INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
représente une variante du dispositif d’agrippement de l’invention, dans laquelle le moyen d’accroche, ici similaire à celui de la , est relié à un support hexagonal commun à chacun des moyens d’accroche ;
représente une étape d’insertion du tronçon de garnissage du procédé d’insertion de tronçons de garnissage.
Pour rappel, l’invention concerne des moyens d’accroche qui forment un dispositif d’agrippement d’un tronçon de garnissage. Plus particulièrement, l’invention concerne un dispositif d’agrippement comportant une structure formant bâti et des moyens d’accroche reliés à cette structure et répartis angulairement pour entourer le tronçon de garnissage à agripper, un ou plusieurs des moyens d’accroche comportant des élément articulés, disposés en étage, pour pouvoir prendre plusieurs configurations respectivement optimales pour une dimension précise d’un tronçon de garnissage à agripper. Un exemple détaillé de ces éléments articulés sera donné ci-après.
Par ailleurs, le dispositif d’agrippement va être décrit dans une application à un système d’insertion de tronçon de garnissage dans une virole, mais il convient de noter que l’exemple de système d’insertion qui va être plus particulièrement décrit n’est pas limitatif de l’invention. Les moyens d’accroche du dispositif d’agrippement peuvent ainsi être portés par un support du système d’insertion qui assure à la fois le transport du tronçon de garnissage en regard de la virole puis la poussée de ce tronçon de garnissage au sein de la virole, ou bien par un support qui n’est fonctionnel que lors du transport du tronçon de garnissage, la poussée de ce tronçon de garnissage au sein de la virole étant faite par un autre dispositif.
Dans un premier temps, on va décrire le dispositif d’agrippement selon l’invention dans son application dans un système d’insertion 1 apte à assurer d’une part le transport du tronçon de garnissage en regard de la virole, par mise en œuvre du dispositif d’agrippement, puis la poussée de ce tronçon de garnissage au sein de la virole, une fois le dispositif d’agrippement désengagé du tronçon de garnissage.
La représente un tel système d’insertion 1 de tronçons de garnissage 2 au sein d’une virole 3, utilisé notamment dans le but de former une colonne de séparation gaz/liquide. De telles colonnes de séparation se présentent par exemple sous une forme cylindrique à section circulaire ou sensiblement circulaire. Les colonnes de séparation peuvent présenter une dimension principale de plusieurs dizaines de mètres et une section cylindrique de plusieurs mètres. Les tronçons de garnissage 2 amenés à être insérés au sein de ces colonnes de séparation peuvent présenter une section circulaire ou sensiblement circulaire d’un diamètre de l’ordre de 1m à 5m.
Ici le système d’insertion 1 permet une insertion à l’horizontale des tronçons de garnissage au sein de la virole, ce qui peut notamment être avantageux pour des raisons d’encombrement mécanique en termes de hauteur rendant impossible l’opération d’insertion des tronçons de garnissage lorsque la virole est agencée verticalement. Il convient toutefois de noter que cet agencement du système d’insertion et l’insertion des tronçons de garnissage 2 selon une direction horizontale tel qu’illustré pourraient être autres sans sortir du contexte de l’invention, dès lors que le système d’insertion comporte un module de déploiement tel qu’il va être décrit ci-après.
Le système d’insertion 1 de tronçons de garnissage selon l’invention permet d’opérer un procédé d’insertion desdits tronçons de garnissage 2 au sein de la virole, qui sera décrit ci-après plus en détails en référence aux figures 10 à 12. Un tel système d’insertion 1 permet notamment d’agripper un tronçon de garnissage 2 sur une pile 24 verticale de tronçons de garnissage tel que cela est illustré sur la . Le système d’insertion 1 permet par la suite d’effectuer une rotation afin d’agencer le tronçon de garnissage 2 en regard d’une entrée de la virole, de se déplacer jusqu’à l’entrée de la virole, puis de pousser le tronçon de garnissage 2 jusqu’au fond de la virole ou contre un autre tronçon de garnissage 2 déjà inséré au sein de la virole, en assurant une avancée la plus fluide possible, c’est-à-dire avec le moins d’à-coups possible, du tronçon de garnissage 2 au sein de la virole.
Pour ce faire, le système d’insertion 1 comprend une structure porteuse 4, ainsi qu’un dispositif d’insertion 5 agencé sur la structure porteuse 4, et comprenant notamment des moyens d’accroche 6 permettant d’agripper les tronçons de garnissage 2.
Selon l’invention, ces moyens d’accroche 6 forment partie d’un dispositif d’agrippement 100 configuré pour pouvoir assurer un agrippement efficace d’un tronçon de garnissage quel que soit son diamètre, tel que cela sera décrit plus en détails ci-après.
La structure porteuse 4 se présente sous la forme d’un portique comprenant deux piliers 7 entre lesquels repose le dispositif d’insertion 5. La structure porteuse 4 peut par exemple être montée sur rails afin que le système d’insertion 1 puisse opérer un déplacement linéaire entre la pile 24 de tronçons de garnissage 2 et la virole.
Dans l’exemple illustré, le système d’insertion 1 comprend un premier moteur 25 permettant au dispositif d’insertion 5 d’effectuer dans son ensemble un mouvement de translation par rapport à la structure porteuse 4. Le système d’insertion 1 comprend également un deuxième moteur 26 permettant d’actionner un système d’engrenages 27 permettant de déplacer le dispositif d’insertion 5 dans son ensemble de sorte à effectuer une rotation de manière relative à la structure porteuse 4. Cette rotation permet de faire passer le dispositif d’insertion d’une position verticale à une position horizontale, de manière à pouvoir agencer le tronçon de garnissage 2 en regard de l’entrée de la virole tel que mentionné précédemment.
Comme cela a été mentionné précédemment, le diamètre des tronçons de garnissage peut varier entre 1m et 5m. Avant de procéder à l’agrippement des tronçons de garnissage, il est important de pouvoir adapter le dispositif d’insertion au diamètre de tronçon de garnissage considéré, et ce afin que les moyens d’accroche puissent être en regard du bord périphérique 75 des tronçons de garnissage 2 et être aptes, par leur structure particulière qui va être décrit ci-après, à agripper les tronçons de garnissage de manière optimale et la plus fiable possible. Ainsi, avant de procéder à l’étape d’agrippement du tronçon de garnissage au cours du procédé d’insertion de celui-ci, le dispositif d’insertion doit être dimensionné de manière adéquate.
Dans les TEGFETs de l’état de l’art, la diffusion des atomes de métal depuis la couche de métal externe supérieure 50 formant la grille métallique externe supérieure 50 ou inférieure est proscrite pour éviter le court-circuit, et/ou éviter d’abaisser la tension de claquage et/ou pour limiter les courants de fuite. A cet effet, il est nécessaire de déposer la couche de métal externe supérieure 50 formant la grille métallique externe supérieure 50 ou inférieure après avoir réalisé l’étape de recuit pour former le contact ohmique entre la couche de métal externe supérieure 9, 92 du drain 3 et la couche de métal externe supérieure 9, 93 de la source 4. Ainsi, le procédé de fabrication du TEGFET 1 selon l’invention selon l’invention comprend moins d’étape et offre donc un gain de temps et d’énergie.
Sur les figures 10, 11 et 12 sont présentés les performances et caractéristiques de deux géométries de canal 6 différentes du TEGFET 1 selon l’invention telles qu’illustrées sur la . Dans la première géométrie illustrée sur la FIGURE 9a), dite TEGFETa) 1, le canal 6 présente une longueur de 730 µm entre la source 4 et le drain 3 et une épaisseur de 10 µm entre les côtés 7, 71 et 7, 72 du canal 6. Dans la deuxième géométrie illustrée sur la FIGURE 9b), dite TEGFETb) 1, le canal 6 présente une longueur de 30 µm entre la source 4 et le drain 3 et une épaisseur de 10 µm entre les côtés 7, 71 et 7, 72 du canal 6.
Sur la FIGURE 10a) est présentée l’évolution du courant drain-source, noté I DS , en fonction de la tension drain-source, notée V DS , pour différentes tensions grilles-source, notées V GS , à une température de 300 K pour le TEGFETb) 1. La différence de potentiel est appliquée entre une des deux grilles latérales 5 et la source 4. En particulier, une des grilles latérales 5 est à la masse et l’autre est polarisée. Il est à noter que même lorsque V GS est égale zéro, une saturation de I DS est tout de même observée. Lorsque V GS est égale zéro, les grilles latérales 5 sont au même potentiel que la source 4 qui est reliée à la masse selon le mode de réalisation. En outre, pour une polarisation négative des grilles latérales 5, c’est-à-dire pour V GS inférieure à zéro, I DS diminue et lorsque V GS est positive I DS augmente. Ainsi, cette configuration permet de retrouver les caractéristiques classiques d’un TEGFET.
Sur la FIGURE 10b) est représentée l’évolution du potentiel dans le canal 6 selon l’axe latéral 10 à l’extrémité du canal 6 située du côté de la source 4, notée V YS , en fonction de V DS pour une température de 300 K pour le TEGFETb) 1. Sur la FIGURE 10c) est représentée l’évolution du potentiel dans le canal 6 selon l’axe latéral 10 à l’extrémité du canal 6 située du côté du drain 3, notée V YD , en fonction de V DS pour une température de 300 K pour le TEGFETb) 1. La densité de porteurs du gaz d’électrons bidimensionnel est dans ce cas de 2,4.10 11 .cm -2 à 300 K et de 1,1.10 11 .cm -2 à 1,5 K. Il est à noter que lorsque V GS est égale à 0 ni V YS ni V YD n’est égal à 0 ce qui indique que même dans ce cas les charges peuvent s’accumuler le long de chacun des côtés 7, 71 et 7, 72 du canal 6. Toutefois, V YS et V YD n’est tendent vers 0 si les grilles latérales 5 sont maintenues au même potentiel à potentiel flottant, ce qui démontre que les grilles latérales 5 modifient fortement le potentiel selon l’axe latéral 10 et selon la longueur L du canal 6 et ce même si V GS est égal à 0. On note également que ces résultats confirment l’effet direct et conséquent de V GS sur le potentiel dans le canal 6 selon l’axe latéral 10 et sur le potentiel dans le canal 6 selon l’axe selon la longueur L du canal 6.
Sur la est présentée l’évolution du courant drain-source, noté I DS , en fonction de la tension drain-source, notée V DS , pour différentes tensions grilles-source, notées V GS , à une température de 300 K pour le TEGFETb) 2 comprenant une couche dopée δ comprenant des atomes de Berylium, ayant un rôle d’accepteur, à une densité de 4.10 10 .cm -2 . La couche dopée δ est située à une distance de 2 nm de l’interface GaAS/GaAlAs. La densité de porteurs du gaz d’électrons bidimensionnel est dans ce cas de 2,7.10 11 .cm -2 à 300 K et de 1,25.10 11 .cm -2 à 1,5 K. Ceci démontre que la géométrie du TEGFET 1 n’influence pas les caractéristiques, en particulier l’évolution I DS en fonction de V DS , du TEGFET 1 selon l’invention. Le courant I DS de saturation ainsi que la stabilité de I DS restent inchangés quelle que soit la géométrie du TEGFET 1.
Sur la est présentée l’évolution du courant drain-source, noté I DS , en fonction de la tension drain-source, notée V DS , pour différentes tensions grilles-source, notées V GS , à une température de 1,5 K pour le TEGFETb) 2 comprenant une couche dopée δ comprenant des atomes de Berylium, ayant un rôle d’accepteur, à une densité de 8.10 10 .cm -2 . La couche dopée δ est située à une distance de 2,5 nm de l’interface GaAS/GaAlAs. L’encart de la illustre l’évolution du courant drain-source, noté I DS , lors d’une variation continue, c’est-à-dire sans interruption de la variation de la tension, de la tension V GS entre -0,5 Volts et +0,5 Volts puis entre +0,5 Volts et -0,5 Volts à une température de 1,5 K, avec une densité de porteurs du gaz d’électrons bidimensionnel de 6.10 10 .cm -2 , et à une température de 300 K, avec une densité de porteurs du gaz d’électrons bidimensionnel de 1,6.10 11 .cm -2 . On note également qu’à 1,5 K, la qualité de l’évolution I DS en fonction de V DS est maintenue comparée à 300 K présentée aux figures 10 et 11. Ceci démontre que même pour une densité de porteurs faibles, 8.10 10 .cm -2 , le TEGFET 1 présente un faible bruit et est donc compatible pour les applications à basses températures.
Transistor non-volatil à effet de champ à base de gaz bidimensionnel d’électrons La présente invention concerne un transistor non-volatil à effet de champ à gaz bidimensionnel d’électrons.
Un transistor à effet de champ est souvent désigné par l’acronyme FET qui renvoie à la dénomination anglaise correspondante de « Field-Effect Transistor ». Un tel transistor est souvent utilisé comme commutateur ou amplificateur.
Un transistor à effet de champ est un dispositif unipolaire à trois terminaux (drain, source et grille) reposant sur l'action d'un champ électrique sur la conductivité d’un canal situé entre le drain et la source. Dans le canal, les porteurs, électrons ou trous, sont libres de se mouvoir entre la source et le drain sous l’action d’une tension appliquée entre ces deux terminaux. Le contrôle de la conductance du canal se fait par l’application d’une tension sur la grille. De nombreux types de transistors à effet de champ existent selon la nature du porteur (électron ou trou) ou la nature du contrôle électrique exercé sur le canal.
Les transistors à effet de champs sont actuellement construits à l’aide de divers matériaux semi-conducteurs, dont surtout des matériaux à base de silicium monocristallin. D’autres matériaux sont néanmoins utilisés, tels que le silicium amorphe, le silicium polycristallin, l’arséniure de gallium ou le nitrure de gallium.
Dans un transistor FET, une alimentation électrique permet de maintenir l’état passant (c’est-à-dire une conductivité du canal non nulle) ou non-passant (conductivité du canal nulle) du transistor, puisque cet état dépend de la tension appliquée à la grille. Cet état est volatil : si l’alimentation est coupée, la tension appliquée sur la grille devient nécessairement nulle, et l’état n’est pas conservé. L’application d’une tension de manière constante pour conserver l’état mémoire entraîne une consommation d’énergie pour maintenir l’état du transistor. Cette consommation est dite statique car elle est liée à l’apparition de courants de fuite, et non au processus dynamique d’écriture ou de lecture de la mémoire.
La création de transistors non-volatils à effet de champ, donc capables de maintenir l’état du transistor en l’absence d’alimentation électrique, permet d’éliminer la consommation d’énergie statique, et donc de réduire la consommation d’énergie. La non-volatilité peut également permettre d’envisager un transistor avec des fonctionnalités supplémentaires, comme une fonction mémoire ou une fonction de calcul logique.
Plusieurs transistors non-volatils à effet de champ ont été proposés, basés sur des transistors semiconducteurs. En particulier, des travaux portent sur le développement du transistor à effet de champ ferroélectrique, plus souvent désigné sous l’abréviation Fe-FET qui renvoie à la dénomination anglaise correspondante de « Ferroelectric Field- Effect Transistor ». Le Fe-FET comprend un élément ferroélectrique entre la grille et le canal drain-source permettant de maintenir l’état passant ou non-passant en l’absence d’alimentation électrique.
Les transistors Fe-FET connus souffrent notamment d’une endurance et d’un contraste entre l’état passant et l’état non-passant (parfois désigné sous l’appellation « contraste ON/OFF ») limités.
L’émail est de préférence translucide, incolore ou coloré, blanchâtre ou avec une autre couleur (sans être complétement opaque).
On limite fortement et mieux on évite les additifs colorants comme un pigment d'oxyde métallique (mixte).
On peut limiter fortement et même éviter
-une ou plusieurs charges telles que la silice et l'alumine le quartz, des charges d'oxyde réfractaire telles que des silicates de boro-alumine, des silicates d'alumine, des silicates de calcium, des silicates de soude-calcium-alumine, de la wollastonite, du feldspath,
-et/ou d'autres additifs classiques, tels que le fer, le silicium, le zinc et similaires, des titanates.
Classiquement on numérote de 1 à 4 les faces principales d’un vitrage feuilleté (automobile ou batiment) :
- la face F1 est la face externe (extérieure) du verre extérieur de préférence teinté en automobile et
- la face F2 est la face interne (côté intercalaire de feuilletage) du verre extérieur
- l’intercalaire de feuilletage est de préférence du PVB ou de l’EVA
- la face F3 est la face interne (côté intercalaire de feuilletage) du verre intérieur de préférence incolore souvent d’épaisseur inférieure ou égale à celle du verre extérieur
-- la face F4 est la face interne (côté habitacle ou habitat) du verre intérieur
L’émail peut être semi-transparent (blanchâtre notamment avec pas ou peu de pigments).
L’émail peut être moins transparent voire opaque lorsque la première face est à l’opposé de la face d’observation du motif diffusant lumineux notamment :
- la première face est la face F1 et la face d’observation est la face F2 (ou l’inverse si on souhaite un motif visible coté extérieur)
- ou la face d’observation est la face F4 si la première feuille est le verre interne d’un vitrage feuilleté ou au sein du vitrage feuilleté (guide interne)
L’émail est translucide (la première face est à l’opposé de la face d’observation du motif lumineux notamment F2 ou F4 si feuilleté).
est le paramètre qui pilote la position de l’extrémité de la bavure 14. Trois domaines distincts D1, D2 et D3 sont différentiés en fonction des valeurs de :
Le rayon du cercle intérieur est relié au rayon extérieur par l’équation suivante :
Les inventeurs actuels ont constaté que les compositions de gel antérieures destinées à être utilisées avec des applicateurs poreux peuvent présenter l’inconvénient d’une mauvaise expression de la totalité de la composition à travers les pores de l’applicateur (c’est-à-dire la « restitution ») et/ou d’avoir une mauvaise stabilité de phase. La présente invention permet de surmonter un ou plusieurs de ces inconvénients.
La présente invention concerne une composition de gel rafraîchissant qui inclut de l’eau ; au moins un alcool en C 2 -C 5 ; au moins un copolymère formé à partir d’un monomère acrylique d’acide sulfonique ; au moins un polymère épaississant acrylique exempt de monomères sulfonés ; et une portion particulaire comprenant une fraction majoritaire de particules sensiblement sphériques ayant une taille moyenne de particule inférieure à environ 20 microns.
Selon un autre aspect, la présente invention concerne un système cosmétique qui inclut un applicateur qui inclut un récipient et au moins un matériau poreux dans le récipient, dans lequel le matériau poreux a différentes tailles de pores dans différentes portions du matériau. Le système inclut en outre une composition de gel telle que la composition de gel décrite ci-dessus.
Selon un autre aspect, la présente invention concerne un procédé pour améliorer l’apparence de la peau qui inclut l’application d’une composition de gel telle que la composition de gel décrite ci-dessus sur la peau en utilisant un applicateur comprenant un récipient et au moins un matériau poreux dans le récipient, dans lequel le matériau poreux a différentes tailles de pores dans différentes portions du matériau.
Il est entendu que la description générale qui précède et la description détaillée qui suit ne sont toutes deux qu’exemplaires et explicatives, et ne sont pas restrictives de l’invention.
La représente un exemple de récipient convenable pour une utilisation selon des modes de réalisation de la présente invention.
La est une coupe transversale d’un applicateur convenable pour une utilisation selon des modes de réalisation de la présente invention, l’applicateur comprenant une portion de base du récipient, un bouchon du récipient, un réservoir de stockage et un matériau poreux.
DESCRIPTION DETAILLEE DE L’INVENTION Selon l’invention, le terme « dépourvu » d’un matériau particulier fait référence à une composition ne contenant aucun du matériau particulier. Ainsi, par exemple, une composition « dépourvue de » tensioactif ne contient aucun tensioactif. De même, une composition « exempte de » tensioactif contient 0,25 % en poids de la composition ou moins de tensioactif. Une composition « sensiblement exempte » de tensioactif contient 1 % en poids de la composition ou moins de tensioactif.
Dans le présent document, l’expression « au moins un » signifie au moins un et inclut donc les composants individuels ainsi que les mélanges/combinaisons.
A l’exception des exemples de fonctionnement, ou lorsqu’il en est indiqué autrement, tous les nombres exprimant des quantités d’ingrédients et/ou des conditions de réaction doivent être compris comme étant modifiés dans tous les cas par le terme « environ », signifiant dans les 10 % du nombre indiqué (par exemple, « environ 10 % » signifie 9 % à 11 % et « environ 2 % » signifie 1,8 % à 2,2 %).
« Filmogène » ou « agent filmogène » ou « polymère filmogène » ou « résine filmogène » tel qu’utilisé ici signifie un polymère ou une résine qui laisse un film sur le substrat sur lequel il est appliqué, par exemple, après qu’un solvant accompagnant le filmogène se soit évaporé, absorbé dans et/ou dissipé sur le substrat.
« Substitué », tel qu’utilisé ici, signifie comprenant au moins un substituant. Des exemples non limitatifs de substituants incluent des atomes, tels que des atomes d’oxygène et des atomes d’azote, ainsi que des groupes fonctionnels, tels que des groupes amine, des groupes éther, des groupes alcoxy, des groupes acyloxyalkyle, des groupes oxyalkylène, des groupes polyoxyalkylène, des groupes acide carboxylique, des groupes amine, des groupes acylamino, des groupes amide, des groupes halogène, des groupes ester, des groupes thiol, des groupes sulfonate, des groupes thiosulfate, des groupes siloxane et des groupes polysiloxane. Le(s) substituant(s) peut(vent) être davantage substitué(s).
Telles qu’elles sont utilisées dans le présent document, toutes les plages fournies sont censées inclure chaque plage spécifique à l’intérieur des plages données, ainsi que les combinaisons de sous-plages intermédiaires. Ainsi, une plage de 1 à 5 inclut spécifiquement 1, 2, 3, 4 et 5, ainsi que des sous-plages telles que 2 à 5, 3 à 5, 2 à 3, 2 à 4, 1 à 4, etc.
Telle qu’elle est utilisée ici, une plage de rapports est censée inclure chaque rapport spécifique à l’intérieur des plages données, ainsi que des combinaisons de sous-plages intermédiaires.
Les « matières kératineuses » incluent les matières contenant de la kératine telles que les cheveux, la peau, les sourcils, les lèvres et les ongles, de préférence la peau.
« Volatil », tel qu’utilisé ici, signifie avoir un point d’éclair inférieur à environ 100 °C.
Avant l’étape S3 de formation de la deuxième couche structurelle 25, le procédé de fabrication peut comprendre une étape dite d’ouverture de la première couche structurelle 23 et de la deuxième couche sacrificielle 24. Cette étape d’ouverture consiste à former un puits 30 qui s’étend à travers la première couche structurelle 23 et la première couche sacrificielle 22 jusqu’au substrat 21. Ce puits 30 est formé en gravant successivement une portion de la première couche structurelle 23 et une portion de la première couche sacrificielle 22, de préférence à travers la deuxième couche sacrificielle 24. Les portions gravées sont situées dans la région 21A (cf. ). Le puits 30 permet au matériau de la deuxième couche structurelle 25 (par exemple du silicium) de croître du substrat 21 jusqu’à la première couche structurelle 23, formant ainsi un pilier qui traverse la première couche sacrificielle 22. Ce pilier assurera la connexion entre la membrane 131 du piston 13 (formée dans la première couche structurelle 23) et le premier bras de transmission 141 (formé dans le substrat 21).
La représente l’étape S4 de gravure de la deuxième couche structurelle 25, après son dépôt sur la première couche structurelle 23 et la deuxième couche sacrificielle 24. La deuxième couche structurelle 25 est gravée de façon à exposer la deuxième couche sacrificielle 24 (allégement du piston) et à délimiter la structure de rigidification 132.