Jonction tunnel (12) présentant un empilement formé par une barrière (18) et deux électrodes (14, 16), la barrière (18) comprenant une couche en un matériau ferroélectrique (20), dite couche ferroélectrique (20), la couche ferroélectrique (20) comportant au moins une structure topologiquement protégée (22) présentant des propriétés, la jonction tunnel (12) comportant, en outre, une unité de contrôle (24) des propriétés de l’au moins une structure topologiquement protégée (22). Jonction tunnel selon la revendication 1, dans laquelle la structure topologiquement protégée (22) est choisie dans la liste constituée de : un skyrmion, un antiskyrmion, un méron, un antiméron, un hopfion, un biskyrmion, un skyrmonium et un skyrmion antiferromagnétique. Jonction tunnel selon la revendication 1 ou 2, dans laquelle le nombre de structures topologiquement protégées (22) est inférieur ou égal à 10000 et chaque structure topologiquement protégée (22) présente une taille comprise entre 1 nanomètre et 100 nanomètres. Jonction tunnel selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans laquelle l’unité de contrôle (24) comporte au moins une sous-unité choisie parmi une sous-unité de génération de structures topologiquement protégées (22) et une sous-unité de destruction de structures topologiquement protégées (22). Jonction tunnel selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, dans laquelle l’unité de contrôle (24) comporte une sous-unité d’ajustement d’au moins une propriété de la structure topologiquement protégée (22), la sous-unité d’ajustement étant propre à contrôler la température ou à contrôler des contraintes par tension. Jonction tunnel selon la revendication 4 ou 5, dans laquelle chaque sous-unité comporte une source électrique ou une source optique. Jonction tunnel selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, dans laquelle la jonction tunnel (12) comporte, en outre, une sous-unité de lecture d’au moins une propriété des structures topologiquement protégées (22), la sous-unité de lecture étant propre à mesurer une résistance ou un indice optique. Jonction tunnel selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, dans laquelle la couche ferroélectrique (20) est réalisée en un matériau ferroélectrique choisi dans la liste constituée de Ba 1-x Sr x TiO 3 , PbTiO 3 , du Bi 1-x La x FeO 3 , du PbZr x Ti 1-x O 3 , du Hf 1-x Zr x O 2 ou du KNbO 3 , x étant une variable comprise entre 0 et 1. Jonction tunnel selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, dans laquelle la barrière (18) comporte au moins une couche diélectrique (26, 28) en contact avec la couche ferroélectrique (20), la couche diélectrique (26, 28) étant, par exemple, réalisée en un matériau choisi dans la liste constituée de SrTiO 3 , de KTaO 3 , de LaAlO 3 , de (Dy,Tb,Gd,Sm,Nd,La)ScO 3 , de NdGaO 3 , de HfO 2 , de ZrO 2 , de Y 2 O 3 et de Al 2 O 3 . Jonction tunnel selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, dans laquelle la barrière (18) est un empilement de plusieurs motifs identiques, chaque motif comportant au moins une couche ferroélectrique (20) et une couche diélectrique (26, 28), chaque couche ferroélectrique (20) étant réalisée en un matériau ferroélectrique choisi dans la liste constituée de Ba 1-x Sr x TiO 3 , PbTiO 3 , Bi 1-x La x FeO 3 , PbZr x Ti 1-x O 3 , Hf 1-x Zr x O 2 et du KNbO 3 , x étant une variable comprise entre 0 et 1, et chaque couche diélectrique (26, 28) étant réalisée en un matériau choisi dans la liste constituée de SrTiO 3 , de KTaO 3 , de LaAlO 3 , de (Dy,Tb,Gd,Sm,Nd,La)ScO 3 , de NdGaO 3 , de HfO 2 , de ZrO 2 , de Y 2 O 3 et de Al 2 O 3 . Jonction tunnel selon l’une quelconque des revendications 1 à 10, dans laquelle les électrodes (14, 16) sont choisies dans la liste constituée de La 1-x Sr x MnO 3 , de La 1-x Ca x MnO 3 , de Ca 1-x Ce x MnO 3 , de Ba x Sr 1-x RuO 3 , de BaPbO 3 , de LaNiO 3 , de La 1-x Sr x TiO 3 , de RuO 2 , d’oxyde d’indium et d’étain conducteur, de TiN, de Pt, de Au et de Pd, x étant une variable comprise entre 0 et 1. Mémoire (10) comportant une jonction tunnel (12) selon l’une quelconque des revendications 1 à 11.