Procédé de fabrication d’une structure de type double semi-conducteur sur isolant comprenant successivement depuis une face arrière vers une face avant de la structure : un substrat support (1), une première couche électriquement isolante (1b), une première couche semi-conductrice monocristalline (2), une seconde couche électriquement isolante (2b) et une seconde couche semi-conductrice monocristalline (3), le procédé étant caractérisé en ce qu’il comprend : une première étape de formation d’une couche d’oxyde sur les faces avant et arrière du substrat support (1) pour former la première couche électriquement isolante (1b) sur la face avant du substrat support et une couche d’oxyde (1a) sur la face arrière du substrat support, une première étape de transfert de couche pour transférer la première couche semi-conductrice monocristalline (2) d’un premier substrat donneur sur la première couche électriquement isolante (1b), de sorte à former un premier substrat de type semi-conducteur sur isolant, une seconde étape de formation d’une couche d’oxyde sur la face avant du premier substrat de type semi-conducteur sur isolant pour former la deuxième couche électriquement isolante (2b) , une seconde étape de transfert de couche pour transférer la seconde couche semi-conductrice monocristalline (3) d’un second substrat donneur sur la deuxième couche électriquement isolante (2b), de sorte à former le substrat de type double semi-conducteur sur isolant. Procédé selon la revendication 1 dans lequel l’épaisseur de la première couche électriquement isolante (1b) est comprise entre 100 nm et 3000 nm. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 ou 2 tel que dans la structure finale de type double semi-conducteur sur isolant obtenue, l’épaisseur de la première couche semi-conductrice monocristalline (2) est comprise entre 50 nm et 500 nm. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 3 tel que dans la structure finale de type double semi-conducteur sur isolant obtenue, l’épaisseur de la deuxième couche électriquement isolante (2b) est comprise entre 100 nm et 1100 nm. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 4 tel que, dans la structure finale de type double semi-conducteur sur isolant obtenue, l’épaisseur de la deuxième couche semi-conductrice monocristalline (3) est comprise entre 50 nm et 500nm. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 5 dans lequel l’étape de transfert de la première couche semi-conductrice monocristalline (2) d’un premier substrat donneur sur la première couche électriquement isolante (1b) est mise en œuvre selon un procédé comprenant successivement l’implantation d’espèces atomiques afin de créer une zone de fragilisation au sein du premier substrat donneur délimitant la première couche semi-conductrice monocristalline (2), le collage de la face du premier substrat donneur de la première couche semi-conductrice monocristalline (2) ayant subi l’implantation sur la première couche électriquement isolante (1b) et la fracture du premier substrat donneur au niveau de la zone de fragilisation. Procédé selon la revendication 6 dans lequel on utilise le reliquat du premier substrat donneur résultant de la fracture pour former le second substrat donneur. Procédé selon l’une quelconque des revendications 6 ou 7 dans lequel le procédé de transfert de la première couche semi-conductrice monocristalline (2) d’un premier substrat donneur sur la première couche électriquement isolante (1b) comprend en outre l‘oxydation de la surface du premier substrat donneur préalablement à l’implantation d’espèces atomiques au sein dudit premier substrat donneur, formant ainsi une première couche d’oxyde protectrice de sorte que les espèces atomiques sont implantées à travers ladite première couche d’oxyde protectrice. Procédé selon la revendication 8 dans lequel la première couche d’oxyde protectrice formée à la surface du premier substrat donneur est retirée après l’implantation des espèces atomiques et préalablement au collage du premier substrat donneur sur la première couche électriquement isolante (1b). Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 9 dans lequel l’étape de transfert de la deuxième couche semi-conductrice monocristalline (3) d’un second substrat donneur sur la deuxième couche électriquement isolante (2b) est mise en œuvre selon un procédé comprenant successivement l’implantation d’espèces atomiques afin de créer une zone de fragilisation au sein du second substrat donneur délimitant la deuxième couche semi-conductrice monocristalline (3), le collage de la face dudit second substrat donneur de la deuxième couche semi-conductrice monocristalline (3) ayant subi l’implantation sur la deuxième couche électriquement isolante (2b) et la fracture du second substrat donneur au niveau de la zone de fragilisation. Procédé selon la revendication 10 dans lequel le procédé de transfert de la deuxième couche semi-conductrice monocristalline (3) d’un second substrat donneur sur la deuxième couche électriquement isolante (2b) comprend en outre l‘oxydation de la surface du second substrat donneur préalablement à l’implantation d’espèces atomiques au sein dudit second substrat donneur, formant ainsi une seconde couche d’oxyde protectrice de sorte que les espèces atomiques sont implantées à travers ladite seconde couche d’oxyde protectrice. Procédé selon la revendication 11, dans lequel la seconde couche d’oxyde protectrice formée à la surface du second substrat donneur est retirée après l’implantation des espèces atomiques et préalablement au collage du second substrat donneur sur la deuxième couche électriquement isolante (2b). Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 12, comprenant en outre une étape de mise en œuvre d’un procédé de traitement de la surface du premier substrat de type semi-conducteur sur isolant simple préalablement à la seconde étape de formation d’une couche d’oxyde sur la surface de ce premier substrat de type semi-conducteur sur isolant simple , le procédé de traitement de la surface étant caractérisé par : une première étape de recuit thermique rapide, une deuxième étape d’oxydation thermique suivie d’une désoxydation, une troisième étape de traitement thermique de longue durée ou une troisième étape de recuit thermique rapide, le traitement thermique de longue durée et le recuit thermique rapide étant mené à une température supérieure à 1000 °C dans une atmosphère non oxydante, une quatrième étape de polissage mécano-chimique. Procédé selon l’une des revendications 1 à 13, dans lequel le substrat support et chaque substrat donneur se présentent sous la forme d’une plaque de 300 mm de diamètre.