INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Le premier dipôle couplé 14C1 est relié à une première charge Z1 capacitive de 2,2 pF, le deuxième dipôle couplé 14C2 est relié à une deuxième charge Z2 inductive de 11,7 nH et le troisième dipôle couplé 14C3 à une troisième charge Z3 inductive de 0,7 nH.
Pour réaliser physiquement une telle antenne 10, celle-ci est gravée sur un circuit imprimé sur lequel les composants permettant de charger les dipôles couplés peuvent être soudés. L’antenne 10 est connectée au système de réception par exemple par un cordon coaxial hyperfréquence.
En l’espèce, les valeurs des impédances des charges Z1, Z2 et Z3 ont été adaptées pour l’obtention d’un rayonnement à polarisation circulaire.
Plus précisément, les valeurs des impédances des charges Z1, Z2 et Z3 sont choisies pour que le rayonnement respecte plusieurs conditions, à savoir :
une première condition selon laquelle le rayonnement présente une polarisation circulaire droite (une telle polarisation est souvent dénommée RHCP, abréviation qui renvoie à la dénomination anglaise correspondante de « right-handed circular polarization ») avec un gain maximum dans la direction du zénith (correspond à une direction Z perpendiculaire aux deux directions longitudinales X et Y), une deuxième condition selon laquelle le rayonnement présente un gain RHCP relativement uniforme pour une ouverture d’élévation de +/-90° autour de cette direction (couverture de la voute du ciel, demi-sphère supérieure), et une troisième condition selon laquelle le gain de la polarisation croisée (c’est-à-dire celui de la polarisation gauche ou LHCP, abréviation qui renvoie à la dénomination anglaise correspondante de « lef t-handed circular polarization ») est minimisé.
Le respect de telles conditions permet de rendre l’antenne 10 adaptée pour une application à un système de positionnement par satellites. Un tel système de positionnement est un système souvent désigné sous l’abréviation GNSS. L’abréviation GNSS renvoie à la dénomination « Géolocalisation et Navigation par un Système de Satellites ».
Pour déterminer des valeurs de charge Z1, Z2 et Z3 appropriées, il peut, par exemple, être utilisé une technique de détermination telle que décrite dans le brevet US 9 917 376 B2 en recourant à une décomposition du rayonnement souhaitée sur une base sphérique, une expression du champ électromagnétique créé par l’antenne sur la même base et une résolution de l’équation résultant du fait qu’il est souhaité que les deux soient identiques.
Il est à noter que cette technique de détermination est d’autant plus aisée à mettre en œuvre que les brins 16 et 18 sont agencés pour former un dipôle 14 symétrique.
D’un point de vue matériel, les charges Z1, Z2 et Z3 peuvent être des composants physiques.
Préférentiellement, pour réduire les pertes associées aux boitiers des composants discrets, les charges Z1, Z2 et Z3 sont réalisées par gravure de motifs spécifiques. Une spirale ou une capacité interdigitée sont des exemples de tels motifs.
Comme représenté schématiquement sur la , l’antenne 10 est placée au-dessus d’un plan de masse 20 métallique réflecteur de 25 cm de côté afin de diriger le rayonnement dans le demi-espace supérieur.
Selon l’exemple décrit, la distance entre l’antenne 10 et le plan de masse 20 est de 25 mm, soit un huitième de longueur d’onde centrale λ 0 , pour réfléchir de manière constructive le rayonnement de l’antenne dans la direction d’intérêt. Un tel effet est obtenu dès que la distance entre l’antenne 10 et le plan de masse 20 est inférieure au quart de la longueur d’onde centrale λ 0 .
En variante, au lieu du plan de masse 20, il est utilisé un conducteur magnétique artificiel. Un tel élément est souvent désigné par l’abréviation AMC qui renvoie à la dénomination anglaise correspondante de « artificial magnetic conductor ». Dans un tel cas, la distance avec l’antenne 10 peut être encore plus faible, ce qui réduit l’encombrement en hauteur.
Les performances de l’antenne 10 précédemment décrite sont illustrées par les figures 3 et 4.
Dans le mode de réalisation décrit ici, le contrôleur CTR reçoit de l’environnement d’exécution sécurisé, au cours d’une étape E20, l’heuristique H + d’analyse complémentaire de la DRAM. Il l’enregistre dans une mémoire non volatile.
Dans le mode de réalisation décrit ici, le contrôleur CTR exécute ensuite une boucle comportant : - une étape E30 d’exécution de l’heuristique de base H 0 installée dans le firmware FMW à partir du contenu d’au moins une partie d’au moins une DRAM, d’une évolution de ce contenu, ou d’un schéma d’accès à ce contenu. Cette étape comporte le chargement par le contrôleur CTR d’instruction de cette heuristique dans la mémoire d’instructions MI du DPU associé à cette DRAM pour que le DPU analyse cette DRAM et retourne au contrôleur CTR le résultat ret 0 de cette analyse ; - une étape optionnelle E40 d’exécution de l’heuristique complémentaire H + , cette étape étant similaire à l’étape E30 ; - une étape E50 d’obtention de l’état st_sec CTR de sécurité de l’objet connecté vu du contrôleur CTR à partir des résultats ret 0 et ret + reçus des DPUs pour l’exécution des heuristiques H 0 et H + ; - une étape E60 de contrôle d’au moins un DPU pour qu’il chiffre l’état st_sec CTR avec la clé publique KPUB du tiers de confiance OP pour obtenir un jeton tok int et pour qu’il enregistre ce jeton tok int dans le registre REG OUT de sa DRAM; - une étape E70 de contrôle d’au moins un DPU pour qu’il vérifie la signature, à l’aide de la clé publique KPUB, du jeton tok ext contenu dans le registre REG IN de la DRAM et qu’il lui communique le résultat de cette vérification, celui-ci correspondant au dernier état de sécurité st_sec OP de l’équipement informatique OC tel que perçu par le tiers de confiance OP ; - une étape E80 de décision de mettre en œuvre ou non une action de corruption d’au moins une DRAM pour entraîner un arrêt ou un redémarrage du fonctionnement de l’équipement informatique OC en fonction des états de sécurité st_sec CTR , st_sec OP de l’objet connecté OC vus respectivement du contrôleur CTR et du tiers de confiance OP ; et - une étape E90 de mise en œuvre d’au moins une action de corruption d’au moins une DRAM en fonction du résultat de l’étape E80 de décision.
Les heuristiques H 0 et H + d’analyse d’au moins une partie de la DRAM peuvent être de différentes natures. Elles visent d’une façon générale à obtenir un état de sécurité st_sec CTR de l’équipement informatique OC tel que perçu par le contrôleur CTR au vu du contenu d’au moins une partie d’au moins une DRAM.
Par exemple, l’heuristique de base H 0 considère que l’état de sécurité st_sec CTR de l’équipement informatique doit représenter un risque important de dysfonctionnement (sécurité faible) si une zone mémoire d’une DRAM normalement destinée à recevoir une constante du système d’exploitation OS a été modifiée.
Par exemple, l’heuristique complémentaire H + utilise une méthode d’apprentissage, par exemple de régression statistique, pour déterminer, à partir d’une signature du contenu d’au moins une partie d’au moins une DRAM calculée par au moins un DPU, une probabilité que cet équipement informatique OC soit dans un état de dysfonctionnement, l’état de sécurité st_sec CTR de l’équipement informatique OC, vu du contrôleur CTR étant déterminé à partir de cette probabilité.
Dans le mode de réalisation décrit ici, à l’étape E80, le contrôleur CTR détermine à partir: - de l’état de sécurité st_sec CTR de l’équipement informatique OC tel que perçu par le contrôleur CTR ; et - de l’état de sécurité st_sec OP de l’équipement informatique OC tel que perçu par le tiers de confiance OP, s’il convient de corrompre au moins une DRAM pour entraîner un arrêt et éventuellement un redémarrage du fonctionnement de l’équipement informatique OC.
Dans un mode de réalisation, le contrôleur CTR donne plus de poids (80/20) à l’état de sécurité st_sec CTR de l’équipement informatique OC tel que perçu par le contrôleur CTR il déclenche une telle action si 0.8. st_sec CTR + 0.2. st_sec OP est supérieur à un seuil prédéterminé.
Dans un autre mode de réalisation, le contrôleur CTR utilise la logique suivante : - si l’état de sécurité st_sec CTR est supérieur à un premier seuil (probabilité de dysfonctionnement important selon la perception du contrôleur CTR), - attendre la réception de n jetons tok ext pour laisser au tiers de confiance OP le temps d’envoyer, sous forme d’un jeton tok ext , un état de sécurité st_sec OP requérant un arrêt et éventuellement un redémarrage d’urgence, - si ces n jetons ne sont pas reçus pendant une durée prédéterminée, ou si un de ces jetons porteur d’une demande d’arrêt d’urgence reçu, alors déclencher l’action de corruption d’au moins une DRAM pour entraîner un arrêt du fonctionnement de l’équipement informatique OC.
Si le contrôleur CTR décide de mettre en œuvre une ou plusieurs actions pour déclencher l’arrêt de l’objet connecté OC, celle-ci est mise en œuvre au cours d’une étape E90.
Cette étape E90 peut notamment consister à : - empêcher l’accès à une mémoire DRAM par le processeur hôte H-CPU, ou - à demander à un DPU décrire dans une zone réservée ZR OS de la mémoire DRAM, par exemple à une zone dans laquelle le système d’exploitation OS stocke normalement des constantes.
La représente l’architecture matérielle d’un contrôleur CTR pouvant être utilisé dans un module de sécurisation MS conforme à l’invention. Dans le mode de réalisation décrit ici, le contrôleur CTR comprend notamment un processeur 10, une mémoire non volatile 11, une mémoire vive 12, une interface DDR, un port P de communication avec un processeur hôte H-CPU et une interface de contrôle des DPUs.
La mémoire non volatile 11 constitue un support d'enregistrement conforme à l'invention, lisible par le processeur 10 et sur lequel est enregistré un programme d'ordinateur PG conforme à l'invention, ce programme comportant des instructions pour l'exécution des étapes d'un procédé de sécurisation selon l'invention dont les principales ont été décrites en référence à la dans un mode de réalisation.
La mémoire non volatile 11 peut être utilisée pour mémoriser la clé publique KPUB du tiers de confiance OP, le firmware FMW et les heuristiques.
Procédé de génération d’un temps de propagation de groupe négatif, dispositif électronique et produit programme d’ordinateur associé. Le domaine de l’invention est celui de l’électronique, et plus particulièrement des dispositifs électroniques permettant de générer un temps de propagation de groupe négatif.
Art antérieur De manière générale, un circuit électronique est composé d’éléments de natures différentes (e.g. transistors, résistances, composants à inductance propre, condensateurs, etc.) connectés les uns aux autres selon différentes configurations (également appelées topologies), afin de générer une ou plusieurs fonctions précises (e.g. amplifier, filtrer, etc.). Parmi ces fonctions, il a été montré que certains circuits électroniques analogiques ont la propriété singulière de générer un temps de propagation de groupe négatif.
Une telle propriété est illustrée schématiquement en relation avec la , qui présente une comparaison des résultats de l’interaction d’un signal de forme gaussienne (i.e. en cloche) avec un dispositif classique D C d’une part, et de l’interaction de ce même signal avec un dispositif à temps de propagation de groupe négatif D NGD d’autre part. Sur cette figure, le dispositif classique D C et le dispositif à temps de propagation de groupe négatif D N GD sont représentés sous forme de boîte noire, et il est supposé, dans un modèle volontairement simplifié à des fins explicatives, que le signal ne subit pas de déformation de forme en traversant l’un ou l’autre des dispositifs.
Ce module est notamment doté d’une fonction de protection électromagnétique (encore appelée CEM ou Compatibilité Electromagnétique).
représente une plaque du compartiment de la , en perspective,
est une vue schématique, du deuxième élément de plaque de la plaque de la ,
est une vue schématique et partielle, en coupe, de la plaque de la ,
est une vue schématique et partielle du deuxième élément de plaque.
De tels contacteurs membranaires et leurs principes de fonctionnement sont connus de l’homme du métier. Ils sont disponibles dans le commerce, notamment sous les références pervélys et 3M TM liqui-Cel.
Le contacteur membranaire, et plus précisément la membrane du contacteur membranaire crée une séparation physique entre la phase gazeuse et le milieu de culture.
En référence à la figure 3, le transfert de matière s’effectue selon un gradient de pression ou de concentration à travers la membrane du contacteur membranaire.
Dans un mode de réalisation, le gradient de pression ou de concentration en molécules de gaz résulte d’une surpression de la concentration en CO 2 . L’homme du métier saura déterminer le débit en CO 2 à l’entrée du contacteur membranaire à appliquer afin de créer cette surpression, notamment en fonction du réacteur biologique et de la quantité de la biomasse désirée, sans que celle-ci n’affecte la culture des microorganismes.
Dans un autre mode de réalisation, le CO 2 est injecté à un débit régulier en fonction de la consommation de CO 2 nécessaire à la croissance des microorganismes. Le CO 2 consommé est ainsi transformé en molécules de O 2 qui diffusent à travers la membrane et conduisent à une augmentation de la pression dans la phase gazeuse. Une valeur seuil de la concentration en O 2 peut éventuellement être déterminée par l’opérateur afin de programmer la libération des molécules de O 2 vers l’extérieur du contacteur membranaire et/ou du réacteur biologique via la sortie d’air.
Dans un autre mode de réalisation, le gradient de concentration résulte d’un déficit en molécules de O 2 dans la phase gazeuse. L’absence ou la faible concentration en molécules de O 2 peut être mise en œuvre notamment grâce à une pompe, préférentiellement une pompe à vide, qui élimine les molécules de O 2 du contacteur membranaire et/ou du réacteur biologique.
Dans le cadre de la présente demande, il est entendu que le contacteur membranaire et/ou le réacteur biologique peuvent/peut comprendre d’autres dispositifs et appareillages assurant la sécurité de la culture des microorganismes et des opérateurs.
La concentration en CO 2 est ainsi régulée par au moins un des dispositifs précédents, c’est à dire via un gradient de pression ou de concentration résultant d’une surpression en CO 2 ou O 2 dans le contacteur membranaire, ou encore d’une faible concentration en O 2 dans le contacteur membranaire.
Dans un mode de réalisation, la concentration en CO 2 dissout dans le milieu de culture est ainsi comprise entre 0 et 3500 mg/L. Dans un autre mode de réalisation, la concentration en CO 2 dissout est d’au moins 100 mg/L, voire au moins 200 mg/L, préférentiellement d’au moins 400 mg/L, plus préférentiellement d’au moins 600 mg/L. Dans un autre mode de réalisation, la concentration en CO 2 dissout dans le milieu de culture est inférieure à 3400 mg/L, voire inférieure à 3200 mg/L, préférentiellement inférieure à 3000 mg/L. Dans un autre mode de réalisation, la concentration en CO 2 dissout dans le milieu de culture est comprise entre 600 et 3000 mg/L, préférentiellement entre 600 et 2500 mg/L, plus préférentiellement entre 600 et 2000 mg/L. Avantageusement, la concentration en CO 2 dissout dans le milieu de culture est comprise entre 600 et 1500 mg/L, voire entre 800 et 1500 mg/L. Dans un mode de réalisation préféré, la concentration en CO 2 dissout est d’au moins 1000 mg/L, voire même d’au moins 1200 mg/L.
En parallèle, la quantité de O 2 dissout dans le milieu de culture est maintenue à une concentration inférieure à 35 g/m 3 . Dans un mode de réalisation, la concentration en O 2 dissout dans le milieu de culture est inférieure à 34 g/m 3 , voire 33 g/m 3 , préférentiellement inférieur à 32 g/m 3 , encore plus préférentiellement inférieure à 31 g/m 3 . Dans un autre mode de réalisation, la quantité de O 2 dissout dans le milieu de culture est d’au moins 8 g/m 3 . Dans un mode de réalisation préféré, la concentration en O 2 dissout dans le milieu de culture est comprise entre 8 et 30 g/m 3 .
De manière avantageuse, la concentration en CO 2 dans le milieu de culture est régulée de manière à apporter la quantité nécessaire et suffisante à la culture des microorganismes, de manière que l’ensemble du CO 2 est consommé sans déperdition dans l’atmosphère. En particulier, les seuls échanges gazeux entre le réacteur et l’environnement extérieur se font par le contacteur membranaire.
Selon un mode particulier de réalisation de l’invention, le CO 2 injecté provient d’un gaz riche en CO 2 que l’on cherche à traiter de manière à éliminer le CO 2 , sans le relâcher dans l’atmosphère. En particulier le CO 2 est un effluent gazeux industriel riche en CO 2 . En particulier, l’effluent gazeux industriel riche en CO 2 a été prétraité de manière à éliminer des microparticules et/ou des composants toxiques susceptibles d’affecter la culture des microorganismes.
Les figures 2 et 3 représentent un contacteur membranaire ainsi que les flux en CO 2 et O 2 qui existent au niveau de la membrane.
En référence à la , le contacteur membranaire (2) comprend le milieu de culture (13) qui se déplace dans le contacteur membranaire. Au niveau de l’entrée (4), le milieu de culture est pauvre en CO 2 et riche en O 2 . Au cours de sa propagation dans le contacteur membranaire, celui-ci s’enrichit en CO 2 et sa concentration en O 2 diminue selon le phénomène d’échange qui se produit au niveau de la membrane (14). Ainsi, à la sortie du contacteur membranaire (3), le milieu de culture est riche en CO 2 et pauvre en O 2 . En parallèle, un flux de CO 2 est appliqué au niveau du contacteur membranaire. Ce dernier se caractérise donc par la présence d’une entrée (6) et d’une sortie (7) de gaz de part et d’autre du contacteur membranaire.
En référence aux figures 2 et 3, au niveau de la membrane (14), des phénomènes d’échange entre les molécules de CO 2 et de O 2 se produisent. Alors que le CO 2 diffuse de l’intérieur vers l’extérieur des membranes, les molécules de O 2 traversent la membrane depuis le milieu de culture et sont éliminées en même temps que les molécules de CO 2 en excès.
Les microorganismes et les microorganismes cultivés sont bien connus de l’homme du métier. Il s’agit notamment de bactéries, levures, ou encore de protistes, et plus particulièrement des algues et des microalgues. Selon un mode préféré de réalisation, les microorganismes cultivés sont des protistes.
Des modes de réalisation particuliers d’une carte à puce CD1 de l’invention sont à présent décrits en référence aux figures 1-6 .
Comme représenté en figures 1 selon certains modes de réalisation particuliers, la carte à puce CD1 métallique est configurée pour communiquer en mode sans contact avec l’extérieur, par exemple avec un terminal (ou lecteur) externe T1. A cette fin, la carte à puce CD1 comprend une puce RF 4, un corps de carte 6 et deux antennes RF (ou au moins deux antennes RF), à savoir une première antenne RF AT1 et une deuxième antenne RF AT2. La puce RF 4 ainsi que les deux antennes RF AT1 et AT2 sont positionnées sur ou dans le corps de carte 6.
Le corps de carte 6 est formé au moins en partie (ou comprend) une couche métallique 8. Cette couche métallique 8 peut être constituée d’un seul métal, tel que de l’acier inox ou de l’aluminium par exemple, ou d’un alliage de plusieurs métaux différents. La couche métallique 8 peut comprendre une pluralité de sous-couches métalliques. Selon un exemple particulier, le corps de carte 6, et plus généralement la carte à puce CD1 est dépourvue de ferrite, ce qui permet de simplifier la fabrication de la carte.
Dans les exemples considérés ici, le corps de carte 6 est au format ID1 d’une carte de crédit, bien que d’autres formes soient possibles pour mettre en œuvre l’invention.
La puce RF 4 est une puce une puce électronique configurée pour établir une communication sans contact C1 avec le terminal externe T1 en utilisant les antennes RF AT1 et AT2, comme décrit ci-après. Pour ce faire, la puce RF 4 est connectée électroniquement à la première antenne RF AT1 mais la deuxième antenne RF AT2 est isolée électriquement de la puce RF 4 et de la première antenne RF AT1. Les antennes AT1 et AT2 sont en partie en regard l’une de l’autre pour permettre un couplage magnétique entre ces deux antennes et ainsi permettre à la puce RF 4 d’utiliser la deuxième antenne RF AT2 pour établir une communication sans contact C1 avec le terminal externe T1, comme décrit plus en détail ci-après.
Divers mises en œuvre de la carte à puce CD1, notamment de la couche métallique 8 et des antennes RF AT1 et AT2, sont possibles, comme représenté en figures 2-8 .
A titre d’illustration, les figures 2 et 3 représentent seule la couche métallique 8 selon deux modes de réalisation différents. Dans ces deux exemples, la couche métallique 8 comprend une zone d’évidemment 14 débouchant sur un bord (ou contour) périphérique 8a de la couche métallique 8. La zone d’évidemment 14 est une ouverture (ou zone) traversante ménagée dans la couche métallique 8 pour permettre le positionnement en vis-à-vis de la première antenne RF AT1 avec une partie de la deuxième antenne RF AT2 comme décrit ci-après. La forme et les dimensions de cette zone d’évidemment 14 peuvent être adaptées selon le cas. A titre d’exemple, la zone d’évidemment 14 ménagée dans la couche métallique 8 est rectangulaire.
Plus précisément, dans l’exemple représenté en , la couche métallique 8 comprend une ouverture (ou zone) de raccordement 20 qui connecte ou raccorde le bord périphérique 8a avec la zone d’évidemment 14. Cette ouverture de raccordement 20 constitue elle-même une zone d’évidement périphérique qui peut prendre par exemple la forme d’une fente. Autrement dit, la zone d’évidemment 14 émerge (ou débouche) sur le bord périphérique 8a via cette ouverture de raccordement 20. Cette zone de raccordement 20 se caractérise par une distance d1 séparant deux bords périphériques opposés de la couche métallique 8, la valeur de cette distance d1 pouvant varier selon le cas.
Ainsi, selon l’exemple représenté en , la distance d1 de la zone de raccordement 20 séparant deux bords périphériques opposés de la couche métallique 8 est identique à la hauteur (ou longueur) de la zone d’évidemment 14 elle-même. La zone de raccordement 20 forme ainsi dans la couche métallique 8 une deuxième zone d’évidemment qui s’étend dans le prolongement de la première zone d’évidemment 14. La zone d’évidemment 14 forme ainsi avec la zone de raccordement 20 une encoche dans la couche métallique 8. En d’autres termes, la zone d’évidemment 14 s’étend dans cet exemple jusqu’au bord périphérique 8a de la couche métallique 8 (sans que la formation d’une fente ou autre ne soit nécessaire).
La position de la zone d’évidemment 14 dans la couche métallique 8 peut varier selon le cas. Selon les exemples particuliers représentés en figures 2-3 , la zone d’évidemment 14 positionnée dans le voisinage d’un bord périphérique 8a de la couche métallique 8, ce qui permet d’assurer un couplage magnétique FL1 performant entre les antennes RF AT1 et AT2, comme expliqué plus en détail ci-après. D’autres implémentations sont toutefois possibles, dans lesquelles par exemple la zone d’évidemment 14 est positionné au centre (ou substantiellement au centre) de la couche métallique 8, étant entendu que cette zone d’évidemment 14 est toujours configurée pour débouchée sur (ou être raccordée à) à un bord périphérique 8a de la couche métallique 8 via une zone de raccordement 20.
L’intérêt de former une telle zone d’évidemment 14 dans la couche métallique 8 apparaîtra plus clairement dans la description qui suit. On considère à présent des modes de réalisation particuliers en référence aux figures 4-7 dans lesquels la couche métallique 8 comprend une zone d’évidemment 14 selon la configuration illustrée en .
En particulier, la représente schématiquement une vue éclatée en coupe de la carte à puce CD1 et la représente schématiquement une vue de détail en coupe de la carte à puce CD1, selon au moins un mode réalisation particulier.