INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Les amplificateurs de classe B présentent une topologie telle que les composants actifs conduisent sur 50% de la période du signal d’entrée lorsqu’un signal d’entrée sinusoïdal est appliqué en entrée. Pour cette classe d’amplificateurs, le courant de repos est nul. Le rendement de ce type d’amplificateur est supérieur aux amplificateurs de classe A, mais les caractéristiques de distorsion du signal de sortie sont nettement dégradées en comparaison des amplificateurs de classe A. Les amplificateurs de classe B produisent ainsi un son de moins bonne qualité. Il est désormais assez rare que des fabricants utilisent cette classe d’amplificateur.
Les amplificateurs de classe AB présentent une topologie telle que les composants actifs conduisent sur 100% de la période du signal d’entrée mais avec un courant de repos faible d’environ 1% du courant de sortie maximal. Ce type d’amplificateur présente une efficacité énergétique supérieure aux amplificateurs de classe A, typiquement comprise entre 30 et 50%, mais une qualité sonore moindre. Les amplificateurs de classe AB sont donc un bon compromis entre performance et rendement énergétique.
Pour les amplificateurs de classe D, une technologie ou les composants actifs sont actionnés comme des commutateurs est utilisée. Le signal est alors converti en modulation de largeur d’impulsion. Ce système permet d’augmenter l’efficacité énergétique à environ 70%. En revanche, le signal de sortie contient plus de bruit et de distorsions et il est difficile de restituer les hautes fréquences avec cette classe d’amplificateurs.
Les amplificateurs de classe G possèdent plusieurs bus d’alimentation et peuvent commuter de l’un à l’autre en fonction de la puissance demandée en sortie. Ceci permet d’augmenter le rendement énergétique en diminuant la puissance dissipée dans les composants actifs.
Cela permet d’injecter par l’entrée soit de l’air si les conditions sont normales, avec une température et/ou une pression, et éventuellement une autre caractéristique, inférieure audit seuil prédéterminé, soit un gaz inerte en cas d’emballement thermique, détecté grâce à la détection par le dispositif de détection du franchissement du seuil prédéterminé pour la température et/ou la pression, et/ou le cas échéant ladite autre caractéristique, telle que bruit, présence de fumée ou d’un gaz.
Dans ce cas, le tuyau de liaison, notamment le raccord en T, est avantageusement muni d’un clapet, notamment d’un clapet anti-retour. Le tuyau de liaison est de préférence relié d’une part à une arrivée d’air et d’autre part à une arrivée de gaz inerte commandée par une électrovanne dont l’ouverture est commandée par le dispositif de commande.
L’arrivée de gaz inerte comporte par exemple un raccord relié à une bonbonne de gaz inerte, le tuyau de liaison, notamment le raccord en T, étant séparé de la bonbonne de gaz inerte par l’électrovanne.
Selon un autre mode de réalisation particulier, le système de refroidissement comporte, dans l’enceinte de la batterie, une tubulure pour la circulation d’un gaz. Dans ce cas, ladite au moins une entrée est avantageusement formée dans ladite tubulure.
Toujours dans ce cas, ladite au moins une entrée est de préférence configurée pour être dans un état fermé lorsque la température et/ou la pression est inférieure à un seuil prédéterminé. Dans un tel cas, il n’y a pas de contact entre le gaz et les cellules. Avantageusement, ladite au moins une entrée est configurée pour être dans un état ouvert lorsque ledit seuil prédéterminé est franchi. Dans ce cas, le gaz inerte vient en contact avec les cellules et l’espace intérieur de l’enceinte, hors de la tubulure.
Ladite au moins une entrée est par exemple réalisée dans une zone de fragilité fermée en deçà dudit seuil prédéterminé et apte à laisser passer dans l’enceinte de la batterie le gaz inerte contenu dans la tubulure lorsque ledit seuil prédéterminé est franchi.
La tubulure peut comporter au moins une portion de tubulure réalisée dans un matériau différent du reste de la tubulure, ladite au moins une portion de tubulure comportant ladite zone de fragilité.
Le matériau de la portion de tubulure comporte par exemple un silicone haute température. La portion de tubulure est alors souple et peut résister à des températures allant par exemple jusqu’à 250°C, voire jusqu’à 300°C.
La zone de fragilité peut être réalisée en un matériau présentant une température de fusion inférieure ou égale à 130°C environ, notamment égale à environ 100°C. Un tel matériau est par exemple choisi dans le groupe constitué par les alliages type métal de Newton Bismuth-Plomb-Etain et les matériaux polymères, tels qu’un polychlorure de vinyle (PVC) ou un acrylonitrile butadiène styrène.
La zone de fragilité peut alternativement être réalisée en un matériau présentant une porosité telle que, lorsque la pression est inférieure au seuil prédéterminé, ladite au moins une entrée soit dans l’état fermé, et, lorsque la pression franchit ledit seuil, ladite au moins une entrée soit dans l’état ouvert, laissant passer le gaz inerte présent dans la tubulure.
L’invention concerne encore un procédé de refroidissement d’un système d’alimentation électrique tel que défini plus haut, comportant l’étape consistant à injecter un gaz inerte à l’intérieur d’une enceinte de la batterie.
Ladite étape peut être mise en œuvre de manière passive, le système étant configuré pour permettre automatiquement l’injection de gaz inerte lorsqu’un seuil prédéterminé de température et/ou de pression est franchi.
En variante ou de manière additionnelle, ladite étape est mise en œuvre de manière active, le système étant alors configuré pour commander l’injection de gaz inerte après détection d’une température et/ou pression et/ou éventuellement d’une autre caractéristique telle qu’un bruit, une présence de fumée ou de gaz, supérieure ou égale à un seuil prédéterminé.
Les atomes de métal diffusés s’étendent dans l’empilement de couches 21, 22 sur une distance comprise entre 100 et 300 nm depuis la couche métallique supérieure externe 9 selon la direction reliant la couche métallique supérieure externe 9, 91 au canal 6.
Aussi, contrairement au grille métallique externe supérieure ou inférieure 50 des TEGFETs de l’état de l’art, les grilles latérales 5 selon l’invention sont en matériau semiconducteur comprenant des atomes de métal diffusés. En outre, les grilles latérales 5 selon l’invention ne sont pas des couches externes mais s’étendent dans la structure du TEGFET 1 selon l’axe d’empilement 8. Ceci a pour avantage d’améliorer la solidité mécanique des grilles. En outre, ceci a également pour avantage d’augmenter considérablement le potentiel appliqué avant d’endommager les grilles. Enfin, cela permet également d’étendre le potentiel appliqué au-delà de la largeur l du ou des canaux 6 et d’obtenir ainsi un effet électrique optimal et homogène sur l’ensemble de la largeur l du gaz d’électrons.
Le drain 3 et la source 4 s’étendent selon l’axe d’empilement 8 depuis, respectivement, la couche métallique supérieure externe 9, 92 et la couche métallique supérieure externe 9, 93 au-delà du canal 6 selon la direction reliant la couche métallique externe supérieure 9, 92 au canal 6 et reliant la couche métallique externe supérieure 9, 93 au canal 6. Les atomes de métal diffusés s’étendent dans l’empilement de couches 21, 22 sur une distance comprise entre 100 et 300 nm depuis, respectivement, la couche métallique supérieure externe 9, 92 et la couche métallique supérieure externe 9, 93 au-delà du canal 6 selon la direction reliant la couche métallique supérieure externe 9, 92 au canal 6 et reliant la couche métallique supérieure externe 9, 93 au canal 6.
La couche métallique supérieure externe 9, 91, 92, 93 ainsi que les atomes de métal diffusés sont un eutectique qui comprend de l’or, du germanium et du nickel.
Selon l’invention, aucune des grilles latérales 5 n’est en contact ni ne présente de partie commune ou d’interface commune avec le canal 6. En outre, le TEGFET 1 comprend un diélectrique 11 disposé entre chacune des grilles latérales 5 et le canal 6. Le diélectrique 11 est, de préférence, agencé sous forme d’un évidement 11. De préférence encore, le diélectrique 11 contenu dans l’évidemment 11 est un gaz. Selon le mode de réalisation non limitatif présenté, le gaz est de l’air. Le gaz peut être de l’azote ou d’autres gaz présentant des propriétés diélectriques.
Chacune de ces caractéristiques, c’est-à-dire (i) l’absence de contact ou de partie commune ou d’interface commune entre les grilles latérales 5 et le canal 6, (ii) la présence d’un diélectrique disposé entre chacune des grilles latérales 5 et (iii) l’agencement du diélectrique sous forme d’évidemment, contribue, individuellement, à augmenter la tension de claquage, diminuer les courant de fuite et améliorer les caractéristiques du TEGFET 1.
Sur les figures 3a) et 3b) sont présentées, à titre d’exemples non limitatifs, deux configurations possibles du TEGFET 1 selon l’invention. Le gaz d’électrons bidimensionnel peut se trouver confiné au niveau : - d’une hétérojonction, illustrée sur la figure 3a), ou - d’un puit quantique, illustré sur la figure 3b). Dans le cas d’une hétérojonction, le canal 6 se trouve à l’interface entre deux couches 21, 22 de semiconducteurs différents. Dans ce cas, les semiconducteurs constituant les couches 21, 22 présentent une largeur de bande interdite, dit gap, différente, mais appartiennent au même groupe. Le canal 6 est donc situé dans une couche de semiconducteur, ici la couche 22, dans laquelle les électrons du gaz bidimensionnel sont confinés et accolés à l’interface de l’hétérojonction. Dans le cas d’un puit quantique, le canal 6 est situé dans la couche 24 d’un semiconducteur à petit gap, par exemple un gap inférieur à 1 électronvolt (eV), déposée entre deux couches 23, 25 d’un même semiconducteur à grand gap, par exemple un gap supérieur à 1 eV.
Le plan de canal est parallèle au plan selon lequel s’étend l’interface de l’hétérojonction ou de la couche 24 du semiconducteur à petit gap dans le cas du puit quantique.
Sur la est présentée une configuration dans laquelle le TEGFET 1 comprend plusieurs canaux 6. Selon le mode de réalisation présenté, le TEGFET 1 comprend 3 canaux 6. Les canaux sont superposés selon l’axe d’empilement 8. Les plans de canal de chacun des canaux 6 sont parallèles entre eux. Cette configuration est rendue possible par l’utilisation des grilles latérales 5 selon l’invention. Cette configuration a pour effet de permettre l’augmentation de la densité de courant.
Sur la est présentée une configuration dans laquelle une des grilles latérales du TEGFET 1 est électriquement connectée à la source 4.. Dans cette configuration, une des grilles latérales 5 et la source 4 sont physiquement reliées par l’empilement de couches 21, 22 et par la couche métallique externe supérieure 9, 91, 93. La source 4 et la grille latérale 5 connectée à la source 4 sont donc au même potentiel. En outre, les atomes de métal diffusés s’étendent dans la partie de l’empilement de couches 21, 22 reliant la grille latérale 5 connectée à la source 4 et la source 4.
En référence à la , il est également décrit un procédé de fabrication d’un TEGFET 1 selon l’invention. Le procédé de fabrication comprend une unique étape de recuit pour former, simultanément en une même étape, l’ensemble des contacts ohmiques du TEGFET 1. Il s’agit des contacts ohmiques entre : - la couche de métal externe supérieure 9, 92 du drain 3, et - la couche de métal externe supérieure 9, 93 de la source 4, et - la couche de métal externe supérieure 9, 91 de chacune des grilles 5.
Chacune des couches métalliques externe supérieure 9, 91, 92, 93 est destinée à former un contact électrique par lesquels le TEGFET 1 sera connecté à une alimentation externe.
Préalablement à l’étape de recuit, le procédé peut comprendre le dépôt, par exemple par évaporation, des couches de métal 9, 91, 92, 93 sur la surface externe supérieure respectivement du drain 3, de la source 4 et des grilles latérales 5.
La température de recuit est comprise entre 300 et 450 °C. La durée de l’étape de recuit est comprise entre 10 secondes et 3 minutes.
L’étape de recuit induit la diffusion ou a pour effet de faire diffuser les atomes de métal depuis chacune des couches de métal externe supérieure 9, 91, 92, 93 à l’intérieur de la couche de semiconducteur 21. De préférence, le temps et la température de recuit sont choisies pour que les atomes de métal diffusent depuis chacune des couches de métal 9, 91, 92, 93 à l’intérieur de couches 21, 22 de semiconducteurs.
L’étape de recuit a pour effet de former un contact ohmique entre les couches de métal externes supérieures 9, 91, 92, 93 et le drain 3, la source 4 et, en particulier, les grilles latérales 5.
Il est généralement admis que la formule Math 2 correspond à l’inverse du rapport de démultiplication. Ainsi dans la suite de la description, on considère que le rapport de démultiplication est calculé avec la formule Math 1.
Selon l’invention, le rapport de démultiplication dépend de la vitesse véhicule. Cela permet d’assurer une bonne maniabilité à faible vitesse en déterminant un rapport de démultiplication faible, et une bonne contrôlabilité à vitesse élevée avec un rapport de démultiplication important.
Selon l’invention, le rapport de démultiplication dépend également de l’angle volant. Ainsi, le rapport de démultiplication est adapté en fonction de l’angle volant de sorte que la position crémaillère limite supérieure corresponde à un unique angle volant limite supérieur. Autrement dit, quelle que soit la vitesse du véhicule, l’angle volant varie sur une plage dont une borne supérieure est l’angle volant limite supérieur.
De cette façon, lorsque le conducteur tourne le volant de sorte à positionner le volant selon l’angle volant limite supérieur, et donc la crémaillère à la position crémaillère limite supérieure, une diminution ou une augmentation de la vitesse véhicule ne modifie pas le ressenti conducteur. Autrement dit, le volant reste positionné suivant l’angle volant limite supérieur. Il n’y a donc pas l’effet d’avalement du volant, ou de rappel tel que dans l’état de l’art. Enfin lors d’une perte d’adhérence dans un sur-virage, il est aisé de trouver un angle volant de contre-braquage adapté.
Selon un mode de réalisation, le système de direction assistée est de type « steer-by-wire » ou de type mécanique à démultiplication variable.
Ainsi, il est aisé de mettre en œuvre un rapport de démultiplication variable.
Selon un mode de réalisation, l’angle volant limite supérieur est compris entre :
Et [Math 4]
Où : X csup est la position crémaillère limite supérieure.
Selon un mode de réalisation, l’étape de définition comprend, pour une vitesse véhicule considérée:
Une phase de détermination d’une variation limite dans laquelle la variation limite du rapport de démultiplication en fonction de l’angle volant est déterminée de sorte à garantir une contrôlabilité du véhicule en dessous de cette variation limite ; Une phase de détermination d’un angle volant d’adhérence dans laquelle l’angle volant d’adhérence, correspondant à l’angle volant au-dessus duquel le véhicule ne présente plus de contrôlabilité, est déterminé ; Une phase de caractérisation dans laquelle le rapport de démultiplication est défini de sorte qu’en dessous de l’angle volant d’adhérence, la variation du rapport de démultiplication soit inférieure ou égale à la variation limite.
L’étape de définition comprend, pour chaque valeur de vitesse véhicule, la phase de détermination d’une variation limite, la phase de détermination d’un angle volant d’adhérence et la phase de caractérisation. En effet, la variation limite et l’angle volant d’adhérence dépendent notamment de la vitesse véhicule.
On comprendra par coopération mécanique de la fiche avec la prise le fait que la fiche s’enfiche dans la prise et reste mécaniquement liée à la prise par exemple au moyen d’un système de clips, ou de vis, ou encore par simple adhérence.
On comprendra par coopération électrique entre la fiche et la prise le fait que, si la fiche est enfichée dans la prise, la fiche et la prise forment un connecteur électrique apte à conduire un courant entre la fiche et la prise, notamment par exemple entre le faisceau et le dispositif électrique.
On comprendra par manchon, une pièce présentant une paroi délimitant un espace sensiblement tubulaire et d’une longueur prédéterminée. Par exemple, ce manchon établit une jonction mécanique entre le carter et le faisceau. Par exemple cet espace tubulaire est agencé pour loger totalement la partie saillante de la prise, et optionnellement une partie voire la totalité de la fiche électrique.
On comprendra par emmanchement en force, le fait que le manchon doive se déformer élastiquement au moins provisoirement pendant l’opération d’emmanchement.
Ainsi ce manchon entoure la prise tout en étant solidement maintenue sur le carter de sorte qu’en cas de choc, ce manchon ne s’arrache pas du carter. Ce manchon n’a plus besoin d’insert ou de vis, ce qui lui permet de garder son élasticité sur toute sa surface exposée aux chocs. La déformation élastique du manchon absorbe les chocs et, même si la prise électrique est détruite, les morceaux de cette prise électrique restent en place, enfermés dans le manchon.
Selon un mode de réalisation de l’invention, le manchon est en outre emmanché en force sur la prise électrique, ce qui permet de maintenir plus efficacement les morceaux de la prise les uns contre les autres, après choc.
Selon un mode de réalisation de l’invention, le manchon est collé sur la protubérance, ce qui renforce son adhérence au carter et évite son arrachement en cas de choc.
Selon un mode de réalisation de l’invention, le manchon comprend un tronçon s’étendant dans une direction opposée à la première extrémité et en saillie de la prise électrique, ce tronçon étant propre à recevoir la fiche électrique.
Ainsi la fiche électrique bénéficie également de la protection totale ou partielle du manchon, ce qui donne les mêmes avantages à la fiche électrique et à la prise électrique, c’est-à-dire au connecteur tout entier.
Avantageusement la fiche sera emmanchée en force dans ce tronçon, ce qui apporte par exemple une amélioration de l’étanchéité du connecteur, et renforce la coopération mécanique entre la prise et la fiche électrique.
Selon un mode de réalisation de l’invention, ce tronçon est fendu sur sa longueur, notamment par une unique fente, ce qui permet d’augmenter l’élasticité du tronçon et donc de diminuer l’effort nécessaire pour enficher la fiche dans la prise et dans le tronçon, tout en gardant une protection contre les chocs pour la fiche électrique grâce à la présence du tronçon du manchon.
Selon un mode de réalisation de l’invention, le manchon est constitué du matériau élastomère.
Selon un mode de réalisation de l’invention, le manchon comprend une nervure s’étendant radialement vers l’extérieur du manchon.
Préférentiellement, cette nervure est disposée sur une face radialement opposée à la fente du tronçon, ou à l’unique fente du tronçon, cette face étant la plus résistante au chocs car non fendue.
Cette nervure a pour effet de pouvoir se déformer très facilement contre un obstacle, plus facilement que l’épaisseur de la paroi du manchon qui porte la nervure. Ainsi cela augmente l’amortissement du choc, par exemple à l’endroit précis de l’impact contre le manchon.
Selon un mode de réalisation de l’invention, le manchon a une épaisseur minimale de 5mm, ce qui est optimal pour une application dans le domaine des véhicules automobiles.
Procédé de détection de danger dans l’environnement d’un véhicule automobile Domaine technique de l'invention La présente invention concerne de manière générale les aides à la conduite de véhicules automobiles.
Elle concerne plus particulièrement un procédé de détection d’un danger dans l’environnement d’un véhicule automobile.
Elle concerne aussi un procédé de pilotage d’un véhicule permettant d’éviter un tel danger de façon autonome.
Elle concerne également un véhicule automobile équipé d’un calculateur adapté à mettre en œuvre un tel procédé.
Etat de la technique Dans un souci de sécurisation des véhicules automobiles, on équipe actuellement ces derniers de systèmes d’aide à la conduite voire de systèmes de conduite hautement automatisés.
On connaît également les systèmes d’évitement automatique (plus connu sous l’abréviation AES, de l’anglais « Automatic Evasive Steering » ou « Automatic Emergency Steering ») qui permettent d’éviter l’obstacle en déviant le véhicule de sa trajectoire, en agissant sur la direction du véhicule.
Pour que ces fonctions soient efficaces et ne s’activent qu’en cas de besoin, il convient de décrypter de façon fiable l’environnement du véhicule automobile.
Un paramètre généralement utilisé à cet effet est appelé durée-avant-collision (ou en anglais, « Time-to-collision TTC »). Ce paramètre, dont la valeur est calculée pour chaque objet détecté dans l’environnement du véhicule, permet de déterminer dans combien de temps il est possible que le véhicule vienne percuter cet objet. Si cette durée-avant-collision passe sous un seuil prédéterminé, il convient alors d’activer l’une ou l’autre des deux fonctions précitées.
Le calcul de cette durée-avant-collision s’avère alors particulièrement important. Il est donc réalisé en boucle, à pas de temps réduit (par exemple tous les 40 ms).
Le calcul de la valeur de la durée-avant-collision peut être réalisé de diverses manières. L’idée est de calculer une approximation de cette durée afin de minimiser la charge de calcul requise. En effet, les valeurs de durée-avant-collision doivent être calculées pour tous les objets en moins de 40 ms.
Le calcul peut alors par exemple être réalisé en simplifiant le comportement dynamique des objets détectés et du véhicule automobile (c’est-à-dire par exemple en considérant que chaque objet détecté évolue à vitesse constante).
Toujours pour minimiser la charge de calcul requise, le calcul de l’évolution prévisionnelle de la trajectoire du véhicule automobile et de chaque objet détecté est réalisé sur une période de temps restreinte, par exemple de 4 secondes, avec un pas d’échantillonnage réduit, par exemple de 0,1 seconde.
En résumé, le temps de calcul total des durées-avant-collision dépend du nombre d’objets détectés, du modèle employé, du pas d’échantillonnage utilisé et de la période de temps considérée.
Les fonctionnalités AEB et AES étant par nature critique, la réactivité s’avère primordiale.
Il est donc courant de d’embarquer dans chaque véhicule un calculateur ayant une grande puissance de calcul afin de s’assurer que ce critère de réactivité soit toujours satisfait.
Dans ce mode de réalisation, on mémorise les estimations de biais au moment où il est déterminé que la différence en valeur absolue entre la première voie de mesure ul et la deuxième voie de mesure est supérieure au seuil β, afin de disposer d’une référence. On détermine alors le signe de la comparaison .
Si le signe est positif, un signal de sélection est émis permettant de choisi la deuxième mesure u X comme mesure sélectionnée u S .
Si le signe est négatif, un signal de sélection est émis permettant de choisi la première mesure u L comme mesure sélectionnée u S .
Dans un deuxième mode de réalisation alternatif, le système de commande selon l’invention permet de comparer l’évolution de la variance ou de l’écart-type des deux biais pour éviter que des effets de dispersion ne masquent la défaillance des capteurs spécifiques.
Comme présenté ci-dessus, les estimations des biais comprennent une erreur de modélisation commune. A l’imprécision près des mesures des capteurs spécifiques redondés 3ia,3ib, l’évolution de la variance (ou écart-type) des deux estimations de biais est donc quasi-identique. Par conséquent, si l’évolution de la variance (ou écart-type) d’une des deux estimations de biais est bien plus rapide que celle de l’autre estimation de biais, c’est que la mesure associée à cette estimation de biais subit une dérive. La voie de mesure correspondant est donc en panne.