Substrat piézoélectrique sur isolant (POI) (100, 200) comprenant: - un substrat support (102) ayant une première impédance acoustique, - une couche piézoélectrique (104), en particulier une couche de Tantalate de Lithium (LTO), de Niobate de Lithium (LNO), de Nitrure d’Aluminium (AlN), de Titano-Circonate de Plomb (PZT), de Langasite ou de Langatate, - une couche diélectrique (110) ayant une deuxième impédance acoustique et positionnée en sandwich entre la couche piézoélectrique (104) et le substrat support (102), - une couche intermédiaire (106) positionnée entre le substrat support (102) et la couche diélectrique (110), caractérisé en ce que la couche intermédiaire (106) est une couche avec une composition variable, en particulier le long de son épaisseur, de telle manière que l’impédance acoustique de la couche intermédiaire (106) varie, en particulier de manière graduelle, entre les valeurs de la première et de la deuxième impédance acoustique. Substrat piézoélectrique sur isolant (POI) (100, 200) selon la revendication 1, dans lequel le substrat support (102) est un substrat à base de silicium, la couche diélectrique (110) est une couche d’oxyde de silicium et la couche intermédiaire (106) est une couche d’oxynitrure de silicium SiO x N y ayant une composition variable d’oxygène et/ou une composition variable d’azote. Substrat piézoélectrique sur isolant (POI) (100, 200) selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la variation de la composition de la couche intermédiaire (106) est une variation graduelle linéaire ou par palier. Substrat piézoélectrique sur isolant (POI) (100, 200) selon une des revendications 1 à 3, dans lequel la composition variable de la couche intermédiaire (106) de la quantité qt de la composition variable de la couche d’oxynitrure de silicium SiO x N y (106) est définie par qt= y/(y+x) et varie le long de son épaisseur, en particulier avec qt = 0 à l’interface (112) avec la couche diélectrique (110) et au moins qt = 0.4 à l’interface (108) avec le substrat support (102). Substrat piézoélectrique sur isolant (POI) (100, 200) selon la revendication 4, dans lequel la quantité qt à l’interface (108) avec le substrat support (102) est égale à environ 0.5 pour un substrat support (102) de type Si avec une orientation (100), qt est égale à environ 0.68 pour un substrat support (102) de type Si avec une orientation (110) et qt est égale à environ 0.7 pour un substrat support (102) de type Si avec une orientation (111). Substrat piézoélectrique sur isolant (POI) (100, 200) selon la revendication 4 ou 5, dans lequel la quantité qt de la couche d’oxynitrure de silicium SiO x N y (106) varie d’une manière croissante entre l’interface (112) avec la couche diélectrique (110) de la couche piézoélectrique (104) et l’interface (108) avec le substrat support (102), en particulier d’une manière croissante par palier ou linéaire. Substrat piézoélectrique sur isolant (POI) (100, 200) selon une des revendications 1 à 6, comprenant en outre une couche de piégeage (116) sur le substrat de support (102), en particulier une couche à base de silicium poly-cristallin. Procédé de fabrication d’un substrat piézoélectrique sur isolant (POI) selon une des revendications 1 à 7 comprenant les étapes de: - fournir un substrat support ayant une première impédance acoustique, en particulier un substrat à base de silicium, - fournir un substrat piézoélectrique, en particulier un substrat de Tantalate de Lithium (LTO), de Niobate de Lithium (LNO), de Nitrure d’Aluminium (AlN), de Titano-Circonate de Plomb (PZT), de Langasite ou de Langatate, - former une couche diélectrique ayant une deuxième impédance acoustique sur le substrat piézoélectrique, en particulier une couche d’oxyde de silicium, - former une couche intermédiaire sur une surface libre du substrat support, en particulier à base d’oxynitrure de silicium SiO x N y , la couche intermédiaire ayant une composition variable, en particulier le long de son épaisseur e , de telle manière que l’impédance acoustique de la couche intermédiaire varie, en particulier de manière graduelle, entre les valeurs de la première et de la deuxième impédance acoustique, et - assembler le substrat piézoélectrique avec la couche diélectrique avec le substrat support avec la couche intermédiaire. Procédé de fabrication d’un substrat piézoélectrique sur isolant (POI) selon la revendication 8, dans lequel l’assemblage entre le substrat piézoélectrique et le substrat support est réalisé entre la couche intermédiaire et la couche diélectrique. Procédé de fabrication d’un substrat piézoélectrique sur isolant (POI) selon la revendication 8, comprenant en outre une étape de formation d’une couche diélectrique sur la couche intermédiaire du substrat support avant l’étape d’assemblage, de tel manière que l’assemblage est ensuite réalisé entre la couche diélectrique du substrat support et la couche diélectrique du substrat piézoélectrique. Procédé de fabrication d’un substrat POI selon une des revendications 8 à 10, dans lequel l’étape de formation de la couche intermédiaire sur le substrat support comprend la formation d’une couche à base d’oxynitrure de silicium SiO x N y dans laquelle la quantité d’azote par rapport à l’oxygène dans la couche d’oxynitrure de silicium SiO x N y définie par qt 1 = y/(y+x) varie le long de son épaisseur e 1 , en particulier avec qt 1 = 0 à l’interface avec la couche diélectrique et au moins qt 1 = 0.4 à l’interface avec le substrat support. Procédé de fabrication d’un substrat piézoélectrique sur isolant (POI) selon la revendication 8, dans lequel l’étape de formation de la couche intermédiaire sur le substrat support comprend la formation d’une couche à base d’oxynitrure de silicium SiO x N y dans laquelle la quantité qt 2 de la couche d’oxynitrure de silicium SiO x N y définie par qt 2 = y/(y+x) varie le long de son épaisseur e 2 , en particulier avec au moins qt 2 = 0.4 à l’interface avec le substrat support, et le procédé comprend en outre une étape de formation d’une couche SiO x N y sur la couche diélectrique du substrat piézoélectrique avant l’étape d’assemblage, ladite couche SiO x N y ayant une quantité qt 3 de la couche d’oxynitrure de silicium SiO x N y définie par qt 3 = y/(y+x) variant le long de son épaisseur e 3 , en particulier qt 3 = 0 à l’interface avec la couche diélectrique du substrat piézoélectrique, de tel manière que l’assemblage est ensuite réalisé entre la couche SiO x N y du substrat support et la couche SiO x N y du substrat piézoélectrique avec qt 2 étant égal à qt 3 à l’interface entre les couches SiO x N y du substrat piézoélectrique et du substrat support. Procédé de fabrication d’un substrat piézoélectrique sur isolant (POI) selon une des revendications 8 à 12, comprenant en outre une étape de formation d’une couche de piégeage sur le substrat support, en particulier une couche à base de silicium poly-cristallin. Procédé de fabrication d’un substrat piézoélectrique sur isolant (POI) selon une des revendications 8 à 13, dans lequel l’étape de formation de la couche intermédiaire est réalisée par un dépôt pulvérisation par radiofréquence dans une atmosphère mixte d’oxygène et d’azote. Dispositif à ondes acoustiques de surface (SAW) comprenant un substrat piézoélectrique sur isolant (100, 200) selon une des revendications 1 à 7.