Procédé de formation d’un dispositif (5) comprenant du graphène, le procédé comprenant les étapes suivantes : - une étape S1 de formation d’un film de graphène (1) sur un substrat (2); - une étape S2 de dépôt sur le film de graphène (1) d’un matériau de fonctionnalisation (3) configuré pour modifier des propriétés physico chimiques du film de graphène (1), le dépôt de matériau de fonctionnalisation étant configuré pour couvrir partiellement le film de graphène (1) ; - une étape S3 de dépôt en phase gazeuse d’un matériau polymère (4) couvrant le film de graphène (1) et le matériau de fonctionnalisation (3) ; et - une étape S4 de retrait du substrat (2) de sorte que le matériau polymère (4) forme un support pour le film de graphène (1). Procédé selon la revendication 1, dans lequel le matériau de fonctionnalisation (3) est déposé sur le film de graphène (1) durant l’étape S2 sous forme d’éléments présentant une épaisseur moyenne dans une direction perpendiculaire au film de graphène (1) et une extension latérale moyenne dans un plan parallèle au film de graphène, le film de graphène comprenant à la fin de l’étape S4 de retrait du substrat, une face avant et une face arrière opposée à la face avant, la face arrière étant en contact avec le matériau de fonctionnalisation et le matériau polymère, la face avant étant libre et présentant une rugosité inférieure à l’épaisseur moyenne, la rugosité étant déterminée par rapport à une surface plane, la rugosité étant égale à un écart-type d’une hauteur de la face avant dans la direction perpendiculaire en fonction d’une position dans un plan du film de graphène, la hauteur de la face avant étant définie sur des aires dans le plan d’une taille supérieure à l’extension latérale moyenne. Procédé selon la revendication 2, dans lequel la rugosité par rapport à un plan de référence est inférieure à 10% de l’épaisseur moyenne, et de préférence inférieure à 5% de l’épaisseur moyenne. Procédé selon l’une des revendications 1 à 3, dans lequel le matériau polymère (4) comprend du parylène. Procédé selon l’une des revendications 1 à 4, dans lequel le matériau de fonctionnalisation (3) est déposé sous au moins une des formes suivantes : nanofils métalliques, nanofils semiconducteurs ou de points quantiques semiconducteurs, nanoparticules métalliques magnétiques, une couche mince métallique lithographiée, une couche diélectrique déposée par dépôt de couches atomiques (ALD), une couche de nitrure de bore déposée par dépôt chimique en phase vapeur (CVD). Dispositif (5) comprenant du graphène, le dispositif comprenant un film de graphène (1), couvert partiellement d’un matériau de fonctionnalisation (3) configuré pour modifier des propriétés électriques ou magnétiques du film de graphène (1), le dispositif (5) comprenant un matériau polymère (4) couvrant le film de graphène (1) et le matériau de fonctionnalisation (3). Dispositif selon la revendication 6 dans lequel le matériau de fonctionnalisation (3) est constitué d’éléments présentant une épaisseur moyenne dans une direction perpendiculaire au film de graphène (1) et une extension latérale moyenne dans un plan parallèle au film de graphène, le film de graphène comprenant une face avant et une face arrière opposée à la face avant, la face arrière étant en contact avec le matériau de fonctionnalisation et le matériau polymère, la face avant étant libre et présentant une rugosité inférieure à l’épaisseur moyenne, la rugosité étant déterminée par rapport à une surface plane, la rugosité étant égale à un écart-type d’une hauteur de la face avant dans la direction perpendiculaire en fonction d’une position dans un plan du film de graphène, la hauteur de la face avant étant définie sur des aires dans le plan d’une taille supérieure à l’extension latérale moyenne. Dispositif selon l’une des revendications 6 ou 7 dans lequel la rugosité par rapport à un plan de référence est inférieure à 10% de l’épaisseur moyenne, et de préférence inférieure à 5% de l’épaisseur moyenne. Dispositif selon l’une des revendications 6 à 8, dans lequel le matériau polymère (4) comprend du parylène. Dispositif selon l’une des revendications 6 à 9, dans lequel le matériau de fonctionnalisation (3) se présente sous au moins une des formes suivantes : nanofils métalliques, nanofils semiconducteurs ou de points quantiques semiconducteurs, nanoparticules métalliques magnétiques, une couche mince métallique lithographiée, une couche diélectrique déposée par dépôt de couches atomiques (ALD), une couche de nitrure de bore déposée par dépôt chimique en phase vapeur (CVD).