INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Le débit de BDO par rapport à la quantité de catalyseur peut être compris entre 0,005 et 10 kg/h/kg de catalyseur, de préférence entre 0,1 et 5 kg/h/kg, encore de préférence entre 0,1 et 1 kg de BDO kg/h/kg de catalyseur.
Le réacteur contient un catalyseur pour la réaction de formation du tétrahydrothiophène, de préférence en phase gaz. Parmi les catalyseurs pouvant être utilisés, on peut utiliser les silices, les alumines, les silico-aluminates. De préférence, les catalyseurs sont des alumines plus ou moins dopées avec des oxydes d’alcalins ou d’alcalino-terreux, de préférence non dopées.
De préférence, le catalyseur utilisé est une alumine, contenant une teneur en Na 2 O inférieure à 0,3% en poids par rapport au poids total du catalyseur, telle que la sphéralite 505 commercialisée par Axens.
On obtient ainsi un flux (A) comprenant du tétrahydrothiophène, de l’eau, éventuellement du sulfure d’hydrogène n’ayant pas réagi, éventuellement du tétrahydrofurane, et éventuellement des sous-produits soufrés. Etape b) – Condensation
Le flux (A) issu de l’étape a) subit une étape de condensation à l’aide de toute technique classique, de préférence à l’aide d’un ou plusieurs condenseur(s) ou économiseur(s). Lors de la condensation, le flux (A) est notamment refroidi aussi bas que possible, pour maximiser l'élimination de l'eau. De préférence, le flux (A) est condensé à une température comprise entre 20°C et 70°C, par exemple entre 30°C et 60°C. L’étape de condensation permet d’obtenir un flux (B) riche en tétrahydrothiophène et des évents gazeux (C) contenant les incondensables éventuellement formés à l’issue de l’étape a) et contenant au moins un composé soufré et éventuellement du tétrahydrofurane. De préférence, les évents gazeux (C) comprend du tétrahydrothiophène, les incondensables éventuellement formés à l’issue de l’étape a), éventuellement le sulfure d’hydrogène n’ayant pas réagi, éventuellement du tétrahydrofurane, et éventuellement des sous-produits soufrés. Etape c) – Purification, de préférence par décantation
Le flux (B) riche en tétrahydrothiophène subit une étape de purification. De préférence, il s’agit d’une étape de décantation de manière à séparer la phase organique de la phase aqueuse contenant l’eau générée au cours de la réaction a). De plus, au cours de cette étape, des évents gazeux sont également éliminés. Ainsi, la phase organique (D) comportant le tétrahydrothiophène est séparée de la phase aqueuse. Les évents gazeux sont récupérés dans un flux gazeux noté (E), qui comprend au moins un composé soufré et éventuellement du tétrahydrofurane. De préférence, le flux gazeux (E) comprend du tétrahydrothiophène, éventuellement le sulfure d’hydrogène n’ayant pas réagi, éventuellement du tétrahydrofurane, et éventuellement des sous-produits soufrés.
De préférence, le flux (B) est séparé à une température comprise entre 20°C et 70°C, de préférence, entre 30°C et 60°C. La pression peut être comprise entre 1 et 40 bars absolus. Etape d) – Eventuelle distillation
Le flux (D), c’est-à-dire la phase organique issue de l’étape de purification c) peut subir une ou plusieurs distillations. Cette ou ces distillations successives permettent d’éliminer les composés plus lourds que le THT, et/ou les composés plus légers que le THT.
Selon un mode de réalisation de l’invention, deux colonnes de distillation peuvent être utilisées en série, la première pour séparer les composés lourds, et la seconde pour séparer les composés légers.
Selon un autre mode de réalisation de l’étape de distillation, la distillation est réalisée avec une colonne à cloison de type DWC, comportant 3 sorties : la fraction de tête comportant les impuretés légères, la fraction en queue comportant les impuretés lourdes et la fraction intermédiaire comportant le THT purifié.
La distillation de l’étape d) peut être effectuée à une pression comprise entre 0,05 et 75 bars absolus, de préférence entre 1 et 30 bars absolus, plus préférentiellement entre 1 et 5 bars absolus.
La distillation de l’étape d) peut être effectuée à une température comprise entre 20°C et 200°C, de préférence entre 40°C et 160°C, plus préférentiellement entre 60°C et 140°C.
La distillation peut être réalisée dans n’importe quel type de colonne à distiller connue. Il peut s’agir d’une colonne à plateaux (par exemple plateaux à calottes, plateaux à soupapes ou plateaux perforés) ou à garnissage (par exemple à garnissage en vrac ou structuré). La distillation peut être réalisée dans une colonne à plateaux, de préférence comprenant entre 5 et 50 plateaux, plus préférentiellement entre 10 et 40 plateaux, par exemple entre 25 et 30 plateaux. La distillation peut également être effectuée dans une colonne à cloison (appelée DWC en langue anglaise pour Divided Wall Column). La cloison peut être fixe ou mobile, par exemple avec un garnissage structuré ou vrac. Etape e) récupération du tétrahydrothiophène isolé à l’étape c) et/ou d)
V ajustée = max(V cible_C ,V cible + D cible * t D (D cible ))
Avec V ajustée la valeur de vitesse ajustée du deuxième véhicule 11, V cible_C la valeur de première vitesse déterminée correspondant à un paramètre par exemple stocké en mémoire, V cible la vitesse du deuxième véhicule à l’instant ‘t’, D cible la décélération du deuxième véhicule à l’instant ‘t’ et t D (D cible ) la durée fonction de la décérélation du deuxième véhicule à l’instant ‘t’.
La paramètre V cible_C correspondant à la première vitesse déterminée est par exemple égal à 1 m/s. Selon d’autres exemples, ce paramètre est égal à 0.5, 0.8, 1.2 ou 1.5 m/s.
Dans une quatrième opération, le système ACC du premier véhicule 10 est contrôlé en fonction des quatrièmes données obtenues à la troisième opération.
Le contrôle du système ACC comprend avantageusement un ajustement d’une valeur ou d’un paramètre de consigne du système en fonction de la vitesse ajustée du deuxième véhicule. Par exemple, le temps inter-véhicules fourni en consigne (TIV consigne ) ou comme cible (TIV cible ) est ajusté en fonction de la vitesse ajustée V ajustée .
Le contrôle du système ACC du premier véhicule 10 en fonction de la vitesse ajustée V ajustée du deuxième véhicule 11 permet de commencer la phase de décélération du premier véhicule 10 en avance par rapport à une phase de décélération du premier véhicule 10 selon un mode de fonctionnement connu du système ACC.
Un tel résultat est montré par la qui illustre un diagramme 3 comprenant deux courbes 31, 32 de décélération D 10 du premier véhicule 10 en fonction du temps ‘t’.
La illustre une première courbe 31, en traits pointillés, correspondant à l’évolution de la décélération du premier véhicule 10 en fonction du temps, correspondant à un contrôle de la décélération par un système ACC de l’art antérieur.
La illustre une deuxième courbe 32, en trait continu, correspondant à l’évolution de la décélération du premier véhicule 10 en fonction du temps, correspondant à un contrôle de la décélération par un système ACC en fonction de la vitesse ajustée du deuxième véhicule 11 obtenue à la troisième opération, cette deuxième courbe 32 correspondant à un contrôle d’un système ACC selon la présente invention.
Comme illustré sur la , la décélération selon la présente invention illustrée par la deuxième courbe 32 augmente plus rapidement et plus tôt temporellement que la première courbe 31.
Ainsi, selon la présente invention, plus la décélération D 11 du deuxième véhicule 11 est importante, plus le paramètre de durée t D est important (en partant de 0 pour toute valeur de décélération du deuxième véhicule inférieure ou égale à une valeur minimale de décélération Dmin jusqu’à atteindre un maximum t D,max pour une valeur maximale de décélération D max et toute valeur de décélération du deuxième véhicule 11 supérieure à D max ).
En conséquence, la vitesse ajustée du deuxième véhicule 11 est diminuée par rapport à la vitesse réelle. En effet, plus la décélération du deuxième véhicule est importante, plus le paramètre t D est élevé et plus le produit est des deux est élevé (le produit donnant une valeur négative puisque la décélération est exprimée par une valeur d’accélération inférieure ou égale à 0). Ce produit est alors soustrait à la vitesse déterminée du deuxième véhicule à l’instant ‘t’ et le résultat est comparée à la première valeur de vitesse V cible_C pour sélectionner le maximum des deux.
En diminuant la vitesse du deuxième véhicule par rapport à la vitesse déterminée, la régulation de vitesse du premier véhicule est telle que la décélération du premier véhicule 10 sera plus importante pour maintenir le TIV ou le DIV de consigne, jusqu’à l’arrêt du premier véhicule 10 si nécessaire.
Le système ACC du premier véhicule 10 est ainsi plus réactif en cas de freinage fort du deuxième véhicule 11. Plus le freinage du deuxième véhicule 11 est fort ou élevé, plus la décélération du premier véhicule 10 est élevé (jusqu’à une limite) pour mieux anticiper la décélération du deuxième véhicule 11.
La vitesse ajustée calculée pour le deuxième véhicule 11 par le premier véhicule 10 permet de moduler la consigne d’un régulateur proportionnel dérivé (distance, vitesse) ou d’un régulateur proportionnel dérivé dérivé 2 (distance, vitesse, accélération) mis en œuvre par le système ACC.
Les variables opérationnelles sont générées à partir d’opérations d’assemblage, d’arrondi et/ou de troncature des sous-mots binaires w ox et w Fe des coefficients synaptiques distribués entre les deux ensembles de mémoires MEM_1 et MEM_2. On note qu’avant d’entamer la première itération d’apprentissage, les coefficients synaptiques sont initialisés à des valeurs aléatoires à titre d’exemple non limitatif. Il est envisageable de procéder aux opérations d’arrondi (ou troncature) à chaque itération d’apprentissage. Alternativement, il est possible de réaliser une seule opération d’arrondi (ou troncature) au passage de l’apprentissage à l’inférence à l’issue de la dernière itération d’apprentissage. Cela dépend du compromis cherché entre les contraintes matérielles et énergétiques subies par le calculateur et la précision du calcul.
Le réseau de calcul RC comprend une pluralité d’unités de calcul de type MAC (multiplieur-accumulateur) aptes à calculer des sommes des données d’entrée x i (ou des erreurs δ j k en rétropropagation) pondérées par l’une des variables opérationnelles (w op1 ou w op3 ) générés par le circuit de traitement des variables CTV selon l’opération réalisée par le calculateur CALC. De plus, le réseau de calcul RC reçoit la dérivée de la fonction de coût qui est calculée pour obtenir pour chaque neurone N i K de la couche de sortie finale C K une erreur δ i K . Les opérations de calcul de cette étape (fonction de coût + dérivation) sont réalisées par un microcontrôleur embarqué (non représenté) et différent du calculateur objet de l’invention.
Pendant une phase d’apprentissage, les unités de calcul du réseau de calcul RC reçoivent comme opérande de pondération, pour chaque coefficient synaptique, la première variable opérationnelle d’apprentissage w op1 générée par le circuit de traitement de variables CTV.
Pendant une opération d’apprentissage, le circuit de mise à jour des coefficients synaptiques CMAJ est configuré pour calculer pour chaque coefficient synaptique un facteur de mise à jour Δw op3 à partir des erreurs δ i et de données xi calculées préalablement lors de la propagation et de la rétropropagation de l’apprentissage. Le gradient est appliqué à la seconde variable opérationnelle w op 2 . Le résultat de la mise à jour w op 2 + Δw op 2 est ensuite écrit dans le second ensemble de mémoires MEM_2 via une boucle de rétroaction reliant le circuit de mise à jour CMAJ au circuit d’écriture CW de l’étage de mémoire MEM_POIDS.
Pendant une opération d’inférence, il n'y a pas de mise à jour des coefficients synaptiques et donc le circuit de mise à jour CMAJ n’est pas utilisé. Les unités de calcul du réseau de calcul RC reçoivent comme opérande de pondération, pour chaque coefficient synaptique, une troisième variable opérationnelle w op3 générée par le circuit de traitement de variables CTV. La troisième variable opérationnelle w op3 est représentée en pointillé car la illustre la configuration du calculateur pendant une opération d’apprentissage.
La illustre un exemple de sous-mots de stockage d’un coefficient synaptique w codé sur un mot binaire, distribués sur les deux ensembles de mémoires MEM_1 et MEM_2 du calculateur selon l’invention.
Nous rappelons que chaque coefficient synaptique w est codé sur un mot binaire w de bits de rang 1 à N+M arrangés par ordre croissant de poids, avec M et N deux entiers naturels non nuls.
Les N bits de poids forts du mot binaire forment un premier sous-mot de stockage du coefficient synaptique noté w Ox . Il s’agit des bits de rang M+1 à M+N. Le premier sous-mot de stockage w Ox comprend des bits de poids forts qui ne sont pas modifiés régulièrement lors de l’opération d’apprentissage. En effet, la mise à jour des coefficients synaptiques est une opération à grande précision au cours de laquelle les modifications affectent rarement les bits de poids forts. Ainsi, dans le calculateur CALC selon l’invention, le premier sous-mot de stockage w Ox de chaque coefficient synaptique est stocké dans le premier ensemble de mémoires MEM_1 le mieux adapté pour des opérations de lecture intensives.
Les M+K bits de poids faibles du mot binaire w forment un second sous-mot de stockage du coefficient synaptique noté w Fe . Il s’agit des bits de rang 1 à M+K. Le second sous-mot de stockage w Fe comprend des bits de poids faibles qui modifiés régulièrement lors de l’opération d’apprentissage. En effet, la mise à jour des coefficients synaptiques est une opération à grande précision au cours de laquelle les modifications affectent majoritairement les bits de poids faibles. Le second sous-mot de stockage w Fe de chaque coefficient synaptique dans le second ensemble de mémoires MEM_2 le mieux adapté pour des opérations d’écriture intensives.
De plus, les K bits de poids forts du second sous-mot de stockage w Fe constituent des bits d’intersection répétés entre le premier sous mot w Fe et le second sous-mot w Ox , avec K un entier naturel inférieur ou égal à N. Il s’agit des bits de rang M+1 à M+K qui représentent une répétition des bits de même poids du premier sous-mot de stockage w Ox mais stocké en outre dans le second ensemble de mémoires MEM_2. Cette intersection est le lien entre les bits du premier sous-mot de stockage w Ox figés pendant l’apprentissage et les bits du second sous-mot de stockage w Fe régulièrement modifiés pendant l’apprentissage. Lors du passage de l’apprentissage à l’inférence, le contenu des K bits de l’intersection est recopié à partir du second sous-mot de stockage w Fe dans les bits de même poids du premier sous-mot de stockage w Ox dans le premier ensemble de mémoires MEM_1.
La illustre les étapes d’un procédé d’apprentissage mis en oeuvre par le calculateur de réseau de neurones CALC selon l’invention.
La première étape (i) consiste à lire, pour chaque coefficient synaptique w i,j : le premier sous-mot de stockage w ox à partir du premier ensemble de mémoires de poids MEM_1 et lire le second sous-mot de stockage w Fe à partir d’un second ensemble de mémoires de poids MEM_2. Cette étape est mise en œuvre par le circuit de lecture CR commandé par des moyens de contrôle.
La deuxième étape (ii) consiste à générer la première variable opérationnelle w op1 et la deuxième variable opérationnelle w op2 à partir des premier et second sous-mots dudit coefficient synaptique w.
Pour détailler le déroulement de la deuxième étape (ii), nous illustrons respectivement dans les figures 4a et 4b un diagramme fonctionnel du circuit de traitement des variables CTV et le mécanisme de génération de la première variable opérationnelle w op1 composée de O bits avec O un entier naturel inférieur à M+N et de la deuxième variable opérationnelle w op 2 composée de M+N bits.
Sur la , le circuit de traitement de variables CTV comprend un circuit réducteur de variable CRV pour calculer la première variable opérationnelle w op1 à partir du premier et du second sous-mot de stockage (w Fe et w Ox ) en réalisant des opérations d’arrondi ou de troncature. Le circuit de traitement des variables CTV comprend en outre un circuit d’assemblage CAV apte à concaténer des sous-mots afin de générer des variables opérationnelles utilisées dans les différentes phases de fonctionnement du réseau de neurone. Le circuit d’assemblage CAV est configuré pour calculer la seconde variable opérationnelle w op2 à partir du premier et du second sous-mot de stockage w Fe et w Ox .
Sur la , le circuit réducteur de variable CRV reçoit à chaque itération le premier sous-mot de stockage w ox de N bits provenant du premier ensemble de mémoires MEM_1 et le second sous-mot de stockage w Fe de M+K bits provenant du second ensemble de mémoires MEM_2 pour calculer une variable intermédiaire w op _int codés sur M+N bits. La variable intermédiaire w op _int est obtenue par la concaténation des deux sous-mots reçus avec la prépondérance du second sous-mot de stockage w Fe pour les bits d’intersection. Ensuite, le circuit réducteur de variable CRV génère la première variable opérationnelle w op1 correspondant à l’arrondi (ou la troncature) de la variable intermédiaire w op _int sur les O bits de poids forts. On obtient ainsi une variable opérationnelle d’approximation du coefficient synaptique utilisable pour la propagation et la rétropropagation à travers le réseau de neurones pendant une itération d’apprentissage.
H2= 0,144Qv
Puissance électrique à fournir au dispositif en kW:
P = 1,870Qv
Surface d’échange du réacteur en m 2 :
S = 0,6875Qv
Diamètre intérieur du tube réactionnel en m :
Di = (Qv * 1,104E-4)^0,5
Longueur du tube réactionnel en m:
L = S / (π * Di)
Exemple 2 : Configuration de la machine selon l’invention pour la production de dihydrogène à partir de méthane, selon les caractéristiques suivantes :
débit du méthane de 50 Nm 3 /h température du méthane à l’entrée de la machine 20°C.
Les inventeurs considèrent que la température à obtenir dans le tube pour réaliser la pyrolyse est de 1100°C environ. En effet, la température théorique de pyrolyse du méthane est comprise entre 1000°C et 1100°C.
L’énergie requise calculée pour réaliser la montée en température et la pyrolyse du méthane est de 70 kW, en appliquant une marge de 20% sur cette valeur pour couvrir les éventuelles déperditions, les inventeurs considèrent que l’énergie requise est de 84 kW.
Selon ces paramètres et selon un calcul plus précis basées sur les formules générales présentées plus haut, la configuration du tube 2 est la suivante :
le diamètre intérieur du tube est de 76 mm, la longueur du tube est de 152 m, le nombre de spires est de 22, le diamètre d’une spire est de 2280 mm.
L’alimentation électrique de la machine doit être en capacité de fournir 84 kW, il convient donc d’installer un générateur électrique apte à fournir 94 kW au moins.
Selon un exemple, le substrat est à base de GaN et la couche enterrée est à base de GaN dopé N.
Selon un exemple alternatif, le substrat est à base de silicium ou de carbure de silicium.
Selon un exemple, la couche enterrée présente une épaisseur e 3 0 supérieure ou égale à 100 nm.
Selon un exemple, les premier et deuxième contacts de transistor sont disposés symétriquement de part et d’autre de la grille.
Selon un exemple, les premier et deuxième contacts de test sont disposés symétriquement de part et d’autre de la grille.
Selon un exemple, le procédé comprend en outre : Polariser positivement le premier contact de test vis-à-vis du deuxième contact de test, sans polariser les premier et deuxième contacts de transistor ni la grille, de façon à déterminer une valeur de résistance, typiquement 2.RCT + 2.Rdop, de la couche enterrée entre les premier et deuxième contacts de test.
Selon un exemple, le procédé comprend en outre : Lors de la détermination de la première valeur de résistance RT1, polariser négativement la première grille de la première structure d’isolation, en-dessous d’une première tension de seuil Vth1, de manière à bloquer un passage de courant électrique entre le premier contact de test et le premier contact de transistor, Lors de la détermination de la deuxième valeur de résistance RT2, polariser négativement la deuxième grille de la deuxième structure d’isolation, en-dessous d’une deuxième tension de seuil Vth2, de manière à bloquer un passage de courant électrique entre le deuxième contact de test et le deuxième contact de transistor.
Dans le cadre de la présente invention, les architectures de transistors de puissance envisagées sont typiquement à grille enterrée dans le substrat. Certaines de ces architectures sont plus particulièrement basées sur un principe de conduction par gaz bidimensionnel d’électrons (2DEG).
Une telle architecture de transistor inclut la superposition de deux couches semi-conductrices ayant des bandes interdites différentes qui forment un puit quantique à leur interface. Des électrons sont confinés dans ce puits quantique pour former un gaz bidimensionnel d’électrons.
Les transistors de type HEMT (acronyme de « High Electron Mobility transistor », qui signifie transistor à effet de champ à haute mobilité d'électrons), parfois également désignés par le terme de transistor à effet de champ à hétérostructure, sont des exemples de transistors basés sur cette architecture à gaz bidimensionnel d’électrons.
Pour des raisons de tenue en puissance (en particulier haute tension) et en température, le matériau semi-conducteur de ces transistors est de préférence choisi de façon à présenter une large bande d'énergie interdite. Parmi les transistors HEMT à large bande d’énergie interdite, les transistors à base de nitrure de gallium sont généralement préférés.
Dans le cadre de la présente invention, le passage du courant est typiquement piloté par une grille polarisée positivement par rapport à la source.
Cette grille peut être de type MOS ou MOSFET (acronyme anglais de « Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ») ou bien encore de manière plus générale MIS ou MISFET (« Metal Insulator Semiconductor »). Dans ce cas, la grille métallique est isolée électriquement des couches semi-conductrices par un diélectrique de grille. D’autres compositions de grille peuvent être envisagées. Une particularité des architectures de transistors selon la présente invention est que la grille traverse le puit quantique au niveau duquel est confiné le gaz bidimensionnel d’électrons. La continuité du gaz bidimensionnel d’électrons est ainsi rompue par une tranchée dans laquelle est réalisée la grille MOS du transistor.
Généralement, si la grille du transistor est mise à une tension supérieure à une tension seuil, la source et le drain sont connectés par le gaz bidimensionnel d’électrons et le transistor est dit passant.
Si la grille du transistor est mise à une tension inférieure à la tension seuil, la source et le drain ne sont plus connectés et le transistor est dit bloqué.
Dans l’agencement illustré, les moyens de mesure de tension/courant peuvent, par exemple et non limitativement, déterminer la première tension v1 (différence entre les potentiels U6 et U02) et la seconde tension v2 (différence entre les potentiels U1 et U00), ainsi qu’éventuellement une tension U30 (différence entre les potentiels U3 et U00), une tension U31 (différence entre les potentiels U3 et U01), une tension U40 (différence entre les potentiels U4 et U00), une tension U60 (différence entre les potentiels U6 et U00), et une tension U61 (différence entre les potentiels U6 et U1).
Le calculateur de batterie CB centralise les mesures de tension et de courant et détermine des paramètres en cours de la batterie principale BP en fonction de ces mesures, et notamment sa résistance interne, sa tension minimale et son état de charge (ou SOC (« State Of Charge »)). Par ailleurs, le calculateur de batterie CB échange des informations avec le calculateur de supervision CS du GMP et avec le calculateur CC associé au convertisseur CV (notamment pour les recharges en mode 4).