INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Selon un aspect de l’invention, le matériau à changement de phase est un matériau à base d’aluminium, un sel ou une cire de la famille des paraffines.
Selon un aspect de l’invention, la machine électrique comprend une couronne thermique en contact avec le stator, la couronne thermique comprenant des ailettes de refroidissement.
La représente sous forme de schéma électronique le composant de commutation et les capacités parasites le reliant à la semelle 46. Le composant 30 est schématisé par un transistor. Comme évoqué plus haut d’autres composants de commutation peuvent être mis en œuvre dans le cadre de l’invention. Une première capacité 54 est formée entre d’une part la puce 32 et sa métallisation et d’autre part le plan conducteur 50. Le substrat 34 frome le diélectrique de la capacité 54. Une seconde capacité 56 est formée entre le plan conducteur 50 et la semelle 46 qui est raccordée au potentiel d’une tension de référence telle qu’une masse électrique. Le film isolant 52 frome le diélectrique de la capacité 56. Vu la disposition du plan conducteur 50 entre le substrat 34 et la semelle 46, les deux capacités 54 et 56 peuvent être considérées comme raccordées en série.
Le composant 30 comprend en outre un contact électrique 58 configuré pour raccorder électriquement le plan conducteur 50. Le raccordement permet de réaliser un filtre avec un composant électronique qui peut être extérieur au composant 30. Dans le schéma de la , le contact électrique 58 apparait au point commun des deux capacités 54 et 56. On peut par exemple raccorder le plan conducteur 50 à une prise de masse électrique du composant 30, par l’intermédiaire d’une résistance R. La prise de masse électrique 60 peut être raccordée à toute tension de référence. En raccordant la prise de masse électrique 60 au potentiel de la semelle 46, il y a peu de différence de potentiel aux bornes de la capacité 56. Il est ainsi possible de réduire l’épaisseur de l’isolation entre le plan conducteur 50 et la semelle 46. Lors d’essais réalisés en interne, la demanderesse a constaté qu’une résistance d’un Ohm donnait de bons résultats pour atténuer certaines fréquences indésirables. Plus précisément, dans un onduleur sans le plan conducteur, des courants parasites circulant dans la masse et présentant des pics d’amplitude autour d’1MHz ont été constatés. En mettant en œuvre pour chaque composant de commutation de l’onduleur, un plan conducteur associé à une résistance d’un un Ohm, les pics étaient atténués d’une vingtaine de dB.
D’autres types de composants passifs ou même actifs peuvent être raccordés au contact électrique 58. On peut notamment raccorder entre le contact électrique 58 et une tension de référence en complément ou à la place de la résistance R des composants passifs de type capacité et/ou inductance. Ces composants peuvent être disposés dans le boîtier du composant de commutation 30. Le contact électrique est alors un prolongement du plan conducteur débordant du substrat 34. Le contact électrique 58 peut aussi être une partie du plan conducteur 50. La résistance R ou, de façon plus générale, le composant raccordé au contact électrique 58 peut être monté en surface sur le substrat 34. Alternativement le contact électrique 58 peut sortir du composant et permettre à un concepteur d’équipements dans lequel on peut par exemple retrouver le redresseur 12, le convertisseur 14 et la charge 18 de choisir un composant à raccorder au contact électrique 58, composant adapté à l’équipement et aux courants parasites qu’il constate.
La représente plusieurs composants de commutation possédant une semelle commune 46. La représente sous forme de schéma électronique un convertisseur 14 de type onduleur triphasé dans lequel l’invention est mise en œuvre. Comme indiqué plus haut, l’invention peut être mise en œuvre dans tout type de convertisseur, quel que soit le nombre de composant de commutation. Les figures 4 et 5 s’intéressent aux convertisseurs mettant en œuvre plusieurs composants de commutation. Dans ces convertisseurs, il est avantageux de mutualiser le plan conducteur qui devient commun aux différents composants de commutation ou tout au moins à un groupe de plusieurs composants de commutation du convertisseur. La décrit un onduleur. Il est bien entendu que la mutualisation d’un plan conducteur peut s’appliquer à tout type de convertisseur, par exemple dans un redresseur.
La représente deux composants de commutation 30. A la différence du composant 30 décrit de façon isolé à l’aide de la , sur la , la semelle 46 et le plan conducteur 50 sont communs aux deux composants de commutation 30. Sur la , le film isolant 52 est également commun aux deux composants de commutation 30. Comme précédemment, tout autre moyen d’isolation du plan conducteur 50 par rapport à la semelle 46 reste possible. Le contact électrique 58 est associé au plan conducteur 50 et est également commun aux deux composants de commutation 30.
L’onduleur 14, représenté schématiquement sur la , permet de fournir trois phases 14u, 14v et 14w en tension alternative à partir de deux tensions continue 14+ et 14-. L’onduleur 14 comprend deux groupes de composants de commutation. Le premier groupe comprend des transistors repérés T+ et permettant de commuter la tension continue 14+. Chaque transistor T+ du premier groupe contribue à la fourniture d’une des phases 14u, 14v et 14w. De même, le second groupe comprend des transistors repérés T- et permettant de commuter la tension continue 14-. Chaque transistor T- du second groupe contribue à la fourniture d’une des phases 14u, 14v et 14w.
Les trois transistors T+ du premier groupe possèdent un plan conducteur commun 50+ et les trois transistors T- du second groupe possèdent un plan conducteur commun 50-. Le convertisseur 14 peut ne comprendre qu’une seule semelle commune à tous les transistors T+ et T-. la semelle est par exemple raccordée à une masse électrique d’un équipement dans lequel le convertisseur 14 est intégré. Alternativement, il est possible de prévoir deux semelles distinctes 46+ et 46-, une par groupe de transistors T+ d’une part et T- d’autre part. Les deux semelles 46+ et 46- peuvent être raccordées à une même tension de référence ou à deux tensions de référence distinctes. Par exemple, la semelle 46+ associée aux transistors T+ peut être raccordée à la tension continue 14+ et la semelle 46- associée aux transistors T- peut être raccordée à la tension continue 14- comme illustré sur la . Il est aussi possible de raccorder la semelle 46+ à la tension continue 14- et la semelle 46- à la tension continue 14+.
La présence de deux plans conducteurs 50+ et 50- entraine la présence de deux capacités, respectivement 54+ et 54-, d’une part entre les transistors T+ le plan conducteur 50+ et d’autre part entre les transistors T- le plan conducteur 50-. Associé à chaque plan conducteur 50+ et 50-, on retrouve un contact électrique 58, respectivement 58+ et 58-. Sur la , on retrouve deux capacités 56+ et 56- formée entre le plan conducteur, respectivement 50+ et 50- et leur semelle correspondante ou à la semelle commune à tous les transistors T+ et T-.
Il est aisé de transposer le schéma décrit de la à d’autres types de convertisseur, par exemple au redresseur 12 en pont complet, c’est à dire comprenant quatre diodes de redressement. On peut y définir un premier groupe de deux diodes commutant une des phases d’une tension alternative et un second groupe de deux diodes commutant l’autre phase de la tension alternative. Dans un tel redresseur, un premier plan conducteur peut être commun au premier groupe de diodes et un second plan conducteur peut être commun au second groupe de diodes.
On a vu, à l’aide de la , que le plan conducteur pouvait être raccordé à une tension de référence par l’intermédiaire de tout type de composant, actif ou passif. La tension de référence peut être par exemple, la masse électrique 60 de l’équipement dans lequel l’onduleur 14 est mis en œuvre. La tension de référence peut aussi est l’une des tensions continues 14+ ou 14-. Il est également possible de dissocier la tension de référence. Plus précisément, le contact électrique 58+ peut être raccordé, directement ou par l’intermédiaire de composants de type R, L, C, à la tension continue 14+. Par ailleurs, le contact électrique 58- peut être raccordé, directement ou par l’intermédiaire de composants de type R, L, C, à la tension continue 14-. Dans l’onduleur 14, le plan conducteur 50+ est raccordé à une tension de référence par l’intermédiaire d’une inductance L+ et le plan conducteur 50- est raccordé à la même tension de référence 60 par l’intermédiaire d’une inductance L-. Sur la , les deux inductances L+ et L- possèdent un point commun raccordé à une même tension de référence. Alternativement, il est possible de dissocier les tensions de référence auxquelles sont raccordées les deux inductances L+ et L-. Par exemple, l’inductance L+ peut être raccordée à la tension continue 14+ et l’inductance L- peut être raccordée à la tension continue 14-.
Les deux inductances L+ et L- peuvent être couplées par exemple en les enroulant sur un même noyau magnétique. En complément des deux inductances L+ et L-, il est possible d’ajouter d’autres composants passifs ou actifs. Comme évoqué plus haut, il est possible de raccorder entre le point commun des deux inductances, ou entre chaque inductance et la tension de référence respective, des composants passifs de type résistance et/ou capacité et/ou inductance.
La mise en œuvre de deux inductances couplées en mode commun peut être réalisée pour tout autre type de convertisseur et notamment pour le redresseur (12).
Dispositif et système d’interface entre un attelage de tracteur agricole et un outil La présente invention appartient au domaine général du machinisme agricole, notamment des liaisons mécaniques [tracteur – outil] permettant d’atteler et de manœuvrer un outil monté sur un tracteur, et concerne plus particulièrement un dispositif et un système d’interface entre l’attelage d’un tracteur agricole et un outil de travail du sol.
Etat de l’art On connait différents dispositifs de liaison permettant de relier mécaniquement un tracteur agricole à des outils de travail du sol (cultivateur, bineuse, herse, etc.). En règle générale, ces liaisons sont présentes sur le tracteur. Certaines consistent en des éléments mécaniques pour l’accrochage de l’outil au tracteur, d’autres correspondent à des connexions pour une transmission de puissance du tracteur vers l’outil.
Selon la nature de l’outil, la liaison avec le tracteur peut être réalisée avec différents attelages qui peuvent être positionnés aussi bien à l’arrière qu’à l’avant du tracteur.
Les attelages dits trois points sont utilisés sur les tracteurs depuis de nombreuses décennies pour y monter divers outils, et comportent principalement une combinaison de trois barres (ou bras), une barre supérieure et deux barres inférieures, chacune étant articulée à ses extrémités à des points respectifs sur le tracteur et sur l'outil.
Dans ce mode de réalisation alternatif, l’élément de sortie 5 est couplé à la première bride 30 et à la deuxième bride 40 et lesdites brides peuvent former le deuxième élément tournant 2. Ainsi, le couple est transmis directement entre la deuxième bride 40 et le moyeu 5 lorsque le dispositif 100 tourne dans le sens direct et est transmis directement entre la première bride 30 et l’élément de sortie 5 lorsque le dispositif 100 tourne dans le sens indirect.
Ainsi, lorsque le dispositif 100 se trouve dans la première polarité de couple, le premier élément tournant 1 a tourné, par rapport à la position angulaire de repos, dans le sens direct (flèche D) jusqu’à une position de fin de course. Dans cette position, les ressorts 13, 14 sont comprimés entre les premières zones d’appui du premier élément tournant 1 et les pattes de compression 42 de la deuxième bride 40.
Dispositif d’amortissement de torsion pour une chaîne de transmission La présente invention se rapporte au domaine de la transmission de couple dans les dispositifs motorisés, et concerne plus particulièrement un dispositif d’amortissement de torsion pour une chaîne de transmission d’un véhicule.
Les véhicules motorisés comportent généralement de tels dispositifs d’amortissement de torsion qui peuvent être intégrés dans divers éléments de la chaîne de transmission comme au sein d’un volant moteur à double volant amortisseur, d’un disque d’embrayage ou encore d’un limiteur de couple. Ce type de dispositif d’amortisseur de torsion est notamment installé dans des éléments de la chaîne de transmission afin de filtrer au moins en partie des acyclismes du moteur, et/ou d’autres oscillations de torsion. Ce filtrage est typiquement réalisé par un ou plusieurs amortisseurs de torsion qui sont des combinés de ressorts-amortisseurs travaillant en torsion et permettant, au cours de la transmission de couple, un mouvement de rotation relative d’un premier élément tournant de transmission d’un couple, couplé en amont de la chaîne de transmission, et d’un deuxième élément tournant de transmission du couple, couplé en aval de la chaîne de transmission.
La rotation relative peut être permise par des ressorts et l’amortissement peut être réalisé au moins en partie par une coopération entre les ressorts et une rondelle d’actionnement, faisant le lien entre un desdits ressorts et un élément tournant. La rondelle d’actionnement permet d’une part de limiter les frottements entre les ressorts et l’élément tournant et d’autre part de compresser le ressort lors d’une utilisation particulière du dispositif d’amortissement de torsion. Cependant, la zone de contact entre le ressort et la rondelle d’actionnement peut être insuffisant, provoquant un mauvais positionnement de l’extrémité du ressort contre la rondelle d’actionnement lors de la compression du ressort et/ou de la détente dudit ressort.
La présente invention apport une solution à ce problème technique et vise à optimiser le contact entre le ressort et la rondelle d’actionnement afin de limiter le risque de mauvais positionnement du ressort par rapport à la rondelle d’actionnement.
Dans ce contexte, la présente invention a pour principal objet un dispositif d’amortissement de torsion pour une chaîne de transmission de véhicule, comprenant un premier élément tournant de transmission d’un couple doté d’au moins un logement, un deuxième élément tournant de transmission du couple et un dispositif élastique interposé entre le premier élément tournant et le deuxième élément tournant et autorisant, lorsqu’il se déforme, une rotation relative autour d’un axe de rotation entre le premier élément tournant et le deuxième élément tournant, le dispositif élastique comportant au moins un ressort s’étendant le long d’un axe de révolution perpendiculaire à l’axe de rotation, le dispositif d’amortissement de torsion comprenant au moins un embout disposé entre une extrémité longitudinale du ressort et un bord du premier élément tournant participant à délimiter au moins en partie le premier logement, le dispositif d’amortissement comprenant au moins une rondelle d’actionnement s’étendant dans un plan perpendiculaire à l’axe de rotation et configurée pour comprimer le ressort par son extrémité longitudinale pourvue de l’embout, la rondelle d’actionnement comprenant au moins une patte s’étendant au moins en partie entre l’embout et le bord du premier élément tournant, caractérisé en ce que la patte présente une zone d’appui sur l’embout au travers de laquelle l’axe de révolution du ressort passe.
On comprend que la zone d’appui s’étend au moins en partie dans un plan et que l’axe de révolution du ressort est sécant à ce plan. Ainsi, au moins une portion de la patte s’étend au travers de l’axe de révolution du ressort.
Avantageusement, le dispositif d’amortissement de torsion comprend un premier organe de transmission de coupe et un deuxième organe de transmission de couple, l’un et/ou l’autre des systèmes étant configurés pour entraîner en rotation le dispositif d’amortissement de torsion autour de l’axe de rotation.
Selon une caractéristique optionnelle de l’invention, le premier organe de transmission de couple comprend un moyeu autour duquel sont installés les éléments tournants.
L’attachement peut être effectué par exemple par collage par l’intermédiaire d’une couche diélectrique déposée sur au moins une des deux surfaces 9, 17 à coller. La couche diélectrique peut être par exemple une couche de verre déposée par centrifugation sur le substrat cible 5 selon la méthode spin-on glass (SOG). L’attachement peut être renforcé en soumettant la surface à coller, sur laquelle la couche diélectrique n’a pas été déposée, à un traitement adapté pour permettre ultérieurement un collage moléculaire hydrophile avec la surface sur laquelle la couche diélectrique a été déposée. L’attachement peut aussi être renforcé par un recuit thermique de densification, par exemple à une température d’environ 250°C. Dans ce cas, les forces mécaniques parasitaires induites par un différentiel de dilation thermique entre substrat support 15 et substrat cible 5 sont au moins partiellement palliées par l’attachement du substrat cible 5 au substrat de manipulation 3, du côté opposé au substrat support 15. Ainsi, les coefficients de dilatation thermique des substrats 3 et 15 de part et d’autre du substrat cible 5 sont similaires.
Ensuite, dans l’étape E15, le complexe 19 du substrat donneur 1 comprenant le substrat cible 5 fragilisé, attaché au substrat support 15, est fracturé le long de la zone de fragilisation 11 et séparé en deux parties : d’une part le substrat multicouches 21 final, tel qu’un substrat POI ou SOI, comprenant le substrat support 15 sur lequel la couche 13 délimitée du substrat cible 5 a été transférée, et d’autre part le reste du substrat donneur après l’étape de fracturation, désigné substrat donneur fracturé 23.
Le substrat donneur fracturé 23 peut être remis en état, ou rafraîchit, « refreshed » selon la terminologie anglo-saxonne, afin d’être resoumise à l’étape E12 de formation d’une zone de fragilisation 11. Ainsi les étapes E12, E13, E14, et E15 peuvent être répétées un nombre de fois à base d’un seul substrat donneur 1 original fourni, afin de réaliser plusieurs substrats multicouches 21 finaux, tels que des POI ou SOI. Le nombre de « refresh » possible par substrat donneur 1 est limité par l’épaisseur du substrat cible 5 du substrat donneur 1, dont une couche 13 est enlevée à chaque itération de « refresh ». Par contre, des défauts matériels présents dans le substrat cible 5 du substrat donneur 1 fourni dans l’étape E11 y demeurent, voir deviennent plus importants tout au long du procédé décrit en référence à la . Ces défauts sont transmis à l’étape E14 à chaque cycle sur le substrat support 15 par la couche 13 transférée. Une augmentation de qualité générale du substrat donneur 1 fourni dans l’étape E11 se cascade donc positivement sur tous les produits issus du procédé.
La reproduit graphiquement les résultats d’observation de fissurations sur un échantillon de substrats multicouches 21, par exemple POI ou SOI, fabriqués par le mode de réalisation du procédé de l’invention décrit ci-dessus. L’échantillon de la comprend 818 substrats donneurs 1 qui ont été fabriqués par le procédé de la en respectant des délais d’attente variés, allant jusqu’à une durée de 300h. Les substrats de l’échantillon comprennent un substrat de manipulation 3 en silicium (Si), un substrat cible 5 en LTO (La 2 Ti 2 O 7 ) et une couche adhésive 7 en NOA 61.
La montre un graphe concernant un échantillon de substrats multicouches 21 finaux suite à l’étape E15 du procédé de la dans un premier cycle de production. Le substrat donneur 1, à partir duquel l’échantillon de substrats 21 a été produit, n’a donc pas encore été soumis à un « refresh » dans le cadre d’un procédé SmartCut®. Chaque point sur le graphe correspond à un substrat multicouches 21 de l’échantillon pour lequel l’état de qualité, c’est-à-dire la présence ou absence de défauts matériels, a été observé et enregistré en fonction du délai d’attente respecté à l’étape E5 du procédé de fabrication du substrat donneur 1 de l’étape E11.
Ainsi, l’échantillon de substrats multicouches vérifiés est classifié et quantifié en trois groupes : sans défaut matériel (S), présentant une amorce de fissuration (A), et présentant une fissuration (F). Une amorce de fissuration est une fissuration qui ne traverse pas l’épaisseur du substrat.
Ainsi peuvent être déterminés, en fonction du délai d’attente respecté lors de la fabrication du substrat donneur 1, le taux d’absence de défaut matériel T_a = S/(S+A+F) et le taux d’absence de fissuration T_b = (S+A)/(S+A+F. Dans la , T_a est représenté par la référence 31 et T_b par la référence 33. Les courbes 31 et 33 représentant les taux T_a et T_b sont obtenus par une régression non linéaire des résultats statistiques des observations.
En étudiant les courbes 31 et 33 de la , il est apparent que plus la durée du délai d’attente de l’étape E4 respecté est longue, plus les taux T_a et T_b de substrats multicouches fabriqués sans défaut, respectivement sans fissuration, est haut. Ainsi, plus le délai d’attente est prolongé, plus la qualité de production obtenue augmente.
La permet d’identifier que de manière générale, le taux d’incidence de défaut matériel T_i (= 1 – T_a) peut être réduit en choisissant une durée prédéterminée d’au moins 24 h, préférentiellement d’au moins 48 h, et de préférence d’au moins 105 h. Ces valeurs permettent d’obtenir des gains particulièrement grands en qualité de substrats produits. Ainsi peuvent être lus dans le graphe de la des taux T_a d’absence de défaut matériel de l’ordre de 68%, 75% ou 81% pour ces délais de 24h, 48h et 105h respectivement. Par ailleurs peuvent être lus dans le graphe de la des taux de fissuration T_f (= 1 – T_b) d’approximativement 20%, 10%, et 5% pour ces délais de 24h, 48h et 105h respectivement, tel qu’identifié par la référence 35.
Par exemple, cette étude permet lire par la référence 37 qu’en respectant un délai d’attente de 105 h lors de l’étape E4, un gain de qualité de 21%, par rapport au niveau de défaut matériel sans respect de délai d’attente, est acquis.
En même temps, il est aussi apparent des courbes 31 et 33 de la que l’augmentation du gain en qualité de substrats donneurs fabriqués diminue plus le délai d’attente respecté est long. Or, il est préférable de ne pas interrompre les lignes de production et de retarder la production d’un substrat donneur trop longtemps. Ainsi, il est préférable de limiter le temps d’attente à au plus 300h, préférentiellement à au plus 200h, et de préférence à au plus 150h. En limitant ainsi la durée du délai d’attente, une bonne balance entre gain de qualité et ralentissement du flux de production peut être maintenue.
Selon une variante de l’invention, la durée prédéterminée de l’étape E4 peut être choisie, sur base des courbes 31 ou 33 élaborées par l’étude statistique représentée par la . Par exemple un objectif de qualité peut être fixé, et la durée du délai d’attente à respecter peut être lu sur la courbe 31 ou 33 concernées. Par exemple, en fixant un objectif qualité d’un taux de fissuration de au plus 3%, il suffit d’identifier le délai d’attente correspondant à la valeur T_b = 97%, qui correspond en l’occurrence à un délai 105 h. En ainsi basant la durée du délai d’attente sur les résultats de l’étude, le procédé est précisément adapté à l’objectif qualité désiré.
Alternativement, le temps d’attente prédéterminé de E4 peut être déterminé grâce une analyse du gradient des courbes 31 ou 33. Par exemple, la tangente de la courbe 31 à x=0h, ou alors l’extrapolation linéaire du taux T_a d’absence de défaut matériel entre x=0h et x=1h, peut être déterminée, comme indiqué par la référence 39. La tangente 39 peut être croisée avec l’asymptote 41 du taux T_a correspondant pour obtenir un délai d’attente de 70 h pour une valeur T_b de 90% ou T_a de 78% de substrat multicouches 21.