Procédé de fabrication d’une structure semi-conductrice comprenant un substrat support (1) de carbure de silicium (SiC) polycristallin et une couche active (2) de carbure de silicium monocristallin, comprenant : - la formation d’un substrat support comprenant un empilement d’une première couche (11) de SiC polycristallin principalement du polytype 3C et d’une seconde couche (12) de SiC polycristallin principalement du polytype 4H et/ou 6H, - le collage d’un substrat donneur (20) comprenant une couche active (2) de SiC monocristallin du polytype 4H ou 6H sur une face du polytype 4H et/ou 6H du substrat support, - le transfert de la couche active (2) sur le substrat support. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la formation du substrat support comprend la croissance de la première couche (11) sur un substrat germe (10) puis la croissance de la seconde couche (12) sur la première couche (11). Procédé selon la revendication 1, dans lequel la formation du substrat support comprend successivement la croissance de la seconde couche (12) sur un substrat germe (10), la croissance de la première couche (11) sur la seconde couche (12), et le retrait du substrat germe (10) pour exposer une face de la seconde couche (12) pour le collage du substrat donneur. Procédé selon la revendication 3, dans lequel le substrat germe (10) est un substrat de SiC monocristallin ou polycristallin principalement du polytype 4H et/ou 6H. Procédé selon l’une des revendications 2 à 4, dans lequel on fait croître la première couche (11) sur une épaisseur comprise entre 1 et 20 µm, et on fait croître la seconde couche (12) sur une épaisseur comprise entre 80 et 350 µm. Procédé selon l’une des revendications 2 à 4, dans lequel on fait croître la première couche (11) sur une épaisseur comprise entre 80 et 200 µm, et on fait croître la seconde couche (12) sur une épaisseur comprise entre 150 et 270 µm. Procédé selon l’une des revendications 2 à 6, dans lequel la croissance de la première et de la seconde couche est réalisée par dépôt chimique en phase vapeur (CVD). Procédé selon l’une des revendications 2 à 7, dans lequel la croissance de la première couche (11) est mise en œuvre à une température comprise entre 1100 et 1500°C, de préférence entre 1200 et 1400°C. Procédé selon l’une des revendications 2 à 8, dans lequel la croissance de la seconde couche (12) est mise en œuvre à une température comprise entre 1500 et 2600°C, de préférence comprise entre 1700 et 1900°C ou entre 1800 et 2400°C, voire comprise entre 2000 et 2250°C. Procédé selon l’une des revendications 2 à 9, comprenant en outre l’introduction de dopants pendant la croissance de la première et de la seconde couche. Procédé selon l’une des revendications 1 à 10, dans lequel le substrat donneur (20) est collé directement sur la face du polytype 4H et/ou 6H du substrat support. Procédé selon l’une des revendications 1 à 10, dans lequel le substrat donneur (20) est collé sur la face du polytype 4H et/ou 6H du substrat support par l’intermédiaire d’une couche de collage (3). Procédé selon la revendication 12, dans lequel la couche de collage (3) comprend du silicium ou du tungstène. Procédé selon l’une des revendications 1 à 13, comprenant en outre, avant le collage, une étape d’implantation d’espèces atomiques dans le substrat donneur (20) pour former une zone de fragilisation (21) délimitant la couche active (2) et, après le collage, une étape de détachement du substrat donneur (20) le long de la zone de fragilisation (21) pour transférer la couche active (2) sur le substrat support. Procédé selon l’une des revendications 1 à 14 en combinaison avec la revendication 5, comprenant en outre, après le transfert de la couche active sur le substrat support, le retrait de la première couche (11). Structure semi-conductrice comprenant successivement, de sa face arrière vers sa face avant : - une première couche (11) de SiC polycristallin principalement du polytype 3C, - une seconde couche (12) de SiC polycristallin principalement du polytype 4H et/ou 6H, - une couche active (2) de SiC monocristallin du polytype 4H ou 6H. Structure selon la revendication 16, dans laquelle : - la première couche (11) présente une épaisseur comprise entre 80 et 350 µm, - la seconde couche (12) présente une épaisseur comprise entre 1 et 20 µm. Structure selon la revendication 16, dans laquelle : - la première couche (11) présente une épaisseur comprise entre 80 et 200 µm, - la seconde couche (12) présente une épaisseur comprise entre 150 et 270 µm. Dispositif électronique, notamment pour applications de puissance ou applications radiofréquence, comprenant la structure selon l’une des revendications 16 à 18 et au moins un composant électronique, tel qu’un un transistor, une diode, un composant électronique de puissance, et/ou un composant électronique radiofréquence, agencé dans ou sur la couche active (2).