INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
ACSWWSIHLCG
SEQ ID NO: 16
ACSWWSIHLCGGG
SEQ ID NO: 17
ACNAGHLSQCG
SEQ ID NO: 18
VHWDFRQWWQPS
SEQ ID NO: 19
Selon un mode de réalisation préféré de l’invention, chaque dit axe support comprend une partie évidée support et adaptée à s’intégrer au moins partiellement sous la découpe de ladite partie réceptrice correspondante de la traverse d’attelage.
De préférence selon l’invention, chaque assemblage traverse-axe support comprend un agencement entre une dite partie avec découpe de la traverse réceptrice d’un axe support dans ladite découpe, qui comprend une section droite trapézoïdale, et undit élément de blocage qui comprend une partie bloquante à section droite de forme trapézoïdale, et ladite partie d’axe évidée, support de ladite partie réceptrice de la traverse, qui est située entre des épaulements dudit axe à pans coupés, et une bague à section droite de forme trapézoïdale, de sorte que les surfaces inclinées des formes trapézoïdales ou des pans coupés adjacentes soient en contact bloquant les unes avec les autres lors du verrouillage de l’assemblage, afin de bloquer la traverse et l’axe support respectif dudit assemblage en mode verrouillage.
Selon un mode de réalisation préféré de l’invention, ladite traverse est un élément structurel de ladite remorque.
Selon un mode de réalisation préféré de l’invention, lesdits au moins deux axes supports sont des axes longitudinaux, perpendiculaires à ladite traverse. De préférence lesdits axes comportent des parties cylindriques, en particulier ladite partie évidée réceptrice de la traverse est cylindrique. Lesdits axes supports peuvent être des éléments intégrés audit dispositif d’attelage avec la remorque ou être des éléments séparés adaptés à la traverse d’attelage.
Selon un mode de réalisation préféré de l’invention, ledit dispositif d’attelage comprend des moyens antivol. En particulier lesdits moyens antivol bloquent la manœuvre du levier de commande desdits moyens de verrouillage-déverrouillage.
De préférence, ledit dispositif d’attelage comprend latéralement et symétriquement, un manchon de filtration en caoutchouc, situé en une extrémité de ladite traverse d’attelage.
L’invention concerne également une remorque comprenant un dispositif d’attelage tel que décrit précédemment.
L’invention peut convenir à une remorque à deux roues. Toutefois de préférence et avantageusement ladite remorque comporte une seule roue. De préférence ladite roue est multidirectionnelle. Une telle remorque mono-roue présente l’avantage d’avoir une structure légère et compacte à laquelle ledit dispositif d’attelage est bien adapté.
De préférence, ledit dispositif d’attelage comprend latéralement et symétriquement, un manchon de filtration en caoutchouc, situé en une extrémité de ladite traverse d’attelage et à la jonction de ladite traverse avec un longeron latéral que comprend la remorque. Ce manchon permet d’absorber les irrégularités de la route sur laquelle roule la remorque lorsqu’elle est attelée derrière un véhicule.
L’invention concerne également un véhicule automobile comprenant un bouclier arrière, auquel s’attèle une remorque telle que décrite précédemment, munie d’un dispositif d’attelage tel que décrit précédemment, lesdits axes supports se fixant au bouclier arrière dudit véhicule. En particulier ledit bouclier comprend deux ouvertures configurées pour recevoir par vissage lesdits axes supports dans des éléments filetés de la structure du véhicule.
En particulier, ledit véhicule automobile comprend un coffre arrière, et ledit coffre comprenant une prise électrique intérieure dans laquelle peut se brancher un connecteur électrique que peut comporter ledit dispositif d’attelage que comprend ladite remorque.
illustre, selon une vue en perspective, une remorque équipée d’un dispositif d’attelage, pour un véhicule, conforme à l’invention;
illustre, selon une vue en perspective, le dispositif d’attelage équipant la remorque représenté sur la ;
illustre selon une vue en coupe transversale dans un plan vertical, un moyen de verrouillage-déverrouillage, en position de déverrouillage, du dispositif d’attelage représenté aux figures précédentes;
illustre selon une vue en coupe transversale dans un plan vertical, un moyen de verrouillage-déverrouillage, en position de verrouillage, du dispositif d’attelage représenté aux figures précédentes ;
L’utilisation de carbure de silicium (SiC) cristallin pour produire des composants émetteurs de rayonnement présente de nombreux avantages, qui proviennent en particulier des propriétés suivantes du matériau : son inertie chimique, sa stabilité thermique, sa conductivité thermique et sa large bande interdite («gap» en anglais), notamment en comparaison du silicium (Si) qui est le matériau semiconducteur le plus utilisé aujourd’hui en microélectronique. Le carbure de silicium permet en particulier de produire de façon contrôlée du rayonnement dans l’intervalle spectral de la lumière visible, et aussi autour de 1,5 µm (micromètre), par exemple pour des applications de télécommunication.
L’efficacité d’extraction du rayonnement qui est produit à l’intérieur du composant en carbure de silicium, éventuellement dopé intentionnellement, vers l’extérieur de ce composant afin que le rayonnement puisse être utilisé pour l’application voulue, est alors un enjeu majeur. En effet, une extraction du rayonnement qui est plus efficace permet de réduire une consommation énergétique du composant à quantité égale de rayonnement qui est utilisable. En outre, il est essentiel de pouvoir produire en série des composants dont l’efficacité d’émission est contrôlée et reproductible.
Problème technique Un but de la présente invention est donc d’améliorer l’efficacité de sortie du rayonnement qui est produit au sein d’un composant à base de carbure de silicium, vers l’extérieur de ce composant. En particulier, cette amélioration est recherchée de façon à pouvoir la mettre en œuvre de façon reproductible et contrôlée pour des séries importantes de composants fabriqués.
Pour atteindre ce but ou un autre, un premier aspect de l’invention propose un procédé de fabrication d’un composant émetteur de rayonnement à partir d’un substrat de carbure de silicium cristallin, ce procédé comprenant les étapes suivantes : /1/ dans une surface du substrat, déterminer au moins une portion de cette surface qui est destinée à constituer, lors d’une utilisation du composant, une fenêtre de sortie vers l’extérieur du substrat du rayonnement qui provient de l’intérieur du substrat ; et /2/ pendant que le substrat possède une température inférieure à 200°C (degré Celsius), implanter des ions dans le substrat, à travers la portion de la surface du substrat qui est destinée à constituer la fenêtre de sortie du rayonnement, avec des valeurs de dose d’implantation ionique et d’énergie d’implantation ionique qui sont adaptées pour produire une amorphisation du substrat dans un volume situé sous sa surface.
En effet, les inventeurs ont découvert que contrairement à une implantation ionique qui est effectuée pendant que le substrat possède une température supérieure à 300°C, par exemple comprise entre 300°C et 600°C, une implantation ionique qui est effectuée pendant que la température du substrat est inférieure à 200°C est plus efficace pour amorphiser le matériau de carbure de silicium. Ce matériau de carbure de silicium qui est ainsi amorphisé possède alors une densité qui est réduite par rapport au matériau cristallin tel qu’existant avant l’implantation ou en dehors du volume traversé par les ions implantés. Pour cette raison, l’indice de réfraction du matériau de carbure de silicium est réduit dans la portion de matériau qui est intermédiaire entre la surface du substrat et la profondeur d’implantation des ions, et cette réduction d’indice de réfraction produit un effet antireflet au moins partiel pour le rayonnement qui provient de l’intérieur du substrat, notamment du volume du substrat dans lequel les ions ont été implantés, et dont la direction d’émission traverse la surface du substrat dans la fenêtre de sortie. Grâce à cet effet antireflet, la sortie du rayonnement vers l’extérieur du composant est favorisée, si bien que le composant présente un rendement de production de rayonnement qui est amélioré. De cette façon, une consommation d’énergie par le composant est réduite, à quantité égale de rayonnement qui est émise.
La réduction de la densité du substrat dans le volume d’amorphisation peut produire un gonflement de celui-ci qui apparaît au niveau de sa surface. Ce gonflement constitue alors une preuve de la réduction de la densité du matériau de carbure de silicium qu’a produite l’implantation ionique. Dans ce cas, les valeurs de profondeur dans le substrat qui sont citées dans la suite sont mesurées à partir de la surface du substrat telle que résultant du gonflement.
Dans le jargon de l’Homme du métier, l’implantation ionique qui est effectuée alors que la température du substrat est inférieure à 200°C, est dite à température ambiante lorsqu’aucun chauffage n’est appliqué intentionnellement au substrat, ou lorsqu’un chauffage limité est utilisé. Le plus souvent, aucun moyen de contrôle de la température du substrat peut n’être utilisé pendant cette implantation dite à température ambiante. Mais il est aussi possible de réaliser l’implantation ionique de l’étape /2/ pendant que le substrat est refroidi en utilisant des moyens appropriés. De façon générale, la température du substrat pendant l’étape /2/ peut être supérieure à 4 K (degré Kelvin).
De façon préférée, à l’étape /2/, les valeurs de dose d’implantation ionique et d’énergie d’implantation ionique peuvent être sélectionnées pour produire une amorphisation du substrat entre sa surface et une valeur de profondeur qui est comprise entre 0,2 µm et 1 µm, mesurée à partir de la surface du substrat. En particulier, ces valeurs de dose et d’énergie d’implantation peuvent être adaptées par rapport à la longueur d’onde du rayonnement qui sera produit dans le substrat pendant l’utilisation du composant et destiné à sortir du substrat. Autrement dit, le volume d’amorphisation, sous la surface du substrat, constitue une couche à effet antireflet dont l’épaisseur peut être optimisée avantageusement par rapport à la longueur d’onde du rayonnement. A titre d’exemple, ce rayonnement qui est produit par le composant peut être de la lumière visible ou du rayonnement infrarouge, par exemple avec une longueur d’onde proche de 1,5 µm.
Les ions qui sont implantés à l’étape /2/ peuvent être sélectionnés parmi des ions d’aluminium (Al), des ions de bore (B) et des ions d’azote (N). Mais d’autres ions aussi adaptés pour produire des dopages voulus peuvent être utilisés alternativement.
Préférentiellement, à l’étape /2/, la valeur de dose d’implantation ionique peut être comprise entre 10 14 et 10 16 ions par cm 2 (centimètre-carré), et la valeur d’énergie d’implantation ionique peut être comprise entre 20 keV (kiloélectron-volt) et 800 keV. En effet, ces valeurs sont particulièrement appropriées pour produire une réduction d’indice de réfraction qui soit suffisante pour accroître sensiblement l’efficacité de sortie du rayonnement vers l’extérieur du composant.
Avantageusement, et notamment pour réaliser une diode électroluminescente dans le substrat de carbure de silicium, les ions peuvent être implantés dans le substrat à l’étape /2/, à travers la portion de sa surface qui est destinée à constituer la fenêtre de sortie du rayonnement, avec un premier couple de valeurs pour la dose d’implantation ionique et l’énergie d’implantation ionique, et avec un second couple de valeurs pour ces paramètres d’implantation ionique, le premier couple de valeurs étant adapté pour doper au moins une partie d’une diode électroluminescente située dans le substrat, à une profondeur mesurée à partir de la surface du substrat qui est supérieure à une épaisseur du volume d’amorphisation, cette épaisseur étant mesurée perpendiculairement à la surface du substrat, et le second couple de valeurs étant adapté pour produire l’amorphisation du substrat dans le volume situé sous sa surface. Une telle combinaison d’implantation ionique est particulièrement avantageuse pour réduire le coût de fabrication de la diode électroluminescente. De préférence, l’implantation avec le premier couple de valeurs et effectuée avant celle avec le second couple de valeurs.
De façon générale, le procédé de l’invention peut comprendre en outre l’étape suivante, qui est effectuée le cas échéant après l’étape /2/ : /3/ appliquer un traitement thermique au substrat, ce traitement thermique produisant une activation d’un dopage du substrat par les ions implantés. Une recristallisation qui pourrait être provoquée par ce traitement thermique est en général partielle, et insuffisante pour modifier significativement la densité du matériau du substrat dans le volume d’amorphisation. Le traitement thermique de cette étape /3/ peut être réalisé à pression atmosphérique, sous argon (Ar), avec une température qui est comprise entre 800°C et 1900°C, de préférence entre 1600°C et 1800°C, pendant une durée qui est inférieure à 1 heure. Au-delà de cette durée, ce traitement thermique pourrait réduire l’effet d’antireflet qui est procuré par l’amorphisation du substrat en dessous de la fenêtre de sortie du rayonnement. Le traitement thermique de l’étape /3/ peut être effectué pendant ou après une implantation d’ions dans le substrat qui est destinée à doper au moins une partie d’une diode électroluminescente qui est située dans ce substrat.
Jusqu’avant l’étape /2/ qui produit l’amorphisation d’une partie du substrat de carbure de silicium, ce dernier peut être monocristallin, notamment selon le polytype 3C, 6H ou 4H.
Un second aspect de l’invention propose un composant émetteur de rayonnement, qui comprend un substrat de carbure de silicium cristallin, ce substrat ayant une surface et possédant une première valeur de densité de matériau dans un volume situé sous une portion de cette surface qui est destinée à constituer, lors d’une utilisation du composant, une fenêtre de sortie vers l’extérieur du substrat pour du rayonnement en provenance de l’intérieur du substrat, cette première valeur de densité de matériau étant inférieure à une seconde valeur de densité de matériau qui est effective dans le substrat à une profondeur supérieure à une épaisseur du volume correspondant à la première valeur de densité, la profondeur et l’épaisseur étant mesurées perpendiculairement à la surface du substrat, la profondeur étant mesurée à partir de la surface du substrat.
Pour obtenir une augmentation supérieure de l’efficacité de sortie du rayonnement, un quotient de la première valeur de densité de matériau sur la seconde valeur de densité de matériau peut être inférieur à 0,95, de préférence inférieur à 0,90.
Dans un tel composant, le substrat de carbure de silicium peut être monocristallin, au moins en dehors du volume qui correspond à la première valeur de densité du matériau.
Ce filtrage permet d’offrir aux clients un horizon artificiel qui leur convient, c’est-à-dire des données qui décrivent suffisamment le véhicule et son environnement mais qui sont en nombre suffisamment restreint pour que la puissance de calcul des clients suffise à traiter ces données.
Pour cela, l’interface principale fonctionne conformément au protocole ADASIS, dans une version 2.0 ou ultérieure.
Ce protocole propose de représenter l’horizon artificiel par trajets (voir ).
Ainsi, compte tenu des différents embranchements de la route, l’interface principale est en mesure de déterminer tous les trajets que le véhicule est susceptible d’emprunter.
Il est prévu de distinguer un trajet principal 102 (par exemple celui qui suit la route empruntée initialement), et des trajets secondaires 101, 103, 104, 105 qui prennent naissance sur le trajet principal 102 ou sur d’autres trajets secondaires.
Il est en outre prévu de définir chaque trajet secondaire par un bout (qui indique la position de sa jonction avec le trajet principal ou secondaire où il prend naissance) et des attributs (qui caractérisent ce trajet).
Sur chaque trajet se trouvent des évènements dont les positions par rapport au bout sont définies par un écart.
Des évènements sont permanents (panneau, dos d’âne…), tandis que d’autres sont temporaires.
Parmi ces évènements temporaires, on peut distinguer les objet (véhicule…) et les situations circonstancielles (position de fin d’embouteillage, alerte…).
Le protocole ADASIS propose de ne considérer qu’un nombre limité de trajets (ici 56) se trouvant à l’avant du véhicule. Il propose en outre de ne considérer qu’une longueur limitée de chaque trajet, ici d’environ 8 km. Ces limitations permettent ne pas surcharger les calculateurs du véhicule. Ainsi, l’horizon artificiel présente une portée limitée.
Ce protocole est alors conçu de manière à ce que l’interface principale puisse envoyer sur le BUS CAN (à destination des clients) six types de messages. Ces types de messages sont les suivants : - des messages de position relatifs à la position du véhicule 10, - des messages de bout relatifs à la position du début du trajet concerné, - des messages de segment caractérisant les attributs principaux d’une partie du trajet, - des messages courts caractérisant les évènements sur le trajet qui peuvent être exprimés en 10 bits, - des messages longs caractérisant les évènements sur le trajet qui peuvent être exprimés en 32 bits, - des messages de métadonnées.
Dans le cadre de la présente invention, on s’intéressera uniquement aux messages longs.
Un tel message long est envoyé sur le BUS CAN lorsqu’un évènement pertinent pour la conduite du véhicule 10 est détecté sur l’un des trajets, dans une zone géographique considérée comme pertinente.
Un tel message comprend plusieurs données définies par le tableau suivant.
Champ Longueur (en bits) Intervalle de valeurs Type de message 3 5 Compteur de cycle 2 0 à 3 Retransmission 1 0, 1 Index de trajet 6 8 à 63 Ecart 13 0 à 8190 Mise à jour 1 0, 1 Type de profile 5 1 à 31, 0 Point de contrôle 1 0, 1 Valeur 32 0 à 2 32 -2, 2 32 -1
Un message long est donc codé en 64 bits. On comprend sur ce tableau que les 3 premiers bits caractérisent le type de message, les deux suivants sont un compteur de cycle… Chaque message long comporte donc plusieurs parties.
Comme on peut le voir sur les figures 4 et 6, le crochet supérieur BS reposant sur la batterie B1 ou B2 peut comporter un retour, ici horizontal vers la gauche, de sorte à rejoindre l’extension verticale de la patte P de fixation.
Le point de fixation supérieur PS est disposé sensiblement au-dessus des points de fixation latéraux CD, CG, de préférence au-dessus de la batterie B1 ou B2. Ceci est mis en œuvre grâce à l’extension verticale EP.
Par ailleurs, les points de fixation CD, CG, et PS sont disposés à deux hauteurs de fixation H1, H2 sur le châssis C et sur la patte de fixation P. En d’autres termes, il y a deux points de fixation pour chacune des structures de fixation SD, SG, SS. Les points de fixation CD, CG, PS sont de préférence au niveau de la face arrière de la batterie B1 ou B2.
Le système de fixation préféré est constitué d’une sangle métallique à trois points de fixations CD, CG, PS positionnés sur deux niveaux en axe Z suivant la hauteur de la batterie B1 ou B2, et de deux pattes soudées P sur le châssis C, permettant le posage de la batterie B1 ou B2.
L’invention porte en outre sur un procédé de fixation correspondant pour une batterie B1 sélectionnée parmi des batteries B1, B2 de différentes hauteurs, sur un châssis C d’un véhicule automobile. Le procédé est mis en œuvre au moyen d’un système de fixation tel que décrit précédemment.
Le procédé comprend une étape de sélection pour sélectionner une batterie B1 d’une hauteur donnée. La batterie B1 est sélectionnée pour correspondre à la hauteur de montage H1 choisie.
Le procédé comprend en outre une étape de pose pour disposer la batterie B1 sélectionnée entre les pattes soudées P, plus particulièrement pour poser la batterie B1 sélectionnée sur ladite branche horizontale BH des pattes soudées P.
Le procédé comprend en outre une étape de fixation pour fixer les structures de fixation SD, SG, SS de la sangle métallique S sur les points de fixation CD, CG, PS correspondants, à la hauteur H1 correspondant à la batterie B1 sélectionnée.
Le procédé est mis en œuvre de la même manière pour la batterie B2 à la hauteur H2 le cas échéant.
L’invention peut être utilisée pour des systèmes à plusieurs hauteurs de batterie tels que celui du véhicule O2C. Dans ce cadre, la batterie B1 est par exemple celle à 10Ah avec un poids de 4,25 kg, mesurant 150 x 90 x 130 mm ; et la batterie B2 est celle à 16Ah avec un poids de 5,5 kg, mesurant 150 x 90 x 160 mm.
Dispositif de production, stockage et distribution d’électricité, de méthanol, de spiruline et de captage, stockage et distribution de gaz CO2 par valorisation de gaz naturel ou biogaz La présente invention concerne un système, composé de sous-systèmes, permettant de produire, stocker et de distribuer de l’énergie électrique, du méthanol et de la spiruline et capter, stocker et distribuer du gaz CO2, en utilisant du gaz naturel ou du biogaz issu du réseau gazier, d’un méthaniseur ou tout autre procédé.
Le système selon l’invention permet par valorisation du gaz naturel ou biogaz de : Produire, Stocker et distribuer de l’énergie électrique aux différentes solutions de mobilité électrique, de type terrestre, maritime, aéronautique, ferroviaire ; Produire de l’énergie électrique à destination du réseau électrique = micro-génération ; Capter, stocker et distribuer le gaz CO2 contenu dans le gaz naturel ou biogaz pour tous les usages et industries employant ce gaz ; Produire, stocker et distribuer du méthanol pour la mobilité de tous type ou tout autre usage ;
Le système selon l’invention permet de produire localement de l’énergie électrique neutre en carbone car issue de la biomasse (Biogaz 100% ou gaz naturel + Certificats de garantie d’origine), grâce à une infrastructure optimisée, limitant ainsi la surface au sol, l’impact visuel et avec un impact nul sur l’environnement direct
Le système selon l’invention permet de capter par absorption ou tout autre procédé, le gaz CO2 issu de la pile à combustible de technologie SOFC (gaz d’échappement)
Lorsqu’un fluide sous pression entre dans la vanne de retard V r ’’ par le port d’entrée E et que le tiroir T r est dans sa position de repos (représentée à la ), le fluide tend à rejoindre, de manière quasi-simultanée, le port de sortie S via le premier restricteur R1, le port de retour R via le premier restricteur R1 et le troisième restricteur R3, et la chambre de pilotage C H du distributeur D via le deuxième restricteur R2. La pression du fluide sortant par le port de sortie S résulte alors de la perte de charge au travers du premier restricteur R1 et du troisième restricteur R3, et est donc inférieure à celle entrant par le port d’entrée E. Dans le même temps, la pression régnant dans la chambre de pilotage C H tend à augmenter et donc à entraîner un déplacement du tiroir T r vers sa position de pleine pression. Cette vitesse de déplacement du tiroir T r est définie par le deuxième restricteur R2.
Bien qu’ici le procédé soit décrit en application à l’actionneur de déverrouillage, il peut aussi être décrit en application à l’actionneur de secours.
Les actionneurs peuvent être des vérins à simple ou double effet.
La vanne de retard peut être intégrée au vérin V e .
L’invention est applicable à tout boîtier de verrouillage utilisable par exemple pour le verrouillage de trappe sur d’autres véhicules que des aéronefs ou sur des bâtiments.
Jambe pour atterrisseur d’aéronef équipé d’un accumulateur, atterrisseur comprenant une telle jambe et aéronef comprenant au moins un tel atterrisseur La présente invention concerne le domaine des trains d’atterrissage et plus particulièrement l’intégration d’un accumulateur dans un atterrisseur d’aéronef.