Dispositif quantique à Qbits de spin comprenant un substrat (10) de type semi-conducteur sur isolant, le substrat étant doté d’une couche semi-conductrice superficielle (12), la couche semi-conductrice superficielle étant disposée sur une couche isolante (11), la couche isolante étant agencée sur une face supérieure (10A) d’une couche de support (10) semi-conductrice, le dispositif étant muni d’au moins un composant (C) formé d’un ou plusieurs ilots (12A) quantiques s’étendant dans la couche semi-conductrice superficielle (12) et d’une ou plusieurs grilles (20A, 20B) dites « avant » pour le contrôle électrostatique des ilots quantiques, la ou lesdites grilles avant (20A, 20B) étant disposée(s) sur la couche semi-conductrice superficielle (12), le composant (C) étant doté en outre d’une grille (120) de contrôle électrostatique dite « arrière », ladite grille de contrôle arrière étant formée d’une couche conductrice (119) tapissant des parois latérales (117b) et un fond (117a) d’une ouverture (117, 517), la dite ouverture traversant ladite couche de support (10) semi-conductrice depuis une face inférieure (10B) de ladite couche de support opposée à ladite face supérieure (10A) jusqu’à ladite couche isolante (11) du substrat, ladite couche conductrice (119, 519) étant disposée, au fond de l’ouverture (117, 517), contre et avantageusement en contact avec ladite couche isolante du substrat, ladite couche conductrice (119, 519) étant disposée contre et en contact avec ladite couche (10) de support semi-conductrice au niveau desdites parois latérales de ladite ouverture. Dispositif quantique à Qbits de spin selon la revendication 1, dans ladite ouverture (117) comporte un volume vide qui s’étend de la couche conductrice (119) jusqu’à une embouchure de ladite ouverture (117). Dispositif quantique à Qbits de spin selon l’une des revendications 1 ou 2, dans lequel la couche conductrice (119) s’étend en outre au-delà de ladite ouverture (117) sur ladite face inférieure (10B) de la couche de support. Dispositif quantique à Qbits de spin selon l’une des revendications 1 à 3, dans lequel la couche conductrice (119) s’étend sur une région donnée (10B1) de ladite face inférieure (10B) de la couche de support (10) et est structurée de sorte à comporter des motifs (122) sur cette région donnée. Dispositif quantique à Qbits de spin selon l’une des revendications 1 à 4, dans lequel ladite ouverture (517) a des parois latérales (517b) inclinées par rapport à une normal (n) à un plan principal de ladite couche (10) de support. Dispositif quantique à Qbits de spin selon l’une des revendications 1 à 5, dans lequel la couche conductrice (119) est formée d’un empilement comprenant une couche d’accroche conductrice, et une couche métallique en un matériau ayant des propriétés supra-conductrices. Procédé de fabrication d’un dispositif quantique à Qbits de spin selon l’une des revendications 1 à 6, comprenant, dans cet ordre, des étapes suivantes : a) prévoir ou réaliser une structure comprenant, ledit substrat muni desdits un ou plusieurs ilots quantiques (12A, 12B) s’étendant dans la couche semi-conductrice (12) superficielle et desdites une ou plusieurs grilles (20A, 20B) de contrôle électrostatique avant des ilots quantiques disposées sur la couche semi-conductrice superficielle, b) former, à travers la face inférieure de ladite couche de support (10), ladite ouverture (117) puis, c) déposer ladite couche conductrice dans ladite ouverture de sorte à former la grille de contrôle électrostatique arrière. Procédé selon la revendication 7, comprenant en outre la réalisation d’un ou plusieurs trous (161) ou tranchées (111, 151), de découpe, dans la couche de support (10) de sorte à réaliser un chemin de découpe dans ladite couche de support. Procédé selon la revendication 8, dans lequel lesdits un ou plusieurs trous (161) ou tranchée(s) (111, 151) de découpe réalisent un contour autour de ladite ouverture. Procédé selon l’une des revendications 8 ou 9, dans lequel la réalisation desdits un ou plusieurs trous (161) de découpe ou tranchées (111, 151) de découpe dans la couche de support (10) et la formation de ladite ouverture (117) sont réalisées par gravure et de manière concomitante. Procédé selon l’une des revendications 8 à 10, dans lequel le dépôt de ladite couche conductrice (119) est réalisé également dans lesdits un ou plusieurs trous (161) ou tranchée(s) (111, 151) de découpe, le procédé comprenant en outre des étapes de : - formation d’un masquage (121) recouvrant ladite ouverture (117), - retrait par gravure de ladite couche conductrice (119) en regard du ou des trous ou tranchée(s) de découpe tout en protégeant ladite ouverture (117) par le biais dudit masquage (121). Procédé selon l’une des revendications 8 à 11, comprenant en outre, après l’étape c) des étapes de : - collage d’une bande adhésive (133) contre la face inférieure ou une couche ou un empilement disposé(e) sur la face inférieure de la couche de support, - étirement de la bande adhésive (133) de sorte à réaliser une division du substrat au niveau du ou des chemins de découpe. Procédé selon l’une des revendications 7 à 12, dans lequel l’ouverture (117) est réalisée par gravure profonde à travers un masque (108). Procédé selon l’une des revendications 7 à 13, dans lequel lesdites une ou plusieurs grilles de contrôle électrostatique avant sont revêtues d’un empilement de couches et dans lequel entre l’étape a) et l’étape b) on colle un support poignée temporaire sur ledit empilement, le procédé comprenant en outre après l’étape c) une étape de retrait dudit support temporaire.