INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
deux pignons de commande étant montés chacun sur l’une respective des tiges de commande et en engrènement direct avec la roue de commande, et le châssis portant, pour chaque tige de commande, un trou taraudé dans lequel est vissée une partie filetée de la tige de commande, le sens du filetage de la partie filetée et du trou taraudé pour une tige de commande d’une paire étant l’inverse du sens du filetage de la partie filetée et du trou taraudé pour l’autre tige de commande de ladite paire, ce par quoi une rotation d’une roue de commande conduit à des mouvements de translation antagonistes des deux tiges de commande d’une même paire.
Par conséquent, les moyens de commande d’inclinaison selon la présente invention sont capables de faire basculer de manière synchronisée les deux hélices et autour de l’axe de roulis et/ou de l’axe de tangage par une commande mécanique positive au niveau de chaque tige d’une même paire, ce qui assure une commande plus fiable que la solution selon l’art antérieur : la latence mécanique lors de la commande est évitée, les jeux sont réduits et les efforts entre les deux tiges d’une même paire sont équilibrés. Il en résulte une commande tout à la fois simplifiée, plus fiable et plus robuste, tout en facilitant les opérations de montage, de maintenance et de réparation.
Avantageusement, les tiges de commande sont au nombre de quatre et décalées angulairement les unes des autres de 90°.
Avantageusement, chaque tige de commande comprend la partie filetée et une partie lisse, le pignon de commande respectif est monté entre la partie filetée et la partie lisse, et chaque partie lisse s’étend à travers un trou lisse de guidage en translation porté par le châssis.
Avantageusement, chaque roue de commande est dentée seulement sur deux secteurs diamétralement opposés et dimensionnés chacun pour que l’engrènement avec le pignon de commande respectif soit maintenu sur toute la course de translation de la tige de commande respective, par exemple l’épaisseur des pignons de commande étant à cet effet supérieure à celle de la roue de commande.
Avantageusement, les deux roues de commande sont empilées l’une sur l’autre, avec une couche de matériau antifriction interposé entre elles.
Avantageusement, chaque anneau porte-pales porte un plateau contre lequel les tiges de commande sont en contact, chaque plateau étant relié à l’anneau porte-pales respectif par un roulement permettant de désolidariser en rotation le plateau et l’anneau porte-pales respectif.
Avantageusement, les moyens moteurs servant à faire tourner une roue de commande se situent à l’intérieur du châssis, entre ladite roue de commande et l’hélice associée.
Selon un mode de réalisation particulier de la présente invention, le châssis est divisé en deux boîtiers aptes à être assemblés l’un à l’autre, chaque boîtier étant associé à une hélice respective et portant les moyens d’entraînement, pour entraîner en rotation ladite hélice, et la liaison rotule à doigt respective, chaque boîtier portant également une roue de commande et les trous à travers chacun desquels est engagé une tige de commande respective. Tous lesdits trous taraudés peuvent être portés par l’un des boîtiers et l’autre boîtier pourra porter, le cas échéant, tous lesdits trous lisses, ou bien les trous taraudés et les trous lisses peuvent être répartis équitablement sur les deux boîtiers.
Avantageusement, chaque boîtier comprend une plaque de fond à partir de laquelle s’étend, sur un côté de la plaque de fond, une paroi latérale circonférentielle définissant des logements dans lesquels sont ménagés des trous taraudés ou, le cas échéant, des trous lisses ou les deux.
Ce type de système mécanique de véhicule automobile peut être illustré par la . Dans l’exemple illustré, le système mécanique comprend deux arbres à cames CM1, CM2 connectés à un vilebrequin CK ainsi que des actionneurs de distribution variable VTA1, VTA2 associés respectivement à l’arbre à cames CM1 et CM2, dans un agencement connu en lui-même.
Chaque cible d’arbre à cames est un disque muni de dents irrégulièrement espacées sur sa circonférence, mais sur lequel il est possible de trouver une distance fixe de 720°divisé par le nombre de cylindres entre deux changements de niveaux de dents (consécutifs ou pas), par exemple 240° pour un moteur à 3 cylindres, ou 180° pour un moteur à 4 cylindres.
L'invention comporte tout d’abord, pour chaque arbre à came associé lui-même à un actionneur respectif, une étape d'apprentissage de la position des dents de la cible d'arbres à cames, et une étape de détermination de l’état stable ou non de chacun de l’actionneur de distribution variable correspondant VTA1, respectivement VTA2.
On parle d’un état stable, lorsque l’actionneur est dans une position stable de consigne pendant un temps donné (position verrouillée ou moins de +/-1° de la consigne pour un temps donné de par exemple 5s).
En référence à la , on pourra parler d’un module d’apprentissage de position M1 pour des positions de dents d’arbres à cames CM1, CM2, et d’une étape d’apprentissage de position LP1 correspondante. On peut en outre définir un module d’estimation de décalage M2 (décalage par rapport à une position de consigne), ou en d’autres termes un module d’estimation de stabilité de chaque actionneur. De la même manière, on peut définir une étape d’estimation de décalage ST (décalage par rapport à une position de consigne), ou en d’autres termes une étape d’estimation de stabilité de chaque actionneur.
Dans chaque apprentissage, la moyenne d’un décalage pour toutes les dents est calculée pour chaque arbre à cames CM1, CM2 (moyenne des acquisitions pour chaque dent).
En particulier, dans le cas où chaque actionneur de distribution variable VTA1, VTA2 situé dans la position stable de consigne pendant un temps donné, un module de comparaison d’apprentissages M2a détermine si un nouvel apprentissage des positions de dents de la cible de l’arbre à cames correspondant est décalé par rapport à un ancien apprentissage desdites positions, d’un angle de décalage supérieur à un angle de saut de chaîne.
En référence à la , on peut définir une étape NL1 pour ces comparaisons et différences. L’étape NL1 est exécutée par le module de comparaison d’apprentissages M2a pour déterminer si le nouvel apprentissage de position est décalé par rapport à l’ancien apprentissage de position. L’étape NL1 résulte d’une issue affirmative à l’étape ST.
Selon que la différence survient sur : La valeur adaptative d’un premier arbre à cames CM1 uniquement : cela signifie que le saut de chaîne s'est produit sur une dent du premier arbre à cames CM1. La valeur adaptative d’un deuxième arbre à cames CM2 uniquement : cela signifie que le saut de chaîne s'est produit sur une dent du deuxième arbre à cames CM2. A la fois sur les valeurs adaptatives des premier et deuxième arbres à cames CM1, CM2 : cela signifie que le saut de chaîne s'est produit sur une dent du vilebrequin CK.
Selon différents modes de réalisation, l'invention propose une composition cosmétique, sous la forme d'une émulsion crémeuse ayant une phase aqueuse interne dans une phase huileuse, l'émulsion crémeuse ayant
v. de l'eau et
vi. éventuellement un ou plusieurs additifs.
Dans divers modes de réalisation, la composition exclut les filtres anti-UV minéraux et organiques. Et dans divers modes de réalisation, l'émulsion crémeuse présente une rupture et une libération de la phase aqueuse lors de l'application par frottement de la composition sur un substrat, et la composition présente une stabilité à des températures dans une plage d'environ 5°C à environ 45°C pendant une période de huit semaines et dans des conditions de gel-dégel allant d'environ -20°C à environ 25°C, la stabilité étant mise en évidence par l'absence de séparation des phases eau et huile en l'absence de frottement sur un substrat.
Dans certains modes de réalisation, ledit au moins un ester de polyglycéryle est choisi dans le groupe constitué par le diisostéarate de polyglycéryle-4/polyhydroxystéarate/sébacate, le polyglycéryl-6 polyricinoléate, le polyglycéryl-3 diisostéarate, le polyglycéryl-2 oléate, le polyglycéryl-10 laurate, le dilinoléate de dimère de diisostéaroyle polyglycéryl-3 oléate (et) de polyglycéryl-3, le polyglycéryl-4 isostéarate et leurs combinaisons. Dans certains modes de réalisation, l'acide glutamique, ou un dérivé de ce dernier est choisi dans le groupe constitué par le diacétate de glutamate tétrasodique, l'acide lauroyl glutamique, l'acide myristoyl glutamique, l'acide palmitoyl glutamique, l'acide stéaroyl glutamique, l'acide béhénoyl glutamique, l'acide olivoyl glutamique, l'acide cocoyl glutamique, leurs sels et leurs combinaisons. Dans certains modes de réalisation, ladite au moins une huile est choisie dans le groupe constitué par le beurre de Butyrospermum Parkii (karité), la cire de Copernicia Cerifera (Carnauba), l'huile de Persea Gratissima (avocat), le squalane et leurs combinaisons. Dans certains modes de réalisation, ledit au moins un glycol ou diol cosmétiquement acceptable est choisi dans le groupe constitué par le propanediol, l'éthylène glycol, le propylène glycol, le butylène glycol, le pentylène glycol, l'hexylène glycol, le décylène glycol, le 1,2-butanediol, le 1,2-hexanediol, le caprylylglycol, l'éthylhexanediol et leurs combinaisons.
Dans certains modes de réalisation, ledit au moins un ester de polyglycéryle, est présent à raison d'environ 0,01 % à environ 2 %, en poids de la composition ;
Dans certains modes de réalisation, l'acide glutamique, ou un dérivé de ce dernier est présent à raison d'environ 0,1 % à environ 1,5 % en poids de la composition. Dans certains modes de réalisation, l'acide glutamique ou un dérivé de ce dernier peut être en phase huileuse ou en phase aqueuse. Dans les modes de réalisation dans lesquels l'acide glutamique comprend du diacétate de glutamate tétrasodique, le diacétate de glutamate tétrasodique est en phase aqueuse.
Dans certains modes de réalisation, ledit au moins un glycol ou diol cosmétiquement acceptable est présent à raison d'environ 0,01 % à environ 10 % en poids de la composition.
Dans certains modes de réalisation, ledit au moins un ester de polyglycéryle, est présent à raison d'environ 0,1 % à environ 23 %, en poids de la composition ;
Dans certains modes de réalisation, le glycol ou le diol cosmétiquement acceptable est présent en une quantité dans une plage d'environ 0,01 % à environ 10 %, en poids de la composition, de sorte que sous une contrainte d'application donnée lorsque la composition est frottée sur un substrat, l'émulsion crémeuse présente une rupture et une libération de la phase aqueuse plus rapidement au fur et à mesure que la quantité de glycol ou de diol cosmétiquement acceptable est augmentée dans la plage.
Dans certains modes de réalisation, l'eau, ou l'eau et un agent hydratant à base d'eau ou un solvant ou une combinaison de ces derniers est présente d'environ 75 % à environ 95 % en poids de la composition, et dans laquelle, lorsqu'il est présent, ledit au moins un agent hydratant est présent d'environ 1 % à environ 20 % en poids de la composition.
Dans certains modes de réalisation, la composition est une émulsion eau-dans-huile comprenant (a) une phase aqueuse qui comprend l'eau, ou de l'eau et un agent hydratant à base d'eau ou un solvant ou une combinaison de ceux-ci, et ledit au moins un glycol ou diol, la phase aqueuse présente dans une plage d'environ 75 % à environ 95 % en poids, sur la base du poids de la composition, et (b) une phase huileuse comprenant ledit au moins un ester de polyglycéryle, dans certains modes de réalisation l'acide glutamique, ou un dérivé de celui-ci, et ladite au moins une huile. Dans certains modes de réalisation, la composition a un rapport du poids total de la phase aqueuse au poids total dudit au moins un ester de polyglycéryle allant d'environ 45 à environ 70. Dans certains modes de réalisation, l'acide glutamique ou un dérivé de ce dernier peut être en phase huileuse ou en phase aqueuse Dans les modes de réalisation dans lesquels l'acide glutamique comprend du diacétate de glutamate tétrasodique, le diacétate de glutamate tétrasodique est en phase aqueuse.
Ensuite, un premier cycle de calcul 500 est déclenché. Le cycle 500 comprend une première étape 501 consistant à sélectionner la première cellule mémoire CM A , la troisième cellule mémoire CM OR et la quatrième cellule mémoire CM XNOR en mettant à l’état passant leurs transistors de sélection T1. La seconde étape 502 du cycle 500 consiste à réaliser simultanément :
l’application d’une deuxième tension de lecture positive VSL 1a sur le premier nœud d’entrée/sortie SL 1a de la première cellule mémoire CM A ;
l’application d’une troisième tension de lecture négative VSL 2a sur le premier nœud d’entrée/sortie SL 2a de la troisième cellule mémoire CM OR ;
et l’application d’une quatrième tension de lecture positive VSL 3 a sur le premier nœud d’entrée/sortie SL 3 a de la quatrième cellule mémoire CM XNOR ;
La valeur absolue de la deuxième tension de lecture positive VSL 1a est sensiblement égale à celle de la troisième tension de lecture négative VSL 2a . Avantageusement, la valeur absolue de la deuxième tension de lecture positive VSL 1a est légèrement supérieure à celle de la troisième tension de lecture négative VSL 2a . La différence en valeur absolue entre VSL 1a et VSL 2a est comprise entre 0% et 40% de la valeur absolue de la troisième tension de lecture VSL 2a. Plus particulièrement, la différence en valeur absolue entre VSL 1a et VSL 2a est comprise entre 25% et 35% de la valeur absolue de la troisième tension de lecture VSL 2a. . D’autre part, l’amplitude quatrième tension de lecture positive VSL 3a est strictement inférieure au second seuil de tension V res et pour passer d’un état résistif bas à un état résistif haut. Trois cas sont possibles pour cette configuration :
Dans le premier cas, on considère que la première cellule CM A est à un état résistif bas (A=1) et la troisième cellule CM OR est à un état résistif bas (A OR B=1). La première cellule mémoire CM A est assimilable à un interrupteur à l’état passant. La deuxième tension de lecture positive VSL 1a est propagée vers le second nœud d’entrée /sortie BL de la quatrième cellule mémoire CM XNOR par l’intermédiaire de la ligne d’interconnexion commune BL 1a . De même, la troisième cellule mémoire CM OR est assimilable à un interrupteur à l’état passant. La troisième tension de lecture négative VSL 2 a est propagée vers le second nœud d’entrée /sortie BL de la quatrième cellule mémoire CM XNOR par l’intermédiaire de la ligne d’interconnexion commune BL 1a . Par application de la loi des mailles, le nœud BL de la quatrième cellule CM XNOR présente un potentiel égal à la somme algébrique de VSL 2a et VSL 1a qui de quelques mV. On obtient ainsi l’équation suivante : Ainsi, la quatrième cellule mémoire CM XNOR voit la tension suivante à ces bornes : avec La quatrième cellule mémoire CM XNOR est soumise ainsi à une tension V XNOR négative à ses bornes. L’amplitude de la tension négative V XNOR n’est pas suffisamment élevée pour dépasser le second seuil de tension V reset pour passer d’un état résistif bas à un état résistif haut. Ainsi, la quatrième cellule mémoire CM XNO R reste à un état résistif bas (x=1) lorsque (A=1) et (A OR B=1).
Dans le second cas, on considère que la première cellule CM A est à un état résistif haut (A=0) et la troisième cellule CM OR est à un état résistif haut (A OR B=0). Aucune des tensions de lecture VSL 2a et VSL 1a n’est propagée au nœud BL de la quatrième cellule mémoire CM XNOR . La quatrième cellule mémoire CM XNOR reste ainsi à son état résistif initial. La quatrième cellule mémoire CM XNOR reste à un état résistif bas (x=1) lorsque (A=0) et (A OR B=0).
Dans le troisième cas, on considère que la première cellule CM A est à un état résistif haut (A=0) et la troisième cellule CM OR est à un état résistif bas (A OR B=1). La première cellule mémoire CM A est assimilable à un interrupteur à l’état bloquant. La deuxième tension de lecture positive VSL 1a n’est pas propagée vers le second nœud d’entrée /sortie BL de la quatrième cellule mémoire CM XNOR . De même, la troisième cellule mémoire CM OR est assimilable à un interrupteur à l’état passant. La troisième tension de lecture négative VSL 2a est propagée vers le second nœud d’entrée /sortie BL de la quatrième cellule mémoire CM XNOR par l’intermédiaire de la ligne d’interconnexion commune BL 1a . On obtient ainsi l’équation suivante : Ainsi, la quatrième cellule mémoire CM XNOR voit la tension suivante à ces bornes : avec La troisième cellule mémoire CM OR est soumise ainsi à une tension V XNOR négative à ses bornes. L’amplitude de la tension négative V XNOR est suffisamment élevée pour dépasser le second seuil de tension V reset . Ainsi, la quatrième cellule mémoire CM XNOR passe d’un état résistif bas à un état résistif haut (x=0) lorsque (A=0) et (A OR B=1).
Ensuite, un deuxième cycle de calcul 600 est déclenché. Le cycle 600 est une réitération du cycle 500 mais en sélectionnant la deuxième cellule mémoire CM B contenant la seconde donnée d’entrée B à la place de la première cellule mémoire CM A . Ainsi, par le même mécanisme décrit dans le premier cycle 600, on obtient les trois cas suivants : la quatrième cellule mémoire CM XNOR passe d’un état résistif bas à un état résistif haut (x=0) lorsque (B=0) et (A OR B=1), sinon la quatrième cellule mémoire CM XNOR reste à un état résistif bas (x=1).
On obtient ainsi, par la séquence d’étapes précédente, la fonction logique suivante : la quatrième cellule mémoire CM XNO R passe à un état résistif bas (x=1) si et seulement si la première et la deuxième cellule mémoire CM B, CM A présentent des états résistifs opposés (A=0 et B=1 ou A=1 et B=0). Cela correspond à la fonction logique A XNOR B comme illustré dans la table logique de la .
A titre d’exemple, pour une technologie de mémoire résistive déterminée, le premier seuil de tension V set est égale à 1,8V et le deuxième seuil de tension V reset est égal à 2V. La deuxième tension de lecture VSL 1a est égale à 1V. La troisième tension de lecture VSL 2a est égale à -0,75V. La quatrième tension de lecture VSL 3 a est égale à 1,5V. Les tensions de lecture VSL 1a, VSL 2a et VSL 3a sont sous forme d’impulsions rectangulaires avec une durée de 100ns à titre d’exemple.
Avantageusement, la tension de sélection VWL 3 ,1 appliquée sur la grille du transistor T1 de la quatrième cellule mémoire CM XNOR est inférieure à la tension d’alimentation générale VDD. Cela permet de limiter le courant à travers la cellule mémoire lors d’une transition. Ainsi, on protège la cellule mémoire du risque de détérioration due à la présence des courants forts lors d’une modification de son état résistif.
De plus, il est possible de réaliser la fonction logique (A ET B) en utilisant le groupe élémentaire de cellules mémoires selon le premier mode de réalisation. La illustre les étapes pour réaliser l’opération logique (A ET B) avec le groupe élémentaire de cellules mémoires selon le premier mode de réalisation l’invention. Dans cette illustration, la troisième cellule mémoire est destinée à stocker le résultat de l’opération logique (A ET B) et elle est dénommée C AND au lieu de C OR . La connexion entre les trois cellules mémoires reste inchangée par rapport à la .
La première étape 100’ consiste à initialiser la troisième cellule CM AND à un état résistif bas correspondant à un état logique haut x=1.
Ensuite, un premier cycle de calcul 200’ est déclenché. Le cycle 200’ comprend une première étape 201’ consistant à sélectionner la première cellule mémoire CM A et la troisième cellule mémoire CM AND en mettant à l’état passant leurs transistors de sélection T1. La seconde étape 202’ du cycle 200 consiste à appliquer une première tension de lecture VSL 1a positive sur le premier nœud d’entrée/sortie SL 1a de la première cellule mémoire et appliquer une deuxième tension de lecture VSL 2a positive sur le troisième nœud d’entrée/sortie SL 2a de la troisième cellule mémoire CM AND .
L’amplitude de la première tension de lecture VSL 1a est strictement inférieure au second seuil de tension V reset pour passer d’un état résistif bas à un état résistif haut. Cela assure la préservation de l’état résistif de la première cellule mémoire CM A contenant la première donnée d’entrée. L’amplitude de la deuxième tension de lecture VSL 2a est strictement supérieure au second seuil de tension V reset pour passer d’un état résistif bas à un état résistif haut. Deux cas de figures sont possibles pour cette configuration :
Brève description des figures La description se réfère aux figures annexées qui sont aussi données à titre d’exemples de réalisation non limitatifs de l’invention : la montre une vue en perspective d’un patin de friction de l’art antérieur ; la montre un assemblage dans un même plan de plusieurs patins de friction comme montré à la ; la montre un disque de friction en vue de face ; la montre un premier patin de friction ; la montre l’assemblage dans un même plan de plusieurs premiers patins de friction tels que représentés à la ; la montre un deuxième patin de friction ; la montre l’assemblage dans un même plan de plusieurs deuxièmes patins de friction tels que représentés à la ; la illustre un procédé de découpage des premiers patins de friction tels que représentés à la ; la montre une bande de matériau de friction perforée dans laquelle les premiers patins de friction tels que représentés à la sont découpés.
Description détaillée d’un mode de réalisation Comme indiqué ci-dessus, les embrayages multidisques comprennent un empilement axial de disques de friction intercalés entre des plateaux métalliques et dont les faces principales sont substantiellement lisses. Un disque de friction 10 est illustré à la .
Comme montré à la , le disque de friction 10 comprend un disque support 11 de forme annulaire présentant deux faces principales 12, et une garniture de friction 13 fixée sur chacune desdites faces principales 12. La garniture de friction 13 est délimitée par un bord extérieur 14 et un bord intérieur 15 inscrits dans la surface annulaire de la face principale 12 du disque de friction 10. Le disque support 11 présente des cannelures 16 au niveau du bord intérieur 15 afin d’être relié en rotation à une noix d’embrayage [non représentée].
La garniture de friction 13 présente une forme généralement annulaire présentant un diamètre extérieur 5 de 139,5mm et un diamètre intérieur 3 de 100,7mm. Elle est constituée d’un matériau de friction du type papier qui peut être monocouche ou bicouche et qui comprend des matériaux réactifs organiques combinés à des charges. Le matériau réactif organique peut être choisi parmi les résines thermodurcissables, les résines élastomères et leurs mélanges. De préférence, la résine est choisie parmi les résines phénoliques, époxy, mélamine, formaldéhyde et leurs mélanges. Avantageusement, la résine est une résine phénolique.
Les charges sont choisies parmi les charges organiques, inorganiques, fibres et leurs mélanges. De préférence, les charges organiques et inorganiques sont choisies parmi les métaux, les plastiques, les céramiques, le verre et leurs mélanges. De préférence, les charges organiques sont choisies parmi le graphite, le noir de carbone, le caoutchouc NBR, i.e. caoutchouc nitrile-butadiène, la noix de cajou, le charbon actif, les terres de diatomées et leurs mélanges. Les charges inorganiques sont choisies parmi les sulfures métalliques, le sulfate de baryum et leurs mélanges.