Capteur d'images visibles et infrarouges, comprenant : - une première couche active (101) de détection d'un rayonnement visible, dans laquelle sont définis une pluralité de pixels de détection visible (VP) ; et - superposée, à la première couche active (101), une deuxième couche active (111) de détection d'un rayonnement infrarouge, dans laquelle sont définis une pluralité de pixels de détection infrarouge (IRP), dans lequel la deuxième couche active (111) définit une cavité résonante verticale pour ledit rayonnement infrarouge, le capteur comprenant en outre, du côté de la face de la deuxième couche active (111) opposée à la première couche active (101), un circuit intégré de contrôle (140, 150, 160) superposé aux première (101) et deuxième (111) couches actives. Capteur selon la revendication 1, dans lequel la première couche active (101) et la deuxième couche active (111) sont séparées par une couche d'interface (107, 115 ; 201). Capteur selon la revendication 2, dans lequel la couche d'interface (107, 115 ; 201) présente une épaisseur comprise entre 10 et 800 nm. Capteur selon la revendication 2 ou 3, dans lequel la couche d'interface (107, 115 ; 201) est non métallique. Capteur selon l'une quelconque des revendications 2 à 4, dans lequel la couche d'interface (107, 115) est en oxyde de silicium. Capteur selon la revendication 2 ou 3, dans lequel la couche d'interface (201) comprend une alternance de premières régions (201a) en un matériau diélectrique et de deuxièmes régions (201b) en un matériau semiconducteur ou métallique. Capteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel la première couche active (101) est en silicium. Capteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel la deuxième couche active (111) est en un matériau semiconducteur inorganique. Capteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel la deuxième couche active (111) est en germanium ou en silicium. Capteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, comprenant une couche réflectrice (119), par exemple en un matériau semiconducteur dopé, du côté de la face de la deuxième couche active (111) opposée à la première couche active (101). Capteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel ledit rayonnement infrarouge est un rayonnement de longueur d'onde comprise entre 900 nm et 2 µm. Procédé de fabrication d'un capteur d'images visibles et infrarouges selon l’une quelconque des revendications 1 à 11, comprenant les étapes suivantes : a) prévoir la première couche active (101) de détection d'un rayonnement visible dans laquelle sont définis ladite pluralité de pixels de détection visible (VP) ; b) fixer, par collage direct, sur la première couche active (101), la deuxième couche active (111) de détection d'un rayonnement infrarouge ; et c) définir ladite pluralité de pixels de détection infrarouge (IRP) dans la deuxième couche active (111), dans lequel la deuxième couche active (111) définit une cavité résonante verticale pour ledit rayonnement infrarouge, le procédé comprenant en outre, après l'étape c), une étape de report et de fixation d'une couche de silicium (133), par collage direct, sur la deuxième couche active (111), puis de formation de transistors MOS (140) dans ladite couche de silicium (133).