INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Dans chaque groupe de pixels P1, les éléments capacitifs C1 des pixels P1 du groupe correspondent alors à un élément capacitif d'un convertisseur numérique-analogique 300 du convertisseur 1. La valeur de chaque élément capacitif du convertisseur 1 est alors un multiple de la valeur capacitive d'un élément capacitif C0.
En outre, dans chaque groupe de pixels P1, les circuits 216 de tous les pixels P1 du groupe sont commandés de la même façon par le circuit SAR. Dit autrement, tous les pixels P1 d'un groupe Gi donné reçoivent le même signal sel, ce signal sel pouvant être différent de celui reçu par tous les pixels P1 d'un autre groupe Gi de pixels P1.
Dans cet exemple où chaque pixel P1 correspond en outre à un deuxième élément capacitif C1, dans chaque groupe de pixels P1, les éléments capacitifs C1 des pixels P1 du groupe correspondent alors à un élément capacitif d'un circuit 302 fournissant le potentiel de comparaison à l'entrée 108 du comparateur 104. La valeur de chaque élément capacitif du convertisseur 1 est alors un multiple de la valeur capacitive d'un élément capacitif C1.
La répartition des pixels P1 en plusieurs groupes est configurée pour mettre en œuvre le convertisseur numérique-analogique 300 du convertisseur analogique-numérique à approximations successives 100. Le convertisseur 300 est commandé par l'ensemble des signaux sel fournis aux pixels P1 par le circuit SAR du convertisseur 100, et, plus exactement par l'ensemble des signaux sel fournis aux groupes Gi de pixels P1.
Selon un mode de réalisation, le convertisseur 100 comprend K groupes Gi de pixels P1, avec i indice entier allant de 0 à K-1, et chaque groupe Gi comprend 2 exposant i pixels P1.
Ainsi, chaque groupe Gi de pixels P1 est équivalent à un élément capacitif du convertisseur 300 de valeur 2 i *C0. Dans l'exemple de la , le capteur 1 comprend K égal 6 groupes G0, G1, G2, G3, G4 et G5 correspondant des éléments capacitifs du convertisseur 300 de valeurs respectives C0, 2*C0, 4*C0, 8*C0, 16*C0 et 32*C0. Dans cet exemple, chaque Gi de pixels P1 est également équivalent à un élément capacitif du circuit 302 de valeur 2 i *C1. Plus particulièrement, les groupes G0, G1, G2, G3, G4 et G5 correspondent à des éléments capacitifs du circuit 302 de valeurs respectives C1, 2*C1, 4*C1, 8*C1, 16*C1 et 32*C1.
Dans d'autres exemples, non illustrés, le nombre K de groupes de pixels P1 est différent, par exemple plus petit ou plus grand que 6, par exemple égal à 8 lorsque le capteur comprend 512 pixels P1.
Dans le cas où le nombre de pixels P1 du capteur 1 est tel que les pixels P1 du capteur 1 ne peuvent pas tous être répartis dans des groupes Gi tels que définis ci-dessus, les pixels P1 qui ne font pas partis d'un des groupes Gi sont répartis dans un groupe supplémentaire de pixels P1 qui ne sera pas utilisé pour mettre en œuvre un élément capacitif du convertisseur numérique-analogique 300 du convertisseur 100, ni un élément capacitif du circuit 302. Dit autrement, les circuits 216 des pixels P1 de ce groupe supplémentaire sont commandés de manière à ce que le même potentiel V1 ou V2, de préférence le potentiel V1, reste appliqué aux caissons 200 de ces pixels pendant toute la durée de fonctionnement du capteur 1. Ces pixels P1 correspondent alors à une capacité intrinsèque du noeud SN1. Les pixels P1 du groupe supplémentaire ne sont donc pas utilisés pour mettre en oeuvre un élément capacitif du convertisseur 300 mais les charges qui sont photogénérées dans les photodiodes de ces pixels P1 du groupe supplémentaire peuvent par exemple être transférées vers le noeud SN1 pour participer au gain du capteur 1.
Un capteur de lumière ambiante comprenant des pixels ayant chacun une grille de transfert entre une photodiode du pixel et une région de lecture est ici considéré. Dans ce capteur, les régions de lecture de plusieurs pixels du capteur sont reliées à un même noeud de lecture.
Des modes de réalisation prévoient d'utiliser les capacités des régions de lecture de ces pixels pour mettre en œuvre une banque de capacités d'un convertisseur analogique-numérique à approximations successives connecté au noeud de lecture.
En particulier, des modes de réalisation prévoient que chaque pixel dont la région de lecture est connectée au noeud de lecture soit configuré pour qu'un premier potentiel ou un deuxième potentiel puisse être sélectivement appliqué à un caisson semiconducteur du pixel dans lequel sont disposés la photodiode et la région de lecture du pixel. Ainsi, le potentiel appliqué au caisson de chacun de ces pixels peut être modifié, de manière à mettre en œuvre les approximations successives du convertisseur analogique-numérique.
Un tel capteur ne nécessite pas d'amplificateur trans-impédance (TIA de l'anglais "Transimpedance amplifier") pour lire les pixels.
En outre, un tel capteur est moins encombrant qu'un capteur similaire comprenant un convertisseur analogique-numérique à approximations successives dans lequel les capacités du convertisseur seraient mises en œuvre au moyen de condensateurs comprenant chacun deux électrodes conductrices en vis-à-vis et séparées l'une de l'autre par une couche isolante.
Selon un mode de réalisation, le capteur est mis en œuvre sous un écran d'un dispositif électronique, par exemple sous un écran à diodes électroluminescentes organiques (OLED de l'anglais "Organic Light Emitting Diode"). De préférence, l'écran est commandé en alternant des phases d'émission de lumière et des phases où aucune lumière n'est émise, avec une fréquence telle que les phases où aucune lumière n'est émise ne sont pas perceptibles pour l'œil humain. De préférence, chaque étape d'intégration de la lumière ambiante par le capteur est alors mise en œuvre pendant une phase sans émission de lumière.
La représente de manière schématique un mode de réalisation d'un capteur de lumière ambiante 1.
Le capteur de lumière comprend des pixels P1. Les pixels P1 sont, par exemple, organisés en matrice comprenant des lignes et des colonnes de pixels P1. Dans l'exemple de la , le capteur 1 comprend 16 pixels P1 bien que, dans d'autres exemples non illustrés, le nombre de pixels P1 puisse être différent de 16, par exemple supérieur à 16, par exemple égal à 512.
La illustre, par une vue en coupe, un mode de réalisation d'un pixel P1 du capteur 1 de la , étant entendu que les autres pixels P1 sont mis en œuvre de manière identique au pixel P1 décrit en relation avec .
Le pixel P1 comprend un caisson isolé 200. Le caisson 200 est dopé d'un premier type de conductivité, dans cet exemple le type P. Le caisson 200 est disposé, ou s'étend, dans une couche semiconductrice 202, par exemple en silicium. Dans cet exemple, le caisson 200 s'étend sur toute l'épaisseur de la couche 202, à partir d'une face 204 de la couche 202 jusqu'à une face 206 de la couche 202.
Le caisson 200 est dit isolé en ce qu'il est isolé électriquement d'autres régions et/ou caissons formés dans la couche 202 et en dehors du caisson 200.
Dans cet exemple, le caisson 200 est isolé latéralement par des tranchées d'isolation profondes 208 (DTI de l'anglais "Deep Trench Insulation"), par exemple des tranchées d'isolation profondes capacitives 208 (CDTI de l'anglais "Capacitive DTI"). Dans cet exemple, les tranchées 208 traversent la couche 202 sur toute son épaisseur.
Dans des exemples non illustrés, le caisson 200 s'étend sur une partie seulement de l'épaisseur de la couche 202, à partir de la face 204 de la couche (la face supérieure en ). Dans ce cas, une couche enterrée dopée d'un type de conductivité opposé à celui du caisson ou une couche semiconductrice enterrée non dopée peut être prévue dans la couche 202 pour délimiter le fond du caisson 200. Dans ce cas, si le caisson 200 est délimité et isolé latéralement par des tranchées d'isolation 208, ces dernières pénètrent dans la couche 202 jusqu'à la couche enterrée et peuvent pénétrer, voir traverser, la couche enterrée.
Dans des exemples non illustrés, les tranchées d'isolation 208 sont remplacées par des régions dopées du type de conductivité opposé à celui du caisson 200 ou par des régions semiconductrices non dopées, ces régions bordant latéralement le caisson 200 sur toute sa périphérie.
Le pixel P1 comprend une région de photoconversion PD de la lumière en paires électron-trou, typiquement une photodiode. La photodiode PD, de préférence une photodiode pincée ("pinned photodiode" en anglais), s'étend dans le caisson 200, à partir de la face 204 et sur une partie seulement de l'épaisseur du caisson 200.
La photodiode PD comprend un caisson ou région 210 dopée du type de conductivité N opposé au type P du caisson 200. Cette région 210 s'étend dans le caisson 200, à partir de la face 204 et sur une partie seulement de l'épaisseur du caisson 200.
Le pixel P1 comprend en outre une région 212, dopée du type N opposé au type P du caisson 200. De préférence, la région 212 est plus fortement dopée (N+) que la région 210, c'est-à-dire que le niveau de dopage de la région 212 est plus élevée que le niveau de dopage de la région 210. La région 212 est séparée de la région 210, ou, dit autrement, n'est pas en contact avec la région 210. La région 212 s'étend dans le caisson 200, à partir de la face 204 et sur une partie seulement de l'épaisseur du caisson 200. Par exemple, la région 212 pénètre dans le caisson 200 sur une profondeur plus faible que la région 210. La région 212 correspond, par exemple, à une région de lecture du pixel P1.
Comme cela se voit en , les régions 212 de tous les pixels P1 sont connectées entre elles et à un même noeud SN1. Dans l'exemple illustré, le capteur 1 ne comprend que des pixels P1, et les régions 212 de tous les pixels du capteur 1 sont donc connectées au noeud SN1.
Une grille de transfert 214 couple la photodiode PD à la région 212, c'est-à-dire la région 210 à la région 212. Plus particulièrement, la grille 214 est configurée pour coupler électriquement les régions 210 et 212 l'une avec l'autre à l'état passant, et pour isoler électriquement les régions 210 et 212 l'une de l'autre à l'état bloqué. En particulier, lorsque la grille 214 est passante, les charges photogénérées et accumulées dans la photodiode PD sont transférées dans la région 212, et le potentiel de la région 212 suite à ce transfert dépend du nombre de charges transférées. La région 212 constitue la région de drain de la grille 214.
La grille 214 repose sur face 204 de la couche 202, sur une portion du caisson 200 séparant les régions 210 et 214 l'une de l'autre.
La grille 214 est commandée par un signal TG. Le signal TG de chaque pixel P1 est fourni par un circuit CTRL du capteur 1, comme cela est illustré en . Dit autrement, le circuit CTRL est configuré pour commander les grilles TG des pixels P1. Comme cela sera décrit plus en détail dans la suite, le circuit CTRL peut être configuré pour fournir le même signal TG à tous les pixels P1, c'est-à-dire pour commander tous les pixels P1 de manière identique, ou peut-être configuré pour commander différemment une partie des pixels P1 et une autre partie des pixels P1.
Le pixel P1 comprend en outre un circuit, ou commutateur, 216 configuré appliquer sélectivement un potentiel V1 ou un deuxième potentiel V2 au caisson 200. Dit autrement, le circuit 216 a une première borne d'entrée couplée, par exemple connectée, à un noeud 218 configuré pour recevoir le potentiel V1, une deuxième borne d'entrée couplée, par exemple connectée, à un noeud 220 configuré pour recevoir le potentiel V2, et une borne de sortie couplée, par exemple connectée, au caisson 200, et est configuré pour coupler sa borne de sortie sélectivement à sa première borne d'entrée ou à sa deuxième borne d'entrée.
A titre d'exemple, le caisson 200 comprend une région de prise de contact 222 plus fortement dopée du type P (P+) que le caisson 200, et le circuit 216 est couplée au caisson 200 par la région 222.
Lorsque le caisson 200 est dopé du type P comme c'est le cas dans l'exemple décrit, le potentiel V2 est supérieur au potentiel V1. Par exemple, le potentiel V2 est positif et référencé au potentiel V1. Par exemple, le potentiel V1 est le potentiel de masse GND, et le potentiel V2 est sensiblement égal à 100 mV, par exemple égal à 100 mV.
Le circuit 216 du pixel P1 est commandé par un signal sel. Le signal sel de chaque pixel P1 est fourni par un circuit SAR du capteur 1 comme cela est illustré en . Dit autrement, le circuit SAR est configuré pour commander les circuits 216 des pixels P1. Le circuit SAR met en œuvre une fonction de registre à approximations successives. Comme cela sera décrit plus en détail dans la suite, les pixels P1 sont répartis en plusieurs groupes de P1, et le circuit SAR est configuré pour fournir le même signal sel à tous les pixels P1 d'un même groupe de pixels P1, le signal sel pouvant être différent entre deux groupes de pixels P1.
Selon un mode de réalisation, par exemple illustré par la , le pixel 1 comprend en outre un caisson isolé 224 similaire au caisson 200. En particulier, le caisson 224 s'étend dans la couche 202 et est dopé du même type de conductivité que le caisson 200, à savoir le type P dans cet exemple. Le caisson 224 est isolé des régions et/ou caissons disposés à l'extérieur du caisson 224, de la même façon que le caisson 200 est isolé des régions et/ou caissons disposés à l'extérieur du caisson 200. Plus particulièrement, dans l'exemple de la , le caisson 224 s'étend à partir de la face 204 jusqu'à la face 206 et est délimité latéralement par des tranchées d'isolation 208.
Le caisson 224 est configuré pour recevoir le potentiel V1. Plus particulièrement, le caisson 222 est configuré pour être maintenu au potentiel V1 pendant toute la durée de chaque phase de capture de la lumière ambiante par le capteur 1.
Selon un mode de réalisation, le pixel P1 comprend un circuit, ou commutateur, 224 configuré appliquer sélectivement un potentiel V1 ou un deuxième potentiel V2 au caisson 224, le circuit 226 étant de préférence identique au circuit 216. Le circuit 224 est alors configuré pour maintenir le potentiel V1 sur le caisson 224 pendant toute la durée de chaque phase de capture de la lumière ambiante par le capteur 1. Par exemple, le circuit 224 est commandé par le circuit SAR ( ). A titre d'exemple, le caisson 224 comprend une région de prise de contact 228 plus fortement dopée du type P (P+) que le caisson 224, et le circuit 226 est couplée au caisson 224 par la région 228.
En variante, le potentiel V1 est directement appliqué au caisson 224, en connectant le noeud 218 au caisson 224, par exemple à la région 228 du caisson 224.
Configuration 12 : Pour la configuration 12, le dispositif primaire comporte en outre, par rapport à la configuration 11, un moyen de communication Bluetooth ou télécommunication (4G, 5G, …)
L'usager vulnérable est alerté par le dispositif primaire de façon sonore et / ou visuelle qu'il se situe proche d'un angle mort avec une répétition de cette information sur son smartphone
Configuration 13 : La configuration 13 diffère de la configuration 12, par le fait que le dispositif primaire comporte un équipement d’alerte extérieur, sonore et/ou lumineux, ainsi qu’un équipement d’alerte intérieur, sonore et/ou lumineux et par le fait que le dispositif secondaire comporte en outre, par rapport à la configuration 12, un moyen de communication Bluetooth ou télécommunication (4G, 5G, …)
L'usager vulnérable est alerté par une alerte sonore et / ou visuelle par le dispositif primaire, qu'il se situe proche d'un angle mort, et éventuellement par son téléphone intelligent qui notifie à celui du chauffeur qu'un usager vulnérable se situe dans un angle mort et qui matérialise de quel angle mort il s'agit (car les tags RFID sont identifiés en fonction des angles morts qu'ils concernent).
Configuration 14 : Cette configuration diffère de la précédente par le fait que le dispositif secondaire équipant le véhicule PL comporte en outre un moyen d’alerte interne sonore ou lumineux commandé par l’unité embarquée de communication du véhicule.
Cette configuration 14 fonctionne également avec l'UEV à la place du téléphone intelligent du chauffeur. Si un équipement sonore et visuel est branché à l'UEV, des alertes complémentaires, sonore et visuelle, peuvent prévenir le chauffeur
Configuration 15 : Cette configuration diffère de la précédente par le fait que le dispositif primaire comporte un équipement de communication par ultrason ou infrarouge.
Le dispositif primaire de l'usager vulnérable fait intervenir des ultrasons qui sont reçus par l'UEV ou par le téléphone intelligent du chauffeur.
Configuration 16 : Cette configuration diffère de la précédente par le fait que le dispositif secondaire comporte en outre un équipement de télécommunication (4G, 5G,…) et fait intervenir des tags actifs positionnés à chaque angle mort qui préviennent par Bluetooth le chauffeur au moyen de son téléphone intelligent ou de son UEV.
Configuration 17 : Cette configuration diffère de la précédente par le fait que le dispositif primaire comporte un équipement de télécommunication (4G, 5G,…), un moyen de communication Bluetooth et un moyen de communication par ultrasons.
Cette alternative prévoit que les deux sont équipés du même dispositif E/R RFID, avec les fonctionnalités précédemment décrites qui sont possibles. Elle fait intervenir des tags actifs positionnés à chaque angle mort qui préviennent par Bluetooth le chauffeur au moyen de son téléphone intelligent ou de son UEV.
Procédé de gestion d’un véhicule télé-contrôlé par un réseau de communication, dispositif, système et programme d’ordinateur correspondants. Domaine de l'invention Le domaine de l'invention est celui des véhicules télé-contrôlés ou drones. Plus précisément, l'invention concerne la surveillance, par un réseau de communication, du déplacement, par exemple du vol, d’un drone par rapport à son pilote.
Art antérieur et ses inconvénients Les véhicules télé-contrôlés, plus communément appelés drones, sont des véhicules pilotés à distance. Ce type de véhicules est de plus en plus utilisé pour des utilisations aussi diverses que l’analyse d’infrastructures de transports (voies ferrées, réseau d’électricité, infrastructures routières), la réalisation de cartographies ou la livraison de produits à destination de consommateurs finaux. Ces drones, le plus souvent aériens, peuvent également être des véhicules roulants ou bien utilisés en mer. Ils se caractérisent par le fait que leur pilote ne se trouve pas a leur bord mais à distance du véhicule, celui-ci étant contrôlé à l’aide d’un dispositif de contrôle. Le drone peut en effet être commandé à distance par le pilote à l’aide du dispositif de contrôle, ou bien le drone peut se déplacer de façon autonome, par exemple conformément à l’exécution d’un plan de déplacement programmé, mais toujours sous le contrôle du pilote, lequel veille à la navigation du drone conformément au plan de déplacement programmé.
Face à ces nouvelles possibilités et aux risques accrus de mauvais usages (intentionnels ou non), les autorités aériennes ont conçu une architecture, nommée UTM (de l’anglais, « UAV (« Unmanned Aerial Vehicle ») traffic management »), et tout un ensemble de services destinés à permettre une gestion efficace et sécuritaire de l’espace aérien. Une composante clé de cette architecture est l’USS (de l’anglais, « UTM Service Supplier ») qui joue le rôle d’interface entre l’opérateur de drone, par exemple le pilote UAVC (de l’anglais, « UAV Controller ») ou une entreprise qui gère une flotte de drones et propose des services associés (de l’anglais, « UAS Operator »), le couple pilote/drone (UAS pour « Unmanned Aerial System ») et les Autorités Aériennes.
De manière simplifiée, un drone génère deux flux distincts, l’un pour la transmission des données relatives à la mission du drone (par exemple, des photos), qu’on appelle les données utiles ou charge utile (en anglais, « payload »), l’autre pour la transmission des données relatives au pilotage du drone, au contrôle de sa trajectoire et à la gestion du trafic aérien, qu’on appelle les données de contrôle ou « Command & Control », ou encore lien C2.
Comme le pilote n’est pas à bord, ce lien C2 est essentiel car il permet de maintenir la communication entre le drone UAV, en l’air, et le pilote UAVC, au sol. On peut distinguer deux types de vol de drone : - les vols en ligne de vue directe ou VLoS (de l’anglais, « Visual Line of Sight ») : le pilote est à proximité de son drone et une communication directe est maintenue entre les deux (liaison point à point) ; - les vols au-delà de la ligne de vue directe ou BVLoS (de l’anglais, « Beyond Visual Line of Sight ») : le pilote peut être très éloigné de son drone, la communication entre les deux est transportée via un réseau de télécommunications (par exemple, satellitaire ou cellulaire).
L’étape E8 de traitement thermique à haute température est avantageusement mise en œuvre pour la fabrication de pièces qui seront soumises à de fortes contraintes en fluage telles que, par exemple, les aubes de turbines et les distributeurs de turbines. En effet, plus les grains métallurgiques sont gros, plus le glissement entre lesdits grains sous l’effet des contraintes en fluage est facilité et donc meilleure est la résistance de la pièce auxdites contraintes.
L’étape E8 de traitement thermique à haute température comprend préférentiellement l’application d’une température comprise entre 1200 °C et 1280 °C, de préférence encore à une température comprise entre 1220 °C et 1240 °C pendant une durée comprise entre 2 heures et 6 heures, de préférence encore pendant 5 heures à pression atmosphérique, sous une atmosphère inerte, par exemple une atmosphère d’argon.
Suite à la réalisation de ladite étape E8 dans les conditions ainsi décrites, la taille des grains métallurgiques est comprise entre 00 ASTM et 5 ASTM, en moyenne elle est de 2 ASTM. Comme mentionné précédemment, la taille des grains était comprise entre 5 ASTM et 9 ASTM à l’issue de l’étape E6 de frittage. La taille des grains a donc augmenté. Les figures 5A et 5B sont deux vues au microscope optique, à deux échelles différentes, d’une pièce obtenue à l’issue des étapes E6, E7 puis E8 du procédé conforme à l’invention. Si on compare la microstructure sur les Figures 5A et 5B à celle, sur les Figures 4A et 4B, de la pièce après l’étape E7 et avant l’étape E8 dudit procédé, on constate que la taille des grains a effectivement augmenté au cours de l’étape E8 de traitement thermique à haute température. A titre d’exemple, la taille des grains de la microstructure représentée sur les Figures 4A et 4B est de 2 ASTM.
L’augmentation de la taille des grains lors de la réalisation de l’étape E8 permet d’améliorer la résistance de la pièce en fluage, tout en garantissant à ladite pièce une bonne résistance en fatigue et en traction.
En outre, on met en œuvre une étape E9 de traitement thermique de trempe. Le traitement thermique de trempe consiste à chauffer la pièce à une température de mise en solution des bons éléments d’alliage que constituent le nickel suffisamment longtemps pour permettre la remise en solution desdits éléments et leur diffusion dans le solide cristallin. La pièce est ensuite refroidie relativement rapidement afin que lesdits bons éléments d’alliage reprécipitent. Cette étape permet d’obtenir une pièce avec les propriétés mécaniques et chimiques attendues.
L’étape de traitement thermique de trempe E9 est menée préférentiellement à une température comprise entre 1120 °C et 1190 °C, de préférence encore à une température comprise entre 1150 °C et 1170 °C pendant une durée comprise entre 1 heure et 3 heures, de préférence encore pendant 2 heures. La pièce est finalement refroidie à une vitesse moyenne comprise entre 47 °C /heure et 67 °C /heure jusqu’à atteindre une température comprise entre 1070 °C et 1090 °C, préférentiellement une température de 1080 °C, puis à une vitesse moyenne supérieure ou égale à 16°C/min. Durant toute l’étape de traitement thermique de trempe E9 qui comprend la chauffe puis le refroidissement de la pièce, on maintient une atmosphère inerte, par exemple une atmosphère d’argon, à pression atmosphérique, ou on réalise ladite étape sous vide.