INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
L’invention concerne également un étrier comprenant une première douille d’un premier diamètre et d’une première longueur, et une seconde douille d’un second diamètre différent du premier diamètre et d’une seconde longueur différente de la première longueur, les douilles reliant deux mâchoires de l’étrier. L’étrier reçoit des plaquettes comprenant un tôle support présentant une première oreille du premier diamètre, et une seconde oreille du second diamètre, et chaque oreille est configurée pour coopérer respectivement les douilles.
Dans un second mode de réalisation, la tôle support présente une première oreille et une seconde oreille, configurées pour coopérer respectivement avec des douilles d’un étrier de diamètres identiques, réalisant une liaison glissière entre la plaquette et l’étrier, et la portion renforcée est une augmentation des dimensions de la tôle à proximité de la seconde oreille.
Dans ce mode, l’invention concerne également l’étrier comprenant deux douilles de diamètres identiques reliant deux mâchoires de l’étrier ; deux plaquettes présentant des oreilles configurées pour coopérer avec les douilles ; et une butée. La tôle support présente une partie dissymétrique configurée pour laisser un passage à la butée.
L’invention concerne également un étrier pour frein à disque équipé d’une plaquette selon les caractéristiques précitées.
L’invention concerne enfin un frein à disque recevant un étrier de frein selon les caractéristiques précitées. Avantageusement, le disque est réalisé en acier de cémentation, de préférence du 18NiCr5-4 ou du 16NC6. Le choix d’un tel matériau pour réaliser le disque permet de disposer d’un disque apte à être compatible avec les plaquettes selon l’invention. En effet, ces plaquettes permettant d’obtenir de meilleures performances de freinage, une quantité de chaleur importante est générée de manière brève et répétée. De tels cycles de température représentent des cycles de trempe pour le disque, qui risque de se briser sous l’effet de la modification de ses caractéristiques mécaniques ou sous l’effet de la fatigue thermique. Utiliser un acier de cémentation permet de pallier de tels inconvénients.
Dans tout le texte, « ° CRK » désigne un degré d’angle de rotation du vilebrequin.
Selon une variante, le module d’estimation de stabilité est configuré pour déterminer, pour chaque actionneur de distribution variable, que ledit actionneur est dans une position stable de consigne si les dents sont dans une plage de plus ou moins 1 degré par rapport à une consigne d’actionneur.
- un module d’évaluation de coupure d’injection de carburant dans les cylindres du moteur pour évaluer si une phase de coupure d’injection de carburant est atteinte, - un module de vérification de blocage pour vérifier, lorsqu’il est déterminé qu’une phase de coupure d’injection de carburant est atteinte et pour chaque actionneur de distribution variable, si ledit actionneur de distribution variable est bloqué,
- un module de contrôle pour commander, pour chaque actionneur de distribution variable, un mouvement dudit actionneur de distribution variable d’un angle de saut de chaîne correspondant à plus ou moins une distance séparant deux dents du pignon d’engrenage de la chaîne de distribution, - un module de vérification de position pour vérifier, pour chaque actionneur de distribution variable, si la position dudit actionneur de distribution variable a été modifiée par le mouvement,
- un module de vérification de déplacement pour vérifier, pour chaque actionneur de distribution variable pour lequel il a été déterminé que la position a été modifiée par le mouvement, si la position a varié d’une valeur supérieure ou inférieure à l’angle de saut de chaîne en valeur absolue,
- un module de conclusion de non blocage pour conclure que l’actionneur de distribution variable n’est plus bloqué mais qu’un problème persiste, dans l’hypothèse où la position a varié d’une valeur supérieure à l’angle de saut de chaîne en valeur absolue
- un module de conclusion d’autoréparation pour conclure que l’actionneur de distribution variable s’est autoréparé, dans l’hypothèse où la position a varié d’un angle inférieur audit angle de saut de chaîne, en valeur absolue, et la position est revenue à une valeur d’apprentissage précédente.
L’invention porte en outre sur un procédé de contrôle de distribution variable pour un système mécanique de véhicule automobile qui comprend un ou plusieurs arbres à cames connectés à un vilebrequin ainsi qu’un ou plusieurs actionneurs de distribution variable associés chacun à un arbre à cames respectif, le procédé de contrôle comprenant : - une étape d’apprentissage pour déterminer, pour chaque arbres à cames, des positions de dents d’une cible d’arbre à cames correspondante, pour des positions de dents d’arbres à cames pour des cibles d’arbres à cames,
- une étape d’estimation de stabilité pour déterminer, pour chaque actionneur de distribution variable, s’il est dans une position stable de consigne pendant un temps donné,
- une étape de comparaison d’apprentissages pour déterminer, pour déterminer, pour chaque actionneur de distribution variable qui n’est pas situé dans la position stable de consigne pendant un temps donné, si une nouvelle détermination des positions de dents de la cible de l’arbre à came correspondant est décalée par rapport à une ancienne détermination desdites positions d’un angle de décalage supérieur à un angle de saut de chaîne,
la illustre un groupe élémentaire de cellules mémoires selon un premier mode de réalisation de l’invention destiné à réaliser l’opération logique A OU B.
la illustre les étapes pour réaliser l’opération logique A OU B avec le groupe élémentaire de cellules mémoires selon le premier mode de réalisation l’invention.
la illustre un groupe élémentaire de cellules mémoires selon un second mode de réalisation de l’invention destiné à réaliser l’opération logique A XNOR B.
la illustre les étapes pour réaliser l’opération logique A XNOR B avec le groupe élémentaire de cellules mémoires selon le deuxième mode de réalisation de l’invention.
la illustre les étapes pour réaliser l’opération logique A ET B avec le groupe élémentaire de cellules mémoires selon le premier mode de réalisation de l’invention.
la illustre un premier mode de réalisation du circuit de calcul dans la mémoire selon l’invention.
la illustre une vue en coupe de la structure en couches minces d’une colonne du circuit de calcul dans la mémoire selon l’invention.
la illustre un deuxième mode de réalisation du circuit de calcul dans la mémoire selon l’invention.
la illustre un troisième mode de réalisation du circuit de calcul dans la mémoire selon l’invention.
la illustre un groupe élémentaire de cellules mémoires selon un quatrième mode de réalisation de l’invention destiné à réaliser un transfert de données.
la illustre les étapes pour réaliser un transfert de données avec le groupe élémentaire de cellules mémoires selon le quatrième mode de réalisation l’invention.
la illustre les étapes exécutées par le circuit de calcul selon l’invention pour calculer le produit au sens des hypervecteurs de trois vecteurs de données.
la illustre un groupe élémentaire de cellules mémoires selon un troisième mode de réalisation de l’invention destiné à réaliser l’opération logique A OU B.
Nous allons commencer par décrire le principe de fonctionnement d’une structure de stockage de données résistive programmable. La illustre une vue en coupe d’une structure de stockage résistive programmable. La structure de stockage S1 se compose de l’empilement de couches minces selon l’ordre suivant : au moins une première couche C1 en un matériau électriquement conducteur formant une électrode inférieure EL2 ; une deuxième couche C2 en un matériau diélectrique et au moins une troisième couche C3 en matériau électriquement conducteur formant une électrode supérieure EL1. Les caractéristiques des matériaux constituant les couches de structure mémoire NVM permettent d’obtenir un fonctionnement en mémoire résistive à filament conducteur variable. On dénomme la deuxième couche C2 dans la suite de la description la « couche centrale ».
Alternativement, il est possible de réaliser chaque électrode EL1 et/ou EL2 par un empilement de plusieurs couches conductrices.
À titre d’exemple et sans perte de généralité, la première couche C1 (et donc l’électrode inférieure EL2) et la troisième couche C3 (et donc l’électrode supérieure EL1) sont réalisées en nitrure de titane TiN. L’épaisseur de chacune des couches C1(EL2) et C3 (EL1) est de l’ordre de quelques dizaines de nanomètres, plus particulièrement égale à 100nm.
Une autre méthode plus empirique consiste à calculer, pour plusieurs épaisseurs h, la réponse de l’empilement et à choisir h tel que le pic de résonance du filtre (λres) soit positionné conformément au cahier des charges.
La montre une représentation schématique d'un schéma synoptique d’un procédé 100 selon un premier mode de réalisation de l'invention.
La première étape 101 du procédé 100 illustrée en consiste à déposer sur un substrat 200, dit substrat poignée, une couche dite d’arrêt 201 qui servira de couche d’arrêt lors des étapes de libération ultérieures. Le substrat 200 peut par exemple être un substrat en Si, un substrat Silicium sur Isolant SOI (pour « Silicon On Insulator » selon la terminologie anglaise) ou un substrat en verre ou en saphir. La couche d’arrêt 201 peut être par exemple une couche en matériau diélectrique tel que du SiN. De manière avantageuse, cette première étape 101 comporte également une sous-étape de réalisation de marques d’alignement 203, lesdites marques d’alignement étant réalisées dans le substrat poignée 200. Nous verrons par la suite que ces marques 203 d’alignement sont d’autant plus utiles pour des pixels de faible dimension ou dans le cas d’utilisation de murs d’isolation. Ces marques 203 sont réalisées par des techniques connues de l’homme du métier telles que des techniques de lithographie et gravure.
La seconde étape 102 illustrée en consiste à déposer une couche de résine puis à structurer en trois dimensions ladite couche de résine 204. La structuration 3D est réalisée par une étape de lithographie. Cette lithographie peut être préférentiellement une lithographie en niveaux de gris ou Grayscale selon la terminologie anglaise électronique ou optique (suivie d’une stabilisation de la résine Grayscale par procédé thermique ou ultraviolet). D’autres techniques de lithographie telles que la lithographie à deux photons ou par nano-impression peuvent également être utilisées pour la réalisation de la structure en résine 204. La structure 204 comporte une pluralité de motifs 204Ai en 3D (ici 4 motifs 204A1, 204A2, 204A3 et 204A4). Il est possible de fixer librement les dimensions de chaque motif dans les trois directions de l’espace Oxyz (où Oxy est le plan de la figure, l’axe Oy étant selon la direction perpendiculaire au plan du substrat 200 et l’axe Oz étant selon la direction perpendiculaire au plan de la figure).
A titre illustratif, la montre une image de 3 motifs en 3D z1, z2 et z3 de dimensions différentes obtenus par structuration d’une couche de résine.
Selon l’invention, il convient d’avoir au moins deux motifs 204Ai de résine de hauteurs différentes (ici les 4 motifs ont chacun des hauteurs différentes). Parmi l’ensemble de ces motifs 204Ai, l’un d’eux, ici le motif 204A1, présente une hauteur maximale Hmax, dite de référence, la hauteur étant mesurée perpendiculairement au plan du substrat 200 suivant l’axe Ox. Nous reviendrons sur la détermination des hauteurs de chaque motif 204Ai dans la suite de la description.
Avantageusement, le procédé 100 selon l’invention comporte une troisième étape 103 illustrée en consistant à réaliser un dépôt conforme d’une couche d’encapsulation 205 sur les motifs de résine 204Ai. Le matériau de la couche d’encapsulation 205 peut être par exemple de l’Al2O3 ou du SiO2 et le dépôt sera préférentiellement réalisé par une technique de dépôt basse température tel qu’un dépôt par couches atomiques ALD (« Atomic Layer Deposition » selon la terminologie anglaise). Avantageusement, le matériau de la couche d’encapsulation 205 présente un indice optique proche de (voire identique à) l’indice optique du matériau diélectrique utilisé pour les motifs des cavités de Fabry-Pérot qui seront définis dans ce qui suit. On notera que le matériau de la couche d’encapsulation 205 peut également être un métal déposé de façon conforme.
Pour chaque motif de résine 204Ai, on notera Hres(i) la hauteur du motif, la hauteur étant mesurée perpendiculairement au plan du substrat. Ainsi, pour le motif 204A1, Hres(1) est ici égale à la hauteur de référence Hmax.
Si le procédé 100 selon l’invention comporte l’étape 103 d’encapsulation, Hres(i) inclut à la fois l’épaisseur de la résine 204 mais aussi l’épaisseur de la couche d’encapsulation 205 ; en l’absence de l’étape 103, Hres(i) est formée uniquement par l’épaisseur du motif 204Ai.
Le procédé 100 selon l’invention comporte ensuite une étape 104 illustrée en visant à déposer une couche 206 réalisée dans le matériau diélectrique destiné à former les motifs diélectriques des cavités de Fabry-Pérot. La couche 206 de matériau diélectrique recouvre la totalité des motifs de résine 204Ai. En d’autres termes, elle présente une surface supérieure 219 (non nécessairement plane) dont chaque point est situé à une hauteur, relativement au substrat poignée, supérieure à la hauteur maximale de référence Hmax. Ainsi, la couche 206 remplit entièrement les vides entre les motifs de résine 204Ai et vient se situer dans sa totalité au-dessus du motif de résine 204A1 le plus haut de la structure. Le matériau de la couche 206 est préférentiellement mais non limitativement un matériau transparent dans le domaine du visible tel qu’un matériau organique du type polymère ou inorganique (oxyde, nitrure de silicium, alumine, …). Il convient de noter que l’invention ne se limite pas au domaine du visible et que d’autres matériaux transparents à d’autres longueurs d’onde, dans l’infrarouge par exemple (par exemple en utilisant du silicium), peuvent être utilisés. Nous verrons dans un autre mode de réalisation que l’invention peut également s’appliquer à plusieurs matériaux pour couvrir une gamme spectrale plus importante. On notera que cette étape pourrait être réalisée en l’absence de la couche d’encapsulation (i.e. directement sur les motifs 3D de résine 204Ai) : toutefois, l’avantage de la couche d’encapsulation est d’empêcher une éventuelle déformation des motifs de résine, cette dernière étant susceptible de se liquéfier à partir de certaines température (i.e. par exemple pendant le dépôt de la couche 206) : dès lors, la couche d’encapsulation permet de maintenir la structure 3D pendant le dépôt de la couche 206. Un autre avantage de la couche d’encapsulation est de faciliter le dépôt de la couche 206, notamment si les matériaux des couches 204 et 206 sont très différents (par exemple, organique d’un côté et inorganique de l’autre). Déposer la couche 206 directement sur les motifs 204Ai pourrait en effet poser des problèmes d’adhésion. Pour pallier cette difficulté, on peut choisir un matériau de couche d’encapsulation 205 adapté pour recevoir le matériau diélectrique de la couche 206.
Le procédé 100 comporte alors en une étape de planarisation de la couche 206 réalisée dans le matériau diélectrique destiné à former les motifs diélectriques des cavités de Fabry-Pérot de façon à former une couche 207 planarisée en surface par retrait du matériau diélectrique de la couche 206. L’étape de planarisation peut être réalisée par une étape de gravure de type etch-back éventuellement suivie d’une étape de polissage mécano-chimique CMP (Chemical Mechanical Polishing selon la terminologie anglaise). La planarisation s’effectue avec arrêt sur la couche d’encapsulation 205 située à son niveau le plus haut (i.e. au niveau de la hauteur de référence du motif 204A1). On notera qu’en l’absence de couche d’encapsulation 205, la planarisation s’arrêterait directement sur le motif 204A1. L’un des intérêts de la présence de la couche d’encapsulation est que cette dernière protège les motifs de résine 3D 204Ai qui peuvent être réalisés dans un matériau plus tendre sans être endommagés.
On note Hdiel(i) la hauteur du matériau diélectrique de la couche 206 au-dessus du motif 204Ai. Pour tous les motifs 204Ai correspondant à un futur pixel du filtre, la somme Hdiel(i)+Hres(i) doit être constante et égale. La hauteur Hdiel(i) correspond à l’épaisseur de la couche diélectrique de la ième cavité de Fabry-Pérot et peut être déterminée selon les méthodes mentionnées plus haut (en fonction du cahier des charges pour le filtrage recherché) : ainsi, par soustraction, entre la hauteur Hdiel(i)+Hres(i) constante donnée quelle que soit la valeur de i et la hauteur Hdiel(i), on obtient la hauteur Hres(i) de chaque motif de résine 3D à fabriquer à l’étape 102 (le cas échéant en prenant en compte l’épaisseur de la couche d’encapsulation 205).
L’étape 106 du procédé 100 représentée en consiste à retourner le dispositif 209 obtenu à l’issue de l’étape 105 pour reporter la face planarisée du dispositif 209 formé par le substrat poignée sur la face supérieure 212 d’un substrat, dit substrat porteur 210.
Le substrat porteur 210 comporte un substrat 211 dans lequel sont réalisés des marques d’alignement 213. Ces marques d’alignement 213 vont être placées en regard des marques d’alignement 203 du dispositif 209. Sur le substrat 211 sont formés une pluralité de transducteurs (au moins deux) photoélectriques 214Ai, chacun délimité par des pointillés (ici 4 transducteurs photoélectriques 214A1, 214A2, 214A3 et 214A4 sont représentés). Les transducteurs photoélectriques peuvent fonctionner soit en tant que collecteur de lumière issue des filtres soit en tant qu’émetteur de lumière vers les filtres. S’il s’agit de collecteurs, les transducteurs peuvent être par exemple des photodiodes de type CMOS. S’il s’agit d’émetteurs, les transducteurs peuvent être par exemple des diodes LED, des diodes de type QLED ou des diodes LASER, les émetteurs présentant dans ce cas un spectre d’émission plus large que celui des cavités de Fabry-Pérot correspondantes. Le substrat porteur 210 comporte par ailleurs au-dessus des transducteurs 214Ai, une couche réfléchissante 215 destinée à former la première couche réfléchissante (ou couche miroir) des filtres de couleurs Fabry-Pérot. Dans le mode de réalisation de la et de façon nullement limitative, on dispose au-dessus de la couche réfléchissante 215, une couche diélectrique 216 visant à favoriser le report de la surface planarisée 208 de la couche diélectrique 207. Dans l’hypothèse de la présence de cette couche diélectrique 216, il convient de prendre en compte l’épaisseur de cette couche dans la valeur de Hdiel(i) pour le dimensionnement des motifs de résine 3D 204Ai.
Lors du report de la face planarisée 208 du dispositif 209 formé par le substrat poignée sur la face supérieure 212 du substrat porteur 210, on utilise avantageusement les marques d’alignement (respectivement 203 et 213) de sorte que chacun des motifs de résine 3D 204Ai soit en regard d’un transducteur photoélectrique 214Ai. En d’autres termes, les motif 204A1, 204A2, 204A3 et 204A4 sont respectivement en regard des transducteurs 214A1, 214A2, 214A3 et 214A4. Comme évoqué plus haut, il est possible de s’affranchir de l’utilisation des marques d’alignement pour des tailles de motifs de dimension suffisamment grande. En revanche, un alignement fin entraînera préférentiellement la présence des marques d’alignement 203 et 213.
L’étape 107 du procédé 100 représentée en est le prolongement de l’étape 106 et vise à coller la surface planarisée 208 de la couche diélectrique 207 sur la surface 212 de la couche diélectrique 216.
Le verre 10 est, en outre, facile et rapide à industrialiser. Ainsi, dans l’exemple de fabrication décrit précédemment, la lentille 14 est moulée et l’élément de guidage 20 est assemblé à la lentille 14 tout en ménageant au moins un interstice 29 entre la lentille 14 et au moins un dioptre 28 pour former l’atténuateur de fuites 22. Le verre 10 ne nécessite donc pas une fabrication complexe telle qu’une fabrication additive (impression 3D).
En outre, comme cela est également décrit précédemment, le verre 10 est modulable, c’est-à-dire que la lentille 14 est remplaçable si le défaut visuel évolue ou si les lunettes sont destinées à être portées par un autre porteur. En outre, il est aussi possible de remplacer l’élément de guidage 20, par exemple en cas de dysfonctionnement de ce dernier.
L’homme du métier comprendra que les modes de réalisation décrits précédemment sont susceptibles d’être combinés entre eux lorsque de telles combinaisons sont compatibles.
Dispositif de rétroéclairage, dispositif de génération d’images, afficheur tête haute et procédé de fabrication associés La présente invention concerne de manière générale le domaine des afficheurs.
Elle concerne plus particulièrement un dispositif de rétroéclairage, utilisé par exemple dans un afficheur tête haute pour un véhicule automobile, ainsi qu’un dispositif de génération d’images, un afficheur tête haute et un procédé de fabrication associés.
Typiquement, un afficheur dit « tête haute » forme une image virtuelle dans le champ de vision d’un conducteur de véhicule automobile. Celui-ci peut ainsi visualiser des informations relatives au fonctionnement du véhicule, relatives à une voie de circulation faisant face au véhicule, ou autres, sans avoir pour cela à détourner son regard de cette voie de circulation. En effet, l’image virtuelle, comportant les informations à afficher, se superpose alors visuellement à l’environnement faisant face au véhicule.
Généralement, un afficheur dit « tête haute » comporte, à l’intérieur d’un boîtier, un dispositif de génération d’images duquel émerge un faisceau lumineux source et un système optique de projection adapté pour projeter une image générée par le dispositif de génération d’images vers l’extérieur, via le pare-brise par exemple, de manière à former l’image virtuelle précédemment évoquée.
Les afficheurs tête haute pour véhicule automobile utilisant un écran à cristaux liquides (LCD, pour « Liquid Crystal Display », en langue anglaise) dans leur dispositif de génération d’images sont souvent exposés à deux types de contraintes thermiques produisant un échauffement de l’écran : l’une de ces contraintes est liée à la source de lumière de l’afficheur tête haute, et l’autre à la concentration des rayons solaires sur l’écran.
La préservation des écrans LCD, composants sensibles nécessite un assemblage des pièces de l’afficheur tête haute adapté pour diminuer cet échauffement.
Dans ce contexte, la présente invention propose un dispositif de rétroéclairage comprenant : - une source de lumière configurée pour émettre un faisceau source, - un réflecteur configuré pour réfléchir une partie au moins du faisceau source en un faisceau réfléchi, - un composant formé d’un seul tenant comprenant, sur une première face, un polariseur réflectif et, sur une seconde face opposée à la première face, un diffuseur optique, ledit composant étant configuré pour recevoir et transmettre une partie au moins du faisceau réfléchi, caractérisé en ce que la première face du composant est placée du côté de la source de lumière.
Le positionnement de la première face du composant du côté de la source de lumière permet d’améliorer le recyclage de la lumière à l’intérieur du dispositif de rétroéclairage. En effet, si une portion du faisceau source ne présente pas la polarisation transmise par le polariseur réflectif, celle-ci est réfléchie par le polariseur réflectif et peut être réinterceptée par le réflecteur et réfléchie à nouveau en direction du composant. Ainsi, la transmission de la lumière par le dispositif de rétroéclairage est améliorée.
En outre, lorsque de la lumière extérieure (par exemple solaire) pénètre dans l’afficheur tête haute jusqu’au composant, celle-ci n’atteint pas directement le polariseur réflectif, ce qui évite l’apparition d’une lumière parasite dans le champ de vision d’un observateur.
Dans un mode de réalisation, le diffuseur optique est gravé sur un substrat transparent qui porte le polariseur réflectif.