INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Ainsi, l’invention consiste essentiellement à définir un module de batterie comprenant une pluralité de supports individuels empilés et fixés les uns sur les autres et dans chacun desquels est logé un accumulateur à emballage souple (« pouch »), chaque support logeant des barrettes métalliques formant des cosses en rangées qui viennent réaliser individuellement une liaison électrique par contact avec pression avec une borne (languette) d’un des accumulateurs et par complémentarités de formes avec des busbars.
On s’affranchit ainsi de toute soudure à réaliser pour garantir les connexions électriques au sein d’un même module.
En outre dans un mode de fixation des supports entre eux dans lequel la fermeture entre deux supports adjacents est obtenue par un unique mouvement de translation selon leur axe longitudinal, la mise en place des busbars, transversalement à celui-ci, a une fonction supplémentaire de verrouiller mécaniquement cette fermeture..
- des liaisons électriques en sortie d’accumulateurs qui sont obtenues par complémentarités de formes et ne sont donc pas une liaison vissée, ou soudée comme selon l’état de l’art avec leurs inconvénients afférents comme suit ;
Dans la présente demande de brevet, on entend par « une première zone » ou « une deuxième zone » une zone qui n’est pas forcément continue et qui ainsi peut être définie par une pluralité de sous-zones.
Le terme « structure 3D » s’entend par opposition aux structures dites planaires ou 2D, qui présentent deux dimensions dans un plan très supérieures à la troisième dimension normale au plan. Ainsi, les structures 3D usuelles visées dans le domaine des LED 3D peuvent se présenter sous forme de fils, de nanofils ou de microfils, de pyramides ou nano-pyramides ou encore de nano-walls. Une structure 3D sous forme de fil, de microfil ou de nanofil, par exemple, présente une forme allongée selon la direction longitudinale. La dimension longitudinale du fil, selon z sur les figures, est supérieure, et de préférence très supérieure, aux dimensions transverses du fil, dans le plan xy sur les figures. La dimension longitudinale est par exemple au moins cinq fois, et de préférence au moins dix fois, supérieure aux dimensions transverses. Les structures 3D peuvent également se présenter sous forme de murs. Dans ce cas, seule une dimension transverse du mur est très inférieure aux autres dimensions, par exemple au moins cinq fois, et de préférence au moins dix fois, inférieure aux autres dimensions. Les structures 3D peuvent également se présenter sous forme de pyramides.
La illustre le résultat que le procédé selon l’invention permet d’obtenir : une plaque où certaines zones présentent à leur surface des structures 3D 6 régulièrement réparties et homogènes, et où d’autres zones sont dépourvues de ces mêmes structures 3D.
Dans les exemples suivants, les structures 3D 6 sont des nanofils semiconducteurs. Il est entendu que le procédé convient parfaitement à d’autres types de structures 3D, par exemple et de façon non limitative : des pyramides, des ailettes.
Les nanofils s’étendent de préférence longitudinalement selon z. Ils peuvent présenter une hauteur comprise entre quelques dizaines de nanomètres et plusieurs micromètres, par exemple supérieure ou égale à 100 nm et inférieure ou égale à 20 µm. Ils peuvent présenter différentes formes, en section dans le plan xy. Les nanofils à base de GaN présentent typiquement une section sensiblement hexagonale. La dimension maximale des nanofils dans le plan xy, par exemple le diamètre, peut être comprise entre quelques dizaines de nanomètres et plusieurs micromètres, par exemple entre 50 nm et 5 µm. Ils présentent un sommet et une base. Leur base prend appui sur le substrat 1. Ils sont de préférence sensiblement parallèles entre eux et régulièrement distribués sur le substrat 1.
Selon cet exemple, les nanofils 6 sont typiquement obtenus par croissance à partir d’une couche superficielle, ou couche de nucléation 2 déposée sur un substrat 1, au travers d’ouvertures 5 dans une couche de masquage 3.
Le substrat 1 peut être notamment en saphir pour limiter le désaccord de paramètre de maille avec le GaN, ou en silicium pour réduire les coûts et pour des problématiques de compatibilité technologique. Dans ce dernier cas, il peut se présenter sous forme d’un wafer de diamètre 200 mm ou 300 mm. Il sert notamment de support aux structures 3D.
Selon un exemple, le substrat 1 comprend une couche de nucléation 2, comprenant typiquement une ou plusieurs sous-couches d’un même matériau ou de matériaux différents. La couche de nucléation 2 est de préférence à base d’AlN. Elle peut être alternativement à base d’autres nitrures métalliques, par exemple GaN ou AlGaN. Cette couche de nucléation 2 peut comprendre n’importe quelle couche connue de l’homme du métier permettant la nucléation et la croissance du matériau constituant les structures 3D 6, par exemple le GaN. Elle peut être formée sur le substrat 1 par épitaxie, de préférence par épitaxie en phase vapeur à précurseurs organométalliques MOVPE (acronyme de « MetalOrganic Vapour Phase Epitaxy ») par épitaxie par jets moléculaires MBE (acronyme anglais de « Molecular Beam Epitaxy ») ou par dépôt chimique en phase vapeur CVD (acronyme anglais de « Chemical Vapor Deposition »), typiquement par CVD halogénée. Elle présente avantageusement une épaisseur inférieure ou égale à 200 nm, de préférence inférieure ou égale à 100 nm, par exemple de l’ordre de 50 nm. Cela permet de limiter les contraintes mécaniques induites par cette couche 2 sur le substrat 1. Cela permet d’éviter une courbure du substrat 1 préjudiciable. Une telle épaisseur permet en outre de limiter l’apparition de défauts structuraux dans la couche de nucléation 2. En particulier, la croissance de cette couche de nucléation 2 peut être pseudomorphe, c’est-à-dire que les contraintes d’épitaxie (liées notamment à la différence de paramètres de maille entre le Si et l’AlN, le GaN ou l’AlGaN) peuvent être relâchées élastiquement pendant la croissance. La qualité cristalline de cette couche de nucléation 2 peut ainsi être optimisée.
La couche de masquage 3 est de préférence en un matériau diélectrique, par exemple en nitrure de silicium Si3N4, ou en SiO2.. Elle peut être déposée par dépôt chimique en phase vapeur CVD (acronyme de « Chemical Vapor Deposition ») sur la couche de nucléation 2. Elle masque en partie la couche de nucléation 2 et comprend des ouvertures 5 de préférence circulaires exposant des parties de la couche de nucléation 2. Ces ouvertures 5 présentent typiquement une dimension, par exemple un diamètre Φo ou un diamètre moyen, comprise entre 30 nm et 2 µm. Les ouvertures 5 peuvent être distribuées de façon régulière au sein de la couche de masquage 3, par exemple sous forme d’un réseau ordonné. Le pas, i.e. la distance séparant les centres de deux ouvertures 5 adjacentes, est inférieur ou égal à 10 µm, et de préférence inférieur ou égal à 5 µm. Il est avantageusement compris entre 100 nm et 5 µm, et de façon encore plus avantageuse entre 100 nm et 2 µm. Les ouvertures 5 présentent avantageusement une densité surfacique supérieure à 0,01 µm -2 , et de façon plus avantageuse, supérieure à 0,04 µm -2 . Cela permet d’obtenir in fine des structures 3D densément réparties sur le substrat 1. Si une couche additionnelle de masquage 9 a été déposée pleine plaque comme illustré sur la , les ouvertures 5 se font simultanément au travers de la couche de masquage 3 et de la couche additionnelle de masquage 9, et leur hauteur est de préférence égale à la somme des épaisseurs de la couche de masquage 3 et de la couche additionnelle de masquage 9. Ces ouvertures 5 peuvent être réalisées par exemple par gravure anisotrope sèche en chimie chlorée ou fluorocarbonée, par lithographie UV ou DUV (acronyme de Deep UV en anglais, soit UV lointain), par lithographie par faisceau électronique, ou par NIL (acronyme de Nanoinprint lithography). Une telle couche de masquage 3 permet une croissance localisée d’une structure 3D au niveau de chaque ouverture 5. En particulier, lors d’une étape de croissance préliminaire appelée germination, un germe à base de GaN se forme au niveau de l’ouverture 5 puis remplit ladite ouverture 5. La croissance ultérieure de la structure 3D 6 se fait alors à partir de ce germe, de façon localisée.
Avantageusement, le(s) triglycéride(s) d’acide gras est (sont) choisi(s) parmi huile de noix de coco, triglycérides d’acide caprylique/caprique, huile de palmiste, huile de babassu, huile de cuphéa et des mélanges de ceux-ci.
Le rapport pondéral (R) entre la quantité totale de triglycéride(s) d’acides gras (ii) contenant de 6 à 16 et la quantité totale de cystéine et/ou d’un de ses dérivés (i), présents dans la composition selon la présente invention, est de préférence supérieur ou égal à 1. Plus préférentiellement, ce rapport pondéral (R) va de 1 à 20, et mieux encore de 2 à 15.
(iii) Agents réducteurs additionnels La composition selon la présente invention comprend facultativement un ou plusieurs agents réducteurs additionnels autres que la cystéine et/ou un de ses dérivés (i) en une quantité totale inférieure ou égale à 1 % en poids, par rapport au poids total de la composition. En d’autres termes, la quantité totale des agents réducteurs additionnels (iii) autres que la cystéine et/ou l’un de ses dérivés (i), lorsqu’ils sont présents dans la composition de l’invention, est inférieure ou égale à 1 % en poids, par rapport au poids total de la composition.
De manière particulièrement préférée, la composition selon la présente invention comprend en outre un ou plusieurs agents réducteurs additionnels autres que la cystéine et/ou l’un de ses dérivés (i).
Les agents réducteurs additionnels (iii) autres que la cystéine et/ou un de ses dérivés (i), sont de préférence choisis parmi les agents réducteurs thiol, différents de la cystéine ou de ses dérivés (i), les agents réducteurs non thiol et des mélanges de ceux-ci.
L’expression « agent réducteur thiol » désigne un agent réducteur contenant au moins un groupe thiol. Des exemples d’agent(s) réducteur(s) thiol différent(s) de la cystéine ou de ses dérivés (i) correspondent à l’acide thioglycolique et des dérivés de celui-ci, notamment des esters de celui-ci tels que le monothioglycolate de glycérol ou de glycol ; l’acide thiolactique et des dérivés de celui-ci, notamment des esters de celui-ci tels que le monothiolactate de glycérol ; l’acide 3-mercaptopropionique et des dérivés de celui-ci, notamment des esters de celui-ci tels que le 3-mercaptopropionate de glycérol et le 3-mercaptopropionate d’éthylène glycol ; la cystéamine et des dérivés de celle-ci, notamment des dérivés acylés en C 1 -C 4 de celle-ci tels que la N-acétylcystéamine et la N-propionylcystéamine ; le mono-thioglycérol et des dérivés de celui-ci, notamment ses esters ; ainsi que des sels de celui-ci.
L’expression « agent réducteur non-thiol » désigne un agent réducteur qui ne contient pas de groupe thiol. Des exemples d’agent(s) réducteur(s) non thiol correspondent aux sulfites, dérivés de sulfite, sulfinates, phosphines, sucres, dérivés de dihydroxybenzène, réductones, hydrures, acide ascorbique, dérivés d’acide ascorbique, tocophérols, dérivés de tocophérol, EDTA, panthénol, sulfure de sélénium, formosulfoxylate de zinc et des mélanges de ceux-ci.
Les agents réducteurs supplémentaires (iii) autres que la cystéine et/ou l’un de ses dérivés (i), sont de préférence choisis parmi les agents réducteurs non thiol et des mélanges de ceux-ci, plus préférentiellement parmi sulfites, dérivés de sulfite, acide ascorbique, dérivés d’acide ascorbique, tocophérols, dérivés de tocophérol et des mélanges de ceux-ci.
Le terme « dérivés de sulfites » désigne essentiellement les bisulfites et les diesters de sulfites de formule R-O-SO 2 -R’, R et R’ représentant des groupes alkyle en C 1 -C 10 .
Le terme « dérivés d’acide ascorbique » désigne essentiellement acide érythorbique, acide isoascorbique, phosphate d’ascorbyle de magnésium et glucoside d’ascorbyle.
Les tocophérols qui peuvent être utilisés dans la présente invention incluent par exemple alpha tocophérol, bêta tocophérol, gamma tocophérol et delta tocophérol, tandis que le terme « dérivés de tocophérol » désigne essentiellement les esters de tocophérols, tels que l’acétate de tocophérol.
Les agents réducteurs additionnels (iii) peuvent être utilisés notamment sous forme de sels, en particulier les sels de métaux alcalins tels que sels de sodium et de potassium, sels de métaux alcalino-terreux, par exemple sels de magnésium et de calcium, sels d’ammonium, sels d’amines et sels d’alcools aminés.
D’une manière particulièrement préférée, les agents réducteurs supplémentaires (iii) autres que la cystéine et/ou l’un de ses dérivés (i), sont choisis parmi sulfites de métaux alcalins, bisulfites de métaux alcalins, précurseurs de ces sulfites ou bisulfites, et des mélanges de ceux-ci. Plus préférentiellement, les agents réducteurs supplémentaires (iii) sont choisis parmi sulfite de sodium, bisulfite de sodium, métabisulfite de sodium et des mélanges de ceux-ci.
Selon un autre mode de réalisation particulièrement préféré, les agents réducteurs additionnels (iii) autres que la cystéine et/ou l’un de ses dérivés (i) sont choisis parmi sulfites, dérivés de sulfite, acide ascorbique, dérivés d’acide ascorbique, tocophérols, dérivés de tocophérol et des mélanges de ceux-ci. De manière davantage préférée, les agents réducteurs supplémentaires (iii) selon ce mode de réalisation, correspondent à un mélange d’au moins deux agents réducteurs non-thiol distincts, dans lequel de préférence :
- l’un au moins est choisi parmi sulfites, dérivés de sulfites et des mélanges de ceux-ci, plus préférentiellement parmi sulfites de métaux alcalins, bisulfites de métaux alcalins, précurseurs de ces sulfites ou bisulfites, et des mélanges de ceux-ci, et mieux encore parmi sulfite de sodium, bisulfite de sodium, métabisulfite de sodium et des mélanges de ceux-ci, et
L’objet de cette invention vise à ralentir cette propagation de la chaleur, en proposant un module de batterie amélioré.
A cette fin, l’invention concerne un module de batterie comprenant une ossature et une cellule électrochimique de stockage d’énergie électrique maintenue par cette ossature, cette cellule comprenant un dispositif de ventilation propre à libérer un gaz émis par une réaction électrochimique si un seuil de pression et/ou de température prédéterminée au sein de cette cellule est dépassé, l’ossature comprenant une turbine de détente du gaz émis.
Ainsi l’invention permet de réduire rapidement la vitesse et la température du gaz émis, par exemple dès la sortie du gaz de la cellule, et limite ainsi considérablement les échanges thermiques par convection entre ce gaz et l’environnement de la cellule. Cet environnement est par exemple des cellules voisines, ou un circuit électronique de surveillance ou de gestion de la cellule ou du module, un isolant électrique, ces exemples n’étant pas exhaustifs.
On comprendra par ossature, dans tout le texte de ce document, une armature ou une cartérisation logeant la ou les cellules. L’armature est par exemple un moyen de serrage enserrant la cellule pour limiter sa dilatation, ou un moyen de serrage serrant les cellules les unes sur les autres dans le même but, ou encore une cage logeant la ou chacune des cellules, quelle que soit leur forme (par exemple cylindriques ou prismatiques ou de type poche). Bien entendu, le module peut comprendre une cartérisation comprenant l’armature et réciproquement. La cartérisation est par exemple un carter hermétique logeant la ou les cellules.
Selon un mode de réalisation de l’invention, le dispositif de ventilation est propre à libérer le gaz émis selon une direction prédéterminée, la turbine comprenant un rotor libre en rotation autour d’un axe orienté selon la direction du gaz. Ainsi le gaz est dispersé autour de la turbine, ce qui est très efficace pour détendre le gaz émis.
Selon un mode de réalisation de l’invention, ce rotor comprend des aubes propres à dévier le gaz émis dans un plan orthogonal à l’axe, ce qui a pour avantage de compacter l’encombrement du module.
Selon un mode de réalisation de l’invention, ce module comprend un collecteur du gaz échappé de la turbine de détente.
Selon un mode de réalisation de l’invention, ce collecteur est formé entièrement par l’ossature. Ainsi les cellules ne sont pas modifiées ni adaptées pour ce module, et sont standard. Toutes l’invention est portée par l’ossature du module. Le collecteur n’est pas nécessairement constitué de la même matière que l’ossature, et on comprendra par « collecteur est formé entièrement par l’ossature » le fait que ces deux éléments forment un sous-ensemble indépendant de la cellule.
Selon une variante de réalisation de l’invention, ce collecteur est formé par l’ossature d’une part, et par la cellule d’autre part.
Selon cette variante, le dispositif de ventilation forme une partie du collecteur.
Selon un mode de réalisation de l’invention, ce collecteur comprend, sur une face interne au contact du gaz émis, des protubérances, notamment propres à perturber l’écoulement du gaz.
Selon un mode de réalisation de l’invention, l’ossature forme un carter délimitant un volume interne logeant entièrement la cellule, ce collecteur comprenant des trous d’évacuation du gaz émis débouchant dans ce volume interne et/ou à l’extérieur du module.
Selon un mode de réalisation de l’invention, ce collecteur forme en outre un couvercle de fermeture de ce volume interne.
L’invention a également pour objet une batterie de stockage d’énergie électrique comprenant plusieurs modules électriques et un bac regroupant ces modules, l’un des modules étant tel que précédemment décrit.
L’invention a également pour objet un véhicule automobile comprenant une machine motrice électrique et une batterie de traction alimentant cette machine motrice, caractérisé en ce que la batterie est telle que précédemment décrite.
D’autres particularités et avantages apparaîtront à la lecture de la description ci-après d’un mode particulier de réalisation, non limitatif de l’invention, faite en référence à la figure unique dans laquelle : : La représente un schéma en coupe d’un module selon l’invention.
Les mêmes protocoles de deuxième et troisième stade ont été utilisés pour préparer des composés de caoutchouc mélangés à la fois par voie sèche et humide (Tableaux 5 et 6, respectivement), à l’exception du fait que pour le composite mélangé par voie humide, du ZnO (3 pce), de l’acide stéarique (2 pce), de la 6PPD (1,5 pce), du TMQ (1,5 pce) et de la cire (1,5 pce) ont été ajoutés pendant le mélange de deuxième stade tel qu’indiqué dans le Tableau 5. Les conditions du stade 2 étaient : Temp TCU = 50 °C ; vitesse de rotor = 80 tr/min ; pression de rampe = 2,8 bar ; Facteur de remplissage = 68 %. Les conditions du stade 3 étaient : Temp TCU = 50 °C ; vitesse de rotor = 60 tr/min ; pression de rampe = 2,8 bar ; Facteur de remplissage = 65 %. Pour le mélange du stade final, des vulcanisants (soufre et TBBS) ont été ajoutés où le niveau de TBBS a été ajusté sur la base de la charge de silice dans la formulation de composé (voir Tableaux 7 à 10 pour les quantités réelles ajoutées).
Temps (s) Description 0 Ajout du composite de stade 1 30 Ajout de ZnO, d’acide stéarique, de 6 PPD, de TMQ, de cire (pour les composites de mélange par voie humide) 90 Raclage/balayage 180 Déversement à 180 s et ajustement des tr/min pour atteindre une temp
Temps (s) Description 0 Ajout de ½ de composite de stade 2/vulcanisants/ composite restant 30 Balayage 90 Déversement, ajustement des tr/min pour atteindre une temp
Après le stade final, les composites ont été mis en feuilles sur un laminoir à 2 cylindres mis en fonctionnement à 50 °C et environ 22 tr/min, suivi de six passages avec un écartement de pincement d’environ 5 mm. Les composés finaux ont été mis en feuilles à une épaisseur de 2,4 mm sur un laminoir à 2 cylindres mis en fonctionnement à 50 °C. Les composés finaux ont été durcis dans une presse chauffée (2 500 livres) à 150 °C pendant 30 min.
Les Tableaux 7 à 10 montrent les propriétés de composés de caoutchouc durcis contenant des résines en C5, en C5/C9, en C9 et de colophane, respectivement, conjointement avec les échantillons comparatifs dans lesquels les composites ont été préparés par mélange par voie sèche avec et sans résine ou par mélange par voie humide sans résine. « OL » fait référence à au-dessus de la limite de la cellule de charge, indiquant que le composé était trop rigide.
Ingrédient 1 2 3 4 5 6 7 8 9 fSSBR HPR950 70 70 70 BR CB24 30 30 30 RSS3 100 100 100 100 100 100 Résine en C5 0 13 25 0 13 25 Résine en C9 0 13 25 Pastilles de silice sèche 50 60 70 50 60 70 Pastilles de silice humide 50 60 70 Noir de carbone N134 4 4 4 4 4 4 4 4 4 Agent de couplage Si69 5 6 7 5 6 7 5 6 7 TBBS 2,0 2,1 2,2 2,0 2,1 2,2 2,0 2,1 2,2 Soufre 1,6 1,6 1,6 1,6 1,6 1,6 1,6 1,6 1,6 Propriétés M100 à 60 °C, MPa 3,2 2,5 2,2 2,7 2,3 2,0 3,0 2,4 1,9 M300 à 60 °C, MPa 11,8 9,1 7,9 10,6 8,8 7,1 13,3 11,2 8,6 M300/M100 à 60 °C 3,7 3,7 3,6 3,9 3,8 3,5 4,5 4,6 4,4 Résistance à la déchirure au niveau de la filière B à 23 °C, KNm 49 55 61 142 144 101 123 129 113 tan δ max à 60 °C -Balayage de déformation 0,092 0,129 0,161 0,139 0,190 0,233 0,082 0,117 0,174 Tg G", °C - Balayage de Temp. -51,3 -41,9 OL -54,0 -51,4 -48,9 -54,2 -50,7 -48,9
Ingrédient 1 2 3 4 11 12 7 14 15 fSSBR HPR950 70 70 70 BR 30 30 30 NR 100 100 100 100 100 100 Résine en C5/C9 0 13 25 0 13 25 Résine en C9 0 13 25 Pastilles de silice sèche 50 60 70 50 60 70 Pastilles de silice humide 50 60 70 Noir de carbone N134 4,0 4,0 4,0 4,0 4,0 4,0 4,0 4,0 4,0 Agent de couplage Si69 5,0 6,0 7,0 5,0 6,0 7,0 5,0 6,0 7,0 TBBS 2,0 2,1 2,2 2,0 2,1 2,2 2,0 2,1 2,2 Soufre 1,6 1,6 1,6 1,6 1,6 1,6 1,6 1,6 1,6 Propriétés M100 à 60 °C, MPa 3,2 2,5 2,2 2,7 2,4 2,0 3,0 2,8 2,1 M300 à 60 °C, MPa 11,8 9,1 7,9 10,6 9,4 7,1 13,3 12,7 10,8 M300/M100 à 60 °C 3,7 3,7 3,6 3,9 3,9 3,6 4,5 4,6 5,1 Résistance à la déchirure au niveau de la filière B à 23 °C, KNm 49 55 61 142 145 134 123 121 124 tan δ max à 60 °C -Balayage de déformation 0,092 0,129 0,161 0,139 0,173 0,227 0,082 0,113 0,150 Tg G", °C - Balayage de Temp. -51,3 -41,9 OL -54,0 -51,3 -48,6 -54,2 -50,8 -48,3
Ingrédient 1 2 3 4 17 18 7 20 21 fSSBR HPR950 70 70 70 BR 30 30 30 NR 100 100 100 100 100 100 Résine en C9 0 13 25 0 13 25 0 13 25 Pastilles sèches de Z1165MP 50 60 70 50 60 70 Pastilles humides de Z1165MP 50 60 70 N134 4 4 4 4 4 4 4 4 4 Si69 5 6 7 5 6 7 5 6 7 TBBS 2,0 2,1 2,2 2,0 2,1 2,2 2,0 2,1 2,2 Soufre 1,6 1,6 1,6 1,6 1,6 1,6 1,6 1,6 1,6 Propriétés M100 à 60 °C, MPa 3,2 2,5 2,2 2,7 2,4 2,1 3,0 2,84 2,4 M300 à 60 °C, MPa 11,8 9,1 7,9 10,6 9,0 7,6 13,3 11,4 11,5 M300/M100 à 60 °C 3,7 3,7 3,6 3,9 3,7 3,6 4,5 4,7 4,8 Résistance à la déchirure au niveau de la filière B à 23 °C, KNm 49 55 61 142 140 145 123 116 122 tan δ max à 60 °C -Balayage de déformation 0,092 0,129 0,161 0,139 0,192 0,242 0,082 0,112 0,155 Tg G", °C - Balayage de Temp. -51,3 -41,9 OL -54,0 -51,0 -48,3 -54,2 -50,4 -47,9
Ingrédient 1 2 3 4 23 24 7 26 27 fSSBR HPR950 70 70 70 BR CB24 30 30 30 RSS3 100 100 100 100 100 100 Résine en C9 0 13 25 Résine de colophane 0 13 25 0 13 25 Pastilles sèches de Z1165MP 50 60 70 50 60 70 Pastilles humides de Z1165MP 50 60 70 Noir de carbone N134 4 4 4 4 4 4 4 4 4 Si69 5 6 7 5 6 7 5 6 7 TBBS 2,0 2,1 2,2 2,0 2,1 2,2 2,0 2,1 2,2 Soufre 1,6 1,6 1,6 1,6 1,6 1,6 1,6 1,6 1,6 Propriétés M100 à 60 °C, MPa 3,2 2,5 2,2 2,7 2,3 2,1 3,0 2,6 2,4 M300 à 60 °C, MPa 11,8 9,1 7,9 10,6 8,5 7,8 13,3 11,5 10,3 M300/M100 à 60 °C 3,7 3,7 3,6 3,9 3,7 3,7 4,5 4,4 4,3 Résistance à la déchirure au niveau de la filière B à 23 °C, KNm 49 55 61 142 144 127 123 131 147 tan δ max à 60 °C -Balayage de déformation 0,092 0,129 0,161 0,139 0,202 0,248 0,082 0,131 0,170 Tg G", °C - Balayage de Temp. -51,3 -41,9 OL -54,0 -50,7 -48,8 -54,2 -50,6 -48,7