INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Procédé de configuration d’une constellation de satellites défilants et procédé de communication, gestionnaire et système de communication associés La présente invention concerne un procédé de configuration d’une constellation de satellites défilants.
La présente invention concerne également un procédé de communication, un gestionnaire et un système de communication associés à ce procédé de configuration.
L’on s’assure ainsi avantageusement que la capacité mutuelle entre l’électrode d’excitation 1 et l’électrode de référence 3 n’est pas négligeable et en particulier doit être prise en compte dans la modélisation.
En alternative ou en complément, l’électrode de référence 3 est avantageusement agencée par rapport à l’électrode de mesure 2 de sorte que, sur l’intervalle de fréquence d’excitation [ , la variation de la capacité mutuelle entre l’électrode de mesure 2 et l’électrode de référence 3, cette variation étant notée , vérifie : où, comme déjà mentionné plus haut, est une valeur de la capacité mutuelle entre l’électrode d’excitation 1 et l’électrode de mesure 2.
La forme de l’électrode de référence 3, la forme de l’électrode de mesure 2 et leur position relative permet de modifier la valeur de la capacité mutuelle entre l’électrode de mesure et l’électrode de référence.
L’on s’assure ainsi avantageusement que la capacité mutuelle entre l’électrode de mesure 2 et l’électrode de référence 3 n’est pas négligeable et en particulier doit être prise en compte dans la modélisation.
L’une et/ou l’autre des deux variations ci-dessus peut ainsi avantageusement être limitée. Lorsqu’elles sont toutes deux limitées, l’on s’assure qu’à la fois : le premier courant électrique i 1 -i g destiné à circuler entre les électrodes d’excitation 1 et de mesure 2 via le milieu MUT, et le deuxième courant électrique i g destiné à circuler entre les électrodes d’excitation 1 et de référence 3 via le milieu MUT, soient significatifs.
L’électronique de commande 5 peut avantageusement comprendre en outre un module de communication sans-fil, de préférence choisi parmi les technologies Bluetooth®, Bluetooth® à basse énergie (connue sous l’acronyme BLE), RFID, Wifi, LoRa® et Sigfox.
L’électronique de commande 5 comporte avantageusement un microcontrôleur. Comme nous le verrons ci-après, le microcontrôleur de l’électronique de commande 5 peut être configuré pour assurer en outre les fonctions de l’unité de calcul 51 et de l’unité de traitement 52.
L’électronique de commande 5 est avantageusement montée sur une carte de circuit imprimé PCB, comme illustré aux figures 11 à 13. La carte de circuit imprimé PCB peut comporter des pistes électriquement conductrices formant l’électrode d’excitation 1 et/ou l’électrode de mesure 2.
Unité de calcul
En référence aux figures 11 à 13, l’unité de calcul 51, ou calculateur, peut avantageusement être intégrée à l’électronique de commande 5. L’unité de calcul 51 peut comprendre ou être constituée du processeur du microcontrôleur de l’électronique de commande 5.
Les valeurs de capacité électrique équivalente et de conductance équivalente peuvent être calculées par l’unité de calcul 51 selon les formules suivantes : où : est une capacité électrique prédéterminée, appartenant à la boucle de rétroaction 501 de l’amplificateur opérationnel 500, est l’amplitude de la tension en phase mesurée à la sortie de l’amplificateur opérationnel 500, est l’amplitude de la tension en quadrature mesurée à la sortie de l’amplificateur opérationnel 500, est l’amplitude du potentiel électrique appliqué à l’électrode d’excitation 1, est la fréquence du potentiel électrique appliqué à l’électrode d’excitation 1, et est une constante liée à la forme du potentiel électrique appliqué à l’électrode d’excitation 1.
A titre d’exemple, lorsque le potentiel électrique appliqué est de forme carrée. Le potentiel électrique appliqué peut également être de forme rectangulaire ou de forme sinusoïdale. A titre d’exemples non limitatifs, peut être égale à 47 pF ou égale à 237 pF. peut appartenir à une branche de la boucle de rétroaction 501 parallèle à la branche de ladite boucle sur laquelle est agencé le régulateur 502.
On privilégiera un potentiel électrique de forme carrée pour une fréquence comprise entre 10 kHz et 300 kHz. On privilégiera un potentiel électrique de forme sinusoïdale pour une fréquence comprise entre 0,1 Hz et 100 kHz.
En référence aux figures 11 à 13, l’unité de traitement 52 peut avantageusement être intégrée à l’électronique de commande 5. L’unité de traitement 52 peut comprendre ou être constituée du processeur du microcontrôleur.
Comme déjà mentionné plus haut, l’unité de traitement 52 du dispositif de caractérisation 0 peut être configurée pour traiter les valeurs équivalentes calculées par l’unité de calcul 51, afin de déterminer : une valeur de capacitance C m du milieu MUT vers l’électrode de mesure 2 et/ou une valeur de capacitance C mm du milieu MUT vers l’électrode de référence 3, et/ou une valeur de conductance G m du milieu MUT vers l’électrode de mesure 2 et/ou une valeur de conductance G mm du milieu MUT vers l’électrode de référence 3, en résolvant une équation ou un système d’équations traduisant la modélisation choisie du comportement du système de caractérisation 10.
L’information relative aux pics est contenue dans le vecteur , qui forme la composante utile du spectre . Le vecteur comporte l’ensemble des pics du spectre : il s’agit d’un vecteur représentatif du mélange des pics du spectre . Les vecteurs et ont la même dimension.
On va à présent décrire différents modes de réalisation, comportant un traitement du spectre mesuré . Une étape commune aux différents modes de réalisation est d’extraire la composante utile du spectre .
Le continuum peut être estimé en mettant en œuvre un algorithme de suppression de la ligne de base, tel que décrit dans la publication This K. et al « Contribution to continuum estimation in gamma spectrum by observation by local minima ». On obtient ainsi :
où est l’estimation du continuum.
La figure 3A représente un spectre établi avec un détecteur spectrométrique de type LaBr 3 , de dimension 1.5 pouce par 1.5 pouce. La figure 3B représente le spectre après extraction du continuum. La figure 3B comporte la composante utile , ainsi que le bruit de fond .
De façon alternative, le vecteur peut être établi en utilisant un logiciel dédié permettant une extraction individuelle de pics de spectrométrie, par suppression ou estimation de la ligne de base. Le vecteur peut résulter d’une concaténation de chaque pic individuellement extrait d’un spectre mesuré.
On considère par la suite que l’objet est potentiellement constitué de radionucléides 2 j , dont les activités respectives sont , forment un vecteur d’activité de dimension ( , 1). Une liste des radionucléides potentiellement présents dans l’objet est préalablement effectuée. Elle inclut l’ensemble des radionucléides émetteurs gamma susceptibles d’être présents dans l’objet. Les radionucléides de la liste émettent des photons à des énergies . Les énergies correspondent à l’ensemble, sans doublons, des énergies d’émission des radionucléides, classées par ordre croissant. Il peut également s’agir d’une partie de cet ensemble, par exemple limité à des énergies pour lesquelles les intensités d’émission sont considérées comme suffisantes. Chaque radionucléide d’activité égale à 1Bq génère une énergie selon une intensité . L’intensité est non nulle lorsque l’indice correspond à une énergie d’émission du radionucléide.
Le vecteur est formé par une contribution de chaque radionucléide présent dans l’objet. est un vecteur de dimension (1, ), dont chaque terme correspond à une quantité de photons émis par le radionucléide et détecté dans le canal , avec . Ainsi,
Matrice de dispersion spectrale Sous l’effet d’imperfections dans le détecteur 10 ou dans le circuit 12 ou dans l’unité de spectrométrie 13, une interaction libérant une énergie d’émission peut être détectée non pas uniquement dans le canal de rang correspondant à l’énergie , mais dans d’autres canaux adjacents, par un effet de dispersion de l’énergie estimée par le dispositif. Cela se traduit par le fait qu’un pic ne correspond pas à une distribution de Dirac centrée sur le canal de rang correspondant à l’énergie , mais à un pic, d’une certaine surface , de part et d’autre du canal de rang . Sur la figure 2B, on a représenté 3 canaux de rangs , et , qui correspondent à trois pics successifs.
La dispersion spectrale se traduit par une largeur à mi-hauteur des pics à chaque énergie d’émission , avec :
est une fonction de résolution, pouvant être déterminée de façon expérimentale : la fonction de résolution modélise l’évolution de la largeur à mi-hauteur en fonction de l’énergie. Un exemple de détermination expérimentale de la fonction de résolution est présenté par la suite, dans le deuxième mode de réalisation. Le vecteur est un vecteur des paramètres de la fonction de résolution . Ce paramètre est supposé connu. Un exemple de détermination expérimentale du vecteur est présenté par la suite, dans le deuxième mode de réalisation. est un facteur d’élargissement traduisant l’effet Doppler qui élargit le pic à 511 keV. Il s’agit d’un scalaire, supérieur ou égal à 1, propre à la source, en particulier sa température. Il peut varier d’une mesure à l’autre. L’estimation de ce scalaire n’est utile que pour les spectres présentant une raie d’émission centrée sur l’énergie 511 keV.
La fonction de résolution peut prendre différentes formes paramétriques, par exemple :
Outre la largeur à mi-hauteur, la dispersion spectrale peut également être modélisée par la forme des pics. La forme des pics peut être prise en compte par une fonction de forme , qui caractérise la forme des pics. La fonction de forme est déterminée a priori, par exemple sur la base du retour d’expérience ou d’essais préalables. Dans les exemples décrits par la suite ; la fonction de forme est considérée comme gaussienne. Par exemple,
Le premier substrat 1 et/ou le second substrat 2 peuvent être soumis à des étapes technologiques, exécutées entre les étapes d) et e), afin de former tout ou partie d’un composant. A titre d'exemples non limitatifs, les étapes technologiques peuvent consister en des étapes d’amincissement, de report de couche, de dépôt de couche, de photolithographie, de gravure etc. Il est à noter que l’amincissement du premier substrat 1 est avantageusement exécuté entre les étapes c) et d). L’assemblage des premier et second substrats 1, 2 peut être solidarisé à un substrat de réception pour la mise en œuvre de certaines étapes technologiques.
Ensemble de fabrication Un objet de l’invention est un ensemble pour fabriquer des substrats 1, 2 démontables, comportant : - un premier substrat 1, comprenant des espèces implantées 10 formant une zone plane d’implantation 100, le premier substrat 1 comprenant une surface S proximale à la zone plane d’implantation 100 ; - un second substrat 2, comprenant une surface 20 ; - un ensemble de cavités 200, agencé à la surface S proximale du premier substrat 1 et/ou à la surface 20 du second substrat 2 de manière à : autoriser un collage direct entre la surface S proximale du premier substrat 1 et la surface 20 du second substrat 2 ; interdire une initiation thermique de la fracture de la zone plane d’implantation 100 après un traitement thermique appliqué aux premier et second substrats 1, 2 collés, selon un budget thermique adapté pour fragiliser la zone plane d’implantation 100.
L’ensemble de cavités 200 est avantageusement agencé à la surface S proximale du premier substrat 1 et/ou à la surface 20 du second substrat 2 de sorte que chaque couple de cavités 200 adjacentes est espacé d’une distance comprise entre : - un premier seuil, au-delà duquel un collage direct entre les premier et second substrats 1, 2 est autorisé ; - un second seuil, strictement supérieur au premier seuil, en-deçà duquel une initiation thermique de la fracture de la zone plane d’implantation 100 fragilisée est interdite après le traitement thermique appliqué aux premier et second substrats 1, 2 collés.
Les premier et second substrats 1, 2 sont destinés à présenter une surface de collage. L’ensemble de cavités 200 est avantageusement agencé à la surface S proximale du premier substrat 1 et/ou à la surface 20 du second substrat 2 de manière à occuper entre 50% et 85% de la surface de collage, de préférence entre 60% et 80% de la surface de collage.
L’ensemble de cavités 200 est avantageusement agencé de sorte que chaque cavité 200 présente au moins une dimension, dans le plan de la surface S proximale du premier substrat 1 et/ou dans le plan de la surface 20 du second substrat 2, inférieure ou égale au double d’un rayon moyen d’exfoliation prédéterminé, de préférence inférieure ou égale au double d’un rayon minimum d’exfoliation prédéterminé.
Selon le premier mode de réalisation illustré à la , la dimension latérale des cavités 200 est dans le plan de la surface 20 du second substrat 2. Selon le deuxième mode de réalisation illustré à la , la dimension latérale des cavités 200 est dans le plan de la surface S proximale du premier substrat 1. Selon le troisième mode de réalisation illustré à la , la dimension latérale des cavités 200 est dans le plan de la surface S proximale du premier substrat 1 et dans le plan de la surface 20 du second substrat 2. Selon le quatrième mode de réalisation illustré à la , la dimension latérale des cavités, dans le plan de la surface S proximale du premier substrat 1, n’est pas un paramètre critique en l’absence de cloques 3.
Selon le premier mode de réalisation illustré à la , l’ensemble de cavités 200 est agencé à la surface 20 du second substrat 2 de sorte que chaque cavité 200 présente au moins une dimension, dans le plan de la surface 20 du second substrat 2, inférieure ou égale au double d’un rayon moyen d’exfoliation prédéterminé, de préférence inférieure ou égale au double d’un rayon minimum d’exfoliation prédéterminé.
Selon le deuxième mode de réalisation illustré à la : - l’ensemble de cavités 200 est agencé à la surface S proximale du premier substrat 1 de manière à s’étendre en-deçà de la zone plane d’implantation 100 ; - l’ensemble de cavités 200 est agencé à la surface S proximale du premier substrat 1 de sorte que chaque cavité 200 présente au moins une dimension, dans le plan de la surface S proximale du premier substrat 1, inférieure ou égale au double d’un rayon moyen d’exfoliation prédéterminé, de préférence inférieure ou égale au double d’un rayon minimum d’exfoliation prédéterminé.
Selon le troisième mode de réalisation illustré à la : - l’ensemble de cavités 200 est agencé : à la surface S proximale du premier substrat 1 de manière à s’étendre en-deçà de la zone plane d’implantation 100, et à la surface 20 du second substrat 2 ; - l’ensemble de cavités 200 est agencé de sorte que chaque cavité 200 présente au moins une dimension, dans le plan de la surface S proximale du premier substrat 1 et dans le plan de la surface 20 du second substrat 2, inférieure ou égale au double d’un rayon moyen d’exfoliation prédéterminé, de préférence inférieure ou égale au double d’un rayon minimum d’exfoliation prédéterminé.
Selon le quatrième mode de réalisation illustré à la , l’ensemble de cavités 200 est agencé à la surface S proximale du premier substrat 1 de manière à s’étendre au-delà de la zone plane d’implantation 100.
Procédé d’activation d’une couche exposée La présente invention concerne le domaine des procédés d’activation d’une surface d’une structure telle qu’un substrat. D’une manière générale, le domaine des dispositifs microélectroniques est visé. Elle trouve pour application particulièrement avantageuse le domaine du collage direct de substrats.
ETAT DE LA TECHNIQUE Il est connu de façon générale d’assembler plusieurs substrats par collage direct pour la fabrication de dispositif microélectronique. Pour cela, il existe des solutions mettant en œuvre un plasma d’activation permettant d’améliorer l’énergie de collage entre les substrats assemblés. Dans ces solutions, la couche exposée d’un substrat est typiquement traitée par un plasma d’activation à base d’oxygène ou d’azote, préalablement à l’assemblage. En pratique, l’énergie de collage obtenue reste trop limitée.
L’injection d’un gaz fluoré, tel que le tétrafluorure de carbone de formule chimique CF 4 ou l’hexafluorure de soufre de formule chimique SF 6 dans un plasma d’activation à base d’oxygène permet d’augmenter l’énergie de collage entre deux substrats assemblés suite à ce traitement. Cette solution s’avère limitée en pratique, notamment en raison d’une gravure de la couche exposée lors du traitement par le plasma d’activation.
- les produits antirides ;
- les produits pour le rasage (savons, mousses, lotions) ;
- les produits de maquillage et démaquillage ; et
- les produits destinés à être appliqués sur les lèvres.
Le refroidissement d’une crème avant son application sur la peau d’un utilisateur permet d’optimiser son efficacité et d’obtenir en même temps un effet rafraîchissant bénéfique sur le teint, les pores et la tonification de la peau. Le refroidissement des soins pour les yeux permet d’optimiser leurs efficacités et d’obtenir un effet de réduction des poches et des cernes. En effet, les effets décongestionnants et tenseurs sont décuplés par le froid.
Selon un mode de réalisation de l’invention, l’appareil de refroidissement et/ou de chauffage pourrait comporter plus de trois dispositifs de réception de types différents, et par exemple entre trois et dix dispositifs de réception de types différents.
La présente invention concerne en outre un procédé de refroidissement et/ou de chauffage d’un dispositif de traitement corporel, comprenant les étapes suivantes :
- prévoir un appareil de refroidissement et/ou de chauffage selon la présente invention,
- sélectionner parmi, au moins les premier et deuxième dispositifs de réception, le dispositif de réception configuré pour recevoir le type de dispositif de traitement corporel à refroidir ou réchauffer,
- fixer de manière amovible le dispositif de réception sélectionné au boîtier,
- alimenter électriquement le dispositif thermoélectrique de manière à refroidir ou réchauffer le dispositif de traitement corporel positionné dans l’emplacement de réception.
est une vue en perspective d’un appareil de refroidissement et/ou de chauffage selon la présente invention équipé d’un premier dispositif de réception dont le capot de recouvrement occupe une position de recouvrement.
est une vue en perspective de l’appareil de refroidissement et/ou de chauffage de la équipé du premier dispositif de réception, dans laquelle le capot de recouvrement du premier dispositif de réception occupe une position de chargement.
est une vue en coupe de l’appareil de refroidissement et/ou de chauffage de la équipé du premier dispositif de réception, selon un plan de coupe vertical.
De plus, selon une autre caractéristique de l’invention tous les poinçons 8 de forme hélicoïdale équipant un porte-poinçons 7 sont enroulés de façon concentrique autour d’un même axe de symétrie X. Ainsi, le porte-poinçons 7 comporte un axe de symétrie X qui est commun à l’ensemble des poinçons 8 de forme hélicoïdale.
Selon une caractéristique préférée de réalisation, les poinçons 8 de forme hélicoïdale équipant un porte-poinçons 7 sont répartis de manière symétrique autour de l’axe de symétrie X, comme cela apparait clairement aux , 6, 8 et 11B par exemple. Selon une variante de réalisation, les poinçons 8 de forme hélicoïdale sont montés sur le porte-poinçons 7 de manière à être disposés selon au moins deux couronnes concentriques comme cela apparait dans l’exemple de réalisation illustré aux et 8. Ainsi, le porte-poinçons 7 est pourvu d’une première série de huit poinçons 8 de forme hélicoïdale disposés selon une couronne externe qui est concentrique à une couronne interne selon laquelle sont répartis trois poinçons 8 de forme hélicoïdale. Avantageusement, les huit poinçons 8 de forme hélicoïdale sont distribués angulairement de manière régulière selon la couronne externe tandis que les trois poinçons 8 de forme hélicoïdale sont aussi répartis angulairement de manière régulière sur la couronne interne.
Chaque poinçon 8 de forme hélicoïdale est enroulé autour de l’axe de symétrie X selon un pas d’enroulement P déterminé. Le pas P d’un poinçon 8 de forme hélicoïdale correspond à la distance prise sur l’hélice entre les deux points consécutifs d’intersection avec une droite parallèle à l’axe de symétrie X. Selon une caractéristique de l’invention, lorsque le porte-poinçons 7 est pourvu de plusieurs poinçons de forme hélicoïdale, tous les poinçons 8 de forme hélicoïdale équipant un porte-poinçons 7 possèdent un même pas d’enroulement P.
Avantageusement, le pas d’enroulement P qui, exprimé en °/mm, est compris entre 1° et 90°/mm. De préférence, le pas d’enroulement est compris entre 3,6° et 36°/mm en considérant qu’un pas d’enroulement de 3,6°/mm équivaut à un pas d’enroulement de 100 mm et qu’un pas d’enroulement de 36°/mm équivaut à un pas d’enroulement de 10 mm. Comme cela sera mieux compris dans la suite de la description, le pas d’enroulement P du poinçon de forme hélicoïdale correspond au pas des canaux 2 obtenus dans l’extrudat.
Il doit être noté que chaque poinçon 8 possède une partie de forme hélicoïdale entre une extrémité distale Ed et une extrémité proximale Ep. Selon une caractéristique de l’invention, chaque poinçon 8 possède une partie de forme hélicoïdale dont la longueur prise suivant l’axe de symétrie X est égale ou supérieure au quart du pas d’enroulement P.
Chaque poinçon 8, 8a est fixé de toute manière appropriée au porte-poinçons 7. Les poinçons 8, 8a s’étendent ainsi en saillie ou en porte à faux selon un côté du porte-poinçons 7. Typiquement, la partie de forme hélicoïdale du poinçon 8 prise entre une extrémité distale Ed et une extrémité proximale Ep est prolongée par une partie de raccordement ou de fixation Er au porte-poinçons. Par exemple dans l’exemple illustré à la , le poinçon 8 de forme hélicoïdale se prolonge au-delà de son extrémité proximale Ep, par une partie de raccordement Er de forme hélicoïdale fixée sur le porte-poinçons 7 tandis que le poinçon rectiligne centré 8a est fixé sur l’extrémité du porte-poinçons 7. Dans l’exemple illustré à la , le poinçon 8 de forme hélicoïdale se prolonge au-delà de son extrémité proximale Ep, par une partie de raccordement Er de forme rectiligne, faisant partie du poinçon rectiligne centré 8a et fixée au porte-poinçons 7. Dans les exemples illustrés aux figures 5 et 7, les poinçons 8 de forme hélicoïdale sont emmanchés dans le porte-poinçons 7, par la partie de raccordement Er tandis que l’extrémité du poinçon rectiligne centré 8a est également emmanchée dans le porte-poinçons 7. Dans l’exemple illustré aux figures 11A, 11B, les parties de raccordement Er des poinçons 8 de forme hélicoïdale convergent vers la partie centrale du porte-poinçons 7 et plus précisément autour de l’extrémité du poinçon rectiligne centré 8a. Comme cela ressort des dessins, les parties de raccordement Er des poinçons 8 de forme hélicoïdale forment ensemble un cône convergent vers le porte-poinçons 7, permettant de délimiter autour, un volume de collecte 7c dont la fonction apparaitra dans la suite de la description.
Il est à noter que le porte-poinçons 7 et les poinçons 8, 8a peuvent être réalisés de toute manière appropriée. Par exemple, le porte-poinçons 7 et les poinçons 8, 8a peuvent se présenter sous la forme d’une pièce monobloc obtenue par électroérosion par exemple. Selon un autre mode de fabrication, les poinçons 8, 8a peuvent être séparément fabriqués puis fixés par exemple par sertissage sur le porte-poinçons 7 ou dans des logements aménagés dans le porte-poinçons 7. Classiquement, le porte-poinçons 7 est conçu ou aménagé pour présenter un ou plusieurs passages 7a permettant à la composition céramique de traverser le porte-poinçons. Il est à noter que le porte-poinçons 7 illustré aux figures 11A, 11B n’est pas ajouré mais plein dans la mesure où les parties de raccordement Er des poinçons et les poinçons entre eux délimitent des espaces pour le passage de la composition céramique arrivant latéralement en périphérie.