INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Par ailleurs, la illustre la microstructure d’un revêtement de nitrure de tantale hexagonal, en coupe et de face, déposé par un procédé de pulvérisation cathodique magnétron pulsé à haute puissance conforme au présent exemple. L’échelle représentée au bas de chaque vue correspond à 1µm. On peut constater sur ces deux vues que, de la même manière que pour son homologue cubique de la , la microstructure du revêtement est fine et homogène, ce qui implique une bonne résistance mécanique avec, en particulier, une bonne résistance à la propagation de fissures au sein du revêtement. A titre comparatif, un tel revêtement déposé par un procédé de pulvérisation magnétron conventionnel aboutit à une microstructure colonnaire facilement fracturable, comme cela est visible sur la .
De plus, les inventeurs ont déterminé que les phases cubique et hexagonale du nitrure de tantale possédaient des modules d’Young significativement différents. En effet, le module d’Young mesuré par nano-indentation de la phase cubique est de 430 GPa tandis que celui de la phase hexagonale est de 560 GPa.
En conséquence, les fissures ont tendance à être déviées à l’interface entre une couche principale 233a et une couche secondaire 233b. Dès lors, la superposition de plusieurs couches principales 233a et secondaire 233b alternées permet de freiner significativement la propagation des fissures au sein du revêtement 232.
Enfin, il est important de noter que le nitrure de tantale hexagonal bénéficie d’une conductivité encore supérieure à celle du nitrure de tantale cubique, ce qui améliore encore sa fonction de conduction électrique. Ainsi, à 160°C, la conductivité du nitrure de tantale cubique déposé par pulvérisation cathodique magnétron pulsé à haute puissance est égale à 4 045 S/cm.
Dans ce troisième exemple, le matériau principal est du nitrure de tantale cubique dopé tandis que le matériau secondaire est du nitrure de tantale hexagonal non dopé. Toutefois, d’autres configurations multicouche sont également envisageables.
Par exemple, le matériau principal peut être du nitrure de tantale hexagonal, ou bien du nitrure de tantale biphasé, à dominance cubique ou hexagonal. Le matériau principal peut également comprendre un élément dopant différent ou bien encore un ou plusieurs éléments dopants supplémentaires.
Par exemple également, le matériau secondaire peut être dopé. Toutefois, si le système cristallin du deuxième matériau est le même que celui du matériau principal, le dopage sera de préférence différent de celui du matériau principal.
Ainsi, en particulier, dans un quatrième exemple de réalisation, le revêtement comprend des couches alternées de nitrure de tantale hexagonal dopé et de nitrure de tantale hexagonal non dopé.
Dans un cinquième exemple de réalisation, le revêtement comprend des couches alternées de nitrure de tantale hexagonal dopé et de nitrure de tantale cubique, dopé ou non.
Préférentiellement, la pâte à pain 4 est obtenue à partir d’au moins un mélange en fraction massique de 30 à 50%, préférentiellement 40%, de farine d’épeautre, de 20 à 40%, préférentiellement 30%, de farine blanche et de 20 à 40%, préférentiellement 30%, de pâte de légumineuse.
Préférentiellement encore, la farine blanche 7 est une farine de seigle ou analogue et la pâte de légumineuse 8 est une pâte de lentilles corail ou analogue.
La farine d’épeautre 7 permet un apport en fibres et en glucide, et favorise un bien-être intestinal.
La farine de seigle permet un apport en minéraux et en fibres, et présente l’avantage d’être pauvre en gluten et d’être semi-complète.
Les lentilles corail permettent un apport en minéraux, en fer, en phosphore, en potassium, en magnésium, en protéines végétales, en vitamine B antioxydante qui participe à la lutte contre le vieillissement des cellules.
Selon une variante de réalisation de la troisième étape 103, la pâte à pain 4 est réalisée en utilisant une eau de cuisson 10 d’une légumineuse, l’eau de cuisson 10 de légumineuse étant obtenue lors d’une étape préalable 111 de cuisson de légumineuse pour réaliser la pâte de légumineuse 8.
A titre d’exemple non limitatif, on note que pour obtenir un kilogramme de pâte de pain 4, on utilise entre 300g et 500g de légumineuse, de préférence 350g, dans une quantité d’eau initiale représentant 50% à 100%, préférentiellement 70%, de la quantité de légumineuse. Un tel mélange d’eau et de légumineuse est porté à ébullition à une température comprise entre 60°C et 100°C, préférentiellement 80°C pendant 15 minutes à 30 minutes, de préférence 20 minutes. La pâte de légumineuse 8 ainsi obtenue est égouttée, pressée pour obtenir une pâte de légumineuse 8 dégorgée de 30% à 40% d’eau de cuisson 10. L’eau de cuisson 10 restante, soit environ 40% à 60% de la quantité d’eau initiale, est refroidie et passe d’une température comprise entre 60°C et 80°C, préférentiellement 63°C, en moins de deux heures à une température comprise entre 10°C et 3°C, préférentiellement 3°C.
Le procédé industriel de fabrication 100 comprend ensuite une quatrième étape 104 au cours de laquelle la pâte à pain 4 est étalée sur un plan de travail par exemple avec un rouleau à pâtisserie pour former une pâte à pain étalée 4’ d’une épaisseur variant notamment entre 3 mm et 8 mm, à +/- 10% près, préférentiellement variant notamment entre 5 mm et 8 mm, à +/- 10% près. On comprend que la quatrième étape 104 est indifféremment réalisée simultanément, postérieurement ou bien antérieurement à la première étape 101 et la deuxième étape 102.
Le procédé industriel de fabrication 100 comprend ensuite une cinquième étape 105 au cours de laquelle le plat cuisiné refroidi 3’ est déposé sur la pâte à pain étalée 4’.
Le procédé industriel de fabrication 100 comprend ensuite une sixième étape 106 au cours de laquelle le plat cuisiné refroidi 3’ est entièrement recouvert par une partie de la pâte à pain étalée 4’ pour former un ensemble 9 formé du plat cuisiné refroidi 3’ logé à l’intérieur d’une pâte à pain intégralement couvrante 4’’. On forme ainsi à partir de la pâte à pain étalée 4’ l’enveloppe du plat cuisiné refroidi 3’ évoqué ci-dessus.
Le procédé industriel de fabrication 100 comprend ensuite une septième étape 107 au cours de laquelle la pâte à pain 4, renfermant le plat cuisiné refroidi 3’, est moulée. On comprend que l’ensemble 9 est par exemple conformé en un ensemble moulé 9’ qui présente une forme particulière, telle qu’une forme rectiligne d’une baguette de pain traditionnelle, ou bien une forme circulaire d’une tarte.
Le procédé industriel de fabrication 100 comprend ensuite une huitième étape 108 au cours de laquelle la pâte à pain 4, renfermant le plat cuisiné refroidi 3’, est précuite à une température de précuisson qui est comprise entre 60°C, à +/- 10% près, et 180°C, à +/- 10% près. Préférentiellement, la température de précuisson est de l’ordre de 80°C, à +/- 10% près. Ainsi, l’ensemble moulé 9’ est par exemple porté à la température de précuisson à l’intérieur d’un four ou analogue, par exemple pendant une période comprise entre 15 min et 40 min, par exemple 17 min, 20 min, 25 min, 30 min, 35 min, la période de précuisson étant avantageusement adaptée au plat cuisiné à considérer, pour obtenir un ensemble précuit 9’’ formé d’une pâte à pain précuite 4’’’ refermant le plat cuisiné 3.
A titre d’exemple non limitatif de réalisation de la quatrième étape 104, de la cinquième étape 105, de la sixième étape 106, de la septième étape 107 et de la huitième étape 108, on étale la pâte à pain 4 sur un plan de travail de telle sorte que l’épaisseur de la pâte à pain 4 soit comprise entre 3 mm et 8mm, puis on dépose sur la pâte à pain 4 entre 50 g et 150 g, préférentiellement 100g, de plat cuisiné refroidi 3’, puis on roule la pâte à pain 4 et le plat cuisiné refroidi 3’, puis on recouvre entièrement le plat cuisiné refroidi 3’, des bords de la pâte à pain 4 étant éventuellement assemblés et collés entre eux avec une faible quantité d’eau pour former l’ensemble 9. Puis, on moule l’ensemble 9 par exemple en forme d’une demi-baguette d’une largeur comprise entre 6 cm et 12 cm, préférentiellement 10 cm et d’une longueur comprise entre 13 cm et 40 cm, préférentiellement 37 cm, pour former l’ensemble moulé 9’. Puis, l’ensemble moulé 9’ est enfourné pendant une durée comprise entre 15 minutes et 40 minutes, de préférence 17 minutes à une température comprise entre 60°C et 180°C, préférentiellement 80°C, pour former l’ensemble précuit 9’’.
Le procédé industriel de fabrication 100 comprend ensuite une neuvième étape 109 au cours de laquelle la pâte à pain précuite 4’’’ renfermant le plat cuisiné 3 est conservée par exemple à l’intérieur d’une enceinte de refroidissement. Selon une première variante de la neuvième étape, l’enceinte de refroidissement est une chambre positive, telle qu’une chambre de refroidissement à température positive, comprise entre 0°C et 10°C, préférentiellement entre 0°C et 6°C, jusqu’à 72 heures, préférentiellement pendant 48 heures. Selon une deuxième variante de la neuvième étape 109, l’enceinte de refroidissement est une chambre froide, telle qu’une chambre de refroidissement à température négative, comprise entre -40°C et -30°C, préférentiellement à -35°C, pendant 30 jours, par exemple entre 15 jours et 30 jours, de telle sorte que la pâte à pain précuite 4’’’ renfermant le plat cuisiné 3 est conservée à partir d’un choc thermique.
Le procédé industriel de fabrication 100 comprend ensuite une dixième étape 110 au cours de laquelle, après conservation, la pâte à pain 4 renfermant le plat cuisiné 3 est cuite pour obtenir le plat cuisiné 3 renfermé dans le pain 2. Plus particulièrement, la pâte à pain 4 renfermant ledit plat cuisiné 3 est cuite pendant 5 à 15 minutes à une température comprise entre 180°C et 220°C, préférentiellement à 200°C.
Ces dispositions sont telles qu’une telle préparation alimentaire 1 obtenue par l’intermédiaire d’un tel procédé industriel de fabrication 100 est aisément consommable, en un temps court et pour un moindre coût, tout en offrant des qualités nutritionnelles, gustatives et esthétiques optimisées, le procédé industriel de fabrication 100 étant rapide, simple et aisément mécanisable, pour réduire et faciliter un temps et un coût de fabrication.
Selon un mode de réalisation, l'étape d'abrasion est réalisée à une distance comprise entre 5 et 20 µm des flancs de la composant.
Selon un mode de réalisation, le procédé comprend, en outre, une étape de formation d'au moins un via conducteur électriquement, en contact avec ledit au moins un contact électrique, à travers ladite première couche.
UN mode de réalisation prévoit un composant électronique comprenant une puce protégée par un boitier sur lequel est formée au moins un contact électrique s'étendant sur une portion d'une première face dudit boitier et une portion d'un flan dudit boitier, la première face étant, en outre, une couche d'une première résine activable par abrasion pour devenir conductrice électriquement.
Selon un mode de réalisation, le composant est obtenu selon le procédé décrit.
la représente une vue en coupe d'une composant électronique à flancs mouillables ;
la représente trois vues en coupe illustrant un procédé de formation d'une métallisation ; et
la représente six vues en coupe illustrant des étapes d'un mode de mise en oeuvre d'un procédé de fabrication d'un mode de réalisation d'une composant électronique à flanc mouillable.
La illustre, par une vue en coupe, partielle et schématique, un composant électronique 100.
Le composant électronique 100 est formé d'une puce électronique 103 et d’un boitier 109. Selon un exemple, la puce électronique 103 est formée à partir d’un substrat semiconducteur, par exemple en silicium. Un ou plusieurs plots de connexion, ou contacts électriques, 107 sont formés sur la face supérieure 105 de la puce électronique 103 et permettent de la connecter à d'autres puces ou dispositifs électroniques. La puce 103 comprend un ou plusieurs composants discrets et/ou un ou plusieurs circuits électroniques lui permettant de mettre en oeuvre différentes fonctions électroniques. Le composant 100 est donc ici un composant intégré, c'est-à-dire un composant comprenant un ou plusieurs composants discrets et/ou un ou plusieurs circuits électroniques.
La composant électronique 100 est protégé par un boitier 109 entourant complètement la puce 103. Plus particulièrement, le boitier 109 recouvre la face 105, mais aussi une face 111 de la puce 103 opposée à la face 105, et les flancs 113 de la puce 103, c'est-à-dire les faces latérales de la puce 103. Le boitier 109 est, par exemple, en un matériau isolant électriquement. Selon une variante, le boitier 109 peut ne pas entourer complètement la puce 103, et seulement protéger sa face 105 et, au moins partiellement, ses flancs 113.
De côté droit de la sont représentés le calculateur 40, l’image de paume d’individu i, le codeur biométrique 50 et l’information biométrique palmaire individu IP.
Le calculateur 40 et le codeur biométrique 50 sont représentés plusieurs fois sur la pour faciliter la lisibilité de l’illustration.
La base de référence 60 comprend les informations biométriques palmaires de référence IP1-IPZ associées à la pluralité d’images de paumes de référence iref1-irefZ.
Chaque information biométrique palmaire de référence IP1-IPZ est associée à une image de paume de référence iref1-irefZ.
Chaque image de paume de référence iref1-irefZ comprend au moins une région de paume de référence RR1-RRN référencée par rapport à au moins un point caractéristique MR1-MRN, tel que précédemment décrit en relation avec les figures 1b, 2 et 3.
Chaque information biométrique palmaire de référence IP1-IPZ comprend un ensemble d’informations biométriques régionales de référence V11-V1N, VZ1-VZN. Chaque information biométrique régionale de référence V11-V1N, VZ1-VZN est extraite par le codeur biométrique 50 à partir d’une région de paume RR1-RRN de l’image de paume de référence iref1-irefZ correspondante.
De manière analogue, l’information biométrique palmaire individu IP est associée à une image de paume d’individu i.
L’image de paume d’individu i comprend au moins une région de paume individu R1-RM référencée par rapport à au moins un point caractéristique M1-MM, tel que précédemment décrit en relation avec la et par renvoi par analogie aux figures 1b, 2 et 3.
L’information biométrique palmaire individu IP comprend un ensemble d’informations biométriques régionales individu V1-VM. Chaque information biométrique régionale individu V1-VM a été extraite par le codeur biométrique 50 à partir d’une région de paume R1-RM de l’image de paume d’individu i correspondante.
Comme illustré au centre de la , le calculateur 40 est apte à comparer chaque information biométrique régionale individu V1-VM associée à l’image de paume individu i avec chaque information biométrique régionale de référence V11-V1N, VZ1-VZN associée à chaque image de paume de référence iref1-irefZ.
En fonction de cette comparaison, le calculateur 40 est apte à mettre en correspondance l’image de la paume de l’individu i avec au moins une image de la pluralité d’images de paumes de référence iref1-irefZ.
Avantageusement, le codeur biométrique 50 comprend un réseau de neurones, une information biométrique régionale de référence V11-V1N, VZ1-VZN ou individu V1-VM comprend un vecteur issu dudit réseau de neurones, par exemple un vecteur de taille 128. Ainsi, une information biométrique de référence IP1-IPZ est un ensemble de vecteurs d’information biométrique régionale de référence V11-V1N, VZ1-VZN. De même une information biométrique d’individu IP est un ensemble de vecteurs d’information biométrique régionale individu V1-VM.
Par exemple, le réseau de neurones est de type DenseNet ou ResNet.
Selon une alternative, le codeur biométrique 50 comprend un algorithme analytique.
Il est à noter que le calculateur 40 et le codeur biométrique 50 peuvent être regroupés en une unité de contrôle ou être des dispositifs distincts.
La illustre les étapes du procédé de mise en correspondance d’une image d’une paume d’un individu i avec au moins une image d’une pluralité d’images de paumes de référence iref1-irefZ, selon l’invention et en relation avec le système décrit en .
Fig. 3 montre le réseau de la dans une configuration dégradée intermédiaire.
Fig. 4 est un schéma du réseau de la sur lequel des zones de défaut ont été définies.
Fig. 5 est un schéma plus détaillé du procédé de pilotage de la dans lequel différentes branches du procédé correspondent aux différentes zones de défaut définies dans la .
Fig. 6 est un schéma du réseau de la dans lequel un défaut apparaît sur une première zone.
Fig. 7 est un schéma du réseau de la reconfiguré dans la configuration dégradée intermédiaire.
Fig. 8 est un schéma du réseau de la lors d’une étape ultérieure du procédé de pilotage de la .
Fig. 9 est un schéma du réseau de la reconfiguré dans une première configuration dégradée finale.
Fig. 10 est un schéma du réseau de la dans lequel un défaut apparaît sur une deuxième zone.
Fig. 11 est un schéma du réseau de la reconfiguré dans la configuration dégradée intermédiaire.
Fig. 12 est un schéma du réseau de la lors d’une étape ultérieure du procédé de pilotage de la .
Fig. 13 est un schéma du réseau de la reconfiguré dans une deuxième configuration dégradée finale.
Fig. 14 est un schéma du réseau de la dans lequel un défaut apparaît sur une troisième zone.
Fig. 15 est un schéma du réseau de la reconfiguré dans la configuration dégradée intermédiaire.
Fig. 16 est un schéma du réseau de la lors d’une étape ultérieure du procédé de pilotage de la .
Fig. 17 est un schéma du réseau de la reconfiguré dans une troisième configuration dégradée finale.
Dans la suite de la description, et pour simplifier l’illustration, il sera représenté tout élément de raccordement électrique en position ouverte par un rectangle comportant une croix, tandis que le même élément en position fermée sera représenté par le rectangle seul.
Quel que soit le mode de réalisation, le support s’étend, parallèlement à un axe longitudinal Y, selon une longueur de préférence supérieure à 30 cm, et pouvant être supérieure à 1 m voire à quelques mètres. La longueur peut être comprise entre 1m et 4m. L’axe longitudinal Y est perpendiculaire à l’axe transversal Z et à l’axe latéral X.
La montre un exemple de montage d’un support selon l’invention. Le support est disposé sur une bordure supérieure d’une paroi verticale 2 d’un bassin. La patte 23 peut alors former une butée, bloquant une translation du support parallèlement à l’axe latéral X. Le support 1 est fixé à la paroi verticale 2 puis recouvert d’une couche de colle 5, cette dernière permettant le collage de la margelle 4 en surplomb de la paroi verticale 2. Lors de l’application de la colle, le volet peut être « entièrement ouvert », comme représenté sur les figures 2E et 2F, formant ainsi un volet de protection. Après que le support 1 a été monté sur la paroi verticale 2, le volet 20 peut être ouvert. L’ouverture peut également être réalisée avant le montage. Le support 1 est fixé sur la paroi verticale 2 de façon que l’axe transversal Z soit vertical et l’axe longitudinal Y soit horizontal. Ainsi, la gorge 13 s’étend horizontalement, le long de la paroi verticale.
Sur la et la , on a représenté un mode de réalisation selon lequel la paroi verticale est recouverte d’un enduit postérieurement à la fixation du support 1. Selon ce mode de réalisation, le support 1 est fixé sur la paroi verticale 2 tandis que la patte 23 est avancée par rapport à ladite paroi. Suite à la fixation du support, l’espace entre la paroi verticale 2 et la patte 23 peut être comblé par un enduit 6. Le volet, et plus précisément la patte 23, perpendiculaire à l’axe latéral X, forme ainsi un repère indiquant l’épaisseur d’enduit à appliquer.
Sur les figures 6A, 6B et 6C, on a représenté un mode de réalisation selon lequel le volet 20 comporte, outre la protubérance 24, une cale 25. Sur les figures 6A et 6B, le volet est respectivement dans les configurations ouverte et fermée.
Lorsque le volet est dans la configuration fermée, la cale 25 s’étend vers le fond 10 de la gorge, à une distance non nulle de l’ergot 14 : ainsi, dans la configuration fermée, la cale point vers l’intérieur de la gorge. L’écartement entre l’ergot 14 et la cale 25, dans la configuration fermée, est schématisé par une double flèche sur la . Suite à l’introduction de la membrane 3 dans le support 1, lorsque le volet est disposé dans la configuration fermée, la membrane 3 occupe l’espace entre l’ergot 14 et la cale 25, de façon que la cale 25 appuie sur la membrane d’étanchéité 3. La membrane d’étanchéité est ainsi comprimée entre l’ergot 14 et la cale 25. Suite à l’insertion de la membrane d’étanchéité 3 dans le support 1, le volet 20 passe de la position ouverte à la position fermée. Ainsi, outre la fonction de maintien de la membrane d’étanchéité, par l’intermédiaire de la cale 25, le volet fait office de cache, de façon à masquer la jonction entre la membrane 3 et le support 1.
Les figures 7A à 7C représentent une variante du mode de réalisation décrit en lien avec les figures 6A à 6C. Selon cette variante, le volet 20 ne comporte pas d’excroissance 24, s’engageant contre l’ergot 14 lorsque le volet est dans la configuration fermée. Sur la , on a représenté une insertion d’une membrane d’étanchéité 3 dans la gorge formée par le support 1, le volet étant ouvert. Sur la , on a représenté une configuration selon laquelle le volet est refermé après l’insertion de la membrane. Cette dernière est maintenue en pression entre la cale 25 et l’ergot 14. De même que dans le mode de réalisation décrit en lien avec les figures 6A à 6C, le volet assure une fonction de maintien de la membrane et une fonction de masquage de la jonction entre la membrane et le support 1.
de telle sorte que dans la configuration ouverte, la bordure de la membrane d’étanchéité peut être introduite dans la gorge, à travers l’ouverture résultant du retrait du volet.
Des imidoperoxydes peuvent également être utilisés, tels que ceux du type décrit dans la publication de la demande PCT WO 97/03961.
Avantageusement, les monoperoxydicarbonates sont choisis dans le groupe constitué par OO-t-amyl-O-2-isopropyl-monoperoxycarbonate (TAIC), OO-t-amyl-O-n-propyl monoperoxycarbonate (TAPC), OO-t-butyl-O-2-isopropyl-monoperoxycarbonate (TBIC), t-octyl-isopropyl-monoperoxycarbonate (TOIC), OO-t-hexyl-O-isopropyl-monoperoxycarbonate (THIC), OO-t-amyl-O-(2-éthylhexyl)-monoperoxycarbonate (TAEC), OO-t-butyl-O-(2-éthylhexyl)-monoperoxycarbonate (TBEC), OO-t-octyl-O-(2-éthylhexyl)-monoperoxycarbonate (TOEC), OO-t-hexyl-O-(2-éthylhexyl)-monoperoxycarbonate (THEC) et des mélanges correspondants. Plus préférablement, le peroxyde organique est choisi dans le groupe constitué par OO-t-butyl-O-(2-éthylhexyl)-monoperoxycarbonate (TBEC), OO-t-butyl-O-2-isopropyl-monoperoxycarbonate (TBIC), OO-t-amyl-O-(2-éthylhexyl)-monoperoxycarbonate (TAEC), OO-t-amyl-O-2-isopropyl-monoperoxycarbonate (TAIC), OO-t-hexyl-O-(2-éthylhexyl)-monoperoxycarbonate (THEC) et des mélanges correspondants. Ces monoperoxycarbonates peuvent éventuellement être utilisés en combinaison avec au moins un autre peroxyde, tels que ceux mentionnés ci-dessus (par exemple le peroxy-2-éthylhexanoate de t-butyle).
Des monoperoxycarbonates encore plus préférés sont TBEC, TAEC, THEC, ou un mélange correspondant, éventuellement en combinaison avec au moins un autre peroxyde, tels que ceux mentionnés ci-dessus (par exemple un peroxyde de dialkyle ou un diperoxycétal). Les peroxydes organiques les plus préférés sont TBEC, TAEC, ou un mélange correspondant, éventuellement en combinaison avec au moins un autre peroxyde, tels que ceux mentionnés ci-dessus (par exemple un peroxyde de dialkyle ou un diperoxycétal).
Le peroxyde organique peut être présent dans la formulation en une quantité allant de 40 à 99 % en poids, sur la base du poids total de la formulation de peroxyde organique. Préférablement, le peroxyde organique est présent dans la formulation en une quantité allant de 50 à 98 % en poids, encore plus préférablement de 60 à 97 % en poids, sur la base du poids total de la formulation de peroxyde organique.