INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Préparation d es composé s AMFA 3 et AMFA5 Le procédé de préparation des composés AMFA3 et AMFA5 à partir du composé 6 est illustré à la , dont les conditions et réactifs des étapes (i) à (v) sont les suivants : (i) periodinane de Dess-Martin à 0,3 M, CH 2 Cl 2 , TA, 1 h; (ii) méthylènediphosphonate de tétraéthyle, NaH, THF, 1 h, TA ; (iii) Pd/C, Et 3 SiH, MeOH, 2 h, TA. (iv) phtalimide de potassium, DMF, 22 h, 60°C; (v) TMSCl, Et 3 N, CH 2 Cl 2 , 15,5 h, TA; (vi)-a) TMSCl, NaI, CH 3 CN, 50 min, 35°C ; (vi)-b) N 2 H 4 .H 2 O, MeOH, 15,5 h, TA ; (vii) Diéthyle squarate, Et 3 N, EtOH/H 2 O, 30 min ; (viii) N -(méthoxycarbonyl)maléimide, Solution saturée NaHCO 3 , 30 min, 0°C. Pour synthétiser les composés AMFA3 et AMFA5, l’atome de brome du composé 6 est substitué par du phtalimide de potassium pour former l’intermédiaire 14 avec un rendement de 74%. Les fonctions alcools sont ensuite protégées par du chlorure de triméthylsilyle pour conduire au composé 15 avec un rendement quantitatif. L’intermédiaire 15 ainsi obtenu, sans purification est ensuite mis en réaction avec du chlorure de triméthylsilyle et de l’iodure de sodium pour former le phosphonate bis(triméthylsilylé) par une réaction de type Rabinowitz. Cet intermédiaire est ensuite converti en acide phosphonique par action de l’hydrazine monohydratée dans le méthanol qui va aussi déplacer les groupements triméthylsilyles présents sur les alcools secondaires du sucre et réagir avec le phtalimide afin de démasquer la fonction amine. On obtient ainsi, en une seule étape, le composé 16 déprotégé sur la partie phosphonate, sur les alcools des deux sucres et portant la fonction amine en position anomère avec un rendement de 65% sur deux étapes. Le composé 16 est ensuite mis en réaction soit avec le squarate de diéthyle pour former le produit AMFA3 avec un rendement de 50% ou soit avec le N -(méthoxycarbonyl)maléimide pour former le composé AMFA5 avec un rendement de 80% ( ).
Préparation des composés AMFA 4 et AMFA 6 Le procédé de préparation des composés AMFA4 et AMFA6 à partir du composé 1 est illustré à la , dont les conditions et réactifs des étapes (i) à (v) sont les suivants : (i) NaN 3 , DMF, 20 h, TA ; TMSCl, Et 3 N, CH 2 Cl 2 , 20 h, TA; K 2 CO 3 cat, MeOH, 50 min, 0°C, 38% (3 étapes) ; (ii)-a) périodinane de Dess-Martin, CH 2 Cl 2 , 3 h, TA, (ii)-b) Phosphonoacetate de triéthyle, NaH, THF, 2 h, TA, 73% (2 étapes) ; (iii)-a) HCl 0,5 N, THF, 30 min, TA, (iii)-b) NaOH 0,1 N, 30 min, TA, 99%, (iii)-c) H 2 , Pd/C, EtOH/H 2 O, 1.5 h, TA, 99% ; (iv) squarate de diéthyle, EtOH/H 2 O, 40 min, TA, 34% ; (v) N -(méthoxycarbonyl)maléimide, Solution saturée NaHCO 3 , 30 min, 0°C. Les composés AMFA4 et AMFA6 sont synthétisés en suivant les voies de synthèse décrites dans la . L'une des principales étapes de la synthèse de ces ligands saccharidiques a été l'introduction de la fonction carboxylate sur la chaîne latérale des fragments de mannose. Cette fonctionnalisation est réalisée par une oxydation de Dess-Martin de l'alcool 19 en position 6 suivie d'une réaction de Horner-Wadsworth-Emmons utilisant l'anion phosphonacétate de triéthyle. De cette façon, le carboxylate insaturé 20 est obtenu. Une autre étape critique a été la fonctionnalisation des fragments d'aglycone avec le squarate de diéthyle ou le maléimide. Cette réaction a été réalisée sur le composé 21 entièrement déprotégé pour fournir AMFA4 et AMFA6 respectivement ( ).
Préparation des composés AMFA 7 et AMFA 8 Le procédé de préparation du composé AMFA7 à partir du composé 1 6 , et celui du composé AMFA8 à partir du composé 2 1 sont respectivement illustrés à la . Les conditions et réactifs de l’étape (i) sont les suivantes : (i) acide 3-benzoylacrylique, N -méthylmorpholine, chloroformiate d’isobutyle, DMF, 1 h, -10°C à TA. Pour préparer les composés AMFA7 et AMFA8, on suit les mêmes modes opératoires utilisés lors de la préparation des composés AMFA3 et AMFA4, excepté pour la dernière étape. En effet, la dernière étape consiste en la réaction entre les amines des intermédiaires respectifs 16 et 21 et l’acide 3-benzoylacrylique activé par le chloroformiate d’isobutyle en présence de N -méthylmorpholine ( ).
L'expression "couche intermédiaire" se réfère à n'importe quelle couche du film qui n'est ni la couche extérieure ni la couche intérieure. Un film peut comprendre plusieurs couches intermédiaires.
Tel qu'utilisé ici, le terme "homopolymère" se réfère à un polymère résultant de la polymérisation d'un seul monomère.
Tel qu'utilisé ici, le terme "copolymère" se réfère à un polymère résultant de la polymérisation d'au moins deux monomères différents.
Tel qu'utilisé ici, le terme "polymère" englobe les deux types de polymère ci-dessus.
Tel qu'utilisé ici, le terme "polyéthylène" désigne des polymères constitués essentiellement du motif répétitif d’éthylène. Ceux ayant une masse volumique supérieure à 0,940 g/cm 3 sont appelés polyéthylènes à haute densité (HDPE), ceux ayant une masse volumique inférieure à 0,940 g/cm 3 sont des polyéthylènes à basse densité (LDPE).
Telle qu'utilisée ici, l'expression "copolymère d'éthylène alpha-oléfine" se réfère à des polymères tels que le polyéthylène à basse densité linéaire (LLDPE), le polyéthylène à moyenne densité (MDPE), le polyéthylène à très basse densité (VLDPE), le polyéthylène à ultra basse densité (ULDPE), les polymères catalysés avec un métallocène et les plastomères et élastomères de polyéthylène. Dans ces cas, l'alpha-oléfine peut être du propène, du butène, de l'hexène, de l'octène, etc., comme ce qui est connu dans l’état de la technique.
Telle qu'utilisée ici, l'expression "copolymères homogènes d'éthylène alpha-oléfine " se réfère à des copolymères d'éthylène alpha-oléfine ayant une distribution de masse moléculaire inférieure à 2,7, telle que mesurée par chromatographie sur gel perméable (GPC). Des exemples typiques de ces polymères sont l’AFFINITY de DOW ou l’Exact d'Exxon.
Telle qu'utilisée ici, l'expression "polymères de styrène" se réfère à un homopolymère de styrène tel que le polystyrène et à des copolymères de styrène tels que les copolymères de styrène-butadiène, les copolymères de styrène-butadiène-styrène, les copolymères de styrène-isoprène-styrène, les copolymères de styrène-éthylène-butadiène-styrène, les copolymères d'éthylène-styrène et analogues.
Telle qu'utilisée ici, l'expression "copolymères d'éthylène-méthacrylate" se réfère à des copolymères de monomères d’éthylène et de méthacrylate. La teneur en monomères est inférieure à 40 %.
Telle qu'utilisée ici, l'expression "copolymère d'éthylène-acétate de vinyle" se réfère à des copolymères d'éthylène et d'acétate de vinyle. EVA est l'abréviation pour les copolymères d'éthylène-acétate de vinyle.
Tel qu'utilisé ici, le terme EVOH se réfère à des copolymères d'éthylène alcool vinylique. La teneur en éthylène est typiquement située dans la plage allant de 25 % à 50 %.
Tel qu'utilisé ici, le terme PVDC se réfère à un copolymère de chlorure de vinylidène dans lequel la quantité majeure du copolymère (plus de 50 % en poids) comprend du chlorure de vinylidène et la quantité mineure du copolymère comprend un ou plusieurs monomères tels que du chlorure de vinyle et/ou des acrylates et méthacrylates d'alkyle.
Tel qu'utilisé ici, le terme polyamide se réfère aux homopolymères et copolymères.
Tel qu'utilisé ici, le terme "ionomère" se réfère à des copolymères d'éthylène-acide qui ont été neutralisés par des métaux tels que le sodium, le zinc, le lithium ou d'autres. L'acide utilisé est habituellement l'acide méthacrylique ou acrylique.
Tel qu'utilisé ici, le terme "polybutylène" se réfère aux homopolymères et copolymères de butène-1. Des copolymères utiles comprennent des motifs mères d’éthylène. La teneur en éthylène devrait généralement être inférieure à 50 %.
Telle qu'utilisée ici, l'expression "polyester modifié par un glycol" englobe les polyesters tels que le PETG, le PCTG, le polytéréphtalate d'éthylène modifié par un spiroglycol, et analogues.
Une plaque de protection du dessous de caisse 1 est disposée en dessous du dessous de caisse 4.
La plaque de protection du dessous de caisse 1 présente une structure en plaque multicouche (voir la ). La structure en plaque de la plaque de protection du dessous de caisse 1 est au moins à trois couches, présentant une première couche extérieure 13, une deuxième couche extérieure 14 et au moins une couche intermédiaire 15 disposée entre la première couche 13 et la deuxième couche 14.
Par exemple, la première couche 13 et la deuxième couche 14 sont plus minces que la couche intermédiaire 15.
Dans un exemple, la première couche 13 et la deuxième couche 14 sont de conception plane. Par ailleurs, elles peuvent être modulées individuellement ou collectivement dans leur surface, avec des creux et des bosses.
La première couche 13 et la deuxième couche 14 sont par exemple essentiellement incompressibles. Elles sont par exemple constituées d'un matériau plastique essentiellement incompressible, d'un matériau renforcé de fibres de carbone, renforcé de fibres de verre et/ou d’une couche métallique.
La couche intermédiaire 15 est réalisée sous la forme d'une couche intermédiaire compressible 15. Les propriétés mécaniques de la couche intermédiaire compressible 15 varient sur la surface de la couche intermédiaire 15. Cela signifie que la couche intermédiaire compressible 15 présente une variation des propriétés compressibles sur sa surface.
La couche intermédiaire 15 est constituée d'au moins un matériau dont les propriétés mécaniques compressibles varient sur la surface de la couche intermédiaire 15, la variation des propriétés mécaniques compressibles étant graduelle ou continue. Il est également possible que la couche intermédiaire 15 soit composée de plusieurs matériaux, en particulier de deux ou trois matériaux, voire plus, ayant des propriétés mécaniques et compressibles différentes.
Selon un exemple de réalisation, la couche intermédiaire 15 est constituée d'au moins un matériau, comme en particulier un matériau en mousse, dont les propriétés mécaniques, comme en particulier la densité, la dureté de mousse, le module de compression et/ou la proportion d'air, varient sur la surface de la couche intermédiaire, et/ou la couche intermédiaire 15 est constituée de plusieurs matériaux, comme en particulier plusieurs matériaux en mousse, dont les propriétés mécaniques, comme en particulier la densité, la dureté de mousse, le module de compression et/ou la proportion d'air, varient ou diffèrent, lesquels sont répartis en conséquence sur la surface de la couche intermédiaire 15 pour obtenir la variation des propriétés mécaniques.
Les figures 2 et 3 montrent des exemples dans lesquels la couche intermédiaire 15 présente au moins une première zone 16 dotée de premières propriétés mécaniques et au moins une deuxième zone 17 dotée de deuxièmes propriétés mécaniques. Facultativement, la couche intermédiaire 15 peut également comporter au moins une troisième zone dotée de troisièmes propriétés mécaniques.
La couche intermédiaire 15 présente de manière avantageuse, selon les figures 2 et 3, plusieurs premières zones 16 dotées de premières propriétés mécaniques et plusieurs deuxièmes zones 17 dotées de deuxièmes propriétés mécaniques ; plusieurs troisièmes zones dotées de troisièmes propriétés mécaniques pouvant également facultativement être prévues.
Plusieurs premières zones 16 et plusieurs deuxièmes zones 17 réalisées en forme de bande et disposées en alternance sont prévues dans les figures 2 et 3.
Les figures 2 et 3 montrent que le dessous de caisse 4 est conçu selon les zones avec une haute stabilité à la pression différente en raison des cloisons de séparation 8 ou d'autres éléments structurels du boîtier de batterie 7 (voir les parois de boîtier 12). Dans la zone des cloisons de séparation 8 ou des parois verticales 12 du boîtier, la stabilité à la pression dans la direction verticale est particulièrement élevée, tandis qu'entre les cloisons de séparation 8 et/ou les parois verticales 12 du boîtier, la stabilité à la pression est réduite, en particulier dans la zone où sont disposées les cellules de batterie 10. Dans la direction x, les zones de haute stabilité à la pression 18 alternent avec les zones de faible stabilité à la pression 19. Des zones de haute stabilité à la pression 18 de la structure mécanique du dessous de caisse 4 sont par conséquent fondamentalement formées ou provoquées par des cloisons de séparation 8, des nervures ou d'autres renforcements du dessous de caisse 4, en particulier du boîtier de batterie 7 ; des zones de la structure mécanique du dessous de caisse 4 ayant une stabilité à la pression plus faible 19 étant disposées ou formées de manière adjacente à ceux-ci.
La plaque de protection du dessous de caisse 1 est disposée et formée de telle manière que les zones 17 de la couche intermédiaire 15 dotées de propriétés mécaniques plus stables, comme en particulier un module de compression plus élevé, sont disposées en dessous de zones de stabilité à la pression plus élevée 18 de la structure mécanique du dessous de caisse 4 et les zones 16 de la couche intermédiaire 15 dotées de propriétés mécaniques moins stables, comme en particulier un module de compression plus faible, sont disposées en dessous de zones de stabilité à la pression plus faible 19 de la structure mécanique du dessous de caisse 4, en particulier de manière adjacente à des zones de stabilité à la pression plus élevée 18 de la structure mécanique du dessous de caisse, comme le montrent les figures 2 et 3.
Les bandes dotées de propriétés mécaniques supérieures 17 de la plaque de protection du dessous de caisse 1 sont disposées en dessous des zones 18 de haute stabilité à la pression du dessous de caisse 4 et les bandes dotées de propriétés mécaniques inférieures 16 de la plaque de protection du dessous de caisse 1 sont disposées en dessous des zones 19 de stabilité à la pression plus faible du dessous de caisse 4.
La plaque de protection du dessous de caisse 1 peut également être disposée et formée de telle manière que les propriétés mécaniques de la couche intermédiaire 15 diminuent avec l'augmentation de la distance latérale par rapport aux zones 18 de stabilité à la pression plus élevée de la structure mécanique du dessous de caisse 4. Cette diminution peut être graduelle (progressive) ou continue.
Il ressort également de la que la plaque de protection du dessous de caisse 1 s'appuie contre la structure mécanique du dessous de caisse 4 sur les zones de haute stabilité à la pression 18. Cet appui peut être direct ou s’effectuer avec interposition d’un élément d’appui 20 entre la structure mécanique du dessous de caisse 4 et la plaque de protection 1. Un non-tissé, un matériau en mousse ou un matériau en caoutchouc peut par exemple être prévu comme élément d'appui 20, tel qu'une nappe d’un tel matériau, etc.
Lorsque le code de vérification calculé diffère du code correcteur d’erreur, cela indique qu’une altération d’au moins un bit de la valeur de donnée a eu lieu. Selon le codage utilisé pour générer le code correcteur d’erreur et la taille de ce code par rapport à la taille de la valeur de donnée, il est également possible d’identifier le nombre de bits erronés jusqu’à une certaine limite, et de corriger un ou plusieurs bits erronés de la valeur de donnée. Dans un exemple de réalisation, il est possible de détecter et corriger un bit erroné dans la valeur de donnée, ou de détecter la présence d’au moins deux bits erronés dans la valeur de donnée sans pouvoir les corriger.
Dans les applications visées par la présente description, lorsqu’au moins deux bits de la valeur de donnée sont déterminés par le circuit de calcul 130 comme étant erronés, il est considéré qu’un évènement suspect, tel qu’une attaque sur la mémoire non volatile 104, a lieu. Dans le cas de détection d’un événement suspect et dans les modes de réalisation décrits, on prévoit le déclenchement de contre-mesures visant à sécuriser le circuit intégré 102. A titre d’exemple, afin de sécuriser le circuit intégré 102, une valeur par défaut est alors stockée dans au moins un des registres 132 en remplacement de la valeur de donnée erronée. La valeur par défaut correspond par exemple à une valeur d’un paramètre de sécurité imposant un mode sécurisé au circuit 102, tel qu’un démarrage sécurisé.
Dans les modes de réalisation décrits, l’interface 106 de la mémoire non volatile 104 est configurée pour transmettre un signal (TAMPER_OUT) au circuit de contrôle 108 en cas de détection d’un événement suspect. Le circuit de contrôle 108 est configuré pour, par exemple, suite à la réception du signal TAMPER_OUT, déclencher d’autres contre-mesures. A titre d’exemple, à chaque réception du signal TAMPER_OUT, le circuit de contrôle 108 commande l’incrémentation du compteur 114 et, dès que le compteur 114 atteint une valeur seuil, le circuit de contrôle 108 est par exemple configuré pour réinitialiser le circuit 102. A titre d’exemple, la valeur seuil vaut entre 3 et 10.
Le circuit de contrôle 108 est en outre configuré pour transmettre un signal d’avertissement (TAMPER_IN) à l’interface 106 de la mémoire non volatile 104 lorsqu’un événement suspect est détecté hors de la mémoire non volatile 104. Suite à la réception du signal TAMPER_IN, l’interface 106 est par exemple configurée pour déclencher des contre-mesures visant à protéger la confidentialité du contenu de la mémoire 104 et en particulier du contenu des zones 122 à 128.
La est un organigramme représentant des opérations d’un procédé de protection du circuit intégré 102 de la selon un exemple de réalisation de la présente description. Les étapes du procédé de la sont implémentées, par exemple, par la mémoire non volatile 104 et l’interface mémoire 106, sous contrôle du processeur générique 116.
Dans une étape 200 (DUMP USER OPTION), une valeur de donnée, par exemple contenue dans la zone 126 de la mémoire non volatile 104 de la , ainsi que le code correcteur d’erreur associé, sont par exemple chargés dans la mémoire tampon 131 du circuit de calcul 130. Par exemple, dans le cas où il y a plusieurs valeurs de données à traiter dans la zone 126, ces valeurs sont par exemple associées à des valeurs d’index ou adresses mémoire correspondantes. La valeur de donnée et le code correcteur d’erreur chargés dans l’étape 200 correspondent par exemple à ceux associés avec une valeur courante de l’index ou de l’adresse mémoire.
Dans une étape 201 (COMPUTE ECC), le circuit de calcul 130 calcule un code de vérification à partir de la valeur de donnée. Le code de vérification est par exemple calculé selon le même algorithme que celui utilisé pour le calcul du code correcteur d’erreur associé à la valeur de donnée et stocké en association de la valeur de donnée. En particulier, avant l’enregistrement de la valeur de donnée dans la zone 126, le code correcteur d’erreur a par exemple été calculé, par le circuit 130 ou par un autre circuit, de sorte que la valeur de donnée et le code correcteur d’erreur associé soient enregistrés au même moment dans la zone 126. Le circuit de calcul 130 est en outre configuré pour comparer le code de vérification avec le code correcteur d’erreur associé à la valeur de donnée.
Dans une étape 202 (DBL_ECC ERROR ?), le circuit de calcul 130 détermine, sur la base de la comparaison entre le code de vérification et le code correcteur d’erreur, si au moins deux bits de la valeur de donnée, chargée dans l’étape 200, sont erronés.
Dans le cas où le circuit de calcul 130 détermine que moins de deux bits de la valeur de donnée sont erronés (branche N), le procédé continue dans une étape 203 (LOAD USER OPTION IN REGISTER) dans laquelle la valeur de donnée est par exemple chargée dans au moins un des registres 132. Dans le cas où un bit de la valeur de donnée est erroné, le circuit de calcul 130 est par exemple configuré pour corriger ce bit avant de charger la valeur de donnée dans l’au moins un des registres 132. Il serait également possible que, au lieu de charger la valeur de donnée dans au moins un des registres 132, la valeur de donnée soit chargée dans au moins un élément de mémorisation du circuit 102, tel que par exemple la mémoire volatile 112 ou un registre distinct des registres 132 (non illustrés en ).
Dans le cas où le circuit de calcul 130 détermine, lors de l’étape 202, qu’une double erreur a eu lieu (branche Y), c’est à dire qu’au moins deux bits de la valeur de donnée sont erronés, le procédé continue dans une étape 204 (SET DBL_ECC_ERR=1). Lors de l’étape 204, une valeur, par exemple la valeur 1, est affectée à une variable DBL_ECC_ERR, qui est par exemple initialement à 0. La variable DBL_ECC_ERR est par exemple stockée dans un des registres 132 et son état indique si une valeur de donnée chargée lors de l’étape 200 a été détectée comme présentant au moins deux bits erronés. A titre d’exemple, lorsque la variable DBL_ECC_ERR a pour état 0, cela indique qu’aucune double erreur n’a été détectée sur les valeurs de donnée préalablement traitées. Lorsque la variable DBL_ECC_ERR a pour état 1, cela indique qu’au moins une des valeurs de donnée, chargées dans une réalisation de l’étape 200, présente une double erreur et, dans ce cas, qu’un évènement suspect a eu lieu. Les valeurs 0 et 1 sont présentées à titre d’exemple et ne sont bien sûr pas limitatives.
Suite à la réalisation de l’étape 203 ou cas échéant de l’étape 204, le procédé continue dans une étape 205 (END ?) dans laquelle, il est déterminé, par exemple par le processeur générique 116, si une autre valeur de donnée stockée dans la zone 126 est à charger, en association d’un code correcteur d’erreur, dans la mémoire tampon 131. S’il est déterminé qu’il reste au moins une valeur de donnée à charger (branche N), le procédé continue dans une étape 206 (INCREMENT USER OPTION INDEX). A titre d’exemple, lors de la réalisation de l’étape 206, l’adresse mémoire de la nouvelle valeur de donnée à charger est déterminée, par exemple par le processeur générique 116, et est transmise à la mémoire non volatile 104. Le procédé reprend ensuite à l’étape 200. La nouvelle valeur de donnée à charger est par exemple déterminée en incrémentant la valeur d’index courante.
Dans le cas où, dans l’étape 205, il est déterminé qu’il n’y a plus de valeur de donnée à charger (branche Y), le procédé continue dans une étape 207 (DBL_ECC_ERR=1 ?) dans laquelle l’état de la variable DBL_ECC_ERR est vérifié, par exemple par le processeur générique 116. Lorsque que l’état de la variable DBL_ECC_ERR indique qu’aucune double erreur n’a été détectée (branche N), par exemple lorsque la variable vaut 0, le procédé se termine sur une étape 208 (END). A titre d’exemple, suite à l’étape 208, les valeurs de données sont utilisées par le circuit intégré 102 dans une séquence de démarrage.
Dans le cas où, lors de la réalisation de l’étape 207, il est déterminé qu’une double erreur a été détecté (branche Y), et par conséquent qu’un événement suspect à eu lieu, le procédé continue dans une étape 209 (COUNTERMEASURES). L’étape 209 consiste en la réalisation d’une ou plusieurs contre-mesures assurant la protection du circuit 102.
Selon un mode de réalisation, une contre-mesure réalisée en cas de détection d’un événement suspect consiste à charger des valeurs par défaut dans au moins un des registres 132 en remplacement des valeurs de données. Les valeurs par défaut correspondent par exemple à des valeurs assurant un démarrage et/ou un fonctionnement sécurisé du circuit 102. A titre d’exemple, les valeurs par défaut permettent de restreindre l’accès à la mémoire non volatile 104.
Selon un mode de réalisation, une autre contre-mesure réalisée en cas de détection d’un événement suspect consiste à remplacer la valeur de la clef de chiffrement HW KEY stockée dans la zone 122, par une valeur factice. La clef de chiffrement HW KEY sera alors inutilisable car sa valeur ne permettra pas d’effectuer le déchiffrage des données concernées.
Selon un mode de réalisation, une autre contre-mesure réalisée en cas de détection d’un événement suspect consiste à bloquer tout accès à la zone 124 stockant les clefs de chiffrement OBK.