INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Dans cet exemple, quatre dispositifs de stockage d’énergie électrique sont raccordés au point de raccordement commun. La puissance totale demandée au point de raccordement commun est déterminée en fonction d’une fréquence du réseau de distribution électrique. Plus précisément, dans l’exemple illustré sur la figure 5, la puissance totale demandée au point de raccordement commun est déterminée comme une somme de trois composantes de puissance , et .
La première composante de puissance dépend de la fréquence du réseau de distribution électrique.
En effet, la fréquence d’un réseau de distribution électrique doit être maintenue à une valeur de fréquence nominale prédéfinie tout au long du fonctionnement du réseau de distribution électrique. Par exemple, en France, la valeur de la fréquence nominale d’un réseau de distribution électrique est de 50 Hertz.
Si la fréquence du réseau de distribution électrique chute, cela veut dire que la consommation augmente et que les équipements de production électrique doivent fournir plus d’énergie électrique au réseau. Dans cette situation, les dispositifs de stockage d’énergie électrique peuvent contribuer à fournir de l’énergie électrique au réseau de distribution électrique.
Si la fréquence du réseau de distribution électrique augmente, cela veut dire que la consommation diminue et que les équipements de production électrique doivent fournir moins d’énergie. Dans cette situation, les dispositifs de stockage d’énergie électrique peuvent absorber le surplus d’énergie électrique produite par ces équipements de production électrique (par exemple par des panneaux photovoltaïques ou des éoliennes).
La fréquence du réseau de distribution électrique est donc un des paramètres qui permettent de surveiller l’état de production/consommation dans le réseau de distribution électrique.
Comme illustré sur la figure 5, la première composante est donc déterminée en fonction d’une valeur mesurée de la fréquence du réseau de distribution électrique. Par exemple, la première composante de puissance peut être déterminée comme étant inversement proportionnelle à une différence entre la valeur mesurée de la fréquence du réseau de distribution électrique et la valeur de fréquence nominale prédéfinie.
La deuxième composante de puissance peut être déterminée en fonction d’une valeur demandée par le gestionnaire du réseau de distribution électrique, afin de répondre à une demande de puissance particulière. Par défaut, la deuxième composante de puissance peut valoir 0.
La troisième composante de puissance dépend de la moyenne des états de charge des dispositifs de stockage d’énergie électriques i activés. Par exemple, la troisième composante de puissance peut être déterminée comme étant inversement proportionnelle à une différence entre une valeur moyenne des états de charge des dispositifs de stockage d’énergie électriques i activés et une valeur moyenne de référence .
Sur la figure 6, la courbe A représente une variation de la puissance totale demandée à l’ensemble des dispositifs de stockage d’énergie électrique au cours du temps.
Dans cet exemple, quatre dispositifs de stockage d’énergie électrique sont raccordés au point de raccordement commun.
Comme pour la cassette, le pilulier est muni d’un système de verrou évitant la sortie des cellules.
Pour la réalisation de la fonction de distribution des médicaments au niveau du « Dock de distribution », des trappes d’accès, elles aussi sécurisées par des verrous, y sont prévues.
Un dock de remplissage assiste l’opérateur dans la phase de remplissage des cassettes. Une éventuelle découpe des médicaments est réalisée manuellement ou de manière automatisée. Le dock de remplissage est un élément électromécanique qui assure : - de limiter le remplissage à 1 seul type de médicament (DC) par cassette ; - de permettre la traçabilité physique et numérique de la cassette et de son contenu.
Des moyens logiciels guident l’opérateur dans la phase d’identification du médicament, de remplissage et de traçabilité.
Des moyens matériels du dock de remplissage comportent : a) Eléments mécaniques : - en phase 1 : déverrouillage de la cassette avec extraction des cellules de celle-ci ; - en phase 2 : présentation à l’opérateur des cellules pour le remplissage ; - en phase 3 : réinsertion des cellules dans la cassette avec verrouillage de celle-ci ; b) Des éléments électroniques contrôlent l’insertion et la libération de la cassette dans l’élément mécanique et l’état de position des cellules.
L’armoire de préparation est un automate qui a pour fonction principale la préparation des piluliers des patients de l’établissement de santé.
L’armoire de préparation des piluliers fonctionne aussi simplement qu’un distributeur de boisson de dernière génération muni d’un bras cartésien (deux axes XY) qui vient chercher les boissons.
Le dispositif objet de l’invention présente néanmoins des différences notables : Sur les distributeurs de boissons, il y a un actionneur par produit à distribuer (hélice d’Archimède, convoyeur à bande). Au contraire, dans l’armoire de distribution du dispositif objet de l’invention, puisqu’il y a un très grand nombre de ligne de distribution (3 lignes par cassette soit 210 * 3 = 630 auxquelles il faut ajouter les 100 lignes des piluliers), un ou deux actionneurs sont mis en œuvre.
Dans des modes de réalisation, on place un second bras XY à l’arrière de l’automate, qui fonctionne en miroir avec celui de l’avant de l’automate, qui pousse les médicaments. Cependant, le volume mort ne rend pas cette solution préférentielle en termes de dimensions de l’armoire de distribution.
Pour réaliser le transfert des médicaments des casettes vers les piluliers et inversement lors du recyclage, on utilise un principe de boucle sans fin. Ainsi les cellules vides sont utilisées comme allonge de course d’un piston d’actionneur.
Ainsi, les cassettes et les piluliers sont toujours entièrement remplis de cellules vides et/ou pleines pour que l’allonge de course soit constante.
Le système de transfert des médicaments est représenté schématiquement en . On observe la présence d’un bras cartésien arrière avec un porte cellule et un bras cartésien avant avec un porte cellule.
La est une représentation en perspective d’un système de transfert de médicaments entre cassettes et piluliers.
La représente, en perspective, un portique cartésien quatre axe en miroir d’une armoire de distribution mis en œuvre dans des modes de réalisation de l’invention. La représente, en vue de côté, un portique cartésien quatre axe en miroir d’une armoire de distribution mis en œuvre dans des modes de réalisation de l’invention. La représente, en vue de face, un portique cartésien quatre axe en miroir d’une armoire de distribution mis en œuvre dans des modes de réalisation de l’invention. La est une représentation schématique du bras outils du portique cartésien. Le porte cellule (en bleu) du bras outil est un élément fixe en interaction directe avec les cellules, les cassettes et les piluliers. Il est monté sur une table motorisée. Un piston permet d’interagir avec la cellule qu’il porte.
Ce porte cellule est muni d’un certain nombre d’outils, par exemple : - clé de déverrouillage des cassettes et piluliers, - outils d’identification (RFID, code barre…), - capteurs de position et de centrage du porte cellule lors de son approche vers une ligne de cellule.
La est une vue globale, en perspective, de l'armoire de préparation. En rouge est représentée la zone du casier contenant les cassettes de médicament (environ 208). En vert est représentée la zone du casier contenant les piluliers (environ 104). En bleu est représentée la zone du casier contenant un tube de transfert d’une cellule entre le bras avant et le bras arrière.
Un condensateur variable est connecté entre les première et deuxième bornes de sortie de chacune des cellules à transconductance. Selon des modes de réalisation, ces condensateurs peuvent être directement intégrés à chaque cellule à transconductance, ou ils peuvent être connectés à la sortie de chaque cellule à transconductance.
Afin de rendre l’inductance active variable, chacun de ces condensateurs C out est configuré de façon à être variable et réglable (c’est-à-dire que la valeur de capacité peur être modifiée par un utilisateur), par exemple en étant piloté électriquement par un système électronique de commande du filtre 10. A cette fin, chaque condensateur variable peut être réalisé comme précédemment décrit, par exemple en comportant des diodes à capacité variable contrôlables en tension, ou par tout moyen approprié.
Dans un deuxième exemple de construction, on peut former une inductance active variable 8 en connectant deux gyrateurs en série, entre des bornes d’entrée du circuit de l’inductance active et des bornes de sortie du circuit de l’inductance active, chacun de ces gyrateurs comportant l’association de deux cellules à transconductance connectées en parallèle entre elles, tel qu’expliqué précédemment.
Là encore, un condensateur variable est connecté entre les première et deuxième bornes de sortie de chacune des cellules à transconductance. Selon des modes de réalisation, ces condensateurs peuvent être directement intégrés à la cellule à transconductance, ou alternativement peuvent être connectés à la sortie de chaque cellule à transconductance.
De préférence, chaque cellule à transconductance comporte une résistance négative réglable, ou convertisseur d'impédance négative, qui sert à compenser les pertes du filtre.
Par exemple, la valeur équivalente de la résistance négative, telle la résistance négative 9, est contrôlable en plaçant une résistance positive réglable en parallèle de la résistance négative. Dans un tel exemple, la résistance positive réglable peut être construite à partir d’un transistor à effet de champ (tel qu’un transistor MOSFET) fonctionnant en triode. Ainsi connecté, ce transistor fonctionne comme une résistance et sa valeur de résistance équivalente peut être réglée en variant la tension de la grille appliquée sur le transistor. D’autres implémentations sont néanmoins possibles en variante.
Les résistances négatives sont connues et ne sont pas décrites plus en détail. Un exemple de résistance négative est décrit dans l’article de C. Andriesei et al. « Negative resistance based tuning of an RF bandpass filter », Proceedings of the 4th European Conference on Circuits and Systems for Communications, ECCSC, Juillet 2008, Bucarest, Roumanie, DOI : 10.1109/ECCSC.2008.4611651. Cet exemple de construction n’est pas limitatif et d’autres implémentations sont possibles en variante.
Grâce à l’invention, en combinant une ou plusieurs inductances passives fixes avec une ou plusieurs inductances actives variables avec une ou plusieurs résistances négatives 9, on peut construire un filtre radiofréquence adaptif présentant une meilleure linéarité qu’en utilisant seulement des inductances actives, tout en réduisant l’encombrement et les pertes d’insertion liées à l’emploi des seules inductances passives.
Les éléments variables du filtre radiofréquence, tels que les inductances variables actives et les condensateurs variables, permettent au filtre radiofréquence de passer d’une bande de fréquence à une autre, sans avoir besoin de dupliquer des portions entières du circuit pour obtenir un fonctionnement satisfaisant sur de larges bandes de fréquence. Ainsi, le filtre radiofréquence est moins encombrant et moins complexe à concevoir que les filtres radiofréquence passifs connus.
Contrairement aux solutions à inductances passives connues, les pertes d’insertion peuvent avantageusement être réduites et contrôlées grâce aux résistances négatives intégrées aux inductances actives variables.
La met en évidence des performances du filtre 10 de la , notamment pour illustrer l’amélioration des performances en linéarité du filtre 10, au moyen de mesures de distorsion d’intermodulation réalisées sur le filtre 10.
Sur le graphe 80, l’axe des abscisses correspond à la puissance d’entrée de signaux de test fournis au filtre 10, tandis que l’axe des ordonnées correspond à la puissance de sortie des signaux mesurés.
La première courbe 82 correspond à la fréquence fondamentale des signaux de test tandis que la deuxième courbe 84 correspond au produit l’intermodulation de troisième ordre. Les fréquences des signaux de test sont, dans cet exemple, égales à 9,75GHz (« 1 st tone ») et à 9,74 GHz (« 2 nd tone »), respectivement.
Dans ces exemples, la tension d’alimentation du filtre est égale à 1,2V, l’amplitude du courant d’alimentation du filtre est égale à 80mA, et le point d’interception du troisième ordre (IIP3) en entrée, extrapolé à partir des courbes 82 et 84, est égal à +6dBm.
D’autres essais, non illustrés, réalisés pour d’autres tensions d’alimentation et pour d’autres fréquences, ont permis de montrer que les performances en linéarité peuvent être encore plus améliorées, par exemple pour obtenir un point d’interception du troisième ordre (IIP3) allant jusqu’à plus de +20dBm.
Dans le cadre de la présente invention, un nitrure III-N est un nitrure d’élément appartenant de préférence à la colonne IIIa du tableau périodique (trois électrons de valence). Cette colonne IIIa regroupe les éléments terreux tels que le bore, l’aluminium, le gallium, l’indium. Les nitrures III-N considérés dans la présente invention sont notamment le nitrure de bore BN, le nitrure d’aluminium AlN, le nitrure de gallium GaN, le nitrure d’indium InN, et leurs alliages, par exemple et de façon non limitative AlGaN, GaInN.
Dans le cadre de la présente invention, un nitrure réfractaire de transition est un nitrure d’un métal de transition ou élément de transition (élément dont les atomes ont une sous-couche électronique d incomplète, ou qui peuvent former des cations dont la sous-couche électronique d est incomplète). Ces éléments sont regroupés au sein du bloc d du tableau périodique des éléments. Ce sont notamment les éléments Ti, Ta, Nb, Zr, Hf, V. Les nitrures réfractaires de transition considérés dans la présente invention sont notamment le nitrure de titane TiN, le nitrure de tantale TaN, le nitrure de Niobium NbN, le nitrure de zirconium ZrN, le nitrure d’hafnium HfN, le nitrure de vanadium VN.
Dans les exemples décrits ci-dessous, la couche LN/LT illustrée est à base de niobate de lithium LiNbO3. Une couche de tantalate de lithium LiTaO3 ou une couche d’un alliage Li(Ta,Nb)O3 peut être substituée à cette couche de niobate de lithium LiNbO3 dans le cadre de cette invention. Ainsi, toutes les caractéristiques et tous les effets techniques mentionnés à propos du LiNbO3 sont parfaitement applicables et combinables à une couche de LiTaO3 ou de Li(Ta,Nb)O3. D’autres matériaux ABO3 peuvent être substitués à LiNbO3, en particulier : BaTiO3, Pb(Zr,Ti)O3, (K,Na)NbO3.
Des analyses en diffraction des rayons X, par exemple en configuration 2θ, ou en rotation selon φ et/ou Ω (phi-scan et omega-scan), peuvent être effectuées de manière à déterminer la qualité cristalline des couches LN/LT et des couches de nucléation, et leur relation d’épitaxie.
Les figures 1A et 1B illustrent un premier mode de réalisation selon l’invention. La illustre en coupe transverse un dispositif 1 de type filtre SAW. Ce dispositif 1 comprend typiquement un substrat 10 à base de silicium sur lequel est formée une couche de nucléation 20 à base de nitrure d’aluminium AlN. Une couche 30 de niobate de lithium LiNbO3 est directement au contact de la couche de nucléation 20. Une couche d’électrode 40, comprenant des doigts d’électrode 41d, 42d, surmonte la couche 30 LN/LT.
L’utilisation d’une couche de nucléation 20 à base de nitrure réfractaire, notamment en AlN, permet avantageusement de réaliser une hétéro-épitaxie de LiNbO3 sur substrat 10 silicium. Cette solution permet de réaliser des dispositifs 1, typiquement des résonateurs, de haute performance. L’épitaxie permet notamment d’obtenir une couche de LiNbO3 stœchiométrique, orientée préférentiellement et de haute qualité cristalline. L’épaisseur de cette couche de LiNbO3 obtenue par épitaxie est en outre parfaitement contrôlée. La couche de LiNbO3 peut être formée directement sur des substrats 10 de différentes tailles, sans étape de report intermédiaire. Cela permet avantageusement de diminuer les coûts de fabrication d’un tel empilement de couches 10, 20, 30. Un tel procédé peut en outre être directement intégré dans une usine de production au standard de la technologie CMOS (transistors MOS – Métal/Oxyde/Semiconducteur – complémentaires de type N et P).
Le substrat 10 peut être un substrat massif de silicium, dit bulk. Alternativement ce substrat 10 peut être un substrat de type SOI (acronyme de « Silicon On Insulator » signifiant silicium sur isolant). D’autres substrats 10 peuvent être envisagés, par exemple des substrats à base de SiC, des substrats à base de SiGe, des substrats GeOI (acronyme de « Germanium On Insulator » signifiant germanium sur isolant). De tels substrats présentent une compatibilité totale avec les technologies silicium pour la micro-électronique. Le silicium est en outre un matériau rigide permettant de confiner une onde acoustique dans une couche supérieure de type LN/LT. Il est également conducteur thermique. Cela permet par exemple d’évacuer la chaleur générée dans un filtre SAW en fonctionnement.
La couche de nucléation 20 peut être à base de matériau III-N. Elle présente de préférence une structure cristallographique hexagonale. Une telle structure de matériau III-N permet notamment une épitaxie de la couche de nucléation sur du silicium orienté selon (001) et (111). Cela permet également d’épitaxier un matériau LN/LT selon différentes orientations cristallines. De façon préférée, le silicium est orienté selon (111). La couche de nucléation 20 est par exemple à base de nitrure d’aluminium AlN. L’AlN peut être déposé sur silicium et son procédé de dépôt est avantageusement connu et maitrisé. Le nitrure d’aluminium possède un paramètre de maille proche du niobate de lithium. Cela facilite la croissance épitaxiale du niobate de lithium. Le coefficient de dilatation thermique de l’AlN est en outre situé entre celui du LiNbO3 et celui du Si. Cela permet de limiter l’apparition de défauts structuraux dans la couche LN/LT lors des variations de température liées aux différentes étapes de dépôt. La température de fusion de l’AlN est supérieure à 2000°C, bien au-dessus de la température de dépôt du LN/LT, qui est de l’ordre de 700°C. L’AlN présente également une bonne résistance à l’oxydation, et une bonne résistance aux méthodes de dépôt de LN/LT (résistance aux plasmas d’espèces ionisées et aux précurseurs chimiques permettant de synthétiser le matériau LN/LT). L’AlN est également suffisamment rigide pour permettre un bon confinement d’une onde acoustique. Des hautes performances acoustiques peuvent ainsi être obtenues pour le dispositif 1. L’AlN peut également avantageusement servir de couche d’arrêt à la gravure de LN/LT. Cela facilite la réalisation de dispositifs électroacoustiques à couche mince de LN/LT. Cela permet également un bon contrôle dimensionnel des dispositifs. Leurs performances acoustiques sont ainsi améliorées. Le nitrure de bore et le nitrure de gallium présentent des propriétés similaires à celles mentionnées ci-dessus pour le nitrure d’aluminium. Ils peuvent également être avantageusement choisis pour la couche de nucléation 20.
La couche de nucléation 20 peut être formée par une technique de dépôt physique ou chimique, par exemple et de façon préférée par ablation laser pulsé PLD (acronyme de « Pulsed Laser Deposition »). Elle peut être alternativement formée par l’une des techniques suivantes: dépôt chimique en phase vapeur (CVD, acronyme de chemical vapor deposition), préférentiellement dépôt chimique en phase vapeur à précurseurs métal-organiques (MOCVD, acronyme de metal organic chemical vapor deposition), pulvérisation cathodique PVD (sputtering), dépôt par couche atomique assistée par plasma (PEALD, acronyme de plasma enhanced atomic layer deposition).
Elle est de préférence épitaxiée sur le substrat 10. Elle peut être monocristalline ou polycristalline avec par exemple une orientation préférentielle. Une orientation selon un plan de croissance (0001) peut être typiquement choisie pour une couche de nucléation 20 en AlN.
La couche de nucléation 20 formée sur le substrat 10 est de préférence stœchiométrique. Elle présente une épaisseur e2 comprise entre 10 et 1000 nanomètres, par exemple de l’ordre de 100 nm. L’épaisseur e2 de la couche de nucléation 20 peut être choisie en fonction de la qualité cristalline souhaitée.
La couche 30 LN/LT est de préférence à base de niobate de lithium LiNbO3 ou de tantalate de lithium LiTaO3, ou d’un alliage Li(Ta,Nb)O3. Cette couche 30 LN/LT peut être formée par une technique de dépôt physique ou chimique, par exemple et de façon préférée par ablation laser pulsé PLD. Elle peut être alternativement formée par l’une des techniques suivantes: dépôt chimique en phase vapeur (CVD, acronyme de chemical vapor deposition), préférentiellement dépôt chimique en phase vapeur à précurseurs métal-organiques (MOCVD, acronyme de metal organic chemical vapor deposition), pulvérisation cathodique PVD (sputtering), épitaxie par jet moléculaire (MBE, acronyme de Molecular Beam Epitaxy).
Par « polymère anionique », on entend, au sens de l’invention, un polymère comprenant un ou plusieurs groupements anioniques ou anionisables et ne comprenant pas de groupement cationique ou cationisable.
Selon un mode de réalisation préféré, la composition selon l’invention sous forme d’une émulsion eau-dans-huile (E/H), comprend au moins 50% en poids d’eau par rapport au poids de la composition, au moins un tensioactif de type alkylpolyglycoside de formule (I) avec le radical R étant un radical alkyle linéaire ou ramifié en C 18 -C 22 , de préférence un radical octyldodécyle ; et G représentant le xylose, au moins un tensioactif additionnel choisi parmi les diesters de polyhydroxystéarates polyéthoxylés, au moins une huile ester choisie parmi l’isononanoate d’isononyle, le coco caprylate/caprate, et leurs mélanges, et au moins une cire hydrocarbonée ester choisie parmi les mélanges d’esters d’acides carboxyliques en C 14 -C 18 et d’alcools, les cires d’origine animale ou végétale, comme la cire d’abeille et leurs mélanges ;dans laquelle ladite composition ne comprend pas de composé(s) siliconé(s).
Procédé de traitement des matières kératiniques : La présente invention a également pour objet un procédé de soin des matières kératiniques, de préférence la peau, comprenant l’application sur lesdites matières kératiniques d’une composition telle que décrite précédemment.
Utilisation : La présente invention a également pour objet l’utilisation d’une composition selon l’invention pour hydrater les matières kératiniques.
Les compositions suivantes A à C ont été préparées suivant le protocole ci-dessous : - les composants de la phase A sont pesés et mélangés sous agitation mécanique à l’aide d’un homogénéisateur de type Raynery (200 tours/minutes) à 75°C-80 °C pour les solubiliser, la phase A obtenue est homogène ; - la phase B est versée lentement dans la phase A sous une agitation forte (2500 tours/min) sans chauffage, - les phases C, D et E sont ensuite ajoutées à froid.
Phases Nom chimique Composition A (Invention) Composition B (Comparatif) Composition C (Comparatif) A Octyldodecanol (and) octyldodecyl xyloside (Fluidanov 20X de Seppic) 2 2 2 PEG-30 dipolyhydroxystearate (Cithrol DPHS-SO de Croda) 1 1 1 Cire d’abeille (Cire d'abeille blanche de Koster Keunen); 1 1 1 Cetyl esters (and) Cetyl esters (Cetyl Esters Wax 814P de Koster Keunen) 0,5 - - Isononyl isononanoate 1,5 - - Coco-caprylate/caprate 1,5 - - Dicaprylyl ether 1,5 5 - Dimethicone (Dowsil SH 200C Fluid de Dow Corning) - - 5 Glycerin 15 15 15 Conservateurs qs qs qs B Eau Qsp 100 Qsp 100 Qsp 100 C Sodium acrylate/sodium acryloyldimethyl taurate copolymer (and) Isohexadecane (and) Polysorbate 80 (Simulgel EG® de SEPPIC) 1,9 1,9 1,9 D Silica (Sunsphere H 51 d’AGC Si-Tech) 3,5 3,5 3,5 Nylon-12 (Orgasol 2002 d’Arkema) 0,5 0,5 0,5 E Ethanol 5 5 5
Protocole de mesure de la stabilité à court terme et long terme de la composition A selon l’invention :