INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Dans les architectures à base de qubits de chat, la qualité du matériel est mesurée par le rapport entre deux échelles de temps : le temps 1/ , où est le taux de dissipation à deux photons qui stabilise le qubit ; et , où est le taux de perte à un photon. Il existe d'autres sources d'erreurs comme le déphasage au taux , les excitations thermiques les interactions auto-Kerr (" self-Kerr " en anglais) et Kerr croisé (" cross-Kerr " en anglais), ou encore autres couplages indésirables avec d'autres systèmes quantiques présents au voisinage de la mémoire, etc. Néanmoins, la perte à un photon est le mécanisme d'erreur dominant et dans un souci de clarté, on ne considère que ce mécanisme physique d’erreur dans ce qui suit. Dans le cas général, tout ce qui suit est valable en remplaçant le rapport par la somme des taux des mécanismes d’erreur divisée par .
Dans l'art antérieur (travaux publiés), le rapport obtenu expérimentalement varie de 1 à 10 -2 (une valeur plus petite étant meilleure). Cependant, pour que la correction des erreurs quantiques fonctionne, les prédictions théoriques estiment qu'il est nécessaire de concevoir ce rapport pour qu'il soit inférieur à . Pour le calcul quantique à grande échelle, il sera nécessaire d'amener ce rapport dans une plage de l'ordre de [10 -5 ; 10 -4 ].
A l'heure actuelle, il n'existe donc pas de solution qui permette de mettre en œuvre un code de répétition à qubit de chat qui soit compatible avec le seuil d'erreur de tolérance aux fautes.
L’invention vient améliorer la situation. À cet effet, elle propose un c Code de répétition pour qubit de chat caractérisé en ce qu'il comprend un nombre d de qubits de chat de données et au moins (d-1) qubits de chat ancillaires, le nombre d étant supérieur ou égal à 3, chaque qubit de chat ancillaire étant relié à deux qubits de chat de données par deux portes CNOT respectives de telle manière qu'aucun qubit de chat de données n'est relié à plus de deux qubits de chat ancillaires, le taux de dissipation à deux photons des qubits de chat ancillaires étant strictement supérieur au taux de dissipation à deux photons des qubits de chat de données. Ce code de répétition est mis en œuvre par la réalisation pour chaque qubit de chat ancillaire de cycles de correction d'erreur comprenant au moins les opérations suivantes : a) préparation du qubit de chat ancillaire dans un état propre de l’opérateur X : "|+>" ou "|->", b) activation d'une des deux portes CNOT reliée à ce qubit de chat ancillaire, c) activation de l'autre porte CNOT reliée à ce qubit de chat ancillaire, et d) mesure de la parité du nombre de photons de ce qubit de chat ancillaire.
Ce dispositif est particulièrement avantageux car il permet, de mettre en œuvre code de répétition à qubit de chat compatible avec le seuil d'erreur de tolérance aux fautes.
- le taux de dissipation à deux photons des qubits de chat ancillaires est choisi sensiblement égal à un multiple du taux de dissipation à deux photons des qubits de données, lequel multiple est choisi dans le groupe comprenant 2, 5, 20, 30 et 50,
- les opérations a) à d) sont répétées pour chaque qubit de chat ancillaire un nombre de fois sensiblement égal au ratio du taux de dissipation à deux photons des qubits de chat de données par le taux de perte à deux photons des qubits de chat ancillaires, puis suivie d'une opération de rafraîchissement dont la durée est de l'ordre de l'inverse du taux de dissipation à deux photons des qubits de chat de données,
La masse de déchets réduits est mise par lots dans un réacteur dans lequel, selon une seconde étape 12, on injecte de la vapeur d’eau à une température comprise entre 180°C et 210°C, et une pression comprise entre 15 et 27 bar. La durée de cette étape de traitement par la vapeur est comprise entre 5 et 20 minutes. Les morceaux de déchets et l’eau liquide sont réchauffés par la vapeur.
Après l’ajout d’eau à cette masse de matière solide, on procède comme décrit ci-dessus : on injecte de la vapeur d’eau à une température comprise entre 180°C et 210°C et une pression comprise entre 15 et 27 bar. La durée de cette étape de traitement par la vapeur comprise entre 5 et 20 minutes.
Après l’étape d’injection de vapeur 12, précédée ou non de l’étape 11, on réduit brusquement la pression dans le réacteur pour provoquer l’explosion par la vapeur (étape 13) séparant les fibres des agglomérats de fibres exposés à la vapeur et le cas échéant immergées dans l’eau.
Le dispositif de commande 16 présenté ci-après permet de fournir une correspondance plus naturelle entre les mouvements de l’opérateur et ceux de la machine.
Dans l'exemple illustré aux figures et plus particulièrement à la , le bras 6 de levage (ou bras de manutention) est monté sur le châssis 2 et orientable autour d’un axe de rotation 7. Selon un mode de réalisation, l’axe de rotation 7 est parallèle au plan d’appui au sol des roues de la machine de sorte que lorsque les roues de la machine sont en appui sur un sol horizontal, l’axe de rotation 7 est horizontal. Le bras 6 est saillant vers l’avant de la machine.
Selon un mode de réalisation, le bras de levage 6 est articulé au châssis 2 dans une zone plus proche du pont arrière (c'est-à-dire de l’axe ou essieu qui relie les deux roues arrière 4) que du pont avant (c'est-à-dire l’axe ou essieu qui relie les deux roues avant 3). Dans le cas d’une machine avec tourelle on peut de même prévoir que le bras de levage 6 soit articulé à la tourelle dans une zone plus proche du pont arrière que du pont avant à l’état orienté du bras vers l’avant de la machine.
Comme rappelé ci-dessus, le bras 6 est du type télescopique. Le bras 6 comprend ainsi au moins un premier tronçon 61 et un deuxième tronçon 62 déployable à l’aide d’un vérin de déploiement, non représenté, agencé entre les deux tronçons. Le bras peut comprendre plus de deux tronçons.
Dans l’exemple de la , le dispositif d’actionnement du dispositif de manutention inclut en particulier un vérin de levage V1 qui permet de déplacer le bras 6 vers le haut et vers le bas autour de l'axe 7, sous la conduite de l’unité de traitement 10. Le bras 6 de levage forme un angle avec une position de référence telle que l’horizontale (ou le plan d’appui au sol de la machine).
Selon un mode de réalisation, le dispositif d’actionnement du dispositif de manutention comprend aussi un vérin d’inclinaison V3 qui permet de faire pivoter le tablier 141 par rapport au bras 6 de levage, sous la conduite de l’unité de traitement 10. On peut aussi prévoir que le dispositif d’actionnement du dispositif de manutention comprend un vérin de rotation situé du côté de l’outil pour permettre de faire tourner l’outil par rapport au tablier.
On peut prévoir aussi que le dispositif d’actionnement du dispositif de manutention 14 comprend un vérin de compensation V2 qui est couplé au châssis 2 et au bras 6 de levage et en communication fluidique avec le vérin d’inclinaison V3 de sorte que le vérin d’inclinaison V3 est asservi au vérin de compensation pour conserver sensiblement l’orientation du tablier 141 (et donc de l’outil) lorsque le bras 6 de levage est déplacé. Pour autant le vérin d’inclinaison V3 reste commandable par l’opérateur à l’aide d’un organe de commande 17 présenté ci-après pour commander l’inclinaison du tablier 141 par rapport au bras 6 afin d’effectuer des opérations avec l’outil 142 de manutention couplé au tablier. D’autres moyens de compensation, par exemple de type électronique, peuvent être envisagés.
- formation d’une zone de fragilisation dans ledit premier substrat donneur de sorte à délimiter la première couche semi-conductrice 4 à transférer (traits pointillés de la ),
- collage du substrat donneur sur le substrat support 2, la couche électriquement isolante 3 étant à l’interface entre le substrat support 2 et le substrat donneur, de sorte à obtenir la structure représentée sur la .
L’étape (b) comprend le détachement du substrat donneur au niveau de la zone de fragilisation de sorte à transférer la couche semi-conductrice 4 et à former la structure multicouche 1 représentée sur la .
La zone de fragilisation peut être créée par co-implantation d’atomes d’hélium et d’atomes d’hydrogène dans le substrat donneur de la couche semi-conductrice. Alternativement, la zone de fragilisation est créée par implantation d’atomes d’hydrogène ou d’hélium seuls.
De manière alternative au procédé Smart Cut TM , l’étape (a) peut comprendre le collage du substrat donneur de la couche semi-conductrice à transférer 4 sur le substrat support 2, la couche électriquement isolante 3 étant à l’interface, tandis que l’étape (b) peut comprendre l’amincissement dudit substrat donneur par sa face opposée à la face collée sur le substrat support 2 jusqu’à l’obtention de l’épaisseur souhaitée pour la couche semi-conductrice 4.
La couche électriquement isolante 3 est par exemple une couche d’oxyde telle qu’une couche d’oxyde de silicium. La couche d’oxyde électriquement isolante 3 peut être formée sur le substrat support 2 éventuellement recouvert de la couche de piégeage de charges 5 ou sur le substrat donneur de la couche semi-conductrice 4 préalablement au collage dudit substrat donneur sur ledit substrat support.
Durant toute l’étape d’assemblage du substrat donneur sur le substrat support (a) et l’étape de la couche semi-conductrice 4 (b), le substrat support 2 ne doit pas être porté à une température supérieure à 1200 °C pendant plus d’une heure pour ne pas engendrer la redissolution des précipités d’oxygène et d’azote 8.
Si la structure multicouche comprend une couche de piégeage de charges 5 en un matériau polycristallin, la température appliquée ne doit pas excéder 1100 °C pendant plus de deux heures pour ne pas provoquer la recristallisation de ladite couche.
Selon des modes de réalisation alternatifs du procédé selon l’invention, les étapes de nucléation (c) et de stabilisation (d) peuvent être mises en œuvre après l’étape (a) d’agencement du substrat donneur sur le substrat support 2 éventuellement recouvert de la couche de piégeage de charges 5 ou après l’étape (b) de transfert de la couche semi-conductrice 4. Selon chacun de ces modes de réalisation, chaque étape (a), (b), (c) (d) et (e) est par ailleurs réalisée tel que décrit précédemment.
Toutefois, les étapes précédant l’étape de nucléation (c) et l’étape de stabilisation (d) ne doivent pas comprendre l’application d’une température supérieure ou égale à 1000 °C sur une durée de l’ordre d’une heure à quelques heures. En effet, une température supérieure ou égale à 1000 °C entrainerait la diffusion de l’azote interstitiel 6 hors du substrat support, de sorte qu’on ne pourrait pas former les précipités d’oxygène et d’azote 8.
Selon encore d’autres modes de réalisation du procédé selon l’invention, l’étape de nucléation (c) et l’étape de stabilisation (d) ne sont pas consécutives, de sorte qu’au moins une étape parmi les étapes (a), (b) et (e) peut être mise entre l’étape de nucléation (c) et l’étape de stabilisation (d). Selon chacun de ces modes de réalisation, chaque étape (a), (b), (c) (d) et (e) est par ailleurs réalisée tel que décrit précédemment.
Lorsque les étapes (c) et (d) ne sont pas consécutives, les étapes précédant l’étape de stabilisation (d) ne doivent pas comprendre l’application d’une température supérieure ou égale à 1000 °C sur une durée de l’ordre d’une heure à quelques heures pour ne pas provoquer la diffusion de l’azote interstitiel 6 hors du substrat support 2 et la redissolution des germes de précipités d’oxygène et d’azote 9 générés lors de l’étape de nucléation (c).
Finalement, quel que soit le mode de réalisation choisi, les étapes postérieures à l’étape de stabilisation (d) ne doivent pas comprendre l’application d’une température supérieure à 1200 °C pendant plus d’une heure pour ne pas engendrer la redissolution des précipités d’oxygène et d’azote 8.
Substrat d’interconnexion et procédé de fabrication d’un tel substrat La présente description concerne de façon générale les dispositifs électroniques et plus particulièrement un substrat d’interconnexion adapté à maintenir et relier électriquement un composant électronique, par exemple une puce électronique, à un circuit électronique.
Un substrat adapté à maintenir et intégrer électriquement dans un circuit électronique une puce électronique est connu, par exemple sous le terme "IC substrate" en anglais, ou substrat de circuit intégré.
La fabrication de l’ébauche fibreuse cylindrique se poursuit avec la formation d’une deuxième couronne fibreuse 500 illustrée sur les figures 12 et 13. La deuxième couronne fibreuse 500 est formée d’une pluralité de secteurs angulaires adjacents 510 de la même façon que la couronne fibreuse 100 constituée de la pluralité de secteurs angulaires 110 et décrite précédemment.
Comme illustré sur la qui illustre la formation d’un premier secteur angulaire 510 sur la surface externe 400a de la première couronne fibreuse 400, chaque secteur angulaire 510 est formé par pliage en accordéon d’une bande tissée 70 en une pluralité de plis fibreux 511 parallèles entre eux et s’étendant en largeur suivant la direction axiale D A et en hauteur sensiblement suivant la direction radiale D R . Par « s’étendant en hauteur sensiblement suivant la direction radiale », on entend que les plis 511 sont parallèles à la direction radiale D R ou forment un angle inférieur à la mesure d’angle du secteur angulaire (15° sur les figures 12 et 13 mais on peut suivant les nécessités mécaniques faire plus de secteurs angulaires et réduire d’autant cet angle) par rapport à la direction radiale. Chaque pli 511 présente une largeur correspondant à la largeur l 400 de la première couronne 400 et une hauteur H 511 qui peut varier afin de s’adapter à la forme en portion d’anneau de chaque secteur angulaire.
La bande de tissée 70 correspond ici à un tissu bidimensionnel ou 2D réalisé avec des fibres de précurseurs de carbone comme par exemple des fibres de polyacrylonitrile ou PAN, des fibres phénoliques, des fibres cellulosiques, des fibres brai, etc.
Dans l’exemple décrit ici, les plis 511 de chaque secteur angulaire s’étendent en hauteur à partir de la surface 400a de la première couronne 400. Au fur et à mesure de la formation des plis 511, ceux-ci sont aiguilletés suivant une direction D T sensiblement tangentielle à la périphérie externe du mandrin. L'aiguilletage est réalisé au moyen d’une aiguilleteuse 30’ similaire à l’aiguilleteuse 30 déjà décrite afin de fixer les plis 511 entre eux par transfert de fibres dans les plis suivant la direction d’aiguilletage.
De manière optionnelle, un ou plusieurs plis 512 peuvent être formés avec la bande tissée 70 sur la périphérie interne de chaque secteur angulaire 510. Dans l’exemple décrit ici, deux plis 512 sont formés. Les plis 512 s’étendent suivant une direction circonférentielle D C parallèle à la surface 400a de la première couronne 400. Les plis 512 sont aiguilletés avec une aiguilleteuse 40’ similaire à l’aiguilleteuse 40 déjà décrite afin de fixer les plis 512 avec les plis 511. Les plis 512 permettent de former une couche de renfort à la périphérie interne de la deuxième couronne fibreuse et d’assurer une tenue en cisaillement renforcée à l’interface avec la première couronne 400.
Chaque secteur angulaire 510 peut en outre aiguilleté suivant une direction comprenant une composante radiale et une composante tangentielle.
On forme ensuite de la même façon un deuxième secteur angulaire adjacent au premier secteur angulaire formé et ainsi de suite jusqu’à former une deuxième couronne fibreuse 500 comme illustrée sur les figures 12 et 13. Dans l’exemple décrit ici, la deuxième couronne 500 comprend vingt-quatre secteurs angulaires 510. La deuxième couronne fibreuse 500 ainsi formée correspond à une corolle de secteurs angulaires 510.
Les secteurs angulaires 510 peuvent être formés avec une seule bande tissée continue comme dans l’exemple décrit ici, ce qui permet d’éviter toute perte de matière et de renforcer la liaison entre les secteurs angulaires. Selon une variante de réalisation les secteurs angulaires de la deuxième couronne fibreuse peuvent être chacun réalisés avec une bande tissée indépendante.
On obtient alors comme illustrée sur les figures 12 et 13 une ébauche fibreuse cylindrique 600 dont la partie interne est formée par la première couronne fibreuse 400 obtenue par bobinage et dont la partie externe est formée par la deuxième couronne fibreuse 500 constituée de la corolle de secteur angulaire 510, les première et deuxième couronnes fibreuses 400 et 500 étant concentriques et liées entre elles au niveau de leur interface de contact.
Ensuite, après démontage de l’ébauche fibreuse cylindrique 600 du mandrin 80, celle-ci est tronçonnée suivant la direction radiale D R , par exemple par découpe au jet d'eau, afin d'obtenir une pluralité de préformes fibreuses annulaires 610 dont une d’entre elles est illustrée sur la . Chaque préforme fibreuse annulaire 610 comprend une couronne fibreuse interne 611 constituée par un tronçon de la première couronne fibreuse 400 et une couronne fibreuse externe 612 constituée par un tronçon de la deuxième couronne fibreuse 500. Dans le cas où l’ébauche fibreuse cylindrique est constituée de fibres en précurseurs de carbone, le tronçonnage de l’ébauche peut être réalisé avant ou après la carbonisation des fibres (transformation des précurseurs en carbone).
On procède ensuite à la densification des préformes fibreuses 610 qui est assurée, de façon bien connue en soi, par infiltration chimique en phase gazeuse ou CVI, à savoir par dépôt au sein de celles-ci de carbone pyrolytique produit par décomposition d’un précurseur contenu dans une phase gazeuse diffusant à l'intérieur de la porosité interne accessible des préformes.
On obtient ainsi, des disques stators annulaires en matériau composite C/C dont un d’entre eux est illustré sur la . La illustre un disque rotor annulaire en matériau composite C/C 150 qui comprend un renfort fibreux 160 constitué par la couronne fibreuse interne 611 et la couronne fibreuse externe 612 de la préforme fibreuse 610, le renfort fibreux 160 étant densifié par la matrice carbone.
Comme illustrés sur la , la périphérie externe du disque stator annulaire en matériau composite C/C 150 est usinée pour former des tenons 151. Conformément à l’invention, les tenons sont réalisés dans la couronne fibreuse externe 612 du renfort fibreux 160 correspondant à un tronçon de la deuxième couronne fibreuse 500 de l’ébauche 600. Par conséquent, la tenue mécanique des tenons 151 est conférée localement par une partie de préforme dont les plis fibreux sont orientés orthogonalement au plan de cisaillement (plis 511 orientés sensiblement radialement), les plis assurant une reprise des efforts plus soutenue que dans la partie bobinée où seules les fibres orientées par aiguilletages auraient repris les efforts.
En dehors de la zone de formation des tenons correspondant à la zone de la surface de frottement, il n’y a pas de nécessité d’avoir des plis orientés radialement, les fibres réorientées issues de l’aiguilletage suffisent. Les plis sont orientés selon l’axe de rotation qui est une orientation avantageuse pour la souplesse des disques (mise en « rondelle de Belleville »). On obtient ainsi un meilleur contact des surfaces de friction.
La pénétration de la phase gazeuse à cœur des préformes est facilitée par l’orientation des plis suivant la direction axiale dans les deux couronnes. En effet, la phase gazeuse pénétrant par les extrémités axiales des préforme se diffuse ainsi plus facilement à cœur. Cela permet de réduire le temps et, par conséquent, le coût de fabrication des disques tout en améliorant l’homogénéité de la densification des préformes.
ENSEMBLE DE SUSPENSION COMPORTANT UN BRAS DE SUSPENSION A FIXATION RENFORCEE SUR UN BERCEAU La présente invention concerne un ensemble de suspension pour un véhicule et un véhicule qui comporte un train avant avec un tel ensemble de suspension.
Le corps de conteneur 2 comprend un plan longitudinal médian P qui s’étend parallèlement aux parois avant et arrière de corps de conteneur 22, 23 et qui traverse les parois d’extrémités de corps de conteneur 24 dans leur zone centrale.
Les différentes parties constitutives 21, 22, 22 et 24 du corps de conteneur 2 délimitent ensemble un volume de conditionnement V et une ouverture de corps de conteneur O.
De son côté, le couvercle de conteneur 3 comprend un élément de dessus de couvercle 31, plan, bordé par un côté avant de couvercle 32, un côté arrière de couvercle 33 et deux côtés d’extrémités de couvercle 34.
Le côté avant de couvercle 32, le côté arrière de couvercle 33 et les deux côtés d’extrémités de couvercle 34 forment ensemble un rebord périphérique qui s’étend d’un côté du plan de l’élément de dessus de couvercle 31.
L’élément de dessus de couvercle 31 a une forme générale rectangulaire ; le côté avant de couvercle 32 et le côté arrière de couvercle 33 sont parallèles entre eux ; et de leur côté, les deux côtés d’extrémités de couvercle 34 sont également parallèles entre eux.
Le couvercle de conteneur 3 est solidaire du corps de conteneur 2 par l’intermédiaire de l’axe d’articulation de couvercle 4 qui autorise sa mobilité entre :
- une position fermée (visible sur les figures 1 et 4) dans laquelle le couvercle de conteneur 3 obture l’ouverture de corps de conteneur O, et
- une position ouverte (visible sur les figures 2, 3, 5, 6 et 7) dans laquelle le couvercle de conteneur 3 libère l’ouverture de corps de conteneur O pour permettre l’accès au volume de conditionnement V.
En position fermée, l’élément de dessus de couvercle 31 du couvercle de conteneur 3 vient reposer sur la bordure supérieure de la ceinture de parois périphériques 22, 23, 24 du corps de conteneur 2 ; et le rebord périphérique formé par le côté avant de couvercle 32, le côté arrière de couvercle 33 et les deux côtés d’extrémités de couvercle 34 vient entourer cette ceinture de parois périphériques 22, 23, 24.
L’axe d’articulation de couvercle 4 est ménagé à proximité de la paroi arrière de corps de conteneur 23 et du côté arrière de couvercle 33. Il est matérialisé par deux structures pivot de couvercle 41 reliant, de part et d’autre du conteneur 1, un côté d’extrémité de couvercle 34 et une paroi d’extrémité de corps de conteneur 24.
Chaque structure pivot de couvercle 41 peut consister en un système de liaison de type vis-écrou qui traverse le côté d’extrémité de couvercle 34 et la paroi d’extrémité de corps de conteneur 24.
La structure de poignée 5 du conteneur 1 comprend un organe de préhension longitudinal 51, prolongé par deux bras latéraux de poignée 52 solidaires des parois d’extrémité de corps de conteneur 24.
Comme précisé ci-dessus, la structure de poignée 5 est adaptée non seulement pour permettre la préhension du conteneur 1, mais aussi pour assurer la manœuvre du couvercle de conteneur 3 entre ses positions ouverte et fermée.
Pour cela :
- les extrémités 521 des deux bras latéraux de poignée 52 sont solidaires des parois d’extrémité de corps de conteneur 24 par l’intermédiaire d’un axe d’articulation de poignée 6, et
- les moyens de manœuvre du couvercle de conteneur 3 comprennent, de chaque côté du conteneur 1, une structure d’ergot 7 solidaire d’un côté d’extrémité de couvercle 34, qui est apte à se déplacer dans une lumière de guidage 522 ménagée sur le bras latéral 52 en regard de la structure de poignée 5.
Une consigne d’ajustement de puissance donnée, fournie au contrôleur local d’une centrale hydroélectrique donnée, peut être calculée au moyen d’une formule de calcul sélectionnée en fonction d’au moins un critère prédéfini relatif à la mesure de fréquence. Un tel critère prédéfini peut être par exemple un résultat d’une comparaison entre, d’une part, un écart entre la mesure de fréquence et une valeur nominale de fréquence, et d’autre part un seuil prédéfini.