INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Le deuxième élément élastique a le même axe de révolution que le premier élément élastique. Le deuxième élément est identique au premier élément élastique. Ainsi, la fabrication de ces éléments élastiques est standardisée ce qui permet d’en réduire les coûts (moins de pièces à fabriquer) et facilite le montage.
Le premier et le deuxième élément élastique sont axialement alignés. C’est-à-dire que le premier et le deuxième élément élastique ont une même hauteur radiale et sont sur une même direction axiale. Le premier et le deuxième élément élastique sont strictement superposées axialement. C’est-à-dire que l’ensemble d’une des surfaces axiales du deuxième élément élastique est au contact direct de l’ensemble d’une des surfaces axiales du premier élément élastique. Ainsi, l’efficacité du dispositif élastique est optimisée.
En variante, l’élément de raidissement est une pluralité d’éléments élastiques empilés sur le premier élément élastique. Ainsi, la raideur du dispositif élastique est augmentée sans augmentation de l’encombrement radial dispositif élastique et donc du limiteur de couple.
Dans une dernière étape, un traitement thermique est appliqué pour fritter le réseau silicique et calciner le TTAB utilisé pour former un réseau mésoporeux. Le traitement thermique est opéré sous air à pression atmosphérique, avec une première rampe de montée en température de 25°C à 180°C (à 2°C par minute), en restant à 180°C pendant 6 heures. Ensuite une seconde rampe de montée en température à 1°C par minute est appliquée de 180°C à 700°C ; les matériaux sont maintenus à 700°C pendant 6 heures. La descente en température à la température ambiante est non contrôlée, induite par l’inertie thermique inhérente du four. Les monolithes sont ensuite retirés du four et analysés.
Le tableau 1 illustré ci-dessous indique les monolithes obtenus selon le procédé décrit ci-dessus. Pour des commodités d’écriture, les monolithes sont représentés par la formule Monolithe SiO 2 -nTiO 2 avec n représentant la masse de nanoparticules de TiO 2 introduite dans la phase aqueuse comprenant de l’eau et TTAB lors de l’étape i). Des analyses thermogravimétriques ont été effectuées à l’air en utilisant un appareil vendu sous la dénomination commerciale TGA 5500 Discovery TA avec une vitesse de chauffe de 5°C/min. Des analyses élémentaires par spectrométrie de masse à plasma à couplage inductif (PCI) ont également été effectuées en utilisant les appareils suivants : ICP AES iCAP 6500 DUO et ICP AES iCAP 7400 Radia. Grâce aux analyses thermogravimétriques et élémentaires, les teneurs massiques et molaires en titane ont pu être déterminées et sont indiquées dans le tableau 1 ci-dessous.
Caractérisation des monolithes conformes à l’invention à l’échelle macroscopique
La macroporosité est caractérisée de manière qualitative par une technique de microscopie électronique à balayage (MEB) à l'aide d'un microscope électronique à balayage vendu sous la référence TM-1000 par la société HITACHI, fonctionnant à 15 kV. Les échantillons sont cassés, placés sur un support d’aluminium revêtu d’une peinture d’argent, puis revêtus d'or/palladium par pulvérisation avant leur caractérisation.
La macroporosité est également quantifiée par des mesures d'intrusion de mercure à température ambiante, à l'aide d'un appareil commercialisé sous la dénomination Micromeritics Autopore IV, pour atteindre les caractéristiques des cellules macroscopiques composant le squelette du monolithe.
La a) à g) illustre la macroporosité interconnectée telle qu’elle est révélée par la microscopie électronique à balaye (MEB) et qui est induite par l’effet d’empreinte des gouttelettes de phase huileuse. En conséquence, les macropores correspondent exclusivement à l'emplacement initial des gouttes d'huile. Les images MEB montrent l’agrégation de sphères creuses caractéristiques des monolithes à base de silice uniquement dénommés « Si(HIPE) » tels que décrits dans Carn et al. , J. mater. Chem. , 2004 , 14, 1370-1376. La morphologie des sphères creuses est de moins en moins prononcée lorsque l’on augmente la teneur en TiO 2 du monolithe. On observe alors une certaine diminution du diamètre des sphères creuses.
Pour compléter l’étude macroscopique par MEB, des mesures de porosité macroscopique par intrusion de mercure sont réalisées à température ambiante sur les monolithes : Monolithe SiO 2 -0,3TiO 2 ( : courbe avec les carrés pleins) ; Monolithe SiO 2 -0,8TiO 2 ( : courbe avec les ronds pleins) ; et Monolithe SiO 2 -1,2TiO 2 ( : courbe avec les triangles pleins).
Sur cette , l'intrusion différentielle (exprimée en ml/g) est fonction de la distribution de la taille des pores (exprimé en µm). Les pores sont des espaces vides interconnectés. La structure poreuse peut être considérée comme formée de deux portions principales : des cellules ou chambres poreuses reliées par des étroites canalisations appelées les gorges des pores ou canalicules. La distribution de la taille des pores de la correspond aux vides qui modulent et restreignent l’infiltration de mercure, et par conséquent à la distribution de taille de la gorge des pores. Comme dans le cas des monolithes Si(HIPE), ces gorges sont polydisperses en tailles allant de 1,5 à 10 µm, avec une certaine tendance à exprimer un caractère bimodal. Le nombre de gorges et leurs tailles ont tendance à diminuer quand la teneur en TiO 2 augmente.
L’intrusion au mercure permet également de déterminer la densité apparente des monolithes (en g/cm 3 ).
Des mesures de la densité du squelette des monolithes (voir tableau 2 ci-après) sont également effectuées par pycnométrie à l’hélium à l’aide d’un appareil vendu sous la dénomination commerciale Micromeritics AccuPy 1330. Les échantillons sont dégazés sous vide à 130°C pendant 12 heures avant d’effectuer les mesures.
La porosité (en %) peut alors être obtenue à l’aide des résultats de densité du squelette et de densité apparente selon l’équation suivante % porosité = [1-(densité apparente/densité du squelette)]*100 (voir tableau 2 ci-après).
Caractérisation des monolithes conformes à l’invention à l’échelle mésoscopique
Des mesures de sorption de gaz des monolithes de l’invention, et à titre comparatif du monolithe Si(HIPE), sont effectués à l’aide d’un appareil vendu sous la dénomination commerciale Micromeritics 3Flex Surface Characterization Analyzer par la société Micromeritics Instrument Corp. Avant la caractérisation, les échantillons sont activés sous vide secondaire à 110°C pendant 12 heures. Une activation à 350°C pendant 12 heures est également effectuée pour comparaison et conduit à des résultats similaires, indiquant que la procédure d’extraction de gaz est efficace aux deux températures.
Des isothermes de sorption-désorption d’azote (N 2 ) mesurés à 77 K sont collectés sur la et interprétés en utilisation la méthode BET pour des surfaces spécifiques dans la gamme de pression relative P/P 0 allant de 0,05 à 0,30 et avec une section transversale d’azote de 0,162 nm 2 . La surface mésoporeuse est déterminée en utilisation la méthode BJH alors que la surface microporeuse est estimée par la différence entre la surface mésoporeuse BJH et la surface spécifique BET, en assumant que la surface macroporeuse est négligeable.
La annexée montre les volumes absorbés (en cm 3 /g, avec STP = température et pression standard) en fonction de la pression relative (P/P 0 ) pour les monolithes : Monolithe SiO 2 -0,3TiO 2 (courbe avec les carrés pleins) ; Monolithe SiO 2 -0,8TiO 2 (courbe avec les ronds pleins) ; Monolithe SiO 2 -1,2TiO 2 (courbe avec les triangles pleins), et Si(HIPE) (courbe avec les ronds vides).
Sur cette , on observe systématiquement une adsorption d’azote à des pression relatives faibles qui traduit la présence de micropores (taille des pores inférieure à 2 nm), ainsi qu’un hystérésis faible à une pression relative élevée qui démontre un certain degré de mésoporosité (taille des pores allant de 2 à 50 nm). Également à une pression relative élevée (au-dessus de 0,8), on observe une augmentation de la quantité d’azote adsorbé, traduisant la macroporosité des monolithes.
Le dispositif 1 peut en outre comprendre une pièce de liaison 40. La pièce de liaison 40 assure la liaison et la transmission du couple entre l’amortisseur d’oscillation de torsion 3 et le limiteur de couple 4. La pièce de liaison 40 peut être solidaire en rotation de l’amortisseur d’oscillation de torsion 3. Plus particulièrement, la pièce de liaison 40 peut être solidaire en rotation du voile 10.
Le dispositif 1 comprend en outre un troisième organe de liaison. Le troisième organe de liaison peut être une vis 39. La vis 39 peut solidariser en rotation le limiteur de couple 4 à la pièce de liaison 40. Plus particulièrement, la vis 39 peut solidariser en rotation le disque 6 à la pièce de liaison 40. Ainsi, la pièce de liaison 40 et la vis 39 assurent la liaison et la transmission du couple entre l’amortisseur d’oscillation de torsion 3 et le limiteur de couple 4.
Le limiteur de couple 4 peut être partiellement aligné axialement et décalé radialement de l’amortisseur d’oscillation de torsion 3. Ainsi l’encombrement radial général du dispositif 1 peut être réduit.
Le limiteur de couple 4 peut former un sous ensemble indépendant. Plus particulièrement, le limiteur de couple 4 et le moyeu 41 peuvent former un sous ensemble indépendant. Le sous-ensemble est montable/démontable par rapport à l’amortisseur d’oscillation de torsion via la vis 39. La formation de ce sous-ensemble facilite les opérations d’assemblage (contrôle du couple de glissement, rodage, débalourdage…). Cela permet aussi l’accès à la première fenêtre au premier organe de liaison afin de solidariser en rotation le volant primaire 31 à l’arbre menant.
L’élément de raidissement peut comprendre une pluralité d’éléments élastiques. La pluralité d’éléments élastiques comprend au moins un deuxième élément élastique 19 et un troisième élément élastique 20. La pluralité d’éléments élastiques peut comprendre un quatrième élément élastique.
Le troisième élément élastique 20, comme le deuxième élément élastique 19, peut être en forme de disque annulaire d’axe X de révolution. C’est-à-dire que son axe de révolution peut être confondu avec l’axe X de rotation du dispositif 1. Le troisième élément élastique 20, comme deuxième élément élastique 19, peut être identique au premier élément élastique 18. Le deuxième élément élastique 19 peut être empilé sur le premier élément élastique 18. Le troisième élément élastique 20 peut être empilé sur le deuxième élément élastique 19. L’empilement du deuxième élément élastique 19 sur le premier élément élastique 18 peut être axiale. L’empilement du troisième élément élastique 20 sur le deuxième élément élastique 19 peut être axiale. C’est-à-dire que les éléments élastiques 18, 19, 20 sont alignés axialement (ils ont la même hauteur radiale). Le deuxième élément élastique 19 peut entièrement recouvrir axialement le premier élément élastique 18. Le troisième élément élastique 20 peut entièrement recouvrir axialement le deuxième élément élastique 19. Le deuxième élément élastique 19 peut être en appui sur la face du premier élément élastique 18 opposée à la face de ce premier élément élastique s’appuyant sur le plateau d’entrainement 16. Le troisième élément élastique 20 peut être en appui sur la face du deuxième élément élastique 19 opposée à la face de ce deuxième élément élastique s’appuyant sur le premier élément élastique 18.
La présence de l’élément de raidissement dans le dispositif élastique du limiteur de couple 4, représenté dans le deuxième exemple de réalisation par le deuxième et troisième élément élastique empilés sur le premier élément élastique 18, permet audit dispositif élastique d’assurer une pression axiale sur le plateau d’entrainement 16 suffisante pour assurer le bon fonctionnement du limiteur de couple tout en réduisant l’encombrement radial au minimum.
La représente un troisième exemple de dispositif 1 d'amortissement d'oscillations de torsion. Le troisième exemple de dispositif 1 est identique au premier exemple de dispositif 1 décrit précédemment à l’exception des éléments listés ci-après.
L’élément de raidissement peut comprendre un embouti 50. L’embouti 50 peut être réalisé sur le premier élément élastique 18. L’embouti 50 peut être continu sur l’ensemble du premier élément élastique. Ainsi, la raideur du dispositif élastique est augmentée sans augmentation de l’encombrement radial et axial du dispositif élastique et donc du limiteur de couple 4.
L’embouti 50 est plus proche de l’extrémité extérieure 18e du premier élément élastique 18 que de l’extrémité intérieure 18i du premier élément élastique 18. Ainsi, la charge délivrée, pour une déflexion prédéterminée, par le premier élément élastique 18 est augmentée.
Alternativement, l’embouti 50 est équidistant entre l’extrémité intérieure 18i et l’extrémité extérieure 18e. Ainsi, la charge délivrée, pour une déflexion prédéterminée, par le premier élément élastique 18 est encore augmentée
Alternativement, l’embouti 50 est plus proche de l’extrémité intérieure 18i que de l’extrémité extérieure 18e. Ainsi, la charge délivrée, pour une déflexion prédéterminée, par le premier élément élastique 18 est encore augmentée par rapport aux alternatives précédentes.
Selon une première et deuxième variante du dispositif élastique du limiteur de couple 4, l’élément de raidissement peut comprendre une frappe 60. La frappe 60 peut être réalisée sur le premier élément élastique 18. De préférence, l’élément de raidissement peut comprendre une pluralité de frappes 60 réalisées sur le premier élément élastique 18. Les frappes 60 peuvent être réparties circonférentiellement sur l’ensemble du premier élément élastique 18. De préférence les frappes 60 sont uniformément réparties circonférentiellement sur le premier élément élastique 18.
Selon la première variante, chacune des frappes 60 s’étend circonférentiellement. C’est-à-dire que chacune des frappes 60 s’étend plus dans la direction circonférentielle que dans la direction radiale.
Selon la deuxième variante, chacune des frappes 60 s’étend radialement. C’est-à-dire que chacune des frappes 60 s’étend plus dans la direction radiale que dans la direction circonférentielle.
Ainsi, la raideur du dispositif élastique est augmentée sans augmentation de l’encombrement radial et axial du dispositif élastique et donc du limiteur de couple 4.
Les étapes supplémentaires décrites ci-dessus permettent de disposer des armatures dans l’échantillon tout en garantissant la propagation des fissures dans les plans de fissuration, et permettent donc d’obtenir un échantillon de béton armé fissuré avec une fissuration contrôlée.
Selon un mode de réalisation, le procédé comprend en outre, entre les étapes b) et c), les étapes supplémentaires suivantes : réaliser au moins une ouverture secondaire dans au moins un treillis ; positionner une fixation coulée en place à tester dans chaque ouverture secondaire ; fixer chaque fixation coulée en place à tester au cadre de support sur lequel est fixé le treillis dans lequel est formée l’ouverture secondaire respective ; et
le procédé comprenant en outre, à la suite de l’étape e), une étape supplémentaire consistant à libérer chaque fixation coulée en place à tester du cadre de support respectif.
Les étapes supplémentaires décrites ci-dessus permettent de disposer des fixations dites coulées en place dans l’échantillon de béton, ce qui permet par la suite de réaliser des essais mécaniques sur des fixations coulées en place disposées dans un plan de fissuration tel que cela est recommandé dans les guides d’essais.
Selon un mode de réalisation, les ouvertures secondaires sont réalisées, et les fixations coulées en place à tester sont positionnées, à proximité de la face supérieure ouverte.
Selon un mode de réalisation, le procédé comprend en outre, avant l’étape c), une étape supplémentaire consistant à mettre en place des fils de retenue dans chaque ouverture réalisée dans l’au moins un treillis de manière à empêcher une déformation de l’au moins un treillis à une ouverture lors de l’étape c) de coulage du béton.
L’utilisation de fils de retenue permet d’utiliser des ouvertures de la taille souhaitée dans le treillis, notamment des ouvertures suffisamment grandes autour des fixations coulées en place de manière à ce que le treillis ne se trouve pas à proximité directe de la fixation et que les essais mécaniques soient représentatifs, tout en garantissant que le treillis ne se déforme pas lors du coulage du béton.
Selon un mode de réalisation, le procédé comprend en outre, à la suite de l’étape g), les étapes supplémentaires suivantes : réaliser au moins un perçage dans au moins une face externe de l’échantillon de béton, chaque perçage étant réalisé perpendiculairement à la face externe correspondante et dans un plan de fissuration souhaité ; et implanter dans chaque perçage une fixation rapportée à tester.
Les étapes supplémentaires décrites ci-dessus permettent de disposer des fixations dites rapportées dans l’échantillon de béton, ce qui permet par la suite de réaliser des essais mécaniques sur des fixations rapportées disposées dans un plan de fissuration tel que cela est recommandé dans les guides d’essais.
Selon un mode de réalisation, les perçages sont réalisés, et les fixations rapportées à tester sont implantées, dans des faces externes de l’échantillon qui sont verticales au moins jusqu’à l’étape e).
Selon ce mode de réalisation, le coffrage est conçu et dimensionné de telle sorte que les faces de l’échantillon qui sont verticales lors du coulage sont représentatives et peuvent être utilisées pour réaliser des essais mécaniques sur des fixations. Ceci permet de rendre maximales les surfaces aptes à recevoir des fixations pour réaliser des essais représentatifs, et donc de rendre maximal le nombre de fixations qui peuvent être testées avec un même échantillon.
Selon un mode de réalisation, à l’état final, au moins un treillis s’étend dans l’échantillon sur tout le plan de fissuration souhaité correspondant sur toute la profondeur de l’échantillon, c’est-à-dire que des dimensions externes du treillis sont égales à des dimensions externes de l’échantillon lorsqu’ils sont vus en coupe transversale selon ledit plan de fissurations souhaité.
La disposition d’un treillis sur toute la section transversale de l’échantillon permet de guider la fissure de part en part de l’échantillon et permet de s’assurer de la propagation dans le seul plan de fissuration.
Selon un mode de réalisation, à l’état final, au moins un treillis s’étend à partir d’une surface externe de l’échantillon vers un cœur de celui-ci d’une distance égale à une profondeur d’ancrage d’une fixation disposée dans le plan dudit treillis.
La disposition d’un treillis sur la profondeur d’ancrage des fixations permet de garantir que la fissuration est bien comprise dans le plan de fissuration souhaité sur au moins toute la profondeur d’ancrage des fixations, comme cela est recommandé dans les guides d’essais.
Selon un mode de réalisation, l’initiation de la fissuration de l’étape g) comprend, pour au moins un plan de fissuration souhaité, l’utilisation de moyens d’expansion configurés pour appliquer une force entre des parties de l’échantillon situées de part et d’autre dudit plan de fissuration souhaité, de manière à mettre l’échantillon en traction.
De préférence, la ou les cellules photovoltaïques de chaque structure photovoltaïque sont des cellules multi-jonctions à matériaux semi-conducteur de type III-V, notamment des cellules photovoltaïques à triples jonctions GaInP/GaAs/Ge. En variante, la ou les cellules photovoltaïques sont des cellules à simple jonction, notamment en couche mince CIGS, en silicium, en tellurure de cadmium (CdTe) ou pérovskite.
De préférence, les structures photovoltaïques sont toutes de même épaisseur.
L’épaisseur des structures photovoltaïques, notamment des cellules photovoltaïques, peut être supérieure ou égale à 10 µm. L’épaisseur de la structure photovoltaïque, notamment de la ou des cellules photovoltaïques, peut être inférieure ou égale à 200 µm.
Structure multicouche de connexion électrique De préférence, la structure multicouche de connexion électrique s’étend directement sur le substrat.
La structure multicouche de connexion électrique peut être imprimée ou déposée autrement sur le substrat, notamment formée par impression, pulvérisation cathodique, dépôt laser pulsé, dépôt chimique en phase vapeur (CVD) ou (PECVD) ou encore dépôt de couche atomique (ALD).
De préférence, la structure multicouche de connexion électrique est d’épaisseur sensiblement uniforme sur le substrat.
Les deux électrodes des diodes de dérivation peuvent être en un métal conducteur, par exemple aluminium, cuivre, molybdène, argent ou or, ou un oxide conducteur, notamment en oxyde d'indium-étain (ITO) ou oxyde de zinc dopée à l’aluminium (AZO), ou un semi-conducteur organique, notamment en poly(3,4-éthylènedioxythiophène) (PEDOT) ou poly(triaryl amine) (PTAA).
Les deux électrodes des diodes de dérivation sont, de préférence, en un même matériau. En variante, une des deux électrodes des diodes de dérivation est en un premier matériau conducteur notamment choisi aluminium, cuivre, molybdène, argent ou or, ou un oxide conducteur, notamment en oxyde d'indium-étain (ITO) ou oxyde de zinc dopée à l’aluminium (AZO) et l’autre des deux électrodes des diodes de dérivation est en un deuxième matériau conducteur différent du premier matériau conducteur, notamment en or ou en un semi-conducteur organique, tel que le poly(3,4-éthylènedioxythiophène) (PEDOT) ou poly(triaryl amine) (PTAA).
Les deux électrodes des diodes de dérivation peuvent chacune présenter, au niveau de la diode de dérivation, une épaisseur comprise entre 0,1 µm et 100 µm, mieux entre 0,2 µm et 15 µm.
Les portions semi-conductrices des diodes de dérivation peuvent comporter un semi-conducteur organique ou Métal-oxyde, notamment en oxyde de zinc intrinsèque (ZnO:I), oxyde de titane (TiO 2 ), oxyde de zirconium (ZrO 2 ), dioxyde d’étain (SnO 2 ) ou encore germanium amorphe (a-Ge) ou silicium amorphe (a-Si).
Les portions semi-conductrices peuvent chacune présenter une épaisseur comprise entre 0,1 µm et 100 µm, mieux entre 0,1 et 5 µm.
Les diodes de dérivation peuvent présenter une épaisseur totale comprise entre 0,3 µm et 500 µm, mieux entre 0,5 µm et 50 µm.
De préférence, les portions semi-conductrices sont chacune prise en sandwich entre les deux électrodes de la même diode de dérivation pour former un empilement. Les portions semi-conductrices peuvent être chacune en contact avec une des électrodes par une première surface sensiblement parallèle à un plan d’extension des structures photovoltaïques, et en contact avec l’autre des électrodes par une deuxième surface opposée à la première. Les empilements peuvent s’étendre chacun selon une surface parallèle au plan des structures photovoltaïques supérieure ou égale à 50%, mieux supérieure ou égale à 80%, encore mieux supérieure ou égale à 90%, de la surface de la structure photovoltaïque. Une telle extension permet d’avoir une diode de dérivation de large surface, ce qui facilite la dissipation thermique de la diode de dérivation en fonctionnement.
En variante, dans chaque diode de dérivation, la portion semi-conductrice est juxtaposée avec les deux électrodes. Les portions semi-conductrices peuvent être chacune en contact avec une des électrodes par une première surface, notamment sensiblement perpendiculaire au plan d’extension des structures photovoltaïques, et en contact avec l’autre des électrodes par une deuxième surface opposée à la première.
Les deux électrodes de chaque diode de dérivation peuvent être séparées entre elles uniquement par la portion semi-conductrice de la diode de dérivation correspondante. En variante, les diodes de dérivation peuvent comporter chacune au moins une portion isolante agencée pour séparer, avec la portion semi-conductrice les deux électrodes entre elles.
De préférence, les portions semiconductrices présentent chacune au moins une zone épaissie pour séparer les deux électrodes de la diode de dérivation correspondante entre elles au niveau du substrat et/ou de la surface de la structure multicouche de connexion électrique portant les structures photovoltaïques.