INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Cette différence d’efforts internes dans les couches de chaque côté de la plaquette semiconductrice peut engendrer un bombage de la plaquette semiconductrice et des fissures peuvent apparaître sur la couche située du côté de la face principale arrière.
Le risque d’engendrer un bombage de la plaquette semiconductrice et des fissures est d’autant plus important lorsque la plaquette semiconductrice présente un diamètre élevé, par exemple supérieur à 200 millimètres.
La machine utilisée pour réaliser le dispositif semiconducteur peut alors ne pas reconnaître la plaquette semiconductrice du fait de sa surface bombée. En outre, les fissures peuvent entraîner une dispersion dans la machine du matériau de la couche déposée. Cette dispersion de matériau contamine alors la machine qui est adaptée pour fonctionner sous vide. Pour rétablir le vide, la machine effectue une décontamination qui induit une suspension temporaire de la fabrication des circuits intégrés. Une telle suspension temporaire de la fabrication des circuits intégrés entraîne alors une augmentation du coût de fabrication des circuits intégrés.
Il existe donc un besoin de proposer une solution pour de tels procédés de fabrication permettant d’éviter un bombage de la plaquette semiconductrice ainsi qu’une apparition de fissures sur les couches déposées.
Selon un aspect, il est proposé un procédé de fabrication d’un dispositif semiconducteur comportant : - une obtention d’une plaquette de substrat semiconducteur présentant une face principale avant et une face principale arrière, - une formation d’une première couche d’un premier matériau sur chaque face principale de la plaquette de substrat semiconducteur, - une formation d’une pluralité de tranchées en surface de la première couche formée sur la face principale avant, - une formation d’une deuxième couche d’un second matériau sur chaque première couche, de sorte qu’une deuxième couche avant de second matériau s’étend sur la première couche formée sur la face principal avant de la plaquette de substrat semiconducteur, dans les tranchées et entre les tranchées de la première couche et qu’une deuxième couche arrière de second matériau s’étend sur la première couche formée sur la face principale arrière de la plaquette de substrat semiconducteur.
Le procédé comprend en outre, avant la formation desdites deuxièmes couches de second matériau, une formation de tranchées sur la première couche de premier matériau formée sur la face principale arrière de la plaquette de substrat semiconducteur, de sorte qu’après la formation desdites deuxièmes couches de second matériau la deuxième couche arrière de second matériau s’étend sur la première couche formée sur la face principale arrière dans les tranchées et entre les tranchées de cette première couche.
En d’autres termes, dans un tel procédé de fabrication, un damasquinage est effectué du côté de la face principale avant de la plaquette semiconductrice ainsi que du côté de la face principale arrière de la plaquette semiconductrice.
Le damasquinage du côté de la face principale arrière permet d’obtenir des tranchées utilisées pour réduire les contraintes internes de la deuxième couche formée de ce même côté.
De la sorte, la différence entre les contraintes internes de la deuxième couche formée du côté de la face principale avant et celles de la deuxième couche formée du côté de la face principale arrière est réduit.
La réduction de cette différence permet de réduire un risque de bomber la plaquette semiconductrice et d’apparition de fissures sur les deuxièmes couches, et permet donc d’éviter un risque de contamination d’une machine utilisée pour fabriquer le dispositif semiconducteur.
Un tel procédé améliore, voire permet, la formation d’une deuxième couche répartie selon un motif prédéterminé sur une plaquette semiconductrice de diamètre important, par exemple supérieur à 200 millimètres, notamment de l’ordre de 300 millimètres, et permet donc ainsi d’utiliser des plaquettes semiconductrices pouvant contenir un plus grand nombre de circuits intégrés.
De préférence, les deuxièmes couches sont formées simultanément par dépôt chimique en phase vapeur à basse pression.
Avantageusement, les premières couches sont formées par oxydation de la plaquette de substrat semiconducteur.
Selon un mode de mise en œuvre, une étape d’aplanissement est effectuée de chaque côté de la plaquette de substrat semiconducteur de façon à retirer une épaisseur des deuxièmes couches de sorte que ces deuxièmes couches s’étendent uniquement dans les tranchées formées dans les premières couches.
Selon un mode de mise en œuvre avantageux, l’étape d’aplanissement est une étape de polissage mécano-chimique.
Selon un mode de mise en œuvre, ledit premier matériau et ledit second matériau sont choisis pour qu’au moins une des tranchées remplies de second matériau du côté de la face principale avant de la plaquette de substrat semiconducteur forme au moins un guide d’onde.
- un deuxième espace d’alimentation relié au deuxième canal et étant formé entre le premier joint et le deuxième joint, le deuxième espace d’alimentation étant distinct du premier espace d’alimentation, le deuxième espace d’alimentation étant apte à permettre une connexion entre le deuxième canal et une deuxième entrée de l’arbre de la machine électrique tournante pour le passage du fluide de refroidissement.
Un tel carter comprenant un deuxième canal et un deuxième espace alimentation permet d’alimenter en fluide de refroidissement un arbre comprenant un circuit de refroidissement. Par exemple le fluide de refroidissement entre dans le circuit de refroidissement de l’arbre par la première entrée de l’arbre et sort du circuit de refroidissement de l’arbre par la deuxième entrée de l’arbre. Il est ainsi possible d’améliorer plus encore le refroidissement de l’arbre.
Selon une caractéristique supplémentaire de l’invention, le deuxième espace d’alimentation est séparé du premier espace d’alimentation par une paroi de séparation formée dans la première paroi latérale ou la deuxième paroi interne.
Une telle séparation permet de favoriser le passage du fluide dans le circuit de refroidissement de l’arbre en limitant le passage direct du fluide de refroidissement entre le premier espace d’alimentation et le deuxième espace d’alimentation.
Selon une caractéristique supplémentaire de l’invention, le carter comprend :
- une bague interne apte à recevoir, notamment par emmanchement à force, un stator de la machine électrique tournante,
- une bague externe radialement à l’extérieur de la bague interne et formant avec la bague interne une chambre de refroidissement apte à recevoir le fluide de refroidissement.
Une telle chambre de refroidissement permet d’améliorer le refroidissement de la machine électrique tournante et en particulier le refroidissement du stator.
Selon une caractéristique supplémentaire de l’invention, la chambre de refroidissement comprend ;
- une entrée apte à permettre l’entrée du fluide de refroidissement dans la chambre de refroidissement,
- une sortie apte à permettre la sortie du fluide de refroidissement de la chambre de refroidissement,
- un premier muret s’étendant d’une première extrémité axiale de la chambre de refroidissement à une deuxième extrémité axiale de la chambre de refroidissement,
l’entrée et la sortie débouchant de part et d’autre du premier muret, le premier muret permettant de favoriser une circulation circonférentielle du fluide dans la chambre de refroidissement,
le premier canal débouchant dans la chambre de refroidissement au niveau d’une première section de liaison, circonférentiellement d’un premier côté du premier muret, et le deuxième canal débouchant dans la chambre de refroidissement au niveau d’une deuxième section de liaison, circonférentiellement d’un deuxième côté du premier muret opposé au premier côté.
Une telle disposition comprenant un premier muret permet de s’assurer d’une bonne circulation du fluide de refroidissement d’une part dans la chambre de refroidissement mais également dans le premier canal et le deuxième canal et donc dans l’arbre. Le muret permet de limiter ou d’éviter un passage direct de l’entrée vers la sortie du fluide de refroidissement. Le refroidissement de la machine électrique tournante est ainsi amélioré. Le refroidissement du stator grâce à la chambre de refroidissement et le refroidissement du flasque d’extrémité et de l’arbre sont réalisés dans deux circuits parallèles. En conséquence seule une quantité limitée du fluide qui circule dans la chambre de refroidissement pour refroidir le stator, circule également dans le premier canal et dans l’arbre pour refroidir le flasque et l’arbre.
Selon une caractéristique supplémentaire de l’invention, un premier angle, autour de l’axe de rotation, entre l’entrée et le premier côté du premier muret est inférieur à 25% d’une première étendue angulaire de la chambre de refroidissement entre le premier côté du premier muret et le deuxième côté du premier muret autour de l’axe de rotation, et dans lequel un deuxième angle, autour de l’axe de rotation, entre la première section de liaison et le premier côté du premier muret est inférieur à 25% de la première étendue angulaire, et dans lequel un troisième angle, autour de l’axe de rotation, entre la sortie et le deuxième côté du premier muret est inférieur à 25% de la première étendue angulaire, et dans lequel un quatrième angle, autour de l’axe de rotation, entre la deuxième section de liaison et le deuxième côté du premier muret est inférieur à 25% de la première étendue angulaire.
Dans certains modes de réalisation, la composition comprend de l’acide citrique en une quantité d’au moins environ 0,5 %, d’au moins environ 0,6 %, d’au moins environ 0,7 %, d’au moins environ 0,8 %, d’au moins environ 0,9 %, ou d’au moins environ 1 % en poids, par rapport au poids total de la composition. Par exemple, dans divers modes de réalisation, la composition comprend de l’acide citrique en une quantité allant d’environ 0,5 % à environ 5 %, d’environ 0,5 % à environ 4 %, d’environ 0,5 % à environ 3 %, d’environ 0,5 % à environ 2 %, d’environ 0,6 % à environ 5 %, d’environ 0,6 % à environ 4 %, d’environ 0,6 % à environ 3 %, d’environ 0,6 % à environ 2 %, d’environ 0,7 % à environ 5 %, d’environ 0,7 % à environ 4 %, d’environ 0,7 % à environ 3 %, d’environ 0,7 % à environ 2 %, d’environ 0,8 % à environ 5 %, d’environ 0,8 % à environ 4 %, d’environ 0,8 % à environ 3 %, d’environ 0,8 % à environ 2 %, d’environ 0,9 % à environ 5 %, d’environ 0,9 % à environ 4 %, d’environ 0,9 % à environ 3 %, d’environ 0,9 % à environ 2 %, d’environ 1 % à environ 5 %, d’environ 1 % à environ 4 %, d’environ 1 % à environ 3 %, ou d’environ 1 % à environ 2 % en poids, par rapport au poids total de la composition.
Panthénol Les compositions capillaires incluent du panthénol. Le panthénol est un analogue alcool de l’acide pantothénique, de structure suivante :
Le panthénol est également appelé provitamine B5, qui n’est convertie en vitamine B5 qu’après s’être liée à d’autres molécules. Le panthénol peut se lier aux fibres kératineuses, même après que les fibres kératineuses ont été lavées ou rincées.
Dans certains modes de réalisation, la composition comprend du panthénol en une quantité d’au moins environ 0,1 %, de préférence d’au moins environ 0,25 %, de manière davantage préférée d’au moins environ 0,5 %, de manière encore davantage préférée d’au moins environ 0,75 %, de manière davantage préférée d’au moins environ 1 % en poids, par rapport au poids total de la composition. Dans d’autres modes de réalisation, les compositions comprennent du panthénol en une quantité d’au moins environ 0,5 %, au moins environ 0,6 %, au moins environ 0,7 %, au moins environ 0,8 %, au moins environ 0,9 %, ou au moins environ 1 % en poids, par rapport au poids total de la composition. Par exemple, dans divers modes de réalisation, la composition comprend du panthénol en une quantité allant d’environ 0,5 % à environ 5 %, d’environ 0,5 % à environ 4 %, d’environ 0,5 % à environ 3 %, d’environ 0,5 % à environ 2 %, d’environ 0,6 % à environ 5 %, d’environ 0,6 % à environ 4 %, d’environ 0,6 % à environ 3 %, d’environ 0,6 % à environ 2 %, d’environ 0,7 % à environ 5 %, d’environ 0,7 % à environ 4 %, d’environ 0,7 % à environ 3 %, d’environ 0,7 % à environ 2 %, d’environ 0,8 % à environ 5 %, d’environ 0,8 % à environ 4 %, d’environ 0,8 % à environ 3 %, d’environ 0,8 % à environ 2 %, d’environ 0,9 % à environ 5 %, d’environ 0,9 % à environ 4 %, d’environ 0,9 % à environ 3 %, d’environ 0,9 % à environ 2 %, d’environ 1 % à environ 5 %, d’environ 1 % à environ 4 %, d’environ 1 % à environ 3 %, ou d’environ 1 % à environ 2 % en poids, par rapport au poids total de la composition.
Dans certains modes de réalisation, il peut être particulièrement avantageux d’inclure des acides carboxyliques et du panthénol dans des compositions selon la divulgation dans un certain rapport pondéral, qui ensemble peuvent fournir des bénéfices synergiques surprenants et inattendus de renforcement des cheveux. Par exemple, dans des modes de réalisation préférés, la quantité totale d’acides carboxyliques et de panthénol est présente dans la composition dans un rapport pondéral d’environ 1:5 à environ 5:1, tel qu’environ 1:4 à environ 4:1 ou environ 1:3 à environ 3:1, ou de préférence environ 1:2,5 à environ 2,5:1, de manière davantage préférée environ 1:2 à environ 2:1, de manière encore davantage préférée environ 1:1,5 à environ 1,5:1, de manière préférée entre toutes environ 1:1.
Agent neutralisant Les compositions selon la présente divulgation comprennent au moins un agent neutralisant. Dans le présent document, les termes « agent neutralisant », « neutralisateur » et leurs variations se réfèrent à un agent basifiant utilisé pour neutraliser le au moins un acide carboxylique compris dans les compositions, afin de maintenir le pH des compositions dans une plage d’environ 3 à environ 10.
Dans divers modes de réalisation, la quantité de l’au moins un neutralisant peut varier, mais est typiquement présente en une quantité nécessaire pour maintenir le pH de la composition dans une plage d’environ 3 à environ 10, de préférence d’environ 4 à environ 9, de manière davantage préférée d’environ 5 à environ 8, de manière encore davantage préférée d’environ 5 à environ 7 ou d’environ 5 à environ 6,5, de manière préférée entre toutes d’environ 5,3 à environ 6,3. Par exemple, dans certains modes de réalisation, le au moins un neutralisant peut être présent en une quantité allant d’environ 0,01 % à environ 5 %, d’environ 0,01 % à environ 4 %, d’environ 0,01 % à environ 3 %, d’environ 0,01 % à environ 2 %, d’environ 0,01 % à environ 1 %, d’environ 0,05 % à environ 5 %, d’environ 0,05 % à environ 4 %, d’environ 0,05 % à environ 3 %, d’environ 0,05 % à environ 2 %, d’environ 0,05 % à environ 1 %, d’environ 0,1 % à environ 5 %, d’environ 0,1 % à environ 4 %, d’environ 0,1 % à environ 3 %, d’environ 0,1 % à environ 2 %, d’environ 0,1 % à environ 1 %, d’environ 0,5 % à environ 5 %, d’environ 0,5 % à environ 4 %, d’environ 0,5 % à environ 3 %, d’environ 0,5 % à environ 2 %, ou d’environ 0,5 % à environ 1 % en poids, par rapport au poids total de la composition.
Dans certains modes de réalisation, le neutralisant comprend, consiste essentiellement ou consiste en de l’hydroxyde de sodium, et est présent en une quantité d’au moins environ 0,1 %, au moins environ 0,2 %, au moins environ 0,3 %, au moins environ 0,4 %, ou au moins environ 0,5 % en poids, par rapport au poids total de la composition, par exemple environ 0,1 % à environ 1 %, environ 0,2 % à environ 1 %, environ 0,3 % à environ 1 %, environ 0,4 % à environ 1 %, ou environ 0,5 % à environ 1 %.
Tensioactifs Dans divers modes de réalisation, les compositions de traitement des cheveux comprennent au moins un tensioactif choisi parmi les tensioactifs amphotères, les tensioactifs anioniques, les tensioactifs cationiques, les tensioactifs non ioniques, leurs sels, ou leurs mélanges. Dans certains modes de réalisation, la quantité totale d’un ou de plusieurs tensioactifs, quel que soit le ou les types de tensioactifs, peut varier. Néanmoins, lorsqu’ils sont présents, une quantité typique de tensioactifs totaux se situe typiquement entre environ 0,1 % et environ 40 % en poids, par rapport au poids total de la composition. Par exemple, dans certains cas, la quantité totale de tensioactifs est comprise entre environ 0,1 % et environ 35 %, environ 0,1 % et environ 30 %, environ 0,1 % et environ 25 %, environ 0,1 % et environ 20 %, environ 0,5 % et environ 40 %, environ 0,5 % et environ 35 %, environ 0,5 % et environ 30 %, environ 0,5 % et environ 25 %, environ 0,5 % et environ 20 %, environ 1 % et environ 40 %, environ 1 % et environ 35 %, environ 1 % et environ 30 %, environ 1 % et environ 25 %, environ 1 % et environ 20 %, environ 5 % et environ 40 %, environ 5 % et environ 35 %, environ 5 % et environ 30 %, environ 5 % et environ 25 %, environ 5 % et environ 20 %, environ 10 % et environ 40 %, environ 10 % et environ 35 %, environ 10 % et environ 30 %, environ 10 % et environ 25 %, environ 10 % et environ 20 %, environ 15 % et environ 40 %, environ 15 % et environ 35 %, environ 15 % et environ 30 %, environ 15 % et environ 25 %, environ 15 % et environ 20 %, environ 20 % et environ 40 %, environ 20 % et environ 35 %, environ 20 % et environ 30 %, environ 25 % et environ 40 %, environ 25 % et environ 35 %, ou environ 25 % et environ 30 % en poids, par rapport au poids total de la composition.
Tensioactifs anioniques Dans divers modes de réalisation, les compositions selon la présente divulgation incluent un ou plusieurs tensioactifs anioniques. Tel qu’utilisé ici, le terme « tensioactif anionique » désigne un tensioactif comprenant, en tant que groupes ioniques ou ionisables, uniquement des groupes anioniques. Ces groupes anioniques sont de préférence choisis parmi les groupes CO 2 H, CO 2 - , SO 3 H, SO 3 -, OSO 3 H, OSO 3 - O 2 PO 2 H, O 2 PO 2 H, et O 2 PO 2 2 - . Les tensioactifs anioniques exemplaires et non limitatifs incluent les acyl iséthionates, les acyl taurates, les acyl sarcosinates, les alkyl sulfonates, les alkyl sulfosuccinates, les alkyl éther sulfosuccinates, les alkyl sulfoacétates, les monoacides alcoxylés, leurs sels ou leurs mélanges.
Dans divers modes de réalisation, le tensioactif anionique peut être choisi parmi les tensioactifs sulfates, par exemple les alkyl sulfates en C 6 -C 24 , les alkyl éther sulfates en C 6 -C 24 , facultativement éthoxylés, comprenant de 2 à 50 motifs oxyde d’éthylène, et leurs mélanges, en particulier sous forme de sels de métal alcalin ou alcalino-terreux, de sels d’ammonium ou de sels d’amino-alcool. Dans certains modes de réalisation, le tensioactif anionique peut être choisi parmi les alkyl éther sulfates en C 10 -C 20 , et en particulier le lauryl éther sulfate de sodium, contenant facultativement 2,2 moles d’oxyde d’éthylène. Dans d’autres modes de réalisation, on peut choisir le lauryl sulfate de sodium, le lauryl éther sulfate de sodium, le lauryl sulfate d’ammonium, le lauryl éther sulfate d’ammonium, le lauréth sulfate de sodium, ou leurs mélanges.
Dans divers modes de réalisation exemplaires, le système tensioactif anionique comprend au moins un tensioactif anionique choisi parmi les tensioactifs anioniques non-sulfate, tels que, par exemple, les alkylsulfonates, les alkylamide sulfonates, les alkylarylsulfonates, les alpha-oléfine sulfonates, les paraffine sulfonates, les alkylsulfosuccinates, les alkyléthersulfosuccinates, les alkylamide sulfosuccinates, les alkyl sulfoacétates, les acylsarcosinates, les acyl glutamates, les alkylsulfosuccinamates, les acyliséthionates et les N-acyltaurates, les sels des monoesters d’alkyle et des acides polyglycoside-polycarboxyliques, les acyllactylates, les sels d’acides D-galactoside-uroniques, les sels d’acides alkyl éther carboxyliques, les sels d’acides alkyl aryl éther carboxyliques et les sels d’acides alkylamido éther carboxyliques ; ou les formes non salifiées de tous ces composés, les groupes alkyle et acyle de tous ces composés contenant de 6 à 24 atomes de carbone et le groupe aryle désignant un groupe phényle. Certains de ces composés peuvent être oxyéthylénés et comprennent alors de préférence de 1 à 50 motifs oxyde d’éthylène.
Selon divers modes de réalisation, les tensioactifs iséthionates utiles peuvent être choisis parmi les acyl iséthionates de formules (I) ou (II) suivantes :
où R est choisi parmi l’hydrogène ou une chaîne alkyle comportant de 1 à 30 atomes de carbone, comme 6 à 24 atomes de carbone, par exemple 8 à 20 atomes de carbone, ladite chaîne étant saturée ou insaturée, linéaire ou ramifiée, et M + est un cation. Bien que le sodium soit montré comme le cation dans la formule (II), il faut comprendre que le cation pour la formule (I) et la formule (II) peut être n’importe quel ion de métal alcalin tel que le sodium ou le potassium, des ions ammonium ou des ions alcanolammonium tels que des ions monoéthanolammonium ou triéthanolammonium.
A titre d’exemple non limitatif, les tensioactifs acyl iséthionate convenables peuvent inclure le produit de réaction d’acides gras estérifiés avec de l’acide iséthionique et neutralisés avec de l’hydroxyde de sodium. Par exemple, les tensioactifs acyl iséthionate peuvent être préparés par la réaction d’un sel d’iséthionate tel que l’iséthionate de métal ou d’ammonium et d’un acide gras à chaîne alkyle ou alcényle, saturé ou insaturé, linéaire ou ramifié, comportant de 6 à 30 atomes de carbone, de préférence de 8 à 22 atomes de carbone, de manière davantage préférée de 6 à 18 atomes de carbone. Facultativement, un mélange d’acides gras aliphatiques peut être utilisé pour la préparation des tensioactifs acyl iséthionates gras commerciaux. Les acides gras convenables pour les tensioactifs iséthionates peuvent être dérivés d’huile de noix de coco ou d’huile de palmiste, par exemple.
La montre un exemple de réalisation d’une platine générique de distribution électrique haute tension en continu selon un mode de réalisation préféré de l’invention. La représente une configuration avec Kp et Kn en parallèle lorsqu’ils sont montés dans une des deux orientations prévues, cette orientation étant vue depuis la droite sur la et depuis la gauche sur la . La est un schéma montrant l’activation des bornes de contact des contacteurs Kn et Kp selon la configuration parallèle.
Comme illustré à la , les contacteurs Kp, Kn sont intégrés à la platine 40 qui sert de support mécanique à l’ensemble pour rendre compacte la solution et réduire au maximum les interfaces électriques et mécaniques. Les moteurs, contacts auxiliaires et poutre de la partie mobile sont d’un côté de la platine, tandis que les chambres de contacts (fixes et mobiles) sont de l’autre côté de la platine.
Plus particulièrement, la platine 40 a deux surfaces majeures opposées, 41 et 42. Sur la première surface 41 sont montées quatre chambres de contact 45a, 46a, 45b et 46b logeant les bornes de contact fixe et mobile des contacteurs Kp et Kn. Pour prévenir des arcs électriques ces chambres de contact 45a, 46a, 45b et 46b peuvent être, par exemple, des chambres à vide ou des chambres remplies d’huile.
Sur la deuxième surface 42 de la platine sont montées des ensembles complémentaires des contacteurs, 48a, 48b, et d’autres composants 52 à 58. Selon l’exemple représenté sur la , les autres composants 52 à 58 comportent : une sonde de courant 52, deux résistances 54, 55, un contacteur de précharge 56, et un fusible 58 (visible sur la ).
Les ensembles complémentaires des contacteurs, 48a, 48b, comportent les moteurs, contacts auxiliaires et poutre de la partie mobile des contacteurs Kp et Kn. Les moteurs sont indiqués par 51a et 51b sur les dessins. Le moteur 51a active Kp.