INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Enfin, un des aspects de l’invention porte sur un procédé de fabrication d’un composant pour dispositif de rétroéclairage à partir d’un substrat pourvu d’un polariseur réflectif sur une première face et présentant une seconde face opposée à la première face, comprenant une étape de formation d’un diffuseur optique par gravure dans la seconde face du substrat.
Par exemple, l’étape de formation du diffuseur optique est une étape de gravure laser.
représente un premier mode de réalisation d’un dispositif de rétroéclairage selon l’invention.
représente un substrat pourvu d’un polariseur réflectif avant une étape de formation d’un diffuseur optique par gravure laser.
représente le substrat de la après une étape de formation d’un diffuseur optique par gravure laser.
représente schématiquement l’agencement de certains composants d’un dispositif de génération d’images selon l’invention.
représente un deuxième mode de réalisation d’un dispositif de rétroéclairage selon l’invention.
Les microcristaux peuvent occuper une fraction volumique des microplots plus ou moins importante par exemple au plus 60% au sein du microplot notamment les microplots dits primaires de diamètre équivalent d’au moins 1µm. La taille des microcristaux (diamètre équivalent) est inférieure à la taille (épaisseur et/ou diamètre équivalent) des microplots . Il peut y avoir des microcristaux disjoints au sein des microplots (par exemple au moins 5) notamment les microplots dits primaires de diamètre équivalent d’au moins 1µm. Ils peuvent émerger ou rester au sein des microplots.
Les microcristaux sont de préférence avec un diamètre, par exemple équivalent, (D50 ou D90 notamment) d’au moins 0,1µm par exemple inférieure à 2µm et même à 1µm.
Les microcristaux et/ou autres particules diffusantes peuvent occuper une fraction volumique des microplots plus ou moins importante par exemple au plus 60% au sein du microplot notamment les microplots dits primaires de diamètre équivalent d’au moins 1µm.
La couche diffusante peut comporter éventuellement des particules (inorganiques, réfractaires, notamment d’oxydes), notamment diffusantes éventuellement cristallisées, additionnelles (car ajoutées dans la composition liquide), dispersées dans la matrice vitreuse. Ces particules sont détectables par diffraction des rayons X dit « XRD »).
Ces particules diffusantes (distinctes de germes de croissance éventuels) ne sont pas nécessaires ou en quantité réduite à façon pour renforcer la diffusion.
Les particules diffusantes sont de préférence avec un diamètre (D50 ou D90 notamment) d’au moins 0,1µm par exemple inférieure à 2µm et même à 1µm.
Les particules diffusantes sont par exemple pleines et même éventuellement particules creuses par exemple silice creuse- Les particules diffusantes (non luminescentes) sont choisies par exemple parmi des particules d’alumine, de zircone, de silice, de dioxyde de titane, de carbonate de calcium, de sulfate de baryum et en particulier ce sont des pigments (blancs).
La couche diffusante peut comporter éventuellement également des particules diffusantes luminescentes seules ou en combinaison avec les particules diffusantes ajoutées.
La couche diffusante (peut comporter une fraction volumique en porosités diffusantes d’au plus 10% ou 5% ou 1% du volume de l’émail (dans le premier motif diffusant.
La couche diffusante peut comporter une teneur pondérale en particules diffusantes (additionnelles, ajoutées éventuellement hormis de germes de cristallisation dans la matrice vitrocristalline) d’au plus 10% ou 5% ou 1% du poids total de l’émail et même allant jusqu’à 0%.
La taille des particules diffusantes (diamètre équivalent) , autres que les microcristaux, est inférieure à la taille (épaisseur et/ou diamètre équivalent) des microplots . Il peut y avoir des particules diffusantes disjoints au sein des microplots (par exemple au moins 5) notamment les microplots dits primaires de diamètre équivalent d’au moins 1µm. Ils peuvent émerger ou rester au sein des microplots.
Dans une réalisation, la couche diffusante comprend au plus 5 % en poids de particules luminescentes (inorganiques). Les particules luminescentes sont dispersées dans le liant vitreux de la matrice vvitrocristalline.
Lorsque la couche diffusante comprend des particules luminescentes, de préférence on ajoute comme une source de lumière, telle que diode électroluminescente DEL (en anglais light-emitting diode – LED -), émettant une lumière de longueur d’onde à laquelle les particules luminescentes sont excitées et ré-émettent un rayonnement lumineux dans le domaine visible. Cette ou ces LEDs peu(ven)t être positionnée(s) comme des LEDs émettant dans le visible. Cette longueur d’onde d’excitation est par exemple dans l’UV en particulier UVA, et même 365 à 400 ou 390 nm. On pourrait envisager des LEDs émettant à la fois à cette longueur d’onde d’excitation et dans le visible.
En employant des particules diffusantes de diverses natures, et/ou des sources lumineuses de diverses natures, voire des particules luminescentes de diverses natures, l’invention permet d’obtenir un vitrage apte à éclairer en plusieurs couleurs, simultanément, ou séquentiellement.
Les motifs diffusants peuvent avoir des formes variées, symétriques ou asymétriques. La répartition des motifs diffusants sur le substrat peut être périodique ou apériodique. Une répartition périodique signifie que les motifs diffusants sont placés sur la première feuille de verre de manière ordonnée alors qu’une répartition apériodique signifie que les motifs diffusants sont placés sur la première feuille de verre de manière aléatoire. Les motifs diffusants peuvent avoir toute forme et être plus au moins grands. On peut souhaiter toutefois que la couche diffusante s’étende sur une région de la première face principale par exemple ne s’étende sur au plus 50%, 40% ou 30% ou 20%, 10% 1%, 0,1% de la première face.
Dans la négative, c’est-à-dire si flux vidéo de sortie ne comprend pas de tatouage, alors celui-ci provient probablement d’une autre source que de l’application selon l’invention installée sur le smartphone 10. Il s’agit donc probablement d’un flux vidéo falsifié.
On prévoit alors avantageusement d’émettre un signal significatif de l’absence de tatouage. Ce signal peut d’ailleurs être émis vers le smartphone 10, par exemple sous forme d’invitation à recommencer la prise vidéo.
Dans l’affirmative, c’est-à-dire si flux vidéo de sortie comprend un tatouage, alors le serveur de vérification 20 vérifie si ce tatouage est le tatouage attendu, prédéterminé par l’application selon l’invention installée sur le smartphone 10.
A cet effet, on prévoit d’extraire le tatouage, et de le comparer à un tatouage de référence enregistré dans une mémoire.
En fonction du résultat de la comparaison, on prévoit d’émettre un signal représentatif de l’éventuelle différence entre le tatouage extrait et le tatouage de référence.
On peut prévoir que la recherche dudit tatouage n’est mise en œuvre que sur une proportion prédéterminée de trames d’un ensemble de trames prédéterminées, de préférence au moins 50% et par exemple toutes les trames I, ce qui augmente la vitesse de vérification.
Des exemples de mise en œuvre du procédé selon l’invention sont illustrés sur les figures.
Sur la est représenté un fonctionnement nominal. Un utilisateur équipé d’un smartphone 10 envoie directement un flux vidéo vers un serveur de vérification 20. Selon l’invention, le flux vidéo est compressé avec un premier taux de compression prédéterminé RATE1 et tatoué avec un premier tatouage fragile ou semi-fragile TATOO1.
Sur la , un faussaire 30 injecte un flux vidéo dans un smartphone 10, en remplacement du flux vidéo du dispositif d’acquisition dudit smartphone. Le flux vidéo falsifié est compressé selon un taux de compression RATEX1, et ne comprend pas de tatouage. Selon l’invention, le smartphone 10 détecte que le flux vidéo falsifié a été compressé et applique alors le deuxième taux de compression prédéterminé RATE2, ainsi que la fonction de tatouage TATOO1. Le deuxième taux de compression prédéterminé RATE2 peut alors être détecté par le serveur de vérification 20.
Sur la , un faussaire 30 injecte un flux vidéo dans un smartphone 10, en remplacement du flux vidéo du dispositif d’acquisition dudit smartphone. Le flux vidéo falsifié est compressé selon un taux de compression RATEX1, et comprend en outre un tatouage TATOOX1, inséré par une fonction de tatouage propre au faussaire. Selon l’invention, le smartphone 10 détecte non seulement que le flux vidéo falsifié a été compressé et applique alors le deuxième taux de compression prédéterminé RATE2, mais la fonction de tatouage amène alors à un deuxième tatouage TATOO2. Le deuxième taux de compression prédéterminé RATE2, comme le deuxième tatouage TATOO2, peuvent alors être détectés par le serveur de vérification 20.
Sur la , un faussaire 30 intercepte un flux vidéo issu d’un smartphone 10 ayant mis en œuvre le procédé selon l’invention, falsifie ce flux vidéo et le renvoie vers le serveur de vérification 20. A l’interception, ce flux vidéo est orignal, il est compressé selon un premier taux de compression prédéterminé RATE1, et comprend en outre un tatouage TATOO1. La falsification de ce flux vidéo originale par le faussaire 30 implique la modification de l’un au moins parmi le taux de compression et le tatouage.
Le taux de compression RATE1’ du flux falsifié est très probablement différent du premier taux de compression prédéterminé RATE1, ce qui peut être détecté par le serveur de vérification 20. Quand bien même le taux de compression RATE1’ serait égal au premier taux de compression prédéterminé RATE1 (ce qui est quasiment impossible), le nombre de compressions est de toute façon détecté par le serveur de vérification 20. Comme le tatouage TATOO1 est un tatouage fragile ou semi-fragile, la falsification du flux vidéo vient détériorer, voire supprimer ce tatouage. Il en résulte que le flux vidéo falsifié comprend un tatouage qui est soit inexistant soit détérioré TATOO1’, et qui en tous cas est différent du tatouage initial TATOO1, ce qui est détecté par le serveur de vérification 20.
La illustre un fonctionnement en boucle. Un faussaire 30 intercepte un flux vidéo issu d’un smartphone 10 ayant mis en œuvre le procédé selon l’invention, falsifie ce flux vidéo et le renvoie dans un smartphone 10 ayant mis en œuvre le procédé selon l’invention (ou un autre dispositif informatique supportant la même application logicielle), ce qui est illustré par la flèche en pointillés sur la . Puis le flux vidéo falsifié est envoyé vers le serveur de vérification 20.
De même que sur la , à l’interception, ce flux vidéo est orignal, il est compressé selon un premier taux de compression prédéterminé RATE1, et comprend en outre un tatouage TATOO1. La falsification de ce flux vidéo originale par le faussaire 30 implique la modification de l’un au moins parmi le taux de compression et le tatouage.
Le taux de compression RATEX1 du flux falsifié est très probablement différent du premier taux de compression prédéterminé RATE1, ce qui peut être détecté par le smartphone 10, en en tout état de cause, in fine, par le serveur de vérification 20.
Comme le tatouage TATOO1 est un tatouage fragile ou semi-fragile, la falsification du flux vidéo vient détériorer, voire supprimer ce tatouage. Il en résulte que le flux vidéo falsifié comprend un tatouage qui est soit inexistant soit détérioré TATOO1’, et qui en tous cas est différent du tatouage initial TATOO1.
DTL(Z3,Z4) = TL(Z3) – TL(Z4).
En variante, on peut calculer d’autres écarts de taux supplémentaires, selon les équations suivantes :
DTL(Z1 ;Zbas) = TL(Z1) – (TL(Z3) + TL(Z4))/2, où Zbas correspond aux zones du bas de la première unité 2 ; et
DTL(Z2 ;Zbas) = TL(Z2) – (TL(Z3) + TL(Z4))/2.
Lors du calcul des écarts de taux DTL(Zi,Zm) et des écarts de taux supplémentaires DTL(Z1 ;Zbas) et DTL(Z2 ;Zbas), on peut calculer les différences en valeur absolu, de manière à obtenir des écarts de taux ayant une valeur positive. La valeur positive des écarts de taux permet d’effectuer une seule comparaison avec le deuxième seuil de salissures A2.
L’étape de détermination S2 comprend une identification d’une répartition localisée des salissures S23 lorsqu’au moins un écart de taux DTL(Zi,Zm), ou au moins un écart de taux supplémentaire DTL(Z1 ;Zbas) et DTL(Z2 ;Zbas), est strictement supérieur au deuxième seuil de salissures A2. En d’autres termes, l’étape de détermination S2 comprend une comparaison S3 des écarts de taux DTL(Zi,Zm), DTL(Z1 ;Zbas) et DTL(Z2 ;Zbas) avec le deuxième seuil de salissures A2 pour identifier une répartition des salissures. Par ailleurs, lorsqu’au moins un écart de taux DTL(Zi,Zm) est inférieur ou égal au deuxième de salissures A2, on effectue la comparaison S4 de la moyenne TLm avec le seuil principal de salissures A1 pour identifier un état propre ou une répartition homogène des salissures.
Par ailleurs, à partir des résultats précédents, on peut estimer l’impact énergétique de la salissure des panneaux de production de la centrale photovoltaïque. Le procédé d’estimation de production énergétique photovoltaïque comprend les étapes telles que définies ci-après.
Par exemple, on calcule une perte de courant Dip (en ampère) de la première unité 2 en fonction de la répartition des salissures estimée ci-avant. On pourra ainsi estimer la perte de courant des panneaux de production, et plus particulièrement la perte de production énergétique des panneaux de production, à partir de la perte de courant Dip calculée. De manière générale, la perte de courant Dip (en ampère) de la première unité 2 est calculée en fonction du type de répartition des salissures précédemment déterminé.
Dans le cas où on détermine un état propre de la première unité 2, on estime qu’il n’y a pas de perte de courant. En d’autres termes, la perte de courant Dip est nulle, c’est-à-dire que Dip (propre) = 0 A. Ainsi, la production énergétique de la centrale n’est pas impactée.
Dans le cas où on détermine une répartition homogène des salissures, on estime que la perte de courant Dip est homogène sur toutes les cellules photovoltaïques des panneaux de production et proportionnelle à la moyenne TLm des taux de perte de transmission de courant. Ainsi, on peut calculer la perte de courant Dip (homogène) selon l’équation suivante :
Dip (homogène) = Im x (1 – TLm),
où Im (en ampère) correspond à la moyenne des courants I(Zj) fournis par le ou les modules des zones Z5 à Z8 de la deuxième unité 3. En d’autres termes, Im = (I(Z1) + I(Z2) + I(Z3) + I(Z4))/4.
Dans le cas où on détermine une répartition des salissures localisée privilégiée, on estime que la perte de courant Dip (privilégiée) est proportionnelle à une moyenne TLms (sans unité) des taux de perte de transmission de courant des zones sales de la première unité 2 .
On détermine qu’une zone de la première unité 2 est sale lorsque l’écart de taux DTL(Zi,Zm) de la zone est strictement supérieur au deuxième seuil A2. Au contraire, on détermine qu’une zone de la première unité 2 est propre lorsque l’écart de taux DTL(Zi,Zm) de la zone est inférieur ou égal au deuxième seuil A2.
Ainsi, on peut calculer la perte de courant Dip (privilégiée) selon l’équation suivante :
Dip (privilégiée) = Ims x (1 – TLms),
Selon un aspect particulier de l’invention, le groupe élémentaire de cellules mémoires comprend en outre une quatrième cellule mémoire appartenant à un plan mémoire différent de celui de la première, deuxième et troisième cellule mémoire. La quatrième cellule mémoire étant destinée à stocker le résultat d’une deuxième opération logique ayant pour opérandes la première et la deuxième donnée d’entrée et utilisant le résultat de la première opération logique stocké dans la troisième cellule mémoire. La quatrième cellule mémoire étant connectée à la première, à la deuxième et à la troisième cellule mémoire via la ligne d’interconnexion commune.
Selon un aspect particulier de l’invention, pour chaque groupe élémentaire de cellules mémoires, la ligne d’interconnexion connecte l’un à l’autre les seconds nœuds d’entrée/sortie des cellules mémoire dudit groupe élémentaire.
Selon un aspect particulier de l’invention, la première opération logique est une fonction booléenne OU.
Selon un aspect particulier de l’invention, les moyens de contrôle sont configurés pour réaliser les étapes suivantes, dans l’ordre d’énumération, afin de réaliser la fonction logique OU : Initialiser la troisième cellule à un état résistif haut ; sélectionner la première et la troisième cellule mémoire en mettant à l’état passant leurs transistors de sélection ; appliquer une première tension de lecture positive sur le premier nœud d’entrée/sortie de la première cellule mémoire et connecter simultanément le premier nœud d’entrée/sortie de la troisième cellule mémoire à la masse électrique ; sélectionner la deuxième et la troisième cellule mémoire en mettant à l’état passant leurs transistors de sélection ; appliquer la première tension de lecture positive sur le premier nœud d’entrée/sortie de la première cellule mémoire et connecter simultanément le premier nœud d’entrée/sortie de la troisième cellule mémoire à la masse électrique ; Chaque cellule mémoire présentant: un premier seuil de tension pour passer d’un état résistif haut à un état résistif bas ; et un second seuil de tension pour passer d’un état résistif bas à un état résistif haut supérieur au premier seuil de tension. Ladite première tension de lecture étant positive avec une amplitude supérieure ou égale au premier seuil de passage et strictement inférieure au second seuil de passage.
Selon un aspect particulier de l’invention, la deuxième opération logique est une fonction booléenne NON-OU exclusive.
Selon un aspect particulier de l’invention, les moyens de contrôle sont configurés pour réaliser les étapes suivantes, dans l’ordre d’énumération, afin de réaliser la fonction logique NON-OU exclusive : Initialiser la quatrième cellule à un état résistif bas ; sélectionner la première, la troisième et la quatrième cellule mémoire en mettant à l’état passant leurs transistors ; réaliser simultanément : l’application d’une deuxième tension de lecture positive sur le premier nœud d’entrée/sortie de la première cellule mémoire ; l’application d’une troisième tension de lecture négative sur le premier nœud d’entrée/sortie de la troisième cellule mémoire ; et l’application d’une quatrième tension de lecture positive sur le premier nœud d’entrée/sortie de la quatrième cellule mémoire ; sélectionner la deuxième, la troisième et la quatrième cellule mémoire en mettant à l’état passant leurs transistors de sélection ; réaliser simultanément : l’application de la deuxième tension de lecture positive sur le premier nœud d’entrée/sortie de la deuxième cellule mémoire ; l’application de la troisième tension de lecture négative sur le premier nœud d’entrée/sortie de la troisième cellule mémoire ; et l’application d’une quatrième tension de lecture positive sur le premier nœud d’entrée/sortie de la quatrième cellule mémoire ; La valeur absolue de la troisième tension de lecture étant sensiblement égale à la valeur absolue de la deuxième tension de lecture. La somme de la valeur absolue de la quatrième tension de lecture et de la deuxième tension de lecture étant supérieure au second seuil de passage.
Selon un aspect particulier de l’invention, la première opération logique est une fonction booléenne ET.
Selon un aspect particulier de l’invention, le circuit de calcul dans la mémoire comprend en outre pour chaque ligne d’interconnexion un transistor de régulation; chaque transistor de régulation ayant une grille recevant un signal de régulation et reliant la ligne d’interconnexion associée à la masse de manière à réaliser une impédance variable.
Selon un aspect particulier de l’invention, le circuit de calcul dans la mémoire comprend une pluralité de groupes élémentaires de cellules mémoires. Chaque ligne d’interconnexion étant connectée à une ligne d’interconnexion adjacente par l’intermédiaire d’un interrupteur.
Selon un aspect particulier de l’invention, les moyens de contrôle sont configurés pour réaliser le transfert d’une donnée stockée d’une cellule mémoire de départ à une cellule mémoire d’arrivée appartenant à un plan différent de celui de la cellule mémoire de départ et connectée à une ligne d’interconnexion adjacente à celle de la cellule mémoire de départ. Le transfert est réalisé en exécutant, dans l’ordre d’énumération, les étapes suivantes : i’- initialiser la cellule d’arrivée à un état résistif haut ; ii’- mettre l’interrupteur à l’état passant iii’- réaliser simultanément : l’application d’une première tension de transfert positive sur le premier nœud d’entrée/sortie de la cellule mémoire de départ ; la connexion du premier nœud d’entrée/sortie de la cellule mémoire d’arrivée à la masse électrique ; l’application d’une seconde tension de transfert positive sur le premier nœud d’entrée/sortie de la cellule mémoire appartenant au même plan de la cellule mémoire de départ et connectée à la même ligne d’interconnexion de la cellule mémoire d’arrivée ; l’application de la seconde tension de transfert positive sur le premier nœud d’entrée/sortie de la cellule mémoire appartenant au même plan de la cellule mémoire d’arrivée et connectée à la même ligne de données (ou ligne de bits) de la cellule mémoire de départ ; L’amplitude de la seconde tension de transfert étant inférieure ou égale à la moitié de la première tension de transfert.
Selon un aspect particulier de l’invention, pour chaque groupe élémentaire de cellules mémoires, la ligne d’interconnexion connecte l’un à l’autre les premiers nœuds d’entrée/sortie des cellules mémoire dudit groupe élémentaire.
On entend par «ligne d’interconnexion commune », une ligne conductrice connectant les mêmes noeuds d’une pluralité de cellules mémoire réparties sur au moins deux plans mémoires. La connexion est réalisée d’une manière directe et sans intermédiaire. Selon un aspect particulier de l’invention, la ligne d’interconnexion commune correspond à la ligne de données commune (bit line en anglais). Selon un aspect particulier de l’invention, la ligne d’interconnexion commune correspond à la ligne de sources commune (source line en anglais).
Selon un aspect particulier de l’invention, le circuit en mémoire comprend une pluralité de plans mémoire de rang i allant de 1 à N, avec N un entier supérieur ou égal à 2.
Description détaillée D’autres caractéristiques et avantages de la présente invention apparaîtront mieux à la lecture de la description qui suit en relation aux dessins annexés suivants.
la illustre une vue en coupe d’une structure de stockage résistive programmable.
la illustre une cellule mémoire utilisée pour réaliser le circuit de calcul en mémoire selon l’invention.
2. Remplissage d’azote N2: 20s
3. Rampe de montée en température de la température ambiante à 270°C : 15s
4. Stabilisation à 270°C: 20s
5. Rampe de montée en température de 270°C à 600°C :4°C/s
6. Recuit au palier 600°C: 120s
7. Descente en température (600°C à 300°C): 60sec
8. Descente en température (300°C à ambiante): 450sec.
Les zones de chauffe du four RTP sont ajustées de manière à appliquer un gradient de température d’environ 50°C entre le centre et la région périphérique P de la structure collée 100. La surchauffe locale en région centrale C agit comme un initiateur de fracture et une séparation précoce s’opère au cours du traitement thermique de fracture, typiquement en fin de rampe (étape 5 de la séquence ci-dessus).
La qualité de surface 10a de la couche mince 10 transférée est améliorée par rapport à une structure SOI obtenue à partir d’une structure collée traitée par un procédé classique, car elle ne présente pas ou très peu de marbrures M ou zones denses ZD. Le niveau de microrugosité (« haze ») de la face d’une couche mince 10 après lissage est également inférieur au niveau de rugosité obtenu par un procédé classique.