la zone rugueuse est réalisée par au moins un tir laser générant uniquement une fusion superficielle, dans les 1 à 30 premiers nanomètres, d’un matériau composant le substrat donneur et/ou le substrat support, du côté de leur face avant respective, le tir laser a une durée d’impulsion comprise entre 1 ns et 1000 ns, préférentiellement comprise entre 10 ns et 500 ns. le tir laser est effectué avec un laser de longueur d’onde 308nm, et avec une densité d’énergie comprise entre 1,8 J/cm 2 et 2,5 J/cm 2 ; un tir laser irradie une surface circulaire, de diamètre inférieur à 200 micromètres ; la zone rugueuse est réalisée à partir d’une pluralité de tirs lasers, par exemple entre deux et quinze tirs lasers, les surfaces circulaires adjacentes irradiées par les tirs lasers successifs étant tangentes ou présentant un pourcentage de recouvrement entre 1% et 95% ; la face avant, sur laquelle la zone rugueuse est réalisée, est en silicium monocristallin, et la rugosité prédéterminée a une amplitude comprise entre 0,5nm RMS et 4,0nm RMS, préférentiellement comprise entre 1,0nm RMS et 2,5nm RMS ; la face avant, sur laquelle la zone rugueuse est réalisée, est en silicium poly-cristallin, et la rugosité prédéterminée a une amplitude comprise entre 0,5nm RMS et 5,0nm RMS, préférentiellement comprise entre 2,0nm RMS et 5,0nm RMS ; la face avant, sur laquelle la zone rugueuse est réalisée, est en oxyde de silicium, et la rugosité prédéterminée a une amplitude comprise entre 1,0nm RMS et 60,0nm RMS ; la zone rugueuse est réalisée sur la face avant du substrat donneur, avant la formation du plan fragile enterré dans ledit substrat donneur ; le substrat donneur est formé d’un premier matériau au niveau de sa face avant, et une zone rugueuse préliminaire est réalisée en surface dudit matériau, et une oxydation thermique du premier matériau du substrat donneur est effectuée après la réalisation de la zone rugueuse préliminaire et avant la formation du plan fragile enterré, pour former une couche isolante qui sera assemblée sur le substrat support dans l’ensemble collé, ladite couche isolante comportant, sur sa face libre, la zone rugueuse à l’aplomb de la zone rugueuse préliminaire ; le substrat support est formé d’un premier matériau au niveau de sa face avant, et une zone rugueuse préliminaire est réalisée en surface dudit matériau, et une oxydation thermique du premier matériau du substrat support est effectuée après la réalisation de la zone rugueuse préliminaire, pour former une couche isolante qui sera assemblée sur le substrat donneur dans l’ensemble collé, ladite couche isolante comportant, sur sa face libre, la zone rugueuse à l’aplomb de la zone rugueuse préliminaire ; la zone locale non collée présente une forme, dans le plan de l’interface de collage, dont au moins une portion du contour a un rayon de courbure inférieur au rayon d’un défaut de collage circulaire de même surface ; la zone locale non collée présente au moins une dimension latérale, dans le plan de l’interface de collage, inférieure à 300 micromètres ; la zone locale non collée est localisée dans une région centrale de l’ensemble collé, dans le plan de l’interface de collage ; le plan fragile enterré est formé dans le substrat donneur par implantation d’espèces légères telles que l’hydrogène, l’hélium ou une combinaison de ces deux espèces ; le substrat donneur et/ou le substrat support présentent une couche isolante au moins du côté de leur face avant respective, qui forme une couche isolante enterrée, adjacente à l’interface de collage, dans l’ensemble collé ; la couche mince, issue du substrat donneur, est en silicium monocristallin et le substrat support comprend du silicium monocristallin, pour former une structure empilée de type SOI.