INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Les oligomères de (méth)acrylate de polyéther appropriés comprennent, mais sans s'y limiter, les produits de réaction de condensation d’acide acrylique ou méthacrylique ou des mélanges ou des équivalents synthétiques correspondants avec des polyétherols qui sont des polyéther polyols (tels qu’un polyéthylèneglycol, un polypropylèneglycol ou un polytétraméthylèneglycol). Les polyétherols appropriés peuvent être des substances linéaires ou ramifiées contenant des liaisons éther et des groupes hydroxyle terminaux. Les polyétherols peuvent être préparés par polymérisation par ouverture de cycle d’éthers cycliques tels que le tétrahydrofuranne ou des oxydes d’alkylène (par ex. l’oxyde d’éthylène et/ou l’oxyde de propylène) avec une molécule de départ. Les molécules de départ appropriées comprennent l’eau, des matières fonctionnalisées par polyhydroxyle, et des polyester polyols.
Les oligomères de (méth)acrylate d’acrylique appropriés (parfois également appelés dans l’art « oligomères d’acrylique ») comprennent des oligomères qui peuvent être décrits comme des substances possédant un squelette d’acrylique oligomérique qui est fonctionnalisé avec un ou plusieurs groupes (méth)acrylate (qui peuvent être au niveau d’une terminaison de l’oligomère ou pendants au squelette d’acrylique). Le squelette d’acrylique peut être un homopolymère, un copolymère statistique ou un copolymère à blocs composé de motifs répétitifs de monomères de type acrylique. Les monomères de type acrylique peuvent être un quelconque (méth)acrylate monomérique tel que des (méth)acrylates de C1-C6 alkyle ainsi que des (méth)acrylates fonctionnalisés tels que des (méth)acrylates portant des groupes hydroxyle, acide carboxylique et/ou époxy. Les oligomères de (méth)acrylate d’acrylique peuvent être préparés à l’aide de quelconques procédures connues dans l’art, telles que l'oligomérisation de monomères, au moins une partie desquels étant fonctionnalisée par des groupes hydroxyle, acide carboxylique et/ou époxy (par ex., des (méth)acrylates d’hydroxyalkyle, un acide (méth)acrylique, un (méth)acrylate de glycidyle) pour obtenir un intermédiaire de type oligomère fonctionnalisé, qui est ensuite mis à réagir avec un ou plusieurs réactants contenant un (méth)acrylate pour introduire les groupes fonctionnels (méth)acrylate souhaités.
Des types non limitants de photoinitiateurs de radicaux appropriés pour une utilisation dans les compositions durcissables de la présente invention comprennent, par exemple, les benzoïnes, les éthers de benzoïne, les acétophénones, les α-hydroxyacétophénones, le benzile, les cétals de benzile, les anthraquinones, les oxydes de phosphine, les oxydes d’acylphosphine, les α-hydroxycétones, les phénylglyoxylates, les α-aminocétones, les benzophénones, les thioxanthones, les xanthones, les dérivés d’acridine, les dérivés de phénazène, les dérivés de quinoxaline, les composés de triazine, les formiates de benzoyle, les oximes aromatiques, les métallocènes, les composés de type acylsilyle ou acylgermanyle, les camphoquinones, des dérivés polymériques correspondants, et des mélanges correspondants.
Dans des compositions préférées de l’invention, un photoinitiateur radicalaire possédant une activité Norrish de type I peut être utilisé, tel qu’un oxyde de phosphine. Les photoinitiateurs de la famille de l’acétophénone sont également un choix préféré dans des systèmes hybrides contenant à la fois des composés polymérisables de manière cationique comprenant un époxyde cycloaliphatique alcoxylé de formule (I) et des composés fonctionnalisés par (méth)acrylate polymérisables par voie radicalaire.
La structure 1 peut être fournie à l’intérieur de la chambre de réaction 20 d’un réacteur 2, par exemple un réacteur plasma et notamment un réacteur RIE, décrit plus en détail ultérieurement en référence à la .
La structure 1 étant placée dans la chambre de réaction 20, le procédé peut comprendre le dépôt de la couche Si a Y b X c 11, comme par exemple illustré par la La couche Si a Y b X c 11 est alors déposée sur, et de préférence directement en contact avec, la couche exposée 10.
Le procédé comprend ensuite le traitement de la couche Si a Y b X c 11 par le plasma d’activation 3 à base d’oxygène et/ou d’azote, comme par exemple illustré par la . La couche Si a Y b X c 11 sur la couche exposée 10 est alors au moins en partie consommée. Le plasma d’activation réagit avec le matériau Si a Y b X c . Lors de cette réaction, le fluor ou le chlore contenu dans la couche Si a Y b X c 11 réagit avec la couche exposée 10 pour modifier ses liaisons chimiques de surface, ce qui induit son activation.
De préférence, le traitement par le plasma d’activation 3 est effectué de façon à consommer au moins 90% de la couche Si a Y b X c 11. De préférence, la couche Si a Y b X c 11 est totalement consommée. Ainsi, il ne reste plus de matériau Si a Y b X c 11 lors d’un assemblage ultérieur avec la couche exposée 40 d’un autre substrat 4, par exemple illustré par la . Le collage et/ou les propriétés du dispositif microélectronique résultant sont ainsi encore améliorés. La qualité de l’interface entre la couche exposée 10 et la couche exposée 40 après assemblage est améliorée. Pour cela on peut par exemple régler les paramètres du plasma, tels que le débit de précurseur(s) injecté(s), la puissance de la source, la pression dans la chambre de réaction 20, la tension d’auto-polarisation et notamment une tension de polarisation appliquée au substrat, la température du substrat.
Les propriétés de la couche exposée 10 après traitement par le plasma d’activation 3 peuvent être analysée par une caractérisation de la couche exposée 10, par exemple par analyse par spectrométrie photoélectronique X (communément abrégé XPS, de l’anglais X-Ray photoelectron spectrometry ). La couche exposée 10 une fois activée présente notamment en surface des liaisons avec des atomes de fluor ou de chlore selon que la couche Si a Y b X c comprenne du fluor ou du chlore. A titre d’exemple, après traitement par un plasma d’activation 3 à base d’O 2 , la couche exposée 10 à base de silicium, sur laquelle a préalablement été déposé un dépôt avec le précurseur SiF 4 en combinaison avec O 2 , peut présenter une surface de type Si a O b F c dans le cas d’un substrat Silicium-sur-isolant (communément abrégé SOI, de l’anglais Silicon-on- I n sulator ). Selon un autre exemple, après traitement par un plasma d’activation 3 à base de N 2 , la couche exposée 10 à base de silicium, sur laquelle a préalablement été déposé un dépôt avec le précurseur SiF 4 en combinaison avec O 2 , peut présenter une surface de type Si a O d F c N b dans le cas d’un substrat Silicium-sur-isolant, avec d un entier positif non nul. Selon cet exemple, le dépôt de la couche Si a Y b X c 11 et le traitement par le plasma d’activation 3 peuvent être faits dans la même chambre de réaction 20. De préférence, le substrat est laissé dans la chambre de réaction 20 entre le dépôt de la couche Si a Y b X c 11 et le traitement par le plasma d’activation 3. La présence d’impureté sur la couche Si a Y b X c 11 et dans la couche exposée 10 est ainsi mieux contrôlée, et de préférence évitée.
La gravure de la couche exposée 10 est limitée, et de préférence évitée, tout en apportant une source de fluor ou de chlore sur la couche exposée 10, pour l’activation de la couche exposée lors du traitement par le plasma d’activation 3.
Au moins l’un parmi le dépôt de la couche Si a Y b X c 11 et le traitement par le plasma d’activation 3 peuvent être répétés plusieurs fois. Plusieurs agencements d’étapes peuvent par exemple être prévus. On peut prévoir par exemple que, suite à la fourniture de la structure dans la chambre de réaction 20, le dépôt de la couche Si a Y b X c 11 puis le traitement par le plasma d’activation soient répétés plusieurs fois.
Le dépôt de la couche Si a Y b X c 11 est maintenant décrit plus en détail. Selon un exemple le dépôt de la couche Si a Y b X c 11 est un dépôt chimique à partir d’au moins un précurseur gazeux. L’au moins un précurseur gazeux peut comprendre les éléments silicium, chlore ou fluor, et oxygène ou azote. Selon un exemple, au moins un précurseur peut comprendre les éléments silicium et chlore ou fluor, et au moins un précurseur distinct peut comprendre l’élément azote et/ou oxygène. Par exemple, un précurseur gazeux est choisi parmi SiF 4 et SiCl 4 . Un autre précurseur peut être choisi parmi O 2 et N 2 . De préférence, la quantité de précurseur comprenant les éléments silicium et chlore ou fluor, par exemple le débit, par rapport à la quantité du ou des autre(s) précurseur(s) comprenant l’élément azote et/ou oxygène est sensiblement comprise entre 0,5 et 3. Par exemple, le ratio SiF 4 /O 2 est sensiblement compris entre 0,5 et 3. Cela permet d’améliorer le contrôle du dépôt, et notamment de contrôler l’épaisseur et la densité de matière de la couche Si a Y b X c 11.
Le dépôt de la couche Si a Y b X c 11 peut comprendre une injection du ou des précurseur(s) gazeux, éventuellement en mélange avec d’autres précurseurs et/ou un ou des gaz neutres, tel que l’hélium ou l’argon.
Selon un exemple, lors du dépôt, le débit de précurseur(s) injecté(s) est sensiblement compris entre 5 et 500 sccm (unité de centimètres cubes standards par minutes, abrégée de l’anglais Standard Cubic Centimeters per Minute, et couramment employée dans le domaine pour mesurer le débit d’un gaz). Selon un exemple, le débit de précurseur(s) injecté(s) comprenant les éléments silicium et chlore ou fluor est sensiblement inférieur ou égal à 500 sccm, de préférence sensiblement inférieur ou égal à 200 sccm, et/ou sensiblement supérieur ou égal à 70 sccm. De préférence, le débit de précurseur(s) injecté(s) comprenant l’élément azote et/ou oxygène est sensiblement inférieur ou égal à 150 sccm. La pression peut être sensiblement comprise entre 10 mTorr et 100 mTorr (avec 1 Torr égal environ à 133,322 pascals (Pa) dans le système international des unités). Les débits et pression sont notamment choisis afin de contrôler la vitesse de dépôt et d’obtenir une bonne uniformité de la couche 11 déposée.
La température dans la chambre de réaction 20, de préférence la température de la structure ou de façon équivalente du substrat, lors du dépôt de la couche 11, peut être comprise entre sensiblement 10°C et 100°C. De préférence, pour limiter la densité de la couche Si a Y b X c , la température dans la chambre de réaction 20 est sensiblement inférieure ou égale à 100°C, et de préférence sensiblement comprise entre 20°C et 80°C. La température dans la chambre de réaction peut être la température des parois de la chambre 20 et/ou la température du porte-échantillon 21.
La puissance de la source plasma peut être comprise entre 200 W et 3000 W lors du dépôt de la couche 11. De préférence, pour limiter la densité de la couche Si a Y b X c , la puissance de la source plasma peut être sensiblement inférieure ou égale à 300 W.
A titre d’exemple non limitatif, lors du dépôt de la couche 11, un précurseur SiF 4 est injecté à un débit sensiblement égal à 100 sccm, en complément de O 2 à un débit de 150 sccm, à une pression de 10mTorr et une puissance RF du plasma P s-plasma de 300W. Notons que ces paramètres peuvent être adaptés selon l’épaisseur souhaitée de la couche Si a Y b X c .
Le dépôt de la couche Si a Y b X c 11 peut être configuré de sorte que la couche Si a Y b X c 11 présente une épaisseur sensiblement supérieure ou égale à 1 nm, de préférence à 2 nm. Lors du développement de l’invention, il a été mis en évidence que cette épaisseur permettait une activation suffisante pour le collage ultérieur. Le dépôt de la couche Si a Y b X c 11 peut être configuré de sorte que la couche Si a Y b X c 11 présente une épaisseur sensiblement inférieure ou égale à 10 nm, de préférence à 4 nm. Le temps nécessaire au dépôt de la couche est ainsi limité, tout en permettant d’obtenir une activation suffisante pour le collage ultérieur. Le dépôt de la couche Si a Y b X c 11 peut être configuré de sorte que la couche Si a Y b X c 11 présente une épaisseur sensiblement comprise entre1 nm et 10 nm, et de préférence entre 2 nm et 4 nm.
Le traitement par le plasma d’activation 3 est maintenant décrit plus en détail. Le traitement par le plasma d’activation 3 peut comprendre une injection d’au moins un gaz dans la chambre de réaction 20 et une formation du plasma d’activation 3 à partir du gaz. Le plasma d’activation 3 est à base de l’un au moins parmi de l’oxygène et de l’azote pour réagir avec la couche Si a Y b X c 11. Par exemple, l’au moins un gaz injecté comprend du dioxygène et/ou du diazote. Le gaz peut être injecté en mélange avec un ou plusieurs gaz neutres, par exemple de l’hélium ou de l’argon. Selon un exemple, le débit de gaz injecté(s) est sensiblement compris entre 5 et 200 sccm. La pression dans la chambre de réaction peut être sensiblement comprise entre 5 mTorr et 200 mTorr (avec 1 Torr égal environ à 133,322 pascals (Pa) dans le système international des unités). La température dans la chambre de réaction, de préférence la température du substrat, lors du plasma d’activation, peut être comprise entre sensiblement 10°C et 100 °C. La puissance de la source plasma peut être comprise entre 200 W et 3000 W lors du plasma d’activation.
Lors de l’étape d’adaptation 160, le module d’adaptation 20 adapte les paramètres P1, … P9 de l’élément à modifier et les paramètres voisins en fonction du modèle spécifique 18 sélectionné lors de l’étape de sélection 150.
Selon l’exemple d’ajout d’un nœud, le modèle spécifique 18 sélectionné indique un nombre de ports maximal de 16. Lorsque par exemple le plan d’adressage du modèle générique 14 prévoit l’ajout de 12 ports au nœud à ajouter, le module d’adaptation 20 adapte les paramètres P1, … P9 de ces ports. Toutefois, lorsque le plan d’adressage prévoit l’ajout de 20 ports au nœud à ajouter, le module d’adaptation 20 n’adapte pas les paramètres P1, … P9 des ports ou adapte uniquement les 16 ports selon le modèle spécifique 18, en l’absence de l’ajout des quatre ports restants.
Lors de l’étape de vérification 170, le module de vérification 22 vérifie, par simulation du réseau de communication 2, si le besoin de communication est rempli par le réseau de communication 2 lors de l’application, aux éléments de réseau respectifs 6, 8, 10, des paramètres P1, … P9 de l’élément à modifier et des paramètres voisins.
Par exemple, le module de vérification 22 envoie un message de test par simulation via le réseau de communication 2, et surveille une réception de ce message conforme au besoin de communication.
Selon un exemple, le module de vérification 22 génère une commande d’affichage, et le module d’affichage 36 affiche un affichage comme suite à la commande, à destination de l’opérateur. L’affichage comprend une donnée relative à la vérification du besoin de communication, par exemple « Succès de transmission du message de test. Le besoin de communication est rempli. », ou « Problème de transmission du message de test. Le besoin de communication n’est pas rempli. ».
L’homme du métier comprend que, selon un exemple, d’autres informations sont comprises dans l’affichage.
Lorsque le besoin de communication n’est pas rempli lors de l’étape de vérification 170, le procédé de reconfiguration 100 comprend la mise en œuvre de l’étape de réception de requête 180, suivi par une répétition des étapes de détermination 140, de sélection 150, d’adaptation 160 et de vérification 170.
Lors de l’étape de réception de requête 180, le module de réception 11 reçoit une requête de modification des paramètres P1, … P9 de l’élément à modifier et/ou des paramètres voisins.
La requête de modification dépend notamment de la donnée relative à la vérification du besoin de communication. Par exemple, si le besoin de communication n’est pas rempli, la requête de modification comprend la modification d’au moins un des paramètres P1, … P9.
Le module de réception 11 reçoit la requête de modification dans un langage de programmation prédéfini, par exemple en Groovy.
Selon l’exemple d’ajout d’un nœud, la requête de modification comprend l’ajout d’un routeur additionnel pour permettre l’ajout des 20 ports selon le besoin de communication, puisqu’un seul routeur permet uniquement l’ajout de 16 ports selon l’exemple.
Par exemple, le module de réception 11 reçoit la requête de modification de l’opérateur via l’interface de saisie 34.
Selon un autre exemple, le module de réception 11 reçoit la requête de modification par un module additionnel, non représenté, apte à déterminer la requête en fonction de la donnée relative à la vérification du besoin de communication.
La phase d’implémentation 130 est mise en œuvre lorsque le besoin de communication est rempli lors de l’étape de vérification 170.
La phase d’implémentation 130 comprend une étape de génération 190 et une étape d’application 200.
Lors de l’étape de génération 190, le module de génération 23 génère l’ensemble de fichiers de configuration 24 définissant des valeurs de chaque paramètre P1, … P9 de l’élément à modifier et des valeurs de chaque paramètre voisin P1, … P9.
est un organigramme montrant des étapes d’un procédé de contrôle de l’étanchéité d’un objet à tester selon un deuxième mode de réalisation.
La représente un schéma d’un premier mode de réalisation d’un détecteur de fuite 1 comprenant une embase principale 3 et une sonde 5 manipulée par un utilisateur 6. La représente un schéma des éléments de l’embase principale 3. L’embase principale 3 comprend notamment une entrée de détection 7, un analyseur de gaz traceur 9 et un dispositif de pompage 11.
Dans le cas de la , la sonde 5 est une sonde de reniflage configurée pour être reliée à l’entrée de détection 7 de l’embase principale 3 pour aspirer les gaz situés à son embout ou extrémité 5a.
La sonde 5 est par exemple reliée à l’entrée de détection 7 via un tuyau flexible 21 de sorte que les gaz aspirés à l’extrémité 5a de la sonde 5 soient transmis vers l’analyseur de gaz traceur 9.
Au moins une partie des gaz aspirés par le dispositif de pompage 11 est analysée par l’analyseur de gaz traceur 9 qui fournit une concentration en gaz traceur à une unité de traitement 23 du détecteur de fuite 1.
Ainsi, du gaz traceur peut être injecté et mis sous pression à l’intérieur de l’objet à tester 8. L’embout 5a de la sonde 5 est ensuite déplacé autour de l’objet à tester 8 au niveau des différentes zones à tester 24 (visibles sur la ) et la concentration de gaz traceur mesurée par l’analyseur de gaz traceur 9 pour chaque zone à tester 24 est comparée à un seuil prédéterminé.
Différents seuils peuvent être définis pour différentes zones de test 24 de l’objet à tester 8 et le dépassement d’un seuil associé à une zone à tester 24 est révélateur d’une fuite.
Concernant le gaz traceur, on utilise généralement de l’hélium ou de l’hydrogène du fait de la faible taille de leur molécules qui peuvent ainsi traverser plus facilement des ouvertures réduites.
Le détecteur de fuite 1 comprend également un dispositif de vision 25 comprenant au moins une caméra infra-rouge 27. La caméra infra-rouge 27 peut être fixe (plusieurs caméras infra-rouges 27 peuvent être disposées autour de l’objet à tester 8) et configurée pour réaliser des images de l’objet à tester 8 ou pour filmer l’objet à tester 8. Alternativement ou en complément, la caméra infra-rouge 27 peut être disposée sur l’utilisateur 6 et configurée pour réaliser des images d’au moins une partie du champ de vision de l’utilisateur 6. Pour cela, le dispositif de vision 25 peut comprendre des lunettes ou un casque configuré pour être porté par l’utilisateur 6, les lunettes ou le casque comprenant une caméra infra-rouge 27 configurée pour réaliser des images d’au moins une partie du champ de vision de l’utilisateur 6 comme représenté sur les lunettes de la .
De plus, la sonde 5 peut comprendre au moins un marqueur infra-rouge 50 comme représenté sur les figures 4 et 5. Dans l’exemple de la , quatre marqueurs infra-rouge 50 sont disposés sur la sonde 5. Les marqueurs infra-rouge 50 peuvent être des émetteurs infra-rouge tels que des diodes électro-luminescentes configurées pour émettre un rayonnement infra-rouge. Alternativement, le dispositif de vision 25 peut comprendre des émetteurs infra-rouge tels que diodes électro-luminescentes disposées par exemple au niveau de la caméra infra-rouge 27 et configurées pour émettre un rayonnement infra-rouge notamment vers l’objet à tester 8. Dans ce second cas, les marqueurs infra-rouge 50 peuvent être réalisés par des éléments réfléchissants configurés pour réfléchir le rayonnement infra-rouge vers la caméra infra-rouge 27 ( ). De manière préférentielle, le nombre de marqueurs infra-rouges 50 est supérieur à deux, notamment égal à quatre comme dans les exemples des figures 4 et 5. De plus, de préférence, les marqueurs infra-rouges 50 sont disposés de façon non-alignée pour former une constellation et permettre la détermination de l’orientation de l’embout 5a de la sonde 5 à partir des images filmées par la caméra infra-rouge 27. L’orientation de l’embout 5a de la sonde 5 peut être utilisée pour déterminer de manière précise l’emplacement d’une fuite détectée via l’analyseur de gaz traceur 9.
Par exemple, l’alerte d’un usager du véhicule S peut se faire par un simple voyant allumé ou par un message de service (éventuellement dédié au problème de sous-tension critique détecté) qui est affiché sur au moins un écran du véhicule S (par exemple du tableau de bord) ou sur l’écran d’un téléphone intelligent (ou « smartphone ») de l’usager, et/ou diffusé par au moins un haut-parleur du véhicule S ou de ce téléphone intelligent.
Egalement par exemple, la réduction de la puissance électrique fournie par la batterie principale BP peut être progressive jusqu’à une valeur nulle et peut se faire pendant une deuxième durée d2 choisie.
Par exemple, la deuxième durée d2 choisie peut être comprise entre 30 s et 90 s. A titre d’exemple illustratif, la deuxième durée d2 choisie peut être égale à 60 s. Mais d’autres deuxièmes durées d2 peuvent être utilisées.
Egalement par exemple, la réduction de la puissance électrique fournie à la batterie principale BP peut être progressive jusqu’à une valeur nulle et peut se faire pendant une troisième durée d3 choisie. Cela permet d’éviter d’avoir à faire subir aux composants (ou équipements) électriques concernés des gradients de tension et gradients de courant trop forts qui pourraient les endommager.
Par exemple, la troisième durée d3 choisie peut être comprise entre 30 s et 90 s. A titre d’exemple illustratif, la troisième durée d3 choisie peut être égale à 60 s. Mais d’autres troisièmes durées d3 peuvent être utilisées.
Egalement par exemple, la réduction du courant de recharge fourni lors d’une phase de recharge (soit au convertisseur CV en mode 2 ou 3, soit directement à la batterie principale BP en mode 4) peut se faire pendant une quatrième durée d4 choisie. Cela permet d’éviter d’avoir à faire subir aux composants (ou équipements) électriques concernés des gradients de tension et gradients de courant trop forts qui pourraient les endommager.
Cette réduction du courant de recharge initial se fait selon un coefficient qui peut, par exemple, être compris entre 40% et 60% du courant de recharge initial. A titre d’exemple illustratif, le coefficient peut être égal à 50%. Mais d’autres coefficients peuvent être utilisés.
On notera que la réduction du courant de recharge se fait par la fourniture de consignes de courant de recharge successives (au moins deux). C’est de préférence le calculateur de batterie CB qui se charge de transmettre chaque nouvelle consigne de courant de recharge.
Par exemple, la quatrième durée d4 choisie peut être comprise entre 10 ms et 500 ms. A titre d’exemple illustratif, la quatrième durée d4 choisie peut être égale à 100 ms. Mais d’autres quatrièmes durées d4 peuvent être utilisées.