INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
On pourrait envisager de ne pas avoir de dispositif d’écriture spécifique pour les bits ECC et d’avoir un dispositif d’écriture qui prenne uniquement en entrée les mots de code fournis par l’encodeur, sans avoir de mode spécifique de « bypass » des valeurs à écrire dans les bits ECC en mode d’électroformage. Ainsi, on peut rechercher une donnée à écrire qui une fois passée dans l’encodeur conduise à un mot de code dont les bits ECC présentent tous la valeur « 1 » permettant de réaliser l’électroformage de ces bits ECC. Néanmoins, une telle donnée peut ne pas exister selon le type d’encodeur choisi. En outre, il est peu probable que la donnée d’entrée identifiée soit elle-même une suite uniquement de valeurs « 1 » permettant de réaliser l’opération d’électroformage simultanément des cellules non ECC. Ainsi, il serait très vraisemblablement nécessaire de doubler le nombre d’opérations de programmation de la cellule mémoire pour réaliser une première écriture visant l’électroformage des cellules non ECC (avec une écriture de valeur « 1 » pour ces cellules) et une deuxième écriture d’électroformage visant les cellules ECC. Un inconvénient de ce procédé est que les cellules mémoires subiraient deux fois les impulsions de haute tension nécessaire à l’électroformage, ce qui pourrait les fragiliser.
Une autre piste possible est de choisir un encodeur qui permette d’avoir des bits ECC tous à « 1 » pour une donnée d’entrée qui correspond à une séquence de valeurs « 1 ». Cette piste est possible si on utilise un encodeur qui mette en œuvre un code correcteur particulier comme cela apparaîtra ci-après.
Au moins l’un parmi le dépôt de la couche C x H y F z 11 et le traitement par le plasma d’activation 3 peuvent être répétés plusieurs fois. Plusieurs agencements d’étapes peuvent par exemple être prévus. On peut prévoir que le dépôt de la couche C x H y F z 11, puis la fourniture de la structure 1 dans la chambre de réaction 20, puis le traitement par le plasma d’activation soient répétés plusieurs fois. On peut prévoir que, suite à la fourniture de la structure dans la chambre de réaction 20, le dépôt de la couche C x H y F z 11 puis le traitement par le plasma d’activation soient répétés plusieurs fois. On peut prévoir en outre des exemples dans lesquels les deux exemples de réalisations du procédé présentés ci-dessus sont combinés.
Le dépôt de la couche C x H y F z 11 est maintenant décrit plus en détail. Le dépôt de la couche C x H y F z 11 peut être un dépôt chimique en phase vapeur (communément abrégé CVD, de l’anglais Chemical Vapor Deposition ). Le dépôt de la couche C x H y F z 11 peut être un dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (communément abrégé PE-CVD, de l’anglais Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ). Un dépôt assisté par plasma permet une meilleure conformité et/ou uniformité de la couche carbonée. Un dépôt assisté par plasma dans un réacteur de dépôt est en outre effectué généralement à plus haute pression que dans un réacteur de gravure. Le risque de gravure de la couche exposée dans les premières secondes du plasma est ainsi minimisé.
Selon un exemple le dépôt de la couche C x H y F z 11 est un dépôt chimique à partir d’au moins un précurseur gazeux. L’au moins un précurseur gazeux peut comprendre les éléments carbone, hydrogène et fluor. L’au moins un précurseur gazeux peut être de formule chimique C u H v F w , u, v et w étant des entiers positifs, au moins u et w étant non nuls. Selon un exemple u, v, et w sont non nuls. Le précurseur peut présenter une formule C u H v F w ou C u F w lorsque v=0, hors CF 4 . Le précurseur est différent de CF 4 qui ne permet pas seul de déposer une couche fluorée 11 en surface de la couche exposée. Selon un exemple, lors du dépôt les gaz injectés comprennent du CF4 en association avec l’au moins un précurseur gazeux. Selon un exemple alternatif, lors du dépôt les gaz injectés ne comprennent pas de CF 4 . Par exemple l’au moins un précurseur gazeux est choisi parmi les composés de formule CH 2 F 2 et CHF 3 , CH 3 F, C 4 F 8 et C 4 F 6.
Selon un exemple, l’au moins un précurseur gazeux peut être de formule chimique C u F w , u et w étant des entiers positifs non nuls, avec un précurseur à base d’hydrogène, par exemple H 2 .
Le dépôt de la couche C x H y F z 11 peut comprendre une injection du ou des précurseur(s) gazeux, éventuellement en mélange avec d’autres précurseurs et/ou un ou des gaz neutres. Selon un exemple, au moins un précurseur de formule chimique C u H v F w peut être injecté seul, sans précurseur de formule chimique autre que C u H v F w . Selon un exemple alternatif, un précurseur de formule chimique C u H v F w peut être injecté avec l’ajout d’au moins un précurseur de de formule chimique autre que C u H v F w ou C u F w hors CF 4 , par exemple un précurseurs CF 4 , ou un précurseur à base d’oxygène et/ou d’azote, tel que O 2 ou N 2 . Ces précurseurs permettent de limiter la polymérisation en surface des précurseurs C u H v F w et de ralentir la vitesse de dépôt de la couche 11. Un meilleur contrôle du dépôt de la couche 11 est ainsi obtenu. De préférence, pour améliorer encore ce contrôle du dépôt, la quantité de précurseur de formule chimique C u H v F w ou C u F w hors CF 4 injectée, par exemple le débit, est sensiblement 4 et de préférence 5 fois supérieure ou égale à la quantité du ou des autre(s) précurseur(s), par exemple à leur débit.
Selon un exemple, le débit de précurseur(s) injecté(s) est sensiblement compris entre 5 et 50 sccm, de préférence entre 5 et 40 sccm (unité de centimètres cubes standards par minutes, abrégée de l’anglais Standard Cubic Centimeters per Minute, et couramment employée dans le domaine pour mesurer le débit d’un gaz). Selon un exemple, le débit de précurseur(s) injecté(s) de formule chimique C u H v F w est sensiblement inférieur ou égal à 40 sccm et/ou sensiblement supérieur ou égal à 20 sccm. De préférence, le débit de précurseur(s) injecté(s) de formule chimique C u H v F w ou C u F w hors CF 4 est sensiblement égal à 35 sccm . La pression peut être sensiblement égale à 10 mT. Les débits et pression sont notamment choisis afin de contrôler la vitesse de dépôt et d’obtenir une bonne uniformité de la couche 11 déposée.
La température dans la chambre de réaction, de préférence la température du substrat, lors du dépôt de la couche 11, peut être comprise entre sensiblement 10°C et 250°C, de préférence inférieure ou égale à 100 °C, et de préférence sensiblement comprise entre 20 °C et 80 °C. La température dans la chambre de réaction peut être la température des parois de la chambre 20 et/ou la température du porte-échantillon 21. La puissance de la source plasma peut être comprise entre 200 W et 3000 W lors du dépôt de la couche 11.
Selon un exemple, lors du dépôt de la couche 11, un précurseur CH 2 F 2 est injecté à un débit sensiblement égal à 35sccm, en complément de CF 4 à un débit de 5 sccm, à une pression de 10mTorr et une puissance RF du plasma P s-plasma de 800W.
Le dépôt de la couche C x H y F z 11 peut être configuré de sorte que la couche C x H y F z 11 présente une épaisseur sensiblement supérieure ou égale à 1 nm, de préférence à 2 nm. Lors du développement de l’invention, il a été mis en évidence que cette épaisseur permettait une activation suffisante pour le collage ultérieur. Le dépôt de la couche C x H y F z 11 peut être configuré de sorte que la couche C x H y F z 11 présente une épaisseur sensiblement inférieure ou égale à 10 nm, de préférence à 5 nm. Le temps nécessaire au dépôt de la couche est ainsi limité, tout en permettant d’obtenir une activation suffisante pour le collage ultérieur. Le dépôt de la couche C x H y F z 11 peut être configuré de sorte que la couche C x H y F z 11 présente une épaisseur sensiblement comprise entre1 nm et 10 nm, et de préférence entre 2 nm et 5 nm.
Le traitement par le plasma d’activation 3 est maintenant décrit plus en détail. Le traitement par le plasma d’activation 3 peut comprendre une injection d’au moins un gaz dans la chambre de réaction et une formation du plasma d’activation 3 à partir du gaz. Le plasma d’activation 3 est à base de l’un au moins parmi de l’oxygène et de l’azote pour réagir avec la couche C x H y F z 11. Par exemple, l’au moins un gaz injecté comprend du dioxygène et/ou du diazote. Le gaz peut être injecté en mélange avec un ou plusieurs gaz neutres, par exemple de l’hélium ou de l’argon. Selon un exemple, le débit de gaz injecté(s) est sensiblement compris entre 5 et 200 sccm. La pression dans la chambre de réaction peut être sensiblement comprise entre 30mTorr et 200 mTorr (avec 1 Torr égal environ à 133,322 pascals (Pa) dans le système international des unités). La température dans la chambre de réaction, de préférence la température du substrat, lors du plasma d’activation, peut être comprise entre sensiblement 10°C et 250°C. La puissance de la source plasma peut être comprise entre 200 W et 3000 W lors du plasma d’activation.
Le traitement par plasma d’activation 3 peut être continu. Selon un exemple alternatif, le traitement par plasma d’activation peut être pulsé. Durant la formation du plasma continu ou pulsé, les gaz sont de préférence injectés en continu.
Lors du traitement par le plasma d’activation 3 pulsé, le plasma pulsé peut être obtenu en faisant fonctionner par intermittence, de préférence périodiquement, la source du plasma et/ou la polarisation V bias-substrat appliquée à la structure. L’application du plasma sur la structure est ainsi fractionnée dans le temps.
Selon un exemple, la tension d’auto-polarisation V bias-substrat appliquée à la structure est pulsée, c’est-à-dire que l’application de la tension de polarisation comprend une succession alternativement d’application et de moindre application de la tension de polarisation à la structure. Selon un exemple, l’application de la tension de polarisation comprend une succession alternativement d’application et de non-application de la tension de polarisation à la structure. Selon un exemple, en alternance, une tension de polarisation V bias-substrat 1 et une tension de polarisation V bias-substrat 2 sont appliquées à la structure successivement, avec |V bias-substrat 2| bias-substrat 1|, et de préférence |V bias-substrat 1| ≥ 5* |V bias-substrat 2| et plus préférablement |V bias-substrat 1| ≥ 10*|V bias-substrat 2|. De préférence, successivement en alternance, une tension d’auto-polarisation V bias-substrat 1 est appliquée à la structure et aucune tension d’auto-polarisation n’est appliquée à la structure. . Lorsqu’aucune tension d’auto- polarisation V bias-substrat 2 n’est volontairement appliquée à la structure 1, notons qu’une tension de polarisation résiduelle peut être appliquée à la structure, notamment en raison de phénomène de gaine dans le plasma. |V bias-substrat 2| peut alors être sensiblement égal à 20V, et plus particulièrement sensiblement égal à 15V. Le fait que le traitement plasma 3 est pulsé permet une plus grande fenêtre de paramètres pour minimiser la gravure de la couche exposée tout en permettant son activation.
Comme dit précédemment, le traitement par plasma d’activation 3 comprend une injection d’au moins un gaz dans la chambre de réaction 20 et une formation d’un plasma à partir de ce gaz. Le traitement peut en outre comprendre plusieurs cycles, chaque cycle comprenant une alternance d’une purge et de la formation d’un plasma, et ce cycle étant répété plusieurs fois lors du traitement. Ici aussi, l’application du plasma sur le substrat est fractionnée dans le temps. Ce traitement est donc désigné par le terme de plasma cyclique, par opposition à un traitement où le nettoyage est effectué par l’application d’un plasma de façon continue.
Le traitement par plasma d’activation peut comprendre au moins un et de préférence plusieurs cycles. Chaque cycle comprend au moins deux, et de préférence trois, étapes principales. Chaque cycle peut comprendre une étape habituellement qualifiée de purge. La purge a pour fonction d’évacuer les espèces gazeuses éventuellement présentes dans la chambre de réaction 20, par exemple d’évacuer les sous-produits réactionnels suite au traitement par plasma. Selon un exemple, dans le cycle, la purge est réalisée avant la formation du plasma. Ainsi, la composition du plasma formé est mieux contrôlée, pour s’assurer de la qualité du plasma obtenu. Cette purge consiste généralement à injecter dans la chambre de réaction 20 un gaz neutre tel que de l’argon ou de l’hélium.
Lors de la formation du plasma 3, une tension d’auto-polarisation, de préférence non-nulle, est appliquée. La tension d’auto-polarisation peut être appliquée à la chambre de réaction 20. Ainsi, l’énergie des ions du plasma d’activation peut être modulée pour améliorer l’efficacité du bombardement ionique sur la couche C x H y F z 11 et donc l’activation de la couche exposée, tout en limitant la gravure de la couche exposée 10. Pour cela, la tension d’auto-polarisation peut être strictement inférieure à 0. La valeur absolue de la tension d’auto-polarisation peut être sensiblement supérieure ou égale à 100 V, de préférence à 200 V. La valeur absolue de la tension d’auto-polarisation peut être sensiblement inférieure ou égale à 500 V.
m = ,
- si une impédance de sortie des convertisseurs est purement inductive, on a :
n =
où est une tension maximale admissible en sortie des convertisseurs, est une tension minimale admissible, est une puissance active maximale admissible, est une puissance active minimale admissible, est une fréquence maximale admissible, est une fréquence minimale admissible, est une puissance réactive maximale admissible, est une puissance réactive minimale admissible.
On propose de plus un convertisseur comprenant une unité de traitement dans laquelle est mis en œuvre le procédé de synchronisation tel que précédemment décrit.
On propose de plus un programme d’ordinateur comprenant des instructions qui conduisent l’unité de traitement du convertisseur tel que précédemment décrit à exécuter les étapes du procédé de synchronisation tel que précédemment décrit.
la représente un convertisseur (SGC) ;
la représente un groupe de convertisseurs ;
la représente un système de convertisseurs ;
la représente des groupes de convertisseurs communiquant entre eux via des modules de communication radiofréquence ;
la représente deux groupes de convertisseurs et les paramètres échangés ;
la représente les paramètres échangés au sein d’un convertisseur ;
la représente des étapes d’un algorithme de configuration générale ;
la représente des étapes d’un algorithme de sélection du groupe de convertisseurs maître ;
la représente des étapes d’un algorithme de synchronisation ;
la représente des étapes d’un algorithme de détection ;
la représente des étapes d’un algorithme de calcul de l’état de charge global d’un groupe de convertisseurs ;
la représente des étapes d’un algorithme de de protection ;
la figure 13 représente des graphiques comprenant des droites représentant des fonctions linéaires en fonction de P et en fonction de Q, lors de la mise en œuvre d’une régulation par statisme, dans le cas d’une impédance de sortie inductive ;
la figure 14 représente des graphiques comprenant des droites représentant des fonctions linéaires en fonction de P et en fonction de Q, lors de la mise en œuvre d’une régulation par statisme, dans le cas d’une impédance de sortie résistive ;
la représente des graphiques montrant les coefficients de statisme dans le cas d’une impédance de sortie résistive ;
la représente des étapes de l’algorithme de contrôle global utilisé dans la première configuration de connexion ;
la représente des échanges de puissance dans la première configuration de connexion ;
la représente des étapes de l’algorithme de contrôle global utilisé dans la deuxième configuration de connexion ;
la représente des échanges de puissance dans la deuxième configuration de connexion ;
la représente des étapes de l’algorithme de contrôle global utilisé dans la troisième configuration de connexion ;
la représente des échanges de puissance dans la troisième configuration de connexion ;
la représente des étapes de l’algorithme de contrôle global utilisé dans la quatrième configuration de connexion ;
L’étape d’initialisation 320 d’une adresse dans la mémoire résistive et de configuration du contrôleur mémoire en mode 1T1R et l’étape d’encodage 310 de bits de données avec un ECC linéaire et invariant à l’inversion sont des étapes qui peuvent être alternées chronologiquement ou réalisées en parallèle selon l’organisation matérielle du circuit, et notamment les moyens de commande utilisés par l’hôte pour commander le contrôleur mémoire, et éventuellement l’encodeur.
Le procédé d’électroformage se poursuit avec une étape 330 consistant à écrire dans la mémoire résistive selon ledit mot de code à ladite adresse d’électroformage. Le fait d’avoir configuré le contrôleur mémoire en mode électroformage garantit que l’opération d’écriture s’effectuera en appliquant des impulsions haute tension nécessaires à l’électroformage de cellules d’une mémoire résistive.
Dans le procédé d’électroformage de la présente invention, cette étape 330 consistant à écrire dans la mémoire résistive des bits de données égaux à 1 qui sont encodés avec un ECC linéaire et invariant à l’inversion garantit le fait que le mot de code écrit dans la mémoire aura tous ses bits égaux à 1. L’écriture d’un mot de code avec tous les bits égaux à 1 en mode 1T1R se traduira par une programmation à LRS de toutes les résistances des cellules mémoire à l’adresse indiquée. Le mode électroformage du contrôleur mémoire garantit l’exécution d’une opération d’électroformage sur les cellules mémoire à l’adresse indiquée.
Le procédé d’électroformage d’une mémoire résistive selon la se poursuit avec une étape 331 consistant à vérifier à l’adresse d’électroformage dans la mémoire résistive que ledit mot de code a été bien programmé et, par conséquent, que les cellules mémoire ont été bien électro-formées. Cette étape peut être exécutée par le processeur hôte à travers une opération de lecture à l’adresse d’électroformage. Une erreur d’électroformage pourra être identifiée par l’hôte à travers l’identification des bits qui ne sont pas égaux à 1. L’hôte doit aussi vérifier si le contrôleur mémoire n’a pas signalé des erreurs, notamment des erreurs détectées par le décodeur lors de l’étape de lecture post-formage. Cette vérification d’erreurs de lecture éventuelle peut être faite soit par un signalement d’une erreur de lecture envoyé par le contrôleur mémoire à l’hôte, soit par une action de l’hôte consistant à vérifier des registres de statut du contrôleur mémoire. Dans le deuxième cas, on suppose que l’adresse de toute erreur corrigeable ou non-corrigeable identifiée par le décodeur ECC sera sauvegardée dans un registre de statut du contrôleur mémoire, et/ou dans un registre d’un processeur externe relié au dispositif mémoire. Si une erreur d’écriture a été identifiée, le procédé d’électroformage se poursuit par une étape 340 consistant à sauvegarder ladite adresse d’électroformage « avec erreur » dans une mémoire dédiée, dite mémoire de travail, associée à l’hôte (et non représentée). De cette manière, il sera possible dans la suite de la procédure de réessayer l’électroformage des cellules de la mémoire résistives se trouvant aux adresses sauvegardées dans la mémoire de travail de l’hôte.
Que ce soit dans le cas d’une erreur d’écriture identifiée ou bien dans le cas où aucune erreur d’écriture n’a été identifiée, le procédé d’électroformage se poursuit avec une étape 350 consistant à incrémenter ou décrémenter l’adresse d’électroformage afin de générer une nouvelle adresse d’électroformage. Ainsi le procédé peut être poursuivi en réitérant l’étape 330 d’écriture dudit mot de code, dont tous les bits ont la valeur ‘1’, à ladite adresse d’électroformage incrémentée ou décrémentée, de manière à former la totalité de la mémoire résistive.
Le procédé d’électroformage de la mémoire résistive selon la se poursuit avec une étape 360 consistant à vérifier que l’adresse d’électroformage incrémentée ou décrémentée est comprise dans la portée de la mémoire résistive. Par « comprise dans la portée de la mémoire résistive » il est entendu que le procédé d’électroformage est envisagé selon une portion ou la totalité de la mémoire résistive et que les adresses d’électroformage ne peuvent dépasser le périmètre de ces portions ou de la totalité de la mémoire résistive.
Dans le cas où le résultat de la vérification est que la nouvelle adresse d’électroformage incrémentée ou décrémentée n’est pas comprise dans la portée de la mémoire résistive, alors le procédé d’électroformage peut se terminer. Dans le cas où le résultat de la vérification est que l’adresse d’électroformage incrémentée ou décrémentée est comprise dans la portée de la mémoire résistive, alors le procédé se poursuit avec la réitération de l’étape 330 consistant à former la mémoire résistive selon ledit mot de code à ladite adresse d’électroformage incrémentée ou décrémentée.
Dans un mode de réalisation, le procédé d’électroformage comprend l’étape ultérieure de fournir le mot de code lu à un décodeur apte à fournir k bits de données corrigées si nécessaire à partir des bits de vérification, le décodeur étant apte à renseigner un registre de statut du contrôleur mémoire indiquant la présence ou non d’une erreur corrigeable ou non-corrigeable dans le mot qui vient d’être lu, et où l’étape de comparaison de la valeur lue et de la valeur attendue inclut une opération de consultation dudit registre de statut du contrôleur.
La représente des étapes d’un procédé 400 de vérification d’une opération d’électroformage, et en particulier un électroformage réalisé selon le procédé décrit précédemment en référence aux figures 2 et 3. Ces étapes peuvent être réalisées indépendamment ou en complément des étapes du procédé d’électroformage décrit.
Par ailleurs, ces étapes peuvent être réalisées comme un procédé de vérification d’écriture dans une mémoire résistive d’un dispositif mémoire incluant un contrôleur mémoire et un encodeur calculant un code correcteur d’erreur linéaire et invariant à l’inversion et un décodeur associé.
Le procédé 400 comprend une première étape 410 de lecture de vérification, consistant requérir, par un processeur externe, une lecture à l’adresse initiale et/ou à la nouvelle adresse et vérifier si tous les bits de données retournée audit processeur, obtenues en sortie d’un décodeur ayant reçu le mode de code lu, ont tous une même valeur logique parmi deux valeurs logiques « 0 » et « 1 » possibles.
Dans le cas où il est lu et vérifié que certains bits de données ont une valeur différente de la valeur logique ‘0’ ou ‘1’ (branche Oui de 412) attendue, alors le procédé se poursuit par une étape 431 consistant à signaler une erreur d’électroformage.
Dans le cas où il est lu et vérifié qu’aucun bit de ce mot de code n’a une valeur logique différente de ‘1’ ou ’0’ de la valeur attendue (branche Non de 412), alors le procédé se poursuit par une étape 420 consistant à lire un registre de statut du contrôleur mémoire pour vérifier 430 la présence ou non d’une erreur ayant été corrigée par ledit décodeur dans le mot qui vient d’être lu (vérifier si le décodeur ECC a levé un drapeau (issu de l’anglicisme « flag ») indiquant la présence d’une erreur, corrigeable ou non-corrigeable dans le mot qui vient d’être lu).
Dans le cas (branche Non de 430) où le résultat est qu’il n’y a pas d’erreur (corrigeable ou non-corrigeable) indiqué par le registre du statut du contrôleur mémoire, le procédé se termine par une étape 432 consistant à conclure qu’il n’y a pas d’erreurs d’électroformage.
Dans le cas (branche Oui de 430) où le résultat est qu’il y a une erreur, corrigeable ou non-corrigeable, indiqué par le registre du statut du contrôleur mémoire, le procédé se poursuit par l’étape 431 consistant à prendre en compte l’erreur d’électroformage, i.e. en pratique à conserver l’adresse courante à laquelle une opération d’électroformage vient juste d’être réalisée et vérifiée. Ultérieurement, l’hôte pourra relancer une éventuelle opération d’électroformage à cette adresse, ou pourra éventuellement décider de ne pas utiliser les cellules mémoire situées à cette adresse ayant amené des erreurs.