INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
La représente une variante de mode de réalisation du dispositif 1 de la . Le dispositif 1 de la est similaire au dispositif 1 de la et seules les différences entre ces deux dispositifs seront décrites ici. En particulier, sauf précision contraire, tout ce qui a été décrit pour le dispositif 1 de la s'applique au dispositif 1 de la .
Le dispositif 1 de la diffère du dispositif 1 de la par la liaison de la sortie de l'étage d'amplification S1, respectivement S2, à la sortie OUT1, respectivement OUT2.
Plus particulièrement, dans le mode de réalisation de la , la sortie de l'étage S1, c'est-à-dire le drain du transistor T1 dans cet exemple, est reliée à la sortie OUT1 par un étage ou circuit de gain G1, la sortie de l'étage S2, c'est-à-dire le drain du transistor T2 dans cet exemple, étant reliée à la sortie OUT2 par un étage ou circuit de gain G2. Le circuit G1 est, par exemple, identique ou similaire au circuit G2.
Bien que dans l'exemple des figures 1 et 2 décrit précédemment chaque étage d'amplification S1, S2 comprenne un seul transistor MOS, dans d'autres exemples non représentés, chaque étage S1, S2 est mis en œuvre en utilisant plus d'un transistor MOS. Par exemple, chaque étage S1, S2 est un cascode simple ("cascode" en anglais) ou un cascode régulé ("regulated cascode" en anglais). De préférence, même lorsque chaque étage d'amplification S1, S2 comprend plus d'un transistor, chaque étage S1, S2 ne comprend aucune paire différentielle.
La représente un mode de réalisation d'un dispositif 2 comprenant deux amplificateurs à transimpédance TIA1 et TIA2.
Les amplificateurs TIA1 et TIA2 du dispositif 2 sont identiques aux amplificateurs respectifs TIA1 et TIA2 du dispositif 1 de la , bien que, dans un autre exemple non représenté, les amplificateurs TIA1 et TIA2 du dispositif 2 soient identiques aux amplificateurs respectifs TIA1 et TIA2 du dispositif 1 de la . En particulier, sauf précision contraire, tout ce qui a été décrit pour les amplificateurs TIA1 et TIA2 en relation avec la ou la s'applique aux amplificateurs respectifs TIA1 et TIA2 du dispositif 2.
Le dispositif 2 diffère du dispositif 1 de la ou de la du fait que la photodiode PD est remplacée par une photodiode PD1 connectée à l'entrée IN1 et une photodiode PD2 connectée à l'entrée IN2, l'élément capacitif Ccm et l'amplificateur OP étant omis.
Dans l'exemple de la , la photodiode PD1 est connectée entre l'entrée IN1 et le nœud 102 et la photodiode PD2 est connectée entre l'entrée IN2 et le nœud 104. Par exemple, une borne 301 de la photodiode PD1 est connectée à l'entrée IN1, une borne 302 de la photodiode PD1 est connectée au nœud 102, une borne 303 de la photodiode PD2 est connectée à l'entrée IN2 et une borne 304 de la photodiode PD2 est connectée au nœud 104. Par exemple, lorsque le potentiel VDD est supérieur au potentiel GND, les bornes 301 et 302 correspondent respectivement à l'anode et à la cathode de la photodiode PD1, les bornes 303 et 304 correspondant respectivement à la cathode et à l'anode de la photodiode PD2.
Dans un autre exemple non représenté, la photodiode PD1 est connectée entre l'entrée IN1 et le nœud 104 et la photodiode PD2 est connectée entre l'entrée IN2 et le nœud 102. Par exemple, la borne 301 de la photodiode PD1 est connectée au nœud 104, la borne 302 de la photodiode PD1 est connectée à l'entrée IN1, la borne 303 de la photodiode PD2 est connectée au nœud 102 et la borne 304 de la photodiode PD2 est connectée à l'entrée IN2. Par exemple, lorsque le potentiel VDD est supérieur au potentiel GND, les bornes 301 et 302 correspondent respectivement à l'anode et à la cathode de la photodiode PD1, les bornes 303 et 304 correspondant respectivement à la cathode et à l'anode de la photodiode PD2. Par rapport à l'exemple représenté en , cela permet d'accroître la polarisation DC aux bornes de chaque photodiode PD1, PD2, diminuant ainsi la capacité parasite de la photodiode.
Dans le dispositif 2, l'amplificateur TIA1, respectivement TIA2, met par exemple en œuvre un circuit de lecture de la photodiode PD1, respectivement PD2. Par exemple, un signal disponible sur la sortie OUT1 est représentatif d'un courant I21 passant entre les bornes 301 et 302 de la photodiode PD1 et un signal disponible sur la sortie OUT2 est représentatif d'un courant I22 passant entre les bornes 303 et 304 de la photodiode PD2
Selon un mode de réalisation, les photodiodes PD1 et PD2 appartiennent à un même canal optique. En d'autres mots, les photodiodes PD1 et PD2 sont configurées de sorte que la lumière reçue par la photodiode PD1 soit corrélée à la lumière reçue par la photodiode PD2. Par exemple, les photodiodes PD1 et PD2 appartiennent au même canal optique et sont configurées pour recevoir une lumière ayant un angle d'incidence qui n'est pas le même pour les deux photodiodes PD1 et PD2. Cela permet d'augmenter la sensibilité spatiale du canal optique comprenant les photodiodes PD1 et PD2 ou, en d'autres mots, l'ouverture du diagramme de rayonnement du canal optique.
Par exemple, les photodiodes PD1 et PD2 sont configurées pour recevoir une lumière ayant une même longueur d'onde, les photodiodes étant en outre configurées de sorte que l'angle d'incidence de la lumière reçue par la photodiode PD1 soit différente de l'angle d'incidence de la lumière reçue par la photodiode PD2. Par exemple, les photodiodes PD1 et PD2 sont disposées de sorte que la lumière reçue par la photodiode PD1 ai un angle d'incidence différent de celui de la lumière reçue par la photodiode PD2.
Selon une variante de mode de réalisation, les photodiodes PD1 et PD2 n'appartiennent pas à un même canal optique, mais, au contraire, à deux canaux optiques séparés (ou distincts ou non corrélés). Les deux canaux optiques sont séparés et/ou non corrélés. En d'autres mots, la photodiode PD1 est configurée pour recevoir une lumière qui n'est pas corrélée à la lumière que la photodiode PD2 est configurée pour recevoir. Par exemple, la photodiode PD1 est configurée pour recevoir une lumière ayant une longueur d'onde différente de la longueur d'onde de la lumière que la photodiode PD2 est configurée pour recevoir.
Bien que cela ne soit pas représenté, un mode de réalisation propose un capteur de lumière ayant une pluralité de dispositifs 1 ou 2, les photodiodes de ces dispositifs étant, par exemple, organisées en une matrice comprenant des rangées et des colonnes de photodiodes.
En outre, la demande de brevet britannique GB1527802 divulgue un procédé de protection d’un aéronef avec plusieurs feuilles de film plastique, comprenant une soudure des parties se chevauchant des feuilles pour former une enveloppe étanche à l’air autour d’au moins une partie de l’aéronef, une évacuation de l’air de l’enveloppe et un cerclage des feuilles avec du ruban adhésif pour les maintenir en position. Un tel système de protection est long et complexe à mettre en œuvre.
Un objet de l’invention consiste à pallier ces inconvénients, et plus particulièrement à fournir des moyens de protection d’une portion d’un corps d’aéronef qui sont simples à réaliser et à mettre en œuvre, notamment pour un temps de mise en œuvre rapide.
RESUME Pour atteindre cet objectif, il est proposé une enveloppe de protection pour une portion d’un corps d’aéronef, comprenant une armature et une toile, la toile étant couplée mécaniquement à l’armature et s’étendant autour de l’armature de sorte que, dans une configuration déployée de l’enveloppe, l’armature permet un maintien de la toile, de préférence une tension de la toile, l’armature étant configurée de sorte à être située entre la portion du corps d’aéronef et une face interne de la toile de manière que la toile puisse couvrir au moins en partie la portion du corps d’aéronef en maintenant la toile à distance de la portion du corps d’aéronef, l’armature comprenant au moins un conduit apte à être rempli d’un fluide, de sorte que lorsque le conduit est rempli d’un fluide l’enveloppe se déploie de façon que la toile couvre au moins en partie la portion du corps d’aéronef.
Ainsi on fournit un moyen de protection rapide à mettre en œuvre. En particulier, il peut être installé par du personnel non technicien. Par exemple, par un pilote ou du personnel de bord. En outre, on assure que la face interne de la toile est efficacement maintenue à distance de la portion du corps d’aéronef de façon à protéger la toile d’éventuelles déchirures qui pourraient survenir par frottement contre la portion du corps d’aéronef lors du déploiement de l’enveloppe. Avantageusement, la toile est maintenue tendue en configuration déployée pour améliorer la protection de la portion d’aéronef de projectiles extérieurs qui pourraient endommager l’aéronef. Une telle enveloppe permet d’éviter que des éléments projetés en direction de l’aéronef ne viennent percuter sa paroi et l’endommager. Tel est par exemple le cas de projection de grêlons, de graviers, de branches ou de visseries qui peuvent être présents sur le terrain d’aviation et projetés par les roues de l’aéronef ou par des déplacements d’air dus à de fortes rafales de vent. En effet, dans le cadre du développement de la présente invention, il a été remarqué que la projection de ce type d’éléments sur les parois d’un aéronef est en grande partie responsable du vieillissement de ces dernières. Une telle enveloppe est particulièrement adaptée pour protéger un aéronef contre les impacts.
Selon un autre aspect, il est proposé un système de protection pour une portion d’un corps d’aéronef, comprenant une enveloppe telle que définie ci-avant, et un système de déploiement comprenant un système de compression et un connecteur, ledit au moins un conduit de l’enveloppe comprenant un orifice d’entrée apte à pouvoir se connecter au système de déploiement, le connecteur étant configuré pour transmettre un fluide depuis une sortie du système de compression jusqu’à l’orifice d’entrée de sorte à remplir ledit au moins un conduit par le fluide.
Ainsi l’utilisateur n’a pas besoin de déployer lui-même l’enveloppe autour de la partie d’aéronef. Un tel système est particulièrement adapté pour automatiser le déploiement de l’enveloppe de protection.
Selon un autre aspect, il est proposé un ensemble comprenant un aéronef et une enveloppe telle que définie ci-avant. La sonde forme saillie à partir de la paroi de l’aéronef. Lorsque l’enveloppe se déploie, la toile ne vient pas buter contre la sonde. Par ailleurs, lorsque la toile est déployée, elle est maintenue, grâce à l’armature, à distance de la sonde. Ainsi, les risques de déchirure de la toile par la sonde sont évités. De préférence, l’épaisseur de l’armature est supérieure à la hauteur de la sonde. La hauteur de la sonde est mesurée selon une direction perpendiculaire à la tangente à la paroi de l’aéronef au niveau d’une embase de la sonde. L’épaisseur de l’armature est mesurée selon cette même direction. Cela permet de faciliter la protection de l’aéronef, quels que soient les équipements présentés par cet aéronef.
Selon un autre aspect, il est proposé un procédé de protection d’une portion d’un corps d’aéronef, comprenant une fourniture d’une enveloppe telle que définie ci-avant, et un déploiement de l’enveloppe de sorte que la toile de l’enveloppe couvre au moins en partie la portion du corps d’aéronef, le déploiement comprenant un remplissage d’au moins un conduit de l’armature par un fluide.
Selon un autre aspect, l’invention concerne une enveloppe de protection pour une portion d’un corps d’aéronef, comprenant une armature et une toile, la toile étant couplée mécaniquement à l’armature et s’étendant autour de l’armature de sorte que, dans une configuration déployée de l’enveloppe, l’armature permet un maintien de la toile, de préférence une tension de la toile, l’armature étant configurée de sorte à être située entre la portion du corps d’aéronef et une face interne de la toile de manière que la toile puisse couvrir au moins en partie la portion du corps d’aéronef en maintenant la toile à distance de la portion du corps d’aéronef. L’enveloppe comprenant au moins un capteur configuré pour collecter des mesures ainsi qu'un dispositif de transmission configuré pour transmettre des données relatives à ces mesures à un terminal distant. Cette transmission s'effectue par exemple via un réseau de communication, par exemple un réseau de communication de données. Ainsi, l'enveloppe est une enveloppe communicante.
Selon un mode de réalisation, le capteur est pris parmi : un capteur de choc, par exemple un accéléromètre, un capteur de pression, un capteur d'humidité ou d’hygrométrie, un capteur de position, utilisant de préférence un système de positionnement par satellite (par exemple GPS® ou Galileo®).
De préférence, l'enveloppe est configurée de sorte que le dispositif de transmission transmette les données lorsque les mesures dépassent un seuil prédéterminé.
Dans le cas particulièrement avantageux d'un capteur de choc, l'enveloppe peut envoyer à un utilisateur distant, une information informant ce dernier d'une possible dégradation de l'aéronef par projection d'un objet. Il peut par exemple s'agir d'une branche ou d'un boulon propulsé sur l'aéronef par le vent ou par le passage d'un autre aéronef. Dans ce cas, l'utilisateur peut dès à présent programmer une maintenance de son aéronef, sans perturber son plan de vol. L'invention permet ainsi de faciliter considérablement l'utilisation des aéronefs.
la , illustre schématiquement une vue en perspective d’un aéronef selon l’art antérieur ;
la , illustre schématiquement une vue en perspective d’un aéronef et d’un mode de réalisation d’un système de protection selon l’invention ;
la , illustre schématiquement une vue en perspective de l’aéronef et d’un autre mode de réalisation du système de protection ;
Avantageusement, la cheminée comprend au moins une lèvre interne s’étendant vers et tout autour de l’ouverture d’étanchéité pour se déformer et étanchéifier l’ouverture d’étanchéité en étant en contact avec les sorties de phases. Les lèvres permettent de réduire les risques de fuite dans l’ouverture d’étanchéité en se déformant lors de l’insertion de la sortie de phase, en rattrapant aussi les tolérances de dimension des sorties de phase.
Avantageusement, l’ouverture d’étanchéité comprend un axe d’insertion d’une sortie de phase vers l’ouverture du logement de connexion, et en ce que le nombre de lèvres internes tout autour de l’ouverture d’étanchéité pour venir en contact avec les sorties de phases est supérieur ou égal à deux et en ce que lesdites lèvres internes sont situées les unes après les autres dans la direction d’insertion tout le long de l’ouverture d’étanchéité dans la cheminée. Cela permet de diminuer le risque de fuite.
Avantageusement, plus une lèvre interne est disposée axialement proche de l’entrée de l’ouverture d’étanchéité par rapport à une autre une lèvre interne, moins elle s’étend dans l’ouverture d’étanchéité. Ainsi, plus une lèvre est disposée axialement proche de l’entrée, plus la distance séparant deux bords opposés d’une même lèvre sera importante.
représente une vue en perspective d’une machine électrique selon la présente invention.
représente une vue d’une coupe radiale d’une partie de la machine de la .
représente une vue en perspective de l’interconnecteur et du joint de la machine de la .
représente une vue du dessus et en perspective du joint d’étanchéité visible sur la .
représente l’entrée ou la sortie de l’ouverture d’étanchéité avant l’insertion d’une phase.
représente la section d’une sortie de phase selon un plan orthogonal à l’axe.
est une vue en coupe de l’ouverture d’étanchéité selon le premier mode de réalisation de la .
est une vue en coupe de l’ouverture d’étanchéité selon un deuxième mode de réalisation.
La représente une machine électrique tournante M comportant un stator S polyphasé d’axe X avec un corps de stator entourant un rotor R (visible en ) monté sur un arbre. Le stator S de la machine M entoure le rotor R avec la présence d’un entrefer sur la périphérie interne du stator S et la périphérie externe du rotor R. La machine électrique M est refroidie par un liquide de refroidissement.
La machine électrique tournante M pourra être destinée à être accouplée à une boîte de vitesses appartenant à une chaîne de traction d’un dispositif mobile à autopropulsion hybride ou électrique. La machine électrique tournante M est alors apte à fonctionner dans un mode alternateur pour fournir notamment de l’énergie à la batterie et au réseau de bord du véhicule, et dans un mode moteur, non seulement pour assurer le démarrage du moteur thermique du véhicule, mais également pour participer à la traction du véhicule seule ou en combinaison avec le moteur thermique.
Si, pour cette configuration d’une couche piézoélectrique en LiTaO 3 et une couche intermédiaire en SiO 2 , on souhaite optimiser le coefficient de couplage électromécanique, on peut choisir soit la valeur d’une couche intermédiaire de 500 nm pour une produit épaisseur-fréquence supérieur ou égal à 1 km/s, soit d’une couche intermédiaire de 100 nm pour des petits valeurs du produit épaisseur-fréquence. Partant de la couche de 500 nm à 2 km/s, on obtient un carré du coefficient de couplage électromécanique d’environ 8.5 %. La même valeur peut être obtenu pour une couche de 100 nm à 2,3 km/s et pour une couche de 900 nm à 1,8 km/s (lignes pointillées dans la ).
Pour homogénéiser, pour la même configuration, la vitesse de propagation d’ondes v m sur surface métallisée à 1 km/s de produit d’épaisseur de la couche piézoélectrique fois la fréquence, on peut choisir comme valeur cible la valeur pour une épaisseur de 500 nm qui est d’environ 4100 m/s.
Dans les zones dans lesquelles l’épaisseur de la couche en SiO 2 est plus fine, de 100 nm, l’épaisseur de la couche piézoélectrique fois la fréquence devra être ajusté à environ 3 km/s. Dans les zones dans lesquelles l’épaisseur de la couche en SiO 2 est de 900 nm, il faudrait soit augmenter ce produit à 3 afin d’obtenir la même vitesse de propagation d’ondes, soit le réduire à environ 0.4 km/s. Si on souhaite simultanément conserver une certaine homogénéité du coefficient de couplage électromécanique, on choisira plutôt une valeur de 3 km/s, car le coefficient de couplage présente des variations importantes pour un produit épaisseur-fréquence de 0.4 km/s.
Le maximum du coefficient de couplage k se décale vers des fréquences plus basses avec l’augmentation de la couche diélectrique. La distribution d’épaisseur sera donc à choisir en fonction de la fréquence utilisée dans l’application du substrat.
La montre le coefficient de température de la fréquence CTF en fonction du produit d*f de l’épaisseur d d’une couche piézoélectrique en tantalate de lithium (LiTaO 3 ) et de la fréquence f en m GHz ou km/s. Le coefficient de température de la fréquence augmente avec l’épaisseur d de la couche diélectrique. Simultanément, le maximum de ce coefficient se décale vers des fréquences plus élevées pour des couches piézoélectriques plus épaisses. Quand on souhaite homogénéiser ce paramètre sur l’étendue d’un substrat, il convient également de choisir l’épaisseur souhaité en fonction de la fréquence de l’application visée.
On peut ajuster ce paramètre, par exemple partant d’une valeur d’environ 9 ppm/K pour une couche de 500 nm et un produit épaisseur-fréquence de 1 km/s. On obtiendra des produits épaisseur-fréquence d’environ 0,6 km/s pour une couche piézoélectrique de 100 nm, d’environ 0.8 km/s pour une couche de 200 nm, de 1,1 km/s pour une couche de 700 nm et de 1,2 km/s pour une couche de 900 nm d’épaisseur.
Abrasion de la couche piézoélectrique Basé sur la valeur cible de l’épaisseur de la couche piézoélectrique déterminée par le calcul décrit ci-dessus, on effectue ensuite une abrasion locale de la couche piézoélectrique. En référence à la , cette abrasion permet d’ajuster l’épaisseur de la couche piézoélectrique selon les paramètres pris en compte lors du calcul.
Le procédé d’abrasion est typiquement un procédé de gravure par un faisceau d’ions, typiquement un faisceau d’ions d’argon. Les ions percutent la surface de l’échantillon à très haute vitesse arrachant de la matière dans la zone de visée. De manière illustrative et non limitative, on réalise un balayage du faisceau d’ions selon deux axes d’un plan principal de la couche piézoélectrique afin de graver la couche piézoélectrique sur toute l’étendue du substrat. Un tel procédé permet d’ajuster avec précision l’épaisseur de la couche piézoélectrique à chaque position sur l’étendue du substrat, avec un balayage de la surface de manière continue. Ainsi, la variation d’épaisseur est adaptée en continu aux paramètres souhaités sur toute la surface. Le procédé d’abrasion peut en outre comprendre une gravure par un agent de gravure chimique, typiquement un gaz réactif.
L'épaisseur locale enlevée est déterminée par le temps d’arrêt du faisceau à chaque endroit sur la surface de la couche piézoélectrique. Ce temps d’arrêt est calculé par un algorithme afin d'adapter le procédé de balayage à l'uniformité d'épaisseur souhaitée.
Dans certains outils d’abrasion, le faisceau peut être ajusté à la dureté du matériau grâce à la variation de l'énergie et du courant du faisceau pour obtenir un débit adapté sans affecter trop la rugosité finale de la surface.
La nature des espèces ioniques utilisées pour le faisceau peut également entraîner une réaction chimique avec le matériau gravé qui peut soit accélérer le processus de gravure, soit lisser la surface de la couche piézoélectrique.
Correction d’épaisseur de la couche intermédiaire La même approche peut être utilisée pour la correction de l’épaisseur de la couche intermédiaire (par exemple, une couche diélectrique telle que SiO 2 , SiON ou SiN) agencée sous la couche piézoélectrique, dans une étape comprise après le dépôt de la couche intermédiaire sur le substrat donneur ou le substrat support et avant le transfert de la couche piézoélectrique sur le substrat support. Ceci peut avantageusement conduire à une couche diélectrique très uniforme, ce qui a également un impact bénéfique sur l'uniformité du coefficient de couplage électromécanique sur l’étendue du substrat. On va maintenant décrire les étapes à réaliser pour obtenir un substrat présentant une correction d’épaisseur de la couche diélectrique tel que décrit ci-dessus.
On commence par le dépôt d’une couche de SiO 2 sur un substrat de base qui est préférablement en Si. Le substrat de base peut comprendre un empilement d’une ou plusieurs couches sur sa surface qui comprend typiquement une couche en silicium polycristallin qui est riche en pièges pour les porteurs de charges électriques. L’empilement peut comprendre en outre une couche en oxyde de silicium, en oxynitrure de silicium, en nitrure de silicium, en oxyde d’aluminium, en nitrure de tantalate ou une combinaison desdites couches, d'autres couches en matériaux diélectriques ou d'empilements de couches.
On réalise ensuite une cartographie de la distribution locale de l'épaisseur de la couche diélectrique par ellipsométrie et/ou réflectométrie d'au moins le matériau diélectrique en SiO2 et la couche sous-jacente, sur une grille de points de mesure, de même manière comme décrit ci-dessus pour les couches intermédiaires en-dessous de la couche piézoélectrique.
Par la suite, on injecte la cartographe de l’épaisseur locale des couches respectives dans un modèle numérique comprenant des données pour un paramètre à optimiser en fonction de l’épaisseur. De préférence, la cartographie est injectée sous forme de valeurs associées à des coordonnées X, Y sur les points de mesure utilisés. On réalise également une interpolation entre les points de mesure, de préférence une interpolation linéaire.
On ajuste localement l'épaisseur de la couche diélectrique par un procédé d’abrasion, par exemple par un faisceau d’ions. La valeur de l’épaisseur après l’abrasion est basée sur la valeur cible locale déterminée ci-dessus.
event OwnershipTransferred (address indexed, address indexed);
function owner() external view returns (address);
function exists(uint256 tokenId ) external view returns (bool);
function getStorageType () external view returns (uint256);
function isLuxochainNFT () external view returns (bool);
function transferOwnership (address newIssuer ) external;
function totalSupply () external view returns (uint256);