INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Premier mode de réalisation Conformément à un premier mode de réalisation, il est mis à disposition un procédé de fabrication d'une première structure et un procédé de fabrication d'un premier condensateur. Chacun de ces procédés de fabrication comprend : la formation d'un évidement dans un substrat semi-conducteur ; et l'oxydation au moins de la surface intérieure de fond de l'évidement pour former un oxyde du matériau de substrat semi-conducteur. Chacun de ces procédés de fabrication comprend en outre la fourniture, au moins à la surface intérieure de fond de l'évidement, d'un liquide qui est capable de dissoudre un oxyde d'un matériau de substrat semi-conducteur, par mise du liquide capable de dissoudre l'oxyde du matériau de substrat semi-conducteur en contact avec au moins la surface intérieure de fond de l'évidement, ce qui élimine ainsi l'oxyde du matériau de substrat semi-conducteur.
Chaque procédé sera décrit ci-après en référence aux Figures 1 à 5. Sur chaque dessin, la direction parallèle à la direction de l'épaisseur du substrat semi-conducteur est définie comme étant la direction de l'axe z, et le plan parallèle à la surface principale du substrat semi-conducteur est défini comme étant le plan xy. On note que l'on décrira un exemple dans lequel une tranchée est formée en tant qu'évidement.
Par le procédé décrit ci-dessus, on peut fabriquer une structure qui contient un substrat semi-conducteur doté d'un ou plusieurs évidements. Une électrode est formée sur le substrat semi-conducteur de la structure obtenue et, si nécessaire, une couche isolante, une couche diélectrique, ou analogue, est présente, moyennant quoi un condensateur peut être fabriqué. Un exemple du procédé de fabrication d'un condensateur va être décrit en référence à la . En premier lieu, une impureté de type P ou de type N est dopée dans une région de surface (comprenant la surface intérieure de l'évidement) du substrat semi-conducteur 1 pour former une première couche conductrice 13 servant d'électrode inférieure. Ensuite, une couche diélectrique 14 est formée sur la première couche conductrice 13. La couche diélectrique 14 est formée par exemple d'un matériau diélectrique organique ou d'un matériau diélectrique inorganique. La couche diélectrique 14 peut être formée par exemple par dépôt chimique en phase vapeur (CVD). En variante, la couche diélectrique peut être formée par oxydation, nitruration, ou oxynitruration de la surface de la première couche conductrice.
Ensuite, une deuxième couche conductrice 15 servant d'électrode supérieure est formée sur la couche diélectrique 14. La deuxième couche conductrice 15 est formée par exemple à partir d'une couche conductrice formée de polysilicium ou de métal.
Après cela, la couche diélectrique 14 est dotée d'un motif. Ensuite, une couche métallique est déposée par pulvérisation cathodique ou placage, et cette couche est dotée d'un motif pour que soit obtenue une électrode interne (par exemple une électrode d'aluminium). Après cela, une couche isolante est formée. La couche isolante peut être formée par exemple par une combinaison de dépôt CVD et de photolithographie. Ensuite, une électrode externe est formée sur la couche isolante. L'électrode externe peut être formée par exemple par une combinaison de dépôt par pulvérisation cathodique ou de placage et de photolithographie. Après cela, la structure ainsi obtenue est découpée en dés pour que soit obtenu un condensateur.
Conformément au premier mode de réalisation décrit ci-dessus, on peut mettre à disposition un procédé de fabrication d'une structure et un procédé de fabrication d'un condensateur, chacun d'eux étant capable d'éliminer les défauts qui peuvent survenir au moment de l'usinage d'un évidement dans un substrat semi-conducteur.
Deuxième mode de réalisation Conformément à un deuxième mode de réalisation, il est mis à disposition un procédé de fabrication d'une deuxième structure et un procédé de fabrication d'un deuxième condensateur. Chacun de ces procédés de fabrication comprend : la formation d'un évidement dans un substrat semi-conducteur ; la fourniture d'un oxyde contenant une impureté à au moins une surface intérieure de fond de l'évidement ; et le chauffage du substrat semi-conducteur en présence d'oxygène gazeux pour doper l'impureté dans le substrat semi-conducteur et la formation d'un oxyde du matériau de substrat semi-conducteur au moins au niveau de la surface intérieure de fond de l'évidement. Chacun de ces procédés de fabrication comprend la fourniture, au moins à la surface intérieure de fond de l'évidement, d'un liquide qui est capable de dissoudre un oxyde d'un matériau de substrat semi-conducteur, par mise du liquide capable de dissoudre l'oxyde du matériau de substrat semi-conducteur en contact avec au moins la surface intérieure de fond de l'évidement, ce qui élimine ainsi l'oxyde du matériau de substrat semi-conducteur.
Chaque procédé sera décrit ci-après en référence aux Figures 6 à 9. Sur chaque dessin, la direction parallèle à la direction de l'épaisseur du substrat semi-conducteur est définie comme étant la direction de l'axe z, et le plan parallèle à la surface principale du substrat semi-conducteur est défini comme étant le plan xy. On note que l'on décrira un exemple dans lequel une tranchée est formée en tant qu'évidement.
Formation d'évidement Le procédé de formation de l'évidement dans le substrat semi-conducteur peut être mis en œuvre de la même manière que celle décrite dans le premier mode de réalisation. Elimination de la couche de catalyseur et de la couche de masque
Le procédé d'élimination de la couche de catalyseur et de la couche de masque peut être mis en œuvre avant la formation de l'oxyde contenant une impureté. Le procédé d'élimination peut être mis en œuvre de la même manière que celle décrite dans le premier mode de réalisation.
Formation d'oxyde contenant une impureté Un oxyde contenant une impureté est formé au moins au niveau de la surface intérieure de fond de l'évidement. Un exemple de ce procédé est illustré sur la . Une couche d'oxyde contenant une impureté 6 est formée au niveau de toute la surface intérieure de l'évidement 2. En résultat de cela, la couche d'oxyde contenant une impureté 6 est aussi formée au niveau du matériau de substrat semi-conducteur aciculaire 3. La couche d'oxyde contenant une impureté 6 peut être formée uniquement au niveau de la surface intérieure de fond où le matériau de substrat semi-conducteur aciculaire 3 peut être présent, mais peut être formée au niveau de toute la surface intérieure de l'évidement 2, ou peut être formée au niveau de la surface principale du substrat semi-conducteur 1 en plus de la totalité de la surface intérieure. Dans le cas où la couche d'oxyde contenant une impureté 6 est formée au niveau de la totalité de la surface intérieure de l'évidement 2 et de la surface principale du substrat semi-conducteur 1, des portions autres qu'une portion visée peuvent être recouvertes d'une couche de masque afin que les portions autres que la portion visée ne soient pas oxydées lors d'un procédé subséquent, et ensuite chauffées en présence d'oxygène gazeux.
Le procédé de formation de l'oxyde contenant une impureté n'est pas particulièrement limité, et des exemples de celui-ci comprennent un dépôt chimique en phase vapeur (CVD), un dépôt chimique en phase vapeur basse pression (LPCVD), et une implantation ionique.
L'impureté n'est pas particulièrement limitée du moment qu'elle peut réduire la résistance du substrat, et des exemples de celle-ci comprennent une impureté de type P (par exemple B (bore)), et une impureté de type N (par exemple P (phosphore) ou As (arsenic)). On peut utiliser un ou plusieurs types d'impuretés.
Dans le cas où on utilise P (phosphore) en tant qu'impureté et la formation de l'oxyde contenant P est effectuée par le procédé CVD, la formation peut être effectuée dans les conditions suivantes. Le gaz source contient un composé de P gazeux, et peut éventuellement contenir au moins l'un parmi le N 2 gazeux servant de gaz de dilution et le O 2 gazeux servant de gaz d'oxydation. Des exemples du composé de P gazeux comprennent le POCl 3 gazeux, le PH 3 gazeux, et le PF 5 gazeux.
Le débit du gaz de source peut être par exemple situé dans la plage suivante. Le débit du composé de P gazeux tel que le POCl 3 gazeux peut être de 0,5 l/min ou plus et 1 l/min ou moins. Le débit du N 2 gazeux peut être choisi de façon à être de 5 l/min ou plus et 30 l/min ou moins. Le débit du O 2 gazeux peut être de 0,5 l/min ou plus et 5 l/min ou moins.
La température de traitement peut être située dans la plage allant de 900°C ou plus à 1200°C ou moins. Le temps de traitement peut être situé dans la plage allant de 20 minutes ou plus à 60 minutes ou moins.
Dopage par impureté et oxydation Par chauffage du substrat semi-conducteur en présence d'oxygène gazeux, l'impureté est dopée dans le substrat semi-conducteur, et un oxyde du matériau de substrat semi-conducteur est formé au moins au niveau de la surface intérieure de fond de l'évidement. Un exemple de ce traitement est illustré sur la . Le substrat semi-conducteur 1 ayant la couche d'oxyde contenant une impureté 6 formée est chauffé en présence d'oxygène gazeux, ce qui oxyde ainsi le matériau de substrat semi-conducteur (par exemple Si) dans la portion de couche de surface 7 englobant la surface intérieure de l'évidement 2 du substrat semi-conducteur 1. Comme le matériau de substrat semi-conducteur aciculaire 3 est aussi mince que, par exemple, quelques dizaines de nanomètres, la totalité du matériau de substrat semi-conducteur aciculaire 3 est oxydée pour devenir un oxyde du matériau de substrat semi-conducteur aciculaire lorsque l'oxydation de la portion de couche de surface 7 du substrat semi-conducteur 1 progresse. Durant cette oxydation, il se produit une diffusion thermique de l'impureté, et l'impureté est dopée depuis la portion de couche de surface 7 englobant la surface intérieure de l'évidement 2 jusqu'à une région interne 8 dans le substrat semi-conducteur 1. La portion de couche de surface dopée par une impureté 7 et la région interne 8 en viennent à avoir une faible résistance.
La température de chauffage est, de façon souhaitable, égale ou inférieure au point de fusion du matériau de substrat semi-conducteur. Le silicium (Si), à titre d'exemple d'un matériau de substrat semi-conducteur, a un point de fusion d'environ 1400°C. Par conséquent, dans le cas où un substrat de Si ou une galette de Si est utilisée en tant que substrat semi-conducteur, la température de chauffage est, de façon souhaitable, de 900°C ou plus et 1350°C ou moins. En résultat de cela, une oxydation peut être effectuée de façon stable, et la diffusion de l'impureté peut être favorisée.
Dans des modes de réalisation du premier aspect de l’invention, la chambre de mesure peut présenter un volume interne est non nul et inférieur ou égal à 1 ml, en particulier, le volume interne devant être strictement inférieur à 1 ml, de préférence inférieur à 0,7 ml. Le volume interne de la chambre de mesure peut ainsi contenir un volume de gaz permettant de contrôler l’amortissement de la pulsatilité de la pression du liquide physiologique. Ceci afin que l’amortissement de la pulsatilité soit acceptable en pratique clinique.
Dans des modes de réalisation, le gaz contenu dans le volume interne de la chambre de mesure peut correspondre à de l’air atmosphérique. En effet, le procédé de fabrication du dispositif de mesure, par exemple par injection plastique, n’étant pas réalisé sous vide, la chambre de mesure est emplie naturellement d’air atmosphérique.
Dans des modes de réalisation du premier aspect de l’invention, la chambre de mesure peut présenter un volume interne compris entre 0,2 ml et 0,5 ml.
Dans des modes de réalisation du premier aspect de l’invention, la cellule sensible peut être une cellule piézoélectrique d’un capteur de pression. L’interface liquide-gaz permet également d’amortir les accélérations physiques subies par le capteur de pression. Ceci améliore la fiabilité des mesures.
Dans des modes de réalisation du premier aspect de l’invention, le boîtier peut comporter une membrane d’étanchéité qui est intercalée entre la cellule sensible et le volume interne de la chambre de mesure, la membrane d’étanchéité protégeant la cellule sensible. La cellule sensible du capteur peut être par exemple une cellule piézoélectrique d’un capteur de pression. La membrane d’étanchéité permet d’isoler le LCR et plus largement le tissu biologique du patient des composants électroniques très toxiques que peut comporter une cellule sensible de type piézoélectrique.
Dans des modes de réalisation du premier aspect de l’invention, le volume interne de la chambre de mesure peut être cylindrique. Une forme cylindrique permet de former une interface liquide-gaz- lors de l’entrée du liquide physiologique dans la chambre de mesure.
Dans des modes de réalisation du premier aspect de l’invention, le dispositif de mesure peut comporter un connecteur disposé au niveau de l’admission du boîtier, ce connecteur reliant de manière étanche la chambre de mesure à un dispositif de connexion au liquide physiologique du patient. Le dispositif de connexion de liquide physiologique peut être une aiguille de ponction lombaire. De préférence, l’aiguille de ponction lombaire est connectée directement au connecteur du dispositif de mesure.
Dans des modes de réalisation du premier aspect de l’invention, l’admission peut être ouvrable et refermable afin de contrôler l’entrée du liquide physiologique dans la chambre de mesure.
Dans des modes de réalisation du premier aspect de l’invention, le dispositif de mesure peut comporter des moyens de transmission des mesures du premier paramètre physiologique vers un terminal numérique distant.
Dans des modes de réalisation du premier aspect de l’invention, la cellule sensible peut être disposée à la première extrémité du boîtier, alors que l’admission est disposée à la seconde extrémité du boîtier.
Un second aspect de l’invention se rapporte à un procédé de mesure d’au moins un paramètre physiologique d’un patient. Selon l’invention, le procédé comporte : une étape de connexion de la chambre de mesure au liquide physiologique d’un patient, la chambre de mesure étant emplie de gaz et comportant une cellule sensible permettant de mesurer au moins un paramètre physiologique, une étape de génération d’une première interface entre le gaz présent dans la chambre de mesure et le liquide physiologique provenant du patient, la gaz restant intercalé entre le liquide physiologique et la cellule sensible de manière à former une seconde interface entre le gaz et la cellule sensible, une étape de mesure d’au moins un premier paramètre physiologique, la mesure étant opérée par la cellule sensible au travers du gaz intercalé entre le liquide physiologique et la cellule sensible.
Le procédé de mesure répond au même principe technique que le dispositif de mesure, il permet de générer une interface liquide/gaz au niveau de laquelle le liquide physiologique entre au contact du gaz contenu dans la chambre de mesure. Le liquide physiologique transmet alors la pression du LCR au gaz, qui lui-même transmet cette pression à la cellule sensible du capteur de mesure.
Dans des modes de réalisation du second aspect de l’invention, le volume de gaz intercalé entre la cellule sensible et le liquide physiologique du patient peut être non nul et inférieur ou égal à 1 ml, en particulier, ledit volume de gaz peut être strictement inférieur à 1 ml, de préférence, ledit volume de gaz peut être inférieur à 0,7 ml. Ce volume de gaz intercalé entre la cellule sensible et le liquide physiologique du patient permet de contrôler l’amortissement de la pulsatilité de la pression du liquide physiologique. Ceci afin que l’amortissement de la pulsatilité soit acceptable en pratique clinique.
Dans des modes de réalisation du second aspect de l’invention, la chambre de mesure peut être connectée à un dispositif de prélèvement du liquide physiologique qui peut être constitué par le liquide céphalorachidien du patient. En particulier, le dispositif de connexion peut être constitué par une aiguille de ponction lombaire. De préférence, l’aiguille de ponction lombaire est connectée directement à la chambre de mesure.
Dans des modes de réalisation du second aspect de l’invention, le premier paramètre physiologique peut correspondre à une pression stationnaire ou à une pression dynamique du liquide physiologique du patient.
Dans des modes de réalisation du second aspect de l’invention, le procédé de mesure peut comporter une étape de détermination d’au moins un deuxième paramètre physiologique au travers de la mesure du premier paramètre physiologique.
illustre schématiquement un dispositif d’assistance à une procédure d’ablation tumorale percutanée selon l’invention ;
illustre un procédé d’assistance à une procédure d’ablation tumorale percutanée selon l’invention ; et
illustre une opération de recalage de données d’image courante et de données d’image préprocédurale d’une ou plusieurs zones d’intérêt.
La illustre schématiquement un dispositif 1 d’assistance à une procédure d’ablation tumorale percutanée basée sur des champs électromagnétiques, dénommé ci-après dispositif 1.
Une procédure d’ablation tumorale percutanée basée sur des champs électromagnétiques est particulièrement adaptée lorsque la tumeur d’un patient n’est pas résécable, c’est-à-dire lorsqu’une intervention chirurgicale n’est pas possible pour retirer la tumeur en totalité. Un tel cas peut se présenter lorsque la tumeur est trop profonde ou que le patient présente des contre-indications en raison de son état de santé.
Les techniques connues d’ablation tumorale percutanée – par exemple l’ablation par radiofréquence ou micro-ondes, ou l’électroporation irréversible – consistent à introduire une ou plusieurs aiguilles de stimulation électromagnétique dans la tumeur.
Le dispositif 1 comprend une mémoire 3, un outil 5 et un simulateur 7. Dans l’exemple illustré sur la , le dispositif 1 comprend également un écran 9.
La mémoire 3 est agencée pour recevoir des données d’image préprocédurale d’une ou plusieurs zones d’intérêt.
Par « image préprocédurale », on entend ici une image obtenue avant la procédure d’ablation tumorale percutanée. Les images préprocédurales sont donc obtenues avant que le radiologue interventionnel ne procède à l’ablation percutanée de la tumeur du patient et, plus précisément, avant l’introduction de toute aiguille dans la tumeur du patient.
D’une manière générale, une zone d’intérêt désigne une région anatomique du patient dont la visualisation est nécessaire ou utile à la préparation de l’opération ou à la mise en œuvre de celle-ci. Une zone d’intérêt inclut par exemple tout ou partie de la tumeur détectée pour permettre d’en déterminer des caractéristiques morphologiques, par exemple sa taille ou sa position, notamment par rapport aux organes vitaux environnants. Toutefois, une zone d’intérêt peut aussi n’inclure que des parties du corps affectées ou susceptibles d’être affectées par la tumeur ou encore des organes auxquels le radiologue interventionnel doit prêter une attention particulière pendant la procédure d’ablation tumorale percutanée.
Les images préprocédurales de la ou des zones d’intérêt sont recueillies jusqu’à plusieurs semaines avant l’opération à l’aide de techniques d’imagerie médicale. Les techniques utilisées à cette occasion sont l’imagerie par résonance magnétique (IRM) ou la tomodensitométrie (CT-scan) qui présentent l’avantage de fournir des images de qualité élevée et donc une visualisation précise de la tumeur ainsi que des organes vitaux environnants.
Une image préprocédurale peut être bidimensionnelle ou tridimensionnelle.
Dans l’exemple illustré sur la , l’image préprocédurale IM_CT représentée est acquise par tomodensitométrie.
L’outil 5 est agencé pour recevoir des données d’image courante d’une ou plusieurs zones d’intérêt incluant au moins une aiguille de stimulation électromagnétique. Il est entendu ici qu’une zone d’intérêt peut ne comprendre qu’une partie d’une aiguille de stimulation électromagnétique.
Par « image courante », on entend ici une image obtenue au cours de la procédure d’ablation tumorale percutanée, c’est-à-dire pendant que le radiologue interventionnel procède à l’ablation de la tumeur du patient en salle d’opération. Plus précisément, une image courante est une image obtenue après qu’au moins une aiguille de stimulation électromagnétique a été introduite.
Les émulsion (E), (E1) et (E 2 ) peuvent en outre comporter des excipients et/ou des principes actifs habituellement mis en œuvre dans le domaine des formulations destinées à être appliquées sur le cheveu ou le cuir chevelu. C’est pourquoi, selon un autre mode particulier de la présente invention, les émulsions (E), (E 1 ) et (E 2 ), telles que définies précédemment, comprennent en outre un ou plusieurs composés auxiliaires choisis parmi les tensioactifs moussants et/ou détergents, les tensioactifs épaississants et/ou gélifiants, les agents épaississants et/ou gélifiants, les agents stabilisants, les composés filmogènes, les solvants et cosolvants, les agents hydrotropes, les agents plastifiants, les agents émulsionnants et co-émulsionnants, les agents opacificants, les agents nacrants, les agents surgraissants, les séquestrants, les agents chélatants, les agents antioxydants, les parfums, les huiles essentielles, les agents conservateurs, les agents conditionneurs, les agents déodorants, les agents blanchissants destinés à la décoloration des poils et de la peau, les principes actifs destinés à apporter une action traitante et/ou protectrice vis à vis de la peau ou des cheveux, les filtres solaires, les charges minérales ou les pigments, les particules procurant un effet visuel ou destinées à l’encapsulation d’actifs, les particules exfoliantes, les agents de texture, les azurants optiques ou les répulsifs pour les insectes.
Comme exemples de tensioactifs moussants et/ou détergents, optionnellement présents dans les émulsions (E), (E 1 ) et (E 2 ) telle que définies ci-dessus, il y a des tensioactifs moussants et/ou détergents anioniques, cationiques, amphotères ou non ioniques topiquement acceptables habituellement utilisés dans ce domaine de la cosmétique.
Parmi les tensioactifs anioniques moussants et/ou détergents « cosmétiquement acceptables », il y a les sels de métaux alcalins, alcalino-terreux, ou ammonium, d’amines, d’amino alcools, d’alkyléthers sulfates, alkyl sulfates, alkylamidoéther sulfates, alkylarylpolyéther sulfates, monoglycéride sulfates, d’alpha-oléfinesulfonates, de paraffines sulfonates, d’alkyl phosphates, d’alkyléther phosphates, d’alkyl sulfonates, d’alkylamide sulfonates, d’alkylaryl sulfonates, d’alkyl carboxylates, d’alkylsulfosuccinates, d’alkyléther sulfosuccinates, d’alkylamide sulfosuccinates, d’alkyl sulfo-acétates, d’alkyl sarcosinates, d’acyliséthionates, de N-acyl taurates, d’acyl lactylates, de dérivés N-acylés d’acides aminés, de dérivés N-acylés de peptides, de dérivés N-acylés de protéines, ou d’acides gras.
Parmi les tensioactifs amphotères moussants et/ou détergents « cosmétiquement acceptables », il y a les alkylbétaïnes, les alkylamidobétaïnes, les sultaines, les alkylamidoalkylsulfobétaïnes, les dérivés d’imidazolines, les phosphobétaïnes, les amphopolyacétates et les amphopropionates.
Parmi les tensioactifs cationiques moussants et/ou détergents « cosmétiquement acceptables », il y a les dérivés d’ammoniums quaternaires.
Parmi les tensioactifs non ioniques moussants et/ou détergents « cosmétiquement acceptables », il y a les alkylpolyglycosides comportant un radical aliphatique, linéaire ou ramifié, saturé ou insaturé, et comportant de 8 à 12 atomes de carbone ; les dérivés d’huile de ricin, les polysorbates, les amides de coprah et les N-alkyl amines.