INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
La stratégie d’usinage utilisée consiste à effectuer deux descentes de l’électrode-outil (ébauche et finition) dans la pièce immergée dans un diélectrique hydrocarbure, la seconde descente ayant lieu après réaffutage en bout de l’électrode-outil pour se dédouaner de l’usure et s’approcher au mieux des exigences géométriques.
Pour le régime d’ébauche, un enfonçage vertical selon l’axe Z est réalisé jusqu’à la côte programmée en profondeur. En revanche pour le régime de finition, un déplacement planétaire en X et en Y avec un rayon d’excentration (également appelé vecteur d’excentration) de 0,15 mm environ est réalisé pour s’approcher au mieux des côtes géométriques des fentes d’étanchéité de 0,8 mm de largeur souhaitée.
Par ailleurs, les inventeurs ont choisi d’usiner les premiers échantillons avec des paramètres faiblement énergétiques.
Suite à ces premiers essais d’usinage, plusieurs enseignements ont été relevés : - le taux d’enlèvement de matière (en mm 3 /min) est significativement plus faible sur le matériau CMC que sur un matériau métallique (rapport - on observe une diminution exponentielle de la vitesse d’avance d’usinage au fur et à mesure qu’on s’enfonce en pleine matière ; - malgré les faibles régimes énergétiques utilisés en finition pour obtenir la rugosité visée (Ra), les rugosités mesurées sur les surfaces des flancs des fentes d’étanchéité sont situées entre 10 et 12 µm ; cette rugosité obtenue est essentiellement liée au régime d’ébauche (enfonçage direct) avec un gap d’usinage de 0,15 mm environ et donc, avec une électrode-outil de 0,5 mm d’épaisseur, la côte de 0,8 mm est déjà atteinte en ébauche et, par conséquent, les surfaces usinées sont très peu reprises avec le déplacement planétaire de l’électrode-outil en régime de finition ; - l’étincelage pendant le régime d’ébauche n’est pas constant (c’est-à-dire stable et répétable) ; en effet, des coups d’arc sont détectés qui provoquent des fracturations dans la céramique SiC/SiC et génèrent de grosses particules de matière, difficiles à évacuer par rapport au gap d’usinage ; on observe également des fissures en surface et sub-surface, du faïençage, ainsi que la formation de cratères épars sur les surfaces usinées ; - les performances sont très étroitement liées au renouvellement du diélectrique et à l’évacuation des particules érodées et des gaz produits ; en effet, la matière arrachée aux électrodes se présente sous la forme de petites sphérules dont les dimensions vont de quelques micromètres en régime de finition à quelques centaines de micromètres en régime d’ébauche ; ces particules s’accumulent dans le gap d’usinage et finissent rapidement par créer des ponts conducteurs entre l’électrode-outil et la pièce à usiner ; ces phénomènes ont déjà été constatés pour l’usinage des matériaux métalliques, mais ils sont amplifiés lorsqu’on usine en EDM des céramiques « réfractaires » ; en effet, l’enlèvement de matière issu de l’érosion thermique des céramiques « réfractaires » est généré essentiellement par la fracturation et très peu par la fusion du matériau, d’où la formation de plus gros débris à évacuer ; c’est pourquoi la circulation du diélectrique entre l’électrode-outil et la pièce est primordiale pour l’usinage EDM des matériaux CMC ; - le nombre et la taille des irrégularités de surfaces observés sont liés aussi au matériau hétérogène et aux variations de porosités présentes lors de son élaboration.
Au vu de ces constatations, les inventeurs ont cherché à concevoir une électrode-outil apte à être utilisée pour usiner un matériau CMC par érosion EDM, en particulier pour la réalisation de fentes d’étanchéité dans un matériau SiC/SiC, tout en augmentant sensiblement la performance du procédé EDM actuel et en améliorant les états de surfaces obtenus.
Pour ce faire, l’invention a pour objet une électrode-outil pour usinage, dans une pièce en matériau électriquement conducteur, d’une empreinte par électroérosion de type enfonçage, l’électrode-outil comportant un corps en un matériau électriquement conducteur ayant une face inférieure et une face supérieure, opposées l’une à l’autre, et deux faces latérales principales, opposées l’une à l’autre, le corps ayant une zone inférieure et une zone supérieure, qui sont superposées selon une direction d’enfonçage de l’électrode-outil, la zone inférieure comprenant la face inférieure et une partie des faces latérales principales et la zone supérieure comprenant la face supérieure et l’autre partie des faces latérales principales,
l’électrode-outil étant caractérisée en ce que le corps est muni, au moins dans la zone inférieure, d’une pluralité d’ouvertures choisies parmi des canaux ou des fentes,
un canal étant une ouverture qui débouche sur au moins l’une des faces supérieure et inférieure,
une fente étant une ouverture qui débouche sur la face inférieure et sur les deux faces latérales principales,
chaque canal ayant un diamètre inférieur ou égal à deux fois le gap d’usinage en enfonçage et
- le dispositif comprend encore un moyen d’encollage, telle une barre d’encollage (12a) présentant une gorge (12a1) enduite de colle disposée sur le trajet de sortie de la pince afin d’encoller le pied de l’extension de cils attrapée et transportée par la pince.
- le dispositif comprend éventuellement un autre moyen d’encollage, tel un cylindre ou un galet enduit de colle, disposé sur le trajet de sortie de la pince afin d’encoller le pied de l’extension de cils attrapée et transportée par la pince.
L’invention a encore pour objet un chargeur 3 susceptible d’être utilisé dans un dispositif 1 tel que décrit précédemment , lequel est sensiblement cylindrique et où les extensions E de cils sont disposées, préférentiellement par collage, angulairement équiréparties, sur des tranches du chargeur, alignées le long de génératrices du chargeur, la direction bouquet - pied étant alignée avec une génératrice du chargeur caractérisé en que ledit chargeur comprend en outre une zone dépourvue d’extension E de cils à son extrémité distale ou bague, laquelle zone permet la saisie du chargeur par l’opérateur pour le mettre en place ou le retirer du dispositif selon l’une l’invention sans altérer les extensions de cils.
L’invention a enfin pour objet l’utilisation d’un tel chargeur dans un dispositif tel que décrit précédemment.
présente un schéma illustrant le principe du dispositif,
montre, en vue perspective, une extension de cil,
montre, en vue perspective, un chargeur d’extensions de cil,
montre, en vue perspective, un dispositif fermé prêt à l’usage,
montre, en vue perspective, le dispositif de la , ouvert,
montre, en vue perspective, le dispositif de la , ouvert avec un chargeur installé,
montre, en vue perspective, un détail autour de l’extrémité distale du dispositif de la ,
montre, en vue perspective, le dispositif de la , ouvert, le carter transparent,
montre, en vue perspective, un détail autour de la pince du dispositif de la ,
montre, en vue perspective, un détail autour d’un mode de réalisation du moyen d’encollage du dispositif de la ,
montre, en vue perspective, un détail autour de la cinématique du chargeur,
Le dispositif d’éclairage 1 comporte un support porteur d’une carte de circuit imprimé 4, qui s’étend principalement selon la direction longitudinale. Cette carte de circuit imprimé 4 porte une ligne de sources de lumière 6, qui sont à l’origine des rayons lumineux qui se propagent au sein du guide de lumière 2. Les sources de la ligne de sources de lumière 6 sont alignées et disposées à intervalles réguliers ou irréguliers sur la carte de circuit imprimé 4. La ligne de sources de lumière 6 est ici unique, c'est-à-dire que le dispositif d’éclairage 1 ne comporte qu’une seule ligne de sources de lumière 6 dont les rayons lumineux participent à trois fonctions d’éclairage différentes, à savoir un éclairage dynamique direct, un rétroéclairage et un éclairage d’ambiance.
Cette ligne de sources de lumière 6 est disposée en regard d’une portion d’entrée de lumière 8 qui correspond à une portion du guide de lumière 2 par laquelle les rayons lumineux issus de la ligne de sources de lumière 6 entrent dans le guide de lumière 2. Une telle portion d’entrée de lumière 8 peut comprendre une face unique disposée sensiblement parallèlement à la carte de circuit imprimé 4, comme c’est le cas sur la , ou une pluralité de faces distinctes toutes disposées sensiblement parallèlement à la carte de circuit imprimé 4 comme c’est le cas sur la , ces faces pouvant alors être séparées les unes des autres par des fentes traversantes qui s’étendent au sein du guide de lumière 2.
Selon l’invention, le guide de lumière 2 comprend une nappe primaire 10, cette nappe primaire 10 comprenant la portion d’entrée de lumière 8 à l’une de ses extrémités transversales. La nappe primaire 10 correspond à une portion du guide de lumière qui s’étend, au moins en partie, sensiblement perpendiculairement à la carte de circuit imprimé 4 et à distance de celle-ci, tel que visible notamment en . La nappe primaire 10 peut en outre présenter une courbure, de telle sorte que l’extrémité transversale opposée à l’extrémité transversale qui comprend la portion d’entrée de lumière 8 est dirigée soit en direction du sol sur lequel repose le véhicule équipé du dispositif d’éclairage 1, soit vers un pavillon du véhicule selon les modes de réalisation choisis. Une nappe primaire 10 présentant une telle courbure est notamment visible aux figures 2 et 4.
La nappe primaire 10 est délimitée verticalement par un versant supérieur 12 et un versant inférieur 14, qui correspondent respectivement à une face supérieure et une face inférieure de cette nappe primaire 10. Ce versant supérieur 10 est disposé à une distance plus éloignée du sol sur lequel repose le véhicule équipé du dispositif d’éclairage 1 que ne l’est le versant inférieur 14. Versant supérieur 12 et versant inférieur 14 délimitent entre eux un volume au sein duquel peuvent transiter les rayons lumineux émis par la ligne de sources de lumière 6. Une surface neutre de la nappe primaire 10, sensiblement équidistante à ce versant supérieur 12 et à ce versant inférieur 14 et représentée sur la en pointillés, définit par ailleurs une direction moyenne de ces rayons lumineux.
Au niveau de l’extrémité transversale de la nappe primaire 10 opposée à l’extrémité transversale qui comprend la portion d’entrée de lumière 8, le guide de lumière 2 présente un embranchement 16. Cet embranchement 16 scinde la nappe primaire 10 en deux, de sorte à former une première nappe 18 et une deuxième nappe 20 qui s’étendent toutes deux à distance de la nappe primaire 10. La première nappe 18 est ainsi dans le prolongement du versant supérieur 12, tandis que la deuxième nappe 20 est dans le prolongement du versant inférieur 14 ; de ce fait, la première nappe 18 est disposée à une distance du sol plus importante que la deuxième nappe 20. Ces première et deuxième nappes 18, 20 sont issues de matière avec la nappe primaire 10, c'est-à-dire qu’elles forment un ensemble monobloc.
Chacune de la première nappe 18 et de la deuxième nappe 20 présente au moins une face de sortie de lumière, qui est une face par laquelle les rayons lumineux quittent le guide de lumière. Ainsi, la première nappe 18 comprend une première face de sortie de lumière 22, tandis que la deuxième nappe 20 présente une deuxième face de sortie de lumière 24 et une troisième face de sortie de lumière 26. Les rayons lumineux participant à l’éclairage dynamique sortent du guide de lumière 2 par la première face de sortie de lumière 22, les rayons lumineux nécessaires au rétroéclairage quittent le guide de lumière 2 par la deuxième face de sortie de lumière 24 et les rayons lumineux contribuant à l’éclairage d’ambiance empruntent la troisième face de sortie de lumière 26 de ce guide de lumière 2. On comprend que l’embranchement 16 permet au guide de lumière 2, à partir d’une unique ligne de sources de lumière 6, de participer à ces trois fonctions d’éclairage différentes en orientant les rayons lumineux vers chacune de ces faces de sortie de lumière 22, 24, 26.
La première face de sortie de lumière 22 correspond à une portion de la première nappe 18 qui est la plus à distance de l’embranchement 16 et donc de la nappe primaire 10. Cette première face de sortie de lumière 22 permet de relier deux autres faces de la première nappe 18, ici une face supérieure 28 et une face inférieure 30. À l’instar des versants supérieur et inférieur 12, 14 de la nappe primaire 10, la face supérieure 28 et la face inférieure 30 permettent de délimiter transversalement la première nappe 10, la face supérieure 28 étant à une distance du sol plus importante que la face inférieure 30.
De la même façon, la troisième face de sortie 26 correspond à une face de la deuxième nappe 20 la plus éloignée de l’embranchement 16. Elle est ainsi disposée à une extrémité verticale du guide de lumière 2 qui est la plus rapprochée du sol lorsque le dispositif d’éclairage 1 équipe le véhicule. Cette troisième face de sortie 26 permet de relier l’une à l’autre la deuxième face de sortie 24 et une face opposée 32, qui délimitent longitudinalement la deuxième nappe 20. De ce fait, la deuxième face de sortie 24 et la face opposée 32 peuvent présenter au moins une portion qui s’étend sensiblement parallèlement au support et à la carte de circuit imprimé 4.
La première nappe 18 et la deuxième nappe 20 présentent des dimensions différentes ; ainsi, une aire de l’une quelconque de la face supérieure 28 et de la face inférieure 30 de la première nappe 18 est inférieure à une aire de l’une quelconque de la deuxième face de sortie de lumière 24 et de la face opposée 32 de la deuxième nappe 20.
Première face de sortie de lumière 22 et troisième face de sortie de lumière 26 forment des lignes de lumière. On comprend qu’en raison de la forme de ces faces 22, 26, qui sont toutes deux sensiblement longilignes, les rayons lumineux émis par la ligne de sources de lumière 6 forment au sortir de la première nappe 18 et de la deuxième nappe 20 une ligne de lumière. À l’inverse, la deuxième face de sortie de lumière 24 de la deuxième nappe 20 formant une surface étendue, les rayons lumineux qui quittent cette deuxième nappe 20 par cette deuxième face de sortie de lumière 24 ne forment pas une ligne de lumière, mais plutôt une zone ou une surface éclairée.
À l’instar de la nappe primaire 10, chacune de la première nappe 18 et de la deuxième nappe 20 peut présenter une courbure, comme visible notamment en . Une telle courbure pourra être disposée entre l’embranchement 16 et la première face de sortie de lumière 22 pour la première nappe 18, et entre cet embranchement 16 et la troisième face de sortie de lumière 26 pour la deuxième nappe 20.
Une orientation de la première nappe 18 par rapport à la nappe primaire 10 au niveau de l’embranchement 16 doit être définie de telle sorte qu’une quantité suffisante de rayons lumineux issus de la ligne de sources de lumière 6 atteint la première face de sortie de lumière 22. Ainsi, selon une caractéristique de l’invention, un angle α1 mesuré entre la face inférieure 30 de la première nappe 18 et la nappe primaire 10 du guide de lumière 2, par exemple selon une direction moyenne des rayons lumineux au sein de la nappe primaire 10, est inférieur à 45 °. Préférentiellement, un tel angle α1 peut être de 43 °. Lorsque la première nappe 18 présente une courbure telle qu’elle a été évoquée précédemment, la mesure de l’angle α1 s’effectuera relativement à une tangente à la face inférieure 30 prise au niveau de l’embranchement 16.
Similairement, une orientation de la deuxième nappe 20 par rapport à la nappe primaire 10 doit assurer la transmission d’une quantité suffisante de rayons lumineux issus de la ligne de sources de lumière 6 à la deuxième face de sortie de lumière 24 et à la troisième face de sortie de lumière 26. À cet effet, un angle α2 mesuré entre la nappe primaire 10 du guide de lumière 2, par exemple selon la direction moyenne des rayons lumineux au sein de la nappe primaire 10, et la deuxième face de sortie de lumière 24 est inférieur à 90 °. Pour les cas où la deuxième nappe 20 présenterait une courbure, la mesure de cet angle α2 s’effectuera relativement à une tangente à la deuxième face de sortie de lumière 24 prise au niveau de l’embranchement 16. De tels angles α1 et α2 sont représentés en .
Tout en respectant ces valeurs des angles α1 et α2, l’agencement de la première nappe 18 et de la deuxième nappe 20 l’une par rapport à l’autre et relativement à la nappe primaire 10 peut varier selon différents modes de réalisation du guide de lumière 2. Un premier mode de réalisation est ainsi illustré notamment en , tandis qu’un deuxième mode de réalisation est représenté aux figures 3 et 4.
Selon le premier mode de réalisation, l’embranchement 16 est sensiblement en forme de V, chacune de la première nappe 18 et de la deuxième nappe 20 constituant une branche de ce V. La face supérieure 28 de la première nappe 18 prolonge le versant supérieur 12 de la nappe primaire 10, tandis que la face opposée 32 de la deuxième nappe 20 prolonge le versant inférieur de cette nappe primaire 10.
La forme de V et cette disposition relative de la première nappe 18 et de la nappe primaire 10 permettent une transmission des rayons lumineux depuis la portion d’entrée de lumière 8 de la nappe primaire 10 jusqu’à chacune des faces de sortie de lumière 22, 24, 26, une partie des rayons lumineux empruntant la première nappe 18 et une autre partie des rayons lumineux empruntant la deuxième nappe 20. Un tel partage des rayons lumineux dépend en outre d’une épaisseur de la nappe primaire 10, une telle épaisseur E correspondant à sa dimension mesurée entre son versant supérieur 12 et son versant inférieur 14 perpendiculairement à chacun de ces versants 12, 14, en tous points situés entre la portion d’entrée de lumière 8 et l’embranchement 16. Cette épaisseur E est visible aux figures 2 ou 4.
Dans une étape S330, le premier ensemble de données d’entraînement EDE1 (correspondant aux données des paquets d’un flux Fi) obtenu à l’étape S310 est appliqué, par le premier module d’application 120, à l’entrée CE du réseau de neurones RN artificiels.
Plus précisément, chaque donnée d’entraînement du premier ensemble de données d’entraînement EDE1 correspond à un ou plusieurs nœuds NE de la couche d’entrée CE. Lorsque la valeur de la donnée d’entraînement prend la forme d’un vecteur de valeurs binaires, le nombre de nœuds NE de la couche d’entrée CE correspondant à ladite donnée d’entraînement est égal au nombre de valeurs binaires du vecteur, et chaque nœud NE prend alors la valeur d’une des valeurs binaires du vecteur. Lorsque la donnée d’entraînement comprend une unique valeur, un unique nœud NE de la couche d’entrée CE correspond à la donnée d’entraînement, et prend ainsi la valeur de la donnée d’entraînement.
Les première, deuxième et troisième opérations mathématiques sont alors appliquées en utilisant le premier ensemble de données d’entraînement EDE1, respectivement dans la première couche cachée CC1, la deuxième couche cachée CC2 et la couche de sortie CS.
Comme mentionné précédemment, l’invention peut être mise dans un réseau de neurones spécialisé entraîné pour identifier une seule valeur cible, la couche de sortie ne comportant alors qu’un seul nœud.
De manière avantageuse, une couche d’arrêt de gravure est agencée sur le deuxième substrat et accolée à ladite couche semi-conductrice, le retrait d’une portion du deuxième substrat comprenant en outre une gravure sélective de la couche d’arrêt de gravure vis-à-vis de ladite couche semi-conductrice.
Le procédé peut comprendre en outre la formation d’espaceurs isolants de part et d’autre du bloc de grille.
Dans ce cas, l’étape c) de formation des régions dopées peut alors comprendre une implantation de dopants avant ladite formation des espaceurs isolants. ou,
l’étape c) de formation des régions dopées peut comprendre une implantation de dopants réalisée après ladite formation des espaceurs isolants et, avantageusement, ladite implantation de dopants étant réalisée de manière inclinée par rapport à une normale au plan principal de la couche semi-conductrice.
Avantageusement, le procédé peut comprendre en outre, après l’étape d) de traitement thermique, au moins une implantation supplémentaire de dopants.
Selon une possibilité de mise en œuvre, le procédé peut, comprendre en outre, après l’étape d) : une croissance de blocs semi-conducteurs de part et d’autre du bloc de grille sur la couche semi-conductrice.
Selon une possibilité de mise en œuvre du procédé dans lequel à l’étape a), la première sous-couche, amorphe, est la sous-couche inférieure, tandis que ladite deuxième sous-couche, cristalline, est la sous-couche superficielle, le procédé peut comprendre en outre après l’étape d) et préalablement à la croissance desdits blocs semi-conducteurs, le retrait de régions superficielles non-dopées. Le traitement thermique de recristallisation peut être réalisé à une température inférieure à 700°C.
Avantageusement, la recristallisation est une recristallisation en phase solide, le traitement thermique étant effectué à une température de préférence inférieure à 550°C, avantageusement inférieure à 500°C, typiquement entre 450°C et 500°C.
Avantageusement, le premier niveau de composant est réalisé au moins en partie dans une couche en matériau semi-conducteur.
servent à illustrer un premier exemple de procédé, suivant l’invention, de réalisation d’un circuit intégré 3D avec un niveau supérieur muni de transistor(s)°;
sert à illustrer un exemple de structure dotée d’au moins un niveau de composants sur laquelle le niveau supérieur de transistor(s) peut être formé°;
sert à illustrer un exemple d’étape de dopage par implantation inclinée susceptible d’être mise en œuvre au cours d’un procédé suivant l’invention°;
sert à illustrer un exemple d’étape de dopage par implantation avant formation des espaceurs et susceptible d’être mise en œuvre au cours d’un procédé suivant l’invention°;
servent à illustrer sert à illustrer un exemple d’étape de dopage par implantation avant formation des espaceurs et après formation de zones de protection de la grille et susceptible d’être mise en œuvre au cours d’un procédé suivant l’invention°;
servent à illustrer un deuxième exemple de procédé suivant l’invention de réalisation d’un circuit intégré 3D avec un niveau supérieur muni de de transistor(s)°;
Définition de l’invention L’invention concerne un applicateur cosmétique d’axe longitudinal X pour appliquer un produit cosmétique sur des lèvres d’un utilisateur définies par un contour des lèvres et par une ligne de séparation entre une lèvre supérieure et une lèvre inférieure, l’applicateur comporte un système de préhension et un élément d’application comprenant un matériau poreux présentant une face arrière et une face avant, opposée à la face arrière et définissant une surface d’application de forme complémentaire à celle des lèvres de l’utilisateur, la surface d’application étant délimitée par une ligne périphérique suivant le contour des lèvres et par une zone de crête apte à venir en prise entre la lèvre supérieure et la lèvre inférieure, face à la ligne de séparation, le système de préhension comporte un organe de liaison reliant deux éléments de préhension disposés à l'opposé l'un de l'autre par rapport à l'axe longitudinal X et configurés pour être attrapés en prise serrante entre deux doigts d’un utilisateur, chaque élément de préhension délimitant une surface externe de préhension destinée à venir en contact avec les doigts et l’organe de liaison définit un logement central ouvert à son extrémité distale, l’élément d’application étant partiellement inséré dans le logement, la face arrière de l’élément d’application étant orientée vers un fond du logement et la face avant de l’élément d’application faisant entièrement saillie hors du logement.
De préférence, l’applicateur est personnalisé, notamment pour répondre à la topographie des lèvres de l’utilisateur. Notamment, la ligne périphérique suit l’arc de cupidon des lèvres de l’utilisateur.