INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Par « amont » ou « aval », on situe les éléments dans le sens de propagation de la lumière. Ainsi, un premier équipement ou élément est situé en amont d’un deuxième équipement ou élément si le faisceau de lumière traverse d’abord le premier puis le second équipement.
La présente invention concerne toute installation de moyenne ou haute tension, courant alternatif ou continu et notamment des conducteurs électriques / câbles de transport ou distribution d’énergie électrique ou par exemple des postes avec isolation à air ou des postes sous enveloppe métallique.
La présente invention trouve une application particulièrement intéressante dans un réseau haute tension à courant continu (High voltage Direct Current (HVDC) en anglais) pour le transport d’énergie électrique, c’est-à-dire du courant.
Ainsi il est formé une cage de protection contre les perturbations électromagnétiques. Par exemple cette cage enveloppe totalement les équipements électriques logés dabs le compartiment.
Entre l’étape de mise en contact et l’étape de déduction, il peut être prévu un temps d’attente pour que, le cas échéant, le ou les signaux (tels que des virages chromatiques) puissent avoir lieu.
Concernant l’étape de déduction, lorsque les indicateurs de détection sont des indicateurs colorés, l’opérateur pourra se baser sur une échelle colorimétrique associée au système de détection, qui définira, pour tous les composés chimiques susceptibles d’être détectés par le système, le virage chromatique correspondant, cette échelle colorimétrique pouvant être déterminée, par des essais préalables, pour chacun des systèmes et les composés chimiques destinés à être détectés par lesdits systèmes. La déduction pourra se faire à l’œil nu ou, si nécessaire, via des moyens opto-électroniques.
L’invention a enfin également trait à un kit de détection colorimétrique utilisable pour la détection d’un ou plusieurs composés chimiques comprenant les éléments suivants :
-un système de détection conforme à l’invention et tel que défini ci-dessus et dans lequel les indicateurs de détection sont des indicateurs colorés ; et
, déjà commentée, représente trois exemples de virage chromatique pour un système de détection conforme à l’invention revêtu de trois indicateurs colorés distincts.
, déjà commentée, illustre schématiquement, pour le dépôt de 3 indicateurs colorés distincts, trois masques de dépôt et le support ainsi revêtu comprenant un ensemble de points distincts pour chacun des indicateurs colorés.
représente une photographie du support ainsi imprimé conformément à l’exemple de réalisation défini ci-dessous.
représente un agrandissement sous binoculaire du support imprimé conformément à l’exemple de réalisation défini ci-dessous.
représente le support imprimé 30 secondes après le dépôt de 12 composés chimiques distincts.
représente le même support imprimé 5 minutes après le dépôt des 12 composés chimiques distincts.
Ainsi, il est possible d’utiliser des codes-barres spécifiques qui se distinguent des codes-barres standardisés car dépourvus d’une chaîne de caractères de symbologie. Ces codes-barres spécifiques au procédé permettent de réaliser des actions spécifiques exécutées dans l’application. L’absence de symbologie rend ces codes-barres spécifiques plus légers à transmettre, sans léser l’acquisition et le traitement des codes-barres standards. L’association d’un code-barres spécifique scanné à la suite d’un code-barres standard (identifiant un dispositif donné) permet de réaliser au sein de l’application une action sur le dispositif donné. On peut par exemple réaliser une saisie d’informations complémentaires pour un dispositif scanné par l’intermédiaire du lecteur optique.
Selon une caractéristique particulière, la détermination de la présence de la chaîne de caractères de symbologie et l’extraction de la donnée utile sont réalisées au sein de l’application serveur (éventuellement distante).
La maintenance des terminaux informatiques présents en implantation est réduite au minimum. Une éventuelle mise à jour des règles de traitement (par exemple en cas d’introduction ou de modification d’un nouveau standard de code-barres) est alors principalement réalisée au niveau de l’application serveur, qui peut être distante ou chargée dynamiquement sur le terminal informatique. Cette centralisation garantit en outre une grande cohérence dans le traitement des données issues des dispositifs médicaux.
L’invention propose en outre un dispositif électronique de traitement de données (TERM), caractérisé en ce qu’il comprend :
- des moyens pour recevoir une chaîne de caractères d’entrée ;
- des moyens pour stocker ladite chaîne de caractères d’entrée dans une mémoire tampon accessible à une application de traitement exécutée par un navigateur au sein du dispositif électronique ;
- des moyens d’analyse syntaxique par l’application de la chaîne de caractères d’entrée comprenant des moyens de détermination en continu de la présence d’un préfixe de forme prédéterminée au début de la chaîne de caractères d’entrée stockée dans la mémoire-tampon ;
- des moyens d’extraction d’une sous-chaîne de caractères à partir de la chaîne de caractères d’entrée à l’aide du préfixe si ledit préfixe est présent, et des moyens de vidage de la mémoire tampon sinon ; et
- des moyens de transmission de la sous-chaîne de caractères extraite à une application serveur.
Le support d'informations peut être n'importe quelle entité ou terminal capable de stocker le programme. Par exemple, le support peut comporter un moyen de stockage, tel qu'une ROM, par exemple un CD ROM ou une ROM de circuit microélectronique, ou encore un moyen d'enregistrement magnétique, par exemple un support mobile (carte mémoire) ou un disque dur ou encore un SSD.
Dans ce cinquième mode de réalisation, le revêtement antireflet 128 est par exemple déposé par PECVD (dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma) ou PVD (dépôt physique en phase vapeur), avec la cellule 100 disposée sur un support telle que la deuxième couche de TCO 122 se trouve du côté de ce support, et en utilisant un élément masquant, lors du dépôt, la première couche de TCO 118 et les parties des portions de la deuxième couche collectrice de charges 108 disposées du côté des faces latérales 116 du substrat 102 et qui ne sont pas recouvertes par la deuxième couche de TCO 122. Comme dans le troisième mode de réalisation, le matériau du revêtement antireflet 128 peut être diélectrique ou électriquement conducteur.
Une cellule photovoltaïque 100 selon un sixième mode de réalisation est décrite ci-dessous en lien avec la .
Dans ce sixième mode de réalisation, le revêtement antireflet 128 ne forme pas une enveloppe entourant l’ensemble des différents éléments de la cellule 100, et recouvre :
- les deuxièmes parties des premières et deuxièmes couches collectrices de charges 104, 108 disposées du côté des faces latérales 116 du substrat 102 et les bords 120 de la première face principale 112, et
- la deuxième couche de TCO 122 et les deuxièmes contacts électriquement conducteurs 126 disposés contre la deuxième couche de TCO 122.
Dans ce sixième mode de réalisation, le revêtement antireflet 128 est par exemple déposé par PECVD (dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma) ou PVD (dépôt physique en phase vapeur). Il est par exemple possible de déposer tout d’abord le revêtement antireflet 128 du côté de la première face principale 112 tel qu’il recouvre seulement les parties des premières et deuxième couches collectrices de charges 104, 108 disposées du côté des faces latérales 116 du substrat 102 et les bords 120 de la première face principale 112, puis en effectuant un deuxième dépôt du côté de la deuxième face principale 114 afin d’aboutir à la configuration représentée sur la .
Des variantes des différents modes de réalisation précédemment décrits sont envisageables. Par exemple, en considérant le quatrième mode de réalisation précédemment décrit, il est possible que le revêtement antireflet 128 recouvre partiellement la première couche de TCO 118 et éventuellement certains des premiers contacts électriquement conducteurs 124.
Dans les différents exemples de réalisation précédemment décrits, le substrat 102 et la première couche collectrice de charges 104 comportent du semi-conducteur dopé de type n, et la deuxième couche collectrice de charges 108 comporte du semi-conducteur dopé p. En variante, pour les différents modes de réalisation précédemment décrits, il est possible que le substrat 102 et la première couche collectrice de charges 104 comportent du semi-conducteur dopé de type p, et que la deuxième couche collectrice de charges 108 comporte du semi-conducteur dopé n.
Dans les différents exemples de réalisation précédemment décrits, les couches de passivation 106, 110 et les couches collectrices de charges 104, 108 comportent du semi-conducteur amorphe. En variante, il est possible que ces couches 104, 106, 108 et 110 comportent du semi-conducteur microcristallin ou nanocristallin.
Dans les différents exemples de réalisation précédemment décrits, les cellules 100 sont de type à émetteur inversé, c’est-à-dire que les émetteurs des cellules (correspondant à la deuxième couche collectrice de charges 108) sont formés du côté des cellules 100 qui n’est pas destiné à recevoir directement de rayonnement lumineux. En variante, il est possible que les cellules 100 soient de type à émetteur standard, c’est-à-dire telles que les émetteurs des cellules soient formés du côté des cellules 100 destiné à recevoir un rayonnement lumineux direct.
Dans les différents exemples de réalisation précédemment décrits, la cellule 100 correspond à une cellule à hétérojonction formée grâce à un substrat de semi-conducteur cristallin et des couches minces de silicium amorphes (ou microcristallin ou nanocristallin) déposées sur ce substrat.
En variante de tous les modes de réalisation précédemment décrits, la cellule 100 peut correspondre à une cellule de type TOPCon. Dans ce cas, les couches de passivation 106, 110 correspondent à des couches d’oxyde tunnel comprenant par exemple du Si x O y et dont l’épaisseur est par exemple comprise entre 1 nm et 5 nm. Dans une telle cellule TOPCon, les première et deuxième couches collectrices de charges 104, 108 comportent du semi-conducteur (par exemple du silicium) polycristallin dopé (première couche collectrice de charges 104 dopée n et deuxième couche collectrice de charges dopée p 108 lorsque le substrat 102 comporte du semi-conducteur dopé n).
La représente un autre mode de réalisation de la cellule photovoltaïque 100. Dans cet autre mode de réalisation, la cellule 100 est de type tandem sur semi-conducteur, et avantageusement à structure pérovskite sur silicium (PK/Si).
La cellule 100 selon cet autre mode de réalisation comporte le substrat 102, les première et deuxième couches de passivation 106, 110 et les première et deuxième couche collectrices de charges 104, 108 qui forment une cellule inférieure 130. Les caractéristiques du substrat 102 et des couches 104, 106, 108 et 110 (matériaux, épaisseurs, techniques de dépôt mises en œuvre pour les réaliser, etc.) sont par exemple similaires à celles précédemment décrites pour une cellule 100 à hétérojonction.
La cellule 100 selon cet autre mode de réalisation comporte également une cellule supérieure 132 disposée sur une couche de recombinaison 134 formée au préalable sur la cellule inférieure 130. La couche de recombinaison 134 comporte par exemple du TCO (ITO, AZO) . La cellule supérieure 132 comporte une couche de matériau de structure pérovskite 136 comportant par exemple du Cs x FA 1-x Pb(I y Br 1-y ) 3 et dont l’épaisseur est par exemple comprise entre 200 nm et 1 µm . La couche 136 est disposée entre une première couche collectrice de charges 138, qui comporte par exemple une monocouche auto-assemblée 2PACz, MeO-2PACz ou Me-4PACz telle que décrite dans le document WO 2019/207029 A1, et dont l’épaisseur est comprise entre 0,1 nm et 3 nm, et une deuxième couche collectrice de charges 140 comportant par exemple du fullerène (=C60) et du SnO 2 et dont l’épaisseur est par exemple comprise entre 0,1 nm et 30 nm. Les couches 134, 136, 138 et 140 sont par exemple réalisées par la mise en œuvre successive d’étapes de dépôt sur la cellule inférieure 130. D’autres détails de réalisation d’une telle cellule sont indiqués dans le document « Co-Evaporated Formamidinium Lead Iodide Based Perovskites with 1000 h constant Stability for Fully Textured Monolithic Perovskite/Silicon Tandem Solar Cells » de Marcel Roß et al., Advanced Energy Materials, vol.11, Issue 35, 2021.
Dans la structure ainsi obtenue, une face principale de la cellule inférieure 130 (celle se trouvant du côté opposé à la cellule supérieure 132) forme la deuxième face principale 114, et une face principale de la cellule supérieure 132 (celle se trouvant du côté opposé à la cellule inférieure 130) forme la première face principale 112.
Les autres dipôles 14 comportent un centre correspondant à un point d’accès connecté à une charge complexe Z respective. La charge respective peut être de nature résistive, capacitive et/ou inductive. Chacun des brins 16 et 18 de ces dipôles 14 présente une extrémité qui est reliée au points d’accès 15 du dipôle 14 auquel appartient le brin 16 et 18, permettant ainsi que chaque brin 16 et 18 soit relié à la charge propre au dipôle 14 considéré.
Chacun des dipôles correspondant est dénommé « dipôle couplé 14C » dans ce qui suit.
En l’espèce, l’antenne 10 représentée sur la comporte un dipôle alimenté 14A et trois dipôles couplés 14C.
Pour la suite, les dipôles couplés 14C sont ordonnés (respectivement premier 14C1, deuxième 14C2 et troisième 14C3) selon un ordre correspondant au sens trigonométrique. Les signes de référence des brins 16 et 18 d’un dipôle couplé 14C comportent le même suffixe que le dipôle couplé 14C auquel ils appartiennent. Ainsi, le premier brin du premier dipôle couplé 14C1 a pour signe de référence 16C1 et le deuxième brin du premier dipôle couplé 14C1 a pour signe de référence 18C1.
Les dipôles 14 sont, en outre, agencés de manière spécifique, pour permettre un couplage entre eux.
Plus précisément, comme indiqué précédemment, dans le cas de la , les points d’accès 15 forment un carré.
De plus, chaque premier brin 16 d’un dipôle 14 est parallèle à un deuxième brin 18 d’un autre dipôle 14.
Ainsi, le premier brin 16A du dipôle alimenté 14A est à l’intérieur et est parallèle au deuxième brin 18C1 du premier dipôle couplé 14C1 tandis que le deuxième brin 18A du dipôle alimenté 14A est à l’extérieur et est parallèle au premier brin 16C3 du troisième dipôle couplé 14C3.
Le premier brin 16C1 du premier dipôle couplé 14C1 est à l’extérieur et est parallèle au deuxième brin 18C2 du deuxième dipôle couplé 14C2 tandis que le deuxième brin 18C1 du premier dipôle couplé 14C1 est à l’extérieur et est parallèle au premier brin 16A du dipôle alimenté 14A.
Le premier brin 16C2 du deuxième dipôle couplé 14C2 est à l’intérieur et est parallèle au deuxième brin 18C3 du troisième dipôle couplé 14C3 tandis que le deuxième brin 18C2 du deuxième dipôle couplé 14C2 est à l’extérieur et est parallèle au premier brin 16C1 du premier dipôle couplé 14C1.
Le premier brin 16C3 du troisième dipôle couplé 14C3 est à l’intérieur et est parallèle au deuxième brin 18A du dipôle alimenté 14A tandis que le deuxième brin 18C3 du troisième dipôle couplé 14C3 est à l’extérieur et est parallèle au premier brin 16C2 du deuxième dipôle couplé 14C2.
Cet agencement permet que les dipôles 14 soient entrelacés, permettant aux dipôles 14 de se coupler les uns aux autres du fait de leur proximité et du fait que certains brins 16 et 18 sont colinéaires entre eux.
De fait, dans cet agencement, la distance entre deux points de deux brins 16 et 18 colinéaires est relativement faible pour permettre un bon couplage.
A titre d’exemple, la distance entre deux brins 16 et 18 colinéaires est inférieure ou égale à λ 0 /10.
De préférence, la distance entre deux brins 16 et 18 colinéaires est inférieure ou égale à λ 0 /20.
L’entrelacement des dipôles 14 permet aussi une miniaturisation de l’antenne 10 puisque l’antenne 10 présente une largeur et une longueur de l’ordre de λ 0 /4.
Dans certains de ses modes de réalisation, au contraire, le procédé peut être mis en œuvre de façon distribuée entre au moins deux dispositifs 110, 120, 130, et/ou 150 du système 100. Par exemple le dispositif 200 peut être installé dans un poste de contrôle centralisé et obtenir, via un module de communication du dispositif, des informations acquises par une ou plusieurs caméras installées sur des points de passages à surveiller d’un axe routier et appartenant à un même réseau local que le dispositif 200.
Par le terme « module » ou le terme « composant » ou « élément » du dispositif, on entend ici un élément matériel, notamment câblé, ou un élément logiciel, ou une combinaison d’au moins un élément matériel et d’au moins un élément logiciel. Le procédé selon l’invention peut donc être mis en œuvre de diverses manières, notamment sous forme câblée et/ou sous forme logicielle.
Comme illustré en , le procédé 300 peut comprendre une obtention 310 d’une pluralité N d’images successives d’un flux vidéo capturant une scène à surveiller (ie capturant des images de la scène) (avec N : entier supérieur ou égal à 2 par exemple de valeur 2, 3 ou 5).
Il peut par exemple s’agir des N images les plus récentes d’un flux vidéo en cours d’acquisition.
Par obtention d’un élément, on entend dans la présente demande par exemple une réception de cet élément depuis un réseau de communication, une acquisition de cet élément (via par exemple des éléments d’interface utilisateurs ou des capteurs), une création de cet élément par divers moyens de traitement tels que par copie, encodage, décodage, transformation etc. et/ou un accès à cet élément depuis un support de stockage local ou distant accessible au dispositif mettant en œuvre cette obtention.
L’obtention 310 des images peut par exemple comprendre une réception sur une interface de communication du dispositif d’au moins une portion du flux vidéo et/ou un accès en lecture à une zone de stockage, local ou distante, d’au moins une portion du flux vidéo (par exemple une base de données comme illustré par l’élément 150 de la ), ou encore un accès en lecture à une mémoire tampon accédée en écriture par au moins une caméra surveillant la scène.
Dans certains modes de réalisation, le flux vidéo peut être acquis par une unique caméra, dans une position, une orientation et/ou un angle de prise de vue inchangé tout au long de l’acquisition.
Chacune des N images peut avoir plusieurs composantes, par exemple trois composantes R, G, et B, correspondant aux canaux vidéo (rouge, vert, bleu) (ou red, green, blue (RGB) selon la terminologie anglaise).
Dans la suite de ce document, on note respectivement , et l’image à un instant t, par exemple l’instant courant du flux vidéo et les deux images précédentes.
On désigne de plus respectivement :
par , et les composantes rouge, verte et bleue de l’image , par , et les composantes rouge, verte et bleue de l’image et par , et les composantes rouge, verte et bleue de l’image .
De façon optionnelle, l’obtention 310 d’une image peut en outre comprendre une obtention de données complémentaires (ou métadonnées) associées à cette image, comme une date et/ou heure de prise de vue, un identifiant de la caméra ayant acquis l’image, un identifiant de l’image dans le flux vidéo acquis, des informations relatives au positionnement et/ou à la prise de vue d’une caméra ayant acquis au moins une portion du flux vidéo, etc.
Comme illustré en figure 3 ainsi qu’en figure 4, le procédé peut également comprendre une obtention (par exemple une génération) 320 d’une carte (dite de mouvements) représentative des mouvements survenus dans la scène surveillée entre les N images obtenues. On note la carte de mouvements obtenue à partir de l’image , et des N-1 images précédentes.
La figure 4 illustre un exemple de carte de mouvements 420 obtenue 320 à partir de 3 images obtenues successives , et , (les trois images plus récentes du flux vidéo par exemple). Dans l’exemple illustré, une portion de la carte de mouvements 420 correspond à un pixel des images obtenues.
Dans certains modes de réalisation, la carte de mouvements peut être découpée en portions disjointes (formant une partition de la carte), chaque portion étant associée à une zone distincte des images de la scène surveillée, de façon à réaliser une partition des images obtenues (et donc une partition de la scène à surveiller). Selon les modes de réalisation, ces portions peuvent être de taille et/ou de forme identique(s) pour l’ensemble de la carte ou au contraire de taille et/ou de formes variables. Par exemple, dans certains modes de réalisation, chaque portion (pixel par exemple) de la carte de mouvements peut représenter P pixels dans les images obtenues, avec P entier naturel constant (ie il peut s’agir d’une correspondance 1-P (P>= 1).
A cet effet l’invention a pour objet un procédé de résolution de contraintes géométriques d’une esquisse, dans lequel on met en œuvre les étapes suivantes :
Ainsi, les transformations du groupe de Möbius sont en quelque sorte les inconnues à résoudre pour faire converger le système d’une position initiale vers une position résolue.
Par « groupe de Möbius », on désigne le groupe « circulaire », « groupe conforme », ou encore « groupe de symétrie des transformations conformes de la sphère de Riemann ». Il est en outre isomorphe au groupe de Lorentz nommé SO (3,1) pour les transformations dans un plan, SO(4,1) dans un espace en trois dimensions, de sorte que les transformations du groupe de Möbius correspondent aussi aux transformations du groupe de Lorentz.
Or, alors que les transformations de l’état de la technique sont formées de transformations simples, telle que les similitudes, éléments d’un sous-groupe du groupe de Möbius, le groupe de Möbius comprend d’autres transformations autorisant le passage de la ligne à l’arc de cercle et inversement, c’est-à-dire le traitement de points passant par l’infini. Ainsi, on recherche les transformations inconnues dans un groupe plus vaste, ce qui autorise des déplacements de l’infini, et donc le passage d’un point infini de l’esquisse en un point usuel, ou d’une courbure nulle de l’esquisse à une courbure non nulle.
En d’autres termes, le solveur peut être amené à trouver une esquisse transformée respectant les nouvelles contraintes géométriques même si cela nécessite que certains éléments de l’esquisse soient envoyés à l’infini. L’esquisse transformée est affichée sans blocage. De même, de nouvelles manipulations de l’utilisateur peuvent ramener des points de l’infini vers des positions finies sans difficulté, de sorte qu’au cours de la transformation des éléments sont passés par l’infini sans susciter de blocage de l’esquisse sur l’écran. L’expérience utilisateur est donc améliorée.
Avantageusement, pour déterminer l’esquisse transformée, les moyens de calcul informatique appliquent une transformation du groupe de Möbius à un élément géométrique initial de l’esquisse initiale de manière à le transformer en un élément géométrique transformé de l’esquisse transformée.
Ainsi, à un élément géométrique donné est appliquée une transformation du groupe de Möbius appropriée afin que l’ensemble des éléments initiaux soient transformés en des éléments transformés qui satisfassent les nouvelles contraintes géométriques.
De préférence, les moyens de calcul informatique transforment une valeur initiale, associée à l’élément géométrique initial, en une valeur transformée, associée à l’élément géométrique transformé, les valeurs initiale et transformée correspondant à l’une des situations suivantes :
- la valeur initiale est une valeur finie, la valeur transformée est une valeur infinie ;
- la valeur initiale est une valeur infinie, la valeur transformée est une valeur finie ;
- la valeur initiale est une valeur non nulle et positive, la valeur transformée est une valeur nulle ou négative ;
- la valeur initiale est une valeur nulle ou respectivement négative, la valeur transformée est une valeur non nulle ou respectivement nulle ou positive.