INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Le choix selon lequel une moyenne est calculée lorsqu’une pluralité de valeurs de température et/ou de débit d'air sont acquises ne constitue qu’une variante d’implémentation de l’invention. Ainsi, d’autres variantes sont envisageables, comme par exemple : calcul d’une moyenne d’une partie seulement des valeurs de température et/ou de débit d'air acquises (ladite moyenne pouvant en outre être pondérée), sélection d’une valeur parmi les valeurs de température et/ou de débit d'air, etc. En définitive, ce qui importe avant tout est de déterminer une unique valeur de température à partir de ladite pluralité de valeurs T_1_1, …, T_1_M, de sorte que la constante d’oxydation k1_1 puisse être déterminée à partir de ladite unique valeur de température (k1_1 pouvant être vue comme une fonction réelle à une seule variable) et une unique valeur de débit d'air, de sorte que la constante k2_1 puisse de même être déterminée à partir de ladite unique valeur de température et de la dite unique valeur de débit d’air (k2_1 pouvant être vue comme une fonction réelle à une seule deux variables).
Il importe de noter que, lorsqu’une pluralité de mesures de température sont acquises au cours de l’intervalle INT_1 (respectivement de débit), rien n’exclut que ladite unique valeur soit déterminée à partir de ladite pluralité de mesures acquises lors de la mise en œuvre de l’étape E20 (respectivement E40) d’obtention et non pas lors de la mise en œuvre des E30 et E50 de détermination respective des constantes k1_1 et k2_1. Dit encore autrement, et au sens de la présente invention, le terme « obtention » en relation avec l’étape E20 ou de l'étape E40 peut tout aussi bien faire référence, comme cela a été décrit ci-avant, à une transmission de mesures de température ou de débit d'air entre les moyens d’acquisition 11 et le dispositif de surveillance 12, mais également à l’obtention en tant que tel de ladite unique valeur de température ou de la dite unique valeur de débit d'air. Ici il faut entendre obtention de ladite unique valeur de débit d'air, l'obtention d'une mesure directe de ce débit d'air, ou d'une mesure d'au moins un paramètre moteur corrélé comme il a été expliqué supra.
Contrairement à la température de l’huile moteur qui met plus de temps à se stabiliser, phénomène dû à l’inertie thermique, le débit d’air d’établit de manière quasi instantanée avec le régime moteur. De manière préférée, le nombre de mesures de débit d’air au cours d’un même intervalle de temps est donc inférieur au nombre de mesures de température. Ceci diminue la précision des calculs mais permet cependant d’obtenir une précision suffisante.
De même, le nombre de mesures de débit d’air et/ou de température peut être ajusté suivant les phases de vol. Pendant un intervalle de temps correspondant à une phase de décollage ou d’atterrissage il peut être plus précis de prendre plus de mesures de température et/ou de débit d’air que pendant un ou plusieurs intervalles de temps correspondant à une phase de croisière.
Les paramètres pouvant être utilisés pour obtenir une mesure du débit d’air, à savoir un ou plusieurs paramètres parmi la vitesse de rotation du moteur, une pression de veine du moteur, ou une température de veine du moteur, sont généralement mesurés en continu dans un aéronef, par exemple toutes les secondes dans certains types d’aéronefs. Il peut donc être envisagé de prendre en compte toutes ces mesures sans entrainer de coût supplémentaire ou seulement certaines d’entre elles. De même, la durée des phases de vol, à savoir décollage, croisière ou atterrissage sont également mesurées et peuvent être utilisées pour la détermination de la durée des intervalles de temps T_1_j. La durée des intervalles de temps pourrait être diminuée lors des phases de croisière et augmentée lors des phases de décollage ou d’atterrissage. De manière générale, la durée des intervalles de temps est calculée en fonction des phases de vol de l’aéronef.
Bien entendu, encore d’autres exemples de mise en œuvre peuvent être envisagés lorsqu’une pluralité de valeurs T_1_1, …, T_1_M sont obtenues pour ledit l’intervalle INT_1, comme par exemple une détermination de constantes d’oxydation k1_1_1, …, k1_1_M pour chacune de ces valeurs T_1_1, …, T_1_M, la constante d’oxydation k1_1 étant dès lors déterminée comme étant égale à une moyenne pondérée de tout ou partie desdites constantes k1_1_1, …, k1_1_M, ou bien égale à l’une quelconque desdites constantes k1_1_1, …, k1_1_M, etc.
De même, selon une variante, lorsqu’une pluralité de valeurs D_1_1, …, D_1_X et T_1_1, …, T_1_X sont obtenues pour ledit l’intervalle INT_1, comme par exemple une détermination de constantes d’évaporation k2_1_1, …, k2_1_X pour chacune de ces valeurs D_1_1, …, D_1_X et T_1_1, …, T_1_X, la constante d’oxydation k2_1 étant dès lors déterminée comme étant égale à une moyenne pondérée de tout ou partie desdites constantes k1_1_1, …, k1_1_X, ou bien égale à l’une quelconque desdites constantes k1_1_1, …, k1_1_X.
Dans ledit premier mode de mise en œuvre, ledit ensemble d’étapes comporte également une étape E60 de détermination d’un taux d’antioxydants C_1 présents dans l’huile à l’issue dudit au moins un intervalle temporel INT_1, en fonction de ladite durée D_1, de ladite constante d’oxydation k1_1, de ladite constante d’évaporation k2_1,ainsi que d’un taux d’antioxydants C_0_1 présents dans l’huile au commencement dudit intervalle temporel. Ladite étape E60 est mise en œuvre par le quatrième module de détermination MOD_DET_4 équipant le dispositif de surveillance 12.
la représente une vue en perspective d'une autre étape du procédé de fabrication du mode de réalisation de la .
La représente une vue en coupe d'un mode de réalisation d'un condensateur 10. La représente un unique condensateur 10. Cependant, un condensateur de capacité plus élevée peut être formé en reliant en parallèle plusieurs condensateurs 10.
Le condensateur 10 comprend une piste conductrice 12, de préférence en métal. La piste conductrice 12 est par exemple située dans une couche isolante 14. La couche 14 et la piste conductrice 12 correspondent par exemple à un niveau de métallisation d'un réseau d'interconnexion formé durant les étapes dites de "Back End Of Line", par exemple un niveau dit "M5". La piste 12 affleure la face supérieure de la couche 14. La piste 12 est par exemple en cuivre. La couche 14 est par exemple en oxyde de silicium.
Une couche 16 recouvre la couche 14 et les pistes 12. La couche 16 est de préférence en contact avec la piste 12. La couche 16 est en un matériau pouvant être gravé sélectivement par rapport au matériau de la piste conductrice 14. Par un premier matériau pouvant être gravé sélectivement par rapport à un deuxième matériau, on entend qu'il existe au moins un procédé de gravure permettant de graver le premier matériau au moins deux fois plus vite, de préférence au moins dix fois plus vite, que le deuxième matériau. La couche 16 est par exemple en SiCN.
Alternativement, la couche 16 peut être remplacée par un empilement non représenté d'une couche en SiCN et une couche en Al2O3. La couche en Al2O3 a par exemple une épaisseur comprise entre 5 nm et 20 nm, de préférence une épaisseur sensiblement égale à 10 nm.
Le condensateur 10 comprend des plots 18. Le condensateur comprend au moins deux plots 18. Les plots 18 repose sur la piste 12. Les plots 18 traversent donc la couche 16. Les plots s'étendent verticalement, c’est-à-dire dans une direction orthogonale au plan de la face supérieure de la piste 12. Les plots 18 ont de préférence des dimensions identiques. En particulier, les plots 18 ont une même hauteur, c’est-à-dire une même distance entre la face inférieure, c’est-à-dire la face la plus proche de la piste 12, et la face supérieure, c’est-à-dire la face la plus éloignée de la piste 12.
Les plots 18 comprennent un cœur conducteur 18a et une gaine conductrice 18b. La gaine 18b est en métal, par exemple en nitrure de titane. Le cœur 18a est par exemple en métal, par exemple en tungstène ou en titane. La gaine 18b recouvre, et est en contact avec, la face inférieure du cœur 18a. La gaine 18b recouvre, et est en contact avec, les parois latérales du cœur 18a. Par exemple la gaine ne recouvre pas la face supérieure du cœur 18a. La face supérieure du cœur 18a est ainsi découverte. La gaine 18b recouvre, et est en contact avec, la piste 12. La gaine 18b sépare donc le cœur 18a de la piste 12.
Le condensateur 10 comprend en outre des plaques 20. Le condensateur 10 comprend au moins deux plaques 20. Dans l'exemple de la , le condensateur 10 comprend cinq plaques 20. Les plaques 20 s'étendent dans des plans parallèles entre eux. Les plaques 20 s'étendent par exemple dans des plans parallèles au plan de la face supérieure de la piste 12. Les plans dans lesquels se situent les plaques 20 sont situés entre la face supérieure des plots 18 et la face supérieure de la couche 16. Les plaques 20 ne sont dons pas en contact avec la couche 16. De préférence, les plaques 20 s'étendent dans des plans situés sous la face supérieure des plots 18.
Les plaques 20 s'étendent au moins entre les deux plots 18. Les plaques 20 s'étendent par exemple autour des plots 20. Ainsi, chaque plaque 20 s'étend par exemple sur tout le contour de chaque plot 18, dans le plan de ladite plaque 20.
Chaque plaque 20 est en contact avec la gaine conductrice 18b de chacun des plots 18. De préférence, chaque plaque 20 est en contact avec la gaine conductrice 18b de chacun des plots 18 sur tout sur tout le contour de chaque plot 18, dans le plan de ladite plaque 20. Toutes les plaques sont ainsi électriquement reliées aux plots 18, et entre elles par les plots 18. Les plots 18 et les plaques 20 constituent une première électrode du condensateur 10.
Les plaques 20 sont par exemple en le même matériau que la gaine 18b. Les plaques sont par exemple en nitrure de titane. Les plaques 20 ont par exemple des formes sensiblement parallélépipédiques. Les plaques 20 ont de préférence des dimensions identiques.
La est une vue schématique de face montrant une deuxième couronne formée par une pluralité de secteurs angulaires sur la couronne de la ,
La est une vue schématique en perspective d’une ébauche fibreuse cylindrique selon un autre mode de réalisation de l’invention,
La est une vue schématique de face d’un disque rotor de frein en matériau composite réalisé à partir de la préforme fibreuse de la .
Dans la description qui suit, on envisage la fabrication de disques de freins en composite Carbone/Carbone ou C/C, étant entendu que le procédé selon l'invention est applicable à la fabrication de disques de frein en d’autres matériaux composites comme les matériaux composites à matrice céramique ou CMC, comme cela apparaîtra immédiatement à l'homme de l'art.
Dans un premier exemple de réalisation de l’invention, on décrit la fabrication de disques stators de freinage.
Conformément à l’invention, on réalise tout d’abord une ébauche fibreuse cylindrique à partir de laquelle des préformes fibreuses de disques de frein sont produites conformément à un procédé de l’invention.
La fabrication de l’ébauche fibreuse débute par la réalisation d’une première couronne fibreuse 100 illustrée sur les figures 3 et 4. La première couronne fibreuse 100 est formée d’une pluralité de secteurs angulaires adjacents 110 sur un mandrin cylindrique rotatif 20 s’étendant suivant une direction axiale D A et une direction radiale D R , le mandrin étant mobile en rotation suivant un sens de rotation S R .
Comme illustré sur les figures 1 et 2 qui illustrent la formation d’un premier secteur angulaire 110, chaque secteur angulaire 110 est formé par pliage en accordéon d’une bande tissée 10 en une pluralité de plis fibreux 111 parallèles entre eux et s’étendant en largeur suivant la direction axiale D A et en hauteur sensiblement suivant la direction radiale D R . Par « s’étendant en hauteur sensiblement suivant la direction radiale », on entend que les plis 111 sont parallèles à la direction radiale D R ou forment un angle inférieur à la mesure d’angle du secteur angulaire (45° sur les figures 1 et 2 mais on peut suivant les nécessités mécaniques faire plus de secteurs angulaires et réduire d’autant cet angle) par rapport à la direction radiale. Chaque pli 111 présente une largeur l 111 correspondant à la largeur l 10 de la bande tissée et qui est déterminée en fonction du nombre de préformes fibreuses que l’on souhaite former à partir de l’ébauche fibreuse cylindrique et une hauteur H 111 qui peut varier afin de s’adapter à la forme en portion d’anneau de chaque secteur angulaire.
La bande tissée 10 correspond ici à un tissu bidimensionnel ou 2D réalisé avec des fibres de précurseurs de carbone comme par exemple des fibres de polyacrylonitrile ou PAN, des fibres phénoliques, des fibres cellulosiques, des fibres brai, etc.
Dans l’exemple décrit ici, les plis 111 de chaque secteur angulaire s’étendent en hauteur à partir de la surface 20a du mandrin 20. Au fur et à mesure de la formation des plis 111, ceux-ci sont aiguilletés suivant une direction D T sensiblement tangentielle à la périphérie externe du mandrin. L'aiguilletage est réalisé au moyen d'une aiguilleteuse 30 comprenant une planche à aiguilles 31 qui s'étend sur la largeur l 10 de la bande tissée 10 en un emplacement situé immédiatement en aval de la position où un pli 111 vient au contact du ou des autres plis 11 déjà formés. Les aiguilles 32 de la planche 31 sont réparties uniformément le long de celle-ci afin d'obtenir une densité surfacique d'aiguilletage constante. Une plaque de déboureur 33 peut en outre être utilisée pour maintenir les plis pendant l’aiguilletage. L’aiguilletage permet de fixer les plis 111 entre eux par transfert de fibres dans les plis suivant la direction d’aiguilletage.
Dans les figures 1 à 4 déjà décrites ainsi que d’autres figures de la présente description, les plis et tours d’enroulement sont représentés de manière espacée pour une bonne compréhension de la géométrie de pliage et de bobinage de la bande tissée. Toutefois, les plis ou les tours sont en réalité plaqués les uns contre les autres et maintenus ainsi par l’aiguilletage formant ainsi une structure fibreuse dense.
De manière optionnelle, un ou plusieurs plis 112 ou plus peuvent être formés avec la bande tissée 10 sur la périphérie externe de chaque secteur angulaire 110. Dans l’exemple décrit ici, deux plis 112 sont formés. Les plis 112 s’étendent suivant une direction circonférentielle D C parallèle à la surface 20a du mandrin 20. Les plis 112 sont aiguilletés suivant la direction radiale D R avec une aiguilleteuse 40 similaire à l’aiguilleteuse 30 afin de fixer les plis 112 avec les plis 111. Les plis 112 permettent de former une couche de renfort à la périphérie externe de la première couronne fibreuse et d’assurer une tenue en cisaillement renforcée avec la ou les couches utilisées ultérieurement pour former une deuxième couronne fibreuse.
Chaque secteur angulaire 110 peut en outre aiguilleté suivant une direction comprenant une composante radiale et une composante tangentielle.
On forme ensuite de la même façon un deuxième secteur angulaire adjacent au premier secteur angulaire formé et ainsi de suite jusqu’à former une première couronne fibreuse 100 comme illustrée sur les figures 3 et 4. Dans l’exemple décrit ici, la première couronne 100 comprend huit secteurs angulaires 110. La première couronne fibreuse 100 ainsi formée correspond à une corolle de secteurs angulaires 110.
Les secteurs angulaires 110 peuvent être formés avec une seule bande tissée continue comme dans l’exemple décrit ici, ce qui permet d’éviter toute perte de matière et de renforcer la liaison entre les secteurs angulaires. Selon une variante de réalisation les secteurs angulaires de la première couronne fibreuse peuvent être chacun réalisés avec une bande tissée indépendante.
A partir des informations de dimensions du navire, il est possible d’en déduire une classe de SER.
L’estimation automatique de la SER à partir des infos AIS ou attributs se fait, par exemple, à partir de la longueur de la cible si la longueur est si la longueur est comprise entre 5 et 10 m SER = 10 m² …
En ce qui concerne les observations, l’utilisateur peut obtenir des informations (longueur, etc.) sur une détection (via un profil distance ou une image ISAR) et ainsi en déduire, par expérience, une classe de SER.
La prédiction de SER via les informations AIS est automatisable alors qu’elle ne l’est pas lorsque l’utilisateur intervient dans cette chaîne de traitement.
Il est effectué une vérification de cohérence ou comparaison 15 entre les performances (délivrées par le traitement radar 9) en termes de capacité de détection réelles constatées en vol sur les cibles de SER estimées à taux de fausse alarme constant, et les performances de détections attendues sur les SER estimées 14.
Les performances de détections attendues sur les SER estimées 14 utilisent les prédictions des performances de détection radar similaires à celles des sous-étapes 5 et 7.
Il est possible de prédire les performances de détection radar à partir de la connaissance fine de : l’antenne radar (puissance émise, gain d’antenne, angle d’ouverture, …) ; de la forme d’onde utilisée (fréquence de récurrence, durée de l’impulsion, bande émise, …) ; du traitement employé (probabilité de fausse alarme en entrée du détecteur) ; et des caractéristiques de la cible (SER, vitesse, …) ; et en faisant des hypothèses sur l’environnement comme sur la puissance moyenne et la distribution statistique du clutter ou désordre de mer et sur le modèle de propagation dans l’atmosphère.
Après avoir capitalisé un grand nombre de données réelles de fouillis de mer avec les vérités terrain correspondantes mesurées (température, pression, vitesse du vent, hauteur de houle, hygrométrie, …), un apprentissage des différents paramètres d’environnement est effectué, qui influent sur les prédictions de performances de détection, à savoir : les conditions de propagation, et la puissance et la statistique du fouillis de mer.
Pour cela, deux réseaux de neurones convolutifs peuvent être utilisés, par exemple réalisés selon le U-NET par exemple décrit dans le document « Convolutional networks for biomedical image segmentation », de Ronneberger, O., Fischer, P., & Brox, T. (2015, October), International Conference on Medical image computing and computer-assisted intervention (pp. 234-241), pour apprendre le comportement de ces grandeurs.
La synthétise les entrées et sorties du réseau pour apprendre la fluctuation des grandeurs influants sur les paramètres de détection.
Ainsi, l'utilisation d'un ou des deux réseaux de neurones permet la comparaison entre performances de détection réelles et prédites sera plus fine et elle tiendra compte du caractère fluctuant de ces grandeurs.
La représente l'utilisation d'un ou des deux réseaux de neurones dans l'étape 3 de contrôle de l'altitude de consigne.
Le principe de la chaîne de contrôle est de dire si l’altitude est valide (OK) ou non (KO).
Si les performances de détection obtenues sont meilleures que l’attendu, c’est que nous sommes sur des phénomènes « favorables » et donc il n’y a pas de problème.
En revanche, si c’est l’inverse, l’opérateur est au courant et il peut changer d’altitude pour voir si ces phénomènes sont présents à d’autres altitudes et trouver l’altitude où il y a une cohérence.
L’objectif est d’automatiser cette vérification pour réaliser cette étape sur un nombre conséquent de cibles (par exemple 100) afin de consolider cette phase de contrôle.
Afin de pallier cet inconvénient, une solution consiste à utiliser un substrat faiblement enrichi en oxygène interstitiel en guise de substrat support. La concentration en oxygène interstitiel de tels substrats (communément appelés « low Oi » selon la terminologie anglo-saxonne) est typiquement comprise entre 6 et 10 old ppma, l’unité old ppma désignant une « partie par million d’atomes » selon une ancienne spécification de mesure normalisée ASTM79. Une telle concentration d’oxygène interstitiel est un compromis relativement satisfaisant pour des composants électroniques de taille importante fabriqués à partir de ces substrats permettant de limiter le nombre de lignes de glissement tout en contrôlant la résistivité dudit substrat.
Toutefois, la tendance étant à la miniaturisation, le développement de lignes de glissement, même en très faible quantité, dans des composants électroniques de petites dimensions est de moins en moins toléré. L’utilisation de substrats faiblement enrichis peut conduire à un taux d’oxygène interstitiel trop faible pour atteindre les performances attendues. La solution consistant simplement à augmenter le taux d’oxygène interstitiel du substrat n’est pas satisfaisante, car une concentration trop importante d’Oi ne permet plus de contrôler la valeur de la résistivité électrique.
En revanche, une solution envisageable consiste à augmenter la concentration en oxygène interstitiel initiale du substrat support et, par l’application de traitements thermiques, à faire précipiter ledit oxygène interstitiel sous la forme de précipités d’oxygène ou défauts connus sous l’acronyme BMD, du terme anglo-saxon « Bulk Micro Defects »).
La concentration en oxygène interstitiel initiale du substrat est typiquement supérieure à 27 old ppma. L’utilisation de substrats fortement enrichis en oxygène interstitiel (communément appelés « high Oi » selon la terminologie anglo-saxonne) permet d’obtenir une densité de l’ordre de 10 10 précipités d’oxygène ou défauts par cm 3 , la dimension desdits précipités étant comprise entre 70 et 120 nm. Les précipités d’oxygène sont alors suffisamment gros et nombreux pour, de la même façon que l’oxygène interstitiel, bloquer la propagation des dislocations.
Toutefois, une telle configuration ne permet pas le contrôle et le maintien de la résistivité du substrat support à une valeur stable et suffisamment élevée pour des applications dans le domaine radiofréquence. En outre, si les précipités d’oxygène sont trop nombreux et trop gros, ils engendrent localement des contraintes mécaniques au cœur du matériau qui peuvent causer une déformation globale du substrat. La déformation du substrat peut également être à l’origine de problèmes d’alignement des motifs de lithographie.
BREVE DESCRIPTION DE L’INVENTION Un but de l’invention est de concevoir une structure de type semi-conducteur sur isolant telle que le substrat support présente une bonne résistance au développement ultérieur de lignes de glissement tout en présentant une résistivité électrique élevée et contrôlée, et sans pour autant engendrer de contraintes mécaniques importantes au sein dudit substrat support qui pourraient causer sa déformation globale.
Par « haute résistivité électrique », on entend dans le présent texte une résistivité électrique supérieure ou égale à 500 Ω.cm.
Un autre but de l’invention est de concevoir une structure de type semi-conducteur sur isolant qui n’engendre pas, lors d’étapes de fonctionnalisation ultérieures, les problèmes d’« overlay » connus de l’homme du métier, même pour la fabrication de composants appliqués au domaine des hautes fréquences dont les longueurs de grilles sont inférieures à 65 nm, par exemple inférieures à ou de l’ordre de 22 nm.
A cet effet, l’invention propose un procédé de fabrication d’une structure multicouche de type semi-conducteur sur isolant comprenant les étapes suivantes :
- assemblage d’un substrat support présentant une résistivité électrique supérieure ou égale à 500 Ω.cm et contenant de l’azote interstitiel et de l’oxygène interstitiel, la concentration initiale en oxygène interstitiel dans le substrat support étant comprise entre 15 old ppma et 25 old ppma (mesurée selon la norme ASTM79), et d’un substrat donneur d’une couche semi-conductrice à transférer, une couche électriquement isolante étant à l’interface entre le substrat support et le substrat donneur,
- transfert de ladite couche semi-conductrice sur le substrat support,