INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
La méthode de mesure de la prise en eau est décrite dans le document WO 2017/218449. La capacité en eau est mesurée avec un instrument DVS (Dynamic Vapor Sorption) de type SPS-DVS (modèle SPSx-^-High load avec kit de perméabilité) de ProUmid. Le DVS utilise la gravimétrie pour déterminer la sorption/désorption de l'humidité et est entièrement automatisé. Les mesures sont effectuées à 20°C. L’humidité relative (HR) est fixée à 35% (35%HR) pendant 6h puis progressivement portée à 50% (50%HR) en 5 minutes. L'humidité relative est ensuite laissée à 50 % pendant 12 heures. La durée totale de la mesure est de 18 heures. La prise en eau (ou %Dm) représente la variation relative de la masse par rapport au poids initial de la couche ou du film, c'est-à-dire que 10% reflète une augmentation de 10% du poids de la couche ou du film par rapport au poids initial. La prise en eau (ou %Dm gagné sur le cycle à 50%HR pendant le temps fixe de 12 heures à 20°C) est calculée par différence de la valeur %Dm à 50%HR (dernière valeur mesurée à 50%HR) moins %Dm à 35%HR (dernière valeur avant de monter à 50%HR).
D’autres avantages et caractéristiques de l’invention apparaitront plus clairement à l’examen de la description détaillée et des dessins annexés sur lesquels :
représente des diffractogrammes du matériau Li 7 MnN 4 et du matériau obtenu à l’issue du procédé selon l’invention ;
est un cliché du matériau Li 7 MnN 4 observé au microscope électronique à balayage ;
est un cliché d’un matériau obtenu à l’issue du procédé selon l’invention, observé au microscope électronique à balayage ;
est un graphe représentant la courbe galvanostatique d’un matériau obtenu à l’issue du procédé selon l’invention contre Li métal.
Il est précisé que l’expression « de… à… » utilisée dans la présente description de l’invention doit s’entendre comme incluant chacune des bornes mentionnées.
Comme indiqué ci-avant, selon l’étape a) du procédé selon l’invention, au moins un agent oxydant est mélangé avec le nitrure de métal(aux) de transition et de lithium.
Avantageusement, le ou les métaux de transition sont choisis parmi Mn, Fe, Co, Ni, Cu et leurs mélanges.
De préférence, ledit nitrure de métal(aux) de transition et de lithium est choisi parmi les matériaux de formule Li 7 MnN 4 , Li 3 FeN 2 , Li 2.6 Co 0.4 N, Li 2.0 Ni 0.67 N et Li 2.57 Cu 0.43 N.
Plus préférentiellement, ledit nitrure de métal(aux) de transition et de lithium est de formule Li 7 MnN 4 ou de formule Li 3 FeN 2 .
De préférence, ledit agent oxydant est choisi parmi ceux appartenant à la famille des métallocènes sous forme oxydée.
Avantageusement, ledit agent oxydant est choisi parmi les sels de cobaltocénium, de préférence parmi l’hexafluorophosphate de cobaltocénium, le tétrafluoroborate de cobaltocénium, l’hexafluorophosphate de bis(pentaméthylcyclopentadienyl)cobalt, l’hexafluorophosphate tétrafluoroborate de bis(pentamethylcyclopentadienyl)cobalt et leurs mélanges.
Plus préférentiellement, ledit agent oxydant est choisi parmi l’hexafluorophosphate de cobaltocénium.
Selon un mode de réalisation préféré, le ratio molaire entre ledit agent oxydant et ledit nitrure de métal(aux) de transition et de lithium va de 0,5 à 3, de préférence de 1 à 2.
De manière préférée, l’étape a) est réalisée en présence d’au moins un solvant.
Selon un mode de réalisation, le capteur tactile est une dalle tactile capacitive.
Selon un mode de réalisation, lors de la phase de détection, la position dudit au moins un doigt par rapport aux lignes de pixels de la matrice est estimée au moyen de la matrice de pixels, et, lors de la phase de détection : – le circuit de commande est configuré pour transférer séquentiellement, ligne par ligne, des charges photogénérées dans les pixels de la matrice vers le circuit de lecture ; et – le circuit de lecture est configuré pour intégrer uniquement les charges photogénérées provenant de certaines lignes de pixels et pour déduire, à partir de données provenant de l'intégration de ces charges, la présence dudit au moins un doigt à l'aplomb d'une ou plusieurs lignes de pixels de la matrice.
Selon un mode de réalisation, les lignes de pixels dont les charges photogénérées sont intégrées par le circuit de lecture lors de la phase de détection sont espacées de façon régulière.
Selon un mode de réalisation, lors de la phase d'acquisition, le circuit de lecture est configuré pour intégrer uniquement les charges photogénérées provenant d'une seule sous-plage de lignes de pixels à l'aplomb de laquelle un seul doigt a été préalablement détecté.
Selon un mode de réalisation, lors de la phase d'acquisition, le circuit de lecture est configuré pour intégrer uniquement les charges photogénérées provenant d'exactement quatre sous-plages de lignes de pixels à l'aplomb desquelles exactement quatre doigts ont été respectivement détectés au préalable.
Selon un mode de réalisation, chaque pixel de la matrice comporte un photodétecteur relié à un nœud de stockage de charges et un transistor de transfert des charges stockées audit nœud vers le circuit de lecture.
Selon un mode de réalisation, le circuit de commande comporte, pour chaque ligne de pixels de la matrice, un commutateur relié à une borne de commande des transistors de transfert des pixels de ladite ligne.
Selon un mode de réalisation, le circuit de lecture comporte, pour chaque colonne de pixels de la matrice, un circuit d'intégration des charges photogénérées relié à une borne de conduction des transistors de transfert des pixels de ladite colonne.
Selon un mode de réalisation, le photodétecteur est un photodétecteur organique.
Selon un mode de réalisation, la matrice de pixels comprend au moins huit cent lignes de pixels.
Un mode de réalisation prévoit un capteur d'empreintes digitales comportant un capteur d'images tel que décrit.
Un mode de réalisation prévoit un procédé de commande d'un capteur d'images comportant une matrice de pixels, un circuit de commande et un circuit de lecture, le procédé comprenant, lors d'une phase d'acquisition, les étapes suivantes : a) balayer séquentiellement toutes les lignes de pixels de la matrice au moyen du circuit de commande et transférer séquentiellement, ligne par ligne, des charges photogénérées dans les pixels de la ligne vers le circuit de lecture ; et b) intégrer, par le circuit de lecture, uniquement les charges photogénérées provenant d'au moins une sous-plage de lignes de pixels à l'aplomb de laquelle au moins un doigt a été préalablement détecté.
la est un schéma électrique illustrant, de façon partielle, un exemple de capteur d'images du type auquel s'appliquent, à titre d'exemple, des modes de réalisation décrits ;
la est un schéma électrique illustrant un exemple de réalisation d'un circuit d'intégration de charges du capteur d'images de la ;
la est un chronogramme illustrant, de façon schématique et partielle, des étapes successives d'un procédé de commande du capteur d'images de la selon un mode de réalisation ;
Le procédé de supervision de mise à jour de logiciel selon l’invention peut également présenter une ou plusieurs des caractéristiques ci-dessous, prises indépendamment ou selon toutes les combinaisons techniquement envisageables.
Chacune desdites structures de mémorisation est une liste.
Le procédé comporte, suite à la détermination du type de commande de déploiement, une vérification consistant à déterminer si ledit type de commande de déploiement fait partie d’un ensemble de types de commandes de déploiement non encore approuvées.
Suite à l’approbation de ladite commande de déploiement courante, le type de ladite commande de déploiement est effacé dudit ensemble de types de commandes de déploiement non encore approuvées.
L’étape de détermination du type de commande de déploiement met en œuvre une structure de mémorisation de types de commandes déploiement préalablement mémorisée, et la détermination d’au moins un composant logiciel impacté utilise une structure mémorisant une liste de composants logiciels impactés par chaque type de commande de déploiement.
L’approbation comporte un marquage horodaté et une mémorisation d’informations caractéristiques de ladite commande de déploiement.
Selon un autre aspect, l’invention concerne un système de supervision de mise à jour de logiciel de support dans une infrastructure de fourniture de services, le système comportant un module de réception d’une pluralité de mises à jour du logiciel de support, chaque mise à jour comportant au moins une commande de modification du logiciel de support et/ou au moins un paramètre ou un fichier de configuration, et de réception d’au moins une commande de déploiement de mise à jour impactant au moins un composant du logiciel de support. Ce système de supervision comporte au moins un processeur d’un dispositif électronique programmable configuré pour mettre en œuvre :
- un module de sélection d’une commande de déploiement à traiter, dans l’ordre d’arrivée, dite commande de déploiement courante,
-un module de détermination d’un type de ladite commande de déploiement courante, et d’au moins un composant logiciel impacté par la mise à jour en fonction du type de commande de déploiement, et pour chacun desdits composants logiciels impactés, un module de mise à jour dynamique d’une structure de mémorisation courante de tests de non-régression à effectuer et d’une structure de mémorisation de tests de non-régression associée audit type de commande de déploiement,
- un module d’exécution de ladite commande de déploiement courante dans un environnement de test, l’environnement de test étant analogue à ladite infrastructure de fourniture de services,
- une exécution successive des tests de non-régression de la structure de mémorisation courante de tests de non-régression à effectuer, et lorsque tous les tests de non-régression de ladite structure de mémorisation courante et tous les tests de la structure de mémorisation de tests de non-régression associée audit type de commande de déploiement sont exécutés avec succès, un module d’approbation d’une exécution de ladite commande de déploiement courante dans ladite infrastructure de fourniture de services.
Avantageusement, le système de de supervision de mise à jour de logiciel selon l’invention est configuré pour mettre en œuvre un procédé de supervision de mise à jour de logiciel de support selon tous ses modes de réalisation.
Le système de supervision de mise à jour de logiciel selon l’invention peut également présenter une ou plusieurs des caractéristiques ci-dessous, prises indépendamment ou selon toutes les combinaisons techniquement envisageables.
Il comporte en outre une unité électronique de stockage centralisé configurée pour mémoriser des commandes de modification du logiciel de support, des commandes de modification d’au moins un paramètre ou d’un fichier de configuration, et/ou d’au moins une commande de déploiement de mise à jour.
Il comporte en outre la première unité de mémoire configurée pour mémoriser :
- une structure de mémorisation des composants logiciels de l’infrastructure de services,
Avantageusement, le solvant est choisi parmi les solvants organiques aprotiques, de préférence parmi l’acétonitrile, le tétrahydrofurane, le diméthylformamide, le dichlorométhane, l’acétate d'éthyle et leurs mélanges, de préférence parmi l’acétonitrile.
Selon un autre mode de réalisation, tout solvant pouvant être utilisé dans un électrolyte de batterie Li-ion peut être également employé, de préférence le solvant est choisi parmi le carbonate d'éthylène (noté « EC »), le carbonate de propylène (noté « PC »), le carbonate de diméthyle (noté « DMC »), le carbonate de diéthyle (noté « DEC ») et le carbonate d'éthyle et de méthyle (noté « EMC ») et leurs mélanges.
Selon un autre mode de réalisation, le solvant choisi parmi les solvants organiques aprotiques, tels que ceux mentionnés ci-avant, peut être en mélange avec le solvant pouvant être utilisé dans un électrolyte de batterie Li-ion, tel que ceux mentionnés ci-avant.
De manière préférentielle, le solvant est l’acétonitrile.
Comme indiqué précédemment, selon l’étape b) du procédé selon l’invention, le matériau obtenu à l’issue de l’étape a) est récupéré.
Avantageusement, le matériau peut être récupéré par centrifugation ou par filtration.
Le matériau peut ensuite être rincé avec du solvant, de préférence choisi parmi les solvants mentionnés précédemment, éventuellement à plusieurs reprises.
Puis, le matériau peut être mis à sécher sous vide.
Les matériaux Li 7-x MnN 4 (0 3-y FeN 2 (0 < y ≤ 1,2) peuvent être ainsi obtenus.
Comme indiqué précédemment, le procédé selon l’invention est un procédé de délithiation d’au moins un nitrure de métal(aux) de transition et de lithium.
Un protocole pour la délithiation d’au moins un nitrure de métal(aux) de transition et de lithium peut être décrit selon un mode de réalisation ci-dessous.
Avantageusement, un agent oxydant, tel que ceux mentionnés ci-avant, peut être tout d’abord ajouté dans un solvant, tel que ceux mentionnés ci-avant, pour obtenir une solution comprenant ledit agent oxydant.
Puis, du nitrure de métal(aux) de transition et de lithium, tel que par exemple le Li 7 MnN 4 ou le Li 3 FeN 2 , peut être ajouté dans ladite solution. Ledit nitrure de métal(aux) de transition et de lithium peut se présenter sous forme de poudre.
La quantité de nitrure de métal(aux) de transition et de lithium peut être ajustée de telle sorte que le ratio molaire entre ledit agent oxydant et ledit nitrure de métal(aux) de transition et de lithium peut aller de 0,5 à 3, de préférence de 1 à 2.
Le nitrure de métal(aux) de transition et de lithium peut être ensuite mélangé dans ladite solution comprenant ledit agent oxydant.
Selon un exemple du premier mode de réalisation, la zone d’intérêt principale comprend au moins une zone destinée à former une zone active d’une plaque bipolaire du réacteur électrochimique.
Selon l’exemple précédent, la zone d’intérêt principale comprend en outre au moins une zone destinée à former au moins une partie d’une zone d’homogénéisation d’une plaque bipolaire du réacteur électrochimique.
De préférence, la zone d’intérêt principale comprend la zone destinée à former la zone active du réacteur électrochimique et la zone destinée à former la ou les zones d’homogénéisation d’une plaque bipolaire du réacteur électrochimique.
Selon un autre exemple du premier mode de réalisation, la zone d’intérêt principale comprend au moins une zone de la première face du substrat qui est complémentaire d’une zone destinée à former une zone périphérique d’une plaque bipolaire du réacteur électrochimique.
Selon un autre exemple du premier mode de réalisation, un pourtour extérieur de la zone d’intérêt principale délimite un pourtour intérieur d’une zone destinée à former une zone périphérique d’une plaque du réacteur électrochimique, le cas échéant la zone d’intérêt principale comprenant au moins une zone de la première face du substrat sur laquelle s’étend, ou est destiné à s’étendre, le premier guide d’écoulement.
Selon un deuxième mode de réalisation, alternatif ou complémentaire au premier mode de réalisation introduit ci-dessus, la zone d’intérêt comprend au moins une zone sur laquelle s’étend, ou en vis-à-vis de laquelle est destiné à s’étendre, un ajour, couramment appelé clarinette, traversant le substrat ; cette zone est parfois appelée ci-dessous zone d’intérêt secondaire, sans nécessairement préjugé de ce qu’elle nécessite pour exister l’existence d’une zone d’intérêt principale.
Selon un exemple du deuxième mode de réalisation, l’au moins un ajour est situé hors d’une zone destinée à former une zone active et/ou une zone d’homogénéisation d’une plaque bipolaire du réacteur électrochimique ou l’au moins un ajour est situé dans une zone destinée à former une zone périphérique d’une plaque bipolaire du réacteur électrochimique.
Selon un exemple, le premier guide d’écoulement comprenant des dents, par exemple imprimées, s’étendant, ou étant destinées à s’étendre, sur une partie de la première face du substrat, ou destinées à s’étendre en vis-à-vis d’une partie de la première face du substrat, les épaisseurs des premières nervures sont inférieures, et préférentiellement strictement inférieures, à une épaisseur des dents du premier guide d’écoulement ou à la somme d’une épaisseur des dents du premier guide d’écoulement et d’une épaisseur d’une couche de diffusion gazeuse destinée à venir en regard d’une partie de la première face du substrat de sorte à contacter des sommets des dents du premier guide d’écoulement, le cas échéant en étant comprimée.
Selon un mode de réalisation, le premier guide d’écoulement étant destiné à guider l’écoulement d’un réactif du réacteur électrochimique, les épaisseurs des premières nervures sont au plus sensiblement égales à la somme d’une épaisseur des dents du premier guide d’écoulement et d’une épaisseur d’une couche de diffusion gazeuse destinée à venir en regard d’une partie de la première face du substrat de sorte à contacter des sommets des dents du premier guide d’écoulement, le cas échéant en étant comprimée .
Selon un autre mode de réalisation, alternatif ou complémentaire du mode de réalisation précédent, le premier guide d’écoulement étant destiné à guider l’écoulement d’un fluide de refroidissement du réacteur électrochimique, les épaisseurs des premières nervures sont au plus sensiblement égales à une épaisseur des dents du premier guide d’écoulement.
Le cas échéant, et en particulier lorsque les deux précédents modes de réalisation sont combinés entre eux, un premier guide d’écoulement est destiné à guider l’écoulement d’un réactif du réacteur électrochimique et un deuxième premier guide d’écoulement est destiné à guider l’écoulement d’un fluide de refroidissement du réacteur électrochimique. Le premier guide d’écoulement et le deuxième guide d’écoulement peuvent s’étendre ou être destinés à s’étendre sur des faces opposées d’un même substrat, ou être destinés à s’étendre en vis-à-vis des faces opposées d’un même substrat.
Selon un exemple, une dimension transversale des premières nervures est comprise entre 0,5 mm et 3 mm, de préférence entre 0,5 mm et 1,5 mm.
Selon un exemple, une dimension transversale de chaque gorge entre deux premières nervures est comprise entre 0,5 mm et 3 mm, de préférence entre 0,5 mm et 1,5 mm.
Selon un exemple, au moins une des premières nervures est à base de l’un au moins parmi : une résine thermodurcissable, telle que le polychlorure de vinyle (PVC) ou un polyamide (PA) ou un polyépoxyde (encore appelé polymère époxyde ou communément « époxy »), chargé ou non, et un thermoplastique, tel que le polyuréthane (PU) ou le polypropylène (PP) ou le poly(fluorure de vinylidène) (PVDF), chargé ou non.
Selon un exemple, le joint d’étanchéité est à base de l’un au moins parmi : une résine époxy, le silicone, un polyuréthane, le caoutchouc nitrile, un fluorocarbone et l’éthylène-propylène-diène monomère.
Selon un exemple, le substrat comprend en outre une nervure dite d’accroche s’étendant depuis une deuxième face du substrat, opposée à la première face du substrat, et destinée à être mise en regard d’un joint d’étanchéité d’un autre substrat, par exemple selon le premier aspect de l’invention, l’épaisseur de la nervure d’accroche étant alors inférieure aux épaisseurs des premières nervures de l’autre substrat. De préférence, l’épaisseur de la nervure d’accroche est supérieure à 10 µm. La largeur de la nervure d’accroche est strictement inferieur à la largeur de la gorge, et de préférence supérieur à 30 µm. Un des avantages que procurent la nervure d’accroche est de pallier une éventuelle irrégularité de l’épaisseur du joint d’étanchéité déposé.
Ainsi, un avantage procuré est d’obtenir une zone plane d’implantation résistant à une énergie thermique apportée par un traitement thermique de fracturation ou par un traitement thermique de renforcement de l’interface de collage. La zone plane d’implantation n’est pas fracturée par un tel budget thermique, mais est suffisamment fragilisée (par la présence de microfissures et de cloques) pour être fracturée ultérieurement par une sollicitation mécanique pour démonter les premier et second substrats, par exemple à l’aide de l’insertion d’une lame entre les premier et second substrats. Un tel budget thermique serait suffisant pour fracturer la zone plane d’implantation en l’absence d’un tel ensemble de cavités à la surface proximale du premier substrat et/ou à la surface du second substrat.
Selon une caractéristique de l’invention, l’étape a) comporte une étape préalable consistant à déterminer un rayon moyen d’exfoliation et/ou un rayon minimal d’exfoliation par une analyse statistique d’observations microscopiques, après avoir appliqué au premier substrat un traitement thermique de fracturation de la zone plane d’implantation.
Ce traitement thermique est appliqué directement au premier substrat pour déterminer le rayon d’exfoliation dans le cas où les cavités sont formées à la surface du second substrat. Si les cavités sont formées à la surface proximale du premier substrat, ce traitement thermique sera appliqué au premier substrat après un amincissement sur toute sa surface et sur une épaisseur correspondant à la profondeur des cavités.
Ainsi, un avantage procuré est d’améliorer la fiabilité du dimensionnement des cavités lors de l’étape b) afin d’obtenir des zones libres, non soumises à un effet raidisseur, pouvant se déformer à l’intérieur de la ou des cavités leur faisant face lors de la maturation de défauts de type cloque lors de l’étape d), tout en bornant l’expansion latérale des cloques à l’intérieur des cavités afin d’éviter le phénomène d’exfoliation.
Selon une caractéristique de l’invention, le premier substrat prévu lors de l’étape a) est réalisé dans un matériau choisi parmi : - un matériau semi-conducteur, de préférence sélectionné parmi Si, Ge, Si-Ge, SiC, un matériau III-V ; - le tantalate de lithium LiTaO 3 , le niobate de lithium LiNbO 3 .
L’invention a également pour objet un ensemble pour fabriquer des substrats démontables, comportant : - un premier substrat, comprenant des espèces implantées formant une zone plane d’implantation, le premier substrat comprenant une surface proximale à la zone plane d’implantation ; - un second substrat, comprenant une surface ; - un ensemble de cavités, agencé à la surface proximale du premier substrat et/ou à la surface du second substrat de manière à : autoriser un collage direct entre la surface proximale du premier substrat et la surface du second substrat ; interdire une initiation thermique de la fracture de la zone plane d’implantation, après un traitement thermique appliqué aux premier et second substrats collés, selon un budget thermique adapté pour fragiliser la zone plane d’implantation.
Ainsi, comme évoqué précédemment, l’agencement (par exemple le dimensionnement et/ou la répartition) de l’ensemble de cavités à la surface proximale du premier substrat et/ou à la surface du second substrat est adapté pour délimiter : - des zones de collage, faisant face aux murets séparant les cavités et occupant l’espace inter-cavités, les zones de collage étant donc soumises à un effet raidisseur ; - des zones libres, faisant face aux cavités.
Plus précisément, l’ensemble de cavités est agencé à la surface proximale du premier substrat et/ou à la surface du second substrat de sorte que : - les zones de collage présentent une superficie adaptée pour autoriser un collage direct entre les premier et second substrats ; - les zones libres présentent une distribution spatiale adaptée pour interdire une initiation thermique de la fracture de la zone plane d’implantation fragilisée après le traitement thermique appliqué aux premier et second substrats collés.