Procédé de fabrication d'un vias conducteur isolé (36, 38) traversant un premier empilement (10') de couches (14, 16, 18) de manière à atteindre une première couche (12), le premier empilement comprenant au moins une deuxième couche conductrice ou semiconductrice (14), le procédé comprenant : la formation d'une première cavité (20) dans le premier empilement (10'), la première cavité (20) traversant partiellement la deuxième couche (14) ; la formation d'un deuxième empilement (22) comprenant une troisième couche d'arrêt de gravure (26) recouverte d'une quatrième couche isolante (28) sur la face supérieure du premier empilement (10') et sur les parois et le fond de la première cavité (20) ; la gravure d'une deuxième cavité (34) traversant les premier (10') et deuxième (22) empilements, la deuxième cavité s'étendant entre le fond de la première cavité (20) et la première couche (12) ; la formation d'une cinquième couche (36) isolante recouvrant le deuxième empilement (22) et les parois et le fond de la deuxième cavité (34) ; la gravure anisotrope de la cinquième couche (36) de manière à former une gaine isolante du via sur les parois de la deuxième cavité (34), la gravure étant une gravure sélective du matériau de la cinquième couche (36) par rapport au matériau de la troisième couche (26) ; et le remplissage de la deuxième cavité (34) par un matériau conducteur de manière à former un cœur conducteur du via. Procédé selon la revendication 1, dans lequel l'étape f) comprend aussi le remplissage de la première cavité (20) par le matériau conducteur. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la première couche (12) est conductrice ou semiconductrice. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel l'étape c) comprend une photolithographie. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel le matériau de la quatrième couche (28) et le matériau de la cinquième couche (36) sont gravables sélectivement par rapport au matériau de la première couche (12). Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel les quatrième et cinquième couches sont en oxyde de silicium et la deuxième couche est en silicium. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, comprenant, entre les étapes e) et f), une étape de retrait de la troisième couche (26). Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel la troisième couche (26) est en un matériau gravable sélectivement par rapport au matériau de la première couche (12). Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel la troisième couche (26) est en carbone amorphe. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel le premier empilement (10') a une épaisseur supérieure ou égale à 6 µm. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel le premier empilement (10') comprend au moins une sixième couche isolante (16) entre la première couche (12) et la deuxième couche (14). Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 11, dans lequel le deuxième empilement (22) comprend une septième couche isolante (24) située entre la troisième couche (26) et le premier empilement (10'). Procédé selon la revendication 12, dans lequel le matériau de la troisième couche (26) est gravable de manière sélective par rapport à la septième couche (24). Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 13, dans lequel le premier empilement (10') comprend au moins une huitième couche (18) située entre la deuxième couche (14) et le deuxième empilement (22).