INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Le temps de vol entre deux équipements estimé peut être utilisé pour des applications différentes. Par exemple, la distance entre deux équipements peut être estimée à partir du temps de vol entre les deux équipements. Selon un autre exemple d’application, le temps de vol estimé peut être utilisé pour synchroniser les équipements.
On notera que l’estimation du temps de vol est un processus collaboratif entre les deux équipements. La participation du deuxième équipement à l’estimation du temps de vol par le premier équipement permet d’estimer de manière plus précise le temps de vol entre les équipements. En outre, il peut être évité d’ajouter de modules complexes dédiés à l’estimation du temps de vol entre les équipements, tout en estimant de manière optimale le temps de vol entre les équipements.
Les premier et deuxième messages peuvent être des messages échangés entre les équipements au niveau applicatif. En particulier, les premier et deuxième messages peuvent être des messages échangés entre deux interfaces de programmation applicative (API pour « Application Programming Interface ») installées respectivement dans le premier équipement et le deuxième équipement. Les interfaces de programmation applicative embarquées respectivement dans le premier équipement et dans le deuxième équipement permettent la communication entre deux applications installées respectivement dans ces équipements pour la mise en œuvre d’opérations.
Selon une caractéristique, le procédé comporte en outre l’émission dudit temps de vol estimé.
L’émission du temps de vol estimé peut être destinée au deuxième équipement ou diffusé. Indépendamment de la méthode d’émission utilisée par le premier équipement, le deuxième équipement est au courant du temps de vol entre lui-même et le premier équipement. Dans le cas où ce deuxième équipement n’ait pas les ressources nécessaires (par exemple n’ayant pas le niveau de batterie nécessaire) pour calculer le temps de vol, ce processus collaboratif permet au deuxième équipement de connaitre le temps de vol estimé bien qu’il ne soit pas à l’origine de l’estimation.
Ainsi, le deuxième équipement connaissant ce temps de vol, il peut par exemple estimer la distance le séparant avec le premier équipement.
Selon une caractéristique, le procédé d’estimation comporte en outre l’émission d’une information de réception représentative d’un instant à partir duquel ledit premier équipement est configuré pour recevoir de messages, le deuxième équipement tenant compte de cette information de réception pour déterminer l’instant d’émission du message comportant ladite information d’émission.
Selon l’un des aspects de l’invention, la ou les griffes métalliques du couvercle peuvent par exemple être fixées au couvercle en étant surmoulées dans la matière du couvercle.
En variante, la griffe métallique appartient à la poutre qui comprend un élément métallique, par exemple une feuille métallique, et la griffe métallique est en contact électrique avec cet élément métallique.
En variante encore, la griffe métallique appartient à une bague anti-fluage interposée entre le couvercle et la ou les poutres.
Selon l’un des aspects de l’invention, la bague anti-fluage est électriquement conductrice.
Selon l’un des aspects de l’invention, la bague anti-fluage comporte une pluralité de griffes métalliques réparties sur son pourtour.
Selon l’un des aspects de l’invention, la griffe métallique présente une pointe capable de pénétrer une matière plastique.
Il est de préférence prévu une pluralité de griffes métalliques agencées pour pénétrer la matière et venir au contact de l’élément métallique.
Selon l’un des aspects de l’invention, le compartiment comporte une ou plusieurs vis pour visser le couvercle sur la ou les poutres.
Le vissage du couvercle sur les poutres permet d’appuyer sur les griffes métalliques qui pénètrent dans la matière des poutres.
Selon l’un des aspects de l’invention, la bague anti-fluage est en regard de la vis de sorte que la tige de vis traverse la bague anti-fluage.
La présente invention a encore pour objet un compartiment pour un équipement susceptible de dégager de la chaleur lors de son fonctionnement, l’équipement étant notamment un dispositif de stockage d'énergie électrique pour véhicule, ce compartiment comportant au moins un logement agencé pour recevoir ledit équipement électrique, au moins une poutre formant une paroi latérale de ce logement, et un couvercle agencé pour être assemblé avec la poutre pour fermer le logement, le compartiment étant caractérisé en ce que la poutre comprend une âme réalisée en matériau composite contenant une matière plastique et des éléments de renfort, par exemple en fibres de verre ou de carbone, cette poutre et le couvercle comprenant chacun au moins un élément métallique, ces éléments métalliques étant mis en continuité électrique entre eux de sorte à participer à une protection électromagnétique du compartiment.
Selon un mode de réalisation, le circuit de commande 50 comprend de haut en bas en : - un substrat semiconducteur 100, par exemple du silicium monocristallin, une couche isolante 102 délimitant la face 54 et les plots conducteurs 56 exposés sur la face inférieure 54 ; - des transistors MOS 104, formés dans et sur le substrat 100 ; - un empilement 105 de couches isolantes, par exemple en oxyde de silicium et/ou en nitrure de silicium, recouvrant le substrat 100 et les pistes conductrices 106 de plusieurs niveaux de métallisation formées entre les couches isolantes de l'empilement 105 dont notamment des plots 108 exposés sur la face 55 du circuit de commande 50, les pistes conductrices 106 du premier niveau de métallisation pouvant être en silicium polycristallin et former notamment les grilles des transistors MOS 104 et les pistes conductrices 106 des autres niveaux de métallisation pouvant être des pistes métalliques, par exemple en aluminium, en argent, en cuivre ou en zinc ; et - des vias 107 conducteurs et isolés latéralement, également appelés TSV (sigle anglais pour Through Silicon Vias) traversant le substrat 100 et reliant les plots 56 à des plots 110 du premier niveau de métallisation de l'empilement 105.
Selon un mode de réalisation, le circuit d'affichage 52 comprend de haut en bas en : - un support 111 formant la face 58 du circuit d'affichage 52 au contact de la face 55 du circuit de commande 50 et comprenant des plots conducteurs 112 exposés sur la face 58, au contact des plots 110, et une structure isolante multicouches 113, par exemple en oxyde de silicium et en nitrure de silicium, s'étendant entre les plots 112 et recouvrant les plots 112 et comprenant des ouvertures 114 exposant des portions des plots 112 ; - des microfils ou nanofils 115, appelés fils par la suite (deux fils étant représentés), chaque fil 115 étant en contact avec l'un des plots 112 au travers de l'une des ouvertures 114 ; - une couche isolante 116 s'étendant sur les flancs latéraux d'une portion inférieure de chaque fil 115 et s'étendant sur la couche isolante 113 entre les fils 115 ; - une coque 118 comprenant un empilement de couches semiconductrices recouvrant une portion supérieure de chaque fil 115 et s'étendant sur la couche isolante 116 entre les fils 115, la coque 118 comprenant notamment une couche active qui est la couche depuis laquelle est émise la majorité du rayonnement fourni par la diode électroluminescente et comportant par exemple des moyens de confinement, tels que des puits quantiques multiples ; - une couche conductrice 120 et réfléchissante, s'étendant sur la coque 118 entre les fils 115 ; - une couche conductrice 122 transparente formant une électrode recouvrant, pour chaque fil 115, la coque 118 et s'étendant, en outre, sur la couche conductrice 120 entre les fils 115 ; - un bloc 124 transparent ou diffusant recouvrant les diodes électroluminescentes LED ; et - une couche d'encapsulation 126 recouvrant l'ensemble de la structure.
Chaque fil 115 peut avoir une structure semiconductrice allongée. Chaque fil 115 peut avoir une forme générale cylindrique avec une section droite pouvant avoir différentes formes, telles que, par exemple, une forme ovale, circulaire ou polygonale, notamment triangulaire, rectangulaire, carrée ou hexagonale. Chaque fil 115 a par exemple un diamètre moyen, correspondant par exemple au diamètre du disque ayant la même aire que la section droite du fil 115, compris entre 5 nm et 5 µm, de préférence entre 100 nm et 2 µm, plus préférentiellement entre 200 nm et 1,5 µm et une hauteur supérieure ou égale supérieure à 1 fois, de préférence supérieure ou égale à 3 fois et encore plus préférentiellement supérieure ou égale à 5 fois le diamètre moyen, notamment supérieure à 500 nm, de préférence comprise entre 1 µm et 50 µm. Les fils 115 comprennent au moins un matériau semiconducteur. Le matériau semiconducteur peut être du carbure de silicium, un composé III-V, par exemple du GaN, AlN, InN, InGaN, AlGaN ou AlInGaN, un composé II-VI ou une combinaison d'au moins deux de ces composés.
La couche conductrice 122 est adaptée à polariser les couches actives des coques 118 et à laisser passer le rayonnement électromagnétique émis par les diodes électroluminescentes. Le matériau formant la couche conductrice 122 peut être un matériau transparent et conducteur tel que du graphène, ou un oxyde transparent et conducteur (ou TCO, sigle anglais pour Transparent Conducting Oxide), notamment l'oxyde d'indium-étain (ou ITO, sigle anglais pour Indium Tin Oxide), de l'oxyde de zinc dopé ou non à l'aluminium, ou au gallium ou au bore, ou des nanofils d'argent. A titre d'exemple, la couche conductrice 122 a une épaisseur comprise entre 20 nm et 500 nm, de préférence entre 20 nm et 100 nm.
La couche conductrice 120, les pistes conductrices 106 et les plots conducteurs 56, 108, 112 peuvent être en métal, par exemple en aluminium, en argent, en platine, en nickel, en cuivre, en or ou en ruthénium ou en un alliage comprenant au moins deux de ces composés, notamment l'alliage PdAgNiAu ou l'alliage PtAgNiAu. La couche conductrice 120 peut avoir une épaisseur comprise entre 100 nm et 3 µm. Les plots conducteurs 56, 108, 112 peuvent avoir une épaisseur comprise entre 0,5 µm et 2 µm.
Chacune des couches isolantes 105, 111, 116 est en un matériau choisi dans le groupe comprenant l'oxyde de silicium (SiO 2 ), le nitrure de silicium (Si x N y , où x est environ égal à 3 et y est environ égal à 4, par exemple du Si 3 N 4 ), l'oxynitrure de silicium (notamment de formule générale SiO x N y , par exemple du Si 2 ON 2 ), l'oxyde d'hafnium (HfO 2 ), l'oxyde de titane (TiO 2 ), ou l'oxyde d'aluminium (Al 2 O 3 ).
Les figures 10 à 16 sont des vues en coupe, partielles et schématiques, de structures obtenues à des étapes successives d'un mode de réalisation de l'écran d'affichage 25 représenté en .
La représente la structure obtenue après une étape de formation sur la face 30 du support 26 de la couche opaque 38. Cette étape peut comprendre le dépôt sur la totalité de la face 30 du matériau composant la couche 38 et la gravure de ce matériau pour former les ouvertures 39 aux emplacements prévus des sous-pixels d'affichage.
La représente la structure obtenue après une étape de formation des trous 32 dans le support 26. Les trous 32 peuvent être formés par gravure, notamment une gravure ionique réactive (RIE, acronyme anglais pour Reactive Ion Etching).
La représente la structure obtenue après une étape de formation des blocs photoluminescents 34, 36 dans les trous 32. Selon les matériaux considérés, le procédé de formation des blocs 32 et 36 peut correspondre à un procédé dit additif, par exemple par impression directe du matériau composant les blocs 32 et 36 aux emplacements souhaités, par exemple par impression par jet d'encre, héliographie, sérigraphie, flexographie, revêtement par pulvérisation (en anglais spray coating) ou dépôt de gouttes (en anglais drop-casting). Selon les matériaux considérés, le procédé de formation des blocs 32 et 36 peut correspondre à un procédé dit soustractif, dans lequel le matériau composant les blocs 32 et 36 est déposé sur la totalité de la structure et dans lequel les portions non utilisées sont ensuite retirées, par exemple par photolithographie ou ablation laser. Il peut s'agir notamment de procédés du type dépôt à la tournette, revêtement par pulvérisation, héliographie, revêtement par filière (en anglais slot-die coating), revêtement à la lame (en anglais blade-coating), flexographie ou sérigraphie.
La représente la structure obtenue après une étape de dépôt de la couche de colle 40 sur une face de la structure représentée en , en particulier sur la couche opaque 38, les blocs photoluminescents 34, 36, et les parties exposées du support 26 dans les ouvertures 39 de la couche opaque 38. A cette étape, la couche de colle 40 peut être sous forme liquide, plus ou moins visqueuse. Le dépôt de la couche de colle 40 peut être réalisé par l'un des procédés décrits précédemment pour la formation des blocs photoluminescents 34 et 36.
La représente la structure obtenue après une étape de mise en place des sous-pixels d'affichage SPix sur le support 26, chaque sous-pixel d'affichage SPix étant placé en vis-à-vis d'un trou 32 ou en vis-à-vis d'une partie exposée du support 26 dans une ouverture 39 de la couche opaque 38. Selon un mode de réalisation, cette étape comprend l'enfoncement de chaque sous-pixel d'affichage SPix dans la couche de colle 40 du côté des circuits d'affichage 32 et une étape de solidification de la colle, pouvant comprendre une étape de chauffage et/ou une étape d'exposition à un rayonnement ultraviolet ou infrarouge. Un film de la couche de colle 40 peut persister entre le sous-pixel d'affichage SPix et le support 26 ou les blocs photoluminescents 34, 36 après la mise en place du sous-pixel d'affichage SPix. La couche de colle 40 est alors transparente au rayonnement émis par les diodes luminescentes LED. L'indice de réfraction de la couche de colle 40, de préférence inférieur à 2, est adapté à l'extraction et la propagation du rayonnement émis par les diodes électroluminescentes. Un procédé de fabrication des sous-pixels d'affichage comprend la formation d'une pluralité de circuits d'affichage sur une plaque, appelée plaque optoélectronique, la formation d'une pluralité de circuits de commande sur une plaque, appelée plaque logique, la fixation de la plaque optoélectronique à la plaque logique et la découpe de l'empilement de la plaque optoélectronique et de la plaque logique pour séparer les sous-pixels d'affichage.
La représente la structure obtenue après une étape de formation de la couche de remplissage 42. Le dépôt de la couche de remplissage 42 peut être réalisé par l'un des procédés décrits précédemment pour la formation des blocs photoluminescents 34 et 36. Une étape de planarisation peut être prévue pour former la face 61.
La représente la structure obtenue après une étape de formation des pistes conductrices 44. Le matériau composant les pistes conductrices est, par exemple, déposé par évaporation ou par pulvérisation cathodique sur l'ensemble de la couche de remplissage 42 et des faces 54 des sous-pixels d'affichage SPix et les pistes conductrices 44 sont délimitées par gravure.
Dans les modes de réalisation décrits précédemment, chaque pixel d'affichage/sous-pixel d'affichage comprend le circuit de commande 50 qui intègre l'électronique de commande des diodes électroluminescentes LED du pixel d'affichage/sous pixel d'affichage. Ceci permet notamment de pouvoir former directement les pistes conductrices 44 sur la face 61, après une éventuelle étape de planarisation, et donc permet, avant la formation des pistes conductrices 44, le report direct des pixels d'affichage/sous-pixels d'affichage sur le support 26 comportant les blocs photoluminescents 34, 36, contrairement à un procédé classique dans lequel les pixels d'affichage/sous-pixels d'affichage sont déposés sur une dalle comportant l’électronique de commande et les blocs photoluminescents sont formés ensuite sur les pixels d'affichage/sous-pixels d'affichage. Si chaque pixel d'affichage/sous-pixel d'affichage ne comprenait pas le circuit de commande 50, il serait difficile, voire il ne serait pas possible, de déposer les pixels d'affichage/sous-pixels d'affichage sur le support 26 comportant les blocs photoluminescents 34, 36. En effet, il faudrait alors ensuite former ou déposer des composants électroniques sur une structure ayant déjà fait l’objet d’un report, ce qui peut ne pas être compatible avec les contraintes de précision pour la formation/le dépôt de composants électroniques.
Un mode de réalisation d'un procédé de fabrication de l'écran d'affichage 65 représenté en comprend l'ensemble des étapes décrites précédemment en relation avec les figures 10 à 12, et comprend en outre, avant l'étape de formation des blocs photoluminescents 34 et 36 décrites précédemment en relation avec la , une étape de formation des couches de filtre coloré 66 dans les trous 32.
la est un synoptique des principales étapes d’une phase d’initialisation d’un procédé détection et de caractérisation de signaux faibles d’exposition à un risque, selon un mode de réalisation ;
la est un synoptique des principales étapes d’une phase de calcul de signature prédictive de risque dans un procédé de détection et de caractérisation de signaux faibles d’exposition à un risque, dans un mode de réalisation ;
la est un synoptique des principales étapes d’une phase de caractérisation de signaux faibles d’exposition à un risque dans un mode de réalisation ;
la illustre un exemple schématique de système industriel dans lequel l’invention trouve une application.
L’invention sera décrite ci-après dans des modes de réalisation, en particulier dans son application pour la détection et la caractérisation de signaux faibles d’exposition d’un système industriel à un risque de défaillance matérielle d’un de ses composants.
Un exemple d’application de l’invention dans le cadre d’un système industriel particulier, qui est une installation nucléaire, sera décrit ci-après en référence à la . Bien entendu, il s’agit d’un exemple non limitatif d’application de l’invention.
La illustre schématiquement un système 2 de détection et de caractérisation de signaux faibles d’exposition d’un système industriel à un risque.
Le système industriel observé, référence S à la , comporte plusieurs éléments qui sont des sources S1, S2, S3 qui sont émettrices de grandeurs physiques (e.g. remontée d’alarme, relevé de mesures de fonctionnement, écart ou anomalie, fait technique), qui sont captés par un ou plusieurs capteurs 3. Bien entendu, en pratique le nombre de sources émettrices observées est quelconque.
Ces grandeurs physiques prélevées forment des signaux mesurés, fonction du temps, qui sont susceptibles de contenir des signaux qui sont relatifs à des évènements initiateurs élémentaires relatifs à un risque redouté (dysfonctionnement, panne, surchauffe ou dépassement de valeurs de fonctionnement acceptables etc).
Le premier système de calcul 4 est configuré pour mettre en œuvre une phase d’initialisation d’un procédé de détection et de caractérisation de signaux faibles d’exposition à un risque, en lien avec au moins un périmètre d’observation prédéfini, en particulier un périmètre spatial, comportant un ensemble de sources S1, S2, S3 observées, permettant de générer ou d’enrichir des bases de données comprenant :
-une base de données 22 d’évènements initiateurs élémentaires et de paramètres associés caractérisant des risques pour le périmètre prédéfini du système industriel ;
Les m+1 rétentats comprenant les phytotoxines récupérés du premier cycle de filtration sur membrane et les rétentats des m cycles supplémentaires de filtration sur membrane sont récupérés et éventuellement rassemblés.
Un mode de réalisation du procédé de récupération des phytotoxines d’un jus de fermentation obtenu à partir de microorganismes est représenté en . Après la culture des microorganismes dans le réacteur biologique (1), le jus de fermentation (2) et la biomasse (3) sont séparés. La biomasse (3) est récupérée, éventuellement traitée et/ou transformée selon son devenir. En parallèle, le jus de fermentation (4) est purifié par filtration sur membrane (5). Le rétentat (7) est isolé, tandis que le perméat (6) peut être isolé ou subir un nouveau cycle de filtration sur membrane m, conduisant à l’obtention du rétentat m+1 et du perméat m. Le perméat ainsi obtenu est réintroduit dans le réacteur biologique (1).
Dans un mode de réalisation, les microorganismes selon l’invention sont des algues et des microalgues appartenant préférentiellement aux classes des Chlorophytes, des Rodophytes, des Thraustochytrides, des Diatomées et des Dinoflagellés.
Selon un mode particulier de réalisation de l’invention, les protistes sont choisis parmi les genres Chlorella , Galdieria , Euglena , les cyanobactéries, les diatomées et les Dinoflagellés.
Les phytotoxines sécrétées par les microorganismes sont de petites molécules bien connues de l’homme du métier.
Dans le cadre de la présente invention, les phytotoxines sont des molécules sécrétées par les microorganismes cultivés et dont le poids moléculaire est compris entre 300 et 3000 Da. Des exemples de phytotoxines, mais sans s’y limiter, sont les composés appartenant aux familles des microcystines, des brevetoxines, des saxitoxines, des anatoxines α, des acides okadaïques, des amphidinols, des cylindrospermopsines, des imines cycliques, et des anabaenopeptines. D’autres exemples de phytotoxines sont la karlotoxine, la palytoxine, la tetrodotoxine, la yessotoxine, le gambierol, l’amphidinolide, le dinophysis, les ovatoxines, les ostreocines, les gonyautoxines, les ciguatoxines, les spirolides, et les imines cycliques.
L’invention concerne également l’utilisation des phytotoxines obtenues selon le procédé de l’invention. Les phytotoxines présentes dans les rétentats pourront être purifiées par des méthodes connues de l’homme du métier. Les phytotoxines ainsi isolées et purifiées pourront être utilisées dans l’industrie agricole, comme pesticides, ou dans l’industrie pharmaceutique ou cosmétique en tant que composés biologiquement actifs. Une autre application des phytotoxines, voire des rétentats riches en phytotoxines, est leur utilisation en tant qu’additif dans une biomasse de microorganismes. En effet, les biomasses récoltées ont leur composition qui varie selon les conditions de culture, et l’ajout de phytotoxines est parfois nécessaire pour obtenir une standardisation de la composition des lots de biomasse.
L’invention concerne aussi l’utilisation du ou des perméat(s) obtenu(s) selon le procédé de l’invention. A l’issue du procédé, les perméats comprenant de faibles quantités de phytotoxines sont utilisés comme milieu de culture, notamment dans un réacteur biologique. Il est entendu que selon la composition de ces rétentats, d’autres éléments peuvent être ajoutés afin d’obtenir un milieu de culture approprié aux microorganismes. Dans un mode de réalisation, le n ième perméat obtenu après n cycles de filtration sur membrane est réintroduit dans le réacteur biologique. Ce système fermé permet ainsi de recycler les perméats obtenus. Dans un autre mode de réalisation, les perméats sont isolés, éventuellement combinés, avant d’être utilisés comme milieu de culture. Ces perméats pourront aussi être stockés pour des utilisations ultérieures.
EXEMPLES L’objectif est de recycler le perméat contenant encore des molécules actives, le perméat va être utilisé comme feed durant un nombre de boucle n jusqu’à l’extraction totale de la concentration massique du feed initiale.
Par conséquent le résultat de la concentration après un premier tour de membrane dépendra de la concentration du perméat, d’où la concentration du feed après lambda tour : où et
Pour obtenir des lots les plus concentrés possible entre chaque tour dans les membranes, il faut tenir compte des spécificités de chacune des phytotoxines.
Dans le cas de la cylindrospermopsine, il faut privilégier une taille de membrane inférieure à 415 Da et avec un facteur de concentration élevé.
On entend par chaud, froid, refroidi, une température relative par rapport à un autre point du système.