INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
De façon bien connue, une couche métallique plasmonique fait intervenir le phénomène de plasmon de surface, qui est un phénomène différent du phénomène de diffraction. Une surface plasmonique n’est donc pas diffractive. En pratique, la couche optiquement active 8 est par exemple un réseau métallique nano-texturé, dont la taille caractéristique de la texturation est typiquement d’un ordre de grandeur plus petit que celui d’une texturation destinée à être utilisée pour la diffraction. Le phénomène de résonance plasmonique induit un phénomène d’absorption sur une petite plage de longueur d’onde choisit dans la gamme du visible. Cela se traduit par la réflexion et/ou la transmission d’une couleur substractive (par exemple on peut générer du cyan en absorbant la gamme de longueur d’onde du rouge à l’aide d’un phénomène plasmonique). Le triplet privilégié dans le cas de trichromie plasmonique est le cyan/jaune/magenta. En termes de colorimétrie, on peut obtenir des couleurs plasmoniques plus stables angulairement comparées à des couleurs obtenues par diffraction.
Toutes ces variantes permettent, lors que le dispositif optique 2 est exposé à une lumière incidente, de produire à partir de la couche optiquement active 8 un effet visuel IG1 qui est personnalisé par les deuxièmes macro-texturations 11 formées par lamination.
Selon une variante envisageable, la première couche 11 est formée par un procédé de frittage avant d’être transférée dans une chambre de dépôt dans laquelle la seconde couche 12 est ensuite déposée sur la première couche 11 par l’une des techniques de dépôt ou croissance mentionnées précédemment.
La transition entre la structure cubique de la première couche et la structure hexagonale de la seconde couche de SiC polycristallin peut ne pas être franche mais présenter une zone de transition comprenant un mélange de grains de type 3C et de grains de type 4H et/ou 6H, sur une épaisseur pouvant aller jusqu’à 20 µm. Cependant, dans la mesure où cette zone de transition est distante de l’interface de collage entre la couche active et le substrat support, elle n’est pas préjudiciable aux performances de la structure.
De préférence, la première et la seconde couche sont dopées par introduction de dopants au cours de leur croissance, selon une technique connue. Les dopants peuvent être typiquement de l’azote, du bore, du phosphore ou de l’aluminium, selon le type de dopage souhaité. La teneur en dopants est généralement comprise entre 10 18 et 10 21 at/cm 3 .
En référence à la , on fournit un substrat donneur 20 dans lequel on forme par implantation d’espèces atomiques (typiquement de l’hydrogène et/ou de l’hélium) une zone de fragilisation 21 délimitant la couche active 2 à transférer. Le substrat donneur 20 est un substrat de SiC monocristallin de polytype 4H ou 6H, disponible commercialement dans une dimension adaptée, typiquement de l’ordre de 150 à 200 mm de diamètre.
En référence à la , on colle le substrat donneur 20 sur le substrat support 1. Au préalable, en vue d’un collage direct des deux substrats, on applique tout traitement de surface adapté pour s’assurer que les surfaces en contact soient aussi peu rugueuses que possible, c’est-à-dire notamment présentent une rugosité inférieure à 1 nm RMS, de préférence inférieure à 0,5 nm RMS, et de manière encore préférée inférieure à 0,2 nm RMS. Par ailleurs, les surfaces sont avantageusement rendues hydrophobes.
Ensuite, on détache le substrat donneur le long de la zone de fragilisation 21 de sorte à transférer la couche active 2 sur le substrat support 1 et obtenir la structure de la .
Les figures 4A à 4D illustrent de manière schématique les étapes d’un procédé de fabrication de la structure de la .
En référence à la , on forme sur le substrat germe 10 la première couche 11 de SiC polycristallin principalement du polytype 3C. Le substrat germe 10 est typiquement un substrat de graphite. La première couche 11 est formée par dépôt chimique en phase vapeur (CVD, acronyme du terme anglo-saxon « Chemical Vapor Deposition »). Pour obtenir une structure cubique, une température de dépôt relativement basse est utilisée, typiquement comprise entre 1100 et 1500°C, de préférence entre 1200 et 1400°C. On fait croître ladite première couche 11 sur une épaisseur comprise entre 1 et 20 µm.
En référence à la , on forme la seconde couche 12 de SiC polycristallin, principalement du polytype 4H et/ou 6H, sur la première couche 11, pour obtenir le substrat support 1. La seconde couche 12 est également formée par dépôt chimique en phase vapeur mais, pour obtenir une structure hexagonale, une température de dépôt relativement élevée est utilisée, typiquement comprise entre 1500 et 2600°C, de préférence comprise entre 1700 et 1900°C ou entre 1800 et 2400°C, voire comprise entre 2000 et 2250°C. Comme indiqué plus haut, l’homme du métier est à même de déterminer les conditions de croissance pour le polytype souhaité en fonction de la technique employée et des précurseurs utilisés. La seconde couche est formée sur une épaisseur comprise entre 80 et 350 µm. Le dépôt de la seconde couche est avantageusement réalisé dans le même bâti que la première couche, dans lequel on augmente la température de dépôt pour modifier le polytype du SiC déposé.
Comme indiqué plus haut, la transition entre la structure cubique de la première couche et la structure hexagonale de la seconde couche de SiC polycristallin peut ne pas être franche mais présenter une zone de transition comprenant un mélange de grains de type 3C et de grains de type 4H et/ou 6H.
En référence à la , on colle le substrat donneur 20 sur le substrat support 1 par l’intermédiaire de la couche de collage 3. La couche de collage 3 peut être déposée au préalable soit sur le substrat donneur 20, soit sur la seconde couche 12 du substrat support 1. Pour favoriser une bonne tenue du collage, un traitement préalable des surfaces à coller peut être mis en œuvre de sorte à obtenir une rugosité très faible, typiquement inférieure à 1 nm RMS, de préférence inférieure à 0,5 nm RMS.
Dans le cas où la seconde couche (polytype 4H et/ou 6H) est suffisamment épaisse, c’est-à-dire qu’elle présente une épaisseur supérieure ou égale à 100 µm, il est possible de retirer la première couche (polytype 3C), notamment après la formation d’un composant électronique dans la couche active. Ce retrait de la première couche peut être réalisé par meulage ou tout autre moyen. Il permet d’exposer, sur la face arrière de la structure, une surface du polytype 4H et/ou 6H, sur laquelle un contact électrique peut être ensuite déposé dans les cas où la géométrie du composant exige un contact en face arrière.
Ce retrait permet de diminuer la résistance électrique totale de la structure, puisqu’un des contacts est en face arrière et que le courant électrique a donc moins de matériau à traverser entre le composant en face avant et le contact en face arrière. De manière générale, il est fréquemment prévu de modifier l’épaisseur de la structure semi-conductrice en retirant une partie du substrat, par exemple pour l’adapter aux dimensions des outils devant utiliser ou modifier la structure ou pour adapter les propriétés de celle-ci à son application spécifique
Comme on le voit sur la , une pièce 55 d’interposition axiale entre le corps pendulaire et le voile 13, encore appelée « patin » peut être prévue. Ce patin 55 est par exemple porté de manière fixe par chaque masse pendulaire 14, sur leur face en regard du voile 13. La fixation du patin se fait par exemple via des pions reçus dans des ouvertures ménagées dans les masses pendulaires 14.
Selon le mode de réalisation de la , tous les trous 16 permettant de fixer le voile 13 sur le moyeu 12 du volant secondaire sont disposées angulairement parlant à l’extérieur du secteur angulaire maximal (α) de la fenêtre 33 dans laquelle sont reçus les deux organes de roulement 40 guidant le déplacement du premier corps pendulaire et également à l’extérieur du secteur angulaire maximal (α) de la fenêtre dans laquelle sont reçus les deux organes de roulement 40 guidant le déplacement du deuxième corps pendulaire. Il n’est ainsi pas nécessaire d’augmenter la dimension radiale de la partie 18 du voile 13 disposée radialement à l’intérieur de chaque fenêtre 33 pour garantir sa tenue en centrifugation,
Cette disposition diffère de celle représentée sur la dans laquelle les trous 16 sont disposés dans des secteurs angulaires maximaux (α) des fenêtres 33.
La diffère de la par le fait que la dimension radiale des parties 18 du voile 13 est encore réduite. Cela permet d’accroître encore l’espace radial disponible pour le dispositif d’amortissement pendulaire 20.
L’invention n’est pas limitée au mode de réalisation qui vient d’être décrit.
Dans l’exemple de la , chaque corps pendulaire comprend un organe de liaison 30 solidarisant les deux masses pendulaires 14 de ce corps pendulaire et chacun de ces organes de liaison 30 comprend deux entretoises 31 rigidement fixées entre chaque masse pendulaire 14 d’un corps pendulaire par emmanchement en force dans ces masses pendulaires 14. En variante, une fixation par rivets ou par des vis est également envisageable.
Chaque entretoise 31 s’étend en partie dans une fenêtre 33 ménagée dans le voile 13. Dans l’exemple considéré, la fenêtre 33 définit un espace vide à l’intérieur du voile 13, cette fenêtre étant délimitée par un contour fermé 35. Comme on peut le voir sur la , chaque fenêtre 33 définit, depuis l’axe de rotation (X), un secteur angulaire maximal (β). Similairement à ce qui précède, chaque organe de roulement 40 coopère par roulement avec une seule première piste de roulement 42 solidaire du voile 13, et avec une seule deuxième piste de roulement 43 solidaire du corps pendulaire pour guider le déplacement du corps pendulaire en translation autour d’un axe fictif parallèle à l’axe de rotation X du support 2 et, le cas échéant, en rotation, notamment en rotation autour du centre de gravité dudit corps pendulaire. Dans l’exemple considéré, chaque deuxième piste de roulement 43 est formée par une portion du bord radialement extérieur d’une entretoise 31 et chaque première piste de roulement 42 est formée par une partie du contour 35 de la fenêtre 33 dans laquelle est reçue cette entretoise 31.
Selon le deuxième mode de réalisation de la , tous les trous 16 permettant de fixer le voile 13 sur le moyeu 12 du volant secondaire sont disposées angulairement parlant à l’extérieur du secteur angulaire maximal (β) de la fenêtre 33 dans laquelle est reçu un des deux organes de roulement 40 guidant le déplacement du premier corps pendulaire et également à l’extérieur du secteur angulaire maximal (β) de la fenêtre 33 dans laquelle est reçu l’autre de ces deux organes de roulement 40. On constate également qu’aucun trou 16 n’est, dans cet exemple, disposé dans le secteur angulaire défini entre ces deux fenêtres 33. Ce positionnement relatif des trous 16 est encore vérifié pour le deuxième corps pendulaire.
Selon un troisième mode de réalisation, représenté sur la , les corps pendulaires et le voile 13 présentent une structure différente.
Les deux masses pendulaires 14 sont dans l’exemple de la reliées via une pluralité de rivets 34 qui sont reçus dans une pièce de guidage de l’organe de liaison 30. Cette pièce de guidage présente comme on peut le voir sur la des bords angulaires dont la forme peut coopérer avec celle du contour 65 ouvert d’une cavité 63 ménagée dans le voile 13.
Dans cet exemple, les fenêtres 33 sont distinctes de la cavité 63, et les fenêtres 33 sont sensiblement axialement en regard d’autres cavités 61 ménagées dans les masses pendulaires 14. Chaque organe de roulement 40 est à la fois reçu dans une fenêtre 33 et dans deux cavités 61, de manière à guider le déplacement du corps pendulaire 3 par rapport au support 2.
Similairement à ce qui a été mentionné en référence à la , tous les trous 16 permettant de fixer le voile 13 sur le moyeu 12 du volant secondaire sont ici encore disposées angulairement parlant à l’extérieur du secteur angulaire maximal (β) de la fenêtre 33 dans laquelle est reçu un des deux organes de roulement 40 guidant le déplacement du premier corps pendulaire et également à l’extérieur du secteur angulaire maximal (β) de la fenêtre 33 dans laquelle est reçu l’autre de ces deux organes de roulement 40. On constate également qu’aucun trou 16 n’est, dans cet exemple, disposé dans le secteur angulaire défini entre ces deux fenêtres 33. Ce positionnement relatif des trous 16 est encore vérifié pour le deuxième corps pendulaire.
Une seconde interface est l’interface entre la première et la seconde couche de SiC polycristallin du substrat support, qui est une interface entre des couches de polytypes différents mais de qualités cristallines similaires. Cette seconde interface est localisée dans l’épaisseur du substrat support et est donc distante de la première interface.
On notera que la seconde interface ne marque pas nécessairement un passage abrupt du polytype cubique au polytype hexagonal, mais peut comprendre une zone de transition présentant une certaine épaisseur, qui peut typiquement aller jusqu’à 20 µm. Cependant, compte tenu de l’épaisseur de la seconde couche, même avec une telle zone de transition, la première interface est suffisamment éloignée de la seconde interface.
Selon un premier mode de réalisation, illustré sur la , la structure comprend successivement, de sa face arrière vers sa face avant, un substrat germe 10, la première couche 11 de SiC polycristallin principalement du polytype 3C, la seconde couche 12 de SiC polycristallin principalement du polytype 4H et/ou 6H (le substrat germe et les couches 11 et 12 formant ensemble le substrat support 1) et la couche active 2 de SiC monocristallin du polytype 4H ou 6H.
Comme indiqué plus bas, le substrat germe 10 est utilisé pour la croissance de la première couche 11. Il peut donc être retiré de la structure lorsque sa présence n’est plus nécessaire.
Dans ce premier mode de réalisation de la structure, la première couche 11 est sensiblement plus épaisse que la seconde couche 12. Par exemple, la première couche 11 présente une épaisseur comprise entre 80 et 350 µm tandis que la seconde couche 12 présente une épaisseur comprise entre 1 et 20 µm.
Le polytype 3C étant susceptible d’être obtenu à une température plus basse que les polytypes 4H ou 6H, la fabrication de ce premier mode de réalisation de la structure est plus économe en énergie.
A un stade ultérieur de fabrication, une partie arrière de la première couche 11 peut éventuellement être retirée.
Ladite structure présente une première interface I1 entre la couche active 2 qui est monocristalline et le substrat support 1 qui est polycristallin.
Sur la , la couche active 2 est représentée en contact direct avec la seconde couche de SiC polycristallin 12, mais il serait également possible d’avoir une couche de collage (du type de la couche référencée 3 sur la ) à l’interface entre ces deux couches. Une telle couche de collage peut typiquement être en silicium ou en tungstène, de sorte à favoriser la tenue mécanique du collage tout en assurant une conduction électrique entre la couche active 2 et le substrat support 1.
Selon un second mode de réalisation, illustré sur la , la structure comprend successivement, de sa face arrière vers sa face avant, un substrat germe 10, la première couche 11 de SiC polycristallin principalement du polytype 3C, la seconde couche 12 de SiC polycristallin principalement du polytype 4H et/ou 6H (le substrat germe et les couches 11 et 12 formant ensemble le substrat support 1), une couche de collage 3 et la couche active 2 de SiC monocristallin du polytype 4H ou 6H.
Dans ce second mode de réalisation de la structure, la première couche 11 est sensiblement plus fine que la seconde couche 12. Par exemple, la première couche 11 présente une épaisseur comprise entre 80 et 200 µm tandis que la seconde couche 12 présente une épaisseur comprise entre 150 et 270 µm. Le fait que la couche de structure cubique soit plus fine permet de limiter les déformations dues à la différence de coefficient de dilatation thermique entre les structures 3C et 4H/6H.
Sur la , une couche de collage 3 est représentée entre la couche active 2 et la seconde couche de SiC polycristallin 12, mais cette couche de collage est optionnelle et il serait également possible de réaliser un collage direct entre les couches 2 et 12. La couche de collage 3 peut typiquement être en silicium ou en tungstène, de sorte à favoriser la tenue mécanique du collage tout en assurant une conduction électrique entre la couche active 2 et le substrat support 1.
Tableau 13 : Conditions des essais de carbonylation oxydative avec des catalyseurs Pd-Ag sur des supports en γ-Al 2 O 3 ou SiO 2 .Pd-Cu et les résultats obtenus.
PROCEDE DE FABRICATION D’UN MORTIER DOMAINE DE L'INVENTION La présente invention concerne les matériaux de construction et en particulier la fabrication des mortiers.
ETAT DE LA TECHNIQUE Il est connu de fabriquer un mortier en mélangeant un ciment, un sable naturel, des fines (également connues sous le terme « filler » en anglais, qui permettent d’ajuster la granulométrie du mortier) et des additifs (tels que des accélérateurs de prise, des retardateurs de prise, des entraîneurs d’air, des plastifiants, des pigments et/ou des agents de mouture).
Les poutrelles 9d sont ici identiques et s’étendent parallèlement aux entretoises 9b du cadre. Les brancards 9a comportent des ouvertures de forme globalement circulaires dans lesquelles sont reçues les poutrelles 9d, de sorte que lesdites poutrelles 9d s’étendent entre les brancards 9a mais aussi de part et d’autre desdits brancards 9a. Les poutrelles 9d présentent une section polygonale ouverte conformée pour que lesdites poutrelles 9d soient montées mobiles en rotation dans les ouvertures des brancards 9a, selon un axe Y 9 parallèle à l’axe Y, entre une première position dans laquelle les peignes présentent vis-à-vis du sol une inclinaison, et donc une agressivité des peignes 10 vis-à-vis du sol, minimale ( ), et une deuxième position dans laquelle l’inclinaison et donc l’agressivité des peignes 10 vis-à-vis du sol est maximale ( ).
Les poutrelles 9d ont une face externe sur laquelle est fixée une armature 11 en deux parties dont une portion s’étend en saillie en formant un appendice 11a sensiblement agencé au milieu des deux brancards 9a et s’étendant parallèlement au plan XZ. Une même barre de liaison 12 est attelée à l’appendice 11a de chacune des poutrelles 9d selon un axe Y 11 d’articulation parallèle à l’axe Y, de sorte que les positions des poutrelles 9d autour de leur axe de rotation Y 9 respectif sont liées entre elles et identiques.
La barre de liaison 12 est attelée à une tige de commande 14 au moyen d’une bielle 13 articulée sur la barre de liaison 12 selon un axe Y 12 d’articulation et sur une première extrémité 14.1 de la tige de commande 14 selon un axe Y 14.1 d’articulation. La tige de commande 14 s’étend à travers la traverse intermédiaire 2d ou les bras latéraux 6, 6’ selon un axe X 14 sensiblement parallèle à l’axe X, et est montée mobile en translation suivant l’axe X 14 confondu avec l’axe X 9 de rotation du module 9, entre une position extrême avant dans laquelle l’inclinaison des peignes 10 est minimale, et une position extrême arrière dans laquelle l’inclinaison des peignes 10 est maximale. La première extrémité 14.1 de la tige de commande 14 est en regard d’une face arrière de la traverse intermédiaire 2d ou des bras latéraux 6, 6’. La tige de commande 14 comprend une deuxième extrémité 14.2 opposée à la première extrémité 14.1 et en regard d’une face avant de la traverse intermédiaire 2d ou des bras latéraux 6, 6’.
Les peignes 10 portés par les poutrelles 9d sont ici identiques et comportent chacun deux dents 10a destinées à pénétrer le sol. Les peignes 10 sont fixés aux poutrelles 9d et s’étendent parallèlement entre eux, de sorte que le module 9 présente plusieurs rangées de peignes 10 présentant chacun une même inclinaison.
Les modules 9 portés par la traverse intermédiaire 2d sont montés fixes sur ladite traverse intermédiaire 2d.
En référence à la , les modules 9 portés par la première partie 6.1 du bras latéral 6 droit sont équipés d’un premier jeu de tringles 15 comprenant une première tringle 15.1 reliant lesdits modules 9 entre eux et une deuxième tringle 15.2 reliant l’un desdits modules 9 à la traverse intermédiaire 2d du châssis 2. La première tringle 15.1 est agencée pour que les positions desdits modules 9 autour de leur axe de rotation Y 9 respectif soient liées entre elles et identiques. La deuxième tringle 15.2 est agencée pour que lesdits modules 9 s’étendent sensiblement parallèlement au plan XY quelle que soit la position du bras latéral 6.
En référence à la , les modules 9 portés par la deuxième partie 6.2 du bras latéral 6 droit sont équipés d’un deuxième jeu de tringles 16 comprenant une première tringle 16.1 reliant lesdits modules 9 entre eux et une deuxième tringle 16.2 reliant l’un desdits modules 9 à la première partie 6.1 dudit bras latéral 6. La première tringle 16.1 est agencée pour que les positions desdits modules 9 autour de leur axe de rotation Y 9 respectif soient liées entre elles et identiques. La deuxième tringle 16.2 est agencée pour que lesdits modules 9 s’étendent sensiblement parallèlement au plan XY quelle que soit la position du bras latéral 6.
De manière similaire, les modules 9 portés par la première partie 6.1’ du bras latéral 6’ gauche sont équipés d’un premier jeu de tringles 15’ comprenant une première tringle 15.1’ reliant lesdits modules 9 entre eux et une deuxième tringle 15.2’ reliant l’un desdits modules 9 à la traverse intermédiaire 2d du châssis 2. La première tringle 15.1’ est agencée pour que les positions desdits modules 9 autour de leur axe de rotation Y 9 respectif soient liées entre elles et identiques. La deuxième tringle 15.2’ est agencée pour que lesdits modules 9 s’étendent parallèlement au plan XY quelle que soit la position du bras latéral 6’.
Les modules 9 portés par la deuxième partie 6.2’ du bras latéral 6’ gauche sont équipés d’un deuxième jeu de tringles 16’ comprenant une première tringle 16.1’ reliant lesdits modules 9 entre eux et une deuxième tringle 16.2’ reliant l’un desdits modules 9 à la première partie 6.1’ dudit bras latéral 6’. La première tringle 16.1’ est agencée pour que les positions desdits modules 9 autour de leur axe de rotation Y 9 respectif soient liées entre elles et identiques. La deuxième tringle 16.2’ est agencée pour que lesdits modules 9 s’étendent parallèlement au plan XY quelle que soit la position du bras latéral 6’.
Selon l’invention, l’appareil 1 comprend en outre un dispositif 20 de commande de l’inclinaison des peignes 10 de l’ensemble des modules 9 ( ).
En référence à la , le dispositif 20 comprend un actionneur 21 linéaire de commande, ici un vérin hydraulique, s’étendant dans le plan XZ de symétrie de l’appareil 1. L’actionneur 21 a une première extrémité attelée selon un premier axe Y 22 d’articulation à des pattes 22 fixées aux longerons 2a du châssis 2, et une deuxième extrémité attelée selon un axe Y 21 d’articulation à une manivelle centrale 23a portée par un arbre d’entraînement primaire 23. Les axes Y 21 et Y 22 sont parallèles à l’axe Y.
L’arbre d’entraînement primaire 23 s’étend selon un axe Y 23 parallèle à l’axe Y, entre les axes X 6.1 , X 6.1 ’. Une extrémité droite de l’arbre d’entraînement primaire 23 porte une manivelle latérale 23b attelée à la deuxième extrémité 14.2 de la tige de commande 14 du module 9 droit porté par la traverse intermédiaire 2d, selon un axe Y 14.2 d’articulation parallèle à l’axe Y. De manière similaire, une extrémité gauche de l’arbre d’entraînement primaire 23 porte une manivelle latérale 23b’ attelée à la deuxième extrémité 14.2 de la tige de commande 14 du module 9 gauche porté par la traverse intermédiaire 2d, selon l’axe Y 14.2 . Les manivelles latérales 23b, 23b’ sont symétriques par rapport au plan XZ.