INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
La jupe de montage peut se prolonger axialement sous la paroi transversale, ce qui permet d’accroître la surface de contact entre la bague et le corps, et améliorer la fixation.
La bague peut comporter une jupe intermédiaire, coaxiale à la jupe extérieure, et reliée à celle-ci par des nervures de renfort. Cela permet de rigidifier encore davantage la bague et ainsi de supporter plus facilement des efforts de serrage du couvercle. Cette jupe intermédiaire peut prolonger vers la bas la jupe de montage. Elle peut s’étendre à une faible distance de la paroi latérale.
La jupe de montage peut comporter sur sa surface radialement intérieure des nervures radiales de serrage venant en prise avec la paroi latérale. Cela peut améliorer la tenue de la bague sur la paroi latérale, et notamment la résistance de l’assemblage à un couple de serrage ou de desserrage du couvercle.
La bague peut être soudée ou collée au corps.
L’invention pourra être mieux comprise à la lecture de la description détaillée qui va suivre, d’exemples non limitatifs de mise en œuvre, et à l’examen du dessin annexé, sur lequel :
la est une vue en élévation avec coupe partielle schématique, d’un exemple de récipient selon l’invention,
la est une vue éclatée du pot,
la représente le pot avec le couvercle enlevé,
la est une coupe partielle et schématique illustrant un exemple de bague,
la représente de manière schématique en coupe axiale un exemple de couvercle selon l’invention,
la représente en coupe axiale, de manière schématique et partielle, le couvercle en place sur le pot,
la représente un détail de réalisation du couvercle,
la est une vue de dessous du couvercle,
Le contacteur est connecté par des barre bus 500 à des sorties 600 pour la connexion d’une charge électrique.
Sur la figure, on a représenté partiellement un aéronef 3000 dans lequel le système 2000 est utilisé.
Les modes de réalisation décrits-ci-avant permettent de protéger les contacteurs utilisés dans les aéronefs, avec un impact sur le poids et la masse des aéronefs qui est limité par rapport à d’autres solutions dans lesquelles on pourrait mettre en série un fusible avec un contacteur.
Fabrication de composants électroniques La présente description concerne la fabrication de composants électroniques. Elle vise plus particulièrement la fabrication de composants dits à montage en surface, c'est-à-dire comportant, du côté d'au moins une face, une ou plusieurs métallisations de connexion destinées à être brasées à des plages de connexion correspondantes d'un dispositif externe, par exemple une carte de circuit imprimé ou un autre composant.
Dans certaines applications, il existe un besoin pour des composants à montage en surface dans lesquels des métallisations de connexion destinées à être brasées à un dispositif externe s'étendent jusqu'aux flancs des composants. On parle de composants à flancs mouillables (en anglais "wettable flank"). Lors du montage du composant dans son environnement (par exemple, sur une carte de circuit imprimé), les métallisations de connexion, ou contacts électriques, sont soudées ou brasées à des pistes ou éléments métalliques correspondants coté circuit imprimé. Une partie du matériau de brasage remonte alors sur les flancs des composants, ce qui permet de mettre en oeuvre une inspection visuelle de la qualité des connexions. Ce besoin existe par exemple dans le domaine automobile ou le domaine médical et, plus généralement, dans les domaines où l'on souhaite garantir la fiabilité des connexions électriques, une fois les circuits montés dans leur environnement.
Il serait souhaitable d'améliorer au moins en partie certains aspects des procédés connus de fabrication de composants électroniques à flancs mouillables.
Il existe un besoin d'amélioration des composants électroniques connus et de leurs procédés de fabrication.
Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des procédé de fabrication connus des composants à flancs mouillables.
Un mode de réalisation prévoit un procédé de fabrication d'un composant électronique, comportant un substrat, comprenant les étapes successives suivantes : - déposer une première couche d'une première résine activable par abrasion pour devenir conductrice électriquement, sur une première face dudit substrat comprenant au moins un contact électrique, et, au moins partiellement, sur des flancs latéraux dudit substrat ; - abraser partiellement ladite première couche aux flancs dudit substrat.
Selon un mode de réalisation, l'étape d'abrasion est réalisée par laser.
Selon un mode de réalisation, l'étape d'abrasion est réalisée avec un dispositif de découpe mécanique.
Selon un mode de réalisation, si la première résine n'a pas été activée par abrasion elle est isolante électriquement.
Selon un mode de réalisation, la première résine comprend un matériau de base et des particules métalliques recouvertes d'une couche de protection isolante électriquement.
Selon un mode de réalisation, le matériau de base est choisi parmi le groupe comprenant : les résines de type époxy et les résines de type acrylique.
Selon un mode de réalisation, les particules métalliques sont en un matériau choisi parmi le groupe comprenant : le cuivre, un alliage comprenant du cuivre, le titane, un alliage comprenant du titane, du nickel, un alliage comprenant du nickel, de l'argent, et un alliage comprenant de l'argent.
Selon un mode de réalisation, pendant l'étape d'abrasion, une cavité est formée.
(a) environ 0,1 à environ 5 % en poids de céramide NP ;
(e) environ 0,5 à environ 5 % en poids d'un ou plusieurs tiers émulsifiants choisi(s) parmi les acides gras éthoxylés ;
(g) environ 4 à environ 20 % en poids d'un ou plusieurs composés gras non triglycérides et non aromatiques ;
la composition étant une émulsion huile dans eau et tous les pourcentages en poids étant basés sur le poids total de la composition, sous réserve qu'un ou plusieurs des rapports suivants s'appliquent :
un rapport pondéral du ou des seconds émulsifiants choisi(s) parmi les esters de glycéryle ayant une HLB d'environ 3 à environ 6 au céramide NP d'environ 0,8:1 à environ 4:1 ((d):(a)) et/ou
un rapport pondéral du ou des tiers émulsifiants choisi(s) parmi les acides gras éthoxylés au céramide NP d'environ 0,7:1 à environ 4:1 ((e):(a)) et/ou
un rapport pondéral du ou des alcools gras au céramide NP d'environ 0,7:1 à environ 4:1 ((f):(a)) ;
un rapport pondéral du ou des composés gras non triglycérides et non aromatiques au céramide NP d'environ 4:1 à environ 20:1 ((g):(a)).
Dans un aspect, la présente invention concerne un procédé de stabilisation d'une composition cosmétique telle que définie ci-dessus et de manière détaillée ci-dessous, comprenant environ 0,1 à environ 5 % en poids de céramide NP, le procédé comprenant la combinaison :
(b) de l’eau ;
Comme cela est décrit précédemment, les bords 313 des cavités 311, et les parties de la face 317 de la couche 309 sont rendues conducteurs électriquement, par métallisation, grâce à la mise en oeuvre de ce procédé de découpe.
De plus, à l'étape de la vue (D), les reprises de contact du boitier des composants A et B, correspondant aux parties 115-A et 115-B décrites en relation avec la sont formés. Pour cela, une couche 315 conductrice électriquement, de préférence une couche métallique est déposée sélectivement sur les bords 313 des cavités 311, et les parties de la face 317 de la couche 309 activés. Les métallisations sur les bords 313 forment les parties 115-B des reprises de contact, c'est-à-dire les flancs mouillables des composants A et B, et les métallisations sur les parties de la face 317 de la couche 309 activés forment les parties 115-A des reprises de contacts des composants A et B.
Selon un mode de réalisation, la couche 315 est une couche métallique, par exemple une couche de cuivre ou de nickel. Selon un exemple, la couche 315 est déposée par un procédé de dépôt chimique (electroless) ou par un procédé de dépôt métallique, par exemple un procédé de dépôt de cuivre (Copper plating), précédé d'une étape de masquage.
Selon une variante de réalisation, les contacts 303 peuvent être surmontés par des plots métalliques sur la face 305 du substrat 301 permettant une reprise directe du contact en face avant du boitier après le dépôt de la couche 309. Selon un exemple, ces plots peuvent être de type Bump, c'est-à-dire des billes métalliques, ou de type pillar, c’est-à-dire formés par croissance métallique, et ont une hauteur comprise entre 20 et 80 µm.
De plus, à l'étape de la vue (D), un via 319 conducteur électriquement est formé dans la couche 309 pour relier le contact 303 à la couche 315 qui le surplombe. Le via 319 est par exemple, de plus, recouvert en un matériau de type ENIG pour Electroless Nickel Immersion Gold, ou matériau de dorure par immersion dans une solution de Nickel non-électrolytique.
A la fin de l'étape de la vue (D), les contacts du boitier des composants A et B sont complètement formés.
A partir de l'étape de la vue (E), successive à l'étape de la vue (D), l'arrière du boitier des composants A et B est formé. Pour cela, la structure de la vue (D) est retournée et fixée par sa face avant, c'est-à-dire la face 317 de la couche 309, sur un support 323. Le support 323 est, par exemple, une bande de ruban adhésif. La structure est, ensuite, amincie par sa face arrière 321, correspondant à la face arrière du substrat 301 opposée à sa face 305, de façon que le substrat 301 ait son épaisseur définitive. Selon un exemple, la structure 301 est amincie par sa face arrière 321 jusqu'à atteindre le fond des cavités 307.
De plus, à l'étape de la vue (E), une couche 325 est déposée sur la face arrière 321 de la structure pour former l'arrière du boitier des composants A et B. La couche 325 est une couche en un matériau isolant électriquement, par exemple une résine, par exemple une résine du même type que la résine de la couche 309. Selon un autre exemple, les matériaux des couches 309 et 325 sont différents. La couche 325 est déposée sur la face 321 et sur les parties découvertes lors de l'étape d'amincissement des cavités 307, de telle sorte que toutes les faces du substrat 301 sont protégées soit par la couche 309 soit par la couche 325. La deuxième partie du boitier protège alors la face arrière des composants A et B, et, le cas échéant, le reste des flancs des composants A et B non protégés par la première partie du boitier.
A l'étape de la vue (F), successive à l'étape de la vue (E), les composants A et B sont finalement individualisées. Pour cela, la structure de la vue (E) est retirée du support 323, puis retournée et sa face arrière 321 recouverte de la couche 325 est fixée sur un support 326 adaptée à l'étape d'individualisation. Ce support est, par exemple, une bande de ruban adhésif adapté au procédé de découpe.
Ensuite, les composants A et B sont individualisées par un procédé de découpe, par exemple un procédé de sciage ou par exemple un procédé de découpe laser, pendant lequel des cavités 327 sont formées au niveau du fond des cavités 311. Les cavités 327 s'étendent du fond des cavités 311 et sur toute l'épaisseur de la couche 325 de façon à séparer les composants les unes des autres. Les composants A et B sont à présent individualisées.
Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. La personne du métier comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaîtront à la personne du métier. En particulier, la personne du métier saura adapter le procédé de fabrication décrit en relation avec la pour former dans un premier temps l'arrière du boitier des composants A et B, puis dans un deuxième temps l'avant du boitier des composants A et B.
PROCEDE DE FABRICATION D’UNE STRUCTURE COMPRENANT AU MOINS DEUX PAVES SUR UN SUBSTRAT L’invention concerne un procédé de fabrication d’une structure comprenant au moins deux pavés sur un substrat support.
ETAT DE LA TECHNIQUE Dans le domaine de la microélectronique, de l’optique ou de l’optoélectronique, la conception de structures multicouches nécessite parfois de transférer des pavés se présentant sous forme de portions d’une couche d’un substrat donneur sur un substrat support ou substrat receveur.
Ce type de procédé est généralement appelé procédé de pavage, et met en jeu un transfert partiel d’une couche prélevée dans le substrat donneur pour former un ou plusieurs pavés agencés selon un motif ou à un emplacement prédéterminé sur le substrat support.
Un tel pavage peut être rendu nécessaire par une différence de taille entre le substrat donneur et le substrat support. En effet, du fait de cette différence de taille, il n’est pas possible de transférer une couche entière du substrat donneur sur le substrat support.
est une vue schématique en coupe d’un échangeur de chaleur selon l’invention.
La illustre schématiquement un échangeur 1 de chaleur à plaques, configuré pour un échange thermique entre un premier fluide circulant dans une première passe et un deuxième fluide circulant dans une deuxième passe. L’échangeur 1 de chaleur comprend deux plaques externes 2 entre lesquelles sont disposées les plaques.
Le bloc échangeur à plaques comprend un empilement de plaques internes planes entre chacune desquelles sont intercalés des guides-flux sous la forme de tôles ondulées. Un premier et un deuxième fluide circulent dans les espaces entre les plaques internes.
Les plaques internes sont disposées parallèlement les unes avec les autres. Le premier fluide circule entre une première entrée 3 et une première sortie 4. Le deuxième fluide circule entre une deuxième entrée 5 et une deuxième sortie 6.
L’échangeur de chaleur 1 comprend deux plaques 20 latérales d’encapsulage s’étendant chacune sensiblement orthogonalement aux plaques internes 12, 14. Chaque plaque 20 latérale d’encapsulage est fixée au contact des plaques externes 2 de façon à obturer la deuxième passe.
Chaque plaque 20 latérale d’encapsulage est soudée entre les plaques externes 2 sur les bordures de faisceau de l’échangeur (couramment appelées « core-band » en anglais), ce qui permet à chaque plaque d’être désolidarisée du faisceau au contraire des barres de fermeture utilisées dans un échangeur de chaleur selon l’état de la technique.
Le premier fluide est par exemple le fluide dit « chaud » et circule dans la passe chaude (première passe) tandis que le deuxième fluide est le fluide dit « froid » circulant dans la passe froide (deuxième passe).
Comme on peut le voir sur la , chaque plaque 20 latérale d’encapsulage présente une portion principale plane de forme rectangulaire et deux épaulements 22, 23 le long d’arêtes opposées l’une à l’autre de la portion principale :
un premier épaulement 22 longitudinal forme une bordure pour une entrée et/ou une sortie dudit deuxième fluide,
un deuxième épaulement 23 longitudinal est adapté pour pouvoir s’étendre au contact d’une bordure 40 de faisceau pour une entrée ou une sortie du premier fluide.
Le premier épaulement 22 de la plaque 20 latérale d’encapsulage forme une bordure de faisceau au niveau de l’entrée de la passe froide sur laquelle peut être fixée un cadre ou une boîte d’entrée du fluide froid.
Chaque plaque 20 latérale d’encapsulage s’étend en regard d’une face du bloc échangeur à plaques dénuée de barres de fermeture de la deuxième passe mais munie uniquement de barres 60 de fermeture de la première passe. Comme on peut le voir sur la , la deuxième passe, dans ces portions, présente des couches 50 dénuées de barres de fermeture. Dans le mode de réalisation illustré, les plaques latérales d’encapsulage permettent donc de supprimer les barres de fermeture dites « froides » des faces ou portions du bloc échangeur au travers desquelles il n’est pas prévu une entrée ou une sortie pour la passe chaude ou pour la passe froide. L’invention permet donc de supprimer les murs de barres (ou de barrettes) de fermetures formés d’une succession de barres de fermeture correspondant aux passes chaude et froide.
En position finale, après avoir été fixées, par exemple par soudure, aux plaques externes 2, les plaques 20 latérales d’encapsulage n’ont pas besoin d’être au contact des extrémités des plaques internes.
Selon ce mode de réalisation préféré, le module de génération 22 est par exemple configuré pour ne générer aucun signal de contrôle si le résultat de la différence du premier signal et du deuxième signal acquis est compris entre le seuil inférieur prédéfini TI et le seuil supérieur TS prédéfini.
En première alternative, le module de génération 22 est par exemple configuré pour générer le premier signal de contrôle SC1 lorsque le résultat de la différence du premier signal et du deuxième signal acquis devient supérieur au seuil supérieur TS et est configuré pour générer le deuxième signal de contrôle SC2 lorsque le résultat de la différence du premier signal et du deuxième signal acquis devient inférieur au seuil inférieur TI.
En deuxième alternative, le module de génération 22 est configuré pour générer le premier signal de contrôle SC1 après que le résultat de la différence du premier signal SC1 et du deuxième signal SC2 acquis soit devenu supérieur au seuil supérieur TS et tant que ce résultat n’est pas inférieur au seuil inférieur TI. Le module de génération 22 est alors configuré pour générer le premier signal de contrôle SC1 après que le résultat de la différence du premier signal SC1 et du deuxième signal SC2 acquis soit devenu inférieur au seuil inférieur TI et tant que ce résultat n’est pas supérieur au seuil supérieur TS.
En troisième alternative, le module de génération 22 est configuré pour générer un signal de contrôle continu SCC directement lié à la position relative du levier 16 par rapport à la base 14, chaque position du levier 16 par rapport à la base 14 correspondant à un signal de contrôle continu SCC donné.
Les premier signal SC1, deuxième signal SC2 et signal de contrôle continu SCC tels que décrits précédemment sont par exemple des signaux d’actuation. De tels signaux sont par exemple aptes à être communiqués à un bloc de contrôle ou un actuateur (non représentés) pour entrainer le déplacement d’une partie mobile d’un dispositif tel par exemple un véhicule tel que mentionné plus haut.
En alternative, les premiers signal SC1, deuxième signal SC2 et signal de contrôle continu SCC sont utilisés en tant que signaux de mesure, par exemple pour mesurer la position relative d’un élément connecté à la base 14 par rapport à un élément connecté au levier 16.
En référence à la , le dispositif de traitement 38 est un dispositif électronique programmable et comprend par exemple une unité de traitement d’informations 40 formée par exemple d’une mémoire 42 associée à un processeur 44.
Dans un mode de réalisation particulier, le module d’acquisition 18, le module d’évaluation 20 et le module de génération 22 sont réalisés chacun sous forme d’un logiciel exécutable par le processeur 44. La mémoire 42 est alors apte à stocker un logiciel d’acquisition d’un signal du premier 28 et du deuxième 30 capteurs électromagnétiques, un logiciel d’évaluation d’une position relative du levier par rapport à la base et un logiciel de génération d’un signal de contrôle. Le processeur 44 de l’unité de traitement d’informations 40 est alors apte à exécuter le logiciel d’acquisition, le logiciel d’évaluation et le logiciel de génération d’un signal de contrôle.
En variante, le module d’acquisition 18, le module d’évaluation 20 et le module de génération d’un signal de contrôle 22 sont réalisés chacun sous forme d’un composant logique programmable, tel qu’un FPGA (de l’anglais Field Programmable Gate Array ), ou encore sous forme d’un circuit intégré dédié, tel qu’un ASIC (de l’anglais Application Specific Integrated Circuit ).
Lorsque le dispositif de traitement 38 est réalisé sous forme d’un ou plusieurs logiciels, c’est-à-dire sous forme d’un programme d’ordinateur, il est en outre apte à être enregistré sur un support, non représenté, lisible par ordinateur. Le support lisible par ordinateur est par exemple, un médium apte à mémoriser des instructions électroniques et à être couplé à un bus d’un système informatique. A titre d’exemple, le support lisible est un disque optique, un disque magnéto-optique, une mémoire ROM, une mémoire RAM, tout type de mémoire non volatile (par exemple EPROM, EEPROM, FLASH, NVRAM), une carte magnétique ou une carte optique.
Le fonctionnement du dispositif de contrôle 10 tel que précédemment décrit va maintenant être présenté.
Un utilisateur du dispositif de contrôle 10 peut déplacer le levier 16 par rapport à la base 14 en le faisant tourner autour de l’axe de rotation R-R’, par exemple en appuyant sur une tête de levier (non représentée).
En déplaçant le levier 16 par rapport à la base, l’utilisateur déplace l’aimant 24 par rapport au premier capteur électromagnétique 28 et au deuxième capteur électromagnétique 30 le long de la course d’aimant.
Le champ magnétique mesuré par le premier capteur électromagnétique 28 et le deuxième capteur électromagnétique 30 varie en fonction de la position de l’aimant 24.
Le module d’acquisition 18 acquiert le premier signal S1 du premier capteur 28 et le deuxième signal S2 du deuxième capteur 30, chacun de ces signaux comprenant une composante de champ magnétique S1A, S2A due au champ magnétique de l’aimant 24 et une composante S1E, S2E due à un champ magnétique de l’environnement.
Comme vu plus haut, la base 14 comprend le premier capteur électromagnétique 28 et le deuxième capteur électromagnétique 30. La composante S1E de champ magnétique due au champ magnétique de l’environnement mesurée par le premier capteur électromagnétique 28 et la composante S2E de champ magnétique due au champ magnétique de l’environnement mesurée par le deuxième capteur électromagnétique 30 sont sensiblement égales, notamment en raison de la proximité du premier capteur 28 et du deuxième capteur 30.
Selon une variante, le tambour de frein comprend au moins un repli local de bol maintenant la couronne thermique, et/ou au moins un repli local d’anneau débordant un bord de la couronne thermique, maintenant ladite couronne. Avantageusement, cet agencement participe au blocage de glissement axial de la couronne thermique.
Selon une variante, la couronne thermique comprend au moins un chanfrein dans une zone d’emboitement, le chanfrein présentant un angle de moins de 20° par rapport à l’axe du bol. Avantageusement, cette configuration permet de faciliter l’emmanchement de la couronne thermique avec l’anneau.
Selon une variante, la couronne thermique comprend des ailettes radiales, caractérisé en ce que le nombre d’ailettes est un multiple d’un nombre premier de 29 inclus à 127 inclus. Avantageusement, cette configuration permet de réduire les problèmes de crissement et les bruits de freins.
Selon une variante, la couronne thermique comprend des ailettes radiales, les ailettes comportant une base présentant un rayon de courbure. Avantageusement, cette configuration permet de réduire les contraintes mécaniques au niveau de la base des ailettes.
L’invention concerne en outre un véhicule automobile comprenant un tambour de frein selon l’invention.
Un autre objet de l’invention concerne un procédé de fabrication d’un tambour de frein comprenant :- un bol comprenant une partie circulaire de forme cylindrique comportant à l'intérieur une piste de freinage, et une partie formant un moyeu centré sur un axe ; - un anneau entourant la partie cylindrique, maintenu contre la partie cylindrique ; et - une couronne thermique entourant l’anneau, maintenue contre l’anneau, le procédé étant caractérisé par au moins une étape pour réaliser une rainure circonférentielle entre des surfaces de contact de composants du tambour de frein.
Selon une variante, la couronne thermique entourant l’anneau est réalisée par extrusion.