Procédé de fabrication d’un contact (250 ; 350 ; 450) sur une région semiconductrice (124, 126) d’un composant électronique (200 ; 300 ; 400), ledit procédé comprenant : - une étape de formation d’un empilement de couches adaptées à être électriquement conductrices sur les parois latérales (251C ; 351C ; 451C) et au fond (251B ; 351B ; 451B) d’un orifice (251 ; 351 ; 451) traversant une région diélectrique (142) du composant électronique selon une direction longitudinale, le fond de l’orifice débouchant au droit de la région semiconductrice (124, 126), ladite étape de formation étant réalisée à partir d’une première surface (142A) de ladite région diélectrique et comprenant la formation d’une couche (253 ; 353 ; 453) de polysilicium et d’une couche (254 ; 354 ; 454) d’un premier métal en contact avec la couche de polysilicium, ledit premier métal étant choisi dans le groupe des terres rares, et étant adapté à former avec le polysilicium un siliciure de métal ; puis - une étape de recuit thermique adaptée à faire réagir le premier métal et le polysilicium, conduisant à la formation d’une couche (256 ; 356 ; 456) de siliciure de métal comprenant au moins une portion (256A, 256B ; 356A, 356B ; 456A, 456B) s’étendant dans la direction longitudinale de l’orifice. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le composant électronique comprend une couche d’interface de siliciure (140) destinée à former une interface entre ladite région semiconductrice et le contact (250 ; 350 ; 450), le fond (251B ; 351B ; 451B) de l’orifice (251 ; 351 ; 451) débouchant sur ladite couche d’interface de siliciure. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel l’étape de recuit est réalisée à une température comprise entre 500°C et 850°C, par exemple entre 675°C et 850°C, et/ou pendant une durée comprise entre 30 secondes et 5 minutes. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la couche (253) de polysilicium est formée sur les parois latérales (251C) et au fond (251B) de l’orifice (251), et la couche (254) du premier métal est formée sur la couche (253) de polysilicium. Procédé selon la revendication 4, dans lequel l’étape de formation comprend en outre la formation d’une couche de barrière de diffusion (255), après la formation de la couche (254) du premier métal, et sur ladite couche du premier métal. Procédé selon la revendication 4 ou 5, dans lequel l’étape de formation comprend en outre une étape de remplissage de l’orifice (251) conduisant à la formation d’une couche de remplissage (257) en un deuxième métal, ladite étape de remplissage étant après la formation de la couche (254) du premier métal, par exemple après la formation de la couche de barrière de diffusion (255). Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la couche (354 ; 454) du premier métal est formée sur les parois latérales (351C ; 451C) et au fond (351B ; 451B) de l’orifice (351 ; 451), avant la couche (353 ; 453) de polysilicium. Procédé selon la revendication 7, dans lequel l’étape de formation comprend en outre la formation d’une couche de barrière de diffusion (355 ; 455) avant la couche (354 ; 454) du premier métal, et en contact avec ladite couche du premier métal. Procédé selon la revendication 7 ou 8, dans lequel l’étape de formation comprend en outre la formation d’une couche d’accroche (352 ; 452) sur les parois latérales (351C ; 451C) et au fond (351B ; 451B) de l’orifice (351 ; 451), avant la couche (354 ; 454) du premier métal, et en contact avec ladite couche du premier métal, ou avant la couche de barrière de diffusion (355 ; 455), et en contact avec ladite couche barrière. Procédé selon la revendication 8 ou 9, dans lequel l’étape de formation comprend une étape de gravure, au moins au fond (451B) de l’orifice (451), d’une portion de la couche de barrière de diffusion (455) et/ou d’une portion de la couche d’accroche (452), l’étape de gravure étant avant la formation de la couche (454) du premier métal. Procédé selon l’une quelconque des revendications 7 à 10, dans lequel la formation de la couche (353 ; 453) de polysilicium correspond à un comblement de l’orifice (351 ; 451). Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 11, comprenant en outre une étape de planarisation des couches de l’empilement, adaptée à faire affleurer le contact (250 ; 350 ; 450) à la première surface (142A) de la région diélectrique (142), l’étape de planarisation comprenant par exemple un polissage mécano-chimique. Composant électronique (200 ; 300 ; 400) comprenant au moins un contact (250 ; 350 ; 450) sur au moins une région semiconductrice (124, 126) d’un composant électronique (200 ; 300 ; 400), le contact étant disposé dans un orifice (251 ; 351 ; 451) traversant une région diélectrique (142) du composant électronique selon une direction longitudinale à partir d’une première surface (142A) de ladite région diélectrique, le fond (251B ; 351B ; 451B) de l’orifice débouchant au droit de la région semiconductrice (124, 126), ledit contact comprenant une couche (256 ; 356 ; 456) de siliciure de métal comprenant au moins une portion (256A, 256B ; 356A, 356B ; 456A, 456B) s’étendant dans la direction longitudinale de l’orifice. Composant électronique (200 ; 300 ; 400) selon la revendication 13, comprenant une couche d’interface de siliciure (140) entre la région semiconductrice (124, 126) et le contact (250 ; 350 ; 450), le fond (251B ; 351B ; 451B) de l’orifice (251 ; 351 ; 451) débouchant sur ladite couche d’interface de siliciure. Composant électronique (400) selon la revendication 14, dans lequel une portion (456C) de la couche de siliciure de métal (456), est en contact direct avec la couche d’interface de siliciure (140). Composant électronique (200 ; 300 ; 400) selon l’une quelconque des revendications 13 à 15, dans lequel la couche de siliciure de métal (256 ; 356 ; 456) présente une forme de U, comprenant des première (256A ; 356A ; 456A) et deuxième (256B ; 356B ; 456B) portions s’étendant dans la direction longitudinale de l’orifice, reliées par une troisième portion (256C ; 356C ; 456C) au niveau du fond (251B ; 351B ; 451B) de l’orifice. Composant électronique (200 ; 300 ; 400) selon l’une quelconque des revendications 13 à 16, ledit composant électronique comprenant, par exemple étant, un transistor de type MOS disposé dans et sur un substrat (120), le transistor comprenant une région semiconductrice de grille (132) recouvrant une région de canal (122) située entre une région semiconductrice dopée de drain (124) et une région semiconductrice dopée de source (126), au moins un contact (250 ; 350 ; 450) étant disposé sur la région semiconductrice de drain, la région semiconductrice de source et/ou la région semiconductrice de grille, une couche d’interface de siliciure (140) étant par exemple intercalée entre ladite région semiconductrice et le contact. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 12, dans lequel : - le premier métal est choisi parmi : le titane, le cobalt, le platine, le nickel, le tungstène ; et - le siliciure de métal est un siliciure de titane, un siliciure de cobalt, ou un siliciure de nickel ; . Dispositif électronique comprenant au moins un composant électronique (200 ; 300 ; 400) selon l’une quelconque des revendications 13 à 18. Dispositif selon la revendication 19, ledit dispositif étant un commutateur de signaux radiofréquences.