INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Selon un mode de réalisation particulier, R est un alkyle linéaire ou ramifié en C 2 -C 12 , substitué par un groupe –NH 2 , l’un des atomes de carbone de R étant en outre remplacé par un atome d’azote, le groupe de formule (I) étant plus particulièrement de formule (Ia) suivante : –NH-CH 2 -CH 2 -NH-CH 2 -CH 2 -NH 2 .
Selon un mode de réalisation particulier, le matériau est choisi parmi les polytétrafluoroéthylène (PTFE), polymère perfluorosulfonique acide (PFSA), par exemple Nafion, poly(fluorure de vinyle) (PVF), poly(fluorure de vinylidène) (PVDF), polychlorotrifluoroéthylène (PCTFE), perfluoroalkoxy (PFA), éthylène propylène fluoré (FEP), éthylène tétrafluoroéthylène (ETFE), polyéthylènechlorotrifluoroéthylène (ECTFE), perfluoropolyéther (PFPE), perfluoropolyoxétane, et fluoroélastomères, ledit matériau étant en particulier un polytétrafluoroéthylène (PTFE), plus particulièrement un polytétrafluoroéthylène expansé (ePTFE), ou un perfluorosulfonique acide.
Selon un autre aspect, l’invention concerne également l’utilisation d’une composition constituée de ou comprenant un métal alcalin et une polyamine aliphatique choisie parmi les diamines aliphatiques possédant deux amines primaires et les triamines aliphatiques possédant deux ou trois amines primaires, ou par un phosphoramide, pour la préparation d’un matériau tel que défini précédemment, en particulier un polymère fluorocarboné.
Selon un autre aspect, l’invention concerne également l’utilisation d’une composition constituée de ou comprenant un métal alcalin et une polyamine aliphatique choisie parmi les diamines aliphatiques possédant deux amines primaires et les triamines aliphatiques possédant deux ou trois amines primaires, ou par un phosphoramide, pour le décapage d’un matériau choisi parmi les polymère fluorocarbonés, les matériaux carbonés aromatiques et les matériaux céramiques à base de bore, en particulier un polymère fluorocarboné, en particulier un polymère fluorocarboné.
Selon un autre aspect, l’invention concerne également l’utilisation d’une composition constituée de ou comprenant un métal alcalin et une polyamine aliphatique choisie parmi les diamines aliphatiques possédant deux amines primaires et les triamines aliphatiques possédant deux ou trois amines primaires, ou par un phosphoramide, pour le retraitement d’un matériau choisi parmi les polymère fluorocarbonés, les matériaux carbonés aromatiques et les matériaux céramiques à base de bore, en particulier un polymère fluorocarboné.
L’information est écrite dans la cellule mémoire en basculant l’élément mémoire résistif d’un état fortement résistif (ou « HRS », pour « High Resistance State » en anglais) à un état faiblement résistif (« LRS », pour « Low Resistance State »). À l’inverse, pour effacer l’information de la cellule mémoire, l’élément mémoire résistif est basculé de l’état faiblement résistif vers l’état fortement résistif.
Dans certains cas, plus de deux états de résistance peuvent être générés, ce qui permet de stocker plusieurs bits d’information dans une même cellule mémoire. On parle alors de cellules multi-niveaux MLC (acronyme anglais de « Multi Level Cells »).
L’écriture et l’effacement de ces cellules multiniveaux MLC peuvent être réalisés en contrôlant finement, de manière analogique, la tension appliquée aux différentes connexions de la cellule mémoire. Ces connexions sont dénommées de façon connue « bitline » BL (connexion à l’élément résistif), « sourceline » SL (connexion à la source du transistor de sélection), « wordline » WL (connexion à la grille du transistor de sélection). D’autres solutions d’écriture et d’effacement connues consistent à faire varier la durée des opérations de passage dites SET/RESET (passage de HRS vers LRS/ passage de LRS vers HRS, respectivement), typiquement en ajustant la largeur des pulses en tension appliqués. Cette gestion « analogique » de l’écriture et de l’effacement nécessite néanmoins des nouveaux circuits de génération ou de régulation des tensions et courants analogiques et/ou une forte modification des circuits existants.
Par ailleurs, la taille d’une cellule mémoire 1T1R est principalement dictée par la surface du substrat occupée par le transistor de sélection, plutôt que par les dimensions de l’élément mémoire, ce dernier étant situé au niveau de la métallisation (BEOL). Pour augmenter la densité des mémoires résistives, il est donc nécessaire de réduire la surface occupée par le transistor de sélection de chaque cellule mémoire. Cette réduction s’effectue typiquement au détriment du courant que le transistor de sélection est capable de délivrer. La fenêtre de programmation de la cellule mémoire est dès lors réduite. Une solution consiste à appliquer une polarisation en face arrière du transistor (technique appelée BB pour « back-biasing » en anglais), qui permet de moduler dynamiquement la tension de seuil du transistor et donc sa capacité à fournir du courant. Une polarisation arrière directe (ou FBB, pour « Forward Back-Bias » en anglais) du transistor de sélection permet généralement de diminuer la tension de seuil et d’augmenter le courant passant, par exemple lors d’une opération d’écriture des cellules mémoire. Une polarisation arrière inverse (ou RBB, pour « Reverse Back-Bias » en anglais) du transistor de sélection permet typiquement de limiter les fuites de courant, par exemple lors d’une opération de lecture des cellules mémoire. Différentes architectures mettant en œuvre une polarisation BB ont été développées. Le document « Truly Innovative 28nm FDSOI Technology for Automotive Micro-Controller Applications embedding 16MB Phase Change Memory, F. Arnaud et al, IEDM18-424 (2018) » décrit une architecture de cellules mémoire à base de transistors complémentaires sur un substrat de type silicium sur isolant totalement déplété FDSOI (acronyme de « Fully Depleted Silicon On Insulator »). La mise en œuvre de la polarisation BB reste limitée et en partie inefficace dans ce type d’architecture. Les cellules mémoire présentent en particulier des performances inhomogènes avec ce type d’architecture.
Il existe donc un besoin consistant à augmenter le courant passant tout en limitant les fuites de courant, de façon homogène pour l’ensemble des cellules mémoire, et permettre ainsi une programmation MLC et/ou une réduction de la taille des cellules mémoire.
Un objectif de la présente invention est de répondre à ce besoin, et de pallier au moins en partie les inconvénients mentionnés ci-dessus.
RESUME Pour atteindre cet objectif, selon un premier aspect on prévoit un dispositif de pilotage de transistors comprenant : Un substrat à base d’un matériau semi-conducteur, présentant un premier type de conductivité, Une couche isolante à base d’un matériau diélectrique sur ledit substrat, Une couche à base du matériau semi-conducteur, dite couche active, située sur la couche isolante, Une pluralité de transistors comprenant chacun un canal formé dans la couche active et configuré pour être complétement déplété, Une pluralité de premiers caissons formés dans le substrat et présentant le premier type de conductivité, chaque premier caisson étant associé à et disposé sous un groupe de transistors de la pluralité de transistors, Au moins un deuxième caisson présentant un deuxième type de conductivité, formé dans le substrat sous et autour des premiers caissons, de sorte à isoler les premiers caissons entre eux et vis-à-vis du substrat, Un circuit de polarisation configuré pour appliquer au moins une première tension de polarisation V1 aux premiers caissons, et au moins une deuxième tension de polarisation V2 à l’au moins un deuxième caisson.
Avantageusement, tous les transistors de la pluralité de transistors présentent le deuxième type de conductivité.
Ainsi, contrairement à l’architecture connue de transistors divulguée dans le document « Truly Innovative 28nm FDSOI Technology for Automotive Micro-Controller Applications embedding 16MB Phase Change Memory, F. Arnaud et al, IEDM18-424 (2018) », le dispositif selon la présente invention ne comprend que des transistors présentant un seul et même type de conductivité, typiquement une conductivité de type N. Cela permet d’augmenter les performances de l’ensemble des transistors en appliquant par exemple une seule première tension de polarisation en configuration « polarisation arrière directe » FBB via le circuit de polarisation. Au contraire, dans l’architecture connue comprenant des transistors complémentaires de type N et de type P, en polarisant en FBB l’ensemble des transistors avec un seul potentiel, certains seront accélérés et d’autres ralentis, ce qui limite le gain en performance global. Pour pallier en partie cet inconvénient, une solution proposée par le document « Truly Innovative 28nm FDSOI Technology for Automotive Micro-Controller Applications embedding 16MB Phase Change Memory, F. Arnaud et al, IEDM18-424 (2018) » consiste à recourir à des transistors et des caissons associés à ces transistors présentant un même type de conductivité, selon une architecture connue sous la dénomination « flip well ». Au contraire, dans le dispositif selon la présente invention, les transistors et leurs caissons associés présentent deux types de conductivité différents.
Le dispositif selon la présente invention permet également de limiter les fuites de courant de l’ensemble des transistors en appliquant une première tension de polarisation en configuration « polarisation arrière inverse » RBB via le circuit de polarisation.
Ainsi, le dispositif selon la présente invention permet d’obtenir une bonne homogénéité des performances des transistors. Il permet un fonctionnement des transistors en FBB ou en RBB avec une seule et même architecture, en fonction de la première tension de polarisation appliquée.
L’utilisation d’au moins un deuxième caisson pilotable en tension permet une isolation dynamique des premiers caissons entre eux. La plage de valeurs possibles pour la première tension de polarisation BB peut ainsi être étendue. Cela permet in fine de modifier plus fortement ou plus significativement les tensions de seuil des transistors. Dans le cas d’une diminution des tensions de seuil, les performances de ces transistors augmentent. La taille des transistors peut ainsi être réduite. Cela permet également de réduire les fuites en courant des transistors en BB natif, c’est-à-dire sans FBB. La consommation statique du dispositif est ainsi réduite.
Typiquement, la variation de potentiel du deuxième caisson ne modifie pas la conductivité du ou des transistors se trouvant sur le ou les premiers caissons. Le deuxième caisson permet notamment d’isoler les premiers caissons entre eux et vis-à-vis du substrat. La variation du potentiel du deuxième caisson permet avantageusement de doubler le domaine de potentiel du premier caisson.
Selon un autre aspect on prévoit un procédé de pilotage du dispositif de pilotage de transistors comprenant : Appliquer une première tension de polarisation V1 à au moins un premier caisson de la pluralité de premiers caissons, Appliquer une deuxième tension de polarisation V2 à l’au moins un deuxième caisson entourant ledit au moins un premier caisson.
Lesdites applications des première et deuxième tensions V1, V2 sont telles qu’il n’y a pas de conduction électrique entre lesdits au moins un premier et deuxième caissons. Le deuxième caisson joue ainsi le rôle d’isolation électrique entre les premiers caissons.
Description détaillée Un alliage à base de nickel exempt de cobalt selon la présente invention est décrit ci-après. Dans toute la suite, la composition de l’alliage sera toujours donnée en pourcentage massique.
Éléments Cr Mo Al Ti C B Zr Minimum 14,5 0,8 1,5 3,2 0,01 0,003 0,01 Maximum 21,5 5,1 2,5 4,4 0,10 0,02 0,10
Ainsi, le présent alliage comprend les éléments aluminium et titane qui sont destinés à former une précipitation γ’ durcissante de structure ordonnée L1 2 et de composition (Ni) 3 (Al,Ti).
La teneur en chrome permet notamment de favoriser la résistance à l’oxydation de l’alliage tout en limitant la précipitation des phases TCP (de l’anglais Topologically Close Pack phases , aussi connues sous le nom de phases de Frank-Kasper) fragilisantes. En outre, le chrome participe à la formation des carbures de type M 23 C 6 (M = Cr, Mo).
Le molybdène contribue au renforcement mécanique à chaud de l’alliage. Sa teneur a été optimisée pour maximiser ce renforcement tout en limitant la précipitation de phases TCP de type σ ou μ. La phase TCP de type σ est un composé intermétallique n’ayant pas de composition stœchiométrique définie et présentant un ratio électron/atome de 6,2 à 7. C’est une cellule unitaire primitive de 30 atomes. La phase TCP de type μ présente une stœchiométrie idéale A 6 B 7 . En outre cet élément entre dans la composition des carbures de type MC (M = Ti, Mo) et de type M 23 C 6 . Les carbures de type MC sont destinés à contrôler la taille de grains par ancrage des joints de grains lors d’un traitement supersolvus γ’. Par ailleurs, en première approximation, les phases TCP ont toutes le même effet, notamment une diminution de la ductilité de l’alliage par la création de sites potentiels d’amorçage de fissures. En outre, la formation de phases TCP contribue aussi à amoindrir le renforcement par solution solide de la matrice car elle pompe une partie des atomes des éléments d’addition.
Les éléments bore et zirconium permettent également de renforcer la résistance des joints de grains sur toute la plage de température, notamment jusqu’à 850 °C.
Enfin, l’absence de cobalt favorise l’extension du domaine de stabilité des carbures de type M 23 C 6 au détriment du domaine de stabilité des carbures de type MC. L’une des difficultés qu’ont rencontrées les présents auteurs est d’obtenir une fraction molaire de carbures de type MC supérieure à 0,1 % à une température supérieure au solvus γ’ et un écart absolu supérieur de 40 °C entre le solvus γ’ et le solvus des carbures de types M 23 C 6 . Ceci est rendu possible par la présente invention.
L’alliage peut comprendre en outre 8,0 % massique ou moins de fer. Le fer est un élément peu onéreux et permet de réduire la densité de l’alliage ainsi que son coût. Par ailleurs, la prise en compte d’une teneur en fer lors de la recherche d’une composition adéquate pour les applications prévues permet de recycler des alliages contenant du fer pour l’élaboration de l’alliage à base de nickel de l’invention et par conséquent d’élargir la panoplie des ressources recyclées utilisables.
L’alliage peut comprendre en outre 6,4 % massique ou moins de tungstène. Le tungstène, en complément ou en substitution du molybdène, permet d’améliorer le comportement mécanique à chaud de l’alliage, notamment par durcissement par solution solide de la matrice γ. La quantité additionnée de molybdène et de tungstène dans l’alliage en pourcentage atomique peut en outre être compris entre 2 % et 5 %. Cela évite de favoriser la précipitation des phases TCP. Dans ce cas, dans la formule des carbures de type M 23 C 6 , M=Cr, Mo, W.
L’alliage peut comprendre en outre 1,0 % massique ou moins de niobium. Lorsque l’alliage comprend du niobium, la structure ordonnée L1 2 est de composition (Ni) 3 (Al,Ti,Nb) au lieu de (Ni) 3 (Al,Ti). L’ajout de niobium permet de contrebalancer l’absence de cobalt et de rééquilibrer les domaines de stabilité des carbures de types M 23 C 6 et MC. L’ajout d’un excès de niobium a cependant pour conséquence l’effet inverse, i.e. favorise la formation des carbures de type MC au détriment des carbures de types M 23 C 6 . Ainsi, la borne supérieure doit être limitée, i.e. 1,0 %, ce qui permet une stabilisation préférentielle des carbures de titane sur les carbures de niobium. En outre, la prise en compte d’une teneur en niobium lors de la recherche d’une composition adéquate pour les applications prévues permet de recycler des alliages contenant du niobium pour l’élaboration de l’alliage à base de nickel de l’invention et par conséquent d’élargir la panoplie des ressources recyclées utilisables.
Élém. Cr Mo Al Ti C B Zr Fe W Nb Min. 14,5 0,8 1,5 3,2 0,01 0,003 0,01 0 0 0 Max. 21,5 5,1 2,5 4,4 0,10 0,02 0,10 8,0 6,4 1
Une autre composition préférée comprend :
de 0,1 à 8,0 mg/g de composition, préférentiellement de 0,1 à 4,0 mg/g, très préférentiellement de 0,1 à 1,0 mg/g et très avantageusement de 0,1 à 0,5 mg/g de fucoxanthine, de 1,0 à 45,0 mg/g de composition, préférentiellement de 1,0 à 20,0 mg/g, très préférentiellement de 1,0 à 5,0 mg/g et très avantageusement de 1,0 à 3,1 mg/g d’au moins l’acide stéaridonique (SDA), de 0,02 à 0,8 mg/g de composition, préférentiellement de 0,02 à 0,4 mg/g, très préférentiellement de 0,02 à 0,2 mg/g et très avantageusement de 0,02 à 0,15 mg/g d’au moins un phycostérol, de 0,05 à 1,5 µg/g de composition, préférentiellement de 0,1 à 1,2 µg/g, très préférentiellement de 0,2 à 1,0 µg/g et très avantageusement de 0,35 à 0,8 µg/g d’au moins un phycoprostane choisi parmi les phytoprostanes, les isoprostanes et les neuroprostanes, de 700 à 990 mg/g de composition, préférentiellement de 800 à 990 mg/g et très préférentiellement de 850 à 980 mg/g d’huile de coco, préférentiellement de noix de coco.
Une autre composition préférée comprend encore :
de 0,1 à 8,0 mg/g de composition, préférentiellement de 0,1 à 4,0 mg/g, très préférentiellement de 0,1 à 1,0 mg/g et très avantageusement de 0,1 à 0,5 mg/g de fucoxanthine, de 1,0 à 45,0 mg/g de composition, préférentiellement de 1,0 à 20,0 mg/g, très préférentiellement de 1,0 à 5,0 mg/g et très avantageusement de 1,0 à 3,1 mg/g d’au moins l’acide stéaridonique (SDA), de 0,02 à 0,8 mg/g de composition, préférentiellement de 0,02 à 0,4 mg/g, très préférentiellement de 0,02 à 0,2 mg/g et très avantageusement de 0,02 à 0,15 mg/g d’au moins le brassicastérol, de 0,05 à 1,5 µg/g de composition, préférentiellement de 0,1 à 1,2 µg/g, très préférentiellement de 0,2 à 1,0 µg/g et très avantageusement de 0,35 à 0,8 µg/g d’au moins un phycoprostane choisi parmi les phytoprostanes, les isoprostanes et les neuroprostanes, de 700 à 990mg/g de composition, préférentiellement de 800 à 990 mg/g et très préférentiellement de 850 à 980 mg/g d’huile de coco, préférentiellement de noix de coco.
La composition peut comprendre en outre au moins un excipient cosmétiquement acceptable choisi parmi les huiles naturelles telles que l’huile d’argan, l’huile de karité, l’huile de jojoba, l’huile d’avocat, l’huile d’amande douce, les agents conservateurs, les émulsifiants, les émollients, les tensioactifs, les hydratants, les épaississants, les agents de texture, les conditionneurs, les agents de brillance, les agents de texture, les agents filmogènes, les pigments, les colorants, les parfums, les agents antimicrobiens, les additifs biologiques, les agents chélatants, les agents biocides, les agents astringents, les polymères, les agents réducteurs, les agents régulateurs de pH, les humectants, les agents de conditionnement.
La composition selon l’invention se présente sous toute forme adaptée à une utilisation cosmétique et préférentiellement sous une forme choisie parmi une crème, un sérum, un gel, un savon, un pain dermatologique, un gel douche, une solution aqueuse ou huileuse, une émulsion huile dans eau ou une émulsion eau dans huile, un masque, une lotion, une pommade, une mousse.
Un second objet de l’invention concerne l’utilisation cosmétique de la composition selon l’invention pour procurer un effet apaisant sur la peau et/ou pour maintenir l’homéostasie.
Préférentiellement au sens de l’invention, la composition n’est pas utilisée pour hydrater la peau.
On entend par « utilisation cosmétique » une utilisation non thérapeutique, c’est-à-dire non pharmaceutique et non dermatologique ; dans cette indication, elle n’a donc pas de visée thérapeutique et sera avantageusement appliquée sur tout ou partie d’une peau saine ; elle n’y est cependant pas limitée, elle peut effectivement être appliquée sur tout ou partie d’une peau lésée sans conférer un effet thérapeutique.
On entend par « peau saine » toute zone de peau qualifiée de non pathologique par un dermatologue, c’est-à-dire une zone de peau ne présentant pas de blessure, de rougeur, d’infection, de cicatrice, d’allergie, de plaie, de maladie, d’eczéma, d’inflammation, d’acné et/ou de dermatite.
La composition selon l’invention est avantageusement appliquée par voie topique. Ainsi, dans une indication cosmétique, une composition de l’invention se présente sous une forme adaptée pour une application topique. On entend au sens de l’invention par « application par voie topique » l’application locale de la composition sur la peau ou sa vaporisation à la surface de la peau.
La composition est une composition topiquement acceptable, c’est-à-dire une composition non irritante pour la peau, non toxique, qui n’induit pas de réaction allergique. Elle peut comprendre par ailleurs au moins un excipient cosmétiquement acceptable.
La composition peut être appliquée par voie topique sur au moins une zone de peau choisie parmi toute zone du visage et/ou du corps. On entend par « toute zone du corps » toute zone des bras, des jambes, des cuisses, du dos, du torse, du cou, des pieds et/ou des mains, y inclus le cuir chevelu.
On entend par « procurer un effet apaisant » induire un effet immédiat de bien-être sur la peau, un effet calmant, avantageusement sur une peau saine, très avantageusement sur une peau qualifiée de sensible.
On entend par « peau sensible » une peau présentant des sensations de douleur et/ou de brûlure dont les signes caractéristiques sont des démangeaisons et/ou des picotements et/ou des tiraillements et/ou des fourmillements et/ou de l’inconfort, mais sans signe clinique visible, c’est-à-dire sans rougeur, sans eczéma, sans dermatite, sans desquamation ou plaque. Ainsi une peau sensible au sens de l’invention n’est pas une peau allergique.
Dans un mode de réalisation de l’invention, on entend par « procurer un effet apaisant » diminuer la quantité génique et/ou protéique du neuropeptide CGRP (Calcitonin Gene-Related Peptide), aussi nommé CALCA (Calcitonin related polypeptide alpha), neuromédiateur connu de la douleur, en présence de la composition selon l’invention. Avantageusement, il s’agit d’une diminution d’au moins 22% en présence de la composition selon l’invention, préférentiellement d’au moins 30%, encore préférentiellement d’au moins 40% de la quantité protéique de CGRP, en comparaison de la quantité de protéines CGRP mesurée sans ajout de la composition selon l’invention mais dans une co-culture de kératinocytes et neurones sensitifs soumis à un stress oxydatif en présence de capsaicine.
L’engin marin 4 comprend un système de propulsion 14 configuré pour assurer la propulsion de l’engin marin 4, un système de direction 16 configuré pour assurer la direction de l’engin marin 4 et un système électronique de pilotage automatique 18 configuré pour commander le système de propulsion 14 et le système de direction 16 pour assurer la navigation autonome de l’engin marin 4.
Le système de propulsion 14 comprend par exemple au moins une hélice couplée à au moins un moteur.
Le système de direction 16 comprend au moins une gouverne orientable, par exemple un safran, et/ou un dispositif d’orientation configuré pour orienter le système de propulsion 14 de manière à diriger l’engin marin 4.
Le système électronique de pilotage automatique 18 est configuré pour commander le système de propulsion 14 et le système de direction 16 pour le contrôle des déplacements du l’engin marin 4.
Le système électronique de pilotage automatique 18 comprend par exemple une application logicielle enregistrée dans une mémoire et exécutable par un processeur, un composant logique programmable ou un circuit intégré spécifique.
Un système de ralliement automatique 20 est configuré pour assurer le ralliement de l’engin marin 4 vers le navire mère 2 de manière automatisée, en particulier pour assurer le ralliement de l’engin marin 4 vers le dispositif de récupération 8 de manière automatisée.