INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Selon un aspect de l’invention, la durée prédéterminée est choisie, sur base d’une étude statistique élaborant un taux de fissuration observée sur des substrats multicouches obtenus à partir des substrats donneurs fabriqués par ce procédé selon la durée du délai d’attente respecté, de manière à ce que ladite durée corresponde à la durée nécessaire pour obtenir un taux de fissuration de 20% ou moins, en particulier de 10% ou moins, ou encore plus en particulier de 5% ou moins. En particulier, l’étude statistique peut résulter d’essais comprenant au moins 500 substrats donneurs fabriqués, par exemple sous forme de plaquettes ou « wafer » selon la terminologie anglo-saxonne.
En basant la durée du délai d’attente sur une telle étude statistique, le procédé peut être adapté encore plus précisément à un objectif recherché de qualité de substrat donneur produit.
Selon un aspect de l’invention, le délai d’attente est respecté dans les conditions ambiantes. Ainsi sont évités les coûts et l’encombrement d’équipements de contrôle environnemental et l’effet de l’invention peut être obtenu.
Un autre objet de l’invention porte sur un procédé de transfert d’une couche d'un substrat donneur sur un substrat support, comprenant les étapes de A : la fourniture d’un substrat donneur obtenu par la mise en œuvre d’un aspect du procédé décrit précédemment, B: la formation d'une zone de fragilisation dans le substrat cible de manière à délimiter la couche du substrat cible à transférer, C : la fourniture d’un substrat support, notamment comprenant un matériau correspondant à un matériau du substrat de manipulation, D : l’attachement du substrat donneur sur le substrat support, et E : la fracture et la séparation du substrat donneur le long de la zone de fragilisation.
La mise en œuvre de ce procédé peut permettre d’obtenir un substrat multicouche avec une incidence de défauts matériels réduite, tel qu’élaboré précédemment : en mettant en place un délai d’attente d’une durée prédéterminée, la qualité des substrats donneurs obtenus peut être augmentée. En conséquence, la couche du substrat cible transférée sur le substrat support est elle aussi d’une plus haute qualité.
La combinaison du procédé de fabrication d’un substrat donneur avec ce procédé de transfert d’une couche d’un substrat donneur est particulièrement avantageuse car le substrat donneur fracturé, c’est-à-dire le reste de substrat donneur subsistant après l’étape E, peut être réutilisé. Ainsi, par exemple dans le cadre de « refresh » d’un procédé de type SmartCut®, le même substrat donneur résiduel peut, dans un cycle de production subséquent, être préparé pour transférer une autre couche du substrat cible vers un autre substrat support.
Les objets, caractéristiques et avantages de l’invention telle qu’exposée ci-dessus seront plus exhaustivement compris et appréciés par l’étude de la description suivante plus détaillée concernant l’invention, ainsi que des dessins annexés.
La représente schématiquement les étapes successives d’un procédé de fabrication d’un substrat donneur selon un mode de réalisation de l’invention.
La représente schématiquement les étapes successives d’un procédé de transfert d’une couche selon un mode de réalisation de l’invention.
Pour des raisons de lisibilité des figures, les éléments illustrés ne sont pas nécessairement représentés à l’échelle, ni relativement les uns aux autres, ni dans leurs dimensions cartésiennes relatives.
La montre un graphe extrait de résultats d’essais effectués dans le cadre de l’optimisation du procédé de fabrication.
Description détaillées des dessins Un mode de réalisation d’un procédé de fabrication d’un substrat donneur 1 selon l’invention est décrit en référence à la . La illustre schématiquement les étapes successives de la fabrication du substrat donneur 1.
Le procédé comprend une étape E1 de fourniture d’un substrat de manipulation 3, aussi appelé « handle substrate » selon la désignation anglo-saxonne. Le substrat de manipulation 3 peut comprendre un matériau choisi parmi le silicium (Si), le saphir (Al 2 O 3 ), le nitrure d’aluminium (AlN), le carbure de silicium (SiC), l’arséniure de gallium (GaAs), le quartz (SiO 2 ), ou un autre verre.
Le procédé comprend une étape E2 de fourniture d’un substrat cible 5. Le substrat cible 5 est un substrat qui a vocation à être ultérieurement transféré au moins en partie sur un substrat support.
Selon une réalisation du procédé, le substrat cible 5 peut être un substrat piézoélectrique. Par exemple, le substrat cible 5 peut comprendre un matériau choisi parmi le LTO (La 2 Ti 2 O 7 ), le quartz (SiO 2 ), le tantalate de lithium (LiTaO 3 ), le niobate de lithium (LiNbO 3 ), le nitrure d’aluminium (AlN), l’oxyde de zinc (ZnO), l’orthophosphate de gallium (GaPO 4 ), le titanate de baryum (BaTiO 3 ), le langasite (La 3 Ga 5 SiO 14 ), le langanite (La 3 Ga 5.5 Nb 0.5 O 14 ), le nitrure de gallium (GaN), le titano-zirconate de plomb (PZT) ou le langatate (La 3 Ga 5.5 Ta 0.5 O 14 ). Ces matériaux sont particulièrement adaptés aux applications à onde élastique de volume (BAW) ou de surface (SAW), telle qu’un capteur SAW ou un filtre BAW sur base de POI.
L’invention concerne également un dispositif domotique 40 tel qu’un actionneur électromécanique de fermeture, d'occultation et/ou de protection solaire, le dispositif domotique 40 étant configuré pour être alimenté en énergie électrique par un réseau d'alimentation en énergie électrique. Le dispositif domotique 40 est également configuré pour être attaché à un réseau maillé sans-fil par l'intermédiaire d'un dispositif routeur 30 d’un ensemble de dispositifs routeurs 30, le dispositif domotique 40 étant adapté à au moins mettre en œuvre :
• un mode routeur, dans lequel un élément de transmission sans fil du dispositif domotique 40 est principalement éveillé pour fournir des services de routage à au moins un dispositif domotique 40 du réseau maillé; et
• un mode d’économie d’énergie dans lequel l’élément de transmission sans fil du dispositif domotique 40 est principalement endormi et se réveille périodiquement pour écouter et/ou échanger des messages avec le dispositif routeur 30 auquel le dispositif domotique 40 est attaché.
Le dispositif domotique 40 est adapté à mettre en œuvre le procédé de découverte d’un réseau maillé tel que précédemment décrit.
• un ensemble de dispositifs routeurs 30, l'ensemble de dispositifs routeurs comprenant au moins un dispositif routeur 30, chaque dispositif routeur 30 étant adapté à mettre en œuvre un mode routeur dans lequel une unité de transmission sans fil du dispositif routeur 30 est principalement éveillée pour fournir des services de routage à au moins un dispositif domotique 40 du réseau maillé, un dispositif routeur 30, parmi l'ensemble de dispositifs routeurs 30 étant adapté à mettre en œuvre un mode meneur, additionnellement au mode routeur, dans lequel le dispositif routeur mettant en œuvre le mode meneur, appelé dispositif meneur 20, prend des décisions dans le réseau maillé sans-fil; et
• au moins un dispositif domotique 40 tel que précédemment décrit.
Dispositif de gestion d’une requête de transfert de données La présente invention concerne les aéronefs, et se rapporte plus particulièrement aux passerelles virtuelles et/ou filaires de communication de données destinées à être embarquées à bord de tels aéronefs.
Etat de la technique antérieure Il est connu qu’un aéronef en vol échange continuellement des données avec un ensemble de stations au sol, dites systèmes électroniques externes.
A titre d’exemple, une station terrestre récupère en temps réel, des alarmes et des valeurs de grandeurs physiques acquises par différents capteurs de l’aéronef pour ainsi les transmettre à un centre de maintenance.
Quant à la station terrestre, elle transmet constamment, à titre d’exemple, des données météorologiques à l’aéronef ou toute information à la demande de l’équipage à bord dudit aéronef.
Des données, dites internes, comme du flux vidéo ou des paramètres avioniques, peuvent également être échangées par liaison filaire ou sans contact à l’intérieur de l’aéronef.
Plus particulièrement, l’aéronef est généralement équipé d’une antenne et de modems permettant aux équipements électroniques des passagers, disposant du WI-FI comme moyen de communication sans fil par exemple, de se connecter audit modem.
- le circuit de basculement de polarité de chaque module est un pont en H comportant dans chaque partie verticale du pont un interrupteur, chaque interrupteur présentant une position ouverte et une position fermée, la commande du circuit de basculement de polarité pour connecter le pôle positif de la deuxième cellule d’extrémité d’un module au point neutre du système d’alimentation est réalisée en commandant sur ledit module :
- l’interrupteur relié au pôle positif de la deuxième cellule d’extrémité et au point neutre de se mettre dans la position fermée, et
- l’interrupteur relié au point neutre et au pôle négatif de la première cellule d’extrémité de se mettre dans la position ouverte.
- le circuit de basculement de polarité de chaque module est un pont en H comportant dans chaque partie verticale du pont un interrupteur, chaque interrupteur présentant une position ouverte et une position fermée, la commande du circuit de basculement de polarité pour connecter le pôle négatif de la première cellule d’extrémité d’un module au point neutre du système d’alimentation est réalisée en commandant sur ledit module :
- l’interrupteur relié au pôle positif de la deuxième cellule d’extrémité et au point neutre de se mettre dans la position ouverte, et
- l’interrupteur relié au point neutre et au pôle négatif de la première cellule d’extrémité de se mettre dans la position fermée.
- le circuit de basculement de polarité de chaque module est un pont en H comportant dans chaque partie verticale du pont un interrupteur, chaque interrupteur présentant une position ouverte et une position fermée, le procédé fournissant une tension polyphasée nulle en commandant les circuits de basculement de polarité pour qu’à tout instant :
- pour un des modules, les interrupteurs du circuit de basculement de polarité connectés au pôle positif de la deuxième cellule d’extrémité soient dans une position fermée, les autres interrupteurs du circuit de basculement de polarité étant dans une position ouverte, et
- pour un autre des modules, les interrupteurs du circuit de basculement de polarité connectés au pôle négatif de la première cellule d’extrémité soient dans une position fermée, les autres interrupteurs du circuit de basculement de polarité étant dans une position ouverte.
- la est une vue schématique d’un exemple de système d’alimentation,
- la est une vue schématique d’une partie du système d’alimentation de la ,
- la est une vue schématique d’un exemple de module à quatre cellules,
- la est une vue schématique d’un exemple de module à cinq cellules,
- la est une vue schématique du module de la dans une première configuration,
- la est une vue schématique du module de la dans une deuxième configuration,
- la est une vue schématique du système d’alimentation de la dans une première configuration,
- la est une vue schématique du système d’alimentation de la dans une deuxième configuration, et
- [Fg 9] la est une vue schématique du système d’alimentation de la dans une troisième configuration.
Un système d’alimentation 10 est illustré sur la .
Ce système d’alimentation 10 est un système assurant la génération d’une tension continue en sortie ainsi qu’un fonctionnement en tension polyphasée, que ce soit pour l’alimentation d’une charge en tension polyphasée ou la recharge sur une source polyphasée et d’une tension continue en sortie. Le système d’alimentation 10 est donc un système d’alimentation en tensions continue et polyphasée.
Dans l’exemple décrit, le système d’alimentation 10 est propre à générer trois phases mais il est aisé d’adapter le système d’alimentation 10 pour qu’il puisse générer un nombre de phases supérieur ou égal à 3.
Le système d’alimentation 10 comporte un point « neutre » PN, une sortie pour chaque phase P1, P2 et P3, un pôle positif correspondant à une sortie de tension continue positive DC+ et un pôle négative correspondant à une sortie de tension négative DC-.
Comme visible à la , le système d’alimentation 10 comprend trois sous-systèmes M1, M2 et M3.
Chaque sous-système M1, M2 et M3 correspond à un module d’une batterie à cellules commutées qui est représenté plus précisément sur la .
Chaque module M comporte plusieurs cellules C 1 … C n où n est un entier strictement supérieur à 1.
Dans l’exemple schématique de la , uniquement deux cellules C 1 et C n de chaque module M1, M2 et M3 sont représentés, étant entendu que d’autres cellules (qui auraient alors pour signe de référence C 2 à C n-1 ) peuvent également être présentes.
A titre d’illustration, la propose un module M à quatre cellules C 1 , C 2 , C 3 et C 4 et la présente un autre exemple de module M à cinq cellules C 1 , C 2 , C 3 , C 4 et C 5 .
Une cellule C peut comprendre entre ses pôles positif et négatif une ou plusieurs sources d’énergie élémentaire placées en série et/ou parallèle. Le pas de tension d’une cellule C est souvent de l’ordre de 3,6 V, de 12 V, de 24 V ou de 48 V mais toute autre valeur est possible.
Par exemple, la source d’énergie élémentaire est un élément de stockage de charges électrique, comme un élément électrochimique ou une capacité électrique.
Selon un autre exemple, la source d’énergie élémentaire est un générateur électrique, par exemple une pile à combustible, une pile zinc-air, une cellule photovoltaïque.
Selon encore un autre exemple, la source d’énergie élémentaire est un système récupérateur d’énergie, notamment une mini-éolienne ou une mini-turbine.
Les guides d’ondes qui forment les N-1 réseaux d’antennes directifs sont agencés chacun selon un axe longitudinal parallèle à l’axe Oy représenté sur la figure, avec O le centre du réseau formé par les N-1 réseaux d’antennes directifs 502 à 50N.
L’ensemble est configuré de sorte que les éléments rayonnants du réseau d’antennes directif rayonnent dans un des accès des N-1 autres réseaux d’antennes directifs. Cela peut se faire, par exemple, en disposant le réseau d’antennes 501 dans une direction perpendiculaire à la direction des N-1 réseaux d’antennes 502 à 50N, et en reliant les fentes du réseau 501 avec les accès des réseaux 502 à 50N, comme sur la . Dans un autre mode de réalisation, le guide d’ondes 501 peut avoir une orientation quelconque, les éléments rayonnants du guide d’ondes 501 étant reliés aux accès des réseaux 502 à 50N par des liaisons coaxiales de mêmes longueurs. D’autres modes de réalisation sont possibles.
Le nombre d’éléments rayonnants du réseau d’antennes 501 est égal à N-1. La longueur du guide d’ondes du réseau d’antennes 501 et l’espacement Δy’ entre ses éléments rayonnants du réseau 501 ne sont pas nécessairement égaux à ceux des guides d’onde des réseaux 502 à 50N.
La représente les pièces de fond mobiles des réseaux d’accès de la . Les pièces de fond 512 à 51N des réseaux d’accès 502 à 50N sont configurées de sorte que l’écart entre la face supérieure du guide d’ondes et la pièce de fond soit le même pour chacun de ces guides d’ondes. Un mode de réalisation possible consiste à synchroniser les moyens d’ajustement assurant la translation de ces pièces de fond. Un autre mode de réalisation consiste à rendre ces pièces de fond solidaires, les pièces de fond étant déplacées en translation par un même dispositif d’ajustement.
La pièce de fond 511 du réseau d’antennes isolé 501 est déplacée en translation par un moyen d’ajustement indépendant de celui des autres réseaux d’antennes.
Ainsi, une onde électromagnétique injectée dans un accès du guide d’ondes du réseau 501 se propage à travers le guide d’onde, et rayonne dans les différents accès des guides d’ondes des réseaux d’antennes 502 à 50N avec un déphasage Δφ’. Elle se propage alors dans chacun des guides d’ondes des réseaux d’antennes 502 à 50N en excitant successivement les éléments rayonnants avec un déphasage Δφ, identique pour tous les guides d’ondes 502 à 50N.
L’ajustement de la hauteur de la pièce de fond des guides d’ondes 502 à 50N permet donc de faire varier la longueur d’onde de l’onde guidée à l’intérieur de ces guides d’ondes, et donc d’orienter le faisceau de l’antenne RF dans un plan Oyz comprenant l’axe Oy passant par le centre du réseau formé par les réseaux 502 à 50N et parallèle à l’axe dans lequel s’étendent chacun des réseaux 502 à 50N, et l’axe Oz perpendiculaire à Oy et parallèle aux faces latérales des guides d’ondes des réseaux 502 à 50N.
L’ajustement de la hauteur de la pièce de fond du guide d’ondes 501 permet de faire varier la longueur d’onde de l’onde guidée à l’intérieur de ce guide d’ondes, et donc d’orienter le faisceau de l’antenne RF dans un plan Oxz orthogonal à l’axe Oy.
Les figures 6a et 6b représentent le diagramme de rayonnement obtenu par un réseau d’antennes directif 2D selon un mode de réalisation de l’invention. Dans ces figures données à titre d’exemple, le réseau d’antennes représenté ressemble à celui des figures 3a et 3b, cependant les simulations permettant de générer le diagramme de rayonnement ont été réalisées à partir d’un réseau d’antennes 2D à N = 9 réseaux d’antennes agencées comme sur les figures 5a et 5b.
La longueur d’onde guidée du réseau d’antennes 501 de la est différente de celles de la , par translation de la pièce de fond mobile du guide d’ondes 501. On observe que l’insertion de plusieurs guides d’ondes 503 à 50N en parallèle et du réseau 501 a modifié le faisceau de l’antenne, de sorte que le diagramme de rayonnement de l’antenne 1D présentant un large lobe principal (d’environ 180°) dans le plan Oxz est devenu très directionnel, et a donc un gain plus important. On observe également, par différence entre les figures 6a et 6b, que le faisceau peut être dirigé dans le plan Oxz, par ajustement de la hauteur de la paroi de fond du réseau d’antennes 501. En outre, la direction de pointage peut également être modifiée dans le plan Oyz par translation de la pièce de fond des guides d’ondes 502 à 50N.
Dans un autre mode de réalisation, non représenté, l’antenne radiofréquence directive comprend N réseaux d’antennes directifs selon l’invention, avec N supérieur ou égal à 2, disposés selon des directions parallèles et alignés, comme les guides 502 à 50N de la . Les pièces de fond de ces guides sont ajustées de manière similaire, de sorte qu’à chaque instant, la longueur d’onde guidée soit la même dans tous les guides d’ondes. Les guides sont alimentés par un même signal en phase. Un tel dispositif constitue une antenne RF directive dont il est possible d’orienter le faisceau dans le plan Oyz, comme le pour le réseau de la , mais s’en différencie en ce que le lobe principal du diagramme de rayonnement de cette antenne est réduit (et possède donc plus de gain) dans le plan Oxz.
Les réseaux d’antennes selon l’invention, réalisés à partir de guides d’ondes ayant une pièce de fond mobile en translation permettant de modifier la hauteur de la cavité du guide d’ondes dans laquelle sont transportées les ondes électromagnétiques, permettent donc de mettre en œuvre des antennes RF directives et orientables selon une ou deux dimensions, sans action mécanique autre que la présence d’un moteur permettant de modifier la paroi de fond, et sans éléments actifs (déphaseurs). Ils répondent donc au problème technique posé.
L’invention porte sur un réseau d’antennes comprenant un guide d’ondes avec une pièce de fond mobile et des éléments rayonnants et une antenne radiofréquence directive implémentant un ou plusieurs des réseaux d’antennes selon l’invention. Elle porte également sur un procédé de configuration de la direction de pointage d’une antenne radiofréquence directive mise en œuvre à partir des réseaux d’antennes selon l’invention.
Le procédé est décrit de manière schématique à la . Il est mis en œuvre sur une antenne radiofréquence directive comprenant un ou plusieurs réseaux d’antennes selon l’invention, et comprend : une première étape 701 de calcul de la position des pièces de fond des guides d’ondes du ou des réseaux d’antennes de l’antenne radiofréquence directive. Cette étape consiste à calculer une position de pièce de fond dans le cas d’une antenne 1D, et deux positions (une position pour les guides alignés 502 à 50N et une position pour le guide isolé 501) dans le cas d’une antenne 2D. Les positions sont obtenues en considérant la direction de pointage recherchée, et le nombre, la position et l’espacement des éléments rayonnants sur les guides d’ondes ; une deuxième étape 702 de modification de la position des pièces de fond des guides d’ondes du ou des réseaux d’antennes directif. Cette étape se fait en actionnant les moyens d’ajustement (moteurs) reliés aux pièces de fond des guides d’ondes du ou des réseaux d’antennes, de manière à ce qu’ils soient positionnés comme calculé lors de la première étape.
Enfin, l’invention porte également sur un programme d’ordinateur comprenant des instructions de code de programme pour l’exécution des étapes du procédé décrit précédemment lorsque ledit programme est exécuté sur un ordinateur, ou sur tout autre moyen de calculs tel qu’un microprocesseur, un DSP (sigle anglais pour Digital Signal Processor , ou processeur de signal numérique), un FPGA (sigle anglais pour Field Programmable Gate Array , ou réseau de portes programmable), un ASIC (acronyme anglais pour Application- Specific Integrated Circuit , ou circuit intégré propre à une application), n’importe quelle association de ces moyens, ou n'importe quel composant matériel permettant d'exécuter les étapes du procédé de configuration de la direction de pointage d’une antenne radiofréquence directive mise en œuvre à partir des réseaux d’antennes selon l’invention, et d’adresser aux moyens d’ajustement des consignes relatives à l’ajustement de la position des pièces de fond des guides d’ondes.
Procédé et appareil de génération d’impulsions électromagnétiques ultrabrèves isolées. L’invention concerne un procédé et un appareil pour la génération d’impulsions électromagnétiques cohérentes ultrabrèves et isolées de haute énergie. Elle concerne notamment, mais pas exclusivement, la génération d’impulsions de durée sub-femtoseconde (1fs=10 - 15 s) ou « attoseconde » (1as=10 - 18 s) et une énergie typiquement comprise entre 1 mJ et 1 J. De telles impulsions se prêtent à de nombreuses applications, de la lithographie dans l’ultraviolet profond (DUV, pour « deep UV » en anglais) ou l’ultraviolet extrême (XUV ou EUV : 10 – 200 nm), utilisée pour la fabrication de circuits intégrés, à la recherche fondamentale (étude de processus ultra-rapides dans la matière etc.) et à la chirurgie de l’œil.
Selon une autre réalisation, le substrat cible 5 peut être un substrat comprenant un matériau semi-conducteur tel que le silicium (Si), le saphir (Al 2 O 3 ), le nitrure d’aluminium (AlN), le carbure de silicium (SiC), l’arséniure de gallium (GaAs), le quartz (SiO 2 ), ou un autre verre.
Dans une étape E3, le substrat cible 5 est attaché sur le substrat de manipulation 3. Dans ce mode de réalisation, l’attachement de l’étape E3 est exécuté par collage, notamment par collage par l’intermédiaire d’une couche adhésive 7. De préférence est employée une couche adhésive d’un matériau photo-polymérisable. Un tel matériau peut être polymérisé lors de son irradiation par un flux lumineux. A titre exemplaire peut être formé dans cette étape une couche adhésive 7 d’une épaisseur de 3 µm à 8 µm du produit commercialisé sous la référence « NOA 61 » par la société NORLAND PRODUCTS, puis soumise à un rayonnement UV à travers la surface exposée du substrat cible 5 attaché au substrat de manipulation 3.
Selon l’invention et contrairement aux procédés connus dans l’art de fabrication d’un substrat donneur, le procédé continue avec une étape E4 lors de laquelle le procédé de fabrication est interrompu pendant un délai d’attente d’une durée prédéterminée. La durée d’attente est d’au moins 24h, et de préférence de 105h.