INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Le but de l’invention est de permettre aux conducteurs de réaliser une mesure linéaire des distances entre chaque infrastructure située à gauche et à droite de la zone de circulation et/ou de bas et en haut de celle-ci, selon la position du bras où sont positionnés les capteurs lidars. Le véhicule équipé de ce dispositif de mesure embarqué pourra effectuer, avant le passage du gabarit hors normes de la remorque, une reconnaissance de la zone de circulation et ainsi éviter d'être bloqué, de créer un accident ou d'abîmer les infrastructures routières .
Cette reconnaissance lui indiquera si oui ou non, il sera possible pour le gabarit hors normes du convoi exceptionnel de circuler sur cet itinéraire.
Par ailleurs, l’objectif de cette invention est d’indiquer en temps réel sur l’afficheur, le résultat total de la mesure de distance calculé lors de la traversée d'une zone de circulation rencontrant des obstacles (pont, câble électrique, caténaire SNCF, arbres surplombant la chaussée, barrières de chemin de fer etc...)
Les dessins annexés illustrent l'invention en deux variantes : la représente la variante du calcul en largeur de la zone de circulation, du dispositif de mesure de distance embarqué. la représente la variante du calcul en hauteur de la zone de circulation, du dispositif de mesure de distance embarqué.
Art antérieur De façon générale, les dispositifs de mesure sur zone routière équipant les véhicules tels que poids lourd, utilisent des systèmes de capteurs à ultrasons, ou à rayons lumineux. Ces dispositifs sont généralement situés sur les points les plus hauts du véhicule et/ou utilisent un mât à régler manuellement sur la charge du transport. Ces dispositifs effectuent un balayage seulement en hauteur cherchant un point de contact tel qu'un ouvrage d'art enjambant la zone de circulation.
Concernant ces dispositifs de mesures, le conducteur du véhicule doit prendre la mesure entre le sol et son dispositif avec une pige télescopique métrée ou un mètre ruban, il doit ensuite saisir manuellement sa prise de mesure dans le programme du système d'afficheur (qui se situe généralement dans la cabine du chauffeur). Ces dispositifs calculent ensuite la mesure totale de la hauteur en additionnant la distance relevée manuellement par le chauffeur et la distance mesurée par le capteur du dispositif jusqu'à l'ouvrage d'art rencontré. En d’autres termes, ces dispositifs ne permettent pas de mesurer une distance totale à eux seuls car la distance entre la position du dispositif et le sol n’est pas mesuré par ces dispositifs.
Ces dispositifs peuvent aussi rencontrer des problèmes techniques tels que, par exemple, suite à une panne d’alimentation, la réinitialisation de ceux-ci qui oblige l’utilisateur à les reparamétrer, en procédant à nouveau à une prise de mesure du sol au dispositif. Dans ce cas de figure, l’utilisateur se verrait dans l’obligation, et selon le lieu de la panne, à se situer aux abords de la chaussée où circulent d’autres véhicules, ce qui représente un danger pour celui-ci. De plus les erreurs étant humaines (mauvais paramétrages ou mauvaises mesures). Ces dispositifs incombent donc une vérification constante de chaque distance mémorisée dans l’afficheur afin d’éviter des erreurs qui pourraient causer un accident.
Généralement, ces dispositifs sont couplés avec un afficheur dans la cabine du conducteur composé d'une ligne d'écriture où apparaît une mesure, celle prise en temps réel. L'inconvénient de ce genre d'afficheur à une ligne, est de devoir interagir sur celui-ci pour visualiser les autres menus où sont enregistrées les mesures minimales et maximales résultant du balayage de l’infrastructure.
On connaît également des dispositifs comprenant un mât télescopique à élévation verticale, fixé sur le véhicule avec un contacteur électrique à l'extrémité de celui-ci. Après la prise de hauteur du chargement, le chauffeur installe son mât télescopique à cette même hauteur pour lui donner un point maximum de passage sous un ouvrage d'art enjambant la chaussée. Au contact d'un ouvrage d'art, l’extrémité du mât se plie et le contact envoie un signal sonore au chauffeur dans sa cabine pour l'informer que l'ouvrage d'art se trouve sur la même hauteur que son chargement.
Selon des modes de réalisation préférés, les fibres comprimées ont une densité d’environ 0,04 g/cm 3 à environ 0,08 g/cm 3 , de préférence d’environ 0,05 g/cm 3 à environ 0,07 g/cm 3 , et de préférence d’environ 0,06 g/cm 3 . De préférence également, les fibres comprimées sont capables de retenir environ 67 % à environ 85 % de leur volume en composition de gel, de préférence environ 70 % à environ 83 %, et de préférence environ 77 % à environ 82 %, incluant toutes les plages et sous-plages intermédiaires.
EXEMPLES La présente invention sera mieux comprise à partir des exemples qui suivent. Ces exemples se veulent non limitatifs et explicatifs seulement, la portée de l’invention étant définie par les revendications.
Exemple 1 - Compositions de l’invention
La composition suivante peut être préparée, comme montré dans le tableau 1 :
INCI US Concentration en poids (%) AMMONIUM POLYACRYLOYLDIMETHYLTAURATE 0,25 à 1,5 ACRYLATES COPOLYMER 0,25 à 3,0 SILICA SILYLATE (sensiblement sphérique) 0,25 à 1,0 ALCOHOL DENAT. (éthanol) 4 à 30 WATER 60 à 80 ADDITIONAL INGREDIENTS* 1 à 3
*Incluant uniquement les composés actifs incluant acide salicylique ; glycols ; méthyl diisopropyl propionamide ; ajusteur de pH ; et parfum.
Exemple 2 - Essai de restitution et de stabilité
Les compositions suivantes, montrées dans le tableau 2, ont été préparées en mélangeant les ingrédients énumérés ci-dessous ainsi que de l’eau, de l’éthanol et d’autres ingrédients, et en les laissant s’équilibrer. L’hydroxyde de sodium a été utilisé comme ajusteur de pH pour ajuster le pH entre 4,5 et 7,0. L’équilibre des ingrédients (q.s.) a été réalisé en ajustant la concentration de l’eau. Les concentrations d’eau, d’éthanol et d’autres ingrédients étaient conformes aux plages indiquées dans le tableau 2 ci-dessous :
Ingrédient Ex. 1 Ex. 2 Comp. 1 Comp. 2 Eau q.s. q.s. q.s. q.s. Ethanol 30 % 20 % 30 % 30 % Polyacryloyldiméthyltaurate d’ammonium 0,6 % 0,6 % -------- 0,80 % Copolymère d’acrylates 0,75 % 0,75 % -------- -------- Carbomère 1,07 % -------- Silylate de silice (sphérique) 0,5 % 0,5 % 0,25 % 0,5 % Ingrédients supplémentaires 1,7 % 1,7 % 1,7 % 1,6 % Restitution (%) 86 85 48 43 Viscosité (6 tr/min, T-Bar n° 34) en cps 470 550 6240 890 Stabilité Réussite Réussite Echec Echec
L’essai de restitution a été effectué en chargeant environ 500 milligrammes de la composition dans un applicateur poreux conforme aux modes de réalisation décrits ici, tel qu’un applicateur poreux décrit à la et dont une portion de la matière poreuse destinée à être mise en contact avec la matière kératineuse a une taille moyenne de pores d’environ 30 à environ 80 microns et une portion de la matière poreuse au fond de la portion de base du récipient a une taille moyenne de pores d’environ 90 à 200 microns.
Les applications ont été effectuées en tamponnant l’applicateur 20 fois, par incréments de 5 secondes, sur un tampon adhésif non collant CURAD ayant une masse de 496 g placée en haut de l’applicateur afin de ressembler à la force d’application des consommateurs. Le % de restitution a été calculé comme suit : (masse initiale de la composition à l’intérieur de l’applicateur - masse finale de la composition à l’intérieur de l’applicateur)/(masse initiale de la composition à l’intérieur de l’applicateur) et exprimé en pourcentage.
Des essais de stabilité ont été réalisés en plaçant la composition dans un pot de 4 onces et en plaçant les échantillons dans différentes chambres pour tester la congélation-décongélation (par exemple, 10 cycles de -20 °C à +20 °C) ; ou l’exposition à une température constante : 50 °C (un mois) ; et/ou 5 °C, 25 °C, 50 °C ou 37 °C pendant deux mois. Si les échantillons montraient un changement significatif de couleur, de pH, de viscosité ou une séparation de phase, un échec était enregistré.
On peut constater que les exemples inventifs, Ex. 1 et Ex. 2 offrent une excellente restitution et stabilité, alors que les exemples comparatifs ont une mauvaise restitution et une stabilité défaillante.
Exemple 3 - Restitution de différentes particules
Afin de déterminer si différentes particules se déplaceraient à travers les pores d’un applicateur poreux, six échantillons ont été évalués en utilisant un applicateur poreux conforme aux modes de réalisation de l’invention décrits ici. Les six formules incluses étaient conformes à celles montrées dans le tableau 1. Chacune incluait des particules différentes, comme le montre le tableau 3 ci-dessous. Les résultats de l’analyse par microscopie optique (à l’aide de microscopes optiques Leica DM2500 & DM2500 LED disponibles auprès de Leica Microsystems) pour examiner la présence de particules qui ont pu se déplacer à travers les pores de l’applicateur sont également montrés.
A l’inverse, lorsque le premier moyen de blocage est déplacé dans la deuxième position et que le deuxième moyen de blocage est déplacé dans la première position, la jambe est fixe par rapport au deuxième dispositif de fixation. Ainsi, la jambe peut être déplacée par rapport à la plateforme en rapprochant ou en écartant le premier dispositif de fixation du deuxième dispositif de fixation avec le moyen de déplacement en translation.
Avantageusement, le dispositif de levage comporte des moyens de contrôle pour commander ledit moyen de déplacement en translation de sorte à rapprocher ou écarter les premier et deuxième dispositifs de fixation et pour actionner lesdits premier et deuxième moyens de blocage entre ladite première position et ladite deuxième position.
Dans cette configuration, le premier et le deuxième moyen de blocage peuvent être facilement actionnables automatiquement et à distance.
Les moyens de contrôle peuvent être configurés pour commander automatiquement et/ou à distance la montée ou la descente de l’au moins une jambe par rapport à la plateforme.
Préférentiellement, le moyen de déplacement en translation et/ou le premier et le deuxième moyen de blocage sont actionnés hydrauliquement ou pneumatiquement par lesdits moyens de contrôle.
L’utilisation d’énergie hydraulique ou pneumatique pour actionner les différents composants du dispositif de levage amovible permet un contrôle automatique de ces composants. L’énergie hydraulique est généralement disponible sur les sites d’installation de telles structures.
Le moyen de déplacement en translation et/ou le premier et le deuxième moyen de blocage peuvent alternativement être actionnés pneumatiquement par lesdits moyens de contrôle.
Avantageusement, les premier et deuxième moyens de blocage comprennent des éléments gonflables qui sont actionnables entre une première position dans laquelle les éléments gonflables sont pressurisés pour solidariser les premier et deuxième dispositifs de fixation à ladite au moins une jambe et une deuxième position dans laquelle les éléments gonflables sont dépressurisés pour désolidariser les premier et deuxième dispositifs de fixation de ladite au moins une jambe.
De tels éléments gonflables sont relativement simples à mettre en œuvre et sont facilement contrôlables ou actionnables, notamment pour le déplacement entre la première et la deuxième position.
En outre, les éléments gonflables sont configurés et dimensionnés pour exercer un effort suffisant, sans nécessiter un dimensionnement important, afin de solidariser l’un ou l’autre du premier et du deuxième dispositif de fixation à l’au moins une jambe.
De préférence, les éléments gonflables sont configurés pour exercer une pression sur une surface extérieure de la jambe lorsqu’ils sont pressurisés, chaque élément gonflable comprenant au moins deux chambres gonflables en demi-lune.
Ainsi, il est possible de ne faire intervenir aucun élément supplémentaire au dispositif de levage pour solidariser le premier ou le deuxième dispositif de fixation à l’au moins une jambe.
Les au moins deux chambres gonflables en demi-lune sont particulièrement adaptées pour des jambes de section sensiblement circulaire. Lorsque ces chambres sont indépendantes les unes des autres, elles peuvent s’écarter ou se rapprocher afin de s’adapter à des jambes de sections plus ou moins grandes.
Au surplus, grâce à leur caractère déformable, les éléments gonflables peuvent s’adapter à des jambes dont la section n’est pas circulaire.
Préférentiellement, le premier et le deuxième dispositif de fixation forment chacun un ensemble mécanique comprenant deux sous-ensembles, lesdits deux sous-ensembles sont configurés pour être assemblés respectivement entre eux autour de ladite au moins une jambe par des moyens de fixation démontables.
Cet arrangement, permet de monter l’au moins un dispositif de levage amovible autour de l’au moins une jambe, sans qu’il soit nécessaire de l’enfiler par le haut de celle-ci.
Par « recuit thermique rapide », on entend un recuit pendant une durée de quelques secondes ou quelques dizaines de secondes, sous atmosphère contrôlée. Un tel recuit est communément désigné par l’appellation de recuit RTA pour « Rapid Thermal Annealing » en anglais. Le recuit thermique rapide (E1) est réalisé à une température comprise entre 1100°C et 1250°C pendant 1 s à 90 s. Le recuit thermique rapide (E1) est réalisé sous une atmosphère comprenant un mélange d’argon et d’hydrogène ou une atmosphère d’argon pur.
Le recuit thermique rapide permet de renforcer l’interface de collage entre le substrat support et la couche semi-conductrice transférée. Il permet également de lisser la surface de la couche semi-conductrice transférée, en provoquant une réorganisation des atomes présents à la surface, et permet également de restaurer le réseau cristallin qui a pu être perturbé par l’implantation. Toutefois, il n’est pas suffisant pour atteindre le niveau de rugosité requis pour permettre le collage du second substrat donneur puis le transfert d’une couche semi-conductrice du second substrat donneur sur le premier SOI.
L’étape (E2) suivante d’oxydation / désoxydation doit être comprise comme une séquence comprenant la succession des opérations suivantes :
une opération d’oxydation thermique (E2a), une opération de désoxydation chimique (E2b).
L’opération d’oxydation (E2a) peut par exemple être menée en chauffant la structure à une température comprise entre 800°C et 1100°C pendant quelques minutes à quelques heures sous atmosphère oxydante, par exemple de la vapeur d’eau (oxydation humide) ou de l’oxygène seul (oxydation sèche). Lors de cette oxydation, les deux faces du premier SOI s’oxydent. L’opération de désoxydation (E2b) peut par exemple être menée en exposant la face avant de la structure à une solution d’acide fluorhydrique (HF) pendant quelques secondes à quelques minutes pour retirer la couche d’oxyde formée sur la face avant, sans retirer la couche d’oxyde présente sur la face arrière de la structure.
Cette étape d’oxydation / désoxydation consomme, par oxydation puis élimination, une portion superficielle de silicium. La consommation de silicium superficiel permet non seulement d’ajuster l’épaisseur de la couche semi-conductrice mais également d’éliminer des défauts apparus suite au transfert de couche par Smart Cut ™, à la surface de la couche transférée.
Le recuit thermique de longue durée, dit « batch anneal » en anglais, correspond à un recuit thermique d’une durée de l’ordre de quelques minutes à quelques heures, généralement supérieure à 15 min, avantageusement réalisée dans un four. L’utilisation du four permet de traiter une pluralité de substrats en même temps.
Le recuit thermique (E3) est réalisé à une température comprise entre 1050°C et 1250°C pendant quelques minutes à quelques heures sous atmosphère inerte, par exemple sous une atmosphère d’Argon ou d’hydrogène pur ou en mélange.
Le recuit thermique (E3) permet de lisser la surface de la couche semi-conductrice transférée et donc d’en diminuer la rugosité.
Le procédé de traitement de surface conforme à l’invention comprend enfin une dernière étape (E4) de polissage mécano-chimique.
Au cours du polissage mécano-chimique, ou CMP selon l’acronyme de l’expression anglaise « Chemical-Mechanical Polishing », on modifie la surface à polir à l’aide d’un agent chimique, par exemple une suspension de particules de silice colloïdale dans une base liquide, et on enlève par abrasion mécanique la surface modifiée. La vitesse de rotation et la pression utilisées lors de l’étape (E4) de CMP sont optimisées de sorte à retirer de manière uniforme de la matière en surface de la couche semi-conductrice transférée ou de la deuxième couche électriquement isolante, sans pour autant dégrader l’état de ladite surface, notamment sans en augmenter la rugosité.
Ce polissage mécano-chimique permet en effet de retirer les particules de surface. Par ailleurs, dans la mesure où ce polissage est effectué jusqu’au bord du substrat, il permet également de réduire progressivement les irrégularités d’épaisseur du premier SOI jusqu’en bord de plaque au niveau de la couronne du premier SOI, ce qui permet un second collage plus proche du bord de plaque. Ainsi, on réduit la largeur de la couronne issue du second transfert par Smart Cut ™.
Alternativement, le recuit thermique rapide (E3’) est réalisé à une température comprise entre 1100 °C et 1250 °C pendant quelques secondes à une centaine de secondes, par exemple sous une atmosphère comprenant de l’argon ou de l’hydrogène, seuls ou en mélange.
Préparation de la structure SOI supérieure En référence à la , la deuxième structure de type semi-conducteur sur isolant ou structure SOI supérieure est formée sur la structure SOI inférieure par un second transfert d’une deuxième couche semi-conductrice monocristalline 3b issue d’un second substrat donneur, sur la face avant de la première structure de type semi-conducteur sur isolant, une deuxième couche électriquement isolante 3a étant à l’interface entre la première couche semi-conductrice transférée et le second substrat donneur.
Le second substrat donneur est un substrat semi-conducteur monocristallin, par exemple un substrat de silicium monocristallin. Le second substrat donneur se présente sous la forme d’une plaque circulaire généralement de même diamètre que le substrat support.
Selon un mode de réalisation, on fait le second transfert de couche selon un deuxième procédé Smart Cut™ comprenant :
On observe que la sinusoïde de sortie correspondant au signal de sortie numéroté 3 est bien restituée. En revanche, le signal de sortie 2 , représentant la tension de sortie du circuit d’alimentation 153, présente des déformations entre 0 et 5µs et entre 18 et 20µs. Le taux de THD est égal à 0.26%. L’ajout de ces composants permet ici d’améliorer la distorsion pour un signal sinusoïdal d’entrée allant jusqu’à une fréquence de 20kHz.
Tel qu’illustré sur la , dans un quatrième mode de réalisation, le sous-circuit de décalage de tension de l’étage d’alimentation 154 comporte en outre un troisième condensateur C21, C24 monté en parallèle de la quatrième résistance R22, R26 et de la deuxième diode D6, D29, ainsi qu’un deuxième condensateur C17, C22, monté en parallèle de la première diode D8, D10 et du premier condensateur C18, C23.
On observe ainsi que le signal 2 est moins perturbé mais la commutation de la quatrième diode D3 génère toujours des parasites, notamment entre 45 et 50µs.
En effet, le deuxième condensateur C17, C22 , par exemple utilisant la technologie électrochimique, présente une valeur importante, typiquement comprise entre 5 et 15µF, constitue un réservoir d’énergie, tandis que le premier condensateur C18, C23 , par exemple utilisant la technologie à film plastique, présente une valeur plus faible, typiquement comprise entre 50 et 150nF, permet de lisser les parasites en haute-fréquences. La THD est réduite à 0,21 %
Cette association permet de rendre le circuit plus performant dans les phases transitoires de croissance et de décroissance du signal.
Tel qu’illustré sur les figures 5 et 16, dans un cinquième mode de réalisation, l’étage d’alimentation 155 , 155a , 155b comporte en outre un quatrième condensateur C14 , C25 monté en parallèle de la quatrième diode D3 , D11 .
On observe que les parasites générés par la quatrième diode D3 , D11 ont disparu entre 45 et 50µs. Ceci se traduit par une légère baisse de la THD de 0,21 à 0,2 %.
Bien que l’invention soit précédemment décrite en référence aux figures 5 à 17 pour un amplificateur audio haute puissance 102 permettant d’alimenter un haut-parleur R44 en tension, il est également possible d’utiliser le circuit d’alimentation de l’invention pour un amplificateur audio haute puissance en courant, c’est-à-dire pour alimenter un haut-parleur en courant.
Pour ce faire, tel qu’illustré sur la une résistance de mesure de courant R61 est insérée entre le haut-parleur R44 et la masse. En outre, l’amplificateur en courant 103 ne présente pas de ligne de protection 403. Les bases des transistors Q2 et Q4 sont reliées à un point d’interconnexion situé entre la résistance R61 et le haut-parleur R44 par l’intermédiaire d’un condensateur C40. Ce condensateur C40 ne laisse donc passer que la composante alternative du signal.
Dans cette configuration, le haut-parleur R44 est donc traversé par un courant alternatif dont une image est appliquée au point S2 . Il s’ensuit que la transconductance de l’amplificateur est égale à 1/R61 pour un signal alternatif.
En variante, afin de protéger le haut-parleur R44 et l’amplificateur lui-même, une résistance peut être ajoutée à la contre-réaction, entre le point S2 et la sortie de l’amplificateur 3 . Dans le cas d’une composante continue aux bornes du haut-parleur R44 , la composante continue est appliquée aux bases des transistors Q2 et Q4 par l’intermédiaire d’une résistance R18 . La contre-réaction va tendre à annuler cette composante continue. En outre, la résistance R18 permet de limiter le gain de l’amplificateur en l’absence de haut-parleur R44 , l’empêchant également d’osciller.
Lorsque le courant est alternatif, le condensateur C40 a une impédance négligeable par rapport à la valeur de la résistance R18 . En fonctionnement normal, c’est-à-dire, lorsqu’il n’y a pas de composante continue et lorsqu’un haut-parleur R44 est effectivement présent en sortie de l’amplificateur, la résistance R18 n’a quasiment aucun effet. En revanche, en l’absence de haut-parleur R44 en sortie de l’amplificateur, on peut considérer que le point S2 est relié, d’une part, à la sortie de l’amplificateur par l’intermédiaire de la résistance R18 , et, d’autre part, à la masse par l’intermédiaire de la résistance R61 puisque le condensateur C40 se comporte comme un court-circuit en courant alternatif. L’amplification en tension sera donc limitée à (R18 + R61) / R61 puisque la tension de sortie de l’amplificateur multipliée par R61/ (R18 + R61) est comparée à la tension d’entrée appliquée au point S1 par les paires différentielles formées par les transistors Q1 / Q2 et Q3 / Q4 . L’amplificateur ne fournira alors pas sa tension de sortie maximale, ce qui aurait pu être dangereux. De même, en présence d’une composante continue et en présence ou en l’absence de haut-parleur R44 en sortie de l’amplificateur, le condensateur se comporte comme un circuit ouvert, la composante continue est ainsi réinjectée au point S2 par l’intermédiaire de la résistance R18 . Le gain en tension est ainsi limité à 1 pour les tensions continues, ce qui ne risque pas d’endommager le haut-parleur R44 .