INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Selon un mode de mise en œuvre particulier de l'invention, un procédé tel que décrit ci-dessus est caractérisé en ce que l’étape de calcul est suivie d’une étape de restitution dudit au moins un identifiant et de ladite distance calculée via une interface homme-machine.
Un tel procédé de l’état de la technique n’est pas entièrement satisfaisant dans la mesure où il est nécessaire d’exécuter deux implantations [étape b 02 ) et étape d 02 )], ainsi que d’appliquer deux recuits thermiques [étape c 02 ) et étape f 02 )], ce qui augmente considérablement le temps d’opération et les coûts associés à la mise en œuvre de ce procédé. Par ailleurs, un bullage localisé (i.e. s’étendant sur une partie réduite de la première surface du substrat donneur) et non contrôlé des espèces gazeuses implantées lors de l’étape b 02 ) est susceptible d’être observé à la première surface du substrat donneur à l’issue de l’étape c 02 ). Un tel bullage localisé est fortement préjudiciable quant à la qualité de l’adhésion directe de l’étape e 02 ) en raison des exfoliations susceptibles d’apparaître.
L’homme du métier recherche donc une solution pour : - abaisser la température de recuit de l’étape d 01 ), - exécuter une unique implantation des espèces gazeuses lors de l’étape b 01 ).
L’invention vise à remédier en tout ou partie aux inconvénients précités. A cet effet, l’invention a pour objet un procédé de transfert d’une couche utile sur un substrat support, comportant les étapes successives : a) prévoir un substrat donneur, réalisé dans un diamant cristallin, et comprenant une première surface ; b) implanter des espèces gazeuses, comprenant des atomes d’hydrogène ionisé, à travers la première surface du substrat donneur, selon une dose donnée d’implantation et une température donnée d’implantation adaptées pour former une zone plane graphitique au sein du substrat donneur, la couche utile étant délimitée par la zone plane graphitique et la première surface du substrat donneur ; c) assembler le substrat donneur au substrat support par une adhésion directe avec la première surface du substrat donneur ; d) appliquer un recuit thermique à l’assemblage obtenu à l’issue de l’étape c), selon un budget thermique adapté pour fracturer le substrat donneur suivant la zone plane graphitique, de manière à exposer la couche utile ; le budget thermique présentant une température de recuit supérieure ou égale à 800°C ; procédé dans lequel la température donnée d’implantation, notée T, vérifie : T > T min , où T min est une température minimale au-delà de laquelle un bullage des espèces gazeuses implantées s’opère à la première surface du substrat donneur lorsque le substrat donneur est soumis, en l’absence d’un effet raidisseur, à un recuit thermique selon un budget thermique identique à celui de l’étape d), T min étant prédéterminée en fonction de la dose donnée d’implantation ; et T max , où T max est une température maximale au-delà de laquelle la dose donnée d’implantation ne permet plus de former la zone plane graphitique au sein du substrat donneur.
Ainsi, un tel procédé selon l’invention permet, grâce à l’étape b), d'appliquer un recuit thermique lors de l’étape d) selon un budget thermique présentant une température de recuit pouvant être nettement inférieure à celles de l’état de la technique. Une température de recuit inférieure à celle de l’état de la technique est moins préjudiciable en termes de risque de défaillance de la structure ou de formation de défauts (fissures, « cracks » en langue anglaise) lorsque le substrat donneur et le substrat support possèdent des coefficients de dilatation thermique significativement différents.
Contrairement à l’état de la technique, l’étape b) est une implantation unique, à chaud, des espèces gazeuses à travers la première surface du substrat donneur, ce qui permet de réduire la densité de défauts générés.
Les inventeurs ont constaté que l’étape b) doit être exécutée à une température sélectionnée dans une plage de valeurs bornées, afin d’autoriser la fracture du substrat donneur suivant la zone plane graphitique lors de l’étape d).
La température donnée d’implantation à laquelle est exécutée l’étape b) est strictement supérieure à une température minimale (T min ) au-delà de laquelle un bullage des espèces gazeuses implantées s’opère à la première surface du substrat donneur lorsque le substrat donneur est soumis, en l’absence d’un effet raidisseur, à un recuit thermique selon le budget thermique (modéré par rapport à l’état de la technique) envisagé lors de l’étape d). Le bullage des espèces gazeuses implantées doit s’opérer sur une étendue de la première surface du substrat donneur qui est compatible avec un collage par adhésion directe. T min est déterminée préalablement à la mise en œuvre d’un procédé selon l’invention. Autrement dit, des expériences préalables peuvent être menées pour déterminer T min , consistant à soumettre le substrat donneur, en l’absence d’un effet raidisseur, à un recuit thermique selon un budget thermique identique à celui qui est prévu lors de l’étape d) dans le cadre de la mise en œuvre d’un procédé selon l’invention.
La température donnée d’implantation à laquelle est exécutée l’étape b) est strictement inférieure à une température maximale (T max ) au-delà de laquelle la dose donnée d’implantation ne permet plus de former la zone plane graphitique au sein du substrat donneur. En effet, l’augmentation de la température d’implantation engendre une augmentation de la vitesse de recombinaison et/ou de guérison des défauts. Ainsi, lorsque T ≥ T max , la compétition entre les mécanismes d’endommagement (dans les conditions d’implantation) et les mécanismes de ‘guérison’ ne conduit pas à la formation d’une couche (zone plane) suffisamment endommagée pour permettre la formation de la zone plane graphitique nécessaire à l’obtention de la fracture.
De telles conditions d’implantation (dose et température) lors de l’étape b) permettent d’obtenir une zone plane graphitique, riche en atomes d’hydrogène, qui pourra conduire à la fracture lors de l’étape d), tout en s’affranchissant d’une double implantation et d’un double recuit thermique de l’état de la technique.
Selon une caractéristique de l’invention, le budget thermique du recuit thermique appliqué lors de l’étape d) présente une température de recuit comprise entre 800°C et 1200°C, de préférence comprise entre 800°C et 1100°C, plus préférentiellement comprise entre 850°C et 1000°C.
Ainsi, un avantage procuré par un tel budget thermique est de limiter les contraintes mécaniques à l’interface de collage, lorsque le substrat donneur et le substrat support possèdent des coefficients de dilatation thermique significativement différents. Ces contraintes mécaniques peuvent en effet provoquer un détachement prématuré du substrat support avec le substrat donneur avant que le transfert n’ait lieu.
Selon une caractéristique de l’invention, le budget thermique du recuit thermique appliqué lors de l’étape d) présente une durée de recuit comprise entre 30 minutes et 7 heures, de préférence comprise entre 45 minutes et 75 minutes.
Selon une caractéristique de l’invention, la température donnée d’implantation à laquelle est exécutée l’étape b) est strictement supérieure à 250°C, de préférence strictement supérieure à 280°C.
Ainsi, un avantage procuré est d’obtenir un bullage des espèces gazeuses implantées, en l’absence d’un effet raidisseur, s’opérant sur une étendue de la première surface du substrat donneur qui est compatible avec un collage par adhésion directe.
Selon une caractéristique de l’invention, la température donnée d’implantation à laquelle est exécutée l’étape b) est strictement inférieure à 400°C, de préférence strictement inférieure à 380°C.
Eventuellement, le procédé de déclaration d’interface-stimulateur neuronal DIS comporte une déclaration de fréquence RSP envoyant au procédé d’initialisation, notamment à la réception de fréquence FREC, soit une liste de fréquences {fl] l aptes à être utilisées par l’interface-stimulateur neuronal IS pour reproduire des signaux à reproduire, soit les fréquences données {f n } n .
En particulier, le procédé de déclaration d’interface-stimulateur neuronal DIS comporte, préalablement à la déclaration de fréquence RSP, une recherche F_RTV des fréquences utilisables par l’interface-stimulateur neuronal IS. La recherche de fréquences F_RTV lit les fréquences utilisables préalablement enregistrées dans un dispositif de stockage notamment une base de fréquences BDF éventuellement implémentée dans l’interface-stimulateur neuronal IS.
En particulier, le procédé de déclaration d’interface-stimulateur neuronal DIS comporte, préalablement à la déclaration de fréquence RSP et, le cas échéant, à la recherche de fréquences F_RTV, un récepteur de requête de fréquences RREC provenant du procédé d’initialisation IIS.
Dans un mode de réalisation particulier, préalablement au procédé d’initialisation IIS, un équipement électronique EQt met en œuvre un procédé de déclaration d’équipements DEQt. Le procédé de déclaration d’équipements DEQt envoie, notamment via le réseau de communication auquel il est connecté, une requête d’enregistrement reg_req à destination d’un procédé d’enregistrement d’équipements EQ_REG notamment mis en œuvre par un équipement électronique EQt ou le gestionnaire d’objets connectés GO. La requête d’enregistrement comporte notamment une liste des paramètres de commande {pcd i }i aptes à être mises en œuvre par l’équipement électronique EQt. : reg_req({pci}i).
La illustre un schéma simplifié d’échanges lors de la mise en œuvre d’un procédé de contrôle d’un équipement électronique utilisant une interface-stimulateur neuronal selon l’invention.
Un procédé de contrôle BEQC d’un équipement électronique règle dans une direction de réglage donnée dr n un paramètre de commande pci d’un équipement électronique EQt, notamment connecté à un réseau de communication, en fonction d’une fréquence neuronale f ecg reçue d’une interface neuronale directe BI lors d’une reproduction d’un signal à reproduire sr(fn) avec une fréquence donnée fn par l’interface-stimulateur neuronal IS. La fréquence neuronale reçue f ecg est fonction de la fréquence donnée fn.
En particulier, le procédé de contrôle BEQC est mis en œuvre par un équipement électronique EQt ou un gestionnaire d’objets connectés GO.
En particulier, le procédé de contrôle BEQC comporte une activation BI_ACT d’une reproduction RPR de signaux à reproduire avec des fréquences données distinctes notamment mis en œuvre par une interface-stimulateur neuronal IS. Un procédé de stimulation RST, notamment mis en œuvre par l’interface-stimulateur neuronal IS, comporte la reproduction RPR des signaux à reproduire avec les fréquences données .
En particulier, l’activation BI_ACT d’une reproduction de signaux à reproduire avec des fréquences données distinctes comporte un émetteur de stimulation neuronale EM émettant un signal
En particulier, le déclenchement EM émet un signal relatif aux fréquences données utilisées lors de la reproduction RPR de signaux à reproduire avec des fréquences données distinctes . Le signal émis par le déclenchement EM est notamment : - soit un signal d’indication des fréquences données à destination de la reproduction VRPR et/ou du procédé de stimulation visuel VST ; - soit les signaux à reproduire avec des fréquences données de la reproduction RPR et/ou du procédé de stimulation RST.
En particulier, le procédé de stimulation RST comporte, préalablement à la reproduction RPR, une génération SR_GN de signaux à reproduire avec des fréquences données indiquées dans le signal d’indication provenant du déclenchement EM.
En particulier, le procédé de contrôle d’équipement électronique BEQC comporte, préalablement au déclenchement EM de reproduction de signaux à reproduire avec des fréquences données , une recherche FN_RTV des fréquences données associées aux directions de réglage d’un paramètre de commande de l’équipement électronique EQt. En particulier, la recherche de fréquences données FN_RTV, notamment dans un dispositif de stockage tel qu’une base de paramètres de commande BDC, par exemple la base de paramètres de commande de la .
En particulier, le procédé de contrôle d’équipement électronique BEQC comporte, préalablement au déclenchement EM de reproduction signaux à reproduire avec des fréquences données distinctes , une génération SR_GN de signaux à reproduire avec des fréquences données distinctes indiquées dans le signal d’indication provenant du déclenchement EM.
En particulier, le procédé de contrôle d’équipement électronique BECQ comporte, préalablement à la recherche de fréquence donnée FN_RTV, une recherche des paramètres de commandes de l’équipement électronique PC/DR_RTV, notamment dans un dispositif de stockage tel qu’une base d’équipements électroniques BDE, par exemple la base d’équipements électroniques de la , fournissant une liste de paramètres de commande {pc i } i aptes à être mises en œuvre par l’équipement électronique EQt.
Eventuellement, la recherche de paramètres de commande CMD_RTV est déclenchée par une commande d’activation bcic_on ou une commande de réveil bcic_wk d’une ou des interfaces-stimulateurs neuronaux connectées ICn associées à l’équipement électronique EQt.
Dans un premier temps on réalise un cycle standard. Les échantillons préparés comprennent :
– 15 µL d’anticorps anti-souris (M8642, Sigma-Aldrich) à la concentration souhaitée dans une solution de NaCl 9 g/L ;
– 3 µL de particules P4 1% w/v ( weight per volume , ou p/v c.à.d. poids par unité de volume) ; et
On applique ensuite aux échantillons le cycle suivant (Cagg) :
On peut mesurer pour chaque échantillon la différence de densité optique avant et après la première impupulsion d’intensité 8 mT (Dodiff 0 ) comme indicateur du niveau initial d’agrégation des particules. Pour mesurer le niveau d’agrégation final, on peut mesurer la différence de densité optique avant et après la dernière impulsion d’intensité 8 mT (Dodiff 3 ) ou la différence de densité optique entre la fin et le début du cycle Cagg (ΔDO).
On obtient les résultats qui figurent dans le tableau 6, en fonction de la concentration en anticorps (Ac) dans le milieu réactionnel :
[Ac] (nM) 0 1 2 3 4 5 ΔDO (mDO) 2,86 25,62 51,46 74,37 79,03 101,08 Dodiff 0 (mDO) 2,71 2,23 2,58 2,28 2,58 2,78 Dodiff 3 (mDO) 6,08 23,89 42,62 56,59 60,09 71,79
On constate que l’anticorps choisi provoque une interférence puisque la Dodiff 3 ou le ΔDO augmentent avec la concentration en anticorps introduit. La mesure de la Dodiff 0 , quant à elle, ne varie pas significativement avec la concentration en anticorps, ce qui ne permet donc pas d’alarmer cette interférence.
EXEMPLE 5 : Mesures sans PSA
Les échantillons préparés comprennent :
– 57 µL de tampon HEPES 50 mM, pH 7.5 ; F108 0.8 % ; NaCl 800 mM;
– 15 µL d’anticorps anti-souris (M8642, Sigma-Aldrich) à la concentration souhaitée dans une solution de NaCl 9 g/L ; et
- un stockage de référence à multitubes 430 selon l’état de l’art, dimensionné pour respecter les contraintes sur la montée en température du fluide caloporteur (550 °C) pendant 7 jours ;
un stockage avec les mêmes dimensions que le stockage de référence, avec des panneaux isolants thermiques qui se détachent de la paroi 500 de manière complètement passive à une température seuil de 240 °C, grâce à la désaimantation des aimants permanents 7 et des ailettes 501 dimensionnées pour augmenter d’un facteur 3 la surface d’échange avec l’air environnant ; avec les mêmes dimensions que le stockage de référence, avec des panneaux isolants thermiques qui se détachent de la paroi 500 sans ailettes de manière complètement passive à une température seuil de 240 °C, grâce à la désaimantation des aimants permanents 7.
Des simulations, il ressort que les échanges thermiques avec l’extérieur du stockage sont augmentés avec des panneaux isolants 60 qui se détachent de manière passive et encore davantage augmentés lorsque le réservoir de stockage 50 est pourvu d’ailettes 501 à la périphérie de sa paroi 500, comme montré sur la et détaillé par la suite.
Cette évacuation accrue de la chaleur vers l’extérieur du réservoir 50 permet de limiter sa montée en température : cela permet donc de contenir plus longtemps la température du fluide caloporteur en dessous de la température limite, comme illustré sur la .
Dans la configuration de référence, i.e. avec la présence de panneaux isolants 60 mais qui ne sont pas détachables, la température du fluide caloporteur atteint la valeur limite de 550 °C à 7 jours à partir du début de la perte totale d’électricité car les dimensions du réservoir 50, des tubes 430 et du matériau 51 MCP ont été définies pour permettre de respecter cette contrainte.
Avec les panneaux isolants thermiques 60 selon l’invention, le fluide caloporteur reste en permanence en-dessous de 470 °C avec, de plus, une température qui est décroissante 2,5 jours après le début du pic ( ). L’invention permet donc au stockage d’être nettement plus efficace pour évacuer la puissance du fluide caloporteur.
Cette meilleure performance du stockage avec les panneaux 60 selon l’invention permet de réduire les dimensions du réservoir de stockage 50 et du matériau 51 nécessaires pour respecter la limite en température de 550 °C pendant 7 jours.
Le tableau 1 ci-dessous synthétise les différentes dimensions pour les trois configurations énoncées.
Configurations Dimensions Stockage de référence stockage avec panneaux 60 sans ailettes 501 stockage avec panneaux 60 avec ailettes 501 Diamètre de réservoir cylindrique 50 (m) 11,7 10,6 7,2 Hauteur de réservoir cylindrique 50 (m) 2,77 Volume du matériau MCP par réservoir 50 (m 3 ) 298 242 113
Il ressort de ce tableau 1 que comparativement à la configuration de référence :
- la réduction est de 10 % en diamètre de réservoir 50 et de 19 % en volume de matériau MCP avec la configuration de panneaux 60 sans ailettes selon l’invention ;
- la réduction est de 38 % en diamètre de réservoir 50 et de 62 % en volume de matériau MCP avec la configuration de panneaux 60 avec ailettes 501 selon l’invention.
Avec des dimensions réduites grâce à l’invention, le maximum de température de 550 °C est atteint à 3 jours et la température est ensuite décroissante ( ). Cela signifie qu’avec l’invention, il est possible de continuer à respecter la contrainte de température au-delà des 7 jours visés ( ), ce qui n’est pas le cas pour la configuration de stockage de référence, i.e. sans panneaux 60 détachables.
Les figures 13A à 13C montrent une autre variante de réalisation possible.
Selon cette variante, on ajoute à chaque dispositif passif 7 de fixation amovible des panneaux isolants thermiques 60, un dispositif actif 8 qui permet de décrocher chaque panneau isolant 60 sur commande par un utilisateur.
On peut envisager plusieurs types de dispositifs actifs 8.
Dans l’exemple représenté , une longueur de l’ouverture 133 est ainsi disposée dans le prolongement de la tige 132, en particulier dans le prolongement de la longueur de la tige 132, autrement dit selon un axe de la tige 132.
Les exemples de réalisation représentés aux figures 2 et 3 permettent d’illustrer différentes formes de grip 131.
Ainsi, la variante de réalisation illustrée diffère du mode de réalisation de la en ce que le grip 131 a alors une forme oblongue, c’est-à-dire une forme qui est plus longue que large et dont les angles sont arrondis.
En outre, dans cet exemple, une longueur du grip 131 s’étend dans un prolongement de la première tige 132, autrement dit selon l’axe de la tige 132.
Le grip 131 de la est ici représenté plein, mais il pourrait toutefois comporter une ouverture, par exemple telle que l’ouverture 133 de la , et/ou être évidé.
La variante de réalisation de la diffère des précédentes également de par la forme du grip 131, qui a ici une forme plus complexe.
Le grip 131 de la a par exemple une forme de clef.
Ceci montre que le grip peut avoir tout type de forme, et peut alors être personnalisé, par exemple en prenant une forme de logo, de clef, de pyramide, ou même d’un monument comme la Tour Eiffel.
De plus, l’exemple de réalisation de la diffère aussi des précédents illustrés aux figures 1 et 2, en ce que l’éjecteur de SIM 131 comporte alors une deuxième tige 136.
Une telle deuxième tige pourrait bien entendu être présente dans les modes de réalisation des figures 1 et 2.
La deuxième tige 136 a de préférence une longueur différente de la longueur x longueur de la première tige 132, et en particulier, par exemple, une longueur plus courte.
Un tel éjecteur de SIM permet par exemple de s’adapter à un plus grand nombre de modèle de système électronique. En effet, une profondeur de l’orifice du tiroir de SIM peut varier d’un modèle à l’autre, et il est alors possible de choisir une tige plus adaptée en fonction du modèle de système électronique considéré.
Enfin, selon encore une autre option qui pourrait également être applicable aux autre exemple de réalisation illustrés ici, l’éjecteur de SIM 130, et en particulier le grip 131, comporte un trou 137.
Un tel trou 137 est par exemple configuré pour attacher l’éjecteur de SIM 130 une fois que celui-ci a été détaché du support 100 afin de limiter un risque de le perdre. Par exemple, il peut alors être enfilé sur un porte-clefs.
Le trou 137 est par exemple formé par tout moyen dans le grip, par exemple à une extrémité du grip, en particulier à une extrémité éloignée d’au moins la première tige 132.
La représente le support 100 comportant la carte SIM 120 et l’éjecteur de SIM 130 selon un deuxième exemple de réalisation.
Ce signal dépendant de la température peut alors être corrigé avec le signal d’absorption comme défini précédemment. Le signal de sortie pour le champ magnétique de l’équation (9) devient alors :
(eq. 10)
On obtient ainsi un signal indépendant de la température permettant la mesure du champ magnétique et donc selon l’équation (8) le courant I parcourant un conducteur électrique. Pour remonter à la valeur absolue B à mesurer, on peut par exemple recourir à un calibrage pour déterminer la correspondance entre le signal de mesure S et la valeur du champ B.
Pour remonter ensuite au courant électrique circulant dans un conducteur électrique, il est nécessaire de prendre en compte la distance de la cellule de mesure 3 par rapport au conducteur électrique.
Etant donné que les atomes alcalins sont confinés dans la cellule de mesure, le taux d’absorption n’est finalement dépendant que de la température. Ainsi, l’utilisation du signal de P T sur le photodétecteur 29 permet également une mesure locale de la température. En effet, la densité d’alcalin n al est dépendante de la température T en Kelvin avec par la relation suivante :
(eq. 11)
avec a et b des paramètres propres à chaque alcalin.
Avec un calcul mathématique prenant en compte le signal P T /P 0 , on peut donc mesurer la température locale simultanément à la mesure du champ magnétique.
Si selon les autres alternatives déscrites ci-dessus, la donnée de température est obtenue par exemple par une mesure via un capteur de température local ou distribué ou par une estimation, la densité n al (T) peut être calculée en prenant la partie de droite de l’équation 11 pour tenir compte de la dépendance de la température du signal de rotation de l’angle de polarisation.
Sur la , la source de lumière 7 alimente directement le montage optoélectronique.
Selon une variante, la source de lumière 7, c’est-à-dire par exemple un laser, est par exemple déportée, les deux étant reliées l’une à l’autre par une fibre optique.
Selon des estimations des inventeurs, le courant de fuite est généralement assez faible, de l’ordre de 1mA/km dans un réseau de transport d’énergie électrique à haute tension et à courant continue.
Dans ces conditions, les mesures peuvent être affectées par des champs magnétiques d’environnement, comme par exemple le champ magnétique terrestre, qui se superposent au champ magnétique engendré par le courant de fuite parcourant le conducteur de mise à la terre.
La est un schéma explicatif des champs magnétique terrestre BT et le champ magnétique BC formés autour d’un conducteur de courant de mise à la terre 31. Ce conducteur est relié d’une part à l’écran de câble et d’autre part à une borne de terre ou une borne de masse.