Procédé de report d’une couche d’intérêt (12) depuis un substrat donneur (10) vers un substrat receveur (20), ladite couche d’intérêt (12) étant à base d’un matériau ABO3, O étant l’oxygène, A étant au moins un premier élément chimique pris parmi le sodium (Na), le potassium (K), le baryum (Ba), le plomb (Pb), et B étant au moins un élément chimique pris parmi le lithium (Li), le plomb (Pb), le zirconium (Zr), le titane (Ti), le niobium (Nb), le tantale (Ta), ledit procédé comprenant les étapes suivantes : Fournir le substrat donneur (10) en un matériau transparent à une longueur d’onde λ, Former au moins une couche tampon sacrificielle (11) en un matériau sacrificiel absorbant à la longueur d’onde λ, par épitaxie sur le substrat donneur, Former la couche d’intérêt (12) par épitaxie sur l’au moins une couche tampon sacrificielle (11), Coller la couche d’intérêt (12) sur le substrat receveur (20), Illuminer par laser à la longueur d’onde λ l’au moins une couche tampon sacrificielle (11) au travers du substrat donneur (10), de sorte à éliminer au moins en partie ladite au moins une couche tampon sacrificielle (11) pour désolidariser la couche d’intérêt (12) du substrat donneur (10). Procédé selon la revendication précédente dans lequel les formations par épitaxie de l’au moins une couche tampon sacrificielle (11) et de la couche d’intérêt (12) sont configurées de sorte à ce que lesdites au moins une couche sacrificielle (11) et couche d’intérêt (12) présentent entre elles et avec le substrat donneur (10) une continuité de structure cristalline. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel le matériau ABO3 est pris parmi le niobate de lithium LiNbO3, le tantalate de lithium LiTaO3, ou un alliage Li(Nb,Ta)O3. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel la longueur d’onde λ du laser est choisie dans le domaine infrarouge, et dans lequel le matériau sacrificiel absorbant de l’au moins une couche tampon sacrificielle (11) est à base d’un nitrure réfractaire de transition, par exemple TiN, VN, ZrN, TaN, HfN, NbN, ou leurs alliages. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 3 dans lequel la longueur d’onde λ du laser est choisie dans le domaine ultraviolet, et dans lequel le matériau sacrificiel absorbant de l’au moins une couche tampon sacrificielle (11) est à base d’un nitrure III-N, par exemple du nitrure d’aluminium AlN, du nitrure de gallium GaN, du nitrure de bore BN, du nitrure d’indium InN, ou leurs alliages. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel la formation de l’au moins une couche tampon sacrificielle (11) comprend au moins une séquence comprenant : une formation d’une première couche tampon sacrificielle (111) à base du matériau sacrificiel absorbant, puis une formation d’une couche intercalaire (121) à base du matériau transparent du substrat (10), puis une formation d’une deuxième couche tampon sacrificielle (112) à base du matériau absorbant. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel la formation de l’au moins une couche tampon sacrificielle (11) est configurée de sorte à ce que ladite au moins une couche tampon sacrificielle (11) présente une épaisseur inférieure à une épaisseur critique au-delà de laquelle des défauts structuraux apparaissent dans ladite au moins une couche tampon sacrificielle (11), lors de l’épitaxie. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel le substrat donneur (10) et la couche d’intérêt (12) sont à base du même matériau. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes comprenant en outre, avant collage de la couche d’intérêt (12) sur le substrat receveur (20), une formation d’une couche (14) dite fonctionnelle sur la couche d’intérêt (12), et dans lequel le collage de la couche d’intérêt (12) sur le substrat receveur se fait par l’intermédiaire de ladite couche fonctionnelle (14). Procédé selon la revendication précédente dans lequel la couche fonctionnelle (14) forme au moins l’un parmi une électrode, un miroir réfléchissant à la longueur d’onde λ, une couche de confinement acoustique. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel le matériau transparent du substrat donneur (10) est choisi parmi le LiNbO3, LiTaO3, le saphir Al2O3. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel le substrat receveur (20) est choisi à base de silicium. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes comprenant en outre, après désolidarisation de la couche d’intérêt (12) du substrat donneur (10), un recuit de guérison. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes comprenant en outre, après formation de la couche d’intérêt (12), une planarisation de la couche d’intérêt (12).