Procédé de fabrication d’une structure de type double semi-conducteur sur isolant comportant les étapes suivantes : - fourniture d’un premier substrat donneur et d’un substrat support (1), - formation d’une zone de fragilisation dans ledit premier substrat donneur de sorte à délimiter une première couche semi-conductrice à transférer (2b), - collage du premier substrat donneur sur le substrat support (1), une première couche électriquement isolante (2a) étant à l’interface entre le substrat support (1) et le premier substrat donneur, et détachement du premier substrat donneur au niveau de la zone de fragilisation, de sorte à obtenir une structure de type semi-conducteur sur isolant comprenant, de la face arrière vers la face avant, le substrat support (1), la première couche électriquement isolante (2a) et la première couche semi-conductrice transférée (2b), - traitement de la surface libre de la première couche semi-conductrice transférée (2b), - fourniture d’un second substrat donneur d’une deuxième couche semi-conductrice à transférer (3b), - transfert de ladite deuxième couche semi-conductrice (3b) sur la face avant de la structure de type semi-conducteur sur isolant, une deuxième couche électriquement isolante (3a) étant à l’interface entre la première couche semi-conductrice transférée (2b) et le second substrat donneur, dans lequel le traitement de la surface de la première couche semi-conductrice transférée (2b) comprend les étapes successives suivantes : (E1) un recuit thermique rapide, (E2) une séquence incluant une oxydation thermique suivie d’une désoxydation, (E3) un traitement thermique de lissage à une température supérieure à 1000 °C dans une atmosphère non oxydante, (E4) un polissage mécano-chimique. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l’étape (E3) de traitement thermique de lissage est un recuit thermique de longue durée réalisé à une température comprise entre 1050 °C et 1250 °C pendant quelques minutes à quelques heures sous une atmosphère d’Argon ou d’Hydrogène pur ou en mélange. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l’étape (E3) de traitement thermique est un recuit thermique rapide. Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce que l’étape (E3) de recuit thermique rapide est réalisée à une température comprise entre 1100°C et 1250°C pendant quelques secondes à une centaine de secondes, sous une atmosphère comprenant de l’Argon ou de l’Hydrogène pur ou en mélange. Procédé selon l’une des revendications 1 à 4 caractérisé en ce que l’étape (E1) de recuit thermique rapide est réalisée à une température comprise entre 1100°C et 1250°C pendant quelques secondes à une centaine de secondes, sous une atmosphère comprenant de l’Argon ou de l’Hydrogène pur ou en mélange. Procédé selon l’une des revendications 1 à 5 caractérisé en ce que l’opération d’oxydation thermique de l’étape (E2) est menée à une température comprise entre 800°C et 1100°C sous atmosphère comprenant de l’oxygène ou de la vapeur d’eau pendant quelques minutes à quelques heures. Procédé selon l’une des revendications 1 à 6 caractérisé en ce que l’opération de désoxydation de l’étape (E2) est menée en exposant la surface à traiter à une solution d’acide fluorhydrique. Procédé selon l’une des revendications 1 à 7 caractérisé en ce que le substrat support (1) et chaque substrat donneur se présente sous la forme d’une plaque de 300 mm de diamètre. Procédé selon l’une des revendications 1 à 8 caractérisé en ce que la zone de fragilisation dans le premier substrat donneur est formée par implantation d’atomes d’hydrogène. Procédé selon l’une des revendications 1 à 9 caractérisé en ce que le transfert de ladite deuxième couche semi-conductrice (3b) comprend : - la formation d’une zone de fragilisation dans le deuxième substrat donneur de sorte à délimiter une deuxième couche semi-conductrice à transférer (3b), - le collage du deuxième substrat donneur sur la face avant de la structure de type semi-conducteur sur isolant, une deuxième couche électriquement isolante (3a) étant à l’interface entre la face avant de la structure de type semi-conducteur sur isolant et le premier substrat donneur, - le détachement du deuxième substrat donneur au niveau de la zone de fragilisation, de sorte à obtenir une structure de type double semi-conducteur sur isolant comprenant, de la face arrière vers la face avant, le substrat support (1), la première couche électriquement isolante (2a), la première couche semi-conductrice transférée (2b), la deuxième couche électriquement isolante (3a) et la deuxième couche semi-conductrice transférée (3b). Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce que la zone de fragilisation dans le deuxième substrat donneur est formée par implantation d’atomes d’hydrogène. Procédé selon l’une des revendications 1 à 11, caractérisé en ce que la deuxième couche électriquement isolante (3a) est formée par oxydation de la face avant de la première couche semi-conductrice transférée (2b), de sorte que, lors du transfert de la deuxième couche semi-conductrice (3b), ladite première couche électriquement isolante (3a) s’intercale entre la première couche semi-conductrice (2b) et la deuxième couche semi-conductrice (3b), ladite étape supplémentaire d’oxydation étant mise en œuvre après le traitement de la surface libre de la première couche semi-conductrice (2b). Procédé selon l’une des revendications 1 à 11, caractérisé en ce que la deuxième couche électriquement isolante (3a) est formée par oxydation d’une partie du second substrat donneur, de sorte que, lors du transfert de la deuxième couche semi-conductrice (3b), ladite première couche électriquement isolante (3a) soit également transférée et s’intercale entre la première couche semi-conductrice (2b) et ladite deuxième couche semi-conductrice (3b). Procédé selon l’une des revendications 1 à 13, caractérisé en ce que la première couche électriquement isolante (2a) est formée par oxydation de la face avant du substrat support (1) préalablement au collage du premier substrat donneur sur le substrat support de sorte que ladite première couche électriquement isolante (2a) s’intercale entre le substrat support (1) et la première couche semi-conductrice transférée (2a). Procédé selon l’une des revendications 1 à 13 caractérisé en ce que la première couche électriquement isolante (2a) est formée par oxydation d’une partie du premier substrat donneur préalablement au collage dudit premier substrat donneur sur le substrat support (1) par sa face oxydée de sorte que ladite première couche électriquement isolante (2a) s’intercale entre le substrat support (1) et la première couche semi-conductrice transférée (2b).