Procédé de fabrication d'une puce photonique comportant un premier guide d'onde en nitrure de silicium stœchiométrique, un second guide d'onde en matériau semi-conducteur cristallin et au moins un composant actif optiquement couplé au premier guide d'onde par l'intermédiaire du second guide d'onde, ce procédé comportant : - la fourniture (100) d'un substrat en silicium monocristallin sur lequel est déposé une couche en matériau diélectrique, ce substrat s'étendant principalement dans un plan appelé "plan du substrat", puis - le dépôt (104) en phase vapeur, sur la couche en matériau diélectrique, d'une couche de nitrure de silicium stœchiométrique suivi d'un recuit (106) à une température comprise entre 1000°C et 1400°C, puis - la réalisation (108) du premier guide d'onde dans cette couche de nitrure de silicium stœchiométrique déposée et recuite, puis - l'encapsulation (110) du premier guide d'onde dans un matériau diélectrique pour obtenir une couche d'encapsulation dans laquelle le premier guide d'onde est encapsulé, cette couche d'encapsulation présentant une face supérieure du côté opposé au substrat, puis - la création (126; 166) d'une couche en matériau semi-conducteur cristallin directement sur la face supérieure de la couche d'encapsulation, puis - la réalisation (150) du second guide d'onde dans cette couche en matériau semi-conducteur cristallin, ce second guide d'onde étant optiquement couplé au premier guide d'onde par un couplage évanescent, puis - la réalisation (150) du composant optique actif, ce composant optique actif étant raccordé optiquement au premier guide d'onde par l'intermédiaire du second guide d'onde, puis - la réalisation (154) de prises électriques pour raccorder électriquement le composant optique actif à une source d'énergie électrique, caractérisé en ce que la création (126; 166) de la couche en matériau semi-conducteur cristallin comporte les opérations suivantes : a) la formation (128; 168) d'une ouverture qui traverse la couche d'encapsulation et débouche dans ou sur le substrat, puis b) le dépôt (132; 172) par croissance épitaxiale d'un matériau de germination cristalline à l'intérieur de l'ouverture jusqu'à ce que ce matériau de germination cristalline atteigne la face supérieure et forme un germe cristallin sur cette face supérieure, ce matériau de germination cristalline ayant des paramètres de maille identiques, à plus ou moins 5% près, à ceux du matériau semi-conducteur cristallin, puis c) une épitaxie latérale (136; 176), du même matériau semi-conducteur cristallin que celui dans lequel est réalisé le second guide d'onde, à partir du germe cristallin formé pour former la couche en matériau semi-conducteur cristallin dans laquelle le second guide d'onde est ensuite réalisé. Procédé selon la revendication 1, dans lequel, avant la création de la couche en matériau semi-conducteur cristallin, le procédé comporte, la structuration (116) de la face supérieure pour former, dans cette face supérieure, un logement creux présentant un fond parallèle au plan du substrat et des parois perpendiculaires au fond, puis lors de la création (126; 166) de la couche en matériau semi-conducteur cristallin : - l'ouverture est formée dans le fond du logement creux, puis - l'épitaxie latérale (136; 176) remplit complètement ce logement creux. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel l'épitaxie latérale comporte : - le dépôt (138) d'une couche en matériau semi-conducteur amorphe sur le germe cristallin formé sur la face supérieure, puis - un recuit (144) à une température apte à provoquer la cristallisation du matériau semi-conducteur amorphe à partir du germe cristallin. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel l'épitaxie latérale consiste à déposer (178) directement le matériau semi-conducteur cristallin sur la face supérieure par croissance épitaxiale à partir du germe cristallin formé sur cette face supérieure. Procédé selon la revendication 3 ou 4, dans lequel l'ouverture est une tranchée dont la longueur est deux fois grande que sa largeur. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel : - lors de la réalisation (108) du premier guide d'onde, ce premier guide d'onde est réalisé entre un premier plan inférieur et un premier plan supérieur, ces premiers plans étant parallèles au plan du substrat, - lors de la réalisation (150) du second guide d'onde, ce second guide d'onde est réalisé entre un second plan inférieur et un second plan supérieur, ces seconds plans étant parallèles au plan du substrat et tous les deux situés au-dessus des premiers plans dans une direction perpendiculaire au plan du substrat. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le matériau de germination cristalline est du silicium monocristallin. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le matériau semi-conducteur cristallin est choisi dans le groupe constitué : - du silicium, - du germanium, - de l'alliage SiGe, et - d'un matériau III-V. Procédé selon la revendication 8, dans lequel le procédé comporte : - l'exécution des opérations a) à c) pour créer une première couche en matériau semi-conducteur cristallin, et - l'exécution des opérations a) à c) pour créer une seconde couche en matériau semi-conducteur cristallin, cette seconde couche en matériau semi-conducteur cristallin étant réalisée dans un matériau semi-conducteur cristallin différent de celui de la première couche, puis - la réalisation du second guide d'onde dans la première couche en matériau semi-conducteur cristallin et la réalisation d'un troisième guide d'onde dans la seconde couche en matériau semi-conducteur. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel : - le matériau de germination cristalline déposé à l'intérieur de l'ouverture par croissance épitaxiale est différent du silicium cristallin, et - la largeur de l'ouverture est adaptée pour piéger, à l'intérieur de cette ouverture, la majorité des défauts du matériau de germination cristalline ainsi déposé par croissance épitaxiale. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le dépôt (104) en phase vapeur de la couche de nitrure de silicium stœchiométrique est réalisé sous une pression inférieure à 300 mTorr (39996 mPa). Puce photonique obtenue par un procédé de fabrication conforme à l'une quelconque des revendications précédentes, cette puce photonique comportant : - un substrat (4) en silicium monocristallin s'étendant principalement dans un plan appelé "plan du substrat", - un premier guide d'onde (6, 8) en nitrure de silicium stœchiométrique présentant des pertes de propagation inférieure à 4 dB/m pour les longueurs d'onde comprises entre 1530 nm et 1565 nm, le cœur de ce premier guide d'onde s'étendant, dans une direction perpendiculaire au plan du substrat, depuis un premier plan inférieur (P inf6 ) jusqu'à un premier plan supérieur (P sup6 ), ces premiers plans étant parallèles au plan du substrat et le premier plan inférieur étant le plan le plus proche du substrat, - un second guide d'onde (14, 16) en matériau semi-conducteur cristallin optiquement couplé au premier guide d'onde par un couplage évanescent, le cœur de ce second guide d'onde s'étendant, dans la direction perpendiculaire au plan du substrat, depuis un second plan inférieur (P infSC ) jusqu'à un second plan supérieur (P supSC ), ces seconds plans étant parallèles au plan du substrat et le second plan inférieur (P infSC ) étant le plan le plus proche du substrat, et - au moins un composant actif (10, 12) optiquement couplé au premier guide d'onde (6, 8) par l'intermédiaire du second guide d'onde (14, 16), ce composant actif comportant des prises électriques (30, 32) apte à le raccorder électrique à une source d'énergie électrique, caractérisé en ce que la puce photonique comporte un plot (60; 204; 210) qui s'étend depuis le substrat en silicium monocristallin jusqu'au second plan inférieur (P infSC ), ce plot (60; 204; 210) étant réalisé dans un matériau de germination cristalline qui forme un germe cristallin sur le second plan inférieur (P infSC ), ce matériau de germination cristalline ayant des paramètres de maille identiques, à plus ou moins 5% près, à ceux du matériau semi-conducteur cristallin du second guide d'onde (14, 16). Puce photonique selon la revendication 12, dans laquelle le second plan inférieur (P infSC ) est situé au-dessus du premier plan supérieur (P sup6 ). Puce photonique selon l'une quelconque des revendications 12 à 13, dans laquelle la hauteur du plot en matériau de germination cristalline est supérieure à 4 µm.