INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
En référence à la , il est montré que le système de support 30 comporte un moyen 84 de verrouillage du système de support pivotant 46, le verrouillant dans une position qui l’amène à placer l’emballage en position verticale. Plus précisément, ce moyen de verrouillage 84 correspond à une sorte de doigt rétractable porté par le châssis 8, et qui, en position de saillie, vient coopérer avec la poutre arquée 56 du second dispositif de support latéral, afin de maintenir cette poutre 56 dans un plan horizontal par rapport au châssis.
De manière analogue, les figures 12 et 13 montrent un système de butée 88 qui est rapporté sur la poutre 62, et qui permet d’éviter le basculement brutal de l’emballage 10 dans un sens opposé à celui prévu pour l’amener en position horizontale de transport. Le système de butée 88 comporte un bras qui vient en appui contre la plateforme 6 du véhicule, ce qui évite en effet le basculement de l’emballage dans le sens non-désiré, en cas d’oubli du verrouillage du système pivotant 46 par le moyen 84 précité.
Il est noté que le chargement de l’emballage 10 sur le système de support 30, par basculement, peut être réalisé en effectuant les opérations mentionnées ci-dessus, mais dans un ordre inverse.
Cependant, d’autres procédés de chargement sont possibles avec le système de support selon l’invention, sans nécessiter un basculement de l’emballage, et donc en déplaçant ce dernier tout en le maintenant en position horizontale. Dans le cadre de ces opérations, l’emballage est manutentionné grâce à un système d’élingage non représenté sur les figures.
Les figures 14 et 15 montrent tout d’abord un procédé de chargement dit axial de l’emballage 10 sur le système de support 30. Lorsque le dispositif de support axial est retiré, l’emballage peut effectivement être inséré axialement dans le système 30, depuis l’arrière et partiellement entre les deux montants 48, comme représenté par la flèche de la . Ensuite, il suffit de le descendre légèrement pour obtenir l’appui du corps latéral d’emballage sur les patins de support.
Les figures 16 et 17 montrent quant à elles un procédé de chargement dit latéral de l’emballage 10 sur le système de support 30. L’emballage, est tout d’abord déplacé latéralement pour se retrouver au-dessus du système de support 30, comme le montre la flèche de la . Ensuite, l’emballage 10 qui est toujours maintenu en position horizontale est descendu jusqu’à contact avec les patins de support.
Bien entendu, diverses modifications peuvent être apportées par l’homme du métier à l’invention qui vient d’être décrite, uniquement à titre d’exemples non limitatifs, et dans la limite de la portée définie par les revendications annexées.
Procédé de conditionnement de déchets nucléaires DOMAINE TECHNIQUE GENERAL La présente invention concerne le domaine du nucléaire.
L’assemblage électrochimique est fabriqué selon un procédé comprenant les étapes suivantes :
- fourniture du châssis 4 ;
- fourniture des modules électrochimiques 6 ; et
- insertion des modules électrochimiques 6 dans le châssis.
Pendant l’insertion, la bande de liaison 32 seule maintient les cellules électrochimiques 30 les unes par rapport aux autres.
La description qui précède contient des caractéristiques techniques de l’invention. Les caractéristiques techniques décrites dans la présente description, bien que présentées dans un contexte technique et éventuellement en combinaison avec d’autres caractéristiques techniques, peuvent être utilisées à chaque fois individuellement, sans les autres caractéristiques techniques, pour autant que ceci soit techniquement possible.
Sous-module de batterie pour véhicule automobile L’invention concerne un sous-module de batterie pour véhicule automobile, un module de batterie comportant de tels sous-modules de batterie, un ensemble batterie comportant de tels modules de batterie, un véhicule automobile comprenant un tel ensemble batterie, un procédé de montage d’un tel sous-module de batterie, et un procédé de montage d’un tel module de batterie.
On connaît déjà dans l'état la technique, un ensemble batterie comportant une pluralité de modules de batterie comprenant chacun des cellules de batterie sous forme de poche. Un tel ensemble batterie est par exemple utilisé dans un véhicule électrique à batterie, également connu sous l’acronyme BEV en langue anglaise pour « Battery Electric Vehicle ».
Toutefois, la fabrication et l’assemblage de ces modules de batterie sont relativement complexes, notamment du fait que les cellules de batterie sous forme de poche sont flexibles, ce qui rend leur manipulation peu aisée lors du montage des modules de batterie. Par ailleurs, les cellules de batterie sous forme de poche peuvent être facilement détériorées, par exemple lors de leur stockage ou de leur manipulation avant montage.
Afin de pallier ces inconvénients, il est connu de réaliser des sous-modules de batterie comportant plusieurs cellules de batterie sous forme de poche. Toutefois, l’assemblage de ces sous-modules de batterie est relativement complexe, notamment en ce qui concerne le maintien des cellules de batterie sous forme de poche dans ces sous-modules de batterie.
L'invention a notamment pour but de simplifier l’assemblage d’un sous-module de batterie.
A cet effet l’invention a pour objet un sous-module de batterie pour véhicule automobile, caractérisé en ce qu’il comporte un empilement cellulaire comprenant, empilées selon un axe d’empilement E :
- une première cellule de batterie sous forme de poche,
- une deuxième cellule de batterie sous forme de poche,
- une couche de matériau compressible, intercalée entre la première cellule de batterie et la deuxième cellule de batterie,
et en ce que le sous-module de batterie comporte un cadre porteur en matériau plastique, lequel entoure au moins partiellement la première cellule de batterie, la couche de matériau compressible et la deuxième cellule de batterie,
La illustre schématiquement un exemple de mode de réalisation, selon l'art antérieur, de mesures réalisées par profilage de la résistance distribuée sur du nitrure de gallium formé par croissance épitaxiale sur un substrat de silicium. En effet, la illustre schématiquement la résistivité 91 en échelle logarithmique d'un échantillon comprenant du nitrure de gallium formé par croissance épitaxiale sur du silicium en fonction de la profondeur 92 dans l'hétérostructure de nitrure de gallium sur silicium. Sur la , la section 93 correspond au nitrure de gallium et la section 95 correspond à une partie du substrat de silicium. Sur la , la section 94 correspond à l'interface entre le nitrure de gallium et le substrat de silicium. Comme on peut le voir sur la , la résistivité 96 mesurée dans le nitrure de gallium est pratiquement constante dans toute la couche et égale à 1.10 6 Ohm.cm, tandis que la résistivité 98 mesurée à partir de pratiquement 1 µm dans le substrat de silicium est pratiquement constante et égale à 1.10 4 Ohm.cm. Cependant, à l'interface 94 entre le nitrure de gallium et le substrat de silicium, et comme cela est visible sur la , une baisse significative de la résistivité 97 est mesurée par profilage de la résistance distribuée. Plus précisément, la résistivité 97 dans la section 94 de l'hétérostructure s'abaisse de 1.10 6 Ohm.cm à 1.10 1 Ohm.cm avant de remonter lentement à 1.10 4 Ohm.cm plus profondément à l'intérieur du substrat de silicium. Comme on peut le voir sur la , la baisse de résistivité 97 s'étend de 0,5 µm à pratiquement 1 µm à l'intérieur du substrat de silicium.
La baisse de résistivité à l'interface entre le nitrure de gallium et le substrat de silicium est étudiée plus en détail par des mesures de profilage de la résistance distribuée. Les résultats de ces mesures sont par exemple illustrés sur la . La illustre schématiquement une concentration d'espèces en échelle logarithmique et leur type dans un même échantillon comprenant du nitrure de gallium formé par croissance épitaxiale sur un substrat de silicium tel que caractérisé sur la . Sur la , la section 93 correspond au nitrure de gallium et la section 95 correspond à une partie du substrat de silicium. La section 94 de la correspond à l'interface entre le nitrure de gallium et le substrat de silicium. Comme on peut le voir sur la , le nitrure de gallium de cet échantillon est pratiquement non dopé et présente une concentration 81 inférieure à 2.10 10 atomes.cm -3 , tandis que le substrat de silicium de cet échantillon présente à partir de pratiquement 1µm à l'intérieur du substrat de silicium une concentration 83 variant de 2.10 11 atomes.cm -3 à 6.10 11 atomes.cm -3 . Cependant, à l'interface 94 entre le nitrure de gallium et le substrat de silicium, et comme cela est visible sur la , une concentration significative en dopants de type p 82 est mesurée par profilage de la résistance distribuée. Plus précisément, cette concentration 82 augmente de 2.10 10 atomes.cm -3 à proximité du nitrure de gallium pour atteindre 2.10 15 atomes.cm -3 dans la section 94 et la concentration 82 diminue ensuite lentement à nouveau à l'intérieur du substrat de silicium pour atteindre une concentration de 2.10 11 atomes.cm -3 . On peut conclure de ces mesures de profilage de la résistance distribuée qu'une concentration élevée en dopants de type p est présente à l'interface entre le nitrure de gallium et le silicium et s'étend de 0,5 µm à pratiquement 1 µm à l'intérieur du substrat de silicium.
La représente schématiquement une section transversale d'un exemple de mode de réalisation d'une structure semi-conductrice 1 selon la présente invention, dans laquelle la section transversale est réalisée le long d'un plan comprenant une direction de croissance 2, et une direction transversale 3 qui est transversale à la direction de croissance 2. Une troisième direction 4 est transversale à la direction de croissance 2 et à la direction transversale 3. La structure semi-conductrice 1 comprend un substrat de Silicium sur Isolant 101 et un empilement de couches semi-conductrices III-N épitaxiales 202 sur le dessus du substrat de Silicium sur Isolant 101. Le substrat de Silicium sur Isolant 101 comprend une couche de base 10, une couche intermédiaire 11 formée sur le dessus de la couche de base 10, et une couche supérieure 12 formée sur le dessus de la couche intermédiaire 11. La couche de base 10 comprend du silicium. La résistivité de la couche de base 10 est typiquement comprise entre 3 et 5 kOhm.cm, et supérieure à 1 kOhm.cm. L'empilement de couches semi-conductrices III-N épitaxiales 202 comprend une couche active épitaxiale 20. La couche active épitaxiale 20 comprend une première couche III-N 21 active formée sur le dessus de la couche supérieure 12 et une deuxième couche III-N active formée sur le dessus de la première couche III-N active 21. La première couche III-N active 21 comprend par exemple du nitrure de gallium et la deuxième couche III-N active 22 comprend par exemple du nitrure de d'aluminium gallium. Un Gaz d'Electrons bidimensionnel 200 est formé entre la première couche III-N active 21 et la deuxième couche III-N active 22. La couche supérieure 12 comprend du silicium dopé de type n. Une orientation du silicium de la couche supérieure 12 est (111). La concentration en dopant de type n de la couche supérieure 12 se situe dans la plage de 1.10 15 cm -3 à 5.10 15 cm -3 . Une épaisseur de la couche supérieure 12 est comprise entre 50 et 200 nm. Selon une variante de réalisation, une épaisseur de la couche supérieure 12 est inférieure à 100 nm. La couche intermédiaire 11 comprend une couche riche en pièges 111 et un isolant enterré 121 formé sur le dessus de la couche riche en pièges 111. L'isolant enterré 121 comprend du dioxyde de silicium et la couche riche en pièges 111 comprend du silicium. Une épaisseur de l'isolant enterré 121 est comprise entre 100 nm et 500 nm. Une épaisseur de la couche riche en pièges 111 peut par exemple être de plusieurs micromètres. Selon une variante de réalisation, l'isolant enterré 121 comprend du dioxyde de silicium et la couche riche en pièges 111 comprend du carbure de silicium, par exemple du carbure de silicium amorphe. Une épaisseur de la couche riche en pièges 111 peut par exemple être de quelques dizaines de nanomètres.
La représente schématiquement une section transversale d'un exemple de mode de réalisation d'une structure semi-conductrice 1 selon la présente invention, dans laquelle la section transversale est réalisée le long d'un plan comprenant une direction de croissance 2, et une direction transversale 3 qui est transversale à la direction de croissance 2. Une troisième direction 4 est transversale à la direction de croissance 2 et à la direction transversale 3. Les composants dont les références numériques sont identiques à celles de la ou de la remplissent la même fonction. La structure semi-conductrice 1 comprend un substrat de Silicium sur Isolant 101 et un empilement de couches semi-conductrices III-N épitaxiales 202 sur le dessus du substrat de Silicium sur Isolant 101. Le substrat de Silicium sur Isolant 101 comprend une couche de base 10, une couche intermédiaire 11 formée sur le dessus de la couche de base 10, et une couche supérieure 12 formée sur le dessus de la couche intermédiaire 11. La couche de base 10 comprend du silicium. La résistivité de la couche de base 10 est typiquement comprise entre 3 et 5 kOhm.cm, et supérieure à 1 kOhm.cm. L'empilement de couches semi-conductrices III-N épitaxiales 202 comprend une couche active épitaxiale 20. La couche active épitaxiale 20 comprend une première couche III-N active 21 formée sur le dessus de la couche supérieure 12, une couche d'espacement 23 formée sur le dessus de la première couche III-N active 21, et une deuxième couche III-N active formée sur le dessus de la couche d'espacement 23. La première couche III-N active 21 comprend par exemple du nitrure de gallium et la deuxième couche III-N active 22 comprend par exemple du nitrure de d'aluminium gallium. La couche d'espacement 23 comprend de préférence du nitrure d'aluminium. Un Gaz d'Electrons bidimensionnel 200 est formé entre la première couche III-N active 21 et la deuxième couche III-N active 22. La couche supérieure 12 comprend du silicium dopé de type n. Une orientation du silicium de la couche supérieure 12 est (111). La concentration en dopant de type n de la couche supérieure 12 se situe dans la plage de 1.10 15 cm -3 à 5.10 15 cm -3 . Une épaisseur de la couche supérieure 12 est comprise entre 50 et 200 nm. Selon une variante de réalisation, une épaisseur de la couche supérieure 12 est inférieure à 100 nm. La couche intermédiaire 11 comprend une couche riche en pièges 111 et un isolant enterré 121 formé sur le dessus de la couche riche en pièges 111. L'isolant enterré 121 comprend du dioxyde de silicium et la couche riche en pièges 111 comprend du silicium. Une épaisseur de l'isolant enterré 121 est comprise entre 100 nm et 500 nm. Une épaisseur de la couche riche en pièges 111 peut par exemple être de plusieurs micromètres. Selon une variante de réalisation, l'isolant enterré 121 comprend du dioxyde de silicium et la couche riche en pièges 111 comprend du carbure de silicium, par exemple du carbure de silicium amorphe. Une épaisseur de la couche riche en pièges 111 peut par exemple être de plusieurs micromètres.
Bien que la présente invention ait été illustrée en référence à des modes de réalisation spécifiques, il apparaîtra aux spécialistes de la technique que l'invention n'est pas limitée aux détails des modes de réalisation présentés à titre d'illustration qui précèdent, et que la présente invention peut être mise en œuvre avec diverses transformations et modifications sans s'écarter de son cadre. Les présents modes de réalisation doivent donc être considérés à tous égards comme présentés à titre non limitatif d'illustration, la portée de l'invention étant indiquée par les revendications annexées plutôt que par la description qui précède, et toutes les modifications qui entrent dans le cadre des revendications sont donc destinées à y être incorporées.
Le lecteur de la présente demande de brevet comprendra en outre que les mots "comprenant" ou "comprennent" n'excluent pas d'autres éléments ou étapes, et qu'un seul élément, tel qu'un système informatique, un processeur ou une autre unité intégrée, peut remplir les fonctions de plusieurs moyens cités dans les revendications. Tous les symboles de référence figurant dans les revendications ne doivent pas être interprétés comme limitant les revendications respectives concernées. Les termes "premier", "deuxième", "troisième", "a", "b", "c", et autres, lorsqu'ils sont utilisés dans la description ou dans les revendications, sont introduits pour distinguer des éléments ou des étapes semblables et ne décrivent pas nécessairement un ordre séquentiel ou chronologique. De même, les termes "haut", "bas", "au-dessus", "en dessous" et autres sont utilisés à des fins descriptives et ne désignent pas nécessairement des positions relatives. Il est entendu que les termes ainsi utilisés sont interchangeables dans les circonstances appropriées et que des modes de réalisation de l'invention peuvent fonctionner conformément à la présente invention suivant d'autres séquences, ou dans des orientations différentes de celles décrites ou illustrées ci-dessus.
PROCEDE DE FORMATION D’UN DISPOSITIF COMPRENANT DU GRAPHENE DOMAINE DE L'INVENTION L’invention concerne le domaine des procédés de formation de dispositifs comprenant du graphène. En particulier l’invention concerne les procédés de formation de dispositif incluant du graphène fonctionnalisé, par exemple par la mise en contact du graphène sur sa face arrière avec des objets permettant sa fonctionnalisation notamment par dopage.
ETAT DE LA TECHNIQUE Le graphène est un matériau composé d'atomes de carbone formant un réseau cristallin présentant l’épaisseur d’un atome. Par extension et abus de langage, le graphène multicouche est constitué de deux à typiquement une dizaine de couches de graphène monocouche en empilement compact. Le graphène est particulièrement avantageux pour des applications où l'on souhaite des semiconducteurs à forte mobilité électronique pour la détection de mouvement de charges dans leur environnement et leur conversion en variation de conductivité électrique du plan de graphène. La plupart des applications en électronique appliquée du graphène nécessite une couche de graphène continue de taille macroscopique, comprenant une seule ou quelques couches d'atomes de carbone, couche qui est transférée sur un substrat d'un matériau sélectionné en fonction d'une application particulière. Le graphène continu est en général synthétisé en utilisant un procédé de dépôt par dépôt chimique en phase vapeur (technique également connue de l’homme du métier sous l’expression anglaise chemical vapor deposition ou CVD), dans lequel le graphène se cristallise à l’échelle d’une ou quelques couches atomiques sur un substrat de base à fonction catalytique comme une feuille de cuivre. Le carbone du graphène est sourcé à partir d’un gaz précurseur tel que le méthane ou d’autre hydrocarbure.
Il reste difficile de retirer ensuite la couche de graphène du substrat de base et de le transférer sur un substrat cible dont la surface est un isolant électrique sans endommager structurellement, sans contaminer les deux surfaces hautes et basse (ou supérieure et inférieure) de la couche de graphène et/ou dégrader ses propriétés électroniques telles que sa conductivité ou la mobilité des porteurs de charge.
Il est également difficile de déposer sur l’une des faces du graphène des objets qui permettent de le fonctionnaliser, notamment par dopage ou par effet de proximité, sans endommager ou polluer la couche de graphène supérieure et/ou dégrader ses propriétés électroniques et notamment sa sensibilité à l’environnement.
Le graphène est fonctionnalisé par un matériau de fonctionnalisation si le matériau en contact ou à proximité du graphène modifie des propriétés physico chimiques (électronique, optique, mécanique, chimique, etc…) du film de graphène ou bien modifie l’environnement immédiat de ce film par un effet d’écrantage, de filtrage ou d’influence à distance.
Il existe donc un besoin d’un procédé de formation d'un dispositif comprenant du graphène fonctionnalisé qui permet de préserver les qualités tant structurales qu’électroniques de la couche de graphène, d’exposer à l’environnement sa surface la plus propre, à savoir celle en contact avec le substrat catalytique tout en réduisant son degré de contamination sur sa face exposée.
Un but de l’invention est de proposer un procédé de formation d'un dispositif comprenant du graphène fonctionnalisé qui dépasse les problèmes de l’art antérieur.
Le but est atteint dans le cadre de la présente invention grâce à un procédé de formation d’un dispositif comprenant du graphène, le procédé comprenant les étapes suivantes :
- une étape de formation d’un film de graphène sur un substrat ;
Durant cette charge, les cellules 16 de batterie 4 ont un volume qui augmente. Ce gain de volume augmente la pression dans le circuit 6 et cette augmentation de pression est capté par l’organe de détection 14 de pression. Le moyen de mise en pression se déplace pour maintenir la première pression constante dans le circuit 6. C’est ainsi que le piston 32 recule, réduisant ainsi sa charge sur le liquide diélectrique, afin de maintenir une pression constante dans le circuit 6 pendant cette étape de charge.
Les étapes FG, GH, IJ et JK forment un cycle et elles sont répétées tout au long de la durée de vie du pack de batteries 2. Ce cycle comprend deux seuils de pression au sein du circuit 6, un premier seuil de pression correspondant à une pression de charge 44 et un second seuil correspondant à une pression de décharge 42 de la cellule, de la batterie ou du pack de batteries.
Entre les points A et B, les batteries 4 sont remplies de liquide diélectrique et celui-ci est à pression atmosphérique. Le circuit 6 est préalablement tiré au vide de sorte à éviter la présence d’air dans le circuit.
Le troisième graphique 40 de la montre que le circuit 6 est amené à la première pression lors du passage du point B au point C. Le circuit 6 est mis à la pression de charge 44 puisque, dans ce cas particulier illustré ici, le pack de batteries 2 est à 30% de charge. La prochaine phase sera donc une étape de charge du pack de batteries 2. Le passage de la pression atmosphérique à la première pression, correspondant au passage du point B au point C, est réalisé par le moyen de mise en pression qui augmente son effort sur le liquide diélectrique.
Dans un autre cas d’utilisation, le pack de batteries 2 peut être chargé et le circuit 6 sera d’abord amené à la deuxième pression, c’est-à-dire la pression de décharge 42.
Les étapes AB et BC sont réalisées lors de la première mise en service du système de refroidissement selon l’invention et/ou lors d’une opération de maintenance sur le pack de batteries 2.
Lorsque le niveau de charge du pack batterie 2 atteint 100%, la charge est arrêtée, il n’y a donc plus de mouvement du piston 32 et la pression dans le circuit 6 reste constante.
Les phases entre les points C et D, entre les points E et F et entre les points H et I sont des phases d’attente avant une étape de charge ou une étape de décharge.
L’invention, telle qu’elle vient d’être décrite, atteint bien le but qu’elle s’était fixée, et permet de proposer un système de refroidissement d’un pack de batteries dans lequel la pression du liquide diélectrique est maintenue constante lors des deux phases essentielles d’une batteries, c’est-à-dire sa charge et sa décharge. Selon l’invention, cette gestion de la pression est anticipé par le moyen de mise en pression. Le système de refroidissement est particulièrement attractif en ce qu’il permet l’utilisation d’un moyen de mise en circulation simple, bon marché et économe en énergie, puisque la pompe ne vainc que les pertes de charge hydraulique du circuit, et non les pertes de charge additionnées de la pression de consigne qui forme la pression statique du circuit. Des variantes non décrites ici pourraient être mises en œuvre sans sortir du contexte de l’invention, dès lors que, conformément à l’invention, elles mettent en œuvre un procédé de régulation conforme à l’invention.