INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Les f igures 8, 8A illustrent un mode d’intégration dans l’objet 10 de deux microcircuits, par exemple les microcircuits MC, MC2 de la f igure 5. Les microcircuits MC, MC2 sont formés dans deux pièces mécaniques 5, 6, mobiles l’une par rapport à l’autre. Selon un mode de réalisation, chacun des microcircuits MC, MC2 est connecté à des plages de contact CT1-CT2, CT3-CT4 respectives. Les plages de contact CT1-CT2, CT3-CT4 sont placées sur les pièces 5, 6 de manière à pouvoir entrer momentanément en contact les unes avec les autres lorsque les pièces 5,6 sont dans une certaine position l’une par rapport à l’autre. Dans l’exemple de la f igure 8A, les pièces 5, 6 sont des roues dentées engrenées l’une avec l’autre. Les plages de contact CT1, CT2 reliées au microcircuit MC viennent simultanément en contact avec les plages de contact CT3, CT4 reliées au microcircuit MC2, lorsque les roues dentées 5, 6 occupent une certaine position angulaire respective autour de leur axe de rotation. Si l’un des deux microcircuits MC, MC2 est alimenté au moment où la plage de contact CT1 est en contact avec la plage de contact CT3, et la plage de contact CT2 est en contact avec la plage de contact CT4, une procédure d’authentification peut être conduite par les microcircuits MC, MC2. Les plages de contact CT1-CT4 peuvent être réalisées en formant dans le substrat des trous métallisés placés dans le substrat de manière à être situés sur la ligne de découpe 5’ du substrat pour former les pièces 5, 6.
Il apparaîtra clairement à l'homme de l'art que la présente invention est susceptible de diverses variantes de réalisation et diverses applications. En particulier, des modes de réalisation incluent toutes les combinaisons possibles des variantes de réalisation précédemment décrites.
Le substrat dans lequel le microcircuit MC, MC1, MC2, MC3 et la pièce fonctionnelle 5 peuvent être formés en un matériau semiconducteur tel que le silicium (Si), l’arséniure de gallium (AsGa), ou le germanium (Ge). Ce substrat semiconducteur peut également être formé par du diamant dopé. Ainsi, l’invention peut également être appliquée à la protection d’un diamant ou d’un bijou comportant un diamant.
La présente invention peut s’appliquer aux circuits intégrés tels que les capteurs ou les composants émetteurs de signaux de communication. Ainsi, la f igure 9 représente un appareil DC comprenant un substrat SCW sur lequel un circuit intégré SSR est formé, le circuit intégré fournissant des signaux SS.
Selon un mode de réalisation, un microcircuit sécurisé MC6 est également formé sur le substrat SCW. Le microcircuit MC6 est configuré pour conduire une procédure d’authentification avec le circuit intégré SSR, et/ou pour chiffrer et/ou signer les signaux SS. Les signaux ES fournis par l’appareil DC incluent soit une version chiffrée des signaux ES fournis par le circuit intégrés SSR, éventuellement associée à une signature de cette version chiffrée, soit les signaux SS et une signature des signaux SS. Ainsi, les signaux ES permettent de déterminer de manière sûre, le circuit intégré SSR ayant produit les signaux SS.
Le circuit intégré SSR peut être un capteur d’imag ou d’empreinte digitale. Dans le cas où les signaux SS sont des images, la signature produite par le microcircuit MC6 peut être insérée dans l’image, par exemple par "watermarking". Le circuit intégré SSR peut également être un composant de télécommunication telle qu’une diode laser utilisée pour les télécommunications optiques. Dans cette application, le microcircuit MC6 peut chiffrer et/ou signer les données émises par la diode.
Procédé de détermination d’une configuration d’un processeur quantique pour la résolution d’un problème d’optimisation DOMAINE TECHNIQUE DE L’INVENTION La présente invention concerne un procédé de détermination d’une configuration d’un processeur quantique pour la résolution d’un problème d’optimisation. La présente invention concerne aussi un produit programme d’ordinateur. La présente invention porte aussi sur un support lisible d’informations associé.
L'informatique quantique est une technologie en plein essor qui présente notamment un intérêt pour la résolution de problèmes d’optimisation combinatoire. De tels problèmes, qui se posent dans tous les domaines industriels (logistique, énergie, télécom, informatique, banque/ﬁnance, etc.), ne sont généralement pas compatibles avec les capacités de calcul des ordinateurs classiques.
Les problèmes d’optimisation combinatoire sont propres à être reformulés sous la forme de problèmes d’optimisation binaire quadratique sans contrainte (en anglais « Quadratic Unconstrained Binary Optimization (QUBO) problems »). Un problème QUBO consiste à trouver la chaîne de bits , c’est-à-dire un vecteur à N dimensions de 0 et de 1, minimisant la fonction de coût , avec M une matrice réelle symétrique.
Il est connu de l’état de la technique des méthodes de résolution de problèmes QUBO au moyen de processeurs quantiques. De telles méthodes utilisent, par exemple, un algorithme adiabatique quantique tel que décrit dans l’article Edward Farhi, Jeﬀrey Goldstone, Sam Gutmann, Joshua Lapan, Andrew Lundgren, and Daniel Preda. A Quantum Adiabatic Evolution Algorithm Applied to Random Instances of an NP-Complete Problem. Science, 292 (5516):472–476, Avril 2001. doi: 10.1126/science.1057726. D’autres méthodes sont basées sur un algorithme d'optimisation approximative quantique (en anglais « Quantum Approximate Optimization Algorithm » ou QAOA) tel que décrit dans l’article Edward Farhi, Jeﬀrey Goldstone, and Sam Gutmann. A Quantum Approximate Optimization Algorithm. arXiv e-prints, art. arXiv:1411.4028, Novembre 2014.
La mise en œuvre de ces méthodes de résolution impliquent de réaliser un Hamiltonien pour le processeur quantique qui soit étroitement lié à la fonction de coût C. Plus spécifiquement, pour mettre en œuvre ces méthodes, il est cherché à réaliser un Hamiltonien cible H c pour le processeur quantique tel que . Un état quantique s'écrit typiquement comme , où désigne la probabilité d’effectuer une mesure sur le processeur quantique dans l’état de base . Par exemple, pour N = 5, une instance de serait avec les qubits 1 et 3 étant dans un état et les qubits 2, 4 et 5 dans un autre état. dénote la valeur mesurée de l'observable H c lorsqu’une mesure est effectuée sur le processeur quantique dans l’état .
Des moyens permettant de générer exactement l’Hamiltonien cible H c ont été développés pour des processeurs quantiques basés sur des circuits ou des processeurs quantiques supraconducteurs, tels que les machines de la société D-wave.
La charge hydrocarbonée hydrogénée a une teneur en aromatiques qui est inférieure à la teneur en aromatiques de la charge (avant l'étape a)). Avantageusement, l’hydrogénation est réalisée dans les conditions mentionnées ci-dessus jusqu'à l'obtention d'un taux de conversion des composés aromatiques compris entre 95 et 100%, de préférence entre 98 et 99,99%.
L’hydrogénation permet de transformer les composés aromatiques en composés naphténiques.
L'étape d’hydrogénation peut être suivie d'une mesure de la teneur en aromatiques par spectrométrie UV ou par chromatographie liquide haute performance (HPLC). La HPLC est de préférence utilisée lorsque la quantité d'aromatiques est supérieure à 0,1 % en masse, mais les échantillons peuvent aussi être dilués afin de pouvoir mesurer la teneur en aromatiques par spectrométrie UV lorsque la teneur en aromatiques des échantillons est trop élevée.
Charge hydrocarbonée hydrogénée La charge hydrocarbonée hydrogénée comprend de préférence :
a) moins de 500 ppm en masse, de préférence moins de 300 ppm en masse et plus préférentiellement moins de 100 ppm en masse ;
b) de 20 à 60% en masse de paraffines ;
c) de 40 à 80% en masse de naphtènes,
par rapport à la masse totale de la charge hydrocarbonée hydrogénée.
La charge hydrocarbonée hydrogénée a sensiblement le même point d'ébullition initial et le même point d'ébullition final que la charge hydrocarbonée (avant hydrogénation).
Par « sensiblement le même point d’ébullition », il convient d’entendre un point d’ébullition égale ou qui ne diffère que d’une température inférieure ou égale à 10°C.
Ainsi, la charge hydrocarbonée hydrogénée présente une gamme d’ébullition ayant une largeur supérieure ou égale à 100°C, de préférence supérieure ou égale à 120°C, de préférence encore supérieure ou égale à 150°C.
Selon un mode de réalisation, le point initial d’ébullition de la charge hydrocarbonée hydrogénée se situe dans la gamme allant de 20 à 250°C, de préférence de 30 à 200°C.
Selon un mode de réalisation, le point final d’ébullition de la charge hydrocarbonée hydrogénée se situe dans la gamme allant de 150 à 400°C, de préférence de 180 à 390°C.
Ainsi, si la charge hydrocarbonée à hydrogéner est une coupe essence, la charge hydrocarbonée hydrogénée sera également une coupe essence.
Distillation de la charge hydrocarbonée hydrogénée
Le procédé de l’invention comprend au moins une étape de distillation d’une charge hydrocarbonée, ladite charge hydrocarbonée ayant éventuellement été hydrogénée selon le procédé d’hydrogénation décrit dans l’invention.
Grâce à la pluralité de ventouses 40, le dispositif 1 peut aussi maintenir un ensemble monobloc comprenant toutes les dents 10, c’est-à-dire les dents 10 solidaires les unes des autres avant même leur fixation dans le carter 20. Un tel ensemble monobloc est par exemple réalisé en enroulant une tôle métallique en spirale. Le dispositif 1 permet alors de déposer l’ensemble monobloc dans le carter 20.
En d’autres termes, le dispositif 1 permet de saisir toutes les dents 10 tout en les agençant les unes par rapport aux autres dans une position finale correspondant à leur position dans le stator en fonctionnement. Cela simplifie le positionnement des dents 10 dans le carter 20 notamment en permettant de mieux maitriser l’alignement et l’orientation des dents 10. Les dents 10 peuvent aussi être toutes amenées contre le carter 20 d’un seul mouvement, ici un mouvement de translation du dispositif 1, ce qui facilite l’industrialisation du stator.
Le support 2 se présente sous la forme d’un disque épais sur lequel sont réparties les ventouses 40. Le support 2 est par exemple réalisé en métal, par exemple en aluminium. De préférence, le matériau utilisé pour réaliser le support 2 est rigide dans le sens où le support 2 ainsi réalisé ne se déforme pas lors de la préhension des dents 10 et de leur placement contre le carter 20. Cette absence de déformation permet de positionner les dents 20 avec précision.
Comme le montre la , chaque ventouse 40 présente globalement une forme de calotte sphérique ou une forme tronconique. Chaque ventouse 40 est ici réalisée en élastomère. Chaque ventouse 40 est par exemple réalisée en caoutchouc, néoprène ou silicone. Chaque ventouse 40 présente par exemple un diamètre au repos, c’est-à-dire avant de saisir l’une des dents 10, compris entre 20 mm et 30 mm. Le diamètre d’une ventouse 40 est ici mesuré au niveau de son pourtour qui est destiné à venir en contact avec la face supérieure 11.
Une fois les dents 10 saisies, chaque ventouse 40 présente une surface de préhension avec la face supérieure 11 qui est définie comme la surface d’un plan délimité par le pourtour de la ventouse 40 en contact avec la face supérieure 11. Ainsi, ici, la surface de préhension de chaque ventouse 40 est celle d’un disque de diamètre égal à au diamètre de la ventouse 40. La surface de préhension de chaque ventouse 40 est ici supérieure ou égale à 30 %, et de préférence supérieure ou égale à 50 %, de la surface de la face supérieure 11 de manière à maintenir efficacement la dent 10. Avantageusement, la forme des ventouses 40 peut être adaptée la forme de la face supérieure 11 des dents 10. Ainsi, par exemple, on peut prévoir que les ventouses 40 présentent une forme de trapèze isocèle semblable à celle des faces supérieures 11.
Comme illustré en , chaque ventouse 40 comprend un conduit 41. Chaque conduit 41 forme ici un évidement central débouchant sur une face interne 42 concave de la ventouse 40.
Le dispositif 1 comprend un circuit 50 qui est fluidiquement connecté à chaque conduit 41. Le circuit 50 comprend ici une pluralité de canaux latéraux 51 s’étendant radialement, c’est-à-dire perpendiculairement à l’axe longitudinal A1. Chaque canal latéral 51 relie l’un des conduits 41 à un canal central 52 s’étendant selon l’axe longitudinal A1. Comme le montre la , les canaux latéraux 51 et le canal central 52 sont ici usinés dans le volume du support 2.
Le circuit 50 est adapté à réguler une pression entre chaque ventouse 40 et la face supérieure 11 de la dent 10 qu’elle maintient. Le circuit 50 permet plus spécifiquement de générer une dépression, c’est-à-dire une pression inférieure à la pression atmosphérique, entre la face interne 42 de chaque ventouse 40 et la face supérieure 11 de la dent 10 que la ventouse 40 maintient. Lorsque le circuit 50 génère cette dépression, chaque ventouse 40 adhère fermement à la face supérieure 11 de la dent 10. Lorsque le circuit 50 ne génère pas cette dépression, c’est-à-dire par exemple lorsque l’ensemble du circuit 50 est à la pression atmosphérique, les ventouses 40 peuvent être séparées des dents 10.
Pour réguler la pression au niveau des ventouses 40, le circuit 50 comprend des moyens de régulation de la pression, par exemple ici une pompe à air (non représentée). La pompe à air est par exemple disposée en sortie du canal central 52, c’est-à-dire à l’opposé des conduits 41. Le circuit 50 génère une dépression suffisante pour assurer la préhension des dents 10. Ici, le circuit peut par exemple générer, par ventouse 40, une dépression de 0,1 à 0,2 bars en dessous de la pression atmosphérique.
Le moyen de centrage 30 est conçu pour s’assurer que les dents 10 (maintenues par les ventouses 40) soient rapportées dans une position prédéterminée par rapport au carter 20. Cette position prédéterminée est ici la position dans laquelle les dents 40 sont fixées à la face principale 21 du carter 20. Ici, le moyen de centrage 30 est plus spécifiquement conçu pour aligner l’axe longitudinal A1 du dispositif 1 avec l’axe principal du carter 20.
Un exemple de réalisation du moyen de centrage 30 est illustré en . Dans cet exemple, le moyen de centrage 30 comprend deux reliefs extérieurs, ici deux tiges 31, agencées en périphérie du support 2. Les deux tiges 31 sont destinées à s’emboiter dans des reliefs en creux de forme complémentaire prévus dans le carter 20.
En variante, le moyen de centrage peut comprendre une seule tige présentant par exemple plusieurs faces de façon à contraindre son orientation dans le relief du carter. Le moyen de centrage, notamment s’il comprend une unique tige, peut être disposé le long de l’axe longitudinal. Encore en variante, le moyen de centrage peut comprendre des reliefs en creux conçus pour s’emboiter dans les reliefs en saillie prévus sur le carter.
Le moyen de centrage 30 n’est pas limité à un moyen mécanique tel que représenté sur la . Le moyen de centrage 30 peut par exemple comprendre un système optique comprenant des sources lasers et des capteurs photosensibles.
Comme le montre la , les ventouses 40 sont réparties sur une face principale 60 du support 2. La face principale 60 est ici plane, annulaire et centrée sur l’axe longitudinal A1.
Comme cela apparait sur la , le support 2 comprend aussi une paroi périphérique 61 s’élevant à partir d’un bord extérieur de la face principale 60. La paroi périphérique 61 est tubulaire, et sa face intérieure s’étend selon une surface cylindrique de révolution centrée sur l’axe longitudinal A1.
Comme le montre la , la paroi périphérique 61 est dimensionnée pour s’étendre contre une portion périphérique de l’enveloppe 14 de chaque dent 10. La paroi périphérique 61 permet d’assurer que les dents 10 sont agencées dans leur position finale au cours de la préhension par les ventouses 40. En d’autres termes, la paroi périphérique 61 est ajustée pour que, lorsque les dents 10 sont engagées à l’intérieur de cette paroi, ces dents 10 s’appuient les unes contre les autres et contre cette paroi, ce qui les bloque dans une position relative les unes par rapport aux autres qui correspond à leur position finale. Cela permet de guider l’application des ventouses 40 sur les dents 10 et participe ensuite à contraindre la position des dents 10 au cours de leur positionnement dans le carter 20.
(3) Y. Lu et al., Joule (2018), vol. 2, pp. 1747-1770 Electrolyte and interface engineering for solid state sodium batteries
(4) C. Zhou et al., ACS Energy Letters (2018), vol.3, pp.2181-2198 Engineering materials for progressive all solid state Na batteries
(5) C.M. Rost et al., Nature Communications (2015), 6, 8485 Entropy-stabilized oxides
(6) https://www.icmmo.u-psud.fr/fr/equipes/sp2m/thematiques/materiaux-fonctionnels/heox/
(7) S. Franger et al., J. Electrochem. Soc. (2000), vol.147, pp. 3226-3230 Chemistry and electrochemistry of low temperature manganese oxides as lithium intercalation compounds
(8) Y. Wang et al., J. Power Sources (2015), vol.286, pp. 330-345 Lithium and lithium ion batteries for applications in microelectronic devices: A review
(9) V. Thangadurai et al., J. Power Sources (2002), vol.108, pp. 64-69 Use of simple AC technique to determine the ionic and electronic conductivities in pure and Fe-substituted SrSnO3 perovskites
(10) Y. Krockenbergeret al., Appl. Phys. Lett . 88, 162501 (2006)
EXEMPLES La conductivité totale des composés des exemples est mesurée par spectroscopie d’impédance (MMates 7260 Impedancemeter) en cellule de test symétrique (de type Swagelok) Pt|Heox|Pt entre 1 MHz et 100 mHz, avec une excitation de 100mV et un enregistrement de 7 points par décade de fréquence. Cette méthode permet d’accéder aux valeurs de la conductivité électronique et de la conductivité ionique (V. Thangadurai et al., référence 9).
Les diffractogrammes de rayons X des composés des exemples sous la forme de poudres d’électrolytes solides finement broyées sont obtenus en utilisant un diffractomètre Panalytical Xpert avec anticathode au cuivre.
Exemple 1 : synthèse d’un oxyde à haute entropie
Les oxydes à haute entropie sont préparés à partir des oxydes métalliques binaires (MgO, Co 3 O 4 , Ni 2 O 3 , CuO, ZnO) et d’un carbonate alcalin (Li 2 CO 3 ou Na 2 CO 3 ) qui sont des composés commerciaux (Alfa Aeser, > 99% pureté).
Exemple 1.1. : p rocédé de synthèse d’un oxyde à haute entropie :
L’exemple ci-dessous illustre la fabrication d’un oxyde à haute entropie de formule (Mg 0.2 Co 0.2 Ni 0.2 Cu 0.2 Zn 0.2 ) 0.7 Li 0.3 O (x=0,3).
Pour la fabrication d’1g de l’oxyde à haute entropie, les masses de précurseurs engagées sont indiquées dans la table 1.
Composés Masse (g) MgO 0.09257 Co 3 O 4 0.18436 NiO 0.17156 CuO 0.18271 ZnO 0.18694 Li 2 CO 3 0.18184
Brevet n° 1 : Brevet déposé n° 2012-237206 Aperçu de l'invention Problèmes que l'invention tente de résoudre
On souhaite maintenir la maniabilité du véhicule à selle même en mode rampage. Lorsqu’on effectue une commande du groupe moteur pour maintenir la maniabilité, il se peut qu’un bruit de fonctionnement du groupe moteur soit émis.
La présente invention a pour but de fournir un véhicule à selle permettant de réprimer le sentiment de gêne par rapport au bruit entendu par le conducteur, tout en maintenant la maniabilité en mode rampage. Moyens pour résoudre les problèmes
Le véhicule à selle d’un mode de réalisation de la présente invention possède la structure suivante : le véhicule à selle a au moins une roue avant, au moins une roue arrière placée à l’arrière de l’axe antéro-postérieur de la moins une roue avant, un siège sur lequel peut s’assoir un conducteur, et un groupe moteur qui est au moins partiellement disposé dans un espace où le conducteur est assis ; le véhicule à selle est équipé : - dudit groupe moteur qui possède un moteur, permettant de modifier la puissance aussi bien avec que sans enclenchement d’un moyen d’accélération manipulé par le conducteur, ainsi qu’un embrayage centrifuge et/ou un embrayage à commande électronique, et qui comprend une boîte de vitesses transmettant la puissance dudit moteur à ladite au moins une roue avant et/ou à ladite au moins une roue arrière ; - d’un sélecteur de mode pour choisir entre un mode rampage, qui effectue une commande de rampage, et un mode de conduite, qui effectue une commande normale, selon l’opération effectuée par le conducteur ; - et d’un dispositif de commande qui contrôle ladite boîte de vitesses et ledit moteur que possède au moins ledit groupe moteur. Lorsque le mode rampage est sélectionné avec ledit sélecteur de mode, et qu’aucune manipulation n’est effectuée sur ledit moyen d’accélération, ledit dispositif de commande a pour caractéristiques : (i) - de commander automatiquement la puissance dudit moteur ; (ii) - et d’effectuer une commande de rampage selon le mode rampage, qui contrôle ladite boîte de vitesses afin que le degré de changement de rapport de vitesse en mode rampage soit plus bas que le degré de changement de rapport de vitesse en mode conduite pour une même variation de vitesse de véhicule, et/ou afin que le rapport de vitesse en mode rampage soit inférieur au rapport de vitesse en mode conduite pour une même vitesse de véhicule.
Selon cette configuration, il est possible de réprimer le bruit de fonctionnement entendu par le conducteur depuis au moins une partie du groupe moteur situé dans le même espace que celui dans lequel le conducteur est assis, en effectuant ladite commande de rampage par le dispositif de commande, lorsque le mode rampage est sélectionné avec ledit sélecteur de mode, et que le moyen d’accélération n’est pas manipulé. Concrètement, durant un mode rampage classique, la vitesse de rotation du moteur augmente même si le conducteur n’utilise pas le moyen d’accélération. En d’autres termes, lorsque le bruit du vent est faible en mode rampage, le conducteur ressent une gêne par rapport au bruit car le bruit de fonctionnement du moteur produit est plus fort qu’en mode de conduite, quelle que soit l’opération effectuée par le conducteur sur le moyen d’accélération. De plus, si la boîte de vitesses possède un embrayage centrifuge, le sentiment de gêne est plus susceptible d’être ressenti car la vitesse de rotation du moteur augmente facilement en mode rampage sans manipulation de le moyen d’accélération de la part du conducteur, comparé au cas où la boîte de vitesses possède un embrayage à commande électronique sans embrayage centrifuge. Il est possible de réduire la vitesse de rotation du moteur en mode rampage et de réprimer le bruit de fonctionnement du moteur tout en maintenant la maniabilité, grâce au dispositif de commande qui contrôle la boîte de vitesses afin que le rapport de vitesse en mode rampage sans manipulation de le moyen d’accélération de la part du conducteur soit inférieur au rapport de vitesse en mode de conduite pour la même vitesse de véhicule, comparé au cas où le dispositif de commande ne contrôle pas de cette façon pour la même vitesse de véhicule. En outre, il est possible de réprimer le bruit de fonctionnement du groupe moteur en mode rampage tout en maintenant la maniabilité, grâce au dispositif de commande qui contrôle la boîte de vitesses afin que le degré de changement du rapport de vitesse en mode rampage sans manipulation de le moyen d’accélération de la part du conducteur soit plus bas que le degré de changement du rapport de vitesse en mode de conduite pour la même variation de vitesse du véhicule. Par conséquent, il est possible de réprimer le sentiment de gêne par rapport au bruit entendu par le conducteur tout en maintenant la maniabilité en mode rampage.