Photodiode à avalanche (10, 30, 53) comprenant un empilement de couches comprenant une diode à avalanche (12, 32) et une première couche (14, 34) dans laquelle sont situées des boites quantiques. Photodiode selon la revendication 1, dans lequel l'empilement comprend une deuxième couche d'extraction de charges (20, 40). Photodiode selon la revendication 2, dans lequel la deuxième couche est en contact avec la première couche (14, 34). Photodiode selon la revendication 3, dans lequel la photodiode comprend une troisième couche d'oxyde conducteur isolante électriquement (22, 42, 68) séparée de la première couche (14, 34) par la deuxième couche (20, 40). Photodiode selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel la diode à avalanche comprend une quatrième couche semiconductrice (16) d'un premier type de conductivité, et une cinquième couche semiconductrice (18) d'un deuxième type de conductivité, les quatrième et cinquième couches semiconductrices formant une jonction PN, la cinquième couche étant plus proche de la première couche (14, 34) que la quatrième couche. Photodiode selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel la diode à avalanche comprend une quatrième couche semiconductrice (16) d'un premier type de conductivité, et une cinquième couche semiconductrice (18) d'un deuxième type de conductivité, les première et deuxième couches semiconductrices étant séparées par une sixième couche intrinsèque du premier type de conductivité, les première, deuxième et troisième couches formant une jonction PIN, la cinquième couche étant plus proche de la première couche (14, 34) que la quatrième couche. Photodiode selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel les boites quantiques comprennent des ligands comprenant des molécules de dopants du premier type de conductivité. Photodiode selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel la diode à avalanche (12, 32) repose sur un substrat semiconducteur (54). Dispositif électronique comprenant au moins deux photodiodes selon l'une quelconque des revendications 1 à 8. Dispositif selon la revendication 9 dans son rattachement à la revendication 8, dans lequel un circuit d'extinction (76, 78) est situé dans le substrat semiconducteur (54). Dispositif selon la revendication 9 ou 10 dans son rattachement à la revendication 5 ou 6, comprenant des murs isolants électriquement (60) séparant les couches du premier type de conductivité des différentes diodes à avalanches (12, 32) les unes des autres Dispositif selon l'une quelconque des revendications 9 à 11 dans son rattachement à la revendication 4, dans lequel la troisième couche (22, 42, 68) est commune à plusieurs photodiodes. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 9 à 12 comprenant des portions (96) reposant sur les murs (60), et s'étendant sur une partie de la hauteur de la première couche, au moins une partie des diodes à avalanche (12, 32) n'étant pas en regard desdites portions (96). Dispositif selon la revendication 13, dans lequel les portions (96) sont en un matériau isolant électriquement ou en un matériau semiconducteur. Procédé de fabrication d'une photodiode à avalanche (10, 30, 53) comprenant la formation d'un empilement de couches comprenant une diode à avalanche (12, 32) et une première couche (14, 34) dans laquelle sont situées des boites quantiques.