Procédé de réalisation d’un dispositif électro-acoustique (1) comprenant une couche piézoélectrique (30), ledit procédé comprenant les étapes suivantes : Fournir un substrat (10) à base de silicium, Former sur le substrat (10) une première électrode (21), Former la couche piézoélectrique (30) sur la première électrode (21), Former sur la couche piézoélectrique (30) une deuxième électrode (22), Le procédé étant caractérisé en ce que la première électrode (21) est choisie en un matériau réfractaire conducteur électrique à base de nitrure et en ce que la formation de la couche piézoélectrique (30) se fait par épitaxie, sur ladite première électrode (21), d’un matériau du type ABO3, O étant l’oxygène, A étant au moins un premier élément chimique pris parmi le sodium (Na), le potassium (K), le baryum (Ba), le lithium (Li), le plomb (Pb), et B étant au moins un deuxième élément chimique pris parmi le zirconium (Zr), le titane (Ti), le niobium (Nb), le tantale (Ta). Procédé selon la revendication précédente dans lequel le matériau réfractaire conducteur électrique à base de nitrure est pris parmi les nitrures réfractaires de transition à base d’un métal de transition. Procédé selon la revendication précédente dans lequel le matériau réfractaire conducteur électrique à base de nitrure est pris parmi TiN, VN, ZrN, TaN, HfN, NbN, ou leurs alliages. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel le dispositif électro-acoustique (1) est un filtre à ondes acoustiques de volume du type à membrane suspendue, ledit procédé comprenant en outre, après formation par épitaxie de la couche piézoélectrique (30), une gravure du substrat (10) à base de silicium sous la première électrode (21) portant la couche piézoélectrique (30), de façon à former une cavité (40). Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 3 dans lequel le dispositif électro-acoustique (1) est un filtre à ondes acoustiques de volume guidées sur réflecteur de Bragg, ledit procédé comprenant en outre, avant formation de la première électrode (21), une formation d’un empilement (50) de couches (51, 52) présentant alternativement des impédances acoustiques fortes et faibles. Procédé selon la revendication précédente dans lequel les couches de faible impédance (52) sont à base de TiN ou de VN, et les couches de forte impédance (51) sont à base de HfN ou de TaN. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel la formation de la première électrode (21) et la formation de la couche piézoélectrique (30) sont effectuées par ablation laser pulsée successivement au sein d’un même réacteur sans remise à l’air entre lesdites formations. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel le substrat (10) est à base de silicium orienté selon (111), la première électrode (21) est à base de nitrure de titane TiN orienté selon (111), et la couche piézoélectrique (30) est orientée selon (0001). Dispositif (1) électro-acoustique comprenant, en empilement selon une direction dite verticale (z), un substrat (10) à base de silicium, une première électrode (21) sur ledit substrat (10), une couche piézoélectrique (30) sur ladite première électrode (21), ladite couche piézoélectrique (30) étant à base d’un matériau du type ABO3, O étant l’oxygène, A étant au moins un premier élément chimique pris parmi le sodium (Na), le potassium (K), le baryum (Ba), le lithium (Li), le plomb (Pb), et B étant au moins un deuxième élément chimique pris parmi le zirconium (Zr), le titane (Ti), le niobium (Nb), le tantale (Ta), une deuxième électrode (22) disposée sur la couche piézoélectrique (30), le dispositif (1) étant caractérisé en ce que la première électrode (21) est en un matériau réfractaire conducteur électrique à base de nitrure. Dispositif (1) selon la revendication précédente dans lequel le matériau réfractaire conducteur électrique à base de nitrure est pris parmi les nitrures réfractaires de transition à base d’un métal de transition, par exemple TiN, VN, ZrN, TaN, HfN, NbN, ou leurs alliages. Dispositif (1) selon l’une quelconque des revendications 9 à 10, dans lequel le dispositif électro-acoustique (1) est un filtre à ondes acoustiques de volume du type à membrane suspendue, comprenant une cavité (40) sous la première électrode (21) portant la couche piézoélectrique (30). Dispositif (1) selon l’une quelconque des revendications 9 à 10, dans lequel le dispositif électro-acoustique est un filtre à ondes acoustiques de volume guidées sur un réflecteur de Bragg, comprenant, entre le substrat (10) et la première électrode (21), un empilement (50) de couches (51, 52) présentant alternativement des impédances acoustiques fortes et faibles. Dispositif (1) selon la revendication précédente dans lequel les couches (52) de faible impédance sont à base de TiN ou de VN, et les couches (51) de forte impédance sont à base de HfN ou de TaN. Dispositif (1) selon l’une quelconque des deux revendications précédentes, dans lequel les première et deuxième électrodes (21, 22) sont contactées au niveau d’une face avant (101) du dispositif (1). Dispositif (1) selon l’une quelconque des revendications 12 ou 13, dans lequel la première électrode (21) est contactée au niveau d’une face arrière (100) du dispositif (1), et dans lequel la deuxième électrode (22) est contactée au niveau d’une face avant (101) du dispositif (1).