INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Un exemple de procédé d’équilibrage selon l'invention, mettant en oeuvre un mode court-circuit à l'aide des moyens 20, est le suivant: -les moyens 20 sont fermés ; -l’état de charge des différents éléments est mesuré ou estimé ; en variante, cette mesure ou cette estimation peut avoir été faite avant fermeture des moyens 20; - puis un ou plusieurs des éléments les plus chargés est/sont porté(s) à une première polarité et un ou plusieurs des éléments les plus déchargés est/sont porté(s) à la polarité opposée; le dispositif de commande 30 commande les interrupteurs des éléments, des modules et/ou des ponts en H pour faire circuler un courant du ou des élément(s) porté(s) à la première polarité (les plus chargés) vers le ou les élément(s) porté(s) à la deuxième polarité (les moins chargés); autrement dit, on régule un courant de la première polarité vers la deuxième polarité et de l’énergie est transférée du ou des élément(s) le(s) plus chargé(s) vers le ou les élément(s) le(s) plus déchargé(s) ; - ce courant circule tant que l'élément ou les éléments qui est/sont en cours de charge n'a/ont pas atteint un niveau de charge prédéterminée, ou le même niveau de charge que l'élément ou les éléments le(s) plus chargé(s) ou le ou les autre(s) élément(s).
On peut mesurer ou estimer, de préférence en permanence ou de manière périodique, l’état des éléments connectés, afin d’identifier ou de déterminer la fin de l’équilibrage.
L’invention permet donc de procéder à un équilibrage d’un état de charge. Mais elle permet également de procéder à d’autres types d’équilibrage, par exemple : - En puissance maximale disponible - Et/ou en énergie restante disponible - Et/ou en température (on peut réchauffer les éléments: il est donc possible d’amener des éléments froids, ou les plus froids, vers une température plus chaude);Et/ou en cherchant à équilibrer les états de santé (en préservant par exemple le ou les élément(s) les plu(s) faible(s)/fragile(s)) ; - Et/ou en cherchant à augmenter le rendement (en privilégiant le ou les élément(s) de plus faible résistance interne lors des pics de courant) Et/ou en cherchant à augmenter la durée de vie….
Pour procéder à ces autres types d’équilibrage, on peut mesurer ou estimer la puissance (maximale ou restante) disponible et/ou l’état de santé et/ou le rendement et/ou la durée de vie par des méthodes d’estimation connues, par exemple la mesure de la résistance interne pour la puissance maximale disponible, ou la coulométrie pour l’énergie restante disponible, ou une décharge/charge complète pour l’état de santé.
Autrement dit, on cherche alors à réguler l'état de différents éléments du pack batterie en fonction d'un ou plusieurs des paramètres (par exemple puissance maximale et/ou énergie restante,…) mentionnés ci-dessus.
Le revêtement de protection 16 comprend une couche principale 18 et une ou plusieurs couches additionnelles 20.
La couche principale 18 est réalisée en chrome pur.
Par « réalisé en chrome pur », on entend réalisé dans un matériau comprenant au moins 99% en poids de chrome. Le reste du matériau est constitué d’inévitables impuretés.
Chaque couche additionnelle 20 est située sur la couche principale 18 ou sous la couche principale 18. Chaque couche additionnelle 20 située sur la couche principale 18 est située du côté de la couche principale 18 opposé au substrat 14. Chaque couche additionnelle 20 située sous la couche principale 18 est située entre la couche principale 18 et le substrat 14.
Le revêtement de protection 16 comprend par exemple une ou plusieurs couches additionnelles 20 situées sur la couche principale 18. La couche principale 18 est située entre le substrat 14 et chaque couche additionnelle 20 située sur la couche principale 18.
Le revêtement de protection 16 comprend par exemple une ou plusieurs couches additionnelles 20 situées sous la couche principale 18. La couche principale 18 est située entre le substrat 14 et chaque couche additionnelle 20 située sous la couche principale 18.
De préférence, la couche superficielle du revêtement de protection 16 est une couche additionnelle 20. La couche superficielle du revêtement de protection 16 est la couche la plus externe du revêtement de protection 16. Cette couche superficielle est en contact avec l’environnement extérieur.
Chaque couche additionnelle 20 est réalisée en chrome pur ou dans un matériau constitué de chrome et, en outre, d’oxygène et/ou d’azote, avec la présence éventuelle d’inévitables impuretés.
De préférence, le matériau de chaque couche additionnelle 20 constitué de chrome et, en outre, d’oxygène et/ou d’azote, avec la présence éventuelle d’inévitables impuretés, comprend au plus 1% en poids d’impuretés, de préférence au plus 0,5% en poids d’impuretés.
La présence d’impuretés peut être dû par exemple à la présence de ces impuretés dans le matériau de base utilisé pour obtenir le matériau de la couche additionnelle 20.
Par exemple, chaque couche additionnelle 20 est réalisée en chrome pur, en oxyde de chrome, en particulier en Cr 2 O 3 ou en un oxyde de chrome amorphe, en nitrure de chrome, en oxynitrure de chrome ou en une combinaison de ces matériaux ou est réalisée en chrome métallique dopé avec des atomes d’oxygène et/ou des atome d’azote ou est réalisé en chrome métallique dans lequel sont implantés des atomes d’oxygène et/ou des atomes d’azote.
Un matériau en chrome métallique dopés avec des atomes d’oxygène et/ou des atomes d’azote ou dans lequel sont implantés des atomes d’oxygène et/ou des atomes d’azote désigne un matériau réalisé en chrome dont les atomes sont agencés suivant la structure cristalline du chrome, des atomes d’oxygène et/ou des atomes d’azote étant insérés dans cette structure cristalline du chrome, et en particulier remplaçant des atomes de chrome dans cette structure cristalline.
Le dopage avec des atomes d’oxygène et/ou des atomes d’azote peut être réalisé par exemple au cours d’un dépôt physique en phase vapeur de la couche additionnelle 20.
Une implantation d’atomes d’oxygène et/ou d’atomes d’azote est généralement réalisée après un dépôt de chrome réalisé par exemple par dépôt physique en phase vapeur.
Les épaisseurs du substrat 14 et des couches du revêtement de protection 16 sont prises perpendiculairement à la surface du substrat 14 sur laquelle est déposée le revêtement de protection 16, ici la surface externe 14B.
Le substrat 14 présente par exemple une épaisseur comprise entre 0,4 mm et 1 mm.
Procédé de détection d’un tourbillon dans une étendue d’eau et système associé La présente invention concerne un procédé de détection d’au moins un tourbillon dans une étendue d’eau. La présente invention se rapporte également à des procédés utilisant le résultat du procédé de détection. La présente invention concerne aussi un système de détection correspondant
Les tourbillons océaniques ont un impact sur les courants de surface et en profondeurs. Cela peut en particulier gêner la circulation des navires.
En outre, les tourbillons correspondent à des anomalies de température et de salinité qui s’étendent profondément en-dessous de la surface, de sorte que ces tourbillons modifient localement les propriétés de transport et de mélange dans chaque direction. Cela entraîne notamment des modifications dans la distribution des espèces biochimiques et des polluants.
Il est donc souhaitable de pouvoir détecter de manière automatique et fiable les tourbillons dans une étendue d’eau.
Pour cela, il est connu d’utiliser des données altimétriques et d’utiliser des outils de prédiction de la présence de tourbillons appliqués sur ces données.
Toutefois, la précision est faible car d’une part, les données altimétriques comportent des erreurs intrinsèques difficiles à corriger et, d’autre part, la résolution de ces données ne permet pas de détecter les petits tourbillons, c’est-à-dire des tourbillons présentant un rayon inférieur à 25 kilomètres.
Il existe donc un besoin pour un procédé de détection d’au moins un tourbillon dans une étendue d’eau qui soit efficace.
A cet effet, la description décrit un procédé de détection d’au moins un tourbillon dans une étendue d’eau, le procédé étant mis en œuvre par ordinateur et comportant la réception d’une image de l’étendue d’eau prise avec une résolution inférieure ou égale à 10 km, l’application d’un réseau de neurones sur l’image reçue pour détecter la présence éventuelle d’au moins un tourbillon sur l’étendue d’eau et, le cas échéant, la position d’au moins un tourbillon sur l’étendue d’eau, le réseau de neurones étant un réseau de neurones entièrement convolutif, le réseau de neurones ayant été appris par des données d’apprentissage, les données d’apprentissage comportant des données synthétiques, chaque donnée synthétique étant un couple image d’une étendue d’eau et position des tourbillons contenus dans ladite image, la position de chaque tourbillon étant obtenue par application d’un détecteur de tourbillons sur l’image de la donnée synthétique et sur le champ de vitesse de chaque tourbillon contenu dans l’image de la donnée synthétique.
Selon des modes de réalisation particuliers, le procédé de détection présente une ou plusieurs des caractéristiques suivantes, prise(s) isolément ou selon toutes les combinaisons techniquement possibles :
- l’image comporte des pixels, et dans lequel, lors de l’étape d’application, le réseau de neurones classe chaque pixel selon au moins deux catégories, une catégorie étant l’appartenance à un tourbillon et une autre catégorie étant la non-appartenance à un tourbillon.
- le réseau de neurones classe chaque pixel selon trois catégories : une première catégorie étant l’appartenance à un tourbillon anticyclonique, une deuxième catégorie étant l’appartenance à un tourbillon cyclonique et une troisième catégorie étant la non-appartenance à un tourbillon.
- chaque image est une image de température de surface.
- chaque image est une image visible.
- l’image reçue présente une résolution inférieure ou égale à 3 kilomètres.
- il est défini pour chaque tourbillon un contour extérieur, le procédé comportant, en outre, l’affichage de l’image reçue dans laquelle les contours extérieurs des tourbillons détectés sont mis en évidence.
- les données d’apprentissage comportent également des données dérivées des données synthétiques par une technique d’augmentation de données.
De manière classique, le démarrage commence par le chargement en mémoire vive du composant noyau (étape 54) et du composant de démarrage INITRAMFS (étape 56).
Les composants de démarrage ainsi reçus et chargés sur le système informatique distant pourraient être modifiés/altérés de manière intentionnelle ou non. Le procédé de l’invention permet de vérifier que les composants de démarrage exécutés sur le système informatique distant pour démarrer le système d’exploitation client n’ont subi aucune altération avant leur exécution.
Dans le mode de réalisation où le composant de démarrage modifié à l’étape 42 est le composant image de système de fichiers 22 (« INITRAMFS »), le procédé comporte une lecture et exécution 58 des instructions de démarrage sécurisé après le démarrage du INITRAMFS, qui a pour effet un arrêt du démarrage du système d’exploitation client et temporaire de l’exécution dudit composant de démarrage modifié, et une fourniture d’un point de service.
L’adresse IP du point de service est soit indiquée dans les instructions de démarrage sécurisé, soit partagée d’une autre manière avec le dispositif de démarrage sécurisé.
Le système informatique distant arrête l’exécution du démarrage du système d’exploitation client et se met en attente d’instructions complémentaires (étape 60).
Le dispositif de démarrage sécurisé met alors en œuvre une connexion 62 au point de service et une validation (ou vérification) 64 de l’intégrité des composants de démarrage chargés par le système informatique distant (étapes 54 et 56).
De préférence, la connexion 62 est sécurisée par une authentification du client, ie du logiciel client exécuté par le dispositif de démarrage sécurisé.
Dans un mode de réalisation, la sécurisation de la connexion est effectuée en mettant en œuvre une méthode d’authentification utilisant le couple de clés K pub et K priv , générées à l’étape 40, la clé publique K pub ayant été insérée dans le composant INITRAMFS, et le client disposant de la clé privée K priv . La méthode d’authentification consiste alors à vérifier que la clé publique K pub extraite du composant INITRAMFS et la clé privée K priv forment effectivement un couple de clés généré par la méthode appliqué à l’étape 40.
Toute autre méthode d’authentification est utilisable, par exemple une authentification par mot de passe. Dans ce mode de réalisation, si l’authentification se fait par mot de passe, une fonction cryptographique (e.g. un hash) du mot de passe est inséré dans le composant de démarrage modifié (étape 42).
Dans l’étape 64 de validation d’intégrité, par exemple une fonction de validation d’intégrité, par exemple une fonction cryptographique telle qu’un hachage, est appliquée au composants de démarrage chargés en mémoire vive du serveur du système informatique distant, eg le noyau et l’INITRAMFS modifié, tels que reçus.
Toute fonction de hachage cryptographique peut être choisie, par exemple SHA-256, MD5 etc.
La validation d’intégrité consiste à comparer le résultat de la fonction cryptographique appliquée, par exemple de la fonction de hachage, à une valeur de hachage attendue.
En cas de validation d’intégrité positive, en d’autres termes si les composants de démarrage chargés sur le système informatique distants sont inaltérés par rapport aux composants de démarrage transmis, le dispositif de démarrage sécurisé fournit (étape 66) un code de déchiffrement de l’image de ROOTFS chiffrée.
Dans un mode de réalisation, le code de déchiffrement comprend la clé de déchiffrement correspondant à la clé KEK utilisée pour chiffrer la clé de chiffrement de données (ou DEK), la clé DEK chiffrée ayant été transmise par ailleurs au système informatique distant.
Si la clé KEK est formée, comme expliqué ci-dessus, par combinaison d’un secret à usage unique détenu uniquement par le client, S_KEK et d’une valeur d’intégrité V_int, le code de déchiffrement comprend S_KEK, la valeur d’intégrité V_int étant elle-même générée par application de la fonction de hachage utilisée pour vérifier l’intégrité des composants de démarrage. La combinaison de S_KEK et V_int étant effectuée par le système informatique distant (étape 68). Par exemple, les instructions de démarrage sécurisé comprennent des instructions permettant d’effectuer cette combinaison de S_KEK et de V_int.
Le système informatique distant met en œuvre le déchiffrement (étape 70) de l’image de ROOTFS avec la clé de déchiffrement obtenue, et finalise le démarrage du système d’exploitation client (étape 72).
On notera que la durée variable de chaque marche de la rampe de tension V_RAMP pourrait conduire, dans le cas de niveaux d'éclairement relativement élevés dans l'image, à une situation dans laquelle la première phase de lecture n'est pas achevée par l'instant auquel la deuxième phase de lecture doit commencer. Certaines techniques pour pallier à cette situation seront maintenant décrites en relation avec les figures 16 à 20.
La figure 16 est un autre chronogramme représentant des phases de lecture du capteur d'image de la figure 14 selon un exemple de mode de réalisation de la présente description. La figure 16 est similaire au diagramme de la figure 6, si ce n'est que les phases de lecture d'une seule trame sont illustrées en figure 16 et que la synchronisation temporelle de la deuxième phase de lecture est modifiée. En particulier, si la première phase de lecture s'étend au-delà de l'instant de début de la deuxième phase de lecture, la deuxième phase de lecture est retardée pour commencer à un instant .
Bien entendu, modifier le début de la deuxième phase de lecture implique de modifier la courbe de compression utilisée pour convertir la tension de nœud de lecture Vpix en la valeur de pixel d'image. En outre, il y a un risque que certains circuits de pixel puissent saturer, provoquant une perte d'informations.
La figure 17 est un autre chronogramme représentant des phases de lecture du capteur d'image de la figure 14 selon un autre exemple de mode de réalisation de la présente description. La figure 17 est similaire au chronogramme de la figure 16, si ce n'est que, plutôt que de retarder la deuxième phase de lecture, la première phase de lecture est divisée en deux parties a et b à des instants et respectivement. Dans ce cas, seulement le signal AZ est généré aux instants et et aucun INIT n'est utilisé, les pixels ayant été lus demeurant désactivés. Cette approche peut bien marcher dans certaines applications, mais pour certaines applications cela pourrait conduire à l'effet d'image rémanente pour des scènes bougeant très vite, en raison de la réinitialisation par le signal AZ à deux instants différents.
La figure 18 est un autre chronogramme représentant des phases de lecture du capteur d'image de la figure 14 selon encore un autre exemple de mode de réalisation de la présente description. Le chronogramme de la figure 18 est similaire à celui de la figure 6 et représente les valeurs de pixel (PIXEL VALUES) sur la base de tensions de nœud de lecture sur deux trames consécutives n (FRAME_n) et n+1 (FRAME_n+1). Toutefois, dans l'exemple de la figure 18, les phases de lecture aux instants et impliquent un échantillonnage de la tension de nœud de lecture dans chaque circuit de pixel et un stockage local de la présence d'événements, sans lire l'événement en utilisant le circuit de signalisation d'événement. La lecture est effectuée après la troisième phase de lecture (READ PHASE 3), comme il y a un plus grand intervalle de temps entre les instants et dans lequel effectuer cette opération. La phase finale de lecture (READ PHASE 4) se passe par exemple comme dans les exemples précédents.
Selon la solution de la figure 19, la rampe de tension d'entrée du comparateur V_RAMP est par exemple fixée à un niveau constant de Vm pendant les première et deuxième phases et des pixels ayant des valeurs entre cette valeur et Vsat à la fin de chaque temps d'intégration , seront estampillés avec la valeur STAMP_INT correspondante et la commande TG correspondante est par exemple désactivée jusqu'à la fin du cycle de trame. Par conséquent, la tension de nœud de lecture Vpix est stockée au niveau du nœud de lecture SN de ces pixels jusqu'à la troisième phase de lecture à un instant , moment auquel tous les pixels ayant des événements aux instants , ou sont lus. A l'instant , les pixels restants peuvent être lus avec toute la plage dynamique appliquée à la rampe de tension V_RAMP, comme cela a été expliqué précédemment. A cet instant, ou optionnellement une fois la phase de lecture finale achevée, la phase d'intégration d'une nouvelle trame débute par exemple.
Le stockage local dans les circuits de pixel de la valeur de cachet STAMP_INT est par exemple effectué en utilisant un registre interne et un circuit logique est par exemple également ajouté dans chaque pixel afin de désactiver l'arrivée de l'impulsion TG pour des pixels détectant des événements pendant les première et deuxième phases de lecture comme cela sera maintenant décrit en relation avec la .
La figure 19 représente schématiquement un circuit de pixel 1900 selon encore un autre exemple de mode de réalisation de la présente description. Le circuit de pixel 1900 a de nombreux éléments commun au circuit 1100 de la figure 12 et ces éléments sont désignés par de mêmes références et ne seront pas de nouveau décrits en détail. Toutefois, dans le circuit de pixel 1900, la sortie de comparateur, correspondant par exemple à la sortie de la bascule de Schmitt 206, est commutée par une bascule 1902, dont la sortie désactive la commande d'entrée TG arrivant au niveau du pixel. Par exemple, la bascule 1902 est une bascule RS et une sortie d'inverseur de cette bascule est par exemple reliée à une entrée d'une porte ET 1904, dont l'autre entrée est reliée à la ligne TG recevant le signal TG. La sortie de la porte ET 1904 est reliée, par exemple par l'intermédiaire des connexions inter-étages 212, 210 (au lieu du signal de désactivation), à la sortie de commande de la grille de transfert 106. Par conséquent, si la tension au nœud de lecture Vpix atteint Vm pendant les première et deuxième phases de lecture, la grille de transfert 106 demeurera désactivée jusqu'à une commande INIT suivante. Une flèche descendante dans la bascule de Schmitt 206 et une flèche montante dans la porte ET 1904 indiquent un décalage de niveau vers le haut ou vers le bas afin d'adapter les deux alimentations différentes. Par exemple, des niveaux d'alimentation et de signal dans l'étage TIER 3 sont des tensions relativement basses, telles que 1 V ou 1,2 V, dans la mesure où cet étage est par exemple mis en œuvre dans un processus logique avancée, alors que, dans les étages TIER 1 et TIER 2, des dispositifs sont mis par exemple en œuvre conformément à un processus analogique avec une tension d'alimentation plus élevée, telle que 2,5 V.
Une porte OU 1906 est également par exemple ajoutée dans le circuit de pixel 1900 par rapport au circuit de pixel 1200, cette porte OU ayant une entrée recevant un signal d'entrée INH du circuit de pixel, et son autre entrée reliée à la sortie de la porte ET 1230. Ce signal d'entrée INH qui est généré par exemple par le circuit de commande 1420 est par exemple utilisé afin de désactiver le circuit de signalisation d'événement 1102 jusqu'à ce que la lecture doive être effectuée pendant la troisième phase de lecture à l'instant .
Un registre à 3 bits (3-BIT REG) 1908 est également ajouté, ce registre recevant, au niveau d'une entrée de données, le signal de cachet STAMP_INT, et étant commandé par la sortie non inverseuse Q de la bascule 1902 pour stocker la valeur du signal STAMP_INT lorsqu'un événement est détecté pendant la première ou la deuxième phase de lecture. Une sortie du registre 1908 est reliée à un bus de données STAMP_BUS qui est par exemple commun aux circuits de pixel d'une même rangée du réseau. Le registre 1908 est par exemple commandé pour fournir en sortie sa valeur stockée par une sortie d'une porte ET 1910, qui a une de ses entrées reliée à la sortie de la porte ET 1216 et son autre entrée reliée à la ligne 1206 recevant le signal d'accusé de réception ackx. Par exemple, le bus de données STAMP_BUS est un bus à haute impédance qui peut par exemple être mis en œuvre en utilisant des transistors similaires au transistor 1220 pour abaisser la tension sur le bus.
L'une ou l'autre des solutions de synchronisation de lecture décrites en relation avec les figures 16 à 19 peuvent être préférables en fonction du nombre de circuits de pixel qui ont des valeurs d'éclairement fortes ou faibles. Dans certaines solutions d'architecture pilotées par événement, un histogramme d'image en temps réel est par exemple généré en même temps que l'opération de capture de trame d'image et utilisée par exemple pour régler les rapports de temps d'exposition et/ou le mode de lecture pour des trames suivantes, comme cela sera maintenant décrit plus en détail en relation avec la .