Dispositif d'acquisition d'images (1), dans lequel des photodétecteurs (2) ont un motif suivant des lignes (14, 16) d'interconnexion de circuits de lecture (3). Dispositif selon la revendication 1, dans lequel des premières électrodes (27) des photodétecteurs (2) ont un motif en croix (57) dont deux branches sont respectivement à l'aplomb des lignes (14, 16) interconnectant les circuits de lecture (3). Dispositif selon la revendication 2, dans lequel une couche d'injection de trous (23) commune aux photodétecteurs (2) a un motif de quadrillage à l'aplomb des lignes (14, 16) interconnectant les circuits de lecture (3). Dispositif selon la revendication 3, dans lequel une couche active (21) de chaque photodétecteur a le motif de quadrillage de la couche d'injection de trous (23). Dispositif selon la revendication 2, dans lequel une couche active (21) de chaque photodétecteur a le motif en croix (57) de sa première électrode (27). Dispositif selon la revendication 4 ou 5, dans lequel la couche active (21) et la première électrode de chaque photodétecteur s'étendent (93) au-delà dudit motif. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel chaque circuit de lecture (3) comporte un transistor, les lignes d'interconnexion correspondant à des lignes (14, 16) interconnectant respectivement les sources (35) des transistors selon une première direction et les grilles (37) des transistors selon une deuxième direction. Dispositif selon la revendication 6, dans lequel le motif selon lequel sont réalisés les photodétecteurs (2) est également à l'aplomb de contacts de drain (33) des transistors des circuits de lecture (3). Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel la surface masquée par la couche active (21) des photodétecteurs (2) représente, pour chaque pixel, moins de 50%, de préférence moins de 30% de la surface du pixel. Procédé de fabrication d'un dispositif d'acquisition d'images (1) comprenant les étapes suivantes : formation d'une matrice de circuits de lecture (3) dont des transistors sont interconnectés en lignes de sources (14) dans une première direction et en lignes de grilles (16) dans une deuxième direction ; dépôt, à partir de la matrice de circuits de lecture, d'un empilement comportant au moins : une électrode (27) ; une couche active (21) ; et une couche injectrice de trous (23) gravure des couches de l'empilement séparément ou simultanément selon un motif suivant au moins des lignes (14, 16) d'interconnexion de circuits de lecture (3). Procédé selon la revendication 10, dans lequel la gravure des couches de l'empilement est telle que la surface masquée de façon cumulative par la couche d'électrode (27) et la couche active (21) représente, pour chaque pixel, moins de 50%, de préférence moins de 30% de la surface du pixel. Procédé selon la revendication 10 ou 11, dans lequel la couche active (21) est gravée en même temps que la couche injectrice de trous (23). Procédé selon l'une quelconque des revendications 10 à 12, dans lequel un filtre optique (8) est rapporté sur l'empilement. Procédé selon l'une quelconque des revendications 10 à 13, dans lequel les couches de l'empilement recouvrent en outre des contacts de drain (33) des transistors des circuits de lecture (3). Procédé selon l'une quelconque des revendications 10 à 14, dans lequel les étapes sont adaptées à la fabrication d'un dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 9.