Procédé d’activation d’une couche exposée (10) d’une structure (1) comprenant : une fourniture d’une structure (1) comprenant une couche exposée (10), un dépôt, sur la couche exposée (10), d’une couche (11) à base d’un matériau de formule Si a Y b X c , dite couche Si a Y b X c , avec X choisi parmi le fluor F et le chlore Cl, et Y choisi parmi l’oxygène O et l’azote N, a, b et c étant des entiers positifs non nuls, un traitement de la couche (11) Si a Y b X c par un plasma d’activation (3) à base de l’un au moins parmi de l’oxygène et de l’azote, et dans lequel : les paramètres du dépôt de la couche (11) Si a Y b X c sont choisis de façon à obtenir une densité de matière suffisamment faible pour que la couche (11) Si a Y b X c soit au moins en partie consommée par le plasma d’activation (3). Procédé selon la revendication précédente, dans lequel les paramètres choisis de façon à obtenir une densité de matière suffisamment faible pour que la couche (11) Si a Y b X c soit au moins en partie consommée par le plasma d’activation (3) sont pris parmi les paramètres suivants : la température de dépôt, la pression dans la chambre de réaction et, le dépôt étant assisté par plasma, la puissance d’une source du plasma. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le traitement par le plasma d’activation (3) est effectué de sorte à consommer au moins 90% de la couche Si a Y b X c (11) déposée et de préférence toute la couche Si a Y b X c (11) déposée. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le dépôt est configuré de sorte que la couche Si a Y b X c (11) présente une épaisseur inférieure ou égale à 10 nm, de préférence comprise en 2 et 4 nm. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le traitement par le plasma d’activation (3) comprend l’application dans la chambre de réaction (2) d’une tension, dite tension d’auto-polarisation, de préférence la valeur absolue de la tension d’auto-polarisation est supérieure ou égale à 100 V et plus préférentiellement comprise entre 100 V et 500 V. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le dépôt de la couche Si a Y b X c (11) comprend l’application dans la chambre de réaction (2) d’une tension, dite tension d’auto-polarisation, inférieure ou égale à 100 V, de préférence comprise entre 0 et 50 V, de préférence aucune tension d’auto-polarisation n’est appliquée durant ledit dépôt. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la structure est fournie dans un réacteur (2) comprenant une chambre de réaction (20) à l’intérieur de laquelle la structure (1) est disposée pour au moins le dépôt de la couche Si a Y b X c (11), la température dans la chambre étant inférieure ou égale à 100 °C au moins pendant le dépôt de la couche Si a Y b X c (11), et de préférence sensiblement comprise entre 20°C et 80°C. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la structure est fournie dans un réacteur (2) de gravure réactive, le réacteur (2) comprenant une chambre de réaction (20) à l’intérieur de laquelle la structure (1) est disposée pour au moins le dépôt de la couche Si a Y b X c (11). Procédé selon la revendication précédente, dans lequel le dépôt de la couche Si a Y b X c (11) et le traitement par le plasma d’activation (3) sont réalisés dans une chambre de réaction (20) d’un réacteur (2) plasma à couplage capacitif. Procédé selon la revendication 8, dans lequel le dépôt de la couche Si a Y b X c (11) et le traitement par le plasma d’activation (3) sont réalisés dans une chambre de réaction (20) d’un réacteur (2) plasma à couplage inductif. Procédé selon la revendication précédente, dans lequel lors du traitement par le plasma d’activation (3), une tension de polarisation Vbias-substrat est appliquée à la structure (1). Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le plasma d’activation (3) est pulsé. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le dépôt de la couche Si a Y b X c (11) est un dépôt chimique à partir d’au moins un précurseur gazeux, de préférence le dépôt est assisté par plasma, l’au moins un précurseur gazeux comprend au moins les éléments silicium, l’un parmi le fluor et le chlore, et l’un parmi l’oxygène et l’azote, de préférence l’au moins un précurseur gazeux étant choisi parmi le groupe constitué de SiF 4 et SiCl 4 en combinaison avec O 2 ou N 2 . Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le traitement par le plasma d’activation (3) comprend une injection d’au moins un gaz dans une chambre de réaction (20) d’un réacteur (2) plasma et une formation du plasma d’activation (3) à partir dudit gaz dans la chambre de réaction (20), l’au moins un gaz comprenant du dioxygène ou du diazote. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la couche exposée (10) est à base de silicium, par exemple la couche exposée (10) est à base ou faite d’un oxyde de silicium, d’un nitrure de silicium ou de silicium. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel au moins au moins l’un parmi le dépôt de la couche Si a Y b X c (11) et le traitement par le plasma d’activation (3) peuvent être répétés plusieurs fois. Procédé de collage d’une couche exposée (10) d’une structure (1) avec une couche exposée (40) d’un substrat (4) distinct, le procédé comprenant : l’activation de la couche exposée (10) de la structure (1) en mettant en œuvre le procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, la mise en contact de la couche exposée (10) de la structure avec la couche exposée du substrat (4) distinct.