INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
La représente le dessin vu de haut. Il s’agit de la surface du niveau inférieur de la semelle électromécanique. Elle comporte l’emplacement des six capteurs de pression à cellules de charges résistives lesquels sont percutés dans le même emplacement par six ressorts à compression (1). Elle comporte l’emplacement de l’accéléromètre (2). Elle comporte l’emplacement du microcontrôleur (3). Elle comporte l’emplacement d’un buzzer actif (4). Elle comporte l’emplacement de la tige de fixation qui traverse les deux niveaux de la semelle électromécanique (5). Elle comporte l’emplacement de la batterie qui alimente le système monté sur sa carte PCB (6). Elle comporte l’emplacement femelle qui entre dans un emplacement mâle du niveau supérieur pour contraindre le mouvement de la semelle électromécanique autour de l’axe vertical (7).
La représente le dessin en vue d’ensemble. Il s’agit de la semelle électromécanique. Elle comporte la couverture des tranchées (1). Elle comporte les six ressorts à compression (2). Elle comporte le lit qui accueille un dispositif plantaire tiers (3). Elle comporte la surface de contact au sol (4). Elle comporte le flan qui maintiens le dispositif tiers à l’intérieur du lit (5). Elle comporte la courbure de la semelle électromécanique permettant sa flexion pour la compression des ressorts qui transmettent la masse de l’utilisateur aux six capteurs de pression (6). Elle comporte les insères des sangles à scratch permettant le maintien de la semelle électromécanique à un dispositif plantaire tiers (7). Elle comporte l’entrée de la tige de fixation qui traverse les deux niveaux de la semelle électromécanique (8). Elle comporte le talon surmonté de 32 mm du sol (9).
En référence à la , nous allons maintenant décrite le deuxième module de comparaison de tension 340 1-3 .
Le deuxième module de comparaison de tension 340 1-3 comprend un amplificateur opérationnel AO’ et quatre résistances R 1 , R 2 , R 3 et R 4 .
La résistance R 2 est connectée par une de ses bornes à la borne de sortie de l’opérateur opérationnel AO’ et par l’autre de ses bornes à l’entrée + de l’amplificateur opérationnel AO’.
L’entrée + de l’amplificateur opérationnel AO’ est en outre connectée par l’intermédiaire de la résistance R 1 à la borne d’entrée b 1 tandis que l’entrée – de l’amplificateur opérationnel est connectée directement à la borne d’entrée b 2 du deuxième module de comparaison de tension 340 1-3 .
Ainsi, la borne de sortie de l’opérateur opérationnel AO’ présente une tension de saturation négative lorsque la tension d’entrée sur la borne b 2 est supérieure à la tension d’entrée sur la borne b 1 et une tension de saturation positive sinon.
La borne de sortie de l’opérateur opérationnel AO’ est reliée à la borne de sortie S du deuxième module de comparaison de tension 340 1-3 par l’intermédiaire d’un pont diviseur de tension formé par les résistances R 3 et R 4 . Plus précisément, la résistance R4 est connectée par une de ses bornes à la masse M et par l’autre de ses bornes à la sortie S du deuxième module de comparaison de tension 340 1-3 tandis que la résistance R3 est connectée par une de ses bornes à la sortie de l’amplificateur AO’ et par l’autre de ses bornes à la sortie S du deuxième module de comparaison de tension 340 1-3 .
En référence à la , nous allons maintenant décrire un dispositif de sécurité 126 1-3 .
Chaque dispositif de sécurité 126 1-3 comporte par exemple deux interrupteurs d’isolement à transistor 302 1-3 , 304 1-3 montés en série et en opposition l’un par rapport à l’autre. Ainsi, lorsqu’ils sont ouverts tous les deux, le dispositif de sécurité 126 1-3 est dit ouvert et le passage de courant est empêché dans les deux sens d’écoulement. En particulier, le passage de courant par la diode inverse de l’un est alors empêché par l’autre. De même, lorsque les deux interrupteurs d’isolement sont tous les deux fermés, le dispositif de sécurité est dit fermé et la borne de basse tension B T est connectée au point de sortie PS 1- 3 .
Dans l’exemple décrit à la , les deux interrupteurs d’isolement à transistor 302 1-3 , 304 1-3 sont des transistors MOSFET de Type N connectés par leur source.
Ce convertisseur de tension DC/DC 106 comprend un dispositif de commande 500 conçu pour dans un premier mode de fonctionnement fermer les dispositifs de sécurité 126 1 , 126 2 , 126 3 au moyen de commande CS 1 , CS 2 , CS 3 afin de réaliser une conversion entre la haute tension HT et la basse tension BT.
Dans ce premier mode de fonctionnement, chaque cellule 108 1-3 est conçue pour être commandée par des commandes CC 1-3 pour alternativement ouvrir et fermer les interrupteurs de côté haut 202 1-3 et de côté bas 204 1-3 , en opposition l’un de l’autre selon un rapport cyclique afin de convertir la haute tension HT en la basse tension BT.
Le dispositif de commande est également conçu pour dans un deuxième mode de fonctionnement ouvrir les dispositifs de sécurité 126 1 -3 et les interrupteurs de côté bas 204 1-3 pour mettre en sécurité le convertisseur de tension DC/DC 106.
Ainsi, lorsque les dispositifs de sécurité 126 1 , 126 2 et 126 3 sont ouverts, la première borne de basse tension B BT est déconnectée électriquement des points de sortie PS 1, PS 2 et PS 3 .
Dans le premier mode de fonctionnement du convertisseur de tension DC/DC 106, la tension au niveau du point milieu PM 1-3 est sensiblement égale à la haute tension HT lorsque l’interrupteur de côté haut 202 1-3 est fermé et est sensiblement égale à zéro (potentiel de la masse M) lorsque l’interrupteur de côté haut 202 1-3 est ouvert.
La couche tampon 4 peut être réalisée en SiO2 ou SIN, en nitrures métalliques réfractaires comme le TiN, le WN ou le TaN, en un métal réfractaire comme W, Ti ou Ta ou encore être réalisée à base d’au moins l’un de ces matériaux. Ce matériau doit être choisi de telle sorte qu’il présente une bonne sélectivité de gravure par rapport au matériau de la couche de masquage 3 lors de la gravure de la couche tampon 4. Si la couche de masquage 3 est réalisée, comme donné en exemple, en Si3N4, il est donc exclu de réaliser la couche tampon 4 en nitrure de silicium également.
La formation des nanofils 6 à base de GaN peut se faire par épitaxie, de préférence par épitaxie en phase vapeur à précurseurs organométalliques MOVPE (acronyme de « MetalOrganic Vapour Phase Epitaxy. La source de gallium sous forme de précurseur organométallique peut typiquement être du triméthyl-gallium (TMGa) ou du triéthyl- gallium (TEGa). La source d’azote peut typiquement être de l’ammoniaque (NH3). Les flux des différents gaz pourront être adaptés de façon connue par l’homme du métier, en fonction notamment du volume du réacteur.
La formation des nanofils 6 peut alternativement se faire par épitaxie par jets moléculaires MBE (acronyme anglais de « Molecular Beam Epitaxy »), par épitaxie en phase vapeur à précurseurs gazeux chlorés HVPE (acronyme de « Hydride Vapour Phase Epitaxy »), par dépôt chimique en phase vapeur CVD et MOCVD (acronyme de de « MetalOrganic Chemical Vapor Deposition »).
De façon optionnelle, des étapes classiques de préparation de surface du germe (nettoyage chimique, traitement thermique) peuvent être effectuées préalablement à la croissance épitaxiale des nanofils 6.
Les nanofils peuvent comprendre une région à base de GaN dopée N. De façon connue, cette région dopée N peut résulter d’une croissance, d’une implantation et/ou d’un recuit d’activation. Le dopage N peut notamment s’obtenir directement lors de la croissance, à partir d’une source de silicium ou de germanium, par exemple par addition de vapeur silane ou disilane ou germane. Les conditions de croissance requises pour la formation de tels nanofils sont largement connues.
L’encapsulation 8 peut être réalisée en résine photosensible ou être à base de matériaux inorganiques tels que le SiO2.
Le retrait des résidus ou croissances parasites 7 à base de GaN déposés sur la couche tampon 4 lors de la formation des nanofils 6 se fait de préférence au moyen d’une gravure sèche par plasma chloré. Il peut s’agir d’une gravure ionique réactive RIE (acronyme anglais « Reactive-Ion Etching ») ou ICP-RIE (acronyme anglais « Inductively Coupled Plasma Reactive-Ion Etching »). Le précurseur chloré peut par exemple être à base de Cl2, de BCl3 ou d’un mélange de ces deux composés. Le retrait des croissances parasites 7 peut également se faire par gravure ionique IBE (acronyme anglais de « Ion Beam Etching »).
Si une couche additionnelle de masquage 9 a été déposée pleine plaque comme illustré sur la , il est possible de configurer la gravure des croissances parasites 7 pour graver simultanément la couche additionnelle de masquage 9 sous-jacente, comme illustré à la . Pour ce faire, il est préférable que l’épaisseur e 9 de la couche additionnelle de masquage 9 soit inférieure à 50 nm. Cela permet de faciliter la gravure simultanée des deux couches.
La gravure des croissances parasites 7 présente l’inconvénient de transférer la topographie de ces mêmes croissances parasites 7 à la couche sous-jacente. Selon l’invention, cette couche sous-jacente est formée de la couche additionnelle de masquage 9, si une telle couche a été déposée, et de la couche tampon 4. Dans le cas où une couche additionnelle de masquage 9 protège la couche tampon 4 de cette première gravure, il faut que cette même couche additionnelle de masquage 9 soit entièrement gravée au-dessus de la zone d'intérêt et que la couche tampon 4 soit elle aussi gravée. Ainsi, il est nécessaire de garantir que l’épaisseur e 4 de la couche tampon 4 est suffisante pour absorber la première gravure et éviter que la couche de masquage 3 ne soit endommagée. Ainsi, de préférence, la couche tampon 4 présente une épaisseur minimale de 100nm. Avantageusement, l’épaisseur e 4 de la couche tampon 4 est supérieure à l’épaisseur maximale e 7max des croissances parasites 7 de façon à ce que ladite couche tampon 4 puisse absorber un transfert de topographie des croissances parasites 7 lors d’une gravures de ces mêmes croissances parasites 7. Le rapport entre l’épaisseur e 4 de la couche tampon 4 et l’épaisseur maximale e 7max des croissances parasites 7 est de préférence supérieur à 2, de préférence supérieur à 5. Le dimensionnement en épaisseur de la couche tampon 4 et/ou de la couche additionnelle de masquage 9 est effectué de manière à absorber le transfert de topographie lié à la gravure des croissances parasites 7.
Le retrait sélectif de la couche tampon 4 peut se faire par gravure isotrope humide. Il est possible d’utiliser une solution de HF pour une couche tampon 4 en SiO2, une solution de H3PO4 pour une couche tampon 4 en SiN, une solution présentant des rapports en volume variant entre 5:1:1 et 7:2:1 de H2O, H2O2, et NH4OH respectivement (par exemple la solution Standard Clean 1 ®) pour une couche tampon 4 en nitrure métallique, et une solution de HCl pour une couche tampon 4 en métal. Les gravures humides permettent des sélectivités de gravure très élevées, par exemple entre le SiO2 et le Si3N4 ou entre le TiN et le SiO2. Une gravure sèche est également possible, à condition qu’elle soit suffisamment sélective par rapport à la couche sous-jacente.
Le retrait de l’encapsulation 8 se fait par des procédés bien connus dans le domaine de la microélectronique, tels qu’une gravure sèche ou humide. Ce retrait doit se faire sélectivement par rapport aux nanofils.
Par ailleurs, si une couche additionnelle de masquage 9 n’est pas déposée par la suite, il est envisageable de réaliser l’étape illustrée à la avant celle illustrée à la . Il est cependant préférable de réaliser les ouvertures 5 dans la couche de masquage 3 après la formation de la couche tampon 4. Cela permet d’éviter la détérioration desdites ouvertures 5 lors du dépôt et/ou de la structuration de ladite couche tampon 4, assurant ainsi de donner aux nanofils 6 la forme des ouvertures 5 telles que réalisées et de garantir une croissance homogène.
Avantageusement, une couche additionnelle de masquage 9 est déposée pleine plaque après le dépôt de la couche tampon 4 et avant la création des ouvertures 5 dans la couche de masquage 3 et dans la couche additionnelle de masquage 9.
En effet, la présence de la couche tampon 4, et donc d’oxyde, de nitrure métallique ou encore de métal réfractaire, peut perturber la croissance des structures 3D. La couche additionnelle de masquage 9, déposée après la couche tampon 4, permet ainsi d’isoler l’étape d’épitaxie de la couche tampon 4 et donc d’améliorer la croissance des nanofils 6 avoisinant la couche tampon 4.
Préférentiellement, la couche additionnelle de masquage 9 est dans le même matériau que la couche de masquage 3. Cela permet d’obtenir un environnement homogène pour la croissance des nanofils 6 de GaN et donc d’obtenir une croissance homogène.
La somme des épaisseurs de la couche de masquage 3 et de la couche additionnelle de masquage 9 est avantageusement inférieure à 500 nm, de préférence de l’ordre de 80 nm. Cela a pour effet de faciliter la croissance des nanofils 6 au travers des ouvertures 5.
tensioactif Selon la présente invention, des compositions comprenant au moins un tensioactif sont proposées. De préférence, l’au moins un tensioactif est un tensioactif à faible HLB. « HLB » fait référence à « la balance hydrophile-lipophile » associée aux émulsifiants. En particulier, la valeur « HLB » concerne le rapport entre les groupes hydrophiles et les groupes lipophiles dans les émulsifiants, et concerne également la solubilité des émulsifiants. Les émulsifiants à faible valeur HLB sont plus solubles dans les huiles (matière lipophile) et sont plus appropriés pour une utilisation dans les émulsions eau dans l’huile (E/H). Les émulsifiants à HLB plus élevé sont plus solubles dans l’eau (matériau hydrophile) et sont plus appropriés pour les émulsions huile dans l’eau (H/E). Dans le contexte de la présente invention, on entend par « tensioactif à faible HLB » un tensioactif ayant une valeur HLB inférieure ou égale à 6, de préférence inférieure à 5, et de préférence inférieure à 4. De préférence, la valeur HLB est supérieure ou égale à 3.
Le tensioactif, en particulier un tensioactif de faible valeur HLB, est de préférence présent en tout ou partie d’un « composant tensioactif » dans les compositions de la présente invention. Selon des modes de réalisation préférés de la présente invention, le composant tensioactif a une valeur HLB inférieure ou égale à 6, de préférence inférieure à 5, et de préférence inférieure à 4. De préférence, la valeur HLB est supérieure ou égale à 3.
Selon des modes de réalisation préférés, le tensioactif, en particulier un tensioactif à faible HLB, est non ionique.
Selon des modes de réalisation préférés, le tensioactif, en particulier un tensioactif à faible HLB, comprend un squelette et un (des) groupe(s) pendant(s), dans lesquels (1) le squelette est hydrophobe et un ou plusieurs groupes pendants est (sont) hydrophile(s), ou (2) le squelette est hydrophile et un ou plusieurs groupes pendants est (sont) hydrophobe(s). Le squelette peut être à base de silicone ou d’hydrocarbure. Par « squelette », on entend que le tensioactif comprend une chaîne principale. Par groupe(s) « pendant(s) », on entend qu’un ou plusieurs groupes sont attachés au squelette ou à la chaîne principale du tensioactif. Le(s) groupe(s) pendant(s) peut(vent) être fixé(s) à n’importe quel endroit le long du squelette ou de la chaîne principale, par exemple à l’une ou aux deux extrémités terminales de la chaîne, à un (des) endroit(s) qui ne sont pas à une extrémité terminale de la chaîne, ou aux deux. Selon des modes de réalisation préférés, le(s) groupe(s) pendant(s) inclut(ent) un ou plusieurs groupes ester attachés au squelette ou à la chaîne principale.
Un squelette notamment préféré est un squelette hydrophobe à base de silicone tel que la diméthicone. Pour un tel squelette, un groupe pendant préféré est un groupe hydrophile tel qu’un groupe incluant une pluralité de groupes éther comme un polymère de polyéthylène glycol (PEG).
Un autre squelette préféré est un squelette hydrophile, à base d’hydrocarbure, tel qu’un polymère de polyéthylène glycol (PEG) ou un polymère de polyglycéryle. Pour un tel squelette, un groupe pendant préféré est un ester à base d’un groupe hydrophobe tel que, par exemple, un composé gras en C 8 -C 24 , de préférence un composé gras en C 12 -C 20 , et de préférence un composé gras en C 16 -C 18 tel que, par exemple, stéarate, isostéarate, laurate, etc.
Selon des modes de réalisation préférés, les compositions de la présente invention comprennent au moins un tensioactif comprenant un squelette à base de silicone et au moins un tensioactif comprenant un squelette à base d’hydrocarbure.
Selon des modes de réalisation préférés, le composant tensioactif comprend un (des) tensioactif(s), en particulier un (des) tensioactif(s) à faible HLB, comprenant un squelette et un (des) groupe(s) pendant(s), dans lesquels (1) le squelette est hydrophobe et un ou plusieurs groupes pendants est (sont) hydrophile(s), (2) le squelette est hydrophile et un ou plusieurs groupes pendants est (sont) hydrophobe(s), ou (3) (1) et (2) sont tous deux présents dans le composant tensioactif.
Le tensioactif, en particulier un tensioactif à faible HLB, de la présente invention peut être un tensioactif de silicone, comprenant de préférence de la diméthicone (par exemple, PEG-10 diméthicone ou lauryl PEG-9 polydiméthylsiloxyéthyl diméthicone), ou un tensioactif non-silicone, exempt de diméthicone (par exemple, PEG-30 dihydroxystéarate). Le tensioactif, en particulier un tensioactif à faible HLB, de la présente invention peut présenter une alcoxylation (par exemple, une éthoxylation ou une propoxylation) par l’intermédiaire de groupes tels que, par exemple, des groupes (C 2 H 4 O)- /polyéthylène glycol (PEG), (C 3 H 6 O)-/polypropylène glycol (PPG), etc. Les émulsifiants convenables incluent les composés alcoxylés, les glycérides partiels de composés alcoxylés, les composés polyglycérolés, et des mélanges de ceux-ci, etc.
Selon des modes de réalisation préférés, le tensioactif, en particulier un tensioactif à faible HLB, peut être un tensioactif silicone qui est un organosiloxane oxyalkyléné. De préférence, l’émulsifiant organosiloxane est linéaire.
Par exemple, un tensioactif à faible HLB peut répondre à la formule générale :
dans laquelle p est compris entre 0 et 40 (la plage incluant tous les nombres compris entre et les sous-plages tels que 2, 3, 4, 13, 14, 15, 16, 17, 18, etc.), et PE est (--C 2 H 4 O) a -(--C 3 H 6 O) b H où a est compris entre 0 et 25, b est compris entre 0 et 25 à condition que a et b ne puissent pas être 0 simultanément, x, y et z aillent chacun indépendamment de 0 à 1 million à condition que x et y ne puissent pas être 0 simultanément. Dans certains cas, x, y, z, a et b sont tels que le poids moléculaire du polymère va d’environ 5 000 et environ 500 000, entre environ 10 000 et 100 000, ou est d’environ 50 000. Dans certains cas, p est tel que l’alkyle à longue chaîne est un cétyle ou un lauryle, et le composé est appelé, de manière générique, cétyl diméthicone copolyol ou lauryl diméthicone copolyol respectivement. Dans certains cas, le nombre de motifs répétés oxyde d’éthylène ou oxyde de propylène dans le polymère est également spécifié, comme un diméthicone copolyol qui est également appelé diméthicone PEG-15/PPG-10, qui se réfère à une diméthicone ayant des substituants contenant 15 motifs éthylène glycol et 10 motifs propylène glycol sur le squelette de siloxane. Il est également possible qu’un ou plusieurs des groupes méthyle dans la structure générale ci-dessus soient substitués par un alkyle à plus longue chaîne (par exemple éthyle, propyle, butyle, etc.) ou un éther, tel qu’éther méthylique, éther éthylique, éther propylique, éther butylique et similaires.
En outre, le tensioactif, en particulier un tensioactif à faible HLB, peut répondre à la formule générale :
dans laquelle chaque n est indépendamment compris entre 0 et 100, à condition qu’il y ait au moins un radical PE. Dans certains cas, où chaque n est indépendamment dans la plage d’environ 2 à 30, et PE (--C 2 H 4 O) a -(--C 3 H 6 O) b H où a est compris entre 0 et 25, b est compris entre 0 et 25 à condition que a et b ne puissent pas être simultanément 0 ; et dans laquelle w, x, y et z sont chacun indépendamment 0 à 1 000 000, à condition qu’il y ait au moins un PE. Dans certains modes de réalisation, l’émulsifiant organosiloxane est la lauryl PEG-9 Polydiméthylsiloxyéthyl Diméthicone. Les émulsifiants d’organosiloxane oxyalkylénés divulgués dans le brevet US n° 9 095 543 sont utiles dans les présentes compositions. Le brevet US n° 9 095 543 est incorporé ici en référence dans son intégralité.
D’autres exemples d’émulsifiants à base d’organosiloxane incluent, sans s’y limiter, ceux de noms C.T.F.A. suivants Bis-Butyldimethicone Polyglyceryl-3; Bis-PEG/PPG-14/14 Dimethicone; Bis-butyldimethicone Polyglyceryl-3; Bis-isobutyl PEG/PPG-10/7 Dimethicone copolymer; Bis-PEG/PPG-18/6 Dimethicone; Bis-PEG/PPG-20/20 Dimethicone; Bis-PEG/PPG-16/16 PEG/PPG-16/16 Dimethicone; Bis(PPG-7 Undeceneth-21-Dimethicone; Cetyl Dimethicone PEG-7 Acetate; Cetyl PEG-8 Dimethicone; Cetyl PEG/PPG-15/16 Butyl Ether Dimethicone; Cetyl PEG/PPG-15/15 Butyl Ether Dimethicone; Cetyl PEG/PPG-7/3 Dimethicone; Cetyl PEG/PPG-10/1 Dimethicone; Dimethicone PEG-15 Acetate; Dimethicone PEG-7 Cocoate; Dimethicone PEG-7 Phosphate; Dimethicone PEG-10 Phosphate; Dimethicone PEG/PPG-7/4 Phosphate; Dimethicone PEG/PPG-12/4 Phosphate; Dimethicone PEG-7 Undecylenate; Lauryl Dimethicone PEG-10 Phosphate; Isopolyglyceryl-3 Dimethicone; Isopolyglyceryl-3 Dimethiconol; Isostearyl Carboxyldecyl PEG-8 Dimethicone; Lauryl Methicone PEG-10 Phosphate; Lauryl PEG-8 Dimethicone; Lauryl PEG-10 Methyl Ether Dimethicone; Lauryl PEG/PPG-18/18 Methicone; PEG-6 Methyl Ether Dimethicone; PEG-7 Methyl Ether Dimethicone; PEG-9 Methyl Ether Dimethicone; PEG-10 Methyl Ether Dimethicone; PEG-11 Methyl Ether Dimethicone; PEG-11 Methyl Ether Dimethicone; PEG-32 Methyl Ether Dimethicone; PEG-PEG/PPG-28/21 Acetate Dimethicone; PEG/PPG-22/22 Butyl Ether Dimethicone; PEG/PPG-23/23 Butyl Ether Dimethicone; PEG/PPG-24/18 Butyl Ether Dimethicone; PEG/PPG-3/10 Dimethicone; PEG/PPG-4/12 Dimethicone; PEG/PPG-6/11 Dimethicone; PEG/PPG-8/14 Dimethicone; PEG/PPG-12/16 Dimethicone; PEG/PPG-12/18 Dimethicone; PEG/PPG-14/4 Dimethicone; PEG/PPG-15/5 Dimethicone; PEG/PPG-15/15 Dimethicone; PEG/PPG-16/2 Dimethicone; PEG/PPG-16/8 Dimethicone; PEG/PPG-17/18 Dimethicone; PEG/PPG-18/12 Dimethicone; PEG/PPG-19/19 Dimethicone; PEG/PPG-20/6 Dimethicone; PEG/PPG-20/15 Dimethicone; PEG/PPG-20/20 Dimethicone; PEG/PPG-20/29 Dimethicone; PEG/PPG-22/23 Dimethicone; PEG/PPG-22/24 Dimethicone; PEG/PPG-25/25 Dimethicone; PEG/PPG-27/27 Dimethicone; PEG/PPG-30/10 Dimethicone; PEG/PPG-10/3 Oleyl Ether Dimethicone; PEG-8 trisiloxane; Polyglyceryl-3 Polydimethylsiloxyethyl Dimethicone; PPG-12 Butyl Ether Dimethicone; Silicone Quaternium-17; TEA-Dimethicone PEG-7 Phosphate; PEG/PPG-18 dimethicone, PEG/PPG-18/18 dimethicone; lauryl PEG/PPG-18/18 methicone; cetyl PEG/PPG-14/14 dimethicone; bis-cetyl PEG/PPG-14/14 dimethicone; cetyl PEG/PPG-10/1 dimethicone; PEG-11 methyl ether dimethicone; PEG/PPG-20/22 butyl ether dimethicone; PEG-9 dimethicone; PEG-3 dimethicone; PEG-9 methyl ether dimethicone; PEG-10 dimethicone; lauryl PEG-9 polydimethylsiloxyethyl dimethicone ou des mélanges de ceux-ci.