INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Les différents modules de l’orchestrateur de formation 2 sont préférentiellement des modules logiciels, sous la forme d’instructions stockées dans une mémoire du système, les instructions étant exécutées par un processeur du système, l’exécution des instructions conduisant à la mise en œuvre des étapes du procédé selon l’invention et à la réalisation des actions par les différents modules. L’invention ne se limite pas aux modules logiciels, et les différents modules peuvent aussi être des dispositifs physiques séparés ou toute combinaison de dispositifs physiques et de modules logiciels. Lorsque l’on prête une action à un module, il faut entendre par là que sont exécutées des instructions qui conduisent à la mise en oeuvre de l’action, par le dispositif implémentant le module ou par le module lorsque celui-ci est un dispositif indépendant.
L’orchestrateur de formation 2 selon l’invention est configuré pour mettre en œuvre le procédé d’évaluation automatique de la formation d’un utilisateur en cyberdéfense 3 représenté à la .
La montre une représentation schématique du procédé selon l’invention.
Le procédé 3 d’évaluation automatique de la formation en cybersécurité d’un utilisateur comprend au moins quatre étapes. Six étapes sont représentées à la , les étapes 32 et 33 représentées en pointillés étant optionnelles.
Pour une compréhension plus aisée du procédé 3 selon l’invention, la montre un exemple d’implémentation du procédé 3 selon l’invention au sein du système de formation en cyberdéfense de la .
Comme représenté à la , un utilisateur du système de formation en cyberdéfense de la souhaite démarrer une session de formation à une étape 41. Pour cela, il lance la formation via l’interface homme-machine 131 de la plateforme 1, créant une requête de démarrage de formation en cyberdéfense.
Cette requête est envoyée au module orchestrateur 2, par exemple via un réseau ou directement en appelant une fonction prédéfinie si l’orchestrateur 2 et la plateforme 1 sont dans le même dispositif.
A la suite du démarrage de la formation, l’orchestrateur 2 est configuré pour réaliser une première étape du procédé 3 selon l’invention.
La première étape est une étape 31 de démarrage d’au moins un scénario. Un scénario est un ensemble d’actions A comprenant au moins une action à réaliser sur l’infrastructure informatique distribuée 11. L’étape de démarrage 31 d’un scénario comprend l’envoi d’une requête Rq_S, par l’orchestrateur de formation 2, de démarrage du scénario au module de scénario 121. La requête comprend au moins une indication du scénario à jouer. La requête peut comprendre dans un mode de réalisation dans lequel les actions A sont stockées en base de données 25, les actions A à lancer par le module de scénario 121. Le scénario comprend au moins une action A à mettre en œuvre par le simulateur d’infrastructure informatique 11, la mise en œuvre de l’action résultant en au moins une première modification de l’infrastructure informatique simulée 11. Cette première modification résulte par exemple d’une attaque par énumération ou d’un déni de service par rançongiciel. Les deux exemples précédents sont des cyberattaques, mais l’invention couvre aussi les cas où l’action est une action légitime, par exemple une connexion à distance légitime. Comme toute action laisse des traces, même une action légitime résulte en une modification de l’infrastructure informatique simulée 11, par exemple un ajout d’une ligne dans un fichier de journalisation (aussi dit « fichier log ») suite à la connexion légitime. Utiliser des actions légitimes permet aussi d’évaluer la capacité de l’utilisateur à différencier des actions malveillantes d’actions légitimes.
Dans un mode de réalisation, les actions A comprises dans le scénario sont stockées par la base de données 25 de l’orchestrateur 2, comme représenté à la . Dans un autre mode de réalisation non représenté, les actions A sont stockées par le module de scénario 121 de la plateforme 1 et lancées suite à la réception de la requête Rq_S par le module de scénario 121. Une action A lancée sur l’infrastructure informatique simulée 11 simule ou correspond à une action lancée sur une infrastructure informatique réelle.
Suite à cette étape 31, la plateforme 1 réalise l’étape 51 d’exécution de la ou des actions comprises dans le scénario, à des temps prédéfinis par le scénario, ce afin d’imiter une attaque ou une action légitime sur l’infrastructure informatique simulée 11.
L'objectif principal de cette fonction est de calculer l'état de charge moyen des batteries 3 du groupe de convertisseurs 25 en fonction du l’état de charge réel et de la capacité de chaque batterie. L’état de charge global est un état de charge pondéré en fonction des capacités de chaque batterie.
On décrit maintenant un algorithme de protection, qui permet de mettre en œuvre une fonction de protection contre les courants inverses.
L’algorithme, visible sur la , débute par une étape de départ (E500).
C) au moins deux alkylpolyglucosides dans lesquels la chaîne alkyle comprend de 16 à 22 atomes de carbone ; et
De préférence ladite base formulatoire comprend A) au moins deux diols comprenant au moins :
Avantageusement, ledit mélange des blocs du Kit est réalisé au moyen d'un dispositif de mélange asymétrique, notamment à mouvement planétaire, tel qu’un Speedmixer®.
Avantageusement, ledit mélange est réalisé à température inférieure à 50°C, de préférence inférieure à 30°C, de préférence à une température comprise dans la gamme de 15 à 30°C, de préférence de 18 à 25°C.
Avantageusement, ledit mélange est réalisé directement dans le récipient final de ladite composition cosmétique.
Selon un deuxième aspect, la présente invention a pour objet un procédé de préparation d’un produit cosmétique de texture personnalisée, à partir d’un kit tel que défini ci-dessus, dans lequel ledit bloc textural (a) est mélangé à une ou plusieurs blocs fonctionnel(s) (b), ledit mélange étant réalisé de préférence à température comprise dans la gamme de 15 à 50°C, de préférence à température ambiante comprise dans la gamme de 20 à 30°C, de préférence à une température comprise dans la gamme de 15 à 25°C, de préférence proche de 25°C, de préférence sous agitation selon une vitesse d’agitation comprise dans la gamme de 200 à 3000 rpm, de préférence de 500 à 3000 rpm, de préférence de 1000 à 3000 rpm, de préférence au moyen d’un Speedmixer®, de préférence directement dans le récipient final dudit produit cosmétique.
Selon un troisième aspect, la présente invention a pour objet un procédé non thérapeutique de soin, de maquillage ou de démaquillage de la peau, y compris du cuir chevelu, des cheveux et/ou des lèvres, comprenant l’application sur la peau, les cheveux et/ou les lèvres, d’une composition obtenue selon le procédé tel que défini ci-dessus.
Le kit de l’invention comprend en particulier l’utilisation d’une base formulatoire spécifique et robuste, pour la fabrication d’au moins un produit cosmétique de texture personnalisée, dans laquelle ladite base est mélangée, de préférence par blocs, à une ou plusieurs autres compositions (blocs), notamment pré-formulée(s), ledit mélange étant réalisé de préférence à température comprise dans la gamme de 15 à 50°C, de préférence à température ambiante comprise dans la gamme de 15 à 30°C, de préférence à une température comprise dans la gamme de 15 à 25°C, de préférence à une température proche de 25°C, de préférence sous agitation selon une vitesse d’agitation comprise dans la gamme de 200 à 3000 rpm, de préférence de 500 à 3000 rpm, de préférence de 1000 à 3000 rpm, de préférence au moyen d’un Speedmixer®, de préférence directement dans le récipient final dudit produit cosmétique.
La présente invention propose ainsi l’utilisation d’une base universelle simple minimaliste ("bloc moteur" avec une qualité industrielle) qui a déjà l'aspect d'une crème avec un effet sensoriel de base intéressant (frais/hydratant sans savonnage, ni d’effet collant) et qui a la capacité de stabiliser à température ambiante une ou plusieurs matières premières ("blocs fonctionnels") parmi plusieurs familles telles que les Corps gras, Eau, Actifs, Agents gélifiants, Charges, Pigments. Le mélange du bloc de base avec le (ou les) bloc(s) fonctionnel(s) peut se faire à température ambiante directement dans le packaging ou récipient final avec un outil de mélange de faible énergie et de préférence de type asymétrique ou planétaire (type Speedmixer®) mais il n'est pas exclu de chauffer l'ensemble. L'incrémentation par les kits selon l’invention permet d’explorer une large gamme de textures (de la lotion au sérum, en passant par les crèmes jusqu’au baume) et d'effets sensoriels pour des applications de soin ou hybride maquillage et soin (BBcream) pour des zones variées allant du visage, cheveux, jusqu’au corps.
Le présent kit et procédé de préparation par blocs, à partir d’un bloc de base formulatoire robuste, permet une formulation rapide sur mesure par simple combinaison dudit bloc de base / bloc textural, avec différents blocs fonctionnels, et permet d’explorer toute une gamme de textures, d’effets sensoriels et de bénéfices avec une performance au moins égale aux formules classiques fabriquées selon un procédé industriel classique par mélange matière première par matière première.
Par exemple, l’étape de sélection d’une disposition optimale peut être basée sur une fonction d’évaluation tenant compte du volume perdu par chaque disposition stable précédemment déterminée.
Une telle fonction utilise par exemple la formule dite de « Héron » connue de l’homme du métier.
L’invention concerne, selon un deuxième aspect, un procédé de palettisation dans lequel :
des articles sont transportés vers un poste de chargement par des moyens de convoyage, les articles sont chargés par un dispositif de chargement sur un contenant agencé dans le poste de chargement, le dispositif de chargement étant contrôlé par un moyen de contrôle comprenant un moyen de calcul, le procédé comprend une étape dans laquelle ledit moyen de calcul détermine une disposition stable d’un article sur le contenant avant son chargement,
dans lequel, pour déterminer la stabilité de l’article, le calcul comprend :
une étape de calcul pour l’article d’un polygone de sustentation récursif tenant compte d’un polygone de sustentation de chaque article de dessous avec lequel il sera en contact, une étape de projection verticale vers le bas du centre de gravité dudit article, une étape de conclusion dans laquelle l’article est considéré stable si la projection de son centre de gravité rencontre (c’est-à-dire qu’il passe par) le polygone de sustentation récursif.
L’avantage technique est le même que celui décrit pour le procédé précédent.
Le procédé peut en outre comprendre une étape dans laquelle le moyen de contrôle définit ou modifie l’ordre dans lequel les articles sont transportés vers le poste de chargement.
Avantageusement, le procédé peut comprendre en outre une étape d’identification de l’article par un moyen de détection en amont ou dans le poste de chargement.
Le moyen de détection peut être une caméra, un lecteur de code-barre, ou tout autre dispositif habituellement utilisé pour l’identification d’articles.
Avantageusement, la position stable de l’article sur le contenant est déterminée par le moyen de contrôle suite à l’étape d’identification.
Avantageusement, le procédé peut comporter une étape optionnelle de correction de la position de l’article lorsque la disposition précédente n’est pas stable.
L’invention concerne en outre un système de palettisation comprenant :
des moyens de convoyage d’articles vers un poste de chargement, des moyens de chargement configurés pour charger les articles sur un contenant agencé dans le poste de chargement, un moyen de contrôle configuré pour contrôler les moyens de chargement et comprenant un moyen de calcul configuré pour déterminer une disposition stable d’un article ou d’une disposition d’articles sur le contenant, parmi des dispositions générées en amont du chargement de l’article ou des articles,
dans lequel, pour déterminer la disposition stable de l’article ou de la disposition d’articles, le moyen de calcul est configuré pour :
calculer pour ledit article ou pour un article de ladite disposition d’articles, un polygone de sustentation récursif tenant compte d’un polygone de sustentation de chaque article de dessous avec lequel ledit article ou l’article de ladite disposition d’articles est en contact, faire une projection verticale vers le bas du centre de gravité dudit article ou de l’article de ladite disposition d’articles, considérer ledit article ou l’article de ladite disposition d’articles, stable si la projection du centre de gravité rencontre le polygone de sustentation récursif.
La est une photographie microscopique desdits cheveux sains et lavés, avant dégradation selon le protocole précité. Les figures 12 et 13 sont des photographies microscopiques des mêmes cheveux après dégradation selon le protocole susvisé. Les clichés des figures 11 à 13 ont été obtenus au moyen d’un microscope numérique référencé VHX-2000 de la société Keyence France, 1 place Costes et Bellonte, 92270 Bois-Colombes (France).
On constate, sur les cheveux sains et lavés ( 1) d’une part, puis dégradés (figures 12 et 13) d’autre part, différents défauts qui peuvent être classés selon les quatre catégories suivantes : – classe A : tâches sombres en milieu d'écailles ; – classe B : zones blanches semi-circulaires, se situant généralement surtout aux extrémités des écailles, et correspondant à des décollements ou soulèvements d'écailles ; – classe C : apparition de l’endocuticule suite à un arrachement des parties supérieures des écailles ; – classe D : entailles de type III, parallèles à l'axe du cheveu et dues au craquèlement de la cuticule.
Les défauts de classes A et B sont les plus courants et les plus visibles.
Les défauts de classe A ont été quantifiés pour 7 séries de 4 cheveux sains et lavés qui ont subi un endommagement artificiel selon le protocole évoqué ci-avant. Le graphique de la représente la densité de défauts χA (en %) pour les 7 séries de 4 cheveux en question, chaque série étant référencée Si, avec i = 1 à 7. Les données relatives aux cheveux sains et lavés (avant endommagement) sont représentées par des carrés, tandis que les données relatives aux cheveux endommagés sont représentées par des triangles.
La densité de défauts χA est déterminée de la façon suivante : – un cliché du cheveu concerné est capturé par un microscope numérique de haute résolution doté d'un objectif à zoom optique avec un grossissement maximal de 5000, par exemple le microscope numérique référencé VHX-2000 de la société Keyence France précité ; – la densité de défauts χA est estimée par traitement de l'image ainsi obtenue, au moyen d'un programme informatique de détection et quantification des défauts.
Le programme de traitement d’image en question permet de calculer la densité χ A par détermination du nombre total de pixels N de l'image correspondant aux défauts de la classe A (tâches sombres), rapporté au nombre total de pixels N Z de l'image en question, selon la formule suivante : χ A = N / N z où N est le nombre total de pixels appartenant aux défauts de classe A et N z est le nombre total de pixels de l'image.
Comme le montre le graphe de la , la densité de défauts de classe A a augmenté significativement après que les cheveux ont été artificiellement endommagés comme décrit ci-avant.
Les cheveux dégradés correspondant au cliché des figures 12 et 13 et au graphe de la (données représentées par des triangles) sont ensuite divisés en deux groupes, savoir un groupe n°1 qui est soumis à un premier protocole d’embellissement (protocole n°1), et un groupe n°2 qui est soumis à un deuxième protocole d’embellissement (protocole n°2). Ces protocoles d’embellissement sont les suivants.
Protocole n ° 1 : traitement thermo- mécanique sans vapeur
Un traitement thermo-mécanique est appliqué aux cheveux du groupe n°1 au moyen d'un appareil de type lisseur à vapeur, dont la fonction d'émission de vapeur a été désactivée. Le traitement appliqué consiste en trois passages du lisseur sur les cheveux tendus (par exemple au moyen d’une masse de 400 g attachée à une extrémité du cheveu tandis que l’autre extrémité est attachée à un bâti fixe), à une vitesse de 20 mm/s, sur sensiblement toute la longueur des échantillons.
Ce traitement en trois passages est répété pour différentes températures de traitement, variant de 100 °C à 200 °C.
Protocole n° 2 : traitement thermo -mécanique avec flux de vapeur
Le traitement n°2 consiste à soumettre les cheveux du groupe n°2 à un traitement thermo-mécanique avec vapeur réalisé au moyen d'un lisseur à vapeur dont le débit massique de vapeur est fixé à environ 2 g/min.
Le traitement appliqué consiste en trois passages du lisseur sur les cheveux tendus (par exemple au moyen d’une masse de 400 g attachée à une extrémité du cheveu tandis que l’autre extrémité est attachée à un bâti fixe), à une vitesse de 20 mm/s, sur sensiblement toute la longueur des échantillons.
Résultats des travaux expérimentaux n°1
est un graphique comparatif de l’évolution de la tension de référence en fonction de la température pour le circuit de l'invention et pour un circuit de l'état de la technique, et
est un graphique comparatif de l’évolution de la tension de référence en fonction de la tension d’alimentation pour des transistors théoriquement identiques mais dont les paramètres intrinsèques diffèrent à cause des tolérances de fabrication, pour le circuit de l’invention et pour le circuit de l'état de la technique.
Description détaillée des modes de réalisation Tel qu’illustré sur les figures 2 à 6, le circuit de référence de tension de l'invention comporte un transistor de tête M1 , M11 , M21 , M31 dont le drain est connecté à une source de tension Vcc . La source de tension Vcc fournit de préférence une tension continue comprise entre 0 et 12 V. Cependant, cette tension continue peut présenter des variations autour de la tension cible. Typiquement, la tension peut varier de 0,1 à 0,5 % par rapport à sa valeur cible.
Le circuit de référence de tension de l'invention comporte également un transistor de queue M2 , M14 , M26 , M36 .
Les deux transistors de tête M1 , M11 , M21 , M31 et de queue M2 , M14 , M26 , M36 sont connectés l’un à l’autre par un quadripôle de liaison 10 , 20 , 30 , 40 .
Dans le mode de réalisation des figures 2 et 3, le quadripôle de liaison 10 correspond à deux courts-circuits. Un premier court-circuit relie les bornes Q1 et Q3 du quadripôle de liaison 10 et le deuxième court-circuit relie les bornes Q2 et Q4 du quadripôle de liaison 10 .
Ainsi, le transistor de tête M1 , M11 , M21 , M31 est connecté, par sa source, au drain du transistor de queue M2 , M14 , M26 , M36 , par l’intermédiaire du court-circuit reliant les bornes Q2 et Q4 . De plus, la source du transistor de queue M2 , M14 , M26 , M36 est connectée à la grille du transistor de tête M1 , M11 , M21 , M31 par l’intermédiaire du court-circuit reliant les bornes Q1 et Q3 .
Dans le mode de réalisation de la , le quadripôle de liaison 20 comporte le comporte deux transistors à appauvrissement M12, M13 en série : un transistor haut M12 et un transistor bas M13. La source du transistor haut M12 est reliée au drain du transistor bas M13 et à la première borne Q1 du quadripôle de liaison 20. La première borne Q1 est également connectée à la grille du transistor de tête M11. Le drain du transistor haut M12 est relié à la deuxième borne Q2 du quadripôle de liaison 20. La deuxième borne Q2 est également connectée à la source du transistor de tête M11. La grille du transistor bas M13 étant reliée à la troisième borne Q3 du quadripôle de liaison 20. La troisième borne Q3 est également connectée à la source du transistor de queue M14. Enfin, la grille du transistor haut M12 et la source du transistor bas M13 sont reliées à la quatrième borne Q4 du quadripôle de liaison 20, cette dernière étant également connectée au drain du transistor de queue M14.
Dans le mode de réalisation de la , le quadripôle de liaison 30 est constitué de deux quadripôles élémentaires QEi, QEi+1 connectés en série, c’est-à-dire que la troisième borne QEi-3 du premier quadripôle élémentaire QEi est connectée à la première borne QEi+1-1 du second quadripôle élémentaire QEi+1 et la quatrième borne QEi-4 du premier quadripôle élémentaire QEi est connectée à la deuxième borne QEi+1-2 du second quadripôle élémentaire QEi+1. Chaque quadripôle élémentaire QEi, QEi+1 comporte deux transistors à appauvrissement M22-M26 : : un transistor haut M22, M24 et un transistor bas M23, M25. La source de chaque transistor haut M22, M24 est reliée au drain de chaque transistor bas M23, M25 et à une première borne QEi-1, QEi+1-1 de chaque quadripôle élémentaire QEi, QEi+1. Le drain de chaque transistor haut M22, M24 est relié à une deuxième borne QEi-2, QEi+1-2 de chaque quadripôle élémentaire QEi, QEi+1, la grille de chaque transistor bas M23, M25 est reliée à une troisième borne QEi-3, QEi+1-3 de chaque quadripôle élémentaire QEi, QEi+1 et la grille de chaque transistor haut M22, M24 et la source de chaque transistor bas M23, M25 sont reliées à une quatrième borne QEi-4, QEi+1-4 de chaque quadripôle élémentaire QEi, QEi+1. Les bornes QEi-1 et QEi-2 forment respectivement les bornes Q1 et Q2 du quadripôle de liaison 30 et les bornes QEi+1-3 et QEi+1-4 forment respectivement les bornes Q3 et Q4 du quadripôle de liaison 30.
Dans le mode de réalisation de la , le quadripôle de liaison 40 est constitué de n quadripôles élémentaires QE1-QEn, avec n > 1. Chaque quadripôle élémentaire comporte deux transistors à appauvrissement : un transistor haut M32, M34 et un transistor bas M33, M35, connectés de la même manière que pour les quadripôle élémentaire QEi, QEi+1 décrits en référence à la . Les quadripôles élémentaires QE1-QEn sont connectés en série, avec deux quadripôles élémentaires QEi, QEi+1 consécutifs reliés de sorte que la première borne QEi+1-1 du quadripôle élémentaire QEi+1 est reliée à la troisième borne QEi-3 du quadripôle élémentaire QEi et la deuxième borne QEi+1-2 du quadripôle élémentaire QEi+1 est reliée à la quatrième borne QEi-4 du quadripôle élémentaire QEi. La première et la deuxième borne QE1-1, QE1-2 du quadripôle élémentaire QE1 forment la première et la seconde borne Q1, Q2 du quadripôle de liaison 40 et la troisième et la quatrième borne QEn-3, QEn-4 du quadripôle élémentaire QEn forment la troisième et la quatrième borne Q3, Q4 du quadripôle de liaison 40.
Les transistors de tête et de queue sont des transistors à appauvrissement. Ils peuvent appartenir à la catégorie des transistors GaN ou des transistors MOS.
Le transistor de queue M1 , M11 , M21 , M31 est relié par sa source à une borne d’un premier dipôle. La grille du transistor de queue M1 , M11 , M21 , M31 est reliée à la seconde borne du premier dipôle. Le premier dipôle peut par exemple être une résistance R1 , R11 , R21 , R31 tel qu’illustré sur les figures 2 et 4-6, ou encore une diode. Par exemple, le premier dipôle est un transistor à enrichissement M4 , monté en diode, c’est-à-dire que sa grille est connectée à son drain, tel qu’illustré sur la .
La seconde borne du premier dipôle est connectée en série avec un second dipôle 15 , 25 , 35 , 45 .
Dans le mode de réalisation des figures 2 et 3, le second dipôle 15 correspond à un court-circuit.
Dans le mode de réalisation de la , le second dipôle 25 comporte un transistor à enrichissement M15 dont la source est connectée à la seconde borne du second dipôle 25 et dont la grille est connectée à son drain. Ce dernier est également connecté à la première borne du second dipôle 25.
Dans le mode de réalisation de la , le second dipôle 35 comporte 2 transistors à enrichissement M27, M28. Chaque transistors M27, M28 a sa grille connectée à son drain. Les transistors M27, M28 sont connectés en série, c’est-à-dire la source du premier transistor M27 est connectée au drain du second transistor M28. Le drain du premier transistor M27 forme alors la première borne D1 du second dipôle 45 et la source du deuxième transistor M28 forme la seconde borne D2 du second dipôle 45.
en poids, sur le poids total de la formule finale représentant 100%.
De préférence, dans le Kit selon l’invention :