INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Dans un mode de réalisation, en fonctionnement normal, un premier réservoir tampon est en cours de remplissage en liquide par équilibrage de pression par une des au moins une première vanne ouverte et la deuxième vanne correspondant audit premier réservoir tampon ouverte, la troisième vanne correspondant audit premier réservoir tampon étant fermée, tandis qu’un deuxième réservoir tampon est en cours de fourniture de gaz sous pression, la deuxième vanne correspondant audit deuxième réservoir tampon fermée, la troisième vanne correspondant audit premier réservoir tampon étant ouverte. Ce mode est adapté pour deux réservoirs tampons.
Dans un mode de réalisation, un troisième réservoir tampon est en cours de gazéification, la deuxième vanne correspondant audit troisième réservoir tampon étant fermée, la troisième vanne correspondant audit troisième réservoir tampon étant fermée. Ce mode est adapté pour trois ou plus réservoirs tampons.
Dans un mode de réalisation, l’étape de vidange dudit réservoir tampon comprend une sous-étape de vidange par un détendeur pour réduire la pression de gaz à la pression demandée par l’organe consommateur, puis une sous-étape de vidange assistée par une pompe pour amener la pression de gaz à la pression demandée par l’organe consommateur et amener la pression dans ledit réservoir tampon à la fin de la vidange à une valeur inférieure à la pression existant dans le distributeur cryogénique. Une vidange plus complète du réservoir tampon est obtenue.
Dans un mode de réalisation, la contenance des réservoirs tampons est calculée pour assurer une autonomie de vol à l’aéronef selon les normes en vigueur pour le cas d’un incident affectant la réserve d’énergie, notamment sur un réservoir tampon si deux réservoirs tampons sont présents, et sur deux réservoirs tampons si trois réservoirs tampons sont présents.
Les premières données relatives au standard D61 correspondent à des caractéristiques initiales relatives au standard, certaines étant conformes au standard et ne devant pas être modifiées dans l’image finale, d’autres n’étant pas conformes au standard et devant être modifiées dans l’image finale.
Ainsi, le calculateur 3 détermine des caractéristiques cibles relatives au standard, qui sont conformes au standard et qui sont différentes des caractéristiques initiales relatives au standard. Les caractéristiques cibles correspondent à des données cibles relatives au standard associées au premier réseau de neurones prédictif 6.
Les données cibles représentent l’ensemble des données cibles relatives au standard, des premières données biométriques de l’individu D51 et des premières données relatives à des attributs physiques D71.
L’image de l’individu i0 est représentée par le point de données initial 140 généré par le réseau de neurones 2, dans l’espace latent 10 du réseau antagoniste génératif 1.
L’image de l’individu i0 est l’image intermédiaire destinée à être modifiée par l’étape de modification 111.
Au préalable de l’étape de modification 111, le calculateur 3 détermine des données courantes.
Comme représenté sur la , à partir du point de données initial 140, le réseau antagoniste génératif 1 génère une image ajustée de l’individu i’0 qui peut être légèrement différente de l’image de l’individu i0.
A partir de cette image ajustée de l’individu i’0, le calculateur 3 génère un ensemble de trois premières données ajustées : - des premières données ajustées biométriques de l’individu D’51, au moyen du réseau de neurones biométrique 5, - des premières données ajustées relatives au standard D’61, au moyen du premier réseau de neurones prédictif 6, - des premières données ajustées relatives à des attributs physiques D’71, au moyen du deuxième réseau de neurones prédictif 7.
L’ensemble des données ajustées correspond à des données courantes.
Pour générer l’image modifiée selon l’étape de modification 111, le calculateur 3 calcule une distance entre les données courantes et les données cibles puis détermine un déplacement dans l’espace latent 10 vers un point de données intermédiaire 141 qui minimise cette distance par rétro-propagation dans l’ensemble neuronal, tel que représenté en .
Le déplacement ainsi déterminé minimise un écart entre des paramètres courants comprenant les caractéristiques biométrique et physiques et les caractéristiques relatives au standard correspondant au point de données associé à l’image intermédiaire (ici, l’image de l’individu i0 ou plus exactement l’image ajustée de l’individu i’0 issue de l’image de l’individu i0), et les paramètres cibles comprenant les caractéristiques cibles.
La illustre la génération de l’image modifiée im à partir du point de données intermédiaire 141, au moyen du réseau antagoniste génératif 1.
Une fois l’image modifiée im générée, le calculateur 3 génère ensuite, à partir de l’image modifiée im : - les deuxièmes données biométriques de l’individu D52, selon l’étape de deuxième extraction 114, - les deuxièmes données relatives au standard D62, au moyen du premier réseau de neurones prédictif 6, selon l’étape de deuxième détermination 112, - des deuxième données relatives à des attributs physiques D72, au moyen du deuxième réseau de neurones prédictif 7, selon l’étape de deuxième caractérisation 115.
L’ensemble des deuxièmes données correspond aux données courantes, en remplacement des précédentes données courantes qui correspondaient à l’ensemble des données ajustées.
Le calculateur 3 contrôle la conformité au standard de l’image modifiée im, à partir des deuxièmes données relatives au standard D62, l’image modifiée étant déterminée conforme ou non conforme à l’issue du contrôle, selon l’étape de contrôle 113.
Le calculateur 3 vérifie l’intégrité de l’identité biométrique par comparaison des premières données biométriques D51 avec les deuxièmes données biométriques D52 et l’intégrité des attributs physiques par comparaison des premières données relatives aux attributs physiques D71 avec les deuxièmes données relatives aux attributs physiques D72, selon l’étape de vérification 117.
Selon un mode de réalisation de l’invention, la matière constitutive du corps et la matière constitutive de l’organe d’obturation sont les mêmes et sont, de préférence, choisies dans le groupe des matières de synthèse formées par le polypropylène ou un polymère biodégradable tel que l'acide polylactique. La présence des languettes permet d’utiliser des matières de synthèse relativement rigides.
Selon un mode de réalisation de l’invention, chaque languette est munie, dans sa zone de raccordement à l’entrée de l’entonnoir, sur sa surface opposée à celle tournée vers l’intérieur de l’entonnoir, d’une surépaisseur formant un gousset de renfort. La présence d’un tel gousset permet de limiter la souplesse de la languette au niveau de sa zone de raccordement à l’entrée de l’entonnoir. Ce gousset forme un moyen de contrainte de la languette.
Selon un mode de réalisation de l’invention, l’entrée de l’entonnoir forme, autour de la partie conique de l’entonnoir, un rebord périphérique radial externe du genre collerette. Ce rebord périphérique radial externe permet d’aider au maintien de l’organe d’obturation à l’état assemblé audit corps dans une position dans laquelle le rebord et le corps forment un assemblage de préférence étanche.
Selon un mode de réalisation de l’invention, en position fermée, l’organe d’obturation est logé au moins partiellement, de préférence totalement, à l’intérieur dudit corps et prend appui sur un siège ménagé à l’intérieur du corps.
Selon un mode de réalisation de l’invention, en position fermée, l’organe d’obturation est disposé au moins partiellement à l’extérieur dudit corps et vient coiffer au moins une partie du corps entourant l’ouverture de remplissage en liquide dudit corps.
L’invention a encore pour objet un procédé de remplissage en liquide d’un récipient pour la conservation dans du liquide de végétaux, caractérisé en ce que le récipient étant tel que décrit ci-dessus et l’organe d’obturation étant à l’état ouvert, le procédé comprend une étape de remplissage en liquide du récipient suivie d’une étape de fermeture de l’organe d’obturation, d’une étape d’introduction des végétaux dans l’entonnoir dudit organe d’obturation jusqu’à une position dans laquelle les végétaux font saillie de la sortie de l’entonnoir et, si nécessaire, une étape d’ajustement en position des végétaux à l’intérieur de l’entonnoir au moins par déplacement à coulissement des végétaux dans l’entonnoir en direction de l’entrée dudit entonnoir.
représente une vue en coupe d’un récipient conforme à l’invention en position fermée de l’organe d’obturation associée à une vue de détail de deux languettes ;
représente une vue en coupe d’un récipient conforme à l’invention en position fermée de l’organe d’obturation et à l’état introduit de végétaux dans ledit récipient ;
représente deux vues en coupe d’un même récipient pour illustrer le passage de la position ouverte à la position fermée dudit organe d’obturation ;
représente deux vues en perspective d’un même organe d’obturation pour illustrer la déformation des languettes ;
représente une vue en perspective d’un récipient en position fermée de l’organe d’obturation ;
représente une vue en perspective prise de dessous d’un organe d’obturation ;
représente une vue partielle en perspective d’une languette pour illustrer le dos de la languette, c’est-à-dire la partie de la languette opposée à celle tournée vers l’intérieur de l’entonnoir ;
représente une vue partielle en perspective de l’entonnoir prise au niveau d’une languette pour illustrer la forme de la languette ;
L‘organe de détection comprend ici un sonar frontal 140 disposé vers une extrémité avant de l’AUV 100, par exemple sur le nez 120.
Le sonar 140 est configuré pour détecter des objets sous l’eau en indiquant leur direction et leur distance par rapport à l’AUV 100.
Le positionnement du sonar 140 vers une extrémité avant permet notamment la détection de câbles en amont de l’extrémité avant.
En outre, l’organe de détection comprend des détecteurs de câbles 136a et 136b positionnés à proximité des premières pince et pince additionnelle 132a et 132b de la première paire de pinces et disposés de part et d’autre de l’axe longitudinal 150.
Ces détecteurs de câbles 136a et 136b visent à déterminer la présence ou pas d’un câble dans ou à proximité des premières pince et pince additionnelle 132a et 132b.
En d’autres termes, les détecteurs de câbles 136a et 136b permettent de détecter un câble à proximité d’une des première et deuxième parties latérales 160c, 160d de la coque 160, et ceci vers l’extrémité avant de la coque 160.
Dans la variante où il n’y a qu’une première pince et une deuxième pince, l’AUV peut comprendre un ou deux détecteurs de câbles, disposés de part et d’autre de l’axe longitudinal.
Par exemple, les détecteurs de câbles 136a et 136b sont choisis parmi un capteur d’effort, ou détecteur de force, ou bien une caméra.
Optionnellement, l’AUV peut en outre comprendre un organe de guidage configuré pour faciliter la mise en prise des câbles de récupération dans les pinces.
Cet organe de guidage peut comprendre notamment une première unité de commande configurée pour guider l’AUV selon les informations reçues de l’organe de détection. L’unité de commande peut être la même que celle qui commande l’ouverture et la fermeture des pinces.
Autrement dit, la première unité de commande est configurée pour recevoir des signaux de sortie de l’organe de détection, pour actionner l’organe de guidage pour guider le véhicule vers les câbles détectés par l’organe de détection, et pour actionner les pinces individuellement selon le guidage du véhicule.
La première unité de commande est reliée à cet organe de détection et est configurée pour traiter des signaux sortants du sonar et pour détecter la position des câbles de récupération.
La première unité de commande est en outre configurée pour traiter des signaux sortant des détecteurs de câbles 136a et 136b de sorte à piloter l’ouverture et la fermeture des premières et deuxièmes pinces et pinces additionnelles 130a, 130b, 132a, 132b.
En variante, l’organe de guidage peut comporter un mat disposé vers l’extrémité avant de l’AUV et en saillie de la coque. Par exemple, le mat peut être arrangé au niveau du nez.
Le mat peut être une branche montée articulée sur l’extrémité du nez, actionnable par le biais de la première unité de commande. Le mat peut être mobile entre deux positions extrêmes, dont une position à bâbord et une position à tribord,
Le mat peut être configuré pour guider un câble présent à une distance atteignable par le mat. Le mat, actionnable par la première unité de commande, peut donc être piloté de sorte à assurer que le câble passe à bâbord ou à tribord de l’AUV.
De manière avantageuse, l’au moins une couche intermédiaire comprend : une couche métallique, une couche diélectrique, un empilement de plusieurs couches diélectriques et/ou une couche de piégeage de charges électriques.
Un autre objet de l'invention concerne un substrat du type piézoélectrique sur isolant, comprenant successivement une couche piézoélectrique, une couche intermédiaire et un substrat support, l’épaisseur de ladite couche piézoélectrique étant choisie en fonction de l’épaisseur de la couche intermédiaire selon un modèle numérique d’au moins une propriété de la couche piézoélectrique en fonction d’une pluralité de couples d’épaisseurs de la couche piézoélectrique et de ladite au moins une couche intermédiaire, pour obtenir une valeur cible de chaque propriété.
La illustre un substrat du type piézoélectrique sur isolant (POI) comprenant un substrat de base, une couche intermédiaire et une couche piézoélectrique.
Les figures 2A à 2E illustrent des étapes d’un procédé de fabrication d’un substrat du type POI comprenant un ajustement d’épaisseur de la couche piézoélectrique selon l’invention.
La illustre une grille de points de mesure d’épaisseur de la couche intermédiaire.
La est une cartographie d’un substrat du type POI, représentant l’épaisseur d’une couche en LiTaO 3.
La est un exemple de réflectométrie à deux angles différents sur un substrat POI comprenant une couche intermédiaire transparente.
La montre la variation du coefficient de température de la fréquence pour des substrats du type POI présentant différentes épaisseurs d’une couche intermédiaire en LiTaO 3 .
La montre la variation du coefficient de couplage électromécanique et de la vitesse de propagation d’ondes acoustiques pour des substrats du type POI présentant différentes épaisseurs d’une couche intermédiaire en LiTaO3.
Pour des raisons de lisibilité des figures, les différents éléments n’ont pas nécessairement été dessinés à l’échelle. Notamment, les variations d’épaisseur des différentes couches du substrat piézoélectrique sur isolant ont pu être exagérées.
Description détaillée de modes de réalisation La illustre un substrat pour un dispositif RF, comprenant un substrat support 1, généralement en un matériau semi-conducteur tel que du silicium, au moins une couche intermédiaire 2 agencé sur le substrat support, et une couche piézoélectrique 3 agencée sur la couche intermédiaire. Dans certains cas, plusieurs couches intermédiaires sont agencées entre le substrat support et la couche piézoélectrique.
Par « sur » on désigne une position relative des couches en considérant les couches de la face arrière (c’est-à-dire du côté du substrat support) vers la face avant (c’est-à-dire du côté de la couche piézoélectrique) du substrat.
Bien que la couche intermédiaire 2 et la couche piézoélectrique 3 soient représentées avec une épaisseur constante, lesdites couches présentent en général des variations d’épaisseur non représentées sur la .
Un procédé de fabrication d’un tel substrat comprend :
une ou plusieurs étapes de formation du substrat, pouvant impliquer des étapes de dépôt, de collage et/ou de transfert de couches, une ou plusieurs étapes de mesure d’épaisseur de la ou les couches intermédiaires, une étape de calcul d’une correction d’épaisseur de la couche piézoélectrique, et l’application de ladite correction à la couche piézoélectrique par un procédé d’abrasion.
illustre de façon schématique un dispositif selon un aspect de l’invention à deux réservoirs cryogéniques et trois réservoirs tampons.
illustre de façon schématique un dispositif selon un aspect de l’invention à un réservoir cryogénique et trois réservoirs tampons.
illustre de façon schématique un dispositif selon un aspect de l’invention à un réservoir cryogénique et deux réservoirs tampons.
Le dispositif aéronautique de distribution de gaz est conçu pour être emporté par un aéronef : avion, drone, hélicoptère, etc.. Le dispositif aéronautique de distribution de gaz est alimenté en liquide et fournit du gaz sous une pression choisie. En d’autres termes, le carburant ou comburant est stocké à très basse température sous forme liquide dans un réservoir cryogénique. A titre de mode de réalisation, l’hydrogène gazeux à 0°C et 1 atmosphère est de masse volumique environ 800 fois plus faible que l’hydrogène liquide à -253°C, donc de volume environ 800 fois plus élevé. Un réservoir cryogénique est inapte à résister à des pressions élevées, notamment supérieures à 10 bars.
Le gaz stocké est choisi parmi hydrogène, méthane, éthane, l’éthylène, l’acétylène et oxygène.
Par ailleurs, les règles de maintenance aéronautique imposent de pouvoir démonter et réparer ou remplacer la plupart des pièces de l’avion. Ainsi, un aéronef est capable de se poser en un lieu quelconque – aérodrome pour un avion, aire de pose pour un hélicoptère – adapté à sa masse et à ses exigences pour l’atterrissage mais non pourvu d’équipements de maintenance spécifiques au modèle de l’aéronef. En cas d’avarie détectée, l’aéronef est configuré pour être réparé, de manière pérenne ou provisoire, ou démonté de façon à remplacer ou à réparer un composant défectueux, conformément aux manuels et documents du constructeur agréés par les autorités de sécurité aérienne. Il est souhaitable que le composant soit aisément accessible par un opérateur de maintenance. En cas de remplacement, il est souhaitable que le composant soit le plus petit possible pour une manutention et un acheminement aisé. En cas de réparation, il est souhaitable que le composant soit réparable par des outils et des procédés éprouvés et courants dans le domaine aéronautique.
Un aéronef fait l’objet de visites d’inspection journalières, hebdomadaires, etc, immobilisant l’aéronef pour une durée à l’inverse de la fréquence.
Le dispositif aéronautique de distribution de gaz est ainsi soumis à de telles exigences.
La Demanderesse a identifié un besoin de distribution de gaz à partir de réservoirs cryogéniques aéronautiques qu'ils soient liés à la structure de l’aéronef de manière structurale, installés dans l’aéronef ou portés par l’aéronef.
D’un autre point de vue, les avions sont actuellement soumis à une règle de distance maximale d’une piste d’atterissage exprimée en heures de vols selon la certification ETOPS. Cette distance dépend du type d’avion.
Souhaitant assurer une sécurité de haut niveau ainsi qu’une perception de cette sécurité par les utlisateurs, la Demanderesse a identifié le besoin de voler même en cas d’avarie de réservoir cryogénique nécessitant un relâchement dans l’atmosphère du gaz contenu.
Le dispositif aéronautique de stockage vise à satisfaire le besoin complexe ainsi analysé par la Demanderesse.
Comme illustré sur la , le dispositif aéronautique de distribution de gaz 1 embarqué dans un aéronef est alimenté par des sources de gaz liquéfié2 pour fournir en gaz un ou plusieurs organes consommateurs 3. Ici, deux organes consommateurs 3 ont été représentés, par exemple deux propulseurs, une génératrice d’énergie électrique ou un chauffage d’air. Un débitmètre 22 est disposé en sortie de chaque source de gaz liquéfié2.
_name = name_;
_symbol = symbol_;
_ isFreeMintable = isFreeMintable _;
_issuer = msg.sender ;
_ maxTotalSupply = maxTotalSupply _;
function isLuxochainNFT () public view virtual override returns (bool) {
function getStorageType () public view virtual override returns (uint256) {
function owner() public view virtual override returns (address) {
return _issuer;
Selon un mode de réalisation, le potentiel VDD est supérieur au potentiel GND. Par exemple, le potentiel GND est un potentiel de référence, par exemple le potentiel de masse, et le potentiel VDD est positif par rapport au potentiel GND.
Selon un mode de réalisation dans lequel le potentiel VDD est supérieur au potentiel GND, le transistor T1 est un transistor PMOS ou, en d'autres mots, un transistor MOS ayant un canal de type P, le transistor T2 étant un transistor NMOS ou, en d'autres mots, un transistor MOS ayant un canal de type N.
La source de courant 100 partagée par les deux amplificateurs TIA1 et TIA2 est connectée en série avec les étages S1 et S2 entre les nœuds 102 et 104, la source de courant 100 étant connectée entre les étages S1 et S2. Plus particulièrement, la source de courant 100 est, par exemple, connectée en série avec les transistors T1 et T2 entre les nœuds 102 et 104, la source de courant 100 étant connectée entre les transistors T1 et T2. Par exemple, la source de courant 100 a une borne connectée à l'étage S1, par exemple au drain du transistor T1 et une autre borne connectée à l'étage S2, par exemple au drain du transistor T2.
La source de courant 100 est configurée pour fournir un courant de polarisation I1 aux étages d'amplification S1 et S2. La courant I1 est un courant DC. Par exemple, la source de courant 100 est configurée pour fournir le courant de polarisation I1 aux transistors T1 et T2.
Considérons un premier dispositif de référence comprenant un premier amplificateur à transimpédance dont l'étage d'entrée a un premier étage d'amplification et une première source de courant fournissant un premier courant destiné à polariser le premier étage d'amplification et un deuxième amplificateur à transimpédance dont l'étage d'entrée a un deuxième étage d'amplification et une deuxième source de courant fournissant un deuxième courant destiné à polariser le deuxième étage d'amplification, dans lequel chacun des premier et deuxième étages d'amplification est similaire ou identique à l'étage S1 du dispositif 1 et chacune des première et deuxième sources de courant fournit un même courant I3.
Comme les amplificateurs à transimpédance TIA1 et TIA2 du dispositif 1 partagent la même source de courant 100 pour polariser leurs étages d'amplification respectifs S1 et S2, le courant I1 dans le dispositif 1 peut être inférieur au double du courant I3, ce qui résulte en une moindre consommation d'énergie dans le dispositif 1 que dans le premier dispositif de référence.
En considérant de nouveau la , comme cela est habituel dans un amplificateur à transimpédance, l'amplificateur TIA1, respectivement TIA2, comprend une impédance de rétroaction Z1, respectivement Z2.
L'impédance Z1 est, par exemple, identique à l'impédance Z2.
Les impédances Z1 et Z2 sont, par exemple, des éléments résistifs, par exemple des résistances, les amplificateurs à transimpédance TIA1 et TIA2 étant alors des amplificateurs à transimpédance résistive (RTIA de l'anglais "resistive transimpedance amplifier"). Selon un autre exemple, les impédances Z1 et Z2 sont, par exemple, des éléments capacitifs, par exemple des condensateurs, les amplificateurs à transimpédance TIA1 et TIA2 étant des amplificateurs à transimpédance capacitive (CTIA de l'anglais "capacitive transimpedance amplifier").
L'impédance Z1, respectivement Z2, relie l'entrée IN1, respectivement IN2, à la sortie OUT1, respectivement OUT2. Par exemple, l'impédance Z1, respectivement Z2 a une borne connectée à l'entrée IN1, respectivement IN2, et une borne connectée à la sortie OUT1, respectivement OUT2.
Dans l'exemple de la , le drain du transistor T1, respectivement T2, est connecté à la sortie OUT1, respectivement OUT2.