INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Le harnais est muni d’une sangle 4, d’un dispositif d’accrochage 5 configuré pour accrocher la sangle au harnais de manière réversible. Le dispositif d’accrochage 5 possède une boucle 6 et une tige 7. Selon les configurations, la boucle 6 peut être une boucle rigide ou une boucle flexible.
Le dispositif d’accrochage 5 est configuré pour accrocher une extrémité de la sangle 4 avec la boucle 6. Le dispositif d’accrochage 5 est monté amovible par rapport à la boucle 6. Le dispositif d’accrochage possède une position d’accrochage dans laquelle la sangle 4 traverse la boucle 6 et la tige 7 prend appui sur la boucle 6 comme cela est illustré aux figures 2 et 3. Le dispositif d’accrochage 5 possède une autre position dans laquelle la sangle 4 ne passe pas à travers la boucle 6 comme cela est illustré à la . Le dispositif d’accrochage 5 comporte un organe de verrouillage 8 monté fixement à la tige 7. Dans une position de verrouillage, l’organe de verrouillage 8 bloque la tige 7 en appui sur la boucle pour empêcher la désolidarisation entre la boucle 6 et la tige 7.
Éventuellement, une autre pièce composite à matrice céramique sous la forme d’une préforme fibreuse peut être assemblée ou fixée dans l’ensemble d’outil 10. Un avantage du revêtement disposé sur l’ensemble d’outil 10 à 418 est que plusieurs processus de CVI sur de multiples pièces composites à matrice céramique sous la forme de préformes fibreuses peuvent être achevés avant des revêtements supplémentaires ou la fourniture de retouches aux revêtements existants.
Des avantages supplémentaires associés à l’invention telle que décrite ici comportent une amélioration du revêtement d’outils utilisés dans des processus d’infiltration chimique en phase vapeur. Le premier revêtement et le second revêtement optionnel, tels que décrits dans le présent document, fournissent un revêtement d’outil qui est significativement plus lisse que le processus traditionnel avec le revêtement d’étanchéité qui nécessite une CVI et le revêtement de libération supplémentaire associé.
Le coût du premier revêtement, tel que décrit dans le présent document, est significativement inférieur à celui du revêtement d’étanchéité traditionnel à base de CVI. Le revêtement d’étanchéité traditionnel à base de CVI ajoute souvent au moins un tiers au coût global de composant et ajoute une à deux semaines supplémentaires pour l’appliquer.
Le premier revêtement, tel que décrit dans le présent document, nécessite uniquement un four à basse température pour durcir à ou entre 60 °C et 250 °C (ou entre 80 °C et 200 °C) pour étanchéifier l’outil. Cela permet d’augmenter le débit de pièces dans le four à CVI au lieu de l’utiliser partiellement pour étanchéifier les outils.
Le premier revêtement, par opposition au revêtement d’étanchéité traditionnel, peut économiser de l’énergie et fournir un avantage supplémentaire en termes de coûts. Le premier revêtement, tel que décrit dans le présent document, nécessite uniquement un four à basse température fonctionnant à ou entre 60 °C et 250 °C (ou entre 80 °C et 200 °C) pour étanchéifier l’outil, par opposition au revêtement d’étanchéité traditionnel qui nécessite un four à CVI fonctionnant à des températures pouvant être comprises entre 900 °C et 1700 °C environ.
Le premier revêtement (revêtement en une étape) ou les premier et second revêtements (revêtement en deux étapes) sont un moyen plus rapide de revêtir les outils de CVI. Par exemple, le premier revêtement ou les premier et second revêtements peuvent prendre environ 3 jours avant que l’outil ne soit prêt à être assemblé. Le revêtement d’étanchéité traditionnel prend 6 à 8 jours et le revêtement d’étanchéité traditionnel avec revêtement de libération ou revêtement de résine phénolique prend 9 jours ou plus avant que l’outil soit prêt à être assemblé.
Un autre avantage peut être une diminution de l’équipement de protection individuelle requis, car le premier revêtement et le second revêtement décrits dans le présent document peuvent être des résines à base de furane, par opposition à la résine phénolique utilisée dans le revêtement de libération traditionnel. Par exemple, lors de l’utilisation des résines à base de furane, respirateur facial intégral n’est pas requis comme c’est le cas lors de l’application d’une résine phénolique.
Encore un autre avantage du premier revêtement ou des premier et second revêtements est qu’aucun revêtement supplémentaire n’est requis par l’outil entre les démoulages multiples de pièces. Le revêtement à base de CVI requiert que la couche de résine phénolique soit réappliquée entre les cycles de rigidification de préforme.
Un autre avantage des revêtements décrits dans cette invention est qu’ils libèrent la préforme à partir de l’outil avec moins de restes de revêtement d’outil adhérant à la préforme que le revêtement traditionnel. Le revêtement traditionnel requiert souvent une étape supplémentaire dans le processus de fabrication du composant au cours de laquelle des restes de revêtement adhérant à la préforme sont entièrement éliminés. Les revêtements décrits dans cette invention peuvent éliminer cette étape du processus de fabrication.
Dans la mesure où cela n’a pas déjà été décrit, les différentes caractéristiques et structures des divers aspects peuvent être utilisées en combinaison, ou en substitution les unes des autres selon les besoins. Le fait qu’une caractéristique ne soit pas illustrée dans tous les exemples ne signifie pas qu’elle ne peut pas être ainsi illustrée, mais est faite pour des raisons de brièveté de la description. Ainsi, les diverses caractéristiques des différents aspects peuvent être mélangées et assorties comme souhaité pour former de nouveaux aspects, que les nouveaux aspects soient ou non expressément décrits. Toutes les combinaisons ou permutations de caractéristiques décrites dans le présent document sont couvertes par cette invention.
Cette description écrite utilise des exemples pour décrire des aspects de l’invention décrite dans le présent document, comportant le meilleur mode, et également pour permettre à tout homme de l’art de mettre en pratique des aspects de l’invention, comportant la fabrication et l’utilisation de dispositifs ou de systèmes quelconques et la réalisation de procédés incorporés quelconques.
D’autres aspects de l’invention sont fournis par l’objet des clauses suivantes :
Outil pour la fabrication d’une pièce composite à matrice céramique, l’outil comprenant un corps en graphite ayant de multiples trous d’accès de gaz et une surface poreuse pour supporter la pièce composite à matrice céramique, et une couche de carbone vitreux sur la surface poreuse qui étanchéifie hermétiquement la surface poreuse.
Outil dans lequel la couche de carbone vitreux est formée par une résine thermodurcie à rendement en carbone.
Outil dans lequel la résine à rendement en carbone comporte des particules de charge.
Outil dans lequel la résine à rendement en carbone et les particules de charge sont non réactives à un ou plusieurs gaz parmi le carbure de silicium (SiC), le carbone (C), le nitrure de silicium (Si 3 N 4 ), le nitrure de bore (BN), le carbure de bore (B 4 C) ou le carbure de zirconium (ZrC).
L’invention propose également une installation de chauffage/climatisation, destinée à équiper un véhicule comprenant un habitacle, propre à produire de l’air traité destiné à alimenter l’habitacle via au moins un conduit, et comprenant un dispositif de déshumidification du type de celui présenté ci-avant et couplé à ce conduit en amont d’au moins une sortie.
Par exemple, ce conduit peut être destiné à être partiellement logé dans une console centrale du véhicule afin d’alimenter au moins un aérateur d’air propre à alimenter en air traité une partie arrière de l’habitacle.
L’invention propose également une console centrale destinée à équiper un habitacle d’un véhicule, et comprenant un dispositif de déshumidification du type de celui présenté ci-avant.
L’invention propose également un véhicule, éventuellement de type automobile, et comprenant, d’une part, un habitacle, et, d’autre part, un dispositif de déshumidification du type de celui présenté ci-avant, ou une installation de chauffage/climatisation du type de celle présentée ci-avant et alimentant en air traité l’habitacle, ou encore une console centrale du type de celle présentée ci-avant, installée dans l’habitacle et alimentant en air déshumidifié l’habitacle.
illustre schématiquement et fonctionnellement, dans une vue en coupe dans un plan longitudinal et vertical, un exemple de véhicule comprenant une installation de chauffage/climatisation comportant un premier exemple de réalisation d’un dispositif de déshumidification selon l’invention, installé quasi-intégralement dans une console centrale,
illustre schématiquement et fonctionnellement un exemple de réalisation d’un calculateur comprenant un dispositif de contrôle d’un dispositif de déshumidification selon l’invention et devant faire partie d’une installation de chauffage et/ou climatisation d’un véhicule,
illustre schématiquement et fonctionnellement, dans une vue en coupe dans un plan longitudinal et vertical, un second exemple de réalisation d’un dispositif de déshumidification selon l’invention, et
illustre schématiquement et fonctionnellement un exemple de réalisation du dispositif de contrôle du dispositif de déshumidification de la .
Description détaillée de l’invention L’invention a notamment pour but de proposer un dispositif de déshumidification DD destiné à permettre une déshumidification automatisée de l’air présent dans un habitacle H d’un véhicule V.
Dans ce qui suit, on considère, à titre d’exemple illustratif, que le véhicule V est de type automobile. Il s’agit par exemple d’une voiture, comme illustré sur la . Mais l’invention n’est pas limitée à ce type de véhicule. Elle concerne en effet tout véhicule (terrestre, maritime (ou fluvial), ou aérien) comprenant un habitacle fermé.
On a schématiquement illustré sur la une partie d’un exemple de véhicule V comprenant un habitacle H fermé, un dispositif de déshumidification DD et une installation de chauffage et/ou climatisation IC.
L’installation (de chauffage et/ou climatisation) IC est destinée à fournir de l’air traité pour l’habitacle H et comprend à cet effet, notamment, des conduits CA qui sont connectés à des aérateurs (ou diffuseurs) AE installés dans l’habitacle H.
Dans l’exemple illustré non limitativement sur la seul est représenté le conduit CA qui est connecté à au moins un aérateur AE alimentant la partie arrière de l’habitacle H et passe par une console centrale CC installée entre la planche de bord (non illustrée) et les sièges arrière (non illustrés). Cet (chaque) aérateur arrière AE est ici solidarisé fixement à une partie arrière de la console centrale CC. Mais dans la pratique, l’installation IC comprend d’autres conduits qui alimentent en air traité notamment la partie avant de l’habitacle H.
Comme illustré non limitativement sur les figures 1 et 3, un dispositif de déshumidification DD, selon l’invention, comprend au moins une entrée EA, un refroidisseur thermoélectrique RT, un collecteur CE, un dispositif de contrôle DC et une chambre de mixage CM. Par exemple, l’entrée EA, le refroidisseur thermoélectrique RT, le collecteur CE, la chambre de mixage CM et éventuellement le dispositif de contrôle DC peuvent être logés dans un boîtier BD du dispositif de déshumidification DD.
La couche non hermétique à base de silicate de terres rares 350 peut être disposée sur la couche hermétique à base de silicate de terres rares 340. La couche non hermétique à base de silicate de terres rares 350 peut comporter une ou plusieurs couches non hermétiques ayant une épaisseur allant de 10 micromètres à 1 250 micromètres, telle que de 50 micromètres à 1 000 micromètres, telle que de 100 micromètres à 800 micromètres, telle que de 300 micromètres à 600 micromètres. Dans certains modes de réalisation, la couche non hermétique à base de silicate de terres rares 350 possède une épaisseur de 100 micromètres à 450 micromètres. Dans un autre mode de réalisation, la couche non hermétique à base de silicate de terres rares 350 possède une épaisseur d’environ 100 micromètres à environ 1 250 micromètres. La couche non hermétique à base de silicate de terres rares 350 peut comporter une microstructure qui n’est pas hermétique et comporte en outre une microstructure qui est plus typique de revêtements pulvérisés (par ex., de revêtements pulvérisés par plasma). Par exemple, la couche non hermétique à base de silicate de terres rares 350 peut comporter des éclaboussures, des frontières d’éclaboussures, ainsi que de la fissuration et de la porosité. Comme divulgué précédemment, la couche non hermétique à base de silicate de terres rares 350 peut posséder un module d’élasticité plus faible comparativement à la couche hermétique à base de silicate de terres rares 340. Par exemple, la couche non hermétique à base de silicate de terres rares 350 peut posséder un module d’élasticité allant de 50 GPa à 100 GPa. La couche non hermétique à base de silicate de terres rares 350 peut fournir une partie épaisse et souple pour l’EBC 300 permettant à l’EBC 300 d’absorber et d’empêcher la spallation de l’EBC 300 lors d’un choc thermique et/ou mécanique, ce qui permet que moins de contraintes soient transférées dans le composant 400.
La couche non hermétique à base de silicate de terres rares 350 peut comporter tout silicate de terres rares y compris un silicate ayant un élément des terres rares sélectionné parmi le groupe constitué de l’ytterbium (Yb), de l’yttrium (Y), du scandium (Sc), du lutétium (Lu), du lanthane (La), du cérium (Ce), du praséodyme (Pr), du néodyme (Nd), du samarium (Sm), du dysprosium (Dy), de l’holmium (Ho), de l’erbium (Er), du thulium (Tm), de l’europium (Eu), du gadolinium (Gd), du terbium (Tb), du prométhium (Pm), et d’un mélange de ceux-ci. Dans divers modes de réalisation, le silicate de terres rares est (Yb x ,Y 1-x ) 2 Si 2 O 7 où 0 ≦ x ≦ 1. Par exemple, le disilicate de terres rares peut comporter Yb 2 Si 2 O 7 , Y 2 Si 2 O 7 , ou un mélange de ceux-ci. Dans des modes de réalisation particuliers, x peut être de 0,4 à 0,6 (c’est-à-dire, 0,4 ≦ x ≦ 0,6). Par exemple, le silicate de terres rares peut comporter (Yb 0.6 Y 0.4 ) 2 Si 2 O 7 , (Yb 0.4 Y 0.6 ) 2 Si 2 O 7 , ou un mélange de ceux-ci.
Dans certains modes de réalisation, la couche non hermétique à base de silicate de terres rares 350 peut comporter un monosilicate. Par exemple, dans certains modes de réalisation, la couche non hermétique à base de silicate de terres rares 350 comporte de 5 % en volume à 25 % en volume de monosilicate. Un monosilicate approprié peut comporter un monosilicate de terres rares. Par exemple, le monosilicate de terres rares peut comporter (Yb y —Y 1-y ) 2 SiO 5 où 0 ≦ y ≦ 1 ou des mélanges de ceux-ci. Dans certains modes de réalisation, la couche hermétique à base de silicate de terres rares comprend une composition de silicate de terres rares qui est différente de l’au moins une couche non hermétique à base de silicate de terres rares.
Dans certains modes de réalisation, tels que celui représenté sur la , l’EBC 300 peut comporter un revêtement d’ancrage 310, une couche hermétique à base de silicate de terres rares 340, une première couche non hermétique à base de silicate de terres rares 350a et une deuxième couche non hermétique à base de silicate de terres rares 350b. Dans de tels modes de réalisation, la première couche non hermétique à base de silicate de terres rares 350a peut posséder une épaisseur allant de 10 micromètres à 200 micromètres, telle que de 80 micromètres à 120 micromètres, telle que de 100 micromètres, et un module d’élasticité dans la plage de 80 GPa à 110 GPa. La deuxième couche non hermétique à base de silicate de terres rares 350b peut posséder une épaisseur allant de 10 micromètres à 1250 micromètres, telle que de 310 micromètres à 370 micromètres, telle que de 350 micromètres, et un module d’élasticité dans la plage de 70 GPa à 80 GPa.
Tandis que différentes couches sont illustrées, il doit être compris que chacune parmi la couche hermétique à base de silicate de terres rares 340 et les couches non hermétiques à base de silicate de terres rares 350 peut être formée à partir d’une couche à base de silicate précurseur appliquée simultanément (par ex., en utilisant une charge d’alimentation de pulvérisation thermique, telle qu’une charge d’alimentation d’APS) avant frittage. Ensuite, comme abordé ci-dessus, le frittage peut former la couche hermétique à base de silicate de terres rares 340 et les couches non hermétiques à base de silicate de terres rares 350 par le biais de la diffusion de l’auxiliaire de frittage du revêtement d’ancrage sous-jacent.
La illustre un organigramme pour un procédé (500) de revêtement d’un composant (par ex., un composant composite) avec l’EBC divulgué dans la présente. Au bloc (502), le procédé comporte le dépôt d’une couche de revêtement d’ancrage (par ex., une couche de revêtement d’ancrage en silicium) sur la surface du composant. Le composant peut comporter un composant en CMC. Le revêtement peut être appliqué via toute technique de revêtement connue y compris, mais sans s’y limiter, le badigeonnage, le laminage, la pulvérisation et l’immersion. Les techniques de pulvérisation comportent les processus de pulvérisation thermique y compris la pulvérisation par plasma et la pulvérisation par plasma dans l’air. Selon les aspects de la présente divulgation, la couche de revêtement d’ancrage peut être appliquée par des processus de pulvérisation thermique, des processus de dépôt chimique en phase vapeur, des processus de dépôt physique en phase vapeur par faisceau d’électrons, immersion dans du silicium en fusion, des processus de pulvérisation cathodique et d’autres processus d’application classiques connus de l’homme du métier.
Dans certains modes de réalisation, le dépôt du revêtement d’ancrage en silicium dépose une couche de silicium métallique sur la surface du composant. Le silicium peut être appliqué directement sur une surface grenaillée du composant, par exemple par pulvérisation thermique sur le composant lorsque le composant est à une température élevée. Le revêtement d’ancrage en silicium peut être appliqué comme une couche mince tout en recouvrant complètement le composant pour éviter toute tache nue. Typiquement, le revêtement d’ancrage possède une épaisseur allant de 50 micromètres à 150 micromètres, telle que de 70 micromètres à 120 micromètres, telle que de 100 micromètres.
Facultativement, avant d’appliquer la couche de revêtement d’ancrage sur la surface du composant, le composant peut être prétraité mécaniquement, chimiquement ou les deux pour rendre la surface plus réceptive pour l’EBC. Les procédés de prétraitement appropriés comportent le grenaillage, avec ou sans masquage des surfaces qui ne doivent pas être soumises au grenaillage, le décapage par glace carbonique, le micro-usinage, le microbillage, la gravure au laser, un traitement avec des agents de gravure chimique tels que ceux contenant de l’acide chlorhydrique, de l’acide fluorhydrique, de l’acide nitrique, des bifluorures d’ammonium et les mélanges de ceux-ci, un traitement avec de l’eau sous pression (c’est-à-dire, un traitement par jet d’eau), avec ou sans chargement avec des particules abrasives, ainsi que diverses combinaisons de ces procédés.
Au bloc (504), le procédé comporte le dépôt d’une couche (ou de couches) à base de silicate de terres rares sur le revêtement d’ancrage. La couche à base de silicate de terres rares peut être déposée via tout processus de pulvérisation, y compris les processus de pulvérisation thermique. Dans certains modes de réalisation, la couche à base de silicate de terres rares est déposée via pulvérisation par plasma, y compris l’APS. Par exemple, une charge d’alimentation pour un processus de pulvérisation thermique (par ex., l’APS) comportant un silicate de terres rares peut être préparée. Par exemple, la charge d’alimentation peut comporter un ou des monosilicate(s) de terres rares et/ou un mélange d’un ou de matériau(x) de monosilicate de terres rares et d’un ou de matériau(x) de disilicate de terres rares. Dans certains modes de réalisation, la charge d’alimentation comporte tout silicate de terres rares y compris un silicate ayant un élément des terres rares sélectionné parmi le groupe constitué de l’ytterbium (Yb), de l’yttrium (Y), du scandium (Sc), du lutétium (Lu), du lanthane (La), du cérium (Ce), du praséodyme (Pr), du néodyme (Nd), du samarium (Sm), du dysprosium (Dy), de l’holmium (Ho), de l’erbium (Er), du thulium (Tm), de l’europium (Eu), du gadolinium (Gd), du terbium (Tb), du prométhium (Pm), et d’un mélange de ceux-ci. Dans divers modes de réalisation, le silicate de terres rares est (Yb x ,Y 1-x ) 2 Si 2 O 7 et/ou (Yb y —Y 1-y ) 2 SiO 5 où 0 ≦ x ≦ 1 et 0 ≦ y ≦ 1 comme décrit ci-dessus. Dans un mode de réalisation particulier, le silicate de terres rares est Yb 2 Si 2 O 7 .
La couche à base de silicate de terres rares déposée sur le revêtement d’ancrage pourrait être appliquée en utilisant une plage de paramètres de pulvérisation connus de l’homme du métier. À titre d’exemple, le substrat pourrait être préchauffé avant dépôt dans une plage de 150 °F à 1 200 °F. La distance d’écartement pourrait aller de 2 pouces à 8 pouces. Le gaz primaire pourrait être l’argon, l’azote ou l’hélium dans une plage de 30 pieds cubes standards par heure (SCFH) à 200 SCFH. Le gaz secondaire pourrait être l’hélium, l’hydrogène, l’argon ou l’azote dans une plage de 60 SCFH à 200 SCFH. Le gaz vecteur pourrait être l’argon ou l’azote dans la plage de 10 SCFH à 20 SCFH. L’ampérage au cours de la pulvérisation pourrait aller de 500 ampères à 1 000 ampères. Le débit d’apport de poudre pourrait être dans la plage de 0,25 livre/h à 8 livres/h.
Au bloc (506), le procédé comporte le traitement thermique du composant de sorte que la couche à base de silicate de terres rares forme une couche hermétique à base de silicate de terres rares adjacente à la couche de revêtement d’ancrage et au moins une couche non hermétique à base de silicate de terres rares sur celle-ci. Par exemple, le traitement thermique post-pulvérisation peut comporter un chauffage en rampe du composant par incréments de 0,1 °C à 10 °C par minute jusqu’à une température de frittage allant de 1 200 °C à 1 400 °C. Une fois que la température souhaitée est atteinte, le composant peut être maintenu à la température de frittage souhaitée entre 2 heures et 200 heures. Après traitement thermique, le composant peut être graduellement refroidi via l’abaissement en rampe de la température par incréments de 0,1 °C à 50 °C par minute, tels que de 10 °C par minute jusqu’à ce que le composant atteigne la température de la pièce/ambiante.
Le traitement thermique du composant revêtu peut être achevé in-situ ou ex-situ. Dans des modes de réalisation, le traitement thermique du composant facilite la formation d’une couche hermétique à base de silicate de terres rares adjacente à la couche de revêtement d’ancrage et d’au moins une couche non hermétique à base de silicate de terres rares sur celle-ci.