Transistor (10) non-volatil à effet de champ, le transistor (10) comprenant : - une première électrode (12) dite électrode de grille comportant un premier contact (C1), - une deuxième électrode (14) dite source (14), la source (14) comprenant un deuxième contact (C2), - une troisième électrode (16) dite drain (16), le drain (16) comportant un troisième contact (C3), - un canal (20) entre le drain (16) et la source (14), le canal (20) étant constitué d’un gaz bidimensionnel d’électrons, - un sous-ensemble à états rémanents (18), le sous-ensemble à états rémanents (18) présentant au moins deux états rémanents contrôlables électriquement, le sous-ensemble à états rémanents (18) étant en contact avec le canal (20), le sous-ensemble à états rémanents (18) comportant au moins une couche d’oxyde, et - une couche réductrice (22) réalisée en au moins un matériau réducteur de type métal, chaque matériau réducteur de type métal présentant une concentration atomique en éléments métalliques supérieure ou égale à 50%, ces éléments métalliques étant choisis dans les colonnes 3d, 4d, 5d, 5f de la classification périodique, la première électrode (12) étant en contact avec le sous-ensemble à états rémanents (18) et l’application d’une tension entre le premier contact (C1) et un contact parmi le deuxième contact (C2) et le troisième contact (C3) entraînant une modulation non-volatile de la conductivité du gaz bidimensionnel constituant le canal (20). Transistor non-volatil selon la revendication 1, dans lequel la couche réductrice (22) est une monocouche de matériau réducteur de type métal ou un multicouche de matériaux réducteurs de type métal, ce ou ces matériaux réducteurs présentant chacun une concentration atomique en éléments métalliques supérieure ou égale à 50%, ce ou ces éléments métalliques étant choisis dans les colonnes 3d, 4d, 5d, 5f de la classification périodique. Transistor non-volatil selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le sous-ensemble à états rémanents (18) comprend au moins une couche ou multicouche diélectrique non-volatile à contrôle électrique, par effet ferroélectrique, par effet de charge piégée, par effet de migration d’ions ou par combinaison de plusieurs de ces effets. Transistor (10) non-volatil selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel dans lequel chaque matériau réducteur de type métal présente une concentration atomique en éléments métalliques supérieure ou égale à 80%. Transistor non-volatil selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel chaque élément métallique est choisi dans la liste constituée de l’aluminium, du tantale, de l’yttrium, du magnésium et du ruthénium. Transistor non-volatil selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel la couche réductrice (22) présente une épaisseur inférieure ou égale à 15 nanomètres et de préférence inférieure ou égale à 10 nanomètres. Transistor non-volatil selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel : - le transistor (10) comporte un substrat (24) sur lequel repose le drain (16), la source (14) et la couche réductrice (22), - la couche réductrice (22), le canal (20) et le sous-ensemble à états rémanents (18) formant dans cet ordre un empilement, et - la première électrode (12) repose sur le sous-ensemble à états rémanents (18). Transistor non-volatil selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel : - le sous-ensemble à états rémanents (18) repose sur la première électrode (12), - le drain (16), le canal (20) et la source (14) reposent sur le sous-ensemble à états rémanents (18), et - la couche réductrice (22) est disposée sur le canal (20). Transistor non-volatil selon la revendication 8, comportant, en outre, une couche de protection (30) sur la couche réductrice (22). Transistor non-volatil l’une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel le sous-ensemble à états rémanents (18) comporte une couche choisie parmi : - une couche d’oxyde en oxydes pérovskites, - une couche d’oxyde en (Hf 1-x Zr x )O 2 , x variant entre 0 et 1, éventuellement dopée, et - une couche en poly(fluorure de vinylidène). Transistor non-volatil selon l’une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel le transistor (10) comporte une unité de lecture, l’unité de lecture comportant une sous-unité d’application d’une tension entre le drain (16) et la source (14) et une sous-unité de mesure du courant entre le drain (16) et la source (14).