INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
L’étape de formation comprend en outre une sous-étape de formation d’une première couche 910a, s'étendant parallèlement au plan P, tel qu’illustré par les et . Le plan P correspond par exemple à la surface de l’électrode inférieure 13 et de la couche diélectrique 61 sur laquelle la première couche 910a repose. La première couche 910a est destinée à former la première couche active 11. Le premier empilement planaire 10 assurera la fonction de mémoire (double mémoire, par exemple).
L’étape de formation du premier empilement 10 comprend également une sous-étape de formation d’une deuxième couche 910b, destinée à former les première et deuxième électrodes supérieures 121, 122. La deuxième couche 910b s'étend parallèlement au plan P, et repose sur la première couche 910a. La deuxième couche 910b est formée à partir d’un alliage conducteur, par exemple en TiN.
L’étape de formation comprend également une sous-étape de délimitation des première et deuxième couches 910a, 910b de manière à former la première couche active 11. La première couche active 11 est ainsi délimitée par des troisième et quatrième flancs 1111, 1122.
La sous-étape de délimitation est également réalisée de manière à obtenir la première électrode supérieure 121 et la deuxième électrode supérieure 122. La première électrode supérieure 121 est ainsi délimitée latéralement par au moins un premier flanc 1211 et la deuxième électrode supérieure 122 est délimitée par au moins un deuxième flanc 1222. En pratique, la première couche active 11 et les électrodes supérieures 121, 122 sont délimitées latéralement lors d’une même étape de gravure.
La séparation des première et deuxième électrode supérieures 121, 122 est également réalisée lors de la sous-étape de délimitation. La délimitation est par exemple réalisée par une première gravure, telle qu’illustrée par les et , formant une tranchée divisant la deuxième couche 910a en deux parties, destinée à former les électrodes supérieures 121, 122. Une deuxième gravure, telle qu’illustrée par les et , délimite alors le pourtour du premier empilement planaire 10.
Après la première gravure, la tranchée peut être rempli avec un matériau diélectrique 62. Après dépôt, le matériau diélectrique 62 est avantageusement planarisé de manière à être à fleur de la surface supérieure des électrodes supérieures.
La première couche 910a peut également être divisée en deux parties lors de la première gravure. Ainsi, au terme de la deuxième gravure, la première couche active 11 comprend deux parties 116, 117 distinctes, dans le prolongement des première et deuxième électrodes supérieures 121, 122.
Le premier empilement intermédiaire 912a peut également comprendre une couche isolante 14, s’étendant sur les électrodes supérieures 121, 122. Auquel cas le procédé peut également comprendre une sous-étape de dépôt d’une couche isolante sur les premières et deuxièmes couches 910a, 910b de sorte que la délimitation de ces dernières permette également de délimiter la couche isolante 14. Le dépôt de la couche isolante peut intervenir entre les première et deuxième gravures décrites précédemment. De la sorte, la couche isolante 14 s’étend de manière continue de la première électrode supérieure 121 à la deuxième électrode supérieure 122.
Les et représentent un deuxième empilement intermédiaire 913a comprenant une couche active globale 9131, recouvrant le premier empilement planaire 10 et la surface de la couche diélectrique 62 non-recouverte par les empilements planaire 10. La couche active globale 9131 est destinée à former les deuxième et troisième couches actives 21, 31 des premier et deuxième empilements verticaux 20, 30. Elle est par exemple formée à base d’un alliage ovonique tel que le Ge-Se-Sb-N.
Le deuxième empilement intermédiaire 913a peut également comprendre une couche conductrice globale 9132 s’étend sur la couche active globale 9131, destinée à former les couches conductrices 22, 32 des deuxième et troisième empilements 20, 30. Il peut également comprendre une couche conductrice additionnelle, destinée à former une partie au moins des premier et deuxième contacts électrique 40, 50. Ici, la couche conductrice additionnelle peut être destinée, après gravure, à former des colonnes d’adressage de la matrice.
La formation des deuxième et troisième empilements 20, 30 comprend dans un premier temps une sous-étape de dépôt de la couche active globale 9131 sur le premier empilement planaire 10 et sur la couche diélectrique 61. Une première partie au moins de la couche active globale 9131 s’étend parallèlement au premier et deuxième flancs 1211, 1222 des électrodes supérieures 121. Elle s’étend notamment au moins en partie en vis-à-vis du premier flanc 1211 de la première électrode supérieure 121 et du deuxième flanc 1222 de la deuxième électrode supérieure 122. Le dépôt de la couche active globale 9131 est réalisé de manière conforme, par exemple de manière à présenter une épaisseur sensiblement constante en tout point. Par sensiblement constante, on entend à 20% près au moins, par exemple à 10% ou même 5% près, voire mieux. Ce dépôt conforme est réalisé par exemple par « ALD » (pour « Atomic Layer Dépositions » en anglais).
Le procédé peut en outre comprendre une sous-étape de dépôt de la couche conductrice 9132, par exemple par dépôt conforme, de sorte qu’elle s’étende sur la couche active globale 9131. Le procédé peut également comprendre une sous-étape de dépôt de la couche conductrice additionnelle, par exemple également par dépôt conforme, de sorte qu’elle s’étende sur la couche conductrice 9132.
Les et représentent un ensemble 1, différent du deuxième empilement intermédiaire 913a des et en ce qu’il comprend des deuxième et troisième empilements 20, 30, disposés de part et d’autre du premier empilement planaire 10.
: la représente un agencement d’électrodes avec trois électrodes indépendantes par groupe gauche ou droite d’électrodes ;
: la représente un agencement d’électrodes avec quatre électrodes indépendantes par groupe gauche ou droite d’électrodes ;
: la représente un agencement d’électrodes avec cinq électrodes indépendantes par groupe gauche ou droite d’électrodes ;
: la représente un agencement d’électrodes avec six électrodes indépendantes par groupe gauche ou droite d’électrodes ;
: la représente un agencement d’électrodes avec sept électrodes indépendantes par groupe gauche ou droite d’électrodes ;
: la représente un agencement d’électrodes avec des électrodes extrémales plus importantes ;
: la illustre un schéma illustrant une partie du commutateur ;
: 16 illustre un schéma illustrant une partie du commutateur, notamment dans la poignée ;
. : la illustre une pluralité de configurations alternatives que peut prendre la station de mesure, notamment grâce au commutateur de ou 17 ;
FIG : 19 : la illustre un procédé de sélection de configuration.
Description détaillée Les figures 1 à 4 illustrent une représentation d’une station de mesure 100 selon au moins un mode de réalisation de la présente description. La station de mesure 100 se présente principalement sous la forme d’une base 102 sur laquelle un utilisateur peut poser ses pieds, par exemple à plat. L’utilisateur peut être sur la station de mesure ou assis sur une chaise. En position normale d’utilisation, les pieds de l’utilisateur sont posés à plat sur la station de mesure 100.L’épaisseur de la base 102 est par exemple inférieure à 10 cm, voire 6cm. La station de mesure 100 comprend un ou plusieurs capteurs 104 aptes à mesurer des informations physiologiques d’un utilisateur.
Dans un mode de réalisation, certains capteurs 104 (par exemple des électrodes) sont montés sur un substrat 106 de la base 102, le substrat étant configuré pour recevoir les pieds d’un utilisateur. Le substrat peut être une plaque rigide, comme illustré sur les figures, et appelée plaque de mesure 106. La plaque de mesure 106 définit un plan parallèle à un plan XY. La plaque de mesure 106 peut être en verre. Néanmoins, le substrat peut être déformable sous le poids de l’utilisateur. Le substrat 106 peut être monté sur un socle 108, par exemple rigide, ou des pieds (non illustré). Dans le cas d’une base 102 fonctionnant comme un pèse-personne, des capteurs sont positionnés entre le substrat 106 et le socle 108 (architecture dite « sandwich ») ou entre le substrat 106 et les pieds (architecture dite « à pieds »). Les capteurs peuvent être des cellules de charge (généralement quatre) qui permettent, d’obtenir un poids, et donc une masse d’un utilisateur. Le socle 108 peut être en métal (aluminium, acier, etc.) ou en plastique.
Comme visible en , la station de mesure 100 comprend de plus une plaque de support 202, qui peut être solidaire de la plaque de mesure 106. La plaque de support 202 est conçue pour recevoir une partie de l’électronique de la station de mesure 100, notamment via un circuit imprimé PCB (« printed circuit board ») monté sur la plaque de support 202. La plaque de support 202 est donc positionnée entre le socle 108 et la plaque de mesure 106.
Dans une architecture à pieds, on définit deux groupes en déplacement l’un par rapport à l’autre : les pieds d’une part (groupe fixe), et tout le reste d’autre part (groupe mobile). Les cellules de charges relient mécaniquement ces deux groupes. La plaque de support, si présente, est alors généralement cachée par un capot externe solidaire de la plaque de mesure. Visuellement, seule la partie mobile est généralement visible.
Dans une architecture sandwich, on définit deux groupes en déplacement l’un par rapport à l’autre : le socle 108 (et éléments associés) d’une part (groupe fixe), et tout le reste d’autre part (groupe mobile). Les cellules de charges relient mécaniquement ces deux groupes. Visuellement, les deux groupes sont généralement visibles.
Dans un mode de réalisation, la station de mesure 100 comprend en outre une poignée 110, apte à être saisie par une moins une main de l’utilisateur, illustrée en figures 3 et 4. La poignée 110 peut être reliée à la station de mesure par un câble 302 (visible sur la ). Afin d’avoir une station de mesure 100 pratique et sans câble volant, le câble 302 peut se déployer et se rétracter (par exemple s’enrouler et se dérouler) à l’intérieur de la base 102. A cette fin, un enrouleur (non visible sur les figures) est agencé dans un espace prévu entre le substrat 106 et le socle 108. Au moins deux positions sont ainsi définies pour la poignée : une position rangée (visible en figures 1 et 2) et une position déployée (visible en ). La base 102 comprend en outre un support de poignée 112 qui peut accueillir la poignée 110 en position rangée. Le support de poignée 112 est par exemple monté sur le substrat 106. Il sera décrit plus en détail par la suite. La poignée 110 comprend elle aussi au moins un capteur 402.
Un onduleur photovoltaïque peut être connecté à la sortie des groupes de convertisseurs et lorsqu'un surplus de puissance est détecté le contrôle par décalage de fréquence sera activé pour limiter la puissance de l'onduleur photovoltaïque. L'objectif principal de cet algorithme est de gérer le flux d'énergie entre les groupes de convertisseurs lorsqu'il y a un groupe électrogène ou un réseau public connecté à l'entrée d'un groupe de convertisseurs et un onduleur photovoltaïque connecté à la sortie des groupes de convertisseurs.
L’algorithme de la est semblable à l’algorithme de la (les étapes 900 à 916 correspondent aux étapes 800 à 816), si ce n’est qu’à l’étape 913, la régulation prédéfinie qui est mise en œuvre utilise un contrôle par décalage de fréquence (du fait de la présence de l’onduleur photovoltaïque 30).
On a alors :
On voit les échanges de puissance sur la .
En référence à la , on décrit maintenant l’algorithme de contrôle local mis en œuvre par un convertisseur maître local.
Le convertisseur maître local reçoit les ordres de contrôle (haut niveau) du convertisseur maître global. Il gère en outre le flux d'énergie dynamique au sein du groupe de convertisseurs. L'objectif principal de cet algorithme est de gérer le flux de puissance entre le convertisseur à l'intérieur du groupe de convertisseurs en fonction de l'algorithme de contrôle défini par le convertisseur maître global.
Suite à l’étape de départ E1000, le convertisseur acquiert un certain nombre de paramètres : voir sur la (étape E1001).
Le convertisseur maître local vérifie si :
en lançant l’algorithme de détection de présence du groupe électrogène (étape E1002).
Si c’est le cas, cela signifie que le groupe de convertisseurs auquel appartient le convertisseur maître local est connecté à un groupe électrogène. Le convertisseur maître local démarre la synchronisation avec le groupe électrogène et lance les algorithmes appropriés, c’est-à-dire :
(étape E1003).
(étape E1004).
Si c’est le cas, il déconnecte tous les convertisseurs du groupe électrogène et ouvre tous les contacteurs d’entrée :
(étape E1005).
Le procédé passe à l’étape E1001.
Seules quelques zones de contraintes 40A à 40D, 42A à 42D, 44A, 44B et 46A, 46B sont représentées sur la .
Ces zones de contraintes correspondent par exemple aux points d’intervention d’un opérateur sur le routage des câblages tels que des points de fixation des câbles ou des points de changement de direction des câbles par exemple.
Ainsi, dans l’exemple de la , certaines zones de contraintes 44A, 44B et 46A, 46B, correspondent aux points de changement de la direction de routage respectivement dans les points 34A, 34B et 36A, 36B.
De la même manière, certaines zones de contraintes 40A à 40D et 42A à 42D correspondent respectivement aux points de fixation 30A à 30D et 32A à 32D.
Selon l’invention, les câbles 22 sont disposés sur la face arrière 18 de l’embase 12 de sorte que le plus court chemin passant par le milieu ambiant entre chaque paire de zones de contraintes 40A à 40D, 42A à 42D, 44A, 44B et 46A, 46B correspondant respectivement aux points de fixation 30A à 30D et 32A à 32D et aux points de changement de la direction de routage 34A, 34B et 36A, 36B soit égal à au moins environ 20 mm.
Dans le présent exposé, deux câbles adjacents présentent au moins une paire de zones de contraintes.
Ainsi, dans l’exemple de la , les points de fixation 30A à 30D sont disposés selon un axe oblique Y1 formant un angle strictement inférieur à 90° avec l’axe de guidage X1 de sorte que la distance le long de l’axe oblique Y1 entre chaque couple de points de fixation 30A et 30B, 30B et 30C, et 30C et 30D, soit égale à au moins environ 20 mm.
Dans ce cas, le plus court chemin entre chaque couple de zones de contraintes 40A à 40D formés par ces points 30A à 30D, est égal à au moins environ 20 mm.
Les points de fixation 32A à 32D sont disposés en zigzag par rapport à un axe de fixation Y2 formant un angle non-nul avec l’axe de guidage X2 de sorte que la distance entre chaque couple de points de fixation 32A et 32B, 32B et 32C, 32C et 32D, 32A et 32C, et 32B et 32D soit égale à au moins environ 20 mm.
Dans l’exemple de la , l’axe de fixation Y2 est sensiblement perpendiculaire à l’axe de guidage X2.
Ainsi, dans ce cas, le plus court chemin entre chaque couple de zones de contraintes 42A à 42D formés par ces points de fixation 32A à 32D, est égal à au moins environ 20 mm.
Selon un mode de réalisation de l’invention, une barrière 50 en matériau diélectrique tel qu’un Kapton® est agencée entre les points de changement de direction 34A et 34B de sorte que la distance entre ces deux points par contournement de la barrière 50 soit égale à au moins environ 20 mm.
Ainsi, le plus court chemin par contournement de la barrière 50 entre les zones de contraintes 44A et 44D formés par ces points de changement de direction 34A et 34B, est égal à au moins environ 20 mm.
La hauteur de la barrière 50 est égale à au moins environ 18 mm.
Selon la présente invention, les points de changement de direction 36A et 36B sont espacés l’un de l’autre de la distance égale à au moins environ 20 mm.
Ainsi, le plus court chemin entre les points fixes 46A et 46D formés par ces points de changement de direction 36A à 36D, est égal à au moins environ 20 mm.
: étape E803.
Si c’est le cas, le convertisseur vérifie si
: étape E804.
Si c’est le cas, le convertisseur limite le courant de charge de la batterie : étape E805.
Si ce n’est pas le cas, le convertisseur charge la batterie avec le courant maximal (MPPT) : étape E806. L’algorithme repasse à l’étape E802.
A l’étape E803, si , le convertisseur vérifie si :
: étape E807.
Si ce n’est pas le cas, le convertisseur se met en mode onduleur et décharge sa batterie pour couvrir le déficit de puissance :
: étape E808.
L’algorithme repasse à l’étape E802.
Si c’est le cas, le convertisseur vérifie la présence d’un groupe électrogène : étape E809.
Si un groupe électrogène est présent, le convertisseur se synchronise avec ledit groupe électrogène : étape E810.
: étape E811.
La subdivision de la première couche active 11 en deux parties (116 et 117) résulte ici d’une gravure d’ensemble, d’un bloc, d’un empilement initial comprenant une couche active initiale, d’un seul tenant, et, par-dessus, une couche d’électrode supérieure, d’un seul tenant (ladite gravure séparant cette couche d’électrode pour obtenir les première et deuxième électrodes supérieures 121, 122).
La représente schématiquement le quatrième mode de réalisation de l’ensemble 1. À la différence des modes de réalisation des figures précédentes, l‘ensemble 1 comprend ici un quatrième empilement mémoire planaire 10’. Le premier empilement planaire 10 et le quatrième empilement planaire 10’ sont orientés en tête-bêche. L’ensemble comprend également une couche isolante 14 s’étendant entre les premier et quatrième empilements planaires 10 et 10’, de manière à les isoler électriquement l’un de l’autre.
Le quatrième empilement mémoire 10’ comprend une quatrième couche active 16, une troisième électrode 171 et une quatrième électrode 172. La quatrième couche active 16 est également une couche mémoire. Dans cet exemple, la quatrième couche active 16 est divisée en une première partie 161 et une deuxième partie 162.
Les première et deuxième électrodes supérieures 121, 122 sont séparées des troisième et quatrième électrodes 171, 172 par la couche isolante 14. La quatrième couche active 16, ici ses première et deuxième parties 161, 162, s’étendent sur les troisième et quatrième électrodes 171, 172, contre et au-dessus de celles-ci. Les troisième et quatrième électrodes 171, 172 sont avantageusement distinctes et séparées par un isolant 62, tel qu’un matériau diélectrique. Elles n’ont pas de contact électrique direct entre elles et sont ainsi isolées électriquement l’une de l’autre.
Le premier empilement planaire 10 comprend une électrode inférieure 13, la première couche active 11 étant reliée à l’électrode inférieure 13. Le quatrième empilement planaire 10’ peut également comprendre une cinquième électrode 18, s’étendant sur la quatrième couche active 16, au-dessus de celle-ci. La quatrième couche active 16 est ainsi reliée électriquement entre les troisième et quatrième électrodes 171, 172 d’une part, et la cinquième électrode 18 d’autre part. La cinquième électrode 18 peut également être reliée électriquement à un via, appelé via supérieur 70’, situé au-dessus du quatrième empilement planaire 10’. Le via supérieur 70’ est disposé entre les premier et deuxième contacts électriques 40, 50, d’un point de vue latéral.
La troisième électrode 171 est également délimitée par une surface latérale comprenant au moins un flanc 1711, dit premier flanc additionnel, orienté verticalement. Le premier flanc additionnel 1711 est parallèle au premier flanc 1211 de la première électrode supérieure 121. Le premier flanc additionnel 1711 est préférentiellement aligné avec le premier flanc 1211 de la première électrode supérieure 121, situés dans le prolongement de celui-ci. En pratique, l’empilement global formé par le premier empilement planaire 10, la couche isolante 14 et le quatrième empilement planaire 10’ qui vient la recouvrir, peut être délimité latéralement lors d’une même opération de gravure, globale, produisant, un même flanc global, d’ensemble, qui s’étend sur toute la hauteur de cet empilement global (et cela sur chaque côté, ou sur chaque face latérale de cet empilement global).
La deuxième couche active 21 du deuxième empilement vertical 20 s’étend verticalement sur toute une partie de la hauteur de cet empilement global (ici, sur toute la hauteur de cet empilement global, et même plus). Elle s’étend non seulement en vis-à-vis du premier flanc 1211, de la première électrode supérieure 121, mais aussi en vis-à-vis du premier flanc additionnel 1711, de la troisième électrode 171, parallèlement à ces flancs 1211, 1711. De cette manière, la deuxième couche active 21 du deuxième empilement vertical 20 peut comprendre deux canaux de conduction 211, 212 distincts (l’un, 211, situé en face du premier flanc 1211, et l’autre, 211, situé en face du premier flanc additionnel 1711), adressables indépendamment l’un de l’autre, permettant d’encoder chacun une information distincte. La seule couche active 21 permet ainsi de former deux « sélecteurs » distinctes.
De même que la deuxième couche active 21, la troisième couche active 31 s’étend verticalement sur toute une partie de la hauteur de l’empilement global en question (ici, sur toute la hauteur de cet empilement global, et même plus). Elle s’étend non seulement en vis-à-vis d’un deuxième flanc 1222 délimitant en partie la deuxième électrode supérieure 122, mais aussi en vis-à-vis d’un deuxième flanc additionnel 1722 de la quatrième électrode 172, parallèlement à ces flancs 1222, 1722.
La quatrième couche active 16 est divisée en une première partie 161 et une deuxième partie 162. Ladite première partie 161 s’étend sur la troisième électrode 171, par exemple dans le prolongement de cette dernière. Ladite deuxième partie 162 s’étend, de la même manière, sur la quatrième électrode 172.
La cinquième électrode 18 est isolée de chaque empilement verticaux 20, 30. Elle est par exemple isolée au moyen d’espaceurs isolants additionnels 152, s’étendant de part et d’autre de la cinquième électrode 18. La cinquième électrode 18 peut ainsi présenter une largeur plus petite que l’extension latérale de la quatrième couche active 16 (comme pour l’électrode inférieure 13 et la première couche active 11). La cinquième électrode 18 présente avantageusement une largeur telle qu’elle présente au moins une partie en vis-à-vis avec chacune des troisième et quatrième électrode 171, 173.
La représente un schéma électrique équivalent de l’ensemble 1 tel que décrit en référence au , , , et . La représente de manière plus large deux ensembles 1, 1’ tels que décrits ci-dessus, appartenant à une matrice 3 de mémoires résistives. Les ensembles 1 et 1’ sont préférentiellement identiques, connectés entre deux lignes d’adressage 81a, 81b et deux colonnes d’adressage 82a, 82b. L’ensemble 1 tel que décrit précédemment est notamment connecté entre une ligne 81a et deux colonnes 82a, 82b.
Le schéma électrique de l’ensemble 1 comprend deux circuits connectés à une ligne commune 81a. Un premier circuit comprend la première portion 114 de la première couche active 11, reliée en série avec le deuxième empilement vertical 20. Tous deux étant connectés entre l’électrode inférieure 13 et le premier contact électrique 40. L’électrode inférieure 13 est par exemple connectée à la ligne d’adresse 81a et le premier connecteur électrique est connecté à une première colonne d’adressage 82a. Un deuxième circuit comprend la deuxième portion 115 de la première couche active 11, reliée en série avec le troisième empilement 30. Tous deux étant connectés entre l’électrode inférieure 13 et le deuxième contact électrique 50. Le deuxième connecteur électrique est connecté à une deuxième colonne d’adressage 82b.