Procédé de fabrication d’un dispositif semiconducteur comportant : - une obtention d’une plaquette de substrat semiconducteur (SUB) présentant une face principale avant (FP1) et une face principale arrière (FP2), - une formation d’une première couche (C11, C12) d’un premier matériau sur chaque face principale de la plaquette de substrat semiconducteur (SUB), - une formation d’une pluralité de tranchées (TRC1) en surface de la première couche formée sur la face principale avant (FP1), - une formation d’une deuxième couche (C21, C22) d’un second matériau sur chaque première couche (C11, C12), de sorte qu’une deuxième couche avant (C21) de second matériau s’étend sur la première couche formée sur la face principal avant (FP1) de la plaquette de substrat semiconducteur (SUB), dans les tranchées (TRC1) et entre les tranchées (TRC1) de la première couche (C11) et qu’une deuxième couche arrière (C22) de second matériau s’étend sur la première couche (C12) formée sur la face principale arrière (FP2) de la plaquette de substrat semiconducteur (SUB), et comprenant en outre, avant la formation desdites deuxièmes couches (C21, C22) de second matériau, une formation de tranchées (TRC2) sur la première couche (C12) de premier matériau formée sur la face principale arrière (FP2) de la plaquette de substrat semiconducteur (SUB), de sorte qu’après la formation desdites deuxièmes couches de second matériau la deuxième couche arrière (C22) de second matériau s’étend sur la première couche (C12) formée sur la face principale arrière (FP2) dans les tranchées (TRC2) et entre les tranchées (TRC2) de la première couche (C12). Procédé selon la revendication 1, dans lequel lesdites deuxièmes couches (C21, C22) sont formées simultanément par dépôt chimique en phase vapeur à basse pression. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 ou 2 dans lequel les premières couches (C11, C12) sont formées par oxydation (OX) de la plaquette de substrat semiconducteur (SUB). Procédé selon la revendication 3, comprenant en outre une étape d’aplanissement (APL) effectuée de chaque côté de la plaquette de substrat semiconducteur (SUB) de façon à retirer une épaisseur (E2) desdites deuxièmes couches (C21, C22) de sorte que ces deuxièmes couches (C21, C22) s’étendent uniquement dans les tranchées (TRC1, TRC2) formées dans lesdites premières couches (C11, C12). Procédé selon la revendication 4, dans lequel l’étape d’aplanissement (APL) est une étape de polissage mécano-chimique. Procédé selon l’une des revendications 1 à 5, dans lequel ledit premier matériau et ledit second matériau sont choisis pour qu’au moins une des tranchées (TRC1_GD) remplies de second matériau du côté de la face principale avant (FP1) de la plaquette de substrat semiconducteur (SUB) forme au moins un guide d’onde. Procédé selon l’une des revendications 1 à 6, dans lequel ledit premier matériau et ledit second matériau sont choisis pour qu’au moins une des tranchées (TRC2_GD) remplies de second matériau du côté de la face principale arrière (FP2) de la plaquette de substrat semiconducteur (SUB) forment au moins un guide d’onde. Procédé selon la revendication 7, dans lequel le premier matériau est du dioxyde de silicium et le second matériau est du nitrure de silicium. Dispositif semiconducteur comportant une plaquette de substrat semiconducteur (SUB) présentant une face principale avant et une face principale arrière, une première couche d’un premier matériau disposée sur chaque face principale du substrat, la première couche disposée sur la face principale avant ayant une surface sur laquelle est disposée une pluralité de tranchées (TRC1), et une deuxième couche avant d’un second matériau s’étendant sur la première couche disposée sur la face principale avant de la plaquette de substrat semiconducteur, dans les tranchées et entre les tranchées de la première couche, dans lequel la première couche (C1) disposée sur la face principale arrière a une surface sur laquelle est disposée une pluralité de tranchées (TRC2) et une deuxième couche arrière de second matériau s’étend sur la première couche disposée sur la face principale arrière de la plaquette de substrat semiconducteur, dans les tranchées et entre les tranchées de cette première couche. Dispositif semiconducteur selon la revendication 9, dans lequel ledit premier matériau et ledit second matériau sont choisis pour qu’au moins une des tranchées (TRC1_GD) remplies de second matériau du côté de la face principale avant de la plaquette de substrat semiconducteur constitue au moins un guide d’onde (GD_ONDE). Dispositif semiconducteur selon l’une des revendications 9 et 10, dans lequel ledit premier matériau et ledit second matériau sont choisis pour qu’au moins une des tranchées (TRC2_GD) remplies de second matériau du côté de la face principale arrière de la plaquette de substrat semiconducteur constitue au moins un guide d’onde (GD_ONDE). Dispositif semiconducteur selon l’une des revendications 10 et 11, dans lequel le premier matériau est du dioxyde de silicium et le second matériau est du nitrure de silicium.