Ensemble (1a ; 1b ; 1c ; 1d) comprenant au moins deux mémoires résistives non volatiles disposées électriquement en parallèle entre elles et étant chacune électriquement connectées en série à une couche sélectrice commune, l’ensemble comprenant : un empilement sélecteur (10), comprenant : une couche sélectrice (11) qui s'étend parallèlement à un plan (P) donné ; une électrode supérieure de sélecteur (12) s'étendant sur la couche sélectrice (11), l'électrode supérieure étant délimitée latéralement par une surface latérale (121, 122) ; un premier empilement mémoire (20), qui s’étend de manière oblique ou perpendiculaire par rapport audit plan (P), comprenant une première couche active (21), une partie au moins de la première couche active (21) s’étendant contre une partie de la surface latérale (121) de l'électrode supérieure de sélecteur (12) ; un deuxième empilement mémoire (30), qui s’étend de manière oblique ou perpendiculaire par rapport audit plan (P), comprenant une deuxième couche active (31), une partie au moins de la deuxième couche active (31) s'étendant contre une autre partie de la surface latérale (122) de l'électrode supérieure de sélecteur (12) ; les premier et deuxième empilements mémoire (20, 30) étant disjoints, sans contact électrique direct entre eux ; un premier contact électrique (50), la première couche active (21) étant connectée électriquement entre, le premier contact électrique (50) d’une part, et, l’électrode supérieure de sélecteur (12) d’autre part ; un deuxième contact électrique (60), la deuxième couche active (31) étant connectée électriquement entre, le deuxième contact électrique (60) d’une part, et, l’électrode supérieure de sélecteur (12) d’autre part ; l’électrode supérieure de sélecteur (12) étant commune aux premier et deuxième empilements mémoire (20, 30) tandis que les premier et deuxième contacts (50, 60) sont isolés électriquement l’un de l’autre, sans contact électrique direct entre eux. Ensemble (1a ; 1b ; 1c ; 1d) selon la revendication précédente, dans lequel la couche sélectrice (11) est délimitée latéralement par une surface latérale (111, 112) située, par exemple, dans le prolongement de la surface latérale (121, 122) de l’électrode supérieure de sélecteur (12). Ensemble (1a ; 1b ; 1c ; 1d) selon l’une des revendications précédentes, dans lequel : la couche sélectrice (11) est située entre l’électrode supérieure de sélecteur (12) et un via inférieur (40) conducteur qui est situé sous la couche sélectrice (11) ; le via inférieur (40) ayant une section inférieure à la section de la couche sélectrice (11) et étant entouré par un matériau diélectrique qui s’étend sous la couche sélectrice (11). Ensemble (1a ; 1b ; 1c ; 1d) selon la revendication précédente, dans lequel : le via inférieur (40) est délimité latéralement par une surface latérale (41, 42), le premier empilement mémoire (20) est délimité par une surface latérale externe (201), qui est la surface latérale la plus externe de cet empilement (20), la plus éloignée de la couche sélectrice (11), et dans lequel une partie de la surface latérale (41) du via inférieur (40), qui est située du côté du premier empilement mémoire (20), et la surface latérale externe (201) du premier empilement mémoire (20) sont toutes deux situées sous le premier contact électrique (50). Ensemble (1a ; 1c ; 1d) selon l’une des revendications précédentes, dans lequel la ou les couches actives (21, 31), qui s’étendent en partie au moins contre ladite partie ou ladite autre partie de la surface latérale (121, 122) de l’électrode supérieure du sélecteur (12), sont en contact avec cette surface latérale (121, 122), directement, ou par l’intermédiaire d’une couche électriquement conductrice. Ensemble (1b) selon la revendication 2 ou selon la revendication 3 ou 4 prise dans la dépendance de la revendication 2, comprenant en outre un espaceur (72) électriquement isolant, qui s’étend au moins contre la surface latérale (111, 112) de la couche sélectrice (11), une partie de la première couche active (21) étant séparée de la surface latérale (111) de la couche sélectrice (11) par cet espaceur (72). Ensemble (1b) selon la revendication précédente, dans lequel : l‘espaceur (72) s’étend en outre contre la surface latérale (121, 122) de l’électrode supérieure de sélecteur (12), entre une partie de la première couche active (21) et la surface latérale (121) de l’électrode supérieure de sélecteur (12) ; la première couche active (21) comprend une portion qui s’étend parallèlement audit plan (P) en venant recouvrir une partie de l’électrode supérieure de sélecteur (12), et qui est en contact avec une surface supérieure de l’électrode supérieure de sélecteur (12). Ensemble (1d) selon l’une des revendications précédentes, comprenant au moins un empilement sélecteur additionnel (10’), situé au-dessus et au droit de l’empilement sélecteur (10), séparé de l’empilement sélecteur (10) par une couche isolante (71). Ensemble (1d) selon la revendication précédente, dans lequel l’empilement sélecteur additionnel (10’) comprend : sur ladite couche isolante (71), une électrode de sélecteur additionnelle (12’), délimitée latéralement par une surface latérale dite additionnelle (121’, 122’) ; et sur l’électrode de sélecteur additionnelle (12’), une couche sélectrice additionnelle (11’), la première couche active (21) s’étend en outre contre une partie de la surface latérale additionnelle (121’) de l'électrode supérieure de sélecteur additionnelle (12’) ; la deuxième couche active (31) s'étend contre une autre partie de la surface latérale additionnelle (122’) de l'électrode de sélecteur additionnelle (12’), l’ensemble (1d) comprend en outre un via supérieur (40’), situé au-dessus de la couche sélectrice additionnelle (11’) et relié électriquement à la couche sélectrice additionnelle (11’). Ensemble (1d) selon la revendication précédente, dans lequel le via supérieur (40’) a une section inférieure à la section de la couche sélectrice additionnelle (11’) et est entouré d’un espaceur isolant additionnel (73) qui s’étend également sur une portion de la couche sélectrice additionnelle (11’). Matrice (3) de mémoires résistives non-volatiles comprenant une pluralité d’ensembles (1, 1’) selon l’une des revendications précédentes, dans laquelle, pour chaque ensemble (1, 1’) : l'empilement sélecteur (10) de l’ensemble considéré est relié électriquement à une ligne d’adressage (81a) de la matrice, les premier et deuxième contacts électriques (50, 60) de l’ensemble sont reliés électriquement, respectivement, à deux colonnes d’adressage (82a, 82b, 82c, 82d) distinctes de la matrice, ou forment respectivement deux colonnes d’adressage distinctes de la matrice. Matrice (3) selon la revendication précédente, dans laquelle, pour au moins deux desdits ensembles (1c) voisins l’un de l’autre, la couche sélectrice de l’un des deux ensembles et la couche sélectrice de l’autre ensemble forment ensemble une même couche sélectrice globale (11) commune aux deux ensembles, d’un seul tenant, et dans laquelle un même via inférieur (40), commun aux deux ensembles, est relié électriquement à une face inférieure de la couche sélectrice globale (11). Procédé de fabrication d’un ensemble (1a ; 1b ; 1c ; 1d) comprenant au moins deux mémoires résistives non volatiles associées à un sélecteur, comprenant : la formation d’un empilement sélecteur (10) comprenant : le dépôt d’une couche sélectrice (11) s'étendant parallèlement à un plan (P) ; et le dépôt d’une électrode supérieure de sélecteur (12) s'étendant sur la couche sélectrice (11), l'électrode supérieure étant délimitée latéralement par une surface latérale (121, 122) ; la formation d’un premier empilement mémoire (20) et d’un deuxième empilement mémoire (30) comprenant : le dépôt conforme d’une couche active globale sur l’empilement sélecteur, une première partie au moins de la couche active globale s’étendant contre une partie de la surface latérale (121) de l'électrode supérieure de sélecteur (12) et une deuxième partie au moins de la couche active globale s'étendant contre une autre partie de la surface latérale (122) de l'électrode supérieure de sélecteur (12) ; la séparation de la couche active globale en au moins une première couche active (21) et une deuxième couche active (31) disjointes, une partie au moins de la première couche active (21) s’étendant de manière oblique, ou même perpendiculaire par rapport audit plan (P), et contre la partie de la surface latérale (121) de l'électrode supérieure de sélecteur (12) ; et une deuxième partie au moins de la deuxième couche active (31) s'étendant de manière oblique, ou même perpendiculaire par rapport audit plan (P), et contre l’autre partie de la surface latérale (122) de l'électrode supérieure de sélecteur (12) ; l’électrode supérieure de sélecteur (12) étant commune aux premier et deuxième empilements mémoire (20, 30) la formation d’un premier contact électrique (50) et d’un deuxième contact électrique (60), isolés électriquement l’un de l’autre, la première couche active (21) étant connectée électriquement entre, le premier contact électrique (50) d’une part, et, l’électrode supérieure de sélecteur (12) d’autre part, la deuxième couche active (22) étant connectée électriquement entre, le deuxième contact électrique (60) d’une part, et, l’électrode supérieure de sélecteur (12) d’autre part.