INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
- la couche de transition possède un taux d’atomes d’oxygène croissant progressivement de la couche principale vers la couche additionnelle et/ou possède un taux d’atomes d’azote croissant progressivement de la couche principale vers la couche additionnelle ;
- le taux d’atomes d’oxygène de la couche de transition à son interface avec la couche additionnelle adjacente est sensiblement égal au taux d’atomes d’oxygène de la couche additionnelle adjacente et/ou le taux d’atomes d’azote de la couche de transition à son interface avec la couche additionnelle adjacente est sensiblement égal au taux d’atomes d’azote de la couche additionnelle adjacente ;
- l’épaisseur de la couche principale est comprise entre 3 µm et 30 µm ;
- au moins une couche additionnelle est située sur la couche principale ;
- au moins une couche additionnelle est située sous la couche principale.
L’invention concerne également un procédé de fabrication d’une gaine de combustible nucléaire, le procédé de fabrication comprenant la fourniture d’un substrat réalisé zirconium pur ou en alliage à base de zirconium, et le dépôt d’un revêtement de protection multicouche sur une surface du substrat, le dépôt du revêtement de protection comprenant le dépôt d’une couche principale réalisée en chrome pur par dépôt physique en phase vapeur et le dépôt d’une ou plusieurs couches additionnelles, chaque couche additionnelle étant réalisée en chrome pur ou en un matériau constitué de chrome et, en outre, d’oxygène et/ou d’azote, avec la présence éventuelle d’inévitables impuretés.
Selon des exemples de mise en œuvre, le procédé de fabrication comprend une ou plusieurs des caractéristiques optionnelles suivantes, prises individuellement ou selon toutes les combinaisons techniquement possibles :
Avantageusement, la membrane à une forme de parabole en état déployé et en ce qu’elle comprend plusieurs bras solidarisés à la surface interne de la parabole et s’étendant du centre de la parabole vers la périphérie de la parabole lorsque dans l’état déployé.
Avantageusement, la membrane à une forme de bandeau en état déployé et en ce qu’elle comprend au moins un bras solidarisé de manière parallèle au bandeau lorsque dans l’état déployé.
Bien que cela n'ait pas été détaillé en figures 1 à 3, la tranchée d'isolation périphérique 107 comporte par exemple une région électriquement conductrice dont les parois latérales sont revêtues d'une couche électriquement isolante. La couche électriquement isolante isole électriquement la région électriquement conductrice de la tranchée 107 par rapport au substrat 101. À titre d'exemple, la région électriquement conductrice de la tranchée 107 est en silicium polycristallin, en un métal, par exemple le cuivre, ou en un alliage métallique et la couche électriquement isolante de la tranchée 107 est en un matériau diélectrique, par exemple en oxyde de silicium. À titre d'exemple, la tranchée d'isolation périphérique 107 est une tranchée de type CDTI (de l'anglais "Capacitive Deep Trench Isolation"), ou tranchée profonde d'isolation capacitive.
Dans l'exemple représenté, les premières zones photosensibles 103 du pixel 100 sont séparées les unes des autres par une tranchée d'isolation 109, par exemple une tranchée d'isolation capacitive, par exemple de type CDTI. Dans cet exemple, le pixel 100 comporte plus précisément une tranchée d'isolation 109 présentant, en vue de dessus, une forme générale en croix sensiblement centrée par rapport au pixel 100. Comme illustré en figures 2 et 3, la tranchée d'isolation 109 s'étend verticalement dans l'épaisseur du substrat semiconducteur 101 depuis la face inférieure 101B du substrat 101 jusqu'à la zone photosensible 105, sans toutefois déboucher du côté de la face supérieure 101T du substrat 101, la tranchée d'isolation 109 présentant par exemple, comme illustré en figures 2 et 3, une hauteur sensiblement égale à l'épaisseur des premières zones photosensibles 103. Dans l'exemple représenté, chaque première zone photosensible 103 est ainsi bordée latéralement par la tranchée d'isolation périphérique 107 et par la tranchée d'isolation 109. À titre d'exemple, la tranchée 109 présente une structure analogue à celle de la tranchée 107. Plus précisément, la tranchée 109 peut par exemple présenter une région électriquement conductrice, par exemple une région métallique, ou une région chargée, par exemple en silicium polycristallin chargé, dont les flancs sont revêtus d'une couche électriquement isolante. À titre de variante, la tranchée 109 est une tranchée d'isolation chargée, par exemple de type DTI (de l'anglais "Deep Trench Isolation"), ou tranchée profonde d'isolation chargée. Dans ce cas, la tranchée 109 est par exemple dépourvue de région électriquement conductrice.
Dans l'exemple illustré en figures 1 à 3, le pixel 100 comporte en outre quatre grilles de transfert verticales TG comprenant chacune une tranchée d'isolation 111, par exemple une tranchée d'isolation capacitive. Dans cet exemple, chaque tranchée d'isolation 111 présente, en vue de dessus, une forme générale en L. Comme illustré en figures 2 et 3, chaque tranchée d'isolation 111 s'étend verticalement dans l'épaisseur du substrat semiconducteur 101 depuis la face supérieure 101T du substrat 101 jusqu'à l'une des premières zones photosensibles 103, et pénètre partiellement dans la zone photosensible 103 jusqu'à une profondeur inférieure à celle de la tranchée d'isolation périphérique 107. En d'autres termes, chaque tranchée d'isolation 111 s'interrompt dans l'épaisseur du substrat 101 et ne débouche pas du côté de la face inférieure 101B du substrat 101. À titre d'exemple, chaque tranchée d'isolation 111 présente une profondeur comprise entre 3 et 18 µm.
Dans cet exemple, les tranchées d'isolation 111 sont, en vue de dessus, situées aux quatre coins du carré formé par la tranchée d'isolation périphérique 107. Les tranchées d'isolation 111 sont plus précisément disposées de sorte à délimiter des régions du substrat 101 présentant, en vue de dessus, une forme sensiblement carrée. Dans l'exemple illustré en , des parties du substrat 101 sont intercalées entre les extrémités du L formé par chaque tranchée d'isolation 111 et les parois de la tranchée d'isolation périphérique 107 situées en vis-à-vis.
Chaque tranchée d'isolation 111 présente par exemple une structure analogue à celle de la tranchée d'isolation périphérique 107. Plus précisément, bien que cela n'ait pas été détaillé en figures 1 à 3, chaque tranchée d'isolation 111 comporte par exemple une région électriquement conductrice, par exemple en silicium polycristallin, en un métal, par exemple le cuivre, ou en un alliage métallique. La région électriquement conductrice de chaque tranchée d'isolation 111 est par exemple en le même matériau que la région électriquement conductrice de la tranchée d'isolation périphérique 107. En outre, chaque tranchée 111 comporte par exemple une couche électriquement isolante revêtant les parois latérales et la face inférieure de la région électriquement conductrice. La couche électriquement isolante isole électriquement la région électriquement conductrice de la tranchée 111 par rapport au substrat 101. À titre d'exemple, la couche électriquement isolante de chaque tranchée 111 est en un matériau diélectrique, par exemple en oxyde de silicium. La couche électriquement isolante de chaque tranchée d'isolation 111 est par exemple en le même matériau que la couche électriquement isolante de la tranchée d'isolation périphérique 107.
La région électriquement conductrice de chaque tranchée d'isolation 111 est par exemple électriquement isolée de la région électriquement conductrice de la tranchée d'isolation périphérique 107. Cela permet par exemple de polariser la région électriquement conductrice de chaque tranchée d'isolation 111 indépendamment de la région électriquement conductrice de la tranchée d'isolation périphérique 107.
Dans l'exemple représenté, le pixel 100 comporte en outre des zones 113 de collecte de charges disposées du côté du substrat opposé aux premières zones photosensibles 103, c'est-à-dire du côté de la face 101T du substrat. Dans l'orientation de la , les zones de collecte de charges 113 s'étendent verticalement dans l'épaisseur du substrat 101 depuis sa face supérieure 101T, jusqu'à une profondeur inférieure à celle des tranchées d'isolation 111. Dans cet exemple, chaque zone de collecte de charges 113 est entourée par l'une des tranchées d'isolation 111 et par la tranchée d'isolation périphérique 107. À titre d'exemple, chaque zone de collecte de charges 113 présente, vue de dessus, une forme sensiblement carrée. Chaque zone de collecte de charges 113 est par exemple plus fortement dopée du deuxième type de conductivité, dans cet exemple le type p (p+), que la zone photosensible 105. À titre d'exemple, le substrat 101 présente, à l'endroit où est formée chaque zone de collecte de charges 113, un taux de dopage compris entre 1 x 10 16 et 5 x 10 20 at./cm 3 .
Dans l'exemple représenté, chaque première zone photosensible 103 comporte une région 115 dopée du deuxième type de conductivité, le type p dans cet exemple. Les régions 115 sont par exemple fortement dopées de type p (p+). Dans cet exemple, les régions 115 s'étendent verticalement dans l'épaisseur du substrat 101 depuis une face des zones photosensibles 103 située du côté de la zone photosensible 105 jusqu'à une profondeur inférieure à l'épaisseur des zones photosensibles 103. À l'intérieur de chaque première zone photosensible 103, la région 115 forme, avec une partie du substrat 101 dopée du premier type de conductivité, le type n dans cet exemple, une photodiode. La région 115 permet en outre de bloquer des transferts de charges depuis les zones photosensibles 103 vers la zone photosensible 105 du pixel 101. À titre de variante, la région 115 peut être omise, par exemple dans un cas où la grille de transfert verticale TG est proche de la tranchée d'isolation 109.
Dans l'exemple représenté, la zone photosensible 105 comporte une région 117 dopée du premier type de conductivité, le type n dans cet exemple. Dans cet exemple, la région 117 s'étend verticalement dans l'épaisseur du substrat 101 depuis sa face supérieure 101T jusqu'à une profondeur inférieure à l'épaisseur de la deuxième zone photosensible 105. Dans l'exemple illustré en , la région 117 présente une forme sensiblement carrée et est sensiblement centrée par rapport à la tranchée d'isolation périphérique 107 du pixel 100. À l'intérieur de la deuxième zone photosensible 105, la région 117 forme, avec une partie du substrat 101 dopée du deuxième type de conductivité, le type p dans cet exemple, une photodiode.
Dans l'exemple représenté, le pixel 100 comporte en outre des zones 119 de collecte de charges disposées du côté du substrat opposé aux premières zones photosensibles 103, c'est-à-dire du côté de la face supérieure 101T du substrat. Dans l'orientation de la , les zones de collecte de charges 119 s'étendent verticalement dans l'épaisseur du substrat 101 depuis sa face supérieure 101T jusqu'à une profondeur inférieure à l'épaisseur de la région 117. Dans cet exemple, le pixel 100 comporte plus précisément trois zones de collecte de charges 119 situées chacune entre l'un des côtés de la région 117 et l'un des côtés de la tranchée d'isolation périphérique 107.
Dans l'exemple représenté, le pixel 100 comporte en outre des grilles de transfert 121, par exemple des grilles de transfert planaires, situées sur et en contact avec la face supérieure 101T du substrat 101. Chaque grille de transfert 121 est par exemple située à l'aplomb d'une partie du substrat 101 comprise entre la région 117 et l'une des zones de collecte de charges 119. À titre de variante, on pourrait prévoir des nombres de grilles de transfert 121 et de zones de collecte de charges 119 différents de ceux représentés, par exemple quatre zones de collecte de charges 119 associées respectivement à quatre grilles de transfert 121.
Dans cet exemple, les zones photosensibles 103 et 105 sont destinées à être illuminées depuis la face inférieure 101B du substrat 101. Comme illustré en figures 2 et 3, le pixel 100 peut en outre comporter des filtres couleur 123 situés sur et en contact avec la face inférieure 101B du substrat 101. Dans l'exemple représenté, chaque filtre couleur 123 est situé à l'aplomb de l'une des premières zones photosensibles 103. Chaque filtre couleur 123 est par exemple transparent à une partie uniquement du spectre visible, par exemple à de la lumière bleue, et à au moins une partie du spectre infrarouge, par exemple au rayonnement infrarouge proche. Bien que cela n'ait pas été représenté en figures 1 à 3, le pixel 100 peut en outre comporter une ou plusieurs couches de passivation, par exemple intercalées entre la face inférieure 101B du substrat 101 et les filtres couleur 123, et d'autres éléments optiques tels qu'une ou plusieurs microlentilles.
Bien que cela n'ait pas été illustré, au moins un plot conducteur peut être situé sur et en contact avec la région électriquement conductrice de la tranchée d'isolation périphérique 107. Ce plot conducteur permet de polariser la région électriquement conductrice de la tranchée 107. À titre d'exemple, la région électriquement conductrice de la tranchée d'isolation périphérique 107 est portée à un potentiel fixe, par exemple un potentiel négatif, par exemple égal à environ -2 V. Cela tend à provoquer une accumulation de trous le long des parois latérales de la tranchée d'isolation périphérique 107. Cette accumulation de trous permet notamment d'éviter que des trous photogénérés dans la zone photosensible 105 ne soient piégés à l'interface entre le substrat 101 et la tranchée d'isolation périphérique 107 et permet en outre de fournir un potentiel adapté au fonctionnement de la photodiode de chacun des pixels d'image 2D.
En outre, bien que cela n'ait pas été représenté en figures 1 à 3, on peut prévoir un autre plot conducteur situé sur et en contact avec la face supérieure 101T du substrat 101, par exemple à proximité de l'une des zones de collecte de charges 119, et une région fortement dopée du deuxième type de conductivité (région p+, dans cet exemple) s'étendant sous la face supérieure 101T du substrat 101 à l'aplomb du plot conducteur. La région fortement dopée du deuxième type de conductivité est par exemple soumise, par le plot conducteur, à un potentiel sensiblement nul. Cela permet de fournir les trous s'accumulant le long des parois latérales de la tranchée d'isolation périphérique 107.
Le pixel 100 peut en outre comporter au moins un autre plot conducteur situé sur et en contact avec la région électriquement conductrice de chaque tranchée d'isolation 111. Ces plots conducteurs sont par exemple destinés à polariser les régions électriquement conductrices des tranchées 111.
Lors d'une phase d'exposition du pixel 100, des paires électron-trou sont par exemple créées à l'intérieur de chaque zone photosensible 103. Durant cette phase, la région électriquement conductrice de chaque tranchée d'isolation 111 est par exemple portée à un potentiel fixe, par exemple un potentiel négatif, par exemple égal à environ -1,5 V, par un circuit de contrôle (non représenté). Pendant la phase d'exposition du capteur, l'application de ce potentiel sur la région électriquement conductrice de chaque tranchée 111 permet de former une barrière de potentiel dans une région de transfert située à l'intérieur de chaque grille de transfert verticale TG, entre la zone photosensible 103 et la zone de collecte 113. Dans l'exemple représenté, la région de transfert est bordée par les parois latérales internes de la tranchée d'isolation périphérique 107 et de la tranchée d'isolation 111, et s'étend verticalement, dans l'épaisseur du substrat 101, sous la zone de collecte 113.
Dans un mode de réalisation, les électrodes sont arrangées côte à côte, espacées les unes des autres, dans le sens d’une longueur de la station de mesure.
Dans un mode de réalisation, les électrodes sont sous forme de bandes parallèles entre elles.
Dans un mode de réalisation, les électrodes sont espacées les unes des autres, dans le sens d’une longueur de la station de mesure. Cela permet de limiter les effets du placement avant/arrière du pied. Dans un mode de réalisation, les électrodes extrémales le long de la longueur sont plus larges, afin de limiter les effets de placement de pieds dans le sens de la longueur.
Dans un mode de réalisation, les électrodes configurées pour être actives en configuration CC ont une dimension dans le sens d’une longueur de la station de mesure qui est égal ou supérieure à celle des électrodes configurées pour être passives en configuration CC.
Dans un mode de réalisation, pour un groupe droite ou gauche d’électrodes, les électrodes configurées pour être actives en configuration CC couvrent en surface (Sa) au moins 50% de la surface (Se) de l’enveloppe convexe définie par toutes les électrodes du groupe. Alternativement ou complémentairement, la distance (Dmax) entre les électrodes extrémales, électrodes incluses, le long d’une longueur de la station de mesure est d’au moins 20cm. Alternativement ou complémentairement, les électrodes s’étendent sur une largeur de la station sur au moins 10 cm, voire au moins 15 cm. Cela permet de limiter les effets du placement latéral du pied.
Dans un mode de réalisation, les électrodes du groupe gauche s’étendent le long d’une largeur de la station de mesure sur plus de 40% de la largeur de la station de mesure et les électrodes du groupe droit s’étendent le long d’une largeur de la station de mesure sur plus de 40% de la largeur de la station de mesure.
Dans un mode de réalisation, les électrodes comprennent un matériau en oxyde d'indium-étain, ITO.
Dans un mode de réalisation, la source de tension continue est configurée pour sélectivement appliquer à une paire d’électrodes, dites actives, des paliers successifs de tension constante, lesdites électrodes de la paire constituant une anode et une cathode. Les valeurs de tension des paliers successifs peuvent être décroissantes (c’est-à-dire que chaque palier présente une valeur de tension inférieure à celle du palier précédent) et/ou durent entre 500ms et 2s chacun.
Dans un mode de réalisation, la station de mesure selon l’une quelconque des revendications précédentes, comprenant en outre un capteur de poids.
Dans un mode de réalisation, la station de mesure comprend une base comprenant le groupe gauche d’électrode et le groupe droite d’électrode, et comprend une poignée avec au moins une électrode apte à être au contact de la main. En configuration CC, le commutateur est configuré pour connecter l’électrode de la poignée à une haute impédance. En particulier, le commutateur peut être configuré pour connecter toutes les électrodes de la base aux bornes de la source de tension continue.
Dans un mode de réalisation, les électrodes du groupe gauche et droite comprennent un matériau en oxyde d'indium-étain, ITO.
La description présente aussi une station de mesure comprenant :
au moins une paire d’électrodes comprenant un matériau en oxyde d'indium-étain, ITO,
une source de tension continue configurée pour sélectivement appliquer à la paire d’électrodes, dites actives, des paliers de tension continue, lesdites électrodes de la paire constituant une anode et une cathode. Cette station de mesure peut effectuer un ESC.
La description présente aussi dans un mode de réalisation, une station de mesure comprenant :
une base apte à recevoir au moins un pied d’un utilisateur,
Dans certains modes de réalisation de l'invention, l'unité de traitement 120 peut en outre être configurée pour déterminer un paramètre de mouvement de la barrière 200 à partir de l'une des représentations améliorées du passage à niveau 40 et d'une représentation améliorée correspondante déterminée précédemment, la représentation actuelle et la représentation précédente étant déterminées séquentiellement par l'unité de traitement 120 par rapport à deux moments successifs dans le temps. À titre d'exemple, le paramètre de mouvement de la barrière 200 peut être déterminé en comparant la position actuelle de la barrière 200 à une position précédente de la barrière 200 en fonction du temps.
Dans d'autres modes de réalisation de l'invention, l'unité de traitement 120 peut en outre être configurée pour déterminer un paramètre d'intégrité de la barrière 200 à partir d'au moins la représentation 3D améliorée du passage à niveau 40. Le paramètre d'intégrité de la barrière 200 peut être déterminé par l'unité de traitement 120 en comparant une longueur de la barrière 200 telle que mesurée à l'intérieur de l'enveloppe de mouvement 3D de la barrière 200 à une longueur de la barrière 200 telle que mesurée sans tenir compte de l'enveloppe de mouvement 3D de la barrière 200.
La est un organigramme illustrant un procédé de détermination d'un ou plusieurs paramètres d'une barrière 200 d'intérêt d'un passage à niveau 40, conformément à un mode de réalisation de l'invention.
À l'étape 300, une image 2D et un nuage de points 3D peuvent être reçus simultanément, l'image 2D et le nuage de points 3D étant acquis respectivement par des premier et second modules d'imagerie 112. Le premier module d'imagerie 111 peut acquérir l'image 2D selon une première pluralité de paramètres d'acquisition. De même, le second module d'imagerie 112 peut acquérir le nuage de points 3D selon une seconde pluralité de paramètres d'acquisition.
À l'étape 301, un ensemble de pixels représentant la barrière 200 d'intérêt du passage à niveau 40 peut être détecté dans l'image 2D. La détection d'un tel ensemble de pixels peut être réalisée en appliquant un algorithme d'apprentissage automatique aux pixels de l'image 2D. Les paramètres de l'algorithme d'apprentissage automatique peuvent être optimisés au préalable en utilisant des images 2D du monde réel et/ou synthétisées. Comme exemples d'algorithmes d'apprentissage automatique, on citera, sans s'y limiter, une régression linéaire, une régression logistique, un arbre de décision, des k-moyennes, etc.
À l'étape 302, la barrière 200 d'intérêt peut être détectée à partir du nuage de points 3D sur la base des données stockées dans la base de données 130.
À l'étape 303, une image 2D virtuelle peut être synthétisée à partir du nuage de points 3D. L'image 2D virtuelle peut être synthétisée selon la première pluralité de paramètres d'acquisition de l'image 2D correspondante acquise par le premier module d'imagerie 111. L'étape 303 peut également comprendre la synthèse d'un nuage de points 3D virtuel à partir de l'image 2D selon la seconde pluralité de paramètres d'acquisition du nuage de points 3D correspondant acquis par le second module d'imagerie 112.
À l'étape 304, l'image 2D, telle qu'acquise par le premier module d'imagerie 111, et l'image 2D virtuelle synthétisée correspondante, peuvent être fusionnées, pour ainsi obtenir une image 2D améliorée qui constitue une représentation 2D améliorée du passage à niveau 40. L'étape 304 peut en outre comprendre le fusionnement du nuage de points 3D tel qu'acquis par le second module d'imagerie 112 et du nuage de points 3D virtuel synthétisé correspondant, pour ainsi obtenir un nuage de points 3D amélioré qui constitue une représentation 3D améliorée du passage à niveau 40.
À l'étape 305, un ou plusieurs paramètres de la barrière 200 d'intérêt du passage à niveau 40 peuvent être déterminés à partir d'au moins l'une des représentations améliorées du passage à niveau 40. Le ou les paramètres comprennent, par exemple et sans s'y limiter, un paramètre de position de la barrière, un paramètre de mouvement de la barrière et un paramètre d'intégrité de la barrière.