Structure semi-conductrice (1) comprenant : un substrat de Silicium sur Isolant (101) comprenant : -une couche de base (10) comprenant du silicium ; -une couche intermédiaire (11) formée sur le dessus de ladite couche de base (10) ; et -une couche supérieure (12) formée sur le dessus de ladite couche intermédiaire (11) ; un empilement de couches semi-conductrices III-N épitaxiales (202) sur le dessus dudit substrat de Silicium sur Isolant (101), ledit empilement de couches semi-conductrices III-N épitaxiales (202) comprenant une couche active épitaxiale (20) ; dans laquelle ladite couche active épitaxiale (20) comprend : -une première couche III-N active (21) formée sur le dessus de ladite couche supérieure (12) ; -une deuxième couche III-N active (22) formée sur le dessus de ladite première couche III-N active (21) ; avec un Gaz d'Electrons bidimensionnel (200) entre ladite première couche III-N active (21) et ladite deuxième couche III-N active (22) ; et dans laquelle : -ladite couche supérieure (12) comprend du silicium dopé de type n ; et -ladite couche intermédiaire (11) comprend : -une couche riche en pièges (111) ; et -un isolant enterré (121) formé sur le dessus d'une couche riche en pièges (111). Structure semi-conductrice (1) selon la revendication 1, dans laquelle une concentration en dopant de type n de ladite couche supérieure (12) se situe dans la plage de 1.10 15 cm -3 à 5.10 15 cm -3 . Structure semi-conductrice (1) selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans laquelle une épaisseur de ladite couche supérieure (12) est comprise entre 50 et 200 nm. Structure semi-conductrice (1) selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans laquelle une orientation dudit silicium dopé de type n de ladite couche supérieure (12) est (111). Structure semi-conductrice (1) selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans laquelle ledit isolant enterré (121) comprend du dioxyde de silicium et dans laquelle ladite couche riche en pièges (111) comprend du silicium. Structure semi-conductrice (1) selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans laquelle ledit isolant enterré (121) comprend du dioxyde de silicium et dans laquelle ladite couche riche en pièges (111) comprend du carbure de silicium amorphe. Structure semi-conductrice (1) selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans laquelle ledit isolant enterré (121) comprend une couche (131) comprenant du nitrure de silicium confiné entre deux couches (132 ; 133) comprenant de l'oxyde de silicium ; et dans laquelle ladite couche riche en pièges (111) comprend du carbure de silicium amorphe. Structure semi-conductrice (1) selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans laquelle une épaisseur dudit isolant enterré (121) est comprise entre 100 nm et 500 nm. Structure semi-conductrice (1) selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans laquelle ledit empilement de couches semi-conductrices III-N épitaxiales (202) comprend en outre une couche d'espacement (23) formée entre ladite première couche III-N active (21) et ladite deuxième couche III-N active (22). Structure semi-conductrice (1) selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans laquelle ladite première couche III-N active (21) comprend du nitrure de gallium et dans laquelle ladite deuxième couche III-N active (22) comprend du nitrure d'aluminium gallium. Structure semi-conductrice (1) selon les revendications 9 et 10, dans laquelle ladite couche d'espacement (23) comprend du nitrure d'aluminium. Procédé de fabrication d'une structure semi-conductrice (1), dans lequel ledit procédé comprend les étapes consistant à : fournir un substrat de silicium sur isolant (101), cela consistant à : -fournir une couche de base (10) comprenant du silicium ; -fournir une couche intermédiaire (11) sur le dessus de ladite couche de base (10) par les étapes consistant à : fournir une couche riche en pièges (111) ; et fournir un isolant enterré (121) formé sur le dessus de ladite couche riche en pièges (111) ; et -fournir une couche supérieure (12) comprenant du silicium dopé de type n et formée sur le dessus de ladite couche intermédiaire (11) ; fournir un empilement de couches semi-conductrices III-N épitaxiales (202) sur le dessus dudit substrat de Silicium sur Isolant (101), ledit empilement de couches semi-conductrices III-N épitaxiales (202) comprenant une couche active épitaxiale (20) ; dans lequel la fourniture de ladite couche active épitaxiale (20) comprend les étapes consistant à : fournir une première couche III-N active (21) sur le dessus de ladite couche supérieure (12) ; fournir une deuxième couche III-N active (22) sur le dessus de ladite première couche III-N active (21) ; pour former ainsi un Gaz d'Electrons bidimensionnel (200) entre ladite première couche III-N active (21) et ladite deuxième couche III-N active (22). Procédé selon la revendication 12, dans lequel ladite fourniture d'une couche supérieure (12) comprenant du silicium dopé de type n comprend le dopage dudit silicium de ladite couche supérieure (12) par diffusion thermique de dopants de type n dans ledit silicium de ladite couche supérieure (12). Procédé selon la revendication 12, dans lequel ladite fourniture d'une couche supérieure (12) comprenant du silicium dopé de type n comprend le dopage dudit silicium de ladite couche supérieure (12) par implantation ionique de dopants de type n dans ledit silicium de ladite couche supérieure (12). Procédé selon l'une quelconque des revendications 12 à 14, dans lequel lesdits dopants de type n comprennent un ou plusieurs des éléments suivants : Phosphore ; Arsenic ; Antimoine.