INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
La illustre, sous forme d’échange entre un premier équipement EQ1 et un deuxième équipement EQ2, des étapes du procédé d’estimation conforme à un mode de réalisation, lorsqu’il est mis en œuvre par le premier équipement ainsi que par le deuxième équipement. On notera que les deux équipements estiment, de leur côté le temps de vol entre eux, et la partagent avec au moins l’autre équipement. Dans ce mode de réalisation les deux équipements EQ1, EQ2 sont configurés pour mettre en œuvre le procédé d’estimation proposé. Les résultats obtenus par ce mode de réalisation sont optimaux.
Le deuxième équipement met en œuvre les étapes mises en œuvre par le premier équipement décrites en référence à la . Ainsi, les étapes communes avec la ne seront pas décrites à nouveau en détail.
Comme dans le mode de réalisation décrit en référence à la , le premier équipement EQ1 émet un message M1 comportant une information de réception DA1 représentative d’un instant à partir duquel le premier équipement EQ1 est configuré pour recevoir de messages à partir de l’émission du message M1. Le deuxième équipement EQ2 recevant ce message, détermine (non représenté) l’instant d’émission t E d’un message M2 à destination du premier équipement, en prenant en compte l’information de réception DA1 présente dans le message M1 qu’il a reçu du premier équipement EQ1.
En pratique, l’instant t E auquel le deuxième équipement émet le message M2 à destination du premier équipement EQ1 est déterminé en additionnant l’information de réception DA1 à l’instant de réception t R du message M1 en provenance du premier équipement EQ1. On notera, que le deuxième équipement EQ2 étant au courant du délai DA1 attendu par le premier équipement EQ1 pour se mettre à l’écoute de messages, il met en œuvre l’émission du message à destination du premier équipement EQ1 une fois que ce délai s’est écoulé.
Le deuxième équipement introduit EQ2 l’information d’émission DAR1 relative à au message M2 à destination du premier équipement EQ1, dans le message M2.
Dans ce mode de réalisation, le deuxième équipement EQ2 introduit dans le message M2 une information de réception DA2 représentative de l’instant à partir duquel le deuxième équipement EQ2 est configuré pour recevoir de messages, à la suite de l’émission de ce message M2.
Dans d’autres modes de réalisation, l’information de réception DA2 peut être émisse à destination du premier équipement EQ1 dans un message différent. On notera que l’information de réception introduite dans un message représente l’instant à partir duquel l’équipement émettant le message, est configuré pour recevoir de messages après la mise en œuvre de l’émission.
Ainsi, dans ce mode de réalisation, le message M2 adressé par le deuxième équipement EQ2 au premier équipement EQ1 comporte l’information d’émission DAR1 représentative du délai qui s’est écoulé entre la réception du message M1 en provenance du premier équipement et l’émission du message M2, ainsi que l’information de réception DA2 représentative de l’instant à partir duquel le deuxième équipement EQ2 est configuré pour recevoir de messages.
Le premier équipement EQ1 recevant lors de l’étape de réception E1, le message M2 en provenance du deuxième équipement, estime E3 en utilisant l’l’information d’émission DAR1 reçue le temps de vol TV entre les deux équipements EQ1, EQ2
En outre, le premier équipement EQ1 détermine (non représenté) l’instant d’émission t E du prochain message M3 à destination du deuxième équipement, en prenant en compte l’information de réception DB1 présente dans le message M2 qu’il a reçu du deuxième équipement EQ1.
En pratique, l’instant t E auquel le premier équipement EQ1 émet le message M3 à destination du deuxième équipement EQ2 est déterminé en additionnant l’information de réception DB1 à l’instant de réception t R du message M2 en provenance du deuxième équipement EQ2. On notera, que le premier équipement EQ1 étant au courant du délai DB1 attendu par le deuxième équipement EQ2 pour se mettre à l’écoute de messages, il met en œuvre l’émission E3 du message M3 à destination du deuxième équipement EQ2 une fois que ce délai DB1 s’est écoulé.
Ainsi, le premier équipement introduit dans le message M3, l’information d’émission DBR1, cette information d’émission DBR1 représente un intervalle de temps entre l’instant de réception t R du message M2 en provenance du deuxième équipement EQ2 et l’instant d’émission t E par le premier équipement EQ1 du message M3 comportant l’information d’émission DBR1.
Dans le mode de réalisation décrit, le message M3 comporte en outre le temps de vol TV12_1 estimé par le premier équipement EQ1, ainsi qu’une information de réception DA2 représentative d’un instant à partir duquel le premier équipement EQ1 est configuré pour recevoir de messages à partir de l’émission du message M3.
Dans un mode de réalisation, le message M3 peut comporter en plus la distance D12_1 estimée par le premier équipement.
-de particules d’amidon.
Enfin, l’invention a trait également à un procédé de détection de la présence ou de l’absence d’au moins un composé chimique choisi parmi les composés organophosphorés, les composés sulfures, les composés amines et les composés arséniés comprenant les étapes suivantes :
-une étape de mise en contact du ou des milieux, dont on veut détecter la présence ou l’absence du ou desdits composés chimiques avec un indicateur de détection qui est un composé tel que défini ci-dessus ;
-une étape de déduction, en fonction du ou des éventuels signaux de transformation de l’indicateur de détection, de la présence ou de l’absence du ou desdits composés, ce ou ces signaux de transformation étant classiquement un virage chromatique.
Il s’entend que le composé devant être utilisé dans le cadre du procédé susmentionné doit être apte à détecter le ou les composés chimiques, dont on veut déterminer l’absence ou la présence.
Entre l’étape de mise en contact et l’étape de déduction, il peut être prévu un temps d’attente pour que, le cas échéant, le virage chromatique puisse avoir lieu.
Concernant l’étape de déduction, lorsque le ou les signaux de transformation consiste(nt) classiquement en un virage chromatique, l’opérateur pourra se baser sur une échelle colorimétrique associée au composé faisant office d’indicateur de détection, qui définira, pour tous les composés chimiques susceptibles d’être détectés par le système, le virage chromatique correspondant, cette échelle colorimétrique pouvant être déterminée, par des essais préalables, pour l’indicateur de détection et les composés chimiques destinés à être détectés par ledit indicateur.
D’autres caractéristiques et avantages de l’invention apparaîtront mieux à la lecture du complément de description qui suit, lequel à des exemples de détection conformes à l’invention.
Bien entendu, les exemples qui suivent ne sont donnés qu’à titre d’illustration de l’objet de l’invention et ne constituent en aucun cas une limitation de cet objet.
Enfin, l’invention concerne un dispositif de fermentation de microalgues comprenant un réacteur de fermentation, des moyens d’alimentation en CO 2 , et le cas échéant des moyens d’éclairage, caractérisé en ce que les moyens d’alimentation en CO 2 comprennent un contacteur membranaire pour la régulation des flux de CO 2 et de O 2 dans lequel le flux de CO 2 est dirigé vers le milieu de culture et le flux de O 2 est dirigé vers l’extérieur du milieu de culture.
: Mode de culture des microorganismes en présence d’un contacteur membranaire.
: Contacteur membranaire selon l’invention et vue en coupe d’une membrane du contacteur membranaire.
et : Représentations des phénomènes se produisant au niveau de la membrane du contacteur membranaire selon l’invention, notamment des phénomènes de diffusion ( ) et des flux de dioxyde de carbone (CO 2 ), du dioxygène (O 2 ) et du milieu de culture ( ).
: Vitesse du milieu dans le contacteur membranaire en fonction de la productivité de la biomasse déterminée à 0,2 kg/m 3 /J.
: Vitesse du milieu dans le contacteur membranaire en fonction de la productivité de la biomasse déterminée à 0,79 kg/m 3 /J.
: Variation de la pression de CO 2 dans la membrane du contacteur membranaire en fonction de la quantité de CO 2 dans le milieu de culture.
: Quantité de CO 2 à injecter dans le milieu de culture en fonction de la température du milieu et de la pression dans la membrane du contacteur membranaire.
DESCRIPTION DETAILLEE DE L'INVENTION La présente invention concerne un procédé de culture de microorganismes dans un milieu de culture comprenant du dioxyde de carbone (CO 2 ) comme source de carbone et comprenant une étape de culture du microorganisme dans un réacteur biologique comprenant des moyens d’alimentation en CO 2 , caractérisé en ce que les moyens d’alimentation en CO 2 comprennent un contacteur membranaire pour la régulation des flux de CO 2 et de dioxygène (O 2 ) dans le milieu de culture et dans lequel le flux de CO 2 est dirigé vers le milieu de culture et le flux de O 2 est dirigé vers l’extérieur du milieu de culture.
La culture des microorganismes fait intervenir de nombreux paramètres comme la nature et la composition milieu de culture lui-même mais également des facteurs extérieurs qui doivent être contrôlés et régulés tout au long du processus comme la luminosité, la température, la pression, le taux d’humidité, le pH, les concentrations en gaz dans le réacteur, etc.
Les milieux de cultures, essentiels au développement des microorganismes, sont bien connus de l’homme du métier, qui saura déterminer et adapter la quantité et la nature des substrats pour leur culture, comme par exemples les sources de carbone, d’azote, d’oxygène, de phosphore, etc ; les minéraux, tels que le calcium, le fer, magnésium, le potassium, le sodium, le souffre, etc ; les oligo-éléments (bore, zinc, cuivre, cobalt, etc) ; en fonction du ou des microorganismes cultivés, de la taille du réacteur, de la quantité de biomasse désirée, etc.
L’invention est particulièrement adaptée pour les procédés de culture dans un réacteur biologique. Dans le cadre de la présente invention, on entend par réacteur biologique, un réacteur au sein duquel se développent des phénomènes biologiques, tels qu’une croissance de cultures ou microorganismes pures ou d’un consortium de microorganismes, dans des domaines très variés tels que le traitement d’effluents ou la production de biomasse contenant des molécules d’intérêts.
Les réacteurs biologiques sont bien connus de l’homme du métier, et sont généralement constitués d’une cuve fermée dans laquelle est monté un élément de brassage ou d’agitation destiné à favoriser l’homogénéisation du contenu de la cuve. Le brassage ou l’agitation du contenu de la cuve peut également se faire via une pompe liquide qui induit un flux de circulation du milieu de culture à l’intérieur de la cuve.
Les réacteurs biologiques peuvent aussi comprendre des moyens d’illumination, dont l’apport de lumière peut se faire en continu ou de manière cyclique (WO2019/034792, WO2021/160776). Il est entendu dans le cadre de la présente invention que l’homme du métier saura adapter la vitesse d’agitation et la quantité de lumière pour obtenir des conditions optimales de culture.
Les réacteurs biologiques comprennent aussi généralement une entrée et une sortie d’air permettant un échange de gaz entre l’extérieur et l’intérieur du réacteur.
, , un exemple d’un système de stockage d’énergie permettant de résoudre la problématique exposée dans la partie introductive de la description,
, , un autre exemple d’un système de stockage d’énergie permettant de résoudre la problématique exposée dans la partie introductive de la description, et
, , encore un autre exemple d’un système de stockage d’énergie permettant de résoudre la problématique exposée dans la partie introductive de la description.
Un système 10 de stockage d’énergie permettant de réaliser une montée en tension par rapport aux systèmes de stockage du commerce décrits en introduction, tout en respectant les contraintes d’isolement est décrit dans ce qui suit. Les figures 3 à 5 sont des exemples d’un tel système 10, et seront détaillées en temps utile dans la description.
Le système 10 est notamment destiné à être intégré dans des installations réalisant une action de stockage d’énergie, tels que des centrales solaires photovoltaïques.
Le système 10 comprend plusieurs blocs 12 de batteries raccordés en série. Le raccordement est typiquement réalisé en joignant entre elles la borne positive d’un bloc 12 avec la borne négative d’un autre bloc 12, et ainsi de suite en fonction du nombre de blocs 12.
Par plusieurs blocs 12, il est entendu qu’au moins deux blocs 12 de batteries sont raccordés en série. Dans les exemples des figures 3 à 5, quatre blocs 12 de batteries sont raccordés en série. Le nombre de blocs 12 raccordés en série n’est néanmoins pas limité à quatre, et est supérieur ou inférieur à quatre en fonction de la tension finale visée.
Chaque bloc 12 de batteries est typiquement un bloc de batteries basse tension, tel qu’un bloc de batteries standard vendu dans le commerce. Par exemple, la tension maximale aux bornes d’un tel bloc de batteries est inférieure ou égale à 1500 Volts.
Chaque bloc 12 de batteries est formé de plusieurs batteries 14 connectées en série (représentées seulement sur l’un des blocs 12 des figures 3 à 5 pour ne pas surcharger les figures). Les batteries sont, par exemple, des batteries lithium-ion.
Chaque bloc 12 de batteries présente une borne positive et une borne négative, formant respectivement des bornes intermédiaires positives 16 et négatives 18 du système de stockage 10. La tension aux bornes de chaque bloc 12 de batteries est égale à la différence de potentiel entre la borne positive et la borne négative du bloc 12. Dans les exemples des figures 3 à 5, la tension aux bornes de chaque bloc 12 est de 1500 Volts.
Les blocs 12 de batteries sont typiquement raccordés les uns aux autres selon un ordre de raccordement. La borne négative du premier bloc 12 de batteries selon l’ordre de raccordement est la borne négative du système 10. La borne positive du dernier bloc 12 de batteries selon l’ordre de raccordement est la borne positive du système 10. La tension aux bornes du système 10 de stockage est, ainsi, égale à la somme des tensions des blocs 12 de batteries raccordés. Ainsi, la tension aux bornes du système 10 est typiquement strictement supérieure à 1500 Volts, de préférence supérieure ou égale à 3000 Volts. Dans les exemples des figures 3 à 5, quatre blocs 12 de batteries de 1500 Volts sont raccordés en série, la tension du système 10 est donc de 6000 Volts. Le raccordement est effectué depuis le bloc 12 le plus en bas sur les figures vers le bloc 12 le plus en haut sur les figures.
Chaque bloc 12 de batteries est supporté par un châssis 20, aussi appelé support ou rack.
Chaque châssis 20 est mis à un potentiel de référence. Le potentiel de référence de chaque châssis 20 est compris au sens large entre le potentiel de la borne positive et le potentiel de la borne négative du bloc 12 de batteries correspondant. Ainsi, la mise au potentiel du châssis 20 est, par exemple, réalisée par une connexion du châssis 20 à l’une des batteries contenues dans le bloc 12.
Dans un mode préféré de mise en œuvre, le potentiel de référence de chaque châssis 20 est égal au potentiel de la borne positive ou de la borne négative du bloc 12 de batteries correspondant. Cela permet de faciliter la conception du système de stockage 10.
Ainsi, dans ce mode préféré, en fonctionnement normal (c’est-à-dire en l’absence de court-circuit), la différence de potentiel (tension) entre, d’une part, le potentiel de la borne de chaque bloc 12 qui est égal au potentiel de référence, et d’autre part le potentiel de référence correspondant, est nulle. En outre, la valeur absolue de la différence de potentiel entre le potentiel de l’autre borne de chaque bloc 12 et le potentiel de référence est égale à la tension du bloc 12. Aussi, même en présence d’un court-circuit sur l’une des bornes du système 10, la valeur absolue de la tension entre l’autre borne et le potentiel de référence du bloc 12 est au plus égale à la tension du bloc 12, ce qui reste conforme à la tension d’isolement.
Dans les exemples des figures 3 à 5, le potentiel de référence de chaque châssis 20 est égal au potentiel de la borne positive du bloc 12 supporté par le châssis 20, soit 1500 V pour le premier châssis 20, 3000 V pour le deuxième châssis 20, 4500 V pour le troisième châssis 20 et 6000 V pour le quatrième châssis 20. Ainsi, la différence de potentiel entre la borne positive de chaque bloc 12 et le potentiel de référence correspondant est égale à 0 V. La différence de potentiel entre la borne négative de chaque bloc 12 et le potentiel de référence correspondant est égale à -1500 V (1500 V étant la tension du bloc).
On dépose ensuite au moins un matériau conducteur dans l’ouverture 117 d’accueil de la grille ( ). Dans l’exemple de réalisation illustré, on effectue cela par un procédé de dépôt conforme d’au moins une couche conductrice 119. On choisit de préférence une couche ou un empilement en matériau ayant des propriétés supraconductrices, en particulier à une température T inférieure à 2K.
La couche conductrice 119 peut être formée d’un empilement comprenant une couche d’accroche, par exemple en Ti, et d’une couche métallique, par exemple en Cu ou en un matériau ayant des propriétés surpra-conductrices et de préférence apte à être aisément déposée de manière conforme, par exemple un matériau choisi parmi l’un des matériaux suivants : TiN, Ru, Nb. Cet empilement tapisse le fond 117a et les parois latérales 117b de l’ouverture 117. On peut prévoir une couche d’accroche d’épaisseur entre 5 nm et 500 nm, par exemple de l’ordre de 50 nm, et une couche métallique en matériau ayant des propriétés supraconductrices d’épaisseur entre 5 nm et 500 nm, par exemple de l’ordre de 50 nm, l’épaisseur de ces couches étant prévue en fonction des dimensions de l’ouverture 117 et de préférence de sorte à tapisser cette dernière sans la remplir.
Dans cet exemple de réalisation, la couche conductrice 119 est ainsi en contact avec un matériau semi-conducteur au niveau des parois latérales 117b et avec un matériau isolant au niveau du fond 117a, et en particulier le matériau isolant de la couche isolante 11 du substrat. La couche conductrice 119 peut être réalisée par technique de dépôt physique en phase vapeur (PVD pour « Physical Vapor Deposition ») ou avantageusement par dépôt CVD (« Chemical vapor deposition », i.e. dépôt chimique en phase vapeur). Un procédé particulier prévoit de réaliser une couche d’accroche par iPVD (« ionised PVD ») et la couche de supra-conducteur par CVD.
On effectue ainsi une métallisation sans avoir besoin de réaliser une isolation électrique au niveau des parois latérales 117b dans la mesure où le matériau semi-conducteur de la couche de support 10, typiquement du silicium, est isolant à la température de fonctionnement du dispositif quantique. Ce dispositif quantique peut fonctionner à faible température en particulier à des températures inférieures à plusieurs Kelvin, avantageusement inférieures à 2 K et par exemple égale à 1K.
Une étape optionnelle de retrait de la couche conductrice 119 au niveau de la tranchée 111 de découpe peut être ensuite effectuée. Dans l’exemple de réalisation particulier illustré sur la , un masquage 121 est disposé du côté de la face inférieure 10B de la couche de support 10 et au-dessus de l’ouverture 117, sans revêtir les parois latérales 117b ou le fond 117a de cette dernière. Selon un exemple particulier de réalisation, le masquage 121 peut être une couche sèche de résine photosensible réalisée par laminage, telle que par exemple une résine MX5015™ développée par la société Dupont™.
On grave ensuite des portions 119p de la couche conductrice 119 qui ne sont pas recouvertes par le masquage 121 et qui sont ainsi dévoilées. On retire en particulier ces portions 119p au niveau de la ou des tranchée(s) 111 formée(s) dans la couche de support 10 ( ). Le retrait de portions 119p de la couche conductrice 119 hors de zones où l’on souhaite former la ou les grilles arrière et d’éventuelles prises de contact pour cette ou ces grilles, permet de libérer les contraintes exercées par la couche 119 sur la structure.
Cette étape peut être également l’occasion de réaliser des motifs 122 dans la couche conductrice 119 au niveau de la face inférieure 10B de la couche 10 de support. Cela peut permettre de définir des plots de contacts en face arrière ainsi que des zones distinctes de polarisation de la grille arrière. Cela peut également permettre de libérer la contrainte exercée par la couche conductrice 119 sur le reste de la structure. Par rapport à une réalisation d’un plan continue, Cela peut également permettre de réduire les capacités parasites. Un exemple de réalisation particulier est illustré sur la , les motifs 122 étant ici sous forme de croisements de bandes métalliques au niveau desquelles les grilles arrière 120 sont agencées.
Le masquage 121peut être ensuite retiré.
Puis, on réalise une division du substrat en plusieurs parties afin de séparer entre eux des circuits intégrés formés sur ce substrat. La division est réalisée en suivant le ou les chemin(s) de découpe(s) réalisé(s) précédemment. Une telle division peut être réalisée par un procédé de découpe mettant en œuvre des étapes de rayage et rupture, de sciage mécanique, ou de découpe au laser.
Préalablement à cette division, on peut effectuer un retrait du support 202 temporaire et de la colle 201 utilisée pour assembler ce support 202 avec l’empilement de couches formé sur le substrat, et on forme ou on colle une bande souple 133 adhésive du côté de la face inférieure 10B de la couche de support 10 ( ). La bande 133 adhésive est avantageusement une bande étirable ayant une épaisseur et une composition prévues pour lui permettre d’être extensible. Par exemple, la bande adhésive peut être à base d’une polyoléfine, d’Acrylique, de PET (poly(téréphtalate d'éthylène)), ou selon un exemple de réalisation particulier être une bande adhésive de la marque « Furukawa Electric » se trouvant dans le commerce sous la référence SP-537T.
Lorsque la découpe du substrat est réalisée, par exemple par un procédé de sciage ou de découpe, la bande 133 permet de maintenir solidaire l’ensemble de manière provisoire. En variante ou en combinaison, on peut effectuer la division en étirant la bande 133 adhésive. Ainsi, dans l’exemple de réalisation illustré sur les figures 3A-3B, on étire la bande 133 adhésive pour permettre de séparer des parties du substrat correspondant à différentes puces élémentaires p i et la division est mise en œuvre sans autre découpe. La réalisation préalable de tranchées 111 de découpe en combinaison avec une dilation de la bande adhésive 133 peut suffire.
Une fois que la division est réalisée, on peut ensuite réaliser la séparation ( ) complète des puces élémentaires pi de circuits les unes par rapport aux autres, en retirant la bande 133 de la surface de ces dernières.
Dans l’exemple de réalisation décrit précédemment, on forme de manière avantageuse, au moins une tranchée 111 de découpe concomitamment à l’ouverture 117 d’accueil de la grille arrière. En variante, deux étapes distinctes peuvent être prévues pour réaliser l’ouverture et le chemin de découpe.
Selon une possibilité d’agencement et afin de faciliter la découpe, la tranchée 111 peut être formée de manière à réaliser un contour fermé, par exemple de forme rectangulaire ou carrée. Ainsi, dans l’exemple de réalisation illustré sur la donnant une vue de dessous schématique, la tranchée 111 de séparation entre une puce de circuit intégré et d’autres puces de circuit adjacentes réalise un contour fermé autour de grilles arrières 120.
Pour réaliser le ou les chemins de découpe, à la place d’une tranchée continue réalisant un contour fermé, on peut prévoir de graver une succession de tranchées 151 distinctes autour de la ou les grilles 120 arrières. Dans l’exemple de réalisation illustré sur la , les tranchées 151 formées sont disjointes les unes des autres et réalisent un contour discontinu autour d’un ensemble de grilles 120 arrières.