Procédé de fabrication d’un composant émetteur de rayonnement à partir d’un substrat (1) de carbure de silicium cristallin, le procédé comprenant : /1/ dans une surface (S) du substrat (1), déterminer au moins une portion de ladite surface qui est destinée à constituer, lors d’une utilisation du composant, une fenêtre (W) de sortie vers l’extérieur du substrat du rayonnement (R) en provenance de l’intérieur dudit substrat ; et /2/ pendant que le substrat (1) possède une température inférieure à 200°C, implanter des ions dans le substrat, à travers la portion de la surface (S) dudit substrat qui est destinée à constituer la fenêtre (W) de sortie du rayonnement (R), avec des valeurs de dose d’implantation ionique et d’énergie d’implantation ionique qui sont adaptées pour produire une amorphisation du substrat dans un volume (VS) situé sous ladite surface du substrat. Procédé selon la revendication 1, suivant lequel, à l’étape /2/, les valeurs de dose d’implantation ionique et d’énergie d’implantation ionique sont sélectionnées pour produire une amorphisation du substrat (1) entre la surface (S) dudit substrat et une valeur de profondeur (P) comprise entre 0,2 µm et 1 µm, mesurée à partir de ladite surface du substrat. Procédé selon la revendication 1 ou 2 suivant lequel, à l’étape /2/, la valeur de dose d’implantation ionique est comprise entre 10 14 et 10 16 ions par cm 2 , et la valeur d’énergie d’implantation ionique est comprise entre 20 keV et 800 keV. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes suivant lequel, à l’étape /2/, les ions sont implantés dans le substrat (1), à travers la portion de la surface (S) dudit substrat qui est destinée à constituer la fenêtre (W) de sortie du rayonnement, avec un premier couple de valeurs pour la dose d’implantation ionique et l’énergie d’implantation ionique, et avec un second couple de valeurs pour ladite dose d’implantation ionique et ladite énergie d’implantation ionique, le premier couple de valeurs étant adapté pour doper au moins une partie d’une diode électroluminescente située dans le substrat, à une profondeur (P) mesurée à partir de la surface du substrat qui est supérieure à une épaisseur du volume (VS) d’amorphisation, ladite épaisseur étant mesurée perpendiculairement à la surface du substrat, et le second couple de valeurs étant adapté pour produire l’amorphisation du substrat dans le volume (VS) situé sous la surface dudit substrat. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, comprenant en outre l’étape suivante, effectuée après l’étape /2/ : /3/ appliquer un traitement thermique au substrat (1), ledit traitement thermique produisant une activation d’un dopage du substrat par les ions implantés. Procédé selon la revendication 5, suivant lequel le traitement thermique de l’étape /3/ est réalisé à pression atmosphérique, sous argon, avec une température comprise entre 800°C et 1900°C, de préférence entre 1600°C et 1800°C, pendant une durée inférieure à 1 heure. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, suivant lequel le substrat (1) de carbure de silicium est monocristallin avant l’étape /2/. Composant émetteur de rayonnement, comprenant un substrat (1) de carbure de silicium cristallin, ledit substrat ayant une surface (S) et possédant une première valeur de densité de matériau dans un volume (VS) situé sous une portion de ladite surface qui est destinée à constituer, lors d’une utilisation du composant, une fenêtre (W) de sortie vers l’extérieur du substrat pour du rayonnement (R) en provenance de l’intérieur dudit substrat, ladite première valeur de densité de matériau étant inférieure à une seconde valeur de densité de matériau qui est effective dans le substrat à une profondeur supérieure à une épaisseur du volume correspondant à la première valeur du matériau, la profondeur et l’épaisseur étant mesurées perpendiculairement à la surface du substrat, la profondeur étant mesurée à partir de ladite surface du substrat. Composant selon la revendication 8, dans lequel un quotient de la première valeur de densité de matériau sur la seconde valeur de densité de matériau est inférieur à 0,95, de préférence inférieur à 0,90. Composant selon la revendication 8 ou 9, dans lequel le substrat (1) de carbure de silicium est monocristallin, au moins en dehors du volume (VS) correspondant à la première valeur de densité de matériau. Composant selon l’une quelconque des revendications 8 à 10, formant un émetteur à centre coloré ou une diode électroluminescente, situé(e) dans le substrat (1), et tel que lors de l’utilisation dudit composant, le rayonnement (R) soit émis par le centre coloré ou par la diode électroluminescente et traverse la fenêtre (W) de sortie, ledit centre coloré ou ladite diode électroluminescente étant située sous la surface (S) du substrat à une profondeur (P) qui est supérieure ou égale à l’épaisseur du volume (VS) correspondant à la première valeur de densité de matériau.