INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
De même, la partie du deuxième empilement mémoire 30, mentionnée plus haut, qui s’étend contre l’autre partie de la surface latérale 122 de l’électrode supérieure de sélecteur 12, s’étend parallèlement (parallèlement à mieux que 5 ou 10 degrés, par exemple) en vis-à-vis de cette autre partie de surface latérale 122.
Dans l’ensemble 1a, 1b, 1c, 1d, les différentes couches (dont les électrodes) qui s’étendent parallèlement au plan P sont délimitées latéralement, chacune, par une (ou éventuellement des) surface latérale, verticale, ou tout au moins oblique par rapport au plan P. Les parties de cette surface latérale sont aussi appelées flanc ou « flancs » dans la suite. Dans la suite, pour certaines couches, il est indiqué que la couche considérée est délimitée latéralement par une surface latérale comprenant notamment deux parties (i.e. : par un premier et deuxième flanc, ici), en pratique situées à l’opposé l’une de l’autre. La surface latérale en question peut néanmoins être continue, et faire tout le tour de l’électrode sans discontinuité, par exemple lorsque le bord de cette couche est circulaire (cette surface latérale étant alors cylindrique) ; dans ce cas, les deux portions en question correspondent à deux portions de cette surface continue, situées à l’opposée l’une de l’autre. Ces deux parties de surface latérale peuvent aussi correspondre à deux faces distinctes du pourtour de la couche en question, opposée l’une à l’autre, lorsque ce pourtour est par exemple rectangulaire (rectangulaire vu du dessus de la couche).
Quatre modes de réalisation de l’ensemble de mémoires 1a, 1b, 1c, 1d selon l’invention sont décrits, respectivement en référence aux , , et . Quel que soit le mode de réalisation considéré, l’ensemble 1a, 1b, 1c, 1d comprend, un premier 50 et un deuxième 60 contact électrique, en plus de l’empilement sélecteur 10. La représente schématiquement, en coupe et vu de côté, un premier mode de réalisation de l’ensemble 1a.
Dans cet exemple, le plan P correspond à la surface d’une couche diélectrique 2 sur laquelle l’ensemble repose (on notera toutefois que, à la fin de la fabrication, la couche diélectrique 2 peut faire partie d’un enrobage diélectrique global, de protection, dans lequel l’ensemble est enrobé).
L’électrode supérieure de sélecteur 12 s'étend sur la couche sélectrice 11. La couche sélectrice 11 est délimitée par une surface supérieure 113 et une surface inférieure 114, opposée à la surface supérieure 113. L’électrode supérieure de sélecteur 12 s’étend par exemple sur la surface supérieure 113 de la couche sélectrice 11, contre celle-ci. La surface inférieure 114 de la couche sélectrice 11 repose par exemple, au moins en partie, sur la couche diélectrique 2, parallèlement au plan P.
L'électrode supérieure de sélecteur 12 est délimitée latéralement par la surface latérale 121, 122 mentionnée plus haut, comprenant une première partie 121 et une deuxième partie 122, appelées premier flanc 121 et deuxième flanc 122 dans la suite. Les premier et deuxième flancs 121, 122 sont sensiblement perpendiculaires au plan P. L’électrode supérieure de sélecteur peut, comme ici, avoir une forme d’ensemble rectangulaire. Elle est alors délimitée latéralement par quatre parties ou « flancs » (dont les premier et deuxième flancs 121, 122 en question), correspondant aux quatre côtés de ce rectangle.
La couche sélectrice 11 est délimitée latéralement, elle aussi, par une surface latérale 111, 112, comprenant elle aussi des première et deuxième parties 111, 112, appelées troisième flanc et quatrième flanc dans la suite. Les troisième et quatrième flancs 111, 112 sont opposés l’un à l’autre. Ils peuvent également être situés dans le prolongement des premier et deuxième flancs 121, 122 de l’électrode supérieure de sélecteur 12 ; dans ce cas, le premier flanc 121 (de l’électrode supérieure de sélecteur), et le troisième flanc 111 (de la couche sélectrice) forment un même flanc, global, de l’empilement sélecteur 11 dans son ensemble (résultant d’une gravure de l’ensemble de l’empilement sélecteur); de même, les deuxième et quatrième flancs 122, 112 forment alors un autre flanc, global, de l’empilement sélecteur dans son ensemble. Ici, la couche sélectrice 11 a elle aussi une forme d’ensemble rectangulaire.
Afin que l’empilement sélecteur 10 réalise une fonction de sélection, la couche sélectrice 11 est configurée pour modifier sa conductivité en fonction d’une tension appliquée entre ses surfaces supérieure et inférieure 113, 114, et/ou en fonction d’un courant électrique circulant entre ces surfaces 113, 114. On définit une tension seuil au-delà de laquelle la couche sélectrice 11 est dans un état dit « passant ». C’est à dire qu’une partie au moins de la couche sélectrice 11 est alors conductrice. Par conductrice, on entend que sa résistance est inférieure à . En deçà de la tension seuil, la couche sélectrice 11 est dans un état dit « bloqué ». C’est à dire que la résistance de la couche sélectrice 11 est supérieure ou égale à au moins. L’état passant est préférentiellement métastable. C’est à dire que la couche sélectrice 11 est initialement dans l’état bloqué et qu’elle ne présente un état passant que lorsqu’une tension appliquée entre ces surfaces supérieure et inférieure 113, 114 devient supérieure à la tension seuil. La couche sélectrice 11 peut conserver un état passant tant qu’un courant circulant dans ladite couche 11 ou une tension appliquée à ladite couche 11 est supérieure à un courant/tension de maintien donné (en fonction de la technologie du sélecteur).
La couche sélectrice 11 comprend par exemple un chalcogénure, par exemple un alliage à base de sélénium, germanium, antimoine et azote. Auquel cas, l’empilement sélecteur 10 est alors un sélecteur ovonique ou « Ovonic Threshold Switching » en anglais.
La couche sélectrice 11 peut également comprendre un matériau tel que l’empilement sélecteur 10 soit un sélecteur à pont conducteur instable ou TS pour « Threshold Switch » en anglais, ou un sélecteur à conduction électronique et ionique ou MIEC pour « Mixed ion-electronic conduction » en anglais ou encore un sélecteur à transition métal-isolant.
L’électrode supérieure de sélecteur 12 est conductrice. Elle comporte une ou plusieurs couches, parallèles au plan P. L’une de ces couches peut être métallique. Une autre de ces couches peut former une barrière à la diffusion d’espèces dans la couche sélectrice 11 par exemple lors d’étapes de procédés postérieures à la formation de ladite couche 11. En effet, certaines étapes pouvant provoquer une oxydation de ladite couche 11. À titre d’exemple, cette électrode peut comprendre une couche en carbone intercalée entre une couche en nitrure de titane et la couche sélectrice 11.
Dans ce premier mode de réalisation (ainsi que dans les deuxième et quatrième modes de réalisation), l’électrode supérieure de sélecteur 12 s’étend sur toute la surface supérieure 113 de la couche sélectrice 11, ou tout au moins sur la majeure partie de cette surface supérieure 113, en particulier au niveau d’une portion centrale 115 de la couche sélectrice 11 (portion centrale 115 située à l’aplomb d’un via inférieur 40).
Le premier empilement mémoire 20 permet de stocker une information de manière non volatile. L’information est par exemple encodée sous la forme d’une valeur de résistance d’une couche active dudit premier empilement mémoire 20. Le premier empilement mémoire 20 peut être de type de PCRAM, CBRAM, OxRAM ou MRAM telle que décrit dans lors de la présentation de l’art antérieur. Le premier empilement mémoire 20 comprend pour cela au moins une première couche active 21. La première couche active 21 peut présenter un état dit « bas », c’est à dire une résistance faible, par exemple inférieure à , ou un état dit « haut », c’est à dire une résistance élevée, par exemple supérieure à . La première couche active 21 passe de l’état haut à l’état bas lorsqu’une tension, appliquée à cette couche, dépasse une tension de programmation, dite également tension de « set » en anglais. La première couche active 21 passe de l’état bas à l’état haut lorsqu’une tension ou un courant appliqué à la couche dépasse une tension ou un courant d’effacement (selon la technologie mise en œuvre), dite également tension/courant de « reset » en anglais. La première couche active 21 comprend par exemple une couche d’oxyde d’hafnium (en contact avec une couche en titane faisant office de réservoir à lacunes en oxygène), auquel cas le premier empilement mémoire 20 réalise la fonction d’OxRAM.
i=i+1;
% PV power calculation i=1;
if Iradiance(i) <0
Iradiance(i)=0;
Ppv_former(i)= rend_pv_former*Apv_former*Iradiance(i); %PV former calcuation
Ppv_follower(i)= rend_pv_follower*Apv_follower*Iradiance_follower(i);% PV follower calcuation
Excess = 0; % Accumulation of unrecovered renewable energy
Edificit= 0; % Accumulation of missing energy
LPSP =0; % Loss of power supply probability
ER = 18 mm ; = = 12 mm Champ angulaire : 21° x 17 ° (format paysage) ; Distance de projection de l’image virtuelle : 4000. Grossissement du premier système optique : 1 Dimension de l’écran secondaire 21 et de l’écran 31 d’affichage des paramètres :12,1 mm x 9,7 mm.
Compte tenu de ces valeurs, les inventeurs considèrent que l’épaisseur e1 peut être comprise entre 4 mm et 55 mm, l’épaisseur e2 peut être comprise entre 4 et 70 mm, et l’épaisseur totale e peut être comprise entre 7 et 85 mm, ce qui est intégrable dans un dispositif de type appareil photographique.
Les figures 7A, 7B et 7C représentent respectivement des schémas de conception de troisième système optique, premier système optique et deuxième système optique. Selon ces schémas de conception, les épaisseurs e1, e2 et e sont respectivement égales à 34 mm, 28 mm, 34 mm
Les tableaux ci-dessous décrivent les principales caractéristiques des dioptres, selon la nomenclature décrite dans Herbert Gross, Handbook of optical systems, volume 4 « Survey of optical instruments », Chapitre 37.15 Eyepiece design Data. Pour chaque surface, le matériau et l’épaisseur correspondent à l’espace entre ladite surface et la surface de rang suivant.
Surface (rang) matériau Rayon (mm) Epaisseur (mm) Excentricité « conic » S1 air infini 18 S2 N-BK7 148.64 4 -57.26 S3 air -37.02 10 -1.13 S4 miroir infini 0 S5 S-BSM25 -34.86 -5 S6 air 362.5 -1 S7 SF2 -14.18 -5 S8 air -9.69 0
Dans le tableau 1, S1 correspond à la première pupille de sortie. Le miroir est incliné à 45°.
Surface (rang) matériau Rayon (mm) Epaisseur (mm) Excentricité « conic » S10 (doublet) N-BK7 13.02 -4 -3.17 S11 SF2 -19.47 -4 -5.85 S12 air -129.11 -12 176.15
Surface (rang) matériau Rayon (mm) Epaisseur (mm) Excentricité « conic » S13 S-LAH58 68.55 6.09 -5.03 S14 air -40.25 0.18 -4.56 S15 N-BAK1 15.31 6.17 1.07 S16 S-TIH53 -50.90 6.07 17.08 S17 air 19.92 9.57 6.57 S18 air infini 0.0 0.0
Dans le tableau 3, S18 correspond à l’écran formant la deuxième image.
Le dispositif d’observation 2 peut être différent d’un appareil photographique. Il peut par exemple s’agir d’une lunette, de type longue vue, comme représenté sur la . La lunette comporte un objectif d’observation 7, permettant d’observer une scène. L’objectif d’observation fait office de moyen de formation d’une première image I1. La lunette comporte un premier système optique, configuré pour projeter l’image de la scène, formant une première image, vers l’œil. Selon ce mode de réalisation, le dispositif comporte un dispositif annexe 2’, séparé du dispositif d’observation et pouvant être à distance de ce dernier. Le dispositif annexe comporte un capteur d’image déporté 27, relié à une unité de transmission 28. L’unité de transmission est configurée pour transmettre l’image acquise par le capteur d’image déporté 27 vers un écran 21. L’écran 21 affiche l’image acquise par le capteur d’image déporté 27, cette dernière étant propagée jusqu’à l’œil de l’utilisateur par un deuxième système optique 20, comme décrit en lien avec la .
Selon une possibilité, le dispositif annexe 2’ est mobile par rapport au dispositif d’observation 2. Il est par exemple embarqué sur un véhicule, par exemple un drone. Le dispositif d’observation permet un suivi, à distance du drone, tout en visualisant l’image acquise par le capteur d’image annexe embarqué sur le drone. Ainsi, la première image I1 correspond à une image montrant le drone, ce dernier constituant la scène observée par le dispositif d’observation 2. La deuxième image I2 correspond à l’image vue par le capteur d’image embarqué sur le drone. A l’aide du viseur 1, l’utilisateur peut, tout en restant collé au viseur, visualiser les deux images par une simple rotation de l’œil. Il peut ainsi effectuer une commande du drone, en fonction de la deuxième image, et en surveillant la position du drone sur la première image.
La première image ou la deuxième image peuvent comporter des informations concernant le viseur ou le dispositif, par exemple des paramètres de réglage.
Le viseur précédemment décrit permet d’observer simultanément deux images. Il peut s’agir de deux images représentatives d’une même scène observée, par exemple :
Une fois l'instruction décodée, le motif élémentaire correspondant est sélectionné en fonction du code d'identification (Pattern) transmis, par exemple au moyen d'un multiplexeur (MUX).
A titre de variante, les k*l bits du motif élémentaire sont transmis directement dans le champ Pattern des paramètres de l'instruction READ_TRANSFER ou WRITE_TRANSFER ou COPY.
Le motif élémentaire sélectionné est transmis à un module générateur de motif (Pattern Engine) ou module d'application de motif, par exemple une machine à états finis, qui reçoit également en entrée l'adresse de la cellule de référence (représentée par un point noir sur la ) du motif à transférer. Ce module, par exemple implémenté par le circuit de contrôle 305 et/ou le circuit de génération d'adresses 307 dans l'exemple d'implémentation de la , génère la séquence d'adresses source et la séquence d'adresses destination du motif à transférer ou plus exactement des itérations de motifs à transférer tels que défini dans les paramètres de l’opération de transfert initiée (REA, WRITE ou COPY). Les données sont ensuite transférées, selon cette séquence, par le circuit d'accès direct 203.
Dans cet exemple, le motif élémentaire est sélectionné dans une liste de plusieurs motifs élémentaires prédéfinis.
Lors de l'écriture dans la mémoire destination, les données peuvent être écrite réagencées selon un agencement prédéfini, par exemple selon une ou plusieurs lignes ou selon une ou plusieurs colonnes dans le cas où la mémoire destination est la mémoire CSRAM 201 et que les opérateurs de calculs sont respectivement reliés aux colonnes ou aux lignes de la mémoire CSRAM. Ceci permet par exemple de mettre en œuvre des calculs parallélisés, par exemple de type SIMD, à partir des données de la mémoire destination. A titre d'exemple, chaque itération du motif élémentaire dans la mémoire source correspond à un vecteur ligne ou un vecteur colonne dans la mémoire destination, de façon similaire à ce qui a été décrit en relation avec la ou en relation avec la .
On notera que les données transférées dans la mémoire de destination, dans le cas d’une opération WRITE, n’ont pas besoin d’être agencés selon une ou plusieurs lignes ou colonnes dans la mémoire externe de la manière décrite précédemment si on ne souhaite pas réaliser de calcul de type SIMD dans cette mémoire de destination. Les données dans la mémoire de destination sont néanmoins de préférence rangées selon une organisation « row major » pour faciliter les éventuelles opérations subséquentes d’accès à ces données.
Parmi les applications pouvant bénéficier des mécanismes de transfert et de réagencement de données décrits ci-dessus, on peut citer, à titre d'exemples non limitatifs, des manipulations de matrices, des manipulations de données selon des codes Stencil, des calculs de convolution, des réseaux de neuronaux convolutifs, etc. A chaque fois, une séquence de plusieurs itérations d'un motif élémentaire quelconque (croix, ligne, colonne, matrice, etc.) est transférée de la mémoire source vers la mémoire destination, en réagençant chaque itération du motif selon un vecteur ligne ou un vecteur colonne dans la mémoire destination en vue de réaliser des opérations de calcul parallélisées dans la mémoire destination.
On a décrit ci-dessus la mise en œuvre d'un jeu d'instructions spécifiques permettant de commander un circuit d'accès direct étroitement couplé à un circuit mémoire adapté à mettre en œuvre des opérations de calcul. Ceci constitue une amélioration du système décrit dans la demande de brevet français N° FR2014174 déposée par le demandeur le 28 décembre 2020 et intitulée "Module mémoire adapté à mettre en œuvre des fonctions de calcul", dans lequel des écritures multiples dans des registres de configuration sont requises pour configurer le circuit d'accès direct.
Plus généralement, les modes de réalisation décrits peuvent être appliqués dans tout type de circuit d'accès direct (DMA), non nécessairement étroitement couplé à une mémoire adaptée à mettre en œuvre des opérations de calcul, par exemple dans un système du type décrit ci-après en relation avec la .
La représente schématiquement un exemple d'un système de transfert de données selon un mode de réalisation.
Le système de la comprend deux circuits mémoire MEM1 et MEM2, un processeur CPU, un circuit d'accès direct dit "intelligent" SDMA, et un bus 401. Dans cet exemple, les circuits mémoires MEM1 et MEM2, le processeur CPU et le circuit d'accès direct SDMA sont tous reliés au bus 401. A titre d'exemple, au moins l'un des circuits mémoire MEM1 et MEM2 est adapté à mettre en œuvre des fonctions de calcul. Les modes de réalisation décrits ne se limitent toutefois pas à ce cas particulier.
A titre d'exemple, le bus 401 peut comprendre un bus système mémoire (MSB), similaire au bus 251 (MSB) de l'exemple de la , et un bus de données processeur (CDB), similaire au bus 239 (CDB). Les circuits mémoire MEM1 et MEM2 et le circuit d'accès direct SDMA sont reliés au bus système mémoire (MSB) de façon à permettre au circuit d'accès direct SDMA de commander des transferts directs de données entre les circuits MEM1 et MEM2, par l'intermédiaire du bus système mémoire (MSB).
A titre d'exemple, le circuit d'accès direct SDMA comprend un circuit interne de contrôle adapté à commander des transferts de données agencées selon des motifs complexes du type décrit ci-dessus, de la mémoire MEM1 vers la mémoire MEM2 ou inversement, avec un réagencement des données lors du transfert défini en fonction d’un motif élémentaire de transfert.
De façon similaire à ce qui a été décrit ci-dessus en relation avec la , un motif élémentaire est défini dans une matrice élémentaire de dimensions k*l, par exemple une matrice élémentaire de 8*8 cellules voisines. Plus particulièrement, le motif élémentaire est défini par une suite de k*l bits indiquant, pour chaque cellule de la matrice élémentaire, si le contenu de la cellule doit être transféré ou non. Ceci permet d'encoder aisément des motifs complexes adaptés à tous types d'application.
A titre d'exemple, le circuit d'accès direct SDMA comprend des registres de contrôle adaptés à recevoir les différents paramètres requis pour la mise en œuvre des transferts. Les paramètres peuvent être écrits par le processeur dans les registres de contrôle par l'intermédiaire du bus 401, de préférence par l'intermédiaire du bus de données processeur (CDB) du bus 401.
frequency(i)=0.065*SOC_former_100(i)+45.35;
% slave power calculation p1=5.9888e-5*frequency(i)-0.0029292;
p2=-0.0067848*frequency(i)+0.34341;
p3=-0.12873*frequency(i)+5.7748;
SOC_follower_100(i)=SOC_follower(i-1)*100;
Power_follower(i)=-1*(p1*SOC_follower_100(i-1)^2+p2*SOC_follower_100(i-1)+p3)* P_nominal_follower;
Pbat_follower(i)=Ppv_follower(i)-Power_follower(i);
SOC_follower(i)=SOC_follower(i-1)+Power_follower(i)/60*Num/Cbat_follower;% SOC follower calculation
Pbat_former(i)=Pbat_former(i)+Pbat_follower(i);
if (SOC_former(i)<=0)
SOC_former(i)=0;
if (SOC_former(i)>1)
illustre une vue de profil d’un premier exemple de réalisation d’un ensemble de détection conforme au premier aspect de l’invention ;
illustre une vue de profil d’un deuxième exemple de réalisation d’un ensemble de détection conforme au premier aspect de l’invention ;
illustre une vue de dessus d’un troisième exemple de réalisation d’un ensemble de détection conforme au premier aspect de l’invention ;
illustre une vue de dessus d’un quatrième exemple de réalisation d’un ensemble de détection conforme au premier aspect de l’invention ;
illustre une vue de dessus d’un cinquième exemple de réalisation d’un ensemble de détection conforme au premier aspect de l’invention ;
illustre une vue de dessus d’un sixième exemple de réalisation d’un ensemble de détection conforme au premier aspect de l’invention ;
illustre une vue de dessus d’un septième exemple de réalisation d’un ensemble de détection conforme au premier aspect de l’invention.
En référence aux FIGURES 1 à 6, l’invention concerne un ensemble de détection 500 comportant :
- un capteur 20 comportant une cellule émettrice 25 d’un faisceau lumineux et une cellule réceptrice 26 du faisceau lumineux réfléchis par un objet distant impacté par le faisceau lumineux, et une surface optique 10 présentant une première région d’intérêt optique 100A située en regard d’au moins une partie de la cellule émettrice 25 et une deuxième région d’intérêt optique 100B située en regard d’au moins une partie de la cellule réceptrice 26 ;
- au moins un transducteur d’onde 70, 70A, 70B couplé acoustiquement avec l’au moins une surface optique 10, l’au moins un transducteur d’onde 70, 70A, 70B étant configuré pour générer une onde se propageant à la fois vers et dans la première région d’intérêt optique 100A, et vers et dans la deuxième région d’intérêt optique 100B de sorte à nettoyer l’au moins une surface optique.
Sur les FIGURES 1A, 1B et 2, on a représenté schématiquement et de manière regroupée le faisceau lumineux émis par la cellule émettrice 25 du capteur 20 et le faisceau lumineux réceptionné par la cellule réceptrice 26 dudit capteur 20 sous la forme d’un rayonnement R.
Chaque au moins un transducteur d’onde 70, 70A, 70B est accouplé acoustiquement à l’au moins une surface optique 10 afin de générer une onde dans ou sur ladite surface optique 10 afin de pouvoir en ôter des corps 40 présents à sa surface, tels que par exemple des gouttes d’eau.
Dans les exemples de réalisation illustrés sur les FIGURES 1A et 1B, le capteur 20 de l’ensemble de détection 500 comporte avantageusement un boitier 52.
L’algorithme passe à l’étape E1401.
A l’étape E1403, si aucune de ces conditions n’est vérifiée, il lance la fonction de protection contre le courant inverse (étape E1405).
On s’intéresse maintenant à la gestion de puissance dans le mode de fonctionnement en multi-groupes.
Dans ce cas, en référence à la , les groupes de convertisseurs 25 sont connectés entre eux et la puissance peut être échangée entre les différents groupes de convertisseurs sur le réseau central 27. Les algorithmes suivants gèrent l'échange d'énergie entre les différents groupes de convertisseurs et contrôlent la synchronisation des différentes sources de puissance externes telles qu’un groupe électrogène 28, un réseau public 29 et un ou des onduleurs photovoltaïques 30.
On note qu’un groupe électrogène 31 peut aussi être connecté directement sur le réseau central 27. C’est alors le groupe de convertisseurs maître 25a et, plus précisément, le convertisseur maître global 1a, qui gère la connexion dudit groupe électrogène 31 au réseau central via un contacteur externe 35.
Dans le mode de fonctionnement en multi-groupes, le groupe de convertisseurs maître 25a et, plus précisément, le convertisseur maître global, met en œuvre le procédé de synchronisation maître comprenant les étapes nominales de :
- mesurer un état de charge global maître représentatif des états de charge des batteries connectées aux convertisseurs du groupe de convertisseurs maître ;