Procédé de réalisation d’un dispositif microélectronique doté de plusieurs niveaux (N 1 , N 2 ) superposés de composants électroniques, le procédé comprenant, dans cet ordre, des étapes consistant à : a) réaliser une structure comprenant un support (100) doté au moins un composant d’un premier niveau (N 1 ) de composants, ledit support (100) étant surmonté d’une couche isolante (110), la couche isolante étant elle-même surmontée d’une couche semi-conductrice (120) d’un deuxième niveau (N 2 ), ladite couche semi-conductrice (120) comportant une sous-couche inférieure (121) en contact avec ladite couche isolante et une sous-couche supérieure (122) disposée sur la sous-couche inférieure, une première desdites sous-couches inférieure et supérieure étant en matériau semi-conducteur cristallin (C) tandis qu’une deuxième desdites sous-couches inférieure et supérieure est en matériau semi-conducteur amorphe (A), puis, b) former au moins un bloc (132) de grille de transistor sur ladite couche semi-conductrice (120), puis, c) former, de part et d’autre du bloc (132) de grille, par implantation(s) de dopants dans ladite couche semi-conductrice (120), des régions dopées (125) de part et d’autre d’une zone semi-conductrice située en regard du bloc (132) de grille et prévue pour accueillir un canal dudit transistor, puis, d) réaliser au moins un traitement thermique de sorte à effectuer une recristallisation de la deuxième sous-couche amorphe en se servant de la première sous-couche cristalline comme zone de départ d’un front de recristallisation tout en effectuant une activation desdits dopants. Procédé selon la revendication 1, dans lequel l’étape a) comprend une implantation d’amorphisation d’une épaisseur de ladite couche semi-conductrice (120) du deuxième niveau (N 2 ) de sorte à former ladite deuxième sous-couche en matériau semi-conducteur amorphe (A). Procédé selon la revendication 1, ladite deuxième sous-couche en matériau semi-conducteur amorphe (A) s’étend pleine plaque de sorte que le support (100) est entièrement recouvert par la deuxième sous-couche. Procédé selon l’une des revendications 1 à 3, dans lequel à l’étape a), la première sous-couche, en matériau amorphe (A), est la sous-couche supérieure (122), ladite deuxième sous-couche, en matériau cristallin (C), étant la sous-couche inférieure (121). Procédé selon l’une des revendications 1 à 3, dans lequel à l’étape a), la première sous-couche, amorphe, est la sous-couche inférieure, ladite deuxième sous-couche, cristalline, étant la sous-couche superficielle. Procédé selon l’une des revendications 4 ou 5, dans lequel la formation de la structure à l’étape a) comprend des sous-étapes consistant à : - prévoir un premier substrat (10) doté dudit premier niveau (N 1 ) de composants, - collage sur le premier substrat (10) d’un deuxième substrat (1) doté de ladite couche semi-conductrice (120), - retrait d’une portion du deuxième substrat (1) tout en préservant la couche semi-conductrice (120) collée sur le premier substrat (10). Procédé selon la revendication 6, lorsque rattachée à la revendication 5, l’étape a) comprenant en outre, préalablement audit collage, une étape d’amorphisation de ladite couche semi-conductrice (120) du deuxième niveau (N 2 ) de sorte à former la deuxième sous-couche semi-conductrice. Procédé selon la revendication 7, dans lequel préalablement audit collage on réalise une implantation du premier substrat (1) de manière à créer une zone de fragilisation (3), l’amorphisation de ladite couche semi-conductrice (120) étant effectuée après ladite création de ladite zone de fragilisation. Procédé selon l’une des revendications 6 à 8, dans lequel une couche (170) d’arrêt de gravure est agencée sur le deuxième substrat et accolée à ladite couche semi-conductrice (120), le retrait d’une portion du deuxième substrat (1) comprenant en outre une gravure sélective de la couche d’arrêt de gravure vis-à-vis de ladite couche semi-conductrice (120). Procédé selon l’une des revendications 1 à 9, dans lequel le procédé comprend après l’étape b) : - la formation d’espaceurs isolants (137) de part et d’autre du bloc de grille, l’étape c) de formation des régions dopées (125) comprenant une implantation de dopants avant ladite formation des espaceurs (137) isolants, ou, - la formation d’espaceurs isolants (137) de part et d’autre du bloc de grille, l’étape c) de formation des régions dopées (125) comprend une implantation de dopants réalisée après ladite formation des espaceurs isolants (137). Procédé selon l’une des revendications 1 à 10, comprenant en outre, après l’étape d) : une croissance de blocs semi-conducteurs (145) de part et d’autre du bloc (132) de grille sur la couche semi-conductrice (120). Procédé selon la revendication 11, dans lequel à l’étape a), la première sous-couche, amorphe, est la sous-couche inférieure, ladite deuxième sous-couche, cristalline, étant la sous-couche superficielle, le procédé comprenant en outre après l’étape d) et préalablement à la croissance desdits blocs semi-conducteurs, le retrait de régions superficielles non-dopées. Procédé selon l’une des revendications 1 à 12, dans lequel le traitement thermique de recristallisation est réalisé à une température inférieure à 700°C, préférentiellement inférieure à 550°C, et avantageusement inférieure à 500°C. Procédé selon l’une des revendications 1 à 13, dans lequel le composant du premier niveau (N 1 ) est réalisé dans une couche (12) en matériau semi-conducteur.