INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Selon un mode de réalisation particulier, l’erreur de prévision est une erreur moyenne absolue entre les valeurs de températures intérieures mesurées ) et les estimations de la température intérieure obtenues, et s’écrit : ; où N représente le nombre de valeurs de températures intérieures mesurées sur l’intervalle temporel [t i ; t f ].
Selon un mode de réalisation particulier, le critère de confort est une durée entre l’instant initial t i et un instant auquel la séquence prévisionnelle franchit le seuil minimal ou le seuil maximal de température de confort pour la première fois.
Le premier film d’encapsulation et le second film d’encapsulation sont soit réalisés avec le même matériau polymère, soit avec des matériaux polymères différents.
Selon une possibilité, le premier film d’encapsulation et/ou le second film d’encapsulation comprennent chacun une composition multicouche.
Lorsque l’ensemble encapsulant est constitué d’EVA, celui-ci se dégrade en acide acétique au cours du temps et la couche barrière forme avantageusement une barrière au passage de l’acide acétique vers l’au moins une cellule photovoltaïque.
Selon une possibilité, le module photovoltaïque comprend au moins un joint d’étanchéité disposé contre un bord latéral périphérique de l’ensemble encapsulant. Ce joint d’étanchéité limite l’éventuelle perméation latérale dans le module photovoltaïque, pour des gaz que l’ensemble encapsulant et la couche barrière ne stopperait pas totalement, notamment lorsque l’ensemble encapsulant est en EVA. Le joint d’étanchéité est bien entendu disposé entre la première couche de protection et la deuxième couche de protection.
De manière concrète, le joint d’étanchéité est un PolyIsoButylène, également connu sous l’acronyme anglo-saxon PIB, tel que le produit B-dry disponible auprès de la société SAES Getters Group.
Selon un deuxième aspect, l’invention propose un procédé de fabrication d’un module photovoltaïque tel que précédemment décrit, dans lequel la couche barrière est réalisée par un procédé de dépôt de couche atomique. Ce procédé de dépôt de couche atomique est bien connu de l’homme de l’art sous l’expression ALD (acronyme anglo-saxon de Atomic Layer Deposition). Ce procédé permet de déposer des couches à l’échelle atomique ce qui garantit une grande précision de dépôt. Une recette de dépôt standard d’alumine par exemple comprend une répétition de plusieurs centaines de cycles comportant un pulse d’H 2 O, une purge d’H 2 O avec N 2 , un pulse de TMA (acronyme de TriMéthylAluminium) et une purge de TMA avec N 2 .
De manière concrète, le procédé de dépôt de couche atomique par ALD selon l’invention se termine par un cycle constitué par un pulse oxydant d’H 2 O de sorte à obtenir des liaisons hydroxyles en surface de la couche barrière, suivi d’une purge avec un gaz neutre, tel que N 2 ou Ar, de sorte à retirer les sous-produits de réaction, notamment lorsque la couche barrière est en alumine ou qu’elle présente une face exposée au dépôt de l’encapsulant en alumine. Ce dernier cycle d’ALD facilite l’adhésion ultérieure avec l’au moins une couche d’encapsulation, formée par exemple en ionomère ou en EVA lors de la réalisation de l’ensemble encapsulant (se reporter à la ).
Selon une possibilité, le dépôt de couche atomique est réalisé à une température inférieure à 130°C, et de préférence à une température d’environ 100°C. Ces températures se trouvent dans une moyenne basse comparée aux températures standard. Elles limitent les risques de dégradation des couches des cellules photovoltaïques.
De manière concrète, le procédé comprend une étape i) de liaison électrique des cellules photovoltaïques entre elles par dépôt d’un ruban de connexion électrique sur la couche barrière de chacune des cellules photovoltaïques, notamment lorsque les cellules photovoltaïques ont chacune un substrat distinct, et/ou une étape ii) de reprise des contacts réalisée par formation d’une première connexion électrique de sortie et d’une deuxième connexion électrique de sortie sur la couche barrière.
Cette disposition permet des contacts au travers de la couche barrière et d’obtenir des performances améliorées par comparaison au procédé dans lequel la disposition des rubans de contacts et/ou les connexions électriques sont déposés avant l’étape de dépôt de la couche barrière.
Il est à noter que les connexions électriques de sortie sont nécessaires pour les modules photovoltaïques de cellules ayant chacune un substrat distinct comme pour les modules photovoltaïques de cellules formées sur un substrat commun, pour une reprise de contact entre le réseau reliant les cellules à la cathode et à l’anode du module photovoltaïque.
Selon une disposition, le procédé comprend en outre :
une étape j) de formation d’une structure multicouche formée successivement par :
la première couche de protection, au moins un premier film d’encapsulation, les cellules photovoltaïques reliées électriquement entre elles, au moins un second film d’encapsulation, et une deuxième couche de protection, et
une étape k) de lamination de la structure multicouche obtenue à l’étape j) de manière à former l’ensemble encapsulant à partir du premier film d’encapsulation et du second film d’encapsulation, l’ensemble encapsulant, configuré pour encapsuler les cellules photovoltaïques, étant disposé entre les première et deuxième couches de protection.
L’étape k) de lamination du module photovoltaïque comprend l’application d’une température inférieure ou égale à 130 degrés Celsius.
Procédé et système de détection et de caractérisation de signaux faibles d’exposition à un risque dans un système industriel La présente invention concerne un procédé et un système de détection et de caractérisation de signaux faibles d’exposition à un risque dans un système industriel.
L’invention se situe dans le domaine de la sécurité des systèmes, en particulier des systèmes industriels, dans l’objectif d’une détection précoce et une prévention d’évènements significatifs, présentant un risque de sécurité.
En particulier, l’invention s’applique dans les domaines de la détection d’anomalies, de la maintenance prédictive, de la supervision de sécurité, de l’analyse de sûreté.
Dans le contexte de l’invention, on définit un signal faible d’exposition à un risque comme étant une caractéristique liée à l’état du système à un instant t, en particulier au système industriel, qui est observé, cette caractéristique étant mesurable et susceptible d’évoluer dans le temps.
Un signal faible est la mesure (valeur) ou l’impact à un instant t d’une incubation définie comme étant une accumulation ou succession d’événements élémentaires, le plus souvent mineurs voire négligeables en termes de sûreté/sécurité, annonciatrice de la réalisation d’une tendance, menace, anomalie et/ou défaillance voire d’un événement majeur.
Dans le contexte de l’invention, le risque désigne un risque qu’un évènement significatif ou évènement redouté, intervienne et entrave le fonctionnement du système observé, en particulier d’un système industriel observé. Le risque est par exemple un risque de dysfonctionnement/anomalie d’un ou plusieurs sous-systèmes, allant jusqu’à la panne.
L’article « Learning about Risk : Machine learning for risk assessment », de N. Paltrinieri et al, publié dans Safety Science, vol. 118, 2019 indique que l'évaluation continue des risques joue un rôle crucial dans les secteurs industriels à forte composante de sécurité, dans lesquels l'apprentissage des leçons du retour d’expérience opérationnel, la dissémination des bonnes pratiques et le déploiement de techniques méthodes pour traiter et valoriser les données massives disponibles, doivent être associés à une capacité d’analyse prédictive et d’anticipation pour faire face aux événements inattendus et maîtriser les risques et incertitudes associées.
Une définition du risque a été donnée en 1981 par Kaplan et Garrick. Cette définition stipule que le risque (R) peut être exprimé par ce qui peut mal tourner (scénario s), la probabilité que cela se produise (probabilité p) et la gravité des conséquences (conséquence c) :
Une des problématiques abordées dans l’état de la technique est la prise en considération des évolutions dynamiques vs l’analyse réalisée au moment de la conception fournissant une image statique du risque.
Plus récemment, une définition du risque prenant en outre en compte la connaissance k a été proposée :
On sélectionne P 4 positions de symétrie 4 et P 8 positions de symétrie 8, par tirage aléatoire équiprobable, parmi les 11 positions de symétrie 4 et les 14 positions de symétrie 8, où P 4 est compris entre 1 et 11 et P 8 est compris entre 1 et 14.
Dans la pratique, P 4 et P 8 sont voisins du tiers du nombre des positions de symétries 4 et 8 respectivement.
On positionne dans le plan de cœur fils, dans les 9 (P 4 + P 8 ) positions de symétrie ainsi sélectionnées, les familles d’assemblages qui sont localisées dans les positions de symétrie correspondantes du plan de cœur parent 1, chaque famille restant dans la même configuration que dans le parent 1.
On parcourt dans le cœur parent 2, les positions de symétrie 4 et les positions de symétrie 8 qui n’ont pas été sélectionnées à l’étape précédente. Si ces positions de symétrie 4 et 8 contiennent des familles d’assemblages 4 et 8 qui n’ont pas encore été positionnées dans le plan de cœur fils, alors on les positionne dans les positions de symétrie correspondantes du plan de cœur fils, chaque famille d’assemblages restant alors dans la même configuration que dans le cœur parent 2.
S’il reste des positions de symétrie 4 non occupées dans le plan de cœur fils, il reste aussi un nombre équivalent de familles 4 non encore positionnées dans ce plan fils. Dans ce cas, on tire aléatoirement (ou pseudo-aléatoirement selon des règles éventuelles) une position de symétrie 4 parmi les positions de symétrie 4 restantes, et d’une famille 4 parmi les familles 4 restantes, et on place des assemblages de cette famille 4 dans cette position symétrie 4, puis on tire aléatoire la configuration parmi les 4 configurations possibles. Ce processus est répété jusqu’à ce que toutes les familles 4 restantes aient été placées dans une position de symétrie 4. S’il ne faut pas de tirage aléatoire par exemple, alors on peut choisir à chaque étape de ce processus la position de symétrie 4 la plus proche du centre du cœur, et de la famille 4 ayant le plus faible burn-up moyen parmi les familles 4 restantes, la famille restant dans la même configuration que dans le cœur parent 2, et on répète ce processus jusqu’à ce que toutes les familles 4 restantes aient été placées dans une position 4.
S’il reste des positions de symétrie 8 non occupées dans le plan de cœur fils, il reste aussi un nombre équivalent de familles 8 non encore positionnées dans ce plan fils. Dans ce cas, on peut réaliser un tirage aléatoire d’une position de symétrie 8 parmi les positions symétriques 8 restantes, et d’une famille 8 parmi les familles 8 restantes, et placer les assemblages de cette famille 8 dans cette position symétrique 8, puis réaliser un tirage aléatoire de la configuration parmi les 8 configurations possibles et répéter ce processus jusqu’à ce que toutes les familles 8 restantes aient été placées dans une position de symétrie 8. S’il ne faut pas de tirage aléatoire, alors on peut choisir à chaque étape de ce processus la position symétrique 8 la plus proche du centre du cœur, et la famille 8 ayant le plus faible burn-up moyen parmi les familles 8 restantes, la famille restant dans la même configuration que dans le cœur parent 2, et répéter ce processus jusqu’à ce que toutes les familles 8 restantes aient été placées dans une position symétrique 8.
En résumé, on dénombre ainsi trois types de placement/permutation d’assemblages : - Placement par croisement de deux plans de cœur comme illustré sur la , - Permutation au sein d’une même famille (rotation par exemple) comme illustré sur la , - Permutation entre deux familles d’un même nombre de membres comme illustré sur la .
En référence à la , pour tester les différents plans ainsi obtenus, on définit les nombres entiers (positifs) K, K1, K2 où K= K1+K2. On peut créer K plans de cœur à partir du plan de cœur initial obtenu à l’étape 2, selon les opérations suivantes effectuées dans un ordre quelconque, en référence au bloc S2 de la (qui suit une étape de début S1 pendant laquelle on peut constater les burn-ups des assemblages à placer par exemple).
On crée K1 plans de cœur par permutation inter familiale (i.e. au sein d’une même famille), chacun des plans étant créé par application de PK1,8 (PK1,8 choisi parmi les entiers 1, 2 …) permutations de deux familles 8 et/ou PK1,4 (PK1,4 choisi parmi les entiers 1, 2…) permutations de deux familles 4.
P K1,8 et P K1,4 sont préalablement fixés, par exemple par tirage au sort dans l’ensemble des entiers de 1 à 10.
Les P K1,8 paires de familles 8, et les P K1,4 paires de familles 4 sont choisies par tirage aléatoire équiprobable parmi les 14 familles 8 et les 11 familles 4.
La illustre un exemple où P K1,8 = 1.
On procède ensuite à la création de K2 plans de cœur par permutation inter familiale. Il s’agit d’une permutation pour passer d’une configuration à une autre pour P K2,8 (P K2,8 =1, 2…) familles 8 et/ou une permutation pour passer d’une configuration à une autre pour P K2,4 (P K2,4 choisi parmi les entiers 1, 2…) familles 4. Les P K2,8 familles 8 et les P K2,4 familles 4 sont choisies par tirage aléatoire parmi les 14 familles 8, et les 11 familles 4. Le type de permutation appliquée à chacune de ces familles est choisi par tirage aléatoire équiprobable (une parmi 8 configurations possibles pour les familles 8 et une parmi 4 configurations possibles pour les familles 4).
Ces K plans de cœur constituent l’ensemble de plans de cœur appelé ici de la « génération 0 ».
Ayant prédéfini les nombres entiers (positifs) C1, C2, C3 où K= C1+ C2+ C3, on procède ensuite à l’application de N fois la procédure suivante (bloc S6 de la ), pour constituer l’ensemble des plans de cœur de la génération n à partir de la génération des plans de cœur de la génération n-1 (n allant de 1 à N).
Les trois sous-étapes suivantes se réfèrent au bloc S4 de la .
4. L’unité de sorties composites (2) peut être une unité de signaux de commandes pour un déclenchement de quelconque dispositif externe sur une voie électronique (par exemple pour une voie de mesure ponctuelle, ou une voie de commandes électroniques) par ses voies de sortie (S1) à (Si).
5. L’unité de sorties composites (2) peut avoir des voies au port de sortie (SC) indépendantes, respectivement des voies d’entrées indépendantes (E1) à (Ei).
Dans la forme de réalisation, le dispositif a pour but de rapporter à autrui par un voyant d’alerte ou un gyrophare, un seuil de hauteur d’eau critique atteint, captés par un capteur de niveau électromécanique à flotteur sur l’entrée logique (E1) de l’unité centrale (1), à une station automatique de relevés hydrologiques ou météorologiques près d’un point de tarage ou d’un point géographique quelconque d’un site de mesures, qui transmet des données de température de l’eau par la sortie contact (S4) à une voie de température de la station automatique: le dispositif reçoit de plus un signal d’une alarme concernant un nombre de basculements du pluviomètre de la station pour une durée de précipitations fortes de la station automatique dotée d’une sortie d’alarme à relai câblée à une voie d’entrée composite (E2) de son unité d’entrées composites (3) et un autre signal sur sa voie d’entrée composite (E3) concernant une durée d’un ensoleillement fort dans des températures hivernales et post-hivernales, d’une autre voie de sortie de ladite station automatique pour prévenir des risques d’inondations dûes aux fortes pluies ou aux ensoleillements après des enneigements. Lorsque ses alarmes sont actives le dispositif allume le gyrophare rouge et transmet sur le port de condition une priorité sortante (U6) en signal logique TTL (U6) à l’état haut branché sur un autre dispositif comme tel non représenté d’un niveau inférieur à gyrophare vert, sur sa voie de condition entrante (U2), après ledit gyrophare vert s’éteint.
Mode de réalisation préférée de l’invention
Selon l’exemple de réalisation et selon les figures 1 à 12, les dispositifs à gyrophare rouge sont munis chacun d’une boîte de jonction (A) qui comporte :
1. Une prise-allume-cigare (PC1) et un presse-étoupe (ET1) pour passer un câble d’un quelconque complément d’alerte au connecteur (PC1).
2. Une entrée de presse-étoupe (E1), pour la connexion d’un quelconque capteur électromécanique à l’entrée (E1) de l’unité centrale (1).
3. Une entrée de presse-étoupe (U4) à la boîte de jonction (A), pour passer un câble de l’alimentation interne (U3) de l’unité centrale (1) et un câble d’une alimentation externe (U4) du complément d’alerte.
4. Un connecteur (SUBD5) Sub-D 25 voies avec les déports des voies analogiques des ports (SUBD2) et (SUBD3), avec ceux des signaux des conditions (U2) et (U6) associés et celui de la voie d’entrée de commande (Ei),la voie de condition entrante (U2) en (17) , la voie de condition sortante (U6) en (16) et le signal de commande de l’interrupteur (U1) voie (a) en (15) et voie (b) en (14).
5. Un connecteur à 3 broches (U1) pour additionner un quelconque dispositif qui pourrait agir sur l’interrupteur électronique câblé au connecteur (UI) du circuit de l’unité centrale.
6. Une unité centrale (1) composée de:
6.1. Un étage d’entrée logique (E1) à transistor (T1) de type PNP, selon les figures 2 et 3, munie d’une diode (D1) de protection dont le point d’entrée (E1) est la cathode référencée par rapport à la masse (GND) de cette-dite unité centrale (1). L’anode est reliée à la base du transistor (T1), travaillant en commutation du potentiel de son émetteur au potentiel (A) de la connexion entre l’émetteur, la résistance (R2A) de protection de la base émetteur du transistor (T1) et la résistance (R2), liées au point (M) par l’interrupteur (I12). Le connecteur physique de l’entrée logique (E1) doit relier un capteur électromécanique en série avec un câble d’une certaine résistance non représentés et l’autre borne du câble connectée à la masse pour commuter les états de l’entrée (E1). A son état fermé, la cathode de la diode (D1) en (E1) se connecte à la masse, faisant donc chuter son potentiel à 0V et le courant de la base du transistor PNP (T1) devient nul: le courant à l’émetteur est un courant résiduel de coupure de même qu’ au collecteur. Le potentiel d’émetteur (A) faible étant dû à l’atténuation par (R2) traversé par ce courant d’émetteur de la tension (+vcc) le transistor (T2) est par conséquent bloqué, l’état de l’alerte est inactive. Lorsque l’entrée (E1) est à son état ouvert, le courant de base est nul par conséquent le transistor (T1) a des courants faibles de repos au collecteur et à l’émetteur, la tension entre émetteur et collecteur est non nulle et le potentiel (A) est proportionnelle à la tension (+vcc) diminuée du potentiel aux bornes de la résistance (R2) dû au courant de base saturé du transistor (T2) de l’étage suivant: l’état de l’alerte est alors actif pour signaler un événement à l’étage suivant.
6.3. Un étage d’un oscillateur: selon les figures 2 et 3, où l’interrupteur (I1) incrémente un mode de commande d’un signal périodique de l’interrupteur électronique à la grille (G2). Lorsque l’interrupteur (I2) est ouvert et les interrupteurs (I1) et (I3) sont fermés, avec une alerte active du potentiel (D) à un état haut, l'oscillateur injecte par sa broche (3) du pont diviseur de la résistance ajustable (P5) et l’interrupteur (I1) un signal périodique à la grille (G2) du transistor MOSFET (TR2) de l’étage suivant, qui commande les écoulements de la masse (GND) de sa source (S2) à son drain (D2) au rythme d’une fréquence réglée par les résistances (R8), (R9) et le condensateur (C2) dont les valeurs sont définies selon la formule mathématique 5.
6.4. Un étage de puissance ou un interrupteur électronique à transistors de puissance (TR1) et (TR2) à effet de champs montés en mode de commutation, de type MOSFET, placés en série deux à deux par jonction du drain (D1) du premier transistor (TR1) à la source (S2) du deuxième transistor (TR2). Ce système a pour finalité de fournir une référence de masse au complément d’alerte : la masse (GND) est mise à la source (S1) du transistor (TR1) établie au drain (D2) du transistor (TR2) à la borne (-) du port de puissance (PC1) par un relai (RL1) ou un cavalier (STRAP2) de l’unité centrale (1) lors des commutations des transistors de puissance (TR1) et (TR2), par les signaux de commandes actives des étages précédents, à leurs grilles respectives (G1) et (G2). Selon les figures 1, 2 et 3, la masse (-) de la voie (U4) d'une alimentation externe est connectée à la masse (GND) de l’unité centrale (1) et sa borne positive (+vccext) peut être connectée à la borne positive (F) du complément d’alerte par le cavalier (STRAP1). Ledit cavalier (STRAP1) peut connecter aussi la borne positive (+vcc) de la voie (U3) de l’alimentation interne sur la borne (F). Selon que la grille (G2) du MOSFET (TR2) est à un niveau logique haut, de forme, dans un quelconque mode d’allumage du voyant d’alerte, avec la grille (G1) à un niveau haut, selon l’exemple de la , pour commuter le MOSFET (TR1) , il correspond que la masse (GND) s’écoule de la source (S1) au drain (D1) et la source (S2) puis au drain (D2) du MOSFET (TR2) avec les résistances faibles en série des drains aux sources de chaque transistors. La borne négative (G) de la sortie (U5) est reliée à la masse (GND) par ces-dites résistances de drains aux sources. Selon la , ledit complément d’alerte est connecté à l’alimentation sélectionnée par ledit cavalier (STRAP1) et dès que les conditions suivantes que les interrupteurs (I7), (I8) et (I9) sont fermés avec la sortie (r ) active de l’unité d’entrées composites (3) ou que la sortie du contact du relai (RL1) est fermée par le cavalier (STRAP2) soient réalisées dans l’étage suivant.
6.5. Un étage de condition de l’allumage à relai (RL1) dont la finalité est le retrait du potentiel de masse (U5) du port de puissance (PC1) du complément d’alerte selon un signal logique à un état haut à une entrée (U2). Il est composé dudit relai (RL1) normalement fermé dont la bobine est protégée par une diode de roue libre (D8) et la sortie contact est associée en parallèle à un cavalier (STRAP2) amovible pour connecter le signal (U5) au pôle négatif (-) du port de puissance (PC1) du complément d’alerte selon un signal d’entrée (U2). Doté d’un régulateur de tension (CI3) dont l’entrée donnée par un interrupteur (I8) s’il est fermé est la tension (+vcc), et la sortie (ureg) se connecte à deux circuits logiques de (CI2) identiques dont l’un desdits circuits logiques est connecté à l’entrée de signal (E1) via une diode de commutation (D7) de la forme du signal de la , et envoie son signal sur la voie de sortie logique (U6) et l’autre desdits circuits logiques connecte son entrée à une voie recevant un signal d’entrée logique (U2) et sa sortie (t) à la base d’un transistor de commutation (T4) au travers des résistances (R15) et (R14). Selon que l’interrupteur (I9) est fermé pour connecter la broche (v) du relai (RL1) à la sortie de régulateur (ureg), et que le niveau du signal logique TTL (t) est haut, le courant de la base commute le transistor (T4) faisant circuler le courant de collecteur (u) dans la bobine protégée par la diode de roue libre (D8) et ouvrir le contact dudit relai (RL1) normalement fermé pour déconnecter le drain (D2) de masse de la borne (-) du port de puissance (PC1). Le cavalier (STRAP2) selon qu’il est installé, relie la masse du voyant au drain (D2) du MOSFET (TR2) pour qu'il reste allumé continuellement. Le cavalier (STRAP2) retiré et les interrupteurs (I8) et (I9) fermés, la commande externe (U2) de (CI2) peut provenir d'un autre dispositif comme tel au niveau de la sortie de condition (U6).
Étant donné que la modification d’une esquisse est facilitée par le procédé de résolution de l’invention, en particulier lorsque des points de cette esquisse passent par l’infini, on peut concevoir un objet virtuel plus facilement et rapidement, sans que l’esquisse ne soit bloquée sur l’écran ou ne rende impossible une modification. La conception d’un objet est donc facilitée.