INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Cette boucle de régulation reçoit en entrée une information sur l’emplacement donné POS_C (typiquement une consigne de position). La boucle permet d’obtenir un déplacement du drone DEP’. Elle comporte un module 2000 de calcul d’une commande de déplacement CMD’, qui utilise notamment l’information POS_C. La commande de déplacement CMD’ est exécutée par un module 2001 du drone (éventuellement analogue au module 1001), d’une manière connue en soi, pour obtenir le déplacement DEP’. Dans le module de retour 2002, on met en œuvre un traitement d’image (ou un traitement d’un nuage de points) pour obtenir la position sur l’image (ou le nuage de points) de la portion inspectée POS_MES (par exemple de son centre), également utilisée par le module 2000.
De telles épaisseurs ne sont pas atteignables par le procédé Smart Cut™ classique, dans lequel la couche semi-conductrice monocristalline est délimitée par implantation d’espèces atomiques dans un substrat donneur recouvert d’une couche d’oxyde destinée à former la couche électriquement isolante dans la structure SOI. En effet, les dispositifs d’implantation industriels ont une énergie maximale ne permettant pas aux atomes d’hydrogène et/ou d’hélium de traverser une épaisseur aussi importante de la couche d’oxyde et de la couche semi-conductrice monocristalline.
Première étape d’oxydation En référence à la , on fournit initialement un substrat support 1. Le substrat support 1 se présente sous la forme d’une plaque d’un matériau semi-conducteur, préférentiellement une plaque de 300 mm de diamètre et de 775 µm d’épaisseur. Le substrat support 1 est par exemple une plaque de silicium, préférentiellement une plaque de silicium ayant une haute résistivité avec un fort taux d’oxygène interstitiel Oi communément appelée « substrat HR » ou substrat « high Oi » selon la terminologie anglo-saxonne.
Dans une première étape représentée sur la , on oxyde les faces avant et arrière du substrat 1, ainsi que les bords dudit substrat 1.
Lors de l’oxydation du côté de la face avant, le substrat support 1 est partiellement consommé pour former la première couche d’oxyde électriquement isolante 1b. À titre d’exemple, si le substrat support est un substrat de silicium, la première couche d’oxyde électriquement isolante 1b est donc une couche d’oxyde de silicium. Les conditions d’oxydation sont contrôlées pour obtenir la première couche d’oxyde électriquement isolante 1b ayant l’épaisseur souhaitée.
Une telle opération d’oxydation peut par exemple être menée en chauffant le substrat support 1 à une température comprise entre et pendant à pour obtenir une épaisseur élevée de la première couche d’oxyde électriquement isolante 1b comprise entre et nm.
L’oxydation simultanée de la face arrière conduit avantageusement à la formation d’une couche d’oxyde 1a sur la face arrière du support, qui présente sensiblement la même épaisseur que la couche d’oxyde 1b formée sur la face avant. La couche d’oxyde 1a présente un coefficient de dilatation thermique inférieur à celui du substrat support 1 non oxydé. Dans la suite du procédé, en particulier à l’issue de la mise en œuvre de traitements thermiques, la présence de la couche d’oxyde 1a sur la face arrière du substrat support 1 permet de limiter la déformation dudit substrat support 1 et améliore ainsi la qualité du collage ultérieur des nouvelles couches sur la face avant de la structure.
L’épaisseur de la couche d’oxyde 1a obtenue dans les conditions d’oxydation décrites ci-dessus est identique à l’épaisseur de la première couche électriquement isolante 1b. Au cours des éventuels traitements thermiques ultérieurs et des périodes de refroidissement qui suivent lesdits traitements, une telle épaisseur de la couche d’oxyde 1a permet d’équilibrer les effets de dilatation thermique subis par l’ensemble de la structure et donc d’éviter la déformation de ladite structure.
Première étape de transfert de couche En référence à la , on fournit un premier substrat donneur d’une première couche semi-conductrice monocristalline 2. Le premier substrat donneur est un substrat semi-conducteur monocristallin, par exemple un substrat de silicium monocristallin. Le premier substrat donneur se présente sous la forme d’une plaque de même diamètre que le substrat support 1 et d’épaisseur entre 670 µm et 775 µm.
Selon un mode de réalisation, un premier transfert de couche est mis en œuvre selon le procédé Smart Cut™. On forme dans le premier substrat donneur une zone de fragilisation (traits pointillés sur la ), de manière à délimiter la première couche semi-conductrice 2. La zone de fragilisation est formée dans le substrat donneur à une profondeur prédéterminée qui correspond sensiblement à l’épaisseur de la couche semi-conductrice 2 à transférer. De préférence, la zone de fragilisation est créée par implantation d’ions d’hydrogène et/ou d’hélium dans le substrat donneur de couche semi-conductrice.
Puisque la première couche électriquement isolante 1b a été formée à partir du substrat receveur constitué par le substrat support 1, et non à partir du premier substrat donneur, l’épaisseur de la première couche semi-conductrice 2 transférée n’est limitée que par l’énergie maximale du dispositif d’implantation qui est de l’ordre de 100 keV. Une telle énergie maximale d’implantation correspond à une épaisseur maximale de la première couche semi-conductrice 2 transférée de l’ordre de 600nm selon les espèces implantées. L’invention permet donc de transférer une première couche semi-conductrice 2 d’épaisseur élevée tout en ayant une première couche électriquement isolante 1b ayant également une épaisseur élevée.
En référence à la , on transfère ensuite la première couche semi-conductrice 2 en collant la face du premier substrat donneur ayant subi l’implantation sur la première couche d’oxyde électriquement isolante 1b et en détachant le reliquat du substrat donneur le long de la zone de fragilisation (voir ). Le détachement le long de la zone de fragilisation peut être déclenché par une action mécanique et/ou un apport d’énergie thermique. Au cours de la première étape de transfert de couche, au moins une partie de la couche d’oxyde sur la face arrière du substrat support est conservée, de sorte à limiter les problèmes liés à la déformation de la plaque.
Préalablement à l’implantation d’espèces atomiques au sein dudit premier substrat donneur, on peut optionnellement oxyder la surface du premier substrat donneur sur une très faible épaisseur, par exemple sur une épaisseur comprise entre 20 et 30 nm. En effet, l’implantation des espèces atomiques au sein du premier substrat donneur est meilleure si elle est faite à travers ladite très fine couche d’oxyde, qui est une phase amorphe, plutôt que directement au sein du matériau monocristallin. En outre, la très fine couche d’oxyde constitue une protection de la première couche semi-conductrice 2 lors de l’implantation atomique. Dans ce cas, la très fine couche d’oxyde à la surface du premier substrat donneur est retirée après l’implantation des espèces atomiques et avant le collage du premier substrat donneur sur la première couche électriquement isolante 1b.
L’oxydation de la surface du premier substrat donneur sur une très faible épaisseur peut être réalisée à une température comprise entre 800°C et 1000. °C pendant quelques minutes à quelques dizaines de minutes sous atmosphère oxydante.
De manière alternative au procédé Smart Cut™ décrit ci-dessus, le premier transfert de couche peut être réalisé en amincissant le substrat donneur par sa face opposée à la face collée sur le substrat support, jusqu’à l’obtention de l’épaisseur souhaitée pour la première couche semi-conductrice.
Suite au premier transfert de couche, en référence à la , on obtient un premier substrat de type semi-conducteur sur isolant comprenant la première couche électriquement isolante 1b et la première couche semi-conductrice monocristalline 2. Ledit substrat de type semi-conducteur sur isolant, présente une rugosité de surface qui dépend du procédé utilisé par le transfert de couche. Afin de permettre une bonne qualité de collage et limiter la formation de trous lors du collage du second substrat donneur de couche décrit ci-après, on peut appliquer différents traitements de la surface libre de la première couche semi-conductrice monocristalline 2 pour diminuer la rugosité et la défectivité de ladite surface, par exemple un traitement thermique de lissage, une oxydation sacrificielle et/ou un nettoyage. Ce traitement de surface permet d’améliorer la qualité du collage ultérieur avec le second substrat donneur lors de la deuxième étape de transfert de couche.
A l’issue des traitements thermiques et lorsque la structure revient à l’équilibre thermique (par exemple la température ambiante), l’existence de la couche d’oxyde 1a (ayant une épaisseur prédéfinie) permet de préserver un équilibre structurel, la planéité du substrat et de ce fait la qualité du collage du second substrat donneur.
Les amplificateurs de classe H utilisent un bus d’alimentation dont la tension d’alimentation « suit », ou est modulée par le signal d’entrée. En général, ils possèdent deux bus d’alimentation, comme ceux de la classe G, mais seule la tension d'alimentation la plus élevée est modulée. L’alimentation modulée est généralement réalisée grâce à un amplificateur de classe D.
L’objet de l’invention porte en particulier sur ces deux dernières catégories d’amplificateurs.
La illustre la partie supérieure d’un étage d’amplification de puissance 204 . Ce dernier est connecté à un circuit d’alimentation 150. Bien entendu, cet étage d’amplification de puissance comprend également une partie inférieure non représentée, en miroir de la partie supérieure avec un circuit d’alimentation équivalent. De même, le circuit comprend également un étage de pré-amplification, par exemple connecté à une alimentation indépendante ou encore à un bus d’alimentation fort, également connecté au circuit d’alimentation 150.
Le circuit d’alimentation 150 permet de sélectionner un niveau d’alimentation de l’étage d’amplification de puissance 204 adapté à la puissance d’amplification demandée. Ainsi, lorsque la tension d’amplification est supérieure à une valeur seuil, le premier bus d’alimentation fort doit être utilisé alors que, lorsque la tension d’amplification est inférieure à cette valeur seuil, un second bus d’alimentation plus faible peut être utilisé. Les phases d’utilisation du bus d’alimentation plus faible permettent d’améliorer le rendement global de l’amplificateur en comparaison des amplificateurs de classes A, B, et AB.
Par ailleurs, le circuit d’alimentation 150 présente une structure indépendante de l’étage de pré-amplification 201 et de l’étage d’amplification de puissance 204 . Dans l’exemple de la , l’étage d’amplification de puissance 204 comporte un transistor Q10 dont la base est reliée à l’émetteur du transistor Q8. Cette configuration dite de « Darlington » permet d’augmenter le gain en courant. Les émetteurs des transistors Q8 et Q10 sont couplés au haut-parleur R44 par leurs résistances respectives R16 et R19. Ils ont, par exemple, un courant de repos respectif égal à 6 mA pour le transistor Q8 et égal à 75 mA pour le transistor Q10.
L’étage d’amplification de puissance 204 est relié au circuit d’alimentation 150 au niveau des collecteurs des transistors Q8 et Q10 . Ce circuit d’alimentation 150 est connecté à deux bus de tensions présentant des niveaux distincts V+, V++ . Le circuit d’alimentation 150 permet donc de sélectionner l’un ou l’autre de ces niveaux de tension en fonction de l’amplification demandée. Typiquement, un premier bus d’alimentation délivre 65V et un second bus d’alimentation délivre 35V. Le second bus d’alimentation est destiné à être utilisé pour alimenter l’étage d’amplification de puissance 204 lorsque le signal de sortie à générer ne présente pas une tension très importante, typiquement inférieure à 32V.
Du fait du courant relativement faible traversant le transistor Q8 , typiquement inférieur à 10 % du courant traversant le transistor Q10 , le collecteur du transistor Q8 peut être directement relié au premier bus d’alimentation V++, s ans que cela n’engendre une dissipation de puissance supplémentaire significative. Ce mode de réalisation peut améliorer la stabilité de l’amplificateur, que le fonctionnement en amplificateur de courant a tendance à mettre à mal.
Afin de réaliser la sélection du niveau de tension adapté, un transistor MOSFET M1 est directement relié au premier bus d’alimentation V++ par son drain et au second bus d’alimentation V+ par sa source via une quatrième diode D3 . Le transistor MOSFET M1 commute typiquement pour un seuil de 27 V, puis il fonctionne en linéaire au-delà de ce seuil. Il laisse passer le premier bus d’alimentation V++ lorsqu’une tension de commande supérieure à une valeur seuil lui est appliquée. Cette tension est commandée par l’association de la première diode D8, D10 connectée entre la grille du transistor MOSFET M1 et le haut-parleur R44 et d’une deuxième résistance R8, R27 connectée entre le drain et la grille du transistor MOSFET M1 .
Une diode D15 est connectée entre le collecteur du transistor Q10 et le haut-parleur R44 , la cathode de la diode étant reliée au collecteur du transistor Q10 .
Avec un tel montage, les différents signaux obtenus sont illustrés sur la .
Ainsi, le signal numéroté 1 sur les figures 3 et 4 représente le signal de grille du transistor MOSFET M1 . Le signal de sortie numéroté 3 sur les figures 3 et 4 représente le signal de sortie de l’amplificateur, c’est-à-dire le signal aux bornes du haut-parleur R44 . Le signal de sortie numéroté 2 sur les figures 3 et 4 représente le signal de sortie du circuit d’alimentation 150. On remarque ainsi que le signal de sortie 3 est déformé. En effet, la crête de la sinusoïde est aplatie et des décrochements ont lieu vers 27µs. Cette saturation du signal de sortie 3 s’explique par le fait que la tension d’alimentation du transistor MOSFET M1 est insuffisante pour que l’amplificateur puisse délivrer la tension de sortie correctement.
De même, le signal 2 présente, entre 40 et 47µs, un pic anormal de tension correspondant à une surtension au niveau de la grille du transistor MOSFET M1 . Ceci entraine une perte de puissance et une dégradation du rendement de l’amplificateur.
Le problème technique que se propose de résoudre l’invention est donc d’obtenir un amplificateur audio haute puissance permettant de limiter les déformations identifiées sur les signaux et donc d’améliorer le rendement et de réduire la saturation de l’amplificateur.
Pour résoudre ce problème, l’invention propose un circuit d’alimentation comportant un transistor MOSFET commandé par un sous-circuit d’aide à la charge, un sous-circuit d’aide à la décharge et un sous-circuit de décalage de tension permettant d’obtenir un meilleur rendement de l’amplificateur tout en limitant les saturations et les déformations du signal de sortie de l’amplificateur.
Autrement formulé, l’invention concerne un amplificateur audio haute puissance destiné à commander au moins un haut-parleur, ledit amplificateur comportant : - un étage de pré-amplification recevant un signal d’entrée ; - un étage d’amplification de puissance connecté à l’étage de pré-amplification et fournissant un signal de sortie destiné à alimenter ledit au moins un haut-parleur ; les étages de pré-amplification et d’amplification de puissance comportant une partie supérieure et une partie inférieure montées en miroir ; - une contre-réaction fournissant à l’étage de pré-amplification une image du signal de sortie, - un circuit d’alimentation supérieur, connecté à la partie supérieure de l’étage d’amplification de puissance, et permettant de l’alimenter par un premier ou un second bus d’alimentation ; - un circuit d’alimentation inférieur connecté à la partie inférieure de l’étage d’amplification de puissance et permettant de l’alimenter par un premier ou un second bus d’alimentation ; - chaque circuit d’alimentation comportant un transistor MOSFET et des moyens de supervision, le transistor MOSFET étant commandé par les moyens de supervision de sorte à réaliser la commutation entre l’un ou l’autre des deux bus d’alimentation, le transistor MOSFET étant relié au second bus d’alimentation par l’intermédiaire d’une quatrième diode dont une première borne est reliée à la source du transistor MOSFET, et le drain du transistor MOSFET étant relié au premier bus d’alimentation.
L’invention se caractérise en ce que chaque circuit d’alimentation comporte en outre : - un sous-circuit d’aide à la charge dudit transistor MOSFET comportant au moins une première résistance, une première borne de la première résistance étant connectée à la grille du transistor MOSFET et une seconde borne de la première résistance étant connectée à un point d’interconnexion ; - un sous-circuit d’aide à la décharge dudit transistor MOSFET comportant au moins une deuxième et une troisième résistance et un transistor bipolaire ; la base du transistor bipolaire étant connectée sur une première borne de la troisième résistance, son émetteur étant connecté à la grille du transistor MOSFET et son collecteur étant connecté à la source du transistor MOSFET par l’intermédiaire de la deuxième résistance, la seconde borne de la troisième résistance étant connectée sur le point d’interconnexion ; et - un sous-circuit de décalage de tension comportant une première diode montée en parallèle avec un premier condensateur ; une première borne de la première diode et une première borne du premier condensateur étant connectés sur un premier nœud d’interconnexion ; une seconde borne de la première diode et une seconde borne du premier condensateur étant connectés sur un second nœud d’interconnexion.
Le fait que le cryptogramme KKpub utilisé pour vérifier l'intégrité et l'authenticité de la signature S 182 soit fonction de l'identifiant Kpub de terminal et de l'identifiant Cpub de la serrure électronique empêche que la sécurité du système 2 soit remise en cause si les informations contenues dans la mémoire 110 de la serrure 10 sont compromises. En effet, les cryptogrammes KKpub enregistrés dans la mémoire 110 ne peuvent pas être utilisés pour déverrouiller d'autres serrures électroniques du système 2.
Le fait que le cryptogramme KKpub soit construit à l’aide de la clé Kaes qui n’est pas contenue dans la mémoire de la serrure 10 rend impossible la construction de nouvelles autorisations d’accès pour cette serrure 10 à partir des seules informations contenues dans sa mémoire 110.
Le fait que la clé Kaes soit unique garantit aussi que si les informations contenues dans la mémoire 42 du terminal 16 sont compromises, alors la sécurité des autres serrures électroniques et des autres terminaux mobiles n'est pas remise en cause. En effet, la clé unique Kaes permet seulement de construire des cryptogrammes KKpub' pour ce terminal 16 et non par pour d'autres terminaux mobiles. De plus, si une autre serrure électronique ne contient aucun cryptogramme KKpub correspondant au terminal 16, le fait de connaître la clé unique Kaes du terminal 16 n'est d'aucune aide pour déverrouiller cette autre serrure électronique.
L’utilisation des indices de priorité Kpr et Cpr permet de garantir que lorsque des autorisations d’accès sont enregistrées à la fois dans un terminal mobile et dans une serrure électronique, alors c’est systématiquement les autorisations d’accès les plus récentes qui sont utilisées. Ainsi, l’utilisation d’autorisations d’accès périmées est rendue impossible dans une telle situation.
Le fait d’utiliser un terminal mobile pour transmettre des autorisations d’accès à une serrure électronique évite d’avoir à raccorder cette serrure électronique à un réseau grande distance de transmission d’informations pour la programmer.
Le fait que les signatures numériques transmises du terminal mobile vers la serrure électronique soient fonction d’un nonce permet de rendre le procédé robuste contre les attaques par rejeu. Ces attaques par rejeu consistent à enregistrer puis rejouer les trames d’informations transmises du terminal mobile vers la serrure électronique. De plus, cette robustesse est atteinte sans qu’il soit nécessaire de communiquer avec la serrure électronique par l’intermédiaire d’un canal sécurisé de communication.
Le fait d'établir l'identité des cryptogrammes KKpub et KKpub' à partir de l'identité des signatures S 182 et S' 182 permet d'établir l'identité de ces cryptogrammes sans les transmettre entre le terminal mobile et la serrure électronique.
Avantages des procédés utilisant l'indice Cindice :
L’utilisation de l’indice Cindice permet en une seule opération d’interdire le déverrouillage de cette serrure électronique par l’ensemble des terminaux mobiles qui étaient précédemment autorisés à la déverrouiller. Pour cela, il suffit simplement d’incrémenter l’indice Cindice enregistré dans la mémoire 110 de la serrure électronique. Lorsque le nombre de terminaux mobiles autorisés à déverrouiller une serrure électronique est important, cette façon de procéder pour invalider l’ensemble des terminaux mobiles est beaucoup plus rapide et simple que si chaque terminal mobile devait être reprogrammé individuellement afin de lui interdire de déverrouiller cette serrure électronique. Typiquement, une telle procédure est particulièrement utile lorsqu’une serrure électronique est déplacée d’un bâtiment vers un autre bâtiment.
Le fait d'utiliser l’indice Cindice pour construire le cryptogramme KCpub, permet de rendre simplement le procédé de contrôle d'accès très robuste vis-à-vis des tentatives de falsification de cet indice Cindice dans un terminal mobile.
Le fait d’utiliser l'un des terminaux mobiles pour transmettre la commande d'invalidation générique à une serrure électronique évite d’avoir à raccorder cette serrure électronique à un réseau grande distance de transmission d’informations pour la programmer.
La bague de roulement intérieure 12 présente également un trou cylindrique central, ici débouchant axialement. Ce trou, formant un alésage central, présente un axe de révolution coaxial avec l’alésage central 310 , 320 du déflecteur 31 , 32 associé en position assemblée.
L’ensemble constitué par la bague intérieure 12 et le premier déflecteur 31 maintenu par le ou les ergot(s) 50 frettés dans la première gorge 41 est ensuite retourné, pour procéder au montage des rouleaux cylindriques 18 et de l’autre bague de roulement extérieure 14 . On positionne ainsi l’autre bague, à savoir la bague de roulement extérieure 14 et on loge les corps roulants 18 dans le volume annulaire 16 ouvert délimité entre les deux bagues de roulement 12 , 14 , et le premier déflecteur 31 fermant au moins partiellement la première extrémité axiale de l’espace de roulement 16, de manière à permettre aux corps roulants 18 de rouler sur des chemins de roulement 20 , 22 annulaires formés sur les deux bagues de roulement 12 , 14 en engendrant une rotation relative entre les deux bagues de roulement 12 , 14 autour de l’axe de révolution 100 du roulement 10 , la bague extérieure 14 entourant la bague intérieure 12 . Le cas échéant, un graissage éventuel peut être opéré à ce stade de l’assemblage.
On positionne ensuite le deuxième déflecteur 32 annulaire sur la bague de roulement intérieure 12 de référence, à la deuxième extrémité axiale de la bague de référence, et on frette le ou les ergot(s)ergot 50 du deuxième déflecteur 32 dans la deuxième gorge 42 de la bague de référence 12 de sorte à maintenir le deuxième déflecteur 32 contre l’autre extrémité axiale de la bague de référence.
Les figures 5 et 6 illustrent un roulement 10 selon un deuxième mode de réalisation. Ce deuxième mode de réalisation diffère du deuxième mode de réalisation en ce que les ergots 50 sont creux. Une telle caractéristique permet d’augmenter localement la flexion de la matière constitutive de l’ergot 50 associé.
Dans ce mode de réalisation, les ergots 50 sont cylindriques mais cette caractéristique creuse est également applicable à d’autres formes d’ergots, et peut elle-même adopter des formes autres que la forme cylindrique représentée sur les figures.