INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Dans cette configuration, puisque le renfoncement (enfoncement partiel) est formé sur une surface extérieure de l’élément métallique, malgré la forme plane symétrique de l’élément métallique, l’orientation du substrat de câblage peut être facilement reconnue en utilisant le renfoncement comme marque. Dans la présente configuration, le renfoncement servant de marque est formé en changeant le profil de la surface extérieure de l’élément métallique, plutôt qu’en appliquant de l’encre à la surface extérieure de l’élément métallique. Par conséquent, même au cas où un composant électronique (le substrat de câblage sur lequel est monté un dispositif à semi-conducteurs) est exposé à un environnement à haute température, le renfoncement ne change pas et peut être reconnu correctement comme marque, contrairement au cas où une marque est formée en utilisant de l’encre. Aussi, puisque, contrairement à de l’encre, le renfoncement ne se gazéifie pas, il est possible d’éviter la survenue d’une défaillance électrique ou d’une détérioration de performance de scellement, qui surviendrait autrement à cause d’une corrosion du câblage du substrat de base par du gaz. Notamment, dans le substrat de câblage de la présente invention, la survenue d’une défaillance du composant électronique (le substrat de câblage sur lequel est monté un dispositif à semi-conducteurs) peut être évitée. Par ailleurs, puisque le renfoncement est formé avant que l’élément métallique ne soit disposé sur le substrat de base, une étape d’application d’encre une fois que le substrat de câblage est terminé devient inutile, et il est possible d’éliminer le risque de griffure ou de salissure lors de l’application d’encre.
(2) Le substrat de câblage du mode décrit ci-dessus peut être configuré comme suit. La première face est rectangulaire. Le plan est parallèle à un côté de la première face. Le substrat de base et l’élément métallique ont des formes planes symétriques par rapport au plan. Le renfoncement est formé sur une parmi deux surfaces extérieures de l’élément métallique qui sont situées sur des côtés opposés du plan.
Dans cette configuration, chacun du substrat de base et de l’élément métallique a une forme plane symétrique rectangulaire. Notamment, même au cas où à la fois le substrat de base et l’élément métallique ont des formes planes symétriques, rendant ainsi la reconnaissance de leurs orientations difficile, le renfoncement servant de marque permet la reconnaissance de l’orientation du substrat de câblage.
La présente invention peut être réalisée dans des modes divers. Par exemple, la présente invention peut être réalisée comme substrat de câblage, dispositif à semi-conducteurs, composant électronique ou système comportant le substrat de câblage, le dispositif à semi-conducteurs, et/ou le composant électronique.
DISPOSITIF ET PROCEDE DE GENERATION D’UN NUAGE DE POINTS D’UN OBJET AU-DESSUS D’UNE SURFACE DE DETECTION Domaine de l’invention L’invention concerne un dispositif électronique pour la détection d’un objet en champ proche devant une surface de détection. L’invention concerne également une méthode pour la détection d’un tel objet.
État de la technique Il existe aujourd’hui des dispositifs de détection d’un objet ou plusieurs objets basés sur l’utilisation d’optiques.
Par exemple, le document FR3103341 décrit l’utilisation d’un appareil tel qu’une caméra ou une caméra de profondeur pour détecter une main d’un utilisateur ou la reconnaissance d’un geste de la main.
Un inconvénient de ce genre de dispositif est que le cône de détection ou d’un champ de vue d’une telle caméra est étroit et défini par sa lentille optique. Par conséquent, ce type de dispositif n’est pas adapté pour la détection d’un objet en champ proche, c’est-à-dire à une hauteur presque nulle par rapport au dispositif de détection.
Pour résoudre cet inconvénient, le document EP2843509 décrit un dispositif comprenant une bordure périphérique d’un écran permettant d’estimer les coordonnées d’un objet au-dessus de l’écran.
Dans l’exemple de la , le substrat 152 du circuit d’interconnexion 150 est en contact avec la surface de contact 181 du substrat de connexion 180. Cela permet d’assurer la stabilité du dispositif 100.
La représente un dispositif électronique 200 selon un autre mode de réalisation de la présente description.
Le dispositif électronique 200 est similaire au dispositif 100, sauf que la deuxième puce 130 ne dépasse pas en largeur du circuit d’interconnexion 150. Dans l’exemple de la , la deuxième puce électronique 130 ne comporte pas de deuxième région 136 et également pas de plots de connexions 131. Le deuxième puce électronique 130 n’est donc pas soudée ou reliée à un substrat de connexion 180.
Le substrat de connexion 180 n’est pas illustré en , mais pourrait être présent, et relié à la première puce 110 comme dans le dispositif 100 de la . Il serait également possible que les dispositifs 100, 200 des figures 1 et 2 ne comprennent pas de substrat 180, et que les plots de connexion 111, 131 soient reliés à d’autre circuits par exemple par des fils de connexion.
La représente un procédé de fabrication des dispositifs électroniques des figures 1 et 2.
Dans une étape 302 (PROVIDING INTERCONNECTION CIRCUIT), le circuit de connexion 150 est fourni.
Dans une étape 304 (PROVIDING FIRST AND SECOND CHIPS ON A TRANSFER SUBSTRATE), la première puce électronique 110 et la deuxième puce électronique 130 sont fournies.
Dans une étape 306 (FIX FIRST AND SECOND CHIPS ON THE TRANSFER SUBSTRATE BY MOLDING), qui est facultative, la première puce électronique 110 et la deuxième puce électronique 130 sont, maintenues fixes, par exemple côte à côte sur un substrat de transfert (non-illustré). Cette étape peut être réalisée, par exemple, en déposant les premières et deuxièmes puces 110, 130 sur le substrat de transfert, puis en déposant un matériau de moulage afin de maintenir, après durcissement, les deux puces en place.
Dans une étape 308 (MOLECULAR BONDING OF FIRST CHIP AND SECOND CHIP ON THE INTERCONNECTION CIRCUIT), les premières et deuxièmes puces 110, 130 sont assemblées par collage hybride au circuit d’interconnexion 150.
Dans une étape 310 (REMOVE TRANSFER SUBSTRATE), qui est facultative, le substrat de transfert est désolidarisé des premières et deuxièmes puces électroniques 110, 130, par exemple par un traitement de décollement laser ou thermique ou mécanique, selon le matériau de collage temporaire considéré
Dans une étape 312 (FLIP ASSEMBLY OF FIRST CHIP, SECOND CHIP AND INTERCONNECTION CIRCUIT), qui est facultative, l’ensemble formé par la première et la deuxième puce électronique 110, 130, qui sont collées moléculairement au circuit d’interconnexion 150, est retourné.
Dans une étape 314 (CONNECTING CONTACT PADS OF FIRST CHIP WITH CONTACT ELEMENTS OF CONNECTION SUBSTRATE), qui est facultative, les plots de connexion 111, 131 respectivement de la première et de la deuxième puce électronique 110, 130 sont mis en contact, par exemple par soudage ou thermocompression ou traitement thermique, avec les éléments de liaison 119, qui sont eux-mêmes mis en contact avec les plots de connexion respectifs du substrat de connexion 180.
Un tel procédé permet de limiter les coûts de fabrication avec un traitement en parallèle de l’assemblage, il permet en outre d’améliorer la précision d’assemblage.
La représente une vue schématique en coupe agrandie du dispositif 100 selon un autre mode de réalisation de la présente description. Dans l’exemple de la , les premières et deuxièmes puces électroniques 110, 130 ainsi que le circuit d’interconnexion 150 sont, par exemple, similaires à ceux des figures 1 ou 2. La vue de la se concentre sur l’interface entre la première puce 110 et le circuit d’interconnexion 150.
Dans l’exemple de la , les pistes 117 de la première puce 110 sont reliées ou connectées, par exemple, aux plots de connexion 111 de la région 114 de la première surface 116, et aux éléments de connexion 113 de la région 115 de la première surface 116.
Les plots de connexion 111 comprennent, par exemple, une ou plusieurs couches barrières (non illustrées) comme par exemple des nitrures de titane et/ou de tantale. Une couche d’isolant 402 recouvre, par exemple, en partie une face des plots de connexion 111 agencée vers l’élément de liaison électrique 119, tout en laissant une ouverture sur laquelle est agencé, par exemple, l’élément de liaison 119.
ii) lors de l'étape de mise en contact a), en co-imprégnation avec ladite solution comprenant au moins un précurseur comprenant au moins un métal du groupe VIB ;
iii) après l'étape de mise en contact a), dans une étape dite de post-imprégnation, à l'aide d'une solution contenant au moins un précurseur comprenant au moins un métal du groupe IVB.
Chaque étape a) et b) de mise en contact du support avec au moins une solution contenant au moins un précurseur de la phase active comprenant au moins un métal du groupe VIB (étape a), et de mise en contact du support par au moins une solution contenant au moins un précurseur de la phase active comprenant au moins un métal du groupe IVB (étape b) est réalisée au moins une fois et peut avantageusement être réalisée plusieurs fois, toutes les combinaisons possibles de mises en œuvre des étapes a) et b) sont incluses dans la portée de l'invention.
Chaque étape de mise en contact peut être de préférence suivie d’une étape de séchage intermédiaire. L’étape de séchage intermédiaire est effectuée à une température inférieure à 250°C, de préférence comprise entre 15°C et 240°C, plus préférentiellement entre 30°C et 220°C, encore plus préférentiellement entre 50°C et 200°C, et de manière encore plus préférentielle entre 70°C et 180°C.
Avantageusement, après chaque étape de mise en contact, on peut laisser maturer le support imprégné, éventuellement avant une étape de séchage intermédiaire. La maturation permet à la solution de se répartir de manière homogène au sein du support. Lorsqu’une étape de maturation est réalisée, ladite étape est opérée avantageusement à pression atmosphérique, sous une atmosphère inerte ou sous une atmosphère contenant de l’oxygène ou sous une atmosphère contenant de l’eau ou le solvant d’imprégnation, et à une température comprise entre 10°C et 50°C, et de préférence à température ambiante. Généralement une durée de maturation inférieure à 48 heures et de préférence comprise entre 5 minutes et 12 heures est suffisante.
Avantageusement, lorsque les étapes a) et b) ne sont pas réalisées simultanément, chaque étape de mise en contact peut être de préférence suivie d’une étape de séchage intermédiaire, telle que décrite ci-avant, puis d’une étape de sulfuration intermédiaire.
L’étape de sulfuration intermédiaire peut être réalisée avantageusement à l'aide d'un mélange gazeux H 2 S/H 2 ou H 2 S/N 2 contenant au moins 5% volumique d'H 2 S dans le mélange ou sous flux d’H 2 S pur à une température comprise entre 100°C et 600°C, sous une pression totale égale ou supérieure à 0,1 MPa pendant au moins 2 heures. De manière préférée, la température de sulfuration est comprise entre 350°C et 550°C.
Autres promoteurs Les solutions utilisées dans les différentes étapes d'imprégnation ou d'imprégnation successives peuvent éventuellement contenir au moins un précurseur d'un élément dopant choisi parmi le bore, le phosphore et le silicium. Les précurseurs d'un élément dopant choisi parmi le bore, le phosphore et le silicium peuvent également avantageusement être ajoutés dans des solutions d'imprégnation ne contenant pas les précurseurs d’au moins un métal choisi dans le groupe formé par les métaux du groupes IVB et les métaux du groupe VIB, pris seul ou en mélange. De manière préférée, l’élément dopant est le phosphore.
Les solutions utilisées dans les différentes étapes d'imprégnation ou d'imprégnation successives peuvent éventuellement contenir au moins un composé organique. Ledit composé organique peut être choisi parmi tous les composés organiques connus de l’Homme de l’Art, et est sélectionné en particulier parmi les agents chélatants, les agents non chélatants, les agents réducteurs, les agents non réducteurs. Il peut aussi être choisi parmi les mono-, di- ou polyalcools éventuellement éthérifiés, les acides carboxyliques, les sucres, les mono, di- ou polysaccharides non cycliques tels que le glucose, le fructose, le maltose, le lactose ou le sucrose, les esters, les éthers, les éthers-couronnes, les cyclodextrines et les composés contenant du soufre ou de l'azote comme l'acide nitriloacétique, l'acide ethylènediaminetetraacétique, ou la diéthylenetriamine seuls ou en mélange.
Lesdits précurseurs des métaux du groupes IVB et des métaux du groupe VIB, les précurseurs des éléments dopants et les composés organiques sont avantageusement introduits dans la ou les solutions d'imprégnation dans une quantité telle que les teneurs en élément du groupe IVB, VIB, en élément dopant et en additifs organiques sur le catalyseur final soient telles que définies plus bas.
Etape c) de séchage L’étape de séchage est effectuée à une température inférieure à 250°C, de préférence comprise entre 15°C et 240°C, plus préférentiellement entre 30°C et 220°C, encore plus préférentiellement entre 50°C et 200°C, et de manière encore plus préférentielle entre 70°C et 180°C. De manière très préférée, le séchage s’effectue à pression réduite à une température n’excédant pas 80°C. Le temps de séchage est compris entre 30 minutes et 24 heures, de préférence entre 30 minutes et 16 heures. De préférence, le temps de séchage n’excède pas 4 heures.
L’étape de séchage peut être effectuée par toute technique connue de l’Homme du métier. Elle est avantageusement effectuée sous une atmosphère inerte ou sous une atmosphère contenant de l’oxygène. Elle est avantageusement effectuée à pression atmosphérique ou à pression réduite.
Etape d) de sulfuration La sulfuration réalisée au cours de l’étape d) est destinée à sulfurer au moins partiellement le métal du groupe VIB, et éventuellement au moins partiellement le métal du groupe IVB.
L'étape d) de sulfuration peut être réalisée avantageusement à l'aide d'un mélange gazeux H 2 S/H 2 ou H 2 S/N 2 contenant au moins 5% volumique d'H 2 S dans le mélange ou sous flux d’H 2 S pur à une température comprise entre 100°C et 600°C, sous une pression totale égale ou supérieure à 0,1 MPa pendant au moins 2 heures.
De manière préférée, la température de sulfuration est comprise entre 250°C et 450°C.
Matériau Catalytique L’activité du matériau catalytique pour la production d’hydrogène par électrolyse de l’eau est assurée par une phase active comprenant, de préférence constitué de, au moins un élément du groupe VIB au moins en partie sous forme sulfurée et au moins un élément du groupe IVB au moins en partie sous forme sulfurée. Avantageusement, la phase active est choisie dans le groupe formé par les combinaisons des éléments titane-molybdène ou zirconium-molybdène ou hafnium-molybdène ou titane-zirconium-molybdène ou titane-hafnium-molybdène ou zirconium-hafnium-molybdène ou titane-tungstène ou zirconium-tungstène ou hafnium-tungstène ou titane-zirconium-tungstène ou titane-hafnium-tungstène ou zirconium-hafnium-tungstène ou titane-molybdène-tungstène ou zirconium-molybdène-tungstène ou hafnium-molybdène-tungstène.
Comme cela apparaît à la , la turbine haute pression 6 comporte classiquement un disque 11 sur lequel sont montées des aubes 12. Chaque aube 12 comporte une pale 13 s’étendant radialement vers l’extérieur depuis un pied d’aube 14 monté dans un alvéole 15 du disque 11.
Le sommet 16 de l’aube 12 est formé par l’extrémité radialement externe de l’aube 12. Le pied 14 et la pale 13 sont ici séparé par une plate-forme radialement interne 17. Le pied 14 présente une forme générale de sapin, ici à quatre branches ou lobes 18. La forme de l’alvéole 15 est complémentaire à la forme du pied 14.
Chaque branche ou lobe 18 prend appui sur une surface opposée complémentaire du disque 11. Les surfaces du pied 14 et du disque 11 en appui les unes sur les autres sont appelées portées 19. Dans la forme de réalisation illustrée à la , le pied 14 comporte quatre portées 19, agencées de façon symétrique par rapport à un plan radial médian P.
Les aubes 12 sont entourées par un carter annulaire 20. Un jeu j est formé entre les sommets 16 des aubes 12 et le carter 20 entourant les aubes 12.
Afin de maximiser le rendement de la turbomachine, il est nécessaire de limiter le débit de gaz s’écoulant dans les jeux situés entre les sommets des aubes et le carter.
En fonctionnement, ce jeu tend à augmenter avec le temps en raison de deux phénomènes.
Le premier phénomène est l’usure du sommet de l’aube générée par le frottement entre le sommet de l’aube et le carter qui lui fait face.
Le second phénomène est l’érosion thermique, c’est-à-dire l’oxydation, du sommet de l’aube, due aux fortes températures auxquelles est soumise l’aube en fonctionnement, en particulier dans le cas d’une turbine haute pression.
L’augmentation de ce jeu conduit à une dégradation des performances de la turbomachine et, par voie de conséquence, à une augmentation de la consommation et des températures de fonctionnement de la turbomachine, aggravant encore le phénomène d’oxydation.
Actuellement, lorsqu’une aube est trop usée ou trop oxydée à son sommet, elle est remplacée et rebutée. Une telle opération de maintenance est donc très coûteuse et/ou entraîne des déposes non planifiées de la turbomachine en raison d’atteintes de limites de performances.
Préférentiellement, l’extrait est destiné à être utilisé dans la prévention et/ou le traitement des maladies associés à une infection par C. acnes et/ou S. aureus, y compris les formes multi-résistantes de C. acnes et/ou S. aureus .
Par infection par C. acnes et/ou S. aureus , on entend plus préférentiellement les infections cutanées par C. acnes et/ou S. aureus mais également les infections de prothèses par C. acnes et/ou S. aureus .
Préférentiellement, l’extrait selon l’invention est destiné à être utilisé dans la prévention et/ou le traitement d’une maladie choisie parmi l’acné, le psoriasis, le vitiligo, l’acné vulgaris, la dermatite séborrhéique et la dermatite atopique.
Selon un mode de réalisation préféré, l’extrait selon l’invention est susceptible d’être obtenu par le procédé d’extraction comprenant les étapes suivantes : séchage et broyage des parties aériennes de la plante, macération aqueuse des parties aériennes obtenues à l’étape a) à température ambiante en l’absence de solvant organique, filtration de l’extrait obtenu à l’étape b) et concentration de l’extrait obtenu à l’étape c).
Selon un autre objet, l’invention se rapporte également à un tel procédé d’extraction de l’extrait aqueux.
L’invention se rapporte également à une composition comprenant l’extrait selon l’invention. Ainsi, la composition peut être pharmaceutique ou cosmétique et comprend l’’extrait selon l’invention à une concentration supérieure ou égale à 0,1 mg/ml.
Lorsqu’il s’agit d’une composition cosmétique, elle comprend l’extrait selon l’invention et au moins un excipient cosmétiquement acceptable. Lorsqu’il s’agit d’une composition pharmaceutique, elle comprend l’extrait selon l’invention et au moins un excipient pharmaceutiquement acceptable.
Quelle que soit l’utilisation, la composition est sous une forme adaptée à une application topique
Lorsque la composition selon l’invention est une composition pharmaceutique, elle est destinée à être utilisée comme médicament.
Lorsque la composition selon l’invention est une composition cosmétique, elle est destinée à être utilisée comme produit cosmétique c’est-à dire visant à traiter des personnes saines, non malade.
Ainsi, l’invention se rapporte également aux utilisations cosmétiques de l’extrait ou de la composition le comprenant pour ses effets cosmétiques, en particulier pour un effet anti-rougeur et/ou anti-gonflement ou lutter contre un œdème.
Brève description des Figures représente l’effet anti-inflammatoire sur des cellules CACO-2 incubées avec différents extraits. Les cellules ont été stimulées avec 0,25 ng/ml d'IL-1β, sauf lorsqu'il est indiqué "sans IL-1β" (C0%), en triplicat. Les C100% sont des cellules sans échantillon de test. Les surnageants cellulaires résultants ont été dilués à 1/10 directement après l'échantillonnage et analysés par ELISA pour l'IL-6.
Par « extrait » ou « extrait aqueux » d’une plante du genre Aster au sens de l’invention, on entend un ensemble d’une ou plusieurs molécules obtenues à partir d’un extrait du genre Aster , préférentiellement des parties aériennes, selon un procédé d’extraction aqueux.
Par « parties aériennes » on entend au sens de l’invention l’appareil végétatif d’une plante regroupant les organes tels que la tige, les bourgeons, les feuilles, les fleurs, les fruits, préférentiellement les feuilles. Par « parties aériennes » on entend également tout ou partie des parties aériennes soit la tige et/ou les bourgeons et/ou les feuilles et/ou les fleurs et/ou éventuellement les fruits, préférentiellement les feuilles.
Présentation de l’invention L’invention vise à remédier de façon simple, fiable et peu onéreuse aux problèmes précités.
A cet effet, l’invention propose un procédé de maintenance d’une roue aubagée de turbine haute pression d’une turbomachine, s’étendant selon un axe, comportant un disque comprenant des alvéoles, et des aubes s’étendant radialement et comportant chacune une pale et un pied radialement interne, le pied de chaque aube étant monté dans un alvéole du disque, ledit pied étant en appui sur le disque par l’intermédiaire de surfaces du pied et du disque formant des portées, caractérisé en ce qu’au moins un clinquant est monté de façon amovible entre le pied d’au moins une aube et le disque, au niveau des portées correspondantes, ledit procédé comportant les étapes suivantes :
- mesurer un jeu radial entre le sommet d’au moins une aube, c’est-à-dire l’extrémité radialement externe de l’aube, et un carter de la turbomachine situé en regard de la roue aubagée,
- si le jeu radial est supérieur à une valeur déterminée, retirer ledit clinquant.
Le procédé suivant l’invention vise ainsi à déterminer l’état d’usure ou de déformation de la turbine haute pression par mesure du jeu radial entre le sommet de l’aube et le carter et, si le jeu radial précité est trop important, retirer le clinquant. Le retrait du clinquant permet alors de réduire le jeu radial entre le sommet de l’aube et le carter, de manière à retrouver des performances acceptables, à moindre coût, sans remplacement ou réparation des aubes ou du carter.
Au moins un clinquant peut être monté entre le pied de chaque aube et le disque, au niveau des portées correspondantes, l’ensemble des clinquants étant retiré si le jeu radial est supérieur à ladite valeur déterminée.
De cette manière, on évite de créer des disparités ou des marches formées par des différences de positionnement des sommets d’aubes sur la circonférence de la turbomachine. De telles marches peuvent générer des perturbations aérodynamiques affectant le bon fonctionnement de la turbomachine.
Le clinquant peut être monté de façon amovible sur le pied d’aube.
Le clinquant peut être monté de façon amovible sur le disque, par exemple dans l’alvéole ou sur une dent du disque délimitée entre deux alvéoles adjacents.
Le clinquant peut comporter une surface de butée radiale, venant en appui sur une surface de butée complémentaire du pied de l’aube ou du disque.
Une telle caractéristique permet de faciliter le bon positionnement axial du clinquant et permet également de retenir axialement le clinquant en position lors du fonctionnement de la turbomachine.
Le clinquant peut présenter une épaisseur comprise entre 0,1 et 0,9 mm.
Le clinquant peut être réalisé dans un alliage à base de cobalt.
Le clinquant est par exemple réalisé dans un alliage connu sous la référence MP 159.
Le pied de l’aube peut être un pied en forme générale de sapin.
Chaque pied peut présenter une forme symétrique par rapport à un plan radial médian.
Là où les solutions de l’art antérieur imposent de faire cheminer individuellement des réseaux pour relier chaque capteur filaire au boîtier, sur un véhicule (1) qui n’a pas été prévu à cet effet, et qui ne présente donc pas d’aménagements dans ce but, l’invention permet de supprimer purement et simplement l’étape de câblage des capteurs (31).