Procédé de formation d’une couche (30) dite couche LN/LT, à base d’un matériau ABO3, O étant l’oxygène, A étant au moins un premier élément chimique pris parmi le sodium (Na), le potassium (K), le baryum (Ba), le lithium (Li), le plomb (Pb), et B étant au moins un deuxième élément chimique pris parmi le zirconium (Zr), le titane (Ti), le niobium (Nb), le tantale (Ta), ledit procédé comprenant les étapes suivantes : Fournir un substrat (10) à base de silicium, Former sur le substrat (10) une couche de nucléation (20), Former par épitaxie la couche LN/LT (30) sur la couche de nucléation (20), Le procédé étant caractérisé en ce que la couche de nucléation (20) est choisie en un matériau réfractaire à base de nitrure. Procédé selon la revendication précédente dans lequel le matériau réfractaire à base de nitrure est pris parmi les nitrures réfractaires III-N à base d’un élément du groupe III, tels que le nitrure de bore BN, le nitrure d’aluminium AlN, le nitrure de gallium GaN, le nitrure d’indium InN, et leurs alliages, par exemple AlGaN, ou les nitrures réfractaires de transition à base d’un métal de transition, tels que le nitrure de titane TiN, le nitrure de tantale TaN, le nitrure de Niobium NbN, le nitrure de zirconium ZrN, le nitrure d’hafnium HfN, le nitrure de vanadium VN. Procédé selon la revendication précédente dans lequel le matériau réfractaire à base de nitrure est un nitrure réfractaire III-N pris parmi le nitrure de gallium GaN, le nitrure d’aluminium AlN, et l’alliage AlGaN. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel le matériau de type ABO3 de la couche LN/LT (30) est choisi parmi : le niobate de lithium (LiNbO3), le tantalate de lithium (LiTaO3), ou un alliage Li(Nb,Ta)O3. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel la formation de la couche de nucléation (20) est configurée de sorte que ladite couche de nucléation (20) présente une épaisseur e2 inférieure ou égale à 200 nm, de préférence inférieure ou égale à 50 nm. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel la formation de la couche LN/LT (30), est configurée de sorte que ladite couche LN/LT (30) présente, après épitaxie, une épaisseur e3 comprise entre 50 nm et 500 nm, par exemple de l’ordre de 200 nm. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel la formation de la couche de nucléation (20) et la formation de la couche LN/LT (30) sont effectuées par ablation laser pulsée successivement au sein d’un même réacteur sans remise à l’air entre lesdites formations. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel le substrat (10) à base de silicium est formé d’un matériau pris parmi : le silicium, le SiC, le SiGe. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel le substrat (10) est à base de silicium orienté selon (111), la couche de nucléation (20) est à base de nitrure d’aluminium AlN orienté selon (0001), et la couche LN/LT (30) est orientée selon (0001). Dispositif (1) comprenant, en empilement selon une direction dite verticale (z), un substrat (10) à base de silicium, une couche de nucléation (20) sur ledit substrat (10), une couche (30) dite couche LN/LT sur ladite couche de nucléation (20), la couche LN/LT étant à base d’un matériau du type ABO3, O étant l’oxygène, A étant au moins un premier élément chimique pris parmi le sodium (Na), le potassium (K), le baryum (Ba), le lithium (Li), le plomb (Pb), et B étant au moins un deuxième élément chimique pris parmi le zirconium (Zr), le titane (Ti), le niobium (Nb), le tantale (Ta), ledit dispositif (1) comprenant en outre au moins une électrode (40, 41, 42) supérieure disposée sur la couche LN/LT (30), le dispositif (1) étant caractérisé en ce que la couche de nucléation (20) est en un matériau réfractaire à base de nitrure. Dispositif (1) selon la revendication précédente dans lequel la couche LN/LT (30) est directement au contact de la couche de nucléation (20). Dispositif (1) selon l’une quelconque des revendications 10 à 11, dans lequel le matériau réfractaire à base de nitrure est pris parmi les nitrures réfractaires III-N à base d’un élément du groupe III, ou les nitrures réfractaires de transition à base d’un métal de transition. Dispositif (1) selon l’une quelconque des revendications 10 à 12, dans lequel la couche LN/LT (30) présente une épaisseur e3 comprise entre 50 nm et 500 nm, de sorte que le dispositif (1) forme un résonateur à couche mince piézoélectrique, par exemple du type filtre à onde acoustique de surface. Dispositif (1) selon l’une quelconque des revendications 10 à 13, comprenant en outre, sur l’électrode (40, 41, 42) supérieure et la couche LN/LT (30), une couche (50) de compensation de température, par exemple à base de SiO2. Dispositif (1) selon l’une quelconque des revendications 10 à 14, dans lequel le substrat (10) à base de silicium est monocristallin.