Procédé d’activation d’une couche exposée (10) d’une structure (1) comprenant : une fourniture d’une structure (1) comprenant une couche exposée (10) dans un réacteur (2), le réacteur (2) comprenant une chambre de réaction (20) à l’intérieur de laquelle la structure (1) est disposée, avant ou après la fourniture de la structure (1), un dépôt dans la chambre de réaction (20) d’une couche (11) à base d’un matériau de formule chimique C x H y F z , x, y et z étant des entiers positifs, au moins x et z étant non-nuls, un traitement, en présence de la structure (1), de la couche (11) à base d’un matériau de formule chimique C x H y F z par un plasma d’activation (3) à base de l’un au moins parmi de l’oxygène et de l’azote, le traitement par le plasma d’activation (3) étant configuré pour consommer au moins en partie la couche (11) à base du matériau de formule chimique C x H y F z de façon à activer la couche exposée (10) de la structure (1). Procédé selon la revendication précédente, dans lequel la fourniture de la structure (1) est effectuée avant le dépôt dans la chambre de réaction (20), la couche (11) à base d’un matériau de formule chimique C x H y F z étant alors déposée sur la couche exposée (10) de la structure (1). Procédé selon la revendication précédente, dans lequel le dépôt de la couche (11) à base d’un matériau de formule chimique C x H y F z et le traitement par le plasma d’activation (3) sont réalisés dans la même chambre de réaction (20). Procédé selon la revendication 1, dans lequel la fourniture de la structure (1) est effectuée après le dépôt de la couche (11) à base d’un matériau de formule chimique C x H y F z dans la chambre de réaction (20) et avant le traitement par le plasma d’activation (3), la couche (11) à base d’un matériau de formule chimique C x H y F z étant alors déposée sur des parois (200) de la chambre de réaction (20), et le dépôt de la couche (11) à base d’un matériau de formule chimique C x H y F z et le traitement par le plasma d’activation (3) étant réalisés dans la même chambre de réaction (20). Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le traitement par le plasma d’activation (3) est effectué de sorte à consommer au moins 90% et de préférence tous les atomes de carbone de la couche (11) déposée à base d’un matériau de formule chimique C x H y F z . Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le traitement par le plasma d’activation (3) comprend l’application dans la chambre de réaction (20) d’une tension, dite tension d’auto-polarisation, de préférence la valeur absolue de la tension d’auto-polarisation est comprise entre 100 V et 500 V. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le traitement par le plasma d’activation (3) est réalisé dans une chambre de réaction (20) d’un réacteur (2) plasma à couplage capacitif. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel le traitement par le plasma d’activation (3) est réalisé dans une chambre de réaction (20) d’un réacteur (2) plasma à couplage inductif. Procédé selon la revendication précédente, dans lequel lors du traitement par le plasma d’activation (3), une tension de polarisation V bias-substrat est appliquée à la structure (1). Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le dépôt de la couche (11) à base d’un matériau de formule chimique C x H y F z est un dépôt chimique à partir d’au moins un précurseur gazeux, de préférence le dépôt est assisté par plasma. Procédé selon la revendication précédente, dans lequel l’au moins un précurseur gazeux comprend au moins les éléments carbone, et fluor, l’au moins un précurseur gazeux étant différent de CF 4 , l’au moins un précurseur gazeux étant de préférence de formule chimique C u H v F w , u, v et w étant des entiers positifs, au moins u et w étant non-nuls et hors CF 4 , par exemple l’au moins un précurseur gazeux est choisi parmi les composés de formule CH 2 F 2 et CHF 3 , CH 3 F, C 4 F 6 et C 4 F 8 . Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le traitement par le plasma d’activation (3) comprend une injection d’au moins un gaz dans une chambre de réaction (20) d’un réacteur (2) plasma et une formation du plasma d’activation (3) à partir dudit gaz dans la chambre de réaction (20), l’au moins un gaz comprenant du dioxygène, du diazote, de l’hélium ou leur mélange. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la couche exposée (10) est à base de silicium, par exemple la couche exposée (10) est à base ou faite d’un oxyde de silicium, d’un nitrure de silicium ou de silicium. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, comprenant, après le traitement par le plasma d’activation (3), l’assemblage par collage direct de la couche exposée (10) de la structure (1) avec une couche exposée (40) d’un substrat (4) distinct. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel au moins l’un parmi le dépôt de la couche (11) à base d’un matériau de formule chimique C x H y F z et le traitement par le plasma d’activation (3) peuvent être répétés plusieurs fois. Procédé de collage d’une couche exposée (10) d’une structure (1) avec une couche exposée (40) d’un substrat (4) distinct, le procédé comprenant : l’activation de la couche exposée (10) de la structure (1) en mettant en œuvre le procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, la mise en contact de la couche exposée (10) de la structure avec la couche exposée du substrat (4) distinct.