INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
La représente un système général 400 permettant de mettre en œuvre les étapes d’un procédé d’écriture dans une mémoire résistive composée de cellules différentielles 2T2R selon un mode de réalisation de l’invention, qui comprend un sous-système électronique 410, aussi appelé sous-système électronique hôte ou processeur hôte, un contrôleur mémoire 420 comprenant un encodeur et décodeur pour un code correcteur d’erreur (ECC) et une mémoire résistive 2T2R 430. Le sous-système électronique hôte peut comprendre un ou plusieurs cœurs de processeur, un microcontrôleur ou un circuit logique programmable aussi appelé FPGA (acronyme de l’anglais « Field Programmable Gate Array »). En plus ou alternativement, le sous-système hôte peut correspondre à un circuit intégré ASIC (acronyme de l’anglais « Application-Specific Integrated Circuit »). Lors d’une opération d’écriture d’un mot dans une mémoire résistive telle que celle comprise dans le système de calcul 400, des bits de données de ce mot sont émis par le sous-système électronique 410 et envoyés au contrôleur mémoire 420. Les bits de données d’un mot émis par le sous-système électronique 410 sont d’abord utilisés par l’encodeur ECC, qui générera des bits de vérification qui sont ajoutés à la suite des bits de données afin de former un mot de code. Ces bits de vérification seront stockés à la même adresse dans la mémoire résistive composée de cellules différentielles 2T2R 430 que les bits de données du même mot. Ces bits de vérification pourront notamment être utilisés par un décodeur ECC pour corriger d’éventuelles erreurs de stockage d’un mot dans la mémoire résistive en mode 2T2R 430 lors de la phase de lecture. Les bits de données et les bits de vérification constituent alors un mot de code qui doit être programmé dans les cellules de la mémoire résistive 2T2R 430.
Dans l’exemple du procédé décrit en relation avec la , on réalise à l’étape 250 une lecture de vérification en mode différentiel 2T2R des cellules différentielles sélectionnées et l’on vérifie à minima que les données lues correspondent auxdites données initiales. Cela suppose que cette vérification est réalisée en interne du dispositif mémoire, par le contrôleur mémoire. Le contrôleur mémoire a alors directement accès aux données fournies par les dispositifs de lecture qui lisent les bits de données et les bits d’ECC, c’est-à-dire a accès aux bits qui sont envoyés au décodeur présent dans le dispositif mémoire pour corriger d’éventuelles erreurs avant de sortir uniquement les bits de données, éventuellement corrigés. Le contrôleur mémoire peut alors détecter des difficultés de programmation dans les bits de données ou les bits d’ECC et réaliser ainsi une identification plus précise des bits qui ont été mal programmés, pour pouvoir se focaliser ensuite sur ces uniques bits plus difficiles à programmer dans des phases d’itération de programmation.
Selon une variante de réalisation, il est possible que la dernière étape 250 soit réalisée différemment, en considérant uniquement les données sortant du décodeur ECC. Cette variante peut notamment être envisagée dans le cas où c’est le processeur hôte qui réalise la vérification finale et prend la décision finale d’accepter ou non l’écriture.
On peut également envisager une combinaison des deux variantes, à savoir une vérification du mot de code par le contrôleur mémoire avec lever d’un drapeau à destination du processeur en cas d’erreur détectée sur le mot de code, suivie d’une vérification des données lues par le processeur, qui pourra éventuellement décider de valider quand même l’écriture si les données lues sont exactes, quand bien même cela a nécessité d’utiliser le mécanisme de correction par le décodeur.
Un avantage d’utiliser une vérification du mot de code par le contrôleur mémoire est qu’il est possible de s’assurer que l’écriture a été suffisamment satisfaisante pour avoir un mot écrit qui ne nécessite pas de correction par ECC, par le décodeur. Cela permet de laisser plus de marge de correction par l’ECC pour faire face aux erreurs qui pourront s’immiscer dans la mémoire avec le temps. Néanmoins, si le programmeur de l’application exécutée par le processeur considère que les données ne seront pas conservées très longtemps, il est possible de se satisfaire d’une écriture moins « fiable », mais qui donne, lors d’une lecture ultérieure des données correctes grâce à la correction ECC. Là encore, il s’agit d’un compromis fiabilité / temps d’écriture qui peut être réglé en fonction de l’application qui est exécutée.
La présente description illustre une implémentation préférentielle de l’invention, mais qui n’est pas limitative. Des exemples sont choisis pour permettre une bonne compréhension des principes de l’invention et une application concrète, mais ne sont en rien exhaustifs et doivent permettre à l’homme du métier d’apporter des modifications et des variantes d’implémentation en conservant les mêmes principes. Ainsi par exemple, les différents procédés décrits peuvent être implémentés au sein d’un même dispositif.
Mémoire multi-états comportant des jonctions tunnels avec des structures topologiquement stabilisées La présente invention concerne une jonction tunnel et une mémoire comportant une telle jonction tunnel.
Ainsi, la présente invention s’inscrit dans le domaine des hétérostructures de couches minces pouvant être employées comme éléments mémoires non-volatiles à accès aléatoire.
Pour augmenter la densité de stockage de l’information (ce qui conduit également à une diminution du coût), il est souhaitable d’utiliser des composants permettant de mémoriser plus qu’une information binaire 0 ou 1 (un seul bit) mais plutôt plusieurs bits. Par exemple, si chaque élément peut stocker 3 bits soit 8 valeurs différentes (2 3 =8), 4 fois plus d’informations pourra être mémorisé pour la même surface utilisée.
Dans les systèmes microélectroniques actuels, le stockage non-volatil de l’information est principalement assuré par des disques durs magnétiques (peu coûteux mais lents et fragiles) et des mémoires non-volatiles à accès aléatoires (souvent désignée par l’abréviation NVRAM qui renvoie à la dénomination anglaise de « Non-Volatile Random Access Memory ») comme les mémoires flash.
Traditionnellement chaque élément mémoire n’encodait qu’un seul bit mais de récents développements ont vu l’apparition de mémoires Flash NAND encodant plusieurs bits. Par ailleurs se développent des mémoires en trois dimensions dans lesquelles plusieurs bits peuvent être mémorisés sur une même surface utile.
Toutefois, cela se traduit par une complexification de l’architecture. A ce défaut, vient s’ajouter le fait que les mémoires flash souffrent traditionnellement d’une endurance assez faible limitant leur spectre d’utilisation. L’endurance des mémoires Flash multibits est en outre inférieure d’un à deux ordres de grandeur à celle des mémoires binaires.
Comme décrit en référence à la , l’égaliseur 910 comprend le module de comparaison 780 des symboles précédemment détectés par le module de décision 216 à l’estimée z n , de manière à calculer le signal d’erreur e n . Comme décrit précédemment, les paramètres de configuration Θ, p H de l’égaliseur 910 sont mis à jour à chaque itération en fonction du signal d’erreur e(n), respectivement par les modules de configuration 900a et 960a selon le même procédé 800 tel que décrit en référence à la à la différence que seuls les paramètres Θ, p H.
Par exemple, lors de l’étape de mise à jour E86, le module de configuration 900a du filtre amont 400 est configuré pour calculer les coefficients p H dudit filtre selon la formule de récurrence [Math 9] ; le module de configuration 960a du module d’ajout 460 est configuré pour calculer la composante scalaire Θ selon la formule de récurrence [Math 11].
Dans les exemples décrits ci-avant, le récepteur 106 selon l’invention peut comprendre un système informatique 10, tel qu’illustré sous la forme d’un bloc-diagramme sur la , adapté pour la mise en œuvre d’un ou plusieurs modules décrits précédemment.
Ce système informatique 10 comporte une unité 10.1 de traitement de données (telle qu’un microprocesseur noté CPU, de l’anglais « Central Processing Unit »), une mémoire principale 10.2 (telle qu’une mémoire à accès aléatoire, notée RAM, de l’anglais « Random Access Memory ») accessible par l’unité de traitement 10.1, une mémoire morte 10.3 notée ROM, de l’anglais « Read Only Memory »), accessible par l’unité de traitement 10.1, un support de stockage optionnel, lisible par ordinateur, comme par exemple un support local (tel qu’un disque dur local 10.6, noté HD de l’anglais « Hard Drive ») ou bien encore un support amovible (tel qu’une clé USB, de l’anglais « Universal Serial Bus », ou bien un CD, de l’anglais « Compact Disc » ou bien un DVD, de l’anglais « Digital Versatile Disc ») lisible au moyen d’un lecteur approprié du système informatique 10 (tel qu’un port USB ou bien un lecteur de disque CD et/ou DVD) ; un module d’entrée/sortie 10.7 pour la réception / l'envoi de données depuis / vers des périphériques externes tels que disque dur, support de stockage amovible ou autres.
Un programme d'ordinateur P contenant des instructions sous la forme d’un code exécutable pour l’unité de traitement 10.1 est enregistré sur le support 10.6.
Ce programme d’ordinateur P est par exemple destiné à être chargé dans la mémoire principale, afin que l’unité de traitement 10.1 exécute ses instructions. Ces instructions mettent en œuvre un ou plusieurs des modules décrits précédemment, qui sont ainsi des modules logiciels.
Il apparaît clairement qu’un récepteur tel que celui décrit précédemment permet grâce à l’ajout d’une composante scalaire non nulle dans l’estimée z n avant détection du symbole d’améliorer les performances de détection des symboles.
Les modes de réalisation et variantes ci-avant ont été décrits pour améliorer les performances de détection d’un récepteur de données numériques en présence d’interférences entre symboles, ce qui est le cas d’usage le plus fréquent. De manière plus générale, l’invention pourra également s’appliquer à tout autre type de distorsions ou d’interférences provoquées par le canal de propagation, dans la mesure où celles-ci peuvent être modélisées sous la forme d’une matrice de Toeplitz compatible de sorte que le signal échantillonné y n puisse s’écrire sous la forme matricielle y n = H.s n + w n selon l’expression [Math 5].
Dans les exemples décrits ci-avant, des filtres à réponse impulsionnelle finie ont été décrit pour mettre en œuvre le combineur d’échantillons (i.e. filtre direct) et le combineur de symboles préalablement détectés (i.e. filtre de retour). D’autres types de filtres pourront également être utilisés.
Mécanismes de communication avec un service accessible via un réseau de télécommunication prenant en compte la mobilité des services, des utilisateurs et des équipements DOMAINE DE L’INVENTION La présente invention est relative à la sécurisation des communications sur les réseaux de communication entre des entités telles que des utilisateurs et des services. Elle s’applique particulièrement à la gestion des communications sur Internet entre des usagers et des services sensibles tels que les services commerciaux, bancaires, relatifs à la santé, administratifs, etc.
Les communications basées sur le réseau Internet obéissent très généralement toujours à un paradigme constitué il y a une quarantaine d’années autour de la pile protocolaire TCP/IP. Dans ce paradigme, les équipements se voient attribuer des adresses IP qui leur permettent de communiquer avec les autres équipements connectés au réseau Internet.
Même si des mécanismes ont été proposés afin de gérer la mobilité, la sécurité et la diffusion (ou « multicasting » en anglais), ceux-ci reposent toujours sur cette idée de communications d’équipement à équipement. Ces mécanismes visent la couche 2 du modèle OSI et permettent certaines mobilités entre réseaux WLAN (e.g., famille IEEE 802.11), cellulaires (e.g., 2G à 5G), véhiculaires (e.g., IEEE 1609 et 802.11p), mais ne permettent pas une bonne gestion de la mobilité au niveau des couches supérieures du modèle OSI, et notamment au niveau de la couche 3, comme le montre l’échec du déploiement du protocole MobileIP.
La température peut être alors ajustée à une température allant de -5°C à 50°C.
L’ensemble de ces étapes peut être réalisé dans un environnement contrôlé tel que dans une boîte à gants.
Avantageusement, l’agent oxydant utilisé peut être un sel de cobaltocénium. La couleur du solvant peut changer au cours de la réaction. Il s’agit alors d’un signal selon lequel la réaction est en cours.
A la fin de la réaction, le matériau obtenu peut être récupéré.
Avantageusement, le matériau peut être séparé de la solution par centrifugation ou filtration.
Le matériau peut alors être rincé avec du solvant à plusieurs reprises afin d’éliminer tout produit indésirable éventuel. Puis, le matériau peut être mis à sécher sous vide.
EXEMPLES Exemple 1 : procédé selon l’invention Le nitrure de métal(aux) de transition et de lithium de formule Li 7 MnN 4 est utilisé.
Un diffractogramme du matériau à l’état initial est réalisé, tel que cela est représenté à la (courbe A, matériau A). Les pics caractéristiques du Li 7 MnN 4 peuvent être identifiés sur ce diffractogramme.
Un cliché du matériau à l’état initial observé au microscope électronique à balayage est réalisé, tel que cela est représenté à la (matériau A).
La délithiation se fait dans une boite à gant à une température de 20°C. Le ratio molaire entre ledit agent oxydant et ledit nitrure de métal(aux) de transition et de lithium est 1,5.
Environ 320 mg (0,002 mol) de Li 7 MnN 4 est placé dans un erlenmeyer, puis environ 7,5 mL d’acétonitrile et un barreau aimanté sont introduits dans le même erlenmeyer. Environ 1 g d’hexafluorophosphate de cobaltocénium (0,003 mol) est dissous dans 7,5 ml d’acétonitrile pour préparer la solution d’oxydant. La solution d’oxydant a été introduite goutte à goutte grâce à une ampoule d’addition. Au total, 15 mL d’acétonitrile ont été utilisés et la solution d’oxydant avait une concentration de 0,5 mol/L. Un mélange vigoureux a été maintenu après l’addition pendant une nuit pour la réaction entre l’oxydant et le nitrure.
Le mélange est ensuite décanté et transféré dans un tube de centrifugation. La centrifugation a été réalisée à une vitesse de 5000 tours/min pendant 5 minutes grâce à une centrifugeuse. Après la centrifugation, la poudre et la solution ont été séparées.
Environ 5 mL d’acétonitrile ont été introduits une deuxième fois dans le tube de centrifugation pour le rinçage, puis une deuxième centrifugation a été effectuée.
Cette étape de rinçage-centrifugation a été répétée plusieurs fois (3 fois). A la fin, la poudre a été placée dans four (type buchi) pour sécher à 90 °C sous vide pendant une heure.
Le matériau délithié est obtenu après le séchage.
On entend par « collage direct » un collage sans apport de matière adhésive (de type colle ou polymère notamment) qui consiste en la mise en contact de surfaces relativement lisses (d’une rugosité typiquement inférieure à 5 Å, 10 -9 m), par exemple réalisé à température ambiante et sous atmosphère ambiante, afin de créer une adhérence entre elles.
Selon un exemple, le collage direct de deux substrats signifie que le collage est obtenu par les liens chimiques qui s’établissent entre les deux surfaces mises en contact.
Le collage direct peut être obtenu sans nécessiter l’application d’une pression importante sur la structure à assembler. Une légère pression pourra simplement être appliquée pour initier le collage. Un recuit thermique peut en outre être effectué pour consolider le collage.
On entend par un substrat, une couche, une zone ou une portion « à base » d’un matériau A, un substrat, une couche, une zone ou une portion comprenant ce matériau A, par exemple à hauteur d’au moins 50%, et éventuellement d’autres matériaux, par exemple des éléments dopants.
De manière parfaitement classique, une structure à base d’un oxyde métallique est une structure faite, ou comprenant un matériau comprenant au moins un métal ou un metalloïde et de l’oxygène. Une structure à base d’un nitrure métallique est une structure faite, ou comprenant un matériau comprenant au moins un métal ou un metalloïde et de l’azote.
Le mot « diélectrique » qualifie un matériau dont la conductivité électrique est suffisamment faible dans l’application donnée pour servir d’isolant. Dans la présente invention, un matériau diélectrique présente de préférence une constante diélectrique supérieure à 4.
Il est précisé que dans le cadre de la présente invention, le terme « sur », « surmonte », ou leurs équivalents ne signifient pas forcément « au contact de », sauf mention contraire de « juxtaposé ». Par des couches, ou portions, ou zones « juxtaposés » on entend ici que les couches, ou portions, ou zones sont en contact selon leur plan d’extension principale et disposées les unes au-dessus des autres selon la direction de l’empilement, cette direction étant perpendiculaire au plan d’extension principale. Par « en contact », on entend qu’une fine interface puisse exister, par exemple causée par la variabilité de fabrication.
Dans la description qui suit, les épaisseurs de couche, de zone ou de portion ainsi que les profondeurs sont généralement mesurées selon une direction verticale, parallèle à la direction d’empilement et perpendiculaire au plan principal d’extension du substrat, de la couche, de la sous-couche ou de la portion.
Par ailleurs, un plasma à base d’azote et/ou d’oxygène peut être basé sur une chimie comprenant uniquement de l’azote et/ou de l’oxygène ou comprenant de l’azote et/ou de l’oxygène et éventuellement une ou plusieurs autres espèces, par exemple des gaz neutres (tels que l’hélium ou l’argon par exemple).
Dans la présente demande de brevet lorsque l’on exprime un mélange gazeux avec des pourcentages, ces pourcentages correspondent à des fractions du débit total des gaz injectés dans le réacteur. Ainsi, si un mélange gazeux, par exemple destiné à former un plasma, comprend x % du gaz A, cela signifie que le débit d’injection du gaz A correspond à x % du débit total des gaz injectés dans le réacteur pour former le plasma.
On entend par un paramètre « sensiblement égal/supérieur/inférieur à » une valeur donnée, que ce paramètre est égal/supérieur/inférieur à la valeur donnée, à plus ou moins 10 % près, voire à plus ou moins 5 % près, de cette valeur. On entend par un paramètre « sensiblement compris entre » deux valeurs données que ce paramètre est au minimum égal à la plus petite valeur donnée, à plus ou moins 10 %, près de cette valeur, et au maximum égal à la plus grande valeur donnée, à plus ou moins 10 %, près de cette valeur.
Le procédé d’activation est maintenant décrit à titre non limitatif selon plusieurs exemples de réalisation.
L’enveloppe de l’article de conditionnement a de préférence un temps de rupture mesuré à 10°C compris entre 1 et 7 secondes, plus préférentiellement compris entre 2 et 6 secondes.
Le ou les composés choisis parmi polymères cellulosiques et les fibres végétales La première couche de l’article de conditionnement selon l’invention comprend un ou plusieurs composés choisis parmi les polymères cellulosiques, les fibres végétales et leurs mélanges, présents en une teneur supérieure ou égale à 60% en poids, par rapport au poids total de la première couche.
A titre de fibres végétales, on peut utiliser la pulpe de bois.
A titre de polymères cellulosiques, on peut citer les celluloses et dérivés de celluloses, qui peuvent être anioniques, cationiques, amphotères ou non ioniques.
Parmi ces dérivés de cellulose, on distingue les éthers de celluloses, les esters de celluloses et les esters éthers de celluloses.
Parmi les esters de celluloses, on peut citer les esters inorganiques de cellulose (nitrates, sulfates ou phosphates de cellulose), les esters organiques de cellulose (monoacétates, triacétates, amidopropionates, acétatebutyrates, acétatepropionates ou acétatetrimellitates de cellulose) et les esters mixtes organique/inorganique de cellulose tels que les acétatebutyratesulfates et les acétatepropionatesulfates de cellulose.
Parmi les esters éthers de celluloses, on peut citer les phtalates d’hydroxypropyl méthylcellulose et les sulfates d’éthylcellulose.
Parmi les éthers de cellulose non ioniques, on peut citer les alkylcelluloses telles que les méthylcelluloses et les éthylcelluloses (par exemple l'Ethocel standard 100 Premium de DOW CHEMICAL); les hydroxyalkylcelluloses telles que les hydroxyméthylcelluloses, les hydroxyéthylcelluloses (par exemple Natrosol 250 HHR proposé par AQUALON) et les hydroxypropylcelluloses (par exemple Klucel EF d’AQUALON); les celluloses mixtes hydroxyalkyl-alkylcelluloses telles que les hydroxypropyl-méthylcelluloses (par exemple Methocel E4M de DOW CHEMICAL), les hydroxyéthyl-méthylcelluloses, les hydroxyéthyl-éthylcelluloses (par exemple Bermocoll E 481 FQ d’AKZO NOBEL) et les hydroxybutyl-méthylcelluloses.
Parmi les éthers de cellulose anioniques, on peut citer les carboxyalkylcelluloses et leurs sels. Comme exemple, on peut citer les carboxyméthylcelluloses, les carboxyméthylméthylcelluloses (par exemple Blanose 7M de la société AQUALON) et les carboxyméthylhydroxyéthylcelluloses, ainsi que leurs sels de sodium.
Parmi les éthers de cellulose cationiques, on peut citer les hydroxyéthylcelluloses quaternisées réticulées ou non. L’agent quaternisant peut être notamment le chlorure de diallyldimethylammonium (par exemple Celquat L200 de NATIONAL STARCH). Comme autre éther de cellulose cationique, on peut citer l’hydroxyéthyl cellulose hydroxypropyltriméthylammonium (par exemple Ucare polymer JR 400 d’AMERCHOL).
On peut également citer les celluloses ou leurs dérivés, modifiés par des groupements comportant au moins une chaîne grasse tels que des groupes alkyls, arylalkyls, alkylaryls ou leurs mélanges où les groupes alkyls sont en C8-C22; les alkylhydroxyéthylcelluloses non-ioniques telles que les produits NATROSOL PLUS GRADE 330 CS et POLYSURF 67 (alkyle en C 16 ) vendus par la société AQUALON ; les alkylhydroxyéthylcelluloses quaternisées (cationiques) telles que les produits QUATRISOFT LM 200, QUATRISOFT LM-X 529-18-A, QUATRISOFT LM-X 529-18-B (alkyle en C12) et QUATRISOFT LM-X 529-8 (alkyle en C 18 ) vendus par la société AMERCHOL, les produits CRODACEL QM , CRODACEL QL (alkyle en C 12 ) et CRODACEL QS (alkyle en C 18 ) vendus par la société CRODA et le produit SOFTCAT SL 100 vendu par la société AMERCHOL; les nonoxynylhydroxyéthylcelluloses non-ioniques tels que le produit AMERCELL HM-1500 vendu par la société AMERCHOL ; les alkylcelluloses non-ioniques telles que le produit BERMOCOLL EHM 100 vendu par la société BEROL NOBEL.
De préférence, le ou les composés choisis parmi les polymères cellulosiques, les fibres végétales et leurs mélanges sont choisis parmi la pulpe de bois, les carboxyméthylcelluloses, ainsi que leurs sels de sodium, et leurs mélanges.
De préférence, le ou les composés choisis parmi les polymères cellulosiques, les fibres végétales et leurs mélanges sont présents dans la première couche en une teneur supérieure ou égale à 70% en poids, plus préférentiellement supérieure ou égale à 75% en poids, plus préférentiellement encore supérieure ou égale à 80% en poids, mieux supérieure ou égale à 90% en poids et encore mieux supérieure ou égale à 95% en poids, par rapport au poids total de la première couche.
Avantageusement, la première couche a une épaisseur comprise entre 50 et 125µm, de préférence entre 60 et 85µm, plus préférentiellement entre 65 et 80µm.
Avantageusement, la première couche a une prise en eau comprise entre 1,5 et 4,5%, de préférence entre 2 et 4%, et plus préférentiellement entre 2,5 et 3,5%, par rapport au poids initial de la couche.