Procédé de fabrication de substrats (1, 2) démontables, comportant les étapes : a) prévoir : - un premier substrat (1), comprenant des espèces implantées (10) formant une zone plane d’implantation (100), le premier substrat (1) comprenant une surface (S) proximale à la zone plane d’implantation (100) ; - un second substrat (2), comprenant une surface (20) ; b) former un ensemble de cavités (200) à la surface (S) proximale du premier substrat (1) et/ou à la surface (20) du second substrat (2) ; c) assembler les premier et second substrats (1, 2) par un collage direct entre la surface (S) proximale du premier substrat (1) et la surface (20) du second substrat (2) ; d) appliquer un traitement thermique à l’assemblage obtenu à l’issue de l’étape c), selon un budget thermique adapté pour fragiliser la zone plane d’implantation (100) ; l’ensemble de cavités (200) étant agencé lors de l’étape b) de manière à : - autoriser un collage direct entre les premier et second substrats (1, 2) lors de l’étape c) ; - interdire une initiation thermique de la fracture de la zone plane d’implantation (100) fragilisée à l’issue de l’étape d). Procédé selon la revendication 1, comportant une étape e) consistant à exécuter une fracture mécanique de la zone plane d’implantation (100) fragilisée après l’étape d), de manière à démonter les premier et second substrats (1, 2). Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel l’ensemble de cavités (200) est agencé lors de l’étape b) de sorte que chaque couple de cavités (200) adjacentes est espacé d’une distance comprise entre : - un premier seuil, au-delà duquel un collage direct entre les premier et second substrats (1, 2) est autorisé lors de l’étape c) ; - un second seuil, strictement supérieur au premier seuil, en-deçà duquel une initiation thermique de la fracture de la zone plane d’implantation (100) fragilisée est interdite à l’issue de l’étape d). Procédé selon la revendication 3, dans lequel le premier seuil est compris entre 500 nm et 3 µm, de préférence compris entre 1 µm et 2 µm. Procédé selon la revendication 3 ou 4, dans lequel le second seuil est compris entre 5 µm et 200 µm, de préférence compris entre 5 µm et 100 µm, plus préférentiellement compris entre 5 µm et 10 µm. Procédé selon l’une des revendications 1 à 5, dans lequel les premier et second substrats (1, 2) présentent une surface de collage à l’issue de l’étape c) ; et l’ensemble de cavités (200) est agencé lors de l’étape b) de manière à occuper entre 50% et 85% de la surface de collage, de préférence entre 60% et 80% de la surface de collage. Procédé selon l’une des revendications 1 à 6, dans lequel : - l’ensemble de cavités (200) est formé lors de l’étape b) à la surface (S) proximale du premier substrat (1) de manière à s’étendre en-deçà de la zone plane d’implantation (100) ; - l’ensemble de cavités (200) est agencé lors de l’étape b) de sorte que chaque cavité (200) présente au moins une dimension, dans le plan de la surface (S) proximale du premier substrat (1), inférieure ou égale au double d’un rayon moyen d’exfoliation prédéterminé, de préférence inférieure ou égale au double d’un rayon minimum d’exfoliation prédéterminé. Procédé selon l’une des revendications 1 à 6, dans lequel : - l’ensemble de cavités (200) est formé lors de l’étape b) à la surface (20) du second substrat (2) ; - l’ensemble de cavités (200) est agencé lors de l’étape b) de sorte que chaque cavité (200) présente au moins une dimension, dans le plan de la surface (20) du second substrat (2), inférieure ou égale au double d’un rayon moyen d’exfoliation prédéterminé, de préférence inférieure ou égale au double d’un rayon minimum d’exfoliation prédéterminé. Procédé selon l’une des revendications 1 à 6, dans lequel : - l’ensemble de cavités (200) est formé lors de l’étape b) : à la surface (S) proximale du premier substrat (1) de manière à s’étendre en-deçà de la zone plane d’implantation (100), et à la surface (20) du second substrat (2) ; - l’ensemble de cavités (200) est agencé lors de l’étape b) de sorte que chaque cavité (200) présente au moins une dimension, dans le plan de la surface (S) proximale du premier substrat (1) et dans le plan de la surface (20) du second substrat (2), inférieure ou égale au double d’un rayon moyen d’exfoliation prédéterminé, de préférence inférieure ou égale au double d’un rayon minimum d’exfoliation prédéterminé. Procédé selon l’une des revendications 1 à 6, dans lequel l’ensemble de cavités (200) est formé lors de l’étape b) à la surface (S) proximale du premier substrat (1) de manière à s’étendre au-delà de la zone plane d’implantation (100). Procédé selon l’une des revendications 1 à 9, dans lequel l’étape a) comporte une étape préalable consistant à déterminer un rayon moyen d’exfoliation et/ou un rayon minimal d’exfoliation par une analyse statistique d’observations microscopiques, après avoir appliqué au premier substrat (1) un traitement thermique de fracturation de la zone plane d’implantation (100). Ensemble pour fabriquer des substrats (1, 2) démontables, comportant : - un premier substrat (1), comprenant des espèces implantées (10) formant une zone plane d’implantation (100), le premier substrat (1) comprenant une surface (S) proximale à la zone plane d’implantation (100) ; - un second substrat (2), comprenant une surface (20) ; - un ensemble de cavités (200), agencé à la surface (S) proximale du premier substrat (1) et/ou à la surface (20) du second substrat (2) de manière à : autoriser un collage direct entre la surface (S) proximale du premier substrat (1) et la surface (20) du second substrat (2) ; interdire une initiation thermique de la fracture de la zone plane d’implantation (100), après un traitement thermique appliqué aux premier et second substrats (1, 2) collés, selon un budget thermique adapté pour fragiliser la zone plane d’implantation (100). Ensemble selon la revendication 12, dans lequel l’ensemble de cavités (200) est agencé à la surface (S) proximale du premier substrat (1) et/ou à la surface (20) du second substrat (2) de sorte que chaque couple de cavités (200) adjacentes est espacé d’une distance comprise entre : - un premier seuil, au-delà duquel un collage direct entre les premier et second substrats (1, 2) est autorisé ; - un second seuil, strictement supérieur au premier seuil, en-deçà duquel une initiation thermique de la fracture de la zone plane d’implantation (100) est interdite après le traitement thermique appliqué aux premier et second substrats (1, 2) collés. Ensemble selon la revendication 12 ou 13, dans lequel les premier et second substrats (1, 2) sont destinés à présenter une surface de collage ; et l’ensemble de cavités (200) est agencé à la surface (S) proximale du premier substrat (1) et/ou à la surface (20) du second substrat (2) de manière à occuper entre 50% et 85% de la surface de collage, de préférence entre 60% et 80% de la surface de collage. Ensemble selon l’une des revendications 12 à 14, dans lequel : - l’ensemble de cavités (200) est agencé à la surface (S) proximale du premier substrat (1) de manière à s’étendre en-deçà de la zone plane d’implantation (100) ; - l’ensemble de cavités (200) est agencé à la surface (S) proximale du premier substrat (1) de sorte que chaque cavité (200) présente au moins une dimension, dans le plan de la surface (S) proximale du premier substrat (1), inférieure ou égale au double d’un rayon moyen d’exfoliation prédéterminé, de préférence inférieure ou égale au double d’un rayon minimum d’exfoliation prédéterminé. Ensemble selon l’une des revendications 12 à 14, dans lequel l’ensemble de cavités (200) est agencé à la surface (20) du second substrat (2) de sorte que chaque cavité (200) présente au moins une dimension, dans le plan de la surface (20) du second substrat (2), inférieure ou égale au double d’un rayon moyen d’exfoliation prédéterminé, de préférence inférieure ou égale au double d’un rayon minimum d’exfoliation prédéterminé. Ensemble selon l’une des revendications 12 à 14, dans lequel : - l’ensemble de cavités (200) est agencé : à la surface (S) proximale du premier substrat (1) de manière à s’étendre en-deçà de la zone plane d’implantation (100), et à la surface (20) du second substrat (2) ; - l’ensemble de cavités (200) est agencé de sorte que chaque cavité (200) présente au moins une dimension, dans le plan de la surface (S) proximale du premier substrat (1) et dans le plan de la surface (20) du second substrat (2), inférieure ou égale au double d’un rayon moyen d’exfoliation prédéterminé, de préférence inférieure ou égale au double d’un rayon minimum d’exfoliation prédéterminé. Ensemble selon l’une des revendications 12 à 14, dans lequel l’ensemble de cavités (200) est agencé à la surface (S) proximale du premier substrat (1) de manière à s’étendre au-delà de la zone plane d’implantation (100).