INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Un bain 25 de polissage chimique fonctionne en nivelant la rugosité microscopique en surface de l’aluminium 30. Le polissage est un process qui permet de diminuer la rugosité de l’aluminium et lui permet de mieux réfléchir la lumière (spécularité). Pour cela, on nivelle les pics et vallées à la surface de l’aluminium 30 comme on peut le voir à la . Le polissage s’effectue par trempage des pièces dans un bain, sous agitation permanente.
Le bain peut être constitué par un mélange de 2 acides. Des additifs permettent d’obtenir un polissage homogène de la surface en termes de rugosité et d’épaisseur. Pour permettre un parfait lissage de surface de l’aluminium, l’attaque chimique doit être plus rapide sur les pics que dans les vallées. Quand l’aluminium est plongé dans un bain composé des 2 acides précédemment cités, l’acide sulfurique réagit avec l’aluminium pour former un film mince d’oxyde d’aluminium 40. Ce film est simultanément dissous par l’acide orthophosphorique. Ces réactions se produisent plus rapidement au niveau des pics que des vallées parce que le bain est très visqueux et qu’il y a moins de mouvements et d’agitation des fluides dans les vallées que sur les pics.
Les paramètres principaux du bain de polissage sont les suivants : Bain constitué de deux acides (par exemple orthophosphorique et sulfurique) ; Densité du bain : 1,7 g/cm3 environ ; Températures de traitement : 80 – 110 °C ; Temps de trempage : 15 sec à 10 min ; Concentration en Alu dissous dans le bain (pour un meilleur démarrage et une bonne réactivité chimique) = de 25 à 45 g/l.
Dans un autre mode de réalisation, le polissage peut mettre en œuvre un mélange basique, pour effectuer par exemple un satinage. Le procédé comporte l’immersion du guide d’onde semi-fini dans une solution en la présence de sels d'acides organiques et inorganiques, d'alcalis et de composés hydroxyles organiques polyfonctionnels. La solution peut comporter par exemple : Solution caustique : 70-90 g/l Matière active de satinage : 5-10 g/l Aluminium dissous : 10 g/l Le pH de la solution est de préférence supérieur à 11,5.
Dans le cas d’un guide d’onde en aluminium ou en alliage d’aluminium, la pièce ainsi satinée avec le bain précédent peut être immergée dans un bain de désoxydation, afin de supprimer les résidus oxydés à la surface des pièces après le satinage, et d'éliminer la couche d'oxyde d'aluminium à la surface des pièces. Le bain de désoxydation peut être un bain acide, par exemple un bain contenant de l’acide nitrique, avec un pH de préférence inférieur à 2.
La pièce ainsi satinée peut en outre être blanchie par immersion dans un bain acide, par exemple un bain contenant de l’acide nitrique et du bi-fluorure d’ammonium, avec un pH de préférence inférieur à 2. Ce blanchissage peut notamment être appliqué à un guide d’onde en aluminium ou en alliage d’aluminium.
La pièce ainsi satinée peut en outre être immergé dans un bain d’acide, par exemple concentré à 10%, par exemple avec un pH inférieur à 3, avec application d’ultrasons pour la nettoyer. Dans un mode opératoire, les pièces peuvent être plongées dans une solution avec une température de 60 à 65 °C, avec des ultrasons appliqués pendant une durée comprise entre 2 et 30 minutes, suivie d’une séquence de 30 min à 1h00 de trempage sans ultrasons, avec une température maintenue à 60 °C. Ces séquences doivent être répétées 5 fois pour obtenir un bon nettoyage. Après chaque séquence d'ultrasons, la solution acide est éliminée et remplacée par une solution fraîche, permettant une activité chimique et ultrasonique efficace.
Le bain permet par conséquent de diminuer l’épaisseur des parois 20 de l’âme 2 de sorte à ce que cette épaisseur entre les surfaces externes 21 de l’âme 2 et les surfaces internes de l’âme 2 définissant l’ouverture interne (canal) 5 soit réduite à 0,3mm, voire inférieure à 0,2mm après l’étape de polissage chimique.
Ceci a pour avantage de réduire le poids des dispositifs à guide d’ondes.
La vue 1B représente une diode à avalanche 30. La diode 30 diffère de la diode 10 en ce que les charges fournies par la diode 30 sont des trous. Le circuit de traitement de l'information associé à la diode 30 est ainsi configuré pour traiter des trous.
La diode 30 comprend, comme la diode 10, un empilement de couches comprenant une diode à avalanche 32 et une couche 34 comprenant des points quantiques, ou boites quantiques, (P-QD).
La diode à avalanche 32 est une diode à base de matériau semiconducteur, par exemple de silicium. La diode 32 comprend une couche semiconductrice 36 (P+-Si) et une couche semiconductrice 38 (N+-Si).
La couche 36 est en un matériau semiconducteur, de préférence en silicium. La couche 36 est dopée de type P. La couche 36 a par exemple une concentration de dopants comprise entre 10^16 atomes/cm^3 et 10^19 atomes/cm^3. La couche 36 a par exemple une concentration sensiblement égale à la concentration de dopants dans la couche 16. La couche 36 est par exemple dopée par des atomes de bore, d'aluminium, de gallium ou d'indium.
La couche 38 est en un matériau semiconducteur, de préférence en silicium. La couche 38 est dopée de type N. La couche 38 a par exemple une concentration comprise entre 10^16 atomes/cm^3 et 10^19 atomes/cm^3. La couche 38 est par exemple dopée par des atomes de phosphore, d'arsenic, d'antimoine, de bismuth ou de lithium.
La diode 32, en particulier les couches 36 et 38, ne comprend pas de nanoparticules. Autrement dit, la diode 32 ne comprend pas de boites quantiques, de puits quantiques ou de tiges quantiques. Les couches 36 et 38 ne forment donc pas de boites quantiques.
Les couches 36 et 38 forment une jonction PN. De préférence, les couches 36 et 38 sont en contact. Ainsi, la couche 36 comprend, dans l'empilement, une face supérieure en contact avec une face inférieure de la couche 38.
A titre de variante, les couches 36 et 38 pourraient être séparées par une couche non représentée dite intrinsèque, de manière à former un jonction PIN. La couche non représentée serait par exemple dopée de type P, par exemple par le même dopant que la couche 36, et aurait par exemple une concentration de dopants inférieure à la concentration de dopants de la couche 36. La couche non représentée aurait par exemple une concentration de dopants inférieure à 10^15 atomes/cm^3. La couche non représentée aurait alors une face inférieure en contact avec la face supérieure de la couche 36 et une face supérieure en contact avec la face inférieure de la couche 38.
La couche 34 comprend des boites quantiques. Les boites quantiques de la couche 34 sont par exemple situé dans une couche en un matériau autre qu'un matériau semiconducteur, par exemple dans un matériau isolant électriquement, par exemple dans une résine. Les boites quantiques de la couche 34 sont des boites quantiques telles que décrites en relation avec la vue 1A. Les boites quantiques de la couche 34 diffèrent par exemple des boites quantiques de la couche 14 en ce que, dans l'exemple de la vue 1B, les ligands des boites quantiques de la couche 37 peuvent être des molécules agissant comme des dopants de type P, par exemple des molécules organiques de types chaines carbonnées. De préférence, le type de dopage des boites quantiques de la couche 34 sont du type opposé au type de dopage de la couche 38, c’est-à-dire la couche semiconductrice de la diode 32 la plus proche de la couche 34. Une hétérojonction est ainsi formée entre les couches 34 et 38.
Comme décrit précédemment, les matériaux composant les boites quantiques et les dimensions de chaque boite quantique, en particulier les dimensions du coeur semiconducteur, déterminent les longueurs d'onde d'absorption des boites quantique, c’est-à-dire les longueurs d'onde de fonctionnement de la diode 10. Les longueurs d'onde de fonctionnement correspondent par exemple à l'infrarouge, c’est-à-dire des longueurs d'onde comprises entre 700 nm et 1 mm. Les longueurs d'onde de fonctionnement peuvent aussi correspondre à l'infrarouge moyen, c’est-à-dire des longueurs d'onde comprises entre 1,6 mm et 4 mm ou au visible, c'est-à-dire des longueurs d'onde comprises entre 300 nm et 700 nm.
La couche 34 recouvre la diode 32. De préférence, la couche 34 est en contact avec la diode 32. Dans l'exemple de la vue 1B, la couche 34 est en contact avec la couche 38 de la diode 32 Autrement dit, la couche 34 comprend une face inférieure en contact avec une face supérieure de la couche 38. Par face supérieure de la couche 38, on entend la face opposée de la face inférieure, c’est-à-dire la face en contact avec la couche 36.
La diode 30 comprend en outre, dans l'empilement de couches, une couche 40 (EEL) d'extraction des charges. Dans le mode de réalisation de la vue 1B, la couche 40 est une couche d'extraction des électrons. De préférence, la couche 40 est en un matériau au moins partiellement transparent, de préférence transparent, aux longueurs d'onde de fonctionnement de la diode 30. La couche 40 est située du cotée de la couche 34 opposé au coté en contact avec la couche 38. La couche 40 est de préférence en contact avec la couche 34. La couche 40 comprend par exemple une face inférieure en contact avec une face supérieure de la couche 34.
La diode 30 comprend, dans l'empilement de couches, une couche 42 en oxyde transparent et conducteur (TCO), recouvrant la couche 40. Plus précisément, le matériau de la couche 42 est transparent aux longueurs d'onde de fonctionnement de la diode 30. La couche 42 est située du cotée de la couche 40 opposé au coté en contact avec la couche 34. La couche 42 est de préférence en contact avec la couche 40. La couche 42 comprend par exemple une face inférieure en contact avec une face supérieure de la couche 40.
La diode 30 comprend, dans l'empilement de couches, une couche 44 (OX) en un isolant électriquement, par exemple en oxyde de silicium recouvrant la couche 42. De préférence, la couche 44 est en un matériau au moins partiellement transparent, de préférence transparent, aux longueurs d'onde de fonctionnement de la diode 30. La couche 44 est située du cotée de la couche 42 opposé au coté en contact avec la couche 40. La couche 44 est de préférence en contact avec la couche 42. La couche 44 comprend par exemple une face inférieure en contact avec une face supérieure de la couche 42.
L'empilement de couche de la diode 30 comprend donc, dans cet ordre et depuis le bas de l'empilement, les couches semiconductrices 36 et 38 formant la diode à avalanche 32, la couche à quantum dots 34, la couche d'extraction d'électrons 40, la couche 42 d'oxyde transparent et conducteur et la couche isolante 44.
Lors du fonctionnement de la diode 30, la diode 30 peut recevoir de la lumière par le haut de l'empilement, c’est-à-dire le coté de la couche 44. La lumière traverse les couches 40, 42 et 44. La couche 34 convertit les photons de la lumière aux longueurs d'onde de fonctionnement de la diode 30 en pairs d'électrons-trous. Les charges photogénérées sont ensuite collectées ou transférées depuis les boites quantiques vers la jonction PN des couches 36 et 38. Le claquage de la diode 32 à avalanche survient alors et permet d'amplifier la génération de pairs d'électrons-trous. La couche 30 collecte les électrons qui sont transférés vers la couche 42 et empêche l'injection de trous. La couche 36 collecte les trous et les fournis à un circuit de traitement de l'information générée par la diode 30. La couche 44 protège la diode 30 contre son environnement.
De préférence, les radicaux R 15 désignent indépendamment un radical alkyle, aryle, alcényle, alkaryle, ou aralkyle.
Plus particulièrement les radicaux R 15 désignent un radical alkyle, de préférence ayant de 1 à 20, de 1 à 15, de 1 à 10, de 1 à 6, de 1 à 4, ou 1 ou 2 atomes de carbone tels que par exemple méthyle, éthyle, propyle, butyle, pentyle.
Plus particulièrement, tous les radicaux R 15 désignent un groupe méthyle (i.e. -CH 3 ).
Le radical X de la formule (XIII) répond à la formule générale (i) suivante : ou la formule générale (i’) suivante : (i’) dans laquelle : - W and W*désigne indépendamment un atome d’oxygène (O) ou un groupe N-R, avec R désignant un atome d’hydrogène (H) ou un radical R 1 ; de préférence R désigne un atome d’hydrogène ; - R 3 est un radical hydrocarboné, divalent, saturé ou insaturé, éventuellement substitué par au moins un hétéroatome tel que l’oxygène, le souffre ou l’azote ; de préférence, R 3 désigne un radical (CH2) n où n est un entier de 1 à 30, de 1 à 20, de 1 à 15, de 1 à 10, de 1 à 5, de 1 à 3, et plus particulièrement 3 ; - R 13 est un radical hydrocarboné, divalent, saturé ou insaturé, éventuellement substitué par au moins un hétéroatome tel que l’oxygène, le souffre ou l’azote ; de préférence, R 13 désigne un radical (CH2) nn où nn est un entier de 1 à 30, de 1 à 20, de 1 à 15, de 1 à 10, de 1 à 5, de 1 à 3, et plus particulièrement 3 ; - Y désigne un radical hydrocarboné, divalent, saturé ou insaturé, éventuellement substitué par au moins un hétéroatome tel que l’oxygène, le souffre ou l’azote ; de préférence, Y est un radical hydrocarboné ayant de 1 à 50, de 1 à 40, de 1 à 20, de 1 à 10, de 1 à 5, 1 ou 2 atomes de carbone ou désigne un groupe de formule (ii) suivante : dans laquelle : - R 8 , R 9 désignent indépendamment un radical hydrocarboné, saturé ou insaturé, cyclique ou acyclique, substitué ou non substitué, de préférence choisi parmi un groupe alkyle (ie méthyle), un groupe aryle (ie phényle), un groupe polyéther (ie avec des motifs oxyde d’éthylène et :ou oxyde de propylène) ; - R 10 désigne indépendamment un radical hydrocarboné, saturé ou insaturé, cyclique ou acyclique, substitué ou non substitué tel que les radicaux définis précédemment pour R 1 et R 4 ; de préférence, R 10 est un groupe alkyle ayant de 1 à 20 atomes de carbone ou un groupe polyéther ou un groupe divalent de liaison d’une chaine siliconée latérale du siloxane ; - Z désigne indépendamment un radical hydrocarboné, divalent, saturé ou insaturé, éventuellement substitué par au moins un hétéroatome tel que l’oxygène, le souffre ou l’azote ; de préférence, Z est un radical hydrocarboné ayant de 1 à 20, de 1 à 10, de 1 à 5, ou 1 atome(s) de carbone, notamment Z peut inclure des liaisons siloxanes séparées par un ou plusieurs groupes divalents, par exemple un groupe de liaison -CH 2 - ; d’autres exemples de groupes divalents peuvent inclure des groupes polyéther : par exemple des groupes de liaisons -CH 2 CH 2 0- (i.e., groupe oxyde d’éthylène), -CH(CH 3 )CH 2 0- (i.e., oxyde de propylène). - a est un entier allant de 0 à 1000, de 0 à 950, de 0 à 750, de 0 à 500, de 0 à 400, de 0 à 300, de 0 à 200, de 0 à 100, de 0 à 75, de 0 à 50, de 0 à 25, ou de 0 à 20 ; - b est un entier allant de 1 à 1000, de 1 à 950, de 1 à 750, de 1 à 500, de 1 à 400, de 1 à 300, ou de 1 à 200 ; - c est un entier allant de 0 to 1000, de 0 à 950, de 0 à 750, de 0 à 500, de 0 à 400, de 0 à 300, de 0 à 200, ou de 0 à 100 ; - d est égal à 0 ou 1, de préférence égal à 1;
Les motifs de la formule (ii) représentés entre crochets indexés par a, b, ou c étant présents dans un ordre quelconque, de manière aléatoire ou sous forme séquencée.
Selon une forme particulière, le siloxane de formule (ii) peut être une résine de formule R* s SiO (4-s)/2 . De préférence, une résine silicone possède le long de sa chaine des unités T et/ou Q avec des unités M et éventuellement des unités D. Les radicaux R* peuvent être choisis indépendamment parmi un radical hydrocarboné substitué (ie : fonctions hydroxyle, amine) ou non substitué et s varie de 0 à 3. Les groupes R* utilisables peuvent être ceux décrits précédemment pour les radicaux R8, R9, and R10. Diverses combinaisons de tels groupes peuvent être présentes. Selon ces cas particuliers, la résine siliconée comprend une combinaison d’unités M, D, T et/ou Q. Elle peut notamment être une résine du type MDT, une résine du type MT, une résine du type MDQ, une résine du type MQ ou une résine du type MDTQ. Chacune des unités M, D et T peuvent contenir différents groupes R*. La résine peut présenter divers poids moléculaires tels qu’un poids moléculaire moyen en nombre allant de 800 à 500000.
Selon une forme particulière de l’invention, les élastomères de silicone à fonctions acides carboxyliques ont un équivalent en carboxyle allant de 100 à 50000, de 500 à 10000, ou 500 à 5000.
Les élastomères de silicone à fonctions carboxyliques de formule (XIII) peuvent être obtenus selon l’un des procédés de synthèse décrits dans les documents WO2015066161 (US20160200876).
Selon une troisième variante de procédé de synthèse, certains élastomères de silicone à fonctions acides carboxyliques peuvent être obtenus par réaction 1) d’un premier siloxane portant des groupes anhydrides pendants, 2) d’un deuxième siloxane portant des groupes anhydrides pendants et 3) d’un troisième siloxane ayant au moins deux groupes hydroxyles. Selon un mode particulier, on peut faire réagir avec les 3 réactifs précédents un ou plusieurs siloxanes additionnels différents des deux premiers.
L’invention concerne en outre un produit programme d’ordinateur comprenant des instructions de code de programme pour l’exécution des étapes d’un procédé de pilotage tel que défini précédemment, lorsque ce programme est exécuté par un ordinateur.
L’invention concerne également un dispositif de pilotage de charge et de décharge d’une pluralité de dispositifs de stockage d’énergie électrique raccordés à un point de raccordement commun (PCC) d’un réseau de distribution électrique, comprenant un processeur et une mémoire dans laquelle est enregistré un programme comprenant des instructions pour la mise en œuvre par le processeur d’un procédé de pilotage tel que défini précédemment.
Sur la , la partie du réseau de distribution d’énergie électrique représentée 100 comprend une pluralité de dispositifs de stockage d’énergie électrique 110, raccordés à un point de raccordement commun (PCC) 120 du réseau de distribution électrique.
Plus précisément, la partie du réseau de distribution d’énergie électrique 100 représentée comprend un nombre n de dispositifs de stockage d’énergie électrique 110.
Chaque dispositif de stockage d’énergie électrique 110 comprend un ensemble de batterie 111 et un onduleur 112 propre à convertir un courant continu fourni par l’ensemble de batterie 111 en un courant alternatif destiné à alimenter le point de raccordement commun 120 du réseau de distribution d’énergie électrique 100. Un ensemble de batterie 111 peut par exemple comprendre de 1 à 40 batterie(s).
Ainsi, chaque ensemble de batterie 111 est raccordé au point de raccordement commun 120 à travers un onduleur respectif 112.
Chaque ensemble de batterie i présente un état de charge, dont la valeur instantanée est .
La partie du réseau de distribution d’énergie électrique 100 comprend en outre un dispositif de pilotage de charge et de décharge 130 des dispositifs de stockage d’énergie électrique 110.
Le dispositif de pilotage 130 est propre à recevoir en entrée un signal représentatif d’une valeur de puissance totale demandée au point de raccordement commun 120, et à générer en sortie des signaux de commande des dispositifs de stockage d’énergie électrique. Plus précisément, chaque signal de commande généré en sortie par le dispositif de pilotage est un signal représentatif d’une valeur de puissance devant être fournie par le dispositif de stockage d’énergie électrique i.
Les valeurs de puissance devant être fournies par les dispositifs de stockage d’énergie électrique 1 à n sont telles que :
Il convient de noter que la valeur de puissance totale demandée au point de raccordement commun 120 peut être positive ou négative. Par convention, dans le cas où la valeur de est positive, cela signifie que les dispositifs de stockage d’énergie électrique 110 fournissent de la puissance électrique au reste du réseau de distribution électrique via le point de raccordement électrique commun 120, c’est-à-dire que les dispositifs de stockage d’énergie électrique se déchargent. A l’inverse, dans le cas où la valeur de est négative, cela signifie que les dispositifs de stockage d’énergie électrique 110 reçoivent de la puissance électrique de la part du reste du réseau de distribution électrique via le point de raccordement commun 120, c’est-à-dire que les dispositifs de stockage d’énergie électrique 110 se chargent.
Le dispositif de pilotage 130 peut comprendre un microprocesseur et une mémoire dans laquelle est enregistré un programme comprenant des instructions pour la mise en œuvre d’un procédé de pilotage de charge et de décharge des dispositifs de stockage d’énergie électrique. Lorsqu’il exécute le programme, le processeur est propre à déterminer en temps réel les valeurs de puissance devant être fournies par les dispositifs de stockage d’énergie électrique i, en fonction de la valeur de puissance totale demandée au point de raccordement commun 120 et des valeurs des états de charge des dispositifs de stockage d’énergie électrique i.
La figure 2 représente de manière schématique la manière dont est déterminée la valeur de puissance totale demandée . Un contrôle en cascade reçoit une puissance à fournir par les dispositifs de stockage d’énergie électrique 110 pour procurer des services auxiliaires (en anglais « service system »), nécessaires au fonctionnement du réseau de distribution électrique, en plus que la transmission et la distribution d’énergie électrique (ces services auxiliaires peuvent par exemple inclure un contrôle de la fréquence du réseau de distribution électrique, un contrôle de la tension fournie par le réseau de distribution électrique, une restauration d’alimentation, une gestion opérationnelle du réseau de distribution électrique) et calcule la puissance = + , dont contrôle l’état de charge moyen de l’ensemble des dispositifs de stockage d’énergie électrique.
Sur les figures 3A et 3B, le procédé de pilotage de charge et de décharge des dispositifs de stockage d’énergie électrique comprend les étapes suivantes.
Selon une première étape 1, le dispositif de pilotage 130 détermine un nombre de dispositifs de stockage d’énergie électrique nécessaire pour fournir la valeur de puissance totale demandée à un instant t.
est une représentation schématique du bras outils d’un portique cartésien,
est une vue globale, en perspective, d’une armoire de préparation,
représente, en perspective, un module de distribution de médicaments,
représente schématiquement, un système de distribution de médicaments à trappes,
représente des trappes de casier nominatif et leur principe de commande et
représente des boîtes à bascule et leur principe de commande.
Le dispositif objet de l’invention concerne une solution automatisée de préparation et de distribution des médicaments (par exemple, comprimé et gélule ou FOS, acronyme de forme orale sèche) en établissement de santé (ou ETS). Cette solution est modulaire, c’est-à-dire qu’elle est constituée de plusieurs
éléments mécanique et mécatronique qui interagissent ensemble. Cette modularité permet de s’adapter aux spécificités de chaque établissement, par exemple clinique, hôpital ou établissement hospitalier pour personnes âgées dépendantes.
Cette solution est divisée en trois modules localisés chacun en un lieu distinct : - un module de préparation des médicaments situé à la pharmacie (nommé « Dock de remplissage »), - un module de préparation des traitements situé à l’infirmerie (nommée « Armoire de préparation ») et - un module de distribution mobile qui permet le transfert entre l’infirmerie et les chambres des patients (nommée « Dock de distribution »)
Les médicaments commercialisés par l’industrie pharmaceutique sont de forme et de taille variable donc difficilement automatisables. Pour permettre l’automatisation, la présente invention standardiser chaque dose médicamenteuse en découpant les plaquettes de médicament, et en les sur-conditionnant avec un suremballage réutilisable nommé « Cellule », illustrée, en perspective, en . Cette cellule est l’élément de base des différentes interactions entre les trois modules. L’accès au doses médicamenteuses est sécurisé tout au long du processus de distribution. Seuls les trois modules de l’invention ont la capacité de déverrouiller les doses.