Dispositif (1 ; 1’ ; 1’’) opto-électronique comprenant : une structure émissive (2) dont une partie au moins est formée d’un ou plusieurs matériaux semi-conducteurs, configurée pour produire un rayonnement lumineux lorsqu’elle est traversée par un courant électrique, ledit rayonnement lumineux étant produit au sein de la structure émissive (2) et ayant une longueur d’onde moyenne λ, la structure émissive (2) ayant un indice optique moyen n et étant délimitée par une surface de sortie (4), par laquelle sort une partie au moins dudit rayonnement lumineux, et une structure anti-reflet (3), située au niveau de la surface de sortie (4), caractérisé en ce que la structure anti-reflet (3) comprend un réseau (8 ; 8’ ; 8’’) périodique sub-longueur d’onde qui comporte des parties en creux (7 ; 7’ ; 7’’) et des parties en saillie (6 ; 6’ ; 6’’) formant une structure périodique régulière de pas ( a ) inférieur à λ/[2.n]. Dispositif (1 ; 1’ ; 1’’) selon la revendication 1, dans lequel l’aire occupée par la surface de sortie (4) de la structure émissive (2) est inférieure à 50 μm 2 , voire inférieure à 5 μm 2 . Dispositif (1 ; 1’ ; 1’’) selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la structure émissive (2) comporte une couche supérieure superficielle, formée d’un matériau semi-conducteur, et dans lequel les parties en saillie (6 ; 6’ ; 6’’) dudit réseau (8 ; 8’ ; 8’’), formées du même matériau semi-conducteur que ladite couche supérieure superficielle, sont d’un seul tenant avec la couche supérieure de la structure émissive. Dispositif (1 ; 1’ ; 1’’) selon l’une des revendications précédentes, dans lequel : les parties en saillie (6 ; 6’ ; 6’’) du réseau sont formées d’un matériau ayant un indice optique n p , un milieu (5) d’indice optique n out s’étend au-dessus du réseau, à l’opposé de la structure émissive (2), un milieu d’indice n r remplit les parties en creux (7 ; 7’ ; 7’’) du réseau, et dans lequel un facteur de remplissage FF du réseau, égal à la fraction du volume du réseau occupé par ses parties en creux (7 ; 7’ ; 7’’), est égal au facteur de remplissage FF TE donné par la formule F1 suivante : . Dispositif (1) selon la revendication 4, dans lequel le réseau (8) est unidimensionnel, les parties en creux (7) étant des rainures rectilignes parallèles entre elles, et dans lequel ledit rayonnement a une polarisation substantiellement rectiligne, et parallèle auxdites rainures (7). Dispositif (1’ ; 1’’) selon la revendication 4, dans lequel le réseau (8’ ; 8’’) est un réseau bidimensionnel comportant un motif (7’ ; 7’’) répété périodiquement selon une première direction (X), et répété aussi, périodiquement, selon une deuxième direction (Y ; Y’’) différente de la première direction. Dispositif (1) selon l’une des revendications 1 à 3, dans lequel, les parties en saillie (6) du réseau sont formées d’un matériau ayant un indice optique n p , un milieu (5) d’indice optique n out s’étend au-dessus du réseau (8), à l’opposé de la structure émissive (2), un milieu d’indice n r remplit les parties en creux (7) du réseau, le réseau (8) est unidimensionnel, les parties en creux (7) étant des rainures rectilignes parallèles entre elles, et ledit rayonnement a une polarisation substantiellement rectiligne et perpendiculaire auxdites rainures, et dans lequel un facteur de remplissage FF du réseau, égal à la fraction du volume du réseau occupé par ses parties en creux (7), est égal au facteur de remplissage FF TM donné par la formule F2 suivante : . Dispositif (1 ; 1’ ; 1’’) selon l’une des revendications précédentes, dans lequel le réseau (8 ; 8’ ; 8’’) a une profondeur D, selon une direction (z) perpendiculaire à la surface de sortie (4), la profondeur D étant égale à , n out étant l’indice optique du milieu (5) qui s’étend au-dessus du réseau, à l’opposé de la structure émissive (2). Dispositif (1 ; 1’ ; 1’’) selon l’une des revendications précédentes, le dispositif étant une diode électroluminescente, dans lequel la structure émissive (2) comprend : une couche inférieure (22), formée au moins en partie d’un semi-conducteur dopé, une couche supérieure (21), formée au moins en partie d’un semiconducteur dopé, les couches inférieure et supérieure ayant des dopages de types opposés, et une partie émissive (23), qui s’étend entre la couche inférieure et la couche supérieure et qui est apte à émettre ledit rayonnement lumineux lorsqu’elle est traversée par un courant électrique. Ecran d’affichage comprenant une matrice de dispositifs opto-électroniques (1 ; 1’ ; 1’’) conformes chacun à l’une des revendications précédentes. Procédé de fabrication d’un dispositif opto-électronique (1 ; 1’ ; 1’’), comprenant : une étape (S1) de réalisation d’une structure émissive (2) dont une partie au moins est formée d’un ou plusieurs matériaux semi-conducteurs, configurée pour produire un rayonnement lumineux lorsqu’elle est traversée par un courant électrique, ledit rayonnement lumineux étant produit au sein de la structure émissive (2) et ayant une longueur d’onde moyenne λ, la structure émissive ayant un indice optique moyen n et étant délimitée par une surface de sortie (4), par laquelle sort une partie au moins dudit rayonnement lumineux, et une étape (S2) de réalisation d’une structure anti-reflet (3), située au niveau de la surface de sortie (4), le procédé étant caractérisé en ce que l’étape (2) de réalisation de la structure anti-reflet (3) comprend une étape de réalisation d’un réseau (8 ; 8’ ; 8’’) périodique sub-longueur d’onde qui comporte des parties en creux (7 ; 7’ ; 7’’) et des parties en saillie (6 ; 6’ ; 6’’) formant une structure périodique régulière de pas ( a ) inférieur à λ/[2.n]. Procédé selon la revendication précédente, dans lequel la structure émissive (2) présente, à l’issu de l’étape (S1) de réalisation de cette structure, une face supérieure libre, et dans lequel le réseau (8 ; 8’ ; 8’’) est réalisé par lithographie électronique puis gravure de ladite face supérieure.