INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
De préférence, toutes les dimensions du cœur sont inférieures à 20 nm, par exemple dans la plage allant de 2 à 15 nm. En particulier, le diamètre de chaque boîte quantique est de préférence dans la plage allant de 2 à 15 nm. Par diamètre, on entend le diamètre de la plus petite sphère dans laquelle la boîte quantique peut être inscrite.
La comprend plusieurs courbes C0, C1, C2, C3, C4, C5, C6, C7, C8, C9, C10, C11, C12 et C13, correspondant chacune à des boîtes quantiques qui différent en taille et/ou composition. Pour chaque courbe, la représente l'absorption en fonction de la longueur d'onde de la lumière reçue. Les dimensions, ou taille, composition et forme du cœur d'une boîte quantique déterminent la valeur de la longueur d'onde de fonctionnement d'une boîte quantique, en d'autres mots de la lumière absorbée générant les paires électron-trou dans un photo-détecteur.
Par exemple, les courbes C0 à C13 représentées en correspondent aux boîtes quantiques ayant la même composition et différentes tailles. Toutes les courbes présentent sensiblement les mêmes variations, mais sont décalées lorsque la taille de la boîte quantique diminue. Dans l'exemple de la , la courbe C0 correspond à une boîte quantique ayant le plus grand diamètre parmi les boîtes quantiques correspondant aux courbes C0 à C13. La courbe C1 correspond à une boîte quantique ayant un diamètre plus petit que la boîte quantique correspondant à C0. De cette façon, le diamètre des boîtes quantiques correspondant respectivement aux courbes C0 à C13 diminue lorsque le numéro de la courbe augmente. Par conséquent, la boîte quantique correspondant à la courbe C13 a le plus petit diamètre parmi les boîtes quantiques correspondant aux courbes C0 à C13.
Notamment, les paramètres utilisés dans les exemples (nombre de fenêtres dans une session de transport, nombre de fragments dans une fenêtre, nombre de paquets applicatifs formant un paquet de transport, nombre de fragments formant un paquet applicatif, les conditions satisfaisant le critère de transmission, etc.) ne sont aucunement limitatifs. Des choix différents pour ces paramètres ne constituent que des variantes de l’invention.
L’invention a été décrite en considérant l’utilisation du protocole SCHC dans un système de communication basé sur un réseau d’accès LPWAN. Rien n’exclut cependant, suivant d’autres exemples, d’appliquer l’invention à d’autres protocoles de transport pour d’autres systèmes de communication.
Procédés et dispositifs de traitement de données montantes pour réseaux optiques passifs en cascade 1. Domaine de l'invention L'invention se situe dans le domaine des télécommunications optiques (fibre optique) et des réseaux d’accès de type « réseau optique passif » (PON, "Passive Optical Network").
Un réseau optique passif, ou PON, désigne un principe de transport de niveau 1 en fibre optique utilisé dans les réseaux de desserte optique (FTTx, "Fiber To The x"). Il est caractérisé par une architecture fibre point-multipoint passive (plusieurs usagers partagent une même fibre optique et il n'y a pas d'équipement actif entre le central et les abonnés).
Il existe différents standards ITU (International Telecommunications Union) de réseau PON, parmi lesquels GPON (standard ITU-T G.984), XGS-PON (standard ITU-T G.9807), NG-PON2 (standard ITU-T G.989), HS-PON (standard ITU-T G.9804), etc., ainsi que différents standards IEEE ("Institute of Electrical and Electronics Engineers"), tels que E-PON, 10GE-PON, 50GE-PON, etc.
2. Etat de la technique antérieure Dans ce contexte, le terminal de ligne optique, ou OLT, ("Optical Line Terminal") au central de l’opérateur relie des unités de réseau optique, ou ONU ("Optical Network Unit") déployés chez les clients. Le faible coût des PON, leur maturité et leur topologie point-à-multipoint les rends intéressants pour des applications dépassant le cadre du FTTH ("Fiber To The Home") : FTTR ("fiber to the room", déploiement d’un squelette optique au sein du domicile pour relier par exemple la passerelle domestique avec les points d’accès Wifi dans chaque pièce), POL ("Passive optical LAN" : LAN optique pour les entreprises – LAN: "Local Ara Network"), FTTM ("Fiber to the machine : utilisation de la techno PON pour raccorder les machines d’une usine/entrepôt/… au réseau), etc.
A ce jour, une solution naturelle pour réaliser du FTTR/POL/FTTM serait de cascader les technologies PON. Dans le cas du FTTR par exemple, un premier étage de PON relierait le central de l’opérateur équipé d’un OLT à l’habitation équipée d’un ONU dans une passerelle domestique, et un second étage de PON distribuerait le signal dans les différentes pièces du logement avec un second OLT dans la passerelle domestique et des pièces équipées d’ONUs. Cependant, cela suppose le déploiement d’équipements lourds (au sens fonctionnel) dans le domicile du client, comme par exemple une fonctionnalité d'OLT ajoutée dans la passerelle domestique, et des équipements offrant une fonctionnalité d'ONU dans les différentes pièces.
Les technologies PON se basent sur une pile protocolaire spécifique, requise pour gérer la topologie spécifique du PON (point-à-multipoint), permettant d’encapsuler et décapsuler de façon transparente les trames Ethernet classiques. Les technologies PON de l’ITU emploient la couche TC ("Transmission Convergence") qui possèdent plusieurs fonctions exécutées en série, parmi lesquelles l’encapsulation des flux de données ou de management dans des trames GEM ("Gigabit-capable passive optical network Encapsulation Method"), puis GTC ("Gigabit-capable passive optical network Transmission Convergence"), qui sont ensuite encodées et brouillées. Des entêtes de ces trames permettent de gérer « l’aiguillage » des trames, et les priorités associées aux services. La séquence binaire obtenue est transposée dans le domaine analogique (électrique) et sert à moduler la porteuse optique qui transporte ainsi l’information. Le signal optique est ensuite réceptionné, et la séquence binaire reçue est à son tour "débrouillée", décodée, et décapsulée. Les entêtes des trames qui transportent les informations d’aiguillage permettent alors d’aiguiller le trafic vers la bonne destination avec la priorité associée.
La pile protocolaire est traversée dans les deux sens de la transmission (de l’OLT vers l’ONU pour le trafic descendant, et inversement pour le sens montant). Mettre en cascade plusieurs arbres PON implique de faire ceci à chaque étage de la cascade, ce qui représente des opérations très lourdes pour un équipement situé hors du central de l'opérateur. Le fait que ces opérations soient effectuées sur des cartes électroniques en dehors du domaine contrôlé par l’opérateur (le central), limite également la miniaturisation des équipements, ce dernier point étant important dans certains scénarios comme par exemple un usage domestique. Cela implique également un coût énergétique qui se voit alors imputé à l’utilisateur.
3. Exposé de l'invention Sens descendant
L'invention vient améliorer la situation à l'aide d'un procédé d'émission de données dans un signal optique descendant, mis en œuvre dans un premier terminal de ligne optique d'un premier réseau optique passif, les données étant reçues au niveau d'une couche de service, puis traitées successivement par la couche de service, une couche de transport et une couche physique, puis émises au niveau de la couche physique, le procédé comprenant, au niveau de la couche de service, un traitement des données relatif à au moins une sous-couche de la couche de transport, dit encapsulation, avant transmission des données traitées à la couche de transport.
Selon ce procédé, les données sont encapsulées dans des sous-couches de la couche de transport par un traitement au niveau de la couche de service. Les données subissent ensuite les traitements classiques de la couche de transport et de la couche physique.
Ainsi, si ces données sont destinées à un deuxième PON en cascade du premier PON, les traitements que l'OLT de ce deuxième PON doit appliquer aux données sont allégés. En effet, lorsque ces données sont reçues par un ONU du premier PON, après les traitements successifs de la couche physique, de la couche de transport et de la couche de service, elles sont dans un format comportant déjà les traitements effectués par l'OLT du premier PON, et qui sont relatifs à la couche de transport. L'OLT du deuxième PON n'a plus qu'à compléter avec les traitements qui n'ont pas été effectués dans l'OLT du premier PON.
On comprend que le procédé selon l'invention peut être vu comme consistant à déplacer une partie de la pile protocolaire depuis le second PON vers le premier PON. Plus précisément, la couche de service, ainsi que la partie de la couche de transport se trouvant au-dessus d'une découpe, sont déplacées depuis l'OLT du second PON vers l'OLT du premier PON, pour y être traitées au niveau de la couche de service qui est au-dessus de la couche de transport, sans que la couche de transport du premier OLT soit modifiée.
Ainsi, les trames de données sont émises avec cette encapsulation par le premier OLT, sont reçues par dans un signal optique par une ONU du premier PON. Les trames de données récupérées par l'ONU après dépilement sont transmises au second OLT desservant le second PON, directement au niveau de la sous-couche juste au-dessous de la découpe.
Par exemple dans cette variante de réalisation, la cavité 160 présente une partie supérieure 162a située axialement entre le premier côté de la rondelle 160a et l’épaulement 164 et une partie inférieure 162b située axialement entre l’épaulement 164 et le fond 161 de la cavité. Les parties 162a, 162b sont indépendantes l’une de l’autre et pourront présenter des caractéristiques telles qu’une forme, des dimensions ou un angle d’inclinaison par rapport à l’axe Y de la cavité, différentes. Par exemple, un diamètre maximum de la partie supérieure 162a est supérieur à un diamètre maximal de la partie inférieure 162b. Toujours par exemple, la partie supérieure 162a peut présenter une forme différente de la partie inférieure 162b. Ainsi, la partie inférieure 162b peut présenter une forme cylindrique et la partie supérieure 162a peut présenter une forme rectangulaire. Cette forme rectangulaire permet un blocage en rotation du ventilateur par rapport à la roue polaire.
L’épaulement présente une première portion 164a et une deuxième portion 164b, lesdites portions étant séparées l’une de l’autre par le sommet 164 de l’épaulement définissant l’ouverture 163e. La première portion 164a s’étend en regard de la partie supérieure 162a et la deuxième portion 164b s’étend en regard de la partie inférieure 162b. Par exemple, la première portion 164a s’étend sensiblement radialement par rapport à l’axe Y et la deuxième portion 164b forme une courbure.
Le rotor 3 comprend également un ventilateur 20 monté sur la rondelle d’équilibrage 16 du premier côté de la rondelle 160a. Le ventilateur comprend des pâles 202 aptes à déplacer un fluide, notamment de l’air d’une première position radialement intérieure à une deuxième position radialement extérieure.
Le ventilateur 20 comprend avantageusement un corps 201 d’où s’étendent des pâles 202. Les pâles 202 s’étendent depuis une première face du corps 201a.
Le corps 201 du ventilateur a avantageusement une forme annulaire s’étendant entre une périphérie intérieure 20a et une périphérie extérieure 20b. La distance radiale entre les périphéries intérieur 20a et extérieur 20b du ventilateur, c’est-à-dire le diamètre du ventilateur, est avantageusement la même que celle entre des périphéries intérieure et extérieure respectivement 161b et 162b de la portion annulaire 16b, c’est-à-dire le diamètre de ladite portion 16b. de plus le diamètre de la périphérie extérieur du ventilateur 20b est avantageusement le même que le diamètre de la périphérie extérieure 162b de la portion 16b. Le ventilateur 20 est avantageusement calé dans le décroché 16d de la rondelle d’équilibrage 16. Le ventilateur 20 ne couvre avantageusement pas la portion annulaire centrale ajourée de la rondelle 16c.
Les pâles 202 dépassent avantageusement radialement du corps 201 comme illustré à la et s’étendent axialement au-dessus de la partie annulaire extérieure 16a de la rondelle d’équilibrage. Le corps 201 ne couvre donc qu’une partie de la face de la rondelle 16, le reste de la face de la rondelle pouvant être utilisée comme surface d’appui par exemple.
Le ventilateur 20 est monté sur la rondelle d’équilibrage 16 par une deuxième face du corps 201b opposée à la première face 201a.
La deuxième face du ventilateur 201b comprend des plots 50 en matériau polymère déformable. Ces plots 50 s’étendent en saillie transversalement à cette deuxième face 201b. Ces plots s’étendent dans une direction axiale opposée à la direction d’extension des pâles 202 du ventilateur.
Le ventilateur 20 est monté sur la rondelle 16 par insertion des plots 50 du ventilateur dans les cavités 160 de la rondelle. Pour cela chaque plot 50 du ventilateur est en regard d’au moins une cavité 160 de la rondelle. Il y a donc une distribution radiale et angulaire des plots 50 du ventilateur autour de l’axe X, qui est la même que la distribution d’au moins une partie des cavités 160 de la rondelle.
Dans un premier mode de réalisation, les plots 50 en polymère sont surmoulés sur le corps 201 du ventilateur. Le plot 50 est monté logé dans la cavité 160 de la rondelle d’équilibrage 16 correspondante puis une goupille 51 insérée au moins partiellement dans le plot 50 déforme le plot de sorte à le retenir axialement dans la cavité.
Le plot 50 présente avantageusement une forme sensiblement cylindrique creuse définissant un espace intérieur débouchant dans la première face du corps 201 en une ouverture 54. Le plot 50 se prolonge en une portion d’insertion 55 creuse, une goupille étant insérée dans ladite portion d’insertion 55. La cavité 160 entoure donc la portion d’insertion 55.
La portion d’insertion 55 peut comporter une rainure de fixation 56 dont la forme est complémentaire de la forme de l’épaulement 164 pour coopérer avec ledit épaulement afin de maintenir le ventilateur 20 dans la rondelle d’équilibrage 16, sous l’action de la goupille 51, cette action de la goupille se faisant par une contrainte mécanique de la portion d’insertion 55 dans une direction transversale vers l’extérieur c’est-à-dire vers la paroi 162 de la cavité 160.
Ainsi, la portion d’insertion 55 présente une première position avant fixation, illustrée sur la dans laquelle la goupille 51 n’est pas insérée dans l’ouverture 54 ou est insérée seulement sur une petite portion ne permettant pas la déformation de ladite portion de fixation. Dans cette position, la portion d’insertion 55 s’étend dans une direction axiale et ne coopère pas avec la cavité 160.
La portion d’insertion 55 présente une deuxième position de fixation, illustrée sur la , dans laquelle la goupille 51 est insérée à travers l’ouverture 54 exerçant une contrainte mécanique sur ladite portion d’insertion 55 pour assurer une coopération mécanique entre la portion d’insertion 55 et la cavité 160 et notamment entre la rainure de fixation 56 et l’épaulement 164 pour permettre la fixation du ventilateur 20 sur la rondelle 16. La portion d’insertion 55 passe donc d’une position avant fixation à une position de fixation par déformation sous la contrainte de la goupille 51. Dans cette position, la portion d’insertion 55 s’étend dans une direction inclinée par rapport à une direction axiale.
Dans un exemple de réalisation illustré sur les figures 6a et 6b et compatible avec l’un quelconque des modes de réalisation décrit ci-dessus, l’ouverture 54 est prolongée par deux rainures 60 s’étendant transversalement dans le corps 201 et formant une ouverture traversante de forme oblongue. Les deux rainures 60 s’étendent par exemple de manière diamétralement opposée l’une par rapport à l’autre autour de l’ouverture 54. Par exemple, une colle telle que de la résine ou un vernis peut être disposée dans la cavité 160 afin d’améliorer le maintien dudit ventilateur sur la rondelle d’équilibrage, lesdites rainure 160 facilitant cette insertion.
En variante non illustrée les cavités pourront être débouchantes de part et d’autre de la rondelle d’équilibrage.
- le passage comprend au moins un conduit ménagé à l’intérieur du bouchon ;
- le second tronçon du bouchon est mécaniquement fixé à la surface interne de l’alésage par dudgeonage, par vissage ou par une fixation à baïonnette ;
- le second tronçon du bouchon est rigidement fixé à un autre bouchon, engagé dans le tube ;
- la méthode comprend, avant l’étape d’insertion du bouchon, une étape d’élimination d’une couche superficielle de la surface interne, à partir de la première grande face en remontant axialement au-delà de la cavité, sur une profondeur inférieure ou égale à la profondeur déterminée..
L’invention selon un second aspect porte sur un générateur de vapeur d’un réacteur nucléaire, le générateur de vapeur comprenant :
- une plaque tubulaire, ayant une première grande face délimitant un compartiment de circulation d’un fluide primaire, une seconde grande face délimitant un compartiment de circulation d’un fluide secondaire, et une pluralité d’alésages ayant chacun une première extrémité débouchant au niveau de la première grande face et une seconde extrémité débouchant au niveau de la seconde grande face, chaque alésage étant délimité par une surface interne et ayant un axe central ;
la surface interne de l’un des alésage étant corrodée et présentant une cavité; - une extrémité de la partie d’extrémité du tube engagée dans ledit alésage ayant été éliminée, sur une longueur telle que ladite cavité ne soit plus couverte par la partie d’extrémité; - un bouchon étant inséré dans l’alésage, la cavité étant isolé fluidiquement du compartiment de circulation du fluide primaire par le bouchon, la cavité communiquant fluidiquement avec un volume interne du tube..
Le générateur de vapeur peut en outre présenter une ou plusieurs des caractéristiques ci-dessous, considérées individuellement ou selon toutes les combinaisons techniquement possibles :
- le bouchon comprend un premier tronçon , engagé dans la première extrémité de l’alésage entre la première grande face et la cavité, le premier tronçon étant fixé de manière étanche à la plaque tubulaire ;
- le second tronçon du bouchon est rigidement fixé à un autre bouchon, engagé dans le tube.
Procédé de suivi de fragilisation d’une interface entre un substrat et une couche et dispositif permettant un tel suivi L’invention concerne le domaine de la fabrication de structures de la microélectronique et de l’optoélectronique et en particulier celui du transfert de couches semiconductrices susceptibles d’être utilisées dans le cadre d’une telle fabrication.
L’invention a ainsi plus particulièrement pour objet un procédé de suivi de fragilisation d’une interface entre un substrat et une couche, un procédé de fragilisation d’une telle interface, un dispositif permettant le suivi d’une fragilisation de cette même interface et un système de fracturation d’une interface entre un substrat et une couche.
État de l’art antérieur Il n’est pas rare de réaliser, dans le cadre de la fabrication de structures de la microélectronique et/ou de l’optoélectronique, un transfert d’une couche semiconductrice d’un substrat donneur à un substrat hôte par un procédé de type Smart Cut TM comprenant une étape d’implantation dans le substrat donneur pour créer une interface fragile enterrée délimitant la couche semiconductrice à transférer.
Un tel transfert nécessite, après collage de l’ensemble substrat donneur/couche sur le substrat hôte par ladite couche, la fracturation entre le substrat donneur et la couche à transférer au niveau de l’interface fragile enterrée. Cette fracturation est généralement réalisée par un recuit de fragilisation permettant la croissance et la coalescence de micro-cavités formées au niveau de ladite interface.
La illustre la variation de rugosité le long de la couche après la fracturation Cette variation de rugosité est notamment la conséquence des différences de taille des fissures au moment où la fracturation se produit à l’échelle du wafer. Elle peut avoir différentes source et notamment l’inhomogénéité de l’implantation ou du recuit de fragilisation ou encore les variations de contraintes dans l’empilement.
De ce fait, il y aurait un intérêt de pouvoir suivre la fragilisation de l’interface entre le substrat donneur et la couche à transférer pendant le recuit de fragilisation. Actuellement, un tel suivi peut être obtenu par microscopie infrarouge. Si une telle imagerie permet d’obtenir une image des micro-cavités et donc de quantifier les caractéristiques de leur population et leur évolution elle n’est pas réellement adaptée aux mesures in-situ dans un four de fracturation notamment lorsque ce dernier est du type industriel.
En effet, pour une telle imagerie, il est nécessaire d’avoir une distance objectif /échantillon (c’est-à-dire l’ensemble substrat donneur/couche/substrat hote) qui soit faible (quelques millimètres tout au plus) ce qui complique particulièrement son intégration dans un four de fracturation industriel.
Par ailleurs, en température, le rayonnement IR émis par les plaques et le four peut brouiller le signal IR utilisé pour la visualisation et nécessite donc des sources très puissantes pour éclairer les wafers.
L’invention vise à remédier à l’inconvénient ci-dessus et a ainsi pour objet la fourniture d’un procédé de suivi de fragilisation qui soit compatible avec les contraintes d’un four de fracturation, notamment industriel, et qui ne nécessite pas, en particulier, l’installation d’un objectif à faible distance de l’ensemble substrat/couche dont l’interface doit être surveillée et des sources de rayonnement particulièrement puissantes.
L’invention concerne à cet effet un procédé de suivi de fragilisation d’une interface entre une couche et un substrat lors d’un recuit de fragilisation de ladite interface, l’ensemble substrat/couche présentant au moins une première et une deuxième face, le procédé comprenant les étapes suivantes: - éclairage de la première face avec un faisceau de lumière monochromatique selon une première direction, - mesure d’une intensité du faisceau de lumière diffusée par l’ensemble substrat/couche selon au moins une deuxième direction, la deuxième direction présentant un angle non nul avec la première direction, - détermination d’un état de fragilisation de l’interface à partir de ladite intensité.
Les inventeurs ont identifié que l’intensité de la lumière diffusée à un angle donné vis-à-vis de la première direction était caractéristique de la taille des micro-cavités et de la distance entre elles. De ce fait, en suivant la variation de cette intensité pendant un recuit de fragilisation, il est possible de suivre la fragilisation de l’interface entre la couche et le substrat. Un tel éclairage et une telle mesure peuvent être réalisés à distance de l’ensemble substrat/couche et le procédé présente donc l’avantage d’être parfaitement compatible avec les contraintes liées au four de fracturation, notamment du type industriel. On notera en particulier que le procédé selon l’invention permet de réaliser une telle surveillance à partir de l’extérieur de l’enceinte du four de fracturation, puisque la source de lumière et le détecteur peuvent être agencés à distance de l’ensemble substrat/couche et sont compatibles avec l’utilisation de hublots.
On notera que la première direction correspond à une direction d’incidence du faisceau de lumière monochromatique tandis que la ou les deuxièmes directions correspondent à une ou des directions d’observation utilisées pour le suivi de la fracturation. Ainsi, dans le présent document, il est parfaitement envisageable de substituer « première direction » par « direction incidente » et « deuxième direction » par « direction d’observation » sans en changer l’enseignement.
Lors de la mesure de l’intensité du faisceau de lumière, l’intensité peut être mesurée selon une pluralité de deuxièmes directions présentant chacune un angle non nul avec la première direction, et, de manière préférentielle, au moins deux desdites deuxièmes directions peuvent présenter des angles distincts l’un de l’autre vis-à-vis de la première direction.