INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
À l'étape 1102, une cartouche de formulation est fournie, par exemple, une cartouche de formulation configurée pour fournir au moins une formulation à un dispositif de délivrance de formulation. Dans certains modes de réalisation, la cartouche de formulation inclut une poche de formulation qui est vidée de sa formulation. Dans certains modes de réalisation, la cartouche de formulation est retirée d'un dispositif de délivrance de formulation, par exemple en appuyant sur un dispositif de libération de cartouche et en tirant la cartouche de formulation hors du dispositif de délivrance de formulation. Dans un mode de réalisation quelconque, la cartouche de formulation comprend un corps ou une poignée réutilisable et une unité de recharge de cartouche de formulation, qui peut inclure un cadre de valve s'engageant dans un paquet de recharge stockant la au moins une formulation. Dans un mode de réalisation quelconque, le paquet de recharge inclut une coque renfermant au moins un récipient stockant la au moins une formulation.
À l'étape 1104, l'unité de recharge de la cartouche de formulation est séparée de la poignée réutilisable. Dans certains modes de réalisation, la poignée réutilisable est désassemblée en deux parties ou plus, révélant ainsi au moins une portion de l'unité de recharge de la cartouche de formulation, puis retirant l'unité de recharge de la cartouche de formulation de la poignée réutilisable désassemblée.
À l'étape 1106 facultative, l'unité de recharge de la cartouche de formulation est au moins partiellement désassemblée, par exemple en séparant le paquet de recharge du cadre de valve (tel qu’en en séparant au moins un récipient de formulation d'une coque). Dans certains modes de réalisation, une portion recyclable de l'unité de recharge est séparée d'une portion non recyclable de l'unité de recharge. Par exemple, le cadre de valve et les poches de formulation sont séparés de la portion de corps et/ou du manchon de paquet facultatif (tous deux recyclables dans certains modes de réalisation), par exemple, en déchirant une déchirure intégrale sur le manchon du paquet ou la portion de corps et en tirant le cadre de valve (ainsi que les poches de formulation épuisées qui y sont solidarisées) loin du manchon de paquet et de la portion de corps.
À l’étape 1108 facultative, la ou les portions recyclables de l’unité de recharge jetable sont recyclées (c’est-à-dire la portion de corps, le cadre de valve et/ou le manchon de paquet), et la ou les portions non recyclables sont mises au rebut (c’est-à-dire les poches de formulation épuisés et le cadre de valve).
À l’étape 1110, une nouvelle unité de recharge jetable est inséré dans la poignée de cartouche réutilisable.
À l’étape 1112, la cartouche de formulation rechargée est insérée à nouveau dans le dispositif de délivrance de formulation après l’insertion de la nouvelle unité de recharge jetable dans la poignée de cartouche réutilisable.
La fonction principale de la cartouche de nettoyage 1200 est de se raccorder fluidiquement à un dispositif de délivrance de formulation, et de fournir un liquide de nettoyage 1202 (par exemple, de l’eau) qui est chassé à travers un ensemble de distribution de formulation dans le cadre d’une routine de nettoyage. En conséquence, la cartouche de nettoyage 1200 est un ensemble réutilisable avec une portion de corps 1204 formée d’un plastique ABS ou autre polymère rigide convenable. La portion de corps 1204 supporte un réservoir de liquide de nettoyage 1206, c’est-à-dire une cuve, qui stocke le liquide de nettoyage 1202 à l’intérieur, par exemple 50 à 200 mL de celui-ci. Le réservoir de liquide de nettoyage 1206 possède une pluralité de buses de sortie 1208 qui sont dimensionnées et positionnées pour se coupler fluidiquement aux conduits de fluide du dispositif de délivrance de formulation. Un bouchon de recharge 1210 facilite le remplissage du réservoir de liquide de nettoyage 1206.
La illustre une vue en coupe d’un résultat pouvant être obtenu suite à cette formation 11. Les couches C11 et C12 sont alors formées d’un premier matériau, typiquement du dioxyde de silicium (SiO 2 ) et possèdent généralement une épaisseur supérieure à 1,5 µm.
Pour réaliser le damasquinage de chaque côté de la plaquette semiconductrice, le procédé de fabrication comprend ensuite une formation 12 d’une pluralité de tranchées TRC1 en surface de la couche C11 formée sur la face principale avant FP1 selon le motif souhaité pour le damasquinage de la couche C21 de matériau. En particulier, les tranchées TRC1 comprennent des tranchées TRC1_C et des tranchées TRC1_GD.
Les tranchées TRC1_C sont utilisées uniquement pour réduire les contraintes internes de la couche C21 de matériau qui est par la suite déposée sur la couche C11. Les tranchées TRC1_C sont réparties sur l’ensemble de la plaquette semiconductrice SUB.
Les tranchées TRC1_C permettent ainsi d’éviter l’apparition de fissures en surface du côté de la face principale avant du substrat SUB. Il peut être avantageux de prévoir une distance E1 entre les tranchées TRC1_C inférieure ou égale à 10 µm et une largeur des tranchées TRC1_C inférieure ou égale à 5 µm.
Les tranchées TRC1_GD peuvent être utilisées pour former par la suite des guides d’ondes GD_ONDE. Ces tranchées TRC1_GD réduisent également les contraintes de la couche C21 qui est par la suite déposée sur la couche C11, mais ne sont pas suffisantes à elles seules pour éviter l’apparition de fissures en surface du côté de la face principale avant du substrat SUB. Les tranchées TRC1_GD présentent alors une largeur inférieure ou égale à 2 µm par exemple.
Le procédé comprend ensuite une formation 13 d’une pluralité de tranchées TRC2 en surface de la couche C12 formée sur la face principale arrière FP2.
Les tranchées TRC2 comprennent des tranchées TRC2_C utilisées uniquement pour réduire les contraintes internes de la couche C22 de matériau qui est par la suite déposée sur la couche C12.
Il peut être avantageux de prévoir une distance E2 entre les tranchées TRC2_C inférieure ou égale à 10 µm et une largeur des tranchées TRC2_C inférieure ou égale à 5 µm.
La illustre une vue en coupe d’un résultat pouvant être obtenu suite aux formations 12 et 13. Bien entendu, il est possible d’inverser l’ordre d’exécution des formation 12 et 13 des tranchées TRC1 et TRC2 de sorte que les tranchées TRC2 peuvent être formées avant les tranchées TRC1. Ces tranchées TRC1, TRC2 peuvent être formées en utilisant une technique de gravure bien connue de l’homme du métier. On peut prévoir par exemple une lithographie suivie d’une gravure des couches C11 et C12 pour former les tranchées TRC1 et TRC2.
Les tranchées TRC1 et les tranchées TRC2 peuvent être agencées selon des motifs prédéterminés indépendants l’un de l’autre
Pour réaliser le damasquinage de chaque côté de la plaquette semiconductrice, le procédé de fabrication comprend également une formation 14 simultanée de couches C21 et C22 d’un second matériau sur les couches C11 et C12 formées par oxydation de la plaquette semiconductrice.
En particulier, les couches C21 et C22 peuvent être formés simultanément par dépôt chimique en phase vapeur à basse pression (également connu sous l’acronyme « LPCVD » pour « Low Pressure Chemical Vapor Deposition » en anglais), par exemple à une pression comprise entre 13,3 Pa et 40 Pa (i.e. entre 100mTorr et 300mTorr).
La illustre une vue en coupe d’un résultat pouvant être obtenu en mettant en œuvre ladite formation 14 des couches C21 et C22.
Ainsi, comme illustré sur la , une couche avant C21 est formée sur la couche C11 et une couche arrière C22 est formée sur la couche C12. La couche avant C21 s’étend alors sur la couche C11 dans les tranchées TRC1 et entre les tranchées TRC1, et la couche C22 s’étend sur la couche arrière C12 dans les tranchées TRC2 et entre les tranchées TRC2.
Les tranchées TRC1 et TRC2 peuvent être prévues pour avoir une profondeur supérieure ou égale à l’épaisseur des couches C21 et C22 afin de contenir entièrement les couches C21 et C22 formées dans les tranchées TRC1 et TRC2.
L’homme du métier saura adapter la profondeur des tranchées TRC1 et TRC2 en fonction de l’épaisseur de couches de second matériau à déposer. L’épaisseur des couches C21 et C22 peut en outre varier selon les applications du dispositif semiconducteur. Par exemple, pour réaliser des guides d’ondes avec les portions de couches C21 situées dans des tranchées TRC1_GD, les portions de couches C21 peuvent présenter une épaisseur de nitrure de silicium comprise entre 1200 Å et 2000 Å.
Les mono- ou polyesters de glycérol facultativement polyoxyéthylénés, saturés ou insaturés, qui peuvent être choisis incluent ceux dont le nombre de motifs oxyde d’éthylène (EO) va de 0 à 100 et le nombre de motifs glycérol va de 1 à 30, par exemple, monolaurate d’hexaglycéryle, stéarate de glycéryle PEG-30, laurate de polyglycéryle-2, laurate de polyglycéryle-10, stéarate de polyglycéryle-10, oléate de polyglycéryle-10, cocoate de glycéryle PEG-7, isostéarate de glycéryle PEG-20, ou leurs mélanges.
Des esters de polyol peuvent également être utilisés. Des exemples non limitatifs d’esters de polyol incluent dioctanoate de propylène glycol, diheptanoate de néopentyl glycol, diisononanoate de diéthylène glycol, dicaprate de néopentyl glycol, dicaprylate/dicaprate de néopentyl glycol, hexanoate de diéthyle de néopentyl glycol, diheptanoate de néopentyl glycol, diisononanoate de néopentyl glycol, diisostéarate de néopentyl glycol, dilaurate de néopentyl glycol, dicaprylate de propanediol, diisostéarate de propanediol, dicaprylate/caprate de propanediol, dibennzoate de propanediol, didécanoate de propanediol, dihexanoate de propanediol, isostéarate de propylène glycol, caprylate de propylène glycol, béhénate de propylène glycol, cocoate de propylène glycol, laurate de propylène glycol, linoléate de propylène glycol, linoléate de propylène glycol, myristate de propylène glycol, oléate de propylène glycol, stéarate de propylène glycol, ou leurs mélanges. Dans certains modes de réalisation, on peut choisir des esters de polyol comportant des groupes alcoxylés tels que l’oléate de propylène glycol PEG-55, le caprylate/caprate de propylène glycol PEG-6, le cocoate de propylène glycol PEG-8, le stéarate de propylène glycol PEG-25, le stéarate de propylène glycol PEG-120, ou leurs mélanges.
Dans certains modes de réalisation, des éthers d’éthylène glycol d’alcools gras peuvent être utilisés. Les éthers d’éthylène glycol d’alcools gras, à titre d’exemple et de manière non limitative, incluent la série de composés cététh tels que cetéth-1 à cetéth-45, de préférence cetéth-7 à cetéth-20 ; la série de composés isocetéth, par exemple isocetéth-20 ; la série de composés stéaréth tels que stéaréth-1 à stéaréth-100 ; la série de composés cétéaréth tels que cetearéth-1 à cetearéth-50 ; la série de composés lauréth, de préférence lauréth-7 à Lauréth-12 ; la série de composés paréth, de préférence paréth-9 à paréth-15 ; les éthers de propylène glycol des éthers de propylène glycol de la série des cététh ci-dessus incluant, par exemple, le PPG-5-Cetéth-20 ; les éthers de polyoxyéthylène ou les éthers de polyoxyéthylène-polyoxypropylène d’alcools ramifiés, ces alcools ramifiés incluant, par exemple, l’octyldodécylalochol, l’alcool décyltétradécylique, l’alcool dodécylpentadécylique, l’alcool hexyldécylique et l’alcool isostéarylique ; les éthers de polyoxyéthylène-polyoxypropylène d’alcools ramifiés ; ou leurs mélanges.
Dans des modes de réalisation préférés, les compositions comprennent au moins un, par exemple au moins deux ou au moins trois, tensioactif(s) non ionique(s) choisi(s) parmi les alkylpolyglucosides, alcools gras alcoxylés, amides gras, amides gras polyéthoxylés, amides gras polyglycérolés, esters d’acides gras alcoxylés de sorbitan comprenant de 2 à 30 mo d’oxyde d’éthylène, polyoxyéthylénés ou non polyoxyéthylénés, saturés ou insaturés en C 8 -C 30 , polyoxyéthylénés ou non, monoéthers ou polyéthers de glycérol polyoxyéthylénés ou non, saturés ou insaturés en C 8 -C 30 , esters d’acides gras de saccharose, esters d’acides gras de polyéthylèneglycol, mono- ou diesters d’acides gras polyéthoxylés de glycérol, dérivés de N-(C 6 -C 24 )alkyl glucamine, alcools en C 8 -C 40 polyglycérolés, éthers d’éthylèneglycol d’alcools gras, ou leurs mélanges. Par exemple, les compositions peuvent comprendre au moins un tensioactif non ionique choisi parmi décyl glucoside, lauryl glucoside, cocoglucoside, caprylyl glucoside, caprylyl/capryl glucoside, stéarate de PEG-20, stéarate de PEG-40, stéarate de PEG-100, laurate de PEG-20, laurate de PEG-8, laurate de PEG-40, distéarate de PEG-150, cocoate de PEG-7, cococate de PEG-9, oléate de PEG-8, oléate de PEG-10, huile de ricin hydrogénée PEG-40, PPG-5-cététh-20, ou leurs mélanges.
La quantité totale d’un ou plusieurs tensioactifs non ioniques dans les compositions peut varier, mais se situe typiquement entre environ 1 % et environ 20 %, de préférence entre environ 5 % et environ 18 %, de manière davantage préférée entre environ 8 % et environ 16 %, de manière davantage préférée entre environ 10 % et environ 15 % en poids, incluant les plages et les sous-plages intermédiaires, par rapport au poids total de la composition. Par exemple, la quantité totale de tensioactif non ionique peut aller d’environ 1 % à environ 19 %, d’environ 1 % à environ 18 %, d’environ 1 % à environ 17 %, d’environ 1 % à environ 16 %, d’environ 1 % à environ 15 %, d’environ 1 % à environ 14 %, d’environ 1 % à environ 13 %, d’environ 3 % à environ 20 %, d’environ 3 % à environ 19 %, d’environ 3 % à environ 18 %, d’environ 3 % à environ 17 %, d’environ 3 % à environ 16 %, d’environ 3 % à environ 15 %, d’environ 3 % à environ 14 %, d’environ 3 % à environ 13 %, d’environ 5 % à environ 20 %, d’environ 5 % à environ 19 %, d’environ 5 % à environ 18 %, d’environ 5 % à environ 17 %, d’environ 5 % à environ 16 %, d’environ 5 % à environ 15 %, d’environ 5 % à environ 14 %, d’environ 5 % à environ 13 %, d’environ 7 % à environ 20 %, d’environ 7 % à environ 19 %, d’environ 7 % à environ 18 %, d’environ 7 % à environ 17 %, d’environ 7 % à environ 16 %, d’environ 7 % à environ 15 %, d’environ 7 % à environ 14 %, d’environ 7 % à environ 13 %, d’environ 8 % à environ 20 %, d’environ 8 % à environ 19 %, d’environ 8 % à environ 18 %, d’environ 8 % à environ 17 %, d’environ 8 % à environ 16 %, d’environ 8 % à environ 15 %, d’environ 8 % à environ 14 %, d’environ 8 % à environ 13 %, d’environ 10 % à environ 20 %, d’environ 10 % à environ 19 %, d’environ 10 % à environ 18 %, d’environ 10 % à environ 17 %, d’environ 10 % à environ 16 %, d’environ 10 % à environ 15 %, d’environ 10 % à environ 14 %, ou d’environ 10 % à environ 13 % en poids, par rapport au poids total de la composition. Dans divers modes de réalisation non limitatifs, la composition comprend au moins un alkylpolyglucoside, et la quantité totale d’alkylpolyglucosides est d’environ 5 % à environ 15 %, d’environ 5 % à environ 14 %, d’environ 5 % à environ 13 %, d’environ 5 % à environ 12 %, d’environ 6 % à environ 15 %, d’environ 6 % à environ 14 %, d’environ 6 % à environ 13 %, d’environ 6 % à environ 12 %, d’environ 7 % à environ 15 %, d’environ 7 % à environ 14 %, environ 7 % à environ 13 %, environ 7 % à environ 12 %, environ 8 % à environ 15 %, environ 8 % à environ 14 %, environ 8 % à environ 13 %, environ 8 % à environ 12 %, environ 9 % à environ 15 %, environ 9 % à environ 14 %, environ 9 % à environ 13 %, environ 9 % à environ 12 %, environ 10 % à environ 15 %, environ 10 % à environ 14 %, environ 10 % à environ 13 %, ou environ 10 % à environ 12 % en poids, par rapport au poids total de la composition.
Tensioactifs amphotères Les compositions selon la divulgation peuvent comprendre au moins un tensioactif amphotère. Des exemples non limitatifs de tensioactifs amphotères incluent les bétaïnes, les sultaïnes, les amphoacétates, les amphoproprionates, leurs sels et leurs mélanges. Dans divers modes de réalisation, les compositions peuvent comprendre au moins un tensioactif amphotère choisi parmi les bétaïnes, les alkyl sultaïnes, les alkyl amphoacétates, les amphoproprionates, leurs sels, ou leurs mélanges, de préférence les bétaïnes.
Dans certains modes de réalisation, des bétaïnes sont de préférence incluses dans les compositions. Dans divers modes de réalisation, les compositions peuvent comprendre au moins un tensioactif amphotère choisi parmi les alkylbétaïnes (C8-C20), les sulfobétaïnes, les alkylamido (C8-C20) alkylbétaïnes (C6-C8), les alkylamido (C8-C20) alkylsulfobétaïnes (C6-C8), leurs sels, ou leurs mélanges.
Les bétaïnes qui peuvent être utilisées incluent celles ayant les formules suivantes (XIII)-(XVI) :
où dans les formules (XIII)-(XVI) :
R10 est un groupe alkyle comportant de 6à 20 atomes de carbone ; et
n est un nombre entier de 1 à 3.
Des exemples non limitatifs de bétaïnes incluent la coco bétaïne, la cocoamidopropyl bétaïne, la lauryl bétaïne, la laurylhydroxy-sulfobétaïne, la lauryldiméthyl bétaïne, la cocoamidopropyl hydroxysultaïne, la béhényl bétaïne, la capryl/capramidopropyl bétaïne, la lauryl hydroxysultaïne, la stéaryl bétaïne, et leurs mélanges. Dans certains modes de réalisation, l’au moins un composé de bétaïne peut être choisi dans le groupe consistant en coco bétaïne, cocoamidopropyl bétaïne, béhényl bétaïne, capryl/capramidopropyl bétaïne, lauryl bétaïne, et leurs mélanges.
[0083] Les hydroxyl sultaïnes utiles dans les compositions selon les modes de réalisation de la divulgation incluent la formule suivante (XVII) :
Les alkylamphoacétates utiles incluent ceux répondant à la formule (XVIII) :
Dans ce second mode de réalisation, les seconds aimants unitaires 22 sont formés sur la surface externe 32 des supports 30. Les premiers aimants unitaires 21 sont quant à eux formés sur la surface interne 31 des supports 30.
De préférence, les supports 30 sont réalisés dans un matériau électriquement isolant, c’est-à-dire qui ne conduit pas ou très faiblement les courants électriques. Les supports 30 sont par exemple réalisés en céramique, par exemple une céramique comprenant de l’oxyde d’aluminium, en verre, en pierre ou en béton.
Ainsi, les premiers aimants unitaires 21 sont particulièrement bien isolés électriquement des seconds aimants unitaires 22, ce qui permet de réduire efficacement les courants de Foucault au sein des aimants 20, davantage que dans le premier mode de réalisation.
Un exemple de rotor 1 selon le second mode de réalisation est illustré aux figures 7 et 8. Comme le montre bien la , dans cet exemple, chaque support 30 est une plaque. Pour simplifier la lecture de la , le support 30 est représenté en transparence.
Dans cet exemple, sur chaque support 30, les aimant unitaires 21, 22 forment des reliefs séparés les uns des autres et s’élevant à partir de chacune des surfaces opposées du support 30. Les aimants unitaires 21, 22 forment plus particulièrement des nervures rectilignes s’étendant parallèlement à l’axe de rotation A1, ce qui permet par la suite l’insertion de l’ensemble aimant – support dans un logement 12 selon l’axe de rotation A1. La section d’un aimant unitaire 21 dans un plan perpendiculaire à l’axe de rotation A1 présente ici une forme de trapèze isocèle, à l’exception de ses extrémités qui sont arrondies.
Dans cet exemple, sur chaque support 30, la base 24a, 24b des aimants unitaires 21, 22, c’est-à-dire leur surface de contact avec le support 30, s’étend en regard et à une distance inférieure à 1 mm d’une ou de deux autres bases 24a, 24b.
Lorsque les supports 30 sont plans, et donc que les aimants unitaires 21, 22 forment des reliefs, il est prévu que les logements 12 présentent aussi des reliefs de forme complémentaire à celle des aimants unitaires 21, 22. Ainsi, par exemple, le logement 12 illustré en présente une section dans un plan perpendiculaire à la l’axe de rotation A1 dont la forme est ondulée. De préférence, l’ensemble aimant – support est inséré dans son logement 12 au jeu près, comme illustré sur la .
Un autre exemple de rotor 1 selon le second mode de réalisation est illustré aux figures 9 et 10. Comme le montre bien la (où seul le support 30 est représenté), dans cet exemple, chaque support 30 est une plaque présentant des reliefs de remplissage 33. Les reliefs de remplissage 33 forment des renfoncements dans chacune des surfaces opposées du support 30. Ici, les reliefs de remplissage 33 d’une même surface du support 30 sont identiques et régulièrement espacés. Ils forment ici une alternance de creux et de bosses.
Comme le montre la , sur chaque support 30, les aimants unitaires 21, 22 sont formés dans les reliefs de remplissage 33. Les aimants 20 sont ainsi similaires à ceux du premier mode de réalisation illustrés en . Chaque premier aimant unitaire 21 présente donc une de ses faces principales 23a qui s’étend en regard et à une distance inférieure à 1 mm de la face principale 23b d’un aimant unitaire 21 adjacent. Toutefois, dans ce second mode de réalisation, le matériau isolant séparant les aimants unitaires 21 d’un même aimant 20 est le support 30 lui-même (et non la couche de colle).
Les reliefs de remplissage 33 peuvent présenter d’autres formes, par exemple des formes adaptées pour fabriquer les aimants unitaires 21, 22 tels que représentés sur les figures 4 ou 5.
Dans tous ces exemples où les supports 30 présentent des reliefs de remplissage 33, les ensembles aimant – support et les logements 12 présentent préférentiellement deux faces principales 35 planes telles que représentées sur la .
Dans ce second mode de réalisation, la première étape du procédé de fabrication du rotor 1 comprend aussi la fabrication du corps 10 par découpe et empilement de tôles métalliques 15. Les tôles métalliques 15 sont découpées de façon à former les logements 12. Ici, les tôles sont découpées et placées les unes par rapport aux autres de façon identique. Les logements 12 forment ainsi des canaux de section uniforme s’étendant selon l’axe de rotation A1.
La deuxième étape comprend la fourniture ou la fabrication des supports 30.
Dans ce second mode de réalisation, lors de la troisième étape, les premiers aimants unitaires 21 sont formés sur les surfaces internes 31 des supports 30. Les premiers aimants unitaires 21 peuvent être formés en s’élevant à partir des surfaces internes 31 planes, comme sur les figures 7 et 8, ou par remplissage des reliefs de remplissage 33, comme sur les figures 9 et 10.
De la même manière, lors de la quatrième étape, les seconds aimant unitaires 22 sont formés sur les surfaces externes 32 des supports 30. Les seconds aimants unitaires 21 peuvent être formés en s’élevant à partir des surfaces externes 32 planes, comme sur les figures 7 et 8, ou par remplissage des reliefs de remplissage 33, comme sur les figures 9 et 10.
On notera ici que la notion de positionnement revient à former les seconds aimants unitaires 22. La quatrième étape comprend ainsi, pour chaque premier aimant unitaire 21, le positionnement d’une face d’un second aimant unitaire 22 en regard d’une des faces du premier aimant unitaire 21. Les faces en regards de deux aimants unitaires adjacents 21, 22 pouvant être les faces principales 23a, 23b (figures 9 et 10) ou les bases 24a, 24b (figures 7 et 8).
Tel que cela ressort plus précisément de la , la vitre de protection 13 est traversée par le faisceau laser F dans une zone appelée fenêtre de marquage M, permettant au faisceau laser F, de réaliser sur chaque récipient 2 en défilement, le marquage dans la zone de marquage R. L’ouverture 17a de la paroi de sortie 17 représentée sur les dessins selon la variante préférée d’une paroi de sortie convexe, est positionnée dans le prolongement de la fenêtre de marquage M pour laisser passer le faisceau laser F au cours de son déplacement. Selon une caractéristique préférée de réalisation, l’ouverture 17a est aménagée dans la paroi de sortie 17 de la chambre en surpression, selon des dimensions sensiblement identiques à la fenêtre de marquage M. Eventuellement, l’ouverture 17a est plus grande que la fenêtre de marquage M afin de prendre en compte les angles pris par le faisceau laser et une marge de tolérance.