INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
De préférence, le mécanisme de secours 50 comprend en outre un organe de rappel élastique 62 du levier 60, par exemple un premier ressort hélicoïdal de torsion. Ce ressort 62 hélicoïdal de torsion comprend une extrémité 62A reliée au levier 60 et une autre extrémité 62B reliée au support 26 de telle sorte que le pivotement du levier 60 dans le sens contraire au sens d’éjection provoque une torsion du ressort 62. Dans l’exemple illustré, le ressort de rappel 62 est relié au support 26 par l’une 62B de ses extrémités par un relief aménagé en saillie 38 sur le support 26 configuré pour permettre la fixation de l’extrémité 62B du ressort de torsion 62 ( ). Par exemple, le relief 38 comprend un corps formant un passage de guidage à travers lequel peut passer l’extrémité 62B du ressort 62, en forme générale de pince de serre-câble.
De préférence, dans la position du levier d’éjection 60 de blocage de la poignée 22, le ressort de rappel 62 exerce un effort de rappel rappelant le levier d’éjection 60 dans sa position d’éjection de la poignée 22. Cette position de blocage peut correspondre de préférence à un état précontraint du ressort de rappel 62. En d’autres termes, dans la position du levier d’éjection 60 correspondant à la position de blocage de la poignée 22, le ressort de rappel 62 exerce un effort sur le levier d’éjection 60 tendant à le faire tourner vers la position d’éjection.
En outre, l’organe 80 de verrouillage est configuré pour retenir le levier d’éjection 60 dans sa position de blocage. De préférence, l’organe 80 est monté pivotant et est configuré pour pivoter selon un sens de déverrouillage de sorte que le levier d’éjection 60 est libéré de sa position de blocage.
Plus précisément, l’organe 80 et le levier 60 sont configurés pour passer, consécutivement à l’action d’enfoncement de la poignée 22, d’une première configuration de verrouillage du mécanisme de secours 50 dans laquelle le levier 60 est retenue dans sa position de blocage (figures 8 à 10) par l’organe 80 vers une deuxième configuration de déverrouillage du mécanisme 50 dans laquelle le levier 60 est dans sa position libérée (figures 11 à 13) et est rappelée vers sa position d’éjection par l’exercice du premier effort de rappel.
En particulier, dans la configuration de verrouillage du mécanisme 50, le levier 60 et l’organe 80 sont en prise d’engagement mutuel à l’encontre du premier effort de rappel du levier 60. Au contraire, dans la configuration de déverrouillage, le levier 60 et l’organe 80 sont désengagés l’un de l’autre de sorte qu’ils peuvent se déplacer librement selon des trajectoires propres. En particulier, l’organe 80, ainsi libéré de son emprise avec le levier 60, peut pivoter librement selon un sens de déverrouillage hors d’une trajectoire décrite par le levier 60 vers sa position d’éjection sous l’effet de son premier effort de rappel.
En outre, selon l’invention, l’organe 80 se déplace, dans cet exemple par pivotement, dans le sens de déverrouillage, par réaction à un effort exercé par le levier 60 sur l’organe 80 consécutivement à l’action d’enfoncement de la poignée 22. En effet, l’action d’enfoncement de la poignée 22 entraîne le levier d’éjection 60 dans un sens d’enfoncement contraire au sens d’éjection. Le déplacement du levier d’éjection 60 a pour effet de transmettre un effort à l’organe 80 ce qui, par réaction à cet effort, induit un déplacement de l’organe 80.
Bien que dans le mode de réalisation préféré de l’invention, l’organe 80 est monté pivotant, d’autres natures de déplacements (translation, translation et rotation, etc..) peuvent être envisagées tout en restant dans le cadre de l’invention.
Dans l’exemple illustré sur les figures, l’organe 80 est monté pivotant à l’encontre d’un deuxième effort de rappel.
A cet effet, le mécanisme de secours 50 comprend par exemple un organe élastique 81 de rappel de l’organe de verrouillage 80 d’une position de blocage du levier 60 vers une position de libération du levier 60, selon le sens de pivotement de déverrouillage.
En variante, le deuxième effort de rappel de l’organe 80 peut être un effort de rappel exercé par la gravité apportée par le poids de l’organe 80. Dans ce cas, l’organe 80 est donc amené à conserver naturellement, par effet de rappel gravitaire, une position stabilisée de rappel gravitaire de libération du levier de blocage 60. Par exemple, l’organe de retenue 60 comprend un centre de gravité décalé par rapport à l’axe de pivotement A2 de l’organe 80, ledit axe de pivotement A2 comprenant essentiellement une composante horizontale. Le deuxième effort de rappel peut être également un effort de rappel par aimantation.
En outre, dans une autre variante non illustrée sur les figures, l’organe 80 peut être monté fou en rotation et être amené à pivoter dans le sens de déverrouillage une fois libéré de l’emprise du levier 60. Ce dernier, lors du désengagement réciproque provoque, par réaction à un effort exercé sur l’organe 80, un déplacement de l’organe 80 selon un sens de déverrouillage hors d’une trajectoire de pivotement du levier 60 qui est rappelé dans sa position d’éjection. Dans ce cas, l’organe 80 est amené à se déplacer dans le sens de déverrouillage par réaction à un effort de contact et/ou de frottement avec le levier 60 lors de leur désengagement mutuel. Il est évident, que dans le cas de cette variante, l’organe 80 peut également être soumis à un effort de rappel par gravité.
Dans les cas décrits ci-dessus, il peut être toutefois souhaitable de prévoir un ressort élastique de rappel de l’organe 80 dans le sens de déverrouillage de sorte que la trajectoire de rappel de l’organe 80 est maîtrisée de façon à limiter, voire supprimer, d’éventuels effets rebonds liés par exemple à une vitesse de déplacement trop élevée.
De préférence, le levier 60 et l’organe 80 sont montés en pivotement dans des plans sensiblement orthogonaux et non parallèles. Par exemple, le levier 60 est monté en pivotement autour d’un axe de rotation A1 sensiblement parallèle à l’axe de rotation 24 de la poignée 22 qui s’étend sensiblement selon la direction Z. L’organe 80 est monté en pivotement autour d’un axe de rotation A2 de direction sensiblement orthogonale à la direction Z, par exemple, s’étendant selon la direction Y.
Comme cela est visible sur la , le mécanisme 50 est monté sur un côté dorsal de la paroi de fond 32 de la cavité 28 du support 26. A cet effet, le côté dorsal de la paroi de fond 32 est pourvu d’éléments d’articulation en pivotement du levier 60 d’une part et de l’organe 80 d’autre part. Ces éléments seront détaillés ci-après dans la présente description.
un rapport pondéral du ou des alcools gras au céramide NP d'environ 0,7:1 à environ 4:1 ((f):(a) ;
Les compositions peuvent en outre comprendre d'autres composants, tels que décrits tout au long de la description, par exemple : (i) un ou plusieurs polymères épaississants ; et/ou (j) un ou plusieurs solvants hydrosolubles ; et/ou (k) un ou plusieurs ingrédients divers. Dans certains modes de réalisation, les compositions peuvent éventuellement comprendre une ou plusieurs silicones, mais de préférence les compositions sont exemptes ou essentiellement exemptes de silicones.
(d) environ 0,5 à environ 5 % en poids d'un ou plusieurs seconds émulsifiants choisi(s) parmi les esters de glycéryle ayant une HLB d'environ 3 à environ 6 ;
Les compositions peuvent en outre comprendre d'autres composants, tels que décrits tout au long de l’invention, par exemple : (i) un ou plusieurs polymères épaississants et/ou (j) un ou plusieurs solvants hydrosolubles et/ou (k) un ou plusieurs ingrédients divers. Dans certains modes de réalisation, les compositions peuvent éventuellement comprendre une ou plusieurs silicones, mais de préférence les compositions sont exemptes ou essentiellement exemptes de silicones.
Selon un mode de réalisation, le composant 401 est un transistor MOS 401, par exemple un transistor NMOS. Le transistor 401 a une de ses bornes de conduction, reliée, de préférence connectée au noeud 400IN, et son autre borne de conduction reliée, de préférence connectée, au noeud 400OUT. La borne de conduction reliée au noeud 400IN est, par exemple, la source du transistor 401, et la borne de conduction reliée au noeud 400OUT est, par exemple, le drain du transistor 401. La borne de grille, ou grille, 401G du transistor NMOS 401 est reliée, de préférence connectée, au module de déclenchement 402. La borne de contact de canal 401BC du transistor 401 est laissée flottante, ou, selon une variante, peut recevoir un potentiel de référence comme la masse ou, selon le circuit, la source si cela permet d'avoir un potentiel inactif. Selon un mode de réalisation, le transistor 401 est un transistor ayant des dimensions lui permettant de conduire les décharges électrostatiques sans être endommagé. Plus précisément, le transistor 401 peut être un transistor de grandes dimensions, c'est-à-dire un transistor ayant une largeur de grille , par exemple, de l'ordre 1000 µm et une longueur de grille, par exemple, de l'ordre de 28 nm. Selon un exemple, le transistor 401 peut être formé d'une multitude de transistors NMOS reliés en parallèle en eux, c'est-à-dire ayant tous leurs sources reliées, de préférence connectées, entre elles, leurs drains reliés, de préférence connectés, entre eux, et leurs grilles reliées, de préférence connectées, entre elles.
Le module de déclenchement 402 est un circuit adapté à détecter la présence d'une décharge électrostatique entre les noeuds 400IN et 400OUT et à rendre le composant 401 passant. Pour cela, le module de déclenchement 402 comprend une borne d'entrée 402IN reliée, de préférence connectée, au noeud 400IN, une borne de sortie 402OUT reliée, de préférence connectée, au noeud 400OUT, et une borne de commande 402COMM reliée, de préférence connectée, au composant 401. Selon un exemple, la borne de commande 402COMM est reliée, de préférence connectée, à la grille du transistor 401. Selon un mode de réalisation, le module de déclenchement 402 est un circuit composé uniquement de transistors. Des exemples détaillés de module de déclenchement 402 sont décrits en relation avec les figures 6, 7 et 8.
Comme décrit précédemment, le circuit écrêteur 400 ne comprend que des transistors.
La représente, de façon plus détaillée, un schéma électrique d'un exemple de réalisation d'un circuit écrêteur 500 du type du circuit écrêteur 400 décrit en relation avec la , dans lequel le module de déclenchement est détaillé.
Le circuit écrêteur 500 comprends des éléments communs avec le circuit écrêteur 400 de la . Dans la suite, ces éléments communs ne seront pas détaillés à nouveau, et seules les différences entre les circuits 400 et 500 seront mis en exergue.
Ainsi, comme le circuit 400 décrit en relation avec la , le circuit 500 comprend : - une borne d'entrée 400IN ; - une borne de sortie 400OUT ; et - un transistor 401.
Le circuit 500 comprend, en outre, un module de déclenchement 502 du type du module de déclenchement 402. Le module de déclenchement 502 est un circuit adapté à détecter la présence d'une décharge électrostatique entre les noeuds 400IN et 400OUT et à rendre le composant 401 passant, et est, plus particulièrement adapté à détecter une décharge de manière "dynamique". Pour cela, le module de déclenchement 502 comprend une borne d'entrée 502IN reliée, de préférence connectée, au noeud 400IN, une borne de sortie 502OUT reliée, de préférence connectée, au noeud 400OUT, et une borne de commande 502COMM reliée, de préférence connectée, au composant 401. Selon un exemple, la borne de commande 502COMM est reliée, de préférence connectée, à la grille 401G du transistor 401.
Le module de déclenchement 502 comprend : - un transistor MOS 503, par exemple un transistor NMOS ; - un transistor MOS 504, par exemple un transistor NMOS, monté en capacité ; et - un transistor MOS 505, par exemple un transistor NMOS, monté en résistance.
Le transistor 503 a une de ses bornes de conduction, reliée, de préférence connectée au noeud d'entrée 502IN, et son autre borne de conduction reliée, de préférence connectée, au noeud 502COMM. La borne de conduction reliée au noeud 502IN est, par exemple, le drain du transistor 503, et son autre borne de conduction reliée au noeud 502COMM est, par exemple, la source du transistor 503. La grille du transistor NMOS 503 est reliée, de préférence connectée, à un noeud A. La borne de contact de canal 503BC du transistor 503 est reliée, de préférence connectée, à la source du transistor 503, c'est-à-dire la borne 502COMM.
Le transistor 504 est monté en capacité entre le noeud 502IN et le noeud A. Pour cela, la grille du transistor 504 est reliée, de préférence connectée, au noeud 502IN, et les deux bornes de conduction et la borne de contact de canal du transistor 504 sont, toutes les trois, reliées entre elles et au noeud A. De cette façon, le transistor 504 est équivalent à un condensateur ayant pour capacité la capacité interne du transistor 504.
Le transistor 505 est monté en résistance entre le noeud A et le noeud 502OUT. Pour cela, le transistor 505 comprend deux bornes de grilles correspondant chacune à une prise de contact sur la région de grille du transistor 505. Cela est décrit plus en détail en relation avec la . Une première borne de grille 505G1 est reliée, de préférence connectée, au noeud A, et une deuxième borne de grille 505G2 est reliée, de préférence connectée, au noeud 502OUT. les deux bornes de conduction et la borne de contact de canal du transistor 505 sont, toutes les trois, reliées entre elles et au noeud 502OUT. De cette façon, le transistor 505 est équivalent à une résistance ayant pour résistance la résistance de la partie de la région de grille du transistor 505 comprise entre les deux prises de contact correspondant aux bornes 505G1 et 505G2, comme cela est décrit en relation avec la .
Le fonctionnement du module de déclenchement 502 est le suivant. Lorsqu'une décharge électrostatique survient au niveau du noeud 400IN, c'est-à-dire quand un pic de potentiel survient au niveau du noeud 400IN, et comme les transistors 504 et 505 forment un circuit de type RC, le potentiel au niveau du noeud A augmente assez pour rendre passant le transistor 503. En devenant passant, le transistor 503 envoie le pic de potentiel sur la grille du transistor 401 ce qui le rend passant et lui permet de conduire le pic de potentiel jusqu'au noeud de sortie 400OUT.
La est une vue de dessus d'un exemple de réalisation du transistor 505 décrit en relation avec la .
Le transistor 505 peut, par exemple, être de forme allongé et comprendre des régions de source 601, de drain 602 et de grille 603 de forme sensiblement rectangulaires. Sur les régions de source 601 et de drain 602 des contacts sont formés, respectivement, un contact de source relié, de préférence connecté, à un noeud 505S, et un contact de drain relié, de préférence connecté, à un noeud 505D. Plusieurs contacts pourraient être formés sur chacune de ses régions et être connectés en eux.
Au moins un premier contact de grille relié, de préférence connecté, au noeud 505G1 et au moins un deuxième contact de grille relié, de préférence connecté, au noeud 505G2 sont formés sur la région de grille 603 du transistor 505. Ces contacts sont espacés l'un de l'autre d'une distance d et ne sont pas reliés entre eux. Lorsque le transistor 505 est monté en résistance, sa résistivité est, entre autres, fonction de la distance d et de la présence (ou non) de siliciure sur la grille, généralement en poly-silicium, du transistor 505 comme décrit précédemment.
La peau humaine agit comme un barrière principale entre le corps et son environnement. Pour cette fonction de barrière de la peau, la matrice lipidique dans la couche la plus externe de la peau (épiderme), la couche cornée (SC), est cruciale. Deux de ses fonctions sont (1) d’empêcher une perte d’eau excessive à travers l’épiderme et (2) d’éviter que des composés de l’environnement pénètrent dans les couches viables de l’épiderme et du derme et provoquent ainsi une réaction immunitaire. La composition de la matrice lipidique SC est dominée par trois classes de lipides : cholestérol, acides gras libres et céramides. Ces lipides adoptent une structure tridimensionnelle hautement ordonnée de couches de lipides denses empilées (lamelles de lipides) : l’organisation latérale et lamellaire des lipides. La manière dont ces lipides sont ordonnés dépend de la composition des lipides. Une maladie de peau très courante dans laquelle la barrière lipidique SC est affectée est la dermatose atopique (AD).
Il est nécessaire, entre autres, de proposer des compositions qui incluent de grandes quantités d’hydroxypropyl tétrahydropyrantriol qui réduisent l’apparition des ridules et des rides, améliorent la production d’acide hyaluronique par le biais de la stimulation de la synthèse des glycosaminoglycanes (GAG), assouplissent la couche cornée pour libérer le stress cumulatif sur l’épiderme et le derme, entre autres bienfaits. Les compositions cosmétiques du présent dossier répondent à ces besoins et réduisent/limitent en outre les effets du vieillissement, empêchent/réduisent la sensibilité et l’inflammation de la peau, et améliorent la luminosité, la douceur et l’aspect global de la peau, et similaire.
Dans un aspect, la présente divulgation a trait, entre autres, à une composition cosmétique stable qui inclut de grandes quantités d’hydroxypropyl tétrahydropyrantriol et à des procédés de stabilisation de grandes quantités d’hydroxypropyl tétrahydropyrantriol dans des compositions cosmétiques. Dans un mode de réalisation, les compositions incluent :
(a) environ 10 à environ 50 % en poids d’hydropropyl tétrahydropyrantriol ;
(b) environ 5 à environ 50 % en poids d’une ou de plusieurs huiles de silicone ;
(c) environ 0,1 à environ 10 % en poids d’un ou de plusieurs élastomères de silicone non émulsifiants ;
(d) environ 0,1 à environ 10 % en poids d’un ou de plusieurs émulsifiants de diméthicone copolyol comprenant au moins un groupe oxyéthylène et au moins un groupe oxypropylène ;
(e) de l’eau ; et
(f) d’environ 0,1 à environ 40 % en poids d’un ou de plusieurs solvants hydrosolubles ;
dans lesquelles la composition est sous la forme d’une émulsion eau dans silicone et l’ensemble des pourcentages en poids sont basés sur le poids total de la composition.
(a) Hydroxypropyl t étra hydropyrantriol
L’hydroxypropyl tétrapyrantriol est un hybride sucre-protéine fabriqué à partir de xylose et peut activer efficacement la synthèse des GAG (glycosamineoglycanes), favoriser la production d’acide hyaluronique, la synthèse de collagène, l’adhésion entre le derme et l’épiderme, la synthèse de composants structurels épidermiques, la régénération de tissu endommagé et le maintien de l’élasticité de la peau.
La quantité d’hydroxypropyl tétrapyrantriol dans les compositions cosmétiques sera variable. Néanmoins, dans un mode de réalisation, la quantité d’hydroxypropyl tétrapyrantriol est d’environ 10 % en poids à environ 50 % en poids sur la base du poids total de la composition. Dans d’autres modes de réalisation, la quantité d’hydroxypropyl tétrapyrantriol dans la composition est d’environ 12 à environ 50 % en poids, d’environ 12 à environ 45 % en poids, d’environ 12 à environ 40 % en poids, d’environ 12 à environ 35 % en poids, d’environ 12 à environ 30 % en poids, d’environ 15 à environ 50 % en poids, d’environ 15 à environ 45 % en poids, d’environ 15 à environ 40 % en poids, d’environ 15 à environ 35 % en poids, d’environ 15 à environ 30 % en poids, d’environ 20 à environ 50 % en poids, d’environ 20 à environ 45 % en poids, d’environ 20 à environ 40 % en poids, d’environ 20 à environ 35 % en poids, d’environ 20 à environ 30 % en poids, d’environ 25 à environ 50 % en poids, d’environ 25 à environ 45 % en poids, d’environ 25 à environ 40 % en poids, d’environ 25 à environ 35 % en poids, d’environ 30 à environ 50 % en poids, d’environ 30 à environ 45 % en poids, d’environ 30 à environ 40 % en poids, sur la base du poids total de la composition cosmétique.
(b) Huile s de silicone
Des exemples non limitatifs de silicones incluent diméthicone, diméthiconol, cyclométhicone, polysilicone-11, phényl triméthicone, triméthylsilylamodiméthicone et stéaroxytriméthylsilane. Dans un mode de réalisation préféré, les une ou plusieurs huiles de silicone sont des huiles de silicone non volatiles. Les huiles de silicone utiles incluent les polydiméthylsiloxanes (PDMSs), les polydiméthylsiloxanes comprenant des groupes alkyle et alcoxy qui sont pendants et/ou à l’extrémité de la chaîne de silicone, lesquels groupes contiennent chacun de 2 à 24 atomes de carbone, ou phényl silicones, tels que phényl triméthicones, phényl diméthicones, phényl(triméthylsiloxy)diphénylsiloxanes, diphényl diméthicones, diphényl(méthyldiphényl)trisiloxanes ou (2-phényléthyl)triméthylsiloxysilicates. D’autres exemples d’huiles de silicone pouvant être mentionnés incluent des silicones volatiles linéaires ou cycliques, telles que celles ayant une viscosité de 8 centistokes (8 x 106 m2/s) et/ou contenant de 2 à 7 atomes de silicone. Ces silicones comprennent éventuellement des groupes alkyle ou alcoxy contenant de 1 à 10 atomes de carbone. Des exemples non limitatifs d’huiles de silicone volatiles incluent octaméthylcyclotétrasiloxane, décaméthylcyclopentasiloxane, dodécaméthylcyclohexasiloxane, heptaméthylhexyltrisiloxane, heptaméthyloctyltrisiloxane, hexaméthyldisiloxane, octaméthyltrisiloxane, décaméthyltétrasiloxane et dodécaméthylpentasiloxane, ou des mélanges de ceux-ci.
Dans un mode de réalisation préféré, les compositions cosmétiques incluent une ou plusieurs huiles de silicone choisies parmi diméthicone, diméthiconol, cyclométhicone, polysilicone-11, phényl triméthicone et amodiméthicone, de préférence, diméthicone.
Dans un exemple, l’obtention d’informations relatives à une modification de ladite politique d’accès intervient à intervalles de temps répétés.
Avec des intervalles de temps répétés de façon régulière, on s’assure que le réseau de communication MNO est régulièrement tenu informé des modifications de la politique d’accès du réseau de communication MEC.
Les intervalles de temps peuvent aussi être répétés de façon sporadiques, si le réseau de communication MNO est informé des modifications de la politique d’accès du réseau de communication MEC uniquement en cas de besoin, ce qui limite les échanges entre le réseau de communication MNO et le réseau de communication MEC.
L’invention concerne en outre un équipement appartenant à un premier réseau de télécommunication comprenant au moins un processeur configuré pour : - recevoir au moins un jeu de paramètres de mise à jour d’une politique d’accès à un deuxième réseau de télécommunication, - mettre à jour une fonction d’acheminement des données mise en œuvre au sein dudit premier réseau au moyen dudit jeu de paramètres de mise à jour reçu.
Un autre objet de l’invention est un équipement appartenant à un premier réseau de télécommunication comprenant au moins un processeur configuré pour : - générer au moins un jeu de paramètres de mise à jour de la politique d’accès audit premier réseau déclenchée par l’obtention d’informations relatives à une modification de ladite politique d’accès, - transmettre, à destination d’un deuxième équipement apparentant à un deuxième réseau de télécommunication, ledit jeu de paramètres de mise à jour de la politique d’accès audit premier réseau.
: cette figure représente de manière simplifiée un système comprenant un réseau de communication radio interagissant avec une architecture de type « edge computing » selon l’état de l’art,
: cette figure représente un système dans lequel la présente solution est mise en œuvre,
: cette figure représente un diagramme des différentes étapes mises en œuvre lors de l’exécution d’un exemple général de déroulement des procédés objets de l’invention,
: cette figure représente un diagramme des différentes étapes mises en œuvre lors de l’exécution d’un premier exemple de déroulement des procédés objets de l’invention,
: cette figure représente un diagramme des différentes étapes mises en œuvre lors de l’exécution d’un deuxième exemple de déroulement des procédés objets de l’invention,