INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Selon une possibilité, la cavité est obtenue par un assemblage de deux substrats. Un premier substrat 101 fait l’objet d’une gravure, de façon à former une partie de la cavité, ainsi que la membrane d’interface 23: cf. . Au niveau de la membrane d’interface 23, le substrat est aminci de façon à obtenir une membrane d’épaisseur souhaitée. Un deuxième substrat 102 fait l’objet d’une gravure, de façon à former une partie complémentaire de la cavité, et éventuellement la membrane distale 24. Cf. . Les substrats 101 et 102 sont scellés l’un sur l’autre, de façon à former la cavité délimitée d’une part par la membrane d’interface 23 et d’autre part par la membrane distale 24 : cf. .
L’invention pourra être mise en œuvre pour mesurer des concentrations de molécules d’intérêt dans un milieu, notamment un milieu liquide ou un gel. Les applications peuvent concerner le domaine de la santé, mais également des domaines industriels comme l’agroalimentaire, la pharmacie ou l’industrie chimique.
Procédé d’estimation d’une distribution spatiale tridimensionnelle de fluorescence, à l’intérieur d’un objet. Le domaine technique de l’invention est la localisation tridimensionnelle de zones fluorescentes dans un objet.
ART ANTERIEUR L’imagerie de fluorescence est une technique permettant de localiser des marqueurs fluorescents dans un corps humain ou animal. Une des principales applications est la localisation de marqueurs fluorescents, ou fluorophores, ces derniers ciblant des cellules d’intérêt, par exemple des cellules cancéreuses. Le protocole consiste à injecter ces marqueurs dans l’organisme avant un examen par imagerie de fluorescence. Parce qu’elle permet d’acquérir une image indiquant la localisation des différentes zones cancéreuses, l’imagerie de fluorescence constitue un complément utile, voire une alternative, à l’utilisation de traceurs radioactifs.
Dans le domaine de la microscopie, une difficulté dans la reconstruction de la fluorescence est la distribution spatiale de l’indice de réfraction de l’échantillon, qui peut ne pas être uniforme, en particulier lorsque l’échantillon est un tissu biologique réelle. En effet, les échantillons biologiques présentent des inhomogénéités d’indice de réfraction, par exemple au niveau des parois ou des autres structures cellulaires (membrane lipidique, noyau). Dans les milieux de cultures, de telles inhomogénéités apparaissent à l’interface entre les cellules et le milieu de culture.
Une solution, visant à limiter l’influence de la non-uniformité des indices de réfraction, consiste à utiliser un agent clarifiant. Ce dernier peut être un solvant détruisant des membranes. Un tel procédé permet d’obtenir des images de fluorescences en 3D qui ne souffrent pas de la non-uniformité de l’indice de réfraction. Cependant, le recours à un agent clarifiant est invasif et de fait ne permet pas un suivi, dans le temps, d’un échantillon.
L’inventeur propose une méthode de reconstruction de la distribution spatiale de fluorescence dans un échantillon, ne nécessitant pas le recours à un agent clarifiant. Il s’agit d’un procédé non invasif, n’affectant pas l’intégrité de l’échantillon. Le procédé décrit ci-après permet de prendre en compte une distribution spatiale non homogène d’indices de réfraction mesurée, cette dernière étant supposée connue. Elle peut par exemple être préalablement obtenue en mettant en œuvre une tomographie optique de diffraction.
Un premier objet de l’invention est un procédé de reconstruction d’une distribution spatiale de fluorescence, tridimensionnelle, à l’intérieur d’un objet, l’objet étant susceptible d’émettre une lumière de fluorescence sous l’effet d’une illumination dans une bande spectrale d’excitation, l’objet étant discrétisé en voxels objet, de telle sorte que :
chaque voxel objet est susceptible d’émettre une lumière dans une bande spectrale de fluorescence ; la distribution spatiale de fluorescence définit une intensité d’émission de lumière de fluorescence dans chaque voxel objet;
le procédé comportant les étapes suivantes ,
a) disposition de l’objet face à un capteur d’image, le capteur d’image étant configuré pour former une image dans un plan focal objet, le plan focal objet étant configuré pour s’étendre successivement en différentes profondeurs dans l’objet ; b) illumination de l’objet dans la bande spectrale d’excitation, et acquisition successive de plusieurs images élémentaires, le plan focal objet s’étendant respectivement aux différentes profondeurs de l’objet, chaque image étant définie selon des pixels, à chaque pixel correspondant une valeur d’intensité mesurée, les images élémentaires formant une image acquise ( ) tridimensionnelle, chaque pixel d’une image élémentaire formant un voxel image de l’image acquise ; c) initialisation de la distribution spatiale de fluorescence ; d) prise en compte de la distribution de fluorescence initiale ou résultant d’une itération précédente ; e) assignation d’une valeur aléatoire de phase à chaque voxel objet, et mise en œuvre d’un algorithme de propagation de la lumière à travers l’objet, de façon à estimer une amplitude complexe de l’onde lumineuse détectée par chaque voxel image ; f) répétition de W fois de l’étape e), W étant un entier positif, de façon à obtenir, en chaque voxel image, W estimations d’amplitudes complexes ; g) en chaque voxel image, à partir des W estimations résultant de l’étape f), calcul d’une intensité reconstruite, l’ensemble des intensités reconstruites pour chaque voxel image formant une image reconstruite ; h) formation éventuelle d’une image différentielle, l’image différentielle correspondant à une comparaison entre l’image reconstruite et l’image acquise ; i) assignation d’une valeur aléatoire de phase à chaque voxel image de l’image acquise résultant de l’étape g) ou de l’image différentielle résultant de l’étape h), et mise en œuvre d’un algorithme de rétropropagation de la lumière à travers l’objet, de façon à obtenir, dans chaque voxel objet : une amplitude complexe d’émission de fluorescence correspondant à l’image reconstruite résultant de l’étape g) ; ou une amplitude complexe différentielle d’émission de fluorescence correspondant à l’image différentielle résultant de l’étape h) ; j) répétition de W’ fois de l’étape i), W’ étant un entier positif, de façon à obtenir, pour chaque voxel objet, W’ estimations d’amplitudes complexes correspondant à l’image reconstruite ou W’ estimations d’amplitudes complexes différentielles correspondant à l’image différentielle ; k) à partir des W’ estimations résultant de l’étape j), calcul, en chaque voxel objet, d’une intensité d’émission ou d’une intensité d’émission différentielle ; l) mise à jour de la distribution spatiale de fluorescence dans l’objet à partir de l’intensité d’émission ou de l’intensité d’émission différentielle calculée dans chaque voxel de l’objet lors de l’étape k) ; m) réitération des étapes d) à l) jusqu’à l’atteinte d’un critère d’arrêt des itérations.
Selon un mode de réalisation, le procédé comporte, à chaque itération, les étapes suivantes :
i-bis) assignation d’une valeur aléatoire de phase à chaque voxel image de l’image acquise lors de b) et mise en œuvre d’un algorithme de rétropropagation de la lumière à travers l’objet, de façon à estimer, dans chaque voxel objet, une amplitude complexe d’émission de fluorescence correspondant à l’image acquise ; j-bis) répétition de W’’ fois de l’étape i-bis), W’’ étant un entier positif, de façon à obtenir, pour chaque voxel objet, W’’ estimations d’amplitudes complexe d’émission de fluorescence correspondant à l’image acquise ; k-bis) à partir des W’’ estimations résultant de l’étape j-bis), calcul d’une intensité d’émission, en chaque voxel objet, correspondant à l’image acquise;
le procédé étant tel que lors de l’étape l), la mise à jour est effectuée à partir d’un ratio calculé pour chaque voxel objet, entre l’intensité d’émission correspondant à l’image acquise et l’intensité d’émission correspondant à l’image reconstruite.
L’électrode inférieure 13 s’étend sur une partie, ici sur une partie seulement de la face inférieure 114 de la première couche active 11.
Le deuxième empilement 20 peut, comme ici, comprendre une couche conductrice 22. La couche conductrice 22 relie électriquement la deuxième couche active 21 au premier contact supérieur 40. Elle est disposée ici entre la deuxième couche active 21 et le premier contact supérieur 40. Ici, la couche conductrice 22 s’étend sur la deuxième couche active 21, contre celle-ci. De manière avantageuse, une partie au moins de la couche conductrice 22 s’étend également parallèlement au premier flanc 1211 et en vis-à-vis de ce premier flanc 1211. Cette couche conductrice 22 peut, pour un sélecteur de type OTS, par exemple, être à base de nitrure de titane, de nitrure de tantale, de tungstène, ou de nitrure de tungstène, voire de carbone.
La couche conductrice 22 et la deuxième couche active 21 du deuxième empilement 20 s’étendent avantageusement, dans la portion en vis-à-vis du premier flanc, à une distance D10 avantageusement inférieure ou égale à 20 nm, voire 10 nm. Il s’agit, en d’autres termes, de la hauteur du sélecteur.
De la même manière, le troisième empilement vertical 30 peut comprendre une couche conductrice 32 reliant électriquement la troisième couche active 31 au deuxième contact supérieur 50.
Le premier contact électrique 40 peut comprendre un premier via supérieur 41 qui s’étend par exemple à la verticale du deuxième empilement 20. Afin d’améliorer le contact électrique entre le premier contact 40 et le deuxième empilement 20, celui-ci peut également comprendre une première couche métallique 42, reliant électriquement le deuxième empilement 20, intercalée entre eux. La première couche métallique 42 s’étend par exemple en partie sur le deuxième empilement 20 en recouvrant une partie verticale et une partie planaire dudit deuxième empilement 20. Dans un développement, la première couche métallique 42 est la couche conductrice 22 du deuxième empilement 20. La première couche métallique 42 pourrait aussi former l’une des colonnes d’adressage de la matrice, le via 41 étant un via de connexion de cette colonne, éventuellement déporté par rapport à l’ensemble 1.
De la même manière, le deuxième contact électrique 50 peut comprendre un deuxième via supérieur 51 s’étendant, par exemple, à la verticale du troisième empilement 30. Il peut également comprendre une deuxième couche métallique 52, reliant électriquement le troisième empilement 30. La deuxième couche métallique 52 peut également s’étendre sur le troisième empilement 30 en recouvrant une partie verticale et une partie planaire.
Comme déjà indiqué, la deuxième couche active 21 est reliée électriquement à la première électrode supérieure 121 de l’empilement planaire 10. Dans le mode de réalisation des et , la deuxième couche active 21 est directement reliée électriquement à la première électrode supérieure 121. Plus précisément, elle vient directement en contact contre le premier flanc 1211 de cette électrode. Une surface de la deuxième couche active 21 est ainsi au contact de ce flanc 1211. En variante, une couche intermédiaire conductrice pourrait toutefois être intercalée entre la couche active 21 et le premier flanc 1211.
Ainsi, la deuxième couche active 21 présente une portion disposée entre la couche conductrice 22 du deuxième empilement 20 et la première électrode supérieure 121. Lorsque la deuxième couche active 21 est par exemple de type OxRAM ou CBRAM, l’application d’une différence de potentiel entre la couche conductrice 22 et la première électrode supérieure 121 lors d’une opération initiale de forming (première création d’un filament conducteur) entraîne la formation d’un canal de conduction, dans la deuxième couche active 21, au niveau d’une zone située en face du premier flanc 1211, de la première électrode supérieure 121. La position du canal de conduction est donc contrôlée (et, en l’occurrence, elle est elle aussi éloignée des bords – i.e. des extrémités – de la première couche active), permettant de réduire la variabilité du deuxième empilement vertical 20.
La deuxième couche active 21 peut comprendre une portion planaire, venant en quelque sorte recouvrir une partie de la première électrode supérieure 121. Afin de conserver la localisation du canal de conduction au niveau du premier flanc 1211 de la première électrode supérieure 121, l‘ensemble 1 peut alors comprendre une couche isolante 141, 142. Il s’agit par exemple d’une couche en matériau diélectrique, tel que du nitrure de silicium, pour former notamment un masque dur. Une portion 141 au moins de la couche isolante est disposée entre ladite portion planaire de la deuxième couche active 21 et la première électrode supérieure 121, pour les isoler électriquement l’une de l’autre. La couche isolante 14 peut également s’étendre de manière continue sur les deux électrodes supérieures 121, 122 du premier empilement planaire 10, comme pour la variante du premier mode de réalisation représentée sur la .
La couche isolante 14 est par exemple délimitée par au moins une surface latérale. Lorsque la couche isolante 14 est continue et d’un seul tenant, elle est alors délimitée par une seule surface latérale 1411, 1422. La surface latérale de la couche isolante 14 comprend deux parties, opposées l’une à l’autre, appelées neuvième flanc 1411 et dixième flanc 1422 dans la suite, par exemple situés dans le prolongement des premier et deuxième flancs 1211, 1222. Lorsque la couche isolante 14 est divisée en deux portions distinctes 141, 142, elle est alors limitée par deux surfaces latérales, chacune délimitant une portion 141, 142. La première portion 141 de la couche isolante peut être située à l’aplomb de la première électrode supérieure 121, et peut comprendre, en plus du neuvième flanc 1411, une autre partie de sa surface latérale, appelée ici onzième flanc 1412. De même, la deuxième partie 142 peut être délimitée, en plus du dixième flanc 1422, par un autre flanc appelé douzième flanc 1421. Les onzième et douzième flancs 1412, 1421 sont par exemple situés respectivement dans le prolongement des septième et huitième flancs 1212, 1221, des première et deuxième électrodes supérieures 121, 122.
La représente schématiquement le deuxième mode de réalisation de l’ensemble 1 de mémoires et de sélecteur. À la différence du mode de réalisation des , et , la deuxième couche active 21 du deuxième empilement 20 n’est pas en contact avec la totalité du premier flanc 1211 de la première électrode supérieure 121.
En effet, dans ce deuxième mode de réalisation, l’ensemble 1 comprend en outre un espaceur 151, électriquement isolant, qui s’étend contre une partie de la surface latérale 1211, 1222 de la première électrode supérieure 121, et contre la surface latérale 1111, 1122 de la première couche active 11. Cet espaceur 151 s’étend notamment contre le troisième flanc 1111 de la première couche active 11 et contre une partie du premier flanc 1211 de la première électrode 121. Il permet de réduire la surface de la deuxième couche active 21 en contact avec le premier flanc 1211, permettant d’ajuster les propriétés électriques du sélecteur s’établissant dans cette couche. En effet, la réduction de l’épaisseur D3 de la première électrode supérieur 121 peut présenter une limite, notamment technologique. Du fait de la présence de cet espaceur 151, seule une bande supérieure 12111 de la surface latérale de la première électrode 121, notamment du premier flanc 1211, est en contact avec la deuxième couche active 21. Par ailleurs, l’espaceur 151 protège le flanc, 1111 de la première couche active, notamment d’éventuelle contaminations, par exemple lors des étapes de fabrication de l’ensemble, telles que les opérations de formation des deuxième et troisième empilements 20, 30.
La première électrode supérieure 121 peut également être surmontée d’une couche conductrice supplémentaire 121’, prolongeant verticalement l’électrode supérieure 121 (et son premier flanc 1211). De la sorte, le premier flanc 1211 présente une épaisseur totale D3 égale à l’épaisseur initiale D31 de la première électrode 121 plus une épaisseur supplémentaire D32 de la couche conductrice supplémentaire 121’. La bande supérieure 12111 du premier flanc 1211 laissée à nu par l’espaceur 151 peut ainsi être égale à l’épaisseur supplémentaire D32, voire moins.
Une partie de l’espaceur 151, ou éventuellement un autre espaceur similaire peut s’étendre partiellement entre, d’une part, le premier empilement et d’autre part, la troisième couche active 31. Il peut notamment s’étendre sur le deuxième flanc 1222 et le quatrième flanc 1122 en ne recouvrant que partiellement le deuxième flanc 1222, afin d’exposer une bande supérieure de la deuxième électrode supérieure, contre laquelle la troisième couche active 31 est en contact.
La représente schématiquement, en coupe, le troisième mode de réalisation de l’ensemble 1. À la différence des modes de réalisation des , et , la première couche active 11 est divisée en deux parties 116, 117. Elle comprend une première partie 116, et une deuxième partie 117 séparée de la première partie 116. La première partie 116 est reliée électriquement entre la première électrode supérieure 121 et l’électrode inférieure 13. La première partie 116 de la première couche active 11 s’étend par exemple à l’aplomb de la première électrode supérieure 121, dans le prolongement de cette dernière. Elle s’étend également, en partie, sur l’électrode inférieure 13 afin d’établir un contact électrique. La deuxième partie 117 de la couche active 11 s’étend également à l’aplomb de la deuxième électrode supérieure 122, dans le prolongement de cette dernière. De la même manière que la première partie 116, la deuxième partie 117 s’étend, en partie, sur l’électrode inférieure 13, afin d’établir un contact électrique.
Les première et deuxième parties 116, 117 sont avantageusement séparées par la première distance D1. La séparation physique entre les deux parties 116, 117 permet d’isoler électriquement les canaux de conduction pouvant s’établir entre chaque électrode supérieure 121, 122 et l’électrode inférieure 13. De la sorte les mémoires peuvent être opérés indépendamment l’une de l’autre, même lorsque la distance D1 entre les deux parties 116, 117 est petite, inférieure à 60 nm, voire inférieure à 40 nm. Pour rappel, lorsque la première couche active comprend un matériau ovonique, les canaux de conduction peuvent présenter une dispersion latérale pouvant atteindre 40 nm, voire 60 nm. Les première et deuxième parties 116, 177 peuvent être au contact l’une de l’autre, en restant toutefois séparées l’une de l’autre par une barrière isolante, telle qu’une couche diélectrique.
Le câble d’alimentation (non représenté) comporte à une extrémité une prise femelle recevant les broches de la prise d’alimentation 22 de la station, et une prise mâle destinée à être insérée dans une prise femelle reliée au réseau électrique.
La prise d’alimentation 22 et son câble associé sont de préférence compatibles avec plusieurs tensions d’alimentation, par exemple 230V et 120V.
De manière également avantageuse, la station de charge comporte des moyens de séparation de la phase de l’alimentation secteur, par exemple il s‘agit d’un interrupteur bistable 26.
Sur la , on peut voir une vue de détail de la face intérieure de la façade avant d’un ensemble paire de bornes et moyen d’affichage. Les bornes B1, B2 sont reliées aux bornes du moyen d’affichage, plus particulièrement à l’unité de mesure, par des câbles électriques 32, et deux câbles électriques 34 repartent des bornes du moyen d’affichage vers le chargeur. En variante, les câbles électriques reliant les bornes B1 et B2 au chargeur électrique partent directement des bornes B1 et B2.
En fonctionnement, les actionneurs sont destinés à communiquer par onde radio avec une télécommande, qui va envoyer un signal d’activation pour enrouler ou dérouler la toile du store. Autrement dit, des moyens de communication de l’actionneur sont dans un état actif dans lequel ils sont aptes à recevoir et/ou à émettre des signaux de communication radio. Ainsi, lorsque les moyens de communication de l’actionneur sont dans un état actif, ils cherchent à communiquer ou du moins à recevoir un signal, ce qui peut créer des perturbations du réseau radio environnant et a pour effet de décharger les actionneurs. Ce dernier point est particulièrement avéré dans un environnement radio bruyant où l’actionneur est stocké, tel que peut l’être une usine.
Il est souhaitable de pouvoir mettre en veille les actionneurs pendant et après leur charge pour leur transport afin d’éviter qu’ils ne cherchent à communiquer par radio. Autrement dit, il est souhaitable de faire basculer les moyens électroniques de communication de chaque actionneur, d’un état actif à un état de veille dans lequel ces moyens électroniques ne sont pas sensibles à des signaux de communication radio. Cet état de veille doit ensuite être annulé lors de l’installation de l’actionneur dans l’installation de store chez l’utilisateur.
De manière avantageuse, la station de charge comporte des moyens de mise en veille 27 pour mettre en veille les actionneurs avant, pendant ou à la fin de leur cycle de charge. Avantageusement, les moyens de mise en veille 27 sont communs pour l’ensemble des actionneurs connectés aux paires de bornes B1, B2 de la station de charge.
Dans l’exemple représenté, les moyens de mise en veille 27 comportent sur la façade avant de la station de charge, un bouton poussoir 28 qui, lorsqu’il est enfoncé, provoque la mise en veille de tous les actionneurs connectés, avantageusement simultanément. Par exemple, la station de charge S comporte des moyens de radiocommunication 31 (représentés en pointillé), tels qu’une télécommande, fixée sur la face intérieure de la façade avant 2. Les moyens de radiocommunication sont tels qu’une pression sur le bouton 28 provoque l’émission d’un signal de mise en veille reçu les moyens de communication de l’actionneur, qui passe alors en état de veille. Les moyens de radiocommunication 31 de la station de charge sont alimentés par l’alimentation basse tension interne de la station de charge, par exemple +,3,3V +/- 5%. Aucun appairage entre des moyens de radiocommunication 31 et les actionneurs n’est requis.
Les moyens de mise en veille 27 comportent avantageusement une carte électronique configurée pour émettre un signal radio de mise en veille.
Dans cet exemple, l’action de mise en veille s’applique à tous les actionneurs connectés à la station simultanément.
Dans un exemple de réalisation, la portée radio des moyens de radiocommunication 31 est réduite pour éviter d’envoyer un ordre de mise en veille à des actionneurs connectés à une station de charge disposée à proximité.
Alternativement il peut être envisagé d’utiliser des moyens de radiocommunication 31 communs pour plusieurs stations de charge.
En variante, l’envoi de l’instruction de mise en veille est réalisé par voie filaire via les bornes B1, B2, par exemple par modulation de courant ou de tension au niveau des bornes B1, B2 .
Comme expliqué ci-dessus, les actionneurs peuvent être dans un état de veille avant l’étape de charge. Il peut être alors souhaité que lors de la connexion d’un actionneur à la station de charge, il passe dans un état actif, i.e. le mode veille est annulé, et que celui-ci soit empêché tant que l’actionneur est connecté à la station de charge. Cet empêchement ou blocage est réalisé par une unité de contrôle de l’actionneur . Ceci permet de maintenir les moyens de communication de l’actionneur dans un état actif dans lequel l’actionneur est réceptif à des ordres radio et dans lequel il a la capacité d’émettre des signaux, par exemple des signaux d’alerte.
Dans ce cas, une fois la batterie chargée (visible sur le moyen d’affichage), l’opérateur déconnecte l’actionneur de la station de charge, ce qui rend possible le passage en mode veille de l’actionneur. L’opérateur appuie ensuite sur le bouton de mise en veille 28 du boitier pour mettre en veille l’au moins un actionneur déconnecté du boitier.