INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
L‘invention concerne également un procédé de fabrication d’un ensemble comprenant au moins deux sélecteurs disposés électriquement en parallèle entre eux et étant chacun électriquement connecté en série à une couche mémoire formant au moins deux mémoires résistives non volatiles distinctes associées chacune, respectivement, à l’un des deux sélecteurs, le procédé comprenant les étapes suivantes : formation d’un premier empilement planaire comprenant : un dépôt d’une première couche active qui s'étend parallèlement à un plan horizontal donné, la première couche active étant ladite couche mémoire ; et un dépôt d’une première électrode supérieure et d’une deuxième électrode supérieure qui s'étendent toutes deux sur la première couche active et qui sont isolées électriquement l’une de l’autre, la première électrode supérieure étant délimitée latéralement par une surface latérale, la deuxième électrode supérieure étant délimitée latéralement par une autre surface latérale, une couche isolante s’étendant entre une partie de la surface latérale de la première électrode supérieure et une partie de la surface latérale de la deuxième électrode supérieure pour isoler électriquement la première électrode supérieure de la deuxième électrode supérieure ; formation d’un deuxième empilement, qui s’étend de manière oblique ou perpendiculaire par rapport audit plan, comprenant une deuxième couche active, une partie au moins de la deuxième couche active s’étendant en vis-à-vis d’une autre partie de la surface latérale de la première électrode supérieure, la deuxième couche active étant en contact électrique avec la première électrode supérieure, la deuxième couche active étant une couche sélectrice ; formation d’un troisième empilement, qui s’étend de manière oblique ou perpendiculaire par rapport audit plan, comprenant une troisième couche active, une partie au moins de la troisième couche active s'étendant en vis-à-vis d’une autre partie de la surface latérale de la deuxième électrode supérieure, la troisième couche active étant en contact électrique avec la deuxième électrode supérieure, la troisième couche active étant une autre couche sélectrice.
Avantageusement, les étapes de formation des deuxième et troisième empilements sont réalisées en exécutant les étapes suivantes : dépôt conforme d’une couche active globale, une première partie de la couche active globale s’étendant en vis-à-vis de la surface latérale de la première électrode supérieure, la première partie de la couche active globale étant en contact électrique avec la première électrode supérieure, une deuxième partie de la couche active globale s’étendant en vis-à-vis de la surface latérale de la deuxième électrode supérieure, la deuxième partie de la couche active globale étant en contact électrique avec la deuxième électrode supérieure ; séparer la couche active globale en au moins ladite deuxième couche active et ladite une troisième couche active, disjointes.
Les caractéristiques optionnelles, présentées plus haut en termes de dispositif (pour l’ensemble décrit ci-dessus), peuvent aussi s’appliquer au procédé qui vient d’être présenté.
BRÈVE DESCRIPTION DES FIGURES Les figures sont présentées à titre indicatif et nullement limitatif de l’invention. Sauf précision contraire, un même élément apparaissant sur des figures différentes est repéré par le même signe de référence.
et représentent schématiquement, selon une coupe et une vue de dessus, un premier mode de réalisation d’un ensemble comprenant deux mémoires résistives non volatiles et deux sélecteurs selon l’invention.
représente schématiquement un mode de réalisation d’une matrice d’ensembles selon l’invention.
représente schématiquement, selon une coupe, un développement du premier mode de réalisation de l’ensemble selon l’invention.
représente schématiquement, selon une coupe, un deuxième mode de réalisation de l’ensemble selon l’invention.
représente schématiquement, selon une coupe, un troisième mode de réalisation de l’ensemble selon l’invention.
représente schématiquement, selon une coupe, un quatrième mode de réalisation de l’ensemble selon l’invention.
à représentent schématiquement, selon une coupe et une vue de dessus, des étapes du procédé de fabrication d’un ensemble selon l’invention.
DESCRIPTION DÉTAILLÉE L’invention concerne notamment un ensemble 1 comprenant au moins deux mémoires résistives non volatiles et deux sélecteurs, chacun associé en série à l’une de ces mémoires. L’ensemble 1 selon l’invention permet d’ajuster les propriétés électriques de ces mémoires et de ces sélecteurs de manière indépendante, tout en présentant un encombrement réduit.
Pour cela, l’ensemble 1 mutualise un premier empilement planaire 10, parallèle à un plan horizontal donné, P, et au moins deux empilements 20, 30 distincts, dont une partie au moins s’étend de manière oblique par rapport au plan P en question, par exemple de manière verticale. Dans la suite, on indiquera par planaire, ou horizontale une orientation parallèle audit plan P (par exemple parallèle à mieux que 5 degrés prés). Le plan P est question est par exemple parallèle à un substrat sur lequel l’ensemble 1 est réalisé. On indiquera par oblique, une orientation présentant un angle de 90° ± 45° par rapport au plan P, autrement dit un angle compris entre 45° et 135° par rapport au plan P. Et l’on indiquera par verticale une orientation présentant un angle de 90° ± 30° par rapport au plan P et de préférence 90° ± 5°. En l’occurrence, dans les exemples décrits ici en référence aux figures, une partie au moins des deuxième et troisième empilements 20, 30 s’étend verticalement (perpendiculairement au plan P). En variante, chacun de ces deux empilements pourrait toutefois être orienté différemment, en s’étendant par exemple parallèlement à un plan faisant un angle de 60 degrés avec ledit plan P horizontal (ou, plus généralement, un angle compris entre 60 et 80 degrés, par exemple).
Dans les premier, deuxième, troisième et quatrième modes de réalisation décrits plus bas (et représentés, respectivement, sur les figures 1a, 4, 5 et 6), le premier empilement planaire 10 est un empilement mémoire, tandis que les deux empilements « verticaux » 20, 30 sont des empilements sélecteurs (par exemple de type « back-end », co-intégrable en série avec les mémoires dans le BEOL).
L’épaisseur de chacune des couches sacrificielles 31, 32 ainsi formées, le cas échéant après réticulation et/ou séchage, doit être au moins égale, de préférence supérieure (en considérant que chaque encre d'impression en séchant va réduire en volume, et donc en hauteur), à l’épaisseur des nervures 211, 221 souhaitées de chaque motif 21, 22 respectivement.
Le dépôt de chacune des couches non sacrificielles 33, 34 a pour but de remplir une partie au moins des espaces laissés vides lors du dépôt de la couche sacrificielle 31, 32 correspondante. Ces zones correspondent aux espaces laissés vides entre les nervures 211, 221 après le retrait des écrans maillés 11, 12, et plus précisément aux emplacements des émulsions lors du dépôt des couches sacrificielles 31, 32.
Plusieurs méthodes de dépôt sont envisageables. Par exemple, il est possible de réaliser les couches non sacrificielles 33, 34 par enduction, pulvérisation ou encore raclage. Ces méthodes présentent l’avantage de tolérer des encres d’impression dont le caractère thixotrope ne doit pas être nécessairement élevé et dont la viscosité est potentiellement beaucoup plus faible que celle des encres compatibles avec la sérigraphie.
Comme mentionné précédemment, la présente invention présente l’avantage de permettre d’éviter de devoir choisir l’encre d'impression en fonction des contraintes liées à la sérigraphie. Il n’est cependant pas exclu que la sérigraphie soit tout de même mise en œuvre pour réaliser l’une au moins des couches non sacrificielles 33 et 34.
Avantageusement, les ouvertures 111 et/ou 121 sont configurées pour former en outre un joint d’étanchéité non sacrificiel 40 autour du guide d’écoulement 1 ou 1’ dont il forme le négatif. Ce joint 40 est notamment représenté aux figures 6A à 6C. Il est destiné à permettre d’assurer l’étanchéité de la plaque bipolaire ou du réacteur électrochimique fabriqué par mise en œuvre du procédé selon le premier aspect de l’invention. Le fait de configurer les ouvertures 111 pour former le joint 40 et de ne pas fabriquer le joint 40 lors d’une étape distincte de l’étape de dépôt de la couche sacrificielle 31 permet de rationaliser le procédé de fabrication du guide d’écoulement 1. Il n’est cependant pas exclu de réaliser le joint d’étanchéité non sacrificiel 40 lors d’une étape distincte, à l’aide par exemple d’un autre écran maillé.
Il est à noter ici que les ouvertures 111, 121, de même que les nervures 211, 221, ne sont limitées, ni à une forme droite, ni à une répartition parallèle.
Plus particulièrement, on distingue principalement trois modes de circulation des réactifs ou d’un liquide de refroidissement dans les canaux d’écoulement 2 : les canaux en serpentin : un ou plusieurs canaux parcourent l’ensemble de la zone active en plusieurs allers-retours ; les canaux parallèles : un faisceau de canaux parallèles et traversants parcourt la zone active de part en part ; et les canaux interdigités : un faisceau de canaux parallèles et bouchés parcourt la zone active de part en part. Chaque canal est bouché soit du côté de l’entrée, soit du côté de la sortie de fluide. Le fluide entrant dans un canal est alors contraint à traverser localement la couche de diffusion gazeuse pour rejoindre un canal adjacent et ensuite atteindre la sortie de fluide de ce canal adjacent.
Le procédé de fabrication selon le premier aspect de l’invention est adapté à la fabrication de guides d’écoulement 1, 1’ au moins selon n’importe lequel des trois modes de circulation énoncés ci-dessus.
Une étape de stockage des guides d’écoulement, successive à l’étape de dépôt des couches non sacrificielles 33, 34, est envisageable. Les guides obtenus par une mise en œuvre partielle du procédé selon l’invention, et plus particulièrement avant le retrait de la ou de couches sacrificielles, sont en effet aptes à être stockés en prévision de leur utilisation dans la fabrication de réacteurs électrochimiques. La présence des couches sacrificielles 31, 32 durant cette étape de stockage permet d’assurer la protection des couches non sacrificielles 33, 34.
Préférentiellement, l’impression de chaque couche sacrificielle 31, 32 et le dépôt de chaque couche non sacrificielles 33, 34 sont configurés de telle sorte que l’épaisseur du joint d’étanchéité non sacrificiel 40 est supérieure (ou égale) à la hauteur des nervures 211, 221. Avantageusement, ces étapes sont configurées de telle sorte que l’épaisseur du joint d’étanchéité non sacrificiel 40 et la hauteur des nervures 211, 221 soient telles que, lors de l’assemblage du réacteur électrochimique, le joint 40 s’écrase contre une couche de diffusion gazeuse, une couche d’électrode ou une plaque électriquement conductrice du réacteur électrochimique située en vis-à-vis, jusqu’à ce que les nervures 211, 221 du ou des guides d’écoulement 1, 1’ contactent la couche de diffusion gazeuse, la couche d’électrode ou la plaque électriquement conductrice du réacteur électrochimique qui est située en vis-à-vis.
Préférentiellement, l’encre d’impression utilisée présente une viscosité sensiblement comprise entre 1 et 50 Pa.s pour une vitesse de cisaillement sensiblement égale à 0,1 s -1 et sensiblement comprise entre 0,5 à 10 Pa.s pour une vitesse de cisaillement sensiblement égale à 100 s -1 .
Avantageusement, l’encre d’impression utilisée pour la fabrication de chacune des couches non sacrificielles 33 et 34 comprend des particules en graphite, un liant et un solvant. De façon préférentielle, l’encre d’impression contient des particules de différents graphites. Par ailleurs, l’encre d’impression peut contenir des particules de tailles différentes entre elles.
Comme déjà mentionné plus haut, et en référence à la , le procédé selon le premier aspect de l’invention comprend également le retrait de la première couche sacrificielle 31, et le cas échéant le retrait de la deuxième couche sacrificielle 32. Chaque retrait est nécessaire à l’élaboration d’un réacteur électrochimique, car il permet de libérer les canaux d’écoulement des fluides. De préférence, chaque retrait se fait après calandrage(s). L’on comprend que chaque retrait sera facilité si l’encre conductrice est déposée de sorte à ne pas dépasser l’épaisseur de la couche sacrificielle 31, 32. Dans le cas contraire, le retrait de la couche sacrificielle 31, 32 entraînerait l’arrachement d’une partie au moins de la couche non sacrificielle 33, 34, de façon relativement non prévisible, ce qui ne serait pas avantageux. C’est notamment pourquoi, comme illustré sur la , la couche non sacrificielle 33 déposée présente une épaisseur, de préférence avant séchage, inférieure ou égale à l’épaisseur de la couche sacrificielle 31. Par exemple, à cette même fin de faciliter le retrait de chaque couche sacrificielle 31, 32, ce dernier peut être réalisé alors que l'encre de la couche non sacrificielle 33, 34 n'est pas encore tout à fait sèche, pour peu que l'encre soit tout de même suffisamment sèche pour que les nervures 211, 221 ne s'effondrent pas sur elles-mêmes.
De façon avantageuse, et en référence à la , le procédé selon le premier aspect de l’invention peut comprendre une étape de formation d’une languette sacrificielle 50 uniquement solidaire d’une partie au moins de la couche sacrificielle 31 formant le négatif du motif 21 de nervures 211. Avantageusement, la languette sacrificielle 50 est formée de sorte à ne pas être solidaire du potentiel joint d’étanchéité non sacrificiel 40. De préférence, cette étape est concomitante à l’étape de dépôt de la couche sacrificielle 31. Dans ce mode de réalisation, la languette sacrificielle 50 est formée à l’aide du même écran maillé 11 que celui à l’aide duquel la couche sacrificielle 31 est imprimée et la languette 50 est donc constituée du même élastomère que la couche sacrificielle 31. Il est cependant entendu que la languette sacrificielle 50 peut être réalisée lors d’une étape distincte et à l’aide d’un autre écran maillé. La languette sacrificielle 50 peut de plus être constituée d’un matériau différent de celui à base duquel est fabriquée la couche sacrificielle 31. Cette languette 50 permet de retirer facilement, et potentiellement de façon simultanée, toutes les parties de la première couche sacrificielle 31 formant le premier motif 21 de nervures 211.
Une languette sacrificielle similaire peut être prévue pour retirer la couche sacrificielle 32.
Dans l’exemple illustré par la , un premier guide d’écoulement 1 a été fabriqué sur une face supérieure 101 d’une plaque électriquement conductrice 130 et un seconde guide d’écoulement 1’ a été fabriqué sur une face inférieure 102 de la plaque 130. Des canaux d’écoulement sont ainsi ménagés de part et d’autre de la plaque 130 entre les nervures 211 et 221. Dans cet exemple, les nervures 211 et 221 des deux faces opposées s’étendent de façon parallèle, présentent les mêmes dimensions et sont situées en vis-à-vis : les nervures 211 et 221 des deux faces sont symétrique les unes des autres par rapport à la plaque 130.
La représente schématiquement une vue de dessus d’une demi-plaque bipolaire, ou d’un demi-substrat constituant en partie une plaque bipolaire, en différenciant sa zone active, sa zone d’homogénéisation et sa zone périphérique.
Les figures 6A et 6B représentent des vues en coupe schématiques illustrant une première technologie d’étanchéification d’un réacteur électrochimique selon l’art antérieur.
Les figures 7A et 7B représentent des vues en coupe schématiques illustrant une deuxième technologie d’étanchéification d’un réacteur électrochimique selon l’art antérieur.
La représente une vue partielle en coupe d’une partie de réacteur électrochimique avec une plaque fabriquée par emboutissage et illustre une solution d’étanchéification couramment utilisée dans ce cas.
La représente une vue partielle en coupe d’une partie de réacteur électrochimique avec une plaque non emboutie et illustre une solution d’étanchéification hypothétique pour ce cas.
Les figures 9A à 9D représentent des vues de dessus d’une partie au moins d’un substrat selon un mode de réalisation du premier aspect de l’invention et illustrent des étapes d’un procédé de fabrication d’un joint d’étanchéité pour réacteur électrochimique selon un mode de réalisation du troisième aspect de l’invention.
La représente une vue en coupe d’une partie d’un substrat selon un premier mode de réalisation du premier aspect de l’invention et d’une partie d’une couche de diffusion gazeuse.
La représente une vue en coupe d’une partie d’un substrat selon un deuxième mode de réalisation du premier aspect de l’invention.
La représente une vue en coupe d’une partie d’un substrat selon un troisième mode de réalisation du premier aspect de l’invention.
Les figures 11A et 11B représentent, en vue de dessus, d’agrandissements d’une partie d’un réacteur électrochimique comprenant un substrat selon une première variante du mode de réalisation du premier aspect de l’invention qui est illustré sur la , la couche de diffusion gazeuse illustrée sur la ne l’étant pas sur la .
La représente, en vue de dessus, d’un agrandissement d’une partie d’un réacteur électrochimique comprenant un substrat selon une deuxième variante relativement à celle illustrée sur la .
Le ou les tensioactifs anioniques sont de préférence choisis parmi les acides gras en C 6 -C 30 , les acyl(C 6 -C 30 )glycinates, les acyl(C 6 -C 30 )lactylates, les acyl(C 6 -C 30 )sarcosinates, les acyl(C 6 -C 30 )glutamates, les acides alkyléthercarboxyliques, les acides alkyl(aryl en C 6 -C 30 )éthercarboxyliques, les acides alkylamidoéthercarboxyliques ; les alkylsulfosuccinates en C 6 -C 24 , notamment en C 12 -C 20 , notamment les laurylsulfosuccinates ; les alkyléthersulfosuccinates en C 6 -C 24 , notamment en C 12 -C 20 ; les N-acyltaurates en C 6 -C 24 , notamment en C 12 -C 20, ; les (C 6 -C 24 )acyliséthionates, de préférence les (C 12 -C 18 )acyliséthionates ainsi que les sels de ces composés ; et leurs mélanges.
Selon un mode de réalisation préféré, la composition comprend un ou plusieurs tensioactifs anioniques carboxylates, et un ou plusieurs tensioactifs anioniques sulfonates.
Dans un mode de réalisation particulièrement préféré de l’invention, la composition comprend un ou plusieurs tensioactifs anioniques carboxylates choisis parmi les N-acylglutamates en C 6 -C 24 , notamment en C 12 -C 20, et un ou plusieurs tensioactifs anioniques sulfonates choisis parmi les (C 6 -C 24 )acyliséthionates, de préférence les (C 12 -C 18 )acyliséthionates.
Lorsqu’ils sont présents dans la composition solide contenue dans l’article de conditionnement selon l’invention, la teneur totale du ou des tensioactifs anioniques est de préférence supérieure ou égale à 15% en poids, plus préférentiellement va de 15 à 45% en poids, plus préférentiellement encore va de 20 à 40% en poids, mieux va de 25 à 35% en poids par rapport au poids total de la composition.
De préférence, la teneur totale du ou des tensioactifs anioniques choisis parmi les tensioactifs carboxylates, les tensioactifs sulfonates et leurs mélanges est supérieure ou égale à 15% en poids, de préférence va de 15 à 45% en poids, plus préférentiellement va de 20 à 40% en poids, mieux va de 25 à 35% en poids par rapport au poids total de la composition.
De préférence, la teneur totale du ou des tensioactifs anioniques choisis parmi les tensioactifs carboxylates va de 5 à 30% en poids, plus préférentiellement de 10 à 25% en poids, et mieux de 10 à 20% en poids, par rapport au poids total de la composition.
De préférence, la teneur totale du ou des tensioactifs anioniques choisis parmi les tensioactifs sulfonates va de 5 à 30% en poids, de préférence de 8 à 25% en poids, mieux de 10 à 20% en poids par rapport au poids total de la composition.
Les tensioactifs amphotères ou zwittérioniques La composition solide contenue dans l’article de conditionnement selon la présente invention peut comprendre en outre un ou plusieurs tensioactifs amphotères ou zwittérioniques.
En particulier, le ou les tensioactifs amphotères ou zwittérioniques, de préférence non siliconés, utilisés dans la composition solide selon la présente invention, peuvent être notamment des dérivés d'amines aliphatiques secondaire ou tertiaire, éventuellement quaternisées, dans lesquels le groupe aliphatique est une chaîne linéaire ou ramifiée comportant de 8 à 22 atomes de carbone, lesdits dérivés d’amines contenant au moins un groupe anionique tel que, par exemple, un groupe carboxylate, sulfonate, sulfate, phosphate ou phosphonate.
Toutefois, dans une telle architecture de commande virtualisée, il existe une certaine probabilité que la commande principale soit corrompue, de sorte qu’elle ne corresponde pas réellement à ce que souhaite réaliser l’opérateur. Une telle corruption peut avoir lieu lors de la génération de le commande principale, ou lors de sa transmission au module d’interfaçage et/ou au module de contrôle. La corruption de la commande peut alors aboutir à la non-exécution de la fonction souhaitée par l’opérateur ou, pire encore, à l’exécution d’une fonction non-souhaitée par l’opérateur. Une telle corruption de la commande présente donc un risque substantiel pour l’aéronef. Une telle architecture n’est donc pas adaptée pour piloter des fonctions critiques de l’aéronef.
Pour réduire ce risque, il est possible de recourir à une vérification, par l’opérateur, de la commande principale générée suite à son action sur l’interface homme-machine. Toutefois, une telle vérification peut représenter une charge de travail conséquente pour l’opérateur, notamment lors du déroulement de procédures de vol complexes.
Un but de l’invention est de pallier cet inconvénient en améliorant la fiabilité d’une telle architecture de commande afin qu’elle permette de piloter des fonctions critiques tout en limitant la charge de travail de l’opérateur.
A cet effet, l’invention a pour objet une architecture de commande du type précité, comprenant, en outre :
- au moins un module de confirmation de la commande principale, configuré pour générer une commande de sécurité associée à la commande principale ; et
- au moins un module de gestion des procédures configuré pour générer une commande suggérée en fonction d’une étape courante d’une procédure de vol en cours de l’aéronef et la transmettre à l’au moins un module de confirmation ;
l’au moins un module de confirmation générant la commande de sécurité lorsque la commande principale correspond à la commande suggérée,
l’au moins un module d’interfaçage étant configuré pour transmettre la commande de sécurité à l’au moins un module de contrôle,
N et M étant notamment des entiers supérieurs à 8, N et M étant par exemple égaux entre eux, notamment respectivement égaux à 16 ;
En référence à la , le panneau solaire 10 comporte une embase 12 et une pluralité de cellules photovoltaïques 14.
L’embase 12 est en contact avec le milieu ambiant du satellite qui est présenté alors par un environnement spatial dépourvu d’atmosphère.
L’embase 12 est par exemple de forme sensiblement rectangulaire et définit une face avant 16 orientée face au Soleil et une face arrière 18 opposée à la face avant 16.
Les cellules 14 sont disposées de manière homogène sur la face avant 16 de l’embase 12 par exemple en deux rangées, chaque rangée comportant quatre cellules 14.
Les cellules 14 sont connues en soi et permettent notamment de générer de l’énergie électrique lorsqu’elles sont éclairées par le Soleil.
La face arrière 18 est illustrée plus en détail sur la .
Ainsi, en référence à cette figure, la face arrière 18 comporte une pluralité de zones de composants. Ces composants permettent de récupérer l’énergie électrique générée par les cellules et d’acheminer cette énergie vers les dispositifs électriques du satellite. Par exemple, la face arrière 18 comporte une pluralité de zones de composants électroniques 20A à 20N et une pluralité de câbles électriques 22 raccordant électriquement ces zones de composants électroniques 20A à 20N.
Les composants électroniques sont connus en soi et assurent notamment le fonctionnement du panneau solaire 10.