Procédé de fabrication de substrats (1, 2) démontables, comportant les étapes : a) prévoir un premier substrat (1), comprenant des espèces implantées (10) formant une zone plane d’implantation (100) ; b) prévoir un second substrat (2), comprenant une surface (20) munie d’un ensemble de cavités (200) ; c) assembler, du côté de la zone plane d’implantation (100) et du côté de l’ensemble de cavités (200), les premier et second substrats (1, 2) par un collage direct ; d) appliquer un traitement thermique à l’assemblage obtenu à l’issue de l’étape c), selon un budget thermique adapté pour que les espèces implantées (10) génèrent des cloques (3) fragilisant la zone plane d’implantation (100), les cloques (3) s’étendant à l’intérieur de l’ensemble de cavités (200) ; l’ensemble de cavités (200) étant dimensionné et réparti à la surface (20) du second substrat (2) prévu lors de l’étape b) de manière à : - autoriser un collage direct entre les premier et second substrats (1, 2) lors de l’étape c) ; - interdire une initiation thermique de la fracture de la zone plane d’implantation (100) fragilisée à l’issue de l’étape d). Procédé selon la revendication 1, comportant une étape e) consistant à exécuter une fracture mécanique de la zone plane d’implantation (100) fragilisée après l’étape d), de manière à démonter les premier et second substrats (1, 2). Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel l’ensemble de cavités (200) est dimensionné et réparti à la surface (20) du second substrat (2) prévu lors de l’étape b) de sorte que chaque couple de cavités (200) adjacentes est espacé d’une distance comprise entre : - un premier seuil, au-delà duquel un collage direct entre les premier et second substrats (1, 2) est autorisé lors de l’étape c) ; - un second seuil, strictement supérieur au premier seuil, en-deçà duquel une initiation thermique de la fracture de la zone plane d’implantation (100) fragilisée est interdite à l’issue de l’étape d). Procédé selon la revendication 3, dans lequel le premier seuil est compris entre 500 nm et 3 µm, de préférence compris entre 1 µm et 2 µm. Procédé selon la revendication 3 ou 4, dans lequel le second seuil est compris entre 5 µm et 200 µm, de préférence compris entre 5 µm et 100 µm, plus préférentiellement compris entre 5 µm et 10 µm. Procédé selon l’une des revendications 1 à 5, dans lequel la surface (20) du second substrat (2) présente une surface de collage avec le premier substrat (1) à l’issue de l’étape c) ; et l’ensemble de cavités (200) est dimensionné et réparti à la surface (20) du second substrat (2) prévu lors de l’étape b) de manière à occuper entre 50% et 85% de la surface de collage, de préférence entre 60% et 80% de la surface de collage. Procédé selon l’une des revendications 1 à 6, dans lequel l’ensemble de cavités (200) est dimensionné et réparti à la surface (20) du second substrat (2) prévu lors de l’étape b) de sorte que chaque cavité (200) présente au moins une dimension, dans le plan de la surface (20) du second substrat (2), inférieure ou égale au double d’un rayon moyen d’exfoliation prédéterminé, de préférence inférieur ou égal au double d’un rayon minimum d’exfoliation prédéterminé. Procédé selon l’une des revendications 1 à 7, dans lequel chaque cavité (200) de l’ensemble occupe la surface (20) du second substrat (2) prévu lors de l’étape b) de manière à délimiter une ouverture présentant une forme choisie parmi une forme rectangulaire, carrée, triangulaire ou circulaire. Procédé selon l’une des revendications 1 à 8, dans lequel le budget thermique de l’étape d) est défini par : - une température du traitement thermique comprise entre 400°C et 600°C, - une durée du traitement thermique supérieure à 30 minutes. Procédé selon l’une des revendications 1 à 9, dans lequel l’étape a) comporte une étape préalable consistant à déterminer un rayon moyen d’exfoliation et/ou un rayon minimal d’exfoliation par une analyse statistique d’observations microscopiques, après avoir appliqué au premier substrat (1) un traitement thermique de fracturation de la zone plane d’implantation (100). Procédé selon l’une des revendications 1 à 10, dans lequel le premier substrat (1) prévu lors de l’étape a) est réalisé dans un matériau choisi parmi : - un matériau semi-conducteur, de préférence sélectionné parmi Si, Ge, Si-Ge, un matériau III-V ; - le tantalate de lithium LiTaO 3 , le niobate de lithium LiNbO 3 . Ensemble pour fabriquer des substrats (1, 2) démontables, comportant : - un premier substrat (1), comprenant des espèces implantées (10) formant une zone plane d’implantation (100) ; - un second substrat (2), comprenant une surface (20) munie d’un ensemble de cavités (200) dimensionné et réparti à la surface (20) du second substrat (2) de manière à : autoriser un collage direct entre les premier et second substrats (1, 2) ; interdire une initiation thermique de la fracture de la zone plane d’implantation (100), après un traitement thermique appliqué aux premier et second substrats (1, 2) collés, selon un budget thermique adapté pour que les espèces implantées (10) génèrent des cloques (3) fragilisant la zone plane d’implantation (100), les cloques (3) s’étendant à l’intérieur de l’ensemble de cavités (200). Ensemble selon la revendication 12, dans lequel l’ensemble de cavités (200) est dimensionné et réparti à la surface (20) du second substrat (2) de sorte que chaque couple de cavités (200) adjacentes est espacé d’une distance comprise entre : - un premier seuil, au-delà duquel un collage direct entre les premier et second substrats (1, 2) est autorisé ; - un second seuil, strictement supérieur au premier seuil, en-deçà duquel une initiation thermique de la fracture de la zone plane d’implantation (100) est interdite après le traitement thermique appliqué aux premier et second substrats (1, 2) collés. Ensemble selon la revendication 12 ou 13, dans lequel la surface (20) du second substrat (2) est destinée à présenter une surface de collage avec le premier substrat (1) ; et l’ensemble de cavités (200) est dimensionné et réparti à la surface (20) du second substrat (2) de manière à occuper entre 50% et 85% de la surface de collage, de préférence entre 60% et 80% de la surface de collage. Ensemble selon l’une des revendications 12 à 14, dans lequel l’ensemble de cavités (200) est dimensionné et réparti à la surface (20) du second substrat (2) de sorte que chaque cavité (200) présente au moins une dimension, dans le plan de la surface (20) du second substrat (2), inférieure ou égale au double d’un rayon moyen d’exfoliation prédéterminé, de préférence inférieure ou égale au double d’un rayon minimum d’exfoliation prédéterminé.