INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Ce cycle est répété pour atteindre une épaisseur de revêtement de 1,5 nm. Après ces différents cycles, on a séché le produit sous vide à 120°C pendant 12 heures pour éliminer les résidus de réactifs en surface et ainsi obtenir une cathode mésoporeuse à base de LiMn 2 O 4 possédant sur la totalité de sa surface accessible un revêtement de 1,5 nm de ZnO.
Exemple 2 : Réalisation d’une anode mésoporeuse à base de Li 4 Ti 5 O 12
On a préparé une suspension de nanoparticules de Li 4 Ti 5 O 12 par synthèse glycothermale : 190 ml de 1,4-butanediol ont été versés dans un bécher, et 4,25 g d’acétate de lithium a été ajouté sous agitation. La solution a été maintenue sous agitation jusqu’à ce que l’acétate soit complément dissous. 16,9 g de butoxyde de titane ont été prélevés sous atmosphère inerte et introduit dans la solution d’acétate. La solution a ensuite été agitée pendant quelques minutes avant d’être transférée dans un autoclave préalablement remplie de 60 ml supplémentaires de butanediol. L’autoclave a ensuite été fermé et purgé à l’azote pendant au moins 10 minutes. L’autoclave a ensuite été chauffé jusqu’à 300 °C à une vitesse de 3 °C/min et maintenue à cette température pendant 2 heures, sous agitation. A la fin, on a laissé refroidir, toujours sous agitation.
On a obtenu un précipité blanc en suspension dans le solvant. Ce précipité a été soumis à une succession d’étapes de centrifugation - redispersion dans l’éthanol pour obtenir une suspension colloïdale pure, avec une faible conductivité ionique. Elle comportait des agrégats d’environ 150 nm constitués de particules primaires de 10 nm. Le potentiel zeta était de l’ordre de -45 mV. Le produit a été caractérisé par diffraction aux rayons X et microscopie électronique.
On a déposé ces agrégats par électrophorèse sur des feuillards en acier inoxydables d’une épaisseur de 5 µm, en milieu aqueux, en appliquant des courants pulsés de 0,6 A en pointe et 0,2 A en moyenne ; la tension appliquée était de l’ordre de 3 à 5 V pendant 500 s. On a ainsi obtenu un dépôt d’environ 4 µm d’épaisseur. Il a été consolidé par un recuit RTA à 40 % de puissance pendant 1 s sous azote afin de souder les nanoparticules entre elles, d’améliorer l’adhérence au substrat et de parfaire la recristallisation du Li 4 Ti 5 O 12 .
Une couche mince de SnO 2 a ensuite été réalisée sur et à l’intérieur des pores de l’anode mésoporeuse à base de Li 4 Ti 5 O 12 .
1g de polyvinyl pyrrolidone (abrégé PVP) de masse moléculaire en poids de 55 000 g/mol ont été ajoutés à 50 mL d’eau distillée à 40°C, puis 3 g d’oxalate d’étain SnC 2 O 4 ont été ajoutés à cette solution aqueuse de PVP. L’anode mésoporeuse à base de Li 4 Ti 5 O 12 a ensuite été immergée dans cette solution afin que l’oxalate d’étain puisse se déposer sur et à l’intérieur des pores de l’anode mésoporeuse à base de Li 4 Ti 5 O 12 . Ensuite l’électrode a été séchée puis soumise à un traitement thermique, de préférence sous azote, à 600°C pendant 5h de manière à former un revêtement homogène de SnO 2 de 2 nm d’épaisseur, sur toute la surface accessible de l’électrode, i.e. sur et à l’intérieur des pores de l’anode et ce, de manière parfaitement répartie.
Exemple 3 : Fabrication d’une batterie utilisant une cathode poreuse selon l’invention et une anode poreuse selon l’invention
a. Réalisation d’une suspension de nanoparticules de Li 3 PO 4
Deux solutions ont été préparées. 11,44 g de CH 3 COOLi, 2H 2 O ont été dissous dans 112 ml d’eau, puis 56 ml d’eau ont été ajoutés sous vive agitation au milieu afin d'obtenir une solution A. 4,0584g de H 3 PO 4 ont été dilués dans 105,6 ml d'eau, puis 45,6 ml d'éthanol ont été ajoutés à cette solution afin d'obtenir une seconde solution appelée ci-après solution B.
les figures 11A, 11B sont identiques et montrent la face arrière d’un second mode de réalisation d’une plaquette de module sans contact,
la montre la face arrière d’un autre module sans contact formé à partir de la plaquette de la ,
[Fig. 19A] [Fig. 19B] les figures 19A, 19B montrent une étape d’un procédé de fabrication d’une plaquette de module sans contact,
la montre une carte équipée d’un module sans contact,
la est une vue en coupe de la carte à puce de la .
DESCRIPTION DETAILLEE La montre la face arrière d’une plaquette B3 de module sans contact et la montre la face avant de la plaquette B3. La plaquette est en un matériau électriquement isolant, par exemple de l’époxy, comprenant une face avant et une face arrière. Chaque face est recouverte d’une couche conductrice, désignées ci-après « couche conductrice avant » et « couche conductrice arrière ». La couche conductrice arrière a été gravée pour former une bobine d'antenne A3 ( ) et la couche conductrice avant a été gravée pour former des plages de contact C1-C6 ( ). L’épaisseur de la plaquette B3 est par exemple de l’ordre de la centaine de micromètres et ses dimensions sont par exemple de l’ordre de 13 x 11,8 mm. Les deux couches conductrices sont par exemple en cuivre. Dans certains modes de réalisation, le cuivre peut être recouvert d’une couche de finition en nickel, or, ou palladium ou une superposition de ces matériaux. Le nickel est généralement utilisé pour éviter l’oxydation du cuivre. L’or est généralement utilisé pour améliorer la conductivité électrique des couches conductrices. Le palladium peut être utilisé pour améliorer l’aspect visuel de la couche conductrice en face avant (aspect argenté). La combinaison cuivre/nickel/or est celle la plus généralement utilisée dans l’industrie et plus rarement la combinaison cuivre/nickel/or/palladium. De façon générale, la plaquette B3, ainsi que toutes les plaquettes décrites dans ce qui suit, peuvent être réalisées au moyen de toute technologie actuelle ou future de dépôt de couche conductrice sur un support rigide ou flexible, et de gravure de la couche conductrice. Un procédé de fabrication collective d’une pluralité de plaquettes sera notamment décrit plus loin.
Les plages de contact C1 à C6 ( ) en face avant sont par exemple des plages de contact conformes à la norme ISO 7816, et comprennent cinq plages de contact actives (Vcc, Clock, GND, RST, I/O) et une plage de contact réservée à usage futur (RFU) ou spécifique à certaines applications. La plaquette M comporte également des trous h1 à h6 réalisés depuis la face arrière et débouchant sur la face arrière des plages de contact C1 à C6 en face avant, sans les traverser. Ces trous peuvent être formés avant ou après dépôt des couches conductrices. Ils forment deux rangées h1, h2, h3, respectivement h4, h5, h6 de trois trous chacune. Selon le procédé de fabrication utilisé, la face arrière de la plaquette B3 peut comporter des collerettes conductrices, ou anneaux conducteurs r1 à r6, qui s’étendent autour des trous h1 à h6 et sont formées au cours de l’étape de gravure de la couche conductrice arrière pour former la bobine d'antenne A3.
Selon un mode de réalisation, le circuit de commande est configuré pour retarder un début de la deuxième phase de lecture jusqu'à ce que tous les circuits de pixel ayant des événements aient été lus pendant la première phase de lecture.
Selon un mode de réalisation, le circuit de commande est configuré pour effectuer la première phase de lecture en deux parties, une première partie après un premier temps d'intégration et une deuxième partie après un deuxième temps d'intégration.
Selon un mode de réalisation, le circuit de commande est configuré pour générer un histogramme d'image en comptant le nombre de circuits de pixel signalant des événements pendant chaque valeur de compte du compteur.
Selon un mode de réalisation, la mémoire d'image est en outre configurée pour recevoir un signal numérique ayant une première valeur pendant la première phase de lecture et une deuxième valeur pendant la deuxième phase de lecture, la mémoire d'image étant configurée pour stocker, en réponse au signal d'événement provenant d'un des circuits de pixel pendant la première ou la deuxième phase de lecture, la valeur du signal numérique.
Selon un mode de réalisation, chaque circuit de pixel comprend en outre un registre relié à la sortie du comparateur et configuré pour stocker, en réponse à la génération du signal d'événement, un signal numérique ayant une première valeur pendant la première phase de lecture et une deuxième valeur pendant la deuxième phase de lecture.
Selon un mode de réalisation, le circuit de signalisation d'événement est formé dans le deuxième étage, ou dans un troisième étage du capteur d'image empilé avec les premier et deuxième étages.
Selon un autre aspect, on prévoit un procédé de lecture d'un circuit de pixel d'un capteur d'image, le circuit de pixel comprenant une photodiode pincée reliée à un nœud de lecture, le procédé comprenant : la comparaison, par un comparateur pendant une première phase de lecture, d'une première tension de nœud de lecture au niveau du nœud de lecture, résultant d'une première période d'intégration de la photodiode pincée, avec une première rampe de tension et la génération, par le comparateur, d'un signal d'événement si la tension de la première rampe de tension croise la première tension de nœud de lecture ; si la tension de la première rampe de tension ne croise pas la première tension de nœud de lecture pendant la première phase de lecture, la comparaison, par le comparateur pendant une deuxième phase de lecture, d'une deuxième tension de nœud de lecture au niveau du nœud de lecture, résultant de la première période d'intégration et d'une deuxième période d'intégration de la photodiode pincée, avec une deuxième rampe de tension et la génération d'un signal d'événement lorsque la tension de la deuxième rampe de tension croise la deuxième tension de nœud de lecture ; et la signalisation, par un circuit de signalisation d'événement, de la génération du signal d'événement pendant la première ou la deuxième phase de lecture à un circuit d'enregistrement d'événements.
Selon un mode de réalisation, le procédé comprend en outre : la réception, par une mémoire d'image du capteur d'image, d'une rampe numérique ; et le stockage, à une adresse de la mémoire d'image associée au circuit de pixel et en réponse au signal d'événement du comparateur pendant la première ou la deuxième phase de lecture, d'une valeur de la rampe numérique pour constituer des données de pixel du pixel.
la représente schématiquement un circuit de pixel selon un exemple de mode de réalisation de la présente description ;
la représente schématiquement le circuit de pixel de la plus en détail selon un exemple de mode de réalisation de la présente description ;
la représente schématiquement le circuit de pixel de la plus en détail selon un autre exemple de mode de réalisation de la présente description ;
la représente schématiquement un circuit de pixel selon un autre exemple de mode de réalisation de la présente description ;
la représente schématiquement un capteur d'image comprenant un réseau de circuits de pixel selon un exemple de mode de réalisation de la présente description ;
la est un chronogramme représentant des phases de lecture du capteur d'image de la selon un exemple de mode de réalisation de la présente description ;
Pour préparer l’extrémité du câble, le retrait de la matière de la couche semi-conductrice externe 5 se fait par dénudage jusqu’à l’extrémité libre 13.
Ensuite pour finaliser la préparation de l’extrémité libre du câble, en fonction de l’épaisseur radiale de la couche semi-conductrice externe 5 et de l’angle α de biseau 14 souhaité, un opérateur chargé de la préparation dispose un repère circonférentiel 33 autour de la couche semi-conductrice externe 5, afin de délimiter la zone à biseauter.
Pour modifier la pente de l’extrémité de la couche semi-conductrice externe 5 afin de biseauter la zone préalablement déterminée et pour modifier l’état de surface afin de rendre celle-ci la plus lisse possible, l’opérateur utilise une lame de verre 34 et procède à des mouvements de va et vient longitudinaux qu’il réitère sur tous les secteurs angulaires de la zone à biseauter. Le biseautage est réalisé manuellement de sorte que la pente ne varie que de + ou - 0.2° entre le bord de biseau 13 et le bord non dénudé 12.
Procédé de protection d’un réseau électrique par déclenchement d’actions sur des protections physiques que comporte le réseau Domaine technique général et art antérieur La présente invention concerne la protection d’un réseau électrique.
Elle trouve avantageusement, mais non limitativement, application pour la protection de réseau à tension alternative triphasée.
Les réseaux électriques à tension alternative (dite AC) triphasée, publics ou privés, sont composés d’un ou plusieurs réseaux de tensions différentes reliés entre eux par des transformateurs qui permettent de monter et baisser les niveaux de tension. Des plus élevées aux moins élevées ces tensions sont nommées :
- Très Haute Tension : THT (ex : 400 kV)
- Haute Tension B : HTB (ex : 63 kV)
- Haute Tension A : HTA (ex : 20 kV)
- Basse tension : BT (ex : 230 V et 400 V)
De façon générale, les réseaux électriques comportent classiquement des protections physiques (comme des disjoncteurs magnétothermiques ou fusibles de tableau électrique basse tension), qui permettent de détecter un défaut (comme un court-circuit) en mesurant des grandeurs électriques (comme le courant) et réalisent une action (par exemple l’ouverture d’un disjoncteur) pour isoler le défaut (ex : mettre le circuit en court-circuit hors tension).
Le réglage des protections sur le réseau pose aujourd’hui une difficulté.
Jusqu’à récemment, la détermination des cas de fonctionnement les plus défavorables pris en compte pour déterminer le réglage des seuils de déclenchement des protections physiques se faisait par calculs électrotechniques et « à dire d’expert ». Notamment, pour les réseaux HTA sur lesquels sont raccordées des centrales de production HTA et posant notamment des problématiques dites d’aveuglement des relais de protection, on choisissait « à dire d’expert » les cas où la centrale produit le maximum, ou le minimum, selon la protection considérée et la position de la centrale par rapport à cette protection. Les personnes en charge des régler les protections savent qu’il ne s’agit pas forcément exactement du point de fonctionnement le plus défavorable mais l’erreur associée, faible, était négligée et prise en compte dans les marges de sécurité des réglages.
Les progrès récents de l’électronique de puissance, et la multiplication des centrales raccordées au niveaux de tension HTA et BT et les nouvelles architectures de réseaux comme les microgrids ou microréseaux désormais utilisées du fait de la transition énergétique, ne permettent plus des déterminations par calculs. En outre, la précision requise ne permet plus de se fier uniquement aux connaissances des personnes en charge.
Notamment, de nombreuses centrales ont des générateurs interfacés par des onduleurs. Or ces derniers ont des comportements non linéaires qui dépendent des automatismes de contrôle commande programmé par les constructeurs. Ceci empêche d’utiliser les méthodes classiques de calculs électrotechniques classiquement connus.
Également, du fait de la transition énergétique, de nombreuses centrales sont raccordées en HTA et BT. Un calcul électrotechnique de réseau en court-circuit en HTA et BT oblige, pour chaque protection, à savoir caractériser précisément le point de fonctionnement de toutes les centrales HTA et BT.
Dans le sens contraire, les moyens de calcul 8 sont aptes à déchiffrer la donnée D1 lorsque la donnée D1 est transmise du deuxième système électronique 3, domaine non protégé, au premier système électronique 2, domaine protégé.
Parmi les algorithmes de déchiffrement asymétrique, on peut citer l’algorithme de type RSA (pour « Rivest Shamir Aldeman algorithm » selon le vocable anglosaxon).
De même, les moyens de calcul 8 sont aptes à déchiffrer symétriquement la donnée D1. A titre d’exemple, on peut citer l’algorithme de type AES (pour « Advanced Encryption Standard » en anglais »).
Ainsi, si le chiffrement ou le déchiffrement est requis, la donnée D1 sera détruite lorsqu’elle est mal déchiffrée ou mal chiffrée.
La donnée D1 ne pourra donc pas être envoyée à distance par les moyens de transmission 7.
Quant aux moyens de traitement 9, ils sont aptes à signer la donnée D1 lorsqu’elle est transmise du premier système électronique 2, qui est un domaine protégé, vers le deuxième système électronique 3, domaine non protégé.
La signature peut être mise en œuvre par l’algorithme DSA (pour «Digital Signature Algorithm » en anglais), par l’algorithme ECDSA (pour « Elliptic Curve Digital Signature Algorithm » en anglais) ou par une combinaison d’algorithmes cryptographiques RSA et SHA (pour « Secure Hash Algorithm » en anglais) par exemple.
Dans le sens contraire, les moyens de traitement 9 sont aptes à authentifier la donnée D1 lorsque la donnée D1 est transmise du deuxième système électronique 3, domaine non protégé, au premier système électronique 2, domaine protégé.
Parmi les algorithmes d’authentification, on peut citer l’algorithme DSA, l’algorithme ECDSA ou une combinaison d’algorithmes cryptographiques RSA et SHA par exemple.
Ainsi, si l’authentification ou la vérification de la signature est requise, la donnée D1 peut être détruite lorsque celle-ci échoue.
Par conséquent, la donnée D1 ne sera pas envoyée à distance par les moyens de transmission 7.
On se réfère aux figures 2 et 3 qui illustrent le procédé de gestion d’une requête de transfert mis en œuvre par le dispositif 4.
En référence à la , le procédé de gestion est mis en œuvre pour effectuer le transfert de la donnée D1 du premier système électronique 2, qui est un domaine protégé, vers le deuxième système électronique 3, domaine non protégé.
Le procédé débute alors par une étape E1, au cours de laquelle les moyens d’acquisition 5 récupèrent la donnée D1 du premier système électronique 2.
A l’étape E2, les moyens de filtrage 6 effectuent un filtrage syntaxique, séquentiel et temporel de la donnée D1.
Puis, au cours de l’étape E3, les moyens de filtrage 6 vérifient si l’un des filtrages a échoué.
la est un autre chronogramme représentant des phases de lecture du capteur d'image de la selon un exemple de mode de réalisation de la présente description ;
la est un graphe représentant des valeurs numériques de pixel capturées par des pixels du capteur d'image de la selon un exemple de mode de réalisation de la présente description ;
la est un graphe représentant des valeurs numériques de pixel capturées par des pixels du capteur d'image de la en fonction de la luminosité selon un autre exemple de mode de réalisation de la présente description ;
la est un graphe représentant une hauteur de marche variable d'un signal de rampe selon un exemple de mode de réalisation de la présente description ;
la représente schématiquement un circuit de pixel selon encore un autre exemple de mode de réalisation de la présente description ;
la représente schématiquement un capteur d'image comprenant un réseau de circuits de pixel selon un autre exemple de mode de réalisation de la présente description ;
la est un autre chronogramme représentant des phases de lecture du capteur d'image de la selon un autre exemple de mode de réalisation de la présente description ;
la est un autre chronogramme représentant des phases de lecture du capteur d'image de la selon encore un autre exemple de mode de réalisation de la présente description ;
la représente schématiquement un circuit de pixel selon encore un autre exemple de mode de réalisation de la présente description ; et
la est un chronogramme représentant des phases de lecture du capteur d'image de la selon encore un autre exemple de mode de réalisation de la présente description.
si le récepteur n’appartient pas au sous-ensemble à la sous-trame .
Cette pondération récursive par le deuxième paramètre permet de régler finement le poids que l’on accorde aux débits passés (i.e. le débit pondéré ) et au débit effectif de la sous-trame précédente (i.e. ). Ce deuxième paramètre peut être différent du premier paramètre , ou égal.
Dans un mode de réalisation, l’estimation du débit pour le récepteur courant pour la sous-bande à la sous-trame comprend :
- détermination d’un rapport signal sur interférence plus bruit (SINR, pour « signal to interference plus noise ratio » en anglais) multi-utilisateurs (« multi- users ») SINR-MU pour la sous-bande et pour au moins une couche spatiale du récepteur courant , à partir de l’information remontée par le récepteur courant ,
- détermination, à partir des SINR-MU pour la sous-bande et pour l’au moins une couche spatiale du récepteur courant , d’un SINR-MU effectif pour le récepteur courant et pour la sous-bande ,
- détermination, pour le récepteur courant et pour la sous-bande , d’un schéma de modulation et codage (MCS) à partir du SINR-MU effectif et d’un taux d’erreur cible,
- détermination d’un débit pour le récepteur courant pour la sous-bande à partir du schéma de modulation et codage.
Le débit est ici déterminé grâce aux propriétés physiques de la liaison récepteur/émetteur, notamment le SINR-MU. Cette détermination du débit repose sur un SINR-MU dit effectif, obtenu par compression MIESM (« Mutual Information Effective SINR Mapping » en anglais) des différents SINR-MU précédemment calculés pour un récepteur donné et pour une sous-bande donnée. Ce SINR-MU effectif synthétise les SINR-MU des différentes couches spatiales. L’obtention du schéma de modulation et codage, partant de ce SINR-MU, est réalisé à l’aide de tables de qualité gaussiennes. Cela permet en pratique de calculer efficacement le débit, comme on le verra ci-après.
Dans un mode de réalisation, le calcul de la métrique de performance de l’union du sous-ensemble courant et dudit récepteur candidat comprend
- la détermination des précodages à appliquer aux récepteurs de ladite union à partir, pour chaque récepteur de ladite union, de l’information remontée par ledit récepteur ; et
- la détermination, à partir des précodages à appliquer, d’une matrice d’allocation de puissance diagonale, dont chacun des coefficients est une puissance pour la sous-bande et pour une couche spatiale de l’un des récepteurs de ladite union
La détermination du SINR-MU , pour la sous-bande et pour une couche spatiale du récepteur courant , à partir de l’information remontée par le récepteur courant comprend :
- si ladite information comprend une version compressée de la matrice de covariance du récepteur courant ,
l’estimation d’une matrice de canal du canal entre l’émetteur et le récepteur courant , la détermination d’une matrice de canal après blanchiment de l’interférence, notée , satisfaisant l’équation , la détermination des valeurs singulières de la matrice de canal après blanchiment de l’interférence par décomposition en valeurs singulières, chaque valeur singulière étant associée à une couche spatiale du récepteur courant , et la détermination du SINR-MU pour une couche spatiale dudit récepteur sur la sous-bande , à partir de la valeur singulière de ladite couche spatiale et de la puissance précédemment déterminée pour ladite couche ;
- si ladite information comprend un indicateur de qualité du canal CQI( ) pour la sous-bande et pour la couche spatiale du récepteur courant ,
la détermination d’un SINR-SU pour la couche spatiale à partir dudit indicateur de qualité du canal CQI( ), et la détermination dudit SINR-MU en renormalisant ledit SINR-SU par un rapport entre la puissance précédemment déterminée pour ladite couche et la puissance utilisée pour calculer ledit indicateur de qualité du canal CQI( ).
avec : – P Grid : Puissance fournie au réseau électrique ; – P HPP : Puissance fournie par la centrale ; – P BESS : Puissance fournie ou consommée par de système de stockage.
Cependant, dans le réglage primaire de fréquence, la puissance relative à ce réglage est seulement la part de puissance qui est liée à la déviation de fréquence. Cette puissance est la somme de la puissance produite par la centrale, et liée seulement à la déviation de fréquence, et de la puissance fournie ou consommée par le système de stockage (le système de stockage n’est ici utilisé que pour le réglage primaire de fréquence) :
P FCR = P HPP/FCR + P BESS (équation 2)