INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Par exemple, à la détection du franchissement d'un des seuils de détection (bloc 602, DET1) par une des valeurs I ou Q ou les deux, on calcule la différence entre la température courante CTEMP et la température mesurée et stockée lors de la salve précédente PTEMP (en variante, moyennée sur plusieurs salves), et on vérifie (bloc 604, |CTEMP-PTEMP| > ΔTTH ?) si cette différence excède, en valeur absolue, une différence de température prédéterminée ΔTTH. Selon un autre exemple, la température est mesurée pendant chaque phase de calibration des seuils (mise en œuvre en l'absence de détection d'un dispositif dans le champ, par exemple comme cela est décrit dans le document EP 3495986) ainsi que, de préférence, à la suite d’une détection 602 remontée par la machine d’états. Par exemple, on mesure la température lors de la détection 602 et, lors du test 604, de la comparer avec celle mesurée lors de la calibration si c’est la première détection 602 ou lors de la détection précédente lorsqu’il s’agit d’une nième détection 602.
Si le test 604 indique que la variation de température est inférieure au seuil (sortie N du bloc 604), cela signifie que l'on est, a priori, en présence d'un deuxième dispositif. Selon un mode de réalisation simplifié, on valide le franchissement du seuil par la grandeur I ou Q ayant provoqué le déclenchement du processus de validation et on sort alors du mode de détection basse consommation et on passe en mode d’interrogation. De préférence, on effectue, comme cela est représenté, un nouveau test (bloc 606, Q > PTHH ? / Q MTHH ? / I < MTHL ?) par rapport aux fenêtres de détection courante. Si ce deuxième test confirme le premier ayant provoqué le passage en phase de validation (sortie Y du bloc 606), on sort alors du mode de détection basse consommation et on passe en mode d’interrogation (bloc 608, POLLING). Dans le cas contraire (sortie Y du bloc 606), le dispositif reste en mode de détection LPTD. Cependant, pour tenir compte de l'augmentation de la température, le cas échéant plus rapidement que la boucle de calibration prenant en compte l'évolution de la valeur I ou Q correspondante, on recentre la fenêtre W de seuils considérée sur la valeur courante I ou Q (bloc 610, MOVE W).
Si le gradient de température ΔT est supérieur au seuil ΔTTH (sortie Y du bloc 604), on compare (bloc 612, Q > PTHH+G ? / Q MTHH+G ? / I < MTHL-G ?) la ou les valeurs I, Q, ayant provoqué le déclenchement du processus de validation à un seuil augmenté (en valeur absolue) d'une marge G. Cela revient à agrandir la fenêtre de seuils considérée d'une amplitude 2G.
Si le seuil corrigé n'est pas franchi par la valeur ayant provoqué le déclenchement du processus de validation (sortie N du bloc 612), on recentre la fenêtre W de seuils considérée sur la valeur courante I ou Q (bloc 610, MOVE W) et le dispositif reste en mode LPTD.
Si le seuil corrigé est franchi par la valeur ayant provoqué le déclenchement du processus de validation (sortie Y du bloc 612), cela signifie que l'on est bien, a priori (à confirmer par la phase d'interrogation), en présence d'un autre dispositif NFC dans le champ. On sort alors du mode de détection basse consommation et on passe en mode d’interrogation (bloc 608, POLLING).
La illustre, par des chronogrammes, le fonctionnement du mode de réalisation de la . Plus particulièrement, la illustre des exemples de valeurs DET de I ou de Q (I (or Q)) prises au cours de salves de détection et deux exemples DET1 et DET1' de franchissement de la fenêtre courante conduisant, pour l'un (DET1), à un maintien en mode LPTD et, pour l'autre (DET1), au passage en mode d'interrogation.
La valeur du seuil ΔTTH dépend de l'application et plus particulièrement de l'environnement thermique du circuit NFC. Cette valeur est, par exemple, déterminée, lors de la conception du dispositif NFC en fonction de la nature des circuits électroniques à proximité du circuit NFC. Par exemple, elle est déterminée par simulation ou à partir de mesures permettant de vérifier le comportement du circuit NFC à des variations brusques de température. Selon un autre exemple, cette valeur ΔTTH est paramétrable afin de permettre à un fabricant de dispositifs NFC intégrant un circuit NFC d'ajuster cette valeur en fonction de son produit.
A titre d'exemple particulier de réalisation, le seuil ΔTTH est compris entre 2 et 5°C, de préférence de l'ordre de 3°C.
La représente, de façon très schématique et sous forme de bloc, un autre mode de réalisation du procédé de validation de sortie du mode LPTD en fonction du gradient de température.
L'évolution des seuils de détection MTHH, MTHL, PTHH et PTHL est, là encore, toujours effectuée par la prise en compte des mesures antérieures comme dans les procédés illustrés par les figures 2 et 3.
L’unité de traitement 2 est également reliée à une base de données C2 qui comprend des contraintes sur la vallée à savoir : écoulement de l’eau, débits minimums et maximums des pompes et des turbines des usines, volumes minimums et maximums des réservoirs, interdiction de pompage/turbinage simultané.
L’unité de traitement 2 est en outre reliée à une unité d’interface 3 d’entrée qui permet à un utilisateur de communiquer des donnés à l’unité de traitement 2. L’unité de traitement 2 est donc configurée pour mettre en œuvre un procédé de détermination d’un planning de maintenance.
Le procédé qui va être décrit permet de déterminer un planning de maintenance d’un parc de production hydraulique prenant en compte l’ensemble des contraintes de fonctionnement des usines, des contraintes règlementaires et des contraintes sur les maintenances (disponibilité des équipes, accessibilité des sites…). L’incertitude sur les apports en eau, et la demande à venir sont également prise en compte.
La qualité d’un planning est définie en fonction de son impact sur la production, de son adéquation à la demande, et du respect des différentes contraintes. Le procédé permet de prendre en compte la nature incertaine de la vision moyen terme au travers de scénarios de coûts marginaux, qui donnent des visions possibles de la demande.
En effet, une forte demande en électricité à un certain instant t sera vue par le procédé comme une incitation à turbiner : les coûts marginaux impliquent de ne pas placer de maintenance à cet instant t pour pouvoir satisfaire la demande.
De même, le procédé permet de prendre en compte des scénarios d’apports en eau dans les réservoirs (fonte des neiges, précipitations) pour simuler au mieux les niveaux d’eau dans les différents réservoirs et ainsi pouvoir anticiper au mieux les contraintes de niveau minimum d’eau en été et les contraintes de niveau maximum au moment des crues pour éviter les déversements.
En relation avec la et comme indiqué, pour déterminer le planning de maintenance des contraintes sur les tâches de maintenances sont déterminées (étape E1) ainsi qu’une description de la vallée (étape E1’). Ces tâches et cette description sont prises en compte pour déterminer le planning. Une description de la vallée est typiquement des caractéristiques des réservoirs, des usines, scénarios d’apport, vision de la demande, etc.
Le principe du procédé est de déterminer un planning de maintenance qui maximise une fonction qui donne une commande c’est-à-dire les débits de chaque unité de production, pour chaque pas de temps ) qui maximise la moyenne des gains immédiats liés à la puissance produite, et l’espérance de gains futurs représentée par la valeur du stock d’eau final, tout en respectant les contraintes sur les tâches de maintenance. La fonction est la suivante :
: stocks des réservoirs de la vallée au début du pas de temps
: ensemble des stocks admissibles (volumes d’eau minimums et maximums dans les réservoirs)
: ensemble des débits admissibles (débits qui dépendent des caractéristiques de chaque usine, ou débits imposés pour l’irrigation agricole ou l’alimentation en eau potable)
: vecteur contenant l’ensemble des valeurs des variables aléatoires intervenant sur le système au pas de temps (correspond aux scénarios d’apports dans les réservoirs et de coûts marginaux, l’espérance étant calculée sur tous les scénarios)
: évolution des stocks en fonction de l’écoulement de l’eau dans la vallée.
Pour déterminer le planning on procède itérativement selon une méthode de plans sécants. En effet, la fonction n’est pas connue a priori. La seule hypothèse est qu’elle est concave et on peut l’évaluer pour un planning donné.
Les figures 1A à 1K sont des vues en coupe illustrant des étapes d'un exemple d'un procédé de fabrication d'un capteur d'images visibles et infrarouges.
La illustre de façon très schématique une première structure comportant une couche active de détection visible 101, dans laquelle sont définis une pluralité de pixels VP de détection d'un rayonnement visible, par exemple disposés selon un agencement matriciel. La couche 101 est en un matériau semiconducteur, par exemple du silicium monocristallin. La couche 101 est par exemple la couche semiconductrice supérieure d'un empilement de type SOI (de l'anglais "Silicon On Insulator" – silicium sur isolant). Dans cet exemple, l'empilement SOI comprend une couche électriquement isolante 102, par exemple en oxyde de silicium, en contact, par sa face supérieure, avec la face inférieure de la couche 101, et une couche support 103, par exemple en silicium, en contact, par sa face supérieure, avec la face inférieure de la couche isolante 102. L'épaisseur de la couche active 101 est par exemple comprise entre 2 et 10 µm, par exemple de l'ordre de 4 µm.
Chaque pixel VP comprend une partie active formée dans et sur la couche active 101. La partie active comprend par exemple une photodiode (non détaillée sur la figure) et un noeud de lecture SN formés du côté de la face supérieure de la couche 101. La partie active de chaque pixel VP comprend par exemple en outre une grille de transfert TG, verticale ou planaire, permettant d'activer le transfert des charges électriques photo-générées de la photodiode vers le noeud de lecture SN. La partie active de chaque pixel VP peut éventuellement comprendre un ou plusieurs transistors supplémentaires, non détaillés. Les différents élément constituant la partie active de chaque pixel VP ne seront pas détaillés davantage, les modes de réalisation décrits étant compatibles avec toutes ou la plupart des structures connues de pixels de photo-détection, par exemple à un ou plusieurs transistors.
Dans cet exemple, les parties actives des pixels VP sont séparées latéralement les unes des autres par des tranchées ou murs d'isolation 105 s'étendant verticalement à travers la couche active 101, par exemple sur toute l'épaisseur de la couche 101. Les tranchées 105 sont par exemple des tranchées d'isolation capacitives, par exemple de type CDTI (de l'anglais "Capacitive Deep Trench Isolation" – tranchées profondes d'isolation capacitives), comprenant chacune un cœur ou paroi centrale en un matériau électriquement conducteur, par exemple du silicium polycristallin dopé, et un revêtement latéral en un matériau électriquement isolant, par exemple de l'oxyde de silicium. Les modes de réalisation décrits ne se limitent toutefois pas à ce cas particulier. A titre d'exemple, les tranchées 105, sont des tranchées isolantes entièrement remplies d'un matériau diélectrique, par exemple de l'oxyde de silicium, par exemple des tranchées de type DTI (de l'anglais "Deep Trench Isolation" – tranchées d'isolation profondes). Les tranchées d'isolation 105 sont par exemple formées à partir de la face supérieure de la couche active 101. Les parties actives des pixels VP sont par exemple toutes identiques, aux dispersions de fabrication près.
Dans l'exemple représenté, la couche active 101 est revêtue par une couche de passivation 107 en un matériau électriquement isolant, par exemple de l'oxyde de silicium. La couche 107 s'étend par exemple de façon continue sur toute la surface de la structure. La couche 107 est par exemple en contact, par sa face inférieure, avec la face supérieure de la couche active 101.
La illustre une deuxième structure comportant une couche active de détection infrarouge 111. Dans cet exemple, la couche 111 est disposée sur et en contact avec la face supérieure d'un substrat de support 113.
La couche active 111 comprend un matériau absorbant le rayonnement infrarouge destiné à être détecté par le capteur, par exemple un rayonnement émis par une source infrarouge d'un système d'acquisition comprenant le capteur d'images visibles et infrarouges, par exemple un rayonnement de longueur d'onde comprise entre 900 nm et 2 µm, par exemple un rayonnement de longueur d'onde de l'ordre de 940 nm ou un rayonnement de longueur d'onde de l'ordre de 1,4 µm.
La couche active 111 est par exemple en germanium. La couche active 111 est par exemple formée par épitaxie sur et en contact avec la face supérieure du substrat de support 113. Le substrat 113 est par exemple en silicium. Dans cet exemple, la couche active 111 est une couche unique d'un matériau semiconducteur inorganique. A titre de variante, selon le type de détecteur infrarouge que l'on souhaite réaliser, la couche 111 peut être constituée par un empilement de plusieurs couches semiconductrices présentant des niveaux et/ou types de dopage différents.
Dans l'exemple représenté, la couche active 111 est revêtue par une couche de passivation 115 en un matériau électriquement isolant, par exemple le même matériau que la couche 107 ( ), par exemple de l'oxyde de silicium. La couche 115 s'étend par exemple de façon continue sur toute la surface de la structure. La couche 115 est par exemple en contact, par sa face inférieure, avec la face supérieure de la couche active 111.
La illustre la structure obtenue à l'issue d'une étape de report et de fixation de la structure de la sur la structure de la , puis de retrait du substrat 113. Dans cet exemple, la structure de la est fixée par collage direct (aussi appelé collage moléculaire) pleine plaque de la face inférieure (dans l'orientation de la , correspondant à la face supérieure dans l'orientation de la ) de la couche diélectrique 115, sur la face supérieure (dans l'orientation de la , correspondant à la face supérieure dans l'orientation de la ) de la couche 107.
Le substrat 113 est ensuite retiré de façon à exposer la face supérieure (dans l'orientation de la ) de la couche active de détection infrarouge 111. A ce stade, la couche active 111 s'étend de façon continue et avec une épaisseur sensiblement uniforme sur toute la surface supérieure de la structure de détection visible sous-jacente.
La illustre la structure obtenue à l'issue d'étapes de formation de détecteurs infrarouge définissant respectivement une pluralité de pixels de détection infrarouge IRP dans la couche active 111, par exemple disposés selon un agencement matriciel. La formation des détecteurs infrarouge des pixels IRP comprend par exemple une ou plusieurs étapes d' implantation du côté de la face supérieure de la couche 111. Les détecteurs infrarouges du dispositif peuvent être de différents types selon le type de détection infrarouge que l'on souhaite réaliser. A titre d'exemple, les détecteurs infrarouges sont des photodiodes classiques pour mesurer un flux infrarouge. A titre de variante, les détecteurs infrarouges sont des démodulateurs photoniques assistés en courant (CAPD – de l'anglais "Current Assisted Photonic Demodulator"), par exemple du type décrit dans l'article intitulé "Design and Characterization of Current-Assisted Photonic Demodulators in 0.18-µm CMOS Technology" de Gian-Franco Dalla Betta et al., pour mesurer une modulation d'un signal infrarouge afin de remonter à une information de profondeur, ou tout autre type de photodétecteur. Les différents élément constituant les pixels de détection infrarouge IRP ne seront pas détaillés davantage, les modes de réalisation décrits étant compatibles avec toutes ou la plupart des structures connues de pixels de détection infrarouge. Les pixels de détection infrarouge IRP sont par exemple alignés par rapport aux pixels de détection visible VP sous-jacents. Le pas (distance centre à centre entre deux pixels voisins) de la matrice de pixels IRP peut être différent du pas de la matrice de pixels VP. A titre d'exemple le pas de la matrice de pixels IRP est égal au double (dans la direction des lignes et dans la direction des colonnes) du pas de la matrice de pixels VP.
Dans cet exemple, la face supérieure de la couche active 111 est recouverte par une couche de passivation 117, par exemple en un matériau électriquement isolant, par exemple en oxyde de silicium. La couche 117 est par exemple en contact, par sa face inférieure, avec la face supérieure de la couche active 111. A titre de variante, la couche de passivation 117 comprend un empilement, non détaillé sur la figure, comprenant une couche de silicium, non représentée, par exemple de quelques nanomètres d'épaisseur, par exemple de 1 à 25 nm d'épaisseur, en contact, par sa face inférieure, avec la face supérieure de la couche active 111, et une couche diélectrique, par exemple en oxyde de silicium, en contact, par sa face inférieure, avec la face supérieure de la couche de silicium. A titre d'exemple, la couche 117 s'étend de façon continue sur toute la surface supérieure de la structure. La couche 117 est par exemple déposée avant la ou les étapes d'implantation d'éléments dopants pour former les détecteurs à infrarouge des pixels IRP.
La illustre la structure obtenue à l'issue d'une étape de dépôt d'une couche 119 formant un réflecteur pour le rayonnement infrarouge destiné à être détecté par le capteur, sur la face supérieure de la couche de passivation 117. La couche réflectrice 119 s'étend par exemple de façon continue et avec une épaisseur sensiblement uniforme sur toute la surface supérieure de la structure. La couche 119 est par exemple en contact, par sa face inférieure, avec la face supérieure de la couche de passivation 117. La couche réflectrice 119 est de préférence non métallique. A titre d'exemple, la couche réflectrice 119 est en un matériau semiconducteur fortement dopé, par exemple du silicium présentant une concentration en éléments dopants de type N ou P supérieure à 10 20 atomes/cm 3 et d'épaisseur de l'ordre de 400 nm ou supérieure.
Dans cet exemple, une couche en un matériau électriquement isolant 121, par exemple de l'oxyde de silicium, est en outre déposée sur la face supérieure de la couche réflectrice 119. La couche 121 est par exemple en contact, par sa face inférieure, avec la face supérieure de la couche 119. La couche 121 s'étend par exemple de façon continue et avec une épaisseur sensiblement uniforme sur toute la surface supérieure de la structure.
La illustre une étape de fixation d'une structure SOI par collage direct sur la face supérieure de la structure de la . La structure SOI comprend, dans l'ordre, un substrat de support 131, par exemple en silicium, une couche électriquement isolante 132, par exemple en oxyde de silicium, sur et en contact avec une face du substrat de support 131, et une couche semiconductrice active 133, par exemple en silicium monocristallin, sur et en contact avec la face de la couche isolante 132 opposée au substrat de support, à savoir sa face inférieure dans l'orientation de la . Dans l'exemple représenté, la structure SOI comprend en outre une couche 135 en un matériau électriquement isolant, par exemple le même matériau que la couche 121, revêtant la face inférieure de la couche semiconductrice active 133. La structure SOI est préparée en parallèle puis fixée sur la structure de la par collage direct pleine plaque de la face inférieure de la couche 135 sur la face supérieure de la couche 121. Dans cet exemple, la structure SOI s'étend de façon continue sur toute la surface supérieure de la structure.
On peut voir qu’une structure lamellaire est formée dans les échantillons des exemples 1 et 2 et de l’exemple comparatif 1.
Dégradation du rétinol à 45 °C pendant 2 mois La teneur en rétinol de chaque échantillon obtenu a été analysée à l’aide d’une unité de chromatographie liquide à haute performance (UPLC) Thermo Fisher UltiMate 3000. Avant d’être soumis à l’injection, les échantillons ont été mélangés uniformément dans leurs contenants d’origine et 900 à 1000 mg ont été prélevés à l’aide d’un compte-gouttes en verre et dissous dans 25 ml d’alcool isopropylique. Les échantillons ont été mis au repos pendant 30 minutes puis filtrés pour une analyse HPLC ultérieure. L’unité HPLC était équipée d’une colonne ACQUITY UPLC BEH Shield RP18, 100 x 2,1 mm, 1,7 µm réglée à 60 °C. Le volume d’injection de l’échantillon était de 1 µL. La phase mobile utilisée était MeOH/H 2 O avec du H 3 PO 4 à 0,2 % avec une élution en gradient décrite dans le tableau 4. Un détecteur à barrettes de diodes a été utilisé et le rétinol a été détecté à la longueur d’onde de 325 nm, et le pic d’élution signature du rétinol était à 2,14 min. Une courbe d’étalonnage avec une teneur en rétinol de 5 ppm à 100 ppm a été utilisée pour calculer la teneur finale en rétinol dans un échantillon.
[Tableau 4] Profil d’élution en gradient Temps, min Débit, mL/min MeOH, % H 2 O (+ H 3 PO 4 0,2 %), % 0 0,6 70 30 3,50 0,6 100 0 4,50 0,6 100 0 5,50 0,6 85 15 5,51 0,6 70 30 6,50 0,6 70 30
La dégradation du rétinol à 45 °C pendant 2 mois a été calculée selon l’équation suivante :
(C T0 -C T2M )/C T0 *100 %
C T0 indique la teneur en rétinol de l’échantillon fraîchement préparé ;
C T2M indique la teneur en rétinol de l’échantillon après avoir été au repos à 45 °C pendant 2 mois.
La précision des méthodes de quantification est de ±5 %.
Les résultats de la dégradation du rétinol à 45 °C pendant 2 mois de chaque composition préparée ci-dessus sont indiqués dans les tableaux 5 et 6.
[Tableau 5] Dégradation du rétinol après 2 mois de stockage à 45 C, exemples Propriétés Ex. 1 Ex. 2 Dégradation du rétinol 10 % 10 %
[Tableau 6] Dégradation du rétinol après 2 mois de stockage à 45 C, exemples comparatifs Propriétés EC. 1 EC.2 EC. 3 Dégradation du rétinol 25 % 30 % 20 % Propriétés EC. 4 EC. 5 EC. 6 EC. 7 Dégradation du rétinol 100 % 65 % 75 % 85 %
On peut voir que les échantillons des exemples 1 et 2, qui formaient une phase à structure lamellaire et comprenaient un antioxydant, présentent une stabilité sensiblement améliorée par rapport aux exemples comparatifs 1 à 7. La comparaison des exemples 1 et 2 par rapport à EC. 1 et EC.3 par rapport à EC.2 révèle clairement les effets positifs dans la stabilisation du rétinol obtenus par l’ajout d’un antioxydant. En comparant les Ex. 1 et 2 par rapport à EC. 3 et EC.1 par rapport à EC.2, on peut voir que, par rapport à une émulsion non structurée, la formation d’une émulsion à structure lamellaire confère au rétinol une stabilité encore meilleure, que ce soit en présence ou en l’absence d’antioxydant. Les résultats des EC.4 à 7 montrent la détérioration de la stabilité du rétinol due à l’utilisation de types d’huiles indésirables. Ces résultats démontrent l’effet synergique dans l’amélioration de la stabilité du rétinol en combinant la technologie de phase à structure lamellaire avec la technologie d’anti-oxydation chimique.
Composition et application notamment cosmétique L’invention est relative à une composition et à son application notamment cosmétique, pour procurer un effet apaisant sur la peau et/ou maintenir l’homéostasie.
La peau est un organe complexe constituée de 3 couches de tissus : l’épiderme, couche la plus superficielle et constituée de tissu épithélial comprenant les kératinocytes et les mélanocytes ; le derme, tissu conjonctif qui soutient l’épiderme et comprenant entre autres les fibroblastes ; et l’hypoderme, tissu adipeux situé sous le derme.