INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
On connait différents systèmes et méthodes pour détecter des fuites, par exemple les gaz traceurs, la méthode de la bulle de savon, etc. Dans le cas présent, l’invention concerne plus particulièrement la détection de fuites par variation de pression. Ainsi, lorsqu’on souhaite détecter une fuite par variation de pression, l’objet à tester, dont on veut contrôler le niveau d’étanchéité, subit une variation de pression maitrisée. Cela signifie notamment qu’on fait subir une variation de pression connue à un volume donné interne à l’objet (dite méthode directe) ou à un volume fermé entourant ledit objet (dite méthode indirecte). Puis, après un temps déterminé, il y a mesure de la variation de pression dans un volume caractéristique durant un intervalle de temps prédéfini, afin de déterminer si l’objet présente une fuite, et également parfois pour pouvoir quantifier le niveau de la fuite de l’objet testé.
En effet, une fuite se traduit par une variation de pression pendant une période de temps donnée, plus particulièrement la variation de pression par unité de temps peut par exemple être reliée à un niveau de fuite par la relation mathématique suivante : dans laquelle, F est la fuite généralement exprimée en centimètres cubes standard par minute (ou scm 3 /min), ΔP est la variation de pression en Pascal (Pa) mesurée dans un volume pertinent, Δt l’intervalle de temps (en secondes) de la variation de pression mesurée ΔP, V le volume pertinent à considérer (par exemple le volume interne de l’objet) généralement exprimé en centimètres cubes (cm 3 ), et k une constante multiplicative (en Pa -1 ). On notera que la fuite peut aussi s’exprimer d’autres manières, par exemple sous forme d’un débit massique. La formule qui relie la fuite à une grandeur physique peut prendre différentes formes selon la méthode de mesure utilisée et la grandeur physique étudiée.
Grâce à la mise en œuvre du procédé de durcissement 3, chaque portion de pâte conductrice 51, 52 est durcie de manière optimale.
La représente un quatrième mode de mise en œuvre du procédé de fabrication 6. À la différence des premier, deuxième et troisième modes de mise en œuvre, décrits en référence au , et , l'interconnexion 62 de la deuxième cellule 42 à la première cellule 41 ne mets pas en œuvre une deuxième portion de pâte conductrice 52 ou d'élément d'interconnexion 8. L'interconnexion 62 de la deuxième cellule 42 à la première cellule 41 est réalisée en bardeau c'est à dire que les première et deuxième cellule 41, 42 sont superposées les unes sur les autres à la manière de tuiles sur un toit. La deuxième cellule 42 recouvre ainsi la première portion de pâte conductrice 51. La deuxième face 42b de la deuxième cellule 42 est par exemple pressée contre la première portion de pâte conductrice 51. Une zone de la première face 41a de la première cellule 41, dite "zone de recouvrement", est masquée par la deuxième face 42b de la deuxième cellule 42. Ainsi, les première et deuxième cellules 41, 42, sont en contact électrique.
L'exposition 31 des première et deuxième cellule 41, 42 au premier rayonnement 310 permet de chauffer la première portion de pâte conductrice 51 de part et d'autre, améliorant l'homogénéité de son durcissement.
À la différence d'un procédé selon l'art antérieur où le durcissement des portions de pâte conductrice et la bonification des cellules pourraient être réalisées dans deux étapes différentes, le procédé de fabrication 6 permet de combiner ces étapes, réduisant le nombre d’étapes de fabrication.
La réduction du nombre d'étapes de fabrication permet également d'améliorer davantage le rendement de conversion énergétique de chaque cellule. En effet, dans un procédé de fabrication selon l'art antérieur, la bonification des cellules pourrait être réalisée avant la sérigraphie des portions de pâte conductrice. Elle pourrait d'ailleurs être réalisée plusieurs jours avant la sérigraphie. Cela pourrait avoir pour conséquence de retarder l’encapsulation des cellules (lors d’une étape de lamination), réduisant l’effet de la bonification préalablement réalisée et donc de réduire le rendement potentiel de la chaîne photovoltaïque. En effet, un contact prolongé des cellules avec l’air peut avoir pour conséquence de réduire leur rendement de conversion. La réduction observée peut atteindre -0,1% en absolu.
Dans le procédé de fabrication 6, la bonification à lieu après la sérigraphie des portions de pâte conductrice et pendant le durcissement de ces dernières. La chaîne 71, 72, 73 obtenue à l'issue dudit procédé 6 peut ainsi être directement encapsulée lors d'une étape de lamination de manière à former un module photovoltaïque. Il n'est donc pas nécessaire d'ajouter une étape supplémentaire avant de former ledit module. L'instant où la bonification a lieu étant retardé, le délai entre la bonification et l’encapsulation de la chaîne (par exemple lors de la lamination) est réduit. Le risque de réduction de rendement de conversion est donc également réduit.
La représente schématiquement un mode de réalisation d'un équipement 9 adapté à la mise en œuvre du procédé de fabrication 6 d'une chaîne photovoltaïque 71, 72, 73 à partir d'une première cellule 41 et d'une deuxième cellule 42.
L'équipement 9 comprend un applicateur 92 pour appliquer la première portion de pâte conductrice 51 sur l'une des faces 41a, 41b de la première cellule 41. L'applicateur 92 permet par exemple de sérigraphier la première portion de pâte conductrice 51. L'applicateur 92 permet avantageusement d'appliquer la deuxième portion de pâte conductrice 52 sur l'une des faces 42a, 42b de la deuxième cellule 42.
L'équipement 9 comprend en outre des moyens 93 pour interconnecter la deuxième cellule 42 avec la première cellule 41. Lesdits moyens 93 permettent par exemple de disposer un élément d'interconnexion 8 entre les première et deuxième portions de pâte conductrice 51, 52 tel que décrit en référence aux , et . Lesdits moyens 93 peuvent également agencer les première et deuxième cellules 41, 42 en bardeau, tel que décrit en référence à la . Les moyens 93 pour interconnecter comprennent par exemple des moyens de découpe pour découper un fil ou un ruban issu d’une bobine de manière à former les éléments d’interconnexion 8 et les agencées avant qu’ils soient interconnectés à l’une des cellules 41, 42. Lesdits moyens 93 peuvent également comprendre un bras mécanique également munis d’une ventouse, permettant de manipuler les cellules 41, 42 et les agencées entre elles et vis-à-vis des éléments d’interconnexion 8. Lesdits moyens 93 peuvent également comprendre un convoyeur également appelé tapis de déplacement, permettant également d’agencée les cellules avec les éléments d’interconnexion 8.
L'équipement 9 est remarquable en ce qu'il comprend également une source de rayonnement 91 pour exposer 31 la première face 41a de la première cellule 41 à un premier rayonnement électromagnétique 310 comprenant au moins une première composante comprise 3100 entre 300 nm et 700 nm. Il s'agit par exemple d'une lampe au xénon. Ladite lampe comporte avantageusement un ou plusieurs filtres transparents au plage UV et IR tels que décrites en référence à la .
La source de rayonnement 91 peut également comprendre un ensemble de diodes électroluminescente ou LED. L'ensemble de LED est par exemple configuré pour émettre au moins une composante entre 300 nm et 700 nm. L'ensemble de LED peut également comporter un premier sous-ensemble de LED et un deuxième sous-ensemble de LED de manière à émettre un premier rayonnement 310 similaire tel que décrit en référence à la . Le premier sous-ensemble de LED est par exemple configuré pour émettre une première composante 3101 comprise entre 300 nm et 550 nm tandis que le deuxième sous-ensemble de LED est par exemple configuré pour émettre une deuxième composante 3102 comprise entre 700 nm et 1200 nm et de préférence 800 nm et 1100 nm.
Parce que l'équipement 9 permet de réaliser le durcissement de la première portion de pâte conductrice 51 et la bonification de la première cellule 41, en même temps, il permet de mutualiser la source de rayonnement 91 et peut ainsi présenter un encombrement réduit.
L'équipement 9 peut également être obtenu à partir d'un équipement de fabrication d'une chaîne selon l'art antérieur, tel que décrit en référence à la . Il suffit pour cela d'ajouter la source de rayonnement 91 à l'équipement selon l'art antérieur, de sorte qu'il puisse exposer la première face 4a d'une première cellule 41 au premier rayonnement 310, ladite première cellule 41 comprenant une première portion de pâte conductrice 51 sur l'une de ses faces 41a, 41b, la première cellule 41 étant interconnectée à une deuxième cellule 42. Ainsi, il est possible de convertir un équipement existant en un équipement 9 selon l'invention permettant d'homogénéiser le durcissement de la pâte conductrice et de bonifier les cellules 41, 42.
L'équipement 9 peut également comprendre une plaque de verre transparente, par exemple un verre synthétique tel que le Plexiglas (TM), transparent aux longueurs d'onde comprises entre 300 nm et 700 et préférentiellement entre 300 nm et 1200 nm. La plaque de verre est par exemple disposée entre la source de rayonnement 91 et les première et deuxième cellules 41, 42 de manière à protéger la source de rayonnement 91 des évaporations ou émanations gazeuses liées aux résidus pouvant émaner des cellules 41, 42 chauffées.
L'équipement 9 peut en outre comprendre une source de chaleur 96, distincte de la source de rayonnement 91. Il peut s'agir d'un support chauffant, tel que présenté en référence à la .
L'équipement 9 peut également comprendre une sonde de température 94 pour déterminer la température de la portion de pâte conductrice 51 pendant l’exposition 31 au premier rayonnement électromagnétique 310.
- la illustre une architecture matérielle pouvant mettre en œuvre le procédé d’estimation conforme à l’invention ; et
- la est une représentation fonctionnelle d’un dispositif d’estimation conforme à un mode de réalisation de l’invention.
L’invention s’applique particulièrement à tout ou objet connecté ou communicant, c'est-à-dire à tout objet configuré pour communiquer (émettre ou recevoir des données) avec d’autres équipements.
La représente un système comportant plusieurs équipements EQ1, EQ2, EQ3, EQ4. Ces équipements peuvent être des objets aptes à communiquer avec d’autres objets, c'est-à-dire à émettre des messages vers des autres objets et à recevoir de messages en provenance d’autres objets. Les objets peuvent être connectés à un réseau de communications (non illustré), par exemple un réseau de type LAN (pour « Local Area Network »), tel qu’un réseau résidentiel ou un réseau d’entreprise, ou un réseau de communications étendu 20 ou réseau de type WAN (pour « Wide Area Network »), tel qu’Internet.
Les équipements EQ1-EQ4 peuvent communiquer entre eux au moins selon des communications sans fils, par exemple conformément à un protocole Wi-Fi (pour « Wireless FIdelity », marque déposée), Bluetooth (marque déposée), WiFI, WiFI Direct, LTE (Long Term Evolution), etc. Ainsi, ils sont aptes à émettre et à recevoir des messages sous forme de signaux de radiofréquence. Les équipements EQ1-EQ4 peuvent être configurés pour émettre des messages à destination d’un équipement (émission de type « unicast ») et/ou à destination de plusieurs d’équipements (émissions de type « broadcast » et « multicast »).
Les équipements ou objets connectés EQ1-EQ4 peuvent être de types divers et être utilisés pour de nombreuses applications et dans de nombreux contextes. Des exemples d’objets connectés peuvent être un terminal de téléphonie mobile, un ordinateur portable, une tablette, une passerelle, une imprimante, une enceinte audio, un décodeur de télévision, un téléviseur, une console de jeux, un appareil électroménager, un capteur, une caméra, une montre, des lunettes, un terminal ou borne de paiement etc.
Dans la suite de ce document, le terme équipement, objet, objet connecté ou équipement sera utilisé indistinctement.
Un équipement EQ1-EQ4 configuré pour mettre en œuvre le procédé de d’estimation proposé, sera décrit plus en détail en référence aux figures 4a et 4b. Le procédé d’estimation sera décrit en détail en référence aux figures 2a et 2b.
Chaque équipement EQ1-EQ4 peut mettre en œuvre des applications ainsi que des interfaces de programmation applicative ou interfaces de programmation d’applications (API pour Application Programming Interface) destinées à permettre aux applications de communiquer entre elles. Ainsi, des applications installées dans un même équipement ou des applications installées dans des équipements différents peuvent communiquer via les interfaces de programmation applicative. Par exemple, un terminal mobile d’un utilisateur peut mettre en œuvre une application de paiement qui doit interagir avec une application installée dans un terminal de paiement électronique (TPE). Ces applications échangent des données entre elles via des interfaces de programmation applicatives installées respectivement dans les deux équipements.
Le temps de vol TV entre les équipements peut être estimé en mettant en œuvre le procédé d’estimation proposé. Comme il sera décrit ultérieurement, le procédé estimation est un procédé d’estimation collaboratif. Lorsqu’un premier équipement EQ1 met en œuvre le procédé pour estimer le temps de vol TV entre lui-même et un deuxième équipement EQ2 (temps de vol TV 12 ), le deuxième équipement participe à l’estimation. En outre, le premier équipement EQ1 peut partager avec le deuxième équipement EQ2 et/ou des autres équipements D3-D4, le temps de vol TV 12 entre lui-même et le deuxième équipement EQ2.
La illustre, sous forme d’échange entre un premier équipement EQ1 et un deuxième équipement EQ1, des étapes du procédé d’estimation conforme à un mode de réalisation.
Dans le mode de réalisation illustré à la , le procédé d’estimation est mis en œuvre par un premier équipement EQ1 pour estimer le temps de vol entre lui-même et un deuxième équipement EQ2.
Néanmoins, le procédé d’estimation peut être mise en œuvre par le premier équipement EQ1, par le deuxième équipement EQ2 ou par les deux équipements EQ1, EQ2 ( ).
Dans un mode de réalisation, le procédé d’estimation est mis en œuvre à niveau applicatif, c'est-à-dire lors de la mise en œuvre d’au moins une application installée dans un équipement. Dans le mode de réalisation décrit en référence à la , le procédé d’estimation est mis en œuvre lors de la mise en œuvre d’au moins une application installée dans le premier équipement EQ1. Par exemple, cette application peut nécessiter de connaitre le temps de vol entre le premier équipement EQ1 et le deuxième équipement EQ2, pour ensuite déduire la distance séparant ces équipements. Bien entendu, il peut être mise en œuvre lors de la mise en œuvre des applications installées respectivement dans le premier équipement EQ1 et le deuxième équipement EQ2. Par exemple, le procédé d’estimation peut être mis en œuvre par le premier équipement EQ1 lorsqu’une l’application exécutée par le premier équipement EQ1 doit interagir avec une application installée dans le deuxième équipement EQ2, et qu’une opération est conditionnée par la distance D séparant ces équipements. Le temps de vol obtenu par la mise en œuvre du procédé d’estimation, peut être utilisé pour déduire la distance D séparant les deux équipements, cette distance pouvant être utilisée par le premier équipement EQ1 lors de la mise en œuvre de l’application.
Par exemple, une transaction bancaire est réalisée lorsque la distance entre le terminal d’utilisateur et le terminal de paiement électronique est inférieure à une distance prédéfinie. De manière similaire, l’interaction d’un équipement avec un équipement donnant accès à des ressources dont l’accès est contrôlé, tel qu’un verrou électronique, une porte ou ascenseur sécurisés par un code, etc., peut être conditionnée par la distance entre les équipements. On notera que la vérification de la distance entre les équipements permet de sécuriser l’accès à des équipements et de satisfaire des exigences de sécurité et/ou confidentialité.
La détermination de la distance est mise en œuvre en utilisant une constante indicative de la vitesse de propagation des signaux. La détermination de la distance entre deux équipements à partir du temps de vol entre deux équipements est connue de l’homme du métier et ne sera pas décrit ici.
A partir d’une part de ces mesures capacitives, et d’autre part de la concentration du cuivre déterminée par spectrométrie pour le même volume de composition réactive, c’est-à-dire avec un écart temporel Δt 0 , le pourcentage du métal sous une forme oxydée et non oxydée dans la composition réactive est déterminé. L’avancement de la réaction de synthèse de l’encre chargée en nanoparticules de cuivre peut alors en être déduit.
Répétition des cycles de mesure La succession de la spectrométrie et de la mesure de la capacitance électrique est réalisée à un intervalle de temps fixe, par exemple toutes les 2 s, pendant le procédé de suivi de la synthèse de l’encre chargée en nanoparticules de cuivre afin de déterminer la concentration du cuivre et la concentration du cuivre sous la forme de Cu 2 O au cours du temps. Lorsque la concentration en cuivre sous la forme de Cu 2 O atteint moins de 1 % de la concentration du cuivre dans la composition réactive, la synthèse de l’encre chargée en nanoparticules de cuivre est considérée terminée.
Comme cela est illustré sur la , au cycle n, dans un premier temps, à un instant t n , le comptage net N n de la raie de fluorescence Kα du cuivre est mesuré et comparé 100 avec le comptage net N n-1 réalisé à l’instant t n -1 du cycle immédiatement précédent n-1.
- Si la variation absolue |N n – N n-1 | est supérieure à une valeur prédéterminée ∆N, par exemple de 4 %, entre les instants t n-1 et t n , alors la concentration du cuivre dans la composition réactive n’est pas stable, une alerte 105 est donnée et la concentration en cuivre dans la composition réactive est affichée 110. Une nouvelle mesure spectrométrique 115 à l’instant de mesure consécutif t n+1 du comptage net N n+1 est réalisée sans qu’une mesure de la capacitance électrique n’ait été réalisée. Un traitement chimique tel qu’une filtration peut également être réalisé avant de procéder à une nouvelle mesure.
- Si la variation absolue | N n – N n-1 | est inférieure à la valeur prédéterminée ∆N, 120, la mesure 200 de la capacitance électrique C n est réalisée. Dans ce cas, si la variation absolue de la capacitance |C n – C n-1 | entre les instants de mesure t n et t n-1 est supérieure à une valeur prédéterminée ∆C, par exemple de plus de 4 % (entre 100 et 500 kHz), alors la concentration du cuivre dans la composition réactive et la proportion d’oxyde de cuivre(I) Cu 2 O et de cuivre Cu sont déterminées 215 comme détaillé précédemment et sont affichées 220, ainsi que l’avancement de la réaction de synthèse. Dans le cas contraire 205, seule la concentration en cuivre est affichée 110 et une nouvelle mesure à l’instant t n+1 de comptage net N n+1 est réalisée.
Le cycle de ces mesures est répété 305 jusqu’à ce que l’avancement de la réaction de synthèse des particules de cuivre soit supérieur 300 à un seuil donné, par exemple jusqu’à ce que moins de 1% du cuivre soit sous la forme d’oxyde de cuivre(I) Cu 2 O. Le procédé de suivi est alors arrêté 310.
Comme cela apparaît à la lecture de la description, l’invention permet de suivre l’évolution de l’avancement de la synthèse d’une dispersion de particules. Elle n’est cependant pas limitée à l’exemple de mise en œuvre présenté à titre illustratif.
Procédé et système pour la mesure de concentrations relatives de matériaux d’un mélange par mesure de susceptibilité magnétique dynamique (AC). La présente invention concerne le domaine de la mesure de concentrations de matériaux au sein d’un mélange, notamment un mélange binaire.
L’invention vise principalement à optimiser ce type de mesure, en proposant une solution compacte, fiable, rapide, non destructive et qui permette une intégration dans un environnement contraignant, notamment en termes d’espace disponible, et/ou dans une ligne de production en continu.
Selon un autre mode de réalisation, le signal analogique de référence PWM n'est pas présent sur le signal Comi mais sur la tension de référence haute Vcc ou sur la tension de référence basse Gnd.
Le signal Com 1 en est identique au signal Com 1 de la à la différence qu'il ne comprend pas la succession de motifs pendant la phase P2 mais reste à la valeur nulle pendant la phase P2. En , la tension de référence haute Vcc est constante à une valeur Vcc_max sauf pendant la partie P2_ON de la phase P2 pendant laquelle elle présente la répétition de motifs entre la valeur maximale Vcc_max et une valeur positive minimale Vcc_min. Le circuit de pilotage 40 représenté peut avoir la structure représentée en figure en . Le circuit de pilotage 40 peut en outre comprendre un circuit pour fournir une tension de référence haute stabilisée à partir du signal Vcc.
La représente un autre mode de réalisation de la source de courant commandable CS. La source de courant commandable CS à la même structure que celle représentée sur la à la différence qu'elle comprend un transistor MOS T16 à canal N en série avec le transistor MOS T4, le drain du transistor T16 étant relié, de préférence connecté, au drain du transistor T16, la source du transistor T16 étant reliée, de préférence connectée, à la source du potentiel de référence bas Gnd, et la grille du transistor T16 recevant une tension constante Vbias. La structure de la source de courant CS représentée en permet une commande plus précise en courant de la diode électroluminescente LED.
La représente un autre mode de réalisation du circuit 40 de pilotage de la source de courant commandable CS. Le circuit 40 comprend l'ensemble des éléments représentés en à la différence que le comparateur COMP est remplacé par un transistor MOS T17 à canal N dont la source reçoit le signal PWM, dont la grille est reliée, de préférence connectée, au noeud M et dont le drain est relié, de préférence connecté, aux grilles des transistors T2 et T3, et deux transistors MOS T18 et T19 à canal N, montés en série entre le drain du transistors T17 et la source de la tension de référence haute Vcc, les grilles des transistors T18 et T19 étant reliées, de préférence connectées, à la source de la tension de référence haute Vcc. Le circuit 40 de pilotage est particulièrement adapté au cas où les transistors MOS sont remplacés par des transistors en couches minces, également appelés transistors TFT (sigle anglais pour Thin-film transistor).
Des simulations ont été réalisées. Pour les simulations, le circuit de pilotage 40 a la structure représentée sur les figures 10 et 11.
Les figures 18 et 19 représentent des chronogrammes de signaux pendant une phase P1. Plus précisément, la représente la courbe d'évolution de la tension R aux bornes du condensateur C1 et la représente les courbes d'évolution du signal Com 1 et du signal Prog pendant la phase P1.
Les figures 20 et 21 représentent des chronogrammes de signaux pendant une phase P2. Plus précisément, la représente la courbe d'évolution de la tension VCS de grille du transistor T4 et la représente les courbes d'évolution du signal Com 1 , du signal Prog.
Les figures 22 et 23 sont analogues respectivement aux figures 20 et 21 dans le cas où le signal de données transmis au pixel d'affichage a une valeur maximale ce qui correspond à une intensité lumineuse émise par le pixel d'affichage qui est nulle (VCS constant et égal à 0 V, la diode électroluminescente étant éteinte pendant toute la phase P2).
Les figures 24 et 25 sont analogues respectivement aux figures 20 et 21 dans le cas où le signal de données transmis au pixel d'affichage a une valeur minimale ce qui correspond à une intensité lumineuse émise par le pixel d'affichage qui est maximale (VCS constant et égal à 5 V, la diode électroluminescente étant allumée pendant toute la phase P2).