INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Indépendamment de l’état des séquences, lorsqu’elles sont présentes en une quantité trop faible pour être caractérisées directement, un procédé couramment utilisé pour les détecter consiste à réaliser une amplification in vitro de ces séquences afin d’en obtenir une quantité suffisante pour permettre leur caractérisation. Cette amplification est réalisée à l’aide d’un mélange d’amorces oligonucléotidiques localisées dans les séquences cibles. L’ajout d’une ou plusieurs sondes oligonucléotidiques conjuguées à un fluorophore permet classiquement de caractériser la présence ou l'absence des séquences cibles ainsi que leur quantité.
Un procédé d’amplification bien connu est celui de la réaction en chaîne par polymérase dit PCR (« Polymerase Chain Reaction » en anglais). La PCR est un procédé d’amplification exponentielle in vitro . Il s’agit du procédé d’amplification le plus couramment utilisé actuellement. Outre la PCR, il existe d’autres procédés alternatifs tels que le procédé LCR (« L igation C hain R eaction » en anglais), le procédé NASBA (« N ucleic A cid S equence – B ased A mplification » en anglais), le procédé TMA (« T ranscription M ediated A mplification »), la LAMP (« L oop- M ediated I sothermal A mplification » en anglais), la SDA (« S trand D isplacement A mplification » en anglais) et l’amplification en cercle roulant dite RCA (« Rolling Circle Amplification » en anglais).
La PCR et les autres réactions d’amplification in vitro sont habituellement réalisées dans un milieu de réaction liquide contenant les différents réactifs. Il s’agit typiquement d’amorces, de sondes fluorescentes spécifiques des séquences cibles, des enzymes pour l'amplification des acides nucléiques, optionnellement des additifs, et du ou des échantillons à analyser comportant la ou les séquences cibles. Pendant la réaction d’amplification, les réactifs ainsi que les produits issus de la réaction, appelés amplicons, diffusent librement dans le volume liquide du milieu de réaction. Cette diffusion libre dans le milieu réactionnel liquide est à l’origine de plusieurs inconvénients qui sont rédhibitoires pour certaines applications.
En effet, dans certaines applications, les séquences cibles sont présentes en faible quantité dans les échantillons (1 à 10 molécules par exemple). Il faut donc prévoir un mode opératoire pour assurer une détection de très grande sensibilité. C’est notamment le cas du diagnostic in vitro de séquences nucléiques particulières dans une prise de sang d’une personne, qui peuvent par exemple indiquer la présence d’une septicémie, d’une tumeur, ou encore d’une maladie génétique dans un fœtus (détection dans une biopsie dite liquide). Même si les procédés d’amplification peuvent avoir la capacité théorique de détecter une seule molécule d’une séquence cible, dans la pratique, la diffusion des amplicons dans le mélange réactionnel a pour effet de retarder le moment de la réaction où l’intensité du signal émis par les amplicons et mesuré par le détecteur du dispositif employé dépasse localement le niveau du bruit de fond du détecteur. Ce retard peut être tel que les amplicons ne sont finalement pas détectés au cours de la réaction, conduisant à un résultat faux négatif.
La libre diffusion pose aussi un problème dans les applications nécessitant la détection d’une pluralité de séquences cibles dans un même mélange réactionnel. C’est notamment le cas dans les applications liées au diagnostic des maladies infectieuses pour lequel il est primordial d’identifier simultanément le ou les agents pathogènes impliqués, mais aussi leur génotype de résistance à des molécules antibiotiques ou antivirales. Alors qu’une solution pour répondre à cette exigence peut consister à réaliser la détection de chaque séquence d’intérêt dans un test monoplex, il apparaît que cette solution est contraignante et qu’il peut notamment être souhaitable de réaliser la détection de toutes les séquences d’intérêt dans une réaction unique. Les raisons peuvent être l’urgence, la petite taille de l’échantillon, la faible concentration des séquences cibles dans l’échantillon, ou encore le coût du test (réactifs, consommables, taux d’occupation de l’automate, etc.). Or, la libre diffusion des amplicons issus de la séquence cible majoritairement présente dans l’échantillon a pour effet d’interférer avec l’amplification des autres séquences cibles minoritaires dans cet échantillon. Ceci notamment en raison de la compétition pour les réactifs nécessaires à la réaction d’amplification. Il existe ainsi un risque permanent qu’une ou plusieurs séquences cibles minoritaires ne soient pas détectées dans l’échantillon.
La illustre la discrétisation des voies d’intérêt V1j, V2m et V2p relatives à une manœuvre d’entrée du véhicule autonome 100 sur un rond-point (précédemment décrites en référence à la ).
Lorsque toutes les voies d’’intérêt du premier et du second ordre ont été discrétisés en cellules, on enchaîne sur l’étape E4 dans laquelle on transmet une modélisation des voies d’intérêt du premier ordre et des voies d’intérêt du second ordre au module 4 de structuration des données environnementales. Dans le module 4, les données environnementales issues des systèmes de perception 5 seront réparties dans la grille LGM. Par exemple, les données affectées à une cellule peuvent concerner la position de véhicules situés dans cette cellule et ayant la priorité sur le véhicule autonome 100, ou la présence de feux de circulation et leur état. Les données affectées à une cellule peuvent également concerner des informations spatiales, notamment l’occupation de l’espace sur chaque cellule. Dans un mode de réalisation, les cellules de la grille LGM peuvent en outre être utilisées pour contenir des données de prédiction.
Finalement, le procédé de modélisation de l’environnement tactique d’un véhicule autonome 100 sous forme de grille LGM permet de décrire la situation tactique du véhicule autonome 100 selon deux niveaux d’informations. Le premier niveau d’information est lié à la nature géométrique de la représentation. En effet, l’échantillonnage des voies de navigation en cellules permet de connaitre à tout moment la distance séparant le véhicule autonome 100 d’une cellule donnée. De plus, la précision de cette distance peut être calibrée par l’intermédiaire de la valeur attribuée au pas de discrétisation PDIS. Le second niveau d’information porte sur l’information associée à chaque cellule, qui permet de caractériser l’espace couvert par la cellule, c’est-à-dire la portion de voie couverte par la cellule.
Le procédé selon l’invention se différencie de l’art antérieur, et notamment du document US2018/0322777A1, dans lequel une grille d’occupation n’est définie que sur un espace d’intérêt simple correspondant à l’espace devant le véhicule autonome et la topologie de la route n’est pas prise en compte pour la construction de cette grille. En effet, en premier lieu, le procédé de modélisation selon l’invention prend en compte la forme géométrique des voies de navigation. De plus, la grille LGM comprend non seulement la voie de navigation sur laquelle le véhicule autonome évolue, mais également les voies susceptibles d’interagir avec la voie du véhicule autonome. Ainsi, contrairement à l’art antérieur, le procédé selon l’invention ne se limite pas à une modélisation de la voie située face au véhicule autonome.
La modélisation selon l’invention présente plusieurs avantages. Tout d’abord elle fournit une représentation compacte de l’environnement avec lequel le véhicule interagit, car seules les voies d’intérêt sont modélisées. Il s’agit d’une représentation dépendante du contexte, car elle est focalisée sur les zones conditionnant une prise de décision tactique.
En outre, la finesse de la modélisation est aisément modulable par modification du pas de discrétisation ou par agrégation de cellules.
De plus, la modélisation selon l’invention nécessite uniquement une base de données cartographique haute définition disposant d’une couche topologique.
Enfin, par sa nature géométrique, la modélisation selon l’invention simplifie le traitement ultérieurement effectué dans le module de décision, notamment en facilitant le calcul de métriques de risque comme par exemple le délai avant collision.
Profil de vol La présente divulgation se rapporte à des systèmes de propulsion d’aéronefs et à des procédés de fonctionnement d’aéronefs impliquant la gestion de carburants de différents types, y compris la détection des propriétés de carburants et des actions prises pour améliorer les performances d’aéronefs sur la base des données acquises, et à des procédés de modification d’aéronefs de manière à permettre la mise en œuvre de tels procédés.
Ainsi le système 1’’ transfère l’information portée par le qubit d’entrée, encodé en variable discrète, sur le qubit de sortie, encodé en variable continue.
A la différence du mode de réalisation de la , le système 1’’ comporte plusieurs boucles de retard. Les boucles de retard permettent de générer les états |s> et |l> des photons. Une boucle de retard comporte de préférence deux séparateurs de faisceau et deux miroirs, agencés de sorte à créer un premier chemin optique s et un deuxième chemin optique l plus long que le chemin s.
Un exemple de boucle de retard 45 est illustré à la . La boucle de retard 45 comporte un séparateur de faisceau 47, dont l’un des chemins optiques de sortie est dirigé vers le séparateur de faisceau 53 et l’autre chemin optique de sortie est dirigé successivement vers le miroir 49, le miroir 51 puis le séparateur 53.
Ainsi, un premier chemin optique de la boucle de retard 45, appelé s, consiste à passer directement du séparateur 47 au séparateur 51. Un deuxième chemin optique de la boucle de retard, appelé l, consiste à passer du séparateur 47 aux miroirs 49, 51 et finalement au séparateur 53.
Le système 1’’ comporte une première boucle de retard 39 agencée entre le premier séparateur de faisceau 7 et le troisième séparateur de faisceau 11.
Le système 1’’ comporte également une voie d’entrée 35 d’un état de vide dirigée vers le séparateur de faisceau d’entrée de la première boucle de retard 39. La voie d’entrée 35 fournit une voie de conditionnement du mode CV.
Optionnellement, un dispositif de déplacement 37 configuré pour opérer un déplacement D(rα) sur l’état de vide est disposé entre la voie d’entrée 35 et la première boucle de retard 39, où r représente le coefficient de réflexion en amplitude d’un séparateur de faisceau du dispositif 37 et |α| représente l’amplitude de l’état de la voie d’entrée 35, qui dépend notamment de la compression effectuée par le premier OPO 3. Le dispositif de déplacement 37 peut avantageusement améliorer la conversion en permettant d’équilibrer l’amplitude de l’état de vide comprimé avec la fraction de lumière extraite du premier OPO 3 par le premier séparateur 7, ce qui permet de maximiser l’interférence au niveau de la ligne de retard. De préférence, le coefficient r du séparateur de faisceau du dispositif 37 est égal au coefficient r du premier séparateur 7 pour maximiser cet effet.
Une deuxième boucle de retard 41 et une troisième boucle de retard 43 sont agencées respectivement entre le deuxième séparateur de faisceau 9 et le troisième séparateur de faisceau 11, et entre le deuxième séparateur 9 et le quatrième séparateur 13.
Ainsi, les boucles de retard 39, 41, 43 permettent de créer des modes |s> ou |l> sur les différents faisceaux.
Comme dans le mode de réalisation de la , une détection sur le premier détecteur de photons 15 annonce la création d’un état hybride intriqué de la forme |s>|α> + |l>|-α>. Une détection sur le troisième détecteur de photons 17, optionnel, annonce la création d’un état de phase opposée, c’est-à-dire un état de la forme |s>|α> - |l>|-α>.
Les deuxième et quatrième détecteurs de photons 19, 21 peuvent être tous deux des dispositifs de comptage de photons. Alternativement, seul le deuxième détecteur 19 est un dispositif de comptage de photons. Le quatrième détecteur 21, optionnel, peut également être une photodiode utilisée pour réaliser un asservissement de phase.
On a représenté à la un mode de réalisation d’un système 1 selon l’invention associé à un système 100 de création d’un qubit encodé en variable discrète.
Le système 1 est configuré pour convertir un qubit encodé en variable discrète sur la base de Fock entrant par la voie d’entrée 2 en un qubit encodé en variable continue sortant par la voie de sortie 8.
Le qubit encodé en variable discrète est généré par le système 100.
L’enveloppe thermiquement isolante comprend au moins une couche d’un matériau souple, en particulier le matériau souple comprend au moins une toile tissée de fils formés d’un matériau thermiquement isolant ou un non-tissé de fibres formés d’un matériau thermiquement isolant.
L’enveloppe thermiquement isolante est formée de plusieurs panneaux reliés entre eux par des moyens de fixation amovibles.
Le deuxième circuit de transfert comprend une deuxième partie amont reliée au deuxième récipient et une deuxième partie aval reliée au point de combinaison, ladite deuxième partie aval comportant un deuxième dispositif régulateur de débit configuré pour réguler et/ou ajuster le débit de phase gazeuse du fluide porteur s’écoulant vers le point de combinaison, le deuxième dispositif chauffant étant de préférence configuré pour chauffer la deuxième partie aval du deuxième circuit de transfert.
L’installation comprend en outre au moins un récipient additionnel destiné à contenir un fluide porteur additionnel et configuré pour produire une phase gazeuse dudit fluide porteur additionnel à une sortie du récipient additionnel, l’installation comprenant un circuit de transfert additionnel configuré pour transférer la phase gazeuse du fluide porteur additionnel depuis la sortie du récipient additionnel jusqu’au point de combinaison, le circuit de transfert additionnel comprenant une partie amont additionnelle reliée au récipient additionnel et une partie aval additionnelle reliée au point de combinaison, ladite partie aval additionnelle comportant un dispositif régulateur de débit additionnel configuré pour réguler et/ou ajuster le débit de phase gazeuse du fluide porteur additionnel s’écoulant vers le point de combinaison, le deuxième dispositif de chauffage étant de préférence configuré pour chauffer la partie aval additionnelle du circuit de transfert additionnel.
Les premiers moyens de chauffage sont configurés pour chauffer le fluide isolant liquéfié dans le premier récipient à une première température, les deuxièmes moyens de chauffage étant configurés pour chauffer la phase vapeur du fluide isolant liquéfié à une deuxième température supérieure à la première température au moins au niveau du point de combinaison et de tout ou partie du premier circuit de transfert.
Les premiers moyens de chauffage sont configurés pour délivrer une puissance de chauffage variable, l’installation comprenant au moins un capteur de pression configuré pour mesurer la pression régnant dans le premier récipient et une première unité de commande reliée au capteur de pression et aux premiers moyens de chauffage, la première unité de commande étant configurée pour faire varier la puissance de chauffage délivrée par les premiers moyens de chauffage en fonction de la pression mesurée par le capteur de pression.
Les premiers moyens de chauffage sont configurés pour délivrer une puissance de chauffage variable, l’installation comprenant au moins un organe de mesure de température configuré pour mesurer la température du premier récipient et une première unité de commande reliée à l’organe de mesure de température et aux premiers moyens de chauffage, la première unité de commande étant configurée pour faire varier la puissance de chauffage délivrée par les premiers moyens de chauffage en fonction de la température mesurée par l’organe de mesure de température.
Le deuxième récipient est destiné à contenir le fluide porteur sous forme liquéfiée, l’installation comprenant des troisièmes moyens de chauffage configuré pour chauffer le fluide porteur liquéfié dans le deuxième récipient de façon à vaporiser au moins une partie du fluide porteur liquéfié et à distribuer une phase gazeuse du fluide porteur dans le deuxième circuit de transfert.
Le deuxième circuit de transfert comprend un organe de détente configuré pour réduire la pression de la phase gazeuse du fluide porteur, un réchauffeur agencé en amont de l’organe de détente de façon à chauffer la phase gazeuse avant sa détente par l’organe de détente.
Le circuit de distribution comprend au moins l’un parmi : un dispositif mélangeur configuré pour mélanger la phase gazeuse du fluide isolant et la phase gazeuse du fluide porteur, un organe élévateur de pression agencé en aval du dispositif mélangeur, un réservoir tampon agencé en amont de l’organe élévateur de pression.
Selon un autre aspect, l’invention concerne un procédé de distribution d’un mélange gazeux isolant électrique vers un appareillage électrique à haute tension, ledit procédé comprenant les étapes suivantes :
chauffage d’un fluide isolant à l’état liquide ou liquéfié dans un premier récipient par des premiers moyens de chauffage de façon à vaporiser au moins une partie du fluide isolant liquéfié et à produire une phase gazeuse du fluide isolant dans le premier récipient, passage de la phase gazeuse du fluide isolant dans un premier circuit de transfert de façon à transférer la phase gazeuse du fluide isolant depuis le premier récipient jusqu’à un point de combinaison, le premier circuit de transfert comprenant une première partie amont reliée au premier récipient et une première partie aval reliée d’une part à la partie amont et d’autre part au point de combinaison, passage d’une phase gazeuse d’un fluide porteur depuis un deuxième récipient dans un deuxième circuit de transfert de façon à transférer la phase gazeuse du fluide porteur jusqu’au point de combinaison, combinaison de la phase gazeuse du fluide isolant et de la phase gazeuse du fluide porteur au point de combinaison et passage de la phase gazeuse du fluide isolant et de la phase gazeuse du fluide porteur combinées dans un circuit de distribution adapté à distribuer vers l’appareillage électrique à haute tension un mélange gazeux isolant électrique comprenant la phase gazeuse du fluide isolant et la phase gazeuse du fluide porteur, régulation et/ou ajustement du débit de phase gazeuse du fluide isolant s’écoulant vers le point de combinaison au moyen d’un premier dispositif régulateur de débit agencé sur la première partie aval du premier circuit de transfert, chauffage de la phase gazeuse du fluide isolant au moins au niveau du point du point de combinaison et de la partie aval du premier circuit de transfert par des deuxièmes moyens de chauffage.
schématise une installation selon un mode de réalisation de l’invention.
schématise une installation selon un autre mode de réalisation de l’invention.
représente une installation comprenant un premier récipient 1 de fluide isolant et un deuxième récipient 2 de fluide porteur. Les fluides sont de nature différente. Il s’agit préférentiellement de corps purs, simples ou composés. Chacun des récipients peut être une bouteille, typiquement une bouteille pouvant présenter un volume en eau jusqu’à 50 L, un ensemble de bouteilles raccordées entre elles pour former un cadre de bouteilles ou un réservoir de plus grande contenance, notamment une contenance jusqu’à 1000 L, tel un réservoir de stockage cryogénique ou un réservoir agencé sur un camion-remorque.
Ce plot 60 est suffisamment éloigné des guides 6, 8, 14 et 16 et des composants 10 et 12 pour que l’indice effectif de propagation de ces éléments ne soit pas modifié par la présence du plot 60. Par exemple, à cet effet, le plot 60 est séparé de chacun de ces éléments par une distance horizontale supérieure à 0,6λ SO ou supérieure à 0,8λ SO ou supérieure à λ SO . Ici, cette distance de séparation est supérieure à 1 µm ou 1,5 µm.
Les cœurs des guides d’onde précédemment décrits et des parties actives des composants 10 et 12 sont encapsulés dans un matériau diélectrique 62. Le matériau 62 forme ici les gaines des guides 6, 8, 14, 16, 20 et 40. Par exemple, le matériau 62 est de l’oxyde de silicium (SiO 2 ).
Un premier procédé de fabrication de la puce 2 va maintenant être décrit en référence à l’organigramme de la et à l’aide des figures 13 à 16. Les figures 3, 5, 7, 9, 11, 12 et 14 sont des vues en coupe verticale parallèles aux directions Y et Z et passant par le guide 16. Les figures 4, 6, 8, 10, 13 et 15 sont des vues de dessus. Dans ces vues de dessus, le guide 6 est visible par transparence à travers le matériau 62.
Par la suite, seule la fabrication des guides 6 et 14 et du composant 10 est décrite. L’enseignement donné dans ce cas particulier se transpose sans difficulté à la fabrication des guides 8 et 16 et du composant 12. Typiquement, les guides 6 et 8 et les guides 14 et 16 sont fabriqués en parallèle sur le même substrat 4.
Le procédé débute par une étape 100 de fourniture d’un empilement comportant le substrat 4 et une couche 102 ( ) du matériau 62. La couche 102 recouvre la face supérieure du substrat 4.
Lors d’une étape 104, une couche de nitrure de silicium stœchiométrique est déposée sur la face supérieure de la couche 102. À cet effet, cette couche est déposée selon un procédé de dépôt chimique en phase vapeur sous faible pression. Le dépôt chimique en phase vapeur est connu sous l’acronyme CVD ( « Chemical Vapor Deposition » ). Le dépôt chimique en phase vapeur sous faible pression est connu sous l’acronyme LPCVD ( « Low Pressure Chemical Vapor Deposition » ).Typiquement, lors de la mise en œuvre de ce procédé de dépôt en phase vapeur, la pression du gaz est inférieure à 300 mTorr (39 996 mPa) et, de préférence, inférieure à 150 mTorr (19 998 mPa). Ce procédé de dépôt permet de déposer du nitrure de silicium stœchiométrique.
Ensuite, lors d’une étape 106 de recuit, la couche en nitrure de silicium stœchiométrique déposée est chauffée pour que ses pertes de propagation deviennent très faibles. Pour cela, typiquement, la couche de nitrure de silicium stœchiométrique est chauffée à une température comprise entre 1000 °C et 1400 °C, et de préférence, entre 1100°C et 1300°C, pendant une durée suffisante pour obtenir les très faibles pertes de propagation souhaitées. Par exemple, la durée du recuit est comprise entre 1 heure et 3 heures.
Ensuite, lors d’une étape 108, le guide 6 est réalisé dans la couche en nitrure de silicium stœchiométrique déposée. Pour cela, la couche est gravée afin d’obtenir la largeur souhaitée pour le guide 6.
Lors d’une étape 110, le guide 6 réalisé sur la face supérieure de la couche 102 est encapsulé dans le matériau 62 pour obtenir une couche 112 ( ) d’encapsulation à l'intérieur de laquelle le guide 6 est enfoui. À ce stade, l’état de fabrication représenté sur les figures 3 et 4 est obtenu. La couche 112 présente une face supérieure 114 (figures 3 et 4) plane et horizontale à ce stade. Le guide 6 est situé entre les plans P inf6 et P sup6 .
Ensuite, lors d’une étape 116 (figures 5 et 6), la face supérieure 114 est structurée pour y former un logement creux 118 à l'intérieur duquel sera formée une couche en matériau semi-conducteur cristallin.
Le logement 118 est réalisé à l’emplacement où doit être réalisé le guide 14 et la partie active du composant 10. Ici, le guide 14 comporte une portion qui se situe au-dessus et en vis-à-vis d’une portion correspondante du guide 6 afin d’obtenir un couplage évanescent entre ces deux guides. Ainsi, le logement 118 s’étend lui aussi en partie au-dessus du guide 6.
Ce logement 118 comporte un fond horizontal 120 entouré de parois verticales 122. La profondeur du logement 118 est égale à l’épaisseur e SC du guide 14 à réaliser. Le fond 120 est donc contenu dans le plan P infSC . Les dimensions horizontales du logement 118 sont suffisantes pour pouvoir réaliser le guide 14 et la partie active du composant 10. En particulier, la largeur du logement 118 dans la direction X est suffisamment grande afin de pouvoir espacer le guide 14 et la partie active du composant 10 du plot 60 comme décrit en regard de la .