INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
En conséquence, du côté de la région de drain D, la région de conduction légèrement dopée LDD, LDD2 s’étend de part et d’autre de la région de conduction D, dans la première direction, sous la structure de grille STG à partir dudit bord de la deuxième région de grille RG2brd et sous la plaque de champ FP à partir dudit bord de la plaque de champ FPbrd1. Du côté de la région de source S, la région de conduction légèrement dopée LDDs s’étend sous la structure de grille STG, dans la première direction, à partir du bord de la deuxième région de grille RG2brd définissant l’implantation de la source S.
Les régions de conduction S, D ont une première concentration en dopants et s’étendent dans le substrat PSUB depuis la face avant FA à une première profondeur. La région de conduction légèrement dopée LDDs, LDD, LDD2 (comme c’est le cas des régions de drain légèrement dopées conventionnelles) a quant à elle une deuxième concentration en dopants inférieure à la première concentration, et s’étend dans le substrat PSUB depuis la face avant FA à une deuxième profondeur inférieure à la première profondeur.
En outre, la plaque de champ FP est avantageusement électriquement connectée à la région de drain D, par exemple par l’intermédiaire de piliers métalliques de contacts CNT et d’une piste métallique d’un niveau de métal M1.
En effet, c’est typiquement la région de drain D qui est sujette aux phénomènes d’avalanche, étant donné que c’est typiquement sur le drain D que sont appliqués les potentiels absolus les plus grands, positivement pour un transistor de type N et négativement pour un transistor de type P, tandis que des potentiels absolus moins grands sont typiquement appliqués sur la source.
En conséquence, l’effet de champ au niveau de la jonction PN entre le drain et le substrat, généré par la plaque de champ PL au potentiel du drain D, permet de renforcer la tenue en tension de la jonction PN, c’est-à-dire d’augmenter la tension d’avalanche du transistor 200.
L’effet d’augmentation de la tension d’avalanche du transistor 200 par la plaque de champ PL polarisée à une tension du même signe que la tension de la région de drain D est obtenu par effet de champ dans la jonction PN et n’est pas lié à la présence de la région de conduction légèrement dopée LDD2 sous la plaque de champ PL.
Cela étant, comme mentionné précédemment et décrit ci-après en relation avec la , la présence de la plaque de champ PL engendre la présence de la région de conduction légèrement dopée LDD2 sous la plaque de champ PL, par les étapes d’implantations auto-alignées.
Par ailleurs, la présence de la région de conduction légèrement dopée LDD2 sous la plaque de champ PL permet en outre d’augmenter indépendamment la tension d’avalanche du transistor 200.
La représente une partie de la vue en coupe du transistor 200 de la , dans laquelle est représentée la concentration en dopants dans le substrat PSUB, et en particulier dans la région de drain D et la région de conduction légèrement dopée LDD, LDD2 sous la structure de grille STG et sous la plaque de champ FP. La concentration en dopant est représenté de façon schématique par des lignes « isoplèthes » de concentrations égales en dopants de type N (par exemple, pour le cas d’un transistor de type N), avec la plus petite concentration au niveau du substrat PSUB et la plus grande concentration au niveau du drain D.
Selon une caractéristique de l’invention, les bouches de sortie des conduits de sortie s’étendent dans un plan commun qui est parallèle à l’axe de rotation de la turbine. Plus particulièrement, le plan commun des bouches de sortie comprend au moins une droite parallèle à l’axe de rotation de la turbine.
Selon une caractéristique de l’invention, les bouches de sortie des conduits de sortie sont alignées le long d’un axe qui est perpendiculaire à l’axe de rotation de la turbine.
Selon une caractéristique de l’invention, un plan d’ouverture d’une ouverture de sortie de l’organe de séparation est décalé axialement d’un plan de séparation de la paroi de séparation de la volute.
L’invention porte également sur un dispositif de ventilation, chauffage et/ou climatisation pour un habitacle d’un véhicule comprenant au moins un groupe motorisé de ventilation selon l’une quelconque des caractéristiques précédentes, le groupe motorisé de ventilation étant configuré pour fournir simultanément un flux d’air qui provient de l’habitacle ou un flux d’air qui provient d’un environnement extérieur à l’habitacle.
est une vue générale en perspective d'un véhicule comprenant au moins un dispositif de ventilation, chauffage et/ou climatisation ;
est une vue en perspective d’un groupe motorisé de ventilation du dispositif de ventilation, chauffage et/ou climatisation de la ;
est une vue en coupe selon un plan Y-Y illustré sur la du groupe motorisé de ventilation de la ;
est une vue en perspective d’une partie du groupe motorisé de ventilation de la ;
est une vue en coupe axiale du groupe motorisé de ventilation pris dans un plan X-X illustré sur la ;
est une vue de face des au moins deux conduits de sortie du groupe motorisé de ventilation selon l’invention.
Il faut tout d’abord noter que si les figures exposent l’invention de manière détaillée pour sa mise en œuvre, ces figures peuvent bien entendu servir à mieux définir l’invention, le cas échéant. Il est également à noter que ces figures n’exposent que quelques exemples de réalisation de l’invention.
La illustre un dispositif de ventilation, chauffage et/ou climatisation 1 pour un habitacle 3 d’un véhicule 5, ici automobile, destiné à réguler la température d’un flux d’air F envoyé dans l’habitacle 3. Le dispositif de ventilation, chauffage et/ou climatisation 1, ci-après nommé le dispositif 1, assure un traitement aéraulique et thermique du flux d’air
F dirigé vers l’habitacle 3 du véhicule en modifiant la température d’un flux d’air F1 provenant de l’habitacle 3 et/ou d’un flux d’air F2 provenant d’un environnement extérieur à l’habitacle 3. L’utilisation de l’un et/ou l’autre des flux d’air F1, F2 provenant de l’habitacle 3 ou de l’environnement extérieur de l’habitacle 3 est conditionnée aux besoins d’un utilisateur du véhicule 5, et notamment en fonction d’une zone de l’habitacle 3 au niveau de laquelle est dirigé le flux d’air F en sortie du dispositif 1.
Selon un exemple non limitatif de l’invention, lorsque le flux d’air F en sortie du dispositif 1 est dirigé vers une surface vitrée 7 de l’habitacle 3, l’utilisation majoritaire du flux d’air F2 provenant de l’environnement extérieur à l’habitacle 3 est préférée, tandis que l’utilisation majoritaire du flux d’air F1 provenant de l’habitacle 3 est préférée lorsque le flux d’air F en sortie du dispositif 1 est dirigé dans une zone de l’habitacle 3 à distances des surfaces vitrées 7. En effet, le flux d’air F1 provenant de l’habitacle 3, bien qu’à une température proche de la température souhaitée, est plus chargé en humidité, notamment par la respiration du au moins un utilisateur du véhicule 5 et peut donc occasionner des phénomènes de condensation sur les surfaces vitrées 7 du véhicule 5. Par ailleurs, le flux d’air F2 provenant de l’environnement extérieur à l’habitacle 3, bien que plus frais que le flux d’air F1 provenant de l’habitacle 3, est moins chargé en humidité que ce dernier et est donc préféré lorsque le flux d’air
F en sortie du dispositif 1 est dirigé vers une des surfaces vitrées 7, afin d’éviter des phénomènes de condensation.
La région 14 repose sur une région 16 du caisson. La région 14 est plus fortement dopée que la région 16. Par exemple, la concentration en dopants dans la région 14 est au moins dix fois plus importante que la concentration en dopants dans la région 16. La région 14 est située dans toute la périphérie du caisson 12. La région 14 forme donc un contour fermé.
Le caisson 12 comprend une région 18. La région 18 est une région dopée du même type de conductivité que la région 14 et la région 16. La région 18 est plus fortement dopée que la région 16, par exemple au moins deux fois plus dopée. Autrement dit, la concentration en dopants dans la région 18 est au moins deux fois supérieure à la concentration en dopants dans la région 16. La région 18 est par exemple moins fortement dopée que la région 14.
La région 18 affleure la face supérieure du caisson 12. La région 18 a une épaisseur inférieure à l'épaisseur de la région 14. La région 18 repose sur la région 16.
La région 18 est située à l'intérieur du contour formé par la région 14. La région 18 est ainsi entourée par la région 14. La région 18 est en contact latérale avec la région 14. Par exemple, le contact, ou interface, entre les régions 14 et 18 entoure entièrement la région 18.
La région 18 entoure par exemple une région 20. La région 20 affleure la face supérieure du caisson 12. La région 20 est une portion de la région 16 et est de préférence en contact avec les portions de la région 16 sur lesquelles les régions 14 et 18 reposent. La région 20 est plus faiblement dopée que les régions 14 et 18. Par exemple, la région 20 est au moins deux fois moins dopée que la région 18. Autrement dit, la concentration en dopants de la région 20 est inférieure, par exemple au moins deux fois plus faible, que la concentration en dopants de la région 18. La concentration en dopants de la région 20 est par exemple sensiblement égale à la concentration en dopants du reste de la région 16.
La cellule mémoire 10 comprend une couche isolante 22, par exemple en un oxyde, par exemple en oxyde de silicium. La couche 22 repose sur le caisson 12. La couche 22 recouvre entièrement la région 20. La couche 22 recouvre au moins partiellement, de préférence entièrement la région 18. La couche 22 recouvre par exemple partiellement la région 14.
La couche 22 comprend une première partie, ou partie centrale, 22a et une deuxième partie, ou partie périphérique, 22b. La couche 22 comprend de préférence uniquement les première et deuxième parties. La séparation entre les parties 22a et 22b est représentée en pointillés dans les figures 2 et 3. La partie 22a est entourée, de préférence entièrement, par la partie 22b dans un plan parallèle à la face supérieure du caisson 12.
La partie 22a a une épaisseur inférieure à l'épaisseur de la partie 22b. De préférence, l'épaisseur de la partie 22b est au moins une fois et demi plus élevée que l'épaisseur de la partie 22a, par exemple au moins deux fois plus élevée. L'épaisseur de la partie 22a est de préférence constante. De même, l'épaisseur de la partie 22b est de préférence constante.
Les parties 22a et 22b ont de préférence une face inférieure commune et plane. Ladite face inférieure est de préférence en contact avec le caisson 12. Les faces supérieures des parties 22a et 22b, c’est-à-dire les faces opposées à la face inférieure, sont de préférence parallèles entre elles.
La partie 22a recouvre de préférence entièrement la région 20. La partie 22a recouvre au moins partiellement, de préférence partiellement, la région 18. La région 18 est par exemple en contact avec toute une portion périphérique de la partie 22a, plus précisément avec la face inférieure de la portion périphérique de la couche 22. La région 22b recouvre par exemple partiellement la région 18. La région 22b recouvre par exemple entièrement la portion périphérique de la région 18. La région 18 est par exemple recouverte entièrement par la partie 22a et la partie 22b. La partie 22a repose de préférence uniquement sur les régions 18 et 20. La partie 22b recouvre par exemple partiellement la région 14. De préférence, au moins une partie de la région 14 n'est pas recouverte par la couche 22.
La couche 22 est recouverte, de préférence entièrement, par une couche 24. La couche 24 est en un matériau conducteur ou semiconducteur, par exemple en silicium polycristallin. La couche 24 recouvre de préférence uniquement la couche 24. Ainsi, les parois latérales de la couche 24 sont par exemple coplanaires aves les parois latérales de la couche 22, c’est-à-dire les parois latérales de la partie 22b. La couche 24 est par exemple en contact avec toute la face supérieure de la couche 24. La couche 24 est séparée du caisson 12 par la couche 22. Ainsi, la couche 24 n'est pas en contact avec le caisson 12.
La cellule 10 comprend en outre des espaceurs 26 recouvrant les parois latérales des couches 22 et 14. Les espaceurs recouvrent de préférence toutes les parois latérales des couches 22 et 24. De préférence, au moins une partie de la région 14 n'est pas recouverte par la couche 22 ou les espaceurs 26.
La cellule 10 comprend des vias conducteurs, ou contacts, 28. La région 14 est en contact avec au moins un vias 28. Dans l'exemple des figures 1 à 3, la région 14 est en contact avec deux vias 28. La couche 24 est en contact avec au moins un via 28, par exemple un unique via 28.
De préférence, la distance entre deux points de la partie 22b séparés par la partie 22a est au moins égale à 1,5 µm. Par exemple, la distance entre deux points de la région 18 séparés par la partie 20 est au moins égale à 0,5 µm. Ainsi, la plus petite dimension, dans le plan de la face supérieure du caisson 12, de la portion de la partie 22a en regard de la région 18 est par exemple au moins égale à 0,5 µm. Le rapport entre la largeur de la partie 22b et la largeur de la partie 22a est par exemple supérieure ou égale à 2. Autrement dit, la largeur de la partie 22b est au moins deux fois supérieure à la largeur de la partie 22a. Par largeur de la partie 22b, on entend la distance entre la paroi latérale extérieure de la partie 22b, c’est-à-dire la paroi latérale la plus éloignée de la partie 22a et la paroi latérale interne, c’est-à-dire l'interface entre les parties 22a et 22b. Par largeur de la partie 22a, on entend la distance entre deux parois latérales de la partie 22a dans le plan dans lequel la largeur de la partie 22b est mesurée.
Lors d'une étape de programmation de la cellule mémoire, un courant traverse la cellule entre la couche 24 et la région 14, en passant par la couche 22 et la région 18. La valeur du courant est suffisamment importante pour faire craquer, ou casser, le matériau de la couche 22, c’est-à-dire l'endommager, de préférence uniquement en un emplacement. Ainsi, audit emplacement, le matériau de la couche 22 n'est plus isolant électriquement.
De manière à déterminer la donnée mémorisée par la cellule, on détermine par exemple la résistance entre la couche 24 et la région 14. La cellule mémoire est considérée comme mémorisant une première valeur binaire si la résistance est élevée, par exemple supérieure à un seuil, ce qui correspond au cas où le matériau de la couche 22 n'a pas été craqué, et une deuxième valeur binaire si la résistance est faible, par exemple inférieure au seuil, ce qui correspond au cas où le matériau de la couche 22 a été craqué.
L’invention porte donc sur un module thermique d’un circuit de fluide réfrigérant, le module thermique comprenant au moins deux échangeurs de chaleur et un dispositif d’accumulation du fluide réfrigérant, le module thermique comprenant une plaque commune à au moins aux deux échangeurs de chaleur et au dispositif d’accumulation, caractérisé en ce que la plaque commune comprend au moins deux conduites du circuit de fluide réfrigérant formées dans un volume de la plaque commune, chacune des conduites reliant le dispositif d’accumulation à un des échangeurs de chaleur.
On entend par plaque commune le fait que ladite plaque commune est en contact direct avec les au moins deux échangeurs de chaleur et avec le dispositif d’accumulation. En d’autres termes, la plaque commune forme un élément de maintien mécanique qui porte au moins les deux échangeurs de chaleur et le dispositif d’accumulation.
Les conduites formées dans la plaque commune correspondent à des évidements de matière dans une épaisseur de la plaque commune. Dit autrement, les conduites s’étendent dans le volume de la plaque commune et servent à canaliser le fluide réfrigérant quand il passe d’un composant à l’autre.
Selon une caractéristique de l’invention, les au moins deux échangeurs de chaleur sont disposés au contact d’une même face de la plaque commune.
Selon une caractéristique de l’invention, le dispositif d’accumulation est au contact de la face de la plaque commune sur laquelle sont disposés les au moins deux échangeurs de chaleur.
Selon une caractéristique de l’invention, chaque conduite comprend un premier port et un deuxième port, chaque port de chacune des conduites s’ouvrant sur une face supérieure de la plaque commune. On comprend que la face supérieure de la plaque commune correspond à la face sur laquelle sont disposés les aux moins deux échangeurs de chaleur.
Selon une caractéristique de l’invention, au moins un des échangeurs de chaleur s’étend dans un plan d’extension au moins en partie contenu dans une épaisseur de la plaque commune.
Selon une caractéristique de l’invention, la plaque commune comprend une face supérieure et une face latérale, chaque conduite comprenant un premier port et un deuxième port, au moins un des ports s’ouvrant sur la face supérieure et au moins un deuxième port s’ouvrant sur la face latérale. On comprend que l’au moins un des échangeurs de chaleur qui s’étend dans un plan d’extension au moins en partie contenu dans l’épaisseur de la plaque commune est au contact, au moins partiellement, de la face latérale de la plaque commune.
Le module de distribution 50 de fluide réfrigérant comporte : - un premier canal 11 de circulation de fluide réfrigérant, reliant une première entrée E1 et une première sortie S1, - un deuxième canal 12 de circulation reliant une deuxième sortie S2 et une première zone de connexion C1 disposée sur le premier canal 11 entre la première entrée E1 et la première sortie S1, le deuxième canal 12 de circulation comportant une première vanne d’arrêt 5, - un troisième canal 13 de circulation reliant une deuxième entrée E2 et une troisième sortie S3, le troisième canal 13 comportant une deuxième vanne d’arrêt 6, - un quatrième canal 14 de circulation reliant une deuxième zone de connexion C2 disposée sur le deuxième canal 12 entre la première vanne d’arrêt 5 et la deuxième sortie S2, et une troisième zone de connexion C3 disposée sur le troisième canal 13 entre la deuxième entrée E2 et la deuxième vanne d’arrêt 6, le quatrième canal 14 comportant une vanne unidirectionnelle 4 configurée pour autoriser une circulation de fluide réfrigérant de la troisième zone de connexion C3 vers la deuxième zone de connexion C2, la vanne unidirectionnelle 4 étant également configurée pour interdire une circulation de fluide réfrigérant de la deuxième zone de connexion C2 vers la troisième zone de connexion C3, - un cinquième canal 15 de circulation reliant une troisième entrée E3 et une quatrième zone de connexion C4 disposée sur le troisième canal 13 entre la deuxième vanne d’arrêt 6 et la troisième sortie S3.
Le module de distribution 50 de fluide réfrigérant comprend une pluralité de blocs élémentaires 21, 22, 23, 24, 25 assemblés ensemble.
Le module de distribution 50 de fluide réfrigérant permet de regrouper la plupart des entrées/sorties dans un ensemble compact. De plus, les principales vannes sont également regroupées dans le module. Le module de distribution proposé est ainsi plus facile à implanter que lorsque les différents composants sont montés indépendamment. De plus, le module de distribution 50 de fluide réfrigérant peut ainsi être réalisé à partir de composants standardisés. Lorsqu’un module de distribution doit être développé par une nouvelle application, seuls certains blocs élémentaires peuvent être modifiés, et les autres blocs élémentaires peuvent être réutilisés. Cette approche permet de développer de nouvelles applications en limitant le nombre d’outillages de production spécifiques nécessaires. Les activités de développement et de validations sont également réduites.
Au sens de la présente demande, chaque canal possède exactement une entrée et une sortie. Autrement dit, un canal n’est pas ramifié. Les portions de circuit disposées en parallèle sont formées par au moins deux canaux distincts. Chaque entrée du module est une entrée de fluide réfrigérant et chaque sortie est une sortie de fluide réfrigérant.
Le premier canal 11 s’étend entre la première entrée E1 et la première sortie S1. Le deuxième canal 12 s’étend entre la deuxième sortie S2 et la première zone de connexion C1. Le troisième canal 13 de circulation s’étend entre la deuxième entrée E2 et la troisième sortie S3. Le quatrième canal 14 ne relie pas une entrée du module de distribution à une sortie du module de distribution. Le quatrième canal 14 est un canal interne, c’est-à-dire entièrement contenu à l’intérieur du module de distribution 50. Le quatrième canal 14 relie entre eux le deuxième canal 12 et le troisième canal 13. Le quatrième canal 14 de circulation s’étend entre la deuxième zone de connexion C2 disposée sur le deuxième canal 12 et la troisième zone de connexion C3 disposée sur le troisième canal 13. Le cinquième canal 15 s’étend entre la troisième entrée E3 et la quatrième zone de connexion C4 disposée sur le troisième canal 13.
Chaque zone de connexion établit une communication fluidique entre deux canaux. Une zone de connexion est délimitée par l’intersection entre deux canaux. On parle de zone de connexion et non de point de connexion car les canaux de circulation de fluide sont des éléments volumiques. Chaque zone de connexion forme un piquage d’un canal sur un autre canal.
Selon le mode de réalisation du module de distribution 50 de fluide réfrigérant illustré ici, chaque canal de circulation de fluide 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19 est formé par un évidement interne d’au moins un bloc élémentaire. Les canaux de circulation de fluide réfrigérant sont ainsi intégrés à l’intérieur de la structure du module de distribution. Le module ne comporte pas de tuyaux ou durites saillantes, ou au moins en comporte un nombre très réduit. L’espace occupé par le module de distribution 50 est réduit, et son montage est facilité. De plus, les canaux de circulation de fluide peuvent être réalisés par des procédés de fabrication simples. L’évidement interne peut notamment être obtenu par usinage, par exemple par perçage. La surface usinée est en contact avec du fluide réfrigérant.
Les figures 8 à 10 schématisent notamment le circuit de circulation de fluide formé par différents modes de réalisation du module de distribution 50. Sur ces figures, les portions de circuits délimitées par les différents blocs élémentaires sont entourées en pointillés. Les portions de circuit contenues à l’intérieur du module 50 sont en traits épais, et les portions de circuit non contenues dans le module 50 sont en traits fins.
La vanne unidirectionnelle 4 est une vanne passive. La vanne unidirectionnelle 4 est par exemple un clapet anti-retour. La première vanne d’arrêt 5 est une vanne à commande électrique. La deuxième vanne d’arrêt 6 est une vanne à commande électrique. Une unité électronique de contrôle 45 peut commander l’ouverture et la fermeture de la première vanne d’arrêt 5 et de la deuxième vanne d’arrêt 6.
La première entrée E1 est configurée pour recevoir du fluide réfrigérant à haute pression. Le fluide réfrigérant à haute pression parvenant à la première entrée E1 provient par exemple d’un condenseur 8 ou d’un échangeur de chaleur interne 35. La deuxième entrée E2 est configurée pour recevoir du fluide réfrigérant en sortie d’un premier échangeur de chaleur 1 configuré pour fonctionner sélectivement en évaporateur ou en condenseur. Lorsque le premier échangeur de chaleur 1 fonctionne en évaporateur, la deuxième entrée E2 est alimentée en fluide réfrigérant à basse pression. Lorsque le premier échangeur de chaleur 1 fonctionne en condenseur, la deuxième entrée E2 est alimentée en fluide réfrigérant à haute pression. La troisième entrée E3 est configurée pour recevoir du fluide réfrigérant à basse pression en sortie d’un deuxième échangeur de chaleur 2 configuré pour fonctionner en évaporateur.