Procédé de transfert d’une couche mince (10) sur un substrat support (2), comprenant : - la fourniture d’un ensemble collé (100) comportant un substrat donneur (1) et le substrat support (2), assemblés par collage direct au niveau de leurs faces avant (1a,2a) respectives, suivant une interface de collage (3), l’ensemble collé (100) présentant une zone locale non collée (31) au sein de cette interface de collage (3), le substrat donneur (1) comprenant en outre un plan fragile enterré (11), - la séparation le long du plan fragile enterré (11), initiée au niveau de la zone locale non collée (31) après une croissance de microfissures dans ledit plan (11) par activation thermique, la séparation menant au transfert d’une couche mince (10) issue du substrat donneur (1) sur le substrat support (2), le procédé étant caractérisé en ce que la zone locale non collée (31) est uniquement générée par une zone rugueuse (31a) réalisée à dessein sur l’une au moins des faces avant (1a,2a) des substrats donneur (1) et support (2) avant leur assemblage, ladite zone rugueuse (31a) étant exempte de topologie et présentant une rugosité prédéterminée d’amplitude comprise entre 0,5nm RMS et 60,0nm RMS. Procédé de transfert selon la revendication précédente, dans lequel la zone rugueuse est réalisée par au moins un tir laser générant uniquement une fusion superficielle, dans les 1 à 30 premiers nanomètres, d’un matériau composant le substrat donneur (1) et/ou le substrat support (2), du côté de leur face avant respective (1a,2a). Procédé de transfert selon la revendication précédente, dans lequel le tir laser a une durée d’impulsion comprise entre 1 ns et 1000 ns, préférentiellement comprise entre 10 ns et 500 ns. Procédé de transfert selon la revendication précédente, dans lequel le tir laser est effectué avec un laser de longueur d’onde 308nm, et avec une densité d’énergie comprise entre 1,8 J/cm 2 et 2,5 J/cm 2 . Procédé de transfert selon l’une des trois revendications précédentes, dans lequel un tir laser irradie une surface circulaire, de diamètre inférieur à 200 micromètres. Procédé de transfert selon la revendication précédente, dans laquelle la zone rugueuse (31a) est réalisée à partir d’une pluralité de tirs lasers, par exemple entre deux et quinze tirs lasers, les surfaces circulaires adjacentes irradiées par les tirs lasers successifs étant tangentes ou présentant un pourcentage de recouvrement entre 1% et 95%. Procédé de transfert selon l’une des revendications précédentes, dans lequel : - la face avant (1a,2a), sur laquelle la zone rugueuse (31a) est réalisée, est en silicium monocristallin, et la rugosité prédéterminée a une amplitude comprise entre 0,5nm RMS et 4,0nm RMS, préférentiellement comprise entre 1,0nm RMS et 2,5nm RMS, ou - la face avant (1a,2a), sur laquelle la zone rugueuse (31a) est réalisée, est en silicium poly-cristallin, et la rugosité prédéterminée a une amplitude comprise entre 0,5nm RMS et 5,0nm RMS, préférentiellement comprise entre 2,0nm RMS et 5,0nm RMS, ou - la face avant (1a,2a), sur laquelle la zone rugueuse (31a) est réalisée, est en oxyde de silicium, et la rugosité prédéterminée a une amplitude comprise entre 1,0nm RMS et 60,0nm RMS. Procédé de transfert selon l’une des revendications précédentes, dans lequel la zone rugueuse (31a) est réalisée sur la face avant (1a) du substrat donneur (1), avant la formation du plan fragile enterré (11) dans ledit substrat donneur (1). Procédé de transfert selon la revendication précédente, dans lequel : - le substrat donneur (1) est formé d’un premier matériau au niveau de sa face avant (1a), et une zone rugueuse préliminaire est réalisée en surface dudit matériau, et - une oxydation thermique du premier matériau du substrat donneur (1) est effectuée après la réalisation de la zone rugueuse préliminaire et avant la formation du plan fragile enterré (11), pour former une couche isolante qui sera assemblée sur le substrat support (2) dans l’ensemble collé (100), ladite couche isolante comportant, sur sa face libre, la zone rugueuse (31a) à l’aplomb de la zone rugueuse préliminaire. Procédé de transfert selon l’une des revendications 1 à 7, dans lequel : - le substrat support (2) est formé d’un premier matériau au niveau de sa face avant (2a), et une zone rugueuse préliminaire est réalisée en surface dudit matériau, et - une oxydation thermique du premier matériau du substrat support (2) est effectuée après la réalisation de la zone rugueuse préliminaire, pour former une couche isolante qui sera assemblée sur le substrat donneur (1) dans l’ensemble collé (100), ladite couche isolante comportant, sur sa face libre, la zone rugueuse (31a) à l’aplomb de la zone rugueuse préliminaire. Procédé de transfert selon l’une des revendications précédentes, dans lequel la zone locale non collée (31) présente une forme, dans le plan de l’interface de collage (3), dont au moins une portion du contour a un rayon de courbure inférieur au rayon d’un défaut de collage circulaire de même surface. Procédé de transfert selon l’une des revendications précédentes, dans lequel la zone locale non collée (31) présente au moins une dimension latérale, dans le plan de l’interface de collage (3), inférieure à 300 micromètres. Procédé de transfert selon l’une des revendications précédentes, dans lequel la zone locale non collée (31) est localisée dans une région centrale de l’ensemble collé (100), dans le plan de l’interface de collage (3). Procédé de transfert selon l’une des revendications précédentes, dans lequel la couche mince (10), issue du substrat donneur (1), est en silicium monocristallin et le substrat support (2) comprend du silicium monocristallin, pour former une structure empilée (110) de type SOI.