INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Ici, l’électrode inférieure 13, conductrice, présente les mêmes dimensions latérales que le via inférieur 40 et est disposée dans le prolongement, au droit de ce dernier. L’extension latérale de l’électrode inférieure 13, réduite par rapport à l’extension latérale, D3, de la couche sélectrice 11 permet, comme discuté plus haut, de limiter la zone utilisée de la couche sélectrice à sa portion centrale 115. L’électrode inférieure 13 est délimitée ici par une surface latérale 131, 132, située dans le prolongement de surface latérale 41, 42 du via 40. Plus particulièrement, deux portions de la surface latérale 131, 132 de l’électrode inférieure 13, dites septième flanc 131 et huitième flanc 132, sont situées dans le prolongement des flancs 41 et 42 du via 40, et en tout cas distants de D1 des flancs 111, 121, 112, 122 de l’empilement.
Le premier empilement mémoire 20 peut, comme ici, comprendre une première électrode supérieure 22. La première électrode supérieure 22 relie électriquement la première couche active 21 au premier contact supérieur 50. Elle est d’ailleurs préférentiellement disposée entre la première couche active 21 et le premier contact supérieur 50. Pour cela, la première électrode supérieure 22 s’étend sur la première couche active 21, contre celle-ci. De manière avantageuse, une partie au moins de la première électrode supérieure 22 s’étend également parallèlement au premier flanc 121 de l'électrode supérieure de sélecteur 12 et en vis-à-vis de ce premier flanc 121. Cette première électrode supérieure 22 peut comprendre une ou plusieurs couches, jouant par exemple un rôle de couche réservoir pour des lacunes en oxygène (une telle couche étant par exemple réalisée en titane), ou un rôle de couche d’isolation s’opposant au passage d’oxygène (couche en nitrure de titane, par exemple), ou jouer encore un autre rôle dans le fonctionnement de l’empilement mémoire 20.
Le premier empilement mémoire 20 peut aussi comprendre une électrode inférieure (non représentée), qui s’étend, parallèlement à la première couche active 21, contre celle-ci, d’un côté opposé à la première électrode supérieure 22. En variante, l’électrode supérieure de sélecteur 11 pourrait jouer à la fois le rôle d’électrode supérieure de sélecteur, et d’électrode inférieure pour chacune des deux couches actives 21, 31 des empilements mémoire.
De la même manière, le deuxième empilement mémoire 30 peut comprendre une deuxième électrode supérieure 32 reliant électriquement la deuxième couche active 31 au deuxième contact supérieur 60, et, une deuxième électrode inférieure.
Le premier contact électrique 50 peut comprendre un premier via supérieur 51 s’étend par exemple à la verticale du premier empilement mémoire 20. Afin d’améliorer le contact électrique entre le premier contact 50 et le premier empilement mémoire 20, celui-ci peut également comprendre une première couche métallique 52, reliant électriquement le premier empilement mémoire 20. La première couche métallique 52 s’étend par exemple en partie sur le premier empilement mémoire 20 en recouvrant une partie verticale et une partie planaire dudit premier empilement mémoire 20. Dans un développement, la première couche métallique 52 joue directement le rôle de première électrode supérieure 22. La première couche métallique 52 pourrait aussi former l’une des colonnes d’adressage de la matrice, le via 51 étant un via de connexion de cette colonne, éventuellement déporté par rapport au dispositif 1a.
De la même manière, le deuxième contact électrique 60 peut comprendre un deuxième via supérieur 61 s’étendant, par exemple, à la verticale du premier empilement mémoire 20. Il peut également comprendre une deuxième couche métallique 62, reliant électriquement le deuxième empilement mémoire 30. La deuxième couche métallique 62 peut également s’étendre sur le deuxième empilement mémoire 30 en recouvrant une partie verticale et une partie planaire.
Comme déjà indiqué, la première couche active 20 est reliée électriquement à l’électrode supérieure de sélecteur 12. Dans le mode de réalisation de la , la première couche active 20 est directement reliée électriquement à l’électrode supérieure de sélecteur 12. Plus précisément, elle vient directement en contact contre le premier flanc 121 cette électrode. Une première surface 211 de la première couche active est ainsi au contact de ce flanc de l’électrode supérieure de sélecteur 12. En variante, une couche électriquement conductrice (telle qu’une électrode inférieure du premier empilement mémoire) pourrait toutefois être intercalée entre la première couche active et ce premier flanc 121 (cette couche conductrice s’étendant contre le premier flanc 121, tandis que la première couche active 21 vient s’étendre contre cette couche conductrice intermédiaire).
Ainsi, la première couche active 21 présente une portion disposée entre la première électrode supérieure 22 et l’électrode supérieure de sélecteur 12. Lorsque la première couche active 21 est par exemple de type OxRAM ou CBRAM, l’application d’une différence de potentiel entre la première électrode supérieure 22 et l’électrode supérieure de sélecteur 12 lors d’une opération initiale de forming (première création d’un filament conducteur) entraîne la formation d’un canal de conduction, dans la première couche active 21, au niveau d’une zone située en face du premier flanc 121 de l’électrode supérieure de sélecteur 12. La position du canal de conduction est donc contrôlée (et, en l’occurrence, elle est elle aussi éloignée des bords – i.e. des extrémités – de la première couche active), permettant de réduire la variabilité du premier empilement mémoire 20.
La première couche active 21 peut comprendre une portion planaire, venant en quelque sorte recouvrir une partie de l’électrode supérieure de sélecteur 12. Afin de conserver la localisation du canal de conduction au niveau du premier flanc 121 de l’électrode supérieure de sélecteur 12, l’ensemble 1a peut alors comprendre une couche isolante 71. Il s’agit par exemple d’une couche en matériau diélectrique, par exemple en nitrure de silicium, tel qu’un masque dur. La couche isolante est au moins disposée entre ladite portion planaire de la première couche active 21 et l’électrode supérieure de sélecteur 12. La couche isolante s’étend par exemple sur la totalité de l’électrode supérieure de sélecteur 12, tel que représenté par la .
La représente schématiquement un deuxième mode de réalisation de l’ensemble 1b. À la différence du mode de réalisation de la , la première couche active 21 du premier empilement mémoire 20 s’étend contre le premier flanc 121 de l’électrode supérieure de sélecteur 12 mais n’est pas directement en contact avec le premier flanc 121.
En effet, dans ce deuxième mode de réalisation, l’ensemble 1b comprend en outre un espaceur 72 électriquement isolant, qui s’étend contre le premier flanc 121, de l’électrode supérieure de sélecteur 12, et contre le troisième flanc 111, de la couche sélectrice 11. Cet espaceur 72 permet de protéger les flancs en question, notamment lors des opérations de dépôt et gravure des empilements mémoire 20, 30. Cela permet de réduire encore la variabilité des caractéristiques électrique de l’empilement sélecteur 10. Cet espaceur 72 est situé entre une partie de la première couche active 21 et les premier et troisième flancs 121, 111. Il est en quelque sorte pris en sandwich entre le flanc de l’empilement sélecteur et la partie verticale de la première couche active). Il s’étend contre les flancs 111 et 121, et la partie verticale de la première couche active s’étend contre cet espaceur 72.
Cet espaceur fait tout le tour de l’empilement sélecteur 10, et s’étend donc aussi entre, d’une part, les deuxième et quatrième flancs 122, 112, et, d’autre part, la deuxième couche active 31.
Par ailleurs, dans ce deuxième mode de réalisation, le premier empilement 20 comprend une première électrode inférieure 23 reliant électriquement la première couche active 21 à l’électrode supérieure de sélecteur 12. La première électrode inférieure 23 s’étend contre la première couche active 21, par exemple sur une face de la couche active 21 opposée la première électrode supérieure 22. Ainsi, la première couche active 21 est disposée entre (en quelques sorte prise entre) les premières électrodes supérieure et inférieure 22, 23. Selon ce mode de réalisation, la première électrode inférieure 23 est reliée directement à l’électrode supérieure de sélecteur 12. Les premières électrodes supérieure et inférieure 22, 23 distribuent les lignes de champs de manière homogène dans la couche active 21. Le canal de conduction peut donc être formé à une position dans la couche active 21, pas nécessairement en vis-à-vis du premier flanc 121, de l’électrode supérieure 12. La première électrode inférieure 23 peut être connectée à un flanc de l’électrode supérieure de sélecteur 12 ou, comme ici, sur une face supérieure de l’électrode supérieure de sélecteur 12, tel que présenté par la .
La représente schématiquement, en une coupe, un troisième mode de réalisation de l’ensemble 1c. À la différence du mode de réalisation de la , l’ensemble 1c comprend des troisième et quatrième empilements mémoire 20’, 30’, connectés à une même électrode supérieure de sélecteur additionnelle 12’. Les premier, deuxième, troisième et quatrième empilements mémoire 20, 30, 20’, 30’ sont par exemple alignés dans un même plan, par exemple celui de la . Les troisième et quatrième empilement mémoires 20’, 30’ peuvent, pour l’essentiel, présenter les mêmes caractéristiques que les premier et deuxième empilements mémoire de la .
les figures 4A, 4B et 4C sont des vues en perspective, schématiques et partielles, illustrant des étapes successives d'un exemple d'un procédé de fabrication d'un masque pour la réalisation de filtres colorés ; et
la est une vue en perspective, schématique et partielle, illustrant un exemple de capteur d'empreintes digitales comportant un filtre coloré.
Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. En particulier, les capteurs d'images pouvant être associés au filtre couleur n'ont pas été détaillés, les modes de réalisation décrits étant compatibles avec tous ou la plupart des capteurs d'images connus.
On désigne par l'expression "transmittance d'une couche" le rapport entre l'intensité du rayonnement sortant de la couche et l'intensité du rayonnement entrant dans la couche. Dans la suite de la description, une couche ou un film est dit opaque à un rayonnement lorsque la transmittance du rayonnement au travers de la couche ou du film est inférieure à 10 %. Dans la suite de la description, une couche ou un film est dit transparent à un rayonnement lorsque la transmittance du rayonnement au travers de la couche ou du film est supérieure à 10 %.
Dans la suite de la description, on appelle lumière visible un rayonnement électromagnétique dont la longueur d'onde est comprise entre 400 nm et 700 nm, on appelle rayonnement infrarouge (IR) un rayonnement électromagnétique dont la longueur d'onde est comprise entre 700 nm et 1 mm et on appelle rayonnement ultraviolet (UV) un rayonnement électromagnétique dont la longueur d'onde est comprise entre 100 et 400 nm. Dans le rayonnement infrarouge, on distingue notamment le rayonnement infrarouge proche, dont la longueur d'onde est comprise entre 700 nm et 1,7 µm. Dans le rayonnement ultraviolet, on distingue notamment le rayonnement UV-A, dont la longueur d'onde est comprise entre 315 et 400 nm, le rayonnement UV-B, dont la longueur d'onde est comprise entre 280 et 315 nm, et le rayonnement UV-C, dont la longueur d'onde est comprise entre 100 et 280 nm.
Selon un aspect d'un mode de réalisation, un dispositif d'acquisition d'empreintes digitales, ou capteur d'empreintes digitales, comprend un capteur d'images et un filtre coloré superposés, le filtre coloré du capteur d'empreintes digitales comportant au moins deux ensembles de premières et deuxièmes régions adaptées à transmettre de la lumière dans des gammes de longueurs d'ondes distinctes. À titre d'exemple, lorsqu'un doigt à analyser est placé sur le capteur d'empreintes digitales, au moins une source de lumière éclaire directement ou indirectement le doigt pour permettre une acquisition, par le capteur d'images et à travers les ensembles de premières et deuxièmes régions du filtre coloré, de premières et deuxièmes données représentatives d'une réponse du doigt à la lumière, par exemple par réflectivité. Les premières et deuxièmes données ainsi obtenues sont alors par exemple comparées respectivement à des premières et deuxièmes données de référence, par exemple des premières et deuxièmes données représentatives d'un vrai doigt, c'est-à-dire un doigt non artificiel, préalablement acquises par le capteur d'empreintes digitales à travers les ensembles de premières et deuxièmes régions du filtre coloré dans des conditions similaires.
Plus précisément, on éclaire par exemple le doigt à analyser et on détermine des réponses caractéristiques du doigt à partir des premières et deuxièmes données issues d'une image en réflectivité du doigt acquise par le capteur à travers les ensembles de premières et deuxièmes régions. À titre d'exemple, chacune des réponses caractéristiques d'un doigt correspond à une moyenne, éventuellement pondérée, de valeurs de pixels d'au moins une image du doigt acquise par le capteur d'images du capteur d'empreintes digitales obtenues pour l'un ou l'autre des ensembles de premières et deuxièmes régions. Chaque réponse du doigt à analyser est par exemple ensuite comparée à au moins une réponse de référence obtenue, pour un vrai doigt, dans des conditions d'illumination sensiblement identiques. Si la réponse du doigt à analyser diffère, selon un critère de comparaison, de la réponse de référence, par exemple si la réponse mesurée et la réponse de référence présentent, en valeur absolue, une différence supérieure à un seuil, le doigt à analyser est alors considéré comme étant un faux doigt.
Dans le cas où le doigt à analyser est un faux doigt, par exemple un doigt artificiel tridimensionnel en silicone, en latex, etc. ou une reproduction d'un doigt en deux dimensions, l'utilisation d'un tel filtre coloré permet d'accentuer l'écart entre la réponse mesurée et la réponse de référence obtenue avec un vrai doigt, notamment par rapport à un cas où le capteur d'empreintes serait dépourvu de filtre coloré. Il en résulte une protection accrue contre des tentatives de fraude.
Les réponses de référence d'un vrai doigt peuvent en outre être mémorisées pour différentes longueurs d'ondes d'illumination. La détection d'un faux doigt est alors par exemple effectuée en comparant la réponse du doigt à analyser avec la réponse de référence pour aux moins deux longueurs d'ondes différentes. À titre d'exemple, si la réponse du doigt à analyser diffère, selon un critère de comparaison, de la réponse de référence pour au moins une longueur d'onde, le doigt à analyser est alors considéré comme faux.
Les figures 1A à 1E sont des vues en perspective, schématiques et partielles, illustrant des étapes successives d'un exemple d'un procédé de fabrication d'un filtre coloré 100, par exemple un filtre coloré du type décrit ci-dessus, selon un mode de réalisation.
la illustre un exemple d'agencement des valeurs des pixels d'une image dans un circuit mémoire ;
la illustre schématiquement un exemple de format d'un signal d'instruction utilisé par le processeur pour commander le circuit de transfert de données dans le système de la ;
la illustre schématiquement l'exécution d'une opération de transfert de données dans le système de la ;
la représente de façon schématique et partielle un exemple d'implémentation d'un circuit de contrôle du circuit de transfert de données du système de la ;
la représente schématiquement un exemple d'un système de transfert de données selon un mode de réalisation ; et
la représente schématiquement le fonctionnement d'un exemple d'un système de transfert selon un mode de réalisation.
Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. En particulier, la réalisation des différents éléments des modules mémoire et des systèmes décrits n'a pas été détaillée, la réalisation de ces éléments étant à la portée de la personne du métier à partir des indications de la présente description.
La représente de façon schématique un exemple d'un circuit mémoire 101 (CSRAM) adapté à mettre en œuvre des opérations de calcul. Le circuit 101 comprend une matrice 103 (SRAM_ARRAY) de cellules élémentaires de stockage, par exemple des cellules SRAM (de l'anglais "Static Random Access Memory" – mémoire statique à accès aléatoire). En partie droite de la figure, on a représenté plus en détail certains éléments du circuit mémoire 101, et en particulier la matrice 103 de cellules élémentaires de stockage. Dans cet exemple, la matrice 103 comprend M rangées et N colonnes de cellules élémentaires de stockage 105, avec M et N entiers supérieurs ou égaux à 2. A titre d'exemple, la matrice 103 est similaire aux matrices décrites dans la demande de brevet EP3252774 précédemment déposée par le demandeur.
Le circuit mémoire 101 comprend en outre un circuit de sélection de rangées 107 (RS) adapté à sélectionner une unique rangée de la matrice 103 pour réaliser une opération de lecture ou d'écriture classique. Le circuit de sélection de rangées 107 peut en outre être adapté à sélectionner simultanément en lecture plusieurs rangées de la matrice 103, de façon à mettre en œuvre, sur des pistes conductrices de sortie de colonne de la matrice, des opérations logiques de base ayant pour opérandes des données stockées dans les rangées sélectionnées.
Le circuit mémoire 101 peut par ailleurs comprendre un circuit de calcul 109 adapté à mettre en œuvre des opérations de calcul supplémentaires à partir des signaux lus sur les pistes conductrices de sortie de colonne de la matrice 103 et/ou à réécrire directement dans la matrice 103 le résultat d'une opération de calcul, sans passer par des bornes de connexion externes du circuit mémoire 101.
Le circuit mémoire 101 comprend en outre un circuit d'entrée/sortie 111 (I/O) reliant les colonnes de la matrice à des bornes de connexion à l'extérieur du circuit mémoire, par exemple à un port d'entrée/sortie de données (non détaillé sur la ) du circuit mémoire.
Le circuit mémoire de la comprend en outre un circuit de contrôle 113 (FSM) relié aux circuits 107, 109 et 111. Le circuit 113 est adapté à décoder et à commander l'exécution d'instructions de lecture, d'écriture et/ou de calcul transmises par un circuit externe de contrôle (non représenté), par exemple un processeur.
La demande de brevet EP3503103 précédemment déposée par le demandeur décrit un exemple d'intégration d'un circuit mémoire adapté à mettre en œuvre des opérations de calcul dans un système comprenant un processeur. Dans ce système, les accès en lecture et en écriture au circuit mémoire adapté à mettre en œuvre des opérations de calcul sont effectués par l'intermédiaire du processeur. Ceci peut causer des ralentissements du système lorsque des quantités de données importantes sont transférées depuis ou vers le circuit mémoire adapté à mettre en œuvre des opérations de calcul.
L’électrode supérieure de sélecteur additionnelle 12’ est délimitée par une surface latérale dont une première et deuxième parties 121’, 122’, opposées l’une à l’autre, sont appelées flancs additionnels 121’, 122’. L’électrode supérieure de sélecteur additionnelle 12’ est distincte de l’électrode supérieure de sélecteur 12, sans contact cette dernière (c’est-à-dire disjointe de l’électrode supérieure de sélecteur 12, et donc, notamment, sans contact électrique direct avec elle). Le troisième empilement mémoire 20’ comprend une troisième couche active 21’ qui s’étend parallèlement au premier flanc additionnel 121’ et en vis-à-vis de celui-ci. Le quatrième empilement mémoire 30’ comprend une quatrième couche active 31’ qui s’étend parallèlement au deuxième flanc additionnel 122’, également en vis-à-vis de celui-ci.
La couche sélectrice 11 est commune aux deux électrodes supérieures de sélecteur 12, 12’, et s’étend sous chacune d’elles. Les première et quatrième couches actives 21, 31’ des premier et quatrième empilements mémoire 20, 30’ s’étendent également respectivement en vis-à-vis des troisième et quatrième flancs 111, 112 de la couche sélectrice 11 (sur toute la hauteur de l’empilement sélecteur 10)
En revanche, les deuxième et troisième couches actives 31, 21’ ne sont pas en vis-à-vis de flancs de la couche sélectrice 11 (puisque la couche sélectrice 11 s’étend latéralement bien au-delà du deuxième flanc 122 de l’électrode supérieure 12, et au-delà aussi du premier flanc additionnel 121’). La couche sélectrice 11 s’étend sous les deuxième et troisième empilements mémoires 30, 20’.
La mutualisation de la même couche sélectrice 11 pour quatre empilements mémoire 20, 30, 20’, 30’ permet d’obtenir une distance D4 importante séparant les troisième et quatrième flancs 111, 112 de la couche sélectrice 11. La variabilité étant améliorée avec l’augmentation de la distance D4 séparant lesdits flancs 111, 112, l’empilement sélecteur 10 présente une variabilité améliorée.
Le via inférieur 40 s’étend en partie au droit des deux électrodes supérieures de sélecteur 12, 12’ de manière à pouvoir créer un canal de conduction sous chacune desdites électrodes supérieure de sélecteur 12, 12’. Là aussi, les flancs 111, 112 de la couche sélectrice 11 sont séparés par la distance D3, supérieure à la largeur D4 du via inférieur 40 (et même, plus précisément égale à D3 + 2·D1).
On notera que deux canaux de conduction indépendant sont formés dans cette même couche sélectrice 11, l’un sensiblement au droit de l’électrode supérieure 12, et l’autre sensiblement au droit de l’électrode supérieure additionnelle 12’. L’ensemble 1c est donc en quelque sorte de la forme « 2S4R ».
L’ensemble comprend également un troisième contact électrique 50’ et un quatrième contact électrique 60’. De la même manière que les premier et deuxième contacts électriques 50, 60, les troisième et quatrième contacts 50’, 60’ sont également isolés électriquement l’un de l’autre.
La troisième couche active 21’ est reliée électriquement entre, le troisième contact 50’ et l’électrode supérieure de sélecteur additionnelle 12’. La quatrième couche active 22’ est reliée électriquement entre le quatrième contact 60’ et l’électrode supérieure de sélecteur additionnelle 12’.
La représente schématiquement un quatrième mode de réalisation de l’ensemble 1d. L’ensemble 1d comprend une empilement sélecteur additionnel 10’. L’empilement sélecteur 10 et l’empilement sélecteur additionnel 10’ sont orientés en tête-bêche et séparés l’un de l’autre par une couche isolante 71.
L’empilement sélecteur additionnel 10’ comprend une couche sélectrice additionnel 11’ et une électrode supérieure de sélecteur additionnelle 12’. L’ensemble 1d comprend également la couche isolante 71 s’étendant entre les empilements sélecteur 10 et 10’ de manière à les isoler électriquement l’un de l’autre. L’électrode supérieure 12 et l’électrode de sélecteur additionnel 12’ sont en vis-à-vis l’une de l’autre, séparé par la couche isolante 71. La couche sélectrice additionnelle 11’ s’étend sur l’électrode de sélecteur additionnel 12’, contre celle-ci.
L’empilement sélecteur 10 est relié électriquement à un via inférieur 40. L’empilement sélecteur 10’ peut également être relié électriquement à un via 40’, appelé supérieur ou via de sélecteur additionnel, situé au-dessus de la couche sélectrice additionnelle 11’. Ici, le via supérieur 40’ vient au contact de la couche sélectrice additionnelle 11’, contre celle-ci. Le via supérieur 40’ est disposé entre les premier et deuxième contacts électriques 50, 60, d’un point de vue latéral.