INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Le procédé 1 comprend ensuite, dans la partie B de redondance du calcul principal, une étape 13 de seconde mise en œuvre du calcul principal. Une étape de seconde mise en œuvre du calcul principal ne peut être mise en œuvre que si une première mise en œuvre 11 du calcul principal a déjà eu lieu. L’étape 13 de seconde mise en œuvre du calcul principal permet d’obtenir un second résultat RB. Ce second résultat est une donnée représentant une valeur résultat du calcul principal mis en œuvre par le processeur P. Dans un mode de réalisation non représenté, le second résultat RB est ensuite stocké dans la mémoire M.
L’étape 13 de seconde mise en œuvre du calcul principal est suivie par une étape 14 de calcul d’intégrité du second résultat RB issu de la seconde mise en œuvre 13 du calcul principal. Le calcul d’intégrité à l’étape 14 est le même calcul d’intégrité que le calcul d’intégrité à l’étape 12, c’est-à-dire que les étapes 12 et 14 utilisent la même fonction de calcul d’intégrité, respectivement sur les résultats RA et RB. L’étape 14 de calcul d’intégrité permet d’obtenir une seconde intégrité I_RB, de la même façon que l’étape 12 a permis d’obtenir une première intégrité I_RA. Dans un mode de réalisation non représenté, la seconde intégrité I_RB est ensuite stockée dans la mémoire M.
Le procédé 1 selon l’invention comprend ensuite les étapes 15 à 18, comprises dans la partie C de vérification de l’intégrité du processeur P.
À une étape 15, une première comparaison du premier résultat RA et du deuxième résultat RB est réalisée par le processeur P. Cela permet d’obtenir une première différence de résultat (RB-RA)1. Cette différence n’est pas limitée à une soustraction ou une division. Toute fonction permettant de vérifier la similarité des résultats RA et RB est couverte par l’invention. La première différence de résultat (RB-RA)1 est une donnée représentative de la similarité des premier et second résultat RA et RB.
À une étape 16, une première comparaison de la première intégrité I_RA et de la seconde intégrité I_RB est réalisée par le processeur P. Cela permet d’obtenir une première différence d’intégrité (I_RB-I_RA)1. Cette différence n’est pas limitée à une soustraction ou une division. Toute fonction permettant de vérifier la similarité des données d’intégrité I_RA et I_RB est couverte par l’invention. La première différence d’intégrité (I_RB-I_RA)1 est une donnée représentative de la similarité des première et seconde intégrités I_RA et I_RB.
Les étapes 15 et 16 sont redondées, respectivement aux étapes 17 et 18.
A l’étape 17, une seconde comparaison du premier résultat RA et du second résultat RB est réalisée par le processeur P. Cela permet d’obtenir une seconde différence de résultat (RB-RA)2. La fonction utilisée à l’étape 17 pour obtenir la seconde différence de résultats est la même que la fonction utilisée à l’étape 15 pour obtenir la première différence de résultat. La seconde différence de résultat (RB-RA)2 est une donnée représentative de la similarité des premier et second résultat RA et RB.
A l’étape 18, une seconde comparaison de la première intégrité I_RA et de la seconde intégrité I_RB est réalisée par le processeur P. Cela permet d’obtenir une seconde différence d’intégrité (I_RB-I_RA)2. La fonction utilisée à l’étape 18 pour obtenir la seconde différence d’intégrité est la même que la fonction utilisée à l’étape 16 pour obtenir la première différence d’intégrité. La seconde différence d’intégrité (RB-RA)2 est une donnée représentative de la similarité des première et seconde intégrités I_RA et I_RB.
Les étapes 15 à 18 peuvent être redondées pour une plus haute intégrité du calcul principal, c’est-à-dire que, dans un autre mode de réalisation, le procédé selon l’invention comprend quatre étapes de comparaison des intégrités et quatre étapes de comparaison des résultats. L’invention couvre tout nombre supérieur ou égal à 2 de redondance des étapes de comparaison des résultats et de redondance des étapes de comparaison des intégrités.
Le procédé 1 comprend ensuite une étape de vérification Verif1 que chaque différence est nulle ou égale à une valeur prédéterminée parmi la première différence de résultat (RB-RA)1, la première différence d’intégrité (I_RB-I_RA)1, la seconde différence de résultat (RB-RA)2 et la seconde différence d’intégrité (I_RB-I_RA)2. On entend par « chaque différence est nulle » le fait que les résultats sont égaux et que les intégrités sont égales. Lorsque cette vérification Verif1 est confirmée « O », c’est-à-dire lorsque que chaque différence parmi la première différence de résultat (RB-RA)1, la première différence d’intégrité (I_RB-I_RA)1, la seconde différence de résultat (RB-RA)2 et la seconde différence d’intégrité (I_RB-I_RA)2 est nulle ou égale à une valeur prédéterminée, le résultat du calcul principal est fourni par le processeur P à une étape Res. Cette fourniture Res du résultat du calcul peut être un envoi, par le processeur P, du résultat du calcul principal, à un autre dispositif, le stockage du résultat du calcul principal dans la mémoire M, et/ou l’utilisation du résultat du calcul principal dans une autre fonction mise en œuvre par le processeur P. Le résultat du calcul principal est le premier résultat et/ou le deuxième résultat, qui sont de toutes façons identiques.
Lorsqu’au moins une différence parmi la première différence de résultat (RB-RA)1, la première différence d’intégrité (I_RB-I_RA)1, la seconde différence de résultat (RB-RA)2 et la seconde différence d’intégrité (I_RB-I_RA)2 n’est pas nulle, c’est-à-dire lorsque les résultats sont inégaux ou dissimilaires, et/ou que les intégrités sont inégales ou dissimilaires, le résultat du calcul principal n’est pas fourni par le processeur P. Dans un tel cas, une destruction des données peut être réalisée à une étape « Dest ». Dans une variante, les données peuvent ne pas être détruites, ou supprimées de la mémoire M, mais peuvent être marquées comme non intègres. Des données « marquées » peuvent se voir annexer des données indiquant qu’elles ne sont pas fiables. Des données « marquées » peuvent aussi être des données modifiées pour ne plus être reconnues par un destinataire.
Une alerte de défaut d’intégrité du processeur P Anom peut aussi être levée lorsque la vérification Verif1 n’est pas confirmée « N ». On entend par « lever une alerte » le fait d’émettre une alerte vers un autre dispositif, ou de stocker dans la mémoire M une information lié au défaut d’intégrité du processeur P.
Procédé et dispositif de contrôle d’un système de retour haptique La présente invention concerne les procédés et dispositifs de contrôle d’un système de retour haptique. La présente invention concerne également un procédé et un dispositif de contrôle d’un système de retour haptique d’un véhicule, notamment automobile L’invention concerne également un système de retour haptique comprenant une surface de retour haptique et un tel dispositif de contrôle.
Arrière-plan technologique Les véhicules contemporains sont nombreux à intégrer un ou plusieurs dispositifs d’affichage comprenant chacun un écran d’affichage, le plus souvent tactile, dans leur habitacle pour contrôler et piloter le système d’infodivertissement, aussi appelé système IVI (de l’anglais « In-Vehicle Infotainment » ou en français « Infodivertissement embarqué ») du véhicule.
Les interfaces formées par de tels dispositifs d’affichage tactiles perdent cependant un retour d’information précédemment fourni par des interfaces mécaniques, l’utilisateur ne pouvant plus percevoir le résultat de son action sans détourner le regard, par exemple par sensation d’un cran mécanique. L’emploi de telles interfaces nécessite alors une attention visuelle supplémentaire, accroissant la charge mentale et distrayant le conducteur.
Les moyens de désengagement 9 des moyens d’accouplement sont aptes à désactiver les moyens d’accouplement 8. Plus particulièrement, les moyens de désengagement 9 lorsqu’ils sont activés provoquent une translation axiale de l’arbre interne 6 de sorte que les moyens d’accouplement 8 se désengagent de l’arbre externe 7 fixé au rotor d’entrainement 5, ce qui déconnecte le générateur 1 du rotor d’entrainement 5 et donc du moteur.
L’écrou 10 comprend un filetage interne par lequel il est solidarisé à un filetage externe 6b de l’arbre interne 6. Le filetage externe 6b est par exemple situé sur l’extrémité 6c de l’arbre interne 6 opposée à l’extrémité 6a comprenant les moyens d’accouplement 8.
Par ailleurs, la structure présente une seconde interface I2 entre la première couche 11 qui est principalement du polytype 3C et la seconde couche 12 qui est principalement du polytype 4H et/ou 6H.
Les interfaces I1 et I2 sont donc distantes de l’épaisseur de la seconde couche 12.
Eventuellement, à un stade ultérieur du procédé de fabrication, la première couche 11 peut être retirée, auquel cas la seconde interface n’est plus présente dans la structure finale. Cependant, la structure bénéficie toujours de la première interface I1 entre deux couches de structure hexagonale, qui, comme expliqué plus haut, est favorable à la fois du fait d’une différence de coefficients de dilatation thermique réduite et d’une proximité plus grande des structures de bande.
On va maintenant décrire différents procédés de fabrication de ces structures.
Les figures 3A à 3D illustrent de manière schématique les étapes d’un procédé de fabrication de la structure de la .
En référence à la , on forme sur le substrat germe 10 la première couche 11 de SiC polycristallin principalement du polytype 3C. Le substrat germe 10 est typiquement un substrat de graphite, mais tout autre matériau dont le coefficient de dilatation thermique est proche de celui du SiC polycristallin et, qui présente de préférence un faible coût et/ou est réutilisable, peut être employé. Des matériaux alternatifs au graphite sont ainsi le SiC polycristallin fritté et le SiC monocristallin (liste non limitative).
La première couche 11 peut être formée par dépôt chimique en phase vapeur (CVD, acronyme du terme anglo-saxon « Chemical Vapor Deposition »). Ce dépôt peut faire intervenir les précurseurs suivants (exemples non limitatifs) :
- pour le carbone : éthane, propane, ou acétylène ;
- pour le silicium : silane, tétrachlorosilane, trichlorosilane, ou dichlorosilane ;
- ou encore du tétraméthylsilane comme source commune de carbone et de silicium.
Ces précurseurs sont portés par un gaz vecteur qui pourra être choisi par l’azote, l’argon, l’hélium et le dihydrogène.
L’homme du métier est à même de définir les paramètres de dépôt, notamment la température, en fonction des précurseurs utilisés et de l’installation utilisée pour effectuer le dépôt.
Pour obtenir une structure cubique, une température de dépôt relativement basse est utilisée, typiquement comprise entre 1100 et 1500°C, de préférence entre 1200 et 1400°C. On fait croître ladite première couche 11 sur une épaisseur comprise entre 80 et 350 µm. La croissance s’effectue généralement sur les deux faces du substrat germe, de sorte qu’une couche de SiC polycristallin principalement du polytype 3C se forme également sur la face arrière du substrat germe. Cette couche n’étant pas destinée à être conservée dans la structure, elle n’a pas été représentée dans un souci de simplification des dessins.
En référence à la , on forme la seconde couche 12 de SiC polycristallin, principalement du polytype 4H et/ou 6H, sur la première couche 11, pour obtenir le substrat support 1. La seconde couche 12 peut également être formée par dépôt chimique en phase vapeur mais, pour obtenir une structure hexagonale, une température de dépôt relativement élevée est utilisée, typiquement comprise entre 1500 et 2600°C, de préférence comprise entre 1700 et 1900°C ou entre 1800 et 2400°C, voire entre 2000 et 2250°C. La température de croissance dépend en particulier de la technique de dépôt, des précurseurs utilisés et des autres conditions opératoires et est donc donnée uniquement à titre indicatif, l’homme du métier étant à même de définir un procédé de croissance adapté au polytype souhaité. Les précurseurs peuvent être choisis parmi la même liste que celle présentée plus haut pour le dépôt de la première couche.
Outre le dépôt chimique en phase vapeur précédemment mentionné, la seconde couche peut être formée par dépôt chimique en phase vapeur à haute température (HTCVD, acronyme du terme anglo-saxon « High Temperature Chemical Vapor Deposition), par croissance en phase liquide (technique connue sous l’acronyme TSSG du terme anglo-saxon « Top Seeded Solution Growth », ou encore par dépôt physique en phase vapeur (PVD ou PVT).
Bien que la mise en œuvre du dépôt à une telle température nécessite une énergie très élevée, le fait que la seconde couche soit formée sur une faible épaisseur (comprise entre 1 µm et 20 µm) permet de limiter la consommation énergétique globale et le coût du procédé. Le dépôt de la seconde couche est avantageusement réalisé dans le même bâti que la première couche, dans lequel on augmente la température de dépôt pour modifier le polytype du SiC déposé.
De manière analogue à ce qui vient d’être décrit pour le premier ensemble de raccordement 30a, une première branche de raccordement 32 d’un deuxième ensemble de raccordement 30b s’étend entre l’unité électronique de commande 10 et les premières extrémités longitudinales 7 des éléments chauffants 4 du deuxième ensemble de chauffe 48, la première branche de raccordement 32 s’étendant parallèlement à la direction transversale T. La première branche de raccordement 32 du deuxième ensemble de raccordement 30b est par ailleurs en contact avec les organes de connexion 24 des premières plaques 22a des éléments chauffants 4 du deuxième ensemble de chauffe 48. La première branche de raccordement 32 du deuxième ensemble de raccordement 30b est avantageusement en contact avec les organes de connexion 24 des premières plaques 22a de tous les éléments chauffants 4 du deuxième ensemble de chauffe 48.
Une deuxième branche de raccordement 34 du deuxième ensemble de raccordement 30b s’étend entre l’unité électronique de commande 10 et les premières extrémités longitudinales 7 des éléments chauffants 4 du deuxième ensemble de chauffe 48, la deuxième branche de raccordement 34 s’étendant parallèlement à la direction transversale T et à la première branche de raccordement 32 du deuxième ensemble de raccordement 30b. La deuxième branche de raccordement 34 du deuxième ensemble de raccordement 30b est par ailleurs en contact avec les organes de connexion 24 des deuxièmes plaques 22b des éléments chauffants 4 du deuxième ensemble de chauffe 48. La deuxième branche de raccordement 34 du deuxième ensemble de raccordement 30b est avantageusement en contact avec les organes de connexion 24 des deuxièmes plaques 22b de tous les éléments chauffants 4 du deuxième ensemble de chauffe 48.
Une troisième branche de raccordement 36 du deuxième ensemble de raccordement 30b comprend une première partie 40 s’étendant depuis l’unité électronique de commande 10 le long d’un des éléments chauffants 4 du deuxième ensemble de chauffe 48 jusqu’à la deuxième extrémité longitudinale 9 des éléments chauffants 4 du deuxième ensemble de chauffe 48, et une deuxième partie 42 s’étendant parallèlement à la première branche de raccordement 32 en passant en regard des deuxièmes extrémités longitudinales 9 d’un des éléments chauffants 4 du deuxième ensemble de chauffe 48. Autrement dit, la première partie 40 de la troisième branche de raccordement 36 du deuxième ensemble de raccordement 30b s’étend sensiblement le long d’une direction parallèle à la direction longitudinale L depuis le deuxième embout de raccordement 38b de raccordement jusqu’à au moins la deuxième extrémité longitudinale 9 des éléments chauffants 4 du deuxième ensemble de chauffe 48, la deuxième partie 42 de la troisième branche de raccordement 36 du deuxième ensemble de raccordement 30b s’étendant le long d’une direction transversale T en passant par les organes de connexion 24 des troisièmes plaques 22c des éléments chauffants 4 du deuxième ensemble de chauffe 48. Avantageusement, la troisième branche de raccordement 36 du deuxième ensemble de raccordement 30b, et plus particulièrement sa deuxième partie 42, est en contact avec les organes de connexion 24 des troisièmes plaques 22c de tous les éléments chauffants 4 du deuxième ensemble de chauffe 48.
On comprend que la troisième branche de raccordement 36 du deuxième ensemble de raccordement 30b est configurée pour relier électriquement les organes de connexion 24 des troisièmes plaques 22c des éléments chauffants 4 du deuxième ensemble de chauffe 48 à l’unité électronique de commande 10. Dans cette configuration, l’unité électronique de commande 10 transmet des instructions de commandes aux troisièmes plaques 22c des éléments chauffants 4 du deuxième ensemble de chauffe 48 via la troisième branche de raccordement 36 du deuxième ensemble de raccordement 30b.
Selon un premier exemple de réalisation illustré sur la , la première partie 40 de la troisième branche de raccordement 36 du premier ensemble de raccordement 30a s’étend le long de l’un des éléments chauffants 4 participant à délimiter une extrémité transversale du corps de chauffe 2. Plus particulièrement, la première partie 40 de la troisième branche de raccordement 36 du premier ensemble de raccordement 30a s’étend le long d’une face externe d’un élément chauffant 4 du premier ensemble de chauffe 46, en regard d’une paroi latérale 8 du support 6.
La première partie 40 de la troisième branche de raccordement 36 du deuxième ensemble de raccordement 30b s’étend quant à elle entre deux éléments chauffants 4 du corps de chauffe 2. Plus particulièrement, la première partie 40 de la troisième branche de raccordement 36 du deuxième ensemble de raccordement 30b s’étend entre un élément chauffant 4 du premier ensemble de chauffe 46.
Selon un deuxième exemple de réalisation illustré sur la , la première partie 40 de la troisième branche de raccordement 36 du premier ensemble de raccordement 30a s’étend le long d’un des éléments chauffants 4 participant à délimiter une extrémité transversale du corps de chauffe 2. Plus particulièrement, la première partie 40 de la troisième branche de raccordement 36 du premier ensemble de raccordement 30a s’étend le long d’une face externe d’un élément chauffant 4 du premier ensemble de chauffe 46, en regard d’une paroi latérale 8 du support 6.
La première partie 40 de la troisième branche de raccordement 36 du deuxième ensemble de raccordement 30b s’étend, a contrario du premier exemple de réalisation décrit auparavant, le long d’un des éléments chauffants 4 participant à délimiter une extrémité transversale du corps de chauffe 2, et plus particulièrement, le long d’une face externe d’un élément chauffant 4 du deuxième ensemble de chauffe 48, en regard de la paroi latérale 8 du support 6 opposée à la paroi latérale précédemment évoquée pour le premier ensemble de raccordement 30a.
Ces dispositions astucieuses des premières parties 40 des troisièmes branches de raccordement 38 des ensembles de raccordement 30a, 30b optimisent l’espace occupé par les ensembles de raccordement 30a, 30b, que ce soit au travers des corps de chauffe 2 ou par rapport à la place occupée sur une carte de circuits imprimés de l’unité électronique de commande 10.
De plus, cette division en deux ensembles de chauffe 46, 48 permet de subdivisionner le nombre de zones de chauffe possibles. En effet, en plus des deux zones de chauffe mentionnées ci-dessus, en référence aux deuxièmes et troisièmes plaques 22b, 22c, il est possible de définir deux nouvelles zones de chauffe, une zone de chauffe correspondant au premier ensemble de chauffe 46 et une autre zone de chauffe correspondant au deuxième ensemble de chauffe 48. On comprend dès lors que quatre zones de chauffe sont présentes au sein d’un tel radiateur électrique 1, une première zone de chauffe étant délimitée par les deuxièmes plaques 22b du premier ensemble de chauffe 46, une deuxième zone de chauffe étant délimitée par les troisièmes plaques 22c du premier ensemble de chauffe 46, une troisième zone de chauffe étant définie par les deuxièmes plaques 22b du deuxième ensemble de chauffe 48 et une quatrième zone de chauffe étant définie par les troisièmes plaques 22c du deuxième ensemble de chauffe 48. Chacune des zones précitées peut être activée indépendamment par rapport aux autres par l’unité électronique de commande 10 et/ou simultanément.
Pour rappel, l’invention a pour objet un radiateur électrique dont le corps de chauffe présente au moins deux zones de chauffes indépendantes, c’est-à-dire que l’une ou l’autre des zones de chauffe peut être activée seule ou simultanément par rapport à l’autre zone de chauffe. La disposition astucieuse des organes de connexion des plaques des éléments chauffants à chacune des extrémités longitudinales des éléments chauffants permet d’atteindre le but fixé, à savoir de pouvoir générer au moins deux zones de chauffe qui peuvent indépendamment l’une de l’autre chauffer un flux d’air.
Four pour le chauffage rapide de produits alimentaires Le domaine de l’invention est celui de la conception et de la fabrication d’équipements de chauffage ou de cuisson de produits alimentaires.
Plus précisément, l’invention concerne un four pour le chauffage rapide de produits alimentaires, du type comprenant d’une part une plaque à induction et d’autre part un dispositif de chauffage à halogène ou infrarouge.
Dans le domaine de l’invention, il a été proposé des fours à induction électromagnétique pour chauffer ou réchauffer un produit disposé dans un conditionnement sous la forme d’un emballage cartonné dont le fond est pourvu d’une feuille électriquement conductrice qui tend à optimiser le chauffage produit par l’inducteur électromagnétique du four. Le four comprend également un dispositif de chauffage supérieur, espacé de l’inducteur électromagnétique pour délimiter une zone de chauffe.
Un tel four est normalement conçu pour obtenir un chauffage optimum et rapide du produit alimentaire à chauffer ou à réchauffer en réduisant théoriquement les pertes énergétiques.
Un autre objet de l’invention concerne un dispositif électronique, notamment pour applications de puissance ou applications radiofréquence, comprenant une structure telle que décrite ci-dessus et au moins un composant électronique, tel qu’un un transistor, une diode, un composant électronique de puissance, et/ou un composant électronique radiofréquence, agencé dans ou sur la couche active.
BREVE DESCRIPTION DES FIGURES D’autres caractéristiques et avantages de l’invention ressortiront de la description détaillée qui va suivre, en référence aux dessins annexés, sur lesquels :
- la représente une vue en coupe d’une structure semi-conductrice selon un premier mode de réalisation ;
- la représente une vue en coupe d’une structure selon un deuxième mode de réalisation ;
- les figures 3A à 3D représentent schématiquement des étapes d’un procédé de fabrication de la structure semi-conductrice de la ;
- les figures 4A à 4D représentent schématiquement des étapes d’un procédé de fabrication de la structure semi-conductrice de la ;
- les figures 5A à 5D représentent schématiquement des étapes d’une variante des procédés des figures 3A-3D et 4A-4D.
Pour des raisons de lisibilité, les dessins ne sont pas nécessairement réalisés à l’échelle.
DESCRIPTION DETAILLEE DE MODES DE REALISATION La présente description porte sur une structure semi-conductrice comprenant un substrat support de SiC polycristallin et une couche active de SiC monocristallin s’étendant sur le substrat support.
Le substrat support comprend deux couches de SiC polycristallin de polytypes différents : une première couche principalement du polytype 3C et une seconde couche principalement du polytype 4H et/ou 6H.
La première et la seconde couche de SiC polycristallin peuvent se présenter selon différentes configurations dans la structure, qui seront décrites plus bas.
La couche active est réalisée en SiC monocristallin pour présenter des propriétés électriques optimales. La couche active présente une structure hexagonale, principalement du polytype 4H ou 6H.