INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Afin de permettre la collecte de la feuille de verre 1 lorsque celle-ci est agencée dans ladite position de butée, le système de collecte 20 comporte, outre le dispositif de collecte 21, les éléments suivants : - des moyens de déplacement 26 configurés pour positionner le dispositif de collecte 21 dans ladite position d’aspiration lorsque la feuille de verre 1 est agencée dans ladite position de butée. De tels moyens de déplacement 26 sont de type connu en soi pour permettre le déplacement en question. En particulier, lesdits moyens de déplacement peuvent être configurés pour rapprocher et éloigner le dispositif de collecte 21 du tapis de convoi 30. A titre d’exemple, lesdits moyens de déplacement 26 peuvent comporter un moteur d’entrainement ainsi qu’un support de déplacement, comme par exemple un rail de guidage ; - des moyens d’aspiration 27 configurés pour générer, via les moyens de circulation (i.e. via les orifices 231 dans le présent mode de réalisation), une aspiration d’un flux d’air au travers de la face inférieure 221, de sorte à permettre l’aspiration et le maintien de la feuille de verre 1 contre le dispositif de collecte 21 lorsque le dispositif de collecte 21 est agencé dans la position d’aspiration et que la feuille de verre 1 est agencée dans la position de butée.
Selon un exemple particulier de réalisation, les moyens de déplacement 26 (respectivement les moyens d’aspiration 27) sont automatisés, et comportent alors un processeur ainsi qu’une mémoire, par exemple une mémoire morte, lisible par ledit processeur. En outre, un programme d’ordinateur est enregistré dans ladite mémoire et comporte des instructions qui, lorsqu’elles sont lues par le processeur, permettent de commander les moyens de déplacement 26 (respectivement les moyens d’aspiration 27) de sorte qu’ils soient positionnés de manière appropriée (respectivement de sorte qu’ils génèrent une aspiration appropriée).
La représente, sous forme d’ordinogramme, un mode particulier de mise en œuvre dudit procédé de mise en forme.
Pour la description dudit procédé de mise en forme, on considère de manière nullement limitative que le dispositif de maintien 21 est équipé de moyens de butée tels que décrits précédemment (i.e. aucun moyen de butée n’équipe le tapis de convoi 30).
Tel qu’illustré par la , le procédé de mise en forme comporte dans un premier temps une étape E10 de chauffe de la feuille de verre 1 à une température de ramollissement dans la zone de chauffage 10.
Le procédé comporte également une étape E20 de transfert de la feuille de verre 1, au moyen du tapis de convoi 30, vers le système de collecte 20. Ce transfert est mis en œuvre de sorte que la feuille de verre 1 atteigne ladite position de butée sur ledit tapis de convoi 30.
Dans le présent mode de mise en œuvre, ledit procédé comportant en outre, avant que la feuille de verre 1 n’atteigne la position de butée, une étape E30 d’activation des moyens de déplacement 26 pour rapprocher le dispositif de collecte 21 du tapis de convoi, de sorte que la position de butée de la feuille de verre 1 corresponde à une position dans laquelle la feuille de verre 1 est en contact avec les moyens de butée du support de maintien.
Dans le mode de mise en œuvre décrit ici, on suppose également que le déplacement du dispositif de maintien 21 effectué lors de l’étape E30 permet à ce dernier d’atteindre ladite position d’aspiration. Cela étant, il reste possible d’envisager d’autres modes de mise en œuvre dans lesquels l’ajustement de la position du dispositif de maintien 21 vers la position d’aspiration s’effectue après que la feuille de verre 1 ait atteint la position de butée.
Dès lors, le procédé comporte une étape E40 d’activation des moyens d’aspiration 27 de sorte à aspirer et maintenir la feuille de verre 1 contre le dispositif de collecte 21.
Chaque segment déflecteur peut couvrir, de préférence plus de la moitié de l’extension longitudinale globale du balai d'essuie-glace. L’élément déflecteur est, de préférence, réalisé en une matière plastique, de forme plus stable.
Selon l’invention, la paroi latérale qui couvre au moins en partie la cavité longitudinale et la paroi de cavité qui s’interpénètrent, sont en prise, notamment par une liaison par la forme. Le couplage entre la paroi de la cavité longitudinale et la paroi latérale de l’élément déflecteur a l’avantage d’éviter le décrochage du corps de base par rapport au rail élastique pendant le mouvement d’inversion. En même temps, la cavité longitudinale peut avantageusement déployer son potentiel d’élasticité et d’amortissement pendant le mouvement d’essuyage normal au-delà des points d’inversion du mouvement car la cavité longitudinale n’est pas inutilement encastrée même dans la direction verticale.
Selon un développement avantageux de l’invention, l’élément déflecteur forme le logement du rail élastique. L’élément déflecteur est réalisé comme partie du logement du rail élastique. Le corps de base et l’élément déflecteur forment en commun le logement du rail élastique.
Selon un autre développement avantageux de l’invention, le segment de paroi latérale respectif de l’élément déflecteur ou la paroi de la cavité longitudinale du corps de base comporte un élément de prise qui pénètre dans la paroi de la cavité longitudinale du corps de base ou du segment de paroi latérale de l’élément déflecteur en particulier par une liaison par la forme. Du fait de l’accrochage latéral, la cavité longitudinale reste dans l’espace de compensation vertical de sorte que le potentiel d’élasticité et d’amortissement de la cavité longitudinale n’est pas réduit dans la direction verticale par cet accrochage latéral. En même temps, l’accrochage assure la compression du rail élastique contre la surface d’appui du rail élastique dans le corps de base. La paroi latérale qui couvre au moins en partie latéralement la cavité longitudinale peut servir avantageusement au guidage de la cavité longitudinale dans la direction horizontale.
De façon avantageuse, l’élément de prise est réalisé comme butée verticale pour le corps de base. On réduit ainsi le décrochage du rail élastique par rapport à la surface d’appui du rail élastique lors de l’inversion de l’essuie-glace.
Selon un développement avantageux de l’invention, le premier segment de paroi latérale et le second segment de paroi latérale de l’élément déflecteur comportent chacun un élément de prise qui vient prendre dans la paroi de la cavité longitudinale. Ce double encastrement assure avantageusement une application régulière du corps de base contre le rail élastique.
Une solution particulièrement avantageuse et simple à fabriquer consiste à réaliser l’élément de prise sous la forme d’un élément de broche qui peut s’enfoncer dans la paroi de la cavité du corps de base. Selon la présente invention, l’élément en forme de broche est un élément dont la forme lui permet d’être enfoncé dans la matière de la paroi de la cavité en ce que par cet enfoncement, au moins la plus grande partie de la matière de la cavité est enveloppée. Dans le cadre de la présente invention, un élément en forme de broche est un élément dont le contour diminue en fonction de la distance par rapport à la paroi latérale.
Selon un développement avantageux, l’élément de prise est réalisé en une seule pièce, notamment en une seule partie avec l’élément déflecteur et, de préférence, l’élément de prise est pratiquement orienté dans la direction horizontale. De façon préférentielle, la direction horizontale correspond pratiquement à la direction d’essuyage. L’élément de prise est orienté dans la direction horizontale selon le contour de la paroi latérale de l’élément déflecteur. L’élément de prise est un relief de la paroi latérale. L’élément de prise s’étend dans la direction principale d’extension de l’unité de lame d’essuyage. L’élément de prise s’étend dans la direction longitudinale. De façon préférentielle, l’élément de prise est un élément en forme de rail ou de traverse sur la paroi latérale de l’élément déflecteur.
Pour ne pas réduire ou ne réduire que faiblement l’effet d’amortissement et d’élasticité de la cavité longitudinale de la lèvre d’essuyage, un développement particulièrement avantageux de l’invention prévoit que le côté du fond de la paroi de la cavité tourné vers la lèvre d’essuyage est pratiquement sans couverture en n’étant, de préférence, pas couvert par l’élément de déflecteur. Ainsi, on ne bloque pas la course élastique de la cavité longitudinale.
Un développement avantageux de l’invention prévoit que la cavité longitudinale soit pratiquement rectangulaire et que la paroi de la cavité soit composée d’une surface inférieure ou fond, de deux parois latérales et d’une surface supérieure ou dessus à l’opposé de la surface inférieure. Les surfaces latérales de la paroi de la cavité sont, de préférence, parallèles. La surface inférieure et la surface supérieures sont parallèles. La cavité longitudinale est pratiquement symétrique par rapport à l’axe de symétrie. De préférence, chacune des deux surfaces latérales de la cavité longitudinale a une rainure correspondant à l’élément de prise respectif.
Pour stabiliser l’unité de lame d’essuyage dans la direction longitudinale, un développement avantageux de l’invention prévoit que les segments de déflecteur de l’élément de déflecteur sont en une seule pièce avec leur capuchon d’extrémité notamment par leur réalisation. Cela permet de minimiser avantageusement les mouvements relatifs entre deux sous-ensembles. Pour éviter la migration de l’ensemble capuchon d’extrémité-segment déflecteur par rapport au rail élastique correspondant, il est prévu un moyen d’accrochage supplémentaire. Le moyen d'accrochage peut être prévu dans le capuchon d'extrémité et réaliser l’accrochage entre le capuchon d’extrémité et le rail élastique. On peut également envisager de réaliser le moyen d’accrochage par l’élément de prise qui existe déjà, par exemple, par le serrage dans l’adaptateur de bras d’essuie-glace de façon à éviter avantageusement la migration dans la direction longitudinale. Le balai d'essuie-glace comporte un adaptateur de bras d’essuie-glace pour le relier au bras d’essuie-glace et l’élément de prise se fixe dans l’adaptateur de bras d’essuie-glace.
Selon un développement avantageux de l’invention, le rail élastique comprend un premier segment de rail et un second segment de rail.
Selon un développement avantageux de l’invention, la lèvre d’essuyage a une extension maximale parallèle à la direction d’essuyage et qui s’étend sur au moins un dixième, notamment au moins un cinquième de l’extension maximale du corps de base, parallèlement à la direction d’essuyage. On réalise avantageusement une lèvre d’essuyage massive et notamment une lèvre d’essuyage stable et mobile, notamment pour éliminer des encrassages très durs de la surface notamment de la vitre du véhicule en passant sur celle-ci. De façon avantageuse, la lèvre d’essuyage est stable et mobile, notamment pour éliminer des saletés difficiles à éliminer de la surface notamment de la vitre du véhicule en essuyant celle-ci.
Suivant une autre caractéristique, la lèvre d’essuyage a une section pratiquement triangulaire. L’expression « section pratiquement triangulaire signifie que le plus petit triangle fictif qui entoure complètement la section a une surface qui représente au plus 125%, de préférence au plus 115%, d’une manière particulièrement préférentielle, au plus 105% de la surface de la section. En variante ou en plus, le plus petit triangle qui entoure complètement l’intérieur de la section a une surface qui correspond au moins à 75%, de préférence à au moins 85% et d’une manière particulièrement préférentielle, à au moins 95% de la surface de la section. En particulier, on peut envisager que la section pratiquement triangulaire présente à la place du sommet d’un triangle, une surface de contact pour réaliser le contact avec la surface à nettoyer.
Le balai d'essuie-glace selon l’invention n’est pas limité à l’application et à la forme de réalisation décrite ci-dessus. En particulier, l’unité de lame d’essuyage selon l’invention ou le balai d'essuie-glace selon l’invention peuvent, pour assurer la fonction décrite, avoir un nombre d’éléments de composants ou d’unités qui diffèrent de ce qui a été décrit ci-dessus sans sortir du cadre de l’invention.
La présente invention sera décrite ci-après de manière plus détaillée à l’aide de différents modes de réalisation d’un balai d'essuie-glace représenté dans les dessins annexés dans lesquels :
Au cours de cette étape, un empilement 22 de couches est formé sur la structure résultant de l'étape de la , c’est-à-dire que les couches de l'empilement 22 sont par exemple formés successivement sur la structure résultant de l'étape de la . Autrement dit, l'empilement 22 recouvre la face supérieure de l'empilement 10' et les parois et le fond de la cavité 20. L'empilement 22 comprend, dans l'exemple de la , des couches 24, 26 et 28.
La couche 24 est une couche isolante électriquement, par exemple en un oxyde, par exemple en oxyde de silicium. La couche 24 est la couche inférieure de l'empilement 22, c’est-à-dire la couche la plus proche de la couche 12. La couche 24 est en contact avec la face supérieure de l'empilement 10', avec les parois de la cavité 20 et avec le fond de la cavité 20.
La couche 26, constituant la couche intermédiaire de l'empilement 22, recouvre, de préférence entièrement, la couche 24. La couche 26 recouvre la couche 24 au moins dans la cavité 20.
La couche 28, constituant la couche supérieure de l'empilement 22, c’est-à-dire la couche la plus éloignée de la couche 12, recouvre, de préférence entièrement, la couche 26. La couche 28 recouvre la couche 26 au moins dans la cavité 20. La couche 26 est ainsi située entre les couches 24 et 28. La couche 28 est une couche isolante électriquement, par exemple en le même matériau que la couche 24. La couche 28 permet de protéger la couche 26.
La couche 26 est en un matériau pouvant être gravé sélectivement par rapport au matériau de la couche 12. Autrement dit, il existe un procédé de gravure gravant le matériau de la couche 26 au moins deux fois plus vite que le matériau de la couche 12. Le matériau de la couche 26 est aussi gravable sélectivement par rapport au matériau de la couche 24. Autrement dit, il existe un procédé de gravure gravant le matériau de la couche 26 au moins deux fois plus vite que le matériau de la couche 24. De plus, le matériau de la couche 14 peut être gravé sélectivement par rapport au matériau de la couche 28. Autrement dit, il existe un procédé de gravure gravant le matériau de la couche 14 au moins deux fois plus vite que le matériau de la couche 28. Le matériau de la couche 28 peut être gravé sélectivement par rapport aux matériaux des couches 12 et 26. Autrement dit, il existe un procédé de gravure gravant le matériau de la couche 28 au moins deux fois plus vite que les matériaux des couches 12 et 26. La couche 26 est par exemple en carbone amorphe.
De manière plus générale, l'empilement 22 comprend au moins la couche 26 et la couche 28. La couche 24 peut ne pas être présente.
Au cours de cette étape, un masque 30 de photolithographie est formé sur la structure résultant de l'étape de la . Le masque 30 est par exemple en résine.
Le masque 30 comprend une ouverture 32 au niveau de la cavité 20. L'ouverture traverse le masque 30 de manière à atteindre le fond de la cavité 20. Autrement dit, l'ouverture 32 découvre partiellement le fond de la cavité 20. Les dimensions de l'ouverture 32 dans le plan du fond de la cavité 20 sont inférieures aux dimensions du fond de la cavité 20.
L'étape de la comprend la gravure de l'empilement 22 au travers de l'ouverture 32. Cette étape de gravure entraine également la gravure au moins partielle du masque de résine 30.
L'étape de la comprend ensuite la gravure, à travers l'ouverture 32, de l'empilement de la portion de l'empilement 10' situé en regard de l'ouverture 32. Cette étape de gravure forme une cavité 34 dans les empilements 22 et 10'. La cavité 34 atteint la couche 12 et découvre donc la portion de la couche 12 en regard de l'ouverture 32.
La gravure de la couche 14 retire de préférence le reste du masque 30. La gravure de la couche 14 peut entrainer la gravure partielle de la couche 28. L'épaisseur de la couche 28 et l'épaisseur du masque 30 sont de préférence choisis de telle manière que la couche 26 soit entièrement recouverte par la couche 28 après la gravure de l'empilement 10'. La couche 26 n'est donc de préférence pas découverte lors de la gravure de l'empilement 10'.
Au cours de cette étape, une couche isolante 36 est formée sur la structure résultant de l'étape de la . La couche 36 est en le même matériau que la couche 28.
La couche 30 LN/LT est épitaxiée sur la couche de nucléation 20. Elle peut être monocristalline ou polycristalline, avec par exemple une orientation préférentielle. Une orientation selon un plan de croissance (0001) peut être typiquement choisie. Cela permet de maximiser la vitesse de propagation des ondes acoustiques au sein de la couche 30 LN/LT. D’autres orientations peuvent être choisies en fonction de l’application désirée.
La couche 30 LN/LT formée sur la couche de nucléation 20 est de préférence stœchiométrique, par exemple Li 1 Nb 1 O 3 . Le pourcentage atomique de lithium est idéalement proche de 50 %. La couche 30 LN/LT présente une épaisseur e3 comprise entre 10 et 2000 nanomètres, par exemple de l’ordre de 200 nm. L’épaisseur e3 de la couche 30 LN/LT peut être choisie en fonction de l’application souhaitée.
Selon une possibilité, la couche de nucléation 20 et la couche 30 LN/LT sont toutes deux réalisées in situ par PLD dans un même réacteur de croissance. La croissance de la couche 30 LN/LT peut ainsi être réalisée directement après la fin de croissance de la couche de nucléation 20. Cela permet d’éviter une remise à l’air de la couche de nucléation 20 avant épitaxie de la couche 30 LN/LT. La surface de la couche de nucléation 20 reste donc propre. Cela évite une étape de nettoyage intermédiaire. La durée du procédé est ainsi diminuée. Cela permet également de limiter l’apparition de rugosité lors de la formation de la couche 30 LN/LT. L’état de surface de cette dernière est ainsi optimisé.
La couche d’électrode 40 est typiquement à base d’un matériau d’électrode électriquement conducteur. Selon une possibilité, ce matériau d’électrode peut également présenter une forte impédance acoustique. Le platine peut être choisi comme matériau d’électrode. La couche d’électrode 40 est typiquement structurée de façon à présenter des motifs d’électrode 41d, 42d. Une telle électrode 40 est typiquement formée par lithographie/gravure à partir d’une couche électriquement conductrice déposée sur la couche 30 LN/LT.
La illustre en vue de dessus le dispositif 1. Dans cet exemple, l’électrode supérieure 40 se présente sous forme de deux peignes interdigités 41, 42. Les doigts 41d, 42d de ces peignes 41, 42 sont typiquement séparés par un pas p de l’ordre de quelques centaines de nanomètres à quelques microns. La période λ séparant deux doigts 41d, 42d consécutifs d’un même peigne 41, 42 est typiquement de l’ordre de quelques centaines de nanomètres à quelques microns. Les motifs 41, 41d, 42, 42d de l’électrode 40 peuvent présenter d’autres formes. Le design de ces motifs d’électrode 40 peut être adapté en fonction des besoins.
La illustre un autre mode de réalisation du dispositif 1. Dans cet exemple, une couche 50 de compensation thermique est formée par-dessus l’électrode supérieure 40. Cette couche 50 peut être formée par dépôt conforme sur les motifs d’électrode et entre les motifs d’électrode, sur la couche 30 LN/LT, comme illustré sur la . Elle peut être typiquement déposée par CVD. La couche 50 de compensation thermique peut être par exemple à base de SiO2. Elle permet notamment de diminuer la variation de fréquence de résonance du dispositif 1 sous l’effet de la température. La fréquence de résonance et la bande passante du dispositif 1 sont ainsi avantageusement stabilisées au cours de l’utilisation du dispositif 1.
La illustre une analyse symétrique en diffraction des rayons X ou XRD (acronyme de X-Ray Diffraction) effectuée sur un empilement de couches 10, 20, 30 comprenant une couche de nucléation en AlN et une couche LN/LT en niobate de lithium LiNbO3.
Le pic p2 correspond à l’AlN stœchiométrique et orienté selon le plan (002). Le pic p3 correspond au LiNbO3 stœchiométrique et orienté selon le plan (006). Cette analyse XRD symétrique montre que les couches d’AlN et de LiNbO3 obtenus par le procédé selon l’invention sont stœchiométriques et orientées.
La illustre une analyse dite « Rocking Curve » (ou courbe d’oscillation en français) effectuée sur l’empilement de couches 10, 20, 30. Le pic p21 correspond à un scan oméga réalisé autour du plan (101) de l’AlN. La largeur à mi-hauteur FWHM (acronyme de « full width at half maximum ») de ce pic p21 est faible, ici de l’ordre de 0,58°. Cela indique que la désorientation des cristallites d’AlN orientées selon (101) est faible. Le pic p22 correspond à un scan oméga réalisé autour du plan (002) de l’AlN. La largeur à mi-hauteur FWHM de ce pic p22 est faible, ici de l’ordre de 0,76°. Cela indique que la désorientation des cristallites d’AlN orientées selon (002) est faible. Le pic p31 correspond à un scan oméga réalisé autour du plan (006) du LiNbO3. La largeur à mi-hauteur FWHM de ce pic p31 est faible, ici de l’ordre de 1,05°. Cela indique que la désorientation des cristallites de LiNbO3 orientées selon (006) est faible. Le pic p32 correspond à un scan oméga réalisé autour du plan (012) du LiNbO3. La largeur à mi-hauteur FWHM de ce pic p32 est faible, ici de l’ordre de 1,63°. Cela indique que la désorientation des cristallites de LiNbO3 orientées selon (012) est faible.
La couche 20 d’AlN et la couche 30 de LiNbO3 obtenues par le procédé selon l’invention sont donc bien texturées.
La illustre une analyse dite « phi-scan » effectuée sur l’empilement de couches 10, 20, 30. La courbe c1 correspond à un scan phi réalisé pour le plan (220) du Si. La courbe c2 correspond à un scan phi réalisé pour le plan (101) de l’AlN. La courbe c3 correspond à un scan phi réalisé pour le plan (116) du LiNbO3. Une relation d’épitaxie entre AlN et Si d’une part, et entre AlN et LiNbO3 d’autre part, est mise en évidence par la périodicité des pics de diffraction. Les couches 20 d’AlN et 30 de LiNbO3 obtenues par le procédé selon l’invention sont donc bien épitaxiées.
La présente invention permet avantageusement de former des couches minces LN/LT de bonne qualité cristalline sur des substrats à base de silicium comprenant une couche de nucléation en un matériau réfractaire à base de nitrure, typiquement à base de matériaux III-N. Ces couches minces LN/LT sont avantageusement directement intégrables dans des dispositifs électro-acoustiques de type résonateurs SAW ou filtres RF. D’autres applications peuvent être envisagées. L’invention n’est pas limitée aux modes de réalisation précédemment décrits.
DISPOSITIF TENDEUR DE FIL DESCRIPTION DU DOMAINE D’APPLICATION DE L’INVENTION
L’invention concerne les moyens de mise en tension de fil tel ceux utilisés pour le palissage et notamment aux adaptations permettant de tendre les fils sans avoir à les couper.
DESCRIPTION DE L’ART ANTERIEUR.
Il existe une pluralité de solutions techniques permettant d’assurer la tension d’un fil de palissage sans couper le fil mais qui présentent des inconvénients.
Fig. 1 représente schématiquement un exemple de structure de transfert de chaleur selon l’invention.
Fig. 2a représente schématiquement le fonctionnement d’une structure de transfert de chaleur lorsque la première zone d’échange thermique correspond à une zone d’évaporation et la deuxième zone d’échange thermique correspond à une zone de condensation.
Fig. 2b représente schématiquement le fonctionnement d’une structure de transfert de chaleur lorsque la première zone d’échange thermique correspond à une zone de condensation et la deuxième zone d’échange thermique correspond à une zone d’évaporation.
Fig. 3 représente schématiquement une structure de transfert de chaleur selon un autre mode de réalisation.
Fig. 4 représente un exemple de treillis.
Fig. 5 représente schématiquement un exemple de structure de transfert de chaleur selon l’invention.