INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Le dispositif et le procédé d’assistance au pilotage d’aéronefs selon les modes de réalisation de l’invention permettent de corréler l’intégralité des informations qui sont disponibles et de transmettre à un équipage, même réduit, les meilleures options (suggestions) de manière à permettre une prise de décision rapide et fiable, dans toutes les étapes d’un vol. Les informations délivrées par le dispositif et le procédé d’assistance au pilotage d’aéronefs selon les modes de réalisation de l’invention permettent ainsi une gestion optimale des tâches de l’équipage, y compris lorsqu’elles sont nombreuses.
Description des figures D’autres caractéristiques, détails et avantages de l’invention ressortiront à la lecture de la description faite en référence aux dessins annexés donnés à titre d’exemple, dans lesquels :
La est un schéma d’une architecture informatique mettant en œuvre le procédé de l’invention.
La est un schéma d’un dispositif de gestion des évènements, selon des modes de réalisation de l’invention.
Dans l’exemple proposé, le classement réalisé est de meilleure qualité car le dispositif de classification 14 a été mis au point par un procédé de mise au point spécifique qui va maintenant être décrit en référence à la .
Un tel procédé de mise au point est mis en œuvre par ordinateur, et de préférence par un calculateur.
Le procédé de mise au point cherche à optimiser le réseau de neurones du dispositif de classification 14.
Pour la suite, ce réseau de neurones est ainsi un réseau de neurones cible, celui dont on cherche à améliorer les performances. Le terme « réseau de neurones de classification C » sera utilisé dans la suite pour désigner ce réseau de neurones.
Le procédé de mise au point comporte une étape de réception, une étape de premier entraînement du réseau de neurones de classification C, une étape de synthèse de données, une étape de deuxième entraînement du réseau de neurones de classification C et une étape d’entraînement d’un réseau de neurones adverse génératif.
Le procédé de mise au point est un procédé itératif au sens où les étapes d’entraînement et de synthèse sont réitérées jusqu’à ce qu’un premier critère de performance sur les prédictions du réseau de neurones de classification C soit rempli ainsi qu’un deuxième critère de performance sur les valeurs de confiance des prédictions du réseau de neurones de classification C soit rempli.
En l’occurrence, ce premier critère de performance consiste à requérir que le rapport du nombre de bonnes prédictions sur le nombre total de prédictions dépasse une valeur choisie, ou bien que ce même rapport ait stagné pendant un nombre choisis d’itérations (ou d’époques comme cela sera expliqué ultérieurement).
Le deuxième critère de performance est, quant à lui, double : d’une part, le procédé cherche à donner des prédictions justes avec une bonne valeur de confiance pour des données connues et d’autre part à donner des valeurs de confiance très basse pour des données que le réseau de neurones de classification C n’est pas capable de comprendre.
Lors de l’étape de réception, le calculateur reçoit une base de données dans laquelle chaque donnée donne pour un signal d’entrée la classe associée.
La base de données est ainsi un jeu de donnée d’apprentissage pour la tache de classification, en classes distinctes, le nombre de classes étant indifférent.
Ce jeu de donnée correspond à des paires où est une donnée issue d’un signal de capteur (par exemple, cela peut être une image) et est un encodage numérique de la vraie classe de la donnée .
Typiquement, l’encodage est obtenu par un encodage « 1 parmi n » ou en Anglais « on-hot encoding ».
Pour reprendre un exemple précédent de trois classes , correspond à la classe 0 « chien », à la classe 1 « chat » et à la classe 2 « poisson ». La classe est alors obtenue par l’indice du plus grand nombre dans le vecteur .
Lors de l’étape de premier entraînement, le réseau de neurones de classification C est appris comme l’illustrent schématiquement les traits pleins sur la .
Lors d’un apprentissage (ou entraînement) d’un réseau de neurones, le réseau de neurones est appris à partir d’une base d’apprentissage. De manière connue, un réseau de neurones est dit appris quand l’ensemble de ses paramètres libres est ajusté dans une procédure dite d’apprentissage pour résoudre au mieux le problème posé, selon un critère défini, sur un ensemble de données dits d’apprentissage pour lesquels le résultat désiré en sortie du réseau de neurones peut être connu (dans le cas d’un apprentissage supervisé).
Les systèmes de détection conformes à l’invention peuvent être préparés par un procédé comprenant une étape de dépôt de chacun des indicateurs de détection sur le support en projetant une encre comprenant l’indicateur de détection sur le support, ce qui signifie en d’autres termes, que le procédé comprend autant d’étapes de dépôt mentionnées ci-dessus que d’indicateurs de détection, étant entendu que chacun des indicateurs de détection est déposé de sorte à ne pas se mélanger avec le ou les autres indicateurs de détection. Encore autrement dit, le procédé comprend, pour chacun des indicateurs de détection, une étape distincte de dépôt sur le support en projetant une encre comprenant l’indicateur de détection concerné.
Concernant les techniques de dépôt envisageables, chaque étape distincte de dépôt peut être réalisée par une technique de dépôt permettant un dépôt localisé et, plus spécifiquement, par une technique de dépôt choisie parmi l’impression par jet d’encre, la sérigraphie, l’impression offset, l’héliographie ou la flexographie.
Avantageusement, les points présentent un diamètre extrêmement fin par rapport à la distance d’observation du motif imprimé résultant du dépôt des différents indicateurs de détection.
L’encre utilisée comprend, classiquement, l’indicateur de détection placé en solution dans au moins un solvant permettant la solubilisation de l’indicateur de détection (par exemple, un solvant alcoolique ou un solvant sulfoxyde selon la nature de l’indicateur de détection) puis son dépôt (par exemple, par impression, sérigraphie). Avantageusement, le solvant doit présenter un point d’ébullition suffisamment bas pour ne pas nécessiter de chauffage pour être éliminé. Par ailleurs, l’encre peut comprendre un ou plusieurs additifs, tels que des agents épaississants, des liants polymériques.
Lorsque l’indicateur de détection est un indicateur coloré, la concentration en indicateur coloré peut être ajustée selon deux cas d’observation à l’œil nu :
-1 er cas : L’impression de l’indicateur coloré est coloré. La concentration en indicateur coloré en solution est ajustée de façon à ce que le rendu de couleur initial après l’impression ou de façon à ce que le rendu de couleur après exposition à un composé chimique soit suffisamment saturé ;
-2 ème cas : L’impression de l’indicateur coloré est très peu colorée car la couleur apparaît après exposition à un composé chimique. La concentration en indicateur coloré en solution est ajustée de façon à ce que le rendu de couleur après exposition à un composé chimique soit suffisamment saturé.
La concentration en indicateur coloré dans l’encre pour une impression par jet d’encre peut être, en général, supérieure à 10 mmol/L, de préférence autour de 100 mmol/L.
A titre d’exemple, la illustre schématiquement, pour le dépôt de 3 indicateurs colorés distincts, trois masques de dépôt (références respectives, 3, 5 et 7) et le support ainsi revêtu comprenant un ensemble de points distincts pour chacun des indicateurs colorés (référence 9).
Enfin, l’invention a trait également à un procédé de détection de la présence ou de l’absence d’au moins un composé chimique comprenant les étapes suivantes :
Cette étape de mise en contact peut consister à déposer en surface du système de détection une ou plusieurs gouttes distinctes de chaque milieu dont on veut analyser l’absence ou la présence d’un ou plusieurs composés chimiques.
Ce mode de réalisation est particulièrement avantageux pour des sollicitations fortes en mode flexion.
Avantageusement, la première électrode et la deuxième électrode sont disposées sur un substrat. Le substrat est par exemple en polyimide (PI), en poly(naphtalate d'éthylène) (PEN), en poly(téraphtalate d’éthylène) (PET), en polycarbonate (PC), en polydiméthylsiloxane (PDMS), en papier, en polyuréthane thermoplastique (TPU), en polyéthylène (PE) ou en polypropylène (PP).
On choisira notamment des substrats ayant un module d’Young inférieur ou égal à 100MPa.
De préférence, le substrat est en poly(naphtalate d'éthylène) (PEN), polydiméthylsiloxane (PDMS), polyuréthane thermoplastique (TPU), polyéthylène (PE) ou polypropylène (PP). De tels substrats sont très flexibles voire élastiques. A titre illustratif, le TPU a un module d’Young de 50MPa et le PDMS a un module d’Young de 100MPa.
Avantageusement, la quatrième électrode est recouverte par une couche d’encapsulation, de préférence en époxy, en PDMS ou en PVDF-TRFE. De tels matériaux sont souples.
Par entre X et Y, on entend que les bornes X et Y sont incluses.
Avantageusement, la troisième électrode et la quatrième électrode sont en PEDOT-PSS.
Avantageusement, la première électrode et la deuxième électrode sont indépendamment en aluminium, en or, en argent, en nickel ou en chrome.
Une sous-couche métallique peut être disposée entre le substrat et la première électrode et/ou entre le substrat et la deuxième électrode. Par exemple pour une électrode en or de 100nm, on pourra utiliser une sous-couche en titane de 10 nm.
Avantageusement, la première électrode et la deuxième électrode (i. e. les électrodes interdigitées) sont espacées d’une distance d comprise entre 3 μm et 50μm et préférentiellement entre 3 µm et 10µm, par exemple autour de 5 µm. Ceci permet d’avoir une tension de polarisation (aussi appelée tension de poling) inférieure à 1000V. Il est ainsi possible d’aligner les dipôles dans la direction du champ électrique tout en protégeant les zones fragiles, sans endommager la couche de PVDF-TRFE entre les électrodes de la masse et du potentiel.
Le peigne (ou la structure interdigitée) formée de la première électrode et la deuxième électrode peut avoir une forme circulaire ou rectangulaire. De préférence, elle est circulaire.
Selon une première variante avantageuse, les dipôles de la première couche piézoélectrique sont orientés dans le même sens que les dipôles de la deuxième couche piézoélectrique.
Selon cette première variante avantageuse, première électrode et la quatrième électrode sont électriquement connectées au moyen d’une première connexion électrique et la deuxième électrode et la troisième électrode sont électriquement connectées au moyen d’une deuxième connexion électrique.
Selon une deuxième variante avantageuse, les dipôles de la première couche piézoélectrique sont orientés dans un sens opposé aux dipôles de la deuxième couche piézoélectrique.
Avantageusement, la première couche piézoélectrique et la deuxième couche piézoélectrique sont en une matrice polymérique en PVDF, en un copolymère de PVDF, de préférence en PVDF-TRFE, ou en un terpolymère de PVDF.
La première couche piézoélectrique et la deuxième couche piézoélectrique peuvent être en un matériau composite comprenant :
L’opération F1 est une opération dite d’amorçage de la découpe qui consiste à exposer l’une des première et deuxième faces de la cellule photovoltaïque 100 (la première face 100a dans l’exemple de la ) à un laser 130 afin de former une tranchée 140. La profondeur de la tranchée 140 est strictement inférieure à l’épaisseur de la cellule photovoltaïque 100. La profondeur de la tranchée 140 est de préférence comprise entre 50 µm et 150 µm, alors que l’épaisseur de la cellule photovoltaïque 100 est typiquement comprise entre 150 µm et 200 µm.
Pour limiter l’endommagement de la cellule de part et d’autre de la tranchée 140, le laser 130 est avantageusement pulsé, les impulsions ayant une durée comprise entre 10 -6 s et 10 -15 s.
La formation de la tranchée 140 au moyen du laser 130 crée une zone de fragilité qui facilite le clivage mécanique de la cellule, lors de l’opération F2 (cf. ). Le clivage mécanique s’effectue dans le plan de la tranchée 140, au départ de celle-ci, de préférence en exerçant des forces identiques de part et d’autre de la tranchée 140.
Les cellules photovoltaïques 100 sont de préférence découpées en deux sous-cellules 200 de même superficie (cf. ), alors appelées « demi-cellules », ou en sous-unités de superficie inférieure à celle d’une demi-cellule, typiquement en trois, quatre, cinq ou six sous-cellules 200 de même superficie (les sous-cellules 200 sont alors des tiers, quarts, cinquièmes ou sixièmes de cellule). La découpe des cellules photovoltaïques 100 peut être entièrement automatisée.
Chaque sous-cellule 200 comprend une première face 200a et une deuxième face 200b, correspondant respectivement à une partie de la première face 100a et à une partie de la deuxième face 100b de la cellule photovoltaïque 100 dont la sous-cellule 200 est originaire. Chaque sous-cellule 200 peut en outre présenter une ou plusieurs surfaces latérales 200c correspondant chacune à tout ou partie d’une surface latérale 100c de la cellule photovoltaïque 100. La première face 200a, la deuxième face 200b et les surfaces latérales 200c des sous-cellules 200 sont donc avantageusement recouvertes de la couche de passivation 120.
À l’instar des cellules photovoltaïques 100, les sous-cellules 200 sont prêtes à être interconnectées. Une partie des métallisations 110 de la cellule photovoltaïque 100 est présente sur la première face et/ou sur la deuxième face de chaque sous-cellule 200.
Chaque sous-cellule 200 comprend également une ou plusieurs surfaces latérales additionnelles 200c’ résultant du découpage de la cellule photovoltaïque 100. Ces surfaces latérales additionnelles 200c’ constituent des zones où le matériau semi-conducteur (ex. silicium) a été mis à nu. Autrement dit, ces surfaces latérales additionnelles 200c’ sont dépourvues de couche de passivation, à la différence de la première face 200a, de la deuxième face 200b et des (éventuelles) autres surfaces latérales 200c de la sous-cellule 200. Par exemple, lorsqu’une cellule photovoltaïque 100 est découpée en quatre bandes de cellule parallèles, deux bandes de cellule présentent deux bords parallèles non passivés, et deux autres bandes de cellule présentent un seul bord non passivé.
En référence à la , le procédé de fabrication comprend ensuite une étape S2 de passivation d’au moins un bord découpé des sous-cellules 200, et de préférence de tous les bords découpés. Cette étape vise à neutraliser les défauts de la surface latérale additionnelle 200c’ correspondant audit bord découpé, et de préférence de toutes les surfaces latérales additionnelles 200c’. Ainsi, il est possible de limiter la diminution du rendement photovoltaïque des sous-cellules 200 qui est liée à la génération de nouveau(x) bord(s) par découpage.
L’étape S2 de passivation comprend une sous-étape de dépôt d’une couche de passivation 210 sur ladite au moins une surface latérale additionnelle 200c’ des sous-cellules 200 et une sous-étape d’activation de la couche de passivation 210 des sous-cellules 200.
La couche de passivation 210 est par exemple constituée d’alumine (Al 2 O 3 ), de dioxyde de silicium (SiO 2 ), de nitrure de silicium (Si 3 N 4 ) ou de nitrure de silicium amorphe hydrogéné (a-Si x N y :H). Elle peut être formée par dépôt de couches atomiques (ALD) ou par dépôt chimique en phase vapeur (CVD), assisté ou non par plasma (PEALD ou PECVD). Elle peut également être obtenue par dépôt spatial de couches atomiques (SALD).
Le dépôt de la couche de passivation 210 peut être réalisé sur plusieurs sous-cellules 200 simultanément, grâce notamment au procédé de passivation décrit dans la demande internationale WO2020/127896.
L’étape S2 de passivation peut également comprend une sous-étape d’implantation d’ions hydrogène dans la couche de passivation 210, après son dépôt et avant son activation.
L’activation de la couche de passivation 210 des sous-cellules 200 est accomplie au moyen du procédé d’activation décrit précédemment, par exemple en faisant défiler les sous-cellules 200 sous la source de rayonnement 40.
Lorsque les sous-cellules 200 sont des demi-cellules, chaque sous-cellule 200 ne comprend qu’un bord à passiver. Le procédé d’activation thermique selon la est avantageusement employé (en orientant chaque sous-cellule 200 de sorte que le bord à passiver corresponde au bord de fuite).
Lorsque les sous-cellules 200 sont des quarts de cellules, obtenus par découpage d’une cellule photovoltaïque 100 selon une première direction et une deuxième direction perpendiculaire, chaque sous-cellule 200 comprend deux bords adjacents à passiver. Le procédé d’activation thermique selon la est avantageusement employé.
Lorsque les sous-cellules 200 sont des bandes de cellules, obtenues par découpage d’une cellule photovoltaïque 100 selon des directions parallèles, chaque sous-cellule 200 comprend un bord à passiver ou deux bords parallèles à passiver. Le procédé d’activation thermique selon la (balayage simple ou de type aller-retour) ou selon la est avantageusement employé.
Dans tout ce qui suit, les orientations sont définies en référence au godet posé sur une surface horizontale, avec sa paroi de fond en contact avec la surface horizontale. Les termes « haut », « bas », « supérieur », « inférieur », « horizontal », « vertical » s’étendent par rapport à cette orientation.
Le couvercle 14 est destiné à se fixer sur le godet pour fermer le volume intérieur vers le haut.
Chaque faisceau électrochimique 12 est reçu dans le volume intérieur. De préférence, le volume occupé par le ou les faisceaux électrochimiques 12 est supérieur à 70% du volume intérieur.
En référence aux figures 3 et 4, chaque faisceau électrochimique 12 comprend une pluralité d’empilements 20 successifs empilés selon une direction d’empilement E, et au moins un premier dispositif de séparation métallique 22.
Chaque empilement 20 comprend une électrode de première polarité 24, en particulier une électrode négative, une électrode de deuxième polarité 26, en particulier une électrode positive, un premier séparateur 28 et un deuxième séparateur 29. L’électrode de deuxième polarité 26 est interposée entre le premier séparateur 28 et le deuxième séparateur 29. Le deuxième séparateur 29 est interposé entre l’électrode de première polarité 24 et l’électrode de deuxième polarité 26.
Chaque faisceau électrochimique 12 est en outre baigné dans un électrolyte, présent dans le volume intérieur pour imprégner les électrodes 24, 26, le premier séparateur 28 et le deuxième séparateur 29.
En référence plus particulièrement à la , l’électrode de première polarité 24, ici l’électrode négative, comporte un collecteur plan 30, une couche 32 comportant une matière active couvrant le collecteur 30 et une languette de connexion électrique 34 faisant saillie vers le haut, selon une direction verticale V sensiblement perpendiculaire à la direction d’empilement E, par rapport au collecteur 30 pour permettre la connexion au premier connecteur électrique 18.
De la même manière, l’électrode de deuxième polarité 26, ici l’électrode positive, comporte également un collecteur plan 36, une couche 38 comportant une matière active couvrant le collecteur 36 et une languette de connexion électrique faisant saillie vers le haut par rapport au collecteur 36 pour permettre la connexion au deuxième connecteur électrique 19.
Le collecteur de chaque électrode 24, 26 est de préférence métallique, par exemple en cuivre ou en aluminium selon la polarité de l’électrode 24, 26. Il constitue un collecteur de courant. Il est par exemple formé d’un feuillard, notamment d’un feuillard mince présentant une épaisseur inférieure à 20 µm.
Le collecteur 30 de chacune des électrodes de première polarité 24 présente par exemple un contour sensiblement polygonal, notamment un contour rectangle. Il s’étend selon la direction verticale V, entre un bord inférieur 42 et un bord supérieur 44, sensiblement perpendiculaire à la direction d’empilement E. Il s’étend selon une direction horizontale H, sensiblement perpendiculaire à la direction verticale V et à la direction d’empilement E, entre un premier bord latéral 46 et un deuxième bord latéral (non représenté). Le premier bord latéral 46 est situé à une distance plus proche de la languette 34 que le deuxième bord latéral 48.
Le bord supérieur 44 s’étend de part et d’autre de la languette 34, qui fait saillie à partir du bord supérieur 44. La hauteur selon la direction verticale V à laquelle s’étend le bord supérieur 44 par rapport au bord inférieur 42 est de préférence identique de part et d’autre de la languette 34.
La languette 34 est de préférence venue de matière avec le collecteur 30. La languette 34 est ainsi obtenue lors de la réalisation du collecteur 30.
La languette 34 présente ici un contour polygonal, par exemple rectangle ou carré. La languette 34 s’étend selon la direction horizontale H entre un premier bord latéral 50 relié au bord supérieur 44 du collecteur 30, et un deuxième bord latéral 52, également relié au bord supérieur 44 du collecteur 30. La languette 34 s’étend en outre entre le bord inférieur 42 du collecteur 30 et un bord supérieur 54 selon la direction verticale V, reliant le premier bord latéral 50 et le deuxième bord latéral 52. Le bord supérieur 54 définit au moins une surface sensiblement plane.
La hauteur de la languette 34 prise par rapport au bord supérieur 44 du collecteur 30 est de préférence inférieure à 3 mm, de préférence comprise entre 1 mm et 5 mm.
La languette 34 définit une première face 56 et une deuxième face 58 sensiblement parallèle à la première face 56. La deuxième face 58 est disposée à l’opposé de la première face 56. La première face 56 et la deuxième face 58 s’étendent chacune dans des plans sensiblement perpendiculaires à la direction d’empilement E.
Comme visible sur la , les languettes 34 sont disposées les unes à côté des autres selon la direction d’empilement E, la première face 56 d’une languette 34 étant disposée en regard de la deuxième face 58 d’une languette 34 adjacente selon la direction d’empilement E. Les languettes 34 sont avantageusement toutes identiques entre elles.
Le montage de cellule(s) de mesure peut comporter un montage de deux paires de première et seconde cellule de mesure.
Le faisceau de lumière polarisé et les éléments optiques de renvoi du faisceau de lumière sont configurés de manière que le faisceau de lumière parcoure au moins deux tours autour du conducteur.
Le faisceau de lumière polarisé et les éléments optiques de renvoi du faisceau de lumière sont configurés de manière que des cellules de mesures d’une paire sont parcourues plusieurs fois par le faisceau de lumière.
Selon un exemple, au moins une première paire de sections de mesure est associé à un premier conducteur et au moins une seconde paire de sections de mesure est associé à un second conducteur.
Le faisceau de lumière peut parcourir autour du premier conducteur dans le même sens qu’autour du second conducteur de manière que le résultat de mesure est la somme des courants parcourant le premier et second conducteur.
Lequel le faisceau de lumière peut aussi parcourir autour du premier conducteur en sens opposé par rapport au second conducteur de manière que le résultat est la différence des courants parcourant le premier et second conducteur.
la représente un schéma illustratif concernant la polarisation de la lumière,
la présente deux schémas simplifiés modélisant des niveaux d’énergie d’un atome alcalin, ceci pour la partie a) en absence de tout champ électromagnétique et pour la partie b) en présence d’un champ magnétique parallèle à la direction de propagation d’un faisceau de lumière,
la montre un schéma simplifié d’un dispositif de mesure selon un premier mode de réalisation,
les figures 4A et 4B sont des schémas explicatif des champs magnétiques présents autour d’un conducteur de mise à la terre,
les figures 5 à 13 montrent de façon schématique l’agencement de montages de cellules de mesures selon différents modes de réalisations.
Sur toutes les figures, les éléments ayant des fonctions identiques portent les mêmes numéros de référence.