Avantageusement, le système de modulation peut également comprendre une ou plusieurs des caractéristiques ci-dessous, considérées individuellement ou selon toutes les combinaisons techniquement possibles : le modulateur optique est un modulateur laser ; et/ou le modulateur laser est une diode laser ; et/ou le modulateur optique est un amplificateur optique à semi-conducteurs ou un amplificateur optique à semi-conducteurs réflectif ; et/ou le signal de modulation est un signal électrique ; et/ou le signal de modulation est un signal optique ; et/ou l’amplificateur optique à semi-conducteurs est un composant bidirectionnel configuré pour recevoir un premier signal optique d’entrée à une borne et un second signal optique d’entrée, identique au premier signal optique d’entrée, à une autre borne dans des directions opposées ; et/ou le signal optique d’entrée a une puissance supérieure ou égale à -30 dBm et inférieure ou égale à +10 dBm ; et/ou le dispositif de refroidissement est actif ; et/ou le dispositif de refroidissement est passif ; et/ou le dispositif de refroidissement est direct ; et/ou le dispositif de refroidissement est indirect ; et/ou le dispositif de refroidissement comprend un régulateur de température, le régulateur de température étant configuré pour maintenir l’amplificateur optique à semi-conducteurs à une température cible avec une marge de une marge inférieure ou égale à 500 mK, de préférence inférieure ou égale à 200 mK, et supérieure ou égale à -500 mK, de préférence supérieure ou égale à -200 mK ; et/ou l’amplificateur optique à semi-conducteurs est monté sur un composant intégré ; et/ou le composant intégré est un composant intégré photonique ; et/ou le système de modulation comprend plusieurs amplificateurs optiques à semi-conducteurs ou plusieurs amplificateurs optiques à semi-conducteurs réflectifs ; et/ou le dispositif de refroidissement comprend un dispositif de régulation de la température d’au moins deux amplificateurs optiques à semi-conducteurs ; et/ou au moins deux amplificateurs optiques à semi-conducteurs sont à une température différente ; et/ou le signal de modulation est un signal de modulation mutualisé pour chacun des amplificateurs optiques à semi-conducteurs ; et/ou le signal de modulation possède une bande passante supérieure ou égale à 0,01GHz et inférieure ou égale à 100 GHz, de préférence inférieure ou égale à 40 GHz ; et/ou le signal optique de modulation et le signal optique d’entrée ont des polarisations différentes ; et/ou la longueur d’onde du signal optique d’entrée diffère de la longueur d’onde du signal optique de modulation d’au moins 0,05 nm, préférentiellement d’au moins 0,1 nm, préférentiellement d’au moins 0,5 nm, préférentiellement d’au moins 1 nm, préférentiellement d’au moins 1,5 nm et encore plus préférentiellement d’au moins 5 nm ; et/ou le dispositif de refroidissement comprend : un barreau en un matériau ayant une conductivité thermique supérieure ou égale à 20 watts par mètre-kelvin sur lequel sont disposés les amplificateurs, un point froid disposé à un premier endroit du barreau, et un dispositif de régulation de la température comprenant un capteur de température disposé à un deuxième endroit du barreau.