INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Comme il apparaît sur la , dans une telle situation, le dispositif de protection 20 du bouchon doseur 1 selon l’invention permet d’éviter que de telles gouttes de liquide puissent être projetées vers l’utilisateur ou son environnement. En effet, grâce à la présence de la paroi circulaire 21, positionnée distalement à la valve 10 et à l’ouverture de cette dernière, les gouttes de liquide projetées dans la direction distale, telles que la goutte 40b représentée sur la , sont stoppées par la paroi circulaire 21 et sont empêchées d’atteindre l’extrémité supérieure 6 de la chambre de dosage 4. Par ailleurs, parmi les gouttes de liquide qui sont projetées selon une direction faisant un angle avec la direction distale, certaines seront directement arrêtées tôt dans leur course par les piliers 22, et celles qui vont passer au travers des évidements 23 seront arrêtées par la paroi cylindrique 7 de la chambre de dosage 4 bien avant d’atteindre l’extrémité supérieure de cette dernière, comme la goutte 40a de la .
Ainsi, grâce au dispositif de protection 20 du bouchon doseur 1 selon l’invention, une mauvaise manipulation du flacon 30 après la phase de transfert du liquide dosé dans le contenant final n’entraîne pas de risque que des gouttes de liquides soient projetées au-delà de la chambre de dosage et vers l’utilisateur et son environnement comme cela peut être le cas avec un flacon muni d’un bouchon doseur conventionnel comme montré sur la .
Ainsi, la phase finale de transfert du liquide dosé est parfaitement sécurisée avec le bouchon doseur 1 selon l’invention.
Le bouchon doseur selon l’invention permet ainsi à la fois d’effectuer le dosage précis d’un liquide, en particulier un liquide concentré, sans risque de contact avec l’utilisateur lorsque ce bouchon doseur est hermétiquement fermé, et de prévenir tout risque de contact avec l’utilisateur et son environnement dans les situations où ce bouchon doseur est ouvert.
Procédé de conditionnement d’emballages cylindriques et ensemble d’emballages conditionnés selon ledit procédé La présente invention se rapporte à un procédé de conditionnement d'emballages cylindriques à base rectangulaire et à un ensemble d'emballages conditionnés conformément audit procédé.
Un domaine d'application envisagé est notamment, mais non exclusivement, celui du conditionnement des emballages alimentaires communément dénommés : « briques ».
Des procédés de conditionnement d'emballages cylindriques à base rectangulaire connus, par exemple pour conditionner les briques de lait ou de jus de fruits, font usuellement appel à des films plastiques.
La solubilité de certains composés de formule (I) dans l’eau a été évaluée en présence de 1.2 mol/L de différentes bases solubilisantes seules ou en présence de LiOH, NaOH, KOH et éventuellement NH 4 OH (base secondaire). Plus précisément, il s’agit d’évaluer la solubilité de la paire d’ions, [anthraquinone déprotonée-cation], résultant de la déprotonation des composés de formule (I) par lesdites bases. Le tableau ci-dessous indique la solubilité relative de ces composés de formule (I) par rapport à une solubilité de référence qui est leur solubilité en présence de 1 mol/L de NaOH.
Solubilité dans NaOH aq 1 mol/L 2.5x10 -4 mol/L 2.3x10 -2 mol/L 3.8x10 -3 mol/L 1.8x10 -3 mol/L NaOH 1 (référence) 1 (référence) 1 (référence) 1 (référence) LiOH x 14 x 2 x 0.03 x 0.03 KOH x 10 x 3 x 8 x 3 RbOH x 150 x 19 x 16 x 5 CsOH x 70 x 22 x 32 x 48 (NH 3 ) aq x 50 x 1 x 3 x 3 NMe 3 x 2000 x 43 n.d. x 2 NEt 3 x 2000 x 39 x 3 x 19 N-Methyl pyrrolidine n.d. x 43 x 7 x 6 N-Ethyl pyrrolidine x 2000 x 43 x 13 x 13 NMe 4 OH x 3700 x 40 x 213 x 494 Trimethyl,benzyl ammonium n.d. x 33 x 255 x 418 PBu 4 OH x 4100 x 23 x 211 x 218 DBU n.d. n.d. x 234 x 88 1,1,3,3-Tetramethyl guanidine x 4100 x 37 x 82 x 500
De façon complètement inattendue, la présence d’une base solubilisante dans une solution aqueuse de différents composés de formule (I) permet d’augmenter de manière spectaculaire (jusqu’à 4000 fois) la solubilité de ces composés de formule (I).
Exemple 3 : Comparaison de la solubilité dans l’eau de composés de formule (I) bases solubilisantes dans des négolytes de différentes compositions
Le tableau ci-dessous présente la solubilité relative de la quinizarine et de la chrysazine en fonction de différentes compositions de négolyte, la solubilité relative étant par rapport à une solubilité de référence qui est leur solubilité en présence de 1.1 mol/L de KOH. Les solubilités absolues de la quinizarine et de la chrysazine dans une solution aqueuse de KOH 1 mol/L sont respectivement égales à 3.1x10 -2 mol/L et 4.8x10 - 3 mol/L.
KOH (1.1 mol/L) 1 (référence) 1 (référence) KOH (1.67 mol/L) NMe 4 Cl (0,75 mol/L) Prise en masse Prise en masse KOH (1.1 mol/L) NMe 4 Cl (1.1 mol/L) 2 3 KOH (0,5 mol/L) NMe 4 OH (1.1 mol/L) 10 29 NMe 4 OH (1.1 mol/L) 12 83
Exemple 4 (comparatif) : Solubilité dans l’eau de composés différents des composés de formule (I) selon l’invention
Le tableau suivant présente les solubilités relatives dans l’eau de l’anthraquinone-SO 3 H suivante qui n’est pas un composé de formule (I) selon l’invention.
Base Solubilité relative Aucune (solubilité de l’anthraquinone-SO 3 H non déprotonée, mesure de référence) 1 LiOH 0,38 NaOH 0,03 KOH 0,14 CsOH 0,38 NH 4 OH 0,14 NMe 4 OH 0,58
Ces résultats démontrent que quelle que soit la base utilisée, même une base solubilisante selon l’invention, la forme acide d’une anthraquinone sulfonée est plus soluble que la forme déprotonée, au contraire des composés de formule (I) selon l’invention dont les formes protonées carboxyliques (R-CO 2 H) et phénoliques (Ar-OH) sont très peu solubles dans l’eau, alors que les formes déprotonées par une base solubilisante selon l’invention sont plus solubles. En effet, l’AQ-SO 3 H ci-dessus est un acide fort dont la paire d’ions est particulièrement dissociée par rapport à celle des anthraquinones substituées par un groupement OH et/ou par un groupement COOH.
Exemple 5 : Etude de la compatibilité des bases solubilisantes avec différentes membranes
L’influence de la présence d’une base solubilisante dans le négolyte sur les performances de deux membranes a été évaluée en étudiant la résistance ohmique d’une cellule symétrique, selon le protocole décrit ci-après.
Un électrolyte comportant un mélange à 50:50 de ferricyanure de sodium et de ferrocyanure de sodium à une concentration totale de 0.5 mol/L est formulé. Cet électrolyte est introduit dans les deux compartiments d’une batterie à flux rédox dont la cellule est composée de la membrane à tester. Les membranes testées sont deux membranes semi-perméables échangeuses de cations possédant deux structures différentes : i) la première est composée d’un squelette perfluoré et de chaîne perfluorosulfonée permettant d’assurer sa conduction ionique (type Nafion, grade Solvay 50 µm,K+) ; ii) la seconde est composée d’un squelette poly(ether-ether-ketone) sulfoné (type hydrocarboné, grade Fumatech Fumasep E620K).
La batterie, dite symétrique puisqu’elle est composée de deux électrolytes de formulation identique, se situe à un état de charge imposé par la proportion du mélange ferricyanure (forme chargée)/ferrocyanure (forme déchargée), soit à 50%. Cet état de charge permet la mesure de la résistance strictement ohmique de la cellule en occultant ainsi les contributions de polarisation i) d’activation de transfert de charge et ii) de transport de matière qui apparaissent respectivement au début et à la fin des processus de charge et de décharge d’un cyclage de batterie.
Une courbe de polarisation linéaire (CPL) est programmée sous la forme d’une rampe de courant et la valeur de résistance de la cellule est déduite en mesurant la pente obtenue par le tracé de j = f(U) ; J étant la densité de courant (mA/cm²) imposée à la cellule, U étant la tension mesurée (V) aux bornes de la cellule. Cette valeur est confirmée après le cyclage réversible de 5 cycles à un courant de ±2A dont la capacité est limitée à 20 mA.h (ie 15 % de SOC) et le tracé d’une nouvelle CPL. Cette boucle expérimentale est répétée jusqu’à ce que la valeur de la résistance de surface active (RSA) de la cellule soit stable et donc fiable.
0,1 mol/L de la base solubilisante que l’on souhaite étudier est dissout dans chaque compartiment de la batterie (même pH finaux), et le protocole précédant est reconduit afin d’établir la valeur de la résistance corrigée par la présence de l’espèce introduite. Cette valeur de résistance de surface active de cellule est comparée à celle de la référence, à savoir celle obtenue avec 0,1 mol/L de NaOH.
Selon un mode de réalisation, à l'étape 322, avant de commander l'application du signal d'excitation à l'oscillateur LCT, le circuit CTRL attend par exemple pendant la durée iCAP.
L'étape 322 est suivie d'une étape 314 (bloc "COUNT LCT"). Pendant cette étape 324, le circuit CTRL compte le nombre de commutations de la sortie du comparateur COMP ou, en d'autres mots, compte le nombre CNT d'oscillations dans l'oscillateur LCT qui atteignent le seuil VTH. A la fin de l'étape 324, le circuit CTRL désélectionne l'oscillateur LCT, par exemple avec le signal analog123, de sorte que l'oscillateur LCT ne soit plus relié au comparateur COMP.
Les étapes 322 et 324 correspondent à une phase de capture CAP avec l'oscillateur LCT, la phase de capture CAP ayant une durée égale, par exemple, à TCAP.
L'étape 324 est suivie d'une étape 320.
A l'étape 320, le circuit CTRL détermine si le microcontrôleur µC devrait être réveillé. En d'autres mots, à l'étape 320, le circuit CTRL détermine si un événement de réveil WU doit être envoyé au circuit PM.
Par exemple, le circuit CTRL détermine, sur la base de la position de la roue 1 déterminée pour chaque phase d'une pluralité de phases de mesure MEAS successives, le nombre de révolutions horaires et/ou le nombre de révolutions antihoraires de la roue 1 depuis que le circuit CTRL a été activé par le microcontrôleur. Ensuite, ces nombres de révolutions sont comparées à des valeurs cibles, par exemple pour déterminer si le nombre de révolutions horaires a atteint une valeur cible et/ou si le nombre de révolutions antihoraires a atteint une valeur cible. Si cela est le cas, le circuit CTRL envoie, par exemple, un événement de réveil au circuit PM afin de réveiller le microcontrôleur µC. De préférence, au moment de l'envoi de l'événement de réveil au circuit PM, le circuit CTRL associe en outre une interruption correspondante à cet événement de réveil, par exemple pour indiquer au microcontrôleur µC que le nombre de révolutions horaires a atteint la valeur cible ou que le nombre de révolutions antihoraires a atteint la valeur cible.
Par exemple, dans le cas où une détection de sabotage a été effectuée, le circuit CTRL détermine, sur la base du nombre compté à l'étape 324, si l'oscillateur LCT se trouve en regard d'une surface métallique ce qui est indicatif d'un sabotage. Si l'oscillateur LCT se trouve en regard d'une surface métallique (un sabotage est détecté), le circuit CTRL envoie, par exemple, un événement de réveil au circuit PM afin de réveiller le microcontrôleur µC. De préférence, au moment de l'envoi de l'événement de réveil au circuit PM, le circuit CTRL associe en outre une interruption correspondante à cet événement de réveil, par exemple pour indiquer au microcontrôleur µC qu'un sabotage a été détecté.
Si le microcontrôleur µC doit être réveillé (branche Y du bloc 320), l'étape 320 est suivie d'une étape 326 (bloc "POWER UP µC"). A l'étape 326, le microcontrôleur est réveillé. Par exemple, à l'étape 326, le circuit CTRL envoie un signal de réveil WU au circuit PM, qui à son tour allume ensuite l'alimentation du microcontrôleur µC. En outre, à l'étape 326, le circuit CTRL associe, par exemple, une interruption IT à l'événement de réveil WU pour indiquer au microcontrôleur µC pourquoi le circuit CTRL a demandé l'intervention du microcontrôleur. Par exemple, une fois le microcontrôleur µC réveillé, il désactive le circuit CTRL. Par exemple, une fois réveillé, le microcontrôleur µC détecte ou lit l'interruption IT associée à l'événement de réveil WU envoyé par le circuit CTRL.
S'il n'y a pas besoin de réveiller le microcontrôleur µC (branche N du bloc 320), l'étape 320 est suivie d'une étape 328 (bloc "TEMPO?").
A l'étape 328, le circuit CTRL détermine si la phase de mesure MEAS courante est terminée. En d'autres mots, le circuit CTRL détermine si une durée de temporisation doit s'achever avant de commander le début de la phase de mesure MEAS suivante.
Si la phase de mesure MEAS est terminée (branche N du bloc 328), l'étape 328 est suivie de l'étape 306 et la phase de mesure MEAS suivante commence.
Si la phase de mesure MEAS n'est pas terminée (branche Y du bloc 328), l'étape 328 est suivie d'une étape 330 (bloc "TEMP").
A l'étape 330, le circuit CTRL attend jusqu'à la fin de la phase de mesure MEAS courante ou, en d'autres mots, attend que la durée TEMPO s'achève. Une fois la phase de mesure MEAS courante achevée, l'étape 330 est suivie de l'étape 306 et la phase MEAS suivante commence.
L'homme du métier saura modifier l'ordre et/ou le nombre d'étapes décrites en relation avec la .
Par exemple, une étape similaire à l'étape 320 peut être mise en œuvre après les étapes 306, 310, 312 et 314, pour déterminer si le microcontrôleur µC doit être réveillé, par exemple parce que le nombre de révolutions de la roue 1 a atteint le nombre cible, ou si le procédé doit se poursuivre à l'étape 318.
Par exemple, les étapes 306 et 310 peuvent être permutées avec les étapes 312 et 314, respectivement. Dans ce cas, si l'étape 302 est suivie de l'étape 312 plutôt que de l'étape 306, la phase de mesure MEAS commence avec l'étape 312.
Lors de l’étape de dépôt de la couche polymère 104, la couche polymère 104 est déposée directement en contact avec la surface activée 112 du substrat piézoélectrique 106.
La surface libre 110 du substrat piézoélectrique 106 a subi auparavant l’étape de traitement de surface 108 pour une activation de la surface libre 110 et ainsi obtenir une bonne adhésion de la couche polymère 104 sur la surface libre 110 du substrat piézoélectrique 106.
Ainsi, les liaisons pendantes présentes sur la surface activée 112 du substrat piézoélectrique 106 créent des sites de liaisons favorisant l’adhérence de la couche polymère 104 formée sur la surface activée 112 du substrat piézoélectrique 106. Les liaisons pendantes présentes sur la surface activée 112 du substrat piézoélectrique 106 vont former des liaisons covalentes avec les liaisons pendantes de la couche polymère 104. Ainsi, l’interface de contact 116 entre le substrat piézoélectrique 106 et la couche polymère 104 est consolidée/renforcée.
Après le dépôt par centrifugeuse de la couche polymère 104 sur le substrat piézoélectrique 106, un traitement thermique peut être réalisé pour améliorer l’adhésion de la couche polymère 104 à la surface activée 112 du substrat piézoélectrique 106 à l’interface 116.
Le substrat piézoélectrique 106 obtenu après l’étape IV, est ensuite assemblé au substrat de manipulation 100 fourni à l’étape I) durant une étape V) d’assemblage pour obtenir un substrat donneur 114.
L’assemblage du substrat piézoélectrique 106 sur le substrat de manipulation 100 est fait telle que la couche polymère 104 est positionnée en sandwich entre le substrat piézoélectrique 106 et le substrat de manipulation 100.
L’interface de contact 116 entre le substrat piézoélectrique 106 et la couche polymère 104 est consolidée/renforcée et résulte en une stabilité mécanique du substrat donneur 114 améliorée par rapport à l’état de l’art.
Une fois les deux substrats assemblés, une étape VI) de collage est réalisée pour coller le substrat piézoélectrique 106 au substrat de manipulation 100 pour former un substrat donneur 122 stable.
La couche polymère 104 subit un traitement de réticulation 118 de la couche polymère 104 pour modifier les propriétés mécaniques de la couche polymère 104. La réticulation est le terme général désignant le processus de formation de liaisons covalentes ou de séquences relativement courtes de liaisons chimiques pour joindre deux chaînes polymères. Lorsque les chaînes polymères sont réticulées, la couche polymère 104 devient plus rigide. Les réticulations chimiques covalentes sont stables mécaniquement et thermiquement, de sorte qu'une fois formées, elles sont difficiles à rompre.
Un traitement de réticulation 118 peut être réalisé par usage de chaleur, de pression, par un changement de pH ou par de l'irradiation. Selon l’invention, le traitement de réticulation 118 peut être réalisé par irradiation par un flux lumineux 118 de la couche polymère 104. L’irradiation 118 est réalisée à travers le substrat piézoélectrique 106 ou le substrat 100 pour réticuler la couche polymère 104 et obtenir une couche polymère réticulée 120 ou également appelée couche polymérisée 120.
L'irradiation 118 du substrat donneur 114 est réalisée à l’aide d’une source lumineuse, de préférence un laser. Le rayonnement lumineux 118, ou flux lumineux, est de préférence un rayonnement ultra-violet (UV), de préférence d’une longueur d'onde comprise entre 320nm et 365nm.
L'épaisseur de la couche polymère réticulée 120 est de préférence comprise entre 1µm et 6.5µm, en particulier environ 3.5µm. Cette épaisseur dépend notamment du matériau de la couche polymère 104 déposée avant collage, de l'épaisseur de ladite couche polymère et des conditions d'irradiation.
La réticulation de la couche polymère 104 par irradiation UV 118 permet de libérer des radicaux qui vont déclencher la polymérisation de la couche polymère 104. La polymérisation de la couche polymère 104 résulte en des liaisons chimiques qui sont stables mécaniquement et thermiquement, de sorte qu'une fois formées, elles sont difficiles à rompre. Ainsi, la liaison entre les liaisons pendantes de la surface activée 112 du substrat piézoélectrique 106 et la couche polymère réticulée 120 résulte en une liaison stable mécaniquement et thermiquement.
La couche polymérisée 120 assure ainsi la cohésion mécanique du substrat donneur 122, en maintenant collés ensemble le substrat de manipulation 100 et le substrat piézoélectrique 106 qui forment le substrat donneur 122.
Grace au traitement d’activation de surface 108, l’interface 116 entre la couche polymère réticulée 120 et le substrat piézoélectrique 106 présente une amélioration de l’adhérence entre la couche polymère 120 et la surface du substrat piézoélectrique 106, le substrat donneur 122 ainsi obtenu par le procédé de fabrication selon l’invention présente une stabilité mécanique améliorée à l’interface polymère – piézoélectrique.
La représente schématiquement un procédé de fabrication d’un substrat donneur pour le transfert d’une couche piézoélectrique sur un substrat support selon une variante du premier mode de réalisation de l’invention. Toutes les caractéristiques communes avec le premier mode de réalisation et utilisant le même numéro de référence que ci-dessus ne seront pas décrites à nouveau, mais il est fait référence à leur description détaillée ci-dessus.
Le circuit de lecture 110 est connecté à un photo-détecteur, par exemple une photodiode 102, qui transforme un rayonnement électromagnétique en un courant électrique Id. La photodiode 102 et le circuit de lecture 110 associés forment un élément de détection également appelé « pixel ». L’imageur compte typiquement une pluralité de pixels P(i,j) qui peuvent être agencés en matrice de i ligne(s) et de j colonne(s) (i, j étant des entiers égaux ou supérieurs à 1).
Selon un exemple de réalisation particulier, la photodiode 102 peut être destinée à travailler dans le domaine de l’infra-rouge, la photodiode 102 étant alors typiquement polarisée en inverse et délivrant au circuit de lecture 110 un courant Id représentatif d'une scène observée.
Le circuit de lecture 110 a ici une structure de type IWR (pour « Integrate While Read » ou Intégration pendant lecture) qui, du fait de la présence d’un étage de mémorisation, lui permet d’effectuer une intégration pendant qu’une lecture d’une valeur de signal résultant d’une précédente intégration est effectuée.
Ainsi, outre une capacité d’intégration C INT , connectée à un premier nœud N 1 , le circuit de lecture 110 est muni d’une capacité de mémorisation C MEM connectée à un deuxième nœud N 2 .
Le circuit de lecture 110 a ici pour particularité d’être pourvu également d’un interrupteur 121 dit « de mémorisation » entre le premier nœud N 1 et le deuxième nœud N 2 .
Cet interrupteur 121 typiquement formé d’un ou plusieurs transistors est configuré pour, lorsqu’il est rendu passant (i.e. fermé), connecter la capacité d’intégration C INT et la capacité de mémorisation C MEM , et lorsqu’il est rendu non-passant (i.e. ouvert), déconnecter la capacité d’intégration C INT de la capacité de mémorisation C MEM . Un tel interrupteur 121 permet ainsi au circuit de lecture 110 d’adopter différentes configurations notamment en fonction de différents phases d’un cycle de mesure que le circuit de lecture 110 est susceptible d’adopter afin de pouvoir effectuer une calibration du pixel. L’interrupteur 121 de mémorisation permet alternativement d’isoler entre elles ou de connecter entre elles une portion du circuit de lecture 110 couplée au premier nœud N 1 et à la capacité d’intégration C INT et une autre une portion du circuit de lecture couplée au deuxième nœud N 2 et à la capacité de mémorisation C MEM .
Dans cette structure où l’on peut venir relier la capacité d’intégration C INT et la capacité de mémorisation C MEM par l’intermédiaire de l’interrupteur 121 afin de mémoriser une tension de résidu, on cherche à tenir compte d’un effet de compression qui peut intervenir lorsque l’on relie les deux capacités C INT et C MEM . Cette compression dépend d’un rapport R = Cint/Cmem qui peut être propre à chaque pixel et que l’on souhaite ici évaluer, Cint représentant une valeur de la capacité d’intégration aux capacités parasites près qui se rajoutent sur le premier nœud N 1 , notamment une capacité d’entrée d’un comparateur 130. De même, Cmem représente une valeur de capacité de mémorisation aux capacités parasites près qui se rajoutent sur le deuxième nœud N 2 . Des dispersions sur ces valeurs de pixel à pixel entraînent donc une différence de pixel à pixel sur ce rapport R que l’on cherche à évaluer.
On cherche à réaliser une mesure de ce rapport R sans introduire trop de composants supplémentaires et en particulier trop de transistors supplémentaires dans le pixel.
Une phase particulière d’évaluation d’un cycle de mesure est mise en œuvre pour évaluer ce rapport R.
Selon une première partie de cette phase d’évaluation du rapport R, on commence par réinitialiser chaque capacité C INT , C MEM indépendamment, à leurs tensions de réinitialisation respectives Vresetmem, VresetInt. De manière avantageuse, ces tensions de réinitialisation Vresetmem, VresetInt peuvent être différentes l’une de l’autre. Des tensions de réinitialisation respectives Vresetmem, VrestInt différentes peuvent permettre en particulier d’étendre la dynamique de détection.
La réinitialisation de la capacité d’intégration C INT est mise en œuvre par le biais d’un premier transistor de réinitialisation Mr 1 couplé au premier nœud N 1 .
Lorsqu’il est rendu passant, le premier transistor de réinitialisation Mr 1 permet d’appliquer une première tension de réinitialisation VresetInt à la capacité d’intégration C INT . La réinitialisation de la capacité de mémorisation C MEM est mise en œuvre par le biais d’un deuxième transistor de réinitialisation Mr 2 couplé au nœud N 2 . Lorsqu’il est rendu passant, le deuxième transistor de réinitialisation Mr 2 permet d’appliquer une deuxième tension de réinitialisation Vresetmem à la capacité de mémorisation C MEM .
Puis, selon une deuxième partie de cette phase d’évaluation du rapport R, la réinitialisation est stoppée en désactivant, autrement dit en rendant bloqués ou non-passants, les transistors de réinitialisation Mr 1 et Mr 2 et en reliant entre elles les capacités C INT , C MEM par l’intermédiaire de l’interrupteur 121 de mémorisation rendu passant.
Préalablement, à cette deuxième partie de phase, le courant de photodiode 102 est coupé par l’intermédiaire d’un transistor de couplage Mc agencé entre la capacité d’intégration C INT et le photo-détecteur.