INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
La représente schématiquement la mise en butée, dans le corps tubulaire 101, de la première structure 10 de fixation d’un dispositif d’émission E selon l’invention. Le corps tubulaire 101 d’un saxophone comprend une butée 102. Cette butée est présente dans tous les saxophones. La glissière 14 est destinée à guider le dispositif d’émission le long du corps tubulaire 101 jusqu’à la butée 102. Autrement dit, le dispositif d’émission est d’abord positionné dans la partie haute du corps tubulaire 101 (représenté en trait plein sur la partie gauche de la figure), puis glisse dans le corps tubulaire 101 jusqu’à ce que l’entrée de la glissière 14 rencontre la butée 102. La glissière 14 et la butée 102 coopèrent, ce qui assure le positionnement angulaire du dispositif d’émission E dans le corps tubulaire 101. La glissière 14 joue également le rôle de guidage du dispositif d’émission E dans le corps tubulaire 101 jusqu’à sa mise en butée contre la butée 102. Le dispositif d’émission E est alors dans sa position fixe finale pour utilisation (représentée sur la partie droite de la figure en pointillés).
La représente schématiquement des modes de réalisation de la fixation de l’actionneur 11 sur la première structure 10 de fixation d’un dispositif d’émission E selon l’invention. La représentation centrale montre que l’actionneur 11 peut être positionné au sein de l’élément intermédiaire 12 qui prend alors la forme d’un anneau, dans une portion creuse de la première structure. La représentation de gauche montre la même configuration et fait apparaitre la mise en butée discutée précédemment pour bien positionner le dispositif d’émission par rapport à l’instrument. La représentation de droite montre la possibilité de considérer un élément intermédiaire 12 en contact avec le corps tubulaire. Cette configuration est rendue possible par le fait que l’élément intermédiaire a un rôle isolant fort et bloque la transmission d’ondes de l’actionneur 11 vers le corps tubulaire. Il est important de rappeler que l’invention repose sur la transmission d’ondes acoustiques aériennes via la colonne d’air dans le corps tubulaire de l’instrument, et aucune onde mécanique élastique ne doit être transmise via le corps tubulaire de l’instrument.
La représente schématiquement un dispositif de réception R de l’ensemble de transmission 60 d’ondes acoustiques aériennes selon l’invention positionné au niveau du pavillon de l’instrument. On considère ici que le corps tubulaire 101 s’étend localement, au niveau du pavillon, sensiblement selon un premier axe X, tel que représenté sur la . Le dispositif de réception R d’ondes acoustiques aériennes comprend : une deuxième structure de fixation 20 au corps tubulaire de l’instrument ; un microphone 21 relié à la deuxième structure de fixation 20, le microphone 21 étant apte à recevoir, après leur propagation dans la colonne d’air, les ondes acoustiques aériennes émises par l’actionneur 11, le microphone 21 étant positionné préférentiellement de manière décentrée par rapport au premier axe X ; (dans une variante, le microphone peut être positionné de manière centrée par rapport au premier axe X) un dispositif de transformation 30 relié à la deuxième structure de fixation 20 et apte à transformer les ondes acoustiques aériennes reçues par le microphone 21 en un signal électrique caractéristique d’une configuration de bouchage des trous latéraux de l’instrument.
Le microphone 21 est préférentiellement, mais non obligatoirement, un microphone large-bande.
Le dispositif de réception R comprend avantageusement un dispositif de mise en position 22 de la deuxième structure de fixation 20 par rapport au corps tubulaire 101. Ainsi le dispositif de réception R est bloqué en translation et en rotation dans le pavillon. La deuxième structure 20 est positionnée dans le pavillon de l’instrument, de manière fixe et toujours identique pour un même instrument.
Dans un mode de réalisation, le dispositif de mise en position 22 de la deuxième structure de fixation 20 comprend au moins trois contacts ponctuels 23 entre la deuxième structure de fixation 20 et le corps tubulaire 101 configurés pour bloquer le dispositif de réception R en rotation autour du premier axe X. Un des contacts ponctuels peut comprendre une vis qui, une fois tournée, vient se fixer sur une partie du corps tubulaire. Alternativement, un système de vis centrale peut, sur une rotation, faire déployer des lamelles depuis la deuxième structure vers le corps tubulaire pour constituer des contacts ponctuels afin de bloquer les degrés de liberté du dispositif de réception R.
Le dispositif de réception R de l’invention comporte donc un élément rigide (deuxième structure 20) fixé au pavillon de l’instrument avec des éléments d’adaptation pour différents tailles d’instruments comme expliqué précédemment. Le dispositif de réception R comprend un capteur de type microphone large bande apte à mesurer les ondes ultrasonores et placé préférentiellement décentré du premier axe X afin de briser la symétrie des ondes acoustiques et d’augmenter la richesse de la signature acoustique spécifique à chaque note et donc à chaque position des clapets. Le déport du microphone 21 par rapport au premier axe X permet d’éviter les interférences destructrices d’ondes. Grâce à cette configuration, une bonne détection des ondes est garantie.
L’électronique de commande et les batteries peuvent être placées à l’intérieur d’un corps cylindrique creux associé à la deuxième structure. De manière optionnelle, une tige de référence peut être placée sur la deuxième structure 20 fixée au pavillon afin d’indiquer le bon placement angulaire du dispositif de réception R vis-à-vis de l’instrument. Cette tige touche alors l’instrument à une position choisie par l’utilisateur et sert comme guide de placement. Cette tige peut être rétractable.
Le dispositif de transformation 30 est par exemple positionné dans le corps creux de la deuxième structure 20. Il est relié au microphone pour traiter les ondes acoustiques aériennes reçues par le microphone après leur propagation dans la colonne d’air, dans le but d’être traitées pour générer un signal électrique caractéristique d’une configuration de bouchage des trous latéraux de l’instrument. Un dispositif informatique peut être connecté à l’ensemble de transmission (émission ou réception). Le dispositif informatique est alors apte à fournir un signal de commande à l’ensemble de transmission émetteur qui émet alors des ondes et le dispositif de transmission récepteur reçoit ces ondes que son microphone transmet à son dispositif de transformation en signal de réception à partir des ondes reçues. En variante, le dispositif informatique fait partie du dispositif de transformation. Ainsi, le dispositif de transformation est conçu pour détecter et reconnaitre la signature acoustique de l’état de bouchage à partir du signal de réception correspondant aux ondes acoustiques reçues, c’est-à-dire aux ondes acoustiques émises par le dispositif émetteur E et qui se sont propagées dans la colonne d’air de l’instrument. Le procédé de détection à mettre en œuvre nécessite donc de bien positionner l’ensemble de transmission dans le corps tubulaire 101.
Plus précisément, le dispositif de transformation 30 est configuré pour : - exécuter une première phase d'apprentissage consistant à faire varier les configurations de l'état de bouchage des trous latéraux de l'instrument parmi l'ensemble des configurations possibles et enregistrer, pour chaque configuration, au moins une caractéristique de référence du signal de réception, - exécuter une seconde phase de surveillance (ou d’utilisation) pendant qu'un utilisateur joue dudit instrument de musique consistant à enregistrer, pour chaque note jouée par l'utilisateur, au moins une caractéristique courante du signal de réception équivalente à ladite caractéristique de référence, et comparer la caractéristique courante à l'ensemble des caractéristiques de références enregistrées pour en déduire la configuration de bouchage des trous de l'instrument actionnée par le joueur.
L’ensemble de transmission 60 selon l’invention repose sur la transmission d’ondes acoustiques aériennes via la colonne d’air dans le corps tubulaire tout en assurant un temps de réponse compatible de la pratique de l’instrument de musique.
On peut ensuite compléter la formation du ou des transistors par d’autres étapes, notamment par une formation de zones d’alliage de métal et de semi-conducteur, en particulier en effectuant une siliciuration des régions semi-conductrices 145. De telles zones permettent de former des contacts et sont réalisées typiquement par dépôt de métal, par exemple du tungstène ou du cuivre puis recuit.
En variante, de l’exemple de procédé qui vient d’être décrit, on peut prévoir, outre un dopage de régions 125 de la couche semi-conductrice 120 situées de part et d’autre de la grille 132, de doper des régions 126 dites d’extension qui sont situées sous les espaceurs 137.
Dans ce cas, si l’on a formé les espaceurs 137 avant de réaliser le dopage de la couche semi-conductrice 120, on peut prévoir, comme sur la , d’effectuer une implantation inclinée par rapport à une normale n à un plan principal de la couche semi-conductrice 120. On peut ainsi atteindre et doper ces régions 126 d’extension.
Une autre possibilité pour réaliser ces régions d’extension 126 dopées, consiste à effectuer un dopage par implantation et comme illustré sur la , cette fois avant de former les espaceurs 137. Dans ce cas, les conditions d’implantations, notamment en termes d’orientation du faisceau, sont prévues de sorte à éviter un dopage sous la grille 132.
Pour éviter tout dopage sous la grille 132, on peut également prévoir, de revêtir au préalable les flancs latéraux du bloc 132 de grille d’une fine couche de protection 135 en matériau diélectrique. Par exemple, la fine couche de protection 135 est une couche à base de nitrure couche d’épaisseur de l’ordre de 1 à 10 nm que l’on grave de manière anisotrope. On réalise alors comme sur la , une ou plusieurs implantations afin de réaliser un dopage. Puis ( ), on forme les espaceurs 137 d’épaisseur plus importante contre la fine couche de protection 135. D’autres implantations peuvent être alors ensuite effectuées si nécessaire.
Selon une autre variante de réalisation, on peut prévoir un ordre inverse des épaisseurs amorphe et cristalline dans la couche semi-conductrice 120 sur laquelle on vient former le ou les transistors.
Ainsi dans l’exemple de procédé donné sur les figures 6A-6E, la couche semi-conductrice 120 comporte cette fois une sous-couche inférieure 121 en matériau semi-conducteur amorphe A, par exemple du silicium amorphe, tandis que la sous-couche supérieure 122 est en matériau cristallin C, par exemple du silicium cristallin.
Pour obtenir une structure telle qu’illustrée sur la on privilégie typiquement la réalisation de l’amorphisation, en particulier par implantation(s), avant de réaliser un procédé d’assemblage tel qu’évoqué précédemment entre une structure par exemple telle qu’illustrée sur la et comportant une couche semi-conductrice 12 avec un premier niveau de composants et une autre structure ou un autre substrat doté(e) de la deuxième couche semi-conductrice 120.
Il peut être ainsi plus aisé d’obtenir une sous-couche 121 totalement amorphe et en particulier à proximité de la couche isolante 110 plutôt que lorsqu’on souhaite réaliser la ou les implantations d’amorphisation une fois que la couche semi-conductrice 120 et la couche isolante 110 sont assemblées et collées l’une à l’autre.
La sous-couche inférieure 121 en matériau amorphe A peut être prévue avec une épaisseur e’ 1 par exemple comprise entre 3 nm et 50 nm. La sous-couche 122 supérieure en matériau cristallin C peut quant à elle être prévue avec une épaisseur e’ 2 par exemple comprise entre 2 et 30 nm.
Ensuite, à partir de la structure illustrée sur la , on forme le bloc 132 de grille.
Dans l’exemple de réalisation illustré sur la , des espaceurs isolants 137 de part et d’autre du bloc 132 de grille sont formés préalablement au dopage des régions de source et de drain et au dopage éventuel des régions extensions.
Dans l’exemple de réalisation illustré sur la , de part et d’autre du bloc 132 de grille et des espaceurs 137, on forme ensuite les régions dopées 125 par implantation de dopants dans la deuxième couche semi-conductrice 120. Comme décrit précédemment en lien avec la , on peut, là encore, éventuellement effectuer ce dopage par une ou plusieurs implantations inclinées. En variante et comme décrit précédemment en lien avec les figures 4 ou 5A-5B, on peut également prévoir un ordre inverse des étapes de réalisation des espaceurs 137 et de dopage par implantation.
Ensuite, on effectue la recristallisation, par traitement thermique de la sous-couche 121 inférieure tout en effectuant une activation des dopants des régions dopées 125 ( ). Ce traitement thermique est, là encore, typiquement réalisé de manière à obtenir une recristallisation de type SPER à une température de préférence comprise entre 450°C et 500°C.
On se sert cette fois de la sous-couche supérieure 122 comme zone de départ d’un front de recristallisation. Le fait d’avoir une sous-couche 121 amorphe qui s’étend pleine plaque permet d’avoir un front de recristallisation essentiellement vertical et donc plus propice à une régénération sans défaut de la structure cristalline.
De manière optionnelle, on peut réaliser ensuite une recristallisation de type SPER avec un dopage in situ , le dopage et la recristallisation étant alors réalisés dans le même équipement.
Fig. 1 montre un boîtier de distribution d’air de refroidissement selon l’art antérieur.
Fig. 2 montre une coupe tridimensionnelle d’un boîtier de distribution d’air de refroidissement selon une paroi circonférentielle, selon un premier mode de réalisation.
Fig. 3 montre une coupe tridimensionnelle d’un boîtier de distribution d’air de refroidissement sans un organe amovible d’obturation selon une paroi circonférentielle, selon un premier mode de réalisation.
Fig. 4 montre une vue de dessus, tridimensionnelle d’un boîtier de distribution d’air de refroidissement, selon un premier mode de réalisation.
Fig. 5 montre une coupe tridimensionnelle longitudinale passant par une ouverture d’accès d’un boîtier de distribution d’air de refroidissement, selon un premier mode de réalisation.
Fig. 6 montre une vue de dessus d’un organe de fixation, selon un premier mode de réalisation.
Fig. 7 montre une coupe tridimensionnelle d’un boîtier de distribution d’air de refroidissement selon une paroi circonférentielle, selon un second mode de réalisation
Fig. 8 montre une coupe tridimensionnelle d’un boîtier de distribution d’air de refroidissement sans un organe amovible d’obturation selon une paroi circonférentielle, selon un second mode de réalisation.
Le présent document concerne une turbine, telle qu’une turbine basse pression de turbomachine, s’étendant autour d’un axe X longitudinal et comprenant un carter externe supportant un boîtier de distribution d’air de refroidissement. Le boîtier de distribution d’air de refroidissement s’étend autour dudit axe X.
Comme illustré aux figures 2 à 6, 7 et 8, le boîtier de distribution 2 comporte une paroi radialement interne 8, aussi appelée première paroi, une paroi radialement externe 10, aussi appelée seconde paroi, reliée à la paroi radialement interne 8 par une paroi de liaison amont 12 et une paroi de liaison aval 14 incurvées de façon convexe et deux parois circonférentielles 16,18 qui définissent ensemble le boîtier de distribution 2. Les parois circonférentielles 16,18 comprennent une pluralité de conduits d’amenés d’air 20.
Comme illustré aux figures 2 à 6, 7 et 8, le boîtier de distribution 2 comporte des moyens de fixation 22 amovibles agencés directement entre la paroi radialement interne 8 et le carter externe 24. Par moyens de fixation 22 du boîtier de distribution 2, on entend des moyens de fixation 22 qui réalisent une liaison directe entre ladite paroi radialement interne 8 et le carter externe 24. Par moyens de fixation 22 amovibles, on entend une fixation qui ne réalise pas de mouvement une fois positionnée et qui peut être enlevée. Une fois positionnés, ces moyens de fixation 22 amovibles interdisent tout mouvement dans les trois directions de l’espace. Lesdits moyens de fixation 22 amovibles sont agencés dans une portion centrale 26 de la paroi radialement interne 8 du boîtier de distribution 2. Par portion centrale 26, on entend une portion centrée par rapport à une première extrémité 28 et une seconde extrémité 30 de la paroi radialement interne 8 du boîtier de distribution 2. Les moyens de fixation 22 sont agencés à l’intérieur d’une surface fermée délimitée par une projection d’un cercle 32 de rayon R sur la paroi radialement interne 8, centré sur la projection du centre de gravité sur la paroi radialement interne 8 du boîtier de distribution 2. Le rayon R est compris entre 1 et 10cm, par exemple 5 cm en présence d’un seul organe de fixation 42. Le cercle 32 de rayon R est un cercle ayant un axe perpendiculaire au plan du disque formé par le cercle 32, cet axe étant un axe radial. Les moyens de fixation 22 sont agencés sensiblement au milieu de l’étendue longitudinale de la paroi radialement interne 8 du boîtier de distribution 2.
Le boîtier de distribution 2 comporte une ouverture d’accès 34 sur sa paroi radialement externe 10 configurée pour la mise en place des moyens de fixation 22 par un organe amovible d’obturation 36 et le démontage de ce même organe amovible d’obturation 36. L’ouverture d’accès 34 comprend un passage tubulaire 38. Ce passage tubulaire 38 est formé de manière à être en saillie depuis une face externe 40 de la paroi radialement externe 10.
L’organe amovible d’obturation 36 peut être ôté laissant le passage libre aux moyens de fixation 22 et à un outil de serrage configuré pour venir serrer lesdits moyens de fixation 22 sur la portion centrale 26 de la paroi radialement interne 8 du boîtier de distribution 2. L’outil de serrage est ensuite retiré et l’organe amovible d’obturation 36 est remis. Un système de fermeture par l’organe amovible d’obturation 36 de l’ouverture d’accès 34 est configuré pour réaliser une étanchéité du boîtier de distribution 2.
Lesdits moyens de fixation 22 forment l’unique point de fixation du boîtier de distribution 2 au carter externe 24.
Dans une réalisation particulière de l’invention, les moyens de fixation 22 comprennent au moins un organe de fixation 42 traversant la paroi radialement interne 8 du boîtier de distribution 2 et le carter externe 24. Plus particulièrement, les moyens de fixation 22 comportent un seul organe de fixation 42. Un orifice est réalisé sur la paroi radialement interne 8 en vis-à-vis radial avec le carter externe 24. Par paroi radialement interne 8 en vis – à - vis radial du carter externe 24, on entend une paroi radialement interne 8 qui s’étend à une faible distance comprise entre 1 et 5cm ou inférieur à 1cm dudit carter externe 24. Cet orifice est configuré pour accueillir l’organe de fixation 42 venant s’assembler sur un bossage 44 en saillie du carter externe 24. Le bossage 44 comporte une douille sertie ou clavetée. De cette configuration résulte qu’un jeu existe entre le boîtier de distribution et le carter externe.
Comme illustré à la , l’organe de fixation 42 peut être une vis vissée 46 dans le carter externe 24.
Le procédé peut comporter l’étape consistant à introduire longitudinalement, le long de l’axe de rotation du rotor, au moins un aimant permanent dans le logement.
L’invention a encore pour objet, indépendamment ou en combinaison avec ce qui précède, un procédé de fabrication d’un rotor de machine électrique tournante, comportant les étapes suivantes : (a) fournir une masse rotorique du rotor comportant des logements dans lesquels s’étendent des languettes, (b) insérer des aimants permanents dans les logements de la masse rotorique du rotor, les languettes subissant notamment une déformation lors de cette insertion.
Dans l’invention les languettes sont présentes dans les logements avant l’insertion des aimants permanents dans ceux-ci. Les languettes ne sont pas formées après l’insertion des aimants permanents dans la masse rotorique.
Les aimants permanents peuvent être insérer longitudinalement, le long de l’axe de rotation du rotor, dans les logements correspondants.
L’insertion de l’aimant permanent dans le logement peut entrainer la déformation, notamment la déformation plastique, de la languette qui vient se plaquer contre le petit côté de l’aimant permanent, ou en variante ou additionnellement contre le grand côté de l’aimant permanent.
Dans le cas où la masse rotorique comporte plusieurs paquets de tôles empilés les uns sur les autres, le procédé peut d’abord comporter l’étape consistant à introduire longitudinalement au moins un aimant permanent dans le logement de chaque paquet de tôles, puis l’étape consistant à empiler les paquets de tôles les uns sur les autres, avec les aimants permanents dans les logements.
La languette peut se déformer en dehors du plan de la tôle. La languette peut exercer après déformation une poussée sur l’aimant permanent de manière à le maintenir dans le logement, notamment contre la butée. La languette peut ainsi permettre de maintenir l’aimant permanent dans le logement, notamment contre la butée éventuelle, pendant son introduction dans le logement.
Les procédés peuvent en outre comporter l’étape consistant à réaliser au moins une déformation convexe vers l’intérieur du logement, mieux au moins deux déformations convexes vers l’intérieur du logement, notamment sur au moins une face du logement en regard d’un grand côté de l’aimant permanent.
La ou les déformations peuvent être réalisées après l’introduction de l’aimant permanent dans le logement. Cela facilite la réalisation de la ou des déformations car l’aimant permanent est alors déjà maintenu dans le logement par la languette. La ou les déformations peuvent par exemple être réalisées sur un poste de travail différent de celui sur lequel est réalisé l’introduction de l’aimant permanent dans le logement, et cela sans risque de perdre l’aimant permanent puisque ce dernier est retenu dans le logement par la languette.
La ou les déformations peuvent permettre de maintenir l’aimant permanent contre la face opposée du logement.
La présence de la languette et de la ou des déformations permettent de bloquer mécaniquement la position de l’aimant permanent dans le logement respectivement selon le grand et le petit axe du logement de sorte qu’il ne puisse plus bouger. Ainsi, une fois la ou les déformations effectuées, le positionnement de l’aimant permanent dans le logement est verrouillé.
La est une vue schématique et partielle, en coupe transversale, d’un exemple de rotor de machine électrique tournante selon l’invention.
La en est une vue de détail.
La en est une vue de détail en perspective.
La est une vue de détail d’une tôle du rotor des figures 1 à 3.
Pour un ensemble de pixels reçus en entrée, ou partition cible , il met en œuvre conjointement les étapes S2 et S3 du procédé de codage de la , pour délivrer en sortie un index IDXi du flux binaire TBi associé à la partition PSi.
De façon connue en soi, un réseau neuronal convolutif RN réalise une succession de couches d’opérations de filtrage, de non-linéarité et de changement d’échelles. Chaque filtre employé est paramétré par un noyau de convolution et les non-linéarités sont paramétrées (ReLU, leaky ReLU, GDN - de l’anglais « generalized divisive normalization », etc.)
Le réseau PRED2 apprend à estimer une partition source (et donc un train binaire associé) en fonction d’une partition cible en entrée. De manière connue, il convient de distinguer pour sa mise en œuvre une phase d’apprentissage et une phase de prédiction.