Dispositif comprenant au moins un condensateur (10), le condensateur (10) comprenant un ensemble (18, 20) de deux plots (18) métalliques et au moins deux plaques métalliques (20), chaque plaque (20) s'étendant au moins d'un plot (18) à l'autre, une première couche isolante (22) recouvrant de manière conforme ledit ensemble, une deuxième couche conductrice (24) recouvrant de manière conforme la première couche (22). Dispositif selon la revendication 1, dans lequel deux plaques (20) voisines d'un même condensateur (10) sont séparées par deux portions de la première couche isolante (22) et une portion de la deuxième couche conductrice (24) située entre les deux portions de la première couche isolante (22). Dispositif selon la revendication 1 ou 2, dans lequel les plots (18) comprennent un cœur métallique (18a) et une gaine (18b) en le même matériau que les plaques (20). Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, comprenant plusieurs condensateurs (10), les deuxièmes couches (24) des condensateurs (10) étant reliées par des portions (44) de la deuxième couche (24). Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel le condensateur comprend une piste conductrice (12) dans une troisième couche isolante (14) du dispositif, les plots (18) reposant sur la piste (18). Dispositif selon la revendication 5, dans lequel le condensateur comprend une quatrième couche isolante (16) recouvrant la piste conductrice (12), les plots (18) traversant la troisième couche isolante (14), la quatrième couche (16) étant située entre les plaques (20) et la piste (12). Dispositif selon la revendication 5 ou 6, dans lequel les portions de l'ensemble (18, 20) située au-dessus de la quatrième couche (16) sont entièrement recouvertes par la première couche isolante (22), la première couche isolante (22) étant entièrement recouverte par la deuxième couche (24). Procédé de fabrication d'un dispositif comprenant au moins un condensateur (10), le procédé comprenant : la formation d'un ensemble (18, 20) de deux plots métalliques (18) et au moins deux plaques métalliques (20), chaque plaque (20) s'étendant au moins d'un plot (18) à l'autre, la formation d'une première couche isolante (22) recouvrant de manière conforme ledit ensemble ; et la formation d'une deuxième couche conductrice (24) recouvrant de manière conforme la première couche. Procédé selon la revendication 8, appliqué à la fabrication d'un dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 7. Procédé selon la revendication 8 ou 9, comprenant une étape a0) précédant l'étape a) durant laquelle la piste conductrice (12) est formée dans la troisième couche isolante (14), et la quatrième couche (16) est formée sur la piste (12) et sur la troisième couche (14). Procédé selon l'une quelconque des revendications 8 à 10, dans lequel l'étape a) comprend une étape a1) de formation d'un empilement (36) de couches comprenant une alternance de cinquièmes couches (40) en le matériau des plaques (20) et de sixièmes couches sacrificielles (38). Procédé selon la revendication 11, dans lequel les sixième couches (38) sont en un matériau gravable sélectivement par rapport au matériau des cinquièmes couches (40). Procédé selon la revendication 11 ou 12, dans lequel l'étape a) comprend, après l'étape a1), une étape a2) de gravure de l'empilement (36) de manière à former les plaques (20) à partir des cinquièmes couches (40). Procédé selon la revendication 13, dans lequel l'étape a) comprend, après l'étape a2), une étape a3) comprenant la gravure des sixièmes couches (38). Procédé selon l'une quelconque des revendications 8 à 14, dans lequel les étapes b) et c) sont effectuées par un procédé de dépôt de couches minces atomiques.