INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Au contraire, pour un portrait 3D, ce ratio, ou l’écart, varie bien plus fortement en fonction de l’angle d’observation.
Une telle variation dépend alors du portrait et/ou des angles d’observation, par exemple.
En fonction des valeurs respectives de la première distance et de la deuxième distance, le ratio peut être supérieur ou inférieur à 1 (ou égal).
En outre, en fonction du visage et/ou de la variation de l’angle d’observation selon la direction d’observation (par exemple de gauche à droite ou de droite à gauche, ou de haut en bas ou de bas en haut, ou toute combinaison des deux, de sorte que la direction d’observation peut être une direction quelconque, ce qui simplifie l’utilisation), la courbe de tendance obtenue peut être croissante ou décroissante en fonction des angles d’observation. La courbe de tendance est par exemple monotone.
Une valeur absolue du coefficient directeur supérieure à la valeur de référence signifie alors que la courbe de tendance est plus pentue qu’une portion de droite dont la pente est égale à la valeur de référence.
La valeur de référence peut dépendre de chaque cas.
Elle peut alors par exemple être préfixée par le fournisseur du document d’identité.
Selon un exemple de mise en œuvre, la valeur de référence est un paramètre représentatif obtenu de la même manière pour un portrait 2D, comme décrit ultérieurement.
Un tel procédé permet ainsi une authentification de paramètre de sécurité 3D.
En outre, il ne requiert pas un enregistrement du document d’identité dans une base de donnée.
Un tel procédé n’a pas non plus besoin d’un marquage d’indexation spécifique dans le document d’identité.
Les points caractéristiques du visage sont par exemples choisis parmi des points caractéristiques habituels pour l’analyse d’un visage ; par exemple les premier et deuxième points peuvent correspondre aux coins extérieurs des yeux, tandis que le point médian peut correspondre au bout du nez.
La représente, de manière schématique, un exemple de dispositif de prédiction de partition cible pour la mise en œuvre du procédé de la selon le premier mode de réalisation.
La représente, de manière schématique, un autre exemple de dispositif de prédiction de partition cible pour la mise en œuvre du procédé de la selon le premier mode de réalisation.
La représente, sous forme d’organigramme, les principales étapes d’un procédé d’encodage selon un second mode de réalisation de l’invention.
La représente, de manière schématique, un dispositif de prédiction de partition source pour la mise en œuvre du procédé de la selon le second mode de réalisation.
La représente, sous forme d’organigramme, les principales étapes d’un procédé d’entraînement d’un réseau de neurones artificiels pour le second mode de réalisation de l’invention.
La représente les étapes d’un procédé de codage conforme à un premier mode de réalisation de l’invention. Selon ce mode de réalisation, le codage d’une partition cible se fait par recherche d’une partition source la plus proche possible de la partition cible, dans un ensemble de partitions sources. Ce procédé est mis en œuvre par un dispositif de codage conforme à un exemple de mode de réalisation de l’invention, tel que par exemple le dispositif de codage COD décrit en référence à la .
On décrit ci-après un procédé de codage d’image de type 2D ou 3D qui est apte à être mis en œuvre dans tout type de codeurs ou décodeurs d’images ou de vidéo, par exemple conformes au standard JPEG, AVC, HEVC, VVC et leurs extensions (MVC, 3D-AVC, MV-HEVC, 3D-HEVC, etc.), ou autre.
Lors d’une étape S0 initiale, une base de données de partitions sources est créée, en association avec les trains binaires TBi correspondant aux codages des partitions. L’étape de codage des partitions sources peut être réalisée au préalable, en utilisant un ou plusieurs encodeurs standard, ou mise en œuvre durant cette étape. Si plusieurs encodeurs sont utilisés, on dispose de plusieurs trains binaires TBi (par exemple, un pour HEVC et un pour VVC) correspondant au codage d’une partition source. Si plusieurs profils d’un même encodeur sont utilisés (par exemple correspondant à différentes qualités, comme le profil MAIN et le profil MAIN10 d’HEVC) , on dispose de plusieurs trains binaires TBi.
Selon une première variante de ce mode de réalisation, les partitions sources PS sont des partitions originales, et le train binaire correspond au résultat du codage d’une telle partition. Il existe donc une erreur de reconstruction entre la partition source et le train binaire décodé, sauf dans le cas d’un codage sans pertes.
Selon une seconde variante de ce mode de réalisation, les partitions sources PS sont des partitions décodées, et le train binaire correspond exactement à la partition source. Il n’existe donc aucune erreur de reconstruction entre la partition source et le train binaire décodé.
Dans les deux variantes, un corpus de données est créé. Ce corpus de données correspond à des séquences vidéo ou images fixes, éventuellement découpées en régions ou blocs de pixels correspondant aux partitions sources. De préférence, ce corpus est constitué de contenus très différents en termes de mouvement, texture, géométries, etc. Par exemple un corpus d’entraînement sera constitué de partitions extraites de séquences de sport, de visiophonie, d’images fixes de paysages, de reproductions de tableaux, de visages, d’images stéréoscopiques, etc.
Au cours de cette même étape S0, il est procédé, à partir de ce corpus, au peuplement d’une base de données contenant les trains binaires associés aux partitions sources, repérés par un index. Selon des modes de réalisation, il est aussi procédé à la phase d’entraînement d’un réseau de neurones tels qu’il sera décrit ultérieurement
Dans une étape S1, une partition cible PC est extraite de l’image ou séquence d’images en cours de codage. Cette partition cible comprend un ensemble de pixels à coder. Elle peut correspondre notamment à un bloc d’image, une région, une image complète ou un ensemble d’images de la séquence. Optionnellement, un encodeur spécifique peut être spécifié (par exemple « AVC »), en particulier si plusieurs encodeurs ont été utilisés pour générer dans la base plusieurs trains binaires correspondant à une partition source.
Dans une étape S2, le codeur recherche un ensemble de pixels qui soit le plus proche possible de cet ensemble cible, en utilisant par exemple, comme il sera décrit plus avant à l’appui des différents modes de réalisation, une base de données d’images ou de portions d’images sources, comme représenté sur la ou la base d’images est accédée classiquement, ou un réseau de neurones comme représenté sur la ou la . Dans le premier cas, le codeur peut durant cette étape vérifier que les partitions source et cible sont suffisamment « proches » l’une de l’autre, en extrayant successivement les partitions sources de la base de données et en les comparant selon un critère prédéfini. Un critère classique de distorsion (SAD) ou débit/distorsion (lagrangien) peut être utilisé. Tout autre critère à la portée de l’homme du métier peut être utilisé : reconnaissance sémantique d’un objet, d’un visage, etc. Si les partitions sont suffisamment « proches » au sens de ce critère, le prédicteur peut retenir la partition source. Dans le second cas, le codeur peut utiliser un réseau de neurones préalablement entraîné à choisir une partition source en fonction d’une partition cible. Un tel entraînement a pour but de stabiliser les poids du réseau de neurones suite à son entraînement.
Dans une étape S3, le codeur fait l’acquisition d’un train binaire associé à la partition source en cours de sélection, TBi, pour la partition PSi d’indice i. On rappelle que ce train binaire a été généré par un codeur standard prédéfini selon l’invention. Par exemple, il s’agit d’un codeur JPEG ou HEVC, AVC, etc. Le train binaire peut avoir été enregistré dans la base de données, en lien avec la partition, et être accessible via un index, ou adresse. De manière connue, ce train binaire comprend sous forme codée des informations de syntaxe générales relatives à l’image ou séquence d’images considérée, puis pour chaque bloc (macrobloc ou unité de codage) de l’image ou de la séquence d’images :
Par exemple, une implantation d’ions Ge+ de 2*10 15 ions*cm -2 selon une énergie de 1 keV peut permettre d’obtenir une épaisseur amorphe entre 4 et 5 nm, tandis qu’une implantation d’ions Ge+ de 2*10 15 selon une énergie de 2.5 keV peut permettre d’obtenir une épaisseur amorphe entre 7 nm et 10 nm. Une implantation d’ions Ge+ de 2*10 15 selon une énergie de 3.5 keV peut permettre d’obtenir une épaisseur amorphe entre 10 et 12 nm.
Dans cet exemple de réalisation particulier, le support 100 sur lequel la couche semi-conductrice 120 est disposée peut être formé à partir d’une structure dotée d’un premier substrat 10 et d’une couche semi-conductrice 12 dans laquelle un ou plusieurs composants, en particulier des composants électroniques ont déjà été formés. Le premier substrat 10 peut être un substrat massif (« bulk » selon la terminologie anglo-saxonne) ou un substrat de type semi-conducteur sur isolant, en particulier SOI (pour « Silicon On Insulator » ou « silicium sur isolant ») sur lequel repose une couche semi-conductrice 12. Dans l’exemple de réalisation particulier illustré sur la , un ou plusieurs transistors T 1 d’un premier niveau N 1 de composants réalisés dans cette couche semi-conductrice 12, leur région de canal étant en particulier prévue dans cette couche. Les transistors T 1 sont ici recouverts d’un ou plusieurs étages d’interconnexions 25 métalliques formés dans une ou plusieurs couches isolantes, typiquement un empilement de couches isolantes, par exemple en SiO 2 .
L’amorphisation de la couche semi-conductrice 120 peut être éventuellement mise en œuvre avant une étape d’assemblage entre la structure illustrée sur la et un empilement ou un autre substrat comprenant la couche semi-conductrice 120. Le fait de prévoir une amorphisation de la couche semi-conductrice 120 avant l’assemblage permet notamment d’ajuster plus aisément les épaisseurs respectives de matériau cristallin C et de matériau amorphe A.
A partir de la structure de la , on forme ensuite un ou plusieurs transistors d’un niveau N 2 de composants au moins en partie dans la couche semi-conductrice 120. Il s’agit ainsi de réaliser un dispositif de type communément appelé « 3D » et qui comporte une superposition de plusieurs couches semi-conductrices dans chacune desquelles on forme un niveau de composant d’une superposition de composants.
Ainsi, dans une étape ultérieure à l’amorphisation d’une épaisseur de la couche semi-conductrice 120 ainsi qu’à l’éventuel assemblage de cette couche semi-conductrice 120 sur le substrat 10 doté de la couche semi-conductrice 12, on forme un empilement de grille sur la couche semi-conductrice 120.
Cet empilement comporte au moins une couche de diélectrique de grille, par exemple en SiO 2 ou en HfO 2 et une ou plusieurs couches de matériau de grille par exemple à base de polysilicium ou de TiN ou de W ou un empilement d’au moins plusieurs de ces matériaux. On définit alors ( ) dans cet empilement une zone 131 de diélectrique de grille surmontée d’un bloc 132 de grille.
De préférence, on privilégie un procédé à température inférieure à 500°C pour réaliser la grille. Dans ce cas et selon un exemple particulier de mise en œuvre, la zone 131 de diélectrique de grille peut être une zone d’oxyde de silicium obtenue par oxydation de silicium à l’aide d’un plasma à une température de l’ordre de 450°C. Le matériau de grille peut être quant à lui du TiN déposé à 350°C ou du Si dopé déposé à une température de l’ordre de 475°C et que l’on recristallise après par le biais d’un traitement de recuit par laser.
Puis ( ), on forme des espaceurs 137 de part et d’autre du bloc 132 de grille. Ces espaceurs 137 peuvent être par exemple à base de SiN ou de SiBCN ou de SiOCN. De préférence, là encore, on privilégie un procédé de réalisation à une température inférieure à 500°C. Pour cela on peut former par exemple les espaceurs 137 par dépôt de SiCO à une température par exemple de l’ordre 400°C.
On forme ensuite des régions dopées 125 dans la couche semi-conductrice 120, de part et d’autre d’une zone 120C de cette couche 120 qui est située en regard du bloc 132 de grille et prévue pour accueillir un canal de transistor. Ces régions dopées 125 sont typiquement réalisées par implantation de dopants dans la deuxième couche semi-conductrice 120.
Dans l’exemple de réalisation illustré sur la , les régions dopées 125 s’étendent dans la sous-couche supérieure 122 amorphe ainsi que dans la sous-couche inférieure 121 cristalline. Les conditions d’implantation peuvent être prévues par l’Homme du Métier avec un outil de simulation d’implantation, de type CTRIM ou KMC tel qu’évoqué précédemment.
De préférence, on privilégie un procédé d’implantation à une température inférieure à 500°C. Le procédé d’implantation est ici majoritairement réalisé à température ambiante.
Une fois l’implantation des dopants effectuée, on réalise au moins un traitement thermique de sorte à effectuer un recuit de recristallisation de la sous-couche 122 supérieure ( ). On se sert alors de la sous-couche 121 inférieure comme zone de départ d’un front de recristallisation, ce front de recristallisation étant dans cet exemple un front montant, c’est à dire s’éloignant de la couche isolante 101.
Un procédé de croissance épitaxiale en phase solide (SPER pour « Solid Phase Epitaxial Regrowth ») du matériau semi-conducteur amorphe en contact avec le matériau semi-conducteur cristallin est en particulier effectué à une température typiquement inférieure à 600°C, de préférence inférieure à 500°C et qui peut être comprise par exemple entre 450°C et 500°C. Concomitamment, le traitement thermique réalisé permet d’effectuer une activation des dopants. La vitesse du procédé de recristallisation SPER varie en fonction de la température, du matériau, des concentrations de dopants et type de dopants (espèces implantés). L’Homme du métier pourra établir les conditions de recristallisation à l’aide des mesures d’épaisseur recristallisées en fonction du temps de recuit, les épaisseurs étant mesurées par exemple par ellipsométrie. Les régions dopées 125 sont alors en matériau semi-conducteur cristallin C. On mutualise ainsi la recristallisation et l’activation des dopants tout en utilisant un budget thermique limité.
Dans un cas où la formation du support 100 a été effectuée par report et assemblage de la couche semi-conductrice 120 sur une structure doté d’une autre couche semi-conductrice 12, en mettant en particulier en œuvre un procédé de type smartcut TM , avec une étape de fracturation, le recuit thermique effectué par la technique de SPER précitée peut éventuellement permettre de réparer des défauts cristallins susceptibles d’avoir été générés dans la couche semi-conductrice 120 lors de cette fracturation.
Le procédé de réalisation du ou des transistors de niveau supérieur N 2 peut être ensuite poursuivi en effectuant une croissance de blocs semi-conducteurs 145 sur les régions 125 dopées et situées de part et d’autre du bloc 132 de grille sur la couche semi-conductrice 120. Une telle croissance peut être réalisée par épitaxie avec une étape de dopage in situ durant laquelle une croissance de matériau semi-conducteur et un dopage de ce matériau sont mutualisés.
On complète ainsi la formation de régions de source et de drain de transistor ( ).
Un but particulier de l’invention est de pouvoir compenser les déséquilibres tels que ceux décrits ci-dessus.
A cet effet, l’invention a pour objet une machine thermoacoustique, comprenant : – un guide d’onde destiné à recevoir un fluide de travail, – au moins deux sources acoustiques comprenant chacune un élément mobile apte à être déplacé de manière à propager de l’énergie acoustique dans le guide d’onde, et – au moins une cellule thermoacoustique comprenant un régénérateur disposé dans le guide d’onde et deux échangeurs de chaleur disposés de part et d’autre du régénérateur, chacun des échangeurs étant configuré pour réaliser un échange de chaleur entre le fluide de travail et un élément de transport de chaleur, la machine étant configurée pour pouvoir commander les sources acoustiques de manière à déplacer leur élément mobile respectif suivant une fonction périodique. Selon l’invention, la machine comprend : – un dispositif de mesure d’au moins un paramètre représentatif d’un déphasage réel entre les éléments mobiles des sources acoustiques, et – un dispositif de modulation configuré pour pouvoir modifier le déphasage entre les éléments mobiles des sources acoustiques en fonction de l’au moins un paramètre.
L’invention permet ainsi de moduler le déphasage des sources acoustiques en fonction du déphasage réel, mesuré lorsque la machine est en fonctionnement.
Il est ainsi possible de compenser des déséquilibres de la machine.
Cela permet aussi de contrôler le pilotage de la machine, notamment dans des phases transitoires, par exemple lors du démarrage de la machine.
De manière connue en soi, une telle machine permet de générer un cycle équivalent à un cycle de Stirling ou d’Ericsson au sein du régénérateur de l’au moins une cellule thermoacoustique.
A cet effet, les sources acoustiques peuvent être de toute nature leur permettant de propager de l’énergie acoustique dans le fluide de travail contenu dans le guide d’onde, sous l’action d’un déplacement de leur élément mobile suivant une fonction périodique, et autorisant une modification du déphasage de leur élément mobile, d’une source acoustique à l’autre.
Par exemple, les sources acoustiques peuvent être des moteurs linéaires ou rotatifs.
Dans une première variante de réalisation, le dispositif de modulation comprend un organe de commande électrique des sources acoustiques.
De préférence, cet organe de commande est configuré pour pouvoir modifier le déphasage d’une intensité et/ou d’une tension d’alimentation des sources acoustiques afin de modifier le déphasage entre leur élément mobile.
Bien entendu, l’organe de commande peut aussi être configuré pour pouvoir modifier d’autres paramètres tels que l’amplitude de l’intensité et/ou de la tension d’alimentation des sources acoustiques.
Dans une deuxième variante de réalisation, le dispositif de modulation comprend un organe configuré pour pouvoir modifier un volume du guide d’onde.
Cet organe peut comprendre un élément mobile apte à modifier le volume du guide d’onde. De manière non limitative, cet élément mobile peut être un piston ou un élément gonflable.
En particulier, dans le cadre de cette deuxième variante de réalisation, ledit organe du dispositif de modulation peut comprendre un circuit connu sous la dénomination anglo-saxonne « stub ».
Ces deux variantes de réalisation peuvent être mises en œuvre dans la même machine, laquelle peut ainsi comprendre à la fois un organe de commande des sources acoustiques et un organe de type « stub » ou analogue.
Concernant la mesure, plusieurs types de dispositifs peuvent être utilisés, seuls ou en combinaison.
Dispositif électronique et procédé de pilotage sans mode commun d’un convertisseur d’énergie électrique comportant deux éléments piézoélectriques, système électronique de conversion d’énergie électrique associé La présente invention concerne un dispositif électronique de pilotage d’un convertisseur d’énergie électrique apte à convertir une tension d’entrée en au moins une tension de sortie.
Le convertisseur comporte un premier pont de commutation comportant deux premières branches de commutation, chaque première branche de commutation étant connectée entre deux bornes d’application de la tension d’entrée et comportant au moins deux premiers interrupteurs connectés en série et reliés entre eux en un premier point milieu ; au moins un deuxième pont de commutation comportant deux deuxièmes branches de commutation, chaque deuxième branche de commutation étant connectée entre deux bornes de fourniture de la tension de sortie et comportant au moins deux deuxièmes interrupteurs connectés en série et reliés entre eux en un deuxième point milieu ; et au moins un couple de premier et deuxième ensembles piézoélectriques, chaque ensemble piézoélectrique comportant au moins un élément piézoélectrique et étant connecté entre des premier et deuxième points milieux respectifs, les points milieux entre lesquels sont connectés les ensembles piézoélectriques étant distincts d’un ensemble piézoélectrique à l’autre.
Le dispositif électronique de pilotage est configuré pour commander, lors d’un cycle respectif de résonance des ensembles piézoélectriques, une commutation de chacun des interrupteurs pour alterner des phases à tension sensiblement constante aux bornes des ensembles piézoélectriques et des phases à charge sensiblement constante aux bornes desdits ensembles piézoélectriques.
L’invention concerne également un système électronique de conversion d’énergie électrique comprenant un tel convertisseur d’énergie électrique et un dispositif électronique de pilotage dudit convertisseur.
L’invention concerne aussi un procédé de pilotage d’un tel convertisseur d’énergie électrique, le procédé étant mis en œuvre par un tel dispositif électronique de pilotage.
On connait des documents FR 3 086 471 A1 et FR 3 086 472 A1, ainsi que du manuscrit de thèse « Convertisseurs DC-DC piézoélectrique avec stockage provisoire d’énergie sous forme mécanique » de Benjamin POLLET, un convertisseur d’énergie électrique du type précité, visible sur la figure 20 des documents FR 3 086 471 A1 et FR 3 086 472 A1, et sur la .15 du manuscrit de thèse précité.
Comme indiqué dans le document FR 3 086 471 A1 ou encore dans le manuscrit de thèse, un avantage qu'il y a à utiliser deux éléments piézoélectriques est que la tension de sortie est ainsi isolée de la tension d’entrée, sans pour autant qu‘il soit nécessaire d’utiliser un transformateur.
L’isolation est capacitive et ne se fait donc pas avec un transformateur qui est source de pertes, mais par le fait que l’impédance du résonateur piézoélectrique est très élevée en basse fréquence et bloque toute propagation de la tension à basse fréquence de l’entrée vers la sortie, et inversement. En outre, la composante de mode commun d’entrée égale à la moitié de la somme des potentiels en les bornes d’application de la tension d’entrée ne se répercute pas sur la composante de mode commun de sortie égale à la moitié de la somme des potentiels en les bornes de fourniture de la tension de sortie et inversement. Les potentiels ou composantes de modes commun d’entrée et de sortie peuvent ainsi évoluer librement, en basse fréquence, l’un par rapport à l’autre. En effet, chaque élément piézoélectrique est modélisé sous forme d’un condensateur et d’une branche résonante connectée en parallèle du condensateur, la capacité dudit condensateur étant appelée capacité parallèle, ou encore capacité de référence, et notée C 0 . Un signal basse fréquence de type 50/60 Hz sera alors filtré par la haute impédance (par exemple 3,1 MΩ pour C 0 = 1 nF à 50 Hz) de chacune des capacités bloquées des deux résonateurs piézoélectriques créant ainsi une isolation entre les parties entrées et sortie du convertisseur.
Cet avantage est présent même par rapport à un transformateur piézoélectrique, dans lequel toute l’énergie apportée au primaire n'est pas complètement transmise au secondaire et le primaire doit par ailleurs mettre en mouvement une masse plus grande, à savoir celle du primaire plus celle du secondaire, ce qui engendre des pertes.
Toutefois, le fonctionnement d’un tel convertisseur n’est pas optimal autour de la fréquence de résonance des éléments piézoélectriques.
Le but de l’invention est alors de proposer un dispositif électronique, et un procédé associé, de pilotage d’un tel convertisseur d’énergie électrique offrant un pilotage amélioré du convertisseur, notamment une meilleure isolation.