Dispositif de protection (100) contre les décharges électrostatiques comprenant uniquement des transistors. Dispositif selon la revendication 1, comprenant, entre un premier noeud d'alimentation (VDD1) et un deuxième noeud de référence (VSS1), un premier circuit écrêteur (101 ; 400 ; 500 ; 700 ; 800 ; 900). Dispositif selon la revendication 2, dans lequel le premier circuit écrêteur (400 ; 500 ; 700) comprenant un premier transistor de type MOS (401) dont une première borne de conduction est reliée au premier noeud (VDD1), et une deuxième borne de conduction est reliée au deuxième noeud (VSS1). Dispositif selon la revendication 3, dans lequel le premier circuit écrêteur (101 ; 400 ; 500 ; 700) comprend, en outre, un module de déclenchement (402 ; 502 ; 702) relié à une borne de grille (401G) du premier transistor de type MOS (401). Dispositif selon la revendication 4, dans lequel le module de déclenchement (502) comprend : - un deuxième transistor de type MOS (503) ayant une première borne de conduction reliée au premier noeud d'alimentation (VDD1), et une deuxième borne de conduction reliée à la borne de grille (401G) dudit premier transistor de type MOS (401) ; - un troisième transistor de type MOS (504) ayant sa borne de grille reliée au premier noeud d'alimentation (VDD1), et ses deux bornes de conduction et sa borne de contact de canal reliées à la borne de grille du deuxième transistor (503) ; et - un quatrième transistor de type MOS (505) ayant une première borne de grille (505G1) reliée à la grille du deuxième transistor (503), et une deuxième borne de grille (505G2), ses deux bornes de conduction et sa borne de contact de canal reliées au deuxième noeud de référence (VSS1). Dispositif selon la revendication 4, dans lequel le module de déclenchement (702) comprend : - un cinquième transistor de type MOS (703) ayant une première borne de conduction reliée au premier noeud d'alimentation (VDD1), et une deuxième borne de conduction reliée à la borne de grille dudit premier transistor de type MOS (401) ; - un sixième transistor de type MOS (704) ayant une première borne de grille reliée au premier noeud d'alimentation (VDD1), une deuxième borne de grille reliée à la borne de grille du cinquième transistor (703), et ses deux bornes de conduction et sa borne de contact de canal reliées au deuxième noeud de référence (VSS1) ; - un septième transistor de type MOS (705) ayant une première borne de conduction et sa grille reliées à la borne de grille du cinquième transistor (703) ; et - un huitième transistor de type MOS (706) ayant une première borne de conduction et sa grille reliées à une deuxième borne de conduction dudit septième transistor (705), et une deuxième borne de conduction reliée au deuxième noeud de référence (VSS1). Dispositif selon la revendication 2, dans lequel le premier circuit écrêteur (800) comprend un premier transistor de type BiMOS (801) dont : - une première borne de conduction est reliée au premier noeud (VDD1) ; - une deuxième borne de conduction est reliée au deuxième noeud (VSS1) ; et - une borne de contact de canal (801BC) est reliée à une borne de grille (801G) dudit premier transistor de type BiMOS (801) et audit deuxième noeud de référence (VSS1). Dispositif selon la revendication 2, dans lequel le premier circuit écrêteur (900) comprend un deuxième transistor de type BiMOS (901) dont : - une première borne de conduction est reliée au premier noeud (VDD1) ; - une deuxième borne de conduction est reliée au deuxième noeud (VSS1) ; - une première borne de contact de canal (901BC1) est reliée à une borne de grille (901G) dudit deuxième transistor de type BiMOS (901) ; et - une deuxième borne de contact de canal (901BC2) est reliée audit deuxième noeud de référence (VSS1). Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, comprenant, en outre, entre le premier noeud d'alimentation (VDD1) et un troisième noeud d'entrée/sortie (IO1) un premier composant à effet diode (102 ; 200 ; 800 ; 900), et entre ledit troisième noeud d'entrée/sortie (IO1) et le deuxième noeud de référence (VSS1) un deuxième composant à effet diode (102 ; 200 ; 800 ; 900). Dispositif selon la revendication 9, dans lequel le premier composant à effet diode (200) est un neuvième transistor de type MOS (201) monté en diode, et le deuxième composant à effet diode (200) est un dixième transistor de type MOS (201) monté en diode. Dispositif selon la revendication 9, dans lequel le premier composant à effet diode (800) est un troisième transistor de type BiMOS (801) dont : - une première borne de conduction est reliée au premier noeud (VDD1) ; - une deuxième borne de conduction est reliée au troisième noeud d'entrée/sortie (IO1) ; et - une borne de contact de canal (801BC) est reliée à une borne de grille (801G) dudit troisième transistor de type BiMOS (801) et audit troisième noeud d'entrée/sortie (IO1), et le deuxième composant à effet diode (800) est un quatrième transistor de type BiMOS (801) dont : - une première borne de conduction est reliée au troisième noeud d'entrée/sortie (IO1) ; - une deuxième borne de conduction est reliée au deuxième noeud (VSS1) ; - une borne de contact de canal (801BC) est reliée à une borne de grille (801G) dudit quatrième transistor de type BiMOS (801) et audit deuxième noeud de référence (VSS1). Dispositif selon la revendication 9, dans lequel le premier composant à effet diode (900) est un cinquième transistor de type BiMOS (901) dont : - une première borne de conduction est reliée au premier noeud (VDD1) ; - une deuxième borne de conduction est reliée au troisième noeud d'entrée/sortie (IO1) ; - une première borne de contact de canal (901BC1) est reliée à une borne de grille (901G) dudit cinquième transistor de type BiMOS (901) ; et - une deuxième borne de contact de canal (901BC2) est reliée audit troisième noeud d'entrée/sortie (IO1), et le deuxième composant à effet diode (900) est un sixième transistor de type BiMOS (901) dont : - une première borne de conduction est reliée au troisième noeud d'entrée/sortie (IO1) ; - une deuxième borne de conduction est reliée au deuxième noeud (VSS1) ; - une première borne de contact de canal (901BC1) est reliée à une borne de grille (901G) dudit sixième transistor de type BiMOS (901) ; et - une deuxième borne de contact de canal (901BC2) est reliée audit deuxième noeud de référence (VSS1). Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 12, (BASE) comprenant, en outre, un circuit de liaison (103 ; 300) permettant de relier le dispositif de protection contre les décharges électrostatiques (100) à un autre dispositif de protection contre les décharges électrostatiques. Dispositif selon la revendication 13, dans lequel le circuit de liaison (103) comprend un onzième transistor de type MOS (301) monté en diode entre le deuxième noeud de référence (VSS1) et un quatrième noeud de liaison (VINT), et un douzième transistor de type MOS (302) monté en diode entre le quatrième noeud de liaison (VINT) et le deuxième noeud de référence (VSS1), les onzième et douzième transistors (301, 302) de type MOS étant montés tête-bêche. Dispositif selon la revendication 13, dans lequel le circuit de liaison comprend un septième transistor de type BiMOS (801 ; 901) monté en diode entre le deuxième noeud de référence (VSS1) et un quatrième noeud de liaison (VINT), et un huitième transistor de type BiMOS (801 ; 901) monté en diode entre le quatrième noeud de liaison (VINT) et le deuxième noeud de référence (VSS1), les septième et huitième transistors (801 ; 901) de type BiMOS étant montés tête-bêche. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 7, 8, 11, 12 et 15, dans lequel tous lesdits transistors de type BiMOS sont formés sur un même substrat.