Procédé pour la formation d’un film contenant Si et un élément du groupe V sur un substrat, le procédé comprenant : l’exposition du substrat à une vapeur d’une composition filmogène qui contient un précurseur contenant Si et un élément du groupe V ; et le dépôt d’au moins une partie du précurseur contenant Si et un élément du groupe V sur le substrat pour former le film contenant Si et un élément du groupe V sur le substrat par le biais d’un procédé de dépôt en phase vapeur, le précurseur contenant Si et un élément du groupe V possédant la formule générale A étant un élément du groupe V choisi parmi P, As, Sb et Bi ; a = 1 à 6 ; b = 1 à 6 ; c = 1 à 6 ; a ≠ b ≠ c ; m = 1 à 3 ; n = 1 à 2, p = 1 à 2, n + p = 2 à 3 ; R étant choisi parmi un groupe alkyle, alcényle, alcynyle linéaire, ramifié ou cyclique, en C 1 à C 10 ; à la condition que si A = As, alors As(SiH 3 ) 3 est exclu ; si A = P, alors P(SiH 3 ) 3 , P(SiH 3 ) 2 (Si 2 H 5 ), P(SiH 3 )(Si 2 H 5 ) 2 , P(Si 2 H 5 ) 3 , et P(SiH 3 ) 2 (TMS) sont exclus ; et si A = Sb, alors Sb(SiH 3 ) 3 est exclu. Procédé selon la revendication 1, le précurseur contenant Si et un élément du groupe V étant choisi parmi P(SiH 3 ) 3 , P(SiR 3 )(SiH 3 ) 2 , P(SiR 3 ) 2 (SiH 3 ), P(SiR 3 )(Si 2 H 5 ) 2 , P(SiR 3 ) 2 (Si 2 H 5 ), P(Si 2 H 5 ) 3 , P(SiR 3 )(Si 3 H 7 ) 2 , P(SiR 3 ) 2 (Si 3 H 7 ), P(Si 3 H 7 ) 3 , As(SiH 3 ) 3 , As(SiR 3 )(SiH 3 ) 2 , As(SiR 3 ) 2 (SiH 3 ), As(SiR 3 )(Si 2 H 5 ) 2 , As(SiR 3 ) 2 (Si 2 H 5 ), As(Si 2 H 5 ) 3 , As(SiR 3 )(Si 3 H 7 ) 2 , As(SiR 3 ) 2 (Si 3 H 7 ), As(Si 3 H 7 ) 3 , Sb(SiH 3 ) 3 , Sb(SiR 3 )(SiH 3 ) 2 , Sb(SiR 3 ) 2 (SiH 3 ), Sb(SiR 3 )(Si 2 H 5 ) 2 , Sb(SiR 3 ) 2 (Si 2 H 5 ), Sb(Si 2 H 5 ) 3 , Sb(SIR 3 )(Si 3 H 7 ) 2 , Sb(SiR 3 ) 2 (Si 3 H 7 ), Sb(Si 3 H 7 ) 3, P(SiR 3 )(SiH 3 )(Si 2 H 5 ), P(SiR 3 )(SiH 3 )(Si 3 H 7 ), P(SiH 3 ) 2 (Si 2 H 5 ), P(SiH 3 ) 2 (Si 3 H 7 ), P(SiH 3 )(Si 2 H 5 ) 2 , P(SiH 3 )(Si 2 H 5 )(Si 3 H 7 ), P(SiH 3 )(Si 3 H 7 ) 2 , P(Si 2 H 5 ) 2 (Si 3 H 7 ), P(Si 2 H 5 )(Si 3 H 7 ) 2 , As(SiR 3 )(SiH 3 )(Si 2 H 5 ), As(SiR 3 )(SiH 3 )(Si 3 H 7 ), As(SiH 3 ) 2 (Si 2 H 5 ), As(SiH 3 ) 2 (Si 3 H 7 ), As(SiH 3 )(Si 2 H 5 ) 2 , As(SiH 3 )(Si 2 H 5 )(Si 3 H 7 ), As(SiH 3 )(Si 3 H 7 ) 2 , As(Si 2 H 5 ) 2 (Si 3 H 7 ), As(Si 2 H 5 )(Si 3 H 7 ) 2 , Sb(SiR 3 )(SiH 3 )(Si 2 H 5 ), Sb(SiR 3 )(SiH 3 )(Si 3 H 7 ), Sb(SiH 3 ) 2 (Si 2 H 5 ), Sb(SiH 3 ) 2 (Si 3 H 7 ), Sb(SiH 3 )(Si 2 H 5 ) 2 , Sb(SiH 3 )(Si 2 H 5 )(Si 3 H 7 ), Sb(SiH 3 )(Si 3 H 7 ) 2 , Sb(Si 2 H 5 ) 2 (Si 3 H 7 ), et Sb(Si 2 H 5 )(Si 3 H 7 ) 2 , R étant choisi parmi Me, Et, nPr, iPr, tBu, nBu, iBu et sBu. Procédé selon la revendication 2, le précurseur contenant Si et un élément du groupe V étant choisi parmi, lorsque R = Me, P(TMS)(SiH 3 ) 2 , P(TMS) 2 (SiH 3 ), P(TMS)(Si 2 H 5 ) 2 , P(TMS) 2 (Si 2 H 5 ), P(TMS)(Si 3 H 7 ) 2 , P(TMS) 2 (Si 3 H 7 ), P(Si 3 H 7 ) 3 , As(TMS)(SiH 3 ) 2 , As(TMS) 2 (SiH 3 ), As(TMS)(Si 2 H 5 ) 2 , As(TMS) 2 (Si 2 H 5 ), As(Si 2 H 5 ) 3 , As(TMS)(Si 3 H 7 ) 2 , As(TMS) 2 (Si 3 H 7 ), As(Si 3 H 7 ) 3 , Sb(TMS)(SiH 3 ) 2 , Sb(TMS) 2 (SiH 3 ), Sb(TMS)(Si 2 H 5 ) 2 , Sb(TMS) 2 (Si 2 H 5 ), Sb(Si 2 H 5 ) 3 , Sb(TMS)(Si 3 H 7 ) 2 , Sb(TMS) 2 (Si 3 H 7 ), Sb(Si 3 H 7 ) 3, P(TMS)(SiH 3 )(Si 2 H 5 ), P(TMS)(SiH 3 )(Si 3 H 7 ), P(SiH 3 ) 2 (Si 3 H 7 ), P(SiH 3 )(Si 2 H 5 )(Si 3 H 7 ), P(SiH 3 )(Si 3 H 7 ) 2 , P(Si 2 H 5 ) 2 (Si 3 H 7 ), P(Si 2 H 5 )(Si 3 H 7 ) 2 , As(TMS)(SiH 3 )(Si 2 H 5 ), As(TMS)(SiH 3 )(Si 3 H 7 ), As(SiH 3 ) 2 (Si 2 H 5 ), As(SiH 3 ) 2 (Si 3 H 7 ), As(SiH 3 )(Si 2 H 5 ) 2 , As(SiH 3 )(Si 2 H 5 )(Si 3 H 7 ), As(SiH 3 )(Si 3 H 7 ) 2 , As(Si 2 H 5 ) 2 (Si 3 H 7 ), As(Si 2 H 5 )(Si 3 H 7 ) 2 , Sb(TMS)(SiH 3 )(Si 2 H 5 ), Sb(TMS)(SiH 3 )(Si 3 H 7 ), Sb(SiH 3 ) 2 (Si 2 H 5 ), Sb(SiH 3 ) 2 (Si 3 H 7 ), Sb(SiH 3 )(Si 2 H 5 ) 2 , Sb(SiH 3 )(Si 2 H 5 )(Si 3 H 7 ), Sb(SiH 3 )(Si 3 H 7 ) 2 , Sb(Si 2 H 5 ) 2 (Si 3 H 7 ), et Sb(Si 2 H 5 )(Si 3 H 7 ) 2 . Procédé selon la revendication 1, le précurseur contenant Si et un élément du groupe V étant choisi dans le groupe constitué par P(Si 3 H 7 ) 3 , P(SiH 3 ) 2 (Si 3 H 7 ), P(SiH 3 )(Si 2 H 5 ) 2 , P(SiH 3 )(Si 2 H 5 )(Si 3 H 7 ), P(SiH 3 )(Si 3 H 7 ) 2 , P(Si 2 H 5 ) 2 (Si 3 H 7 ) et P(Si 2 H 5 )(Si 3 H 7 ) 2 . Procédé selon la revendication 1, le procédé de dépôt en phase vapeur comprenant un processus CVD, un processus ALD, un processus d’épitaxie, ou des combinaisons correspondantes. Procédé selon la revendication 1, la composition filmogène étant activée en chauffant le substrat à une température dans la plage de 200 °C à 1 000 °C, en activant par plasma le précurseur contenant Si et un élément du groupe V, ou une combinaison correspondante. Procédé selon la revendication 1, comprenant en outre l’étape d’exposition du substrat à un coréactif. Procédé selon la revendication 7, le coréactif étant activé par plasma. Procédé selon la revendication 7, le coréactif étant non activé par plasma. Procédé selon la revendication 7, le coréactif étant un gaz contenant de l’oxygène choisi parmi O 2 , O 3 , H 2 O, H 2 O 2 , NO, N 2 O, NO 2 , des radicaux O, un alcool, des silanols, des aminoalcools, des acides carboxyliques, du paraformaldéhyde, ou des combinaisons correspondantes. Procédé selon la revendication 7, le coréactif étant un gaz contenant de l’azote choisi parmi NH 3 , N 2 , H 2 , N 2 /H 2 , H 2 et NH 3 , N 2 et NH 3 , NH 3 et N 2 H 4 , NO, N 2 O, des amines, la trisilylamine, des silazanes, ou des combinaisons correspondantes. Procédé selon la revendication 7, le coréactif étant au moins un précurseur secondaire choisi parmi des silanes et des polysilanes, des alkylsilanes, des halogénosilanes (MCS, DCS, TCS, SiCl 4 ), des polyhalogénopolysilanes, un germane, un chlorogermane, un digermane, des polygermanes, des halogénogermanes, des phosphines, des boranes ou des gaz contenant un halogénure. Procédé selon la revendication 7, le coréactif étant un gaz de dilution choisi parmi Ar, He, N 2 , H 2 et des combinaisons correspondantes. Procédé selon la revendication 1, le film contenant Si et un élément du groupe V étant un film contenant du silicium dopé par P. Procédé selon la revendication 7, comprenant en outre l’étape de recuit de la couche contenant Si et un élément du groupe V par recuit thermique, recuit au fourneau, recuit thermique rapide, durcissement par des UV ou par un faisceau d’électrons, et/ou exposition à un gaz de plasma. Procédé selon la revendication 1, le substrat étant une poudre. Procédé selon la revendication 16, la poudre comprenant l’un ou plusieurs parmi un NMC (oxyde de lithium-nickel-manganèse-cobalt), un LCO (oxyde de lithium-cobalt), un LFP (phosphate de lithium-fer), et d’autres matériaux de cathode de batterie. Composition filmogène pour le dépôt d’un film comprenant un précurseur contenant Si et un élément du groupe V possédant la formule : A étant un élément du groupe V choisi parmi P, As, Sb et Bi ; a = 1 à 6 ; b = 1 à 6 ; c = 1 à 6 ; a ≠ b ≠ c ; m = 1 à 3 ; n = 1 à 2, p = 1 à 2, n + p = 2 à 3 ; R étant choisi parmi un groupe alkyle, alcényle, alcynyle linéaire, ramifié ou cyclique, en C 1 à C 10 ; à la condition que si A = As, alors As(SiH 3 ) 3 est exclu ; si A = P, alors P(SiH 3 ) 3 , P(SiH 3 ) 2 (Si 2 H 5 ), P(SiH 3 )(Si 2 H 5 ) 2 , P(Si 2 H 5 ) 3 , et P(SiH 3 ) 2 (TMS) sont exclus ; et si A = Sb, alors Sb(SiH 3 ) 3 est exclu. Composition selon la revendication 18, le précurseur contenant un élément du groupe V étant choisi parmi P(SiH 3 ) 3 , P(SiR 3 )(SiH 3 ) 2 , P(SiR 3 ) 2 (SiH 3 ), P(SiR 3 )(Si 2 H 5 ) 2 , P(SiR 3 ) 2 (Si 2 H 5 ), P(Si 2 H 5 ) 3 , P(SiR 3 )(Si 3 H 7 ) 2 , P(SiR 3 ) 2 (Si 3 H 7 ), P(Si 3 H 7 ) 3 , As(SiH 3 ) 3 , As(SiR 3 )(SiH 3 ) 2 , As(SiR 3 ) 2 (SiH 3 ), As(SiR 3 )(Si 2 H 5 ) 2 , As(SiR 3 ) 2 (Si 2 H 5 ), As(Si 2 H 5 ) 3 , As(SiR 3 )(Si 3 H 7 ) 2 , As(SiR 3 ) 2 (Si 3 H 7 ), As(Si 3 H 7 ) 3 , Sb(SiH 3 ) 3 , Sb(SiR 3 )(SiH 3 ) 2 , Sb(SiR 3 ) 2 (SiH 3 ), Sb(SiR 3 )(Si 2 H 5 ) 2 , Sb(SiR 3 ) 2 (Si 2 H 5 ), Sb(Si 2 H 5 ) 3 , Sb(SIR 3 )(Si 3 H 7 ) 2 , Sb(SiR 3 ) 2 (Si 3 H 7 ), Sb(Si 3 H 7 ) 3, P(SiR 3 )(SiH 3 )(Si 2 H 5 ), P(SiR 3 )(SiH 3 )(Si 3 H 7 ), P(SiH 3 ) 2 (Si 2 H 5 ), P(SiH 3 ) 2 (Si 3 H 7 ), P(SiH 3 )(Si 2 H 5 ) 2 , P(SiH 3 )(Si 2 H 5 )(Si 3 H 7 ), P(SiH 3 )(Si 3 H 7 ) 2 , P(Si 2 H 5 ) 2 (Si 3 H 7 ), P(Si 2 H 5 )(Si 3 H 7 ) 2 , As(SiR 3 )(SiH 3 )(Si 2 H 5 ), As(SiR 3 )(SiH 3 )(Si 3 H 7 ), As(SiH 3 ) 2 (Si 2 H 5 ), As(SiH 3 ) 2 (Si 3 H 7 ), As(SiH 3 )(Si 2 H 5 ) 2 , As(SiH 3 )(Si 2 H 5 )(Si 3 H 7 ), As(SiH 3 )(Si 3 H 7 ) 2 , As(Si 2 H 5 ) 2 (Si 3 H 7 ), As(Si 2 H 5 )(Si 3 H 7 ) 2 , Sb(SiR 3 )(SiH 3 )(Si 2 H 5 ), Sb(SiR 3 )(SiH 3 )(Si 3 H 7 ), Sb(SiH 3 ) 2 (Si 2 H 5 ), Sb(SiH 3 ) 2 (Si 3 H 7 ), Sb(SiH 3 )(Si 2 H 5 ) 2 , Sb(SiH 3 )(Si 2 H 5 )(Si 3 H 7 ), Sb(SiH 3 )(Si 3 H 7 ) 2 , Sb(Si 2 H 5 ) 2 (Si 3 H 7 ), et Sb(Si 2 H 5 )(Si 3 H 7 ) 2 , R étant choisi parmi Me, Et, nPr, iPr, tBu, nBu, iBu et sBu. Composition selon la revendication 19, le précurseur contenant Si et un élément du groupe V, lorsque R = Me, étant choisi parmi P(TMS)(SiH 3 ) 2 , P(TMS) 2 (SiH 3 ), P(TMS)(Si 2 H 5 ) 2 , P(TMS) 2 (Si 2 H 5 ), P(TMS)(Si 3 H 7 ) 2 , P(TMS) 2 (Si 3 H 7 ), P(Si 3 H 7 ) 3 , As(TMS)(SiH 3 ) 2 , As(TMS) 2 (SiH 3 ), As(TMS)(Si 2 H 5 ) 2 , As(TMS) 2 (Si 2 H 5 ), As(Si 2 H 5 ) 3 , As(TMS)(Si 3 H 7 ) 2 , As(TMS) 2 (Si 3 H 7 ), As(Si 3 H 7 ) 3 , Sb(TMS)(SiH 3 ) 2 , Sb(TMS) 2 (SiH 3 ), Sb(TMS)(Si 2 H 5 ) 2 , Sb(TMS) 2 (Si 2 H 5 ), Sb(Si 2 H 5 ) 3 , Sb(TMS)(Si 3 H 7 ) 2 , Sb(TMS) 2 (Si 3 H 7 ), Sb(Si 3 H 7 ) 3, P(TMS)(SiH 3 )(Si 2 H 5 ), P(TMS)(SiH 3 )(Si 3 H 7 ), P(SiH 3 ) 2 (Si 3 H 7 ), P(SiH 3 )(Si 2 H 5 )(Si 3 H 7 ), P(SiH 3 )(Si 3 H 7 ) 2 , P(Si 2 H 5 ) 2 (Si 3 H 7 ), P(Si 2 H 5 )(Si 3 H 7 ) 2 , As(TMS)(SiH 3 )(Si 2 H 5 ), As(TMS)(SiH 3 )(Si 3 H 7 ), As(SiH 3 ) 2 (Si 2 H 5 ), As(SiH 3 ) 2 (Si 3 H 7 ), As(SiH 3 )(Si 2 H 5 ) 2 , As(SiH 3 )(Si 2 H 5 )(Si 3 H 7 ), As(SiH 3 )(Si 3 H 7 ) 2 , As(Si 2 H 5 ) 2 (Si 3 H 7 ), As(Si 2 H 5 )(Si 3 H 7 ) 2 , Sb(TMS)(SiH 3 )(Si 2 H 5 ), Sb(TMS)(SiH 3 )(Si 3 H 7 ), Sb(SiH 3 ) 2 (Si 2 H 5 ), Sb(SiH 3 ) 2 (Si 3 H 7 ), Sb(SiH 3 )(Si 2 H 5 ) 2 , Sb(SiH 3 )(Si 2 H 5 )(Si 3 H 7 ), Sb(SiH 3 )(Si 3 H 7 ) 2 , Sb(Si 2 H 5 ) 2 (Si 3 H 7 ), et Sb(Si 2 H 5 )(Si 3 H 7 ) 2 . Composition selon la revendication 18, une pureté du précurseur contenant Si et un élément du groupe V étant > 98 %. Composition selon la revendication 18, ladite composition étant une composition filmogène humide pour le revêtement par centrifugation d’un film, le précurseur contenant Si et un élément du groupe V possédant au moins 5 atomes de Si. Composition filmogène humide selon la revendication 22, le précurseur contenant Si et un élément du groupe V possédant la volatilité la plus basse étant choisis pour rester dans le film filé pendant l’étape de recuit et se décomposer in situ . Composition filmogène humide selon la revendication 22, comprenant en outre un coréactif qui est un polysilane ou un mélange de polysilanes possédant 5 ou plus de 5 atomes de silicium. Composition filmogène humide selon la revendication 24, le polysilane étant le cyclopentasilane ou le cyclohexasilane. Composition filmogène humide selon la revendication 22, comprenant en outre un solvant. Composition filmogène humide selon la revendication 22, le film filé étant un film de Si amorphe ou polycristallin. Procédé pour la formation d’un film de Si épitaxial dopé par un élément du groupe V sur un substrat, le procédé comprenant : le maintien du substrat à une température prédéterminée correspondant à une température de dépôt ou à une température proche de celle-ci ; l’exposition du substrat à un mélange d’une vapeur d’une composition filmogène qui contient un précurseur contenant Si et un élément du groupe V et d’une vapeur d’un coréactif de type polysilane ; et le dépôt d’au moins une partie du précurseur contenant Si et un élément du groupe V sur le substrat pour former le film de Si épitaxial dopé par un élément du groupe V sur le substrat par le biais d’un procédé de CVD, le précurseur contenant Si et un élément du groupe V possédant la formule générale : A étant un élément du groupe V choisi parmi P, As, Sb et Bi ; a = 1 à 6 ; b = 1 à 6 ; c = 1 à 6 ; a ≠ b ≠ c ; m = 1 à 3 ; n = 1 à 2, p = 1 à 2, n + p = 2 à 3 ; R étant choisi parmi un groupe alkyle, alcényle, alcynyle linéaire, ramifié ou cyclique, en C 1 à C 10 ; à la condition que si A = As, alors As(SiH 3 ) 3 est exclu ; si A = P, alors P(SiH 3 ) 3 , P(SiH 3 ) 2 (Si 2 H 5 ), P(SiH 3 )(Si 2 H 5 ) 2 , P(Si 2 H 5 ) 3 , et P(SiH 3 ) 2 (TMS) sont exclus ; et si A = Sb, alors Sb(SiH 3 ) 3 est exclu. Procédé selon la revendication 28, le mélange comprenant un gaz dilué choisi parmi Ar, He, N 2 , H 2 et des combinaisons correspondantes. Procédé selon la revendication 28, le coréactif de type polysilane étant un germane. Procédé selon la revendication 28, la température prédéterminée et la température de dépôt se situant dans la plage de 200ºC à 1 000ºC. Procédé selon la revendication 28, le film de Si épitaxial dopé par un élément du groupe V étant un film de Si épitaxial dopé par P, lorsque A est P.