INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
La représente la structure obtenue à l’issue du dépôt d’une couche 253 de polysilicium sur la structure de départ, et en particulier sur les parois latérales 251C et au fond 251B de l’orifice 251. Ce dépôt peut, par exemple, être réalisé en utilisant une technique de dépôt chimique en phase vapeur, connue sous l’acronyme anglo-saxon "CVD" (Chemical Vapor Deposition), ou par épitaxie. A titre d’exemple, la couche 253 présente une épaisseur uniforme d’environ 50 nanomètres (nm).
La représente la structure obtenue à l’issue du dépôt d’une couche 254 de titane (Ti) (premier métal) sur la couche 253 puis d’une couche 255 de nitrure de titane (TiN) sur la couche 254. Ainsi la couche 254 de titane est en contact avec la couche 253 de polysilicium. Ces dépôts peuvent, par exemple, être réalisés en utilisant une technique CVD, ou une technique de dépôt physique en phase vapeur, connue sous l’acronyme anglo-saxon "PVD" (Physical Vapor Deposition).
La couche 255 de TiN forme une couche barrière, adaptée à limiter, voire bloquer, la diffusion du métal de remplissage (décrit ci-après) dans le Ti.
A titre d’exemple, la couche 254 de Ti présente une épaisseur uniforme d’environ 35 nm, et la couche 255 de TiN présente une épaisseur uniforme d’environ 15 nm.
Les couches 253, 254, 255 comprennent généralement des portions qui débordent à l’extérieur de l’orifice 251 sur la surface supérieure 142A (première surface) de la région diélectrique 142.
La représente la structure obtenue à l’issue d’une étape de remplissage de l’orifice revêtu des couches 253, 254, 255 par un métal de remplissage (deuxième métal), par exemple en tungstène (W). Alternativement au tungstène, le métal de remplissage (deuxième métal) peut être du cuivre.
Cette étape de remplissage peut, par exemple, être réalisée en utilisant une technique CVD ou une technique de dépôt de couches atomiques, en anglais ALD, Atomic Layer Deposition).
Cette étape de remplissage conduit à la formation d’une couche 257 comprenant une portion sensiblement verticale de métal de remplissage dans l’orifice 251, en contact avec la couche 255 de TiN. En outre, une portion sensiblement horizontale de la couche de métal de remplissage peut recouvrir les portions des couches 253, 254, 255 qui débordent à l'extérieur de l'orifice 251.
La représente la structure obtenue à l’issue d’une étape de traitement thermique rapide (recuit rapide), pour faire réagir le polysilicium de la couche 253 avec le titane de la couche 254, conduisant à la formation d’une couche continue 256 de siliciure de titane (TiSi 2 ) qui s’étend entre le résidu non consommé de la couche 253 de polysilicium et la couche 255 de TiN.
Le traitement peut, par exemple, être réalisé à 675 °C pendant 30 secondes et sous diazote (N 2 ).
L’ordre des étapes de remplissage et de traitement thermique peut être inversée. En d’autres termes, l’étape de remplissage peut être prévue après l’étape de traitement thermique.
La représente la structure obtenue à l’issue d’une étape de retrait des portions des couches 253, 254, 255, de la couche 257 de métal de remplissage et de la couche 256 de siliciure de titane, qui s’étendent au-dessus de l’orifice 251 et au-dessus de la surface supérieure 142A de la région diélectrique 142, de façon à former un contact métallique 250 affleurant à la surface supérieure 142A de la région diélectrique 142. Cette étape de retrait (planarisation) peut s'effectuer de façon classique par polissage mécano-chimique, connu sous l’acronyme anglo-saxon "CMP" (Chemical Mechanical Polishing).
Après cette étape de planarisation, la couche 256 de siliciure de titane présente une forme de U, c’est à dire comprend des première et deuxième portions verticales 256A, 256B reliées par une troisième portion horizontale 256C.
La représente la structure obtenue à l’issue d’une étape de formation d’un premier niveau de métal 162 de la partie d'interconnexion 160, formé sur le contact 250, étape qui peut être similaire à celle décrite en relation avec les figures 1A et 1B.
Bien que le procédé soit décrit pour une seule région semiconductrice, le procédé peut être mis en oeuvre pour réaliser, de préférence simultanément, des contacts sur plusieurs régions semiconductrices d’un composant électronique.
L’invention fournit par ailleurs un véhicule, notamment automobile, comprenant au moins une surface vitrée et un système d’essuyage présentant au moins une des caractéristiques précédentes, le système d’essuyage étant configuré pour nettoyer la surface vitrée.
La est une représentation schématique d’une surface vitrée d’un véhicule équipé d’un système d’essuyage de la surface vitrée selon l’invention ;
La est une vue d’un balai d’essuyage selon l’invention destiné à équiper un système d’essuyage de la selon un premier angle de vue ;
La est une vue en coupe du balai d’essuyage de la ;
La est une vue partielle du balai d’essuyage de la selon un deuxième angle de vue ;
La est une vue du balai d’essuyage de la selon un troisième angle de vue ;
La est une représentation graphique de la force de soulèvement s’exerçant en différents points de balais d’essuyage pour une première vitesse d’écoulement d’air ;
La est une représentation graphique de la force de soulèvement s’exerçant en différents points de balais d’essuyage pour une deuxième vitesse d’écoulement d’air.
La illustre schématiquement une surface vitrée 1 d’un véhicule, notamment automobile, comme par exemple un parebrise, sur laquelle est disposé un système d’essuyage 3 de la surface vitrée 1. La surface vitrée peut aussi être une lunette arrière ou une vitre du véhicule.
Le système d’essuyage 3 comporte au moins un bras 5, au moins un balai d’essuyage 101 attaché au bras 5 et en contact avec la surface vitrée 1, et un dispositif d’entrainement 9 du bras 5. Le dispositif d’entrainement 9 est configuré pour mettre en mouvement le balai d’essuyage 7 via le bras 5. Le mouvement des bras 5 est un mouvement de va-et-vient qui peut être un mouvement linéaire et/ou angulaire.
En référence à la et à la , le balai d’essuyage 101 s’étend le long d’un axe longitudinal L. Le balai d’essuyage 101 comprend un support 103, une tige d’application de pression 105 portée par le support 103, une lèvre d’essuyage 107 portée par le support 103, un connecteur 109 solidaire du support 103 et au moins un déflecteur 111 d’air.
Le support 103 s’étend le long d’un axe parallèle à l’axe longitudinal L du balai d’essuyage 101. Le support 103 comprend deux extrémités longitudinales 151, 153 délimitées par des bords terminaux 155, 157. Les bords terminaux 151, 153 sont reliés entre eux par des bords longitudinaux. Les bords terminaux 151, 153 sont sensiblement perpendiculaires à l’axe longitudinal L du balai d’essuyage 101 vus en projection dans un plan perpendiculaire à l’axe longitudinal L. Les bords longitudinaux sont sensiblement parallèles à l’axe longitudinal L du balai d’essuyage 101.
Comme cela est visible sur la , le support 103 comporte une première glissière longitudinale 104 destinée à loger la tige d’application de pression 105. La tige d’application de pression 105 présente une forme de plaque s’étirant sensiblement sur toute une longueur du balai d’essuyage 101, c’est-à-dire d’un bord terminal 151, 153 du support 103 à un autre bord terminal 153, 151 du support 103. La tige d’application de pression 105 est une pièce métallique généralement composé d’un acier souple.
Le support 103 comporte également une deuxième glissière longitudinale 106, opposée à première glissière longitudinale 104, dans laquelle est introduit une talon 108 de la lèvre d’essuyage 107. Le talon 108 de la lèvre d’essuyage 107 introduit dans la deuxième glissière 106 s’étend depuis un bord terminal 151, 153 du support 103 à un autre bord terminal 153, 151 du support 103, selon un axe parallèle à l’axe longitudinal L du balai d’essuyage 101.
Ainsi, dans ce mode de réalisation particulier, ladite lactonase mutée comprend la séquence consensus mutée de séquence SEQ ID NO : 2 dans laquelle X1 est I et la séquence consensus mutée de séquence SEQ ID NO : 4 dans laquelle X 2 est W, T, A, F, V, I, M ou L, X 3 est G, X 4 est Y ou L, X 5 est K, X 6 est P, X 7 est K, X 8 est L, X 9 est F, X 10 est R ou K et X 11 est S, ledit substrat est 3-oxo-C6-HSL, et lesdites bactéries sont choisies parmi : Acinetobacter sp., Aeromonas sp., Agrobacterium sp., Aliivibrio sp., Azospirillum sp., Burkholderia sp., Dickeya sp., Edwardsiella sp., Enterobacter sp., Erwinia sp., Hafnia sp., Halomonas sp., Kluyvera sp., Mesorhizobium sp., Pantoea sp., Pectobacterium sp., Photobacterium sp., Pseudomonas sp., Rahnella sp., Serratia sp., Vibrio sp., Yersinia sp.
Ainsi, dans ce mode de réalisation particulier, ladite lactonase mutée comprend la séquence consensus mutée de séquence SEQ ID NO : 2 dans laquelle X1 est I et la séquence consensus mutée de séquence SEQ ID NO : 4 dans laquelle X 2 est W, T, A, F, V, I, M ou L, X 3 est G, X 4 est Y ou L, X 5 est K, X 6 est P, X 7 est K, X 8 est L, X 9 est M, X 10 est R ou K et X 11 est S, ledit substrat est 3-oxo-C6-HSL, et lesdites bactéries sont choisies parmi : Acinetobacter sp., Aeromonas sp., Agrobacterium sp., Aliivibrio sp., Azospirillum sp., Burkholderia sp., Dickeya sp., Edwardsiella sp., Enterobacter sp., Erwinia sp., Hafnia sp., Halomonas sp., Kluyvera sp., Mesorhizobium sp., Pantoea sp., Pectobacterium sp., Photobacterium sp., Pseudomonas sp., Rahnella sp., Serratia sp., Vibrio sp., Yersinia sp.
Ainsi, dans ce mode de réalisation particulier, ladite lactonase mutée comprend la séquence consensus mutée de séquence SEQ ID NO : 2 dans laquelle X1 est I et la séquence consensus mutée de séquence SEQ ID NO : 4 dans laquelle X 2 est W, T, A, F, V, I, M ou L, X 3 est G, X 4 est Y ou L, X 5 est K, X 6 est P, X 7 est K, X 8 est L, X 9 est Y, X 10 est R ou K et X 11 est S, ledit substrat est 3-oxo-C6-HSL, et lesdites bactéries sont choisies parmi : Acinetobacter sp., Aeromonas sp., Agrobacterium sp., Aliivibrio sp., Azospirillum sp., Burkholderia sp., Dickeya sp., Edwardsiella sp., Enterobacter sp., Erwinia sp., Hafnia sp., Halomonas sp., Kluyvera sp., Mesorhizobium sp., Pantoea sp., Pectobacterium sp., Photobacterium sp., Pseudomonas sp., Rahnella sp., Serratia sp., Vibrio sp., Yersinia sp.
Ainsi, dans ce mode de réalisation particulier, ladite lactonase mutée comprend la séquence consensus mutée de séquence SEQ ID NO : 2 dans laquelle X1 est I et la séquence consensus mutée de séquence SEQ ID NO : 4 dans laquelle X 2 est W, T, A, F, V, I, M ou L, X 3 est I, X 4 est Y ou L, X 5 est K, X 6 est P, X 7 est K, X 8 est L, X 9 est C, X 10 est R ou K et X 11 est S, ledit substrat est 3-oxo-C6-HSL, et lesdites bactéries sont choisies parmi : Acinetobacter sp., Aeromonas sp., Agrobacterium sp., Aliivibrio sp., Azospirillum sp., Burkholderia sp., Dickeya sp., Edwardsiella sp., Enterobacter sp., Erwinia sp., Hafnia sp., Halomonas sp., Kluyvera sp., Mesorhizobium sp., Pantoea sp., Pectobacterium sp., Photobacterium sp., Pseudomonas sp., Rahnella sp., Serratia sp., Vibrio sp., Yersinia sp.
Ainsi, dans ce mode de réalisation particulier, ladite lactonase mutée comprend la séquence consensus mutée de séquence SEQ ID NO : 2 dans laquelle X1 est I et la séquence consensus mutée de séquence SEQ ID NO : 4 dans laquelle X 2 est W, T, A, F, V, I, M ou L, X 3 est A, X 4 est Y ou L, X 5 est K, X 6 est P, X 7 est K, X 8 est Q, X 9 est G, X 10 est R ou K et X 11 est S, ledit substrat est 3-oxo-C6-HSL, et lesdites bactéries sont choisies parmi : Acinetobacter sp., Aeromonas sp., Agrobacterium sp., Aliivibrio sp., Azospirillum sp., Burkholderia sp., Dickeya sp., Edwardsiella sp., Enterobacter sp., Erwinia sp., Hafnia sp., Halomonas sp., Kluyvera sp., Mesorhizobium sp., Pantoea sp., Pectobacterium sp., Photobacterium sp., Pseudomonas sp., Rahnella sp., Serratia sp., Vibrio sp., Yersinia sp.
ladite lactonase mutée comprend la séquence consensus mutée de séquence SEQ ID NO : 2 dans laquelle X1 est I, ou ladite lactonase mutée comprend la séquence consensus mutée de séquence SEQ ID NO : 2 dans laquelle X1 est I et la séquence consensus mutée de séquence SEQ ID NO : 4 dans laquelle X 2 est I quand Xa est différent de I, X 3 est A, X 4 est Y ou L, X 5 est K, X 6 est P, X 7 est K, X 8 est L, X 9 est A, X 10 est R ou K et X 11 est S, ou ladite lactonase mutée comprend la séquence consensus mutée de séquence SEQ ID NO : 2 dans laquelle X1 est I et la séquence consensus mutée de séquence SEQ ID NO : 4 dans laquelle X 2 est W, T, A, F, V, I, M ou L, X 3 est A, X 4 est F, X 5 est K, X 6 est P, X 7 est K, X 8 est L, X 9 est A, X 10 est R ou K et X 11 est S, ou ladite lactonase mutée comprend la séquence consensus mutée de séquence SEQ ID NO : 2 dans laquelle X1 est I et la séquence consensus mutée de séquence SEQ ID NO : 4 dans laquelle X 2 est W, T, A, F, V, I, M ou L, X 3 est A, X 4 est Y ou L, X 5 est L, X 6 est P, X 7 est K, X 8 est L, X 9 est A, X 10 est R ou K et X 11 est S, ou ladite lactonase mutée comprend la séquence consensus mutée de séquence SEQ ID NO : 2 dans laquelle X1 est I et la séquence consensus mutée de séquence SEQ ID NO : 4 dans laquelle X 2 est W, T, A, F, V, I, M ou L, X 3 est A, X 4 est Y ou L, X 5 est K, X 6 est P, X 7 est N, X 8 est L, X 9 est A, X 10 est R ou K et X 11 est S, ou ladite lactonase mutée comprenant la séquence consensus mutée de séquence SEQ ID NO : 2 dans laquelle X1 est I et la séquence consensus mutée de séquence SEQ ID NO : 4 dans laquelle X 2 est W, T, A, F, V, I, M ou L, X 3 est A, X 4 est Y ou L, X 5 est K, X 6 est P, X 7 est K, X 8 est V, X 9 est A, X 10 est R ou K et X 11 est S,
ledit substrat est C8-HSL, et
lesdites bactéries sont choisies parmi : Acinetobacter sp., Aeromonas sp., Aliivibrio sp., Azospirillum sp., Burkholderia sp., Castellaniella sp., Chromobacterium sp., Dinoroseobacter sp., Gluconacetobacter sp., Halomonas sp., Klebsiella sp., Methylobacterium sp., Mesorhizobium sp., Pandoraea sp., Proteus sp., Pectobacterium sp., Pseudomonas sp., Ralstonia sp., Roseobacter, sp., Rhizobium sp., Serratia sp., Sinorhizobium sp., Vibrio sp., Yersinia sp.
Ainsi, dans ce mode de réalisation particulier, ladite lactonase mutée comprend la séquence consensus mutée de séquence SEQ ID NO : 2 dans laquelle X1 est I, ledit substrat est C8-HSL, et lesdites bactéries sont choisies parmi : Acinetobacter sp., Aeromonas sp., Aliivibrio sp., Azospirillum sp., Burkholderia sp., Castellaniella sp., Chromobacterium sp., Dinoroseobacter sp., Gluconacetobacter sp., Halomonas sp., Klebsiella sp., Methylobacterium sp., Mesorhizobium sp., Pandoraea sp., Proteus sp., Pectobacterium sp., Pseudomonas sp., Ralstonia sp., Roseobacter, sp., Rhizobium sp., Serratia sp., Sinorhizobium sp., Vibrio sp., Yersinia sp.
Ainsi, dans ce mode de réalisation particulier, ladite lactonase mutée comprend la séquence consensus mutée de séquence SEQ ID NO : 2 dans laquelle X1 est I et la séquence consensus mutée de séquence SEQ ID NO : 4 dans laquelle X 2 est I quand Xa est différent de I, X 3 est A, X 4 est Y ou L, X 5 est K, X 6 est P, X 7 est K, X 8 est L, X 9 est A, X 10 est R ou K et X 11 est S, ledit substrat est C8-HSL, et lesdites bactéries sont choisies parmi : Acinetobacter sp., Aeromonas sp., Aliivibrio sp., Azospirillum sp., Burkholderia sp., Castellaniella sp., Chromobacterium sp., Dinoroseobacter sp., Gluconacetobacter sp., Halomonas sp., Klebsiella sp., Methylobacterium sp., Mesorhizobium sp., Pandoraea sp., Proteus sp., Pectobacterium sp., Pseudomonas sp., Ralstonia sp., Roseobacter, sp., Rhizobium sp., Serratia sp., Sinorhizobium sp., Vibrio sp., Yersinia sp.
Ainsi, dans ce mode de réalisation particulier, ladite lactonase mutée comprend la séquence consensus mutée de séquence SEQ ID NO : 2 dans laquelle X1 est I et la séquence consensus mutée de séquence SEQ ID NO : 4 dans laquelle X 2 est W, T, A, F, V, I, M ou L, X 3 est A, X 4 est F, X 5 est K, X 6 est P, X 7 est K, X 8 est L, X 9 est A, X 10 est R ou K et X 11 est S, ledit substrat est C8-HSL, et lesdites bactéries sont choisies parmi : Acinetobacter sp., Aeromonas sp., Aliivibrio sp., Azospirillum sp., Burkholderia sp., Castellaniella sp., Chromobacterium sp., Dinoroseobacter sp., Gluconacetobacter sp., Halomonas sp., Klebsiella sp., Methylobacterium sp., Mesorhizobium sp., Pandoraea sp., Proteus sp., Pectobacterium sp., Pseudomonas sp., Ralstonia sp., Roseobacter, sp., Rhizobium sp., Serratia sp., Sinorhizobium sp., Vibrio sp., Yersinia sp.
Ainsi, dans ce mode de réalisation particulier, ladite lactonase mutée comprend la séquence consensus mutée de séquence SEQ ID NO : 2 dans laquelle X1 est I et la séquence consensus mutée de séquence SEQ ID NO : 4 dans laquelle X 2 est W, T, A, F, V, I, M ou L, X 3 est A, X 4 est Y ou L, X 5 est L, X 6 est P, X 7 est K, X 8 est L, X 9 est A, X 10 est R ou K et X 11 est S, ledit substrat est C8-HSL, et lesdites bactéries sont choisies parmi : Acinetobacter sp., Aeromonas sp., Aliivibrio sp., Azospirillum sp., Burkholderia sp., Castellaniella sp., Chromobacterium sp., Dinoroseobacter sp., Gluconacetobacter sp., Halomonas sp., Klebsiella sp., Methylobacterium sp., Mesorhizobium sp., Pandoraea sp., Proteus sp., Pectobacterium sp., Pseudomonas sp., Ralstonia sp., Roseobacter, sp., Rhizobium sp., Serratia sp., Sinorhizobium sp., Vibrio sp., Yersinia sp.
Ainsi, dans ce mode de réalisation particulier, ladite lactonase mutée comprend la séquence consensus mutée de séquence SEQ ID NO : 2 dans laquelle X1 est I et la séquence consensus mutée de séquence SEQ ID NO : 4 dans laquelle X 2 est W, T, A, F, V, I, M ou L, X 3 est A, X 4 est Y ou L, X 5 est K, X 6 est P, X 7 est N, X 8 est L, X 9 est A, X 10 est R ou K et X 11 est S, ledit substrat est C8-HSL, et lesdites bactéries sont choisies parmi : Acinetobacter sp., Aeromonas sp., Aliivibrio sp., Azospirillum sp., Burkholderia sp., Castellaniella sp., Chromobacterium sp., Dinoroseobacter sp., Gluconacetobacter sp., Halomonas sp., Klebsiella sp., Methylobacterium sp., Mesorhizobium sp., Pandoraea sp., Proteus sp., Pectobacterium sp., Pseudomonas sp., Ralstonia sp., Roseobacter, sp., Rhizobium sp., Serratia sp., Sinorhizobium sp., Vibrio sp., Yersinia sp.
Ainsi, dans ce mode de réalisation particulier, ladite lactonase mutée comprenant la séquence consensus mutée de séquence SEQ ID NO : 2 dans laquelle X1 est I et la séquence consensus mutée de séquence SEQ ID NO : 4 dans laquelle X 2 est W, T, A, F, V, I, M ou L, X 3 est A, X 4 est Y ou L, X 5 est K, X 6 est P, X 7 est K, X 8 est V, X 9 est A, X 10 est R ou K et X 11 est S, ledit substrat est C8-HSL, et lesdites bactéries sont choisies parmi : Acinetobacter sp., Aeromonas sp., Aliivibrio sp., Azospirillum sp., Burkholderia sp., Castellaniella sp., Chromobacterium sp., Dinoroseobacter sp., Gluconacetobacter sp., Halomonas sp., Klebsiella sp., Methylobacterium sp., Mesorhizobium sp., Pandoraea sp., Proteus sp., Pectobacterium sp., Pseudomonas sp., Ralstonia sp., Roseobacter, sp., Rhizobium sp., Serratia sp., Sinorhizobium sp., Vibrio sp., Yersinia sp.
L’installation 6 comprend soit l’unité de commande locale 12, soit l’unité de commande centrale 13, soit l’unité de commande locale 12 et l’unité de commande centrale 13.
On décrit à présent, plus en détail et en référence aux figures 3 à 6, le dispositif d’entraînement motorisé 5, y compris l’actionneur électromécanique 11, appartenant à l’installation 6 et, plus particulièrement, au dispositif d’occultation 3 illustré aux figures 1 et 2.
Avantageusement, le moteur électrique 16 comprend un rotor 16a et un stator 16b, positionnés de manière coaxiale autour de l’axe de rotation X, qui est également l’axe de rotation du tube d’enroulement 4 en configuration montée du dispositif d’entraînement motorisé 5.
Avantageusement, le moteur électrique 16 peut être de type sans balais à commutation électronique, appelé également « BLDC » (acronyme du terme anglo-saxon BrushLess Direct Current) ou « synchrone à aimants permanents », ou de type à courant continu.
Des moyens de commande de l’actionneur électromécanique 11, permettant le déplacement de l’écran 2 du dispositif d’occultation 3, sont constitués par au moins une unité électronique de contrôle 15. Cette unité électronique de contrôle 15 appartient à l’actionneur électromécanique 11 et est apte à mettre en fonctionnement le moteur électrique 16 de l’actionneur électromécanique 11 et, en particulier, à permettre l’alimentation en énergie électrique du moteur électrique 16.
A titre d’exemple nullement limitatif, les moyens matériels peuvent comprendre au moins un microcontrôleur 30.
Avantageusement, l’unité électronique de contrôle 15, l’unité de commande locale 12 et/ou l'unité de commande centrale 13 peuvent être en communication avec une station météorologique disposée à l’intérieur du bâtiment B ou déportée à l'extérieur du bâtiment B, incluant, notamment, un ou plusieurs capteurs pouvant être configurés pour déterminer, par exemple, une température, une luminosité, ou encore une vitesse de vent, dans le cas où la station météorologique est déportée à l'extérieur du bâtiment B.
La représente un composant électronique 200 comprenant deux contacts 250 obtenus par le procédé de fabrication des figures 2A à 2F.
Le composant électronique 200 de la diffère du composant électronique de la principalement par ses contacts 250. En effet, chacun des contacts 250 du composant électronique 200 présente une couche continue de siliciure 256 (TiSi 2 dans le mode représenté) en forme de U, affleurant à l’embouchure supérieure 251A de l’orifice 251 et s’étendant pratiquement jusqu’au fond 251B dudit orifice, à l’épaisseur de la couche 253 de polysilicium près. La résistance du siliciure de titane étant d’environ au moins deux fois inférieure à celle du tungstène, cette couche continue de siliciure permet de réduire de manière importante la résistance d’accès, et la résistance globale, du contact.
En ajustant l’épaisseur initiale de la couche de polysilicium, en particulier l’épaisseur de polysilicium au fond de l’orifice, de manière à ce qu’une majeure partie de, voire toute, l’épaisseur de polysilicium au fond de l’orifice soit consommée à l’issue de l’étape de traitement pour former le siliciure, la couche 256 de siliciure peut venir au plus près de, voire en contact avec, la couche d’interface de siliciure 140 sur la région semiconductrice 124, 126, ce qui peut réduire davantage la résistance d’accès et la résistance globale du contact.
Les autres éléments du composant électronique 200 peuvent être similaires à ceux décrits en relation avec les figures 1A et 1B.
Les figures 3A à 3F sont des vues en coupe représentant un procédé de fabrication d’un contact 350 selon un autre mode de réalisation.
La représente la structure obtenue à l’issue du dépôt d’une première couche 352 de Ti (troisième métal) sur la structure de départ, et en particulier sur les parois latérales 351C et au fond 351B de l’orifice 351. Cette couche forme une couche d’accroche, permettant l’accroche de l’empilement de couches décrit plus après sur la région diélectrique 142 dans l’orifice.
La représente la structure obtenue à l’issue du dépôt d’une couche 355 de TiN sur la couche d’accroche 352 en Ti. Cette couche 355 de TiN forme une couche barrière adaptée à limiter, voire bloquer, l’oxydation en surface du titane, et éviter ainsi la formation d’oxyde de titane qui pourrait bloquer la réaction entre le titane et le polysilicium décrite ci-après.
La représente la structure obtenue à l’issue du dépôt d’une deuxième couche 354 de Ti (couche du premier métal) sur la couche barrière 355.
Les dépôts de ces trois couches peuvent, par exemple, être réalisés en utilisant une technique CVD ou une technique PVD.
A titre d’exemple, la couche d’accroche 352 présente une épaisseur uniforme d’environ 15 nm, la couche barrière 355 présente une épaisseur uniforme d’environ 15 nm, et la couche du premier métal 354 présente une épaisseur uniforme d’environ 35 nm.
Les couches 352, 355, 354 comprennent généralement des portions qui débordent à l’extérieur de l’orifice 351 sur la surface supérieure 142A (première surface) de la région diélectrique 142.
La représente la structure obtenue à l’issue d’une étape de remplissage (comblement) en polysilicium de l’orifice revêtu des couches 352, 355, 354. Le remplissage en polysilicium peut être réalisé en utilisant par exemple par une technique CVD ou par épitaxie.