INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Selon un aspect de l’invention, il est proposé un système de régulation d’une circulation d’un fluide, comprenant un éjecteur ayant une entrée dite primaire configurée pour être reliée à une source d’un premier fluide par une ligne fluidique d’alimentation dans laquelle le premier fluide est destiné à circuler, une entrée dite secondaire configurée pour être reliée à une ligne fluidique de circulation dans laquelle un deuxième fluide est destiné à circuler, une sortie configurée pour être reliée à une ligne fluidique de sortie dans laquelle un mélange des premier et deuxième fluides est destiné à circuler, l’éjecteur étant configuré pour générer, par un effet Venturi, une aspiration du deuxième fluide lorsque l’entrée primaire est alimentée par le premier fluide.
Le système comporte : un dispositif de régulation d’une pression dite de sortie du mélange, le dispositif de régulation comprenant : un clapet monté mobile entre une première position, fermée, dans laquelle le clapet empêche une communication fluidique entre l’entrée primaire et la source, et une deuxième position, ouverte, dans laquelle le clapet autorise une communication fluidique entre l’entrée primaire et la source, et une chambre principale délimitée en partie au moins par un diaphragme couplé mécaniquement au clapet de sorte qu’un déplacement du diaphragme provoque un déplacement du clapet d’une position vers l’autre, la chambre principale étant reliée à la ligne fluidique de sortie de sorte que la pression de sortie et la chambre principale présentent les mêmes pressions.
En outre, le système est configuré de sorte à déplacer le clapet vers la première position fermée lorsque la pression de sortie du mélange est strictement supérieure à un seuil de pression et à déplacer le clapet vers la deuxième position ouverte lorsque la pression de sortie du mélange est strictement inférieure au seuil de pression.
Ainsi, on fournit un système de régulation permettant de contrôler de manière passive la pression du fluide en sortie de l’éjecteur, c’est-à-dire sans utiliser nécessairement un contrôle électronique. Avantageusement, le système permet d’obtenir un fluide en sortie de l’éjecteur ayant une pression suffisamment stable quel que soit le débit du premier fluide. Le système proposé permet ainsi d’améliorer considérablement les performances de régulation du fluide et par voie de conséquence les performances d’un équipement tel qu’une pile à combustible munie de ce système de régulation.
Selon un autre aspect, il est proposé un équipement électrochimique, comprenant au moins une pile à combustible comportant un circuit de distribution principal configuré pour distribuer un fluide principal à une électrode principale de la pile à combustible. L’équipement électrochimique comporte au moins un système de régulation tel que défini ci-avant, la sortie de l’éjecteur du système de régulation étant relié à un collecteur d’entrée du circuit de distribution principal, et l’entrée secondaire de l’éjecteur étant relié à un collecteur de sortie du circuit de distribution principal. Les performances d’une telle pile à combustible s’en trouvent considérablement améliorées.
Selon un autre aspect, il est proposé un procédé de régulation d’une circulation d’un fluide, comprenant une fourniture d’un système de régulation tel que défini ci-avant.
Le premier empilement planaire 10 comprend deux électrodes supérieures 121, 122, séparées l’une de l’autre, sans contact électrique direct entre elles. Chaque électrode supérieure 121, 122 est reliée électriquement à un des empilements verticaux 20, 30. Cet agencement, correspond à deux circuits mémoire/sélecteur de type 1S1R indépendants.
D’un point de vue électrique, les deuxième et troisième empilements 20, 30 sont en quelque sorte, disposés en parallèle entre eux, puisque, d’un côté, ils sont tous deux reliés en série à un même empilement mémoire. On notera néanmoins que, de l’autre côté, ces deux empilements sélecteurs 20, 30 sont reliés à des contacts électriques (40 et 50) distincts, isolés électriquement l’un de l’autre.
Comme déjà indiqué, une partie au moins de l’empilement sélecteur 20 s’étend parallèlement à un plan vertical. Cette partie de l’empilement 20 s’étend en vis-à-vis d’une première partie 1211 d’une surface latérale 1211, 1212 qui délimite latéralement la première électrode supérieure 121. Cette partie de l’empilement 20 s’étend ici parallèlement à cette première partie 1211 de surface latérale (parallèlement à mieux que 5 ou 10 degrés, par exemple).
De même, une partie au moins de l’empilement sélecteur 30 s’étend parallèlement à un plan vertical. Cette partie de l’empilement 30 s’étend en vis-à-vis d’une deuxième partie 1222 d’une surface latérale 1221, 1222 qui délimite latéralement la deuxième électrode supérieure 122. Cette partie de l’empilement 30 s’étend ici parallèlement à cette deuxième partie 1222 de surface latérale.
Dans l’ensemble 1, les différentes couches (dont les électrodes) qui s’étendent parallèlement au plan P sont délimitées latéralement, chacune, par une (ou éventuellement des) surface latérale, verticale ou tout au moins obliques par rapport au plan P. Cette ou ces surfaces latérales sont aussi appelées flanc ou « flancs » dans la suite. Dans la suite, pour certaines couches, il est indiqué que la couche considérée est délimitée latéralement par une surface latérale comprenant deux parties (i.e. : par un premier et deuxième flanc, ici), en pratique situées à l’opposé l’une de l’autre. La surface latérale en question peut néanmoins être continue, et faire tout le tour de l’électrode sans discontinuité, par exemple lors le bord de cette couche est circulaire (cette surface latérale étant alors cylindrique) ; dans ce cas, les deux portions en question correspondent à deux portions de cette surface continue, situées à l’opposée l’une de l’autre. Ces deux parties de la surface latérale de la couche peuvent aussi correspondre à deux faces distinctes du pourtour de la couche en question, lorsque ce pourtour est par exemple rectangulaire, comme ici (rectangulaire vu du dessus de la couche).
Les et représentent schématiquement, respectivement en coupe et vu de côté, le premier mode de réalisation de l’ensemble 1. Le premier empilement 10 comprend notamment : une première couche active 11 ; la première électrode supérieure 121, mentionnée plus haut ; et la deuxième électrode supérieure 122.
La première couche active 11 s'étend parallèlement au plan P. Le plan P correspond par exemple à la surface d’une couche diélectrique 61 sur laquelle l’ensemble 1 peut reposer (on notera toutefois que, à la fin de la fabrication, la couche diélectrique 61 peut faire partie d’un enrobage diélectrique global, de protection, dans lequel l’ensemble est enrobé).
Les première et deuxième électrodes supérieures 121, 122 s'étendent sur la première couche active 11. La première couche active 11 est délimitée par une surface supérieure 112 et une surface inférieure 113, opposée à la surface supérieure 112. Chaque électrode supérieure 121, 122 s’étend par exemple sur la surface supérieure 112 de la première couche active 11, contre celle-ci. La surface inférieure 113 de la première couche active 11 repose par exemple, au moins en partie, sur la couche diélectrique 61, parallèlement au plan P.
La première électrode supérieure 121 est délimitée latéralement la surface latérale 1211, 1212 mentionnée plus haut. Ladite surface latérale comprend une première partie (ou portion) appelée premier flanc 1211 dans la suite. La première électrode supérieure 121 peut, comme ici, avoir une forme d’ensemble rectangulaire. Elle est alors délimitée latéralement par quatre parties de la surface latérale (dont le premier flanc 1211, et une autre partie, opposée, appelée cinquième 1212 flanc dans la suite), correspondant aux quatre côtés de ce rectangle.
De la même manière, la deuxième électrode supérieure 122 est délimitée latéralement par la surface latérale mentionnée plus haut, dont une partie est appelée deuxième flanc 1222. La deuxième électrode supérieure 122 peut également avoir une forme d’ensemble rectangulaire. Elle est alors délimitée latéralement par quatre parties de ladite surface latérale (dont le deuxième flanc 1222, et une autre partie, opposée, appelée sixième flanc 1221 dans la suite), correspondant aux quatre côtés de ce rectangle.
La première couche active 11 est délimitée latéralement, elle aussi, par une surface latérale, comprenant au moins deux parties, opposées l’une à l’autre, appelées troisième flanc 1111 et quatrième flanc 1122. Les troisième et quatrième flancs 1111, 1122 peuvent être situés dans le prolongement des premier et deuxième flancs 1211 et 1222 des première et deuxième électrodes supérieures 121, 122 ; dans ce cas, le premier flanc 1211 (de la première électrode supérieure 121), et le troisième flanc 1111 (de la première couche active 11) forment un même flanc, global, du premier empilement planaire 11 dans son ensemble (résultant d’une gravure d’ensemble du premier empilement); de même, les deuxième et quatrième flancs 1222, 1122 forment alors un autre flanc, global, du premier empilement dans son ensemble. Ici, la première couche active a elle aussi une forme d’ensemble rectangulaire.
Le premier empilement planaire 10 réalise une fonction de mémoire, et la première couche active 11 est une couche mémoire. Elle permet de stocker une information, plus précisément deux données, de manière non volatile. Chaque donnée est par exemple encodée sous la forme d’une valeur de résistance d’une portion (canal de conduction) de la couche active dudit premier empilement 10. Le premier empilement 10 peut être de type de PCRAM, CBRAM, OxRAM ou MRAM telle que décrit dans lors de la présentation de l’art antérieur. Chaque canal de conduction de la première couche active 11 peut présenter un état dit « bas », c’est à dire une résistance faible, par exemple inférieure à une résistance de l’ordre de , voire de , ou un état dit « haut », c’est à dire une résistance élevée, par exemple supérieure à . Chaque canal de conduction de la couche active 11 passe de l’état haut à l’état bas lorsqu’une tension, appliquée à cette couche ou un courant circulant dans la couche, dépasse une tension/courant de programmation, dite également tension/courant de « set » en anglais. Chaque canal de la première couche active 11 passe de l’état bas à l’état haut lorsqu’une tension ou un courant appliqué à la couche dépasse une tension/courant d’effacement, dite également tension/courant de « reset » en anglais. La première couche active 11 comprend par exemple une couche d’oxyde d’hafnium (en contact avec une couche en titane faisant office de réservoir à lacunes en oxygène), auquel cas le premier empilement 10 réalise la fonction d’OxRAM.
La première électrode supérieure 121 est conductrice. Elle comporte une ou plusieurs couches, parallèles au plan P. L’une de ces couches peut être métallique. Une autre de ces couches peut être une couche permettant d’éviter la diffusion d’espèces dans la première couche active 11.
La nature de l’électrode supérieure 121 est par exemple choisie en fonction du type de la première couche active 11 et du ou des matériaux de cette couche. Elle peut aussi être choisie en fonction du type de matériau mis en œuvre dans la deuxième couche active 21. Elle peut par exemple comprendre une sous-couche adaptée à la couche mémoire 11, du côté de cette couche, et du côté de la première couche active, et une autre sous-couche, adaptée au sélecteur, du côté de la deuxième couche active 21. En effet, certains sélecteurs peuvent requérir la mise en œuvre d’une ou plusieurs électrodes dites actives, pour fonctionner. Il s’agit par exemple des sélecteurs de type TS (pour « Threshold Switch » en anglais) ou MIEC (« Mixed ion-electronic conduction » en anglais). En effet, la conduction dans ces sélecteurs met en œuvre la diffusion ou la migration d’ions métalliques permettant de former, en présence d’un champ électrique, un filament conducteur. Par exemple, un sélecteur de type TS met en œuvre la diffusion d’ions métalliques tels que les ions argent. Ces ions peuvent être apportés par une électrode dite « active », au contact de la couche sélectrice et qui comprend de l’argent. Selon le même principe, un sélecteur de type MIEC met en œuvre la diffusion/migration d’ions métalliques tels que les ions cuivre, auquel cas, une électrode active au contact de la couche sélectrice comprend avantageusement du cuivre.
Selon le sens d’application de la tension ou de circulation du courant dans la deuxième couche active 21, la première électrode supérieure 121 peut être active vis-à-vis de la deuxième couche active 21, c’est à dire comporter des éléments contribuant à la conduction de la couche sélectrice. La première électrode supérieure, active, peut alors comprendre de l’argent ou du cuivre. Elle comporte par exemple plusieurs couches dont au moins une, et si possible la couche en contact avec la deuxième couche active 21, comprend de l’argent ou du cuivre.
La deuxième couche active 21 peut également comporter une pluralité de couche dont une couche au moins, par exemple en contact avec la première électrode supérieure 121, comporte des éléments contribuant à la conduction de la couche sélectrice. Il s’agit par exemple d’une couche en cuivre ou en argent. La couche en cuivre ou en argent est par exemple disposée sur la surface de la deuxième couche active 21 en contact avec la première électrode supérieure 121, dans le prolongement de cette électrode. La couche conductrice 22 présentée plus bas, et qui connecte la deuxième couche active 21 à l’opposé de l’électrode 121, peut également comprendre une telle couche ou sous-couche (jouant par exemple un rôle d’électrode active), adaptée à la couche active 21.
Un point mémoire comprenant un sélecteur back-end offre un encombrement réduit et sa fabrication est commode (il peut être gravé en même temps que la partie mémoire résistive du point mémoire). Toutefois, la bonne fonctionnalité de l’ensemble repose notamment sur l’adéquation entre les propriétés électriques du sélecteur et de la mémoire.
Il existe donc un besoin d’un dispositif de mémoire résistive non volatile, à sélecteur, qui soit peu encombrant, commode à fabriquer, et dans lequel les propriétés électriques de la mémoire et du sélecteur peuvent être ajustées, chacune, indépendamment.
L’invention concerne un ensemble comprenant au moins deux mémoires résistives non volatiles disposées électriquement en parallèle entre elles et étant chacune électriquement connectées en série à une couche sélectrice formant respectivement au moins deux sélecteurs, chacun dédié à l’une des mémoires, l’ensemble comportant : un premier empilement planaire, comprenant : une première couche active qui s'étend parallèlement à un plan horizontal donné, la première couche active étant ladite couche sélectrice ; et une première électrode supérieure et une deuxième électrode supérieure qui s'étendent toutes deux sur la première couche active et qui sont isolées électriquement l’une de l’autre, la première électrode supérieure étant délimitée latéralement par une surface latérale, la deuxième électrode supérieure étant délimitée latéralement par une autre surface latérale, une couche isolante s’étendant entre une partie de la surface latérale de la première électrode supérieure et une partie de la surface latérale de la deuxième électrode supérieure pour isoler électriquement la première électrode supérieure de la deuxième électrode supérieure ; un deuxième empilement, qui s’étend de manière oblique ou perpendiculaire par rapport audit plan, comprenant une deuxième couche active, une partie au moins de la deuxième couche active s’étendant en vis-à-vis d’une autre partie de la surface latérale de la première électrode supérieure, la deuxième couche active étant en contact électrique avec la première électrode supérieure, la deuxième couche active étant une couche mémoire résistive non-volatile ; un troisième empilement, qui s’étend de manière oblique ou perpendiculaire par rapport audit plan, comprenant une troisième couche active, une partie au moins de la troisième couche active s'étendant en vis-à-vis d’une autre partie de la surface latérale de la deuxième électrode supérieure, la troisième couche active étant en contact électrique avec la deuxième électrode supérieure la troisième couche active étant une couche mémoire résistive non-volatile ; les deuxième et troisième couches actives étant disjointes, sans contact électrique direct entre elles.
Chaque électrode supérieure est reliée électriquement à une région de conduction de la première couche active, c’est-à-dire de la couche sélectrice de l’ensemble. Par région de conduction ou canal de conduction, on entend une portion de couche active où la résistivité peut varier en fonction d’une tension appliquée ou d’un courant y circulant. Il s’agit en particulier d’une portion où la création/destruction d’une structure conductrice telle qu’un filament de conduction est favorisée.
Les première et deuxième électrodes supérieures étant séparées l’une de l’autre, elles sont donc reliées à des régions de conduction également séparées l’une de l’autre. Ainsi, la première couche active comprend deux régions de conduction distinctes, opérables indépendamment.
Puisque la première couche active est une couche sélectrice, les deux régions de conduction distinctes de la première couche forment ainsi un premier sélecteur et un deuxième sélecteur, distincts, opérables de manière indépendante. Ainsi, chaque sélecteur est relié en série avec un empilement vertical (ou tout au moins oblique), jouant le rôle de mémoire. L’ensemble selon l’invention comprend donc deux ensembles sélecteur/mémoire 1S1R, adressables de manière indépendante et permettant de stocker deux informations distinctes de manière non-volatile. Autrement dit, l’ensemble est de type nSnR où n est au moins égal à deux.
Les dimensions du premier sélecteur dépendent en partie de la surface de la première électrode supérieure s’étendant sur la première couche active. Plus grande est ladite surface, plus grandes sont les dimensions du premier sélecteur, notamment parallèlement au plan horizontal donné. De la même manière, les dimensions du deuxième sélecteur dépendent en partie de la surface (planaire) de la deuxième électrode supérieure s’étendant sur la première couche active. Il est ainsi possible, d’ajuster les dimensions des premier et deuxième sélecteurs de manière indépendante, en ajustant les surfaces planaires des première et deuxième électrodes supérieures s’étendant sur la première couche active.
La première électrode supérieure est également reliée électriquement, par sa surface latérale, à une région de conduction de la deuxième couche active. La région de conduction de la deuxième couche active forme donc une première mémoire. Les dimensions verticales de la première mémoire dépendent en partie de la surface de la première électrode supérieure au contact de la deuxième couche active. Elle est par exemple proportionnelle à une épaisseur de la première électrode supérieure. Plus grande est ladite épaisseur, plus grandes sont les dimensions de la première mémoire. Il est ainsi possible, d’ajuster les dimensions de la première mémoire en ajustant l’épaisseur de la première électrode. L’épaisseur de la première électrode supérieure d’une part, et son agencement (en particulier son étendue) sur la première couche active d’autre part sont ajustables de manière indépendante l’un de l’autre (autrement formulé, l’épaisseur de cette électrode est ajustable indépendamment de des dimensions – latérales – de la zone de conduction du premier sélecteur). Les dimensions du premier sélecteur et de la première mémoire peuvent donc être ajustées de manière indépendante.
Les propriétés électriques de la première mémoire et du premier sélecteur dépendent en partie de leurs dimensions. En effet, le courant traversant la mémoire dépend en partie de l’étendue de la mémoire. Par ailleurs, pour des mémoires de type PCRAM, par exemple, le courant de programmation est proportionnel à la surface de l’électrode contre laquelle elle s’étend. De la même manière, le courant de seuil du sélecteur dépend également en partie de ses dimensions. Et, pour un sélecteur de type OTS, le courant de maintien peut être diminué en réduisant les dimensions du sélecteur, notamment lorsque celles-ci sont inférieure à une dimension critique de l'ordre de 80 nm. Les courants de fuite d’un sélecteur de type MIEC dépendent eux aussi, en partie de la dimension de l’électrode contre laquelle s’étend le sélecteur. Ainsi, les propriétés électriques de la première mémoire, et celles du premier sélecteur peuvent être ajustées de manière indépendante, dans cette architecture particulière, du fait que les surfaces (ou surfaces effectives) de ces éléments peuvent être ajustées indépendamment l’une de l’autre.
Le même raisonnement s’applique à une région de conduction de la troisième couche active, formant une deuxième mémoire. Les propriétés électriques du deuxième sélecteur et de la deuxième mémoire peuvent être ajustées, chacune, de manière indépendante, en ajustant une épaisseur de la deuxième électrode supérieure et sa disposition sur la première couche active.
Comme expliqué en détail en référence aux figures, l’orientation oblique par rapport audit plan, par exemple verticale, d’une partie au moins des deuxième et troisième couches actives, combinée à l’utilisation d’une même première couche sélectrice, horizontale, conduit à une compacité très satisfaisante pour l’ensemble.
De plus, cet agencement géométrique particulier permet, de manière surprenante, d’obtenir des surfaces effectives, (typiquement, des surfaces de superposition, entre électrodes ou contacts électriques) pouvant être inférieure à une surface minimale accessible à première vue pour une finesse de gravure F, c’est à dire inférieure à F 2 .
Pour chacune des mémoires de l’ensemble, orientée de manière oblique par rapport au plan horizontal, la surface de la mémoire qui est en vis-à-vis de l’électrode supérieure considérée, embrasse une partie du pourtour de cette électrode supérieure. Cette surface est donc égale à la longueur de la portion mémoire/électrode en contact par l’épaisseur de l’électrode.
Par exemple, lorsque la mémoire embrasse trois des quatre côtés de l’électrode supérieure considérée, sa surface est égale à : où est la longueur d’un grand côté de l’électrode, par exemple égale à la finesse F, est la longueur de deux petits côtés de l’électrode, par exemple égale à F/2 et est l’épaisseur de l’électrode, par exemple égale à F/4. La surface (surface effective de la mémoire) est selon cet exemple égale à :
Les mémoires, par exemple de type OxRAM, bénéficient avantageusement de cette réduction de surface. En effet, elles peuvent montrer une résistance à l’état haut plus importante à mesure que sa surface est réduite. Modifier la résistance à l’état haut de la mémoire (de manière à l’augmenter) permet notamment d’augmenter la fenêtre de lecture de l’ensemble sélecteur/mémoire.
De la même manière, chaque sélecteur peut également présenter une surface réduite, également inférieure à F 2 . En effet, la fabrication d’un sélecteur selon l’art antérieur, c’est à dire aligné dans le plan, est limitée par la finesse de gravure F. La plus petite surface d’un sélecteur selon l’art antérieur fabricable est donc supérieure ou égale à F 2 .
Dans certains modes de réalisation de l'invention, la barrière 200 d'intérêt du passage à niveau 40 peut être soumise à des mouvements de translation qui peuvent être provoqués, par exemple et sans s'y limiter, par le vent ou par un accident. Dans de tels modes de réalisation, la base de données 130 peut être configurée pour stocker une enveloppe de mouvement 3D de la barrière 200 à l'intérieur de laquelle la barrière 200 du passage à niveau 40 se déplace.