INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Le composant à effet diode 800 a le même comportement qu'une diode Zener et peut être utilisé dans le dispositif 100 décrit en relation avec la comme circuit écrêteur 101 et comme composant à effet diode 102. Lorsque le composant à effet diode 800 est utilisé comme circuit écrêteur, le noeud 800K correspond à la borne 101-VDD décrite en relation avec la , et le noeud 800A correspond à la borne 101-VSS décrite en relation avec la . Lorsque le composant à effet diode 800 est utilisé comme composant à effet diode, le noeud 800K correspond à la borne 102K décrite en relation avec la , et le noeud 800A correspond à la borne 102A décrite en relation avec la . En étant couplé tête bêche avec un autre composant identique, le composant effet diode 800 peut servir dans un circuit de liaison du type du circuit 103 décrit en relation avec la .
Comme décrit précédemment, le composant à effet diode 800 ne comprend que des transistors.
La représente un schéma électrique d'un exemple de réalisation d'un composant à effet diode 900.
Le composant 900 comprend un transistor BiMOS de type N 901. Le transistor 901 est monté en diode entre un noeud 900K et un noeud 900A. Plus particulièrement, le transistor 901 a une de ses bornes de conduction, reliée, de préférence connectée au noeud 900K, et son autre borne de conduction reliée, de préférence connectée, au noeud 900A. La borne de conduction reliée au noeud 900K est, par exemple, la source du transistor NMOS 901, et l'autre borne de conduction reliée au noeud 900A est, par exemple, le drain du transistor NMOS 901. La grille 901G du transistor NMOS 901 est reliée, de préférence connectée au noeud 900A. A la différence du transistor 801 décrit en relation avec la , le transistor 901 comprend deux bornes de contact de canal 901BC1 et 901BC2. La borne 901BC1 est reliée, de préférence connectée, à la grille 901G du transistor 901, et la borne 901BC2 est reliée, de préférence connectée, au noeud 900A. Comme pour les deux bornes de grille du transistor 505 décrit en relation avec la ou du 704 décrit en relation avec la , les deux bornes de contact de canal du transistor 901 sont, en pratique deux contacts formés de façon éloignée sur la région de canal du transistor 901. Un exemple de réalisation du transistor 901 est décrit en relation avec la .
Le composant à effet diode 900 peut être utilisé dans le dispositif 100 décrit en relation avec la comme circuit écrêteur 101 et comme composant à effet diode 102. Lorsque le composant à effet diode 900 est utilisé comme circuit écrêteur, le noeud 900K correspond à la borne 101-VDD décrite en relation avec la , et le noeud 900A correspond à la borne 101-VSS décrite en relation avec la . Lorsque le composant à effet diode 900 est utilisé comme composant à effet diode, le noeud 900K correspond à la borne 102K décrite en relation avec la , et le noeud 900A correspond à la borne 102A décrite en relation avec la . En étant couplé tête bêche avec un autre composant identique, le composant effet diode 900 peut servir dans un circuit de liaison du type du circuit 103 décrit en relation avec la .
La est une vue de dessus d'un mode de réalisation d'un transistor BiMOS 1000 formé dans et sur une structure SOI, et plus particulièrement, dans et sur une structure FDSOI. Le transistor BiMOS 1000 est un exemple pratique de réalisation du transistor 901 décrit en relation avec la .
Le transistor 1000 comprend : - une région de source 1000S très fortement dopée de type N (N+) ; - une région de drain 1000D très fortement dopée de type N (N+) ; - une région de canal (non visible en ) surplombée d'un empilement de grille, ou région de grille 1000G ; - une région de contact de substrat 1000BG très fortement dopée de type P (P+) ; et - deux régions de contact de canal 1000BC1 et 1000BC2 très fortement dopées de type P (P+).
On appelle ici, comme cela est usuel : - couche semiconductrice faiblement dopée, une couche dont la concentration en atomes dopants est comprise entre 10^14 et 5x10^17 atomes/cm^3 ; - couche semiconductrice fortement dopée, une couche dont la concentration en atomes dopants est comprise entre 5x10^17 et 10^18 atomes/cm^3 ; et - couche semiconductrice très fortement dopée, une couche dont la concentration en atomes dopants est comprise entre 10^18 et 10^21 atomes/cm^3, le symbole "^" représentant la fonction puissance.
Les régions de canal et de grille 1000G ont, en vue de dessus, une forme, par exemple, de H couché. Plus particulièrement, les régions de canal et de grille 1000G comprennent deux branches parallèles et une branche centrale perpendiculaire aux deux autres. La branche centrale relie les deux branches parallèles. La branche principale a une épaisseur correspondant à la longueur de grille L. Les régions de canal et de grille 1000G ont une longueur correspondant à la largeur de grille W (voir ).
Les régions de source 1000S et de drain 1000D sont disposées de part et d'autre de la branche principale de la région de canal, entre les branches parallèles entre elles. Les régions de source 1000S et de drain 1000D ont, en vue de dessus, une forme, par exemple, rectangulaire.
Les deux régions de contact de canal 1000BC1 et 1000BC2 sont disposées de part et d'autre des régions de canal et de grille 1000G, et plus particulièrement disposées côté extérieur des deux branches parallèles des régions de canal et de grille 1000G. Autrement dit, chaque région de contact de canal est disposée à une extrémité du transistor 1000.
La région de contact de substrat 1000BG est disposée d'un côté du transistor 1000, et est séparée des autres régions par une région isolante 1000ISO. Les régions 1000ISO et 1000BG ont, en vue de dessus, une forme, par exemple, rectangulaire s'étendant le long des autres régions.
Une utilisation du transistor 1000 comme composant à effet diode ou comme circuit écrêteur dans le dispositif 100 décrit en relation avec la peut être effectuée de la manière suivante.
La région de drain 1000D est reliée, de préférence connectée, à un noeud d'entrée 1000IN. La région de source 1000S est reliée, de préférence connectée, à un noeud de sortie OUT. Le noeud de sortie 1000OUT peut, par exemple, être adapté à recevoir un potentiel de référence, par exemple la masse. La région de contact de canal 1000BC1 est reliée, de préférence connectée, à la région de grille 1000G par l'intermédiaire d'un ou plusieurs fils ou vias 1000F. La région de contact de canal 1000BC2 est reliée, de préférence connectée, au noeud de sortie 1000OUT.
Un autre objet de la présente demande est un module d’habitation comportant un plancher selon l’invention, des murs bordant les bords extérieurs du plancher et un plafond.
Chaque mur peut comporter du côté intérieur du module, un deuxième panneau, une poutre de rive dans sa partie supérieure reposant sur une feuillure du deuxième panneau et fixée à celui-ci, et un élément d’isolant thermique sur la face du deuxième panneau située à l’extérieur du module.
Au moins l’un des murs comporte de préférence des poutres en I verticales sur lesquelles est fixé le deuxième panneau et sur lesquelles reposent la poutre de rive. Avantageusement ledit mur est destiné à former un mur extérieur et comportant un parement extérieur.
De préférence, les poutres de rives comportent un empilement de plaquage de bois et d’adhésif, le plaquage de bois étant avantageusement en hêtre ou en épicéa.
Dans un exemple de réalisation, le plafond comporte un troisième plateau et des raidisseurs métalliques insérés dans des rainures réalisées dans une face dudit troisième plateau non visible de l’intérieur du module.
Un autre objet de la présente demande est une habitation comportant au moins deux modules d’habitation selon l’invention, lesdits modules étant superposés ou juxtaposés.
BREVE DESCRIPTION DES FIGURES La description qui va suivre sera mieux comprise à l’aide des dessins en annexes sur lesquels : est vue en perspective et en coupe d’un exemple de plancher selon l’invention, est une vue éclatée du plancher de la , est une représentation schématique d’un module d’habitation, est une vue en perspective et en coupe d’un exemple d’assemblage de deux modules d’habitation superposés selon un exemple de réalisation montrant le plancher du module supérieur, le plafond du module inférieur et les murs extérieurs de deux modules, est une vue éclatée d’un exemple de mur extérieur, est une vue en perspective et en coupe d’un exemple d’assemblage de deux modules d’habitation superposés selon un exemple de réalisation montrant le plancher du module supérieur, le plafond du module inférieur et les murs extérieurs de deux modules, est une vue en perspective partielle montrant deux modules superposés.
DESCRIPTION DETAILLES DE MODES DE REALISATION Dans la présente demande, on entend par « plan du plancher » le plan moyen du plancher qui est destiné à être orienté horizontalement, et auquel la face supérieure du plancher sur laquelle les occupants marchent est parallèle.
Sur les figures 1 et 2, on peut voir un exemple de réalisation d’un plancher P selon l’invention. Sur les figures 4 et 6, on peut voir une vue en coupe partielle du plancher.
Le plancher a généralement une forme rectangulaire. Un plancher de forme carrée ne sort pas du cadre de la présente invention.
Le plancher comporte deux côtés 2 s’étendant le long de la longueur et deux côtés 4 s’étendant le long de la largeur.
Le plancher comporte un cadre définissant les bords extérieurs du plancher. Le cadre comporte deux premières poutres métalliques 8 (une seule est représentée) s’étendant chacun le long des côtés 2, et deux deuxièmes poutres métalliques 10 (une seule est représentée) s’étendant le long des côtés 4. Ces poutres forment des poutres de rive. En outre le plancher comporte des deuxièmes poutres 10 s’étendant perpendiculairement aux premières poutres 8 et réparties régulièrement sur la longueur du plancher.
Les premières poutres 8 ont une section transversale en forme de U, communément désignées UPN. Les premières poutres sont parallèles l’une à l’autre et sont orientées de sorte que les U soient en regard, i.e. les ailes du U sont horizontales, l’âme est verticale et délimite le bord extérieur des côtés 2.
Les deuxièmes poutres 10 ont également une section transversale en U, mais l’âme présente une largeur plus grande que la distance entre les ailles de sorte que la poutre comporte deux talons 11 s’étendant latéralement en saillie à l’extérieur de l’espace défini entre les deux ailes.
Le plancher comporte également des poutres en bois 12 s’étendant dans la direction de la largeur du plancher et chaque poutre en bois 12 est reçue entre les deux ailes d’une deuxième poutre métallique 10. Ainsi le plancher comporte autant de poutres en bois 12 que de deuxièmes poutres métalliques 10. Les ensembles deuxième poutre métallique 10 et poutre en bois 12 forment des solives.
Dans la présente demande, on entend par « poutre en bois » une poutre comportant du bois. Il peut s’agir d’une poutre entièrement en bois ou une poutre composite comportant du bois et au moins un autre matériau. Le matériau peut être un lamellé collé en épicéa présentant par exemple une résistance à la flexion entre GL24 et GL32.
Ledit fil ou ladite bande peut être relié à la poche par tout moyen approprié ; selon une forme de réalisation préférée de l'invention, la pièce d'étoffe formant une poche présente un ourlet au niveau de son bord délimitant l'ouverture de la poche, traversé par le fil ou la bande, ou est à double paroi avec engagement du fil ou de la bande entre les deux parois.
Les poches peuvent être formées entièrement par des pièces d'étoffe ou, selon une forme de réalisation préférée de l'invention, le dispositif peut comprendre des pièces rigides placées sur le panneau au niveau des zones de ce panneau correspondant aux côtés latéraux d'au moins une poche, c'est-à-dire aux côtés perpendiculaires à l'ouverture de la poche, ces pièces rigides formant des parois latérales de la poche, et ladite pièce d'étoffe formant uniquement la partie frontale de la poche.
Les pièces rigides en question peuvent être percées de trous ou de fentes pour la réception en elles du fil ou de la bande de la poche, ou pour le passage au travers d'elles du fil ou de la bande de la poche jusqu'au niveau de la face arrière du panneau.
la est une vue en perspective d'un panneau à poches de réception de plants et d'un support-présentoir de ce panneau et de ces poches, que comprend le dispositif ; sur cette figure, des plants sont insérés dans l'une des poches ;
la est une vue en perspective, à échelle agrandie, du panneau et des poches destinées à recevoir des plants ;
la est une vue en perspective d'une partie du panneau correspondant à une poche, de pièces latérales fixées à ce panneau et d'un fil métallique que comprend la poche ; et
la est une vue du panneau et du support-présentoir similaire à la , après engagement du panneau et des poches dans le support-présentoir.
La représente un dispositif 1 permettant de former ce qu'il est convenu d'appeler un "mur végétal", c'est-à-dire permettant de former un agencement de plants 2 ou autres végétaux selon une présentation étagée dans une direction verticale ou plus ou moins verticale.
Le dispositif 1 comprend un panneau de support 3, une pluralité de poches 4 agencées sur une face avant du panneau 3 et un support-présentoir 10 de ce panneau 3 et de ces poches 4.
Le panneau 3 est formé par une plaque d'un matériau relativement rigide, notamment en bois contreplaqué.
Dans certains modes de réalisation, chaque pavé adhère au premier substrat support par adhésion moléculaire. A cet effet, des traitements de surface des pavés et/ou du premier substrat support peuvent être mis en œuvre au préalable afin de favoriser une bonne adhésion moléculaire. Ces traitements peuvent comprendre notamment un nettoyage, le dépôt d’une couche de collage tel qu’un oxyde de silicium (SiO 2 ), une activation par plasma avant collage et un recuit.
Dans d’autres modes de réalisation, le collage des pavés au premier substrat support peut faire intervenir une couche de collage intermédiaire, par exemple une couche de collage polymère, une couche de collage eutectique ou une couche de colle céramique.
Le premier substrat support 1 présente avantageusement un diamètre supérieur à celui du substrat donneur 2, par exemple un diamètre de l’ordre de 300 mm.
La illustre la formation d’une zone de fragilisation dans lesdits pavés P1-P3 afin de délimiter une portion superficielle desdits pavés destinée à être transférée sur un second substrat support. Comme schématisé par les flèches, la zone de fragilisation 11 est avantageusement formée par implantation d’espèces atomiques, telles que de l’hydrogène et/ou de l’hélium, dans les pavés, à une profondeur correspondant à l’épaisseur de la couche à transférer.
La illustre le collage du substrat pseudo-donneur de la sur un second substrat support par l’intermédiaire des pavés.
De manière particulièrement avantageuse, chaque pavé adhère au second substrat support 3 par adhésion moléculaire. A cet effet, des traitements de surface des pavés et/ou du second substrat support peuvent être mis en œuvre au préalable afin de favoriser une bonne adhésion moléculaire. Ces traitements peuvent comprendre notamment un nettoyage, le dépôt d’une couche de collage tel qu’un oxyde de silicium (SiO 2 ), une activation plasma avant collage, un polissage et un recuit, préférentiellement à basse température (c’est-à-dire typiquement en dessous de 300°C).
Le premier substrat support 1 et le second substrat support 3 présentent un diamètre identique, par exemple de l’ordre de 300 mm.
Ensuite, en référence à la , les pavés sont détachés le long de la zone de fragilisation 11, afin de transférer les portions P’1, P’2, P’3 délimitées par ladite zone de fragilisation sur le second substrat support.
Les pavés placés sur le premier substrat support présentent typiquement une épaisseur comprise entre 20 µm et 1000 µm, de préférence comprise entre 100 µm et 700 µm. La portion transférée de chaque pavé présente généralement une épaisseur comprise entre 30 nm et 1,5 µm.
Le procédé selon l’invention peut être mis en œuvre sur le substrat pseudo-donneur de la ou 3C et/ou sur la structure finale de la .
Les étapes du procédé sont illustrées schématiquement sur les figures 4 à 7. Sur ces figures sont représentés des pavés P1-P3 et un substrat support S, mais il va de soi que, selon la structure sur laquelle on applique le procédé, les pavés P1-P3 peuvent être remplacés par les portions de pavés P’1-P’3 tels qu’illustrés sur la , et le substrat support S peut être le premier substrat support 1 de la ou 3C ou bien le second substrat support 3 de la .
La illustre un substrat support S sur lequel ont été placés une pluralité de pavés P1-P3. Compte tenu de la technique de découpe et/ou de placement des pavés, lesdits pavés peuvent présenter une géométrie erronée par rapport à une géométrie cible, et/ou une distribution erronée par rapport à une distribution cible. La géométrie cible peut être caractérisée typiquement par une forme des pavés vue de dessus (haut de la ) et/ou des dimensions des pavés. La distribution cible peut être caractérisée par un alignement des pavés les uns par rapport aux autres, une distance entre pavés adjacents, et/ou un emplacement de chaque pavé dans un système de coordonnées du substrat S ou un système de coordonnées de l’ensemble des pavés.
Différents référentiels du substrat et/ou des pavés peuvent être définis par rapport à des marques de repérage (par exemple, sous la forme de croix) réalisées :
sur le substrat support avant le placement des pavés ou le transfert des pavés, en-dehors des pavés, sur les pavés après leur placement ou transfert sur le substrat support, notamment à l’occasion de la gravure d’un pavé choisi (par exemple : le premier pavé placé dans le cas d’un placement par la technique de « Pick and Place », ou un pavé transféré choisi en fonction de son emplacement ou de sa qualité de transfert dans le cas d’un transfert simultané de pavés sur le substrat support).
Un exemple d’un système de coordonnées (O, x, y) du substrat S est schématisé sur la . Dans cet exemple, le point O est le centre du substrat S. L’axe (Ox) passe par une encoche N (« notch » en anglais) qui préexiste sur le bord du substrat S. L’axe (Oy) est perpendiculaire à l’axe (Ox). Naturellement, d’autres systèmes de coordonnées peuvent être utilisés sans pour autant sortir du cadre de la présente invention.
La illustre la formation, par exemple par photolithographie, d’un masque comprenant un film protecteur M1-M3 recouvrant partiellement chaque pavé P1-P3 et des ouvertures s’étendant entre les portions de film protecteur.
La présente invention met en œuvre un photocatalyseur (C) consistant en un carbonyle de manganèse. Avantageusement, le manganèse est un élément naturel abondant et généralement considéré comme non-toxique dans la limite des doses qui en font un oligoélément. Dans la présente invention, le carbonyle de manganèse est un complexe métallique constitué d’un ou plusieurs atomes de manganèse et de ligands carbonyles liés au manganèse. Aucun autre type de ligand n’est lié au manganèse. De préférence, le carbonyle de manganèse est plus spécifiquement le décacarbonyle de dimanganèse, de formule chimique [Mn 2 (CO) 10 ]. Avantageusement, il s’agit d’un produit commercial, peu couteux et stable à l’air.
Le photocatalyseur (C) selon l’invention est avantageusement mis en œuvre sans ligand organique, notamment : - sans ligand à base d’azote, tel que par exemple un ligand pyridine, et/ou - sans ligand à base de phosphore, tel que par exemple un ligand phosphine, et/ou - sans ligand de type acyl, et/ou - sans ligand dicétone, tel que par exemple un ligand β-dicétone, et/ou - sans ligand cyclopentadiényle, substitué ou non-substitué, et/ou - sans ligand organométallique, tel que le triphénylarsine.
Le manganèse dans le complexe métallique est de préférence au degré d’oxydation 0. Ledit complexe métallique ne contient pas de ligand de type X, notamment de ligand halogène.
La concentration molaire en photocatalyseur (C) peut être de 0,01 mol.% à 15 mol.%, plus préférentiellement de 0,05 mol.% à 10 mol.%, plus préférentiellement de 0,1 mol.% à 5 mol.%, encore plus préférentiellement de 0,5 mol.% à 2 mol.%, par rapport au nombre de moles total d’insaturations portées par le composé insaturé (A). Selon une variante préférée, dans le procédé selon l’invention, on ne met pas en œuvre de composés à base de platine, palladium, ruthénium ou rhodium. La quantité de composés à base de platine, palladium, ruthénium ou rhodium dans le milieu réactionnel est, par exemple, inférieure à 0,1% en poids par rapport au poids du photocatalyseur (C), de préférence inférieure à 0,01% en poids, et plus préférentiellement inférieure à 0,001% en poids.
La présente invention consiste en premier lieu en un procédé d’hydrosilylation d’un composé insaturé (A) comprenant au moins une fonction alcène monosubstitué, avec un composé (B) comprenant au moins une fonction hydrogénosilyle, ledit procédé comprenant l’étape consistant à soumettre ledit composé insaturé (A) et ledit composé (B) à une irradiation en présence d’un photocatalyseur (C) tel que décrit ci-dessus.
Le composé insaturé (A) mis en œuvre dans le procède d’hydrosilylation selon l’invention est un composé chimique comprenant au moins une insaturation alcène monosubstituée ne faisant pas partie d’un cycle aromatique. Il peut être choisi parmi ceux connus de l’homme du métier et qui ne contiennent pas de fonction chimique réactive pouvant gêner, voire empêcher la réaction d’hydrosilylation.
Dans le présent texte, on entend par « alcène monosubstitué » ou « alcényle monosubstitué » une double liaison covalente entre deux atomes de carbone, ne faisant pas partie d’un cycle aromatique, les deux atomes de carbone étant liés à 3 atomes d’hydrogène et un radical monovalent différent de l’atome d’hydrogène. Le composé insaturé (A) mis en œuvre dans le procède d’hydrosilylation selon l’invention peut être représenté par la formule générale (I) : RCH=CH 2 (I) dans laquelle R représente un radical monovalent.
Le composé insaturé (A) peut, de façon préférée, être un composé organique comprenant un groupe alcène monosubstitué choisi dans le groupe constitué par : - les α-oléfines, de préférence le 1-octène et le 1-hexène, - les α-oléfines chlorées, de préférence le chlorure d’allyle, - les α-oléfines fluorées, de préférence de 4,4,5,5,6,6,7,7,7-nonafluoro-l-heptène, - l’alcool allylique, - les éthers d’allyle, tels que l’éther d’allyle et de benzyle, les éthers d’allyle et d’alkyle en C 1 -C 8 , l’éther d’allyle et glycidyle, l’éther d’allyle et de pipéridine, préférentiellement l’éther d’allyle et de pipéridine stériquement encombrée, les éthers d’allyle et de silyle, préférentiellement l’éther d’allyle et de triméthylsilyle, - les esters d’allyles, tels que l’acétate d’allyle, - les styrènes, - le 1,2-époxy-4-vinylcyclohexane, - les acrylates d’alkyles en C 1 à C 4 et l’acide acrylique.
Le composé insaturé (A) peut être choisi parmi les composés comprenant plusieurs fonctions alcènes monosubstituées, de préférence deux ou trois fonctions alcènes monosubstituées, et de façon particulièrement préférée, le composé (A) est choisi parmi les composés suivants :
Selon un mode de réalisation particulièrement préféré, le composé insaturé (A) peut être un composé organopolysiloxane comprenant une ou plusieurs fonctions alcènes monosubstituées, de préférence au moins deux fonctions alcènes monosubstituées. La réaction d’hydrosilylation d’alcènes est l’une des réactions clés de la chimie des silicones. Elle permet non seulement la réticulation entre des organopolysiloxanes à fonctions SiH et des organopolysiloxanes à fonctions alcényles pour former des réseaux et apporter des propriétés mécaniques aux matériaux, mais également la fonctionnalisation des organopolysiloxanes à fonctions SiH pour modifier leurs propriétés physiques et chimiques.