INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Avec une base 8 apte à se déployer tel que décrit précédemment, les moyens d’accroche 6 peuvent être réglés pour correctement saisir le tronçon de garnissage 2, et ce peu importe le diamètre de celui-ci.
Du fait de la prise du tronçon de garnissage 2 par la tranche, associé au fait que les tronçons de garnissage 2 présentent une forme cylindrique à section circulaire ou sensiblement circulaire, les moyens d’accroche 6 présentent une forme d’arc de cercle, et ce afin que l’ensemble du moyen d’accroche 6 destiné à être au contact du tronçon de garnissage 2 épouse un rayon de courbure de celui-ci. L’agrippement du tronçon de garnissage 2 est ainsi facilité et plus stable. Afin que l’agrippement du tronçon de garnissage 2 par les moyens d’accroche 6 soit optimal, la courbure de l’arc de cercle formé par les moyens d’accroche 6 est réglable afin de s’adapter à tous diamètres de tronçons de garnissage 2.
Après agrippement du tronçon de garnissage 2 par les moyens d’accroche 6, ces derniers peuvent être pilotés de manière individuelle l’un par rapport à l’autre dans le but de pousser sur un point précis du tronçon de garnissage 2 et déformer localement ce dernier. Une telle déformation locale peut être préconisée lorsqu’un différentiel de forme existe entre le tronçon de garnissage 2 et la virole au sein de laquelle le tronçon de garnissage 2 est destiné à être inséré. La déformation locale permet ainsi de modifier légèrement la forme du tronçon de garnissage 2 afin que celui-ci puisse par la suite être inséré dans la virole de manière plus aisée.
Au moins deux des montants périphériques 10 sont pourvus de dispositifs télescopiques 22. Les dispositifs télescopiques 22 peuvent être agencés sur un montant périphérique 10 également pourvu d’un moyen d’accroche 6, l’essentiel étant que l’ensemble de ces éléments n’interfèrent pas mécaniquement les uns par rapport aux autres. Les dispositifs télescopiques 22 permettent d’opérer une poussée du tronçon de garnissage 2 une fois celui-ci mis en place en regard de la virole. Cette poussée est effectuée dès lors que les moyens d’accroche 6 ont été commandés pour lâcher le tronçon de garnissage 2. Les dispositifs télescopiques 22 se déploient afin de pousser le tronçon de garnissage 2 jusqu’au bout de la virole, et ce peu importe la longueur de cette dernière. Si un ou plusieurs tronçons de garnissage 2 ont déjà été précédemment insérés dans la virole, les dispositifs télescopiques poussent le tronçon de garnissage 2 jusqu’à ce que ce dernier soit au contact du tronçon de garnissage 2 précédemment inséré. Les dispositifs télescopiques 22 peuvent être intégrés à la base 8 précédemment décrite. Sur la , le dispositif d’insertion 5 étant en train d’agripper un tronçon de garnissage 2 sur la pile 24, les dispositifs télescopiques 22 sont donc repliés.
La illustre le quatrième profil de suspension 10’ avec lequel coopère le bras de fixation 20 pour le fixer au plafond W3 .
Le bras de fixation 20 coopère avec la portion de fixation 14 du quatrième profil de suspension 10’ . Il s’étend transversalement à ladite portion de fixation 14 et donc transversalement à la direction longitudinale Y du profil de suspension. Plus précisément, le bras de fixation 20 comprend une tige de fixation 22 s’étendant transversalement à la direction longitudinale Y et présentant une première extrémité configurée pour être fixée au plafond W3 , comme on le constate en .
Le bras de fixation comprend en outre une partie de coopération 24 montée de manière pivotante en une seconde extrémité de la tige de fixation 22 . La partie de coopération 24 comporte un logement 25 s’étendant parallèlement à ladite direction longitudinale Y . La portion de fixation 14 du quatrième profil de suspension 10’ est engagée de manière coulissante dans ledit logement 25 , de sorte que la partie de coopération 24 est montée de façon coulissante par rapport à ladite portion de fixation 14 , selon la direction longitudinale Y .
Tel qu’illustré sur la vue de en coupe de la , la tige de fixation 22 est montée pivotante, selon son propre axe, à l’intérieur de la partie de coopération 24 . Le bras de fixation 20 comprend en outre un organe de blocage 26 monté mobile en translation à la seconde extrémité de la tige de fixation 22 , et bloqué en rotation par rapport à cette tige de fixation. L’organe de blocage 26 est en outre monté selon une liaison hélicoïdale par rapport à la partie de coopération 24 . L’organe de blocage 26 présente la forme d’un poinçon et s’étend selon l’axe de ladite tige de fixation 22 .
Pour bloquer le coulissement de la partie de coopération 24 selon la direction longitudinale Y par rapport à la portion de fixation 14 du profil de suspension 10’ , ladite partie de coopération est coulissé le long de la portion de fixation jusqu’en une position souhaitée. La tige de fixation 22 est alors pivotée autour de son propre axe, dans un premier sens, par rapport à la partie de coopération 24 . Ceci a pour conséquence d’entrainer l’organe de blocage 26 en translation selon l’axe de la tige de fixation 22 , vers la portion de fixation du profil de suspension jusqu’à venir poinçonner ladite portion de fixation 14 . Ceci permet alors de bloquer le coulissement de la partie de coopération 24 par rapport à la portion de fixation.
Pour libérer la partie de coopération 24 et autoriser son coulissement par rapport à la portion de fixation, il convient de faire pivoter la tige de fixation 22 dans un second sens opposé au premier sens.
La illustre le premier profil de suspension 10 coopérant avec l’organe de suspension 30 , afin d’y suspendre la lame de store L . L’organe de suspension 30 comprend une partie de montage 32 accrochée à la portion de suspension du premier profil de suspension 10 . Cette partie de montage 32 présente la forme d’une pince munie de deux doigts 32a , 32b conformés pour flanquer la portion de suspension 12 du profil de suspension 10 , par quoi la portion de suspension porte l’organe de suspension. Cette partie de montage est en outre montée coulissante sur la portion de suspension selon la direction longitudinale Y . Chacun des doigts 32a , 32b présente une extrémité reposant sur une des épaules e de la portion de suspension 10 du profil de suspension. La portion de suspension s’étend alors à l’intérieur de la pince.
De manière non limitative, les doigts 32a , 32b sont légèrement flexibles de sorte qu’ils peuvent être écartés l’un de l’autre afin d’ouvrir davantage la pince, afin d’introduire la portion de suspension 12 du profil de suspension 10 à l’intérieur de ladite pince et donc d’y accrocher l’organe de suspension.
L’organe de suspension 30 comprend en outre une partie d’accroche 34 configurée pour coopérer avec ladite lame de store L . La partie de montage 34 est montée pivotante par rapport à la partie de montage 32 , ce qui permet d’orienter la lame de store L . Dans cet exemple non limitatif, la partie d’accroche 34 présente la forme d’un crochet configuré pour coopérer avec un trou ménagé dans la lame de store L.
En faisant glisser la partie de montage 32 le long de la portion de suspension 12 , l’organe de suspension 30 peut être coulissé le long du profil de suspension 10 , selon la direction longitudinale 32 . Ceci permet notamment de plier ou déplier un rideau ou, comme dans le présent exemple, de déplacer en translation la lame de store L selon la direction longitudinale Y .
La illustre le deuxième profil de suspension 100 du système de suspension 8 de la . Ce deuxième profil de suspension 100 forme un deuxième mode de réalisation d’un profil de suspension selon l’invention.
Tout comme le premier profil de suspension, ce deuxième profil de suspension 100 comprend une portion de suspension 12 et une portion de fixation 14 reliées par une portion de liaison 16 . Il présente toutefois une longueur réduite par rapport au premier profil de suspension 10 , considérée selon la direction longitudinale Y .
En outre, ce deuxième profil de suspension 100 comprend un premier manchon de connexion inférieur 42 et un second manchon de connexion inférieur 46 s’étendant tous les deux dans le prolongement de la portion de suspension 12 , selon la direction longitudinale Y , de part et d’autre de cette portion de suspension. Le deuxième profil de suspension comprend également un premier manchon de connexion supérieur 44 et un second manchon de connexion supérieur 48 s’étendant tous les deux dans le prolongement de la portion de fixation 14 , de part et d’autre de cette portion de fixation. Les premiers manchons de connexion supérieur et inférieur 42 , 44 s’étendent depuis une première face d’extrémité du deuxième profil de suspension tandis que les seconds manchons de connexion supérieur et inférieur 46 , 48 s’étendent depuis une seconde face d’extrémité du deuxième profil de suspension.
Les premiers manchons de connexion supérieur et inférieur 42 , 44 forment un premier moyen de connexion 45 du deuxième profil de suspension 100 permettant de connecter ce deuxième profil de suspension à un autre profil de suspension. Les second manchons de connexion supérieur et inférieur 46 , 49 forment un second moyen de connexion 47 du deuxième profil de suspension 100 permettant également de connecter ce deuxième profil de suspension à un autre profil de suspension.
En particulier, ces premiers manchons de connexion supérieur et inférieur 42 , 44 sont configurés pour coopérer respectivement avec les premier et second orifices de connexion 13 , 15 du premier profil de suspension 10 , afin de connecter entre eux lesdits premier et deuxième profils de suspension 10 , 100 . Les premier et deuxième profils de suspension s’étendent alors dans le prolongement l’un de l’autre, tel qu’illustré en . De même, les second manchons de connexion supérieur et inférieur 46 , 48 sont configurés pour coopérer avec les orifices de connexion du quatrième profil de suspension 10’ afin de connecter entre eux lesdits deuxième et quatrième profils de suspension 100 , 10’ . Les deuxième et quatrième profils de suspension s’étendent alors dans le prolongement l’un de l’autre, tel qu’illustré en .
La illustre le troisième profil de suspension 200 , constituant un troisième mode de réalisation d’un profil de suspension selon l’invention. Tout comme le deuxième profil de suspension 100 , ce troisième profil de suspension 200 comprend une portion de suspension 12 s’étendant selon une direction longitudinale Y et une portion de fixation 14 reliées par une portion de liaison 16 . Il comprend également des premier et second manchons supérieurs et inférieurs 42 ,44,46,48 .
Dans la suite, on entend par rugosité l'amplitude maximale crête-à-creux (« peak-to-valley » en anglais) mesurée par microscopie à force atomique (AFM) sur des profils de surfaces comprises entre 1x1 µm 2 et 30x30 µm 2 .
Quant à la défectivité, elle se définit comme étant le nombre de particules déposées sur la surface libre de la plaque, et/ou le nombre de défauts structurels comme des trous ou rayures présents à la surface de la plaque. Ces défauts sont de tailles variées, par exemple comprises entre 60 nm et plusieurs microns. Les défauts peuvent provenir d’impuretés créés par le détachement local du bord irrégulier de la couronne (« jagged edge ») ou encore d’une contamination. On mesure la défectivité à l’aide d’un équipement utilisant une technique de diffusion de la lumière tel que l’équipement SP2 de la société KLA Tencor.
Le procédé vise également à élargir la zone de collage efficace de la deuxième couche transférée de sorte à réduire la largeur de la couronne périphérique du second substrat SOI.
On appelle couronne la région périphérique d’un substrat SOI où le transfert de la couche semi-conductrice monocristalline n’a pas eu lieu. Cette couronne est due au fait que les substrats présentent classiquement un chanfrein périphérique de quelques millimètres de largeur, au niveau duquel un collage du substrat donneur sur le substrat receveur ne peut être assuré. Lors du procédé Smart Cut™, la couche semi-conductrice monocristalline du substrat donneur n’est donc transférée sur le substrat receveur que dans la zone centrale où le collage a eu lieu. Dans certains cas, il peut néanmoins se produire un transfert de zones isolées du substrat donneur dans la couronne. La couronne ne présente alors pas une forme parfaitement circulaire, mais un bord dentelé irrégulier (« jagged edge » selon la dénomination anglaise).
Dans le cas d’une structure double SOI, le problème de couronne irrégulière se produit donc à deux reprises : lors de la fabrication du premier substrat SOI puis lors de la fabrication du second substrat SOI, et a donc une incidence significative sur la largeur utile de la couche semi-conductrice supérieure. Ainsi, si la largeur de la couronne à l’issue du premier transfert de couche est typiquement comprise entre 0,7 mm et 1,5 mm, la largeur de la « double couronne » à l’issue du second transfert de couche est comprise entre 3 mm et 4 mm.
Le procédé de traitement de surface conforme à l’invention est caractérisé en ce qu’il comprend quatre étapes successives, chaque étape étant un traitement de surface connu par ailleurs permettant d’agir sur l’un ou l’autre des paramètres définis ci-dessous.
Toutefois, chacune de ses étapes prises individuellement ne permet pas d’atteindre les performances attendues pour un collage efficace, de bonne qualité de sorte qu’il soit exempt de défauts tels que des trous à l’interface de collage et des couronnes excessivement larges, dans le cadre de la fabrication d’une structure double SOI.
Dans la suite, les différentes étapes du procédé de traitement de surface intermédiaire et leur impact sur la qualité de la surface traitée sont décrites en détails. À titre informatif, des modes de réalisation pour la préparation des structures SOI inférieure et supérieure sont également décrits.
Préparation de la structure SOI inférieure En premier lieu, on prépare la première structure de type semi-conducteur sur isolant ou structure SOI inférieure par un premier transfert d’une couche semi-conductrice monocristalline. Ladite structure est représentée sur la . Ledit premier transfert est réalisé par un procédé Smart Cut TM qui comprend les étapes suivantes : - fourniture d’un premier substrat donneur d’une première couche semi-conductrice monocristalline 2b et d’un substrat support 1,
- formation d’une zone de fragilisation dans ledit premier substrat donneur de sorte à délimiter la première couche semi-conductrice 2b à transférer,
- collage du premier substrat donneur sur le substrat support 1, une première couche électriquement isolante 2a étant à l’interface entre le substrat support 1 et le premier substrat donneur, et
- détachement du premier substrat donneur au niveau de la zone de fragilisation.
Le substrat support 1 se présente sous la forme d’une plaque circulaire d’un matériau semi-conducteur, préférentiellement une plaque de 300 mm de diamètre. Le substrat support est par exemple une plaque de silicium. Le substrat support est préférentiellement une plaque de silicium ultra-plate, qui présente un chanfrein moins large et plus abrupt que sur les plaques conventionnelles
On peut évaluer la largeur du chanfrein de bord des plaques à l’aide de la caractéristique ZDD148 qui correspond à la dérivée seconde du profil de bord de plaque à 2 mm du bord de la plaque, autrement dit à l'inverse du rayon de courbure de ce bord de plaque. Classiquement, le ZDD148 des plaques de silicium de 300 mm de diamètre est compris entre -20 et -200nm/mm². La mesure du ZDD148 est faite à l’aide de l'équipement WAFERSIGHT de la marque KLA TENCOR. Une plaque de silicium dite ultra-plate présente une caractéristique ZDD148 comprise entre 0 à -20nm/mm².
L’utilisation d’une plaque de silicium ultra-plate permet de réduire la largeur de la couronne périphérique.
Le premier substrat donneur est un substrat semi-conducteur monocristallin, par exemple un substrat de silicium monocristallin. Le premier substrat donneur se présente sous la forme d’une plaque qui est généralement de même diamètre que le substrat support.
Un deuxième objet de l’invention est un procédé de fabrication d’une tôle mince d’épaisseur inférieure à 12.7 mm, en alliage d’aluminium dans lequel, successivement a) on élabore un bain de métal liquide de façon à obtenir un alliage d’aluminium comprenant en % en poids, 2,5 à 3,5 % de Cu, 0,7 à 0,9 % de Li, 0,3 à 0,5 % de Mg, 0,2 à 0,5 % de Mn, 0,25 à 0,65 % de Zn, 0,01 à 0,15 % de Ti, 0 à 0,07 % d’Ag, une quantité de Fe et de Si inférieure ou égale à 0,1 % chacun, et des impuretés inévitables à une teneur inférieure ou égale à 0,05% chacune et 0,15% au total, reste aluminium. b) on coule une plaque à partir dudit bain de métal liquide, c) on homogénéise ladite plaque à une température comprise de 480°C à 535 C ; d) on lamine ladite plaque par laminage à chaud et optionnellement à froid en une tôle ayant une épaisseur inférieure à 12,7 mm, de préférence une épaisseur de 0,5 mm à 9 mm ; e) on met en solution à une température comprise de 450 °C à 535 °C et on trempe ladite tôle ; f) on tractionne de façon contrôlée ladite tôle avec une déformation permanente de 0,5 à 5 %, g) on effectue un revenu comprenant un chauffage à une température comprise de 130 à 170°C et de préférence de 150 à 160°C pendant 5 à 100 heures et de préférence de 10 à 60 heures.
Encore un autre objet de l’invention est l’utilisation d’une tôle mince selon l’invention ou obtenue selon le procédé de l’invention pour des éléments de structure de fuselage.
Figures La représente l’évolution de la limite d’élasticité en traction Rp0.2 en fonction de la durée de revenu à 155°C pour différentes tôles selon l’exemple 1.
La représente le compromis Rp0.2-TL - Kapp (T-L) des tôles testées dans les exemples 1 et 3.
La représente le compromis Rp0.2 -TL- Δaeff_max des tôles testées dans les exemples 1 et 3.
Description détaillée de l’invention Sauf mention contraire, toutes les indications concernant la composition chimique des alliages sont exprimées comme un pourcentage en poids basé sur le poids total de l’alliage. La désignation des alliages se fait en conformité avec les règlements de The Aluminium Association, connus de l’homme du métier. Les définitions des états métallurgiques sont indiquées dans la norme européenne EN 515 –2017.
Dans le cadre de la présente invention, on appelle structure granulaire essentiellement non- –recristallisée une structure granulaire telle que le taux de recristallisation à ½ épaisseur est inférieur à 30% et de préférence inférieur à 10% et on appelle structure granulaire essentiellement recristallisée une structure granulaire telle que le taux de recristallisation à ½ épaisseur est supérieur à 70% et de préférence supérieur à 90%. Le taux de recristallisation est défini comme la fraction de surface sur une coupe métallographique occupée par des grains recristallisés. Les tailles de grain sont mesurées selon la norme ASTM E112 -2013.
Sauf mention contraire, les caractéristiques mécaniques statiques, en d’autres termes la résistance à la rupture ultime Rm, la limite d’élasticité en traction R p0,2 et l’allongement à la rupture A, sont déterminées par un essai de traction selon la norme EN 6892-1-2019, l'emplacement auquel les pièces sont prises et leur sens étant définis par la norme EN 485-1-2016.
Une courbe donnant le facteur d’intensité de contrainte effectif en fonction de l’extension de fissure effective, connue comme la courbe R, est déterminée selon la norme ASTM E 561-20. Le facteur d’intensité de contrainte critique KC, en d’autres termes le facteur d’intensité qui rend la fissure instable, est calculé à partir de la courbe R. Le facteur d’intensité de contrainte KC0 est également calculé en attribuant la longueur de fissure initiale au commencement de la charge monotone, à la charge critique. Ces deux valeurs sont calculées pour une éprouvette de la forme requise. Kapp représente le facteur KC0 correspondant à l’éprouvette qui a été utilisée pour effectuer l’essai de courbe R. Keff représente le facteur KC correspondant à l’éprouvette qui a été utilisée pour effectuer l’essai de courbe R. Δaeff_max représente l’extension de fissure du dernier point valide de la courbe R, valide selon la norme ASTM E561-20. Le dernier point valide est obtenu soit au moment de la rupture brutale de l’éprouvette, soit éventuellement au moment où la contrainte sur le ligament non fissuré excède en moyenne la limite d’élasticité du matériau. Sauf mention contraire, la taille de fissure à la fin du stade de pré-fissurage par fatigue est W/3 pour des éprouvettes du type M(T), dans laquelle W est la largeur de l’éprouvette telle que définie dans la norme ASTM E561-20.
Il faut remarquer que la largeur de l’éprouvette utilisée dans un essai de ténacité peut avoir une influence substantielle sur la courbe R mesurée dans l’essai. Les tôles de fuselage étant de grands panneaux, seuls les résultats de ténacité obtenus sur des échantillons suffisamment larges, tels que des échantillons ayant une largeur supérieure ou égale à 400 mm, sont jugés significatifs pour l’évaluation de la ténacité. Pour cette raison, seuls les échantillons d’essai CCT760, qui ont une largeur de 760 mm, ont été utilisés pour l’évaluation de la ténacité. La longueur de fissure initiale est 2ao = 253 mm.
Sauf mention contraire, les définitions de la norme EN 12258 s’appliquent. On appelle ici « élément de structure » ou « élément structural » d’une construction mécanique une pièce mécanique dont la défaillance est susceptible de mettre en danger la sécurité de ladite construction, de ses utilisateurs, de ses usagers ou d’autrui. Pour un avion, ces éléments de structure comprennent les éléments de structure de fuselage. Un élément de structure de fuselage comprend les éléments qui composent le fuselage tels que la peau de fuselage (fuselage skin en anglais), les raidisseurs ou lisses de fuselage (stringers), les cloisons étanches (bulkheads), les cadres de fuselage (circumferential frames).
Par « tôle » ou « tôle mince » utilisés indifféremment dans cette divulgation, on veut dire un produit laminé n’excédant pas 12,7 mm ou 0,5 pouce d'épaisseur. Les tôles selon l’invention ont une épaisseur comprise de 0,5 à 12,7 mm, préférentiellement de 0,5 mm à 9 mm, plus préférentiellement de 1,5 mm à 6 mm.
Selon la présente invention, une classe sélectionnée d’alliages d’aluminium contenant des quantités spécifiques et critiques de cuivre, de lithium, de magnésium, de zinc, de manganèse mais ne contenant essentiellement pas d’argent permet de préparer des tôles minces présentant un compromis amélioré entre ténacité et résistance mécanique, et une valeur de Δaeff_max améliorée correspondant à l’extension de fissure du dernier point valide de la courbe R.
De préférence, la tôle mince d’épaisseur inférieure à 12.7 mm, de structure granulaire essentiellement recristallisée en alliage à base d'aluminium comprenant en % en poids, 2,5 à 3,5 % de Cu, 0,7 à 0,9 % de Li, 0,3 à 0,5 % de Mg, 0,2 à 0,5 % de Mn, 0,25 à 0,65 % de Zn, 0,01 à 0,15 % de Ti, 0 à 0,07 % d’Ag, une quantité de Fe et de Si inférieure ou égale à 0,1 % chacun, et des impuretés inévitables à une teneur inférieure ou égale à 0,05% chacune et 0,15% au total, reste aluminium est à l’état métallurgique T8. Cela signifie que la tôle mince a subi une mise en solution, une déformation à froid et un revenu.
La teneur en cuivre est de 2,5 à 3,5 % en poids. Si la teneur en cuivre est supérieure à 3,5% en poids, il n’est pas possible d’obtenir une ténacité suffisante. Préférentiellement, la teneur en cuivre est au plus de 3,4%, 3,3%, 3,2% ou 3,1%. Si la teneur en cuivre est inférieure à 2,5 % est trop faible. De préférence la teneur en cuivre est au moins de 2,7% ou même au moins de 2,8% en poids afin d’obtenir une résistance mécanique suffisante. Dans une réalisation avantageuse de l’invention, la teneur en cuivre est de 2,8 à 3,1 % en poids.
La teneur en lithium est de 0,7% à 0,9% en poids. Dans une réalisation avantageuse de l’invention, la teneur en lithium est de 0,7% à 0,8%, préférentiellement de 0,70 à 0,80%. L’addition de lithium peut contribuer à l’augmentation de la résistance mécanique et de la ténacité, une teneur trop élevée ou trop faible ne permet pas d’obtenir une valeur élevée de ténacité et/ou une limite d’élasticité suffisante.