Procédé de fabrication d’un substrat donneur pour le transfert d’une couche piézoélectrique sur un substrat support (140) comprenant les étapes de: - fournir un substrat de manipulation (100), en particulier un substrat à base de silicium, - fournir un substrat piézoélectrique (106), - déposer une couche polymère (104) sur une surface libre (110) du substrat piézoélectrique (106) - assembler le substrat piézoélectrique (106) sur le substrat de manipulation (100) de telle manière que la couche polymère (104) est positionnée en sandwich entre le substrat piézoélectrique (106) et le substrat de manipulation (100), caractérisé en ce que une étape de traitement d’activation (108) de surface de la surface (110) du substrat piézoélectrique (106) venant en contact avec la couche polymère (104) est réalisée avant l’étape d’assemblage du substrat piézoélectrique (106) sur le substrat de manipulation (100). Procédé de fabrication d’un substrat donneur selon la revendication 1, dans lequel la couche polymère (104) est déposée directement sur la surface activée (112) du substrat piézoélectrique (106). Procédé de fabrication d’un substrat donneur pour le transfert d’une couche piézoélectrique sur un substrat support (140) comprenant les étapes de: - fournir un substrat de manipulation (100), en particulier un substrat à base de silicium, - déposer une couche polymère (152) sur une surface libre (102) du substrat de manipulation (100), - assembler un substrat piézoélectrique (106) sur le substrat de manipulation (100) de telle manière que la couche polymère (152) est positionnée en sandwich entre le substrat piézoélectrique (106) et le substrat de manipulation (100), caractérisé en ce que une étape de traitement d’activation (108) de surface de la surface (110) du substrat piézoélectrique (106) venant en contact avec la couche polymère (152) du substrat de manipulation (100) lors de l’étape d’assemblage est réalisée avant l’étape d’assemblage du substrat piézoélectrique (106) sur le substrat de manipulation (100). Procédé de fabrication d’un substrat donneur selon la revendication 3, dans lequel, lors de l’étape de dépôt de la couche polymère (152), la couche polymère (152) est positionnée directement sur le substrat de manipulation (100). Procédé de fabrication d’un substrat donneur selon une des revendications 1 à 4, dans lequel l’étape d’assemblage comprend une étape de traitement (108) de la couche polymère (104, 152) pour obtenir une couche polymère réticulée (120) pour coller le substrat de manipulation (100) au substrat piézoélectrique (106). Procédé de fabrication d’un substrat donneur selon une des revendications 1 à 5, dans lequel l’étape de traitement d’activation de surface (108) est un traitement d’activation de surface (108) à base d’oxygène créant des liaisons pendantes sur la surface (110) du substrat piézoélectrique (106) venant en contact avec la couche polymère (104, 152). Procédé de fabrication d’un substrat donneur selon une des revendications 1 à 6, dans lequel l’étape de traitement d’activation de surface (108) du substrat piézoélectrique (106) est un traitement à l'ozone, en particulier par voie humide ou assistée par UV. Procédé de fabrication d’un substrat donneur selon une des revendications 1 à 6, dans lequel l’étape de traitement d’activation de surface (108) du substrat piézoélectrique (106) est un traitement par solution à base de peroxyde d’hydrogène. Procédé de fabrication d’un substrat donneur selon une des revendications 1 à 6, dans lequel l’étape de traitement d’activation de surface (108) du substrat piézoélectrique (106) est un traitement par plasma, en particulier par plasma à base d’oxygène. Procédé de fabrication d’un substrat donneur selon une des revendications 1 à 9, dans lequel le substrat piézoélectrique (106) est un substrat de Tantalate de Lithium (LTO), de Niobate de Lithium (LNO), de Nitrure d’Aluminium (AlN), de Titano-Circonate de Plomb (PZT), de Langasite ou de Langatate. Procédé de fabrication d’un substrat donneur selon une des revendications 1 à 10, dans lequel une étape d’amincissement du substrat piézoélectrique (106) du substrat donneur (128) est réalisée, en particulier par meulage. Procédé de transfert d’une couche piézoélectrique sur un substrat support comprenant les étapes de: - fournir un substrat donneur (128, 138) obtenu par la mise en œuvre du procédé de fabrication selon la revendication 11, - former une zone de fragilisation (146) à l’intérieur du substrat piézoélectrique (106) du substrat donneur (128, 138), - fournir un substrat support (140), en particulier un substrat à base de silicium, - attacher le substrat donneur (128, 138) au substrat support (140) pour obtenir un assemblage substrat support - substrat donneur (156), et - réaliser la fracture le long de la zone de fragilisation (146) pour séparer une couche piézoélectrique (148) du restant (158) du substrat donneur (156).