Ensemble (1) comprenant au moins deux mémoires résistives non volatiles disposées électriquement en parallèle entre elles et étant chacune électriquement connectées en série à une couche sélectrice formant respectivement au moins deux sélecteurs, chacun dédié à l’une des mémoires, l’ensemble comportant : un premier empilement (10) planaire, comprenant : une première couche active (11) qui s'étend parallèlement à un plan (P) horizontal donné, la première couche active (11) étant ladite couche sélectrice ; et une première électrode supérieure (121) et une deuxième électrode supérieure (122) qui s'étendent toutes deux sur la première couche active (11) et qui sont isolées électriquement l’une de l’autre, la première électrode supérieure (121) étant délimitée latéralement par une surface latérale (1211, 1212), la deuxième électrode supérieure (122) étant délimitée latéralement par une autre surface latérale (1221, 1222), une couche isolante (62) s’étendant entre une partie de la surface latérale (1212) de la première électrode supérieure (121) et une partie de la surface latérale (1221) de la deuxième électrode supérieure (122) pour isoler électriquement la première électrode supérieure (121) de la deuxième électrode supérieure (122) ; un deuxième empilement (20), qui s’étend de manière oblique ou perpendiculaire par rapport audit plan (P), comprenant une deuxième couche active (21), une partie au moins de la deuxième couche active (21) s’étendant en vis-à-vis d’une autre partie (1211) de la surface latérale de la première électrode supérieure (121), la deuxième couche active (21) étant en contact électrique avec la première électrode supérieure (121), la deuxième couche active (21) étant une couche mémoire résistive non-volatile ; un troisième empilement (30), qui s’étend de manière oblique ou perpendiculaire par rapport audit plan (P), comprenant une troisième couche active (31), une partie au moins de la troisième couche active (31) s'étendant en vis-à-vis d’une autre partie (1222) de la surface latérale de la deuxième électrode supérieure (122), la troisième couche active (32) étant en contact électrique avec la deuxième électrode supérieure (122) la troisième couche active (21) étant une couche mémoire résistive non-volatile ; les deuxième et troisième couches actives (21, 31) étant disjointes, sans contact électrique direct entre elles. Ensemble (1) selon la revendication précédente, comprenant une électrode inférieure (13), qui s’étend sous la première couche active (11), parallèlement à celle-ci, et qui est en contact électrique avec une face inférieure (115) de la première couche active (11), dans lequel une partie au moins de la première électrode supérieure (121) est située à l’aplomb de l’électrode inférieure (13), en se superposant à l’électrode inférieure (13), en projection selon une direction perpendiculaire audit plan (P), et dans lequel une partie au moins de la deuxième électrode supérieure (122) est située à l’aplomb de l’électrode inférieure (13), en se superposant à l’électrode inférieure (13), en projection selon une direction perpendiculaire audit plan (P). Ensemble (1) selon la revendication précédente, dans lequel au moins une des électrodes supérieures (121, 122) se superpose uniquement en partie à l’électrode inférieure (13). Ensemble (1) selon la revendication 2 ou 3, dans lequel : les première et deuxième électrodes supérieures (121, 122) sont séparées l’une de l’autre, selon une direction (X) horizontale donnée, par un écart (D1) donné, et dans lequel selon ladite direction (X), la première électrode supérieure (121) se superpose à l’électrode inférieure (13) sur une distance qui est inférieure audit écart (D1). Ensemble (1) selon l’une des revendications 2 à 4, dans lequel la première couche active (11) s’étend latéralement au-delà de l’électrode inférieure (13), en débordant sur une couche diélectrique (61) qui entoure l’électrode inférieure (13). Ensemble (1) selon l’une des revendications précédentes, dans lequel : la première couche active (11) est délimitée latéralement par une surface latérale (1111, 1122), et l’ensemble (1) comprend en outre un espaceur (151) électriquement isolant qui s’étend au moins contre la surface latérale (1111, 1122) de la première couche active (11), en recouvrant au moins en partie cette surface latérale (1111, 1122). Ensemble (1) selon la revendication précédente, dans lequel l’espaceur (151) recouvre aussi, en partie uniquement, la surface latérale (1211, 1222) d’au moins une des première et deuxième électrodes supérieures (121, 122). Ensemble (1) selon l’une des revendications précédentes, dans lequel les première et deuxième électrodes supérieures (121, 122) sont au contact direct de la première couche active (11). Ensemble (1) selon l’une des revendications précédentes, dans lequel le premier empilement planaire (10) comprend une couche isolante (14) qui s’étend au-dessus des première et deuxième électrodes supérieures (121, 122). Ensemble (1) selon la revendication précédente, comprenant un quatrième empilement (10’), planaire, disposé sur la couche isolante (14), le quatrième empilement comprenant : une quatrième couche active (16) qui s'étend parallèlement audit plan (P), la quatrième couche active (16) étant une couche sélectrice ; une troisième et une quatrième électrodes (171, 172) qui s'étendent parallèlement audit plan (P), entre la quatrième couche active (16) et la couche isolante (14), et qui sont isolées électriquement l’une de l’autre, la troisième électrode (171) étant délimitée latéralement par une surface latérale (1711), la quatrième électrode (172) étant délimitée latéralement par une autre surface latérale (1722), une couche isolante s’étendant entre une partie de la surface latérale de la troisième électrode (171) et une partie de la surface latérale de la quatrième électrode (172) pour isoler électriquement la troisième électrode de la quatrième électrode ; dans lequel la deuxième couche active (21) se prolonge au-delà de la surface latérale (1211) de la première électrode supérieure (121), en s’étendant le long d’une partie (1711) de la surface latérale de la troisième électrode (171), et dans lequel la troisième couche active (31) se prolonge au-delà de la surface latérale (1222) de la deuxième électrode supérieure (122) en s’étendant le long d’une partie (1722) de la surface latérale de la quatrième électrode (172). Ensemble (1) selon la revendication précédente, dans lequel le quatrième empilement comprend : une cinquième électrode (18), qui s’étend au-dessus de la quatrième couche active (16), en contact électrique avec la quatrième couche active, et un troisième espaceur (152) électriquement isolant qui recouvre une surface latérale (181, 182) de la cinquième électrode (18). Ensemble (1) selon l’une des revendications 1 à 11, dans lequel la première couche active (11), commune aux deuxième et troisième empilements (20, 30), est continue, d’un seul tenant. Ensemble (1) selon l’une des revendications 1 à 11, dans lequel la première couche active (11) est divisée en une première partie (116) et une deuxième partie (117) disjointes, la première partie (116) de la couche active (11) s’étendant sous la première électrode supérieure (121), la deuxième partie (117) de la couche active (11) s’étendant sous la deuxième électrode supérieure (122). Matrice (3) de mémoires résistives comprenant une pluralité d’ensembles (1) selon l’une des revendications précédentes, dans laquelle, pour chaque ensemble (1, 1’) : le premier empilement planaire (10) de l’ensemble (1) est relié électriquement à une ligne d’adressage (81a) de la matrice, les deuxième et troisième empilements verticaux (20, 30) de l’ensemble (1) sont reliés électriquement, respectivement, à deux colonnes d’adressage (82a, 82b) de la matrice, les deux colonnes d’adressage étant distinctes. Procédé de fabrication d’un ensemble (1) comprenant au moins deux mémoires résistives non volatiles disposées électriquement en parallèle entre elles et étant chacune électriquement connectées en série, à une couche sélectrice formant respectivement au moins deux sélecteurs, chacun dédié à l’une des mémoires, le procédé comprenant les étapes suivantes : formation d’un premier empilement planaire (10) comprenant : un dépôt d’une première couche active (11) qui s'étend parallèlement à un plan (P) horizontal donné, la première couche active étant ladite couche sélectrice (11) ; et un dépôt d’une première électrode supérieure (121) et d’une deuxième électrode supérieure (122) qui s'étendent toutes deux sur la première couche active (11) et qui sont isolées électriquement l’une de l’autre, la première électrode supérieure (121) étant délimitée latéralement par une surface latérale (1211, 1212), la deuxième électrode supérieure (122) étant délimitée latéralement par une autre surface latérale (1221, 1222), une couche isolante (62) s’étendant entre une partie de la surface latérale (1212) de la première électrode supérieure (121) et une partie de la surface latérale (1221) de la deuxième électrode supérieure (122) pour isoler électriquement la première électrode supérieure (121) de la deuxième électrode supérieure (122) ; formation d’un deuxième empilement (20), qui s’étend de manière oblique ou perpendiculaire par rapport audit plan (P), comprenant une deuxième couche active (21), une partie au moins de la deuxième couche active (21) s’étendant en vis-à-vis d’une autre partie (1211) de la surface latérale de la première électrode supérieure (121), la deuxième couche active (21) étant en contact électrique avec la première électrode supérieure (121), la deuxième couche active (21) étant une couche mémoire résistive non-volatile ; formation d’un troisième empilement (30), qui s’étend de manière oblique ou perpendiculaire par rapport audit plan (P), comprenant une troisième couche active (31), une partie au moins de la troisième couche active (31) s'étendant en vis-à-vis d’une autre partie (1222) de la surface latérale de la deuxième électrode supérieure (122), la troisième couche active (32) étant en contact électrique avec la deuxième électrode supérieure (122), la troisième couche active (31) étant une autre couche mémoire résistive non-volatile. Procédé selon la revendication précédente, dans lequel les étapes de formation des deuxième et troisième empilements sont réalisées en exécutant les étapes suivantes : dépôt conforme d’une couche active globale (9131), une première partie de la couche active globale (9131) s’étendant en vis-à-vis de la surface latérale (1211) de la première électrode supérieure (121), la première partie de la couche active globale (9131) étant en contact électrique avec la première électrode supérieure (121), une deuxième partie de la couche active globale (9131) s’étendant en vis-à-vis de la surface latérale (1222) de la deuxième électrode supérieure (122), la deuxième partie de la couche active globale (9131) étant en contact électrique avec la deuxième électrode supérieure (121) ; séparer la couche active globale (9131) en au moins ladite deuxième couche active (21) et ladite une troisième couche active (31), disjointes.