INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Le véhicule à selle d’un mode de réalisation de la présente invention peut avoir la structure suivante : ledit moteur possède un moteur thermique équipé d’une valve d’étranglement à commande électronique, d’un démarreur relié à un vilebrequin, ou bien d’au moins une valve à commande électronique installée sur une déviation qui contourne une valve d’étranglement, et/ou possède un moteur électrique de traction, et ladite boîte de vitesses possède un des éléments suivants : une transmission à variation continue à commande électronique, une transmission multi-rapports à commande électronique, une transmission à double embrayage, une transmission à variation continue de type centrifuge capable de fixer le rapport de vitesse électriquement, ou bien une combinaison d’une transmission pour le mode de conduite, qui est une transmission multi-rapports ou une transmission à variation continue, avec une transmission pour le mode rampage et avec un embrayage à commande électronique pour la commutation de transmission.
Le véhicule à selle d’un mode de réalisation de la présente invention peut avoir la structure suivante : ledit dispositif de commande annule ledit mode rampage et le fait passer en mode de conduite lorsqu’il y a une opération effectuée sur ledit moyen d’accélération durant le mode rampage, ou lorsqu’il y a une opération effectuée sur un moyen de freinage par le conducteur en mode rampage, ou lorsqu’il y a une opération effectuée sur le moyen d’embrayage par le conducteur en mode rampage, ou lorsqu’il y a une opération effectuée sur ledit moyen d’accélération ou sur ledit moyen de freinage durant le mode rampage, ou lorsqu’il y a une opération effectuée sur ledit moyen d’accélération ou sur ledit moyen d’embrayage durant le mode rampage, ou lorsqu’il y a une opération effectuée sur ledit moyen de freinage ou sur ledit moyen d’embrayage durant le mode rampage, ou bien lorsqu’il y a une opération effectuée par ledit conducteur durant le mode rampage sur au moins l’un des éléments suivants : le moyen de freinage, le moyen d’embrayage etle moyen d’accélération.
D’après cette configuration, le mode rampage est annulé et passe en mode de conduite lorsqu’il y a une opération effectuée sur le moyen d’accélération par le conducteur en mode rampage. Ou bien, le mode rampage est annulé et passe en mode de conduite lorsqu’il y a une opération effectuée sur le moyen de freinage par le conducteur en mode rampage. Ou bien, le mode rampage est annulé et passe en mode de conduite lorsqu’il y a une opération effectuée sur le moyen d’embrayage par le conducteur en mode rampage. Ou bien, le mode rampage est annulé et passe en mode de conduite lorsqu’il y a une opération effectuée sur le moyen d’accélération ou le moyen de freinage par le conducteur en mode rampage. Ou bien, le mode rampage est annulé et passe en mode de conduite lorsqu’il y a une opération effectuée sur le moyen d’accélération ou le moyen d’embrayage par le conducteur en mode rampage. Ou bien, le mode rampage est annulé et passe en mode de conduite lorsqu’il y a une opération effectuée sur le moyen de freinage ou le moyen d’embrayage par le conducteur en mode rampage. Ou bien, le mode rampage est annulé et passe en mode de conduite lorsqu’il y a une opération effectuée par le conducteur en mode rampage sur au moins l’un des éléments suivants : le moyen de freinage, le moyen d’accélération et le moyen dembrayage. Ici, la sensation de gêne par rapport au bruit disparaît même si l’opération effectuée sur le moyen d’accélération est légère car il y a une intention de manipulation de la part du conducteur. La sensation de gêne par rapport au bruit disparaît même si l’opération effectuée sur le moyen de freinage est légère car il y a une intention de manipulation de la part du conducteur. La sensation de gêne par rapport au bruit disparaît même si l’opération effectuée sur le moyen d’embrayage est légère car il y a une intention de manipulation de la part du conducteur. La commande du dispositif de commande pour réprimer le bruit de fonctionnement devient alors inutile. En outre, le véhicule à selle peut avoir un moyen d’embrayage ou non.
Définition d’un véhicule à selle Dans la présente invention ainsi que ses modes de réalisation, le terme « véhicule à selle » désigne l’ensemble des véhicules dans lequel le conducteur monte en se positionnant à califourchon sur une selle. Un « véhicule à selle » possède au moins une roue avant et au moins une roue arrière. Le terme de « véhicule à selle » comprend les motocycles, les véhicules automobiles à trois roues, et les buggies à quatre roues (véhicule tout-terrain, dit « All Terrain Vehicle (ATV) » en anglais), entre autres. Les motocycles incluent entre autres les scooters, les bicyclettes motorisées, et les cyclomoteurs.
Définition du sélecteur de mode Dans la présente invention et ses modes de réalisation, un « sélecteur de mode » est un moyen permettant de choisir entre le mode rampage et le mode de conduite avec un mouvement du conducteur. Le sélecteur de mode peut être un élément actionné par le conducteur, un capteur d’assise qui détecte si le conducteur est assis sur le siège ou non, ou peut être les deux à la fois : un élément à actionner et un capteur d’assise. De plus, il peut y avoir durant le mode rampage un mode d’aide à la poussée et un mode en position assise. Dans ce cas, le sélecteur de mode peut être un commutateur permettant de choisir entre le mode d’aide à la poussée et le mode en position assise. Dans la présente invention et ses modes de réalisation, le terme « commande normale » signifie une commande qui n’est pas une « commande de rampage » de la présente invention et de ses modes de réalisation.
Autres Par ailleurs, dans la présente invention et ses modes de réalisation, l’expression « au moins un (l’un) parmi plusieurs choix » comprend toutes les combinaisons possibles de plusieurs choix. « Au moins un (l’un) parmi plusieurs choix » peut signifier un seul choix parmi plusieurs choix, ou tous les choix parmi plusieurs choix. Par exemple, « au moins un parmi A, B et C » peut être uniquement A, uniquement B, uniquement C, ou peut être A et B, ou A et C, ou B et C, ou peut être A, B et C.
Par ailleurs, dans la présente invention et ses modes de réalisation », les termes « monté, connecté, couplé, soutenu » sont utilisés au sens large. Concrètement, il ne s’agit pas uniquement de montage, connexion, couplage ou soutien directs, mais cela inclut également le montage, la connexion, le couplage et le soutien indirects. En outre, les termes « connecté et couplé » ne se limitent pas aux connexions/couplages physiques ou mécaniques. Ils comprennent également des connexions/couplages électriques directs ou indirects.
Selon un mode de réalisation, l’anode (1) a une épaisseur comprise entre 1µm et 1mm. Lorsque la batterie selon l’invention est une batterie massive, l’anode (1) a une épaisseur préférentiellement comprise entre 0,1mm et 0,5mm. Lorsque la batterie selon l’invention est une micro-batterie, l’anode (1) a une épaisseur préférentiellement comprise entre 1µm et 100µm.
L’anode (1) peut se présenter sous la forme d’un film de sodium métal.
Couche solide (3)
La couche solide (3), positionnée entre l’anode (1) et la cathode (2), comprend un électrolyte solide conducteur des ions de métal alcalin, ledit électrolyte solide comprenant un oxyde à haute entropie de formule (I) A x M 1-x O tel que décrit précédemment.
Ainsi, la couche solide (3) comprend l’oxyde à haute entropie dont la formule et le procédé de préparation ont été décrits précédemment.
Selon un mode de réalisation, la couche solide (3) est constituée d’un électrolyte solide conducteur des ions de métal alcalin, ledit électrolyte solide comprenant ou consistant en un oxyde à haute entropie de formule (I).
Selon un mode de réalisation, la couche (3) a une épaisseur comprise entre 1µm et 1mm. Lorsque la batterie selon l’invention est une batterie massive, la couche (3) a une épaisseur préférentiellement comprise entre 0,1mm et 0,5mm. Lorsque la batterie selon l’invention est une micro-batterie, la couche (3) a une épaisseur préférentiellement comprise entre 1µm et 100µm.
Cathode solide (2)
La cathode (2) comprend un composé d’insertion des ions du métal alcalin (A). Lors de l’opération de charge, il y a désinsertion d’ions du métal alcalin (A) de la structure de la maille cristalline du composé d’insertion. Lors de l’opération de décharge, le phénomène est inverse : il y a insertion d’ions du métal alcalin (A) dans la structure de la maille cristalline du composé d’insertion.
Selon un mode de réalisation, le composé d’insertion de la cathode (2) est choisi parmi les oxydes, les phosphates et leurs mélanges
Selon un autre mode de réalisation, le composé d’insertion de la cathode (2) est choisi parmi Na 0.7 MnO 2 , NaCoO 2 , NaTiO 2 , NaV 2 O 5 , NaFePO 4 , NaCrO 3 et leurs mélanges
Selon un autre mode de réalisation, le composé d’insertion de la cathode (2) est choisi parmi Na 0.7 MnO 2 et NaCoO 2 , Na 0.7 MnO 2 étant préféré.
Le composé d’insertion peut être synthétisé selon un procédé sol-gel. Par exemple, le composé Na 0.7 MnO 2 peut être synthétisé selon le mode opératoire décrit par Franger et al. (7). Un procédé par voie solide utilisant les oxydes binaires des éléments métalliques peut également être mis en œuvre, comme illustré dans l’exemple 5 pour le composé NaCoO 2 .
Selon un autre mode de réalisation, la cathode (2) comprend en outre un oxyde à haute entropie conducteur des ions du métal alcalin (A) tel que décrit précédemment, de formule (II) A y M’ 1-y O où
A désigne le métal alcalin ; M’ est une combinaison d’éléments métalliques comprenant au moins 4 éléments choisis parmi le Mg, le Co, le Ni, le Cu et le Zn ; y est la fraction molaire en métal alcalin A par rapport à l’ensemble des éléments métalliques de M’ et au métal alcalin A, et est comprise entre 0,15 et 0,35, de préférence entre 0,30 et 0,35 ; O désigne l’oxygène.
L’oxyde à haute entropie de formule (II) A y M’ 1-y O de la cathode (2) est préparé selon le même procédé que l’oxyde à haute entropie de formule (I) A x M 1-x O de la couche (3).
Lorsque le signal radar est détecté comme disponible, le BSI effectue dans une quatrième opération une deuxième commutation vers le signal radar, le système ADAS étant contrôlé dans une cinquième opération en fonction du signal radar, correspondant à un deuxième contrôle. Optionnellement, le deuxième contrôle est effectué en fonction du signal radar et du signal caméra, c’est-à-dire que les données issues du radar et de la caméra sont toutes deux employées pour le fonctionnement des systèmes ADAS du véhicule 11. On comprend ici que le deuxième contrôle correspond à une opération normale des systèmes ADAS et est mise en œuvre selon des procédés connus de l’homme du métier.
Ainsi, le procédé selon l’invention permet d’alterner entre un fonctionnement normal des systèmes ADAS du véhicule et un fonctionnement dégradé lors du dysfonctionnement éventuel d’un radar embarqué du véhicule, permettant de conserver de manière au moins temporaire le fonctionnement des systèmes ADAS avant un retour de la disponibilité du radar embarqué ou encore une reprise en main du véhicule par le conducteur en cas d’indisponibilité prolongé.
illustre schématiquement un dispositif configuré pour contrôler un système d’aide à la conduite d’un véhicule, selon un exemple de réalisation particulier et non limitatif de la présente invention. Le dispositif 2 correspond par exemple à un dispositif embarqué dans le véhicule 11, par exemple un calculateur du système ADAS ou un BSI. Le dispositif 2 est par exemple configuré pour recevoir des données de la part de capteurs embarqués du véhicule 11 et/ou d’autres calculateurs, et contrôler un système ADAS du véhicule 11.
illustre un organigramme des différentes étapes d’un procédé de contrôle d’un système d’aide à la conduite d’un véhicule circulant dans un environnement routier, par exemple un système ADAS du véhicule 11, selon un exemple de réalisation particulier et non limitatif de la présente invention. Le procédé est par exemple mis en œuvre par un dispositif embarqué dans le véhicule 11 ou par le dispositif 2 de la .
Avantageusement, l’énergie nécessaire au fonctionnement électrique de l’appareil 1, et en particulier du ventilateur 11, est fournie par une batterie d’accumulateurs électriques, laquelle est préférentiellement agencée à l’intérieur de l’élément central avant 3. Avantageusement, le fonctionnement électrique de l’appareil 1 est commandable par l’utilisateur par l’intermédiaire au moins d’un bouton marche / arrêt, lequel est préférentiellement porté par l’élément central avant 3. Optionnellement, l’appareil 1 peut comprendre un capteur de particules fines et / ou de composés organiques volatils, qui détecte la présence particules fines et / ou de composés organiques volatils dans l’air ambiant environnant et en mesure la concentration. De préférence, le capteur est alors logé dans l’élément central avant 3. Avantageusement, un tel capteur est conçu et configuré pour transmettre à un ordinateur ou à un téléphone intelligent distant, par exemple selon une liaison de données sans-fil, des informations relatives à la présence et à la concentration de tels particules fines et / ou composés organiques volatils, de manière à informer l’utilisateur sur la qualité de l’air environnant.
LANCER FRANC L’innovation concerne le domaine du divertissement sportif, qui s’appuie sur la technologie pour divertir. Un lieu ludique de demi-terrains de basketball et plus particulièrement l’aire de jeux, spécifique à la pratique de tirs accessible à tout public.
L’aire de jeux comprend des demi-terrains de basketball, équipés d’un revêtement de sol parqueter, des emplacements de détecteurs de points enregistrant les présences. Un rack à ballon enfants, adultes. Un but réglable avec affichage scoring chrono et alerte sonore. Les demi-terrains seront séparés par un filet, les murs équipés de dalles de protection souple.
La zone de repos appelée, aussi zone relax séparée de l’aire de jeux par des cloisons et portes vitrées. Des écrans d’affichages scoring afin de suivre les parties. L’espace repos sera matérialisé et aménagé par un revêtement de sol souple, doux, de canapés, fauteuils, tables basses et tablettes scoring qui seront en relation avec les demi-terrains, et bornes de réservations situé à l’accueil.
Derrière, un espace gaming, billard, écrans HD, tableaux d’affichages, un service bar restauration rapide, et mise à disposition de casiers vestiaires.
Terrasse extérieur équipée et aménagée d’un revêtement de sol bétonné, de tables, chaises, fauteuils, plantes, et parasols.
Dans les dessins qui illustrent l’innovation,
représente une vue en perspective du concept.
représente une vue d’ensemble du concept.
représente une vue de coupe de section de la présente innovation.
représente une vue plongeante semblable à la de la présente innovation.
représente une vue d’un schéma de détecteurs de points enregistrant les présences au sol.
représente un schéma de zones de points attribués au tireur selon son positionnement, une fois l’essai réussi.
représente une vue de la zone de repos.
En se référant aux dessins plus particulièrement les et représentent les différents éléments du concept, spécifique à la pratique de tirs arrêtés qui révèlent l’innovation.
L’aire de jeux avec ses demi-terrains en revêtements de sol parquetés 1. Leurs détecteurs de points enregistrant les présences. Des buts réglables avec affichages scoring et alerte sonore 2. Des racks de ballons 3. Les demi-terrains sont séparés par un filet 4. Les murs équipés de dalles de protections souples 5.
Un exemple de mémoire utilisant des états de résistance distincts pour stocker des données est une mémoire magnétique à accès aléatoire (MRAM). Selon un exemple de mise en oeuvre, une mémoire MRAM comprend un réseau de cellules, dont chacune comprend une jonction tunnel magnétique (MTJ, Magnetic Tunnel Junction) formée d'une paire de couches ferromagnétiques séparées par une mince couche isolante. Une première couche ferromagnétique, dite "couche de référence" ou "couche fixe", est caractérisée par une aimantation avec une direction fixe, et une deuxième couche ferromagnétique, dite "couche de stockage" ou "couche libre", est caractérisée par une aimantation avec une direction qui varie lors de l'écriture de la cellule, par exemple en appliquant un champ magnétique à ladite cellule, ou une impulsion de courant ou de tension. Une cellule MRAM comprend en outre généralement un premier contact métallique (ou contact métallique supérieur) et un deuxième contact métallique (ou contact métallique inférieur), les couches ferromagnétiques et isolante étant entre le premier contact et le deuxième contact.
Lorsque les aimantations respectives de la couche de référence et de la couche de stockage sont antiparallèles, la jonction tunnel magnétique présente une valeur de résistance élevée, correspondant par exemple à un état logique haut "1". Par contre, lorsque les aimantations respectives sont parallèles, la résistance de la jonction tunnel magnétique est basse qui correspond alors selon l’exemple à un état logique bas "0". Selon un autre exemple, une valeur de résistance élevée correspond par exemple à un état logique bas "0" et une valeur de résistance basse correspond par exemple à un état logique haut "1".
Selon un exemple, le ratio des valeurs de résistance entre les deux états (valeur de résistance en configuration antiparallèle sur valeur de résistance en configuration parallèle) est de l’ordre de 1,5 à 2.
Afin de tester une cellule MTJ en régime impulsionnel à haute fréquence, en particulier pour déterminer un taux d’erreur binaire (BER) de ladite cellule, celle-ci peut être lue en déterminant sa valeur de résistance, et dans certains cas, en comparant la valeur de résistance déterminée à une valeur de résistance de référence qui peut être une valeur de résistance intermédiaire entre celle de l'état logique haut "1" et de l'état logique bas "0".
Par exemple, le terme de haute fréquence dans le cas d’une mémoire MRAM s’explique par le fait qu’un changement d’état d’une cellule de la mémoire (opération d’écriture) peut s’effectuer par application, sur la résistance de la cellule, d’impulsions de courant, éventuellement induites par des impulsions de tension, de l’ordre d’une centaine de picosecondes à quelques centaines de nanosecondes, avec des temps de montée (transitions) des impulsions de l’ordre de quelques dizaines de picosecondes à quelques dizaines de nanosecondes. Dans cet exemple, le dispositif de génération des impulsions doit présenter une fréquence de coupure haute supérieure à 10 GHz. La fréquence de coupure basse est définie par l’opération de lecture, pour lequel un mode quasi-statique, ou, dit autrement, une fréquence beaucoup plus basse, est communément utilisé(e). Ainsi, en lecture, un courant de polarisation peut être appliqué sur la cellule de façon constante pendant lequel la lecture de la tension s’effectue, et ce, pendant une durée entre 1 microseconde et 10 millisecondes, la fréquence basse de fonctionnement du circuit étant alors de quelques dizaines de Hz à quelques dizaines de kHz.
L'écriture d’une cellule nécessite l'application d'un courant, ou d’une tension, d’amplitude suffisamment élevée entre les premier et deuxième contacts métalliques de ladite cellule, pour induire un champ magnétique qui oriente (commute) la couche libre dans la direction souhaitée.
La lecture de la cellule pour tester celle-ci peut s'effectuer par une mesure de sa résistance électrique en appliquant un courant, ou une tension, entre le premier contact et le deuxième contact de ladite cellule, d’amplitude inférieure à l’amplitude du courant, ou de la tension, appliqué(e) en écriture, afin que l'opération de lecture ne modifie pas l'état de la cellule pendant le test.
Pour déterminer un BER par mesure analogique de la résistance de la cellule, on peut utiliser un système de test comprenant : - un premier appareil de génération de signal pour l’écriture d’une cellule, par exemple un générateur d'impulsions (PG, Pulse Generator), ou un générateur d’ondes arbitraires (AWG, Arbitrary Waveform Generator) ; - un deuxième appareil de génération de signal pour la lecture de l’état de la cellule, par exemple un sourcemètre ou unité de mesure et de source (SMU, Source Measure Unit) ; - une sonde de test adaptée à venir en contact électrique avec la cellule et à appliquer à ladite cellule un signal pour l’écriture et un signal pour la lecture ; - un appareil de mesure électrique, qui peut être un oscilloscope ou un multimètre, par exemple un multimètre numérique (DMM, Digital MultiMeter), couplé au deuxième appareil de génération de signal et permettant de déterminer une valeur de résistance de la cellule en lecture.
Par exemple, le PG génère une première impulsion de tension d’écriture pour amener la cellule à commuter vers un état logique bas "0", puis le SMU génère une première impulsion de tension de lecture d’amplitude inférieure à celle de la première impulsion d’écriture et le DMM couplé au SMU contrôle si la cellule a bien commuté vers l’état logique "0" en déterminant une valeur de résistance de la cellule ; ensuite le PG génère une deuxième impulsion de tension d’écriture pour amener la cellule à commuter vers un état logique haut "1", puis le SMU génère une deuxième impulsion de tension de lecture d’amplitude inférieure à celle de la deuxième impulsion d’écriture et le DMM couplé au SMU contrôle si la cellule a bien commuté vers l’état logique "1" en déterminant une autre valeur de résistance de la cellule.
Ce cycle complet écriture/lecture/contrôle état "0" - écriture/lecture/contrôle état "1", qui est généralement requis pour réaliser le test pour chacun des deux états de la cellule, peut avoir une durée comprise entre plusieurs dizaines de microsecondes et quelques millisecondes, par exemple égale à environ 500 microsecondes (µs).
Or, pour déterminer des BER très faibles, il peut être nécessaire de réaliser un nombre comparativement important de tentatives d'opérations d’écriture lors du test, par exemple de l’ordre du million de cycles pour le test d’une seule condition de test en écriture/lecture pour une seule cellule de mémoire, ce qui fait que le test d’une cellule peut durer entre plusieurs dizaines de secondes et plusieurs minutes, par exemple environ 500 secondes pour une condition de test (par exemple, une amplitude et une largeur d’impulsion données). En outre, des tests sont généralement réalisés sur plus d’une cellule, parfois sur une à plusieurs centaines de cellules d’une mémoire. Chacune de ces cellules est généralement testée selon un jeu de plusieurs paramètres d’écriture/lecture, par exemple avec plusieurs amplitudes et plusieurs largeurs d’impulsion.
Les inventeurs ont cherché à raccourcir la durée de test d’une cellule et d’une mémoire, en particulier à réduire la durée d’un cycle de test.
En particulier, les inventeurs ont réalisé que, pour faire une mesure analogique de la résistance lors d’un test de BER, l’utilisation des trois appareils (PG, SMU, DMM) du système précédemment décrit permettait difficilement de réaliser un cycle complet en moins de quelques centaines de microsecondes. Une des raisons à cela est que les lignes d’écriture (hautes fréquences) et de lecture (basses fréquences) y sont dissociées. En outre, l’ensemble des appareils de mesure est connecté à la cellule MTJ en alternant l’application du signal pour l’écriture et du signal pour la lecture, ou en les appliquant simultanément. En outre, le test nécessite de synchroniser les appareils entre eux. Ainsi, il faut prendre en compte les délais d’initialisation et de stabilisation des appareils, nécessaires notamment à l’ajustement du courant, ou de la tension, de polarisation généré par le SMU lors de l’opération de lecture subséquente à l’opération d’écriture, étant donné que le ratio des valeurs de résistance entre les deux états peut être de l’ordre d’un facteur 1,5 à 2. Le courant, ou la tension, de polarisation appliqué(e) doit être à valeur fixe, et donc être ajusté(e) à la valeur de la résistance de l’état courant de la cellule MTJ (état de résistance haute ou de résistance basse). Cela peut nécessiter d’avoir des latences importantes entre les impulsions.