INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
La composition selon la présente invention peut présenter une turbidité de 250 NTU ou moins, de préférence de 150 NTU ou moins, et de manière davantage préférée de 50 NTU ou moins.
La présente invention concerne également
un processus cosmétique pour substance kératineuse, comprenant :
le séchage de la composition pour former un film cosmétique sur la substance kératineuse,
un processus de préparation d'un film, de préférence un film cosmétique, comprenant :
l'application sur la substance kératineuse, de la composition selon la présente invention ; et
le séchage de la composition.
Par substance kératineuse, on entend ici une matière contenant de la kératine comme élément constitutif principal, et des exemples de celle-ci incluent la peau, le cuir chevelu, les ongles, les lèvres, les cheveux, et similaires.
Un tel fonctionnement limite les risques de contact avec l'échantillon prélevé, en particulier d'Accidents d'Exposition aux Virus (AEV) ou les Accidents d'Exposition au Sang (AES).
L'invention concerne aussi l'utilisation du dispositif 1 de prélèvement, selon l'un et/ou l'autre des modes de réalisation susmentionnés, pour prélever un échantillon de fluide corporel à partir d'un septum 100, de préférence un échantillon sanguin à partir d'un septum 100 présent sur un circuit extra-corporel 101.
Selon un mode de mise en œuvre, l'utilisation permet de mesurer et quantifier in vitro un composé présent dans ledit échantillon prélevé, préférentiellement dans ledit échantillon sanguin prélevé.
Selon un mode de mise en œuvre, l'utilisation permet de mesurer le taux de glycémie dans ledit échantillon sanguin prélevé. Dans le cadre d'un prélèvement en vue d'une quantification de la glycémie, l'utilisation du dispositif 1 de prélèvement respecte les normes en vigueur visant la glycémie capillaire, autorisant l'utilisation des appareils de diagnostic de glycémie capillaire.
Selon un autre mode de réalisation, l'utilisation permet de mesurer le taux d’hémoglobine dans ledit échantillon sanguin prélevé.
Ainsi, le dispositif 1 de prélèvement selon l'invention améliore la prise en charge des patients, en favorisant un geste médical propre et stérile, avec une manipulation aisée et sans risque.
En outre, la quantité de fluide, préférentiellement de sang, prélevé est minime et parfaitement adaptée aux utilisations envisagées.
Prothèse oculaire et procédé de fabrication à cet effet Arrière-plan de l’invention La présente description se rapporte à un procédé de fabrication de prothèses oculaires, en particulier une prothèse oculaire comprenant un iris, et à différents types de prothèses oculaires pouvant être obtenues au moyen de ce procédé de fabrication.
Une prothèse oculaire, aussi parfois appelée œil de verre, est un type de prothèse crâniofaciale qu’un porteur peut mettre en place au niveau d’un globe oculaire après avoir subi un retrait entier ou partiel d’un œil à la suite d'une maladie ou d'un traumatisme tel qu'une énucléation, une éviscération ou une exentération orbitale.
Une prothèse oculaire fournit donc un moyen de remplacement d’un œil naturel et est généralement prévu pour s'adapter sur ou dans un implant orbital, et sous les paupières de la personne. Une personne ayant une prothèse oculaire est totalement aveugle du côté affecté sauf si cette prothèse oculaire fournit un moyen quelconque de vision à son porteur.
Une prothèse oculaire comprend différents éléments dont un iris artificiel. Dans un œil normal, l’iris est situé en avant de l’œil, entre la cornée et le cristallin, dans la continuité de la choroïde. L’iris définit une zone colorée de l’œil qui est percée en son centre par la pupille, dans laquelle la lumière pénètre.
Bien qu’un iris artificiel dans une prothèse oculaire ne fournisse pas d’aide visuelle à son porteur, ses propriétés jouent un rôle important. En effet, il est souhaitable que la structure de cet iris artificiel, tout comme les empreintes digitales, soit unique pour son porteur afin de l’identifier. Il est aussi important que la couleur, en particulier la pigmentation, la forme et les dimensions de l’iris d’une prothèse oculaire respectent le même niveau de qualité que l’iris d’un œil naturel, celui-ci pouvant être utilisé pour des dispositifs biométriques. En effet, les motifs d'iris naturels sont considérés comme uniques pour chaque individu et pour chaque œil et ne dépendent pas du génome de l'individu. Sa facilité d'accès pour des mesures externes contribue à en faire un bon identifiant biométrique
Un problème général des prothèses oculaires et de disposer d’un procédé de fabrication correspondant qui soit fiable et précis.
Pour ce faire, il est connu différents procédés de fabrication de prothèses oculaires en forme de demi-sphères ou sensiblement hémisphériques, sur lesquelles peut être peint un iris. Chaque prothèse est fabriquée de sorte à présenter des caractéristiques uniques et propres à un individu porteur donné.
Les fabricants de prothèses oculaires, connus sous le nom d'ocularistes, connaissent des procédés de fabrication permettant d’atteindre un niveau de qualité et de réalisme très élevé. Les prothèses oculaires sont typiquement fabriquées au moyen de matériaux tels que du plastique acrylique, des résines synthétiques, du verre, par exemple du verre cryolite, ou encore de l’aigue-marine.
Les procédés de fabrication connus et les prothèses oculaires obtenues par ceux-ci ont cependant plusieurs désavantages.
Les résultats sont montrés dans la ligne « Polyanion » du tableau 4.
Les résultats sont montrés dans la ligne « Anion de faible poids moléculaire » du tableau 4.
Les résultats sont montrés dans la ligne « Rapport polycation/polyanion » du tableau 4.
Les résultats sont montrés dans la ligne « Rapport polycation/(polyanion + anion de faible poids moléculaire) » du tableau 4.
L'aspect de chacune des compositions selon les exemples 2-1 à 2-6 et les exemples comparatifs 2-1 à 2-2 a été observé visuellement. Les résultats de l'observation visuelle ont été catégorisés comme suit.
SA : quelques agglomérats (l'aspect était légèrement non uniforme en raison de la présence de quelques agglomérats)
Procédé d’écriture pour des mémoires résistives différentielles. Domaine de l’invention La présente invention concerne un procédé d’écriture pour des mémoires résistives différentielles, de structure 2T2R.
Etat de la technique Les mémoires résistives sont des mémoires non-volatiles présentant une vitesse de fonctionnement plus élevée que la NAND flash (mémoire SSD), une faible consommation d’énergie électrique et une grande durée de vie. Pour ces raisons, les mémoires résistives sont des candidates prometteuses pour remplacer à la fois les mémoires vives et les mémoires non-volatiles actuelles telles que les mémoires de type flash.
Une mémoire résistive est composée d’une multitude de cellules mémoires résistives agencées en lignes et colonnes de manière à former une matrice. Une cellule mémoire RRAM est dotée d’au moins un élément résistif dont on peut modifier la résistance électrique.
Une cellule mémoire résistive élémentaire telle qu’illustrée sur la (avec un exemple de dispositif de lecture associé), est constituée généralement d’un transistor (T) et d’un composant résistif (R) ou résistor (12), où un bit d’information est encodé par la valeur de la résistance électrique du résistor et accédé via le transistor au croisement d’une ligne de bit (BL) et d’une ligne de mot (WL). Pour ces cellules élémentaires, un ‘0’ logique peut par exemple être encodé en programmant le résistor dans un état de résistance haute HRS, et un ‘1’ logique peut alors être encodé en programmant le résistor dans un état de résistance basse LRS, et l’on parle alors d’encodage en mode 1T1R.
Pour programmer une cellule mémoire, une tension de programmation est appliquée entre les électrodes de la cellule mémoire. Il peut s’agir d’une tension d’écriture pour écrire la cellule mémoire, c’est-à-dire la placer dans l’état faiblement résistif LRS, ou d’une tension d’effacement pour effacer la cellule mémoire, c’est-à-dire la placer dans l’état fortement résistif HRS. Cependant, après une opération de programmation, il peut arriver que la cellule mémoire ne passe pas dans l’état de résistance souhaité. Pour cette raison, il est généralement effectué une vérification pour s’assurer que la cellule mémoire est correctement programmée en comparant sa valeur de résistance R à un seuil de résistance prédéfini R REF .
Cependant, l’écart entre la plus faible valeur correspondant à un niveau HRS et la plus haute valeur correspondant au niveau LRS, également appelé « fenêtre mémoire », est souvent faible. Dès lors, on utilise couramment un « encodage différentiel » pour coder une valeur binaire à mémoriser. Un bit d’information peut alors être encodé dans une cellule mémoire dite 2T2R, composée de deux cellules élémentaires 1T1R, comprenant 2 transistors (2T) et 2 résistors (2R), et l’on parle alors d’encodage en mode 2T2R. La illustre une variante d’implémentation d’une cellule 2T2R avec un dispositif de lecture d’une telle cellule mémoire.
Les opérations de test des pixels d'affichage décrites précédemment peuvent être réalisées après ou avant l'étape de découpe, de préférence avant l'étape de découpe.
Selon un mode de réalisation, le circuit de commande 30 comprend de bas en haut en : - un substrat semiconducteur 80, par exemple du silicium monocristallin, une couche isolante 82 délimitant la face inférieure 34 et des plots conducteurs 36 exposés sur la face inférieure 34, seuls deux plots conducteurs 36 étant représentés, les plots conducteurs 36 correspondant aux plots P_Gnd, P_Vcc, P_Col, P_Row, et P_Test décrits précédemment ; - des transistors MOS 84 ou d’autres types classiquement utilisés dans les circuits intégrés, par exemple des transistors bipolaires (BJT, sigle anglais pour Bipolar Junction Transistor), formés dans et sur le substrat 80. Ces transistors pourraient être aussi être des transistors en couches minces (TFT, sigle anglais pour Thin-Film Transistor) déposé sur un substrat d’une autre nature que le silicium, par exemple un substrat en polymère, ou même déposés directement sur la face arrière des diodes électroluminescentes LED ; - un empilement 85 de couches isolantes, par exemple en oxyde de silicium et/ou en nitrure de silicium, recouvrant le substrat 80 et des pistes conductrices 86 de plusieurs niveaux de métallisation formées entre les couches isolantes de l'empilement 85 dont notamment des plots 88 exposés sur la face supérieure 35 du circuit de commande 30, les pistes conductrices 86 du premier niveau de métallisation pouvant être en silicium polycristallin et former notamment les grilles des transistors MOS 84 et les pistes conductrices 86 des autres niveaux de métallisation pouvant être des pistes métalliques, par exemple en aluminium, en argent, en cuivre ou en zinc ; et - des vias 37 conducteurs et isolés latéralement, également appelés TSV (sigle anglais pour Through Silicon Vias) traversant le substrat 80 et reliant les plots 36 à des plots 90 du premier niveau de métallisation de l'empilement 85.
Selon un mode de réalisation, le circuit d'affichage 32 comprend de bas en haut en : - un support 91 formant la face inférieure 38 du circuit d'affichage 32 au contact de la face supérieure 39 du circuit de commande 30 et comprenant des plots conducteurs 92 exposés sur la face inférieure 38, au contact des plots 90, et une structure isolante multicouches 93, par exemple en oxyde de silicium et en nitrure de silicium, s'étendant entre les plots 92 et recouvrant les plots 92 et comprenant des ouvertures 94 exposant des portions des plots 92 ; - des microfils ou nanofils 95, appelés fils par la suite (six fils étant représentés), chaque fil 95 étant en contact avec l'un des plots 92 au travers de l'une des ouvertures 94 ; - une couche isolante 96 s'étendant sur les flancs latéraux d'une portion inférieure de chaque fil 95 et s'étendant sur la couche isolante 93 entre les fils 95 ; - une coque 98 comprenant un empilement de couches semiconductrices recouvrant une portion supérieure de chaque fil 95 et s'étendant sur la couche isolante 96 entre les fils 95, la coque 98 comprenant notamment une couche active qui est la couche depuis laquelle est émise la majorité du rayonnement fourni par la diode électroluminescente et comportant par exemple des moyens de confinement, tels que des puits quantiques multiples ; - une couche conductrice 100 et réfléchissante, s'étendant sur la coque 98 entre les fils 95 ; - une couche conductrice 102 transparente formant une électrode recouvrant, pour chaque fil 95, la coque 98 et s'étendant, en outre, sur la couche conductrice 100 entre les fils 95 ; - des blocs photoluminescents 104 recouvrant certains ensembles de diodes électroluminescentes LED ou des blocs transparents au rayonnement émis par les diodes électroluminescentes, chaque bloc photoluminescent comprenant des luminophores adaptés, lorsqu'ils sont excités par la lumière émis par les diodes électroluminescentes LED associées, à émettre de la lumière à une longueur d'onde différente de la longueur d'onde de la lumière émise par les diodes électroluminescentes LED associées ; - une couche isolante 106 recouvrant la face supérieure de chaque bloc 104, la couche isolante 106 pouvant ne pas être présente ; - une couche de protection 108 recouvrant les couches isolantes 106, les faces latérales des blocs 104 et la couche d'électrode 102 entre les blocs 104 ; - des murs 110 entre les blocs 104, chaque mur 110 pouvant comprendre un coeur 112 entouré d'un revêtement 114 réfléchissant à la longueur d'onde du rayonnement émis par les blocs photoluminescents 104 et/ou les diodes électroluminescentes LED ; - un filtre coloré 116 recouvrant au moins certains des blocs photoluminescents 104 ; et - une couche d'encapsulation 118 recouvrant l'ensemble de la structure.
Des modes de réalisation particuliers ont été décrits. Diverses variantes et modifications apparaîtront à l'homme de l'art. En outre, divers modes de réalisation avec diverses variantes ont été décrits ci-dessus. En particulier, en , les diodes électroluminescentes LED_B, LED_G, et LED_R sont représentées à cathodes communes. Il est clair que les diodes électroluminescentes LED_B, LED_G, et LED_R peuvent être agencées à anode commune. Dans ce cas, pour chaque diode électroluminescente LED_B, LED_G, et LED_R, l'anode de la diode électroluminescente LED_B, LED_G, et LED_R est connectée au plot P_Vcc, et la cathode de la diode électroluminescente LED_B, LED_G, LED_R est connectée au drain du transistor CS_B, CS_G, CS_R associé, dans une configuration analogue à celle représentée en . On note que divers éléments de ces divers modes de réalisation et variantes peuvent être combinés.
Lorsque la concentration de charge du polyanion était de 10,64 mmol/g, des agglomérats ont été formés (cf. Ex. comp. 2-2).
Exemples 3-1 et 3-2, et exemple comparatif 3-1 [Préparation]
Les compositions selon les exemples 3-1 et 3-2, et l’exemple comparatif 3-1 ont été préparés en mélangeant les ingrédients montrés dans le tableau 5. La quantité de chaque ingrédient utilisé dans les préparations ci-dessus est montrée dans le tableau 5. Les valeurs numériques des quantités d'ingrédients montrées dans le tableau 5 sont toutes basées sur le « % en poids » des matières premières.
Conc, De charge (mmol/g) Ex, comp, 3-1 Ex, 3-1 Ex. 3-2 Eau qsp 100 qsp 100 qsp 100 Phénoxyéthanol 0,5 0,5 0,5 ι-Carraghénane 4,31 0,1 0,1 0,1 Glycérine 3 3 3 Polyquaternium-67 0,71 0,34 - - Chitosane (solution aqueuse à 1 %, pH 3,5) 6,21 - 3,93 - Poly-ε-lysine (solution aqueuse à 2,5 % en poids) 7,81 - - 1,24 NaOH (solution aqueuse à 0,5 %) qs qs - Acide phytique (solution aqueuse à 2,5 % en poids) 9,09 1,76 1,76 1,76 Arginine qs qs qs pH 5 5 5 Polycation (mmol) 0,24 0,24 0,24 Polyanion (mmol) 0,43 0,43 0,43 Anion de faible poids moléculaire (mmol) 0,40 0,40 0,40 Rapport polycation/polyanion 0,56 0,57 0,56 Rapport polycation/(polyanion + anion de faible poids moléculaire) 0,29 0,29 0,29 Aspect A U U Transparence (NTU) NT 24,8 9,3 Taille de particule (nm) NT 69,8 20,5
U : Uniforme, A : Agglomérats, NT : Non testé
Veuillez vous référer à la colonne « Concentration de charge » du tableau 5. Les valeurs de la colonne « Concentration de charge » sont des valeurs absolues.
Les résultats sont montrés dans la ligne « Polycation » du tableau 5.
Lorsque le rapport polycation/polyanion était de 0,3 ou moins ou de 0,8 ou plus, et/ou lorsque le rapport polycation/(polyanion + anion de faible poids moléculaire) était de 0,2 ou moins ou de 0,5 ou plus, des agglomérats étaient formés, et des nanoparticules de complexe polyionique n'étaient pas obtenues (cf. . Ex. comp1-1 à Ex comp.1-13).
Exemples 2-1 à 2-6 et exemples comparatifs 2-1 à 2-2
Les compositions selon les exemples 2-1 à 2-6 et les exemples comparatifs 2-1 et 2-2 ont été préparées en mélangeant les ingrédients montrés dans le tableau 4. La quantité de chaque ingrédient utilisé dans les préparations ci-dessus est montrée dans le tableau 4. Les valeurs numériques des quantités d'ingrédients montrées dans le tableau 4 sont toutes basées sur le « % en poids » des matières premières.
Concentration de charge (mmol/g) Ex. comp. 2-1 Ex. 2-1 Ex. 2-2 Ex. 2-3 Ex. 2-4 Ex. 2-5 Ex. 2-6 Ex. comp. 2-2 Eau qsp 100 qsp 100 qsp 100 qsp 100 qsp 100 qsp 100 qsp 100 qsp 100 Phénoxyéthanol 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 Gomme de xanthane 2,04 0,1 - - - - - - - Hyaluronate de sodium 2,49 - 0,01 - Pectine (pureté 80 %) 3,41 - - 0,125 - - - - - Sulfate de chondroïtine de sodium 4,08 - - - 0,1 - - - - ι-Carraghénane 4,31 - - - - 0,1 - - - Λ-Carraghénane 5,00 - - - - - 0,1 - - Algine 5,03 - - - - - - 0,1 - Polyacrylate de sodium 10,64 - - - - - - - 0,1 Glycérine 3 3 3 3 3 3 3 3 Poly-ε-lysine (solution aqueuse à 2,5 % en poids) 7,81 0,59 0,071 0,98 1,17 1,24 1,43 1,44 3,07 NaOH (solution aqueuse à 0,5 %) - - - - qs qs qs Acide phytique (solution aqueuse à 2,5 % en poids) 9,09 0,83 0,101 1,39 1,67 1,76 2,04 2,05 4,3 Arginine qs qs qs qs qs qs qs qs pH 5 5 5 5 5 5 5 5 Polycation (mmol) 0,12 0,01 0,19 0,23 0,24 0,28 0,28 0,60 Polyanion (mmol) 0,20 0,02 0,34 0,41 0,43 0,50 0,50 1,06 Anion de faible poids moléculaire (mmol) 0,19 0,02 0,32 0,38 0,40 0,46 0,47 0,98 Rapport polycation/polyanion 0,56 0,56 0,56 0,56 0,56 0,56 0,56 0,56 Rapport polycation/(polyanion + anion de faible poids moléculaire) 0,29 0,29 0,29 0,29 0,29 0,29 0,29 0,29 Aspect U U U U U SA SA A Transparence (NTU) 106 2,9 24,8 9,3 5,8 38,7 32,7 NA Taille de particule (nm) 4900 50,2 69,8 20,5 30,6 41 155,6 NA
U : Uniforme, SA : Quelques agglomérats, A : Agglomérats, NA : Non disponible.
Veuillez vous référer à la colonne « Concentration de charge » du tableau 4. Les valeurs de la colonne « Concentration de charge » sont des valeurs absolues.
Les résultats sont montrés dans la ligne « Polycation » du tableau 4.
L'unité 1004 de traitement, qui peut être pilotée par un programme, est configurée pour mettre en œuvre le procédé de virtualisation selon l’un ou l’autre des exemples précédemment décrits.
À l'initialisation, les instructions d’un programme pilotant l’unité 1004 de traitement, sont par exemple chargées dans une mémoire vive (RAM, par exemple) non représentée que comprend le dispositif 1000 avant d'être exécutées par le processeur de l'unité 1004 de traitement.
En particulier, l’unité 1004 de traitement est configurée pour mettre en œuvre des étapes de détermination d’un modèle virtuel de prothèse oculaire selon les réalisations décrites précédemment et à partir d’une image d’un iris prédéterminé qui a été fourni préalablement au dispositif 1000, et par exemple enregistré dans l’espace 1002 de stockage du dispositif 1000. Le module de communication du dispositif 1000 est configuré pour mettre en œuvre une étape de transmission, vers une imprimante un ou plusieurs messages d’instruction d’impression d’un élément iridien respectif du modèle virtuel déterminé. Le module de communication du dispositif 1000 peut aussi être configuré pour fournir à une machine-outil ou tout autre dispositif adapté des instructions d’assemblage de l’élément iridien imprimé avec une chambre transparente, pour fabriquer une prothèse oculaire correspondante de manière automatisée.
Différents aspects et caractéristiques décrits ci-dessus peuvent être mis en œuvre ensemble, ou séparément, ou bien substitués les uns aux autres, et l’ensemble des différentes combinaisons et sous combinaisons des aspects et caractéristiques font partie de la portée de l’invention. En outre, il se peut que certains systèmes et équipements décrits ci-dessus n’incorporent pas la totalité des éléments et fonctions décrits pour les modes de réalisation préférés.
L’invention ne se limite pas aux exemples de systèmes, procédés, terminaux, serveurs, unités de traitement de données, supports d’enregistrement et programmes décrits ci-avant, seulement à titre d’exemple, mais elle englobe toutes les variantes que pourra envisager l’homme de l’art dans le cadre de la protection recherchée.
Orthèse fessière post natale DOMAINE DE L’INVENTION La présente invention se rapporte à une orthèse fessière post-natale.
Selon le principe général, une fracture osseuse est réduite et ensuite maintenue par une attelle externe. Une entorse ligamentaire est réduite en ramenant les tissus vers leur position initiale, puis en les y maintenant. On espère ainsi éviter les cicatrisations vicieuses. L’objectif est de réduire les déplacements et étirements produits et de les maintenir au cours des premières étapes de cicatrisation tissulaire.
Selon le principe de la Périnéologie Vectorielle ( http ://www.perineologie-vectorielle.com ), la représentation des éléments du petit bassin féminin avant la naissance, et le tracé des canaux vésico urétraux, génitaux et digestifs. La concavité du petit bassin renvoie vers le haut et vers l’avant le vecteur des pressions abdominales.
Les images IRM de l’accouchement (Ref 1 : N Sindwani & col. Am.J.Obstet.Gynecol.- 2017: 217: 194.e 1-8) représente l’étirement des organes pelviens et du massif fessier qui accompagnent le passage de la tête fœtale. Le rayon de la tête au passage entre pubis et Coccyx est plus ou moins égal à la distance de distension de l’ensemble périnéal, soit habituellement un étirement de 4,5 cm (pour un diamètre de tête fœtale de 9 cm).
Cette distension périnéale est illustrée par la , elle-même inspirée des publications scientifiques citées qui étudient l’IRM réalisée sur une volontaire, au moment de la naissance. Le dessin montre que l’urètre se déplace vers le bas.
Le périnée se distend à plus que trois fois sa longueur, et en arrière, l’élargissement et l’étirement de sphincter de l’anus. Les flèches rouges indiquent la direction des pressions vectorielles en fonction des déformations de la concavité pelvienne. Les flèches bleues montrent la direction des forces de poussée transmises lors de la descente de la tête fœtale ; et à l’inverse la direction des forces que doit supporter l’orthèse, sujet de l’invention, afin de respecter les tissus et les maintenir en position physiologique préalable.
ETAT DE LA TECHNIQUE Dans l’état actuel des connaissances, il n’est pas proposé de soutien immédiat des tissus du périnée, après les étirements ou des lésions d’arrachement provoquées par l ‘accouchement. Rien n’est proposé pour le replacement et le maintien des tissus en position de consolidation physiologique. Or près de 40% des accouchées présentent après la naissance des cicatrisations en mauvaise position.
La présente invention a pour but de développer un dispositif de soutien des massifs musculaires fessiers qui refoule vers le l’avant et vers le haut le périnée distendu.
A cet effet l’invention a pour objet une orthèse fessière post-natale comprenant
A : agglomérats (l'aspect était non uniforme en raison de la présence d'agglomérats).
Les compositions selon les exemples 2-1 à 2-4 et l'exemple comparatif 2-1 avaient un aspect uniforme, tandis que la composition selon l'exemple comparatif 2-2 avait un aspect non uniforme dû aux agglomérats présents dans la composition.
Les compositions selon les exemples 2-5 et 2-6 incluaient quelques agglomérats. Cependant, leur uniformité était acceptable.