INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Plus particulièrement, chaque palier 63 est formé de deux platines 70 en superposition l’une de l’autre et d’une entretoise 71 disposée entre les deux platines, à une extrémité du palier 63 et destinée à maintenir les deux platines 70 à distance l’une de l’autre. L’extrémité du palier à laquelle est disposée l’entretoise 71 sera par la suite appelée extrémité proximale 72, du fait que ce soit, lorsque le dispositif d’agrippement 100 est assemblé, l’extrémité du palier 63 la plus proche du support 60 du dispositif d’agrippement 100. A l’extrémité radiale opposée, à savoir l’extrémité distale 73, le palier 63 est ouvert de sorte qu’un palier de l’étage 62 suivant ou un patin 64 peut être logé entre les platines 70 de ce palier 63. A cet effet, on comprend que la hauteur, c’est-à-dire ici la dimension selon la direction de superposition des platines 70 et donc selon une direction perpendiculaire au plan d’allongement des platines, d’un palier d’un étage 62 donné est supérieure à la dimension correspondante d’un palier ou d’un patin d’un étage 62 différent plus éloigné du support 60.
Tel que cela est visible des figures 3 et 4, chaque palier 63 présente une forme sensiblement triangulaire avec un sommet au niveau de l’extrémité proximale 72 et deux sommets au niveau de l’extrémité distale 73. A chacun des sommets, des moyens d’articulation 68 sont prévus pour coopérer avec l’un des autres éléments articulés 61 du moyen d’accroche 6.
Dans l’exemple illustré, les deux sommets distaux comportent des orifices aptes à recevoir un axe d’articulation 69 d’un autre élément articulé 61 et le sommet proximal comporte un axe d’articulation 69 formant saillie pour coopérer avec un autre élément articulé 61 ou avec le support 60 dans le cas du palier de base 65. Plus particulièrement, au niveau de l’extrémité proximale 72 d’un palier ou d’un patin, l’entretoise est traversée par un axe d’articulation 69 qui dépasse axialement de part et d’autre des platines 70 de manière à former des saillies axiales.
La rend plus particulièrement visible la structure d’un de ces paliers 63, formant ici un étage de paliers disposés entre d’autres paliers 63 et l’étage final de patins 64. Tel que cela a pu être évoqué précédemment, l’axe d’articulation 69 solidaire de ce palier 63 forme deux saillies de part et d’autre des platines 70 de manière à venir se loger dans des orifices correspondants du palier 63 le recevant, et ce palier 63 présente à une extrémité radiale opposée, ou extrémité distale 73, des moyens d’articulation 68 sous forme d’orifices aptes à recevoir un axe d’articulation 69, ici solidaire d’un patin 64. A chacune de ces extrémités, l’axe d’articulation et les orifices coopèrent de manière à permettre le mouvement de rotation autour de l’axe d’articulation de l’élément articulé correspondant.
Le châssis 2 est disposé notamment dans l’intervalle avec la tôle 2 de refroidissement, qui refroidit la surface 1B inférieure du module M.2 1. Cela est avantageux surtout, lorsque des composants 1E électroniques, qui doivent être refroidis sont mis sur la surface 1B inférieure du module M.2 1.
Dans un autre exemple de réalisation, lorsque, par exemple d’autres composants 1E ne doivent pas être montés sur la surface 1B inférieure du module M.2 1 et lorsque la puissance de refroidissement d’une tôle de refroidissement est suffisante, il n’est pas prévu de deuxième tôle 2 de refroidissement sont mis sur la surface 1B inférieure du module M.2 1. On n’insère alors une tôle 2 de refroidissement que dans le châssis 2D du côté de la surface 1A supérieure du module M.2 1.
Dans le deuxième et le troisième exemples de réalisation, des becs d’encliquetages facultatifs sont prévus du côté intérieur du châssis pour fixer les tôles de refroidissement dans l’état inséré.
Repères
1 module M.2
1A surface supérieure du module M.2
1B surface inférieure du module M.2
1C grands côtés du module M.2
1D extrémités courtes du module M.2
1E composants électriques
2 tôle de refroidissement
2A ailettes de refroidissement
2B couche conductrice de l’électricité
2C saillie / bec d’encliquetage
2D châssis
2E charnière
Les extraits ainsi obtenus peuvent être utilisés en cosmétique pour le soin de la peau et plus particulièrement pour lutter contre les signes du vieillissement cutané, la perte de fermeté ou de tonicité, améliorer la fonction barrière et l’hydratation, éclaircir la peau ou encore améliorer les défenses immunitaires innées de la peau et le bien-être in vivo .
L’invention a pour objet un procédé d’obtention d’extraits végétaux enrichi en acides organiques et en acides phénoliques, comprenant les étapes suivantes :
c) on maintien le mélange sous agitation douce pendant un temps compris entre 6 heures et 48 heures, à une température comprise entre 20 et 60°C, à un pH compris entre 4 et 7, pour permettre le processus d’autofermentation, dans une enceinte permettant les échanges gazeux avec l’atmosphère.
Optionnellement poursuivi par les étapes suivantes :
f) on contrôle et réajuste le pH du filtrat, si nécessaire, à une valeur comprise entre 4 et 8,
g) on stérilise le filtrat,
h) on dilue l’extrait par un solvant physiologiquement acceptable.
L’invention a encore pour objet un procédé de préparation d’extraits enrichis en acides organiques et en composés phénoliques, obtenus à partir de fleurs de jasmin de l’espèce Jasminum grandiflorum ou de violette de l’espèce Viola odorata comprenant les étapes a) et c) précédentes suivantes poursuivi par les étapes suivantes :
Au mélange obtenu à l’étape c) on ajoute de l'acide phytique à une concentration comprise entre 1 et 5 mM, à un pH compris entre 10 et 11, on ajuste le pH du mélange obtenu à une valeur comprise entre 6 et 8, on sépare ensuite la matière végétale résiduelle, on purifie la fraction liquide obtenue par des filtrations successives pour clarifier l’extrait et optionnellement, on dilue l’extrait par un solvant physiologiquement acceptable.
L’invention a encore pour objet des extraits végétaux dilués obtenus par un des procédés précédents, ayant de 2 à 40 g/kg de poids sec ; 0,2 à 30 g/kg de sucres ; 10 à 4000 mg/kg d’acides organiques ; 10 à 4000 mg/kg de composés phénoliques et 10 à 2000 mg/L d’acides aminés.
L’invention a encore pour objet une composition comprenant une quantité efficace d’extrait obtenu par un des procédés précédents et un milieu physiologique.
L’invention a encore pour objet l’utilisation cosmétique de la composition précédente pour lutter contre les signes du vieillissement cutané, la perte de fermeté, améliorer la fonction barrière et l’hydratation, éclaircir la peau, atténuer la diminution liée à l’âge du nombre ou de l'activité des récepteurs mécano-sensoriels du toucher (Piezo1) et des récepteurs à l’ocytocine (OXTR), ou encore, améliorer les défenses immunitaires innées de la peau et le bien-être in vivo .
Les TEGFETs de l’état de l’art présentent plusieurs inconvénients parmi lesquels on trouve, à titre d’exemple non limitatifs, les courants de fuite de grille, les défauts d'interfaces et la fragilité de la grille.
Les courants de fuite de grille sont des indicateurs majeurs de l'état d'un dispositif. Ils permettent de révéler leur dégradation future. L'amélioration de la fiabilité nécessite un contrôle du courant de fuite qui est également à l’origine de bruits électroniques, « générations-recombinaisons » et bruit en 1/fréquence (f).
Les défauts d’interfaces s’entendent des défauts à l’interface semiconducteur-grille et/ou des défauts à l’interface diélectrique-grille quand un diélectrique a été déposé pour réduire le courant de fuite. Ces défauts participent à des processus d’effets de piégeages tels que la dispersion de la fréquence de transconductance, l'effondrement des caractéristiques de drain en courant continu, les transitoires de grille et de drain et la limitation de la puissance micro-ondes.
La fragilité de la grille vient, d’une part, de la fragilité de l’oxyde ou du cristal entre la grille et le gaz et, d’autre part, du fait que la grille est déposée en surface du semiconducteur sans être diffusée. Le fait qu’elle soit déposée simplement la rend très sensible à tout choc électrostatique.
Un but de l’invention est, en outre, de proposer un TEGFET : - permettant de pallier les inconvénients des dispositifs de l’état de la technique, et/ou - dont les caractéristiques courant tension sont fiables et reproductibles, et/ou - présentant une courbe de saturation dans laquelle le courant drains-source I DS est quasi constant et/ou ne dépend pas ou dépend peu de la tension drain-source V DS , et/ou - dans lequel le courant I DS varie de manière notable ou conséquente, pour une tension V DS donnée, lorsque la tension de polarisation de grille V GS varie , de sorte qu’il est possible de piloter le TEGFET en faisant varier la tension V GS , et/ou - ne présentant pas ou peu de courant de fuite de grille, et/ou - présentant des caractéristiques fiables et reproductibles sur une gamme de températures comprises entre 300 et 1.5 Kelvins, et/ou - étant insensible ou peu sensible à l’environnement local et aux interférences, tels que, par exemple, les rayonnements électromagnétiques ou les rayonnements ionisants.
Présentation de l’invention A cet effet, il est proposé un transistor à effet de champ à gaz d’électrons bidimensionnel, dit TEGFET. Ledit TEGFET comprend un drain, une source et au moins un canal compris dans une hétérostructure formée par un empilement d’au moins deux couches de semiconducteur, de préférence au moins deux couches distinctes ou de composition différentes. L’au moins un canal relie, selon sa plus grande dimension, dite longueur de l’au moins un canal, la source et le drain.
Ledit TEGFET comprend au moins deux grilles latérales disposées de part et d’autre de l’au moins un canal et disposées, chacune, en vis-à-vis d’un côté de l’au moins un canal, lesdits côtés de l’au moins un canal comprennent, ou s’étendent selon, une plus petite dimension dudit au moins canal, dite épaisseur de l’au moins un canal, l’épaisseur s’étendant selon un axe selon lequel sont empilées les au moins deux couches de semiconducteur et s’étendant perpendiculairement à la longueur de l’au moins un canal.
De préférence, le TEGFET ne comprend pas de grille positionnée en dessous ou au-dessus de l’au moins un canal par rapport à un axe perpendiculaire à un plan, dit plan de canal, selon lequel s’étend l’au moins un canal entre la source et le drain, ledit plan de canal étant perpendiculaire à l’épaisseur de l’au moins un canal et/ou étant perpendiculaire à l’axe d’empilement des au moins deux couches de semiconducteur et/ou étant parallèle à la longueur de l’au moins un canal.
De préférence, il est entendu par « côté de l’au moins un canal » une face ou une surface ou une interface. De préférence, le côté de l’au moins un canal s’étend ou comprend l’épaisseur et la longueur de l’au moins un canal.
De préférence, au moins une des grilles latérales est en vis-à-vis d’un côté de l’au moins un canal qui est opposé au côté en vis-à-vis duquel au moins une autre des grilles latérales est en vis-à-vis.
De préférence, la source et le drain sont compris dans ou appartiennent à une même couche du TEGFET. De préférence, la couche comprenant le drain et la source comprend, en outre, l’au moins un canal.
De préférence, la conductivité de l’au moins un canal et/ou la densité d’électrons du gaz bidimensionnel est modulée et/ou contrôlée, de préférence uniquement, par l’au moins deux grilles latérales.
De préférence, les au moins deux grilles latérales sont agencées pour moduler et/ou contrôler la conductivité de l’au moins un canal et/ou la densité d’électrons du gaz bidimensionnel.
De préférence, le TEGFET ne comprend pas de grille positionnée en dessous ou au-dessus du canal pour moduler et/ou contrôler la conductivité de l’au moins un canal et/ou la densité d’électrons du gaz bidimensionnel.
De préférence, le gaz bidimensionnel d’électrons est compris et confiné dans l’au moins un canal. De préférence, le plan de canal est parallèle au plan selon lequel s’étend le gaz bidimensionnel.
Dans un mode perfectionné de réalisation de l’invention représenté en , le dispositif de maintien lombaire du sac-harnais selon l’invention est semblable à celui montré dans la sauf que les sangles lombaires 100 et 110 sont traversantes de part et d’autre du conteneur dorsal 16.
L’agencement du dispositif de maintien lombaire selon l’invention comprend notamment les deux sangles lombaires 100, 110 qui s’étendent des anneaux d’articulation hanche 8, 9 jusqu’aux boucles de liaison 6, 7 après avoir traversé une fenêtre 15 située dans le dosseret 22 et s’être croisées à l’arrière du conteneur dorsal 16 au niveau du conteneur principal 21 pour être reliées par leurs extrémités supérieures aux sangles verticales opposées.
Le croisement des sangles lombaires 100, 110 se fait sensiblement au centre du conteneur principal 21.
Egalement, la disposition des sangles arrières droites 1 bis et gauches 1’bis diffère en ce sens qu’elles sont représentées en parallèle à l’arrière du conteneur dorsal 16.
Les sangles principales 4, 5 sont chacune équipées d’une boucle de liaison 6, 7, située entre le système 3 anneaux 23 et les anneaux d’articulation hanche 8, 9, légèrement en-dessous de la sangle de poitrine 12.
Lesdites boucles de liaison 6 et 7 sont de préférence métalliques en forme de « D », par exemple avec une partie droite de 50 mm de long, dimensionnée pour recevoir chaque extrémité supérieure de sangle lombaire 100 et 110.
Cette longueur utile de fixation aux sangles principales 4 et 5, est déterminée de manière à ménager une course de glissement suffisante des sangles lombaires 100 et 110.
L’utilisation de boucles en forme d’arc de cercle permet de réaliser le fonctionnement de pivotement des sangles lombaires 100, 110 simplement par glissement desdites sangles le long des boucles arquées.
Dans cette configuration, les sangles verticales 1bis, 1’bis montées en parallèle à l'arrière du conteneur dorsal 16 établissent un alignement de charge relativement droit depuis l’extrémité de chaque sangle d’épaule 1A, 1A’ et se prolongeant de haut en bas jusqu’à leurs points de fixation respectifs et à distance situés au niveau du conteneur principal 21, prises en cerclage par couture à leurs extrémités inférieures à des emplacement espacés le long de chaque sangle lombaire 100 et 110.
Ainsi, le fonctionnement durant la descente sous voile du sac-harnais qui est représenté dans la est semblable à celui qui est montré pour le sac-harnais dans la sauf que le maintien du conteneur dorsal 16 pendant les évolutions en chute libre, est amélioré par la présence supplémentaire des attaches aux extrémités supérieures des sangles lombaires 100, 110 à chaque sangle principale opposée 4, 5 à travers les boucles de liaison 6 et 7.
Dans la , on a représenté un autre mode perfectionné de réalisation du dispositif de maintien lombaire selon l’invention, dans lequel les sangles arrières 101 et 101’ sont croisées au niveau du conteneur de secours 20 et traversent l’arrière du conteneur dorsal 16 pour devenir apparentes au niveau du conteneur principal 21 avant de se fixer en bas des sangles principales opposées 4 et 5.
Les sangles lombaires 1100 et 1110 objet de l’invention sont solidarisées par une extrémité inférieure aux sangles principales 4, 5 et par une autre extrémité supérieure à l’arrière du conteneur dorsal 16 aux sangles arrières 101, 101’ à une distance intermédiaire située entre les anneaux d’articulation 8, 9 et les sangles d’épaule 1A, 1A’.
A noter que d’autres combinaisons du dispositif de maintien lombaire sont possibles telles que la fixation inférieure des sangles lombaires 1100, 1110 aux anneaux d’articulation 8, 9 ou à l’extrémité inférieure des sangles arrières 101, 101’ comme représenté en .
En l’absence d’anneaux d’articulation les sangles arrières seront reliées au point de fixation des sangles cuissardes tandis que les sangles lombaires peuvent indifféremment être fixées au point de fixation des sangles cuissardes, ou comme représenté en à l’extrémité inférieure des sangles arrières 101, 101’.
Dans le diagramme 8 on a montré une variante au mode perfectionné du dispositif selon l’invention représenté en avant l’ouverture du parachute principal.
Le mode de réalisation du diagramme 8 diffère du dispositif de maintien lombaire représenté en , par le fait que les sangles arrières 1bis et 1’bis ne sont pas disposées en parallèle mais en forme de «V» dans l’arrière du conteneur dorsal, avec la pointe du «V» fixée au croisement des sangles lombaires 100 et 110.
Le copolymère formé à partir de monomère acrylique d’acide sulfonique peut être réticulé. Les agents de réticulation peuvent être choisis parmi, par exemple, les composés à insaturation polyoléfinique couramment utilisés pour réticuler les polymères obtenus par polymérisation radicalaire. Selon un mode de réalisation préféré de l’invention, l’agent de réticulation est choisi parmi méthylènebisacrylamide, méthacrylate d’allyle ou triacrylate de triméthylolpropane (TMPTA). Le degré de réticulation va de préférence de 0,01 % en moles à 10 % en moles, et de préférence de 0,2 % en moles à 2 % en moles, par rapport au polymère, incluant toutes les plages et sous-plages intermédiaires. Les polymères amphiphiles préférés sont choisis parmi les polymères amphiphiles réticulés ou non réticulés de l’acide 2-acrylamido-2-méthylpropanesulfonique (AMPS) et d’au moins un monomère éthyléniquement insaturé comprenant au moins une portion hydrophobe contenant de 6 à 30 atomes de carbone, de préférence de 6 à 22 atomes de carbone, de préférence de 6 à 18 atomes de carbone et de préférence de 12 à 18 atomes de carbone, y compris toutes les plages et sous-plages intermédiaires.
Les copolymères convenables formés à partir de monomères acryliques d’acide sulfonique incluent les copolymères réticulés d’acrylamide/acrylamido-2-méthylpropanesulfonate de sodium (AMPS), tels que celui utilisé dans le produit commercial Sepigel 305 (nom CTFA : Polyacrylamide/C13-C14 Isoparaffin/Laureth-7) ou celui utilisé dans le produit commercial vendu sous le nom de Simulgel 600 (nom CTFA : Acrylamide/Sodium Acryloyldimethyltaurate/Isohexadecane/Poly sorbate-80) par la société SEPPIC ; les copolymères d’AMPS ® et de vinylpyrrolidone ou de vinylformamide, tels que ceux utilisés dans le produit commercial vendu sous le nom d’Aristoflex AVC ® par la société Clariant (nom CTFA : Ammonium acryloyldimethyltaurate/VP copolymer) mais neutralisé à l’hydroxyde de sodium ou à l’hydroxyde de potassium ; les copolymères d’AMPS et d’acrylate de sodium, par exemple le copolymère d’AMPS/acrylate de sodium, tel que celui utilisé dans le produit commercial vendu sous le nom de Simulgel EG ® par la société SEPPIC ou sous le nom commercial de Sepinov EM (nom CTFA : Hydroxyethyl acrylate/sodium acryloyldimethyl taurate copolymer) ; les copolymères d’AMPS et d’acrylate d’hydroxyéthyle, par exemple le copolymère d’AMPS/acrylate d’hydroxyéthyle, tel que celui utilisé dans le produit commercial vendu sous le nom de Simulgel NS ® par la société SEPPIC (nom CTFA : Hydroxyethyl acrylate/sodium acryloyldimethyltaurate copolymer (and) squalane (and) polysorbate 60), ou tel que le produit vendu sous le nom de copolymère d’acrylamido-2-méthylpropanesulfonate de sodium/acrylate d’hydroxyéthyle, tel que le produit commercial Sepinov EMT 10 (nom INCI : Hydroxyethyl acrylate/sodium acryloyldimethyl taurate copolymer) ; polymère réticulé d’acryloyldiméthyltaurate d’ammonium/méthacrylate de béhéneth-25 (Aristoflex HMB de Clariant) (AMPS éthoxylé réticulé/méthacrylate de béhényle) ; polymère réticulé d’acryloyldiméthyltaurate d’ammonium/méthacrylate de stéareth-25 (Aristoflex HMS) (copolymère éthoxylé d’AMPS/méthacrylate de stéaryle réticulé avec du triacrylate de triméthylol), Aristoflex SNC (AMPS éthoxylé réticulé/C16-C18), Aristoflex LNC (AMPS non réticulé/C12-C14), et des mélanges de ceux-ci.
L’au moins un copolymère formé à partir de monomères acryliques d’acide sulfonique peut être présent à une concentration pondérale allant d’environ 0,1 % à environ 20 %, par exemple d’environ l’un quelconque de 0,1 %, 0,25, 0,5 % ou 1 % en poids à environ l’un quelconque de 1 %, 1,5 % ou 2 % en poids par rapport au poids total de la composition.
Polymère épaississant acrylique exempt de monomères sulfonés
Conformément à la présente invention, des compositions qui incluent au moins un polymère épaississant acrylique exempt de monomères sulfonés sont fournies. Le polymère épaississant acrylique exempt de monomères sulfonés est formé d’au moins un monomère éthyléniquement insaturé, chacun d’entre eux étant exempt de fractions sulfonées. Selon certains modes de réalisation notables, le polymère épaississant acrylique exempt de monomères sulfonés est au moins partiellement réticulé.
De préférence, le polymère épaississant acrylique exempt de monomères sulfonés est un polymère acrylique en émulsion (formé par polymérisation en émulsion). Selon certains modes de réalisation, le polymère épaississant acrylique exempt de monomères sulfonés est un polymère acrylique en émulsion gonflable en milieu alcalin. L’effet épaississant de ce polymère peut provenir de la neutralisation des groupes carboxyle protonés qui s’ionisent ensuite, ce qui entraîne l’expansion du polymère en raison de la répulsion des charges. Dans certains modes de réalisation, le polymère épaississant acrylique exempt de monomères sulfonés est en outre modifié de manière hydrophobe, par exemple avec un ou plusieurs groupes alkyle. Dans certains autres modes de réalisation, le polymère épaississant acrylique exempt de monomères sulfonés est exempt de modification hydrophobe.
Un polymère épaississant acrylique convenable exempt de monomères sulfonés inclut les polymères CARBOPOL tels que CARBOPOL 2984, CARBOPOL 5984, CARBOPOL 940, CARBOPOL 941, CARBOPOL 980, CARBOPOL 981, CARBOPOL Clear Polymer, CARBOPOL SC-200, CARBOPOL SC-800, CARBOPOL Silk-100, CARBOPOL Ultrez-10, CARBOPOL Aqua SF-1. Le polymère CARBOPOL est disponible auprès de Lubrizol.
Selon des modes de réalisation préférés, le polymère épaississant acrylique exempt de monomères sulfonés est le CARBOPOL Aqua SF-1, un polymère en émulsion alcaline légèrement réticulé.
L’au moins un polymère épaississant acrylique exempt de monomères sulfonés peut être présent à une concentration en poids allant d’environ 0,1 % à environ 20 %, par exemple d’environ 0,1 %, 0,25 %, 0,5 % ou 1 % en poids à environ 1 %, 1,5 % ou 2 % en poids par rapport au poids total de la composition.
Ingrédients supplémentaires
Selon des modes de réalisation préférés, les compositions de gel peuvent inclure des ingrédients supplémentaires typiquement inclus dans les compositions cosmétiques. Une discussion non exhaustive de ces ingrédients est présentée ci-dessous.
Selon des modes de réalisation préférés, les compositions de gel peuvent facultativement comprendre en outre au moins un agent filmogène (qui ne répond pas aux exigences de l’au moins un polymère épaississant acrylique exempt de monomères sulfonés ou de l’au moins un copolymère formé de monomères acryliques d’acide sulfonique). Les exemples incluent un agent filmogène de silicone choisi dans le groupe consistant en résines de silicone, copolymères de polyorganosiloxane et des mélanges de ceux-ci. De préférence aussi, la résine de silicone est choisie dans le groupe consistant en résines de siloxysilicate, résines de silsesquioxane, et des mélanges de ceux-ci. Dans certains modes de réalisation, les compositions de gel de la présente invention sont dépourvues ou exemptes des agents filmogènes décrits dans ce paragraphe.
D’autres ingrédients supplémentaires inclus facultativement dans la composition de gel incluent des glycols tels que glycérine, butylène glycol, hexylène glycol ou propylène glycol ; un parfum ; un agent conservateur ; des agents neutralisants tels que des alcalis, y compris l’hydroxyde de sodium ; des agents de refroidissement tels que le méthyl-diisopropylpropionamide ; des agents cosmétiquement actifs et/ou des agents dermatologiques actifs tels que, par exemple, des émollients, des hydratants, des vitamines, des hydroxyacides tels que l’acide salicylique, et des médicaments.