INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Dans l’exemple de la , chaque zone prédéterminée 22 comprend une ouverture 30 fermée par un obturateur 31. L’ouverture 30 présente dans cet exemple un diamètre de 2 mm environ, l’obturateur 31 ayant un diamètre de 3 mm environ. L’obturateur 31 est réalisé dans un matériau présentant une température de fusion inférieure ou égale à 100°C, ledit matériau de l’obturateur étant dans cet exemple un alliage type métal de Newton Bismuth-Plomb-Etain. Cependant, le matériau de l’obturateur 31 pourrait avoir par exemple une température de fusion inférieure ou égale à 130°C et/ou comporter un matériau polymère, tel qu’un polychlorure de vinyle (PVC) ou un acrylonitrile butadiène styrène, sans sortir du cadre de l’invention.
De manière préférée, la composition alimentaire (pouvant être végane) selon la présente invention peut prendre la forme d’une gélule, d’un comprimé, d’un liquide encapsulé ou d’un liquide contenu dans une ampoule.
Procédés d’obtention
Les huiles enrichies en DHA et/ou EPA peuvent être commerciales (commercialisées par exemple sous le nom de marque Omegavie Algae oils® de la société Polaris).
Néanmoins les trois procédures suivantes (appelées ci-dessous « options ») permettent d’obtenir les huiles enrichies en DHA et/ou en EPA.
La première option (telle qu’illustrée en exemple 1 ci-dessous) consiste en un procédé comprenant les étapes suivantes :
(a1) une étape de réaction entre une huile de microorganismes comprenant des acides gras polyinsaturés oméga-3 sous forme de triglycérides et un alcool en présence d’un catalyseur chimique ou enzymatique,
- (b1) une étape de concentration en acides gras polyinsaturés oméga-3 par distillation moléculaire sous vide poussé dans un évaporateur à film raclé couplé à une colonne de rectification comportant au moins sept plateaux théoriques, permettant ainsi d’obtenir du DHA sous forme d’éthyl esters (EE) ; et
- (c1) une étape de mise sous forme de glycérides du DHA comprenant les étapes supplémentaires (d1) et (e1) :
- (d1) une étape de restructuration de monoglycérides, diglycérides et triglycérides d’acides gras polyinsaturés oméga-3 en présence d’enzyme et de glycérol ; et
- (e1) une étape de distillation moléculaire court trajet sous vide.
Une illustration de cette première option est donnée en exemple 1.1 ci-dessous.
La seconde option (telle qu’illustrée en exemple 2 ci-dessous) consiste en un procédé d’enrichissement en DHA ou en EPA en partant de la même source que l’option 1. En particulier, le procédé selon l’option 2 est un procédé de fractionnement d’acides gras à deux carbones de différence par distillation moléculaire (y compris de fractionnement entre l’EPA et le DHA), caractérisé en ce qu’il comprend les étapes suivantes :
(a2) une étape de réaction entre une huile de micro-organismes comprenant des acides gras polyinsaturés oméga-3 sous forme de triglycérides et un alcool en présence d’un catalyseur chimique ou enzymatique ;
(b2) une (e.g. première) étape de distillation moléculaire sous vide poussé de l’huile issue de l’étape (a2), dans un évaporateur à film raclé couplé à une colonne de rectification comportant au moins sept plateaux théoriques, et récupération d’un premier résidu et d’un (premier) distillat ;
(c2) une étape subséquente (e.g. seconde) de distillation moléculaire sous vide poussé, du résidu récupéré à l’étape (b2), dans ledit évaporateur à film raclé couplé à la colonne de rectification comportant au moins sept plateaux théoriques, et récupération d’un second résidu et d’un (second) distillat ;
(d2) une étape optionnelle de restructuration de monoglycérides, diglycérides et triglycérides d’acides gras polyinsaturés oméga-3 en présence d’enzyme et de glycérol ; et
- la formation d’une zone de fragilisation dans le deuxième substrat donneur de sorte à délimiter une deuxième couche semi-conductrice à transférer 3b, - le collage du deuxième substrat donneur sur la face avant de la structure de type semi-conducteur sur isolant, une deuxième couche électriquement isolante 3a étant à l’interface entre la face avant de la structure de type semi-conducteur sur isolant et le premier substrat donneur, - le détachement du deuxième substrat donneur au niveau de la zone de fragilisation, de sorte à obtenir une structure de type double semi-conducteur sur isolant telle que représentée sur la .
Comme pour le premier substrat donneur, la zone de fragilisation au sein du second substrat donneur peut être créée par co-implantation d’atomes d’hélium et d’atomes d’hydrogène dans le second substrat donneur de la deuxième couche semi-conductrice. Alternativement, la zone de fragilisation est créée par implantation d’atomes d’hydrogène.
De manière alternative au procédé Smart Cut TM , le second transfert de couche peut être réalisé en amincissant le second substrat donneur par sa face opposée à la face collée sur la deuxième couche électriquement isolante jusqu’à l’obtention de l’épaisseur souhaitée pour la deuxième couche semi-conductrice 3b.
Selon un mode de réalisation représenté sur la , la deuxième couche électriquement isolante 3a est formée sur le second substrat donneur, de sorte que, lors du transfert de la deuxième couche semi-conductrice 3b, ladite deuxième couche électriquement isolante 3a soit également transférée et s’intercale entre la première couche semi-conductrice 2b et ladite deuxième couche semi-conductrice 3b. La deuxième couche électriquement isolante 3a est préparée par exemple par oxydation du second substrat donneur, de sorte que si le second substrat donneur est un substrat de silicium, la deuxième couche électriquement isolante 3a est une couche d’oxyde de silicium.
Dans le mode de réalisation où le second transfert de couche est réalisé selon un second procédé Smart Cut™, la deuxième couche électriquement isolante 3a est préférentiellement formée sur le second substrat donneur préalablement à la formation de la zone de fragilisation au sein du second substrat donneur par implantation d’atomes à travers la deuxième couche électriquement isolante 3a.
Selon un mode de réalisation alternatif représenté sur la , la deuxième couche électriquement isolante 3a est formée sur la première couche semi-conductrice 2b de sorte que, lors du transfert de la deuxième couche semi-conductrice 3b, ladite deuxième couche électriquement isolante 3a s’intercale entre la première couche semi-conductrice 2b et la deuxième couche semi-conductrice 3b. La deuxième couche électriquement isolante 3a est par exemple préparée par oxydation de la face avant de la première couche semi-conductrice transférée 2b, de sorte que si le premier substrat donneur est un substrat de silicium, la deuxième couche électriquement isolante 3a est une couche d’oxyde de silicium. Ladite étape supplémentaire de formation de la deuxième couche électriquement isolante 3a est mise en œuvre après le traitement de la surface libre de la première couche semi-conductrice 2b. Alternativement, les étapes (E1), (E2) et (E3) dudit procédé sont mises en œuvre sur la surface libre de la première couche semi-conductrice transférée 2b avant l’étape de formation de la deuxième couche électriquement isolante 3a et l’étape (E4) peut être mise en œuvre avant et après ladite étape de formation de la deuxième couche électriquement isolante 3a, respectivement sur la surface de la première couche semi-conductrice transférée 2b et sur la surface de la deuxième couche électriquement isolante 3a.
On peut avantageusement mettre en œuvre un ou plusieurs nettoyages de la surface libre de la deuxième couche électriquement isolante 3a préalablement au second transfert d’une deuxième couche semi-conductrice monocristalline 3b.
A titre d’exemple, la mise en œuvre du procédé de traitement de surface conforme à l’invention, qui combine notamment des lissages thermiques et une étape de CMP, couplé à l’utilisation d’un substrat support « ultra-plat » permet d’obtenir une structure SOI qui présente une quantité de trous très faible voire nulle et une largeur de double couronne inférieure à 3 mm.
De manière optionnelle, on peut également procéder à un traitement de la surface libre de la deuxième couche semi-conductrice 3b afin de réduire les défauts dans cette couche et en lisser la surface pour obtenir les propriétés requises pour les applications ultérieures de ladite couche (fabrication de composants électroniques, épitaxie, etc.). Ces traitements sont connus de l’homme du métier et incluent par exemple un recuit thermique rapide.
Procédé de fabrication d’une plaquette de p-SiC non déformable Le domaine de l’invention est celui de la fabrication de plaquettes de carbure de silicium polycristallin destinées notamment à servir de supports pour des couches minces de carbure de silicium monocristallin.
Ces structures composites ont néanmoins tendance à présenter des valeurs élevées de courbure (« bow » en anglais désignant une courbure parabolique avec symétrie de rotation par rapport notamment au centre de la plaque) et de gondolement (« warp » en anglais désignant une déformation avec un rayon de courbure positif dans un axe et négatif dans l'autre). Ces valeurs élevées sont notamment la conséquence d’une relaxation de contraintes induites par la fabrication du substrat support en SiC polycristallin, relaxation susceptible de se produire lorsque le substrat support est soumis à un traitement thermique au cours du procédé Smart Cut TM (par exemple lors du recuit de séparation, généralement réalisé à une température de l’ordre de 1300-1700°C, pour opérer le transfert de la couche mince du substrat donneur au substrat support) ou postérieurement au procédé Smart Cut TM lors de la formation de composants électroniques dans la couche mince transférée (typiquement à des températures de l’ordre de 1800-2000°C).
Ces valeurs élevées de courbure et de déformation sont problématiques en ce qu’elles peuvent conduire à la casse de la structure composite ou générer des problèmes d’alignement lors des étapes de lithographie nécessaires à la formation des composants de puissance.
L’invention a pour objectif de proposer une technique de fabrication d’une plaquette de SiC polycristallin qui permette de limiter voire d’éliminer le risque de déformation de la plaquette lors de traitements thermiques ultérieurs.
A cet effet, l’invention propose un procédé de fabrication d’une plaquette de carbure de silicium polycristallin, comprenant les étapes suivantes :
- la est une représentation schématique d’un exemple de transistor non volatil à effet de champ à gaz bidimensionnel d’électrons,
- la est une représentation schématique d’un autre exemple de transistor non volatil à effet de champ à gaz bidimensionnel d’électrons,
- la est un graphe montrant la dépendance de la résistance entre deux contacts en fonction d’une tension appliquée,
- la est un graphe illustrant la caractéristique courant-tension d’un exemple de transistor dans les états passants et non-passants, et
- la est une représentation schématique d’un exemple de transistor avec ses unités de lecture et d’écriture.
Un transistor 10 est illustré sur les figures 1 et 2.
Le transistor 10 est un transistor non-volatil à effet de champ.
Le transistor 10 comporte trois électrodes, une première électrode dite électrode de grille 12 comportant un premier contact C1, une deuxième électrode 14 dite source 14 et comportant un deuxième contact C2 et une troisième électrode 16 dite drain 16 et comportant un troisième contact C3.
Ces électrodes sont avantageusement de nature métallique, ou en matériau semi-conducteur fortement dopé.
Le transistor 10 comporte également un sous-ensemble à états rémanents 18, un canal 20 constitué par un gaz bidimensionnel d’électrons et situé entre le drain 16 et la source 14 et une couche réductrice 22.
Comme visible sur la , le transistor 10 comporte également une unité de lecture 40 et une unité d’écriture 42.
L’unité de lecture 40 comporte également une sous-unité d’application d’une tension 44 et une sous-unité de mesure du courant 46.
Deux agencements distincts des couches du transistor 10 sont proposés respectivement à la et à la .
Dans la suite, les couches d’un empilement sont des couches empilées selon une direction d’empilement. Il est également défini des notions relatives de bas et de haut par rapport à la direction d’empilement. Une couche est située plus bas qu’une autre couche si elle est plus basse dans la représentation sur la feuille de la .
Dans l’exemple de la , le transistor 10 non-volatil comporte un substrat 24 sur lequel repose le drain 16, la source 14 et un empilement 26 de couches, comprenant la couche réductrice 22, le canal 20 et le sous-ensemble à états rémanents 18, empilés dans cet ordre lorsque l’empilement 26 est parcouru depuis le bas vers le haut (le bas correspondant au substrat dans ce cas).
Enfin, l’épaisseur d’une couche est définie comme la dimension le long de la direction d’empilement de la couche, c’est-à-dire la distance entre ses deux faces.
De préférence, le gaz d’électrons bidimensionnel s’étend entre une interface, s’étendant selon un plan parallèle à l’axe d’empilement, de préférence perpendiculaire au plan de canal, entre la source et l’empilement des au moins deux couches de semiconducteur et une interface, s’étendant selon un plan parallèle à l’axe d’empilement, de préférence perpendiculaire au plan de canal, entre le drain et l’empilement des au moins deux couches de semiconducteur. De préférence, le gaz d’électrons bidimensionnel ne s’étend pas dans la source ni dans le drain.
De préférence, le canal s’étend, jusqu’à la source et au drain.
De préférence, la longueur de l’au moins un canal correspond à la plus grande dimension de l’au moins un canal et/ou à la plus grande distance séparant deux extrémités, de préférence opposées, de l’au moins un canal.
Il peut être entendu par plan de canal un plan perpendiculaire à l’épaisseur de l’au moins un canal.
De préférence, l’épaisseur de l’au moins un canal présente une dimension inférieure à la longueur et à la largeur de l’au moins un canal. L’épaisseur de l’au moins un canal peut être définie comme la plus petite dimension de l’au moins un canal et/ou comme la plus petite distance séparant deux faces, de préférence opposées, de l’au moins un canal.
Le TEGFET peut comprendre un nombre pair de grilles latérales. Le TEGFET peut comprendre plus de deux grilles latérales. Le TEGFET peut comprendre une succession de grilles latérales adjacentes, s’étendant selon l’axe reliant la source au drain, disposées de part et d’autre de l’au moins un canal. Deux grilles latérales adjacentes de la succession de grilles latérales peuvent être séparées par une tranchée ou un évidement. Les grilles latérales, de la succession de grilles latérales, peuvent être alignées, deux à deux, selon un axe perpendiculaire à l’axe reliant la source au drain et perpendiculaire à l’axe d’empilement.
De préférence, le l’au moins un canal comprend deux côtés opposés, de préférence encore deux côtés parallèles.
De préférence, l’au moins un canal présente une largeur s’étendant selon un axe reliant les deux côtés de l’au moins au canal.
De préférence, la largeur de l’au moins un canal s’étendant selon un axe compris dans le plan de canal et/ou selon un axe qui est perpendiculaire à l’axe reliant le drain à la source et/ou selon un axe perpendiculaire à la longueur de l’au moins un canal et/ou selon un axe perpendiculaire à l’épaisseur de l’au moins un canal.
De préférence, la largeur de l’au moins un canal présente une dimension inférieure à la longueur de l’au moins un canal.
De préférence, le TEGFET comprend deux grilles latérales distinctes l’une de l’autre. De préférence encore, chacune des deux grilles latérales est indépendante, en particulier de l’autre des deux grilles latérales. De manière davantage préférée, les deux grilles latérales n’ont aucune portion commune.
De préférence, les deux grilles latérales sont symétriques. De préférence, les deux grilles latérales sont symétriques par rapport à l’au moins un canal.
De préférence, les deux grilles latérales sont réalisées ou comprennent ou sont constituées d’un matériau semiconducteur. De préférence, le matériau semiconducteur comprend des atomes métalliques, de préférence des atomes métalliques diffusés. De préférence, le matériau semiconducteur, ou la portion ou partie du matériau semiconducteur, comprenant les atomes métalliques diffusés constitue un contact ohmique.
De préférence, les deux grilles latérales et le canal sont des éléments ou composants ou structures ou couches ou matériaux physiquement et/ou spatialement distincts.
De préférence, les deux grilles latérales sont disposées, latéralement, de part et d’autre de l’au moins un canal par rapport à l’axe reliant la source et le drain.
De préférence, les deux grilles latérales s’étendent principalement selon un plan selon lequel s’étend principalement l’au moins un canal.
Les explications ci-dessus concernant les ingrédients (a-i) à (a-iii) et (b-i) à (b-ii) peuvent s’appliquer à ceux de l’utilisation selon la présente invention.
Exemples 1 à 3 et exemples comparatifs 1 à 3 [Préparation]
Chacune des compositions pour cheveux selon les exemples 1 à 3 (Ex. 1 à Ex. 3) et les exemples comparatifs 1 à 3 (Ex. comp. 1 à Ex. comp. 3) a été préparée en mélangeant les ingrédients montrés dans le tableau 1.
Plus précisément, tout d’abord, les ingrédients pour une phase grasse incluant des cires et des huiles, ainsi que des tensioactifs, ont été chauffés à 85ºC et mélangés avec un mélangeur à environ 700 tr/min pour obtenir un mélange. Séparément, les ingrédients des phases aqueuses ont été ajoutés au mélange ci-dessus à 85ºC, et émulsionnés avec un mélangeur à environ 1 000 tr/min pendant 20 minutes pour obtenir une émulsion. Les autres ingrédients incluant le phénoxyéthanol ont été ajoutés à l’émulsion ci-dessus à environ 75 °C et mélangés avec un mélangeur à environ 2 800 tr/min pendant 5 minutes. Enfin, la composition obtenue a été déversée dans un bécher à 75 °C et refroidie à température ambiante.
Les valeurs numériques pour les quantités d’ingrédients dans le tableau 2 sont toutes basées sur le « % en poids » en tant que matières premières actives.
Ex. 1 Ex. 2 Ex. 3 Ex. comp. 1 Ex. comp. 2 Ex. comp. 3 Esters de jojoba 5,0 4,0 3,0 - 10,0 5,0 Cire de polyéthylène 5,0 4,0 3,0 10,0 - 5,0 Paraffine 1,0 1,0 1,0 1,0 1,0 1,0 Propylène glycol 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 Glycérine 5,0 5,0 5,0 5,0 5,0 5,0 Dipropylène glycol 10,0 10,0 10,0 10,0 10,0 10,0 Silice (et) diméthicone 1,0 1,0 - 1,0 1,0 1,0 Sesquioléate de sorbitan 0,21 0,21 0,21 0,21 0,21 0,21 Polyisobutène hydrogéné 3,5 3,5 3,5 3,5 3,5 3,5 Diméthicone (5 cst*) 20,0 - - 20,0 20,0 - Isostéarate de polyglycéryle-4 0,6 0,6 0,6 0,6 0,6 0,6 PEG-10 diméthicone 0,86 0,86 0,86 0,86 0,86 0,86 Phénoxyéthanol 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 Diméthicone (500 000 cst*) 3,0 3,0 3,0 3,0 3,0 - Isododécane 7,0 7,0 7,0 7,0 7,0 - Isononanoate d’isononyle - 15,0 10,0 - - - Diméthicone (6 cst*) - 15,0 15,0 - - - Chlorure d’hydroxypropyl guar hydroxypropyl trimonium - - 0,3 - - - Stéaramidopropyl diméthylamine - - 1 - - - Diméthicone (2 cst*) - - - - - 30,0 Parfum 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 Eau qsp 100 qsp 100 qsp 100 qsp 100 qsp 100 qsp 100 Formation d’émulsion Oui Oui Oui Oui Non Oui Passage des doigts Moyen Bon Très bon Très mauvais ND Très mauvais Démêlage/peignage Moyen Bon Très bon Mauvais ND Très mauvais Démêlage/peignage Moyen Bon Très bon Très mauvais ND Très mauvais Caractère non gras Moyen Bon Très bon Mauvais ND Mauvais
* à 25 °C
ND : Non disponible
[Formation d’émulsion]
On a observé au microscope si les compositions selon les exemples 1 à 3 et les exemples comparatifs 1 à 3 se présentaient sous la forme d’une émulsion E/H. Les résultats sont montrés dans le tableau 1.
2,7 g d’une mèche de cheveux décolorés d’une longueur de 27 cm ont été mouillés avec de l’eau. L’excès d’eau a été éliminé avec une serviette. 0,1 g de chacune des compositions selon les exemples 1-3 et les exemples comparatifs 1-3 ont été appliqués sur la mèche de cheveux, puis la mèche de cheveux a été complètement séchée. Le passage des doigts, le démêlage/peignage, la douceur des cheveux et le caractère non gras sur les cheveux ont été évalués par 5 panélistes avec un score de 1 à 5 selon les critères suivants et moyennés. Les résultats sont montrés dans le tableau 1.
5 : Très bon
4 : Bon
On présente désormais, en relation avec la les étapes d’un procédé de démodulation d’un signal du type multi-porteuses tel que généré par mise en œuvre du procédé de la , selon un mode de réalisation de l’invention.
Plus particulièrement, pour au moins un canal de transmission, lors d’une étape E400 , le dispositif 250r de démodulation effectue une démodulation de la pluralité de sous-porteuses 110sp modulées du signal qui sont transmises dans la bande 110 de fréquences utiles. Comme détaillé ci-dessus, il s’agit de sous-porteuses modulées telles qu’on peut les rencontrer dans les signaux multi-porteuses mis en œuvre dans les systèmes de radiocommunications connus.
Cependant, lors l’étape E400, le dispositif 250r de démodulation effectue en outre pour au moins une sous-porteuse 120sp modulée du signal transmise dans une zone 120 de transition fréquentielle, une démodulation de la sous-porteuse délivrant un symbole de modulation correspondant. Suivant la nature du signal considéré, e.g. OFDM ou FBMC, une telle démodulation peut se faire par adaptation directe d’un démodulateur connu en soi de sorte à démoduler la sous-porteuse 120sp en plus des sous-porteuses 110sp.
Dans certains modes de réalisation, la démodulation comprend une décision souple du symbole de modulation et/ou d’au moins un bit d’information associé au symbole de modulation en question. La décision souple met en œuvre une information relative au contrôle de puissance de la sous-porteuse véhiculant le symbole de modulation en question en question. L’information est partagée entre le dispositif 250e de génération du signal et le dispositif 250d de démodulation.
Ainsi, la démodulation des sous-porteuses 120sp modulées présentes dans les zones 120 de transition fréquentielle se fait de manière améliorée, la connaissance de l’atténuation des sous-porteuses 120sp modulées liée au respect du masque spectral d’émission étant prise en compte au niveau de décodage souple. Par exemple, l’information relative au contrôle de puissance d’un sous-porteuse 120sp modulée peut-être une information prédéterminée paramétrée (e.g. pendant la production, ou pendant une mise à jour, du dispositif 250e de génération et du dispositif 250r de démodulation), ou bien une information transmise via les données véhiculées par le signal lui-même.
Dans certains modes de réalisation précités dans lesquels le signal radiofréquences est destiné à être transmis sur une pluralité de canaux de transmission radiofréquences en respectant un masque 100 spectral d’émission pour chaque canal (configuration présentée ci-dessus en relation avec la ), le dispositif 250r de démodulation effectue pour chaque canal de transmission l’étape E400 (selon l’un quelconque des modes de réalisation précités). De la sorte, une pluralité de symboles de modulation véhiculés par la pluralité de sous-porteuses 110sp modulées transmises dans la bande 110 de fréquences utiles de chaque canal est obtenue. De même, au moins un symbole de modulation véhiculé par une sous-porteuse 120sp modulée du signal transmise dans une zone 120 de transition fréquentielle de chaque canal est obtenu.
On présente désormais, en relation avec la un exemple de structure de dispositif 250e de génération permettant de mettre en œuvre les étapes du procédé de génération de la selon un mode de réalisation de l’invention.
Le dispositif 250e de génération comprend une mémoire vive 503 (par exemple une mémoire RAM), une unité de traitement 502 équipée par exemple d'un processeur, et pilotée par un programme d’ordinateur stocké dans une mémoire morte 501 (par exemple une mémoire ROM ou un disque dur). A l’initialisation, les instructions de code du programme d'ordinateur sont par exemple chargées dans la mémoire vive 503 avant d’être exécutées par le processeur de l’unité de traitement 502.