INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Bien que cela ne ressorte pas des figures 1 à 4, l’unité centrale 3 est également configurée pour émettre au moins une information d’adsorption ou de désorption de siloxanes volatils lorsque, par exemple, le signal de sortie électronique de l’appareil de détection électronique 1 diffère du signal de sortie électronique de référence (en l’absence de siloxanes adsorbés).
Dans tout ce qui précède, le dispositif d’amortissement pendulaire peut comprendre plusieurs corps pendulaires se succédant angulairement autour de l’axe de rotation du support. Le dispositif peut ainsi comprendre une pluralité de plans perpendiculaires à l’axe de rotation dans chacun desquels tous ces corps pendulaires sont disposés.
Plus précisément, le dispositif d’amortissement pendulaire peut ne comprendre que deux ou trois ou quatre corps pendulaires se succédant angulairement autour de l’axe de rotation du support.
L’invention a encore pour objet, selon un autre de ses aspects, un composant pour système de transmission d’un véhicule automobile, le composant étant notamment un double volant amortisseur, un convertisseur de couple hydrodynamique, un volant solidaire du vilebrequin, un double embrayage à sec ou humide, un simple embrayage humide, un composant de groupe motopropulseur hybride, ou un disque de friction, comprenant un dispositif d’amortissement pendulaire tel que défini ci-dessus.
Après cela, le procédé comprend homogénéiser le béton dans le coffrage.
De manière préférée, l’homogénéisation du béton consiste à vibrer le béton à l’aide d’au moins un outil vibrant 12.
De manière préféré encore, le procédé comprend de plus réaliser un surfaçage et une finition du béton au niveau de la face supérieure ouverte.
Le procédé comprend ensuite attendre pendant une période prédéfinie pour le séchage du béton.
On comprendra qu’un fois le séchage du béton obtenu, le coffrage 3 et l’échantillon 2 peuvent être librement manipulés, déplacés ou tournés selon les besoins.
Dans le cas, facultatif, où l’on a mis en place des fixations 9 rapportées dans l’échantillon 2, on comprendra que le procédé comprend alors une étape consistant à libérer chaque fixation 9 coulée en place à tester du cadre de support 4 respectif.
Puis le procédé comprend retirer le coffrage et l’au moins un cadre de support.
On comprendra qu’un fois le coffrage 3 retiré, l’échantillon 2 peut être librement manipulé, déplacé ou tourné selon les besoins.
Par la suite le procédé comprend initier une fissuration contrôlée dans chaque plan de fissuration souhaité de l’échantillon.
De manière préférée, l’initiation de la fissuration comprend, pour au moins un plan de fissuration souhaité, l’utilisation de moyens d’expansion 15 configurés pour appliquer une force entre des parties de l’échantillon 2 situées de part et d’autre dudit plan de fissuration souhaité, de manière à mettre l’échantillon 2 en traction.
On comprendra que des perçages peuvent éventuellement être réalisés dans l’échantillon 2 pour permettre l’utilisation desdits moyens d’expansion.
De manière facultative, le procédé peut en outre comprendre mettre en place des fixations 9 dites rapportées. Le procédé comprend alors réaliser au moins un perçage 14 dans au moins une face externe 2a de l’échantillon 2 de béton, chaque perçage 14 étant réalisé perpendiculairement à la face externe 2a correspondante et dans un plan de fissuration souhaité, puis implanter dans chaque perçage 14 une fixation 9 rapportée à tester.
De manière préférée selon le procédé, les perçages 14 sont réalisés, et les fixations 9 rapportées à tester sont implantées, dans des faces externes 2a de l’échantillon 2 qui sont verticales au moins jusqu’à l’étape de séchage du béton.
On comprendra que les étapes ci-dessus sont effectuées uniquement dans le cas où l’on souhaite mettre en place des fixations 9 rapportées dans l’échantillon 2 de manière à pouvoir par la suite réaliser des essais mécaniques sur lesdites fixations 9 rapportées.
On comprendra également que, selon les besoins, l’échantillon 2 peut être retourné pour faciliter la réalisation des perçages 14 et l’implantation des fixations 9 rapportées ou bien encore pour faciliter la réalisation des essais mécaniques sur les fixations 9.
Il existe donc un besoin d’un solution simple, fiable, et si possible peu encombrante permettant d’éviter la surconsommation électrique (et la possible altération des cellules mémoire) lors des opérations d’écriture.
RESUME Dans ce contexte, on propose une mémoire comprenant au moins une cellule mémoire résistive, et un dispositif d’écriture pour programmer ladite cellule, la cellule mémoire comprenant : un élément mémoire ayant au moins un état hautement résistif et un état bassement résistif, et un sélecteur agencé en série avec l’élément mémoire, le sélecteur étant électriquement conducteur lorsqu’une tension supérieure à une tension seuil donnée est appliquée au sélecteur et à condition qu’un courant traversant le sélecteur soit supérieur à un courant de maintien donné, le dispositif d’écriture comprenant au moins un condensateur d’écriture et un dispositif de charge, et étant configuré pour : a) charger le condensateur d’écriture avec le dispositif de charge jusqu’à une tension initiale d’écriture donnée, le condensateur d’écriture étant déconnecté de ladite cellule mémoire pendant la charge du condensateur, puis pour b) connecter le condensateur d’écriture ainsi chargé, à la cellule mémoire, pour programmer ladite cellule.
Comme la tension appliquée à la cellule mémoire pour l’écrire (i.e.: pour la programmer) est appliquée en la connectant au condensateur, l’énergie consommée lors de l’écriture est intrinsèquement limitée (par l’énergie stockée initialement dans le condensateur, lors de l’étape a) de charge). Le passage du courant électrique dans la cellule mémoire, lors de l’opération d’écriture, entraine naturellement (et en quelque sorte, automatiquement) une décroissance de la tension appliquée à la cellule mémoire, du fait de la décharge du condensateur d’écriture dans la cellule mémoire, évitant ainsi une surconsommation électrique, et cela même si l’instant de basculement de l’état hautement résistif à l’état bassement résistif (ou inversement) est en partie imprévisible.
L’utilisation d’un tel sélecteur, bipolaire, à seuil (en pratique de type « backend », parfois appelé aussi co-intégrable), en série avec l’élément mémoire, permet une fabrication commode de la mémoire, ainsi qu’une compacité meilleure qu’en employant un transistor de sélection, à la place du sélecteur en question. Un sélecteur « back-end » (« Back-End-Of-Line », ou BEOL) est typiquement réalisé dans des niveaux supérieurs à 1 situés au-dessus d’un substrat (par exemple un substrat en Silicium), contrairement aux composants "Front-End-Of-Line" (FEOL) qui se fabriquent à la surface du substrat (diodes et transistors CMOS par exemple), notamment au niveau 1. Un tel sélecteur peut être formé de couches déposées sur ou sous une couche mémoire, et gravées en bloc en même temps que la couche mémoire (ce qui permet un auto-alignement du sélecteur et de l’élément mémoire), d’où l’appellation co-intégrable (puisqu’ils sont intégrés dans le même niveau, en termes de technologie de fabrication).
Par ailleurs, dans cette mémoire, la limitation de l’énergie consommée provient à la fois de l’emploi du condensateur d’écriture (comme expliqué plus haut), mais aussi de l’emploi de ce sélecteur, qui, sous une forme particulièrement simple, et en combinaison avec ce condensateur, joue en quelque sorte le rôle d’un circuit de détection et d’arrêt d’écriture, du fait du blocage du sélecteur lorsque le courant qui le traverse devient inférieur au courant de maintien du sélecteur qui a été mentionné ci-dessus. Ce type de sélecteur avec double seuil, est par exemple un sélecteur de type OTS.
On notera qu’il n’est du tout immédiat qu’un tel agencement, avec une cellule mémoire à sélecteur à seuil, et avec un condensateur d’écriture, puisse fonctionner convenablement. En effet, la présence de deux seuils de fonctionnement pour le sélecteur (un pour l’ouverture, et l’autre pour la fermeture/maintien), et les exigences liées à l’écriture, pourraient faire craindre : soit que l’on arrive pas faire se décharger suffisamment le condensateur dans l’élément mémoire (le sélecteur se rebloquant trop vite), soit l’apparition de phénomènes oscillatoires indésirables (en effet, du fait de la présence de capacités parasites dans des matrices crossbar 1S1R, il est connu que les sélecteurs à seuil peuvent se bloquer (si les conditions de maintien de l'état conducteur – c’est-à-dire à l’état passant – ne sont pas satisfaites ; en particulier si le courant qui traverse la cellule 1S1R devient inférieur au courant de maintien), puis, sous l’effet d’une recharge des capacités parasites, se débloquer (si la tension aux bornes de la cellule 1S1R redevient supérieure à sa tension de seuil V th ,1S1R ), pour se rebloquer à nouveau, et ainsi de suite, entrainant des oscillations particulièrement indésirables). Par ailleurs, on pourrait craindre à première vue que les valeurs de capacité adaptées soient importantes, rendant ainsi le condensateur d’écriture encombrant.
Mais, comme expliqué dans la description, une étude plus détaillée montre que l’utilisation d’un tel sélecteur à seuil et d’un condensateur d’écriture sont en fait compatibles (une décharge, à travers le sélecteur, jusqu’à écriture de l’élément mémoire, est possible en pratique), et même, produisent ensemble un effet intéressant de limitation automatique de décharge.
Par ailleurs, les valeurs de capacité à employer s’avèrent suffisamment petites pour ne pas augmenter notablement l’encombrement d’une matrice de mémoires de type crossbar.
Un autre aspect de l’invention concerne un procédé d’écriture d’une cellule mémoire résistive, au moyen d’un dispositif d’écriture comprenant au moins un condensateur d’écriture et un dispositif de charge, la cellule mémoire comprenant : un élément mémoire ayant au moins un état hautement résistif et un état bassement résistif, et un sélecteur agencé en série avec l’élément mémoire, le sélecteur étant électriquement conducteur lorsqu’une tension supérieure à une tension seuil donnée est appliquée au sélecteur et à condition qu’un courant traversant le sélecteur soit supérieur à un courant de maintien donné, le procédé comprenant les étapes suivantes : a) charger le condensateur d’écriture avec le dispositif de charge jusqu’à une tension initiale d’écriture donnée, le condensateur d’écriture étant déconnecté de ladite cellule mémoire pendant la charge du condensateur, puis b) connecter le condensateur d’écriture ainsi chargé, à la cellule mémoire, pour programmer ladite cellule.
Les caractéristiques optionnelles, présentées plus haut en termes de dispositif, peuvent aussi s’appliquer au procédé d’écriture qui vient d’être décrit. En particulier, le condensateur d’écriture employé aux étapes a) et b) peut avoir une capacité électrique supérieure ou égale à la capacité électrique C o,1 définie par la formule (F1) ci-dessus.
La représente schématiquement une mémoire résistive.
La représente schématiquement, en perspective, une portion d’une matrice de cellules mémoires de la mémoire de la .
La représente schématiquement une caractéristique courant-tension d’un exemple de cellule mémoire pouvant équiper la mémoire de la .
Selon un aspect de l’invention, le calculateur dispose en outre d’au moins une image additionnelle de paume partielle, le procédé comprenant la réitération des étapes de détection, de couplage, de calcul, de détection et de fusion, avec pour première image, l’image fusionnée de l’étape de fusion précédente, et pour deuxième image, une image additionnelle comprenant une autre zone de recouvrement avec ladite image fusionnée, le procédé étant réitéré pour chaque image additionnelle, l’image de paume comprenant l’image fusionnée issue de la dernière itération.
L’invention porte également sur un programme d’ordinateur comprenant les instructions de programme mettant en œuvre les étapes du procédé de génération, lorsque les instructions de programme sont exécutées par un ordinateur.
L’invention porte également sur un dispositif d’acquisition d’empreinte biométrique par contact comprenant un calculateur apte à mettre en œuvre les étapes du procédé de l’invention.
illustre deux images partielles comprenant une zone de recouvrement dans laquelle sont identifiés des couples de points caractéristiques.
illustre un exemple de cinq images partielles de paume de main d’un utilisateur.
illustre une image de paume générée selon le procédé de l’invention à partir des cinq images de la .
La illustre les étapes du procédé de l’invention, aptes à être mises en œuvre par un calculateur d’un dispositif d’acquisition, à partir de deux images de paume partielle d’un individu comprenant une zone de recouvrement, pour générer une image de paume dudit individu.
Une paume d’un individu comprend en sa surface un réseau de monts et/ou sillons qui correspondent à une empreinte biométrique. Une image de paume partielle comprend une portion de ladite empreinte biométrique.
Les deux images de paume partielles comprennent une première image i1 de paume partielle et une deuxième image i2 de paume partielle.
La première image i1 de paume partielle et la deuxième image i2 de paume partielle comprennent chacune une zone de recouvrement Z avec l’autre image de paume partielle.
Par exemple, comme illustré sur la , la première image i1 est une image de centre de paume d’une main droite d’un utilisateur. La deuxième image i2 est une image de l’éminence thénar de ladite main droite de l’utilisateur.
La première image i1 et la deuxième image i2 ont une partie de paume de main commune qui correspond à la zone de recouvrement Z.
Par exemple la zone de recouvrement Z correspond à la moitié droite de la première image i1 et la moitié gauche de la deuxième image i2.
Le procédé de l’invention comprend une étape de détection 100, une étape de couplage 101, optionnellement une étape de validation 102, une étape de calcul 103, une étape de détermination 104, une étape de fusion 105.
Ensuite, l’étape de correction locale 420 comprend une étape de formation 423.
Dans l’étape de formation 423, on forme une arête virtuelle qui relie les deux éléments de forme identifiés à l’étape d’identification 422 et dont la longueur vaut la distance d’identification.
Dans une première mise en œuvre de l’étape de formation 423 tel qu’illustré sur la , les deux éléments de forme identifiés comprennent un sommet 310 et une face 330.
Dans ce cas, l’étape de formation 423 comprend une première étape d’établissement 4231.
Dans la première étape d’établissement 4231, on établit une première arête virtuelle entre le sommet 310 et un point fictif disposé sur la face 330.
Bien évidemment, le point fictif qui se trouve sur la face est le point à partir duquel les conditions de l’étape d’identification 422 sont remplies.
Par ailleurs, selon la configuration de la sous-maille invalide 300a, 300b, 300c, le point fictif peut se confondre avec un sommet 310 de la sous-maille invalide 300a, 300b, 300c.
Puis, l’étape de formation 423 comprend une deuxième étape d’établissement 4232.
Dans la deuxième étape d’établissement 4232, on établit des deuxièmes arêtes virtuelles entre le point fictif et les sommets 310 de la face 330.
En outre, dans cette première mise en œuvre de l’étape de formation 423, le procédé 400 comprenant une étape d’application d’un opérateur de découpe topologique 425.
Comme indiqué plus haut, un opérateur de découpe topologique permet de séparer en morceaux, en coupant, un élément de forme 310, 320, 330 d’une maille 300 du maillage tétraédrique.
Dans l’étape d’application d’un opérateur de découpe topologique 425, on applique un opérateur de découpe topologique sur la face 330, le long de la première arête virtuelle et le long des deuxièmes arêtes virtuelles, de manière à subdiviser la sous-maille invalide 300a, 300b, 300c en trois sous-sous-mailles.
Ainsi, à l’issue de la première mise en œuvre de l’étape de formation 423, la sous-maille invalide 300a, 300b, 300c est divisée en trois sous-sous-mailles, qui sont également invalides.
Dans une deuxième mise en œuvre de l’étape de formation 423 tel qu’illustré sur la , les deux éléments de forme identifiés comprennent une première arête 320 et une deuxième arête 320.
Dans ce cas, l’étape de formation 423 comprend une première étape d’établissement 4233.
Dans la première étape d’établissement 4233, on établit une première arête virtuelle entre un premier point fictif de la première arête 320 et un deuxième point fictif de la deuxième arête 320.
Les charges conductrices d’ions lithium peuvent être par exemple choisies parmi les oxydes lithiés, tels que Li 7 La 3 Zr 2 O 12 (LLZO) et Li 0.33 La 0.56 TiO 3 (LLTO), Li 1.3 Al 0.3 Ti 1.7 (PO 4 ) 3 (LATP), etc.
Il peut encore s’agir de charges choisies parmi : - les grenats, par exemple choisis parmi le Li 7 La 3 Zr 2 O 12 , le Li 6 La 2 BaTa 2 O 12 , etc. ; - les phosphates lithiés, par exemple choisi parmi le Li 3 PO 4 , le LiPO 3 , etc. ; - les borates lithiés, par exemple choisi parmi le Li 3 BO 3 , etc. ; - les oxynitrures, par exemple choisis parmi Li 3 PO 4-x N 2x/3 , Li 4 SiO 4-x N 2x/3 , Li 4 GeO 4-x N 2x/3 avec 0 3 BO 3-x N 2x/3 avec 0 - les composés lithiés à base d’oxynitrure de lithium et de phosphore (appelés LiPON) ; - les silicates, par exemple Li 2 Si 2 O 5 .
La ou lesdites charges inorganiques conductrices d’ions peuvent être mises en œuvre dans un rapport volumique charge(s) conductrice(s)/polycarbonate(s) dihydroxylé(s) compris entre 20/80 et 80/20, en particulier entre 20/80 et 60/40.
Préparation de la composition, précurseur de l’électrolyte solide
La composition en étape (i) présente avantageusement une bonne homogénéité, en particulier une solubilisation homogène du ou desdits polycarbonates dihydroxylés, en particulier du PTMC, et du ou desdits composés triisocyanates, en particulier du PHDI.
Selon un mode de réalisation particulier, la composition en étape (i) du procédé de l’invention peut être obtenue via les étapes suivantes : (a1) préparation d’une solution, notée « solution S », comprenant, dans un ou plusieurs solvants, le ou lesdits polyalkylène carbonates dihydroxylés, le ou lesdits composés triisocyanates et le ou lesdits sels conducteurs ioniques, et éventuellement la ou lesdites charges inorganiques conductrices ; (a2) éventuellement, concentration de ladite solution S par évaporation partielle du ou desdits solvants, en particulier par chauffage de ladite solution ; et (a3) ajout à ladite solution, éventuellement concentrée, dudit catalyseur de la réaction de couplage entre une fonction hydroxyle et une fonction isocyanate, en particulier tel que défini précédemment.
De préférence, ladite solution S associe au moins un PTMC dihydroxylé et du PHDI.
Le ou lesdits solvants de la solution S peuvent être plus particulièrement choisis parmi des solvants organiques polaires, notamment l’acétonitrile.
La solution S en étape (a1) présente avantageusement une bonne homogénéité.
En particulier, la solution S peut être préalablement obtenue à partir du mélange d’au moins : - une solution, notée S1, du ou desdits composés triisocyanates, de préférence de PHDI, dans un ou plusieurs solvants, en particulier tels que définis précédemment, notamment dans l’acétonitrile ; - une solution, notée S2, du ou desdits polycarbonates dihydroxylés, de préférence de PTMC dihydroxylé, dans un ou plusieurs solvants, en particulier tels que définis précédemment, notamment dans l’acétonitrile ; le ou lesdits sels conducteurs ioniques, en particulier tels que définis précédemment, étant de préférence ajoutés à la solution S2 du ou desdits polycarbonates dihydroxylés.
De préférence, le ou lesdits solvants des solutions S1 et S2 sont identiques. Par exemple, le solvant de la solution S1 et de la solution S2 peut être l’acétonitrile.
Le ou lesdits composés triisocyanates, en particulier PHDI, peuvent être mis en œuvre dans ladite solution S1 à raison de 1.10 -3 à 4.10 -3 g/L, en particulier de 1,5.10 -3 à 3.10 -3 g/L.
Le ou lesdits polycarbonates dihydroxylés, de préférence de PTMC dihydroxylé, peuvent être mis en œuvre dans ladite solution S2 à raison de 2.10 -3 à 5.10 -3 g/L, en particulier de 2,5.10 -3 à 4.10 -3 g/L.
De préférence, les solutions S1 et S2 présentent une bonne homogénéité, par exemple obtenue par agitation et éventuellement par chauffage desdites solutions.
Selon un mode de réalisation particulier, la solution S est formée en versant ladite solution S1 dans ladite solution S2, de préférence sous agitation.
De préférence, la solution S résultant du mélange des solutions S1 et S2 est soumise, préalablement à sa mise en œuvre pour former un électrolyte solide, à au moins une étape intermédiaire (a2) au cours de laquelle une partie du milieu solvant de la solution, par exemple l’acétonitrile, est évaporée.
Dans une première forme de réalisation, le rotor 3 est configuré pour tourner selon un sens de rotation horaire (comme représenté sur la ). Le sens de rotation du rotor 3 s’entend dans une vue de face de l’aéronef A, c’est-à-dire vu depuis l’amont. Comme cela est connu, le rotor 3 comprend une pluralité de pales de rotor qui s’étendent radialement par rapport à l’axe longitudinal X et tourne autour de cet axe. Chaque pale de rotor évolue sur 360° et est donc successivement descendante et montante dans un plan transversal PT à l’axe longitudinal X. Les termes « montant » et « descendant » s’entendent par rapport à l’axe vertical Z dans une vue de face depuis l’amont.
Toujours en référence à la , la turbomachine 1 comprend un stator 4, monté en aval du rotor 3 et permettant de redresser le flux d’air F accéléré par le rotor 3. Le stator 4 comprend une pluralité d’aubes de stator 5, également désignées « redresseurs », s’étendant radialement par rapport à l’axe longitudinal X entre un pied 5P relié au carter inter-veine 2 et une tête 5T libre. Dans l’exemple représenté, l’entrée d’air du flux primaire est située entre le rotor 3 et le stator 4.
En référence à la , les aubes de stator 5 sont réparties angulairement autour de l’axe longitudinal X dans un plan transversal PT à l’axe longitudinal X, représenté sur la . Chaque aube de stator 5 est définie, dans le plan transversal PT, par une position angulaire θ, comprise dans une plage angulaire s’étendant entre 0° et 360°. Dans cet exemple, la position angulaire 0° est définie en position haute par rapport à un axe vertical Z s’étendant du bas vers le haut, comme représenté sur la . De même, les positions angulaires θ sont définies de manière croissante entre 0° et 360° selon le sens horaire de rotation du rotor 3 autour de l’axe longitudinal X depuis la position 0°.
Dans la plage angulaire entre 0° et 360°, on définit une plage angulaire de descente PD, correspondant aux aubes de stator 5 positionnées en vis-à-vis des pales descendantes du rotor 3 en rotation, et une plage angulaire de montée PM, correspondant aux aubes de stator 5 positionnées en vis-à-vis des pales montantes du rotor 3 en rotation.
Dans cet exemple dans lequel le rotor 3 tourne selon un sens de rotation horaire, la plage de descente PD est définie entre 0° et 180° sur la moitié droite du stator et la plage de montée PM est définie entre 180° et 360°, sur la moitié gauche du stator. Les termes « gauche » et « droite » s’entendent selon une vue depuis amont comme illustré à la . De manière alternative, dans le cas d’un rotor tournant selon un sens de rotation inverse au sens horaire, les plages de descente PD et la plage de montée PM seraient inversées.
En référence aux figures 4 et 5, le stator 4 comprend, dans le plan transversal PT, une pluralité d’aubes de stator 5 ayant une première corde C1. De telles aubes de stator 5 sont appelées « aubes classiques » 51. La première corde C1 présente de préférence une longueur comprise entre 200 et 600 mm.