INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Dans ces modules de puissance de l’art antérieur, les pièces de connexion électrique sont obtenues par découpage d’une pièce métallique. Ces pièces de connexion électrique sont initialement reliées entre elle ou avec une pièce dite de cadre par des pattes d’attaches. Puis, les pattes d’attaches sont coupées pour détacher les pièces de connexion électrique les unes des autres ainsi que de la pièce de cadre. C’est lors de ce processus de coupe des pattes d’attache que sont formés à partir de celles-ci des tenons se projetant uniquement dans le plan principal depuis une tranche des pièces de connexion électrique. Ces tenons présentent une extrémité dite libre à l’endroit où a eu lieu la coupe de la patte d’attache dont ils sont issues. A cette extrémité libre se forme une bavure provoquée par le cisaillement de la patte d’attache lors de sa coupe. Cette bavure de par sa présence peut provoquer un court-circuit lorsque le mode de puissance est assemblé à un dissipateur thermique.
Il est donc proposé, selon un premier aspect de l’invention, un module de puissance comportant : au moins deux pièces de connexion électrique, de préférence en métal, présentant chacune une plaque principale, les plaques principales s’étendant selon un plan principal de manière à être sensiblement coplanaires ; au moins un transistor connecté électriquement entre deux faces supérieures de respectivement deux des plaques principales ; et un surmoulage isolant électrique, par exemple en résine, recouvrant au moins une partie des faces supérieures des plaques principales des pièces de connexion électrique ; au moins une des pièces de connexion électrique présente en outre au moins un tenon, le tenon se projetant uniquement dans le plan principal, depuis une tranche de la pièce de connexion électrique, ledit tenon présentant : une face supérieure, une face inférieure, deux faces latérales, et une face avant définissant une extrémité dite libre du tenon, ce module de puissance est caractérisé en ce que la face inférieure du tenon présente au niveau de l’extrémité libre un décrochement s’étendant entre les deux faces latérales du tenon.
Ce module de puissance est caractérisé en ce que la face inférieure du tenon présente au niveau de l’extrémité libre un décrochement s’étendant entre les deux faces latérales du tenon.
Ainsi, la bavure se trouve entièrement dans le décochement de sorte qu’elle ne peut entrer en contact directement avec le dissipateur thermique de sorte qu’un court-circuit avec le dissipateur thermique n’est pas possible.
Un module de puissance selon l’invention peut en outre comporter une ou plusieurs des caractéristiques optionnelles suivantes, prises isolément ou bien selon n’importe quelle combinaison techniquement possible.
Selon une première caractéristique, le transistor, d’une part, présente une face inférieure plaquée contre l’une des deux faces supérieures auxquelles ce transistor est connecté électriquement et, d’autre part, est connecté électriquement, par exemple par un ou plusieurs rubans ou fils, à l’autre des deux faces supérieures.
Selon une autre caractéristique, le tenon se projette depuis une tranche de la plaque principale de la pièce de connexion électrique.
Selon une autre caractéristique, au moins une des pièces de connexion électrique comprend en outre au moins un connecteur électrique se projetant depuis sa plaque principale.
Selon une autre caractéristique, la pièce de connexion électrique présentant le tenon comprend en outre au moins un connecteur électrique se projetant depuis sa plaque principale.
Selon une autre caractéristique, le tenon et pièce de connexion électrique le portant sont réalisés en une seul pièce par continuité de matière.
Selon une autre caractéristique, le surmoulage recouvre au moins partiellement le transistor.
Selon une autre caractéristique, le surmoulage laisse apparent au moins une partie de la face inférieure d’une plaque principale d’une pièce de connexion électrique, cette partie laissée apparente étant conçue pour être plaquée contre un dissipateur thermique.
Selon une autre caractéristique le transistor est un transistor bipolaire à grille isolée (de l’anglais « Insulated Gate Bipolar Transistor » ou IGBT) ou un transistor à effet de champ (de l’anglais « Field Effect Transistor » ou FET), par exemple un transistor à effet de champ à structure métal-oxyde-semiconducteur (de l’anglais « Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor » ou MOSFET) en silicium ou en carbure de silicium ou un transistor à effet de champ en nitrure de gallium.
Il est également proposé, selon un deuxième aspect de l’invention, un système électrique comprenant un dissipateur thermique et un module de puissance selon le premier aspect de l’invention, et dans lequel le dissipateur thermique est en contact thermique avec la face inférieure laissée apparente par le surmoulage.
Il est également proposé, selon un troisième aspect de l’invention, un convertisseur de tension comprenant un module de puissance selon le premier aspect de l’invention ou bien un système électrique selon le deuxième aspect de l’invention.
- une obtention 336 de formes géométriques englobantes (rectangulaires dans l’exemple illustré) 540, 570, 560, 570, sur la carte de mouvements, en tenant compte des valeurs des histogrammes, Par exemple, dans certains modes de réalisation, il peut être obtenu des formes géométriques englobantes dans les intersections des colonnes et des rangées où les valeurs des histogrammes sont non nulles.
La illustre les formes géométriques englobantes 540, 550, 560, 570 obtenues en tenant compte des premier 510 et second 520 histogrammes. La périphérie (frontière) d’au moins une forme géométrique englobante peut être obtenue en identifiant les numéros de rangées et de colonnes correspondant aux cases des histogrammes 510, 520 où l’on observe une transition entre une valeur nulle et une valeur différente de 0, ou vice-versa.
Par exemple, en parcourant le premier histogramme de gauche à droite et le second histogramme de haut en bas, un passage de 0 à une valeur différente de 0 des deux histogrammes peut correspondre au coin supérieur gauche 542, 552, 562, 572 d’une forme géométrique englobante 540, 550, 560, 570, et un passage des deux histogrammes d’une valeur différente de 0 à une valeur égale à 0 peut correspondre au coin inférieur droit 544, 564, 574 d’une forme géométrique englobante 540, 550, 560, 570.
Dans certains modes de réalisation, comme illustré en , le procédé peut comprendre une également une suppression 338 des formes géométriques englobantes 550 (dites « vides ») ne comprenant aucune portion en mouvement (ie ne comportant que des pixels noirs dans l’exemple de la ), de façon à supprimer les formes géométriques englobantes « fantômes » apparues du fait de l’approche « cumulée » par histogramme et à ne conserver que les formes géométriques englobantes comprenant au moins une portion en mouvement.
Comme illustré en , certaines des formes géométriques englobantes 540, 560 conservées après suppression des géométriques englobantes vides, comprenant donc au moins une portion en mouvement (et donc correspondant à un objet « réel » en mouvement dans la scène capturée) peuvent encore « déborder » des objets réels (ie contenir des portions ne correspondant pas à un mouvement de l’objet). Aussi, dans certains modes de réalisation, comme illustré en , le procédé peut comprendre au moins une itération des obtentions d’histogrammes et de formes géométriques englobantes, non pas à partir de la carte de mouvements comme décrit ci-avant mais à partir d’au moins une forme géométrique englobante déjà obtenue lors d’une précédente itération (par exemple une forme géométrique englobante non « vide »). Cette au moins une itération peut éventuellement permettre (comme illustré en ) d’obtenir au moins une autre forme géométrique englobante sur laquelle pourra être effectuée par exemple une nouvelle itération. Lors d’une itération, les premier tableau 550 et second tableau 560 représentatifs des histogrammes d’une forme géométrique englobante 540 ont alors des tailles (ie nombre d’éléments) correspondant à l’une des dimensions (largeur, longueur) de la forme géométrique englobante sur laquelle porte l’itération comme illustré en . L’utilisation d’histogramme de tailles plus restreintes peut aider à obtenir au moins une forme géométrique englobante plus petite que celle à partir de laquelle elle a été obtenue, et optionnellement à identifier et à supprimer, parmi ces nouvelles formes obtenues, de nouvelle formes « vides », comme illustré en . De ce fait, dans certains modes de réalisation, les itérations peuvent aider à détourer plus finement les parties en mouvement d’un objet représentées par une forme géométrique englobante.
Un critère d’arrêt des itérations peut être par exemple l’absence de génération d’une nouvelle forme géométrique englobante lors des M dernières itérations, avec M entier strictement positif (par exemple égal à 1), comme illustré en . Dans un tel mode de réalisation, les dernières formes géométriques englobantes obtenues ne contiennent donc plus ni ligne ni colonne vide comme illustré en ).
Dans l’exemple illustré en figures 3 à 8, la carte de mouvements est découpée selon des axes horizontaux et verticaux. Cependant dans certains modes de réalisation, d’autres axes de découpage peuvent être utilisés. Par exemple, des axes orthogonaux inclinés selon un premier angle par rapport à la verticale peuvent être utilisés. Une telle variante peut par exemple être utile lorsque au moins certains objets de la carte de mouvements ne sont pas séparables par les axes horizontaux et verticaux. Dans un tel mode de réalisation, le procédé 300 peut comprendre une étape optionnelle (non illustrée en ) de transformation de la carte de mouvements (par exemple une rotation selon le premier angle) avant la mise en œuvre de la segmentation 330 décrite ci-dessus.
Comme illustré en , dans certains modes de réalisation, le procédé 300 peut comprendre un suivi 340 (ou « tracking » selon la terminologie anglaise) d’au moins un objet en mouvement dans la scène surveillée. Ce suivi peut être optionnel dans certains modes de réalisation.
A un instant donné, un objet n’est que partiellement visible via la caméra capturant la scène surveillée (certaines parties de l’objet étant par exemple occultées par l’objet lui-même vis-à-vis de la caméra). De plus, au fil du mouvement de l’objet, des parties différentes de l’objet deviennent visibles à la caméra (donc sur les images obtenues) au fil du temps. De ce fait, l’ensemble des portions associées à un même objet dans des cartes de mouvement peut donc varier en termes de forme, de taille et/ou de position au fil des images (donc entre plusieurs cartes de mouvements). L’utilisation pour le suivi de formes géométriques englobantes, moins variables que les objets eux même, peut aider à « lisser » le suivi. Dans certains modes de réalisation, le suivi peut en outre tenir compte, des rapports entre les dimensions des formes englobantes (par exemple un ratio entre la largeur et la longueur d’une forme) . En effet, utiliser un tel rapport entre les dimensions peut aider, par exemple, à réaliser un suivi moins sensible aux variations apparentes de taille (sur les images), d’un objet suite à une variation de sa distance par rapport à la caméra capturant la scène, et donc à aider à conserver un même identifiant d’objet sur une pluralité de formes géométriques englobantes de différentes cartes de mouvements correspondant à un même objet dont la distance varie par rapport à la caméra.
Le suivi 340 peut par exemple être réalisé sur au moins une première forme géométrique englobante issue de la segmentation 330 d’une première carte de mouvement, en liaison avec au moins une deuxième carte de mouvements précédant temporellement la première carte de mouvement. Le suivi 340 peut par exemple être réalisé sur l’ensemble des formes géométriques englobantes issues de la segmentation 330 entre au moins deux cartes de mouvements générés à des instants différents. Il s’agit d’une part d’attribuer à une forme géométrique englobante un identifiant différent de ceux des autres formes géométriques englobantes en mouvement dans la carte de mouvement à laquelle elle appartient, et d’autre part de tenter de suivre les objets englobés par les formes géométriques englobantes entre les différentes cartes de mouvements (par exemple des cartes de mouvements consécutives) . Pour cela, un même identifiant peut être attribué aux formes géométriques englobantes des cartes de mouvements successives, qui paraissent correspondre à un même objet.
On détaille ci-après plus précisément un exemple de suivi entre deux cartes de mouvements et successives temporellement.
Dans certains modes de réalisation, le suivi 340 peut comprendre une obtention 342 d’une information de positionnement relatif des formes géométriques englobantes de la carte de mouvements et des formes géométriques englobantes de la carte de mouvements . Par exemple, le procédé peut comprendre une obtention 342 des distances (par exemple euclidiennes) entre les centroïdes des formes géométriques englobantes de la carte de mouvements et de la carte de mouvements .
Le terme « centroïde » désigne ici le centre d’une forme géométrique englobante. La distance euclidienne entre deux formes géométriques englobantes dont les centroïdes ont pour coordonnées respectives et peut être obtenue par l’équation :
Comme illustré en figure 3, le procédé peut comprendre, pour au moins une première forme géométrique englobante de la carte de mouvements , une association 344 conditionnelle de cette première forme géométrique englobante avec une seconde forme géométrique englobante de la carte de mouvements , tenant compte de l’information de positionnement relatif obtenue et une attribution 346 d’un identifiant d’objet à la première forme géométrique englobante tenant compte de cette association conditionnelle. La seconde forme géométrique englobante est par exemple la forme géométrique englobante de la carte de mouvements la plus proche (selon l’information de positionnement relatif obtenue) de la première forme géométrique englobante de la carte de mouvements .
Dans certains modes de réalisation où l’information de positionnement relatif de deux formes géométriques englobantes est une distance entre ces deux formes géométriques englobantes, l’association de la première forme géométrique englobante avec la seconde forme géométrique englobante peut être effective lorsque la distance entre la première forme géométrique englobante de la carte de mouvements et la seconde forme géométrique englobante de la carte de mouvements est inférieure à une première distance (utilisée comme un seuil). Dans certains modes de réalisation, le procédé peut comprendre une attribution 346 à la première forme géométrique englobante de l’identifiant d’objet déjà attribué (précédemment) à la seconde forme géométrique englobante. En effet, les première et seconde forme géométrique englobante sont considérées comme correspondant au même objet.
La présente invention a pour second objet un élément électrochimique comprenant : un conteneur logeant un faisceau électrochimique, une extrémité formant fond et une extrémité opposée à l’extrémité formant fond, dans lequel ladite extrémité opposée à l’extrémité formant fond est fermée par un couvercle tel que défini dans la présente invention.
Selon un mode de réalisation, le volume de matière du couvercle occupe entre 10 et 15% du volume total du conteneur.
Selon un autre mode de réalisation dudit élément, le volume alloué à un ensemble de connexions, à un électrolyte et au faisceau électrochimique représente au moins 95% du volume disponible dans le conteneur.
Selon un mode de réalisation, l’extrémité formant fond de l’élément comprend un orifice destiné au remplissage de l’élément par l’électrolyte.
L’élément électrochimique peut être un élément de type primaire ou secondaire.
Le format de l’élément peut être cylindrique ou prismatique, de préférence il est cylindrique. Le diamètre du conteneur n’est pas limité.
Dans le cas d’un élément de type secondaire, on peut citer par exemple les éléments de type lithium-ion, Ni/MH ou Ni/Cd. De préférence, de type lithium-ion. L’élément secondaire comprend de préférence un ou plusieurs dispositifs de sécurité déconnectant les électrodes d’une polarité donnée à leur borne de sortie de courant de polarité correspondante en cas de surpression à l’intérieur du conteneur. Ces dispositifs viennent en complément des zones d’amincissement qui ne font que libérer les gaz hors de l’élément.
Dans le cas des éléments de type primaire, on peut citer par exemple les éléments de type Li/MnO 2 , Li/CF x , Li/SO 2 , Li/SOCl 2 et Li/SO 2 Cl 2 .
La présente invention a pour troisième objet un procédé de fabrication du couvercle tel que défini dans la présente invention, ledit procédé comprenant les étapes suivantes : (a) Emboutissage d’une tôle, pour former un anneau présentant : une circonférence extérieure et une circonférence intérieure, un bossage en forme de couronne situé entre la circonférence intérieure et la circonférence extérieure, au moins deux zones planes en forme d’arc de cercle, situées entre le bossage en forme de couronne et la circonférence extérieure de l’anneau, le couvercle étant vu dans une direction perpendiculaire au plan de l’anneau, au moins quatre saillies s’étendant du bossage en forme de couronne vers la circonférence extérieure selon des axes non radiaux ; (b) Formation d’une zone amincie sur au moins l’une des quatre saillies et/ou sur le bossage en forme de couronne et/ou sur au moins l’une des au moins deux zones planes ; l’étape b) pouvant être réalisée après l’étape a) ou avant l’étape a) aux emplacements prévus sur la tôle pour la création du bossage en forme de couronne et desdites au moins quatre saillies par emboutissage ; (c) Mise en place d’une borne d’interfaçage isolée dans l’espace délimité par la circonférence intérieure de l’anneau ; (d) Soudure de la borne d’interfaçage sur la pièce obtenue à l’étape b).
On entend par « emboutissage » un procédé qui consiste à façonner une pièce métallique à partir d’une feuille métallique ou d’une tôle.
L’amincissement peut être réalisé par tout procédé de formage, notamment par magnétoformage, par ablation laser, par usinage mécanique ou par attaque chimique.
La longueur de la zone amincie peut représenter 50 à 110% de la largeur d’une saillie ou de la largeur du bossage en forme de couronne.
L’épaisseur de la zone amincie peut aller de 25 à 40 % de l’épaisseur initiale de la tôle.
Pour une épaisseur de tôle comprise entre 0,4 et 0,5 mm, l’épaisseur résiduelle de la zone amincie peut être comprise entre 0,05 et 0,20 mm, de préférence entre 0,120 mm et 0,180 mm.
Selon un mode de réalisation, l’étape b) est réalisée par emboutissage ou par enlèvement de matière. De préférence, par emboutissage.
La première couche III-N active a par exemple une épaisseur comprise entre 20 et 500 nm, de préférence entre 30 et 300 nm, plus préférablement entre 50 et 250 nm, comme par exemple entre 100 et 150 nm. La deuxième couche III-N active a par exemple une épaisseur comprise entre 10 et 100 nm, de préférence entre 20 et 50 nm. Une telle combinaison d'épaisseurs permet d'obtenir de bonnes caractéristiques pour la couche active, par exemple en ce qui concerne le 2DEG obtenu.
Selon des exemples de modes de réalisation, la couche d'espacement comprend du nitrure d'aluminium.
Préférablement, la couche d'espacement est obtenue par croissance épitaxiale et comprend du nitrure d'aluminium pur.
Selon des exemples de modes de réalisation, l'épaisseur de la couche d'espacement est inférieure à 2 nm.
Ainsi, la couche d'espacement est maintenue suffisamment mince pour minimiser la rugosité de la couche d'espacement. Grâce à la minimisation de la rugosité, la couche d'espacement empêche la diffusion ou la migration d'atomes du Groupe III dans au moins la première couche III-N active. Ainsi, la stabilité thermique de la structure semi-conductrice est encore améliorée. En d'autres termes, plus la couche d'espacement est mince, meilleure est la stabilité thermique de la structure semi-conductrice. Préférablement, l'épaisseur de la couche d'espacement est comprise entre 0,5 nm et 1,5 nm. Encore plus préférablement, l'épaisseur de la couche d'espacement est comprise entre 0,8 nm et 1 nm.
Selon des exemples de modes de réalisation, l'empilement de couches semi-conductrices III-N épitaxiales comprend en outre une couche tampon formée par croissance épitaxiale entre le substrat et la couche active épitaxiale.
La couche tampon peut être d'une nature différente de celle du substrat, dans la mesure, par exemple, où les bandes interdites du substrat et de la couche tampon sont relativement éloignées l'une de l'autre, par exemple respectivement à 1,1 eV et 6,2 eV, en ce sens que la couche tampon a une bande interdite élevée, afin d'obtenir les présentes caractéristiques, telles qu'une tension de claquage élevée, par exemple supérieure à 250 V, de préférence supérieure à 500 V, encore plus préférablement supérieure à 1000 V, par exemple supérieure à 2000 V, ou même beaucoup plus élevée. La couche tampon est par exemple une couche tampon III-V à haute bande interdite. Le terme III fait ici référence à des éléments du Groupe III, tels que B, Al, Ga, In, Tl, Sc, Y et les séries des Lanthanides et des Actinides. Le terme V fait ici référence à des éléments du Groupe V, tels que N, P, As, Sb, Bi. La couche tampon peut comprendre un empilement de couches, et dans un exemple, la première est typiquement une couche de nucléation.
Selon des exemples de modes de réalisation, la structure semi-conductrice comprend en outre un empilement de passivation formé sur le dessus de la couche semi-conductrice III-N épitaxiale.
L'empilement de passivation est formé in-situ en association avec la formation de l'empilement de couches semi-conductrices III-N épitaxiales. L'empilement de passivation est par exemple formé sur le dessus de la deuxième couche III-N active. Ainsi, un empilement de passivation entièrement cristallin est formé par croissance épitaxiale sur le dessus de l'empilement de couches semi-conductrices III-N épitaxiales. En variante, un empilement de passivation partiellement cristallin est formé par croissance épitaxiale sur le dessus de l'empilement de couches semi-conductrices III-N épitaxiales. L'empilement de passivation peut également être formé par dépôt ex-situ à l'aide d'outils d'épitaxie tels que le dépôt de couche atomique, également appelé ALD, le dépôt chimique en phase vapeur, également appelé CVD, ou le dépôt physique en phase vapeur, également appelé PVD. En variante, l'empilement de passivation peut être formé par dépôt in-situ dans une chambre MOCVD ou MBE. En variante, l'empilement de passivation peut être formé par dépôt d'un film amorphe du même matériau et recristallisation de celui-ci par recuit thermique. L'empilement de passivation présent sur le dessus de la deuxième couche III-N active comprend par exemple du nitrure de gallium. En variante, l'empilement de passivation sur le dessus de la deuxième couche III-N active comprend du nitrure de gallium et du nitrure de silicium.
Un empilement de passivation est formé entre l'empilement de couches semi-conductrices III-N épitaxiales et, par exemple, une grille d'un transistor. L'empilement de passivation peut être formé uniquement sous la grille et peut en outre servir de diélectrique de grille. En variante, l'empilement de passivation peut être formé sur le dessus de l'empilement de couches semi-conductrices III-N épitaxiales et peut recouvrir entièrement l'empilement de couches semi-conductrices III-N épitaxiales. En variante, l'empilement de passivation peut être formé sur le dessus de l'empilement de couches semi-conductrices III-N épitaxiales et recouvrir partiellement la surface de l'empilement de couches semi-conductrices III-N épitaxiales, et peut par exemple être formé dans la zone dépourvue de grille entre la source et le drain d'un transistor à haute mobilité d'électrons, où il sert de passivation et empêche l'appauvrissement du 2DEG sous-jacent.
Selon des exemples de modes de réalisation, l'empilement de passivation comprend en outre une couche d'oxyde et/ou de nitrure de silicium.