Transistor à effet de champ à gaz d’électrons bidimensionnel (1), dit TEGFET, ledit TEGFET comprend un drain (3), une source (4) et au moins un canal (6) compris dans une hétérostructure formée par un empilement d’au moins deux couches (21, 22) de semiconducteur ; l’au moins un canal relie, selon sa plus grande dimension, dite longueur (L) de l’au moins un canal, la source et le drain ; ledit TEGFET étant caractérisé en ce que : - il comprend au moins deux grilles latérales (5) disposées de part et d’autre de l’au moins un canal et disposées, chacune, en vis-à-vis d’un côté (7, 71, 72) de l’au moins un canal, lesdits côtés de l’au moins un canal comprennent une plus petite dimension dudit au moins canal, dite épaisseur (e) de l’au moins un canal, s’étendant selon un axe (8) selon lequel sont empilées les au moins deux couches de semiconducteur et s’étendant perpendiculairement à la longueur de l’au moins un canal, et - il ne comprend pas de grille positionnée en dessous ou au-dessus de l’au moins un canal par rapport à un axe perpendiculaire à un plan, dit plan de canal, selon lequel s’étend l’au moins un canal entre la source et le drain, ledit plan de canal étant perpendiculaire à l’épaisseur de l’au moins un canal. TEGFET selon la revendication 1, dans lequel aucune des grilles latérales (5) parmi les au moins deux grilles latérales n’est en contact ni ne présente de partie commune ou d’interface commune avec l’au moins un canal (6). TEGFET selon la revendication précédente 1 ou 2, dans lequel les au moins deux grilles latérales (5) sont agencées pour moduler et/ou modifier et/ou faire varier le potentiel dans l’au moins un canal (6) selon un axe (10), dit latéral, compris dans le plan de canal et perpendiculaire à l’axe reliant la source et le drain. TEGFET selon l’une des revendications précédentes, comprenant un diélectrique (11) disposé entre chacune des grilles latérales (5), parmi les au moins deux grilles latérales, et l’au moins un canal (6). TEGFET selon la revendication précédente, dans lequel le diélectrique (11) est agencé sous forme d’un évidement (11). TEGFET selon la revendication précédente, dans lequel l’évidement (11) comprend un gaz. TEGFET selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel les au moins deux grilles latérales (5) sont composées d’un matériau semiconducteur. TEGFET selon la revendication précédente, dans lequel le matériau semiconducteur composant les au moins deux grilles latérales (5) comprend des atomes de métal diffusés dans le matériau semiconducteur. TEGFET selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel une des grilles latérales (5) est électriquement connectée à la source (4). Procédé de modulation de la conductivité d’au moins un canal (6) d’un transistor à effet de champ à gaz d’électron bidimensionnel (1), dit TEGFET, ledit procédé comprend les étapes consistant à : - appliquer une différence de potentiel entre une source (4) et un drain (3) du TEGFET, - appliquer : ● une même différence de potentiel entre au moins une des grilles latérales (5) du TEGFET, parmi au moins deux grilles latérales disposées latéralement de part et d’autre de l’au moins un canal du TEGFET, et la source du TEGFET, et/ou ● un même potentiel sur une ou chacune des grilles latérales et sur la source du TEGFET, et/ou ● une différence de potentiel entre au moins une des grilles latérales du TEGFET et la source du TEGFET ; l’au moins un canal relie, selon une plus grande dimension de l’au moins un canal, dite longueur (L) de l’au moins un canal, la source et le drain du TEGFET et le TEGFET ne comprend pas de grille positionnée en dessous ou au-dessus de l’au moins un canal par rapport à un axe perpendiculaire à un plan, dit plan de canal, selon lequel s’étend l’au moins un canal entre la source et le drain, ledit plan de canal étant perpendiculaire à une plus petite dimension de l’au moins canal, dite épaisseur (e) de l’au moins un canal, s’étendant selon un axe (8) selon lequel sont empilées au moins deux couches (21, 22) de semiconducteur formant une hétérostructure dans laquelle est comprise l’au moins un canal et s’étendant perpendiculairement à la longueur de l’au moins un canal ; chacune des au moins deux grilles latérales est disposée en vis-à-vis d’un côté (7, 71, 72) de l’au moins un canal, lesdits côtés de l’au moins un canal comprennent l’épaisseur (e) de l’au moins un canal. Procédé selon la revendication 10, comprenant l’étape consistant à moduler et/ou modifier et/ou faire varier le potentiel et/ou la conductivité dans l’au moins un canal (6) selon un axe (10), dit latéral, compris dans le plan de canal et perpendiculaire à l’axe reliant la source et le drain, par application d’une même différence de potentiel entre au moins une des grilles latérales (5) et la source (4) et/ou par application du même potentiel sur une ou chacune des grilles latérales et sur la source et/ou par application d’une différence de potentiel entre au moins une des grilles latérales, ou entre chacune des grilles latérales, et la source. Procédé selon la revendication 10 ou 11, comprenant l’étape consistant à moduler et/ou modifier et/ou faire varier le potentiel dans l’au moins un canal (6) et/ou la conductivité du gaz d’électron bidimensionnel, de manière non uniforme, selon une largeur (l) de l’au moins un canal, la largeur de l’au moins un canal s’étend selon un axe perpendiculaire à la longueur (L) de l’au moins un canal et perpendiculaire à l’épaisseur (e) de l’au moins un canal, par application d’une même différence de potentiel entre au moins une des grilles latérales (5) et la source (4) et/ou par application du même potentiel sur une ou chacune des grilles latérales et sur la source et/ou par application d’une différence de potentiel entre au moins une des grilles latérales, ou entre chacune des grilles latérales, et la source. Procédé selon l’une des revendications 10 à 12, ledit procédé comprend une étape consistant à moduler et/ou modifier et/ou faire varier la densité d’électrons du gaz d’électron bidimensionnel, de manière non uniforme, sur la largeur de l’au moins un canal. Procédé de fabrication d’un transistor à effet de champ à gaz d’électron bidimensionnel (1), dit TEGFET, ledit procédé de fabrication comprend une unique étape de recuit pour former, simultanément en une même étape, des contacts ohmiques distincts entre : - une première couche de métal (9, 92), destinée à former un contact électrique, et un drain (3) du TEGFET, et - une deuxième couche de métal (9, 93), destinée à former un contact électrique, et une source (4) du TEGFET, et - une troisième couche de métal (9, 91), destinée à former un contact électrique, et au moins deux grilles latérales (5) du TEGFET, disposées latéralement de part et d’autre d’au moins un canal du TEGFET et disposées, chacune, en vis-à-vis d’un côté (7, 71, 72) de l’au moins un canal, lesdits côtés de l’au moins un canal comprennent une plus petite dimension dudit au moins canal, dite épaisseur (e) de l’au moins un canal, s’étendant selon un axe (8) selon lequel sont empilées les au moins deux couches de semiconducteur et s’étendant perpendiculairement à une longueur de l’au moins un canal.