INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Pour ce faire, l’utilisateur utilise de manière avantageuse mais non limitative une interface utilisateur. Cette interface graphique peut par exemple lui permettre de venir sélectionner des événements prédéfinis correspondant au type de scène capturée. Par exemple, lorsque la scène est un match de football, les événements prédéfinis peuvent être « but », « corner », « touche ». L’utilisateur peut également venir associer des noms aux joueurs, demander la compilation de statistiques…
Si l’événement est un concert alors il peut venir rajouter le titre de la chanson, il peut également positionner le nom des musiciens, l’année de la chanson, le titre de l’album…
Ainsi, les informations d’enregistrement sont obtenues ou positionnées en fonction d’une analyse du contenu de la scène.
Une fois les données d’enrichissement positionnées, lors d’une étape U3, la vidéo composite et les données d’enrichissement sont synchronisées si besoin.
les polymères réticulés de sels de méthacryloyloxy alkyl (en C 1 -C 4 ) tri alkyl (en C 1 -C 4 ) ammonium tels que les polymères obtenus par homopolymérisation de méthacrylate de diméthylaminoéthyle quaternisé par le chlorure de méthyle, ou par copolymérisation d'acrylamide avec du méthacrylate de diméthylaminoéthyle quaternisé par le chlorure de méthyle, l'homopolymérisation ou la copolymérisation étant suivie d'une réticulation avec un composé à insaturation oléfinique, par exemple le méthylènebisacrylamide.
(2) Les dérivés cationiques de la cellulose tels que les dérivés d'éthers de cellulose comportant des groupes ammonium quaternaires sont décrits, par exemple, dans le brevet français n° 1 492 597, tels que les polymères vendus sous les noms de « JR » (JR 400, JR 125, JR 30M) ou « LR » (LR 400, LR 30M) par la société Union Carbide Corporation. Ces polymères sont également définis dans le dictionnaire CTFA comme des ammoniums quaternaires d'hydroxyéthylcellulose qui ont réagi avec un époxyde substitué par un groupe triméthylammonium.
(3) Les dérivés cationiques de la cellulose tels que les copolymères de cellulose et les dérivés de la cellulose sont greffés avec un monomère soluble dans l'eau d'ammonium quaternaire et décrits, par exemple, dans le brevet américain n° 4 131 576, tels que les hydroxyalkylcelluloses, par exemple, les hydroxyméthyl-, hydroxyéthyl-, et hydroxypropylcelluloses greffées, par exemple, avec un sel choisi parmi les sels de méthacryloyléthyltriméthylammonium, méthacrylamidopropyltriméthylammonium, et diméthyldiallylammonium.
Les produits commerciaux correspondant à ces polymères incluent, par exemple, les produits vendus sous le nom de « Celquat ® L 200 » et « Celquat ® H 100 » par la société National Starch.
(4) Les polysaccharides cationiques non cellulosiques décrits dans le brevet américain n° 3 589 578 et 4 031 307, tels que les gommes de guar comprenant des groupes trialkylammonium cationiques, l'acide hyaluronique cationique et le chlorure de dextrane hydroxypropyl trimonium. Les gommes de guar modifiées par un sel, par exemple le chlorure, de 2,3-époxypropyltriméthylammonium (chlorure d'hydroxypropyltrimonium de guar) peuvent également être utilisées.
De tels produits sont vendus, par exemple, sous les noms commerciaux JAGUAR ® C13 S, JAGUAR ® C15, JAGUAR ® C17, et JAGUAR ® C162 par la société MEYHALL.
(5) Les polymères comprenant des unités pipérazinyle et des groupes alkylène ou hydroxyalkylène divalents comprenant des chaînes droites ou ramifiées, facultativement interrompues par au moins une entité choisie parmi oxygène, soufre, azote, cycles aromatiques et cycles hétérocycliques, ainsi que les produits d'oxydation et/ou de quaternisation de ces polymères. De tels polymères sont décrits, par exemple, dans les brevets français n° 2 162 025 et 2 280 361.
(6) Les polyaminoamides solubles dans l'eau préparés, par exemple, par polycondensation d'un composé acide avec une polyamine ; ces polyaminoamides pouvant être réticulés avec une entité choisie parmi les épihalohydrines ; les diépoxydes ; les dianhydrides ; les dianhydrides insaturés ; les dérivés bis-insaturés ; les bishalohydrines ; les bisazétidiniums ; bishaloacyidiamines ; halogénures de bisalkyle ; oligomères résultant de la réaction d'un composé difonctionnel qui est réactif avec une entité choisie parmi bishalohydrines, bisazétidiniums, bishaloacyldiamines, halogénures de bisalkyle, épihalohydrines, diépoxydes et les dérivés bisinsaturés ; l'agent de réticulation étant utilisé en une quantité allant de 0,025 à 0,35 mole par groupe amine du polyaminoamide ; ces polyaminoamides étant facultativement alkylés ou, s'ils comportent au moins une fonction amine tertiaire, ils peuvent être quaternisés. De tels polymères sont décrits, par exemple, dans les brevets français n o 2 252 840 et 2 368 508.
(7) Les dérivés de polyaminoamides résultant de la condensation de polyalkylène polyamines avec des polyacides carboxyliques, suivie d'une alkylation avec des agents difonctionnels, par exemple, les polymères d’acide adipique/dialkylaminohydroxyalkyldialkylènetriamine dans lesquels le groupe alkyle comprend de 1 à 4 atomes de carbone, tels que les groupes méthyle, éthyle et propyle, et le groupe alkylène comprend de 1 à 4 atomes de carbone, tel qu'un groupe éthylène. De tels polymères sont décrits, par exemple, dans le brevet français n° 1 583 363. Dans au moins un mode de réalisation, ces dérivés peuvent être choisis parmi les polymères d’acide adipique/diméthylaminohydroxypropyldiéthylènetriamine.
(8) Les polymères obtenus par réaction d'une polyalkylène polyamine comprenant deux groupes amines primaires et au moins un groupe amine secondaire, avec un acide dicarboxylique choisi parmi l'acide diglycolique et les acides dicarboxyliques aliphatiques saturés comprenant de 3 à 8 atomes de carbone. Le rapport molaire de la polyalkylène polyamine sur l'acide dicarboxylique peut aller de 0,8:1 à 1,4:1 ; le polyaminoamide qui en résulte étant mis en réaction avec l'épichlorhydrine dans un rapport molaire de l'épichlorhydrine par rapport au groupe amine secondaire du polyaminoamide allant de 0,5:1 à 1,8:1. De tels polymères sont décrits, par exemple, dans les brevets américains n° 3 227 615 et 2 961 347.
(9) Les cyclopolymères d'alkyldiallylamine et cyclopolymères de dialkyldiallyl-ammonium, tels que les homopolymères et copolymères comprenant, comme constituant principal de la chaîne, au moins une unité choisie parmi les unités de formules (Ia) et (Ib) :
k et t, identiques ou différents, sont égaux à 0 ou 1, la somme k+t étant égale à 1 ;
R 12 est choisi parmi l'hydrogène et les groupes méthyle ;
Si l’inégalité (36) n’est pas vérifiée, cela signifie que la vitesse radiale du récepteur a varié durant le trajet de l’échantillon echn du signal émis. Dans ce cas, l’évolution du système est présentée sur la .
L’équation 4 se réécrit de la façon suivante : (37)
La distance l n est connu et s’exprime par : (38)
En constatant que la distance dRk+1,RtechnR est fonction de la vitesse de R (connue) et de la différence du temps global technR - technE et du temps que R a mis pour parcourir dRtechnE, Rk+1 (connue), la distance dRk+1,RtechnR s’exprime par : (39)
Où les vitesses VX Rk , VY Rk , VZ Rk , VX Rk+1 , VY Rk+1 , VZ Rk+1 , sont connues.
Le cosinus de l’angle α est connu et s’exprime par le produit scalaire suivant : (40)
Ainsi, l’équation générale (36) s’écrit alors : (41)
L’équation (41) est une équation du second degré à une inconnue de type : (42) Avec : (43)
La solution est donc : (44) (45)
Pour l’échantillon n , la position du récepteur R est déduite de l’équation (39) : (46)
Lorsque ce calcul est terminé, le procédé selon l’invention consiste à calculer la position R technR du récepteur pour l’échantillon suivant en incrémentant k de 1 et à partir des équations (21) et (31).
Dans la suite, est présenté une autre variante de réalisation de l’invention dans laquelle l’émetteur et le récepteur sont mobiles. Pour cela, dans les équations (21) et (31), il suffit de remplacer la position E 1 par la position En de l’émetteur à l’instant t echnE correspondant au nième échantillon émis.
Les équations (31) deviennent : (47)
La distance d n devient : (48) Avec : (49)
L’équation (35) est modifiée comme suit : (50)
Si l’inégalité (36) n’est pas vérifiée, cela signifie que la vitesse radiale du récepteur a varié durant le trajet de l’échantillon echn du signal émis et tandis que A et C restent inchangés, la valeur de B dans les équations (43) devient : (51) Avec : (52) et (53)
une image d’une scène, formée à partir de la lumière émise par la scène, et une image de la scène telle que perçue par un capteur d’image ; deux images de la même scène avec deux grandissements différents ; deux images de la même scène, dans des bandes spectrales différentes ; deux images de deux scènes différentes.
Le viseur peut être intégré dans des dispositifs d’observations de type appareil photographique, caméra, microscope, lunette, longue-vue, microscope, arme, périscope, dispositif d’imagerie médicale.
Procédé d’électroformage utilisant un ECC linéaire invariant à l’inversion et dispositif associé. Domaine de l’invention La présente invention concerne un procédé d’électroformage d’une mémoire résistive. Particulièrement, l’invention concerne un procédé d’électroformage d’une mémoire résistive couplée à un contrôleur mémoire.
Etat de la technique Les mémoires résistives sont des mémoires non-volatiles présentant une densité élevée, une faible consommation d’énergie électrique et pouvant présenter une grande durée de vie selon les conditions d’utilisation.
Il existe plusieurs technologies de mémoires résistives. On peut notamment citer les mémoires résistives à pont conducteur, également appelées CBRAM (pour « Conductive-Bridging Random-Access Memory » selon la terminologie anglo-saxonne), ou les mémoires résistives à base d’oxyde, également appelées OxRAM (pour « Oxide-based Random-Access Memory » selon la terminologie anglo-saxonne) ou encore les mémoires à changement de phase, également appelées PCM (pour « Phase Change Memory »).
Une mémoire résistive (aussi appelée mémoire RRAM) est composée d’une multitude de cellules mémoires résistives agencées en lignes et colonnes de manière à former une matrice. Une cellule mémoire RRAM est dotée d’au moins un élément résistif dont on peut modifier la conductance.
Typiquement, une cellule mémoire RRAM est constituée d’un empilement métal isolant métal et présente, dans son état initial, un état de haute résistance (HRS) (pour « High Resistance State » selon la terminologie anglo-saxonne). Avant leur utilisation, certains types de mémoire résistive, telle que les mémoires OxRAM ou CBRAM nécessitent une activation électrique ou autrement dit un « électroformage ». L'application d’une impulsion haute tension à travers la cellule RRAM permet la formation de chemins conducteurs dans la couche de commutation (partie isolante) et conduit à « commuter » la cellule RRAM dans un état à faible résistance (LRS) (pour « Low Resistance State » selon la terminologie anglo-saxonne), correspondant à une rupture partielle de la structure isolante, ou autrement dit à la formation d’un « filament » conducteur à travers l’oxyde.
Le processus général de cette « rupture » de la couche isolante de la cellule est généralement appelé « électroformage » (ou « forming » selon la terminologie anglo-saxonne) et est réalisé préalablement à l’utilisation de la mémoire RRAM. Suite à ce processus d’« électroformage », l’application d’une tension appropriée (et significativement inférieure à l’impulsion haute tension) pendant une durée prédéfinie permet selon les cas soit de réduire la « longueur » du filament conducteur, entraînant un état de résistance HRS, soit de rallonger le chemin conducteur, entraînant un état de résistance LRS. Ces opérations sont connues de l’homme de l’art selon l’anglicisme « SET » ou « RESET ». Le matériau diélectrique disposé entre deux électrodes conductrices de la cellule est alors capable de basculer de manière réversible entre les deux états de résistance HRS et LRS, ces états permettant de stocker un bit d’information dans la cellule mémoire.
Une cellule mémoire résistive élémentaire est constituée généralement d’un transistor (1T) et d’un composant résistif ou résistor (1R), où un bit d’information est encodé à travers la valeur de la résistance électrique du résistor. Pour ces cellules élémentaires dites 1T1R, un ‘0’ logique peut être encodé par exemple en programmant le résistor dans un état de résistance haute HRS et un ‘1’ logique peut être encodé en programmant le résistor dans un état de résistance basse LRS, et l’on parle alors d’encodage en mode 1T1R.
Cependant, l’écart entre la plus faible valeur de résistance correspondant à un niveau LRS et la plus haute valeur de résistance correspondant au niveau HRS, également appelé « fenêtre mémoire », est souvent faible. Dès lors, on utilise couramment un « encodage différentiel » pour coder une valeur binaire à mémoriser. Un bit d’information peut être encodé dans une cellule mémoire dite 2T2R, composée de deux cellules élémentaires 1T1R, comprenant 2 transistors (2T) et 2 résistors (2R), et l’on parle alors d’encodage en mode 2T2R.
Comme chacun des états LRS et HRS peut être associé à une valeur logique, i.e. 1 ou 0, on peut considérer que dans une cellule 2T2R un des deux éléments résistifs encode le bit à programmer en version non-inversée tandis que l’autre élément résistif encode le même bit en version inversée. Par exemple, un ‘1’ logique est encodé en programmant le résistor de la première cellule 1T1R dans un état de résistance haute HRS et le résistor de la deuxième cellule 1T1R dans un état de résistance basse LRS, et un ‘0’ logique est encodé en programmant le résistor de la première cellule 1T1R dans un état de résistance basse LRS et le résistor de la deuxième cellule dans un état de résistance haute HRS.
Ainsi en encodage différentiel, chaque bit d’information est encodé dans une cellule élémentaire 2T2R formée de deux éléments résistifs qui sont écrits en opposition d’état, c’est-à-dire un des éléments résistifs écrit avec un niveau HRS et l’autre avec un niveau LRS. Les niveaux respectifs de résistance des deux éléments résistifs sont déterminés toujours dans le même ordre entre les deux éléments, et définissent si l’on est en présence d’un ‘1’ ou d’un ‘0’ logique suivant qu’il correspond aux états HRS-LRS ou LRS-HRS.
Lors d’une opération d’écriture dans une cellule mémoire 1T1R ou 2T2R, il faut s’assurer que chaque résistance électrique qui doit être programmée à un état HRS ou LRS est respectivement soit plus grande, soit plus petite qu’une valeur de référence R REF . La comparaison d’une résistance électrique avec la valeur R REF est faite par une opération de lecture au cours de laquelle la résistance programmée est comparée à la valeur R REF à l’aide d’un amplificateur de détection ou SA (pour « Sense Amplifier» selon la terminologie anglo-saxonne). Par la suite, cette opération de lecture avec comparaison à une valeur de référence est appelée mode 1T1R.
Toutes les opérations de lecture dans les mémoires 1T1R sont effectuées en mode 1T1R. Pour lire la donnée stockée dans une cellule RRAM, une petite tension de lecture qui ne perturbe pas l'état courant de la cellule est de préférence appliquée pour déterminer dans quel état logique est la cellule.
Dans les mémoires où l’information est encodée en mode 2T2R, les opérations de lecture sont généralement effectuées en mode 2T2R aussi appelé lecture en mode différentiel. Les valeurs des deux résistances présentes dans une cellule mémoire 2T2R peuvent être comparées entre elles à l’aide d’un amplificateur de détection SA différentiel consistant à comparer les deux valeurs de résistance composant la cellule mémoire. On notera également que le dispositif de lecture peut également être prévu pour réaliser une lecture de chaque résistor d’une cellule, de façon individuelle, en comparant la résistance de chaque résistor à une valeur de référence. La présence d’un tel dispositif de lecture « unique » est couramment utilisée dans les opérations d’électroformage pour pouvoir vérifier le niveau de résistance de chaque résistor individuellement.
Le corps 80 présente en outre une gorge de blocage 86 circonférentielle, dont le rôle sera expliqué plus loin.
Le corps isolant 20 comporte un insert 30 et une pièce de retenue 50 configurés pour être fixés l’un à l’autre par emboîtement (ils sont clipsés l’un à l’autre). Chacun d’eux est formé par injection plastique en matériau isolant.
La pièce 50 est constituée essentiellement par un manchon 54, à l’intérieur duquel s’étendent des doigts de retenue 56.
Le corps isolant 20 est traversé par les passages parallèles 22 (un passage par contact 70) qui s’étendent suivant la direction de connexion X. Dans le corps isolant 20, les passages 22 forment deux rangées de passages parallèles 22.
Chaque passage 22 est ouvert aux deux extrémités. L’extrémité arrière permet l’introduction du contact 70. L’extrémité avant, ouverte, permet l’introduction d’un contact femelle (non représenté) du deuxième connecteur, qui est alors en contact électrique avec le contact 70 lorsque le connecteur 1 est connecté au deuxième connecteur.
L’insert 30 présente trois parties : une partie avant 32, une partie de jonction 34 et un séparateur 40.
La partie avant 32 présente globalement une section constante suivant la direction de connexion, en forme extérieure de trapèze, percée de 9 trous de section circulaire, à savoir un trou pour chacun des passages 22. Chaque passage 22 traverse l’insert 30 de part en part en passant à travers chacune de ses trois parties. La surface externe de la partie avant 32 est prévue pour permettre le blocage du corps isolant 20 dans le boîtier 10 (le corps isolant 20 est monté en force dans le boîtier 10).
La partie de jonction 34 relie la partie avant 32 au séparateur 40. Elle présente une surface circonférentielle 36, prévue pour recevoir le bord avant 52 du manchon 54, et ainsi pour permettre la fixation de la pièce de retenue 50 à l’insert 30.
Le séparateur 40, dans le mode de réalisation présenté, est constitué par la réunion de neuf goulottes 44, à savoir cinq goulottes supérieures 44A et quatre goulottes inférieures 44B.
L’agencement d’une goulotte va maintenant être présenté en relation notamment avec la . qui représente, à titre d’exemple représentatif, une goulotte 44 (une goulotte supérieure 44A).
La goulotte 44 présente une section constante suivant la direction de connexion. Cette section est en forme de ‘U’. La goulotte présente donc deux ailes latérales 44L, un fond 44F et une ouverture 44O.
Pour chaque goulotte 44, un doigt de retenue 56 est disposé dans l’ouverture 44O du ‘U’. Celui-ci s’étend de préférence d’une aile latérale 44L de la goulotte à l’autre (suivant la direction Y).
La goulotte s’étend sur une certaine distance vers l’avant jusqu’à la partie de jonction 34 de l’insert. Elle rejoint la partie de jonction 34 au niveau d’un plan de jonction PJ ( ). Au niveau (suivant la direction de connexion X) de ce plan, et sur une faible distance en avant de ce plan suivant la direction X+, à l’extérieur des goulottes 44 (et donc globalement du séparateur 40), le bord avant 52 du manchon 54 est en contact avec l’insert 30 et assure la jonction avec celui-ci.
L’ouverture 44O de la goulotte est orientée suivant la direction transverse Z, à savoir vers le haut (direction Z+) pour les goulottes supérieures 44A, et inversement vers le bas (direction Z-) pour les goulottes inférieures 44B.
Pour chaque paire de goulottes adjacentes, les ailes latérales 44L de goulottes adjacentes sont combinées et formées intégralement, de manière monobloc. De même, comme les fonds des goulottes supérieures sont adjacents aux fonds des goulottes inférieures, pour toute paire comprenant une goulotte supérieure et une goulotte inférieure adjacentes (même décalées l’une par rapport à l’autre suivant la direction Y, comme dans le mode de réalisation présenté), une partie du fond 44F de la goulotte supérieure est combiné et formé intégralement (monobloc) avec une partie du fond de la goulotte inférieure adjacente.
Les différentes goulottes 44 sont donc combinées de manière à constituer une partie de l’insert 30, appelée séparateur 40, formée de manière monobloc. L’insert 30 tout entier, dans ce mode de réalisation, est formé de manière monobloc.
- l’information d’horodatage contenue dans le paquet fanion correspondant a une valeur X0 qui est égale à X, où X est un instant de référence ;
- l’information d’horodatage de capture du paquet fanion correspondant a une valeur X’0 qui est égale à X0+L0, où L0 est une durée de latence de capture par rapport à l’instant X0 où le paquet fanion en question a été émis.
Une ligne 812 stocke un échantillon, à la valeur d’index Idx égale à 1, dont :
- le numéro de séquence Seq est égal à 39 ;
- l’information d’horodatage contenue dans le paquet fanion correspondant a une valeur X1 qui est égale à X+TS, où TS est une valeur prédéfinie fixe de période de cadencement des paquets fanions ;
- l’information d’horodatage de capture du paquet fanion correspondant a une valeur X’1 qui est égale à X1+L1, où L1 est une durée de latence de capture par rapport à l’instant X1 où le paquet fanion en question a été émis.
Une ligne 814 stocke un échantillon, à la valeur d’index Idx égale à 255, dont :
- le numéro de séquence Seq est égal à 293 ;
- l’information d’horodatage contenue dans le paquet fanion correspondant a une valeur X255 qui est égale à X+255*TS ;
- l’information d’horodatage de capture du paquet fanion correspondant a une valeur X’255 qui est égale à X255+L255, où L255 est une durée de latence de capture par rapport à l’instant X255 où le paquet fanion en question a été émis.
Lors des opérations de comptage, les colonnes 805 et 806 sont mises à jour pour indiquer respectivement les quantités de paquets capturés et les quantités d’octets capturés entre des paquets fanions capturés successivement. Ainsi, après remplissage : la ligne 811 contient dans la colonne 805 une mesure de comptage de paquets QoP0, et dans la colonne 806 une mesure de comptage d’octets QoB0 ; la ligne 812 contient dans la colonne 805 une mesure de comptage de paquets QoP1, et dans la colonne 806 une mesure de comptage d’octets QoB1 ; et la ligne 814 contient dans la colonne 805 une mesure de comptage de paquets QoP255, et dans la colonne 806 une mesure de comptage d’octets QoB255.
L’exemple de table de mesures de la contient d’autres lignes 813 contenant d’autres échantillons, entre la ligne 812 et la ligne 814, qui ne sont pas plus amplement détaillées dans cet exemple.
A noter que, comme il se peut que des paquets fanions soient perdus, il est possible que deux échantillons successifs dans la table de mesures aient des numéros de séquence qui ne se suivent pas. Cette situation survient plus particulièrement en aval du tunnel de communication, lorsqu’une congestion sur le chemin emprunté par le tunnel de communication a entraîné des pertes de paquets.
De retour à la , l’étape 708 est effectuée, où il est mis fin à l’algorithme.
Dans l’étape 707, la sonde réseau effectue un comptage des paquets transitant dans le tunnel de communication, pour le sens de communication considéré. Le paquet filtré reçu est pris en compte dans l’échantillon en cours dans la table correspondante. Par exemple, un nombre de paquets reçus à la suite du paquet fanion qui a entraîné la création de l’entrée correspondante dans la table est incrémenté d’une unité. De plus, une quantité de données reçues à la suite du paquet fanion qui a entraîné la création de l’entrée correspondante dans la table est incrémentée de la taille du paquet filtré. Il convient de noter qu’en procédant ainsi les paquets fanions ne sont pas pris en compte dans le comptage. Il est aussi possible de prendre en compte les paquets fanions dans le comptage ; dans ce cas, l’étape 706 est suivie de l’étape 707 et non de l’étape 708.
Le même mécanisme de comptage est ainsi préférentiellement appliqué en amont et en aval du tunnel de communication considéré.
(1) Homopolymères et copolymères dérivés d'esters et d'amides acryliques ou méthacryliques et comprenant au moins une unité choisie parmi les unités des formules suivantes :