INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
La méthode de test pour évaluer la toxicité d’un échantillon aqueux selon l’invention comprend les étapes suivantes : - une première étape dans chaque enceinte 6, consistant à ajouter plusieurs constituants : 2mL de boues « lavées », 128µL de solution nutritive, 200µL de tampon et 1,672mL d’échantillon d’eau usées ou d’eau distillée pour au moins une enceinte 6 dite « témoin » ; - une deuxième étape d’agitation et d’aération à l’aide du moyen d’agitation 18 et du moyen d’aération 30, pendant de préférence 3 heures, - une troisième étape où l’aération est arrêtée et l’agitation à une vitesse réduite est maintenue, et - une quatrième étape de suivi de consommation de l’oxygène durant 45min à l’aide du module de mesure 10, comprenant de préférence.
Le milieu réactionnel est tamponné (tampon TRIS à pH 7) afin d’éviter les modifications de pH induits par la solubilisation du dioxyde de carbone injecté à l’aide du capillaire d’aération 36 (la formation d’acide carbonique) dans le milieu réactionnel et susceptible d’induire des erreurs quant aux résultats fournis par le test.
L’ensemble du dispositif 2 est pilotable et ajustable permettant de modifier à la demande en direct ou de façon programmée certaines variables du test en fonction des besoins, telles que la vitesse d’agitation, le flux d’aération, etc.
La mise en œuvre du dispositif 2 et donc l’application de la méthode de test conformément à l’invention, nécessite une étape préliminaire de préparation de l’échantillon aqueux. En effet, des échantillons de boues activées subissent un traitement. La boue activée consiste en la mise en contact de l’eau à épurer avec une biomasse de micro-organisme. L’étape préliminaire consiste en la préparation en amont des boues activées qui doivent être lavées par centrifugation, le surnageant récolté est extrait et remplacé par une solution aqueuse de salinité adaptée à l’inoculum ou à la biomasse comprise dans l’échantillon, enfin les boues doivent être ajustée à la concentration souhaitée, par exemple pour le test spécifique OCDE 209 la concentration doit être de 3g/L. Pour ajuster la concentration, une solution tampon concentrée à un pH de 7 est préparée (Tris HCl et Trizma Base, X200). Une solution nutritive est également préparée pour répondre aux exigences de la norme OCDE 209. Les éléments sont ajoutés par tranche de 2mL de boues activée lavées, 128µL de solution nutritive, 200µL de tampon pH7 et 1,672mL de solution à analyser. Une fois, les échantillons aqueux prêts, le test peut être lancé pour 3 heures d’agitation et d’aération à environ 800mBar. A la fin de cette période de 3 heures d’exposition, l’aération est stoppée afin de permettre le suivi de la cinétique respiratoire des microorganismes au moyen des patchs positionnés au fond de chaque enceinte 6. Cette phase de mesure s’étend sur une période d’environ 45min. Tel que visible sur la , les résultats obtenus avec le dispositif 2, suite à sa mise en œuvre, ont été confrontés avec ceux obtenus par la méthode conventionnelle de l’art antérieur (tel que représenté dans la ). Dans le cas par exemple du PCP, molécule utilisée pour ce test, il apparait que les valeurs obtenues à l’aide du dispositif 2 selon l’invention sont similaires aux résultats obtenus avec les conditions du test OCDE 209 de l’art antérieur. Néanmoins, l’invention propose avantageusement un gain de temps et d’espace incomparable par rapport aux conditions du test OCDE 209 de l’art antérieur. De plus à titre d’exemple, les concentrations effectrices médianes (EC50) entre les deux méthodes sont très similaires et acceptables industriellement avec une variabilité d’environ 6%, c’est-à-dire en dessous de la variabilité attendue pour le test de l’art antérieur en termes de reproductibilité qui présente au minimum une variabilité de 20%.
De plus, on notera qu’avantageusement la méthode innovante de la présente invention offre une meilleure répétabilité des résultats au vu des écarts-types bien moins importants que pour la méthode conventionnelle.
Ce dispositif selon l’invention représente dès lors le seul moyen connu à ce jour pour évaluer la toxicité d’un effluent selon le standard OCDE 209 sur les microorganismes de station d’épuration avec une vélocité et une mise œuvre remarquable par rapport à l’art antérieur.
Ligne de vide et installation comportant la ligne de vide Domaine technique de l’invention La présente invention se rapporte à une ligne de vide et à une installation comportant la ligne de vide.
Arrière-plan technique Dans l’industrie de fabrication du semi-conducteur, des écrans plats ou du photovoltaïque, les procédés de fabrication utilisent des gaz qui, après leur passage dans les pompes à vide primaires, sont généralement éliminés par des dispositifs de traitement de gaz.
Dans cette variante, dans chaque pixel, la connexion électrique entre la puce élémentaire 153 et l'électrode inférieure E1 de la photodiode PD du pixel est réalisée par l'intermédiaire d'une borne métallique de connexion 143' de la puce élémentaire, située en face supérieure de la puce élémentaire. La borne de connexion 143' affleure au niveau de la face supérieure de la couche de planarisation 170. La borne de connexion 143' est en contact, par sa face supérieure, avec la face inférieure de l'électrode E1. Ainsi, le via conducteur 301 et la région métallique de contact CT de l'exemple des figures 3A à 3F peuvent être omis.
Les figures 5A et 5B sont des vues de dessus et en coupe illustrant des étapes d'un autre exemple d'un procédé de fabrication d'un dispositif d'imagerie à rayons X selon un mode de réalisation.
La est une vue en coupe du dispositif selon la ligne de coupe A-A de la .
Le procédé des figures 5A et 5B présente des étapes identiques ou similaires aux étapes du procédé des figures 1A à 1I. Ces étapes ne seront pas détaillées à nouveau ci-après et seules les différences par rapport au procédé des figures 1A à 1I seront mises en exergue.
L'exemple des et 5B diffère de l'exemple des figures 1A à 1I principalement en ce que, dans l'exemple des figures 5A et 5B, dans chaque pixel, chaque puce élémentaire 153 rapportée sur le substrat de report comprend non seulement un circuit intégré de contrôle et de lecture de la photodiode PD du pixel, mais aussi une diode électroluminescente (LED) inorganique, et un circuit intégré de contrôle de la LED.
L'intégration d'une LED dans la puce élémentaire 153 permet avantageusement de mettre en oeuvre, entre deux phases d'acquisition d'une image, une étape de réinitialisation des photodiodes PD par application d'un flash lumineux sur les photodiodes PD.
Les puces élémentaires 153 sont des puces de pixel monolithiques, par exemple du type décrit dans les demandes de brevet WO2017089676, EP3401958 et WO2018185433 précédemment déposées. Chaque puce comporte une LED 501 et un circuit élémentaire de contrôle 503 accolé et connecté électriquement à la LED. Le circuit de contrôle 503 est par exemple réalisé en technologie CMOS. Le circuit 503 comprend par exemple un circuit de contrôle et de lecture de la photodiode PD du pixel, et un circuit de commande de la LED.
Dans l'exemple représenté, la LED 501 est recouverte, du côté de sa face supérieure, par une couche opaque ou réfléchissante 505, par exemple en métal. La couche 505 permet d'orienter la lumière émise par la LED en direction de la photodiode PD du pixel. La couche 505 forme par exemple l'électrode supérieure de la LED 501.
Dans l'exemple des figures 5A et 5B, la couche de planarisation 170 ( ) est en un matériau transparent.
Pour permettre de lire les photodiodes PD des pixels et de commander les LED 501 des pixels en émission, le substrat de report 100 de l'exemple des figures 5A et 5B comprend un nombre de piste conductrices et de métallisations de connexion supérieur à celui de l'exemple des figures 1A à 1I. De plus, les puces élémentaires 153 comportent un nombre de bornes de connexion supérieur à ce qui a été décrit précédemment.
Dans l'exemple représenté, chaque puce élémentaire comprend six bornes de connexion destinées à être connectées respectivement à six plots métalliques de connexion P1, P2, P3, P4, P5, P6 du substrat de report 100.
A titre d'exemple, le niveau M1 comprend, pour chaque colonne de pixels du dispositif d'imagerie, trois pistes conductrices de colonne C1, C2, C3 destinées à véhiculer respectivement un signal VX représentatif de l'intensité lumineuse reçue par les photodiodes des pixels de la colonne correspondante, un signal DATA de commande des LED des pixels de la colonne correspondante, et un signal VDD d'alimentation des LED des pixels de la colonne correspondante. Dans cet exemple, le niveau M2 comprend, pour chaque ligne de pixels du dispositif d'imagerie, deux pistes conductrices de ligne L1 et L2 destinées à véhiculer respectivement un signal SELPD de sélection des photodiodes des pixels de la ligne correspondante, et un signal SELLED de sélection des LED des pixels de la ligne correspondante.
Les plots métalliques P1, P2, P3, P4, P5, P6 sont formés sur des zones conductrices du niveau métallique M2 et sont destinés à recevoir respectivement six plots de connexion distincts de la puce élémentaire du pixel. Les plots P1, P2, P3, P4, P5, P6 sont connectés respectivement à la piste conductrice L1 de la ligne de pixels correspondante, à la piste conductrice L2 de la ligne de pixels correspondante, à l'électrode E1 de la photodiode PD du pixel correspondant, à la piste conductrice C3 de la colonne de pixels correspondante, à la piste conductrice C4 de la colonne de pixels correspondante, et à la piste conductrice C5 de la colonne de pixels correspondante.
Dans l'exemple des figures 5A et 5B, de façon similaire à ce qui a été décrit ci-avant en relation avec les figures 1A à 1I, les puces élémentaires 153 sont fixées et connectées électriquement au substrat de report 100 avant la formation des photodiodes PD des pixels.
- un substrat en verre,
- un empilement de couches déposé sur ledit substrat,
- ledit empilement comprenant au moins une couche fonctionnelle absorbant et/ou réfléchissant une partie du rayonnement solaire et
- une couche de revêtement dudit empilement,
dans lequel ladite couche de revêtement est une couche d’oxyde comprenant de l’yttrium, et au moins un élément choisi parmi l’hafnium et le titane.
La couche de revêtement est donc constituée d'une couche d’oxyde diélectrique comprenant de l’yttrium Y et au moins un élément choisi parmi le titane Ti ou l’Hafnium Hf. Au sens de la présente invention, lesdits éléments (Y et Hf et/ou Ti) sont donc présents dans la couche autrement que sous forme d’impuretés inévitables.
Par opposition aux couches fonctionnelles également présentes dans les présents empilements, l'expression "couche diélectrique" désigne par exemple une couche qui ne présente pas un caractère métallique. Cette expression désigne notamment une couche constituée d'un matériau ayant un rapport n/k (n = indice de réfraction ; k = coefficient d'extinction) sur toute la plage visible (de 380 nm à 780 nm) qui est égal ou supérieur à 5. De tels matériaux, dans leur forme massive et dénuée d’impuretés présente ainsi une forte résistivité, notamment une résistivité supérieure à 10 10 ohms.mètres (Ω.m) à 25°C.
Selon d’autres modes encore de réalisations avantageux de la présente invention, qui peuvent le cas échéant être combinées entre eux :
Ladite couche de revêtement comprenant au moins 10 % atomique d'yttrium, sur la base de l’ensemble des atomes d’yttrium, de titane et d’hafnium présents dans ladite couche, de préférence entre 20 et 55% atomique d’yttrium ou même entre 33% et 49% d’yttrium sur la base de l’ensemble des atomes d’yttrium, de titane et d’hafnium présents dans ladite couche. La couche de revêtement comprend au 25% atomique d’au moins un élément choisi parmi l’hafnium et le titane, sur la base de l’ensemble des atomes d’yttrium, de titane et d’hafnium présents dans ladite couche, de préférence plus de 50% atomique d’au moins un élément choisi parmi l’hafnium et le titane, notamment entre 51 et 90% atomique d’au moins un élément choisi parmi l’hafnium et le titane, sur la base de l’ensemble des atomes d’yttrium, de titane et d’hafnium présents dans ladite couche. Le ratio atomique (Hf+Ti)/Y dans ladite couche de revêtement est supérieur à 1. La couche fonctionnelle comprend un matériau choisi parmi le niobium métallique, le nitrure de niobium, le nitrure de titane ou l’oxyde de titane, l’ITO (oxyde d’étain et d’indium), une couche comprenant du chrome, en particulier un alliage de nickel et de chrome éventuellement nitruré (souvent appelée NiCr ou NiCrN dans le domaine technique) ou une couche constituée essentiellement de chrome. La couche de revêtement comprend moins de 5% atomique de zirconium, de préférence moins de 1% atomique de zirconium, sur la base de l’ensemble des atomes d’yttrium, de titane, de zirconium et d’hafnium présents dans ladite couche, et de préférence encore est exempte de zirconium. La couche de revêtement est un oxyde d’yttrium et de titane (aux impuretés inévitables près). La couche de revêtement est un oxyde d’yttrium et d’hafnium (aux impuretés inévitables près). La couche de revêtement est un oxyde d’yttrium, de titane et d’hafnium (aux impuretés inévitables près). La couche de revêtement a une épaisseur comprise entre 1 et 100 nm, de préférence comprise entre 1 et 20 nm et de manière très préférée comprise entre 2 et 10 nm, voire entre 3 et 8 nm. La couche de revêtement constitue la couche la plus externe de la succession de couches recouvrant la surface de verre. la ou les couches fonctionnelle(s) présente(nt) (chacune) une épaisseur physique comprise entre 2 et 50 nm, de préférence entre 5 et 30 nm. L’empilement comprend, au-dessus et/ou en dessous de la couche ou des couches fonctionnelles des couches à base de nitrure de silicium, présentant de préférence une épaisseur physique comprise entre 1 et 100 nm, de préférence encore entre 5 et 50 nm. L’empilement est constitué uniquement de la ou les couches fonctionnelles et de couches diélectriques, lesdits couches diélectriques étant de préférence choisies parmi les oxydes de silicium, de titane, de zirconium ou leurs mélanges, d’étain ou les nitrures de silicium, d’aluminium ou d’un mélange de silicium et d’aluminium. L’empilement fonctionnel comprend ou est constitué par la succession d’au moins les couches suivantes, à partir de la surface du substrat verrier :
- une sous-couche comprenant du nitrure de silicium, de préférence d’épaisseur comprise entre 1 nm et 100 nm,
- une couche fonctionnelle de préférence d’épaisseur physique comprise entre 2 et 50 nm, de préférence entre 5 et 30 nm, la couche fonctionnelle comprenant un matériau choisi parmi le niobium métallique, le nitrure de niobium, le nitrure de titane ou l’oxyde de titane, un alliage d’au moins les éléments Ni et Cr, éventuellement nitruré,
- une surcouche comprenant du nitrure de silicium, de préférence d’épaisseur comprise entre 1 nm et 100 nm,
- éventuellement une couche de protection contre les rayures, de préférence choisi parmi les oxyde de Ti et/ou Zr, de préférence d’épaisseur comprise entre 1 nm et 10 nm.
L’empilement ne comprend pas de couches à base d’argent, d’or, de platine ou de cuivre. Ledit article est trempé.
La couche de revêtement tel que précédemment décrite, peut, selon un autre mode de réalisation, comprendre éventuellement un autre élément minoritaire autre que O, Y, Hf et Ti, généralement dans une proportion comprise entre 0,5 et 10 % de l’ensemble des éléments présents dans la couche autre que l’oxygène, par exemple en une quantité comprise entre 1 et 5% de l’ensemble des éléments présents dans la couche autre que l’oxygène. Le dopant peut notamment être choisi parmi les métaux de transition et les lanthanides.
Dans une réalisation particulière cependant, la couche de revêtement est exempte de zirconium, ou comprend une quantité négligeable de zirconium, telle que moins de 1% atomique de zirconium.
En outre, dans le passe-fil 10A selon le présent mode de réalisation, une rainure 27 s’étendant dans la direction radiale du corps de passe-fil 11A est prévue dans la surface latérale sans butée 15d à proximité du bord périphérique externe 15a dans la partie d'isolation acoustique 15. Dans le présent mode de réalisation, on prévoit une pluralité de rainures 27 à intervalles dans la direction circonférentielle du corps de passe-fil 11A par rapport au bord périphérique externe 15a de la partie d'isolation acoustique 15 prévu avec la partie de fermeture 26. De plus, les rainures 27 peuvent être prévues dans les parties de crête des plis 23 dans la partie d'isolation acoustique 15. Le passe-fil 10A selon le présent mode de réalisation, permet d’améliorer la flexibilité de la partie d'isolation acoustique 15 en forme de parapluie en prévoyant les rainures 27 dans la surface latérale sans butée 15d de la partie d'isolation acoustique 15, minimisant ainsi l’espace qui peut se produire entre le panneau de carrosserie de véhicule 1 et le passe-fil 10A.
En outre, dans le passe-fil 10A selon le présent mode de réalisation, une nervure 28 s’étendant le long de la direction radiale du corps de passe-fil 11A est prévue sur la surface latérale sans butée 15d de la partie d'isolation acoustique 15. Dans le présent mode de réalisation, une pluralité de nervures 28 sont prévues sur la surface latérale sans butée 15d de la partie d'isolation acoustique 15 à intervalles dans la direction circonférentielle du corps de passe-fil 11A. De plus, les nervures 28 peuvent être prévues dans les parties de crête des plis 23 dans la partie d'isolation acoustique 15. Le passe-fil 10A selon le présent mode de réalisation permet d’augmenter la rigidité de la partie d'isolation acoustique 15 en forme de parapluie en prévoyant les nervures 28 sur la surface latérale sans butée 15d de la partie d'isolation acoustique 15, supprimant ainsi le fait que la partie d'isolation acoustique 15 est évidée vers le côté du trou débouchant 2 lorsque la partie d'isolation acoustique 15 est expansée.
En outre, dans le passe-fil 10A selon le présent mode de réalisation, la partie de repli 22 comprend une première rainure de repli 24 formée le long de la direction circonférentielle dans la surface latérale de butée 15b de la partie d'isolation acoustique 15 et une seconde rainure de repli 29 formée le long de la direction circonférentielle dans la surface latérale sans butée 15d de la partie d'isolation acoustique 15. C'est-à-dire que la première rainure de repli 24 est prévue dans la surface latérale de butée 15b de la partie d'isolation acoustique 15 afin de rendre une partie de la surface latérale de butée 15b de la partie d'isolation acoustique 15 fine et de faciliter son repli dans une direction vers la surface de bord périphérique du trou débouchant 2. Pendant ce temps, la seconde rainure de repli 29 est prévue dans la surface latérale sans butée 15d de la partie d'isolation acoustique 15 afin de rendre une partie de la surface latérale sans butée 15d de la partie d'isolation acoustique 15 fine et faciliter son repli dans une direction vers la surface de bord périphérique du trou débouchant 2. Le passe-fil 10A selon le présent mode de réalisation permet de fixer le point de base lorsque la partie d'isolation acoustique 15 est repliée parce que la partie de repli 22 comprend la première rainure de repli 24 du côté de la surface latérale de butée 15b de la partie d'isolation acoustique 15 et la seconde rainure de repli 29 du côté de la surface latérale sans butée 15d de la partie d'isolation acoustique 15.
Comme illustré sur la , les nervures 36 sont prévues sur la paroi périphérique externe 32a dans un corps principal 32A du dispositif de protection interne 30A afin de supprimer le fait de fixer le dispositif de protection interne 30A au corps de passe-fil 11A dans un état incliné. Dans le passe-fil 10A selon le présent mode de réalisation, des paires de nervures 36 et 36 prévues avec un crochet de verrou 41 entre elles, sont formées sur la paroi périphérique externe 32a du corps principal 32A du dispositif de protection interne 30A, et les nervures 36 qui sont prévues dans une position intermédiaire entre les crochets de verrou 41 adjacents entre eux dans la direction circonférentielle sont également formées sur la paroi périphérique externe 32a du corps principal 32A du dispositif de protection interne 30A. Le passe-fil 10A selon le présent mode de réalisation permet de réduire la charge qui est générée lorsque la surface périphérique interne du trou débouchant 2 vient en butée sur les nervures 36 et est appliquée sur les crochets de verrou 41, parce que le dispositif de protection interne 30A a les nervures 36 pour supprimer l’inclinaison.
En outre, la partie tubulaire de grand diamètre 12 du corps de passe-fil 11A et le corps principal 32A du dispositif de protection interne 30A sont respectivement prévus avec des saillies de positionnement 18a et 37, qui suppriment la fixation du dispositif de protection interne 30A sur le corps de passe-fil 11A dans une orientation incorrecte. Dans le passe-fil 10A selon le présent mode de réalisation, la saillie de positionnement 37 du côté du dispositif de protection interne 30A est formée dans une forme semicirculaire et prévue sur la surface supérieure de la pointe de la partie convexe 33a. En même temps, la saillie de positionnement 18a du côté du corps de passe-fil 11A est formée selon une forme semicirculaire et prévue à proximité de l’évidement 18 dans la partie tubulaire de grand diamètre 12 du corps de passe-fil 11A. Dans le passe-fil 10A selon le présent mode de réalisation, le corps de passe-fil 11A et le dispositif de protection interne 30A comprennent respectivement la saillie de positionnement 18a et la saillie de positionnement 37 qui sont configurées pour supprimer la fixation incorrecte. Cette configuration permet de supprimer le fait que le dispositif de protection interne 30A soit fixé au corps de passe-fil 11A dans un état dans lequel le dispositif de protection interne 30A est incorrectement orienté par rapport à la direction de longueur (direction verticale) du corps de passe-fil 11A. De plus, en confirmant visuellement que la saillie de positionnement 37 du côté du dispositif de protection interne 30A vient en butée contre la saillie de positionnement 18a du côté du corps de passe-fil 11A, il est possible de supprimer la fixation incorrecte du dispositif de protection interne 30A.
Comme dans le cas du passe-fil 10 décrit ci-dessus, le passe-fil 10A illustré sur les figures 6 à 10, permet de supprimer l’interférence avec le panneau de carrosserie de véhicule 1, lorsque le passe-fil 10A est fixé au bord périphérique du trou débouchant 2, améliorant ainsi l’usinabilité lorsque le passe-fil 10A est fixé au bord périphérique du trou débouchant 2.
[Troisième mode de réalisation] On décrit ensuite un passe-fil 10B selon le troisième mode de réalisation. Il faut noter que les composants sensiblement identiques à ceux du passe-fil 10 et du passe-fil 10A décrits ci-dessus sont désignés par les mêmes numéros de référence, et leur description est omise.
La est une vue en perspective du passe-fil 10B selon le troisième mode de réalisation, et la est une vue en coupe du passe-fil 10B selon le troisième mode de réalisation. En outre, la est une vue en perspective illustrant un état dans lequel une partie d'isolation acoustique 15 en forme de parapluie dans le troisième mode de réalisation est contractée depuis un état expansé, et la est une vue en coupe illustrant un état dans lequel la partie d'isolation acoustique 15 en forme de parapluie dans le troisième mode de réalisation est contractée depuis un état expansé.
Comme illustré sur les figures 11 à 14, le passe-fil 10B selon le présent mode de réalisation ne comprend pas de dispositif de protection interne, et le corps de passe-fil 11B est fixé directement au bord périphérique du trou débouchant 2. Une paroi annulaire 12b est formée le long de la direction circonférentielle du corps de passe-fil 11B sur la partie périphérique externe de la partie tubulaire de grand diamètre 12 du corps de passe-fil 11B.