INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
L’isolant thermique 32 est disposé entre les profilés 4 d’un cadre 15-2 en vis-à-vis de la feuille d’étanchéité 21. L’isolant thermique 32 remplit le volume délimité par les profilés du cadre 15-2 en vis-à-vis de la feuille d’étanchéité 21. L’isolant thermique 32 remplit l’espace délimité par les profilés d’un cadre 15-2. L’isolant thermique 32 est maintenu par ses bords dans les cavités des profilés, par exemple de section transversale en forme de C ou de U. L’isolant thermique n’a pas été représenté sur les vues générales représentant la piscine 20 ou les modules 2. Sur la , seules la traverse supérieure 10 et la traverse inférieure 11 ont été représentées. Ni la traverse intermédiaire 12 ni la jambe de force oblique 13 n’a été représentée.
L’isolant 32 étant contenu dans l’épaisseur du cadre 15-2, la présence de l’isolant 32 ne modifie ni les dimensions du cadre, ni la manière de fixer ce cadre aux autres cadres du module. L’intégration de l’isolant entre les profilés d’un cadre permet de réduire la consommation énergétique liée au chauffage de l’eau du bassin 22, sans influer ni sur le transport des cadres formant les modules, ni sur la facilité de montage de la structure de la piscine. L’emploi d’isolant thermique est optionnel.
La illustre les étapes pour réaliser l’opération logique A OU B avec le groupe élémentaire de cellules mémoires selon le premier mode de réalisation de l’invention.
La première étape 100 consiste à initialiser la troisième cellule CM OR à un état résistif haut correspondant à un état logique bas x=0.
Ensuite, un premier cycle de calcul 200 est déclenché. Le cycle 200 comprend une première étape 201 consistant à sélectionner la première cellule mémoire CM A et la troisième cellule mémoire CM OR en mettant à l’état passant leurs transistors de sélection T1. La seconde étape 202 du cycle 200 consiste à appliquer une première tension de lecture positive sur le premier nœud d’entrée/sortie SL 1a de la première cellule mémoire et connecter simultanément le premier nœud d’entrée/sortie SL 2a de la troisième cellule mémoire à la masse électrique.
L’amplitude de la première tension de lecture positive appliquée sur le nœud SL 1a est strictement inférieure au second seuil de tension V reset pour passer d’un état résistif bas à un état résistif haut. Cela assure la préservation de l’état résistif de la première cellule mémoire CM A contenant la première donnée d’entrée. Deux cas de figures sont possibles pour cette configuration :
Dans le premier cas, on considère que la première cellule CM A est à un état résistif bas (A=1). Cela induit que la chute de tension à travers ladite cellule mémoire est faible. La première cellule mémoire CM A est assimilable à un interrupteur à l’état passant. La tension appliquée est propagée vers le second nœud d’entrée /sortie BL de la troisième cellule mémoire CM OR par l’intermédiaire de la ligne d’interconnexion commune BL 1a . Ainsi, la troisième cellule mémoire CM OR se retrouve avec une tension positive sur l’électrode supérieure EL1 connectée à la ligne d’interconnexion BL 1a , et une tension nulle sur l’électrode inférieure EL2 connectée à la masse à travers le transistor T1 associé à l’état passant. La troisième cellule mémoire CM OR est soumise ainsi à une tension positive à ses bornes. L’amplitude de la première tension de lecture positive appliquée sur le noeud SL 1a est strictement supérieure au premier seuil de tension V set pour passer d’un état résistif haut à un état résistif bas. Ainsi, la troisième cellule mémoire CM OR passe d’un état résistif haut (x=0) à un état résistif bas (x=1) lorsque (A=1).
A titre d’exemple, pour une technologie de mémoire résistive déterminée, le premier seuil de tension V set est égale à 1,5V et le deuxième seuil de tension V reset est égal à 2V. L’amplitude de la première tension de lecture positive appliquée sur le noeud SL 1a est égale à 1.8V. La première tension de lecture VSL 1a, est sous forme d’impulsion rectangulaire avec une durée de 100ns à titre d’exemple.
Dans le second cas, on considère que la première cellule CM A est à un état résistif haut (A=0). Cela induit que la chute de tension à travers ladite cellule mémoire est forte. La première cellule mémoire CM A est assimilable à un interrupteur à l’état bloquant. La troisième cellule mémoire CM OR se retrouve avec une tension positive proche de zéro sur l’électrode supérieure EL1 et une tension nulle sur l’électrode inférieure EL2 connectée à la masse à travers le transistor T1 associé à l’état passant. La troisième cellule mémoire CM OR est soumise ainsi à une tension faible à ses bornes et non suffisante pour provoquer un changement d’état résistif. Ainsi, la troisième cellule mémoire CM OR reste à son état résistif initialement haut (x=0) lorsque (A=0).
Ensuite, un second cycle de calcul 300 est déclenché. Le cycle 300 comprend une première étape 301 consistant à sélectionner la deuxième cellule mémoire CM B et la troisième cellule mémoire CM OR en mettant à l’état passant leurs transistors de sélection T1. La seconde étape 302 du cycle 300 consiste à appliquer la première tension de lecture positive sur le premier nœud d’entrée/sortie SL 1a de la deuxième cellule mémoire et connecter simultanément le premier nœud d’entrée/sortie SL 2a de la troisième cellule mémoire à la masse électrique. Il s’agit d’une réitération du cycle 200 mais en sélectionnant la deuxième cellule mémoire CM B contenant la seconde donnée d’entrée B. Ainsi, par le même mécanisme décrit dans le premier cycle 200, si la deuxième cellule mémoire CM B est à un état résistif bas (B=1), alors la troisième cellule mémoire CM OR passe à un état résistif bas (x=1). Si la deuxième cellule mémoire CM B est à un état résistif haut (B=0), alors la troisième cellule mémoire CM OR reste à un état résistif haut (x=0).
On obtient ainsi, par la séquence d’étapes précédente, la fonction logique suivante : la troisième cellule mémoire CM OR reste à un état résistif haut (x=0) si et seulement si la première et la deuxième cellule mémoire CM B, CM A sont toutes les deux à un état résistif haut. (A=0 et B=0). Cela correspond à la fonction logique A OU B comme illustré dans la table logique de la .
La illustre un groupe élémentaire de cellules mémoires selon un second mode de réalisation de l’invention destiné à réaliser l’opération logique A XNOR B. Le deuxième mode de réalisation reprend la même structure du groupe élémentaire selon le premier mode de réalisation et comprend en outre une quatrième cellule mémoire CM XNOR . La quatrième cellule mémoire CM XNOR appartient à un plan mémoire P XNOR1 différent de celui des plans mémoire P in1 et P OR1. La quatrième cellule mémoire est destinée à stocker le résultat de la fonction logique (A XNOR B). La première donnée d’entrée A stockée dans CM A, la deuxième donnée d’entrée B stockée dans CM B et le résultat de (A OR B) préalablement calculé et stocké dans CM OR sont utilisées pour calculer A XNOR B dans CM XNOR .
Le second nœud d’entrée/sortie BL de la quatrième cellule mémoire CM XNOR est connecté aux seconds nœuds d’entrée/sortie BL de la première, de la deuxième et de la troisième cellule mémoire CM A, CM B et CM OR par l’intermédiaire de la ligne d’interconnexion commune BL 1a .
La quatrième cellule mémoire CM XNOR appartient à la colonne C 1 dans la matrice du plan P XNOR1. Il s’agit de la colonne de même rang que les cellules mémoires CM A, CM B et CM OR. Cela permet de simplifier l’interconnexion entre les seconds nœuds d’entrée/sortie BL dédites cellules mémoires à travers la ligne d’interconnexion BL 1a .
Le groupe élémentaire de cellules mémoires selon le second mode de réalisation de l’invention est configurable via : le premier nœud d’entrée/sortie commun à CM A et CM B noté SL 1a , le premier nœud d’entrée/sortie de CM OR noté SL 2a , le premier nœud d’entrée/sortie de CM XNOR noté SL 3a et les quatre noeuds de sélection (WL 1 ,1 , WL 1,2 WL 2,1 WL 3,1 ).
Avantageusement, il est possible de réaliser un autre groupe élémentaire de cellules mémoires symétrique sur les deuxièmes colonnes C 2 des plans P in1 et P OR1. Cela permet de réaliser deux opérations logiques OU sur deux couples d’opérandes différents d’une manière parallèle.
La illustre les étapes pour réaliser l’opération logique (A XNOR B) avec le groupe élémentaire de cellules mémoires selon le deuxième mode de réalisation l’invention. Pour réaliser ce calcul le résultat de l’opération logique (A OR B) doit être préalablement calculé et stocké dans la troisième cellule mémoire CM OR . Pour cela il est envisageable d’exécuter les étapes du procédé décrit pour le groupe élémentaire selon le premier mode de réalisation de l’invention décrit précédemment. Il est aussi envisageable d’écrire la valeur de l’opération logique (A OR B) dans la troisième cellule mémoire CM OR à partir d’un calculateur externe.
La première étape 400 consiste à initialiser la quatrième cellule CM XNOR à un état résistif bas correspondant à un état logique haut x=1.
Dans certains modes de réalisation, les agents hydratants appropriés qui peuvent être utilisés selon la divulgation peuvent être choisis parmi un ou plusieurs polyols, y compris, par exemple, la glycérine, le glycérol, les glycols, tels que le caprylyl glycol, le butylène glycol, le propylène glycol, l’isoprène glycol, le dipropylène glycol, l’hexaxylène glycol et le polyéthylène glycol, le monoéthylène glycol, le diéthylèneglycol, le diéthylèneglycol, le diéthylèneglycol l’hexaxylène glycol ; les éthers glycoliques tels que le monopropylène, les éthers alkyliques en (C1-C4) de dipropylène et tripropylène glycol ; le squalane ; la triacétine ; les sucres tels que le glucose, le xylitol, le maltitol, le sorbitol, le pentaerythritol de saccharose, l’inositol ; l’acide carboxylique de pyrrolidone (PCA) ; l’acide lactique ; le chlorure de lithium ; l’acétamide MEA ; le lactate de sodium ; l’urée ; la dicyanamide ; l’acide hyaluronique ; l’aloe vera ; le miel ; l’extrait d’algues et leurs combinaisons..
Dans certains modes de réalisation, des solvants adéquats pouvant être utilisés selon l’invention peuvent être choisis parmi les monoalcools et polyols tels que l'alcool éthylique, l'alcool isopropylique, l'alcool propylique, l'alcool benzylique, l'alcool phényléthylique ou les glycols ou éthers de glycol tels que, par exemple, les éthers monométhylique, monoéthylique et monobutylique d'éthylène glycol, de propylène glycol ou leurs éthers tels que, par exemple, l'éther monométhylique de propylène glycol, le butylène glycol, l'hexylène glycol, le dipropylène glycol ainsi que les éthers alkyliques de diéthylène glycol, par exemple, l'éther monoéthylique ou l'éther monobutylique de diéthylène glycol. D'autres exemples appropriés de solvants organiques sont l'éthylène glycol, le propylène glycol, le butylène glycol, l'hexylène glycol, le propane diol et la glycérine.
Dans divers modes de réalisation, ledit au moins un agent hydratant, solvant ou une combinaison de ceux-ci, est présent d'environ 1 % à environ 20 % en poids de la composition, et dans certains modes de réalisation, d'environ 2 % à environ 15 %, et dans certains modes de réalisation, d'environ 3 % à environ 10 %, d'environ 4 % à environ 8 % et, dans certains modes de réalisation, à raison d’environ 5 %, ou toute combinaison, sous-combinaison, plage ou sous-plage appropriée de ceux-ci en poids, sur la base de poids de la composition. Dans certains modes de réalisation, la composition comprend plus d'un agent hydratant, solvant ou combinaison de ceux-ci, la combinaison de ceux-ci étant présente dans la composition à une concentration d'environ 1 % à environ 20 %, et dans certains modes de réalisation, à hauteur d’environ 5 % ou toute combinaison appropriée, sous-combinaison, plage ou sous-plage de ceux-ci, en poids, sur la base du poids de la composition. L'homme du métier, cependant, appréciera que d'autres plages entrent dans la portée de l'invention.
Ainsi, dans divers modes de réalisation, chacun ou une combinaison d'au moins un glycol ou diol cosmétiquement acceptable est présent dans une composition selon l'invention à environ 0,01, 0,02, 0,03, 0,04, 0,05, 0,06, 0,07, 0,08, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, à environ 20 pour cent, en poids, y compris les incréments et les plages à l’intérieur et entre ces derniers.
Additifs facultatifs. La composition peut également comprendre au moins un additif utilisé dans le domaine cosmétique qui n'altère pas les propriétés des compositions selon l'invention, tel que des parfums, des conservateurs/anti-microbiens (par exemple, la chlorphénésine, l'acide salicylique, le phénoxyéthanol, le sorbate de potassium et le caprylylglycol) ; des actifs (par exemple, l’hydroxyacétophénone, des vitamines, le panthénol, le tocophérol) ; des ingrédients actifs solubles dans l'huile (par exemple, la vitamine A, le bêta-carotène, le tocophérol/vitamine E) et des émollients ; des matières colorantes/pigments ; des huiles essentielles ; des antioxydants ; des hydroxyacides ; de l’acide citrique, du citrate de sodium, du chlorure de sodium ; des agents de neutralisation, de chélation ou de régulation du pH (par exemple, la triéthylamine (TEA), le disuccinate d'éthylènediamine trisodique, l'EDTA et l'hydroxyde de sodium) et leurs combinaisons.
Dans certains exemples particuliers, la phase huileuse peut en outre comprendre des actifs solubles dans l'huile choisis dans le groupe consistant en vitamine E, vitamine A, bêta-carotène, rétinol, resvératrol, leurs dérivés et leurs combinaisons. Et dans certains exemples particuliers, la phase aqueuse peut en outre comprendre des actifs solubles dans l'eau sélectionnés dans le groupe constitué de la vitamine C, de niacinamide, de leurs dérivés et de leurs combinaisons.
Dans certains modes de réalisation, la composition peut comprendre au moins un additif sélectionné dans le groupe constitué de régulateurs de pH, d'agents chélatants, d'actifs de soin de la peau, de conservateurs, de charges, de poudres, de parfums, de colorants, de pigments et de leurs combinaisons. Dans certains modes de réalisation particuliers, la composition peut comporter au moins un additif sélectionné dans le groupe constitué par le déshydroacétate de sodium, l'acide salicylique, le phénoxyéthanol, les verts d'oxyde de chrome, le sodium PCA, le gluconate de cuivre, le chlorure de sodium, le tocophérol, la caféine, le bêta-carotène (bêta-carotène ou autre provitamine A caroténoïde ou rétinol), l’acide citrique et leurs combinaisons.
Même si les additifs en option sont donnés à titre d'exemples, il sera apprécié que d’autres composants en option compatibles avec les applications cosmétiques connues dans l’art puissent être utilisés s’ils sont adaptés à une composition cosmétique.
Conformément aux différents modes de réalisation, la quantité d’un ou de plusieurs actifs et additifs, seuls ou en combinaison, lorsqu’ils sont présents dans la composition selon l’invention peut être présente dans une fourchette d’environ 0,0001 % à environ 20 %, et dans certains modes de réalisation, d’environ 0,005 % à environ 0,01 %, et dans certains modes de réalisation, d’environ 0,01 % à environ 0,1 %, et dans certains modes de réalisation, d’environ 0,15 % à environ 5 %, et dans certains modes de réalisation, d’environ 0,40 % à environ 4 %, et dans certains modes de réalisation, d’environ 0,5 % à environ 2,5 %, et dans certains modes de réalisation, d’environ 0,1 % à environ 0,5 % et, dans certains modes de réalisation, d’environ 1 % à environ 2 %, ou toute combinaison, sous-combinaison, plage ou sous-plage appropriée en poids, sur la base du poids total de la composition. L'homme du métier, cependant, appréciera que d'autres plages entrent dans la portée de l'invention.
Par conséquent, tout actif ou combinaison d’actifs et d’additifs, peu(ven)t être présent(s), chacun ou la combinaison étant présent(s)) d’environ 0.0001, 0.0005, 0.001, 0.002, 0.003, 0.004, 0.005, 0.006, 0.007, 0.008, 0.009, 0.01, 0.02, 0.03, 0.04, 0.05, 0.06, 0.07, 0.08, 0.09, 0.10, 0.20, 0.30, 0.40, 0.50, 0.60, 0.70, 0.80, 0.90, 1.0, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19 à environ 20 pour cent en poids, y compris des incréments et les plages incluses à l’intérieur et entre ces derniers.
Les exemples ci-dessous selon l'invention sont donnés à titre illustratif et sans caractère limitatif. Les noms sont le nom chimique ou le nom INCI. Les quantités y sont, sauf mention contraire, données en % en poids.
EXEMPLES EXEMPLE 1 : Compositions Divers modes de réalisation représentatifs de compositions inventives et comparatives sont illustrés ici.
Compositions inventives 1-2 et Compositions comparatives 1-3 Ingrédient Inv 1 Inv 2 Comp 1 Comp 2 Comp 3 Beurre de butyrospermum parkii (karité) 3.00 3.00 4.00 3.00 3.00 Cire Copernicia cerifera (carnauba) 0.10 0.10 0.10 0.10 Huile Persea Gratissima (avocat) 3.50 3.50 3.50 3.50 Squalane 6.50 6.50 5.00 6.50 Glycérine 5.00 5.00 5.00 5.00 Polyglycéryl-4 Diisostéarate/Polyhydroxystéarate/Sébacate 1.35 1.35 1.35 1.35 Propanédiol 1.60 5.00 1.60 1.60 *Diacétate de glutamate tétrasodique 0.80 0.80 Chlorure de sodium, déshydroacétate de sodium, acide salicylique, verts d'oxyde de chrome, Sodium PCA 1.68 Gluconate de cuivre, chlorure de sodium, déshydroacétate de sodium, acide salicylique, verts d'oxyde de chrome, Sodium PCA 1.69 1.69 1.69 Hydroxyde de sodium 0.025 0.03 Sesquioléate de sorbitane, palmitate d'isopropyle, butylène glycol, huile de persea gratissima (avocat), huile de ricin hydrogénée, propylène glycol, stéarate d'isocétyle stéaroyle, huile de jojoba hydrogénée, PEG-30 dipolyhydroxystéarate, stéarate de tridécyle (et) trimellitate de tridécyle (et) hexacaprylate/hexacaprate de dipentaérythrityle, sulfate de magnésium, acétate de tocophéryle, EDTA disodique, phénoxyéthanol, chlorphénésine, salicylate d'isodécyle, acide P-anisique, cuivre PCA, bêta-carotène, sodium PCA 23.8 Isostéarate d'isopropyle 1.50 Tocophérol, bêta-carotène, caféine 0.61 0.61 Tocophérol, bêta-carotène, acide citrique, caféine 0.66 0.66 Eau 75.80 72.40 72.19 76.74 76.62
* Le dérivé d'acide glutamique est actif à 47,5 %
Les Compositions comparatives 1 à 4 ont été employées avec les Compositions inventives dans des études comme indiqué dans les exemples ci-dessous, dans lesquels Comp 1 a une formulation générale différente et ne contient pas l'émulsifiant d'ester de polyglycéryle et comprend un émulsifiant différent, est dépourvue de propanediol et est dépourvue de glutamate ou de dérivé. Les Compositions comparatives 2 et 3 ont une base similaire aux Compositions inventives 1 et 2 mais sont dépourvues de glutamate ou de dérivé.
Par exemple, l’épaisseur du polariseur réflectif 17 dans le composant optique 16 est inférieure ou égale à 0,15 mm. De préférence, l’épaisseur du polariseur réflectif 17 dans le composant optique 16 est égale à 0,075 mm.
De préférence, le polariseur réflectif 17 peut fonctionner à des températures supérieures ou égales à 105°C.
Le diffuseur optique 18 est défini par une indicatrice de diffusion avec un maximum d’intensité dans une direction principale, et par exemple, des largeurs angulaires dans certaines directions. Par exemple, le type de diffusion réalisé par le diffuseur optique 18 est de type elliptique gaussien. Par exemple, la largeur à mi-hauteur de diffusion dans la direction de la longueur de l’écran à cristaux liquides 11 est de 30 degrés et la largeur à mi-hauteur de diffusion dans la direction de la largeur de l’écran à cristaux liquides 11 est de 20 degrés.
L’écran à cristaux liquides 11 comprend une matrice de cristaux liquides interposée entre un polariseur amont 19 et un polariseur aval 20, le polariseur amont 19 étant situé du côté du composant optique 16. Le polariseur amont 19 est configuré pour transmettre sélectivement une composante de lumière présentant une polarisation amont Pa dans la matrice de cristaux liquides. Une activation adaptée de certains éléments de la matrice de cristaux liquides permet sélectivement le passage de la lumière reçue du polariseur amont 19 par modification de la polarisation de celle-ci à travers les éléments de la matrice de cristaux liquides et transmission ou non à travers le polariseur aval 20.
La polarisation déterminée Pd réfléchie par le polariseur réflectif 17 est réglée orthogonalement à la polarisation amont Pa. Autrement dit, la polarisation de la lumière Pt transmise par le polariseur réflectif 17 est alignée avec la direction de polarisation que transmet le polariseur amont 19 de l’écran à cristaux liquides 11. La illustre schématiquement ce réglage.
Ainsi, en choisissant le diffuseur optique 18 de sorte qu’il perturbe au minimum la polarisation de la lumière qu’il reçoit, le faisceau diffusé présente une polarisation qui va être transmise par le polariseur amont 19 de l’écran à cristaux liquides 11 et traverser ce dernier. De cette manière, l’absorption du faisceau diffusé dans l’écran à cristaux liquides 11 est réduite tandis que sa transmission est améliorée, ce qui limite l’échauffement de l’écran à cristaux liquides 11.
Dans ce premier mode de réalisation, le réflecteur 15 présente une hauteur constante dans la direction définie par la direction principale d’émission de la source de lumière 14, ainsi qu’un axe principal parallèle à la direction principale d’émission D de la source de lumière 14.
Par exemple, le réflecteur 15 est fabriqué en matière plastique avec une couche de métallisation appliquée sur les parois intérieures du réflecteur 15. De préférence, le matériau du réflecteur 15 présente une température de déflection supérieure ou égale à 120°C avec une charge égale à 1,8 MPa et supérieure ou égale à 130°C avec une charge égale à 0,45 MPa. Ceci permet de préserver les propriétés mécaniques et thermiques du réflecteur sur toute la plage de fonctionnement du dispositif de génération d’images 6, par exemple, entre -40°C et 105°C. De l’aluminium ou de l’argent peuvent être utilisés pour la métallisation.
Par exemple, le coefficient de réflexion du réflecteur 15 est supérieur ou égal à 60%, de préférence supérieur ou égal à 80%. Ce paramètre permet de réduire les pertes de lumière par absorption et améliore l’uniformité de l’image virtuelle 3.
La géométrie du réflecteur 15 peut être optimisée afin d’améliorer l’efficacité de recyclage du polariseur réflectif 17. De préférence, la forme du réflecteur 15 est effilée, avec la partie la plus étroite positionnée de manière plus proche de la source de lumière 14. Par exemple, le réflecteur 15 peut présenter des parois dont l’inclinaison permet de maximiser la surface réfléchissante vue depuis le polariseur réflectif 17. Aussi, la courbure des parois du réflecteur 15 peut être optimisée pour améliorer la collimation du faisceau source.
Dans ce premier mode de réalisation, le composant optique 16 est orthogonal à l’axe principal du réflecteur.
Par ailleurs, la direction normale de l’écran à cristaux liquides 11 est inclinée par rapport à la direction de l’axe principal du réflecteur 15.
La illustre un deuxième mode de réalisation du dispositif de rétroéclairage 6 selon l’invention.
Comme dans le premier mode de réalisation, la direction normale de l’écran à cristaux liquides 11 est inclinée par rapport à la direction de l’axe principal du réflecteur 15.
Dans ce deuxième mode de réalisation, la direction normale du composant optique 16 est également inclinée par rapport à la direction de l’axe principal du réflecteur 15. Par exemple, l’inclinaison est comprise entre 12 degrés et 24 degrés. De préférence, l’inclinaison est supérieure à 13 degrés.
Par exemple, le composant optique 16 est parallèle à l’écran à cristaux liquides 11.
Les matières grasses d'origine naturelle (ii) utilisables dans la présente invention sont choisies parmi les huiles obtenues dans la nature ou leurs dérivés, les graisses obtenues dans la nature ou leurs dérivés (i.e. : graisses végétales et/ou animales), les huiles végétales usagées provenant de l'industrie agroalimentaire ou leurs dérivés et leurs mélanges. En général, les matières grasses d'origine naturelle (ii) sont choisies parmi des huiles et graisses animales et/ou végétales, de préférence des huiles végétales et des graisses animales, mieux des huiles végétales.