Procédé de réalisation d’au moins un détecteur élémentaire (10a-10c) d’un rayonnement infrarouge, chaque détecteur élémentaire (10a-10c) comprenant au moins deux micro-bolomètres (11) associés chacun à un filtre distinct (21a-21c) d’une fenêtre optique (13), le procédé comprenant les étapes suivantes : – dépôt et structuration d’une couche sacrificielle (22) sur un substrat d’embase (12) ; – formation de clous d’ancrage (23) à travers la couche sacrificielle (22) ; – réalisation d’une membrane (26) pour chacun des micro-bolomètres (11) sur les clous d’ancrage (23) ; – élimination de la couche sacrificielle (22) pour mettre en suspension les membranes (26) des micro-bolomètres (11) sur les clous d’ancrage (23) ; – gravure d’au moins une partie d’une face interne (16) de la fenêtre optique (13) pour définir deux niveaux de profondeurs distincts : un niveau de liaison (NL) correspondant aux parties de la fenêtre optique (13) qui ne sont pas gravées et un niveau cavité (NC) correspondant à ladite au moins une partie gravée de la fenêtre optique (13) ; – structuration d’un ensemble de réseaux périodiques de diffraction spécifiques (21a-21c) avec des propriétés de filtration distinctes en termes de longueurs d’onde dans le niveau cavité (NC) ; – réalisation d’un filtre (20a-20b) sur une face externe (17) de la fenêtre optique (13), opposée à la face interne (16) ; – report du niveau de liaison (NL) de la fenêtre optique (13) sur des zones de support (25) du substrat d’embase (12) de sorte que les réseaux périodiques de diffraction spécifiques (21a-21c) sont disposés en regard desdits au moins deux micro-bolomètres (11) ; et – collage direct de type SAB du niveau de liaison (NL) de la fenêtre optique (13) sur les zones de support (25) du substrat d’embase (12). Procédé de réalisation d’au moins un détecteur élémentaire d’un rayonnement infrarouge selon la revendication 1, dans lequel le procédé comporte une étape de réalisation d’une structure porteuse (24) à travers ladite couche sacrificielle (15), les zones de support (25) étant réalisées sur la structure porteuse (24). Procédé de réalisation d’au moins un détecteur élémentaire d’un rayonnement infrarouge selon la revendication 1 ou 2, dans lequel , préalablement à l’étape de report du niveau de liaison (NL) de la fenêtre optique (13) sur les zones de support (25) du substrat d’embase (12), le niveau de liaison (NL) de la fenêtre optique (13) et/ou les zones de support (25) subissent une étape de planarisation. Procédé de réalisation d’au moins un détecteur élémentaire d’un rayonnement infrarouge selon l’une des revendications 1 à 3, dans lequel un matériau getter (19) est déposé dans le niveau cavité (NC) de la fenêtre optique (13) en dehors des zones de réalisation des réseaux périodiques de diffraction spécifiques (21a-21c). Procédé de réalisation d’au moins un détecteur élémentaire d’un rayonnement infrarouge selon l’une des revendications 1 à 3, dans lequel un matériau getter (19) est déposé dans une tranchée (18) du niveau cavité (NC) de la fenêtre optique (13), ladite tranchée (18) étant ménagée en dehors des zones de réalisation des réseaux périodiques de diffraction spécifiques (21a-21c). Procédé de réalisation d’au moins un détecteur élémentaire d’un rayonnement infrarouge selon la revendication 4 ou 5, dans lequel le matériau getter (19) est réalisé en zirconium, en titane, en vanadium, en hafnium, en niobium, en tantale, en cobalt, en yttrium, en baryum, en fer, en palladium, en platine ou en alliage de ces matériaux, complété éventuellement par du chrome (Cr), de l’aluminium (Al), du nickel (Ni) et des terres rares, telles que le cérium (Ce), le césium (Cs), le scandium (Sc) ou le lanthane (La). Procédé de réalisation d’au moins un détecteur élémentaire d’un rayonnement infrarouge selon l’une des revendications 4 à 6, dans lequel , préalablement au report du niveau de liaison (NL) de la fenêtre optique (13) sur les zones de support (25) du substrat d’embase (12), le matériau getter (19) est thermiquement activé sous une pression compatible avec les conditions de pression du collage direct de type SAB, ladite pression étant conservée lors des étapes de report et de collage direct de la fenêtre optique (13) sur les zones de support (25). Procédé de réalisation d’au moins un détecteur élémentaire d’un rayonnement infrarouge selon la revendication 7, dans lequel le matériau getter (19) est activé sous une pression comprise entre 10 -9 et 10 -7 mbar. Procédé de réalisation d’au moins un détecteur élémentaire d’un rayonnement infrarouge selon l’une des revendications 1 à 8, dans lequel l’étape de structuration du niveau cavité (NC) de la fenêtre optique (13) est réalisée par une gravure ionique réactive, une gravure humide ou une ablation laser. Procédé de réalisation d’au moins un détecteur élémentaire d’un rayonnement infrarouge selon l’une des revendications 1 à 9, dans lequel le filtre (20a) de la face externe (17) de la fenêtre optique (13) est constitué d’un réseau périodique de diffraction. Procédé de réalisation d’au moins un détecteur élémentaire selon l’une des revendications 1 à 9, dans lequel le filtre (20b) de la face externe (17) de la fenêtre optique (13) est constitué d’un filtre multicouche interférentiel. Détecteur élémentaire (10a-10c) d’un rayonnement infrarouge comprenant : – un substrat d’embase (12) sur lequel au moins deux micro-bolomètres (11) sont montés en suspension, les membranes des micro-bolomètres (11) s’étendant dans un même plan ; et – une fenêtre optique (13) comprenant : . une face interne (16) présentant deux niveaux de profondeurs distincts : un niveau de liaison (NL) et un niveau cavité (NC) ; le niveau cavité (NC) de la face interne (16) comprenant au moins deux réseaux périodiques de diffraction spécifiques (21a-21c) avec des propriétés de filtration distinctes des longueurs d’onde du rayonnement infrarouge ; . une face externe (17) de la fenêtre optique (13), opposée à la face interne (16), comprenant un réseau périodique de diffraction (20a) ou un filtre multicouche interférentiel (20b) présentant une capacité de filtration uniforme du rayonnement infrarouge pour lesdits au moins deux micro-bolomètres (11) ; le niveau de liaison (NL) de la fenêtre optique (13) étant fixé sur des zones de support (25) du substrat d’embase (12) de sorte que chaque réseau périodique de diffraction spécifique (21a-21c) est disposé en regard d’un seul micro-bolomètre (11). Détecteur élémentaire selon la revendication 12, dans lequel la distance séparant le niveau cavité (NC) de la fenêtre optique (13) et les membranes des micro-bolomètres (11) est inférieure à 10 micromètres. Capteur infrarouge comprenant : – un substrat d’embase (12) intégrant un circuit de lecture ; – un ensemble de détecteurs élémentaires (10a-10c) selon la revendication 12 ou 13, connectés au circuit de lecture, et agencés sous forme matricielle sur le substrat d’embase (12).