INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Le délai d’attente est respecté dans les conditions ambiantes. C’est-à-dire, pendant l’attente, le substrat cible 5 attaché sur le substrat de manipulation 3 est préservé à une température ambiante, notamment entre 20°C et 26°C de température, et à une pression ambiante, notamment entre et 950 hPa et 1030 hPa de pression.
Finalement, le substrat cible 5 attaché au substrat de manipulation 3 est soumis à une étape E5 de rectification. Par rectification est entendu un traitement de surface visant à réduire la rugosité de la surface 9 exposée du substrat cible 5 attaché au substrat de manipulation 3. La rectification est effectuée de préférence par meulage ou par planarisation mécano-chimique, ou CMP selon le terme anglais « Chemical-mechanical polishing ».
Ce procédé de fabrication permet d’aboutir à un substrat donneur qui résout le problème de l’invention. L’utilisation d’un substrat de manipulation 3 est avantageuse par exemple pour fabriquer un substrat SOI ou POI, car, contrairement à des méthodes conventionnelles telles que la croissance épitaxiale, elle permet d’éviter des déformations induites par des hautes températures lors de traitements thermiques.
Le collage par couche adhésive 7 dans l’étape E3 assure une cohésion mécanique satisfaisante des deux substrats collés. En utilisant un matériau photo-polymérisable, l’attachement peut être effectué sans recourir à un collage sous haute température, par exemple à plus de 200°C.
La rectification dans l’étape E5 permet d’obtenir une surface qui est suffisamment lisse et de planéité uniforme pour un transfert ultérieur d’une couche sur un substrat support, par exemple en utilisant un procédé de type SmartCut®.
De manière inattendue, les inventeurs ont découvert que moins de défauts sont observés lorsque les substrats donneurs 1 ont subi le délai d’attente entre l’étape E3 d’attachement et l’étape E5 de rectification. L’effet est particulièrement avantageux en comparaison avec des substrats multicouches, par exemple des POI ou SOI, obtenus avec des substrats donneurs 1 fabriqués sans respect de délai d’attente. En effet, le délai d’attente permet aux éléments constituants du substrat donneur 1 non-rectifié, c’est-à-dire du substrat cible 5 attaché sur le substrat de manipulation 3, de gagner en robustesse, avant de subir la rectification, et notamment avant de subir une étape ultérieure de transfert de couche lors que la fabrication d’un substrat multicouche, par exemple de type SOI ou POI par SmartCut®. Ainsi, le substrat donneur non-rectifié est rendu plus résistant aux contraintes mécaniques subies lors de l’étape de la rectification ou lors d’un transfert de couche ultérieur. Par conséquent, le nombre de substrats donneurs 1 fabriqués susceptibles de mener à des défauts, et notamment de donner lieu à des fissurations, à l’issue du transfert d’une couche du substrat cible, est réduit et la qualité générale de la production augmentée.
Un procédé de transfert d’une couche d’un substrat donneur sur un substrat support selon un mode de réalisation de l’invention est décrit en référence à la . Le procédé décrit concerne un substrat donneur 1 obtenu selon le procédé décrit dans la .
Le procédé de transfert d’une couche commence par une étape E11 de fourniture du substrat donneur 1 issu de l’étape E4 du procédé de fabrication selon le mode de réalisation de l’invention de la .
Ensuite, une zone de fragilisation 11 est formée dans le substrat cible 5 du substrat donneur 1 dans une étape E12. La zone 11 est formée de manière à délimiter une couche 13 du substrat cible 5 à transférer. La couche 13 est délimitée dans le substrat cible 5 par la zone de fragilisation 11 d’une part, et par la surface rectifiée 9 d’autre part. La zone de fragilisation 11 est de préférence formée par implantations d’ions, par exemple d’ions d’hydrogène ou d’un gaz rare, tel que l’hélium. La dose d’ions, la distribution de la dose d’ions, et l’énergie d’implantation des ions peuvent varier et déterminent les propriétés de la zone de fragilisation 11 formée. La profondeur de la zone de fragilisation 11 dans le substrat cible 5 détermine l’épaisseur de la couche 13 à transférer.
Un substrat support 15 est fourni dans une étape E13. Le substrat support 15 peut comprendre de préférence un matériau choisi parmi le silicium (Si), le saphir (Al 2 O 3 ), le nitrure d’aluminium (AlN), le carbure de silicium (SiC), l’arséniure de gallium (GaAs), le quartz (SiO 2 ), ou un autre verre. Le substrat support présente une surface principale 17.
De préférence, le matériau du substrat de manipulation 3 du substrat donneur 1 a été choisi de manière à présenter une valeur de coefficient de dilatation thermique équivalente ou similaire à la valeur de coefficient de dilatation thermique du substrat support 15, sur lequel la couche 13 est destinée à être transférée. Une valeur de coefficient similaire correspond typiquement à une valeur comprise entre +10% et -10% de la valeur référence.
Ainsi, pour obtenir une valeur de coefficient de dilatation thermique convenable, le substrat support 15 et le substrat de manipulation 3 est de préférence constitué d’un même matériau.
Dans l’étape E14, le substrat donneur 1 est attaché sur le substrat support 15. Le substrat donneur 1 est attaché en attachant la surface rectifiée 9 le long de la surface principale 17 du substrat support 15, formant un complexe 19.
Le collecteur de courant au sein des dispositifs électrochimiques employant des électrodes selon l’invention peut être un substrat stable dans la plage de potentiel de fonctionnement du dispositif électrochimique. Au sein des batteries employant des électrodes selon l’invention, le collecteur de courant doit être un substrat stable dans une plage de potentiel, préférentiellement comprise entre 2,5 V et 5 V pour la cathode et entre 0 V et 2,5 V pour l’anode, par rapport au potentiel du lithium. De manière avantageuse, on choisit un substrat métallique, par exemple un feuillard métallique (i.e. une feuille de métal laminée). Le substrat peut notamment être en tungstène, molybdène, chrome, titane, tantale, zirconium, niobium, acier inoxydable, ou un alliage de deux ou plusieurs de ces matériaux. De tels substrats métalliques sont assez onéreux et peuvent fortement augmenter le coût de la batterie. Le tungstène, molybdène, chrome, titane, tantale, zirconium, niobium, l’acier inoxydable et leurs alliages sont particulièrement résistant aux traitements thermiques à haute température ; ils sont ainsi particulièrement bien adaptés comme substrat d’électrode frittée.
La précision moyennes des modèles ainsi que le nombres de paramètres et de MACs utilisés sont résumés dans le tableau suivant : CA-based Conv + BatchNorm CA-Based Conv (sans BatchNorm) Conv Standard Précision 91,26% 91,15% 93,12% Mémoire 0,37 Megabytes 0,37 MegaBytes 146 MegaBytes Nombre de MACs 1299 99 608
Tous les exemples de réalisation décrits précédemment décrivent le fonctionnement d’un réseau de neurones comprenant au moins une couche mettant en œuvre un procédé de génération des paramètres de cette couche neuronale correspondant aux valeurs de paramètres prédéfinies, ou plus exactement apprises au préalable grâce à un procédé d’apprentissage. De façon connu en soi, un procédé d’apprentissage d’un réseau neurone consiste à définir les valeurs des paramètres du réseau de neurones, c’est-à-dire à définir les valeurs des paramètres correspondant essentiellement aux poids des synapses. L’apprentissage se fait classiquement au moyen d’une base de données d’apprentissage comprenant des exemples de données d’entrée et de sorties attendues correspondantes.
Dans le cas où le réseau de neurones intègre une couche de neurones (Layer l) 201 telle que décrite en relation avec la , l’apprentissage de cette couche de neurone 201 peut se faire de plusieurs façons.
Une façon de réaliser l’apprentissage consiste dans un premier temps à apprendre les valeurs des paramètres de la matrice sans considérer la génération de ces paramètres par le modèle génératif, en réalisant un procédé d’apprentissage classique du réseau de neurones global par un procédé de rétro propagation de l’erreur (depuis la sortie du réseau vers l’entrée). On réalise ensuite, dans un deuxième temps, l’apprentissage des paramètres du modèle génératif 204 (en définissant ) avec comme base de données d’apprentissage une base constituée d’une part d’une séquence prédéfinie de vecteurs ( ) destinés à être générés par le générateur ANG 205 (sur la base d’une « graine » prédéfinie) lors d’une séquence d’inférence et d’autre part des vecteurs attendus respectivement pour chacun des vecteurs . Un avantage de cette première façon de faire l’apprentissage est potentiellement sa plus grande simplicité de calcul des paramètres. Néanmoins, il est possible que ce procédé en deux étapes conduise à introduire des imperfections dans la génération des valeurs de la matrice lors d’inférences ultérieures (en phase d’utilisation du réseau de neurones).
Une autre façon de réaliser l’apprentissage consiste à apprendre les paramètres du modèle génératif 204 en même temps que l’apprentissage des paramètres de la matrice en réalisant une rétro propagation de l’erreur jusqu’à la matrice . Il est en effet possible d’utiliser un algorithme d’optimisation (tel qu’une rétropropagation de l’erreur) jusqu’aux valeurs de , connaissant d’une part la sortie attendue du réseau principal, son entrée ainsi que la séquence prédéfinie de vecteurs ( ) destinés à être générés par le générateur ANG 205 (sur la base d’une « graine » prédéfinie) lors d’une séquence d’inférence.
On notera que dans tous les exemples décrits précédemment, les paramètres de la couche de neurones que l’on souhaite définir (les paramètres de la matrice en pratique) correspondent à des valeurs de paramètres d’un réseau de neurones dont la topologie est préalablement définie. La topologie d’un réseau de neurones permet notamment de définir, pour chaque couche de neurones, le type et le nombre de synapses reliées à chaque neurone. De façon générale, pour définir une topologie d’un réseau de neurones on parle de méta-paramètres de ce réseau de neurones. Ainsi, dans les exemples précédemment décrits, les méta-paramètres se retrouvent dans la définition des fonctions et . Ces fonctions incluent respectivement une matrice de passage W et . Les paramètres évoqués précédemment (dans les différents exemples) correspondent donc ainsi à des valeurs données (apprises) des matrices de passage et W.
La est un schéma par bloc illustrant une implémentation d’un compilateur 800 (COMPILER) utilisé pour opération de conception de circuit permettant l’implémentation matérielle d’un réseau de neurones tel que décrit en relation avec les figures 2, 3, 4, 5 ou 6.
Le compilateur 800 comprend une étape de détermination de la configuration 801 (ANG CONFIGURATION) souhaitée du générateur de nombres 205. La configuration de générateur de nombres est par exemple celle d’un automate cellulaire ou celle d’un générateur de nombres pseudo-aléatoires. Par configuration du générateur, on entend la définition de sa topologie, par exemple le nombre de bascules et/ou portes logiques, de connexions de rebouclage, d’un générateur. Le générateur de nombres 205 est capable de générer une séquence de nombres à partir d’une graine (RANDOM SEED), d’une indication de la dimension de chaque vecteur généré (SEQUENCE LENGTH m) et d’une règle (EVOLUTION RULE), ces trois éléments étant spécifiés en entrée du compilateur. Lorsque le générateur de nombres 205 est un générateur congruentiel linéaire, la règle est par exemple l’algorithme utilisé par le générateur congruentiel 205, tel que, par exemple, l’algorithme « Standard minimal ». Dans un autre exemple, le générateur de nombre 205 est un registre à décalage à rétroaction linéaire pouvant être implémenté de manière matérielle ou de manière logicielle. La configuration souhaitée du générateur de nombres peut être réalisée par une recherche de topologie optimale en minimisant une fonction de coût prédéfinie pouvant par exemple tenir compte des facteurs tels que l’encombrement, la vitesse de production d’un nombre aléatoire, etc. La topologie optimale mettant en œuvre les contraintes spécifiées (m ; ramdom seed ; evolution rule) peut être recherchée dans une base de données de topologie de circuits en comparant les performances des différentes topologies une fois adaptées (de l’anglais « customise ») aux contraintes spécifiées.
Le compilateur 800 peut également être utilisé pour analyser des spécifications données pour mettre en œuvre une couche d’un réseau de neurones telle que définie, ou encore modélisée, par la représentation générique illustrée en figure 2. Les données en entrées du compilateur sont alors une topologie de réseau de neurones définie notamment par les fonctions et ainsi qu’une matrice de paramètres . Le compilateur réalise alors un ensemble d’opérations d’analyse sur la base de ces spécifications d’entrées, pouvant éventuellement considérer également les spécifications données pour le générateur de nombre aléatoires. Afin de faciliter la mise en œuvre des opérations d’analyse réalisées par le compilateur, la fourniture des fonctions et peut être réalisée sous la forme d’une combinaison mathématique de fonctions de librairies prédéfinies, en lien par exemple avec les différentes topologies envisageables pour l’implémentation du réseau de neurones.
Le compilateur est donc prévu pour effectuer une opération 803 (NONLINEAR OPERATION ANALYZER) d’analyse de non-linéarité qui détermine si oui ou non la fonction , utilisée par exemple par le réseau auxiliaire 204, est une fonction non-linéaire. Puis, selon le résultat de l’opération 803, une opération d’aiguillage 805 (LINEAR ?), va décider de la suite du procédé de compilation par le compilateur 800, selon que la fonction est linéaire ou non.
Dans le cas où la fonction est non-linéaire (branche N), le compilateur 800 génère, dans une opération 807 (STANDARD FLOW), une définition « haut niveau » d’une couche de neurones reprenant une définition « haut niveau » d’un circuit tel que décrit en relation avec la . Par définition haut niveau d’un circuit, on pourra par exemple comprendre une représentation matlab, ou une définition selon un format de programmation, par exemple le langage C, ou encore une représentation au niveau RTL (pour « Register Transfer Level ») du circuit. Le compilateur fournit ainsi une représentation haut-niveau d’un circuit tel que représenté schématiquement par ses briques principales illustrées en référence 807.
Dans le cas où la fonction est linéaire (branche Y), un décomposeur d’opération 809 (OPERATION DECOMPOSER) reçoit la fonction ainsi que la fonction de couche et la matrice et génère deux fonctions latentes et permettant la mise en œuvre, dans une opération 811, de l’implémentation d’un réseau de neurones tel que décrit en relation avec la figure 3. En fonction du type des réseaux auxiliaires, la fonction se décompose en de multiples opérations. A titre d’exemple, lorsque le réseau est du type décrit en relation avec la figure 6, la fonction se décompose en convolutions avec les filtres F suivie d’une combinaison avec les vecteurs aléatoires .
Bien que la figure 8 illustre la fourniture des fonctions et , décrites en relation avec les figures 2 et 3, l’opération 803 permet de déterminer la linéarité ou non des fonctions et décrites en relation ave les figures 6 et 7 et l’opération 809 permet, le cas échéant, de décomposer les noyaux de convolution comme décrit en relation avec la .
L’opération 809 délivre ainsi une définition « haut niveau » d’une couche de neurones reprenant une définition « haut niveau » d’un circuit « décomposable » tel que représenté schématiquement, par ses briques principales illustrées en référence 811.
Outre les étapes d’analyse fonctionnelles du compilateur décrites précédemment, l’outil de conception de circuit par ordinateur peut comprendre la réalisation d’autres étapes de conception visant, à partir des représentations de circuit « haut-niveau », à réaliser la génération d’autres fichiers de conception plus « bas-niveaux ». Ainsi, l’outil de conception par ordinateur permet de délivrer un ou plusieurs fichiers de conception représentant des vues EDA (de l’anglais "Electronic Design Automation" - automatisation de conception électronique), et/ou une vue HDL (de l’anglais "Hardware Description Language" - langage de description matérielle). Dans certains cas, ces fichiers, souvent dénommés « IP » (propriété intellectuelle), peuvent être en langage RTL configurable (de l’anglais "Register Transfer Level" - langage à transfert de registres). Cette conception de circuit par ordinateur permet ainsi de définir par exemple in fine le circuit dans un format de fichier (classiquement fichier gds2) qui permette sa fabrication dans un site de fabrication. Dans certains cas, le fichier final de sortie de l’opération de conception de circuit est transmis vers un site de fabrication pour être fabriquée. On notera que de façon connue en soi, les fichiers fournis par le compilateur peuvent être transmis dans un format plus ou moins haut niveau à un tiers en vue de son utilisation par ce tiers dans son flot de conception de circuit.
La est un schéma par bloc illustrant une implémentation d’un outil de recherche automatique d'architecture neuronale 900 selon un mode de réalisation de la présente description.
L'installation 1 comporte une première roue 8 de transfert en entrée de la station 4 de chauffage, une deuxième roue 9 de transfert à la sortie de la station 4 de chauffage, et une troisième roue 10 de transfert interposée entre la deuxième roue 9 de transfert et la station 5 de formage. Enfin, une quatrième roue 11 de transfert est agencée à la sortie de la station 5 de formage pour transférer les corps creux, ici les récipients 2 finaux, vers un convoyeur 12 tel qu'un tapis ou un convoyeur à air.
Les corps creux défilent dans l'installation 1 selon un trajet de production déterminé qui est indiqué en trait gras à la .
Les corps creux arrivent, sous forme de préformes 3, successivement l'une après l'autre par une rampe 13 qui alimente la première roue 8 de transfert, formant un premier dispositif de transport des corps creux. La première roue 8 de transfert se présente sous la forme d'un disque 14 dont la périphérie est équipée de plusieurs encoches de support formant chacune un organe 15 de maintien d'un corps creux. Les organes 15 de maintien sont ainsi embarqués sur le disque 14.
Le disque 14 est monté rotatif autour d'un axe "A" central vertical selon un sens antihoraire en se reportant à la . Les organes 15 de maintien se déplacent ainsi selon un circuit fermé de forme circulaire autour de l'axe "A".
Les corps creux, ici les préformes 3, sont convoyés depuis la rampe 13 jusqu'à une entrée de la station 4 de chauffage en suivant le trajet de production. Lorsqu'un corps creux a été transmis à la station 4 de chauffage, l'organe 15 de maintien poursuit son déplacement à vide le long du circuit fermé pour revenir à son point de départ et charger un corps creux suivant. Une section utile, représentée en trait gras à la , dudit circuit forme un tronçon ouvert du trajet de production.
En variante non représentée de l'invention, les organes de maintien de la première roue de transfert sont formés par des pinces de préhension d'un corps creux.
Puis les corps creux, toujours sous forme de préforme 3, sont convoyées à travers la station 4 de chauffage pour y être chauffés préalablement aux opérations de soufflage ou d'étirage soufflage. A cet effet, la station 4 de chauffage est équipée de moyens de chauffage, tels que de lampes ou de diodes 16, émettant un rayonnement électromagnétique pour chauffer la matière des préformes 3, par exemple un rayonnement infrarouge à une puissance et sur un spectre prédéterminés qui interagit avec la matière de la préforme 3 pour la chauffer. La puissance et le spectre sont commandés au moyen d'une unité 17 électronique de commande.
Il est bien évident que les lampes 16 pourront être substitués par tout autre moyen de chauffe bien connu de l’homme du métier tel que des diodes VCEL émettant un rayonnement électromagnétique monochromatique ou pseudo-monochromatique dans l’infrarouge ou bien encore des sources micro-ondes par exemple sans pour autant sortir du cadre de l’invention.
La station 4 de chauffage est aussi équipée de moyens de ventilation (non représentés), tels que des ventilateurs ou des dispositifs d'air pulsé aussi connus sous la dénomination anglaise "airblade". Les moyens de ventilation participent à la régulation de la température du corps creux. Les moyens de ventilation comportent des moyens de commande du débit d'air.
Le paramétrage de chaque moyen de chauffage est susceptible d'être commandée pour chauffer plus ou moins certaines portions du corps creux. Le paramétrage et notamment la hauteur de chaque moyen de chauffage activé est par exemple commandée automatiquement par l'unité 17 électronique de commande.
Chaque corps creux est porté par un mandrin rotatif, également appelée tournette, qui forme un organe 18 de maintien associé à la station 4 de chauffage. Un tel organe 18 de maintien comporte classiquement un mandrin (non représenté) qui est emmanché dans un col du corps creux, ainsi qu'un pignon engrenant une crémaillère fixe courant le long du trajet de production de manière à assurer une rotation sensiblement uniforme du corps creux au cours de sa chauffe.
En variante, chaque corps creux est entraîné en rotation par un moteur électrique individuel. La rotation est alors commandée par l'unité 17 électronique de commande.
Les organes 18 de maintien sont portés par une chaîne fermée qui est entraînée dans un sens horaire par des roues 19 motrices qui sont montées rotatives autour d'axes "B" verticaux. Cette chaîne d'organes 18 de maintien mise en mouvement forme ainsi un deuxième dispositif de transport des corps creux. Chaque organe 18 de maintien est ici déplacé en continu, c'est à dire sans interruption, le long d'un circuit fermé. Une section utile, représentée en trait gras à la , dudit circuit forme un tronçon ouvert du trajet de production.
A la sortie de la station 4 de chauffage, les corps creux, ici les préformes 3 chaudes, sont ensuite transmis à la deuxième roue 9 de transfert qui présente une structure similaire à celle de la première roue 8 de transfert. Cette deuxième roue 9 de transfert forme un troisième dispositif de transport des corps creux.
Après la transmission du corps creux à la deuxième roue 9 de transfert, chaque organe 18 de maintien de la station 4 de chauffage poursuit son trajet à vide le long du circuit fermé pour revenir à son point de départ et charger un nouveau corps creux.
La deuxième roue 9 de transfert se présente sous la forme d'un disque 20 dont la périphérie est équipée de plusieurs encoches de support formant chacune un organe 21 de maintien d'un corps creux. Les organes 21 de maintien sont ainsi embarqués sur le disque 20.
lorsque ledit organe de verrouillage en rotation occupe ladite position de blocage en rotation et que ledit rotor tourne en sens dévissage, ledit premier embrayage unidirectionnel laisse libre en rotation ladite couronne dentée intérieure, lorsque ledit organe de verrouillage en rotation occupe ladite position de déblocage en rotation et que ledit rotor tourne en sens dévissage, ledit premier embrayage unidirectionnel bloque en rotation ladite couronne dentée intérieure.
la illustre une vue en coupe longitudinale d’un dispositif selon l’invention selon un premier mode de réalisation ;
la illustre une coupe selon l’axe B-B de la lorsque les moyens de sélection sont dans une première position de sélection-déselection du train d’engrenages additionnel ;
la illustre une coupe selon l’axe C-C de la lorsque les moyens de sélection sont dans une première position de sélection-déselection du train d’engrenages additionnel ;
la illustre une coupe selon l’axe D-D de la lorsque les moyens de sélection sont dans une première position de sélection-déselection du train d’engrenages additionnel ;
la illustre une coupe selon l’axe E-E de la lorsque les moyens de sélection sont dans une première position de sélection-déselection du train d’engrenages additionnel ;