Procédé de fabrication d’un dispositif optoélectronique comprenant une première zone (100) comprenant une pluralité de structures tridimensionnelles (3D), et une deuxième zone (200) dépourvue desdites structures 3D, ledit procédé comprenant au moins : Une fourniture d’un substrat (1) comprenant une couche superficielle (2) permettant la nucléation et la croissance des structures 3D, Une formation d’une couche tampon (4) couvrant le substrat (1) au niveau de la deuxième zone (200), sans couvrir la première zone (100), Une croissance des structures 3D (6) dans la première zone (100) à partir de la couche superficielle (2), ladite croissance formant des résidus (7) au-dessus de la couche tampon (4), dans la deuxième zone (200), Une première gravure configurée pour éliminer les résidus (7) et pour s’arrêter dans la couche tampon (4). Procédé selon la revendication précédente comprenant une deuxième gravure, configurée pour éliminer la couche tampon (4). Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes comprenant un dépôt d’une couche de masquage (3) sur la couche superficielle (2), et une formation d’ouvertures (5) dans ladite couche de masquage (3), au niveau de la première zone (100), de sorte à exposer la couche superficielle (2) au travers desdites ouvertures (5), dans lequel la couche tampon (4) est formée sur la couche de masquage (3) et dans lequel la croissance des structures 3D se fait au travers des ouvertures (5) de la couche de masquage (3). Procédé selon la revendication précédente en combinaison avec la revendication 2, dans lequel la deuxième gravure est configurée pour éliminer la couche tampon (4) sélectivement à la couche de masquage (3). Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes comprenant une formation d’une encapsulation (8) des structures 3D, avant la première gravure. Procédé selon la revendication précédente, dans lequel l’encapsulation (8) est formée de façon à laisser un espace entre ladite encapsulation (8) et la couche tampon (4). Procédé selon l’une quelconque des revendications 3 à 6, comprenant un dépôt pleine plaque d’une couche additionnelle de masquage (9) après la formation de la couche tampon (4), et une formation d’ouvertures (5) au travers de ladite couche additionnelle de masquage (9) et de la couche de masquage (3). Procédé selon la revendication précédente, dans lequel la couche additionnelle de masquage (9) est à base du même matériau que celui de la couche de masquage (3). Procédé selon l’une quelconque des deux revendications précédentes, dans lequel la première gravure est configurée pour retirer une portion de la couche additionnelle de masquage (9) recouvrant la couche tampon (4). Procédé selon l’une quelconque des trois revendications précédentes, dans lequel la couche de masquage (3) et la couche additionnelle de masquage (9) présentent respectivement des épaisseurs e 3 et e 9 telles que e 3 + e 9 ≤ 500 nm. Procédé selon la revendication 5 en combinaison avec l’une quelconque des revendications 7 à 10, dans lequel la couche additionnelle de masquage (9) est déposée de telle sorte qu’un espace est préservé entre un flanc (80) de l’encapsulation (8) et une portion de la couche additionnelle de masquage (9) disposée contre un flanc (40) de la couche tampon (4). Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la première gravure est anisotrope. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes en combinaison avec la revendication 2, dans lequel la deuxième gravure est isotrope. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la formation de la couche tampon (4) est configurée de façon à ce que la couche tampon (4) recouvre, en projection dans un plan de base (xy), intégralement une zone d’intérêt sous-jacente choisie parmi une zone de marques d’alignement, une zone de mesure ellipsométrique. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la définition de la couche tampon (4) se fait par photolithographie. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel les structures 3D sont à base d’un matériau III-V tel que le GaN, le GaAs, l’InP. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes en combinaison avec la revendication 3, dans lequel la première gravure présente une sélectivité supérieure ou égale à 5:1, et de préférence supérieure ou égale à 10:1, entre le matériau de la couche tampon (4) et le matériau de la couche de masquage (3). Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes en combinaison avec la revendication 3, dans lequel la formation des ouvertures (5) de la couche de masquage (3) se fait après le dépôt de la couche tampon (4). Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel la couche tampon (4) présente une épaisseur (e 4 ) strictement supérieure à une épaisseur maximale (e 7max ) des résidus (7), de façon à ce que ladite couche tampon (4) puisse absorber un transfert de topographie des résidus (7) lors d’une gravure des résidus (7). Procédé selon la revendication précédente, dans lequel l’épaisseur (e 4 ) de la couche tampon (4) est au moins deux fois supérieure à l’épaisseur maximale (e 7max ) des résidus (7), et de préférence au moins cinq fois supérieure.