INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
- acquérir un paramètre de configuration, représentatif d’une configuration de connexion dans laquelle se trouve le système de convertisseurs et qui dépend d’au moins une source de puissance externe susceptible d’être connectée au système de convertisseurs, et d’un type de ladite source de puissance externe ;
- faire mettre en œuvre, par le groupe de convertisseurs maître, un algorithme de contrôle global permettant de synchroniser entre eux et de gérer des flux de puissance globaux entre les groupes de convertisseurs, l’algorithme de contrôle global étant défini en fonction du paramètre de configuration.
De la même manière, le deuxième empilement mémoire 30 comprend au moins une deuxième couche active 31, permettant d’encoder une information sous la forme d’une valeur de résistance. Les caractéristiques électriques des première et deuxième couches actives 21, 31, dont au moins les tensions de programmation et d’effacement, sont proches, voire identiques.
La réduction de l’encombrement de l’ensemble 1a résulte notamment du partage du même plot sélecteur pour les deux mémoires, et de l’orientation oblique (par rapport au plan P), et préférentiellement verticale, d’une partie au moins de la première couche active 21.
La première couche active 21 est connectée électriquement entre le premier contact électrique 50 et l’électrode supérieure de sélecteur 12. De la même manière, la deuxième couche active 31 est connectée électriquement entre le deuxième contact électrique 60 et l’électrode supérieure de sélecteur 12. Ainsi, l’électrode supérieure de sélecteur 12 est commune aux premier et deuxième empilements mémoire 20, 30. En d’autres termes, c’est la même électrode 12 qui connecte électriquement la couche sélectrice 11, d’une part à la première couche active 21, et d’autre part à la deuxième couche active 31. Les première et deuxième couches actives 21, 31 sont donc reliées électriquement l’une à l’autre par cette même électrode 12 conductrice, planaire. Cette électrode joue donc en quelque sorte un rôle de point milieu, entre les deux mémoires, d’un point de vue électrique (voir le schéma électrique équivalent de la ). Les premier et deuxième contacts 50, 60 sont en revanche isolés électriquement l’un de l’autre.
Par isolés électriquement, on entend sans contact électrique direct entre eux. En d’autres termes, il n’y a pas d’élément conducteur, par exemple métallique, les reliant directement.
L’ensemble 1a peut être enterré dans un oxyde de remplissage isolant 2a pouvant être un oxyde de silicium ou de la silice.
La variabilité des caractéristiques électriques de l’empilement sélecteur 10 peut être causée par des étapes de fabrication dudit empilement 10 ou des empilements mémoires 20, 30 introduisant des défauts dans une partie de la couche sélectrice 11. Les défauts sont généralement localisés au niveau de la surface latérale de la couche sélectrice 11 et notamment au niveau des troisième et quatrième flancs 111, 112, exposés à des étapes de gravure ou de dépôt. Les caractéristiques électriques au niveau de ces flancs sont alors modifiées localement. Il est alors prévu d’éloigner les troisième et quatrième flancs 111, 112 l’un de l’autre, pour qu’ils soient séparés par une distance D3 supérieure à une largeur D4 du via 40 qui connecte électriquement l’empilement sélecteur 10, en partie inférieure. En d’autres termes, la couche sélectrice 11 est disposée à l’aplomb du via inférieure 40 (c’est-à-dire qu’elle se superpose, au moins en partie, au via inférieur, en projection selon une direction verticale ; voire elle est alignée avec ce via, selon une direction verticale) et elle présente une distance D3, par exemple une largeur, supérieure à la largeur D4 du via inférieure 40. C’est alors au niveau d’une portion centrale 115 de la couche sélectrice 11 que cette couche devient conductrice, lorsque le sélecteur bascule à l’état passant. Autrement formulé, c’est seulement au niveau de cette portion centrale 115 que la couche sélectrice 11 est utilisée, d’un point de vue électrique. Et comme D3 est supérieure à D4, cette portion centrale 115 est éloignée des flancs 111, 112 de la couche sélectrice 11, et est donc peu ou pas influencée par les caractéristiques électriques au niveau des flancs 111, 112, possiblement dégradées par des opérations de gravure ou de dépôt des empilements mémoire. La portion centrale 115 de la couche sélectrice 11 présente ainsi une variabilité minimale de ses caractéristiques électriques.
La distance D3 séparant les troisième et quatrième flancs 111, 112 est supérieure à la largeur de la zone active (du canal de conduction) du sélecteur. Elle est par exemple comprise entre 60 nm et 100 nm, voire entre 70 nm et 90 nm. En effet, dans une couche sélectrice 11 ovonique, le canal de conduction métastable peut présenter une étendue planaire pouvant être comprise entre 40 nm et 60 nm, et qui dépasse rarement 80 nm. En augmentant ainsi la distance D3 séparant les troisième et quatrième flancs 111, 112, on réduit la variabilité des caractéristiques électriques de l’empilement sélecteur, fixées par celles du canal de conduction, situé loin des flancs (loin des bords).
L’orientation en partie verticale des premier et deuxième empilements mémoire 20, 30, et l’utilisation d’une couche sélectrice 11 commune, planaire, permet d’écarter les troisième et quatrième flancs 111, 112 l’un de l’autre, comme indiqué ci-dessus, pour réduire les problèmes de variabilité, sans augmenter l’encombrement de l’ensemble 1a, par rapport à des dispositif 1R1S de l’art antérieur, en tout cas du point de vue de l’encombrement selon la direction X représentée sur la (direction perpendiculaire aux premier et deuxième flancs). Cet aspect est expliqué plus en détail ci-dessous.
Dans la direction X, chaque empilement mémoire 20, 30 s’étend, à partir de la surface latérale 121, 122 de l’électrode supérieure 12, sur une deuxième distance D2 (dans le premier mode de réalisation, cette distance correspond en quelque sorte à l’épaisseur totale de l’empilement mémoire et de la couche métallique optionnelle 52 qui le recouvre). Par ailleurs, les surfaces latérales de la couche sélectrice 11 et de l’électrode supérieure 12 sont toutes deux décalées latéralement par rapport à une surface latérale 41, 42 du via inférieur 40 d’une première distance D1 non nulle. En d’autres termes, les flancs 121 et 111 sont tous deux décalés latéralement, par rapport à une portion, dite cinquième flanc 41, de la surface latérale 41, 42 du via inférieur 40de la première distance D1. De même, les flancs 112, 122 sont tous deux décalés latéralement, par rapport à un autre portion, dite sixième flanc 42, de la surface latérale 41, 42 du via inférieur 40, de cette distance D1 (on a donc D3 = D4+2·D1). La distance D1 est préférentiellement comprise entre 10 nm et 30 nm.
En pratique, la largeur D4 du via inférieure est limitée par la finesse de gravure, F (elle est par exemple égale à cette finesse F, pour réduire au maximum les dimensions du via), finesse qui vaut par exemple 40 nm. De même, la largeur D5 et D6 des contacts supérieurs 5 et 6 est limitée par la finesse F, par exemple égale, ou sensiblement égale à F. Ces deux contacts sont séparés par une distance D56 qui est souvent appelée « metal pitch », car elle correspond à la distance entre deux lignes (ou deux colonnes) métalliques de la matrice (en pratique, il s’agit aussi de la distance, selon la direction X, entre deux ensembles 1 adjacents). Le « metal pitch » est ici limité par la finesse F. Il est par exemple égal ou sensiblement égal à F, pour maximiser la densité de la matrice.
Dimensionner l’ensemble de sorte que la somme D1+D2 soit, comme ici, inférieure ou égale à la largeur D5 (largeur selon la direction X) du contact supérieur 50 permet alors de loger sous ce contact le premier empilement mémoire, ainsi que la partie de l’empilement sélecteur 10 qui déborde latéralement au-delà du via inférieur 40. Selon la direction X, l’encombrement de l’ensemble est donc de 2F pour chaque empilement mémoire, comme pour un dispositif 1S1R classique de l’art antérieur, et cela alors même que la couche sélectrice 11 a une extension latérale supérieure à F (pour limiter l’influence indésirables des bords de couche).
Le premier contact électrique 50 est disposé à l’aplomb du premier empilement mémoire 20, en s’étendant latéralement de la surface latérale 41, 42 du via inférieure 40, et plus particulièrement du cinquième flanc 41,à la surface latérale 201 du premier empilement mémoire 20 la plus externe (celle s’étend à la distance D2 du premier flanc 121). Le premier contact électrique 50 est ainsi disposé à l’aplomb de premier flanc 121 de l’électrode supérieure de sélecteur 12 et de chaque surface latérale du premier empilement mémoire 20.
Vue en coupe, la première couche active 21, comprend par exemple une portion verticale et deux portions planaires, à chacune de ses extrémités. Vue en coupe, elle forme ainsi un « S » pouvant être logé sous le premier contact 50, au droit de celui-ci, sans en dépasser d’un point de vue latéral.
Les deux portions planaires de la couche active 21 sont optionnelles. La couche active 21 pourrait être entièrement orientée verticalement et disposée sous le premier contact 50.
De la même manière, la deuxième couche active 31, au moins en partie orientée de manière oblique, voire verticalement, permet à la couche sélectrice 11 et/ou l’électrode supérieur de sélecteur 12 de s’étendre jusque sous le deuxième contact 60 sans pour autant augmenter l’encombrement de l’ensemble (dans la direction X).
La densité de stockage offerte par une matrice de points mémoire dépend en partie de l’espacement imposé entre des lignes d’adressage deux à deux et/ou des colonnes d’adressage deux à deux. Plus cet espacement est faible et plus la densité de stockage de la matrice finale est élevée. Cet espacement, qui correspond à la distance D56 entre les premier et deuxième contact électrique 50, 60, destinés à être connectés aux lignes/colonnes d’adressage, ou qui forment directement ces lignes/colonnes d’adressage, est limité en pratique par la finesse F de gravure.
- détection d’une anomalie prédite à partir du scénario prédit, et
- si l’anomalie prédite est détectée, mise en œuvre d’une action de correction dans l’environnement ;
- lors de la phase d’exploitation, l’étape de réception comprend les sous-étapes suivantes :
- obtention d’informations sur les entités mobiles dans l’environnement depuis au moins un capteur, et
- pour chaque zone, détermination du nombre d’entité(s) mobile(s) dans la zone par traitement des informations obtenues ;
- l’étape d’entrainement comprend les sous-étapes suivantes :
- pour chaque zone, calcul, sur une fenêtre temporelle glissante d’instants successifs, d’un nombre moyen d’entité(s) mobile(s) de la zone,
- calcul d’au moins un jeu de paramètre(s) moyenné(s), sur la fenêtre temporelle glissante, à partir du jeu de paramètre(s) caractérisant le déplacement des entités mobiles dans l’environnement,
- application, au modèle, d’un algorithme d’apprentissage supervisé à partir du nombre moyen d’entité(s) mobile(s) dans chaque zone, de l’au moins un jeu de paramètre(s) moyenné(s) et de la matrice d’adjacence ;
- le procédé comprend en outre, entre la sous-étape de calcul d’au moins un jeu de paramètre(s) moyenné(s) et la sous-étape d’application, une sous-étape de normalisation du nombre moyen d’entité(s) mobile(s) de chaque zone pour obtenir un vecteur normalisé de nombre d’entité(s) mobile(s) dont une norme algébrique est de préférence égale à un,
lors de l’étape d’application, l’algorithme d’apprentissage est appliqué au modèle à partir du vecteur normalisé, de l’au moins un jeu de paramètre(s) moyenné(s) et de la matrice d’adjacence ;
- le jeu respectif de paramètre(s) obtenu lors de la phase d’exploitation comprend au moins un paramètre choisi dans un groupe consistant en :
- une vitesse moyenne des entités mobiles dans l’environnement,
- un débit maximal d’entités mobiles en un ou plusieurs points de l’environnement,
- un débit moyen d’entités mobiles en un ou plusieurs points de l’environnement,
- une fréquence d’arrivée aux abords de l’environnement, de véhicules de transport,
: étape E1215.
Si c’est le cas, le convertisseur déconnecte du groupe électrogène tous les convertisseurs n :
: étape E1216.
Sinon, l’algorithme repasse à l’étape E1214.
A l’étape E1213, si le groupe électrogène n’est pas présent, le convertisseur vérifie si :
: étape E1217.
Si c’est le cas, la sortie du convertisseur n est déconnecté :
: étape E1218.
Si ce n’est pas le cas, le convertisseur n passe en mode onduleur et décharge sa batterie pour couvrir le déficit de puissance : étape E1219. L’algorithme repasse à l’étape E1201.
En référence à la , on décrit maintenant l’algorithme de contrôle avec priorité au solaire avec connexion à un réseau public, qui est mis en œuvre par le convertisseur maître de groupe.
Suite à une étape de départ E1300, le convertisseur acquiert un certain nombre de paramètres (voir ) : E1301.
Le convertisseur met en œuvre une régulation par statisme : E1302.
: étape E1303.
Le boitier 52 définit une chambre 55 logeant la cellule émettrice 25 et la cellule réceptrice 26 du capteur 20.
La chambre 55 est délimitée au moins partiellement par une paroi 60 du boitier 52. La paroi 60 peut être pleine et/ou opaque.
La paroi 60 du boitier 52 comprend une ouverture 53 de sorte que la chambre débouche sur l’extérieur via cette ouverture 53. L’ouverture 53 est située en regard d’une embase 21 du capteur 20. Les cellules émettrice 25 et réceptrice 26 du capteur 20 sont orientées en regard de l’ouverture 53 de sorte à ce que la cellule émettrice 25 puisse émettre un faisceau lumineux vers l’extérieur du boitier 52 dudit capteur 20, et que la cellule réceptrice 26 puisse recevoir un faisceau lumineux réfléchi depuis l’extérieur du boitier 52.
L’au moins une surface optique 10 du capteur 20 est disposée entre, d’une part, les cellules émettrice 25 et réceptrice 26 du capteur 20 et, d’autre part, l’extérieur du boitier 52. Autrement dit, l’au moins une surface optique 10 s’étend au travers de l’ouverture 53 de sorte que le faisceau lumineux émis et le faisceau lumineux réfléchi puisse passer au travers de l’au moins une surface optique 10.
Dans les exemples de réalisation des FIGURES 1A et 1B, l’au moins une surface optique 10 obture la totalité de l’ouverture 53 du boitier 52, de sorte à fermer la chambre 55. Par exemple, si la paroi 60 du boitier 52 est pleine, la chambre 55 peut être fermée de manière étanche à l’air et à l’eau. Ainsi, la cellule émettrice 25 et la cellule réceptrice 26 sont protégées des intempéries.
L’au moins une surface optique 10 peut être liée au boitier 52 par tous moyens, tels que par exemple par collage, par bridage, par vissage ou par engagement de l’au moins une surface optique 10 dans une gorge périphérique ménagée sur le boitier 52.
Dans les exemples de réalisation représentés sur les FIGURES 1A, 1B et 2, le capteur 20 de l’ensemble de détection 500 comporte une embase 21 qui supporte la cellule émettrice 25 et la cellule réceptrice 26 dudit capteur 20.
Le capteur 20 est configuré pour capter un rayonnement R – via sa cellule réceptrice 26 – et/ou pour émettre un rayonnement R via sa cellule émettrice 25. De manière avantageuse, le capteur comporte en outre une lentille 30 permettant d’orienter le rayonnement R émis et/ou capté vers la cellule 25,26 correspondante. Ainsi, dans les exemples de réalisation illustrés sur les FIGURES 1A et 2, l’au moins une surface optique 10 du capteur 20 forme directement la lentille 30 dudit capteur 20. En revanche, dans l’exemple de réalisation illustré sur la , l’au moins une surface optique 10 du capteur 20 est distincte de la lentille 30 dudit capteur 20 : l’au moins une surface optique 10 forme un organe de protection 35 pour les cellules émettrice 25 et réceptrice 26 du capteur 20, complémentaire à la lentille 30 dudit capteur 20 située à proximité desdites cellules 25, 26.
Selon un mode préféré de l’invention, le capteur 20 est du type d’un LIDAR : il est configuré pour émettre un rayonnement laser et capter en retour la partie réfléchie par un objet de ce rayonnement laser afin d’en déterminer une distance séparant l’objet du capteur 20.
Dans le contexte de l’invention, chaque cellule émettrice 25 et réceptrice 26 du capteur 20 est caractérisé par un champ optique CO qui correspond à une portion de l’espace en provenance de laquelle elle est apte à acquérir et/ou émettre un rayonnement R. Hors de ce champ optique CO, aucun rayonnement R ne peut être émis et/ou capté par la cellule 25, 26 correspondante du capteur 20.
De manière avantageuse, l’au moins une surface optique 10 recouvre intégralement les cellules émettrice 25 et réceptrice 26, simultanément. De cette manière, l’au moins une surface optique 10 forme un organe de protection 35 pour le cellules émettrice 25 et réceptrice 26, en particulier lorsque l’au moins une surface optique 10 est additionnelle à la lentille 30, comme représenté sur la . Cependant, même dans les modes de réalisation illustrés sur les FIGURES 1A et 2, dans lesquels l’au moins une surface optique 10 du capteur 20 forme aussi la lentille 30 dudit capteur 20, ladite surface optique 10 offre une protection contre d’éventuelles projections sur les cellules émettrice 25 et réceptrice 26. Consécutivement, lorsque, par exemple, l’ensemble de détection 500 est monté sur un véhicule automobile qui se déplacer selon une direction X, l’au moins une surface optique 10 forme une barrière contre des corps 40, tels que par exemple des poussières, des particules de boue ou des gouttes de pluie, qui entrent alors en contact avec une face externe – dite face à nettoyer 45 – de l’au moins une surface optique 10, opposée au capteur 20.
De manière avantageuse, et afin de permettre au capteur 20 de fonctionner, l’au moins une surface optique 10 est transparente au rayonnement R reçu et/ou émis par les cellules 25, 26 correspondantes du capteur 20. Eventuellement, a minima, l’au moins une surface optique 10 est transparente au niveau de ses régions d’intérêt 100A, 100B.
Dans les différents exemples illustrés, l’au moins une surface optique 10 se présente sous la forme d’une plaque dont l’épaisseur e p est par exemple comprise entre 0,5 mm et 5 mm.
Conformément à l’invention, l’ensemble de détection 500 comporte au moins un transducteur 70, 70A, 70B d’onde configuré pour être couplé acoustiquement avec l’au moins une surface optique 10. Ainsi, l’au moins un transducteur 70, 70A, 70B d’onde est configuré pour générer au moins une onde WL qui se propage :
– selon une première direction et dans la première région d’intérêt optique 100A de l’au moins une surface optique 10 ; et
Le crayon de combustible nucléaire 2 présente la forme d’une tige allongée suivant un axe longitudinal A.
Le crayon de combustible nucléaire 2 comprend une gaine 4 contenant du combustible nucléaire. La gaine 4 est tubulaire et s’étend suivant l’axe longitudinal A. La gaine 4 est fermée de manière étanche à chacune de ses extrémités par un bouchon 6 respectif.
Le combustible nucléaire se présente par exemple sous la forme d’un empilement de pastilles 8 empilées axialement à l’intérieur de la gaine 4, chaque pastille 8 contenant du matériau fissile. L’empilement de pastilles 8 est aussi appelée « colonne fissile ».
Le crayon de combustible nucléaire 2 comprend un ressort 10 disposé à l’intérieur de la gaine 4, entre l’empilement de pastilles 8 et l’un des bouchons 6, pour pousser l’empilement de pastilles 8 vers l’autre bouchon 6. Un vide ou plenum 12 est présent entre l’empilement de pastilles 8 et le bouchon 6 sur lequel le ressort 10 prend appui.
La représente une vue axiale d’une gaine 4 de crayon de combustible nucléaire 2, destinée à contenir du combustible nucléaire.
La gaine 4 comprend un substrat 14 muni d’un revêtement de protection 16.
La gaine 4 est tubulaire et s’étend suivant un axe longitudinal A.
De manière correspondante, le substrat 14 est tubulaire et s’étend suivant l’axe longitudinal A. Le substrat 14 est un tube.
Le substrat 14 présente par exemple un diamètre externe compris entre 8 mm et 15 mm, en particulier entre 9 mm et 13 mm, et/ou une longueur comprise entre 1 m et 5 m, en particulier entre 2 m et 5 m.
Le substrat 14 est réalisé en zirconium pur ou en alliage à base de zirconium.
L’expression « zirconium pur » désigne un matériau contenant au moins 99 % en poids de zirconium et l’expression « alliage à base de zirconium » désigne un alliage contenant au moins 95% en poids de zirconium. L’alliage à base de zirconium est par exemple choisi parmi un des alliages connus tels que M5, ZIRLO, E110, HANA, N36, Zircaloy-2 et Zircaloy-4.
Le substrat 14 présente une surface interne 14A tournée vers l’intérieur de la gaine 4 et délimitant l’espace de réception du combustible nucléaire.
Le substrat 14 présente une surface externe 14B destinée à être tournée vers l’extérieur de la gaine 4. La surface externe 14B est opposée à la surface interne 14A.
La surface interne 14A est ici la surface tournée vers l’intérieur du substrat 14 en forme de tube et la surface externe 14B est la surface tournée vers l’extérieur du substrat 14 en forme de tube.
Le revêtement de protection 16 recouvre la surface externe 14B du substrat 14. Le revêtement de protection 16 a pour fonction de protéger la surface externe 14B du substrat 14 de l’environnement extérieur. En l’absence de revêtement de protection 16, la surface externe 14B de la gaine 14 serait exposée à l’environnement extérieur.
Le revêtement de protection 16 est multicouche. Le revêtement de protection 16 comprend plusieurs couches superposées.
: étape E1304.
Si c’est le cas, le convertisseur vérifie pour chaque convertisseur n si :
: étape E1305.
Si c’est le cas, le convertisseur n passe en mode redresseur pour recharger sa batterie : étape E1306. Si ce n’est pas le cas, le convertisseur n passe en mode onduleur et décharge sa batterie : étape E1307. L’algorithme lance la fonction de protection contre le courant inverse : étape E1308. L’algorithme repasse à l’étape E1301.
A l’étape E1304, si , le convertisseur vérifie si :
: étape E1309.
: étape E1310.
: étape E1311. L’algorithme passe à l’étape E1301.
Si ce n’est pas le cas, le convertisseur n passe en mode onduleur et décharge sa batterie pour couvrir le déficit de puissance : étape E1312. L’algorithme repasse à l’étape E1308.
A l’étape E1309, si , l’algorithme vérifie la présence d’un réseau public : étape E1313.
Si le réseau public est présent, le convertisseur se synchronise avec le réseau public (étape E1314) et vérifie si :
: étape E1315.
Si c’est le cas, le convertisseur déconnecte du réseau public tous les convertisseurs n :
: étape E1316.
Cette structure remarquable rend l’ensemble, de type 1SnR (par exemple, de type 1S2R) particulièrement compact.
Dans la suite, on désignera par planaire, ou horizontale une orientation parallèle audit plan P (par exemple parallèle à mieux que 5 degrés prés). Le plan P est question est par exemple parallèle à un substrat sur lequel l’ensemble 1a, 1b, 1c, 1d est réalisé. On indiquera par oblique, une orientation présentant un angle supérieur à 45° par rapport au plan P ou autrement dit, une orientation présentant un angle de 90° ± 45° par rapport au plan P. Et l’on indiquera par verticale (ou perpendiculaire au plan P) une orientation présentant un angle de 90 degrés (par exemple à plus ou moins 5 degrés près) par rapport au plan P. En l’occurrence, dans les exemples décrits ici en référence aux figures, une partie au moins des premier et deuxième empilements mémoire 20, 30 s’étend verticalement (perpendiculairement au plan P). En variante, chacun de ces deux empilements pourrait toutefois être orienté différemment, en s’étendant par exemple parallèlement à un plan faisant un angle de 60 degrés avec ledit plan P horizontal (ou, plus généralement, un angle compris entre 60 et 80 degrés, par exemple).
Ici, la partie du premier empilement mémoire 20, mentionnée plus haut, qui s’étend contre la partie de la surface latérale 121 de l’électrode supérieure de sélecteur 12, s’étend parallèlement (parallèlement à mieux que 5 ou 10 degrés, par exemple) et en vis-à-vis de cette partie de surface latérale 121.