Procédé de fabrication d’un transducteur électroacoustique (1) comprenant : un bâti ; un élément mobile (13) par rapport au bâti, l’élément mobile (13) comprenant une membrane (131) et une structure de rigidification (132) de la membrane ; un premier bras de transmission (141), l’élément mobile (13) étant couplé à une extrémité du premier bras de transmission (141) ; procédé comprenant les étapes suivantes : former (S12) une première couche sacrificielle (22) sur un substrat (21), la première couche sacrificielle comprenant une première portion (22a) et une deuxième portion (22b) adjacente à la première portion (22a), la première portion (22a) ayant une épaisseur supérieure à celle de la deuxième portion (22b) ; former (S13) une première couche structurelle (23) sur la première couche sacrificielle (22) ; former (S2) une deuxième couche sacrificielle (24) sur la première couche structurelle (23) ; former (S3) une deuxième couche structurelle (25) sur la première couche structurelle (23) et sur la deuxième couche sacrificielle (24) ; graver (S4) la deuxième couche structurelle (25) de façon à exposer la deuxième couche sacrificielle (24) et à délimiter la structure de rigidification (132) de l’élément mobile (13) ; graver (S4) la première couche structurelle (23) jusqu’à la première couche sacrificielle (22) de façon à délimiter la membrane (131) de l’élément mobile (13), une portion périphérique de la membrane (131) étant disposée en regard de la première portion (22a) de la première couche sacrificielle (22) ; graver (S5) la deuxième couche sacrificielle (24) de façon à exposer une première face de la membrane (131) ; graver (S7) le substrat (21) de façon à délimiter le premier bras de transmission (141), la première couche sacrificielle (22) servant de couche d’arrêt à la gravure du substrat ; et graver (S8) la première couche sacrificielle (22) de façon à exposer une deuxième face opposée de la membrane (131). Procédé selon la revendication 1, comprenant, avant l’étape (S12) de formation de la première couche sacrificielle (22), une étape (S11) de gravure d’une cavité (210) dans le substrat (21), la première portion (22a) de la première couche sacrificielle (22) remplissant entièrement la cavité (210) et la deuxième portion (22b) de la première couche sacrificielle (22) étant disposée en dehors de la cavité (210). Procédé selon la revendication 2, dans lequel la cavité (210) présente une profondeur (P) supérieure ou égale à 1 µm, de préférence comprise entre 2 µm et 10 µm. Procédé selon l’une des revendications 2 et 3, dans lequel la cavité (210) présente une forme annulaire. Procédé selon la revendication 4, dans lequel la cavité (210) s’étend sur plus de 80 % de la périphérie de l’élément mobile (13). Procédé selon l’une des revendications 2 et 3, dans lequel la cavité (210) et la membrane (131) sont de même forme, de préférence de forme rectangulaire. Procédé selon l’une quelconque des revendications 2 à 6, dans lequel la cavité (210) présente des dimensions supérieures ou égales aux dimensions de la membrane (131). Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel la première couche structurelle (23) et la deuxième couche structurelle (25) sont gravées simultanément de façon à délimiter la membrane (131) et la structure de rigidification (132) de l’élément mobile (13). Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 8, comprenant en outre, après l’étape (S5) de gravure de la deuxième couche sacrificielle (24) et avant l’étape (S7) de gravure du substrat (21), les étapes suivantes : disposer (S6) un capot (27) sur la deuxième couche structurelle (25), formant ainsi un assemblage ; et retourner (S6’) l’assemblage. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel le substrat (21) est en silicium, la première couche sacrificielle (22) est en oxyde de silicium et la première couche structurelle (23) est en silicium. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel la deuxième couche sacrificielle (24) est en oxyde de silicium. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 11, dans lequel la première couche structurelle (23) est formée par épitaxie sur la première couche sacrificielle (22). Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 11, dans lequel l’étape de formation de la première couche structurelle (23) comprend les sous-étapes suivantes : fournir un substrat de report (40) comprenant la première couche structurelle (23) ; coller la première couche structurelle (23) du substrat de report (40) à la première couche sacrificielle (22) ; amincir le substrat de report (40) jusqu’à atteindre la première couche structurelle (23). Procédé selon la revendication 13, dans lequel le substrat de report est un structure multicouche de type silicium sur isolant. Transducteur électroacoustique (1) comprenant : un bâti ; un élément mobile (13) par rapport au bâti, l’élément mobile (13) comprenant une membrane (131) et une structure de rigidification (132) de la membrane ; un premier bras de transmission (141), l’élément mobile (13) étant couplé à une extrémité du premier bras de transmission (141) ; la membrane (131) étant formée par une première partie (23a) d’une première couche structurelle (23), la structure de rigidification (132) étant formée par une première partie d’une deuxième couche structurelle (25) disposée sur la première couche structurelle (23) et le bâti comprenant un substrat (21), une deuxième partie (23b) de la première couche structurelle (23) et une deuxième partie de la deuxième couche structurelle (25), transducteur électroacoustique dans lequel la distance (G) entre le substrat (21) et une portion périphérique de la membrane (131) est supérieure à la distance entre le substrat (21) et la deuxième partie (23b) de la première couche structurelle (23). Transducteur électroacoustique (1) selon la revendication 15, dans lequel le substrat (21) comprend une cavité (210) disposée en regard de la portion périphérique de la membrane (131).