INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
L’acquisition du diagramme de diffraction est réalisée avec un appareil du type D8 Endeavor de la société Bruker, sur un domaine angulaire 2θ compris entre 5° et 80°, avec un pas de 0,01°, et un temps de comptage de 0,34 s/pas. L’optique avant comporte une fente primaire de 0,3° et une fente de Soller de 2,5°. L’échantillon est en rotation sur lui-même à une vitesse égale à 5 tr/min, avec utilisation du couteau automatique. L’optique arrière comporte une fente de Soller de 2,5°, un filtre nickel de 0,0125 mm et un détecteur 1D avec une ouverture égale à 4°.
- Un affinement du signal de fond est réalisé à l’aide de la fonction « treatment », « determine background » avec les choix suivants : « bending factor » égal à 1 et « granularity » égal à 40 ;
- Un affinement manuel du paramètre « B overall » de toutes les phases sélectionnées est ensuite effectué de manière simultanée.
Les inventeurs ont mis en évidence qu’un tel revêtement permettait d’augmenter la durée de vie du conteneur lors de la fabrication d’une poudre d’oxydes comportant du lithium, en particulier un oxyde d’un métal ou de plusieurs métaux de transition lithiés.
Les inventeurs ont également mis en évidence qu’un revêtement présentant une teneur en spinelle MgAl 2 O 4 supérieure à 60% présentait une fissuration et/ou un décollement de la surface du conteneur lors de la montée à la température d’utilisation qui ne permettait pas au conteneur présentant un tel revêtement de présenter une durée de vie améliorée.
Un conteneur revêtu comportant un revêtement présentant une teneur en spinelle MgAl 2 O 4 inférieure à 10% ne présente pas une durée de vie améliorée.
De préférence, le revêtement présente une teneur en spinelle MgAl 2 O 4 supérieure à 15%, de préférence supérieure à 20%, de préférence supérieure à 25%, de préférence supérieure à 30%, de préférence supérieure à 35%, et de préférence inférieure à 55%, de préférence inférieure à 50%, en pourcentage en masse sur la base des phases cristallisées.
De préférence, le revêtement présente une teneur en phases cristallisées autres que spinelle MgAl 2 O 4 et corindon inférieure à 8%, de préférence inférieure à 5%, en pourcentage en masse sur la base des phases cristallisées. De préférence, le revêtement présente une teneur en phases cristallisées autres que spinelle MgAl 2 O 4 et corindon sensiblement nulle.
De préférence, le revêtement présente une quantité de phases amorphes inférieure à 10%, de préférence inférieure à 5%, de préférence sensiblement nulle.
le précurseur contenant un élément du groupe V étant choisi parmi P(SiH 3 ) 3 , P(SiR 3 )(SiH 3 ) 2 , P(SiR 3 ) 2 (SiH 3 ), P(SiR 3 )(Si 2 H 5 ) 2 , P(SiR 3 ) 2 (Si 2 H 5 ), P(Si 2 H 5 ) 3 , P(SiR 3 )(Si 3 H 7 ) 2 , P(SiR 3 ) 2 (Si 3 H 7 ), P(Si 3 H 7 ) 3 , As(SiH 3 ) 3 , As(SiR 3 )(SiH 3 ) 2 , As(SiR 3 ) 2 (SiH 3 ), As(SiR 3 )(Si 2 H 5 ) 2 , As(SiR 3 ) 2 (Si 2 H 5 ), As(Si 2 H 5 ) 3 , As(SiR 3 )(Si 3 H 7 ) 2 , As(SiR 3 ) 2 (Si 3 H 7 ), As(Si 3 H 7 ) 3 , Sb(SiH 3 ) 3 , Sb(SiR 3 )(SiH 3 ) 2 , Sb(SiR 3 ) 2 (SiH 3 ), Sb(SiR 3 )(Si 2 H 5 ) 2 , Sb(SiR 3 ) 2 (Si 2 H 5 ), Sb(Si 2 H 5 ) 3 , Sb(SIR 3 )(Si 3 H 7 ) 2 , Sb(SiR 3 ) 2 (Si 3 H 7 ), Sb(Si 3 H 7 ) 3, P(SiR 3 )(SiH 3 )(Si 2 H 5 ), P(SiR 3 )(SiH 3 )(Si 3 H 7 ), P(SiH 3 ) 2 (Si 2 H 5 ), P(SiH 3 ) 2 (Si 3 H 7 ), P(SiH 3 )(Si 2 H 5 ) 2 , P(SiH 3 )(Si 2 H 5 )(Si 3 H 7 ), P(SiH 3 )(Si 3 H 7 ) 2 , P(Si 2 H 5 ) 2 (Si 3 H 7 ), P(Si 2 H 5 )(Si 3 H 7 ) 2 , As(SiR 3 )(SiH 3 )(Si 2 H 5 ), As(SiR 3 )(SiH 3 )(Si 3 H 7 ), As(SiH 3 ) 2 (Si 2 H 5 ), As(SiH 3 ) 2 (Si 3 H 7 ), As(SiH 3 )(Si 2 H 5 ) 2 , As(SiH 3 )(Si 2 H 5 )(Si 3 H 7 ), As(SiH 3 )(Si 3 H 7 ) 2 , As(Si 2 H 5 ) 2 (Si 3 H 7 ), As(Si 2 H 5 )(Si 3 H 7 ) 2 , Sb(SiR 3 )(SiH 3 )(Si 2 H 5 ), Sb(SiR 3 )(SiH 3 )(Si 3 H 7 ), Sb(SiH 3 ) 2 (Si 2 H 5 ), Sb(SiH 3 ) 2 (Si 3 H 7 ), Sb(SiH 3 )(Si 2 H 5 ) 2 , Sb(SiH 3 )(Si 2 H 5 )(Si 3 H 7 ), Sb(SiH 3 )(Si 3 H 7 ) 2 , Sb(Si 2 H 5 ) 2 (Si 3 H 7 ), et Sb(Si 2 H 5 )(Si 3 H 7 ) 2 ; R étant choisi parmi Me, Et, nPr, iPr, tBu, nBu, iBu et sBu ; le précurseur contenant Si et un élément du groupe V, lorsque R = Me, étant choisi parmi P(TMS)(SiH 3 ) 2 , P(TMS) 2 (SiH 3 ), P(TMS)(Si 2 H 5 ) 2 , P(TMS) 2 (Si 2 H 5 ), P(TMS)(Si 3 H 7 ) 2 , P(TMS) 2 (Si 3 H 7 ), P(Si 3 H 7 ) 3 , As(TMS)(SiH 3 ) 2 , As(TMS) 2 (SiH 3 ), As(TMS)(Si 2 H 5 ) 2 , As(TMS) 2 (Si 2 H 5 ), As(Si 2 H 5 ) 3 , As(TMS)(Si 3 H 7 ) 2 , As(TMS) 2 (Si 3 H 7 ), As(Si 3 H 7 ) 3 , Sb(TMS)(SiH 3 ) 2 , Sb(TMS) 2 (SiH 3 ), Sb(TMS)(Si 2 H 5 ) 2 , Sb(TMS) 2 (Si 2 H 5 ), Sb(Si 2 H 5 ) 3 , Sb(TMS)(Si 3 H 7 ) 2 , Sb(TMS) 2 (Si 3 H 7 ), Sb(Si 3 H 7 ) 3, P(TMS)(SiH 3 )(Si 2 H 5 ), P(TMS)(SiH 3 )(Si 3 H 7 ), P(SiH 3 ) 2 (Si 3 H 7 ), P(SiH 3 )(Si 2 H 5 )(Si 3 H 7 ), P(SiH 3 )(Si 3 H 7 ) 2 , P(Si 2 H 5 ) 2 (Si 3 H 7 ), P(Si 2 H 5 )(Si 3 H 7 ) 2 , As(TMS)(SiH 3 )(Si 2 H 5 ), As(TMS)(SiH 3 )(Si 3 H 7 ), As(SiH 3 ) 2 (Si 2 H 5 ), As(SiH 3 ) 2 (Si 3 H 7 ), As(SiH 3 )(Si 2 H 5 ) 2 , As(SiH 3 )(Si 2 H 5 )(Si 3 H 7 ), As(SiH 3 )(Si 3 H 7 ) 2 , As(Si 2 H 5 ) 2 (Si 3 H 7 ), As(Si 2 H 5 )(Si 3 H 7 ) 2 , Sb(TMS)(SiH 3 )(Si 2 H 5 ), Sb(TMS)(SiH 3 )(Si 3 H 7 ), Sb(SiH 3 ) 2 (Si 2 H 5 ), Sb(SiH 3 ) 2 (Si 3 H 7 ), Sb(SiH 3 )(Si 2 H 5 ) 2 , Sb(SiH 3 )(Si 2 H 5 )(Si 3 H 7 ), Sb(SiH 3 )(Si 3 H 7 ) 2 , Sb(Si 2 H 5 ) 2 (Si 3 H 7 ), et Sb(Si 2 H 5 )(Si 3 H 7 ) 2 ; une pureté du précurseur contenant Si et un élément du groupe V étant > 93 % ; une pureté du précurseur contenant Si et un élément du groupe V étant > 95 % ; et une pureté du précurseur contenant Si et un élément du groupe V étant > 98 %.
Une composition filmogène humide est également divulguée pour le revêtement par centrifugation d’un film comprenant le précurseur contenant Si et un élément du groupe V divulgué de la formule (I), (II) ou (III) qui possède au moins 5 atomes de Si. Les compositions filmogènes humides divulguées peuvent comprendre un ou plusieurs des aspects suivants :
le précurseur contenant Si et un élément du groupe V de la formule (I), (II) ou (III) possédant la volatilité la plus basse étant choisi pour rester dans le film filé pendant l’étape de recuit et se décomposer in situ ; comprenant en outre un coréactif qui est un polysilane ou un mélange de polysilanes possédant 5 ou plus de 5 atomes de silicium ; le polysilane étant le cyclopentasilane ; le polysilane étant le cyclohexasilane ; comprenant en outre un solvant ; le film filé étant un film de Si amorphe ou polycristallin ;
le film filé étant un film de Si amorphe et polycristallin ; le film filé étant un film de Si amorphe ; et le film filé étant un film de Si polycristallin.
Un procédé pour la formation d’un film de Si épitaxial dopé par un élément du groupe V sur un substrat est également divulgué, le procédé comprenant :
le maintien du substrat à une température prédéterminée correspondant à une température de dépôt ou à une température proche de celle-ci ;
l’exposition du substrat à un mélange d’une vapeur d’une composition filmogène qui contient un précurseur contenant Si et un élément du groupe V et d’une vapeur d’un coréactif de type polysilane ; et
le dépôt d’au moins une partie du précurseur contenant Si et un élément du groupe V sur le substrat pour former le film de Si épitaxial dopé par un élément du groupe V sur le substrat par un procédé de CVD,
le précurseur contenant Si et un élément du groupe V possédant la formule générale
R étant choisi parmi un groupe alkyle, alcényle, alcynyle linéaire, ramifié ou cyclique, en C 1 à C 10 ;
à la condition que si A = As, alors As(SiH 3 ) 3 est exclu ; si A = P, alors P(SiH 3 ) 3 , P(SiH 3 ) 2 (Si 2 H 5 ), P(SiH 3 )(Si 2 H 5 ) 2 , P(Si 2 H 5 ) 3 , et P(SiH 3 ) 2 (TMS) sont exclus ; et si A = Sb, alors Sb(SiH 3 ) 3 est exclu. Les procédés décrits peuvent comprendre un ou plusieurs des aspects suivants :
le mélange comprenant un gaz dilué choisi parmi Ar, He, N 2 , H 2 et des combinaisons correspondantes ; le coréactif de type polysilane étant un germane ; la température prédéterminée étant dans la plage de 200ºC à 1 000ºC ; la température de dépôt étant dans la plage de 200ºC à 1 000ºC ; et le film de Si épitaxial dopé par un élément du groupe V étant un film de Si épitaxial dopé par P, lorsque A est P.
Plusieurs enceintes de refroidissement 17 sont utilisées lorsque la machine électrique 1 comprend plusieurs agencements 5 de bobines électromagnétiques 6. Par exemple, pour deux agencements 5 de bobines électromagnétiques 6, la machine électrique 1 comprend deux enceintes de refroidissement 17 contenant chacune un agencement 5 de bobines électromagnétiques 6 et les écrans magnétiques 13 correspondants.
L’enceinte de refroidissement 17 comprend un fluide de refroidissement 18 à moins de 150° Kelvin. Le fluide de refroidissement 18 est par exemple de l’hélium, de l’hydrogène ou de l’azote.
On a représenté schématiquement sur les figures 6a, 6b et 6c différents mode de réalisation et de disposition d’écrans magnétiques 13 et de bobines électromagnétiques 6 dans l’enceinte de refroidissement 17 dans le cas où les écrans magnétiques 13 sont dans l’entrefer 15 entre le rotor 7 et les bobines électromagnétiques 6.
L’enceinte de refroidissement 17 comprend un support 20, un couvercle 21, un fluide de refroidissement 18, des bobines électromagnétiques 6, en particulier un agencement 5 de bobines électromagnétiques 6 et des écrans magnétiques 13.
Le support 20 et le couvercle 21 forment la paroi et délimitent le volume de l’enceinte de refroidissement 17, dont l’étanchéité est assurée par des joints toriques 22. L’enceinte de refroidissement 17 comprend en outre au moins une entrée et au moins une sortie de fluide permettant de faire circuler le fluide de refroidissement 18 dans l’enceinte de refroidissement 17 depuis une source externe.
La illustre un mode de réalisation dans lequel les écrans magnétiques 13 sont collés axialement aux bobines électromagnétiques 6 et dans lequel les écrans magnétiques 13 sont collés au support 20, en particulier collés dans le fond 23 du support 20. Le collage des écrans magnétiques 13 au support 20 permet en particulier de rigidifier la paroi de l’enceinte de refroidissement 17 et d’améliorer ainsi la tenue mécanique de l’enceinte de refroidissement 17. En effet, l’entrefer 15 de la machine électrique 1 étant minimisé pour de meilleures performances, et le support 20 passant au niveau de l’entrefer 15, le support 20 est assez fin, de l’ordre de quelques millimètres.
Dans ce mode de réalisation, les bobines électromagnétiques 6 sont collées aux écrans magnétiques 13 si leur température de fonctionnement est égale ou inférieure à celle des écrans magnétiques 13. Le fluide de refroidissement 18 est donc situé entre les bobines électromagnétiques 6 et le couvercle 21, à l’une des extrémités axiales de la machine électrique 1.
La illustre un mode de réalisation dans lequel les écrans magnétiques 13 sont collés au fond 23 du support 20, permettant de rigidifier la paroi de l’enceinte de refroidissement 17 et d’améliorer ainsi la tenue mécanique de l’enceinte de refroidissement 17. Dans ce mode de réalisation, les bobines électromagnétiques 6 sont entourées de fluide de refroidissement 18. Ce mode de réalisation est avantageux si les bobines électromagnétiques 6 fonctionnent à des températures supérieures à celles des écrans magnétiques 13. Le fluide de refroidissement 18 est donc situé entre les bobines électromagnétiques 6 et le couvercle 21, ainsi qu’entre les bobines électromagnétiques 6 et les écrans magnétiques 13 afin de refroidir les écrans magnétiques 13.
Dans ce mode de réalisation, l’enceinte de refroidissement 17 comprend des cales 25 de manière à garantir le bon positionnement des bobines électromagnétiques 6.
La illustre une variante du mode de réalisation illustré à la dans lequel les écrans magnétiques 13 sont collés au fond 23 du support 20, permettant de rigidifier la paroi de l’enceinte de refroidissement 17 et d’améliorer ainsi la tenue mécanique de l’enceinte de refroidissement 17. Dans cette variante, les bobines électromagnétiques 6 sont au contact du couvercle 21, par exemple collées au couvercle 21. Le fluide de refroidissement 18 est donc situé entre les bobines électromagnétiques 6 et les écrans magnétiques 13 afin de refroidir les écrans magnétiques 13 et les bobines électromagnétiques 6.
Dans cette variante, les cales 25 ne sont pas nécessaires si les bobines électromagnétiques 6 sont collées au couvercle 21 et que les écrans magnétiques 13 sont collés au support 20. Cette variante permet également de rigidifier le couvercle 21 et d’éviter les pertes d’étanchéité.
On a représenté schématiquement sur les figures 7a, 7b et 7c différents modes de réalisation et de disposition d’écrans magnétiques 13 et de bobines électromagnétiques 6 dans l’enceinte de refroidissement 17 dans le cas où l’agencement 5 de bobines électromagnétiques 6 est positionné entre le rotor 7 et les écrans magnétiques 13.
L’enceinte de refroidissement 17 comprend un support 20, un couvercle 21, un fluide de refroidissement 18, des bobines électromagnétiques 6 et des écrans magnétiques 13.
Le support 20 et le couvercle 21 forment la paroi de l’enceinte de refroidissement 17, dont l’étanchéité est assurée par des joints toriques 22.
La illustre un mode de réalisation dans lequel les bobines électromagnétiques 6 sont collées axialement au fond 23 du support 20 et dans lequel les écrans magnétiques 13 sont collés aux bobines électromagnétiques 6. Le collage des bobines électromagnétiques 6 au support 20 permet en particulier de rigidifier la paroi de l’enceinte de refroidissement 17 et d’améliorer ainsi la tenue mécanique de l’enceinte de refroidissement 17. En effet, l’entrefer 15 de la machine électrique 1 étant minimisé pour de meilleures performances, et le support 20 passant au niveau de l’entrefer 15, le support 20 est assez fin, de l’ordre de quelques millimètres.
Dans ce mode de réalisation, les bobines électromagnétiques 6 sont collées aux écrans magnétiques 13 si leur température de fonctionnement est égale ou inférieure à celle des écrans magnétiques 13. Le fluide de refroidissement 18 est donc situé entre les écrans magnétiques 13 et le couvercle 21, à l’une des extrémités axiales de la machine électrique 1.
D’autres particularités et avantages de l’invention ressortiront à la lecture de la description faite ci-après de modes de réalisation particuliers de l’invention, donnés à titre indicatif mais non limitatif, en référence aux dessins annexés sur lesquels : est une vue schématique de dessus d’un flan selon invention ; est une vue schématique en perspective de mise en œuvre du flan selon l’invention conformément à une première étape de la méthode de mise en œuvre selon l’invention ; est une vue schématique en perspective de mise en œuvre du flan selon une deuxième étape de la méthode selon l’invention ; est une vue schématique en perspective de mise en œuvre du flan selon une troisième étape de la méthode selon l’invention ; et, est une vue schématique du résultat obtenu après la troisième étape de mise en œuvre de la méthode selon l’invention.
La montre un flan 10 s’étendant selon une direction longitudinale X et une direction transversale Y perpendiculaire à la direction longitudinale X. Le flan 10 est réalisé ici en carton ondulé double face. De surcroît, le flan 10 présente une face 11 portant un motif imprimé, ici d'une première teinte. Cette impression peut être directement réalisée sur la plaque de carton ondulé dans laquelle est découpé le flan 10.
Cette impression peut également résulter d'un collage d'un support lui-même imprimé. Le motif imprimé peut être une couleur uniforme ou bien des dessins ou encore des inscriptions quelconques.
On considérera que la face 11 imprimée du flan 10 est celle qui apparaît sur la Le flan 10 présente alors une face opposée 13 non imprimé. On observera que ladite face opposée peut également être imprimée d’un autre motif et par exemple d’une autre teinte.
Selon un autre mode de mise en œuvre, la première face 11 peut demeurer vierge, tandis que la seule face opposée présente un motif.
Le flan 10 comprend une partie centrale rectangulaire 12, présentant une longueur L selon la direction transversale Y et une largeur l selon la direction longitudinale X. Par exemple, L vaut 400 mm, tandis que l vaut 350 mm.
Le flan 10 comprend également, selon la direction longitudinale X, deux premières parties opposées l'une de l'autre 14, 16 par rapport à la partie centrale rectangulaire 12. Les premières parties opposées 14, 16 présentent une longueur, selon la direction Y sensiblement égale à la longueur L de la partie centrale rectangulaire 12 et elles en sont délimitées par deux premières lignes de pliage parallèles 18, 20. Aussi, les premières parties 14, 16 présentent une largeur l1, par exemple de l'ordre de deux cinquièmes de leur longueur.
En outre, les premières parties 14, 16 présentent à leurs extrémités deux fois deux languettes latérales 22, 24 ; 26, 28 respectivement opposées l'une de l'autre. Les deux fois deux languettes latérales 22, 24 ; 26, 28 sont respectivement délimitées des deux premières parties 14, 16 par deux fois deux lignes de pliage de languette 30, 32 ; 34, 36.
Le flan 10 comprend encore, selon la direction transversale Y, deux deuxièmes parties opposées l'une de l'autre 38, 40 par rapport à la partie centrale rectangulaire 12. Elles présentent une longueur, selon la direction longitudinale X, sensiblement égale à la largeur l de la partie centrale rectangulaire 12. Aussi, les deux deuxièmes parties opposées 38, 40 sont délimitées par deux deuxièmes lignes de pliage parallèles 42, 44.
On observera que les deux deuxièmes parties opposées présentent une largeur sensiblement égale aux largeurs l1 des premières parties 14, 16. Aussi, elles s'étendent respectivement d'une languette latérale à l'autre 22, 26 ; 24, 28 des deux premières parties 14, 16 respectivement.
De surcroît, le flan 10 comprend deux troisièmes parties 46, 48 attenantes respectivement aux deuxièmes parties 38, 40 et symétriques l'une de l'autre par rapport à la partie centrale rectangulaire 12. Les deux troisièmes parties 46, 48 présentent une longueur sensiblement égale à la longueur des deux deuxièmes parties 38, 40 respectivement. De la même façon, les largeurs des deux troisièmes parties 46, 48 sont sensiblement égales à la largeur des deux deuxièmes parties 38, 40. Au surplus, elles en sont délimitées respectivement l'une de l'autre par deux doubles lignes de pliage 50, 52.
En outre, et c'est une caractéristique essentielle de l'invention, le flan 10 comprend dans le prolongement des troisièmes parties 46, 48, selon la direction longitudinale X, respectivement, deux quatrièmes parties 54, 56 présentant sensiblement les mêmes dimensions que les deux troisièmes parties 46, 48.
Les deux quatrièmes parties 54, 56 sont délimitées respectivement des troisièmes parties 46, 48 par deux quatrièmes lignes de pliage 58, 60. Aussi, les deux quatrièmes parties 54, 56 présentent respectivement deux extrémités libres 62, 64. Et les deux quatrièmes parties 54, 56 présentent respectivement deux languettes longitudinales 66, 68 s'étendant respectivement des deux extrémités libres 62, 64.
Aussi, on observera que la partie centrale rectangulaire 12 présente deux fois deux fentes 70, 72 ; 74, 76 à distance l'une de l'autre et longeant respectivement les deux deuxièmes lignes de pliage 42, 44.
Par ailleurs, les deux troisièmes parties 46, 48 présentent deux bords libres 78, 80 desquels viennent s'étendre en saillie respectivement au droit des deux fois deux fentes 70, 72 ; 74, 76, deux fois deux premières languettes d'ancrage 82, 84 ; 86, 88.
De manière symétrique, dans le prolongement des deux bords libres 78, 80 respectivement, le long des deux quatrièmes parties 54, 56, ces dernières présentent respectivement deux fois deux secondes languettes d'ancrage 90, 92 ; 94, 96.
quantités exprimées en g de matière première en l’état/100g
C2 Propyl-PVA-SbQ 40,3g (6%ma) Mica et oxide de fer (PEARLESCENT PIGMENT PRESTIGE SOFT BRONZE de SUDARSHAN CHEMICAL) 4,23 Oxyde de fer noir 0,33 Oxide de fer jaune 1,95 Particules de verre enrobées d’oxyde de titane 1,5 Mélange de dimethicone et d’amomethicone en émulsion aqueuse (BELSIL DADM 5050 E de WACKER) 15g (7,5 MA) Eau qsp 100g
La composition C2 a été appliquée sur des mèches de cheveux humides naturels à 90% blancs, à raison de 0,5g de composition par gramme de mèche.
Les mèches de cheveux ont été ensuite séchées au sèche-cheveux puis peignées.
Résultats : Les mèches de cheveux traitées avec la composition C’présentaient un gainage coloré chocolat homogène et lisse sur les cheveux avec de bonnes propriétés cosmétiques, notamment en termes de douceur, de toucher et une bonne individualisation des cheveux. Le gainage coloré des fibres kératiniques présentait une bonne rémanence aux shampoings.
Procédé pour démaquiller des fibres kératiniques ayant été préalablement traitées par une composition comprenant un polymère photoréticulable La présente invention concerne un procédé de démaquillage des fibres kératiniques et notamment pour retirer la couleur de fibres kératiniques traitées au préalable au moyen d’une composition comprenant :
- au moins un agent colorant choisi parmi les pigments, les colorants directs et leurs mélanges, ce prodédé comprenant l’application sur les fibres kératiniques d’une composition démaquillante, notamment pour retirer la couleur comprenant :
- et ayant un pH inférieur ou égal à 5,5, de préférence de 1 à 5.
La présente invention a également pour objet l’utilisation de la composition de démaquillage notamment pour retirer la couleur selon l’invention, sur les fibres kératiniques ayant été préalablement traitées avec une composition notamment de coloration capillaire comprenant au moins un polymère photoréticulable et éventuellement au moins un agent colorant choisi parmi les pigments, les colorants directs et leurs mélanges.
On connaît dans l’état de la technique des polymères photoréticulables tels que ceux décrits dans les demandes de brevet FR3090364. Ces polymères forment des gainages rémanents notamment aux shampooings sur les fibres kératiniques. Ces polymères sont proposés en particulier dans les produits capillaires pour leurs propriétés coiffantes.
Agent huileux : 3 parties en masse
Agent mouillant : 2 parties en masse
Épaississant : 0,55 parties en masse
Conservateur et autres : 3,5 parties en masse
Ensuite, une étape de formation a été réalisée, dans laquelle un cosmétique solide (fond de teint), qui est un type de produit de soins personnels, a été utilisé comme objet 70, et la composition L décrite ci-dessus a été fournie de manière continue sur l’objet 70. Ensuite, une étape de solidification a été réalisée par séchage de la composition L pour retirer l’eau à base de composition de la composition L sur l’objet 70. Un dépôt S formé par une pluralité de corps linéaires présentant une forme en ligne droite a été formé sur l’objet 70 de cette manière. Des produits cosmétiques de maquillage des exemples 1-1 à 1-8 ont été obtenus de cette manière. La proportion de poudre dans le dépôt S était de 91,0 % en masse.
L’étape de formation a été réalisée par déplacement de la buse 21 d’une distance prédéterminée avec l’objet 70 fixe à condition que la température de la composition L pendant la fourniture de la composition L (température de la composition L pendant l’évacuation de la composition L) ait été réglée à une température constante de 23°C. Une viscosité à 23°C était de 53,7 Pa·s. D’autres conditions dans l’étape de formation sont telles que représentées dans le tableau 1 suivant.
[Exemples 2-1 à 2-7 et exemple comparatif 2-1]
Une pluralité de corps linéaires a été formée sur un objet 70 pour former un dépôt S sur l’objet 70 par un procédé qui est substantiellement le même que le procédé adopté dans l’exemple 1-1 à cela près que la vitesse d’alimentation V1 et la quantité d’alimentation M1 en composition L et la vitesse de déplacement relative V2 de la buse 21 par rapport à l’objet 70 dans la direction du plan ont été changées en des conditions constantes représentées dans le tableau 2 suivant.
[Exemples 3-1 à 3-7]