INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
L’étape de détermination 110 est, par exemple, mise en œuvre par un calculateur en interaction avec un produit programme d’ordinateur, c’est-à-dire mise en œuvre par ordinateur.
L’Hamiltonien cible H c pour le processeur quantique est tel que , c’est-à-dire tel que .
En reprenant les notations précédentes pour l’opérateur d’occupation, l’Hamiltonien cible H c s’exprime aussi sous la forme suivante :
Dans la mesure où l’Hamiltonien d’interaction H du processeur quantique s’exprime sous la forme suivante , il est cherché à trouver les positions des atomes neutres, telles que l’Hamiltonien d’interaction H approxime au mieux l’Hamiltonien cible H c . En d’autres termes, il convient que soit au plus proche de pour tout .
Le procédé de détermination comprend une étape 120 de détermination d’un positionnement des atomes neutres du processeur quantique de sorte à minimiser un écart entre l’Hamiltonien d’interaction H du processeur quantique et l’Hamiltonien cible H c . Notamment, la minimisation de l’écart correspond à au plus proche de . Le positionnement des atomes est déterminé dans un espace en deux dimensions (dans un plan) ou en trois dimensions.
L’étape de détermination 120 est, par exemple, mise en œuvre par un calculateur en interaction avec un produit programme d’ordinateur, c’est-à-dire mise en œuvre par ordinateur.
Le positionnement déterminé définit une configuration du processeur quantique propre à être utilisée pour la résolution du problème d’optimisation.
L’étape de détermination de positionnement comprend l’utilisation d’un outil d’apprentissage automatique propre à déterminer le positionnement des atomes en fonction de données résultant de l’Hamiltonien cible H c .
L’outil d’apprentissage est de préférence un outil d’apprentissage automatique par manifold (traduit en français par « collection ») propre à réaliser une réduction non-linéaire de la dimensionnalité des données en entrée de l’outil. Un tel outil met en œuvre un algorithme à base d'estimateurs non supervisés pour décrire des ensembles de données comme des collecteurs à faible dimension intégrés dans des espaces à haute dimension.
De préférence, l’outil d’apprentissage est basé sur un algorithme de positionnement multidimensionnel (en anglais « multidimensional scaling »). Un tel algorithme permet de passer d’une matrice de proximité (similarité ou dissimilarité) entre une série de N objets, aux coordonnées de ces mêmes objets dans un espace à P dimensions. Lorsque P est fixé à 2 ou 3, cela permet de visualiser facilement les objets.
En variante, l’outil d’apprentissage est basé sur un autre algorithme, par exemple, un algorithme choisi dans la liste suivante : Isomap, Locally Linear Embedding (traduit en français par « intégration localement linéaire »), Modiﬁed Locally Linear Embedding (traduit en français par « embarquement modifié localement linéaire »), Hessian Eigenmapping (traduit en français par « cartographie propre hessienne »), Spectral Embedding (traduit en français par « embarquement spectral »), Local Tangent Space Alignment (traduit en français par « alignement local de l'espace tangent », T-distributed Stochastic Neighbor Embedding (traduit en français par « embarquement stochastique de voisinage distribué en T »).
Un exemple de mise en œuvre de l’étape 120 de détermination de positionnement est illustrée en (colonne de gauche). Dans cet exemple, la matrice QUBO M a des coefficients positifs à l’extérieur de sa diagonale. De préférence, la matrice QUBO M est formulée sous la forme d’une matrice réelle symétrique avec des termes positifs. Néanmoins, cet exemple se généralise à toute matrice QUBO M symétrique.
Dans cet exemple de mise en œuvre, l’étape de détermination 120 comprend la détermination d’une matrice intermédiaire U 0 en fonction de la matrice QUBO M (matrice réelle symétrique).
La matrice intermédiaire U 0 a des coefficients nuls sur sa diagonale et les mêmes coefficients que la matrice QUBO M sinon. La matrice intermédiaire U 0 s’exprime donc sous la forme suivante :
De préférence, la nanoparticule selon la présente invention est présente dans un milieu contenant des cellules à transfecter, dans des conditions telles qu'il y a passage du lipoplexe à partir du milieu dans le cytoplasme des cellules, puis relargage de l'acide nucléique dans le cytosol et/ou le noyau des cellules.
Dans un mode de réalisation particulier, la nanoparticule peut comprendre en outre un élément de ciblage permettant d'orienter le transfert de l'acide nucléique, tel qu'un élément de ciblage intracellulaire (noyau, etc.) et/ou extracellulaire (ciblage de certains types cellulaires/tissus).
La présente invention a également pour objet une composition pharmaceutique comprenant une nanoparticule ou lipoplexe tel que défini ici et un véhicule pharmaceutiquement acceptable.
Avantageusement l’invention vise l’utilisation d’une nanoparticule telle que décrite ici en tant que vecteur pharmaceutiquement acceptable d’un acide nucléique.
Les doses d'acide nucléique utilisées ainsi que le nombre d'administrations peuvent être adaptées en fonction de différents paramètres, et notamment en fonction du mode d'administration utilisé, de la pathologie concernée, de l'acide nucléique à administrer, ou encore de la durée du traitement recherchée.
Dans un mode de réalisation préféré, les nanoparticules de l’invention sont utiles dans des applications en thérapie génique. L’acide nucléique peut être alors de préférence un ADN codant pour une protéine fonctionnelle, notamment une protéine qui n’est pas produite de manière fonctionnelle chez le patient.
Dans plusieurs modes de réalisation, l’acide nucléique peut être un ARNm, codant pour une protéine qui n’est pas produite de manière fonctionnelle chez le patient, ou pour une protéine d’intérêt thérapeutique ou vaccinal.
Selon un autre aspect, l’acide nucléique choisi peut inhiber l’expression d’une protéine exprimée par le sujet, et donc être un ARNi ou un oligonucleotide anti-sens par exemplaire, qui est complémentaire de la séquence de l'ARNm qu'il cible. Il peut ainsi modifier l’ARNm, notamment par saut ou incorporation d’exon(s) en intervenant à l'étape de l’épissage.
Dans d’autres modes de réalisation, les nanoparticules de l’invention sont utiles dans des applications ex vivo, par exemple pour modifier des cellules dans une perspective de thérapie cellulaire notamment.
Une application thérapeutique particulière concerne le traitement des maladies musculaires ou des maladies musculo-squelettiques.
Les exemples et figures illustrent l’invention sans en limiter la portée.
Exemple 1 : Production de liposomes (lipoplexes) comme véhicules pour l’administration intracellulaire d’ARNm
Matériels
Le lipide cationique 1,2-dioléoyl-3-triméthylammonium-propane (DOTAP) et le lipide auxiliaire 1,2-​dioléoyl-sn-glycéro-3-phosphoéthanolamine (DOPE) ont été achetés chez Avanti Polar Lipids. Coatsome® SS-M a été obtenu auprès de NOF America Corporation. L’ARNm codant pour GFP et Viromer a été fourni par BioNTech. Le hyaluronate de sodium (HA, masse molaire moyenne en poids, Mw=20 000 g·mol −1 ) a été acheté auprès de Lifecore Biomedical (Minnesota, USA). Le fixable Live/dead® a été fourni par Sigma-Aldrich (Saint-Quentin-Fallavier, France).
Formulation de liposomes et de lipoplexes
La couche 64 est par exemple déposée directement sur la couche 62 ou séparée de la couche 62 par une couche semiconductrice, par exemple une couche d'oxyde métallique, par exemple en oxyde de zinc, de manière à réduire l'injection de charge venant du silicium de la couche 62.
A titre de variante, le circuit d'extinction peut être remplacé par un autre exemple de circuit d'extinction. Par exemple, le circuit d'extinction peut être remplacé par une couche semiconductrice située entre la couche 62 et la couche 64 et configurée pour générer un phénomène d'auto extinction.
La représente un autre mode de réalisation d'un dispositif électronique 90 comprenant des diodes à avalanche.
Le dispositif 90 comprend tous les éléments du dispositif 50 tels que décrits précédemment. Seules les différences entre les dispositifs 50 et 90 seront décrites. Le dispositif 90 diffère du dispositif 50 en ce que la diode correspondant à la diode 12 ou 32 comprend une jonction PN au lieu d'une jonction PIN. La région 56 s'étend donc du substrat 54 jusqu'au niveau de la face supérieure des murs 60. Autrement dit, les régions 56 s'étendent jusqu'à la face inférieure de la couche 62. Ainsi, au moins une partie de la face supérieure de la région 56 est en contact avec la couche 62. Au moins une partie de la face supérieure de la région 56 n'est pas séparée de la couche 62 par la région 58.
La représente un autre mode de réalisation d'un dispositif électronique 92 comprenant des diodes à avalanche.
Le dispositif 92 comprend tous les éléments du dispositif 50 tels que décrits précédemment. Seules les différences entre les dispositifs 50 et 92 seront décrites. Le dispositif 92 diffère du dispositif 50 en ce que les murs 60, plus précisément les murs 60 séparant les régions 58, au moins partiellement dans les couches 62, 64, 66. Dans l'exemple de la , lesdits murs 60 traversent la couche 62 de part en part et s'étendent dans la couche 64. Plus précisément, la face supérieure des murs 60 est située dans la couche 64.
A titre de variante, la face supérieure des murs 60 est située au niveau de l'interface entre les couches 62 et 64. A titre de variante, la face supérieure des murs 60 est située au niveau de l'interface entre les couches 64 et 66.
De préférence, la face supérieure des murs 60 est située sous la face inférieure de la couche 68. Autrement dit, la couche 68 n'est de préférence pas traversée, de préférence n'est pas traversée de part en part, par les murs 60. Cela permet d'assurer le passage des charges vers l'élément 72.
La représente un autre mode de réalisation d'un dispositif électronique 94 comprenant des diodes à avalanche.
Le dispositif 94 comprend tous les éléments du dispositif 50 tels que décrits précédemment. Seules les différences entre les dispositifs 50 et 94 seront décrites. Le dispositif 94 diffère du dispositif 50 en ce que la face supérieure des murs 60 est située au niveau de l'interface entre les couches 62 et 64. Les murs 60 s'étendent donc du substrat 54 au niveau de la face inférieure de la couche 64.
De plus, une portion 96 repose sur la face supérieure de chaque mur 60. Les éléments 96 sont en un matériau différent du matériau de la couche 64. Les éléments 96 sont situées dans la couche 64. Les éléments 64 affleurent la face inférieure de la couche 64. La face inférieure de chaque élément 96 est située dans la couche 64. La hauteur de chaque élément 96 est inférieure à la hauteur de la couche 64. Ainsi, chaque élément 96 est séparé de la couche recouvrant la couche 64, ici la couche 66, par une portion de la couche 64. Les éléments 96 sont séparés les uns des autres par des portions de la couche 64.
Chaque élément 96 recouvre de préférence au moins la pace supérieure du mur 60 sur lequel ledit élément 96 est situé. Au moins une partie de la région 58 n'est pas située en regard des éléments 96. De préférence, les éléments 96 ne s'étendent pas en regard de la région 56. Au moins une partie de la couche 62 située dans chaque photodiode n'est pas en contact avec un élément 96. Par exemple, les éléments recouvrent la périphérie de la portion de la couche 62 située dans chaque photodiode. Par exemple, les éléments recouvrent moins de 10% de la portion de la couche 62 située dans chaque photodiode. De préférence, les éléments recouvrent la uniquement les faces supérieures des murs 60.
Les portions 96 sont par exemple dans un matériau isolant électriquement, par exemple en oxyde de silicium. A titre de variante, les portions 96 peuvent être dans le matériau de la couche 62, par exemple en silicium dopé de type N, par exemple dopé à la même concentration et avec les mêmes dopants que la couche 62.
Un avantage des modes de réalisation décrits précédemment est qu'ils permettent d'obtenir une photodiode à avalanche ayant de meilleures performances pour des longueurs d'onde dans l'infrarouge que pour les photodiodes à avalanche connues.
Un autre avantage des modes de réalisation décrits est qu'ils peuvent être fabriqués durant les étapes de fabrication de l'unité de fabrication initiale, ou "front end of line" (FEOL), ou durant les étapes de l'unité de fabrication finale, ou "back end of line" (BEOL).
Un autre avantage des modes de réalisation décrits précédemment est que les structures des modes de réalisation décrits étant directement formée sur un substrat, elles n'ont pas besoin d'être reliées à un substrat par des vias et des pistes conductrices qui généreraient des capacités parasites.
Le vantail 2 est configuré de sorte à être mobile relativement au bâti 3, de préférence selon un degré de liberté en rotation de sorte à ce que dans une configuration de fermeture, le vantail 2 obstrue au moins partiellement une ouverture 31 dans une paroi du bâti 3.
Dans une configuration d’ouverture, le vantail 2 comprend une face en regard d’une paroi du bâti 3 située à côté de l’ouverture.
Le vantail 2 comprend une première face 21 orientée vers l’ouverture 31 lorsque le vantail 2 est dans la configuration de fermeture, de préférence la première face 21 est située au droit de l’ouverture 31.
Le vantail 2 comprend une deuxième face 22 orientée vers la paroi du bâti 3 lorsque le vantail 2 est dans la configuration d’ouverture, de préférence sans que le vantail 2 n’obstrue l’ouverture.
Le vantail 2 prend avantageusement la forme d’un parallélépipède comprenant deux faces principales, respectivement la première face 21 et la deuxième face 22, parallèles l'une avec l'autre.
Le dispositif de maintien 1 est avantageusement fixé sur la deuxième face 22 du vantail 2.
Selon un exemple, le dispositif de maintien 1 est fixé au vantail 2 par l'intermédiaire d'éléments de boulonnerie, telle des vis ou des rivets, ou bien de colle, ou de ruban adhésif.
Selon ce même exemple, le dispositif de maintien 1 est avantageusement situé à côté de l’ouverture 31 et de préférence à gauche ou à droite de l'ouverture 31.
L'ouverture 31 pouvant traverser par exemple l’épaisseur de la bâti 3 et est avantageusement configurée de sorte à pouvoir être obstruée par le vantail 2 en configuration de fermeture.
De préférence, l'ouverture 31 est une ouverture à section rectangulaire, cependant elle peut également comprendre des portions circulaires.
Selon un mode réalisation particulier, l'ouverture 31 permet également l'encastrement d'une fenêtre, d’une porte ou d'une porte-fenêtre.
Le dispositif de maintien
Comme illustré aux figures 2A, 2B et 2C, et selon un exemple, le dispositif de maintien 1 comprend une portion mobile 11 comprenant une portion de commande 111 et une portion de blocage 112.
Le dispositif de maintien 1 étant configuré de sorte à ce que la portion de commande 111 soit accessible depuis l’ouverture 31, c'est-à-dire qu'elle soit avantageusement située à moins de 30 cm de l'ouverture 31 31, de préférence à moins de 20 cm, de préférence à fleur ou au niveau d’un rebord de l’ouverture 31.
Selon un mode de réalisation particulier, dans une configuration de verrouillage et/ou de déverrouillage, la portion de commande 111 peut déborder dans l'ouverture 31 afin de pouvoir être visualisée rapidement par un utilisateur qui souhaiterait déverrouiller le vantail 2.
La portion de blocage 112 est commandée en translation par la portion de commande 111. Il peut s’agir d’une translation horizontale ou diagonale relativement au sol.
La est une vue en coupe du dispositif d’articulation de la chaussure de ski alpin de la , et
La est une vue en coupe du dispositif d’articulation de la , lors de la rotation de l’axe de rotation principal de la chaussure de ski alpin.
Dans les vues en coupe des figures 6 à 13, 15 et 16, la chaussure est orientée de façon à ce que sa partie avant se trouve à gauche, et sa partie arrière à droite sur les schémas.
Description détaillée des modes de réalisation Tel qu’illustré sur les figures 1 et 2, une chaussure 1000 pour la pratique du ski alpin comporte une semelle 400 , surmontée d’une coque 300 et d’un collier 200 .
La coque 300 épouse la forme du pied, tandis que le collier 200 entoure le bas de la jambe. Le collier 200 comporte deux rabats latéraux 205 , 206 sur lesquels sont fixés des moyens de réglage 207 , 208 du serrage de la chaussure 1000 , typiquement des boucles de serrage non représentées sur les figures. D’autres moyens de réglage peuvent également être présents sur le dessus de la coque 300 , mais ceux-ci ne sont pas représentés sur les figures. Les moyens de réglage 207 , 208 du serrage de la chaussure 1000 se présentent par exemple sous la forme d’un système de boucles présentes sur l’un des rabats latéraux 205 , 206 venant crocheter des crans de réglage localisés sur le rabat opposé 205 , 206 .
Le collier 200 se prolonge au niveau de deux bras 201 latéraux destinés à venir en regard des malléoles de l’utilisateur. Pour ce faire, les bras 201 ont typiquement une hauteur comprise entre 3 et 7 cm et une largeur comprise entre 3 et 5 cm. Tel qu’illustré sur les figures 1 et 2, les bras 201 peuvent présenter une forme trapézoïdale allongée. Le collier 200 peut alors recouvrir une portion de la coque 300 , notamment au niveau des bras 201 .
Le collier 200 est articulé en rotation sur la coque 300 de la chaussure 1000 grâce à un dispositif d’articulation 100 . Le collier 200 peut ainsi basculer d’avant en arrière d’un angle de quelques degrés lors des mouvements de flexion du skieur, notamment pendant la pratique du ski.
Pour ce faire, tel qu’illustré sur les figures 3 à 5, le dispositif d’articulation 100 comporte un axe de rotation principal 101 . Ce dernier est localisé au niveau de la partie supérieure des bras 201 du collier. Une première ouverture de diamètre compris entre 1 et 4 cm est ménagée dans les bras 201 du collier 200 et une seconde ouverture de diamètre plus réduit, typiquement compris entre 0.2 et 1 cm est ménagée dans la coque 300 . Un écrou peut être positionné au niveau de la partie interne de la coque 300 , en regard de la seconde ouverture. Une vis est insérée à travers la première et la seconde ouverture de sorte à coopérer avec l’écrou. L’axe de rotation principal 101 peut également comporter des moyens permettant de maintenir une distance minimale entre la vis et l’écrou de façon à laisser libre la rotation du collier 200 par rapport à la coque 300 . Ces moyens permettent d’éviter que la vis ne frotte sur le collier, et que ce dernier ne frotte excessivement sur la coque. Ainsi, les efforts générés par le collier ne s’appliquent pas directement sur la vis ou le contrefort, mais au travers de ces moyens additionnels. Ces moyens peuvent par exemple être une entretoise et/ou une rondelle.
Avantageusement, une pièce de finition peut être positionnée à l’extérieur de la portion terminale du bras du collier, en regard de la seconde ouverture. La pièce de finition reçoit alors l’appui de la tête de la vis et permet de limiter l’usure de la portion terminale du bras du collier. La pièce de finition a également un but d’esthétisme et de protection du dispositif d’articulation des chocs et des rayures.
Le dispositif d’articulation 100 comporte en outre un dispositif limitateur de débattement 151 , par exemple localisé sur la portion inférieure des bras 201 . Il existe plusieurs modes de réalisation du dispositif limitateur de débattement 151 . Dans tous les cas, ce dernier comporte deux surfaces d’appui 152 , 153 , 202 , 212 , 303 , 313 solidaires respectivement du collier et de la coque, et un élément élastique 154 , 164 , 174 , 184 interposé entre lesdites surfaces d’appui 152 , 153 , 202 , 212 , 303 , 313 . L’élément élastique peut par exemple être une pièce de caoutchouc ou encore un ressort.
Selon un premier mode de réalisation illustré aux figures 3 à 7, le dispositif limitateur de débattement 151 se présente sous la forme d’un axe de liaison secondaire reliant la coque 300 et le collier 200 .
Pour ce faire, une première ouverture 302 de diamètre typiquement compris entre 0.5 et 3 cm est ménagée dans la coque 300 et une seconde ouverture 203 de diamètre compris entre 0.2 et 2 cm est ménagée dans les bras 201 du collier 200 . La seconde ouverture 203 peut présenter une empreinte destinée à accueillir la tête d'une vis.
Un écrou 152 comprenant une première portion de forme ronde ou parallélépipédique, de largeur comprise entre 1 et 5 cm est positionné au niveau de la face interne de la coque 300 . Cette première portion de l’écrou est de plus grandes dimensions que l’ouverture ménagée dans la coque pour ne pas traverser cette dernière. La première portion de l’écrou 152 peut également présenter une empreinte coopérant avec un outil permettant de régler le dispositif limitateur de débattement 151 . Dans une autre variante, l’écrou 152 peut être inséré dans un logement 158 de la face interne de la coque, tel qu’illustré sur la , empêchant sa rotation et permettant également de limiter l’épaisseur totale du dispositif limitateur de débattement 151 en ne laissant pas dépasser l’écrou 152 de la face interne de la coque 300. Ceci permet également de ne pas gêner ou blesser l’utilisateur, en évitant la présence de parties proéminentes à l’intérieur de la chaussure
L’écrou 152 présente également une seconde portion traversant la première ouverture 302 ménagée dans la coque 300 . Cette seconde portion est de préférence de section circulaire ou encore rectangulaire de diamètre ou longueur compris entre 1 et 3 cm.
La seconde portion de l’écrou 152 est de forme tubulaire creuse et peut présenter un filetage sur tout ou partie de sa paroi interne. De préférence, l’écrou 152 présente une longueur totale comprise entre 0.2 et 0.5 cm et une ouverture dimensionnée pour recevoir une vis 153 . Avantageusement, l’écrou 152 est réalisée dans un matériau plastique ou en métal, typiquement en acier. De préférence, le pourtour de la seconde portion de l’écrou 152 est nervuré. Il peut ainsi être monté en force dans la première ouverture 302 ménagée dans la coque 300 . Les nervures permettent ainsi d’éviter que l’écrou 152 ne se désengage ou tourne dans la première ouverture 302 . La seconde portion de l’écrou 152 peut dépasser ou non de la première ouverture 302 . Selon une variante non représentée, la coque peut être directement taraudée, pour recevoir la vis 153 . L’écrou 152 est ainsi remplacé par le taraudage de la coque.
Une vis 153 présentant une tête de diamètre typiquement compris entre 0.5 et 3 cm et une longueur comprise entre 1 et 3 cm est insérée à travers la seconde ouverture 203 ménagée dans les bras 201 du collier. La tête de la vis 153 présente une empreinte coopérant avec un outil permettant de régler le dispositif limitateur de débattement 151 , comme par exemple une clé ou un tournevis. Avantageusement, la vis 153 est réalisée dans un matériau plastique ou en métal, typiquement en acier.
Les antennes super directives reconfigurables peuvent se répartir en trois catégories selon la nature du système réglant la directivité.
Une première catégorie concerne les antennes à éléments parasites, dans lesquelles un seul des éléments du réseau d’antennes est actif (c’est-à-dire excité par le signal radiofréquence à émettre, ou signal utile, et/ou relié à un détecteur du rayonnement capté) tandis que les autres éléments du réseau sont chargés par des impédances calculées pour conférer à l’élément actif un lobe de rayonnement souhaité. Typiquement, les éléments d’antenne secondaires sont associés à des charges présentant des impédances déterminées en fonction des contributions parasites souhaitées sur l’élément d’antenne principal pour concentrer le lobe de l’antenne principale dans la direction souhaitée.
Une deuxième catégorie concerne les antennes constituées d’un réseau phasé numérique, dans lequel chaque élément d’antenne est relié à une chaîne d’émission-réception radiofréquence. Des coefficients de pondération individuels d’amplitude et de phase sont affectés à chaque élément d’antenne en bande de base (en amont de l’amplificateur et du déphaseur de chaque antenne), afin que le réseau présente une directivité souhaitée.