Procédé de fabrication d’un système dans un boitier (SiP) à plusieurs couches, le procédé de fabrication comprenant pour chaque couche courante les étapes suivantes : - réalisation (A) d’un substrat diélectrique par une technique de fabrication additive, le substrat comprenant une surface de réception la surface de réception comprenant des zones de réception configurées pour recevoir des composants électroniques ; - dépôt (B) d’une colle dans les zones de réception ; - dépôt (C) de composants électroniques dans les zones de réception correspondantes ; - dépôt (E) d’éléments d’interconnexion entre les composants électroniques ; - création (F) d’au moins une interconnexion avec une couche adjacente ; - encapsulation (G) de la couche courante par matière de remplissage, la matière de remplissage formant une surface extérieure ; - préparation (H) de la surface extérieure pour réception de la couche suivante. Procédé selon la revendication 1, dans lequel l’étape (A) de réalisation du substrat diélectrique comprend sa polymérisation, de préférence sa photopolymérisation. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la technique de fabrication additive comprend la technique de stéréolithographie ou la technique de dépôt de fil fondu. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel l’étape (B) de dépôt de la colle est réalisée par une vis sans fin ou par un système de distribution temps pression. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel l’étape (C) de dépôt des composants électroniques est réalisée par une tête de dépôt ; de préférence, l’étape (C) de dépôt des composants électroniques comprend en outre la mise en place de drains thermiques collés sur les composants électroniques. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, comprenant en outre une étape (D) de polymérisation de la colle mise en œuvre après l’étape (C) de dépôt des composants électroniques et avant l’étape (E) de dépôt d’éléments d’interconnexion. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel l’étape (E) de dépôt d’éléments d’interconnexion comprend le dépôt de fils conducteurs ou d’une encre conductrice entre composants électroniques. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel l’étape (F) de création d’au moins une interconnexion avec une couche adjacente comprend le dépôt d’une colle conductrice ou d’un plastique chargé en particules conductrices. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel l’étape (G) d’encapsulation de la couche courante comprend le remplissage d’un volume délimité par le substrat diélectrique par la matière de remplissage. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel l’étape (H) de préparation de la surface extérieure comprend la mise en œuvre d’une technique de décapage. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, comprenant en outre une étape de contrôle optique mise en œuvre entre au moins certaines desdites étapes. Installation de fabrication (10) d’un système dans un boitier (SiP) à plusieurs couches, l’installation comprenant une pluralité de modules (12, …, 22) adaptés pour la mise en œuvre du procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes