INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Cette configuration de préforme d’aube permet de conférer à la zone destinée à former le pied d’aube une géométrie qui est obtenue simplement à partir d’une forme conventionnelle de préforme d’aube. Cette géométrie est adaptée à une fixation d’aube grâce à laquelle, en opération, les sollicitations auxquelles est soumise l’aube ainsi fixée restent dans le plan de tissage de la préforme et ne s’exercent pas transversalement à ce plan comme pour la décrite ci-dessus.
En outre, la réalisation des deux peaux écartées transversalement l’une de l’autre va permettre, après fixation de l’aube et lors de son utilisation, de générer un moment quadratique plus élevé que pour la structure de la décrite ci-dessus.
Selon d’autres caractéristiques possibles : - chacune des deux peaux s’étend suivant la première direction Y sur une partie de la hauteur de la préforme d’aube ; - la préforme d’aube présente un tissage tridimensionnel monolithique dans la partie de la préforme qui s’étend au-delà des deux peaux en incluant la zone supérieure; - chacune des deux peaux s’étend suivant la direction axiale Z sur la totalité de la longueur de la préforme d’aube; - chacune des deux peaux s’étend suivant la direction axiale Z sur une partie de la longueur de la préforme d’aube; -la partie de la longueur de la préforme d’aube est située entre les deux extrémités opposées de la préforme d’aube qui sont aptes respectivement à former un bord d’attaque et un bord de fuite de l’aube; -la partie de la longueur de la préforme d’aube s’étend jusqu’à une des deux extrémités opposées de la préforme d’aube qui sont aptes respectivement à former un bord d’attaque et un bord de fuite de l’aube; - la préforme d’aube comporte en outre une zone complémentaire monolithique en matériau tissé tridimensionnellement qui s’étend notamment contre l’une des deux peaux de manière à former une surépaisseur externe suivant la direction transversale X, la zone complémentaire monolithique formant avec le matériau tissé tridimensionnellement de la préforme d’aube une déliaison qui s’étend dans la zone supérieure jusqu’à l’extrémité supérieure de cette dernière.
Le présent exposé concerne également une aube pour turbomachine réalisée de manière monolithique en matériau composite à partir d’une préforme d’aube telle que brièvement exposée ci-dessus, la préforme d’aube ayant été mise en forme dans un moule et noyée dans une matrice.
Le présent exposé concerne en outre un système de fixation d’une aube pour turbomachine, comprenant : -une aube telle que brièvement exposée ci-dessus, comportant, au niveau du pied d’aube, deux portions écartées l’une de l’autre suivant la direction transversale X de manière à ménager entre elles une cavité qui s’étend vers le bas suivant la direction Y de la hauteur de l’aube, depuis un fond de cavité jusqu’à une ouverture de cavité sur l’extérieur, située au niveau de l’extrémité inférieure du pied d’aube, -au moins un élément d’attache de l’aube qui est engagé partiellement à l’intérieur de la cavité, la partie engagée dudit au moins un élément d’attache ayant une forme, prise dans un plan défini par les deux directions X et Y, qui s’étend en direction du fond de la cavité en s’évasant suivant la direction transversale X, les deux portions écartées du pied d’aube qui sont au contact de la forme évasée dudit au moins un élément d’attache ayant des formes évasées correspondantes.
La configuration dudit au moins un élément d’attache à forme évasée (ou à moignon) permet de maîtriser le changement de géométrie de l’aube (configuration du pied d’aube avec les deux portions écartées transversalement) en assurant sa fixation/attache de manière efficace. Les deux portions du pied d’aube écartées transversalement permettent d’accroître le moment quadratique de la structure composite par rapport à une structure telle que celle de la .
Selon d’autres caractéristiques possibles : -chacune des deux portions écartées du pied d’aube comprend une face interne en contact avec une face externe dudit au moins un élément d’attache, la face interne de chaque portion du pied d’aube ayant, dans une zone de contact avec la partie la plus évasée de la face externe dudit au moins un élément d’attache, suivant une vue en section dans un plan défini par les directions X et Y, une inclinaison comprise entre 5° et 35° par rapport à la direction Y; - ledit au moins un élément d’attache s’étend suivant au moins une partie de la cavité du pied d’aube suivant la direction axiale Z; - ledit au moins un élément d’attache s’étend suivant une partie de la cavité du pied d’aube et comprend plusieurs éléments d’attache écartés l’un de l’autre suivant la direction axiale Z; -la cavité du pied d’aube est fermée aux deux extrémités opposées de l’aube qui définissent respectivement un bord d’attaque et un bord de fuite de l’aube éloignés l’un de l’autre suivant la direction axiale Z ; -la cavité du pied d’aube est ouverte à l’une des deux extrémités opposées de l’aube qui définissent respectivement un bord d’attaque et un bord de fuite de l’aube éloignés l’un de l’autre suivant la direction axiale Z ; -le système de fixation d’aube comporte des éléments de fixation transversaux qui traversent transversalement ledit au moins un élément d’attache et les deux portions écartées du pied d’aube.
Le présent exposé concerne également une turbomachine comprenant un système de fixation d’aube tel que brièvement exposé précédemment.
La est une vue schématique en section transversale d’un système de fixation d’aube par bridage selon l’art antérieur ;
La est une vue schématique en section transversale d’un système de fixation tangentielle d’aube selon l’art antérieur ;
La est une vue schématique en section axiale d’une turbomachine selon un mode de réalisation de l’invention ;
En particulier, la valeur du décalage peut être adaptée en fonction de la configuration dynamique particulière d’un frein (30), et du point d’équilibre désiré (lorsque la plaquette est neuve ou autre).
Disque de frein perfectionné L’invention se rapporte au domaine technique des freins à disques, et en particulier aux disques équipant de tels freins.
Les disques sont soumis au frottement important des plaquettes. Alors que les plaquettes sont des pièces d’usure dont le remplacement est aisé, le remplacement d’un disque est plus compliqué. La tendance habituelle est de concevoir des disques résistants à l’usure, afin que l’intervalle entre deux remplacements soit rallongé. Dans ce cas, la caractéristique souvent recherchée est la dureté du disque.
Dans le domaine des sports mécaniques tels que les courses de motos, ou encore dans l’aéronautique pour les trains d’atterrissage d’avions et notamment d’avions légers, les freinages sont intenses, et parfois répétés sur une courte période. Ces freinages répétés ou intensifs conduisent à une hausse importante de la température de la plaquette et du disque, qui peuvent atteindre des températures supérieures à 700°C. La hausse de température peut être particulièrement rapide, en quelques secondes seulement.
La vitesse de rotation élevée du disque ainsi que sa géométrie plane induisent un refroidissement rapide par convection. De tels cycles de montées et de descentes brutales en température fragilisent le disque.
L’un des buts de l’invention est de pallier les inconvénients de l’art antérieur, en proposant un disque de frein dont la résistance aux sollicitations thermiques est améliorée par rapport aux solutions de l’art antérieur.
A cet effet, il a été mis au point un disque pour frein à disque, remarquable en ce qu’il est réalisé en acier comprenant moins de 0,3% en masse de carbone, et de préférence 0,2%, tel qu’un acier de cémentation.
De cette manière, le disque est à faible trempabilité. C’est-à-dire que lorsqu’il subit des descentes rapides de température tels que précitées, sa structure cristalline ne sera pas modifiée comme elle pourrait l’être avec l’utilisation d’un acier trempable, par exemple s’il contient plus de carbone.
Il est en effet courant de constater que les disques de freins, lors d’utilisations intensives, sont chauffés au rouge. Leur température est donc de l’ordre de 700°C à 800°C. Or il est rappelé qu’à une température supérieure à 723°C, la perlite présente dans un acier est intégralement transformée en austénite.
ladite lactonase mutée comprend la séquence consensus mutée de séquence SEQ ID NO : 2 dans laquelle X1 est I et la séquence consensus mutée de séquence SEQ ID NO : 4 dans laquelle X 2 est W, T, A, F, V, I, M ou L, X 3 est A, X 4 est F, X 5 est K, X 6 est P, X 7 est K, X 8 est L, X 9 est A, X 10 est R ou K et X 11 est S, ou ladite lactonase mutée comprend la séquence consensus mutée de séquence SEQ ID NO : 2 dans laquelle X1 est I et la séquence consensus mutée de séquence SEQ ID NO : 4 dans laquelle X 2 est W, T, A, F, V, I, M ou L, X 3 est A, X 4 est Y ou L, X 5 est K, X 6 est P, X 7 est K, X 8 est L, X 9 est A, X 10 est A et X 11 est S, ou ladite lactonase mutée comprend la séquence consensus mutée de séquence SEQ ID NO : 2 dans laquelle X1 est I et la séquence consensus mutée de séquence SEQ ID NO : 4 dans laquelle X 2 est W, T, A, F, V, I, M ou L, X 3 est A, X 4 est Y ou L, X 5 est K, X 6 est P, X 7 est K, X 8 est L, X 9 est A, X 10 est R ou K et X 11 est A,
ledit substrat est 3-oxo-C10-HSL, et
lesdites bactéries sont choisies parmi : Azospirillum sp., Bradyrhizobium sp., Burkholderia sp., Gluconacetobacter sp., Pectobacterium sp., Pseudomonas sp., Sinorhizobium sp., Vibrio sp., Yersinia sp.
Ainsi, dans ce mode de réalisation particulier, ladite lactonase mutée comprend la séquence consensus mutée de séquence SEQ ID NO : 2 dans laquelle X1 est I et la séquence consensus mutée de séquence SEQ ID NO : 4 dans laquelle X 2 est W, T, A, F, V, I, M ou L, X 3 est A, X 4 est F, X 5 est K, X 6 est P, X 7 est K, X 8 est L, X 9 est A, X 10 est R ou K et X 11 est S, ledit substrat est 3-oxo-C10-HSL, et lesdites bactéries sont choisies parmi : Azospirillum sp., Bradyrhizobium sp., Burkholderia sp., Gluconacetobacter sp., Pectobacterium sp., Pseudomonas sp., Sinorhizobium sp., Vibrio sp., Yersinia sp.
Ainsi, dans ce mode de réalisation particulier, ladite lactonase mutée comprend la séquence consensus mutée de séquence SEQ ID NO : 2 dans laquelle X1 est I et la séquence consensus mutée de séquence SEQ ID NO : 4 dans laquelle X 2 est W, T, A, F, V, I, M ou L, X 3 est A, X 4 est Y ou L, X 5 est K, X 6 est P, X 7 est K, X 8 est L, X 9 est A, X 10 est A et X 11 est S, ledit substrat est 3-oxo-C10-HSL, et lesdites bactéries sont choisies parmi : Azospirillum sp., Bradyrhizobium sp., Burkholderia sp., Gluconacetobacter sp., Pectobacterium sp., Pseudomonas sp., Sinorhizobium sp., Vibrio sp., Yersinia sp.
Ainsi, dans ce mode de réalisation particulier, ladite lactonase mutée comprend la séquence consensus mutée de séquence SEQ ID NO : 2 dans laquelle X1 est I et la séquence consensus mutée de séquence SEQ ID NO : 4 dans laquelle X 2 est W, T, A, F, V, I, M ou L, X 3 est A, X 4 est Y ou L, X 5 est K, X 6 est P, X 7 est K, X 8 est L, X 9 est A, X 10 est R ou K et X 11 est A, ledit substrat est 3-oxo-C10-HSL, et lesdites bactéries sont choisies parmi : Azospirillum sp., Bradyrhizobium sp., Burkholderia sp., Gluconacetobacter sp., Pectobacterium sp., Pseudomonas sp., Sinorhizobium sp., Vibrio sp., Yersinia sp.
Dans un autre mode de réalisation particulier, l’invention concerne l’utilisation telle que décrite précédemment dans laquelle :
ladite lactonase mutée comprend la séquence consensus mutée de séquence SEQ ID NO : 2 dans laquelle X1 est I, ou ladite lactonase mutée comprend la séquence consensus mutée de séquence SEQ ID NO : 2 dans laquelle X1 est I et la séquence consensus mutée de séquence SEQ ID NO : 4 dans laquelle X 2 est A quand Xa est différent de A, X 3 est A, X 4 est Y ou L, X 5 est K, X 6 est P, X 7 est K, X 8 est L, X 9 est A, X 10 est R ou K et X 11 est S, ou ladite lactonase mutée comprend la séquence consensus mutée de séquence SEQ ID NO : 2 dans laquelle X1 est I et la séquence consensus mutée de séquence SEQ ID NO : 4 dans laquelle X 2 est I quand Xa est différent de I, X 3 est A, X 4 est Y ou L, X 5 est K, X 6 est P, X 7 est K, X 8 est L, X 9 est A, X 10 est R ou K et X 11 est S, ou ladite lactonase mutée comprend la séquence consensus mutée de séquence SEQ ID NO : 2 dans laquelle X1 est I et la séquence consensus mutée de séquence SEQ ID NO : 4 dans laquelle X 2 est W, T, A, F, V, I, M ou L, X 3 est A, X 4 est Y ou L, X 5 est K, X 6 est P, X 7 est K, X 8 est L, X 9 est A, X 10 est A et X 11 est S, ou ladite lactonase mutée comprend la séquence consensus mutée de séquence SEQ ID NO : 2 dans laquelle X1 est I et la séquence consensus mutée de séquence SEQ ID NO : 4 dans laquelle X 2 est W, T, A, F, V, I, M ou L, X 3 est A, X 4 est Y ou L, X 5 est K, X 6 est P, X 7 est K, X 8 est L, X 9 est A, X 10 est R ou K et X 11 est A,
ledit substrat est 3-oxo-C12-HSL, et
lesdites bactéries sont choisies parmi : Acidithiobacillus sp., Acinetobacter sp., Bradyrhizobium sp., Burkholderia sp., Gluconacetobacter sp., Mesorhizobium sp., Pseudomonas sp., Yersinia sp.
Ainsi, dans ce mode de réalisation particulier, ladite lactonase mutée comprend la séquence consensus mutée de séquence SEQ ID NO : 2 dans laquelle X1 est I, ledit substrat est 3-oxo-C12-HSL, et lesdites bactéries sont choisies parmi : Acidithiobacillus sp., Acinetobacter sp., Bradyrhizobium sp., Burkholderia sp., Gluconacetobacter sp., Mesorhizobium sp., Pseudomonas sp., Yersinia sp.
Ainsi, dans ce mode de réalisation particulier, ladite lactonase mutée comprend la séquence consensus mutée de séquence SEQ ID NO : 2 dans laquelle X1 est I et la séquence consensus mutée de séquence SEQ ID NO : 4 dans laquelle X 2 est A quand Xa est différent de A, X 3 est A, X 4 est Y ou L, X 5 est K, X 6 est P, X 7 est K, X 8 est L, X 9 est A, X 10 est R ou K et X 11 est S, ledit substrat est 3-oxo-C12-HSL, et lesdites bactéries sont choisies parmi : Acidithiobacillus sp., Acinetobacter sp., Bradyrhizobium sp., Burkholderia sp., Gluconacetobacter sp., Mesorhizobium sp., Pseudomonas sp., Yersinia sp.
Ainsi, dans ce mode de réalisation particulier, ladite lactonase mutée comprend la séquence consensus mutée de séquence SEQ ID NO : 2 dans laquelle X1 est I et la séquence consensus mutée de séquence SEQ ID NO : 4 dans laquelle X 2 est I quand Xa est différent de I, X 3 est A, X 4 est Y ou L, X 5 est K, X 6 est P, X 7 est K, X 8 est L, X 9 est A, X 10 est R ou K et X 11 est S, ledit substrat est 3-oxo-C12-HSL, et lesdites bactéries sont choisies parmi : Acidithiobacillus sp., Acinetobacter sp., Bradyrhizobium sp., Burkholderia sp., Gluconacetobacter sp., Mesorhizobium sp., Pseudomonas sp., Yersinia sp.
Ainsi, dans ce mode de réalisation particulier, ladite lactonase mutée comprend la séquence consensus mutée de séquence SEQ ID NO : 2 dans laquelle X1 est I et la séquence consensus mutée de séquence SEQ ID NO : 4 dans laquelle X 2 est W, T, A, F, V, I, M ou L, X 3 est A, X 4 est Y ou L, X 5 est K, X 6 est P, X 7 est K, X 8 est L, X 9 est A, X 10 est A et X 11 est S, ledit substrat est 3-oxo-C12-HSL, et lesdites bactéries sont choisies parmi : Acidithiobacillus sp., Acinetobacter sp., Bradyrhizobium sp., Burkholderia sp., Gluconacetobacter sp., Mesorhizobium sp., Pseudomonas sp., Yersinia sp.
Ainsi, dans ce mode de réalisation particulier, ladite lactonase mutée comprend la séquence consensus mutée de séquence SEQ ID NO : 2 dans laquelle X1 est I et la séquence consensus mutée de séquence SEQ ID NO : 4 dans laquelle X 2 est W, T, A, F, V, I, M ou L, X 3 est A, X 4 est Y ou L, X 5 est K, X 6 est P, X 7 est K, X 8 est L, X 9 est A, X 10 est R ou K et X 11 est A, ledit substrat est 3-oxo-C12-HSL, et lesdites bactéries sont choisies parmi : Acidithiobacillus sp., Acinetobacter sp., Bradyrhizobium sp., Burkholderia sp., Gluconacetobacter sp., Mesorhizobium sp., Pseudomonas sp., Yersinia sp.
Des demandes ultérieures relatives à la production d'œstétrol sont par exemple les WO 2012/164096 A1, WO 2013/050553 A1 et WO 2015/040051 A1.
Dans le WO 2015/040051 A1, le rapport œstétrol/isomère 15β,16β,17β est égal à 99:1 dans les exemples 10 et 15, à 98:2 dans les exemples 11 et 17. Toutefois, ces exemples ne donnent aucune indication pour abaisser la teneur en isomère 15β,16β,17β à au moins 0,15 %. Même la purification chromatographique (exemple 15) ne permet pas d'obtenir ce résultat. Dans ce document, on peut lire (page 9, lignes 5-15) que les procédés décrits dans la technique antérieure discutée (représentée dans le cas de ce document par les demandes WO 2012/164096 A1 et WO 2013/050553 A1) donnent des quantités d'isomère 15β,16β,17β encore supérieures et inacceptables.
Il apparaît donc clairement qu'aucun des procédés décrits n'offre une solution à la limitation de la formation de l'isomère 15β,16β,17β ou une méthode de purification de l'œstétrol à partir de cet isomère.
L'objectif de l'invention est de proposer un procédé de synthèse d'œstétrol monohydraté.
La montre le chromatogramme HPLC de l'œstétrol monohydraté qui peut être obtenu avec le procédé de l'invention.
La montre le diffractogramme DRX de l'œstétrol monohydraté qui peut être obtenu avec le procédé de l'invention.
La montre le chromatogramme DSC de l'œstétrol monohydraté qui peut être obtenu avec le procédé de l'invention.
DESCRIPTION DÉTAILLÉE DE L'INVENTION Il est proposé en premier lieu un procédé de synthèse de l'œstétrol qui comprend les étapes A) à D) définies ci-dessous.
L'étape A) consiste à oxyder le composé (17β)-3-(phénylméthoxy)-œstra-1,3,5(10),15-tétraén-17-ol (intermédiaire 1) pour donner le composé (17β)-3-(phénylméthoxy)-œstra-1,3,5 (10)-triène-15,16,17-triol (intermédiaire 2) :
où Bn = benzyle et dans lequel la configuration des atomes de carbone 15 et 16 du squelette stéroïdien de l'intermédiaire 2 n'est pas fixée.
Le substrat de départ de cette étape, l'intermédiaire 1, peut être obtenu ainsi que décrit dans la demande WO 2004/041839 A2.
Comme oxydant dans la réaction de l'étape A), on peut employer du tétroxyde d'osmium (OsO 4 ) supporté sur un polymère ou, de préférence, tel quel.
Comme co-oxydant, on utilise une amine organique N-oxyde telle que, par exemple, la triméthylamine N-oxyde dihydratée.
Du fait que l'oxydation avec l'OsO 4 n'est pas stéréosélective, l'intermédiaire 2 est obtenu sous la forme d'un mélange d'isomères de configuration 15α,16α,17β et 15β,16β,17β ; l'isomère 15α,16α,17β est produit en quantité prépondérante en même temps qu'une quantité minoritaire d'isomère 15β,16β,17β.
La réaction s'effectue dans un solvant inerte aux dérivés de l'osmium, par exemple le tétrahydrofurane (THF), à une température comprise entre 35 et 60 °C, de préférence entre 45 et 55 °C, et pendant une durée d'au moins 12 heures, de préférence d'au moins 16 heures.
Le produit réactionnel (intermédiaire 2) ainsi obtenu est traité avec un produit séquestrant les impuretés métalliques en solution afin d'éliminer l'osmium résiduel présent. Ces produits, bien connus en chimie, sont généralement à base d'un gel de silice fonctionnalisé et couramment désignés dans le secteur par le terme de piégeur, qui sera utilisé dans le reste du texte et des revendications. De préférence, le piégeur est le QuadraSil ® MP.
Après cette étape de planarisation, la couche 356 de siliciure de titane présente une forme de U, c’est à dire comprend des première et deuxième portions verticales 356A, 356B reliées par une troisième portion horizontale 356C.
Similairement à ce qui est décrit en relation avec la , un premier niveau de métal de la partie d'interconnexion peut être formé sur le contact 350.
Le mode de réalisation des figures 3A-3F peut permettre de diminuer davantage la résistance d’accès par rapport à celui des figures 2A-2F.
Les figures 4A à 4D sont des vues en coupe représentant un procédé de fabrication d’un contact 450 selon un autre mode de réalisation.
On part d’une structure similaire à la structure de la , avec une couche d’accroche 452 de Ti (troisième métal) et une couche barrière 455 de TiN, puis on vient graver des portions de couches 452, 455 localisées au fond 451B de l’orifice 451 et sur les surfaces planes de part et d’autre dudit orifice, par exemple par gravure plasma de manière à accéder à la couche d’interface de siliciure 140. Selon un exemple, la gravure est anisotrope. La représente la structure obtenue à l’issue de cette étape de gravure.
La représente la structure obtenue à l’issue du dépôt d’une deuxième couche 454 de Ti (couche du premier métal), similairement à la couche décrite en relation avec la , à ceci près que, du fait de la gravure, cette deuxième couche 454 de Ti vient jusqu’au fond 451B de l’orifice 451, en contact avec la couche d’interface de siliciure 140 sur la région semiconductrice 124, et sur la surface supérieure 142A de la région diélectrique 142.
La représente la structure obtenue à l’issue d’une étape de remplissage en polysilicium de l’orifice 451, conduisant à la formation d’une couche 453 de polysilicium comprenant une portion sensiblement verticale dans l’orifice 451 en contact avec la deuxième couche 454 de Ti. Le remplissage est similaire à celui décrit en relation avec la .
La représente la structure obtenue à l’issue d’une étape de traitement thermique rapide (recuit rapide) permettant de faire réagir le polysilicium de la couche 453 avec le titane de la couche 454, conduisant à la formation d’une couche continue 456 de siliciure de titane (TiSi2) qui s’étend sensiblement en forme de U, avec des première et deuxième portions verticales 456A, 456B reliées par une troisième portion horizontale 456C. Cette troisième portion horizontale 456C est en contact direct avec la couche d’interface de siliciure 140 sur la région semiconductrice 124, ce qui permet de réduire davantage la résistance d’accès du contact.
Le traitement thermique peut être similaire à celui décrit en relation avec la .
Ensuite, similairement à ce qui est décrit en relation avec la , une étape de retrait des portions de la couche 454, de la couche 453 de polysilicium et de la couche 456 de siliciure de titane qui s’étendent au-dessus de l’orifice 451 et/ou au-dessus de la surface supérieure 142A de la région diélectrique 142 est réalisée, de façon à former un contact métallique 450 affleurant à la surface supérieure 142A de la région diélectrique 142.
Le mode de réalisation des figures 4A-4D peut permettre de diminuer encore davantage la résistance d’accès par rapport à celui des figures 3A-3F.
La représente un composant électronique 400 comprenant deux contacts 450 obtenus par le procédé de fabrication des figures 4A à 4D.
Chacun des contacts 450 présente une couche continue 456 de siliciure (TiSi 2 dans le mode représenté) en forme de U, affleurant à l’embouchure supérieure 451A de l’orifice 451 et s’étendant jusqu’au fond 451B dudit orifice, en contact avec la couche d’interface de siliciure 140 sur la région semiconductrice 124, 126. Ceci permet de réaliser une continuité électrique entre les siliciures, et ainsi de réduire davantage la résistance d’accès du contact, et la résistance globale du contact jusqu’au premier niveau de métal.
On a représenté dans les figures 2A à 2F, 3A à 3F, 4A à 4D une région de drain 124, mais cela pourrait être une région de source et/ou une région de grille.
Pour les modes de réalisation décrits, et plus généralement pour un contact et un procédé de fabrication d’un contact selon un mode de réalisation, le premier métal peut, alternativement au titane, être un autre élément de terre rare, par exemple du cobalt (Co), ou encore du nickel (Ni) ou du platine (Pt). La couche barrière de diffusion peut, alternativement au Ti/TiN, être une bicouche tantale/nitrure de tantale (Ta/TaN), ou toute autre couche ou multicouche adaptée à former une barrière de diffusion. Le troisième métal, pour la couche d’accroche peut, alternativement au Ti, être du tantale (Ta) ou du Ni.
Selon le premier métal choisi, le siliciure formé par la réaction avec le polysilicium peut être est un siliciure de titane, un siliciure de cobalt, ou un siliciure de nickel.
Les figures 2A à 2F sont des vues en coupe représentant un procédé de fabrication d’un contact 250 selon un mode de réalisation.