INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Dans un mode préféré selon l’invention, ce sont les conteneurs C et/ou C’ qui sont positionnés directement remplis de polymère.
Dans un mode de réalisation particulier, l’installation selon l’invention peut comprend en outre un, plusieurs ou tous les éléments suivants : - au moins une cuve de stockage d’additifs, qui peut être placée dans le conteneur de dissolution ou en dehors ; - au moins un moyen de pompage et de dosage supplémentaire de ces additifs soit dans le dispositif de dissolution de polymère, soit par le biais d’une canalisation issue de la pompe volumétrique de dosage, qui peut être placé dans le conteneur de dissolution ou en dehors ; - un moyen de mesure de la quantité de polymère hydrosoluble présent dans le ou les conteneurs de stockage ; - un moyen de contrôle de niveau de remplissage du ou des conteneur(s) de stockage ; - un habillage extérieur destiné à protéger d’une surchauffe excessive les parois des différents conteneurs ; - un moyen d’ancrage du conteneur de dissolution et/ou du conteneur de gestion au sol capable de supporter les conditions de neige et de vent dans la zone d’installation et d’exploitation de l’installation.
Par « additifs supplémentaires », on désigne tous les additifs généralement utilisés dans les opérations de récupération assistée de pétrole et/ou de gaz. On peut citer par exemple, des agents réticulants, des agents réticulants à effet retardé, des tensio-actifs, des désémulsifiants, des agents antitartres, des agents anti-corrosion, des bactéricides, des oxydants.
L’homme de l’art pourra faire varier les divers paramètres des appareillages pour les adapter aux conditions spécifiques sur champs tout en conservant le but recherché. En particulier, il pourra utiliser des conteneurs, un moyen de dissolution de polymère hydrosoluble ou des vis de taille différente selon les nécessités du champ.
La présente invention permet donc de faciliter le transport et stockage de polymère hydrosoluble sur champ tout en étant modulable pour répondre aux besoins des industriels.
Grâce à l’installation de l’invention, il est possible de stocker de grandes quantités de polymère, jusqu’à 160 tonnes voir plus, tout en limitant fortement la place des installations et en assurant une bonne dissolution du polymère hydrosoluble permettant de ne pas impacter négativement le processus de récupération assistée de pétrole et/ou de gaz.
L’installation de l’invention est également facilement modulable et adaptable à tous champs que ce soit sur terre ou en mer et d’une manière générale facilite grandement le transport du matériel nécessaire pour le stockage, le dosage, la dissolution, et l’injection de polymère.
L’installation selon l’invention peut être utilisée pour toutes sortes d’opérations, comme la récupération assistée de pétrole et/ou de gaz, la fracturation hydraulique, ou le traitement de résidus miniers, ou encore le traitement des résidus miniers de sables bitumineux, notamment connus sous le nom de résidus fins mûrs (MFT ou « mature fine tailings »).
Contenant destiné à recevoir un contenu à magnétiser Domaine technique de l'invention La présente invention se rapporte à un contenant destiné à recevoir un contenu à magnétiser.
Etat de la technique Le principe de magnétisation des liquides est connu. Pour un liquide tel que l'eau, il est connu que cela permet de la purifier, notamment en lui rendant ses propriétés naturelles d'origine.
Il est connu dans l'état de la technique des contenants utilisés pour magnétiser les liquides tels que l'eau.
Selon le procédé du premier mode, le premier substrat est un substrat piézoélectrique choisi parmi le lithium niobate (LiNbO 3 ) et le lithium tantalate (LiTaO 3 ). L’équipement peut, par exemple, être un four pour chauffer un ou plusieurs substrats, ou un réacteur de dépôt, par exemple une chambre de dépôt chimique en phase vapeur (« CVD » en anglais).
Le traitement thermique peut être un traitement de recuit, un traitement thermique nécessaire lors d’un dépôt de couche, un traitement de fracturation lors d’un procédé de transfert de couche sur un substrat support pour réaliser un substrat POI, par exemple un procédé tel que connu sous le nom de SmartCut®, ou tout autre traitement nécessitant une température supérieure à la température ambiante, c’est-à-dire une température d’environ 20°C à 25°C. Sont, en particulier, concernés des traitements à des températures au-delà de 500°C.
Il est connu qu’une contamination de l’équipement thermique par des atomes de lithium peut avoir lieu suite à des phénomènes de diffusion lors d’un tel traitement thermique. Le niveau de contamination dans l’équipement dépend du nombre de cycles réalisés avec des premiers substrats, des conditions du processus utilisé et du type de premier substrat utilisé. Une forte augmentation de la contamination est observée quand un substrat se brise à l’intérieur de l’équipement, que ce soit accidentellement ou volontairement, par exemple lors d’une étape de fracturation.
Selon l’invention, une étape E2 de décontamination est ensuite réalisée pour réduire le niveau de contamination dans l’équipement réalisant le traitement thermique. Pour réduire la présence de lithium dans l’équipement, un substrat de décontamination est introduit dans l’équipement. Selon le premier mode de réalisation un substrat de silicium est utilisé. Il s’agit d’une plaquette de silicium avec ou sans son oxyde naturel. Le substrat de silicium est introduit à une température d’environ 350°C et ensuite chauffé à au moins 500°C, de préférence à au moins 800°C. Cette température est maintenue pendant au moins 30 minutes, de préférence pendant au moins une heure. Cette étape de décontamination est réalisée sous une atmosphère oxydante, en particulier en introduisant de l’oxygène dans l’équipement.
Le substrat de décontamination est ensuite mis au rebut pour éviter une nouvelle contamination lors d’une réintroduction dans l’équipement.
Des mesures de VPD ICPMS ont été appliquées sur un nouveau substrat silicium introduit dans l’équipement après l’étape E2 et chauffé de la même manière à au moins 500°C, de préférence au moins 800°C, sous une atmosphère oxydante pendant au moins 30 minutes, de préférence au moins 1 heure. Ces mesures ont montré une baisse de la densité surfacique de lithium par rapport à la même mesure sur le substrat silicium utilisé lors de l’étape E2. Les mesures de VPD ICPMS fonctionnent comme suit : décomposition de la couche d’oxyde naturelle par gravure, en particulier en utilisant du HF en phase vapeur, après balayage de la surface avec 150µL d’une solution de HF/HNO 3 et ensuite dilution de cette solution dans 250µL d’une solution HF/HNO 3 avant l’analyse ICPMS.
Après l’étape de décontamination E2, le procédé se poursuit avec l’étape E3 qui est un procédé de traitement d’un deuxième substrat. Le deuxième substrat peut être un substrat comprenant un matériau semi-conducteur ou un matériau piézoélectrique. Il peut s’agir du même matériau que pour le premier substrat ou d’un autre matériau.
Si le même matériau est utilisé, le traitement du deuxième substrat peut être le même que pour le premier substrat, ou un autre.
Si un autre matériau est utilisé, il peut, à titre d’exemple, s’agir un substrat semi-conducteur choisi parmi le silicium, le carbure de silicium (SiC), le saphir (Al 2 O 3 ) ou un substrat semi-conducteur III-V, en particulier l’arséniure de gallium (GaAs).
Le traitement du deuxième substrat comprend au moins une étape réalisée également dans l’équipement réalisant le traitement thermique. Etant donné l’équipement a été décontaminé au préalable, la qualité du traitement du deuxième substrat n’est pas, ou est moins, impactée par le contaminant, en l’occurrence le lithium. Ceci permet d’obtenir un gain de rendement, en comparaison avec un procédé sans l’étape de décontamination. Comme pour le premier substrat, le traitement thermique peut être un traitement de recuit, un traitement thermique nécessaire lors d’un dépôt de couche, un traitement de fracturation lors d’un procédé de transfert de couche sur un substrat support pour réaliser un substrat SOI, par exemple un procédé tel que connu sous le nom de SmartCut®, ou tout autre traitement nécessitant une température supérieure à la température ambiante, c’est-à-dire une température d’environ 20°C à 25°C. Sont en particulier concernés des traitements à des températures au-delà de 500°C.
Selon une variante du procédé selon l’invention, l’étape E2 de décontamination est répétée avant de continuer avec l’étape E3 au moins une fois, en utilisant à chaque répétition un nouveau substrat de décontamination. Ainsi le niveau de décontamination de l’équipement peut encore être amélioré car à chaque répétition de l’étape E2 des éléments contaminants sont capturés dans le substrat de décontamination. Ainsi il devient possible de réduire le niveau de contamination au-dessous d’une limite de détection du dispositif de mesure VPD ICPMS. Selon une autre variante, le procédé E2 est répété si la contamination mesurée par VPD ICPMS excède une valeur seuil de contamination prédéterminée, par exemple 1 * 10^13at/cm². Au lieu d’utiliser de la VPD ICPMS, il est également possible de mesurer la contamination par spectrométrie de masse des ions secondaires (également appelé « SIMS »)
Le procédé selon l’invention permet de réduire la contamination d’un équipement de traitement thermique, tel qu’un four, de manière efficace et simple à mettre en œuvre en utilisant des substrats de silicium. En fonction du niveau de décontamination souhaité, le procédé peut être répété avant de continuer avec l’utilisation de l’équipement dans le procédé de fabrication suivant.
Interrupteur Radio Fréquence La présente description concerne de façon générale les interrupteurs radio fréquence et leurs procédés de fabrication.
Un interrupteur est un composant ou dispositif électronique permettant ou non la connexion entre deux noeuds d'un circuit. Un interrupteur radio fréquence est un interrupteur adapté à commuter, c’est-à-dire à alterner entre les états ouvert et fermé, à une fréquence comprise dans la gamme des radio fréquences.
Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des interrupteurs radio fréquence connus.
Un mode de réalisation prévoit un procédé de fabrication d'un dispositif comprenant un interrupteur radio fréquence, le procédé comprenant :
Selon un mode de réalisation, la durée du recuit est comprise entre 30 secondes et 10 minutes.
Selon un mode de réalisation, le recuit est effectuée à une température comprise entre 700°C et 800°C.
Selon un mode de réalisation, le recuit est effectué à une température sensiblement égale à 765°C pendant sensiblement 30 secondes.
la représente schématiquement un exemple de dispositif comprenant un interrupteur radio fréquence ;
la représente un dispositif après une étape d'un mode de mise en œuvre d'un procédé de fabrication d'un dispositif du type du dispositif de la ;
la représente un dispositif après une autre étape d'un mode de mise en œuvre d'un procédé de fabrication d'un dispositif du type du dispositif de la ; et
la représente un dispositif après une autre étape d'un mode de mise en œuvre d'un procédé de fabrication d'un dispositif du type du dispositif de la .
La représente schématiquement au moins partiellement un exemple de dispositif comprenant un interrupteur radio fréquence 10. Le dispositif est par exemple un commutateur. Le dispositif comprend par exemple une pluralité d'interrupteurs tels que l'interrupteur 10. L'interrupteur 10 est, dans l'exemple de la , un transistor, par exemple un transistor à effet de champ à grille isolée ou MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor).
Le transistor 10 est formé dans un substrat semiconducteur 12, par exemple en silicium. Le substrat 12 est par exemple un substrat massif (bulk) ou un substrat de type semiconducteur sur isolant (SOI ou Semiconductor On Insulator).
Le substrat comprend un caisson 14 dopé d'un premier type de conductivité, par exemple de type P. Des régions 16 et 18, dopées d'un second type de conductivité, par exemple de type N, sont formées dans le caisson 14. Les régions 16 et 18 affleurent une face supérieure du substrat 12. Les régions 16 et 18 constituent les régions de source et de drain du transistor 10. Les régions 16 et 18 sont séparées par une région 20 du caisson 14 dopée du premier type de conductivité. La région 20 constitue une région de canal du transistor 10.
Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. En particulier, les divers pixels SPAD connus n'ont pas été tous décrits, la présente description s'appliquant à tous ces pixels SPAD connus. De la même façon, les procédés de commande usuels du ou des interrupteurs de découpage d'un convertisseur élévateur à découpage ("Switched Mode Power Supply Boost Converter" ou "SMPS Boost Converter" en anglais) et les circuits de commande usuels mettant en œuvre ces procédés de commande usuels n'ont pas tous été détaillés, la présente description s'appliquant à ces procédés de commande usuels et à ces circuits de commande usuels.
Dans la suite de la description, sauf indication contraire, chaque potentiel est, par exemple, référencé par rapport à un même potentiel de référence, par exemple la masse GND, et le potentiel d'un noeud a alors la même valeur que la tension prise entre ce noeud et un noeud au potentiel de référence.
La représente, de manière schématique et en partie sous la forme de blocs, un mode de réalisation d'un capteur de lumière 1.
Le capteur de lumière 1 est, par exemple, un capteur de temps de vol apte à produire une carte de profondeur d'une scène capturée par le capteur 1.
Le capteur de lumière 1 comprend une puce de circuit intégré 100. La puce 100 comprend, par exemple, une portion d'une couche semiconductrice, par exemple en silicium, dans et sur laquelle sont formés tous les composants électroniques de la puce 100.
En particulier, la puce de circuit intégré 100 comprend une matrice 102 de pixels 104. En , à titre d'exemple, la matrice 102 comprend sept colonnes et dix lignes de pixels 104, soit soixante-dix pixels 104, un seul pixel 104 étant référencé en pour ne pas la surcharger. La matrice 102 peut cependant comprendre un nombre différent de colonnes et/ou de lignes de pixels 104, et donc un nombre différent, par exemple plus petit ou plus grand, de pixels 104.
Chaque pixel 104 comprend une diode à avalanche à photon unique (non illustrée en ). Dit autrement, chaque pixel 102 comprend une diode configurée pour recevoir un potentiel de polarisation VHV au-dessus de sa tension de claquage, de sorte à pouvoir être placée en mode Geiger. Par exemple, dans chaque pixel, la diode à avalanche à photon unique a sa cathode couplée au potentiel VHV et son anode couplée à un potentiel de référence, par exemple la masse GND. A titre d'exemple, le potentiel VHV, référencé au potentiel de référence GND, à une valeur supérieure à 15 V, de préférence supérieure ou égale à 20 V, par exemple une valeur sensiblement égale à 25 V. A titre d'exemple, chaque pixel 102 comprend une unique diode à avalanche à photon unique. A titre d'exemple alternatif, un pixel peut comprendre plusieurs diodes à avalanche à photon unique, chacune pouvant être associée à son propre circuit d'extinction ("quenching circuit" en anglais) et l'ensemble étant, par exemple, appelé macro-pixel.
Un exemple d'un pixel 104 pouvant être mis en œuvre dans la matrice 102 est illustré en . Cet exemple de pixel 104 est similaire au pixel présenté aux figures 1, 5, 6, 7 et 8 des demandes de brevet EP 3806162, US 2021105427 et CN 112702546. L'exemple de pixel 104 de la est, plus particulièrement, similaire au pixel de la figure 5 des demandes de brevet susmentionnées.
Dans cet exemple le pixel 104 comprend une diode à avalanche à photon unique 200. L'anode de la diode 200 est couplée au potentiel GND, c'est-à-dire à un noeud 202 configuré pour recevoir le potentiel GND. La cathode de la diode 200 est couplée au potentiel VHV, c'est-à-dire à un noeud 206 configuré pour recevoir le potentiel VHV.
Plus particulièrement, dans cet exemple, la cathode de la diode 200 est couplée au noeud 204 par une résistance 205. La résistance 205, dite résistance d'extinction, est configurée pour éteindre ("to quench" en anglais), c'est-à-dire stopper, un phénomène d'avalanche dans la diode 200. Dans cet exemple, l'anode de la diode 200 est couplée au noeud 202 par deux transistors MOS ("Métal Oxyde Semiconducteur") T1 et T2. Le transistor T1 est, par exemple, configuré pour éteindre un phénomène d'avalanche dans la diode 200 lorsqu'il est commuté à l'état ouvert. Le transistor T2 est, par exemple, configuré pour désactiver le pixel 104 lorsqu'il est commuté à l'état ouvert.
Dans cet exemple, le pixel 104 comprend en outre une diode 206 de tirage vers le haut ("Pull-up diode" en anglais) dont l'anode est connectée à l'anode de la diode 200 et dont la cathode est connectée à un noeud 208 configuré pour recevoir un potentiel V2. Le potentiel V2 est inférieur au potentiel VHV. Par exemple, le potentiel V2 est de l'ordre de 7 V
Dans cet exemple, le pixel 104 comprend en outre deux capacités C1 et C2. La capacité C1 est connectée entre le noeud 210 de connexion de la diode 200 à la résistance 205, et un noeud 212. La capacité C2 est connecté entre le noeud 212 et le noeud 202. Les capacités C1 et C2 forment un pont diviseur capacitif configuré pour reproduire ou transmettre des variations du potentiel de cathode de la diode 200 sur le noeud 212
Dans cet exemple, le pixel 104 comprend en outre un circuit 216, ici un inverseur, configuré pour commuter sa sortie suite à une variation du potentiel sur le noeud 212 résultant d'un phénomène d'avalanche dans la diode 200. Dit autrement, le circuit 216 est configuré pour détecter un phénomène d'avalanche dans la diode 200.
(1) mélanger les ingrédients de la colonne A du tableau 1 à 70-75°C pour former un mélange uniforme de la phase A ;
(2) ajouter les ingrédients de la colonne B du tableau 1 au mélange de la phase A à 75-80°C, puis les homogénéiser pour obtenir un mélange uniforme (phases A et B) à 70-75°C ;
(3) mélanger les ingrédients de la colonne C du tableau 1 à 70-75°C pour former un mélange de la phase C ;
(4) ajouter le mélange de la phase C au mélange des phases A et B à 70-75°C, puis les homogénéiser pour obtenir un mélange uniforme (phases A, B et C) à 70-75°C et refroidir le mélange obtenu à environ 30°C; et
(5) ajouter l'ingrédient des colonnes D et E du tableau 1 au mélange des phases A, B et C à environ 30°C, puis les homogénéiser pour obtenir un mélange uniforme (phases A, B, C, D et E) à environ 30°C, et en refroidissant le mélange obtenu à température ambiante.
Les valeurs numériques pour les quantités des composants indiquées dans le tableau 1 sont toutes basées sur « % en poids » en tant que matières actives.
Ingrédient Ex. 1 Ex. Comp. 1 Ex. Comp. 2 Ex. Comp. 3 Ex. Comp. 4 Ex. Comp. 5 Ex. Comp. 6 Ex. Comp. 7 C d) Isostéarate de polyglycéryl-2 (HLB : 8) 2 - - - 2 2 2 2 Caprate de polyglycéryl-4 (HLB : 14) 1.5 - - 3.5 1.5 1.5 1.5 1.5 Oléate de polyglycéryl-2 (HLB : 7) - - 3.5 - - - - - Distéarate de polyglycéryl-6 (HLB : 9) 1.92 - 1.92 1.92 1.92 1.92 1.92 1.92 Cire d'abeille polyglycéryl-3 (HLB : 4.5) 0.255 - 0.255 0.255 0.255 0.255 0.255 0.255 a) Esters de jojoba 0.57 0.57 0.57 0.57 - 0.57 0.57 0.57 b) Alcool cétylique 0.255 0.255 0.255 0.255 0.255 - 0.255 0.255 a) Sébaçate de diisopropyle 5 5 5 5 - 5 5 5 Myristate d'isopropyle 2.2 2.2 2.2 2.2 - 2.2 2.2 2.2 Palmitate de cétyle 2 2 2 2 - 2 2 2 b) Alcool béhénylique 1 1 1 1 1 - 1 1 A c) Acide salicylique 0.198 0.198 0.198 0.198 0.198 0.198 0.198 0.198 Acide phytique 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 Acide lactique 3.33 3.33 3.33 3.33 3.33 3.33 3.33 3.33 B e) Polymère croisé d’acryloyldiméthyltaurate d'ammonium/méthacrylate de stéareth-25 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 - 0.3 Gomme Xanthane 0.4 0.4 0.4 0.4 0.4 0.4 - 0.4 D f) Nitrure de bore 0.4 0.4 0.4 0.4 0.4 0.4 0.4 0.4 Borosilicate d'aluminium et de calcium 1 1 1 1 1 1 1 1 Oxyde de titane (et) mica 2 2 2 2 2 2 2 2 A Dilauramidoglutamide sodique Lysine 0.4 0.4 0.4 0.4 0.4 0.4 0.4 0.4 g) Eau 59.102 64.777 59.102 59.102 68.872 60.357 59.802 62.502 glycérine 3 3 3 3 3 3 3 3 Chlorphénésine 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 Bétaïne 3 3 3 3 3 3 3 3 Hydroxyacétophénone 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 Caprylyl Glycol 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 Niacinamide 5 5 5 5 5 5 5 5 Hydroxyde de sodium 0.66 0.66 0.66 0.66 0.66 0.66 0.66 0.66 C Pentaérythrityl Tetra-di-t-butyl Hydroxyhydrocinnamate 0.07 0.07 0.07 0.07 0.07 0.07 0.07 0.07 E Biosaccharide Gomme-2 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 Éthanol 3 3 3 3 3 3 3 3 Fragrance 0.04 0.04 0.04 0.04 0.04 0.04 0.04 0.04 Quantité totale (% en poids) 100 100 100 100 100 100 100 100 HLB moyen (PGFE) 9.8 - 7.6 11.9 9.8 9.8 9.8 9.8 Sensation non collante Très Bon Bon Bon Bon Très Mauvais Pauvre Bon Très Pauvre Sensation de douceur (sensation non grasse) Très bon Bon Bon Bon Très Mauvais Mauvais Bon Très Mauvais Stabilité à la température Très bon Très Mauvais Mauvais Mauvais Très Mauvais Mauvais Très pauvre Bon
(Sensation non collante)
Cinq panélistes professionnels ont évalué le « toucher non collant » après application des compositions selon l'exemple 1 et les exemples comparatifs 1-7. Chaque panéliste a pris chaque composition dans ses mains, puis l'a appliquée sur son visage pour évaluer la sensation non collante après application, et l'a notée de 1 (mauvaise) à 5 (très bon), qui a ensuite été classée dans les 4 catégories suivantes en fonction de la moyenne de la note :
(Sentiment de douceur)
représente une vue en position éclatée des éléments la constituant d’une structure d’assemblage conforme à l’invention ;
représente une vue partielle en coupe d’une structure d’assemblage conforme à l’invention avec une vue de détail de la pièce de jonction ;
représente sous forme de vues en perspective associées à des vues en coupe des exemples de profilés à alvéovis ;
représente sous forme de vues en perspective des exemples de connecteurs ;
représente sous forme de vues schématiques en perspective des exemples de constructions modulaires.
Comme mentionné ci-dessus, l'invention a pour objet une structure 1 d’assemblage pour la réalisation de construction 2 modulaire, en particulier de meuble, tel qu'un meuble à étagères dont des exemples sont fournis à la . Une telle structure 1 d'assemblage comprend a minima au moins un profilé 3, une pièce 4 de jonction et un connecteur 5. Bien évidemment, une telle structure 1 d'assemblage peut comprendre, pour un même connecteur, plusieurs profilés 3 et plusieurs pièces 4 de jonction comme illustré à la , le nombre de pièces de jonction étant généralement égal au nombre de profilés à assembler. De même, un même profilé 3 peut être commun à deux structures d'assemblage disposées de manière contiguë, ce profilé étant couplé, par l'une de ses extrémités, par une première pièce de jonction à un connecteur d'une première structure d'assemblage et, par l'autre de ses extrémités, par une seconde pièce de jonction à un connecteur d'une seconde structure d'assemblage.