Procédé de transfert d’une couche utile (1) sur un substrat support (2), comportant les étapes successives : a) prévoir un substrat donneur (3), réalisé dans un diamant cristallin, et comprenant une première surface (30) ; b) implanter des espèces gazeuses (4), comprenant des atomes d’hydrogène ionisé, à travers la première surface (30) du substrat donneur (3), selon une dose donnée d’implantation et une température donnée d’implantation adaptées pour former une zone plane graphitique (5) au sein du substrat donneur (3), la couche utile (1) étant délimitée par la zone plane graphitique (5) et la première surface (30) du substrat donneur (3) ; c) assembler le substrat donneur (3) au substrat support (2) par une adhésion directe avec la première surface (30) du substrat donneur (3) ; d) appliquer un recuit thermique à l’assemblage obtenu à l’issue de l’étape c), selon un budget thermique adapté pour fracturer le substrat donneur (3) suivant la zone plane graphitique (5), de manière à exposer la couche utile (1) ; le budget thermique présentant une température de recuit supérieure ou égale à 800°C ; procédé dans lequel la température donnée d’implantation, notée T, vérifie : T > T min , où T min est une température minimale au-delà de laquelle un bullage des espèces gazeuses (4) implantées s’opère à la première surface (30) du substrat donneur (3) lorsque le substrat donneur (3) est soumis, en l’absence d’un effet raidisseur, à un recuit thermique selon un budget thermique identique à celui de l’étape d), T min étant prédéterminée en fonction de la dose donnée d’implantation ; et T max , où T max est une température maximale au-delà de laquelle la dose donnée d’implantation ne permet plus de former la zone plane graphitique (5) au sein du substrat donneur (3). Procédé selon la revendication 1, dans lequel le budget thermique du recuit thermique appliqué lors de l’étape d) présente une température de recuit comprise entre 800°C et 1200°C, de préférence comprise entre 800°C et 1100°C, plus préférentiellement comprise entre 850°C et 1000°C. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le budget thermique du recuit thermique appliqué lors de l’étape d) présente une durée de recuit comprise entre 30 minutes et 7 heures, de préférence comprise entre 45 minutes et 75 minutes. Procédé selon l’une des revendications 1 à 3, dans lequel la température donnée d’implantation à laquelle est exécutée l’étape b) est strictement supérieure à 250°C, de préférence strictement supérieure à 280°C. Procédé selon l’une des revendications 1 à 4, dans lequel la température donnée d’implantation à laquelle est exécutée l’étape b) est strictement inférieure à 400°C, de préférence strictement inférieure à 380°C. Procédé selon l’une des revendications 1 à 5, dans lequel l’étape b) est exécutée de sorte que la dose donnée d’implantation est strictement supérieure à 10 17 at.cm -2 , de préférence comprise entre 3.10 17 at.cm -2 et 4.10 17 at.cm - 2 . Procédé selon l’une des revendications 1 à 6, dans lequel les espèces gazeuses (4) sont implantées lors de l’étape b) selon une énergie d’implantation supérieure à 30 keV. Procédé selon l’une des revendications 1 à 7, dans lequel l’étape b) est l’unique étape d’implantation des espèces gazeuses (4) à travers la première surface (30) du substrat donneur (3). Procédé selon l’une des revendications 1 à 8, comportant une étape c’) consistant à appliquer un recuit thermique à l’assemblage obtenu à l’issue de l’étape c), selon un budget thermique adapté pour renforcer l’interface de collage entre la première surface (30) du substrat donneur (3) et le substrat support (2) sans initier la fracture du substrat donneur (3) suivant la zone plane graphitique (5) ; l’étape c’) étant exécutée avant l’étape d), le recuit thermique étant appliqué lors de l’étape d) à l’assemblage obtenu à l’issue de l’étape c’). Procédé selon l’une des revendications 1 à 9, dans lequel l’étape c) est précédée d’une étape c 0 ) consistant à former une couche superficielle (6) sur la première surface (30) du substrat donneur (3), l’étape c 0 ) étant exécutée après l’étape b), la couche superficielle (6) étant une couche d’oxyde ou une couche métallique ; le substrat donneur (3) étant assemblé au substrat support (2) lors de l’étape c) par une adhésion directe avec la couche superficielle (6).