Procédé de formation d'une cavité (60, 74, 76) dans un substrat (28) comprenant : la formation d'un masque de gravure (34, 36) comprenant, en regard de l'emplacement de la cavité, plusieurs ensembles (38a, 42a, 42b, 46, 52) d'ouvertures (38a, 38b), le ratio entre les ouvertures et le masque de chaque ensemble étant choisi en fonction du profil voulu de la cavité en regard de la surface du masque dans laquelle est inscrit l'ensemble ; et la gravure humide du substrat (28) à travers les ouvertures (38a, 38b). Procédé selon la revendication 1, dans lequel le ratio entre les ouvertures (38a, 38b) et le masque (34, 36) de chaque ensemble (38a, 42a, 42b, 46, 52) conditionne la profondeur de la cavité en regard de la surface du masque dans laquelle est inscrit l'ensemble. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la surface dans laquelle s'inscrit un ensemble (38a, 42a, 42b,46, 52) d'ouvertures (38a, 38b) est une surface continue et ne comprend pas d'ouverture d'un autre ensemble. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la cavité (60, 74, 76) traverse au moins une jonction PN. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel le masque (34, 36) comprend un premier ensemble (38a, 46, 52) d'ouvertures comprenant au moins une ouverture (38a), et au moins un deuxième ensemble (42a, 42b), chaque deuxième ensemble comprenant au moins deux ouvertures (38b), le ratio entre les ouvertures et le masque du premier ensemble étant supérieur aux ratios entre les ouvertures et le masque de chaque deuxième ensemble. Procédé selon la revendication 5, dans lequel le ratio entre les ouvertures et le masque des deuxièmes ensembles (42a, 42b) décroît avec l'augmentation de la distance entre le deuxième ensemble et le premier ensemble (38a, 46, 52). Procédé selon la revendication 5 ou 6, dans lequel le premier ensemble (38a) comprend une unique ouverture (38a). Procédé selon la revendication 5 ou 6, dans lequel le premier ensemble (46) comprend une pluralité d'ouvertures (38a) agencées en une ligne. Procédé selon la revendication 5 ou 6, dans lequel le premier ensemble (52) comprend une pluralité d'ouvertures (38a) agencées en au moins deux lignes parallèles. Procédé selon l'une quelconque des revendications 5 à 9, dans lequel les ouvertures de chaque deuxième ensemble (42a, 42b) sont agencées en une ligne parallèle au premier ensemble (38a, 46, 52). Procédé selon l'une quelconque des revendications 5 à 10, dans lequel l'agencement des deuxièmes ensembles (42a, 42b) est symétrique par rapport au premier ensemble (38a, 46, 52). Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 11, dans lequel le masque comprend une couche de résine (36) reposant sur une couche d'oxyde (34). Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 12, dans lequel les ouvertures (38a, 38b) d'un même ensemble (42a, 42b, 46, 52) sont sensiblement identiques les unes aux autres. Procédé de fabrication d'un dispositif comprenant une cavité obtenue par un procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 13, et comprenant la formation d'une couche isolante électriquement (64) et d'une couche de protection (68) sur les parois de la cavité et sur la partie du substrat entourant directement la cavité. Procédé de fabrication d'un dispositif comprenant deux cavités (74, 76) situées de côtés opposés du substrat, les deux cavités étant obtenues par le procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 13, dans lequel l'étape de gravure humide est effectuée simultanément pour les deux cavités.