INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Selon une variante optionnelle, avant l’émission de la requête RTS, le premier véhicule 10 attend un délai minimum prédéterminé de type DIFS (de l’anglais « DCF Interframe Space » ou en français « Espace Inter-trame DCF ») (par exemple 25 µs) puis attend un intervalle de temps aléatoire 31, connu sous le nom de délai « backoff », qui permet de minimiser les collisions à l’accès au canal. Le premier véhicule émet alors une requête RTS 32 sur le canal physique. La requête RTS 32 correspond à une trame RTS compréhensible par les deuxièmes véhicules 11 à 13. La requête RTS 32 est destinée au deuxième véhicule 11 et comprend par exemple une information de durée de réservation du canal. Les autres deuxièmes véhicules 12 et 13 non concernés par l’échange de données notent cette durée pour déterminer le moment où aura lieu la fin de l’échange. Pendant cet intervalle de temps, les deuxièmes véhicules 12 et 13 non concernés par l’échange de données ne tentent pas d’accéder au canal.
Selon un premier exemple, le premier véhicule 10 émet alors les données à destination du deuxième véhicule 11.
Selon un deuxième exemple, le deuxième véhicule 11 répond à la requête RTS 32 par un accord pour transmettre CTS 33, par exemple après un délai prédéterminé SIFS (de l’anglais « Short Interframe Space » ou en français « Espace Inter-trame court ») (par exemple 16 µs). Cet accord CTS 33 correspond par exemple à une trame CTS compréhensible par le premier véhicule 10 et par les deuxièmes véhicules 12 et 13.
Les données utiles 34 sont alors transmises sur le canal physique, c’est-à-dire pendant tout ou partie d’un ou plusieurs deuxièmes intervalles temporels 22, 24, 26, 28).
Selon une variante optionnelle, une fois les données reçues par le deuxième véhicule 11, le deuxième véhicule 11 émet un acquittement des données ACK 35 sur le canal physique.
La illustre schématiquement un dispositif 4 configuré pour détecter des objets et communiquer des données, selon un exemple de réalisation particulier et non limitatif de la présente invention. Le dispositif 4 correspond par exemple à un radar embarqué sur un véhicule, par exemple le premier véhicule 10 et/ou un ou plusieurs deuxièmes véhicules 11, 12, 13.
Le dispositif 4 est par exemple configuré pour la mise en œuvre des opérations décrites en regard des figures 1 à 3 et/ou des étapes du procédé décrit en regard de la . Les éléments du dispositif 4, individuellement ou en combinaison, peuvent être intégrés dans un unique circuit intégré, dans plusieurs circuits intégrés, et/ou dans des composants discrets. Le dispositif 4 peut être réalisé sous la forme de circuits électroniques ou de modules logiciels (ou informatiques) ou encore d’une combinaison de circuits électroniques et de modules logiciels. Selon différents modes de réalisation particuliers, le dispositif 4 est couplé en communication avec d’autres dispositifs (par exemple un ou plusieurs calculateurs de type UCE (« Unité de Commande Electronique » ou en anglais ECU « Electronic Control Unit ») du système embarqué du véhicule) ou systèmes similaires, par exemple par l’intermédiaire d’un bus de communication ou au travers de ports d’entrée / sortie dédiés.
Le dispositif 4 comprend un (ou plusieurs) processeur(s) 40 (ou microcontrôleurs) configurés pour exécuter des instructions pour la réalisation des étapes du procédé et/ou pour l’exécution des instructions du ou des logiciels embarqués dans le dispositif 4. Le processeur 40 peut inclure de la mémoire intégrée, une interface d’entrée/sortie, et différents circuits connus de l’homme du métier. Le dispositif 4 comprend en outre au moins une mémoire 41 correspondant par exemple une mémoire volatile et/ou non volatile et/ou comprend un dispositif de stockage mémoire qui peut comprendre de la mémoire volatile et/ou non volatile, telle que EEPROM, ROM, PROM, RAM, DRAM, SRAM, flash, disque magnétique ou optique.
Le code informatique du ou des logiciels embarqués comprenant les instructions à charger et exécuter par le processeur est par exemple stocké sur la première mémoire 41. Les paramètres de couche physique pour la génération et l’émission des signaux électromagnétiques pour la mise en œuvre de communications V2X et/ou de détection d’objets en mode radar sont également avantageusement stockés en mémoire 41. La mémoire 41 comprend ainsi les paramètres de réception de signaux (paramètres de modulation, de codage, de récurrence de trame par exemple) et les paramètres de transmission (paramètres de modulation, de codage, de récurrence de trame par exemple).
Le dispositif 4 comprend par exemple des moyens d’émission radio 44 configurés pour l’émission d’ondes électromagnétiques et des moyens de réception radio 45 configurés pour recevoir les échos des ondes émises par les moyens d’émission radio 44 et/ou pour recevoir des ondes électromagnétiques émises par un dispositif radio distant, par exemple un radar d’un deuxième véhicule.
Selon un mode de réalisation particulier et non limitatif, le dispositif 4 comprend une interface radiofréquence RF 42, par exemple de type Bluetooth® ou Wi-Fi®, LTE (de l’anglais « Long-Term Evolution » ou en français « Evolution à long terme »), LTE-Advanced (ou en français LTE-avancé), ITS G5 basé sur IEEE 802.11p ou un réseau mobile tel qu’un réseau 4G (ou LTE Advanced selon 3GPP release 10 – version 10) ou 5G, notamment un réseau LTE-V2X, pour communiquer avec des dispositifs externes, par exemple un autre radar d’un autre véhicule ou un équipement de communication de type antenne relais ou unité bord de route (UBR).
Selon un autre mode de réalisation particulier, le dispositif 4 comprend une interface de communication 43 qui permet d’établir une communication avec d’autres dispositifs, tels que par exemple un ou plusieurs calculateurs de type UCE ou d’autres radars du système de radars du véhicule via un canal de communication 430. L’interface de communication 43 correspond par exemple à un transmetteur configuré pour transmettre et recevoir des informations et/ou des données via le canal de communication 430. L’interface de communication 43 correspond par exemple à un réseau filaire de type CAN (de l’anglais « Controller Area Network » ou en français « Réseau de contrôleurs ») ou CAN FD (de l’anglais « Controller Area Network Flexible Data-Rate » ou en français « Réseau de contrôleurs à débit de données flexible »).
Selon un mode de réalisation particulier supplémentaire, le dispositif 4 peut fournir des signaux de sortie à un ou plusieurs dispositifs externes, tels qu’un écran d’affichage et/ou d’autres périphériques via respectivement des interfaces de sortie non représentées.
La illustre un organigramme des différentes étapes d’un procédé de communication mis en œuvre par un véhicule embarquant un système radar comprenant au moins un radar à ondes millimétriques et circulant dans un environnement comprenant en outre au moins un deuxième véhicule embarquant un deuxième système de radars à ondes millimétriques comprenant au moins un deuxième radar, selon un exemple de réalisation particulier et non limitatif de la présente invention. Le procédé est par exemple mis en œuvre par un dispositif embarqué dans le premier véhicule 10 ou par le dispositif 4 de la .
Dans une première étape 51, une information de synchronisation temporelle d’un système de positionnement par satellite est reçue via une liaison sans fil.
Dans une deuxième étape 52, un premier ensemble de premiers intervalles temporels et un deuxième ensemble de deuxièmes intervalles temporels d’une bande passante d’un canal physique alloué aux premier et deuxième systèmes radars sont alloués en fonction de l’information de synchronisation temporelle. Le premier ensemble de premiers intervalles temporels est alloué pour au moins une fonction d’aide à la conduite automobile, par exemple pour la détection de deuxièmes véhicules, et le deuxième ensemble de deuxièmes intervalles temporels est alloué pour l’établissement d’au moins une communication selon un mode de communication de type véhicule vers véhicule, dit V2V, avec le au moins un deuxième véhicule. La bande passante est avantageusement divisée temporellement de manière à alterner un premier intervalle temporel du premier ensemble avec un deuxième intervalle temporelle du deuxième ensemble.
Encore une autre caractéristique concerne le fait que ledit au moins un élément intermédiaire 7 est positionné à une distance déterminée de la seconde peau 3, ceci en sorte de définir (entre ledit au moins un élément intermédiaire 7 et cette seconde peau 3) la seconde partie 41 dudit volume interne 4 destinée à être remplie par un mélange hydraulique (plus particulièrement du béton, notamment un béton structurel) ou remplie avec un tel mélange hydraulique (plus particulièrement du béton, notamment un béton structurel), notamment pour la réalisation d’un mur 1 structurel.
Selon un second mode de réalisation (non représenté) du premier type de réalisation, les moyens d’isolation acoustique 6 peuvent être positionnés à l’intérieur de l’intégralité du volume interne 4 de ce mur 1. Un tel mode de réalisation correspond, alors, plus particulièrement, à un mur 1 non structurel.
Un second type de réalisation du mur 1 conforme à l’invention correspond, plus particulièrement, à un mur 1 qui est de type non structurel (c’est-à-dire non sollicité autrement que par son propre poids).
Un tel mur 1 est configuré pour être utilisé dans le cadre de la réalisation d’un ouvrage décoratif, d’un ouvrage de protection (comme une clôture), d’un soubassement de bâtiment (notamment industriel) ou d’un ouvrage de lutte contre le bruit et/ou contre la pollution.
Selon un premier mode de réalisation (non représenté) de ce second type de réalisation, un tel mur 1 comporte ladite première peau 2, ladite au moins une ouverture traversante primaire 22, ladite seconde peau 3, ledit volume interne 4, lesdits moyens de raccordement 5 ainsi que lesdits moyens d’isolation acoustique 6 (qui sont positionnés au moins à l’intérieur d’au moins une partie dudit volume interne 4, plus particulièrement à l’intérieur de l’intégralité de ce volume interne 4), ces éléments (2, 22, 3, 4, 5, 6) présentent les caractéristiques décrites ci-dessus.
Selon un second mode de réalisation de ce second type de réalisation illustré , ce mur 1 peut comporter, en plus des caractéristiques du premier mode de réalisation de ce second type de réalisation, au moins une ouverture traversante secondaire 32, voire (et de préférence) une pluralité d’ouvertures traversantes secondaires 32, que comporte la seconde peau 3 de ce mur 1.
Une telle ouverture traversante secondaire 32, d’une part, s’étend à travers cette seconde peau 3, et, d’autre part, débouche au niveau de la face externe 30 et au niveau de la face interne 31 de cette seconde peau 3 ainsi qu’au niveau des moyens d’isolation acoustique 6 qui jouxtent la face interne 31 de la seconde peau 3. Ces moyens d’isolation acoustique 6 sont, alors, positionnés à l’intérieur de l’intégralité du volume interne 4 du mur 1.
Quel que soit le type de réalisation du mur 1 conforme à l’invention, les moyens d’isolation acoustique 6 peuvent adopter différentes formes et/ou différentes compositions.
Selon un premier mode de réalisation, de tels moyens d’isolation acoustique 6 peuvent comporter au moins un panneau 60 de laine minérale, notamment de laine de roche ou de laine de verre.
Selon ce premier mode de réalisation, de tels moyens d’isolation acoustique 6 peuvent, de manière alternative, comporter au moins un panneau 60 de laine végétale, notamment de laine de chanvre, de laine de lin, de laine de coton, de laine de bois ou autre. Cette laine végétale est, de préférence, complétée par un matériau qui empêche sa dégradation, notamment son pourrissement. Un tel matériau peut être un liant, plus particulièrement un liant hydraulique et/ou synthétique, par exemple une résine.
Selon ce premier mode de réalisation, de tels moyens d’isolation acoustique 6 peuvent, encore de manière alternative, comporter au moins un panneau 60 de textile, notamment un textile synthétique et/ou un géotextile, par exemple un tissu. Ce textile (notamment s’il est d’origine naturelle) peut être complété par un matériau qui empêche sa dégradation, notamment son pourrissement) Un tel matériau peut, là encore, être un liant, plus particulièrement un liant hydraulique et/ou synthétique, par exemple une résine.
Un tel panneau 60 peut être rigide ou semi-rigide. Un tel panneau 60 peut, encore, être de type déroulé. Un tel mode de réalisation a été illustré figures 2 et 3.
Un tel panneau 60 peut être solidaire de la première peau 2, plus particulièrement de la face interne 21 de cette première peau 2.
Ce premier mode de réalisation des moyens d’isolation acoustique 6 correspond, plus particulièrement, à la première variante du premier mode de réalisation du premier type de réalisation du mur 1 décrit ci-dessus
Selon un deuxième mode de réalisation, de tels moyens d’isolation acoustique 6 comportent au moins un substrat de culture végétale 61. Un tel mode de réalisation a été illustré .
Un tel substrat de culture végétale 61 peut être au moins en partie constitué par de la terre végétale, du terreau, des copeaux de bois, des résidus de pneus (notamment sous forme de copeaux), du sable, des gravillons ou des cailloux.
La zone de fragilisation peut être créée par co-implantation d’atomes d’hélium et d’atomes d’hydrogène dans le premier substrat donneur de la première couche semi-conductrice. L’hélium et l’hydrogène sont implantés avec des énergies comprises entre 10 keV et 100 keV et les doses implantées sont comprises entre 10 15 atomes par cm 2 et 10 17 atomes par cm 2 . Alternativement, la zone de fragilisation est créée préférentiellement par implantation d’atomes d’hydrogène. La co-implantation d’atomes d’hydrogène et d’hélium présente l’avantage de permettre une fracture plus franche du substrat donneur le long de la zone de fragilisation, qui se traduit par une rugosité plus faible de la couche semi-conductrice transférée, de l’ordre de 50.10 -10 m RMS ou 60. 10 -10 m RMS (soit 50 ou 60 Å RMS) lorsqu’elle est mesurée par AFM 30x30µm², mais également par l’apparition du phénomène de « jagged edge ». Ce phénomène est d’autant plus important que la couche semi-conductrice transférée est épaisse. L’implantation d’atomes d’hydrogène seul présente l’avantage de s’affranchir du phénomène de « jagged edge » mais procure en revanche une rugosité plus importante de la couche semi-conductrice transférée. La rugosité mesurée par AFM 30x30µm² est dans ce cas de l’ordre de 80. 10 -10 m RMS (soit 80 Å RMS). Cependant, le traitement décrit plus bas permet d’obtenir une surface finale de la première couche semi-conductrice transférée suffisamment lisse pour permettre la formation du second substrat SOI. Par conséquent, au vu de l’avantage présenté en termes de limitation du « jagged edge », l’implantation d’atomes d’hydrogène seul sera préférée à la co-implantation d’atomes d’hydrogène et d’hélium.
Le détachement le long de la zone de fragilisation peut être déclenché par une action mécanique, un apport d’énergie thermique, éventuellement en combinaison, ou tout autre moyen adapté.
Selon un mode de réalisation représenté sur la , la première couche électriquement isolante 2a est formée sur le premier substrat donneur préalablement à la formation de la zone de fragilisation au sein du premier substrat donneur par implantation d’atomes à travers la première couche électriquement isolante 2a. Le collage du premier substrat donneur sur le substrat support 1 est réalisé par la face électriquement isolante dudit premier substrat donneur de sorte que ladite première couche électriquement isolante 2a soit transférée en même temps que la première couche semi-conductrice 2b et s’intercale entre le substrat support 1 et la première couche semi-conductrice 2b transférée. La première couche électriquement isolante 2a est formée par exemple par oxydation de la face avant du premier substrat donneur, de sorte que si le premier substrat donneur est un substrat de silicium, la première couche électriquement isolante 2a est une couche d’oxyde de silicium.
Selon un mode de réalisation alternatif représenté sur la , la première couche électriquement isolante 2a est formée sur la face avant du substrat support 1 préalablement au collage du premier substrat donneur sur ledit substrat support de sorte que ladite première couche électriquement isolante 2a s’intercale entre le substrat support 1 et la première couche semi-conductrice transférée 2b. La première couche électriquement isolante 2a est formée par exemple par oxydation de la face avant du substrat support 1, de sorte que si le substrat support 1 est un substrat de silicium, la première couche électriquement isolante 2a est une couche d’oxyde de silicium.
La face avant de la structure SOI inférieure formée lors du détachement du premier substrat donneur le long de la zone de fragilisation présente une rugosité et une défectivité qui sont liées à la qualité d’implantation des espèces atomiques au sein du premier substrat donneur lors de la mise en œuvre du premier procédé Smart Cut TM . Comme évoqué ci-dessus, ladite rugosité peut être relativement importante, de l’ordre de 50. 10 -10 m RMS à 80. 10 -10 m RMS (soit de 50 Å RMS à 80Å RMS) selon les espèces implantées.
Lors du second transfert de couche pour la préparation de la structure SOI supérieure, la défectivité particulaire et la rugosité de surface peuvent conduire, au moment du collage du deuxième substrat donneur, à la formation de trous ou de défauts. A titre d’exemples, une rugosité supérieure à 5. 10 -10 m RMS (soit 5Å RMS) génère une densité de trous de l’ordre de plusieurs trous par cm².
Les trous peuvent engendrer un dysfonctionnement des dispositifs qui seront fabriqués à partir du substrat SOI présentant lesdits trous. En outre, les trous sont distribués de manière non homogène sur le substrat. Cette inhomogénéité des défauts induit une forte variabilité de comportement entre les différents dispositifs issus d’un même substrat.
Ainsi, les dispositifs réalisés sur des portions du substrat comportant une densité de trous importante ne seront pas opérationnels ou ils possèderont une variabilité de comportement importante, ce qui n’est pas acceptable pour un fabricant de dispositifs microélectroniques, notamment de dispositifs photoniques.
En outre, la plaque du substrat support 1 et la plaque du premier substrat donneur n'ont pas un bord perpendiculaire à la surface mais présentent un chanfrein ou « Edge Roll Off ». Le collage du premier substrat donneur sur le substrat support ne se fait donc pas sur toute la surface des substrats jusqu’à leur bord mais uniquement jusqu’au chanfrein, de sorte que la partie transférée du substrat donneur ne s'étend pas sur toute la surface du substrat support. La couronne périphérique est délimitée du côté extérieur par le bord du substrat receveur et du côté intérieur par le bord de la couche transférée. Pour une plaque de 300 mm, la couronne périphérique CP a typiquement une largeur comprise entre 0,7 mm et 1,5 mm par rapport au bord de la plaque.
En réalité, comme cela a été évoqué auparavant, la couronne a souvent une forme irrégulière (le « jagged edge » en anglais) du fait d’une zone transitoire où le collage n’a pas eu lieu correctement. La zone transitoire représente une source potentielle de défectivité : des parties de ladite zone peuvent en effet se détacher et venir se déposer sur la surface du SOI. Lors du second transfert de couche pour la préparation de la structure SOI supérieure, un tel état de surface peut également conduire à la formation d’un nombre important de trous ou défauts et à une largeur de la double couronne beaucoup plus importante que celle de la couronne issue du premier transfert de couche, de l’ordre de 3 à 4 mm. De telles largeurs ne sont pas acceptables, notamment pour une application en photonique qui nécessite de pouvoir fabriquer des puces jusqu’à 3 mm du bord des plaques de silicium.
Dans la suite, on décrit le procédé permettant d’atteindre les performances attendues.
Traitement de surface préalablement au second transfert de couche
La face avant de la première couche semi-conductrice est formée lors du détachement du premier substrat donneur le long de la zone de fragilisation à du procédé Smart Cut TM . L’invention porte sur un procédé de traitement de ladite surface. Le procédé de traitement conforme à l’invention vise non seulement à réduire la rugosité et la défectivité de ladite surface, mais également à réduire la largeur de la couronne périphérique, améliorant ainsi la qualité de collage du second substrat donneur.
Le traitement de la surface libre de la première couche semi-conductrice 2b, et/ou de la deuxième couche semi-conductrice selon l’invention implique la mise en œuvre successive des étapes suivantes représentées sur le schéma de la :
(E1) un recuit thermique rapide, (E2) une séquence d’oxydation / désoxydation, (E3) un recuit thermique de longue durée, connu par l’homme du métier sous sa dénomination anglaise « batch anneal », (E4) un polissage mécano-chimique.
Alternativement, l’étape (E3) de recuit thermique de longue durée peut être remplacée par une étape (E3’) de recuit thermique rapide.
- allocation de premiers intervalles temporels d’une bande passante allouée au radar pour la détection d’objet ;
- allocation de deuxièmes intervalles temporels de la bande passante pour l’établissement de la au moins une communication V2V.
Selon une variante additionnelle, la génération par filtrage spatial comprend un ajustement de paramètres d’émission et de réception d’un ensemble d’antennes du radar, les paramètres comprenant des paramètres de phase et/ou d’amplitude.
Selon une autre variante, la position obtenue à partir des premières informations et la position obtenue à partir des deuxièmes informations sont exprimées dans un repère associé au premier véhicule.
Selon un troisième aspect, la présente invention concerne un système de communication pour véhicule comprenant le dispositif tel que décrit ci-dessus selon le deuxième aspect de la présente invention et un système de radars de détection d’objets à ondes millimétriques et connectés au dispositif tel que décrit ci-dessus selon le deuxième aspect de la présente invention.
En outre, dans cet exemple particulier, le transducteur électroacoustique 1 comprend des moyens de détection capacitive 15 disposés dans la deuxième zone 12. Ces moyens de détection capacitive 15 permettent de mesurer le déplacement du piston 13, et donc la différence de pression entre ses deux faces. Ils comprennent de préférence une électrode mobile 151 et au moins une électrode fixe disposée en regard de l’électrode mobile 151. Les électrodes forment les armatures d’un condensateur dont la capacité varie en fonction du déplacement du piston 13.
La deuxième zone 12 est une chambre sous atmosphère contrôlée pour réduire les phénomènes de frottement visqueux et les bruits acoustiques associés. Par « chambre sous atmosphère contrôlée », on entend une chambre sous une pression réduite, typiquement inférieure à 10 mbar, et de préférence sous vide.
Le dispositif de transmission 14 est monté mobile en rotation par rapport au bâti, au moyen d’une ou plusieurs articulations pivot 16. Le dispositif de transmission 14 comprend au moins un premier bras de transmission 141 s’étendant dans la première zone 11, au moins un deuxième bras de transmission 142 s’étendant dans la deuxième zone 12 et au moins un arbre de transmission 143 s’étendant en partie dans la première zone 11 et en partie dans la deuxième zone 12. Dans l’exemple de la , le dispositif de transmission 14 comprend deux premiers bras de transmission 141, deux deuxièmes bras de transmission 142 et deux arbres de transmission 143, chaque arbre de transmission 143 reliant un premier bras de transmission 141 à un deuxième bras de transmission 142.
Chaque premier bras de transmission 141 comprend une première extrémité couplée au piston 13 et une deuxième extrémité opposée, couplée à l’arbre de transmission 143 associé. Chaque deuxième bras de transmission 142 comprend une première extrémité couplée à l’électrode mobile 151 des moyens de détection capacitive 15 et une deuxième extrémité opposée, couplée à l’arbre de transmission 143 associé.