INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Compte tenu que le réseau d’accès optique engendre de nombreux investissements, ses évolutions pour assurer une montée en débit peuvent reposer sur une reprise des fibres déjà déployées et en particulier celles du réseau d’accès dont le déploiement est très couteux. Ainsi, le déploiement d’évolutions peut se faire selon des configurations particulières pour limiter les coûts.
Ainsi, et comme illustré par la , une de ces configurations consiste à utiliser un amplificateur optique Amp commun entre tous les liens traités par un port optique d’un OLT auquel correspond un ODN donné et ceci, aussi bien pour le sens montant que pour le sens descendant. 1
Pour couvrir les différentes longueurs d’onde transmises dans le sens descendant et dans le sens montant, l’amplificateur Amp est choisi de préférence avec un gain G relativement plat sur la bande comprenant ces longueurs d’onde, c’est-à-dire avec une variation de débit d’au maximum 3dB.
Les amplificateurs optiques de type SOA (Semiconductor Optical Amplificator) sont particulièrement adaptés aux exigences d’une telle configuration.
La illustre la structure simplifiée d’un amplificateur optique de type SOA. Comme illustré, un amplificateur SOA présente un gain d’amplification commandable par une intensité de courant de pompage Ip. L’amplificateur SOA amplifie le signal d’entrée Se pour fournir le signal de sortie Ss. La représente le gain d’un amplificateur SOA en fonction de la puissance du signal d’entrée pour différentes valeurs de courant de pompage. Cette figure permet d’illustrer la variation du gain de l’amplificateur SOA en fonction du courant de pompage.
La illustre le phénomène de modulation de gain croisée qui intervient dans un réseau d’accès PON configuré avec un amplificateur optique commun Amp pour un port optique donné de l’OLT. L’OLT comprend un émetteur Tx (émetteur laser par exemple) qui reçoit en entrée un signal à transmettre. L’OLT comprend un récepteur Rx du signal montant et un multiplexeur/démultiplexeur optique MUX/DEMUX du signal montant et du signal descendant, par exemple un filtre dichroïque. Chaque unité ONU, par exemple ONU1, comprend un émetteur Tx1, un récepteur Rx1 et un multiplexeur/démultiplexeur optique MUX/DEMUX1 du signal descendant reçu et du signal montant émis par l’ONU. Le réseau ODN défini un canal optique qui relie, dans le sens descendant, l’émetteur Tx situé dans l’équipement OLT à chaque récepteur Rx situé dans les unités ONU. Le récepteur optique Rx (photodiode par exemple) compris dans l’unité ONU reçoit le signal en sortie du canal optique et génère un signal de sortie vers le client.
Cette étape comprend ensuite la formation de l'empilement 78 et des pistes conductrices 74, 80. La formation de l'empilement 78 et des pistes conductrices 74, 80 comprend le remplissage des ouvertures 104 par le matériau des pistes 74. La formation de l'empilement 78 et des pistes conductrices 74, 80 comprend par exemple la formation de chaque couche de l'empilement, la gravure de ladite couche à l'emplacement de la piste et le remplissage dudit emplacement avec un matériau conducteur, par exemple un métal.
A titre de variante, la formation de l'empilement 78 et des pistes conductrices 80 comprend, par exemple niveau par niveau, la formation des pistes conductrices, par exemple par croissance du métal, puis le remplissage avec un matériau isolant.
L'étape illustrée par la vue 10A comprend en outre la formation de l'ouverture 84 dans l'empilement 78. L'ouverture 84 est par exemple gravée dans l'empilement de manière à découvrir une piste 80.
Au cours de l'étape illustrée par la vue 10B, la couche 62 est formée. La couche 62 est formée sur le support 114 de manière à recouvrir la puce 56 et la couche 58. Par exemple, la couche 62 est formée par un procédé de type boitier intégré dans une plaque (Panel Embedded Packaging, ou PEP). Le support 114 est ensuite retiré.
Cette étape comprend ensuite la formation de l'empilement 64 et des pistes conductrices 60, 66. La formation de l'empilement 64 et des pistes conductrices 60, 66 comprend le remplissage des ouvertures 110 par le matériau des pistes 60. La formation de l'empilement 64 et des pistes conductrices 60, 66 comprend par exemple la formation de chaque couche de l'empilement, la gravure de ladite couche à l'emplacement de la piste et le remplissage dudit emplacement avec un matériau conducteur, par exemple un métal.
A titre de variante, la formation de l'empilement 64 et des pistes conductrices 66 comprend par exemple la formation des pistes conductrices d'un niveau, par exemple par croissance du métal, puis le remplissage du niveau avec un matériau isolant.
L'étape illustrée par la vue 10B comprend en outre la formation de l'ouverture 68 dans l'empilement 64. L'ouverture 68 est par exemple gravée dans l'empilement de manière à découvrir une piste 66.
La partie 54 est ainsi formée.
La représente une autre étape d'un procédé de fabrication du mode de réalisation de la . Plus précisément, la représente une étape de fabrication de la partie 52 de la . L'étape de la est de préférence postérieure à l'étape de la vue 9A. L'étape de la est indépendante des étapes de fabrication de la partie 52, c’est-à-dire les étapes des vues 8A, 9A et 10A.
Au cours de cette étape, l'ouverture 86 est formée dans la couche 76. L'ouverture 86 traverse la couche 76 de la face avant à la face arrière, de manière à découvrir une partie de l'empilement 78, plus précisément de manière à découvrir une piste 80.
La couche 88 est ensuite formée, sur les parois de la couche 76 dans l'ouverture 86, sur des portions de la face arrière de la couche 76 et sur la partie découverte de la piste 80. La formation de la couche 88 comprend par exemple le dépôt d'une couche de germination non représentée. La couche 88 est ensuite formée par croissance sur la couche de germination. La couche 88 est formée de manière à être en contact avec la piste conductrice 80 découverte.
De plus, la couche isolante 92 est déposée sur la face arrière de la couche 76. La bille 90 est ensuite fixée à la couche 88.
Le procédé de fabrication du mode de réalisation de la comprend ensuite une étape de fixation des parties 52 et 54. Plus précisément, les faces avant des parties 52 et 54 sont fixées l'une à l'autre par la bille 55.
La représente un autre mode de réalisation d'un dispositif électronique 112.
Le dispositif 112 comprend les parties 52 et 54 décrites en relation avec la . Les parties 52 et 54 comprennent les éléments décrits en relation avec la , agencés de manière identiques. Ces éléments ne seront pas décrits de nouveau.
Le dispositif 112 diffère du dispositif 50 de la en ce que la face avant de la partie 54 est fixée sur la face arrière de la partie 52. Plus précisément, la face avant de l'empilement 64 est fixée sur la face arrière de la couche 92. La face avant de l'empilement 64 est par exemple en contact avec la face arrière de la couche 92.
Les parties 52 et 54 du dispositif sont fixées l'une à l'autre par l'intermédiaire des empilements 64 et 78. Plus précisément, les faces avant des empilements 64 et 78 sont fixées l'une à l'autre. Ainsi, les faces avant des empilements 64 et 78 sont en contact, de préférence sont en contact sur toute leur surface. Les parties 52 et 54 sont agencées de telles manière que les ouvertures 68 et 84 sont l'une en face de l'autre, de manière à former une cavité correspondant aux ouvertures 68 et 84. Les parois latérales des ouvertures 68 et 84 sont de préférence coplanaires.
La bille 55 est située dans la cavité formée par les ouvertures 68 et 84. La bille 55 est fixées aux pistes 66 et 80 découvertes dans ladite cavité, par exemple par soudure. Ainsi, lesdites pistes 66 et 80 sont reliées électriquement entre elles par la bille 55. Ainsi, les puces 70 et 56 sont reliées électriquement par l'intermédiaire des pistes 60, 66, 74, 80 et de la bille 55.
Bien que dans l'exemple de la le dispositif 50 ne comprend qu'une cavité correspondant à des ouvertures dans les couches 67 et 82, et qu'une seule bille 55, le dispositif peut en comprendre un plus grand nombre, de manière à assurer la fixation des parties 52 et 54 et de manière à former plusieurs connexions entre les puces 52, 54.
Les figures 8 à 11 représentent des étapes, de préférence successives, d'un procédé de fabrication du mode de réalisation de la . Les figures 8 à 10 comprennent deux vues illustrant chacune la formation d'une partie du dispositif 50. Ainsi, la vue 8A de la , la vue 9A de la et la vue 10A de la illustrent des étapes de préférence successives de fabrication de la partie 52 du dispositif 50. Similairement, la vue 8B de la , la vue 9B de la et la vue 10B de la illustrent des étapes de préférence successives de fabrication de la partie 54 du dispositif 50. La fabrication de la partie 52 et la fabrication de la partie 54 sont par exemple effectuées indépendamment l'une de l'autre.
La représente une étape d'un procédé de fabrication du mode de réalisation de la . La comprend une vue 8A illustrant une étape de fabrication de la partie 52 et une vue 8B illustrant une étape de fabrication de la partie 54.
Au cours de l'étape illustrée par la vue 8A, des composants et circuits de la puce 70 sont formés dans une plaque 100. La plaque 100 est par exemple une plaque (wafer) semiconductrice. De préférence, les circuits de la puce 70 sont agencés de la même manière que sur la .
Une face de la plaque 100, correspondant à la face de la puce 70 destinée à être la plus proche de l'empilement 78, est recouverte, de préférence entièrement, d'une couche isolante électriquement 102. La couche 102 est en le même matériau que la couche 72.
Des ouvertures 104 sont ensuite formées dans la couche 102. Les ouvertures 104 sont situées aux emplacements des pistes 74 de la .
Similairement, au cours de l'étape illustrée par la vue 8B, des composants et circuits de la puce 56 sont formés dans une plaque 106. La plaque 106 est par exemple une plaque (wafer) semiconductrice. De préférence, les circuits de la puce 56 sont agencés de la même manière que sur la .
Une face de la plaque 106, correspondant à la face de la puce 56 destinée à être la plus proche de l'empilement 64, est recouverte, de préférence entièrement, d'une couche isolante électriquement 108. La couche 108 est en le même matériau que la couche 58.
Des ouvertures 110 sont ensuite formées dans la couche 108. Les ouvertures 110 sont situées aux emplacements des pistes 60 de la .
La représente une autre étape d'un procédé de fabrication du mode de réalisation de la .
Au cours de l'étape illustrée par la vue 9A, la plaque 100 et la couche 102 sont découpées de manière à individualiser la puce 70 et la couche 72. La puce 70 et la couche 72 sont ensuite fixées sur un support temporaire 112. Plus précisément, la couche 72 est fixée au support 112. Un empilement comprenant, dans cet ordre, le support 112, la couche 72 et la puce 70 est ainsi formé. Les ouvertures 104 forment ainsi des cavités entre la couche 72, la puce 70 et le support 112.
Similairement, au cours de l'étape illustrée par la vue 9B, la plaque 106 et la couche 108 sont découpées de manière à individualiser la puce 56 et la couche 58. La puce 56 et la couche 58 sont ensuite fixées sur un support temporaire 114. Plus précisément, la couche 58 est fixée au support 114. Un empilement comprenant, dans cet ordre, le support 114, la couche 58 et la puce 56 est ainsi formé. Les ouvertures 110 forment ainsi des cavités entre la couche 58, la puce 56 et le support 114.
Au cours de l'étape illustrée par la vue 10A, la couche 76 est formée. La couche 76 est formée sur le support 112 de manière à recouvrir la puce 70 et la couche 72. Par exemple, la couche 76 est formée par un procédé de type boitier intégré dans une plaque (Panel Embedded Packaging, ou PEP). Le support 112 est ensuite retiré.
L'ouverture 68 de la partie 54 est située en regard de la portion découverte de la couche 88, c’est-à-dire la portion de la couche 88 sur laquelle est située la bille 90. La bille 90 est ainsi en contact avec la couche 88 de la partie 52 et avec la piste 66 de la partie 54, dans l'ouverture 68. La bille 90 permet donc de fixer les parties 52, 54 entre elles. Les puces 70 et 56 sont reliées entre elles par les pistes 74, 80, la couche 88, la bille 90 et les pistes 60, 66.
La bille 55 est située dans l'ouverture 84 de la partie 52. La bille 55 est en contact avec une piste 80 de l'empilement 78. La bille 55 permet, dans le mode de réalisation de la , à relier le dispositif 112 à des circuits ou dispositifs externes au dispositif 112.
Selon un autre mode de réalisation, la partie 54 du dispositif 50 de la ou du dispositif 112 de la , peut être remplacée par un boitier, comprenant une puce, différent. Ledit boitier comprend alors une face fixée à la face arrière de la partie 52. Ledit boitier comprend une piste ou un plot conducteur, reliée à la puce contenue dans le boitier, en contact avec la bille 90.
Un avantage des modes de réalisation décrits précédemment est qu'ils permettent de former des boitiers comprenant plusieurs puces reliées entre elles.
Un autre avantage des modes de réalisation décrits précédemment est qu'ils permettent de former des boitiers plus compacts que les boitiers de puces existants.
Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. La personne du métier comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaîtront à la personne du métier. En particulier, les boules 30 du mode de réalisation de la peuvent être remplacées par des éléments de connexion tels que décrits en relation avec la , chaque élément de connexion comprenant une ouverture dans une couche de résine, une conche conductrice s'étendant sur les parois de l'ouverture et sur une partie d'une face avant ou arrière de la couche de résine, et une bille fixée sur la couche conductrice. De même, l'ensemble de connexion des modes de réalisation des figures 7 et 12, comprenant l'ouverture 86, la couche 88 et la bille 90, peut être remplacé par une boule telle que les boules 30 du mode de réalisation de la .
De plus, bien que les modes de réalisation des figures 7 et 12 comprennent une unique puce dans chaque partie 52, 54, il est bien entendu que chaque partie comprend au moins une puce, et peut donc en comprendre un nombre quelconque.
En outre, les parties 52, 54 des modes de réalisation des figures 7 et 12 sont fixées l'une à l'autre par une bille métallique. Les deux parties 52, 54 peuvent être fixées l'une à l'autre sans bille métallique, par exemple par collage moléculaire, par exemple par collage hybride.
Dispositif électronique à dissipateur de chaleur La présente description concerne de façon générale les dispositifs électroniques, et plus précisément les dispositifs électroniques comprenant un dissipateur de chaleur, et leurs procédés de fabrication.
Un dissipateur thermique est un élément destiné à évacuer la chaleur résultant de l'effet Joule dans un élément semiconducteur d'un dispositif électronique. La présence et l'efficacité des dissipateurs de chaleur est particulièrement importante dans des dispositifs de puissance.
Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des dispositifs électroniques à dissipateur de chaleur connus.
Un mode de réalisation prévoit un dispositif électronique comprenant une puce et un dissipateur de chaleur, le dissipateur de chaleur étant constitué d'une première couche métallique s'étendant sur une face arrière et des faces latérales de la puce, la puce et le dissipateur étant latéralement entouré d'une deuxième couche de résine.
Un autre mode de réalisation prévoit un procédé de fabrication d'un dispositif électronique comprenant une puce et un dissipateur de chaleur, le dissipateur de chaleur étant constitué d'une première couche métallique s'étendant sur une face arrière et des faces latérales de la puce, le procédé comprenant une étape a) de formation d'une deuxième couche de résine entourant latéralement la puce et le dissipateur.
Selon un mode de réalisation, le dissipateur est en un matériau ayant une conductivité thermique supérieure à 100 W/mK.
Selon un mode de réalisation, au moins une partie de la portion du dissipateur s'étendant sur la face arrière de la puce n'est pas recouverte par la deuxième couche de résine.
Le déflecteur peut également être la paroi du pack ou d’un module. Le jet serait alors orienté vers une paroi pour ensuite rebondir dans des directions transverses.
Dans certains modes de réalisation, comme par exemple illustré de manière non limitative à la , les pompes vont créer un écoulement forçant la convection entre les cellules voire créer un jet au-dessus de la surface pour venir en contact avec les parois émergentes.
Plus particulièrement, la illustre un exemple de mode de réalisation à titre d’exemple et non limitatif de la présente invention, dans lequel le dispositif comprend la présence de déflecteur qui améliore la répartition du jet dans le volume et arrose une zone plus grande permettant ainsi de limiter le nombre de pompe.
Le déflecteur peut également être partiellement en mouvement pour modifier en continu la répartition du jet et améliorer encore la projection du jet. A titre d’exemple, le déflecteur peut tourner en rotation sur lui-même de façon à ce que le jet de fluide soit réfléchit dans toute l’enceinte.
Dispositif selon l’une des revendications précédentes, dans lequel la pompe est configurée pour créer un jet de fluide diélectrique défléchit par au moins un composant électrique et/ou électronique destiné à être régulé thermiquement.
Cela permet avantageusement de se servir des composants à refroidir, tels que des cellules, pour obtenir une meilleure répartition du fluide diélectrique projeté.
Dans certains modes de réalisation, l’orientation d’au moins une pompe est modifiable.
L’orientation de la pompe présente de préférence un angle compris entre -45° et +45° par rapport à un axe vertical perpendiculaire au plan dans lequel s’étend la paroi de fond 8 de l’enceinte, ou la paroi sur laquelle est fixée ladite pompe. Encore préférentiellement la pompe est orientée selon ledit axe vertical perpendiculaire.
Cela permet de créer des mouvements de fluide plus important et d’arroser avec moins de puissance de pompe toute la surface des composants à réguler thermiquement.
Dans certains modes de réalisation, l’orientation d’au moins une pompe est pilotable, de façon programmée ou non.
Dans certains modes de réalisation, les moyens pour arroser comprennent trois pompes.
La montre des coupes histologiques ex vivo bidimensionnelles de a) un échantillon de peau traité avec le véhicule témoin (2 % en poids d’éthanol), b) un échantillon de peau traité avec 3 % en poids d’acide lactique et 0,2 % en poids d’acide salicylique (Gommage A), c) un échantillon de peau traité avec 3 % en poids d’acide glycolique et 2,4 % en poids d’acide lactique (Gommage B), d) un échantillon de peau traité avec 14,7 % en poids d’acide glycolique et 0,1 % en poids d’acide salicylique (Gommage C), e) un échantillon de peau traité avec 15 % en poids d’acide trichloracétique et 3 % en poids d’acide glycolique (Gommage D), f) un échantillon de peau traité avec 3 % en poids d’acide lactique et 0,2 % en poids d’acide salicylique (Gommage A), et 0,1 % en poids d’acétyl trifluorométhylphényl valylglycine, g) un échantillon de peau traité avec 3 % en poids d’acide glycolique et 2,4 % en poids d’acide lactique (Gommage B), et 0,1 % en poids d’acétyl trifluorométhylphényl valylglycine, h) un échantillon de peau traité avec 14,7 % en poids d’acide glycolique et 0,1 % en poids d’acide salicylique (Gommage C), et 0,1 % en poids d’acétyl trifluorométhylphényl valylglycine, et i) un échantillon de peau traité avec 15 % en poids d’acide trichloracétique et 3 % en poids d’acide glycolique (Gommage D), et 0,1 % en poids d’acétyl trifluorométhylphényl valylglycine. Les coupes sont colorées pour expression de la filaggrine (FLG).
La montre des coupes histologiques ex vivo bidimensionnelles de a) un échantillon de peau traité avec le véhicule témoin (2 % en poids d’éthanol), b) un échantillon de peau traité avec 3 % en poids d’acide lactique et 0,2 % en poids d’acide salicylique (Gommage A), c) un échantillon de peau traité avec 3 % en poids d’acide glycolique et 2,4 % en poids d’acide lactique (Gommage B), d) un échantillon de peau traité avec 14,7 % en poids d’acide glycolique et 0,1 % en poids d’acide salicylique (Gommage C), e) un échantillon de peau traité avec 15 % en poids d’acide trichloracétique et 3 % en poids d’acide glycolique (Gommage D), f) un échantillon de peau traité avec 3 % en poids d’acide lactique et 0,2 % en poids d’acide salicylique (Gommage A), et 0,1 % en poids d’acétyl trifluorométhylphényl valylglycine, g) un échantillon de peau traité avec 3 % en poids d’acide glycolique et 2,4 % en poids d’acide lactique (Gommage B), et 0,1 % en poids d’acétyl trifluorométhylphényl valylglycine, h) un échantillon de peau traité avec 14,7 % en poids d’acide glycolique et 0,1 % en poids d’acide salicylique (Gommage C), et 0,1 % en poids d’acétyl trifluorométhylphényl valylglycine, et i) un échantillon de peau traité avec 15 % en poids d’acide trichloracétique et 3 % en poids d’acide glycolique (Gommage D), et 0,1 % en poids d’acétyl trifluorométhylphényl valylglycine. Les coupes sont colorées pour « terminal deoxynucleotidyl transferase dUTP nick end labeling » (TUNEL).
La montre des coupes histologiques ex vivo bidimensionnelles de a) un échantillon de peau traité avec un véhicule témoin (2 % en poids d’éthanol), b) un échantillon de peau traité avec 0,1 % en poids d’acétyl trifluorométhylphényl valylglycine, c) un échantillon de peau traité avec 15 % en poids d’acide trichloracétique et 3 % en poids d’acide glycolique (Gommage D), et d) un échantillon de peau traité avec 0,1 % en poids d’acétyl trifluorométhylphényl valylglycine, et 15 % en poids d’acide trichloracétique et 3 % en poids d’acide glycolique (Gommage D). Les coupes sont colorées à l’hématoxyline et à l’éosine. Barre d’échelle = 100 µm.
La montre des coupes histologiques ex vivo bidimensionnelles de a) un échantillon de peau traité avec le véhicule témoin (2 % en poids d’éthanol), b) un échantillon de peau traité avec 0,1 % en poids d’acétyl trifluorométhylphényl valylglycine, c) un échantillon de peau traité avec 15 % en poids d’acide trichloracétique et 3 % en poids d’acide glycolique (Gommage D), et d) un échantillon de peau traité avec 0,1 % en poids d’acétyl trifluorométhylphényl valylglycine, et 15 % en poids d’acide trichloracétique et 3 % en poids d’acide glycolique (Gommage D). Les coupes sont colorées pour expression de la Filaggrine. Les flèches pointent des stratum corneum modifiés.
La montre des coupes histologiques ex vivo bidimensionnelles de a) un échantillon de peau traité avec un véhicule témoin (2 % en poids d’éthanol), b) un échantillon de peau traité avec 0,1 % en poids d’acétyl trifluorométhylphényl valylglycine, c) un échantillon de peau traité avec 15 % en poids d’acide trichloracétique et 3 % en poids d’acide glycolique (Gommage D), et d) un échantillon de peau traité avec 0,1 % en poids d’acétyl trifluorométhylphényl valylglycine, et 15 % en poids d’acide trichloracétique et 3 % en poids d’acide glycolique (Gommage D). Les coupes sont colorées pour expression de Desmocolline-1 (DSC1). Les flèches pointent des stratum corneum modifiés.
La montre des coupes histologiques ex vivo bidimensionnelles de a) un échantillon de peau traité avec un véhicule témoin (2 % en poids d’éthanol), b) un échantillon de peau traité avec 0,1 % en poids d’acétyl trifluorométhylphényl valylglycine, c) un échantillon de peau traité avec 15 % en poids d’acide trichloracétique et 3 % en poids d’acide glycolique (Gommage D), et d) un échantillon de peau traité avec 0,1 % en poids d’acétyl trifluorométhylphényl valylglycine, et 15 % en poids d’acide trichloracétique et 3 % en poids d’acide glycolique (Gommage D). Les coupes sont colorées pour expression de la kallikrein-related peptidase 5 (KLK5) (également connue sous le nom de stratum corneum tryptic enzyme (SCTE)). Les flèches pointent des stratum corneum modifiés.