Cellule mémoire morte programmable (10) comprenant une première couche isolante (22) située entre un caisson semiconducteur (12) et une deuxième couche conductrice ou semiconductrice (24), la première couche isolante (22) comprenant une partie périphérique (22b) et une partie centrale (22a), la partie périphérique (22b) ayant une épaisseur supérieure à l'épaisseur de la partie centrale (22a). Cellule selon la revendication 1, dans laquelle le caisson (12) est en contact avec la première couche (22) et la deuxième couche (24) est en contact avec la première couche (22). Cellule selon la revendication 1 ou 2, dans laquelle le caisson (12) et la deuxième couche (24) ne sont pas en contact. Cellule selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans laquelle les épaisseurs des parties centrale (22a) et périphérique (22b) de la première couche (22) sont sensiblement constantes. Cellule selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans laquelle l'épaisseur de la partie périphérique (22b) de la première couche (22) est au moins une fois et demi plus élevée que l'épaisseur de la partie centrale (22a) de la première couche (22). Cellule selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans laquelle le caisson (12) comprend des première (16) et deuxième (18) régions, la deuxième région (18) étant plus fortement dopée que la première région (16), la partie centrale (22a) étant en contact avec la deuxième région (18). Cellule selon la revendication 6, dans laquelle la deuxième région (18) entoure une portion (20) de la première région (16), la partie centrale (22a) reposant uniquement sur la deuxième région (18) et sur ladite portion (20) de la première région (16). Cellule selon la revendication 6 ou 7, dans laquelle une portion périphérique de la deuxième région (18) est recouverte par la partie périphérique (22b). Cellule selon l'une quelconque des revendications 6 à 8, dans laquelle la portion de la deuxième région (18) n'étant pas recouverte par la partie centrale (22a) est recouverte par la partie périphérique (22b). Cellule selon l'une quelconque des revendications 6 à 9, dans laquelle la concentration de dopants de la deuxième région (18) est au moins deux fois supérieure à celle de la première région (16). Cellule selon l'une quelconque des revendications 6 à 10, dans laquelle la plus petite dimension, dans le plan de la face supérieure du caisson (12), de la portion de la partie centrale (22a) de la première couche (22) située en regard de la deuxième région (18) est au moins égale à 0,5 µm. Cellule selon l'une quelconque des revendications 6 à 11, dans laquelle le caisson (12) comprend une troisième région (14), plus fortement dopée que la deuxième région (18), entourant la deuxième région (18) et comprenant au moins une portion non recouverte par la première couche (22). Cellule selon la revendication 12, comprenant au moins un contact conducteur (28) en contact avec la troisième région (14). Cellule selon l'une quelconque des revendications 1 à 13, dans laquelle le rapport entre la largeur de la partie périphérique (22b) et la partie centrale (22a) est supérieure ou égale à 2. Cellule selon l'une quelconque des revendications 1 à 14, dans laquelle la deuxième couche (24) recouvre uniquement la première couche (22).