INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Parmi les groupes contenant de l’azote de formule (II) ci-dessus, on peut en particulier mentionner les radicaux amino, mono-alkylamino (en C 1 -C 4 ), dialkylamino (en C 1 -C 4 ), trialkylamino (en C 1 -C 4 ), monohydroxy-alkylamino (en C 1 -C 4 ), imidazolinium et ammonium.
Parmi les doubles bases de formules (II) ci-dessus, on peut plus particulièrement mentionner le N,N’-bis(β-hydroxyéthyl)-N,N’-bis(4’-aminophényl)-1,3-diaminopropanol, la N,N’-bis(β-hydroxyéthyl)-N,N’-bis(4’-aminophényl)éthylènediamine, la N,N’-bis(4-aminophényl)-tétraméthylènediamine, la N,N’-bis(β-hydroxyéthyl)-N,N’-bis(4-aminophényl)tétraméthylènediamine, la N,N’-bis(4-méthylaminophényl)tétraméthylènediamine, la N,N’-bis(éthyl)-N,N’-bis(4’-amino-3’-méthylphényl)éthylène-diamine, le 1,8-bis(2,5-diaminophénoxy)-3,5-dioxaoctane, et leurs sels d’addition avec un acide.
Parmi ces doubles bases de formule (II), le N,N’-bis(β-hydroxyéthyl)-N,N’-bis(4’-aminophényl)-1,3-diaminopropanol, le 1,8-bis(2,5-diaminophénoxy)-3,5-dioxaoctane, ou l’un de leurs sels d’addition avec un acide sont particulièrement préférés.
- (III) Les para-aminophénols correspondant à la formule (III) suivante, et leurs sels d’addition avec un acide :
- R 13 représente un atome d’hydrogène, ou un atome d’halogène tel que le fluor, un radical alkyle en C 1 -C 4 , monohydroxy-alkyle (en C 1 -C 4 ), alcoxy (en C 1 -C 4 )-alkyle (en C 1 -C 4 ), amino(alkyle en C 1 -C 4 ) ou hydroxy-alkylamino (en C 1 -C 4 )-(alkyle en C 1 -C 4 ), et
- R 14 représente un atome d’hydrogène, ou un atome d’halogène tel que le fluor, un radical alkyle en C 1 -C 4 , monohydroxy(alkyle en C 1 -C 4 ), polyhydroxy(alkyle en C 2 -C 4 ), amino(alkyle en C 1 -C 4 ), cyano(alkyle en C 1 -C 4 ) ou alcoxy (en C 1 -C 4 )-alkyle (en C 1 -C 4 ).
Parmi les para-aminophénols de formule (III) ci-dessus, on peut plus particulièrement mentionner le para-aminophénol, le 4-amino-3-méthylphénol, le 4-amino-3-fluorophénol, le 4-amino-3-hydroxyméthylphénol, le 4-amino-2-méthylphénol, le 4-amino-2-hydroxyméthylphénol, le 4-amino-2-méthoxyméthylphénol, le 4-amino-2-aminométhylphénol, le 4-amino-2-(β-hydroxyéthylaminométhyl)phénol, et leurs sels d’addition avec un acide.
- (IV) Les ortho-aminophénols qui peuvent être utilisés en tant que bases d’oxydation dans le contexte de la présente invention sont choisis en particulier parmi le 2-aminophénol, le 2-amino-1-hydroxy-5-méthylbenzène, le 2-amino-1-hydroxy-6-méthylbenzène, le 5-acétamido-2-aminophénol, et leurs sels d’addition avec un acide.
- (V) Parmi les bases hétérocycliques qui peuvent être utilisées en tant que bases d’oxydation dans les compositions de teinture conformément à la présente invention, on peut plus particulièrement mentionner les dérivés de pyridine, les dérivés de pyrimidine, les dérivés de pyrazole, et leurs sels d’addition avec un acide.
Parmi les dérivés de pyridine, on peut plus particulièrement mentionner les composés décrits par exemple dans les brevets GB 1 026 978 et GB 1 153 196, tels que la 2,5-diaminopyridine, la 2-(4-méthoxyphényl)amino-3-aminopyridine, la 2,3-diamino-6-méthoxypyridine, la 2-(β-méthoxyéthyl)amino-3-amino-6-méthoxypyridine, la 3,4-diaminopyridine, et leurs sels d’addition avec un acide.
Parmi les dérivés de pyrimidine, on peut plus particulièrement mentionner les composés décrits, par exemple, dans les brevets DE 2 359 399 ; JP 88-169571 ; et JP 91-10659, ou la demande de brevet WO 96/15765, tels que la 2,4,5,6-tétraaminopyrimidine, la 4-hydroxy-2,5,6-triaminopyrimidine, la 2-hydroxy-4,5,6-triaminopyrimidine, la 2,4-dihydroxy-5,6-diaminopyrimidine, la 2,5,6-triamino-pyrimidine, et les dérivés de pyrazolopyrimidine tels que ceux mentionnés dans la demande de brevet FR-A-2 750 048 et parmi lesquels on peut mentionner la pyrazolo[1,5-a]-pyrimidine-3,7-diamine ; la 2,5-diméthyl-pyrazolo[1,5-a]-pyrimidine-3,7-diamine ; la pyrazolo[1,5-a]pyrimidine-3,5-diamine ; la 2,7-diméthylpyrazolo[1,5-a]pyrimidine-3,5-diamine ; le 3-aminopyrazolo[1,5-a]pyrimidin-7-ol ; le 3-amino-pyrazolo[1,5-a]pyrimidin-5-ol ; le 2-(3-amino-pyrazolo-[1,5-a]pyrimidin-7-ylamino)éthanol, le 2-(7-aminopyrazolo[1,5-a]pyrimidin-3-ylamino)éthanol, le 2-[(3-amino-pyrazolo[1,5-a]pyrimidin-7-yl)-(2-hydroxy-éthyl)amino]-éthanol, le 2-[(7-aminopyrazolo[1,5-a]-pyrimidin-3-yl)-(2-hydroxyéthyl)amino]éthanol, la 5,6-diméthylpyrazolo-[1,5-a]pyrimidine-3,7-diamine, la 2,6-diméthylpyrazolo-[1,5-a]pyrimidine-3,7-diamine, la 2,5,N7,N7-tétraméthyl-pyrazolo[1,5-a]pyrimidine-3,7-diamine, la 3-amino-5-méthyl-7-imidazolylpropyl-aminopyrazolo[1,5-a]-pyrimidine, leurs sels d’addition et leurs formes tautomères, lorsqu’un équilibre tautomère existe, et leurs sels d’addition avec un acide.
Parmi les dérivés de pyrazole, on peut plus particulièrement mentionner les composés décrits dans les brevets DE 3 843 892 et DE 4 133 957 et les demandes de brevet WO 94/08969, WO 94/08970, FR-A-2 733 749 et DE 195 43 988 tels que le 4,5-diamino-1-méthylpyrazole, le 3,4-diaminopyrazole, le 4,5-diamino-1-(4’-chlorobenzyl)-pyrazole, le 4,5-diamino-1,3-diméthylpyrazole, le 4,5-diamino-3-méthyl-1-phénylpyrazole, le 4,5-diamino-1-méthyl-3-phénylpyrazole, le 4-amino-1,3-diméthyl-5-hydrazino-pyrazole, le 1-benzyl-4,5-diamino-3-méthyl-pyrazole, le 4,5-diamino-3-tert-butyl-1-méthylpyrazole, le 4,5-diamino-1-tertbutyl-3-méthylpyrazole, le 4,5-diamino-1-(β-hydroxyéthyl)-3-méthylpyrazole, le 4,5-diamino-1-(β-hydroxyéthyl)pyrazole, le 4,5-diamino-1-éthyl-3-méthylpyrazole, le 4,5-diamino-1-éthyl-3-(4’-méthoxyphényl)pyrazole, le 4,5-diamino-1-éthyl-3-hydroxy-méthylpyrazole, le 4,5-diamino-3-hydroxyméthyl-1-méthylpyrazole, le 4,5-diamino-3-hydroxyméthyl-1-isopropyl-pyrazole, le 4,5-diamino-3-méthyl-1-isopropyl-pyrazole, le 4-amino-5-(2’-aminoéthyl)amino-1,3-diméthylpyrazole, le 3,4,5-triaminopyrazole, le 1-méthyl-3,4,5-triamino-pyrazole, le 3,5-diamino-1-méthyl-4-méthylaminopyrazole, le 3,5-diamino-4-(β-hydroxy-éthyl)amino-1-méthylpyrazole, et leurs sels d’addition avec un acide.
Parmi les bases hétérocycliques qui peuvent être utilisées en tant que bases d’oxydation, on peut plus particulièrement mentionner les diaminopyrazolopyrazolones et en particulier la 2,3-diamino-6,7-dihydro-1H5H-[pyrazolo1,2,a]pyrazol-1-one et les sels d’addition de ces diaminopyrazolopyrazolones avec un acide.
Le ou les alcools hydrosolubles peuvent être présents dans la composition selon la présente invention à raison de 95 % en poids ou moins, de préférence 90 % en poids ou moins, mieux encore 85 % en poids ou moins, et encore mieux encore 80 % en poids ou plus, par rapport au poids total de la composition.
Le ou les alcools hydrosolubles peuvent être présents dans la composition selon la présente invention en une quantité allant de 40 à 95 % en poids, de préférence de 50 à 90 % en poids, mieux encore de 60 à 85 % en poids, et encore mieux encore de 70 à 80 % en poids, par rapport au poids total de la composition.
Dans un mode de réalisation de la présente invention, le monoalcool peut être présent en une quantité de 40 % en poids ou plus, de préférence 50 % en poids ou plus, mieux encore 60 % en poids ou plus, et encore mieux encore 65 % en poids ou Suite ; et peut être de 90 % en poids ou moins, de préférence de 85 % en poids ou moins, mieux encore de 80 % en poids ou moins, et encore mieux encore de 75 % en poids ou plus, par rapport au poids total de la composition.
Dans un autre mode de réalisation de la présente invention, le monoalcool peut être présent en une quantité de 1 % en poids ou plus, de préférence 3 % en poids ou plus, mieux encore 5 % en poids ou plus, et encore mieux encore 7 % en poids ou plus et peut être de 25 % en poids ou moins, de préférence de 20 % en poids ou moins, mieux encore de 15 % en poids ou moins, et encore mieux encore de 12 % en poids ou plus par rapport au poids total de la composition.
Dans un mode de réalisation particulier de la présente invention, la composition comprend à la fois du monoalcool et du polyol, de préférence une combinaison du monoalcool en une quantité allant de 40 % à 90 % en poids et du polyol en une quantité allant de 1 % à 25 % en poids, mieux encore une association du monoalcool en une quantité allant de 50 à 85 % en poids et du polyol en une quantité allant de 3 % à 20 % en poids, encore mieux encore une association du monoalcool en une quantité allant de 60 % à 80 % en poids et le polyol en une quantité allant de 5 % à 15 % en poids, et notamment une association du monoalcool en une quantité allant de 65 % à 75 % en poids et du polyol dans un quantité allant de 7 % à 12 % en poids, par rapport au poids total de la composition.
Dans un autre mode de réalisation spécifique de la présente invention, l'alcool soluble dans l'eau comprend au moins un diol, et le diol peut être présent en une quantité de 1 % en poids ou plus, de préférence 2 % en poids ou plus, mieux encore de 3 % en poids ou plus, et encore mieux encore 5 % en poids ou plus et peut être de 25 % en poids ou moins, de préférence de 20 % en poids ou moins, mieux encore de 15 % en poids ou moins et encore mieux encore de 10 % en poids ou plus, par rapport au poids total de la composition.
Dans un autre mode de réalisation de la présente invention, l'alcool hydrosoluble comprend au moins un polyol ayant trois groupes hydroxyle ou plus, en particulier le triol, et le polyol ayant trois groupes hydroxyle ou plus peut être présent en une quantité de 0,2 % en poids ou plus, de préférence 0,5 % en poids ou plus, mieux encore 1 % en poids ou plus et encore mieux encore 1,2 % en poids ou plus et peut être de 10 % en poids ou moins, de préférence de 8 % en poids ou moins, mieux encore de 5 % en poids ou moins, et encore mieux encore de 3 % en poids ou plus, par rapport au poids total de la composition.
Dans un autre mode de réalisation préféré de la présente invention, la composition comprend une combinaison d'au moins un monoalcool, au moins un diol et au moins un triol. Dans ce mode de réalisation, la composition selon la présente invention comprend le monoalcool en une quantité allant de 40 % à 90 % en poids, le diol en une quantité allant de 1 % à 25 % en poids et le triol en une quantité allant de 0,2 % à 10 % en poids ; mieux encore le monoalcool en une quantité allant de 50 à 85 % en poids, le diol en une quantité allant de 2 à 20 % en poids et le triol en une quantité allant de 0,5 % à 8 % en poids ; encore mieux encore le monoalcool en une quantité allant de 60 % à 80 % en poids, le diol en une quantité allant de 3 % à 15 % en poids, et le triol en une quantité allant de 1 % à 5 % en poids et, notamment, le monoalcool en une quantité allant de 65 % à 75 % en poids, le diol en une quantité allant de 5 % à 10 % en poids, et le triol en une quantité allant de 1,2 % à 3 % en poids, par rapport au poids total de la composition.
La composition selon la présente invention comprend (c) au moins une huile. Deux types d'huiles ou plus peuvent être utilisés en combinaison. Ainsi, un seul type d'huile ou une combinaison de différents types d'huiles peut être utilisé(e).
Ici, par « huile », on entend un composé ou une substance grasse qui se présente sous la forme d'un liquide ou d'une pâte (non solide) à température ambiante (25°C) sous pression atmosphérique (760 mmHg). Comme huiles, celles généralement utilisées en cosmétique peuvent être utilisées seules ou en association. Ces huiles peuvent être volatiles ou non volatiles.
Parmi les huiles utilisables dans la présente invention, on peut citer : les huiles volatiles ou non volatiles ; ces huiles peuvent être des huiles hydrocarbonées, notamment d'origine animale ou végétale, des huiles synthétiques, des huiles siliconées, des huiles fluorées ou leurs mélanges.
Aux fins de la présente invention, par « huile hydrocarbonée » ou « huile à base d'hydrocarbone », on entend une huile contenant principalement des atomes d'hydrogène et de carbone et éventuellement d'oxygène, d'azote, de soufre et/ou des atomes de phosphore. L'huile hydrocarbonée ne comprend pas d'atomes de silicium.
Au sens de la présente invention, on entend par « huile de silicone », une huile comprenant au moins un atome de silicium, et notamment au moins un groupement Si-O.
Au sens de la présente invention, le terme « huile polaire » désigne une huile dont le paramètre de solubilité dans l'huile δ a à 25 ° C, est différent de 0 (J/cm 3 ) 1/2 .
En particulier, par « huile polaire », on entend une huile dont la structure chimique est formée essentiellement, voire constituée, d'atomes de carbone et d'hydrogène, et comprenant au moins un hétéroatome fortement électronégatif tel qu'un oxygène, un azote, un silicium ou atome de phosphore.
D’autres méthodes utilisent une ablation laser (également désignée par l’expression anglo-saxonne « laser grooving ») suivie d’une gravure chimique ou d’un découpage physique le long des chemins de découpe.
Dans ces méthodes, l’ablation au laser permet de creuser une rainure dans la plaquette semiconductrice jusqu’au substrat, puis la gravure chimique ou le découpage physique est utilisé pour finaliser la découpe de la plaquette pour séparer les circuits intégrés.
La gravure peut par exemple être une gravure au plasma (en anglais « plasma dicing »). La gravure par plasma présente plusieurs avantages par rapport au sciage.
En effet, la gravure par plasma ne crée pas de vibrations pendant la découpe et améliore ainsi la qualité de la découpe. En effet, la gravure par plasma est une action dans laquelle la plaquette subit un bombardement de gaz ionisé (plasma) afin d'en retirer une ou plusieurs couches. La gravure plasma permet donc d’éviter d’appliquer une pression mécanique sur la plaquette semiconductrice.
La gravure par plasma permet en outre d’obtenir une découpe plus fine de sorte qu’il est possible de former un plus grand nombre de circuits intégrés sur la plaquette semiconductrice.
Toutefois, l’ablation au laser peut induire un dégagement de chaleur important pouvant générer des contraintes thermiques dans la plaquette semiconductrice.
Toutefois, la gravure au plasma requiert d’exposer directement le substrat de la plaquette semiconductrice au plasma.
Des structures métalliques ne peuvent donc pas être utilisées au centre des chemins de découpe pour optimiser l’ablation au laser.
De ce fait, les circuits intégrés ne sont pas protégés contre les contraintes thermiques pouvant résulter de la chaleur générée par l’ablation laser, de sorte qu’une détérioration des circuits intégrés est possible.
En particulier, lors de la découpe, la chaleur produite par le laser peut engendrer une dégradation du substrat. Cette dégradation du substrat peut affaiblir le substrat. L’affaiblissement du substrat peut alors générer des fissures latérales non souhaitées dans le substrat lors de la gravure par plasma. Or, les fissures latérales peuvent se propager jusqu’aux parties actives des circuits intégrés et peuvent donc les détériorer.
Il existe donc un besoin de proposer une solution permettant de protéger les circuits intégrés lors de la découpe de la plaquette semiconductrice par une ablation laser suivie d’une gravure chimique ou d’un découpage physique.
Selon un aspect, il est proposé un procédé de fabrication de circuits intégrés à partir d’une plaquette en substrat semiconducteur comprenant : - une formation des circuits intégrés, chaque circuit intégré comportant une zone active électriquement, - une formation d’une structure de protection thermiquement conductrice autour des zones actives des différents circuits intégrés dans des chemins de découpe, la structure de protection étant située entre les zones actives électriquement desdits circuits intégrés et une zone d’ablation laser des chemins de découpe, puis - une séparation des circuits intégrés par découpe de la plaquette en substrat semiconducteur selon les chemins de découpe, la découpe comportant une ablation laser, dans la zone d’ablation laser, puis une gravure chimique ou une découpe physique.
La structure de protection, étant thermiquement conductrice, permet de capter puis de dissiper la chaleur produite par l’ablation laser vers l’aval du laser par rapport au sens de déplacement du laser. Ainsi, la structure de protection permet de réduire les contraintes thermiques dans la plaquette. De la sorte, la structure de protection permet de réduire le risque d’apparition de fissures latérales pouvant endommager la zone active du circuit intégré.
De préférence, la formation de la structure de protection comporte une formation d’un empilement continu ou discontinu d’éléments métalliques autour des zones actives des différents circuits intégrés.
L‘empilement d’éléments métalliques peut être formé au moins en partie dans une tranchée d’isolation peu profonde (en anglais « Shallow Trench Isolation »).
Dans un mode de réalisation avantageux, la formation de la structure de protection comporte également une formation d’un épaulement de substrat semiconducteur. L’épaulement de substrat permet d’obtenir une tranchée plus profonde qui permet une isolation thermique plus profondément dans le substrat et de limiter, voire d’empêcher la propagation dans le substrat des fissures latérales pouvant être générées lors de la gravure plasma du fait de la chaleur générée par l’ablation laser.
Dans ce mode de réalisation illustré à la , pour chaque inducteur Ix occupant une position J en colonne, l’autre inducteur Ix’ du même sous-ensemble occupe une position J+2 en colonne.
Plus généralement, en considérant dans ce type de disposition matricielle en quinconce, que les inducteurs Ix, Ix’, alignés en colonne, sont également disposés selon une ligne brisée (illustrée en traits mixtes à la ) passant par les centres des inducteurs dans la largeur de la table de cuisson 10, la répartition des inducteurs telle que décrite précédemment en référence aux figures 1 et 4 peut s’appliquer de manière similaire. Ainsi, dès lors qu’un premier inducteur Ix d’un sous-ensemble occupe une position I suivant une ligne brisée et une position J en colonne, le deuxième inducteur Ix’ de ce même sous-ensemble occupe une position I + n selon une ligne brisée et une position J + m en colonne dans la disposition matricielle, n et/ou m étant différent de 1.
Bien entendu, une disposition matricielle en quinconce inversée, avec un alignement des inducteurs Ix, Ix’ selon la direction parallèle au bord avant 11a du plan de cuisson 11 est également envisageable.
Comme illustré à la , un récipient 12 posé sur le plan de cuisson 11 recouvre préférentiellement des inducteurs Ix appartenant à des sous-ensembles différents, alimentés respectivement par des générateurs de courant alternatif Gx différents.
Grace à l’agencement des inducteurs Ix, Ix’ dans le plan de cuisson 11 proposé par la présente invention, on limite la mise en œuvre simultanée de deux ou plusieurs inducteurs Ix, Ix’ alimentés par le même générateur de courant alternatif Gx, et donc un partage de la puissance disponible délivrée par ce générateur de courant alternatif Gx.
Procédé de récupération de chaleur dans une installation de stockage et de refroidissement de lait, programme et mémoire d'ordinateur pour sa mise en œuvre DOMAINE DE L'INVENTION La présente invention se rapporte à un procédé de récupération de chaleur dans une installation de stockage et de refroidissement de lait. Elle concerne également un programme et une mémoire d'ordinateur pour la mise en œuvre de ce procédé.
ETAT DE LA TECHNIQUE Dans le domaine de la récupération de chaleur dans une installation de stockage et de refroidissement de lait (tank à lait), il existe sur le marché des récupérateurs de chaleur de type échangeur coaxial, échangeur à plaques et échangeur intégré à l’intérieur d’une cuve ou d'un ballon d’eau.
Ces différentes solutions utilisent un échange thermique eau/fluide frigorigène ou eau/eau pour chauffer un volume d’eau froide. Cette solution technique est généralement utilisée pour réduire la consommation énergétique nécessaire au chauffage de l’eau chaude sanitaire qui peut être utilisée notamment pour le nettoyage de l'installation.
Mais ces solutions existantes sont dimensionnées par rapport à la "désurchauffe" des gaz chauds circulant dans le condenseur de l'équipement de refroidissement du lait.
L’échange de chaleur sur les récupérateurs existants se fait par le biais d’un échange thermique eau/fluide frigorigène. Le colmatage et l’encrassement des récupérateurs, et surtout ceux utilisant les échangeurs à plaques, est un problème majeur qui affecte de nombreuses installations.
La régulation de la température de l’eau dans les échangeurs existants est effectuée soit au moyen d’une vanne thermostatique, soit par un calorstat qui s’ouvre et se ferme quand la température de l’eau qui circule a atteint une certaine température.
Cette régulation ne permet pas de maximiser la récupération de chaleur sans pénaliser la consommation nécessaire au refroidissement du lait.
Or, cette surconsommation est paradoxale dans le contexte actuel de volonté de réduction des consommations d’énergie.
La présente invention a donc pour but de proposer un procédé qui permet de piloter intelligemment un système de récupération de chaleur avec une boucle d’eau tout en s’assurant de ne pas dépenser plus d’énergie que nécessaire pour le refroidissement du lait recueilli dans le tank.
PRESENTATION DE L'INVENTION Cet objectif est atteint selon l'invention grâce à un procédé de récupération de chaleur dans une installation comprenant ;
- un réservoir de stockage et de refroidissement de lait, tel qu'un tank à lait équipé d’un équipement de refroidissement du lait en circuit fermé dans lequel circule un fluide frigorigène, comprenant à minima un évaporateur(10), un compresseur, un condenseur pourvu d'au moins un ventilateur à vitesse variable, un détendeur, ainsi qu'un échangeur de chaleur à plaques situé entre ledit compresseur et ledit condenseur, ledit évaporateur étant en contact d’échange thermique avec au moins une partie de la paroi de fond dudit réservoir,
Le conteneur 1 peut comprendre également un système d’étanchéité empêchant la mise en contact du produit cosmétique 41 avec un environnement extérieur lorsque le couvercle 5 est en position fermée. Le conteneur 1 inclut, dans les modes de réalisation illustrés, un système d’ouverture/fermeture du couvercle 5, ainsi qu’un système de contrainte contraignant le couvercle 5 en position fermée. Ici, un système de préhension du godet 4 est prévu pour le retrait du godet 4 hors de l’insert 3 afin de permettre la recharge du conteneur 1 en produit cosmétique 41.
Le glissement de l’extrémité périphérique 51 du couvercle 5 sur la surface supérieure S32 du bord périphérique 32, du fait de l’angle θ ou inclinaison commune entre l’insert 3 et le couvercle 5 dans cette zone d’interface, peut être induit par la rotation du couvercle 5 autour de la tige 61. L’utilisateur peut avoir un mouvement naturel de rotation pour accompagner le couvercle 5 dans sa remontée de la pente constituée par la surface supérieure S32.
A titre de variante, le procédé peut comprendre, après le retrait de la plaque, une étape de gravure des blocs 46 et 50. Les blocs sont de préférence en un matériau pouvant être gravés sélectivement par rapport au matériau des pistes 18 et vias 20 et de la résine.
A titre de variante, les blocs 46 et 50 peuvent être en cuivre. Les blocs 46 et 50 sont par exemple formés par le procédé de croissance des pistes 18 et des vias 20. Les blocs 46 et 50, les pistes 18 et les vias 20 sont par exemple formés simultanément. Le procédé comprend alors une étape de formation d'un masque protégeant les pistes 18 et les vias 20 qui étaient en contact avec la plaque, puis une étape de gravure des blocs 46 et 50.
A titre de variante, les blocs 46 et 50 peuvent correspondre à une partie de la plaque 44. Ainsi, la plaque 44 peut comprendre une portion en saillis ayant la forme et les dimensions de la cavité 16. Les pistes 18 et les vias 20, de même que les couches de résine sont placées autour de la portion en saillis.