INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
L’homme du métier comprend que le ménagement d’une ou de plusieurs mortaises supplémentaires, par exemple par perçage et taraudage, représente une tâche connue et simple pour le maréchal ferrant, laquelle ne nécessite d’être effectuée qu’une fois par fer à cheval, la plaque orthopédique pouvant par la suite être librement fixée et retirée par vissage dans les mortaises, nécessitant uniquement un nettoyage préalable de la mortaise, par exemple à l’aide d’un taraud.
De préférence, au moins une des vis présente une tête de vis configurée pour s’étendre de la plaque lorsque la plaque est fixée sur le fer à cheval, la tête de vis s’étendant selon une direction orthogonale au fer à cheval.
L’homme du métier comprend ici que la tête de vis remplit alors une fonction de crampon similaire aux crampons usuellement assemblés sur les mortaises d’un fer à cheval classique. De tels crampons permettent d’améliorer la pose du pied et d’éviter les glissades sur un terrain en herbe ou plus généralement sur sol mou. On prévoit par exemple que seules les vis destinées à une insertion dans des mortaises disposées en portion d’éponge du fer à cheval présentent une tête de vis s’étendant de la plaque orthopédique, de manière à effectivement reproduire le comportement d’un crampon standard sans altérer la pose du pied du cheval. Selon une variante, on prévoit un premier ensemble de vis présentant des têtes de vis reproduisant une forme de crampon et adaptées à l’utilisation de la plaque orthopédique sur sol mou ou souple, et un deuxième ensemble de vis présentant des têtes de vis planes, par exemple des vis à tête fraisée, adaptées à l’utilisation de la plaque orthopédique sur sol dur. On prévoit également une autre variante dans laquelle les têtes de vis présentent une pluralité de formes permettant une sélection plus large, par exemple une tête de vis plus longue et large pour une utilisation sur un terrain lourd et glissant, notamment un terrain humide.
On comprend additionnellement que la fixation de la plaque orthopédique sur le fer à cheval est aussi simple d’utilisation que le vissage de crampons sur une ferrure classique, par exemple à l’aide d’une clé adéquate, sans requérir l’intervention d’un spécialiste.
Dans un mode de réalisation particulier, la plaque orthopédique présente une forme sensiblement trapézoïdale isocèle comprenant deux extrémités longitudinales, les extrémités longitudinales définissant un contour correspondant au contour de deux portions d’éponge du fer à cheval, la plaque étant destinée à être fixée sur les portions d’éponge du fer à cheval par les extrémités longitudinales de manière à s’étendre entre les deux portions d’éponge.
En d’autres termes, la plaque orthopédique vient joindre les deux portions d’éponge l’une avec l’autre en s’étendant sensiblement latéralement entre celles-ci, par exemple de manière à les renforcer et éviter qu’elles s’écartent ou se resserrent. Elle permet optionnellement d’orienter le pied vers l’avant en augmentant l’épaisseur de la portion arrière du sabot ferré. La plaque orthopédique recouvre et protège également le talon et une portion de la sole du sabot ferré.
L’homme du métier comprend ici qu’une telle plaque orthopédique permet de rééquilibrer la boîte cornée du sabot et est adaptée aux problèmes de distorsion de la couronne et de la hauteur de la paroi du sabot, lorsque le pied présente un talon chevauché ou encastelé, c’est-à-dire lorsque le sabot se rétrécit par resserrement des quartiers ou des talons, ou encore par atrophie de la fourchette, ou lorsque le pied présente une ou plusieurs seimes, c’est-à-dire des fissures verticales résultant d’une lésion. En d’autres termes, la plaque orthopédique permet ainsi d’éviter que le pied ne se resserre ou d’aggraver une fissure. La protection du talon et de la sole est également avantageuse en cas de bleime, c’est-à-dire de contusion de la sole, ou encore d’ossification des processus palmaires. L’orientation du pied vers l’avant permet en outre de soulager le tendon fléchisseur profond du doigt (aussi appelé tendon « FPD ») en cas de tendinite liée à gaine des fléchisseurs ou à la bride carpienne.
Lors du montage, notamment vissage, le franchissement par la patte 16 du relief 8, juste avant que le flanc 18 ne vienne en butée contre le flanc 31, génère une sensation tactile qui est ressentie par l'utilisateur.
Le relief 8 est moulé, dans l’exemple considéré, avec le col 6, au moins partiellement dans un polypropylène homopolymère nucléé.
La patte 16 et la butée 17 sont moulées, dans l’exemple considéré, avec la jupe 14, au moins partiellement dans une polyoléfine nucléée.
Dans la variante illustrée sur la , la jupe 14 est réalisée avec deux pattes flexibles 16, diamétralement opposées, et deux butées 17 également diamétralement opposées, ces butées présentant chacune un flanc droit 18 parallèle à l'axe longitudinal Y de l'organe de fermeture 3.
Essais comparatifs On a comparé le couple mis en jeu lorsque le premier relief franchit par déformation élastique le deuxième au terme du mouvement de montage de l’organe de fermeture sur le récipient, pour différents dispositifs de conditionnement et d’application de mascara.
Deux groupes sont comparés. Pour chaque groupe, dix pièces différentes sont testées pour cent vingt montages de l’organe de fermeture sur le récipient.
Le premier groupe correspond à un dispositif de conditionnement et d’application de mascara, dans lequel le premier relief porté par l’organe de fermeture est en polypropylène homopolymère nucléé, de module de flexion égal à 2200 MPa (1 mm/min) et de MFI égal à 20 g/10 min (203 °C/2.16 kg).
Le deuxième groupe correspond à un dispositif de conditionnement et d’application de mascara, dans lequel le premier relief porté par l’organe de fermeture est en polypropylène homopolymère non nucléé.
Les résultats des tests réalisés sont reportés à la .
Dans les cas du premier groupe, les couples mis en jeu sont en moyenne sensiblement constants sur les premières fermetures avec une légère diminution du couple pour les dernières fermetures, inférieure à 50% du couple initial. Cela met en évidence un avantage lié à l’utilisation d’une polyoléfine nucléée dans l’invention
Dans le cas du deuxième groupe, les couples mis en jeu diminuent considérablement dès les premiers montages, avec des couples mis en jeu dans les derniers montages au moins 50% plus faibles que les premiers couples. Cela montre qu’une polyoléfine non nucléée ne permet pas d’obtenir un fonctionnement satisfaisant.
Bien entendu, l’invention n’est pas limitée aux exemples qui viennent d’être décrits. On peut notamment réaliser autrement les premier et deuxième reliefs.
Dispositif d’entraînement motorisé d’un dispositif d’occultation, dispositif d’occultation et procédés de montage et de démontage associés La présente invention concerne un dispositif d’entraînement motorisé d’un dispositif d’occultation, autrement dit un dispositif d’entraînement motorisé pour un dispositif d’occultation. Ce dispositif d’entraînement motorisé est prévu, autrement dit est configuré, pour déplacer au moins un écran le long d’une tringle suivant un mouvement de coulissement.
La présente invention concerne également un dispositif d’occultation équipé d’un tel dispositif d’entraînement motorisé, un procédé de montage d’un tel dispositif d’entraînement motorisé sur une tringle d’un dispositif d’occultation, ainsi qu’un procédé de démontage d’un tel dispositif d’entraînement motorisé par rapport à une tringle d’un dispositif d’occultation.
On connaît déjà le document CN 113 475 926 A qui décrit un dispositif d’entraînement motorisé d’un dispositif d’occultation. Le dispositif d’entraînement motorisé comprend un boîtier, un bloc de motorisation et un premier dispositif de maintien. Le bloc de motorisation est logé à l’intérieur du boîtier. Le premier dispositif de maintien est relié au boîtier, de sorte à maintenir le boîtier par rapport à une tringle du dispositif d’occultation. Le bloc de motorisation comprend un moteur électrique et deux roues d’entraînement. Chaque roue d’entraînement est configurée pour être entraînée en rotation, autour d’un premier axe de rotation, au moyen du moteur électrique et pour être mise en contact avec une surface de la tringle, de sorte à déplacer le dispositif d’entraînement motorisé le long de la tringle suivant une direction de déplacement. Le premier dispositif de maintien comprend un premier élément de suspension. Le premier élément de suspension est configuré pour être soit dans un état déverrouillé soit dans un état verrouillé par rapport au boîtier. Le boîtier comprend un premier logement. Le premier logement est configuré pour recevoir une première partie du premier élément de suspension.
Mode de réalisation : 4 bobines SPM, avec contre-réaction VCR1 et VCR2
La fonction de contre-réaction peut également être obtenue avec deux sources de tension VCR1 et VCR2 référencées au potentiel de référence, comme illustré à la . Les deux sources de tensions VCR1 et VCR2 sont configurées pour générer des tensions de même valeur VCR/2 mais de polarité opposée, et sont connectées aux bobines SPM au travers d’amplificateurs A1 et A2 respectifs.
Tout comme pour la , pour éviter l’utilisation de composants couteux liés à la réalisation d’une source de tension de contre-réaction isolée du potentiel de référence, on utilise deux générateurs de tension VCR1 et VCR2 connectés au potentiel de référence et une inductance de mode commun LMC insérée entre les générateurs et les bobines LN3 et LN4. L’inductance de mode commun LMC est de valeur très supérieure à la valeur d’inductance des bobines SPM et à la valeur de l’inductance d’excitation Le (de préférence dix fois supérieure). L’impédance de mode commun de la branche formée par les bobines LN3 et LN4 est alors augmentée significativement, forçant ainsi le courant d’excitation à circuler par les bobines LN1 et LN2.
Cependant, pour que les bobines LN3 et LN4 puissent remplir leur rôle, il doit exister un quasi court-circuit entre les bornes externes du transducteur à la fréquence d’analyse Fa. Pour obtenir ce court-circuit, un condensateur CMD peut être placé entre les bornes externes du transducteur, ce qui permettra aux courants de mode différentiel, c’est-à-dire ceux circulant dans le même sens dans les bobines LN1 à LN4, de circuler correctement à la fréquence d’analyse Fa.
Ainsi, dans le montage de la : - la bobine de mode commun LMC permet d’empêcher la circulation du courant d’excitation dans la paire de bobines LN3 et LN4, tout en garantissant une bande passante élevée pour la boucle de contre-réaction ; et - le condensateur CMD permet d’assurer un court-circuit de la paire de bobines LN3 et LN4 à la fréquence d’analyse Fa.
Calibration pour la recherche de la fréquence optimale d’excitation
Comme expliqué ci-dessus, l’impédance d’excitation Ze ajoutée pour l’atténuation de la composante harmonique au rang 2 permet d’atteindre un facteur de qualité de l’ordre de 30 à 50.
Cependant, le choix d’une fréquence d’excitation Fe fixe peut s’avérer incompatible avec un facteur de qualité élevé. L’amélioration du facteur de qualité peut s’accompagner d’une diminution non négligeable du courant d’excitation lorsque la fréquence d’excitation Fe s’écarte de la fréquence de résonnance d’excitation Fres_e du circuit d’excitation.
Une solution consiste ainsi à ajuster la fréquence du générateur d’excitation VEXC de façon à correspondre à une fréquence optimale d’excitation Fopt_e qui conduit à un niveau de courant d’excitation le plus élevé. En d’autres termes, en ajustant la valeur de la fréquence d’excitation Fe à celle de la fréquence optimale d’excitation Fopt_e, on maintient le courant d’excitation généré à un niveau acceptable.
En pratique, une unité de contrôle peut être couplée au module d’excitation et être configurée pour : - lors d’une phase de calibration préalable (étapes 10 et 10’) : rechercher la fréquence optimale d’excitation Fopt_e à injecter dans les bobines SPM ; et - lors d’une phase d’exploitation (étape 11) pour la mesure d’un champ magnétique extérieur : commander le générateur de tension d’excitation VEXC pour générer une tension à une fréquence d’excitation sensiblement égale à la fréquence optimale d’excitation Fopt_e.
L’unité de contrôle peut être interne au capteur ou externe au capteur, et un moyen de stockage de la valeur de la fréquence optimale d’excitation peut être prévu dans le capteur.
La fréquence optimale d’excitation Fopt_e peut être obtenue en recherchant la fréquence d’excitation Fe pour laquelle le niveau de courant d’excitation Ie est maximum. Ainsi, la recherche de la fréquence optimale d’excitation Fopt_e peut être réalisée par mesure du courant d’excitation Ie lors de la phase de calibration au moyen de la résistance de mesure Rsh prévue dans les montages des figures 2-5, 7 et 8, ou au moyen du condensateur d’excitation Ce dans les montages des figures 6 et 9.
La illustre de façon sommaire les étapes de recherche selon une méthodologie qui consiste à balayer la fréquence d’excitation Fe dans une plage de fréquences [Fe_min ; Fe_max], et à rechercher dans cette plage la fréquence d’excitation F_opt pour laquelle le courant d’excitation Ie mesuré par exemple via la résistance Rsh ou via le condensateur Ce, est maximal.
Une autre solution pour la phase de calibration consiste à rechercher la fréquence optimale d’excitation Fopt_e à injecter dans les bobines SPM pour laquelle la sensibilité du circuit est maximale.
La illustre de façon sommaire les étapes de recherche selon une autre méthodologie qui consiste à balayer la fréquence d’excitation Fe dans une plage de fréquences [Fe_min ; Fe_max], et à rechercher dans cette plage la fréquence d’excitation F_opt pour laquelle la sensibilité S du circuit est maximale.
La mesure de la sensibilité S (étape 12) du circuit peut être effectuée en mesurant la différence de niveau de signal SPM obtenue en faisant varier la tension de contre-réaction VCR entre deux niveaux prédéterminés VCRmin et VCRmax.
La illustre une vue du dessus et une vue en coupe d’un premier exemple d’un transistor 200 adapté pour des hautes tensions, c’est-à-dire des tensions typiquement supérieures à 12V (volts). Le transistor 200 est réalisé de façon intégrée, par exemple dans un circuit intégré de mémoire non volatile du type « EEPROM » (pour « Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory » en anglais, soit « mémoire morte électriquement effaçable et programmable »).
Le transistor 200, comporte une structure de grille STG et une plaque de champ FP disjointes, disposées sur une face avant FA d’un substrat semiconducteur PSUB. La plaque de champ FP est structurellement comparable à une région de grille simple typique de transistor. La plaque de champ FP est adaptée pour produire un effet de champ dans le substrat semiconducteur sous-jacent (telle une grille de transistor classique), mais n’est pas destinée à former un canal de conduction entre deux régions de conductions (contrairement à une grille de transistor classique).
La face avant FA du substrat semiconducteur PSUB, typiquement en silicium dopé de type P, est conventionnellement la face du substrat à partir de laquelle sont réalisés les composants du circuit intégré, dans une partie usuellement nommée « FEOL » (pour « Front End Of Line » en anglais, soit « entrée de ligne » littéralement en français, ou « partie semiconductrice » usuellement en français). La région du substrat PSUB du côté de la face avant FA, dans et sur laquelle sont réalisés les composants du circuit intégré, comporte typiquement des caissons dopés du même type P que le substrat, et/ou des caissons dopés du type N opposé. Dans la suite, on ne distinguera pas les caissons par rapport au substrat, et on s’y réfèrera par le terme « substrat ».
Des structures d’isolation latérales, par exemple du type tranchées d’isolation peu profondes STI, permettent de définir une région active ACT dans le substrat PSUB, dans et en regard de laquelle est réalisé le transistor 200. La région active ACT s’étend en longueur dans une première direction, c’est-à-dire la direction horizontale dans l’orientation des dessins de la , et en largeur perpendiculairement au plan de coupe du dessin de la et dans la direction verticale de l’orientation du dessin de la vue du dessus de la . Typiquement, la longueur de la région active du transistor 200 est particulièrement contrainte pour la réduction de taille des transistors, car cela impliquerait une réduction de la longueur du canal du transistor, ce qui réduirait la tenue en tension source-drain (usuellement « Vds »). Par ailleurs, la réduction de la largeur de la région active ACT produit classiquement une réduction de la tension d’avalanche entre le drain et le substrat. Le transistor 200 est avantageusement configuré pour limiter cette réduction de la tension d’avalanche et résister à des hautes tensions plus grandes que les transistors classiques.
Le transistor 200 comporte deux régions de conduction dopées dans le substrat semiconducteur PSUB de part et d’autre de la structure de grille STG, c’est-à-dire une région de source S et une région de drain D.
La structure de grille STG est d’une part avantageusement configurée pour supporter des hautes tensions, c’est-à-dire en particulier pour ne pas engendrer de phénomène d’avalanche dans la région de canal à des tensions de l’ordre de 12V, par exemple des tensions comprises entre 12V et 13V. La structure de grille STG comporte à cet égard une première région de grille RG1 et une deuxième région de grille RG2 superposées, permettant d’obtenir des régions de conduction légèrement dopées LDD, LDDs dans le substrat PSUB ayant une plus grande étendue sous la structure de grille STG que les transistors à simple région de grille classiques. Usuellement, les régions de conduction légèrement dopées LDD, LDDs, LDD2 sont nommées « drain légèrement dopé » (en anglais « Lightly Doped Drain »), indépendamment de leurs positions côté source S ou côté drain D.
La première région de grille RG1 comporte une première couche diélectrique D1, typiquement en oxyde de silicium, située sur la face avant du substrat FA et une première couche conductrice P1, typiquement en silicium polycristallin, disposée sur la première couche diélectrique D1.
La deuxième région de grille RG2 comporte une deuxième couche diélectrique D2, typiquement en oxyde et/ou en nitrure de silicium, et une deuxième couche conductrice P2, typiquement en silicium polycristallin, disposée sur la deuxième couche diélectrique D2. La deuxième région de grille RG2 recouvre toute la largeur de la première région de grille RG1 en une portion intérieure RG2int de la deuxième région de grille RG2, et déborde de chaque côté de la première région de grille RG1, de manière à recouvrir la face avant du substrat FA en une portion extérieure RG2ext de la deuxième région de grille RG2.
Les régions de conductions légèrement dopées LDDs, LDD sont situées sous les portions extérieures RG2ext de la deuxième région de grille RG2, et leurs extrémités du côté du canal du transistor sont situées à l’aplomb des bords respectifs de la première région de grille RG1.
En effet, comme on le verra ci-après en relation avec la , la première région de grille RG1 peut faire office de masque auto-aligné pour l’implantation des régions de conduction légèrement dopées LDDs, LDD.
La région de drain D du transistor 200 est située à l’aplomb d’un bord de la structure de grille STG, c’est-à-dire à l’aplomb du bord RG2brd de la portion extérieure RG2ext de la deuxième région de grille RG2, et à l’aplomb d’un bord FPbrd1 de la plaque de champ FP.
Ce procédé a pour but d’aligner, dans le plan de référence RP, les segments 36 de l’épingle conductrice 30 et comporte les étapes suivantes :
a. tenir l'épingle 30, du côté de la partie de connexion 40, en laissant libre les segments 36 sur la majeure partie de leur longueur,
b. déformer les segments 36 ensemble en appliquant sur ces segments 36 une première force F1 qui pointe vers un premier côté de ce plan RP (étape de la ),
c. déformer les segments 36 ensemble en appliquant sur ces segments 36 une deuxième force F2 qui pointe vers un deuxième côté de ce plan, opposé au premier côté (étape de la ).
Les première et deuxième forces F1 et F2 sont de directions sensiblement opposées et perpendiculaires au plan de référence RP, avec un écart de 15° ou 10° maximum par rapport à la perpendiculaire à ce plan de référence.
Les déformations dans les étapes b et c sont réalisées avec une course choisie de sorte que les deux segments soient déformés conjointement.
Autrement dit, cette course est avantageusement assez grande de sorte que, compte tenu de l’écart d’alignement entre les deux segments 36, l’un des segments 36 peut être déformé avant l’autre puis ces segments 36 se retrouvent alignés pour être déformés conjointement sur le reste de la course de déformation.
Par exemple, si le défaut d’alignement entre les deux segments 36 est de 1 millimètre (écart mesuré à leurs extrémités libres perpendiculairement au plan de référence, comme illustré sur la ), la déformation à l’étape b et c peut être réalisée avec une course de 2 ou 3 mm minimum par exemple. Ceci permet de s’assurer que, quel que soit le défaut d’alignement entre les deux segments 36 dans une plage prévue, la déformation des étapes b et c est suffisante pour accomplir une déformation conjointe des deux segments 36. Le fait que ces segments 36 soient déformés conjointement permet de les aligner en corrigeant leurs déformations internes.
Les étapes b et c sont accomplies une seule fois pour chaque épingle.
Par exemple, les étapes b et c sont accomplies à tour de rôle deux fois au moins, pour chaque épingle 30.
Les étapes b et c sont réalisées à l’aide d’un organe d’appui 44, respectivement 45, agencé pour venir en appui sur une portion d’appui de chaque segment 36 de l’épingle, ici sur une portion d’appui 46 adjacente à l’extrémité libre 47 de chaque segment 36, comme illustré sur la .
Cette portion d’appui 46 s’étend sur au plus 25% de la longueur totale du segment 36.
Dans chaque étape b et c, l’organe d’appui 44, respectivement 45, est agencé pour appuyer sur un côté seulement des segments 36 de l’épingle pour les déformer, le côté opposé de l’épingle étant libre, à savoir en appui sur aucune surface, comme visible sur les figures 6 et 7.
Chaque organe d’appui 44 et 45 comprend une face continue 48 agencée pour appuyer sur les deux segments 36 de l’épingle à la fois.
Selon un mode de réalisation préférentiel, les points d’ancrage sont présentés sur une platine inférieure fixée de façon amovible au corps du boitier.
De cette manière, le module est encore davantage adaptable, de manière très simple, simplement à des systèmes d’ancrage spécifiques ou propriétaires de fabricants. Il suffit de changer de platine inférieure pour s’adapter à un nouveau système d’ancrage.
Selon un mode de réalisation préférentiel, les points de fixation sont présentés sur une platine supérieure fixée de façon amovible au corps du boitier.
De cette manière, le module est encore davantage adaptable, de manière très simple, à des systèmes de fixation spécifiques ou propriétaires de fabricants. Il suffit de changer de platine supérieure pour s’adapter à un nouvel élément de bagage. Généralement, les platines supérieures et inférieures correspondent à un même système d’accrochage d’élément de bagage, et sont conçues par paires correspondantes.
Selon un mode de réalisation préférentiel, les points d’ancrage sont disposés selon un schéma d’ancrage reproduit à au moins deux positions distinctes, de façon à permettre la fixation dans au moins deux positions de fixation du boitier audit élément de structure.
De cette manière, il est possible de de régler la position du module, et indirectement de l’élément de bagage, en choisissant l’un ou l’autre des schémas d’ancrage. Généralement, un deuxième schéma est obtenu par translation du premier schéma selon une direction longitudinale du module, correspondant à la direction d’avancement du motocycle lorsque le module est monté sur le motocycle.