Procédé de fabrication d’une cellule photovoltaïque, comportant les étapes : a) prévoir une structure comportant : - un substrat (1) à base de silicium cristallin, présentant des première et seconde surfaces (10, 11) opposées ; - des premier et second films d’oxyde (2a, 2b), de préférence de type oxyde tunnel, formés respectivement sur les première et seconde surfaces (10, 11) du substrat (1) ; - des première et seconde couches de polysilicium (3a, 3b), formées respectivement sur les premier et second films d’oxyde (2a, 2b), et comprenant respectivement des dopants de type n et des dopants de type p présentant respectivement des première et seconde concentrations surfaciques ; les dopants de type n étant de préférence des atomes de phosphore, les dopants de type p étant de préférence des atomes de bore ; les première et seconde couches de polysilicium (3a, 3b) présentant chacune une épaisseur supérieure ou égale à 15 nm, de préférence supérieure ou égale à 20 nm ; b) appliquer un recuit thermique à la structure, sous une atmosphère (A), à une température de recuit (T A ) supérieure à une température minimale (T min ) au-delà de laquelle les dopants de type n et les dopants de type p peuvent être électriquement activés ; c) démarrer une injection d’un agent oxydant (4) dans l’atmosphère (A) au cours de l’étape b), de manière à former des première et seconde couches d’oxyde (5a, 5b), respectivement sur les première et seconde couches de polysilicium (3a, 3b) ; l’injection étant démarrée à un premier instant (t 1 ) définissant, avec la température de recuit (T A ), un premier budget thermique adapté pour activer électriquement les dopants de type n et les dopants de type p ; d) arrêter l’injection de l’agent oxydant (4) à un second instant (t 2 ) définissant, avec la température de recuit (T A ), un second budget thermique adapté à la première concentration surfacique de sorte que : - les première et seconde couches d’oxyde (5a, 5b), formées entre les premier et second instants (t 1 , t 2 ), présentent respectivement des première et seconde épaisseurs ; la première épaisseur étant prédéterminée ; - la formation des première et seconde couches d’oxyde (5a, 5b), selon les première et seconde épaisseurs, consomme une quantité de polysilicium entre les premier et second instants (t 1 , t 2 ) adaptée pour que la première couche de polysilicium (3’a) présente une épaisseur strictement inférieure à 15 nm à l’issue de l’étape d). Procédé de fabrication d’une cellule photovoltaïque, comportant les étapes : a’) prévoir une structure comportant : - un substrat (1) à base de silicium cristallin, présentant des première et seconde surfaces (10, 11) opposées ; - des premier et second films d’oxyde (2a, 2b), de préférence de type oxyde tunnel, formés respectivement sur les première et seconde surfaces (10, 11) du substrat (1) ; - des première et seconde couches de silicium amorphe (3c, 3d), formées respectivement sur les premier et second films d’oxyde (2a, 2b), et comprenant respectivement des dopants de type n et des dopants de type p présentant respectivement des première et seconde concentrations surfaciques ; les dopants de type n étant de préférence des atomes de phosphore, les dopants de type p étant de préférence des atomes de bore ; les première et seconde couches de silicium amorphe (3c, 3d) présentant chacune une épaisseur supérieure ou égale à 15 nm, de préférence supérieure ou égale à 20 nm ; b) appliquer un recuit thermique à la structure, sous une atmosphère (A), à une température de recuit (T A ) supérieure à une température minimale (T min ) au-delà de laquelle les première et seconde couches de silicium amorphe (3c, 3d) peuvent être cristallisées ; c) démarrer une injection d’un agent oxydant (4) dans l’atmosphère (A) au cours de l’étape b), à un premier instant (t 1 ) définissant, avec la température de recuit (T A ), un premier budget thermique adapté pour cristalliser les première et seconde couches de silicium amorphe (3c, 3d) de manière à former des première et seconde couches de polysilicium (3a, 3b) ; l’étape c) étant exécutée de manière à former des première et seconde couches d’oxyde (5a, 5b), respectivement sur les première et seconde couches de polysilicium (3a, 3b) ; d) arrêter l’injection de l’agent oxydant (4) à un second instant (t 2 ) définissant, avec la température de recuit (T A ), un second budget thermique adapté à la première concentration surfacique de sorte que : - les première et seconde couches d’oxyde (5a, 5b), formées entre les premier et second instants (t 1 , t 2 ), présentent respectivement des première et seconde épaisseurs ; la première épaisseur étant prédéterminée ; - la formation des première et seconde couches d’oxyde (5a, 5b), selon les première et seconde épaisseurs, consomme une quantité de polysilicium entre les premier et second instants (t 1 , t 2 ) adaptée pour que la première couche de polysilicium (3’a) présente une épaisseur strictement inférieure à 15 nm à l’issue de l’étape d). Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le recuit thermique appliqué lors de l’étape b) comporte : - une première phase (P 1 ), comprenant une montée en température (P 10 ) jusqu’à atteindre la température de recuit (T A ) ; - une deuxième phase (P 2 ), comprenant un plateau de température (P 20 ) égal à la température de recuit (T A ) ; - une troisième phase (P 3 ), comprenant une descente en température (P 30 ) à partir de la température de recuit (T A ) ; dans lequel l’étape c) est exécutée de sorte que l’injection de l’agent oxydant (4) est démarrée durant la deuxième phase (P 2 ), et l’étape d) est exécutée de sorte que l’injection de l’agent oxydant (4) est arrêtée durant la deuxième phase (P 2 ). Procédé selon l’une des revendications 1 à 3, dans lequel l’étape c) est exécutée de sorte que l’agent oxydant (4) comporte du dioxygène O 2 . Procédé selon l’une des revendications 1 à 4, dans lequel l’atmosphère (A) sous laquelle est appliqué le recuit thermique lors de l’étape b) comporte du diazote N 2 ou de l’argon Ar. Procédé selon l’une des revendications 1 à 5, dans lequel l’étape d) est exécutée de sorte que les première et seconde épaisseurs sont supérieures ou égales à 2 nm. Procédé selon l’une des revendications 1 à 6, comportant une étape e) consistant à retirer les première et seconde couches d’oxyde (5a, 5b) formées entre les premier et second instants (t 1 , t 2 ) ; l’étape e) étant exécutée après l’étape d), de préférence par une solution d’acide fluorhydrique HF. Procédé selon la revendication 7, comportant une étape f) consistant à former des première et seconde couches d’oxyde transparent conducteur (6a, 6b), respectivement sur les première et seconde couches de polysilicium (3’a, 3’b) ; l’étape f) étant exécutée après l’étape e). Procédé selon la revendication 8, comportant une étape g) consistant à former des électrodes (E) sur les première et seconde couches d’oxyde transparent conducteur (6a, 6b). Procédé selon la revendication 1 et l’une des revendications 3 à 9 en combinaison avec la revendication 1, dans lequel : - l’étape a) est exécutée de sorte que les dopants de type n sont des atomes de phosphore et les dopants de type p sont des atomes de bore ; - l’étape b) est exécutée de sorte que la température de recuit (T A ) est comprise entre 700°C et 900°C. Procédé selon la revendication 2 et l’une des revendications 3 à 9 en combinaison avec la revendication 2, dans lequel l’étape b) est exécutée de sorte que la température de recuit (T A ) est comprise entre 700°C et 900°C.