du matériau architecturé constituant la zone d’absorption 4, est agencée pour qu’une partie des gaz circule depuis le canal 3 à travers le matériau architecturé jusqu’à une paroi externe 11 du matériau architecturé délimitant la zone d’absorption 4. La paroi externe 11 du matériau architecturé peut être définie comme la paroi externe 11 de la zone d’absorption 4.
Selon le mode de réalisation, l’ensemble du réducteur 1, c’est-à-dire, entre autres, le canal 3, la chambre d’expansion 2, la paroi externe 11, les orifices d’entrée 12 et de sortie 13 et la zone d’absorption 4, est formé par le matériau architecturé. Le réducteur 1 est donc monobloc ou d’un seul tenant.
Selon le mode de réalisation, le réducteur 1 est destiné à être fixé mécaniquement en bout de canon. Le réducteur 1 peut comprendre un filetage au niveau de l’entrée 12 du réducteur 1 pour fixer mécaniquement le réducteur 1 en bout de canon. Le réducteur 1 peut comprendre tout autre système de fixation mécanique, tels que des griffes ou attaches rapides, pour fixer mécaniquement le réducteur 1 en bout de canon. Le filetage peut être obtenu par usinage après que le réducteur 1 ait été entièrement fabriqué par fabrication additive, en particulier par impression 3D.
À la sortie du canon, l’ogive pénètre dans le réducteur 1 par le canal 3 et traverse successivement la chambre d’expansion 2 puis la zone d’absorption 4. L’ogive est précédée d’air comprimé en mouvement et suivie par les gaz de combustion sous pression. Ces deux types de gaz sont détendus dans la chambre d’expansion 2 puis dans la zone d’absorption 4. Cette action permet de diminuer l’intensité de l’impact sonore du coup de feu.
Selon le mode de réalisation non limitatif, le matériau architecturé peut être un alliage léger, un alliage de de Titane, un alliage base Ferreuse ou un alliage base Nickel. Les alliages légers, type alliage d’aluminium, sont considérés quand un réducteur 1 de faible poids est une nécessité absolue. Les alliages base Nickel sont considérés quand la tenue mécanique en température est une nécessité absolue. Les alliages de Titane sont un compromis adéquat entre les alliages légers et les bases Nickel. Le matériau architecturé peut également être en polymère, avec ou sans renfort intégré, tels des renforcements par fibres courtes ou longues.
Selon le mode de réalisation, une distance, s’étendant selon un plan normal, entre le canal 3 et au moins une partie de la paroi externe 11 du matériau architecturé varie selon l’axe du canal 8. Cette distance augmente selon la direction reliant l’entrée 12 et la sortie 13 du réducteur 1. Cette distance augmente sur les portions inférieures et latérales du réducteur 1 ou situées vers l’arrière et sur les côtés par rapport à un axe vertical. Ainsi, la ligne de mire du réducteur reste rectiligne. Cela permet d’augmenter le volume de la zone d’absorption, et donc l’atténuation du bruit, sans encombrer la ligne de mire du tireur. Tel que visible en particulier sur la , le réducteur 1 présente donc un profil évasé. Autrement dit, le volume du réducteur, ou sa section dans un plan normal, augmente selon la direction reliant l’entrée 12 et la sortie 13 du réducteur 1.
Une telle conception est rendue possible, en particulier, par le procédé de fabrication par impression 3D utilisée pour mettre en œuvre le réducteur 1. Il n’est pas possible d’obtenir ces types de forme avec les réducteurs obtenus par usinage.
La partie du matériau architecturé constituant, au moins en partie, la zone d’absorption 4 comprend un ensemble de motifs élémentaires 5, dits motifs 5, formant la structure monobloc du matériau architecturé. Chacun des motifs 5 du matériau architecturé présente une structure tridimensionnelle et au moins une partie des motifs 5 présente une structure tridimensionnelle creuse.
Selon le mode de réalisation particulier non limitatif les motifs 5 sont des dodécaèdres. Les motifs 5 peuvent être tout type de forme géométrique. A titre d’exemples non limitatifs, les motifs 5 peuvent être tout type de polyèdres ou une sphère.
En outre, au moins une partie des motifs 5 comprend au moins deux orifices 6 par lesquels une cavité 7 de chacun des motifs 5 de l’au moins une partie des motifs 5 communique avec l’extérieur de la cavité 7 de chacun des motifs de l’au moins une partie des motifs 5.
La zone d’absorption 4 est agencée de sorte qu’une partie des gaz circule à travers les orifices 6 et les cavités 7 des motifs 5 de l’au moins une partie des motifs 5 de la partie du matériau architecturé constituant, au moins en partie, la zone d’absorption 4.
Le canal 3 s’étend à travers une succession de motifs 5 du matériau architecturé. Le canal 3 est formé par une série d’ouvertures 14 ménagées dans une paroi 51 de chacun des motifs 5 de la succession de motifs 5 à travers laquelle s’étend le canal 3. En outre, la succession de motifs 5 à travers laquelle s’étend le canal 3 forme une rangée de motifs 5 adjacents.