INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Selon un deuxième mode de réalisation, lorsque les électrodes comprennent, en sus des autres ingrédients, au moins un matériau actif d’électrode, les électrodes de l’invention peuvent se présenter sous forme d’une première partie comprenant un matériau composite comprenant une matrice polymérique constituée d’un ou plusieurs liants polymériques (par exemple, un ou des liants polymériques spécifiques tel(s) que défini(s) ci-dessus) et comprenant, comme charges, au moins un matériau actif et, éventuellement, un ou plusieurs additifs conducteurs électroniques, tels que ceux définis ci-dessus et une deuxième partie, sous forme d’une couche déposée à la surface de la première partie, ladite couche comprenant une matrice polymérique constituée d’un ou plusieurs liants polymériques (par exemple, un ou des liants polymériques spécifiques tel(s) que défini(s) ci-dessus) et comprenant, comme charge, au moins un sel de métal alcalin de formule (I) telle que définie ci-dessus. Avec un tel mode de réalisation, à l’issue de la première charge du cycle de formation, la couche comprenant le sel de métal alcalin se décompose, en tout ou partie, pour donner les ions alcalins nécessaires à la formation de la couche de passivation sur l’électrode négative, sans que cela ne désorganise la structure interne de l’électrode positive, celle-ci, à l’issue de la première charge, présentant une organisation structurale similaire à celle d’une électrode classique, notamment sans qu’il n’y ait apparition de volume mort et de perte de matériau actif. D’autre part, contrairement aux modes de réalisation de l’art, où le sel sacrificiel est introduit directement dans la composition précurseur de l’électrode positive et où il est nécessaire d’inclure une quantité de sel supérieure à celle nécessaire à la formation de la couche de passivation du fait de l’impossibilité de maîtriser le placement des grains de sel dans la structure de l’électrode, le procédé de l’invention donne la possibilité d’utiliser, du fait de la localisation du sel alcalin juste à la surface de l’électrode positive, uniquement la quantité suffisante à la formation de la couche de passivation sur l’électrode négative. Dans ce cas, il n’y a donc pas de sel excédentaire dans l’électrode positive après formation de la couche de passivation et donc de matière inutile dans celle-ci.
Les électrodes positives sont avantageusement en contact avec un collecteur de courant, par exemple, un feuillard en aluminium.
Les électrodes positives de l’invention sont destinées à être incorporées dans une cellule d’accumulateur métal alcalin-ion, laquelle est également un des objets de l’invention et comprend ainsi une électrode positive telle que définie ci-dessus, une électrode négative et un électrolyte disposé entre l’électrode positive et l’électrode négative.
On précise que, par électrode négative, on entend, classiquement, dans ce qui précède et ce qui suit, l’électrode qui fait office d’anode, quand le générateur débite du courant (c’est-à-dire lorsqu’il est en processus de décharge) et qui fait office de cathode, lorsque le générateur est en processus de charge.
Classiquement, l’électrode négative comprend, comme matériau actif d’électrode, un matériau apte à insérer, de manière réversible, des ions alcalins (tel que des ions lithium, lorsque l’accumulateur est un accumulateur lithium-ion ; des ions sodium, lorsque l’accumulateur est un accumulateur sodium-ion ; des ions potassium, lorsque l’accumulateur est un accumulateur potassium-ion.
Lorsque l’électrode négative est destinée à un accumulateur au lithium, le matériau actif d’électrode négative peut être choisi parmi :
Problème technique L’efficacité du filtrage effectué par l’unité de filtrage peut alors fortement diminuer en fonction du placement de l’unité de filtrage sur le chemin de signal filtré.
Résumé Un objet de la présente invention est de remédier au moins partiellement aux inconvénients précités.
Selon un premier aspect, il est proposé un dispositif électronique comprenant une carte électronique sur laquelle sont implantés, un sous-ensemble analogique et une unité de filtrage, le sous-ensemble analogique comprenant un ou plusieurs composants analogiques, dans lequel le sous-ensemble analogique est protégé par un blindage implanté sur une face de la carte électronique, dans lequel l’unité de filtrage est implantée sur la face de la carte électronique sur un chemin de signal connecté électriquement au sous-ensemble analogique (par exemple connectant électriquement un ou plusieurs composants situés à l’extérieur du blindage au sous-ensemble analogique), dans lequel l’unité de filtrage comprend un composant capacitif implanté sous le blindage et connecté à une masse analogique, et dans lequel l’unité de filtrage comprend en outre un composant de filtrage placé en entrée de l’unité de filtrage en série sur le chemin de signal en traversée du blindage ou au voisinage immédiat de l’extérieur du blindage.
Le dispositif proposé permet avantageusement, grâce au placement du composant capacitif de l’unité de filtrage sous le blindage et au placement du composant de filtrage de l’unité de filtrage placé en entrée de l’unité de filtrage en série sur le chemin de signal en traversée du blindage ou au voisinage immédiat (soit à proximité immédiate, ou le plus proche possible) de l’extérieur du blindage, d’améliorer l’efficacité du filtrage des perturbations électromagnétiques générées par les composants extérieurs au blindage, qu’il s’agissent de composants sur la carte électronique (par exemple les composants d’un bloc perturbateur ou de composants externes à la carte électronique (par exemple les perturbations électromagnétiques générés par une alimentation d’un serveur informatique ou un PC dans lequel la carte électronique est insérée (par exemple sur un port d’extension)) qui autrement viendraient perturber, par couplage sur le signal pénétrant sous le blindage, le fonctionnement du sous-ensemble analogique.
Dans un ou plusieurs modes de réalisation, l’unité de filtrage du dispositif proposé comprend un composant de filtrage placé en entrée de l’unité de filtrage en série sur un chemin de signal connectant électriquement des composants (par exemple électroniques) situés à l’extérieur du blindage (par exemple un signal provenant d’un bloc perturbateur électromagnétique extérieur au blindage protégeant le sous-ensemble analogique) au sous-ensemble analogique, qui est avantageusement placé en traversée du blindage ou, selon le mode de réalisation choisi, à proximité immédiate du blindage (espacé le moins possible du blindage, par exemple du capot de blindage), de manière à filtrer efficacement toute perturbation électromagnétique extérieur au sous-ensemble analogique protégé par le blindage (par exemple placé sous un capot de blindage). Ce placement du composant de filtrage d’entrée de l’unité de filtrage au plus près du blindage ou, lorsque cela est possible, en traversée du blindage (et donc du capot lorsque le blindage comprend un capot), permet avantageusement de limiter, voire d’éviter, l’exposition du signal filtré en sortie de ce composant de filtrage au bruit électromagnétique susceptible de perturber le fonctionnement des composants protégés par le blindage. En effet, dans les modes de réalisation dans lesquels le composant de filtrage est placé au plus près du blindage, la longueur de la portion de chemin de signal en sortie de ce composant située à l’extérieur du blindage (portion de chemin de signal entre la sortie du composant de filtrage et le blindage) est réduite autant que possible pour éviter que cette portion de chemin ne capte du bruit électromagnétique environnant qui serait alors injecté avec le signal pénétrant le blindage, ou limite autant que possible la quantité de bruit capté. Dans les modes de réalisation dans lesquels le composant de filtrage est placé en traversée du blindage, le signal en sortie de ce composant n’est pas pollué par le bruit environnant puisqu’il est protégé par le blindage.
L’unité de filtrage du dispositif proposé comprend en outre un composant capacitif connecté à une masse analogique, situé en aval du composant de filtrage sur le chemin de signal, qui reçoit donc en entrée un signal filtré issu du composant de filtrage placé en série. Ce composant capacitif est implanté sous le blindage, et ainsi placé à l’intérieur du blindage (par exemple sous un capot de blindage protégeant le sous-ensemble analogique), afin de pouvoir placer le composant de filtrage, situé en amont, en traversée du blindage ou à proximité immédiate du blindage.
Ce composant capacitif de l’unité de filtrage se comportera comme un fil pour les signaux haute fréquence qui le traverseront, en particulier pour les signaux de bruit haute fréquence, et peut donc être utilisé pour diriger des perturbations haute fréquence présentes dans le signal en sortie du composant de filtrage vers la masse. Si ce composant capacitif de l’unité de filtrage était placé à l’extérieur du blindage protégeant le sous-ensemble analogique, le(s) composant(s) de filtrage filtrerai(en)t le bruit du signal le(s) traversant, mais ce bruit se trouverait couplé sur le composant capacitif de l’unité de filtrage par bruit électrique de masse, de sorte que le bruit filtré par le(s) composant(s) de filtrage se retrouverait tout de même du côté opposé à la masse numérique de(s) composant(s) de filtrage (ce bruit serait miroir du bruit de masse numérique présent en dehors du blindage), et pénétrerait le sous-ensemble analogique protégé par le blindage. L’unité de filtrage serait donc moins efficace, et le placement proposé du composant capacitif de l’unité de filtrage sous le blindage permet avantageusement d’éviter cet inconvénient.
L’efficacité de l’unité de filtrage telle que configurée dans le dispositif proposé est ainsi préservée, d’une part par le placement du composant de filtrage d’entrée de l’unité de filtrage (placé en série) au plus proche ou, selon le mode de réalisation, en traversée du blindage (par exemple du capot de blindage), et d’autre part par le placement du composant capacitif de sortie de l’unité de filtrage sous le blindage. Ainsi, selon le mode de réalisation choisi, le dispositif proposé permet avantageusement de préserver (et donc d’améliorer par rapport aux configurations existantes) l’efficacité du filtrage effectué par l’unité de filtrage entre le sous-ensemble analogique et le sous-ensemble numérique, ou entre le sous-ensemble analogique et le sous-ensemble d’alimentation.
Selon un autre aspect, il est proposé un dispositif électronique comprenant une carte électronique sur laquelle sont implantés, un sous-ensemble analogique et une unité de filtrage, le sous-ensemble analogique comprenant un ou plusieurs composants analogiques, dans lequel le sous-ensemble analogique est protégé par un blindage implanté sur une face de la carte électronique, dans lequel l’unité de filtrage est implantée sur la face de la carte électronique sur un chemin de signal connectant électriquement un ou plusieurs composants à l’extérieur du blindage au sous-ensemble analogique, dans lequel l’unité de filtrage comprend un composant capacitif implanté sous le blindage et connecté à une masse analogique, et dans lequel l’unité de filtrage comprend en outre un composant de filtrage placé en entrée de l’unité de filtrage en série sur le chemin de signal en traversée du blindage ou au voisinage immédiat de l’extérieur du blindage.
Selon encore un autre aspect, il est proposé un dispositif électronique comprenant une carte électronique sur laquelle sont implantés, sur une face de la carte électronique, un sous-ensemble analogique, un bloc alimentation/numérique, et une unité de filtrage, le sous-ensemble analogique comprenant un ou plusieurs composants analogiques le bloc alimentation/numérique comprenant un sous-ensemble numérique et/ou un sous-ensemble d’alimentation, le sous-ensemble numérique comprenant un ou plusieurs composants numériques, et le sous ensemble d’alimentation comprenant un ou plusieurs composants d’alimentation électrique du sous-ensemble analogique, dans lequel le sous-ensemble analogique est protégé par un blindage implanté sur la face de la carte électronique, dans lequel l’unité de filtrage est implantée sur un chemin de signal entre le sous-ensemble analogique et le bloc alimentation/numérique, dans lequel l’unité de filtrage comprend un composant capacitif implanté sous le blindage, et dans lequel l’unité de filtrage comprend un composant de filtrage placé en série sur le chemin de signal en traversée du blindage ou au voisinage immédiat du blindage.
Le dispositif proposé dans cet aspect permet avantageusement, grâce au placement du composant capacitif de l’unité de filtrage sous le blindage et au placement du composant de filtrage de l’unité de filtrage placé en entrée de l’unité de filtrage en série sur le chemin de signal en traversée du blindage ou au voisinage immédiat (soit à proximité immédiate, ou le plus proche possible) de l’extérieur du blindage, d’améliorer l’efficacité du filtrage entre, d’une part, le sous-ensemble analogique comprenant un ou plusieurs composants analogiques et protégé des perturbations électromagnétiques extérieures par un blindage (comprenant par exemple un capot de blindage protégeant le ou les composants du sous-ensemble analogique) et, d’autre part, le bloc alimentation/numérique, en ce que le placement de ces composants tel que proposé permet d’éviter une diminution de l’efficacité de filtrage de l’unité de filtrage.
Selon encore un autre aspect, il est proposé un dispositif électronique comprenant une carte électronique sur laquelle sont implantés un sous-ensemble analogique, un bloc alimentation/numérique, et une unité de filtrage, le sous-ensemble analogique comprenant un ou plusieurs composants analogiques radiofréquences de réception radiofréquence faible niveau, le bloc alimentation/numérique comprenant un sous-ensemble numérique et/ou un sous-ensemble d’alimentation, le sous-ensemble numérique comprenant un ou plusieurs composants numériques, et le sous ensemble d’alimentation comprenant un ou plusieurs composants d’alimentation électrique du sous-ensemble d’alimentation, dans lequel le sous-ensemble analogique est protégé par un capot de blindage, dans lequel l’unité de filtrage est implantée sur un chemin de signal entre le sous-ensemble analogique et le bloc alimentation/numérique, et dans lequel l’unité de filtrage est placée sur le chemin de signal en traversée du capot de blindage ou au voisinage immédiat du capot de blindage.
Dans un ou plusieurs modes de réalisation, le sous-ensemble analogique comprend un ou plusieurs composants analogiques de réception de signaux radiofréquences.
Dans un ou plusieurs modes de réalisation, le dispositif comprend en outre un bloc alimentation/numérique implanté sur la carte électronique, le bloc alimentation/numérique comprenant un sous-ensemble numérique et/ou un sous-ensemble d’alimentation, le sous-ensemble numérique comprenant un ou plusieurs composants numériques, et le sous ensemble d’alimentation comprenant un ou plusieurs composants d’alimentation électrique du sous-ensemble analogique, et l’unité de filtrage est implantée entre le sous-ensemble analogique et le bloc alimentation/numérique.
Dans un ou plusieurs modes de réalisation, le chemin de signal est entre le sous-ensemble analogique et le sous-ensemble numérique, ce qui permet avantageusement d’utiliser l’unité de filtrage dans la configuration proposée pour filtrer les signaux entre le sous-ensemble analogique et le sous-ensemble numérique. Par exemple, dans un ou plusieurs modes de réalisation, l’unité de filtrage est configurée pour filtrer un signal de contrôle issu du sous-ensemble numérique pour contrôler le sous-ensemble analogique, par exemple pour le configurer (par exemple un signal de contrôle au format I2C).
Les propriétés dynamiques G*(10%) et tan(d)max sont mesurées à une température de 23°C sur un viscoanalyseur (Metravib VA4000), selon la norme ASTM D 5992-96. On a enregistré la réponse d’un échantillon de composition réticulée (éprouvette cylindrique de 4 mm d’épaisseur et de 400 mm² de section), soumis à une sollicitation sinusoïdale en cisaillement simple alterné, à la fréquence de 10Hz, dans les conditions définies de température par exemple à 23°C selon la norme ASTM D 1349-99. On effectue un balayage en amplitude de déformation de 0,1 à 50% (cycle aller), puis de 50% à 0,1% (cycle retour). Les résultats exploités sont le module complexe de cisaillement dynamique G* et le facteur de perte tan(d). Pour le cycle retour, on indique la valeur maximale de tan(d) observée, noté tan(d)max, ainsi que le module complexe de cisaillement dynamique G*(10%) à 10% de déformation, à 23°C.
On rappelle que, de manière bien connue de l'homme du métier, la valeur de tan(δ)max à 23°C est représentative de l’hystérèse et la valeur de G* à 23°C est représentative de la rigidité du matériau. Les résultats de performance tan(δ)max à 23°C et G* à 23°C sont exprimés en base 100, la valeur 100 étant attribuée au témoin. Pour tan(δ)max à 23°C un résultat supérieur à 100 indique que la composition de l'exemple considéré est moins hystérétique à 23°C, traduisant une moindre résistance au roulement de la bande de roulement comportant une telle composition. Pour G* à 23°C un résultat supérieur à 100 indique que la composition de l'exemple considéré est plus rigide, traduisant une amélioration du comportement routier.
Par ailleurs, la propriété d’intégrale de la valeur tan(δ) observée de -30℃ à 0℃ (Int. tan(δ) [-30°C ; 0°C]) a été mesurée sur une viscoanalyseur (Metravib VA4000) selon la norme ASTM D5992-96. On a enregistré la réponse d'un échantillon de composition réticulé (éprouvette cylindrique d'épaisseur 4 mm et de section 400 m2), soumis à une simple contrainte de cisaillement sinusoïdale alternative, à une fréquence de 10 Hz, lors d'un balayage en température, sous une contrainte stationnaire de 0,25MPa.
On rappelle que, de manière bien connue de l'homme du métier, l’intégrale de la valeur tan(δ) observée de -30℃ à 0℃ est représentative de l’adhérence sur sol mouillé. Les résultats de performance Int. tan(δ) [-30°C ; 0°C] et G* à 23°C sont exprimés en base 100, la valeur 100 étant attribuée au témoin. Pour Int. tan(δ) [-30°C ; 0°C], un résultat supérieur à 100 indique que la composition présente une meilleur adhérence sur sol mouillé.
Le compromis de performance entre la résistance au roulement, le comportement routier et l’adhérence sur sol mouillé peut être considéré comme étant la moyenne arithmétique des résultats présentés en base 100.
III-2 Synthèse des polymères : Dans la synthèse de polymères, tous les réactifs sont obtenus commercialement exceptés les métallocènes. Le butyloctylmagnésium BOMAG (20% dans l’heptane, C = 0,88 mol.L -1 ) provient de Chemtura et est stocké dans un tube de Schlenk sous atmosphère inerte. L’éthylène, de qualité N35, provient de la société Air Liquide et est utilisé sans purification préalable. Le myrcène (pureté ≥ 95%) sont obtenus chez Sigma-Aldrich.
Les polymères suivants sont synthétisés selon le mode opératoire décrit ci-après : - copolymère d’éthylène et de myrcène : élastomère E1 - copolymère d’éthylène, de butadiène et de myrcène : élastomère E2
Dans un réacteur contenant à 80°C du méthylcyclohexane, ainsi que de l’éthylène (Et) et du butadiène (Bd) et/ou du myrcène (Myr) dans les proportions indiquées dans le Tableau 4, on ajoute du butyloctylmagnésium (BOMAG) pour neutraliser les impuretés du réacteur, puis le système catalytique (voir Tableau 3). A ce moment, la température de réaction est régulée à 80°C et la réaction de polymérisation démarre. La réaction de polymérisation se déroule à une pression constante de 8 bars. Le réacteur est alimenté tout au long de la polymérisation en éthylène et en butadiène (Bd) et/ou myrcène (Myr) dans les proportions définies dans le Tableau 4. La réaction de polymérisation est stoppée par refroidissement, dégazage du réacteur et ajout d’éthanol. Un anti-oxydant est ajouté à la solution de polymère. Le copolymère est récupéré par séchage en étuve sous vide jusqu’à masse constante. Le système catalytique est un système catalytique préformé. Il est préparé dans le méthylcyclohexane à partir d’un métallocène, le [Me 2 SiFlu 2 Nd(µ-BH 4 ) 2 Li(THF)], d’un co-catalyseur, le butyloctylmagnésium (BOMAG), et d’un monomère de préformation, le 1,3-butadiène, dans les teneurs indiquées dans le Tableau 3. Il est préparé selon une méthode de préparation conforme au paragraphe II.1 de la demande de brevet WO 2017/093654 A1.
La microstructure des élastomères E1 et E2 et leurs propriétés figurent dans les Tableaux 4. Pour la microstructure, la Tableau 4 indique les taux molaires des unités éthylène (Eth), des unités du 1,3-butadiène, des motifs 1,2-cyclohexanediyle (cycle), des unités myrcène. Y figure également la proportion molaire des unités myrcène selon qu’elles sont de configuration 1,4, de configuration 1,2 et 3,4.
Synthèse E1 E2 Concentration métallocène (mmol/L) 0,09 0,09 Concentration agent alkylant (mmol/L) 0,17 0,23 Ratio molaire monomère préformation/ métal Nd 90 90 Composition de l’alimentation (%mol Et/Myr) 60/40 - Composition de l’alimentation (%mol Eth/Bd/Myr) - 69/8/23
Elastomère E1 E2 Et (%mol) 74 73 Bd (%mol) - 8 1,2-cyclohexanediyle (%mol) - 4 Myr (%mol) 26 15 Myr 1,4 (%mol/ %mol Myr) 31 33 Myr 1,2 (%mol/ %mol Myr) 4 Myr 3,4 (%mol/ %mol Myr) 65 66 Tg (°C) -59 -55 Mn (g/mol) 367 400 139 800
III-3 Préparation des compositions de caoutchouc :
Dans les exemples qui suivent, les compositions caoutchouteuses ont été réalisées comme décrit au point II-6 ci-dessus. En particulier, la phase « non-productive » a été réalisée dans un mélangeur de 3 litres pendant 5 minutes, pour une vitesse moyenne de palettes de 50 tours par minute jusqu’à atteindre une température maximale de tombée de 160°C. La phase « productive » a été réalisée dans un outil à cylindre à 23°C pendant 10 minutes. La réticulation de la composition a été conduite à une température de 150°C, sous pression.
III-4 Essais de caoutchouterie : Les exemples présentés ci-dessous ont pour objet de comparer le compromis de performance entre la résistance au roulement et le comportement routier de deux compositions conformes à la présente invention (C1 et C2) avec 4 composition témoin (T1 à T4). Le Tableau 5 présente les compositions testées (en pce), ainsi que les résultats obtenus.
Les compositions témoin diffèrent des compositions conformes à l’invention par la nature du plastifiant liquide utilisé.
Le bloc supérieur de rive s’étend préférentiellement entre les deux nervures latérales d’extrémité sous la forme d’un bloc continu ou discontinu en fonction des variantes de réalisation.
Dans la forme préférée de l’invention, les nervures longitudinales comportent au moins une nervure longitudinale intermédiaire située entre la nervure inférieure de rive et la nervure supérieure décalée, ladite nervure longitudinale intermédiaire s’étendant de manière continue ou discontinue et comportant au moins deux organes d’ancrage pour des étais disposés symétriquement par rapport à un axe vertical médian du panneau.
De manière préférentielle, la partie courante du panneau, s’étendant entre les blocs latéraux de rive, la nervure inférieure de rive et le bloc longitudinal de rive, comporte au moins des nervures latérales intermédiaires et des blocs d’élégissement intermédiaires, qui peuvent être agencés en fonction de la présence ou non d’au moins une ouverture prévue dans ledit panneau de façade.
Les blocs latéraux de rive et/ou le bloc supérieur de rive peuvent avantageusement présenter des propriétés physiques différentes des blocs d’élégissement intermédiaires, au moins en termes de densité et/ou de conductivité thermique.
Dans la forme préférée de l’invention, la paroi de structure et les nervures de renfort sont réalisées à partir d’au moins un matériau de construction de structure choisi parmi un béton ordinaire, un béton à faible empreinte de dioxyde de carbone, un béton fibré, ou une combinaison d’au moins deux de ces matériaux.