Procédé pour créer une fenêtre de sortie (W) pour un rayonnement (R) qui est produit à l’intérieur d’un substrat (1) de carbure de silicium par un composant photoémetteur, le procédé comprenant : /1/ former une couche carbonique (2) sur une surface (S) du substrat (1), sélectivement en dehors d’une portion limitée de ladite surface qui est destinée à constituer, lors d’une utilisation du composant, la fenêtre de sortie (W) vers l’extérieur du substrat pour le rayonnement (R) produit à l’intérieur dudit substrat par le composant photoémetteur ; /2/ appliquer un traitement thermique au substrat (1), ledit traitement thermique produisant une augmentation d’une rugosité de la surface (S) du substrat sélectivement à des endroits où ladite surface n’est pas recouverte par la couche carbonique (2) ; puis /3/ retirer la couche carbonique (2) en dehors de la portion de la surface (S) du substrat (1) qui est destinée à constituer la fenêtre de sortie (W) du rayonnement (R). Procédé selon la revendication 1, suivant lequel le traitement thermique de l’étape /2/ est réalisé à pression atmosphérique, sous argon, avec une température comprise entre 1200°C et 1900°C, de préférence entre 1500°C et 1800°C, pendant une durée comprise entre 1 minute et 1 heure. Procédé selon la revendication 1 ou 2, suivant lequel l’étape /1/ comprend les sous-étapes suivantes : /1-1/ déposer une couche continue d’une résine sur la surface (S) du substrat (1) ; /1-2/ appliquer un traitement de pyrolyse à la couche de résine, ledit traitement de pyrolyse étant adapté pour transformer la couche de résine en la couche carbonique (2) ; /1-3/ former un masque (3) sur la couche carbonique (2), sélectivement en dehors de la portion de la surface (S) du substrat (1) qui est destinée à constituer la fenêtre de sortie (W) du rayonnement (R) ; /1-4/ graver la couche carbonique (2) de sorte que ladite couche carbonique soit retirée sélectivement à des endroits non-recouverts par le masque (3) ; et /1-5/ optionnellement, retirer le masque (3). Procédé selon la revendication 3, suivant lequel la couche carbonique (2) est gravée à la sous-étape /1-4/ en utilisant un procédé de gravure réactive par des ions d’oxygène. Procédé selon la revendication 3 ou 4, suivant lequel : la sous-étape /1-3/ comprend de déposer une couche d’un métal ou d’un alliage métallique sur la couche carbonique (2), puis de retirer ladite couche du métal ou de l’alliage métallique sélectivement dans la portion de la surface (S) du substrat (1) qui est destinée à constituer la fenêtre de sortie (W) du rayonnement (R). Procédé selon la revendication 1 ou 2, suivant lequel l’étape /1/ comprend les sous-étapes suivantes : /1-1/ par lithographie, déposer une couche d’une résine lithographique sur la surface (S) du substrat (1) sélectivement en dehors de la portion de ladite surface du substrat qui est destinée à constituer la fenêtre de sortie (W) du rayonnement (R) ; et /1-2/ appliquer un traitement de pyrolyse à la couche de résine, ledit traitement de pyrolyse étant adapté pour transformer la couche de résine en la couche carbonique (2). Procédé selon l’une quelconque des revendications 3 à 6, suivant lequel le traitement de pyrolyse de la sous-étape /1-2/ comprend de chauffer la couche de résine à une température comprise entre 700°C et 800°C pendant une durée comprise entre 10 minutes et 1 heure, sous un flux d’azote ou d’argon. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, suivant lequel le composant photoémetteur comprend une diode électroluminescente qui est située dans le substrat (1), sous la surface (S) dudit substrat, de sorte que lors de l’utilisation dudit composant, le rayonnement (R) soit émis par la diode électroluminescente et traverse la fenêtre de sortie (W). Composant photoémetteur, comprenant un substrat (1) de carbure de silicium, ledit substrat ayant une surface (S) qui possède une première valeur de rugosité à l’intérieur d’une portion de ladite surface qui constitue, lors d’une utilisation du composant, une fenêtre de sortie (W) vers l’extérieur du substrat pour du rayonnement (R) produit à l’intérieur dudit substrat par le composant photoémetteur, et qui possède une seconde valeur de rugosité à l’extérieur de ladite portion de surface qui constitue la fenêtre de sortie du rayonnement, la première valeur de rugosité étant supérieure à la seconde valeur de rugosité. Composant selon la revendication 9, dans lequel la première valeur de rugosité est comprise entre 10 nm et 140 nm, en termes de rugosité arithmétique, et la seconde valeur de rugosité est comprise entre 0,1 nm et 5 nm, aussi en termes de rugosité arithmétique. Composant selon la revendication 9 ou 10, dans lequel le substrat (1) de carbure de silicium est monocristallin. Composant selon l’une quelconque des revendications 9 à 11, comprenant une diode électroluminescente située dans le substrat (1), sous la surface (S) dudit substrat, de sorte que lors de l’utilisation dudit composant, le rayonnement (R) soit émis par la diode électroluminescente et traverse la fenêtre de sortie (W).