INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
En outre, diverses formes de support lisible par ordinateur peuvent transmettre ou porter des instructions vers un ordinateur, telles qu'un routeur, une passerelle, un serveur, ou tout équipement de transmission de données, qu'il s'agisse de transmission filaire (par câble coaxial, fibre optique, fils téléphoniques, câble DSL, ou câble Ethernet), sans-fil (par infrarouge, radio, cellulaire, microondes), ou des équipements de transmission virtualisés (routeur virtuel, passerelle virtuelle, extrémité de tunnel virtuel, pare-feu virtuel). Les instructions peuvent, selon les modes de réalisation, comprendre du code de tout langage de programmation informatique ou élément de programme informatique, tel que, sans limitation, les langages assembleur, C, C++, Visual Basic, HyperText Markup Language (HTML), Extensible Markup Language (XML), HyperText Transfer Protocol (HTTP), Hypertext Preprocessor (PHP), SQL, MySQL, Java, JavaScript, JavaScript Object Notation (JSON), Python, et bash scripting.
De plus, les termes «notamment», «par exemple», «exemple», «typiquement» sont utilisés dans la présente description pour désigner des exemples ou illustrations de modes de réalisation non limitatifs, qui ne correspondent pas nécessairement à des modes de réalisation préférés ou avantageux par rapport à d'autres aspects ou modes de réalisation possibles.
Les termes «couplé de manière opérationnelle», «couplé», «monté», «connecté» et leurs variantes et formes diverses utilisés dans la présente description font référence à des couplages, connexions, montages, qui peuvent être directs ou indirects, et comprennent notamment des connexions entre équipements électroniques ou entre des portions de tels équipements qui permettent des opérations et fonctionnements tels que décrits dans la présente description. De plus, les termes «connectés» et «couplés» ne sont pas limités à des connections ou des couplages physiques ou mécaniques. Par exemple, un couplage de manière opérationnelle peut inclure une ou plusieurs connexion(s) filaire(s) et/ou une ou plusieurs connexion(s) sans-fil entre deux équipements ou plus qui permettent des liaisons de communication simplex et/ou duplex entre les équipements ou des portions des équipements. Selon un autre exemple, un couplage opérationnel ou une connexion peut inclure un couplage par liaison filaire et/ou sans-fil pour permettre des communications de données entre un serveur du système proposé et un autre équipement du système.
De surcroît, la présente description fait référence à différents échanges de données. Les échanges de données peuvent notamment se faire via des communications cellulaires selon un génération de standards pour la téléphonie mobile, telle la deuxième génération, 2G, troisième génération, 3G, quatrième génération, 4G, cinquième génération, 5G, ou toute génération ultérieure. Additionnellement, la présente description fait référence à des échanges de données en provenance et/ou à destination de véhicules connectés. Dans ce cadre, les échanges de données incluant un véhicule connecté peuvent être régis par des normes associées aux domaines des systèmes de transport intelligents, ou « Intelligent Transport System, ITS » et aux communications de Véhicule-avec-Tout, ou « Vehicle-to-Everything, V2X ». En particulier, les organismes de normalisation suivants : l’Institut Européen des normes de télécommunications, « European Telecommunications Standards Institute, ETSI » ; l’Organisation Internationale de Normalisation, « International Organization for Standardization, ISO » ; le Comité Européen de Normalisation, CEN ; « 3rd Generation Partnership Project, 3GPP », l’institut des ingénieurs électriciens et électroniciens, « Institute of Electrical and Electronics Engineers, IEEE » ; et la Société des Ingénieurs de l’Automobile, « Society of Automotive Engineers, SAE » ; peuvent régir les normes en vigueur dans cette description. Bien entendu, d’autres normes et d’autres organismes de normalisation peuvent être considérés.
Les communications de type Véhicule-avec-Tout, V2X, peuvent notamment inclure des communications de type Véhicule-à-Véhicule, « Vehicle-to-Vehicle, V2V », et/ou des communications de type Véhicule-à-Infrastructure, « Vehicle-to-Infrastructure, V2I », et/ou des communications de type Véhicule-à-Piéton, « Vehicle-to-Pedestrian, V2P », et/ou des communications de type Véhicule-à-Réseau, « Vehicle-to-Network, V2N ». Les communications de type V2V peuvent permettre des échanges de messages entre véhicules connectés. Les échanges de messages entre véhicules connectés, V2V, peuvent par exemple être des indications d’intentions de conduite comme par exemple, des indications de freinage ou encore de changement de voie. Les communications de type V2I peuvent permettre des interactions avec une infrastructure routière, par exemple un feu de circulation routière connecté. Les communications de type V2P peuvent permettre des échanges de données avec des piétons, ce qui peut par exemple permettre une détection d’usagers plus vulnérables partageant l’environnement routier. Les communications de type V2N peuvent désigner une interaction du véhicule connecté avec le réseau cellulaire. Les communications de type V2N2x peuvent désigner une interaction du véhicule connecté avec le réseau cellulaire dans laquelle le réseau cellulaire peut également être en interaction avec un élément x en fonction de l’interaction du véhicule connecté avec le réseau cellulaire. Par exemple, si l’élément x est un second véhicule, une communication de type V2N2V peut désigner des interactions indirectes entre les deux véhicules, via le réseau cellulaire.
Les communications de type V2N peuvent être associées à un mode de communication dit à portée longue, « long range ». En particulier, le mode à portée longue peut se baser sur les générations de standards pour la téléphonie mobile et/ou sur les normes 3GPP.
Les communications de type V2X peuvent être associées à un mode de communication dit à portée courte, « short range ». Le mode de communication à portée courte peut être défini sur une bande ITS à 5.9GHz allant de 5855 MHz à 5925 MHz. Le mode de communication à portée courte peut utiliser des technologies basées par exemple sur le WiFi et les normes IEEE : 802.11p/DSRC/ITS-G5, ou être de type optique, par exemple selon les normes 802.11.bb, 802.15.3 ou G.9991.
Alternativement ou en combinaison, le mode de communication à portée courte peut utiliser des technologies basées sur le réseau cellulaire et les normes 3GPP, ce qui peut être désigné par le terme C-V2X pour « Cellular-V2X », permettant un mode de communication direct, dit « sidelink » utilisant la bande ITS.
La montre, à titre d’exemple non limitatif d’équipement de régulation de trafic routier, un exemple d’unité de traitement 10 selon un ou plusieurs modes de réalisation.
- inscription dans la mémoire tampon du caractère lu à partir de la frappe clavier émulée.
L’utilisation d’une émulation de frappe clavier, par exemple du type KeyboardEvent pour le navigateur Mozilla Firefox, permet de transmettre la chaîne de caractères d’entrée à l’application, caractère par caractère. Il est en outre possible d’optimiser cette transmission, en analysant les caractères un à un, comme on le verra ci-après.
Selon une caractéristique particulière, on ignore l’inscription du caractère lu si la frappe clavier appartient à un groupe d’évènements prédéterminé.
Ce groupe d’évènements, qui peut comprendre par exemple les touches Alt, CapsLock, Control, Fn, NumLock, Process, Shift…, peut interférer avec l’application, car celle-ci est exécutée par un navigateur donné au sein d’un système d’exploitation donné. Cela évite ainsi des incidents de saisie, par exemple la perte du focus sur le navigateur, ou un onglet de ce navigateur, exécutant l’application, ou la fermeture de l’un des éléments de la pile de transmission, …
Selon une caractéristique particulière, l’inscription du caractère lu dans la mémoire tampon comprend le vidage de la mémoire tampon avant l’inscription effective du caractère lu si la durée entre la frappe clavier et une frappe clavier précédente excède un seuil prédéterminé.
Cette condition supplémentaire permet de distinguer les saisies manuelles effectuées au clavier de l’émulation de frappes clavier induite par l’obtention de la donnée de lecture, une saisie manuelle étant typiquement bien plus lente que l’émulation de frappes clavier. On peut également envisager un seuil adaptatif afin de distinguer les saisies manuelles, au rythme saccadé, du résultat de l’émulation de frappes clavier, bien plus régulier.
Dans un exemple de réalisation, le seuil prédéterminé est d’environ 500 ms. Cette valeur de seuil est un compromis entre un seuil trop faible – le moindre ralentissement de la pile de transmission lecteur/application entraînant un vidage indu de la mémoire tampon – et un seuil trop élevé – ce critère ne discriminant plus de manière satisfaisante les saisies manuelles de l’émulation de frappes clavier.
Selon une caractéristique particulière, les différentes chaînes de caractères (PREFIX, SUFFIX, C_PREFIX, C_SUFFIX, AIM_ID, SUB_STR) ajoutées au cours du procédé comprennent des caractères inclus dans la table ASCII non-étendue. Ainsi, la chaîne de caractères d’entrée issue des différentes étapes du procédé est encodée sous un format ASCII non étendu, garantissant ainsi une compatibilité avec un très grand nombre de systèmes d’exploitation et de navigateurs.
Selon une caractéristique particulière, le préfixe débute par la chaîne de caractères « {@} ». Cette chaîne de caractères particulière présente plusieurs avantages. Le caractère accolade ouvrante « { » (tout comme l’accolade fermante) nécessite usuellement un appui simultané sur deux touches d’un clavier (par exemple AltGr et la touche 4 en disposition AZERTY), ce qui rend improbable une saisie manuelle comprenant ce caractère tout en respectant le critère d’un délai réduit entre deux frappes clavier. Employer ce caractère crochet avant le caractère arobase @ permet d’éviter que la saisie d’une adresse e-mail n’interfère avec l’émulation de frappes clavier, sauf à ce que cette adresse e-mail comprenne une accolade ouvrante juste avant l’arobase. Ce choix de début de préfixe présente également l’avantage de pouvoir saisir des adresses e-mail (avec un arobase) sans interception par le procédé de l’invention (dit autrement, sans annulation de la propagation de l’évènement clavier lié à la frappe sur la touche @, puisqu’elle n’est jamais précédée de l’accolade ouvrante « { »). Si jamais un utilisateur venait à souhaiter entrer une accolade ouvrante, il suffirait à l’utilisateur de frapper deux fois sur la touche (la première frappe verrait sa propagation annulée par le procédé, mais la deuxième non). Cette contrepartie concernant la touche crochet ouvrant (rarement saisie) permet l’intégration transparente du procédé dans un ordinateur et au sein d’un navigateur. Des caractéristiques similaires peuvent être retranscrites pour tout type de disposition de clavier (QWERTY par exemple) avec des caractères différents.
Selon une caractéristique particulière, la transmission de la sous-chaîne de caractères à l’application serveur comprend :
- une étape de détermination de la présence, au sein de la sous-chaîne de caractères, d’une chaîne de caractères de symbologie représentative de la symbologie du code-barres dont est tirée la sous-chaîne de caractères ;
- une étape d’extraction d’une donnée utile à partir de la sous-chaîne de caractères et de la chaîne de caractères de symbologie lorsque présente.
Il est ainsi possible, au cours du traitement d’une chaîne de caractères, d’identifier le type d’information transporté. Cela permet en particulier d’identifier le format de la sous-chaîne de caractère, typiquement lorsque le code-barres dont la chaîne de caractères est issu est d’un type standard.
Selon une caractéristique particulière la transmission d’une sous-chaîne de caractères courante comprend, si la sous-chaîne de caractères courante est dépourvue d’une chaîne de caractères de symbologie,
- l’obtention d’une sous-chaîne de caractères précédente, transmise à l’itération précédente, et
- si ladite sous-chaîne de caractères précédente comporte une chaîne de caractères de symbologie relative à un format de code-barres du type identifiant un dispositif donné, association de la sous-chaîne de caractères courante à la sous-chaîne de caractères précédente.
Comme dans les exemples de réalisation précédemment décrits, la cellule 100 comporte la première couche de TCO 118 disposée contre une partie de la première face principale 112 (sans recouvrir les bords 120), et la deuxième couche de TCO 122 recouvrant la totalité de la deuxième face principale 114 et recouvrant également au moins des premières parties des première et deuxième couches collectrices de charges 104, 108 disposées du côté des faces latérales 116 du substrat 102. La cellule 100 comporte également les premiers contacts électriquement conducteurs 124 disposés contre la première couche de TCO 118 et les deuxièmes contacts électriquement conducteurs 126 disposés contre la deuxième couche de TCO 122.
Enfin, la cellule 100 comporte un revêtement antireflet 128 recouvrant au moins des deuxièmes parties de la première couche collectrice de charges 104 et/ou de la deuxième couche collectrice de charges 108 disposées contre du côté des faces latérales 116 du substrat 102 et non recouvertes par la deuxième couche de TCO 122, et recouvrant également les bords 120 de la première face principale 112. Dans l’exemple de réalisation représenté sur la , le revêtement 128 recouvre également :
Toutefois, toutes les configurations précédemment décrites en lien avec les figures 1 à 6 peuvent s’appliquer à la cellule 100 de type tandem sur semi-conducteur.
Les différentes étapes mises en œuvre pour réaliser la cellule 100 peuvent être mises en œuvre de manière collective pour réaliser simultanément plusieurs cellules photovoltaïques.
Dans les exemples de réalisation précédemment décrits, le revêtement antireflet 128 est déposé sur la cellule 100 avant que celle-ci soit connectée électriquement à d’autres cellules photovoltaïques. En variante, il est possible que le revêtement antireflet 128 soit déposé sur plusieurs cellules photovoltaïques 100 qui sont déjà connectées électriquement les unes aux autres.
PROCÉDÉS DE DURCISSEMENT D'UNE PÂTE CONDUCTRICE ET DE FABRICATION D'UNE CHAÎNE PHOTOVOLTAÏQUE ET ÉQUIPEMENT ASSOCIÉ DOMAINE TECHNIQUE DE L’INVENTION Le domaine technique de l’invention est celui du durcissement d'une pâte conductrice en vue d'interconnecter des cellules photovoltaïques de manière à former une chaîne photovoltaïque.
ARRIÈRE-PLAN TECHNOLOGIQUE DE L’INVENTION La conversion d'un rayonnement électromagnétique en énergie électrique est réalisée par des cellules photovoltaïques dont une des faces au moins est illuminée par ledit rayonnement électromagnétique. Les cellules photovoltaïques peuvent être connectées entre elles et agencées les unes à côtés des autres de manière à former un ensemble compact appelé module photovoltaïque.
La représente schématiquement un exemple de procédé 1 de fabrication d'un module photovoltaïque 17 à partir d'un substrat semi-conducteur 12. Dans l'exemple illustré, il s'agit d'un substrat à hétérojonction de silicium.
Le procédé 1 comprend dans un premier temps une étape de nettoyage et de texturation 111 du substrat 12. S'en suit une étape 112 de dépôt d'une couche de silicium amorphe et d'oxyde transparent conducteur sur chaque face du substrat 12 de manière à les protéger.
Une étape de métallisation 113 permet de former les éléments conducteurs tels que des doigts de collecte et un busbar. À l'issue de l'étape de métallisation 113, le substrat 12 forme une première cellule photovoltaïque 131, prête à être connectée à un système électrique et à être exposée à un rayonnement.
Une étape d'interconnexion 114 permet de connecter électriquement en série la première cellule 131 avec une deuxième cellule 132 de manière à former une première chaîne photovoltaïque 161, également appelée guirlande photovoltaïque ou « string » en anglais. Une cellule forme une jonction de type PN dont une première face constitue une base et une deuxième face constitue un émetteur. La connexion des première et deuxième cellules 131, 132 en série permet de former un circuit électrique capable de générer un courant électrique sous une tension de quelques volts. Lorsque la première chaîne 161 compte jusqu'à soixante cellules en série, elle peut générer un courant électrique sous une tension comprise entre 35 V et 40 V.
L'interconnexion 114 des première et deuxième cellules 131, 132 comprend dans un premier temps le dépôt d'au moins une portion d'une pâte conductrice 14 sur une face de chaque cellule 131, 132. Afin de connecter les cellules 131, 132 en série, la pâte conductrice 14 est par exemple déposé sur l'émetteur de la première cellule 131 et sur la base de la deuxième cellule 132. L'interconnexion 114 comprend ensuite le dépôt d'un fil conducteur ou d'un ruban conducteur 15 de sorte que ce dernier s'appuie sur chaque portion de pâte conductrice 14 de chaque cellule 131, 132. Enfin, l'interconnexion 114 comprend le durcissement de la pâte conductrice 14, connectant électriquement et mécaniquement le ruban conducteur 15 à chaque cellule 131, 132.
La première chaîne 161 est avantageusement connectée à au moins une deuxième chaîne 162 lors d'une étape de mise en place 115 également appelée « lay -up » en anglais. Les première et deuxième chaînes 161, 162 sont disposées côte à côte de manière à former un ensemble compact de cellules photovoltaïques. Les chaînes 161, 162 sont ensuite connectées en série de manière à former un système électrique capable de générer une puissance électrique conséquente. Les chaînes 161, 162 ainsi connectées et agencées sont ensuite insérées dans une matrice transparente lors d'une étape de lamination 116 de manière à former un ensemble 17 électriquement connecté et mécaniquement rigide, appelé module photovoltaïque. Le module photovoltaïque 17 est un composant fini mis en œuvre dans la production d'énergie électrique.
Un module photovoltaïque 17 peut montrer des problèmes de fiabilités électriques dues au la rupture de la conductivité électrique d'une chaîne dudit module. La coupure peut provenir d'un décollement d'un ruban conducteur d'une portion de pâte conductrice durcie ou un décollement de la portion de pâte conductrice durci d'une cellule.
Pour assurer le transport latéral des charges de l’absorbeur vers les métallisations, il convient d’utiliser des couches transparentes et conductrices, car le transport de ces charges par l’absorbeur seul ne suffit généralement pas. Ces couches servent à la fois de couches antireflets et de couches de transport latéral des charges, notamment sur la face de collection des porteurs minoritaires (c’est-à-dire les trous dans le cas d’un absorbeur en silicium cristallin dopé négativement). Ces couches correspondent à des couches de TCO (« Transparent Conductive Oxide » en anglais, ou oxyde transparent conducteur), et avantageusement d’ITO (oxyde d’indium et d’étain).
Lors de la réalisation de la cellule, les couches de TCO sont déposées du côté de la face avant (qui est la face exposée au rayonnement lumineux direct) et de la face arrière de la cellule. Du matériau de ces couches de TCO se retrouve toutefois sur les flancs latéraux, ou face latérales, de la cellule. Or, sur ces faces latérales, il convient d’éviter un chevauchement des couches de TCO avant et arrière pour éviter la formation de courts-circuits entre les parties dopées n et p de la cellule.
Pour éviter un tel chevauchement, le document Janke et al., « Quantifying & Reducing Edge Losses in Silicon Heterojunction Solar Cells », 36th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, 2CO.11.2, propose de recouvrir les bords de la face arrière d’une cellule à hétérojonction à émetteur inversé (jonction formée du côté de la face arrière de la cellule) par un masque lors du dépôt de la couche de TCO arrière. La présence de ce masque permet d’éviter le dépôt de TCO sur les bords de la face arrière de la cellule et éviter ainsi un contact avec la couche de TCO avant au niveau des faces latérales de la cellule. Néanmoins, cette technique entraîne le non recouvrement d’une partie de la face arrière de la cellule par le TCO, ce qui pénalise les performances de la cellule dans le cas d’une cellule à émetteur inversé. Ce document décrit également que le masquage des bords de la face avant de la cellule entraîne la création de courts-circuits entre les faces avant et arrière de la cellule. De plus, ne pas recouvrir toute la face avant de la cellule par du TCO est, dans le cas décrit dans ce document, problématique étant donné que cela réduit la surface de la cellule exposée à la lumière directe et qui est recouverte par une couche antireflets.
Les problèmes décrits ci-dessus pour une cellule photovoltaïque à hétérojonction se retrouvent également pour des cellules photovoltaïques de type TOPCon ou de type tandem sur semi-conducteur.
Un but de la présente invention est de proposer une cellule photovoltaïque à absorbeur de semi-conducteur cristallin et à contacts passivés, dans laquelle les courts-circuits entre les parties dopées p et n de la cellule sont évités, et dont les performances soient peu pénalisées par le non-recouvrement d’une partie de la cellule par le TCO, en limitant notamment les pertes optiques au sein de la cellule.
Pour cela, la présente invention propose une cellule photovoltaïque comprenant au moins :
- un ensemble comprenant au moins une jonction p-n incluant au moins un substrat de semi-conducteur cristallin dopé selon un premier type de conductivité, des première et deuxième couches de passivation recouvrant respectivement des première et deuxième faces principales opposées du substrat et chacune recouvrant également des faces latérales du substrat, une première couche collectrice de charges configurée pour extraire et collecter des charges du premier type de conductivité et disposée contre la première couche de passivation, et une deuxième couche collectrice de charges configurée pour extraire et collecter des charges d’un deuxième type de conductivité, opposé au premier type de conductivité, et disposée contre la deuxième couche de passivation, ledit ensemble comprenant en outre une première face principale disposée du côté de la première face principale du substrat et une deuxième face principale disposée du côté de la deuxième face principale du substrat ;
- une première couche d’oxyde transparent conducteur disposée contre une partie de la première face principale de l’ensemble et telle que des bords de la première face principale de l’ensemble ne soient pas recouverts par la première couche d’oxyde transparent conducteur ;
- une deuxième couche d’oxyde transparent conducteur recouvrant la totalité de la deuxième face principale de l’ensemble et recouvrant partiellement des premières parties de la première couche collectrice de charges et/ou de la deuxième couche collectrice de charges disposées du côté des faces latérales du substrat ;
- des contacts électriquement conducteurs disposés contre les première et deuxième couches d’oxyde transparent conducteur ;
- un revêtement antireflet recouvrant au moins partiellement des deuxièmes parties de la première couche collectrice de charges et/ou de la deuxième couche collectrice de charges disposées du côté des faces latérales du substrat et non recouvertes par la deuxième couche d’oxyde transparent conducteur, et recouvrant également les bords de la première face principale.
Dans cette cellule, il est proposé de réaliser des première et deuxième couches d’oxyde transparent conducteur telles que du côté de la deuxième couche collectrice de charges, la deuxième couche d’oxyde transparent conducteur recouvre entièrement la deuxième face principale de l’ensemble comportant la jonction p-n, ce qui permet de maximiser la collecte des charges minoritaires de ce côté de la cellule. Du côté de la première couche collectrice de charges, une bonne conduction latérale des charges vers les deuxièmes contacts électriquement conducteurs est obtenue dans cette cellule.