INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Par ailleurs, le stator 12 comporte un corps 14 constitué par un empilage de tôles minces formant une couronne, dont la face intérieure est pourvue d'encoches ouvertes vers l'intérieur pour recevoir des enroulements de phase (non représentés sur la ). Les enroulements de phase sont obtenus par exemple à partir d'un fil continu recouvert d'émail ou à partir d'éléments conducteurs en forme d'épingles reliées entre elles par soudage. Alternativement, dans le cas d'un bobinage de type concentrique, la machine électrique 10 polyphasée comporte un bobinage de stator 12 constitué par plusieurs bobines préformées montées autour des dents du stator 12 par l'intermédiaire d'un isolant de bobine.
Afin d'évacuer les calories générées par un fonctionnement du stator 12, les paliers 15, 16 du boîtier 11 définissent une chambre de refroidissement 18 s'étendant circonférentiellement autour du corps de stator 14. La chambre de refroidissement 18 ainsi que les paliers 15, 16 sont coaxiaux par rapport à l'axe X.
Plus précisément, comme on peut le voir sur la , le premier palier 15 comporte une portion transversale 19 s'étendant transversalement par rapport à l'axe X. Cette portion transversale 19 est munie centralement d'un logement 20 recevant un roulement 21 pour le montage à rotation d'une extrémité d'un arbre portant le rotor 13. Le premier palier 15 comporte en outre une jupe 22 présentant globalement une forme tubulaire s'étendant axialement depuis la périphérie externe de la portion transversale 19.
De façon analogue, le deuxième palier 16 comporte une portion transversale 24 s'étendant transversalement par rapport à l'axe X. Cette portion transversale 24 est munie centralement d'un logement 25 recevant un roulement (non représenté) pour le montage à rotation d'une extrémité de l'arbre portant le rotor 13. Le deuxième palier 16 comporte en outre une jupe 26 présentant globalement une forme tubulaire s'étendant axialement depuis la périphérie externe de la portion transversale. La jupe 26 du deuxième palier 16 présente un diamètre interne légèrement supérieur au diamètre externe de la jupe 22 du premier palier 15. En variante, un des paliers 15, 16 comporte les deux jupes 22, 26 et est fermé par l'autre palier 15, 16 comportant uniquement une portion transversale formant un couvercle pour la chambre de refroidissement 18. Dans l'exemple représenté, les paliers 15, 16 sont des pièces monoblocs. En variante, un palier 15, 16 pourra être formé d'une portion tubulaire 22, 26 distincte et assemblée avec la portion transversale 19, 24.
La jupe 26 du deuxième palier 16 est disposée autour de la jupe 22 du premier palier 15 de façon à former la chambre de refroidissement 18 dans laquelle circule un liquide de refroidissement. Le liquide de refroidissement pourra par exemple être de l'eau avec un anti-gel. Alternativement, le liquide de refroidissement pourra être constitué par une huile ou tout autre liquide caloporteur adapté à l'application.
Par « une matière lignocellulosique » au sens de l’invention, on entend une matière contenant au moins 50% de cellulose, voire 60 ou 70%.
Par « éléments indésirables » au sens de l’invention, on entend les minéraux et les éléments non carbonés. A titre d’exemple non limitatif, les éléments indésirables peuvent être des éléments majeurs (l’azote (N), du chlore (Cl), du soufre (S)) et/ou des minéraux ou un mélange de ceux-ci.
Les inventeurs ont, de manière tout à fait surprenante, découvert que l’introduction de lignine dans une biomasse suivie d’une étape de vapocraquage avait pour effet de nettoyer la lignine des éléments indésirables. La lignine obtenue est de meilleure qualité. Cette caractéristique a pour effet de permettre une augmentation du pouvoir calorifique des granulés produits en réduisant, ou tout du moins sans augmenter, la quantité de cendres et de rejets gazeux produits leurs de leur combustion.
Dans un mode de réalisation préférée, la lignine est ajoutée à hauteur de 4 à 60% en poids de la biomasse initiale à vapocraquer. Dans un mode de réalisation encore plus préférée, la lignine est ajoutée à hauteur d’au moins 4% en poids de la biomasse initiale à vapocraquer.
Un second objet de l’invention concerne un procédé de préparation de granulés noirs ayant un pouvoir calorifique unitaire supérieur d’au moins 6% à celui de la biomasse initiale, comportant une étape d’ajout d’une matière riche en lignine à ladite biomasse suivie par une étape de vapocraquage caractérisé en ce que la matière à vapocraquer obtenue à l’issue dudit ajout comprend 4 à 60% d’une matière riche en lignine.
Les granulés noirs obtenus par ce procédé ont un pouvoir calorifique unitaire supérieur d’au moins 6% à celui de la biomasse initiale et d’au moins 2% par rapport à un granulé noir obtenu par un procédé classique.
Dans un mode de réalisation particulier, un tel procédé est mis en œuvre comme suit :
obtention d’une biomasse, à partir par exemple de plaquettes de bois, de fragments de bois dont la dimension est comprise entre 0,5 et 14 mm et présentant un taux d’humidité maintenue par séchage compris entre 5 et 27%, préférentiellement entre 5 et 10% ; ajout d’une matière riche en lignine à ladite biomasse obtenue à l’étape précédente
introduction en continu d’un volume prédéterminé par minute de ladite biomasse dans un réacteur sous pression, ledit réacteur étant alimenté en vapeur d’eau sensiblement saturée dont la pression est comprise entre 10 et 25 bars et la température est comprise entre 180 et 220°C ; exposition de ladite biomasse introduite dans ledit réacteur à ladite vapeur d’eau pendant une durée suffisante pour obtenir un vapocraquage comprise entre 5 et 30 minutes, la valeur de ladite durée d’exposition et la valeur de la température de ladite vapeur sensiblement saturée étant sélectionnées de sorte que le facteur de sévérité soit compris entre 3 et 5, de préférence entre 3,5 et 4,2; extraction en continu dudit réacteur d’un même volume prédéterminé de biomasse par minute, au travers d’une pluralité d’orifices débouchant dans un conduit sensiblement à la pression atmosphérique, de sorte à provoquer une décompression explosive de ladite biomasse extraite dudit réacteur dans ledit conduit ; séparation de ladite biomasse décompressée et de la vapeur résiduelle extraite dudit réacteur, ladite biomasse obtenue après séparation formant ladite matière combustible sous forme de poudre. ladite biomasse récoltée sous forme de poudre à la sortie du séparateur est ensuite éventuellement séchée jusqu’à ce que leur taux humidité atteigne 10%, avant d’être éventuellement compactée sous forme de granulés destinés à être utilisés comme combustible. Il est possible de procéder à une humidification des fragments de bois obtenus après séparation afin de faciliter la granulation.
Le Facteur de Sévérité du traitement est défini par la formule : FS=Log10(temps(min)*exp((T°C-100) /14.75)). Plus la température est élevée et plus la durée de traitement est longue, plus la sévérité augmente, plus on constate de transformation dans le produit, plus on perd de la matière carbonée dans les évaporats.
Les conditions de vapocraquage peuvent être adaptées en fonction de la composition de la biomasse initiale et du taux d’incorporation de lignine avant le vapocraquage.
Il est connu de l’homme du métier que les procédés classiques de préparation de granulés noirs permettent l’obtention de produits dont le PCI est augmenté de 4% par rapport à celui de la biomasse initiale.
Par « procédés classiques » on entend au sens de l’invention, des procédés de d’obtention de granulés noirs par des traitements thermiques, tel que le vapocraquage ou explosion à la vapeur, sans ajout de lignine avant le vapocraquage.
Dans un mode de réalisation préféré, la lignine ajoutée à un PCI d’au moins 7500 kWh/tonne et est introduite à hauteur de 4 à 60% en poids à la biomasse initiale, conduisant à l’obtention d’un mélange dont le PCI est d’au moins 5300 kWh/tonne de mélange.
Un ajout de lignine à hauteur d’au moins 4% en poids à la biomasse initial, conduit à l’obtention d’un mélange dont le PCI est augmenté d’au moins 2% par rapport au PCI d’un granulé noirs obtenu par un procédé classique de l’état de la technique. Autrement dit, le pouvoir unitaire des granulés obtenus est supérieur d’au moins 6% par rapport à celui de la biomasse initiale.
Par « maintenue par séchage » on entend au sens de l’invention une étape optionnelle de séchage de la matière première, dans le cas où la biomasse possède un taux d’humidité supérieur à 27%, afin d’atteindre un taux d’humidité compris entre 5 et 27%, préférentiellement entre 5 à 10%.
Les figures 3A à 3O schématisent des étapes de fabrication d’un capteur pMUT selon l’invention.
La montre un mode de réalisation dans lequel la rigidité de l’empilement piézoélectrique, supporté par la membrane, est diminuée.
La et la représentent d’autres modes de réalisation de capteur pMUT selon l’invention.
EXPOSE DE MODES DE REALISATION PARTICULIERS La schématise les principaux composants d’un capteur résonant 1 de type pMUT (piezoelectric Micro-machined Ultrasonic Transducers), qui constitue un type particulier de résonateur électromécanique MEMS. Le capteur est formé sur un substrat inférieur 10. Le capteur comporte une membrane 25 sur laquelle est déposée un empilement piézoélectrique 30. La membrane 25 s’étend sur une cavité 11 formée dans le substrat inférieur 10. L’empilement piézoélectrique 30 comporte une couche d’un matériau piézoélectrique comprise entre deux électrodes. De façon connue, sous l’effet d’une tension alternative entre les électrodes, la membrane peut entrer en vibration. De façon réciproque, sous l’effet d’une vibration de la membrane, une tension alternative ou un courant électrique apparaît entre les deux électrodes. Par ailleurs, l’empilement piézoélectrique 30 permet de rigidifier la membrane, de façon à limiter une déflexion de la membrane vers l’intérieur de la cavité 11.
Le capteur 1 comporte une butée 15, formée dans la cavité 11, s’étendant à partir du fond de la cavité. La butée est destinée à former une surface d’appui de la membrane 25 lorsque cette dernière subit une déflexion trop importante, sous l’effet du vide présent dans la cavité. Le fait que la cavité 11 soit sous vide évite la formation d’un coussin d’air dans la cavité, amortissant la vibration de la membrane lors de l’utilisation du capteur. L’empilement piézoélectrique 30 est déposé sur la membrane 25, après la formation de cette dernière. Comme indiqué dans l’art antérieur, la membrane est obtenue à partir d’un amincissement d’un substrat supérieur 20 assemblé sur le substrat inférieur 10, après la formation de la cavité 11. Le substrat supérieur 20 est par exemple assemblé au substrat inférieur 10 par scellement direct, sous-vide.
La membrane 25 est obtenue par amincissement du substrat supérieur 20, par exemple par gravure. La montre l’étape d’assemblage, sous vide, du substrat supérieur 20 sur le substrat inférieur 10. La montre la membrane 25 résultant de l’amincissement.
De façon alternative, le substrat supérieur a préalablement fait l’objet d’une implantation ionique. Le substrat supérieur est appliqué contre le substrat inférieur. Suite à une phase de clivage du substrat supérieur, une couche résiduelle du substrat supérieur subsiste sur le substrat inférieur. La couche résiduelle ainsi obtenue forme la membrane suspendue sur le substrat inférieur.
Lors de la formation de la membrane, par gravure ou par clivage, la cavité 11 est à une pression proche du vide. Cela permet de disposer d’une cavité considérée comme sous-vide, refermée par la membrane 25.
La membrane forme une interface entre la cavité 11, sous vide, et l’environnement extérieur, à la pression atmosphérique. Comme mentionné dans l’art antérieur, lorsque le diamètre (ou la diagonale) de la membrane 25 augmente, du fait de la faible épaisseur de la membrane, cette dernière se défléchit vers l’intérieur de la cavité. Il en résulte un risque de casse. La représente une étape de formation du capteur 1, préalablement au dépôt de l’empilement piézoélectrique sur la membrane. Le risque de casse est important avant la formation de l’empilement piézoélectrique, ce dernier augmentant la rigidité de la membrane.
Il est préférable que l’amplitude de la déflexion de la membrane n’excède pas deux ou trois fois l’épaisseur de la membrane. La hauteur de la butée 15 est ajustée en conséquence. La butée 15 permet de limiter l’amplitude de la déflexion de la membrane, et d’éviter une casse de cette dernière. Dans cet exemple, on a représenté une butée disposée au centre la cavité, de façon à permettre un appui de la membrane à l’endroit auquel la déflexion est maximale. D’autres configurations sont possibles.
Sur la , on a représenté une cavité présentant plusieurs butées, réparties selon une direction parallèle à la face supérieure 10 s . Les butées peuvent avoir différentes hauteurs h comme représenté sur la , chaque hauteur h étant définie par rapport au fond de la cavité 11. Selon ce mode de réalisation, la hauteur est d’autant plus faible que la butée est disposée proche du centre de la cavité, ce dernier étant matérialisé par un trait mixte sur la . La surface des butées, sur laquelle s’appuie la membrane, est suffisamment importante pour limiter la déflexion de la membrane. Cependant, elle ne doit pas être trop élevée, de façon à limiter un risque d’adhérence de la membrane 25 suite au dépôt de l’assemblage piézoélectrique 30.
Les figures 3A à 3O schématisent les principales étapes d’un procédé de fabrication d’un capteur pMUT selon l’invention.
Formation de la cavité On dispose d’un substrat inférieur 10, par exemple un substrat de silicium, s’étendant entre une face supérieure 10 s et une face inférieure 10 i . Cf. . Le substrat inférieur 10 fait l’objet d’une première gravure, selon une première profondeur d 1 , de manière à former un premier fond 14 1 , comme représenté sur la . La première profondeur d 1 est par exemple comprise entre 500 nm et 3 µm.
Les figures 3A à 3O sont des coupes effectuées selon un plan transversal XZ, perpendiculaire à la face supérieure 10 s . L’échelle selon l’axe transversal Z est supérieure à l’échelle selon l’axe X.
Suite à la première gravure, on définit au moins une surface d’appui 13 sur le premier fond 14 1 . La surface d’appui est destinée à former, par la suite, un appui pour une membrane défléchie.
Le procédé comporte une deuxième gravure, dans la cavité 11, la deuxième gravure étant effectuée autour de la surface d’appui 13. La deuxième gravure n’affecte pas, ou de façon négligeable, la profondeur d 1 de la surface d’appui 13 par rapport à la face supérieure 10 s . Le résultat de la deuxième gravure est exposé sur la figure 3C. La cavité 11 s’étend, à partir de la face supérieure 10 s , jusqu’à un fond 14, le fond s’étendant à une deuxième profondeur d 2 par rapport à la face supérieure 10 s . La deuxième profondeur d 2 est supérieure à la première profondeur d 1 . La première profondeur d 1 est égale à fois l’épaisseur de la membrane que l’on souhaite former ultérieurement, étant un réel de préférence compris entre 0.5 et 3, et de préférence entre 0.5 et 2. Ainsi :
Dans la suite du texte, on entend « par taux de groupes pendants de formule (I) », y compris ses formes préférées, présent dans le polymère, de préférence dans l’élastomère diénique, exprimé en pourcentage molaire, le nombre de mole de groupes pendants de formule (I) présents pour cent moles de motif constitutif constituant le polymère, de préférence l’élastomère diénique, qu’il s’agisse indifféremment de motifs diéniques ou non diéniques. Par exemple, si le taux de groupes pendants de formule (I), ou de ses formes préférées, sur un SBR (caoutchouc styrène-butadiène) est de 0,20% molaire, cela signifie qu’il y aura 0,20 motif issu de groupes pendants de formule (I) (ou des formes préférées) pour 100 motifs constitutifs de SBR. Le taux molaire de groupes pendants de formule (I) peut être déterminé par les méthodes conventionnelles d’analyses des polymères, telles que par exemple l’analyse RMN 1 H.
Polymère diénique :
Le polymère de l’invention est un polymère comprenant une ou plusieurs unités diéniques et portant le long de la chaîne polymère principale un ou plusieurs groupes pendant de formule (I).
On entend, au sens de la présente invention, par « groupe pendant », un groupement latéral de la chaîne polymère. Le terme « groupe latéral » au sens de la présente invention, désigne un substituant qui n’est pas un oligomère ou un polymère (voir aussi la définition de « Glossary of basic terms in polymer science » (IUPAC recommendations 1996), PAC, 1996, 68, 2287, p2297).
On entend, au sens de la présente invention, par « polymère comprenant une ou plusieurs unités diéniques », tout polymère, naturel ou synthétique, constitué au moins en partie (i.e. un homopolymère ou un copolymère) d’unités monomères diéniques (monomères porteurs de deux doubles liaisons carbone-carbone, conjuguées ou non). Un tel polymère peut être également appelé polymère diénique.
On entend plus particulièrement par polymère diénique utilisable dans l’invention :
À titre d’oléfines conviennent les composés vinylaromatiques ayant de 8 à 20 atomes de carbone et les alpha-monooléfines aliphatiques ayant de 3 à 12 atomes de carbone.
À titre d’α-monooléfines aliphatiques conviennent notamment les alpha-monooléfines aliphatiques acycliques ayant de 3 à 18 atomes de carbone.
Plus particulièrement, le polymère diénique est :
n = 1 à 2, p = 1 à 2, n + p = 2 à 3 ; et
à la condition que si A = As, alors As(SiH 3 ) 3 est exclu ; si A = P, alors P(SiH 3 ) 3 , P(SiH 3 ) 2 (Si 2 H 5 ), P(SiH 3 )(Si 2 H 5 ) 2 , P(Si 2 H 5 ) 3 , et P(SiH 3 ) 2 (TMS) sont exclus ; et si A = Sb, alors Sb(SiH 3 ) 3 est exclu.
Les précurseurs contenant un élément du groupe V divulgués contiennent un groupe trisilyle qui peut être soit -SiH(SiH 3 ) 2 (i-trisilyle), soit -SiH 2 -SiH 2 -SiH 3 (n-trisilyle).
Des précurseurs divulgués donnés à titre d’exemple comprennent P(SiH 3 ) 3 , P(SiR 3 )(SiH 3 ) 2 , P(SiR 3 ) 2 (SiH 3 ), P(SiR 3 )(Si 2 H 5 ) 2 , P(SiR 3 ) 2 (Si 2 H 5 ), P(Si 2 H 5 ) 3 , P(SiR 3 )(Si 3 H 7 ) 2 , P(SiR 3 ) 2 (Si 3 H 7 ), P(Si 3 H 7 ) 3 , As(SiH 3 ) 3 , As(SiR 3 )(SiH 3 ) 2 , As(SiR 3 ) 2 (SiH 3 ), As(SiR 3 )(Si 2 H 5 ) 2 , As(SiR 3 ) 2 (Si 2 H 5 ), As(Si 2 H 5 ) 3 , As(SiR 3 )(Si 3 H 7 ) 2 , As(SiR 3 ) 2 (Si 3 H 7 ), As(Si 3 H 7 ) 3 , Sb(SiH 3 ) 3 , Sb(SiR 3 )(SiH 3 ) 2 , Sb(SiR 3 ) 2 (SiH 3 ), Sb(SiR 3 )(Si 2 H 5 ) 2 , Sb(SiR 3 ) 2 (Si 2 H 5 ), Sb(Si 2 H 5 ) 3 , Sb(SiR 3 )(Si 3 H 7 ) 2 , Sb(SiR 3 ) 2 (Si 3 H 7 ), Sb(Si 3 H 7 ) 3, P(SiR 3 )(SiH 3 )(Si 2 H 5 ), P(SiR 3 )(SiH 3 )(Si 3 H 7 ), P(SiH 3 ) 2 (Si 2 H 5 ), P(SiH 3 ) 2 (Si 3 H 7 ), P(SiH 3 )(Si 2 H 5 ) 2 , P(SiH 3 )(Si 2 H 5 )(Si 3 H 7 ), P(SiH 3 )(Si 3 H 7 ) 2 , P(Si 2 H 5 ) 2 (Si 3 H 7 ), P(Si 2 H 5 )(Si 3 H 7 ) 2 , As(SiR 3 )(SiH 3 )(Si 2 H 5 ), As(SiR 3 )(SiH 3 )(Si 3 H 7 ), As(SiH 3 ) 2 (Si 2 H 5 ), As(SiH 3 ) 2 (Si 3 H 7 ), As(SiH 3 )(Si 2 H 5 ) 2 , As(SiH 3 )(Si 2 H 5 )(Si 3 H 7 ), As(SiH 3 )(Si 3 H 7 ) 2 , As(Si 2 H 5 ) 2 (Si 3 H 7 ), As(Si 2 H 5 )(Si 3 H 7 ) 2 , Sb(SiR 3 )(SiH 3 )(Si 2 H 5 ), Sb(SiR 3 )(SiH 3 )(Si 3 H 7 ), Sb(SiH 3 ) 2 (Si 2 H 5 ), Sb(SiH 3 ) 2 (Si 3 H 7 ), Sb(SiH 3 )(Si 2 H 5 ) 2 , Sb(SiH 3 )(Si 2 H 5 )(Si 3 H 7 ), Sb(SiH 3 )(Si 3 H 7 ) 2 , Sb(Si 2 H 5 ) 2 (Si 3 H 7 ), ou Sb(Si 2 H 5 )(Si 3 H 7 ) 2 , R étant choisi parmi Me, Et, nPr, iPr, tBu, nBu, iBu et sBu.
Préférablement, lorsque R est un groupe méthyle, -CH 3 , le précurseur contenant un élément du groupe V divulgué est A(Si a H 2a+1 ) m (Si(CH 3 ) 3 ) 3-m, ou A(Si n H 2n+1 ) m (TMS) 3-m , a = 1 à 6 ; m = 1 à 3 ; A étant un élément du groupe V choisi parmi P, As, Sb et Bi ; à la condition que si A = As, alors a > 1; A = P, alors P(SiH 3 ) 2 (TMS) est exclu ; et si A = Sb, alors Sb(SiH 3 ) 3 est exclu. Lorsque R = Me, des précurseurs divulgués donnés à titre d’exemple comprennent P(SiH 3 ) 3 , P(TMS)(SiH 3 ) 2 , P(TMS) 2 (SiH 3 ), P(TMS)(Si 2 H 5 ) 2 , P(TMS) 2 (Si 2 H 5 ), P(Si 2 H 5 ) 3 , P(TMS)(Si 3 H 7 ) 2 , P(TMS) 2 (Si 3 H 7 ), P(Si 3 H 7 ) 3, , As(SiH 3 ) 3 , As(TMS)(SiH 3 ) 2 , As(TMS) 2 (SiH 3 ), As(TMS)(Si 2 H 5 ) 2 , As(TMS) 2 (Si 2 H 5 ), As(Si 2 H 5 ) 3 , As(TMS)(Si 3 H 7 ) 2 , As(TMS) 2 (Si 3 H 7 ), As(Si 3 H 7 ) 3, , Sb(SiH 3 ) 3 , Sb(TMS)(SiH 3 ) 2 , Sb(TMS) 2 (SiH 3 ), Sb(TMS)(Si 2 H 5 ) 2 , Sb(TMS) 2 (Si 2 H 5 ), Sb(Si 2 H 5 ) 3 , Sb(TMS)(Si 3 H 7 ) 2 , Sb(TMS) 2 (Si 3 H 7 ), Sb(Si 3 H 7 ) 3, P(TMS)(SiH 3 )(Si 2 H 5 ), P(TMS)(SiH 3 )(Si 3 H 7 ), P(SiH 3 ) 2 (Si 2 H 5 ), P(SiH 3 ) 2 (Si 3 H 7 ), P(SiH 3 )(Si 2 H 5 ) 2 , P(SiH 3 )(Si 2 H 5 )(Si 3 H 7 ), P(SiH 3 )(Si 3 H 7 ) 2 , P(Si 2 H 5 ) 2 (Si 3 H 7 ), P(Si 2 H 5 )(Si 3 H 7 ) 2 , , As(TMS)(SiH 3 )(Si 2 H 5 ), As(TMS)(SiH 3 )(Si 3 H 7 ), As(SiH 3 ) 2 (Si 2 H 5 ), As(SiH 3 ) 2 (Si 3 H 7 ), As(SiH 3 )(Si 2 H 5 ) 2 , As(SiH 3 )(Si 2 H 5 )(Si 3 H 7 ), As(SiH 3 )(Si 3 H 7 ) 2 , As(Si 2 H 5 ) 2 (Si 3 H 7 ), As(Si 2 H 5 )(Si 3 H 7 ) 2 , , Sb(TMS)(SiH 3 )(Si 2 H 5 ), Sb(TMS)(SiH 3 )(Si 3 H 7 ), Sb(SiH 3 ) 2 (Si 2 H 5 ), Sb(SiH 3 ) 2 (Si 3 H 7 ), Sb(SiH 3 )(Si 2 H 5 ) 2 , Sb(SiH 3 )(Si 2 H 5 )(Si 3 H 7 ), Sb(SiH 3 )(Si 3 H 7 ) 2 , Sb(Si 2 H 5 ) 2 (Si 3 H 7 ), Sb(Si 2 H 5 )(Si 3 H 7 ) 2 .
Préférablement, lorsque n = 2 à 3, le précurseur contenant un élément du groupe V divulgué est choisi dans le groupe constitué par A(Si 2 H 5 )(SiR 3 ) 2 , A(Si 3 H 7 )(SiR 3 ) 2 , A(Si 2 H 5 ) 2 (SiR 3 ), A(Si 3 H 7 ) 2 (SiR 3 ), A(Si 2 H 5 ) 3 , et A(Si 3 H 7 ) 3 , A étant un élément du groupe V choisi parmi P, As, Sb et Bi ; R étant choisi parmi un groupe alkyle, alcényle, alcynyle linéaire, ramifié ou cyclique, en C 1 à C 10 ; à la condition que si A = P, alors P(SiH 3 ) 2 (Si 2 H 5 ), P(SiH 3 )(Si 2 H 5 ) 2 , P(Si 2 H 5 ) 3 , et P(SiH 3 ) 2 (TMS) sont exclus.
Préférablement, lorsque m = 3, le précurseur contenant un élément du groupe V divulgué est A(Si a H 2a+1 ) 3 , a = 1 à 6 ; A étant un élément du groupe V choisi parmi P, As, Sb et Bi ; R étant choisi parmi un groupe alkyle, alcényle, alcynyle linéaire, ramifié ou cyclique, en C 1 à C 10 ; à la condition que si A = As, alors n > 1 ; si A = P, alors P(Si 2 H 5 ) 3 est exclu ; et si A = Sb, alors Sb(SiH 3 ) 3 est exclu.
Les précurseurs contenant un élément du groupe V divulgués peuvent être P(SiH 3 ) 3 , P(TMS)(SiH 3 ) 2 , P(TMS) 2 (SiH 3 ), P(TMS)(Si 2 H 5 ) 2 , P(TMS) 2 (Si 2 H 5 ), P(Si 2 H 5 ) 3 , P(TMS)(Si 3 H 7 ) 2 , P(TMS) 2 (Si 3 H 7 ), P(Si 3 H 7 ) 3 , P(TMS)(SiH 3 )(Si 2 H 5 ), P(TMS)(SiH 3 )(Si 3 H 7 ), P(SiH 3 ) 2 (Si 2 H 5 ), P(SiH 3 ) 2 (Si 3 H 7 ), P(SiH 3 )(Si 2 H 5 ) 2 , P(SiH 3 )(Si 2 H 5 )(Si 3 H 7 ), P(SiH 3 )(Si 3 H 7 ) 2 , P(Si 2 H 5 ) 2 (Si 3 H 7 ), ou P(Si 2 H 5 )(Si 3 H 7 ) 2 .
Les procédés de synthèse divulgués pour la synthèse des précurseurs contenant un élément du groupe V divulgués présentés dans les formules (I) à (III) comprennent une voix de déshalogénosilylation (DXS) entre un composé de type halogénosilyle ou halogénopolysilyle (X-Si n H 2n+1 ) et un dérivé de type tris(trialkylsilyle) de A (A = As, P, Sb ou Bi), A(SiR 3 ) 3 , selon la réaction générale :
a = 1 à 6 ;
m = 1 à 3, préférablement m = 3 ;
A = As, P, Sb, Bi ;
X = Cl, Br, I ; et
R étant choisi parmi un groupe alkyle, alcényle, alcynyle linéaire, ramifié ou cyclique, en C 1 à C 10 .