Procédé de fabrication de circuits intégrés (CI) à partir d’une plaquette (PLQ) en substrat semiconducteur (SUB) comprenant : - une formation des circuits intégrés (CI), chaque circuit intégré (CI) comportant une zone active électriquement (ZA), - une formation d’une structure de protection (SP) thermiquement conductrice autour des zones actives (ZA) des différents circuits intégrés (CI) dans des chemins de découpe (SCRB), la structure de protection (SP) étant située entre les zones actives électriquement (ZA) desdits circuits intégrés et une zone d’ablation laser (GRV) des chemins de découpe (SCRB), puis - une séparation des circuits intégrés (CI) par découpe de la plaquette (PLQ) en substrat semiconducteur (SUB) selon les chemins de découpe (SCRB), la découpe comportant une ablation laser, dans la zone d’ablation laser (GRV), puis une gravure chimique ou une découpe physique. Procédé selon la revendication 1 dans lequel la formation de la structure de protection (SP) comporte une formation d’un empilement (EPL) continu ou discontinu d’éléments métalliques (P_EPL, V_EPL) autour des zones actives des différents circuits intégrés. Procédé selon la revendication 2, dans lequel la formation de la structure de protection comporte également une formation d’un épaulement (STP) du substrat semiconducteur (SUB) autour des zones actives des différents circuits intégrés. Procédé selon la revendication 2, dans lequel la formation de la structure de protection (SP) comporte en outre une formation d’au moins une tranchée (TRCH) en polysilicium s’étendant au moins en partie en profondeur dans le substrat semiconducteur (SUB). Procédé selon la revendication 4, dans lequel la structure de protection (SP) comporte plusieurs tranchées (TRCH) en polysilicium. Procédé selon l’une quelconque des revendications 4 ou 5, dans lequel ladite au moins une tranchée (TRCH) en polysilicium s’étend de manière continue autour de la zone active (ZA) des circuits intégrés (CI). Procédé selon la revendication 5, dans lequel les tranchées (TRCH) s’étendent de manière discontinue autour de la zone active (ZA) des circuits intégrés (CI), les tranchées étant agencées de sorte qu’au moins une tranchée est en regard du chemin de découpe (SCRB) en tout point autour de la zone active (ZA) des circuits intégrés (CI). Procédé selon l’une des revendications 1 à 7, dans lequel la formation de chaque circuit intégré (CI) comporte une formation d’un anneau de bord de puce (SR) entourant ladite zone active (ZA), la structure de protection (SP) étant formée entre la zone d’ablation laser (GRV) et les anneaux de bord de puce (SR). Procédé selon l’une des revendications 1 à 8, dans lequel la gravure effectuée après l’ablation laser est une gravure au plasma. Procédé selon l’une des revendications 1 à 9 dans lequel la formation de la structure de protection (SP) est effectuée simultanément à une formation d’autres composants du circuit intégré (CI). Circuit intégré formé sur un substrat semiconducteur (SUB), le circuit intégré comportant une zone active électriquement (ZA) et une structure de protection (SP) thermiquement conductrice, ladite structure de protection (SP) s’étendant en bordure du circuit intégré (CI) autour de la zone active électriquement (ZA). Circuit intégré selon la revendication 11, dans lequel la structure de protection (SP) comporte un empilement (EPL) continu ou discontinu d’éléments métalliques (P_EPL, V_EPL) autour de la zone active du circuit intégré. Circuit intégré selon la revendication 12, dans lequel la structure de protection comporte également un épaulement (STP) de substrat semiconducteur (SUB) autour de la zone active du circuit intégré. Circuit intégré selon la revendication 12, dans lequel la structure de protection (SP) comporte en outre au moins une tranchée (TRCH) en polysilicium s’étendant au moins en partie en profondeur dans le substrat semiconducteur (SUB) autour de la zone active du circuit intégré. Circuit intégré selon la revendication 14, dans lequel la structure de protection (SP) comporte plusieurs tranchées (TRCH) en polysilicium. Circuit intégré selon l’une quelconque des revendications 14 ou 15, dans lequel ladite au moins une tranchée (TRCH) en polysilicium s’étend de manière continue autour de la zone active (ZA) du circuit intégré (CI). Circuit intégré selon la revendication 15, dans lequel les tranchées (TRCH) en polysilicium s’étendent de manière discontinue autour de la zone active (ZA) du circuit intégré, les tranchées (TRCH) étant agencées de sorte qu’au moins une tranchée est en regard de la zone active en tout point autour de la zone active. Circuit selon l’une des revendications 11 à 17, dans lequel le circuit intégré (CI) comporte en outre un anneau de bord de puce (SR) entourant ladite zone active (ZA), la structure de protection (SP) étant formée autour de l’anneau de bord de puce (SR). Circuit selon l’une des revendications 11 à 18 dans lequel la structure de protection (SP) est composée d’éléments thermiquement conducteurs identiques à d’autres composants du circuit intégré (CI).