INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Plus précisément, l’invention concerne un système de conditionnement d’une pluralité de sous-empilements de cellules à oxydes solides de type SOEC/SOFC superposés fonctionnant à haute température, permettant le conditionnement simultané des sous-empilements.
Dans le cadre d’un électrolyseur à oxydes solides à haute température de type SOEC, il s’agit de transformer par le biais d’un courant électrique, au sein d’un même dispositif électrochimique, la vapeur d’eau (H 2 O) en dihydrogène (H 2 ) et en dioxygène (O 2 ), et/ou encore de transformer le dioxyde de carbone (CO 2 ) en monoxyde de carbone (CO) et en dioxygène (O 2 ). Dans le cadre d’une pile à combustible à oxydes solides à haute température de type SOFC, le fonctionnement est inverse pour produire un courant électrique et de la chaleur en étant alimentée en dihydrogène (H 2 ) ou d’autres combustibles tels que le méthane (CH 4 ), le gaz naturel, le biogaz, et en dioxygène (O 2 ), typiquement en air. Par souci de simplicité, la description suivante privilégie le fonctionnement d’un électrolyseur à oxydes solides à haute température de type SOEC réalisant l’électrolyse de la vapeur d’eau. Toutefois, ce fonctionnement est applicable à l’électrolyse du dioxyde de carbone (CO 2 ), voire encore de la co-électrolyse de la vapeur d’eau à haute température (EHT) avec le dioxyde de carbone (CO 2 ). De plus, ce fonctionnement est transposable au cas d’une pile à combustible à oxydes solides à haute température de type SOFC.
Dans l'exemple de la , les éléments de substrat à obtenir sont agencés sur le substrat initial avec des intervalles entre des colonnes adjacentes et pas entre des lignes adjacentes. Dans un autre exemple (non représenté), des intervalles sont présents entre des lignes adjacentes et pas entre des colonnes adjacentes.
Dans l'exemple de la , les éléments de substrat comprennent chacun un même agencement de caractéristiques, l'agencement de caractéristiques étant tourné de 180° entre des éléments de substrat alternés de sorte que des coins opposés soient découpés sur des éléments de substrat alternés.
Le procédé de la comprend une étape de découpe du substrat initial, qui est agencé sur un dispositif support. La découpe du substrat initial est effectuée le long de lignes de découpe 630, 620, qui sont par exemple perpendiculaires les unes aux autres, par exemple avec un premier outil de découpe, pour obtenir un détourage (chipping in english) des éléments de substrat.
Dans une autre étape du procédé de la , l'outil de découpe ou le dispositif support est, par exemple, tourné par rapport au substrat, pour découper les éléments de substrat le long de lignes de découpe 610, de sorte qu'au moins le troisième côté soit créé pour chacun des éléments de substrat. L'outil de découpe est par exemple un outil de sciage ou un laser.
Dans le procédé de la , chaque élément de substrat est séparé des voisins par deux lignes de découpe 620, 630, qui sont, par exemple, parallèles.
Dans l'exemple de la , comme les éléments de substrat de mêmes colonnes sont tournés de 180°, des coins opposés sont découpés sur des éléments de substrat alternés.
Dans l'exemple de la , la largeur de l'intervalle entre les colonnes détermine la distance par rapport à la diagonale à laquelle la ligne de découpe croise chaque élément. En outre, l'angle des lignes de découpe 630 par rapport aux éléments de substrat est également une fonction de la largeur de l'intervalle.
Dans un exemple, le procédé de la pourrait être combiné avec le procédé de la en prélevant et plaçant des éléments de substrat afin de découper des coins supplémentaires.
Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. La personne du métier comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaîtront à la personne du métier. En particulier, les éléments de substrat peuvent avoir une forme non rectangulaire avant l'opération de découpe de coins. Par exemple, avant l'opération de découpe de coin, les éléments de substrat pourraient avoir une forme de polygone, telle qu'une forme de polygone convexe, incluant mais n'étant pas limitée à une forme triangulaire ou de parallélogramme.
De préférence, la portion de fixation de la pièce de support sur la partie de stator prend la forme d’une bride de fixation, ou d’une pluralité d’oreilles de fixation réparties circonférentiellement autour de la première portion d’extrémité axiale de la pièce de support.
De préférence, la portion extérieure de délimitation d’enceinte, intégrée à la partie de stator, présente en partie basse un orifice de récupération d’huile.
De préférence, la pièce de support spécifique à l’invention et décrite ci-dessus, est préférentiellement réalisée d’un seul tenant, par exemple par une technique quelconque de fabrication additive offrant la possibilité d’une géométrie complexe. Néanmoins, d’autres techniques de fabrication sont envisageables, par exemple en réalisant la pièce de support en plusieurs portions rapportées fixement les unes aux autres, et/ou en prévoyant des usinages / perçages pour réaliser les orifices de l’élément de protection.
L’invention a également pour objet une turbomachine d’aéronef comprenant au moins un tel ensemble, de préférence agencé en aval d’une chambre de combustion de la turbomachine.
De préférence, la turbomachine comprend un premier arbre moteur guidé par le premier roulement, ainsi qu’un second arbre moteur guidé par le second roulement, les premier et second arbres étant concentriques.
représente une vue agrandie schématique en coupe axiale d’un ensemble équipant la partie arrière de la turbomachine montrée sur la figure précédente, l’ensemble se présentant sous la forme d’un premier mode de réalisation préféré de l’invention ;
est une vue agrandie en perspective de la pièce de support équipant l’ensemble montré sur la figure précédente ;
est une vue en coupe axiale de la pièce de support montrée sur la figure précédente ;
est une vue en perspective similaire à celle de la , avec la pièce se présentant sous la forme d’un second mode de réalisation préféré de l’invention ; et
est une vue en coupe axiale de la pièce de support montrée sur la figure précédente.
En référence tout d’abord à la , il est représenté schématiquement un mode de réalisation préféré de l’invention, prenant la forme d’une turbomachine 1 d’aéronef, ici un hélicoptère.
La turbomachine 1 comporte une boîte de transmission principale 2, destinée à entraîner un récepteur en rotation (non représenté), à savoir des pales d’hélicoptère dans le cas présent. Le boîtier de transmission principale est relié à un générateur de gaz 4 de la turbomachine, comprenant, d’amont en aval selon une direction d’écoulement principale 6 des gaz à travers la turbomachine, un compresseur centrifuge 8, éventuellement à double étage, une chambre de combustion 10, une turbine haute pression 12, et une turbine libre 14, également dite turbine basse pression.
Le compresseur 8 et la turbine 12 sont reliés par un arbre moteur 16a correspondant à un arbre haute pression, tandis que la turbine libre 14 est reliée à l’extrémité aval d’un arbre de turbine libre 16b, correspondant à un arbre basse pression. L’extrémité amont de cet arbre 16b est relié à la boîte de transmission principale 2, dans laquelle il pénètre pour entraîner cette boîte. Par la suite, les arbres 16a, 16b seront dénommés premier et second arbres moteurs. Ils sont concentriques, centrés sur un axe central longitudinal 18 du générateur de gaz 4. Préférentiellement, le premier arbre 16a se situe autour du second arbre 16b.
R 1ep , R 5ep et R 6ep sont choisis indépendamment parmi : un groupement alkyle de 2 à 30 atome(s) de carbone, comportant éventuellement de 1 à 6 fonctions époxyde(s), un groupement alcényle linéaire, de 2 à 24 atomes de carbones, en particulier comprenant de 1 à 6 fonctions époxyde(s), ledit groupement alcényle étant éventuellement substitué par une chaîne alkyle de 1 à 5 atome(s) de carbone,
sous réserve que l’un au moins des groupements R 0ep , R 1ep , R 5ep ou R 6ep comporte au moins une fonction époxyde,
en particulier dans lesquelles R 0ep est choisi parmi :
ledit groupement R 0ep comprenant éventuellement 1 à 6 substituant(s) choisi(s) parmi -OH, -OR 7 et OCOR 7 , dans lequel R 7 est un groupe alkyle de 1 à 3 atome(s) de carbone
lesdits groupements R 1ep , R 5ep et R 6ep comprenant éventuellement 1 à 6 substituant(s), en particulier un ou deux, choisi(s) parmi -OH, -OR 7 et OCOR 7 .
Selon un autre mode de réalisation particulier, la présente invention concerne un composé tel que défini ci-dessus, de formule (10)
formule (2) dans laquelle R 0ep est choisi parmi :
- un groupement alcényle linéaire de 15 atomes de carbone, comprenant x fonctions alcényles, x variant de 1 à 3, comprenant y fonctions époxydes, y variant de 0 à 2, x + y étant inférieur ou égal à 3, R 1ep est choisi parmi :
- un groupement alkyle linéaire de 3 à 13 ou 15 à 30 atome(s) de carbone, comportant éventuellement 1 à 6 fonction(s) époxyde(s), ou
- un groupement alcényle linéaire de 2 à 17 ou 19 à 24 atomes de carbone, comprenant éventuellement de 1 à 6 fonction(s) époxyde(s), ledit groupement alcényle étant éventuellement substitué par un groupe alkyle de 1 à 5 atome(s) de carbone,
R 1ep comprenant éventuellement un à six substituant(s), en particulier un ou deux choisi(s) parmi -OH, -OR 7 ou OCOR 7 , dans lequel R 7 est un groupe alkyle de 1 à 3 atomes de carbone,
sous réserve que R 0ep ou R 1ep comporte au moins une fonction époxyde.
- un groupement alkyle linéaire de 2 à 30 atome(s) de carbone(s), ou
en particulier dans lesquelles : R 0 est choisi parmi :
ledit groupement R 0 comprenant éventuellement 1 à 6 substituant(s) choisi(s) parmi -OH, -OR 7 et OCOR 7 , dans lequel R 7 est un groupe alkyle de 1 à 3 atome(s) de carbone
lesdits groupements R 1 , R 5 et R 6 comprenant éventuellement 1 à 6 substituant(s), en particulier un ou deux, choisi(s) parmi -OH, -OR 7 et OCOR 7 .
Selon un autre mode de réalisation particulier, la présente invention concerne un composé tel que défini ci-dessus, de formule choisie parmi les formules (8) et (9) suivantes,
ledit groupement R 0ep comprenant éventuellement 1 à 6 substituant(s) choisi(s) parmi -OH, -OR 7 et OCOR 7 , dans lequel R 7 est un groupe alkyle de 1 à 3 atome(s) de carbone.
Selon un autre mode de réalisation particulier, la présente invention concerne un composé tel que défini ci-dessus, choisie parmi les formules (10), (11), (12), (13) et (14) suivantes,
R 1 comprenant éventuellement un à six substituant(s), en particulier un ou deux, choisi(s) parmi -OH, -OR 7 et OCOR 7 , dans lequel R 7 est un groupe alkyle de 1 à 3 atome(s) de carbone, une étape d’époxydation, par exemple à l’aide d’acide formique, de peroxyde d’hydrogène et d’acide sulfurique, du composé de formule (2) pour obtenir le composé de formule (10)
R 0ep comprenant éventuellement un à six substituant(s) choisi(s) parmi -OH, -OR 7 , -OCOR 7 , dans lequel R 7 est un groupement alkyl de 1 à 3 atomes de carbone,
sous réserve que l’un au moins des groupements R 0ep ou R 1ep comporte au moins une fonction époxyde. éventuellement, une étape de formation de diol, par exemple à l’aide d’acide formique, de peroxyde d’hydrogène et d’acide sulfurique pour obtenir le composé de formule (10)
Dans certains autres cas, QAP/QBP peut être inférieur à 1, par exemple lorsque la méthode élimine avec succès les impuretés des nanoparticules.
Dans un mode de réalisation de l'invention, la durée de chauffage ti est augmentée ou fixée à une valeur préférentiellement supérieure à 10 -100 , 10 -50 , 10 - 20 , 10 -10 , 10 -5 , 10 -2 , 10 -1 , 1, 5, 10, 10 2 , 10 5 , 10 10 , 10 20 ou 10 50 heure(s) jusqu'à ce que Q AP /Q BP soit inférieur à 99, 90, 70, 50, 30, 20, 10, 5, 2 1, 0,1, 0,001 ou 0,0001%.
L'invention concerne également la méthode, préférentiellement purificatrice, selon l'invention, dans lequel plus de 90% en masse de carbone ou de matière carbonée sont éliminés des nanoparticules, ce pourcentage étant égal à (%CAT/%CBT)/%CBT, où %CAT et %CBT sont les pourcentages de carbone ou de matière carbonée après et avant le traitement des nanoparticules avec la méthode, respectivement.
Dans certains cas, (%C AT -%C BT )/%C BT est supérieur à 10 -50 , 10 -20 , 10 -5 , 10 -2 , 10 -1 , 1, 5, 10, 50, 75, 90, 95 ou 99%. Cela peut être le cas lorsque la méthode, préférentiellement purificatrice, est efficace ou lorsque la quantité de carbone ou de matière carbonée comprise dans la nanoparticule avant traitement des nanoparticules avec la méthode est inférieure à un certain seuil, préférentiellement inférieure à 99, 90 70, 60, 50, 40, 30, 20, 10 ou 1%
Dans certains autres cas, (%CAT-%CBT)/%CBT est inférieur à 99, 90, 70, 60, 50, 40, 30, 20, 10 ou 1%. Ceci peut être le cas lorsque la méthode de purification n’est pas efficace ou lorsque la quantité de carbone ou de matériau carboné comprise dans la nanoparticule avant traitement des nanoparticules avec la méthode est supérieure à un certain seuil, préférentiellement supérieure à 99, 90, 70, 60, 50, 40, 30, 20, 10 ou 1%.
Dans quelques autres cas encore, (%CAT-%CBT)/%CBT est compris entre 0,1 et 100, 1 et 99, 10 et 99, 50 et 99, ou entre 80 et 99%.
Dans un mode de réalisation de l'invention, la température de chauffage, préférentiellement Tiav, est augmentée ou fixée à une valeur préférentiellement supérieure à -250, -200, -150, -100, -50, 0, 10, 50, 100 150, 200, 250, 300, 350, 400, 450, 500, 550, 600, 650, 700, 10 3 , 10 4 ou 10 6 °C jusqu'à ce que Q AP /Q BP soit inférieur à 99, 90, 70, 50 30, 20, 10, 5, 2, 1, 0,1, 0,001 ou 0,0001%.
Dans certains cas, la durée et/ou la température de chauffage est/sont augmentée(s) pour enlever les impuretés des nanoparticules, par exemple lorsque les impuretés sont enlevées des nanoparticules à des températures élevées ou pendant un temps de chauffage important.
Dans un mode de réalisation de l'invention, la durée de chauffage ti est diminuée ou fixée à une valeur préférentiellement inférieure à 10 100 , 10 50 , 10 20 , 10 10 , 10 5 , 10 2 , 10, 1, 10 -1 , 10 -2 , 10 -5 , 10 -20 ou 10 -50 heure(s) jusqu'à ce que ou de telle manière que Q AP /Q BP ait une valeur supérieure à 10 -50 , 10 -20 , 10 -5 , 10 -3 , 10 -2 , 10 -1 , 1, 5, 10, 50 ou 75%.
Dans un mode de réalisation de l'invention, la température de chauffage, préférentiellement Ti ou Tiav, est diminuée ou fixée à une valeur préférentiellement inférieure à 10 6 , 10 4 , 10 3 , 700, 650, 600, 550, 500, 450, 400. 350, 300, 250, 200, 150, 100, 50, 10, 0, -50, -100, -150, -200 ou -250 °C, de préférence jusqu'à ce que ou de telle manière que Q AP /Q BP ait une valeur supérieure à 10 -50 , 10 -20 , 10 -5 , 10 -3 , 10 -2 , 10 -1 , 1, 5, 10, 50 ou 75%.
Dans certains cas, la température et/ou le temps de chauffage est/sont diminué(s) ou maintenu(s) en dessous d'un certain seuil pour éliminer les impuretés, par exemple lorsque les impuretés sont éliminées des nanoparticules à basse température.
Dans d'autres cas, la température de chauffage et/ou le temps de chauffage est/sont diminué(s) ou maintenu(s) en dessous d'un certain seuil pour éviter la destruction, la dénaturation ou l'oxydation, de préférence un changement de l'état d'oxydation des nanoparticules.
L'invention concerne également la méthode selon l'invention, dans laquelle au moins une étape ou une phase de l'étape i du procédé est réalisée en présence d'oxygène.
Dans certains cas, l'oxygène peut être un gaz comprenant de l'oxygène ou de l'oxygène.
L'invention concerne également la méthode selon l'invention, dans laquelle au moins une étape ou une phase de l'étape i de la méthode est réalisée en présence d'un gaz vecteur ou de CO 2 .
Dans un mode de réalisation de l'invention, le gaz porteur peut être du CO2 ou un gaz qui transporte les impuretés, le carbone ou le matériau carboné. Dans certains cas, le gaz vecteur ou le CO2 transporte ou élimine plus de 10 -50 , 10 -20 , 10 -5 , 10 -3 , 10 -1 , 1, 5, 10, 25, 50, 75, 80, 90, 99 ou 100% d'impureté(s), de carbone ou de matière carbonée. Dans certains cas, cette situation peut se produire lorsque la durée et/ou la température de chauffage sont telles qu'elles permettent d'éliminer une grande quantité d'impuretés à l'aide du gaz vecteur. Dans certains autres cas, le gaz vecteur ou le CO 2 transporte moins de 100, 99, 90, 80, 75, 50, 25, 10, 5, 1, 10 -1 , 10 -3 , 10 -5 , 10 -20 ou 10 -50 % d'impureté(s), de carbone ou de matière carbonée. Dans certains cas, cette situation peut se produire lorsque la durée et/ou la température de chauffage est/sont telle(s) qu’elles ne permettent pas d’éliminer beaucoup d’impuretés à l’aide du gaz vecteur. Dans certains cas, le gaz vecteur ou le CO 2 entraîne ou supprime la ou les impuretés au cours de la deuxième phase de l’étape i, ou entraîne ou élimine davantage d’impuretés, de préférence d’un facteur supérieur à 1,000001, 1,0001, 1.1, 1.2, 1.5, 2. , 5, 10, 50, 10 2 , 10 3 ou 10 5 , au cours de la deuxième phase de l'étape i qu’au cours de la première ou la troisième phase de l'étape i.
Selon un autre mode de réalisation particulier, la présente invention concerne un composé tel que défini ci-dessus, choisi parmi les formules (11), (12), (13) et (14) suivantes,
Dans un mode de réalisation de l'invention, la méthode, préférentiellement la deuxième phase de l'étape i, est une combustion, préférentiellement lorsque le gaz vecteur ou le CO2 est impliqué dans ou est responsable de l'élimination des impuretés des nanoparticules.
Dans un mode de réalisation de l'invention, le gaz vecteur est de l'air ou est un gaz comprenant un pourcentage en oxygène ou en O2 supérieur à 10 -100 , 10 -50 , 10 -10 , 10 -5 , 10 -2 , 10 -1 , 1. 5, 10, 20, 50 ou 75%.
Dans un mode de réalisation de l'invention, le pourcentage d'O2 dans le gaz porteur augmente ou est suffisamment grand pour permettre la combustion ou la transformation du matériau carboné, de préférence compris dans ou à la surface des nanoparticules.
Dans un mode de réalisation, le gaz vecteur comprend un pourcentage en oxygène ou en O2 inférieur à 99,9, 99, 70, 50, 20, 10, 5, 2 ou 1%.
Dans un mode de réalisation de l'invention, le pourcentage d'O2 dans le gaz porteur est diminué ou est suffisamment bas pour empêcher l'oxydation des nanoparticules ou pour empêcher un changement de l'état d'oxydation des nanoparticules.
Dans un mode de réalisation de l'invention, la méthode selon l'invention n'oxyde pas ou ne modifie pas l'état d'oxydation des nanoparticules.
Dans un mode de réalisation de l'invention, la modification de l'état d'oxydation de la nanoparticule est une modification qui entraîne la perte des propriétés magnétiques des nanoparticules, par exemple une transformation de la maghémite ou de la magnétite en hématite.
Dans un mode de réalisation de l'invention, le gaz vecteur comprend un pourcentage en oxygène compris entre 10 -20 et 100%, 10 -10 et 99, 10 -5 et 90, 10 -1 et 80, 1 et 70, ou entre 10 et 50% d'O 2 .
Dans un mode de réalisation de l'invention, le gaz porteur comprend moins de 99, 90, 80, 70, 50, 20, 10, 5, 2 ou 1% de gaz rare. Dans certains cas, un pourcentage trop élevé de gaz rares est évité car il pourrait empêcher l’élimination des impuretés des nanoparticules.
Dans un autre mode de réalisation de l'invention, le gaz porteur comprend plus de 1, 2, 5, 10, 20, 50, 70, 80, 90 ou 99% de gaz rare. Dans certains cas, un pourcentage important de gaz rare, préférentiellement mélangé à de l'O2, est souhaité, par exemple pour éviter que celui-ci ne soit inflammable.
Dans un mode de réalisation de l'invention, le pourcentage d'un gaz est le pourcentage en volume de ce gaz, préférentiellement lorsque ce gaz est sec.
Dans un mode de réalisation de l'invention, la quantité d'impureté éliminée peut être augmentée, de préférence d'un facteur supérieur à 1,00001, 1,001, 1,1, 2, 5, 10, 50, 10 2 , 10 3 , 10 5 , 10 10 . 10 20 ou 10 50 , lorsque le pourcentage d'O 2 dans le gaz vecteur augmente, de préférence d'un facteur supérieur à 1,00001, 1,001, 1,1, 2, 5, 10, 50, 10 2 , 10 3 , 10 5 , 10 10 , 10 20 ou 10 50 .
Dans un mode de réalisation de l'invention, la quantité d'impuretés éliminée peut être diminuée, de préférence d'un facteur supérieur à 1,00001, 1,001, 1,1, 2, 5, 10, 50, 10 2 , 10 3 , 10 5 , 10 10 , 10 20 ou 10 50 , lorsque le pourcentage d'O 2 dans le gaz vecteur est diminué d'un facteur supérieur à 1,00001, 1,001, 1,1, 2, 5, 10, 50, 10 2 , 10 3 , 10 5 , 10 10 , 10 20 ou 10 50 .
Dans un mode de réalisation de l'invention, la première et/ou la troisième phase est réalisée en présence d'un gaz de concentration inférieure en O2, préférentiellement d'un facteur supérieur à 1,00001, 1,001, 1,1, 2, 5, 10, 50, 10 2 , 10 3 , 10 5 , 10 10 , 10 20 ou 10 50 , que lors de la deuxième phase, pour empêcher l'élimination des impuretés au cours de la première et/ou de la troisième phase, ou pour éliminer moins d'impuretés, préférentiellement d'un facteur supérieur à 1,00001, 1,001, 1,1, 2, 5, 10, 50, 10 2 , 10 3 , 10 5 , 10 10 , 10 20 ou 10 50 au cours de la première et/ou de la troisième phase(s) qu’au cours de la deuxième phase.
L'invention concerne également la méthode selon l'invention, dans laquelle les impuretés éliminées des nanoparticules sont situées à une profondeur inférieure à 100 nm à l'intérieur des nanoparticules.
Dans un mode de réalisation de l’invention, la ou les impuretés sont situées à une certaine profondeur dans la nanoparticule, laquelle est supérieure à 0,01, 0,1, 1, 5, 10, 25, 50 ou 75% du diamètre ou de la plus grande dimension de la nanoparticule.
comprenant les étapes suivantes : une étape d’époxydation d’un composé de formule (20), par exemple à l’aide d’acide formique, de peroxyde d’hydrogène et d’acide sulfurique pour obtenir le composé de formule (9)
- un groupement méthyle CH 3 éventuellement, une étape de formation de diol(s), par exemple à l’aide d’acide formique, de peroxyde d’hydrogène et d’acide sulfurique pour obtenir le composé de formule (9)
Dans un autre mode de réalisation de l'invention, la ou les impuretés sont situées à une certaine profondeur dans la nanoparticule, qui est inférieure à 75, 50, 25, 10, 5, 1, 0,1 ou 0,01% du diamètre ou de la plus grande dimension de la nanoparticule.
Selon l'invention, ce pourcentage peut être le rapport entre la profondeur à laquelle l'impureté est située dans la nanoparticule et le diamètre ou la plus grande dimension de la nanoparticule.
Dans un mode de réalisation de l'invention, la ou les impuretés sont situées à une certaine profondeur dans les nanoparticules, laquelle est supérieure à 0,01, 0,1, 0,5, 1, 5, 10, 15 ou 20 nm.
Dans un autre mode de réalisation de l'invention, la ou les impuretés sont situées dans les nanoparticules à une certaine profondeur, inférieure à 100, 50, 20, 5, 2, 1 ou 0,1 nm.
Dans certains cas, des impuretés profondes peuvent être localisées à l'intérieur du noyau, préférentiellement le cristal du noyau, des nanoparticules.
Dans certains cas, des impuretés peu profondes peuvent être localisées dans le revêtement des nanoparticules.
Dans un autre mode de réalisation de l'invention, la ou les impuretés sont situées à une certaine profondeur dans les nanoparticules, qui est comprise entre 0,01 et 10 3 , 0,1 et 500, 0,1 et 100, 0,1 et 50, 0,1 et 20, 0,1 et 10 ou entre 0,1 et 5 nm.
Dans certains cas, la profondeur dans les nanoparticules est la distance, mesurée préférentiellement à partir de la surface externe des nanoparticules à la position de la ou des impuretés dans les nanoparticules.
L'invention concerne également la méthode selon l'invention, dans laquelle la température de chauffage et/ou le temps de chauffage sont déterminés en mesurant la température à laquelle la ou les impuretés sont éliminées des nanoparticules.
Dans un autre mode de réalisation de l'invention, un appareil tel que la TGA (analyse par thermogravimétrie) est utilisé pour déterminer la température, préférentiellement Tiav, et/ou le temps de chauffage, préférentiellement ti, pouvant éliminer les impuretés des nanoparticules.
L'invention concerne également la méthode selon l'invention, dans laquelle au moins une impureté est constituée de ou comprend ou provient du carbone ou d'un matériau carboné.
Dans un mode de réalisation de l'invention, le matériau carboné est éliminé par le gaz porteur ou le gaz CO2.