Module émetteur de lumière (10 ; 20 ; 30 ; 40), caractérisé par le fait qu’il comprend : un substrat (100) ; des éléments émetteurs de lumière (200) disposés sur le substrat (100) ; un matériau d'encapsulation (300) recouvrant les éléments émetteurs de lumière (200) et le substrat (100), le matériau d'encapsulation (300) ayant une hauteur d'encapsulation H ; et des structures de gradation (400) disposées sur le matériau d'encapsulation (300) ou intégrées dans le matériau d'encapsulation (300), les structures de gradation (400) ayant une épaisseur de gradation maximale h, l'épaisseur d'encapsulation H et l'épaisseur de gradation maximale h satisfaisant la relation suivante : 0,01 ≤ h/H ≤ 1. Module émetteur de lumière (10 ; 20) selon la revendication 1, caractérisé par le fait que chacune des structures de gradation (400) est située au-dessus de l'un des éléments émetteurs de lumière (200). Module émetteur de lumière (10 ; 20) selon la revendication 1, caractérisé par le fait que chacune des structures de gradation (400) a un diamètre externe D, et le diamètre externe D, l'épaisseur d'encapsulation H et l'épaisseur de gradation maximale h satisfont la relation suivante : 0 Module émetteur de lumière (10 ; 20) selon la revendication 1, caractérisé par le fait qu’un espacement P entre les éléments émetteurs de lumière (200) voisins et un diamètre externe D de chacune des structures de gradation (400) satisfont la relation suivante : 0 Module émetteur de lumière (10 ; 20) selon la revendication 1, caractérisé par le fait qu’une épaisseur W des éléments émetteurs de lumière (200) est inférieure à un diamètre externe D des structures de gradation (400). Module émetteur de lumière (10 ; 20) selon la revendication 1, caractérisé par le fait que l'épaisseur d'encapsulation H et l'épaisseur de gradation maximale h satisfont la relation suivante : 0,1 ≤ h/H ≤ 0,25. Module émetteur de lumière (10 ; 20) selon la revendication 1, caractérisé par le fait qu’une position des structures de gradation (400) avec l'épaisseur de gradation maximale chevauche les éléments émetteurs de lumière (200) dans une direction normale du substrat (100). Module émetteur de lumière (10 ; 20) selon la revendication 1, caractérisé par le fait qu’une surface de chacune des structures de gradation (400) est une surface incurvée avec une pente à gradient. Module émetteur de lumière (10 ; 20) selon la revendication 8, caractérisé par le fait qu’une position d'une épaisseur de gradation maximale de chacune des structures de gradation (400) correspond au centre de la surface incurvée. Module émetteur de lumière (10 ; 20) selon la revendication 8, caractérisé par le fait qu’une forme de la surface incurvée correspond à une fonction quadratique : y = ax² + bx + c, où x est une position dans une direction parallèle au substrat (100), et y est une position dans une direction verticale au substrat (100), et a Module émetteur de lumière (10 ; 20) selon la revendication 10, caractérisé par le fait qu’une valeur absolue d'un terme constant (|c|) de la fonction quadratique est égale à l'épaisseur de gradation maximale h. Module émetteur de lumière (30 ; 40) selon la revendication 1, caractérisé par le fait que chacune des structures de gradation (400) comprend : une partie de gradation principale (410) ayant l'épaisseur de gradation maximale h ; et une pluralité de sous-parties de gradation (420) disposées autour de la partie de gradation principale (410) et ayant une épaisseur inférieure à l'épaisseur de gradation maximale h. Module émetteur de lumière (30 ; 40) selon la revendication 12, caractérisé par le fait que la pluralité de sous-parties de gradation (420) comprend des sous-parties de gradation internes (422) en contact avec la partie de gradation principale (410), et la pluralité de sous-parties de gradation (420) et la partie de gradation principale (410) forment ensemble un profil étagé en vue en coupe transversale. Module émetteur de lumière (30 ; 40) selon la revendication 12, caractérisé par le fait que la pluralité de sous-parties de gradation (420= comprend des sous-parties de gradation externes (424) séparées de la partie de gradation principale (410). Module émetteur de lumière (30 ; 40) selon la revendication 12, caractérisé par le fait qu’un diamètre externe de la partie de gradation principale (410) est supérieur à une largeur des éléments émetteurs de lumière (200). Module émetteur de lumière (10 ; 20 ; 30 ; 40) selon la revendication 1, caractérisé par le fait qu’un indice de réfraction à l'intérieur des structures de gradation (400) est uniforme. Module émetteur de lumière (10 ; 20 ; 30 ; 40) selon la revendication 1, caractérisé par le fait que les structures de gradation (400) comprennent un matériau réfléchissant et un matériau en résine. Module émetteur de lumière (10 ; 20 ; 30 ; 40) selon la revendication 1, caractérisé par le fait que les éléments émetteurs de lumière (200) comprennent de multiples puces de diode électroluminescente ou de multiples diodes électroluminescentes en boîtier à puce, DEL CSP. Module émetteur de lumière (10 ; 20 ; 30 ; 40) selon la revendication 1, caractérisé par le fait que le substrat (100) comporte des puces de circuits intégrés, et chacune des puces de circuits intégrés commande les éléments émetteurs de lumière (200). Module émetteur de lumière (10 ; 20 ; 30 ; 40) selon la revendication 1, caractérisé par le fait que les structures de gradation (400) comprennent des parties avec des épaisseurs différentes.