Dispositif de test (100, 200) d’une cellule de mémoire à changement de résistance, le dispositif comprenant : - un élément électriquement conducteur (108) adapté à relier une cellule (10) à tester au dispositif de test ; - un générateur de signaux (102) adapté à générer des signaux pour l’écriture et pour la lecture de la cellule ; - une première ligne de transmission (104) adaptée à relier le générateur et l’élément conducteur dans une première configuration destinée à transmettre un premier signal pour l’écriture de la cellule ; - un premier amplificateur (110, 310) comprenant en entrée une résistance de détection (112, 312) ; - une unité d’acquisition (130) reliée à la sortie du premier amplificateur ; - une deuxième ligne de transmission (106), distincte de la première ligne de transmission, adaptée à relier le générateur et l’élément conducteur dans une deuxième configuration destinée à transmettre un deuxième signal (V IN ) pour la lecture de la cellule ; la résistance de détection (112, 312) du premier amplificateur étant positionnée sur ladite deuxième ligne de transmission ; et - un module de commutation (120) adapté à relier, dans la première configuration, le générateur et l’élément conducteur via la première ligne de transmission et, dans la deuxième configuration, le générateur et l’élément conducteur via la deuxième ligne de transmission. Dispositif (100, 200) selon la revendication 1, dans lequel le module de commutation (120) comprend : - un premier commutateur (122) positionné entre le générateur et les première et deuxième lignes de transmission, et adapté à relier, dans la première configuration, le générateur (102) à la première ligne de transmission (104) et, dans la deuxième configuration, le générateur (102) à la deuxième ligne de transmission (106) ; et - un deuxième commutateur (124) positionné entre les première et deuxième lignes de transmission et l’élément conducteur, et adapté à relier, dans la première configuration, l’élément conducteur (108) à la première ligne de transmission (104) et, dans la deuxième configuration, l’élément conducteur (108) à la deuxième ligne de transmission (106). Dispositif (100, 200) selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le module de commutation comprend au moins un relais statique. Dispositif (100, 200) selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel l’élément conducteur (108) est une sonde de test. Dispositif (100, 200) selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel le générateur de signaux (102) est un générateur de formes d’onde arbitraires, ou un générateur de signaux arbitraires, par exemple un générateur d'impulsions. Dispositif (100, 200) selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel le premier amplificateur (110, 310) comprend un amplificateur différentiel. Dispositif (100, 200) selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel le premier amplificateur (310) est un amplificateur à détection de courant. Dispositif (200) selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, comprenant en outre un deuxième amplificateur (210) positionné entre le générateur de signaux (102) et les première (104) et deuxième (106) lignes de transmission. Dispositif (200) selon l’une quelconque des revendications 1 à 8, comprenant en outre un atténuateur (220) positionné sur la deuxième ligne de transmission (106) en amont de la résistance de détection (112). Dispositif (100, 200) selon l’une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel la valeur (R S ) de la résistance de détection (112) est adaptée à l’impédance du circuit entre le générateur (102) et la deuxième ligne de transmission (106). Dispositif (100, 200) selon l’une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel l’unité d’acquisition (130) comprend un multimètre numérique, un oscilloscope, un digitaliseur et/ou une carte d’acquisition. Dispositif selon l’une quelconque des revendications 1 à 11, dans lequel les premier et le deuxième (V IN ) signaux sont des tensions, par exemple des impulsions de tension, et le troisième signal (V OUT ) est une tension. Dispositif selon l’une quelconque des revendications 1 à 12, dans lequel la mémoire est une mémoire magnétique, une mémoire à changement de phase, une mémoire résistive, ou un memristor. Procédé de test d’une cellule (10) de mémoire à changement de résistance, le procédé comprenant : - connecter la cellule à un élément conducteur (108) d’un dispositif de test (100, 200) ; - actionner un module de commutation (120) du dispositif de test de manière à relier un générateur de signaux (102) du dispositif de test et l’élément conducteur (108) via une première ligne de transmission (104) du dispositif de test ; - générer un premier signal pour l’écriture de la cellule à l’aide du générateur ; - actionner le module de commutation (120) de manière à relier le générateur (102) et l’élément conducteur (108) via une deuxième ligne de transmission (106) du dispositif de test, distincte de la première ligne de transmission, et comportant une résistance de détection (112, 312) correspondant à l’entrée d’un premier amplificateur (110, 310) du dispositif de test ; - générer un deuxième signal (V IN ) pour la lecture de la cellule à l’aide du générateur ; - mesurer un troisième signal (V OUT ) en sortie du premier amplificateur à l’aide d’une unité d’acquisition (130) du dispositif de test reliée à la sortie dudit premier amplificateur ; - déterminer une valeur de résistance (R DUT ) de la cellule sur la base du troisième signal mesuré, du deuxième signal et de la valeur (R S ) de la résistance de détection. 7Procédé selon la revendication 14, dans lequel les premier et le deuxième (V IN ) signaux sont des tensions, par exemple des impulsions de tension, et le troisième signal (V OUT ) est une tension. Procédé selon la revendication 14 ou 15, dans lequel la mémoire est une mémoire magnétique, une mémoire à changement de phase, une mémoire résistive, ou un memristor.