Cellule photovoltaïque (100) comprenant au moins : - un ensemble comprenant au moins une jonction p-n incluant au moins un substrat (102) de semi-conducteur cristallin dopé selon un premier type de conductivité, des première et deuxième couches de passivation (106, 110) recouvrant respectivement des première et deuxième faces principales opposées du substrat (102) et chacune recouvrant également des faces latérales (116) du substrat (102), une première couche collectrice de charges (104) configurée pour extraire et collecter des charges du premier type de conductivité et disposée contre la première couche de passivation (106), et une deuxième couche collectrice de charges (108) configurée pour extraire et collecter des charges d’un deuxième type de conductivité, opposé au premier type de conductivité, et disposée contre la deuxième couche de passivation (110), ledit ensemble comprenant en outre une première face principale (112) disposée du côté de la première face principale du substrat (102) et une deuxième face principale (114) disposée du côté de la deuxième face principale du substrat (102) ; - une première couche d’oxyde transparent conducteur (118) disposée contre une partie de la première face principale (112) de l’ensemble et telle que des bords (120) de la première face principale (112) de l’ensemble ne soient pas recouverts par la première couche d’oxyde transparent conducteur (118) ; - une deuxième couche d’oxyde transparent conducteur (122) recouvrant la totalité de la deuxième face principale (114) de l’ensemble et recouvrant partiellement des premières parties de la première couche collectrice de charges (104) et/ou de la deuxième couche collectrice de charges (108) disposées du côté des faces latérales (116) du substrat (102) ; - des contacts électriquement conducteurs (124, 126) disposés contre les première et deuxième couches d’oxyde transparent conducteur (118, 122) ; - un revêtement antireflet (128) recouvrant au moins partiellement des deuxièmes parties de la première couche collectrice de charges (104) et/ou de la deuxième couche collectrice de charges (108) disposées du côté des faces latérales (116) du substrat (102) et non recouvertes par la deuxième couche d’oxyde transparent conducteur (122), et recouvrant également les bords (120) de la première face principale (112). Cellule photovoltaïque (100) selon la revendication 1, dans lequel le revêtement antireflet (128) recouvre en outre la première couche d’oxyde transparent conducteur (118) et les contacts électriquement conducteurs (124) disposés contre la première couche d’oxyde transparent conducteur (118). Cellule photovoltaïque (100) selon l’une des revendications précédentes, dans lequel le revêtement antireflet (128) est diélectrique et recouvre en outre au moins partiellement la deuxième couche d’oxyde transparent conducteur (122) et les contacts électriquement conducteurs (126) disposés contre la deuxième couche d’oxyde transparent conducteur (122). Cellule photovoltaïque (100) selon l’une des revendications précédentes, dans lequel les bords (120) de la première face principale (112) forment, dans un plan parallèle à la première face principale (112), un contour de largeur inférieure ou égale à 500 µm. Cellule photovoltaïque (100) selon l’une des revendications précédentes, dans lequel le revêtement antireflet (128) comporte au moins l’un des matériaux suivants : nitrure de silicium, oxyde de silicium, oxynitrure de silicium, oxyde de zinc dopé aluminium. Cellule photovoltaïque (100) selon l’une des revendications précédentes, dans lequel le revêtement antireflet (128) comporte un indice de réfraction dont la valeur est comprise entre celle de l’indice de réfraction de la première couche d’oxyde transparent conducteur (118) et celle d’un matériau d’encapsulation de la cellule photovoltaïque (100). Cellule photovoltaïque (100) selon l’une des revendications précédentes, dans lequel le revêtement antireflet (128) forme une couche d’épaisseur comprise entre 5 nm et 100 nm. Cellule photovoltaïque (100) selon l’une des revendications précédentes, dans lequel le semi-conducteur du substrat (102) et des première et deuxième couches collectrices de charges (104, 108) comporte du silicium. Cellule photovoltaïque (100) selon l’une des revendications précédentes, dans lequel : - la cellule photovoltaïque (100) est une cellule à hétérojonction, et - les première et deuxième couches de passivation (106, 110) comportent du semi-conducteur amorphe, ou nanocristallin, ou microcristallin, et non dopé intentionnellement, et - les première et deuxième couches collectrices de charges (104, 108) comportent du semi-conducteur amorphe, ou nanocristallin, ou microcristallin, dopé. Cellule photovoltaïque (100) selon l’une des revendications 1 à 8, dans lequel : - la cellule photovoltaïque (100) est de type TOPCon, et - les première et deuxième couches de passivation (106, 110) correspondent à des couches d’oxyde tunnel, et - les première et deuxième couches collectrices de charges (104, 108) comportent du semi-conducteur polycristallin dopé. Cellule photovoltaïque (100) selon l’une des revendications 1 à 8, dans lequel : - la cellule photovoltaïque (100) est de type tandem sur semi-conducteur, et - le substrat (102), les première et deuxième couches de passivation (106, 110) et les première et deuxième couches collectrices de charges (104, 108) forment une cellule inférieure de la cellule photovoltaïque (100), une face principale de la cellule inférieure formant la deuxième face principale dudit ensemble ; - ledit ensemble comporte en outre une cellule supérieure disposée sur la cellule inférieure, une face principale de la cellule supérieure formant la première face principale dudit ensemble. Cellule photovoltaïque (100) selon la revendication 11, dans lequel la cellule supérieure comporte au moins une couche de matériau de structure pérovskite. Procédé de réalisation d’une cellule photovoltaïque (100), comportant la mise en œuvre des étapes suivantes : - réalisation d’un ensemble comprenant au moins une jonction p-n incluant au moins un substrat (102) de semi-conducteur cristallin dopé selon un premier type de conductivité, des première et deuxième couches de passivation (106, 110) recouvrant respectivement des première et deuxième faces principales opposées du substrat (102) et chacune recouvrant également des faces latérales (116) du substrat (102), une première couche collectrice de charges (104) configurée pour extraire et collecter des charges du premier type de conductivité et disposée contre la première couche de passivation (106), et une deuxième couche collectrice de charges (108) configurée pour extraire et collecter des charges d’un deuxième type de conductivité, opposé au premier type de conductivité, et disposée contre la deuxième couche de passivation (110), ledit ensemble comprenant en outre une première face principale (112) disposée du côté de la première face principale du substrat (102) et une deuxième face principale (114) disposée du côté de la deuxième face principale du substrat (102) ; - réalisation d’une première couche d’oxyde transparent conducteur (118) disposée contre une partie de la première face principale (112) de l’ensemble et telle que des bords (120) de la première face principale (112) de l’ensemble ne soient pas recouverts par la première couche d’oxyde transparent conducteur (118) ; - réalisation d’une deuxième couche d’oxyde transparent conducteur (120) recouvrant la totalité de la deuxième face principale (114) de l’ensemble et recouvrant partiellement des premières parties de la première couche collectrice de charges (104) et/ou de la deuxième couche collectrice de charges (108) disposées du côté des faces latérales (116) du substrat (102) ; - réalisation de contacts électriquement conducteurs (124, 126) disposés contre les première et deuxième couches d’oxyde transparent conducteur (118, 122) ; - réalisation d’un revêtement antireflet (128) recouvrant au moins partiellement des deuxièmes parties de la première couche collectrice de charges (104) et/ou de la deuxième couche collectrice de charges (108) disposées du côté des faces latérales (116) du substrat (102) et non recouvertes par la deuxième couche d’oxyde transparent conducteur (122), et recouvrant également les bords (120) de la première face principale (112). Procédé selon la revendication 13, dans lequel : - les étapes du procédé forment plusieurs cellules photovoltaïques ; - le procédé comporte en outre une étape d’interconnexion électrique des cellules photovoltaïques entre elles, mise en œuvre entre la réalisation des contacts électriquement conducteurs (124, 126) des cellules et la réalisation du revêtement antireflet (128).