INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
En regard des figures 4 à 10, un étrier amovible 45 est placé dans le premier étrier permanent 31, à l’intérieur de sa première zone de logement 42. L’étrier amovible 45 comprend une paroi latérale proximale 46, une paroi latérale distale 47, une paroi amont 48 et une paroi aval 49 qui définissent une seconde zone de logement 50. Dans un plan de coupe P2, cette seconde zone de logement 50 présente la forme d’un U dans laquelle peut être placé un couloir présentant une seconde section S2 en forme de U. Les parois amont 48 et aval 49 comprennent des pattes 51 qui s’engagent respectivement dans des encoches 52 sur le fond 41 du premier étrier permanent31, ce qui permet un verrouillage de l’étrier amovible 45 placé dans la première zone de logement 42 du premier étrier permanent 31. D’autres moyens de verrouillage pourraient être prévus entre l’étrier amovible 45 et le premier étrier permanent 31, par exemple des tétons (non illustrés) agencés à la place de pattes 51 qui s’engagent ou s’encliquètent dans des orifices (non illustrés) agencés à la place des encoches 52, voire un emboîtement de la forme externe de l’étrier amovible 45 à l’intérieur de la première zone de logement 42 du premier étrier permanent 31. Sur le mode de réalisation illustré ici, notamment en , l’étrier amovible 45 ne comporte pas de fond, ce qui laisse apparaître le fond 41 du premier étrier permanent 31 dans la seconde zone de logement 50 de l’étrier amovible 45 placé dans ledit premier étrier permanent 31. En variante non illustrée, l’étrier amovible 45 pourrait comporter un fond et une embouchure identique à la première embouchure 43 sur le fond 41 du premier étrier permanent 31 et correspondant avec celle-ci lorsque l’étrier amovible 45 est placé dans le premier étrier permanent 31.
En regard des figures 4, 5 à 11 à 13, un second étrier permanent 53 est monté sur la seconde platine 30 de la seconde pièce de support 28 au moyen d’un second dispositif de réglage 54 permettant de déplacer en hauteur dans le sens de la double flèche F2, ledit second étrier permanent 53 par rapport à la seconde platine 29. Ce dispositif de réglage 53 est de préférence identique au dispositif de réglage 32 mis en œuvre entre la première platine 29 et le premier étrier permanent 31 et comporte une lumière 55 agencée sur la seconde platine 30 et une pièce de guidage 56 montée en liaison glissière dans le sens de la double-flèche F2 vis-à-vis des bords latéraux 55a, 55b de cette lumière 55. La pièce de guidage 56 est montée sur une vis sans fin 57 munie d’une tête de réglage 57a qui peut être manipulée pour entraîner la rotation dans un sens ou dans l’autre de ladite vis sans fin 57 et ainsi déplacer vers le haut ou vers le bas la pièce de guidage 56 à l’intérieur de la lumière 55. Une paroi latérale proximale 58 du second étrier permanent 53 est fixée à la pièce de guidage 56. Le second étrier permanent 53 comprend également une paroi latérale distale 59, une paroi amont 60, une paroi aval 61 et un second fond 62 qui définissent avec la paroi latérale proximale 58 une troisième zone de logement 63. Dans un plan de coupe P3, cette troisième zone de logement 63 présente la forme d’un U dans laquelle peut être placé un couloir présentant une seconde section S2, comme pour l’étrier amovible 45. Le second fond 62 comprend une seconde embouchure 64 qui a de préférence une forme oblongue. Sous ce second fond 62, un second connecteur 65 est raccordé à la seconde embouchure 43, ce second connecteur 65 permettant le raccordement d’un circuit d’air ventilé (non illustré).
En regard de la , un premier organe d’étanchéité 66 est positionné sur le premier fond 41 du premier étrier permanent 31 et placé dans la seconde zone de logement 50 de l’étrier amovible 45 lorsque celui-ci est placé dans la première zone logement 42 du premier étrier permanent 31, tel que précisé précédemment. Lorsque l’étrier amovible 45 est retiré du premier étrier permanent 31, cet organe d’étanchéité 66 demeure présent sur le premier fond 41 et est placé dans la première zone de logement 42 dudit premier étrier permanent 31. Le premier organe d’étanchéité 66 est de préférence constitué d’une tresse 67 en inox qui est soudée ou collée sur le pourtour 68 (référencé figures 6 et 7) de la première embouchure 43 agencée sur le premier fond 41. D’autres premiers organes d’étanchéité pourraient être prévus en remplacement de la tresse 67, par exemple un joint de forme similaire à la tresse 67, mais réalisé en caoutchouc fluoré ou un tissu tressé en fibres céramiques.
De manière identique, comme l’illustre la , un second organe d’étanchéité 69 est positionné sur le second fond 62 du second étrier permanent 53 et placé dans la troisième zone de logement 63 dudit second étrier permanent 53. Le second organe d’étanchéité 69 est de préférence constitué d’une tresse 70 en inox qui est soudée ou collée sur le pourtour 71 (référencé figures 6 et 7) de la seconde embouchure 64 agencée le second fond 62. D’autres premiers organes d’étanchéité pourraient être prévus en remplacement de la tresse 70, par exemple un joint de forme similaire à la tresse 67, mais réalisé en caoutchouc fluoré ou un tissu tressé en fibres céramiques.
Selon une première variante de mise en œuvre, l’obtention de la donnée de couleur de ladite surface corporelle à maquiller virtuellement est réalisée à partir des données d’image entrantes. Selon une deuxième variante, la donnée de couleur de la surface corporelle à maquiller virtuellement peut être obtenue séparément, les données d’image entrantes pourront alors être une image de la zone corporelle maquillée avec un produit de maquillage présentant une finition ou texture particulière souhaitée.
Préférentiellement, la donnée de couleur de la surface corporelle à maquiller virtuellement est obtenue à partir d’une zone corporelle nue, c’est-à-dire, non maquillée et, de préférence, ne portant aucun produit cosmétique.
Ainsi, en prévoyant de fournir au moteur de rendu une valeur du paramètre coloriel qui n’est plus indépendante de l’utilisatrice mais est déterminée à partir de la couleur de la zone corporelle à maquiller, il est possible de passer aisément et directement au moteur de rendu une valeur de couleur résultante adaptée à l’utilisatrice sans avoir à intégrer au moteur de rendu des transformations et calculs complexes additionnels.
Autrement dit, alors que généralement, la sélection d’un produit cosmétique d’une certaine teinte, se traduira par une valeur de paramètre coloriel passée au moteur de rendu qui est déterminée et indépendante de la couleur de la zone corporelle considérée, le présent procédé prévoit de passer au moteur de rendu une valeur de paramètre coloriel déterminée non seulement par rapport au produit cosmétique de maquillage souhaité mais également par rapport à une couleur de zone corporelle de manière à injecter dans le moteur de rendu une valeur de paramètre coloriel caractéristique la plus adaptée possible à l’utilisatrice.
Ainsi pour une utilisatrice qui souhaiterait essayer virtuellement un rouge à lèvres Absolu Rouge de Lancôme de teinte 397 « berry noir matte », il est possible d’obtenir une valeur du paramètre coloriel fonction de sa couleur de lèvres. En effet, le même rouge à lèvre appliqué sur des lèvres à peau claire ne donnera pas le même rendu qu’appliqué sur des lèvres de peau foncée. Pour cette raison, il est important de pouvoir fournir au moteur de rendu une valeur de paramètre coloriel adaptée et non une valeur de paramètre coloriel indépendante de l’utilisatrice, voire obtenue sur une autre utilisatrice.
De manière préférentielle, les valeurs et données de couleurs sont exprimées sous la forme de coordonnées dans un espace colorimétrique donné, notamment dans un espace colorimétrique percéptuellement uniforme tel que l’espace colorimétrique CIELAB (notamment L*, a*, b* ou utilisant les coordonnées polaires L*, C*, h*). Un espace percéptuellement uniforme permet notamment de déterminer aisément des écarts de couleur delta E représentatifs de différences visuelles. Bien évidemment, à titre alternatif ou complémentaire, les couleurs peuvent être exprimées dans d’autres espaces colorimétriques, notamment RGB voire directement en code informatique hexadécimal, notamment selon les besoins de traitement informatique.
Le procédé objet de la présente demande concerne plus particulièrement, le maquillage virtuel d’une zone de lèvres, le produit cosmétique de maquillage étant un produit de maquillage des lèvres, notamment un rouge à lèvres, de préférence du type en bâtonnet solide, ou un vernis à lèvres (gloss). Bien évidemment, le procédé peut également être mise en œuvre pour le maquillage virtuel d’autres zones corporelles telles qu’une zone de peau, notamment de peau du visage ou des paupières, le produit cosmétique de maquillage étant respectivement un fond de teint ou un fard à paupières.
Selon une variante de mise en œuvre préférée, la valeur de paramètre coloriel est obtenue depuis une base de données associant au moins une référence de produit cosmétique de maquillage avec une pluralité de couleurs de référence de la zone corporelle considérée. Ainsi, pour chaque référence de produit cosmétique (e.g. rouge à lèvres), la base de données pourra contenir des valeurs du paramètre coloriel correspondant aux couleurs de rendu dudit produit cosmétique sur, par exemple, une zone corporelle (e.g. des lèvres) de ton clair / medium / foncé.
De manière avantageuse, la valeur du paramètre coloriel caractéristique du produit cosmétique est choisie dans la base de données comme étant celle affectée à la couleur de référence de la zone corporelle considérée la plus proche de la couleur de la zone corporelle à maquiller virtuellement, obtenue notamment des données d’image entrantes. La proximité pourra notamment être déterminée par calcul d’un écart coloriel dans l’espace colorimétrique considéré, par exemple par calcul du paramètre ΔE dans l’espace CIELAB.
Le recours à une base de données contenant des valeurs du paramètre coloriel pour un plusieurs couleurs de référence de la zone corporelle considérée permet de conserver un système simple d’accès, aisément interrogeable, et permettant de stocker un grand nombre de références de produits cosmétiques tout en conservant un degré de précision et d’adaptabilité à la couleur de la zone corporelle de l’utilisatrice suffisante.
Les valeurs des paramètres coloriels pour les différents produits cosmétiques et les différentes couleurs de référence de la zone corporelle peuvent être obtenues de différentes manières, par exemple par mesure de couleur sur des produits réellement appliqués ou par simulation à l’aide de modèle de rendus colorimétriques (approximation de Kubelka-Munk par exemple) comme décrit au paragraphe suivant.
Alternativement à la mise en œuvre d’une base de données contenant les différentes valeurs de paramètres coloriel, la valeur du paramètre coloriel caractéristique du produit cosmétique peut être obtenue par application d’un modèle de rendu colorimétrique à une donnée de couleur intrinsèque ou propre du produit cosmétique considéré et à une valeur de couleur de la zone corporelle à maquiller, obtenue notamment des données d’image entrantes. Ainsi, la couleur de la zone corporelle à maquiller virtuellement n’est plus mise en correspondance avec une couleur de référence proche mais directement utilisée pour déterminer la valeur dudit paramètre coloriel à passer au moteur de rendu du système d’essayage virtuel. Par couleur intrinsèque du produit cosmétique considéré, on entend une couleur indépendante de la couleur de la surface de peau sur laquelle il est destiné à être appliqué. Cette couleur peut être obtenue par mesure in vitro dans des conditions normalisées, par exemple après application (par enduction d’une couche d’épaisseur définie par exemple) du produit sur un support de mesure d’opacity comprenant une surface d’enduction noire et une surface d’enduction blanche (« opacity chart » tel que des cartes Leneta®) et de préférence dans des conditions d’éclairage également standardisé (D65 notamment). La couleur de la surface corporelle sera de préférence acquise dans des conditions d’éclairage similaires ou identique, par exemple en utilisant un dispositif tel que la CHROMASPHERE®. L’image de l’utilisatrice alimentant le moteur de rendu pourra avantageusement également être prise dans les mêmes conditions d’éclairage.
Selon le fonctionnement du moteur de rendu du système d’essayage virtuel, une valeur du paramètre coloriel unique peut être obtenue pour une couleur moyenne globale de la surface corporelle à maquiller virtuellement. Toutefois, afin d’améliorer la précision de rendu et compte tenu du fait que la couleur de la surface corporelle à maquiller virtuellement peut ne pas être totalement uniforme, il est possible de subdiviser la surface corporelle à maquiller virtuellement en une pluralité de sous-zones plus petites pour chacune desquelles une valeur du paramètre coloriel pourra être obtenue. Une valeur de paramètre coloriel peut même être obtenu pixel par pixel le cas échéant.
De manière avantageusement complémentaire, le moteur de rendu est apte à recevoir un paramètre de brillance / matité.
Alternativement ou de manière complémentaire, comme expliqué précédemment, la couleur de la surface corporelle à maquiller peut être obtenue séparément des données d’images entrantes à partir de la surface corporelle nue / non maquillée. Les données d’images entrantes fournies au moteur de rendu peuvent alors comprendre une surface corporelle maquillée d’un produit présentant le fini (matte / brillant) et/ou la texture souhaitée, le moteur de rendu n’effectuant qu’une transformation colorielle.
La présente invention sera mieux comprise à l’aide de la description détaillée qui suit en regard des dessins annexés sur lesquels :
Deuxième étape d’oxydation On oxyde ensuite les faces avant et arrière du premier substrat de type semi-conducteur sur isolant, comme visible sur la .
L’oxydation sur la face avant conduit à une consommation partielle de la première couche semi-conductrice monocristalline 2, donc à une diminution de l’épaisseur de ladite couche semi-conductrice monocristalline 2 préalablement transférée, et à la formation de la deuxième couche électriquement isolante 2b. A titre d’exemple, si le premier substrat donneur est un substrat de silicium, la deuxième couche d’oxyde électriquement isolante 2b est donc une couche d’oxyde de silicium.
L’oxydation sur la face arrière conduit à une augmentation de l’épaisseur de la couche initiale d’oxyde 1a.
La deuxième étape d’oxydation peut par exemple être menée en effectuant un recuit de la structure de type semi-conducteur sur isolant obtenue suite au premier transfert de couche à une température comprise entre 800°C et 1100°C sous atmosphère oxydante pendant quelques minutes à quelques heures pour obtenir une épaisseur de la deuxième couche d’oxyde électriquement isolante 2b comprise entre 100 nm et 1100 nm.
L’épaisseur de la première couche semi-conductrice 2 dans la structure finale est essentiellement l’épaisseur de la première couche semi-conductrice 2 transférée moins l’épaisseur de la couche semi-conductrice 2 consommée pour former la deuxième couche électriquement isolante 2b. L’épaisseur maximale de la première couche semi-conductrice 2 au moment du transfert est limitée seulement par le procédé d’implantation, elle est généralement inférieure à 2µm, et préférentiellement d’environ 600 nm. L’épaisseur de la première couche semi-conductrice 2 dans la structure finale peut donc être préférentiellement comprise entre 50 nm et 1 µm, et encore plus préférentiellement entre 50 et 500 nm.
A titre d’exemple, si l’épaisseur de la première couche semi-conductrice 2 transférée est de 600 nm, les traitements de surface pour améliorer la qualité de surface de ladite première couche semi-conductrice 2 consomment le matériau semi-conducteur sur environ 100 nm d’épaisseur. La deuxième étape d’oxydation peut alors consommer une épaisseur de 450 nm de matériau semi-conducteur pour laisser une première couche semi-conductrice 2 d’une épaisseur de 50 nm et former une deuxième couche électriquement isolante 2b de l’ordre de 1000 nm d’épaisseur.
Préalablement au deuxième transfert de couche, on peut avantageusement mettre en œuvre un nettoyage et/ou un polissage mécano-chimique de la surface libre de la deuxième couche électriquement isolante 2b.
Deuxième étape de transfert de couche Par ailleurs, en référence à la , on fournit un second substrat donneur d’une deuxième couche semi-conductrice monocristalline 3. Tout comme le premier substrat donneur, le second substrat donneur est un substrat semi-conducteur monocristallin, par exemple un substrat de silicium monocristallin. Le second substrat donneur se présente sous la forme d’une plaque de même diamètre que le substrat support 1 et le premier substrat donneur. Eventuellement, on peut recycler le reliquat du premier substrat donneur pour former le second substrat donneur. A cet effet, on traite le reliquat du premier substrat donneur pour retirer les défauts liés à l’implantation et au détachement, et pour lui donner un état de surface compatible avec un nouveau collage.
Selon un mode de réalisation, on fait le second transfert de couche selon le procédé Smart Cut™. On forme dans ce deuxième substrat donneur une zone de fragilisation délimitant la deuxième couche semi-conductrice monocristalline 3 (voir traits pointillés sur la ). La zone de fragilisation peut être formée de la même manière que pour délimiter la première couche semi-conductrice monocristalline 2 au sein du premier substrat donneur. En référence à la , on transfère ensuite la deuxième couche semi-conductrice monocristalline 3 en collant la face du second substrat donneur ayant subi l’implantation sur la deuxième couche électriquement isolante 2b. En référence à la , on élimine le reliquat du second substrat donneur en le fracturant le long de la zone de fragilisation.
Préalablement à la formation de la zone de fragilisation au sein dudit second substrat donneur, on peut optionnellement oxyder la surface du second substrat donneur sur une très faible épaisseur, par exemple sur une épaisseur comprise entre 20 et 30 nm. La très fine couche d’oxyde à la surface du second substrat donneur est préférentiellement retirée après la formation de la zone de fragilisation et avant le collage du second substrat donneur sur la deuxième couche électriquement isolante 2b.
Tout comme pour le premier substrat donneur, l’oxydation de la surface du second substrat donneur sur une très faible épaisseur peut être réalisée à une température comprise entre 800 °C et 1000 °C pendant quelques minutes à quelques dizaines de minutes sous atmosphère oxydante.
De manière alternative, le second transfert de couche peut être réalisé en amincissant le second substrat donneur par sa face opposée à la face collée sur la deuxième couche électriquement isolante 2b jusqu’à l’obtention de l’épaisseur souhaitée pour la deuxième couche semi-conductrice 3.
Au cours de la deuxième étape de transfert de couche, au moins une partie de la couche d’oxyde sur la face arrière du substrat support est conservée, de sorte à limiter les problèmes liés à la déformation de la plaque.
Suite au second transfert de couche, on obtient une deuxième structure de type semi-conducteur sur isolant, comprenant la deuxième couche électriquement isolante 2b et la deuxième couche semi-conductrice monocristalline 3, qui constitue la structure supérieure de type semi-conducteur sur isolant de la structure finale de type double semi-conducteur sur isolant (voir ).
Puisque la deuxième couche électriquement isolante 2b a été formée à partir d’un deuxième substrat receveur constitué par le premier substrat de type semi-conducteur sur isolant oxydé sur sa face avant, et non à partir du second substrat donneur, l’épaisseur de la deuxième couche semi-conductrice 3 transférée n’est limitée que par l’énergie maximale du procédé d’implantation. Une telle énergie maximale d’implantation correspond à une épaisseur de la deuxième couche semi-conductrice 3 de l’ordre de 600nm selon les espèces implantées . L’invention permet donc également d’obtenir une deuxième couche semi-conductrice 3 d’épaisseur élevée tout en ayant une deuxième couche électriquement isolante 2b ayant également une épaisseur élevée.
Optionnellement, on peut mettre en œuvre différents traitements de la surface libre de la deuxième couche semi-conductrice 3, par exemple pour parfaire l’épaisseur de ladite couche ou pour améliorer la qualité de ladite surface libre en vue d’éventuelles fonctionnalisations ultérieures. Dans le cas de traitements thermiques, la couche d’oxyde 1a sur la face arrière du substrat support 1 limite avantageusement la déformation de la structure de type double semi-conducteur sur isolant.
On comprend donc ici que la poutre 8 est un élément constitutif de la structure qui participe à la réalisation de la pièce 1. Cette poutre 8 présente une dimension d’allongement principal, ici la direction principale d’extension X. Une telle poutre présente ici une section en forme de « I », mais peut également être en forme de « C », voire deux éléments en forme de « C » fixés l’un à l’autre pour former la poutre 8 en forme de « I ». Selon d’autres alternatives, la section de la poutre peut être rectangulaire ou carré, ou éventuellement en forme de « L ».
La poutre 8 comprend au moins un organe de positionnement longitudinal 18 de l’organe de connexion 10 par rapport à la poutre 8. L’organe de positionnement longitudinal 18 prend la forme d’un ergot faisant saillie de la paroi principale 14. Par ailleurs, une dimension principale de l’organe de positionnement 18 est mesurée le long de la direction principale d’extension X de la poutre 8, cette dimension principale correspondant à la plus grande dimension de l’organe de positionnement 18.
Préférentiellement, la poutre 8 comprend plusieurs organes de positionnement longitudinal 18 installés les uns à la suite des autres le long d’une direction parallèle à de la direction principale d’extension X de la poutre 8. Encore plus préférentiellement, la poutre 8 comprend un premier groupe d’organes de positionnement longitudinal 18 faisant saillie le long d’une des faces de la paroi principale 14 et un deuxième groupe d’organes de positionnement longitudinal 18 faisant quant à eux saillie depuis l’autre face de la paroi principale 14.
La poutre 8 comprend également au moins un système de liaison 20 qui permet de relier mécaniquement deux composants en forme de « C » constitutifs de la poutre 8.
De plus, la poutre 8 comprend des pions de blocage 22 disposés sur une face de la paroi d’extension 16, et avantageusement sur la face de la paroi d’extension en regard de l’autre paroi d’extension. Avantageusement, la poutre 8 comprend un premier ensemble de pions de blocage 22 répartis le long de la direction principale d’extension X en faisant saillie de l’une des parois d’extension 16, et un deuxième ensemble de pions de blocage 22 répartis le long de la direction principale d’extension X en faisant saillie de la même paroi d’extension 16, mais en étant disposés de l’autre côté de la paroi principale 14. Ce ou ces pions de blocage 22 interviennent dans le positionnement de l’organe de connexion 10, par rapport à la poutre 8, pour à la fois faciliter le montage de l’organe de connexion dans la partie en « C » de la poutre et pour garantir un appui plan de l’organe de connexion 10 contre la paroi principale 14 de la poutre 8.
On va maintenant décrire plus en détails l’organe de connexion 10 en référence à la . L’organe de connexion 10 comporte un corps principal 24 s’étendant le long d’une direction longitudinale L en présentant une première extrémité longitudinale 26, une deuxième extrémité longitudinale 28 et deux bords pliés 30 qui s’étendent entre les deux extrémités longitudinales.
Le corps principal 24 comprend au moins un orifice 32, par exemple configuré pour loger au moins partiellement un dispositif de fixation de l’organe de connexion 10 sur l’une des poutres 8 ou pour loger une excroissance qui fait saillie d’une poutre ou encore un système de liaison 20 tel qu’évoqué ci-dessus.