INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Plus précisément, l’intersection In est incluse dans un demi plan Dp lui-même inclus dans le plan de référence P.
Ce demi plan Dp est délimité par une droite Del s'étendant perpendiculairement à la direction longitudinale Dl de la projection du ruban métallique 326 1 sur le plan de référence P et comprenant la projection orthogonale sur le plan de référence P du point le plus élevé Pl du premier pont PO1. En outre, ce demi plan Dp ne comprend pas la projection orthogonale sur le plan de référence P de l’extrémité du premier pont PO 1 reposant à plat sur la face supérieure de la plaque principale 306 2 de la deuxième pièce de connexion électrique 304 2 .
Grâce à cette inclinaison, la force de maintien exercée par le surmoulage isolant électrique sur le premier pont PO 1 est réduite sur la partie du premier pont PO 1 la plus proche du transistor 112 1 , cette partie étant une des parties du premier pont PO 1 dont la température est la plus élevée lorsque le premier élément de liaison électrique s’échauffe. De cette façon, cette partie du premier pont PO 1 peut se rompre plus rapidement lorsque le ruban 326 1 s’échauffe.
Enfin un segment du premier pont PO 1 est tangent à la surface plane SP du fond de la première cavité. En d’autres termes, une partie de ce segment affleure le fond de la cavité C1.
De cette façon, le surmoulage isolant électrique 402 n’exerce aucune force de maintien sur la partie du segment affleurant la cavité C1 de sorte que cette partie peut très facilement se rompre lorsque le ruban 326 1 s’échauffe.
Les cavités C2, C3 et C4 présentent des caractéristiques géométriques semblables à celle de la cavité C1.
De même surmoulage 402 laisse apparent les faces inférieures 502, 502 2 , 502 3 des plaque principale 306, 306 2 , 306 3 de chacune des autres pièces de connexion électrique 304, 304 2 , 304 3 . Ces parties laissées apparentes sont conçues pour être plaquée contre le dissipateur thermique 206. Ainsi, le dissipateur thermique 206 est en contact thermique avec les faces inférieures 502, 502 2 , 502 3 laissées apparentes par le surmoulage 402. Ce contact thermique peut être un contact direct ou bien via un élément de liaison électrique isolant et thermiquement conducteur.
Par ailleurs, il sera apprécié que l’extrémité fixe 314 de chaque connecteur électrique 312 1 , 312 2 , 312 3 , 312 4 présente une face inférieure entièrement découverte de surmoulage 402. En outre, le surmoulage 402 remplit chaque interstice 310 et présente, dans chaque interstice 310, une face inférieure affleurant les faces inférieures 502 des plaques principales 206.
L’exemple 3 est montré sur la figure 7. Comme on peut le voir, le montage de cellules de mesure 3 est globalement identique à celui de la figure 6 à la différence près qu’il comprend une deuxième paire de sections de mesure de longueur définies par deux cellules de mesure supplémentaires 33-3 et 33-4. On utilise de plus un élément optique 34-3 de renvoi du faisceau de lumière supplémentaire.
Dans ce montage, le faisceau de lumière polarisé 9 fait donc par sections le tour du conducteur 31 dans le même sens (sens antihoraire sur la figure) que l’orientation du champ magnétique B c en traversant successivement les cellules de mesure 33-1, 33-3, 33-2 et 33-4.
Le fonctionnement du mode de réalisation de la est identique à celui de la . Il présente l’avantage que la longueur totale des sections de mesure est plus importante d’où une plus grande sensibilité de détection. En effet, on augmente la longueur d’interaction du faisceau laser 9 avec le gaz sensible à l’effet Zeeman, et ainsi la sensibilité du dispositif de mesure 1.
L’exemple 4 est montré sur la . Ce mode de réalisation est très proche du mode de réalisation de la et se différencie en particulier par un quatrième élément optique 34-4 de renvoie du faisceau de lumière. Les quatre éléments optiques 34-1, 34-2, 34-3 et 34-4 sont par exemple des prismes. Les éléments optiques 34-1, 34-2 et 34-3 sont de même taille tandis que l’élément optique 34-4 est de plus petite taille pour laisser un passage d’entrée du faisceau de lumière polarisée 9 et un passage de sortie. L’agencement des quatre éléments optiques 34-1, 34-2, 34-3 et 34-4 est alors réalisé de manière que le faisceau de lumière 9 fasse trois tours autour du conducteur 31 (au lieu d’un seul tour pour le mode de réalisation de la ). Chacune des cellules de mesures 33-1, 33-2, 33-3, et 33-4 est donc traversée à trois reprises et défini donc trois sections de mesure. Bien entendu, en fonction notamment de la taille des cellules de mesures et de l’agencement des éléments optiques de renvoi, on peut aussi augmenter le nombre de tours du faisceau de lumière polarisée 9 davantage.
Le fonctionnement du mode de réalisation de la est le même que celui de la , mais on multiplie par trois la longueur des sections de mesures et donc aussi la sensibilité.
L’exemple 5 est montré sur les figures 9 et 10. Ce mode de réalisation est très proche du mode de réalisation de la , car le faisceau de lumière polarisée fait plusieurs tours autour du conducteur 31, mais de façon « hélicoïdale ».
Sur la , le conducteur 31 est représenté sous la forme d’une barre à section rectangulaire. Cinq cellules de mesure 33 sont au-dessus du conducteur 31, cinq en dessous, cinq d’un côté et cinq du côté opposé. Le dispositif de mesure 1 compte donc en tout dix paires de sections de mesure (cinq paires parallèles au long côté de la section transversale du conducteur 31 et cinq paires parallèles au court côté de la section transversale du conducteur 31). Le faisceau de lumière polarisé chemine entre les cellules de mesure par des éléments optiques de renvoi 34’ formés, un peu à la manière d’un périscope, de deux prismes ou miroirs par exemple dont le premier renvoie le faisceau de lumière dans une direction parallèle au conducteur 31 et puis un second renvoie le faisceau de lumière dans une direction perpendiculaire au conducteur 31 vers une prochaine cellule de mesure 31. Ceci est aussi représenté de façon schématique en 3D sur la .
Le fonctionnement de ce mode de réalisation est identique à celui de la , mais avec 5 tours du faisceau autour du conducteur 31 au lieu de trois et donc une sensibilité d’avantage accrue.
L’exemple 6 est montré sur la . Ce mode de réalisation est très proche du mode de réalisation de la .
A la différence de la , le montage de cellules de mesure 3 comporte une unique cellule de mesure 33 sous forme d’un récipient fermé à parois transparentes (au moins pour faire entrer et sortir le faisceau de lumière 9) et présentant au centre une ouverture 37 configurée pour être traversée par le conducteur de mise à la terre 31.
Les trois éléments optiques 34-1, 34-2 et 34-3 de renvoi sont réalisés sous forme de cubes de renvoi qui sont placés à l’intérieur du récipient contenant le gaz sensible à l’effet Zeeman.
Le fonctionnement de ce mode de réalisation est identique à celui de la .
Selon un développement, on peut par exemple rendre les parois du récipient opaque et acheminer le faisceau de lumière 9 à l’aide d’une fibre optique dont une entrée est disposée devant un laser et l’autre débouche à l’intérieur du récipient. Pour la sortie, on peut dans ce cas utiliser aussi une fibre optique de sortie avec un collimateur pour faire entrer le faisceau de lumière 9 dans la fibre optique, dont une entrée débouche dans le récipient et la sortie achemine la lumière polarisée vers les détecteurs respectifs des systèmes de polarimétrie et d’absorption.
L’invention concerne également un procédé de fabrication d’une telle structure piézoélectrique. Le procédé comprend comporte les étapes suivantes :
a) former une première électrode et une deuxième électrode sur un substrat, la première électrode et la deuxième électrode étant interdigitées,
b) former une première couche piézoélectrique, la première couche piézoélectrique remplissant l’espace entre la première électrode et la deuxième électrode,
c) former une troisième électrode, la première couche piézoélectrique séparant la troisième électrode de la première électrode et de la deuxième électrode,
d) former une deuxième couche piézoélectrique,
e) former une quatrième électrode.
Les différentes couches peuvent être déposées par des techniques d’impression. Par exemple, elles sont déposées par sérigraphie, jet d’encre, ou héliogravure.
Selon une première variante avantageuse, la première couche piézoélectrique est polarisée en appliquant un premier champ électrique entre la première électrode et la troisième électrode ou entre la deuxième électrode et la troisième électrode et la deuxième couche piézoélectrique est polarisée en appliquant un deuxième champ électrique entre la troisième électrode et la quatrième électrode, le premier champ électrique étant opposé au deuxième champ électrique moyennant quoi les dipôles de la première couche piézoélectrique sont orientés dans le même sens que les dipôles de la deuxième couche piézoélectrique.
Avantageusement, le procédé comporte une étape ultérieure au cours de laquelle on connecte électriquement, d’une part, la première électrode et la quatrième électrode au moyen d’une première connexion électrique et, d’autre part, la deuxième électrode et la troisième électrode au moyen d’une deuxième connexion électrique.
Les caractéristiques d’une fonction NGD PB peuvent par ailleurs être définies par la réponse en temps de propagation de groupe GD(ω) idéale telle qu’illustrée en relation avec la figure 4 . Comme montré sur cette figure, les principaux paramètres de spécification sont la valeur de temps de propagation de groupe négatif cible et la pulsation en fonction de la fréquence de coupure .
Il a été montré dans la littérature que la génération d’une fonction NGB PB à partir de ces paramètres de spécification implique que les coefficients a et b de l’équation (4) prennent les valeurs suivantes :
Par ailleurs, pour pouvoir mettre en évidence la signature temporelle de la fonction NGD PB, le spectre de puissance du signal d’entrée X(jω) doit respecter la condition .
La combinaison des équations (3) et (4) conduit à la nouvelle expression symbolique suivante en fonction des coefficients a et b :
En adoptant l’hypothèse :
la transformée de Laplace inverse de la précédente équation symbolique s’écrit :
Cette équation est à l’origine des formules de calcul des coefficients a 0 , a 1 et b 1 de l’équation (1). Pour ce faire, il est procédé à une discrétisation, en considérant un pas d’échantillonnage respectant la condition suivante afin de minimiser les incertitudes numériques :
Plus particulièrement, il est procédé à une discrétisation de la variable continue t en son échantillon :
avec l’indice entier n =0,1,2,…, n max , où la valeur maximale n max est liée à la largeur de la fenêtre temporelle du signal d’entrée t max définie par :
avec Ent(x) la partie entière supérieure de x.
Par conséquent, on réalise mathématiquement la discrétisation par les substitutions suivantes :
Ceci implique les discrétisations des termes d’entrée et de sortie en dérivées suivantes :
En substituant les équations (13), (14) et (15) dans l’équation (9), on aboutit aux valeurs suivantes calculées en étape 15 pour les coefficients , et de l’équation aux différences (1) :
est une valeur négative correspondant au temps de propagation de groupe négatif cible, exprimée en seconde ;
correspond à la période d’échantillonnage (inverse de la fréquence d’échantillonnage obtenue en étape 13), exprimée en seconde ;
De manière avantageuse, l’intervalle de temps entre le début de la deuxième étape d’exposition et la fin de la première étape d’exposition est inférieur ou égal à 20 s. De cette manière, le procédé de durcissement est compatible avec les exigences de cadence industrielle même lorsqu’il met en œuvre une étape d’exposition supplémentaire.
Avantageusement, le procédé de durcissement comprend une troisième étape d’exposition de la première face à un troisième rayonnement électromagnétique, la troisième étape d'exposition étant immédiatement consécutive à la première étape d'exposition, le troisième rayonnement électromagnétique présentant une cinquième irradiance totale décroissante en fonction du temps depuis la troisième irradiance totale.
Selon une première variante de mise en œuvre, la pâte conductrice est un adhésif électriquement conducteur. Cette première variante s'applique d'ailleurs avantageusement à une cellule photovoltaïque à hétérojonction. En effet, la température de durcissement d'un adhésif électriquement conducteur est inférieure à 250 °C et est compatible avec une température maximale de 200 °C que peut supporter une cellule à hétérojonction. Le premier mode de mise en œuvre s'applique également avantageusement à une cellule photovoltaïque comprenant une couche en pérovskites, dite "cellule photovoltaïque tandem".
De manière avantageuse, les première, deuxième et troisième irradiances totales et la première durée d'exposition sont choisies de sorte que la portion de pâte conductrice présente, à l’issue de la première exposition, une résistance à la rupture supérieure ou égale à 0,5 N/mm, la mesure de résistance à la rupture étant préférentiellement réalisée à une température de 180 °C. De la sorte, il est sûr que les paramètres d'exposition offrent un niveau de durcissement suffisant.
Selon un développement du premier mode de mise en œuvre du procédé de durcissement, les première, deuxième et troisième irradiances totales et la première durée d'exposition sont choisies de sorte que la température de la cellule photovoltaïque soit comprise entre 150 °C et 250 °C pendant au moins 90° de la première durée d’exposition. Ainsi, le procédé permet de maintenir une cadence de production selon les attentes industrielles, tout en fournissant une portion de pâte conductrice correctement durcie.
Dans une deuxième variante de mise en œuvre, la pâte conductrice est une pâte à souder. Cette deuxième variante s'applique aussi bien à une cellule photovoltaïque à homojonction qu’à hétérojonction. De plus, le soudage présente une meilleure résistance à la rupture.
Selon un développement du deuxième mode de mise en œuvre du procédé de durcissement, les première, deuxième et troisième irradiances totales et la première durée d'exposition sont choisies de sorte que la portion de pâte conductrice présente, à l’issue de la première exposition, une résistance à la rupture supérieure à 1 N/mm, la mesure de résistance à la rupture étant préférentiellement réalisée à une température de 180 °C.
Ce niveau de durcissement de la pâte à souder peut être atteint en choisissant les première, deuxième et troisième irradiances totales et la première durée d'exposition de sorte que la température de la portion de pâte à souder soit comprise entre 180 °C et 270 °C pendant au moins 20 secondes.
Selon un développement de la deuxième variante, la deuxième irradiance totale est avantageusement supérieure au première et troisième irradiances totales, les première et troisième irradiances totales sont avantageusement choisies de sorte que la température de la cellule photovoltaïque soit comprise dans pendant au moins 60% des première et troisième périodes et la deuxième irradiance totale est avantageusement choisie de sorte que la température de la cellule photovoltaïque soit supérieure ou égale à pendant au moins 60% de la deuxième période.
La cellule photovoltaïque comprend avantageusement une base et un émetteur, l'émetteur est préférentiellement disposé au niveau de la première face. En effet, la cinétique de bonification est davantage améliorée lorsque l’émetteur est exposé au rayonnement.
Afin d'améliorer le contrôle de la température de la cellule photovoltaïque lors de la première étape d'exposition, elle peut également être chauffée lors de la première étape d'exposition, au moyen d'une source de chaleur distincte du premier rayonnement électromagnétique.
La bonification de la cellule photovoltaïque peut également être améliorée en recourant à un premier rayonnement présentant une irradiance totale élevée. Toutefois, l'irradiance totale élevée peut provoquer un échauffement trop important de la cellule photovoltaïque et peut provoquer un endommagement de ladite cellule. Il est donc avantageux que la cellule photovoltaïque soit refroidie lors de la première étape d'exposition. Ainsi, la température de la cellule photovoltaïque est contrôlée tout en permettant d'augmenter la cinétique de bonification de la cellule photovoltaïque.
Le procédé de durcissement selon le premier aspect est avantageusement mis en œuvre lors de l'étape d'interconnexion d'une pluralité de cellules photovoltaïques pour former une chaîne photovoltaïque.
Un deuxième aspect de l'invention concerne d'ailleurs un procédé de fabrication d'une chaîne photovoltaïque à partir d'une première cellule photovoltaïque et d'une deuxième cellule photovoltaïque, chacune des première et deuxième cellules photovoltaïques comprenant une première face et une deuxième face, opposée à la première face, le procédé comprenant les étapes suivantes : déposer une première portion de pâte conductrice sur l'une des première et deuxième faces de la première cellule photovoltaïque ; interconnecter la deuxième cellule photovoltaïque à la première cellule photovoltaïque au moyen de la première portion de pâte conductrice ; et durcir la première portion de pâte conductrice au moyen d’un procédé de durcissement selon l’invention.
Le procédé de fabrication permet de fabriquer une chaîne photovoltaïque que l'on nommera "conventionnelle", dont les cellules photovoltaïques sont par exemple connectées au moyen d'un élément d'interconnexion, tel qu'un ruban ou un fil conducteur. Le procédé de fabrication permet également de fabriquer une chaîne photovoltaïque dite "en bardeau" ou « shingle » en anglais, dont les cellules sont superposées les unes aux autres à la manière de tuiles se recouvrant sur un toit.
Un premier mode de mise en œuvre du procédé de fabrication adresse plus particulièrement la fabrication d'une chaîne photovoltaïque en bardeau. Selon ce premier mode de mise en œuvre, la deuxième cellule photovoltaïque recouvre la première portion de pâte conductrice. La première portion de pâte conductrice est ainsi prise en sandwich entre les deux cellules photovoltaïques. La première exposition induit un échauffement dans le volume de chaque cellule photovoltaïque et chauffe la première portion de pâte conductrice de chaque côté, améliorant la reproductibilité de son durcissement.
Comme on le voit sur la , deux blocs de construction formés chacun d'un bloc porteur 1 et d'un bloc d'isolation 10 peuvent être disposés en bout à bout. Le premier côté 10E du bloc d'isolation peut présenter une forme prolongeant le renfoncement R du côté 1E du bloc porteur. En l'espèce, du côté de sa face arrière 10D, ce côté 10E présente un chanfrein 10E' qui, une fois le bloc d'isolation assemblé au bloc porteur, ferme le renfoncement R du côté de la face avant du bloc d'isolation. Le côté 10F du bloc d'isolation peut présenter un prolongement 10F' qui, une fois le bloc d'isolation assemblé au bloc porteur, complète la surépaisseur S du côté de la face avant du bloc d'isolation. On voit ainsi que le bloc de construction formé par les blocs 1 et 10 présente, sur les côtés 1F et 10F, une surépaisseur qui pénètre dans le renfoncement formé sur les côtés 1E et 10E du bloc de construction adjacent.
Le bloc porteur 11 de la se distingue du bloc porteur 1 de la seulement par la présence d'une légère avancée 11C' sur sa face avant 11C, entre la nervure 2B et le côté adjacent 11F. L'épaisseur de cette avancée 11C' par rapport à la partie courante de la face avant 11C de ce bloc située entre les deux nervures 2A et 2B est par exemple de l'ordre de la moitié de l'épaisseur d'une nervure. Le renfoncement R situé sur l'autre côté 1E de ce bloc est adapté.
Le bloc porteur de la variante selon la peut être aligné avec des blocs similaires, comme celui des figures précédentes, ou bien être disposé en angle. Ainsi, sur la , on voit deux blocs porteurs 11 disposés à 90°. Le renfoncement R du côté 11E du bloc situé à droite sur la figure accueille l'avancée 11C' de la face avant du bloc situé à gauche. En réalité, le renfoncement du côté 11E du bloc situé à droite laisse subsister une languette du côté de la face arrière, cette languette s'engageant contre la face avant de la surépaisseur S. On notera que les deux blocs porteurs peuvent être disposés en formant entre eux un angle différent de 90°. De manière générale, tout angle de 90° à 180° est envisageable.
Sur la , des blocs d'isolation sont rapportés sur les blocs porteurs 1 disposés en angle. Ces blocs d'isolation 10 ont été découpés pour permettre le montage. Ainsi, le côté gauche du bloc d'isolation 10 représenté en haut sur la figure a été découpé en angle droit pour venir se plaquer contre la face avant de la nervure 2B du bloc porteur situé à gauche.
Le côté 10F (voir ) du bloc d'isolation situé à gauche sur la figure a été découpé pour se caler contre le bord intérieur de la nervure 2B du bloc porteur 10 avec lequel il est associé et être plaqué contre la face avant du bloc d'isolation 10 situé vers le haut sur la figure.
Ainsi, les blocs porteurs des figures 5 à 7 sont particulièrement adaptés à leurs disposition soit à angle droit, comme représenté, soit en prolongement l'un de l'autre, comme représenté sur la pour la première variante.
En se reportant à la , on voit que la première nervure 2A délimite par rapport au premier côté 1E du bloc porteur une portion de face avant PA dégagée, de la longueur LP est au moins égale à la longueur L2 mesurée entre le deuxième côté F et le bord 2B' de la deuxième nervure 2B opposée à ce deuxième côté. Par "portion de face avant dégagé" on entend une portion de face avant dépourvue de nervures. Ainsi, comme on le voit sur la , les blocs de construction peuvent être disposés face avant contre face avant, les nervures de l'un des blocs étant globalement reçues dans l'épaisseur des nervures de l'autre bloc.
Les blocs d'isolation peuvent être fabriqué à l'avance (par exemple par moulage) et être rapportés sur les blocs porteurs. On peut cependant concevoir de fabriquer directement un bloc d'isolation sur un bloc porteur ou même sur plusieurs blocs porteurs préassemblés, par exemple en réalisant un coffrage amovible monté sur la face avant du bloc ou sur les faces avant des blocs, et en injectant le matériau d'isolation dans l'espace de moulage ainsi ménagé.
Système de fixation d’au moins un panneau photovoltaïque sur une toiture La présente invention concerne un système de fixation d’au moins un panneau photovoltaïque sur une toiture.
Il existe déjà dans l’état de la technique, des systèmes de fixation pour ce type d’applications.
D’une façon générale, ces systèmes de fixation utilisent notamment des pontets de fixation.
Mais ceci présente un certain nombre d’inconvénients notamment au niveau du coût du système, de la transmission des efforts et des sollicitations sur les différentes pièces du système et des risques de dégradation de celles-ci.
A cet effet l’invention a pour objet un système de fixation d’au moins un panneau photovoltaïque sur une toiture, caractérisé en ce que ledit panneau est accroché sur au moins deux rail de fixation par des moyens en forme d’attache et en ce que ce rail est fixé sur des moyens de support de rail, eux-mêmes fixés à une extrémité d’au moins une vis auto foreuse traversant la toiture et dont l’autre extrémité est vissée dans une panne de cette toiture, de façon à ce que les efforts sur le rail soient transmis directement dans la tête de la vis.
le rail présente une section de forme générale en U ; les moyens de support de rail comportent un support de section en U s’étendant autour du rail et sont fixés sur celui-ci à l’aide de vis ; la base de ces moyens en forme de support de rail est fixée par des moyens de vissage sur l’extrémité correspondante de la vis auto foreuse ; une entretoise tubulaire est placée autour de la vis auto foreuse ; la panne est une panne métallique ; la panne est en bois ; la toiture est réalisée en panneau sandwich ; la toiture est réalisée en panneau en fibrociment.