INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Selon un mode de réalisation préféré, une composition selon l’invention comprend au moins une huile choisie parmi les mélanges d’alcanes linéaires volatils comprenant de 8 à 16 atomes, les mélanges d’alcanes linéaires et/ou ramifiés en C 15 -C 19 , les éthers de synthèse ayant de 10 à 40 atomes de carbone, les triglycérides d’acide gras, et leurs mélanges.
De préférence, une composition selon l’invention comprend au moins une huile choisie parmi les mélanges d’alcanes linéaires et/ou ramifiés en C 15 -C 19 , les éthers de synthèse ayant de 10 à 40 atomes de carbone, en particulier le dicaprylyl éther, et leur mélanges.
De telles huiles sont en particulier présentes dans une composition selon l’invention en une teneur allant de 5,0 % à 30 % en poids, de préférence de 10 % à 20 % en poids, par rapport au poids total de la composition.
Le substrat 1 de la structure prévue lors de l’étape a) est avantageusement dopé de type n. La première surface 10 du substrat 1 est destinée à être exposée à un rayonnement lumineux.
L’étape a) est avantageusement exécutée de sorte que les premier et second films d’oxyde 2a, 2b sont de type oxyde tunnel. L’étape a) est avantageusement exécutée de sorte que les premier et second films d’oxyde 2a, 2b tunnel présentent une épaisseur inférieure ou égale à 3 nm, de préférence inférieure ou égale à 2 nm.
L’étape a) peut comporter les étapes suivantes : a 1 ) prévoir une structure comportant : - un substrat 1 à base de silicium cristallin, présentant des première et seconde surfaces 10, 11 opposées ; - des premier et second films d’oxyde 2a, 2b, de préférence de type oxyde tunnel, formés respectivement sur les première et seconde surfaces 10, 11 du substrat 1 ; a 2 ) former des première et seconde couches de polysilicium 3a, 3b, respectivement sur les premier et second films d’oxyde 2a, 2b ; a 3 ) implanter les dopants de type n et les dopants de type p, respectivement dans les première et seconde couches de polysilicium 3a, 3b.
L’étape a 2 ) est avantageusement exécutée par un dépôt chimique en phase vapeur à basse pression LPCVD.
L’étape a 3 ) est avantageusement exécutée par une technique d’implantation ionique par immersion plasma. Lorsque les dopants de type n sont des atomes de phosphore, l’implantation des atomes de phosphore est préférentiellement exécutée sous une atmosphère comportant de la phosphine PH 3 . Lorsque les dopants de type p sont des atomes de bore, l’implantation des atomes de bore est préférentiellement exécutée sous une atmosphère comportant du diborane B 2 H 6 ou du trifluorure de bore BF 3 . L’étape a 3 ) est avantageusement exécutée de sorte que les atomes de phosphore et les atomes de bore présentent une densité volumique supérieure à 10 20 at./cm 3 . Ainsi, un avantage procuré est de créer un fort effet de champ propice à une bonne passivation des première et seconde surfaces 10, 11 du substrat 1, ainsi que de former une zone de contact électrique de bonne qualité.
D’autres techniques de formation de dopants dans les première et seconde couches de polysilicium 3a, 3b sont possibles : implantation par faisceau d’ions, utilisation d’un procédé sol-gel etc.
A titre d'exemple non limitatif, l’étape a) peut être exécutée de sorte que les dopants de type n sont des atomes de phosphore, et les dopants de type p sont des atomes de bore. L’étape b) peut alors être exécutée de sorte que la température de recuit T A est comprise entre 700°C et 900°C. Une telle température de recuit T A permet d’activer électriquement les atomes de phosphore et les atomes de bore de façon concomitante. L’activation électrique des atomes de phosphore et des atomes de bore peut se produire dans le polysilicium à partir de 700°C. Une température de recuit T A supérieure à 900°C risque de favoriser une trop grande diffusion des atomes de phosphore et des atomes de bore dans le substrat 1, à travers respectivement les première et seconde couches de polysilicium 3a, 3b, pouvant nuire aux propriétés des contacts passivés.
Cas n° 2 : les couches de polysilicium ont subi un dopage in -situ
Comme illustré à la , un objet de l’invention est un procédé de fabrication d’une cellule photovoltaïque, comportant les étapes : a’) prévoir une structure comportant : - un substrat 1 à base de silicium cristallin, présentant des première et seconde surfaces 10, 11 opposées ; - des premier et second films d’oxyde 2a, 2b, de préférence de type oxyde tunnel, formés respectivement sur les première et seconde surfaces 10, 11 du substrat 1 ; - des première et seconde couches de silicium amorphe 3c, 3d, formées respectivement sur les premier et second films d’oxyde 2a, 2b, et comprenant respectivement des dopants de type n et des dopants de type p présentant respectivement des première et seconde concentrations surfaciques ; les dopants de type n étant de préférence des atomes de phosphore, les dopants de type p étant de préférence des atomes de bore ; les première et seconde couches de silicium amorphe 3c, 3d présentant chacune une épaisseur supérieure ou égale à 15 nm, de préférence supérieure ou égale à 20 nm ; l’étape a’) est illustrée à la (2a) ; b) appliquer un recuit thermique à la structure, sous une atmosphère A, à une température de recuit T A supérieure à une température minimale T min au-delà de laquelle les première et seconde couches de silicium amorphe 3c, 3d peuvent être cristallisées ; l’étape b) est illustrée à la (2b) ; c) démarrer une injection d’un agent oxydant 4 dans l’atmosphère A au cours de l’étape b), à un premier instant t 1 définissant, avec la température de recuit T A , un premier budget thermique adapté pour cristalliser les première et seconde couches de silicium amorphe 3c, 3d de manière à former des première et seconde couches de polysilicium 3a, 3b ; l’étape c) étant exécutée de manière à former des première et seconde couches d’oxyde 5a, 5b, respectivement sur les première et seconde couches de polysilicium 3a, 3b ; l’étape c) est illustrée à la (2c) ; d) arrêter l’injection de l’agent oxydant 4 à un second instant t 2 définissant, avec la température de recuit T A , un second budget thermique adapté à la première concentration surfacique de sorte que : - les première et seconde couches d’oxyde 5a, 5b, formées entre les premier et second instants t 1 , t 2 , présentent respectivement des première et seconde épaisseurs, la première épaisseur étant prédéterminée ; - la formation des première et seconde couches d’oxyde 5a, 5b, selon les première et seconde épaisseurs, consomme une quantité de polysilicium entre les premier et second instants t 1 , t 2 adaptée pour que la première couche de polysilicium 3’a présente une épaisseur strictement inférieure à 15 nm à l’issue de l’étape d) ; la situation à l’issue de l’étape d) est illustrée à la (2d).
Le substrat 1 de la structure prévue lors de l’étape a’) est avantageusement dopé de type n. La première surface 10 du substrat 1 est destinée à être exposée à un rayonnement lumineux.
593 g de pastilles de KOH à 85 % en masse de la marque VWR BDH Chemicals AnalarR NORMAPUR sont chauffées à 300 °C dans un récipient en PTFE. On obtient un liquide d’hydroxyde de potassium.
Au liquide obtenu à l’étape précédente, 116 g de ZnO de la marque ACS Alfa Aesar sont ajoutés à une température de 300 °C.
Le mélange de ZnO et d’hydroxyde de potassium liquéfié est maintenu à 300 °C durant 30 min afin d’obtenir une seule phase liquide incolore et limpide.
Le liquide obtenu à l’étape S3 est coulé sur une plaque en PTFE et laissé à refroidir jusqu’à ce que le liquide se solidifie et atteigne la température ambiante (25°C).
La montre une photographie du composé solide obtenu à l’issue de l’étape S4. Le composé est dur et cassant et composé de petits cristaux visibles en surface.
Etape S5 :
Le solide obtenu est ensuite broyé au moyen d’un broyeur afin d’obtenir une poudre.
Afin de préparer un électrolyte alcalin à base de KOH sursaturé en zincates. Les 709 g de poudre obtenus à la fin du procédé de préparation sont placés dans un bécher. 1 L d’eau est ensuite ajouté dans le bécher afin de dissoudre la poudre. On obtient ainsi une solution aqueuse alcaline comprenant de l’hydroxyde de potassium à 9 mol/L et des zincates à 1,4 mol/L.
Exemple 2 : Préparation d’une batterie comprenant le composé solide en utilisant de l’hydroxyde de potassium avec un ratio molaire de l’hydroxyde de potassium sur l’oxyde de zinc de 6.4 coulé sur l’électrode positive de charge ainsi que son procédé d’activation .
Préparation du composé solide
Les étapes S1 à S3 sont similaires à l’exemple 1 en modifiant la masse des pastilles de KOH qui est de 23.7 g et la masse de l’oxyde de zinc qui est de 4.6 g.
Etape S4
Le liquide obtenu à l’étape S3 est coulé sur une électrode positive de charge sous forme de grille métallique en nickel posée sur une plaque en PTFE.
Présentation des figures D'autres buts, caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront plus clairement à la lecture de la description suivante, donnée à titre de simple exemple illustratif, et non limitatif, en relation avec les figures, parmi lesquelles : parmi lesquelles :
est une vue schématique d’un module d’horloge conforme à l’invention ;
est un comparatif d’exactitude de fréquence sur une période de 60s de l’oscillateur de précision OCXO d’un module d’horloge conforme à l’invention et d’un autre oscillateur du module d’horloge, dit oscillateur d’opportunité, permettant la mise en œuvre de l’invention.
La montre de façon schématique un module d’horloge 1 à oscillateur interne de précision 12, dit oscillateur principal ou oscillateur de précision ou oscillateur local, qui peut être un oscillateur de type à quartz thermostaté (oscillateur OCXO) ou une horloge atomique, générant un premier signal d’horloge de fréquence prédéterminée. Ce module d’horloge 1 est ici utilisé comme référence de temps et de fréquence dans un équipement électronique numérique 2 (un dispositif de radiolocalisation, par exemple).
Ce module d’horloge 1 comprend en outre un module récepteur 11 de fréquence GNSS apte à délivrer, lorsqu'il est actif, un signal de synchronisation par exemple 1PPS (impulsion par seconde) de référence temporelle qui est dérivé des informations de synchronisation transmises par les systèmes satellites GNSS (ou autres), sur lequel est asservit l’oscillateur principal 12.
Pour ce faire, le module d'horloge 1 met en œuvre un système de contrôle de l'oscillateur principal 12 comprenant un premier détecteur de phase 14A mesurant la différence de temps instantanée (ou différence de phase) entre les deux signaux 1PPS (ou autres) de l’oscillateur principal 12 et de la référence GNSS, et un algorithme logiciel 15B destiné à compenser les dérives de l’oscillateur principal 12.
Dans des circonstances normales, des fluctuations de la différence de phase sont observées et corrigées par le système de contrôle de l'oscillateur principal 12. Cependant, un comportement anormal de la référence ou de l'oscillateur principal entraînerait des fluctuations ou des dérives de phase soudaines et inattendues. La question clé est alors de savoir si le problème se situe du côté de la référence, ou s'il s'agit d'un problème de stabilité ou de précision de l'oscillateur principal.
L’approche de l’invention consiste à tirer parti d'un oscillateur déjà présent dans le module d’horloge, comme l'horloge du microprocesseur par exemple. A titre d’exemple, dans la dernière génération d'horloges du déposant de la présente demande, le microprocesseur appelé HPS (pour « Hard Processor System » en anglais) est embarqué dans un circuit intégré FPGA. Le microprocesseur HPS est cadencé par un oscillateur MEMS, dit oscillateur d'opportunité par la suite, fournissant un signal de fréquence de 25 MHz à partir duquel il est possible de générer un signal 1PPS ou tout autre signal périodique. Bien évidemment, l’horloge d’un autre composant du module d’horloge peut être utilisée dans le cadre de l’invention.
Un tel oscillateur d'opportunité, bien qu'ayant un but initial différent et montrant des performances beaucoup plus faibles que l’oscillateur principal dédié à la synchronisation, est ici utilisé comme outil de comparaison pour l’ensemble oscillateur principal /système de référence. Pour ce faire, la solution de l’invention consiste à constamment surveiller la différence de phase (x hr ) entre le signal 1PPS généré par l'oscillateur d'opportunité (ici HPS) et le signal 1PPS généré par la référence, ainsi que la différence de phase (x ho ) entre le signal 1PPS par l'oscillateur d'opportunité (ici HPS) et le signal 1PPS généré par l'oscillateur principal, en plus de la différence de phase (x or ) entre le signal 1PPS généré par l'oscillateur principal et le signal 1PPS généré par la référence.
Les mesures de phase sont donc effectuées à partir des signaux 1PPS (on mesure la différence au niveau du front montant de chaque signal PPS) par trois détecteurs de phase, dits premier, deuxième et troisième détecteur de phase 14A, 14B et 14C, intégrés dans le circuit intégré FPGA susmentionné. Le deuxième détecteur de phase 14B mesure la différence de phase entre les deux signaux 1PPS de la référence et de l'oscillateur d'opportunité 13, le troisième détecteur de phase 14C mesurant la différence de phase entre les deux signaux de l’oscillateur principal 12 et de l'oscillateur d'opportunité 13.
En fonctionnement normal, la différence (ou la somme selon la convention de signe) x ho - x hr correspond à la différence de phase x or entre le signal 1PPS de l'oscillateur principal et le signal 1PPS de la référence. Un oscillateur d'opportunité comme l'oscillateur HPS n'est pas asservit. Par conséquent, les valeurs de x hr et x ho sont arbitraires et peuvent dériver rapidement car la précision de la fréquence d'un tel oscillateur d'opportunité est typiquement de l'ordre de 10 -6 à 10 -5 . Cependant, sa dérive instantanée en fréquence est négligeable sur des périodes de courte durée (secondes à dizaines de secondes). Ce comportement est illustré sur la . C'est cette hypothèse clé qui permet de démêler l'origine d'un problème de phase, l’oscillateur d'opportunité étant utilisé comme signal de fréquence de référence relativement constante.
La est un comparatif d’exactitude de fréquence sur une période de 60s de l’oscillateur d’opportunité du microprocesseur HPS et de l’oscillateur principal de précision OCXO d’un module d’horloge utilisé lors de tests réalisés par le déposant.
La courbe du haut représente la fréquence relative (« fractional frequency difference » en anglais) de l’oscillateur d’opportunité du microprocesseur HPS sur une période de 60s.
La courbe du bas représente la fréquence relative de l’oscillateur de précision OCXO qui est l’oscillateur principal de l’horloge et qui est stable sur le court-terme. On voit qu’il y a plus de deux ordres de grandeur qui les séparent en exactitude, l’oscillateur d’opportunité étant moins exact (les deux étant relativement stables sur 60s). Même si la fréquence relative de l’oscillateur d’opportunité n’est pas exacte et dérive sur des intervalles de temps longs, elle peut être considérée comme constante sur des intervalles de temps courts comme visible sur la . C’est ce point qui est utilisé pour mettre en œuvre la solution de l’invention.
Un comportement anormal de la référence ou de l'oscillateur principal entraine des fluctuations ou des dérives de phase soudaines. La question clé est alors de savoir si le problème se situe du côté de la référence, ou s'il s'agit d'un problème de stabilité ou de précision de l'oscillateur principal. Comme souligné précédemment, de tels problèmes potentiels d'intégrité de phase sont détectés en tirant parti d'un oscillateur tiers déjà présent dans le module d’horloge, comme l'horloge du microprocesseur. On utilise donc un autre oscillateur redondant pour déterminer si le problème se situe du côté de la référence ou du côté de l'oscillateur principal.
Les différents modes de réalisation ont été décrits ci-avant en relation avec un dispositif 200 intégré dans un équipement de communication EQ2, tel qu’une plateforme de gestion de clientèle CRM_PF mais il peut aussi être indépendant de cet équipement et connecté à lui par une interface de type filaire ou sans fil.
L’invention qui vient d’être décrite dans ses différents modes de réalisation présente de nombreux avantages. En effet, en enrichissant une table de données de l’opérateur comprenant des numéros de téléphone réservés à l’opérateur mais actuellement non attribués à des utilisateurs, à l’aide d’informations relatives à un niveau résiduel d’activité d’un numéro de téléphone précédemment attribué à un utilisateur dans le réseau de communication, elle permet à l’opérateur de décider de façon plus efficace et plus sûre, en fonction de ce niveau d’activité, si le numéro de téléphone en question est prêt ou non à être réattribué à un nouvel utilisateur. Cette décision est prise à l’issue d’une période de suspension incompressible qui peut de ce fait être réduite, par exemple de 6 à 3 mois. De la sorte, le numéro de téléphone peut être remis en service dès qu’il a pu être établi qu’il ne causerait pas de nuisances à son futur utilisateur dues à des appels destinés à l’utilisateur précédent de ce numéro de téléphone.
Serveur multimédia propre à être embarqué à bord d’un aéronef, système de divertissement, procédé et programme d’ordinateur associés La présente invention concerne un serveur multimédia propre à être embarqué à bord d’un aéronef.
L’invention concerne également un système de divertissement comprenant un tel serveur multimédia.
L’invention concerne également un procédé de lecture mis en œuvre par un tel serveur multimédia.
L’invention concerne également un programme d’ordinateur mettant en œuvre un tel procédé.
L’aéronef est notamment propre à transporter des passagers dans une cabine. L’aéronef est par exemple un avion long-courrier de l’aviation commerciale.
L’aéronef comprend une pluralité de terminaux utilisateurs de divertissement. Le serveur multimédia est relié à ces terminaux de divertissement embarqués via un réseau local embarqué afin de former un système de divertissement en vol ou IFE (de l’anglais « In-Flight Entertainment »).
Chaque terminal de divertissement est intégré par exemple dans le siège du passager ou dans le siège devant celui-ci. Chaque terminal de divertissement est en variante une tablette numérique ou un téléphone intelligent (ou « smart phone » en anglais).
Pour être accessible aux terminaux de divertissement, le contenu informatique est d’abord chargé sur le serveur multimédia. Les catalogues de contenus multimédias sont de plus en plus importants en terme de volume, et avec les résolutions croissantes (2K, 4K, 8K ...) et les standards vidéo qualitatif (FIDR, FIDR10, FIDR10+, Dolby Vision), le volume de stockage nécessaire ne cesse de croître. Chaque contenu multimédia est en outre bien souvent stocké plusieurs fois dans l’espace de stockage pour notamment pallier des défaillances hardware.
Il se pose ainsi des problématiques d’espace de stockage disponible pour le catalogue multimédia. L’étendu du catalogue multimédia est ainsi nécessairement limité et il est difficile de le faire correspondre aux attentes variées de chaque passager de l’aéronef.
On connait également des systèmes permettant aux passagers de se connecter depuis leurs téléphones portables, tablettes ou ordinateurs à un réseau Wi-Fi à bord. Dans ce qui suit, un réseau Wi-Fi est un réseau qui respecte l’ensemble de normes IEEE 802.11.
Cet accès internet permet aux passagers d’avoir accès aux plateformes de vidéo streaming grand public. Toutefois, une telle solution présente l’écueil majeur de la bande passante très limité, typiquement environ égale à 40 Mbps pour l’ensemble des passagers d’un aéronef.
Le reste du cycle de conversion du convertisseur 10 selon l’invention reste sensiblement inchangé par rapport au cycle de conversion du convertisseur de l’état de la technique.
L’excursion en tension de la tension piézoélectrique totale V p est ainsi limitée entre les instants temporels t 5 et t 1 , celle-ci allant de V in -V out à V out -V in , au lieu d’aller de -V in -V out à V out -V in avec le convertisseur de l’état de la technique, soit une excursion de 2V out -2V in au lieu de 2V out , tout en assurant des commutations des interrupteurs 36, 46 à zéro de tension.
Pour la deuxième configuration élévateur E2, entre les instants temporels t 3 et T (ou t 0 ), selon l’exemple de réalisation du circuit d’aide à la commutation 50, l’inductance 70 ou bien l’élément piézoélectrique additionnel 76 voit son courant I CALC diminuer, ceci sous la tension V p a égale à -V in . En l’instant temporel T (ou t 0 ), le courant I CALC est négatif.
Une fois l’inversion complète de la tension V p a atteinte (passage de -V in à +V in ), alors les interrupteurs K 6 et K 7 sont fermés de sorte à figer la tension V p a tandis que la tension V p b continue sa progression jusqu’à -V out sous l’effet de la diminution naturelle de la tension piézoélectrique totale V p .
En l’instant temporel t 1 , les interrupteurs K 2 et K 3 sont fermés. Les interrupteurs K 6 et K 7 sont également fermés si cela n’avait pas été déjà fait avant, i.e. si la tension V p a n’avait pas encore atteint +V in .
En complément, si les interrupteurs K 2 et K 3 comportent une diode inverse intrinsèque ou une diode additionnelle placée en parallèle, leur mise en conduction peut se faire naturellement au regard du signe du courant interne I L après l’instant temporel t 0 .
Là aussi, l’excursion en tension de la tension piézoélectrique totale V p est ainsi limitée entre les instants temporels t 5 et t 1 , celle-ci allant de V out -V in à V in -V out , au lieu d’aller de +V in +V out à V in -V out avec le convertisseur de l’état de la technique, soit une excursion de 2V out -2V in au lieu de 2V out , tout en assurant des commutations des interrupteurs 36, 46 à zéro de tension.
Dans l’exemple de la , le circuit d’aide à la commutation 50 comporte l’inductance 70 et la diode 72 connectées en série, et la diode 72 est orientée en fonction du sens dans lequel on souhaite faire varier la tension. Par exemple, sur la première configuration abaisseur A1, pour faire passer la tension V p b de +V out à -V out , la diode 72 telle que représentée à la est dans le mauvais sens. Par exemple encore sur la deuxième configuration abaisseur A2, pour faire passer la tension V p b de -V ou t à +V out , la diode 72 telle que représentée à la est dans le bon sens. L’anode de la diode 72 doit être du côté de la borne positive de la tension à modifier et sa cathode du côté de la borne négative de la tension à modifier. Enfin, une fois l’orientation de la diode 72 déterminée, il faut s’assurer que la diode 72 permet bien de bloquer la composante continue éventuelle de la tension, à savoir ici la valeur moyenne de la tension V pb , c’est-à-dire vérifier que l’anode est du côté de la borne négative de cette composante continue et que la cathode est du côté de la borne positive de cette composante continue. Dans l’exemple de la , l’orientation de la diode 72 autorise une composante continue positive pour la tension V pb . Si jamais la diode est dans le mauvais sens vis-à-vis de cette composante continue, il faut alors procéder de même sur l’autre pont de commutation, et connecter le circuit d’aide à la commutation 50 à l’autre pont de commutation.
Cet exemple de la avec le circuit d’aide à la commutation 50 en forme de l’inductance 70 et de la diode 72 connectées en série, correspond alors au cas où l’agencement du côté de la tension V p b (i.e. connecté au deuxième pont de commutation 40, entre les deuxièmes points milieux 48 respectifs) reste préférable pour que la composante continue positive éventuelle ne rende pas la diode 72 passante (cas des configurations abaisseur A2 ou élévateur E1 ; ou encore cas des configurations abaisseur A1 ou élévateur E2 si on inverse le sens de la diode 72 de la ).