INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Ainsi, en cas de court-circuit (schématisé par un éclair) sur le réseau HTA, une surintensité (courant de court-circuit) parcourt la cellule disjoncteur HTA et est détectée par le relais de protection, qui déclenche alors le disjoncteur.
De nombreuses fonctions de protection sont envisageables, typiquement :
- Protection à maximum de courant : la protection déclenche si l’amplitude du courant dépasse un seuil (ex : 300 Ampère) ;
- Protection à minimum de tension : la protection déclenche si l’amplitude de la tension descend sous un seuil (ex : 18 000 Volt).
Dans un mode de mise en œuvre du procédé proposé, on détermine les situations de défaut ou les situations défavorables sur le réseau de la façon qui va être décrite ci-après.
Cette détermination est faite sur des moyens de calcul déportés (ordinateur à distance) et programmés à cet effet.
Le résultat obtenu est ensuite utilisé pour régler les protections physiques : réglage des courbes de déclenchement des disjoncteurs magnétothermiques, choix des types de fusibles, seuil d’une protection en courant, en tension, temporisation d’une protection.
La phase de l’onde lumineuse émise par le point d’émission dépend de l’information de phase stockée dans l’hologramme. Les ondes lumineuses émises par différents points d’émission d’un même sous-ensemble d’émission sont déphasées les unes par rapport aux autres de façon que l’ensemble de ces ondes lumineuses forme une onde cohérente, de même vecteur d’onde , par exemple plane, se propageant vers la pupille P selon une même direction angulaire .
Ainsi, chaque point d’émission correspond à une superposition, parallèlement à la surface d’émission, entre un réseau de diffraction ponctuel 12 couplé à un guide de lumière 11, et d’une électrode 13, face à un hologramme du film holographique 14.
Les points d’émission sont répartis selon une surface d’émission S. Les guides de lumière 11 sont agencés parallèlement à la surface d’émission S. Il en est de même des électrodes 13. Ainsi, les électrodes 13 sont superposées aux guides de lumière 11. Parallèlement à la surface d’émission S, chaque électrode « croise » plusieurs guides de lumière, de façon à définir plusieurs intersections, chaque intersection correspondant à une position d’un point d’émission . Le terme « croiser » est à interpréter comme désignant une superposition d’une électrode et d’un guide de lumière. Sur la , à des fins de simplification, on a représenté un guide de lumière 11 couplé à trois réseaux de diffraction 12, ces derniers étant connectés à trois électrodes différentes 13, ces dernières étant orientées perpendiculairement au guide de lumière 11.
Le film holographique 14 a préalablement fait l’objet d’un enregistrement holographique, schématisé sur la . De façon connue, un hologramme est formé par une interférence entre deux ondes lumineuses émises par une source de lumière cohérente: une onde lumineuse objet et une onde lumineuse de référence. Les franges d’interférence générées sont mémorisées physiquement ou chimiquement dans le film holographique 14. Lors de la phase d’enregistrement, la lumière extraite d’un guide de lumière 11 fait office de faisceau de référence. Sur la , on a représenté :
par des flèches en pointillés, une lumière émise par la source de lumière laser et se propageant dans un guide de lumière 11; par des flèches en tirets plein, la lumière extraite de chaque guide de lumière 11, respectivement par trois réseaux de diffractions 12, sous l’effet d’une activation par les trois électrodes 13.
Le faisceau objet est un faisceau se propageant vers le film holographique selon un vecteur d’onde , de façon à converger en un point de la rétine par autofocalisation. Lors de l’étape d’enregistrement, le faisceau objet peut être émis par une source collimatée.
Sur la figure 1D, on a représenté trois faisceaux objets se propageant selon le même vecteur d’onde matérialisée par des flèches en tirets. Les faisceaux objets et chaque faisceau de référence sont émis par la même source de lumière laser. La phase d’enregistrement consiste à stocker des hologrammes, dans différentes zones élémentaires du film holographique 14, chaque enregistrement résultant d’une interférence entre le faisceau objet, se propageant selon un même vecteur d’onde (et donc une même direction angulaire ) et un faisceau de référence extrait d’un guide de lumière 11. Au cours de l’enregistrement :
différentes zones élémentaires du film holographique 14 sont exposées à un faisceau objet de même vecteur d’onde , de façon à former un sous-ensemble d’émission de points d’émission correspondant à la même direction de propagation. Lors de cette exposition, les points d’émission du sous-ensemble d’émission sont illuminés par le faisceau de référence, ce dernier étant extrait des guides de lumière. Les autres zones élémentaires du film holographique 14, situées face à des points appartenant à d’autres sous-ensembles d’émission, sont masquées. différentes zones élémentaires du film holographique 14 sont respectivement exposées à différents faisceaux objets se propageant selon différents vecteurs d’onde, de façon à former des points d’émission associés à des directions d’émission e différentes.
La figure 1E illustre la phase d’utilisation du dispositif 1. Sur cette figure, on a représenté, sous forme grisée, les zones élémentaires du film holographique 14 ayant enregistré un hologramme lors de l’étape d’enregistrement holographique. Sous l’effet d’une activation par des électrodes 13, une partie de la lumière laser se propageant dans le guide de lumière 11 est extraite et se propage vers le film holographique 14, comme décrit en lien avec la figure 1D. Sous l’effet de l’illumination extraite, chaque hologramme stocké dans le film photosensible diffracte une onde qui correspond à l’onde objet au moment de l’enregistrement, et en particulier selon la direction de propagation . L’onde diffractée est représentée par des tirets mixtes sur la . Lors de l’utilisation du dispositif :
les points d’émission correspondant à un même sous-ensemble d’émission , associé à un même vecteur d’onde , sont activés simultanément : on forme ainsi des ondes diffractées cohérentes, se propageant parallèlement à une même direction de propagation vers la pupille P : les ondes réfractées par la pupille convergent en un même pixel sur la rétine. De façon simultanée, un autre sous-ensemble d’émission peut produire des ondes diffractées cohérentes se propageant vers la pupille P, selon direction de propagation les ondes réfractées par la pupille convergeant en un même pixel sur l’image formée au niveau de la rétine, les points d’émission du sous-ensemble d’émission étant illuminés par une lumière extraite d’autres guides de lumière illuminés par une autre source de lumière laser ou la même source de lumière laser et activés par le même groupe d’électrodes. Des points d’émission de différents sous-ensemble d’émission peuvent être activés séquentiellement, de façon à converger séquentiellement vers différents pixels sur la rétine.
Les électrodes 13 et les guides de lumière 11 sont répartis en formant des groupes. Un sous-ensemble d’émission correspond à des points d’émission formés par une superposition des électrodes d’un groupe d’électrode sur des guides de lumière du groupe de guides de lumière. Ainsi, chaque sous-ensemble d’émission , formant un même pixel , est associé à un seul groupe de guides de lumière 11 et à un seul groupe d’électrodes 13.
Du fait de la persistance rétienne, lorsque la fréquence d’activation des différents sous-ensembles d’émission est suffisamment rapide, l’utilisateur perçoit une image formée par les différents pixels .
La conception d’un dispositif de projection tel que précédemment décrit est confrontée à des contraintes de compacité : on considère que le diamètre D p d’une pupille est de l’ordre de 4 mm. Par ailleurs, la surface d’émission S est supérieure à la surface d’une pupille, de façon que l’œil puisse se déplacer en vis-à-vis de la surface, sans qu’une dégradation de l’image formée sur la rétine ne soit perçue.
Un autre impératif concerne la densité des points d’émission. Chaque pixel de l’image projetée sur la rétine correspond à un sous-ensemble d’émission de points d’émission associé à une même direction de propagation . Plus le nombre de points d’émission contribuant au même pixel est élevée, meilleure est la qualité du pixel. Le nombre de points d’émission d’un même sous-ensemble d’émission est de préférence supérieur à 40, voire supérieur à 55 ou 60.
Par ailleurs, le nombre de sous-ensembles des points d’émission correspond au nombre de pixels formés sur l’image. Afin d’augmenter le nombre de pixels de l’image formée sur la rétine, il faut augmenter le nombre de sous-ensembles d’émission respectivement associés à différentes directions de propagation .
La illustre un agencement d’électrodes et de guides de lumière tel que décrit dans US9632317. Selon cet agencement :
: étape E603.
Si c’est le cas, le convertisseur vérifie si :
: étape E604.
Si ce n’est pas le cas, le convertisseur se met en mode MPPT et charge la batterie (étape E605). L’algorithme repasse à l’étape E602.
Si c’est le cas, le convertisseur vérifie si un réseau public est présent (étape E606).
Si ce n’est pas le cas, le convertisseur limite le courant de charge de la batterie (étape E607). L’algorithme repasse à l’étape E602. Si c’est le cas, le convertisseur de synchronise avec le réseau public (étape E608).
Le convertisseur injecte sur le réseau public (mode onduleur MPPT) la puissance (étape E609). Le convertisseur lance la fonction de protection contre le courant inverse (étape E610). L’algorithme repasse à l’étape E602.
A l’étape E603, si , le convertisseur vérifie si :
: étape E611
Si c’est le cas, le convertisseur vérifie si un réseau public est présent (étape E612).
Si c’est le cas, il se synchronise avec le réseau public (étape E613).
: étape E614.
Si c’est le cas, il se déconnecte du réseau public :
: étape E615.
Le jeu d'instructions de la peut de plus comprendre une instruction COPY de commande d'un transfert interne de données d'un premier emplacement vers un deuxième emplacement dans la mémoire CSRAM 201, qui est alors à la fois la mémoire source et la mémoire destination. Là encore, l'instruction COPY prend pour paramètres un motif (agencement) élémentaire de données à transférer. Plusieurs itérations du motif peuvent être transférées de la mémoire source vers la mémoire destination, avec un décalage prédéfini en lecture et un décalage prédéfini en écriture entre deux itérations consécutives du motif.
Le champ de paramètres de l'instruction COPY comprend un premier sous champ (IMC address 1) définissant l'adresse de lecture de départ de la séquence dans la mémoire 201.
Le champ de paramètres de l'instruction COPY comprend en outre un deuxième sous champ (IMC address 2) définissant l'adresse d'écriture de départ de la séquence dans la mémoire 201.
Le champ de paramètres de l'instruction COPY comprend en outre un troisième sous-champ (Src off.) définissant le décalage, en lecture, dans la mémoire, entre deux itérations consécutives du motif élémentaire à transférer.
Le champ de paramètres de l'instruction COPY comprend en outre un quatrième sous-champ (Dst off.) définissant le décalage, en écriture, dans la mémoire, entre deux itérations consécutives du motif élémentaire à transférer.
Le champ de paramètres de l'instruction COPY comprend en outre un cinquième sous-champ (Length) définissant le nombre d'itérations du motif élémentaire à transférer à l'intérieur de la mémoire 201.
Le champ de paramètres de l'instruction COPY comprend en outre un sixième sous-champ (Pattern) définissant la forme (agencement spatial des données dans la mémoire) du motif élémentaire à transférer. On notera que les données du motif élémentaire peuvent être réagencées, par exemple selon une ou plusieurs lignes ou selon une ou plusieurs colonnes ou selon tout autre agencement souhaité, lors de leur réécriture dans la mémoire (en fonction de l'agencement nécessaire pour réaliser des calculs, par exemple de type SIMD).
Le champ de paramètres de l'instruction COPY peut en outre comprendre un septième sous-champ (Op. mode) définissant si les écritures effectuées conservent partiellement ou non les données initialement stockée dans la région d'écriture de la mémoire destination, lorsque le quatrième sous-champ (Dst off.) est différent de 1, autrement dit supérieur ou égal à 2.
Dans cet exemple, l'instructions SET_REGION permet de définir une région d'intérêt dans la mémoire externe 253, généralement de grandes dimensions, avant d'exécuter les instructions de transfert READ_TRANSFER et/ou WRITE_TRANSFER. A titre d'exemple, la région d'intérêt correspond à une image ou une matrice d'entrée (A dans l'exemple de la ) ou une matrice de sortie (B dans l’exemple de la ) stockée selon un agencement prédéfini, par exemple de type "row major", dans la mémoire 253. Suite à une opération de transfert READ (pour transférer les éléments de la matrice A dans la mémoire de calcul 201), on souhaite appliquer un traitement, par exemple de convolution, grâce aux moyens de calcul de la mémoire CSRAM 201, de façon à générer les éléments d’une matrice résultat ou matrice de sortie (B dans l'exemple de la ). En pratique, les calculs dans la mémoire CSRAM 201 sont initiées par une instruction envoyée par le CPU 231 à la CSRAM. Cette ou ces instructions de calculs prévoient avantageusement que les éléments de cette matrice B résultat soient stockés dans la mémoire CSRAM 201 à l’issue des opérations de calcul. Plus particulièrement, le CPU demande à la CSRAM, via ses instructions de calcul, d’écrire les éléments de la matrice B dans la mémoire CSRAM 201 en les rangeant par exemple selon la configuration de rangement « row major », pour obtenir un rangement de la matrice B similaire à celui représenté pour la matrice A en , les éléments de la matrice B étant placés à des adresses consécutives de la mémoire 201. Une fois les éléments de la matrice B rangés dans la mémoire CSRAM 201, il est possible alors de réaliser un transfert de ces éléments vers la mémoire externe 253, grâce à la mise en œuvre de l’instruction WRITE TRANSFER. L’opération de WRITE TRANSFER vers la mémoire externe 253 peut consister en un simple transfert du « bloc de données » constitutif de la matrice B stockées dans des adresses consécutives (nombre d’adresses : M*N éléments * EL_SIZE) vers un autre « bloc de données de destination » stockées dans des adresses consécutives la mémoire externe 253. Pour réaliser ce « simple transfert », il est possible de lancer une opération WRITE TRANSFER avec un motif simple comprenant un unique élément. On peut également définir par convention qu’un champ Pattern égal à « 0 » correspond à un simple transfert sans réagencement des données.
Alternativement, il est possible qu’à la suite du calcul de la matrice B, rangées dans la CSRAM, on souhaite en pratique réaliser un calcul sur cette matrice B pour générer une matrice C. On pourra alors utiliser l’instruction COPY pour lancer un transfert de données consistant à réarranger les éléments de la matrice B dans la mémoire CSRAM 201 pour les organiser par exemple en colonnes ou en lignes selon l’agencement des opérateurs de calcul (en pied de colonnes ou de lignes). Une fois l’instruction COPY réalisée, le CPU peut lancer une instruction de calcul dans la CSRAM pour obtenir les données constitutives de la matrice C. Comme précédemment décrit pour les données de la matrice B, les données de la matrice C peuvent alors, sur requête du CPU à la CSRAM, être rangées dans des adresses consécutives, avec un rangement « row major ». Les éléments de cette matrice C pourront ensuite être éventuellement transférées vers la matrice externe 253 si on ne souhaite plus réaliser de calcul sur ces éléments dans la mémoire CSRAM 201.
On notera que les motifs « complexes » sont définis à partir de plusieurs éléments à récupérer dans la mémoire source autour d’un élément central, contrairement à ce motif « simple » comprenant uniquement un élément à récupérer dans la mémoire source. L’élément à récupérer est une donnée présentant un nombre de bits défini par le paramètre EL_SIZE. On notera que ce paramètre EL_SIZE est défini dans l’instruction SET_REGION. Ainsi, si EL_SIZE est défini de manière relative, il faut considérer la taille d’un mot de données de la mémoire concernée par l’instruction SET_REGION pour connaître le nombre de bits de EL_SIZE. Alternativement, le paramètre EL_SIZE peut être défini de façon absolu par un nombre de bits directement.
Le jeu d’instructions précédemment décrit comprenant une instruction du type SET_REGION et au moins une instruction de transfert (READ, WRITE) permet de compresser le poids total des paramètres d’instructions devant être envoyées au circuit d'accès direct 203 pour exécuter les transferts de la mémoire 253 vers la mémoire 201 et/ou de la mémoire 201 vers la mémoire 253. Une fois la région d'intérêt définie au moyen de l'instruction SET_REGION, des positions relatives dans la région d'intérêt peuvent être utilisées comme paramètres dans les instructions READ_TRANSFER et WRITE_TRANSFER. Ceci permet de réduire le nombre de bits requis, dans les instructions envoyées par le processeur au circuit d'accès direct, pour définir les adresses des données à transférer dans la mémoire 201, en particulier lorsque plusieurs instructions READ_TRANSFER et/ou WRITE_TRANSFER successives sont exécutées dans une même sous-région entre deux exécutions successives de l'instruction SET_REGION.
On notera que le champ de paramètres de l'instruction SET_REGION peut comprendre un ou plusieurs bits additionnels permettant de définir plusieurs sous-régions d'intérêt, par exemple une sous-région de lecture, pour les transferts de la mémoire 253 vers la mémoire 201, et une sous-région d'écriture, distincte de la sous-région de lecture, pour les transferts de la mémoire 201 vers la mémoire 253. Ainsi, le circuit d’accès direct 203 peut comprendre en pratique plusieurs registres mémorisant les paramètres de l’instruction SET_REGION pour une ou plusieurs opérations de type READ ou une ou plusieurs opérations de type WRITE. De manière similaire, les instructions READ et WRITE peuvent comprendre un ou plusieurs bits additionnels permettant de définir des opérations READ type 1 ou type 2 (ou n), et des opérations WRITE type 1, type 2 (ou n). On peut ainsi par exemple prévoir de stocker plusieurs informations de BASE_ADDR pour chaque opération READ et/ou WRITE susceptible d’être requises par le processeur après une ou des instructions initiales SET_REGION permettant de définir les zones de données dans la mémoire externe, ou une autre mémoire, qui devront être considérées lors de l’exécution des opérations de READ ou de WRITE subséquentes.
L'utilisation d'instructions dédiées du type décrit en relation avec la , décodées par un circuit de contrôle interne au circuit d'accès direct 203, permet avantageusement de réduire le temps et le nombre de cycles processeur nécessaires pour transmettre des instructions de transfert au circuit d'accès direct 203. Cette réduction résulte notamment de la compression des adresses rendue possible par la définition, via l'instruction SET_REGION, d'une sous-région d'intérêt (contenant ou destinée à contenir les données d'une matrice) dans le circuit mémoire source ou destination, mais aussi par le fait que l'adressage du circuit mémoire CSRAM 201 est réalisé de façon relative, dans une sous-plage d'adresses connue du circuit d'accès direct.
La illustre schématiquement l'exécution d'une une opération de transfert de données dans le système de la , par exemple définie par une instruction READ_TRANSFER du jeu d'instructions de la .
On a représenté en partie gauche de la figure une sous-région d'intérêt définie au préalable dans la mémoire source 253 au moyen de l'instruction SET_REGION. Sur la , la sous-région est représentée sous forme matricielle (matrice de M lignes par N colonnes), étant entendu que, en pratique, le stockage des valeurs de la matrice dans la mémoire 253 peut être réalisé selon un agencement différent, par exemple un agencement de cellules d'adresses consécutives dans la mémoire, par exemple un agencement de type "row major".
Si prend la forme d’un vecteur dont chaque terme est égal à , on a :
Etape 250 : mise à jour
Au cours de l’étape 250, la distribution de fluorescence est mise à jour selon l’expression :
Ainsi, chaque terme est mis à jour de telle sorte que :
L’opérateur est « est remplacé par ».
L’expression (26) correspond à une mise à jour par un algorithme de type FMN (Factorisation en Matrices non Négatives).
Etape 260 : Réitération des étapes 130 à 250. Le critère d’arrêt d’itérations peut être un nombre d’itérations prédéterminé ou une différence faible entre deux vecteurs successifs avant et après la mise à jour.
Selon une variante, les étapes 170 à 200 consistent non pas à rétropropager l’image reconstruite , mais une image différentielle, représentative d’une comparaison entre l’image reconstruite et l’image acquise . Au cours de l’étape 170, on définit une image différentielle telle que
Les étapes 171 et 172 sont mises en œuvre de façon similaire à ce qui a été préalablement décrit, de façon à définir, en chaque voxel image ’, une amplitude complexe, dite différentielle, telle que :
L’étape 180 préalablement décrite est mise en œuvre en utilisant, en tant que données d’entrées, les amplitudes complexes différentielles telles que décrites dans (29). On obtient ainsi une amplitude différentielle , qui correspond à une émission différentielle de fluorescence, en chaque voxel objet, permettant d’expliquer l’image différentielle .
L’étape 190 est mise en œuvre, de façon à effectuer une répétition de W’ étapes 170 et 180.
L’étape 200 est effectuée, en effectuant, pour chaque voxel objet, une moyenne des W’ carrés des modules des amplitudes différentielle .
On peut ainsi obtenir, en chaque voxel, une intensité différentielle telle que :
Selon ce mode de réalisation, les étapes 210 à 240 ne sont pas mises en œuvre. Lors de l’étape 250, la formule de mise à jour consiste à définir une valeur de permettant de diminuer la norme, par exemple la norme L2, du vecteur L’algorithme d’optimisation peut être un algorithme de type descente de gradient. Il permet de déterminer une distribution de fluorescence qui est utilisée lors d’une réitération des étapes 130 à 200 ainsi que 250.
L’inventeur considère qu’il est préférable qu’une formule de mise à jour de type FMN soit utilisée.
Quel que soit le mode de réalisation, suite à la dernière itération, on obtient une distribution d’intensité de fluorescence, correspondant au vecteur résultant de la dernière itération.
En référence à la , on décrit maintenant l’algorithme de contrôle avec connexion au réseau public.
Suite à une étape de départ (étape E700), le convertisseur acquiert un certain nombre de paramètres (voir ) : étape E701.
Le convertisseur vérifie si un réseau public est présent (étape E702).
Si ce n’est pas le cas, le convertisseur lance l’algorithme de contrôle avec absence de connexion (étape E703).
L’algorithme repasse à l’étape E701.
Si c’est le cas, le convertisseur se synchronise avec le réseau public (étape E704).
Le convertisseur vérifie alors si :
: étape E705.
Si c’est le cas, la puissance de sortie du convertisseur est réglée de sorte que :
: étape E706.
Le convertisseur lance la fonction de protection contre le courant inverse (étape E707). L’algorithme repasse à l’étape E701.
A l’étape E705, si , le convertisseur passe en mode redresseur (étape E708) ; la batterie est chargée par la puissance sur le réseau public. L’algorithme repasse à l’étape E701.
En référence à la , on décrit maintenant l’algorithme de contrôle avec absence de connexion.
Suite à une étape de départ E800, le convertisseur acquiert un certain nombre de paramètres (voir ) : étape E801.
Le convertisseur calcule la puissance nette :
: étape E802.
L’algorithme débute par une étape de départ : étape E800.
Le convertisseur maître global acquiert le nombre de groupes de convertisseurs et les états de charge globaux de chaque convertisseur (étape E801).
Le convertisseur calcule la valeur maximale des états de charge globaux :
(étape E802).