INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
illustre schématiquement une machine à 3 états de pilotage d’une vitesse d’un véhicule autonome, selon un exemple particulier de réalisation de la présente invention.
illustre une représentation des valeurs d’une fonction k T en fonction d’une vitesse cible, selon un exemple particulier de réalisation de la présente invention.
illustre une représentation des valeurs d’une fonction k D en fonction d’une accélération potentielle à un instant t 0 , selon un exemple particulier de réalisation de la présente invention.
Le segment de mesure M-M’ est par exemple parallèle à la paroi de mesure 34.
La distance entre les capteurs électromagnétiques 28, 30, et la paroi de mesure est de préférence inférieure à 5 mm. Dans un mode de réalisation particulier, les capteurs électromagnétiques 28, 30 sont accolés à la paroi de mesure 34, à l’intérieur du boitier 32.
En référence à la , le dispositif de contrôle 10 comprend un dispositif de traitement 38.
Le boîtier 32 comprend ou est connecté au dispositif de traitement 38.
Le dispositif de traitement 38 est configuré pour implémenter le module d’acquisition 18, le module de génération 20 et le module de génération 22.
Le module d’acquisition 18 est configuré pour acquérir un premier signal S1 du premier capteur électromagnétique 28 et un deuxième signal S2 du deuxième capteur électromagnétique 30.
Le module d’acquisition est par exemple connecté au premier capteur électromagnétique 28 et au deuxième capteur électromagnétique 30 pour acquérir les signaux S1, S2 desdits capteurs électromagnétiques 28, 30.
La valeur d’un champ magnétique B mesurée par le premier capteur électromagnétique 28 et la valeur de champ magnétique mesurée par le deuxième capteur électromagnétique 30 sont illustrées en fonction d’une la position x de l’aimant le long de sa course C sur la . Dans cette figure, la position A1 correspond à l’extrémité de la course d’aimant C la plus proche du premier capteur électromagnétique 28 et la position A2 correspond à l’extrémité de la course d’aimant C la plus proche du deuxième capteur électromagnétique 30.
Le premier signal S1 correspond à une valeur de champ électromagnétique mesurée par le premier capteur électromagnétique 28. Le premier signal S1 comprend par exemple une composante S1A correspondant au champ magnétique généré par l’aimant 24 et une composante S1E correspondant à un champ magnétique environnant.
Le deuxième signal S2 correspond à une valeur de champ électromagnétique mesurée par le deuxième capteur électromagnétique 30. Le deuxième signal S2 comprend par exemple une composante S2A correspondant au champ magnétique généré par l’aimant 24 et une composante S2E correspondant à un champ magnétique environnant.
Le module d’évaluation 20 est configuré pour évaluer une position relative du levier 16 par rapport à la base 14 en fonction d’un résultat d’une différence du premier signal S1 et du deuxième signal S2 acquis.
Le module d’évaluation 20 est par exemple configuré pour déterminer l’angle formé entre la direction l’élongation du levier 16 et le segment de mesure M-M’ et/ou est configuré pour déterminer la position de l’aimant par rapport aux capteurs électromagnétiques 28, 30.
Le module d’évaluation 20 stocke par exemple des données de position relative du levier 16 par rapport à la base 14 associées à la valeur de la différence du premier signal S1 et du deuxième signal S2 acquis.
Le module d’évaluation 20 est par exemple configuré pour déterminer un signal différentiel correspondant à la différence du premier signal S1 et du deuxième signal S2 acquis, une valeur différentielle étant associée à une position relative du levier 16 par rapport à la base 14.
Le module 22 de génération d’un signal de contrôle est configuré pour générer un signal de contrôle en fonction du résultat de la différence entre le premier signal S1 et le deuxième signal S2.
Dans un mode de réalisation préféré, le module de génération 22 est configuré pour générer un premier signal de contrôle SC1 si le résultat de la différence du premier signal et du deuxième signal acquis est supérieur à un seuil supérieur TS prédéfini et est configuré pour générer un deuxième signal de contrôle SC2 si le résultat de la différence du premier signal et du deuxième signal est inférieur à un seuil inférieur TI prédéfini. Dans l’illustration de la , le module de génération 22 est configuré pour générer le premier signal de contrôle SC1 si la position x de l’aimant 24 est proche de la position A1 (zone hachurée sur la gauche de la ) et le module de génération 22 est configuré pour générer le deuxième signal de contrôle SC2 si la position x de l’aimant 24 est proche de la position A2 (zone hachurée sur la droite de la ).
Le condensateur 45 est disposé en parallèle de la résistance 42. Une première borne du condensateur 45 est reliée au point de raccordement d’entrée du déclencheur 12 auquel est relié le conducteur 29 ainsi qu’à la première borne de la résistance 42, tandis qu‘une deuxième borne du condensateur 45 est reliée à la deuxième borne de la résistance 42, au collecteur du transistor 46 et à la base du transistor 43.
Comme indiqué ci-dessus, l’accumulateur 11 fournit au déclencheur 12 une tension dépendante de l’énergie électrique accumulée dans les condensateurs 32, 34, 35 et 37soit du premier module 7, soit du deuxième module 8, soit des deux cumulés. Lorsque cette tension atteint un seuil prédéterminé entraînant un effet d’avalanche de la diode Zener 44, cette dernière génère un courant inverse, c’est-à-dire qui traverse la diode Zener 44 depuis la cathode vers l’anode.
En présence du courant inverse, le transistor 43 est passant entre son collecteur et son émetteur, ce qui fait apparaitre un signal à la base du transistor 46 qui devient passant à son tour entre son collecteur et son émetteur.
Les résistances 42 et 48 et les condensateurs 43 et 47 servent ici à empêcher que des courants parasites n’activent la base du transistor 43 et/ou du transistor 46.
Les transistors 43 et 46 forment ici un circuit fonctionnant de manière analogue à un thyristor du fait de la disposition du transistor 43 par rapport au transistor 46. Le transistor 46 reste ainsi passant dès lors qu’il a été activé par le transistor 43, qui reste lui aussi passant une fois activé par le courant inverse généré par la diode Zener 44.
Lorsque le transistor 46 est passant entre son collecteur et son émetteur, la diode Zener 44 est en court-circuit et la tension dépendante de l’énergie accumulée dans l’accumulateur 11 alimente le module de coupure 5 via le point de raccordement de sortie du déclencheur 12 auquel est relié le conducteur 40, en traversant le transistor 46.
C’est donc ici la diode Zener 44 qui fixe la valeur de référence pour l’alimentation du module de coupure 5, et donc le déclenchement du relais de coupure 6.
On va maintenant décrire l’agencement du deuxième module 8 de détection, et en particulier de ses oscillateur 14, intégrateur 15, comparateur 16 et détecteur de défaillance 17 à l’appui de la .
L’oscillateur 14 présente deux points de raccordement d’entrée et deux points de raccordement de sortie.
Un premier point de raccordement d’entrée de l’oscillateur 14 est relié à l’alimentation 18 du deuxième module 8 par un conducteur 115.
Un premier point de raccordement de sortie de l’oscillateur 14 est relié à un conducteur 54.
Un deuxième point de raccordement d’entrée et un deuxième point de raccordement de sortie de l’oscillateur 14 sont reliés respectivement au sous-module d’excitation 13 par le conducteur 52 et le conducteur 53.
L’oscillateur 14 comporte entre ses points de raccordement d’entrée et ses points de raccordement de sortie un montage suiveur 55, un montage multivibrateur astable 56 et un montage push-pull 59.
Le montage suiveur 55 présente deux points de raccordement d’entrée et un point de raccordement de sortie.
Les points de raccordement d’entrée du montage suiveur 55 sont reliés à l’alimentation 18 du deuxième module 8
Pour ce faire, un conducteur relie chacun des points de raccordement d’entrée du montage suiveur 55 au point de raccordement d’entrée de l’oscillateur 14 auquel est relié le conducteur 115.
On va maintenant décrire plus en détail chacun des composants du deuxième module 8 de détection, et en particulier de ses oscillateur 14, intégrateur 15, comparateur 16 et détecteur de défaillance 17 toujours à l’appui de la .
Le montage suiveur 55 comporte entre son point de raccordement d’entrée et son point de raccordement de sortie une première résistance 60, une deuxième résistance 61 et un amplificateur opérationnel 62.
Une première borne de la résistance 60 est reliée au point d’entrée du montage suiveur 55 tandis qu’une deuxième borne est reliée à une première borne de la résistance 61. Une deuxième borne de la résistance 61 est reliée au pôle de référence de l’alimentation du deuxième module 8.
La première résistance 60 et la deuxième résistance 61 forment un pont diviseur de tension entre l’alimentation 18 du deuxième module 8 et le pôle de référence de l’alimentation. Une tension de sortie du pont diviseur de tension se trouve entre les bornes de la résistance 61 et donc entre le point de référence de l’alimentation et un conducteur 63 qui est relié à la deuxième borne de la résistance 60, à la première borne de la résistance 61 ainsi qu’à une entrée positive de l’amplificateur opérationnel 62.
Une borne d’alimentation positive de l’amplificateur opérationnel 62 est reliée à l’alimentation 18 du deuxième module 8. Une borne d’alimentation négative de l’amplificateur opérationnel 62 est reliée au pôle de référence de l’alimentation. Une sortie de l’amplificateur opérationnel 62 est reliée à une entrée négative de l’amplificateur opérationnel 62 et au point de raccordement de sortie du montage suiveur 55.
Puisque l’amplificateur opérationnel 62 présente une impédance très élevée, de l’ordre du mégaohm en entrée et très faible de l’ordre de la dizaine de ohm en sortie, il est possible d’utiliser des impédances élevées en entrée de l’amplificateur opérationnel 62 afin de réduire la consommation de l’oscillateur tout en utilisant des impédances plus faibles en sortie de de l’amplificateur opérationnel 62 sans provoquer de chute de tension entre l’entrée et la sortie de l’amplificateur opérationnel 62.
Le montage multivibrateur astable 56 comporte ici entre ses points de raccordement d’entrée et ses points de raccordement de sortie une diode de suppression de tension transitoire 76 (par exemple dite Transil ® ), une première résistance 77, un premier condensateur 78, une deuxième résistance 79, une troisième résistance 80, un deuxième condensateur 81, un amplificateur opérationnel 82, une quatrième résistance 83, une cinquième résistance 84 et un troisième condensateur 85.
Une borne d’alimentation positive de l’amplificateur opérationnel 82 est reliée à l’alimentation du deuxième module 8 tandis qu’une borne d’alimentation négative de l’amplificateur opérationnel 82 est reliée au pôle de référence de l’alimentation.
La diode de suppression de tension transitoire 76 en disposée en parallèle de l’enroulement secondaire 61 du sous-module d’excitation 13. Une première borne de la diode de suppression de tension transitoire 76 est reliée au point de raccordement d’entrée du montage multivibrateur astable 56 auquel est relié le conducteur 52, à une première borne de la résistance 80 dont une deuxième borne est reliée à une entrée négative de l’amplificateur opérationnel 82, ainsi qu’à une première borne de la résistance 77.
Une deuxième borne de la résistance 77 est reliée à une première borne du condensateur 78 dont une deuxième borne est reliée au pôle de référence de l’alimentation du deuxième module 8, au quatrième point de raccordement d’entrée du montage multivibrateur astable 56 auquel est relié le conducteur 64, ainsi qu’à une première borne de la résistance 79.
Une deuxième borne de la résistance 79 est reliée à une première borne du condensateur 81 dont une deuxième borne est reliée au pôle de référence de l’alimentation du deuxième module 8, à une entrée positive de l’amplificateur opérationnel 82, et à une première borne de la résistance 83.
Une deuxième borne de la résistance 83 est reliée à une sortie de l’amplificateur opérationnel 82 et à une première borne de la résistance 84.
Une deuxième borne de la résistance 84 est reliée au point de raccordement d’entrée du montage push-pull 59.
Le condensateur 85 est disposé en parallèle de la résistance 84. Une première borne du condensateur 85 est reliée à la deuxième borne de la résistance 83, à la sortie de l’amplificateur opérationnel 82 et à la première borne de la résistance 84, tandis qu‘une deuxième borne du condensateur 85 est reliée à la deuxième borne de la résistance 84 et au point de raccordement d’entrée du montage push-pull 59.
Le montage push-pull 59 comporte entre son point de raccordement d’entrée et son point de raccordement de sortie un premier transistor 86 et un second transistor 87.
Une base du transistor 86 est reliée au point de raccordement d’entrée du montage push-pull 59. Un collecteur du transistor 86 est relié à l’alimentation 18 du deuxième module 8. Un émetteur du transistor 86 est relié au point de raccordement de sortie du montage push-pull 59 et à un émetteur du transistor 87.
- s’il n’est pas détecté de fuite anormale 109,
- inertage 110 du volume 24 mort. Cet inertage peut être réalisé via une mise à l’évent du volume 24 mort et/ou par le remplissage du volume 24 mort avec un gaz inerte. Dans certains cas, une mise à l’air (atmosphérique ou air sec) peut être suffisante. Dans le cas où le fluide transporté est de l’hydrogène, le gaz inerte est de préférence de l'hélium (pour éviter les risques d’explosion ou de givre),
- les deux extrémités de conduites peuvent être séparées 111 en toute sécurité.
Cependant, si l’étape de détection de fuite conclut à une fuite inacceptable 119, le procédé comprend de préférence une action corrective comme une vérification/correction de la bonne fermeture des clapets. Après cette étape 120 corrective, l’inertage 110 peut être réalisé et ensuite la séparation (ou déconnexion) 107 comme décrit précédemment. Cela peut être idem lors d’un accouplement.
Ainsi, le dispositif et son utilisation permettent la gestion de la purge du volume 24 mort d’un dispositif de raccordement de deux entités de transfert d’un fluide cryogénique.
L’invention permet ainsi le contrôle de l’étanchéité de la connexion avant l’ouverture des clapets ainsi que le contrôle de l’étanchéité des clapets après leur fermeture et avant la déconnexion 111.
L’invention peut s’appliquer à tous les dispositifs d’accouplement présentant un volume mort, notamment avec un volume mort compris entre 1 et 1000 cm 3 , notamment de 10 à 500cm 3 et en particulier entre 50 et 200cm 3 .
Les et illustrent deux exemples non limitatifs de dispositifs 1 d’accouplement.
Comme illustré, le mécanisme de clapet 4, 6, 8; 5, 7, 9 peut comprendre, à chaque extrémité, un clapet 4, 5 sollicité vers une position de fermeture contre un siège 6, 7 par un organe 8, 9 de rappel tel qu’un ressort.
Les extrémités peuvent comporter un ensemble de brides 14, 15, 16, 17 (par exemple montées via des axes 20) et/ou joints 25, 28, 29, 114, 115 configurés pour relier de façon étanche les extrémités de conduite s2, 3 de transport et les extrémités des tubes 10, 11 externes.
Les extrémités terminales des clapets 4, 5 des deux conduites 2, 3 de transport peuvent être configurées pour venir en contact et se repousser mécaniquement hors des sièges respectifs à l’encontre des organes 5, 9 de rappel lorsque les extrémités de raccordement sont accouplées dans une position longitudinale relative déterminée.
Comme illustré à la , le mécanisme de clapet 4, 6, 8 d’une des deux conduites 2 de transport peut être logé relativement plus en retrait à l’intérieur de son tube 10 externe que l’autre mécanisme de clapet 5, 7, 9 dans son tube 11 de sorte à former le système de type mâle et femelle dans lequel, en position assemblée des deux conduites 2, 3 de transport, une extrémité de raccordement pénètre dans l’autre extrémité de raccordement.
Lors du passage d’une position séparée à la position accouplée des deux extrémités de raccordement, les mécanismes de clapet peuvent être configurés pour passer séquentiellement d’une première configuration à une seconde configuration, dans la première configuration les extrémités de raccordement sont en contact étanche et les deux mécanismes de clapet sont fermés, dans la seconde configuration, les extrémités de raccordement sont en contact étanche et les mécanismes de clapet sont ouverts par actionnement mutuel.
Dans l’exemple de la , l’extrémité de raccordement d’une première 3 des deux conduites comprend une bague 112 d’étanchéité solidaire du tube 11 externe.
La bague 112 d’étanchéité comprend un ensemble de joint(s) 114, 115 d’étanchéité configuré(s) pour assurer une étanchéité vis-à-vis de l’extérieur entre les deux extrémités de raccordement lorsque les deux extrémités de raccordement sont accouplées. Cette bague 112 d’étanchéité est par exemple montée mobile en translation selon la direction longitudinale relativement au tube 111 externe entre deux positions distinctes lors du passage de la première configuration fermée à la seconde configuration ouverte.
En particulier, cette étape de pulvérisation cathodique comprend une enceinte dans laquelle une diode (c’est-à-dire un ensemble cathode et anode) est disposée, et comprend la formation d’un plasma.
En particulier, l’enceinte comprend une cible de pulvérisation formant une cathode, ladite cible de pulvérisation comprend (ou est constituée essentiellement) dudit au moins un métal M1 ou M2, ou d’un alliage de ce dernier. L’enceinte comprend également une anode sur laquelle le substrat textile B, éventuellement revêtu de la couche métallique C, est solidarisé en sorte que la face externe du substrat textile B ou de la couche métallique C soit en regard de la cathode, en particulier à quelques centimètres de la cathode.
Avantageusement, ladite étape de pulvérisation cathodique comprend une étape au-cours de laquelle on fait le vide dans l’enceinte, puis on introduit une certaine quantité de gaz, de préférence de l’argon ou tout autre gaz équivalent ou un mélange de ce dernier, une tension électrique est appliquée entre les deux électrodes (cathode et anode) provoquant l’ionisation de l’atmosphère de l’enceinte et la création d’un plasma de décharge luminescente. Du fait du potentiel négatif de la cible, les ions positifs présents dans le gaz résiduel se précipitent/se dirigent vers la cible et la heurtent à grande vitesse. Des particules métalliques de la cible sont arrachées, vaporisées en traversant le plasma et captés par l’anode. Ces particules métalliques de la cible se déposent ainsi sur le substrat textile B ou la couche métallique C solidarisé(e) à l’anode.
De préférence, l’application d’une tension entre la cathode et l’anode est couplée avec l’utilisation d’un champ magnétique, en particulier superposé sur la cible.
Cette disposition permet d’ioniser davantage de molécules de gaz au voisinage de la cathode et ainsi augmente le nombre de collisions entre les ions créés et la cible. Le taux d’ionisation est donc augmenté permettant ainsi d’atteindre un rendement plus élevé de pulvérisation et au final de dépôt. De plus, le plasma se trouve vers la cible du fait du champ magnétique, la température appliquée au substrat est donc moins élevée, ce qui est avantageux pour un substrat textile B dont la résistance en température est limitée selon les fils/fibres utilisés.
La technique de dépôt par pulvérisation cathodique éventuellement assistée par un champ magnétique (dite pulvérisation cathodique magnétron) donne de bons résultats en termes d’accroche chimique et mécanique sur le substrat textile B. Des alliages plus complexes peuvent être également déposés par cette technique. Enfin, le dépôt des particules métalliques s’effectue au plus près de la face externe du substrat textile B, et donc se déposent sur des microstructures du textile ce qui est favorable pour la conservation de la perméabilité à la vapeur d’eau.
Dans un troisième mode de réalisation, l’étape d) est une étape de dépôt chimique en phase vapeur assistée par un plasma. De préférence, le plasma est un plasma d’oxygène ou d’un mélange d’oxygène et d’argon et comprend en outre un précurseur chimique, par exemple un composé organosilicié, par exemple un siloxane linéaire ou cyclique.
De manière générale, l’homme du métier connait les différentes techniques de dépôt physique ou chimique en phase vapeur, et sait appliquer les couches minces C et D selon les critères visés.
Avantageusement, l’utilisation d’une technique de dépôt de couche(s) mince(s) permet de ne pas altérer significativement la perméabilité à la vapeur d’eau du substrat textile B, ou de la couche métallique C, tout en abaissant le taux d’émissivité de la face externe du complexe limitant ainsi les effets liés au phénomène de refroidissement radiatif.
De préférence, la couche métallique C, et/ou la couche de protection D, est/sont déposée(s) sur la face externe du substrat textile B associé avec le substrat imperméable à l’eau et perméable à la vapeur d’eau A, notamment le substrat A est disposé sur la face interne du substrat textile B.
Dans une variante, l’étape d) est une étape de dépôt d’une couche mince de la couche de protection D , en particulier une étape de dépôt physique en phase vapeur d’au moins un métal M2 (plus particulièrement différent du métal M1 ou identique au métal M1 mais dans un alliage différent de l’alliage du métal M1) ou une étape de dépôt chimique en phase vapeur d’au moins un composé chimique ne comprenant pas de métal, sur la face externe de la couche métallique C pour la formation de la couche de protection D.
On comprend par composé chimique ne comprenant pas de métal, tout composé comprenant du carbone et/ou de l’oxygène, et éventuellement comprenant des atomes de silicium (Si).
Dans une variante de réalisation, le complexe comprend de la face interne vers la face externe : - optionnellement une couche textile de protection E ; - un substrat imperméable à l’eau et perméable à la vapeur d’eau A, en particulier comprenant une membrane imperméable à l’eau et perméable à la vapeur d’eau ou une enduction polymère imperméable à l’eau et perméable à la vapeur d’eau; - un substrat textile B ; - une couche métallique C, de préférence déposée par une technique de dépôt en couche mince;- optionnellement une couche de protection D de la couche métallique C, de préférence déposée par une technique de dépôt en couche mince, encore de préférence une couche de protection métallique D ou une couche de protection polymère D ; - optionnellement un apprêt déperlant à l’eau, en particulier afin de rendre la face externe du complexe déperlante à l’eau.
La présente invention a pour objet, selon un quatrième aspect de l’invention, l’utilisation d’un complexe selon l’une quelconque des variantes de réalisation selon un premier aspect de l’invention, ou susceptible d’être obtenu par la mise en œuvre du procédé selon un troisième aspect de l’invention, pour la fabrication d’un article limitant, voir supprimant, la condensation de l’eau selon une paroi intérieure.
Avantageusement, ledit article comprend ledit complexe et au moins une paroi intérieure dudit article comprend/(est formée au moins en partie) de la face interne du complexe.
Avantageusement, la face externe de l’article orientée vers l’atmosphère extérieure comprend/(est formée au moins en partie) de la face externe du complexe.
A l’approche d’un véhicule cible circulant à une vitesse inférieure sur une même voie que le véhicule égo, par exemple un camion circulant à une vitesse de 90 km/h, l’ACC va décélérer fortement, de l’ordre de 5 m/s² (soit une accélération de - 5 m/s²), pour réduire la vitesse de l’égo-véhicule de 130 km/h à 90 km/h et pour pouvoir toujours respecter le temps inter-véhicule, dit aussi Time Gap, de 2 secondes, le camion ayant été détecté à une distance correspondante à 4 secondes.