Procédé de fabrication d’un substrat donneur (128, 138, 144) pour le transfert d’une couche piézoélectrique sur un substrat support comprenant les étapes de: - fournir un substrat de manipulation (100), en particulier un substrat à base de silicium; - fournir un substrat piézoélectrique (106), - former une couche intermédiaire (108) sur une surface libre du substrat piézoélectrique (106), - déposer une couche polymère (104) sur la couche intermédiaire (108) du substrat piézoélectrique (106), et assembler le substrat piézoélectrique (106) sur le substrat de manipulation (100) pour former le substrat donneur (128, 138, 144). Procédé de fabrication d’un substrat donneur (128, 138, 144) pour le transfert d’une couche piézoélectrique sur un substrat support comprenant les étapes de: - fournir un substrat de manipulation (100), en particulier un substrat à base de silicium; - déposer une couche polymère (154) sur une face libre du substrat de manipulation (100), - fournir un substrat piézoélectrique (106), - former une couche intermédiaire (108, 112) sur une surface libre du substrat piézoélectrique (106), - assembler le substrat piézoélectrique (106) sur le substrat de manipulation (100) de telle manière que la couche intermédiaire (108, 112) formée sur le substrat piézoélectrique (106) est en sandwich entre la couche polymère (132, 154) du substrat de manipulation (100) et le substrat piézoélectrique (106) pour former le substrat donneur (128, 138, 144). Procédé de fabrication d’un substrat donneur (128, 138, 144) selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la formation de la couche intermédiaire (108, 112) sur le substrat piézoélectrique (106) comprend au moins la formation d’une couche diélectrique, en particulier à base d’oxyde de silicium, à base de nitrure de silicium ou à base d’une combinaison d’oxyde et de nitrure de silicium SiO x N y . Procédé de fabrication d’un substrat donneur (128, 138, 144) selon une des revendications 1 à 3, comprenant en outre une étape de traitement de surface (118) de la couche intermédiaire (108, 112), en particulier un traitement par plasma, encore plus en particulier un plasma de O 2 . Procédé de fabrication d’un substrat donneur (128, 138, 144) selon une des revendications 1 à 4, comprenant en outre une étape d’amincissement du substrat piézoélectrique (106) du substrat donneur (124, 138, 144) pour obtenir un substrat piézoélectrique aminci (140) ou une couche piézoélectrique (140), en particulier par meulage. Substrat donneur (124, 138, 144) pour le transfert d’une couche piézoélectrique comprenant: - un substrat de manipulation (100), en particulier un substrat à base de silicium, - un substrat piézoélectrique (106, 140), - une couche polymère (104, 154, 132) en sandwich entre le substrat de manipulation (100) et le substrat piézoélectrique (106, 140), et caractérisé en ce que le substrat donneur (124, 138, 144) comprend en outre une couche intermédiaire (108, 112) en sandwich entre le substrat piézoélectrique (106, 140) et la couche polymère (104, 154, 132). Substrat donneur (124, 138, 144) selon la revendication 6, dans lequel la couche intermédiaire (108, 112) comprend une seule couche (108) ou plusieurs sous-couches (114). Substrat donneur (124, 138, 144) selon la revendication 6 ou 7, dans lequel la couche intermédiaire (108, 112) comprend au moins une couche diélectrique (108, 112), en particulier une couche à base d’oxyde de silicium, à base de nitrure de silicium ou à base d’une combinaison de nitrure et d’oxyde de silicium SiO x N y . Substrat donneur (124, 138, 144) selon la revendication 6 à 8, dans lequel la couche intermédiaire (108, 112) est en contact direct avec la couche polymère (104, 154, 132). Substrat donneur (124, 138, 144) selon une des revendications 6 à 9, dans lequel le substrat piézoélectrique (106, 140) est un substrat de Tantalate de Lithium (LTO), de Niobate de Lithium (LNO), de Nitrure d’Aluminium (AlN), de Titano-Circonate de Plomb (PZT), de Langasite ou de Langatate. Procédé de transfert d’une couche piézoélectrique sur un substrat support comprenant les étapes de: - fournir un substrat donneur (144) selon l’une quelconque des revendications 6 à 10 avec un substrat piézoélectrique aminci (140) ou obtenu par la mise en œuvre du procédé de fabrication selon la revendication 5, - former une zone de fragilisation (146) à l’intérieur du substrat piézoélectrique (140) du substrat donneur (144), - fournir un substrat support (156), en particulier un substrat à base de silicium, - attacher le substrat donneur (144) sur le substrat support (156), pour obtenir un assemblage substrat donneur – substrat support (170), et - réaliser la fracture le long de la zone de fragilisation (146) pour séparer une couche piézoélectrique (152) du restant (162) du substrat donneur (144).