INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Le rapport molaire hydroxy/alcoxy va de préférence de 0,2:1 à 0,4:1 et de préférence de 0,25:1 à 0,35:1 et plus particulièrement est égal à 0,3:1.
C/ les silicones de formule (E) suivantes : dans laquelle : - p et q sont des nombres tels que la somme (p+q) varie de 1 à 1000, en particulier de 50 à 350, et plus particulièrement de 150 à 250; p pouvant désigner un nombre de 0 à 999 et notamment de 49 à 349 et plus particulièrement de 159 à 239 et q pouvant désigner un nombre de 1 à 1000, notamment de 1 à 10 et plus particulièrement de 1 à 5; - R 1 , R 2 , différents, représentent un radical hydroxy ou alcoxy en C 1 -C 4 , l’un au moins des radicaux R 1 ou R 2 désignant un radical alcoxy.
Le rapport molaire hydroxy/alcoxy va généralement de 1:0,8 à 1:1,1 et de préférence de 1:0,9 à 1:1 et plus particulièrement est égal à 1:0,95.
Un produit contenant des silicones aminées de structure (E) est proposé par WACKER sous la dénomination Fluid WR 1300®.
D/ les silicones de formule suivante (F) : dans laquelle : - m et n sont des nombres tels que la somme (n + m) varie de 1 à 2000 et en particulier de 50 à 150, n pouvant désigner un nombre de 0 à 1999 et notamment de 49 à 149 et m pouvant désigner un nombre de 1 à 2000, et notamment de 1 à 10; - A désigne un radical alkylène linéaire ou ramifié ayant de 4 à 8 atomes de carbone et de préférence 4 atomes de carbone. Ce radical est de préférence linéaire.
Une silicone répondant à cette formule est par exemple la XIAMETER MEM 8299 EMULSION de DOW CORNING.
et (étape E204).
Cette condition est conforme à la norme VDE-AR-N 4105 p.26 : 5.7.1.
Si c’est le cas, l’algorithme passe à l’étape E203.
Si ce n’est pas le cas, le convertisseur 1 ajuste ses paramètres avec ceux du réseau public 29 ou du groupe électrogène 28 (étape E205).
Le convertisseur 1 vérifie alors si :
(étape E206).
Cette condition est conforme à la norme IEEE Standard CSO.12-2005.
Si ce n’est pas le cas, l’algorithme repasse à l’étape E205.
Si c’est le cas, le convertisseur 1 ferme le contacteur d’entrée Ke :
Le convertisseur se synchronise avec le réseau public ou le groupe électrogène (étape E207).
Pour vérifier la présence d’un groupe électrogène, chaque convertisseur met en œuvre l’algorithme de détection, visible sur la , qui consiste à fermer un contact sec et à tester la tension et la fréquence du groupe électrogène.
L’algorithme débute par une étape de départ (E300).
Selon un deuxième mode de réalisation particulier de l’invention, lesdits au moins deux diols comprennent le dipropylène glycol et le 1,3-propanediol ; de préférence sont constitués par le dipropylène glycol et le 1,3-propanediol.
Selon un troisième mode de réalisation particulier de l’invention, lesdits au moins deux diols comprennent le dipropylène glycol et le propylène glycol ; de préférence sont constitués par le dipropylène glycol et le propylène glycol.
De préférence, ledit au moins un diol A2 contient de 5 à 8 atomes de carbone.
Lorsqu’il est présent dans la composition utilisée comme base dans le kit selon l’invention, le ou les diol(s) A2 est(sont) avantageusement choisi(s) parmi le diéthylèneglycol, le butylène glycol, le pentylène glycol, l’hexylène glycol, le 1,5-pentanediol, le caprylyl glycol, et leurs mélanges.
Selon un mode de réalisation préféré, le ou les diol(s) A2 est(sont) avantageusement choisi(s) parmi : le pentylène glycol, l’hexylène glycol, le caprylyl glycol, et leurs mélanges ; de préférence comprend (comprennent) au moins l’hexylène glycol.
Avantageusement, le rapport pondéral R de la quantité totale de diol(s), notamment A1+A2 éventuels, sur la quantité d’alcool gras majoritaire est supérieur ou égal à 1,75 ; de préférence supérieur à 1,85.
De préférence, le rapport pondéral R1 de la quantité totale de diol(s) A1 sur la quantité d’alcool gras majoritaire est supérieur ou égal à 1.
Selon un mode de réalisation particulièrement avantageux, le rapport pondéral R1’ de la quantité de diol A1 majoritaire sur la quantité d’alcool gras majoritaire est supérieur ou égal à 1.
Selon un mode de réalisation particulier, le rapport pondéral R1’’ de la quantité de chaque diol A1 sur la quantité d’alcool gras majoritaire est supérieur ou égal à 1.
Selon un mode de réalisation particulier de l’invention, la composition comprend au moins un diol A2, le rapport pondéral R2 de la quantité totale de diol(s) A2 sur la quantité d’alcool gras majoritaire étant inférieur à 1.
De préférence, le rapport pondéral R2’ de la quantité de diol A2 majoritaire sur la quantité d’alcool gras majoritaire est inférieur à 1.
Selon un mode de réalisation particulièrement préféré, le rapport pondéral R2’’ de la quantité de chaque diol A2 sur la quantité d’alcool gras majoritaire est inférieur à 1.
Selon un mode de réalisation préféré de l’invention, les teneurs en poids sont telles que : la teneur en diol A1 majoritaire > ou = à la teneur d’alcool gras majoritaire > la teneur en diol A2 majoritaire, sur le poids total de la composition représentant 100%.
De préférence, les teneurs en poids dans la composition sont telles que :
la teneur de chaque diol A1 > ou = à teneur d’alcool gras majoritaire > la teneur de chaque diol A2, sur le poids total de la composition représentant 100%.
Avantageusement, la teneur totale de diol(s) A1 est comprise dans la gamme de 5% à 40%, de préférence de 7% à 30%, de préférence de 10% à 20% en poids, sur le poids total de la composition représentant 100%.
D écisions de fin de vinification (analyses)
Le contrôle et le suivi de la fermentation alcoolique et malolactique est fondé sur les indicateurs suivants : Glucose + Fructose, TAV acquis, Degré Probable, AT, Acide acétique, SO 2 libre, SO 2 total, pH, Acide Malique, Acide Lactique,
Un bilan est fait après soutirage, sur la base des indicateurs suivants : SO 2 total, pH, SO 2 actif, Ethanal, Acide Malique, Acide Lactique, CO 2 , Acide tartrique, Acide gluconique, Glycérol, Fer, Cuivre (blancs et rosés) - Dégustation - Indice OTA, Intensité colorante sur demande),
A la mise en bouteille ou en BIB, on dose : TAV, Glucose + Fructose, AT, Acide acétique, SO 2 libre, SO 2 total, pH, SO 2 actif, Ethanal, Acide Malique, Acide Lactique, CO 2 , Acide tartrique, Fer, Cuivre, 2 tests de stabilité protéique (blancs - rosés), on déguste, on réalise une analyse microbiologique par cytométrie, et, éventuellement un test au froid et/ou un indice de colmatage sur demande.
Etape (i): Selon une modalité remarquable de l'invention, l'étape (i) du procédé peut comprendre une sous-étape (i c ) consistant dans une action de correction du profil minéral qui peut consister à : - extraire des métaux avant la mise en bouteille utilisant une filtration, de préférence une filtration tangentielle associée à des polymères complexant les métaux (mis de l’autre côté de la membrane par rapport au vin); - et/ou extraire des métaux à une étape avant la mise en bouteille ou après ouverture de la bouteille, par piégeage, de préférence en utilisant un gel de biopolymère fonctionnalisé par des ultra-chélatants directement mis en contact avec le vin.
Le procédé selon l’invention prend le parti de se focaliser sur l’analyse minérale/métallique des boissons alcoolisées, en particulier des vins, en utilisant des récipients adéquats pour la collecte d’échantillons, en traitant les données statistiquement, de préférence en visant des processus d’apprentissage basés sur l’intelligence artificielle et en collectant les données recueillies dans une base prévue à cet effet. Cela permet de connaître notamment l'impact des métaux sur les goûts des boissons alcoolisées ( e.g. des vins), et ce faisant d'introduire de l’objectivité analytique dans toutes les notations, classifications et concours œnologiques ou autres concours de boissons alcoolisées professionnels. Les boissons alcoolisées, en particulier les vins, peuvent ainsi être discriminées entre elles, en fonction de leur qualité à un instant t, mais aussi en tenant compte des perspectives d’évolution de cette qualité, au vu du profil minéral ( e.g . métallique) de la boisson alcoolisée. Le fait d'avoir accès, grâce au procédé selon l'invention, au potentiel évolutif de la boisson alcoolisée, est un nouveau critère très intéressant, qui facilite son évaluation et permet d’attribuer des notes avec davantage de justesse et d’impartialité. L’analyse rapide des données de la base de données grâce aux méthodes et aux outils selon l'invention constitue une aide efficace à la prise de décision éclairée, et surtout objective, pour le classement ou l’évaluation de boissons alcoolisées, notamment de vins, mais aussi en amont pour apporter toutes les actions préventives et/ou correctives souhaitables à tous les stades de l’élaboration des boissons alcoolisées.
DISPOSITIF
Selon un deuxième de ses aspects, l'invention concerne un dispositif pour la mise en œuvre du procédé selon l’invention caractérisé en ce qu’il comporte une échantillothèque comprenant au moins une enceinte dans laquelle sont entreposés et conservés les échantillons recueillis à l’étape (a) dans des récipients inertes fermés chacun par un bouchon et en ce que cette enceinte est apte à placer ces échantillons dans des conditions de température, pression, humidité, et atmosphère données.
L’invention a également pour objet un système de gestion informatisée de l’échantillothèque et de la base de données.
Description des figures Les figures annexées illustrant des exemples de réalisation non limitatifs, et dans lesquelles :
Fig. 1 La est une répartition des vins analysés dans les exemples, selon leurs cépages.
Fig. 2 La est une répartition des vins analysés dans les exemples, selon leurs origines – leurs régions.
Fig. 3 La est une répartition des vins analysés dans les exemples, selon leurs modes de culture.
Fig. 4 La est un graphique dans lequel: - l’ordonnée correspond au nombre de vins analysés dans les exemples qui rentrent dans une catégorie de prix et qui sont comptés, - et l’abscisse correspond à la concentration en Cl exprimée en µg/L.
Fig. 5 La est un graphique dans lequel: - l’ordonnée correspond au nombre de vins analysés dans les exemples qui rentrent dans une catégorie (vin rouge ou vin blanc) et qui sont comptés, - et l’abscisse correspond à la concentration en K exprimée en µg/L.
Fig. 6 La est un graphique dans lequel : - l’ordonnée correspond au nombre de vins analysés dans les exemples qui rentrent dans une catégorie de prix et qui sont comptés, - et l’abscisse correspond à la concentration en K exprimée en µg/L.
Arrière-plan technologique de l’invention Il est connu dans l’art de fabriquer un substrat donneur, aussi appelé pseudo-substrat donneur (PSD), qui est adapté au transfert d’une couche dudit substrat donneur sur un substrat support. Un PSD comprend typiquement au moins un substrat de manipulation, en particulier d’un matériau semi-conducteur tel que le silicium ou le saphir, et un substrat cible, dont une couche est destinée à être transférée. Un PSD est utilisé notamment dans le cadre d’une fabrication de substrat multicouche par méthode de type SmartCut®.
La mise en œuvre d’un PSD pour transfert de couche a pour avantage principal de pallier aux forces mécaniques parasitaires qui peuvent être induites par un différentiel de dilatation thermique entre un substrat support et une couche déposée sur le substrat support. Ainsi, en adaptant le coefficient de dilatation thermique du substrat donneur à celui du substrat support, la déformation lors de traitements thermiques peut être minimisée.
Un avantage additionnel de la mise en œuvre d’un PSD réside dans l’ergonomie de fabrication, chaque substrat donneur pouvant être réutilisé un nombre de fois pour un fournir à chaque cycle de production une nouvelle couche à un nouveau substrat support en utilisant un procédé de type SmartCut®. On parle alors de « refresh » du PSD.
Ainsi, FR 18 52573 A1 divulgue un premier procédé de fabrication d’un substrat donneur présentant une bonne tenue mécanique par polymérisation d’une couche adhésive photo-polymérisable. Ce procédé permet d’éviter de recourir à des étapes de fabrication sous haute température qui peuvent être coûteuses et engendrer des courbures des substrats.
Afin d’augmenter le rendement de production de substrats multicouches tels que des POI ou SOI, il est envisageable de réduire les défauts de qualité qui peuvent apparaître lors et à l’issue des procédés de fabrication. En particulier peuvent sont observés des défauts matériels dans les substrats multicouches produits, tels que des fissurations ou amorces de fissurations, notamment en bordure des substrats. Ces défauts peuvent prendre leur origine dans les PSD et être transférés ou apparaître sur d’autres substrats produits par le transfert d’une couche du substrat donneur sur un substrat support, par exemple lors d’une étape SmartCut®. Ainsi, l’apparition de défauts de qualité abouti dans certains cas dans un rebut de production.
Objet de l’invention Compte tenu de ce qui précède, la présente invention a pour objectif d’apporter un procédé de fabrication de substrat donneur qui augmente la qualité de production des substrats donneurs, et abouti à la réduction de l’incidence de défauts, en particulier l’incidence de défauts observés sur des substrats multicouches finaux.
Brève description de l’invention A cet égard, l’invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat donneur comprenant les étapes de A : la fourniture d'un substrat de manipulation, B : la fourniture d'un substrat cible, C : l’attachement du substrat cible sur le substrat de manipulation, comprenant un collage par l’intermédiaire d’une couche adhésive, la couche adhésive étant une couche d’un matériau photo-polymérisable, en particulier une couche d’un liquide photo-polymérisable d’une épaisseur de 3µm à 8µm, et D : la rectification, en particulier par meulage, du substrat cible attaché sur le substrat de manipulation, pour former le substrat donneur. Le procédé est caractérisé en ce qu’un délai d’attente d’une durée prédéterminée est respecté entre l’étape C et l’étape D.
Selon une découverte inattendue des inventeurs, la mise en œuvre d’un délai d’attente d’une durée prédéterminée entre étapes C et D peut permettre d’aboutir à une réduction importante de la quantité de fissurations observées dans les substrats multicouches produits à partir de substrats donneurs fabriqués par le procédé objet de l’invention. En effet, le délai d’attente peut permettre aux éléments constituants du substrat donneur non-rectifié de se reposer et de gagner en robustesse. En particulier, l’effet stabilisant de la couche adhésive du matériau photo-polymérisable pour l’attachement de l’étape C peut être amplifié. Ainsi, le substrat donneur non-rectifié peut être rendu plus résistant aux contraintes mécaniques subies lors de la rectification suivante, ainsi que lors d’une étape de transfert de couches ultérieure. Par conséquent, le taux de substrats multicouches, fabriqués à partir de substrats donneurs, présentant un risque de fissuration peut être réduit et la qualité générale de la production de substrats multicouches augmentée. Par exemple, en réduisant la quantité de fissurations en bordure de substrat, la surface ou le rayon d’un substrat utilisable peut être augmentée.
Selon un aspect de l’invention, le substrat cible est un substrat piézoélectrique, en particulier un substrat piézoélectrique comprenant un matériau choisi parmi le quartz, le tantalate de lithium, le niobate de lithium, le nitrure d’aluminium, l’oxyde de zinc, l’orthophosphate de gallium, le titanate de baryum, le langasite, le langanite, le nitrure de gallium, le titano-zirconate de plomb ou le langatate.
Ainsi, le PSD obtenu par le procédé peut être utilisé pour la fabrication de substrats POI. Les substrats piézoélectriques étant particulièrement précieux en raison de leur prix élevé et applicabilité diverse, une réduction du rebut de production par le procédé inventif peut être d’autant plus avantageuse.
Selon un aspect de l’invention, le substrat de manipulation comprend un matériau choisi parmi le silicium, le saphir, le nitrure d'aluminium, le carbure de silicium ou l’arséniure de gallium.
En choisissant un de ces matériaux, le coefficient de dilatation thermique du substrat de manipulation peut être adapté avantageusement à une utilisation ultérieure du PSD pour la fabrication d’un substrat multicouche.
Selon un aspect de l’invention, la durée prédéterminée est d’au moins 24h, préférentiellement d’au moins 48h, et de préférence d’au moins 105h.
En choisissant la durée prédéterminée de telle manière, des gains particulièrement grands en qualité de substrats produites peuvent être obtenus. Par exemple peuvent être obtenus des taux de fissuration de 20% ou moins, 10% ou moins ou 5% ou moins respectivement sur des substrats multicouches obtenus à partir de substrats donneurs fabriqués par le procédé selon cet aspect de l’invention.
Selon un aspect de l’invention, la durée prédéterminée est de moins de 300h, préférentiellement de moins de 200h, et de préférence de moins de 150h.
En limitant ainsi la durée du délai d’attente, une bonne balance entre gain en qualité de production et réduction de débit de production peut être maintenue. Selon un aspect de l’invention, la durée prédéterminée est déterminée en fonction du matériau de la couche adhésive.
Une ligne L0 en figure 6 représente un pixel ayant une tension de nœud de lecture Vpix chutant de Vrst à l'instant à Vsat à l'instant qui correspond à une quantité maximale d'éclairement sans dépasser la limite de saturation. L'instant d'intégration est par exemple choisi de sorte qu'aucun pixel ne sature avant que l'instant ne soit atteint. Pendant la première phase de lecture, tous les pixels ayant des tensions de nœud de lecture entre les tensions Vsat et Vm déclencheront le comparateur correspondant et ainsi la valeur sera convertie et stockée dans la mémoire 108. Ces pixels correspondent à ceux ayant des tensions de nœud de lecture Vpix entre les lignes L0 et L1 en figure 6, où L1 représente un pixel ayant une tension de nœud de lecture Vpix chutant de Vrst à l'instant à Vm à l'instant . Ces pixels ont été lus et, par conséquent, ils sont par exemple désactivés pour le reste du cycle de lecture du réseau, en d'autres mots jusqu'au début de la capture de trame suivante. Tous les autres pixels conservent par exemple la valeur stockée Vpix, qui pour ces pixels est entre les tensions Vm et Vrst. Pendant la première phase de lecture, le signal de cachet STAMP_INT a par exemple une première valeur binaire par exemple égale à "11" binaire.
Une deuxième phase de lecture débute à un instant après que la commande TG ai été de nouveau impulsée, cette impulsion TG étant par exemple une commande globale pour tous les pixels du réseau. Dans les pixels non lus, en d'autres mots les pixels qui ne sont pas lus pendant la première phase de lecture, la tension Vpix stockée à la première phase de lecture est accumulée avec les nouveaux porteurs photo-générées entre la période allant de à . La deuxième phase de lecture implique par exemple la même rampe de tension allant de Vsat à Vm que celle appliquée pendant la première phase de lecture. L'instant d'intégration est par exemple choisi pour correspondre à deux fois qui est un instant auquel des pixels ayant une tension de nœud de lecture juste supérieure à Vm à l'instant ont une tension de nœud de lecture Vpix chutant à Vsat à l'instant , comme cela est représenté par la ligne L1. Pendant la deuxième phase de lecture, tous les pixels ayant des tensions de nœud de lecture Vpix entre les tensions Vsat et Vm déclencheront leur comparateur correspondant et ainsi seront lus et désactivés, comme pour les pixels lus pendant la première phase de lecture. Ces pixels correspondent à ceux ayant des tensions de nœud de lecture Vpix entre les lignes L1 et L2 en figure 6, où L2 représente un pixel ayant une tension de nœud de lecture Vpix chutant à Vm à l'instant . Tous les autres pixels conservent par exemple la valeur stockée Vpix, qui pour ces pixels est entre les tensions Vm et Vrst. Pendant la deuxième phase de lecture, Le signal de cachet STAMP_INT a par exemple une deuxième valeur binaire différente de la première et égale par exemple à "10" binaire.
Une troisième phase de lecture débute à un instant après que la commande TG ai été de nouveau impulsée, cette impulsion TG étant par exemple une commande globale pour tous les pixels du réseau. Dans les pixels non lus, en d'autres mots les pixels qui ne sont pas lus pendant les première et deuxième phases de lecture, la tension Vpix est accumulée avec les nouveaux porteurs photo-générées entre la période allant de à . La troisième phase de lecture implique par exemple la même rampe de tension allant de Vsat à Vm que celle appliquée pendant la première phase de lecture. L'instant d'intégration est par exemple choisi pour correspondre à deux fois qui est un instant auquel des pixels ayant une tension de nœud de lecture Vpix juste supérieure à Vm à l'instant ont une tension de nœud de lecture Vpix chutant à Vsat à l'instant , comme cela est représenté par la ligne L2. Pendant la troisième phase de lecture, tous les pixels ayant des tensions de nœud de lecture entre les tensions Vsat et Vm déclencheront le comparateur correspondant et seront ainsi lus et désactivés, comme pour des pixels lus pendant les première et deuxième phases de lecture. Ces pixels correspondent à ceux ayant des tensions de nœud de lecture Vpix entre les lignes L2 et L3 en figure 6, où L3 représente un pixel ayant une tension de nœud de lecture Vpix chutant à Vm à l'instant . Tous les autres pixels conservent par exemple la valeur stockée Vpix, qui pour ces pixels est entre les tensions Vm et Vrst. Pendant la troisième phase de lecture, Le signal de cachet STAMP_INT a par exemple une troisième valeur binaire, différente des première et deuxième valeurs et égale par exemple à "01" binaire.
Une quatrième phase de lecture débute à un instant après que la commande TG ai été de nouveau impulsée, cette impulsion TG étant par exemple une commande globale pour tous les pixels du réseau. Dans les pixels non lus, en d'autres mots les pixels qui n'ont pas été lus pendant les première, deuxième et troisième phases de lecture, la tension Vpix est accumulée avec les nouveaux porteurs photo-générés entre la période allant de à . La quatrième phase de lecture implique par exemple une rampe d'amplitude complète allant de Vsat à Vm qui est appliquée afin de lire tous les pixels non déjà lus pendant les première, deuxième et troisième phases de lecture. L'instant d'intégration est par exemple choisi pour correspondre à deux fois qui est un instant auquel des pixels ayant une tension de nœud de lecture juste supérieure à Vm à l'instant ont une tension de nœud de lecture Vpix chutant à Vsat à l'instant , comme cela est représenté par la ligne L3. Pendant la quatrième phase de lecture, le signal de cachet STAMP_INT a par exemple une quatrième valeur binaire, différente des première, deuxième et troisième valeurs et égale par exemple à "00" binaire.
Une période d'intégration pour une (n+1)-ième trame (FRAME_n+1) débute par exemple à l'instant .
La est un autre chronogramme représentant une période d'intégration et des phases de lecture du capteur d'image de la selon un exemple de mode de réalisation de la présente description. La représente en particulier le signal TG, AZ, INIT, V_RAMP, DATA_RAMP, STAMP_INT, WRITE, MEM et DISABLE et une valeur MEM stockée dans la mémoire 108, pour un pixel i (PIXEL i) et pour un pixel j (PIXEL j).
Dans l'exemple de la figure 7, l'éclairement du pixel i l'amène à être lu pendant la première phase de lecture à l'instant et l'éclairement du pixel j l'amène à être lu pendant la quatrième phase de lecture à l'instant .
Initialement, avant le début de la période d'intégration, le signal DISABLE est par exemple actif pour tous les pixels du réseau, les signaux TG, AZ, INIT et WRITE, sont à l'état bas et le signal DATA_RAMP est par exemple à un niveau correspondant à Vrst, de sorte que la tension V_RAMP soit à la tension Vrst, ou à approximativement la tension Vrst.