INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Une fois la préforme 10 terminée, elle est mise en forme et subit une étape E2 de dépôt d’interphase, connue par ailleurs, par exemple du type dépôt chimique en phase vapeur (également connue sous le nom CVD pour « Chemical Vapor Deposition »). Dans cet exemple, le matériau d’interphase déposé est du nitrure de bore (BN). Une gaine de BN se forme donc autour des fibres de la préforme 10, ce qui consolide la préforme 10 et bloque la forme donnée lors de la mise en forme. A l’issue de cette étape E2 de dépôt d’interphase, on obtient une préforme consolidée 10’ dont les fibres sont revêtues d’une gaine d’interphase ; la préforme consolidée 10’ reste toutefois encore très poreuse.
La préforme 10’ ainsi consolidée est alors transférée dans un moule pour subir une étape E3 d’injection d’une barbotine céramique. Dans cet exemple, la barbotine comprend un solvant, ici de l’eau, une poudre céramique, ici du carbure de silicium (SiC), et un liant organique, ici de l’alcool polyvinylique. Lors de cette étape E3, un ou plusieurs filtres sont mis en contact de la préforme 10’ et retiennent les particules céramiques de la barbotine.
Dans cet exemple, la concentration de la poudre de SiC dans la barbotine est d’environ 20% en volume. La concentration du liant est pour sa part de 1% en masse par rapport à la masse de poudre de SiC en barbotine.
Dans certains modes de réalisation, la distance séparant ladite masse thermique de ladite zone hors-travail est comprise entre 1 et 50 mm, de préférence entre 5 et 20 mm, de préférence encore égale à 5 mm.
Dans certains modes de réalisation, ladite masse thermique possède une fonction secondaire distincte de sa fonction thermique.
Dans certains modes de réalisation, ladite masse thermique est une portion d’un outillage de maintien de la pièce intermédiaire.
Dans certains modes de réalisation, ladite masse thermique est une portion d’un plateau de chargement.
Dans certains modes de réalisation, ladite masse thermique est une portion d’un creuset contenant le silicium liquide.
Dans certains modes de réalisation, ladite masse thermique est une portion d’une autre pièce intermédiaire en cours de densification ou de refroidissement.
Dans certains modes de réalisation, ladite zone hors-travail de la pièce intermédiaire est disposée en vis-à-vis d’une zone hors-travail de ladite autre pièce intermédiaire. Par exemple, lorsque les pièces intermédiaires sont des secteurs d’anneau, de turbine notamment, leurs baignoires peuvent être disposées en vis-à-vis.
Dans certains modes de réalisation, la pièce intermédiaire est du type anneau de turbine. En particulier, il peut s’agir d’un secteur d’anneau de turbine. Plus généralement, la pièce intermédiaire comprend une partie de veine et au moins une partie de fixation, prenant par exemple la forme d’une ou de plusieurs brides. La pièce intermédiaire peut également comprendre un ou plusieurs becquets. La partie de veine constitue alors une zone de travail tandis que les brides et les becquets constituent des zones hors-travail.
Dans certains modes de réalisation, l’étape de refroidissement comprend au moins, ou consiste en, une rampe de refroidissement.
Dans certains modes de réalisation, l’étape de refroidissement débute à une température initiale comprise entre 1000 et 1500°C, de préférence comprise entre 1400 et 1500°C. Il s’agit là de la température imposée à l’enceinte : elle est de préférence uniforme sans que cela interdise des différences de température entre différentes zones de la pièce intermédiaire en raison des mécanismes de contrôle présentés ci-avant.
Dans certains modes de réalisation, la rampe de refroidissement perdure jusqu’à une température comprise entre 1250 et 1350 °C, de préférence jusqu’à 1250°C.
Dans certains modes de réalisation, la vitesse de refroidissement de la rampe de refroidissement est comprise entre 200 et 1000°C/h, de préférence entre 400 et 1000°C/h, de préférence encore égale à 600°C/h.
Dans certains modes de réalisation, le renfort est une préforme tissée, de préférence tissée 3D, réalisée en carbure de silicium. Le tissage 3D permet notamment d’obtenir des renforts fibreux possédant des géométries complexes en un seul tenant, assurant ainsi une très bonne tenue mécanique à la pièce finale.
Dans certains modes de réalisation, le renfort est réalisé en matériau céramique, de préférence en carbure de silicium (SiC). Toutefois, n’importe quel type de fibre céramique pourrait également être utilisé et notamment des fibres de carbone ou bien encore un mélange de fibres.
Dans certains modes de réalisation, la matrice est réalisée en carbure de silicium (SiC). Toutefois, n’importe quel type de poudre céramique pourrait également être utilisée et notamment les céramique, non oxydes, réfractaires ou ultra réfractaires, à base de Si, Ti, Zr, HF, C ou N telle que du C, B 4 C, TiC, ZrC, ou encore TiSi 2 .
Le présent exposé concerne également une pièce en matériau composite CMC, obtenue par un procédé de fabrication selon l’un quelconque des modes de réalisation précédents. Il peut notamment s’agir d’une pièce de turbine, un secteur d’anneau ou une aube par exemple.
Les signaux de commande cont_w sont fournis au circuit d’écriture CW à travers un bus de largeur égale au nombre de colonnes M de la matrice de cellules mémoire 100 afin de pouvoir écrire simultanément sur les cellules mémoires BC ij d’une ligne L i sélectionnée suite à l’activation d’un signal de sélection prédéterminé VWL i .
A titre d’exemple non limitatif, le circuit de lecture CL comprend une pluralité de circuits de lecture élémentaires CL , qui sont configurés pour fournir un signal de lecture de la donnée stockée (x(fe) ij ou x(ox) ij ) pour chaque cellule mémoire selon le résultat de comparaison de la tension de lecture VBL avec une tension de référence prédéterminée VREF. A titre d’exemple, la tension de lecture appliquée sur le nœud BL est sous forme d’impulsion. Le signal de référence VREF est généré par une source de tension externe non présentée par souci de simplification. Il est envisageable de déterminer la valeur de la tension de référence selon la configuration de fonctionnement choisie pour adapter le seuil qui détermine l’état logique de la donnée stockée en lecture.
Chaque circuit de lecture élémentaire CL , est associé à une colonne de la matrice de cellules mémoire de même rang et il est connecté au nœud d’entrée/sortie BL de la colonne correspondante. Cela permet de lire simultanément les cellules mémoires BC ij d’une ligne L i sélectionnée suite à l’activation d’un signal de sélection prédéterminé VWL i .
Les moyens de contrôle CONT sont destinés à commander les circuits de lecture élémentaires CL et le circuit d’écriture CW selon la configuration de fonctionnement choisie. Les moyens de contrôle CONT génèrent des signaux de contrôle cont_w vers le circuit d’écriture CW de manière à adapter l’amplitude et/ou la durée des tensions d’écriture selon la configuration de fonctionnement choisie. Nous rappelons que la première configuration de fonctionnement CONF1 nécessite moins d’énergie d’écriture que la seconde configuration CONF2.
De plus, les moyens de contrôle CONT sont destinés à fournir la pluralité de signaux de sélection VWL vers les nœuds de sélection WL de manière à choisir une seule ligne L i lors d’une opération de lecture ou d’écriture.
Les mémoires de stockage intermédiaire MEM_INT sont agencées telles que chaque mémoires de stockage intermédiaire MEM_INT est destinée à stocker temporairement chaque signal de lecture fourni par un circuit de lecture élémentaire CL CL pour chaque cycle de lecture. Les mémoires de stockage temporaire peuvent être réalisées par tout type de mémoires aptes à réaliser cette fonction tel que des registres, des bascules synchrones, des bascules asynchrones et des barrettes mémoires de façon non limitative.
Le stockage temporaire du contenu des cellules mémoires de la ligne L i lue pendant chaque cycle de lecture est utilisé pour la phase transitoire d’une configuration de fonctionnement à une autre. D’ailleurs, les moyens de contrôle CONT sont destinés en outre à piloter la transition de la première configuration CONF1 vers la seconde configuration CONF2 ou inversement à partir des données stockées dans les mémoires de stockage interne MEM_INT. En effet, les moyens de contrôle CONT comprennent un circuit de conversion CONV configuré pour convertir, pour chaque cellule mémoire, le signal de lecture x(fe) ij résultant de la première configuration de fonctionnement CONF1 en un signal de contrôle d’écriture CONT_W compatible avec la seconde configuration de fonctionnement CONF2. Inversement, le circuit de conversion CONV est configuré pour convertir, pour chaque cellule mémoire, le signal de lecture x(ox) ij résultant de la seconde configuration de fonctionnement CONF2 en un signal de contrôle d’écriture CONT_W compatible avec la première configuration de fonctionnement CONF1. Ainsi, le circuit de conversion CONV sert à traduire le contenu logique des cellules mémoires de la matrice 100 selon une configuration de fonctionnement de départ à des signaux de contrôle d’écriture permettant de générer des tensions d’écriture compatibles en termes d’énergie d’écriture avec la configuration de fonctionnement cible.
Nous allons dans ce qui suit décrire plusieurs exemples de mise en œuvre du circuit de stockage de données 100 dans un calculateur ayant une première phase de calcul Ph1 présentant un nombre considérable d’opérations d’écriture dans la matrice 100 et une deuxième phase de calcul Ph2 présentant un nombre considérable d’opérations de lecture de la matrice 100.
La illustre un premier exemple du pilotage de la configuration de fonctionnement des cellules mémoire d’un circuit de stockage de données selon l’invention selon la phase calculatoire exécutée.
L’exécution de l’algorithme de calcul par le circuit calculateur commence par la première phase de calcul PH1 composé de plusieurs itérations de mise à jour des données stockées dans le circuit de stockage 10. Le circuit de stockage de données 10 est configuré par les moyens de contrôle CONT à fonctionner selon la première configuration de fonctionnement CONF1 plus compatible avec un nombre considérable d’écritures dans les cellules mémoires BC ij . Ainsi, chaque composant mémoires NVM de la matrice 100 subit une pluralité d’opérations de changement du sens de la polarisation en recevant des tensions d’écriture positives sur l’électrode supérieure EL2 ou inférieure EL1. A titre d’exemple, les tensions d’écriture appliquées par le circuit d’écriture sont des impulsions carrées de durée ΔT1.
Suite à d’une pluralité d’itérations de la première phase de calcul PH1, le circuit de stockage des données 10 reçoit une instruction du circuit calculateur pour l’informer du passage de la première phase de calcul Ph1 à la deuxième phase de calcul Ph2. En réponse à cette instruction, les moyens de contrôle CONT du circuit de stockage des données 10 déclenchent une phase de transition Ph 1 2 de la première configuration de fonctionnement CONF1 vers la seconde configuration de fonctionnement CONF2. La phase de transition Ph 1 2 est constituée de plusieurs itérations d’étapes répétées pour chaque ligne L i de la matrice de cellules mémoires 100.
La deuxième étape consiste à lire les M cellules mémoire BC ij de la ligne sélectionnée par les M circuits de lecture élémentaires CL agencés en bas de chaque colonne de la matrice. Chaque signal de lecture x(fe) ij est stocké dans la mémoire de stockage intermédiaire MEM_INT connectée à la sortie du circuit de lecture élémentaire CL .
La troisième étape consiste à appliquer sur chaque second nœud d’entrée SL de ladite ligne une tension électrique de formation afin de former un filament conducteur dans la deuxième couche C2 partant de la troisième couche C3 dans chaque cellule mémoire BC ij . A titre d’exemple, les moyens de contrôle CONT configurent le circuit d’écriture pour appliquer une tension électrique de formation sous forme d’impulsion carrée sur une durée ΔT2 suffisamment longue pour créer des lacunes d’oxygène dans la couche centrale. La durée ΔT2 est 1000 fois plus grande que la durée ΔT1 pour changer la structure interne de la couche centrale C2. On obtient ainsi une formation du filament conducteur dans tous les composants mémoire de la ligne L i . Avantageusement, les cellules mémoire, où le filament à été formé, sont ensuite initialisées à un état résistif bas (LRS). Alternativement, il est possible d’utiliser une tension de formation présentant une amplitude suffisamment haute pour créer des lacunes d’oxygène dans la couche centrale et donc former le filament conducteur.
La quatrième étape consiste à convertir les signaux de lecture x(fe) ij stockés dans les mémoires de stockage intermédiaire MEM_INT pendant le fonctionnement selon la première configuration CONF1 à des signaux de contrôle d’écriture compatibles avec la seconde configuration CONF2. Cette étape est réalisée par le circuit convertisseur CONV qui réalise la traduction du contenu logique des cellules mémoires de la ligne L i selon la configuration de fonctionnement de départ à des signaux de contrôle d’écriture permettant de générer des tensions d’écriture compatibles en termes d’énergie d’écriture avec la configuration de fonctionnement CONF2.
La cinquième étape consiste à écrire dans les cellules mémoires de ladite ligne selon les signaux de contrôle d’écriture compatibles avec la seconde configuration CONF2 de manière à faire varier la longueur du filament conducteur formé. A titre d’exemple, le circuit d’écriture CW est configuré pour générer des tensions d’écriture sous forme d’impulsion carrée sur une durée ΔT3 supérieure à la durée ΔT1 du signal d’écriture compatible avec la première configuration CONF1 et inférieure à la durée ΔT2de la tension de formation du filament.
Une fois la phase d’admission terminée, le disque se déplace dans une position angulaire de compression comme l’illustre la . Dans cette position angulaire de compression, les trous traversant 819 ne sont alignés ni avec les orifices d’admission 38, ni avec les orifices d’échappement 37. Chaque trou traversant 819 est ici situé entre un orifice d’admission 38 et un orifice d’échappement 37. Ainsi, ces orifices d’admission et d’échappement 38 et 37 sont obturés par le disque 81. Cette position angulaire de compression correspond aux phases de compression, d’explosion et de détente au cours desquelles le mélange d’air/carburant est respectivement comprimé, enflammé en formant des gaz d’échappement qui sont ensuite détendus.
La distance minimale séparant les orifices d’admission 38 des orifices d’échappement 37 correspond ici au diamètre du trou traversant 819. La distance est déterminée de sorte à garantir une obturation totale des orifices d’admission 38 et d’échappement 37 ainsi qu’une étanchéité suffisante lorsque le trou traversant 819 se trouve entre l’orifice d’admission et entre l’orifice d’échappement.
Après ces phases de fonctionnement, en particulier une fois la phase de détente terminée, le disque 81 se déplace dans une position angulaire d’échappement comme le montre la . Dans cette position angulaire d’échappement, les trous traversant 819 sont alignés avec les orifices d’échappement 37 tandis que les orifices d’admission 38 sont obturés par le disque 81. La position angulaire d’échappement du disque 81 correspond à la phase d’échappement du moteur à combustion interne 1 dans laquelle les gaz d’échappement sont évacués de la chambre de combustion 4.
Lorsque la phase d’échappement est terminée, le disque 81 se déplace à nouveau dans sa position angulaire d’admission. Dans le mode de réalisation représenté, le disque 81 se déplace selon le sens horaire pour passer de la position angulaire d’admission à la position angulaire de compression, et de la position angulaire de compression à la position angulaire d’échappement. Pour ces changements de position angulaire, le disque 81 effectue une rotation d’un angle égal à la moitié de l’angle α ( ).
Dans le cas où l’angle α est inférieur à l’angle β, le disque se déplace d’un angle α dans le sens antihoraire pour passer de la position angulaire d’échappement à la position angulaire d’admission. Cela sous-entend que le moteur pas-à-pas 84 est commandé ou alimenté de sorte à pouvoir tourner dans les deux sens de rotation.
Pour chacune des positions angulaires précédemment décrites, l’actionneur électromécanique 85 rapproche le disque 81 de la culasse 3. Avant chaque changement de position angulaire, c’est-à-dire avant que le moteur pas-à-pas 84 soit actionné, l’actionneur électromécanique 85 écarte le disque 85 de la culasse 3. De cette manière, l’étanchéité est améliorée lors des phases de fonctionnement du moteur à combustion interne 1 et les frottements entre le disque 2 et la culasse 3 sont réduits, voire supprimés.
La culasse peut comporter plus ou moins d’orifices d’admission et d’orifices d’échappement. La culasse peut par exemple ne comporter qu’un seul orifice d’admission et un seul orifice d’échappement qui peuvent être diamétralement opposés sur la culasse ou bien former un angle identique à l’angle α précédemment décrit. Dans cette variante, le disque peut ne comporter qu’un seul trou traversant. On comprend que, peu importe le nombre de trous traversant du disque, la culasse comporte autant d’orifices d’admission et d’orifices d’échappement que le nombre de trous traversant du disque.
Le disque peut ne pas être pourvu de protubérance et les trous borgnes peuvent être directement ménagés dans le disque et déboucher sur la surface supérieure de ce dernier.
La partie centrale peut, du côté de sa deuxième extrémité, présenter une portion cannelée ou dentée de sorte à être engrenée directement avec la deuxième roue dentée entraînée par le moteur pas-à-pas.
Grâce à l’invention, un moteur à combustion interne simple, fiable et performant peut être fourni. En particulier, grâce à l’organe de distribution rotatif selon l’invention, le taux de remplissage en mélange air/carburant de la chambre de combustion peut être amélioré tandis que le coût de fabrication, le bruit lors du fonctionnement et la consommation en énergie peuvent être réduits en comparaison des moteurs de l’art antérieur tels que les précédents moteurs à organe de distribution rotatif ou les moteurs à soupapes.
Conduit d’échappement comportant un moyen de maintien d’un écran L’invention concerne un conduit d’échappement de véhicule automobile présentant une direction sensiblement longitudinale et comportant un dispositif de silencieux constitué par un volume fermé disposé autour du conduit, le silencieux présentant une paroi périphérique et des parois d’extrémité assemblées entre elles par une zone de sertissage formant un bourrelet à la surface de la paroi périphérique, le silencieux étant en outre muni d’une couche d’isolant thermique disposée sur la paroi périphérique et recouverte par un écran périphérique.
Tel que décrit aux figures 1 et 2, un conduit d’échappement 10 selon l’état de la technique comporte un silencieux 12 formé par un volume fermé disposé autour du conduit 10. Le silencieux présente une paroi périphérique 14 et des parois d’extrémités 16 serties sur la paroi périphérique. Le bord 18 de chaque paroi périphérique 14 présente un double repli à l’intérieur duquel est pris le bord d’extrémité 20 de la paroi périphérique 14 par sertissage. La zone de sertissage 22 ainsi constituée forme alors un bourrelet périphérique sur le bord d’extrémité 20 de la paroi périphérique 14.
La paroi périphérique 14 est recouverte d’une couche d’isolant thermique 24 elle-même recouverte par un écran périphérique 26. Cependant, en raison des sollicitations vibratoires et des dilatations thermiques différentielles, l’écran et son isolant thermique ont tendance, au fil de temps, et/ou lors d’usages sévères, à se déplacer par rapport à la paroi périphérique du silencieux qui n’est alors plus protégée.
Bien qu’il n’y ait pas de conséquences d’un point de vue sécurité, le découvrement de la paroi périphérique peut présenter un inconvénient esthétique et acoustique.
Afin de pallier ces inconvénients, l'invention a pour objet un conduit d’échappement comportant un silencieux muni d’un écran et d’un isolant thermique de conception simple, robuste, efficace et peu onéreuse, qui ne se déplace pas lorsque le véhicule est en roulage.
La représente schématiquement une caractéristique courant-tension d’un exemple de sélecteur pouvant équiper cette cellule mémoire.
La montre notamment l’évolution temporelle de la tension aux bornes d’un condensateur d’écriture de la mémoire, lors d’une opération d’écriture d’un état bassement résistif dans une cellule mémoire de la mémoire.
La est un schéma électrique simplifié d’un dispositif d’écriture pouvant équiper la mémoire de la , à la place du dispositif d’écriture représenté sur la .
La est un schéma électrique simplifié d’un autre dispositif d’écriture pouvant lui aussi équiper la mémoire de la , à la place du dispositif d’écriture représenté sur la .
La est un schéma électrique simplifié d’encore un autre dispositif d’écriture pouvant lui aussi équiper la mémoire de la , à la place du dispositif d’écriture représenté sur la .
La représente schématiquement un mode de connexion entre le dispositif d’écriture de la et plusieurs cellules mémoire, connectées en parallèle les unes avec les autres.
La représente schématiquement un autre mode de connexion entre le dispositif d’écriture de la et plusieurs cellules mémoire, connectées en série les unes avec les autres.
DESCRIPTION DETAILLEE Comme mentionné plus haut, la présente technologie concerne notamment une mémoire, comprenant au moins une, ici plusieurs cellules mémoire résistives, et comprenant un dispositif d’écriture à condensateur pour programmer ces cellules mémoire, c’est-à-dire pour écrire des données dans ces cellules.
Un exemple d’une telle mémoire, 1, est représenté sur la . Cette mémoire 1 comprend : une matrice 2 de cellules mémoire, 20, le dispositif d’écriture 3a, qui comprend un condensateur d’écriture 4 et un dispositif de charge 30a pour charger ce condensateur, et un dispositif de connexion 5, configuré pour connecter sélectivement le condensateur d’écriture 4 avec l’une des cellules 20 mémoire de la matrice 2, ou avec un groupe donné de cellules 20 mémoire de la matrice.
Les figures 6, 7 et 8 représentent schématiquement trois variantes 3b, 3c et 3d du dispositif d’écriture 3a de la . Chacune de ces variantes peut équiper la mémoire 1 de la , à la place du dispositif d’écriture 3a.
La mémoire 1 sera décrite tout d’abord de manière générale, dans son ensemble, ainsi que le principe de fonctionnement de son dispositif d’écriture. Le dimensionnement du ou des condensateurs d’écriture sera présenté ensuite plus en détail. Enfin, les variantes du dispositif d’écriture 3b, 3c et 3d, ainsi que des modes de connexion particuliers des cellules mémoire à programmer seront décrits, en référence aux figures 6 à 10.
La matrice 2 comprend n pistes électriques de ligne 23, et m pistes électriques de colonne 24, par exemple métalliques. Les cellules mémoire 20, au nombre de m×n, sont situées aux croisements entre les pistes électriques de ligne et les pistes électriques de colonne. A titre d’exemple, m et n peuvent être égaux à 128. Les cellules mémoire 20 de la matrice sont du même type (elles sont fabriquées ensemble, de la même manière, et présentent donc les mêmes caractéristiques, ou des caractéristiques très proches).
Chaque cellule mémoire 20 est connectée entre, d’une part, l’une des pistes électriques de ligne et, d’autre part, l’une des pistes électriques de colonne. Ainsi, pour appliquer une tension électrique V (par exemple une tension d’écriture) à l’une des cellules mémoire, située au croisement entre l’une des pistes électriques de lignes et l’une des pistes électriques de colonne, on applique cette tension électrique entre cette piste électrique de ligne, et cette piste électrique de colonne.