INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Dans le but d’illustrer le procédé de détermination de routes selon l’invention, on considère un cas de déplacement en véhicule automobile entre deux zones données de la métropole Lyonnaise, ainsi qu’une période temporelle mensuelle et un créneau horaire choisis pour les jours ouvrés. Pour cet exemple, la zone géographique d’origine correspond aux premier et deuxième arrondissements de Lyon et la zone géographique de destination correspond à la ville de Bron.
Des données de géolocalisation de trajets mesurés entre le 01/01/2017 et 01/01/2022 sont acquis, ces données de géolocalisation sont des données GPS horodatées. Les créneaux horaires définis sont de 6h à 12h et de 14h à 20h. Les données de géolocalisation en dehors de ces créneaux horaires sont groupées ensemble. Le système d’information géographique SIG est l’outil de navigation issu de l’application HERE TM Maps.
Etant donné que les deux zones géographiques ne sont pas des zones voisines, on applique une segmentation des données de géolocalisation afin d'analyser la mobilité entre les zones et non à l'intérieur de celles-ci. De plus, un ré-échantillonnage des trajectoires est fixé à une valeur par défaut de 256 points et le seuil de distance est de 100 mètres. Il est important de noter qu'un groupe de trajectoires pour une fenêtre de temps donnée est considéré comme représentatif s'il y a au moins 10 trajets enregistrés qui sont effectués par au moins 5 utilisateurs différents.
Le nombre total de trajets réalisés qui correspond à la période temporelle et aux zones géographiques d’origine/destination est de 2289. L’application de l’étape de regroupement par application de l’algorithme de Quick Bundles forme alors 424 clusters (groupements). Parmi ces clusters, on conserve quatre clusters qui correspondent au critère énoncé ci-dessus (au moins 10 trajets enregistrés qui sont effectués par au moins 5 utilisateurs différents). Puis on détermine les trajectoires représentatives de chacun de ces 4 clusters.
À titre d’exemple et sans perte de généralité, la couche centrale C2 est réalisée en oxyde d'hafnium. L’épaisseur de la couche centrale C2 est de l’ordre de quelques nanomètres, plus particulièrement égale à 10nm.
Le fonctionnement d’une structure de stockage S1 résistive nécessite la formation d’un filament conducteur à travers au moins une partie de la couche centrale C2, isolante électriquement.
Initialement, le structure de stockage S1 est une structure de type MIM (métal, isolant, métal) présentant une résistance infinie entre les deux électrodes EL1 et EL2. D’abord, il faut former le filament F à travers au moins une partie du volume de la couche centrale C2. La formation du filament permet d’obtenir une résistance variable en modulant la longueur l du filament conducteur formé. Pour former le filament, on applique une tension électrique positive de formation sur l’électrode supérieure EL1. La tension électrique de formation présente une amplitude et/ou une durée suffisamment élevée afin d’entrainer la génération de lacunes d’oxygène dans la couche centrale C2. En effet, la tension électrique de formation appliquée doit dépasser une valeur prédéterminée de manière à arracher des ions oxygène du réseau cristallin de la couche centrale en oxyde métallique. Les ions vont merger vers l’électrode supérieure EL2 pour former un filament conducteur F à travers la couche centrale constitué des lacunes d’oxygène.
Une fois le filament conducteur F formé, on obtient le comportement d’élément résistif à une résistance variable R selon la longueur du filament conducteur F. Lorsque le potentiel électrique de l‘électrode supérieure V EL1 est inférieur à celui de l’électrode inférieure V EL2, la structure de stockage S1 voit une tension V reset négative à ses bornes. Dans ce cas, des ions oxygènes vont venir combler une partie des lacunes d’oxygène formant le filament conducteur. Il en résulte une réduction de la longueur du filament conducteur. Ainsi, la résistance de l’élément résistif augmente. On parle d’un état résistif haut et d’une opération d’écriture de type RESET. Inversement, lorsque le potentiel électrique de l‘électrode supérieure V EL1 est supérieur à celui de l’électrode inférieure V EL2, la structure de stockage S1 voit une tension V set positive à ses bornes. La longueur du filament conducteur F s’accroît par le même mécanisme décrit pour l’opération de formation du fil. Ainsi, la résistance de l’élément résistif diminue. On parle d’un état résistif bas et d’une opération d’écriture de type SET.
La tension appliquée V set doit être supérieure en valeur absolue à un premier seuil de tension pour passer d’un état résistif haut à un état résistif bas. De même, la tension appliquée V reset doit être supérieure en valeur absolue à un second seuil de tension pour passer d’un état résistif bas à un état résistif haut.
On choisit la convention suivante à titre d’exemple : lorsque la structure de stockage S1 est configurée pour stocker une donnée binaire à l’état logique haut (x= 1) elle est à un état résistif bas. Inversement, lorsque la structure de stockage S1 est configurée pour stocker une donnée binaire à l’état logique bas (x= 0) elle est à un état résistif haut. Une convention inverse est aussi possible.
La illustre un schéma électrique d’une cellule mémoire CM selon l’invention. La cellule mémoire CM comprend une structure mémoire S1 et un transistor de sélection T1. La cellule mémoire CM comprend en outre un nœud de sélection WL, un premier nœud d’entrée/sortie SL et un second nœud d’entrée/sortie BL. L’électrode supérieure EL1 de la structure de stockage S1 est connectée au second nœud d’entrée/sortie BL de la cellule mémoire CM. Le nœud de sélection WL est destiné à recevoir un signal de sélection VWL. La grille du transistor T1 est connectée au nœud de sélection WL. Le transistor T2 est monté de manière à relier l’électrode inférieure EL2 au premier nœud d’entrée/sortie SL. Ainsi, la cellule mémoire CM ne peut être écrite en SET ou en RESET que lorsque le transistor T1 est à l’état passant. De plus, le transistor T1 permet de limiter le courant passant à travers la structure de stockage S1 lors d’une opération de SET. La limitation de courant protège la structure S1 du risque de destruction structurelle interne due à la présence des courants forts potentiels lors de la transition d’un état résistif haut à un état résistif bas.
Généralement, il est possible de réaliser dans le cadre de l’invention des cellules mémoires de types OxRAM, CbRAM ou toute autre technologie de mémoire résistive non-volatile.
D’une manière générale, l’invention concerne un circuit de calcul dans la mémoire comprenant une pluralité de plans mémoire de rangs i de 1 à N, avec N un entier naturel supérieur à 1. Chaque plan forme une matrice bidimensionnelle de cellules mémoire CM telles que décrites précédemment. Chaque matrice comprend M lignes et K colonnes de cellules mémoires. On obtient ainsi une structure de mémoires tridimensionnelle. La structure de mémoire tridimensionnelle selon l’invention est caractérisée par l’implémentation d’au moins un groupe élémentaire de plusieurs cellules mémoires aptes à réaliser au moins une opération logique. Nous allons dans ce qui suit décrire plusieurs exemples non limitatifs de modes de réalisation de groupes élémentaires de cellules mémoires.
La illustre un groupe élémentaire de cellules mémoires selon un premier mode de réalisation de l’invention destiné à réaliser l’opération logique A OU B. Le groupe élémentaire est composé de trois cellules mémoire CM A, CM B , CM OR . La première cellule mémoire CM A appartient au plan mémoire P in1 et elle est destinée à stocker une première donnée d’entrée A. La deuxième cellule mémoire CM B appartient au plan mémoire P in1 et elle est destinée à stocker une deuxième donnée d’entrée B. La troisième cellule mémoire CM OR appartient à un plan mémoire P OR 1 différent du plan mémoire P in1 . La troisième cellule mémoire est destinée à stocker le résultat de l’opération logique A OU B.
Dans l’exemple illustré, chacun des plans mémoire P in1 et P OR1 est une matrice de cellules mémoires de quatre lignes (L 1 , L 2 , L 3 , L 4 ) et de deux colonnes (C 1 , C 2 ). Dans chaque plan mémoire : les nœuds de sélection WL des cellules mémoires appartenants à la même ligne L j sont interconnectés par une ligne de sélection WL ij ; les premiers nœuds d’entrée/sorties SL des cellules mémoires appartenants à la même colonne C k sont interconnectés à travers une ligne de source commune (source line en anglais) ; les seconds nœuds d’entrée/sorties BL des cellules mémoires appartenants à la même colonne C k sont interconnectés par une ligne de données commune (bit line en anglais).
Ainsi, chaque plan mémoire comprend M lignes de sélection WL ij (M étant le nombre de ligne par plan), K lignes de source et K lignes de données (K étant le nombre de colonnes par plan).
Dans le groupe élémentaire illustré, la première cellule mémoire CM A, la deuxième cellule mémoire CM B et la troisième cellule mémoire CM OR appartiennent toutes à des colonnes de même rang k dans leurs matrices respectives. Les seconds nœuds d’entrée/sortie BL de la première, de la deuxième et des troisièmes cellules mémoire CM A, CM B et CM OR sont interconnectés par une ligne d’interconnexion commune BL 1a . La ligne d’interconnexion commune correspond dans ce cas à la ligne de données (bit line en anglais) des cellules mémoire CM A, CM B et CM OR. Ce montage spécifique combiné avec l’application d’une séquence de tension bien déterminée sur les nœuds desdites cellules permet de réaliser la fonction logique A OU B dans la troisième cellule.
Alternativement, il est possible d’implémenter les deux cellules d’entrée CM A et CM B dans deux plans mémoires distincts, à condition qu’ils appartiennent à des colonnes de même rang k.
Ainsi, le groupe élémentaire est commandé via les nœuds suivants : le premier nœud d’entrée/sortie commun à CM A et CM B noté SL 1a , le premier nœud d’entrée/sortie de CM OR noté SL 2a et les trois nœuds de sélection (WL 1 ,1 , WL 1,2 WL 2,1 ).
Avantageusement, il est possible de réaliser un autre groupe élémentaire de cellules mémoires symétrique sur les deuxièmes colonnes C 2 des plans P in1 et P OR1 . Cela permet de réaliser deux opérations logiques OU sur deux couples d’opérandes différents de manière parallèle.
la thermofrigopompe est actuellement arrêtée, la température mesurée du ballon tampon chaud est inférieure à T sp, hot – dT, et l’indicateur COLDPROD retourne le booléen FALSE.
Deuxième mode de production de froid
Le deuxième mode de production de froid seul est déclenché, si :
la thermofrigopompe est actuellement arrêtée, l’indicateur HOTPROD retourne le booléen FALSE, et la température du ballon tampon froid est supérieure à T consigne, cold + dT.
Troisième mode de production simultanée de chaud et de froid
Le troisième mode de production simultanée de froid et de chaud, si :
la thermofrigopompe est actuellement arrêtée, l’indicateur HOTPROD retourne le booléen TRUE, et l’indicateur COLDPROD retourne le booléen TRUE.
Lorsque la thermofrigopompe fonctionne selon l’un des trois modes ci-dessus, celle-ci se met en arrêt pour une durée minimale de δt secondes lorsque
la thermofrigopompe est en premier mode de production et la température mesurée du ballon tampon chaud est supérieure à T sp ,hot + dT la thermofrigopompe est en deuxième mode de production et la température mesurée du ballon tampon d’eau glacée est inférieure à T sp , cold – dT la thermofrigopompe est en troisième mode de production et : Soit la température mesurée du ballon tampon froid est inférieure à T sp , cold – dT, Soit la température mesurée du ballon tampon chaud est supérieure à T sp ,hot + dT.
Pour les deux pilotages, la valeur du paramètre dT d’hystérésis utilisée est de 2°C.
Les figures 5 et 6 fournissent des indicateurs macroscopiques sur l’opération annuelle du système, notamment les durées d’usage de chaque mode de production au cours de l’année. On observe que l’utilisation du troisième mode de production simultanée augmente sensiblement lorsque le fonctionnement de la thermofrigopompe 10 est commandé selon le procédé selon l’invention. La durée d’usage de ce troisième mode passe par exemple de 82 h pour un pilotage classique à 436 h lorsque le procédé selon l’invention est mis en œuvre, soit une augmentation de 430% environ. Le procédé selon l’invention favorise donc le troisième mode de production au détriment des autres modes de production.
Si l’on prend l’exemple du contexte économique français de l’année 2020 pour les prix de l’électricité et du gaz, un gain opérationnel de 5% peut être obtenu lorsque le procédé selon l’invention est mis en œuvre. En outre, le fonctionnement de la thermofrigopompe 10 est réduit de l’ordre de 300 h sur l’année sans augmenter le nombre de démarrages nécessaires, ce qui permet de retarder le vieillissement de celle-ci.
L’exemple comparatif qui vient d’être décrit démontre quantitativement que le procédé selon l’invention, en favorisant par défaut le mode de production ‘thermofrigopompe’ vis-à-vis des autres modes de fonctionnement, permet des gains significatifs sur le fonctionnement du système. Alors que l’implémentation des estimateurs est la plus simple possible dans l’exemple illustré, les gains sont notables.
Par exemple, la fonction temporelle peut être estimée autrement que par une régression linéaire.
Procédé et appareil de refroidissement de dioxyde de carbone et d’hydrogène La présente invention est relative à un procédé et à un appareil de refroidissement, voire de liquéfaction, de dioxyde de carbone et de refroidissement, voire de liquéfaction d’hydrogène. Elle concerne également un tel procédé qui utilise des frigories venant d’un débit de gaz naturel liquéfié.
Les substrats des exemples 1 à 6 peuvent faire partie d’un vitrage feuilleté.
Ainsi, avec un même système 10 comprenant une unique caméra polarimétrique et un unique dispositif d’illumination, on peut calculer au moins trois images distinctes contenant des informations respectivement relatives : - à la réfraction induite par le récipient dans la lumière émergeant de chaque zone élémentaire de la zone inspectée, - à l’absorption induite par le récipient dans la lumière émergeant de chaque zone élémentaire de la zone inspectée, - aux contraintes mécaniques internes dans le matériau du récipient, pour chaque zone élémentaire de la zone inspectée.
Avec un système 10 ayant un unique dispositif d’illumination comprenant une matrice bidimensionnelle 16c de cellules à cristaux liquides et une unique caméra polarimétrique, on peut acquérir deux ou trois images maîtresses et calculer trois ou quatre images parmi : - une image de réfraction selon une direction D1 ; - une image d’intensité ; - une image de réfraction selon une direction D2 différente de D1, par exemple perpendiculaire à D1 ; - une image de stress.
Dans le présent texte, donc dans tous les calculs des pixels utilisés dans cette invention, les valeurs de pixels calculés peuvent évidemment être codées en virgule flottante ou bien normalisées pour être ramenées à des valeurs numériques par exemple sur 8 ou 16 ou 24 bits.
Les aubes de turbine haute pression sont celles qui convertissent l’énergie thermique de la combustion en couple mécanique d’un turboréacteur. Ces aubes doivent tenir des conditions thermiques et mécaniques extrêmes à l’intérieur des moteurs. Afin d’optimiser leur résistance thermomécanique, elles sont fabriquées en super alliages à qualité monocristalline et dotés de circuits internes de refroidissement.
Différentes indications peuvent néanmoins apparaitre lors de la fabrication de ces aubes comme par exemple des variations dans les dimensions de la structure de l’aube et des anomalies dans la matière. Ces indications, malgré leur petite taille (de l’ordre de 300 micromètres) par rapport aux dimensions des aubes (de l’ordre d’une dizaine de centimètres), peuvent constituer des points de faiblesse dans la pièce. Ainsi, leur contrôle s’impose comme une condition sine qua non pour leur exploitation.
Actuellement, un système industriel de contrôle non destructif (CND) 2D assure le contrôle de la plupart de ces indications. Cependant, la réduction des coûts de fabrication et le développement des nouvelles aubes à circuits de refroidissement complexes commandent de réduire le temps de contrôle.
Une technique envisagée pour répondre à ce besoin est la tomographie conique. Avec cette technique, l’information volumique de la morphologie interne d’un objet peut être obtenue en appliquant un algorithme de reconstruction sur des radiographies successives (projections) prises sur l’objet en rotation. Elles correspondent aux prises de vue sur différents angles successifs de l’objet imagé.
Cependant cette technique est confrontée à des défis dus à des artefacts (i.e. des inconsistances dans l’image issue de la reconstruction mathématique ou de l’acquisition physique) qui viennent dégrader la qualité de l’image tomographique et nuisent, voire empêchent, la capacité de détection des indications.
L’un des artefacts les plus récurrents dans la tomographie à géométrie conique est l’artefact associé au rayonnement diffusé. Cet artefact résulte de l’émission secondaire de rayons X provenant de l’objet. En effet les rayons X provenant de la source X (primaires) et interagissant avec l’objet peuvent induire l’émission de rayons X de la part de l’objet (secondaires). Ces rayons secondaires atteignent le détecteur X et modifient le rapport entre les rayons X passant à travers l’objet et interagissant avec l’objet.
Or les tomographes coniques utilisent des détecteurs de rayons X de grande taille qui leurs permettent d’afficher des images de grande taille. Ce qui s’avère particulièrement utile pour l’imagerie des aubes de turbine haute pression dont la taille réduite impose de forts facteurs de grandissement. Cependant des détecteurs de grande taille captent plus de rayonnement diffusé. Par ailleurs, les fortes énergies requises pour imager les aubes de turbine haute pression (supérieures à 400 keV typiquement) induisent dans l’interaction avec l’aube de grande quantité de rayons secondaires.
Les techniques logicielles peuvent être plus précises mais sont très couteuses en temps de calcul et complexes en termes d’implémentation algorithmique. Les techniques du type matérielles peuvent être d’implémentation plus simple, mais requièrent la modification du protocole d’acquisition et donc l’augmentation de temps d’exposition.
Un objectif de l’invention est de proposer une technique de contrôle tomographique de pièces industrielles, notamment d’aubes pour moteurs d’avions telles que des aubes de turbines haute pression, qui puisse à la fois être menée dans un temps de contrôle réduit et permettre une correction efficace des artefacts dus au rayonnement diffusé.
A cet effet, l’invention propose un procédé de contrôle non destructif d’un lot de pièces industrielles par tomographie par rayons X, comprenant les étapes suivantes :
Les éléments de plancher 26 sont par exemple des caillebotis, de façon à éviter l’accumulation d’eau stagnante sur le plancher 25. Les éléments de caillebotis sont réalisés dans un matériau adapté à un usage aquatique, en particulier résistant au milieu humide et chloré. Les éléments en caillebotis possèdent un revêtement anti-dérapant et étanche. Les éléments en caillebotis forment un quadrillage d’éléments porteurs, les espaces entre les éléments porteurs permettant l’évacuation des projections d’eau susceptibles de stagner sur les bords du bassin 22. Les éléments en caillebotis peuvent par exemple être en résine polyester renforcée de fibres de verre.
Une face latérale 31 d’un module 2 est configurée pour recevoir la poussée latérale de l’eau contenue dans le bassin 22. Les modules bordant une paroi latérale du bassin 22 soutiennent le plancher 25 par les traverses horizontales définissant leur face supérieure, et soutiennent la force exercée par l’eau du bassin par les traverses horizontales et montants verticaux définissant une face latérale longitudinale.
La feuille d’étanchéité 21 peut être en contact direct avec les profilés 4 d’une face latérale 31 d’un module 2.
Sur l’exemple ici décrit, et tel qu’illustré notamment sur la et la , une pluralité de modules 2 comprend une plaque 19 disposée sur une surface latérale 31 de chaque module, la plaque 19 étant configurée pour être en contact avec la feuille d’étanchéité 21.
Autrement dit, une plaque 19 est intercalée entre les profilés 4 des modules et la feuille d’étanchéité 21. Un contact direct entre la feuille d’étanchéité 21 et les profilés 4 des modules 2 est évité, ce qui permet de limiter les frottements et donc l’usure de la feuille d’étanchéité 21. La plaque 19 permet également de garantir la planéité ainsi que la rigidité des parois latérales 23 du bassin 22. Un nageur peut ainsi prend appui sur la paroi de manière plus confortable que lorsque la feuille d’étanchéité est directement en appui sur les profilés d’une face du module 2.
La plaque 19 est fixée à un cadre 16-2 d’un module 2. La plaque 19 peut recouvrir au moins en partie chaque profilé du cadre. Sur l’exemple de la , la plaque 19 recouvre sensiblement toute la surface latérale d’un module 2 de façon à maximiser la surface d’appui procurée à la feuille d’étanchéité 21. Seuls deux plaques 19 et deux éléments de plancher 26 ont été représentés, afin de laisser l’essentiel de la structure 1 apparent.
Les bords de la plaque 19 peuvent recouvrir entièrement chaque profilé du cadre 16-2. De préférence, la distance entre la plaque 19 d’un module et la plaque d’un module adjacent est inférieure à 2 centimètres. Deux plaques adjacentes forment ainsi une surface sensiblement continue.
Selon un aspect de la piscine autoporteuse 20, une pluralité de modules 2 comprend un dispositif de fixation 17 de la feuille d’étanchéité 21. De préférence, tous les modules en vis-à-vis de la feuille d’étanchéité 21 comprennent un dispositif de fixation 17 de la feuille d’étanchéité.
La détaille schématiquement la réalisation de la fixation de la feuille d’étanchéité 21 à la structure 1. Le dispositif de fixation 17 comprend une barre rainurée 18 configurée pour coopérer avec un jonc de fixation 33 de la feuille d’étanchéité 21. Le jonc de fixation est introduit par la rainure, et un flanc du jonc vient se bloquer contre un bord de la rainure.
Selon le mode de réalisation de la , la barre rainurée 18 est fixée à la plaque 19 disposée sur une surface latérale 31 des modules.
En variante, la barre rainurée 18 est fixée à une traverse supérieure 10 d’un module 2. Cette solution, non représentée, est retenue notamment lorsque la plaque 19 n’est pas utilisée et la feuille d’étanchéité 21 est en contact direct avec les profilés 4 des modules 2 ceinturant le bassin 22.
Une pluralité de modules 2 peut comprendre un isolant thermique 32 configuré pour limiter l’échange thermique entre une surface latérale 23 du bassin 22 et l’air extérieur. L’isolant thermique 32 permet de réduire les pertes thermiques de l’eau contenue dans le bassin 22. Plus précisément, l’isolant thermique 32 limite les pertes thermiques au niveau des surfaces latérales 23 du bassin 22.
Selon un mode de réalisation, chaque module 2 délimitant une partie de la surface latérale 23 du bassin 22 comprend un isolant thermique solidaire du cadre 15-2 en vis-à-vis du bassin 22. Afin de limiter la quantité d’isolant thermique employée, l’isolant est disposé uniquement sur la face des modules qui est la plus proche de la feuille d’étanchéité 21. Il est bien sur possible d’isoler de la même manière d’autres faces d’au moins certains modules.
Lorsque la plaque 19 n’est pas présente, l’isolant thermique 32 est en vis-à-vis de la feuille d’étanchéité 21. La illustre le montage de l’isolant 32 lorsque la plaque 19 est présente. Dans ce cas, l’isolant thermique 32 est en vis-à-vis de la plaque 19 disposée sur une surface latérale 31 du module.