Amplificateur audio haute puissance (102) destiné à commander au moins un haut-parleur (R44), ledit amplificateur comportant : - un étage de pré-amplification (201, 301) recevant un signal d’entrée (S1) ; - un étage d’amplification de puissance (202-203, 302) connecté à l’étage de pré-amplification (201, 301) et fournissant un signal de sortie (3) destiné à alimenter ledit au moins un haut-parleur (R44) ; les étages de pré-amplification (201, 301 ) et d’amplification de puissance (202-203, 302) comportant une partie supérieure et une partie inférieure montées en miroir ; - une contre-réaction fournissant à l’étage de pré-amplification (201, 301) une image du signal de sortie (3), - un circuit d’alimentation supérieur (151-155, 155a), connecté à la partie supérieure de l’étage d’amplification de puissance (202-203, 302), et permettant de l’alimenter par un premier ou un second bus d’alimentation (V++, V+) ; - un circuit d’alimentation inférieur (155b) connecté à la partie inférieure de l’étage d’amplification de puissance (202-203, 302) et permettant de l’alimenter par un premier ou un second bus d’alimentation ; - chaque circuit d’alimentation (151-155, 155a, 155b) comportant un transistor MOSFET (M1, M2) et des moyens de supervision, le transistor MOSFET (M1, M2) étant commandé par les moyens de supervision de sorte à réaliser la commutation entre l’un ou l’autre des deux bus d’alimentation (V++, V+), le transistor MOSFET (M1, M2) étant relié au second bus d’alimentation (V+) par l’intermédiaire d’une quatrième diode (D3, D11) dont une première borne est reliée à la source du transistor MOSFET (M1, M2), et le drain du transistor MOSFET (M1, M2) étant relié au premier bus d’alimentation (V++), caractérisé en ce que chaque circuit d’alimentation (151-155, 155a, 155b) comporte en outre : - un sous-circuit d’aide à la charge (131-133) dudit transistor MOSFET (M1, M2) comportant au moins une première résistance (R24, R31), une première borne de la première résistance (R24, R31) étant connectée à la grille du transistor MOSFET (M1, M2) et une seconde borne de la première résistance (R24, R31) étant connectée à un point d’interconnexion (A1) ; - un sous-circuit d’aide à la décharge (141) dudit transistor MOSFET (M1, M2) comportant au moins une deuxième et une troisième résistance (R8, R27, R21, R39) et un transistor bipolaire (Q12, Q13) ; la base du transistor bipolaire (Q12, Q13) étant connectée sur une première borne de la troisième résistance (R21, R39), son émetteur étant connecté à la grille du transistor MOSFET (M1, M2) et son collecteur étant connecté à la source du transistor MOSFET (M1, M2 par l’intermédiaire de la deuxième résistance (R8), la seconde borne de la troisième résistance (R21, R39) étant connectée sur le point d’interconnexion (A1, A2) ; et - un sous-circuit de décalage de tension (161-163) comportant une première diode (D8, D10) montée en parallèle avec un premier condensateur (C18, C23) ; une première borne de la première diode (D8, D10) et une première borne du premier condensateur (C18, C23) étant connectées sur un premier nœud d’interconnexion (N1, N4) ; une seconde borne de la première diode (D8, D10) et une seconde borne du premier condensateur (C18, C23) étant connectées sur un second nœud d’interconnexion (N2, N3). Amplificateur selon la revendication 1, caractérisé en ce que le sous-circuit de décalage de tension (161-163) comporte en outre au moins une quatrième résistance (R22, R26) et une deuxième diode (D6, D29) montés en parallèle, une première borne de la deuxième diode (D6, D29) et une borne de la quatrième résistance (R22, R26) étant reliées au point d’interconnexion (A1, A2), une seconde borne de la quatrième résistance (R22, R26) et une seconde borne de la deuxième diode (D6, D29) étant reliées à un troisième nœud d’interconnexion (N10). Amplificateur selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que le sous-circuit d’aide à la charge (131-133) comporte en outre une cinquième résistance (R29, R30) montée en série avec une troisième diode (D9, D14), la cinquième résistance (R29, R30) et la troisième diode (D9, D14) étant montées en parallèle de la branche du sous-circuit d’aide à la charge (131-133) incluant la première résistance (R24, R31). Amplificateur selon l’une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que le sous-circuit de décalage de tension (161-163) comporte en outre un deuxième condensateur (C17, C22) et un troisième condensateur (C21, C24), le deuxième condensateur (C17, C22) étant monté en parallèle du premier condensateur (C18, C23) et de la première diode (D8, D10) et le troisième condensateur (C21, C24) étant monté en parallèle de la deuxième diode (D6, D29) et de la cinquième résistance (R22, R26). Amplificateur selon l’une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que chaque circuit d’alimentation (151-155, 155a, 155b) comporte une première diode de protection (D5, D13) dont une première borne est connectée à la source du transistor MOSFET (M1, M2) et dont une seconde borne est connectée à la grille du transistor MOSFET (M1, M2). Amplificateur selon l’une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que chaque circuit d’alimentation (151-155, 155a, 155b) comporte en outre une seconde diode de protection (D4, D12) connectée entre la source et le drain du transistor MOSFET (M1, M2). Amplificateur selon l’une des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que chaque circuit d’alimentation (151-155, 155a, 155b) comporte en outre un quatrième condensateur (C14, C25) monté en parallèle de la quatrième diode (D3, D11). Amplificateur selon l’une des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que l’étage de pré-amplification (201, 301) est connecté au premier bus d’alimentation (V++) de chaque circuit d’alimentation (151-155, 155a, 155b) par le biais d’un circuit d’amortissement des variations de puissance (304, 305) dudit premier bus d’alimentation (V++), ledit circuit d’amortissement des variations de puissance (304, 305) comportant au moins un condensateur (C15, C19) et au moins une résistance (R52, R55) montés en filtre passe-bas. Amplificateur selon la revendication 8, caractérisé en ce que ledit circuit d’amortissement des variations de puissance (304, 305) comporte en outre un condensateur supplémentaire monté en parallèle de l’au moins un condensateur (C16, C20). Amplificateur selon l’une des revendications 1 à 9, caractérisé en ce que la contre-réaction appliquée à l’étage de pré-amplification fournit un signal proportionnel au courant traversant le haut-parleur.