INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Selon un quatrième mode de réalisation, qui pourra être mis en œuvre alternativement ou cumulativement avec les précédents modes, les canaux obtenus sont aptes à diffuser le contenu en mode multicast. Bien que l’invention soit applicable à tous types de flux, unicast ou multicast, l’invention a un intérêt particulier pour les flux diffusés en mode multicast ; en effet, comme expliqué dans la partie consacrée à l’état de la technique, le mode de diffusion en multicast ne permet pas, lorsqu’un seul canal de diffusion multicast est utilisé, de réaliser des sauts temporels lors de la lecture d’un contenu sur ce même canal. Grâce à la multidiffusion du contenu et à l’espacement temporel entre instants de diffusion, l’invention offre une possibilité de navigation tout comme dans un contenu diffusé en unicast.
Selon un premier aspect matériel, l’invention se rapporte à une entité de gestion de sauts temporels lors de la lecture d’un contenu multimédia reçu par un dispositif de lecture via un réseau de communication, l’entité comprenant un module d’obtention d’une pluralité de canaux de diffusion pour un même contenu, les instants de diffusion respectifs étant espacés temporellement, caractérisé en ce que l’entité comprend un processeur configuré pour réaliser les étapes suivantes,
au cours d’une restitution du contenu via un canal, dit premier canal, une réception d’une commande de saut temporel dans le contenu entraîne
une étape de sélection d’un canal de diffusion, dit deuxième canal, distinct du premier canal de diffusion;
une étape de réception du contenu multimédia depuis le deuxième canal et de restitution du contenu reçu.
Enfin, selon un dixième aspect matériel, l’invention se rapporte à un support de données sur lequel a été mémorisée au moins une série d’instructions de code de programme pour l’exécution d’un procédé de gestion tel que défini en liaison avec le deuxième aspect fonctionnel.
Un tel support d'enregistrement peut être n'importe quelle entité ou dispositif capable de stocker le programme. Par exemple, le support peut comporter un moyen de stockage, tel qu'une ROM, par exemple un CD ROM ou une ROM de circuit microélectronique, ou encore un moyen d'enregistrement magnétique, par exemple une clé USB ou un disque dur. D'autre part, un tel support d'enregistrement peut être un support transmissible tel qu'un signal électrique ou optique, qui peut être acheminé via un câble électrique ou optique, par radio ou par d'autres moyens, de sorte que le programme d’ordinateur qu’il contient est exécutable à distance. Le programme selon l'invention peut être en particulier téléchargé sur un réseau par exemple le réseau Internet.
L’étape E6 estime que l’unité roue 14a émettrice est localisée du côté de la droite de référence AB où est agencée l’antenne C isolée si l’amplitude du signal Sa reçu par l’antenne C isolée est supérieur à l’amplitude du signal Sa reçu par chacune des deux antennes A, B de référence.
A l’inverse, l’unité roue 14a est estimée être localisée du côté de la droite de référence AB à l’opposé de l’antenne C isolée si l’amplitude du signal Sa reçu par l’antenne C isolée est inférieure à l’amplitude du signal Sa reçu par chacune des deux antennes A, B de référence.
Selon l’exemple de réalisation décrit dans la présente description, comme on peut le voir à la , l’unité roue 14a est estimée être localisée du côté de la droite de référence AB à l’opposé de l’antenne C isolée.
On comprendra que l’amplitude du signal Sa, qui est déterminée par la puissance du signal, décroît avec la distance parcourue par le signal, de sorte que plus l’antenne réceptrice est loin et plus l’amplitude mesurée du signal sera petite.
De préférence, afin de consolider l’étape E6 d’évaluation de la position de l’unité roue 14a émettrice, on estime que l’unité roue 14a émettrice est localisée du côté de la droite de référence AB où est agencée l’antenne C isolée si le carré de l’amplitude du signal Sa reçu par l’antenne C isolée est supérieur au produit de l’amplitude du signal Sa reçu par chacune des deux antennes A, B de référence, et inversement.
A ce stade, le procédé de localisation selon l’invention permet de déterminer dans quel secteur l’unité roue 14a émettrice est localisée.
En effet, comme on peut le voir à la , le prolongement des côtés du triangle formé par les trois antennes A, B, C permet de partager l’espace en six secteurs, qui sont dans l’ordre les secteurs AB-C, B-CA, BC-A, C-AB, CA-B et A-BC.
Selon l’exemple décrit ici, l’unité roue émettrice 14a est localisée dans le secteur AB-C, puisque la droite de référence est la droite AB et que l’unité roue 14a émettrice est agencée à l’opposé de l’antenne isolée C.
A la suite de l’étape E6 d’évaluation de la position de l’unité roue 14a émettrice, le procédé comporte une étape E7 de calcul de l’angle α formé entre l’unité roue 14a émettrice et l’unité centrale 12 comportant les trois antennes A, B, C.
L’angle α est tel que avec Δmin le déphasage spatial minimum déterminé précédemment, x la constante décrite précédemment et θ un angle de compensation.
Plus particulièrement, en référence à la , on considère un point O comme étant le centre d’un cercle imaginaire passant par les trois antennes A, B, C de l’unité centrale 12 et un point M comme étant le point d’origine d’un cadran d’orientation angulaire formé par ce même cercle imaginaire.
L’angle α est délimité entre une droite OM qui passe par les points O et M, et une droite d1 qui passe par le point O central et l’unité roue 14a émettrice du signal.
L’angle de compensation θ est déterminé selon le secteur dans lequel l’unité roue 14a émettrice est localisée, plus particulièrement selon le décalage angulaire de ce secteur par rapport au secteur de référence qui comprend le point M formant l’origine du cadran d’orientation angulaire, le secteur de référence étant le secteur AB-C dans l’exemple de réalisation décrit ici.
Ainsi, l’angle de compensation est égal à 0 degrés pour le secteur AB-C, 60 degrés pour le secteur B-CA, 120 degrés pour le secteur BC-A, 180 degrés pour le secteur C-AB, 240 degrés pour le secteur CA-B et 300 degrés pour le secteur A-BC.
Finalement, l’angle α d’émission du signal Sa émis par l’unité roue 14a émettrice permet de déterminer de façon précise la localisation de l’unité roue 14a émettrice.
De préférence, l’étape E3 de mesure de la phase d’arrivée, l’étape E4 de mesure de déphasage, l’étape E5 de détermination du déphasage spatial minimum, l’étape E6 d’évaluation de la position de l’unité roue émettrice et l’étape E7 de calcul de l’angle α sont mises en œuvre par l’unité centrale 12.
Comme évoqué plus haut, l’invention propose notamment un procédé de surveillance destiné à permettre la surveillance d’une valeur v BP représentative d’une tension de la batterie principale BP du véhicule S.
Ce procédé (de surveillance) peut être mis en œuvre au moins partiellement par le dispositif de surveillance DS (illustré sur les figures 1 et 2) qui comprend à cet effet au moins un processeur PR1, par exemple de signal numérique (ou DSP (« Digital Signal Processor »)), et au moins une mémoire MD. Ce dispositif de surveillance DS peut donc être réalisé sous la forme d’une combinaison de circuits ou composants électriques ou électroniques (ou « hardware ») et de modules logiciels (ou « software »). A titre d’exemple, il peut s’agir d’un microcontrôleur.
Comme illustré non limitativement sur la , le procédé (de surveillance), selon l’invention, comprend une étape 10-50 qui est mise en œuvre dans le système S dès que sa batterie principale BP est sollicitée pour fournir de l’énergie électrique qu’elle stocke ou pour recevoir de l’énergie, par exemple dans une phase de freinage récupératif lorsqu’il s’agit d’un véhicule, ou encore pour être rechargée.
Cette étape 10-50 comprend une sous-étape 30 dans laquelle on (le dispositif de surveillance DS) compare à au moins un seuil choisi sj, qui est fonction d’une température interne ti dans la batterie principale BP, une valeur v BP qui est représentative d’une tension de cette batterie principale BP.
Puis, dans une sous-étape 40 de l’étape 10-50, lorsque cette valeur v BP est inférieure au seuil choisi sj pendant une première durée d1 choisie (soit v BP < sj), on effectue (le dispositif de surveillance DS déclenche la réalisation) dans le véhicule S au (d’au) moins une action (car on considère que la batterie principale BP fait l’objet d’une sous-tension critique).
En d’autres termes, une fois que dans une sous-étape 10 de l’étape 10-50 on connaît la température interne ti, on choisit dans une sous-étape 20 de l’étape 10-50 au moins un seuil sj qui correspond à cette température interne ti, puis on détermine dans la sous-étape 30 si la valeur v BP est inférieure (ou supérieure) à ce seuil choisi sj. Dans l’affirmative (ou la négative), on effectue dans la sous-étape 40 au moins une action dans le véhicule S.
Grâce à ce choix d’un seuil sj qui dépend de la température interne ti en cours de la batterie principale BP on est certain de comparer la valeur v BP au seuil sj qui est adapté à la situation en cours, et donc il n’y a plus de risque d’une prise de décision inadaptée à cette situation. En effet, le dispositif de surveillance DS ne risque plus de ne pas déclencher au moins une action alors que la batterie principale BP fait l’objet d’une sous-tension critique, ou de déclencher inutilement au moins une action alors que la batterie principale BP ne fait pas l’objet d’une sous-tension critique. En d’autres termes chaque action est effectuée car la batterie principale BP fait l’objet d’une sous-tension critique. Cela renforce notablement la sécurité du système S et de ses usagers.
On comprendra que dans la sous-étape 40, lorsque la valeur v BP est supérieure au seuil choisi sj (adapté à la température interne ti en cours) pendant au moins la première durée d1 choisie (soit v BP > sj), le dispositif de surveillance DS considère que la batterie principale BP ne fait pas l’objet d’une sous-tension critique, et donc il ne déclenche pas la réalisation d’une action.
Par exemple, la température interne ti peut être une valeur mesurée par un capteur qui est logé dans un endroit choisi de la batterie principale BP, ou bien une valeur moyenne qui est déterminée à partir de N mesures de température cellulaire déterminées par N capteurs de température associés respectivement aux N cellules de la batterie principale BP. Dans la dernière alternative, la valeur moyenne peut, par exemple, être déterminée par le dispositif de surveillance DS ou par le calculateur de batterie CB (indépendamment du dispositif de surveillance DS).
Egalement par exemple, la première durée d1 choisie peut être comprise entre 1 s et 5 s. A titre d’exemple illustratif, la première durée d1 choisie peut être égale à 2 s. Mais d’autres premières durées d1 peuvent être utilisées.
Egalement par exemple, la valeur v BP peut être la tension U10 aux bornes de la batterie principale BP (différence entre les potentiels U1 et U00), ou bien la somme de N tensions cellulaires mesurées aux bornes respectivement des N cellules par N capteurs de tension. Dans la dernière alternative, la somme des N tensions cellulaires peut être déterminée par le dispositif de surveillance DS à partir des mesures fournies par les N capteurs de tension ou par le calculateur de batterie CB (indépendamment du dispositif de surveillance DS).
On notera que dans la sous-étape 30 de l’étape 10-50 on peut, par exemple, utiliser trois seuils choisis s1 à s3 (j = 1 à 3) associés respectivement à trois intervalles de températures internes différents.
Le premier intervalle de températures internes correspond à des températures inférieures à une première température T1, et est associé à un premier seuil choisi s1 (j = 1). Lorsque la température interne ti est inférieure à cette première température prédéfinie T1 (et donc appartient au premier intervalle de températures internes), on (le dispositif de surveillance DS) compare dans la sous-étape 30 la valeur v BP au premier seuil choisi s1. Puis, lorsque cette valeur v BP est inférieure à ce premier seuil choisi s1 pendant la première durée d1, on effectue (le dispositif de surveillance DS déclenche la réalisation) dans la sous-étape 40 au (d’au) moins une action dans le véhicule S.
Lorsque la valeur v BP est supérieure au premier seuil choisi s1 (adapté à la température interne ti en cours) pendant au moins la première durée d1 choisie (soit v BP > s1), le dispositif de surveillance DS considère que la batterie principale BP ne fait pas l’objet d’une sous-tension critique, et donc il ne déclenche pas la réalisation d’une action.
De préférence, le corps principal comprend une pluralité d’orifices d’aspiration du sang, un orifice d’extrémité et une pluralité d’orifices latéraux disposés sur la circonférence du corps principal.
Avantageusement, la canule d’admission selon l’invention comporte une tige - ou guide semi rigide - de perçage du septum, ladite tige étant introduite dans le canal latéral lorsque ce canal est dans sa position développée.
Avantageusement, le corps principal est en plastique ou en élastomère.
De préférence, le fluide remplissant la portion distale du corps principal ou le corps principal consiste en un liquide, de préférence consiste en de l’eau.
La présente invention se rapporte également à un dispositif d’assistance ou de suppléance circulatoire temporaire du cœur d’un patient, le dispositif comportant un circuit de dérivation du sang arrivant au cœur pour l’amener en sortie du cœur du patient, le circuit de dérivation utilisant des tubes reliant entre eux les éléments suivants dudit dispositif : - au niveau de la portion d’admission du circuit de dérivation, une canule d’admission destinée à être introduite dans une veine cave du patient pour prélever du sang à partir du système veineux, - au niveau de la portion d’éjection du circuit de dérivation, une canule d’éjection destinée à être introduite dans l’aorte ou l’artère pulmonaire du patient pour injecter le sang dans le système artériel du patient, - un système de pompage comportant un réservoir à volume interne variable, situé entre la portion d’admission et la portion d’éjection, pour l’admission du sang prélevé puis l’éjection de ce sang, ledit système de pompage étant commandé par des moyens de commande de sorte que le pompage du sang, depuis son admission jusqu’à son éjection, tient compte en temps réel des besoins physiologiques du patient et de l’état hémodynamique dudit patient, le système de pompage comportant au moins un premier capteur de pression, relié aux moyens de commande, disposé dans le circuit de dérivation du sang, caractérisé en ce que la canule d’admission est telle que décrite succinctement ci-dessus.
Avantageusement, le premier capteur de pression est disposé dans la portion d’admission et en ce que ce capteur de pression présente une constante de temps de mesure inférieure à 20 millisecondes de manière à ce que l’unité centrale module ou arrête le pompage du sang prélevé lorsque la pression détectée par le capteur atteint une valeur de pression de seuil et/ou que la pression augmente/diminue au-delà ou en dessous d’une pente d’accélération/décélération de pression de seuil.
De préférence, le capteur de pression présente une constante de temps de mesure inférieure à 10 millisecondes.
De préférence, le système de pompage comprend un deuxième capteur de pression situé dans le réservoir de sorte que, grâce aux relevés de pression du premier et du deuxième capteur, l’unité centrale détermine la viscosité du sang prélevé, cette valeur de viscosité étant intégré dans la susdite valeur de pression de seuil et/ou la susdite pente d’accélération de pression de seuil.
Selon une possibilité offerte par l’invention, le système de pompage comprend un troisième capteur de pression situé dans la portion d’éjection
Avantageusement, le système de pompage comporte également un système d’oxygénation du sang, de préférence ce système d’oxygénation du sang permettant l’oxygénation du sang au niveau de la portion d’éjection.
Ce système d’oxygénation est utilisé dès que le traitement du patient nécessite une oxygénation du sang prélevé. Autrement dit, ce système d’oxygénation est nécessairement utilisé dans le cas de la suppléance mais peut être optionnel dans le cas d’une assistance du cœur, notamment lorsque la part du sang prélevé est d’au moins 40%, le cœur étant apte à oxygéner la part restante du sang.
Selon une particularité de l’invention, l’extrémité distale de la canule d’admission est située à une distance d’au plus 5 centimètres de l’oreillette droite du cœur l’extrémité distale de la canule d’admission est située à une distance d’au plus 5 centimètres de l’oreillette droite du cœur.
Lors du traitement par le plasma d’activation 3 pulsé, le plasma pulsé peut être obtenu en faisant fonctionner par intermittence, de préférence périodiquement, la source du plasma et/ou la polarisation V bias -substrat appliquée à la structure. L’application du plasma sur la structure est ainsi fractionnée dans le temps.
Selon un exemple, la tension d’auto-polarisation V bias -substrat appliquée à la structure est pulsée, c’est-à-dire que l’application de la tension de polarisation comprend une succession alternativement d’application et de moindre application de la tension de polarisation à la structure. Selon un exemple, l’application de la tension de polarisation comprend une succession alternativement d’application et de non-application de la tension de polarisation à la structure. Selon un exemple, en alternance, une tension de polarisation V bias-substrat 1 et une tension de polarisation V bias-substrat 2 sont appliquées à la structure successivement, avec |V bias-substrat 2| bias-substrat 1|, et de préférence |V bias-substrat 1| ≥ 5* |V bias-substrat 2| et plus préférablement |V bias-substrat 1| ≥ 10*|V bias-substrat 2|. De préférence, successivement en alternance, une tension d’auto-polarisation V bias-substrat 1 est appliquée à la structure et aucune tension d’auto-polarisation n’est appliquée à la structure. Lorsqu’aucune tension d’auto- polarisation V bias-substrat 2 n’est volontairement appliquée à la structure 1, notons qu’une tension de polarisation résiduelle peut être appliquée à la structure, notamment en raison de phénomène de gaine dans le plasma. |V bias-substrat 2| peut alors être sensiblement égal à 20V, et plus particulièrement sensiblement égal à 15V. Le fait que le traitement plasma 3 est pulsé permet une plus grande fenêtre de paramètres pour minimiser la gravure de la couche exposée tout en permettant son activation.
Le traitement par plasma d’activation 3 peut comprendre au moins un et de préférence plusieurs cycles. Chaque cycle comprend au moins deux, et de préférence trois, étapes principales. Chaque cycle peut comprendre une étape habituellement qualifiée de purge. La purge a pour fonction d’évacuer les espèces gazeuses éventuellement présentes dans la chambre de réaction 20, par exemple d’évacuer les sous-produits réactionnels suite au traitement par plasma. Selon un exemple, dans le cycle, la purge est réalisée avant la formation du plasma. Ainsi, la composition du plasma formé est mieux contrôlée, pour s’assurer de la qualité du plasma obtenu. Cette purge consiste généralement à injecter dans la chambre de réaction 20 un gaz neutre tel que de l’argon ou de l’hélium.
Lors de la formation du plasma 3, une tension d’auto-polarisation, de préférence non-nulle, est appliquée. La tension d’auto-polarisation peut être appliquée à la chambre de réaction 20. Ainsi, l’énergie des ions du plasma d’activation peut être modulée pour améliorer l’efficacité du bombardement ionique sur la couche Si a Y b X c 11 et donc l’activation de la couche exposée, tout en limitant la gravure de la couche exposée 10. Pour cela, la tension d’auto-polarisation peut être strictement inférieure à 0. La valeur absolue de la tension d’auto-polarisation peut être sensiblement supérieure ou égale à 100 V, de préférence à 200 V. La valeur absolue de la tension d’auto-polarisation peut être sensiblement inférieure ou égale à 500 V, et de préférence sensiblement égale à 450 V pour une meilleure efficacité du bombardement ionique.
Le traitement par le plasma d’activation 3 peut être réalisé dans une chambre de réaction 20 d’un réacteur à gravure réactive (communément abrégé RIE, pour Reactive Ion Etching ), comprenant les réacteurs CCP et ICP détaillés ci-dessous. Selon un exemple, au moins le dépôt de la couche Si a Y b X c 11 est fait dans un réacteur RIE. De préférence, le dépôt de la couche Si a Y b X c 11 et le traitement par le plasma d’activation 3 est fait dans un réacteur RIE.
Le dépôt de la couche Si a Y b X c 11, et/ou le traitement par le plasma d’activation 3 peut/peuvent selon un premier exemple être réalisé(s) dans une chambre de réaction 20 d’un réacteur 2 plasma à couplage capacitif, habituellement qualifié par son acronyme CCP du terme anglais Capacitively Coupled Plasma . Dans un réacteur plasma à couplage capacitif, la tension d’auto-polarisation V bias -substrat n’est pas dissociable de la puissance RF P s-plasma fournie pour créer le plasma. Dans le cas d’un réacteur plasma de type CCP, la tension d’auto-polarisation est forcément non nulle. Les plasmas ainsi produits sont aptes à déposer une couche Si a Y b X c 11 lors de l’étape de dépôt, et effectuer le plasma d’activation 3.
Le dépôt de la couche Si a Y b X c 11, et/ou le traitement par le plasma d’activation 3 peut/peuvent selon un premier exemple être réalisé(s) dans une chambre de réaction 20 d’un réacteur 2 plasma à couplage inductif, habituellement qualifié par son acronyme ICP du terme anglais Inductively Coupled Plasma . Dans un réacteur plasma à couplage inductif, la tension d’auto-polarisation est générée par la puissance RF appliquée au niveau du porte–échantillon 21. Elle correspond donc à une tension de polarisation appliquée à la structure ou de façon équivalente au substrat V bias -substrat . La puissance RF appliquée au niveau de la source 25 du plasma réacteur détermine quant à elle la densité ionique du plasma. V bias -substrat . est ici différente et indépendante de V source la tension de la source du plasma. L’avantage d’un réacteur plasma de type ICP est donc de pouvoir dissocier le bombardement ionique sur le substrat de la densité du plasma. Un plasma à couplage inductif sera préféré, qui permet de contrôler indépendamment le V bias -substrat par rapport à la puissance RF P s-plasma de la source 25 du plasma pour un meilleur contrôle de la tension d’auto-polarisation, par dissociation de la tension appliquée au substrat et de la puissance RF du plasma P s- plasma.
Ainsi, le bombardement ionique sur la couche Si a Y b X c 11 et la gravure de la couche exposée 10 peuvent être encore mieux contrôlés et de préférence minimisés. Par conséquent, le collage subséquent sera amélioré. En outre, la qualité de l’interface entre la couche exposée 10 et la couche exposée 40 après assemblage de la structure 1 et du substrat 4 est améliorée.
En pratique, comme par exemple illustré par la , la chambre de réaction 20 comprend un plateau de réception 21 du substrat ou aussi porte-échantillon. Selon un exemple, la tension de polarisation V bias -substrat est appliquée au plateau 21. De préférence, la tension de polarisation V bias -substrat est appliquée uniquement au plateau 21. Selon cet exemple, le plateau 21 est conducteur électriquement et la tension de polarisation V bias -substrat est appliquée à ce plateau 21 par un dispositif de régulation de la tension 26 pour être transmise à la structure 1. Le dispositif de régulation de la tension 26 est par exemple configuré pour appliquer une puissance RF au niveau du porte échantillon.