INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Le sous-ensemble à états rémanents 18 présente au moins deux états rémanents contrôlables électriquement. Le contrôle électrique est ici obtenu par application d’une tension entre le premier contact C1 et le deuxième ou le troisième contacts C2 ou C3.
Autrement formulé, le sous-ensemble à états rémanents 18 est caractérisé par une relation non-linéaire entre la tension appliquée et la charge stockée apparente suivant un cycle d’hystérésis, et donnant lieu au minimum à deux états rémanents.
Pour cela, le sous-ensemble à états rémanents 18 est une couche diélectrique ou un empilement de couches diélectriques non-volatile à contrôle électrique par effet ferroélectrique, par effet de charge piégée, par effet de migration d’ions ou par combinaison de plusieurs de ces effets. Les états rémanents correspondent à des variations de la polarisation ferroélectrique, de la quantité de charges piégées, ou des positions des ions, ou des combinaisons de ces variations.
Plus précisément, le sous-ensemble comporte au moins une couche d’oxyde réalisée en un matériau choisi parmi les oxydes pérovskites, ou des oxydes basés sur HfO 2 , possiblement dopé avec d’autres éléments, tels que du (Hf 1-x Zr x )O 2 ou du (Hf 1-x Ga x )O 2 (x variant entre 0 et 1), ou leurs alliages, ou le poly(fluorure de vinylidène).
Les oxydes pérovskites présentent une structure de type ABO 3 où A et B sont des cations. Le BaTiO 3 , le PZT (c’est-à-dire PbZr 1-x Ti x O 3 avec x variant entre 0 et 1), le PMN-PT (c’est-à-dire [1-x]Pb(Mg 1/3 Nb 2/3 )O 3 – xPbTiO 3 avec x variant entre 0 et 1), le BiFeO 3 (éventuellement dopé, par exemple en terres rares sur le site du Bi, ou en Mn sur le site du Fe), le SrTiO 3 (éventuellement dopé), le KTiO 3 (éventuellement dopé), le Pr 0,7 Ca 0,3 MnO 3 (éventuellement dopé) ou le YMnO 3 (éventuellement dopé) sont des exemples de tels matériaux.
L’utilisation du matériau diélectrique pour réaliser le sous-ensemble à états rémanents 18 permet de contrôler électriquement de manière non-volatile la conductivité du canal 20.
Dans chacun des exemples précédents, l’existence des états rémanents provient d’un effet ferroélectrique, d’un effet de charge piégée, d’un effet de migration d’ions ou d’une combinaison de plusieurs de ces effets. En pratique, l’effet prédominant dépend des matériaux et des conditions de dépôt des couches constituants le sous-ensemble à états rémanents 18. Selon l’exemple décrit, le champ électrique coercitif de l’élément diélectrique et son épaisseur sont suffisamment faibles pour que le dispositif d’écriture 14 puisse écrire les états rémanents à des tensions compatibles avec les technologies microélectronique, c’est-à-dire des tensions inférieures à 10 Volts ( 4 cycles.
Le canal 20 est constitué par un gaz bidimensionnel d’électrons, c’est-à-dire un gaz confiné d’électrons qui se forme à l’interface entre deux couches, alors qu’il n’existe pas dans le volume des matériaux pris séparément.
Dans les systèmes de direction de type « steer-by-wire », comme dans les systèmes de direction de type mécanique à démultiplication variable, le rapport entre la variation de l’angle volant et de la variation de la position crémaillère, est ajusté via un logiciel. Ainsi, le rapport de démultiplication peut être modifié en fonction par exemple d’une position de la crémaillère et/ou d’une vitesse du véhicule.
Généralement, le rapport de démultiplication est faible à basse vitesse afin de faciliter une manœuvre du véhicule, et important à haute vitesse afin d’améliorer une contrôlabilité du véhicule. Ainsi, le rapport de démultiplication est une fonction de la vitesse du véhicule.
L’inconvénient posé par une telle relation est d’avoir un angle volant limite supérieur qui varie en fonction de la vitesse du véhicule comme cela est illustré en . En effet, pour chaque vitesse véhicule V1, V2, V3 l’angle volant A v correspond à une position crémaillère X c différente. De sorte que la position crémaillère limite supérieure X csup , qui est fixe, est atteinte pour différents angles volant limite supérieur A v1sup , A v2sup , A v3sup . Autrement dit, le conducteur peut tourner plus ou moins le volant selon la vitesse du véhicule.
Cela entraine une perturbation d’un ressenti de conduite du conducteur. En effet, le conducteur ressent un effet d’avalement du volant, c’est-à-dire une augmentation de l’angle volant limite supérieur, lors d’une accélération, tandis qu’il ressent un effet de rappel, c’est-à-dire une diminution de l’angle volant limite supérieur lors d’un ralentissement. Enfin lors d’une perte d’adhérence dans un sur-virage, il est difficile de trouver un angle volant de contre-braquage adapté.
L’invention a pour but de remédier à tout ou partie des inconvénients précités en proposant un procédé de détermination d’un rapport de démultiplication pour un système de direction assistée d’un véhicule, ledit système de direction assistée comprenant un volant de direction déterminant un angle volant et une crémaillère déterminant une position crémaillère, ladite position crémaillère variant entre une position crémaillère limite inférieure et une position crémaillère limite supérieure, le rapport de démultiplication définissant un rapport entre la position crémaillère et l’angle volant, ou entre l’angle volant et la position crémaillère, caractérisé en ce que le procédé comprend une étape de définition dans laquelle le rapport de démultiplication est défini en fonction d’une vitesse véhicule et de l’angle volant de sorte que la position crémaillère limite supérieure corresponde à un unique angle volant limite supérieur.
La position crémaillère correspond à une valeur image de la position crémaillère pouvant être mesurée directement sur la crémaillère ou obtenue par déduction ou calcul. Par exemple, l’image de la position crémaillère peut être obtenue par une position d’un moteur d’assistance modifiant la position crémaillère, par un capteur de position, un capteur d’angle, ou par un angle d’orientation des roues ou angle de lacet des roues.
La position crémaillère varie entre deux butées dont l’une représente la position crémaillère limite supérieure. Les butées peuvent être physiques ou virtuelles. Il est généralement admis que la position crémaillère de 0° correspond au centre de la crémaillère.
De même, l’angle volant correspond à une valeur image de l’angle volant pouvant être mesurée directement sur le volant ou obtenue par déduction ou calcul. Par exemple, l’image de l’angle volant peut être obtenue par une position d’un moteur exerçant un couple sur un axe d’une colonne supportant le volant de direction ou par un capteur absolu d’angle positionné sur ledit axe de la colonne supportant le volant de direction.
Le rapport de démultiplication est obtenu par la formule suivante :
VGR : le rapport de démultiplication,
A v : l’angle volant
X c : la position crémaillère
Ou par la formule [Math 2]
Selon un mode de réalisation particulier, la pression du fluide est, pendant la durée prédéterminée, sensiblement constante et égale à une pression prédéterminée.
Selon un autre mode de réalisation particulier, la pression du fluide est, pendant la durée prédéterminée, croissante par paliers jusqu’à atteindre une pression prédéterminée.
De manière particulière, la pression du fluide est, pendant la durée prédéterminée, égale à une pression inférieure à la pression prédéterminée puis égale à la pression déterminée.
Selon un autre mode de réalisation particulier, la pression du fluide est, pendant la durée prédéterminée, croissante de manière continue jusqu’à atteindre une pression prédéterminée.
De manière particulière, la pression prédéterminée est supérieure à une pression maximale de libération du crochet dans des conditions nominales de graissage/lubrification du boîtier d’accrochage.
L’invention concerne également un circuit hydraulique d’alimentation d’un vérin permettant la mise en œuvre d’un tel procédé. Le circuit comprenant une vanne de retard ayant un port d’entrée destiné à être relié à une source de fluide sous pression, un port de sortie destiné à être relié au vérin et un port de retour, et la vanne de retard comportant un distributeur comprenant :
un port d’alimentation relié au port d’entrée via un premier restricteur ; un premier port de service formant le port de sortie ; un deuxième port de service formant le port de retour ; un tiroir mobile entre une position de limitation de pression vers laquelle il est rappelé automatiquement par un ressort et dans laquelle le port d’alimentation est relié au port de sortie et au port de retour via un troisième restricteur, et une position de pleine pression dans laquelle le tiroir obstrue le port de retour ; et une chambre de pilotage connectée au port d’entrée via un deuxième restricteur pour le déplacement du tiroir mobile.
De manière particulière, un premier clapet anti-retour est placé en parallèle du premier restricteur, le premier clapet anti-retour laissant passer le fluide du port d’alimentation vers le port d’entrée.
De manière particulière, un deuxième clapet anti-retour est placé en parallèle du deuxième restricteur, le deuxième clapet anti-retour laissant passer le fluide de la chambre de pilotage vers le port d’entrée.
L’invention concerne également un aéronef comprenant un boîtier d’accrochage pour la retenue d’un atterrisseur escamotable ou d’une trappe refermant une soute destinée à recevoir l’atterrisseur, le boîtier d’accrochage comportant un actionneur de déverrouillage qui comprend un vérin hydraulique relié à un tel circuit hydraulique.
la illustre l’évolution de la pression dans un vérin de déverrouillage équipant un boîtier d’accrochage selon l’art antérieur, dans un état de fonctionnement normal ;
la est analogue à la , le boîtier d’accrochage étant dans un état de fonctionnement dégradé ;
la est une vue schématique d’un dispositif de verrouillage d'une trappe d’un atterrisseur d’aéronef via un boîtier d’accrochage ;
la est une vue schématique d’un circuit hydraulique, selon un mode de réalisation particulier de l’invention, pour alimenter un vérin de déverrouillage d’un boîtier d’accrochage, pour mettre en œuvre le procédé illustré à la ;
la est une vue schématique de face d’un boîtier d’accrochage, illustré alors que le crochet est en position de retenue, l’organe de verrouillage étant en position de verrouillage.
Parmi les traitements de surface usuellement utilisés, on trouve des traitements thermiques comme le recuit thermique rapide ou le recuit en four. Il est également possible de mettre en œuvre un polissage mécano-chimique. Enfin, des traitements chimiques induisant séquentiellement l’oxydation puis la désoxydation de la surface d’intérêt peuvent être appliqués.
Toutefois, l’application de ces techniques ne permet pas d’atteindre une qualité de surface suffisante pour permettre un collage de bonne qualité d’un second substrat donneur sur ladite surface au cours d’une nouvelle étape de transfert de couche.
BREVE DESCRIPTION DE L’INVENTION Un but de l’invention est de proposer un procédé de fabrication d’une structure de type double semi-conducteur sur isolant qui garantit un bon collage du substrat donneur de la deuxième couche semi-conductrice sur un substrat receveur issu d’un premier procédé Smart Cut™.
A cet effet, l’invention propose un procédé de fabrication d’une structure de type double semi-conducteur sur isolant comportant les étapes suivantes :
- fourniture d’un premier substrat donneur et d’un substrat support,
- formation d’une zone de fragilisation dans ledit premier substrat donneur de sorte à délimiter une première couche semi-conductrice à transférer,
- collage du premier substrat donneur sur le substrat support, une première couche électriquement isolante étant à l’interface entre le substrat support et le premier substrat donneur, et détachement du premier substrat donneur au niveau de la zone de fragilisation, de sorte à obtenir une structure de type semi-conducteur sur isolant comprenant, de la face arrière vers la face avant, le substrat support, la première couche électriquement isolante et la première couche semi-conductrice transférée,
- traitement de la surface libre de la première couche semi-conductrice transférée,
- fourniture d’un second substrat donneur d’une deuxième couche semi-conductrice à transférer,
- transfert de ladite deuxième couche semi-conductrice sur la face avant de la structure de type semi-conducteur sur isolant, une deuxième couche électriquement isolante étant à l’interface entre la première couche semi-conductrice transférée et le second substrat donneur, dans lequel le traitement de la surface de la première couche semi-conductrice transférée comprend les étapes successives suivantes :
E1 : un recuit thermique rapide,
E2 : une séquence incluant une oxydation thermique suivie d’une désoxydation,
E3 : un traitement thermique de lissage à une température supérieure à 1000 °C dans une atmosphère non oxydante,
E4 : un polissage mécano-chimique.
La surface libre de la première couche semi-conductrice est issue du détachement du premier substrat donneur selon la zone de fragilisation. Le procédé de traitement de ladite surface est optimisé pour en diminuer la rugosité et la défectivité. Ledit procédé permet également de réduire la largeur de la couronne sur le bord extérieur du deuxième substrat receveur. La diminution conjointe de la défectivité, de la rugosité, de la largeur de la couronne et de l’irrégularité de la couronne (phénomène connu sous le terme « jagged edge » en anglais) sur le bord extérieur des plaques limite le nombre de trous formés lors du collage du substrat donneur de la deuxième couche semi-conductrice.
Selon d’autres caractéristiques optionnelles de l’invention prises seules ou en combinaison lorsque cela est techniquement possible :
Selon une caractéristique de l’invention, le procédé comprend, pour chacune des au moins deux lignes de régénération, une mesure en continu d’une intensité des impulsions de charge envoyées au jeu de batteries d’accumulateurs dédié en sortie de ligne, et dans lequel l’intensité des impulsions de charge est comparée avec le courant de consigne, maintenant/stabilisant l’intensité des impulsions de charge au courant de consigne lorsqu’elle l’atteint, c’est-à-dire lorsqu’elle devient égale au courant de consigne.
est une vue schématique en perspective d’un banc de charge compris dans le système de régénération selon l’invention;
est une illustration schématique d’un exemple de réalisation d’un système de régénération selon l’invention, qui est conformé pour régénérer deux jeux de batteries en simultané (représentés ici par deux batteries distinctes) ;
est un schéma électrique du système de régénération de la , dans un exemple de réalisation avec des redresseurs double alternance triphasé à thyristors ;
est un schéma bloc fonctionnel montrant l’ensemble des éléments compris dans le banc de charge et leurs interactions, incluant dans ce mode de réalisation l’unité de contrôle/commande ;
est un chronogramme illustrant le principe de génération des signaux de charge dans le système de régénération des Figures 2 et 3, avec deux lignes de régénération, à partir d’un signal alternatif sinusoïdal fourni par un transformateur, qui est ici un transformateur monophasé.
Le procédé de régénération de l’invention propose d’utiliser un système de régénération 1, faisant également l’objet de l’invention, pour régénérer en simultané, selon le mode de réalisation de l’invention, au moins deux jeux de batteries B1, B2 d’accumulateurs comprenant chacun au moins une batterie B1, B2 d’accumulateurs ; chaque jeu de batteries B1, B2 pouvant comprendre par exemple plusieurs batteries d’accumulateurs en série. Dans la suite de la description, seuls deux jeux de batteries B1, B2 seront pris en considération, étant noté que l’invention peut être étendue à plus de deux jeux de batteries B1, B2.
Le procédé de régénération consiste à mettre en œuvre au moins un cycle de régénération, lequel comprend successivement une phase de charge et une phase de décharge durant lesquelles sont envoyées respectivement aux bornes des jeux de batteries B1, B2 d’accumulateurs un signal de charge Vc1, Vc2 respectif et un courant de décharge Id1, Id2 respectif ; les signaux de charge Vc1, Vc2 et les courants de décharge Id1, Id2 appliqués étant adaptés respectivement aux capacités des jeux de batteries B1, B2 concernés afin que les cycles de régénération soient optimisés pour les jeux de batteries B1, B2. Le procédé de régénération s’achève à la fin de l’au moins un cycle de régénération, une fois que les capacités des jeux de batteries B1, B2 soient telles qu’ils sont considérés comme régénérés.
Les signaux de charge Vc1, Vc2 et les courants de décharge Id1 Id2 sont transmis au travers de deux lignes de régénération L1, L2 respectives au bout desquelles sont connectés les jeux de batteries B1, B2 respectifs. Une description plus complète de chacune des lignes de régénération L1, L2 est donnée ultérieurement. Il est par contre entendu que physiquement, les sorties de ligne sL1, sL2 des lignes de régénération L1, L2 sont reliées aux entrées respectives des jeux de batteries B1, B2 d’accumulateurs.
Comme précédemment évoqué, l’architecture du système de régénération 1 peut être conformée pour régénérer en simultané davantage de jeux de batterie, c’est-à-dire trois ou plus. Pour tout jeu de batterie d’accumulateur à traiter en simultanéité doit être rajouté une nouvelle ligne de régénération. Par exemple, le système de régénération 1 peut être en capacité de régénérer un troisième jeu de batterie. Dans ce cas, un troisième signal de charge et un troisième courant de décharge sont successivement appliqués au cours de l’au moins un cycle de régénération du procédé de régénération aux bornes du troisième jeu de batteries d’accumulateur, en étant transmis au moyen d’une troisième ligne de régénération.
Les signaux de charge Vc1, Vc2 sont générés par un banc de charge BC, qui fait partie du système de régénération 1. Selon deux variantes de réalisation de l’invention, le banc de charge BC est soit conformé pour la régénération de jeux de batteries fonctionnant en monophasé, soit conformé pour la régénération de jeux de batteries fonctionnant en triphasé. La nature des signaux de charge Vc1, Vc2 est précisée ultérieurement. Les courants de décharge Id1, Id2 sont générés par un banc de décharge D et appliqués aux jeux de batterie B1, B2 respectifs durant un temps de décharge.
Selon les modes de réalisation du système de régénération 1 et du procédé de régénération associé, les courants de décharge Id1, Id2 peuvent soit être continus, soit consistés en des successions d’impulsions de décharge. Dans le mode de réalisation présenté, les courants de décharge Id1, Id2 sont continus.
En référence à la , un mode de réalisation possible du banc de charge BC comprend un corps principal B présentant : - une surface inférieure 10 montée sur quatre roues 11 afin que le banc de charge BC puisse être déplacée par un opérateur ; - une cordon d’alimentation 20 tel qu’une prise électrique pour relier le banc de charge BC à une source de tension alternative commerciale et ainsi alimenter l’ensemble des systèmes qu’elle contient (et qui sont précisés et décrits plus bas) ; - une porte d’accès 30 pour que l’opérateur puisse avoir accès aux différents systèmes contenus dans le banc de charge BC; - deux sorties UP1, UP2 latérales permettant de raccorder physiquement le banc de charge BC aux bornes des deux jeux de batteries B1, B2 pour la transmission des signaux de charge Vc1, Vc2.
L’unité de contrôle/commande UC communique avec une carte électronique de puissance conçue pour le banc de décharge D et implémentée à l’intérieur de celui-ci pour la génération des courants de décharge Id1, Id2 envoyés respectivement dans les deux jeux de batteries B1, B2. Les intensités des courants Id1, Id2 et les temps de décharge pendant lesquels ils sont appliqués sont adaptés pour réguler le plus efficacement possible les tensions aux bornes des deux jeux de batterie B1, B2 et minimiser l’effet de surcharge provoqué par l’envoi des signaux de charge Vc1, Vc2 lors de la phase de charge.
L’architecture de la carte électronique de puissance du banc de décharge D comprend : un module radiofréquence pour la communication en WiFi avec l’unité de contrôle/commande UC ; et un microcontrôleur conformé pour recevoir et exécuter les ordres de commande de l’unité de contrôle/commande UC. Les caractéristiques de la phase de décharge (intensités des courants de décharge Id1, Id2 ; temps d’application…) sont configurées par l’opérateur selon les modes de réalisation de l’invention soit à partir de l’unité de réglage 50 du banc de charge BC, soit à partir du logiciel installé sur la station à distance. Selon deux variantes de réalisation de l’invention, les courants de décharges Id1, Id2 peuvent soit correspondre à des trains d’impulsion de décharge, soit à des courants continus. Dans le mode de réalisation présenté, les courants de décharge Id1, Id2 sont des courants continus.
Chacun des deux jeux de batteries B1, B2 est relié à un système de contrôle de batteries BMS1, BMS2 qui communique avec l’unité de contrôle/commande UC et lui transmet au moins un paramètre de fonctionnement du jeu de batteries B1, B2 associé. Cet au moins un paramètre de fonctionnement renvoyé par chacun des deux systèmes de contrôle de batteries BMS1, BMS2 peut correspondre à : - la capacité du jeu de batterie B1, B2 auquel il est relié, - une tension aux bornes d’au moins un accumulateur d’une batterie B1, B2 du jeu de batterie B1, B2, - une température d’au moins un accumulateur de l’une des batteries B1, B2 du jeu de batteries B1, B2.
Une fois la mesure du ou des paramètres de fonctionnement reçue, l’unité de contrôle/commande UC, dans une première variante de réalisation de l’invention, l’affiche au moyen de l’unité d’affichage 40, ou la transmet dans une seconde variante de réalisation à la station à distance et sera affichée dans le logiciel installé dessus.
Selon deux variantes de réalisation de l’invention, les deux systèmes de contrôle de batteries BMS1, BMS2 peuvent être alimentés soit en étant branchés à une source de tension alternative commerciale, soit en étant directement connectés au jeu de batteries B1, B2 dont ils doivent mesurer le(s) paramètre(s) de fonctionnement.
Chacun des deux systèmes de contrôle de batteries BMS1, BMS2 comprend un module radiofréquence pour communiquer avec l’unité de contrôle/commande UC. Dans le mode de réalisation présenté, il est prévu que l’unité de contrôle/commande UC et les deux systèmes de contrôle de batteries BMS1, BMS2 comprennent un module pour communiquer au moyen d’un protocole de communication pour les réseaux personnels sans fil à bas débit LR-WPAN. Les deux systèmes de contrôle de batteries BMS1, BMS2 comprennent également un microcontrôleur pour recevoir les ordres de commande de l’unité de contrôle/commande UC et lui transmettre les résultats de mesure du ou des paramètres de fonctionnement des deux jeux de batteries B1, B2.
Les deux systèmes de contrôle de batteries BMS1, BMS2 sont prévus pour fonctionner selon deux modes :
- un mode mesure durant lequel ils mesurent le(s) paramètre(s) de fonctionnement des jeux de batteries B1, B2 auquel ils sont associés. - un mode sommeil durant lequel ils émettent toutes les 2 minutes une trame d’interrogation à l’unité de contrôle/commande UC pour déterminer s’ils doivent passer en mode mesure. Lorsqu’ils sont dans le mode mesure, chacun des deux systèmes de contrôle de batteries BMS1, BMS2 revient dans le mode sommeil une fois que la mesure du ou des paramètres de fonctionnement du jeu de batteries B1, B2 est mesuré.
Selon deux variantes de réalisation de l’invention, pendant le mode mesure, le(s) paramètre(s) de fonctionnement peuvent être mesurés en continu ou à intervalle de temps régulier durant un temps de mesure. Quelle que soit la variante de réalisation, la procédure de mesure est configurable par l’opérateur. Il est entendu que la configuration de la procédure de mesure est mise en œuvre au moyen de l’unité de réglage 50 selon une variante de réalisation de l’invention, ou au moyen du logiciel installé dans la station à distance selon une autre variante.