La représente schématiquement une section transversale d'un exemple de mode de réalisation d'une structure semi-conductrice 1 selon la présente invention, dans laquelle la section transversale est réalisée le long d'un plan comprenant une direction de croissance 2, et une direction transversale 3 qui est transversale à la direction de croissance 2. Une troisième direction 4 est transversale à la direction de croissance 2 et à la direction transversale 3. Les composants dont les références numériques sont identiques à celles de la remplissent la même fonction. La structure semi-conductrice 1 comprend un substrat de Silicium sur Isolant 101 et un empilement de couches semi-conductrices III-N épitaxiales 202 sur le dessus du substrat de Silicium sur Isolant 101. Le substrat de Silicium sur Isolant 101 comprend une couche de base 10, une couche intermédiaire 11 formée sur le dessus de la couche de base 10, et une couche supérieure 12 formée sur le dessus de la couche intermédiaire 11. La couche de base 10 comprend du silicium. La résistivité de la couche de base 10 est typiquement comprise entre 3 et 5 kOhm.cm, et supérieure à 1 kOhm.cm. L'empilement de couches semi-conductrices III-N épitaxiales 202 comprend une couche active épitaxiale 20. La couche active épitaxiale 20 comprend une première couche III-N active 21 formée sur le dessus de la couche supérieure 12 et une deuxième couche III-N active formée sur le dessus de la première couche III-N active 21. La première couche III-N active 21 comprend par exemple du nitrure de gallium et la deuxième couche III-N active 22 comprend par exemple du nitrure de d'aluminium gallium. Un Gaz d'Electrons bidimensionnel 200 est formé entre la première couche III-N active 21 et la deuxième couche III-N active 22. La couche supérieure 12 comprend du silicium dopé de type n. Une orientation du silicium de la couche supérieure 12 est (111). La concentration en dopant de type n de la couche supérieure 12 se situe dans la plage de 1.10 15 cm -3 à 5.10 15 cm -3 . Une épaisseur de la couche supérieure 12 est comprise entre 50 et 200 nm. Selon une variante de réalisation, une épaisseur de la couche supérieure 12 est inférieure à 100 nm. La couche intermédiaire 11 comprend une couche riche en pièges 111 et un isolant enterré 121 formé sur le dessus de la couche riche en pièges 111. L'isolant enterré 121 comprend une couche 131 comprenant du nitrure de silicium confinée entre deux couches 132 ; 133 comprenant de l'oxyde de silicium et la couche riche en pièges 111 comprend du carbure de silicium, par exemple du carbure de silicium amorphe. Selon une variante de réalisation, l'isolant enterré 121 comprend du dioxyde de silicium et la couche riche en pièges 111 comprend du carbure de silicium, par exemple du carbure de silicium amorphe. Une épaisseur de l'isolant enterré 121 est comprise entre 100 nm et 500 nm. Une épaisseur de la couche riche en pièges 111 peut par exemple être de quelques dizaines de nanomètres. Selon une autre variante de réalisation, l'isolant enterré 121 comprend du dioxyde de silicium et la couche riche en pièges 111 comprend du silicium. Une épaisseur de la couche riche en pièges 111 peut par exemple être de plusieurs micromètres.