une pureté du composé contenant un élément du groupe V étant > 95 % ; une pureté du composé contenant un élément du groupe V étant > 98 % ; le procédé étant un processus en lot ; les réactions étant maintenues à une température dans la plage de -20 °C à 150 °C ; la réaction étant maintenue à une température dans la plage de la température ambiante à 100 °C ; le composé contenant un élément du groupe V contenant un groupe trisilyle ; le groupe trisilyle étant -SiH(SiH 3 ) 2 (i-trisilyle) ; le groupe trisilyle étant -SiH 2 -SiH 2 -SiH 3 (n-trisilyle) ; le composé contenant un élément du groupe V étant choisi parmi P(SiH 3 ) 3 , P(SiR 3 )(SiH 3 ) 2 , P(SiR 3 ) 2 (SiH 3 ), P(SiR 3 )(Si 2 H 5 ) 2 , P(SiR 3 ) 2 (Si 2 H 5 ), P(Si 2 H 5 ) 3 , P(SiR 3 )(Si 3 H 7 ) 2 , P(SiR 3 ) 2 (Si 3 H 7 ), P(Si 3 H 7 ) 3 , As(SiH 3 ) 3 , As(SiR 3 )(SiH 3 ) 2 , As(SiR 3 ) 2 (SiH 3 ), As(SiR 3 )(Si 2 H 5 ) 2 , As(SiR 3 ) 2 (Si 2 H 5 ), As(Si 2 H 5 ) 3 , As(SiR 3 )(Si 3 H 7 ) 2 , As(SiR 3 ) 2 (Si 3 H 7 ), As(Si 3 H 7 ) 3 , Sb(SiH 3 ) 3 , Sb(SiR 3 )(SiH 3 ) 2 , Sb(SiR 3 ) 2 (SiH 3 ), Sb(SiR 3 )(Si 2 H 5 ) 2 , Sb(SiR 3 ) 2 (Si 2 H 5 ), Sb(Si 2 H 5 ) 3 , Sb(SIR 3 )(Si 3 H 7 ) 2 , Sb(SiR 3 ) 2 (Si 3 H 7 ), Sb(Si 3 H 7 ) 3, P(SiR 3 )(SiH 3 )(Si 2 H 5 ), P(SiR 3 )(SiH 3 )(Si 3 H 7 ), P(SiH 3 ) 2 (Si 2 H 5 ), P(SiH 3 ) 2 (Si 3 H 7 ), P(SiH 3 )(Si 2 H 5 ) 2 , P(SiH 3 )(Si 2 H 5 )(Si 3 H 7 ), P(SiH 3 )(Si 3 H 7 ) 2 , P(Si 2 H 5 ) 2 (Si 3 H 7 ), P(Si 2 H 5 )(Si 3 H 7 ) 2 , As(SiR 3 )(SiH 3 )(Si 2 H 5 ), As(SiR 3 )(SiH 3 )(Si 3 H 7 ), As(SiH 3 ) 2 (Si 2 H 5 ), As(SiH 3 ) 2 (Si 3 H 7 ), As(SiH 3 )(Si 2 H 5 ) 2 , As(SiH 3 )(Si 2 H 5 )(Si 3 H 7 ), As(SiH 3 )(Si 3 H 7 ) 2 , As(Si 2 H 5 ) 2 (Si 3 H 7 ), As(Si 2 H 5 )(Si 3 H 7 ) 2 , Sb(SiR 3 )(SiH 3 )(Si 2 H 5 ), Sb(SiR 3 )(SiH 3 )(Si 3 H 7 ), Sb(SiH 3 ) 2 (Si 2 H 5 ), Sb(SiH 3 ) 2 (Si 3 H 7 ), Sb(SiH 3 )(Si 2 H 5 ) 2 , Sb(SiH 3 )(Si 2 H 5 )(Si 3 H 7 ), Sb(SiH 3 )(Si 3 H 7 ) 2 , Sb(Si 2 H 5 ) 2 (Si 3 H 7 ), et Sb(Si 2 H 5 )(Si 3 H 7 ) 2 ; R étant choisi parmi Me, Et, nPr, iPr, tBu, nBu, iBu et sBu ; lorsque R = Me, le composé contenant un élément du groupe V est choisi parmi P(SiH 3 ) 3 , P(TMS)(SiH 3 ) 2 , P(TMS) 2 (SiH 3 ), P(TMS)(Si 2 H 5 ) 2 , P(TMS) 2 (Si 2 H 5 ), P(Si 2 H 5 ) 3 , P(TMS)(Si 3 H 7 ) 2 , P(TMS) 2 (Si 3 H 7 ), P(Si 3 H 7 ) 3 , As(SiH 3 ) 3 , As(TMS)(SiH 3 ) 2 , As(TMS) 2 (SiH 3 ), As(TMS)(Si 2 H 5 ) 2 , As(TMS) 2 (Si 2 H 5 ), As(Si 2 H 5 ) 3 , As(TMS)(Si 3 H 7 ) 2 , As(TMS) 2 (Si 3 H 7 ), As(Si 3 H 7 ) 3 , Sb(SiH 3 ) 3 , Sb(TMS)(SiH 3 ) 2 , Sb(TMS) 2 (SiH 3 ), Sb(TMS)(Si 2 H 5 ) 2 , Sb(TMS) 2 (Si 2 H 5 ), Sb(Si 2 H 5 ) 3 , Sb(TMS)(Si 3 H 7 ) 2 , Sb(TMS) 2 (Si 3 H 7 ), Sb(Si 3 H 7 ) 3, P(TMS)(SiH 3 )(Si 2 H 5 ), P(TMS)(SiH 3 )(Si 3 H 7 ), P(SiH 3 ) 2 (Si 2 H 5 ), P(SiH 3 ) 2 (Si 3 H 7 ), P(SiH 3 )(Si 2 H 5 ) 2 , P(SiH 3 )(Si 2 H 5 )(Si 3 H 7 ), P(SiH 3 )(Si 3 H 7 ) 2 , P(Si 2 H 5 ) 2 (Si 3 H 7 ), P(Si 2 H 5 )(Si 3 H 7 ) 2 , As(TMS)(SiH 3 )(Si 2 H 5 ), As(TMS)(SiH 3 )(Si 3 H 7 ), As(SiH 3 ) 2 (Si 2 H 5 ), As(SiH 3 ) 2 (Si 3 H 7 ), As(SiH 3 )(Si 2 H 5 ) 2 , As(SiH 3 )(Si 2 H 5 )(Si 3 H 7 ), As(SiH 3 )(Si 3 H 7 ) 2 , As(Si 2 H 5 ) 2 (Si 3 H 7 ), As(Si 2 H 5 )(Si 3 H 7 ) 2 , Sb(TMS)(SiH 3 )(Si 2 H 5 ), Sb(TMS)(SiH 3 )(Si 3 H 7 ), Sb(SiH 3 ) 2 (Si 2 H 5 ), Sb(SiH 3 ) 2 (Si 3 H 7 ), Sb(SiH 3 )(Si 2 H 5 ) 2 , Sb(SiH 3 )(Si 2 H 5 )(Si 3 H 7 ), Sb(SiH 3 )(Si 3 H 7 ) 2 , Sb(Si 2 H 5 ) 2 (Si 3 H 7 ), et Sb(Si 2 H 5 )(Si 3 H 7 ) 2 ; le composé contenant un élément du groupe V étant choisi dans le groupe constitué par P(SiH 3 ) 3 , P(TMS)(SiH 3 ) 2 , P(TMS) 2 (SiH 3 ), P(TMS)(Si 2 H 5 ) 2 , P(TMS) 2 (Si 2 H 5 ), P(Si 2 H 5 ) 3 , P(TMS)(Si 3 H 7 ) 2 , P(TMS) 2 (Si 3 H 7 ), P(Si 3 H 7 ) 3 , P(TMS)(SiH 3 )(Si 2 H 5 ), P(TMS)(SiH 3 )(Si 3 H 7 ), P(SiH 3 ) 2 (Si 2 H 5 ), P(SiH 3 ) 2 (Si 3 H 7 ), P(SiH 3 )(Si 2 H 5 ) 2 , P(SiH 3 )(Si 2 H 5 )(Si 3 H 7 ), P(SiH 3 )(Si 3 H 7 ) 2 , P(Si 2 H 5 ) 2 (Si 3 H 7 ) et P(Si 2 H 5 )(Si 3 H 7 ) 2 ; le composé contenant un élément du groupe V étant choisi dans le groupe constitué par, lorsque n = 2 à 3, A(Si 2 H 5 )(SiR 3 ) 2 , A(Si 3 H 7 )(SiR 3 ) 2 , A(Si 2 H 5 ) 2 (SiR 3 ), A(Si 3 H 7 ) 2 (SiR 3 ), A(Si 2 H 5 ) 3 , et A(Si 3 H 7 ) 3 , A étant un élément du groupe V choisi parmi P, As, Sb et Bi ; R étant choisi parmi un groupe alkyle, alcényle, alcynyle linéaire, ramifié ou cyclique, en C 1 à C 10 ; à la condition que si A = P, alors P(SiH 3 ) 2 (Si 2 H 5 ), P(SiH 3 )(Si 2 H 5 ) 2 , P(Si 2 H 5 ) 3 , et P(SiH 3 ) 2 (TMS) sont exclus ; et le composé contenant un élément du groupe V étant, lorsque m = 3, A(Si a H 2a+1 ) 3 , a = 1 à 6 ; A étant un élément du groupe V choisi parmi P, As, Sb et Bi ; R étant choisi parmi un groupe alkyle, alcényle, alcynyle linéaire, ramifié ou cyclique, en C 1 à C 10 ; à la condition que si A = As, alors a > 1 ; si A = P, alors P(Si 2 H 5 ) 3 est exclu ; et si A = Sb, alors Sb(SiH 3 ) 3 est exclu.