INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Élém. Co Cr Mo Al Ti C Zr B Fe W Nb Ex. 1 12,5 17,4 4,65 1,90 3,38 0,030 0,05 0,006 0 0 0 Ex. 2 8,3 17,5 4,67 2,03 3,81 0,040 0,05 0,006 0 0 0 Ex. 3 10,2 15,3 4,55 1,98 3,72 0,030 0,05 0,006 0 3,17 0 Ex. 4 6,3 19,5 2,57 2,05 3,85 0,040 0,05 0,006 0 0 0 Ex. 5 15,6 19,3 3,40 1,67 2,97 0,030 0,05 0,006 0 0 0 Ex. 6 8,4 15,7 3,84 2,40 4,26 0,030 0,05 0,006 0 0 0 Ex. 7 15,5 15,5 5,45 1,65 3,35 0,030 0,05 0,006 0 0 0 Ex. 8 6,3 15,8 2,99 2,17 3,84 0,030 0,05 0,006 5,98 0 0 Ex. 9 8,3 15,5 1,68 2,12 4,19 0,030 0,05 0,006 0 3,22 0 Ex. 10 10,1 15,3 1,64 1,84 3,68 0,030 0,05 0,006 0 6,27 0 Ex. 11 4,0 15,8 2,99 2,17 3,50 0,030 0,05 0,006 3 0 0,40 Ex. 12 12,1 16,8 1,60 1,65 2,85 0,030 0,05 0,006 1,90 6,26 0 Ex. 13 12,5 15,7 3,40 2,03 3,39 0,032 0,05 0,006 0 0 0 Ex. 14 15,7 17,5 3,40 1,91 3,39 0,030 0,05 0,006 0 0 0 Ex. 15 12,0 17,0 4,00 1,70 2,80 0,035 0,05 0,006 3 4 0 Ex. 16 12,0 18,0 5,00 2,00 3,50 0,025 0,05 0,006 1 1 0 Ex. 17 8,4 15,7 2,98 2,01 2,97 0,053 0,05 0,006 0 0 0 Ex. 18 12,3 15,4 3,75 2,11 3,74 0,021 0,05 0,006 3,88 3,19 0 Ex. 19 8,4 15,7 4,67 2,27 4,24 0,030 0,05 0,006 0 0 0 Ex. 20 4,2 15,6 3,40 1,79 3,39 0,030 0,05 0,006 4,0 0 0 Ex. 21 10,4 15,6 4,24 1,91 3,38 0,030 0,05 0,006 3,95 0 0 Ex. 22 8,2 15,3 3,74 1,87 3,73 0,030 0,05 0,006 1,93 3,18 0 Ex. 23 4,1 15,3 4,15 1,98 3,73 0,030 0,05 0,006 1,93 3,18 0 Ex. 24 6,3 18,7 2,58 2,42 4,30 0,030 0,05 0,006 0 0 0 Ex.C 1 11,0 15,5 4,50 1,94 3,64 0,030 0,05 0,006 0 0 0,78
P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 Ex. 1 1,00 8,0 0,62 1058 956 102 0,16 1248 1295 Ex. 2 0,94 8,8 0,74 1080 995 85 0,16 1271 1286 Ex. 3 0,94 8,8 0,63 1075 956 119 0,16 1260 1283 Ex. 4 0,94 8,8 0,75 1081 1022 59 0,16 1267 1288 Ex. 5 1,00 7,0 0,62 1030 935 95 0,19 1258 1299 Ex. 6 1,00 10,0 0,63 1106 988 118 0,12 1254 1291 Ex. 7 0,88 7,5 0,57 1033 893 140 0,18 1245 1298 Ex. 8 1,00 9,0 0,60 1059 950 109 0,15 1266 1290 Ex. 9 0,90 9,5 0,62 1088 960 128 0,14 1261 1289 Ex. 10 0,89 8,5 0,61 1060 933 127 0,17 1266 1282 Ex. 11 1,04 8,9 0,58 1060 910 150 0,18 1281 1310 Ex. 12 1,03 7,1 0,61 1023 926 97 0,19 1252 1278 Ex. 13 1,06 8,3 0,57 1050 926 124 0,13 1204 1313 Ex. 14 1,00 8,0 0,61 1054 925 129 0,19 1282 1295 Ex. 15 1,08 7,1 0,62 1020 932 88 0,20 1254 1280 Ex. 16 1,01 8,4 0,50 1074 983 91 0,11 1227 1284 Ex. 17 1,20 7,7 1,00 1020 950 70 0,25 1199 1324 Ex. 18 1,00 9,0 0,41 1073 920 153 0,12 1260 1264 Ex. 19 0,95 9,8 0,63 1102 985 117 0,13 1255 1287 Ex. 20 0,94 7,8 0,61 1025 957 68 0,12 1159 1311 Ex. 21 1,00 8,0 0,62 1042 923 119 0,18 1254 1297 Ex. 22 0,89 8,5 0,63 1061 950 111 0,17 1259 1284 Ex. 23 0,94 8,8 0,64 1066 992 74 0,12 1206 1290 Ex. 24 1,00 10,0 0,56 1111 1033 78 0,10 1261 1282 Ex.C 1 0,85 9,1 0 1079 838 241 0,22 1302 1299
PROCEDE DE DEPOT PAR VOIE CHIMIQUE SOUS VIDE D’UN FILM MINCE DE SULFURE DE TUNGSTENE ET/OU DE MOLYBDENE La présente invention concerne un procédé de dépôt sur un substrat par voie chimique sous vide d’un film mince d’un sulfure de tungstène et/ou de molybdène.
Les dichalcogénures de métaux de transition constituent une classe de matériaux aux propriétés uniques basées sur le haut degré d'anisotropie associé à leurs structures cristallines. Ces matériaux cristallisent en une structure en couches dans laquelle les atomes formant chaque couche sont liés de manière covalente tandis que les couches adjacentes sont maintenues faiblement par des forces de van der Waals. Pour cette raison, ces matériaux sont souvent appelés "matériaux de van der Waals".
Parmi eux, le disulfure de tungstène (WS 2 ) présente des propriétés électriques particulières liées à sa structure en feuillet notablement anisotrope. C’est un semi-conducteur à gap direct en monofeuillet, et à gap indirect en multifeuillet, qui présente une mobilité électronique satisfaisante dans le plan comparé au Silicium. Il dispose aussi intrinsèquement de caractéristiques de flexibilité. Ainsi, le disulfure de tungstène peut être utilisé comme couche de canal pour réaliser des transistors à couche mince flexibles, des écrans flexibles et autres. La conductivité hors-plan est aussi spécifique, ainsi le WS 2 est aussi très étudié comme alternative aux mémoires résistives aux échelles dimensionnelles ultimes, ou dimension et consommation électrique doivent être optimisées. Dans ce cas il est intégré sous forme d’une structure verticale dite sulfure-MIM (métal/insolant/métal) entre deux métaux d’électrode. Il est également utilisé en tant que substrat pour la fabrication de films minces de nitrure d'aluminium (AlN) pouvant être facilement détachés de ce substrat et ainsi transférés (Ohuchi, F. S., Fabrication of AlN Thin Film Substrates by "van der Waals Lift-off Technique , University of Washington, April 29, 1998). Différentes solutions existent pour synthétiser le WS 2 , dont notamment sa synthèse sous forme de film mince sur silicium par voie chimique sous vide.
Ainsi, la synthèse du disulfure de tungstène par voie chimique sous vide (CVD) est connue de l’art antérieur. Elle fait généralement appel à un mélange hexacarbonyle de tungstène (W(CO) 6 ) + sulfure de dihydrogène (H 2 S). Cependant, le sulfure d’hydrogène est un gaz extrêmement toxique, dont la présence, notamment en salle blanche microélectronique, n’est généralement pas souhaitée. En outre, le contrôle en épaisseur de la croissance couche 2D par couche 2D est délicate, et les films obtenus sont généralement épais (typiquement 60 feuillets ou plus), du fait d’une vitesse de croissance trop élevée. Enfin, la croissance est de type 2D/3D avec présence dans les films obtenus de grains perpendiculaires à la surface. Ainsi, il est difficile dans ces méthodes CVD d'ajuster l'épaisseur du disulfure de tungstène à un niveau nanométrique, et il est difficile de faire croître uniformément le disulfure de tungstène ayant une nanostructure bidimensionnelle sur une grande surface. Or ces caractéristiques sont hautement désirées pour leur propriétés électriques et optiques avantageuses.
Les teneurs en oxydes d’un grain selon l’invention, y compris pour les « oxydes autres que MgO, Cr 2 O 3 et Al 2 O 3 », se rapportent aux teneurs globales pour chacun des éléments chimiques correspondants, exprimées sous la forme de l’oxyde le plus stable, selon la convention habituelle de l’industrie ; sont donc inclus les sous-oxydes et éventuellement nitrures, oxynitrures, carbures, oxycarbures, carbonitrures, ou même les espèces métalliques des éléments susmentionnés.
Par « impuretés », on entend les constituants inévitables, introduits nécessairement avec les matières premières. En particulier les composés faisant partie du groupe des oxydes, nitrures, oxynitrures, carbures, oxycarbures, carbonitrures et espèces métalliques de silicium, sodium et autres alcalins, fer, et vanadium sont des impuretés. A titre d’exemples, dans les sources d’Al et de Mg, on peut citer SiO 2 , Fe 2 O 3 ou Na 2 O.
Par « précurseur » d’un oxyde, on entend un constituant apte à fournir ledit oxyde lors de la fabrication d’un grain ou d’un mélange de grains selon l’invention.
Un « grain » est une particule dont toutes les dimensions sont inférieures à 20 mm.
On appelle « grain à base d’alumine » un grain comportant plus de 85% en masse d’alumine, en pourcentage sur la base des oxydes.
Par « grain fondu », ou plus largement « produit fondu », on entend un grain (ou produit) solide obtenu par solidification par refroidissement d’une matière en fusion.
Une « matière en fusion » est une masse rendue liquide par chauffage d'une charge de départ, qui peut contenir quelques particules solides, mais en une quantité insuffisante pour qu’elles puissent structurer ladite masse. Pour conserver sa forme, une matière en fusion doit être contenue dans un récipient. Les grains fondus à base d'oxydes selon l’invention sont classiquement obtenus par une fusion à plus de 1900°C.
On appelle « taille médiane » d’une poudre, la taille divisant les particules en première et deuxième populations égales en masse, ces première et deuxième populations ne comportant que des particules présentant une taille supérieure ou égale, ou inférieure respectivement, à la taille médiane. La taille médiane d’une poudre peut être déterminée à l’aide d’une distribution granulométrique réalisée à l’aide d’un granulomètre laser.
Dans la présente description, sauf mention contraire, toutes les compositions d’un grain sont données en pourcentages massiques, sur la base de la masse totale des oxydes du grain.
Description détaillée La description qui suit est fournie à des fins illustratives et ne limite pas l’invention.
Grain fondu
La composition chimique d’un grain fondu selon l’invention, et de préférence d’un mélange de grains selon l’invention, présente de préférence une ou plusieurs des caractéristiques optionnelles suivantes : - la teneur en MgO est de préférence supérieure ou égale à 2,3%, de préférence supérieure ou égale à 2,5%, et/ou de préférence inférieure ou égale à 6%, de préférence inférieure ou égale à 5,5%, de préférence inférieure ou égale à 5%, en pourcentages massiques sur la base des oxydes ; - la teneur en Cr 2 O 3 est de préférence supérieure ou égale à 0,3%, de préférence supérieure ou égale à 0,4%, et/ou de préférence inférieure ou égale à 2,7%, de préférence inférieure ou égale à 2,3%, de préférence inférieure ou égale à 2%, de préférence inférieure ou égale à 1,8%, de préférence inférieure ou égale à 1,6%, de préférence inférieure ou égale à 1,4%, de préférence inférieure ou égale à 1,2%, de préférence inférieure ou égale à 1%, en pourcentages massiques sur la base des oxydes ; - la teneur en oxydes autres que MgO, Cr 2 O 3 et Al 2 O 3 est de préférence inférieure à 0,9%, de préférence inférieure à 0,8%, de préférence inférieure à 0,7%, de préférence inférieure à 0,6%, de préférence inférieure à 0,5%, de préférence inférieure à 0,4%, en pourcentages massiques sur la base des oxydes ; - les oxydes autres que MgO, Cr 2 O 3 et Al 2 O 3 sont de préférence des impuretés ; - la teneur en Na 2 O est de préférence inférieure à 0,3%, de préférence inférieure à 0,25%, de préférence inférieure à 0,2%, de préférence inférieure à 0,15%, de préférence inférieure à 0,1%, en pourcentages massiques sur la base des oxydes ; - la teneur en SiO 2 est de préférence inférieure à 0,3%, de préférence inférieure à 0,2%, de préférence inférieure à 0,15%, de préférence inférieure à 0,1%, de préférence inférieure à 0,08%, de préférence inférieure à 0,05%, en pourcentages massiques sur la base des oxydes ; - la teneur en composés oxydes est supérieure à 96%, de préférence supérieure à 97%, voire supérieure à 98%, voire supérieure à 99%, voire supérieure à 99,4%, voire supérieure à 99,5%, voire supérieure à 99,6%, voire supérieure à 99,7%, en pourcentages en masse sur la base de la masse du grain fondu ; - dans un mode de réalisation, le grain fondu est non calciné et la teneur en carbone est supérieure à 50 ppm, de préférence supérieure à 100 ppm, et/ou de préférence inférieure à 0,5%, de préférence inférieure à 0,4%, de préférence inférieure 0,3%, de préférence inférieure à 0,25%, de préférence inférieure à 0,2%, de préférence inférieure à 0,15%, de préférence inférieure à 0,1%, de préférence inférieure à 0,08%, en pourcentages en masse sur la base de la masse du grain fondu.
De préférence, le grain fondu est un grain fondu calciné. Le dégagement d’hydrogène gazeux par attaque acide à chaud, exprimé en volume de gaz pour 100 grammes de grains fondus dépend des conditions dans lesquelles la calcination des grains fondus a été réalisée. Il est mesuré comme décrit en détail dans les exemples.
Dans un mode de réalisation, le grain fondu est non calciné et tel que, pour mélange constitué de dits grains, le dégagement d’hydrogène gazeux par attaque acide à chaud, exprimé en volume de gaz pour 100 grammes de grains, est supérieur à 15 cm 3 /100 g, de préférence supérieur à 30 cm 3 /100 g, de préférence supérieur à 50 cm 3 /100 g, et/ou de préférence inférieur à 500 cm 3 /100 g, de préférence inférieur à 400 cm 3 /100 g, de préférence inférieur à 300 cm 3 /100 g, de préférence inférieur à 200 cm 3 /100 g.
Dans un premier mode de réalisation particulier, le grain fondu présente une microstructure sensiblement composée de cristaux d’alumine, lesdits cristaux étant séparés par des joints dans lesquels est localisé l’élément Cr, au moins partiellement sous la forme métallique. De préférence, les oxydes autres que Al 2 O 3 , MgO et Cr 2 O 3 sont sensiblement entièrement localisés dans lesdits joints.
Le procédé comprend, selon l’invention, les étapes de :
calculer une sensibilité de l’innovation croisée à des erreurs sur les innovations des pseudo-mesures non exclues ; en déduire des coefficients de sensibilité de chaque sous-filtre aux pseudo-mesures de chacun des satellites ; former un indicateur de panne satellite à partir des coefficients de sensibilité de chaque sous-filtre aux pseudo-mesures de chaque satellite et comparer l’indicateur de panne satellite à un seuil pour déterminer si le satellite est en panne.
Dans certaines configurations géométriques particulières des satellites, et dans le cas d’une panne sur l’un d’entre eux, il arrive que plusieurs innovations croisées soient élevées, bien qu’il n’y ait qu’une seule panne. Ceci est dû au fait que, dans le cas d’une panne de satellite, chaque sous-filtre exploitant la pseudo-mesure du satellite en panne est affecté par la pseudo-mesure en question. Il en résulte que l’innovation croisée calculée par chaque sous-filtre exploitant la pseudo-mesure du satellite en panne peut, elle aussi, être affectée. Ainsi, les sélections erronées de satellites en panne sont limitées par la prise en compte de la sensibilité de chaque innovation croisée aux erreurs sur les satellites utilisés par le sous-filtre qui calcule ladite innovation croisée. Le satellite ayant l’indicateur de sensibilité le plus élevé pourra être considéré comme en panne avec un risque moindre de se tromper. Il est donc possible de réduire les cas de sélection erronée de satellite en panne et d’améliorer la validité des tests réalisés à partir de l’innovation croisée.
Il sera fait référence à la figure unique annexée :
cette figure représente schématiquement la mise en œuvre du procédé de l’invention.
DESCRIPTION DETAILLEE DE L’INVENTION En référence aux figures, l’invention concerne un système de navigation comprenant une unité de mesure inertielle 10, un dispositif de navigation satellitaire 20 et une unité électronique de calcul de navigation 30. Le système de navigation est par exemple embarqué sur un véhicule tel qu’un aéronef, un navire ou un véhicule terrestre.
L’unité de mesure inertielle 10 comprend classiquement des accéléromètres 11 disposés selon les axes d’un repère de mesure pour fournir des incréments de force spécifique et des gyromètres 12 agencés pour fournir des incréments angulaires représentatifs de la rotation du repère de mesure par rapport trois axes d’un repère inertiel. Les accéléromètres et gyromètres sont reliés à un circuit électronique de traitement 13 desdits signaux. Le circuit électronique de traitement 13 de l’unité de mesure inertielle 10 est relié à l’unité électronique de calcul de navigation 30 et fournit à cette dernière des données inertielles représentatives des incréments précités.
Le dispositif de navigation satellitaire 20 (plus précisément désignée « radio-navigation satellitaire ») comprend de manière connue en elle-même un récepteur de signaux satellitaires de positionnement 21 et un circuit électronique de traitement 22 pour recevoir et traiter des signaux satellitaires de positionnement provenant de satellites Sat i (i variant de 1 à 4 sur la figure) d’une constellation telle que celle des systèmes GPS, GALILEO, GLONASS, BEIDU. Le circuit électronique de traitement 22 du dispositif de navigation satellitaire 20 est relié à l’unité électronique de calcul de navigation 30 et fournit à cette dernière des données satellitaires contenant des pseudo-mesures de chaque satellite dont un signal a été reçu et des positions de chacun des satellites dont le signal a été reçu. Les pseudo-mesures comprennent une pseudo-distance déterminée à partir du temps de vol du signal et une pseudo-vitesse déterminée par effet doppler. On note que, de manière connue en elle-même, le circuit électronique de traitement 22 du dispositif de navigation satellitaire 20 peut sélectionner des satellites parmi l’ensemble des satellites visibles de manière à optimiser certains critères de précision (comme, par exemple, les paramètres DOP, EHE, EVE définis par la documentation du système Navstar GPS) et ne transmettre à l’unité électronique de calcul de navigation 30 que les données satellitaires des satellites sélectionnés.
L’unité électronique de calcul de navigation 30 comprend un processeur et une mémoire contenant au moins un programme ayant des instructions pour mettre en œuvre le procédé de navigation.
L’unité électronique de calcul de navigation 30 est ainsi agencée pour calculer :
des pseudo-mesures a priori, calculées à partir des données inertielles et de la position de chaque satellite, des écarts (nommés observations) entre les pseudo-mesures a priori et les pseudo-mesures fournies par le dispositif de navigation satellitaire 20.
Le procédé met en œuvre un banc de filtres de Kalman en parallèle pour réaliser l’hybridation des données inertielles et des données satellitaires pour fournir une solution de navigation et des informations statistiques.
On rappelle qu’un filtre de Kalman est un estimateur récursif mettant en œuvre des itérations successives comprenant chacune une opération de prédiction (ou propagation) et une opération de mise à jour (ou recalage).
L’opération de prédiction est conçue pour calculer :
un vecteur d’état de sortie a priori à partir du vecteur d’état d’entrée et d’un modèle de transition représentatif du mouvement du porteur, et une matrice de covariance associée à partir du modèle de transition.
Dans une première sous-étape, un premier module actif 410 est positionné sur le plateau 300 de telle sorte que ses organes d’alignement 432 coopèrent avec des organes d’alignement complémentaires 320 du plateau 300, garantissant ainsi le positionnement correct du premier module actif 410 sur le plateau 300. Les interfaces de sortie RF 427 du premier module actif 410 coïncident ainsi avec des ouvertures 310 d’une première rangée d’ouvertures du plateau 300. Les joints d’étanchéité du premier module actif 410 entourent lesdites ouvertures du plateau 300. Le renfoncement 429 du premier module actif 410 coopère avec la poutrelle 450.
Dans une deuxième sous-étape, un deuxième module actif 410, adjacent au premier module actif 410, est positionné sur le plateau 300. Le deuxième module actif 410 est positionné sur le plateau 300 de telle sorte que ses organes d’alignement 432 coopèrent avec des organes d’alignement complémentaires 320 du plateau 300. Le deuxième module actif 410 se retrouve accolé au premier module actif 410, au niveau d’un des leurs bords longitudinaux 423. Les interfaces de sortie RF 427 du deuxième module actif 410 coïncident ainsi avec d’autres ouvertures 310 de la première rangée d’ouvertures du plateau 300. Les joints d’étanchéité du deuxième module actif 410 entourent lesdites ouvertures du plateau 300. Le renfoncement 429 du deuxième module actif 410 coopère avec la poutrelle 450.
Dans une troisième sous-étape, les modules actifs 410 sont fixés à la poutrelle 450.
Une pression nominale est d’abord appliquée sur le premier module actif 410 pour mettre en compression les joints d’étanchéité du premier module actif 410. Cette pression nominale est appliquée depuis le second bord latéral 426 et en direction du plateau 300. De préférence, la pression nominale exercée est de l’ordre de 150 N.
Lorsque les joints d’étanchéité dudit premier module actif 410 sont mis en compression, le premier module actif 410 est fixé à la poutrelle 450 grâce aux deuxièmes éléments de fixation 520.
Lorsque les deuxièmes éléments de fixation 520 sont des vis de serrage, chaque vis de serrage traverse la poutrelle 450 puis le premier module actif 410. Chaque vis est ainsi vissée d’abord dans les deuxièmes orifices 452 filetés de la poutrelle 450 puis dans les deuxièmes orifices 434 filetés du premier module actif 410, provoquant ainsi l’immobilisation de la poutrelle 450 sur le plateau 300.
Lorsque lesdits deuxièmes éléments de fixation 520 sont en place, la pression nominale sur le premier module actif 410 est relâchée. Les joints d’étanchéité du premier module actif 410 sont alors positionnés correctement autour des ouvertures 310 respectives du plateau 300.
Une pression nominale est ensuite appliquée sur le deuxième module actif 410 pour mettre en compression les joints d’étanchéité du deuxième module actif 410, de manière similaire à celle appliquée sur le premier module actif 410. Puis le deuxième module actif 410 est fixé à la poutrelle 450 grâce aux deuxièmes éléments de fixation 520, comme pour le premier module actif 410.
Dans l’exemple de la .b, deux vis de serrage permettent d’assembler fixement chaque module actif 410 de la première rangée à la poutrelle 450.
Dans cet exemple de mise en œuvre de cette deuxième étape, les modules actifs 410 sont positionnés les uns après les autres puis mis en pression et assemblés à la poutrelle 450 les uns après les autres.
Il est également envisageable en premier lieu de positionner, mettre en pression et d’assembler fixement le premier module actif 410 à la poutrelle 450 puis de positionner, mettre en pression et d’assembler fixement le deuxième module actif 410 à la poutrelle 450.
Il est tout aussi envisageable en premier lieu de positionner tous les modules actifs 410 puis de les mettre en pression simultanément et les assembler fixement à la poutrelle 450.
A l’issue de cette deuxième étape, tous les modules actifs 410 de la première rangée sont fixés à la poutrelle 450.
Dans une troisième étape, comme illustré sur la d), le conduit caloporteur 460 est assemblé aux modules actifs 410 de la première rangée.
La pâte thermo-conductrice est déposée sur une partie du conduit caloporteur 460.
Dans l’exemple du conduit caloporteur 460 formé par au moins un tube allongé 461 et deux plaques longitudinales de support 462, la pâte thermo-conductrice est déposée sur chacune des plaques longitudinales de support 462. Puis le conduit caloporteur 460 est positionné contre les modules actifs 410 de la première rangée.
Toutefois, on pourra également utiliser un modèle géologique 100 qui inclut d’autres données géométriques, et ce, sans nécessiter de modifications substantielles de l’invention.
Dans un deuxième exemple, les données géométriques incluent des données de segments à deux points.
Dans un troisième exemple, les données géométriques incluent des données concernant des triangles.
En pratique, on représente chaque point par des coordonnées d’un système de coordonnées de domaine géologique.
Dans un premier exemple, le système de coordonnées de domaine géologique est un système de coordonnées cartésien à trois dimensions.
Dans un deuxième exemple, le système de coordonnées de domaine géologique est un système de coordonnées polaire à trois dimensions.
Toutefois, on pourra également utiliser d’autres systèmes de coordonnées, et ce, sans nécessiter de modifications substantielles de l’invention.
Dans le contexte de l’invention, on entend par maillage volumique une représentation discrète d’un domaine au moyen d’éléments géométriques tridimensionnels, appelés mailles.
Par exemple, les mailles d’un maillage volumique peuvent présenter la forme de tout polyèdre quelconque.
La illustre le modèle géologique 100 surfacique de la qui est inséré dans un maillage volumique 200.
Dans le contexte de l’invention, le maillage volumique 200 présente des mailles en forme de tétraèdres.
On entend par tétraèdre, un polyèdre de la famille des pyramides qui est composé de quatre faces triangulaires, six arêtes et quatre sommets.
La illustre un tétraèdre 300.
Comme illustré sur la , une maille 300 en forme de tétraèdres présente une région intérieure qui est délimitée par des éléments de forme 310, 320, 330 qui incluent des sommets 310, des arêtes 320 et des faces 330.
En pratique, on peut décrire un tétraèdre 300 par une liste orientée de ses sommets 310, dans laquelle on choisit arbitrairement un premier sommet.
En outre, on peut identifier les faces 330 d’un tétraèdre 300 via des conventions implicites.