INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Les ailes latérales 72 servent par exemple du renfort au bâti 62, dont elles renforcent la rigidité. Les ailes latérales 72 sont par exemple obtenues par pliage de la tôle 66.
De préférence, comme représenté sur les figures 2 à 5, le bâti 62 comporte en outre des nervures 76 de renfort, fixées aux ailes latérales 72 et /ou à la partie centrale 70.
Avantageusement, le châssis 50 présente un axe de symétrie S s’étendant parallèlement à la direction d’élévation Z et traversant le bâti 62 en son milieu.
Procédé de fabrication de circuit 3D à étapes de recristallisation et d’activation de dopants mutualisées DOMAINE TECHNIQUE ET ART ANTERIEUR La présente demande concerne le domaine des dispositifs microélectroniques et en particulier celui des dispositifs dotés de composants répartis sur plusieurs niveaux. De tels dispositifs sont généralement qualifiés de circuits intégrés en 3 dimensions ou « 3D ».
D’une manière générale, dans le domaine des circuits intégrés, on cherche continuellement à augmenter la densité de transistors.
Pour cela, une solution consiste à répartir les transistors sur plusieurs niveaux de couches semi-conductrices disposées les unes au-dessus des autres. De tels circuits comportent ainsi généralement au moins deux couches semi-conductrices superposées, avec une couche isolante interposée entre ces deux couches semi-conductrices.
Le document de Brunet et al. “First demonstration of a CMOS over CMOS 3D VLSI CoolCube TM integration on 300mm wafer”, 2016 Symposium on VLSI Technology Digest of Technical Papers présente par exemple une mise en œuvre d’un tel type de dispositif.
La réalisation des transistors sur le niveau supérieur peut impliquer la réalisation d’une ou plusieurs étapes de traitement thermique, notamment lorsqu’on effectue une activation des dopants.
Cependant, un traitement thermique haute température peut induire une dégradation du ou des niveau(x) inférieur(s) et en particulier une détérioration du matériau des contacts dans le niveau inférieur ou d’éléments de connexion inter-niveaux voire une diffusion intempestive de dopants au sein du niveau inférieur.
Une fois le premier niveau de transistors réalisé, on cherche donc généralement à limiter le budget thermique de fabrication du ou des niveaux(x) supérieur(s) et d’éviter en particulier de mettre en œuvre des traitements thermiques supérieurs à 600°C.
L'activation des dopants ou, en outre, la diffusion des dopants pour créer les zones d'extension est l'un des problèmes les plus critiques lorsqu’on souhaite réaliser des transistors dans un niveau supérieur du circuit 3D. Une telle étape nécessite généralement une température élevée à une température qui peut être supérieure à 1000°C.
Un procédé illustré sur les -9B, utilisé pour les dispositifs 2D et comportant ainsi un seul niveau de transistors consiste à rendre amorphe et doper à l’aide d’implantations des régions semi-conductrices 925 de part et d’autre d’un bloc de grille 932 sur lequel des espaceurs 932 sont agencés.
Lors de la recristallisation, des fronts de recristallisation horizontaux F H et verticaux F V sont susceptibles d’être créés, ce qui peut amener une création de défauts cristallins à un endroit de rencontre des fronts F H et F V .
Un tel procédé est typiquement réalisé sur un substrat SOI (SOI pour « Silicon On insulator », i.e. silicium sur isolant) et la maitrise de l’épaisseur e nd d’une couche 926 non dopée sous les régions 925 régions rendues amorphes et dopées puis recristallisées pose problème. En effet, cette couche 926 non dopée est susceptible de contribuer à augmenter la résistance d'accès et a un impact sur les performances du dispositif.
En outre, pour des couches semi-conductrices très minces, par exemple destinées à des applications de type FDSOI (pour « Fully Depleted Silicon On insulator », i.e. silicium sur isolant totalement déplété), il peut être difficile si l’on effectue une implantation amorphisante trop profonde de conserver une épaisseur de germe cristallin pour la recristallisation. Cela est d’ailleurs particulièrement difficile et critique si l'amorphisation est réalisée après une croissance épitaxiale des régions de source et de drain car, dans ce cas, l’épaisseur semi-conductrice varie le long du support de cette couche.
Il se pose le problème de trouver un nouveau procédé de fabrication d’un dispositif microélectronique 3D amélioré vis-à-vis d’au moins un des inconvénients énoncés ci-dessus.
Selon un aspect, la présente invention concerne un procédé de réalisation d’un dispositif microélectronique doté de plusieurs niveaux superposés de composants électroniques, le procédé comprenant, dans cet ordre, des étapes consistant à :
a) réaliser une structure comprenant un support muni d’au moins un composant d’un premier niveau N 1 de composants, ledit support étant surmonté d’une couche isolante, la couche isolante étant elle-même surmontée d’une couche semi-conductrice d’un deuxième niveau,
ladite couche semi-conductrice comportant une sous-couche inférieure et une sous-couche supérieure disposée sur la sous-couche inférieure, une première desdites sous-couches inférieure et supérieure étant en matériau semi-conducteur cristallin tandis qu’une deuxième desdites sous-couches inférieure et supérieure est en matériau semi-conducteur amorphe, puis,
De retour à la , la première paroi verticale 120 comprend une première ouverture de passage 121 qui s’étend sur tout ou partie de la largeur et/ou de la hauteur de la première paroi verticale 120.
En pratique, la première ouverture de passage 121 débouche vers la face avant et vers la face arrière de la première paroi verticale 120.
Dans une mise en œuvre particulière, la largeur de la première ouverture de passage 121 est supérieure à la largeur extérieure de la conduite 221 et également supérieure au diamètre extérieur du tube 230.
Dans la configuration d’engagement, comme illustré sur la , la première ouverture de passage 121 est destinée à être traversée par le tube 230 .
En pratique, la première ouverture de passage 121 est configurée de sorte que l’on peut faire passer le corps de raccord depuis la face arrière de la première paroi verticale 120 à travers la première ouverture de passage 121 jusqu’à la face avant de la première paroi verticale 120, et ce, de sorte que le tube 230 traverse la première ouverture de passage 121.
Ainsi, comme illustré sur la , si l’on maintient en place le corps de capuchon, il suffit d’exercer une ou plusieurs forces sur le corps de raccord pour déplacer le corps de raccord dans une première direction d’enfilage jusqu’à ce que le tube 230 traverse la première ouverture de passage 121.
Dans la configuration de verrouillage, comme illustré sur les figures 7 et 8, la première ouverture de passage 121 est destinée à entourer étroitement, au moins, tout ou partie de la conduite 221 et de la partie d’extrémité de verrouillage, de manière à verrouiller en rotation la base 210 et le raccord 220 l’un par rapport à l’autre.
En pratique, si l’on maintient en place le corps de raccord, il suffit d’exercer une ou plusieurs forces sur la première paroi verticale 120 pour déplacer la première paroi verticale 120 dans une deuxième direction d’enfilage opposée à la première direction d’enfilage jusqu’à ce que la première ouverture de passage 121 entoure étroitement tout ou partie de la conduite 221 et de la partie d’extrémité de verrouillage, notamment sous l’effet des propriétés élastiques du corps de capuchon.
Afin de s’assurer du bon positionnement de la première ouverture de passage 121 par rapport à la conduite 221 et la partie d’extrémité de verrouillage, on peut prévoir que la face avant de la première paroi verticale 120 entre en butée contre au moins une partie de la base 210.
Dans un exemple, la largeur de la première ouverture de passage 121, dans son état non déformé, est inférieure à la largeur de partie centrale de la base 210.
Ainsi, lors du déplacement de la première paroi verticale 120 dans la deuxième direction d’enfilage, la première paroi verticale 120 va entrer en butée contre la partie centrale de la base pour signifier le bon positionnement de la première ouverture de passage 121 par rapport à la conduite 221 et la partie d’extrémité de verrouillage.
Afin de renforcer l’interdiction de verrouillage en rotation, on peut prévoir qu’une portion de la partie d’extrémité de verrouillage dépasse au-delà de la face arrière de la première paroi verticale 120.
Dans un exemple, tel qu’illustré sur la , la première paroi verticale 120 est configurée pour que dans la configuration de verrouillage, une portion de la partie d’extrémité de verrouillage dépasse d’une longueur prédéterminée au-delà de la face arrière de la première ouverture de passage 121.
Dans cet exemple, l’épaisseur de la première paroi verticale 120 est sensiblement inférieure à la longueur de la partie d’extrémité de verrouillage.
Par la suite, comme illustré sur la , la paroi supérieure 110 comprend une surface intérieure qui définit un logement 111 creux.
En pratique, dans la configuration de verrouillage, le logement 111 est destiné à recevoir étroitement, par clipsage, tout ou partie de la surface supérieure du corps de raccord, notamment sous l’effet des propriétés élastiques du corps de capuchon.
D’une façon générale, l’environnement numérique peut comporter l’ensemble des caoacités matérielles et logicielles du terminal qui échange le flux ou du réseau. Par exemple, la ou les propriétés décrivant l’environnement numérique utilisées sont typiquement un dispositif utilisé (par exemple un terminal fixe ou mobile tel qu’un ordinateur personnel, une tablette, une télévision ou un smartphone), un système d’exploitation utilisé (par exemple Windows 10, Ubuntu, Android, Mac ou iOS), un navigateur utilisé (par exemple Chrome, Firefox, Edge, Safari ou Opéra), et/ou au moins une caractéristique liée à un réseau de communication, par exemple un débit de connexion Internet (par exemple un débit de connexion montant et/ou un débit de connexion descendant) ou une latence.
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Le premier module d’obtention 110 est configuré pour obtenir un ensemble de données d’entraînement à partir d’une pluralité de paquets réseau, l’ensemble de données d’entraînement étant associé à un ensemble de valeurs cibles de propriétés décrivant un usage numérique cible.
L’invention a également pour objet une batterie rechargeable inorganique solide comprenant :
une anode solide (1) comprenant un métal alcalin (A) ou un alliage de métal alcalin (A) une cathode solide (2) comprenant un composé d’insertion des ions de métal alcalin (A), ladite cathode (2) étant dépourvue de polymère une couche solide (3), positionnée entre l’anode (1) et la cathode (2), comprenant un électrolyte solide conducteur des ions de métal alcalin (A), ledit électrolyte solide comprenant un oxyde à haute entropie de formule (I) tel que décrit ci-dessus.
Préférentiellement, le métal alcalin de l’anode (1) est le sodium ou le lithium, de façon préférée le sodium.
Préférentiellement, le composé d’insertion de la cathode (2) est choisi parmi les oxydes, les phosphates et leurs mélanges.
Préférentiellement, le composé d’insertion de la cathode (2) est choisi parmi Na 0.7 MnO 2 , NaCoO 2 , NaTiO 2 , NaV 2 O 5 , NaFePO 4 , NaCrO 3 et leurs mélanges.
Préférentiellement, la cathode (2) comprend en outre un oxyde à haute entropie conducteur des ions dudit métal alcalin, de formule (II) :
A y M’ 1-y O (II) où :
A désigne le métal alcalin M’ est une combinaison d’éléments métalliques comprenant au moins 4 éléments choisis parmi le Mg, le Co, le Ni, le Cu et le Zn y est la fraction molaire en métal alcalin A par rapport à la combinaison d’éléments métalliques M’ et au métal alcalin A, et est comprise entre 0,15 et 0,35, de préférence entre 0,30 et 0,35 O désigne l’oxygène.
Préférentiellement, l’oxyde à haute entropie de la cathode (2) est de même composition que l’oxyde à haute entropie de la couche (3).
Préférentiellement, la cathode (2) comprend en outre du graphite.
Préférentiellement, la batterie massive est une batterie massive ou une micro-batterie couche mince.
L’invention a également pour objet l’utilisation d’une batterie rechargeable inorganique solide telle que décrite ci-dessus dont les opérations de charge et de décharge s’effectuent à une température comprise entre - 20°C et 100°C, de préférence entre 10°C et 40°C, de façon particulièrement préférée entre 15°C et 25°C.
L’invention a également pour objet un véhicule comportant une batterie rechargeable inorganique solide massive telle que décrite ci-dessus configurée pour stocker et alimenter ledit véhicule en énergie.
L’invention a également pour objet un appareil électronique autonome de type objet connecté comportant une batterie rechargeable inorganique solide massive ou une microbatterie telles que décrites ci-dessus configurée pour stocker et alimenter ledit appareil en énergie.
L’invention a également pour objet un réseau intelligent d’électricité de type Smart Grid comportant une batterie rechargeable inorganique solide massive telle que décrite ci-dessus configurée pour stocker et alimenter ledit réseau en énergie.
DESCRIPTION DES FIGURES : représente l’évolution de la conductivité ionique d’un oxyde à haute entropie de formule A x (Mg 0.2 Co 0.2 Ni 0.2 Cu 0.2 Zn 0.2 ) 1-x O avec A = Li ou Na, en fonction de la fraction molaire x de métal alcalin comprise entre 0 et 0,32, à 20°C et 80°C (exemple 3)
32 Direction d’essuyage
42 Capuchon d’extrémité
44 Capuchon d’extrémité
46 Adaptateur de bras d’essuie-glace
50 Direction longitudinale du balai d'essuie-glace
52 Plan de coupe
100 Elément de couverture
102 Axe de symétrie
104 Paroi latérale de l’élément de couverture
105 Contour
126 Traverse/Poutre supérieure
128 Entretoise
Interface homme-machine pour réinitialiser une information sur le niveau de liquide lave-glace L’invention se rapporte au domaine technique des interfaces homme-machine dans un véhicule.
L’invention trouve son application dans la réinitialisation d’une information concernant le remplissage d’un réservoir du liquide de type lave-glace.
État de l’art Il est connu de l’état de la technique d’utiliser des capteurs intégrés au réservoir, permettant d’alerter, via une interface homme-machine, un utilisateur (e.g. le conducteur) lorsque le niveau du liquide lave-glace est faible voire critique. L’utilisateur remplit alors le réservoir, et le capteur détecte que le réservoir est rempli.
Une telle solution de l’état de la technique n’est pas entièrement satisfaisante dans la mesure où l’intégration d’un tel capteur au réservoir possède un certain coût économique mais surtout technique.
Les graisses mises en œuvre dans les exemples sont préparées de la façon suivante : on fait réagir un mélange d’amines avec un diisocyanate jusqu’à obtention d’une graisse de base comprenant un mélange de diurées et d’huile de base. L’additif sulfonate est ensuite ajouté dans différentes proportions et la composition de graisse est homogénéisée avec un broyeur.
La graisse de base (diurées et huile de base) du tableau 2 (CC1) présente une résistivité à 100°C de 1,19.10 9 ohmmètre.
L’additif sulfonate est un sel neutre de dinonylnaphtalènesulfonate de calcium comportant environ 2,1% en poids de calcium.
Le tableau 2 indique les proportions des ingrédients en pourcentage en poids par rapport au poids total de la composition.
CC1 CC2 CI1 CI2 CI3 CI4 CI5 CI6 graisse de base 100 0 99,5 99 97 95 93 90 sulfonate 0 100 0,5 1 3 5 7 10
La conductivité électrique a été mesurée à 50°C, à 100°C et à 150°C selon le protocole suivant :
nettoyage du corps de mesure comportant un connecteur et un capteur de mesure avec : heptane et acétone séchage à l’air comprimé ajout de 8 mL de composition de graisse avec une seringue dans le capteur de mesure protection du capteur de mesure avec un fourreau pour chauffer mesure de conductivité à 50°C, 100°C et 150°C après mesure, nettoyage à l’heptane et acétone.
Les mesures de résistivité en ohmmètre sont indiquées dans le tableau 3.
50°C 100°C 150°C CC1 3,63.10 10 1,19.10 9 3,45.10 8 CC2 7,46.10 7 2,27.10 6 3,25.10 5 CI1 1,64.10 9 8,86.10 7 1,29.10 7 CI2 7,97.10 8 4,97.10 7 7,11.10 6 CI3 2,91.10 8 1,92.10 7 3,72.10 6 CI4 1,41.10 8 8,64.10 6 2,38.10 6 CI5 1,04.10 8 6,25.10 6 1,82.10 6 CI6 6,24.10 7 3,67.10 6 1,14.10 6
Les résultats du tableau 3 montrent que l’ajout de l’additif sulfonate diminue significativement la résistivité, ce qui est synonyme d’une augmentation de la conductivité électrique. Ces résultats montrent également que la conductivité est améliorée même à de faibles taux de traitement.
Exemple 2 : Autres additifs sulfonate
Les additifs décrits dans le tableau 4 ont été testés.
No. Additif sulfonate métal % en poids de métal CI7 Dinonylnaphtalènesulfonate neutre lithium 0,76 CI8 Dinonylnaphtalènesulfonate neutre Barium 6,6 CI9 Complexe alkylnaphtalènesulfonate/carboxylate Calcium 2,2 CI10 Alkylnaphtalènesulfonate neutre Calcium 1,7 CI11 alkylnaphtalènesulfonate/carboxylate Calcium 2,5 CI12 Dinonylnaphtalènesulfonate neutre Magnésium 1,3 CI13 Alkylnaphtalènesulfonate Sodium 2,4 CI14 Dinonylnaphtalènesulfonate zinc 2,8
Des compositions de graisse ont été préparées avec les additifs sulfonate du tableau 4. Chaque composition de graisse comprend 2% en poids d’additif sulfonate et 98% en poids de graisse de base décrite dans l’exemple 1.
Les mesures de résistivité en ohmmètre ont été effectuées selon le protocole décrit dans l’exemple 1 à 100°C et sont indiquées dans le tableau 5.
CI7 CI8 CI9 CI10 CI11 CI12 CI13 CI14 Résistivité à 50°C (10 8 Ωm) 5,53 1,77 6,71 4,87 4,67 4,65 3,22 5,45 Résistivité à 100°C (10 7 Ωm) 4,04 1,81 3,91 2,93 4,81 4,25 2,61 2,65 Résistivité à 150°C (10 6 Ωm) 12,80 4,99 5,18 2,91 9,06 10,30 7,73 12,20
La première paroi d’extrémité 24 et le corps tubulaire 22 sont reliés par un procédé de soudage par friction.
Le corps tubulaire 22, les première et deuxième parois d’extrémité 24, 26 ainsi que le mode d’assemblage du corps tubulaire 22 et de la première paroi d’extrémité 24 ne sont pas plus décrits car ils peuvent être identiques à ceux de l’art antérieur.
Le réservoir 20 comprend une couronne de jonction 32 intercalée entre le corps tubulaire 22 et la deuxième paroi d’extrémité 26, ladite couronne de jonction 32 étant reliée au corps tubulaire 22 par une première soudure périphérique 34 obtenue par un procédé de soudage par friction ainsi qu’à la deuxième paroi d’extrémité 26 par une deuxième soudure périphérique 36 obtenue par un procédé de soudage par friction.
La couronne de jonction 32 comprend : un premier tronçon cylindrique 38 configuré pour s’emmancher dans la deuxième extrémité 22.2 du corps tubulaire 22, un deuxième tronçon cylindrique 40 destiné à être positionné dans le prolongement de l’extrémité 30 de la deuxième paroi d’extrémité 26, ledit deuxième tronçon cylindrique 40 présentant une extrémité libre 40.1 orientée vers la deuxième paroi d’extrémité 26, un épaulement 42 positionné approximativement dans un plan transversal, en saillie vers la zone extérieure du réservoir 20 par rapport au premier tronçon cylindrique 38, ledit épaulement 42 étant attenant au premier tronçon cylindrique 38, une âme transversale 44 en forme d’anneau comportant un bord extérieur relié au premier tronçon cylindrique 38 et un bord intérieur orienté vers la zone intérieure du réservoir, ladite âme transversale 44 étant située approximativement dans le même plan transversal que l’épaulement 42.
Selon ce mode de réalisation, la couronne de jonction 42 présente une section proche d’un T.
Le premier tronçon cylindrique 38 présente un diamètre extérieur D38 sensiblement égal au diamètre intérieur D22i du corps tubulaire 22. L’épaulement 42 présente une hauteur H42 sensiblement égale à l’épaisseur E0 du corps tubulaire 22. Le deuxième tronçon cylindrique 40 comporte une face extérieure affleurant les faces externes Fe, Fe’ du corps tubulaire 22 et de la deuxième paroi d’extrémité 26.
Le premier tronçon cylindrique 38 et l’âme transversale 44 permettent d’assurer la reprise des efforts générés par une tête de soudage par friction 50 lors de la réalisation de la première soudure périphérique 34.
Selon un mode de réalisation visible sur la , le deuxième tronçon cylindrique 40 présente une longueur (dimension prise selon la direction longitudinale) supérieure à celle du premier tronçon cylindrique 38. Le deuxième tronçon cylindrique 40 présente un diamètre extérieur D40e sensiblement constant sur toute sa longueur ainsi qu’un diamètre intérieur D40i qui diminue, notamment par paliers, de l’extrémité libre 40.1 jusqu’à l’âme transversale 44, notamment par paliers. Ainsi, le deuxième tronçon cylindrique 40 présente une épaisseur qui augmente de l’extrémité libre 40.1 jusqu’à l’âme transversale 44.
Pour augmenter sa résistance, la couronne de jonction 32 comprend un tronçon tubulaire interne 46 coaxial au premier tronçon cylindrique 38 et relié au bord intérieur de l’âme transversale 44. Ainsi, la couronne de jonction 32 présente une section proche d’un I.
Selon un mode opératoire visible sur la , le procédé de fabrication comprend une première étape de positionnement du deuxième tronçon cylindrique 40 de la couronne de jonction 32 dans le prolongement de l’extrémité 30 de la deuxième paroi d’extrémité 26 ainsi qu’une étape de mise en place d’une contre-plaque 48 contre les faces internes du deuxième tronçon cylindrique 40 et de la deuxième paroi d’extrémité 26. Ainsi, l’extrémité libre 40.1 du deuxième tronçon cylindrique 40 de la couronne de jonction 32 est positionnée face au chant C’ de l’extrémité 30 de la deuxième paroi d’extrémité 26, contre ou très faiblement espacée dudit chant C’.
Le procédé de fabrication comprend une étape de réalisation de la deuxième soudure périphérique 36 en utilisant une tête de soudage par friction 50. Cette deuxième soudure périphérique 36 est réalisée au niveau du plan de jonction de l’extrémité libre 40.1 du deuxième tronçon cylindrique 40 de la couronne de jonction 32 et du chant C’ de l’extrémité 30 de la deuxième paroi d’extrémité 26 pour relier la deuxième paroi d’extrémité 26 et la couronne de jonction 32.
Le procédé de fabrication comprend une étape de retrait de la contre-plaque 48. Cette dernière étant disjointe du réservoir 20, elle peut en être retirée car ce dernier n’est pas encore totalement fermé.