Procédé de fabrication d’une structure comprenant au moins deux pavés sur un substrat, comprenant : - le placement, sur un substrat support (1, 3, S), d’au moins deux pavés ((P1, P2), (P’1, P’2)) lesdits pavés étant agencés sur ledit substrat (1, 3, S) support selon une distribution et/ou une géométrie erronée par rapport à une distribution et/ou une géométrie cible ; - la formation d’un masque comprenant un film protecteur (M1, M2) recouvrant en partie lesdits pavés ((P1, P2), (P’1, P’2)) selon un motif définissant la distribution et/ou la géométrie cible et au moins une ouverture s’étendant autour du film protecteur (M1, M2) ; - la gravure d’au moins un pavé (P1, P2, P’1, P’2) au travers de l’ouverture du masque de sorte à corriger l’agencement des pavés selon la distribution et/ou la géométrie cible. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le motif est défini dans un système de coordonnées de l’ensemble des pavés. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le motif est défini dans un système de coordonnées du substrat support. Procédé selon l’une des revendications 1 à 3, dans lequel les pavés (P1, P2) sont placés successivement sur le substrat support. Procédé selon l’une des revendications 1 à 3, dans lequel les pavés (P’1, P’2) sont placés simultanément sur le substrat support. Procédé selon la revendication 5, comprenant : - la formation d’un substrat pseudo-donneur par placement de chaque pavé d’au moins un substrat donneur (2) sur un premier substrat support (1) ; - le collage dudit substrat pseudo-donneur sur un second substrat support (3) par l’intermédiaire des pavés (P1, P2) ; - le transfert d’une portion (P’1, P’2) desdits pavés sur le second substrat support (2). Procédé selon la revendication 6, dans lequel le premier et le second substrat support présentent un diamètre identique, supérieur au diamètre du substrat donneur. Procédé selon l’une des revendications 6 à 7, dans lequel le collage du substrat pseudo-donneur sur le second substrat support (3) est réalisé par adhésion moléculaire. Procédé selon l’une des revendications 6 à 8, dans lequel le transfert de chaque portion de pavé comprend successivement la formation d’une zone de fragilisation (11) par implantation d’espèces atomiques dans chaque pavé placé sur le substrat pseudo-donneur pour définir une portion à transférer, le collage du substrat pseudo-donneur sur le second substrat support par l’intermédiaire des pavés, et le détachement de chaque pavé le long de la zone de fragilisation. Procédé selon la revendication 9, dans lequel chaque pavé présente une épaisseur comprise entre 20 µm et 1000 µm, de préférence comprise entre 100 µm et 700 µm, et la portion transférée de chaque pavé présente une épaisseur comprise entre 30 nm et 1,5 µm. Procédé selon l’une des revendications 6 à 10, dans lequel la formation du masque et la gravure sont mises en œuvre après le transfert de chaque portion de pavé sur le second substrat support. Procédé selon l’une des revendications 6 à 11, dans lequel la formation du masque et la gravure sont mises en œuvre sur les pavés du substrat pseudo-donneur avant le collage sur le second substrat support. Procédé selon l’une des revendications 1 à 12, dans lequel chaque pavé présente un côté de longueur inférieure ou égale à 10 mm, de préférence inférieure ou égale à 5 mm, et de manière encore préférée inférieure ou égale à 2 mm. Procédé selon l’une des revendications 1 à 12, dans lequel chaque pavé présente un côté de longueur supérieure ou égale à 3 mm, de préférence supérieure ou égale à 5 mm, et de manière préférée supérieure ou égale à 8 mm. Procédé selon la revendication 13, dans lequel le film protecteur recouvre chaque pavé selon au moins deux motifs séparés par des ouvertures et la gravure dudit pavé au travers desdites ouvertures du masque forme au moins deux portions de pavés selon les motifs à partir dudit pavé. Procédé selon l’une des revendications 1 à 15, dans lequel chaque pavé comprend : - un matériau semi-conducteur, tel qu’un matériau III-V, notamment le nitrure d'indium (InN), le nitrure de gallium (GaN), le nitrure d’aluminium (AlN), l’arséniure d'indium (InAs), l’arséniure de gallium (GaAs), l’arséniure d’aluminium (AlAs), le phosphure d'indium (InP), le phosphure de gallium (GaP) ou le phosphure d’aluminium (AlP), ou un matériau IV ou IV-IV, notamment le germanium ou le carbure de silicium (SiC), - un matériau piézoélectrique, tel que le tantalate de lithium (LiTaO 3 ), le niobate de lithium (LiNbO 3 ), le niobate de potassium-sodium (K x Na 1-x NbO 3 ou KNN), le titanate de baryum (BaTiO 3 ), le quartz, le titano-zirconate de plomb (PZT), un composé de niobate de plomb-magnésium et de titanate de plomb (PMN-PT), l’oxide de zinc (ZnO), le nitrure d’aluminium (AlN) ou le nitrure d’aluminium et de scandium (AlScN), et/ou - un matériau électriquement isolant, tel que le diamant, le titanate de strontium, la zircone yttriée ou le saphir. Procédé selon l’une des revendications 1 à 16, comprenant la formation d’au moins une couche épitaxiale (E1, E2, E3) sur chaque pavé (P1, P2, P3), la formation du masque et la gravure étant mises en œuvre après ladite étape d’épitaxie.