INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Les dimensions indiquées ou illustrées peuvent ne pas être à l’échelle et ne correspondent qu'à un modèle d’embrayage développé par la demanderesse. On adaptera autant que de besoin le double volant amortisseur à d'autres diamètres nominaux et à d'autres épaisseurs ou longueurs de ses moyens d’étanchéité et de frottement.
Dispositif d’amortissement d’oscillations de torsion La présente invention concerne un dispositif d’amortissement d’oscillation de torsion notamment apte à être intégré dans une chaine de transmission d’un véhicule.
Les véhicules motorisés comportent généralement de tels dispositifs d’amortissement d’oscillation de torsion pour filtrer des acyclismes du moteur et permettre une transmission sans à-coups. Ce filtrage est typiquement réalisé par un amortisseur d’oscillation de torsion comprenant ou plusieurs ensembles ressorts-amortisseurs travaillant en torsion et permettant, au cours de la transmission du couple, un mouvement de rotation relative d’un premier élément tournant, couplé avec un élément menant de la chaîne de transmission en amont du dispositif d’amortissement, par rapport à un deuxième élément tournant, couplé avec un élément mené de la chaîne de transmission en aval du dispositif d’amortissement.
Dans un mode de réalisation avantageux de l’invention, ledit matériau comprend de 5% à 30% en masse environ de TiO 2 , et de préférence de 7% à 25% en masse environ de TiO 2 , par rapport à la masse totale de matériau (i.e. SiO 2 + TiO 2 ).
Le dioxyde de titane (TiO 2 ) des nanoparticules du matériau de l’invention comprend de préférence au moins 60 % en masse environ de dioxyde de titane sous forme anatase, et de façon particulièrement préférée au moins 80% en masse environ de dioxyde de titane sous forme anatase, par rapport à la masse totale de dioxyde de titane. Cela permet ainsi d’améliorer les performances photocatalytiques du matériau obtenu.
Le dioxyde de titane (TiO 2 ) des nanoparticules du matériau de l’invention comprend de préférence au plus 40 % en masse environ de dioxyde de titane sous forme rutile, et de façon particulièrement préférée au plus 20% en masse environ de dioxyde de titane sous forme rutile, par rapport à la masse totale de dioxyde de titane.
Ledit matériau est de préférence constitué d’une matrice d’oxyde de silicium, et des nanoparticules de TiO 2
Selon un mode de réalisation préféré de l’invention, le matériau possède un rapport molaire Ti/Si allant de 0,08 à 0,8) environ, et de façon particulièrement préférée de 0,09 à 0,65 environ.
Ce rapport molaire peut être déterminé par analyse élémentaire ICP (technique analytique à plasma à couplage inductif).
Conformément à l’invention, le matériau est un monolithe poreux à porosité à multi-échelle, i.e. comprenant des macropores (celles-ci provenant de la phase huileuse et de l’élimination de celle-ci), des mésopores (celles-ci provenant des systèmes micellaires ou lyotropes), et des micropores (celles-ci provenant de la répartition statistique des tétraèdres SiO 4 dans l'espace géométrique), lesdits pores étant interconnectés.
Les macropores (taille supérieure à 50 nm) peuvent être identifiés par microscopie électronique à balayage (MET) et leurs fenêtres de jonctions quantifiées par des mesures d'intrusion mercure. La mise en œuvre de la technique d'intrusion de mercure montre la bonne tenue mécanique des matériaux obtenus, qui résistent aux pressions de mercure auxquelles ils sont soumis lors des mesures.
La mésoporosité (taille allant de 2 à 50 nm) peut être identifiée par microscopie électronique à transmission (MET). La texture vermiculaire de la mésoporosité peut être identifiée par diffraction des RX aux petits angles, cette technique servant également à quantifier la distance de pore à pore (ou mur à mur). La mésoporosité et la microporosité peuvent être quantifiées et ségrégées par une technique d'adsorption-désorption d'azote dont le dépouillement se fait par la méthode de calcul BET (modèle de Brunauer, Emmett et Teller ou méthode BET) globalisant mésoporosité et microporosité (S. Brunauer, P. H. Emmet, E. Teller, Journal of the American Chemical Society, 1938, 60, 2, 309-319) ; et par la méthode de calcul B.J.H (Barrett, Joyner et Halenda, Journal of the American Chemical Society, 1951, 73, 373-380), selon laquelle la ségrégation entre microporosité et mésoporosité devient effective, la méthode BJH ne considérant que les pores supérieurs à 1,5 angströms.
Dans un mode de réalisation avantageux de l’invention, le matériau comprend des macropores ayant une dimension moyenne dA de 4 à 100 µm environ, des mésopores ayant une dimension moyenne dE de 30 à 60 Å environ, et des micropores ayant une dimension moyenne dI inférieure à 20 Å environ, lesdits pores étant interconnectés.
Dans un mode de réalisation avantageux de l’invention, le matériau présente une surface spécifique allant de 500 à 1200 m 2 /g, de préférence allant de 550 à 1100 m 2 /g environ, et de façon particulièrement préférée allant de 600 à 1040 m 2 /g environ. Cela permet ainsi de garantir une certaine mésoporosité et de favoriser un temps de rétention suffisant du gaz à décontaminer au sein du matériau lors de la photocatalyse.
Dans la présente invention, la surface spécifique est déterminée par des méthodes bien connues de l’homme du métier, et en particulier par la méthode BET, de préférence en utilisant du diazote comme gaz.
Le matériau présente de préférence une densité de squelette d’au moins 1 g/cm 3 environ, de façon particulièrement préférée allant de 1,5 à 4,0 g/cm 3 environ, et de façon plus particulièrement préférée allant de 2,0 à 3,5 g/cm 3 environ. Cela permet ainsi de favoriser la propagation des photons au sein du matériau et ainsi ses propriétés photoniques lors de la catalyse.
Dans la présente invention, la densité du squelette est déterminée par des méthodes bien connues de l’homme du métier, et en particulier par pycnométrie à l’hélium, par exemple à l’aide d’un appareil vendu sous la dénomination commerciale Micromeritics AccuPy 1330.
Le matériau présente de préférence une densité apparente d’au moins 0,06 g/cm 3 environ, de façon particulièrement préférée allant de 0,07 à 0,20 g/cm 3 environ, et de façon plus particulièrement préférée allant de 0,07 à 0,15 g/cm 3 environ. Cela permet ainsi de garantir une certaine macroporosité et de limiter la perte de charge lors de la catalyse.
Dans la présente invention, la densité apparente est déterminée par des méthodes bien connues de l’homme du métier, et en particulier par mesures d'intrusion de mercure à température ambiante, par exemple à l'aide d'un appareil commercialisé sous la dénomination Micromeritics Autopore IV.
L’armature de carcasse d’un pneumatique radial pour véhicule lourd de type génie civil, comprend habituellement au moins une couche de carcasse comprenant des renforts généralement métalliques, enrobés par un matériau polymérique de type élastomère ou élastomérique, obtenu par mélangeage et appelé mélange de calandrage ou encore gomme de calandrage. Une couche de carcasse comprend une partie principale, reliant les deux bourrelets entre eux et s’enroulant généralement, dans chaque bourrelet, de l’intérieur vers l’extérieur du pneumatique autour d’un élément de renforcement circonférentiel le plus souvent métallique appelé tringle, pour former un retournement. Les renforts métalliques d’une couche de carcasse sont sensiblement parallèles entre eux et forment, avec la direction circonférentielle, un angle compris entre 80° et 90°.
L’armature de sommet d’un pneumatique radial pour véhicule de type génie civil, comprend une superposition de couches de sommet s’étendant circonférentiellement, radialement à l’extérieur de l’armature de carcasse. Chaque couche de sommet est constituée de renforts généralement métalliques, parallèles entre eux et enrobés par un matériau polymérique de type élastomère ou mélange (ou gomme) d’enrobage.
Parmi les couches de sommet, on distingue usuellement les couches de protection, constitutives de l’armature de protection et radialement les plus à l’extérieur, et les couches de travail, constitutives de l’armature de travail et radialement comprises entre l’armature de protection et l’armature de carcasse.
L’armature de protection, comprenant au moins une couche de protection, protège essentiellement les couches de travail des agressions mécaniques ou physico-chimiques, susceptibles de se propager à travers la bande de roulement radialement vers l’intérieur du pneumatique.
L’armature de protection comprend souvent deux couches de protection, radialement superposées, formées de renforts métalliques élastiques, parallèles entre eux dans chaque couche et croisés d’une couche à la suivante, en formant, avec la direction circonférentielle, des angles au moins égaux à 10°.
L’armature de travail, comprenant souvent au moins deux couches de travail, a pour fonction de ceinturer le pneumatique et de lui conférer de la rigidité et de la tenue de route. Elle reprend à la fois des sollicitations mécaniques de gonflage, générées par la pression de gonflage du pneumatique et transmises par l’armature de carcasse, et des sollicitations mécaniques de roulage, générées par le roulage du pneumatique sur un sol et transmises par la bande roulement. Un problème récurrent dans les sommets de pneumatiques est la fissuration due aux cisaillements, liés au roulage, des mélanges caoutchouteux, mélanges d’enrobage des couches de sommet ou autres mélanges, à l’extrémité des couches de sommet. Ces fissures impactent l’endurance du pneumatique et diminuent sa durée de vie. Une solution classique pour éviter cette fissuration est de découpler les couches de sommet, notamment les couches de travail à leurs extrémités axiales comme le montrent les figures 1 à 3 du document EP3297851. L’armature de sommet doit en outre résister aux chocs et perforations, grâce à sa conception intrinsèque, notamment à sa souplesse et, en particulier, à celle de l’armature de protection. Par ailleurs le pneumatique doit avoir une flexion sur chant, ou rigidité de dérive sous effort transverse de manière à assurer un comportement du véhicule correct en route virageuse.
L’armature de travail comprend usuellement deux couches de travail, radialement superposées, formées de renforts métalliques non extensibles, parallèles entre eux dans chaque couche et croisés d’une couche à la suivante, en formant, avec la direction circonférentielle, des angles au plus égaux à 50°, et, de préférence, au moins égaux à 15° et au plus égaux à 45°. Le bicouche, constitué par ces deux couches de travail, assure généralement un niveau de flexion sur chant suffisant pour un comportement acceptable du véhicule.
L’armature de sommet comprend parfois une couche de triangulation radialement intérieure aux couches de travail formées de renforts métalliques non extensibles, parallèles entre eux, formant, avec la direction circonférentielle, des angles au moins égaux à 50°. Cette couche de triangulation a pour fonction d’éviter que les renforts métalliques de la couche de carcasse passent en compression lors du roulage.
Pour diminuer les sollicitations mécaniques de gonflage transmises à l’armature de travail, il est connu de disposer, radialement à l’extérieur de l’armature de carcasse, une armature de frettage. L’armature de frettage, dont la fonction est de reprendre au moins en partie les sollicitations mécaniques de gonflage, améliore l’endurance de l’armature de sommet par une rigidification de l’armature de sommet. L’armature de frettage peut être positionnée radialement à l’intérieur de l’armature de travail, entre les deux couches de travail de l’armature de travail, ou radialement à l’extérieur de l’armature de travail.
Dans les applications de type génie Civil, l’armature de frettage peut comprendre deux couches de frettage, radialement superposées, formées de renforts métalliques, parallèles entre eux dans chaque couche et croisés d’une couche à la suivante, en formant, avec la direction circonférentielle, des angles au plus égaux à 10°. Un autre mode de réalisation de l’armature de frettage consiste en un enroulement circonférentiel d’un fil de frettage ou d’une bande de frettage continue en formant, avec la direction circonférentielle, des angles au plus égaux à 5°.
En ce qui concerne les renforts métalliques, un renfort métallique est caractérisé mécaniquement par une courbe représentant la force de traction (en N), appliquée au renfort métallique, en fonction de son allongement relatif (en %), dite courbe force-allongement. De cette courbe force-allongement sont déduites des caractéristiques mécaniques en traction du renfort métallique, telles que l’allongement structural As (en %), l’allongement total à la rupture At (en %), la force à la rupture Fm (charge maximale en N) et la résistance à la rupture Rm (en MPa), ces caractéristiques étant mesurées selon la norme ASTM D 2969-04 de 2014.
L'allongement total At du renfort métallique est, par définition, la somme de ses allongements structural, élastique et plastique (At = As + Ae + Ap) et particulièrement à la rupture où chacun des allongements est non nul. L’allongement structural As résulte du positionnement relatif des fils métalliques constitutifs du renfort métallique sous un faible effort de traction. L’allongement élastique Ae résulte entre autre de l’élasticité même du métal des fils métalliques, constituant le renfort métallique, pris individuellement, le comportement du métal suivant une loi de Hooke. L’allongement plastique Ap résulte de la plasticité, c’est-à-dire de la déformation irréversible, au-delà de la limite d’élasticité, du métal de ces fils métalliques pris individuellement. Ces différents allongements ainsi que leurs significations respectives, bien connus de l’homme du métier, sont décrits, par exemple, dans les documents US5843583, WO2005/014925 et WO2007/090603.
On définit également, en tout point de la courbe force-allongement d’un renfort métallique, un module en extension, exprimé en GPa, qui représente la pente de la droite tangente à la courbe force-allongement en ce point. En particulier, on appelle module élastique en extension ou module d’Young, le module en extension de la partie linéaire élastique de la courbe force-allongement.
Parmi les renforts métalliques, on distingue usuellement les renforts métalliques élastiques, tels que ceux utilisés dans les couches de protection, et les renforts métalliques non extensibles ou inextensibles, tels que ceux utilisés dans les couches de travail.
Un renfort métallique élastique, dans son état non gommé, est caractérisé par un allongement structural As au moins égal à 0.5% et un allongement total à rupture At au moins égal à 3%. En outre, un renfort métallique élastique gommé a un module élastique en extension au plus égal à 150 GPa, et compris usuellement entre 40 GPa et 120 GPa.
Un renfort métallique non extensible est caractérisé par un allongement total At, sous une force de traction égale à 10% de la force à rupture Fm, au plus égal à 0.2%. Par ailleurs, un renfort métallique non extensible a un module élastique en extension compris usuellement entre 150 GPa et 200 GPa.
La illustre la structure obtenue à l'issue d'étapes ultérieures de retrait du substrat de support 131 et de la couche isolante 132, puis de formation de composants électroniques 140, par exemple des transistors MOS, dans et sur la couche semiconductrice 133. La formation des composants 140 peut comprendre une ou plusieurs étapes d'implantation localisée d'éléments dopants dans la couche semiconductrice 133. La formation des composants 140 peut en outre comprendre des étapes de dépôt et de gravure d'une couche d'isolant de grille et d'une ou plusieurs couches conductrices de grille de transistors MOS (non détaillées sur les figures). L
A titre d'exemple, la couche semiconductrice 133 peut être gravée sur toute son épaisseur autour des composants 140, de façon à isoler latéralement les composants 140 les uns des autres. Dans l'exemple représenté, après la formation des composants 140, une couche isolante de passivation 143, par exemple en oxyde de silicium, est déposée sur toute la surface supérieure du dispositif, par exemple sur une épaisseur supérieure à celle des composants 140. Une étape de planarisation de la face supérieure de la couche isolante 143 peut en outre être mise en oeuvre. Les composants 140 définissent un circuit électronique de contrôle du capteur, par exemple un circuit de type CMOS (de l'anglais "Complementary Metal Oxide Semiconductor" – métal oxyde semiconducteur complémentaire)". Le procédé de réalisation des composants 140 ne sera pas décrit plus en détail, un tel procédé de réalisation de composants électroniques en technologie dite 3D séquentielle étant à la portée de la personne du métier à partir des indications de la présente description.
La illustre la structure obtenue à l'issue d'étapes ultérieures de formation de vias conducteurs de reprise de contact, à partir de la face supérieure de la structure de la . Lors de cette étape, on vient former des vias conducteurs de reprise de contact sur les différents composants du capteur, et en particulier sur les régions de contact nécessaires au fonctionnement des pixels visible VP et infrarouge IRP, et, éventuellement, sur des régions conductrices des tranchées d'isolation 105 (dans le cas où ces tranchées sont des tranchées d'isolation capacitives polarisées). Dans l'exemple représenté, un via conducteur isolé 145a s'étendant verticalement à travers les couches 143, 135, 121, 119, 117, 111, 115 et 107 vient contacter individuellement la grille de transfert des charges TG de chaque pixel visible VP du capteur. Le noeud de lecture SN de chaque pixel visible VP du capteur est également connecté par un via vertical (non visible sur la figure). De plus, un via conducteur isolé 145b s'étendant verticalement à travers les couches 143, 135, 121, 119 et 117 vient contacter individuellement une zone active d'un détecteur photosensible de chaque pixel infrarouge IRP du capteur. En outre, pour chaque composant électronique 140, un ou plusieurs vias conducteurs 145c s'étendant verticalement à travers la couche isolante 143 viennent contacter des régions de contact du composant électronique, par exemple des régions de grille, de drain et/ou de source dans le cas de transistors MOS.
A titre d'exemple, un contact commun à toutes les diodes photosensibles des pixels infrarouge IRP du dispositif peut être réalisé en périphérie du dispositif. A titre d'exemple, le contact commun relie des composants électroniques du dispositif à une couche dopée (non détaillée sur la figure) de la couche active 111.
A titre de variante, non représentée, un via de reprise de contact de cathode individuel peut être prévu pour chaque pixel de détection infrarouge IRP du dispositif.
Le contact sur les tranchées d'isolation capacitives 105 peut être un contact individuel localisé au niveau de chaque pixel, ou un contact collectif, pris, par exemple, en périphérie de la matrice de pixels.
La illustre la structure obtenue à l'issue d'étapes ultérieures de formation d'un empilement d'interconnexion 150 sur et en contact avec la face supérieure de la structure de la . L'empilement d'interconnexion 150 comprend une alternance de niveaux isolants et conducteurs définissant des pistes et vias d'interconnexion et de routage des différents composants du capteur.
La illustre une étape optionnelle de report et de fixation d'un deuxième circuit électronique de contrôle, par exemple un circuit CMOS, sur et en contact avec la face supérieure de la structure de la .
Le deuxième circuit électronique de contrôle est par exemple similaire au premier circuit électronique électronique. Dans l'exemple représenté, le deuxième circuit électronique est formé à partir d'une structure SOI comportant un substrat 161 revêtu d'une couche isolante 162, elle-même revêtue d'une couche semiconductrice 163 dans et sur laquelle sont formés des composants 165, par exemple des transistors MOS. Le deuxième dispositif électronique comprend en outre, du côté de la couche semiconductrice opposée au substrat 161, un empilement d'interconnexion 167 ayant une face de connexion (face inférieure dans l'orientation de la ) symétrique par rapport à la face de connexion (face supérieure dans l'orientation de la ) de l'empilement d'interconnexion 150 du premier circuit électronique.
Le deuxième circuit électronique est fixé et connecté électriquement au premier dispositif électronique, par exemple par collage direct de la face inférieure de l'empilement d'interconnexion 167 sur la face supérieure de l'empilement 150. Le collage peut être un collage direct hybride de type cuivre/oxyde.
A titre de variante, plutôt que d'utiliser une structure SOI, le deuxième circuit électronique de contrôle est réalisé à partir d'un substrat semiconducteur massif, moins onéreux.
La illustre la structure obtenue à l'issue d'une étape de retrait du substrat de support 103 de la structure SOI utilisée pour former la structure de détection visible ( ), puis de formation d'éléments optiques, par exemple des éléments de filtrage et/ou des éléments de focalisation, du côté de la face d'exposition à la lumière du capteur, à savoir sa face supérieure dans l'orientation de la (on notera que l'orientation de la est inversée par rapport à l'orientation de la ).
Dans cet exemple, on vient former, au-dessus de chaque pixel visible VP, un filtre couleur 181 adapté à laisser passer une partie seulement du spectre visible. A titre d'exemple, des pixels visibles VP distincts peuvent être surmontés de filtres couleur 181 distincts. Par exemple, des premier pixels visibles VP sont surmontés d'un filtre 181 adapté à laisser passer majoritairement de la lumière verte, des deuxièmes pixels visibles VP sont surmontés d'un filtre 181 adapté à laisser passer majoritairement de la lumière rouge, et des troisièmes pixels visibles VP sont surmontés d'un filtre 181 adapté à laisser passer majoritairement de la lumière bleue. Les filtres couleurs sont adaptés à laisser passer la lumière infrarouge destinée à être détectée par les pixels infrarouge IRP. Les filtres couleur sont par exemple réalisés en résine colorée.
Dans cet exemple, on vient en outre former, au-dessus de chaque pixel visible VP, une microlentille adaptée à focaliser la lumière incidente dans une zone photosensible du pixel VP sous-jacent.
Dans le cas où l'étape de report d'un deuxième circuit électronique de contrôle ( ) serait omise, cette étape peut être remplacée par une étape de fixation d'un substrat servant de poignée de support sur la face supérieure de l'empilement d'interconnexion 150 (dans l'orientation de la ).
On notera par ailleurs que, à titre de variante, la structure SOI de départ 103-102-101 peut être remplacée par un substrat semiconducteur massif, par exemple en silicium. Une étape d'amincissement du substrat, par sa face supérieure (dans l'orientation de la ), est alors prévue avant les étapes de dépôt des élément optiques.
La est une vue en perspective de l’intérieur du coffret électrique, sur laquelle seules la contre-porte et la porte sont visibles ;
La est une vue analogue à la , sur laquelle est, en outre, visible un joint d’étanchéité ;
La est une vue en perspective du joint d’étanchéité de la , vu seul ;
La est une vue en perspective selon un autre angle du joint d’étanchéité des figures 5 et 6 ;
La est une vue en perspective selon un autre angle du joint d’étanchéité des figures 5 à 7 ; et
La est une vue de côté du joint d’étanchéité des figures 5 à 8, représenté à proximité d’une coupe du caisson du coffret de la .
Un coffret électrique à double-porte 10 est représenté à la . Le coffret électrique 10 est destiné à accueillir des équipements électriques, non-représentés, tels que par exemple un tableau électrique ou des appareillages électriques.