INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Ainsi, la couche intermédiaire limite la diffusion ou la migration d'éléments du Groupe III à l'intérieur de la couche mince de silicium formée par la couche supérieure. En d'autres termes, la couche intermédiaire limite la diffusion ou la migration d'éléments du Groupe III à la région superficielle du substrat de Silicium sur Isolant proche des couches épitaxiales de l'hétérostructure de nitrure du Groupe III. La structure semi-conductrice présente de hautes performances à haute puissance et haute fréquence, une résistivité améliorée et une réduction des pertes de puissance et des problèmes de linéarité.
Selon des exemples de mode de réalisation, la couche supérieure comprend du silicium dopé de type n, dans lequel une orientation du silicium dopé de type n de la couche supérieure est (111).
Selon des exemples de modes de réalisation, la couche supérieure comprend du silicium monocristallin.
Ainsi, le silicium monocristallin de la couche supérieure peut être utilisé pour fabriquer par exemple des guides d'ondes optiques et d'autres dispositifs optiques, passifs ou actifs, par exemple par le biais d'implantations appropriées. L'isolant enterré permet par exemple la propagation de lumière infrarouge dans le silicium de la couche supérieure sur la base d'une réflexion interne totale. La surface supérieure des guides d'ondes fabriqués à l'intérieur de la couche supérieure peut être soit laissée non recouverte et exposée à l'air, par exemple pour des applications de détection, soit recouverte d'un revêtement, par exemple constitué de silice.
Selon des exemples de modes de réalisation, l'isolant enterré comprend du carbure de silicium amorphe et la couche riche en pièges comprend du carbure de silicium amorphe.
Ainsi, le carbure de silicium amorphe agit comme une couche riche en pièges et comme barrière contenant la diffusion ou la migration d'éléments du Groupe III depuis les couches épitaxiales de l'hétérostructure de nitrure du Groupe III vers le substrat de Silicium sur Isolant dans une région de surface du substrat de Silicium sur Isolant proche des couches épitaxiales de l'hétérostructure de nitrure du Groupe III, par exemple dans la couche supérieure et facultativement à proximité de l'interface entre la couche intermédiaire et la couche supérieure. En variante, la couche riche en pièges comprend du silicium ou du polysilicium.
Trois structures piézoélectriques circulaires avec différents espacements entre les électrodes interdigitées (50, 20 et 10μm) ont été étudiées plus en détail.
Les couches piézoélectrique 101, 102 sont en PVDF-TRFE et ont une épaisseur de 3 µm.
Les première 110 et deuxième 120 électrodes sont en or et ont une épaisseur de 100 nm. Une couche de titane de 10nm est disposée entre les première et deuxième électrodes et le substrat. Cette épaisseur permet de polariser sous des tensions comprises entre 100 et 1000V.
Les troisième 130 et quatrième électrode 140 sont en PEDOT-PSS et ont une épaisseur de 1µm.
Les couches piézoélectriques 101, 102 des structures ont été polarisées l’une après l’autre de manière à avoir des dipôles opposés. La tension de polarisation peut aller jusqu’à 1000V.
Les cycles d’hystérésis ferroélectriques des trois structures à différentes tensions de polarisation sont représentés sur les figures 14, 15 et 16.
Le tableau ci-dessous répertorie les performances ferroélectriques en fonction de l’espacement L entre les électrodes interdigitées 110, 120. [Table 1] Le fait de diminuer l’espacement permet de diminuer fortement la tension de polarisation et, à tension constante, d’augmenter les performances de la structure capacitive.
Un espacement de 10μm permet d’avoir une polarisation rémanente Pr de 11μC/cm 2 et un champ coercitif Ec de 170V avec une tension d’alignement des dipôles de 400V.
La structure avec un espacement de 20µm a également été testée pour la récupération de l’énergie ( ). Des tensions de l’ordre de 60V sous faible sollicitation mécanique ont été générées en utilisant un circuit en mode suiveur (pour avoir la tension réelle généré).
Nous avons testé une structure classique avec les mêmes dimensions, épaisseurs, surfaces et tensions de polarisation. Avec le même protocole de mesure et les mêmes sollicitations, seulement 6V ont été obtenues ( ).
La représente plusieurs capacités piézoélectriques sur un substrat flexible.
Les performances obtenues avec les structures capacitives selon l’invention sont remarquables et permettent d’envisager d’utiliser cette structure pour des applications marines (utilisation des courants sous-marins pour générer de l’électricité), ou pour des applications où les sollicitations mécaniques sont répétitives, par exemple dans des installations soumises au vent, aux frottements et/ou aux chocs.
Système de stockage d’énergie La présente invention concerne un système de stockage d’énergie.
Les systèmes de stockage d’énergie du commerce sont majoritairement des systèmes basse tension comprenant plusieurs batteries mises en série pour former un bloc de batteries. La tension aux bornes d’un système de stockage d’énergie est la différence de potentiel entre la borne positive et la borne négative du système. En particulier, la illustre un exemple d’un système de stockage d’énergie basse tension délivrant une tension maximale autour de 1500 Volts (V).
Le bloc de batteries de tels systèmes est supporté par un châssis connecté à la terre (aussi appelée masse ou référence 0 Volts). Pour respecter des contraintes d’isolement, il convient que la tension entre, d’une part, la borne positive et la terre, et d’autre part, entre la borne négative et la terre, soit très inférieure à la tension d’isolement du système. La tension d’isolement est généralement définie en valeur efficace pour une minute (RMS - 1 minute) comme étant égale à deux fois la tension maximale plus 1000 V. Dans le cas de la , la tension d’isolement est de 4000 Volts, la tension entre la borne positive et la terre est alors de +750 Volts, et la tension entre la borne négative et la terre de -750 Volts. Ainsi, même en présence d’un court-circuit sur l’une des bornes, la valeur absolue de la tension entre l’autre borne et la terre est au plus de 1500 Volts et reste très inférieure à la tension d’isolement de 4000 Volts.
Si l’on cherche à effectuer une montée en tension de tels systèmes de stockage d’énergie (augmentation de la tension entre la borne positive et la borne négative du système), il est naturel de raccorder plusieurs systèmes de stockage en série, c’est-à-dire plusieurs blocs de batteries en série. Une telle configuration est illustrée par la sur laquelle deux blocs de batteries correspondant à celui de la ont été raccordés en série. La tension maximale atteinte pour le système est alors de 3000 Volts.
Ainsi, l’invention a trait à un système de détection utilisable pour la détection d’un ou plusieurs composés chimiques comprenant :
-un premier support imprégné par des indicateurs de détection distincts aptes à détecter la présence dudit composé chimique ou desdits composés chimiques, caractérisé en ce que chacun desdits indicateurs de détection est réparti sur le support sous forme d’une ou plusieurs zones distinctes, la ou lesdites zones distinctes de chacun desdits indicateurs de détection étant disposée(s) sur le support sans recoupement avec la ou les zones distinctes du ou des autres indicateurs de détection ; et
-un deuxième support destiné au dépôt du milieu, dont on veut déterminer la présence ou l’absence dudit et desdits composés chimiques, ce deuxième support étant en contact avec l’une des faces du premier support.
Grâce à la présence d’indicateurs de détection distincts sans qu’il n’y ait de recoupement de surface entre chacun d’entre eux, cela peut permettre, par un choix approprié d’indicateurs de détection, une détection d’un ou plusieurs composés et, idéalement, lorsqu’il y a plusieurs composés chimiques, éventuellement, une discrimination de composés chimiques distincts, sans que les propriétés de détection (par exemple, les propriétés de virage, lorsque les indicateurs de détection sont des indicateurs colorés) de chacun des indicateurs ne soient altérées par un mélange des indicateurs, qui pourrait de ce fait interagir entre eux et biaiser la détection. Par ailleurs, les systèmes de détection conformes à l’invention sont particulièrement adaptés pour la détection de composés chimiques sous forme liquide, grâce au deuxième support. Enfin, les systèmes de détection de l’invention peuvent permettre, par le choix d’indicateurs colorés appropriés, la discrimination de composés chimiques distincts appartenant à la même famille, tels que, à titre d’exemple non limitatif, les composés organophosphorés (comme ceux de la série G, de la série V ou des agents neurotoxiques organophosphorés récemment ajoutés au Tableau 1 de l’annexe de la convention de l’OIAC pour l’interdiction des armes chimiques S/1821/2019/Rev.1/Add.1 (20 mai 2020)), les vésicants (tels que l’ypérite soufrée, l’ypérite azotée, la léwisite), les toxiques industriels chimiques (tels que l’ammoniac, la chloropicrine), les pesticides.
-les indicateurs colorés pourraient interagir entre eux, rendant la couleur résultante pas forcément prévisible et une réactivité face aux composés chimiques à détecter non garantie ;
-l’identification des composés chimiques serait moins précise et moins aisée à l’œil nu.
Par indicateur de détection, il s’entend, classiquement, une substance chimique capable de se transformer au contact d’au moins un composé chimique que l’on souhaite détecter, cette transformation étant le signe de la présence dudit au moins un composé chimique, cette transformation se matérialisant par un changement de couleur, lorsque l’indicateur de détection est un indicateur coloré (dit également indicateur de détection colorimétrique). Il peut s’agir également d’un indicateur de fluorescence (ou fluorophore), selon sa nature. Plus spécifiquement, lorsque l’indicateur de détection est un indicateur coloré, celui-ci correspond, classiquement, à une substance chimique qui prend au moins une couleur caractéristique en présence d’un composé chimique soit, en d’autres termes, une substance chimique qui présente au moins deux états colorés, un état coloré existant lorsque la substance chimique n’est pas en présence du composé chimique à détecter et au moins un autre état coloré lorsque la substance chimique est en présence du ou des composés chimiques à détecter. L’indicateur de détection peut être constitué d’un ou plusieurs composés permettant la détection.
Par « sans recoupement », il s’entend, classiquement, que la ou les zones distinctes de chacun des indicateurs de détection ne se mélangent pas avec la ou les zones distinctes des autres indicateurs de détection, ce qui n’exclut pas que la ou les zones distinctes de chaque indicateur de détection puissent être, en tout ou partie, juxtaposés avec la ou les zones distinctes du ou des autres indicateurs de détection.
Comme défini ci-dessus, le système de détection utilisable pour la détection d’un ou plusieurs composés chimiques comprend un premier support imprégné par des indicateurs de détection distincts aptes à détecter la présence dudit composé chimique ou desdits composés chimiques, caractérisé en ce que chacun desdits indicateurs de détection est réparti sur le support sous forme d’une ou plusieurs zones distinctes, la ou lesdites zones distinctes de chacun desdits indicateurs de détection étant disposée(s) sur le support sans recoupement avec la ou le zones distinctes du ou des autres indicateurs de détection.
Plus spécifiquement, chacun desdits indicateurs de détection est réparti sur le support sous forme d’une ou plusieurs zones distinctes, la ou lesdites zones distinctes pouvant se présenter sous des formes sensiblement circulaires, rectangulaires ou carrées, étant entendu que d’autres formes peuvent être envisagées, dès lors que qu’il n’y a pas de recoupement entre les zones distinctes pour des indicateurs de détection distincts.
Le premier support constitutif du système de détection peut être, en particulier, un support poreux et, plus spécifiquement, un support en papier, étant entendu que ce support doit être apte à être imprégné par les différents indicateurs de détection pour former les zones distinctes.
Le premier support constitutif comporte classiquement deux faces, une face supérieure comprenant les zones distinctes comprenant les indicateurs de détection et une face inférieure opposée à la face supérieure, la face inférieure étant la face en contact avec le deuxième support.
Avantageusement, les zones distinctes peuvent être cloisonnées en obstruant la porosité du premier support sur les zones qui ne sont pas les zones distinctes, la porosité pouvant être obstruée, plus spécifiquement, par exemple, par de la cire, de la paraffine, un polydiméthylsiloxane ou tous autres moyens pour obstruer la porosité. La porosité ainsi obstruée permet de limiter l’accès à l’analyte (à savoir, le milieu, généralement liquide, dans lequel on veut connaître la présence ou l’absence de composés à analyser) aux zones ainsi obstruées et créer ainsi un circuit fluidique permettant un accès privilégié de l’analyte aux zones distinctes comprenant les indicateurs de détection, lesquelles ne sont pas obstruées.
Le contrôleur 20 tel que proposé pilote la cylindrée de la pompe hydraulique 30 et la vitesse de rotation du moteur électrique 10 de manière réaliser la consigne et à assurer une vitesse de rotation minimale du moteur électrique 10.
Dans la deuxième situation, le serveur S12 extrait, au cours d’une étape E8, le ou les identifiant(s) DADI présent(s) dans le message de sollicitation « Request Mitigation » et vérifie que cet (ces) identifiant(s) DADI est (sont) bien associé(s) au service DPS qu’il contribue à mettre en œuvre. Une telle information est par exemple configurée localement au niveau de chaque serveur de mitigation.
Si le service DPS mis en œuvre par le serveur de mitigation S12 ne correspond pas à un service DPS associé à l’(aux) identifiant(s) DADI extrait(s) du message de sollicitation, cela signifie que le message de sollicitation « Request Mitigation » a été acheminé par erreur au serveur S12 car le service DPS qu’il met en œuvre n’est pas un service DPS retenu par l’entité gestionnaire du domaine client 11 pour mitiger les attaques contre les ressources de ce domaine client indiquées dans le message de signalisation.
Dans ce cas, le serveur de mitigation S12 émet, dans une étape E9, une requête « QUERY_DPS_REGISTRY » à destination du registre DPS_Active_DADI afin d’identifier au moins un serveur de mitigation (S13 ou S14 dans l’exemple de la envisagé ici) habilité à traiter le message de sollicitation « Request Mitigation » et associé à l’identifiant extrait du message de sollicitation.
Dans un autre exemple d’implémentation de l’invention, le serveur de mitigation S12 émet une requête « QUERY_DPS_REGISTRY » à destination du registre DPS_Active_DADI afin d’identifier au moins un serveur de mitigation (S13 ou S14 dans l’exemple de la envisagé ici) habilité et apte à traiter le message de sollicitation « Request Mitigation », et associé à l’identifiant extrait du message de sollicitation. Dans cet exemple, il est supposé une publication en temps réel des informations relatives aux différents serveurs de mitigation ou une interrogation des informations du serveur de mitigation afin de déterminer l’aptitude de ce dernier à traiter le message de sollicitation.
Par exemple, le serveur de mitigation S12 met en œuvre le service de mitigation (DPS1 dans l’exemple envisagé ici) qui est associé à l’identifiant DADI DADI-111 alloué au domaine client 11. On suppose dans cet exemple que l’identifiant DADI extrait du message de sollicitation est l’identifiant DADI-113. En consultant le registre DPS_Active_DADI, le serveur de mitigation S12 constate que l’identifiant DADI DADI-113 ne correspond pas à l’identifiant DADI DADI-111 associé au service DPS1 de mitigation qu’il met en œuvre. Le serveur de mitigation S12 interroge alors le registre DPS_Active_DADI afin d’identifier, au moyen de l’identifiant DADI-113 extrait du message de sollicitation, un serveur de mitigation associé à l’identifiant DADI-113. Il obtient lors de cette étape les données relatives au serveur de mitigation en question (S14 dans l’exemple illustratif envisagé ici).
Dans le cas de figure où l’identifiant DADI extrait par le serveur S12 au cours de l’étape E8 est bien associé au service DPS du serveur de mitigation S12 et que le serveur de mitigation S12 n’est pas habilité à traiter le message de sollicitation, cela veut dire, dans le mode de réalisation décrit ici, qu’un même identifiant DADI est utilisé par plusieurs services DPS (cas non représenté dans la table 2).
En effet, dans cette situation, l’identifiant DADI extrait par le serveur S12 au cours de l’étape E8 identifie des services DPS chargés de protéger le domaine client 11 ; cependant le serveur S12 bien qu’habilité à protéger certaines ressources du domaine client 11 (par ex. 1.2.3.4/32), n’est pas habilité à protéger d’autres ressources (par ex. 11.12.13.14/32) à l’origine du message de sollicitation.
Dans ce cas, dans le mode de réalisation décrit ici, le serveur de mitigation S12 utilise le nom de domaine du domaine client 11 se trouvant par exemple dans le certificat utilisé pour créer l’association (D)TLS requise au préalable pour l’envoi du message de sollicitation « Request Mitigation » comme décrit précédemment, afin d’émettre, dans une étape E10, une requête SVCB à destination du premier registre d’identifiants DADI pour obtenir le ou les identifiants DADI associé(s) au domaine client 11.
A réception du ou des identifiant(s) DADI associé(s) au domaine client 11, le serveur S12, émet ensuite, dans une étape E11, une requête « QUERY_DPS_REGISTRY » à destination du registre DPS_Active_DADI afin d’identifier au moins un serveur de mitigation habilité à traiter le message de sollicitation « Request Mitigation ».
Par exemple, le serveur de mitigation S12 contribue à mettre en œuvre un service de mitigation qui est associé à l’identifiant DADI DADI-111 associé au domaine client 11. L’identifiant DADI extrait du message de sollicitation est l’identifiant DADI-111. Le serveur de mitigation S12 constate que l’identifiant DADI extrait du message de sollicitation, DADI-111, correspond au service DPS qu’il met en œuvre bien qu’il n’est pas capable de traiter ce message de sollicitation.
Le serveur de mitigation S12 interroge alors le premier registre d’identifiants DADI afin d’identifier le domaine client 11 associé à l’identifiant DADI-111 extrait du message de sollicitation reçu. Le serveur de mitigation obtient du premier registre d’identifiants DADI que l’identifiant DADI-111 est associé au domaine client 11. Le serveur de mitigation S12 obtient également l’information selon laquelle le domaine client 11 est associé en outre aux identifiants DADI-113 et DADI-112.
Le serveur de mitigation S12 interroge ensuite le registre DPS_Active_DADI afin d’identifier, au moyen de l’identifiant DADI-111 extrait du message de sollicitation et le cas échéant, des identifiants DADI-113 et DADI-112 obtenus en interrogeant le registre d’identifiants DADI, un autre serveur de mitigation contribuant à mettre en œuvre ici un service DPS différent du service DPS mis en œuvre par le serveur de mitigation S12 mais qui est également associé à l’identifiant DADI-111 extrait du message de sollicitation, ou à un autre identifiant DADI-113 ou DADI-112 associé à un service de mitigation protégeant les ressources du domaine client 11.
Dans une variante de réalisation, le serveur de mitigation S12 interroge le registre DPS_Active_DADI afin d’identifier, au moyen de l’identifiant DADI-111 extrait du message de sollicitation uniquement un autre serveur de mitigation contribuant à mettre en œuvre un service DPS différent du service DPS mis en œuvre par le serveur de mitigation S12 mais qui est également associé à l’identifiant DADI-111 extrait du message de sollicitation.
La mise en œuvre de l’une ou l’autre des variantes peut dépendre d’accords éventuels passés entre le domaine client et les services de protection DPS, ou entre les services de protection DPS entre eux, etc.
Plus particulièrement, le serveur de mitigation S12 peut obtenir les informations de localisation des serveurs de mitigation habilités et susceptibles de répondre à la demande de mitigation initiale. La transmission de tout ou partie des informations qui identifient le ou les fournisseurs de services DPS qui exploitent lesdits serveurs de mitigation au serveur de mitigation S12 est conditionnée par l’existence éventuelle d’accords passés entre les différents fournisseurs de services DPS. Ainsi, le serveur de mitigation S12 peut n’avoir accès qu’aux informations de contact des fournisseurs de services DPS partenaires, selon les identifiants DADI associés à leurs clients, et qui figurent dans le registre DPS_Active_DADI.
En réponse à une requête « QUERY_DPS_REGISTRY », qu’elle ait été émise au cours de l’étape E7, E9 ou E11, le serveur de mitigation S12 reçoit, au cours d’une étape E12, un message en provenance du registre DPS_Active_DADI.
Le procédé d’activation décrit ci-dessus est applicable quels que soient le type, la forme et les dimensions de la cellule photovoltaïque 20. En particulier, il est applicable aussi bien à des cellules photovoltaïques de pleine taille (par exemple au format carré ou pseudo carré 156 mm x 156 mm), dont les bords n’auraient pas été (ou pas suffisamment) passivé, qu’à des fractions (ou morceaux) de cellules photovoltaïques, appelées ci-après sous-cellules et obtenues par découpage.
La cellule photovoltaïque 20 peut être une cellule à hétérojonction de silicium (SHJ), une cellule dite « tandem » comprenant une cellule à hétérojonction de silicium et une cellule à pérovskites empilées l’une sur l’autre ou une cellule à homojonction de silicium, par exemple de type PERT (pour « passivated emitter and rear totally diffused » en anglais) ou TOPCon (pour « tunnel oxide passivated contact » en anglais).
Une cellule SHJ comprend du silicium amorphe qui est connu pour se dégrader au-delà d’une température seuil. Cette température seuil, dite de dégradation du silicium amorphe, peut être comprise entre 190 °C et 320 °C suivant le mode de dépôt du silicium amorphe notamment (on parle de cellule « basse température »). Elle est par exemple égale à 220 °C.
Dans le cas d’une cellule SHJ, les paramètres E, V et L du procédé d’activation sont préférentiellement choisis de sorte que la température de plateau T plateau (atteinte dans une majeure partie de la première face 20a et notamment au centre de la première face 20a sur les figures 3 et 5 ou au centre des moitiés supérieure et inférieure de la première face 20a sur la ) soit inférieure ou égale à une température de dégradation de la cellule SHJ, et de préférence inférieure ou égale à 220 °C. La température de dégradation de la cellule SHJ est de préférence égale à la température de dégradation du silicium amorphe. Toutefois, un autre matériau pourrait limiter la température de dégradation de la cellule SHJ.
Les paramètres E, V et L sont en outre avantageusement choisis de sorte que la température maximale T max (atteinte au bord où se situe par la couche de passivation 10) soit comprise entre 200 °C et 350 °C. Une portion de cellule SHJ peut supporter une température maximale T max supérieure à la température de dégradation seulement pendant un temps d’exposition donné. Par exemple, à 280 °C, la cellule SHJ n’est pas dégradée si le temps d’exposition est inférieur à 30 s.