INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Ainsi avec l’élément de décharge on passe d’un pic de déformation de 0,2 à 0,1 sur la zone centrale, et sur la zone périlésionnelle on n’augmente pas le pic de déformation qui reste inchangé à 0,3, c’est-à-dire une valeur bien inférieure à la valeur limite de 0,65 et dans une zone qui n’est pas à risque. Ces résultats confirment que le pansement et la mousse sélectionnée sont efficaces au centre de la plaie et ne conduisent à aucun report de contrainte sur le pourtour de la plaie.
La illustre le même type de représentation mais sur l’ensemble des deux zones étudiées avec et sans le pansement modulable M8. La courbe avec les triangles représente la situation sans aucun pansement. La courbe avec les carrés représente la situation avec le pansement M8. On visualise encore mieux l’action positive du pansement selon l’invention. On constate en effet sur cette figure la diminution de la hauteur des pics et surtout le déplacement des courbes vers la gauche dans la zone où le risque de lésion est le plus faible.
L’ensemble des études réalisées par le déposant montre que les pansements de l’invention sont utiles dans le traitement des escarres, en particulier des escarres du sacrum et de leur aggravation.
DISPOSITIF D’EXTRACTION D’UN ELEMENT PROTHETIQUE TELLE UNE TIGE FEMORALE DOMAINE D’APPLICATION DE L’INVENTION
La présente invention se rapporte à un dispositif d’extraction d’éléments prothétiques telles des tiges fémorales et notamment aux adaptations permettant de faciliter cette extraction.
Parmi les éléments prothétiques, les tiges fémorales destinées à être implantées dans le fémur d’un patient, sont bien connues dans le domaine orthopédique. Elles sont composées d’une partie intra-médullaire introduite dans le canal médullaire du fémur et d’une partie extra-médullaire constituée d’un col prolongé d’un cône sur lequel vient s’assembler une tête sphérique prothétique.
Les tiges fémorales présentent des surfaces lisses, polies pour des options avec cimentation dans le fût fémoral (c’est-à-dire dans le canal médullaire fémoral ouvert lors de la coupe). Les tiges destinées à être implantées sans ciment ont-elles des surfaces avec revêtements compatibles à l’ostéointégration.
La préparation du site osseux s’effectue avec des instruments adaptés aux voies d’abord chirurgicales. Le choix de la voie d’abord est motivé par la pratique du chirurgien, l’indication chirurgicale, la morphologie du patient. Les principales voies d’abord utilisées sont postérieures, antérieures et d’autres entre postérieures et antérieures. L’installation du patient est adaptée pour chaque voie d’abord, pour chaque côté à opérer. Lors de l’incision, les plans musculaires successifs sont disséqués suivant des trajectoires précises et différentes les unes des autres. Le contexte visuel et anatomique est différent pour chaque approche, l’environnement opératoire, les axes d’introduction des instruments sont différents pour chacune des techniques chirurgicales.
Après avoir sectionné et extrait le col du fémur, plusieurs râpes fémorales sont introduites dans le canal médullaire jusqu’à obtenir une adéquation stable entre la taille de la râpe et l’os. La tige prothétique définitive est alors installée dans le fémur du patient. La tête prothétique est installée à son tour sur le cône de la tige, l’articulation est réduite dans le cotyle acétabulaire, la fermeture du site opératoire est le processus final de l’intervention.
Deux situations imposent la nécessité d’extraire la tige fémorale du fémur ; après une durée distante de l’intervention, ou au cours de l’intervention. Après un délai plus ou moins important, l’indication de reprise chirurgicale peut s’imposer pour des raisons dépendantes ou indépendantes de l’implant. La position des composants, l’usure, la rupture, l’infection peuvent motiver l’extraction des pièces prothétiques. En peropératoire, même si ce risque est rare, il est parfois nécessaire d’extraire la tige fémorale déjà installée dans le fémur lorsque par exemple le réglage n’est pas celui recherché (un blocage de la tige dans le fémur étant intervenu trop tôt).
Pour lier la tige fémorale à un instrument afin de procéder à son extraction, il existe actuellement plusieurs solutions techniques.
Parmi celles-ci, les tiges fémorales comprennent habituellement des caractéristiques susceptibles d’être exploitées à des fins d’extraction. Ces tiges fémorales comprennent un trou fileté situé à la base externe du col permet le lien mécanique avec une tige filetée équipée d’une petite masse mobile dite masselotte. Ce principe présente des limites d’efforts exercés sur cette tige de faible diamètre qui peuvent conduire à sa rupture. De plus, l’axe de ce trou fileté n’est pas accessible dans certaines voies d’abord.
Il existe également des systèmes dits universels qui se fixent en refermant fortement des mâchoires sur la région du col et du cône, l’extraction est obtenue avec une masselotte connectée à l’instrument. Ces systèmes présentent plusieurs inconvénients, parmi ceux-ci :
Dosage d’IL-8 et TSLP par ELISA L’IL-8 est dosé dans les surnageants de culture (24H, 48H et 72H) grâce au kit Bioplex ELISA IL-8 de R&D Bio-Techne. Les surnageants sont dosés en triplicats. La lecture de plaques (Costar 3590 Corning) est réalisée sur le lecteur de plaques Clariostar. De la même façon, le TSLP est dosé dans les surnageants grâce au kit Bioplex TSLP de R&D Bio-Techne.
Résultats Croissance du microbiote dans le modèle de peau reconstituée
Le suivi de la viabilité durant le temps de mise en œuvre de ce modèle rend compte de la croissance du microbiote sur les épidermes.
Les résultats de croissance du microbiote sur les épidermes sains ou inflammatoires sont présentés dans le Tableau 2 ci-dessous.
Croissance du microbiote sur épidermes évalué par la différence entre la viabilité à 48h – viabilité à T0. NS : non-significatif ; S : significatif
Viabilité (T48h-T0) Valeur P Signification statistique Épidermes sains 72 814 0,8252 NS Épidermes inflammatoires 1 003 647 0,0036 S
La croissance des microbiotes sur les épidermes complets est de 1 à 2 log en 48h. On observe une croissance significativement plus importante sur les épidermes inflammatoires que sur les épidermes sains. Sans être liée par la théorie, on peut penser que la barrière est altérée dans l’épiderme inflammé, ce qui permet aux micro-organismes d’accéder à des nutriments supplémentaires et donc de croître davantage.
Analyse du composant microbiote La composition bactérienne du microbiote a été évaluée à J13 (avant inoculation sur le modèle).
À J13, les genres bactériens identifiés dans le microbiote sont les suivants :
Cutibacterium ( plus particulièrement C. acnes ) , Staphylococcus, Streptococcus, Burkholderia , Finegoldia , Gemella , Veillonella , Kocuia , Corynebacterium, Methylobacterium et Brevibacterium .
Les espèces de Staphylococcus ont été déterminé de façon plus précise. Les espèces de Staphylococcus identifiées dans le microbiote sont les suivantes : S. epidermidis, S. capitis , S. warneri , S. hominis et S. aureus.
Parmi les genres bactériens identifiés dans le microbiote à 48h, Cutibacterium et Staphylococcus ont notamment été détectés . Les espèces de Staphylococcus ont été déterminé de façon plus précise. Les espèces de Staphylococcus identifiées dans le microbiote à 48h sont les mêmes que celles initialement présentes ( S. epidermidis, S. capitis , S. aureus, S. warneri , S. hominis).
Évaluation de l’impact du microbiote/sébum sur les épidermes sains
Effet du microbiote/sébum sur la sécrétion de cytokines inflammatoires par l’épiderme sain
1/ Sécrétion d’IL-8 Les effets du microbiote/sébum sur la sécrétion d’IL-8 sont résumés dans le Tableau 3.
Cinétique de production d’IL-8 en fonction du temps de croissance du microbiote/sébum sur épidermes.
Pilote pour transistor à grille isolée avec circuit de compensation des temps de retard Le domaine de l’invention est celui des commandes de module d’électronique de puissance permettant de piloter le fonctionnement de composants électroniques de puissance. De manière connue, les modules de puissance comprennent des composants électroniques traitant de fortes puissances et présentent, de ce fait, une attention particulière dans leur conception et leur suivi en cours de vie et d’utilisation.
Plus précisément, l’invention a trait au contrôle des composants électroniques de puissance et à la gestion du retard entre une commande émise par un pilote (« driver » en anglais) du composant d’électronique de puissance et la réponse du composant de puissance par rapport à la commande émise.
De manière connue, l’initialisation d’une ouverture d’un composant d’électronique de puissance ou l’initialisation d’une fermeture de ce composant d’électronique de puissance n’est pas immédiat suite à l’émission de cette commande du pilote associé. En effet, un composant d’électronique de puissance nécessite par exemple une certaine durée afin de se charger ou de se décharger, ou encore afin d’induire la tension nécessaire à la grille du composant d’électronique de puissance en accord avec la commande émise par le pilote. Dès lors, des retards peuvent être observés, liés par exemple à la charge ou à la décharge du composant d’électronique de puissance. Une commande en provenance du pilote induit également, par exemple en commandant une ouverture ou une fermeture du composant d’électronique de puissance, une croissance ou un décroissance de la tension et du courant traversant le composant d’électronique de puissance. Or, les variations de la tension et du courant qui en découlent sont, au moins partiellement, dépendant du temps nécessaire au composant de puissance pour répondre à la commande qui lui est donnée. Dès lors, réduire le retard nécessaire à la réponse du composant d’électronique de puissance suite à une commande du pilote augmente la variation du courant et de tension que subit le composant d’électronique de puissance. Une variation de tension et/ou de courant trop importante peut détériorer le composant d’électrique de puissance voire le détruire. Dès lors la gestion, et particulièrement la compensation, du retard du composant de puissance suite à une commande tout en n’impactant pas ou peu la variation du courant et de tension que le composant de puissance subit lors de l’initialisation de la commande est une problématique importante.
La représente un étage de puissance 2 comprenant un pilote 4 et un transistor de puissance 6 piloté par le pilote 4. Le transistor de puissance 6 est composant semi-conducteur composé de trois bornes : un collecteur c, un émetteur e et une grille g reliée au pilote 6. Le transistor de puissance de puissance 6 est un transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais Insulated Gate Bipolar Transistor ). En variante, le transistor de puissance 6 est un transistor à effet de champ (en anglais, metal oxide semiconductor Field- effect transistor ou MOS FET ) et comprend donc un drain, une source et une grille reliée au pilote 4. Dès lors, pour un transistor à effet de champ, le drain peut être assimilé au collecteur c , la source peut être assimilée à l’émetteur e . De manière générale, la gestion des retards entre l’émission de la commande du pilote 4 et la réaction, par exemple l’initialisation d’une ouverture ou d’une fermeture, du transistor de puissance 6 n’est pas prise en considération et seule une résistance de la grille Rg est positionnée entre le pilote 4 et la grille g du transistor de puissance 6.
Il a ainsi été envisagé, comme représenté en , afin de réduire la croissance de la tension et la décroissance du courant traversant le composant d’électronique de puissance à l’ouverture du transistor de puissance 6 par exemple, de positionner : en dérivation de la résistance de la grille Rg, une première diode passante D1 ainsi qu’un premier condensateur C1, tous deux en dérivation, c’est-à-dire formant deux boucles électrique distinctes, l’un par rapport à l’autre. On comprend par diode passante que la diode laisse passer le courant, lorsque l’anode de la diode fait face au sens du courant, en direction de la grille g du transistor de puissance 6. En effet, le premier condensateur C1 devant être chargé, une grande différence de tension est observable entre la tension à la commande et la tension au premier condensateur C1. Dès lors, un courant dérivé de la résistance de la grille Rg peut être observé avec une redirection du courant, en provenance du pilote, vers le premier condensateur C1 et vers la première diode passante D1. Le courant dérivé de la résistance de la grille Rg est effectif jusqu’à ce que le premier condensateur C1 soit complètement chargé. Dès lors, le premier condensateur C1 se transforme en un interrupteur ouvert et le courant dérivé disparait. une deuxième diode passante D2 en série d’un deuxième condensateur C2 reliant le collecteur c à la grille g du transistor de puissance 6. De plus une deuxième résistance R2 est positionnée en dérivation de la deuxième diode passante D2.
Il est également possible de réduire la décroissance de la tension et la croissance du courant traversant le composant d’électronique de puissance à la fermeture du transistor de puissance 6 en échangeant la première diode passante D1 et la deuxième diode passante D2 par des diodes bloquantes, c’est-à-dire des diodes empêchant le courant de circuler en direction de la grille g du transistor de puissance 6, lorsque la cathode de la diode fait face au sens du courant.
Néanmoins, ces solutions présentent des retards inhérents au premier ordre, à l’équivalent capacitif du transistor de puissance, liés à l’ouverture et/ou la fermeture du composant d’électronique de puissance.
En effet, lors de l’ouverture ou de la fermeture du transistor de puissance, des retards peuvent être identifiés : Un délai t1 entre la commande d’ouverture émise par le pilote et la diminution de la tension au collecteur du transistor de puissance Vc. Un délai t2 pour observer la saturation du transistor de puissance à grille isolée. Un délai t3 associé à l’augmentation de la tension à la grille Vg pour atteindre la valeur maximale Vgmax imposée par la commande du pilote 4. Un délai t4 entre la commande de fermeture émise par le pilote et l’augmentation de la tension au collecteur du transistor de puissance Vc. Un délai t5 pour observer le retard à la désaturation du transistor de puissance. Un délai t6 associé à la diminution de la tension à la grille Vg pour atteindre la valeur minimale Vgmin imposée par la commande du pilote 4. Un délai tf qui représente le temps nécessaire à la décroissance de la tension au collecteur Vc, c’est-à-dire le passage d’une tension équivalente à 90% de la tension maximale au collecteur Vcmax à une tension équivalente à 10% de la tension maximale au collecteur Vcmax. Un délai tr qui représente le temps nécessaire à la croissance de la tension au collecteur Vc, c’est-à-dire le passage d’une tension équivalente à 10% de la tension maximale au collecteur Vcmax à une tension équivalente à 90% de la tension maximale au collecteur Vcmax.
Les délais t1, t2, t3, t4, t5, t6 sont représentés en .
Ainsi, lors d’une initialisation d’une ouverture du transistor de puissance, les délais t1, tf, t2 et t3 se succèdent augmentant significativement le temps nécessaire à l’initialisation de l’ouverture du transistor de puissance. De manière similaire, les délais t4, t5, tr et t6 se succèdent également lors de la fermeture du transistor de puissance.
L’invention vise à pallier tout ou partie des problèmes cités plus haut en proposant un dispositif de compensation des retards purs liés à l’initialisation du transistor de puissance en réponse à une commande en provenance du pilote qui présente également l’avantage de ne pas modifier et/ou induire une variation de tension et/ou de courant rapide pouvant dégrader le transistor de puissance. Plus précisément, l’invention permet de réduire les délais t1, t2, t3, t4, t5 et t6 sans impacter les délais tf et tr permettant de conserver les mêmes variations de tension et de courant et de ne pas augmenter les perturbations électromagnétiques.
A cet effet, l’invention a pour objet un étage de puissance comprenant un transistor de puissance et un pilote, le transistor de puissance comprenant un collecteur, une grille et un émetteur, le transistor de puissance étant configuré pour basculer d’un état dit saturé à un état dit bloqué et vice versa selon une commande du pilote, l’étage de puissance comprenant un résistance Rg positionnée entre le pilote et la grille du transistor de puissance, l’étage de puissance comprenant un circuit de compensation des retards positionné en dérivation de la résistance Rg, le circuit de compensation des retards comprenant : un circuit de compensation de retards d’initialisation de conduction, configuré pour dériver le courant la résistance Rg lors d’une initialisation d’une saturation du transistor de puissance, un circuit de compensation de retards d’initialisation d’arrêt de conduction, configuré pour dériver le courant la résistance Rg lors d’une initialisation d’un blocage du transistor de puissance, un circuit de compensation de retards configuré pour dériver le courant la résistance Rg lorsque le transistor de puissance est proche de l’état saturé.
Selon un aspect de l’invention, le circuit de compensation de retards d’initialisation de conduction comprend : Une première diode de signal configurée pour recevoir par son anode un signal de commande du pilote, Un premier transistor de signal relié à la cathode de la diode de signal par l’intermédiaire d’un émetteur du premier transistor de signal, le transistor de signal comprenant une base et un collecteur relié à la grille du transistor de puissance, Une première résistance, reliée à l’émetteur du premier transistor de signal et à la base du premier transistor de signal, Un premier condensateur de signal relié à la base du premier transistor de signal et à la grille du transistor de puissance.
Selon un aspect de l’invention, le premier transistor de signal est un transistor bipolaire PNP.
Selon un aspect de l’invention, le premier transistor de signal est un transistor MOSFET canal P.
Selon un aspect de l’invention, le circuit de compensation de retards d’initialisation de d’arrêt de conduction comprend : Un deuxième transistor de signal relié à la grille du transistor de puissance par l’intermédiaire d’un collecteur du deuxième transistor de signal, le deuxième transistor de signal comprenant une base et un émetteur, Une deuxième diode de signal reliée par sa cathode au pilote et par son anode à l’émetteur du deuxième transistor de signal, Une deuxième résistance, reliée à l’émetteur du deuxième transistor de signal et à la base du deuxième transistor de signal, Un deuxième condensateur de signal relié à la grille du transistor de puissance et à la base du deuxième transistor de signal.
est une coupe du dispositif d’élevage visible sur la dans la position totalement immergée,
est une vue latérale d’un premier support, sans contenant de mollusques, d’un dispositif d’élevage illustrant un mode de réalisation de l’invention,
est une vue latérale du premier support, visible sur la , supportant un contenant de mollusques, et
est une vue latérale d’un deuxième support d’un dispositif d’élevage illustrant un mode de réalisation de l’invention.
Sur les figures 1 et 5, une installation 10 d’élevage d’huîtres est positionnée dans un bassin d’élevage clos, tel qu’une claire d’un marais par exemple. Selon d’autres exemples, l’invention peut être mise en œuvre dans un étang, un bassin à terre (circuit fermé aquacole), une lagune ou toute autre étendue d’eau plus ou moins fermée et protégée. Cette solution permet de mieux contrôler les caractéristiques de l’environnement aquatique dans lequel sont produites les huîtres et, in fine, de limiter les risques sanitaires.
Pour donner un ordre de grandeur, la profondeur du bassin d’élevage est de l’ordre de 0,5 m à 2m. A titre indicatif, la profondeur du bassin d’élevage est d’au moins 0,5 m.
L’invention n’est aucunement limitée aux huîtres et pourrait être utilisée pour l’élevage d’autres mollusques. De plus, l’installation 10 d’élevage pourrait être installée sur un site en pleine mer.
Selon un mode de réalisation, cette installation 10 comprend au moins un dispositif d’élevage 12 comportant plusieurs contenants d’huîtres 14, au moins deux ballasts longitudinaux 16, 18 ainsi qu’au moins un flotteur longitudinal 20.
Les ballasts longitudinaux 16, 18 et le flotteur longitudinal 20 ont sensiblement la même longueur.
Chaque ballast longitudinal 16, 18 est configuré pour occuper une position immergée et une position flottante.
Chaque ballast longitudinal 16, 18 est un cylindre creux de six mètres à plusieurs dizaines de mètres avec un diamètre de 100 à 500 mm. Les ballasts longitudinaux 16, 18 présentent des axes de révolution parallèles entre eux et à une direction longitudinale DL.
Selon un mode de réalisation, chaque ballast longitudinal 16, 18 présente un diamètre compris entre 100 et 160 mm. Selon une configuration, chaque ballast longitudinal 16, 18 comprend plusieurs tubes mis bout à bout et reliés entre eux par des manchons. A titre d’exemple, chaque ballast longitudinal 16, 18 est en matière plastique, comme en polyéthylène, en polyéthylène haute densité PEHD, en polychlorure de vinyle ou autres.
Le flotteur longitudinal 20 est un cylindre creux de six mètres à plusieurs dizaines de mètres avec un diamètre de 30 à 150 mm. Ce flotteur longitudinal 20 présente un axe de révolution parallèle à la direction longitudinale DL.
Selon un mode de réalisation, le flotteur longitudinal 20 présente un diamètre compris entre 50 et 75 mm. Selon une configuration non limitative, le flotteur longitudinal 20 comprend plusieurs tubes mis bout à bout et reliés entre eux par des manchons. A titre d’exemple, le flotteur longitudinal 20 est en matière plastique, comme en polyéthylène, en polyéthylène haute densité PEHD, en polychlorure de vinyle ou autres. En variante, le flotteur 20 peut être discontinu et comprendre plusieurs flotteurs cylindriques alignés selon la direction longitudinale, un par contenant 14.
Chaque contenant 14 est un panier ajouré en polyéthylène ou en polyéthylène haute densité PEHD pour lui conférer une rigidité. Chaque contenant 14 est allongé et présente des première et deuxième extrémités 14.1, 14.2 orientées selon une direction transversale DT sensiblement perpendiculaire à la direction longitudinale DL.
Ainsi, le dispositif d’élevage 12 comprend plusieurs contenants 14 sensiblement parallèles entre eux et répartis selon la direction longitudinale DL.
En effet, le soudage direct sur la face intérieure de l’acier d’éléments de fixation tels que des goujons filetés doit être effectué avec précaution sous peine d’entraîner un risque de modification de la couleur sur la face apparente de la peau, en raison d’une température excessive atteinte lors du soudage et/ou des contraintes mécaniques locales générées par celui-ci.
Par ailleurs, l’opération de cintrage de la feuille pour lui donner la courbure nécessaire ne doit pas non plus entraîner d’altération de la couleur du fait des contraintes mécaniques générées.
Enfin, le montage des feuilles d’acier sur l’ossature doit pouvoir s’effectuer rapidement et de manière aisée.
Ces difficultés font que l’acier inoxydable n’est généralement utilisé aujourd’hui que sous la forme de cassettes métalliques de bardage planes, tel que divulguées dans la publication WO 88/08473.
L’invention vise à remédier à tout ou partie de ces difficultés.
L’invention a ainsi pour objet, selon un premier de ses aspects, un procédé de fabrication d’un élément de bardage métallique comportant une feuille métallique, comportant les étapes consistant à :
Réaliser des supports incurvés inférieur et supérieur, et de préférence intermédiaire(s), présentant un galbe correspondant à celui à donner à la feuille, Fixer la feuille sur ces supports en la pressant progressivement le long de ceux-ci pour lui en faire épouser le galbe.
La feuille peut notamment être fixée sur le ou les supports intermédiaires par collage.