INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Selon un deuxième aspect, l’invention concerne un système de caractérisation d’un déchet nucléaire comprenant des moyens de traitement de données configurés pour obtenir une image d’un déchet nucléaire, et classifier le déchet nucléaire représenté par l’image parmi une pluralité de classes de type de déchet nucléaire et/ou parmi une pluralité de classes de caractéristiques relatives à la composition de déchet nucléaire par application à l’image d’au moins un modèle de classification appris de manière supervisée sur une base d’apprentissage.
Les moyens de traitement de données sont configurés pour associer un identifiant du déchet nucléaire à la classe du déchet nucléaire.
Selon un troisième aspect, l’invention concerne un produit programme d’ordinateur comprenant des instructions de code pour l’exécution d’un procédé selon le premier aspect de caractérisation d’un déchet nucléaire.
La représente un système de gestion de déchets nucléaires comprenant un système de caractérisation d’un déchet nucléaire selon un mode de réalisation possible de l’invention, La est un organigramme détaillé d’un procédé de gestion de déchets nucléaires comprenant un procédé de caractérisation d’un déchet nucléaire selon un mode de réalisation possible de l’invention, La est un organigramme simplifié d’un procédé de caractérisation d’un déchet nucléaire selon un mode de réalisation possible de l’invention, La est un diagramme représentant le cheminement des données dans le cadre d’une classification d’un déchet nucléaire selon un mode de réalisation possible de l’invention, La représente schématiquement des dispositions possibles de formes simplifiées déchets nucléaires dans une modélisation de conteneur.
DESCRIPTION DETAILLEE Architecture En référence à la , l’invention propose un procédé de caractérisation d’un déchet nucléaire 1 par un système de caractérisation d’un déchet nucléaire 110. Le système de caractérisation d’un déchet nucléaire 110 fait de préférence partie d’un système de gestion de déchets nucléaires 100. Le système de gestion de déchets nucléaires 100 comprend donc le système de caractérisation d’un déchet nucléaire 110.
L’adaptation du facteur d’échelle globale en facteurs d’échelle locaux est réalisée par l’application d’un jeu de règles. Ces règles s’appuient sur les données d’unité acoustique détectée par le moteur de reconnaissance automatique de la parole.
Les données d’unité acoustique contiennent dans leur version la plus simple au moins les éléments suivants : marqueur de temps de départ de l’unité acoustique dans le signal audio comprenant de la parole, marqueur de temps de fin de l’unité acoustique dans le signal audio comprenant de la parole, type d’unité acoustique (silence ou unité phonatoire appartenant à un mot).
Ces données peuvent également comprendre un ou plusieurs des éléments suivants : le mot associé à l’unité acoustique le cas échéant, l’unité phonatoire associée à l’unité acoustique, une ou plusieurs caractéristiques de l’unité phonatoire associée à l’unité acoustique, la place de l’unité phonatoire associée à l’unité acoustique dans le mot associé le cas échéant, la durée de l’unité acoustique, un indice de confiance déterminé par le moteur de reconnaissance automatique de la parole 6 pour l’unité acoustique.
Dans l’exemple décrit ici, le jeu de règles comprend des règles distinctes selon que l’unité acoustique est du type silence ou du type unité phonatoire appartement à un mot. Bien que des règles spécifiques soient présentées ici et ont été identifiées par la Demanderesse comme particulièrement avantageuses pour produire un signal audio modifié de meilleure qualité que les méthodes de l’art antérieur, d’autres règles pourront être envisagées et/ou ajoutées.
Comme on le verra plus bas, l’invention repose sur la combinaison de l’affinage du facteur d’échelle global en facteurs d’échelle locaux adaptés pour chaque unité acoustique avec un traitement par un procédé de modification temporelle à base d’addition et recouvrement (« Overlap and add » ou « OLA » en anglais). Les recherches de la Demanderesse ont établi que les procédés de type PSOLA (décrits par exemple dans l’article de Moulines, Eric, and Francis Charpentier. “ Pitch-Synchronous Waveform Processing Techniques for Text-to-Speech Synthesis Using Diphones. ” Speech Communication, vol. 9, no. 5, 1990, pp. 453–467) ou WSOLA (décrits par exemple dans l’article de Driedger J. et Müller M. “ A Review of Time-Scale Modification of Music Signals ” Applied Sciences. 2016 ; 6(2) :57. https://doi.org/10.3390/app6020057) sont particulièrement adaptés et donnent de très bons résultats avec un bon compromis en termes de coûts de calcul. Toutes les données liées au paramétrage du ou des procédés à base d’addition et recouvrement ainsi que les données générées au cours de leur exécution forment les données de procédé à base d’addition et recouvrement.
Le résultat du traitement du signal audio comprenant de la parole avec les facteurs d’échelle locaux et le procédé à base d’addition et recouvrement est une suite de fenêtres temporelles associées à des instants du signal audio comprenant de la parole et reproduites à des instants de synthèse choisis. Ces données portent la référence 16 sur la .
Le signal audio modifié est obtenu par addition et recouvrement de ces fenêtres par le synthétiseur 12. Ces données portent la référence 18 sur la . Il apparaît donc que les données de signal audio modifié sont aussi bien définies par les données qui sont le résultat final de cette synthèse que par la suite d’instants du signal audio comprenant de la parole ensemble avec des paramètres définissant la manière d’extraire les fenêtres et de les réorganiser.
Dans l’exemple décrit ici, le moteur de reconnaissance automatique de la parole 6, un adaptateur 8, le modificateur 10 et le synthétiseur 12 accèdent directement ou indirectement à la mémoire 4. Ils peuvent être réalisés sous la forme d’un code informatique approprié exécuté sur un ou plusieurs processeurs. Par processeurs, il doit être compris tout processeur adapté aux calculs décrits plus bas. Un tel processeur peut être réalisé de toute manière connue, sous la forme d’un microprocesseur pour ordinateur personnel, d’une puce dédiée de type FPGA ou SoC, d’une ressource de calcul sur une grille ou dans le cloud, d’une grappe de processeurs graphiques (GPUs), d’un microcontrôleur, ou de toute autre forme propre à fournir la puissance de calcul nécessaire à la réalisation décrite plus bas. Un ou plusieurs de ces éléments peuvent également être réalisés sous la forme de circuits électroniques spécialisés tel un ASIC. Une combinaison de processeur et de circuits électroniques peut également être envisagée.
D’une manière générale, la description de la suite d’opérations exécutées lors du fonctionnement du dispositif 2 pour générer la suite d’instants du signal audio comprenant de la parole et/ou le signal audio modifié définit un procédé mis en œuvre par ordinateur selon l’invention.
La représente un exemple de mise en œuvre d’une fonction traitant le signal audio comprenant de la parole dans le dispositif de la . Dans ce premier mode de réalisation, le modificateur 10 met en œuvre un procédé de type PSOLA.
Dans une opération 200, la fonction commence par la réception du signal audio comprenant de la parole S(t).
Ce signal est fourni à trois branches simultanément, bien que la troisième ne fonctionne que lorsque les deux premières ont convergé ensemble.
Ainsi, dans une première branche, le signal S(t) fait l’objet d’une analyse par le moteur de reconnaissance automatique de la parole, avec l’exécution d’une fonction ASR() dans une opération 210 par le moteur de reconnaissance automatique de la parole 6.
Dans l’exemple décrit ici, la fonction ASR() est basée sur une librairie de reconnaissance automatique de la parole appelée Vosk modifiée pour permettre de récupérer, en plus des mots, les éléments phonatoires qui les composent. Des informations concernant cette librairie peuvent être trouvées à l’adresse https://web.archive.org/web/20211124115527/https://alphacephei.com/vosk.
Dans l’exemple décrit ici, la fonction ASR() est agencée pour récupérer l’ensemble des données décrites en référence aux données d’unité acoustique. En variante, elle pourrait se limiter à la version minimale décrit plus haut. Les données en sortie de la fonction ASR() pourraient être stockées dans la mémoire 4 en tant que métadonnées réutilisables plus tard. En effet, cette fonction représente la partie la plus significative du coût de calcul de mise en œuvre de l’invention, et ses résultats ne dépendent pas du facteur d’échelle global. Il pourrait donc être intéressant de les récupérer lors d’un nouveau traitement du même signal.
Une fois les données d’unité acoustique déterminées, l’adaptateur 8 exécute dans une opération 220 une fonction Alphadapt() qui reçoit comme arguments d’une part le facteur d’échelle global, et d’autre part les données d’unité acoustique de l’opération 210.
À cet effet, la croissance latérale du silicium monocristallin est privilégiée à sa croissance verticale. La croissance latérale correspond ici à une croissance horizontale du silicium monocristallin. Un tel procédé est connu sous l’acronyme ELOG ( « Epitaxial Lateral Over-Growth » ). Par exemple, par rapport à la croissance épitaxiale mise en œuvre pour remplir l'ouverture 170, la croissance latérale est privilégiée en changeant la composition chimique du gaz à partir duquel le silicium monocristallin est déposé et/ou la température de ce gaz et/ou la pression de ce gaz. Par exemple, le procédé de croissance latérale du silicium décrit dans l’article de D. D Rathman, précédemment cité, convient.
La croissance latérale est interrompue seulement après que la totalité du logement 118 ait été remplie de silicium monocristallin. À ce stade, l’épaisseur de la couche 180 est supérieure à la profondeur du logement 118. Ainsi, la couche 180 comporte une surépaisseur en saillie au-dessus de la face supérieure 114.
Lors d’une sous-opération 182 ( ), la surépaisseur de la couche 180 qui dépasse au-dessus de la face supérieure 114 est éliminée, par exemple, par polissage mécano-chimique. Cette sous-opération 182 est par exemple identique à la sous-opération 142.
Une fois cette surépaisseur éliminée, l’état de fabrication représenté sur la est obtenu. Plus précisément, à l’issue de l’étape 176, une couche 186 en silicium monocristallin a été créée. Cette couche est par exemple identique à la couche 146. À ce stade, l’opération 176 et l’étape 166 sont terminées.
La suite des étapes du deuxième procédé est identique à celles décrites dans le cas du premier procédé de fabrication.
Un troisième procédé de fabrication est illustré à l’aide de la . Le troisième procédé de fabrication est identique au deuxième procédé de fabrication sauf que lors de l’opération 168, plusieurs ouvertures 170 régulièrement espacées les unes des autres sont formées dans le fond 120 du logement 118.
Dans ce cas, l’étape 172 conduit à former plusieurs germes cristallins sur le fond 120. Ensuite, lors de la sous-opération 178, le silicium monocristallin croît latéralement à partir de chacun de ces germes cristallins. La croissance latérale est poursuivie jusqu’à ce que les différents blocs de silicium monocristallin qui croissent chacun à partir d’un germe cristallin respectif s’interpénètrent. Grâce à cela, il est possible de remplir complètement et plus rapidement le logement 118.
La réunion des différents blocs forme alors la couche 180 qui remplit complètement le logement 118.
Un quatrième procédé de fabrication est illustré à l’aide de la . La et les suivantes sont des coupes verticales, parallèles aux directions X et Z, passant par la partie du guide 6 situé sous la couche en matériau semi-conducteur cristallin fabriquée.
Ce quatrième procédé de fabrication est par exemple identique au premier ou au deuxième procédé de fabrication sauf que : - le matériau de germination cristalline est du germanium, et - le matériau semi-conducteur cristallin est aussi du germanium.
Ainsi, selon ce quatrième procédé de fabrication, le plot 60 est remplacé par un plot 200 et la couche 146 est remplacée par une couche 202. Le plot 200 et la couche 202 sont identiques, respectivement, au plot 60 et à la couche 146 sauf qu’ils sont réalisés en germanium cristallin.
Dans ce procédé de fabrication, le paramètre de maille du matériau de germination cristalline n’est pas identique à celui du silicium monocristallin mais seulement similaire à celui du silicium monocristallin. Par conséquent, des défauts apparaissent lors de l’étape de dépôt, par croissance épitaxiale, du germanium à l’intérieur de l’ouverture 130 ou 170. Toutefois, la distance entre les plans P sup4 et P infSC est suffisamment grande pour que ces défauts restent piégés à l’intérieur de l’ouverture 130 ou 170 et n’affectent pas la qualité du germe cristallin formé sur le fond 120 du logement 118. Ce phénomène de piégeage est connu sous l’acronyme ART ( « Aspect Ratio Trapping » ). Pour exploiter au mieux le phénomène ART dans le cas où l’ouverture est une tranchée, cette tranchée est disposée par rapport au substrat 4 pour que les défauts se propagent principalement dans le sens de la largeur de la tranchée et non pas dans le sens de sa longueur. Sur la , la direction de propagation de certains défauts est représentée par des traits 204.
Lorsque le quatrième procédé de fabrication est mis en œuvre, le guide 14 est remplacé par un guide identique mais réalisé en germanium.
Un cinquième procédé de fabrication est illustré à l’aide de la . La est identique à la sauf que la couche 202 est remplacée par une couche 208 en alliage GaAs cristallin.
Le cinquième procédé de fabrication est identique au quatrième procédé de fabrication sauf que, lors de l’épitaxie latérale, le matériau semi-conducteur cristallin qui croît à partir du germe cristallin en germanium formé sur le fond 120 du logement 118 est ici un matériau semi-conducteur cristallin dont les paramètres de maille ne sont pas identiques au paramètre de maille du germe cristallin mais seulement similaires. Ici, le matériau semi-conducteur cristallin est l'alliage GaAs.
Un sixième procédé de fabrication est illustré à l’aide de la . La est identique à la sauf que le plot 200 est remplacé par un plot 210 et la couche 202 est remplacée par une couche 212. Le plot 210 est identique au plot 60 sauf que : - il est réalisé dans un matériau III-V, par exemple, ici du InP, et - son extrémité inférieure est en forme de pointe et s’enfonce à l’intérieur du substrat 4.
Depuis les années 1970, la prise de conscience des effets environnementaux et sanitaires engendrés par les aérosols a été à l’origine de développements technologiques nouveaux, afin de mieux évaluer les risques associés.
Les particules d’origine biologique transportées par le vent, comme les pollens et les moisissures, sont présentes dans l’air atmosphérique. Selon leur potentiel allergisant, ces particules peuvent provoquer des symptômes d’allergie chez les personnes sensibles. En Europe, on estime que 20% de la population souffre d’allergie aux pollens et/ou aux moisissures. Les allergies saisonnières aux pollens sont donc un problème de santé public.
En disposant d’une information fiable en temps réel sur les pollens présents dans l’air atmosphérique, il serait possible de mieux adapter les traitements des personnes souffrant des allergies afférentes.
La mesure de particules de pollens dans l’air atmosphérique est une mesure très particulière de par leurs tailles (diamètre en général de l’ordre de 20 à 40 μm), leurs morphologies (formes très variées) et leurs faibles concentrations dans l’air relativement aux particules plus fines notamment les particules, appelées PM2.5, dont le diamètre aérodynamique est inférieur à 2,5 μm.
Typiquement, sur ce dernier point, la concentration de pollens dans l’air atmosphérique peut être de l’ordre de 500 pollens/m 3 au plus fort de la saison pollinique, tandis que celle des PM2.5 est de 10 6 /m 3 .
Il existe actuellement plusieurs méthodes et systèmes afférents permettant l’identification de grains de pollens.
Depuis de nombreuses années, la méthode de référence pour mesurer les concentrations de particules biologiques est la méthode dite Hirst : des capteurs volumétriques, aspirent un flux d’air en continu, les particules biologiques aspirées dont les pollens venant impacter une bande sous la forme d’un disque adhésif tournant. La collecte dure en moyenne 1 semaine. Le disque adhésif est ensuite récupéré par un opérateur et l’identification est réalisée exclusivement par l’observation au microscope optique par un opérateur formé à la reconnaissance des pollens. Il y a donc en moyenne 10 jours de délai pour obtenir la concentration des pollens à un moment donné. Cette méthode Hirst souffre donc d’un délai trop long et elle nécessite d’avoir recours à un technicien expérimenté ce qui augmente les coûts et introduit potentiellement des erreurs de mesure.
D’autres méthodes et systèmes afférents permettant des mesures automatisées à des fins de numération et identification de pollens avec des temps de réponse beaucoup plus courts voient actuellement le jour.
On peut classer essentiellement en trois catégories les solutions déjà existantes pour réaliser la numération et identification de pollens.
La première solution consiste essentiellement à aspirer l’air ambiant, à collecter par impact sur un disque adhésif des particules de pollens puis à faire une analyse d’images de ce disque, obtenues par microscope optique et une reconnaissance par traitements d’images automatiques à base de reconnaissance de formes.
On peut citer par exemple le détecteur de pollens commercialisé sous la dénomination «BAA500 » par la société Hund, qui comprend une caméra à capteur CCD (acronyme anglo-saxon pour « Charge Coupled Device » et une unité de traitement d’images qui extrait les paramètres morphologiques de chaque particule collectée. Ce détecteur peut analyser jusqu’à un disque par heure.
La deuxième solution consiste également à aspirer l’air ambiant et à caractériser chimiquement les particules aspirées à partir de techniques spectrométriques Raman et spectroscopie infrarouge à transformée de Fourier ou spectroscopie IRTF (acronyme anglo-saxon FTIR pour « Fourier Transform InfraRed spectroscopy »).
On peut citer par exemple l’appareil commercialisé sous la dénomination « Rapid-E » par la société PLAIR, dans lequel les particules aspirées passent une à une devant deux lasers dont un infrarouge et un ultraviolet. L’illumination infrarouge permet d’étudier la diffusion élastique pouvant varier entre deux espèces de pollens. Les ultra-violets permettent l’excitation d’éléments fluorescents endogènes. Un spectre est mesuré ainsi qu’une mesure du temps de vie de la fluorescence.
L’appareil commercialisé sous la dénomination «KH300 » par la société SHINYEI, est analogue mais exclusivement destiné à la détection des pollens de cèdre japonais : il comprend un laser devant lequel chaque particule de pollen aspirée passe. L’intensité de la lumière diffusée par celle-ci est mesurée par deux photodétecteurs agencés sous deux angles différents. Le rapport des intensités mesurées permet de différencier les pollens de cèdre des autres particules.
La demande de brevet WO 2021/136889 A1 divulgue une méthode consistant à aspirer l’air ambiant puis à mesurer, sous différents angles, au moyen de photodétecteurs, l’intensité de diffusion de la lumière engendrée par le passage d’une particule aspirée de pollen dans un faisceau lumineux. Pour un angle donné, la diffusion est dominée par certaines caractéristiques de la particule telle que sa taille, son indice de réfraction, sa morphologie... Une comparaison des rapports de valeurs mesurées entre elles à une base de données permet la discrimination des différentes espèces de pollens.
Enfin, les pollens peuvent être identifiés par une caractérisation biomoléculaire et identification de séquences d’ADN. Toutefois cette approche est plus complexe que les analyses purement optiques précitées en ce que l’ADN des pollens doit être extrait puis mélangé à des réactifs, coûteux et conservés à basse température, en des quantités très précises puis chauffés pendant au moins 10 minutes. Ces caractérisations sont ainsi plutôt menées en laboratoire par du personnel qualifié.
Sur la , un seul dipôle basse fréquence 112 a été représenté mais on comprendra que l’autre dipôle basse fréquence du dispositif antennaire 102 selon la pourra également être équipé des mêmes pièges quart d’onde.
Plus généralement, tout ou partie des dipôles basse fréquences du réseau basse pourra être équipée d’un ou plusieurs pièges quart d’onde.
Selon l’exemple illustré à la , un piège quart d’onde 150 est disposé sur chaque tube 112b constitutif du pied du dipôle basse fréquence 112.
Par exemple, chaque piège quart d’onde 150 est constitué d’un corps cylindrique métallique creux. Chaque corps cylindrique 150 a une extrémité formant une section fermée en contact direct avec la surface extérieure du tube 112b constitutif du pied du dipôle. L’autre extrémité 150b du corps cylindrique 150 forme une section ouverte. Chaque corps cylindrique 150 est disposé autour du tube 112b associé.
Les pièges quart d’onde 150 associés aux dipôles basse fréquence 112 sont conçus pour créer une haute impédance sur les tubes 112b, précisément à l’endroit de l’extrémité 150b formant une section ouverte, et pour limiter ainsi la contribution des dipôles basse fréquence 104 au rayonnement du réseau haute fréquence 106.
Chaque piège quart d’onde 150 est configuré pour fonctionner dans une bande de fréquences autour de la fréquence d’intérêt, i.e. la fréquence centrale f c de la bande du service utilisée par le réseau basse fréquence 104. De préférence, la fréquence d’intérêt f=f c est telle que sa longueur d’onde correspondante équivaut à quatre fois la longueur du piège quart d’onde 150. Autrement dit, le piège quart d’onde 150 a une longueur L5 qui est liée à la fréquence d’intérêt f selon l’expression suivante f=c/(4×L5), où c=3.10 8 m/s.
Ainsi configuré, le piège quart d’onde 150 a pour effet d’éviter ou au moins de limiter une déformation des diagrammes de rayonnement azimutaux du réseau haute fréquence 106, sur sa bande de fréquences de fonctionnement.
Selon l’exemple de la , les inventeurs ont observé une amélioration significative des diagrammes de rayonnement du réseau haute fréquence 106, sur environ 10% de sa bande passante relative, entre une fréquence minimale (f min ) égale à 174 MHz et une fréquence maximale (f max ) égale à 192 MHz, ladite bande passante relative étant exprimée par f max -f min /f c . Toutefois, ce résultat variera en fonction des dimensions du piège.
De préférence, chacun de ces pièges quart d’onde 150 a une longueur L5 environ égale à un quart d’une longueur d’onde associée à la fréquence de fonctionnement du réseau basse fréquence 104.
Par exemple, le piège quart d’onde 150 est configuré pour rejeter une plage de fréquences pour laquelle le diagramme de rayonnement du réseau basse fréquence 104 est susceptible d’être impacté par la présence des tubes 112b constitutifs des pieds des dipôles basse fréquence 112.
Dans l’exemple illustré, chaque corps cylindrique a une section circulaire. Toutefois, dans d’autres réalisations (non représentées), cette section pourra être adaptée en fonction de la forme de la section du pied du dipôle. Par exemple, la section pourra être choisie de forme carrée, rectangulaire ou elliptique.
Avantageusement, le corps cylindrique est tronqué longitudinalement suivant un plan horizontal (X,Y), c’est-à-dire parallèlement à la dimension d’extension du pied 112b du dipôle basse fréquence 112. Ainsi, le corps cylindrique 150 comprend une partie plane 150a (i.e. partie tronquée) s’étendant sur toute la longueur L5 du corps, de sorte que le corps est asymétrique.
Avantageusement, les deux corps cylindriques tronqués 150 sont disposés respectivement sur les tubes 112b constitutifs du pied, de sorte que les parties planes (tronquées) 150a soient en regard l’une de l’autre, comme illustré sur la . Un tel agencement permet de limiter les effets capacitifs entre les pièges quart d’onde d’un même dipôle.