INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Monoalcools La composition démaquillante peut éventuellement comprendre un ou plusieurs monoalcools ayant de 2 à 5 atomes de carbone. La quantité peut varier, mais dans certains cas, la composition démaquillante comprend environ 0,1 à environ 25 % en poids d’un ou plusieurs monoalcools. De même, dans certains cas, les compositions démaquillantes comprennent environ 0,1 à environ 20 % en poids, environ 0,1 à environ 15 % en poids, environ 0,1 à environ 10 % en poids, environ 0,1 à environ 5 % en poids, environ 0,5 à environ 20 % en poids, environ 0,5 à environ 15 % en poids, environ 0,5 à environ 10 % en poids, environ 0,5 % en poids à environ 5 % en poids d’un ou plusieurs monoalcools, par rapport au poids total de la composition démaquillante. Dans certains cas, des quantités plus élevées de monoalcools peuvent être utilisées, par exemple, environ 1 à environ 25 % en poids, environ 1 à environ 20 % en poids, environ 1 à environ 15 % en poids, environ 5 à environ 25 % en poids, ou environ 5 à environ 20 % en poids, par rapport au poids total de la composition démaquillante.
Eau La quantité d’eau dans les compositions démaquillantes aqueuses peut varier, mais elle est typiquement comprise entre environ 5 et environ 45 % en poids, par rapport au poids total de la composition. Dans certains cas, cependant, la quantité totale d'eau dans la composition démaquillante aqueuse est d'environ 10 à environ 45 % en poids, environ 10 à environ 40 % en poids, environ 10 à environ 35 % en poids, environ 10 à environ 30 % en poids, environ 10 à environ 25 % en poids, environ 15 à environ 45 % en poids, environ 15 à environ 40 % en poids, environ 15 à environ 35 % en poids, environ 15 à environ 30 % en poids, environ 15 à environ 25 % en poids, environ 20 à environ 45 % en poids, environ 20 à environ 40 % en poids, environ 20 à environ 35 % en poids, ou environ 20 à environ 35 % en poids, par rapport au poids total de la composition.
Les compositions démaquillantes anhydres sont de préférence exemptes ou essentiellement exemptes d’eau. De petites quantités d’eau peuvent néanmoins être invariablement présentes. Néanmoins, typiquement, la quantité totale d’eau dans les compositions démaquillantes anhydres est de 2 % en poids ou moins. La quantité d’eau dans la composition démaquillante anhydre peut être de 1 % en poids ou moins, 0,5 % en poids ou moins, 0,1 % en poids ou moins. De même, la quantité totale d’eau dans les compositions démaquillantes anhydres peut être d’environ 0,0001 à environ 2 % en poids, environ 0,0001 à environ 1 % en poids, environ 0,0001 à environ 0,5 % en poids, environ 0,0001 à environ 0,1 % en poids, environ 0,001 à environ 2 % en poids, environ 0,001 à environ 1 % en poids, environ 0,001 à environ 0,5 % en poids, environ 0,001 à environ 0,1 % en poids, environ 0,01 à environ 2 % en poids, environ 0,01 à environ 1 % en poids, environ 0,01 à environ 0,5 % en poids, environ 0,01 à environ 0,1 % en poids, environ 0,1 à environ 2 % en poids ou environ 0,1 à environ 1 % en poids, par rapport au poids total de la composition.
Plastifiants Des plastifiants sont ajoutés pour améliorer les propriétés de la composition démaquillante, par exemple pour la rendre plus souple et plus flexible, pour augmenter sa plasticité, etc. Les plastifiants utiles comprennent plastifiants de type phtalate, plastifiants de type téréphtalate, plastifiants de type benzoate, plastifiants de type citrate, plastifiants de type phosphate, plastifiants de type adipate, et des mélanges de ceux-ci.
Des exemples non limitatifs de plastifiants de type phtalate comprennent phtalate de dioctyle, phtalate de diéthylhexyle, phtalate de diisononyle, phtalate de diisodécyle, phtalate de diméthyle, phtalate de diéthyle, phtalate de dibutyle, phtalate de diheptyle, phtalate de dinonyle, phtalate de ditridécyle, et des mélanges de ceux-ci.
Un exemple non limitatif de plastifiant de type téréphtalate comprend le téréphtalate de dioctyle.
Des exemples non limitatifs de plastifiants de type benzoate comprennent benzoate de 2-(2-phénylcarbonyloxy-éthoxy)éthyle, tribenzoate de glycéryle, tribenzoate de triméthylolpropane, benzoate d’isononyle, benzoate de 1-méthyl-2-(2-phénylcarbonyloxypropoxy)éthyle, dibenzoate de 2,2,4-triméthyl-1,3-pentanediol, benzoate de n-hexyle, tribenzoate de triméthylolpropane et des mélanges de ceux-ci.
Avantageusement, l’élastomère diénique ayant un taux v d’unité diénique supérieur à 50% de la composition selon l’invention est choisi dans le groupe constitué par les polybutadiènes (BR), le caoutchouc naturel (NR), les polyisoprènes de synthèse (IR), les copolymères de 1,3-butadiène, les copolymères d'isoprène, et les mélanges de ces élastomères.
II-2 Système plastifiant La composition de caoutchouc selon l’invention est à base d’au moins un plastifiant dialkylester de diacide aliphatique.
De préférence, le plastifiant dialkylester de diacide aliphatique est un composé de formule ROOC-(CH 2 ) n -COOR dans lequel R est un alkyle linéaire ou branché et n représente un nombre entier de 4 à 20.
De préférence, le radical R est un alkyle comprenant de 4 à 20 atomes de carbone, de préférence de 6 à 12 atomes de carbone et plus préférentiellement de 6 à 10 atomes de carbone.
De préférence, le radical R est un alkyle ramifié, et de façon très préférentielle, R est un radical isooctyle.
Dans un mode de réalisation, le procédé comprend avant l’étape de décodage 506, une étape consistant à stocker la valeur de chaque bit du mot de code lu en mode 2T2R dans un registre couplé à la mémoire résistive.
Dans un mode de réalisation, le procédé permet d’effectuer au moins une lecture 1T1R (étape 510 ou 512) dans chaque cellule élémentaire 2T2R adressée, qui consiste à comparer la valeur d’un des deux éléments résistifs des cellules élémentaires 2T2R adressées à une valeur de référence ‘R ERASURE ’, afin de déterminer la valeur lue.
Dans un mode de réalisation (étape 510), une lecture 1T1R se fait à l’adresse indiquée par la commande de lecture, sur les éléments résistifs de chaque cellule élémentaire 2T2R encodant les valeurs inversées des bits.
Dans un autre mode de réalisation (étape 512), une lecture 1T1R se fait à l’adresse indiquée par la commande de lecture, sur les éléments résistifs de chaque cellule élémentaire 2T2R encodant les valeurs non-inversées des bits.
Le procédé se poursuit par une étape 514 de comparaison des bits lus en lecture 1T1R (étape 510 ou 512) aux bits lus en lecture 2T2R (étape 504).
La comparaison se fait pour chaque bit du mot de code stocké à l’adresse lue, pour identifier des bits susceptibles d’être erronés, lesdits bits susceptibles d’être erronés étant : - des bits pour lesquels la valeur lue en lecture 1T1R est identique à la valeur lue en lecture 2T2R, si la lecture 1T1R se fait sur les éléments résistifs de la cellule élémentaire encodant les valeurs inversées des bits ; ou - des bits pour lesquels la valeur lue en lecture 1T1R est différente de la valeur lue en lecture 2T2R, si la lecture 1T1R se fait sur les éléments résistifs de la cellule élémentaire encodant les valeurs non-inversées des bits.
Dans un mode de réalisation, l’étape 514 de comparaison comprend des étapes consistant à : - stocker la valeur de chaque bit lu en mode 1T1R dans un registre couplé à la mémoire résistive ; et - comparer la valeur de chaque bit stocké, à la valeur de chaque bit du mot de code lu en mode 2T2R.
Après l’étape 514 d’identification d’erasures, le procédé poursuit par une étape 516 qui consiste à inverser dans le mot de code corrigé lesdits bits identifiés comme susceptibles d’être erronés, puis une étape 518 de correction et détection d’erreurs par l’ECC, afin de générer 520 un nouveau mot de code corrigé.
Dans un mode de réalisation où la comparaison des valeurs lues en mode 1T1R avec les valeurs lues en mode 2T2R n’identifie pas un nombre d’erasures suffisant pour débloquer le décodage ECC, le procédé permet une lecture en mode 1T1R de l’autre résistance utilisée pour l’encodage en mode 2T2R.
Ainsi, dans un mode de réalisation, l’étape d’effectuer au moins une lecture 1T1R, peut consister à effectuer une première lecture 1T1R (étape 510) de chaque premier élément résistif des cellules élémentaires adressées, afin de déterminer une première valeur lue et à effectuer une deuxième lecture 1T1R (étape 512) de chaque deuxième élément résistif des cellules élémentaires adressées, afin de déterminer une deuxième valeur lue.
Dans ce mode de réalisation, les deux résistances électriques d’une cellule 2T2R sont considérées avoir été programmées afin qu’une soit plus petite et l’autre plus grande qu’une valeur de référence R REF (utilisée lors d’une opération préalable d’écriture mémoire). Par conséquent, en comparant, lors des deux opérations de lecture en mode 1T1R, chaque valeur de résistance électrique à une même valeur de référence R ERASURE , des valeurs logiques opposées doivent être lues dans chaque cellule 2T2R adressée pendant les étapes de lecture 510 et 512.
Dans ce mode de réalisation à double lecture 1T1R, l’étape de comparaison pour identifier des bits susceptibles d’être erronés consiste à comparer la première valeur lue en mode 1T1R à la deuxième valeur lue en mode 1T1R. L’identification des bits susceptibles d’être erronés consiste à déterminer les bits pour lesquels la première valeur lue en lecture 1T1R et la deuxième valeur lue en lecture 1T1R sont identiques. En effet, dans le cas où pour une cellule 2T2R, les deux valeurs lues en lecture 1T1R sont identiques, il peut être considéré qu’au moins une des deux résistances électriques a fait l’objet d’une dérive importante depuis sa programmation dans un état de faible résistance ou un état de haute résistance. Par conséquent, le bit lu en mode 2T2R à partir de ces deux résistances a pu être évalué de façon erronée et il peut alors être considéré comme une erasure.
Après la double lecture 1T1R et identification des bits erasures, le procédé se poursuit par les étapes 516 d’inversion de bits dans le mot de code lu en 2T2R, de décodage 518 par l’ECC et d’obtention 520 d’un mot de code corrigé.
Les bits des données du nouveau mot de code corrigé peuvent être mis à la disposition du système électronique 310 qui a lancé la commande de lecture.
Dans un mode de réalisation, l’étape 518 de corriger le mot de code obtenu après inversion, comprend des étapes consistant à : - stocker la valeur de chaque bit dudit mot de code obtenu après inversion dans un registre couplé à la mémoire résistive ; - corriger par le code correcteur d’erreur ledit mot de code stocké ; et - stocker le mot de code corrigé dans le registre de sortie du décodeur ECC.
Dans le cas où l’encodeur ECC indique toujours une erreur non-corrigeable le contrôleur mémoire peut signaler une erreur de lecture au système électronique.
On constate qu’avec la composition selon l’invention, les cheveux sont nettement plus lisses qu’avec la composition comparative à l’application.
Cette supériorité perdure après un shampooing.
Les formules selon l’invention conduisent à un démêlage fortement facilité, un enrobage de soin important, un niveau de lisse très marqué et des pointes nettement plus hydratées. Ce n’est pas le cas avec les formules comprenant une amodiméthicone dont les performances sont fortement atténuées au shampooing.
Association d’un acide hyaluronique réticulé, de haut poids moléculaire et d’un acide hyaluronique non réticulé, de bas poids moléculaire. DOMAINE TECHNIQUE DE L’INVENTION La présente invention concerne le domaine de la cosmétique. Elle concerne notamment l’association particulière d’un acide hyaluronique réticulé, de haut poids moléculaire et d’un acide hyaluronique non réticulé, de bas poids moléculaire, destinée à fournir un effet lissant immédiat et/ou une augmentation de la densité et/ou de volume des matières kératiniques, notamment de la peau et/ou des lèvres.
ETAT DE LA TECHNIQUE L’acide hyaluronique est l’un des constituants essentiels de la matrice extracellulaire. Au niveau cutané, il est synthétisé par les fibroblastes depuis lesquels il est sécrété vers l’espace extracellulaire. L’acide hyaluronique intervient notamment dans la structure et l’organisation du derme, contribuant à en assurer la fermeté et l’élasticité. En outre, l’acide hyaluronique possède un fort pouvoir de rétention d'eau. Il joue de ce fait un rôle primordial dans la régulation de l'hydratation de la peau.
Depuis de nombreuses années, il est possible de produire industriellement de l’acide hyaluronique, notamment par fermentation bactérienne, et l’industrie cosmétique utilise couramment cette molécule pour ses propriétés anti -âge et hydratante.
Structurellement, l’acide hyaluronique est un polymère formé par la répétition de monomères disacharidiques, eux-mêmes constitués d’acide glucuronique et de N-acétylglucosamine liés entre eux par des liaisons glycosidiques alternées β-1,4 et β-1,3. Comme tout polymère, l’acide hyaluronique est une macromolécule dont la masse molaire peut varier, selon le nombre de répétitions, de quelques milliers de Dalton à plusieurs millions (environ 5000 à 20000000 Da).
Pour obtenir un effet lissant immédiat, qui est également un facteur de l’anti- âge, il est courant d’ajouter des charges dans les formulations cosmétiques pour flouter les irrégularités visuelles et tactiles de la peau et diminuer ainsi, par effet optique, les signes du vieillissement, dont les rides et les ridules. Néanmoins, il est connu que les charges impactent négativement l’effet hydratant procuré par l’acide hyaluronique.
Il existe donc le besoin de fournir de nouvelles compositions cosmétiques hydratantes procurant par ailleurs un effet lissant immédiat, pour la peau et/ou les lèvres.
La Demanderesse a justement développé de nouvelles compositions cosmétiques permettant de répondre à ce besoin. En effet, de manière surprenante, la Demanderesse a pu mettre en évidence que l’association particulière d’au moins un acide hyaluronique réticulé de haut poids moléculaire et au moins un acide hyaluronique non réticulé de bas poids moléculaire permet d’augmenter de façon significative l’hydratation et l’effet lissant immédiat des matières kératiniques. La Demanderesse a également pu montrer que cette association permet d’obtenir un effet lissant et repulpant des lèvres et de la zone qui l’entoure, notamment il a été constaté une amélioration de l’aspect lisse, souple et pulpeux des lèvres. L’association d’au moins un acide hyaluronique non réticulé de haut poids moléculaire et au moins un acide hyaluronique non réticulé de bas poids moléculaire ne permet pas en revanche d’obtenir la performance recherchée, mettant en avant le rôle essentiel de la réticulation de l’acide hyaluronique de haut poids moléculaire.
Cette association particulière d’acides hyaluroniques selon l’invention est donc particulièrement avantageuse pour procurer à la fois un effet hydratant et un effet lissant immédiat de la peau et/ou des lèvres et ainsi prévenir et/ou diminuer les signes du vieillissement cutané et/ou conférer un effet volumateur, liftant et lissant aux lèvres, mais également pour prévenir et/ou diminuer l'apparition des rides.
Un premier aspect de l’invention porte sur une composition cosmétique comprenant, dans un milieu physiologiquement acceptable, l’association d’au moins un acide hyaluronique réticulé de haut poids moléculaire présentant un poids moléculaire supérieur ou égal à 2000 KDa ou l’un de ses sels et d’un acide hyaluronique non réticulé de bas poids moléculaire présentant un poids moléculaire inférieur ou égal à 300 KDa ou l’un de ses sels.
De préférence, ladite composition cosmétique est caractérisée en ce que ledit acide hyaluronique réticulé de haut poids moléculaire présente un poids moléculaire supérieur ou égal 3000 KDa.
De préférence, ladite composition cosmétique est caractérisée en ce que ledit acide hyaluronique non réticulé de bas poids moléculaire présente un poids moléculaire moyen inférieur ou égal à 200 KDa.
De préférence, ladite composition cosmétique est caractérisée en ce que ledit acide hyaluronique réticulé de haut poids moléculaire a pour nom INCI : SODIUM HYALURONATE CROSSPOLYMER.
De préférence, ladite composition cosmétique est caractérisée en ce que ledit acide hyaluronique non réticulé de bas poids moléculaire est choisi parmi les produits de nom INCI :
En outre, le procédé comporte une génération d’une tranchée dite externe 10 et une génération d’une tranchée dite interne 11, comme illustré sur la .
La tranchée externe 10 est réalisée sur une première surface 5 du substrat 4 pour former un contour externe délimitant une première partie 20 du substrat 4 à l’extérieur du contour externe. La tranchée interne 11 est réalisée sur la première surface 5 du substrat 4 pour former un contour interne délimitant une deuxième partie 21 du substrat 4 à l’intérieur du contour interne et une troisième partie 22 du substrat 4 entre les contours externe et interne. La tranchée interne 11 peut être réalisée après, ou avant, la réalisation de la tranchée externe 10.
Sur la , on a représenté un exemple dans lequel on génère plusieurs tranchées internes 11 et plusieurs tranchées externes 10, de manière à générer plusieurs troisièmes parties 22 à partir d’un même substrat 4.
Plus particulièrement, le procédé comprend une génération d’une tranchée d’amorce 12 sur la première surface 5 du substrat 4, comme illustré sur les figures 8 et 10 à 15, la tranchée d’amorce 12 étant formée au moins partiellement dans au moins une partie du substrat 4 parmi les deuxième et troisième parties 21, 22 du substrat 4. La tranchée d’amorce 12 peut être réalisée avant ou après la réalisation des tranchées externe 10 et interne 11, ou après l’une des tranchées externe 10 ou interne 11.
Le procédé comprend, en outre, une séparation dite interne S1, comme illustré sur la . La séparation interne S1 comprend une séparation mécanique de la deuxième partie 21 avec la troisième partie 22 de manière à obtenir au moins un élément de cellule photovoltaïque 1 à 3 à partir de la troisième partie 22 du substrat 4. De manière générale, la séparation interne S1 comprend une génération d’une fissure qui se propage au moins le long de la tranchée interne 11 et entraine la séparation physique de la deuxième partie 21 avec la troisième partie 22.
La tranchée d’amorce 12 permet de faciliter la séparation interne S1. Plus particulièrement, la tranchée d’amorce 12 permet de limiter la formation de craquelures au niveau de la troisième partie 22, notée également partie active, c’est-à-dire la partie du substrat 4 destinée à fabriquer l’élément de cellule photovoltaïque 1 à 3. Une craquelure correspond à un fendillement intempestif en surface du substrat 4, peut diminuer fortement les capacités de la troisième partie 22 ou briser la cellule photovoltaïque 1 à 3 dans le cas où les craquelures sont trop importantes. En effet, lors de la séparation interne S1 et en l’absence de la tranchée d’amorce 12, des craquelures peuvent se propager au niveau de la troisième partie 22. La tranchée d’amorce 12 permet ainsi de limiter le taux de casse de la troisième partie 22 lors de la séparation interne S1.
Ainsi, on obtient un élément 1 à 3 pouvant avoir une forme géométrique non conventionnelle, telle que du type rond, triangle, anneau, hexagone, etc., comme illustré sur la . On entend par forme géométrique conventionnelle d’une cellule photovoltaïque, une forme en quadrilatère, telle qu’un carré, un rectangle ou un losange. En outre, on peut facilement obtenir un élément ayant une partie évidée, c’est-à-dire un espace libre dépourvu de matière, au cœur de l’élément 1 à 3.
De manière générale, au moins une tranchée parmi les tranchées externe 10, interne 11 et d’amorce 12, est une tranchée réalisée de manière non traversante au sein du substrat 4. De préférence, les tranchées 10 à 12 sont non traversantes au sein du substrat 4. On entend par tranchée non traversante, une tranchée ayant une profondeur au sein du substrat 4, selon l’axe Z, comprise entre 1/3 et ¾ de l’épaisseur du substrat 4, de préférence comprise entre ½ et ¾ de l’épaisseur du substrat 4. Par exemple, une largeur d’une tranchée 10 à 12, prise selon l’axe X, peut être comprise entre 5 µm et 50 µm, de préférence entre 10 µm et 25 µm. Par ailleurs, la tranchée d’amorce 12 permet d’éviter de réaliser des tranchées interne et externe 10, 11 traversantes, ou plus généralement permet de diminuer la profondeur des tranchées interne et externe 10 et 11 nécessaire pour une séparation facilitée des deuxième et troisième parties 21 et 22 tout en minimisant la génération des craquelures ou des casses intempestives et la dégradation des performances de la cellules photovoltaïque par le procédé de génération des tranchées. Par exemple, les tranchées 10 à 12 sont réalisées à partir d’un laser. La tranchée d’amorce 12 permet donc de diminuer l’énergie du laser utilisé pour réaliser les tranchées 10 à 12 et limiter la dégradation associée. Selon un mode de mise en œuvre, les tranchées interne et externe 10, 11 sont réalisées à partir d’un laser dont la longueur d’onde est verte, par exemple la longueur d’onde est égale à 532 nm, la vitesse est comprise entre 10 et 25 mm/s et la puissance est comprise entre 2.2 et 2.8 W. Avantageusement, on génère les tranchées externe et interne 10, 11 à l’aide de quatre à huit passages successifs du laser. Pour réaliser la tranchée d’amorce 12, on peut utiliser un laser dont la longueur d’onde est verte, par exemple la longueur d’onde est égale à 532 nm, la vitesse est comprise entre 20 et 25 mm/s, la puissance est comprise entre 2.9 et 3.1 W, avec deux à trois passages successifs du laser. En outre, la tranchée d’amorce 12 permet de limiter le nombre de passages du laser pour réaliser les tranchées 10 à 12 pour limiter les dégradations intempestives sur le substrat 4. On pourra, par exemple, utiliser des puissances laser supérieures à 3 W.. La génération de la tranchée d’amorce 12 permet, en outre de diminuer la profondeur des tranchées externe 10 et interne 11, et également de la tranchée d’amorce 12 elle-même, et donc de diminuer l’énergie du laser utilisé en diminuant le nombre de passages. La tranchée d’amorce 12 permet donc de diminuer l’énergie du laser utilisé, notamment en diminuant le nombre de passages et en augmentant la vitesse de passages, tout en préservant les performances électriques de la troisième partie 22.
Par exemple, la génération de la tranchée interne 11 forme un contour interne fermé. Avantageusement, la génération de la tranchée externe 10 forme un contour externe fermé. Selon un mode de mise en œuvre, la génération de la tranchée d’amorce 12 crée une tranchée d’amorce 12 en partie rectiligne. De préférence, la tranchée d’amorce 12 est rectiligne. Ainsi, il n’est pas nécessaire d’arrêter le tir du laser pour changer de direction.
Sur les figures 8 et 11 à 15, on a représenté différents modes de réalisation d’une tranchée d’amorce 12, dans lesquels la tranchée d’amorce 12 est débouchante dans une zone principale 13 de la tranchée interne 11 et la séparation interne S1 comprend une génération d’une fissure qui se propage le long de la tranchée d’amorce 12 et le long de la tranchée interne 11. De façon générale, la génération de la tranchée d’amorce 12 peut être réalisée entre l’étape de la génération de plusieurs troisièmes parties 22 à partir d’un même substrat 4, comme illustré sur la , et l’étape de la séparation dite externe, illustré à la .
Sur la , on a représenté un mode de réalisation dans lequel la tranchée d’amorce 12 s’étend dans la troisième partie 22 du substrat 4 en débouchant dans la tranchée externe 10.
Sur la , la tranchée d’amorce 12 est formée partiellement dans les deuxième et troisième parties 21, 22 du substrat 4.
Sur la , la tranchée d’amorce 12 s’étend dans la deuxième partie du substrat depuis la zone principale 13 vers une zone secondaire 14 de la tranchée interne 11, la tranchée d’amorce 12 étant en outre débouchante dans la zone secondaire 14.
Selon un autre mode de mise en œuvre, représenté à la , la tranchée d’amorce 12 est formée partiellement dans la troisième partie 22 du substrat 4 en débouchant dans la tranchée externe 10 et la séparation interne S1 comprend une génération d’une fissure qui se propage le long de la tranchée interne 11.